【事件の表示】
　特許第３１３１４９８号「薄膜コンデンサ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１３１４９８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３１３１４９８号（平成４年５月２２日出願、平成１２年１１月１７日設定登録。）の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「請求項１　膜厚３５０ｎｍ以下の高誘電率薄膜を介して下部電極と上部電極とが対向形成されてなる薄膜コンデンサにおいて、前記下部電極と上部電極間に印加されるバイアス電圧を負電圧から正電圧へ上昇させたときに容量が最大となるバイアス電圧をＶCMAX＋ とし、逆に前記バイアス電圧を正電圧から負電圧に低下させたときに容量が最大となるバイアス電圧をＶCMAX− としたときに、
　　　　｜ＶCMAX＋−ＶCMAX−｜≦０．３            
　かつ、
　　　−０．３≦ＶCMAX＋≦０．３
　　　−０．３≦ＶCMAX−≦０．３　（単位はＶ）
を満足することを特徴とする薄膜コンデンサ。（以下、本件第１発明という。）」
　
２．申立ての理由の概要
　申立人は、証拠として甲第１号証（Applied Physics Letters Vol.60, No.20, 18 May 1992 　第２４７８〜２４８０頁）を提出し、本件第１発明は甲第１号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するから、また、本件第１発明は甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件第１発明についての特許は特許法第１１３条第２号に該当すると認められるので、取り消されるべきものである旨主張している。
　
３．申立人が提出した甲各号証記載の発明
　ア．甲第１号証（Applied Physics Letters Vol.60, No.20, 18 May 1992 　第２４７８〜２４８０頁）は、ダイナミックランダムアクセスメモリに適用するためのエキシマレーザーアブレーションで形成されたチタン酸ストロンチウム薄膜に関するものであり、以下の点が記載されている。
「この論文において、我々はエキシマレーザーアブレーションによって用意されたＳｒＴｉＯ３薄膜の特徴を報告する。」（第２４７８頁の左欄第３１〜３２行）、
「プラチナで被覆されたシリコン基板（Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ）と表面の露出したシリコン基板はターゲットと平行にして約３ｃｍの距離に配置された。その基板は４００−５００℃の温度に加熱された。Ｏ２の圧力はＭＫＳ流量計によって１０ｍＴｏｒｒに維持された。このようにして２Ｊ／ｃｍ２で堆積された薄膜は０．３−１．０μｍの範囲の厚さであった。」（第２４７８頁の左欄第３８行〜右欄第４行）
「金の上部電極は電気的特性のために堆積され、低周波数（ＬＦ）インピーダンスアナライザを用いて周波数の関数として誘電特性が測定された。容量−電圧特性は、金属−絶縁物−金属（ＭＩＭ）構造と金属−絶縁物−半導体（ＭＩＳ）の両構造に対して測定され、その容量は１ＭＨｚで、正から負へ掃引されたバイアス電圧の関数として測定された（Ｃ−Ｖ曲線）。」（第２４７８頁右欄１２〜１９行）
「図５にはインサイチュで結晶化された薄膜の容量−電圧特性図であって、１ＭＨｚでＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）配置の容量に対して測定されたものが示されている。１０Ｖまでの電圧の範囲内では容量は電場によってはあまり大きくは影響されないことが見て取れる。・・・。その薄膜は約０．２ＭＶ／ｃｍの電場において約４０ｆＣ／μｍ２のＱＣ（電荷蓄積密度）の値を示し、その厚さは０．２５μｍである。」（第２４７９頁の右欄第１７〜第２４８０頁左欄８行）。
　また、図５にはＭＩＭとＭＩＳ構造の容量−電圧特性図が記載されている。この特性図によると、ＭＩＭを示すＣ−Ｖ曲線は１本の曲線からなるように見え、バイアス電圧を上昇させたときに測定されるＣ−Ｖ曲線とバイアス電圧を低下させたときに測定されるＣ−Ｖ曲線の２本が記載されているのか否かは不明であり、この点については甲第１号証の文章中にもなんら記載されていない。そして、本件第１発明で定義されるＶCMAX＋ 及びＶCMAX−は、バイアス電圧を上昇させたときに測定されるＣ−Ｖ曲線とバイアス電圧を低下させたときに測定されるＣ−Ｖ曲線がわからなければ特定することができないので、甲第１号証に記載の発明においてはＭＩＭ構造の容量に対するＶCMAX＋ 及びＶCMAX−の値は特定できない。
　ただし、ＭＩＭを示すＣ−Ｖ曲線をよく見ると、各測定点をつなぐ線分が該Ｃ−Ｖ曲線の端部では細いが、該Ｃ−Ｖ曲線の中央に近づくにつれて太くなっているように見え、また、測定点を表す各黒丸の形状が中央のものほどゆがんでいるように見えるので、バイアス電圧を上昇させたときに測定されるＣ−Ｖ曲線とバイアス電圧を低下させたときに測定されるＣ−Ｖ曲線の２本の曲線が記載されているようにも見える。もし、バイアス電圧を上昇させたときに測定されるＣ−Ｖ曲線とバイアス電圧を低下させたときに測定されるＣ−Ｖ曲線の２本の曲線が重なって１本のＣ−Ｖ曲線に見えるとするならば、上記ＭＩＭを示すＣ−Ｖ曲線において容量が最大となるバイアス電圧はほぼ−２Ｖ〜＋２Ｖの範囲にあることが読みとれるので、ＶCMAX＋ 及びＶCMAX−の値はいずれもほぼ−２〜＋２Ｖの範囲にあるものと認められる。このとき、｜ＶCMAX＋−ＶCMAX− ｜についてはほぼ４Ｖ以下になるということができる。
　以上まとめると、甲第１号証には「膜厚２５０ｎｍのＳｒＴｉＯ３を介して下部電極（Ｐｔ／Ｔｉ）と上部電極（金）とが対向形成されてなるＭＩＭ型の薄膜コンデンサにおいて、ＶCMAX＋ 及びＶCMAX−の値が特定できないか、ＶCMAX＋及びＶCMAX−が特定されるとすればその値がいずれも約−２〜＋２Ｖの範囲にあり、また｜ＶCMAX＋−ＶCMAX−｜についてはほぼ４Ｖ以下であることを特徴とする薄膜コンデンサ」が記載されているものと認められる。
　
４．対比・判断
（１）本件第１発明について
　甲第１号証記載の発明と本件第１発明とを対比すると、甲第１号証に記載された「ＳｒＴｉＯ３」は本件第１発明の「高誘電率薄膜」に相当しており、甲第１号証に記載されたＳｒＴｉＯ３の「膜厚２５０ｎｍ」は本件第１発明の高誘電率薄膜に関する「膜厚３５０ｎｍ以下」の条件を満たしている。
　したがって、甲第１号証に記載の発明と本件第１発明とは、「膜厚３５０ｎｍ以下の高誘電率薄膜を介して下部電極と上部電極とが対向形成されてなる薄膜コンデンサ」の点で一致しているが、甲第１号証には本件第１発明の構成である、
「｜ＶCMAX＋ −ＶCMAX−｜≦０．３
　 かつ、
　−０．３≦ＶCMAX＋≦０．３
　−０．３≦ＶCMAX−≦０．３（単位はＶ）」
とする点については記載も示唆もされていない点で相違している。
　そして、本件第１発明は上記相違点の構成によって、「容量の経時変化およびリーク電流の電圧極性依存性が小さい薄膜コンデンサを提供できる」という明細書記載の効果を奏するものである。
　したがって、本件第１発明は甲第１号証に記載されたものでなく、甲第１号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件第１発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月６日（２００１．１１．６）