【事件の表示】
　特許第３１２９４８０号「ガスシールド装置及び熱処理装置」の請求項１〜３に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２９４８０号の請求項１〜３に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１２９４８０号の出願は、平成３年９月１８日に出願されたものであって、平成１２年１１月１７日に特許の設定登録がなされ、その後、泉和武より特許異議の申立がなされ、これに基づいて、取消理由通知がなされ、明細書の訂正請求がなされたものであり、その後、再度、取消理由通知がなされ、これに対して、特許権者より先の訂正請求が取り下げられ、その指定期間内である平成１４年５月２７日に新たに明細書の訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否
II−１．訂正事項
　本件明細書につき、訂正請求書に添付された訂正明細書に記載されるとおりの次の（ａ）〜（ｄ）の訂正を求めるものである。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１における、
「【請求項１】封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記中間溝から排気もしくは、前記中間溝にガスを圧送してシールドすることを特徴とするガスシールド装置。」を、
「【請求項１】封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴とするガスシールド装置。
　ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項２における、
「【請求項２】反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記中間溝から排気もしくは、前記中間溝にガスを圧送してシールドすることを特徴する熱処理装置。」を、
「【請求項２】反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴する熱処理装置。」と訂正する。
（ｃ）特許請求の範囲の請求項３における、
「請求項２に記載の装置において、接合面及び中間溝は環状であることを特徴とする熱処理装置。」を、
「請求項２に記載の装置において、接合面は環状であることを特徴とする熱処理装置。」と訂正する。
（ｄ）明細書段落０００９及び００１０における、
「請求項１の発明は、封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記中間溝から排気もしくは、前記中間溝にガスを圧送してシールドすることを特徴とする。
　請求項２の本発明は、反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記中間溝から排気もしくは、前記中間溝にガスを圧送してシールドすることを特徴する。請求項３の本発明は、請求項２に記載の装置において、接合面及び中間溝は環状であることを特徴とする。」を、
「請求項１の本発明は、封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴とする。ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。
　請求項２の本発明は、反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴する。請求項３の本発明は、請求項２に記載の装置において、接合面は環状であることを特徴とする。」と訂正する。
　
II−２．訂正の目的の適否
　上記（ａ）の訂正では、イ．中間溝（２箇所）を「環状の中間溝」と具体化し、ロ．中間溝から排気する場合を削除し、更に、ハ．圧送するガスを、「内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガス」とより具体化するものであり、これらの訂正事項は、いずれも、下位概念のものに限定することから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、上記（ａ）の訂正では、ニ．「ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く」との規定を付加するものであるが、これは、上記ロ．の訂正と同様に、中間溝から排気する場合を削除して発明をより限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記（ｂ）の訂正では、上記（ａ）のイ．〜ハ．と同じ訂正をなすものであり、これらの訂正事項は、上記したように、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記（ｃ）の訂正は、引用するところの請求項２において中間溝を環状としたことに伴い、請求項３において、その規定の重複を避けるためになされたものであって、特許請求の範囲の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　上記（ｄ）の訂正は、上記（ａ）〜（ｃ）の特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の詳細な説明の欄の記載をこれに整合させるものであって、発明の詳細な説明の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
II−３．新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記（ａ）及び（ｂ）の訂正中、中間溝を環状とすることは、明細書の段落００１４の「・・・このフランジ２０のフランジ面２２には々環状に、・・・中間溝２６・・・が設けられており・・・」及び段落００２７の「・・・中間溝２６は一重の環状のみの構成ではなく、・・・二重にしてもよく・・・」等の記載に基づくものであり、また、圧送するガスを内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力とすることは、明細書の段落００１２の「・・・内部の圧力より高い圧力で中間溝にガスを圧送し、内部より内側接合面を通過するリークを防止すること、及び外部の圧力より高い圧力で中間溝にガスを圧送し、外部より外側接合面を通過するリークを防止することにより封止接合部の漏洩を防止し、封止機能を確実なものにする。」等の記載に基づくものである。
　また、上記（ａ）の訂正中、「ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものは除く」とすることは、先願発明との重複を排除する観点から訂正されたものであり、この場合は、新規事項の追加には当たらない。
　以上のとおり、上記（ａ）及び（ｂ）の訂正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされるものであって、新規事項の追加には当たらない。
　また、上記（ａ）及び（ｂ）の訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的として、発明の目的の範囲内でなされるものであって、特許請求の範囲を実質上拡張し、又は変更するものではない。
　次いで、上記（ｃ）及び（ｄ）の訂正は、特許請求の範囲の訂正に伴って明瞭な記載の釈明を目的としてなされるものであって、新規事項の追加には当たらないし、特許請求の範囲を実質上拡張し、又は変更するものではないことは明らかである。
II−４．訂正の適否の結論
　よって、上記訂正請求は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議申立について
　ここでは、訂正請求後の発明について、取消の適否を検討する。
III−１．本件発明
　本件特許第３１２９４８０号の請求項１〜３に係る発明は、平成１４年５月２７日付で訂正請求がなされ、その請求どおり訂正された明細書の特許請求の範囲に記載される次のとおりのものである。
【請求項１】封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴とするガスシールド装置。
　ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。
【請求項２】反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴する熱処理装置。
【請求項３】請求項２に記載の装置において、接合面は環状であることを特徴とする熱処理装置。
　
III−２．特許異議申立の概要
　特許異議申立人は、証拠として
甲第１号証：特開平１−１６１８２９号公報
甲第２号証：実願昭５６−１０５５５１号（実開昭５８−１２９３９号）
　　　　　　のマイクロフィルム
甲第３号証：特開平１−２８９２５４号公報
甲第４号証：特開平１−１５８７２５号公報
甲第５号証：特開平３−１８８６２４号公報
甲第６号証：特開平３−１４９４８９号公報
甲第７号証：特開平３−２４９９３６号公報
を引用し、（１）本件請求項１（訂正後の請求項１）に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、または、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず（理由−１）、更に、（２）本件請求項１（訂正後の請求項１）に係る発明は、甲第７号証をもって提出される本件出願日前の他の特許出願で本件出願後に出願公開された特願平２−４５２１１号の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書」という）に記載された発明と同一であって、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができず（理由−２）、そして、（３）本件請求項２及び３（訂正後の請求項２及び３）に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができず（理由−３）、これら発明の特許は取り消されるべきであると、主張する。
III−３．証拠の記載内容
　甲第１号証には、以下のことが記載される。
（Ａ−１）「（１）筒状部材の端部と蓋状部材を着脱自在に結合して構成する反応容器により加熱処理する装置において、上記筒状部材の端部の結合部を複数の結合部を有する構造にしたことを特徴とする熱処理装置。
（２）複数の結合部を有する構造により反応容器の周囲に形成する空間を減圧状態とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の熱処理装置。
（３）複数の結合部を有する構造により反応容器の周囲に形成する空間に排気機構を備えたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の熱処理装置。」（特許請求の範囲第１〜３項）
（Ａ−２）「しかしながら上記従来の技術では、石英製反応容器と石英製蓋体との当接による封止即ち石英同士の当接による封止であるため、シール性が悪く、上記反応容器内を完全に封止することは困難であった。・・・本発明は・・・、反応容器内部から外部へのガスリークの防止及び外部から反応容器内への空気の侵入防止を可能とした熱処理装置を提供しようとするものである。」（第２頁左上欄第１２行〜右上欄第８行）
（Ａ−３）「筒状部材例えば石英製の円筒状反応容器（２）内に、・・・開口端と図示しない着脱機構により着脱自在とされた蓋状部材例えば石英製の平板状蓋体（５）が、上記反応容器（２）内を封止する如く結合自在に構成されている。」（第２頁左下欄第１２行〜右下欄第６行）
（Ａ−４）「上記反応容器（２）の開口端側に設けられた上記結合部（６ａ）より大口径の、反応容器（２）の長さより短い円筒管（７）の円筒状結合部（６ｂ）で複数の結合部を有する構造例えば２重構造と設定する。この円筒状結合部（６ａ）（６ｂ）は、同一平面上に位置しており、この複数の結合部を有する構造の結合部（６ａ）（６ｂ）と上記平板状蓋体（５）の結合部が結合することにより、上記反応容器（２）内部を気密自在としている。この時、上記反応容器（２）と円筒管（７）との間に形成する空間（８）は、上記蓋体（５）と当接結合する一端側即ち結合部（６ａ）（６ｂ）側を開口し、また、他端側は上記反応容器（２）に円筒管（７）端部が封着していることで密閉し、上記開口側に蓋体（５）が当接結合した時点で内部が気密となる如く構成されている。この空間（８）には、図示しない排気機構に連設した排気口（９）が接続しており、この空間（８）を減圧自在としている。」（第２頁右下欄第１１行〜第３頁左上欄第７行、第１図）
（Ａ−５）「筒状部材の端部の結合部を複数の結合部を有する構造にするものとして、反応容器（２）開口端を二重構造とする実施例について説明したが、これに限定するものではなく、例えば第３図に示すように反応容器（２）開口端の結合面をテーパー形状とし、この結合面に嵌合する如く蓋体（５）もテーパー形状としてこの蓋体（５）の結合面に凹状の空間（８）を形成し、この空間（８）の両端に配置した結合部（６ｃ），（６ｄ）の当接結合でも同様な効果が得られる。」（第３頁右下欄第１４行〜第４頁左上欄第３行、第３図）
　甲第２号証には、半導体気相成長装置に関し、次のことが記載されている。
（Ｂ−１）「ベースプレート上に載置固定した反応容器によつて反応室を形成し、・・・、上記ベースプレート１上に載置される反応容器との相互対向シール面部に径の異なる少くとも２本のＯリングを同心的に配置するとともに、これらＯリング間に形成される空隙部の少なくとも１つに、上記反応容器内の内圧より高めの不活性ガスを供給するようにしたことを特徴とする半導体気相成長装置。」（実用新案登録請求の範囲）
（Ｂ−２）「Ｏリングとシール面間に異物があると、この部分のシール性が低下して反応ガスが外部に漏れ、・・・。本考案は、・・・、その目的とするところは、ベースプレートと、このベースプレート上に載置される反応容器との相互対向シール面部からの反応ガスの外部漏れを確実に防止でき、しかも、気密保持手段が腐食性ガスによって浸蝕されることのない極めて安全性の高い半導体気相成長装置を提供しようとするものである。」（第３頁第４〜１７行）
（Ｂ−３）「しかして、Ｏリング２４、２５間に形成された空隙部２９内には、反応容器３内の内圧より高い不活性ガス３２が導入されているため、たとえＯリング２４、２５と鍔部３ａの下面２０との間にゴミ等の異物がはさまつて隙間ができても反応容器３内の反応ガス１５は絶対に外部に出ることがない。」（第８頁第８〜１４行）
　甲第３号証には次のことが記載されている。
（Ｃ−１）「反応管の端部と蓋体との対向面にテーパーを持った嵌合部を設け、該嵌合部のテーパーを１/２から３/２としたことを特徴とする熱処理装置。」（特許請求の範囲）
（Ｃ−２）「加熱手段により反応管内部を１０００℃前後の高温とするため、上記反応管及び蓋体を耐熱性の高い石英により形成している。また熱処理中上記反応管内への、外部雰囲気ガスの混入を防ぐと共に反応管内部の処理ガスの管外への漏れを防ぐため反応管開口端と蓋体とを、すり合わせ嵌合により、気密を得ていた。・・・テーパーを１/１０から１/５にしたのでは、高温例えば９００℃による拡散処理後の高温状態に於て、・・・反応管と蓋体とが外れなくなる問題が有った。」（第１頁右下欄第２〜１９行）
　甲第４号証には、以下のことが記載されている。
（Ｄ−１）「反応管の端部と蓋とを気密結合するための対向面に相対的に少なくとも一個の凹部を設けたことを特徴とする熱処理装置。」（特許請求の範囲第１項）
（Ｄ−２）「しかしながら上記従来の技術では、反応管内部で１０００℃前後に加熱するため、反応管及び蓋が熱膨張して上記反応管が蓋に深く入り込み、・・・、その結果反応管と蓋が外れなくなる問題があった。」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第３行）
（Ｄ−３）「上記開口端とキャップ（８）とを気密結合するための対向面即ち結合面に相対的に少なくとも一個の凹部を形成例えばキャップ（８）の結合部（１０）の結合面中央部に凸部（１１）をキャップ（８）の内周に沿って環状に設け、この凸部（１１）に沿って両端に凹部（１２）を設ける（第２図）。」（第２頁右下欄第４〜９行）
　甲５号証には、熱処理装置に関し、次のことが記載されている。
（Ｅ−１）「前記プロセスチューブ１２は、マニホールド１８によって支持され、そのマニホールド１８には石英製のガス導入管１８ａ及びガス排出管１８ｂが設けられている。」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第１行）
（Ｅ−２）「前記連結部３０は、屈曲形成された石英管より形成され、前記ガス導入管１８ａと連結管端部３４ａならびに前記ガス供給管２４と連結管端部３４ｂとは、それぞれボールジョイント３８ａおよび３８ｂを介して連結されている。」（第２頁左上欄第９〜１３行）
（Ｅ−３）「ボールジョイント３８ａ，３８ｂは、その接合部が石英のすり合わせであるため、完全なシールができず、若干のリークの発生が起きる欠点がある。」（第２頁右上欄第８〜１１行）
　甲第６号証には、ガス配管接続用継手に関し、次のことが記載されている。
（Ｆ−１）「第６図に示すように、このような気相エピタキシャル成長装置に於いては、・・・、更にこのガス導入管５Ｃは接続箇所Ｂでエピタキシャル成長用反応管６のガス導入管５Ｄとガス配管接続用継手７を用いて相互に接続されている。」（第２頁左上欄第５行〜右上欄第１行）
（Ｆ−２）石英ガラスで形成され、一方のガス配管１２の端部１３は円板状に加工され、他方のガス配管１５の端部１６も円板状に加工されたガス配管用継手（第２頁右上欄第５〜９行）。
（Ｆ−３）一方のガス配管１２の端部１３を球面状に加工し、他方のガス配管１５の端部１６を擦り合わせ可能に凹面状に加工したガス配管用継手（第３頁左上欄第１２〜１７行）。
　甲第７号証には、次のことが記載されている。
（Ｇ−１）「容器内が所定の圧力に排気される容器の封止装置において、上記容器のシール対向部の少なくとも一方の面に複数の溝部を設け、この溝部の少なくとも一つの溝は真空に排気し、この真空に排気した外側の溝は予め定められたガス流もしくは一定圧のガス流を設けたことを特徴とする封止装置。」（特許請求の範囲）
（Ｇ−２）「上記蓋体４０と当接するマニホールド２０の下部開口端２２シール機構の詳細については第２図を参照して説明する。
　蓋体４０と当接するマニホールド２０の開口端部２２、下端部分に環状の溝部３０，３２，３４を設け、溝部３０，３２には排気口３１，３３を連結し図示しない真空ポンプにより排気可能としている。
　溝部３４にはガス導入孔３５を接続し図示しないガス供給源からガス流量もしくはガス圧調整器を介して窒素ガスを供給可能としている。」（第２頁左下欄第１３行〜右下欄第２行）
（Ｇ−３）「マニホールド２０と蓋体４０が当接された状態に設定する。ガス導入管２６へ供給する処理ガスを止めた状態で、排気管２８より図示しない排気ポンプでプロセスチューブ１０内の排気を行う。
　さらに、溝部３０，３２に連結された排気孔３１，３３より図示しない真空ポンプにより排気を行う。
　溝部３４に連結された導入孔３５へ窒素ガスを供給するとこの溝部３４内に収容されていた空気は蓋体４０の外周面４２とマニホールド２０の下端部３６，３７の間隙より押し出され、溝部３４内は窒素ガスで満された状態となる。
　この時溝部３４内の圧力は、ガス流量もしくはガス圧調整器の調整により、加圧状態もしくは減圧状態のいずれにも設定することができる。」（第２頁右下欄第１８行〜第３頁左上欄第１２行）
　
III−４．対比、判断
　以下、本件請求項１〜３に係る発明とは、訂正請求後のものをいう。
III−４−１．理由−１について
　甲第１号証に記載の発明は、本件請求項１に係る発明に関し、以下の（ａ）〜（ｃ）の構成を具備するものである。
（ａ）前記（Ａ−１）により、筒状部材の端部と蓋状部材を着脱自在に結合して構成する反応容器において、該筒状部材の端部の結合部を複数の結合部を有する構造とする熱処理装置。
（ｂ）前記（Ａ−２）及び（Ａ−３）により、該筒状部材の端部と該蓋状部材とが当接による封止によって結合され、反応容器内部からガスのリーク及び反応容器内への空気の侵入防止を可能とする。
（ｃ）該複数の結合部を有する構造として、前記（Ａ−４）及び（Ａ−５）により、蓋体において、その反応容器との結合面に凹状の空間（８）を設け、かつ、該空間（８）には排気機構に連接した排気口（９）が接続され、この空間（８）を減圧自在とする。
　そこで、本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載の発明を、対比する。
　甲第１号証に記載の発明では、筒状部材の端部と該蓋状部材とが当接による封止によって結合されのであるから、そこでの結合は、本件請求項１に係る発明のように、接合面からなる封止面により構成され、また、その接合面により封止されるのであるから、当該接合面は、本件請求項１に係る発明のように、平滑化されているものと解される。
　そして、甲第１号証に記載の発明では、前記（Ａ−５）により、凹状の空間（８）の両側に配置した結合部（６ｃ），（６ｄ）で筒状部材と蓋状部材を当接させ、封止するものであり、そして、そのことにより反応容器と開口端を二重構造とするものと同様な効果を得ることができるるから、当該結合部（６ｃ），（６ｄ）は連続表面を有し、該空間（８）は蓋状部材の接合面側全体に、環状に設けられているものと解される。
　更に、甲第１号証に記載のものは、その接合面には、溝が、複数個は、存在せず、したがって、「前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするもの」ではない。
　しかして、甲第１号証に記載される発明の、「筒状部材の端部と蓋状部材とが結合したもの」、「凹状の空間（８）」は、本件請求項１に係る発明の、「ガスシールド装置」、「中間溝」に、それぞれ、相当する。
　よって、両者は、
「封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、シールドするガスシールド装置。
　ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。」である点で、軌を一にするものである。
　しかし、該シールドする手段として、本件請求項１に係る発明では、「前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」という構成を、更に、具備するのに対し、甲第１号証に記載のものは、凹状の空間（８）には排気機構に連接した排気口（９）が接続して、この空間（８）を減圧にすることによりシールドするものであり、本件請求項１に係る発明のように凹状の空間（８）にガスを圧送するものでなく、更には、内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送するものではなく、この点で、両者は相違する。
　してみれば、本件請求項１に係る発明は、「前記中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」点で、甲第１号証に記載される発明に対して、別異の発明を構成する。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるということはできない。
　
　以下、この相違点に関する構成が当業者の容易に想到できるものであるか否かにつき、検討する。
　本件明細書によると、熱処理装置におけるプロセスチューブ（円筒状体）と蓋体とを密封封止する場合、二重リング等のＯリングを用いた場合には所望のシール効果が得られない、ないしは、機構が大型化、複雑化するという問題点があり、また、プロセスチューブのフランジ面と蓋体とを平滑に加工し密着する場合でも完全なシールを得ることができないという問題点があったところ（明細書の段落０００３〜０００７）、本件請求項１に係る発明においては、ガスシールド装置において、平滑な面からなる接合面内に中間溝を設け、「該中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」という構成を採択することにより、その余の構成と相俟って、内部より内側接合面を通過するリークを防止すると共に、外部より外側接合面を通過するリークを防止することにより封止接合部の漏洩を防止し、封止機能を確実なものにできた（段落００１２及び００２７等）というものである。
　なお、以上のことは、同様な環境下におかれる熱処理装置のガス導入配管や排気配管等の接合部においても、同じことが云える。
　このように、上記相違点に関する本件請求項１に係る発明の「前記中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」との構成には、以上のような意味が存在するものである。
　これに対して、甲第１号証に記載の発明は、前記（Ａ−２）により、反応容器内部からガスのリーク及び反応容器内への空気の侵入防止を可能とすることを目的とするものであるが、その目的を実現する手段としては、上記するとおり、凹状の空間（８）ないしは中間溝に対して減圧を適用することが示されるだけで、そこにガスを圧送することにつき示唆するものは何もない。
　したがって、甲第１号証に記載の発明からは、上記相違点に関する構成は教示されない。
　次に、甲第２〜６号証の記載を順次みる。
　甲第２号証には、ベースプレートと、このベースプレート上に載置される反応容器との相互対向シール面部からの反応ガスの外部漏れを防止するシール手段〔前記（Ｂ−２）〕に関し、相互対向シール面部に径の異なる少くとも２本のＯリングを同心的に配置するとともに、これらＯリング間に形成される空隙部に、上記反応容器内の内圧より高めの不活性ガスを供給すること〔前記（Ｂ−１）及び（Ｂ−３）〕が記載される。この場合、ベースプレート及び空隙部は、甲第１号証における蓋状部材及び凹状の空間（８）に、それぞれ、相当する。
　しかし、ここでのものは、ベースプレートと反応容器との接合面（相互対向シール面）に、２本のＯリングが設けられており、このように、Ｏリングの存在を前提とし、主としてＯリングにより封止する封止構造が示されるだけであり、当然のこととして、その表面はとても平滑といえるものではない（必要なら第１図、第２図を参照）。
　そうすると、甲第２号証における封止面と、本件請求項１に係る発明又は甲第１号証に記載のものとは、その構造ないし封止原理が基本的に異なることになる。
　そして、甲第２号証のものは、その２本のＯリングの間に設けられた空隙部に反応容器内の内圧より高めの不活性ガスを供給するものであるが、その圧力は、内部の圧力よりも高いということができても、外部の圧力、即ち、大気圧よりも高くすることまでは示されないものである。
　してみると、甲第２号証に記載のものを、甲第１号証に適用する動機付けはなく、また、そもそも、甲第２号証のものからは、外部の圧力よりも高い圧力のガスを圧送することまでは示されないのであるから、上記相違点に関する構成を満たし得ないものである。
　したがって、甲第１号証及び甲第２号証の記載からは、前記した意味合いを有する「前記中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」との構成を容易に導き出すことができない。
　甲第３及び４号証には、反応管と蓋体とを石英で形成すること、反応管の端部と蓋体とをすり合わせ嵌合、ないしは、気密結合すること等が示されるが、上記相違点につき、示唆するものはない。
　甲第５及び６号証には、ガス配管の接続用継手又は接合部の構造及び材質につき、記載されるが、そこでのものは、接合面にガス導入用の溝部を設けることは何も記載されず、したがって、当然のこととして、接合面における「中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」ことにつき示唆されるものは何もない。
　してみれば、甲第１〜６号証に記載のものからは、上記相違点に関する本件請求項１に関する構成が当業者の容易に導き出せるものではない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるということができない。
　
III−４−２．理由−２について
　先願明細書には、前記（Ｇ−１）により、容器内が所定の圧力に排気される容器の封止装置において、容器のシール対向部の少なくとも一方の面に複数の溝部を設け、この溝部の少なくとも一つの溝は真空に排気し、この真空に排気した外側の溝は予め定められたガス流もしくは一定圧のガス流を設けた発明が記載され、当該外側の溝に導入されるガス流の圧力については、前記（Ｇ−３）により、加圧状態とされるものである。
　してみれば、先願明細書に記載される発明の封止装置においては、シール対向面に存在する溝部に、「内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」ことが、実質上、示されるといえる。
　しかし、本件請求項１に係る発明は、「ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。」と規定されるのであるから、先願明細書に記載される当該発明は対象外とされるものである。
　そして、先願明細書には、複数の溝部の全てにガスを圧送すること、ないしは、単一の溝を設けること等、本件請求項１に係る発明に関係するところの他の態様が記載されず、また、示唆されるところもない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、先願明細書に記載された発明と同一であるということができない。
　
III−４−３．理由−３について
　本件明細書の記載（段落０００３〜０００７、００１２及び００２７）によれば、本件請求項２に係る発明は、熱処理装置において、ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、平滑な面となし、この接合面内に中間溝を設け、「該中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」という構成を採択することにより、その余の構成と相俟って、内部より内側接合面を通過するリークを防止すると共に、外部より外側接合面を通過するリークを防止することにより封止接合部の漏洩を防止し、封止機能を確実なものにできたというものであり、封止面についてこれと同様なことは、III−４−１．の箇所で説示したとおりである。
　このように、本件請求項２に係る発明の「前記中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」との構成には、以上のような意味が存在するものである。
　そして、III−４−１．の箇所で説示したとおり、甲第１〜６号証に記載のものからは、当該「前記中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送する」との構成を当業者が容易に導き出すことができないものである。
　してみれば、本件請求項２に係る発明は、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができない。
　また、本件請求項３は、請求項２を引用し、これに、更に、接合面が環状であることを付加するものである。
　このように、本件請求項３に係る発明は、本件請求項２に係る発明の構成をすべて具備するものである以上、本件請求項２に係る発明につき上記する理由と同じ理由により、本件請求項３に係る発明は、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができない。
　　
IV.　まとめ
　特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月３日（２００２．６．３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件特許第３１２９４８０号の明細書につき、訂正請求書に添付された訂正明細書に記載される次の（ａ）〜（ｄ）のとおりに訂正する。
（ａ）特許請求の範囲の請求項１における、
「【請求項１】封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記中間溝から排気もしくは、前記中間溝にガスを圧送してシールドすることを特徴とするガスシールド装置。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴とするガスシールド装置。
　ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲の請求項２における、
「【請求項２】反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記中間溝から排気もしくは、前記中間溝にガスを圧送してシールドすることを特徴する熱処理装置。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項２】反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴する熱処理装置。」と訂正する。
（ｃ）特許請求の範囲の請求項３における、
「請求項２に記載の装置において、接合面及び中間溝は環状であることを特徴とする熱処理装置。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「請求項２に記載の装置において、接合面は環状であることを特徴とする熱処理装置。」と訂正する。
（ｄ）明細書段落０００９及び００１０における、
「請求項１の発明は、封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記中間溝から排気もしくは、前記中間溝にガスを圧送してシールドすることを特徴とする。
　請求項２の本発明は、反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記中間溝から排気もしくは、前記中間溝にガスを圧送してシールドすることを特徴する。請求項３の本発明は、請求項２に記載の装置において、接合面及び中間溝は環状であることを特徴とする。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「請求項１の本発明は、封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴とする。ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。
　請求項２の本発明は、反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に環状の中間溝を設け、前記封止面から漏洩するガスを、前記環状の中間溝に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力のガスを圧送して、シールドすることを特徴する。請求項３の本発明は、請求項２に記載の装置において、接合面は環状であることを特徴とする。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ガスシールド装置及び熱処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に
環状の
環状の
に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力の
、
　ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。
　【請求項２】　反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、
　前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に
環状の
環状の
に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力の
、
　【請求項３】　請求項２に記載の装置において、
　接合
面は
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ガスシールド装置及び熱処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体デバイスの製造工程に於ける熱拡散工程や成膜工程で使用される熱処理装置として、被処理体の均熱処理化およびローディングの容易さ等を図ることの出来る縦型熱処理装置が用いられるようになってきた。
　【０００３】
　このような縦型熱処理装置は、耐熱性材料例えば石英ガラス等からなり、円筒状に形成されたプロセスチューブがほぼ垂直に設けられており、このプロセスチューブを囲続する如く筒状ヒータ及び筒状断熱材料層が設けられている。前記プロセスチューブ内均熱部には、被処理体例えば半導体ウェハを各々水平状態で複数枚縦方向に所定間隔で配列し支持したウェハボートが配置されている。そして前記プロセスチューブには図示しないガス供給装置に接続された石英ガラス製のガス導入配管および図示しない排気装置に接続された石英ガラス製のガス排気配管が設けられており、熱処理中は排気が継続され、所定の圧力に減圧されたプロセスチューブ内に所定の処理ガス例えばオキシ塩化りん（ＰＯＣＩ３）を含んだＯ２、Ｎ２を導入して半導体ウェハにリンドーピングを行うようにしてある。このＰＯＣＩ３は腐食性ガスである。また熱処理終了後にはパージングと称し、窒素等の不活性ガスを導入し前記処理ガスを排気することが出来るように構成されている。また前記プロセスチューブの下端開口部は、前記ウェハボートを支持する蓋体例えば材質が石英ガラス等により熱処理中常に密着封止される。
　【０００４】
　このような熱処理装置では、熱処理の内容に応じてプロセスチューブ内は約９００℃から１２００℃の高温に加熱される工程が多いので、前記プロセスチューブと前記蓋体及び前記ガス導入配管や排気配管などの接合部の温度は数百度℃と高温となる。このため前記プロセスチューブと前記蓋体及び前記ガス導入配管や排気配管の接合部の封止にはＯリング等のシール材を使用することが出来ないので、封止接合面を平滑に例えば摺合わせ加工して接合したり、ガス道入配管や排気配管の接続部には、両方の配管端部にフランジを形成し、接合フランジ面を平滑に例えば摺合わせ加工して当接させるいわゆるフラットジョイントを使用している。
　【０００５】
　また、実開平１−１２３３３６号公報によれば、二重Ｏリングを利用して、その中間を真空引きする方法が提案されている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記のように、Ｏリングをシール部材として用いた場合、このＯリングは柔軟な部材でフッ素ゴム等からなるもので、一般に耐熱温度が２００℃前後である。熱処理装置においてシール部材がこの温度以上になると、Ｏリングが溶けて変形し所望のシール効果が得られなくなるという課題点を有する。このため、Ｏリングの近傍に冷却機構を設け、所定の温度に冷却するので残留処理ガスが、この冷却された近傍に堆積し、パーティクルが発生するという改善点また構造が大型化、複雑化するという改善点を有する。
　【０００７】
　上記の材質例えば石英ガラスからなるプロセスチューブの下端開口部の封止には、プロセスチューブのフランジ面と蓋体を平滑に加工し、密着することにより封止機能をもたせている。またガス導入配管や排気配管等では、フラットジョイントまたはボールジョイントが用いられているが、前記プロセスチューブのフランジ封止部及び前記フラットジョイントやボールジョイントは、その接合部が擦り合わせであるため、完全なシールが出来ず、若干のリークの発生が起きるという欠点がある。
　【０００８】
　この発明は、上記点に鑑みなされたもので、苛酷な高温状態であっても優れた耐久性を有し、接合封止部分におけるガス漏れ等の事故を生じる事なく、長期にわたり安定且つ封止効果の高いガスシールド装置を提供するものである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１の本発明は、封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に
環状の
環状の
に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力の
、
ただし、前記封止面に、複数の溝部を設け、複数の溝部の少なくとも一つの溝を、真空に排気することにより、シールドするものを除く。
　【００１０】
　請求項２の本発明は、反応管にガス導入配管またはガス排気配管が気密に設けられた熱処理装置において、前記ガス導入配管または前記ガス排気配管等の外部連通配管との封止面を、互いに当接されて封止する平滑な面からなる接合面によって構成するとともに、この接合面内に
環状の
環状の
に内部の圧力及び外部の圧力より高い圧力の
、
面は
　【００１１】
　【作用】
　中間溝を排気する場合、封止面に内側接合面と外側接合面及び中間部に中間溝を設ける事により、内部より内側接合面を通してリーク例えば処理ガス等を封止面中間部の中間溝を排気することにより封止面部の外部には漏洩させないこと、及び外部より外側接合面を通してリークした空気等を封止面の中間部の中間溝を介して排気することにより封止面部の外部には漏洩させないこと、及び外部より外側接合面を通してリークした空気等を封止面の中間部の中間溝を介して排気することにより封止接合部の漏洩を防止し、封止機能を確実なものにする。
　【００１２】
　中間溝にガス圧力をかける場合、また、内部の圧力より高い圧力で中間溝にガスを圧送し、内部より内側接合面を通過するリークを防止すること、及び外部の圧力より高い圧力で中間溝にガスを圧送し、外部より外側接合面を通過するリークを防止することにより封止接合部の漏洩を防止し、封止機能を確実なものにする。
　【００１３】
　【実施例１】
　以下、本発明を縦型熱拡散炉に実施した、一実施例を図面を参照して説明する。図１に示すように、耐熱性材料例えば石英ガラスにより円筒状に形成されたプロセスチューブ１０は、内管１４と外管１２とからなる二重構造とされており、ほぼ垂直に立設されている。なお、内管１４の頂部には、ガス流入路を形成する如く多数の細孔が設けられている。また、前記プロセスチューブ１０の外周囲には、プロセスチューブ１０を囲繞する如く筒状ヒータ１６が設けられており、プロセスチューブ１０内を所望温度例えば９００℃から１２００℃の範囲で選択して加熱処理可能に構成されている。
　【００１４】
　前記プロセスチューブ１０の下端側壁部には、所定の拡散処理ガス例えばＰＯＣＩ３を導入するため、又熱処理終了後パージガスと称して前記処理ガスを排出するために不活性ガス例えばＮ２を導入するためのガス導入配管２０およびプロセスチューブ１０内を所定の圧力例えば７００Ｔｏｒｒに減圧するための、図示しないガス導入配管２０やガス排気配管等の枝管が複数例えば３つ突出する如く設けられている。また、プロセスチューブ１０の下端部には被処理体例えば半導体ウェハを搬入及び搬出するための開口部１８が設けられ、この開口部１８の外周にはガス漏洩防止接触を得る接合面を形成するためにフランジ２０が外側に突出する如く設けられている。このフランジ２０のフランジ面２２には夫々環状に、内側接合面２４、図示しない排気系に接続される中間溝２６及び外側接合面２８が設けられており、前記中間溝２６の一ケ所に、ガスシールド配管３０を設けている。またガスシールド配管３０は、図示しない排気装置に接続されており、縦型熱拡散炉が拡散処理の稼働運転中は所定の圧力例えば５ｍｍＨ２Ｏで排気されている。
　【００１５】
　上記プロセスチューブ１０は、図示しない筒体内に設けられたベースプレート３２に、水冷フランジ３４を介して固定されている。この水冷フランジ３４はリンク状に形成されており、ガスシールド配管３０に対向する部分に切り欠き部３６が形成されている。また、水冷フランジ３４内には冷却水循環用配管３８が設けられており、図示しない冷却水供給用配管及び冷却水供給装置に接続されている。
　【００１６】
　さらに、プロセスチューブ１０の下方部には、上下動可能に構成されたポートエレベータ４０が設けられている。このボートエレベータ４０は蓋体４２を上方に移動させ、プロセスチューブ１０のフランジ面２２と当接しプロセスチューブ１０を密着封止する操作を行う如く設けられ、この蓋体４２は材質例えば石英ガラスからなる。この蓋体４２上に被処理体を均熱領域に設定するためのウェハボート載置台４４が設けられ、更にその上に被処理体例えば半導体ウェハを複数例えば１５０枚収納されたウェハボート４６が設けられ、上記エレベータ４０の上下動によりプロセスチューブ１０内に搬入及び搬出する。以上の如く縦型熱拡散炉は構成されている。
　【００１７】
　次に上記構成の縦型熱拡散炉による拡散処理工程を説明する。ヒータ１６に通電することにより、予めプロセスチューブ１０内を所定温度例えば１０００℃に加熱しておき、ボートエレベータ４０上に複数枚例えば１５０枚の半導体ウェハを所定間隔で配列したウェハボート４６を載置し、プロセスチューブ１０内に搬入し、蓋体４２を前記プロセスチューブ１０のフランジ面２２に当接させ密着封止する。次に排気配管から図示しない排気装置により排気を行いプロセスチューブ１０内を所定の圧力例えば７００Ｔｏｒｒに減圧する。排気継続し、ガス導入配管２０からプロセスチューブ１０内に所定の処理ガス例えばＰＯＣＩ３を供給し、プロセスチューブ１０内を所定の処理ガス雰囲気として、半導体ウェハに所定の例えばリンドープ処理を施す。なお、プロセスチューブ１０内に供給された処理ガスは、内管１４と外管１２との間を通って一旦上昇し、内管１４の頂部に設けられた細孔部を通って内管１４内に流入する。
　【００１８】
　所定の熱処理が終了すると、プロセスチューブ１０内の腐食性残留処理ガス例えばＰＯＣＩ３を排出するために例えば窒素等の不活性ガスを所定の圧力例えば２．５ｋｇ／ｃｍ２で所定時間例えば１０分間導入する。プロセスチューブ１０内が窒素等の不活性ガスで置換されるとボートエレベータ４０が下降し、被処理体である半導体ウェハがプロセスチューブ１０の下部に搬出される。
　【００１９】
　以上の如く、被処理体である半導体ウェハは熱処理される。
　【００２０】
　この熱処理中において、プロセスチューブ１０の下端開口部１８が蓋体４２により密着封止されて、プロセスチューブ１０内が減圧に保たれ所定の処理ガスが導入された際、従来前記プロセスチューブ１０のフランジ２０封止部においてリークが生じ外部より空気等の流入があった。このため処理ガスの濃度に変化が生じ、熱処理が不安定であった。しかるに、上記実施例では、上記構成の気密構造即ち中間溝２６を有しているのでリークが中間溝２６を介して排気され、処理ガスの濃度が変化せず高精度な熱処理が可能になった。
　【００２１】
　また、熱処理終了後に腐食性残留処理ガスを窒素等のパージガスで排出する際プロセスチューブ１０内が陽圧となる。従来この時前記プロセスチューブ１０のフランジ２０部において、プロセスチューブ１０内より処理ガスがわずかながら外部に漏洩して、装置のフランジ２０回りを腐食するなどの悪影響を及ぼしていた。しかるに上記実施例では上記の中間溝２６を有し、漏洩した残留腐食性ガスが中間溝２６を介して排気されるので、前記腐食性残留処理ガスが熱処理炉外へ漏洩する事なく封止され、周囲への影響が著しく減少した。
　【００２２】
　【実施例２】
　次に第２の実施例装置について説明する。本発明の装置を上記第１の実施例のガス導入配管４８におけるフラットジョイント部に適用した一実施例について図２を参照して具体的に説明する。上記縦型熱処理装置のプロセスチューブ１０に処理ガスを導入するガス導入配管４８は、図示しないガス供給装置を接続するガス導入接続配管５０とフラットジョイント部で接続されている。前記ガス導入配管４８とガス導入接続配管５０は材質例えば石英ガラスで作製され、フランジ面２２は、平滑度例えば加工精度０．０１に仕上げられている。
　【００２３】
　また、ガス導入接続配管５０のフランジ面２２には、環状の内側接合面２４、中間溝２６、及び外側接合面２８が設けられており、前記中間溝２６の少なくとも一カ所にはガスシールド配管３０が設けられている。図示しない排気装置に接続され、所定の圧力例えば５ｍｍＨ２Ｏで排気される。前記、ガスシールド配管３０は材質例えば石英ガラスで例えば外径６ｍｍ、内径３ｍｍ及び例えば７０ｍｍの長さＬ１を持つ管状体で、ガス導入接続配管５０から所定量例えば１５ｍｍの冷却用の逃げＬ２を設けている。
　【００２４】
　また、フランジ面２２より所定量例えば３０ｍｍ離れたところにガス導入接続配管５０とガスシールド配管３０を継ぐ補強ブリッジ５４を設け、ガスシールド配管３０の強度を保っている。ガス導入配管４８とガス導入接続配管５０との接合は、材質例えばステンレススチールの環状板材５６を介し止めネジ５８を用いて締め付け操作により行う。以上の如く本実施例は構成されている。
　【００２５】
　次に、図３はガスシールド装置をボールジョイント部に用いた他の実施例である。上記第２の実施例と同様に筒状体の接続に用いられているが、フランジ面２２が球外周面状に形成されているので水平、垂直方向に所定量例えば±１０°の自由角度をもって接続できるものである。前記ボールジョイントの構造は上記第２の実施例と同様であるのでその詳細な説明は省略する。
　【００２６】
　上記図２及び図３の実施例において、熱処理中にプロセスチューブ１０内が減圧され所定の圧力に保たれ、所定の処理ガスが導入されたとき、従来前記ガス導入配管４８とガス導入接続配管５０のフランジ２０封止部においてリークが生じ外部より空気等の流入があり、処理ガスの濃度に変化が生じ、熱処理が不安定であった。しかるに、上記実施例の封止では上記構造の中間溝２６を有しているので空気等のリークが中間溝２６を介して排気され、処理ガスの濃度が変化せず高精度な熱処理が可能になった。
　【００２７】
　また、熱処理終了後に腐食性残留処理ガスを窒素等のパージガスで排気する際、プロセスチューブ１０内及び導入配管４８が所定時間陽圧となる。従来この時前記ガス導入配管４８のフランジ２０部において、ガス導入配管４８内より処理ガスがわずかながら外部に漏洩して、装置のフランジ２０回りを腐食するなどの悪影響を及ぼしていた。しかるに、上記実施例では上記封止構造の中間溝２６を有しているので残留腐食性ガスが中間溝２６を介して排気され、前記腐食性残留処理ガスが熱処理炉外へ漏洩する事なく、封止され周囲への影響が著しく減少した。図４は、ガスシールド装置をフラットジョイント部に用いた、他の実施例である。中間溝２６は一重の環状のみの構成ではなく図４に示す如く二重にしてもよく、前記中間溝２６に所定のガス例えば不活性ガスである窒素ガス等を所定の圧力で圧送し、内部の処理ガス等の外部へのリークを防止したり、外部の空気等の内部へのリークを防止することが可能である。
　【００２８】
　図５は、中間溝２６を不連続に配置し、ガスシールド配管とフランジ内部で連通させた他の実施例である。
　【００２９】
　上記実施例では縦型熱拡散炉について説明を行ったが、減圧ＣＶＤ装置や常圧熱処理装置等の熱処理装置に応用しても良く、縦型装置に限らず横型装置に応用できるのは当然のことである。
　【００３０】
　また、中間溝２６はフランジ面２２の両面または片面のどちら側に設けても好適に使用でき、前記中間溝２６の断面形状は四角形に限定されるものではない。更に、本発明は熱処理装置に限らず、封止機構であればエッチング装置やイオン注入装置等何れにも適用できると共に、常温、低温雰囲気でも使用して同様な効果の得られる事は、説明するまでもないことである。
　【００３１】
　【発明の効果】
　以上のことから明らかなように本発明によると次のような優れた効果がある。苛酷な高温部に於いてもガス流に対して良好な封止装置を簡単な構造で小型化出来る。長期にわたり安定且つ気密効果の高いガスシールド装置を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例の縦型拡散炉の構成を示す図である。
　【図２】本発明の他の実施例のフラットジョイント部の構成を示す図である。
　【図３】本発明の他の実施例のボールジョイント部の構成を示す図である。
　【図４】本発明の他の実施例、中間溝にガスを圧送し、二重環状中間溝の構造を示す図である。
　【図５】本発明の他の実施例、中間溝を不連続に配置した構成を示す図である。
　【符号の説明】
１０………プロセスチューブ
１２………外管
１４………内管
１５………細孔
１６………ヒータ
１８………開口部
２０………フランジ
２２……フランジ面
２４………内側接合面
２６………中間溝
２８………外側接合面
３０………ガスシールド配管
３２………ベースプレート
３４………水冷フランジ
３６………切り欠き部
３８………冷却水循環用配管
４０………ボートエレベータ
４２………蓋体
４４………載置台
４６………ウェハボート
４８………ガス導入配管
５０………ガス導入接続配管
５４………補強ブリッジ
５６………環状板材
５８………止めネジ
Ｗ………ウェハ