【事件の表示】
　特許第２９７４７００号「導電性接着剤」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７４７００号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　特許第２９７４７００号の請求項１及び２に係る発明の出願は、平成１年１１月３０日に特許出願され、平成１１年９月３日にその特許権の設定登録がなされ、その後、信越化学工業株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１２年１０月２４日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
　
(1)訂正の内容
　
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下の、ａ〜ｄのとおりである。
　
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１について、「２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、金、銀、ニッケル、または銅」を「２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金、銀、ニッケル、または銅」に訂正する。
　
　訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の記載について、特許公報第２頁第４欄第１６〜１８行の「本発明は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、金、銀、ニッケル、または銅」を「本発明は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金、銀、ニッケル、または銅」に訂正する。
　
　訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明の記載について、特許公報第２頁第４欄第３４行の「あることが」を「あり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であることが」に訂正する。
　
　訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明の記載について、特許公報第８頁第１５欄第２２〜２４行の「本発明の導電性接着剤は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、金、銀、ニッケル、または銅」を「本発明の導電性接着剤は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金、銀、ニッケル、または銅」に訂正する。
　
(2)訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　
　上記訂正事項ａに関連するものとして、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）には、「２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物」（第６頁第２〜５行）に関して、その「低分子シロキサンの含有量は」（第７頁第８〜９行）、「導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の加熱時に発生するガス類をガスクロマトグラフにて分析することによっても測定できる。」（第７頁第１３〜１６行）と、記載されており、その実施例１，２には、「また、この組成物の硬化時（２００℃／１０分間）に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて測定したところ」（第２３頁第１２〜１５行及び第２６頁下から第１０〜８行）と記載されている。
　すると、該訂正事項ａは、「２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物」の、低分子シロキサンの含有量の測定方法として、特許明細書に記載されていた方法を具体的に発明の構成として挙げたものであり、該発明は、特許明細書に記載されているものと認められる。
　そうすると、上記訂正事項ａは、特許明細書に記載された事項の範囲内において、更に限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、上記訂正事項ｂ〜ｄは、特許請求の範囲の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合性を図るための、明りょうでない記載の釈明を目的とする明細書の訂正に該当するものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
(3)むすび
　
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについての判断
　
(1)申立ての理由の概要
　
　特許異議申立人信越化学工業株式会社は、甲第１〜16号証（甲第１号証：特開昭61−5530号公報、甲第２号証：特開昭63−293925号公報、甲第３号証：「1988年版　シリコーンとその応用」　第164〜165頁　東芝シリコーン株式会社編集・発行　1988年10月1日、甲第４号証：特開昭62−240361号公報、甲第５号証：特開昭61−157569号公報、甲第６号証：特開昭52−24258号公報、甲第７号証：特開昭62−240360号公報、甲第８号証：特開昭49−107337号公報、甲第９号証：特開昭52−95090号公報、甲第10号証：特開昭60−83986号公報、甲第11号証：特開平1−294784号公報、甲第12号証：特開昭62−240538号公報、甲第13号証：特開昭62−162319号公報、甲第14号証：特開昭61−103931号公報、甲第15号証：特開昭63−44681号公報、甲第16号証：JACS Vol.68(1946) p.691-696，Donald F.Wilcock et.al）を提出して、本件の請求項１，２に係る発明は、甲第1〜15号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１，２に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨、また、甲第15，16号証の記載によれば、１１〜２５量体の環状シロキサンは２００℃での蒸気圧が１０ｍｍＨｇ未満であって、本件請求項１、２に係る発明の低分子シロキサンには含まれないものであるから、請求項の記載と発明の詳細な説明に記載（特に、本件特許公報第２頁第４欄第36〜44行の「かかる低分子シロキサンとしては、・・・直鎖状シロキサンがある。」の記載）された事項との間には矛盾があり、さらに、本件請求項１、２には、低分子シロキサンの含有量の測定方法について規定がなく、一方、抽出法と加熱時に発生するガスのガスクロマトグラフ測定による方法とでは、測定値に大きな差異があり（本件の実施例、比較例等参照）、本件請求項１、２で規定されている低分子シロキサンの含有量がいずれの方法によるものであるのか明らかでない以上、請求項１、２に係る発明の構成は不明確であり、特許法第３６条第３項又は第４項の規定に違反してされたものであるから、本件の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべき旨、主張している。
　
(2)本件の請求項１，２に係る発明
　
　２．(3)に示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１，２に係る発明（以下、「本件発明１」「本件発明２」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉末を含有する導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物からなることを特徴とする、半導体ペレットとタブとを接合するための導電性接着剤。
　【請求項２】導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物が、
　（Ａ）２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、１分子中に２個以上のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン　　　１００重量部、
　（Ｂ）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、（Ａ）成分のアルケニル基１個に対し本成分のケイ素原子結合水素原子を０．５〜３個供給し得るに充分な量、
　（Ｃ）式、−ＳiＯＲ１（式中、Ｒ１は１価炭化水素基である。）で表される官能基を有し、かつ、ケイ素原子結合低級アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物　　　０〜１０重量部、
　（Ｄ）白金系触媒　　　　　　　　　　　　　　　　　触媒量、
　（Ｅ）シリカ微粉末系フィラー　　　　　　　　０〜１００重量部、
および
　（Ｆ）金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉末　　　　　　５０〜２０００重量部
からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の導電性接着剤。」　
　
(3)刊行物等に記載された発明
　
(i)当審で通知した取消理由で引用した引用例１〜12には、以下のことが記載されている。
　
　引用例１（特開昭61−5530号公報（特許異議申立人が提出した甲第１号証））には、 「1．ペレットがペレット取付部に弾性材料を介して取り付けられている半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項1）及び、「3．弾性材料がシリコーンゴムまたはシリコーンゴムを主成分とする混合材料であることを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載の半導体装置。」（同請求項3）が記載されている。
　引用例2（特開昭63−293925号公報（同甲第2号証））には、「半導体ペレットを、合成ゴム系接着剤または天然ゴム系接着剤（ただし、シリコーンゴム系の当該接着剤は除く）により、支持基体に接合して成ることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項1）が記載されている。
　引用例3（「1988年版　シリコーンとその応用」　第164〜165頁　東芝シリコーン株式会社編集・発行　1988年10月1日（同甲第3号証））の第165頁の表2・7・18には、ビニル基を含有するポリシロキサンと、Si−H結合をもつポリシロキサンと、白金化合物とを含む付加型液状シリコーンゴムがポッテイング用、コーティング用、型取り用、ジャンクションコーテイング用、LIM成形用のほか、接着シール用等の用途に用いられることが記載されている。
　引用例4（特開昭62−240361号公報（同甲第4号証））には、「（A）1分子中にケイ素原子に結合した低級アルケニル基を少なくとも2個有するオルガノポリシロキサン　100重量部（B）1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を少なくとも2個有するオルガノハイドロジエンポリシロキサン　0．3〜40重量部（C）白金系触媒　触媒量（D）ケイ素原子結合の不飽和基とアルコキシ基とを有する有機ケイ素化合物　0．1〜30重量部（E）アルミニウム化合物またはジルコニウム化合物　0．001〜10重量部からなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　引用例6（特開昭62−240360号公報（同甲第7号証））「イ）平均分子式R１ａR２ｂSiO［4−(a＋b）］／2］で示されるオルガノポリシロキサン100重量部、ロ）平均分子式R２ｃHｄSiO［4−(c＋d)／2］で示される、1分子中に≡SiH基を少なくとも3個有するオルガノハイドロジエンポリシロキサン、ハ）1分子中に≡SiH基を2個含有すると共に、特定の基を少なくとも1個含有するオルガノシロキサン　1〜15重量部、ニ）白金系触媒とからなることを特徴とする硬化可能なオルガノポリシロキサン組成物。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　引用例7（特開昭62−162319号公報（同甲第13号証））には、「ケース内に部品本体あるいは各種電子部品を収納するとともに、環状低分子量シロキサンを充分揮発させた低シロキサンのシリコン樹脂を充填してなる電子機器。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　引用例8（特開昭61−103931号公報（同甲第14号証））には、 「シリコーンゴム成形体を高真空下に加熱し、ついでガス流通下に低真空で加熱して、成形体から低分子シロキサンを除去することを特徴とするシリコーンゴム成形体の製造方法。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　引用例9（特開昭63−44681号公報（同甲第15号証））には、「1．200℃で10mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が0．2重量％より少ないシリコーンゴムよりなることを特徴とする定着ロール　2．前記シリコーンゴムが、（1）一般式（i）（式省略）で示されると共に、200℃で10mmHg以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が0．2重量％より少ない分子鎖両末端ビニル基封鎖オルガノポリシロキサン、（2）一分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2個以上有するオルガノハイドロジエンポリシロキサン、（3）充填剤、（4）触媒量の白金系化合物からなる付加型シリコーンゴム組成物の硬化物である特許請求の範囲第1項記載の定着ロール。」（特許請求の範囲）が記載されている。
　引用例10（特開昭60-83986号公報（同甲第10号証））には、「導電性の金属粒子を含有する絶縁性接着剤を用いて各素子を電気的に接続する電子部品において、前記金属粒子を重量比で75％未満含有し、前記絶縁性接着剤をエポキシ樹脂系又はシリコン樹脂系の接着剤を用いたことを特徴とする電子部品。」が記載され、「本発明は電気的接続方法に関する。詳しくは、金銀，銅，ニッケル，アルミニウム，鉄などの貴金属，軽金属その他、鉄属の金属などの単体、合金、混合物あるいはメッキ粒子のような導電性の金属微粉末を含有する接着剤を用いて、回路基板と液晶表示体のような、電気的接続を必要とする素子を接着硬化させ、電気的接続をとる際、電気的接続に異方性を持たせうる電子部品に関する。」旨記載されている。
　引用例11（特開昭58-86732号公報）には、「半導体チップを基体に接合材により接合させた半導体素子において、該接合材が弾性を具えたシリコン樹脂に導電性金属粉末を混入して構成されていることを特徴とする半導体素子。」（第1頁特許請求の範囲）が記載され、「接合材5には、シリコン系樹脂6に、金、銀、銅などの良導電性かつ良熱伝導性を具えた金属微粉末を混入して構成される。」（第2頁右上欄第1〜3行）こと、「金属微粉末7は接合材5に導電性と熱伝導性を与えて、半導体チップ2の熱の放散を容易にし、また良好なオーミック性を確保させる。」（第2頁第6〜9行）ことが記載されている。
　引用例12（特開昭57-64939号公報）には、「半導体素子を金属粉末と耐熱性高分子樹脂とを混和してなる導電性接着剤により導電体上に固着したことを特徴とする半導体装置。」（第1頁特許請求の範囲）が記載されており、「外部導出用リードの素子固定用リード1aの所定の位置に銀粉末充填シリコン樹脂接着剤3を印刷し、その上に半導体素子2を載置し、150〜200℃のオーブンに保管して接着剤3を加熱硬化させて半導体素子2を固定する。尚、金属粉末充填物としては銀以外にも金、白金等の良電導性貴金属や銅等であってもよい」（2頁左上欄第10〜12行）ことが記載されている。
　
(ii)当審で通知した取消理由で引用されなかった異議証拠には、以下のことが記載されている。
　
　証拠ア（甲第５号証：特開昭61−157569号公報）には、シラン化合物を含有する熱伝導性接着組成物が記載されている。
　証拠イ（甲第８号証：特開昭49−107337号公報）には、シリコーン系粘着剤を含有する耐熱性導電性粘着剤が記載されている。
　証拠ウ（甲第９号証：特開昭52−95090号公報）には、シリコン化合物を含有する導電性組成物が記載されている。
　証拠エ（甲第11号証：特開平1−294784号公報）には、シリコーンゴム系の導電性接着剤が記載されている。
　証拠オ（甲第12号証：特開昭62−240538号公報）には、シリコーン系の接着剤層を有する放熱・吸熱材が記載されている。
　証拠カ（甲第16号証：JACS Vol.68(1946) p.691-696，Donald F.Wilcock et.al）には、環状シロキサンの蒸気圧の算出式が記載されている。
　
(4)対比・判断
　
(i)特許法第２９条第２項について
　
　本件発明１、２と、引用例1〜12及び証拠ア〜カに記載された発明とを対比する。
　引用例１に記載されているように半導体ペレットと該ペレット取付部材との接着にシリコーンゴムを使用することは公知であり、シリコーンゴムとして付加反応硬化型のものは引用例３〜６に記載されており、また、樹脂接着剤に導電性を付与するために金属粉末等の導電性フィラーを配合することも引用例２，１０〜１２に記載されているように周知の技術手段である。
　しかしながら、引用例1〜12及び証拠ア〜カのいずれにも、本件発明１、２を特定するための事項である、「２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である付加反応硬化型シリコーンゴム組成物からなることを特徴とする、半導体ペレットと該ペレット取付部材とを接合するための接着剤」については記載されていないのみならず、示唆もされていない。
　なお、引用例２には、シリコーン系の接着剤をペレット接合材として用いた場合、比較的低分子のシリコーン成分が、ワイヤボンディングに際し、ボンディング用ワイヤとペレットやリードとの間に圧着不良を生じたり、また、耐湿信頼性を劣化させることがある旨、記載されているが、そもそも引用例２に記載されているのは、シリコーン系の接着剤にはそのような問題点があるために、シリコーンゴム系の接着剤を使用しないようにしたものであり、当然のことながら、低分子シリコーンの含有量をどの程度以下にすれば、これらの問題点を解決できるかについては、記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１、２は、低分子シロキサンの含有量を上記の如くにしたことにより、明細書に記載され、かつ、平成１２年１０月２４日付け特許異議意見書とともに提出された実験成績証明書からも明らかなように、ワイヤボンダビリティ及び耐湿性が低下しない、という作用効果を奏するものである。
　なお、証拠カは、環状シロキサンと蒸気圧との関係について述べたものであり、本件発明１、２の接着剤と直接に関連するものではない。
　したがって本件発明１、２は、引用例1〜12及び証拠ア〜カに記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　　　
(ii)特許法第３６条について
　
　当審が平成１２年８月２１日付けで通知した取消理由通知で通知した明細書の記載不備は、次のとおりの、「本件請求項１、２には、低分子シロキサンの含有量の測定方法について規定がなく、また、抽出法と加熱時に発生するガスのガスクロマトグラフ測定による方法とでは、測定値に大きな差異があり、本件請求項１、２で規定されている低分子シロキサンの含有量がいずれの方法によるものであるのか明らかでない以上、請求項１、２に係る発明の構成は不明確である。」というものである。
　これに対し、訂正明細書において、低分子シロキサンの含有量について、「２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である」旨、限定し、その構成を明確にした。
　したがって、上記取消理由通知で通知した明細書の記載不備は解消された。
　なお、特許異議申立人は、甲第15号証（引用例9）及び甲第16号証（証拠カ）の記載から、１１〜２５量体の環状シロキサンは２００℃での蒸気圧が１０ｍｍＨｇ未満であり、本件請求項１、２の低分子シロキサンに含まれず、請求項の記載と発明の詳細な説明に記載（特に、本件特許公報第２頁第４欄第36〜44行の「かかる低分子シロキサンとしては、・・・直鎖状シロキサンがある。」の記載参照）された事項との間に矛盾がある旨、主張している。
　確かに、若干の記載の矛盾は存在するかもしれないが、請求項１、２には本件発明の構成が明確に記載されており、しかも、発明の詳細な説明の記載に基いて当業者が実施しうるものである以上、上記若干の記載の矛盾をもって、本件発明を取り消されるべきものであるとすることはできない。
　したがって、記載不備に関する該主張も採用することはできない。
　
(5)むすび
　
　したがって、本件発明１，２についての特許は、特許第２９条第２項の規定に違反してされたものとも、同法第３６条に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものとも、することはできない。
　
４．むすび
　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１，２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１，２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月１１日（２００１．７．１１）
【訂正の要旨】
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１について、「２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、金、銀、ニッケル、または銅」を「２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金、銀、ニッケル、または銅」に訂正する。
　訂正事項ｂ
　発明の詳細な説明の記載について、特許公報第２頁第４欄第１６〜１８行の「本発明は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、金、銀、ニッケル、または銅」を「本発明は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金、銀、ニッケル、または銅」に訂正する。
　訂正事項ｃ
　発明の詳細な説明の記載について、特許公報第２頁第４欄第３４行の「あることが」を「あり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であることが」に訂正する。
　訂正事項ｄ
　発明の詳細な説明の記載について、特許公報第８頁第１５欄第２２〜２４行の「本発明の導電性接着剤は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、金、銀、ニッケル、または銅」を「本発明の導電性接着剤は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であり、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金、銀、ニッケル、または銅」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
導電性接着剤
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であ
り、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金
　【請求項２】　導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物が、
（Ａ）２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、１分子中に２個以上のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００重量部、
（Ｂ）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、（Ａ）成分のアルケニル基１個に対し本成分のケイ素原子結合水素原子を０．５〜３個供給し得るに充分な量、
（Ｃ）式、
−ＳｉＯＲ１（式中、Ｒ１は１価炭化水素基である。）で表される官能基を有し、かつ、ケイ素原子結合低級アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜１０重量部、
（Ｄ）白金系触媒　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　触媒量、
（Ｅ）シリカ微粉末系フィラー　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜１００重量部、
および
（Ｆ）金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉末
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０〜２０００重量部
からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の導電性接着剤。
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
　本発明は、半導体ペレットとタブを接合（ダイボンディング）するための導電性接着剤（導電性ダイボンディング剤）に関するものである。
［従来の技術］
　半導体装置は、例えば、シリコンからなる半導体ペレットがその支持体であるタブに導電性エポキシ樹脂、導電性ポリイミド樹脂等の導電性接着剤等により接合され、さらに半導体ペレットと金属製内部リードフレームを金属製ワイヤで電気的に接合し、これらの一体化物がエポキシ樹脂などの封止樹脂により封止されてなる構造体である。このように、半導体装置は各種の素材により構成されているので、封止樹脂による封止時の加熱、または半導体ペレットの温度上昇に伴う素材の熱膨張率の差や機械的応力に起因する内部歪の増大により、半導体ペレットや封止樹脂にクラックが発生し、半導体装置としての性能に変動をきたし、その信頼性が低下するという欠点があった。
　特に、最近は半導体ペレットの集積度や実装密度の向上が要求されており、それに伴って半導体ペレットの大型化により内部歪が助長され、また半導体装置の熱伝導性、加工性の向上およびコスト低下のため、タブ、金属製内部リードフレーム材料においても、熱膨張係数の比較的小さいＮｉ−Ｆｅ合金から、比較的熱膨張係数の大きい銅合金に移行する傾向にあるので、上記のような欠点が益々問題視されるようになってきた。
　即ち、シリコンの大型半導体ペレットを導電性エポキシ樹脂や導電性ポリイミド樹脂接着剤のような従来の導電性接着剤により銅製タブに固着すると、この銅製タブと半導体ペレットとの熱膨張率の差により、応力が発生し、半導体ペレットの反りが大となり、その特性が変動し、はなはだしい場合は半導体ペレットにクラックが発生し、半導体装置としての信頼性が従来にまして低下するからである。
　従来、かかる問題点を解決するため、導電性シリコーンゴムからなる導電性接着剤により半導体ペレットとタブとを接着した半導体装置が提案されている（特開昭５８−８６７３２号公報参照）。これは半導体ペレットとタブとの熱膨張率の差に起因する内部歪を導電性シリコーンゴム弾性体により緩和しようとしたものである。
［発明が解決しようとする課題］
　しかし、上記特開昭５８−８６７３２号公報で提案された発明においては、導電性接着剤で半導体ペレットをタブに接着した後、半導体ペレットと銅製内部リードフレームとを、金製ワイヤからなるボンディングワイヤで接続する際に、半導体ペレットとボンディングワイヤあるいは銅製リードフレームとボンディングワイヤとの接合性（ワイヤボンダビリティ）が低下して半導体装置の信頼性が低下するという欠点があった。また、半導体ペレット，タブ，銅製内部リードフレームと封止樹脂との接着性不良による耐湿性の低下等が発生するという問題点があった。
　本発明者らは上記問題点を解決するために鋭意研究した結果、特定の導電性シリコーンゴム組成物を導電性接着剤として使用すれば、上記のような問題点は一挙に解消されることを見出し本発明に到達した。
　即ち、本発明の目的は半導体ペレットとタブを接合後、ワイヤボンダビリティが阻害されず、かつ、半導体ペレット，タブ，銅製内部リードフレームなど半導体部材と封止樹脂との接着性不良による耐湿性を低下させないという特徴を有する、半導体ペレットとタブを接合するための導電性接着剤を提供することにある。
［課題を解決するための手段およびその作用］
　本発明は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であ
り、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金
　これを説明するに、本発明に使用される導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物は、ケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、ケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化反応触媒および金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉末を主成分とするものであり、常温あるいは加熱下に硬化して導電性シリコーンゴムになり得るものである。本発明においては、この導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物に含まれる、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であ
り、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であ
（式中、ｎは３〜２５の整数である。）で表される環状シロキサン、または、式、
（ＣＨ３）３ＳｉＯ［（ＣＨ３）２ＳｉＯ］ｍＳｉ（ＣＨ３）３
（式中、ｍは１〜２５の整数である。）で表される直鎖状シロキサンがある。かかる低分子シロキサンの含有量は、オルガノポリシロキサン類および導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物から低分子シロキサンを有機溶媒にて抽出し、その抽出量をガスクロマトグラフにより分析することにより容易に測定できる。また、導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の加熱時に発生するガス類をガスクロマトグラフにて分析することによっても測定できる。
　本発明の導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物は次のようなものが好ましい。
すなわち、
（Ａ）２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、１分子中に２個以上のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサン
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１００重量部、
（Ｂ）１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基１個に対し本成分のケイ素原子結合水素原子を０．５〜３個供給し得るに充分な量、
（Ｃ）式、
−ＳｉＯＲ１（式中、Ｒ１は１価炭化水素基である。）で表される官能基を有し、かつ、ケイ素原子結合低級アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜１０重量部、
（Ｄ）白金系触媒　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　触媒量、
（Ｅ）シリカ微粉末系フィラー　　　　　　　　　　　　　　　　　　０〜１００重量部、
および
（Ｆ）金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉末
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５０〜２０００重量部
からなるものである。
　ここで、（Ａ）成分のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンは、平均単位式、
（式中、Ｒ２は、メチル基，エチル基，プロピル基等のアルキル基；フェニル基，トリル基等のアリール基；ビニル基，アリル基，プロペニル基，ヘキセニル基等のアルケニル基で例示される１価炭化水素基であり、ａは１〜３である。）で表され、１分子中に２個以上のケイ素原子結合アルケニル基を有するオルガノポリシロキサンである。
　かかるオルガノポリシロキサンは、当業界において公知の方法で製造されるが、通常は、オクタメチルテトラシクロシロキサン，デカメチルペンタシクロシロキサン，ドデカメチルヘキサシクロシロキサン等の２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンを副生成物として約２〜７重量％含有している。
　本発明に使用される（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、かかる低分子シロキサンを前記のようなオルガノポリシロキサンから除去することによって製造される。低分子シロキサンの除去方法としては数多くの方法があるが、その１例を挙げれば、オルガノポリシロキサンを薄膜化して、例えば０．５ｍｍＨｇ以下の減圧下において１８０〜３００℃の加熱条件下でストリッピングするか、またはオルガノポリシロキサンにメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールもしくはアセトンなどの溶剤を加えて低分子シロキサンを抽出除去する方法等が採用できる。
　なお、（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、通常、その粘度が２５℃において５０〜５００，０００センチストークスの範囲内にあるものが使用されるが、特に、４００〜１００，０００センチストークスの範囲内にあるものが好適に使用される。
　（Ｂ）成分のオルガノポリシロキサンは、（Ａ）成分の架橋剤として作用するものであり、これは１分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を含有するものであって、その分子構造は直鎖状、分枝状、環状のいずれの構造であってもよい。
　かかるオルガノポリシロキサンの配合量は（Ａ）成分のアルケニル基１個に対して本成分のケイ素原子結合水素原子を０．５〜３個供給し得るに十分な量であり、好ましくは１〜２個供給するに十分な量である。この量は、通常、（Ａ）成分の２重量％以下である。かかる（Ｂ）成分も（Ａ）成分と同様に低分子シロキサンを含有しているため、例えば、０．５ｍｍＨｇ以下の減圧下において１８０〜３００℃の加熱条件下にストリッピングして、反応副生成物である低分子シロキサンを除去したものを用いた方が好ましい。
　かかるオルガノポリシロキサンとしては、例えば、次のようなものが例示される。
（式中、ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｇは０または正の整数を表し、ｆは２以上の整数を表す。）
　（Ｃ）成分は本発明の導電性接着剤に接着性を付与するための成分であり、式、−ＳｉＯＲ１（式中、Ｒ１はメチル基，エチル基，プロピル基，プロペニル基等の１価炭化水素基である。）で表される官能基を有し、かつ、低級アルケニル基もしくはケイ素原子結合水素原子を有する有機ケイ素化合物である。かかる有機ケイ素化合物の具体例としては、
　ＣＨ２＝ＣＨ−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３
　ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３
が例示される。
　また、その配合量は（Ａ）成分１００重量部に対し、０〜１０重量部の範囲であり、好ましくは０．５〜３．０重量部の範囲である。
　（Ｄ）成分の白金系触媒は、本発明の導電性接着剤を硬化させるための触媒であり、一般にヒドロシリル化反応に用いられる付加反応用触媒として公知のものが使用でき、かかるものとしては白金黒，アルミナ，シリカなどの担体に固体白金を担持させたもの，塩化白金酸，アルコール変性塩化白金酸，塩化白金酸とオレフィンの錯体あるいは白金とビニルシロキサンとの錯体等が例示される。これらの触媒の使用に当たっては、それが固体触媒であるときは分散性をよくするために細かく砕いたり、その担体を粒径が小さく、比表面積の大きいものとすることが好ましく、塩化白金酸または、そのオレフィンとの錯体については、これをアルコール，ケトン，エーテルあるいは炭化水素系等の溶剤に溶解して使用することが望ましい。なお、この触媒の添加量は所望の硬化速度が得られるように適宣調節すればよいが、良好な硬化物を得るために、塩化白金酸等のようにシロキサンと相溶するものについては、前述した（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計量に対し白金量で１〜１００ｐｐｍの範囲とすることが望ましい。
　（Ｅ）成分のシリカ微粉末系フィラーは本発明の導電性接着剤に適当な硬度と強度と作業性を付与するために配合されるもので、通常の付加反応硬化型シリコーンゴム組成物に使用されているものが使用可能である。かかるシリカ微粉末系フィラーとしては、例えば、ヒュームドシリカ，沈降性シリカ，疎水化処理したシリカ等が挙げられる。また、その配合量は、（Ａ）成分の１００重量部に対し１００重量部以下とされる。
　（Ｆ）成分の金、銀、ニッケル、または銅からなる金属微粉末、またはこれらの金属を蒸着もしくはメッキした微粉末は、本発明の導電性接着剤に導電性を付与するための必須の成分である。本発明の導電性接着剤において使用できる微粉末としては、金，銀，ニッケル，または銅からなる金属微粉末；セラミック，ガラス，石英，有機樹脂等の微粉末表面に金，銀，ニッケル，または銅からなる金属を蒸着またはメッキした微粉末が挙げられる。本発明において、導電性シリコーンゴムの体積抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下である導電性を得るために、使用できる微粉末としては、金または銀微粉末であるが、実用的には銀微粉末である。銀粉末として球状，フレーク状，フレーク樹枝状等の銀粉末が挙げられる。導電性シリコーンゴムが１×１０−３Ω・ｃｍ以下の導電性を得るためには、フレーク状またはフレーク樹枝状の銀粉末が好ましく、特にフレーク状の銀粉末とフレーク樹枝状の粉末を混合して用いる場合、フレーク状の銀粉末の混合比は、フレーク樹枝状の銀粉末に対して８０／２０〜２０／８０が好ましい。また、銀粉末の粒径は１〜１０μｍであり、好ましくは１〜５μｍである。本発明において（Ｆ）成分の添加量は、（Ａ）成分１００重量部に対して５０〜２０００重量部であり、好ましくは３００〜６００重量部である。これは５０重量部未満であると、本発明の目的である導電性が付与されず、また２０００重量部を越えると、導電性接着剤の作業性が悪化するためである。
［実施例］
　次に本発明を実施例にて説明する。実施例中、粘度は２５℃における値である。
　尚、実施例において、低分子シロキサンの量の測定および導電性接着剤の特性は次に記載する方法により従って行なった。
○低分子シロキサンの含有量の測定
　原料のオルガノポリシロキサンについては低分子シロキサンをアセトンにより抽出し、その抽出量をガスクロマトグラフのＦＩＤ法により測定した。
○半導体ペレットクラックの評価
　導電性接着剤８を半導体ペレット２とタブ１の間に介在させ、２００℃で１分間加熱した。得られた半導体ペレット２とタブ１が導電性接着剤８により接合されてなる一体化物を冷却した後、その半導体ペレット２の表面を顕微鏡にて観察した。
○ワイヤボンダビリティの評価
　上記半導体ペレットクラックの評価で得られた一体化物上のアルミニウム製ボンディングパッド３と銅製内部リードフレーム４とを金製ワイヤ５で接合（ワイヤボンディング）して一体化物を作成した。なお、金製ワイヤ５の接合は超音波熱圧着法により接合した。次いで、この一体化物について、金製ワイヤ５とアルミニウム製ボンディングパッド３または金製ワイヤ５と銅製内部リードフレーム４との接合点を観察し、併せてこの金製ワイヤ５を引張り、金製ワイヤ５の浮き上がったものを接合不良品とし、接合試験の全数に対する接点不良品の数を数えた。
○耐湿性の評価
　上記ワイヤボンダビリティの評価で得られた一体化物をエポキシ樹脂６により封止して半導体装置を作成した。次いで、この半導体装置を１２１℃、２気圧の飽和水蒸気中で所定時間加熱した。加熱後の半導体装置に電流を流し銅製内部リードフレーム４間のリーク電流を測定した。そしてリーク電流の増加および導通不良のあった半導体装置を不良品とし、この半導体装置の全数に対する不良品の数を数えた。
○導電率の測定
　厚さ１ｍｍ以上のシート状の導電性シリコーンゴム硬化物を作成し、抵抗率測定装置［（有）共和理研製、Ｋ−７０５ＲＬ］にて測定を行なった。
参考例１
で示されるジシロキサンと、
で示される環状シロキサンとをカリウムシラノレート触媒を用いて重合した後、中和することにより、ビニル基を有するジメチルポリシロキサン（Ｉ）を得た。
　このビニル基を有するジメチルポリシロキサン（Ｉ）を圧力１０ｍｍＨｇ、温度１８０℃の加熱条件下で５時間ストリップ処理を行い、低分子シロキサンを除去して、粘度２，０００センチストークスのビニル基を有するジメチルポリシロキサン（ＩＩ）を得た。
　このジメチルポリシロキサン（Ｉ）および（ＩＩ）中に含まれる低分子シロキサンの量をガスクロマトグラフ［（株）島津製作所製、ＧＣ−９Ａ、ＦＩＤ仕様］を用いて定量したところ、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの主成分は環状のジメチルポリシロキサンの１０量体（Ｄ１０）であり、その含有量はジメチルポリシロキサン（Ｉ）では２０．５重量％、ジメチルポリシロキサン（ＩＩ）では、１．３重量％であった。
　更に、ジメチルポリシロキサン（ＩＩ）を圧力０．０１ｍｍＨｇ、温度２６０℃の加熱条件下で８時間分子蒸留処理を行い、低分子シロキサンを除去し、１０量体（Ｄ１０）までの低分子シロキサンの含有量が０．０１重量％のビニル基を有するジメチルポリシロキサン（ＩＩＩ）を得た。
　また、ジメチルポリシロキサン（ＩＩＩ）１００重量部とエタノール３００重量部とを３時間攪拌混合し、静置後エタノールを分離した。更に、同様のエタノール抽出操作を４回繰り返し、低分子シロキサンを除去した後、このジメチルポリシロキサン中のエタノール分を圧力１０ｍｍＨｇ、温度１８０℃の加熱条件下で５時間ストリップ処理を行い除去して、１０量体（Ｄ１０）までの低分子シロキサンの含有量が１０ｐｐｍのビニル基を有するジメチルポリシロキサン（ＩＶ）を得た。
参考例２
　参考例１で得られたビニル基を有するジメチルポリシロキサン（ＩＩＩ）６５重量部と、ＳｉＯ２単位と（ＣＨ３）３ＳｉＯ１／２単位と（ＣＨ３）２（ＣＨ２＝ＣＨ）ＳｉＯ１／２単位からなる共重合体（ビニル基含有量２５モル％）３５重量部とを混合した。この混合物１００部とエタノール３００部とを３時間攪拌混合し、静置後エタノールを分離した。更に、同様のエタノール抽出操作を４回繰り返し、低分子シロキサンを除去した後、このジメチルポリシロキサン中のエタノールを圧力１０ｍｍＨｇ、温度１８０℃の加熱条件下で５時間ストリップ処理を行い除去して、粘度９，０００センチストークスのビニル基を有するジメチルポリシロキサンレジン（Ｖ）を得た。このジメチルポリシロキサンレジン（Ｖ）中に含まれる１０量体（Ｄ１０）までの低分子シロキサンの含有量は、１０ｐｐｍであった。
参考例３
で示されるジシロキサンと、
で示される環状シロキサンと、
で示される環状シロキサンを硫酸触媒の存在下に重合した後、中和することにより、平均組成式、
で示されるケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン（ＶＩ）を得た。このポリシロキサン（ＶＩ）を０．５ｍｍＨｇの減圧下、温度１８０℃の加熱条件下、３時間ストリップ処理を行い、低分子シロキサン含有量の減少したケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン（ＶＩＩ）を得た。これらポリシロキサン（ＶＩ）、（ＶＩＩ）中に含まれる１０量体（Ｄ１０）までの低分子シロキサンの含有量は、（ＶＩ）は１７．０重量％、（ＶＩＩ）は１００ｐｐｍであった。
実施例１
　参考例１で製造したビニル基を有するポリシロキサン（ＩＶ）１００重量部、フレーク状の銀粉末［（株）徳力化学研究所製、商品名ＴＣ２０Ｅ］２００重量部、フレーク状の銀粉末［（株）徳力化学研究所製、商品名ＴＣＧ７］２００重量部、参考例３で製造したケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン（ＶＩＩ）１．５重量部、塩化白金酸とオレフィンの錯体を白金として５ｐｐｍを均一に混合して導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を得た。この組成物中に含まれる低分子シロキサンの含有量は１０ｐｐｍであった。また、この組成物の硬化時（２００℃／１０分間）に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて測定したところ６０ｐｐｍであった。このものの硬化後の導電性シリコーンゴムの抵抗率は４×１０−４Ω・ｃｍであった。次いで、この組成物を導電性接着剤として用いて、半導体装置を製造し、半導体ペレットクラック、ワイヤボンダビリティ及び耐湿性を測定した。これらの結果を第１表に示した。
比較例
　実施例１において、ビニル基を有するジメチルポリシロキサン（ＩＶ）の代わりに、ビニル基を有するジメチルポリシロキサン（ＩＩ）を用い、また参考例３で製造したケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン（ＶＩＩ）の代わりに、ケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン（ＶＩ）を用いた以外は実施例１と同様にして導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を得た。この組成物中に含まれる低分子シロキサンの含有量は２８００ｐｐｍであった。また、この組成物の硬化時（２００℃／１０分間）に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて測定したところ３５６０ｐｐｍであった。このものの硬化後の導電性シリコーンゴムの抵抗率は４×１０−４Ω・ｃｍであった。次いで、この組成物を導電性接着剤として用いて、半導体装置を製造し、半導体ペレットクラック、ワイヤボンダビリティおよび耐湿性を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を第１表に併記した。
実施例２
　参考例２で製造したビニル基を有したジメチルポリシロキサン（Ｖ）１００重量部、結晶性シリカ１０重量部、実施例１同様のフレーク状の銀粉末３００重量部、参考例３で製造したケイ素原子結合水素原子を有するポリシロキサン（ＶＩＩ）を２．５重量部、接着付与剤として次式で表される有機ケイ素化合物２．０重量部、
塩化白金酸とメチルビニルシロキサンダイマーとの錯体を白金として５ｐｐｍ均一に混合して導電性付加反応硬化型シリコーンゴム組成物を得た。この組成物中に含まれる低分子シロキサンの含有量を実施例１同様に測定したところ低分子シロキサンの含有量は１０ｐｐｍであった。また、この組成物の硬化時（２００℃／１０分間）に発生する揮発成分をガスクロマトグラフを用いて測定したところ４３ｐｐｍであった。このものの硬化後の導電性シリコーンゴムの抵抗率は１×１０−４Ω・ｃｍであった。更に、この組成物を導電性接着剤として、半導体装置を製造し、半導体ペレットクラック、ワイヤボンダビリティおよび耐湿性を測定したところ、不良品は発生しなかった。これらの結果を第２表に示した。
［発明の効果］
　本発明の導電性接着剤は、２００℃で１０ｍｍＨｇ以上の蒸気圧を有する低分子シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下であ
り、かつ、２００℃／１０分間で硬化時に発生する前記シロキサンの含有量が５００ｐｐｍ以下である、金
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明の実施例において、導電性接着剤の特性を評価するために使用した評価用半導体装置の概略断面図である。
　１…タブ、２…半導体ペレット、３…アルミニウム製ボンディングパッド、４…銅製内部リードフレーム、５…金製ワイヤ、６…エポキシ樹脂、７…銅製外部リードフレーム、８…導電性接着剤