【事件の表示】
　特許第３０７８６７５号「被処理物用被膜焼き付け処理装置」の
請求項１、２、６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０７８６７５号に係る発明についての出願は、平成４年１２月１０日に特許出願し、平成１２年６月１６日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人　寺田　晋より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年７月９日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書を平成１３年７月９日付けの訂正請求書に添付された明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
　
（１−１）訂正事項１
「【請求項１】被処理物上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー、及びこのケイ素化合物を焼き付け処理してＳｉＯ２被膜とするための複数のホットプレートを備えた被処理物用被膜焼き付け処理装置において、前記各ホットプレート上部に不活性ガスを散布するための、被処理物に対する表面積が被処理物よりも大きい、スパージングエレメントを配置したことを特徴とする被処理物用被膜焼き付け処理装置。
【請求項２】前記不活性ガスを昇温して前記スパージングエレメントへ通ずるマニホールドへ送るための予備加熱装置を備えたことを特徴とする請求項１に記載の焼き付け処理装置。
【請求項３】前記予備加熱装置は前記マニホールド及びスパージングエレメントと近接して配置され、且つ前記マニホールドに直結されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の焼き付け処理装置。」を
「【請求項１】被処理物上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー、及びこのケイ素化合物を焼き付け処理してＳｉＯ２被膜とするための複数のホットプレートを備えた被処理物用被膜焼き付け処理装置において、前記各ホットプレート上部に不活性ガスを散布するための、被処理物に対する表面積が被処理物よりも大きい、スパージングエレメントと、前記不活性ガスを昇温して前記スパージングエレメントへ通ずるマニホールドへ送るための予備加熱装置とを備え、前記予備加熱装置は、前記マニホールド及び前記スパージングエレメントと近接して配置され、且つ前記マニホールドに直結されていることを特徴とする被処理物用被膜焼き付け処理装置。」とする訂正を行う。
　
（１−２）訂正事項２
「【請求項４】前記ホットプレートは複数あり、第１段目のホットプレートの上流側に更にスパージングエレメントを設け、また最終段目のホットプレートの下流側にダミープレートを設け、且つこのダミープレートの上部にもスパージングエレメントを配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の焼き付け処理装置。
【請求項５】前記スパージングエレメント、ホットプレート、及びダミープレートを一括して収納し金属製隔壁で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装置及びマニホールドを収納し金属製隔壁で包囲して外気と遮断し且つ前記第１層上部に隣接させた第２層、及びこの第２層の上面部及び側面部を金属製隔壁で覆い且つ外気を流通可能とさせた第３層構造を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の焼き付け処理装置。
【請求項６】前記第１層の被処理物搬入口及び搬出口周辺に、不活性ガスを噴出させるシャワーを夫々配置したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の焼き付け処理装置。」を、　
「【請求項２】前記ホットプレートは複数あり、第１段目のホットプレートの上流側に更にスパージングエレメントを設け、また最終段目のホットプレートの下流側にダミープレートを設け、且つこのダミープレートの上部にもスパージングエレメントを配置したことを特徴とする請求項１に記載の被処理物用被膜焼き付け装置。
【請求項３】前記スパージングエレメント、前記ホットプレート、及び前記ダミープレートを一括して収納し、金属製隔膜で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装置及び前記マニホールドを収納し、金属製隔膜で包囲して外気と遮断し且つ前記第１層上部に隣接させた第２層、及びこの第２層の上面部及び側面部を金属製隔膜で覆い且つ外気を流通可能とさせた第３層構造を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の被処理物用被膜焼き付け処理装置。」と訂正する。
　
（１−３）訂正事項３
明細書の第【００１０】欄の、「また」を「上記に加え、」と訂正し、かつ、第【００１１】欄の記載を削除し、以下、第【００１２】欄以降の記載をそれぞれ繰り上げる訂正を行う。　　
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、および拡張・変更の存否
（２−１）上記訂正事項１は、請求項１、２を削除し、請求項３について、請求項１に項番を繰り上げると共に、引用していた請求項２の記載および請求項２で引用されていた請求項１の記載を追加したものであるから、特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　　
（２−２）上記訂正事項２は、上記訂正事項１の訂正にあわせて、特許請求の範囲の請求項４を請求項２に、請求項５を請求項３に項番を繰り上げると共に、請求項１〜５を択一的に引用する請求項６を削除したものであるから、特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
（２−３）上記訂正事項３は、上記訂正事項２の訂正にあわせて、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載とを整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
（３）むすび
  以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律
（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項および第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
　特許異議の対象とされた請求項１、２、６に係る発明は、前記の如く訂正により削除され、結果、特許異議の申立ての対象が存在しないので、この特許異議の申し立ては不適法な申し立てであって、その補正をすることができないものである。
　したがって、本件特許異議の申立ては、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定により却下すべきものである。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月１２日（２００１．９．１２）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
（１−１）訂正事項１
特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【請求項１】被処理物上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー、及びこのケイ素化合物を焼き付け処理してＳｉＯ２被膜とするための複数のホットプレートを備えた被処理物用被膜焼き付け処理装置において、前記各ホットプレート上部に不活性ガスを散布するための、被処理物に対する表面積が被処理物よりも大きい、スパージングエレメントを配置したことを特徴とする被処理物用被膜焼き付け処理装置。
　【請求項２】前記不活性ガスを昇温して前記スパージングエレメントへ通ずるマニホールドへ送るための予備加熱装置を備えたことを特徴とする請求項１に記載の焼き付け処理装置。
　【請求項３】前記予備加熱装置は前記マニホールド及びスパージングエレメントと近接して配置され、且つ前記マニホールドに直結されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の焼き付け処理装置。」を
「【請求項１】被処理物上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー、及びこのケイ素化合物を焼き付け処理してＳｉＯ２被膜とするための複数のホットプレートを備えた被処理物用被膜焼き付け処理装置において、前記各ホットプレート上部に不活性ガスを散布するための、被処理物に対する表面積が被処理物よりも大きい、スパージングエレメントと、前記不活性ガスを昇温して前記スパージングエレメントへ通ずるマニホールドへ送るための予備加熱装置とを備え、前記予備加熱装置は、前記マニホールド及び前記スパージングエレメントと近接して配置され、且つ前記マニホールドに直結されていることを特徴とする被処理物用被膜焼き付け処理装置。」とする訂正を行う。
（１−２）訂正事項２
　特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【請求項４】前記ホットプレートは複数あり、第１段目のホットプレートの上流側に更にスパージングエレメントを設け、また最終段目のホットプレートの下流側にダミープレートを設け、且つこのダミープレートの上部にもスパージングエレメントを配置したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の焼き付け処理装置。
　【請求項５】前記スパージングエレメント、ホットプレート、及びダミープレートを一括して収納し金属製隔壁で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装置及びマニホールドを収納し金属製隔壁で包囲して外気と遮断し且つ前記第１層上部に隣接させた第２層、及びこの第２層の上面部及び側面部を金属製隔壁で覆い且つ外気を流通可能とさせた第３層構造を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の焼き付け処理装置。
　【請求項６】前記第１層の被処理物搬入口及び搬出口周辺に、不活性ガスを噴出させるシャワーを夫々配置したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の焼き付け処理装置。」を、
「【請求項２】前記ホットプレートは複数あり、第１段目のホットプレートの上流側に更にスパージングエレメントを設け、また最終段目のホットプレートの下流側にダミープレートを設け、且つこのダミープレートの上部にもスパージングエレメントを配置したことを特徴とする請求項１に記載の被処理物用被膜焼き付け装置。
　【請求項３】前記スパージングエレメント、前記ホットプレート、及び前記ダミープレートを一括して収納し、金属製隔膜で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装置及び前記マニホールドを収納し、金属製隔膜で包囲して外気と遮断し且つ前記第１層上部に隣接させた第２層、及びこの第２層の上面部及び側面部を金属製隔膜で覆い且つ外気を流通可能とさせた第３層構造を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の被処理物用被膜焼き付け処理装置。」と訂正する。
（１−３）訂正事項３
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
　明細書の第【００１０】欄の、「また」を「上記に加え、」と訂正し、かつ、第【００１１】欄の記載を削除し、以下、第【００１２】欄以降の記載をそれぞれ繰り上げる。
（５４）【発明の名称】
被処理物用被膜焼き付け処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　被処理物上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー、及びこのケイ素化合物を焼き付け処理してＳｉＯ２被膜とするための複数のホットプレートを備えた被処理物用被膜焼き付け処理装置において、
　前記各ホットプレート上部に不活性ガスを散布するための、被処理物に対する表面積が被処理物よりも大きい、スパージングエレメント
と、
　前記不活性ガスを昇温して前記スパージングエレメントへ通ずるマニホールドへ送るための予備加熱装置とを備え、
　前記予備加熱装置は、前記マニホールド及び前記スパージングエレメントと近接して配置され、且つ前記マニホールドに直結されているこ
　【請求項２】　
前記ホットプレートは複数あり、第１段目のホットプレートの上流側に更にスパージングエレメントを設け、また最終段目のホットプレートの下流側にダミープレートを設け、且つこのダミープレートの上部にもスパージングエレメントを配置した
　【請求項３】　前
記スパージングエレメント、前記ホットプレート、及び前記ダミープレートを一括して収納し、金属製隔壁で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装置及び前記マニホールドを収納し、金属製隔壁で包囲して外気と遮断し且つ前記第１層上部に隣接させた第２層、及びこの第２層の上面部及び側面部を金属製隔壁で覆い且つ外気を流通可能とさせた第３層構造を有する
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、被処理物表面に酸化ケイ素被膜を形成するための焼き付け処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体ウェハー表面に酸化ケイ素被膜を焼き付けによって形成するには、先ず塗布装置のケース内に設けたスピンナーに被処理物を載置し、スピンナー上方に配置したノズルからＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）原料を滴下して回転塗布する。このＳＯＧ原料は、テトラヒドロキシシラン等のケイ素化合物を水又は有機溶剤に溶解したものである。
　【０００３】
　上記回転塗布後、ＳＯＧ原料を塗布した半導体ウェハーの裏面をチャックで吸着固定してホットプレート上へ搬送・載置し、約４５０℃で焼き付け処理を行う。この焼き付け処理によって被処理物上に塗布された前記ケイ素化合物の脱水縮合反応が起こり、酸化ケイ素膜（ＳＯＧ）が形成される。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記ホットプレートによる焼き付け処理において、酸素存在下でこの処理を行うと形成される被膜に微細な亀裂が生じ、被処理物として使用できなくなるため、窒素等の不活性ガス雰囲気中で行うのが普通である。しかし、ホットプレート周辺には、被処理物の出入りに伴って外部の空気が流入するため、酸素濃度を低下させることは非常に困難であった。
　【０００５】
　またホットプレートの代わりに縦型炉或いは横型炉を用いて熱処理する方法もあるが、炉の入口及び出口周辺では温度が低下し、炉の中央部では温度が高くなり過ぎる。従って、熱処理条件が不安定となる難点があり、また炉の周辺は被処理物の出入りに伴って外部の空気が流入するため、上記ホットプレートの場合と同じく酸素濃度を低下させることは困難であった。
　【０００６】
　本発明は、従来の技術が有するこのような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被処理物を安定した温度及び低酸素下で焼き付け処理し、良好なＳＯＧ被覆被処理物が得られる装置を提供しようとするものである。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決すべく本発明の被膜焼き付け処理装置は、ケイ素化合物溶液を被処理物上に塗布するためのスピンナーと、前記ケイ素化合物を焼き付け処理してＳｉＯ２被膜とするための複数のホットプレートとを備えたものであって、夫々のホットプレート上部に不活性ガスを散布するためのスパージングエレメントを配置した。
　【０００８】
　ホットプレートの温度に影響を与えないために、散布する不活性ガスは予備加熱装置によって２００℃前後に加熱して、マニホールドを通じてスパージングエレメントへ供給することが好ましい。上記加熱した不活性ガスが冷えないように、予備加熱装置はマニホールド及びスパージングエレメントと近接して配置され、且つマニホールドと直結されていることが好ましい。
　【０００９】
　外気の流入を避けるため、前記複数のホットプレートの第１段目上流側（即ち、被処理物が搬入される側）に前記スパージングエレメントと同様のスパージングエレメントを設け、また最終段目下流側（即ち、被処理物が搬出される側）に、前記スパージングエレメントを上部に配置したダミープレートを設けることが好ましい。
　【００１０】
　
上記に加え、ホ
　【００
１１
　【作用】
　本発明の被処理物用被膜焼き付け処理装置は、被処理物を積層してストックするためのカセットケース、このカセットより搬送された被処理物を１枚ずつ冷却するためのクーリングプレート、このクーリングプレートから搬入された被処理物上にケイ素化合物溶液を塗布するための塗布装置、その下流に配置される被処理物を低酸素濃度状態で焼き付け処理するためのスパージングエレメントを備えた複数のホットプレート、及びＳｉＯ２被膜の形成された被処理物を積層してストックするためのカセットケースが搬送ライン上に一体化されている。
　【００
１２
　【実施例】
　以下に本発明に基づく実施例を図１乃至図６に基づいて説明する。ここにおいて図１は本発明の焼き付け処理装置の一例を示す概要図であり、図２は本発明に係る塗布装置前後の搬送方法の一例を示す平面工程図（ａ）及び側面工程図（ｂ）、図３は同、クーリングプレートの一例を示す断面図（ａ）及び平面図（ｂ）、図４は同、クーリングプレートからの被処理物の移送機構の一例を説明する部分断面図、図５は同、塗布装置の一例を示す断面図、図６は同、塗布装置からホットプレートまでの搬送機構の一例を示す平面工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及び側面工程図（ｃ）、図７は従来の塗布装置からホットプレートまでの搬送方法の例を示す平面工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及び側面工程図（ｃ）、図８は本発明に係るホットプレート周辺の一例を示す側面断面図、図９は同、ホットプレート周辺の一例を示す正面断面図、図１０は同、スパージングエレメントの一例を示す部分拡大断面図、図１１は同、ホットプレート上の被処理物の搬送機構の一例を説明する部分断面図（ａ）及びホットプレートの一例を示す平面図（ｂ）である。
　【００
１３
　本発明の被処理物用被膜焼き付け処理装置は図１に示すように、被処理物、例えば半導体ウェハーＷを積層してストックするためのカセットケース１、この半導体ウェハーＷを１枚ずつ冷却するためのクーリングプレート２、更に半導体ウェハーＷ上にケイ素化合物溶液を塗布するためのスピンナー１８を備えた塗布装置３、半導体ウェハーＷを焼き付け処理するための複数のホットプレート４及びＳｉＯ２被膜の形成された半導体ウェハーＷを積層してストックするためのカセットケース５等の装置が搬送ライン上に一体化されている。
　【００
１４
　図１及び図２に示すように、半導体ウェハーＷを目的の温度にまで冷却するためのクーリングプレート２は塗布装置３と近接して設けられている。クーリングプレート２と塗布装置３との間には半導体ウェハーＷを搬送するためのチャック１４が配置されている。また塗布装置３の周辺には同じく半導体ウェハーＷを搬送するための搬送フォーク１５が配置されており、この搬送フォーク１５には爪１６、爪２２及びフック１７が設けられている。
　【００
１５
　クーリングプレート２は図３に示すように、上部に半導体ウェハーＷを載置するための冷却プレート６を備え、熱伝導性の良い金属で一体的に形成されており、内部には一定の温度に制御された水、エチレングリコール等の冷媒が循環する熱交換器（図示せず）を備えている。また冷却プレート６には、クーリングプレート２の前後、即ちカセットケースからクーリングプレート２へ、及びクーリングプレート２から塗布装置３方向へ半導体ウェハーＷを搬送するための搬送フォーク７を通すために溝８が２本穿設されており、更に、半導体ウェハーＷの裏面を汚さないための４本の突起９が突設されている。
　【００
１６
　図４は、上記半導体ウェハーＷをクーリングプレート２から塗布装置３へ搬送するための機構を示している。搬送フォーク７は、シリンダ１０によって上下方向に駆動するロッド１１、及びシリンダ１０に固着されたスライダ１２を前後に摺動させるためのガイドロッド１３によって作動する。
　【００
１７
　また図５には塗布装置３が示されており、この塗布装置３には温度及び湿度を調整された窒素、空気等の気体が導入されるガス通路１９が設けられ、このガス通路１９は筒状ケース２０内のスピンナー１８上面に開口するガス噴出孔２１につながっている。ガス噴出孔２１は周方向に等間隔で多数設けられ、且つガス噴出孔２１の向きは噴出された気体が半導体ウェハーＷの上面を覆うように半導体ウェハーＷの中心部上方に向けられている。
　【００
１８
　図６（ａ）に示すように、スピンナー１８とホットプレート４との間には半導体ウェハーＷを搬送するためのチャック２３が配置されている。
　【００
１９
　また図８及び図９に示すように、ホットプレート４周辺の焼き付け処理部は第１層、第２層及び第３層に分割してある。このうち第１層は５個のホットプレート４ａ〜４ｅ（ホットプレート４の数は５又は６が好ましい）、スパージングエレメント２７及びダミープレート４６を収納し、ＳＵＳ等の金属製隔壁２５で包囲して外気と遮断してある。また第２層は第１層上部に隣接して金属製隔壁２５、３０で遮蔽した形体で設けてあり、窒素等の不活性ガスの予備加熱装置２８及びマニホールド２９を収納している。この第２層も全体が金属製隔壁で包囲されて外気と遮断されている。更に第３層は、第２層の上面部及び側面部を覆う金属製隔壁３０、金属製上部外面隔壁３２及び金属製側部外面隔壁３３に囲まれて形成された外気の通路である。また上記第１層の前後には、不活性ガスが噴射されるシャワー室３４、３５が設置されている。
　【００
２０
　上述の焼き付け処理部は、第１層内の修理及び点検を簡便に行うために、第２層及び第３層を持ち上げてホットプレート４を露出できるように、図８に示すように蝶番部５２及び取っ手５３が設けられている。また第１層内の半導体ウェハーＷ上面の酸素濃度を測定するためのガス採取管５４、第３層内に外気を通すための吸気孔５５及び排気孔５６も設けられている。
　【００
２１
　更に、スパージングエレメント２７と半導体ウェハーＷとの間隔を自在に変更できるように、スパージングエレメント２７にはマニホールド２９を介して第３層上外面を貫通するロッド４７が取り付けてあり、このロッド４７に付設したプレート４８の位置を第３層上外面部に取り付けたボルト４９及びナット５０、５１で調節できるようにしてある。
　【００
２２
　ホットプレート４は基本的に前記クーリングプレート２と同様の構成を有しており、上部に半導体ウェハーＷを載置する加熱プレート３６を備え、熱伝導性の良い金属で一体的に形成されており、内部にはヒータ又は熱媒体が循環する熱交換器（図示せず）を備えている。また加熱プレート３６には搬送フォーク３７を通すために溝３８が２本穿設されており、更に、半導体ウェハーＷの裏面を汚さないための４本の突起３９が突設されている。
　【００
２３
　図１０はスパージングエレメント２７の部分拡大断面図であり、ＳＵＳを焼結した不活性ガス散布部４０と、同じくＳＵＳ板で形成された背面部４１とが嵌着されてスパージングエレメント２７を形成している。
　【００
２４
　また図１１（ａ）には、半導体ウェハーＷを複数のホットプレート４上で順次搬送するための機構を示してある。搬送フォーク３７は、シリンダ４２によって上下方向に駆動するロッド４３、及びシリンダ４２に固着されたスライダ４４を前後に摺動させるためのガイドロッド４５によって作動する。更に図１１（ｂ）には、ホットプレート４上面部の半導体ウェハーＷ、加熱プレート３６、溝３８及び突起３９の位置関係を示してある。
　【００
２５
　上記構成の、本発明に係る焼き付け処理装置は以下のようにして操作する。即ち、先ず図２に示すようにカセットケース１に積層された高温の半導体ウェハーＷを１枚ずつクーリングプレート２に運び、クーリングプレート２上で目的の温度にまで冷却する。
　【００
２６
　冷却された半導体ウェハーＷをクーリングプレート２から塗布装置３へ搬送するには、先ず図４に示すように上下方向に駆動するシリンダ１０によってロッド１１を上昇させる。するとロッド１１に連結した前記２本の搬送フォーク７は溝８内から出て上昇し半導体ウェハーＷを持ち上げる。次に上記シリンダ１０に固着されたスライダ１２をモータ等によりガイドロッド１３に沿って摺動させる。すると搬送フォーク７もスライダ１２と一体的に動作し、半導体ウェハーＷを進行方向（図２のＡ点）へ移動させることができる。
　【００
２７
　Ａ点においては、図２に示すチャック１４を上昇して半導体ウェハーＷの裏面を吸着させる。その後、ロッド１１を下降させることによって搬送フォーク７から半導体ウェハーＷを分離し、半導体ウェハーＷはチャック１４上に残す。一方、搬送フォーク７は後退させて当初の位置に戻し、次の半導体ウェハーＷを搬送するために待機させる。
　【００
２８
　前記Ａ点に残留した半導体ウェハーＷを、今度はチャック１４に吸着したままＢ点へ移動する。Ｂ点においては、塗布装置３に係る搬送フォーク１５の爪１６が移動してきたときに、前記チャック１４を下降させてこの爪１６上へ半導体ウェハーＷを載せる。そしてチャック１４の下降が完了した後、爪１６をＣ点へ移動させる。このとき、爪１６の端部に設けたフック１７に半導体ウェハーＷの端部を掛けることによって、塗布装置３に設けられたスピンナー１８の中心との位置合わせ（センタリング）が容易となる。
　【００
２９
　前記Ｃ点に移動した半導体ウェハーＷの下方からスピンナー１８を上昇させて搬送フォーク１５の爪１６よりも高い位置に押し上げ、半導体ウェハーＷを吸着させる。この状態で、半導体ウェハーＷが下降しても掛からない位置に爪１６を更に移動させておいてスピンナー１８を下降させる。こうして回転塗布の態勢が整う。搬送フォーク１５は中央位置に戻しておく。クーリングプレート２と塗布装置３とは近接して設置してあるため、搬送中の半導体ウェハーＷの温度変化はそれ程大きくないが、クーリングプレート２と塗布装置３との間を恒温に保つ手段を講じることも好ましい。
　【００
３０
　塗布装置３は図５に示すように、前記温度及び湿度を調整済みの噴出された気体が半導体ウェハーＷの上面を覆うように、複数のガス噴出孔２１の向きは半導体ウェハーＷの中心部上方に向けられているが、塗布装置３への気体の供給方法には特に制限はなく、ガス噴出孔２１を用いる上記方法の他、塗布液に影響を与えない程度の風速で半導体ウェハーＷ上方から半導体ウェハーＷへ向けて噴射する等の手段をとってもよい。また気体の温度及び湿度を調整する装置としては公知のものが使用でき、また本発明の塗布設備専用である必要もなく、例えば工場内に配設された窒素ラインから供給される窒素を熱交換器を通して温度調整して用いてもよい。
　【００
３１
　半導体ウェハーＷはクーリングプレート２によって既に目的の温度に調整してあるため、塗布装置３内で上述の温度及び湿度を調整された気体雰囲気中にこの半導体ウェハーＷを載置すれば、改めて温度が安定するまで待つ無駄がなくなる。また湿度については、湿気の影響を受けやすいＳＯＧ、ＢＳＯＧ等の塗布液の場合は脱湿を十分に行い、また乾燥し過ぎないほうがよい。水溶性塗布液等の場合は適度な湿度にコントロールする等、塗布液の種類に応じた湿度調整を行うことが必要である。
　【００
３２
　上記の温度及び湿度を調整した雰囲気中で半導体ウェハーＷを回転塗布した後、スピンナー１８が上昇しても掛からないように爪２２をＣ点側に移動させてから、スピンナー１８を上昇させる。そして搬送フォーク１５の爪２２をスピンナー１８の下に移動し、スピンナー１８を下降させて半導体ウェハーＷを爪２２に移す。次に爪２２をＤ点のチャック２３上に移動し、チャック２３を上昇させて半導体ウェハーＷを吸着させ、搬送フォーク１５は中央位置（Ｃ点）に戻す。
　【００
３３
　図６に示すように、Ｄ点でチャック２３に吸着された半導体ウェハーＷはＦ点に搬送され、ホットプレート４ａの入口に置かれる。このチャック２３による搬送機構を説明すると、Ｄ点において上昇状態で半導体ウェハーＷを吸着したチャック２３は、図６（ｂ）のサイクル図に示すように上昇状態のままＥ点を通過し、Ｆ点に達して下降する。この結果、半導体ウェハーＷはホットプレート４を縦貫する搬送フォーク２４の一端に移載される。一方、空になったチャック２３はＦ点上で再度上昇され、Ｅ点に移動してから下降される。その後下降状態のままＤ点に戻り、次の半導体ウェハーＷを待機する状態に入る。
　【００
３４
　上記Ｅ点とＦ点との間は、前記金属製隔壁２５で隔てられており、Ｆ点は前記第１層の中に在る。従って、図７に示す従来法のように、ｄ点（本願発明のＤ点に対応）で上昇して半導体ウェハーＷを吸着したチャック１２３を上昇状態のまま金属製隔壁１２５を通過してｆ点（本願発明のＦ点に対応）に運び、ここで下降して半導体ウェハーＷを搬送フォーク１２４の一端に移載し、この下降状態のまま再度金属製隔壁１２５を通過してｄ点に戻る機構では、図７（ｃ）に示すように金属製隔壁１２５にチャック１２３を通すための大きな開口部１２６（斜線で表示）が必要となる。この開口部１２６が大きいと、外気が流入し易くなるため第１層内を低酸素状態に保つことが困難となる。
　【００
３５
　これに対して、上述の本願の方法ではＥ点とＦ点との間の移動は往復とも上昇状態で行うため、図６（ｃ）に示すように金属製隔壁２５の開口部２６（斜線で表示）は従来に比較して非常に小さくて済む。従って、外気は流入し難くなるため第１層内を低酸素状態に保つことが容易となる。
　【００
３６
　上述の外気の流入を更に完全に防ぐために、Ｅ点とＦ点との間の第１層入口近辺にシャワー室３４が配置され、この中に不活性ガスが吹き出るようになっている。シャワー室３４で使用する不活性ガスはマニホールド２９から供給されるものであっても、或いは別のラインから供給されるものであってもよい。
　【００
３７
　前記Ｆ点において搬送フォーク２４の一端に移載された半導体ウェハーＷの上面へは、スパージングエレメント２７から不活性ガスが散布される。スパージングエレメント２７を用いた不活性ガスの散布はＦ点の他、ホットプレート４及びダミープレート４６においても行う。スパージングエレメント２７への不活性ガスの供給は、図９に示すように外部供給源から送られた不活性ガスを予備加熱装置２８で例えば２００℃に加熱し、これをマニホールド２９に送り、ここから各スパージングエレメント２７へ分配する。
　【００
３８
　上記外部供給源の例としては、工場内に配設されたラインから供給される窒素等が挙げられる。また予備加熱装置２８は加熱時に粉塵等を生じず、半導体レベルの清浄な不活性ガスを供給できるものであることが必要である。予備加熱装置２８及びマニホールド２９は近接されて外気の出入りのない第２層に配置されているため、加熱された不活性ガスの温度が低下することがない。
　【００
３９
　スパージングエレメント２７は図１０に示すように焼結金属（ＳＵＳ）で形成された散布部４０から不活性ガスが散布される方式になっている。本発明においては、図１１に示すように半導体ウェハーＷの表面積（又は外径）よりも１〜３割大きい外径のスパージングエレメント２７を使用する。このため半導体ウェハーＷを十分な不活性ガス雰囲気に置くことができ、特に各ホットプレート４に載置され半導体ウェハーＷの周辺においては、酸素濃度２０ｐｐｍ以下に調整することが可能である。
　【００
４０
　上述のように搬送フォーク２４の一端に載せられてスパージングエレメント２７から不活性ガスを散布された状態の半導体ウェハーＷは、次にホットプレート４に搬送される。この搬送方法は、上記クーリングプレート２周辺の搬送機構と本質的に同じであるが、先ず図１１（ａ）に示すように上下方向に駆動するシリンダ４２によってロッド４３を上昇させる。するとロッド４３に連結した２本の搬送フォーク３７は溝３８内から出て上昇し半導体ウェハーＷを持ち上げる。次に上記シリンダ４２に固着されたスライダ４４をモータ等によりガイドロッド４５に沿って摺動させる。すると搬送フォーク３７もスライダ４４と一体的に動作し、半導体ウェハーＷを進行方向へ、即ちホットプレート４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅの順に移動させることができる。
　【００
４１
　焼き付け処理を終了した半導体ウェハーＷはダミープレート４６へ搬送される。このダミープレート４６は第１層の半導体ウェハーＷの搬出口に隣接して設けてあり、ホットプレート４への外気の影響を避けるためのものである。また上記半導体ウェハーＷの搬出口外側に設けたシャワー室３５も目的は同じくホットプレート４への外気の影響を避けることにある。
　【００
４２
　上記によって焼き付け処理部を経た半導体ウェハーＷは、カセットケース５へ搬送される。
　【００
４３
　【発明の効果】
　以上に説明したように、本発明の被処理物用被膜焼き付け処理装置は、複数のホットプレートを備え且つ夫々のホットプレート上部に不活性ガスを散布するためのスパージングエレメントを配置したため、被処理物を安定した温度及び低酸素状態で焼き付け処理することができる。また前記ホットプレートの数を５又は６の複数とすれば、安定した温度を確保することができ、且つ前記スピンナーとの処理時間差を調整することができる。
　【００
４４
　また散布する不活性ガスを予備加熱装置によって２００℃前後に加熱してマニホールドを通じてスパージングエレメントへ供給すれば、ホットプレートの温度が低下する等の影響を受けることがない。更に、上記予備加熱装置をマニホールド及びスパージングエレメントと近接して配置し且つマニホールドと直結すれば、加熱した不活性ガスが冷えることがない。
　【００
４５
　前記ホットプレートの第１段目下流側に前記スパージングエレメントと同様のスパージングエレメントを設け、また最終段目上流側に、前記スパージングエレメントを上部に配置したダミープレートを設ければ外気の流入を避けることができ、ホットプレート周辺を低酸素状態に置くことが可能である。
　【００
４６
　また前記スパージングエレメント、ホットプレート、及びダミープレートを一括して収納し金属製隔壁で包囲して外気と遮断した第１層、前記予備加熱装置及びマニホールドを収納し金属製隔壁で包囲して外気と遮断し且つ前記第１層上部外気を流通させる第３層構造とした場合にも、ホットプレート周辺を低酸素状態に保ち且つ焼き付け処理温度を安定させることができる。
　【００
４７
　上記複数の手段による、低酸素濃度の維持及び焼き付け温度安定化の効果により、被膜面に亀裂等のない優れた被処理物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の焼き付け処理装置の一例を示す概要図
　【図２】
　本発明に係る塗布装置前後の搬送方法の一例を示す平面工程図（ａ）及び側面工程図（ｂ）
　【図３】
　同、クーリングプレートの一例を示す断面図（ａ）及び平面図（ｂ）
　【図４】
　同、クーリングプレートからの被処理物の移送機構の一例を説明する部分断面図
　【図５】
　同、塗布装置の一例を示す断面図
　【図６】
　同、塗布装置からホットプレートまでの搬送機構の一例を示す平面工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及び側面工程図（ｃ）
　【図７】
　従来の塗布装置からホットプレートまでの搬送方法の例を示す平面工程図（ａ）、サイクル図（ｂ）及び側面工程図（ｃ）
　【図８】
　本発明に係るホットプレート周辺の一例を示す側面断面図
　【図９】
　同、ホットプレート周辺の一例を示す正面断面図
　【図１０】
　同、スパージングエレメントの一例を示す部分拡大断面図
　【図１１】
　同、ホットプレート上の被処理物の搬送機構の一例を説明する部分断面図（ａ）及びホットプレートの一例を示す平面図（ｂ）
　【符号の説明】
２…クーリングプレート、　３…塗布装置、　４…ホットプレート、　６…冷却プレート、　７、１５、２４、３７…搬送フォーク、　８、３８…溝、　９、３９…突起、　１０、４２…シリンダ、　１１、４３、４７…ロッド、　１２、４４…スライダ、　１３、４５…ガイドロッド、　１４、２３…チャック、　１８…スピンナー、　２０…筒状ケース、　２５、３０、３１…金属製隔壁、　２６…開口部、　２７…スパージングエレメント、　２８…予備加熱装置、　２９…マニホールド、　３２…金属製上部外面隔壁、　３３…金属製側部外面隔壁、　３４、３５…シャワー室、　３６…加熱プレート、　４０…不活性ガス散布部、　４１…背面部、　４６…ダミープレート。