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　特願２０１６−　４９８７１「半導体素子搭載用基板、半導体装置、半導体素子搭載用基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　９月２１日出願公開、特開２０１７−１６８５１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年（平成２８年）３月１４日の出願であって、その手続の経緯は、概略、以下のとおりである。
　平成３１年　２月１５日付け：拒絶理由通知書
　平成３１年　４月　５日　　：意見書、手続補正書の提出
　令和　１年　９月　５日付け：拒絶査定
　令和　１年１１月１９日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和１年１１月１９日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和１年１１月１９日にされた手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　令和１年１１月１９日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書についてするもので、特許請求の範囲については、
　本件補正前に、
「　【請求項１】
　導電性基板と、
　前記導電性基板の表面上の所定領域に設けられためっき層からなるリード部と、を備え、
　前記めっき層は、前記導電性基板と接触する所定厚の下地めっき層と、該下地めっき層の上側に形成された主めっき層が設けられ、前記下地めっき層が前記導電性基板と同種のエッチング液で可溶な金属めっきであり、
　前記導電性基板の表面上に半導体素子搭載部が設けられ、
　前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ、
　前記下地めっき層の厚さは、０．５μｍ以上である半導体素子搭載用基板。
　　【請求項２】
　前記下地めっき層の厚さは、２．０μｍ以下である請求項１に記載の半導体素子搭載用基板。
　　【請求項３】
　前記導電性基板がＣｕ又はＣｕ合金であり、前記下地めっき層がＣｕめっきである請求項１又は２に記載の半導体素子搭載用基板。
　　【請求項４】
　前記半導体素子搭載部は、前記リード部を構成する前記めっき層と同一の積層構成を有するめっき層からなる請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体素子搭載用基板。
　　【請求項５】
　前記半導体素子搭載部及び前記リード部の断面形状は、逆台形であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の半導体素子搭載用基板。
　　【請求項６】
　半導体素子と、
　めっき層からなるリード部と、
　前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する接続体と、
　少なくとも前記リード部の底面以外の領域と、前記半導体素子及び、前記接続体とを封止する封止樹脂部とを、備え、
　前記半導体素子は半導体素子搭載部上に設けられ、
　前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ、
　前記リード部の底面は、前記封止樹脂部の底面より、少なくとも０．５μｍ以上の深さを有する凹部となっていることを特徴とする半導体装置。
　　【請求項７】
　前記凹部の深さは、２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
　　【請求項８】
　前記半導体素子搭載部は、前記リード部を構成する前記めっき層と同一の積層構成を有するめっき層からなる請求項６又は７に記載の半導体装置。
　　【請求項９】
　前記半導体素子搭載部及び前記リード部の断面形状は、逆台形であることを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の半導体装置。
　　【請求項１０】
　導電性基板の表面上に設けられた半導体素子の周囲の前記導電性基板の前記表面上の所定領域に、めっき層からなるリード部が設けられた半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
　前記導電性基板上にレジスト層を被覆し、
　前記レジスト層にリード部を設ける領域にパターンニングを施しレジストマスクを形成し、
　前記レジストマスクの開口部の前記導電性基板が露出した領域に、前記リード部を設けるための下地めっき層と主めっき層とを、形成し、
　前記下地めっき層は、前記導電性基板と同種のエッチング液で溶解可能な金属めっきであり、かつ、前記下地めっきのめっき液は前記レジストマスクに耐性のあるめっき液であり、
　前記半導体素子は半導体素子搭載部上に設けられ、
　前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ、
　前記下地めっき層の厚さは、０．５μｍ以上である半導体素子搭載用基板の製造方法。
　　【請求項１１】
　前記導電性基板は、Ｃｕ又はＣｕ合金であり、前記レジストマスクは、アルカリ系のレジストであり、前記下地めっきのめっき液は、酸性のめっき液である請求項１０の半導体素子搭載用基板の製造方法。
　　【請求項１２】
　前記半導体素子搭載部及び前記リード部の断面形状は、逆台形であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の半導体素子搭載用基板の製造方法。
　　【請求項１３】
　請求項１０乃至１２の何れか１項に記載された半導体素子搭載用基板の製造方法により製造された半導体素子搭載用基板上に、半導体素子を搭載し、
　前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続し、
　少なくとも前記リード部の底面以外の領域と、前記半導体素子と、接続体とを、封止し、
　導電性基板を溶解除去する半導体装置の製造方法。
　　【請求項１４】
　　前記リード部の底面は、封止樹脂部の底面より、少なくとも０．５μｍ以上の深さを有する凹部であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項１５】
　前記凹部の深さは、２．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。」とあったところを、
　本件補正により、
「　【請求項１】
　導電性基板と、
　前記導電性基板の表面上の所定領域に設けられためっき層からなるリード部と、を備え、
　前記めっき層は、前記導電性基板と接触する所定厚の下地めっき層と、該下地めっき層の上側に形成された主めっき層が設けられ、前記下地めっき層が前記導電性基板と同種のエッチング液で可溶な金属めっきであり、
　
前記導電性基板は、前記下地めっきが形成される部分にのみ、活性化のための前処理が施され、
　前記導電性基板の表面上に半導体素子搭載部が設けられ、
　前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ、
　
前記下地めっき層は、前記主めっき層を形成するためのめっき液を堰止めするためであり、
、２．０μｍ以下
　　【請求項２】
　前記導電性基板がＣｕ又はＣｕ合金であり、前記下地めっき層がＣｕめっきである請求項
１
　　【請求項３】
　前記半導体素子搭載部は、前記リード部を構成する前記めっき層と同一の積層構成を有するめっき層からなる請求項１
又は２
　　【請求項４】
　前記半導体素子搭載部及び前記リード部の断面形状は、逆台形であることを特徴とする請求項１乃至
３
　　【請求項５】
　半導体素子と、
　めっき層からなるリード部と、
　前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する接続体と、
　少なくとも前記リード部の底面以外の領域と、前記半導体素子及び、前記接続体とを封止する封止樹脂部とを、備え、
　前記半導体素子は半導体素子搭載部上に設けられ、
　前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ、
　前記リード部の底面は、前記封止樹脂部の底面より
、
、２．０μｍ以下
　　【請求項６】
　前記半導体素子搭載部は、前記リード部を構成する前記めっき層と同一の積層構成を有するめっき層からなる請求項
５
　　【請求項７】
　前記半導体素子搭載部及び前記リード部の断面形状は、逆台形であることを特徴とする請求項
５又は６
　　【請求項８】
　導電性基板の表面上に設けられた半導体素子の周囲の前記導電性基板の前記表面上の所定領域に、めっき層からなるリード部が設けられた半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
　前記導電性基板上にレジスト層を被覆し、
　前記レジスト層にリード部を設ける領域にパターンニングを施しレジストマスクを形成し、
　前記レジストマスクの開口部の前記導電性基板が露出した領域に、
活性化のための前処理を施した後、
　前記下地めっき層は、前記導電性基板と同種のエッチング液で溶解可能な金属めっきであり、かつ、前記下地めっきのめっき液は前記レジストマスクに耐性のあるめっき液であり、
　前記半導体素子は半導体素子搭載部上に設けられ、
　前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ、
　
前記下地めっき層は、前記主めっき層を形成するためのめっき液を堰止めするためであり、
　前記下地めっき層の厚さは、０．５μｍ以上
、２．０μｍ以下
　　【請求項９】
　前記導電性基板は、Ｃｕ又はＣｕ合金であり、前記レジストマスクは、アルカリ系のレジストであり、前記下地めっきのめっき液は、酸性のめっき液である請求項
８
　　【請求項１０】
　前記半導体素子搭載部及び前記リード部の断面形状は、逆台形であることを特徴とする請求項
８又は９
　　【請求項１１】
　請求項
８乃至１０
　前記半導体素子と前記リード部とを
接続体により
　少なくとも前記リード部の底面以外の領域と、前記半導体素子と、
前記
　導電性基板を溶解除去する半導体装置の製造方法。
　　【請求項１２】
　前記リード部の底面は、封止樹脂部の底面より
、
、２．０μｍ以下
１１
　本件補正により、補正後の請求項１，８は、下地めっき層について、「前記下地めっき層は、前記主めっき層を形成するためのめっき液を堰止めするためであ」る点を限定すると共に、下地めっき層の厚さについて、「０．５μｍ以上」とあったのを「０．５μｍ以上、２．０μｍ以下」とし、上限値を２．０μｍに限定した。また、補正後の請求項１，８は、下地めっきが形成される部分に対してのみ「活性化のための前処理」が施される点が限定された。上記補正は特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、本件補正により、本件補正後の請求項５，１２は、リード部の底面に設けられた凹部の深さについて、「少なくとも０．５μｍ以上」とあったのを「０．５μｍ以上、２．０μｍ以下」とし、上限値を２．０μｍに限定した。上記補正は特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　更に、本件補正により、本件補正後の請求項１１は、「半導体素子」と「リード部」とが「接続体」により電気的に接続されることが明確化された。上記補正は特許法第１７条の２第５項第４号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そこで、特許請求の範囲の減縮を目的とする本件補正の請求項５に記載された事項によって特定される発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
２．引用文献
（１）特開２００３−０７８０７１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−０７８０７１号公報（以下「引用文献１」という。）には、「半導体装置」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ア．「【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を図１に示す。図１は、本発明に係る半導体装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。先ず、金属基板としての銅基板１０の一面側に形成したレジスト層１２にパターニングを施し、外部接続端子用パッドを形成する部分に銅基板１０の表面が底面に露出する凹部１４を形成する［図１（ａ）］。かかる凹部１４内に露出している銅基板１０の表面には、銅基板１０を給電層とする電解めっきによって、銅基板１０にエッチングを施すエッチング液に可溶の金属、具体的には銅から成る可溶金属層１６を形成する［図１（ｂ）］。更に、凹部１４内に形成した可溶金属層１６に引き続いて、銅基板１０を給電層とする
電解めっきによって複数の金属層を積層し、外部接続端子用パッド２０を形成する
イ．「【００１１】銅基板１０の一面側に封止樹脂層２６を形成した後、銅基板１０及び可溶金属層１６とを同一エッチング液でエッチングして除去することによって、
外部接続端子用パッド２０の面が底面に露出する凹部２８を、封止樹脂層２６に形成できる［図１（ｆ）］
ウ．「【００１５】また、図６に示す半導体装置の様に、
半導体素子２２
封止樹脂層２６
外部接続端子用パッド２０
放熱部３２に半導体素子２２を搭載する
【００１６】その後、図１（ｅ），（ｆ）の工程と同様に、
半導体素子２２と外部接続端子用パッド２０とをワイヤ２４で電気的に接続
可溶金属層１６及び外部接続端子用パッド２０、ワイヤ２４及び半導体素子２２を樹脂封止する
図６に示す半導体装置を得ることができる。
・上記ウ及び図６によれば、半導体素子２２と、外部接続端子用パッド２０と、ワイヤ２４と、放熱部３２と、封止樹脂層２６とを備えた半導体装置について記載されている。
・上記アによれば、外部接続端子用パッド２０は、電解めっきによって複数の金属層を積層し形成されることが記載されている。
・上記ウによれば、半導体素子２２と外部接続端子用パッド２０とはワイヤ２４で電気的に接続されることが記載されている。
・上記ウによれば、封止樹脂層２６により、外部接続端子用パッド２０、ワイヤ２４及び半導体素子２２を樹脂封止することが記載されている。
・上記ウによれば、放熱部３２に半導体素子２２を搭載することが記載されている。
・上記イによれば、外部接続端子用パッド２０の面が底面に露出する凹部２８を、封止樹脂層２６に形成することが記載されている。
　上記アないしウの記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
「半導体素子２２と、
　電解めっきによって複数の金属層を積層し形成された外部接続端子用パッド２０と、
　半導体素子２２と外部接続端子用パッド２０とを電気的に接続するワイヤ２４と、
　半導体素子２２を搭載する放熱部３２と、
　外部接続端子用パッド２０、ワイヤ２４及び半導体素子２２を樹脂封止する封止樹脂層２６とを備えており、
　外部接続端子用パッド２０の面が底面に露出する凹部２８を封止樹脂層２６に形成する、半導体装置。」
３．対比
　そこで、本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（１）引用発明１の「半導体素子２２」は、本願補正発明の「半導体素子」に相当する。
（２）引用発明１の「電解めっきによって複数の金属層を積層し形成された外部接続端子用パッド２０」は、本願補正発明の「めっき層からなるリード部」に相当する。
（３）引用発明１の「半導体素子２２と外部接続端子用パッド２０とを電気的に接続するワイヤ２４」は、本願補正発明の「前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する接続体」に相当する。
（４）引用発明１の「封止樹脂層２６」は、「外部接続端子用パッド２０の面が底面に露出する凹部２８を封止樹脂層２６に形成」しているから、「ワイヤ２４及び半導体素子２２」と「外部接続端子用パッド２０」の底面以外の領域を「樹脂封止」するものである。よって、引用発明１の「外部接続端子用パッド２０、ワイヤ２４及び半導体素子２２を樹脂封止する封止樹脂層２６」は本願補正発明の「少なくとも前記リード部の底面以外の領域と、前記半導体素子及び、前記接続体とを封止する封止樹脂部」に相当する。
（５）引用発明１の「半導体素子２２を搭載する放熱部３２」は、本願補正発明の「前記半導体素子は半導体素子搭載部上に設けられ」る構成に相当する。
（６）引用発明１の「外部接続端子用パッド２０」と「放熱部３２」は、ワイヤ２４で接続される程度に離れたものであるから、本願補正発明の「前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ」ることに相当する構成を備えている。
（７）引用発明１の「外部接続端子用パッド２０の面が底面に露出する凹部２８を封止樹脂層２６に形成する」ことは、「外部接続端子用パッド２０」の底面が「封止樹脂層２６」の底面よりも所定の深さだけ凹んでいるから、本願補正発明の「前記リード部の底面は、前記封止樹脂部の底面より」所定の「深さを有する凹部となっている」ことに相当する。
　但し、本願補正発明が「０．５μｍ以上、２．０μｍ以下」の深さを有する凹部であるのに対し、引用発明１には凹部の深さが特定されていない。
　そうすると、本願補正発明と引用発明１とは、
「半導体素子と、
　めっき層からなるリード部と、
　前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する接続体と、
　少なくとも前記リード部の底面以外の領域と、前記半導体素子及び、前記接続体とを封止する封止樹脂部とを、備え、
　前記半導体素子は半導体素子搭載部上に設けられ、
　前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ、
　前記リード部の底面は、前記封止樹脂部の底面より所定の深さを有する凹部となっている」点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　凹部の所定の深さについて、本願補正発明は、「０．５μｍ以上、２．０μｍ以下」と特定するのに対し、引用発明１は特定されていない。
４．判断
　上記相違点について検討する。
　外部接続用の電極が周囲の絶縁層の表面から凹む深さとして「０．５μｍ以上、２．０μｍ以下」の範囲の値は、例えば原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００８／１２０７５５号の段落［０１４７］−［０１４８］及び図２０（ｈ）（銅からなる導体配線層７３の高さは、周りを取り囲む絶縁樹脂層８４より０．５〜２０μｍ程度低い位置）、特開２００５−３２７７８０号公報の段落【００４１】及び図１（下層配線の下面と基体絶縁膜の下面との間の距離：０．５乃至１０μｍ）、特開２０１０−０６７８８８号公報の段落【００６１】及び図５（形成すべきＣｕ層２４の厚さは、要求される凹部ＤＰ（図５）の深さに応じて決定され、例えば、１〜３０μｍ程度（好適には２０μｍ程度）の厚さに形成）等に記載されているように、当該技術分野において普通に見られる値である。
　そうすると、引用発明１の凹部２８の深さは、はんだボールの接合強度が低いという難点を解消する程度の深さが必要であるところ、係る深さは半導体装置の具体的な実施の態様を考慮して当業者が適宜設計すべきものであり、凹部の深さを「０．５μｍ以上、２．０μｍ以下」の範囲を満たす値とすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　この点について、請求人は、審判請求書にて、「次に、『前記下地めっき層の厚さは、０．５μｍ以上、２．０μｍ以下である』ことも、どの引用文献にも記載や示唆がありません。」と主張している。
　しかしながら、本願補正発明には、「凹部の深さ」が０．５μｍ以上、２．０μｍ以下であることについては記載されているものの、請求人の主張している「下地めっき層の厚さ」が０．５μｍ以上、２．０μｍ以下であることについては記載されておらず、請求人の上記主張は本願補正発明の記載に基づく主張ではなく採用できない。
　また、請求人は、審判請求書にて、「まず、『前記導電性基板は、前記下地めっきが形成される部分にのみ、活性化のための前処理が施される』ことは、どの引用文献にも記載や示唆がありません。」、「次に、『前記下地めっき層は、前記主めっき層を形成するためのめっき液を堰止めするためである』ことも、どの引用文献にも記載や示唆がありません。」と主張している。
　しかしながら、本願補正発明には、「活性化のための前処理」や「下地めっき層」が「めっき液を堰止めするため」のものであることについては記載されておらず、請求人の上記主張は本願補正発明の記載に基づく主張ではなく採用できない。
　よって、請求人の主張はいずれも採用できない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明１及び周知の技術事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
５．むすび
　以上のとおり、本件補正の請求項５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１．本願発明
　令和１年１１月１９日にされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１５に係る発明は、平成３１年４月５日にされた手続補正の特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項６に係る発明は次のとおりである（以下「本願発明」という）。
「　【請求項６】
　半導体素子と、
　めっき層からなるリード部と、
　前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する接続体と、
　少なくとも前記リード部の底面以外の領域と、前記半導体素子及び、前記接続体とを封止する封止樹脂部とを、備え、
　前記半導体素子は半導体素子搭載部上に設けられ、
　前記リード部は、前記半導体素子搭載部の周辺に設けられ、
　前記リード部の底面は、前記封止樹脂部の底面より、少なくとも０．５μｍ以上の深さを有する凹部となっていることを特徴とする半導体装置。」
２．引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１の記載事項は、前記「第２［理由］２．引用文献」に記載したとおりであり、引用発明１は以下のとおりである。
「半導体素子２２と、
　電解めっきによって複数の金属層を積層し形成された外部接続端子用パッド２０と、
　半導体素子２２と外部接続端子用パッド２０とを電気的に接続するワイヤ２４と、
　半導体素子２２を搭載する放熱部３２と、
　外部接続端子用パッド２０、ワイヤ２４及び半導体素子２２を樹脂封止する封止樹脂層２６とを備えており、
　外部接続端子用パッド２０の面が底面に露出する凹部２８を封止樹脂層２６に形成する、半導体装置。」
３．対比・判断
　本願発明は、前記「第２［理由］１．本件補正」で検討した本願補正発明から、リード部の底面に設けられた凹部の深さについて、「２．０μｍ以下」との上限値の限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２［理由］３．対比、４．判断、５．むすび」に記載したとおり、引用発明１及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明１及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願の請求項６に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。