【事件の表示】
　特許第３０８７２２２号「処理方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０８７２２２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０８７２２号の発明は、特願平５−１９９１０６号（平成５年７月１６日出願）の分割出願（平成１１年２月２４日分割出願）であって、平成１２年７月１４日に設定登録がなされ、その後、異議申立人山下千代子から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年７月２３日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人山下千代子は、甲第１号証（特開昭５９−７８３４２号公報）、甲第２号証（特開昭５９−５０４４０号公報）、甲第３号証（特開平５−１３３２０号公報）、甲第４号証（特開平５−５５１３３号公報）及び甲第５号証（特開昭６３−１８６２７号公報）を提出し、次のとおり本件特許を取り消すべき旨主張している。
　請求項１〜４に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第１号証記載の発明と同一である。
  よって、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものである。
　請求項１〜４に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第２号証記載の発明と同一である。
  よって、本件請求項１〜４に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明に対してなされたものである。
　請求項１に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第１〜４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　請求項２に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第１〜４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　請求項２に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第５号証及び甲第２〜４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　請求項３に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第１号証及び甲第３又は４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　請求項３に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第２号証及び甲第３又は４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　請求項４に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第１号証及び甲第３又は４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　請求項４係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由により、上記甲第２号証及び甲第３又は４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものである。
  よって、本件請求項４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件特許第３０８７２２２号は、その明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載が異議申立人山下千代子が提出した異議申立書記載の理由で不備のため、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してされたものである。
１．２　異議申立人山下千代子が提出した甲各号証の記載内容
１．２．１　異議申立人山下千代子が提出した甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の第1頁左欄第5ないし10行には、「基板上に塗布されたレジスト膜の現像方法であって、現像液滴下量調整可能なノズルを複数個配列してなるノズルアームを前記基板の回転中心より周縁部に向って往復運動、或は静止せしめて、該ノズルより現像液を基板上に滴下して前記レジスト膜を現像する工程が含まれてなる」と記載されている。
　また、第2頁左上欄第1ないし4行には、「所定のレジスト膜2が塗布された基板3を真空チャック5にて吸着固定し、次いで駆動モーター6により前記基板3を所定の速度に回転しつつ」と記載されている。　また、第2頁左下欄第8ないし14行には、「第5図に示すように回転する基板3上に塗布されたレジスト膜2を現像する場合、基板を500〜1000rpm回転しつつ、基板表面積との関係によって各ノズル11,12,13,14を所望付置に、ノズルアーム4によって保持し、前述した方法と同様にA・B間を該ノズルアーム4によって往復運動、或は必要に応じて静止して現像を行う」と記載されている。
１．２．２　異議申立人山下千代子が提出した甲第２号証の記載内容
　甲第2号証の第2頁左下欄第6ないし12行には、「複数の現像液滴下孔11を具備してなる現像液供給管12を通して該滴下孔11より回転基板3面上に現像液を滴下すれば…該現像液13によって現像し」と記載されている。
１．２．３　異議申立人山下千代子が提出した甲第３号証の記載内容
　甲第３号証の【0011】段落には、「本発明の処理液塗布方法では、直径例えば0.1〜1.0mm程度の細孔が多数例えば数百設けられ、これらの細孔から処理液を供給する液体供給ノズルを、被処理基板面に近接対向する如く配置する」と記載されている。
　また【0015】段落には、「この突出部5には、直径例えば0.1〜1.0mm程度(本実施例では0.2mm )の細孔6が、所定ピッチ例えば0.1〜1.0 mm程度(本実施例では0.6mm)で、多数例えば数百個(本実施例では270個)設けられている。」と記載されている。　また、【0011】段落には、「液体供給ノズルを、被処理基板面に近接対向する如く配置する」と記載されており、また第3頁第3欄の段落番号【0020】段落には、「液体供給ノズル3底面の突出部5と半導体ウエハ1表面との間が微少間隔例えば0.lmm〜1.5mm の範囲の値(本実施例の場合0.5mm)となるよう設定する。」と記載されている。
　さらに、第2頁第2欄の【0011】段落には、「そして、これらの多数の細孔から、滲み出させるように処理液を被処理基板に供給する」と記載され、また第3頁第3欄の【0021】段落には、「現像液供給配管8から、所定圧力例えば 0.2〜0.3(キログラム/平方センチ)で液体収容部4内に所定の現像液を供給することにより、各細孔6から滲み出させるようにして現像液を半導体ウエハ1表面に供給する。」と記載されている。
１．２．４　異議申立人山下千代子が提出した甲第４号証の記載内容
　甲第４号証の【0010】段落には、「本発明の液体供給ノズルでは、液体収容部の底面に、直径例えば0.1〜1.0mm程度の細孔が多数例えば数百設けられている。」と記載され、また【0014】段落には、「この突出部5には、直径例えば0.1〜1.0mm程度(本実施例では0.2mm)、長さが1〜10mm程度(本実施例では5mm)の細孔6が、所定ピッチ例えば0.1〜1.0mm程度(本実施例では0.6mm)で、多数例えば数百個(本実施例では270個)直線状に設けられている。」と記載されている。
　また、【0010】段落には、「そして、この底面を彼処理体に微少間隔例えば0.1〜1.0mm程度に近接させた状態で、」と記載され、また【0016】段落には、「液体供給ノズル3底面の突出部5と、半導体ウエハ1表側との間が、微少間隔例えば0.1mm〜0.2mmとなるよう設定する。」と記載されている。
　さらに、第2頁第2欄の【0010】段落には、「多数の細孔から液体が帯状ににじみでるようにして、被処理体に供給する。」と記載され、また【0017】段落には、「そして、現像液供給配管8から、所定圧力例えば 0.2〜0.3(キログラム/平方センチ)の低圧で液体収容部4内に所定の現像液を供給することにより、各細孔6からにじみ出るようにして現像液を半導体ウエハ1表面に供給した後、」と記載されている。
１．２．５　異議申立人山下千代子が提出した甲第５号証の記載内容
　甲第5号証の第2頁左上欄第6ないし8行には、「ノズルを半導体ウェハ上を平行にスライドさせ半導体ウェハ上全体に現像液を盛るものである。」と記載されている。
　また、同欄第14行に、「半導体ウェハ1をスピンナヘッド2上に乗せ」と記載されている。
　また、、同欄第18ないし20行に「ノズルを半導体ウェハの一端もしくはそれより外の位置より現像液4を滴下させながら半導体ウェハ1上を直進してスライドさせる。」と記載されている。同頁右上欄第9ないし11行には、「またスピンナヘッドは回転させながら現像液を滴下しても良い。」と記載されている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第３０８７２２号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書中の請求項１を削除し、請求項２、３及び４を請求項１、及び３に繰り上げる。
　クレーム対応表
特許時の請求項   訂正時の請求項  
　　１　　　　　　　　　　　削除  
　　２　　　　　　　　　　　１  
　　３　　　　　　　　　　　２  
　　４　　　　　　　　　　　３  
訂正事項ｂ
　特許明細書中の請求項２において、「上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ処理液を塗布する工程」とあるのを、「上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ上記被処理体上の処理液を押し広げて塗布する工程」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書中の請求項請求項３において、　「請求項１又は２記載の処理方法。」とあるのを、「請求項１記載の処理方法。」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書中の請求項４において、「請求項１又は２記載の処理方法。」とあるのを、「請求項１記載の処理方法。」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書中の【０００８】、【０００９】段落の、「【課題を解決するための手段】　上記目的を達成するために、この発明の第１の処理方法は、…を有することを特徴とするものである（請求項２）。」を、「【課題を解決するための手段】　上記目的を達成するために、この発明の処理方法は、被処理体を保持する保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を吐出する複数のノズル孔を列設する処理液供給ノズルとを、相対的に移動して処理液を上記被処理体上に供給する処理方法において、上記保持手段により上記被処理体を回転する工程と、上記保持手段により上記被処理体を回転すると共に、上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ上記被処理体上の処理液を押し広げて塗布する工程と、を有することを特徴とするものである（請求項１）。」と訂正する。
訂正事項ｆ　　　　　　　　　　　　　　　　　　【００１０】段落の、「この発明において、…する方が好ましい（請求項４）。」を、「この発明において、上記処理液供給ノズルの処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定する方が好ましい（請求項２）。また、上記処理液供給ノズルに供給される処理液に所定圧力を与えて各ノズル孔から処理液を滲み出させるようにする方が好ましい（請求項３）。」と訂正する。
訂正事項ｇ
　【００１１】段落の、「この発明の処理方法によれば、…できる。」を、「この発明の処理方法によれば、処理液供給ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させると共に、ノズル孔から処理液を滲み出させつつ処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ被処理体上の処理液を押し広げて塗布することにより、被処理体の中心部から外周部に亘り均一に処理液を供給することができ、処理均一性の向上を図ることができる。」と訂正する。
訂正事項ｈ
　【００２９】段落の、「処理液供給ノズルから…できる。」を、「処理液供給ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させると共に、ノズル孔から処理液を惨み出させつつ処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ被処理体上の処理液を押し広げて塗布することにより、被処理体の中心部と外周部に均一に処理液を供給することができ、処理均一性の向上を図ることができる。」と訂正する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
請求項１
　被処理体を保持する保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を吐出する複数のノズル孔を列設する処理液供給ノズルとを、相対的に移動して処理液を上記被処理体上に供給する処理方法において、　
　上記保持手段により上記被処理体を回転する工程と、
　上記保持手段により上記被処理体を回転すると共に、上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ上記被処理体上の処理液を押し広げて塗布する工程と、
を有することを特徴とする処理方法。
請求項２
　上記処理液供給ノズルの処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定したことを特徴とする請求項１記載の処理方法。
請求項３
　上記処理液供給ノズルに供給される処理液に所定圧力を与えて各ノズル孔から処理液を滲み出させるようにしたことを特徴とする請求項１記載の処理方法。
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａについては、特許明細書の請求項１の削除し、請求項２，３及び４を繰り上げるものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に相当する。
　上記訂正事項aは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂについては、特許明細書の請求項１の「上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ処理液を塗布する工程」を、下位概念である、「上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ上記被処理体上の処理液を押し広げて塗布する工程」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ上記被処理体上の処理液を押し広げて塗布する工程」は、特許明細書【００２６】段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるから、上記訂正事項ｂ２は、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．３　訂正事項ｃ及びｄ
　上記訂正事項ｃ及びｄについては、特許明細書の請求項１の削除に伴い、請求項を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｃ及びｄは、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．４　訂正事項ｅ〜ｈ
　上記訂正事項ｅ〜ｈは、上記訂正事項ａ、ｂ、ｃ及びｄの特許請求の範囲の訂正による、明細書の発明の詳細な説明の記載と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。
　従って、訂正事項ｅ〜ｈについては、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｅ〜ｈは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．６　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ〜ｈは、上記３．１〜３．４のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜３に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１〜３に係る発明と甲１〜５号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ上記被処理体上の処理液を押し広げて塗布する」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の構成」という。）を有するのに対し、甲第１〜５号証記載の発明には上記本件請求項１に係る発明の構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の構成を有することにより、「被処理面全体に均等に処理液の液膜を塗布することができる」（平成１３年７月２３日付け特許異議意見書第３頁第７、８行）という上記甲第１〜５号証記載の発明にはない効果を有する。
　従って、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第１号証記載の発明と同一ではなく、また、甲第１〜５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　本件請求項１に係る発明を引用する本件請求項２及び３に係る発明も、本件請求項１に係る発明と同様に、甲第１号証及び甲第１号証記載の発明と同一ではなく、また、甲第１〜５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　さらに、特許明細書の請求項１に係る特許法第３６条違反は、特許明細書の請求項１が訂正により削除されたので、解消した。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜３に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月６日（２００１．９．６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ及びｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ｃ〜ｈは明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ
　特許明細書中の請求項１を削除し、請求項２、３及び４を請求項１、及び３に繰り上げる。
　クレーム対応表
特許時の請求項　　　　　訂正時の請求項
　　　１　　　　　　　　　　削除
　　　２　　　　　　　　　　１
　　　３　　　　　　　　　　２
　　　４　　　　　　　　　　３
訂正事項ｂ
　特許明細書中の請求項２において、「上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ処理液を塗布する工程」とあるのを、
「上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ上記被処理体上の処理液を押し広げて塗布する工程」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書中の請求項請求項３において、
「請求項１又は２記載の処理方法。」とあるのを、「請求項１記載の処理方法。」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書中の請求項４において、「請求項１又は２記載の処理方法。」とあるのを、「請求項１記載の処理方法。」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書中の【０００８】、【０００９】段落の、「【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、この発明の第１の処理方法は、…を有することを特徴とするものである（請求項２）。」を、「【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、この発明の処理方法は、被処理体を保持する保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を吐出する複数のノズル孔を列設する処理液供給ノズルとを、相対的に移動して処理液を上記被処理体上に供給する処理方法において、上記保持手段により上記被処理体を回転する工程と、上記保持手段により上記被処理体を回転すると共に、上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ上記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ上記被処理体上の処理液を押し広げて塗布する工程と、を有することを特徴とするものである（請求項１）。」と訂正する。
訂正事項ｆ
　【００１０】段落の、「この発明において、…する方が好ましい（請求項４）。」を、「この発明において、上記処理液供給ノズルの処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定する方が好ましい（請求項２）。また、上記処理液供給ノズルに供給される処理液に所定圧力を与えて各ノズル孔から処理液を滲み出させるようにする方が好ましい（請求項３）。」と訂正する。
訂正事項ｇ
　【００１１】段落の、「この発明の処理方法によれば、…できる。」を、「この発明の処理方法によれば、処理液供給ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させると共に、ノズル孔から処理液を滲み出させつつ処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ被処理体上の処理液を押し広げて塗布することにより、被処理体の中心部から外周部に亘り均一に処理液を供給することができ、処理均一性の向上を図ることができる。」と訂正する。
訂正事項ｈ
　【００２９】段落の、「処理液供給ノズルからできる。」を、「処理液供給ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させると共に、ノズル孔から処理液を滲み出させつつ処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させ被処理体上の処理液を押し広げて塗布することにより、被処理体の中心部と外周部に均一に処理液を供給することができ、処理均一性の向上を図ることができる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　被処理体を保持する保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を吐出する複数のノズル孔を列設する処理液供給ノズルとを、相対的に移動して処理液を上記被処理体上に供給する処理方法において、
　上記保持手段により上記被処理体を回転する工程と、
　上記保持手段により上記被処理体を回転すると共に、
上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ
上記被処理体上の処理液を押し広げて
を有することを特徴とする処理方法。
　【請求項２】　上記処理液供給ノズルの処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定したことを特徴とする請求項
１
　【請求項３】　上記処理液供給ノズルに供給される処理液に所定圧力を与えて各ノズル孔から処理液を滲み出させるようにしたことを特徴とする請求項
１
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、例えば半導体ウエハ等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給する処理方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、半導体デバイスの製造工程において、被処理体である半導体ウエハの表面に処理液としての現像液を塗布する場合、処理液供給ノズルから半導体ウエハに向けて現像液を吐出させている。
　【０００３】
　すなわち、半導体ウエハを高速回転可能なスピンチャックにて水平保持し、このスピンチャックの上部に、半導体ウエハと対向するように処理液供給ノズルを配設し、この処理液供給ノズルに列設された多数のノズル孔から半導体ウエハに向けて現像液をシャワー状に吐出させて現像液を供給し、現像液を表面張力により半導体ウエハ上に膜状に塗布している。
　【０００４】
　ところで、上記のように構成される処理液供給ノズルのノズル孔からシャワー状に現像液を供給する構造のものにおいては、短時間で半導体ウエハ表面に現像液を塗布するためには、現像液の供給圧を上げて現像液の吐出流量を増加させる必要がある。そのため、現像液が半導体ウエハの表面に衝撃を与え、半導体ウエハにダメージを与える虞れがあった。
　【０００５】
　そこで、出願人は、上記処理液供給ノズルと半導体ウエハとを相対的に水平移動させることによって、処理液供給ノズルにより現像液を押し広げて半導体ウエハ表面に現像液を塗布する処理技術を既に開発した（特開平５−１３３２０号公報（特願平３−９０８０号）参照）。これにより、半導体ウエハに衝撃を与えたり、気泡を発生させることなく、迅速に所定の現像液をウエハに塗布することができ、また、少量の現像液で効率良く処理を行うことができる。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来のこの種の処理装置においては、同一の孔径のノズル孔を等間隔で列設するため、各ノズル孔から同一量の現像液が吐出されることになる。塗布面積は半導体ウエハの中心部に比較して外周部の塗布面積が広くなるので、外周部の塗布面積に合せて現像液の吐出量を多くする必要がある。したがって、狭い塗布面積の中心部には必要以上に多量の現像液が供給されるため、現像液の無駄が生じるばかりか、中心部に供給された現像液が盛り上って処理液供給ノズルに付着して残留し、パーティクルの発生原因となると共に、半導体ウエハの汚染を招くという可能性があり、改善すべき点があった。
　【０００７】
　この発明は上記事情に鑑みなされたもので、被処理体の表面に処理液を均一に供給し、被処理体の汚染防止を図れるようにした処理方法を提供することを目的とするものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、
この発明の処理方法は
上記ノズル孔から上記処理液を滲み出させつつ
上記被処理体上の処理液を押し広げて
１
　【０００９】
　この発明において、上記処理液供給ノズルの処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定する方が好ましい（請求項
２
３
　【００１０】
　この発明の処理方法によれば、処理液供給ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させると共に、
ノズル孔から処理液を滲み出させつつ
被処理体上の処理液を押し広げて塗布する
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　以下に、この発明の実施形態を図面に基いて詳細に説明する。この実施形態はレジスト塗布現像装置に適用したものである。
　【００１２】
　図１に示すように、このレジスト塗布現像装置は、被処理体例えば半導体ウエハＷ（以下、単にウエハという）に種々の処理を施す処理機構が配設された処理機構ユニット１０と、処理機構ユニット１０にウエハＷを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構１とで主要部が構成されている。
　【００１３】
　搬入・搬出機構１は、処理前のウエハＷを収納するウエハキャリア２と、処理後のウエハＷを収納するウエハキャリア３と、ウエハＷを吸着保持するアーム４と、このアーム４をＸ，Ｙ，Ｚ（垂直）及びθ（回転）方向に移動させる移動機構５と、ウエハＷがアライメントされかつ処理機構ユニット１０との間でウエハＷの受け渡しがなされるアライメントステージ６とを備えている。
　【００１４】
　処理機構ユニット１０には、アライメントステージ６よりＸ方向に形成された搬送路１１に沿って移動自在に搬送機構１２が設けられている。搬送機構１２にはＹ，Ｚ及びθ方向に移動自在にメインアーム１３が設けられている。搬送路１１の一方の側には、ウエハＷとレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒージョン処理を行うアドヒージョン処理機構１４と、ウエハＷに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発させるためのプリベーク機構１５と、加熱処理されたウエハＷを冷却する冷却機構１６とが配設されている。また、搬送路１１の他方の側には、ウエハＷの表面に処理液例えば現像液を塗布するこの発明に係る処理装置である現像機構１７と、ウエハＷの上にレジスト膜を塗布形成する塗布機構１８とが配設されている。
　【００１５】
　上記のように構成されるレジスト塗布現像装置において、まず、処理前のウエハＷは、搬入・搬出機構１のアーム４によってウエハキャリア２から搬出されてアライメントステージ６上に載置位置決めされる。次いで、アライメントステージ６上のウエハＷは、搬送機構１２のメインアーム１３に保持されて、各処理機構１４〜１８へと搬送され、レジスト塗布あるいは現像処理される。そして、処理後のウエハＷはメインアーム１３によってアライメントステージ６に戻され、更にアーム４により搬送されてウエハキャリア３に収納されることになる。
　【００１６】
　次に、この発明に係る処理装置１７について説明する。
　上記処理装置１７は、図１に示すように、ウエハＷを吸着保持すると共に垂直移動及び水平回転可能に保持するスピンチャック２０（保持手段）と、このスピンチャック２０の上方に移動されてウエハＷの表面に処理液である現像液を供給する処理液供給ノズル２１と、スピンチャック２０の一方側に配置されて不使用時の処理液供給ノズル２１を保持する待機手段２３と、スピンチャック２０の他方側に配置されて現像処理後、ウエハＷをリンスするためのリンス液供給ノズル２４と、処理液供給ノズル２１をスピンチャック２０上及び待機手段２３上に選択移動する移動手段例えばノズル移動機構２５とで主要部が構成されている。
　【００１７】
　上記処理液供給ノズル２１は、図２及び図３に示すように、ウエハＷの直径とほぼ同じ長さに形成された矩形容器２６と、この矩形容器２６の底部から下方に向って突出される凸条部２７に適宜間隔をおいて直線状に列設される多数の細孔からなるノズル孔２２と、Ｏリング２８を介して矩形容器２６を気密に閉塞する開閉可能な蓋体２９とで構成されている。なお、蓋体２９には処理液供給管３０が接続されており、図示しない処理液供給源から不活性ガス（例えば窒素（Ｎ２））の気体等によって所定圧で矩形容器２６内に所定の現像液Ｌが圧送により供給可能となっている。
　【００１８】
　上記各ノズル孔２２の配列ピッチは、ノズル孔２２の列の中心部から外方に向かって順次縮小するようになっている。すなわち、図５に示すように、処理液供給ノズル２１のノズル孔２２の列の中心部から外方に向ってそのピッチが、
　ｐ１＞ｐ２＞ｐ３＞…ｐｎ−１＞ｐｎ
の関係に形成されて、中心部から外方に向ってピッチがより密となり、単位面積当りのノズル孔２２の面積すなわちノズル孔２２の断面積の合計面積が漸次増大されるように形成されている。具体的には、ノズル口径が０．１〜１．０ｍｍ程度，例えば０．５ｍｍ、ノズル孔２２の数が数百個，例えば１５０個、ピッチが０．８〜２．０ｍｍ程度，例えば中心側２．０ｍｍ，中間１．５ｍｍ，外方側１．０ｍｍである。
　【００１９】
　したがって、処理液供給ノズル２１の中心から外方に向ってノズル孔２２からの現像液Ｌの吐出孔の総面積換言すれば現像液Ｌの吐出量を漸次増大させることができるので、現像液Ｌをウエハ表面上に均等に供給することができる。
　【００２０】
　また、上記処理液供給ノズル２１に設けられた凸条部２７は、図２及び図３に示すように、先端に向って先細り状のテーパー面２７ａが形成されており、かつ凸条部２７の先端には円弧状部２７ｂが形成されている。このように凸条部２７に先細り状のテーパー面２７ａを形成することにより、ノズル孔２２からウエハＷ表面に現像液Ｌを塗布する際の現像液Ｌの跳ね上がり（盛上り）高さＨを、テーパー面を設けない場合に比べて少なくすることができ、現像液Ｌの凸条部２７への付着を少なくすることができる（図３参照）。また、凸条部２７の先端に例えば直径Ｒ＝１ｍｍ程度の円弧状部２７ｂを形成することにより、処理液供給後に、処理液供給ノズル２１をウエハＷから持上げる際の液切れを良好にすることができ、凸条部２７への現像液Ｌの付着を少なくすることができる。
　【００２１】
　一方、上記処理液供給ノズル２１は、図６に示すように、移動手段例えばノズル移動機構２５によって直線移動すなわち左右に水平移動可能に形成されており、現像液Ｌを吐出する際にスピンチャック２０の水平回転と処理液供給ノズル２１の水平移動とが相俟ってウエハＷの表面に均等に現像液Ｌが供給されるようになっている。具体的には、水平移動速度が５〜２０ｍｍ／ｓｅｃ、移動距離がウエハ中心から±３〜±５ｍｍ、スピンチャックの回転数が２０〜５０ｒｐｍ，例えば３０ｒｐｍである。
　【００２２】
　この場合、処理液供給ノズル２１を直線移動すなわち水平方向に平行移動させて現像液ＬをウエハＷ表面に供給しているが、必ずしも処理液供給ノズル２１を左右に平行に水平移動させる必要はなく、例えば図７に示すように、移動手段例えば回転機構３２によって揺動移動可能な揺動アーム３１を設けると共に、処理液供給ノズル２１の一端を揺動アーム３１にて支持し、揺動アーム３１を回転機構３２によって左右に揺動させるようにしてもよい。
　【００２３】
　次に、この発明に係る処理装置の動作について説明する。
　まず、予め矩形容器２６内に現像液Ｌを供給し、矩形容器２６内に現像液Ｌを満たした状態としておき、処理液供給ノズル２１を待機手段２３に待機させておく。そして、搬送機構１２のメインアーム１３によって搬送されるウエハＷをスピンチャック２０上に載置し、図示しない真空手段によってウエハＷをスピンチャック２０上に吸着保持する。
　【００２４】
　次に、移動手段例えばノズル移動機構２５の駆動により、処理液供給ノズル２１がウエハＷの中心位置付近まで水平移動された後、スピンチャック２０と処理液供給ノズル２１とを相対的に上下動させ、処理液供給ノズル２１底面の凸条部２７の先端とウエハＷ表面との間が微小間隔，例えば０．５〜２．０ｍｍの範囲となるように設定する。
　【００２５】
　そして、処理液供給管３０から所定圧力，例えば０．５〜１．０Ｋｇ／ｃｍ２で矩形容器２６内に所定の現像液Ｌを供給することにより、各ノズル孔２２から滲み出させるようにして現像液Ｌは、処理液供給ノズル２１の中心部すなわちウエハＷの中心部には少なく、外周部は多く供給される。この際、スピンチャック２０によりウエハＷを低速例えば３０ｒｐｍで約１／２回転させると共に、処理液供給ノズル２１を直線移動あるいは揺動移動させて、処理液供給ノズル２１とウエハＷとを相対的に水平方向に移動させることにより、ウエハＷ上に帯状に供給された現像液Ｌは、処理液供給ノズル２１の凸条部２７によって押し広げられてウエハＷ表面全体に均等に塗布される。このように、ウエハＷ表面に現像液Ｌを供給して塗布した後、処理液供給ノズル２１は上昇し、待機手段２３に退避されて処理作業は終了する。
　【００２６】
　なお、上記実施形態では、この発明に係る処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布現像装置に適用した場合について説明したが、必ずしもレジスト塗布現像装置である必要はなく、レジスト以外の処理液の供給装置にも適用でき、また、被処理体は半導体ウエハ以外に例えばＬＣＤガラス基板、ＣＤ等の基板にも適用できることは勿論である。
　【００２７】
　【発明の効果】
　以上に説明したように、この発明の処理方法によれば、以下のような効果が得られる。
　【００２８】
　処理液供給ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させると共に、
ノズル孔から処理液を滲み出させつつ
被処理体上の処理液を押し広げて塗布する
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明に係る処理装置を適用したレジスト塗布現像装置の概略平面図である。
　【図２】
　この発明における被処理体と処理液供給ノズルを示す分解斜視図である。
　【図３】
　処理液供給ノズルの断面図である。
　【図４】
　処理後に処理液供給ノズルを持上げた状態の要部断面図である。
　【図５】
　この発明における処理液供給ノズルのノズル孔の一例を示す底面図である。
　【図６】
　処理液供給ノズルの処理液供給状態の一例を示す斜視図である。
　【図７】
　処理液供給ノズルの処理液供給状態の別の実施例を示す斜視図である。
　【符号の説明】
　２０　スピンチャック（保持手段）
　２１　処理液供給ノズル
　２２　ノズル孔
　２５　ノズル移動機構（移動手段）
　３１　揺動アーム（移動手段）
　３２　回転機構（移動手段）
　　Ｌ　現像液（処理液）
　　Ｗ　半導体ウエハ（被処理体）
　　ｐ１，ｐ２，〜ｐｎ　配列ピッチ