【事件の表示】
　特許第３１７６１１８号「多室型基板処理装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７６１１８号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３１７６１１８号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成４年３月２７日に特許出願され、平成１３年４月６日に設定登録され、その後、村井宏より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年５月７日に訂正請求がなされたものである。
第２　訂正の適否
１　訂正請求の内容
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内で前記基板上の反応生成物の粉塵の量を測定するための測定手段を備えたことを特徴とする多室型基板処理装置。」を、「複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内でハンドラに載置されている基板上の反応生成物の粉塵の量を測定するための測定手段を備えたことを特徴とする多室型基板処理装置。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の【００１０】項を、
「　【課題を解決するための手段】
　前記した課題を解決するために請求項１に係る発明は、複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内でハンドラに載置されている基板上の反応生成物の粉塵の量を測定するための測定手段を備えたことを特徴としている。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の【００１９】項を、
「そして、本参考例では図２に示すように、ハンドラ室２内の上部に、ハンドラ室２内にパージガスを供給する環状に形成されたノズル１６を配設し、ハンドラ室２の下部に、放射状に形成された複数個の排気口１７が配設されている。ノズル１６にはパージガス供給装置（図示省略）が接続されており、排気口１７には排気ポンプ（図示省略）が接続されている。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許明細書の【００４９】項を、
「このように、本実施例においてもハンドラ室２を常にクリーンに保つことができるので、ハンドラ室２内に基板１５が搬送されている時に、基板１５が粉塵等で汚染されることはなく、また、ハンドラ室２内の粉塵が、接続されている各チャンバ（ロード・アンロード・チャンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２）に拡散されることもないので、不良基板の発生が防止されることにより薄膜製造の歩留まりが向上し、高品質の薄膜を得ることができる。」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　特許明細書の【００５２】項を、
「また、前記した実施例では、基板１５のクリーニングはハンドラ１上で行ったが、これ以外にも、例えばハンドラ室２内にクリーニングステージを設けたり、基板１５を垂直に支持してクリーニングしたり、基板１５の表面に所定の角度でガス体を吹き付ける等も可能である。」と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　この訂正は、特許請求の範囲の請求項１において、「ハンドラ室内で前記基板上の反応生成物の粉塵の量を測定する測定手段」を、「ハンドラ室内でハンドラに載置されている基板上の反応生成物の粉塵の量を測定する測定手段」と限定して、反応生成物の粉塵の量を測定する基板とハンドラ室内のハンドラとの関係を特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。また、この訂正は、特許明細書の段落番号【００３６】の記載に基づくものであって、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、かつ、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
（２）訂正事項ｂについて
　この訂正は、訂正事項ａによる特許請求の範囲の請求項１の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的にするものに該当する。そして、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
（３）訂正事項ｃ〜ｅについて
　これらの訂正は、明らかに誤記を訂正するものであるから、誤記の訂正を目的とするものに該当する。そして、これらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、及び同条第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　取消理由についての判断
１　本件発明
　本件特許第３１６７６２５号の請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）は、訂正明細書及び出願当初の図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のおりのものと認める。
「　【請求項１】　複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内でハンドラに載置されている基板上の反応生成物の粉塵の量を測定するための測定手段を備えたことを特徴とする多室型基板処理装置。
　　【請求項２】　請求項１に記載の多室型基板処理装置において、測定手段の測定結果に基いて前記ハンドラ室内の前記基板上へクリーニング用のガスを流して前記基板上の粉塵を排除するためのブローノズルを前記ハンドラ室内に備えたことを特徴とする多室型基板処理装置。
　　【請求項３】　請求項１又は２に記載の多室型基板処理装置において、測定手段の測定結果に基いて前記ハンドラ室内にパージガスを供給するためのパージガス供給手段を設けたことを特徴とする多室型基板処理装置。」
２　引用刊行物
（１）刊行物１
　当審が通知した取消理由通知に引用した刊行物１（特開昭６２−２１３１１２号公報：異議申立人の提出した甲第１号証）には、次の事項が記載されている。
ａ「本発明はスパッタ前処理室９に仕切りバルブ８を介してロードロック室４を接続し、ロードロック室４をオートローダ機構３の後段に配設し、ロードロック室４にパーティクル検出装置（レーザ光によるパーティクルカウンター等）６を設置したものである。オートローダ機構４はカセット２よりウェハを送り出し或いはカセット２にウェハを送り込むことによりロードロック室４との間でウェハの授受を行う。またロードロック室４及びスパッタ前処理室９内には搬送機構１０がそれぞれ設置されている。さらに１６はデータ処理装置であり、処理装置１６はパーティクル検出装置６からの検査出力を記憶演算する。１７は装置１６からの出力を受けて薄膜形成プロセスの実行の判断を行い、各部の動作制御を行う制御部１７である。」（第２頁右上欄第１２行〜同頁左下欄第６行）
ｂ「ウェハ１はロードロック４室内のカセット７に収納される。次に仕切バルブ５が閉じ、ロードロック４室が真空引きされ規定の真空度になると、今度は仕切バルブ８が開きスパッタ前処理室９（例えばウェハ加熱やＲＦエッチング等）に真空室内の搬送機構１０により送り込まれる。」（第２頁左下欄第１５〜２０行）
ｃ　パーティクル検出装置６は、搬送機構に載置されているウエハ上のパーティクルの数を検出している。（第１、及び２図参照）
　以上の記載事項ａ〜ｃから、刊行物１には次の発明（以下「刊行物１記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　スパッタ前処理室が接続されたロードロック室を備え、前記ロードロック室を介して前記処理室にウエハの出入れを行ってウエハ処理を実行する処理装置において、前記ロードロック室内で搬送機構に載置されているウエハ上のパーティクルの数を測定する検出装置を備えたウエハ処理装置。
（２）刊行物２
　同じく当審で引用した刊行物２（実願平１−１１５４６２（実開平３−５３５５６号）のマイクロフィルム：異議申立人の提出した甲第２号証）には、次の事項が記載されている。
ａ「本考案の一実施例による真空成膜装置を第４図に示す。第４図はこの真空成膜装置の平面図である。中間室１は概ね八角形状に形成されている。中間室１の周囲には、八角形の各辺に対応して、出入口室（加熱・冷却室）２及び成膜処理を行う複数の反応室３〜７が配設されている。中間室１内には、アーム旋回型の基板搬送機構１２が設けられている。」（第４頁第４〜１１行）
ｂ「中間室１の上方には、基板上に形成された膜の膜厚測定を行う膜厚測定装置が配置されている。また、中間室１の下方には、膜厚測定装置に相対向して、膜厚測定装置に基板を搬送する基板搬送機構が配置されている。」（第５頁第１９行〜第６頁第３行）
ｃ「中間室１の上方には、室２７に対向する位置に中間室１に連通して室２２が設けられている。」（第８頁第５〜６行）
ｄ「反応室に連通した室で膜厚測定が行われるので、・・・成膜途中において短時間で膜厚測定を行うことができる。」（第１１頁第６〜１０行）
ｅ「本考案に係る真空成膜装置では、中間室に連通した室で膜厚測定が行われるので、成膜途中において短時間で膜厚測定を行うことができる。」（第１２頁第１２〜１４行）
　そして、第１図及び第２図を参照すると、前記膜厚測定装置が配置された室２２は、中間室１の上方にあって中間室に連通し、かつ処理室にも連通することになるので、前記室２２も中間室ということができる。
　以上の記載事項ａ〜ｅから、刊行物２には、次の発明（以下「刊行物２記載の発明」という。）が記載されているものと認められる。
　複数の処理室が接続された中間室を備え、前記中間室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記中間室内でアーム旋回型搬送機構に載置されている基板を、基板搬送機構で上昇せしめ、該基板の膜厚を測定するための測定手段を備えた多室型基板処理装置。
（３）刊行物３
　同じく当審で引用した刊行物３（特開平３−１９０２６０号公報：異議申立人の提出した甲第３号証）には、次の事項が記載されている。
ａ「ウエハ処理装置１は、互いに離間配置された第一の処理室２および第二の処理室３と、これら二つの処理室２，３を連結するロードロック室４とから構成されている。内部が所定の真空度まで排気された第一の処理室２には、ドライエッチング室５及びアッシング室６が設置されている。この処理室２の一端には、カセット室７が設置されており、その内部には、ウエハカセット８に収容された複数枚の半導体ウエハ９が搬入される。」（第３頁左上欄第１８行〜同頁右上欄第７行）
ｂ「ロードロック室４の内部には、第一の処理室２のアンローダ１２に載置されたウエハ９を第二の処理室３の位置決めステージ１３へと搬送する搬送アーム（搬送機構）１４が設置されている。第１図は、上記搬送アーム１４の先端部を示す断面図である。例えばステンレス鋼からなる搬送アーム１４は、その内部が中空のパージガス供給管１５となっており、この供給管１５を通じて外部から供給されるパージガスを吹き出し孔１６ａを通じてウエハ９の表面に吹き付ける構造となっている。パージガスとは、例えば水分を除去した窒素、アルゴンなどの不活性ガスやドライエアーなどである。」（第３頁右上欄第１３〜同頁左下欄第５行）
ｃ「エッチングが完了したウエハ９をロボットアーム１８ｂを用いてドライエッチング室５からアッシング室６へと搬送し、例えば、Ｏ２＋ＣＦ４などのアッシングガスを使用してホトレジストマスク３５の除去を行った後、例えば、Ｏ２　ガスを使用してウエハ９表面の段差部などに残ったレジスト残渣を除去し、第５図に示すようなＴｉＷ／Ａｌ−Ｃｕ−Ｓｉ／ＴｉＷ複合膜からなるＡｌ積層配線１９を得る。このようにして得られたＡｌ積層配線１９の表面や側壁などには、導電膜残渣、塩素などのエッチングガス残渣、レジスト分解物などの微少な異物が付着している。」（第４頁右上欄第１１〜同頁左下欄第２行）
ｄ「アッシングが完了したウエハ９をロボットアーム１８ｂを用いてアッシング室６から取り出し、アンローダ１２上に載置した後、搬送アーム１４を用いてウエハ９をロードロック室４に搬送する。」（第４頁左下欄第７〜１１行）
ｅ「アッシングが完了したウエハ９を第二の処理室２に搬送する間、ウエハ９にパージガスを吹き付けてその表面を大気から遮蔽することにより、大気中の水分や異物がウエハ９の表面に付着するのを有効に防止することができる。」（第４頁左下欄第２０〜同頁右上欄第４行）
（４）刊行物４
　同じく当審で引用した刊行物４（特開昭６２−１８１４４０号公報：異議申立人の提出した甲第４号証）には、次の事項が記載されている。
ａ「技術者がウエーハ支持体１０を真空ロードロック室１２内に配置して、ロードロックの蓋２０を閉じた後、ロードロックの蓋２０の内部にあるマニホルド２２を介して、高圧パージ（乾燥した窒素又はその他の綺麗なガス）を適用することが好ましい。この高圧パージが垂直の流れを作り、粒子を下向きに輸送する傾向を持つと共に、大気状態に露出している間に、ウエーハ支持体１０の上にたまった大きな粒子の幾らかを吹飛ばす助けになる。」（第６頁右上欄第６〜１５行）
ｂ「随意選択により、粒子状物質センサ（又は一層高い圧力で粒子状物質を感知するのに更によく適した２番目の粒子状物質センサ）を使って、初期の減圧より前に、窒素シャワーを制御することが出きる。即ち、単に一定時間の間、窒素シャワーを行なう代りに、粒子状物質モニタが、ボックスが異常に汚れた環境にあることを示す場合、シャワーを延長することが出来る。ロードロックを（粗挽きポンプを用いて）軟真空に減圧し、その後窒素シャワー・ポートを介してガスを分流し、下向きの流れを作ることが望ましいこともある。ロードロックが所定の軟真空の圧力に達した時点で、粒子状物質モニタが粒子状物質のレベルが依然として過大であることを示す場合、もう１回窒素シャワー・サイクルを開始することにより、ロードロックを軟真空（例えば１００ミリトル程度）から再び大気圧に上げるサイクルを使うことが望ましいこともある。」（第６頁左下欄第８行〜第７頁左上欄第５行）
ｃ「第５図は、何れもウエーハ支持体１０を持つ２つのロードロックが、４つのプロセス・ステーション１０４を持つプロセスモジュール１０２に両方とも接続されている様な別の実施例を示す。移送アーム２８がロードロック１２からポート３０を通ってプロセス・モジュール１０２に入る時、それがウエーハを２つのウエーハ・ステージ１０６内の１つの上に置く。」（第１１頁右下欄第１５行〜第１２頁左上欄第２行）
ｄ「ロードロックの内部に粒子状物質センサを接続したロードロック。」（第１７頁右上欄第４〜５行）
３　対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物２記載の発明とを対比すると、刊行物２記載の発明の「反応室３〜７」、「中間室」、及び「アーム旋回型の基板搬送機構１２」は、本件発明１の「処理室」、「ハンドラ室」、及び「ハンドラ」にそれぞれ相当することは明かであり、また、刊行物２記載の発明の「膜厚測定装置」は「基板を測定する測定手段」である限りにおいて、本件発明１の「測定手段」に一致しているので、両者は、
　複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内で前記基板を測定するための測定手段を備えた多室型基板処理装置である点で一致し、次の点で相違している。
　相違点１：ハンドラ室内で基板を測定するための測定手段が、本件発明１ではハンドラに載置されている基板上の反応生成物の粉塵の量を測定するための測定手段であるのに対して、刊行物２記載の発明では、ハンドラに載置されている基板を別の基板搬送機構により上昇せしめ、該基板の膜厚を測定する膜厚測定装置である点。
　前記相違点１について検討すると、
　刊行物１には、処理室が接続されたロードロック室を備え、前記ロードロック室を介して前記処理室にウエハの出入れを行ってウエハ処理を実行する処理装置において、前記ロードロック室内で搬送機構に載置されているウエハ上のパーティクル数を測定する検出装置を備えたことが記載されており、そして、該パーティクルは反応生成物を含むものと認められ、また、刊行物２記載の発明と刊行物１記載の発明とは、処理室が接続された搬送機構が設けられた室を備え、前記搬送機構が設けられた室を介して前記基板の出入り行って基板処理を実行する基板処理装置において、前記搬送機構が設けられた室内で前記基板を測定するための測定手段を備えた点で共通しており、また、刊行物２記載の発明においてもハンドラ室内には反応生成物の粉塵等が浮遊していて、この粉塵が搬送機構に載置された基板上に付着するおそれがあることは明かであるので、刊行物２記載の発明に刊行物１記載の発明を適用して、前記相違点に関する構成のように成すことは当業者が容易に想到し得たことである。
　また、本件発明１の奏する効果も、刊行物２記載の発明、及び刊行物１記載の発明から当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものでもない。
（２）本件発明２について
　本件発明２と刊行物２記載の発明とを対比すると、両者は、前記相違点１に加えて、さらに次の相違点２で相違している。
　相違点２：
　本件発明２においては、測定手段の測定結果に基いて前記ハンドラ室内の前記基板上へクリーニング用のガスを流して前記基板上の粉塵を排除するためのブローノズルを前記ハンドラ室内に備えたのに対して、刊行物２記載の発明においては、そのようなブローノズルを備えていない点。
　前記相違点２について検討すると、刊行物３には、処理室が接続されたロードロック室を備え、前記ロードロック室を介して前記処理室に半導体ウエハを搬送してウエハ処理を実行する処理装置において、前記ロードロック室内の前記ウエハ上に異物がウエハの表面に付着するのを有効に防止するためのパージガスを半導体ウエハ９の表面に吹き付ける吹き出し孔１６ａを搬送アームに備えていて、アッシングが完了したウエハ９にパージガスを吹き付けて、大気中の水分や異物がウエハ９の表面に付着するのを防止することが記載されており、また、このアッシングが完了したウエハ９には、エッチングガス残渣、レジスト分解物などの微少な異物が付着していて、アッシングが完了したウエハ９をロードロック室４に搬送するまでに該微少な異物が排除されることは特になされていないので、前記搬送アームの吹き出し孔１６ａからのパージガスの吹き出しの際にはウエハ９上の微少な異物が排除されるものと解され、前記パージガス吹き出し孔は本件発明２のクリーニング用のガスを流すブローノズルに対応するものといえる。また、刊行物４には、プロセスモジュール１０２（処理室）が接続されたロードロック１２を備え、前記ロードロック１２を介して前記プロセスモジュール１０２処理室にウエーハを搬送してウエハ処理を実行する処理装置において、ロードロックの内部に粒子状物質センサ（本件発明２の「測定手段」に対応する。）を備え、該センサの測定結果に基づいてロードロック内にパージガス（本件発明２の「クリーニング用のガス」に対応する。）を供給することが記載されており、そして、刊行物２記載の発明と、刊行物３及び４記載の各技術的事項とは、搬送機構が設けられた室に処理室が接続されていて、前記搬送機構が設けられた室を介して前記処理室に基板を搬送して基板処理を実行する基板処理装置である点で共通していて、前記刊行物３に記載されたロードロック室内に設けられた搬送アームに基板上の粉塵を排除するためのクリーニング用のガスを流すブローノズルを備えることは、ロードロック室内に前記ブローノズルを備えることに包含されるので、刊行物２記載の発明に刊行物４記載の技術的事項を適用して、前記測定装置の測定結果に基いて粉塵を排除するためのガスをハンドラ室内に供給し、その際に、刊行物３記載の技術的事項を適用して、ブローノズルをハンドラ室内に設けるように構成することは当業者が容易に想到し得たことである。
　また、本件発明２の奏する効果も、刊行物２記載の発明、刊行物１記載の発明、及び刊行物３、４記載の各技術的事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものでもない。
（３）本件発明３について
　本件発明３と刊行物２記載の発明とを対比すると、両者は、前記相違点１、又は相違点１及び２に加えて、さらに次の相違点３で相違している。
　相違点３：
　本件発明３においては、測定手段の測定結果に基いて前記ハンドラ室内にパージガスを供給するためのパージガス供給手段を設けたのに対して、刊行物２記載の発明においては、そのようなパージガス供給手段を設けていない点。
　前記相違点３について検討すると、前記刊行物４には前記したようにプロセスモジュール１０２（処理室）が接続されたロードロック１２を備え、前記ロードロック１２を介して前記プロセスモジュール１０２処理室にウエーハを搬送してウエーハ処理を実行する処理装置において、ロードロックの内部に粒子状物質センサを備え、概センサの測定結果に基づいてロードロック内にパージガスを供給することが記載されており、そして、刊行物２記載の発明と、刊行物４記載の技術的事項とは、搬送機構が設けられた室に処理室が接続されていて、前記搬送機構が設けられた室を介して前記処理室に基板を搬送して基板処理を実行する基板処理装置である点で共通しているので、刊行物２記載の発明に刊行物４記載の前記技術的事項を適用して前記相違点３に関する構成のように成すことは当業者が容易に想到し得たことである。　
　また、本件発明３の奏する効果も、前記刊行物２記載の発明、刊行物１記載の発明、刊行物３、４記載の各技術的事項から当業者であれば予測できる程度のものであって格別なものでもない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし３は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１ないし３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月２８日（２００２．６．２８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３１７６１１８号発明の明細書（以下「特許明細書」という。）を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、次の各訂正事項ａ〜ｅのとおり訂正する。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「　【請求項１】　複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内でハンドラに載置されている基板上の反応生成物の粉塵の量を測定するための測定手段を備えたことを特徴とする多室型基板処理装置。」と訂正をする。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の【００１０】項を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【課題を解決するための手段】
　前記した課題を解決するために請求項１に係る発明は、複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内でハンドラに載置されている基板上の反応生成物の粉塵の量を測定するための測定手段を備えたことを特徴としている。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の【００１９】項を、誤記の訂正を目的として、
「そして、本参考例では図２に示すように、ハンドラ室２内の上部に、ハンドラ室２内にパージガスを供給する環状に形成されたノズル１６を配設し、ハンドラ室２の下部に、放射状に形成された複数個の排気口１７が配設されている。ノズル１６にはパージガス供給装置（図示省略）が接続されており、排気口１７には排気ポンプ（図示省略）が接続されている。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許明細書の【００４９】項を、誤記の訂正を目的として、
「このように、本実施例においてもハンドラ室２を常にクリーンに保つことができるので、ハンドラ室２内に基板１５が搬送されている時に、基板１５が粉塵等で汚染されることはなく、また、ハンドラ室２内の粉塵が、接続されている各チャンバ（ロード・アンロード・チャンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２）に拡散されることもないので、不良基板の発生が防止されることにより薄膜製造の歩留まりが向上し、高品質の薄膜を得ることができる。」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　特許明細書の【００５２】項を、誤記の訂正を目的として、
「また、前記した実施例では、基板１５のクリーニングはハンドラ１上で行ったが、これ以外にも、例えばハンドラ室２内にクリーニングステージを設けたり、基板１５を垂直に支持してクリーニングしたり、基板１５の表面に所定の角度でガス体を吹き付ける等も可能である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
多室型基板処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内で
ハンドラに載置されている
　【請求項２】　請求項１に記載の多室型基板処理装置において、測定手段の測定結果に基いて前記ハンドラ室内の前記基板上へクリーニング用のガスを流して前記基板上の粉塵を排除するためのブローノズルを前記ハンドラ室内に備えたことを特徴とする多室型基板処理装置。
　【請求項３】　請求項１又は２に記載の多室型基板処理装置において、測定手段の測定結果に基いて前記ハンドラ室内にパージガスを供給するためのパージガス供給手段を設けたことを特徴とする多室型基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、例えば、超ＬＳＩ等の半導体デバイス等を製造する際に、基板に種々の処理を行なう多室型基板処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、超ＬＳＩ等の半導体デバイスの高集積化が目覚ましくそれに伴い基板（ウェハ）径の大型化が進んでいる。このため、多数枚の基板を同時処理する気相成長装置に対して基板を一枚ずつ処理する枚葉式の気相成長装置の方が、大型基板への対応が比較的容易にできること、一枚ずつの処理により気相成長の高精度化、基板の面内均一化が容易であること等の利点を有することから注目されている。
　【０００３】
　そして、最近では上記した枚葉式の気相成長装置をさらに高効率化するために、複数の処理室（例えばエッチングチャンバ、オリフラチャンバ、薄膜形成チャンバ等）を備えた多室型基板処理装置が考えられている。
　【０００４】
　このような多室型基板処理装置では、一般にハンドラ室に設けたハンドラを介して各処理室に基板の出入れを行って、一連の基板処理が実行される。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記したように多室型基板処理装置では、ハンドラ室を介して各処理室に基板の出入れが行われるので、高品質な薄膜を得るためには、ハンドラ室での基板の取扱いが重要になってくる。
　【０００６】
　即ち、ハンドラ室内に反応生成物の粉塵（以下、粉塵という）等が浮遊していると、この粉塵がハンドラ室内に搬送される基板上に付着することにより、高品質の薄膜を得ることができなくなる。
　【０００７】
　また、ハンドラ室を介して基板を各処理室に出入れする時に、ハンドラ室内での基板の温度管理も、高品質な基板を得るためには重要となってくる。
　【０００８】
　しかしながら、従来の多室型基板処理装置に備えられているハンドラ室は、単に基板を各処理室に出入れするだけの機能しか有していなかった。
　【０００９】
　本発明は、上記した課題を解決する目的でなされ、ハンドラ室内で基板に粉塵等が付着するのを防止して、高品質な薄膜を得ることができる多室型基板処理装置を提供しようとするものである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　前記した課題を解決するために請求項１に係る発明は、複数の処理室が接続されたハンドラ室を備え、前記ハンドラ室を介して前記各処理室に基板の出入れを行って基板処理を実行する多室型基板処理装置において、前記ハンドラ室内で
ハンドラに載置されている
　【００１１】
　請求項２に係る発明は、請求項１に記載の多室型基板処理装置において、測定手段の測定結果に基いて前記ハンドラ室内の前記基板上へクリーニング用のガスを流して前記基板上の粉塵を排除するためのブローノズルを前記ハンドラ室内に備えたことを特徴としている。
　【００１２】
　請求項３に係る発明は、請求項１又は２に記載の多室型基板処理装置において、測定手段の測定結果に基いて前記ハンドラ室内にパージガスを供給するためのパージガス供給手段を設けたことを特徴としている。
　【００１３】
　【実施例】
　以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
　【００１４】
　図１は、本発明の参考例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図、図２は、本発明の参考例に係る多室型基板処理装置の要部を示す概略断面図である。
　【００１５】
　図１に示すように、回転自在のハンドラ１が備えられているハンドラ室２の周囲に、それぞれゲートバルブ３，４，５，６，７を介してロード・アンロード・チャンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２を接続することによって多室型基板処理装置が構成されている。
　【００１６】
　ロード・アンロード・チャンバ８には扉１３を介してカセットステーション１４が接続されており、このカセットステーション１４を通して外部から基板１５の搬入・搬出を行う。
　【００１７】
　エッチングチャンバ９は、基板１５の表面に付着している自然酸化膜を例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等によりエッチングし、オリフラチャンバ１０は、基板１５のオリフラ（オリエンテーションフラット）の位置を検出し、所定方向に位置合わせする。
　【００１８】
　また、薄膜形成チャンバ１１は、基板１５に所定のガス（原料ガス、キャリアガス等）を供給して所定の気相成長を行って基板１５の表面に薄膜を形成し、測定チャンバ１２は、基板１５に形成された薄膜に対して各種の測定、検査を行う。上記のように構成されている基板処理装置の一連の処理動作は、制御装置（図示省略）によって制御されている。
　【００１９】
　そして、本参考例では図
２
　【００２０】
　また、ハンドラ室２内に配設されているハンドラ１による基板１５の搬入・搬送操作は、駆動装置１８によって行われる。
　【００２１】
　次に、上記した本参考例に係る基板処理装置の基板処理動作について説明する。
　【００２２】
　前記処理されたカセット等に収納されたクリーンルーム等から搬送されてきた基板１５は、先ずカセットステーション１４にカセットごと設置される。
　【００２３】
　そして、カセットステーション１４に設置された基板１５を、扉１３の開閉操作に連動させてロード・アンロード・チャンバ８内に搬送した後、ゲートバルブ３の開閉動作に連動させてハンドラ室２のハンドラ１によりハンドラ室２内に搬送し、さらに、ゲートバルブ４の開閉動作に連動させてハンドラ１によりエッチングチャンバ９内に搬送する。
　【００２４】
　エッチングチャンバ９内に基板１５が搬送されるとゲートバルブ４を閉じてエッチングチャンバ９内を真空引きして、例えばＨＦ（フッ化水素）ガス等により基板１５の表面に付着している自然酸化膜をエッチングする。
　【００２５】
　エッチングチャンバ９で基板１５の酸化膜が除去されると、この基板１５をハンドラ１によりゲートバルブ４の開閉動作に連動させてハンドラ室２に搬送し、さらに、ゲートバルブ５開閉動作に連動させてハンドラ１によりオリフラチャンバ１０内に搬送する。
　【００２６】
　オリフラチャンバ１０では、基板１５のオリフラ（オリエンテーションフラット）の位置検出がなされ、所定の方向に位置合わせされる。尚、オリフラ合わせが必要ない場合、あるいは他の方法でオリフラ合わせを行う場合には、このオリフラチャンバ１０は、特に独立して設ける必要がないが、その場合には、このオリフラチャンバ１０内で基板１５の様々な検査を行うようにしてもよい。
　【００２７】
　オリフラチャンバ１０で基板１５のオリフラの測定が終了すると、この基板１５をハンドラ１によりゲートバルブ５の開閉動作に連動させてハンドラ室２に搬送し、さらに、ゲートバルブ６の開閉動作に連動させてハンドラ１により薄膜形成チャンバ１１内に搬送する。
　【００２８】
　薄膜形成チャンバ１１では、先ずエッチングチャンバ９でのエッチング処理時にＨＦ（フッ化水素）ガスを用いている場合には、基板１５の表面に付着しているＦ（フッ素）を紫外線等を照射して除去しＦ（フッ素）の除去はエッチングチャンバ９で行ってもよい）、薄膜形成チャンバ１１内を加熱して所定の圧力に制御してガス（原料ガス、キャリアガス等）を供給することによって、基板１５上に薄膜を気相成長させる。
　【００２９】
　薄膜形成チャンバ１１で基板１５に薄膜が形成されると、この基板１５をハンドラ１によりゲートバルブ６の開閉動作に連動させてハンドラ室２に搬送し、さらに、ゲートバルブ７の開閉動作に連動させてハンドラ１により測定チャンバ１２内に搬送する。
　【００３０】
　測定チャンバ１２では、基板１５の表面に形成された薄膜に対して各種の測定、検査（例えば、薄膜の抵抗率、組成、表面状態、金属不純物、結晶欠陥、膜界面状態等）が実行され、これらの測定、検査が終了すると、測定チャンバ１２内の基板１５を、ハンドラ１によりゲートバルブ７の開閉動作に連動させてハンドラ室２に搬送し、さらに、ゲートバルブ３の開閉動作に連動させてハンドラ１によりロード・アンロード・チャンバ８内のカセット上に搬送する。
　【００３１】
　ロード・アンロード・チャンバ８内に搬送された基板１５は、扉１３の開閉操作に連動させてカセットステーション１４に搬送されることによって、一連の処理シーケンスが終了する。上記した基板１５の一連の処理シーケンスは連続して実行される。
　【００３２】
　そして、本参考例では、上記した一連の処理工程時に、ハンドラ室２にノズル１６の供給口１６ａからパージガス（例えばＨ２）を供給し、排気ポンプ（図示省略）により排気口１７から排気して、ハンドラ室２内をパージガスで所定の圧力に調整している。
　【００３３】
　従って、ハンドラ室２内は、パージガスがハンドラ室２の上部から下部方向に流れているので、ハンドラ室２内に粉塵等が浮遊することなく排気口１７から排出され、ハンドラ室２内を常にクリーンに維持することができる。
　【００３４】
　このように、本参考例ではハンドラ室２が常にクリーンに保たれることにより、ハンドラ室２内に基板１５が搬送されている時に、基板１５が粉塵等で汚染されることなく、また、ハンドラ室２内の粉塵等が、接続されている各チャンバ（ロード・アンロード・チャンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２）に拡散されることもないので、不良基板の発生が防止されることにより薄膜製造の歩留まりが向上し、高品質の薄膜を得ることができる。
＜実施例＞
　【００３５】
　図３は、本発明の実施例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図、図４は、その要部を示す概略断面である。
　【００３６】
　本実施例では、図２に示した参考例に係る多室型基板処理装置のハンドラ室２内に、ハンドラ１に載置されている基板１５上の粉塵等を測定するための測定センサ（例えば、ＣＣＤカメラ）２０と、ハンドラ１に載置されている基板１５上の粉塵等を排除するブローノズル２１と、エッチングガスを供給するノズル２２がさらに配置されている。他の構成は図１に示した参考例の基板処理装置と同様である。
　【００３７】
　基板１５の搬入・搬送操作を行うハンドラ１の上方に配置されている測定センサ２０には、例えば画像処理等によって基板１５上の粉塵等の量を測定する測定装置２３が接続されており、測定装置２３によって測定される基板１５上の粉塵等の量に基づいて基板処理工程が制御される（詳細は後述する）。
　【００３８】
　ブローノズル２１は、クリーニング用のガスとしてハンドラ室２内の雰囲気と同じガスを、基板１５上でこの基板１５と略平行方向に流すようにして配置されており、ブローノズル２１には、ハンドラ室２内の雰囲気と同じガスを供給するガス供給装置（図示省略）が接続されている。
　【００３９】
　ハンドラ室２内にエッチングガスを供給するノズル２２には、エッチングガス供給装置（図示省略）から供給されるエッチングガスの供給を制御するバルブ２４が接続されている。
　【００４０】
　次に、上記した本実施例に係る基板処理装置の基板処理動作について説明する。
　【００４１】
　基板１５のロード・アンロード・チャンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２での各処理動作は前記した参考例と同様であり、ここでは省略する。
　【００４２】
　そして、本実施例では、上記した各基板処理動作中に、基板１５がハンドラ室２内にハンドラ１を介して搬入されて所定の位置に停止した時に、測定センサ（例えばＣＣＤカメラ）２０によって基板１５上の粉塵等を測定する。そして、測定センサ（例えばＣＣＤカメラ）２０から出力される出力信号を測定装置２３で例えば画像処理して、基板１５上の粉塵の量を測定する。
　【００４３】
　測定装置２３は、この測定結果に基づいて基板１５上の粉塵の量が予め設定されているしきい値以下の場合は、制御装置（図示省略）に次の基板処理動作を実行させる信号を出力し、次のチャンバ（例えば薄膜形成チャンバ１１）に基板１５を搬送する。
　【００４４】
　また、上記した粉塵の量の測定結果がしきい値より小さい場合でも、測定値がしきい値付近の値の場合には、ブローノズル２１から基板１５上にハンドラ室２内の雰囲気と同じガスを流して基板１５上の粉塵等を排除し、基板１５上をクリーニングする。この時、排気ポンプ（図示省略）によって、ハンドラ室２のガスを排気口１７から排気する。
　【００４５】
　また、測定装置２３による粉塵の量の測定で、基板１５上の粉塵の量が予め設定されているしきい値以上の場合は、測定装置２３から制御装置（図示省略）に、この基板１５のその後の処理工程を中止させる信号を出力して、次の処理工程動作を中止する。
　【００４６】
　そして、ハンドラ室２内の基板１５を、ハンドラ１によりゲートバルブ４の開閉動作に連動させてエッチングチャンバ９に搬送した後、測定装置２３から出力される前記した信号によりバルブ２４を開けて、ハンドラ２室内に、エッチングガス供給装置（図示省略）からノズル２２を介してエッチングガス（例えば塩化水素ガス）を供給し、ハンドラ室２内のエッチングを行う。この時、排気ポンプ（図示省略）によって、ハンドラ室２内のエッチングガスを排気口１７から排気する。
　【００４７】
　上記したハンドラ室２内での基板１５上面のクリーニングは、測定装置２３による測定結果に基づいて所定時間行われる。そして基板１５上面のクリーニングが終了すると再度測定センサ２０で基板１５上の粉塵の測定を行い、問題がなければ次の基板処理工程を実行する。
　【００４８】
　また、ハンドラ室２内のエッチングは、測定装置２３による測定結果に基いて所定時間行われる。そして、ハンドラ室２内のエッチングが終了すると、ハンドラ室２内に基板１５を再び搬入して再度測定センサ２０で粉塵の測定を行い、問題がなければ次の基板処理工程を実行する。
　【００４９】
　このように、本
実施例
　【００５０】
　また、前記したハンドラ室２のエッチング操作において、浮遊している粉塵の塩化物の量をハンドラ室２やその排気口１７等で測定して、エッチング時間を制御することも可能であり、エッチング操作の開始もハンドラ１の操作回数、ハンドラ室２の運転経過時間によって制御することも可能である。
　【００５１】
　また、前記したハンドラ室２をエッチングするエッチングガスとしては例えば塩化水素ガスが使用されるが、ハンドラ室２内の粉塵に対しては、通常キャリアーガスとして使用する水素ガス等でパージを繰り返すことでも同じ効果が得られる。また、エッチングチャンバ９での酸化膜除去工程で使用する例えば弗酸により発生する弗化物等によりハンドラ室２内が汚染した場合は、べーキング、紫外線の照射等による弗化物の除去も可能であり、これらの処理を前記した基板処理動作に組入れることもできる。
　【００５２】
　また、前記した実施例では、基板
１５
　【００５３】
　また、本実施例では、ハンドラ室２内での基板１５のクリーニング、およびハンドラ室２内のエッチングは、測定装置２４から制御装置（図示省略）に出力される信号に基づいて自動的に実行される構成であったが、これらの操作を手動操作によって行うことも可能である。
　【００５４】
　また、本実施例では、基板１５が各チャンバからハンドラ室２内に搬送される毎（即ち、ハンドラ１の１回の動作毎）に、測定センサ２０によって基板１５上の粉塵を測定する構成であったが、これ以外にも例えば、基板処理装置の運転時間、ハンドラ室２に基板１５が所定時間以上停滞した時、ハンドラ１動作回数等によって測定頻度を制御することも可能である。
　【００５５】
　また、本実施例では、測定センサ２０でハンドラ２内のハンドラ１に載置されている基板１５上の粉塵を測定する構成であったが、これ以外にも例えば、ハンドラ室２内の任意の位置やハンドラ室２の排気口１７等でハンドラ室２内に浮遊している粉塵を測定して、前記同様の制御を行うことも可能である。
　【００５６】
　図５は、本発明の第２の参考例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図、図６は、本発明の第２の参考例に係る多室型基板処理装置の要部を示す概略断面図である。
　【００５７】
　本参考例では、図１に示した参考例の基板処理装置のハンドラ室２内に加熱装置２５と冷却装置２６を配設し、ハンドラ室２内で基板１５の余熱と冷却を行うようにしている。他の構成は図１に示した参考例の基板処理装置と同様である。
　【００５８】
　ハンドラ１の下方に配設されている加熱装置２５は支持棒２７で支持されており、加熱装置２５の加熱手段としては、例えば抵抗加熱、ランプ加熱、高周波加熱等を用いることができる。
　【００５９】
　ハンドラ１の下方に配設されている冷却装置２６は、冷媒としてハンドラ室２の下部に接続されている容器２８内の液体窒素２９が用いられている。また、冷媒としては、この他にも例えば、冷却水等を用いることもできる。
　【００６０】
　加熱装置２５、冷却装置２６の加熱、冷却制御は制御装置（図示省略）によって行われる。
　【００６１】
　次に、上記した本参考例に係る基板処理装置の基板処理動作について説明する。
　【００６２】
　基板１５のロード・アンロード・チャンバ８、エッチングチャンバ９、オリフラチャンバ１０、薄膜形成チャンバ１１、測定チャンバ１２での各処理動作は前記した参考例と同様であり、ここでは省略する。
　【００６３】
　そして、本参考例では、上記したオリフラチャンバ１０で基板１５のオリフラ（オリエンテーションフラット）合わせを行った後、ハンドラ１によりハンドラ室２内の加熱装置２５上に基板１５を搬送し、加熱装置２５で基板１５を５００〜１０００℃の間で余熱してから薄膜形成チャンバ１１に搬送して、薄膜形成を行う。
　【００６４】
　そして、薄膜形成チャンバ１１で薄膜形成されスリップ発生温度よりやや低い温度の基板１５を、ハンドラ１によりハンドラ室２内の冷却装置２６上に搬送し、冷却装置２６で基板１５を操作上問題ない温度（例えば数十度）まで冷却した後、測定チャンバ１２に搬送して、各種の測定、検査を行う。
　【００６５】
　加熱装置２５による基板１５の余熱と、冷却装置２６による基板１５の冷却の各所要時間は、ハンドラ室２に接続されている各チャンバの本質的な操作時間を越えることがないように制御される。
　【００６６】
　また、本参考例では、加熱装置２５と冷却装置２６をハンドラ室２内に設けたが、これ以外にも例えばハンドラ室２に新たに接続する独立したチャンバ内に設けてもよい。
　【００６７】
　このように、本参考例では、ハンドラ室２内で薄膜形成に先立って基板１５の余熱を行い、薄膜形成後速やかに冷却して基板１５の測定、検査を行うことができるので、処理工程で異なる基板温度を速やかに得ることができる。
　【００６８】
　【発明の効果】
　以上、実施例に基づいて具体的に説明したように、本発明によれば、ハンドラ室で基板上の粉塵の量を測定でき、この測定結果に基いてハンドラ室内の基板上面及びハンドラ室を常にクリーンにすることができ、粉塵等によって基板が汚染されることを防止して、高品質の薄膜を効率よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の参考例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
　【図２】
　本発明の参考例に係る多室型基板処理装置の要部を示す概略断面図である。
　【図３】
　本発明の実施例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
　【図４】
　本発明の実施例に係る多室型基板処理装置の要部を示す平面図である。
　【図５】
　本発明の第２の参考例に係る多室型基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
　【図６】
　本発明の第２の参考例に係る多室型基板処理装置の要部を示す概略断面図である。
　【符号の説明】
　１　ハンドラ
　２　ハンドラ室
　８　ロード・アンロード・チャンバ
　９　エッチングチャンバ
　１０　オリフラチャンバ
　１１　薄膜形成チャンバ
　１２　測定チャンバ
　１５　基板
　１６　ノズル
　１７　排気口
　２０　測定センサ
　２１　ブローノズル
　２３　測定装置
　２４　バルブ
　２５　加熱装置
　２６　冷却装置
　２９　液体窒素