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　特願２０１５−　２３９０３「発光デバイスおよびその作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月　２日出願公開、特開２０１５−１２２５２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００６年（平成１８年）６月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年（平成１７年）６月１日、米国）を国際出願日とする特願２００８−５１４８１０号（以下「原出願」という。）の一部を２０１５年（平成２７年）２月１０日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は、次のとおりである。
　平成２７年１１月１７日付け：拒絶理由通知書
　平成２８年　６月　１日　　：意見書・手続補正書
　平成２８年１１月１６日付け：拒絶理由通知書（最後）
　平成２９年　６月１３日　　：意見書
　平成２９年　９月２９日付け：拒絶査定
　平成３０年　２月２３日　　：審判請求書・手続補正書
　平成３０年１１月　２日付け：拒絶理由通知書（最初）
　令和　元年　５月２７日　　：意見書・手続補正書
　以下、「２００５年（平成１７年）６月１日」を「優先権主張日」といい、「２００６年（平成１８年）６月１日」を「原出願日」といい、「２０１５年（平成２７年）２月１０日」を「現実の出願日」という。
第２　平成３０年１１月２日付け拒絶理由通知書における拒絶理由の概要
　当審が通知した上記拒絶理由は、概略、次の内容を含むものである。
　１　本願は分割出願であるところ、本願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「本願明細書等」という。）の記載は、原出願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「原出願当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内にない事項を含むから、本願は、分割要件を満たしていない。よって、本願の出願日は、現実の出願日である平成２７年２月１０日である。
　そうすると、原出願についての出願公表公報である引用文献１に記載された発明が、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明となる。
　そして、本願の請求項１〜３４に係る発明は、引用文献１に記載された発明であり、又は、引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願の請求項１〜３４に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　２　仮に、本願が分割要件を満たしているとしても、本願の請求項１〜３４に係る発明は、優先権主張日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献等一覧
１．特表２００８−５４３０８９号公報
２．国際公開第１９９８／１９３７５号
第３　当審の判断
　当審は、本願が分割要件を満たしていないから、本願の出願日は現実の出願日であると判断する。そして、本願の請求項１に係る発明は、現実の出願日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は、当該引用文献１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないと判断する。
　さらに、当審は、本願が仮に分割要件を満たしているとしても、本願の請求項１に係る発明は、優先権主張日前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である引用文献２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないと判断する。
　その理由は、次のとおりである。
　１　本願発明の認定
（１）本願の請求項１〜３１に記載された事項は、令和元年５月２７日に提出された手続補正書により補正された請求項１〜３１に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１の記載は、次のとおりである。
「レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイスであって、
　平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、
　前記ＧａＮ基板は、異種基板またはＧａＮ基板上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含み、バルクＧａＮ基板から切り出され、
　前記半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上面はデバイス領域上方の基板の主表面に対して実質的に平行であり、
　前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度であり、
　前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度であることを特徴とするデバイス。」
　以下、便宜上、請求項１の記載を次のとおり分説することとし、各特定事項を、特定事項Ａなどという。
　Ａ　レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイスであって、
　Ｂ　平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、
　Ｃ　前記ＧａＮ基板は、異種基板またはＧａＮ基板上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含み、バルクＧａＮ基板から切り出され、
　Ｄ　前記半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上面はデバイス領域上方の基板の主表面に対して実質的に平行であり、
　Ｅ　前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度であり、
　Ｆ　前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である
　Ｇ　ことを特徴とするデバイス。
（２）ところで、特定事項Ｃは、「前記ＧａＮ基板」を特定するものと解されるけれども、「異種基板またはＧａＮ基板上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含み」と「バルクＧａＮ基板から切り出され」との相互関係が理解し難い。加えて、「バルクＧａＮ基板から切り出され」という文言それ自体についても、「バルクＧａＮ基板」が、既に「ＧａＮ基板」であるにもかかわらず、そこから、さらに「ＧａＮ基板」を「切り出す」という内容になってしまっているため、理解し難い。
　そこで、本願明細書等の記載を参酌する。
　ア　本願明細書等には、次の記載がある（下線は当審が付した。以下同じ。）。
「最適な半極性成長方位を選択した後に、工程４０６にて、適当な基板を選択しなければならない。この基板は成長すべき構造と格子整合が取れた組成を持つ自立の半極性窒化物ウェーハであることが理想である。しかしながら、
基板はＭｇＡｌ
２
Ｏ
４
（スピネル）或いはＡｌ
２
Ｏ
３
（サファイヤ）のような異種材料である場合の方が多い。場合によっては、異種基板は窒化物テンプレート層で被覆される
テンプレート層は必ず必要なものではない
「ＭＯＣＶＤを用いて半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜およびヘテロ構造を成長するために、テンプレートとしてこれら平坦なＨＶＰＥ成長半極性ＧａＮ層を用いて、いくつかの異なる半極性方位上に半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）ＮＬＥＤを成長して作製した。特に、
｛１００｝スピネル上の｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート上、｛１−１００｝サファイヤ上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート上、および｛１１０｝スピネル上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート上
「さらに、
サファイヤとスピネル以外の基板を半極性テンプレートの成長に用いることも出来る
このような基板として
窒化ガリウム
を含む
「上記実施形態および他の実施形態は、異種基板上に成長した半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜、ヘテロ構造、およびデバイスについての考察であった。だが、理想的には基板は、成長すべき構造に格子整合した組成をもつ、自立した半極性窒化物ウェーハである。
自立した半極性窒化物ウェーハは厚い半極性窒化物層から異種基板を除去することによって、
バルク窒化物インゴット或いはボールを個々の半極性窒化物ウェーハに切り出すことによって、
作ることが出来る
　イ　上記アによれば、本願明細書等は、基板として、(i)異種基板に窒化物テンプレート層を被覆したもの、(ii)異種基板そのもの（上記(i)において窒化物テンプレート層を用いなかったもの）、(iii)厚い半極性窒化物層から異種基板を除去したもの、(iv)バルク窒化物インゴット或いはボールから半極性窒化物ウェーハを切り出したもの、(v)ＧａＮ基板に窒化物テンプレート層を被覆したもの、を記載していると認められる。
　しかるに、特定事項Ｃの文言を上記(i)〜(v)と対比しつつみれば、特定事項Ｃが特定する「前記ＧａＮ基板」は、(i)又は(v)に対応する「異種基板」又は「ＧａＮ基板」「上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含」んだ「前記ＧａＮ基板」と、(iv)に対応する「バルクＧａＮ」インゴット或いはボールから「切り出され」た「前記ＧａＮ基板」と、を少なくとも含むと解するのが相当であり、本願明細書等の他の記載をみても、この理解に反する記載はない。
（３）次に、特定事項Ｅは「発光ダイオードを含む前記デバイス」との文言を含む一方、特定事項Ａは「レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイス」との文言を含んでおり、この両者が一致していない。
　そのため、特定事項Ａにおける「発光デバイス」として「レーザダイオード」を想定したときに、特定事項Ｅをどのように解すればよいのかが問題となるところ、その文言に照らせば、
　「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき」の「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度」が、「発光デバイス」が「レーザダイオード」であるときに、
　(i)　何も特定されていない、と解するか、
　(ii)　レーザダイオードからなる発光デバイス（特定事項Ｅの「発光ダイオードを含む前記デバイス」が「レーザダイオード」を排除しないと解することになる。）が、「青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度」である、と解するか、
　のいずれかが考えられる。
　そこで、特定事項Ｅは、上記(i)及び(ii)のいずれか一方を少なくとも含むと解するのが相当である。
（４）特定事項Ｆについても、上記（３）と同様の議論が成り立つ。
　すなわち、特定事項Ａにおける「発光デバイス」として「レーザダイオード」を想定したときに、特定事項Ｆをどのように理解すればよいのかが問題となるところ、その文言に照らせば、
　「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき」の「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度」が、「発光デバイス」が「レーザダイオード」であるときに、
　(i)　何も特定されていない、と解するか、
　(ii)　レーザダイオードからなる発光デバイス（特定事項Ｆの「発光ダイオードを含む前記デバイス」が「レーザダイオード」を排除しないと解することになる。）が、「青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度」である、と解するか、
　のいずれかが考えられる。
　そこで、特定事項Ｆは、上記(i)及び(ii)のいずれか一方を少なくとも含むと解するのが相当である。
（５）このような次第で、当審は、上記（２）〜（４）で認定した解釈を踏まえた上で、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）を、上記（１）で摘記したとおりに認定する。
　以下、特定事項Ｅ及びＦについて、上記（３）及び（４）における(i)の解釈を「解釈１」といい、同(ii)の解釈を「解釈２」ということにする。
　２　本願の出願日に対する判断
（１）判断基準
　本願は分割出願であるところ、本願の出願日が原出願日に遡及するためには、本願が分割要件を満たすことを要する。
　そして、本願が分割要件を満たすためには、本願明細書等の記載が、当業者によって原出願当初明細書等のすべての記載を総合して導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入していないことを要すると解される。
（２）本願明細書等に記載された技術的事項
　そこで、本願明細書等の記載から検討する。
　ア　本願発明の特定事項は、以下のとおり理解される。
（ア）特定事項Ａからみて、本願発明は、「レーザダイオード」を対象とする発明でもよいし、「発光ダイオード」を対象とする発明でもよい。
（イ）特定事項Ｃは、上記１（２）イのとおり、「異種基板」又は「ＧａＮ基板」「上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含」んだ「前記ＧａＮ基板」と、「バルクＧａＮ」インゴット或いはボールから「切り出され」た「前記ＧａＮ基板」と、を少なくとも含むと解されるところ、このうち、「異種基板」を含む態様の場合、その「異種基板」は、ＧａＮ基板以外の基板であれば適宜のものでよい。
（ウ）特定事項Ｅにつき解釈２をとる場合、上記１（３）のとおり、特定事項Ｅは、「発光ダイオード」のみならず、「レーザダイオード」においても、「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき」の「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度」が、「青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度」であることを特定する。
　すなわち、特定事項Ｅは、発光デバイスが、発光ダイオードであっても、レーザダイオードであっても、同じ数値特性（方位｛１０−１３｝、２７８Ａ／ｃｍ２以下の駆動電流密度、１．５３ｍＷの出力パワー）を満たすことを特定する。
（エ）特定事項Ｆにつき解釈２をとる場合、上記１（４）のとおり、特定事項Ｆは、「発光ダイオード」のみならず、「レーザダイオード」においても、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき」の「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度」が、「青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度」であることを特定する。
　すなわち、特定事項Ｆは、発光デバイスが、発光ダイオードであっても、レーザダイオードであっても、同じ数値特性（方位｛１０−１１｝、３３３．３Ａ／ｃｍ２以下の駆動電流密度、０．６３０ｍＷの出力パワー）を満たすことを特定する。
　イ　上記ア及び本願発明の各特定事項によれば、本願発明は、次の技術的事項を含むものと認められる。
（ア）ＧａＮ基板が異種基板を含む態様であるときにおいて、異種基板が適宜のものであっても、特定事項Ｅ及び特定事項Ｆが特定する数値特性が得られるという技術的事項（以下「技術的事項１」という。）。
　なお、技術的事項１は、特定事項Ｅ及びＦの解釈として解釈１をとるか解釈２をとるかによらず、本願発明に含まれるものである。
（イ）特定事項Ｅ及びＦにつき解釈２をとる場合、発光デバイスが、レーザダイオードであっても、特定事項Ｅ及び特定事項Ｆが特定する数値特性が得られるという技術的事項（以下「技術的事項２」という。）。
　なお、技術的事項２は、特定事項Ｅ及びＦの解釈として解釈１をとる場合は、本願発明に含まれないことになる。
（３）原出願当初明細書等の記載について
　次に、原出願当初明細書等の記載を検討する。
　ア　原出願当初明細書等の記載
　原出願当初明細書等には、次の記載がある。
（ア）「最適な半極性成長方位を選択した後に、工程４０６にて、適当な基板を選択しなければならない。この基板は成長すべき構造と格子整合が取れた組成を持つ自立の半極性窒化物ウェーハであることが理想である。しかしながら、基板はＭｇＡｌ２Ｏ４（スピネル）或いはＡｌ２Ｏ３（サファイヤ）のような異種材料である場合の方が多い。場合によっては、異種基板は窒化物テンプレート層で被覆されるが、このテンプレート層はＨＶＰＥ、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥ、液相エピタキシャル成長法（ＬＰＥ）、化学ビームエピタキシャル成長法（ＣＢＥ）プラズマ増殖化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、昇華あるいはスパッタ法を含むがこれに限定されるものではなく、全ての適当な成長技術を用いて成膜される。テンプレート層の組成は成膜すべき構造の組成とは正確には一致する必要はない。テンプレート層の厚さは数ナノメートル（この場合は核形成層またはバッファー層とよばれる。）から数１０或いは数１００マイクロメータの範囲に及ぶ。テンプレート層は必ず必要なものではないが、テンプレートを用いると一般に均一性が改善され、半極性窒化物デバイスの歩留まりが向上する。この技術開示の記述の以下の部分では、本発明の実施のためにＨＶＰＥ成長半極性ＧａＮテンプレートを用いる場合を記述するが、本発明の技術範囲を制限するものではなく、例示を目的とする。」（【００３５】）
（イ）「要約すると、平坦な半極性窒化物テンプレートに関する次の４つの例が実験的に示されている。」（【００４０】）、
「１．指定された方向にミスカットした｛１００｝スピネル上の｛１０−１１｝ＧａＮ。」（【００４１】）、
「２．｛１１０｝スピネル上の｛１０−１３｝ＧａＮ。」（【００４２】）、
「３．｛１−１００｝サファイヤ上の｛１１−２２｝ＧａＮ。」（【００４３】）、
「４．｛１−１００｝サファイヤ上の｛１０−１３｝ＧａＮ。」（【００４４】）、
「これら半極性面の結晶の品質は成長温度と圧力にはほとんど依存しない。｛１０−１１｝および｛１０−１３｝方位は１０Ｔｏｒｒから１，０００Ｔｏｒｒの間の圧力と９００℃から１，２００℃の間の温度で成長したが、全体の結晶の品質には差異は少なかった。このように圧力と温度の範囲が広いということは、特定の基板上に成長するとき、これら半極性面は非常に安定であることを示している。特定の基板と特定の半極性面との間のエピタキシャルの関係は、薄膜を作製するために用いられる成長システムのタイプに関わらず当てはまる。しかしながらこれらの面を成長するための最適な反応装置条件は、個々の反応装置の設計と成長方法によって変わる。」（【００４５】）、
「ＭＯＣＶＤを用いて半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎ薄膜およびヘテロ構造を成長するために、テンプレートとしてこれら平坦なＨＶＰＥ成長半極性ＧａＮ層を用いて、いくつかの異なる半極性方位上に半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）ＮＬＥＤを成長して作製した。特に、｛１００｝スピネル上の｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート上、｛１−１００｝サファイヤ上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート上、および｛１１０｝スピネル上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート上の半極性ＬＥＤを実験的に例示することに成功した。」（【００４６】）
（ウ）「図５に示すように、第１の例である半極性ＬＥＤ構造は｛１００｝スピネル基板５０４上の厚さ１０μｍのＨＶＰＥ成長｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート５０２上に、ＭＯＣＶＤによって再成長した。垂直型ＭＯＣＶＤ反応装置を用いて行われた再成長は、２．０μｍの厚さのＳｉドープ、ｎ型ＧａＮベース層５０６の成長から始まった。活性領域５０８は厚さ１６ｎｍ、ＳｉドープのＧａＮバリヤ層と厚さ４ｎｍ、ＩｎＧａＮ量子井戸を積層した５周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）からなっている。厚さ１６ｎｍ、アンドープＧａＮバリヤ層５１０を低温度で成膜して、前記のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造をキャップして、成長の後半で活性領域からＩｎＧａＮが蒸発解離するのを防ぐ。次に厚さ３００ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＮ層５１２を成膜する。この構造を厚さ４０ｎｍ、Ｍｇ高ドープｐ＋型ＧａＮコンタクト層５１４でキャップする。」（【００４７】）、
「成長に続いて、３００×３００μｍ２ダイオードメサを塩素ベースの反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で切り出す。ｐ型ＧａＮおよびｎ型ＧａＮの電極５１６および５１８としてそれぞれＰｄ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）およびＡｌ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）が用いられた。半極性ＬＥＤ構造の概略的な断面および｛１０−１１｝面５２０が図５に示されている。ダイオードの電気的特性と発光特性をデバイスのウェーハ上検査手段を用いて測定した。典型的なＬＥＤの電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性６００を図６に示す。直流（ｄｃ）条件で測定した相対光パワーは、スピネル基板を通して裏面へ出射される光を、校正された大面積Ｓｉフォトダイオードを用いて測定した。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルと出射光出力が駆動電流の関数として測定され、それぞれ図７と８に示されている。全ての測定は室温で行われた。」（【００４８】）、
「図６に示すように、ダイオードのＩ−Ｖ特性６００は直列抵抗６．９Ωであり、低いターンオン電圧３．１Ｖを示す。ＥＬスペクトルも３０から２００ｍＡの範囲の駆動電流にて測定された。図７に示すように、デバイスは全ての駆動電流に対して４３９ｎｍの青色スペクトル領域で発光スペクトル７００−７１０を示し、ピークシフトは認められない。発光スペクトル７００−７１０はそれぞれ駆動電流３０ｍＡ−２００ｍＡに対応している。駆動電流を増加しても発光ピークにブルーシフトが生じないことは、この波長領域で同様の駆動電流領域で動作するｃ面ＬＥＤにおいて通常ブルーシフト現象が観察されることと対比すべきことである。」（【００４９】）、
「最後に、ウェーハ上出力パワーと外部量子効率がｄｃ駆動電流の関数として測定された。図８に示すように、出力パワー８００は駆動電流が１０ｍＡから３００ｍＡに増加するにつれてほぼ直線的に増加した。順方向電流が２０ｍＡのときの出力パワーは１１μＷであり、対応する外部量子効率（ＥＱＥ）８０２は０．０２％であった。６３０μＷものＤＣパワーが３００ｍＡの駆動電流のときに測定された。駆動電流が増加すると共にＥＱＥは増加し、２００ｍＡで０．０８１％という最大値をとり、そこで順方向電流が２００ｍＡを超えて増大すると共にやや減少した。駆動電流の増加と共にＥＱＥの大幅な減少が起こらないことは、この波長領域で同様の駆動電流領域で動作するｃ面ＬＥＤにおいて通常観察されるＥＱＥの大幅な減少がおこる現象と対比すべきことである。」（【００５０】）
（エ）「ここには示していないが、｛１００｝スピネル上の｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート上に成長した青色（〜４３９ｎｍピーク）半極性ＬＥＤと、一緒に搭載した｛０００１｝サファイヤ上の｛０００１｝ＧａＮテンプレート上に成長したｃ面ＬＥＤとに関してフォトルミネッセンス（ＰＬ）スペクトルを比較した。「一緒に搭載」とは、ｃ面テンプレートが半極性テンプレートと同時にＭＯＣＶＤ反応装置に搭載されることを意味し、２つのテンプレートは成長の期間中同じ支持台上に載せられていることを意味する。半極性ＬＥＤのＰＬスペクトルは一緒に搭載のｃ面ＬＥＤのＰＬスペクトルと非常に似ていた。このことは半極性ＩｎｘＧａ１−ｘＮ薄膜およびｃ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ薄膜のインジウムの取り込み効率は同等であることを意味している。この結果は、半極性面に沿って不純物の強い取り込みがあることを示すものであり、半極性面に沿った横方向エピタキシャルオーバーグロスに関する以前の研究結果と一致する［参考文献２６、２７］。」（【００５１】）
（オ）「｛１００｝スピネル上の｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート上に成長した青色（〜４３９ｎｍピーク）ＬＥＤに加えて、図９は｛１−１００｝サファイヤ基板９０４上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート９０２上に成長した緑色（〜５２５ｎｍピーク）ＬＥＤ９００を示す。この半極性ＬＥＤ構造９００は｛１−１００｝サファイヤ９０４上の厚さ１０μｍ、ＨＶＰＥ成長｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート９０２上にＭＯＣＶＤを用いて再成長されたものである。再成長は従来の水平なガス流を持つＭＯＣＶＤ反応装置内で行われ、まず厚さ５００ｎｍ、Ｓｉドープ、ｎ型ＧａＮのベース層９０６の成長から始まった。活性領域９０８は厚さ８ｎｍ、アンドープＧａＮバリヤ層と厚さ４ｎｍのＩｎＧａＮ量子井戸を５周期積層した多重量子井戸（ＭＱＷ）から成っている。厚さ２０ｎｍ、Ｍｇドープ、ｐ型ＡｌＧａＮバリヤ層９１０が低温で成膜され、これにより前記のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造をキャップして、成長の後半で活性領域９０８からＩｎＧａＮが蒸発解離するのを予防する。この構造は厚さ２００ｎｍのＭｇドープ、ｐ型ＧａＮ９１２でキャップされる。」（【００５２】）、
「成長の後で、３００×３００μｍ２のダイオードメサが塩素ベースのＲＩＥによって切り出される。ｐ型ＧａＮおよびｎ型ＧａＮの電極９１４および９１６としてそれぞれＰｄ／Ａｕ（５／６ｎｍ）およびＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ（２０／１００／２０／３００ｎｍ）を用いた。図９は半極性ＬＥＤ構造の概略的断面と｛１０−１３｝面９１８とを示す。ダイオードの電気的特性と発光特性をデバイスのウェーハ上検査手段を用いて測定した。典型的なＬＥＤの電流−電圧（Ｉ−Ｖ）特性１０００を図１０に示す。直流（ｄｃ）条件で測定した相対光パワーは、サファイヤ基板を通して裏面へ出射される光を、校正された大面積Ｓｉフォトダイオードを用いて測定した。ＬＥＤのエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）スペクトルと出射光出力が駆動電流の関数として測定されて、それぞれ図１１と１２に示されている。全ての測定は室温で行われた。」（【００５３】）、
「図１０に示すように、ダイオードのＩ−Ｖ特性１０００は直列抵抗１４．３Ωを持ち、低いターンオン電圧３．２Ｖを示す。ＥＬスペクトルも３０から２００ｍＡの範囲の駆動電流にて測定された。図１１に示すように、ＥＬスペクトル１１００はデバイス９００が緑色スペクトル領域で発光し、２０ｍＡでの５２８ｎｍから２００ｍＡでの５２２ｎｍまで少しだけしかピークシフトしないことを示している。駆動電流を増加しても発光ピークに大きなブルーシフトが生じないことは、この波長領域で同様の駆動電流領域で動作するｃ面ＬＥＤにおいて通常大きなブルーシフト現象が観察されることと対比すべきことである。」（【００５４】）、
「ウェーハ上出力パワーと外部量子効率もｄｃ駆動電流の関数として測定された。図１２に示すように、出力パワー１２００は駆動電流が１０ｍＡから２５０ｍＡに増加するにつれてほぼ直線的に増加した。順方向電流が２０ｍＡのときの出力パワー１２００は１９．３μＷであり、対応する外部量子効率（ＥＱＥ）１２０２は０．０４１％であった。２６４μＷものＤＣパワーが２５０ｍＡの駆動電流のときに測定された。駆動電流が増加すると共にＥＱＥ１２０２は増加し、１２０ｍＡで０．０５２％という最大値をとり、順方向電流が１２０ｍＡを超えて増大すると共に少ししか減少しなかった。駆動電流の増加と共にＥＱＥ１２０２の大幅な減少が起こらないことは、この波長領域で同様の駆動電流領域で動作するｃ面ＬＥＤにおいて通常観察されるＥＱＥ１２０２の大幅な減少がおこる現象と対比すべきことである。」（【００５５】）
（カ）「最後に、図１３は｛１１０｝スピネル基板１３０４上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２上に再成長した青色（〜４４０ｎｍピーク）半極性ＬＥＤ１３００を示す。垂直型ＭＯＣＶＤ反応炉を用いて行われた再成長は、まず２．０μｍの厚さのＳｉドープ、ｎ型ＧａＮベース層１３０６を成長した。活性領域１３０８は厚さ１６ｎｍ、ＳｉドープのＧａＮバリヤ層と厚さ４ｎｍ、ＩｎＧａＮ量子井戸を積層した５周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）からなっている。厚さ１６ｎｍ、アンドープＧａＮバリヤ層１３１０を低温で成膜して、これにより前記のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造をキャップして、成長の後半で活性領域１３０８からＩｎＧａＮが蒸発解離するのを防ぐ。次に厚さ３００ｎｍのＭｇドープ、ｐ型ＧａＮ層１３１２を成膜する。この構造を厚さ４０ｎｍ、Ｍｇ高ドープ、ｐ＋型ＧａＮコンタクト層１３１４でキャップする。」（【００５６】）、
「成長に続いて、３００×３００μｍ２ダイオードメサを塩素ベースのＲＩＥで切り出す。ｐ型ＧａＮおよびｎ型ＧａＮの電極１３１６および１３１８として、それぞれＰｄ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）およびＡｌ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）が用いられた。半極性ＬＥＤ構造の概略的な断面および｛１０−１３｝面１３２０が図１３に示されている。ダイオードの電気的特性と発光特性をデバイスのウェーハ上検査手段を用いて測定した。直流（ｄｃ）条件で測定した相対光パワーは、スピネル基板を通して裏面へ出射される光を、校正された大面積Ｓｉフォトダイオードを用いて測定した。ここには示していないが、Ｉ−Ｖ特性と駆動電流の関数としてのＥＬスペクトルは｛１００｝スピネル上の｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート上に成長した青色（〜４３９ｎｍピーク）半極性ＬＥＤと同様であった。ＬＥＤの出射光出力が駆動電流の関数として測定されて、図１４に示されている。全ての測定は室温で行われた。」（【００５７】）、
「図１４に示すように、出力パワー１４００は駆動電流が１０ｍＡから９０ｍＡへ増加するときほぼ直線的に増加し、それからは２５０ｍＡまでサブリニアに増加した。２０ｍＡの順方向電流における出力パワー１４００は１９０μＷであり、対応する外部量子効率(ＥＱＥ)１４０２が０．３４％であった。２５０ｍＡの駆動電流において１．５３ｍＷという高いＤＣ出力が測定された。ＥＱＥ１４０２は駆動電流の増加と共に増加し、５０ｍＡで最大値０．４１％をとり、それから順方向電流が５０ｍＡを超えて増加すると大きく減少する。このように駆動電流が増大するとＥＱＥ１４０２が大きく減少することは、｛１００｝スピネル上の｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート上に成長した（〜４３９ｎｍピーク）半極性ＬＥＤ、および｛１−１００｝サファイヤ上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレートの上に成長した緑色（〜５２５ｎｍ）半極性ＬＥＤにおけるＥＱＥ１４０２ではこの減少が見られないことと対比すべきことである。しかしながら、これら他の２つの半極性ＬＥＤにくらべて、この半極性ＬＥＤはピーク出力パワー１４００およびピークＥＱＥ１４０２の値が大幅に高いことを示し、ｃ面窒化物技術との競争において明確にその可能性を示すものである。」（【００５８】）
（キ）「上記のデバイス構造は半極性ＩｎＧａＮベースのＬＥＤを機能させた最初の報告を構成するものである。要約すると、本発明は２つの異なる半極性方位上で、３つの異なる基板上で、かつ２つの異なるスペクトル領域で動作する半極性ＬＥＤを実証して見せたことである。これらは｛１００｝スピネル上の｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート上に成長した青色（〜４３９ｎｍピーク）半極性ＬＥＤ、｛１−１００｝サファイヤ上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレートの上に成長した緑色（〜５２５ｎｍ）半極性ＬＥＤ、および｛１００｝スピネル上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート上に成長した青色（〜４４０ｎｍピーク）半極性ＬＥＤを含んでいる。これら３つの例を示すことは例示の目的だけであり、本発明を他の成長方位或いはデバイス構造へ応用する可能性を制限するものであると解釈してはならない。」（【００５９】の前段）
（ク）「可能な変更と変形
　技術に関する説明の項で記載したデバイスは発光ダイオードを含むものであった。しかしながら、本発明の技術範囲はいかなる半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎデバイスの成長と作製をも含むものである。したがってデバイス構造はＬＥＤに限定されているのではない。本発明の方法を用いて成長され、作製されることが出来る他の可能性のある半極性デバイスは端面発光レーザダイオード（ＥＥＬ）、垂直共振器面発光レーザダイオード（ＶＣＳＥＬ）、共振器つきＬＥＤ（ＲＣＬＥＤ）、微小共振器ＬＥＤ（ＭＣＬＥＤ）、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）、ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）、および可視、紫外、および近紫外フォトデテクタを含んでいる。さらにこれらの例や他の可能性は、半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎデバイスの利点の全てを所有している。この可能性のあるデバイスのリストは、例示することのみを目的としており、本発明の応用に関して制限するものではない。むしろ、本発明は、半極性方向に沿って、あるいは半極性面上に成長した全ての窒化物ベースのデバイスを請求項に含むものである。」（【００５９】の後段）、
「とくに、本発明は（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎレーザダイオードの設計と作製に大きな利点を提供することができる。そのような利点は、特に図１５に示すような概念上のデバイス１５００のような、特に大きな圧電電界を持つ長波長レーザダイオードにおいて重要である。更には、理論的な計算が示すように、異方性歪が誘起する、重い正孔バンドと軽い正孔バンドの分離によって、圧縮歪ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸に対する正孔の有効質量は結晶角が増加することにより単調に減少する［参考文献９］。圧縮歪ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸に対する多体光学利得の自己無撞着の計算結果はピーク利得が正孔の有効質量に極めて敏感であり、この利得が結晶角の増加と共に単調に増加することを示唆している［参考文献１７、１８］。このように、通常の窒化物ベースのレーザダイオードにおいて光学利得を発生するために必要な高いキャリア密度は、半極性方位上に、特にθ＝９０°に近い結晶角を持つ方位上にレーザ構造を成長することによって低減できる。」（【００６０】）、
「このことは図１５に示したレーザダイオード１５００の設計に反映されている。われわれが実験的に示した半極性方位の中で、｛１０−１１｝方位１５０１は最大の結晶角（θ＝６２．０°）を持ち、最も大きな光学利得の改善を提供するものである。｛１００｝スピネル基板１５０２を用いて｛１０−１１｝半極性ＧａＮテンプレート１５０４を成長し、そこで上記のようにｎ−ＧａＮ層１５０６の再成長を行う。次にｎ−ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層１５０８を成長し、その上にｎ−ＧａＮ導波路層１５１０を成長する。次にＭＱＷ活性層１５１２を成長し、そのＭＱＷ活性層１５１２上にｐ−ＧａＮ導波路層１５１４が成長される。そこでもう１つのクラッド層１５１６を成長し、ｐ−ＧａＮコンタクト層を成長する。Ｎｉ／Ａｕ電極１５２０およびＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕ電極１５２２が成膜される。」（【００６１】）
　イ　認定事実
　上記アによれば、原出願当初明細書等の記載につき、次の事実が認められる。
（ア）｛１００｝スピネル基板５０４上の厚さ１０μｍのＨＶＰＥ成長｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート５０２上に、ＭＯＣＶＤによって再成長して形成された、３００×３００μｍ２ダイオードメサからなる、青色半極性ＬＥＤは、６３０μＷものＤＣパワーが３００ｍＡの駆動電流のときに測定された。３００ｍＡの電流が３００×３００μｍ２の面積を流れる場合、電流密度は３３３Ａ／ｃｍ２となる。（【００４７】〜【００５０】）
（イ）｛１−１００｝サファイヤ基板９０４上の厚さ１０μｍのＨＶＰＥ成長｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート９０２上に成長した、３００×３００μｍ２のダイオードメサからなる、緑色（〜５２５ｎｍピーク）半極性ＬＥＤ９００は、２６４μＷものＤＣパワーが２５０ｍＡの駆動電流のときに測定された。２５０ｍＡの電流が３００×３００μｍ２の面積を流れる場合、電流密度は２７８Ａ／ｃｍ２となる。（【００５２】〜【００５５】）
（ウ）｛１１０｝スピネル基板１３０４上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２上に再成長して形成された、３００×３００μｍ２ダイオードメサからなる、青色（〜４４０ｎｍピーク）半極性ＬＥＤ１３００は、２５０ｍＡの駆動電流において１．５３ｍＷという高いＤＣ出力が測定された。２５０ｍＡの電流が３００×３００μｍ２の面積を流れる場合、電流密度は２７８Ａ／ｃｍ２となる。（【００５６】〜【００５８】）
（エ）｛１００｝スピネル基板１５０２を用いて｛１０−１１｝半極性ＧａＮテンプレート１５０４を成長し、その上に成長したレーザダイオード１５００を設計した。｛１０−１１｝方位は、われわれが実験的に示した半極性方位の中で、最大の結晶角を持ち、最も大きな光学利得の改善を提供する。（【００６０】）
（４）本願の分割要件に対する判断
　ア　まず、技術的事項１（上記（２）イ（ア））は、ＧａＮ基板が異種基板を含む態様であるときにおいて、異種基板が適宜のものであっても、特定事項Ｅ及び特定事項Ｆが特定する数値特性が得られるというものである。
（ア）しかるに、原出願当初明細書等は、特定事項Ｅが特定する数値特性が、異種基板として｛１１０｝スピネル基板を用いた場合に満たされることを記載する（上記（３）イ（ウ））けれども、異種基板として｛１１０｝スピネル基板以外の適宜のものを用いても満たされることを、記載していない。加えて、原出願当初明細書等は、異種基板として｛１１０｝スピネル基板以外の適宜のものを用いる場合において、具体的にどのようにすれば、特定事項Ｅが特定する数値特性を満たすことができるのかも、記載していない。
　この点、異種基板として適宜のものであっても、特定事項Ｅが特定する数値特性が得られるという原出願日当時の技術常識があるとも認められない。
（イ）また、原出願当初明細書等は、特定事項Ｆが特定する数値特性が、異種基板として｛１００｝スピネル基板を用いた場合に満たされることを記載する（上記（３）イ（ア））けれども、異種基板として｛１００｝スピネル基板以外の適宜のものを用いても満たされることを、記載していない。加えて、原出願当初明細書等は、異種基板として｛１００｝スピネル基板以外の適宜のものを用いる場合において、具体的にどのようにすれば、特定事項Ｆが特定する数値特性を満たすことができるのかも、記載していない。
　この点、異種基板として適宜のものであっても、特定事項Ｆが特定する数値特性が得られるという原出願日当時における技術常識があるとも認められない。
（ウ）よって、技術的事項１は、当業者によって原出願当初明細書等のすべての記載を総合して導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入していないとはいえないものである。
　なお、以上の議論は、特定事項Ｅ及びＦにつき、解釈１をとる場合でも、解釈２をとる場合でも、成り立つ。
　イ　次に、特定事項Ｅ及びＦにつき解釈２をとる場合を検討するに、技術的事項２（上記（２）イ（イ））は、発光デバイスが、レーザダイオードであっても、特定事項Ｅ及び特定事項Ｆが特定する数値特性が得られるというものである。
（ア）しかるに、原出願当初明細書等は、特定事項Ｅが特定する数値特性が、発光デバイスが発光ダイオードであるときに満たされることを記載する（上記（３）イ（ウ））けれども、発光デバイスがレーザダイオードであっても満たされることを記載していない。加えて、原出願当初明細書等は、発光デバイスがレーザダイオードである場合において、具体的にどのようにすれば、特定事項Ｅが特定する数値特性を満たすことができるのかも、記載していない。
　この点、レーザダイオードであっても、特定事項Ｅが特定する数値特性が適宜得られるという原出願日当時における技術常識があるとも認められない。
（イ）また、原出願当初明細書等は、特定事項Ｆが特定する数値特性が、発光デバイスが発光ダイオードであるときに満たされることを記載する（上記（３）イ（ア））けれども、発光デバイスがレーザダイオードであっても満たされることを記載していない。加えて、原出願当初明細書等は、発光デバイスがレーザダイオードである場合において、具体的にどのようにすれば、特定事項Ｆが特定する数値特性を満たすことができるのかも、記載していない。
　この点、レーザダイオードであっても、特定事項Ｆが特定する数値特性が適宜得られるという原出願日当時における技術常識があるとも認められない。
（ウ）よって、技術的事項２は、当業者によって原出願当初明細書等のすべての記載を総合して導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入していないとはいえないものである。
　ウ　以上によれば、本願は、分割要件を満たさないというべきである。
（５）本願の出願日に対する判断の小括
　このように、本願は分割要件を満たさないから、本願の出願日は、現実の出願日（平成２７年２月１０日）である。
　３　引用文献１（特表２００８−５４３０８９号公報）に記載された発明に基づく新規性欠如及び進歩性欠如について
　上記２の認定判断によれば、原出願についての出願公表公報である引用文献１に記載された発明が特許法第２９条第１項第３号に該当することとなり、そして、以下のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて新規性ないし進歩性を欠如する。
（１）引用文献１の記載事項の認定
　ア　当審拒絶理由が引用した、現実の出願日（２０１５年（平成２７年）２月１０日）前に頒布された刊行物である又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献である引用文献１（特表２００８−５４３０８９号公報）は、原出願当初明細書等の記載そのものを含むところ、引用文献１には、上記２（３）アのとおりの記載がある。
　イ　上記アによれば、引用文献１には、次の２つの発明（以下、それぞれ、「引用発明１−１」及び「引用発明１−２」という。）が記載されていると認められる。なお、引用発明１−１及び引用発明１−２の認定に用いた段落番号を参考までに括弧内に記載してある。
［引用発明１−１］
「｛１００｝スピネル基板５０４上の厚さ１０μｍのＨＶＰＥ成長｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート５０２上に、ＭＯＣＶＤによって再成長した半極性ＬＥＤであって、（【００４７】）
　垂直型ＭＯＣＶＤ反応装置を用いて行われた再成長は、２．０μｍの厚さのＳｉドープ、ｎ型ＧａＮベース層５０６の成長から始まり、（【００４７】）
　活性領域５０８は厚さ１６ｎｍ、ＳｉドープのＧａＮバリヤ層と厚さ４ｎｍ、ＩｎＧａＮ量子井戸を積層した５周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）からなっており、（【００４７】）
　厚さ１６ｎｍ、アンドープＧａＮバリヤ層５１０を低温度で成膜して、前記のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造をキャップして、成長の後半で活性領域からＩｎＧａＮが蒸発解離するのを防ぎ、（【００４７】）
　次に厚さ３００ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＮ層５１２を成膜し、この構造を厚さ４０ｎｍ、Ｍｇ高ドープｐ＋型ＧａＮコンタクト層５１４でキャップし、（【００４７】）
　成長に続いて、３００×３００μｍ２ダイオードメサを塩素ベースの反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で切り出し、ｐ型ＧａＮおよびｎ型ＧａＮの電極５１６および５１８としてそれぞれＰｄ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）およびＡｌ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）が用いられた、半極性ＬＥＤであって、（【００４８】）
　デバイスは全ての駆動電流に対して４３９ｎｍの青色スペクトル領域で発光スペクトル７００−７１０を示し、（【００４９】）
　６３０μＷものＤＣパワーが３００ｍＡの駆動電流のときに測定された、（【００５０】）
　半極性ＬＥＤ。」
［引用発明１−２］
「｛１１０｝スピネル基板１３０４上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２上に再成長した青色（〜４４０ｎｍピーク）半極性ＬＥＤ１３００であって、（【００５６】）
　垂直型ＭＯＣＶＤ反応炉を用いて行われた再成長は、まず２．０μｍの厚さのＳｉドープ、ｎ型ＧａＮベース層１３０６を成長し、（【００５６】）
　活性領域１３０８は厚さ１６ｎｍ、ＳｉドープのＧａＮバリヤ層と厚さ４ｎｍ、ＩｎＧａＮ量子井戸を積層した５周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）からなっており、（【００５６】）
　厚さ１６ｎｍ、アンドープＧａＮバリヤ層１３１０を低温で成膜して、これにより前記のＩｎＧａＮのＭＱＷ構造をキャップして、成長の後半で活性領域１３０８からＩｎＧａＮが蒸発解離するのを防ぎ、（【００５６】）
　次に厚さ３００ｎｍのＭｇドープ、ｐ型ＧａＮ層１３１２を成膜し、（【００５６】）
　この構造を厚さ４０ｎｍ、Ｍｇ高ドープ、ｐ＋型ＧａＮコンタクト層１３１４でキャップし、（【００５６】）
　成長に続いて、３００×３００μｍ２ダイオードメサを塩素ベースのＲＩＥで切り出し、（【００５７】）
　ｐ型ＧａＮおよびｎ型ＧａＮの電極１３１６および１３１８として、それぞれＰｄ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）およびＡｌ／Ａｕ（２０／２００ｎｍ）が用いられた、（【００５７】）
　半極性ＬＥＤであって、
　２５０ｍＡの駆動電流において１．５３ｍＷという高いＤＣ出力が測定された、（【００５８】）
　半極性ＬＥＤ。」
（２）引用発明１−１に基づく新規性欠如
　ア　本願発明と引用発明１−１との対比
（ア）本願発明の「レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイスであって、」との特定事項（特定事項Ａ）について
　ａ　引用発明１−１の「半極性ＬＥＤ」は、本願発明の「発光ダイオードを含む発光デバイス」に相当する。
　ｂ　よって、引用発明１−１は、本願発明の特定事項Ａを備える。
（イ）本願発明の「平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、」との特定事項（特定事項Ｂ）について
　ａ　引用発明１−１の「｛１００｝スピネル基板５０４上の厚さ１０μｍのＨＶＰＥ成長｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート５０２」からなる構造は、後記（ウ）のとおり、本願発明の「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板」に相当する。
　また、当該構造は、本願発明でいう「平坦な半極性表面」をもつといえる。
　ｂ　引用発明１−１は、「｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート５０２上に」、「２．０μｍの厚さのＳｉドープ、ｎ型ＧａＮベース層５０６」、「厚さ１６ｎｍ、ＳｉドープのＧａＮバリヤ層と厚さ４ｎｍ、ＩｎＧａＮ量子井戸を積層した５周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）」からなる「活性領域５０８」、「厚さ１６ｎｍ、アンドープＧａＮバリヤ層５１０」、「厚さ３００ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＮ層５１２」及び「厚さ４０ｎｍ、Ｍｇ高ドープｐ＋型ＧａＮコンタクト層５１４」を設けたものであるところ、これらの各層は、本願発明でいう「平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜」からなるといえる。
　さらに、上記ａにも照らせば、上記「活性領域５０８」は、本願発明でいう「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層」であるといえる。
　ｃ　よって、引用発明１−１は、本願発明の特定事項Ｂを備える。
（ウ）本願発明の「前記ＧａＮ基板は、異種基板またはＧａＮ基板上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含み、バルクＧａＮ基板から切り出され、」との特定事項（特定事項Ｃ）について
　ａ　上記１（２）イのとおり、特定事項Ｃが特定する「前記ＧａＮ基板」は、「異種基板」又は「ＧａＮ基板」「上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含」んだ「前記ＧａＮ基板」と、「バルクＧａＮ」インゴット或いはボールから「切り出され」た「前記ＧａＮ基板」と、を少なくとも含むと解するのが相当である。
　そうすると、引用発明１−１の「｛１００｝スピネル基板５０４上の厚さ１０μｍのＨＶＰＥ成長｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート５０２」からなる構造は、本願発明の「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板」に相当する。
　ｂ　よって、引用発明１−１は、本願発明の特定事項Ｃを備える。
（エ）本願発明の「前記半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上面はデバイス領域上方の基板の主表面に対して実質的に平行であり、」との特定事項（特定事項Ｄ）について
　上記（イ）を踏まえれば、引用発明１−１は、本願発明の特定事項Ｄを備えるといえる。
（オ）本願発明の「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度であり、」との特定事項（特定事項Ｅ）について
　引用発明１−１は、本願発明の特定事項Ｅを備えない。
（カ）本願発明の「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である」との特定事項（特定事項Ｆ）について
　引用発明１−１の半極性ＬＥＤは、「｛１０−１１｝ＧａＮテンプレート５０２上に、ＭＯＣＶＤによって再成長した」ものであって、「デバイスは全ての駆動電流に対して４３９ｎｍの青色スペクトル領域で発光スペクトル７００−７１０を示し」、「３００×３００μｍ２ダイオードメサ」からなり、「６３０μＷものＤＣパワーが３００ｍＡの駆動電流のときに測定された」ものである（駆動電流密度は、３００ｍＡ／（３００×３００μｍ２）＝３３３．３Ａ／ｃｍ２となる。）から、特定事項Ｆを備えるといえる。
（キ）本願発明の「デバイス」との特定事項（特定事項Ｇ）について
　引用発明１−１の「半極性ＬＥＤ」は、本願発明の「デバイス」に相当する。
　イ　一致点及び相違点の認定
　上記アによれば、本願発明と引用発明１−１とは、
「レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイスであって、
　平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、
　前記ＧａＮ基板は、異種基板またはＧａＮ基板上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含み、バルクＧａＮ基板から切り出され、
　前記半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上面はデバイス領域上方の基板の主表面に対して実質的に平行であり、
　前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である
　デバイス。」である点で一致し、次の点で一応相違する。
［相違点１］
　本願発明は、「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度であ」るのに対し、引用発明１−１はそうではない点。
　ウ　相違点１の判断
　相違点１に係る構成である特定事項Ｅは、「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、」に関するものであるから、「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有する」ものではない態様に対しては、何も特定していないことになる。
　そして、引用発明１−１は、「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有する」ものではない態様に係るものである。
　よって、相違点１は、実質的な相違点でない。
　エ　引用発明１−１に基づく新規性欠如についての小括
　したがって、本願発明は、引用発明１−１であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当する。
（３）引用発明１−２に基づく進歩性欠如
　ア　対比
（ア）本願発明の「レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイスであって、」との特定事項（特定事項Ａ）について
　ａ　引用発明１−２の「半極性ＬＥＤ」は、本願発明の「発光ダイオードを含む発光デバイス」に相当する。
　ｂ　よって、引用発明１−２は、本願発明の特定事項Ａを備える。
（イ）本願発明の「平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、」との特定事項（特定事項Ｂ）について
　ａ　引用発明１−２の「｛１１０｝スピネル基板１３０４上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２」からなる構造は、後記（ウ）のとおり、「ＧａＮテンプレート」の「厚さが少なくとも１０μｍ」である点を除き、本願発明の「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板」に相当する。
　また、当該構造は、本願発明でいう「平坦な半極性表面」をもつといえる。
　ｂ　引用発明１−２は、「｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２上に」、「２．０μｍの厚さのＳｉドープ、ｎ型ＧａＮベース層１３０６」、「厚さ１６ｎｍ、ＳｉドープのＧａＮバリヤ層と厚さ４ｎｍ、ＩｎＧａＮ量子井戸を積層した５周期の多重量子井戸（ＭＱＷ）」からなる「活性領域１３０８」、「厚さ１６ｎｍ、アンドープＧａＮバリヤ層１３１０」、「厚さ３００ｎｍのＭｇドープ、ｐ型ＧａＮ層１３１２」及び「厚さ４０ｎｍ、Ｍｇ高ドープ、ｐ＋型ＧａＮコンタクト層１３１４」を設けたものであるところ、これらの各層は、本願発明でいう「平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜」からなるといえる。
　さらに、上記ａにも照らせば、上記「活性領域１３０８」は、本願発明でいう「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層」であるといえる。
　ｃ　よって、引用発明１−２は、本願発明の特定事項Ｂを備える。
（ウ）本願発明の「前記ＧａＮ基板は、異種基板またはＧａＮ基板上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含み、バルクＧａＮ基板から切り出され、」との特定事項（特定事項Ｃ）について
　ａ　上記１（２）イのとおり、特定事項Ｃが特定する「前記ＧａＮ基板」は、「異種基板」又は「ＧａＮ基板」「上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含」んだ「前記ＧａＮ基板」と、「バルクＧａＮ」インゴット或いはボールから「切り出され」た「前記ＧａＮ基板」と、を少なくとも含むと解するのが相当である。
　そうすると、引用発明１−２の「｛１１０｝スピネル基板１３０４上の｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２」からなる構造は、「ＧａＮテンプレート」の「厚さが少なくとも１０μｍ」である点を除き、本願発明の「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板」に相当する。
　ｂ　よって、引用発明１−２は、「ＧａＮテンプレート」の「厚さが少なくとも１０μｍ」である点を除き、本願発明の特定事項Ｃを備える。
（エ）本願発明の「前記半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上面はデバイス領域上方の基板の主表面に対して実質的に平行であり、」との特定事項（特定事項Ｄ）について
　上記（イ）を踏まえれば、引用発明１−２は、本願発明の特定事項Ｄを備えるといえる。
（オ）本願発明の「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度であり、」との特定事項（特定事項Ｅ）について
　引用発明１−２の半極性ＬＥＤは、「｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２上に再成長した青色（〜４４０ｎｍピーク）」のものであって、「３００×３００μｍ２ダイオードメサ」からなり、「２５０ｍＡの駆動電流において１．５３ｍＷという高いＤＣ出力が測定された」ものである（駆動電流密度は、２５０ｍＡ／（３００×３００μｍ２）＝２７８Ａ／ｃｍ２となる。）から、特定事項Ｅを備えるといえる。
（カ）本願発明の「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である」との特定事項（特定事項Ｆ）について
　引用発明１−２は、本願発明の特定事項Ｆを備えない。
（キ）本願発明の「デバイス」との特定事項（特定事項Ｇ）について
　引用発明１−２の「半極性ＬＥＤ」は、本願発明の「デバイス」に相当する。
　イ　一致点及び相違点の認定
　上記アによれば、本願発明と引用発明１−２とは、
「レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイスであって、
　平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、
　前記ＧａＮ基板は、異種基板またはＧａＮ基板上のＧａＮテンプレートを含み、バルクＧａＮ基板から切り出され、
　前記半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上面はデバイス領域上方の基板の主表面に対して実質的に平行であり、
　前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である
　デバイス。」である点で一致し、次の点で相違する、又は、一応相違する。
［相違点２］
　本願発明は、ＧａＮテンプレートの「厚さが少なくとも１０μｍ」であるのに対し、引用発明１−２は、「｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２」の厚さが不明である点。
［相違点３］
　本願発明は、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である」のに対し、引用発明１−２は、そうではない点。
　ウ　相違点２の判断
　引用文献１の【００３５】には、「テンプレート層の厚さは数ナノメートル（この場合は核形成層またはバッファー層とよばれる。）から数１０或いは数１００マイクロメータの範囲に及ぶ。テンプレート層は必ず必要なものではないが、テンプレートを用いると一般に均一性が改善され、半極性窒化物デバイスの歩留まりが向上する。」との記載がある。
　よって、引用発明１−２において、「｛１０−１３｝ＧａＮテンプレート１３０２」の「厚さが少なくとも１０μｍ」となるようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　エ　相違点３の判断
　相違点３に係る構成である特定事項Ｆは、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、」に関するものであるから、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有する」ものではない態様に対しては、何も特定していないことになる。
　そして、引用発明１−２は、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有する」ものではない態様に係るものである。
　よって、相違点３は、実質的な相違点でない。
　オ　引用発明１−２に基づく進歩性欠如についての小括
　したがって、本願発明は、引用発明１−２及び引用文献１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（４）引用文献１に記載された発明に基づく新規性欠如及び進歩性欠如についての小括
　このように、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は、引用発明１−２及び引用文献１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　４　引用文献２（国際公開第１９９８／１９３７５号）に記載された発明に基づく進歩性欠如
　仮に、本願が分割要件を満たし、その結果、本願の出願日が原出願日に遡及すると仮定しても、本願発明は、以下のとおり、優先権主張日前に公知となった引用文献２に記載された発明に基づいて進歩性を欠如する。
（１）本判断の構造について
　理由を説示するに先立ち、本判断の構造を述べる。
　ア　本願が分割要件を満たすと仮定するということは、上記２（４）アのとおり、異種基板として適宜のものであっても、特定事項Ｅ及び特定事項Ｆが特定する数値特性が得られるという原出願日当時における技術常識が存在することを意味する。
　さらに、特定事項Ｅ及びＦの解釈につき解釈２をとる場合は、本願が分割要件を満たすと仮定するということは、上記２（４）イのとおり、レーザダイオードであっても、特定事項Ｅ及びＦが特定する数値特性が適宜得られるという原出願日当時における技術常識が存在することを意味する。
　イ　ここで、本願はパリ条約に基づく優先権主張をしているものであるから、優先権主張の効果が認められるか否か、つまり、進歩性判断の基準時（以下「進歩性判断基準時」という。）がいつであるのかも、問題となる。しかるに、進歩性判断基準時が優先権主張日当時とされるためには、上記アの技術常識が、原出願日当時に存在するのでは足りず、その時点よりも遡った優先権主張日当時において存在していなければならないと解される。
　そこで、以下では、本願の優先権主張の効果が認められるものと仮定した上で、本願発明が、優先権主張日より前に公知となった発明に基づき、上記の技術常識を備えた当業者によって容易に発明をすることができたものといえるか否かについて検討する。
　なお、上記につき是の結論となるのであれば、本願の優先権主張の効果が認められないと仮定したとしても、結論を左右しない。なぜならば、進歩性判断基準時及び上記の技術常識が存在した時点が、いずれも、優先権主張日当時から原出願日当時に繰り下げられるだけのことだからである。
（２）引用文献２の記載事項の認定
　ア　当審拒絶理由通知が引用した、優先権主張日前に頒布された刊行物である引用文献２には、次の記載がある。
（ア）「２−３：第２の型の半導体発光装置」（１９頁１行）、
「本発明の第２の型半導体発光装置について説明する。以下の説明における発光領域の定義及びこれが量子井戸構造で構成される例もあることは、上述の本発明の第１の半導体発光装置の説明で述べ事実と同様である。」（１９頁２行〜４行）、
「本発明の第２の型の半導体発光装置に係わる第１の形態は、少なくとも化合物半導体材料を有して構成され、第一導電型クラッド層及び第二導電型クラッド層と、前記クラッド層に挟まれ且つ井戸層と該井戸層より禁制帯幅の大きい障壁層を有する量子井戸構造を有する活性層領域を少なくとも有する半導体発光装置であって、上記量子井戸活性領域の面方位が（０００１）面から７０度〜９０度傾斜した面あるいはこれと等価な面であることを特徴とする半導体発光装置である。この場合、前述した通り、この傾斜角度は５度以内のずれ、裕度を許される。尚、このずれ、裕度が（０００１）面からの傾斜方向とは別の傾斜の場合も含まれることも前述した通りである。」（１９頁５行〜１３行）、
「この構成を実現する一形態として、発光素子を構成する半導体層をオフ基板上（上部）でエピタキシャル成長する場合がある。オフ基板とは、例えば六方晶型の結晶構造を有するサファイア基板において通常（０００１）面を主面（エピタキシャル成長が行われる面）とするのに対し、主面の結晶面を（０００１）面から所定の角度傾けた結晶面とする基板を指す。オフ基板を用いたエピタキシャル成長は、成長した結晶の質（結晶性）や成長時における不純物導入（ドーピング）の点で優れるが、これを本発明に適用する場合は上述の傾斜角度範囲に更に５度の余裕を持たせることができる。この５度の余裕は、活性層のエピタキシャル成長面の角度としきい値キャリア密度の関係を考慮し、求められる動作電流の低減の程度次第ではオフ基板を使用しない場合にも適用できる。」（１９頁１４行〜２３行）
（イ）「２−４：第３の型の半導体発光装置」（１９頁２５行）、
「本発明の第３の型半導体発光装置について説明する。以下の説明における発光領域の定義及びこれが量子井戸構造で構成される例もあることは、上述の本発明の第１の半導体発光装置の説明で述べたとおりである。」（１９頁２６行〜２８行）、
「本発明の第３の型の半導体発光装置に係わる第１の形態は、六方晶系半導体材料よりなる量子井戸活性層領域を少なくとも有し、その量子井戸活性層領域の結晶成長方向が［０００１］軸（ｃ軸）あるいはこれと等価な軸から３度から７０度傾斜した軸に平行であることを特徴とする半導体発光装置。この六方晶系結晶としてはウルツ鉱型結晶が好例である。」（１９頁２９行〜２０頁４行）、
「前述の傾斜角度は５度以上が好ましい。更に、この傾斜角度は５度から７０度、更には１０度以上６０度以下の範囲がより好ましい。２０度以上５５度以下の範囲が更に好ましい範囲である。尚、これらの範囲については図８の説明により具体的に明らかにされよう。」（２０頁５行〜８行）、
「また、結晶成長の軸を［０００１］軸（ｃ軸）から２０度より５５度の範囲で傾斜した軸に平行に形成した歪み量子井戸構造を採用して半導体レーザ装置とするには、レーザ共振器端面を（−１，２，−１，０）面あるいはこれと等価な面にすることが好ましい。」（２０頁９行〜１２行）、
「以下に、量子井戸層の結晶成長の方位の選択の仕方、および半導体レーザ装置の場合の共振器反射面の取り方を、より具体的に例示する。」（２０頁１３行〜１４行）、
「量子井戸層の結晶成長の方位の選択の仕方の具体的例示：
(１)ウルツ鉱型半導体材料より成る歪み量子井戸活性層領域を少なくとも有し、その結晶成長表面が（１，０，−１，Ｎ）面（Ｎ＝１、２、もしくは３）あるいはこれと等価な面から３度、更には５度以内の面である。
(２)ウルツ鉱型半導体材料より成る歪み量予井戸活性層領域を少なくとも有し、その結晶成長表面が（−１，２，−１，Ｎ）面（Ｎ＝３，４，もしくは５）あるいはこれと等価な面から５度以内の面である。」（２０頁１５行〜２１行）、
「以下に、量子井戸層の結晶成長の方位の選択の仕方、および半導体レーザ装置の場合の共振器の反射面の取り方をより具体的に例示する。」（２０頁２２行〜２３行）、
「半導体レーザ装置の場合の共振器反射面の取り方の具体的例示：
（１）歪み量子井戸活性層領域が半導体レーザ共振器の一部を構成し、その半導体レーザ共振器端面が、歪み量子井戸活性層領域の結晶成長方向の軸および[０００１]軸(ｃ軸)の２軸を含む面に平行である。
（２）量子井戸活性層領域または歪み量子井戸活性層領域は半導体レーザ共振器の一部を構成し、その半導体レーザ共振器端面が、量子井戸活性層領域または歪み量子井戸活性層領域の結晶成長方向の軸および[０００１]軸(ｃ軸)の２軸を含む面に平行であり、かつ(−１、２、−１、０)面と等価である。
（３）量子井戸活性層領域または歪み量子井戸活性層領域は半導体レーザ共振器の一部を構成し、その半導体レーザ共振器端面が、量子井戸活性層領域または歪み量子井戸活性層領域の結晶成長方向の軸および[０００１]軸(ｃ軸)の２軸を含む面に平行であり、かつ（１，０，−１，０）面と等価な面である。」（２０頁２５行〜２１頁７行）
（ウ）「２−５：本発明の半導体発光装置に関するその他の補足事項」（２１頁９行）、
「上述の半導体発光装置の構成を面発光型発光素子に適用した場合、上述の効果により偏向特性に優れた半導体レーザ装置を構成できることはいうまでもない。」（２１頁１０行〜１１行）、
「本発明の第２の型あるいは第３の型の半導体発光装置の代表例においては、窒化ガリウム系半導体の結晶成長面を（０００１）面から傾斜させるため、基板主面の結晶面をこれに合わせて結晶成長を行う必要性が考えられる。しかし、実験的にはSiC基板の（０００１）主面上に（１，−１，０，０）面を成長面とするＧａＮ結晶が、サファイア基板の（１，−１，０，２）主面上に（１，１，−２，０）面を成長面とするＧａＮ結晶が夫々成長されたデータもある。従って、窒化ガリウム系半導体の結晶成長面と基板主面の結晶面との面指数を合わせる必要はない。」（２１頁１２行〜１８行）、
「以上、発光領域を量子井戸構造とした例に基づき本発明の第２の型ならびに第３の型の半導体発光装置の構造に関して説明したが、この構造は量子井戸構造型を有する発光領域に限定されない。本発明は、例えば発光領域を光ガイド層やクラッド層に接合された単一の活性層として形成された場合にも適用できる。」（２１頁１９行〜２２行）、
「なお、本発明の第１から第３の型の半導体発光装置に適用される窒化ガリウム系半導体結晶を以下に追加説明する。この半導体材料は、III−Ｖ族化合物半導体であり、構成元素として窒素（Ｎ）を必ず含むものである。上述の説明においては、窒化ガリウム系半導体と便宜的に呼称したがIII族元素としてガリウム（Ｇａ）が含まれる必要はなく、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム、インジウム（Ｉｎ）等のIII族元素の少なくとも１種が含まれていればよい。またＶ族元素に関しては、窒素以外にも燐（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）等のＶ族元素が含まれていてもよい。即ち、本発明における窒化ガリウム系半導体を代表例とする化合物半導体は、構成元素として少なくとも窒素を含むIII−Ｖ族化合物半導体とも、窒化物半導体とも呼ぶことができる。」（２１頁２３行〜２２頁３行）、
「量子井戸構造を構成する半導体材料は、ウルツ鉱型の半導体材料を用い得るが、その代表例は窒化ガリウム系半導体である。代表例をより具体的に示せば、一般式ＩｎxＡｌyＧａ1−x−yＮ1−a−bＡｓaＰb、但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、ｘ＋ｙ≦１、ａ＋ｂ＜１と表わし得る。」（２２頁４行〜７行）、
「活性層にたいしては、ＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＩｎＧａＡｌＮ，ＧａＮＰ，ＧａＮＡｓ，ＩｎＧａＮＰ，ＩｎＧａＮＡｓ，ＧａＡｌＮＰ、あるいはＧａＡｌＮＡｓなどがその具体例である。井戸層にはＧａＮあるいはＩｎＧａＮなどが好ましい。また、クラッドにたいしては、ＧａＡｌＮ，ＡｌＮ，ＧａＮあるいはＩｎＧａＡｌＮなどが代表例である。」（２２頁８行〜１２行）、
「量子井戸半導体積層構造の為の井戸層およびバリア層の厚みなどはその通例に従って良い。一般に井戸層の厚みは２ｎｍより１５ｎｍ、バリア層の厚みは３ｎｍより１５ｎｍの範囲が多用される。好ましくは、井戸層の厚みは２ｎｍより８ｎｍ、バリア層の厚みは４ｎｍより８ｎｍの範囲がその例である。」（２２頁１３行〜１６行）、
「井戸層およびバリア層からなる上記量子井戸活性層は、井戸層の格子定数がバリア層の格子定数よりも大きく、井戸層に圧縮型の歪みが加わっている状態が好ましい。この井戸層の格子定数が、井戸層の歪みの無い状態と比較して０．６％より２．０％の範囲で大きいことが好ましい。」（２２頁１７行〜２０行）、
「こうした半導体積層体形成の為の基板は結晶成長によってその上部にウルツ鉱結晶が得られる基板、例えば、サファイア、ＧａＮ、スピネル、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＳｉＯ2、ＡｌＮなどが挙げられる。わけてもサファイア基板やＧａＮ基板が代表例である。」（２２頁２１行〜２４行）、
「半導体発光装置を製造するに際して、その他の構成は一般に行われている手段を用いて良い。例えば、結晶成長用の基板と量子井戸構造の半導体積層との間に結晶性改善のためのバッファ層を設けることは通常行われている方法に従ってよい。サファイア基板は絶縁性のため、この基板側の電極を取り出す方策、また、半導体積層構造の上部より取り出すもう一方の電極形成のため、いわゆるコンタクト層を設けること、更に結晶性改善のために任意に挿入される層なども通例に従ってよい。このような種々の付加構成、変形構成の適用も本発明の範囲なることは言うまでもない。」（２２頁２５行〜２３頁３行）、
「尚、こうした半導体積層構造は、半導体発光装置以外に、正孔の有効質量が低いことを要請される他の半導体装置に用い得ることはいうまでもない。」（２３頁４行〜５行）
（ウ）「＜実施例８＞」（３７頁１０行）、
「第２２図は、本発明の第６の実施例である半導体レーザ装置の斜視図、第２３Ａ図，第２３Ｂ図、第２３Ｃ図，および第２３Ｄ図はその製造工程を示した断面図である。尚、これらの図は光軸と交わる方向の断面図である。以下、これらの図にしたがって、本発明に係わる半導体レーザ装置およびその製造工程を説明する。」（３７頁１１行〜１５行）、
「（１、０、−１、２）面を有するＧａＮ基板５１上に、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法により、バッファ層（ＧａＮ、０．１μｍ）５２を成長した後、ｎ型コンタクト層５３（ＧａＮ、２μｍ）、ｎ型クラッド層５４（ＡｌＧａＮ、１μｍ）、ＧａＮ（３ｎｍ）及びＡｌ0.4Ｇａ0.6Ｎ（５ｎｍ）の５周期から成る歪み量子井戸活性層５５、ｐ型クラッド層５６（ＡｌＧａＮ、１μｍ）、ｐ型コンタクト層５７（ＧａＮ、０．３μｍ）を順次形成する（第２３Ａ図）。ここで、基板上の結晶成長方向はｃ面すなわち（０００１）からの傾角は４３度にする。したがって、結晶成長表面はＲ面すなわち（１，０，−１，２）となる。」（３７頁１６行〜２３行）、
「次に、ｐ型コンタクト層５７上にｐ型電極５８を形成する（第２３Ｂ図）。ｐ型コンタクト層５７の表面の一部から、ｎ型コンタクト層５３に達するまで通常の方法にてエッチングで除去しする(第２３Ｃ図)。これはｎ型電極５９を引き出して設けるためである(第２３Ｄ図)。最後に、レーザ共振器端面６０が（−１，２，−１，０）になるようにチップに分離し、共振器を形成することで半導体レーザ装置が得られる。図２２に完成された半導体レーザの斜視図を示す。尚、実用に当たっては、更に、発光端面保護の為の保護膜を用いるなど任意である。」（３７頁２４行〜３８頁１行）、
「上記実施例の半導体レーザ装置において、閾値電流４０ｍＡで発振する青色の半導体レーザ装置が実現できる。」（３８頁２行〜３行）、
「また、下記基板による結晶成長によって、歪み量子井戸構造の活性層を形成しても、同様に良好な結果が得られた。
」（３８頁４行〜９行）、
「尚、本発明は、第６の実施例に示した以外の構造にも有効である。例えば、基板はＧａＮに限らず、ウルツ鉱結晶が得られる基板、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＳｉＯ2、あるいはＡｌＮ等の基板でも良い。」（当審注：「実施例６」は「第６の実施例」の誤記であると解されるので、誤記を正した上で摘記した。）（３８頁１１行〜１３行）
（エ）「産業上の利用可能性」（３９頁１４行）、
「本願発明に係わる光情報処理装置は、光磁気記録、相変化記録などを用いた光情報処理装置に適用することが出来る。また、本願発明に係わる光源は上述の光情報処理装置に適用することが出来る。本願発明に係わる半導体発光装置は上述の光情報処理装置に適用することが出来ると共に青色、青−青紫色、および青紫色の発光色を持つ光源として用いることが出来る。」（３９頁１５行〜１９行）
（オ）「請求の範囲」、
「３０．
ウルツ鉱型半導体材料より成る歪み量子井戸活性層を少なくとも有し、その歪み量子井戸活性層領域の結晶成長表面が（１，０，−１，Ｎ）面（Ｎ＝１、２、もしくは３）
である
半導体発光装置
　イ　上記アによれば、引用文献２の請求項３０に記載された発明について、次の事実が認められる。
（ア）引用文献２の請求項３０には、次の発明が記載されている。
　「ウルツ鉱型半導体材料より成る歪み量子井戸活性層を少なくとも有し、その歪み量子井戸活性層領域の結晶成長表面が（１，０，−１，Ｎ）面（Ｎ＝１、２、もしくは３）である半導体発光装置。」
（イ）第６の実施例（＜実施例８＞）は、半導体レーザ装置に係るものであり、ＧａＮ基板が（１，０，−１，２）面、（１，０，−１，３）面又は（１，０，−１，４）面であり、結晶成長表面が、それぞれ、（１，０，−１，２）面、（１，０，−１，３）面又は（１，０，−１，４）面である歪み量子井戸構造の活性層が形成されている。
　よって、上記（ア）におけるＮ＝３の場合について、引用文献２には、次の発明が記載されていることになる。
「ウルツ鉱型半導体材料より成る歪み量子井戸活性層を少なくとも有し、その歪み量子井戸活性層領域の結晶成長表面が（１，０，−１，３）面である半導体レーザ装置であって、
　（１，０，−１，３）ＧａＮ基板上に、前記歪み量子井戸構造の活性層が形成された、半導体レーザ装置。」
（ウ）第６の実施例（＜実施例８＞）に係る第２３Ａ図〜第２３Ｄ図からみて、ＧａＮ基板５１の（１，０，−１，２）面は平坦であると認められる。
　そして、ＧａＮ基板５１として「（１，０，−１，３）ＧａＮ基板」を用いた場合についても平坦か否かにつき差があるとは解されないから、上記（イ）で認定した発明における「ＧａＮ基板」の「（１，０，−１，３）面」も平坦であると認められる。
　よって、引用文献２には、次の発明が記載されていることになる。
「ウルツ鉱型半導体材料より成る歪み量子井戸活性層を少なくとも有し、その歪み量子井戸活性層領域の結晶成長表面が（１，０，−１，３）面である半導体レーザ装置であって、
　（１，０，−１，３）ＧａＮ基板上に、前記歪み量子井戸構造の活性層が形成されており、
　ＧａＮ基板の（１，０，−１，３）面は平坦である、
　半導体レーザ装置。」
　ウ　上記イ（ウ）をもって、引用文献２に記載された発明（以下「引用発明２」という。）を認定する。
（３）本願発明と引用発明２との対比
　ア　本願発明の「レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイスであって、」との特定事項（特定事項Ａ）について
（ア）引用発明２の「半導体レーザ装置」は、本願発明の「レーザダイオード」からなる「発光デバイス」に相当する。
（イ）よって、引用発明２は、本願発明の特定事項Ａを備える。
　イ　本願発明の「平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長されるＩｎＧａＮを含む一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、」との特定事項（特定事項Ｂ）について
（ア）引用発明２の「ＧａＮ基板」は、本願発明の「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板」に相当する。
（イ）引用発明２の「ＧａＮ基板の」「平坦」な「（１，０，−１，３）面」は、上記（ア）にも照らせば、本願発明の「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面」に相当する。
（ウ）引用発明２の「ウルツ鉱型半導体材料より成る歪み量子井戸活性層」であって、「その歪み量子井戸活性層領域の結晶成長表面が（１，０，−１，３）面である」「歪み量子井戸活性層」は、技術常識に照らせば、本願発明でいう「一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層」に相当するといえる。
（エ）引用発明２の当該「歪み量子井戸活性層」が、本願発明でいう「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長される」ものであることは、明らかである。
（オ）引用発明２は、「半導体レーザ装置」であって、上記（ウ）のとおり、「一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層」を備えるのであるから、本願発明でいう「半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜」を備えることも、技術常識に照らして明らかである。
　そして、引用発明２が備えると解される当該「半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜」は、「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面」（上記（イ））上に形成されるのであるから、「平坦」であると認められる。
（カ）よって、引用発明２は、本願発明でいう「平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長される」「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え」るとの事項を備える。
　しかし、引用発明２における「一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層」が、「ＩｎＧａＮ」を含んでいるのか不明である。
　ウ　本願発明の「前記ＧａＮ基板は、異種基板またはＧａＮ基板上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含み、バルクＧａＮ基板から切り出され、」との特定事項（特定事項Ｃ）について
　引用発明２は、本願発明の特定事項Ｃを備えない。
　エ　本願発明の「前記半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上面はデバイス領域上方の基板の主表面に対して実質的に平行であり、」との特定事項（特定事項Ｄ）について
　上記イを踏まえれば、引用発明２は、本願発明の特定事項Ｄを備えるといえる。
　オ　本願発明の「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度であり、」との特定事項（特定事項Ｅ）について
（ア）引用発明２は、「（１，０，−１，３）ＧａＮ基板上」に「歪み量子井戸構造の活性層」を形成するものであるから、本願発明でいう「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有する」ものといえる。
（イ）上記イのとおり、引用発明２は、本願発明でいう「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層」と「半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜」を備えているところ、これらには、何らかの「材料特性」及び「貫通転位密度」が存在するはずであるが、その程度は具体的には不明である。
（ウ）よって、本願発明の特定事項Ｅと引用発明２とは、「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、所定の材料特性および所定の貫通転位密度であ」るとの点で一致する。
　しかし、引用発明２における前記「所定の材料特性および所定貫通転位密度」が、「発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度」であるのか不明である。
　カ　本願発明の「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である」との特定事項（特定事項Ｆ）について
　引用発明２は、本願発明の特定事項Ｆを備えない。
　キ　本願発明の「デバイス」との特定事項（特定事項Ｇ）について
　引用発明２の「半導体レーザ装置」は、本願発明の「デバイス」に相当する。
（４）一致点及び相違点の認定
　上記（３）によれば、本願発明と引用発明２とは、
「レーザダイオードまたは発光ダイオードを含む発光デバイスであって、
　平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、窒化ガリウム（ＧａＮ）基板の平坦な半極性表面上に成長される一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層を含む、半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜を備え、
　前記半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上面はデバイス領域上方の基板の主表面に対して実質的に平行であり、
　前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、所定の材料特性および所定の貫通転位密度である、
　デバイス。」である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点４］
　「一つ以上の半極性ＩＩＩ族窒化物活性層」が、本願発明は「ＩｎＧａＮ」を含むのに対し、引用発明２はそうであるのか不明である点。
［相違点５］
　「前記ＧａＮ基板」が、本願発明は「異種基板またはＧａＮ基板上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含み、バルクＧａＮ基板から切り出され」たものであるのに対し、引用発明２はそうであるのか不明である点。
［相違点６］
　「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき」における「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度」である「所定の材料特性および所定の貫通転位密度」が、本願発明は「発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度」であるのに対し、引用発明２はそうであるのか不明である点。
［相違点７］
　本願発明は、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である」のに対し、引用発明２はそうではない点。
（５）相違点４及び相違点６の判断
　事案にかんがみ、相違点４及び相違点６から判断する。
　ア　引用文献２は、発光色が青色であってもよいこと、及び、活性層がＩｎＧａＮであってもよいことを記載している（３９頁１８行、２２頁８行）。そして、青色のレーザダイオードの活性層としてＩｎＧａＮを用いることは、例示するまでもなく、優先権主張日当時における技術常識である。
　そうすると、引用発明２において、発光光を青色とするとともに、活性層としてＩｎＧａＮを用いることは、当業者が適宜なし得たことである。
　イ　ところで、引用発明２は「レーザダイオード」に係るものであるところ、相違点６に係る構成（特定事項Ｅ）は、上記１（３）のとおり、「前記半極性表面が方位｛１０−１３｝を有するとき」の「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度」が、「発光デバイス」が「レーザダイオード」であるときに、
　(i)　何も特定されていない、と解するか、（解釈１）
　(ii)　レーザダイオードからなる発光デバイスが、「青色光を発光し、２７８Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度」である、と解するか、（解釈２）
　のいずれかが考えられる。
（ア）しかるに、解釈１の場合は、相違点６が実質的な相違点ではないことになる。
（イ）解釈２の場合は、上記（１）ア及びイのとおり、本判断においては、本願が分割要件を満たすと仮定されているとともに優先権主張の効果が認められると仮定されている以上、優先権主張日当時において、レーザダイオードであっても、特定事項Ｅが特定する数値特性が適宜得られるという技術常識が存在しなければならず、さらに、優先権主張日当時において、異種基板として適宜のものであっても、特定事項Ｅが特定する数値特性が得られるという技術常識が存在しなければならない。
　しかるに、これらの技術常識に照らせば、引用発明２の半導体レーザ装置を、２７８Ａ／ｃｍ２以下の駆動電流密度で１．５３ｍＷの出力パワーを有するようにすることは、当業者が適宜設計し得たことであるというべきである。
　ウ　このように、相違点４は格別ではなく（上記ア）、相違点６は実質的な相違点ではない（上記イ（ア））か、又は、実質的な相違点だとしても格別ではない（上記イ（イ））。
（６）相違点５の判断
　ア　相違点５に係る構成は、特定事項Ｃに関するところ、上記１（２）イのとおり、特定事項Ｃは、「異種基板」又は「ＧａＮ基板」「上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含」んだ「前記ＧａＮ基板」と、「バルクＧａＮ」インゴット或いはボールから「切り出され」た「前記ＧａＮ基板」と、を少なくとも含むものである。
　イ　引用発明２のＧａＮ基板は、（１，０，−１，３）ＧａＮ基板であるところ、それをどのようにして得るのかについて当業者は当然に検討するものといえる。
　ウ　しかるに、引用文献２は、（０００１）面を主面としない基板を得るに当たり、サファイア基板などのオフ基板を用いることを開示する（１９頁１４行〜２３行）。そして、サファイア基板などの異種基板を用いる場合において、結晶状態が良好なＧａＮを得るために、厚いＧａＮ膜を成長させることは、優先権主張日前において周知技術である（例えば、特開２００５−１１９９２１号公報の【０００５】などを参照。）
　そうすると、当業者であれば、引用発明２の（１，０，−１，３）ＧａＮ基板を得るために、引用文献２の上記記載及び上記周知技術を踏まえて、「異種基板」「上の厚さが少なくとも１０μｍのＧａＮテンプレートを含」んだものとして、相違点５の構成に至ることは、格別困難ではない。
　エ　また、ＧａＮ基板を得るに当たり、ＧａＮ単結晶インゴットを形成して、それを切断することは、優先権主張日前において周知技術である（例えば、国際公開第９９／２３６９３号の請求項３４など、特開２０００−２５２２１７号公報の【００１２】などを参照。）し、所望の方位面をもつ単結晶基板をインゴットから切り出すことも周知技術である（例えば、特開平８−３０９７３７号公報の【０００１】〜【０００７】などを参照。）。
　そうすると、当業者であれば、引用発明２の（１，０，−１，３）ＧａＮ基板を得るために、上記各周知技術を踏まえて、「バルクＧａＮ」インゴットから「切り出され」たものとして、相違点５の構成に至ることは、格別困難ではない。
　オ　上記ウ又はエの少なくともいずれか１つの理由により、相違点５は格別ではない。
（７）相違点７の判断
　ア　相違点７に係る構成である特定事項Ｆは、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、」に関するものであるから、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有する」ものではない態様については、何も特定していないことになる。
　そして、引用発明２は、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有する」ものではない。
　よって、相違点７は、実質的な相違点ではない。
　イ　上記アの判断を措くとしても、以下のとおり、相違点７は、格別ではない。
（ア）まず、引用発明２において、相違点７に係る構成のうち、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、」に至ることは、当業者が適宜なし得たことである。
　すなわち、上記（２）イのとおり、引用発明２は、引用文献２の請求項３０に記載された発明に関連するところ、当該請求項３０は、「歪み量子井戸活性層領域の結晶成長表面が（１，０，−１，Ｎ）面（Ｎ＝１、２、もしくは３）」であるとしている（引用発明２は、Ｎ＝３の場合である。）。そうすると、引用文献２は、引用発明２において、Ｎ＝１としてもよいことを示唆しているといえる。
　しかるに、引用発明２において、Ｎ＝１が採用されれば、ＧａＮ基板も（１，０，−１，１）ＧａＮ基板が採用されるものと解される。よって、引用発明２において、相違点７に係る構成のうち、「前記半極性表面が方位｛１０−１１｝を有するとき、」に至ることは、当業者が適宜なし得たことである。
（イ）そして、相違点７に係る構成のうち、「半極性ＩＩＩ族窒化物活性層の一つ以上の材料特性および前記平坦な半極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の貫通転位密度は、発光ダイオードを含む前記デバイスが、青色光を発光し、３３３．３Ａ／ｃｍ2以下の駆動電流密度で０．６３０ｍＷの出力パワーを有するような材料特性および貫通転位密度である」ことについては、相違点６の判断（上記（５）イ）においてしたのと同様の理由で、実質的な相違点ではないか、格別ではない。
　ウ　このように、相違点７は、実質的な相違点ではないか、格別ではない。
（８）引用文献２に記載された発明に基づく進歩性欠如についての小括
　したがって、本願発明は、引用発明２に記載された発明、引用文献２に記載された事項及び前記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。