【事件の表示】
　特願２０１６−　２８２４３「電気的構成素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　７月　７日出願公開、特開２０１６−１２２８５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１２年１０月２日（パリ条約による優先権主張２０１１年１２月１６日、独国）を国際出願日とする出願である特願２０１４−５４６３６６号の一部を、平成２８年２月１７日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　２月２３日付け：拒絶理由通知
　平成２９年　８月３１日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成２９年１２月１８日付け：拒絶査定
　平成３０年　４月２３日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和　１年　６月２１日付け：拒絶理由通知
　令和　１年　９月２５日　　：意見書、手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は、令和１年９月２５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
　基体（２）、前記基体（２）に直接接触する金属質接点構造（３）、及び開口（４）を設けた電気絶縁性の不動態層（５）を有する電気的構成素子（１）であって、前記金属質接点構造（３）は前記開口（４）を経て外部接点（６）に接続され、また前記外部接点（６）は可撓性金属複合層（７）により掩蔽及び包被され、
　電気的構成素子は表面実装用として構成され、
　複数の前記外部接点（６）が、電気的構成素子（１）の一方の側面の端まで延在せずに前記一方の側面に配置され、各外部接点（６）は可撓性金属複合層（７）により被覆され、
　前記可撓性金属複合層（７）は、電気的構成素子（１）の一方の側面の端まで延在していない、電気的構成素子。」
第３　当審の拒絶理由の概要
　当審において令和１年６月２１日付けで通知した拒絶理由は、次のとおりのものである。
　本願の請求項１−１６に係る発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２−６に記載された事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
・請求項１−６に対して、引用文献１、３−５。
・請求項７−１４に対して、引用文献１、３−６。
・請求項１５、１６に対して、引用文献１−６。
引用文献１．特開２０１０−１２３６１３号公報 
引用文献２．特開２０１１−２２８３３４号公報
引用文献３．特開平６−９６９０７号公報 
引用文献４．特開２０１０−８０７０３号公報 
引用文献５．国際公開第２００８／００１５４２号 
引用文献６．特表２０１１−５１７９７０号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
　引用文献１には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付したものである。以下同じ）。
「【００３１】 
 図１〜図６に示すように、
セラミック電子部品２は、セラミック素体１０を備えている。
セラミック素体１０は、第１の主面１０ａ
を有する。
「【００４１】 
 図３〜図５に示すように、
第１の主面１０ａには、第１及び第２の外部端子電極１４，１５がそれぞれひとつずつ形成されている。
「【００４５】 
 また、
第１及び第２の外部端子電極１４，１５を、下地層と、下地層を覆うめっき膜とにより構成してもよい。
「【００４７】 
 めっき膜の厚さは、例えば、１〜１０μｍ程度とすることができる。また、
めっき膜と下地層との間に、応力緩和用の樹脂層を形成してもよい。
「【００４９】 
 図４及び図５に示すように、
第１の外部端子電極１４は、
第１のビア導体１８
に電気的に接続されている。
第２の外部端子電極１５は、
第２のビア導体１９
に電気的に接続されている。
　図２から、セラミック電子部品２は表面実装されていることが見て取れる。
　図２及び図３から、第１の主面１０ａに形成された第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、第１の主面１０ａの端まで延在しいないことが見て取れる。
　図４から、セラミック素体１０と直接接触して第１のビア導体１８及び第２のビア導体１９が設けられていることが見て取れる。
　したがって、上記引用文献１に記載された事項、図面の記載を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている（括弧内は、認定に用いた引用文献１の記載箇所である）。
「セラミック素体１０を備えているセラミック電子部品２であって、
　セラミック素体１０は、第１の主面１０ａを有し（【００３１】）、
　セラミック電子部品２は表面実装されており（図２）、
　第１の主面１０ａには、第１及び第２の外部端子電極１４，１５がそれぞれひとつずつ形成され（【００４１】）、
　第１の主面１０ａに形成された第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、第１の主面１０ａの端まで延在しておらず（図２、図３）、
　第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、下地層と、下地層を覆うめっき膜とにより構成され（【００４５】）、
　めっき膜と下地層との間に、応力緩和用の樹脂層を形成し（【００４７】）、
　セラミック素体１０は、セラミック素体１０と直接接触して第１のビア導体１８及び第２のビア導体１９を有し（図４）、
　第１の外部端子電極１４は、第１のビア導体１８に電気的に接続され、第２の外部端子電極１５は、第２のビア導体１９に電気的に接続されている（【００４９】）、
　セラミック電子部品２。」
２　引用文献３の記載
　引用文献３には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明する。図１及び図２は本発明の一実施例による積層型チップバリスタの製造方法及び該方法により得られたチップバリスタを説明するための図である。まず、本実施例のチップバリスタの構造について説明する。図１において、本実施例の
チップバリスタ１は
該積層体を一体焼結して焼結体４を形成して構成されている。
「【００１２】また、
上記焼結体４の表面部分にはガラス膜７が被覆形成されている。
３　引用文献４の記載
　引用文献４には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００１５】
＜第１実施形態＞
  図１は、本発明によるセラミック積層電子部品の第１実施形態の概略構造を示す断面図である。
  
セラミック積層電子部品１は、セラミックスからなる素体２と
を有する。
素体２の表面には、素体２を被覆するガラス層６が形成されており、
【００１６】
　
内部電極３は、ガラス層６を貫通し、下地電極７の内部に達している。
４　引用文献５の記載
　引用文献５には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「[００２４]　この発明において、導電性樹脂層が、電子部品本体に対して、０．３〜１０Ｎ／ｍｍ２の範囲の接合力を有していると、
導電性樹脂層が有する本来の応力緩和能力を十分に発揮させることができる。
「［００３０］　この発明に係る
セラミック電子部品
「[００３５]　図２を参照して、
端子電極３０は、導電性金属の焼き付けによる厚膜からなる厚膜層３１と、熱硬化性樹脂および導電性フィラーを含む導電性樹脂層３２と、導電性金属めっき膜からなるめっき層３３とを備えている。
［００３６］　一例として、厚膜層３１を構成する導電性金属としては、銅が用いられる。また、導電性樹脂層３２に含まれる熱硬化性樹脂としては、たとえばレゾール型フェノール樹脂のようなフェノール樹脂が用いられ、
導電性樹脂層３２に含まれる導電性フィラーとしては、たとえば銀コートされた銅粉末が用いられる。
第５　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
１　引用発明の「セラミック素体１０」、「第１のビア導体１８及び第２のビア導体１９」、「セラミック電子部品２」、「下地層」、「第１の主面１０ａ」は、それぞれ、本願発明の「基体（２）」、「金属質接点構造（３）」、「電気的構成素子（１）」、「外部接点（６）」、「一方の側面」に相当する。
２　引用発明の「セラミック素体１０と直接接触して」いる「第１のビア導体１８及び第２のビア導体１９」は、本願発明の「前記基体（２）に直接接触する金属質接点構造（３）」に相当する。
　したがって、引用発明の「セラミック素体１０と直接接触して第１のビア導体１８及び第２のビア導体１９を有」する「セラミック素体１０を備えているセラミック電子部品２」は、本願発明の「基体（２）、前記基体（２）に直接接触する金属質接点構造（３）」「を有する電気的構成素子（１）」に相当する。
　ただし、本願発明は、「開口（４）を設けた電気絶縁性の不動態層（５）を有する」のに対し、引用発明は、そのような特定がない点で相違する。
３　引用発明は「第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、下地層と、下地層を覆うめっき膜とにより構成され」「第１の外部端子電極１４は、第１のビア導体１８に電気的に接続され、第２の外部端子電極１５は、第２のビア導体１９に電気的に接続されている」ので、引用発明の「第１のビア導体１８」及び「第２のビア導体１９」は、「下地層」に接続されているといえる。
　したがって、引用発明の「第１の外部端子電極１４は、第１のビア導体１８に電気的に接続され、第２の外部端子電極１５は、第２のビア導体１９に電気的に接続されている」ことは、本願発明の「前記金属質接点構造（３）は」「外部接点（６）に接続され」ることに相当する。
　ただし、本願発明は、金属質接点構造（３）が「前記開口（４）を経て」いるのに対して、引用発明は、そのような特定がない点で相違する。
４　引用発明は「第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、下地層と、下地層を覆うめっき膜とにより構成され、めっき膜と下地層との間に、応力緩和用の樹脂層を形成し」ているのであるから、「下地層」は「樹脂層」により被われていることは明らかである。
　そして、引用発明の「応力緩和用の樹脂層」は、変形のしやすい「樹脂層」といえるから、本願発明と、「可撓性の層」である点で共通する。
　したがって、引用発明の「第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、下地層と、下地層を覆うめっき膜とにより構成され、めっき膜と下地層との間に、応力緩和用の樹脂層を形成し」ていることと本願発明は、「前記外部接点（６）は可撓性の層により掩蔽及び包被され」ている点で共通する。
　ただし、可撓性の層について、本願発明は、「可撓性金属複合層（７）」であるのに対して、引用発明は、「応力緩和用の樹脂層」が可撓性金属複合層である旨の特定がない点で相違する。
５　引用発明の「セラミック電子部品２は表面実装されて」いることは、本願発明の「電気的構成素子は表面実装用として構成され」ていることに相当する。
６　引用発明は「第１の主面１０ａに形成された第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、第１の主面１０ａの端まで延在して」いないので、「下地層」は第１の主面１０ａの端まで延在していないものである。
　したがって、引用発明の「第１の主面１０ａに形成された第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、第１の主面１０ａの端まで延在しておらず」「第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、下地層と、下地層を覆うめっき膜とにより構成され、めっき膜と下地層との間に、応力緩和用の樹脂層を形成し」たことと本願発明は、「複数の前記外部接点（６）が、電気的構成素子（１）の一方の側面の端まで延在せずに前記一方の側面に配置され、各外部接点（６）は可撓性の層により被覆され」る点で共通する。
　ただし、可撓性の層について、本願発明は、「可撓性金属複合層（７）」であるのに対して、引用発明は、「応力緩和用の樹脂層」が可撓性金属複合層である旨の特定がない点で相違する。
　すると本願発明と引用発明とは、次の（一致点）及び（相違点）を有する。
（一致点）
「基体（２）、前記基体（２）に直接接触する金属質接点構造（３）を有する電気的構成素子（１）であって、前記金属質接点構造（３）は外部接点（６）に接続され、また前記外部接点（６）は可撓性の層により掩蔽及び包被され、
　電気的構成素子は表面実装用として構成され、
　複数の前記外部接点（６）が、電気的構成素子（１）の一方の側面の端まで延在せずに前記一方の側面に配置され、各外部接点（６）は可撓性の層により被覆されている、電気的構成素子。」
（相違点１）
　本願発明は、「開口（４）を設けた電気絶縁性の不動態層（５）を有」し、金属質接点構造（３）が「前記開口（４）を経て」いるのに対して、引用発明には、その旨の特定がなされていない。
（相違点２）
　可撓性の層について、本願発明は、「可撓性金属複合層（７）」であるのに対して、引用発明は、「応力緩和用の樹脂層」が可撓性金属複合層である旨の特定がない。
（相違点３）
　本願発明は、「前記可撓性金属複合層（７）は、電気的構成素子（１）の一方の側面の端まで延在していない」のに対して、引用発明には、その旨の特定がなされていない。
第６　判断
１　上記相違点について検討する。
（１）上記相違点１について
　セラミック電子部品に、内部電極が貫通するガラス層を設けることは周知技術であり（例えば、引用文献３（上記「第４　２」）、引用文献４（上記「第４　３」）等参照。）、引用発明１のセラミック電子部品２においても、第１のビア導体１８及び第２のビア導体１９が貫通する開口部を有するガラス層を設けて、上記相違点１に係る本願発明の構成を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
（２）上記相違点２について
　引用発明の「応力緩和用の樹脂層」は、「第１及び第２の外部端子電極１４，１５」の「めっき膜と下地層との間に」形成されるものであり導電性が求められるので、当該「応力緩和用の樹脂層」が導電物質である金属を含むこと、すなわち、可撓性金属複合層であることは自明である。
　したがって、上記相違点２は、実質的な相違点ではない。
　なお、引用文献５（上記「第４　４」）に記載されているように、セラミック電子部品において、応力緩和のために、端子電極の厚膜層とめっき層との間に、熱硬化性樹脂および銅粉末を含む導電性樹脂層（可撓性金属複合層）を設けることは周知技術である。
（３）上記相違点３について
　引用発明の「第１の主面１０ａに形成された第１及び第２の外部端子電極１４，１５は、第１の主面１０ａの端まで延在して」いないので、「第１及び第２の外部端子電極１４，１５」の「めっき膜と下地層との間」の「応力緩和用の樹脂層」は、「第１の主面１０ａの端まで延在して」いない。
　そうすると、引用発明は、可撓性金属複合層に対応する「応力緩和用の樹脂層」が第１の主面１０ａの端まで延在していないことになり、上記相違点３は、実質的な相違点ではない。
　そして、上記相違点１ないし３を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は、引用発明及び周知技術から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
　よって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
２　請求人の主張について
　請求人は、令和１年９月２５日付けの意見書において、
「引用文献１には、下面１０ａに形成された外部端子電極１４および１５を含むセラミック電子部品２が開示されています（図２参照）。しかしながら、引用文献１には、外部端子電極１４および１５と下面１０ａとの間に、セラミック電子部品２の側面まで延在しない可撓性金属複合層を配置することについて、開示も示唆もありません。」
「したがって、当業者といえども、引用文献１に記載の発明及び引用文献３−５に記載されている周知技術に基づいて、「可撓性金属複合層（７）は、電気的構成素子（１）の一方の側面の端まで延在していない」という本願発明の特徴について容易に想到することができません。このため、本願発明は、引用文献１に記載の発明及び引用文献３−５に記載されている周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものはありません。」（「（３−２）本願発明と引用文献との対比（引用文献１を主引例とする場合）」）と主張している。
　上記主張について検討する。
　引用発明において、可撓性金属複合層に対応する「応力緩和用の樹脂層」は、「第１及び第２の外部端子電極１４，１５」の「めっき膜と下地層との間に」形成されるものであり（上記「１　（２）」）、上記主張のように、外部端子電極１４および１５と下面１０ａとの間に配置されたものではない。
　そして、引用発明の「応力緩和用の樹脂層」が、第１の主面１０ａの端まで延在していないことは、上記「１　（３）」で検討したとおりである。
　よって、上記主張を採用することができない。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。