(57)【要約】本発明にかかる回路基板の製造方法は、開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板を作成するステップと、表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を作成するステップと、貫通孔と貫通孔に充填された導電性ペーストとを備えた基板間接続シートを作成するステップと、下側基板と基板間接続シートと上側基板とを積層し加熱加圧するステップとを備える。下側基板を形成するステップにおいて、下側基板の絶縁被膜層は、下側基板と基板間接続シートと上側基板とを積層したときに、絶縁被膜層の形成端が上側基板の開口部の端部あるいは基板間接続シートの開口部の端部との間でクリアランスを有するように形成される。加熱加圧するステップは、基板間接続シートと上側基板との開口部およびクリアランスにクッション材を入り込ませるステップを含む。
2010113448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板を作成するステップと、
表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を作成するステップと、
貫通孔と前記貫通孔に充填された導電性ペーストとを備えた基板間接続シートを作成するステップと、
前記下側基板と前記基板間接続シートと前記上側基板とを積層し加熱加圧するステップとを備え、
前記下側基板を形成するステップにおいて、前記下側基板の前記絶縁被膜層は、前記下側基板と前記基板間接続シートと前記上側基板とを積層したときに、前記絶縁被膜層の形成端が前記上側基板の開口部の端部あるいは前記基板間接続シートの開口部の端部との間でクリアランスを有するように形成され、
前記加熱加圧するステップは、前記基板間接続シートと前記上側基板との開口部および前記クリアランスにクッション材を入り込ませるステップを含むことを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板間接続シートの開口部の面積を前記上側基板の前記開口部の面積より大きくすることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記上側基板および前記下側基板は基材に含浸された樹脂が硬化されたものを用い、
前記基板間接続シートは、キャリアフィルム上に無機物のフィラーと熱硬化性樹脂とを含みかつ芯材を含まない接着層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板間シート材料の厚み方向の熱膨張係数は、前記上側基板および前記下側基板を構成する材料の厚み方向の熱膨張係数より低いものを用いる請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記上側基板を作成するステップにおいて、前記上側基板に、貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を作成し、
前記下側基板を作成するステップにおいて、前記下側基板に、貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を作成し、
前記導通孔を介して両面表層の回路を層間接続することを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板間接続シートを作成するステップにおいて、前記基板間接続シートはＢステージ状態のものであり、
前記クッション材の流動性は前記基板間接続シートの流動性より低いものであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記クッション材は表層に離型層を備えたシリコンゴムあるいはブチルゴムであることを特徴とする請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とを備えた上側基板と、
表層に回路と絶縁被膜層とを備えた下側基板とが、
開口部を有し層間接続用の導通孔を備えた基板間接続シートを介して積層され、
前記上側基板の前記開口部と前記基板間接続シートの前記開口部とでキャビティを構成し、
前記基板間接続シートの開口部の面積は前記上側基板の開口部の面積以上の大きさで形成され、
前記下側基板の絶縁被膜層の端部と前記基板間接続シートの開口部の端部との間はクリアランスが設けられていることを特徴とする回路基板。
【請求項９】
前記上側基板および前記下側基板は基材に含浸された樹脂が硬化されたものであり、
前記基板間接続シートは無機物のフィラーと熱硬化性樹脂とを含みかつ芯材を含まない接着層の前記熱硬化性樹脂が硬化されたものであることを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記基板間接続シートの材料の厚み方向の熱膨張係数が、上側基板および前記下側基板を構成する材料の厚み方向の熱膨張係数より低いことを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体等の部品を実装するために設けられたキャビティ構造を有する多層の回路基板の製造方法および回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型薄型化および高機能化の進展に伴い、電子機器の電子回路を構成する回路基板へも高い配線収容性が要求されている。特に実装密度の向上の目的で、マザーボードと呼ばれる多層プリント配線板上に半導体等の部品が実装された回路基板をさらに実装する形態も増加している。【０００３】
また、携帯電話やデジタルスチールカメラ等の小型電子機器、あるいはＲＦ等各種モジュールやＬＥＤに関連する電子部品の実装において、電子部品実装後の実装回路板の高さを低減することのできる通称ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）と呼ばれる低温焼成積層セラミックス基板や樹脂成形による立体回路基板等のキャビティ構造または部品内蔵構造を有する多層の回路基板も注目されている。【０００４】
図８Ａに従来のセラミック製の回路基板の断面図を示す。従来のＬＴＣＣ等のセラミック基板は、図８Ａに示すような多層の回路基板である。セラミック基板は、セラミックス基材に配線導体、打ち抜かれた穴またはキャビティ部となる開口５５が形成されたグリーンシート５０を複数枚積層し、焼成して形成される。焼成は、通常、低温焼成セラミックスの場合は９００℃以下、ガラスセラミック基板は１０００℃以下で行われる。【０００５】
また、図８Ｂに従来の樹脂製の回路基板の断面図を示す。従来の樹脂成形による立体型の多層の回路基板において、樹脂成形は、下側の基板５２の上にモールド樹脂層５１を形成し金型等で樹脂を熱溶融させ、その表面にメッキ等で配線回路を形成している。【０００６】
しかしながら、上記のセラミック製の基板は、低温焼成セラミックスの場合でも９００℃付近の高温で焼結する必要があり、これによるグリーンシートの収縮により、寸法精度及び回路の精度を確保することが難しい。さらに、キャビティ構造の形成を含めて、製造リードタイムが長く、製造コストも比較的割高になってしまう。【０００７】
また、樹脂成形によりキャビティ構造を形成する多層の回路基板の場合、成形前に導通孔を形成すると成形時の樹脂の流れによる導通孔の変形により、回路間の絶縁劣化や短絡が発生する可能性がある。よって、全層をインナービアホール（ＩＶＨ）構造とする層間接続の技術において、プロセス上あるいは構造上の課題がある。これを解決するために、樹脂成形後に非貫通孔あるいは貫通孔を設け、導電性めっきまたは導電物質により導通孔を形成する方法が行われている。しかし、小径孔に対応することが困難であり、近年要求される微細な仕様を実現するのは困難であるという問題がある。【０００８】
また、上記のセラミック基板や樹脂成形による回路基板の膨張係数と、基板を実装搭載するマザーボード（多層プリント配線板等）の膨張係数とは、その値が大きく異なり、それら基板をマザーボードに実装することにおいて、種々の制約を受けることも多かった。【０００９】
そこで、従来においては、マザーボードとしての多層プリント配線板と実質的に同様の材料を用いた複数の回路基板をプリプレグシート等の接着層を介して積層し、キャビティ構造を備えた多層の回路基板も開発されている。なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、特許文献２が知られている。【００１０】
しかしながら、上記従来のプリプレグシートを用いた多層の回路基板においては、回路基板間の接着強度は確保できるものの、それらを加熱加圧する際に、接着層であるプリプレグシートからキャビティ内部への樹脂の流れ出しが発生し、キャビティに部品を実装する場合の不具合が発生する可能性がある。よって、上述の樹脂成形の回路基板と同様に、樹脂の流れが生じるため、全層をＩＶＨ接続することは、構造上および製造プロセス上においても極めて困難である。【００１１】
特に、キャビティ構造を有する基板は、その性質上、小型・低背化、および配線設計での細線化が要求され、とりわけ、キャビティ上部における、キャビティの壁面とその近傍に存在する接続ランドとの距離の短縮による小型化への要望は強い。【００１２】
図９Ａ、図９Ｂに、従来の回路基板と回路基板の製造方法における課題を示す断面図を示す。上側基板６１の撓み量Ｐは、上側基板６１の層構成や設計パターンによる残銅率等に影響され、現実の製品設計仕様や現行のプロセスにおいて撓み量を意図的に制御することは困難である。【００１３】
これに対して、接着層の開口面積を上側基板の開口面積に対して小さくすることも考えられたが、接着層の樹脂がキャビティ底へのにじみ出しの幅を含めてキャビティ底の面積が狭小となり、設計上の制約の影響が大となるとともに前記の要望に反することから現実的な解決策とはなり得なかった。【００１４】
このような要望に対して、図９Ａ、図９Ｂに示すように、加熱加圧する際に、接着層６３から樹脂の流れ出しが発生するとともに、上側基板６１に撓みが発生する場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開平９−１９９８２４号公報
【特許文献２】特開２００７−５９８４４号公報
【発明の概要】
【００１６】
本発明の回路基板の製造方法は、開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板を作成するステップと、表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を作成するステップと、貫通孔と貫通孔に充填された導電性ペーストとを備えた基板間接続シートを作成するステップと、下側基板と基板間接続シートと上側基板とを積層し加熱加圧するステップとを備える。下側基板を形成するステップにおいて、下側基板の絶縁被膜層は、下側基板と基板間接続シートと上側基板とを積層したときに、絶縁被膜層の形成端が上側基板の開口部の端部あるいは基板間接続シートの開口部の端部との間でクリアランスを有するように形成される。加熱加圧するステップは、基板間接続シートと上側基板との開口部およびクリアランスにクッション材を入り込ませるステップを含むことを特徴とする。これにより、上側基板に撓みを発生させることなく、基板間接続シートの端面からの樹脂の流れ出しを防止するとともに、導通孔のビア倒れ等の変形を防ぐことができ、凹状のキャビティ部の形成と高い層間接続信頼性を有する全層ＩＶＨ構造を有する回路基板を効率的に製造することができる。
【００１７】
また、本発明の回路基板は、開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とを備えた上側基板と、表層に回路と絶縁被膜層とを備えた下側基板とが、開口部を有し層間接続用の導通孔を備えた基板間接続シートを介して積層され、上側基板の開口部と基板間接続シートの前記開口部とでキャビティを構成し、基板間接続シートの開口部の面積は上側基板の開口部の面積以上の大きさで形成され、下側基板の絶縁被膜層の端部と基板間接続シートの開口部の端部との間にクリアランスが設けられている。
【００１８】
これにより、キャビティの底部において半導体実装におけるモールド用樹脂の流動路のスペースを確保することができ、外界からの吸湿を防止することができる。これにより高温高湿における電気絶縁性を維持するあるいは高めることができ、半導体実装の信頼性を向上させることができる。
【００１９】
以上のように本発明は、下側基板の絶縁被膜層の形成端とキャビティ壁面との間にクリアランスを設けることにより、上側基板の撓みを防止することができ、平坦度（キャビティコプラナリティ）の向上を図り、導通孔（ビア）および接続ランドの配置等の設計上の制約を緩和することができる。これにより、半導体等の部品実装の効率と併せて部品実装ステップの歩留まりを向上させるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施の形態における回路基板と要部概略を示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の実施の形態における回路基板の製造方法の要部概略を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｆは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の実施の形態における上側基板の製造方法を示す断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本発明の実施の形態における下側基板の製造方法を示す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本発明の実施の形態における下側基板の製造方法を示す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本発明の実施の形態における下側基板の製造方法を示す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本発明の実施の形態における下側基板の製造方法を示す断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の実施の形態における接続シートの製造方法を示す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の実施の形態における接続シートの製造方法を示す断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明の実施の形態における接続シートの製造方法を示す断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、本発明の実施の形態における接続シートの製造方法を示す断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、本発明の実施の形態における接続シートの製造方法を示す断面図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、本発明の実施の形態における接続シートの製造方法を示す断面図である。
【図７Ｇ】図７Ｇは、本発明の実施の形態における接続シートの製造方法を示す断面図である。
【図７Ｈ】図７Ｈは、本発明の実施の形態における接続シートの製造方法を示す断面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、従来の回路基板の断面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、従来の回路基板の断面図である。
【図９Ａ】図９Ａは、従来の回路基板と回路基板の製造方法における課題を示す断面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、従来の回路基板と回路基板の製造方法における課題を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（実施の形態１）
本実施の形態においては、初めに本実施の形態における回路基板の基本的な構造を説明し、次に本実施の形態における回路基板を構成する要素と他の事例について説明する。
【００２２】
図１Ｅは、本実施の形態による回路基板の断面図である。積層基板である下側基板２の上に、キャビティ１１を有する積層基板である上側基板１が重なって構成されている。
【００２３】
はじめに、図１Ａ〜Ｅ、図２Ａ、図２Ｂを用いて基本的な製造プロセスについて説明する。図１Ａ〜Ｅは本実施の形態における回路基板の製造方法を示す回路基板の断面図である。
【００２４】
図１Ａに示すように、表層に回路が形成された上側基板１と下側基板２とを作成する。上側基板１と下側基板２とは、共に貫通孔２３に導電性ペースト２４が充填された導通孔を備え、導通孔を介して両面表層の回路が層間接続されている。
【００２５】
次に、図１Ｂに示すように、貫通孔に導電性ペースト２４が充填された基板間接続シート３を作成する。このとき、基板間接続シート３は、絶縁樹脂が半硬化の状態（以降、Ｂステージ状態と記載する）である。
【００２６】
上側基板１および基板間接続シート３は、それぞれその中央部を含む領域に一定面積の開口部５、開口部６を有した構造である。接着層４を備えた基板間接続シート３は、上側基板１および下側基板２とは異なる材料で構成されている。また、基板間接続シート３は、Ｂステージ状態の基板材料に形成された貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を備え、基板の接着と層間の電気的接続の機能を有している。
【００２７】
なお、上側基板１、下側基板２、基板間接続シート３の構成およびそれを準備するための製造方法の詳細については後述する。
【００２８】
次に、図１Ｃに示すように、下側基板２、基板間接続シート３、上側基板１の順に積層し、加熱加圧（真空熱プレス）して成形硬化させる。これにより、基板間接続シート３を介して下側基板２と上側基板１とを接着し、図１Ｄに示すように多層の回路基板１０を形成する。上側基板１の開口部５および基板間接続シート３の開口部６は、同じ位置の上下に略同等の大きさで構成され、回路基板１０のキャビティ１１部分となる。
【００２９】
次に、図１Ｅに示すように、上側基板１の表面の接続電極等の一部の回路パターンを除く領域に絶縁被膜層としてのソルダレジスト７を選択的に形成し、その後露出した導体にニッケル及び金めっきを施す。すなわち、上側基板１と下側基板２の表面の一部を除く領域に絶縁被膜層を選択的に形成するステップの後、露出した表面に金めっき層を形成するステップを行う。
【００３０】
なお、本事例においては、上側基板１のソルダレジスト７の形成を図１Ｅに示すステップで行ったが、図１Ａの準備ステップで形成することも可能であり、その詳細は後述する。
【００３１】
なお、図１Ｃの熱プレスによる加熱加圧のステップは、開口部５，６が存在することにより、特に上側は、図２Ａに示すクッション材８を介して、図２Ｂに示すＳＵＳ板８ｂで挟持して行うことが望ましい。
【００３２】
また、クッション材８の流動性はＢステージ状態の基板間接続シート３の樹脂の流動性より低いものであることが望ましく、クッション材８としては、表層に離型層８ａを備えたシリコンゴムやブチルゴム等が適している。
【００３３】
上記のクッション材８は、図１Ｃのステップにおける真空熱プレス装置が昇温する過程で流動し、図２Ｂに示すように、開口部５，６の空洞部（キャビティ１１）に加圧注入され、被積層物の全面を均一に加圧する。また、離型層８ａとシリコンゴムやブチルゴム等との間に流動性材料を備えたクッション材を用いることも可能である。また、開口部５，６の容積とほぼ同じ体積の凸部を備えた型を用いて加熱加圧することも可能である。
【００３４】
本実施の形態の回路基板は、図３Ａの回路基板と回路基板の製造方法の要部概略を示す断面図に示すように、下側基板２の絶縁被膜層としてのソルダレジスト７は、その形成端７ａが上側基板１の開口部５の端部５ａあるいは基板間接続シート３の開口部６の端部６ａとの間でクリアランスＲを有するように設けられている。すなわち、ソルダレジスト７の形成端７ａとキャビティ壁面との間に隙間（クリアランスＲ）を備えている。
【００３５】
また、本実施の形態の回路基板の製造方法は、図３Ｂの要部詳細概略図に示すように、加熱加圧するステップにおいて、クリアランスＲにクッション材を入り込ませて行う。
【００３６】
なお図３Ｂにおいては、クッション材８が上側基板１、下側基板２、基板間接続シート３、およびソルダレジスト７に及ぼす圧力を矢印で示すものとする。
【００３７】
図３Ｂに示すように、ソルダレジスト７の形成設計においてキャビティ１１の底部に空間を設けることで、キャビティ１１の底部壁面へのクッションシートの入り込みを発生させることができる。その結果、基板間接続シート３の樹脂の流れ出しを抑制することにより形状を制御することができ、上側基板１の撓みや変形とは逆方向の反力成分（矢印）を発生させ、キャビティ１１の撓みを抑制することができる。
【００３８】
また、キャビティ１１の壁面を構成する基板間接続シート３の開口部の面積を上側基板１の開口部の面積より大きくすることが望ましい。基板間接続シート３の開口部の面積およびソルダレジスト７の形成領域によるクリアランスＲの設計値を調整することにより、クッションシートの入り込み量を調整し、キャビティの高さを制御することもできる。
【００３９】
さらに、上記のクリアランスＲは、選択的に設けることも可能である。すなわち、上側基板１及び基板間接続シート３の端部６ａ直下の下側基板２に回路パターンが配線されている場合は、それらを被覆するためのソルダレジスト７が必要となる。この場合は、回路パターン部分とその近傍のみにソルダレジスト７を形成し、回路パターンが存在しない部分にクリアランスＲによる隙間を形成することによって、同様に効果を得ることができる。
【００４０】
これらの設計上の調整により、撓み量を０とし、撓みや変形を解消することができる。
【００４１】
（ｉ）上側基板１の説明
図１Ａのステップにおいて用いられる上側基板１の構成とプロセスについて、以下に説明する。図４、図５は本実施の形態における上側基板の製造方法を示す回路基板の断面図である。
【００４２】
まず、図４Ａにおいて、基板材料としてプリプレグシート２１（以下プリプレグ２１とする）を用いる。プリプレグ２１は３００×２５０ｍｍ、厚さ約１００μｍのＢステージ状態の基板材料としてのプリプレグシート（以下プリプレグと称する）である。プリプレグ２１は、例えばガラス織布の基材に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材料などが用いられ、マザーボードと呼ばれるプリント配線板にも使用されるものである。プリプレグ２１の両面には離型フィルム２２ａ、２２ｂが設けられている。離型フィルム２２ａ，２２ｂは、片面にＳｉ系の離型剤を塗布した厚さ約１２μｍのプラスチックシートであり、例えばポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）が用いられる。
【００４３】
次に、図４Ｂに示すように、両面に離型フィルム２２ａ，２２ｂが接着されたプリプレグ２１の所定の箇所にレーザー加工法などを利用して貫通孔２３を形成する。
【００４４】
次に、図４Ｃに示すように、貫通孔２３に導電性ペースト２４を充填する。充填方法としては、印刷機（図示せず）を用いて導電性ペースト２４を離型フィルム２２ａ、２２ｂ上に直接印刷することにより行う。この時、離型フィルム２２ａ、２２ｂは印刷マスクの役割と、プリプレグ２１の表面の汚染防止の役割を果たしている。
【００４５】
次に、図４Ｄに示すように、プリプレグ２１の両面から離型フィルム２２ａ、２２ｂを剥離する。
【００４６】
次に、図４Ｅに示すように、プリプレグ２１を金属はく２５ａ，２５ｂで挟み込むように積層する。
【００４７】
次に、図４Ｆに示すように、熱プレスで全面を加熱加圧し、プリプレグ２１を硬化する。このとき、導電性ペースト２４が圧縮されて両面の金属はく２５ａと金属はく２５ｂとは電気的に接続される。
【００４８】
次に、図５Ａに示すように、銅箔等の金属はく２５ａと金属はく２５ｂとを選択的にエッチングして回路パターン２６が形成された２層の回路基板２０を得る。
【００４９】
そして、図５Ｂに示すように、中央部を含む領域に一定面積（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の開口部５を形成する。開口部５の形成方法は、図５Ａのステップにおいて中央部の金属はく２５ａ，２５ｂを選択的にエッチングした後レーザー加工にて切断して除去する方法や、金型により打ち抜き加工する方法、あるいはエンドミルによるルータ加工で行う方法などがある。
【００５０】
なお、図５Ｂに示す開口部５が形成された回路基板２０を図１Ａのステップにて用いる上側基板１とすることも可能である。しかし、より望ましい形態として図５Ｃに示すように絶縁被膜層としてのソルダレジスト７を形成したものを上側基板１としたほうが良い。このようにすることで、上側基板１が平面形態である段階でソルダレジストを形成することによる製造ステップ上の容易性の確保や生産性の向上を図ることができる。
【００５１】
（ii）下側基板２の説明
次に、図１Ａのステップにおいて用いる下側基板２の構成とプロセスについて以下に説明する。図６Ａ〜図６Ｄは製造方法を示すための下側基板の断面図である。
【００５２】
まず図６Ａに示すように、図４Ａ〜図４Ｆ、図５Ａ〜図５Ｃのステップを用いて形成した２層の回路基板２０を準備する。
【００５３】
次に、図４Ｄに示す状態のプリプレグ３１を２枚と金属はく３５を２枚とを用意する。なお、図４Ｄの状態のプリプレグ３１は、上述したように、図４Ａ〜図４Ｄのステップを経て作成されたものである。図６Ｄに示すように、位置決めステージ（図示せず）上に金属はく３５とプリプレグ３１を載置して、その上に回路基板２０を内層用のコア基板として積層し、さらにプリプレグ３１、金属はく３５を積層する。これらを仮接着して積層構成物を作成する。
【００５４】
次に図６Ｃに示すように、上記の積層構成物を熱プレスにより全面を加熱加圧して成形硬化させて、プリプレグ３１と金属はく３５と回路基板２０とを接着し多層構成を形成する。この際、導電性ペースト３４が圧縮されて表裏の金属はく３５は導電性ペースト３４により内層の回路基板２０の回路パターンと電気的に接続される。
【００５５】
次に、図６Ｄに示すように、金属はく３５をエッチングなどで選択的に除去することで回路パターン３６を形成する。
【００５６】
次に、上側基板１の開口部およびキャビティの底部に相当する下側基板２上に選択的に絶縁被膜層としてのソルダレジスト７を形成する。これを図３Ａ、図３Ｂの要部概略図で説明する。
【００５７】
本実施の形態のソルダレジスト７は、前述した図１Ｃの熱プレスによる加熱加圧のステップにおいて、図３Ａに示すように、開口部の端部に近い側のソルダレジスト７の形成端７ａが、上側基板１の開口部５の端部５ａあるいは基板間接続シート３の開口部６の端部６ａとの間でクリアランスＲを有するように形成されている。つまり、下側基板２の絶縁被膜層であるソルダレジスト７は、下側基板２と基板間接続シート３と上側基板１とを積層したときに、その形成端７ａが上側基板１の開口部５の端部５ａあるいは基板間接続シート３の開口部６の端部６ａとの間でクリアランスを有するように形成される。
【００５８】
すなわち、下側基板２上のソルダレジスト７の形成は、上側基板１の開口部５の端部５ａを基準として行うことが望ましい。
【００５９】
なお、基板間接続シート３の開口部６の端部６ａを基準とする場合は、図１Ｃの熱プレスによる加熱加圧のステップ後、基板間接続シート３の端部６ａからの樹脂の流れ出しによって、クリアランスＲの値が小さくなる。
【００６０】
この場合、基板間接続シート３の開口部の面積を上側基板１の開口部の面積より大きく作成することにより所望するクリアランスＲの値を確保することが可能となる。
【００６１】
また、基板間接続シート３の開口部の面積を上側基板１の開口部の面積より大きく作成することにより生じる空間とクリアランスＲによる空間により、半導体等の部品実装ステップにおいて、キャビティの底部にモールド用樹脂の流動路としてのスペースを確保することができ、外界からの吸湿を防止することができる。これにより高温高湿における電気絶縁性を維持するあるいは高めることができ、半導体実装の信頼性を向上できる。
【００６２】
なお、４層以上に多層化する場合には、４層以上の多層の回路基板を内層用のコア基板として上記ステップを繰り返せばよい。
【００６３】
また、表層に回路を有する両面あるいは多層の配線基板（本発明の回路基板を含む）を、貫通孔に導電性ペーストが充填された層間接続用の導通孔を備えたプリプレグを介して積層し、多層の回路基板としてもよい。
【００６４】
また、表層の回路を有する配線基板は、導電性めっきにより形成された導通孔によりコア基板としての内層の回路基板２０と層間接続することで多層の配線基板を構成することも可能である。コア基板としての内層基板は、導電性めっきにより形成された導通孔により表裏または層間接続されているものであってもよい。特に、貫通孔、めっきスルーホールを備えた基板を採用することにより、放熱性を高めることができる。
【００６５】
（iii）基板間接続シート３の説明
次に、基板間接続シート３の構成と作成プロセスについて説明する。即ち、図１Ｂのステップにおいて用いる基板間接続シート３の構成と作成プロセスについて以下に説明する。図７Ａ〜図７Ｈは基板間接続シート３の製造方法を示す基板間接続シート３の断面図である。
【００６６】
図７Ａに示すように、キャリアフィルム４２上に厚さ約１００μｍの有機系の接着層４１が形成された３００×２５０ｍｍのサイズのシート材料を準備する。なお、接着層４１の厚さは、３０〜３００μｍの範囲から任意の値を選定できる。接着層４１の厚さは、部品実装後の部品の高さに応じて選定するのが良い。本実施の形態においては、接着層４１の厚さを約１００μｍとした場合について説明する。
【００６７】
シート材料の構成としては、キャリアフィルム４２にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用い、接着層４１にフィラーが高い含有率で充填された熱硬化性樹脂を用いている。接着層４１は、具体的にはフィラーとしてのシリカやアルミナ等の無機物の粉体を５５〜９０ｗｔ％のエポキシ樹脂と混ぜたものであって、芯材としてのガラス織布等の基材は用いていない。
【００６８】
このため、本実施の形態のシート材料の縦横厚さ方向の熱膨張係数は、通常のガラスエポキシ積層板の熱膨張係数に比較して低い。特にガラス転移温度よりも低い状態での厚み方向についての膨張係数α１は１２ｐｐｍ／℃であり、上側基板１、下側基板２の材料であるガラス布エポキシ樹脂のプリプレグシートは、厚み方向の膨張係数α１は６５ｐｐｍ／℃である。また、シート材料はフィラーが高い割合で充填されているため低流動性であり、さらに低流動性を確保するために、必要に応じてゴム系の材料を混ぜてもよい。
【００６９】
次に、図７Ｂに示すように、シート材料の中央部を含む領域に一定面積の開口部６を形成する。開口部６の形成は、製造ステップにおけるハンドリングを考慮してキャリアフィルム４２が存在しているときに行うのが好ましい。
【００７０】
開口部６の形成は、金型を用いた打ち抜き加工で行うことも可能であるが、好ましくは、レーザー加工にて切断して除去する。特に、本実施の形態における接着層４１がエポキシ樹脂を主剤とし、シリカやアルミナ等をフィラー分として重量比５５％以上含む構成の場合、波長９．４〜１０．６μｍの炭酸ガスレーザーを用いて切断して除去することが好ましい。このようにすることで、切断端面の樹脂の流動を抑制することができる。そのメカニズムとしては以下に説明するとおりである。レーザーの加工エネルギーが接着層４１中のフィラーに吸収され熱に変換される。その熱によりエポキシが変性し、核としてのフィラーと変性したエポキシ樹脂とにより構成される変質層が切断端面に沿って形成される。この変質層により、切断端面からの樹脂の流動を抑制できる。
【００７１】
これにより、図１Ｄのステップにおける加熱加圧の際、基板間接続シート３の端面からの樹脂の流れ出しを防止するとともに、導通孔のビア倒れ等の変形を防ぐことができる。また、外界からの吸湿を防止することができる。これにより高温高湿における電気絶縁性を維持するあるいは高めることができる。さらに開口部６の端面からのフィラーや樹脂成分の脱落等によるゴミの発生を防止することもできる。
【００７２】
また、開口部６の面積は、図５Ｂのステップで形成した上側基板１の開口部５の面積より大きいことが望ましい。開口部５が一辺Ａ（ｍｍ）の正方形であれば、開口部６は一辺（Ａ＋ａ）（ｍｍ）の正方形とし、ａの値はＡの０．５〜１．０％に設定することが望ましい。例えば、開口部５が一辺１０ｍｍの正方形である場合、開口部６は一辺につき５０〜１００μｍの範囲で開口部５よりも広く形成する。これにより、基板間接続シート３の樹脂の流れ出しに対するクリアランスを確保するとともに、前述の上側基板１の開口部５の端部５ａに形成したソルダレジスト７に嵌合させ、基板間接続シート３の樹脂の流れ出しを防止する効果を有する。
【００７３】
次に、図７Ｃに示すように、シート材料のキャリアフィルム４２の反対側に離型フィルム４２ａをラミネートする。なお、離型フィルム４２ａは、シート材料のキャリアフィルム４２上を含む両面にラミネートしてもよい。離型フィルム４２ａは、片面にＳｉ系の離型剤を塗布した厚さ約１２μｍのプラスチックシートであり、例えばポリエチレンテレフタレートが用いられる。
【００７４】
次に、図７Ｄに示すように、キャリアフィルム４２を剥離する。次に、図７Ｅに示すように、キャリアフィルム４２を剥離した面に離型フィルム４２ｂを真空ラミネート装置を用いて真空状態でラミネートする。これにより、図に示したように開口部６において、離型フィルム４２ａ，４２ｂが接触した接触部４５を形成する。
【００７５】
なお、真空ラミネート装置はラミネートロール（図示せず）を備え、これより離型フィルム４２ａ，４２ｂを加熱加圧しながらシート材料にラミネートすることが可能である。この際、本実施の形態においては、真空状態でラミネートするため、離型フィルムの接触部４５は開口部６内に窪み、この部分はラミネートロールにて加熱加圧されることなく、真空圧のみで接触した状態を保つことができる。これにより、後述する図７Ｈに示すステップにおいて離型フィルム４２ａ，４２ｂの剥離を容易に行うことができる。
【００７６】
さらに、開口部６に接触部４５が設けられることにより、接着層４１の剛性を高めることができ、後ステップであるレーザー穴加工やペースト充填等のステップにおけるシート材料のハンドリングを容易に行うことができる。
【００７７】
なお、ラミネートロールを備えた真空ラミネート装置を用いた事例を示したが、真空プレス装置を用いて離型フィルムをシート材料にラミネートすることも可能である。この場合においても、真空状態でラミネート作業を行えば、開口部６に接触部４５を設けることができる。
【００７８】
また、上記の図７Ｄにおいて、キャリアフィルム４２を一旦剥離したのち、図７Ｅのステップにおいて離型フィルム４２ｂをラミネートするステップの意図は、接触部４５を形成するためである。前述のハンドリング性を高めることのほかに、後ステップのレーザー穴加工において、レーザー加工上最も適した条件とするため、同質の材料である離型フィルム４２ａ，４２ｂを両面にラミネートしたものである。
【００７９】
次に、図７Ｆに示すように、開口部６を除く領域にレーザー加工法などを利用して貫通孔４３を形成する。次に、図７Ｇに示すように、貫通孔４３に導電性ペースト４４を充填する。充填方法としては、図４Ｃに示すステップと同様に行う。次に、図７Ｈに示すように、シート材料の上下から離型フィルム４２ａ，４２ｂを剥離し、基板間接続シート３を完成する。
【００８０】
なお、以上の説明では、完成した基板間接続シート３を介して上側基板１、下側基板２を積層する事例を図１に示したが、やや異なる方法を採用することもできる。
【００８１】
すなわち、接続シートの裏面の離型フィルム４２ｂのみを剥離し、離型フィルム４２ａが表面にラミネートされたままの状態の基板間接続シート３を準備し、離型フィルム４２ａを備えた面の反対面を接触面として基板間接続シート３を下側基板２上に位置決めし積層し複数の点を仮圧着する。その後真空状態でラミネートにより全面を仮圧着する製造方法を採用することも可能である。
【００８２】
この製造方法を採用する意図は、本実施の形態における基板間接続シート３は、低流動でかつ剛性が高いため、複数の点による仮圧着では、熱プレスのステップの際に位置ズレする可能性もあり、それを防止するために行うものである。離型フィルム４２ａが存在することにより、充填された導電性ペーストの状態を維持することができるとともに、開口部６を含む基板間接続シート３の全面を下側基板２に均一に仮圧着することができる。その後、離型フィルム４２ａを剥離し、基板間接続シート３上に上側基板１を積層し、図１Ｄ以降に示すステップと同様のステップを経て回路基板を完成する。
【００８３】
以上の実施の形態において説明した製造方法より得られた回路基板は、全層ＩＶＨ（Ｉｎｎｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）構造でかつ電子部品を実装することができるキャビティ１１を備え、さらに多層プリント配線板等のマザーボードへ実装できる構造である。特に、本実施の形態の回路基板を構成する上側基板１と下側基板２はマザーボードと同じ基板材料を選択することが可能である。
【００８４】
また、上側基板１と下側基板２とを接続する基板間接続シート３は、その厚み方向の熱膨張係数がこれらの基板よりも低い材料で構成されるため、反り量を抑制することができ、マザーボードとの実装の信頼性を高めることができる。
【００８５】
また、基板間接続シート３は、低流動性の材料で構成されるため、キャビティ１１内部への樹脂の流れ出し、および樹脂流動による導通孔の変形を防止し、高い層間接続信頼性を有する全層ＩＶＨ構造を実現することができる。
【００８６】
さらに、本実施の形態の回路基板の製造方法は、焼成ステップ、ザグリ加工ステップ、あるいは樹脂成形ステップを経ることなく、凹状に窪んだキャビティ１１部の形成を効率的に容易に行うことができ、金型等を変更することなく、キャビティ１１に実装される電子部品の高さに応じた回路基板を提供できる。
【００８７】
なお、本実施の形態においては、２層の回路基板２０を上側基板１とし、４層の回路基板３０を下側基板２として説明したが、上側基板１および下側基板２の層の数は、それに限るものではない。
【００８８】
また、上側基板１および下側基板２は、ガラス織布基材エポキシ樹脂含浸材料が硬化されたもので説明したが、ガラス織布に限定されるものではなく、アラミド等の不織布の基材も使用できる。含浸される樹脂もエポキシ樹脂に限定されるものではなく、基板間接続シートの使用される材料の厚み方向の熱膨張係数の比較において、本発明の意図する構成を含むものであれば、回路基板の仕様に応じて様々な樹脂を選択することが可能である。
【００８９】
また、上側基板と下側基板の面に選択的に形成される絶縁被膜層は、写真現像型のソルダレジストとしたが、ロードマップ等の部品配置図用の絶縁被膜材料を用いて形成することも可能である。その形態も写真現像型に限らず、感光性フィルムを用いることも可能である。さらに、インキ透孔穴の断面が台形形状のメタル版やスクリーン等を用いれば印刷法により凸状の絶縁被膜層を形成することも可能である。
【００９０】
また、実施の形態において説明した、基板及び金属箔やシート等の材料を積層するステップは、位置決めステージ上に静置された材料や基板の上に、位置決め用マーク（または穴）をＣＣＤなどの認識装置で認識位置決めして積層した後、ヒーターポンチで加熱加圧して、仮接着固定されるステップを適宜含むものである。説明を簡潔にするため省略した。
【００９１】
また、開口部５を備えた状態の上側基板１と下側基板２の面方向の線熱膨張係数は、略同等とすることが望ましい。略同等とすることによって、基板間接続シート３に形成された導通孔の変形（ビア倒れ）をさらに抑制することができる。具体的には、開口部５の面積に応じて、上側基板１または下側基板２の残銅率、層数、厚み等を設定することで、実現可能となる。
【００９２】
さらに、接着層４として熱可塑性樹脂（ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ））や熱可塑性ポリイミド等を用いてもよい。条件として、本実施の形態で例示した基板間接続シートの接着層４と同等かそれより良い低膨張率あるいはレーザー加工性、あるいは層間接着性を備えておればよい。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明は、近年の回路基板の多層化・高密度化の要求に対応するものである。本発明により提供される回路基板は、従来ＬＴＣＣ（低温焼成積層セラミックス基板）の代替技術として、生産性、信頼性及び製造コストの上からも有効である。ガラスエポキシ樹脂で積層構成された多層プリント配線板をマザーボードとする実装形態に適したものであり、本発明の産業上の利用可能性は大きい。
【符号の説明】
【００９４】
１，６１    上側基板
２    下側基板
３    基板間接続シート
４，４１，６３    接着層
５，６，９    開口部
５ａ，６ａ    端部
７    ソルダレジスト
７ａ    形成端
８    クッション材
８ａ    離型層
８ｂ    ＳＵＳ板
１０，２０，３０    回路基板
１１    キャビティ
２１，３１    プリプレグシート
２２ａ，２２ｂ，４２ａ，４２ｂ    離型フィルム
２３，４３    貫通孔
２４，３４，４４    導電性ペースト
２５ａ，２５ｂ，３５    金属はく
２６，３６    回路パターン
４２    キャリアフィルム
４５    接触部
５０    グリーンシート
５１    モールド樹脂層
５２    基板
５５    開口
【図１Ａ】
2010113448.tif 000003
【図１Ｂ】
2010113448.tif 000004
【図１Ｃ】
2010113448.tif 000005
【図１Ｄ】
2010113448.tif 000006
【図１Ｅ】
2010113448.tif 000007
【図２Ａ】
2010113448.tif 000008
【図２Ｂ】
2010113448.tif 000009
【図３Ａ】
2010113448.tif 000010
【図３Ｂ】
2010113448.tif 000011
【図４Ａ】
2010113448.tif 000012
【図４Ｂ】
2010113448.tif 000013
【図４Ｃ】
2010113448.tif 000014
【図４Ｄ】
2010113448.tif 000015
【図４Ｅ】
2010113448.tif 000016
【図４Ｆ】
2010113448.tif 000017
【図５Ａ】
2010113448.tif 000018
【図５Ｂ】
2010113448.tif 000019
【図５Ｃ】
2010113448.tif 000020
【図６Ａ】
2010113448.tif 000021
【図６Ｂ】
2010113448.tif 000022
【図６Ｃ】
2010113448.tif 000023
【図６Ｄ】
2010113448.tif 000024
【図７Ａ】
2010113448.tif 000025
【図７Ｂ】
2010113448.tif 000026
【図７Ｃ】
2010113448.tif 000027
【図７Ｄ】
2010113448.tif 000028
【図７Ｅ】
2010113448.tif 000029
【図７Ｆ】
2010113448.tif 000030
【図７Ｇ】
2010113448.tif 000031
【図７Ｈ】
2010113448.tif 000032
【図８Ａ】
2010113448.tif 000033
【図８Ｂ】
2010113448.tif 000034
【図９Ａ】
2010113448.tif 000035
【図９Ｂ】
2010113448.tif 000036
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月23日(2010.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とが形成された上側基板を作成するステップと、
表層に回路と絶縁被膜層とが形成された下側基板を作成するステップと、
貫通孔と前記貫通孔に充填された導電性ペーストとを備えた基板間接続シートを作成するステップと、
前記下側基板と前記基板間接続シートと前記上側基板とを積層し加熱加圧するステップとを備え、
前記下側基板を形成するステップにおいて、前記下側基板の前記絶縁被膜層は、前記下側基板と前記基板間接続シートと前記上側基板とを積層したときに、前記絶縁被膜層の形成端が前記上側基板の開口部の端部あるいは前記基板間接続シートの開口部の端部との間でクリアランスを有するように形成され、
前記クリアランスの値は前記上側基板の開口部の端部を基準として設けられ、前記加熱加圧するステップは、前記基板間接続シートと前記上側基板との開口部および前記クリアランスにクッション材を入り込ませるステップを含み、前記クリアランスによる空間が確保されていることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板間接続シートの開口部の面積を前記上側基板の前記開口部の面積より大きくすることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記上側基板および前記下側基板は基材に含浸された樹脂が硬化されたものを用い、
前記基板間接続シートは、キャリアフィルム上に無機物のフィラーと熱硬化性樹脂とを含みかつ芯材を含まない接着層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法
【請求項４】
前記基板間シート材料の厚み方向の熱膨張係数は、前記上側基板および前記下側基板を構成する材料の厚み方向の熱膨張係数より低いものを用いる請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記上側基板を作成するステップにおいて、前記上側基板に、貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を作成し、
前記下側基板を作成するステップにおいて、前記下側基板に、貫通孔に導電性ペーストが充填された導通孔を作成し、
前記導通孔を介して両面表層の回路を層間接続することを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板間接続シートを作成するステップにおいて、前記基板間接続シートはＢステージ状態のものであり、
前記クッション材の流動性は前記基板間接続シートの流動性より低いものであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記クッション材は表層に離型層を備えたシリコンゴムあるいはブチルゴムであることを特徴とする請求項６に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
開口部を有し表層に回路と絶縁被膜層とを備えた上側基板と、
表層に回路と絶縁被膜層とを備えた下側基板とが、
開口部を有し層間接続用の導通孔を備えた基板間接続シートを介して積層され、
前記上側基板の前記開口部と前記基板間接続シートの前記開口部とでキャビティを構成し、
前記基板間接続シートの開口部の面積は前記上側基板の開口部の面積以上の大きさで形成され、
前記下側基板の絶縁被膜層の端部と前記基板間接続シートの開口部の端部との間にクリアランスが設けられ、前記クリアランスによってモールド用樹脂の流動路としてのスペースが確保されていることを特徴とする回路基板。
【請求項９】
前記上側基板および前記下側基板は基材に含浸された樹脂が硬化されたものであり、
前記基板間接続シートは無機物のフィラーと熱硬化性樹脂とを含みかつ芯材を含まない接着層の前記熱硬化性樹脂が硬化されたものであることを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記基板間接続シートの材料の厚み方向の熱膨張係数が、上側基板および前記下側基板を構成する材料の厚み方向の熱膨張係数より低いことを特徴とする請求項８に記載の回路基板。
【国際調査報告】
2010113448.tif 000037
2010113448.tif 000038
2010113448.tif 000039
2010113448.tif 000040