(57)【要約】  第１生成部（３１１）は、回路基板を下層部及び上層部の積層体に擬制し、下層部の熱膨張率α１として、予め実測しておいた回路基板自体の熱膨張率を設定する。また、上層部の熱膨張率α２として、Ｓｔｏｎｅｙの式から求められる値を設定する。そして、下層部及び上層部の積層体を複数のグリッドデータに分割し、グリッドデータの位置と材料とを対応付けた要素分割データ（３３４）を生成する。第２算出部（３１４）は、種々のソルバーを利用し、有限要素（３３５）に基づいて解析対象物に生じる物理量を算出し、解析結果を出力する。つまり、第２算出部（３１４）は、解析対象物の挙動のシミュレーションを行う。このシミュレーションは、ユーザにより設定された任意の温度範囲内におけるものである。
2010067415.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制手段と、
前記擬制手段による擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーション手段と、
を有することを特徴とする解析装置。
【請求項２】
前記擬制手段は、前記２つの物体の少なくとも一方が前記回路基板を実際に構成する物体とは異なる物体であると擬制することを特徴とする請求項１に記載の解析装置。
【請求項３】
前記擬制手段は、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする請求項１に記載の解析装置。
【請求項４】
前記擬制手段は、前記２つの層の厚さが互いに等しいと擬制することを特徴とする請求項３に記載の解析装置。
【請求項５】
前記擬制手段は、前記２つの物体の弾性率が前記回路基板の弾性率と等しいと擬制することを特徴とする請求項１に記載の解析装置。
【請求項６】
前記擬制手段は、前記電子部品が実装される部分を含む物体の熱膨張率が前記回路基板の熱膨張率と等しいと擬制することを特徴とする請求項１に記載の解析装置。
【請求項７】
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制ステップと、
前記擬制ステップにおける擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーションステップと、
を有することを特徴とする解析方法。
【請求項８】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体の少なくとも一方が前記回路基板を実際に構成する物体とは異なる物体であると擬制することを特徴とする請求項７に記載の解析方法。
【請求項９】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする請求項７に記載の解析方法。
【請求項１０】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの層の厚さが互いに等しいと擬制することを特徴とする請求項９に記載の解析方法。
【請求項１１】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体の弾性率が前記回路基板の弾性率と等しいと擬制することを特徴とする請求項７に記載の解析方法。
【請求項１２】
前記擬制ステップにおいて、前記電子部品が実装される部分を含む物体の熱膨張率が前記回路基板の熱膨張率と等しいと擬制することを特徴とする請求項７に記載の解析方法。
【請求項１３】
コンピュータに、
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制ステップと、
前記擬制ステップにおける擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーションステップと、
を実行させることを特徴とする解析プログラム。
【請求項１４】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体の少なくとも一方が前記回路基板を実際に構成する物体とは異なる物体であると擬制することを特徴とする請求項１３に記載の解析プログラム。
【請求項１５】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする請求項１３に記載の解析プログラム。
【請求項１６】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの層の厚さが互いに等しいと擬制することを特徴とする請求項１５に記載の解析プログラム。
【請求項１７】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体の弾性率が前記回路基板の弾性率と等しいと擬制することを特徴とする請求項１３に記載の解析プログラム。
【請求項１８】
前記擬制ステップにおいて、前記電子部品が実装される部分を含む物体の熱膨張率が前記回路基板の熱膨張率と等しいと擬制することを特徴とする請求項１３に記載の解析プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の回路基板への実装の際の応力の解析を行う解析装置、解析方法及び解析プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
マスク技術を利用して基板上に集積回路パターンが形成された回路基板は、電子機器のマザーボード等に使用されている。【０００３】
但し、回路基板に電子部品（例えば、ＬＳＩ：Large Scale Integration）を実装するリフロープロセスにおいて、その温度条件によっては、回路基板に反りが生じることがある。このような反りが生じると、電子部品のバンプ接合部等に未着及びショート等が引き起こされ、製品の歩留まりが低下してしまう。【０００４】
そこで、コンピュータ援用設計（ＣＡＤ：Computer Aided Design）システム及び有限要素法を組み合せて回路基板の構造解析を行い、上述のような回路基板に生じる反りを事前に予測する技術が考え出されている。これらの従来技術によれば、事前予測によって、実装過程において生じる反りが少ない回路基板へと設計変更することができる。【０００５】
しかしながら、このような従来の技術のみでは、回路基板自体の反りを予測することができても、実装に用いられるバンプに作用する応力及びこれに伴う歪みまでを予測することはできない。【０００６】
また、回路基板に電子部品及びバンプを一体化させたモデルに基づいてシミュレーションを行うのでは、計算量が莫大になり、解析時間が長期化し、ＣＡＤシステムへの負荷が多大なものとなってしまう。更に、上述のような従来の技術によっても十分な精度で予測を行うことができず、実装過程において生じる回路基板の反りを十分に抑制することができないため、上述のようなモデルを用いると誤差が拡大してしまい、精度が高い予測を行うことが極めて困難となる。【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１３４３７号公報
【特許文献２】特開平１０−９３２０６号公報
【特許文献３】特開２０００−２３１５７９号公報
【発明の開示】
【０００８】
本発明は、少ない計算量で実装応力を高い精度で解析することができる解析装置、解析方法及び解析プログラムを提供することを目的とする。
【０００９】
本願発明者等は、従来技術の問題点を解明すべく検討を行ったところ、回路基板自体の温度変化に応じた三次元的な変形の実測が可能となっているにも拘らず、従来技術では、このような実測の結果が数値解析に反映されていないことに気付いた。実測の結果を反りの予測に反映させることができれば、高い精度の予測を行うことができるようになる。但し、有限要素法による解析に、温度変化に応じた変形を組み込むことは容易ではない。
【００１０】
そこで、本願発明者等が更に鋭意検討を行った結果、回路基板を熱膨張率等が相違する複数の物体から構成されていると擬制して解析を行えば、簡易な構造と擬制しても、温度変化に応じた変形を予測することが可能となることが判明した。本願発明者等は、このような知見に基づいて、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【００１１】
解析装置には、回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制手段が設けられている。更に、前記擬制手段による擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーション手段が設けられている。
【００１２】
解析方法では、回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制し、その後、前記擬制ステップにおける擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行う。
【００１３】
解析プログラムは、コンピュータに、回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制ステップと、前記擬制ステップにおける擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーションステップと、実行させる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】図１Ａは、実施形態に係る解析装置の解析対象物の例を示す上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、図１Ａ中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、加熱に伴う解析対象物の変形を示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、回路基板１の構造の擬制の内容を示す図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示す擬制の下での回路基板１の反り示す図である。
【図３】図３は、実施形態に係る解析装置の構成を示すブロック図である。
【図４】図４は、材料物性表３３２のデータ構成の例を示す図である。
【図５】図５は、厚さ表３３３のデータ構成の例を示す図である。
【図６】図６は、解析装置３０の構成を示す機能ブロック図である。
【図７】図７は、実施形態に係る解析装置３０の動作を示すフローチャートである。
【図８】図８は、積層シェルデータ３３６を生成する方法を示すフローチャートである。
【図９】図９は、積層シェルデータ３３６のデータ構成の例を示す図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、解析対象物を示す平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａ中のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図１１】図１１は、実際に行った解析（シミュレーション）の結果を示すグラフである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。実施形態に係る解析装置は、温度変化に伴う回路基板の変形等の解析を行う装置である。つまり、この解析装置による構造解析の対象物（解析対象物）は回路基板等である。【００１６】
先ず、解析対象物について説明する。図１Ａ乃至図１Ｃは、実施形態に係る解析装置の解析対象物の例を示す図である。図１Ａは、解析対象物を示す上面図であり、図１Ｂは、図１Ａ中のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。また、図１Ｃ、は加熱に伴う解析対象物の変形を示す断面図である。【００１７】
この例では、解析対象物に、回路基板１及びこれにはんだバンプ３を介して実装される電子部品２が含まれている。回路基板１の一表面には電極１ａが設けられ、電子部品の一表面には電極２ａが設けられ、これらがはんだバンプ３を介して接続される。電子部品２の実装の際には、リフローが行われる。つまり、回路基板１の温度が上昇し、その後降下する。そして、リフロー時には、図１（ｃ）に示すように、回路基板１に反りが生じる。その後、回路基板１の温度が降下すると、回路基板１は平坦状に戻ろうとする。この際、はんだバンプ３は電極１ａ及び電極２ａに既に固定されているので、はんだバンプ３に応力が作用し、歪みが生じる。【００１８】
本実施形態では、上述のような回路基板１の変形に伴う応力及び歪みを予測すべく、図２Ａに示すように、互いに熱膨張率が相違する下層部１１及び上層部１２から回路基板１が構成されているものと擬制した上で、シミュレーションを行う。このような擬制下において回路基板１が加熱されると、図２Ｂに示すように、回路基板１は反ることになる。そして、この反りの程度は、下層部１１及び上層部１２の厚さ及び熱膨張率を予め適切に設定しておくことにより、回路基板１の反り量の実測値に一致させることができる。【００１９】
また、下層部１１及び上層部１２の積層体はバイメタル構造体とみなすこともできる。バイメタル構造体においては、２層間の界面における残留応力σと曲率半径Ｒとの間に、Ｓｔｏｎｅｙの式として知られる関係がある。そして、Ｓｔｏｎｅｙの式を下層部１１及び上層部１２の積層体に適用すると、次のような関係（数１）が成り立つ。【００２０】
【数１】
2010067415.tif 000003
【００２１】
なお、ｈｓは下層部１１の厚さ、ｈｆは上層部１２の厚さ、Ｍｓは下層部１１の二軸弾性率、Ｅは下層部１１及び上層部１２に共通のヤング率、νは下層部１１及び上層部１２に共通のポワソン比である。【００２２】
そして、下層部１１の厚さｈｓと上層部１２の厚さｈｆが等しく、ポワソン比νが０．３であるとすると、残留応力σは次の式（数２）で表わされる。【００２３】
【数２】
2010067415.tif 000004
【００２４】
従って、任意の２種類の温度Ｔ１、Ｔ２における曲率半径Ｒ１、Ｒ２から求められる残留応力を夫々σ１、σ２とすると、温度Ｔ１及びＴ２の差ΔＴに伴う残留応力の差Δσは，次の式（数３）で表わされる。【００２５】
【数３】
2010067415.tif 000005
【００２６】
また、残留応力σは熱膨張率の差と弾性率との積で表わされる。従って、下層部１１の熱膨張率をα１、上層部１２の熱膨張率をα２とすると、残留応力の差Δσは、次の式（数４）で表すこともできる。【００２７】
【数４】
2010067415.tif 000006
【００２８】
従って、数３及び数４に示す式から次の式（数５）が導かれる。【００２９】
【数５】
2010067415.tif 000007
【００３０】
そこで、上層部１２の熱膨張率α２として回路基板１自体の熱膨張率の実測値を用いれば、下層部１１の厚さは、次の式（数６）のように、実測値を用いて表すことができる。【００３１】
【数６】
2010067415.tif 000008
【００３２】
次に、解析装置について説明する。図３は、実施形態に係る解析装置の構成を示すブロック図である。【００３３】
本実施形態に係る解析装置３０には、制御部３１、ＲＡＭ（Random
Access Memory）３２、記憶部３３、周辺機器接続用インタフェース（周辺機器Ｉ／Ｆ）３５、情報が入力される入力部３６及び情報を表示する表示部３７が設けられている。そして、制御部３１、ＲＡＭ３２、記憶部３３、周辺機器Ｉ／Ｆ３５、入力部３６及び表示部３７がバス３４を介して互いに接続されている。【００３４】
制御部３１には、ＣＰＵ（Central Processing Unit）が含まれており、ＲＡＭ３２に格納されているプログラムを実行し、解析装置３０に含まれる各部を制御する。【００３５】
ＲＡＭ３２は、解析装置３０の処理における演算結果及びプログラムを一時的に記憶する記憶手段として機能する。【００３６】
記憶部３３としては、例えば、ハードディスク、光ディスク、磁気ディスク、フラッシュメモリ等の不揮発性の記憶媒体が用いられ、記憶部３３は、各種データ及びＲＡＭ３２に記憶される前のＯＳ（Operating System）等のプログラム等を記憶している。この記憶部３３には、解析対象物（回路基板等）に含まれる材料とその物性とが対応付けられた材料物性表３３２も記憶されている。更に、この記憶部３３には、解析対象物の表面における２次元座標（図２のｘｙ座標）により特定される点と、その点における解析対象物の厚さ（図２のｚ軸方向の寸法）とが対応付けられた厚さ表３３３も記憶されている。【００３７】
周辺機器Ｉ／Ｆ３５は、周辺機器が接続されるインタフェースである。周辺機器Ｉ／Ｆとしては、例えば、パラレルポート、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）ポート、及びＰＣＩカードスロットが挙げられる。周辺機器としては、例えば、プリンタ、ＴＶチューナ、ＳＣＳＩ（Small Computer System Interface）機器、オーディオ機器、ドライブ装置、メモリカードリーダライタ、ネットワークインタフェースカード、無線ＬＡＮカード、モデムカード、キーボード、マウス及び表示装置が挙げられる。周辺機器と解析装置３０との間の通信は、有線通信又は無線通信のいずれでもよい。【００３８】
入力部３６としては、例えば、キーボード、マウス等のユーザからの指示要求が入力される入力装置が用いられる。【００３９】
表示部３７としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、液晶ディスプレイ等のユーザに情報を提示する表示装置が用いられる。【００４０】
そして、解析装置３０としては、例えば、デスクトップ型ＰＣ、ノートブック型ＰＣ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistance）、サーバ等を用いることができる。【００４１】
ここで、材料物性表３３２及び厚さ表３３３について説明する。図４は、材料物性表３３２のデータ構成の例を示す図であり、図５は、厚さ表３３３のデータ構成の例を示す図である。【００４２】
材料物性表３３２には、図４に示すように、「材料」及び「物性値リスト」の欄が設けられている。「材料」の欄には、解析対象物を構成する材料の名称が値又は記号に変換されて格納される。材料の名称としては、例えば、導体、複合材料及び空気が挙げられる。「物性値リスト」の欄には、「材料」の欄に格納された材料の物性値を連ねたものが値又は記号に変換されて格納される。物性値としては、例えば、弾性率、ポアソン比、粘弾性特性、熱膨張率、誘電率、透磁率、導電率、磁気抵抗及び密度が挙げられる。このような材料物性表３３２を参照することにより、「材料」が特定されれば、その物性値が得られる。【００４３】
厚さ表３３３には、図５に示すように、「位置情報」及び「厚さ」の欄が設けられている。「位置情報」の欄には、解析対象物の表面における点の位置を特定する情報として、２次元座標（図２のｘｙ座標）が格納される。「厚さ」の欄には、「位置情報」の欄に格納された位置における構造解析時の厚さ（図２のｚ軸方向の寸法）が、設計時における解析対象物の厚さを１００％とした百分率に換算されて格納される。例えば、設計段階における厚さが５ｍｍであり、厚さ表３３３において「厚さ」が８０％である場合、その点での厚さは、構造解析に使用される際に４ｍｍに修正される。「厚さ」を、割合に代えて長さとして指定してもよい。【００４４】
次に、解析装置３０の機能構成について説明する。図６は、解析装置３０の構成を示す機能ブロック図である。【００４５】
解析装置３０の制御部３１には、第１生成部３１１、第１算出部３１２、第２生成部３１３、第２算出部３１４、及び第３生成部３１５が含まれている。これらの各部は、本実施形態では、制御部３１のＣＰＵ及びこれが実行するプログラムから構成されているが、ハードウェアにより構成されていてもよい。【００４６】
第１生成部３１１は、回路基板１を下層部１１及び上層部１２の積層体に擬制し、上層部１２の熱膨張率α２として、予め実測しておいた回路基板１自体の熱膨張率を設定する。また、下層部１１の熱膨張率α１として、数６から求められる値を設定する。そして、下層部１１及び上層部１２の積層体を複数のグリッドデータに分割し、グリッドデータの位置と材料とを対応付けた要素分割データ３３４を生成する。この要素分割データ３３４は、図３に示すように、記憶部３３に記憶される。【００４７】
第１算出部３１２は、グリッドデータよりも大きな単位で解析対象物を分割するメッシュを複数定義し、算出する。【００４８】
第２生成部３１３は、要素分割データ３３４に基づいて有限要素３３５を生成する。【００４９】
第２算出部３１４は、構造解析ソルバー、流体解析ソルバー及び衝撃解析ソルバー等のソルバーを利用し、有限要素３３５に基づいて解析対象物に生じる物理量を算出し、解析結果を出力する。つまり、第２算出部３１４は、解析対象物の挙動のシミュレーションを行う。このシミュレーションは、例えば、ユーザにより設定された任意の温度範囲内におけるものである。また、第２算出部３１４は、第３生成部３１５により生成された積層シェルデータ３３６に基づいて構造解析を行うこともできる。【００５０】
第３生成部３１５は、有限要素３３５から、２次元座標が同一となるメッシュの厚さ方向に、同一の材料が連続する区間を特定することにより、その連続する材料と連続する材料の厚さとをメッシュの位置に対応付けた積層シェルデータ３３６を生成する。この積層シェルデータ３３６は、図３に示すように、記憶部３３に記憶される。【００５１】
次に、解析装置３０の動作について説明する。図７は、実施形態に係る解析装置３０の動作を示すフローチャートである。【００５２】
先ず、ユーザ等により、解析対象物の形状を特定するＣＡＤデータが解析装置３０に与えられる。また、回路基板１の温度変化による三次元的な変形の実測結果から求められた曲率半径の温度特性も解析装置３０に与えられる。その後、与えられたＣＡＤデータから、第１生成部３１１が回路基板を下層部１１及び上層部１２からなる積層体と擬制し、これらの熱膨張率α１及びα２を設定する（ステップＳ１）。【００５３】
更に、第１生成部３１１が、与えられたＣＡＤデータから解析対象物をグリッドデータに分割し、要素分割データ３３４を生成する（ステップＳ２）。そして、生成された要素分割データ３３４が記憶部３３に格納される。【００５４】
要素分割データ３３４が生成されると（ステップＳ２）、第１算出部３１２が、第１生成部３１１により分割されたグリッドデータよりも大きな単位で解析対象物を分割するメッシュを定義する（ステップＳ３）。このとき、第１算出部３１２は、先ず、グリッドデータに分割された解析対象物を層毎に分け、各層の２次元平面（図２のｘｙ座標）におけるレイアウトを把握する。次に、その２次元平面内において、１つのメッシュには１種類の「材料」のみが含まれるように、グリッドデータよりも大きなメッシュを定義する。【００５５】
次に、第２生成部３１３が、第１算出部３１２により定義されたメッシュを用いて要素分割データ３３４に基づいて有限要素３３５を生成する（ステップＳ４）。【００５６】
有限要素３３５が生成されると、第２算出部３１４が、厚さ表３３３を参照しながら厚さの修正を行う（ステップＳ５）。即ち、第２算出部３１４は、層毎の厚さとして、立法体７０の辺の長さに「厚さ」で特定される割合を掛けた数値を算出する。【００５７】
次に、第２算出部３１４は、有限要素３３５に基づいてソルバープログラム（剛性方程式の解法）を用いて、解析を行う（ステップＳ６）。このとき、第２算出部３１４は、ステップＳ５において厚さが修正されている場合には、修正後の厚さを反映させた有限要素３３５を用いる。ソルバープログラムとしては、例えば、構造解析ソルバー、流体解析ソルバー、及び衝撃解析ソルバーが挙げられ、解析対象物における熱伝導解析、熱応力解析、及び衝撃解析等が行われる。特に、本実施形態では、電子部品が実装される際にどのような応力が回路基板１、電子部品２、及びはんだバンプ３に生じるかという解析が行われる。【００５８】
本実施形態では、回路基板１を温度変化が生じれば反りが生じる構造体と擬制し、その反り量に実際の三次元的な変形の測定結果を反映させているので、極めて簡素な処理で高い精度の応力の解析を行うことができる。従って、回路基板１の配線パターンを起点にした回路基板１自体の反りの解析に加えて、電子部品２の実装構造を解析要素に加える方法と比較すると、構造解析の精度が高く、解析時間の大幅な短縮が可能となる。【００５９】
なお、構造解析に当たり、有限要素３３５の代わりに積層シェルデータ３３６を用いてもよい。この場合には、第３生成部３１５が、ステップＳ３とステップＳ４との間に、積層シェルデータ３３６を生成する。図８は、積層シェルデータ３３６を生成する方法を示すフローチャートである。【００６０】
第３生成部３１５は、先ず、有限要素３３５から２次元シェルモデルを作成する（ステップＳ５１）。２次元シェルモデルは、異なる層において、第１節点７１から第４節点７４までの２次元座標が同一の複数のメッシュを１つに集約したものを、ｚ座標の小さいものから並べたモデルである。つまり、ｘｙ平面に各層を射影したときに、重なり合う複数のメッシュを集約したモデルである。【００６１】
次に、第３生成部３１５は、２次元メッシュモデルに集約された各メッシュにおいて、厚さ方向（ｚ軸方向）において連続している材料を特定する（ステップＳ５２）。【００６２】
そして、第３生成部３１５は、各材料が何層分連続するかによって各材料の厚さを算出し、積層シェルデータ３３６を生成する（ステップＳ５３）。図９は、積層シェルデータ３３６のデータ構成の例を示す図である。【００６３】
図９の積層シェルデータ３３６には、「２次元メッシュＩＤ」、「第１節点」〜「第４節点」、及び「材料・厚さリスト」に関する情報が含まれている。【００６４】
「２次元メッシュＩＤ」は、２次元メッシュモデルにおいて、２次元座標が同一の複数のメッシュを１つに集約して得られたメッシュを特定するための識別子を示す。【００６５】
「第１節点」〜「第４節点」は、「２次元メッシュＩＤ」の欄に示された識別子により特定されるメッシュの各頂点を特定する２次元座標を示す。【００６６】
「材料・厚さリスト」は、厚さ方向に連続している材料の名称とその厚さとを対にしたリストを示す。厚さは、実際の長さでも、連続する層の数でもよい。後者の場合、グリッドデータである立法体７０の辺の長さが分かれば、実際の長さに換算することができる。【００６７】
なお、構造解析の際に積層シェルデータ３３６を使用する場合には、ステップＳ５において、第２算出部３１４は、メッシュを構成する材料毎の厚さとして、当該材料に対応する「材料・厚さリスト」内の厚さに、当該メッシュの中央における「厚さ」（図５の厚さ表３３３参照）の割合を乗算する。例えば、図９の「２次元メッシュＩＤ」が「１」であるメッシュについては、当該メッシュの中央における「厚さ」が８０％と設定されている場合、第２算出部３１４は、材料「Ｍ１」に対応する厚さ「Ｔ１１」に０．８を乗じて得られた値を、材料「Ｍ１」の厚さとする。同様に、「２次元メッシュＩＤ」が「１」であるメッシュに含まれる他の材料「Ｍ２」及び「Ｍ３」に対しても、厚さ「Ｔ１２」、「Ｔ１３」に０．８を乗じて得られた値を、材料「Ｍ２」及び「Ｍ３」の厚さとする。【００６８】
次に、本願発明者等が実際に行った構造解析の内容及び結果について説明する。図１０Ａは、解析対象物を示す平面図であり、図１０Ｂは、図１０Ａ中のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。【００６９】
この解析では、図１０Ａ及び図１０Ｂに示す解析対象物を用いた。この解析対象物においては、回路基板１０１上に電子部品１０２がはんだバンプ１０３を介して実装される。回路基板１０１の平面形状は一辺が１５０ｍｍの正方形であり、その厚さは３ｍｍである。また、電子部品１０２の平面形状は一辺が５０ｍｍの正方形であり、その厚さは１ｍｍである。【００７０】
そして、解析装置３０を用いて、種々の実装温度における電子部品１０２の４隅に対応するはんだバンプ１０３に作用する実装応力を解析した。この解析では、市販構造解析ソフトウエア（ＡＢＡＱＵＡＳ）を用いて所定温度における応力の解析を行った。また、回路基板１０１を単一の物体からなるとみなす従来技術によっても同様の解析を行った。これらの結果を図１１に示す。【００７１】
図１１に示すように、従来技術と比較すると、実施形態において実装応力が大きくなるという結果が得られた。このことから、実施形態では、温度変化に応じた回路基板１０１の三次元的な変形が考慮され、その影響による応力が加算され、より実際の現象に近い、高精度の構造解析が行われたといえる。【００７２】
なお、上述の実施形態では、下層部１１及び上層部１２の熱膨張率が一定であるとしているが、熱膨張率に温度依存性があってもよい。また、回路基板と電子部品との接続に用いられるバンプははんだバンプに限定されない。【００７３】
また、回路基板１の構造を３層以上の積層体と擬制してもよい。更に、回路基板１の構造を積層体と擬制するのではなく、ある物体が他の物体に埋め込まれたような構造と擬制してもよい。但し、複雑な構造と擬制すれば、その分だけ計算量が増加するため、できるだけ簡素な構造と擬制することが好ましい。また、回路基板１を構成するものと擬制する物体の少なくとも１つとして、回路基板１を実際に構成する物体とは異なるものを用いることが好ましい。全てを、回路基板１を実際に構成する物体と同一のものとすると、擬制により得られる構造が回路基板１の実際の構造と同一又は類似したものとなり、計算量を低減することが困難となるからである。【００７４】
なお、本発明の実施形態は、例えばコンピュータがプログラムを実行することによって実現することができる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したＣＤ−ＲＯＭ等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記の印刷処理用のプログラムも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
これらの解析装置等によれば、回路基板を互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制しているので、温度変化に伴う三次元的な変形を考慮して、高い精度の解析を行うことができる。また、この擬制により得られる構造は簡素なものとなるため、計算量の増加を抑制することができる。
【図１Ａ】
2010067415.tif 000009
【図１Ｂ】
2010067415.tif 000010
【図１Ｃ】
2010067415.tif 000011
【図２Ａ】
2010067415.tif 000012
【図２Ｂ】
2010067415.tif 000013
【図３】
2010067415.tif 000014
【図４】
2010067415.tif 000015
【図５】
2010067415.tif 000016
【図６】
2010067415.tif 000017
【図７】
2010067415.tif 000018
【図８】
2010067415.tif 000019
【図９】
2010067415.tif 000020
【図１０Ａ】
2010067415.tif 000021
【図１０Ｂ】
2010067415.tif 000022
【図１１】
2010067415.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月24日(2011.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制手段と、
前記擬制手段による擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーション手段と、
を有することを特徴とする解析装置。
【請求項２】
前記擬制手段は、前記２つの物体の少なくとも一方が前記回路基板を実際に構成する物体とは異なる物体であると擬制することを特徴とする請求項１に記載の解析装置。
【請求項３】
前記擬制手段は、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする請求項１に記載の解析装置。
【請求項４】
前記擬制手段は、前記２つの層の厚さが互いに等しいと擬制することを特徴とする請求項３に記載の解析装置。
【請求項５】
前記擬制手段は、前記２つの物体の弾性率が前記回路基板の弾性率と等しいと擬制することを特徴とする請求項１に記載の解析装置。
【請求項６】
前記擬制手段は、前記電子部品が実装される部分を含む物体の熱膨張率が前記回路基板の熱膨張率と等しいと擬制することを特徴とする請求項１に記載の解析装置。
【請求項７】
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制ステップと、
前記擬制ステップにおける擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーションステップと、
を有することを特徴とする解析方法。
【請求項８】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする請求項７に記載の解析方法。
【請求項９】
コンピュータに、
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制ステップと、
前記擬制ステップにおける擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーションステップと、
を実行させることを特徴とする解析プログラム。
【請求項１０】
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする請求項９に記載の解析プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
なお、本発明の実施形態は、例えばコンピュータがプログラムを実行することによって実現することができる。また、プログラムをコンピュータに供給するための手段、例えばかかるプログラムを記録したＣＤ−ＲＯＭ等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体又はかかるプログラムを伝送するインターネット等の伝送媒体も本発明の実施形態として適用することができる。また、上記の印刷処理用のプログラムも本発明の実施形態として適用することができる。上記のプログラム、記録媒体、伝送媒体及びプログラムプロダクトは、本発明の範疇に含まれる。
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
（付記１）
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制手段と、
前記擬制手段による擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーション手段と、
を有することを特徴とする解析装置。
（付記２）
前記擬制手段は、前記２つの物体の少なくとも一方が前記回路基板を実際に構成する物体とは異なる物体であると擬制することを特徴とする付記１に記載の解析装置。
（付記３）
前記擬制手段は、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする付記１に記載の解析装置。
（付記４）
前記擬制手段は、前記２つの層の厚さが互いに等しいと擬制することを特徴とする付記３に記載の解析装置。
（付記５）
前記擬制手段は、前記２つの物体の弾性率が前記回路基板の弾性率と等しいと擬制することを特徴とする付記１に記載の解析装置。
（付記６）
前記擬制手段は、前記電子部品が実装される部分を含む物体の熱膨張率が前記回路基板の熱膨張率と等しいと擬制することを特徴とする付記１に記載の解析装置。
（付記７）
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制ステップと、
前記擬制ステップにおける擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーションステップと、
を有することを特徴とする解析方法。
（付記８）
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体の少なくとも一方が前記回路基板を実際に構成する物体とは異なる物体であると擬制することを特徴とする付記７に記載の解析方法。
（付記９）
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする付記７に記載の解析方法。
（付記１０）
前記擬制ステップにおいて、前記２つの層の厚さが互いに等しいと擬制することを特徴とする付記９に記載の解析方法。
（付記１１）
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体の弾性率が前記回路基板の弾性率と等しいと擬制することを特徴とする付記７に記載の解析方法。
（付記１２）
前記擬制ステップにおいて、前記電子部品が実装される部分を含む物体の熱膨張率が前記回路基板の熱膨張率と等しいと擬制することを特徴とする付記７に記載の解析方法。
（付記１３）
コンピュータに、
回路基板の構造を、互いに熱膨張率が異なる２つの物体を含むものと擬制する擬制ステップと、
前記擬制ステップにおける擬制の結果を用いて、電子部品を前記回路基板に実装する際の実装応力のシミュレーションを行うシミュレーションステップと、
を実行させることを特徴とする解析プログラム。
（付記１４）
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体の少なくとも一方が前記回路基板を実際に構成する物体とは異なる物体であると擬制することを特徴とする付記１３に記載の解析プログラム。
（付記１５）
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体が２つの層であると擬制することを特徴とする付記１３に記載の解析プログラム。
（付記１６）
前記擬制ステップにおいて、前記２つの層の厚さが互いに等しいと擬制することを特徴とする付記１５に記載の解析プログラム。
（付記１７）
前記擬制ステップにおいて、前記２つの物体の弾性率が前記回路基板の弾性率と等しいと擬制することを特徴とする付記１３に記載の解析プログラム。
（付記１８）
前記擬制ステップにおいて、前記電子部品が実装される部分を含む物体の熱膨張率が前記回路基板の熱膨張率と等しいと擬制することを特徴とする付記１３に記載の解析プログラム。
【国際調査報告】
2010067415.tif 000024
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