(57)【要約】  本発明は、高精細セルを有するＰＤＰでも保護層への不純物の吸着を効果的に防止し、優れた画像表示性能を消費電力の低減を図りつつ発揮できるＰＤＰの製造方法を提供する。  具体的には仮焼成工程において、前記封着材の軟化点未満を最高温度として背面基板（９）を仮焼成する。背面基板（９）を前面基板（２）と重ね、非酸化性ガスに還元性ガスを所定量添加した封着雰囲気中で封着工程を行う。これにより、封着材ペーストに起因する有機成分による不純物を低分子状態で残存させ、封着工程後の排気工程でこれを排気除去し、不純物の保護層（８）への吸着を防止する。
2010140307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面基板又は表面にＭｇＯを含む保護層が形成された前面基板のうち、一方の基板の主面の周囲に封着材を含むペーストを配設し、当該ペーストに含まれるバインダーの消失温度以上かつ封着材の軟化点温度未満の温度を仮焼成最高温度として、前記塗布したペーストを焼成する仮焼成工程と、
前記仮焼成工程後に、前記一方の基板の主面に他方の基板の主面を対向配置させ、前記両基板を重ね合わせる位置決め工程と、
位置決め工程後に、非酸化性ガスと還元性ガスの混合雰囲気下で、所定の封着温度で焼成して前記両基板を封着させる封着工程と、
前記封着工程後に、前記両基板間のガスを排気させる排気工程と、
を備えるプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記仮焼成工程では、前記最高温度で焼成を行った後、前記両基板の温度をバインダー消失温度未満且つ室温より高い第一温度まで下降させる第一降温ステップと、第一降温ステップ後に、前記両基板の温度を前記第一温度から室温まで温度降下させる第二降温ステップとを含み、
第一降温ステップは、第二降温ステップよりも短時間で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第一降温ステップにおける前記第一温度を２００℃とし、第一降温ステップに係る時間を２０分以上３０分以下に設定する
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記第二降温ステップの時間を、第一降温ステップの時間よりも５倍以上長時間に設定する
請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記仮焼成最高温度を、前記軟化点よりも１０℃以上低い温度とする
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記仮焼成最高温度を、前記軟化点よりも１０℃から５０℃低い温度とする
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記仮焼成工程では、前記封着材として低融点ガラスを成分に含む封着材を用い、当該低融点ガラスのガラス転移点以上かつ当該低融点ガラスの軟化点よりも１０℃以下の低い温度で焼成を実施する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記封着工程では、前記封着温度として前記軟化点温度より４０℃以上の高い温度に設定する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
封着工程では、非酸化性ガスとしてＮ2ガスあるいはＡｒガスを用い、還元性ガスとしてＨ2ガスを用いる
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記混合雰囲気中における前記Ｈ2ガス分圧が０．１％以上３％以下である
請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記仮焼成工程は、露点が−４５℃以下のＮ2雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記仮焼成工程は、Ｏ2を１％以下の分圧で含有するＮ2雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記封着工程では、前記両基板の温度を室温から前記封着温度まで上昇させる封着温度上昇ステップと、
前記封着温度上昇ステップ後に前記封着温度を一定時間維持する封着温度維持ステップと、
前記封着温度維持ステップ後に、前記両基板の温度を前記封着温度から前記軟化点未満の温度まで下降させる封着温度下降ステップとを、少なくとも含む
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記排気工程では、前記両基板を室温以上、前記軟化点未満の温度で一定時間維持する排気温度維持ステップと、
前記排気温度維持ステップ後に、前記両基板温度を室温まで下降させる排気温度下降ステップとを、順次、それぞれ減圧雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記封着工程前において、背面基板の主面に隣接する隔壁を０．１６ｍｍ以下のピッチに設定して複数併設するとともに、隣接する前記各隔壁間に蛍光体層を形成し、
前記排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
前記封着工程前において、パネル画素数が横方向に１９２０個以上で且つ縦方向に１０８０個以上となるように、背面基板の主面に隣接する隔壁のピッチを設定して複数の隔壁を併設するとともに、隣接隔壁間に蛍光体層を形成し、
排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１７】
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法によって作製されたプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
当該プラズマディスプレイパネルは、走査電極と維持電極とで構成された表示電極対を複数備えるとともに複数のデータ電極を備え、前記表示電極対と前記データ電極とが交差する位置のそれぞれに放電セルを備えており、
前記複数の表示電極対を複数の表示電極対グループに分け、
前記表示電極対グループ毎に、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と前記放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドを用いて１フィールド期間を分割し、
前記表示電極対グループの数をＮ（Ｎは２以上の整数）、パネル全体の放電セルで１回の書込み動作を行うために必要な時間をＴｗとするとき、
各表示電極対グループの各サブフィールドの維持期間の時間を、
Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎ以下に設定して駆動する
プラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、単に「ＰＤＰ」という。）の製造方法に関し、特に保護層への不純物混入を効果的に除去するとともに、保護層の改質を図る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューターやテレビ等の用途のディスプレイ装置としてプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ、以下「ＰＤＰ」と記載する）が注目されている。ＰＤＰは、気体放電からの放射を利用した平面表示装置であって、高速表示や高精細表示、並びに大型化・薄型軽量化が比較的容易であり、映像表示装置や広報表示装置などの分野で広く実用化されている（特許文献１）。ＰＤＰには直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）がある。このうち面放電型ＡＣ型ＰＤＰが寿命特性や大型化の面で特に高い技術的ポテンシャルを持ち、商品化されている。【０００３】
代表的な従来のＡＣ型ＰＤＰは、一対の基板（前面基板と背面基板）を、放電空間を挟んで対向配置させ、両基板周囲に低融点ガラスなどの封着材を含む封着部を形成して内部封止した構成を有する。【０００４】
前面基板は、ベースとなる前面ガラス基板の一方の主面上に、Ａｇペーストを塗布・焼成することで一対の帯状電極からなる表示電極が複数対にわたり形成され、各表示電極を覆うように、ガラスペーストを塗布・焼成して、酸化鉛を主成分とする誘電体ガラス層が形成されている。誘電体ガラス層の上には、スパッタリング法等により酸化マグネシウム（ＭｇＯ）やこれを主成分として含む保護層が積層されている。【０００５】
背面基板は、背面ガラス基板の一方の主面上に、Ａｇペーストを塗布・焼成して、帯状のアドレス（データ）電極が複数にわたり並設される。その上に上記と同様の方法で、誘電体ガラス層が順次積層される。この保護層の上には各々のアドレス電極を区画するように、ガラスペーストを塗布・焼成して隔壁がストライプ状に設けられる。さらに隣接する隔壁の各側面とその間の誘電体ガラス層の表面には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの色に対応する蛍光体インクを塗布し、これを５００℃程度で焼成してペースト中の樹脂成分を除去することで蛍光体層が形成される。【０００６】
前記蛍光体層を形成した背面基板の表面には、基板の周囲に対し、酸化鉛系ガラスと酸化物フィラーを含む封着材に、樹脂（バインダー）と溶剤とを混合してなる封着材ペーストが塗布される。製造工程において、封着材ペーストは仮焼成により加熱され、ペースト中の有機成分をある程度除去される。そして、表示電極が形成された前面基板の表面と、アドレス電極が形成された背面基板の表面を対向させ、表示電極とアドレス電極が直交するように両基板を重ね合わせて位置決めする。この状態で、本焼成（封着工程）を行って封着部を形成することで、両基板間の内部封止が図られる。【０００７】
これらの一対の基板において、背面基板の隔壁の頂部が前面基板側と当接することで、隣接隔壁の間で放電セルが区画されて形成される。隣接隔壁の間の空間は放電空間であり、前記封着工程後に両基板内部のガスを排気したのち、放電ガスとしてＸｅ−Ｎｅ系あるいはＸｅ−Ｈｅ系等の希ガスが所定圧力（通常４０ＫＰａ〜８０ＫＰａ）で封入される。【０００８】
このＰＤＰで画像表示するためには、１フィールドの映像を複数のサブフィールド（Ｓ．Ｆ．）に分割する階調表現方式（例えばフィールド内時分割表示方式）が用いられる。駆動時に所定のタイミングで表示電極及びアドレス電極に給電することによって、放電空間で放電が発生する。この放電に伴い、放電ガスがイオン化して放電空間内に真空紫外線（主には波長１４７ｎｍを主体とする共鳴線と波長１７３ｎｍを主体とする分子線）が発生する。この真空紫外線が蛍光体層を励起発光させることで、可視光発光がなされ、パネル全体でカラー表示がなされることとなる。【０００９】
ところで近年、ＰＤＰの用途の多様化により、様々な規格のＰＤＰが存在する。具体的には、横方向（水平方向）に８５２本、縦方向（垂直方向）に４８０本）の走査線数を持つ従来の標準（ＳＤ）パネルに加え、横方向に１０２４本、縦方向に７６８本の走査線数を持つハイビジョン（ＨＤ）パネルがある。さらに現在では、ハイビジョンパネルよりも高精細なフルハイビジョン（フルＨＤ）パネルが製造され、それ以上に高精細なパネルの開発もなされている。【００１０】
ＰＤＰの高精細化は、画素数の増大を伴う。例えば４２インチのフルＨＤパネルでは、画素数が横方向に１９２０個×縦方向に１０８０個となり、横方向のセルピッチは０．１６ｍｍ程度となる。さらに、フルＨＤパネルよりも高精細な超高精細パネルの場合、５０インチのサイズでは画素線数が横方向に４０００個程度、縦方向に２０００個程度と膨大になる。また、横方向のセルピッチは０．１ｍｍ程度と極めて微細なサイズになる。【００１１】
このような膨大且つ微細な放電セルを用いて良好な画像表示性能を得るためには、必要な放電発光を所定タイミングで確実に行う必要がある。その方法の一つとして、放電ガス中のＸｅ分圧を増やす（例えばＮｅ−Ｘｅ系ガスのＸｅ分圧を従来の１０％程度から３０％程度まで増大させる）と、発光輝度の向上が望めることが知られている。【００１２】
一方、近年の電化製品には消費電力を低減させる要求が存在し、低電力駆動が望まれている。しかしながら、上記のように放電ガス中のＸｅ分圧を増やすと放電電圧が上昇し、消費電力が増大しやすくなる問題がある。また、駆動電圧が大きくなるために耐圧ドライバが必要となり、ドライバ回路を中心とするコスト増加の問題もある。さらには、放電強度が高まるため、放電に曝される保護層が摩耗しやすくなり（耐スパッタ性の低下）、ひいてはＰＤＰ自体の寿命が短くなるという問題がある。【００１３】
そこで従来では、保護層が有する二次電子放出特性を良好に維持することで、放電電圧の低減を図り、消費電力の低減をねらう対策が幾つか講じられている。保護層は製造過程において、封着材ペースト等に含まれる各種樹脂や溶媒、溶剤等の有機性不純物や、この不純物が仮焼成工程や封着工程で焼失する際に生じる炭素ガスや水蒸気などの不純物ガス（以下、まとめて単に「不純物」と称する。）を吸着し、変質しやすい性質を有するが、このような吸着を防止したり、吸着しにくい保護層材料を用いることによって保護層の二次電子放出特性を維持することが考えられている。【００１４】
具体的には特許文献３、４、非特許文献３に示すように、ＭｇＯの代わりにＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物を用いた複合酸化膜で保護層を構成するとともに、放電ガス封入前の放電空間を１×１０-4Ｐａ程度の真空度まで排気して、不純物を除去する方法が提案されている。この従来技術では、併せて保護層形成工程から封着工程までを、乾燥雰囲気に調整した空気、Ｎ2、Ｏ2のいずれかの雰囲気中で連続して行い、Ｈ2Ｏ等の不純物が保護層に混入するのを効果的に防止する方法が示されている。【００１５】
また特許文献５には、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物を用いた複合酸化膜からなる保護層を形成するとともに、当該保護層に雰囲気中のＨ2Ｏ、ＣＯ、ＣＯ2が吸着したり、保護層と不要な反応を生ずるのを防止し、放電空間内の不純物ガスを効率よく排気する目的で、封着工程及び排気工程を真空中で一貫して行う方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００３−１３１５８０号公報
【特許文献２】特開２００５−１５７３３８号公報
【特許文献３】特開２００２−２３１１２９号公報
【特許文献４】特開２００７−２６５７６８号公報
【特許文献５】特開２００７−１１９８３３号公報
【非特許文献】
【００１７】
【非特許文献１】ＮＨＫ技研Ｒ＆Ｄ  Ｎｏ．１０３  ２００７．５  ｐｐ３２−３９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、上記したいずれの従来技術でも、保護層への不純物の混入を効果的に除去できるとは言い難い。【００１９】
すなわち、封着材ペーストに起因する不純物は、仮焼成工程及び封着工程において高温で加熱されることでガス化され、その大半が排気工程で排気除去されるが、それでも完全に不純物を除去することは難しい。また、一定温度以上の高温で封着材ペーストを加熱すると、当該ペースト由来の有機成分が重合することによるタールの発生を招き、かえって不純物が除去しにくくなることが、本願発明者らの鋭意検討によって明らかにされている。【００２０】
また、上記アルカリ土類金属の複合酸化膜からなる保護層は、良好な二次電子放出特性を有するものの、現状ではＭｇＯを含んでなる保護層の方がより優れた二次電子放出特性を発揮しやすい。したがって、消費電力を低減する目的から、保護層材料としてはなるべくＭｇＯ系材料を用いたいという要求がある。【００２１】
このように、消費電力が低く、かつ、優れた画像表示性能を発揮できる高精細化なＰＤＰを実現するためには、未だ解決すべき課題が存在する。【００２２】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、たとえ高精細パネルであっても、不純物の吸着によってＭｇＯを含む保護層が変質するのを防止することで、良好な画像表示性能を比較的低い消費電力駆動で発揮することの可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題を解決するために、本発明は、背面基板又は表面にＭｇＯを含む保護層が形成された前面基板のうち、一方の基板の主面の周囲に封着材を含むペーストを配設し、当該ペーストに含まれるバインダーの消失温度以上かつ封着材の軟化点温度未満の温度を仮焼成最高温度として、前記塗布したペーストを焼成する仮焼成工程と、前記仮焼成工程後に、前記一方の基板の主面に他方の基板の主面を対向配置させ、前記両基板を重ね合わせる位置決め工程と、位置決め工程後に、非酸化性ガスと還元性ガスの混合雰囲気下で、所定の封着温度で焼成して前記両基板を封着させる封着工程と、封着工程後に、前記両基板間のガスを排気させる排気工程とを経るものとした。【００２４】
ここで前記仮焼成工程では、前記最高温度で焼成を行った後、前記両基板の温度をバインダー消失温度未満且つ室温より高い第一温度まで下降させる第一降温ステップと、第一降温ステップ後に、前記両基板の温度を前記第一温度から室温まで温度降下させる第二降温ステップとを含み、第一降温ステップは、第二降温ステップよりも短時間で行うこともできる。【００２５】
この場合、前記第一降温ステップにおける前記第一温度を２００℃とし、第一降温ステップに係る時間を２０分以上３０分以下に設定することもできる。【００２６】
また、前記第二降温ステップの時間を、第一降温ステップの時間よりも５倍以上長時間に設定することもできる。【００２７】
また、前記非酸化性ガスとしてはＮ2ガスあるいはＡｒガスが好適である。【００２８】
また、前記還元性ガスとしてはＨ2ガスまたはＮＨ3（アンモニア）ガスが望ましい。【００２９】
前記混合雰囲気（封着雰囲気）中における還元性ガスは、当該混合雰囲気全体におけるガス分圧として、０．１％以上３％以下とするのが好ましい。【００３０】
仮焼成最高温度としては、封着材の軟化点よりも１０℃以上低い温度にすることもできる。【００３１】
また、仮焼成最高温度を、さらに封着材の軟化点よりも１０℃から５０℃以上低い温度とすることもできる。【００３２】
また前記仮焼成工程では、前記封着材として低融点ガラスを成分に含む封着材を用い、当該低融点ガラスのガラス転移点以上かつ当該低融点ガラスの軟化点よりも１０℃以下の低い温度で焼成を実施することができる。【００３３】
この場合、前記ガラス転移点は３３６℃以上３６５℃以下の範囲とすることができる。【００３４】
また、前記封着材の軟化点が４１０℃〜４５０℃であり、前記封着温度が４５０℃〜５００℃とすることもできる。【００３５】
前記封着材としては、コージライト、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2のうちのいずれか１種以上をフィラーとして含む封着材を用いることができる。【００３６】
また、前記封着材としては、酸化ビスマスとコージライトを含む封着材を用いることもできる。【００３７】
あるいは前記封着材として、酸化鉛とコージライトを含む封着材を用いることもできる。【００３８】
封着工程では、前記封着温度として封着材の軟化点温度より４０℃以上の高温に設定することもできる。【００３９】
仮焼成工程は、露点が−４５℃以下のＮ2雰囲気下で行うこともできる。【００４０】
また仮焼成工程は、Ｏ2を１％以下の分圧で含有するＮ2雰囲気下で行うこともできる。【００４１】
ここで前記仮焼成工程では、前記仮焼成最高温度での仮焼成を１０分以上５０分以下で維持することも可能である。【００４２】
前記仮焼成工程は、酸化性雰囲気で行うことが好適である。【００４３】
前記封着工程では、前記両基板の温度を室温から前記封着温度まで上昇させる封着温度上昇ステップと、封着温度上昇ステップ後に封着温度を一定時間維持する封着温度維持ステップと、封着温度維持ステップ後に、前記両基板の温度を前記封着温度から封着材の軟化点未満の温度まで下降させる封着温度下降ステップとを、順次、非酸化性ガス中に還元性ガスを混合した雰囲気下、より好ましくは、Ｎ2ガスあるいはＡｒガス中にＨ2ガスを０．１％〜３％混合した雰囲気下で行うこともできる。【００４４】
前記排気工程では、前記両基板を室温以上、前記封着材の軟化点未満の温度で一定時間維持する排気温度維持ステップと、排気温度維持ステップ後に、両基板温度を室温まで下降させる排気温度下降ステップとを、順次、減圧雰囲気下で行うこともできる。【００４５】
前記封着工程前においては、背面基板の主面に隣接する隔壁のピッチを０．１６ｍｍ以下に設定して複数の隔壁を併設するとともに、隣接する前記各隔壁間に蛍光体層を形成し、排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入することもできる。【００４６】
また前記封着工程前において、パネル画素数が横方向に１９２０個以上で且つ縦方向に１０８０個以上となるように、背面基板の主面に隣接する隔壁のピッチを設定して複数の隔壁を併設するとともに、隣接隔壁間に蛍光体層を形成し、排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入することもできる。【００４７】
また本発明は、上記した本発明のいずれかのプラズマディスプレイパネルの製造方法によって作製されたプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、当該プラズマディスプレイパネルは、走査電極と維持電極とで構成された表示電極対を複数備えるとともに複数のデータ電極を備え、前記表示電極対と前記データ電極とが交差する位置のそれぞれに放電セルを備えており、前記複数の表示電極対を複数の表示電極対グループに分け、前記表示電極対グループ毎に、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と前記放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドを用いて１フィールド期間を分割し、前記表示電極対グループの数をＮ（Ｎは２以上の整数）、パネル全体の放電セルで１回の書込み動作を行うために必要な時間をＴｗとするとき、各表示電極対グループの各サブフィールドの維持期間の時間を、Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎ以下に設定して駆動するものとした。
【発明の効果】
【００４８】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、仮焼成工程において、封着材の軟化点温度よりも低い温度を最高温度として仮焼成を実施する。このような温度設定を行うことで、封着材のペースト由来の有機成分は、当該仮焼成工程以後、低分子状態のままで両基板間に残留させることができる。【００４９】
さらに本発明では、仮焼成工程において両基板を前記最高温度で焼成した後、２段階の降温ステップに分けて両基板の温度を室温まで降下させている。ここで、第一降温ステップとして、前記最高温度からバインダー消失温度未満且つ室温よりも高い第一温度まで、これに続く第二降温ステップに比べて急激に温度降下させる。これにより、封着材のペースト中に含まれる低分子状態の有機成分が、前記最高温度の高温に長時間曝されて過度に分解されるのを防止できる。その結果、過度に分解された有機成分が封着部中に取り込まれて除去困難となる問題を回避することができる。また、第二降温ステップを第一降温ステップに比べて緩やかな時間で行うことで、急速冷却による基板の損傷を防止できる。【００５０】
このように本発明では、封着材のペースト由来の有機成分は低分子状態として両基板間に良好に残留されるので、その他の不純物とともに、当該有機成分を排気工程において効率よく除去することができる。これにより従来のように、前記有機成分が過度に加熱されて重合し、タール化したり、高温で過度に分解されて封着部中に取り込まれ、ＰＤＰ完成後も封着材のガラス成分中に残存するおそれが低減される。【００５１】
従来、封着材ペーストの有機成分に由来して発生したタールは蒸気圧が低く、排気工程でも除去しにくいために基板間に残存する。このため前記タールはＭｇＯを含む保護層を劣化させてＰＤＰの放電電圧を上昇させる原因等になるが、本発明では上記のようにタールの発生を抑制するとともに、排気工程において有機成分を効率よく除去できるので、不純物の吸着によるＰＤＰの保護層の劣化を抑制できる。【００５２】
また、封着工程を非酸化性雰囲気または還元雰囲気で実施することにより、封着材ペーストの有機成分の重合を防止し、排気工程において前記有機成分を低分子状態のままで良好に除去できる。これにより、保護層の変質が抑制されるとともに、封着工程を還元性雰囲気で実施した場合には保護層の不要な酸化を防止し、結晶構造を改質して、二次電子放出特性を向上させる効果も期待できる。【００５３】
その結果、本発明のＰＤＰにおいては、優れた二次電子放出特性が発揮され、良好な放電開始電圧の低減効果とともに、高速応答性の基に優れた画像表示性能の発揮を期待できる。【００５４】
このような本発明は、特に高精細・超高精細パネル、あるいは大画面のパネルに適用することによって、極めて有効な効果を発揮できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】実施の形態１におけるＰＤＰの概略構成を示す断面斜視図である。
【図２】実施の形態１におけるＰＤＰの電極配列図である。
【図３】実施の形態１のＰＤＰ装置の回路ブロック図である。
【図４】実施の形態１のＰＤＰ装置における走査電極駆動回路の回路図である。
【図５】実施の形態１のＰＤＰ装置における維持電極駆動回路の回路図である。
【図６】実施の形態１のＰＤＰ装置におけるＰＤＰの、他の電極配列図である。
【図７】実施の形態１のＰＤＰ装置におけるＰＤＰの、他の走査電極駆動回路の回路図である。
【図８】実施の形態１のＰＤＰ装置の駆動時におけるタイムチャートを説明するための図である。
【図９】実施の形態１のＰＤＰ装置におけるサブフィールド構成の設定方法を説明するための図である。
【図１０】実施の形態１のＰＤＰ装置におけるＰＤＰの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【図１１】実施の形態１のＰＤＰ装置が備えるＰＤＰの製造方法を説明するためのフロー図である。
【図１２】本発明の仮焼成工程の温度プロファイルを示す図である。
【図１３】封着装置とガス導入装置等の配管構造を示す図である。
【図１４】封着工程、排気工程、放電ガス導入工程の温度プロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００５６】
以下、本発明の実施の形態について、各図面を用いて説明する。まず高精細セル構造を有するＰＤＰと、当該ＰＤＰに適した駆動方法を説明する。続いて保護層への不純物の吸着を抑制してＰＤＰを製造する方法を説明する。なお、当然ながら本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、その発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。
【００５７】
＜実施の形態１＞
（ＰＤＰ装置の構成）
実施の形態１のＰＤＰ装置１０００は、ＰＤＰ１に対し、所定の駆動回路１１１〜１１３等を接続して構成される。
【００５８】
図１はＰＤＰ１の概略構成を示す部分斜視図であって、当該ＰＤＰ１周囲の封着部周辺領域を部分的に示すものである。また図２は、ＰＤＰ１における電極配列の全体構成を模式的に示す図である。
【００５９】
図１に示すように、ＰＤＰ１は、第１の基板である前面基板（フロントパネル）２と第２の基板である背面基板（バックパネル）９を、互いの内側主面が対向するように配置し、両基板２、９の周囲が封着部１６で封止されてなる。
【００６０】
前面基板２の基板となる前面基板ガラス３には、その一方の主面に所定の放電ギャップを形成するように配設された一対の表示電極対６（走査電極４、維持電極５。図１中では図２のＳＣ１、ＳＵ１を図示している）が、複数対にわたり、ストライプ状に形成されている。
【００６１】
ここで各表示電極対６は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）等の導電性金属酸化物を透明導電性材料とする帯状の透明電極５１、４１に対して、Ａｇ厚膜、Ａｌ薄膜、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜などによるバスライン５２、４２が積層された構成である。このバスライン５２、４２によって透明電極５１、４１のシート抵抗が下げられる。なお、表示電極対６は、Ａｇ等の金属材料のみで構成することもできる。また電極形状は帯状に限定せず、複数の細線を用いて構成したり、所望のパターンで構成することもできる。
【００６２】
表示電極対６を配設した前面基板ガラス３には、その主面全体にわたり、酸化鉛（ＰｂＯ）又は酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）又は酸化燐（ＰＯ4）、あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする低融点ガラス（厚み３０μｍ程度）の誘電体層７が、スクリーン印刷法等によって形成されている。ここで誘電体層７は、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能を有し、ＤＣ型ＰＤＰに比べて長寿命化を実現する要素になっている。
【００６３】
保護層８は、放電時のイオン衝撃から誘電体層７を保護し、放電開始電圧を低減させる目的で配される薄膜であって、耐スパッタ性及び二次電子放出係数γに優れるＭｇＯを含む材料により形成される。当該材料は、さらに良好な光学透明性、電気絶縁性を有する。
【００６４】
一方、背面基板９の基板となる背面基板ガラス１０には、その一方の主面に、Ａｇ厚膜、Ａｌ薄膜、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜などによるデータ（アドレス）電極１１（図１中では、図２のＤ１〜Ｄ４を図示している）が、ｘ方向を長手方向としてｙ方向に一定間隔毎でストライプ状に並設される。
【００６５】
そして、各々のデータ電極１１を内包するように、背面基板ガラス９の全面にわたって、誘電体層１２が配設されている。なお、誘電体層１２は上記７と同様の構成であるが、可視光反射層としても機能させるため、ガラス材料中にＴｉＯ2粒子等の可視光反射特性を有する粒子を分散させるように混合してもよい。
【００６６】
誘電体層１２の上には、さらに隣接するデータ電極１１の間隙に合わせ、井桁状の隔壁１３（隔壁部１２３１、１２３２の組み合わせ）が形成され、これにより放電セルが区画される。放電セルは、この隔壁１３により区画されることで、隣接間での誤放電や光学的クロストークの発生は防止できる。隔壁１３のピッチを設定することで、ＰＤＰ１の放電セルを横方向に１９２０個以上、且つ、縦方向に１０８０個以上にわたり形成することができる。
【００６７】
なお、隔壁１３は井桁状に限定されず、ストライプ状、ハニカム状（パネルの厚み方向深さが深いものも含む）等、各種形状に形成することができる。
【００６８】
隣接する２つの隔壁１３の側面とその間の誘電体層１２の面上には、カラー表示のための赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各々に対応する蛍光体層１４（１４（Ｒ）、１４（Ｇ）、１４（Ｂ）のいずれか）が形成されている。
【００６９】
なお、誘電体層１２は必須ではなく、データ電極１１を直接蛍光体層１４で覆うような構成であっても良い。
【００７０】
前面基板２と背面基板９は、それぞれ表示電極対６とデータ電極１１が形成された各表面を対向させ、表示電極対６とデータ電極１１の互いの長手方向が交差するように位置合わせされた状態で、両基板２、９の外周縁部が所定の封着材を含む封着部１６で気密に接合（封着）されている。そして、両基板２、９の間に確保される放電空間１５には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅ等を含む不活性ガス成分による放電ガス（ここではＸｅを１５体積％以上で含むＮｅ−Ｘｅ系ガス）が所定圧力で封入される。
【００７１】
放電空間１５は隣接隔壁１３の間のスペースであり、隣り合う一対の表示電極対６と１本のデータ電極１１が放電空間１５を挟んで交差するそれぞれの位置に合わせ、画像表示にかかる放電セル（「サブピクセル」とも言う）が形成されている。そして、隣り合うＲＧＢの各色に対応する３つの放電セルで１画素が構成される。
【００７２】
図２に示すように、ＰＤＰ１の全体では、行方向（図１のＹ方向）に延伸されたｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極４）、および同方向にｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極５）が延伸して配列される。また、列方向（図１のＸ方向）にｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極１１）が延伸して配列される。ＰＤＰ１では、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に対応して、マトリクス状に複数（ｍ×ｎ個）の放電セル（図中の点線で囲まれた部分）が形成されている。ＰＤＰ１に形成する表示電極対６の数は特に制限されないが、本実施の形態においてはｎ＝２１６０として説明する。
【００７３】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０からなる２１６０対の表示電極対６は、複数の表示電極対グループに分けられる。表示電極対グループの数Ｎの決め方については後述することとして、本実施の形態においては、パネル領域を上下に２分割して２つの表示電極対グループ（Ｎ＝２）に分けたとして説明する。図２に示したように、パネル領域の上半分に位置する表示電極対６を第１の表示電極対グループとし、パネル領域の下半分に位置する表示電極対６を第２の表示電極対グループとする。すなわち１０８０本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および１０８０本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が第１の表示電極対グループに属し、１０８０本の走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および１０８０本の維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が第２の表示電極対グループに属している。
【００７４】
次に、図３はＰＤＰ装置１０００の回路ブロック図である。ＰＤＰ装置１０００は、上記したＰＤＰ１に加え、画像信号処理回路１１０、データ電極駆動回路１１３、走査電極駆動回路１１１、維持電極駆動回路１１２、タイミング発生回路１１４および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）等で構成されている。このうち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０は駆動回路１１１、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０は駆動回路１１２、データ電極Ｄ１〜Ｄｍは駆動回路１１３にそれぞれ電気接続される。
【００７５】
画像信号処理回路１１０は、外部より入力される画像信号をサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
【００７６】
データ電極駆動回路１１３は、ｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに電圧Ｖｄまたは電圧０（Ｖ）を印加するためのｍ個のスイッチを備えている。そして画像信号処理回路１１０から出力された画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する書込みパルスに変換し、各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【００７７】
タイミング発生回路１１４は、水平同期信号、垂直同期信号をもとにして各回路の動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路へ供給する。
【００７８】
走査電極駆動回路１１１は、タイミング信号にもとづいて第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０を駆動する。
【００７９】
維持電極駆動回路１１２は、タイミング信号にもとづいて第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０および第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０を駆動する。
【００８０】
続いて、図４は走査電極駆動回路１１１の回路図である。走査電極駆動回路１１１は、走査電極側維持パルス発生回路５００（以下、単に「維持パルス発生回路５００」と略称する）、傾斜波形発生回路６００、走査パルス発生回路７００ａ、走査パルス発生回路７００ｂ、走査電極側スイッチ回路７５０ａ（以下、単に「スイッチ回路７５０ａ」と略称する）、走査電極側スイッチ回路７５０ｂ（以下、単に「スイッチ回路７５０ｂ」と略称する）等で構成される。
【００８１】
維持パルス発生回路５００は、電力回収部５１０と電圧クランプ部５５０とを有し、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０または第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に印加する維持パルスを発生する。
【００８２】
電力回収部５１０は、電力回収用のコンデンサＣ５１０、スイッチング素子Ｑ５１０、Ｑ５２０、逆流防止用のダイオードＤ５１０、Ｄ５２０、共振用のインダクタＬ５１０、Ｌ５２０を有し、各々の対の表示電極間の電極間容量とインダクタＬ５１０またはインダクタＬ５２０とをＬＣ共振させて維持パルスの立上りおよび立下りを行う。維持パルスの立上り時には、電力回収用のコンデンサＣ５１０に蓄えられている電荷をスイッチング素子Ｑ５１０、ダイオードＤ５１０およびインダクタＬ５１０を介して電極間容量に移動する。維持パルスの立下り時には、電極間容量に蓄えられた電荷を、インダクタＬ５２０、ダイオードＤ５２０およびスイッチング素子Ｑ５２０を介して電力回収用のコンデンサＣ５１０に戻す。このように、電力回収部５１０は電源から電力を供給されることなくＬＣ共振によって維持パルスの立上りおよび立下りを行うため、理想的には消費電力が「０」となる。なお、電力回収用のコンデンサＣ５１０は電極間容量に比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収部５１０の電源として働くように、電圧Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。
【００８３】
電圧クランプ部５５０は、スイッチング素子Ｑ５５０、Ｑ５６０を有する。そしてスイッチング素子Ｑ５５０をオンにすることにより、維持パルス発生回路５００の出力電圧（図４の節点Ｃの電圧）を電圧Ｖｓにクランプする。また、スイッチング素子Ｑ５６０をオンにすることにより、維持パルス発生回路５００の出力電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。したがって、電圧クランプ部５５０による電圧印加時のインピーダンスは小さく、維持放電による大きな放電電流を安定して流すことができる。
【００８４】
こうして維持パルス発生回路５００は、スイッチング素子Ｑ５１０、Ｑ５２０、Ｑ５５０、Ｑ５６０を制御することによって維持パルスを発生する。なお、これらのスイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。ただし、図４にはスイッチング素子としてＩＧＢＴを用いた回路構成を示した。スイッチング素子Ｑ５５０、Ｑ５６０としてＩＧＢＴを用いる場合には制御する電流の方向と逆の方向の電流経路を確保する必要がある。そのため図４に示したように、スイッチング素子Ｑ５５０に並列にダイオードＤ５５０を接続し、スイッチング素子Ｑ５６０に並列にダイオードＤ５６０を接続している。また図４には示していないが、ＩＧＢＴを保護するためにスイッチング素子Ｑ５１０およびスイッチング素子Ｑ５２０のそれぞれに並列にダイオードを接続してもよい。
【００８５】
またスイッチング素子Ｑ５９０は分離スイッチであり、初期化期間に節点Ｃの電圧がＶｉ２のようにＶｓよりも上昇する際にダイオードＤ５５０を介して電流が後述する傾斜波形発生回路６００から電圧Ｖｓに向かって逆流するのを防止するために設けられている。
【００８６】
傾斜波形発生回路６００は、２つのミラー積分回路６１０、６２０を備えている。ミラー積分回路６１０は、傾斜波形発生回路６００の出力電圧（図４の節点Ｃの電圧）を電圧Ｖｔに向かって緩やかに上昇させる。またミラー積分回路６２０は、傾斜波形発生回路６００の出力電圧を電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇させる。
【００８７】
走査パルス発生回路７００ａは、電圧Ｖｐの電源Ｅ７１０ａと、ミラー積分回路７１０ａと、スイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ１０８０と、スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ１０８０とを有する。ミラー積分回路７１０ａは、電源Ｅ７１０ａの低圧側の電圧（図４の節点Ａの電圧）を電圧Ｖａに向かって緩やかに降下させる。また電源Ｅ７１０ａの低圧側の電圧を電圧Ｖａにクランプする。スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ１０８０のそれぞれは、対応する走査電極に電源Ｅ７１０ａの低圧側の電圧を印加し、スイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ１０８０のそれぞれは、対応する走査電極に電源Ｅ７１０ａの高圧側の電圧を印加する。
【００８８】
走査パルス発生回路７００ｂは走査パルス発生回路７００ａと同様の構成であり、電圧Ｖｐの電源Ｅ７１０ｂと、ミラー積分回路７１０ｂと、スイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１０８１〜Ｑ７１０Ｈ２１６０と、スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１０８１〜Ｑ７１０Ｌ２１６０とを有する。そして第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０のそれぞれに電源Ｅ７１０ｂの高圧側の電圧または低圧側の電圧を印加する。
【００８９】
スイッチ回路７５０ａはスイッチング素子Ｑ７６０ａを有し、維持パルス発生回路５００および傾斜波形発生回路６００と走査パルス発生回路７００ａとを電気的に接続または分離する。スイッチ回路７５０ｂはスイッチング素子Ｑ７６０ｂを有し、維持パルス発生回路５００および傾斜波形発生回路６００と走査パルス発生回路７００ｂとを電気的に接続または分離する。
【００９０】
上記の走査電極駆動回路１１１を用いることで、後述する図１０に示す駆動波形を第１の表示電極対グループである走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および第２の表示電極対グループである走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に印加することができる。
【００９１】
以下、具体的な当該回路１１１の動作を説明する。
【００９２】
初期化期間においては、スイッチ回路７５０ａ、７５０ｂのそれぞれのスイッチング素子Ｑ７６０ａ、Ｑ７６０ｂをオンし、走査パルス発生回路７００ａ、７００ｂのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ２１６０をオン、Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ２１６０をオフすることにより、傾斜波形発生回路６００からの出力に電圧Ｖｐを上乗せした電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。続いて、スイッチ回路７５０ａ、７５０ｂのそれぞれのスイッチング素子Ｑ７６０ａ、Ｑ７６０ｂをオフし、走査パルス発生回路７００ａ、７００ｂのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ２１６０をオフ、Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ２１６０をオンした後、ミラー積分回路７１０ａ、７１０ｂをオンすることで、電圧Ｖｉ４までの下り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。その後、Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ２１６０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ２１６０をオンすることで電圧Ｖｃを走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。
【００９３】
第１の表示電極対グループの書込み期間においては、スイッチ回路７５０ａのスイッチング素子Ｑ７６０ａをオフ、ミラー積分回路７１０ａをオンした状態で、各スイッチング素子Ｑ７１０ＨｎおよびＱ７１０Ｌｎをオンオフすることで、対応する走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加することができる。これは、第２の表示電極対グループの書込み期間も同様の方法で対応する走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加することができる。
【００９４】
第１の表示電極対グループの維持期間においては、スイッチ回路７５０ａのスイッチング素子Ｑ７６０ａをオン、走査パルス発生回路７００ａのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ１０８０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ１０８０をオンすることで、維持パルス発生回路５００の出力を第１の表示電極対グループＳＣ１〜ＳＣ１０８０に印加することができる。この時、第２の表示電極対グループは書込み期間であるため、スイッチ回路７５０ｂのスイッチング素子Ｑ７６０ｂはオフされており、維持パルス発生回路５００の出力は第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に何ら影響しない。したがって、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に対しては維持パルス発生回路５００の出力に依存せずに、上述する書込み動作を行うことができる。
【００９５】
第２の表示電極対グループが維持期間、第１の表示電極対グループが書込み期間の場合も同様に、スイッチ回路７５０ａのスイッチング素子Ｑ７６０ａがオフされているので、維持パルス発生回路５００の出力は第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には何ら影響しない。
【００９６】
続く第１の表示電極対グループの前半の消去期間においては、スイッチ回路７５０ａのスイッチング素子Ｑ７６０ａをオンし、走査パルス発生回路７００ａのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ１０８０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ１０８０をオンすることで、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に傾斜波形発生回路６００からの出力を印加する。
【００９７】
この時、第２の表示電極対グループは書込み期間（より正確には書込み動作を中断している期間）であり、スイッチ回路７５０ｂのスイッチング素子Ｑ７６０ｂはオフされているため、傾斜波形発生回路６００の出力電圧は第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に何ら影響しない。
【００９８】
続く休止期間および後半の消去期間についても同様であり、スイッチング素子Ｑ７６０ｂがオフされているため、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０には傾斜波形発生回路６００の出力電圧は何ら影響しない。
【００９９】
以上説明したように、走査電極駆動回路１１１はスイッチ回路７５０ａ、７５０ｂは下り傾斜電圧を印加する期間と書込み期間においてオフすることで、もう一方の表示電極対グループの印加電圧に影響を受けずに所望の電圧を印加することができる。
【０１００】
続いて図５は、維持電極駆動回路１１２の回路図である。維持電極駆動回路１１２は、維持電極側維持パルス発生回路８００（以下、単に「維持パルス発生回路８００」と略称する）、一定電圧発生回路９００ａ、一定電圧発生回路９００ｂ、維持電極側スイッチ回路１００ａ（以下、単に「スイッチ回路１００ａ」と略称する）、維持電極側スイッチ回路１００ｂ（以下、単に「スイッチ回路１００ｂ」と略称する）を備えている。
【０１０１】
維持パルス発生回路８００は、電力回収部８１０と電圧クランプ部８５０とを有し、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０または第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加する維持パルスを発生する。
【０１０２】
電力回収部８１０は、電力回収用のコンデンサＣ８１０、スイッチング素子Ｑ８１０、Ｑ８２０、逆流防止用のダイオードＤ８１０、Ｄ８２０、共振用のインダクタＬ８１０、Ｌ８２０を有し、電力回収部５１０と同様にして、各一対の表示電極間の電極間容量とインダクタＬ８１０またはインダクタＬ８２０とをＬＣ共振させて維持パルスの立上りおよび立下りを行う。
【０１０３】
電圧クランプ部８５０は、スイッチング素子Ｑ８５０、Ｑ８６０を有し、電圧クランプ部５５０と同様にして、維持パルス発生回路８００の出力電圧（図５の節点Ｄの電圧）を電圧Ｖｓまたは電圧０（Ｖ）にクランプする。
【０１０４】
一定電圧発生回路９００ａは、スイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９２０ａ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａを有する。スイッチング素子Ｑ９３０ａとスイッチング素子Ｑ９４０ａとは制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そしてスイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａを介して第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ１を印加し、スイッチング素子Ｑ９２０ａ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａを介して維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ２を印加する。
【０１０５】
一定電圧発生回路９００ｂは、一定電圧発生回路９００ａと同様の構成であり、スイッチング素子Ｑ９１０ｂ、Ｑ９２０ｂ、Ｑ９３０ｂ、Ｑ９４０ｂを有する。そして第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に一定電圧Ｖｅ１または一定電圧Ｖｅ２を印加する。
【０１０６】
なお、これらのスイッチング素子も、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。ただし、図５にはＭＯＳＦＥＴおよびＩＧＢＴを用いた回路構成を示した。スイッチング素子Ｑ９４０ａ、Ｑ９４０ｂにはＩＧＢＴを用いており、制御する電流の方向と逆の方向の電流経路を確保するためにスイッチング素子Ｑ９４０ａに並列にダイオードＤ９４０ａを接続し、スイッチング素子Ｑ９４０ｂに並列にダイオードＤ９４０ｂを接続している。
【０１０７】
また、スイッチング素子Ｑ９４０ａは維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０から電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２の電源に向かって電流を流すために設けられているが、電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２の電源から維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に向かってのみ電流を流す場合にはスイッチング素子Ｑ９４０ａを省略してもよい。スイッチング素子Ｑ９４０ｂについても同様である。
【０１０８】
また、スイッチング素子Ｑ９３０ａのゲート・ドレイン間にコンデンサＣ９３０ａを、スイッチング素子Ｑ９３０ｂのゲート・ドレイン間にコンデンサＣ９３０ｂをそれぞれ接続している。これらのコンデンサＣ９３０ａ、Ｃ９３０ｂは電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２印加時の立上りを緩やかにするために設けているが、必ずしも必要なものではない。特に、電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２をステップ状に変化させる場合はこれらのコンデンサＣ９３０ａ、Ｃ９３０ｂは不要である。
【０１０９】
スイッチ回路１００ａはスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａを有し、スイッチング素子Ｑ１０１ａとスイッチング素子Ｑ１０２ａとは制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そして維持パルス発生回路８００と第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０とを電気的に接続または分離する。
【０１１０】
スイッチ回路１００ｂはスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂを有し、スイッチング素子Ｑ１０１ｂとスイッチング素子Ｑ１０２ｂとも制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そして維持パルス発生回路８００と第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０とを電気的に接続または分離する。
【０１１１】
上記の維持電極駆動回路１１２を用いることで、後述する図１０に示す駆動波形を第１の表示電極対グループである維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０および第２の表示電極対グループである走査電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加することができる。以下、具体的に動作を説明する。
【０１１２】
初期化期間においては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に上り傾斜波形を印加する期間はスイッチ回路１００ａ、１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ａ、Ｑ１０２ｂをオンし、維持パルス発生回路８００の出力を０（Ｖ）にすることで、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に一斉に０（Ｖ）を印加することができる。続く初期化期間の後半である走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に下り傾斜波形を印加する期間は、スイッチ回路１００ａ、１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ａ、Ｑ１０２ｂをオフし、一定電圧発生回路９００ａ、９００ｂのスイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９１０ｂ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９３０ｂ、Ｑ９４０ａ、Ｑ９４０ｂをオンすることで、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に一斉に電圧Ｖｅ１を印加することができる。
【０１１３】
書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９１０ｂをオフ、Ｑ９２０ａ、Ｑ９２０ｂをオンすることで電圧Ｖｅ２を出力する。
【０１１４】
第１の表示電極対グループが維持期間においては、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａをオン、一定電圧発生回路９００ａのスイッチング素子Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａをオフして、維持パルス発生回路８００が出力する維持パルスを維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に印加することができる。この時第２の表示電極対グループは書込み期間であるが、スイッチ回路１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂはオフされているので、維持パルス発生回路８００が出力する電圧は維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に何ら影響しない。第２の表示電極対グループが維持期間で第１の表示電極対グループが書込み期間の場合も同様である。すなわち、スイッチ回路１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂをオン、一定電圧発生回路９００ｂのスイッチング素子Ｑ９３０ｂ、Ｑ９４０ｂをオフして、維持パルス発生回路８００が出力する維持パルスを維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加することができる。この時第１の表示電極対グループは書込み期間であるが、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａはオフされているので、維持パルス発生回路８００が出力する電圧は維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に何ら影響しない。
【０１１５】
続く第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が消去期間においては、維持パルス発生回路８００から電位０（Ｖ）を出力し、続く休止期間においては、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａをオフ、一定電圧発生回路９００ａのスイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａをオンすることで維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｅ１を印加することができる。
【０１１６】
続く後半の消去期間においては、一定電圧発生回路９００ａのスイッチング素子Ｑ９１０ａをオフ、Ｑ９２０ａをオンすることで電圧Ｖｅ２を維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に印加することができる。これら前半の消去期間、休止期間、後半の消去期間においても、第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には何ら影響しない。
【０１１７】
第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が消去期間および休止期間であり、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が書込み期間である場合も同様に、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加する電圧は維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に何ら影響しない。
【０１１８】
以上説明したように、維持電極駆動回路１１２はスイッチ回路１００ａ、１００ｂが書込み期間においてオフすることで、もう一方の表示電極対グループの印加電圧に影響を受けずに所望の電圧を印加することができる。
（その他の回路構成について）
本実施の形態において示した維持パルス発生回路、傾斜波形発生回路等は、単に具体例の一つを示したに過ぎない。同様の駆動電圧波形を発生させることができれば他の回路構成であってもよい。
【０１１９】
例えば図４に示した電力回収部５１０は、維持パルスの立ち上り時にはスイッチング素子Ｑ５１０、ダイオードＤ５１０、インダクタＬ５１０およびスイッチング素子Ｑ５９０を介してコンデンサＣ５１０の電荷を電極間容量に移動し、維持パルスの立下り時にはインダクタＬ５２０、ダイオードＤ５２０およびスイッチング素子Ｑ５２０を介して電極間容量の電荷をコンデンサＣ５１０に戻す回路構成である。しかしインダクタＬ５１０の一方の端子の接続をスイッチング素子Ｑ５９０のソースから節点Ｃに変更して、維持パルスの立ち上り時にスイッチング素子Ｑ５１０、ダイオードＤ５１０およびインダクタＬ５１０を介してコンデンサＣ５１０の電荷を電極間容量に移動する回路構成としてもよい。また、インダクタＬ５１０とインダクタＬ５２０とを１つのインダクタで兼用する回路構成であってもよい。
【０１２０】
また図４に示した傾斜波形発生回路６００は２つのミラー積分回路６１０、６２０を備えた回路構成を示したが、１つの電圧切換回路と１つのミラー積分回路とを備えた回路構成であってもよい。
【０１２１】
また、図４に示した電力回収部５１０のコンデンサＣ５１０を削除し、図５に示した電力回収部８１０をすべて削除し、図５の節点Ｄと図４のスイッチング素子Ｑ５１０とＱ５２０との接続点とを接続した回路構成であってもよい。
【０１２２】
あるいは、図４に示した電力回収部５１０をすべて削除し、図５に示した電力回収部８１０のコンデンサＣ８１０を削除し、図５のスイッチング素子Ｑ８１０とＱ８２０の接続点と節点Ｃとを接続した回路構成であってもよい。
（その他の表示電極グループについて）
ＰＤＰ１では表示電極対６を合計２１６０対形成し、表示電極対グループを２グループに分ける例を説明したが、本発明ではこのグループ化の方法に限定しない。例えば図６のＰＤＰ１０１に示すように、表示電極対を４３２０対形成するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０と交差させ、別のデータ電極Ｄｍ＋１〜Ｄ２ｍを走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ４３２０および維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ４３２０と交差させたパネル構成とすることもできる。このＰＤＰ１０１の構成でもＰＤＰ１と同様の動作をさせることが可能である。
【０１２３】
すなわち、第１の表示電極対グループを走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の一対の表示電極対および、走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ３２４０と維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ３２４０の一対の表示電極対とし、第２の表示電極対グループを走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０の一対の表示電極対および、走査電極ＳＣ３２４１〜ＳＣ４３２０と維持電極ＳＵ３２４１〜ＳＵ４３２０の一対の表示電極対とすればよい。データ電極Ｄ１〜Ｄｍは走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０の表示電極対としか交差していないため、走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ４３２０および維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ４３２０がどのような動作を行っても何ら影響されない。同様に、データ電極Ｄｍ＋１〜Ｄ２ｍが走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０にも何ら影響されない。
【０１２４】
したがって、図６に示すＰＤＰ１０１は、上下で独立した動作を行う構成と見なせるため、表示電極対が２倍の本数であっても、各々のデータ電極がパネルの上下で２分割されていれば同様の動作が可能である。
【０１２５】
図７は、図６のＰＤＰ１０１の走査電極を駆動する走査電極駆動回路４３１の回路図である。走査電極駆動回路１１１との相違点は、走査パルス発生回路７００ａと比較して、走査パルス発生回路７００ｅには走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ３２４０を駆動するためのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ２１６１〜Ｑ７１０Ｈ３２４０およびＱ７１０Ｌ２１６１〜Ｑ７１０Ｌ３２４０が追加されている点、および、走査パルス発生回路７００ｂと比較して、走査パルス発生回路７００ｆには走査電極ＳＣ３２４１〜ＳＣ４３２０を駆動するためのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ３２４１〜Ｑ７１０Ｈ４３２０およびＱ７１０Ｌ３２４１〜Ｑ７１０Ｌ４３２０が追加されている点である。操作パルス発生回路５００および傾斜波形発生回路６００は同様である。
【０１２６】
このような走査電極駆動回路を用いることで、例えば第１の表示電極対グループの書込み期間において走査電極ＳＣ１に書込みパルスを印加するのと同時にＳＣ２１６１にも書込みパルスを印加することができる。第２の表示電極対グループの書込み期間においても同様に、走査電極ＳＣ１０８１に書込みパルスを印加するのと同時にＳＣ３２４１にも書込みパルスを印加することができる。したがって、ＰＤＰ１０１の上部と下部の両方の表示部で同時に書込み動作が行えるので、上述したｎ＝２１６０本の時の動作と同じ駆動波形で駆動できる。
【０１２７】
なお、維持電極駆動回路も同様の構成とすればよい（図示しない）。すなわち、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に接続される維持電極駆動回路に、維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ３２４０も追加で接続されればよく、同様に、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に接続される回路に維持電極ＳＵ３２４１〜ＳＵ４３２０も追加で接続されればよい。
【０１２８】
＜ＰＤＰの駆動方法＞
ここでは上記構成を有するＰＤＰ装置１０００の駆動方法について例示する。なお、当該駆動方法の説明については、例えば特願２００８−１１６７１９号にも記載されている。本実施の形態においては、初期化期間を除き、書込み動作が連続して行われるように、走査パルスおよび書込みパルスのタイミングを設定している。その結果、１フィールド期間内に最大限の数のサブフィールド（Ｓ．Ｆ．）を設定することができる。本実施の形態においては、ｎ＝２１６０として、パネルを駆動する駆動方法について説明する。
（各グループのサブフィールド時間設定）
まず、Ｎ個に分割された各表示電極対グループにおいて、サブフィールドの開始時間などをどのように設定するかについて、図８のタイムチャート例を用いて説明する。
【０１２９】
ここで示す駆動方法は、Ｎ個の表示電極対グループのうち、２つ以上の表示電極対グループの書込み期間が時間的に重ならないように、それぞれの表示電極対グループのサブフィールドの開始時間をずらして設定している。この点は、特許文献４に開示された駆動方法と同様である。しかしながら当該駆動方法の特徴として、ＰＤＰ１全体の全放電セルにわたって１回の書込み動作を行うために必要な時間をＴｗとするとき、各表示電極対グループにおける各サブフィールドの維持期間の時間をＴｗ×（Ｎ−１）／Ｎ以下となるように設定している点が異なっている。
【０１３０】
これを言い換えると、不等式（１）
Ｔｓ≦Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎ
（Ｔｓは最も輝度重みの大きいサブフィールドの維持期間に割り当てる時間）
を満たすように設定している。
【０１３１】
このように設定することによって、ＰＤＰ装置１０００では、１フィールド全体の時間内において、初期化期間を除き、Ｎ個のグループにわたって連続して書込み動作が行われるように、各表示電極対グループに対して書き込み期間を割り当てることができる。これに対して特許文献４の駆動方法は、単に２つ以上のブロックの書込み期間が時間的に重ならないようにサブフィールドの開始時間をずらしているだけであり、必ずしも十分なサブフィールド数を確保できるとはいえない。
【０１３２】
図８のタイムチャート例を参照しながら、更に詳細を説明する。
【０１３３】
時刻ｔ１〜時刻ｔ２では、第１グループに対してＳＦ１の書き込みを行う。時刻ｔ２〜時刻ｔ３では第２グループに対してＳＦ１の書き込みを行う。そして、時刻ｔＮ〜時刻ｔＮ＋１では、第Ｎグループに対してＳＦ１の書込みを行う。このようにＳＦ１の書き込みを一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔ１〜時刻ｔＮ＋１）で行うものとする。
【０１３４】
次に、時刻ｔＮ＋１〜時刻ｔＮ＋１では、第１グループに対してＳＦ１の書き込みを行い、時刻ｔＮ＋２〜時刻ｔＮ＋３では、第２グループに対してＳＦ２の書き込みを行い、時刻ｔ２Ｎ〜時刻ｔ２Ｎ＋１では、第Ｎグループに対してＳＦ２の書込みを行う。
【０１３５】
このようにして、ＳＦ２の書き込みを、一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔＮ＋１〜時刻ｔ２Ｎ＋１）で行う。
【０１３６】
同様にして、ＳＦ３の書き込みを、一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔ２Ｎ＋１〜時刻ｔ３Ｎ＋１）で行う。
【０１３７】
一般にＫ番目のサブフィールドＳＦＫの書き込みも、一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔ（Ｋ−１）Ｎ＋１〜時刻ｔＫＮ＋１）で行う。
【０１３８】
書き込み動作を連続的に行う場合、各グループにおいて、１回の書込み動作を行う時間はＴｗ／Ｎであり、１つのサブフィールドの時間長さは一定時間Ｔｗであるから、１つのサブフィールで維持期間として割り当てることのできる最大時間は（Ｔｗ−Ｔｗ／Ｎ）＝Ｔｗ（１−１／Ｎ）である。
【０１３９】
すなわち、ＰＤＰ１の駆動方法としては、表示電極対グループの数Ｎと、最も輝度重みの大きいサブフィールドの維持期間に割り当てる時間Ｔｓが、Ｔｓ≦Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎを満たせば、連続した書込み動作を行うことができ、１フィールド期間内に、最大限の数のサブフィールドを設定することができる。
【０１４０】
また、１フィールドの中で、初期化期間および各サブフィールドの消去期間を除く期間に、いずれかの表示電極対グループで連続して書き込み動作を行うことができる。
【０１４１】
したがって、このような方法に基づけば、ＰＤＰ１が高精細または超高精細パネルであっても、画質を確保する上で十分なサブフィールド数を確保することができる。
【０１４２】
以下、具体例を挙げて説明する。
【０１４３】
図９は、当該駆動方法のサブフィールドの設定を例示する図である。図９（ａ）〜図９（ｄ）の縦軸は走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０を示し、横軸は時間を示している。また、書込み動作を行うタイミングは実線で示し、維持期間および後述する消去期間のタイミングはハッチングで示している。
【０１４４】
なお以下の説明では、１フィールド期間の時間を１６．７ｍｓに設定しているが、これに限定されない。
【０１４５】
まず、図９（ａ）に示すように、１フィールド期間の最初に、すべての放電セルで一斉に初期化放電を発生させる初期化期間を設ける。本実施の形態においては、初期化期間に要する時間を５００μｓと設定した。
【０１４６】
次に、図９（ｂ）に示すように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に走査パルスを順次印加するために要する時間Ｔｗを見積もる。このとき、書込み動作が連続して行われるように走査パルスを可能な限り短くかつ可能な限り連続して印加することが望ましい。本実施の形態においては、走査電極１本あたりの書込み動作に要する時間を０．７μｓとした。走査電極の数が２１６０本であるため、すべての走査電極で書込み動作を１回行うために必要な時間Ｔｗは、０．７×２１６０＝１５１２μｓである。
【０１４７】
次に、サブフィールド数を見積もる。さしあたり消去期間に要する時間を無視するものとして、１フィールド期間の時間から初期化期間の時間を引いて、すべての走査電極で書込み動作を１回行うために必要な時間で割ると、（１６．７−０．５）／１．５＝１０．８となり、図９（ｃ）に示すように、最大で１０のサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ２、・・・、ＳＦ１０）を確保できることがわかる。
【０１４８】
次に、必要な維持パルス数に基づき、表示電極対グループの数を決める。本実施の形態においては、各サブフィールドにおいてそれぞれ「６０」、「４４」、「３０」、「１８」、「１１」、「６」、「３」、「２」、「１」、「１」の維持パルスを印加するものと仮定する。維持パルス周期を１０μｓとすると、維持パルスを印加するために要する最大の時間Ｔｓは、１０×６０＝６００μｓである。
【０１４９】
ここで表示電極対グループの数Ｎは、上記不等式（１）を変形してなる不等式（２）
Ｎ≧Ｔｗ／（Ｔｗ−Ｔｓ）
に基づき求めることができる。すなわち、ＴｓはＴｗ（Ｎ−１）／Ｎを超えないことが必要である。
【０１５０】
本実施の形態においては、Ｔｗ＝１５１２μｓ、Ｔｓ＝６００μｓであるので、１５１２／（１５１２−６００）＝１．６６となり、表示電極対グループの数Ｎ＝２となる。
【０１５１】
以上の考察に基づき、図２に示したように表示電極対を２つの表示電極対グループに分ける。そして図９（ｄ）に示すように、それぞれのグループに属する走査電極の書込みの後に、維持パルスを印加する維持期間を設ける。なお、各サブフィールドの維持期間の終了後に続いて消去期間を設ける必要があるが、図９（ｄ）では維持期間と消去期間の両方とも右上から左下への斜線のハッチングで示している。
【０１５２】
なお、以上の計算では、消去期間については無視して計算したが、いずれかの表示電極対グループが消去期間であるときには、書込み動作を行わないように設定することが望ましい。これは、消去期間は壁電圧を消去するだけでなく、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する期間でもあるため、消去期間においてはデータ電極の電圧を固定しておくことが望ましいからである。
【０１５３】
次に、駆動電圧波形の詳細とその動作について説明する。
【０１５４】
図１０は、ＰＤＰ１の各電極に印加される駆動電圧波形の一例を示す図である。
【０１５５】
ＰＤＰ１の駆動方法においては、１フィールドの最初にそれぞれの放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間を設けている。さらにそれぞれの表示電極対グループのそれぞれのサブフィールドの維持期間の後に、その維持期間で放電した放電セルに対して消去放電を発生させる消去期間を設けている。図１０には、初期化期間と、第１の表示電極対グループに対するＳＦ１〜ＳＦ２およびＳＦ３の書込み期間、第２の表示電極対グループに対するＳＦ１〜ＳＦ２を示している。
【０１５６】
まず初期化期間について説明する。初期化期間では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０にそれぞれ電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０には電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する。この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０上に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０上には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。なお、この期間はデータ電極Ｄ１〜ＤｍにＶｄを印加してもよい。
【０１５７】
次に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に正の一定電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０には電圧Ｖｉ３から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０上の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。その後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｃを印加する。以上により、すべての放電セルに対して初期化放電を行う初期化動作が終了する。
【０１５８】
次に第１の表示電極対グループに対するＳＦ１の書込み期間について説明する。
【０１５９】
維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に正の一定電圧Ｖｅ２を印加する。そして走査電極ＳＣ１に負の電圧Ｖａを持つ走査パルスを印加するとともに、１行目に発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の電圧Ｖｄを持つ書込みパルスを印加する。するとデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間で放電が開始し、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間の放電に進展して書込み放電が発生する。その結果、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を発生して各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。
【０１６０】
次に、２行目の走査電極ＳＣ２に走査パルスを印加するとともに、２行目に発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。すると走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された２行目の放電セルでは書込み放電が発生し、書込み動作が行われる。
【０１６１】
以上の書込み動作を１０８０行目の放電セルに至るまで繰り返し、発光させるべき放電セルに対して選択的に書込み放電を発生させて壁電荷を形成する。
【０１６２】
この間、第２の表示電極対グループに対してはＳＦ１の休止期間である。第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｉ１を印加する。また、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には一定電圧Ｖｅ２を印加する。このように休止期間においては、放電が発生しない範囲で走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０をできるだけ高電位に保持することで壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。ただし、第２の表示電極対グループに属する各電極に印加する電圧は上記に限定されるものではなく、放電を発生しない範囲の他の電圧を印加してもよい。
【０１６３】
次に第２の表示電極対グループに対するＳＦ１の書込み期間について説明する。
【０１６４】
維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に正の一定電圧Ｖｅ２を継続して印加する。そして走査電極ＳＣ１０８１に走査パルスを印加するとともに、発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。するとデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１０８１との間、維持電極ＳＵ１０８１と走査電極ＳＣ１０８１との間で書込み放電が発生する。次に、走査電極ＳＣ１０８２に走査パルスを印加するとともに、発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。すると走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された１０８２行目の放電セルで書込み放電が発生する。
【０１６５】
以上の書込み動作を２１６０行目の放電セルに至るまで繰り返し、発光させるべき放電セルに対して選択的に書込み放電を発生させて壁電荷を形成する。
【０１６６】
この間、第１の表示電極対グループに対してはＳＦ１の維持期間であり、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に「６０」の維持パルスを交互に印加して、書込み放電を行った放電セルを発光させる。
【０１６７】
具体的には、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を発生させた放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差に維持パルス電圧Ｖｓが加算されて放電開始電圧を超える。そして走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間で維持放電が発生し、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電を発生させなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【０１６８】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には電圧０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０には電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を発生した放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持放電が発生し、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０とに交互に維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルで維持放電が継続して発生し、放電セルが発光する。
【０１６９】
ここで表示電極対に交互に印加する維持パルスは、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が同時に高電位となるタイミングを有する維持パルスである。すなわち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する場合には、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させ、その後に維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させる。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加する場合には、まず維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させ、その後に走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させる。
【０１７０】
このように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が同時に高電位となるタイミングが存在するように維持パルスを印加することにより、データ電極に印加される書込みパルスの影響を受けることなく安定した維持放電を継続することができる。以下にその理由について説明する。
【０１７１】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｓを印加する際に、仮に、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させ、その後に維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させたと仮定する。すると、データ電極に書込みパルスが印加されている場合、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧が降下した時点で、走査電極とデータ電極との間で放電が発生し、維持放電の継続に必要な壁電荷が減少する可能性がある。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する際に、仮に、まず維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させ、その後に走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させたと仮定する。すると、データ電極に書込みパルスが印加されている場合、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧が降下した時点で、維持電極とデータ電極との間で放電が発生し、維持放電の継続に必要な壁電荷が減少する可能性がある。
【０１７２】
ここで通常、表示電極対の一方の電極の電圧を降下した時点で放電が発生し壁電荷が減少すると、その後に他方の電極の電圧を上昇させて維持パルスを印加しても維持放電が発生しない、あるいは弱い維持放電となり、十分な壁電荷が蓄積されないため、継続して維持放電を発生させることができなくなるおそれがある。
【０１７３】
これに対して当該駆動方法では、表示電極対の一方の電極の電圧を上昇させた後に他方の電極の電圧を降下させて維持パルスを印加するので、データ電極に書込みパルスが印加されていても表示電極対の一方とデータ電極との間で先行して放電が発生するおそれがない。そのため、書込みパルスの有無にかかわらず維持放電を安定して継続することができる。
【０１７４】
そして、維持期間の後には２つの消去期間と休止期間が設けられている。前半の消去期間では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｒに向かって上昇する傾斜波形電圧を印加し、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。このように消去動作を行うためにはある程度の時間が必要である。そして消去期間は壁電圧を消去するだけでなく、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する期間でもあるため、データ電極の電圧を固定しておくことが望ましい。そのため、当該駆動方法における駆動電圧波形では、第１の表示電極対グループの消去期間において第２の表示電極対グループの書込み動作を停止している。
【０１７５】
その後、第１の表示電極対グループに対しては放電が発生しない休止期間であり、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加した後、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｅ２を印加する。そして、第２の表示電極対グループは書込み動作を再開し、走査電極ＳＣ２１６０の書込みが終了するまで第１の表示電極対グループは休止期間の動作を継続する。
【０１７６】
その後、第１の表示電極対グループは後半の消去期間であり、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ１を印加した後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜波形電圧を印加し、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する。その後直ちに書込み期間になり走査電極ＳＣ１から書込み動作を始める。このように電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜電圧波形を印加した直後に書込み動作を開始することによって、壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。
【０１７７】
次に第１の表示電極対グループに対するＳＦ２の書込み期間について説明する。
【０１７８】
維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ２を継続して印加する。そして走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には、ＳＦ１の書込み期間と同様に走査パルスを順次印加するとともに、データ電極Ｄｋに書込みパルスを印加して、１〜１０８０行目の放電セルで書込み動作を行う。
【０１７９】
第１の表示電極対グループが書込み期間となる間、第２の表示電極対グループは維持期間である。すなわち、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には「６０」の維持パルスを交互に印加して、書込み放電を行った放電セルを発光させる。
【０１８０】
ここでも表示電極対に交互に印加される維持パルスは、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が同時に高電位となるタイミングを有する維持パルスである。
【０１８１】
そして、維持期間の後は２つの消去期間と休止期間である。前半の消去期間では、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｒに向かって上昇する傾斜波形電圧を印加し、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。ここでも、前述したように第２の表示電極対グループの消去期間において第１の表示電極対グループの書込み動作を停止している。
【０１８２】
その後、第２の表示電極対グループに対しては放電が発生しない休止期間であり、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧０（Ｖ）を印加した後、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に電圧Ｖｅ２を印加する。そして、第１の表示電極対グループは書込み動作を再開し、走査電極ＳＣ１０８０の書込みが終了するまで第２の表示電極対グループは休止期間の動作を継続する。
【０１８３】
その後、第２の表示電極対グループは後半の消去期間であり、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に一定電圧Ｖｅ１を印加した後、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜波形電圧を印加し、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する。その後直ちに書込み期間になり走査電極ＳＣ１から書込み動作を始める。このように電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜電圧波形を印加した直後に書込み動作を開始することによって、壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。
【０１８４】
以降同様に、第２の表示電極対グループに対するＳＦ２の書込み期間、第１の表示電極対グループに対するＳＦ３の書込み期間、・・・、第２の表示電極対グループに対するＳＦ１０の書込み期間と続き、最後に第２の表示電極対グループに対するＳＦ１０の維持期間および消去期間と続いて１フィールドを終える。
【０１８５】
このように当該駆動方法では、初期化期間の後に、いずれかの表示電極対グループで書込み動作が連続して行われるように走査パルスおよび書込みパルスのタイミングを設定している。その結果、１フィールド期間内に１０のサブフィールドを設定することができる。そしてこのサブフィールドの数は、本実施の形態において１フィールド期間内に設定できる最大の数である。
【０１８６】
また当該駆動方法では、最後に第２の表示電極対グループに対する維持期間および消去期間で１フィールドを終える。そのために、最後のサブフィールドは輝度重みの最も小さいサブフィールドを配置することで、駆動時間を短縮することができる。
【０１８７】
なお、当該駆動方法では、電圧Ｖｉ１は１５０（Ｖ）、電圧Ｖｉ２は４００（Ｖ）、電圧Ｖｉ３は２００（Ｖ）、電圧Ｖｉ４は−１５０（Ｖ）、電圧Ｖｃは−１０（Ｖ）、電圧Ｖｂは１５０（Ｖ）電圧Ｖａは−１６０（Ｖ）、電圧Ｖｓは２００（Ｖ）、電圧Ｖｒは２００（Ｖ）、電圧Ｖｅ１は１４０（Ｖ）、電圧Ｖｅ２は１５０（Ｖ）、電圧Ｖｄは６０（Ｖ）である。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に印加する上り傾斜波形電圧の勾配は１０（Ｖ／μｓ）、下り傾斜波形電圧の勾配は−２（Ｖ／μｓ）である。しかしこれらの電圧値、勾配は上述した値に限定されるものではなく、ＰＤＰの放電特性やＰＤＰ装置の仕様に基づき最適に設定することが望ましい。
【０１８８】
また、図９では、すべてのサブフィールドにおいて第１の表示電極対グループと第２の表示電極対グループとのサブフィールドの位相をずらしたサブフィールド構成を例に説明した。しかしながら本発明の適用は上記サブフィールド構成に限定されるものではなく、例えば、すべての放電セルに対する維持期間の位相を揃えた書込み・維持分離方式のサブフィールドをいくつか含むサブフィールド構成であっても適用することができる。
【０１８９】
ここにおいてＰＤＰ１では、製造時に発生する有機成分に起因する不純物ガスの付着による保護層８の変質が十分に防止されており、良好な二次電子放出特性が維持されている。このため上記した駆動方法で駆動した場合において、低い消費電力でありながら優れた画像表示性能が発揮されるようになっている。この効果は特に、ＰＤＰ１をフルＨＤ以上の高精細または超高精細セル構造を有するように構成し、上記した駆動方法に基づいて高速駆動させた場合に得られる。
【０１９０】
一般に保護層には、製品完成後から使用期間にわたって、内部で二次電子放出特性が良好に維持及び発揮されることが要求される。これはＰＤＰの効率を向上させるために放電ガスのＸｅ分圧を上昇させたような場合、駆動電圧の低電圧化という観点で重要である。特に、例として挙げたＰＤＰ１のような、フルＨＤの解像度を超えるような高精細または超高精細なセル構造を有するＰＤＰや、走査線が多い大画面のＰＤＰにおいて、消費電力の上昇を抑制しつつ優れた画像表示性能を得るために重要となる。
【０１９１】
そこで本発明では、ＰＤＰ１の製造工程において、前面基板２と背面基板９とを非酸化性ガスと還元ガスの混合雰囲気下で加熱し、封着する。酸素を排した所定の混合雰囲気で加熱することで、封着部１６の前駆体材料となる封着材ペーストが含有するバインダーや溶剤等の有機成分が、加熱中に酸化・重合されて放電空間１５に残留するのを防ぐ。このとき有機成分は低分子状態で維持され、後の排気工程でパネル内部から効率良く排気除去される。これにより、前記有機成分が不純物ガスとして保護層８に吸着し、これを劣化させて二次電子放出特性を損なうのを防止する。
【０１９２】
このような本発明の効果は、ＰＤＰの高精細化・超高精細化が進むほど効率よく得られるものと考えられる。このような微細なセル構造のＰＤＰでは、放電空間に臨む放電セルの表面積が比較的広く、且つ放電空間中のガスが流通しにくい。このため、前記封着材ペーストに起因する有機成分に加え、蛍光体や隔壁材料等、ＰＤＰの構成要素に含まれる各種有機成分が比較的多く保護層８に付着しうる。一例として、４２インチフルＨＤパネルに対し、５０インチＳＨＤパネルでは、放電空間でガスに接触するセルの表面積は約２．４倍に増加する。従って、セルの微細化に伴い、この増加した表面積分だけ、保護層に不純物が付着しやすくなるものと考えられる。そして、このような表面積の増加に比例して本発明の効果は有効に発揮される。
【０１９３】
以上のことから、特に微細なセル構造を持つＰＤＰに本発明を適用することで、不純物の付着による保護層の変質を適切に防止し、二次電子放出特性を良質に維持できる。そしてその結果として、ＰＤＰ１の駆動電圧を良好に低減することができる。
【０１９４】
また、上記した同様の理由で、放電空間に臨む表面積が比較的広く、ガスが滞留しやすい、深いハニカム状のリブ構造を持つ放電セルを有するＰＤＰにおいても、優れた低電力駆動性と画像表示性能を得ることが期待できる。
【０１９５】
なお、本発明では封着工程の混合ガス雰囲気に水素ガス等の還元ガスを所定量添加（一例として、混合ガス全体中の分圧が０．１％〜３％のＨ2ガスを添加）するが、この還元ガスによる還元効果により、保護層の不要な酸化が防止されるとともに、当該保護層をなすＭｇＯ結晶構造中に酸素欠損部分が形成されるものと考えられる。酸素欠損部分が形成されると、これをいわゆる発光センターとし、保護層８の二次電子放出特性の向上が図られる効果も期待できる。
【０１９６】
このように良質の電子放出特性を発揮できる保護層を備えることにより、上記した微細セルを有するＰＤＰに特化した駆動方法を適用しても、ＰＤＰ１を良好に高速駆動することができ、高速応答性の基に優れた画像表示性能の発揮が期待できる。この点において、本発明の製造方法で得たＰＤＰは、上記した駆動回路１１１〜１１３等を用いた所定の駆動方法（図３〜図１０参照）との組み合わせに特に適していると言える。
【０１９７】
以下、本発明のＰＤＰの製造方法について説明する。
＜ＰＤＰの製造方法＞
図１１は、ＰＤＰ１の製造方法の概略を示すフロー図である。図１１に示すように、製造過程では前面基板２を作製するとともに（工程Ａ１〜Ａ４）、背面基板９を別途作製する（工程Ｂ１〜Ｂ６）。そして、作製した両基板２、９を所定の位置で重ね合わせる（重ね合わせ工程・位置決め工程）。その後、図１４に示す封着工程、排気工程、放電ガス封入工程を順次経て、ＰＤＰ１を完成する。
（前面基板作製工程）
前面基板ガラス３の一方の主面上に表示電極対６を作製する（工程Ａ２）。ここでは印刷法によって表示電極対６を形成する例を示すが、これ以外にもダイコート法、ブレードコート法等で形成することができる。
【０１９８】
まず、ＩＴＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の透明電極材料を最終厚み約１００ｎｍで、ストライプ等所定のパターンで前面基板ガラス上に塗布し、乾燥させる。これにより透明電極４１、５１が作製される。
【０１９９】
一方、Ａｇ粉末と有機ビヒクルに感光性樹脂（光分解性樹脂）を混合してなる感光性ペーストを調整し、これを前記透明電極４１、５１の上に重ねて塗布し、形成するバスラインのパターンに合わせた開口部を有するマスクで覆う。そして、当該マスク上から露光し、現像工程を経て、５９０〜６００℃程度の焼成温度で焼成する。これにより透明電極４１、５１上に最終厚みが数μｍのバスライン４２、５２が形成される。このフォトマスク法によれば、従来は１００μｍの線幅が限界とされていたスクリーン印刷法に比べ、３０μｍ程度の線幅までバスライン４２、５２を細線化することが可能である。バスライン４２、５２の金属材料としては、Ａｇの他にＰｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、また酸化錫、酸化インジウム等を用いることができる。バスライン４２、５２は上記方法以外にも、蒸着法、スパッタリング法などで電極材料を成膜したのち、エッチング処理して形成することも可能である。
【０２００】
次に、表示電極対６の上から、軟化点が５５０℃〜６００℃の鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやＳｉＯ2材料粉末とブチルカルビトールアセテート等からなる有機バインダーを混合したペーストをスクリーン印刷法で塗布する。そして５５０℃〜６５０℃程度で焼成し、最終厚みが膜厚数μｍ〜数十μｍの誘電体層７を形成する（工程Ａ３）。上記非鉛系低融点ガラスとしては酸化ビスマス系低融点ガラスが挙げられる。この場合のガラス材料は、一例として、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）６０重量％、酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）１５重量％、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）１０重量％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）１５重量％の組成として調整できる。
【０２０１】
次に、誘電体層７の表面に、真空蒸着法やスパッタリング法、ＥＢ蒸着法等により、ＭｇＯを含む保護層を形成する（工程Ａ４）。ＥＢ蒸着法によれば、ＭｇＯペレットを用い、ＥＢ蒸着装置内にＯ2を０．１（ｓｃｃｍ）で流通させることにより蒸着膜として保護層を得ることができる。
【０２０２】
以上で前面基板２の作製が完了する。
（背面基板作製工程）
背面基板ガラス１０の一方の主面上に、スクリーン印刷法によりＡｇを主成分とする導電体材料を一定間隔でストライプ状に塗布し、厚さ数μｍ（例えば約５μｍ）のデータ電極１１を形成する（工程Ｂ２）。データ電極１１の電極材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属や、各種金属の炭化物や窒化物等の導電性セラミックスなどの材料やこれらの組み合わせ、あるいはそれらを積層して形成される積層電極も必要に応じて使用できる。
【０２０３】
ここで、作製予定のＰＤＰ１を４０インチクラスの高精細セル構造のＰＤＰを作製するためには、セルピッチに合わせて上記間隔を０．１６ｍｍ以下、例えば０．１０ｍｍ〜０．１６ｍｍの範囲に設定する必要がある。
【０２０４】
続いて、データ電極１１を形成した背面基板ガラス１０の面全体にわたって、鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやＳｉＯ2材料からなるガラスペーストを厚さ約２０〜３０μｍでスクリーン印刷法により塗布して焼成し、誘電体層１２を形成する（工程Ｂ３）。
【０２０５】
次に、誘電体層１２面上に所定のパターンで隔壁１３を形成する（工程Ｂ４）。この隔壁１３は、酸化ビスマスを主成分とするガラス粒子とフィラー、及び感光性樹脂を含むペーストをダイコート法に基づき塗布し、フォトリソグラフィ法で所定のパターンで感光させたのち、エッチング処理して形成する。あるいはガラスを含むペーストを塗布したのち、乾燥させて、サンドブラスト法により所定のパターンの隔壁１３を形成することもできる。
【０２０６】
隔壁１３が形成できたら、隔壁１３の壁面と、隣接隔壁１３間で露出している誘電体層１２の表面に、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用される赤色（Ｒ）蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体のいずれかを含む蛍光インクを塗布する。これを乾燥・焼成し、それぞれ蛍光体層１４とする（工程Ｂ５）。
【０２０７】
ここで適用可能なＲＧＢ各色蛍光の化学組成例は以下の通りである。
・赤色蛍光体；（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕ、Ｙ（Ｐ、Ｖ）Ｏ4：Ｅｕ
・緑色蛍光体；Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、ＭｇＯあるいはＡｌ2Ｏ3がコートされた、Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｔｂ、（Ｙ、Ｇｄ）Ａｌ3（ＢＯ3）4：Ｔｂ
・青色蛍光体；ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ
本発明は当然ながら、これらの組成例に限定するものではないが、高精細セル構造のＰＤＰにおいては、駆動を安定に行うためには蛍光体の帯電状態を均一にすることが必要である。
【０２０８】
一般に、ＰＤＰに使用されている蛍光体の多くは正帯電性のものが多い。上記した緑色蛍光体として用いられるＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎは負帯電性であるため、極性を調整することが望ましい。具体的には、当該蛍光体に対し、正帯電性のＭｇＯあるいはＡｌ2Ｏ3をコートすることが好適である。
【０２０９】
このようにＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ緑色蛍光体をＭｇＯやＡｌ2Ｏ3でコートした場合は、当該蛍光体を配設した背面基板９をＮ2のみの非酸化雰囲気中で封着するよりも、非酸化性ガスにＨ2やＮＨ3等の還元性ガスを０．１％〜３％含む混合ガス雰囲気中で封着することが望ましい。これにより効果的にパネルの輝度を向上でき、且つ、放電開始電圧（Ｖｆ）の低減も図ることができる。
【０２１０】
Ｚｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎの表面上に酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）や酸化マグネシウム（ＭｇＯ）をコートする方法としては、Ａｌ、やＭｇの硝酸塩や（硝酸アルミニウム、硝酸マグネシウム）有機金属化合物を水またはアルカリ水溶液中に溶解し、その溶解液中にＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎを投入して混合液を作製し、加熱しながら攪拌する。次に、この混合液を濾過、乾燥し、その後、この乾燥物を空気中において４００℃〜８００℃で焼成する。これにより、Ａｌ2Ｏ3やＭｇＯが表面にコートされたＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎが得られる。コーティング膜厚は、３ｎｍ〜１０ｎｍが好ましい。膜厚は前記攪拌時間や混合液の濃度、または混合液のｐＨ等で調整することができる。
【０２１１】
各蛍光体材料は、平均粒径２．０μｍのものが好適である。これをサーバー内に５０質量％の割合で入れ、エチルセルロース１．０質量％、溶剤（α−ターピネオール）４９質量％を投入し、サンドミルで撹拌混合して、１．５×１０-2Ｐａ・ｓの蛍光体インクを作製する。そして、これをポンプにて径６０μｍのノズルから隔壁１３間に噴射させて塗布する。このとき、パネルを隔壁２０の長手方向に移動させ、ストライプ状に蛍光体インクを塗布する。その後は５００℃で１０分間焼成し、蛍光体層１４を形成する。
【０２１２】
以上で背面基板９が完成する。
【０２１３】
なお、背面基板９については後の封着工程のため、以下のように当該パネルの周囲に封着材ペースト１６を塗布するとともに、これを仮焼成する（工程Ｂ６）。
（封着材塗布・仮焼成工程）
まず、所定の封着材（低融点ガラス等）に樹脂バインダー、溶剤を混合して調整し、封着材ペーストを得る。
【０２１４】
ここで、樹脂バインダーには例えばアクリル樹脂、ニトロセルロース、エチルセルロース等の各種公知材料が利用できる。また、溶剤も例えば酢酸イソアミル、テルピネオール等の各種公知材料が利用できる。また、樹脂バインダーの添加量としては、一例として、溶剤に対して約５重量％の比率となるように調整することができる。
【０２１５】
封着材の軟化点（封着材が軟化し始める温度）は、４１０℃〜４５０℃の範囲が好適である。また、封着材の流動温度（封着材が流動する温度）としては、４５０℃〜５００℃の範囲が望ましい。低融点ガラスとしては、ガラス転移点（ガラス転移温度、Ｔｇ）は３３６℃以上３６５℃以下に設定するのが望ましい。
【０２１６】
上記温度範囲に適した封着材としては、例えば酸化ビスマス系あるいは酸化鉛系等の低融点ガラス材料に対し、コージライト、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等のフィラーを混合して作製する。この場合、低融点ガラス材料を４５〜９５体積％、フィラーを５〜５５体積％の比率でそれぞれ混合させて作製するのが好適である。
【０２１７】
上記低融点ガラス材料として、酸化ビスマス系ガラスを主成分とする場合、具体的な組成（ＰＤＰ完成後の組成として）は、Ｂｉ2Ｏ3を６７〜９０重量％、Ｂ2Ｏ3を２〜１２重量％、Ａｌ2Ｏ3を０〜５重量％、ＺｎＯを１〜２０重量％、ＳｉＯ2を０〜０．３重量％、ＢａＯを０〜１０重量％、ＣｕＯを０〜５重量％、Ｆｅ2Ｏ3を０〜２重量％、ＣｅＯ2を０〜５重量％、Ｓｂ2Ｏ3を０〜５重量％の範囲で含んでなる組成とすることができる。
【０２１８】
あるいは上記低融点ガラス材料として、酸化鉛系ガラスを主成分とする場合、具体的な組成（ＰＤＰ完成後の組成として）は、ＰｂＯを６５〜８５重量％、Ｂ2Ｏ3を１０〜２０重量％、ＺｎＯを０〜２０重量％、ＳｉＯ2を０〜２．０重量％、ＣｕＯを０〜１０重量％、Ｆｅ2Ｏ3を０〜５重量％の範囲で含んでなる組成とすることができる。
【０２１９】
このように調整して得た封着材ペーストを、背面基板の表示領域外の周囲を囲繞するように塗布する（封着材ペースト塗布工程）。
【０２２０】
なお、この封着材ペースト塗布工程は、溶剤を揮発させる等の目的で、ある程度高温で実施することもできるが、次に述べる仮焼成工程の最高温度である、封着材の軟化点未満の温度で実施する必要がある。
【０２２１】
次に、同じく背面基板の表示領域外の複数の箇所に穴を設け、排気兼ガス導入用のガラス管３１を差し込み、固定して設ける（図１１のＢ６を参照）。このガラス管３１の配設は封着工程後、排気工程の直前に行うこともできる。
【０２２２】
その後、背面基板を焼成炉に導入して仮焼成を行う。ここで本発明の特徴として、仮焼成工程における最高温度を封着材ペーストのバインダーの消失温度以上（複数のバインダーを用いる場合には、用いるバインダー中の最低消失温度以上）で、かつ、封着材の軟化点未満の温度になるように低く調整する。また、封着材成分として低融点ガラスを用いる場合には、さらに当該低融点ガラスのガラス転移点以上かつ当該低融点ガラスの軟化点よりも１０℃以上低い温度に調整する。
【０２２３】
ここで言う「焼失温度」とは、バインダーがペーストからほぼ消える温度を指すものとする。具体的には前記軟化点より１０℃以下低い温度、さらに具体的には、前記軟化点より１０℃から５０℃低い温度を指す。
【０２２４】
なお封着材の軟化点以上の加熱を行うと、封着材ペースト中の有機成分が酸化され、揮発しにくい重合物が形成される。重合物は廃棄工程でも除去しにくく、排気工程後も両基板の内部に残留しうる。
【０２２５】
前記重合物が発生すると、完成後にＰＤＰ内部に閉じ込められた前記重合物の成分が封着部から少しずつ放電空間内部に放出され、ＭｇＯからなる保護層に付着して二次電子放出特性を低下させ、放電電圧を上昇させる原因となる。
【０２２６】
さらに、高精細パネルでは蛍光体層も微細化し、通常規格のＰＤＰに比べて占有面積が２〜４倍も増える。このように表面積が増大した分、蛍光体層に前記重合物の成分が付着すると、輝度低下を招き、画像表示性能の劣化の原因となる。
【０２２７】
そこで本発明では、仮焼成工程を上記したように所定の低温で実施することで、有機成分を酸化させずに低分子状態のままで残留させ、後の排気工程で効果的に除去できるように調整する。
【０２２８】
なお、封着工程では封着材を溶かす必要があるため、封着材の流動点以上の高温で行うが、当該工程を窒素（Ｎ2）や希ガス（Ａｒ等）の非酸化性ガスだけでなく、還元性ガスとの混合雰囲気下で行うことによって、上記有機成分が酸化（燃焼）されて重合化するのを効果的に防止できる。
これによって、保護層や蛍光体層の劣化を防止するものとしている。
【０２２９】
ここで図１２は、仮焼成工程の温度プロファイル例を示すグラフである。図１１のＢ６の状態にある背面基板９を焼成炉に導入する。このとき、焼成雰囲気は若干の酸素を含む雰囲気（一例として、１％以下の分圧で酸素を含有する雰囲気）に設定することができる。また、非酸化性雰囲気（一例として、露点が−４５℃以下の窒素を含む雰囲気）に設定することもできる。非酸化性雰囲気に設定する場合は、仮焼成工程ではパネルの有機成分をあまり燃焼除去できないので、のちの排気工程でこれを十分に除去するように留意する必要がある。
【０２３０】
背面基板９を導入した後、焼成炉を室温から仮焼成温度（４００℃）まで上昇させる（ステップ１、仮焼成温度上昇ステップ）。この仮焼成温度は当該仮焼成工程における最高温度であって、前述したように封着材の低融点ガラスの軟化点未満として設定した値である。ここでは、この仮焼成の最高温度（４００℃）を一定期間（例えば１０分〜３０分）にわたり温度維持して仮焼成させる（ステップ２、仮焼成温度維持ステップ）。
【０２３１】
その後は、背面基板９の温度を前記最高温度から室温まで下降させる（ステップ３、仮焼成降温ステップ）。ここにおいて当該降温ステップは、前記最高温度（４００℃）からバインダー消失温度且つ室温以上の第一温度まで両基板を降温させる第一降温ステップ（図５の「３−ａ」）と、前記第一温度から室温まで両基板を降温させる第二降温ステップ（図５の「３−ｂ」）とを順次行う。また、第一降温ステップは、第二降温ステップよりも短時間で実施し、両基板を第一温度まで比較的急速に降温させる。当該温度プロファイルの例では、第一温度として２００℃に設定するとともに、第一降温ステップを２０分以上３０分以下の短時間で実施する。そして、第二降温ステップについては、少なくとも５０℃程度の温度下降まで、さらに２時間以上掛けて緩やかに降温するように調整する。
【０２３２】
具体的に、当該温度プロファイルの場合、第一降温ステップの降温速度は（４００―２００）/０．５＝４００（℃/ｈｒ）以上としている。一方、第二降温ステップの降温速度は（２００−５０）/２＝７５（℃/ｈｒ）以下としている。この降温速度の関係により、第二降温ステップでは、第一降温ステップに比べて５倍以上緩やかな降温速度で両基板を降温させている。このように第二降温ステップは、第一降温ステップよりも５倍以上の時間を掛けて実施するのが好適である。
【０２３３】
なお、第一降温ステップを３０分以下の上限にしている理由は、本願発明者らの検討により、当該第一降温ステップを３０分を超える時間まで実施した場合に比べ、完成したＰＤＰの消費電力を更に低減できるとの知見が得られたことに基づくものである。
【０２３４】
ここで、上記のように第一降温ステップを上記温度設定で且つ短時間で実施することにより、ＰＤＰの消費電力が良好に低減される。その理由としては、ＰＤＰの完成後に封着部１６から少しずつ放電空間１５に放出される不純物の量が低減されるため、ＭｇＯを含む保護層８の変質が抑制され、二次電子放出特性の低下が効果的に防止されたためであると考えられる。そして、このように封着部１６から放出される不純物の量が少なくなった理由については、さらに以下のように考えることができる。
【０２３５】
すなわち、前述したように、封着材ペーストのバインダーの有機成分の分解（低分子化）は、その消失温度以上の高温において進行する。このような高温下で分解した有機成分（以下、低分子成分と呼ぶ）は、通常、その時の加熱により消失する。しかしながら、その際の加熱温度が、封着材の軟化点以上であると、前記低分子成分は消失する前に、再度結合（重合）して、当初より高分子化した有機物、いわゆる揮発しにくいタールとなってしまう場合がある。このタールは排気工程後も両基板の内部に残留し、ＰＤＰの性能に悪影響を与えてしまう原因となりうる。
【０２３６】
そこで仮焼成工程では、前記仮焼成温度として、バインダーの有機成分の加熱温度として、封着材ペーストのバインダーの消失温度以上で、且つ、封着材の低融点ガラスの軟化点未満の温度設定を行うことが、低分子成分のタール化を抑制するためには有効であることも前述したとおりである。
【０２３７】
ここで仮焼成工程においては、仮焼成の最高温度を一定期間維持するステップ２において、バインダーの有機成分のほとんどは分解（低分子化）されて消失する。しかしながら、ステップ２の期間内では完全に分解が行われず、若干の有機成分が低分子化されずにそのまま残留する場合がある。
【０２３８】
このように残留した有機成分は、仮にステップ３（降温ステップ）中に消失温度以上となる期間が存在すると、当該期間で分解が進行する。しかしながらステップ３全体としては次第に降温するため、ステップ３の前記期間で分解されて生成した低分子成分は、最高温度がキープされるステップ２に比べ、消失しにくい特性がある。その結果、前記低分子成分は封着部１６の内部に取り込まれ易くなる。このように封着部１６に残留した低分子成分は、完成後のＰＤＰにおいて、封着部１６から不純物（不純ガス）として放出されてしまう。
【０２３９】
そこで、上記温度プロファイル例では、ステップ３の初期に第一降温ステップを設け、仮焼成の最高温度から封着材ペーストのバインダーの消失温度未満且つ室温以上の第一温度まで、両基板を速やかに降温させるように調整している。このような第一降温ステップにより、有機成分が低分子成分となって残留するのを極力避け、完成後のＰＤＰにおいて封着部１６から放電空間１５に放出される不純物量の低減を図るものとしている。
【０２４０】
なお、第一降温ステップの降温速度は、上記理由によれば、可能な限り速いことが望ましいと考えられる。しかしながら、第一降温ステップの降温速度をあまり速くし過ぎると、ＰＤＰのガラス基板が割れてしまう等、基板の損傷を招くおそれがあるので、降温温度の設定についてはこの点も含めて考慮する必要がある。
【０２４１】
なお、バインダーの消失温度未満の温度以下且つ室温までの降温ステップにおいては、その温度範囲ではバインダーの分解は行われない。従って、当該温度範囲での降温ペースは任意に決定すれば良い。
【０２４２】
なお、仮焼成工程は一般的には封着材ペースト中の溶剤やバインダー成分を燃焼させ、炭酸ガス（ＣＯ2）を生じさせて除去するが、仮焼成雰囲気中に酸素等の酸化性ガス成分が多く含まれていると、炭酸ガスが急激に発生して封着材のガラス成分が発泡し、封着が不完全になるおそれがある。不完全な封着の発生は、後に放電ガスのリークの原因となるため避けなければならない。
【０２４３】
このようなガラス成分の発泡を防ぐためには、酸化ガス成分を低減させた弱酸化性雰囲気（例えば主成分の窒素と、分圧が１％以下酸素を含む混合雰囲気）や、非酸化性雰囲気（窒素を含む雰囲気）で仮焼成を行うことが望ましい。封着材ペーストの樹脂成分にアクリル樹脂が含まれる場合や、封着材にＢｉ2Ｏ3系ガラスやＰ2Ｏ5系ガラスが用いられる場合には、Ｎ2等を用いた非酸化性雰囲気で仮焼成工程を実施することが好適である。
（重ね合わせ（位置決め）工程）
上記作製した前面基板２と背面基板９とを、表示電極対６及びデータ電極１１が交差するように対向配置させて重ね合わせる。位置ずれをしないように、両基板をスプリング機構を備えるクリップ（不図示）で挟んで保持する。このとき、隔壁１３の頂部が保護層８と対向するように配設する。ここで本発明では、大がかりな減圧装置等を用いなくても当該重ね合わせ工程を大気中で実施することができるので、両基板のハンドリングが容易であり、製造上、極めて有用である。また、これにより製造するＰＤＰのサイズを５０インチを超える大型とする場合であっても、比較的低コストで製造することが可能になっている。
【０２４４】
なお、図１１では封着工程前の封着部１６を図示しているが、封着後には封着部１６のガラスが溶融して高さが低くなり、隔壁１３の頂部が保護層８と当接する。
【０２４５】
上記クリップで固定した両基板を封着・排気用（封排用）加熱炉中に載置する。図１３のように、背面基板９に配されたガラス管３１に排気装置６０、ガス導入装置４０からの配管を接続する。
（封着工程、排気工程、放電ガス導入工程）
図１３及び図１４を用いて当該各工程を説明する。図１３は、封排用加熱炉２２０と、排気装置１６０、ガス導入装置１４０（図１３では封着工程中に非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合（添加）したガスを導入し、一方、放電ガスを導入することもできるものとする）がバルブ１８０、１９０、２００、２１０、２３０を介して所定の配管で接続されたガス流通システム例を示す。両基板内部からの排気及びガス流通、ガス導入は、バルブ１８０、１９０、２００、２１０、２３０のいずれかを所定のタイミングで開閉することで調節される。さらにバルブ１９０は、封排用加熱炉２２０の内部の露点と圧力を調整することができる。
【０２４６】
なお、例えばバルブ１８０、２１０、２３０はガス導入装置１４０、バルブ２００は排気装置１６０の各内部にそれぞれ設けることもできる。
【０２４７】
図１４は、封着工程、排気工程、並びに放電ガス導入工程の温度プロファイル例を示すグラフである。なお、これらの加熱温度及び温度、維持期間は一例にすぎない。
【０２４８】
封着工程では、まず封排用加熱炉２２０中の封着雰囲気を調整する。このため、バルブ１９０、２１０を開放して、ガス導入装置１４０から、両基板内部や封排用加熱炉２２０の内部に、非酸化性ガス（一例としてＡｒガス、または露点が−４５℃以下のＮ2ガス）と還元ガス（一例としてＨ2ガス）を所定の割合で混合してなる混合雰囲気を流通・充填する。
【０２４９】
封着雰囲気（混合雰囲気）に添加する還元性ガスの量は、当該混合雰囲気全体での割合として、分圧が０．１％以上３％以下の範囲であることが好ましい。分圧が０．１％未満の量でも放電開始電圧を下げることは可能であるが、ＭｇＯあるいはＡｌ2Ｏ3をコートしたＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎ蛍光体を用いた場合は、コートによって、酸素や水の吸着量が増大し、放電開始電圧の低減効果が現れ難い。また、分圧が３％を超える量になると誘電体層に欠陥が見られ、ＰＤＰのディスプレイ面に表示むらが出来、好ましくない。
【０２５０】
また、実際の工程では封着雰囲気中に大気由来の酸素等の酸化性ガスが若干混入する場合もあるが、実質的に非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合したガス雰囲気での封着工程が行えるように、酸化性ガスの混入の影響をできるだけ減らすよう調整する。このとき、本発明では封着雰囲気成分として還元性ガスを利用することで、たとえ酸素等の酸化性ガスが多少混入したとしても、その悪影響を還元作用によって極力抑え、有機成分の重合化およびパネル内への残留を抑制することができる。
【０２５１】
前記非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合したガス炉内の露点と圧力は、バルブ１９０を制御して若干陽圧に設定する。この状態で、さらにバルブ１８０、１９０、２１０を制御して両基板と炉内に非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合したガスを送りながら、ヒーター２６０を通電し、両基板を加熱する。ヒーター２６０を調節することにより、両基板の温度を室温から封着材の軟化点温度（４１０℃〜４５０℃）まで上昇させる。
【０２５２】
両基板の温度が軟化点温度まで上昇したら、封着温度維持ステップとして、当該温度を一定期間（１時間程度）維持する（ここまでステップ１）。なお、軟化点での温度維持は必須ではなく、封着材の流動点までの温度上昇を緩やかにしたい場合等は省略してもよい。
【０２５３】
次に、バルブ１８０を調整して両基板間への非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合したガスの流量を半分程度に抑えつつ、両基板を封着材の流動点（溶融温度、４５０℃〜５００℃）まで加熱する（封着温度上昇ステップ）。この温度は、言い換えると封着材の軟化点より４０℃以上高い温度である。この温度を一定期間（１時間程度）維持し（封着温度維持ステップ）、その後、封着温度下降ステップとして、排気温度（４００℃〜４２０℃）以下にまで冷却する（ここまでステップ２）。このステップ１、２により、封着材の低融点ガラスは溶けて緻密な構造となり、冷却することで再度固化し、完成状態の封着部１６が形成される。
【０２５４】
以上で封着工程が終了する。
【０２５５】
次に排気工程に移る。バルブ１８０を閉じ、バルブ１９０、２００、２１０を開いて、両基板間のガスを排気装置１６０で真空排気し、封排用加熱炉２２０を真空排気炉状態とする。この状態で、排気温度上昇ステップとして、両基板を所定の排気温度まで温度上昇させる。そして、排気温度維持ステップとして、当該温度で一定時間（４時間）維持する。排気温度としては、封着材の軟化点未満（好ましくは軟化点より１０℃〜３０℃低い温度）に設定するのが好適である。その後は排気温度下降ステップとして、両基板温度を室温まで冷却させる（ステップ３）。
【０２５６】
この排気工程において、本発明では、仮焼成工程で低分子状態に保たれていた封着材ペースト由来の有機成分（ＣＨ系成分）が気化し、流通ガスとともに両基板間から除去される。この有機成分は重合されておらず、低分子状態であるため、排気工程中のガス流通によって、比較的容易に両基板内部の表面や封着材中から脱離でき、効率よく両基板内部より除去することができる。
【０２５７】
また、上記と並行して、両基板間で発生したＣＯやＣＯ2等の炭酸ガスも同時に除去される。この炭酸ガスは排気工程中に両基板間に若干残留している有機成分が燃焼することにより発生するが、排気工程は比較的低温であるため、それほど大量に発生することなく若干の発生量で済む。
【０２５８】
このような排気工程を実施することにより、保護層及び蛍光体層に付着して変質させるおそれのある前記有機成分や前記ガス成分が効率よく除去される。
両基板の温度が室温まで低下すると、排気工程が終了する。
【０２５９】
続いて放電ガス導入工程に移る。バルブ１９０、２００、２１０を閉じ、バルブ１８０を開いて、ガス導入装置１４０から両パネルの間に、Ｘｅを１５％以上含む放電ガス、例えばＮｅ−Ｘｅ系の放電ガス（一例として７０％Ｎｅ−３０％Ｘｅガス）を所定圧力（例えば６６ＫＰａ）で導入する。
【０２６０】
放電ガスを導入したのちは、ガラス管３１をチップオフして内部封止する（チップオフ工程）。以上でＰＤＰの製造工程が完了する。
【０２６１】
このように本発明の製造方法では、仮焼成工程の温度調整に重点を置く一方、少なくとも封着工程前の工程を密閉雰囲気中で行わなくてもよい。このため、封着工程後に作製中の両基板を一旦大気中に取り出し、その後に当該両基板に排気装置を繋いで排気工程を実施することもできる。また、大気中に取り出した両基板は、排気工程を行う前に一時的に保管することもできる。
【０２６２】
したがって本発明によれば、従来技術のように、ＰＤＰを大気より隔離した減圧雰囲気下で各工程にわたり一貫して製造する必要がなく、各工程中又は工程間を減圧雰囲気で保つための大がかりな減圧装置等の製造装置が不要である。また、本発明は上記のように排気工程前の作製中の両基板を保管できるので、製造工程の実施プランを柔軟に調整できるメリットもある。このように本発明は、高い実現性を有する点でも非常に有利である。
【０２６３】
＜性能評価実験＞
本発明の製造方法の性能効果を確認するため、実施例のＰＤＰ（実施例１〜３）と、比較例のＰＤＰ（比較例１〜２）をそれぞれ作製し、各ＰＤＰの放電電圧を測定した。ＰＤＰの製造方法は、明示した以外の工程は上記したパネルの製造方法に基づくものとした。
（実施例１）
セルピッチが０．１０ｍｍの微細セル構造のＰＤＰとし、前面基板作製工程において、保護層形成用のＭｇＯペレットを用い、ＥＢ蒸着装置内にＯ2を０．１（ｓｃｃｍ）流通することによりＭｇＯのみからなる保護層を形成した。
【０２６４】
蛍光体として、赤色蛍光体は（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ3：Ｅｕを使用し、緑色蛍光体はＺｎ2ＳｉＯ4：Ｍｎを使用し、青色蛍光体はＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕを使用した。
【０２６５】
封着材の組成は、酸化鉛系ガラス（ＰｂＯ）を主成分とする、後述の表１に示すＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ−ＭＯ系ガラスを使用した。この場合、軟化点は４３０℃、流動点は４９０℃である。
【０２６６】
仮焼成工程における最高温度（図１２の温度プロファイルのステップ２）は、封着材の軟化点よりも３０℃低い４００℃とし、空気雰囲気で５０分にわたり行った。
【０２６７】
封着工程のステップ１（図１４の温度プロファイルのステップ１）では、まず、封着排気用加熱炉１２０に露点温度が−５０℃のＮ2ガスにＨ2ガスを０．１％混合したガスを充填させた。次に、両基板間にＮ2ガスにＨ2ガスを０．１％混合したガスを流速５Ｌ／ｍｉｎで吹き込みながら、封排用加熱炉１２０内のヒーター１６０を用いて、炉内の温度を封着材の軟化点あたり（４２０℃）まで上昇させた（この時、排気装置６０のバルブ１００、９０、１１０は閉じた）。
【０２６８】
次に、封着工程のステップ２（図１４のステップ２）では、前記ステップ１に引き続き、封排用加熱炉１２０に露点温度が−５０℃のＮ2ガスにＨ2ガスを０．１％の分圧で混合したガスを充填させた。そして、バルブ８０を調節することにより、Ｎ2ガスにＨ2ガスを０．１％の分圧で混合したガスの流量を、前記ステップ１の半分以下（２Ｌ／ｍｉｎ）に設定する。この状態で、封排用加熱炉１２０の温度を、封着材が十分に軟化する封着温度（流動温度）（４９０℃）まで上昇させる。この封着温度を約５０分維持し、その後、封着材の軟化点以下の温度（３００℃）まで炉内温度を降下させた。
【０２６９】
排気工程では、図１４のステップ３において、封着工程（ステップ１、２）に引き続き、バルブ８０、１１０を閉じ、バルブ１００、９０、１３０を開くことにより、両基板間及び炉内を真空排気した。これとともに、封排用加熱炉１２０の温度を再び３００℃から封着材の軟化点以下（封着材の軟化点よりも２０℃低い）の４１０℃まで上昇させ、その温度で約４時間維持した。その後は真空排気しながら室温まで炉の温度を低下させた。
【０２７０】
放電ガス導入工程では、図１４のステップ４に示すように室温状態において、バルブ１００、９０、１３０を閉じ、バルブ８０を開いて、ガス導入装置４０から上記組成の放電ガス（１００％Ｘｅ）を６６ＫＰａの圧力で両基板間に封入した。
【０２７１】
チップオフ工程では、封排用加熱炉１２０の圧力を常圧に戻した状態で、ガラス管３１をチップオフした。これらの工程を経ることで実施例１のＰＤＰを得た。
（実施例２）
封着工程は表１に示すようにＮ2ガスにＨ2ガスを３．０％の分圧で混合した雰囲気下で行った。上記以外の点は基本的に実施例１と同様に設定した。
（実施例３）
セルピッチが０．１５ｍｍのセル構造のＰＤＰとし、前面基板作成工程において、ＭｇＯにＳｉＯ2を１００ｐｐｍ、Ａｌ2Ｏ3を５００ｐｐｍの濃度でそれぞれ添加したペレットを用い、ＥＢ蒸着装置内にＯ2を０．１（ｓｃｃｍ）で流通させることで、上記材料が添加されたＭｇＯからなる保護層を得た。
【０２７２】
封着材の組成は、Ｂｉ2Ｏ3を主成分とするガラスと、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、コージライトからなるフィラーの混合組成とした（表１に示すＢｉ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ−ＭＯ系ガラスを使用）。この場合、封着材の軟化点は、４５０℃で、封着温度は、５００℃である。
【０２７３】
仮焼成工程における最高温度は封着材の軟化点よりも４０℃低い４１０℃とした。封着工程は表１に示すように露点−５５℃のＮ2ガスにＨ2ガスを１．５％の分圧で混合した雰囲気下で行った。
【０２７４】
排気工程では、図１４のステップ３において、封着工程（ステップ１、２）に引き続き、バルブ８０、１１０を閉じ、バルブ１００、９０、１３０を開くことにより、両基板間及び炉内を真空排気した。これとともに、封排用加熱炉１２０の温度を再び３００℃から封着材の軟化点以下（封着材の軟化点よりも３０℃低い）の４２０℃まで上昇させ、その温度で約４時間維持した。その後は真空排気しながら室温まで炉の温度を低下させた。
【０２７５】
放電ガス導入工程では、図１４のステップ４に示すように室温状態において、バルブ１００、９０、１３０を閉じ、バルブ８０を開いて、ガス導入装置４０から上記組成の放電ガス（８５％Ｎｅ−１５％Ｘｅ）を６６ＫＰａの圧力で両基板間に封入した。
【０２７６】
上記以外の点は基本的に実施例１と同様に行った。
【０２７７】
次に比較例のＰＤＰとして、下記及び表１に示すように２つのサンプルを作製した。
（比較例１）
封着工程中のステップ１及び２を、露点−５０℃のＮ2のみの非酸化雰囲気で実施した。これ以外の条件を実施例１と同様に設定して得たＰＤＰを比較例１とした。
（比較例２）
封着工程中のステップ１及び２を、露点−５５℃のＮ2のみの非酸化雰囲気で実施した。これ以外の条件を実施例３と同様にして得たＰＤＰを比較例２とした。
【０２７８】
以上のように作製した実施例１〜３と、比較例１〜２をサンプル１〜５とした。各々のサンプル１〜５の保護層との種類、封着材の種類と軟化点、流動温度（封着）点、封着材の仮焼成温度、封着排気炉の非酸化性乾燥ガスに還元性ガスを混合したガスの種類と混合量、露点温度、封着時の非酸化性乾燥ガスに還元性ガスを混合したガスの流量、真空排気時の排気温度、等のデータと、放電開始電圧Ｖｆの各値について、表１にまとめて示す。サンプル１〜５はすべて、仮焼成工程の最高温度を設定する際において、封着材の軟化点未満の温度に設定した。
【０２７９】
【表１】
2010140307.tif 000003
【０２８０】
（結果考察）
まず表１に示されるように、実施例１、２、比較例１は、いずれも封着材に同様のＰｂＯ系ガラスを用い、前面基板作成工程の保護層にＭｇＯを用いた構成である。この共通構成を前提とし、非酸化性ガスと還元性ガスを混合してなる封着雰囲気（混合雰囲気）で封着工程を行った実施例１、２のサンプルでは、封着雰囲気に非酸化性Ｎ2ガスのみを使用した比較例１のサンプルに比べ、明らかに放電開始電圧Ｖｆの低減効果が発揮されているのが確認できる。
【０２８１】
その理由として、比較例１では封着工程をＮ2のみの封着雰囲気で行ったことにより、封着材ペースト中の有機成分が封着工程中に微量に残存している酸素と触れて燃焼し、発生した重合物等の不純物がガスとなって保護層に吸着され、当該保護層が変質したことで電圧上昇を招いたものと考えられる。一方、実施例１、２では封着工程をＮ2に還元性ガスを混合した封着雰囲気で行ったため、このような重合物の発生が抑制され、排気工程で有機成分が低分子状態のままで十分に除去されて保護層の変質が効果的に抑制されたものと考えられる。すなわち実施例１、２では、いずれも封着雰囲気において、Ｎ2に還元性ガスを混合したことにより、良好な駆動電圧の低減効果が出現したものと考えられる
次に実施例１と２を比較すると、封着雰囲気中に還元性ガスを０．１％の分圧だけ添加した実施例１よりも、還元性ガスを３．０％の分圧で添加した実施例２で一層効果的に放電開始電圧Ｖｆの低減効果が得られている。この実施例１、２の結果をみると、還元性ガスを添加することで前記効果はそれなりに得られるが、添加量としては０．１％に比べて３％程度添加すれば一層良好な効果が表れる。よって、封着雰囲気中の還元性ガスの添加量としては、少なくとも分圧が０．１％〜３％の範囲は好適であり、当該範囲において還元性ガスの分圧を高く設定するほどより好ましいと言える。
【０２８２】
次に、実施例３と比較例２とを比較すると、いずれも封着材にビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）系ガラスを用い、前面基板作成工程の保護層の組成はＭｇＯにＳｉＯ2を１００ｐｐｍ、Ａｌ2Ｏ3を５００ｐｐｍ添加したものを用いている。このように、実施例１、２と封着材の組成や前面基板作成工程の保護層の組成が違っても、封着工程で非酸化性ガスに還元性ガスを混合した封着雰囲気を使用することにより、サンプル（実施例３）では封着雰囲気に非酸化性Ｎ2ガスのみを使用したサンプル（比較例２）に比べ、放電開始電圧Ｖｆの良好な低減効果が得られることが分かった。このような結果が得られた理由も実施例１、２と比較例２の考察と同様と思われる。併せて、本発明の要件としては、封着雰囲気を非酸化性ガスと還元性ガスを所定の比率で混合して用いることが重要なポイントであると思われる。
【０２８３】
また、実施例１、２、比較例１は、表１に示されるように、セルピッチが０．１０ｍｍの微細セルを有する構成である。上記の結果より、本発明によれば、たとえセルピッチが小さい高精細セル構造を有するＰＤＰであっても、その消費電力を良好に低減することが期待できる。
【０２８４】
以上の結果から、本発明の優位性が確認された。
【０２８５】
なお、本実験では、全サンプル１〜５について、封着工程中のステップ１及び２を非酸化性ガスとしてＮ2ガスを、還元性ガスとしてＨ2を使った雰囲気で行ったが、非酸化性ガスとしてＡｒやＸｅガスを、還元性ガスとしてＮＨ3を用いても同様の効果が期待できると思われる。
【０２８６】
＜その他の事項＞
上記実施の形態では、本発明の効果が最も奏される、パネルの解像度がＦＨＤ以上のパネルを例として説明したが、当然ながら、いわゆる、ＳＤ、ＨＤ、ＦＨＤといった超高精細な解像度を持つパネルに対しても同等の効果が得られるのは言うまでもない。
【０２８７】
また、本発明は上記した高精細または超高精細なパネルに限定されない。たとえば走査線が比較的多く存在する、大型（５０インチ以上）のパネルにおいても高速駆動が要求されるため、本発明はこのようなパネルに適用した場合でも良好な効果を奏する。
【０２８８】
また本発明の適用は、このような高精細・超高精細パネルや大画面パネルのいずれにも限定せず、ＸＧＡ、ＳＸＧＡ規格等で構成された、比較的大きな放電セル構造を備えるＰＤＰに適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０２８９】
以上のように本発明は、大画面、高精細のＰＤＰ装置を提供する上で有用な発明であり、公共施設や家庭用のテレビジョン等として、極めて利用可能性が高いものであるといえる。
【符号の説明】
【０２９０】
１、１０１    プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
２    前面基板（フロントパネル）
３    前面基板ガラス
８    保護層
９    背面基板（バックパネル）
１０    背面基板ガラス
１３    隔壁
１６    封着部
３１    ガラス管（チップ管）
１１１    走査電極駆動回路
１１２    維持電極駆動回路
１１３    データ（アドレス）電極駆動回路
１４０    ガス導入装置
１６０    排気装置
１８０、１９０、２００、２１０、２３０    バルブ
２２０    封排用加熱炉
２６０    ヒーター
１０００    ＰＤＰ装置
【図１】
2010140307.tif 000004
【図２】
2010140307.tif 000005
【図３】
2010140307.tif 000006
【図４】
2010140307.tif 000007
【図５】
2010140307.tif 000008
【図６】
2010140307.tif 000009
【図７】
2010140307.tif 000010
【図８】
2010140307.tif 000011
【図９】
2010140307.tif 000012
【図１０】
2010140307.tif 000013
【図１１】
2010140307.tif 000014
【図１２】
2010140307.tif 000015
【図１３】
2010140307.tif 000016
【図１４】
2010140307.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月7日(2010.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面基板又は表面にＭｇＯを含む保護層が形成された前面基板のうち、一方の基板の主面の周囲に封着材を含むペーストを配設し、前記ペーストに含まれるバインダーの消失温度以上かつ封着材の軟化点温度未満の温度を仮焼成最高温度として、前記塗布したペーストを焼成する仮焼成工程と、
前記仮焼成工程後に、前記一方の基板の主面に他方の基板の主面を対向配置させ、前記両基板を重ね合わせる位置決め工程と、
位置決め工程後に、非酸化性ガスと還元性ガスの混合雰囲気下で、所定の封着温度で焼成して前記両基板を封着させる封着工程と、
前記封着工程後に、前記両基板間のガスを排気させる排気工程とを有し、
前記仮焼成工程では、前記最高温度で焼成を行った後、前記両基板の温度をバインダー消失温度未満且つ室温より高い第一温度まで下降させる第一降温ステップと、第一降温ステップ後に、前記両基板の温度を前記第一温度から室温まで温度降下させる第二降温ステップとを含み、
第一降温ステップの降温速度を４００℃／ｈｒ以上とし、
第一降温ステップに係る時間を２０分以上３０分以下とし、
第二降温ステップの降温速度を７５℃／ｈｒ以下とし、
第一降温ステップを、第二降温ステップよりも短時間で行う、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記第一降温ステップにおける前記第一温度を２００℃とする
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第二降温ステップの時間を、第一降温ステップの時間よりも５倍以上長時間に設定する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記仮焼成最高温度を、前記軟化点よりも１０℃以上低い温度とする
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記仮焼成最高温度を、前記軟化点よりも１０℃から５０℃低い温度とする
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記仮焼成工程では、前記封着材として低融点ガラスを成分に含む封着材を用い、当該低融点ガラスのガラス転移点以上かつ当該低融点ガラスの軟化点よりも１０℃以下の低い温度で焼成を実施する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記封着工程では、前記封着温度として前記軟化点温度より４０℃以上の高い温度に設定する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
封着工程では、非酸化性ガスとしてＮ２ガスあるいはＡｒガスを用い、還元性ガスとしてＨ２ガスを用いる
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記混合雰囲気中における前記Ｈ２ガス分圧が０．１％以上３％以下である
請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記仮焼成工程は、露点が−４５℃以下のＮ２雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記仮焼成工程は、Ｏ２を１％以下の分圧で含有するＮ２雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記封着工程では、前記両基板の温度を室温から前記封着温度まで上昇させる封着温度上昇ステップと、
前記封着温度上昇ステップ後に前記封着温度を一定時間維持する封着温度維持ステップと、
前記封着温度維持ステップ後に、前記両基板の温度を前記封着温度から前記軟化点未満の温度まで下降させる封着温度下降ステップとを、少なくとも含む
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記排気工程では、前記両基板を室温以上、前記軟化点未満の温度で一定時間維持する排気温度維持ステップと、
前記排気温度維持ステップ後に、前記両基板温度を室温まで下降させる排気温度下降ステップとを、順次、それぞれ減圧雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記封着工程前において、背面基板の主面に隣接する隔壁を０．１６ｍｍ以下のピッチに設定して複数併設するとともに、隣接する前記各隔壁間に蛍光体層を形成し、
前記排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記封着工程前において、パネル画素数が横方向に１９２０個以上で且つ縦方向に１０８０個以上となるように、背面基板の主面に隣接する隔壁のピッチを設定して複数の隔壁を併設するとともに、隣接隔壁間に蛍光体層を形成し、
排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ける各サブフィールドの維持期間の時間をＴｗ×（Ｎ−１）／Ｎ以下となるように設定している点が異なっている。
［０１３０］
これを言い換えると、不等式（１）
Ｔｓ≦Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎ
（Ｔｓは最も輝度重みの大きいサブフィールドの維持期間に割り当てる時間）
を満たすように設定している。
［０１３１］
このように設定することによって、ＰＤＰ装置１０００では、１フィールド全体の時間内において、初期化期間を除き、Ｎ個のグループにわたって連続して書込み動作が行われるように、各表示電極対グループに対して書き込み期間を割り当てることができる。これに対して特許文献４の駆動方法は、単に２つ以上のブロックの書込み期間が時間的に重ならないようにサブフィールドの開始時間をずらしているだけであり、必ずしも十分なサブフィールド数を確保できるとはいえない。
［０１３２］
図８のタイムチャート例を参照しながら、更に詳細を説明する。
［０１３３］
時刻ｔ１〜時刻ｔ２では、第１グループに対してＳＦ１の書き込みを行う。時刻ｔ２〜時刻ｔ３では第２グループに対してＳＦ１の書き込みを行う。そして、時刻ｔＮ〜時刻ｔＮ＋１では、第Ｎグループに対してＳＦ１の書込みを行う。このようにＳＦ１の書き込みを一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔ１〜時刻ｔＮ＋１）で行うものとする。
［０１３４］
次に、時刻ｔＮ＋１〜時刻ｔＮ＋２では、第１グループに対してＳＦ１の書き込みを行い、時刻ｔＮ＋２〜時刻ｔＮ＋３では、第２グループに対してＳＦ２の書き込みを行い、時刻ｔ２Ｎ〜時刻ｔ２Ｎ＋１では、第Ｎグループに対してＳＦ２の書込みを行う。
［０１３５］
このようにして、ＳＦ２の書き込みを、一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔＮ＋１〜時刻ｔ２Ｎ＋１）で行う。
［０１３６］
同様にして、ＳＦ３の書き込みを、一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔ２Ｎ＋１〜時刻ｔ３Ｎ＋１）で行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
［０２２６］
さらに、高精細パネルでは蛍光体層も微細化し、通常規格のＰＤＰに比べて占有面積が２〜４倍も増える。このように表面積が増大した分、蛍光体層に前記重合物の成分が付着すると、輝度低下を招き、画像表示性能の劣化の原因となる。
［０２２７］
そこで本発明では、仮焼成工程を上記したように所定の低温で実施することで、有機成分を酸化させずに低分子状態のままで残留させ、後の排気工程で効果的に除去できるように調整する。
［０２２８］
なお、封着工程では封着材を溶かす必要があるため、封着材の流動点以上の高温で行うが、当該工程を窒素（Ｎ２）や希ガス（Ａｒ等）の非酸化性ガスだけでなく、還元性ガスとの混合雰囲気下で行うことによって、上記有機成分が酸化（燃焼）されて重合化するのを効果的に防止できる。
これによって、保護層や蛍光体層の劣化を防止するものとしている。
［０２２９］
ここで図１２は、仮焼成工程の温度プロファイル例を示すグラフである。図１１のＢ６の状態にある背面基板９を焼成炉に導入する。このとき、焼成雰囲気は若干の酸素を含む雰囲気（一例として、１％以下の分圧で酸素を含有する雰囲気）に設定することができる。また、非酸化性雰囲気（一例として、露点が−４５℃以下の窒素を含む雰囲気）に設定することもできる。非酸化性雰囲気に設定する場合は、仮焼成工程ではパネルの有機成分をあまり燃焼除去できないので、のちの排気工程でこれを十分に除去するように留意する必要がある。
［０２３０］
背面基板９を導入した後、焼成炉を室温から仮焼成温度（４００℃）まで上昇させる（ステップ１、仮焼成温度上昇ステップ）。この仮焼成温度は当該仮焼成工程における最高温度であって、前述したように封着材の低融点ガラスの軟化点未満として設定した値である。ここでは、この仮焼成の最高温度（４００℃）を一定期間（例えば１０分〜３０分）にわたり温度維持して仮焼成させる（ステップ２、仮焼成温度維持ステップ）。
［０２３１］
その後は、背面基板９の温度を前記最高温度から室温まで下降させる（ステップ３、仮焼成降温ステップ）。ここにおいて当該降温ステップは、前記
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
最高温度（４００℃）からバインダー消失温度未満且つ室温以上の第一温度まで両基板を降温させる第一降温ステップ（図５の「３−ａ」）と、前記第一温度から室温まで両基板を降温させる第二降温ステップ（図５の「３−ｂ」）とを順次行う。また、第一降温ステップは、第二降温ステップよりも短時間で実施し、両基板を第一温度まで比較的急速に降温させる。当該温度プロファイルの例では、第一温度として２００℃に設定するとともに、第一降温ステップを２０分以上３０分以下の短時間で実施する。そして、第二降温ステップについては、少なくとも５０℃程度の温度下降まで、さらに２時間以上掛けて緩やかに降温するように調整する。
［０２３２］
具体的に、当該温度プロファイルの場合、第一降温ステップの降温速度は（４００−２００）／０．５＝４００（℃／ｈｒ）以上としている。一方、第二降温ステップの降温速度は（２００−５０）／２＝７５（℃／ｈｒ）以下としている。この降温速度の関係により、第二降温ステップでは、第一降温ステップに比べて５倍以上緩やかな降温速度で両基板を降温させている。このように第二降温ステップは、第一降温ステップよりも５倍以上の時間を掛けて実施するのが好適である。
［０２３３］
なお、第一降温ステップを３０分以下の上限にしている理由は、本願発明者らの検討により、当該第一降温ステップを３０分を超える時間まで実施した場合に比べ、完成したＰＤＰの消費電力を更に低減できるとの知見が得られたことに基づくものである。
［０２３４］
ここで、上記のように第一降温ステップを上記温度設定で且つ短時間で実施することにより、ＰＤＰの消費電力が良好に低減される。その理由としては、ＰＤＰの完成後に封着部１６から少しずつ放電空間１５に放出される不純物の量が低減されるため、ＭｇＯを含む保護層８の変質が抑制され、二次電子放出特性の低下が効果的に防止されたためであると考えられる。そして、このように封着部１６から放出される不純物の量が少なくなった理由については、さらに以下のように考えることができる。
［０２３５］
すなわち、前述したように、封着材ペーストのバインダーの有機成分の分
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
造上、極めて有用である。また、これにより製造するＰＤＰのサイズを５０インチを超える大型とする場合であっても、比較的低コストで製造することが可能になっている。
［０２４４］
なお、図１１では封着工程前の封着部１６を図示しているが、封着後には封着部１６のガラスが溶融して高さが低くなり、隔壁１３の頂部が保護層８と当接する。
［０２４５］
上記クリップで固定した両基板を封着・排気用（封排用）加熱炉中に載置する。図１３のように、背面基板９に配されたガラス管３１に排気装置１６０、ガス導入装置１４０からの配管を接続する。
（封着工程、排気工程、放電ガス導入工程）
図１３及び図１４を用いて当該各工程を説明する。図１３は、封排用加熱炉２２０と、排気装置１６０、ガス導入装置１４０（図１３では封着工程中に非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合（添加）したガスを導入し、一方、放電ガスを導入することもできるものとする）がバルブ１８０、１９０、２００、２１０、２３０を介して所定の配管で接続されたガス流通システム例を示す。両基板内部からの排気及びガス流通、ガス導入は、バルブ１８０、１９０、２００、２１０、２３０のいずれかを所定のタイミングで開閉することで調節される。さらにバルブ１９０は、封排用加熱炉２２０の内部の露点と圧力を調整することができる。
［０２４６］
なお、例えばバルブ１８０、２１０、２３０はガス導入装置１４０、バルブ２００は排気装置１６０の各内部にそれぞれ設けることもできる。
［０２４７］
図１４は、封着工程、排気工程、並びに放電ガス導入工程の温度プロファイル例を示すグラフである。なお、これらの加熱温度及び温度、維持期間は一例にすぎない。
［０２４８］
封着工程では、まず封排用加熱炉２２０中の封着雰囲気を調整する。このため、バルブ１９０、２１０を開放して、ガス導入装置１４０から、両基板内部や封排用加熱炉２２０の内部に、非酸化性ガス（一例としてＡｒガス、または露点が−４５℃以下のＮ２ガス）と還元ガス（一例としてＨ２ガス）を所
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
た。
［０２６４］
蛍光体として、赤色蛍光体は（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕを使用し、緑色蛍光体はＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎを使用し、青色蛍光体はＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを使用した。
［０２６５］
封着材の組成は、酸化鉛系ガラス（ＰｂＯ）を主成分とする、後述の表１に示すＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−ＭＯ系ガラスを使用した。この場合、軟化点は４３０℃、流動点は４９０℃である。
［０２６６］
仮焼成工程における最高温度（図１２の温度プロファイルのステップ２）は、封着材の軟化点よりも３０℃低い４００℃とし、空気雰囲気で５０分にわたり行った。
［０２６７］
封着工程のステップ１（図１４の温度プロファイルのステップ１）では、まず、封排用加熱炉２２０に露点温度が−５０℃のＮ２ガスにＨ２ガスを０．１％混合したガスを充填させた。次に、両基板間にＮ２ガスにＨ２ガスを０．１％混合したガスを流速５Ｌ／ｍｉｎで吹き込みながら、封排用加熱炉１２０内のヒーター１６０を用いて、炉内の温度を封着材の軟化点あたり（４２０℃）まで上昇させた（この時、排気装置１６０のバルブ２００、１９０、２１０は閉じた）。
［０２６８］
次に、封着工程のステップ２（図１４のステップ２）では、前記ステップ１に引き続き、封排用加熱炉２２０に露点温度が−５０℃のＮ２ガスにＨ２ガスを０．１％の分圧で混合したガスを充填させた。そして、バルブ１８０を調節することにより、Ｎ２ガスにＨ２ガスを０．１％の分圧で混合したガスの流量を、前記ステップ１の半分以下（２Ｌ／ｍｉｎ）に設定する。この状態で、封排用加熱炉２２０の温度を、封着材が十分に軟化する封着温度（流動温度）（４９０℃）まで上昇させる。この封着温度を約５０分維持し、その後、封着材の軟化点以下の温度（３００℃）まで炉内温度を降下させた。
［０２６９］
排気工程では、図１４のステップ３において、封着工程（ステップ１、２）に引き続き、バルブ１８０、２１０を閉じ、バルブ２００、１９０、２３０を開くことにより、両基板間及び炉内を真空排気した。これとともに、封
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
排用加熱炉２２０の温度を再び３００℃から封着材の軟化点以下（封着材の軟化点よりも２０℃低い）の４１０℃まで上昇させ、その温度で約４時間維持した。その後は真空排気しながら室温まで炉の温度を低下させた。
［０２７０］
放電ガス導入工程では、図１４のステップ４に示すように室温状態において、バルブ２００、１９０、２３０を閉じ、バルブ１８０を開いて、ガス導入装置１４０から上記組成の放電ガス（１００％Ｘｅ）を６６ＫＰａの圧力で両基板間に封入した。
［０２７１］
チップオフ工程では、封排用加熱炉２２０の圧力を常圧に戻した状態で、ガラス管３１をチップオフした。これらの工程を経ることで実施例１のＰＤＰを得た。
（実施例２）
封着工程は表１に示すようにＮ２ガスにＨ２ガスを３．０％の分圧で混合した雰囲気下で行った。上記以外の点は基本的に実施例１と同様に設定した。
（実施例３）
セルピッチが０．１５ｍｍのセル構造のＰＤＰとし、前面基板作成工程において、ＭｇＯにＳｉＯ２を１００ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３を５００ｐｐｍの濃度でそれぞれ添加したペレットを用い、ＥＢ蒸着装置内にＯ２を０．１（ｓｃｃｍ）で流通させることで、上記材料が添加されたＭｇＯからなる保護層を得た。
［０２７２］
封着材の組成は、Ｂｉ２Ｏ３を主成分とするガラスと、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、コージライトからなるフィラーの混合組成とした（表１に示すＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−ＭＯ系ガラスを使用）。この場合、封着材の軟化点は、４５０℃で、封着温度は、５００℃である。
［０２７３］
仮焼成工程における最高温度は封着材の軟化点よりも４０℃低い４１０℃とした。封着工程は表１に示すように露点−５５℃のＮ２ガスにＨ２ガスを１．５％の分圧で混合した雰囲気下で行った。
［０２７４］
排気工程では、図１４のステップ３において、封着工程（ステップ１、２）に引き続き、バルブ１８０、２１０を閉じ、バルブ２００、１９０、２３
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
０を開くことにより、両基板間及び炉内を真空排気した。これとともに、封排用加熱炉２２０の温度を再び３００℃から封着材の軟化点以下（封着材の軟化点よりも３０℃低い）の４２０℃まで上昇させ、その温度で約４時間維持した。その後は真空排気しながら室温まで炉の温度を低下させた。
［０２７５］
放電ガス導入工程では、図１４のステップ４に示すように室温状態において、バルブ２００、１９０、２３０を閉じ、バルブ１８０を開いて、ガス導入装置４０から上記組成の放電ガス（８５％Ｎｅ−１５％Ｘｅ）を６６ＫＰａの圧力で両基板間に封入した。
［０２７６］
上記以外の点は基本的に実施例１と同様に行った。
［０２７７］
次に比較例のＰＤＰとして、下記及び表１に示すように２つのサンプルを作製した。
（比較例１）
封着工程中のステップ１及び２を、露点−５０℃のＮ２のみの非酸化雰囲気で実施した。これ以外の条件を実施例１と同様に設定して得たＰＤＰを比較例１とした。
（比較例２）
封着工程中のステップ１及び２を、露点−５５℃のＮ２のみの非酸化雰囲気で実施した。これ以外の条件を実施例３と同様にして得たＰＤＰを比較例２とした。
［０２７８］
以上のように作製した実施例１〜３と、比較例１〜２をサンプル１〜５とした。各々のサンプル１〜５の保護層との種類、封着材の種類と軟化点、流動温度（封着）点、封着材の仮焼成温度、封着排気炉の非酸化性乾燥ガスに還元性ガスを混合したガスの種類と混合量、露点温度、封着時の非酸化性乾燥ガスに還元性ガスを混合したガスの流量、真空排気時の排気温度、等のデータと、放電開始電圧Ｖｆの各値について、表１にまとめて示す。サンプル１〜５はすべて、仮焼成工程の最高温度を設定する際において、封着材の軟化点未満の温度に設定した。
［０２７９］
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2010140307.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月4日(2011.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、単に「ＰＤＰ」という。）の製造方法に関し、特に保護層への不純物混入を効果的に除去するとともに、保護層の改質を図る技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピューターやテレビ等の用途のディスプレイ装置としてプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ、以下「ＰＤＰ」と記載する）が注目されている。ＰＤＰは、気体放電からの放射を利用した平面表示装置であって、高速表示や高精細表示、並びに大型化・薄型軽量化が比較的容易であり、映像表示装置や広報表示装置などの分野で広く実用化されている（特許文献１）。ＰＤＰには直流型（ＤＣ型）と交流型（ＡＣ型）がある。このうち面放電型ＡＣ型ＰＤＰが寿命特性や大型化の面で特に高い技術的ポテンシャルを持ち、商品化されている。
【０００３】
代表的な従来のＡＣ型ＰＤＰは、一対の基板（前面基板と背面基板）を、放電空間を挟んで対向配置させ、両基板周囲に低融点ガラスなどの封着材を含む封着部を形成して内部封止した構成を有する。
【０００４】
前面基板は、ベースとなる前面ガラス基板の一方の主面上に、Ａｇペーストを塗布・焼成することで一対の帯状電極からなる表示電極が複数対にわたり形成され、各表示電極を覆うように、ガラスペーストを塗布・焼成して、酸化鉛を主成分とする誘電体ガラス層が形成されている。誘電体ガラス層の上には、スパッタリング法等により酸化マグネシウム（ＭｇＯ）やこれを主成分として含む保護層が積層されている。
【０００５】
背面基板は、背面ガラス基板の一方の主面上に、Ａｇペーストを塗布・焼成して、帯状のアドレス（データ）電極が複数にわたり並設される。その上に上記と同様の方法で、誘電体ガラス層が順次積層される。この保護層の上には各々のアドレス電極を区画するように、ガラスペーストを塗布・焼成して隔壁がストライプ状に設けられる。さらに隣接する隔壁の各側面とその間の誘電体ガラス層の表面には、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの色に対応する蛍光体インクを塗布し、これを５００℃程度で焼成してペースト中の樹脂成分を除去することで蛍光体層が形成される。
【０００６】
前記蛍光体層を形成した背面基板の表面には、基板の周囲に対し、酸化鉛系ガラスと酸化物フィラーを含む封着材に、樹脂（バインダー）と溶剤とを混合してなる封着材ペーストが塗布される。製造工程において、封着材ペーストは仮焼成により加熱され、ペースト中の有機成分をある程度除去される。そして、表示電極が形成された前面基板の表面と、アドレス電極が形成された背面基板の表面を対向させ、表示電極とアドレス電極が直交するように両基板を重ね合わせて位置決めする。この状態で、本焼成（封着工程）を行って封着部を形成することで、両基板間の内部封止が図られる。
【０００７】
これらの一対の基板において、背面基板の隔壁の頂部が前面基板側と当接することで、隣接隔壁の間で放電セルが区画されて形成される。隣接隔壁の間の空間は放電空間であり、前記封着工程後に両基板内部のガスを排気したのち、放電ガスとしてＸｅ−Ｎｅ系あるいはＸｅ−Ｈｅ系等の希ガスが所定圧力（通常４０ＫＰａ〜８０ＫＰａ）で封入される。
【０００８】
このＰＤＰで画像表示するためには、１フィールドの映像を複数のサブフィールド（Ｓ．Ｆ．）に分割する階調表現方式（例えばフィールド内時分割表示方式）が用いられる。駆動時に所定のタイミングで表示電極及びアドレス電極に給電することによって、放電空間で放電が発生する。この放電に伴い、放電ガスがイオン化して放電空間内に真空紫外線（主には波長１４７ｎｍを主体とする共鳴線と波長１７３ｎｍを主体とする分子線）が発生する。この真空紫外線が蛍光体層を励起発光させることで、可視光発光がなされ、パネル全体でカラー表示がなされることとなる。
【０００９】
ところで近年、ＰＤＰの用途の多様化により、様々な規格のＰＤＰが存在する。具体的には、横方向（水平方向）に８５２本、縦方向（垂直方向）に４８０本）の走査線数を持つ従来の標準（ＳＤ）パネルに加え、横方向に１０２４本、縦方向に７６８本の走査線数を持つハイビジョン（ＨＤ）パネルがある。さらに現在では、ハイビジョンパネルよりも高精細なフルハイビジョン（フルＨＤ）パネルが製造され、それ以上に高精細なパネルの開発もなされている。
【００１０】
ＰＤＰの高精細化は、画素数の増大を伴う。例えば４２インチのフルＨＤパネルでは、画素数が横方向に１９２０個×縦方向に１０８０個となり、横方向のセルピッチは０．１６ｍｍ程度となる。さらに、フルＨＤパネルよりも高精細な超高精細パネルの場合、５０インチのサイズでは画素線数が横方向に４０００個程度、縦方向に２０００個程度と膨大になる。また、横方向のセルピッチは０．１ｍｍ程度と極めて微細なサイズになる。
【００１１】
このような膨大且つ微細な放電セルを用いて良好な画像表示性能を得るためには、必要な放電発光を所定タイミングで確実に行う必要がある。その方法の一つとして、放電ガス中のＸｅ分圧を増やす（例えばＮｅ−Ｘｅ系ガスのＸｅ分圧を従来の１０％程度から３０％程度まで増大させる）と、発光輝度の向上が望めることが知られている。
【００１２】
一方、近年の電化製品には消費電力を低減させる要求が存在し、低電力駆動が望まれている。しかしながら、上記のように放電ガス中のＸｅ分圧を増やすと放電電圧が上昇し、消費電力が増大しやすくなる問題がある。また、駆動電圧が大きくなるために耐圧ドライバが必要となり、ドライバ回路を中心とするコスト増加の問題もある。さらには、放電強度が高まるため、放電に曝される保護層が摩耗しやすくなり（耐スパッタ性の低下）、ひいてはＰＤＰ自体の寿命が短くなるという問題がある。
【００１３】
そこで従来では、保護層が有する二次電子放出特性を良好に維持することで、放電電圧の低減を図り、消費電力の低減をねらう対策が幾つか講じられている。保護層は製造過程において、封着材ペースト等に含まれる各種樹脂や溶媒、溶剤等の有機性不純物や、この不純物が仮焼成工程や封着工程で焼失する際に生じる炭素ガスや水蒸気などの不純物ガス（以下、まとめて単に「不純物」と称する。）を吸着し、変質しやすい性質を有するが、このような吸着を防止したり、吸着しにくい保護層材料を用いることによって保護層の二次電子放出特性を維持することが考えられている。
【００１４】
具体的には特許文献３、４、非特許文献３に示すように、ＭｇＯの代わりにＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物を用いた複合酸化膜で保護層を構成するとともに、放電ガス封入前の放電空間を１×１０−４Ｐａ程度の真空度まで排気して、不純物を除去する方法が提案されている。この従来技術では、併せて保護層形成工程から封着工程までを、乾燥雰囲気に調整した空気、Ｎ２、Ｏ２のいずれかの雰囲気中で連続して行い、Ｈ２Ｏ等の不純物が保護層に混入するのを効果的に防止する方法が示されている。
【００１５】
また特許文献５には、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯ等のアルカリ土類金属酸化物を用いた複合酸化膜からなる保護層を形成するとともに、当該保護層に雰囲気中のＨ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２が吸着したり、保護層と不要な反応を生ずるのを防止し、放電空間内の不純物ガスを効率よく排気する目的で、封着工程及び排気工程を真空中で一貫して行う方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００３−１３１５８０号公報
【特許文献２】特開２００５−１５７３３８号公報
【特許文献３】特開２００２−２３１１２９号公報、
【特許文献４】特開２００７−２６５７６８号公報
【特許文献５】特開２００７−１１９８３３号公報
【非特許文献３】ＮＨＫ技研Ｒ＆Ｄ  Ｎｏ．１０３  ２００７．５  ｐｐ３２−３９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上記したいずれの従来技術でも、保護層への不純物の混入を効果的に除去できるとは言い難い。
すなわち、封着材ペーストに起因する不純物は、仮焼成工程及び封着工程において高温で加熱されることでガス化され、その大半が排気工程で排気除去されるが、それでも完全に不純物を除去することは難しい。また、一定温度以上の高温で封着材ペーストを加熱すると、当該ペースト由来の有機成分が重合することによるタールの発生を招き、かえって不純物が除去しにくくなることが、本願発明者らの鋭意検討によって明らかにされている。
【００１８】
また、上記アルカリ土類金属の複合酸化膜からなる保護層は、良好な二次電子放出特性を有するものの、現状ではＭｇＯを含んでなる保護層の方がより優れた二次電子放出特性を発揮しやすい。したがって、消費電力を低減する目的から、保護層材料としてはなるべくＭｇＯ系材料を用いたいという要求がある。
【００１９】
このように、消費電力が低く、かつ、優れた画像表示性能を発揮できる高精細化なＰＤＰを実現するためには、未だ解決すべき課題が存在する。
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、たとえ高精細パネルであっても、不純物の吸着によってＭｇＯを含む保護層が変質するのを防止することで、良好な画像表示性能を比較的低い消費電力駆動で発揮することの可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記課題を解決するために、本発明は、背面基板又は表面にＭｇＯを含む保護層が形成された前面基板のうち、一方の基板の主面の周囲に封着材を含むペーストを配設し、前記ペーストに含まれるバインダーの消失温度以上かつ封着材の軟化点温度未満の温度を仮焼成最高温度として、前記塗布したペーストを焼成する仮焼成工程と、前記仮焼成工程後に、前記一方の基板の主面に他方の基板の主面を対向配置させ、前記両基板を重ね合わせる位置決め工程と、位置決め工程後に、非酸化性ガスと還元性ガスの混合雰囲気下で、所定の封着温度で焼成して前記両基板を封着させる封着工程と、前記封着工程後に、前記両基板間のガスを排気させる排気工程とを有し、前記仮焼成工程では、前記最高温度で焼成を行った後、前記両基板の温度をバインダー消失温度未満且つ室温より高い第一温度まで下降させる第一降温ステップと、第一降温ステップ後に、前記両基板の温度を前記第一温度から室温まで温度降下させる第二降温ステップとを含み、第一降温ステップの降温速度を４００℃/ｈｒ以上とし、第一降温ステップに係る時間を２０分以上３０分以下とし、第二降温ステップの降温速度を７５℃/ｈｒ以下とし、第一降温ステップを、第二降温ステップよりも短時間で行うものとした。
【００２１】
ここで前記第一降温ステップにおける前記第一温度を２００℃に設定することもできる。
また、前記第二降温ステップの時間を、第一降温ステップの時間よりも５倍以上長時間に設定することもできる。
【００２２】
また、前記仮焼成最高温度を、前記軟化点よりも１０℃以上低い温度に設定することもできる。
また、前記仮焼成最高温度を、前記軟化点よりも１０℃から５０℃低い温度とすることもできる。
【００２３】
さらに、前記仮焼成工程では、前記封着材として低融点ガラスを成分に含む封着材を用い、当該低融点ガラスのガラス転移点以上かつ当該低融点ガラスの軟化点よりも１０℃以下の低い温度で焼成を実施することもできる。
【００２４】
また、前記封着工程では、前記封着温度として前記軟化点温度より４０℃以上の高い温度に設定することもできる。
また封着工程では、非酸化性ガスとしてＮ２ガスあるいはＡｒガスを用い、還元性ガスとしてＨ２ガスを用いることができる。
【００２５】
また、前記混合雰囲気中における前記Ｈ２ガス分圧が０．１％以上３％以下であるものとすることができる。
また、前記仮焼成工程は、露点が−４５℃以下のＮ２雰囲気下で行うものとすることもできる。
【００２６】
また、前記仮焼成工程は、Ｏ２を１％以下の分圧で含有するＮ２雰囲気下で行うものとすることもできる。
また、前記封着工程では、前記両基板の温度を室温から前記封着温度まで上昇させる封着温度上昇ステップと、前記封着温度上昇ステップ後に前記封着温度を一定時間維持する封着温度維持ステップと、前記封着温度維持ステップ後に、前記両基板の温度を前記封着温度から前記軟化点未満の温度まで下降させる封着温度下降ステップとを、少なくとも含むものとすることもできる。
【００２７】
また、前記排気工程では、前記両基板を室温以上、前記軟化点未満の温度で一定時間維持する排気温度維持ステップと、前記排気温度維持ステップ後に、前記両基板温度を室温まで下降させる排気温度下降ステップとを、順次、それぞれ減圧雰囲気下で行うものとすることもできる。
【００２８】
また前記封着工程前において、背面基板の主面に隣接する隔壁を０．１６ｍｍ以下のピッチに設定して複数併設するとともに、隣接する前記各隔壁間に蛍光体層を形成し、前記排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入することもできる。
【００２９】
また前記封着工程前において、パネル画素数が横方向に１９２０個以上で且つ縦方向に１０８０個以上となるように、背面基板の主面に隣接する隔壁のピッチを設定して複数の隔壁を併設するとともに、隣接隔壁間に蛍光体層を形成し、排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入することもできる。
【００３０】
また本発明は、上記した本発明のいずれかのプラズマディスプレイパネルの製造方法によって作製されたプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、当該プラズマディスプレイパネルは、走査電極と維持電極とで構成された表示電極対を複数備えるとともに複数のデータ電極を備え、前記表示電極対と前記データ電極とが交差する位置のそれぞれに放電セルを備えており、前記複数の表示電極対を複数の表示電極対グループに分け、前記表示電極対グループ毎に、放電セルで書込み放電を発生させる書込み期間と前記放電セルで維持放電を発生させる維持期間とを有する複数のサブフィールドを用いて１フィールド期間を分割し、前記表示電極対グループの数をＮ（Ｎは２以上の整数）、パネル全体の放電セルで１回の書込み動作を行うために必要な時間をＴｗとするとき、各表示電極対グループの各サブフィールドの維持期間の時間を、Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎ以下に設定して駆動するプラズマディスプレイパネルの駆動方法とした。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、仮焼成工程において、封着材の軟化点温度よりも低い温度を最高温度として仮焼成を実施する。このような温度設定を行うことで、封着材のペースト由来の有機成分は、当該仮焼成工程以後、低分子状態のままで両基板間に残留させることができる。
【００３２】
さらに本発明では、仮焼成工程において両基板を前記最高温度で焼成した後、２段階の降温ステップに分けて両基板の温度を室温まで降下させている。ここで、第一降温ステップとして、前記最高温度からバインダー消失温度未満且つ室温よりも高い第一温度まで、これに続く第二降温ステップに比べて急激に温度降下させる。これにより、封着材のペースト中に含まれる低分子状態の有機成分が、前記最高温度の高温に長時間曝されて過度に分解されるのを防止できる。その結果、過度に分解された有機成分が封着部中に取り込まれて除去困難となる問題を回避することができる。また、第二降温ステップを第一降温ステップに比べて緩やかな時間で行うことで、急速冷却による基板の損傷を防止できる。
【００３３】
このように本発明では、封着材のペースト由来の有機成分は低分子状態として両基板間に良好に残留されるので、その他の不純物とともに、当該有機成分を排気工程において効率よく除去することができる。これにより従来のように、前記有機成分が過度に加熱されて重合し、タール化したり、高温で過度に分解されて封着部中に取り込まれ、ＰＤＰ完成後も封着材のガラス成分中に残存するおそれが低減される。
【００３４】
従来、封着材ペーストの有機成分に由来して発生したタールは蒸気圧が低く、排気工程でも除去しにくいために基板間に残存する。このため前記タールはＭｇＯを含む保護層を劣化させてＰＤＰの放電電圧を上昇させる原因等になるが、本発明では上記のようにタールの発生を抑制するとともに、排気工程において有機成分を効率よく除去できるので、不純物の吸着によるＰＤＰの保護層の劣化を抑制できる。
【００３５】
また、封着工程を非酸化性雰囲気または還元雰囲気で実施することにより、封着材ペーストの有機成分の重合を防止し、排気工程において前記有機成分を低分子状態のままで良好に除去できる。これにより、保護層の変質が抑制されるとともに、封着工程を還元性雰囲気で実施した場合には保護層の不要な酸化を防止し、結晶構造を改質して、二次電子放出特性を向上させる効果も期待できる。
【００３６】
その結果、本発明のＰＤＰにおいては、優れた二次電子放出特性が発揮され、良好な放電開始電圧の低減効果とともに、高速応答性の基に優れた画像表示性能の発揮を期待できる。
【００３７】
このような本発明は、特に高精細・超高精細パネル、あるいは大画面のパネルに適用することによって、極めて有効な効果を発揮できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施の形態１におけるＰＤＰの概略構成を示す断面斜視図である。
【図２】実施の形態１におけるＰＤＰの電極配列図である。
【図３】実施の形態１のＰＤＰ装置の回路ブロック図である。
【図４】実施の形態１のＰＤＰ装置における走査電極駆動回路の回路図である。
【図５】実施の形態１のＰＤＰ装置における維持電極駆動回路の回路図である。
【図６】実施の形態１のＰＤＰ装置におけるＰＤＰの、他の電極配列図である。
【図７】実施の形態１のＰＤＰ装置におけるＰＤＰの、他の走査電極駆動回路の回路図である。
【図８】実施の形態１のＰＤＰ装置の駆動時におけるタイムチャートを説明するための図である。
【図９】実施の形態１のＰＤＰ装置におけるサブフィールド構成の設定方法を説明するための図である。
【図１０】実施の形態１のＰＤＰ装置におけるＰＤＰの各電極に印加する駆動電圧波形を示す図である。
【図１１】実施の形態１のＰＤＰ装置が備えるＰＤＰの製造方法を説明するためのフロー図である。
【図１２】本発明の仮焼成工程の温度プロファイルを示す図である。
【図１３】封着装置とガス導入装置等の配管構造を示す図である。
【図１４】封着工程、排気工程、放電ガス導入工程の温度プロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態について、各図面を用いて説明する。まず高精細セル構造を有するＰＤＰと、当該ＰＤＰに適した駆動方法を説明する。続いて保護層への不純物の吸着を抑制してＰＤＰを製造する方法を説明する。なお、当然ながら本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、その発明の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。
【００４０】
＜実施の形態１＞
（ＰＤＰ装置の構成）
実施の形態１のＰＤＰ装置１０００は、ＰＤＰ１に対し、所定の駆動回路１１１〜１１３等を接続して構成される。
【００４１】
図１はＰＤＰ１の概略構成を示す部分斜視図であって、当該ＰＤＰ１周囲の封着部周辺領域を部分的に示すものである。また図２は、ＰＤＰ１における電極配列の全体構成を模式的に示す図である。
【００４２】
図１に示すように、ＰＤＰ１は、第１の基板である前面基板（フロントパネル）２と第２の基板である背面基板（バックパネル）９を、互いの内側主面が対向するように配置し、両基板２、９の周囲が封着部１６で封止されてなる。
【００４３】
前面基板２の基板となる前面基板ガラス３には、その一方の主面に所定の放電ギャップを形成するように配設された一対の表示電極対６（走査電極４、維持電極５。図１中では図２のＳＣ１、ＳＵ１を図示している）が、複数対にわたり、ストライプ状に形成されている。
【００４４】
ここで各表示電極対６は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）等の導電性金属酸化物を透明導電性材料とする帯状の透明電極５１、４１に対して、Ａｇ厚膜、Ａｌ薄膜、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜などによるバスライン５２、４２が積層された構成である。このバスライン５２、４２によって透明電極５１、４１のシート抵抗が下げられる。なお、表示電極対６は、Ａｇ等の金属材料のみで構成することもできる。また電極形状は帯状に限定せず、複数の細線を用いて構成したり、所望のパターンで構成することもできる。
【００４５】
表示電極対６を配設した前面基板ガラス３には、その主面全体にわたり、酸化鉛（ＰｂＯ）又は酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）又は酸化燐（ＰＯ４）、あるいは酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする低融点ガラス（厚み３０μｍ程度）の誘電体層７が、スクリーン印刷法等によって形成されている。ここで誘電体層７は、ＡＣ型ＰＤＰ特有の電流制限機能を有し、ＤＣ型ＰＤＰに比べて長寿命化を実現する要素になっている。
【００４６】
保護層８は、放電時のイオン衝撃から誘電体層７を保護し、放電開始電圧を低減させる目的で配される薄膜であって、耐スパッタ性及び二次電子放出係数γに優れるＭｇＯを含む材料により形成される。当該材料は、さらに良好な光学透明性、電気絶縁性を有する。
【００４７】
一方、背面基板９の基板となる背面基板ガラス１０には、その一方の主面に、Ａｇ厚膜、Ａｌ薄膜、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層薄膜などによるデータ（アドレス）電極１１（図１中では、図２のＤ１〜Ｄ４を図示している）が、ｘ方向を長手方向としてｙ方向に一定間隔毎でストライプ状に並設される。
【００４８】
そして、各々のデータ電極１１を内包するように、背面基板ガラス９の全面にわたって、誘電体層１２が配設されている。なお、誘電体層１２は上記７と同様の構成であるが、可視光反射層としても機能させるため、ガラス材料中にＴｉＯ２粒子等の可視光反射特性を有する粒子を分散させるように混合してもよい。
【００４９】
誘電体層１２の上には、さらに隣接するデータ電極１１の間隙に合わせ、井桁状の隔壁１３（隔壁部１２３１、１２３２の組み合わせ）が形成され、これにより放電セルが区画される。放電セルは、この隔壁１３により区画されることで、隣接間での誤放電や光学的クロストークの発生は防止できる。隔壁１３のピッチを設定することで、ＰＤＰ１の放電セルを横方向に１９２０個以上、且つ、縦方向に１０８０個以上にわたり形成することができる。
【００５０】
なお、隔壁１３は井桁状に限定されず、ストライプ状、ハニカム状（パネルの厚み方向深さが深いものも含む）等、各種形状に形成することができる。
隣接する２つの隔壁１３の側面とその間の誘電体層１２の面上には、カラー表示のための赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各々に対応する蛍光体層１４（１４（Ｒ）、１４（Ｇ）、１４（Ｂ）のいずれか）が形成されている。
【００５１】
なお、誘電体層１２は必須ではなく、データ電極１１を直接蛍光体層１４で覆うような構成であっても良い。
前面基板２と背面基板９は、それぞれ表示電極対６とデータ電極１１が形成された各表面を対向させ、表示電極対６とデータ電極１１の互いの長手方向が交差するように位置合わせされた状態で、両基板２、９の外周縁部が所定の封着材を含む封着部１６で気密に接合（封着）されている。そして、両基板２、９の間に確保される放電空間１５には、Ｈｅ、Ｘｅ、Ｎｅ等を含む不活性ガス成分による放電ガス（ここではＸｅを１５体積％以上で含むＮｅ−Ｘｅ系ガス）が所定圧力で封入される。
【００５２】
放電空間１５は隣接隔壁１３の間のスペースであり、隣り合う一対の表示電極対６と１本のデータ電極１１が放電空間１５を挟んで交差するそれぞれの位置に合わせ、画像表示にかかる放電セル（「サブピクセル」とも言う）が形成されている。そして、隣り合うＲＧＢの各色に対応する３つの放電セルで１画素が構成される。
【００５３】
図２に示すように、ＰＤＰ１の全体では、行方向（図１のＹ方向）に延伸されたｎ本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣｎ（図１の走査電極４）、および同方向にｎ本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵｎ（図１の維持電極５）が延伸して配列される。また、列方向（図１のＸ方向）にｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍ（図１のデータ電極１１）が延伸して配列される。ＰＤＰ１では、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｊ（ｊ＝１〜ｍ）とが交差した部分に対応して、マトリクス状に複数（ｍ×ｎ個）の放電セル（図中の点線で囲まれた部分）が形成されている。ＰＤＰ１に形成する表示電極対６の数は特に制限されないが、本実施の形態においてはｎ＝２１６０として説明する。
【００５４】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０からなる２１６０対の表示電極対６は、複数の表示電極対グループに分けられる。表示電極対グループの数Ｎの決め方については後述することとして、本実施の形態においては、パネル領域を上下に２分割して２つの表示電極対グループ（Ｎ＝２）に分けたとして説明する。図２に示したように、パネル領域の上半分に位置する表示電極対６を第１の表示電極対グループとし、パネル領域の下半分に位置する表示電極対６を第２の表示電極対グループとする。すなわち１０８０本の走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および１０８０本の維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が第１の表示電極対グループに属し、１０８０本の走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および１０８０本の維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が第２の表示電極対グループに属している。
【００５５】
次に、図３はＰＤＰ装置１０００の回路ブロック図である。ＰＤＰ装置１０００は、上記したＰＤＰ１に加え、画像信号処理回路１１０、データ電極駆動回路１１３、走査電極駆動回路１１１、維持電極駆動回路１１２、タイミング発生回路１１４および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）等で構成されている。このうち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０は駆動回路１１１、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０は駆動回路１１２、データ電極Ｄ１〜Ｄｍは駆動回路１１３にそれぞれ電気接続される。
【００５６】
画像信号処理回路１１０は、外部より入力される画像信号をサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
データ電極駆動回路１１３は、ｍ本のデータ電極Ｄ１〜Ｄｍのそれぞれに電圧Ｖｄまたは電圧０（Ｖ）を印加するためのｍ個のスイッチを備えている。そして画像信号処理回路１１０から出力された画像データを各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに対応する書込みパルスに変換し、各データ電極Ｄ１〜Ｄｍに印加する。
【００５７】
タイミング発生回路１１４は、水平同期信号、垂直同期信号をもとにして各回路の動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路へ供給する。
走査電極駆動回路１１１は、タイミング信号にもとづいて第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０を駆動する。
【００５８】
維持電極駆動回路１１２は、タイミング信号にもとづいて第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０および第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０を駆動する。
【００５９】
続いて、図４は走査電極駆動回路１１１の回路図である。走査電極駆動回路１１１は、走査電極側維持パルス発生回路５００（以下、単に「維持パルス発生回路５００」と略称する）、傾斜波形発生回路６００、走査パルス発生回路７００ａ、走査パルス発生回路７００ｂ、走査電極側スイッチ回路７５０ａ（以下、単に「スイッチ回路７５０ａ」と略称する）、走査電極側スイッチ回路７５０ｂ（以下、単に「スイッチ回路７５０ｂ」と略称する）等で構成される。
【００６０】
維持パルス発生回路５００は、電力回収部５１０と電圧クランプ部５５０とを有し、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０または第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に印加する維持パルスを発生する。
【００６１】
電力回収部５１０は、電力回収用のコンデンサＣ５１０、スイッチング素子Ｑ５１０、Ｑ５２０、逆流防止用のダイオードＤ５１０、Ｄ５２０、共振用のインダクタＬ５１０、Ｌ５２０を有し、各々の対の表示電極間の電極間容量とインダクタＬ５１０またはインダクタＬ５２０とをＬＣ共振させて維持パルスの立上りおよび立下りを行う。維持パルスの立上り時には、電力回収用のコンデンサＣ５１０に蓄えられている電荷をスイッチング素子Ｑ５１０、ダイオードＤ５１０およびインダクタＬ５１０を介して電極間容量に移動する。維持パルスの立下り時には、電極間容量に蓄えられた電荷を、インダクタＬ５２０、ダイオードＤ５２０およびスイッチング素子Ｑ５２０を介して電力回収用のコンデンサＣ５１０に戻す。このように、電力回収部５１０は電源から電力を供給されることなくＬＣ共振によって維持パルスの立上りおよび立下りを行うため、理想的には消費電力が「０」となる。なお、電力回収用のコンデンサＣ５１０は電極間容量に比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収部５１０の電源として働くように、電圧Ｖｓの半分の約Ｖｓ／２に充電されている。
【００６２】
電圧クランプ部５５０は、スイッチング素子Ｑ５５０、Ｑ５６０を有する。そしてスイッチング素子Ｑ５５０をオンにすることにより、維持パルス発生回路５００の出力電圧（図４の節点Ｃの電圧）を電圧Ｖｓにクランプする。また、スイッチング素子Ｑ５６０をオンにすることにより、維持パルス発生回路５００の出力電圧を電圧０（Ｖ）にクランプする。したがって、電圧クランプ部５５０による電圧印加時のインピーダンスは小さく、維持放電による大きな放電電流を安定して流すことができる。
【００６３】
こうして維持パルス発生回路５００は、スイッチング素子Ｑ５１０、Ｑ５２０、Ｑ５５０、Ｑ５６０を制御することによって維持パルスを発生する。なお、これらのスイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。ただし、図４にはスイッチング素子としてＩＧＢＴを用いた回路構成を示した。スイッチング素子Ｑ５５０、Ｑ５６０としてＩＧＢＴを用いる場合には制御する電流の方向と逆の方向の電流経路を確保する必要がある。そのため図４に示したように、スイッチング素子Ｑ５５０に並列にダイオードＤ５５０を接続し、スイッチング素子Ｑ５６０に並列にダイオードＤ５６０を接続している。また図４には示していないが、ＩＧＢＴを保護するためにスイッチング素子Ｑ５１０およびスイッチング素子Ｑ５２０のそれぞれに並列にダイオードを接続してもよい。
【００６４】
またスイッチング素子Ｑ５９０は分離スイッチであり、初期化期間に節点Ｃの電圧がＶｉ２のようにＶｓよりも上昇する際にダイオードＤ５５０を介して電流が後述する傾斜波形発生回路６００から電圧Ｖｓに向かって逆流するのを防止するために設けられている。
【００６５】
傾斜波形発生回路６００は、２つのミラー積分回路６１０、６２０を備えている。ミラー積分回路６１０は、傾斜波形発生回路６００の出力電圧（図４の節点Ｃの電圧）を電圧Ｖｔに向かって緩やかに上昇させる。またミラー積分回路６２０は、傾斜波形発生回路６００の出力電圧を電圧Ｖｒに向かって緩やかに上昇させる。
【００６６】
走査パルス発生回路７００ａは、電圧Ｖｐの電源Ｅ７１０ａと、ミラー積分回路７１０ａと、スイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ１０８０と、スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ１０８０とを有する。ミラー積分回路７１０ａは、電源Ｅ７１０ａの低圧側の電圧（図４の節点Ａの電圧）を電圧Ｖａに向かって緩やかに降下させる。また電源Ｅ７１０ａの低圧側の電圧を電圧Ｖａにクランプする。スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ１０８０のそれぞれは、対応する走査電極に電源Ｅ７１０ａの低圧側の電圧を印加し、スイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ１０８０のそれぞれは、対応する走査電極に電源Ｅ７１０ａの高圧側の電圧を印加する。
【００６７】
走査パルス発生回路７００ｂは走査パルス発生回路７００ａと同様の構成であり、電圧Ｖｐの電源Ｅ７１０ｂと、ミラー積分回路７１０ｂと、スイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１０８１〜Ｑ７１０Ｈ２１６０と、スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１０８１〜Ｑ７１０Ｌ２１６０とを有する。そして第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０のそれぞれに電源Ｅ７１０ｂの高圧側の電圧または低圧側の電圧を印加する。
【００６８】
スイッチ回路７５０ａはスイッチング素子Ｑ７６０ａを有し、維持パルス発生回路５００および傾斜波形発生回路６００と走査パルス発生回路７００ａとを電気的に接続または分離する。スイッチ回路７５０ｂはスイッチング素子Ｑ７６０ｂを有し、維持パルス発生回路５００および傾斜波形発生回路６００と走査パルス発生回路７００ｂとを電気的に接続または分離する。
【００６９】
上記の走査電極駆動回路１１１を用いることで、後述する図１０に示す駆動波形を第１の表示電極対グループである走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および第２の表示電極対グループである走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に印加することができる。
【００７０】
以下、具体的な当該回路１１１の動作を説明する。
初期化期間においては、スイッチ回路７５０ａ、７５０ｂのそれぞれのスイッチング素子Ｑ７６０ａ、Ｑ７６０ｂをオンし、走査パルス発生回路７００ａ、７００ｂのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ２１６０をオン、Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ２１６０をオフすることにより、傾斜波形発生回路６００からの出力に電圧Ｖｐを上乗せした電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。続いて、スイッチ回路７５０ａ、７５０ｂのそれぞれのスイッチング素子Ｑ７６０ａ、Ｑ７６０ｂをオフし、走査パルス発生回路７００ａ、７００ｂのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ２１６０をオフ、Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ２１６０をオンした後、ミラー積分回路７１０ａ、７１０ｂをオンすることで、電圧Ｖｉ４までの下り傾斜電圧を走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。その後、Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ２１６０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ２１６０をオンすることで電圧Ｖｃを走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に一斉に印加することができる。
【００７１】
第１の表示電極対グループの書込み期間においては、スイッチ回路７５０ａのスイッチング素子Ｑ７６０ａをオフ、ミラー積分回路７１０ａをオンした状態で、各スイッチング素子Ｑ７１０ＨｎおよびＱ７１０Ｌｎをオンオフすることで、対応する走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加することができる。これは、第２の表示電極対グループの書込み期間も同様の方法で対応する走査電極ＳＣｎに走査パルスを印加することができる。
【００７２】
第１の表示電極対グループの維持期間においては、スイッチ回路７５０ａのスイッチング素子Ｑ７６０ａをオン、走査パルス発生回路７００ａのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ１０８０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ１０８０をオンすることで、維持パルス発生回路５００の出力を第１の表示電極対グループＳＣ１〜ＳＣ１０８０に印加することができる。この時、第２の表示電極対グループは書込み期間であるため、スイッチ回路７５０ｂのスイッチング素子Ｑ７６０ｂはオフされており、維持パルス発生回路５００の出力は第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に何ら影響しない。したがって、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に対しては維持パルス発生回路５００の出力に依存せずに、上述する書込み動作を行うことができる。
【００７３】
第２の表示電極対グループが維持期間、第１の表示電極対グループが書込み期間の場合も同様に、スイッチ回路７５０ａのスイッチング素子Ｑ７６０ａがオフされているので、維持パルス発生回路５００の出力は第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には何ら影響しない。
【００７４】
続く第１の表示電極対グループの前半の消去期間においては、スイッチ回路７５０ａのスイッチング素子Ｑ７６０ａをオンし、走査パルス発生回路７００ａのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ１〜Ｑ７１０Ｈ１０８０をオフ、スイッチング素子Ｑ７１０Ｌ１〜Ｑ７１０Ｌ１０８０をオンすることで、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に傾斜波形発生回路６００からの出力を印加する。
【００７５】
この時、第２の表示電極対グループは書込み期間（より正確には書込み動作を中断している期間）であり、スイッチ回路７５０ｂのスイッチング素子Ｑ７６０ｂはオフされているため、傾斜波形発生回路６００の出力電圧は第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に何ら影響しない。
【００７６】
続く休止期間および後半の消去期間についても同様であり、スイッチング素子Ｑ７６０ｂがオフされているため、第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０には傾斜波形発生回路６００の出力電圧は何ら影響しない。
【００７７】
以上説明したように、走査電極駆動回路１１１はスイッチ回路７５０ａ、７５０ｂは下り傾斜電圧を印加する期間と書込み期間においてオフすることで、もう一方の表示電極対グループの印加電圧に影響を受けずに所望の電圧を印加することができる。
【００７８】
続いて図５は、維持電極駆動回路１１２の回路図である。維持電極駆動回路１１２は、維持電極側維持パルス発生回路８００（以下、単に「維持パルス発生回路８００」と略称する）、一定電圧発生回路９００ａ、一定電圧発生回路９００ｂ、維持電極側スイッチ回路１００ａ（以下、単に「スイッチ回路１００ａ」と略称する）、維持電極側スイッチ回路１００ｂ（以下、単に「スイッチ回路１００ｂ」と略称する）を備えている。
【００７９】
維持パルス発生回路８００は、電力回収部８１０と電圧クランプ部８５０とを有し、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０または第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加する維持パルスを発生する。
【００８０】
電力回収部８１０は、電力回収用のコンデンサＣ８１０、スイッチング素子Ｑ８１０、Ｑ８２０、逆流防止用のダイオードＤ８１０、Ｄ８２０、共振用のインダクタＬ８１０、Ｌ８２０を有し、電力回収部５１０と同様にして、各一対の表示電極間の電極間容量とインダクタＬ８１０またはインダクタＬ８２０とをＬＣ共振させて維持パルスの立上りおよび立下りを行う。
【００８１】
電圧クランプ部８５０は、スイッチング素子Ｑ８５０、Ｑ８６０を有し、電圧クランプ部５５０と同様にして、維持パルス発生回路８００の出力電圧（図５の節点Ｄの電圧）を電圧Ｖｓまたは電圧０（Ｖ）にクランプする。
【００８２】
一定電圧発生回路９００ａは、スイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９２０ａ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａを有する。スイッチング素子Ｑ９３０ａとスイッチング素子Ｑ９４０ａとは制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そしてスイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａを介して第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ１を印加し、スイッチング素子Ｑ９２０ａ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａを介して維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ２を印加する。
【００８３】
一定電圧発生回路９００ｂは、一定電圧発生回路９００ａと同様の構成であり、スイッチング素子Ｑ９１０ｂ、Ｑ９２０ｂ、Ｑ９３０ｂ、Ｑ９４０ｂを有する。そして第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に一定電圧Ｖｅ１または一定電圧Ｖｅ２を印加する。
【００８４】
なお、これらのスイッチング素子も、ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴ等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。ただし、図５にはＭＯＳＦＥＴおよびＩＧＢＴを用いた回路構成を示した。スイッチング素子Ｑ９４０ａ、Ｑ９４０ｂにはＩＧＢＴを用いており、制御する電流の方向と逆の方向の電流経路を確保するためにスイッチング素子Ｑ９４０ａに並列にダイオードＤ９４０ａを接続し、スイッチング素子Ｑ９４０ｂに並列にダイオードＤ９４０ｂを接続している。
【００８５】
また、スイッチング素子Ｑ９４０ａは維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０から電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２の電源に向かって電流を流すために設けられているが、電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２の電源から維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に向かってのみ電流を流す場合にはスイッチング素子Ｑ９４０ａを省略してもよい。スイッチング素子Ｑ９４０ｂについても同様である。
【００８６】
また、スイッチング素子Ｑ９３０ａのゲート・ドレイン間にコンデンサＣ９３０ａを、スイッチング素子Ｑ９３０ｂのゲート・ドレイン間にコンデンサＣ９３０ｂをそれぞれ接続している。これらのコンデンサＣ９３０ａ、Ｃ９３０ｂは電圧Ｖｅ１、Ｖｅ２印加時の立上りを緩やかにするために設けているが、必ずしも必要なものではない。特に、電圧Ｖｅ１、電圧Ｖｅ２をステップ状に変化させる場合はこれらのコンデンサＣ９３０ａ、Ｃ９３０ｂは不要である。
【００８７】
スイッチ回路１００ａはスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａを有し、スイッチング素子Ｑ１０１ａとスイッチング素子Ｑ１０２ａとは制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そして維持パルス発生回路８００と第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０とを電気的に接続または分離する。
【００８８】
スイッチ回路１００ｂはスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂを有し、スイッチング素子Ｑ１０１ｂとスイッチング素子Ｑ１０２ｂとも制御する電流の方向が互いに逆になるように直列接続された双方向のスイッチを形成している。そして維持パルス発生回路８００と第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０とを電気的に接続または分離する。
【００８９】
上記の維持電極駆動回路１１２を用いることで、後述する図１０に示す駆動波形を第１の表示電極対グループである維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０および第２の表示電極対グループである走査電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加することができる。以下、具体的に動作を説明する。
【００９０】
初期化期間においては、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に上り傾斜波形を印加する期間はスイッチ回路１００ａ、１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ａ、Ｑ１０２ｂをオンし、維持パルス発生回路８００の出力を０（Ｖ）にすることで、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に一斉に０（Ｖ）を印加することができる。続く初期化期間の後半である走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に下り傾斜波形を印加する期間は、スイッチ回路１００ａ、１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ａ、Ｑ１０２ｂをオフし、一定電圧発生回路９００ａ、９００ｂのスイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９１０ｂ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９３０ｂ、Ｑ９４０ａ、Ｑ９４０ｂをオンすることで、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に一斉に電圧Ｖｅ１を印加することができる。
【００９１】
書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９１０ｂをオフ、Ｑ９２０ａ、Ｑ９２０ｂをオンすることで電圧Ｖｅ２を出力する。
第１の表示電極対グループが維持期間においては、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａをオン、一定電圧発生回路９００ａのスイッチング素子Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａをオフして、維持パルス発生回路８００が出力する維持パルスを維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に印加することができる。この時第２の表示電極対グループは書込み期間であるが、スイッチ回路１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂはオフされているので、維持パルス発生回路８００が出力する電圧は維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に何ら影響しない。第２の表示電極対グループが維持期間で第１の表示電極対グループが書込み期間の場合も同様である。すなわち、スイッチ回路１００ｂのスイッチング素子Ｑ１０１ｂ、Ｑ１０２ｂをオン、一定電圧発生回路９００ｂのスイッチング素子Ｑ９３０ｂ、Ｑ９４０ｂをオフして、維持パルス発生回路８００が出力する維持パルスを維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加することができる。この時第１の表示電極対グループは書込み期間であるが、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａはオフされているので、維持パルス発生回路８００が出力する電圧は維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に何ら影響しない。
【００９２】
続く第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が消去期間においては、維持パルス発生回路８００から電位０（Ｖ）を出力し、続く休止期間においては、スイッチ回路１００ａのスイッチング素子Ｑ１０１ａ、Ｑ１０２ａをオフ、一定電圧発生回路９００ａのスイッチング素子Ｑ９１０ａ、Ｑ９３０ａ、Ｑ９４０ａをオンすることで維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｅ１を印加することができる。
【００９３】
続く後半の消去期間においては、一定電圧発生回路９００ａのスイッチング素子Ｑ９１０ａをオフ、Ｑ９２０ａをオンすることで電圧Ｖｅ２を維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に印加することができる。これら前半の消去期間、休止期間、後半の消去期間においても、第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には何ら影響しない。
【００９４】
第２の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が消去期間および休止期間であり、第１の表示電極対グループに属する維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が書込み期間である場合も同様に、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に印加する電圧は維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に何ら影響しない。
【００９５】
以上説明したように、維持電極駆動回路１１２はスイッチ回路１００ａ、１００ｂが書込み期間においてオフすることで、もう一方の表示電極対グループの印加電圧に影響を受けずに所望の電圧を印加することができる。
（その他の回路構成について）
本実施の形態において示した維持パルス発生回路、傾斜波形発生回路等は、単に具体例の一つを示したに過ぎない。同様の駆動電圧波形を発生させることができれば他の回路構成であってもよい。
【００９６】
例えば図４に示した電力回収部５１０は、維持パルスの立ち上り時にはスイッチング素子Ｑ５１０、ダイオードＤ５１０、インダクタＬ５１０およびスイッチング素子Ｑ５９０を介してコンデンサＣ５１０の電荷を電極間容量に移動し、維持パルスの立下り時にはインダクタＬ５２０、ダイオードＤ５２０およびスイッチング素子Ｑ５２０を介して電極間容量の電荷をコンデンサＣ５１０に戻す回路構成である。しかしインダクタＬ５１０の一方の端子の接続をスイッチング素子Ｑ５９０のソースから節点Ｃに変更して、維持パルスの立ち上り時にスイッチング素子Ｑ５１０、ダイオードＤ５１０およびインダクタＬ５１０を介してコンデンサＣ５１０の電荷を電極間容量に移動する回路構成としてもよい。また、インダクタＬ５１０とインダクタＬ５２０とを１つのインダクタで兼用する回路構成であってもよい。
【００９７】
また図４に示した傾斜波形発生回路６００は２つのミラー積分回路６１０、６２０を備えた回路構成を示したが、１つの電圧切換回路と１つのミラー積分回路とを備えた回路構成であってもよい。
【００９８】
また、図４に示した電力回収部５１０のコンデンサＣ５１０を削除し、図５に示した電力回収部８１０をすべて削除し、図５の節点Ｄと図４のスイッチング素子Ｑ５１０とＱ５２０との接続点とを接続した回路構成であってもよい。
【００９９】
あるいは、図４に示した電力回収部５１０をすべて削除し、図５に示した電力回収部８１０のコンデンサＣ８１０を削除し、図５のスイッチング素子Ｑ８１０とＱ８２０の接続点と節点Ｃとを接続した回路構成であってもよい。
（その他の表示電極グループについて）
ＰＤＰ１では表示電極対６を合計２１６０対形成し、表示電極対グループを２グループに分ける例を説明したが、本発明ではこのグループ化の方法に限定しない。例えば図６のＰＤＰ１０１に示すように、表示電極対を４３２０対形成するとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍを走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０と交差させ、別のデータ電極Ｄｍ＋１〜Ｄ２ｍを走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ４３２０および維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ４３２０と交差させたパネル構成とすることもできる。このＰＤＰ１０１の構成でもＰＤＰ１と同様の動作をさせることが可能である。
【０１００】
すなわち、第１の表示電極対グループを走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の一対の表示電極対および、走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ３２４０と維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ３２４０の一対の表示電極対とし、第２の表示電極対グループを走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０の一対の表示電極対および、走査電極ＳＣ３２４１〜ＳＣ４３２０と維持電極ＳＵ３２４１〜ＳＵ４３２０の一対の表示電極対とすればよい。データ電極Ｄ１〜Ｄｍは走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０の表示電極対としか交差していないため、走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ４３２０および維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ４３２０がどのような動作を行っても何ら影響されない。同様に、データ電極Ｄｍ＋１〜Ｄ２ｍが走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０にも何ら影響されない。
【０１０１】
したがって、図６に示すＰＤＰ１０１は、上下で独立した動作を行う構成と見なせるため、表示電極対が２倍の本数であっても、各々のデータ電極がパネルの上下で２分割されていれば同様の動作が可能である。
【０１０２】
図７は、図６のＰＤＰ１０１の走査電極を駆動する走査電極駆動回路４３１の回路図である。走査電極駆動回路１１１との相違点は、走査パルス発生回路７００ａと比較して、走査パルス発生回路７００ｅには走査電極ＳＣ２１６１〜ＳＣ３２４０を駆動するためのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ２１６１〜Ｑ７１０Ｈ３２４０およびＱ７１０Ｌ２１６１〜Ｑ７１０Ｌ３２４０が追加されている点、および、走査パルス発生回路７００ｂと比較して、走査パルス発生回路７００ｆには走査電極ＳＣ３２４１〜ＳＣ４３２０を駆動するためのスイッチング素子Ｑ７１０Ｈ３２４１〜Ｑ７１０Ｈ４３２０およびＱ７１０Ｌ３２４１〜Ｑ７１０Ｌ４３２０が追加されている点である。操作パルス発生回路５００および傾斜波形発生回路６００は同様である。
【０１０３】
このような走査電極駆動回路を用いることで、例えば第１の表示電極対グループの書込み期間において走査電極ＳＣ１に書込みパルスを印加するのと同時にＳＣ２１６１にも書込みパルスを印加することができる。第２の表示電極対グループの書込み期間においても同様に、走査電極ＳＣ１０８１に書込みパルスを印加するのと同時にＳＣ３２４１にも書込みパルスを印加することができる。したがって、ＰＤＰ１０１の上部と下部の両方の表示部で同時に書込み動作が行えるので、上述したｎ＝２１６０本の時の動作と同じ駆動波形で駆動できる。
【０１０４】
なお、維持電極駆動回路も同様の構成とすればよい（図示しない）。すなわち、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に接続される維持電極駆動回路に、維持電極ＳＵ２１６１〜ＳＵ３２４０も追加で接続されればよく、同様に、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に接続される回路に維持電極ＳＵ３２４１〜ＳＵ４３２０も追加で接続されればよい。
【０１０５】
＜ＰＤＰの駆動方法＞
ここでは上記構成を有するＰＤＰ装置１０００の駆動方法について例示する。なお、当該駆動方法の説明については、例えば特願２００８−１１６７１９号にも記載されている。本実施の形態においては、初期化期間を除き、書込み動作が連続して行われるように、走査パルスおよび書込みパルスのタイミングを設定している。その結果、１フィールド期間内に最大限の数のサブフィールド（Ｓ．Ｆ．）を設定することができる。本実施の形態においては、ｎ＝２１６０として、パネルを駆動する駆動方法について説明する。
（各グループのサブフィールド時間設定）
まず、Ｎ個に分割された各表示電極対グループにおいて、サブフィールドの開始時間などをどのように設定するかについて、図８のタイムチャート例を用いて説明する。
【０１０６】
ここで示す駆動方法は、Ｎ個の表示電極対グループのうち、２つ以上の表示電極対グループの書込み期間が時間的に重ならないように、それぞれの表示電極対グループのサブフィールドの開始時間をずらして設定している。この点は、特許文献４に開示された駆動方法と同様である。しかしながら当該駆動方法の特徴として、ＰＤＰ１全体の全放電セルにわたって１回の書込み動作を行うために必要な時間をＴｗとするとき、各表示電極対グループにおける各サブフィールドの維持期間の時間をＴｗ×（Ｎ−１）／Ｎ以下となるように設定している点が異なっている。
【０１０７】
これを言い換えると、不等式（１）
Ｔｓ≦Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎ
（Ｔｓは最も輝度重みの大きいサブフィールドの維持期間に割り当てる時間）
を満たすように設定している。
【０１０８】
このように設定することによって、ＰＤＰ装置１０００では、１フィールド全体の時間内において、初期化期間を除き、Ｎ個のグループにわたって連続して書込み動作が行われるように、各表示電極対グループに対して書き込み期間を割り当てることができる。これに対して特許文献４の駆動方法は、単に２つ以上のブロックの書込み期間が時間的に重ならないようにサブフィールドの開始時間をずらしているだけであり、必ずしも十分なサブフィールド数を確保できるとはいえない。
【０１０９】
図８のタイムチャート例を参照しながら、更に詳細を説明する。
時刻ｔ１〜時刻ｔ２では、第１グループに対してＳＦ１の書き込みを行う。時刻ｔ２〜時刻ｔ３では第２グループに対してＳＦ１の書き込みを行う。そして、時刻ｔＮ〜時刻ｔＮ＋１では、第Ｎグループに対してＳＦ１の書込みを行う。このようにＳＦ１の書き込みを一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔ１〜時刻ｔＮ＋１）で行うものとする。
【０１１０】
次に、時刻ｔＮ+１〜時刻ｔＮ+２では、第１グループに対してＳＦ１の書き込みを行い、時刻ｔＮ＋２〜時刻ｔＮ＋３では、第２グループに対してＳＦ２の書き込みを行い、時刻ｔ２Ｎ〜時刻ｔ２Ｎ＋１では、第Ｎグループに対してＳＦ２の書込みを行う。
【０１１１】
このようにして、ＳＦ２の書き込みを、一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔＮ＋１〜時刻ｔ２Ｎ＋１）で行う。
同様にして、ＳＦ３の書き込みを、一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔ２Ｎ＋１〜時刻ｔ３Ｎ＋１）で行う。
【０１１２】
一般にＫ番目のサブフィールドＳＦＫの書き込みも、一定時間Ｔｗ／Ｎ（時刻ｔ（Ｋ−１）Ｎ＋１〜時刻ｔＫＮ＋１）で行う。
書き込み動作を連続的に行う場合、各グループにおいて、１回の書込み動作を行う時間はＴｗ／Ｎであり、１つのサブフィールドの時間長さは一定時間Ｔｗであるから、１つのサブフィールで維持期間として割り当てることのできる最大時間は（Ｔｗ−Ｔｗ／Ｎ）＝Ｔｗ（１−１／Ｎ）である。
【０１１３】
すなわち、ＰＤＰ１の駆動方法としては、表示電極対グループの数Ｎと、最も輝度重みの大きいサブフィールドの維持期間に割り当てる時間Ｔｓが、Ｔｓ≦Ｔｗ×（Ｎ−１）／Ｎを満たせば、連続した書込み動作を行うことができ、１フィールド期間内に、最大限の数のサブフィールドを設定することができる。
【０１１４】
また、１フィールドの中で、初期化期間および各サブフィールドの消去期間を除く期間に、いずれかの表示電極対グループで連続して書き込み動作を行うことができる。
したがって、このような方法に基づけば、ＰＤＰ１が高精細または超高精細パネルであっても、画質を確保する上で十分なサブフィールド数を確保することができる。
【０１１５】
以下、具体例を挙げて説明する。
図９は、当該駆動方法のサブフィールドの設定を例示する図である。図９（ａ）〜図９（ｄ）の縦軸は走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０を示し、横軸は時間を示している。また、書込み動作を行うタイミングは実線で示し、維持期間および後述する消去期間のタイミングはハッチングで示している。
【０１１６】
なお以下の説明では、１フィールド期間の時間を１６．７ｍｓに設定しているが、これに限定されない。
まず、図９（ａ）に示すように、１フィールド期間の最初に、すべての放電セルで一斉に初期化放電を発生させる初期化期間を設ける。本実施の形態においては、初期化期間に要する時間を５００μｓと設定した。
【０１１７】
次に、図９（ｂ）に示すように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に走査パルスを順次印加するために要する時間Ｔｗを見積もる。このとき、書込み動作が連続して行われるように走査パルスを可能な限り短くかつ可能な限り連続して印加することが望ましい。本実施の形態においては、走査電極１本あたりの書込み動作に要する時間を０．７μｓとした。走査電極の数が２１６０本であるため、すべての走査電極で書込み動作を１回行うために必要な時間Ｔｗは、０．７×２１６０＝１５１２μｓである。
【０１１８】
次に、サブフィールド数を見積もる。さしあたり消去期間に要する時間を無視するものとして、１フィールド期間の時間から初期化期間の時間を引いて、すべての走査電極で書込み動作を１回行うために必要な時間で割ると、（１６．７−０．５）／１．５＝１０．８となり、図９（ｃ）に示すように、最大で１０のサブフィールド（ＳＦ１、ＳＦ２、・・・、ＳＦ１０）を確保できることがわかる。
【０１１９】
次に、必要な維持パルス数に基づき、表示電極対グループの数を決める。本実施の形態においては、各サブフィールドにおいてそれぞれ「６０」、「４４」、「３０」、「１８」、「１１」、「６」、「３」、「２」、「１」、「１」の維持パルスを印加するものと仮定する。維持パルス周期を１０μｓとすると、維持パルスを印加するために要する最大の時間Ｔｓは、１０×６０＝６００μｓである。
【０１２０】
ここで表示電極対グループの数Ｎは、上記不等式（１）を変形してなる不等式（２）
Ｎ≧Ｔｗ／（Ｔｗ−Ｔｓ）
に基づき求めることができる。すなわち、ＴｓはＴｗ（Ｎ−１）／Ｎを超えないことが必要である。
【０１２１】
本実施の形態においては、Ｔｗ＝１５１２μｓ、Ｔｓ＝６００μｓであるので、１５１２／（１５１２−６００）＝１．６６となり、表示電極対グループの数Ｎ＝２となる。
以上の考察に基づき、図２に示したように表示電極対を２つの表示電極対グループに分ける。そして図９（ｄ）に示すように、それぞれのグループに属する走査電極の書込みの後に、維持パルスを印加する維持期間を設ける。なお、各サブフィールドの維持期間の終了後に続いて消去期間を設ける必要があるが、図９（ｄ）では維持期間と消去期間の両方とも右上から左下への斜線のハッチングで示している。
【０１２２】
なお、以上の計算では、消去期間については無視して計算したが、いずれかの表示電極対グループが消去期間であるときには、書込み動作を行わないように設定することが望ましい。これは、消去期間は壁電圧を消去するだけでなく、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する期間でもあるため、消去期間においてはデータ電極の電圧を固定しておくことが望ましいからである。
【０１２３】
次に、駆動電圧波形の詳細とその動作について説明する。
図１０は、ＰＤＰ１の各電極に印加される駆動電圧波形の一例を示す図である。
ＰＤＰ１の駆動方法においては、１フィールドの最初にそれぞれの放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間を設けている。さらにそれぞれの表示電極対グループのそれぞれのサブフィールドの維持期間の後に、その維持期間で放電した放電セルに対して消去放電を発生させる消去期間を設けている。図１０には、初期化期間と、第１の表示電極対グループに対するＳＦ１〜ＳＦ２およびＳＦ３の書込み期間、第２の表示電極対グループに対するＳＦ１〜ＳＦ２を示している。
【０１２４】
まず初期化期間について説明する。初期化期間では、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０にそれぞれ電圧０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０には電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧を印加する。この傾斜波形電圧が上昇する間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０上に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０上には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。なお、この期間はデータ電極Ｄ１〜ＤｍにＶｄを印加してもよい。
【０１２５】
次に、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０に正の一定電圧Ｖｅ１を印加し、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０には電圧Ｖｉ３から電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧を印加する。この間に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０、データ電極Ｄ１〜Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が発生する。そして、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０上の負の壁電圧および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ２１６０上の正の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄ１〜Ｄｍ上の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。その後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｃを印加する。以上により、すべての放電セルに対して初期化放電を行う初期化動作が終了する。
【０１２６】
次に第１の表示電極対グループに対するＳＦ１の書込み期間について説明する。
維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に正の一定電圧Ｖｅ２を印加する。そして走査電極ＳＣ１に負の電圧Ｖａを持つ走査パルスを印加するとともに、１行目に発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の電圧Ｖｄを持つ書込みパルスを印加する。するとデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（Ｖｄ−Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧の差とが加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間で放電が開始し、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間の放電に進展して書込み放電が発生する。その結果、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を発生して各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルスを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。
【０１２７】
次に、２行目の走査電極ＳＣ２に走査パルスを印加するとともに、２行目に発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。すると走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された２行目の放電セルでは書込み放電が発生し、書込み動作が行われる。
【０１２８】
以上の書込み動作を１０８０行目の放電セルに至るまで繰り返し、発光させるべき放電セルに対して選択的に書込み放電を発生させて壁電荷を形成する。
この間、第２の表示電極対グループに対してはＳＦ１の休止期間である。第２の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｉ１を印加する。また、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には一定電圧Ｖｅ２を印加する。このように休止期間においては、放電が発生しない範囲で走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０をできるだけ高電位に保持することで壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。ただし、第２の表示電極対グループに属する各電極に印加する電圧は上記に限定されるものではなく、放電を発生しない範囲の他の電圧を印加してもよい。
【０１２９】
次に第２の表示電極対グループに対するＳＦ１の書込み期間について説明する。
維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に正の一定電圧Ｖｅ２を継続して印加する。そして走査電極ＳＣ１０８１に走査パルスを印加するとともに、発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。するとデータ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１０８１との間、維持電極ＳＵ１０８１と走査電極ＳＣ１０８１との間で書込み放電が発生する。次に、走査電極ＳＣ１０８２に走査パルスを印加するとともに、発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋに書込みパルスを印加する。すると走査パルスと書込みパルスとが同時に印加された１０８２行目の放電セルで書込み放電が発生する。
【０１３０】
以上の書込み動作を２１６０行目の放電セルに至るまで繰り返し、発光させるべき放電セルに対して選択的に書込み放電を発生させて壁電荷を形成する。
この間、第１の表示電極対グループに対してはＳＦ１の維持期間であり、第１の表示電極対グループに属する走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に「６０」の維持パルスを交互に印加して、書込み放電を行った放電セルを発光させる。
【０１３１】
具体的には、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を発生させた放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差に維持パルス電圧Ｖｓが加算されて放電開始電圧を超える。そして走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間で維持放電が発生し、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電を発生させなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
【０１３２】
続いて、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には電圧０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０には電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を発生した放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持放電が発生し、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０と維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０とに交互に維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を発生した放電セルで維持放電が継続して発生し、放電セルが発光する。
【０１３３】
ここで表示電極対に交互に印加する維持パルスは、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が同時に高電位となるタイミングを有する維持パルスである。すなわち、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する場合には、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させ、その後に維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させる。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に正の電圧Ｖｓを印加する場合には、まず維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させ、その後に走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させる。
【０１３４】
このように、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０および維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０が同時に高電位となるタイミングが存在するように維持パルスを印加することにより、データ電極に印加される書込みパルスの影響を受けることなく安定した維持放電を継続することができる。以下にその理由について説明する。
【０１３５】
走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｓを印加する際に、仮に、まず走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させ、その後に維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させたと仮定する。すると、データ電極に書込みパルスが印加されている場合、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧が降下した時点で、走査電極とデータ電極との間で放電が発生し、維持放電の継続に必要な壁電荷が減少する可能性がある。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加する際に、仮に、まず維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧を電圧Ｖｓから電圧０（Ｖ）に向かって降下させ、その後に走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０の電圧を電圧０（Ｖ）から電圧Ｖｓに向かって上昇させたと仮定する。すると、データ電極に書込みパルスが印加されている場合、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０の電圧が降下した時点で、維持電極とデータ電極との間で放電が発生し、維持放電の継続に必要な壁電荷が減少する可能性がある。
【０１３６】
ここで通常、表示電極対の一方の電極の電圧を降下した時点で放電が発生し壁電荷が減少すると、その後に他方の電極の電圧を上昇させて維持パルスを印加しても維持放電が発生しない、あるいは弱い維持放電となり、十分な壁電荷が蓄積されないため、継続して維持放電を発生させることができなくなるおそれがある。
【０１３７】
これに対して当該駆動方法では、表示電極対の一方の電極の電圧を上昇させた後に他方の電極の電圧を降下させて維持パルスを印加するので、データ電極に書込みパルスが印加されていても表示電極対の一方とデータ電極との間で先行して放電が発生するおそれがない。そのため、書込みパルスの有無にかかわらず維持放電を安定して継続することができる。
【０１３８】
そして、維持期間の後には２つの消去期間と休止期間が設けられている。前半の消去期間では、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｒに向かって上昇する傾斜波形電圧を印加し、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。このように消去動作を行うためにはある程度の時間が必要である。そして消去期間は壁電圧を消去するだけでなく、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する期間でもあるため、データ電極の電圧を固定しておくことが望ましい。そのため、当該駆動方法における駆動電圧波形では、第１の表示電極対グループの消去期間において第２の表示電極対グループの書込み動作を停止している。
【０１３９】
その後、第１の表示電極対グループに対しては放電が発生しない休止期間であり、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧０（Ｖ）を印加した後、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に電圧Ｖｅ２を印加する。そして、第２の表示電極対グループは書込み動作を再開し、走査電極ＳＣ２１６０の書込みが終了するまで第１の表示電極対グループは休止期間の動作を継続する。
【０１４０】
その後、第１の表示電極対グループは後半の消去期間であり、維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ１を印加した後、走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０に電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜波形電圧を印加し、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する。その後直ちに書込み期間になり走査電極ＳＣ１から書込み動作を始める。このように電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜電圧波形を印加した直後に書込み動作を開始することによって、壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。
【０１４１】
次に第１の表示電極対グループに対するＳＦ２の書込み期間について説明する。
維持電極ＳＵ１〜ＳＵ１０８０に一定電圧Ｖｅ２を継続して印加する。そして走査電極ＳＣ１〜ＳＣ１０８０には、ＳＦ１の書込み期間と同様に走査パルスを順次印加するとともに、データ電極Ｄｋに書込みパルスを印加して、１〜１０８０行目の放電セルで書込み動作を行う。
【０１４２】
第１の表示電極対グループが書込み期間となる間、第２の表示電極対グループは維持期間である。すなわち、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０には「６０」の維持パルスを交互に印加して、書込み放電を行った放電セルを発光させる。
【０１４３】
ここでも表示電極対に交互に印加される維持パルスは、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０および維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０が同時に高電位となるタイミングを有する維持パルスである。
【０１４４】
そして、維持期間の後は２つの消去期間と休止期間である。前半の消去期間では、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｒに向かって上昇する傾斜波形電圧を印加し、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉおよび維持電極ＳＵｉ上の壁電圧を消去している。ここでも、前述したように第２の表示電極対グループの消去期間において第１の表示電極対グループの書込み動作を停止している。
【０１４５】
その後、第２の表示電極対グループに対しては放電が発生しない休止期間であり、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧０（Ｖ）を印加した後、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に電圧Ｖｅ２を印加する。そして、第１の表示電極対グループは書込み動作を再開し、走査電極ＳＣ１０８０の書込みが終了するまで第２の表示電極対グループは休止期間の動作を継続する。
【０１４６】
その後、第２の表示電極対グループは後半の消去期間であり、維持電極ＳＵ１０８１〜ＳＵ２１６０に一定電圧Ｖｅ１を印加した後、走査電極ＳＣ１０８１〜ＳＣ２１６０に電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜波形電圧を印加し、次の書込み期間の書込み動作に備えてデータ電極上の壁電圧を調整する。その後直ちに書込み期間になり走査電極ＳＣ１から書込み動作を始める。このように電圧Ｖｉ４に向かって降下する傾斜電圧波形を印加した直後に書込み動作を開始することによって、壁電荷の減少を抑制することができ、続く書込み期間において安定した書込み動作を行うことができる。
【０１４７】
以降同様に、第２の表示電極対グループに対するＳＦ２の書込み期間、第１の表示電極対グループに対するＳＦ３の書込み期間、・・・、第２の表示電極対グループに対するＳＦ１０の書込み期間と続き、最後に第２の表示電極対グループに対するＳＦ１０の維持期間および消去期間と続いて１フィールドを終える。
【０１４８】
このように当該駆動方法では、初期化期間の後に、いずれかの表示電極対グループで書込み動作が連続して行われるように走査パルスおよび書込みパルスのタイミングを設定している。その結果、１フィールド期間内に１０のサブフィールドを設定することができる。そしてこのサブフィールドの数は、本実施の形態において１フィールド期間内に設定できる最大の数である。
【０１４９】
また当該駆動方法では、最後に第２の表示電極対グループに対する維持期間および消去期間で１フィールドを終える。そのために、最後のサブフィールドは輝度重みの最も小さいサブフィールドを配置することで、駆動時間を短縮することができる。
【０１５０】
なお、当該駆動方法では、電圧Ｖｉ１は１５０（Ｖ）、電圧Ｖｉ２は４００（Ｖ）、電圧Ｖｉ３は２００（Ｖ）、電圧Ｖｉ４は−１５０（Ｖ）、電圧Ｖｃは−１０（Ｖ）、電圧Ｖｂは１５０（Ｖ）電圧Ｖａは−１６０（Ｖ）、電圧Ｖｓは２００（Ｖ）、電圧Ｖｒは２００（Ｖ）、電圧Ｖｅ１は１４０（Ｖ）、電圧Ｖｅ２は１５０（Ｖ）、電圧Ｖｄは６０（Ｖ）である。また走査電極ＳＣ１〜ＳＣ２１６０に印加する上り傾斜波形電圧の勾配は１０（Ｖ／μｓ）、下り傾斜波形電圧の勾配は−２（Ｖ／μｓ）である。しかしこれらの電圧値、勾配は上述した値に限定されるものではなく、ＰＤＰの放電特性やＰＤＰ装置の仕様に基づき最適に設定することが望ましい。
【０１５１】
また、図９では、すべてのサブフィールドにおいて第１の表示電極対グループと第２の表示電極対グループとのサブフィールドの位相をずらしたサブフィールド構成を例に説明した。しかしながら本発明の適用は上記サブフィールド構成に限定されるものではなく、例えば、すべての放電セルに対する維持期間の位相を揃えた書込み・維持分離方式のサブフィールドをいくつか含むサブフィールド構成であっても適用することができる。
【０１５２】
ここにおいてＰＤＰ１では、製造時に発生する有機成分に起因する不純物ガスの付着による保護層８の変質が十分に防止されており、良好な二次電子放出特性が維持されている。このため上記した駆動方法で駆動した場合において、低い消費電力でありながら優れた画像表示性能が発揮されるようになっている。この効果は特に、ＰＤＰ１をフルＨＤ以上の高精細または超高精細セル構造を有するように構成し、上記した駆動方法に基づいて高速駆動させた場合に得られる。
【０１５３】
一般に保護層には、製品完成後から使用期間にわたって、内部で二次電子放出特性が良好に維持及び発揮されることが要求される。これはＰＤＰの効率を向上させるために放電ガスのＸｅ分圧を上昇させたような場合、駆動電圧の低電圧化という観点で重要である。特に、例として挙げたＰＤＰ１のような、フルＨＤの解像度を超えるような高精細または超高精細なセル構造を有するＰＤＰや、走査線が多い大画面のＰＤＰにおいて、消費電力の上昇を抑制しつつ優れた画像表示性能を得るために重要となる。
【０１５４】
そこで本発明では、ＰＤＰ１の製造工程において、前面基板２と背面基板９とを非酸化性ガスと還元ガスの混合雰囲気下で加熱し、封着する。酸素を排した所定の混合雰囲気で加熱することで、封着部１６の前駆体材料となる封着材ペーストが含有するバインダーや溶剤等の有機成分が、加熱中に酸化・重合されて放電空間１５に残留するのを防ぐ。このとき有機成分は低分子状態で維持され、後の排気工程でパネル内部から効率良く排気除去される。これにより、前記有機成分が不純物ガスとして保護層８に吸着し、これを劣化させて二次電子放出特性を損なうのを防止する。
【０１５５】
このような本発明の効果は、ＰＤＰの高精細化・超高精細化が進むほど効率よく得られるものと考えられる。このような微細なセル構造のＰＤＰでは、放電空間に臨む放電セルの表面積が比較的広く、且つ放電空間中のガスが流通しにくい。このため、前記封着材ペーストに起因する有機成分に加え、蛍光体や隔壁材料等、ＰＤＰの構成要素に含まれる各種有機成分が比較的多く保護層８に付着しうる。一例として、４２インチフルＨＤパネルに対し、５０インチＳＨＤパネルでは、放電空間でガスに接触するセルの表面積は約２．４倍に増加する。従って、セルの微細化に伴い、この増加した表面積分だけ、保護層に不純物が付着しやすくなるものと考えられる。そして、このような表面積の増加に比例して本発明の効果は有効に発揮される。
【０１５６】
以上のことから、特に微細なセル構造を持つＰＤＰに本発明を適用することで、不純物の付着による保護層の変質を適切に防止し、二次電子放出特性を良質に維持できる。そしてその結果として、ＰＤＰ１の駆動電圧を良好に低減することができる。
【０１５７】
また、上記した同様の理由で、放電空間に臨む表面積が比較的広く、ガスが滞留しやすい、深いハニカム状のリブ構造を持つ放電セルを有するＰＤＰにおいても、優れた低電力駆動性と画像表示性能を得ることが期待できる。
【０１５８】
なお、本発明では封着工程の混合ガス雰囲気に水素ガス等の還元ガスを所定量添加（一例として、混合ガス全体中の分圧が０．１％〜３％のＨ２ガスを添加）するが、この還元ガスによる還元効果により、保護層の不要な酸化が防止されるとともに、当該保護層をなすＭｇＯ結晶構造中に酸素欠損部分が形成されるものと考えられる。酸素欠損部分が形成されると、これをいわゆる発光センターとし、保護層８の二次電子放出特性の向上が図られる効果も期待できる。
【０１５９】
このように良質の電子放出特性を発揮できる保護層を備えることにより、上記した微細セルを有するＰＤＰに特化した駆動方法を適用しても、ＰＤＰ１を良好に高速駆動することができ、高速応答性の基に優れた画像表示性能の発揮が期待できる。この点において、本発明の製造方法で得たＰＤＰは、上記した駆動回路１１１〜１１３等を用いた所定の駆動方法（図３〜図１０参照）との組み合わせに特に適していると言える。
【０１６０】
以下、本発明のＰＤＰの製造方法について説明する。
＜ＰＤＰの製造方法＞
図１１は、ＰＤＰ１の製造方法の概略を示すフロー図である。図１１に示すように、製造過程では前面基板２を作製するとともに（工程Ａ１〜Ａ４）、背面基板９を別途作製する（工程Ｂ１〜Ｂ６）。そして、作製した両基板２、９を所定の位置で重ね合わせる（重ね合わせ工程・位置決め工程）。その後、図１４に示す封着工程、排気工程、放電ガス封入工程を順次経て、ＰＤＰ１を完成する。
（前面基板作製工程）
前面基板ガラス３の一方の主面上に表示電極対６を作製する（工程Ａ２）。ここでは印刷法によって表示電極対６を形成する例を示すが、これ以外にもダイコート法、ブレードコート法等で形成することができる。
【０１６１】
まず、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明電極材料を最終厚み約１００ｎｍで、ストライプ等所定のパターンで前面基板ガラス上に塗布し、乾燥させる。これにより透明電極４１、５１が作製される。
【０１６２】
一方、Ａｇ粉末と有機ビヒクルに感光性樹脂（光分解性樹脂）を混合してなる感光性ペーストを調整し、これを前記透明電極４１、５１の上に重ねて塗布し、形成するバスラインのパターンに合わせた開口部を有するマスクで覆う。そして、当該マスク上から露光し、現像工程を経て、５９０〜６００℃程度の焼成温度で焼成する。これにより透明電極４１、５１上に最終厚みが数μｍのバスライン４２、５２が形成される。このフォトマスク法によれば、従来は１００μｍの線幅が限界とされていたスクリーン印刷法に比べ、３０μｍ程度の線幅までバスライン４２、５２を細線化することが可能である。バスライン４２、５２の金属材料としては、Ａｇの他にＰｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、また酸化錫、酸化インジウム等を用いることができる。バスライン４２、５２は上記方法以外にも、蒸着法、スパッタリング法などで電極材料を成膜したのち、エッチング処理して形成することも可能である。
【０１６３】
次に、表示電極対６の上から、軟化点が５５０℃〜６００℃の鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやＳｉＯ２材料粉末とブチルカルビトールアセテート等からなる有機バインダーを混合したペーストをスクリーン印刷法で塗布する。そして５５０℃〜６５０℃程度で焼成し、最終厚みが膜厚数μｍ〜数十μｍの誘電体層７を形成する（工程Ａ３）。上記非鉛系低融点ガラスとしては酸化ビスマス系低融点ガラスが挙げられる。この場合のガラス材料は、一例として、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）６０重量％、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）１５重量％、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）１０重量％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）１５重量％の組成として調整できる。
【０１６４】
次に、誘電体層７の表面に、真空蒸着法やスパッタリング法、ＥＢ蒸着法等により、ＭｇＯを含む保護層を形成する（工程Ａ４）。ＥＢ蒸着法によれば、ＭｇＯペレットを用い、ＥＢ蒸着装置内にＯ２を０．１（ｓｃｃｍ）で流通させることにより蒸着膜として保護層を得ることができる。
【０１６５】
以上で前面基板２の作製が完了する。
（背面基板作製工程）
背面基板ガラス１０の一方の主面上に、スクリーン印刷法によりＡｇを主成分とする導電体材料を一定間隔でストライプ状に塗布し、厚さ数μｍ（例えば約５μｍ）のデータ電極１１を形成する（工程Ｂ２）。データ電極１１の電極材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属や、各種金属の炭化物や窒化物等の導電性セラミックスなどの材料やこれらの組み合わせ、あるいはそれらを積層して形成される積層電極も必要に応じて使用できる。
【０１６６】
ここで、作製予定のＰＤＰ１を４０インチクラスの高精細セル構造のＰＤＰを作製するためには、セルピッチに合わせて上記間隔を０．１６ｍｍ以下、例えば０．１０ｍｍ〜０．１６ｍｍの範囲に設定する必要がある。
【０１６７】
続いて、データ電極１１を形成した背面基板ガラス１０の面全体にわたって、鉛系あるいは非鉛系の低融点ガラスやＳｉＯ２材料からなるガラスペーストを厚さ約２０〜３０μｍでスクリーン印刷法により塗布して焼成し、誘電体層１２を形成する（工程Ｂ３）。
【０１６８】
次に、誘電体層１２面上に所定のパターンで隔壁１３を形成する（工程Ｂ４）。この隔壁１３は、酸化ビスマスを主成分とするガラス粒子とフィラー、及び感光性樹脂を含むペーストをダイコート法に基づき塗布し、フォトリソグラフィ法で所定のパターンで感光させたのち、エッチング処理して形成する。あるいはガラスを含むペーストを塗布したのち、乾燥させて、サンドブラスト法により所定のパターンの隔壁１３を形成することもできる。
【０１６９】
隔壁１３が形成できたら、隔壁１３の壁面と、隣接隔壁１３間で露出している誘電体層１２の表面に、ＡＣ型ＰＤＰで通常使用される赤色（Ｒ）蛍光体、緑色（Ｇ）蛍光体、青色（Ｂ）蛍光体のいずれかを含む蛍光インクを塗布する。これを乾燥・焼成し、それぞれ蛍光体層１４とする（工程Ｂ５）。
【０１７０】
ここで適用可能なＲＧＢ各色蛍光の化学組成例は以下の通りである。
・赤色蛍光体；（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ、Ｙ（Ｐ、Ｖ）Ｏ４：Ｅｕ
・緑色蛍光体；Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＭｇＯあるいはＡｌ２Ｏ３がコートされた、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂ、（Ｙ、Ｇｄ）Ａｌ３（ＢＯ３）４：Ｔｂ
・青色蛍光体；ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ
本発明は当然ながら、これらの組成例に限定するものではないが、高精細セル構造のＰＤＰにおいては、駆動を安定に行うためには蛍光体の帯電状態を均一にすることが必要である。
【０１７１】
一般に、ＰＤＰに使用されている蛍光体の多くは正帯電性のものが多い。上記した緑色蛍光体として用いられるＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎは負帯電性であるため、極性を調整することが望ましい。具体的には、当該蛍光体に対し、正帯電性のＭｇＯあるいはＡｌ２Ｏ３をコートすることが好適である。
【０１７２】
このようにＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ緑色蛍光体をＭｇＯやＡｌ２Ｏ３でコートした場合は、当該蛍光体を配設した背面基板９をＮ２のみの非酸化雰囲気中で封着するよりも、非酸化性ガスにＨ２やＮＨ３等の還元性ガスを０．１％〜３％含む混合ガス雰囲気中で封着することが望ましい。これにより効果的にパネルの輝度を向上でき、且つ、放電開始電圧（Ｖｆ）の低減も図ることができる。
【０１７３】
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎの表面上に酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）や酸化マグネシウム（ＭｇＯ）をコートする方法としては、Ａｌ、やＭｇの硝酸塩や（硝酸アルミニウム、硝酸マグネシウム）有機金属化合物を水またはアルカリ水溶液中に溶解し、その溶解液中にＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎを投入して混合液を作製し、加熱しながら攪拌する。次に、この混合液を濾過、乾燥し、その後、この乾燥物を空気中において４００℃〜８００℃で焼成する。これにより、Ａｌ２Ｏ３やＭｇＯが表面にコートされたＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎが得られる。コーティング膜厚は、３ｎｍ〜１０ｎｍが好ましい。膜厚は前記攪拌時間や混合液の濃度、または混合液のｐＨ等で調整することができる。
【０１７４】
各蛍光体材料は、平均粒径２．０μｍのものが好適である。これをサーバー内に５０質量％の割合で入れ、エチルセルロース１．０質量％、溶剤（α−ターピネオール）４９質量％を投入し、サンドミルで撹拌混合して、１．５×１０−２Ｐａ・ｓの蛍光体インクを作製する。そして、これをポンプにて径６０μｍのノズルから隔壁１３間に噴射させて塗布する。このとき、パネルを隔壁２０の長手方向に移動させ、ストライプ状に蛍光体インクを塗布する。その後は５００℃で１０分間焼成し、蛍光体層１４を形成する。
【０１７５】
以上で背面基板９が完成する。
なお、背面基板９については後の封着工程のため、以下のように当該パネルの周囲に封着材ペースト１６を塗布するとともに、これを仮焼成する（工程Ｂ６）。
（封着材塗布・仮焼成工程）
まず、所定の封着材（低融点ガラス等）に樹脂バインダー、溶剤を混合して調整し、封着材ペーストを得る。
【０１７６】
ここで、樹脂バインダーには例えばアクリル樹脂、ニトロセルロース、エチルセルロース等の各種公知材料が利用できる。また、溶剤も例えば酢酸イソアミル、テルピネオール等の各種公知材料が利用できる。また、樹脂バインダーの添加量としては、一例として、溶剤に対して約５重量％の比率となるように調整することができる。
【０１７７】
封着材の軟化点（封着材が軟化し始める温度）は、４１０℃〜４５０℃の範囲が好適である。また、封着材の流動温度（封着材が流動する温度）としては、４５０℃〜５００℃の範囲が望ましい。低融点ガラスとしては、ガラス転移点（ガラス転移温度、Ｔｇ）は３３６℃以上３６５℃以下に設定するのが望ましい。
【０１７８】
上記温度範囲に適した封着材としては、例えば酸化ビスマス系あるいは酸化鉛系等の低融点ガラス材料に対し、コージライト、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等のフィラーを混合して作製する。この場合、低融点ガラス材料を４５〜９５体積％、フィラーを５〜５５体積％の比率でそれぞれ混合させて作製するのが好適である。
【０１７９】
上記低融点ガラス材料として、酸化ビスマス系ガラスを主成分とする場合、具体的な組成（ＰＤＰ完成後の組成として）は、Ｂｉ２Ｏ３を６７〜９０重量％、Ｂ２Ｏ３を２〜１２重量％、Ａｌ２Ｏ３を０〜５重量％、ＺｎＯを１〜２０重量％、ＳｉＯ２を０〜０．３重量％、ＢａＯを０〜１０重量％、ＣｕＯを０〜５重量％、Ｆｅ２Ｏ３を０〜２重量％、ＣｅＯ２を０〜５重量％、Ｓｂ２Ｏ３を０〜５重量％の範囲で含んでなる組成とすることができる。
【０１８０】
あるいは上記低融点ガラス材料として、酸化鉛系ガラスを主成分とする場合、具体的な組成（ＰＤＰ完成後の組成として）は、ＰｂＯを６５〜８５重量％、Ｂ２Ｏ３を１０〜２０重量％、ＺｎＯを０〜２０重量％、ＳｉＯ２を０〜２．０重量％、ＣｕＯを０〜１０重量％、Ｆｅ２Ｏ３を０〜５重量％の範囲で含んでなる組成とすることができる。
【０１８１】
このように調整して得た封着材ペーストを、背面基板の表示領域外の周囲を囲繞するように塗布する（封着材ペースト塗布工程）。
なお、この封着材ペースト塗布工程は、溶剤を揮発させる等の目的で、ある程度高温で実施することもできるが、次に述べる仮焼成工程の最高温度である、封着材の軟化点未満の温度で実施する必要がある。
【０１８２】
次に、同じく背面基板の表示領域外の複数の箇所に穴を設け、排気兼ガス導入用のガラス管３１を差し込み、固定して設ける（図１１のＢ６を参照）。このガラス管３１の配設は封着工程後、排気工程の直前に行うこともできる。
【０１８３】
その後、背面基板を焼成炉に導入して仮焼成を行う。ここで本発明の特徴として、仮焼成工程における最高温度を封着材ペーストのバインダーの消失温度以上（複数のバインダーを用いる場合には、用いるバインダー中の最低消失温度以上）で、かつ、封着材の軟化点未満の温度になるように低く調整する。また、封着材成分として低融点ガラスを用いる場合には、さらに当該低融点ガラスのガラス転移点以上かつ当該低融点ガラスの軟化点よりも１０℃以上低い温度に調整する。
【０１８４】
ここで言う「焼失温度」とは、バインダーがペーストからほぼ消える温度を指すものとする。具体的には前記軟化点より１０℃以下低い温度、さらに具体的には、前記軟化点より１０℃から５０℃低い温度を指す。
【０１８５】
なお封着材の軟化点以上の加熱を行うと、封着材ペースト中の有機成分が酸化され、揮発しにくい重合物が形成される。重合物は廃棄工程でも除去しにくく、排気工程後も両基板の内部に残留しうる。
【０１８６】
前記重合物が発生すると、完成後にＰＤＰ内部に閉じ込められた前記重合物の成分が封着部から少しずつ放電空間内部に放出され、ＭｇＯからなる保護層に付着して二次電子放出特性を低下させ、放電電圧を上昇させる原因となる。
【０１８７】
さらに、高精細パネルでは蛍光体層も微細化し、通常規格のＰＤＰに比べて占有面積が２〜４倍も増える。このように表面積が増大した分、蛍光体層に前記重合物の成分が付着すると、輝度低下を招き、画像表示性能の劣化の原因となる。
【０１８８】
そこで本発明では、仮焼成工程を上記したように所定の低温で実施することで、有機成分を酸化させずに低分子状態のままで残留させ、後の排気工程で効果的に除去できるように調整する。
【０１８９】
なお、封着工程では封着材を溶かす必要があるため、封着材の流動点以上の高温で行うが、当該工程を窒素（Ｎ２）や希ガス（Ａｒ等）の非酸化性ガスだけでなく、還元性ガスとの混合雰囲気下で行うことによって、上記有機成分が酸化（燃焼）されて重合化するのを効果的に防止できる。
これによって、保護層や蛍光体層の劣化を防止するものとしている。
【０１９０】
ここで図１２は、仮焼成工程の温度プロファイル例を示すグラフである。図１１のＢ６の状態にある背面基板９を焼成炉に導入する。このとき、焼成雰囲気は若干の酸素を含む雰囲気（一例として、１％以下の分圧で酸素を含有する雰囲気）に設定することができる。また、非酸化性雰囲気（一例として、露点が−４５℃以下の窒素を含む雰囲気）に設定することもできる。非酸化性雰囲気に設定する場合は、仮焼成工程ではパネルの有機成分をあまり燃焼除去できないので、のちの排気工程でこれを十分に除去するように留意する必要がある。
【０１９１】
背面基板９を導入した後、焼成炉を室温から仮焼成温度（４００℃）まで上昇させる（ステップ１、仮焼成温度上昇ステップ）。この仮焼成温度は当該仮焼成工程における最高温度であって、前述したように封着材の低融点ガラスの軟化点未満として設定した値である。ここでは、この仮焼成の最高温度（４００℃）を一定期間（例えば１０分〜３０分）にわたり温度維持して仮焼成させる（ステップ２、仮焼成温度維持ステップ）。
【０１９２】
その後は、背面基板９の温度を前記最高温度から室温まで下降させる（ステップ３、仮焼成降温ステップ）。ここにおいて当該降温ステップは、前記最高温度（４００℃）からバインダー消失温度未満且つ室温以上の第一温度まで両基板を降温させる第一降温ステップ（図５の「３−ａ」）と、前記第一温度から室温まで両基板を降温させる第二降温ステップ（図５の「３−ｂ」）とを順次行う。また、第一降温ステップは、第二降温ステップよりも短時間で実施し、両基板を第一温度まで比較的急速に降温させる。当該温度プロファイルの例では、第一温度として２００℃に設定するとともに、第一降温ステップを２０分以上３０分以下の短時間で実施する。そして、第二降温ステップについては、少なくとも５０℃程度の温度下降まで、さらに２時間以上掛けて緩やかに降温するように調整する。
【０１９３】
具体的に、当該温度プロファイルの場合、第一降温ステップの降温速度は（４００―２００）/０．５＝４００（℃/ｈｒ）以上としている。一方、第二降温ステップの降温速度は（２００−５０）/２＝７５（℃/ｈｒ）以下としている。この降温速度の関係により、第二降温ステップでは、第一降温ステップに比べて５倍以上緩やかな降温速度で両基板を降温させている。このように第二降温ステップは、第一降温ステップよりも５倍以上の時間を掛けて実施するのが好適である。
【０１９４】
なお、第一降温ステップを３０分以下の上限にしている理由は、本願発明者らの検討により、当該第一降温ステップを３０分を超える時間まで実施した場合に比べ、完成したＰＤＰの消費電力を更に低減できるとの知見が得られたことに基づくものである。
【０１９５】
ここで、上記のように第一降温ステップを上記温度設定で且つ短時間で実施することにより、ＰＤＰの消費電力が良好に低減される。その理由としては、ＰＤＰの完成後に封着部１６から少しずつ放電空間１５に放出される不純物の量が低減されるため、ＭｇＯを含む保護層８の変質が抑制され、二次電子放出特性の低下が効果的に防止されたためであると考えられる。そして、このように封着部１６から放出される不純物の量が少なくなった理由については、さらに以下のように考えることができる。
【０１９６】
すなわち、前述したように、封着材ペーストのバインダーの有機成分の分解（低分子化）は、その消失温度以上の高温において進行する。このような高温下で分解した有機成分（以下、低分子成分と呼ぶ）は、通常、その時の加熱により消失する。しかしながら、その際の加熱温度が、封着材の軟化点以上であると、前記低分子成分は消失する前に、再度結合（重合）して、当初より高分子化した有機物、いわゆる揮発しにくいタールとなってしまう場合がある。このタールは排気工程後も両基板の内部に残留し、ＰＤＰの性能に悪影響を与えてしまう原因となりうる。
【０１９７】
そこで仮焼成工程では、前記仮焼成温度として、バインダーの有機成分の加熱温度として、封着材ペーストのバインダーの消失温度以上で、且つ、封着材の低融点ガラスの軟化点未満の温度設定を行うことが、低分子成分のタール化を抑制するためには有効であることも前述したとおりである。
【０１９８】
ここで仮焼成工程においては、仮焼成の最高温度を一定期間維持するステップ２において、バインダーの有機成分のほとんどは分解（低分子化）されて消失する。しかしながら、ステップ２の期間内では完全に分解が行われず、若干の有機成分が低分子化されずにそのまま残留する場合がある。
【０１９９】
このように残留した有機成分は、仮にステップ３（降温ステップ）中に消失温度以上となる期間が存在すると、当該期間で分解が進行する。しかしながらステップ３全体としては次第に降温するため、ステップ３の前記期間で分解されて生成した低分子成分は、最高温度がキープされるステップ２に比べ、消失しにくい特性がある。その結果、前記低分子成分は封着部１６の内部に取り込まれ易くなる。このように封着部１６に残留した低分子成分は、完成後のＰＤＰにおいて、封着部１６から不純物（不純ガス）として放出されてしまう。
【０２００】
そこで、上記温度プロファイル例では、ステップ３の初期に第一降温ステップを設け、仮焼成の最高温度から封着材ペーストのバインダーの消失温度未満且つ室温以上の第一温度まで、両基板を速やかに降温させるように調整している。このような第一降温ステップにより、有機成分が低分子成分となって残留するのを極力避け、完成後のＰＤＰにおいて封着部１６から放電空間１５に放出される不純物量の低減を図るものとしている。
【０２０１】
なお、第一降温ステップの降温速度は、上記理由によれば、可能な限り速いことが望ましいと考えられる。しかしながら、第一降温ステップの降温速度をあまり速くし過ぎると、ＰＤＰのガラス基板が割れてしまう等、基板の損傷を招くおそれがあるので、降温温度の設定についてはこの点も含めて考慮する必要がある。
【０２０２】
なお、バインダーの消失温度未満の温度以下且つ室温までの降温ステップにおいては、その温度範囲ではバインダーの分解は行われない。従って、当該温度範囲での降温ペースは任意に決定すれば良い。
【０２０３】
なお、仮焼成工程は一般的には封着材ペースト中の溶剤やバインダー成分を燃焼させ、炭酸ガス（ＣＯ２）を生じさせて除去するが、仮焼成雰囲気中に酸素等の酸化性ガス成分が多く含まれていると、炭酸ガスが急激に発生して封着材のガラス成分が発泡し、封着が不完全になるおそれがある。不完全な封着の発生は、後に放電ガスのリークの原因となるため避けなければならない。
【０２０４】
このようなガラス成分の発泡を防ぐためには、酸化ガス成分を低減させた弱酸化性雰囲気（例えば主成分の窒素と、分圧が１％以下酸素を含む混合雰囲気）や、非酸化性雰囲気（窒素を含む雰囲気）で仮焼成を行うことが望ましい。封着材ペーストの樹脂成分にアクリル樹脂が含まれる場合や、封着材にＢｉ２Ｏ３系ガラスやＰ２Ｏ５系ガラスが用いられる場合には、Ｎ２等を用いた非酸化性雰囲気で仮焼成工程を実施することが好適である。
（重ね合わせ（位置決め）工程）
上記作製した前面基板２と背面基板９とを、表示電極対６及びデータ電極１１が交差するように対向配置させて重ね合わせる。位置ずれをしないように、両基板をスプリング機構を備えるクリップ（不図示）で挟んで保持する。このとき、隔壁１３の頂部が保護層８と対向するように配設する。ここで本発明では、大がかりな減圧装置等を用いなくても当該重ね合わせ工程を大気中で実施することができるので、両基板のハンドリングが容易であり、製造上、極めて有用である。また、これにより製造するＰＤＰのサイズを５０インチを超える大型とする場合であっても、比較的低コストで製造することが可能になっている。
【０２０５】
なお、図１１では封着工程前の封着部１６を図示しているが、封着後には封着部１６のガラスが溶融して高さが低くなり、隔壁１３の頂部が保護層８と当接する。
上記クリップで固定した両基板を封着・排気用（封排用）加熱炉中に載置する。図１３のように、背面基板９に配されたガラス管３１に排気装置１６０、ガス導入装置１４０からの配管を接続する。
（封着工程、排気工程、放電ガス導入工程）
図１３及び図１４を用いて当該各工程を説明する。図１３は、封排用加熱炉２２０と、排気装置１６０、ガス導入装置１４０（図１３では封着工程中に非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合（添加）したガスを導入し、一方、放電ガスを導入することもできるものとする）がバルブ１８０、１９０、２００、２１０、２３０を介して所定の配管で接続されたガス流通システム例を示す。両基板内部からの排気及びガス流通、ガス導入は、バルブ１８０、１９０、２００、２１０、２３０のいずれかを所定のタイミングで開閉することで調節される。さらにバルブ１９０は、封排用加熱炉２２０の内部の露点と圧力を調整することができる。
【０２０６】
なお、例えばバルブ１８０、２１０、２３０はガス導入装置１４０、バルブ２００は排気装置１６０の各内部にそれぞれ設けることもできる。
図１４は、封着工程、排気工程、並びに放電ガス導入工程の温度プロファイル例を示すグラフである。なお、これらの加熱温度及び温度、維持期間は一例にすぎない。
【０２０７】
封着工程では、まず封排用加熱炉２２０中の封着雰囲気を調整する。このため、バルブ１９０、２１０を開放して、ガス導入装置１４０から、両基板内部や封排用加熱炉２２０の内部に、非酸化性ガス（一例としてＡｒガス、または露点が−４５℃以下のＮ２ガス）と還元ガス（一例としてＨ２ガス）を所定の割合で混合してなる混合雰囲気を流通・充填する。
【０２０８】
封着雰囲気（混合雰囲気）に添加する還元性ガスの量は、当該混合雰囲気全体での割合として、分圧が０．１％以上３％以下の範囲であることが好ましい。分圧が０．１％未満の量でも放電開始電圧を下げることは可能であるが、ＭｇＯあるいはＡｌ２Ｏ３をコートしたＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ蛍光体を用いた場合は、コートによって、酸素や水の吸着量が増大し、放電開始電圧の低減効果が現れ難い。また、分圧が３％を超える量になると誘電体層に欠陥が見られ、ＰＤＰのディスプレイ面に表示むらが出来、好ましくない。
【０２０９】
また、実際の工程では封着雰囲気中に大気由来の酸素等の酸化性ガスが若干混入する場合もあるが、実質的に非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合したガス雰囲気での封着工程が行えるように、酸化性ガスの混入の影響をできるだけ減らすよう調整する。このとき、本発明では封着雰囲気成分として還元性ガスを利用することで、たとえ酸素等の酸化性ガスが多少混入したとしても、その悪影響を還元作用によって極力抑え、有機成分の重合化およびパネル内への残留を抑制することができる。
【０２１０】
前記非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合したガス炉内の露点と圧力は、バルブ１９０を制御して若干陽圧に設定する。この状態で、さらにバルブ１８０、１９０、２１０を制御して両基板と炉内に非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合したガスを送りながら、ヒーター２６０を通電し、両基板を加熱する。ヒーター２６０を調節することにより、両基板の温度を室温から封着材の軟化点温度（４１０℃〜４５０℃）まで上昇させる。
【０２１１】
両基板の温度が軟化点温度まで上昇したら、封着温度維持ステップとして、当該温度を一定期間（１時間程度）維持する（ここまでステップ１）。なお、軟化点での温度維持は必須ではなく、封着材の流動点までの温度上昇を緩やかにしたい場合等は省略してもよい。
【０２１２】
次に、バルブ１８０を調整して両基板間への非酸化性ガス中に還元性ガスを少量混合したガスの流量を半分程度に抑えつつ、両基板を封着材の流動点（溶融温度、４５０℃〜５００℃）まで加熱する（封着温度上昇ステップ）。この温度は、言い換えると封着材の軟化点より４０℃以上高い温度である。この温度を一定期間（１時間程度）維持し（封着温度維持ステップ）、その後、封着温度下降ステップとして、排気温度（４００℃〜４２０℃）以下にまで冷却する（ここまでステップ２）。このステップ１、２により、封着材の低融点ガラスは溶けて緻密な構造となり、冷却することで再度固化し、完成状態の封着部１６が形成される。
【０２１３】
以上で封着工程が終了する。
次に排気工程に移る。バルブ１８０を閉じ、バルブ１９０、２００、２１０を開いて、両基板間のガスを排気装置１６０で真空排気し、封排用加熱炉２２０を真空排気炉状態とする。この状態で、排気温度上昇ステップとして、両基板を所定の排気温度まで温度上昇させる。そして、排気温度維持ステップとして、当該温度で一定時間（４時間）維持する。排気温度としては、封着材の軟化点未満（好ましくは軟化点より１０℃〜３０℃低い温度）に設定するのが好適である。その後は排気温度下降ステップとして、両基板温度を室温まで冷却させる（ステップ３）。
【０２１４】
この排気工程において、本発明では、仮焼成工程で低分子状態に保たれていた封着材ペースト由来の有機成分（ＣＨ系成分）が気化し、流通ガスとともに両基板間から除去される。この有機成分は重合されておらず、低分子状態であるため、排気工程中のガス流通によって、比較的容易に両基板内部の表面や封着材中から脱離でき、効率よく両基板内部より除去することができる。
【０２１５】
また、上記と並行して、両基板間で発生したＣＯやＣＯ２等の炭酸ガスも同時に除去される。この炭酸ガスは排気工程中に両基板間に若干残留している有機成分が燃焼することにより発生するが、排気工程は比較的低温であるため、それほど大量に発生することなく若干の発生量で済む。
【０２１６】
このような排気工程を実施することにより、保護層及び蛍光体層に付着して変質させるおそれのある前記有機成分や前記ガス成分が効率よく除去される。
両基板の温度が室温まで低下すると、排気工程が終了する。
【０２１７】
続いて放電ガス導入工程に移る。バルブ１９０、２００、２１０を閉じ、バルブ１８０を開いて、ガス導入装置１４０から両パネルの間に、Ｘｅを１５％以上含む放電ガス、例えばＮｅ−Ｘｅ系の放電ガス（一例として７０％Ｎｅ−３０％Ｘｅガス）を所定圧力（例えば６６ＫＰａ）で導入する。
【０２１８】
放電ガスを導入したのちは、ガラス管３１をチップオフして内部封止する（チップオフ工程）。以上でＰＤＰの製造工程が完了する。
このように本発明の製造方法では、仮焼成工程の温度調整に重点を置く一方、少なくとも封着工程前の工程を密閉雰囲気中で行わなくてもよい。このため、封着工程後に作製中の両基板を一旦大気中に取り出し、その後に当該両基板に排気装置を繋いで排気工程を実施することもできる。また、大気中に取り出した両基板は、排気工程を行う前に一時的に保管することもできる。
【０２１９】
したがって本発明によれば、従来技術のように、ＰＤＰを大気より隔離した減圧雰囲気下で各工程にわたり一貫して製造する必要がなく、各工程中又は工程間を減圧雰囲気で保つための大がかりな減圧装置等の製造装置が不要である。また、本発明は上記のように排気工程前の作製中の両基板を保管できるので、製造工程の実施プランを柔軟に調整できるメリットもある。このように本発明は、高い実現性を有する点でも非常に有利である。
【０２２０】
＜性能評価実験＞
本発明の製造方法の性能効果を確認するため、実施例のＰＤＰ（実施例１〜３）と、比較例のＰＤＰ（比較例１〜２）をそれぞれ作製し、各ＰＤＰの放電電圧を測定した。ＰＤＰの製造方法は、明示した以外の工程は上記したパネルの製造方法に基づくものとした。
（実施例１）
セルピッチが０．１０ｍｍの微細セル構造のＰＤＰとし、前面基板作製工程において、保護層形成用のＭｇＯペレットを用い、ＥＢ蒸着装置内にＯ２を０．１（ｓｃｃｍ）流通することによりＭｇＯのみからなる保護層を形成した。
【０２２１】
蛍光体として、赤色蛍光体は（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕを使用し、緑色蛍光体はＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎを使用し、青色蛍光体はＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕを使用した。
封着材の組成は、酸化鉛系ガラス（ＰｂＯ）を主成分とする、後述の表１に示すＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−ＭＯ系ガラスを使用した。この場合、軟化点は４３０℃、流動点は４９０℃である。
【０２２２】
仮焼成工程における最高温度（図１２の温度プロファイルのステップ２）は、封着材の軟化点よりも３０℃低い４００℃とし、空気雰囲気で５０分にわたり行った。
封着工程のステップ１（図１４の温度プロファイルのステップ１）では、まず、封排用加熱炉２２０に露点温度が−５０℃のＮ２ガスにＨ２ガスを０．１％混合したガスを充填させた。次に、両基板間にＮ２ガスにＨ２ガスを０．１％混合したガスを流速５Ｌ／ｍｉｎで吹き込みながら、封排用加熱炉２２０内のヒーター１６０を用いて、炉内の温度を封着材の軟化点あたり（４２０℃）まで上昇させた（この時、排気装置１６０のバルブ２００、１９０、２１０は閉じた）。
【０２２３】
次に、封着工程のステップ２（図１４のステップ２）では、前記ステップ１に引き続き、封排用加熱炉２２０に露点温度が−５０℃のＮ２ガスにＨ２ガスを０．１％の分圧で混合したガスを充填させた。そして、バルブ１８０を調節することにより、Ｎ２ガスにＨ２ガスを０．１％の分圧で混合したガスの流量を、前記ステップ１の半分以下（２Ｌ／ｍｉｎ）に設定する。この状態で、封排用加熱炉２２０の温度を、封着材が十分に軟化する封着温度（流動温度）（４９０℃）まで上昇させる。この封着温度を約５０分維持し、その後、封着材の軟化点以下の温度（３００℃）まで炉内温度を降下させた。
【０２２４】
排気工程では、図１４のステップ３において、封着工程（ステップ１、２）に引き続き、バルブ１８０、２１０を閉じ、バルブ２００、１９０、２３０を開くことにより、両基板間及び炉内を真空排気した。これとともに、封排用加熱炉２２０の温度を再び３００℃から封着材の軟化点以下（封着材の軟化点よりも２０℃低い）の４１０℃まで上昇させ、その温度で約４時間維持した。その後は真空排気しながら室温まで炉の温度を低下させた。
【０２２５】
放電ガス導入工程では、図１４のステップ４に示すように室温状態において、バルブ２００、１９０、２３０を閉じ、バルブ１８０を開いて、ガス導入装置１４０から上記組成の放電ガス（１００％Ｘｅ）を６６ＫＰａの圧力で両基板間に封入した。
【０２２６】
チップオフ工程では、封排用加熱炉２２０の圧力を常圧に戻した状態で、ガラス管３１をチップオフした。これらの工程を経ることで実施例１のＰＤＰを得た。
（実施例２）
封着工程は表１に示すようにＮ２ガスにＨ２ガスを３．０％の分圧で混合した雰囲気下で行った。上記以外の点は基本的に実施例１と同様に設定した。
（実施例３）
セルピッチが０．１５ｍｍのセル構造のＰＤＰとし、前面基板作成工程において、ＭｇＯにＳｉＯ２を１００ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３を５００ｐｐｍの濃度でそれぞれ添加したペレットを用い、ＥＢ蒸着装置内にＯ２を０．１（ｓｃｃｍ）で流通させることで、上記材料が添加されたＭｇＯからなる保護層を得た。
【０２２７】
封着材の組成は、Ｂｉ２Ｏ３を主成分とするガラスと、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、コージライトからなるフィラーの混合組成とした（表１に示すＢｉ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−ＭＯ系ガラスを使用）。この場合、封着材の軟化点は、４５０℃で、封着温度は、５００℃である。
【０２２８】
仮焼成工程における最高温度は封着材の軟化点よりも４０℃低い４１０℃とした。封着工程は表１に示すように露点−５５℃のＮ２ガスにＨ２ガスを１．５％の分圧で混合した雰囲気下で行った。
【０２２９】
排気工程では、図１４のステップ３において、封着工程（ステップ１、２）に引き続き、バルブ１８０、２１０を閉じ、バルブ２００、１９０、２３０を開くことにより、両基板間及び炉内を真空排気した。これとともに、封排用加熱炉２２０の温度を再び３００℃から封着材の軟化点以下（封着材の軟化点よりも３０℃低い）の４２０℃まで上昇させ、その温度で約４時間維持した。その後は真空排気しながら室温まで炉の温度を低下させた。
【０２３０】
放電ガス導入工程では、図１４のステップ４に示すように室温状態において、バルブ２００、１９０、２３０を閉じ、バルブ１８０を開いて、ガス導入装置１４０から上記組成の放電ガス（８５％Ｎｅ−１５％Ｘｅ）を６６ＫＰａの圧力で両基板間に封入した。
【０２３１】
上記以外の点は基本的に実施例１と同様に行った。
次に比較例のＰＤＰとして、下記及び表１に示すように２つのサンプルを作製した。
（比較例１）
封着工程中のステップ１及び２を、露点―５０℃のＮ２のみの非酸化雰囲気で実施した。これ以外の条件を実施例１と同様に設定して得たＰＤＰを比較例１とした。
（比較例２）
封着工程中のステップ１及び２を、露点―５５℃のＮ２のみの非酸化雰囲気で実施した。これ以外の条件を実施例３と同様にして得たＰＤＰを比較例２とした。
【０２３２】
以上のように作製した実施例１〜３と、比較例１〜２をサンプル１〜５とした。各々のサンプル１〜５の保護層との種類、封着材の種類と軟化点、流動温度（封着）点、封着材の仮焼成温度、封着排気炉の非酸化性乾燥ガスに還元性ガスを混合したガスの種類と混合量、露点温度、封着時の非酸化性乾燥ガスに還元性ガスを混合したガスの流量、真空排気時の排気温度、等のデータと、放電開始電圧Ｖｆの各値について、表１にまとめて示す。サンプル１〜５はすべて、仮焼成工程の最高温度を設定する際において、封着材の軟化点未満の温度に設定した。
【０２３３】
【表１】
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【０２３４】
（結果考察）
まず表１に示されるように、実施例１、２、比較例１は、いずれも封着材に同様のＰｂＯ系ガラスを用い、前面基板作成工程の保護層にＭｇＯを用いた構成である。この共通構成を前提とし、非酸化性ガスと還元性ガスを混合してなる封着雰囲気（混合雰囲気）で封着工程を行った実施例１、２のサンプルでは、封着雰囲気に非酸化性Ｎ２ガスのみを使用した比較例１のサンプルに比べ、明らかに放電開始電圧Ｖｆの低減効果が発揮されているのが確認できる。
【０２３５】
その理由として、比較例１では封着工程をＮ２のみの封着雰囲気で行ったことにより、封着材ペースト中の有機成分が封着工程中に微量に残存している酸素と触れて燃焼し、発生した重合物等の不純物がガスとなって保護層に吸着され、当該保護層が変質したことで電圧上昇を招いたものと考えられる。一方、実施例１、２では封着工程をＮ２に還元性ガスを混合した封着雰囲気で行ったため、このような重合物の発生が抑制され、排気工程で有機成分が低分子状態のままで十分に除去されて保護層の変質が効果的に抑制されたものと考えられる。すなわち実施例１、２では、いずれも封着雰囲気において、Ｎ２に還元性ガスを混合したことにより、良好な駆動電圧の低減効果が出現したものと考えられる
次に実施例１と２を比較すると、封着雰囲気中に還元性ガスを０．１％の分圧だけ添加した実施例１よりも、還元性ガスを３．０％の分圧で添加した実施例２で一層効果的に放電開始電圧Ｖｆの低減効果が得られている。この実施例１、２の結果をみると、還元性ガスを添加することで前記効果はそれなりに得られるが、添加量としては０．１％に比べて３％程度添加すれば一層良好な効果が表れる。よって、封着雰囲気中の還元性ガスの添加量としては、少なくとも分圧が０．１％〜３％の範囲は好適であり、当該範囲において還元性ガスの分圧を高く設定するほどより好ましいと言える。
【０２３６】
次に、実施例３と比較例２とを比較すると、いずれも封着材にビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）系ガラスを用い、前面基板作成工程の保護層の組成はＭｇＯにＳｉＯ２を１００ｐｐｍ、Ａｌ２Ｏ３を５００ｐｐｍ添加したものを用いている。このように、実施例１、２と封着材の組成や前面基板作成工程の保護層の組成が違っても、封着工程で非酸化性ガスに還元性ガスを混合した封着雰囲気を使用することにより、サンプル（実施例３）では封着雰囲気に非酸化性Ｎ２ガスのみを使用したサンプル（比較例２）に比べ、放電開始電圧Ｖｆの良好な低減効果が得られることが分かった。このような結果が得られた理由も実施例１、２と比較例２の考察と同様と思われる。併せて、本発明の要件としては、封着雰囲気を非酸化性ガスと還元性ガスを所定の比率で混合して用いることが重要なポイントであると思われる。
【０２３７】
また、実施例１、２、比較例１は、表１に示されるように、セルピッチが０．１０ｍｍの微細セルを有する構成である。上記の結果より、本発明によれば、たとえセルピッチが小さい高精細セル構造を有するＰＤＰであっても、その消費電力を良好に低減することが期待できる。
【０２３８】
以上の結果から、本発明の優位性が確認された。
なお、本実験では、全サンプル１〜５について、封着工程中のステップ１及び２を非酸化性ガスとしてＮ２ガスを、還元性ガスとしてＨ２を使った雰囲気で行ったが、非酸化性ガスとしてＡｒやＸｅガスを、還元性ガスとしてＮＨ３を用いても同様の効果が期待できると思われる。
【０２３９】
＜その他の事項＞
上記実施の形態では、本発明の効果が最も奏される、パネルの解像度がＦＨＤ以上のパネルを例として説明したが、当然ながら、いわゆる、ＳＤ、ＨＤ、ＦＨＤといった超高精細な解像度を持つパネルに対しても同等の効果が得られるのは言うまでもない。
【０２４０】
また、本発明は上記した高精細または超高精細なパネルに限定されない。たとえば走査線が比較的多く存在する、大型（５０インチ以上）のパネルにおいても高速駆動が要求されるため、本発明はこのようなパネルに適用した場合でも良好な効果を奏する。
【０２４１】
また本発明の適用は、このような高精細・超高精細パネルや大画面パネルのいずれにも限定せず、ＸＧＡ、ＳＸＧＡ規格等で構成された、比較的大きな放電セル構造を備えるＰＤＰに適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０２４２】
以上のように本発明は、大画面、高精細のＰＤＰ装置を提供する上で有用な発明であり、公共施設や家庭用のテレビジョン等として、極めて利用可能性が高いものであるといえる。
【符号の説明】
【０２４３】
１、１０１    プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
２    前面基板（フロントパネル）
３    前面基板ガラス
８    保護層
９    背面基板（バックパネル）
１０    背面基板ガラス
１３    隔壁
１６    封着部
３１    ガラス管（チップ管）
１１１    走査電極駆動回路
１１２    維持電極駆動回路
１１３    データ（アドレス）電極駆動回路
１４０    ガス導入装置
１６０    排気装置
１８０、１９０、２００、２１０、２３０    バルブ
２２０    封排用加熱炉
２６０    ヒーター
１０００    ＰＤＰ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面基板又は表面にＭｇＯを含む保護層が形成された前面基板のうち、一方の基板の主面の周囲に封着材を含むペーストを配設し、前記ペーストに含まれるバインダーの消失温度以上かつ封着材の軟化点温度未満の温度を仮焼成最高温度として、前記塗布したペーストを焼成する仮焼成工程と、
前記仮焼成工程後に、前記一方の基板の主面に他方の基板の主面を対向配置させ、前記両基板を重ね合わせる位置決め工程と、
位置決め工程後に、非酸化性ガスと還元性ガスの混合雰囲気下で、所定の封着温度で焼成して前記両基板を封着させる封着工程と、
前記封着工程後に、前記両基板間のガスを排気させる排気工程とを有し、
前記仮焼成工程では、前記最高温度で焼成を行った後、前記両基板の温度をバインダー消失温度未満且つ室温より高い第一温度まで下降させる第一降温ステップと、第一降温ステップ後に、前記両基板の温度を前記第一温度から室温まで温度降下させる第二降温ステップとを含み、
第一降温ステップの降温速度を４００℃/ｈｒ以上とし、
第一降温ステップに係る時間を２０分以上３０分以下とし、
第二降温ステップの降温速度を７５℃/ｈｒ以下とし、
第一降温ステップを、第二降温ステップよりも短時間で行う、
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記第一降温ステップにおける前記第一温度を２００℃とする
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記第二降温ステップの時間を、第一降温ステップの時間よりも５倍以上長時間に設定する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記仮焼成最高温度を、前記軟化点よりも１０℃以上低い温度とする
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記仮焼成最高温度を、前記軟化点よりも１０℃から５０℃低い温度とする
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記仮焼成工程では、前記封着材として低融点ガラスを成分に含む封着材を用い、当該低融点ガラスのガラス転移点以上かつ当該低融点ガラスの軟化点よりも１０℃以下の低い温度で焼成を実施する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記封着工程では、前記封着温度として前記軟化点温度より４０℃以上の高い温度に設定する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
封着工程では、非酸化性ガスとしてＮ２ガスあるいはＡｒガスを用い、還元性ガスとしてＨ２ガスを用いる
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記混合雰囲気中における前記Ｈ２ガス分圧が０．１％以上３％以下である
請求項８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記仮焼成工程は、露点が−４５℃以下のＮ２雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
前記仮焼成工程は、Ｏ２を１％以下の分圧で含有するＮ２雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】
前記封着工程では、前記両基板の温度を室温から前記封着温度まで上昇させる封着温度上昇ステップと、
前記封着温度上昇ステップ後に前記封着温度を一定時間維持する封着温度維持ステップと、
前記封着温度維持ステップ後に、前記両基板の温度を前記封着温度から前記軟化点未満の温度まで下降させる封着温度下降ステップとを、少なくとも含む
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１３】
前記排気工程では、前記両基板を室温以上、前記軟化点未満の温度で一定時間維持する排気温度維持ステップと、
前記排気温度維持ステップ後に、前記両基板温度を室温まで下降させる排気温度下降ステップとを、順次、それぞれ減圧雰囲気下で行う
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】
前記封着工程前において、背面基板の主面に隣接する隔壁を０．１６ｍｍ以下のピッチに設定して複数併設するとともに、隣接する前記各隔壁間に蛍光体層を形成し、
前記排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１５】
前記封着工程前において、パネル画素数が横方向に１９２０個以上で且つ縦方向に１０８０個以上となるように、背面基板の主面に隣接する隔壁のピッチを設定して複数の隔壁を併設するとともに、隣接隔壁間に蛍光体層を形成し、
排気工程後の前記両基板の間に、Ｘｅを１５％以上の分圧で含む放電ガスを封入する
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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