【事件の表示】
　特許第３０６４３７５号「電子線描画装置及びその調整法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６４３７５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０６４３７５号は、平成２年１０月５日に特許出願され、平成１２年５月１２日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人田沢純子から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年６月４日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１０月１６日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人田沢純子は、甲第１号証（特開平２−２１９２１２号公報）、甲第２号証（特開平２−１１４５１３号公報）、甲第３号証（特開昭５９−２２０９２２号公報）、甲第４号証（特開昭５９−１６１８１８号公報）、参考文献１（「電子ビーム露光装置ＥＢ５２の基本設計」日本通信技術株式会社　技術報告 ＮＳ−１３０２３　１９８１年８月）、参考文献２（「Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ．１２，ＮＯ．６　Ｎｏｖ／Ｄｅｃ．１９７５　」 第１１３５頁〜第１１４０頁；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｍｉｃｒｏｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｓｙｓｔｅｍ）及び参考文献３（特開昭５４−８１７８２号公報）を提出し、本件請求項１〜５に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件特許を取り消すべき旨主張している。
　また、本件特許第３０６４３７５号は、その明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載が不備のため、特許法第３６条に規定する要件を満たさない出願に対してなされたものであるから、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人田沢純子が提出した甲第１号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の［従来の技術］の欄には、「第４図は従来の荷電粒子ビーム露光装置を示す図で、荷電粒子ビーム発生源からの荷電粒子ビームは、矩形成形用アパーチャ１によって矩形上に成形されたあと、第１のレンズ２で収束され、アパーチャ選択用デフレクタ３によってステンシルマスク４上の所望位置に偏向される。ここで、ステンシルマスク４は、可変矩形透過孔４ａ、複数の繰返しパターン用透過孔４ｂおよび基準位置用透過孔４ｃなどの多数開口を有するもので、その断面図は第５図に、また平面図は第６図に示される。上記ステンシルマスク４は第２のレンズ５内に装着されるようになっており、第２のレンズ５は、アパーチャ選択用デフレクタ３によって偏向されてステンシルマスク４の所定開口を通過した荷電粒子ビームを収束し、縮小系６および偏向系７を介してウェハ８上に導き、ステンシルマスク４の透過開口形状に対応した形状のパターンを露光する。すなわち、適当な繰返しパターン用透過孔４ｂを選択して粒子ビームを透過させるだけで、繰返しパターンをショット露光でき、スループットを向上させることができる。なお、上記ステンシルマスクに形成された基準位置用透過孔４ｃは、各繰返しパターン用透過孔４ｂを選択するための位置合わせのもので、例えば、露光に先立って粒子ビームをステンシルマスク４上で走査させ、基準位置用透過孔４ｃを通過したときの偏向電流値を基準値として保持し、この基準値を用いて所望の繰り返しパターン用透過孔４ｂを選択する偏向電流値を求めている。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証の図１には、非繰り返し模様用開口パターン５ａ、繰り返し基本パターン５ｂ、位置合わせ用パターン５ｃを有する透過マスクが示されている。
　第４頁右上欄第８行〜同欄第１６行には、「集束された電子ビームは小区画選択用デフレクタ２４により透過マスク２６上の１区画２７内の任意の小区画２８の繰り返し基本パターンに照射され、パターン化された電子ビームがレンズ２９でデフレクタ３０に焦合される。その後、パターン化された電子ビームは縮小レンズ３１に照射され、さらにレンズ３２，デフレクタ３３を有する偏向系３４によってウェーハ３５上に偏向、露光される」と記載されている。
　また、第３頁の左下欄第１行〜同欄第２行には、「必要に応じて、さらに位置合わせ用整合パターン５ｃを設ける」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　第３頁の右上欄１８行〜同頁左下欄第２行には、「位置合わせ用マークは粗位置合わせ用パターン部と、微位置合わせ用パターン部とからなり、それぞれのパターンは複数のラインとスペースが等間隔にならべられたものである。」と記載されている。
　第６頁左上欄第１５行〜同頁右上欄第１０行には、「転写の時と同様に光電マスク３で電子ビームを発生させ、磁界及び電界の印加によりビームをウェハ５上に集束させる。光電マスク３上の第１のマーク２１から発生した位置合わせ用電子ビームはウェハ５上の第２の位置合わせマーク２２上に集束され、その時にマークから発生するＸ線の量はマーク２１，２２の重なりで決まるため、上記マーク２１，２２を用いた時のＸ線の出力特性は第１３図に示す如く粗位置合わせ領域からの成分と微位置合わせ領域からの成分が重ね合わさったものとして出力され、粗位置合わせにおいて位置ずれ量の検出は難しい。そこで、前に述べたように偏向コイル１３に交流成分を含む電流を流すことによりＡＣ偏向磁場を与え電子ビームを変調する。この電子ビームの変調信号を用いて出力信号の同期検波処理を行う。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第４号証第３頁右下欄３行目〜第４頁左下欄第３行には、「第４図は、マークを用いて、矩形電子ビームの回転を検出する方法を説明するための図である。４０１は５ｍｍ□のシリコン基板、４０２はシリコン基板４０１上に形成した０．５μｍ×１．０μｍの金マークであり、このシリコン基板４０１は、電子ビーム露光装置内のステージ３２１上に載置されている。…第４図（ａ）に示すように、矩形電子ビーム４０３の長手方向のビーム端１μｍの部分が、金マーク４０２にかかるように、矢印４０６の方向に矩形電子ビーム４０３を走査し、この時、周知のマーク検出技術により、金マーク４０２からの反射電子信号を得る。…第４図（ａ）で説明した手順と同様の手順により、矩形電子ビーム４０３のビーム端の１つの代表点４１０がマーク４０２にかかる時点での矩形電子ビーム４０３のＸ方向走査位置ＸＳ２、及び矩形電子ビーム４０３のビーム端の別の代表点４１１がマーク４０２上を通過してマーク４０２から離れる時点での矩形電子ビームビーム４０３のＸ方向走査位置ＸＥ２を求める。矩形４０３の一辺４０４がビームの走査方向に対して垂直の場合、即ちビームの一辺４０４の回転量が０の場合は、ＸＳ１＝ＸＳ２となる。また、矩形電子ビーム４０３の一辺４０５がビームの走査方向に対して垂直の場合、すなわち、ビームの一辺４０５の回転量が０の場合は、ＸＥ１＝ＸＥ２となる。」と記載されている。
１．２．５　参考文献１の記載内容
　参考文献１の第１３頁の表３．６には、「補正対象と補正方法」が一覧表として示され、光学系や偏向系の補正がマーク検出により行われることが示され、更に第２９頁の５．１．３の（１）自動補正回路の項の第４行目〜同項第７行には、「座標のズレの内、シフト量をデジタル的に行い、他のゲイン、回転、台形の３つの補正をアナログ的に行うことにした。上記４補正量の検出は、ステージ上面に設置する基準マークとレ一ザー測定器を用い、マーク検出系で行う。」と記載され、第３８頁の表７．１の「モニタの仕様」の表には検知モードとして「反射電子」と記載されている。
１．２．６　参考文献２の記載内容
　参考文献２の第１１３５頁のＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮ」の欄の下から５行〜末行には、「さらに、本システムは位置合わせモードと焦点合わせモードがあり、それによって焦点調整、倍率調整が正確に出来、幾つかのマスクを正確に位置合わせ出来る位置合わせも出来る。」と記載され、第１１３７頁の「ＦＯＣＵＳＩＮＧ　ＡＮＤ　ＲＥＧＩＳＴＲＡＴＩＯＮ　ＰＲＯＣＥＤＵＲＥ」の欄の第１行〜第４行には、「自明のことであるが、焦点合わせと位置合わせが０．０５μｍの精度で要求されるなら、投影された像とターゲットウェハ両方の電子光学的吟味が必要である。」と記載されている。
１．２．７　参考文献３の記載内容
　参考文献３の第１頁右欄第５行〜同欄第９行には、「この歪の算定のためには、複数の位置マークを検出し、実際の位置と測定された位置データの差から偏向歪を求めるのが一般的である。従って第１に位置マークを正しく測定することが正確に歪みを測定する上で重要になってくる。」と記載され、第２頁の左下欄下から１行〜同頁右下欄第３行には、「こような本発明方式に適用されるマークは半導体チップ上に形成し、このチップを半導体ウェーハの保持具にとり付けることも、一枚の歪専用となるウェーハに形成してもよい。」と記載されされている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第３０６４３７５号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項1の「アパチャー」及び「アパーチャー」を、「アパーチャー板」と訂正し、　請求項1の「複数個の開口部を有するアパチャーと、前記アパチャー上に形成された複数個の前記開口部の一つに偏向する手段と、前記開口部を通過した図形ビームを所定の縮小率で縮小する縮小レンズと、」を、「電子線を成形する制限絞りと、複数個の開口部を有するアパーチャー板と、前記制限絞りを通過した成形ビームを前記アパーチャー板上に形成された複数個の前記開口部の一つに偏向する第1の偏向手段と、前記開口部を通過した図形ビームを所定の縮小率で縮小する縮小レンズと、前記図形ビームを回転させる回転レンズと、」と訂正し、請求項1の「前記アパーチャー上にマークを配置したマーク付きアパーチャーと、前記ステージ上に所定の縮小率で縮小されたマークを設けたマーク付きステージとを有し、前記アパーチャー上のマークと前記ステージ上のマークとの相関を取る手段」を、「前記アパーチャー板上に縞状パターンから成る第1のマークを配置したマーク付きアパーチャー板と、前記ステージ上に、前記第1のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で縞状パターンから成る第2のマークを設けたマーク付きステージとを有し、前記成形ビームを前記第1のマークへ照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって前記第2のマーク上に縮小投影される前記第1のマークの縮小投影像を走査する第2の偏向手段と、該第2の偏向手段で走査される第1のマークの走査縮小投影像と前記第2のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は2次電子又は前記第2のマークに流れる電流を検出して検出信号を得る検出器と、該検出器で得られる、前記アパーチャー板上の第1のマークの縮小投影像と前記ステージ上の第2のマークとの図形の相関を取った検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する手段」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項2を削除する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項3を削除する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項4の「電子ビームをアパーチャーを透過させることにより任意の図形ビームを形成する電子線描画方法」を、「電子ビームを制限絞りにより成形ビームに成形し、該成形ビームをアパーチャー板上に形成されたアパーチャーを透過させることにより任意の図形ビームを形成し、この形成された任意の図形ビームを縮小レンズにより所定の縮小率で縮小して回転レンズを通して対物レンズによりステージ上に載置されたウエハ上に投影して描画する電子線描画方法」と訂正し、請求項4の「ステージ上のマークとアパーチャー上のマークの投影像を検出する工程」を、「前記成形ビームを、前記アパーチャー板上に形成された縞状パターンから成る第1のマークに照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって第2のマーク上に縮小投影される第1のマークの縮小投影像を走査して得られる第1のマークの走査縮小投影像と前記第1のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で前記ステージ上に形成された縞状パターンから成る前記第2のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は2次電子又は前記第2のマークに流れる電流を検出器により検出して検出信号を得る工程」と訂正し、請求項4の「前記検出で得られた信号から前記アパーチャー上のマークと前記ステージ上のマークとの図形の相関を求める工程」を、「該工程で検出して得られる検出信号から、前記アパーチャー板上の前記第1のマークの縮小投影像と前記ステージ上の前記第2のマークとの図形の相関を示す検出信号の周期を求め、該求められた検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する工程」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項5の「請求項4の方法を用いたこと」を、「請求項2記載の電子線描画方法を用いて前記ウエハ上に描画して半導体素子を製作すること」と訂正する。
訂正事項ｆ１
　特許明細書第7頁第4行目の「一括露光用アパーチャー」を、「調整用アパーチャー」と訂正する。
訂正事項ｆ２
　特許明細書第7頁第3行目の「レンズの像面上にパターンを有する」を、「レンズの像面上に調整用アパーチャーの寸法に対して所定の縮小率で縮小された寸法のパターンを有する」と訂正し、特許明細書第7頁第6行目及び第7行目の「マークとアパーチャーの図形の相関をとる」を、「マークと調整用アパーチャーの縮小投影像との図形の相関を示す周期をとる」と訂正する。
訂正事項ｆ３
　特許明細書第8頁第14行目の「出来る。」を、明りようでない記載の釈明を目的として、「出来る。また、特に、本発明では、第14図に示す信号波形の周期より倍率を直接知ることが出来る点が特長である。」と訂正する。
訂正事項ｆ４
　特許明細書第10頁第19行目乃至第11頁第2行目の「上記アパーチャー9に転写され、アパーチャー9の投影像は縮小レンズ10・回転レンズ11・対物レンズ12によりステージ16の上のマーク14上に形成される。アパーチャー9と」を、「アパーチャー板9に形成された上記アパーチャー(調整用アバーチャー)に転写され、該アパーチャーの投影像は縮小レンズ10・回転レンズ11・対物レンズ12によりステージ16の上のマーク14上に形成される。上記アパーチャーと」と訂正する。
訂正事項ｆ５
　特許明細書第19頁第6行目の「アパーチャー9」を、「アパーチャー」と訂正する。
訂正事項ｆ６
　特許明細書第23頁第2行目及び第3行目の「9…アパーチャー」を、「9…アパーチャー板」と訂正する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
請求項1
　電子線の照射経路上に配置された、電子線を成形する制限絞りと、複数個の関口部を有するアパーチャー板と、前記制限絞りを通過した成形ビームを前記アパーチャー板上に形成された複数個の前記間口部の一つに偏向する第1の偏向手段と、前記開口部を通過した図形ビームを所定の縮小率で縮小する縮小レンズと、前記図形ビームを回転させる回転レンズと、ステージ上に載置されたウエハ上に縮小された前記図形ビームを投影する対物レンズと、を具備する電子線描画装置において、
　前記アパーチャー板上に縞状パターンから成る第1のマークを配置したマーク付きアパーチャー板と、前記ステージ上に、前記第1のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で縞状パターンから成る第2のマークを設けたマーク付きステージとを有し、前記成形ビームを前記第1のマークへ照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって前記第2のマーク上に縮小投影される前記第1のマークの縮小投影像を走査する第2の偏向手段と、該第2の偏向手段で走査される第1のマークの走査縮小投影像と前記第2のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は2次電子又は前記第2のマークに流れる電流を検出して検出信号を得る検出器と、該検出器で得られる、前記アパーチャー板上の第1のマークの縮小投影像と前記ステージ上の第2のマークとの図形の相関を取った検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する手段を具備したことを特徴する電子線描画装置。
請求項2
　電子ビームを制限絞りより成形ビームに成形し、該成形ビームをアパーチャー板に形成されたアパーチャーを透過させることにより任意の図形ビームを形成し、この形成された任意の図形ビームを縮小レンズにより所定の縮小率で縮小して回転レンズを通して対物レンズによりステージ上に載置されたウエハ上に投影して描画する電子線描画方法において、前記成形ビームを、前記アパーチャー板上に形成された縞状パターンから成る第1のマークに照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって前記第2のマーク上に縮小投影される第1のマークの縮小投影像を走査して得られる第1のマークの走査縮小投影像と前記第1のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で前記ステージ上に形成された縞状パターンから成る第2のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は2次電子又は前記第2のマークに流れる電流を検出器により検出して検出信号を得る工程と、該工程で検出して得られる検出信号から、前記アパーチャー板上の前記第1のマークの縮小投影像と前記ステージ上の前記第2のマークとの図形の相関を示す検出信号の周期を求め、該求められた検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する工程を含むことを特徴とする電子線描画方法。
請求項3
　請求項2記載の電子線描画方法を用いて前記ウエハ上に描画して半導体素子を製作することを特徴とする半導体素子の製作方法。
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、特許明細書の請求項1の「アパチャー」及び「アパーチャー」を、下位概念である、「アパーチャー板」と訂正し、　請求項1の「複数個の開口部を有するアパチャーと、前記アパチャー上に形成された複数個の前記開口部の一つに偏向する手段と、前記開口部を通過した図形ビームを所定の縮小率で縮小する縮小レンズと、」を、下位概念である、「電子線を成形する制限絞りと、複数個の開口部を有するアパーチャー板と、前記制限絞りを通過した成形ビームを前記アパーチャー板上に形成された複数個の前記開口部の一つに偏向する第1の偏向手段と、前記開口部を通過した図形ビームを所定の縮小率で縮小する縮小レンズと、前記図形ビームを回転させる回転レンズと、」と訂正し、請求項1の「前記アパーチャー上にマークを配置したマーク付きアパーチャーと、前記ステージ上に所定の縮小率で縮小されたマークを設けたマーク付きステージとを有し、前記アパーチャー上のマークと前記ステージ上のマークとの相関を取る手段」を、下位概念である、「前記アパーチャー板上に縞状パターンから成る第1のマークを配置したマーク付きアパーチャー板と、前記ステージ上に、前記第1のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で縞状パターンから成る第2のマークを設けたマーク付きステージとを有し、前記成形ビームを前記第1のマークへ照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって前記第2のマーク上に縮小投影される前記第1のマークの縮小投影像を走査する第2の偏向手段と、該第2の偏向手段で走査される第1のマークの走査縮小投影像と前記第2のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は2次電子又は前記第2のマークに流れる電流を検出して検出信号を得る検出器と、該検出器で得られる、前記アパーチャー板上の第1のマークの縮小投影像と前記ステージ上の第2のマークとの図形の相関を取った検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する手段」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　当該訂正事項ａは、特許明細書〔課題を解決するための手段〕、〔作用〕及び〔実施例〕の実施例２並びに第6図、第11図、第13図及び第14図から直接かつ一義的に導き出されるので、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正事項ｂ及びｃ
　上記訂正事項ｂ及びｃについては、特許明細書の請求項２及び３削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｂ及びｃは、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．３　訂正事項ｄ
　上記訂正事項ｄについては、特許明細書の請求項4の「電子ビームをアパーチャーを透過させることにより任意の図形ビームを形成する電子線描画方法」を、下位概念である、「電子ビームを制限絞りにより成形ビームに成形し、該成形ビームをアパーチャー板上に形成されたアパーチャーを透過させることにより任意の図形ビームを形成し、この形成された任意の図形ビームを縮小レンズにより所定の縮小率で縮小して回転レンズを通して対物レンズによりステージ上に載置されたウエハ上に投影して描画する電子線描画方法」と訂正し、請求項4の「ステージ上のマークとアパーチャー上のマークの投影像を検出する工程」を、下位概念である、「前記成形ビームを、前記アパーチャー板上に形成された縞状パターンから成る第1のマークに照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって第2のマーク上に縮小投影される第1のマークの縮小投影像を走査して得られる第1のマークの走査縮小投影像と前記第1のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で前記ステージ上に形成された縞状パターンから成る前記第2のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は2次電子又は前記第2のマークに流れる電流を検出器により検出して検出信号を得る工程」と訂正し、請求項4の「前記検出で得られた信号から前記アパーチャー上のマークと前記ステージ上のマークとの図形の相関を求める工程」を、下位概念である、「該工程で検出して得られる検出信号から、前記アパーチャー板上の前記第1のマークの縮小投影像と前記ステージ上の前記第2のマークとの図形の相関を示す検出信号の周期を求め、該求められた検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する工程」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　当該訂正事項ｄは、特許明細書〔課題を解決するための手段〕、〔作用〕及び〔実施例〕の実施例２並びに第6図、第11図、第13図及び第14図から直接かつ一義的に導き出されるので、上記訂正事項ｄは、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．４　訂正事項ｅ
　上記訂正事項ｅは、特許明細書の請求項5の「請求項4の方法を用いたこと」を、下位概念である、「請求項2記載の電子線描画方法を用いて前記ウエハ上に描画して半導体素子を製作すること」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　当該訂正事項ｅにおいて、「請求項4」を「請求項2」と訂正することは、請求項の削除に伴い、明りょうでない記載の釈明にあたり、「電子線描画方法を用いて前記ウエハ上に描画して半導体素子を製作すること」は、特許明細書〔発明の効果〕から直接かつ一義的に導き出されるので、上記訂正事項ｅは、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．５　訂正事項ｆ１
　上記訂正事項ｆ１は、特許明細書第7頁第4行目の「一括露光用アパーチャー」を、「調整用アパーチャー」と訂正し、用語を統一するものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　上記訂正事項ｆ１は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．６　訂正事項ｆ２〜ｆ６
　上記訂正事項ｆ２〜ｆ６は、特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載と特許請求の範囲の記載を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　上記訂正事項ｆ２〜ｆ６は、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．７　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ〜ｆ６は、上記３．１〜３．６のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１〜５に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１に係る発明と甲第１〜４号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「検出器で得られる、前記アパーチャー板上の第1のマークの縮小投影像と前記ステージ上の前記第2のマークとの図形の相関を取った検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する手段」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の構成」という。）を有するのに対し、甲第１〜４号証記載の発明には上記本件請求項１に係る発明の構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の構成を有することにより、「周期により倍率を直接知ることができる」（特許明細書第１３頁第１７行〜同頁第１８行）という上記甲第１〜４号証記載の発明にはない効果を有する。
　従って、本件請求項１に係る発明は、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
４．２．２　本件請求項２に係る発明と甲１〜４号証との対比、判断
　本件請求項２に係る発明が、「第1のマークの縮小投影像と前記ステージ上の前記第2のマークとの図形の相関を示す検出信号の周期を求め、該求められた検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する工程」構成（以下、「本件請求項２に係る発明の構成」という。）を有するのに対し、甲第１〜４号証記載の発明には上記本件請求項１に係る発明の構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の構成を有することにより、「周期により倍率を直接知ることができる」（特許明細書第１３頁第１７行〜同頁第１８行）という上記甲第１〜４号証記載の発明にはない効果を有する。
　従って、本件請求項２に係る発明は、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
４．２．３　本件請求項３に係る発明と甲１〜４号証との対比、判断
　本件請求項２に係る発明を引用する、本件請求項３に係る発明は、本件請求項２に係る発明と、甲第１〜４号証記載の発明とを対比判断した上記４．２．２と同様に、本件請求項３に係る発明は、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
４．２．４　特許法第３６条違反について
　本件特許明細書の記載不備は、訂正により解消した。
　
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１〜３に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月３１日（２００１．１０．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ〜ｄは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｅ及びｆ１は、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｆ２〜ｆ６は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１の「アパチャー」及び「アパーチャー」を、「アパーチャー板」と訂正し、
　請求項１の「複数個の開口部を有するアパチャーと、前記アパチャー上に形成された複数個の前記開口部の一つに偏向する手段と、前記開口部を通過した図形ビームを所定の縮小率で縮小する縮小レンズと、」を、「電子線を成形する制限絞りと、複数個の開口部を有するアパーチャー板と、前記制限絞りを通過した成形ビームを前記アパーチャー板上に形成された複数個の前記開口部の一つに偏向する第１の偏向手段と、前記開口部を通過した図形ビームを所定の縮小率で縮小する縮小レンズと、前記図形ビームを回転させる回転レンズと、」と訂正し、請求項１の「前記アパーチャー上にマークを配置したマーク付きアパーチャーと、前記ステージ上に所定の縮小率で縮小されたマークを設けたマーク付きステージとを有し、前記アパーチャー上のマークと前記ステージ上のマークとの相関を取る手段」を、「前記アパーチャー板上に縞状パターンから成る第１のマークを配置したマーク付きアパーチャー板と、前記ステージ上に、前記第１のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で縞状パターンから成る第２のマークを設けたマーク付きステージとを有し、前記成形ビームを前記第１のマークへ照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって前記第２のマーク上に縮小投影される前記第１のマークの縮小投影像を走査する第２の偏向手段と、該第２の偏向手段で走査される第１のマークの走査縮小投影像と前記第２のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は２次電子又は前記第２のマークに流れる電流を検出して検出信号を得る検出器と、該検出器で得られる、前記アパーチャー板上の第１のマークの縮小投影像と前記ステージ上の第２のマークとの図形の相関を取った検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する手段」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項２を削除する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項３を削除する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項４の「電子ビームをアパーチャーを透過させることにより任意の図形ビームを形成する電子線描画方法」を、「電子ビームを制限絞りにより成形ビームに成形し、該成形ビームをアパーチャー板上に形成されたアパーチャーを透過させることにより任意の図形ビームを形成し、この形成された任意の図形ビームを縮小レンズにより所定の縮小率で縮小して回転レンズを通して対物レンズによりステージ上に載置されたウエハ上に投影して描画する電子線描画方法」と訂正し、請求項４の「ステージ上のマークとアパーチャー上のマークの投影像を検出する工程」を、「前記成形ビームを、前記アパーチャー板上に形成された縞状パターンから成る第１のマークに照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって第２のマーク上に縮小投影される第１のマークの縮小投影像を走査して得られる第１のマークの走査縮小投影像と前記第１のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で前記ステージ上に形成された縞状パターンから成る前記第２のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は２次電子又は前記第２のマークに流れる電流を検出器により検出して検出信号を得る工程」と訂正し、請求項４の「前記検出で得られた信号から前記アパーチャー上のマークと前記ステージ上のマークとの図形の相関を求める工程」を、「該工程で検出して得られる検出信号から、前記アパーチャー板上の前記第１のマークの縮小投影像と前記ステージ上の前記第２のマークとの図形の相関を示す検出信号の周期を求め、該求められた検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する工程」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項５の「請求項４の方法を用いたこと」を、「請求項２記載の電子線描画方法を用いて前記ウエハ上に描画して半導体素子を製作すること」と訂正する。
訂正事項ｆ１
　特許明細書第７頁第４行目の「一括露光用アパーチャー」を、「調整用アパーチャー」と訂正する。
訂正事項ｆ２
　特許明細書第７頁第３行目の「レンズの像面上にパターンを有する」を、「レンズの像面上に調整用アパーチャーの寸法に対して所定の縮小率で縮小された寸法のパターンを有する」と訂正し、特許明細書第７頁第６行目及び第７行目の「マークとアパーチャーの図形の相関をとる」を、「マークと調整用アパーチャーの縮小投影像との図形の相関を示す周期をとる」と訂正する。
訂正事項ｆ３
　特許明細書第８頁第１４行目の「出来る。」を、明りようでない記載の釈明を目的として、「出来る。また、特に、本発明では、第１４図に示す信号波形の周期より倍率を直接知ることが出来る点が特長である。」と訂正する。
訂正事項ｆ４
　特許明細書第１０頁第１９行目乃至第１１頁第２行目の「上記アパーチャー９に転写され、アパーチャー９の投影像は縮小レンズ１０・回転レンズ１１・対物レンズ１２によりステージ１６の上のマーク１４上に形成される。アパーチャー９と」を、「アパーチャー板９に形成された上記アパーチャー（調整用アパーチャー）に転写され、該アパーチャーの投影像は縮小レンズ１０・回転レンズ１１・対物レンズ１２によりステージ１６の上のマーク１４上に形成される。上記アパーチャーと」と訂正する。
訂正事項ｆ５
　特許明細書第１９頁第６行目の「アパーチャー９」を、「アパーチャー」と訂正する。
訂正事項ｆ６
　特許明細書第２３頁第２行目及び第３行目の「９…アパーチャー」を、「９…アパーチャー板」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電子線描画装置及びその調整法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　電子線の照射経路上に配置された、
電子線を成形する制限絞りと、
ー
板
前記制限絞りを通過して成形ビームを
ー
板
第１の偏向
前記図形ビームを回転させる回転レンズと、
　前記アパーチャー
板
縞状パターンから成る第１の
板
、前記第１のマークの寸法に対して前記
寸法で縞状パターンから成る第２の
前記成形ビームを前記第１のマークへ照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって前記第２のマーク上に縮小投影される前記第１のマークの縮小投影像を走査する第２の偏向手段と、該第２の偏向手段で走査される第１のマークの走査縮小投影像と前記第２のマークとから得られる透過電子又は反射電子又は２次電子又は前記第２のマークに流れる電流を検出して検出信号を得る検出器と、該検出器で得られる、
板
第１の
の縮小投影像
第２の
図形の
検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する
　【請求項２】
　電子ビームを
制限絞りにより成形ビームに成形し、該成形ビームをアパーチャー板上に形成された
し、この形成された任意の図形ビームを縮小レンズにより所定の縮小率で縮小して回転レンズを通して対物レンズによりステージ上に載置されたウエハ上に投影して描画
前記成形ビームを、前記
板
に形成された縞状パターンから成る第１のマークに照射して前記縮小レンズおよび前記対物レンズによって前記第２のマーク上に縮小投影される第１のマークの縮小投影像を走査して得られる第１
走査縮小
と前記第１のマークの寸法に対して前記所定の縮小率で縮小された寸法で前記
に形成された縞状パターンから成る第２
から得られる透過電子又は反射電子又は２次電子又は前記第２のマークに流れる電流を検出器により検出して検出信号を得る工程と、該工程で
して
る検出
、
板
前記第１の
の縮小投影像
前記第２の
を示す検出信号の周期を
、該求められた検出信号の周期に応じて前記縮小レンズに流す電流を調整して縮小倍率誤差を調整する
　【請求項３】
　請求項
２
電子線描画
て前記ウエハ上に描画して半導体素子を製作する
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　電子線描画装置に係り、特に一括露光機能を持つ高速電子線描画装置に関する。
〔従来の技術〕
　従来の可変成形方式の電子線描画装置では２つのアパーチャーを重ね合わせることにより任意の形の短形を発生させている。形成された短形状の電子ビームは縮小レンズと対物レンズによってウェハ上に投影され、そのウェハ上での矩形の寸法はアパーチャーの重ね合わせ量とレンズを倍率により定まる。この投影像の形状寸法は、従来「ダイジェスト　オブ　ペイパーズ　第３回マイクロプロセスコンファレンス　１９９０年　１７２ぺージ−１７３ページ」「Ｆ．Ｍｕｒａｌｅｔ．ａｌ．Ｄｉｇｅｓｔ　ｏｆ　Ｐａｐｅｒｓ　３ｒｄ　ＭｉｃｒｏＰｒｏｃｅｓｓ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（１９９０）ｐ１７２−１７３」に記載されている様に成形偏向の量を変えることにより調整していた。
　これに対して近年、矩形だけでない特定の図形のアパーチャーを用いて電子ビームを投影する一括露光方式の電子線描画装置の可能性が検討され始めている。一括露光方式では第２図のような複雑な形をしたアパーチャーの全面もしくはその１部を電子ビームにより照射して複雑な形の電子ビームを形成する。従ってパターンが固定されているアパーチャーを透過した電子ビームを図形の大きさは一定に決まってしまうため、可変成形のように透過電子の大きさを成形偏向の量で調整することは出来ない。
　図形寸法のずれは特に描画パターンの位置精度の劣化の原因となる。図形寸法のずれはサブミクロン描画で０．０５μｍ以下さらにディープサブミクロン描画では０．０２μｍ以下に抑える必要がある。このために倍率は精度良く調整しなければならない。
〔発明が解決しようとする課題〕
　本発明は一括露光方式の電子線描画装置でのパターン図形寸法を正確に調整するための電子線描画装置の構成とその調整方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　上記課題を解決するために、レンズの倍率に関する情報を得る手段とその情報に従ってレンズの倍率を調整する手段を電子線描画装置に設ける。レンズの倍率に関する情報を得る手段としては１）レンズの像面上に
調整用アパーチャーの寸法に対して所定の縮小率で縮小された寸法の
調整用
調整用
の縮小投影像と
を示す周期
　これらの方法を用いればレンズの倍率のみならず、回転や歪の調整を行うことも可能である。特に複数の図形からなる電子ビームを用いると従来以上に精度が良く自動調整に適した調整方法が可能となる。
〔作用〕
　例えば第１図に示すフィールドバック機能を有するとする。ここでは透過電子信号を用いて調整を行なうが、マークからの反射電子・２次電子や光、さらにマークに流れる電流等を用いても調整は可能である。第３図に示す等間隔の５本の縞状パターン３のマークの上を同一形状のアパーチャーの投影像で走査すると、得られる信号は第４図の様になる。この時の信号の振幅はマークと投影像が正確に重なったときに最大となり、マーク上に転写された投影像が回転していたりマークと大きさが異なったりしていると小さくなる。従って信号が最大となるように投影像を作るレンズの電流を調整すれば所望の大きさの投影像、すなわち電子光学系において所望の回転や倍率を得ることが出来る。
また、特に、本発明では、第１４図に示す信号波形の周期より倍率を直接知ることが出来る点が特長である。
　縮小レンズを２段として逆方向の電流を流せば像の回転を生じずに倍率のみ変化させることが出来る。第１図のブロック図はこの方式の場合に特に有効である。
〔実施例〕
実施例１
　第５図はマーク形状の例である。（１１０）シリコン単結晶基板に０．１μｍ幅の開口４を０．１μｍ間隔で２５本並べた。パターンの形成は光の干渉露光とＫＯＨによる異方性エッチングを組み合せて行った。このパターン形成方法について以下に述べる。まず、（１１０）シリコン単結晶基板上に熱酸化により、２０ｍｍの酸化膜を形成する。次に、スピン塗布機により、レジストを厚さ０．１μｍ程度塗布する。この基板に対し、Ｈｅ−Ｃｄレーザ（３２５ｎｍ）を用いたレーザ干渉露光装置により０．１μｍラインアンドスペースの回折格子像をレジスト上に形成する。このレジストを現像した後、回折格子パターンを酸化膜に転写する。転写には、ＨＦ：ＮＨ４ＯＨ＝１：６水溶液を用いた。次に、この酸化膜をマスクとしてＫＯＨ３０ｗｔ％水溶液（８０℃）にて３μｍのシリコン異方性湿式エッチングを行ない、所望のマークパターンを得る。この方法により２５本の線の両端の間隔４．９μｍは１ｎｍ以下の精度で再現できる。さらに、裏側からＫＯＨ水溶液による異方性湿式エッチングにより３μｍの厚さまで薄くして、上記パターン部を開口パターンとする。このシリコンの表と裏からＡｕを蒸着してウェハ面上での調整用マークとする。同様の構造ながらパターンの横の寸法を２５倍に拡大したものを調整用アパーチャーとした。アパーチャー材料には、（１００）シリコン単結晶基板を用いる。まず、基板上にスピン塗布機によりレジストを塗布する。次に、電子線描画装置によりアパーチャーパターンを描画する。このレジストパターンをマスクとして、ドライエッチングにより２０μｍの深さまでエッチングを行なう。さらに、裏側からＫＯＨ水溶液による異方性湿式エッチングにより基板を２０μｍの厚さまで薄くして、上記パターン部を開口パターンとする。
　両者をそれぞれ第６図に示す電子線描画装置に取り付けた。電子銃５より放出された電子は制限絞り６により成形され転写レンズ７と転写偏向板８により
アパーチャー板９に形成された
（調整用アパーチャー）
該
ーの
上記
ーと
ーチャーの高さを調整することによっても可能である。
　以上の調整方法は上記透過型のマーク以外にも適用可能である。例えばマークの製作工程にてシリコンの湿式異方性エッチングを０．２μｍに留め裏面をエッチングしなければ第１１図に示す断面構造を持つシリコン１９のマークとなる。このマークを用いてもマークからの反射電子あるいは２次電子を信号として検出することにより同様の調整が可能である。
　寸法精度の良いマークはまた異種材料の積層によっても形成が可能である。例えばＧａＡｓ基板２０にＧａＡｌＡｓ２１とＧａＡｓ２２をＭＯＣＶＤ法で交互に薄膜成長させた多層膜結晶を形成し、ＨＦ：ＮＨ４Ｆ＝１：６水溶液によりＧａＡｌＡｓのみを選択的に除去する。この基板を９０度傾けると第２図に示す断面構造を持つマークが形成される。ＭＯＣＶＤ法は極めて膜厚制御性が良く寸法精度の良いマークとなる。
実施例２
　この実施例では第１１図に示す断面構造のマークと第１３図に示す１２５本のライン構造のアパーチャーを用いた。アパーチャーのパターン形成は実施例１で表示したマークのパターン形成と同じ干渉露光法により行なった。１／２５に縮小されるためアパーチャーの精度は向上し、ウェハ上の像の両端で５ｎｍの精度を得ることが可能である。また本実施例では６マークからの反射電子を検出して信号とした。この時得られる走査領域中央部の信号波形を第１４図に示す。ラインの本数が１２５本と多いため中央部では同一の信号波形が一定領域続くことになる。そして、この波形の振幅は回転と倍率に依存しまた周期は倍率に比例する。周波数解析により振幅と周期を求め、回転と倍率の調整を行った。特に本実施例では周期より倍率を直接知ることが出来る点が特長である。この方式により倍率で０．２％回転で２ｍｒａｄの精度を得ることが出来た。
　本実施例のように透過電子以外の信号を用いる場合はＳｉウェハ上にマークパターンを形成し通常の描画と同じ状態で調整することも可能である。
実施例３
　この実施例では調整用マークを１２５本のラインとし、アパーチャーは２．５μｍライン５０本とした。これから得られる反射電子信号波形は第１４図と同様である。しかし本実施例では波の周期は一定であり、振幅のみを最大とすることにより回転と倍率を調整することになる。本実施例では倍率で０．４％回転で５ｍｒａｄの精度が得られた。
実施例４
　調整用マークを１２本の０．２μｍラインアンドスペースとした。これに対してアパーチャーは第１５図に示す１４４個の５μｍ角の開口２３である。このアパーチャーを用いれば垂直に並べた２つのマークと１つのアパーチャーから２つの調整用信号を得ることが出来る。それぞれ第７図と同様の信号波形が得られ、２つの信号の振幅を最大にすれば倍率と回転の調整が更に精度良くできる。
　本実施例でまたマークも２次元開口パターンとすれば１つずつのアパーチャーとマークで垂直２方向の走査信号を得ることが出来る。
実施例５
　アパーチャーとして２５μｍ×２５μｍの矩形を用いた。この投影像をステージ上にあるＳｉのナイフエッジ上で走査して得られた透過信号を第１６図に示す。信号の２階微分の極値を示すところが投影像の大きさを決める。その大きさを例えば１μｍとなるようにレンズ電流・レンズ位置・アパーチャー位置・ウェハ位置の何れかを調整すれば倍率が正確に１／２５となる。
実施例６
　第１７図に示す構造の２つのナイフエッジ２４で実施例５と同様の測定を行なった。ナイフエッジの間隔は電子線測長装置により予め測定してあり、その間隔は２．０１５μｍであった。走査により得られた信号を第１８図に示す。ｂ），ｃ）はそれぞれ信号を１階微分あるいは２階微分した結果である。ｃ）より明らかなようにビームの大きさ１はナイフエッジの大きさＬで校正することが出来る。そして１を基準としてビーム寸法を１μｍとし実施例５と同様に１／２５の縮小率を得ることが出来た。この様に投影像を走査するマーク自体に寸法の基準としての機能を持たせることにより、ビームの大きさの測定精度を上げることが出来る。
実施例７
　アパーチャーとして第１９図に示す２つの矩形からなるパターンを用いた。このアパーチャーの投影像でＳｉのナイフエッジを走査し、透過電子の量から２つの矩形の投影像の中心の相対位置を測定した。この結果第２０図のようなステージのＸＹ軸を基準としてＸ方向に４．０５μｍ、Ｙ方向に４．１５μｍ離れていることが分かった。この結果から縮小率が１／２４．３８８、ステージに対する回転が１２．２ｍｒａｄであることが計算できる。アパーチャー上での２点間の距離をそれぞれ、ａ，ｂ投影像での２点間の距離をそれぞれＡ，Ｂとすると倍率と角度の計算式は
　　Ｍ２＝（Ａ２＋Ｂ２）／（ａ２＋ｂ２）
　　ｔａｎθ＝（ａＢ−ｂＡ）／（ａＡ＋ｂＢ）
である。従来電子光学系の調整は単一図形のビームによりのみ行なわれており、その場合はビームのエッジの信号を用いることがほとんどであった、これに対して本実施例のように複数の図形からなる電子ビームを用いればビームの中心位置を用いて電子光学系の調整が可能である。一般にビームのエッジの位置を知るよりも中心位置を知る方が精度が上がるため、複数ビームは優れた調整方法を提供できる。
実施例８
　第２１図のパターンを持つアパーチャーを用いてショット接続精度を測定した。まず、測りたい偏向位置での２点の座標を測定する。次に第２２図の様に５μｍ隣にさらにＸ軸方向に偏向して２点の座標を測定する。矩形Ｂ・Ｃの間の距離がＸ方向に０．２μｍ、Ｙ方向に０μｍであればショット接続誤差はない。Ｘ方向２ｍｍ偏向の位置でのＢ・Ｃの相対位置はＸ方向に０．２２μｍ、Ｙ方向に０．０１μｍであった。従って接続誤差はそれぞれ０．０２μｍと０．０１μｍであることが分かる。
　またこの方法は第２３図のＢのみを持つアパーチャーとＣのみを持つアパーチャーを併用することによっても可能である。
実施例９
　第２３図のパターンを持つアパーチャーを用いて図形歪を測定した。第２４図に示す投影像の１，２，３のパターンと０との相対位置をそれぞれ（ａ１，ｂ１），（ａ２，ｂ２），（ａ３，ｂ３）と表わす。回転と拡大縮小以外の図形の形状変化を歪と考えることが出来るため、歪量はパタメーターＰ
　Ｐ２＝（ａ２＋ｂ１）２＋（ｂ２−ａ１）２
　　　　＋（ａ２＋ａ１−ｂ１）２＋（ｂ２−ａ１−ｂ１）２
で評価出来る。第２５図は電磁アライナーの電流を変化させたときの歪の量の変化を示した結果である。これにより精度の良い軸調整が可能となり歪を最小とした。
　更に本発明による調整方法は対物レンズの像面上のみならず全てのレンズの像面上で適用が可能である。例えば第６図において制限絞り６にも調整用のアパーチャーを用い、アパーチャ
ーと
実施例１０
　一括露光方式は複雑な図形を１度に転写できるため、半導体素子、特に繰返しパターンの多いメモリを有する素子の高速製作に適している。前に述べたように本発明は一括露光方式において欠かせない技術であり、本発明を用いた電子線描画装置は従来にない高速高精度の半導体製作方法を提供する。
　本発明による電子線描画技術を用いて金属酸化物半導体素子のゲート電極を製作した。第２６図にゲート電極の製作工程を示す。基板２５上に電極となる金属Ｗ２６を堆積し更に電子線レジスト２７を塗布する。このレジストを本発明による電子線描画装置で０．２μｍのパターンを描画する。使用した一括露光用のアパーチャーのパターンを第２７図に示す。電子線を照射したレジストを現像し、更にＷをエッチングすることでＷからなる電極パターンを形成する。０．２μｍの寸法は光リソグラフィでは困難な値である。他の工程は全て光リソグラフィを用いて行った。この結果、閾値電圧が５Ｖ±０．０１Ｖであった。また一括露光方式を用いているために可変成形方式に比べて数倍早い速度で描画が行なえる。これに対して本発明による調整方法を行なわない場合は、一括図形の投影像の大きさの誤差がゲート電極の位置ずれとなり閾値電圧が５．１Ｖ±０．１Ｖと大きな幅を持つようになった。
　以上の様に本発明を用いた半導体素子の製作方法は歩留りの良い高精度な描画を高速で実現できる。また本発明は半導体素子のみならずフォトステッパー用のレチクルやＸ線マスクの製作にも適用できる。
〔発明の効果〕
　以上のように本発明を用いることによって精度の良い電子光学系の調整と電子線描画が可能となる。特に一括露光方式では本発明は精度向上のために必須の技術である。また、これに伴って半導体素子等の微細加工を行うための電子描画行程の生産性の向上に大きく寄与することが出来る。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明による電子光学系の調整方法を表わしたブロック図、第２図は一括図形露光のアパーチャー図、第３図は本発明によるマークの１例を示す図、第４図はマークにより得られる信号例を示す図、第５図は実施例１において用いるマークの構造図、第６図はマークとアパーチャーの配置図、第７図は実施例１において得られる信号波形図、第８図は調整不良による転写像のずれを表わした図、第９図は縮小レンズ電流による信号強度の変化を表わした図、第１０図は回転レンズ電流による信号強度の変化を表わした図、第１１図は反射・２次電子検出用マークの構造図、第１２図は多層膜を利用して形成したマークの構造図、第１３図は実施例２におけるアパーチャーの構造図、第１４図は実施例２における信号を示す図、第１５図は実施例４で用いたアパーチャーの構造図、第１６図はナイフエッジを透過した電子の強度を示す図、第１７図は２つのナイフエッジの構造図、第１８図はナイフエッジを透過した電子を信号処理した図、第１９図は２つの矩形からなるアパーチャー図、第２０図は第１９図のアパーチャーの投影像図、第２１図はショット接続評価用アパーチャー図、第２２図は第２１図のアパーチャーの投影像図、第２３図は４つの矩形からなるアパーチャー図、第２４図は第２３図のアパーチャーの投影像図、第２５図は歪の極小化の結果を示す図、第２６図は半導体素子の製作行程図、第２７図は電極製作用アパーチャー図である。
　符号の説明
　１…アパーチャーパターン、２…電子ビーム照射領域、３…調整用マークパターン、４…Ｓｉマーク開口パターン、５…電子銃、６…制限絞り、７…転写レンズ、８…転写偏向板、９…アパーチャー
板