【事件の表示】
　特許第３１７５１８９号「減圧ＣＶＤ装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１７５１８９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
［一］手続の経緯
　特許第３１７５１８９号の請求項１に係る発明は、平成３年５月１３日に特許出願され、平成１３年４月６日に登録の設定がなされ、その後、特許異議申立人村井宏により特許異議の申立てがなされたものである。
　
［二］特許異議申立ての概要
　異議申立人は、請求項１に係る発明は下記の甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明することができたものであるから、請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
　　甲第１号証：特開平３−７６２２０号公報
　　甲第２号証：特開平１−２７６７１５号公報
　
［三］特許異議の申立についての判断
１．本件発明
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　ＣＶＤ原料ガス導入口を有するＣＶＤ反応室と、被処理基板を載置する支持台と、前記ＣＶＤ原料ガス導入口と前記被処理基板間に配置される該原料ガスを均一に分配するためのガス分配手段を具備する減圧ＣＶＤ装置において、
　前記ガス分配手段に、前記被処理基板面に対しほぼ垂直方向に沿った複数の通路を設け、この複数の通路の長さが各々前記ＣＶＤ原料ガスの平均自由行程以上であり、かつ複数の通路の下面と前記被処理基板の上面との間の距離より大きいことを特徴とする減圧ＣＶＤ装置。」
　
２．引用刊行物記載の発明
（１）これに対して、異議申立人が甲第１号証として提出した特開平３−７６２２０号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「化学気相成長装置及び化学気相成長法」が開示されており、その特許請求の範囲には、「原料ガス供給用の少なくとも１個以上のガスノズルと、該ガスノズルに設けられ、被成長物との距離が平均自由工程の少なくとも半分以下の位置に配置され、該原料ガスを反射するガス反射板とを有することを特徴とする化学気相反応装置」が記載されている。
　また、実施例においては、第１図に示された装置について、「ガスノズル１とウエハ３３との距離は約１５ｍｍである。」（４頁左下欄下１−２行）、「原料ガス供給用の１個のガスノズル１と、このガスノズル１に設けられ、ウエハ３３との距離が平均自由工程の少なくとも半分以下（例えば５ｃｍ以下）で円弧形状のガス反射板とを設けている。」（５頁左上欄５−９行）と記載されている。そして、他の実施例として「例えば第４図に示すように、ガスノズル１ａ、１ｂ、１ｃというように３個用いる場合であってもよく」（同頁右下欄９−１１行）と記載されているように、第４図から、サセプタ３４上にウエハ３３を設置し、その上方空間にウエハ３３と間隔を置いて垂直方向に複数のガスノズル１ａ、１ｂ、１ｃと、ガスノズル下端部から上方に距離を置いて反射板２ａを備えてなる化学気相成長装置の構造を把握することができる。
　なお、刊行物１における「平均自由工程」は「平均自由行程」の誤記と認められる。
　
（２）同じく、異議申立人が甲第２号証として提出した特開平１−２７６７１５号公報（以下、「刊行物２」という。）には、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置等のプラズマ処理装置が開示されており、その特許請求の範囲には、「プラズマ発生領域と処理領域間のプラズマ流路に、プラズマ流通方向の長さが前記処理ガス分子の前記プラズマ雰囲気中における平均自由行程以上の長さを有するプラズマ流通管を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置」が記載されている。
　
３．対比、判断
　刊行物１の第４図に記載の気相成長装置、すなわちＣＶＤ装置における「ウエハ３３」、「サセプタ３４」はそれぞれ本件発明における「被処理基板」、「支持台」に相当する。また、同じく第４図に記載の複数のガスノズルは、「原料ガスを均一に分配するためのガス分配手段」としての機能を備える「被処理基板に対しほぼ垂直方向に沿った複数の通路」に相当する。
　そこで、本件発明と刊行物１の第４図に記載の発明とを比較すると、両者はＣＶＤ原料ガス導入口を有するＣＶＤ反応室と、被処理基板を載置する支持台と、前記ＣＶＤ原料ガス導入口と前記被処理基板間に配置される該原料ガスを均一に分配するためのガス分配手段を具備する減圧ＣＶＤ装置であって、前記ガス分配手段に、前記被処理基板面に対しほぼ垂直方向に沿った複数の通路を設けた点で一致している。一方、本件発明では上記複数の通路の長さが各々前記ＣＶＤ原料ガスの平均自由行程以上であり、かつ複数の通路の下面と前記被処理基板の上面との間の距離より大きいのに対し、刊行物１の第４図に記載の発明ではかかる通路の長さ、及び、かかる通路の長さと、通路の下面と前記被処理基板の上面との間の距離との関係が明らかでない。
　
　上記相違点につき検討する。
　刊行物１における他の記載において、第１図に示される装置についてはガスノズル下端とウエハの距離は約１５ｍｍ、反射板とウエハとの距離は約５ｃｍ以下であることなど、ガスノズルの長さ及び上記ガスノズル下端とウエハの距離との関係について示唆する記載はある。しかし、当該記載からは、ガスノズルの長さを原料ガスの平均自由行程以上とすることは示唆されず、当然のこととして、該ガスノズルの長さとの関係で規定される、ガスノズルの下端とウエハとの距離についても示唆されない。
　また、刊行物２には、プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマ流通管（又は、フード）の長さを処理ガス（本件発明の「原料ガス」に相当）の平均自由行程以上とする点が記載されている。しかし、かかるプラズマ流通管は、プラズマガスから発生したプラズマを処理領域に導くためのものであり、本件発明における原料ガス導入のための上記通路とは異なるものである。また、かかるプラズマ流通管の長さを処理ガス分子の平均自由行程以上の長さとした目的は、処理ガスがプラズマ生成室に進入することを防ぐこと（刊行物２、３頁左上欄下２行−右上欄５行、同頁右下欄１−４行を参照）にある。したがって、該プラズマ流通管の長さは原料ガス導入のための上記通路の長さについて示唆するものではなく、当然のこととして、該通路の長さとの関係で規定される、通路の下面と前記被処理基板の上面との間の距離について示唆するものでもない。
　
　してみると、刊行物１及び刊行物２に記載の発明は、いずれも、ガス分配手段を構成する複数の通路の長さが各々前記ＣＶＤ原料ガスの平均自由行程以上であり、かつ複数の通路の下面と前記被処理基板の上面との間の距離より大きくすることが示唆されない。
　そして、かかる構成を採用することによって、本件発明は「ＣＶＤ原料ガス分子流を安定して層流（平行流）を維持して基板面に対して垂直に流し、ＣＶＤ原料ガス分子流の基板面に垂直な速度分布を増大でき、堆積率を増大させることができ、コンタクトホール等での被着においてステップカバレージ（段差被覆性）を向上させることができる」（特許明細書の段落番号【００１８】）という刊行物１及び刊行物２に記載のものから予測できない格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものとすることはできない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。また、他に本件発明について特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月２２日（２００２．３．２２）