【事件の表示】
　特許第３０９３３１４号「薄膜トランジスタ及びその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０９３３１４号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３０９３３１４号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成３年４月２６日に特許出願され、平成１２年７月２８日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許の請求項１、２に係る発明について、異議申立人佐藤勝明より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年８月２０日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１中の「形成された活性層と」を、「形成されたアモルファスシリコン膜からなる活性層と」と訂正し、「前記ゲート絶縁膜は２層構造で」を、「前記ゲート絶縁膜は下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる２層構造で」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２中の「前記基板上に２層構造で」を、「前記基板上に下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の２層構造で」と訂正し、「ゲート絶縁膜、活性層及び」を、「ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜からなる活性層、及び」と訂正し、「チャネル保護膜を順次堆積する」を、「チャネル保護膜をＣＶＤ法を用いて順次堆積する」と訂正する。
訂正事項ｃ
　明細書段落番号【００１１】中の「形成された活性層と」を、「形成されたアモルファスシリコン膜からなる活性層と」と訂正し、「前記ゲート絶縁膜は２層構造で」を「前記ゲート絶縁膜は下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる２層構造で」と訂正する。
訂正事項ｄ
　明細書段落番号【００１３】中の「前記基板上に２層構造で」を「前記基板上に下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の２層構造で」と訂正し、「ゲート絶縁膜、活性層及び」を「ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜からなる活性層、及び」と訂正し、「チャネル保護膜を順次堆積する」を「チャネル保護膜をＣＶＤ法を用いて順次堆積する」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１に記載された「形成された活性層と」を、「形成されたアモルファスシリコン膜からなる活性層と」と減縮し、「前記ゲート絶縁膜は２層構造で」を、「前記ゲート絶縁膜は下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる２層構造で」と減縮しようとするものであり、当該アモルファスシリコン膜からなる活性層、および、ゲート絶縁膜は下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる２層構造は、特許明細書段落番号【００１９】に記載されていたものである。したがって、この訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、特許請求の範囲の請求項１の記載を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　上記訂正事項ｂは、請求項２に記載された「前記基板上に２層構造で」を、「前記基板上に下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の２層構造で」と減縮し、「ゲート絶縁膜、活性層及び」を、「ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜からなる活性層、及び」と減縮し、「チャネル保護膜を順次堆積する」を、「チャネル保護膜をＣＶＤ法を用いて順次堆積する」と減縮するものであり、これらの訂正は、特許明細書段落番号【００１９】に記載されていたものである。したがって、この訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、特許請求の範囲の請求項２の記載を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　訂正事項ｃ、ｄは、訂正事項ａ、ｂの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正であり、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当しない。
　そして、上記いずれの訂正も実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年法改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
  本件の請求項１、２に係る発明は以下のとおりのものである。
【請求項１】　基板上に形成されたアモルファスシリコン膜からなる活性層と、この活性層にコンタクト層を介してコンタクトすると共にチャネル保護膜を介して対向して配設されたソース及びドレイン電極と、前記活性層の下部にゲート絶縁膜を介して配設されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、前記ゲート電極は端部がテーパ状であり、前記ゲート絶縁膜は下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる２層構造で且つ前記ゲート電極の端部上方でテーパ状であり、前記チャネル保護膜は、前記ゲート電極に対して自己整合的に形成され、その端部が前記ゲート電極の端部よりも内側に後退していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】透光性の基板上に端部がテーパ状のゲート電極を形成する工程と、
前記基板上に下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の２層構造で且つ前記ゲート電極の端部上方がテーパ状であるゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜からなる活性層、及びチャネル保護膜をＣＶＤ法を用いて順次堆積する工程と、
前記チャネル保護膜上にレジストを塗布した後、前記基板の裏面から光を前記レジストに照射してレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに用いて前記チャネル保護膜をパターニングすることにより、前記ゲート電極に対して自己整合的に形成され、その端部が前記ゲート電極の端部よりも内側に後退したパターンを形成する工程と、
前記基板上にコンタクト層を堆積した後、このコンタクト層と前記活性層とをパターニングする工程と、
前記基板上に導電膜を堆積した後、この導電膜と前記コンタクト層とをパターニングしてソース・ドレイン電極を形成する工程と
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
　
（２）異議申立の理由
（ａ）異議申立の理由の概要
　申立人佐藤勝明は、請求項１、２に係る発明は、先願（特願平１−２４３８６８号：刊行物１、特開平３−１０５３２４号公報、申立人佐藤勝明の提出した甲第１号証）に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない発明についてなされたものであり、刊行物２（特開平１−１７３６５０号公報、申立人佐藤勝明の提出した甲第２号証）、刊行物３（特開平２−１９６２２２号公報、申立人佐藤勝明の提出した甲第３号証）、刊行物４（特開平１−２９１４６７号公報、申立人佐藤勝明の提出した甲第４号証）、及び、刊行物５（特開昭６２−１７１１６０号公報、申立人佐藤勝明の提出した甲第５号証）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないので取り消されるべき旨主張している。
（ｂ）先願（特願平１−２４３８６８号：刊行物１、特開平３−１０５３２４号公報）に記載の発明
　刊行物１には、「まず、ガラス製の透明絶縁性基板１上にスパッタリング法により五酸化タンタルからなる基板保護膜（膜厚５０００Å）２を堆積する。基板保護膜２上にスパッタリング法によってタンタル（膜厚４０００Å）を堆積する。このタンタルは光を透過しない材料である。堆積後、フォトエッチングによってゲート電極３を形成する。本実施例では、このとき、同時にゲートバスバー２９もタンタルを用いて形成されている。
　次に、陽極酸化によってゲート電極３の表面を酸化し、五酸化タンタル（膜厚３０００Å）の第一のゲート絶縁膜４を形成する。この上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜（ＳｉＮｘ　膜、膜厚４０００Å）を形成し、第二のゲート絶縁膜５とする。
　第二のゲート絶縁膜５上に、チャネル部ｉ型アモルファスシリコン膜（膜厚３００Å）６を形成した後、チャネル部保護絶縁膜・・・として、窒化膜・・・を堆積する。・・・
　次に、該保護絶縁膜上にポジ型レジスト１３（第５図）を塗布し、絶縁性基板１の裏面側から、露光量１５００ｍＪ／ｃｍ２の過剰露光を行う。」（第５頁右上欄第７行〜左下欄第１２行）
　「なお、このシフト量は、露光量の他にゲート電極３の側面傾斜角度（テーパ角度）によっても調節することができる。」（第５頁右下欄第１４行〜第１６行）ことが、第２図とともに開示されている。
（ｃ）刊行物２に記載の発明
　刊行物２には、「同図において、まず、ガラス等の絶縁性基板１に例えばＣｒ等の金属によってゲート電極２を形成し、つぎに窒化シリコンあるいは酸化シリコンによるゲート絶縁層３、非晶質シリコン４および窒化シリコンあるいは酸化シリコンによる保護絶縁層５を例えばプラズマＣＶＤ法により順次形成する（ａ）。つぎに保護絶縁層５上にポジ型のフォトレジスト（図示せず。）を塗布し、プリベーク後、絶縁性基板１の裏面から紫外光を照射する。」（第３頁右上欄第７行〜第１６行）
「本発明によれば、非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造に際し、保護絶縁層をゲート電極に整合して形成するので、ゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間のオーバーラップ幅を従来のものより小さくすることができ、そのオーバーラップ容量を１／２以下に低減することができる。」（第４頁左上欄第１４行〜第１９行）ことが、第１図とともに開示されている。
（ｄ）刊行物３に記載の発明
　刊行物３には、「透光性基板６上に、導電体薄膜であるＣｒをスパッタリング法により被着し、所望のパターニングを施してゲート電極７とする（第１図（ａ））。プラズマＣＶＤ法により、ゲート絶縁体層（第１の絶縁体層；膜厚４００ｎｍの窒化シリコン）９、第１の半導体層（膜厚５０ｎｍの非晶質シリコン）１０及びパッシベイション層（第２の絶縁体層；膜厚９０ｎｍの窒化シリコン）１１を順次一様に被着する（第１図（ｂ））。この後ポジ型フォトレジスト２１を被着し、レジストをプリベーク後、ゲート電極７をマスクとして透光性基板６の裏面より紫外光２２を照射する（第１図（ｃ））。」（第３頁右下欄第６行〜第１７行）ことが、第１図とともに開示されている。
（ｅ）刊行物４に記載の発明
　刊行物４には、「第１図は、一実施例の逆スタガー型ＦＥＴである。絶縁性基板としてこの実施例ではガラス基板１を用い、この上にＭｏ−Ｔａ合金膜によるゲート電極２がパターン形成されている。ゲート電極２は、アクティブマトリクス基板の場合にはアドレス配線として一方向に連続的にパターン形成される。Ｍｏ−Ｔａ合金膜は、Ｔａが６０〜８５原子％であり、膜厚が２８００Åである。このゲート電極２の表面には、このゲート電極２を陽極酸化して得られた酸化膜３，シリコン酸化膜４およびシリコン窒化膜５の複合膜からなるゲート絶縁膜が形成されている。このゲート絶縁膜上に半導体膜としてｎ型またはｎ−型のａ−Ｓｉ膜６が堆積されパターン形成されている。」（第２頁左下欄第１８行〜右下欄第１１行）
「このＴＦＴの具体的な製造工程は次の通りである。ガラス基板１として例えばコーニング７０５９などを用い、この上にＭｏ−Ｔａ合金膜をスパッタ法により形成し、これをパターニングしてゲート電極２を形成する。この後陽極酸化法により、ゲート電極２の表面に陽極酸化膜３を形成する。具体的には、０．０１％クエン酸中で１００Ｖまでの定電流陽極酸化を行い、引続き１００Ｖで１時間の定電圧陽極酸化を行う。次いで、プラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜３を１５００Å、シリコン窒化膜１５を５００Å、ｎ型ａ−Ｓｉ膜６を５００Å、ｎ＋型ａ−Ｓｉ膜７を３００Å、連続的に形成する。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第９行）が、第１図とともに開示されている。
（ｆ）刊行物５に記載の発明
　刊行物５には、「まず第１図（ａ）のようにガラス基板（例えばコーニング社＃７０５９）（２１）上に不透明な第１の金属膜よりなるゲート電極（２２）を２０００〜４０００ÅのＴａによって形成し、陽極酸化によってＴａ２Ｏ５膜（２３）を形成する。次に第１図（ｂ）のようにプラズマＣＶＤによりゲート絶縁膜（２４）、ａ−Ｓｉ半導体膜（２５）、保護絶縁膜（２６）を真空を破ることなく連続堆積する。ゲート絶縁膜（２４）として例えば１０００〜３０００ÅのＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等を用い、・・・る。」（第３頁右上欄第５行〜第１６行）が、第１図とともに開示されている。
４．対比・判断
（１）特許法第２９条の２の理由について
　本件請求項１に係る発明と先願（特願平１−２４３８６８号：刊行物１、特開平３−１０５３２４号公報）とを対比する。
　先願に記載の発明は、ゲート絶縁膜として下層にゲート電極を陽極酸化した五酸化タンタルと上層に窒化膜を用いており、ゲート絶縁膜の下層にシリコン酸化膜を用いている本件請求項１に係る発明とは、ゲート絶縁膜の材料が相違し、本件請求項１に係る発明は、先願に記載の発明と同一の発明とは認められない。
　本件請求項２に係る発明と先願（特願平１−２４３８６８号：刊行物１、特開平３−１０５３２４号公報）とを対比する。
　本件請求項２に係る発明は、ゲート絶縁膜の下層の材料に、ＣＶＤシリコン酸化膜を用いている点で、ゲート絶縁膜の下層に五酸化タンタルを用いている先願に記載の発明とは相違し、本件請求項２に係る発明は、先願に記載の発明と同一の発明とは認められない。
（２）特許法第２９条第２項の理由について
　刊行物２（特開平１−１７３６５０号公報：甲第２号証）には、ＴＦＴの製造において、ゲート絶縁膜が、窒化シリコンあるいは酸化シリコンによる一層のゲート絶縁層によって形成された薄膜トランジスタが記載されている。
　刊行物３（特開平２−１９６２２２号公報：甲第３号証）には、ＣＶＤ窒化シリコンによる一層のゲート絶縁体層が記載されている。
　刊行物４（特開平１−２９１４６７号公報：甲第４号証）には、ゲート電極を陽極酸化した陽極酸化膜上に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の複合膜を形成したゲート絶縁膜が記載されている。
　刊行物５（特開昭６２−１７１１６０号公報：甲第５号証）には、ゲート電極金属を陽極酸化した金属酸化膜上にＳｉＯ２、ＳｉＮｘ等からなるゲート絶縁膜堆積することが記載されている。
　しかしながら、刊行物２から５の何れの刊行物にも、本件請求項１に係る発明の「ゲート絶縁膜は下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる２層構造」である構成、及び、本件請求項２に係る発明の「下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の２層構造」であるゲート絶縁膜の構成について記載が無く、これらの構成により本件請求項１に係る発明、及び、請求項２に係る発明は、紫外光の反射が適度に抑制され、オーバー露光を防ぎ、コンタクト長のばらつきを小さくすることができるという顕著な効果を奏するものであり、本件請求項１に係る発明、及び、請求項２に係る発明が、上記刊行物２から５に記載の発明から当業者が容易に想到しうるとは認められない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由および証拠によっては、本件請求項１、２に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１、２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月１３日（２００１．９．１３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項１中の「形成された活性層と」を「形成されたアモルファスシリコン膜からなる活性層と」と訂正し、「前記ゲート絶縁膜は２層構造で」を「前記ゲート絶縁膜は下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる２層構造で」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、請求項２中の「前記基板上に２層構造で」を「前記基板上に下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の２層構造で」と訂正し、「ゲート絶縁膜、活性層及び」を「ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜からなる活性層、及び」と訂正し、「チャネル保護膜を順次堆積する」を「チャネル２保護膜をＣＶＤ法を用いて順次堆積する」と訂正する。
訂正事項ｃ
　上記、請求項１の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号【００１１】の「形成された活性層と」を「形成されたアモルファスシリコン膜からなる活性層と」と訂正し、「前記ゲート絶縁膜は２層構造で」を「前記ゲート絶縁膜は下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる２層構造で」と訂正する。
訂正事項ｄ
　上記、請求項２の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明瞭でない記載の釈明を目的として、明細書段落番号【００１３】の「前記基板上に２層構造で」を「前記基板上に下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の２層構造で」と訂正し、「ゲート絶縁膜、活性層及び」を「ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜からなる活性層、及び」と訂正し、「チャネル保護膜を順次堆積する」を「チャネル保護膜をＣＶＤ法を用いて順次堆積する」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
薄膜トランジスタ及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に形成された
アモルファスシリコン膜からなる
下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる
　【請求項２】　透光性の基板上に端部がテーパ状のゲート電極を形成する工程と、前記基板上に
下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の
アモルファスシリコン膜からなる活性層、
ＣＶＤ法を用いて
前記レジストパターンをマスクに用いて前記チャネル保護膜をパターニングすることにより、前記ゲート電極に対して自己整合的に形成され、その端部が前記ゲート電極の端部よりも内側に後退したパターンを形成する工程と、
前記基板上にコンタクト層を堆積した後、このコンタクト層と前記活性層とをパターニングする工程と、
前記基板上に導電膜を堆積した後、この導電膜と前記コンタクト層とをパターニングしてソース・ドレイン電極を形成する工程と
を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、薄膜トランジスタに係り、特にチャネル保護膜を有する逆スタッガ型薄膜トランジスタに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として用いたアクティブマトリックス型液晶表示装置が注目されている。これは、安価なガラス基板を用いることで大画面，高精細，高画質なパネルディスプレイを低コストで実現する可能性があるからである。図１１には従来の逆スタガ−型ＴＦＴの断面図が示されている。
　【０００３】
　これを製造工程に従い説明すると、最初、透光性絶縁基板１上に不透明金属薄膜を堆積し、この不透明金属薄膜をフォトマスクを用いたフォトリソグラフィによりパタ−ニングし、ゲ−ト電極３を形成する。
　【０００４】
　次にゲ−ト電極３が形成された透光性絶縁基板１上にゲ−ト絶縁膜５となる第１の絶縁膜，活性層７となるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜，チャネル保護膜９となる第２の絶縁膜を順次成膜した後、全面にポジ型のフォトレジストを塗布する。
　【０００５】
　次にゲ−ト電極３をマスクにして裏面露光を行なってフォトレジストパタ−ンを形成した後、このフォトレジストパタ−ンをマスクに用いて第２の絶縁膜をパタ−ニングしてチャネル保護膜９を形成する。次に全面にコンタクト層１１となるｎ＋ａ−Ｓｉ膜，ソ−ス・ドレイン電極１３となる金属膜を順次堆積する。最後に、これらの膜をパタ−ンニングしてコンタクト層１１，ソ−ス・ドレイン電極１３を形成してＴＦＴの基本構成が完成する。
　【０００６】
　以上述べた方法で得られたＴＦＴでは、チャネル保護膜９がゲート電極３に自己整合的に形成されるため、マスク合わせのずれに起因する素子特性の変動が抑制される。
　【０００７】
　しかしながら、チャネル保護膜９がゲ−ト電極３に自己整合的に形成されることが幸いし、チャネル保護膜９のチャネル長方向の寸法を、ゲ−ト電極３のチャネル長方向の寸法より短くするのが困難になるため、素子特性に大きな影響を与えるゲ−ト電極上の活性層７とコンタクト層１１との接合部分を広くできず、大きなオン電流や移動度を得るのが困難であった。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述の如く従来のチャネル保護膜を設けたＴＦＴでは、ゲ−ト電極上の活性層とコンタクト層との接合面が狭く、オン電流や移動度等の素子特性の点に問題があった。
　【０００９】
　本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、電気特性が良好なチャネル保護膜を有するＴＦＴ及びその製造方法を提供することにある。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の薄膜トランジスタの骨子は、ゲ−ト電極の端部をテ−パ状にしてゲ−ト電極上の活性層とコンタクト層との接合面が広いＴＦＴの製造を容易にしたことにある。
　【００１１】
　即ち、上記の目的を達成するために、本発明の薄膜トランジスタは、基板上に形成された
アモルファスシリコン膜からなる
下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜からなる
　【００１２】
　また、本発明の薄膜トランジスタの製造方法の骨子は、ゲ−ト電極の端部をテ−パ状にしてより多くの光がゲ−ト電極上のレジストに回り込むようにしたことにある即ち、上記の目的を達成するために、本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、
　【００１３】
　透光性の基板上に端部がテーパ状のゲート電極を形成する工程と、前記基板上に
下層がシリコン酸化膜で上層がシリコン窒化膜の
アモルファスシリコン膜からなる活性層、
ＣＶＤ法を用いて
　【００１４】
　【作用】
　本発明の薄膜トランジスタでは、ゲ−ト電極の端部がテ−パ状であるため、下地依存性により、ゲ−ト電極の端部上に堆積された活性層とコンタクト層との接合面が傾斜を持つため、ゲ−ト電極の端部上の活性層とコンタクト層との接合面が垂直であるときに比べて、ソ−ス・ドレイン電極の電界の影響を大きく受ける活性層の領域が広くなり、より多くのキャリアが生成される。したがって、オン電流や移動度等の素子特性が改善される。
　【００１５】
　また、本発明の薄膜トランジスタの製造方法では、端部がテ−パ状のゲ−ト電極をマスクに用いているため、基板の裏面から出射した光は、ゲ−ト電極の端部で回折を起こしてゲ−ト電極上のレジストに照射されると共に、チャネル保護膜となる絶縁膜とゲ−ト電極との間で反射を繰り返してゲ−ト電極上のレジストに照射される。
　【００１６】
　その結果、ゲ−ト電極の端部が基板に平行であるときに比べて、露光領域がよりレジストの内側にまで広がるため、ソ−ス・ドレイン電極の電界の影響を大きく受ける領域が広い活性層が形成され、より多くのキャリアが生成される。したがって、オン電流や移動度等の素子特性が改善される。
　【００１７】
　【実施例】
　以下、図面を参照しながら実施例を説明する。図１〜図７には本発明の一実施例に係るＴＦＴの製造工程断面図が示されている。最初、図１に示すように、ガラス基板等の透光性絶縁基板２１上に厚さ約３００ｎｍのＭｏＴａ合金膜２３を堆積する。
　【００１８】
　次に図２に示すように、等方性エッチング、例えば、ＣＦ４ガス，Ｏ２ガスを用い、マイクロ波放電により発生した活性分子でＭｏＴａ合金膜２３をパタ−ニングし、テ−パ形状のゲ−ト電極２５を形成する。なお、このエッチングによるテ−パ角度、即ち、透光性絶縁基板２１に対するゲ−ト電極３の端面の角度θは約３０°であった。
　【００１９】
　次に図３に示すように、ＣＶＤ法を用いて透光性絶縁基板１上に厚さ約３５０ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１のゲ−ト絶縁膜２７，厚さ約５０ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２のゲ−ト絶縁膜２９，活性層となる厚さ約５０ｎｍのａ‐Ｓｉ膜３１，チャネル保護膜となる厚さ約２００ｎｍのシリコン窒化膜３３を順次堆積する。
　【００２０】
　次に図４に示すように、シリコン窒化膜３３上にスピンコ−ト等を用いてポジ型のフォトレジスト３５を塗布した後、３ｋＷ超高圧水銀灯を用いて紫外線３７を透光性基板１の裏面から１分間照射してフォトレジスト３５を露光する。
　【００２１】
　次に図５に示すように、フォトレジスト３５を現像してフォトレジストパタ−ン３９を形成した後、このフォトレジストパタ−ン３９をマスクに用いてシリコン窒化膜３３をパタ−ニングしてチャネル保護膜４１を形成する。この後、フォトレジストパタ−ン３９を除去する。なお、裏面露光の後にマスク合わせで通常の露光をする（２重露光する）ことでチャネル幅方向の寸法を規定するとよい。
　【００２２】
　次に図６に示すように、基板全面にコンタクト層となる厚さ約５０ｎｍ以上のｎ＋ａ‐Ｓｉ膜４３を堆積した後、第２のゲート絶縁膜２９，ａ‐Ｓｉ膜３１及びｎ＋ａ‐Ｓｉ膜４３を一度にパタ−ニングして活性層４５を形成する。
　【００２３】
　最後に、ゲ−ト電極を取り出すコンタクトホールを形成後、図７に示すように、基板全面にＭｏとＡｌとの積層膜を堆積した後、マスク合わせを行ない積層膜及びａ‐Ｓｉ膜４３をパタ−ニングしてコンタクト層４７，ソ−ス・ドレイン電極４９を形成してＴＦＴの基本構成が完成する。なお、必要に応じて画素電極やシリコン窒化膜等を用いてパッシベ−ション膜を形成する。
　【００２４】
　また、コンタクト層４７はｎ＋ａ‐Ｓｉ膜を堆積して形成する代わりに、プラズマド−ピングやイオン注入等を用いて活性層４５となるａ‐Ｓｉ膜にｎ型不純物原子を添加して形成しても良い。このとき、ａ‐Ｓｉ膜は傾斜しているので容易に側壁部にｎ型不純物原子を添加することができるという利点がある。更にまた、マスク合わせでソ−スドレイン電極４９を形成する代わりに、自己整合的にソ−ス・ドレイン電極４９を形成してもよい。
　【００２５】
　以上述べた製造方法で得られたＴＦＴでは、チャネル保護膜４１のチャネル長方向の寸法が従来のＴＦＴのそれより短くなるため、ソ−ス・ドレイン電極４９の電界の影響を大きく受けるチャネル保護膜４１の部分が広くなり、オン電流や移動度等の素子特性が改善される。このことを図８を用いて更に詳しく説明する。図８は図４のゲ−ト電極２５の端部における紫外線３７の光路を示す図である。
　【００２６】
　透光性絶縁基板２１の裏面から出射した紫外線３７は、基本的にはゲ−ト電極２５上のフォトレジスト３５には照射されないが、ゲ−ト電極２５の端部がテ−パ状であるため、その端部で回折を起こしてゲ−ト電極２５の内側に回り込む。その結果、紫外線３７は、ゲ−ト電極２５の端部上のフォトレジスト３５にも照射される。
　【００２７】
　更に、回折を起こした紫外線３７の一部は、第１のゲ−ト絶縁膜２７と第２のゲ−ト絶縁膜２９との界面，第２のゲ−ト絶縁膜２９とａ‐Ｓｉ膜３１との界面，ａ‐Ｓｉ膜３１とシリコン窒化膜３３との界面又はシリコン窒化膜３３とフォトレジスト３５との界面で反射された後、再びゲ−ト電極２５で反射されてゲ−ト電極２５の端部上のフォトレジスト３５に照射されたり、又はこのような反射を繰り返してゲ−ト電極２５の端部上のフォトレジスト３５に照射される。
　【００２８】
　したがって、フォトレジスト３５の露光部分Ａは、従来に比べてよりゲ−ト電極２５の内側まで広がり、チャネル長方向の寸法が短いフォトレジストパタ−ン３９を形成することでき、コンタクト長ΔＬ、即ち、ゲ−ト電極２５の端部上の活性層４５とコンタクト層４７とのチャネル長方向に沿った接合面の寸法をより長くすることができる。
　【００２９】
　その結果、ソース・ドレイン電極４９の電界の影響を大きく受ける活性層４５の部分が広くなりより多くのキャリアが生成されるため、オン電流や移動度等の素子特性が改善される。特にコンタクト層４７のｎ＋ａ‐Ｓｉ層，活性層４５のａ‐Ｓｉ層，電界で誘起されたｎ＋ａ‐Ｓｉ層によるｎ＋ａ‐Ｓｉ／ａ‐Ｓｉ／ｎ＋ａ‐Ｓｉ接合のコンタクト抵抗が低減される効果が大きい。
　【００３０】
　しかも、本実施例のＴＦＴでは、ａ‐Ｓｉ膜３１と第１のゲ−ト絶縁膜２７との間に設けられた薄い第２のゲ−ト絶縁膜２９が、光学的な緩衝層として働くので紫外光３７の反射が適度に抑制され、オ−バ−露光を防ぐことができる。
　【００３１】
　更に、本実施例のＴＦＴの製造方法では、再現性良くコンタクト長ΔＬを０．５μｍ程度にすることができ、またフォトレジスト３５の露光時間を調整することで、コンタクト長ΔＬを１μｍの範囲で制御できた。
　【００３２】
　また、このように構成されたＴＦＴでは、ゲ−ト電極２５の端部がテ−パ状であるため、下地依存性により活性層４５とコンタクト層４７との接合面も一部テ−パ状になる。
　【００３３】
　その結果、活性層４５とコンタクト層４７との接合面が一様な平面であるときに比べ、活性層４５とコンタクト層４７との実効的な接合面が広くなり素子特性が改善される。
　【００３４】
　図９はコンタクト長ΔＬと移動度との関係を示す特性図である。図中、σ１，σ２は、それぞれ本実施例の製造方法，従来の製造方法で得られたＴＦＴのコンタクト長ΔＬのばらつきの範囲を示している。この図から分かるように、移動度はコンタクト長ΔＬが一定以下ΔＬ０になると急激に小さくなる。したがって、従来の製造方法ではコンタクト長ΔＬがΔＬ０以下になることがあるため、不良なＴＦＴが製造され、歩留まりが低下する。更に、従来の製造方法ではコンタクト長ΔＬのばらつきが大きいため、このようなＴＦＴを液晶表示装置に用いると画質が低下するという問題が生じる。一方、本実施例の製造方法ではコンタクト長ΔＬを確実にΔＬ０より大きくすることができると共にばらつきを小さくすることができる。
　【００３５】
　したがって、移動度が十分に大きなＴＦＴが確実に製造され、歩留まりが向上する。また、このようなＴＦＴを用いることで高画質な液晶表示装置を得ることができる。
　【００３６】
　なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではない。例えば、上記実施例では、ゲ−ト電極２５のテ−パ角度θを３０°程度にしたが、４５°以下であれば同様な効果が得られる。また、上記実施例では、ゲ−ト電極２５を曲率がゼロのテ−パ状に形成したが、図１０に示すようにゲ−ト電極２５を曲率がゼロでないテ−パ状に形成してもよい。この場合、ゲ−ト電極２５の端部で回折する光が先に説明した実施例に比べて減るが同様な効果が得られる。
　【００３７】
　また、上記実施例ではゲ−ト絶縁膜を２層構造としたが、単層構造或いは３層以上の多層構造にしても良い。なお、多層構造の場合に、上記実施例とは逆に、基板側のゲ−ト絶縁膜に誘電率が大きい絶縁膜、例えば、金属酸化膜やゲ−ト電極の酸化（陽極酸化等）膜を用いても良い。
　【００３８】
　更にまた、透光性絶縁基板２１とゲ−ト電極２５との間にアンダ−コ−ト層を設けても良い。このとき、第１のゲ−ト絶縁膜２７とアンダコ−ト層との間の屈折率を同程度にすると、ゲ−ト絶縁膜２７とアンダコ−ト層との界面における紫外線３７の反射を抑制できる。例えば、アンダコ−ト層として第１のゲ−ト絶縁膜２７と同様にシリコン酸化膜を用いることで紫外線３７の反射を低減できる。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
　【００３９】
　【発明の効果】
　以上詳述したように本発明によれば、ソ−ス・ドレイン電極の電界の影響を大きく受ける活性層の部分が広くなるため、オン電流や移動度等が優れたチャネル保護膜を有するＴＦＴを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の一実施例に係るＴＦＴの第１の製造工程断面図。
　【図２】　本発明の一実施例に係るＴＦＴの第２の製造工程断面図。
　【図３】　本発明の一実施例に係るＴＦＴの第３の製造工程断面図。
　【図４】　本発明の一実施例に係るＴＦＴの第４の製造工程断面図。
　【図５】　本発明の一実施例に係るＴＦＴの第５の製造工程断面図。
　【図６】　本発明の一実施例に係るＴＦＴの第６の製造工程断面図。
　【図７】　本発明の一実施例に係るＴＦＴの第７の製造工程断面図。
　【図８】　図４のゲ−ト電極の端部における紫外線の光路を示す図。
　【図９】　移動度とソ−スコンタクト長との関係を示す図。
　【図１０】　曲率を有するテ−パ状のゲ−ト電極を示す図。
　【図１１】　従来のチャネル保護膜を有するＴＦＴの断面図。
　【符号の説明】
２１…透光性絶縁基板、
２３…ＭｏＴａ合金膜、
２５…ゲ−ト電極、
２７…第１のゲ−ト絶縁膜、
２９…第２のゲ−ト絶縁膜、
３１…ａ‐ｉ膜、
３３…シリコン窒化膜、
３５…フォトレジスト、
３７…紫外線、
３９…フォトレジストパタ−ン、
４１…チャネル保護膜、
４３…ｎ＋ａ‐Ｓｉ膜、
４５…活性層、
４７…コンタクト層、
４９…ソ−ス・ドレイン電極。