【事件の表示】
　特許第２９５１４７８号「ウェーハを冷却する方法及び装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５１４７８号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２９５１４７８号（以下、「本件特許」という。）は、平成４年５月１４日（パリ条約による優先権主張１９９１年５月１５日、米国（ＵＳ））の特許出願に係り、平成１１年７月９日にその請求項１ないし４に係る発明について特許権の設定登録がなされたものであり、その後、平成１２年３月２１日に特許異議申立人・柴崎喜江より、全請求項に係る発明の特許に対して特許異議の申立てがあったので、当審において当該申立ての理由を検討の上、平成１２年６月２２日付けで全請求項に係る発明の特許について特許取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内に期間延長請求書が提出された後、平成１３年１月９日に特許異議意見書と共に訂正請求書が提出されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の要旨
　上記訂正請求は、願書に添付した明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものであるが、その訂正の要旨は、次の訂正事項ａないしｅのとおりのものと認める。
《訂正事項ａ》
　明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載について、「ウェーハが滑るのを防止するすことを特徴とする」とあるのを、「ウェーハが滑るのを防止することを特徴とする」と訂正する。
《訂正事項ｂ》
　明細書の特許請求の範囲の請求項２の記載について、「前記ウェーハ支持面にウェーハの周辺を越えて延びる溝手段を備え、」とあるのを、「前記ウェーハ支持面にウェーハの周辺を超えて延びる、５．０ｍｍ間隔の溝手段を備え、」と訂正する。
《訂正事項ｃ》
　明細書の特許請求の範囲の請求項４の記載について、「前記ウェーハの底面に接触るするために、」とあるのを、「前記ウェーハの底面に接触するために、」と訂正する。
《訂正事項ｄ》
　明細書の特許請求の範囲の請求項４の記載について、「それにより前記ウェハが」とあるのを、「それにより前記ウェーハが」と訂正する。
《訂正事項ｅ》
　明細書の段落【００２１】の記載について、「幅が約０．０４０インチ、深さが０．０３０インチで、０．２００インチ離間している。」とあるのを、「幅が約０．０４０インチ（０．１ｍｍ）、深さが０．０３０インチ（０．７６ｍｍ）で、０．２００インチ（５．０ｍｍ）離間している。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものでもない。
　また、上記訂正事項ｂは、願書に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「溝手段」の間隔について「５．０ｍｍ間隔の」と限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書の段落【００２１】には、「図４の溝６２は、・・・０．２００インチ離間している。」と記載されているから、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものでもない。
　更に、上記訂正事項ｃ及び訂正事項ｄは、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものでもない。
　そして、上記訂正事項ｅは、願書に添付した明細書の段落【００２１】の記載において、長さの単位としてインチを用いて記載したものを、ミリメートル（ｍｍ）に換算して括弧書きで付加するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、また、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものでもない。
２−３．訂正の認容
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項第１号ないし第３号に規定される事項を目的とするものであって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
３−１．本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件特許の請求項１ないし４に係る発明は、上記訂正請求書に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】　ウェーハ用の冷却装置であって、
　チャンバと、
　チャンバ内で露出された実質的に平らなウェーハ支持面を有するペデスタルであって、前記ウェーハが前記支持面に降下されたとき、支持面に前記ウェーハの周辺を越えて延びる溝を有するペデスタルと、
　前記チャンバ内で、前記ウェーハ支持面に向かってウェーハ支持面上部に位置する前記ウェーハを降下するための機構を備え、
　それにより前記ウェーハが前記支持面に降下されるに従って、前記ウェーハと前記支持面間のガスが前記溝をとおして逃げ、ウェーハが滑るのを防止することを特徴とする冷却装置。
　　【請求項２】　ウェーハ用の滑り防止装置において、
　実質的に平らなウェーハ支持面を有する本体であって、前記本体は、前記ウェーハ支持面にウェーハの周辺を超えて延びる、５．０ｍｍ間隔の溝手段を備え、
　前記ウェーハ支持面の上方に位置したウェーハが前記支持面に向かって降下されるに従って、ウェーハと前記ウェーハ支持面間の流体が少なくとも部分的に前記溝をとおって流れ出るようになっていることを特徴とする装置。
　　【請求項３】　ガス状環境において、ペデスタル上でウェーハが滑るのを防止する方法であって、
　前記ぺデスタルの実質的に平らで、溝のある面の上方にウェーハを位置するステップと、
　前記ウェーハの底面に接触するために、前記ペデスタルの面を通して複数のピンを延ばすステップと、
　前記ぺデスタル面に向かって前記ウェーハを降下させ、且つ前記ウェーハとペデスタル間にあるガスを前記溝に強制的に流入させ、溝を通してガスを逃がすように前記複数のピンを前記ペデスタルに向かって降下するステップ、
を有することを特徴とする方法。
　　【請求項４】　ガス状環境において、ウェーハを冷却する方法であって、
　実質的に平らで、溝のある面を有するペデスタルを設けるステップと、
　前記ペデスタルの面の上方に位置した前記ウェーハの底面に接触するために、前記平らで、溝のあるペデスタル面を通して複数のピンを延ばすステップと、
　前記ウェーハとペデスタル間のガスを前記溝に強制的に流入させ、溝を通してガスを逃すように前記複数のピンを前記ぺデスタル面に向かって降下するステップを備え、
　それにより前記ウェーハが前記ペデスタル面上で滑ることを防止し、前記ウェーハを冷却することを特徴とする方法。」
３−２．引用刊行物とその記載事項の概要
　当審が通知した上記特許取消理由において引用した刊行物１（特開昭５９−７２１２７号公報（特許異議申立人が提出した甲第１号証））には、気相成長用溝切り熱板に関して、図面第１図ないし第４図と共に、次の事項が記載されている。
（１）発明の技術的背景として、「従来、シリコン等からなるウェハの表面に所定の薄膜を形成するために、例えば第１図に示す気相成長装置１が使用されている。すなわち、気相成長装置１の移送ベルト２上に載置された熱板３を、熱板温度コントローラ１ａを調節して所定温度に加熱する。次いで、所定温度に加熱した熱板３上に、被処理体であるウェハ４を載置する。次いで、熱板移動速度コントローラ１ｂにより移送ベルト２を駆動し、熱板３を混合ガスノズル５の下方に供給する。この状態で流量計１ｃを見ながらガス流量制御器１ｄを調節し、所定の流量で各種の反応ガスを混合ガスノズル５から各々のウェハ４に吹き付けて、気相成長により薄膜形成を行う。」（第１頁左下欄第１２行〜右下欄第５行）
（２）背景技術の問題点として、「このような気相成長装置１に使用される熱板３は、第２図に示す如く、平板状のものであるため熱板３上にウェハ４を載置する際に、膨張した空気がウェハ４と熱板３に侵入し、ウェハ４が熱板３上を滑る。」（第１頁右下欄第７行〜第１１行）
（３）発明の目的として、「本発明は、ウェハを設置する際の滑りを防止して一回の操作でウェハの設置を確実に行い、・・・（中略）・・・気相成長用溝切り熱板を提供することをその目的とするものである。」（第２頁左上欄第２行〜第７行）
（４）発明の実施例として、「この気相成長用溝切り熱板２０は、平板状の基体２１の表面に、略格子状にガス逃げ溝２２を形成したものである。ガス逃げ溝２２は、この熱板２０上に載置されたウェハ２３と熱板２０間に介在されたガスを速やかに逃がすように、２本のガス逃げ溝２２をウェハ２３の直径よりも小さい間隔Ｌ１で並列し、これを縦・横両方向に交叉するように形成されている。つまり、この狭幅Ｌ１に並列されたガス逃げ溝２２の４本の交叉部上にウェハ２３を載置するようになっている。従って、ウェハ２３の直下のガス逃げ溝２２と、そのウェハ２３に隣接するウェハ２３’の直下のガス逃げ溝２２との間隔Ｌ２は、大きく設定されている。１本のガス逃げ溝２２の溝幅Ｄ１及び溝深さＤ２は、気相成長に使用するガスの種類、ウェハ２３の大きさ等に応じて所定の値に設定されている。ガス逃げ溝２２のこれらの寸法Ｌ１，Ｌ２，Ｄ１，Ｄ２としては、例えばＬ１＝３０ｍｍ，Ｌ２＝５５ｍｍ，Ｄ１＝２ｍｍ，Ｄ２＝１ｍｍに設定するのが望ましい。・・・（中略）・・・
　このように構成された気相成長用溝切り熱板２０によれば、ウェハ２３，２３’を載置する領域にガス逃げ溝２２が形成されているので、ウェハ２３，２３’と熱板２０間に存在する反応ガスをガス逃げ溝２２から速やかに逃がし、ウェハ２３，２３’の滑りを防止して一回の操作で所定位置にウェハ２３，２３’を確実に載置することができる」（第２頁左上欄第１８行〜左下欄第１０行）
３−３．対比・判断
３−３−１．本件特許の請求項１に係る発明について
　本件特許の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者それぞれの構成要件の対応関係は、次のとおりである。
　刊行物１に記載された発明は、「気相成長用溝切り熱板」に関するものであって、当該刊行物１記載の「ウェハ２３，２３’」は、本件特許の請求項１に係る発明の「ウェーハ」に相当する。また、当該刊行物１に記載の装置は、「ウェハ２３，２３’」を熱板上に載置して気相成長させる処理を行うものであるから、「ウェーハ用の処理装置」といえるものである。
　また、気相成長させる処理は、所定の区画された空間内で行われるものであるから、明示はないものの、刊行物１に記載の処理装置も、本件特許の請求項１に係る発明の「チャンバ」に相当する部材を具備することは自明である。
　更に、刊行物１記載の発明の「気相成長用溝切り熱板２０」は、「平板状の基体２１の表面」に、略格子状の「ガス逃げ溝２２」を形成したものであり、上記摘記事項（４）及び図面第３図、第４図の記載からみて、当該「平板状の基体２１の表面」が実質的に平らなウェハ２３，２３’支持面であること、及び、当該「ガス逃げ溝２２」が、ウェハ２３，２３’の周辺を越えて延びる溝であることは明らかであるから、刊行物１記載の発明の「気相成長用溝切り熱板２０」、「ガス逃げ溝２２」は、それぞれ、本件特許の請求項１に係る発明の「ペデスタル」、「溝」に相当し、それらによって「ウェーハが支持面に降下されるに従って、前記ウェーハと前記支持面間のガスが溝をとおして逃げ、ウェーハが滑るのを防止」する。
　そして、刊行物１記載の装置は、気相成長用溝切り熱板２０上に「ウェハ２３，２３’を載置」するものであるから、当該装置のために、ウェハ２３，２３’を降下するための手段を備えていることは明らかである。
　よって、本件特許の請求項１に係る発明と刊行物１に記載された発明とは、
　「ウェーハ用の処理装置であって、
　チャンバと、
　チャンバ内で露出された実質的に平らなウェーハ支持面を有するペデスタルであって、前記ウェーハが前記支持面に降下されたとき、支持面に前記ウェーハの周辺を越えて延びる溝を有するペデスタルと、
　前記ウェーハを降下するための手段を備え、
　それにより前記ウェーハが前記支持面に降下されるに従って、前記ウェーハと前記支持面間のガスが前記溝をとおして逃げ、ウェーハが滑るのを防止する装置」である点で一致し、次の２点で相違している。
　
《相違点１》
　ウェーハ用の処理装置が、本件特許の請求項１に係る発明では、冷却装置であるのに対して、刊行物１に記載された発明では、ウェーハを冷却することについて言及がない点。
《相違点２》
　ウェーハを降下するための手段が、本件特許の請求項１に係る発明では、チャンバ内で、ウェーハ支持面に向かってウェーハ支持面上部に位置するウェーハを降下するための機構であるのに対して、刊行物１に記載された発明では、どのような手段であるのかについて具体的な言及がない点。
　
　そこで、上記各相違点について以下で検討する。
《相違点１》について
　ウェーハ処理システムを構成する一つの部材として、ウェーハ用の冷却装置を備えることは、従来周知の事項である（例えば、特開平３−５４８４４号公報の第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第６行及び図面第１図に記載の冷却ステーション１０４、特開昭６２−１４５８３２号公報の第３頁左上欄第５行〜第１０行及び図面第１図に記載の冷却ステージ２、参照）。
　そして、ウェーハ処理の種類にかかわらず、ガス状環境においてウェーハをペデスタル上に載置する際に、ウェーハが滑るのを防止して、ウェーハをペデスタル上の所定位置に載置するようにすることは、共通の技術課題といえるから、刊行物１に記載のウェーハ載置時の滑り防止手段をウェーハ用の冷却装置に用いることは、当業者であれば、容易に想到できたことである。
《相違点２》について
　ウェーハを降下するための手段として、チャンバ内で、ウェーハ支持面に向かってウェーハ支持面上部に位置するウェーハを降下するための機構を用いることは、従来周知の事項である（例えば、実願昭６３−１５８２０４号（実開平２−７９０２７号）のマイクロフィルムの明細書第８頁第１５行〜第９頁第５行及び図面第１図ないし第４図に記載の支持ピン３６、特開昭６３−１７９５２５号公報の第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第１行、第３頁左上欄第１３行〜第２０行及び図面第１図に記載のリストピン１７、参照）。
　そして、上記相違点２における本件特許の請求項１に係る発明の構成は、ウェーハを降下するための手段として、上記周知の事項を明示したものにすぎない。
　
　また、本件特許の請求項１に係る発明が奏する作用効果も、刊行物１に記載された発明及び上記各周知の事項から予測される程度以上のものでもない。
　
　したがって、本件特許の請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び上記各周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本件特許の請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に基いて、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
３−３−２．本件特許の請求項２に係る発明について
　本件特許の請求項２に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者それぞれの構成要件の対応関係は、次のとおりである。
　刊行物１記載の発明の「気相成長用溝切り熱板２０」は、ウェハ２３，２３’の滑りを防止するものであるから、本件特許の請求項１に係る発明の「ウェーハ用の滑り防止装置」に相当する。
　また、刊行物１記載の発明の「気相成長用溝切り熱板２０」は、「平板状の基体２１の表面」に、略格子状の「ガス逃げ溝２２」を形成したものであり、上記摘記事項（４）及び図面第３図、第４図の記載からみて、当該「平板状の基体２１の表面」が実質的に平らなウェハ２３，２３’支持面であること、及び、当該「ガス逃げ溝２２」が、ウェハ２３，２３’の周辺を超えて延びる溝であることは明らかであるから、刊行物１記載の発明の「気相成長用溝切り熱板２０」、「ガス逃げ溝２２」は、それぞれ、本件特許の請求項２に係る発明の「本体」、「溝手段」に相当する。
　更に、刊行物１には、上記摘記事項（４）のとおり、「ウェハ２３，２３’を載置する際に、ウェハ２３，２３’と熱板２０間に存在する反応ガスを、ガス逃げ溝２２から速やかに逃がし、ウェハ２３，２３’の滑りを防止する」ことが記載されており、当該記載事項は、本件特許の請求項２に係る発明の「ウェーハ支持面の上方に位置したウェーハが前記支持面に向かって降下されるに従って、ウェーハと前記ウェーハ支持面間の流体が少なくとも部分的に溝をとおって流れ出るようになっている」ことに実質的に相当する。
　よって、本件特許の請求項２に係る発明と刊行物１に記載された発明とは、
　「ウェーハ用の滑り防止装置において、
　実質的に平らなウェーハ支持面を有する本体であって、前記本体は、前記ウェーハ支持面にウェーハの周辺を超えて延びる溝手段を備え、
　前記ウェーハ支持面の上方に位置したウェーハが前記支持面に向かって降下されるに従って、ウェーハと前記ウェーハ支持面間の流体が少なくとも部分的に前記溝をとおって流れ出るようになっている装置」である点で一致し、次の点で一応相違している。
　
《相違点３》
　溝手段の間隔が、本件特許の請求項２に係る発明では、５．０ｍｍ間隔であるのに対して、刊行物１には、２本のガス逃げ溝２２の間隔の寸法Ｌ１としては、例えばＬ１＝３０ｍｍに設定するのが望ましい旨（上記摘記事項（４）、参照）記載されている点。
　
　そこで、上記一応相違するとした点について検討すると、溝手段の間隔が、５．０ｍｍ間隔であっても、３０ｍｍ間隔であっても、ウェーハの直径よりも小さいものであれば、ウェーハを本体上に載置する際に、流体が当該溝をとおって流れ出ることに変わりはなく、また、溝手段の間隔をどのようにするかは、通常の設計事項であるから、本件特許の請求項２に係る発明において、溝手段の間隔を５．０ｍｍとしたことによる上記一応の相違点３は、単なる数値限定の相違であって、実質的な相違とはいえないものである。
　
　よって、本件特許の請求項２に係る発明は、刊行物１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するから、本件特許の請求項２に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
３−３−３．本件特許の請求項３に係る発明について
　本件特許の請求項３に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者それぞれの構成要件の対応関係は、次のとおりである。
　刊行物１記載の発明の「気相成長用溝切り熱板２０」、「ウェハ２３，２３’」は、それぞれ、本件特許の請求項３に係る発明の「ペデスタル」、「ウェーハ」に相当し、刊行物１に記載のものは、気相成長用溝切り熱板２０上でウェハ２３，２３’が滑るのを防止するものであるが、ウェハ２３，２３’等がガス状環境になければ、「ウェハ２３，２３’を載置する際に、ウェハ２３，２３’と熱板２０間に存在する反応ガスを、ガス逃げ溝２２から速やかに逃がし、ウェハ２３，２３’の滑りを防止する」（上記摘記事項（４）、参照）必要がないことは明らかであるから、刊行物１には、本件特許の請求項３に係る発明の「ガス状環境において、ペデスタル上でウェーハが滑るのを防止する方法」に実質的に相当する事項が記載されている。
　また、刊行物１記載の発明の「気相成長用溝切り熱板２０」は、「平板状の基体２１の表面」に、略格子状の「ガス逃げ溝２２」を形成したものであり、当該「気相成長用溝切り熱板２０」の実質的に平らで、「ガス逃げ溝２２」ある「基体２１の表面」に「ウェハ２３，２３’」を載置するものであるから、上記基体２１の表面の上方にウェハ２３，２３’を位置するステップを有することは明らかである。
　更に、刊行物１には、上記摘記事項（４）のとおり、「ウェハ２３，２３’を載置する際に、ウェハ２３，２３’と熱板２０間に存在する反応ガスを、ガス逃げ溝２２から速やかに逃がし、ウェハ２３，２３’の滑りを防止する」ことが記載されており、当該記載事項は、本件特許の請求項３に係る発明の「ぺデスタル面に向かってウェーハを降下させ、且つ前記ウェーハとペデスタル間にあるガスを溝に強制的に流入させ、溝を通してガスを逃がすステップ」に実質的に相当する。
　よって、本件特許の請求項３に係る発明と刊行物１に記載された発明とは、
　「ガス状環境において、ペデスタル上でウェーハが滑るのを防止する方法であって、
　前記ぺデスタルの実質的に平らで、溝のある面の上方にウェーハを位置するステップと、
　前記ぺデスタル面に向かって前記ウェーハを降下させ、且つ前記ウェーハとペデスタル間にあるガスを前記溝に強制的に流入させ、溝を通してガスを逃がすステップ、
を有する方法」である点で一致し、次の点で相違している。
　
《相違点４》
　ウェーハをペデスタルに載置するステップに関して、本件特許の請求項３に係る発明では、複数のピンを用いて、「ウェーハの底面に接触するために、ペデスタルの面を通して複数のピンを延ばすステップ」と「複数のピンをペデスタルに向かって降下するステップ」とを有するのに対して、刊行物１に記載された発明では、複数のピンを用いた上記各ステップについて具体的な言及がない点。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、ウェーハをペデスタルに載置する際に、複数のピンを用いて、「ウェーハの底面に接触するために、ペデスタルの面を通して複数のピンを延ばすステップ」と「複数のピンをペデスタルに向かって降下するステップ」とを有することは、従来周知の事項である（例えば、実願昭６３−１５８２０４号（実開平２−７９０２７号）のマイクロフィルムの明細書第８頁第１５行〜第９頁第５行、特開昭６３−１７９５２５号公報の第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第１行及び第３頁左上欄第１３行〜第２０行、参照）。
　そして、刊行物１に記載された発明における、ウェハ２３，２３’を気相成長用溝切り熱板２０に載置するに際して、上記周知の事項を採用することを妨げる特段の事情も見あたらないから、上記相違点４における本件特許の請求項３に係る発明の構成は、上記周知の事項を採用することによって、当業者であれば、容易に想到できたことである。
　
　また、本件特許の請求項３に係る発明が奏する作用効果も、刊行物１に記載された発明及び上記周知の事項から予測される程度以上のものでもない。
　
　したがって、本件特許の請求項３に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び上記周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本件特許の請求項３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に基いて、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
３−３−４．本件特許の請求項４に係る発明について
　本件特許の請求項４に係る発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者それぞれの構成要件の対応関係は、次のとおりである。
　上記「３−３−３．本件特許の請求項３に係る発明について」で説示したとおり、刊行物１に記載のものは、ガス状環境におけるものであることは明らかであり、また、刊行物１に記載のものは、「ウェハ２３，２３’」を熱板上に載置して気相成長させる処理を行うものであり、本件特許の請求項４に係る発明とは、「ウェーハを処理する方法」である点で一致しているといえる。
　また、刊行物１記載の発明の「気相成長用溝切り熱板２０」は、「平板状の基体２１の表面」に、略格子状の「ガス逃げ溝２２」を形成したものであり、刊行物１には、本件特許の請求項４に係る発明の「実質的に平らで、溝のある面を有するペデスタルを設けるステップ」に相当する事項が記載されている。
　更に、刊行物１には、上記摘記事項（４）のとおり、「ウェハ２３，２３’を載置する際に、ウェハ２３，２３’と熱板２０間に存在する反応ガスを、ガス逃げ溝２２から速やかに逃がし、ウェハ２３，２３’の滑りを防止する」ことが記載されており、当該記載事項は、本件特許の請求項４に係る発明の「ウェーハとペデスタル間のガスを溝に強制的に流入させ、溝を通してガスを逃すステップ」及び「ウェーハがペデスタル面上で滑ることを防止」することに実質的に相当する。
　よって、本件特許の請求項４に係る発明と刊行物１に記載された発明とは、
　「ガス状環境において、ウェーハを処理する方法であって、
　実質的に平らで、溝のある面を有するペデスタルを設けるステップと、
　前記ウェーハとペデスタル間のガスを前記溝に強制的に流入させ、溝を通してガスを逃すステップを備え、
　それにより前記ウェーハが前記ペデスタル面上で滑ることを防止し、前記ウェーハを処理する方法」である点で一致し、次の２点で相違している。
　
《相違点５》
　ウェーハを処理する方法が、本件特許の請求項４に係る発明では、冷却する方法であるのに対して、刊行物１に記載された発明では、冷却することについて言及がない点。
《相違点６》
　ウェーハをペデスタルに載置するステップに関して、本件特許の請求項４に係る発明では、複数のピンを用いて、「ペデスタルの面の上方に位置したウェーハの底面に接触するために、平らで、溝のあるペデスタル面を通して複数のピンを延ばすステップ」と「複数のピンをぺデスタル面に向かって降下するステップ」とを備えるのに対して、刊行物１に記載された発明では、複数のピンを用いた上記各ステップについて具体的な言及がない点。
　
　そこで、上記各相違点について以下で検討する。
《相違点５》について
　ウェーハ処理システムにおいてウェーハ用の冷却装置を備えて、ウェーハを冷却することは、従来周知の事項である（例えば、特開平３−５４８４４号公報の第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第６行、特開昭６２−１４５８３２号公報の第３頁左上欄第５行〜第１０行、参照）。
　そして、ウェーハ処理の種類にかかわらず、ガス状環境においてウェーハをペデスタル上に載置する際に、ウェーハが滑るのを防止して、ウェーハをペデスタル上の所定位置に載置するようにすることは、共通の技術課題といえるから、刊行物１に記載のウェーハ載置時の滑り防止手段をウェーハを冷却する方法に用いることは、当業者であれば、容易に想到できたことである。
《相違点６》について
　ウェーハをペデスタルに載置する際に、複数のピンを用いて、「ペデスタルの面の上方に位置したウェーハの底面に接触するために、平らなペデスタル面を通して複数のピンを延ばすステップ」と「複数のピンをぺデスタル面に向かって降下するステップ」とを備えることは、従来周知の事項である（例えば、実願昭６３−１５８２０４号（実開平２−７９０２７号）のマイクロフィルムの明細書第８頁第１５行〜第９頁第５行、特開昭６３−１７９５２５号公報の第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第１行及び第３頁左上欄第１３行〜第２０行、参照）。
　そして、刊行物１に記載された発明における、ウェハ２３，２３’を気相成長用溝切り熱板２０に載置するに際して、上記周知の事項を採用することを妨げる特段の事情も見あたらないから、上記相違点６における本件特許の請求項４に係る発明の構成は、上記周知の事項を採用することによって、当業者であれば、容易に想到できたことである。
　
　また、本件特許の請求項４に係る発明が奏する作用効果も、刊行物１に記載された発明及び上記各周知の事項から予測される程度以上のものでもない。
　
　したがって、本件特許の請求項４に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び上記各周知の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、本件特許の請求項４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に基いて、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものである。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許の請求項１ないし４に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるので、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により適用される特許法第１１４条第２項の規定により、取り消すべきである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月１７日（２００１．７．１７）
【訂正の要旨】
（訂正の要旨）
《訂正事項ａ》
　明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載について、「ウェーハが滑るのを防止するすことを特徴とする」とあるのを、誤記の訂正を目的として、「ウェーハが滑るのを防止することを特徴とする」と訂正する。
《訂正事項ｂ》
　明細書の特許請求の範囲の請求項２の記載について、「前記ウェーハ支持面にウェーハの周辺を越えて延びる溝手段を備え、」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記ウェーハ支持面にウェーハの周辺を超えて延びる、５．０ｍｍ間隔の溝手段を備え、」と訂正する。
《訂正事項ｃ》
　明細書の特許請求の範囲の請求項４の記載について、「前記ウェーハの底面に接触るするために、」とあるのを、誤記の訂正を目的として、「前記ウェーハの底面に接触するために、」と訂正する。
《訂正事項ｄ》
　明細書の特許請求の範囲の請求項４の記載について、「それにより前記ウェハが」とあるのを、誤記の訂正を目的として、「それにより前記ウェーハが」と訂正する。
《訂正事項ｅ》
　明細書の段落【００２１】の記載について、「幅が約０．０４０インチ、深さが０．０３０インチで、０．２００インチ離間している。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として、「幅が約０．０４０インチ（０．１ｍｍ）、深さが０．０３０インチ（０．７６ｍｍ）で、０．２００インチ（５．０ｍｍ）離間している。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ウェーハを冷却する方法及び装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ウェーハ用の冷却装置であって、
　チャンバと、
　チャンバ内で露出された実質的に平らなウェーハ支持面を有するペデスタルであって、前記ウェーハが前記支持面に降下されたとき、支持面に前記ウェーハの周辺を越えて延びる溝を有するペデスタルと、
　前記チャンバ内で、前記ウェーハ支持面に向かってウェーハ支持面上部に位置する前記ウェーハを降下するための機構を備え、
　それにより前記ウェーハが前記支持面に降下されるに従って、前記ウェーハと前記支持面間のガスが前記溝をとおして逃げ、
ウェーハが滑るのを防止することを特徴とする
　【請求項２】　ウェーハ用の滑り防止装置において、
　実質的に平らなウェーハ支持面を有する本体であって、前記本体は、前記ウェーハ支持面にウェーハの周辺を超えて延びる
、５．０ｍｍ間隔の
　前記ウェーハ支持面の上方に位置したウェーハが前記支持面に向かって降下されるに従って、ウェーハと前記ウェーハ支持面間の流体が少なくとも部分的に前記溝をとおって流れ出るようになっていることを特徴とする装置。
　【請求項３】　ガス状環境において、ペデスタル上でウェーハが滑るのを防止する方法であって、
　前記ペデスタルの実質的に平らで、溝のある面の上方にウェーハを位置するステップと、
　前記ウェーハの底面に接触するために、前記ペデスタルの面を通して複数のピンを延ばすステップと、
　前記ペデスタル面に向かって前記ウェーハを降下させ、且つ前記ウェーハとペデスタル間にあるガスを前記溝に強制的に流入させ、溝を通してガスを逃がすように前記複数のピンを前記ペデスタルに向かって降下するステップ、
を有することを特徴とする方法。
　【請求項４】　ガス状環境において、ウェーハを冷却する方法であって、
　実質的に平らで、溝のある面を有するペデスタルを設けるステップと、
　前記ペデスタルの面の上方に位置した
前記ウェーハの底面に接触するために、
　前記ウェーハとペデスタル間のガスを前記溝に強制的に流入させ、溝を通してガスを逃すように前記複数のピンを前記ペデスタル面に向かって降下するステップを備え、
　
それにより前記ウェーハが
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　この発明は、半導体ウェーハ処理装置に関し、特に高温処理後に半導体ウェーハを冷却する装置、およびウェーハがペデスタル上で滑るのを防止する装置に関する。
　【０００２】
　【従来技術とその問題点】
　集積回路は、半導体ウェーハに対して蒸着、マスキング、ドーピング、及びエッチングの処理を行うことによって半導体ウェーハ上に形成される。これらの処理のうちの幾つかは比較的に高温で行われる。例えば、エピタキシャル層又はポリシリコン層の蒸着には、普通は、ウェーハを６００℃〜１２００℃の範囲内の温度に熱する必要がある。
　【０００３】
　高温処理が行われたウェーハは、更に処理され又は貯蔵される前に冷却されなければならないことがしばしばある。これは、部分的には、比較的に低温のウェーハに多くの処理を行う必要があるためであり、また、高温のウェーハは水蒸気及びその他の多様なガスと非常に反応しやすく、従って熱せられた状態で周囲の環境にさらされることが出来ないためである。また、プラスチック製のウェーハ格納カセットは約７０℃で溶け始めるので、ウェーハをカセットに格納する前にウェーハをその温度以下に冷却しなければならない。
　【０００４】
　いろいろな半導体装置製造者が多チャンバ半導体処理システムを提供している。例えば、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）は、『Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ　５０００』及び『Ｅｎｄｕｒａ　５５００』という商標で多チャンバ処理システムを販売しているが、これは４個以上の処理チャンバを支援することの出来る主フレーム組立体を含む。主フレーム組立体は、ガス分配システム、真空システム、ロード・ロック・システム、ウェーハ取扱ロボット・システム、及び処理制御コンピューターを含む。該処理チャンバの各々は、エッチング処理、化学蒸着（ＣＶＤ）処理又は物理的蒸着（ＰＶＤ）処理などの特別の処理を行うようになっている。
　【０００５】
　多チャンバ処理システムは、従来広く使われていたバッチ式ウェーハ処理とは対照的に、単一ウェーハ処理に良く適している。１群（バッチ）のウェーハの表面上に得るよりも容易に単一ウェーハの表面に良好な処理均一性を得ることが出来るので、単一ウェーハ処理は２００ｍｍウェーハなどの大直径ウェーハに特に有利である。１ウェーハ内の均一性、及びウェーハ毎の均一性は、共に、集積回路の密度が増すに従って益々重要になってくる。
　【０００６】
　単一ウェーハ・多チャンバ処理システムの問題は、システムの処理量（即ち、処理することの出来る単位時間当たりのウェーハの数）が、ウェーハに対して行われる最も遅い処理に依存することである。例えば、特定のチャンバにおいて高温処理をウェーハに対して行って、次に、そのウェーハが移動に充分な程度に冷却するまで、そのチャンバの中に止めておかなければならない場合には、システムの処理量は悪影響を受ける。
　【０００７】
　その結果、多チャンバ処理システムの処理量に悪影響を与えないようにウェーハを冷却する方法及び装置が当該産業において求められている。その冷却方法は、更に、半導体ウェーハ上に形成される集積回路における欠陥の発生を出来るだけ少なくするために、予測可能に且つ均一に非反応性の環境の中でウェーハを冷却しなければならない。
　【０００８】
　【発明の概要】
　本発明は、多チャンバ処理システムの処理量に与える影響を最小限にとどめながら半導体ウェーハを予測可能に且つ均一に冷却する方法及び装置を提供する。本発明は、更に、ガスの薄層上でペデスタルの滑らかな表面の上を滑る可能性のある場合のウェーハの『滑り』の問題を解決する。
　【０００９】
　本発明の装置は、チャンバと、該チャンバに露出した支持面を有するペデスタル組立体と、ウェーハを該ペデスタルの方へ下降させる機構とを包含する。該ペデスタルは、比較的に大きな熱質量を有する支持本体を包含すると共に、平らな、溝付きウェーハ支持面を備えている。ウェーハをペデスタルの方へ下降させる機構は、該ウェーハ支持面を通して伸縮可能に延在する数個のピンを包含する。該装置は、随意的に、冷却ガスを該チャンバに導入するためのガス配給システムを包含することが出来る。ウェーハがペデスタルの方へ下降させらるとき、ウェーハとペデスタルとの間に捉えられたガスは該ウェーハ支持面の溝の中に強制的に押し込まれ、少なくとも部分的にウェーハの下から出て、ウェーハがペデスタルの表面上を滑る傾向を無くする。
　【００１０】
　本発明によるガス状環境においてウェーハを冷却する方法は、比較的に大きな熱質量と良好な熱伝導率とを有する材料から作られたペデスタルの平らな、溝付き表面上にウェーハを位置決めし；複数のピンを該ペデスタルの表面を通して延ばして該ウェーハに接触させ；該ピンを後退させてウェーハを該溝付き表面の方へ下降させることによりガスを該溝の中に強制的に入れると共に少なくとも部分的にウェーハの下から出すステップを含む。
　【００１１】
　この発明の利点は、ウェーハを専用の冷却チャンバ内で予測可能に均一に且つ確実に冷却させることが出来、これにより、関連する多チャンバ半導体ウェーハ処理システムの処理量を増大させることが出来ることである。この発明の他の利点は、ウェーハがペデスタルの表面上を滑る傾向が無くされていることである。従って、ウェーハをペデスタル上の定位置に保持するためのウェーハ・クランプ、ストッパ等の必要も無くなっているので、ペデスタルのコストが下がり、或る範囲にわたる直径を有するウェーハをペデスタルに乗せることが出来る。これは、単一サイズのウェーハだけを乗せることが出来て、直径の異なるウェーハを処理するときにペデスタルを外して交換する時間をかける必要のあるペデスタルを有する従来のシステムの場合と著しい対照をなす。
　【００１２】
　本発明は、ペデスタル経由の伝導冷却とチャンバ・ガスによる対流冷却との組合せにより半導体ウェーハを迅速に且つ均一に冷却出来るという点でも有益である。ペデスタルの熱質量が大きくて且つ熱伝導率が良好であるので、ウェーハ全体の温度が冷却処理中実質的に一定である。本発明のこれらの利点及びその他の利点は、本発明についての詳細な説明と、添付図面とを検討することから当業者に明らかとなろう。
　【００１３】
　【実施例】
　図１において、本発明のウェーハ冷却装置１０は、装置１０のための電気的機能、配管機能、及びその他の支持機能を提供する主フレーム・ユニット１２に取りつけられて示されている。ウェーハ冷却装置１０の好適な実施例と両立する主フレーム・ユニットは、現在、カリフォルニア州サンタクララのアプライド・マテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃ．）から『Ｐｒｅｃｉｓｏｎ　５０００　ｔｍ』システム及び『Ｅｎｄｕｒａ　５５００　ｔｍ』システムとして市販されている。
　【００１４】
　図２の断面図も参照すると、ウェーハ冷却装置１０は、冷却チャンバ１６を画定する囲い組立体１４、ペデスタル組立体１８、及びウェーハ下降機構２０を包含する。装置１２を保守又は修理のために外したり、或いは他のチャンバと交換できるように、例えばボルト（図示せず）などで主フレーム１２に着脱可能に取りつけられるのが好都合である。
　【００１５】
　囲い組立体１４は、上側囲い部分２２と下側囲い部分２４とを包含する。囲い組立体の材料は、アルミニウムなどの、処理と矛盾しない材料から作られるのが好都合である。上側囲い部分２２は、随意に、主フレーム１２の位相チャンバと冷却チャンバ１６との間の開口部２８を開閉することの出来るスリット・バルブ２６を備えることが出来る。その代わりに、開口部２８を主フレーム・ユニット１２の移送チャンバに開放させたままとしてもよい。スリット・バルブ２６は、主フレーム１２により生成される制御信号により制御されるのが好都合である。上側囲い部分２２は、カバー３２（これは好ましくは密封石英窓を包含する）により閉じられることの出来る開口部３０と、ガス入口ポート３４とを備えている。該囲い組立体がスリット・バルブ２６を備えている場合には、ガスをチャンバ１６から排出するためにガス出口ポート（図示せず）が設けられる。また、スリット・バルブ２６が無い場合には、主フレーム・ユニット１２により提供されるポンプ・システムによって開口部２８を通してチャンバ１６からガスが排出される。
　【００１６】
　図２、３及び４において、ペデスタル組立体２８は、ウェーハ支持本体３６と、下方に延在するスカート部分３８と、フランジ４０と、冷却導管４２とを包含する。ペデスタル組立体１８のフランジ４０は囲い組立体１４の一部を形成する。この好適な実施例では、ウェーハ支持本体３６、スカート部分３８、及びフランジ４０は、鋳造処理により、又は大きなアルミニウム・ブロックから削り出すことにより、一体構造として形成される。
　【００１７】
　ペデスタル組立体１８は一般に、そしてウェーハ支持本体３６は特別に、その上面で冷却されるウェーハからの熱の吸収を促進するために比較的に大きな熱質量と良好な熱伝導率とを有する材料から作られるべきである。しかし、ペデスタル組立体の材料は、半導体ウェーハの処理と両立するものでなければならない。アルミニウムは、約２．３７ワット／ｃｍ・℃という比較的に大きな熱伝導率を有し、しかも、冷却される半導体ウェーハを毒したりするなどして損傷させることがないので、ペデスタル組立体１８の材料として好都合である。特に、６０６１−Ｔ６アルミニウムがペデスタル組立体１８の製造のための材料として良好であることが分かった。
　【００１８】
　ペデスタル組立体１８の比較的に大きな熱質量は、ウェーハ支持本体３６、スカート部分３８及びフランジ４０を比較的に厚く作ることによって達成出来る。この好適な実施例では、例えば、支持本体３６、スカート部分３８、及びフランジ４０の厚みｔは約０．６５インチである。ウェーハ支持本体３６の直径が８．５インチで、フランジ４０の直径が９．９インチで、ペデスタル組立体１８の高さが２．６５インチであるとすると、ペデスタル組立体の合計の質量は約３．２５キログラムである。ペデスタル組立体１８の大きな熱質量は、大きな温度上昇を伴わずにウェーハの熱を吸収することが出来、ペデスタル組立体の良好な熱伝導率は支持表面に沿っての温度勾配を最小限にし、これにより、ペデスタル組立体１８の上面に置かれたウェーハは迅速に且つ均一に冷却することになるのでウェーハのどの部分の温度もウェーハの他の部分の温度と著しくは異ならない。この様な均一な冷却は、冷却中のウェーハの結晶構造中のすべり欠陥や剪断欠陥などの欠陥の発生を少なくするのに大切である。
　【００１９】
　図４の底面図から良く分かるように、冷却導管４２はペデスタル組立体１８のフランジ４０に形成された環状溝４４に埋設されている。冷却導管４２は、良好な熱伝導率を与えるために銅から作るのが好都合であり、約１／４インチの内径を有する。作動時には、ペデスタル組立体１８から熱を能動的に除去するために冷却流体が導管４２を通して循環させられる。ここで熱の『能動的な』除去というのは、ペデスタル組立体による熱の受動的な輻射に対して、ペデスタル組立体１８から熱を除去する冷却流体（例えば導管４２内の流体や、ペデスタルのいろいろな表面上のガス）の流れを指す。本実施例では、約１５℃〜２５℃、約５．６ｋｇ／ｃｍ２の最大圧力の水道水が導管４２に好都合な流体である。導管４２を流れた後の水は、一般的には下水系に捨てられ、或いは再利用される。
　【００２０】
　図４から示されている様に、ペデスタル組立体１８は幾つかのボア穴４６、４８、５０ａ及び５０ｂを包含する。ボア穴４６は、ペデスタル組立体１８を上側囲い部分２２に取りつけるボルト（図２のボルト５２など）を収容する。ボア穴４８は下側囲い部分２４をペデスタル組立体１８に取りつけるボルト（図２のボルト５４など）を収容する。図２も参照すると、ボア穴５０ａは円形パターン５６ａをなして配置され、ボア穴５０ｂは同様の円形パターン５６ｂをなして配置されている。ボア穴５０ａ及び５０ｂは、しばしば『隙間穴』と呼ばれる。
　【００２１】
　図３及び５に示されている様に、ペデスタル組立体１８のウェーハ支持表面６０は実質的に平らであり、数個の溝６２を備えている。この溝は、本発明の重要な滑り防止特徴を構成しており、半導体ウェーハの底とウェーハ支持面６０との良好な固体間接触を考慮したものである。図４の溝６２は、面６０上で格子状パターンに配置されていて、この好適な実施例では、幅が約０．０４０インチ
（０．１ｍｍ）
（０．７６ｍｍ）
（５．０ｍｍ）
　【００２２】
　図６に溝パターンの別の実施例が示されており、この場合には支持面６０’は、放射状溝セグメントと同心の円形溝とを含む溝６２’のパターンを包含している。放射状溝セグメントは、面６０’の中心６４などの内側の場所から外方に放射状に延びていて、となり合う溝セグメント間の半径方向幅を小さくするために一連の同心リングに形成されている。
　【００２３】
　図５及び６は、ペデスタル組立体１８のウェーハ支持面上に多数の溝パターンを設けることが出来るということを示す。溝のサイズ及び配置は経験的に決めることが出来るが、約０．０２０インチ未満の溝幅では大気圧に近い圧力で本発明の滑り防止特徴を防止するには狭過ぎると思われる。流体をウェーハ支持面６０から導き出すことの出来るペデスタル組立体１８のためのチャネル配置が他にもあることにも注意するべきである。例えば、ペデスタル組立体のスカート部分３８を通して排出する内部マニフォールドに連通する複数の穴をウェーハ支持面に設けることが出来る。後に詳述する様に、溝又はその他の流体案内装置の重要な特徴は、ウェーハの底とウェーハ支持面との間からの流体の流れを許すことによってウェーハの滑りを防止すると共に、ウェーハがペデスタルの方へ下降させられる場合にウェーハとペデスタルとの良好な固体間接触を促進することである。
　【００２４】
　図２を参照すると、ウェーハ下降機構２０は、シャフト６８に支持された板６６と、アクチュエータ７０と、リンク７２と、数個のウェーハ支持ピン７４とを包含する。ウェーハ支持ピン７４は、処理と矛盾しない石英などの材料から作られたものであり、板６６の上面に取りつけられたスリーブ７６によって支持されている。ピン７４は、ペデスタル組立体１８のボア穴５０ａを通して延在していて、ウェーハ支持面６０を通して冷却チャンバ１６の中に伸縮可能に延在させることが出来る。より小さな直径のウェーハを収容するために、カバー３２を開くことによって、ピン７４をボア穴５０ａから除去してボア穴５０ｂの中に挿入することが出来る。より詳しく言うと、ピン７４がボア穴５０ａの中にあるときには、それは直径約６．６インチの円形パターン５６ａを形成し、従って２００ｍｍ（８インチ）の半導体ウェーハを支持するのに良く適している。ピン７４は、ボア穴５０ｂに挿入されたときには、直径が約４．５インチの円形パターン５６ｂを形成し、従って１５０ｍｍ（６インチ）の半導体ウェーハを支持するのに良く適している。その結果として、ペデスタル組立体１８はウェーハを定位置に保持するのにエッジ・クランプ、ストッパ、或いはリムなどを要しないので、支持ピンを支持面６０に沿って内方に又は外方に動かすことによって種々のサイズのウェーハを単一のペデスタルに乗せることが出来る。３個の支持点は常に平面を画定し、従って半導体ウェーハの平らな下面を安定して支持するので、半導体ウェーハを支持するのに３個の支持ピン７４を使用するのが好ましい。
　【００２５】
　ウェーハ下降機構２０のシャフト６８は、下側囲い部分２４に取りつけられた隙間穴及びシール組立体７８によって保持される。囲い組立体１４の内部と外部環境との流体連通を防止するために、ベローズ８０が板６６と下側囲い部分２４との間に結合されている。アクチュエータ７０はピストン８２を備えており、これを電気的に、又は空気圧により、又は油圧により作動させることによって、矢印８４の示す様にシャフト６８の運動を生じさせ、ピン７４の対応する垂直運動を生じさせることが出来る。
　【００２６】
　本発明のプロセスについて、図１、２及び８と関連させて図７の流れ図を参照して説明する。最初に、プロセス・ステップ８６において、ペデスタルの溝付きウェーハ支持面６０の上の８８’の位置にウェーハ８８を位置させる。この好適な実施例では、この位置決めは、主フレーム・ユニット１２のロボット制御される支持ブレード（図示せず）によって行われる。次に、ステップ９０において、支持ピン７４をペデスタル組立体１８のウェーハ支持面６０を通して位置７４’へ延ばすことによってウェーハの底面を支持ピン７４に係合させる。延ばされた支持ピン７４はウェーハを支持ブレードから持ち上げ、、支持ブレードは引っ込められる。ステップ９２において、図８において矢印１００により示唆されているように、ウェーハはペデスタルの溝付きウェーハ支持面６０の方へ下降させられ、これによりガスが強制的に溝６２の中に流入させられる。或るガスＧは、このステップの一部として溝６２から追い出される。ウェーハが支持面６０まで完全に下降させられると、ウェーハの底とウェーハ支持面６０の無溝部分との間に良好な面間接触が生じる。その代わりに、ウェーハ８８をウェーハ支持面６０のちょうど上に保持して、その間に狭いギャップを作ることが出来る。０．０１０〜０．０３０インチ程度のギャップは、ウェーハとペデスタルとの間に捉えられたガスの小さな層を通してウェーハからペデスタルへ熱が流れるのを許す。ウェーハが小さなガス層の上で滑って支持ピン７４から外れるのを防止するためにウェーハ支持面６２に溝６２を設けるのが依然として望ましい。この代替実施例では、ペデスタルが金属汚染によってウェーハを損傷させる機会をなるべく少なくするためにウェーハはペデスタルのちょうど上に保持される。
　【００２７】
　次にウェーハステップ９４で冷却される。対流、輻射及び伝導を含む１種類以上の手段によって熱がウェーハから除去される。対流冷却は、バルブ９６、上側囲い部分２２内の導管９７、及びガス入口ボート３４を通してガス源９５からチャンバ１６の中に放出されるガスによって対流冷却が行われる。このガスはガス入口ポート３４の上側壁部分９９によって曲げられて、ガスは分散させられ、その速度が減少するので、チャンバ１６の中やウェーハ８８上の微粒子は追い払われず、ガスの力によってウェーハ８８が動かされることが防止される。ガス源９５からのガスは、高温のウェーハ８８との反応を防止するために実質的に無水であるべきであり、大気の圧力及び温度の半導体級の水素、ヘリウム、又は窒素であるのが好ましい。ガスの流量は一定でなくてもよいが、毎分５標準リットルが適当であることが分かっている。ガスは、適当なポンプによってチャンバ１６から排出されるべきであるが、このポンプは、開口部２８が開いたままである場合には主フレーム１２により提供されることが出来、開口部２８がスリット・バルブ２６によって閉じられる場合にはウェーハ冷却装置１０によって提供される別のポンプ・システム（図示せず）によって提供されることが出来る。プロセスに応じて、排気ポンプの排気速度を大きくしたり、ガス流入量を少なくしたり、或いはその両方によって、チャンバ１６内のガスの圧力を大気圧以下に下げることが出来る。
　【００２８】
　前述した様に、ウェーハはペデスタル組立体１８による伝導によっても冷却される。ウェーハがペデスタル組立体の面より少し上に保持されるとき、ウェーハとペデスタル組立体１８との間に対流／伝導経路が生じる。熱は、ペデスタルを経由して流れるガスと、導管４２を循環する冷却水との両方によってペデスタル組立体１８から能動的に除去される。ウェーハ８８は、その熱エネルギーの受動的輻射によっても幾分冷却する。
　【００２９】
　ステップ９８において、ウェーハ８８はピン７４によって再びウェーハ支持面６０より上の位置８８’へ持ち上げられる。ステップ１０２において、ウェーハ８８をロボット支持ブレード上に下降させ、次に該支持ブレードを主フレーム・ユニット１２の中に引っ込めることによってウェーハをペデスタルの上から外すことが出来る。
　【００３０】
　この発明を幾つかの好適な実施例に関して説明したけれども、その種々の変形及び置換は当業者には明らかであろう。例えば、図７の方法は、その最も一般的な意味において、如何なるガス状環境での支持面上へのウェーハ状物体の下降にも適用可能である。従って、特許請求の範囲の欄の記載事項は、本発明の範囲内の全ての変形及び置換を包含するものとする。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のウェーハ冷却装置の部分平面図である。
　【図２】
　図１の線２−２に沿う部分断面図である。
　【図３】
　本発明の滑り防止ペデスタルの立面図である。
　【図４】
　図３の線４−４に沿う底面図である。
　【図５】
　図３の線５−５に沿う上面図である。
　【図６】
　本発明の滑り防止ペデスタルの別の実施例の上面図である。
　【図７】
　本発明によるウェーハをペデスタル上に下降させる方法の流れ図である。
　【図８】
　本発明の滑り防止ペデスタルの動作を示す立面図である。