【事件の表示】
　特許第３００９９２３号「フォトリソグラフィのための改善されたマスク」の請求項１ないし３、７、１０および１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００９９２３号の請求項１ないし３、７、１０および１１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３００９９２３号は、平成５年１月１５日（優先権主張１９９２年１月１６日、米国）に特許出願され、平成１１年１２月３日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人友野宏から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年４月２７日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１１月６日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人友野宏は、甲第１号証（特開平３−２１０５６０号公報）並びに参考資料１（特開昭６１-９１６６２号公報）、参考資料２（谷田貝豊彦著「光とフーリエ変換」1992年5月15日　朝倉書店発行）、参考資料３（Mボルン/Eウオルフ著「光学の原理11」1975年5月15日第一刷発行）及び参考資料４（SPIE Vol.922 0ptical/Laser Microlithography(1988),pp.135　Understanding focus effects　in submicron　optical　lithography）を提出し、本件の請求項１〜３、７、１０及び１１に係る発明は、甲第１号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項１〜３、７、１０及び１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、本件請求項１〜３、７、１０及び１１に係る特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人友野宏が提出した甲第１号証及び参考資料１〜４の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証第１頁右欄第１６〜１７行には、「近年、ＬＳＩの高速化、高集積化に伴い、より微細なリソグラフィー技術が要求されている。」と記載されている。
　第２頁右上欄第９〜１１行には、「本発明は位相シフタを付加することなく微細なレジストパターンを高精度に形成するための投影露光用マスクを提供することを目的とする。」と記載されている。
　第１頁左欄の特許請求の範囲には、「幅Ｗ１の主開孔部（１）と、該主開孔部（１）の両側或いは片側に該主開孔部（１）と平行に形成された幅Ｗ２の副開孔部（２ａ，２ｂ）を有する投影露光用マスクであって、投影露光装置の開孔数をＮＡ、縮小倍率をｍ、露光波長をλとする時、該幅Ｗ１は０．５×ｍ×（λ／ＮＡ）以下であり、該幅Ｗ１に対する該幅Ｗ２の比は０．４〜０．６の範囲であり、該主開孔部（１）の中心線と該副開孔部（２ａ，２ｂ）の中心線の間隔はほぼ１．２×ｍ×（λ／ＮＡ）で有ることを特徴とする投影露光用マスク」と記載されている。
　第１図（ａ）および第２図（ａ）には、２つのエッジを有する主開孔部１と、これらのエッジの両側であって各エッジにそれぞれ平行に形成された２つ副開孔部２ａ，２ｂとを含むマスクが示されている。
　第２頁左下欄第１７行目〜右下欄第１３行目には、「この図に見るように、主開孔部１下のレジスト膜では合成の電界強度は中央部が大きく、境界部で急激に変化するプロフィルとなる。これは、主開孔部１を通る光と副開孔部２ａ，２ｂを通る光の干渉効果による。第１図（ｃ）は光強度４のプロフィルを示す。光強度４は合成の電界強度３ｃの自乗に比例する。このようにして主開孔部１とその両側に副開孔部２ａ，２ｂを形成した投影露光用マスクを用いることにより、レジスト膜上での露光の強度を上げ、かつそのプロフィルをシャープにすることができる。
　副開孔部は主開孔部の片側に形成しても、その側ではプロフィルをシャープにする効果があり、パターンの設計上副開孔部を片側にしか形成できない場合に有効である。」と記載されている。
　第３頁右上欄第１７行目〜左下欄第６行目には「現像時間の増加とともにレジスト主開孔部６の側壁は垂直な状態に近づいて行き、６０秒を超えるとそれ以上現像時間を延ばしてもレジスト主開孔部６の形状に大幅な変化はなく、０．４μｍ幅の開孔が形成される。このことは現像時間の余裕度が大きいことを示している。レジスト副開孔部７ａ，７ｂは現像時間を６５秒としても貫通孔を形成することはなく、光を遮るために十分な厚さを残している。」と記載されている。
　第３頁左下欄第１８行目〜右下欄第３行目には、「この図を第２図（ｂ）と比較してみると、現像速度が小さく、現像時間を延ばしてもレジスト開孔部８の断面形状は傾斜が大きく上の開口と下の開口の幅の差が大きい、といった欠点があり、０．４μｍ幅の開孔を忠実に形成するのが難しいことがわかる。」と記載されている。
　第３頁右下欄第９行目〜第１２行目には、「この場合は現像速度は大きいが、現像時間の増加とともにレジスト開孔部９の幅が大きくなり、レジスト開孔部９の断面形状は傾斜が大きく、所定の寸法を忠実に得ることが難しい。」と記載されている。
　第２頁右欄第１９行目〜第３頁左欄第３行目には、「幅Ｗ１に対する幅Ｗ２の比（Ｗ２／Ｗ１）が
０．４より小さいと副開孔部を形成した効果が小さく、０．６より大きいと副開孔部下のレジスト膜が露光され過ぎて、現像後孔が開く可能性が大きくなって望ましくない」と記載されている。
１．２．２　参考資料１の記載内容
　参考資料１の第４頁右下欄第８行目〜第１８行目には、「例えば、波長３６５ｎｍのｉ線を用い、投影倍率１／１０、投影光学系１４の開口数０．３５、レジストＯＦＰＲ８００、０．５μｍ厚でパターン形成を行なうと、従来の円形開口絞りでσ＝０．５とした装置条件では、線幅０．５μｍ，ピッチ１μｍのラインアンドスペースまでしか解像し得ないが、第１図に示した円輪状開口絞りを使用した本発明の投影露光装置の一実施例によれば、線幅０．４μｍ，ピッチ０．８μｍのラインアンドスペースまで解像し得ることが確認されている。」と記載されている。
１．２．３　参考資料２の記載内容
　参考資料２の第８８頁〜第１００頁「その６．フーリエ光学」の記載から、マスク上の回折がウエハ上では干渉に相当することが示唆されている。
１．２．４　参考資料３の記載内容
　参考資料３の第５６８頁第１７行目〜第１８行目には、「回折はＨｕｙｇｅｎｓの原理と干渉の考え方を用いることによって説明できる」と記載されている。
１．２．５　参考資料４の記載内容
　参考資料４の第１３５頁第１２行には、解像限界＝ｋ１×（λ／ＮＡ）の方程式が示されており、また、第１３５頁第１３、１４行には、「ｋｌはプロセスに依存する定数である。一般的に、ｋｌは０．４〜０．９の範囲内にある。」と記載されている。
２．訂正の内容について
　本件訂正請求は、本件特許第３００９９２３号の願書に添付された明細書を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項1の「前記マスクは、前記少なくとも1つのエッジに対応して、前記少なくとも1つのエッジから所定距離離れて前記マスク上に配置され、前記少なくとも1つのエッジのエッジ強度の勾配を変化させる少なくとも1つの追加線を備え、」及び「前記所定距離は、前記臨界寸法に比例する」を、「前記マスクは、CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される少なくとも1つの追加線であって、前記少なくとも1つのエッジに対応して、前記少なくとも1つのエッジから所定距離離れて前記マスク上に配置され、前記少なくとも1つのエッジのエッジ強度の勾配を変化させる少なくとも1つの追加線を備え、」及び「前記所定距離は、透明地マスクでは前記臨界寸法の約1.1倍に等しく、黒地マスクでは前記臨界寸法の約1.0倍に等しい」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項2の「前記マスクは、各々の追加線が、」を、「前記マスクは、CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、各々の追加線が、」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項3の「前記マスクは、各々の追加線が、」を、「前記マスクは、CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、各々の追加線が、」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項7の「前記追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭い幅」を、「前記追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭く、リソグラフイパターンの転写に使われる露光器の解像度の限界より狭い幅」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項10の「請求項1乃至4のいずれか1つ」を、「請求項2乃至4のいずれか1つ」と訂正する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項11の「請求項1乃至4のいずれか1つ」を、「請求項2乃至4のいずれか1つ」と訂正する。　
訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項２及び３の「回析」を「回折」と訂正する。
２．２　訂正後の請求項１〜３、７、１０及び１１に係る発明
請求項1
　集積回路(IC)に対応するリソグラフィパターンをマスクから半導体基板に光学的に転写するためのマスクであって、
　前記リソグラフイパターンが臨界寸法を有し、少なくとも1つのエッジを持つ少なくとも1つの形状を含み、
　前記マスクは、CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される少なくとも1つの追加線であって、前記少なくとも1つのエッジに対応して、前記少なくとも1つのエッジから所定距離離れて前記マスク上に配置され、前記少なくとも1つのエッジのエッジ強度の勾配を変化させる少なくとも1つの追加線を備え、
　前記所定距離は、透明地マスクでは前記臨界寸法の約1.1倍に等しく、黒地マスクでは前記臨界寸法の約1.0倍に等しいことを特徴とするマスク。
請求項2
　集積回路(IC)に対応するリソグラフイパターンをマスクから半導体基板に光学的に転写するためのマスクであって、
　前記リソグラフィパターンが臨界寸法を有し、各々の形状が関連するエッジを有する複数の形状を含み、
　前記エッジの第1の部分は、光の回折によりパターンに依存する変化を生じるようお互いに隣接しており、前記エッジの第2の部分は、前記形状の他のどのエッジからも比較的離れており、
　前記マスクは、CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、各々の追加線が、前記第2の部分の前記エッジの1つに対応して、前記第2の部分の前記エッジの1つから所定距離離れて前記マスクに配置され、前記エッジの前記第2の部分のエッジ強度の勾配を前記エッジの前記第1の部分のエッジ強度の勾配に近づけるように変化させる、複数の追加線を備えることを特徴とするマスク。
請求項3
　マスクから表面にリソグラフイでパターンを転写するためのマスクであって、
　前記パターンが臨界寸法を有し、各々の形状が関連するエッジを有する複数の形状を含み、
　前記エッジの第1の部分は、光の回折によりパターンに依存する変化を生じるようお互いに隣接しており、前記エッジの第2の部分は、前記形状の他のどのエッジからも比較的離れており、
　前記マスクは、CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、各々の追加線が、前記第2の部分の前記エッジの1つに対応して、前記第2の部分の前記エッジの1つから所定距離離れて前記マスクに配置され、前記エッジの前記第2の部分のエッジ強度の勾配を前記エッジの前記第1の部分のエッジ強度の勾配に近づけるように変化させる、複数の追加線を備えることを特徴とするマスク。
請求項7
　前記追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭く、リソグラフイパターンの転写に使われる露光器の解像度の限界より狭い幅であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載のマスク。
請求項10
　前記所定距離は、前記臨界寸法の約1.0倍に等しいことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1つに記載のマスク。
請求項11
　前記所定距離は、前記臨界寸法の約1.1倍に等しいことを特徴とする請求項2乃至4のいずれか1つに記載のマスク。
３．　訂正の適否
３．１
訂正事項１
　上記訂正事項ａについては、特許明細書の請求項１の「前記マスクは、前記少なくとも1つのエッジに対応して、前記少なくとも1つのエッジから所定距離離れて前記マスク上に配置され、前記少なくとも1つのエッジのエッジ強度の勾配を変化させる少なくとも1つの追加線を備え、」及び「前記所定距離は、前記臨界寸法に比例する」を、それぞれ下位概念である「前記マスクは、CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される少なくとも1つの追加線であって、前記少なくとも1つのエッジに対応して、前記少なくとも1つのエッジから所定距離離れて前記マスク上に配置され、前記少なくとも1つのエッジのエッジ強度の勾配を変化させる少なくとも1つの追加線を備え、」及び「前記所定距離は、透明地マスクでは前記臨界寸法の約1.1倍に等しく、黒地マスクでは前記臨界寸法の約1.0倍に等しい」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　また、「CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される少なくとも1つの追加線」は、特許明細書第1頁第13行から第18行に「個々の回路素子を、完成したIC内にデバイスを組み込んだ形状に変換する作業ではコンピュータ支援設計（CAD）が有効である。…CADシステムで用いられるソフトウエアプログラムは、通常あるデザイン規則の組で機能するように構成されて、機能回路を構成する」と記載され、また、第５頁第15行から第１６行に「均一化バーはCADソフトアルゴリズムによりレイアウト設計で自動的に実現することができる」と記載されていることから、直接かつ一義的に導き出されるものである。
　上記「透明地マスクでは前記臨界寸法の約1.1倍に等しく、黒地マスクでは前記臨界寸法の約1.0倍に等しい」は、第８頁第９及び１０行の記載から直接かつ一義的に導き出されるものである。
　そして、上記訂正事項ａは、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｂ及びｃ
　上記訂正事項ｂ及びｃについては、特許明細書の請求項２及び３の「前記マスクは、各々の追加線が、」を、下位概念である「前記マスクは、CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、各々の追加線が、」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　また、「CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線」は、請求項1と同様に、特許明細書第1頁第13行から第18行に「個々の回路素子を、完成したIC内にデバイスを組み込んだ形状に変換する作業ではコンピュータ支援設計（CAD）が有効である。…CADシステムで用いられるソフトウエアプログラムは、通常あるデザイン規則の組で機能するように構成されて、機能回路を構成する」と記載され、また、第５頁第15行から第１６行に「均一化バーはCADソフトアルゴリズムによりレイアウト設計で自動的に実現することができる」と記載されていることから、直接かつ一義的に導き出されるものである。
　そして、上記訂正事項ｂ及びｃは、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｄ
　上記訂正事項ｄについては、特許明細書の請求項7の「前記追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭い幅」を、下位概念である「前記追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭く、リソグラフイパターンの転写に使われる露光器の解像度の限界より狭い幅」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　また、「追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭く、リソグラフイパターンの転写に使われる露光器の解像度の限界より狭い幅」については、特許明細書第2頁第11行及び第12行に「現在、…解像度は0．4ミクロン程度である。」と記載され、また、第４図の表中に均一化バーのサイズとして、0．1ミクロン及び0．08ミクロンと記載されていることから、直接かつ一義的に導き出されるものである。
　そして、上記訂正事項ｄは、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｅ及びｆ
　上記訂正事項ｅ及びｆについては、特許明細書の請求項10及び11の「請求項1乃至4のいずれか1つ」を、「請求項2乃至4のいずれか1つ」と訂正し、訂正後の請求項1との記載の重複を避けるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　そして、上記訂正事項ｅ及びｆは、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｇ
　上記訂正事項ｇについては、特許明細書の請求項２及び３の「回析」を「回折」と訂正するものであるから、明らかに誤記の訂正である。
　そして、上記訂正事項ｇは、特許明細書又は図面に記載した範囲内のものであるし、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
３．２
　上記訂正事項ａ〜ｇは、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　異議申立てに係る本件特許の請求項１〜３、７，１０及び１１に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．３　異議申し立てに係る本件請求項１〜３、７、１０及び１１に係る発明と甲各号証との対比、判断
４．３．１　本件請求項１〜３、７、１０及び１１に係る発明と甲各号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される少なくとも1つの追加線」構成（以下、「本件請求項１の特徴的構成」という。）を有し、本件請求項２及び３に係る発明が、「CADソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数のの追加線」構成（以下、「本件請求項２及び３の特徴的構成」という。）を有するのに対し、上記甲第１号証及び参考資料１〜４には、いずれも上記本件請求項１〜３の特徴的構成の記載又はその記載の示唆がなく、上記本件請求項１〜３に係る発明は、当該本件請求項１〜３の特徴的構成を有することにより、「追加線の配置が単に露光器の特性などからの理論的算出結果ではなく、CADソフトのアルゴリズムによって臨界寸法から自動的及び一義的に決定される」（平成１３年１１月６日付け訂正請求書、「訂正の原因」の項）という、上記甲第１号証及び参考資料１〜４にはない効果及び「均一化バーはCADソフトアルゴリズムによりレイアウト設計で自動的に実現することができるので、本発明は回路やレイアウトの設計技術者とは無関係に隣接効果を解決することができる」（特許明細書第５頁第15行〜第１8行）という、上記甲第１号証及び参考資料１〜４にはない効果を有する。
　従って、本件請求項１〜３に係る発明は、上記甲第１号証及び参考資料１〜４に基づいて容易に発明できたものではない。
　また、本件請求項１〜３に係る発明を引用する本件請求項７、１０及び１１に係る発明は、本件請求項１〜３に係る発明と同様に、上記甲第１号証及び参考資料１〜４に基づいて容易に発明できたものではない。
　又、異議申し立てされていない本件請求項４を引用する本件請求項７、１０及び１１に係る発明は、上記甲第１号証及び参考資料１〜４に基づいて容易に発明できたとすることができない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申し立ての理由によっては、本件請求項１〜３、７、１０及び１１に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１〜３、７、１０及び１１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１〜３、７、１０及び１１に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
  よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１及び２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月２７日（２００１．１１．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ〜ｄは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ｅ及びｆは、明りょうでない記載の釈明を目的とし、訂正事項ｇは、誤記の訂正を目的とする。
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１の「前記マスクは、前記少なくとも１つのエッジに対応して、前記少なくとも１つのエッジから所定距離離れて前記マスク上に配置され、前記少なくとも１つのエッジのエッジ強度の勾配を変化させる少なくとも１つの追加線を備え、」及び「前記所定距離は、前記臨界寸法に比例する」を、「前記マスクは、ＣＡＤソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される少なくとも１つの追加線であって、前記少なくとも１つのエッジに対応して、前記少なくとも１つのエッジから所定距離離れて前記マスク上に配置され、前記少なくとも１つのエッジのエッジ強度の勾配を変化させる少なくとも１つの追加線を備え、」及び「前記所定距離は、透明地マスクでは前記臨界寸法の約１．１倍に等しく、黒地マスクでは前記臨界寸法の約１．０倍に等しい」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項２の「前記マスクは、各々の追加線が、」を、「前記マスクは、ＣＡＤソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、各々の追加線が、」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項３の「前記マスクは、各々の追加線が、」を、「前記マスクは、ＣＡＤソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、各々の追加線が、」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項７の「前記追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭い幅」を、「前記追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭く、リソグラフィパターンの転写に使われる露光器の解像度の限界より狭い幅」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項１０の「請求項１乃至４のいずれか１つ」を、「請求項２乃至４のいずれか１つ」と訂正する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項１１の「請求項１乃至４のいずれか１つ」を、「請求項２乃至４のいずれか１つ」と訂正する。
訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項２及び３の「回析」を「回折」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
フォトリソグラフィのための改善されたマスク
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　集積回路（ＩＣ）に対応するリソグラフィパターンをマスクから半導体基板に光学的に転写するためのマスクであって、
　前記リソグラフィパターンが臨界寸法を有し、少なくとも１つのエッジを持つ少なくとも１つの形状を含み、
　前記マスクは、
ＣＡＤソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される少なくとも１つの追加線であって、
　前記所定距離は、
透明地マスクでは前記臨界寸法の約１．１倍に等しく、黒地マスクでは前記臨界寸法の約１．０倍に等しい
　【請求項２】　集積回路（ＩＣ）に対応するリソグラフィパターンをマスクから半導体基板に光学的に転写するためのマスクであって、
　前記リソグラフィパターンが臨界寸法を有し、各々の形状が関連するエッジを有する複数の形状を含み、
　前記エッジの第１の部分は、光の
回折
　前記マスクは、
ＣＡＤソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、
　【請求項３】　マスクから表面にリソグラフィでパターンを転写するためのマスクであって、
　前記パターンが臨界寸法を有し、各々の形状が関連するエッジを有する複数の形状を含み、
　前記エッジの第１の部分は、光の
回折
　前記マスクは、
ＣＡＤソフトアルゴリズムによって前記臨界寸法に基づいて配置が決定される複数の追加線であって、
　【請求項４】　集積回路（ＩＣ）に対応するリソグラフィパターンをマスクから半導体基板に光学的に転写するためのマスクであって、
　前記リソグラフィパターンが臨界寸法を有し、形状のセットを含んで、他の内部エッジと近接する内部エッジとどのエッジとも近接しない外部エッジとを有し、
　前記マスクは、前記リソグラフィパターンの外部エッジを取り囲んで、前記外部エッジから所定距離離れて前記マスク上に配置され、前記外部エッジのエッジ強度の勾配を変化させる、少なくとも１つの追加線を備えることを特徴とするマスク。
　【請求項５】　前記少なくとも１つの追加線が、前記外部エッジのエッジ強度の勾配を、前記内部エッジのエッジ強度の勾配に一致させるように変化させることを特徴とする請求項４記載のマスク。
　【請求項６】　前記所定距離は、前記臨界寸法に比例することを特徴とする請求項４記載のマスク。
　【請求項７】　前記追加線の幅は、前記基板に転写されないように十分狭
く、リソグラフィパターンの転写に使われる露光器の解像度の限界より狭
　【請求項８】　前記追加線の幅は、前記臨界寸法の１／２未満であることを特徴とする請求項７記載のマスク。
　【請求項９】　前記追加線の幅は、前記臨界寸法の約１／５であることを特徴とする請求項７記載のマスク。
　【請求項１０】　前記所定距離は、前記臨界寸法の約１．０倍に等しいことを特徴とする請求項
２
　【請求項１１】　前記所定距離は、前記臨界寸法の約１．１倍に等しいことを特徴とする請求項
２
【発明の詳細な説明】
発明の分野
　本発明は半導体デバイスの処理の分野、特にシリコン基盤の表面にパターンを描くフォトリソグラフィの方法に関するものである。
発明の背景
　集積回路（ＩＣ）のデザインにあたって、回路の概略設計をするためにコンピュータシミュレーションが多く用いられている。回路の概略設計には、個々のデバイスがある機能を実現するように結合されて含まれる。半導体基盤内に回路を実際に構成するにあたって、回路は物質的表記、すなわちレイアウトに置き換えられる。レイアウトはシリコン基盤上に描かれる。
　また、個々の回路素子を、完成したＩＣ内にデバイスを組み込んだ形状に変換する作業では、コンピュータ支援設計（ＣＡＤ）が有効である。これら形状が次のような個々の回路要素を構成する。すなわち、電極，酸化領域，拡散領域，金属結合などである。ＣＡＤシステムで用いられるソフトウェアプログラムは、通常あるデザイン規則の組の下で機能するよう構成されて、機能回路を提供する。
　通常、デザイン規則はあるプロセス及び設計上の限界をもとに決定される。例えば、デザイン規則は、デバイスや連結線で不必要な相互作用が発生しないように、デバイスや連結線の間の間隔許容量を定義する。デザイン規則の限界はしばしば臨界寸法として表される。回路の場合、臨界寸法は連結線の最小幅や２線間の最小間隔として定義される。したがって、臨界寸法がＩＣ全体のサイズや密度を決定することになる。現在のＩＣ技術では、ほとんどの回路で最小の臨界寸法が０．５ミクロンの線幅及び間隔である。
　ＩＣの製造にあたっては、一旦回路のレイアウトが設計されれば、後はレイアウトを半導体基盤に移すだけである。フォトリソグラフィは、マスク上の幾何形状をシリコンウエハの表面に移しかえるためのよく知られた工程である。ＩＣリングラフィ工程の分野では、通常、まず感光性ポリマーフィルム（フォトレジスト）をシリコンウエハに塗って、乾かす。その後、光源あるいは放熱源により、マスクを通して適当な幾何パターンでウエハを露光する露光器が使用される。露光後、感光性物質に移しかえられたマスクイメージを現像するためウエハが処理される。それから、回路のデバイス部位を創り出すために、これらマスクパターンが用いられる。
　露光器の重要な限界特性はその解像度である。露光器の解像度はウエハ上に繰り返し露光できる最小部位として定義される。現在、最先端の露光器を用いると、解像度は約０．４ミクロン程度である。このように、現在のリソグラフィ装置の解像度は、ほとんどのＩＣ回路設計の臨界寸法に近い値である。従って、露光器の解像度がＩＣ回路の最終的なサイズや密度を決定する大きな要因となっている。
　レイアウトの臨界寸法が解像度に近づくにつれ、マスクとフォトレジスト上の実際のレイアウトパターンとが非常に食い違ってくる。特に、この回路部位のパターン現像での食い違いと部位間の隣接程度とは互いに依存することが観察される。（光学的投影によるプリントを使用する）リソグラフィ工程における隣接効果は、イメージング，レジストパターン形状（露光や現像）及びエッチングなどのその後のパターン転写工程で顕著になる。この効果の程度は、マスクパターン上の２つの部位の接近に依存する。隣接効果は投影系における回折によって起こることが知られている。この回折によって、隣接する部位にはパターンに依存する変形を生じるような互いに相互作用が起きることになる。例えば、２つの連結線が同じ寸法を持つよう設計されていても、レイアウトで他の部位との隣接状態が異なると、２つの線は現像後に同じ寸法でなくなる。このように、密集してまとめられた線の群は、孤立線と比較すると異なって転写される傾向がある。線幅が一様に再生されない場合には、明らかにＩＣで重大な問題が生じる。
　隣接効果の問題を克服するために、多くの手法が開発されてきた。この中で、ＣＤバイアス法は、ウエハに転写される最終的な目標寸法が補償しない部位と違わないように、あるマスク部位をあらかじめ補償する解決法の１つである。例えば、マスクパターンでは同じ幅の線でも、隣接効果による最終的なレジスト線幅が異なってくる。特に、ポジのフォトレジストを使用した場合には、孤立線の最終線幅が密集線よりも広くなる。この偏りをなくすため、ＩＣ製造設計者は孤立線の初期マスクの線の幅を密集線よりも細いマスクパターンで作って来た。このマスクパターンの前補償によって、孤立線と密集線との最終的なレジストの線幅をほぼ等しくすることができる。通常、この増加あるいはバイアスされる大きさは経験的に決定され、使用される露光器，利用されるレジスト処理の種類及び臨界寸法の大きさへの依存性が高い。一方で、理想的なリソグラフィ要因から少しずれると、バイアスされた部位に大きな悪影響を及ぼす。そのため、この手法は産業界ではあまり広くは用いられていない。
　バイアス手法では、フォトレジストを厚く塗布するとレジスト工程で生じる隣接効果を軽減できる。この結果、あるフォトレジストの厚さで所定の露光器では、隣接効果を最小限に抑えることができる。しかし、レジストと厚さを変化させる主な欠点としては、最小のＣＤバイアスを提供する選ばれたレジストの厚さが、光解像度のための所望の厚さとならないことである。このように、ＣＤバイアスは隣接効果の問題を解決するにあたって、たびたび不十分となる。
　その他の手法として、線幅制御を強化し隣接効果を軽減する多層レジスト処理が提案されている。この手法では、表面形状や反射の問題を無くす着色された平らな層を使って、フォトレジスト層の表面等に比較的不透明な物質層を塗布する。基盤の反射を抑えることで隣接効果はいくらか解消されるが、現在使用されている多層レジスト処理のどれも隣接問題を完全に解決したわけではなく、この処理は従来の処理よりもコストが高くなる。
　さらに、露光器の可干渉性が隣接効果をもたらすという事実を利用する手法もある。干渉の少ない光は部位の制御にはより適切である。しかし、全く非干渉の光は解像度を悪くすることが多く、ほとんど良い効果をもたらさない。その上、ほとんどの工業界で使用される露光機器は固定干渉となっており、機器の干渉性を変動させる操作がメカ的に含まれるので、装置販売者にも普通好まれない。
　最後に、電子ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）イメージングの隣接効果の性質は、光イメージングとは逆であることが知られており、自動的な隣接補償が隣接効果の減少のために使用されることが示唆されてきた。自動隣接補償は、１Ｘ（サイズ縮小なし）のレチクルを発生する電子ビームを露光器で用いることにより達成され、隣接効果を効果的に打ち消すことが可能となる。しかし、減少露光法（ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｍｅｔｈｏｄ）を用いた場合には、減少のない方法に比べてさらに多くの利点が挙げられる。中でも、臨界寸法の減少に従って、マスク製造者が小さなマスクよりもより小さな誤り率で大きなマスクを製造できることは、大きな利点である。更に、露光の量を減少させることで、減少露光法におけるマスクの寸法限界も減少する。マスクの寸法限界の減少によって失敗品が減少し、ウエハの歩留りも増加する。このような観点から、今日のＩＣの製造者の多くは、縮小露光法を用いてウエハを作製している。一方、１Ｘの電子ビーム技術は非実用的であまり用いられていない。さらに、自動隣接補償はごく限られた場合にしか有効性を発揮できない。
　そこで、単純で処理工程に依存しない隣接効果問題の解決法が必要とされている。本発明は、孤立部位のエッジ強度の勾配が密集して詰め込まれた部位のエッジ強度の勾配と等しくなるようにマスクパターンを変えることで、隣接効果を最小化している。もしも、全部位で同様のエッジ強度の勾配が得られれば、パターン転写はより一様となり、実質的に隣接効果の問題は解消される。
発明の要旨
　半導体リソグラフィ工程において、パターン転写の際に生じる隣接効果を減少させる改善法を示す。マスクパターンの特定の部位のパターン転写は、隣接効果によってマスク上の他の部位との隣接に依存する。例えば、マスク上で同じ寸法の線であっても、他の部位との隣接状態が異なれば、半導体上へ転写して現象された後は寸法が異なってくる。この隣接効果は、隣りの部位の近接したエッジの強度勾配と相互作用するパターンエッジでの強度勾配により生じる。この相互作用は、パターンの形成作用に影響を及ぼす。
　本発明では、マスクパターンに強度勾配均一化バー（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ　ｇｒａｄｉｅｎｔ　ｌｅｖｅｌｉｎｇ　ｂａｒｓ）と呼ばれる細い線を追加することで、隣接効果を抑制する。この均一化バーは、マスクパターンの孤立線のエッジでの強度勾配を密集して積め込まれた線のエッジでの強度勾配と一致させる役割を果たす。このように、孤立エッジ勾配と密集エッジ勾配との一致により、マスクパターンの転写を一致させることができる。
　均一化バーは、孤立エッジに対して平行に置く。強度勾配の均一化がマスクパターンの全ての孤立エッジで生じさせるためである。さらに、均一化バーの線幅は露光器の解像度よりも十分小さく設定する。その結果、フォトレジストの露光において適当な露光エネルギーが使用される場合に、マスクパターンにある均一化バーが完全に除去されたレジストパターンを生じることができる。
実施例では、現像後に均一化バーがレジストパターンに残らない適当な露光エネルギー（Ｅｎ）としては、ほぼ１５０ｍＪが好ましい。ただし、０．５ミクロンの解像度を目標とし、Ｎｏｖａｌａｋに基づくポジフォトレジスト処理で、ＡＳＭ−Ｌ５５００／６０光ステップシステムを用いるものとする。均一化バーはＣＡＤソフトアルゴリズムによりレイアウト設計で自動的に実現することができるので、本発明は回路やレイアウトの設計技術者とは無関係に隣接効果を解決することができる。
　本発明の実施例においては、均一化バーの線幅は回路設計で臨界寸法の１／５にほぼ等しいものとする。ここで、臨界寸法は、一般的にリソグラフィ処理で使用される露光器での解像度の限界に近い値である。エッジでの強度勾配の最適な修正のため、透明地のマスク（ｃｌｅａｒ　ｆｉｅｌｄ　ｍａｓｋ）では、均一化バーは所望のエッジから臨界寸法の値の１．１倍の位置に描く。黒地のマスク（ｄａｒｋ　ｆｉｅｌｄ　ｍａｓｋ）では、均一化バーは臨界寸法にほぼ等しい距離が好ましい。このように、本発明では均一化バーの幅や配置が臨界寸法値によって決定されるので、プロセスから独立した隣接効果の解決法を提供する。
　本発明は、あらゆる方式のフォトリソグラフィ工程に適用することができる。例えば、光リソグラフィ，レーザを用いた深ＵＶリソグラフィ、レーザを用いない深ＵＶリソグラフィ，Ｘ線リソグラフィ，粒子ビームを用いたリソグラフィなどが挙げられる。
図面の簡単な説明
　図１は、孤立部位及び密集部位を表わすマスクテストパターン例を示す図である。
　図２は、マスク上での線幅が両者ともに０．５ミクロンである場合に、最終的に得られる孤立部位と密集部位とのレジスト線の幅の比較例を示す図である。
　図３は、孤立部位と密集部位とのエッジ強度勾配例を示すグラフ図である。
　図４は、臨界寸法設計基準が０．４と０．５の場合についての，本発明の強度均一化バーの最適な幅と間隔とを示す図である。
　図５Ａは、本発明で説明されるエッジ強度均一化バーを用いたマスクパターンを示す図である。
　図５Ｂ乃至５Ｄは、図５Ａのテストパターンにおいて、均一化されていない孤立エッジ，密集して詰め込まれたエッジ及び本発明の強度均一化された孤立エッジでのエッジ強度勾配の比較例を示す図である。
　図６Ａは、図６Ｂ及び６Ｃに示された値を決定するために用いるマスクテストパターン例を示す図である。
　図６Ｂは、孤立線，密集線，強度均一化された孤立線について、露光エネルギーレベルの変化に対する線幅と壁角との値を示す図である。
　図６Ｃは、図６Ｂの線幅と壁角との比較を示す図である。
　図６Ｄは、図６Ｂ及び図６Ｃで線幅と壁角とを測定する場所を示すレジスト線の断面図である。
　図７Ａは、露光エネルギーレベルの変化によるレジスト内のエッジ強度均一化バーの現像状況を説明するのに使用されるマスクテストパターン例を示す図である。
　図７Ｂは、露光エネルギーレベルが７０ｍＪの場合の、均一化されていない線，均一化された線及び関連する均一化バーによるレジストパターンの断面を示す図である。
　図７Ｃは、露光エネルギーレベルが１５０ｍＪの場合の、均一化されていない線，均一化された線及び関連する均一化バーによるレジストパターンの断面を示す図である。
　図８Ａ及び８Ｂは、透明地マスクと黒地マスクとの種々の回路パターンでの強度均一化バーの配置例を示す図である。
詳細な説明
　パターン転写の際に、隣接効果によって生じる不一致を実質的に解消する改良されたマスクが開示される。説明を進めるにあたって、本発明の完全な理解を容易にするため、特定の物質，線幅寸法といった多くの特定の細部が設定される。もちろん、本発明の実用段階ではこのような特定の細部は必要ない。すなわち、本発明の主旨を不必要に不明瞭にしないため、良く知られている処理工程については詳細な記述を省略する。
　図１に孤立部位と密集部位とを有するマスクテストパターンを示す。全ての線２４〜２９は０．５ミクロンの幅である。また、密集線２５〜２９は１４で示すように０．５ミクロン間隔で並んでいる。孤立線２４と他の部位との距離は、１５で示すように少なくとも２ミクロン離れている。線２４は２つの孤立エッジ（２４Ａ）を持ち、線２５と２９とはそれぞれ孤立エッジ２５Ａと２９Ａとをもつ。線２４は隣接効果なしに密集線と同様に転写される。しかしながら、図２に見られるように、線２４〜２９は最終的に同一のレジスト線幅とはならない。
　図２は、露光エネルギーに対して密集線２７と孤立線２４の最終レジスト線幅を示す。図２に示すグラフの線２０は、全ての露光エネルギーでの両方の線２４，２７のマスク上での０．５ミクロンの寸法を示している。図２は、孤立線２４と密集線２７とが同じ線幅になるよう設計されても、最終的な線幅が異なることを示している。図２の線２１と線２２とにより示されるように、密集線２７の最終レジスト線幅は、孤立線２４の線幅を常に下回っている。これは、露光エネルギーレベルの広い範囲にも当てはまる。
　隣接効果はエッジ強度勾配の相互作用によって生まれるので、露光の際の孤立線と密集線とのエッジ強度勾配を比較することでも、画像部位の隣接効果を示すことができる。図３は図１に示すテストパターンの孤立エッジ２４Ａと密集エッジ２７Ｂとの相対エッジ強度勾配を表すグラフである。孤立線と密集線とのエッジ強度曲線の傾きは、それぞれ３．４と３．８である。したがって、密集線の勾配は孤立線よりも急であり、その結果図２のように両者の最終線幅に影響を及ぼす。
　本発明では、孤立部位と密集部位とのエッジ勾配を一致させることで、隣接効果により生じる問題に取り組む。これは、線の孤立エッジに近接して、通常のマスクパターンにエッジ強度均一化バーと呼ばれる細い線を付加することで達成される。調整される部位のエッジから均一化バーが配置される位置までの最適距離は、透明地マスクの場合、密集部位間の最端距離（すなわち、限界寸法）の約１．１倍である。透明地マスクとは、透明な下地に多くは黒のパターンを設けるマスクとして定義されるものである（図８Ａ参照）。
　（均一化バーの最適距離）＝１．１×臨界寸法…透明地マスク
　黒地マスクの場合、均一化バーは最小窓の幅と等しい距離に配置されるのが好ましい。黒地マスクとは、不透明な下地に多くは透明な窓を開けるマスクとして定義される（図８Ｂ参照）。
　（均一化バーの最適距離）＝臨界寸法…黒地マスク
　また、どちらのマスクの場合にも、均一化バーの幅は臨界寸法の約１／５となる。
　（均一化バーの幅）＝臨界寸法／５
　従来の隣接効果のプロセスに依存した解決法と違って、本発明の解決法では設計されている回路での臨界寸法値に依存し、従ってプロセスから独立した隣接効果の解決方法を提供する。図４に、０．４及び０．５ミクロンの臨界寸法設計規則における強度均一化バーの計算された寸法と距離とを示す。
　本発明の主要な概念は、エッジの強度勾配を調整して、パターン転写の際に生じる隣接効果を抑えるものである。従って、図４に与えられた特定の数値は、本発明を実施するにあたって必ずしも必要なものではない。従って、均一化バーの幅及び距離としてのこれら特定の数値は、単に本発明が動作する最適条件を示すに過ぎない。
　図５Ａはマスクテストパターン例であり、本発明で開示される均一化バーを有している。線３０〜３４は全て幅０．５ミクロン，間隔０．５ミクロンで設計されている。線３２では、３つのエッジ条件が生じるように設計されている。すなわち、３２Ａで示される線３２の部分は均一化されていない孤立エッジを表わし、部分３２Ｂは密集エッジ、部分３２Ｃは２つの均一化バーを持つ孤立エッジである。
　図５Ｂ乃至５Ｄに、図５Ａのテストパターンで示したそれぞれのエッジ条件３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃに対するエッジ強度勾配を示す。均一化されていない孤立エッジ３２Ａでは、エッジ強度レベルの傾きは３．４である。一方、密集エッジ３２Ｂ及び均一化エッジ３２Ｃでは、傾きはそれぞれ３．８と３．７である。このように、エッジ強度均一化バーは、孤立エッジと密集エッジとのエッジ強度勾配を一致させることができる。エッジ強度勾配が一致すれば、孤立及び密集によらず同じパターン転写が可能となる。
　エッジ強度の一致の効果は図６Ｂ及び図６Ｃに示されている。図６Ｂに、図６Ａのテストパターンに示された孤立線３７，密集線３９及び均一化線４１に対して、レジスト線幅とレジスト壁角との測定値を示す。レジスト線は１次元の部位ではないので、図６Ａに示す３つの条件で線幅の一致を検証するにあたっては、レジスト壁角を考慮することが重要となる。従って、線幅と壁角との検証には図６Ｄの参照が必要となる。図６Ｄはレジスト線の断面図である。線幅の測定を一致させるために、図６Ｂに示す全線幅の測定は、レジスト線の全体の高さ６１に対して底から２０％の位置で行われる。壁角はパターンエッジでのレジスト線の全体の高さ６１の２０％から８０％への角度から推定する。
　図６Ｃでは、エッジ強度均一化の改善が更に明らかにされている。図６Ｃには、密集線３９の線幅が均一化されない孤立線３７及び強度均一化された線４１と比較されている。比較は、密集線３９の線幅値と孤立線３７及び強度均一化線４１の各々の線幅値との差の間の絶対値を得ることで実行される。
　Δ＝｜（線幅３９）−（線幅３７または４１）｜
　この差分が密集線と孤立線間のΔ値及び密集線と強度均一化線間のΔ値を与える。Δ値が小さい程線幅が一致している。特にΔ＝０の場合は、線幅値に違いが無いことを示し、完全に一致する。Δ値が大きいときには、線幅の値間の不一致が大きいことが示される。図６Ｃは、密集線３９と均一化線４１間のΔ値が線３９と均一化されない孤立線３７間のΔ値よりも一貫して小さいことを示している。また、露光エネルギーが１１０ｍＪ〜２１０ｍＪの範囲の平均Δ値は、密集／均一化の比較の方が小さくなっている。したがって、図６Ｃに示された情報は、強度均一化線４１が、均一化されない線幅値と比較して密集線３９の線幅値にずっと近い値を持つことを示している。すなわち、エッジ強度均一化バーを用いた場合には、孤立線の最終レジスト線幅は密集線の最終線幅と一致する。一方、エッジ強度均一化のない孤立線の最終レジスト線幅には一致が見られない。
　回路のレイアウト設計やレジストパターンに余分な線を追加することは好ましくないので、本発明ではパターン転写の際に均一化バーが表われれないよう工夫する。適切な露光エネルギー（Ｅｎ）を設定すると、均一化バーのレジストパターンを完全に消し去ることができる。実施例としての適切な露光エネルギーは１５０ｍＪである。
　図７Ｂ及び７Ｃは、露光エネルギーを変化させた場合の、図７Ａに示すテストパターンのレジスト断面図を示している。テストパターン７Ａは、孤立，密集，均一化の３つのエッジ条件を含むよう作られている。図７Ａによれば、線４３は孤立エッジ４３Ａと密集エッジ４３Ｂとを持ち、線４４は密集エッジ４４Ｂと均一化エッジ４４Ｃとを持っている。エッジ４４Ｃは均一化バー４５で均一化されている。図７Ｂの断面図４６では、露光エネルギーは７０ｍＪである。点Ａ，Ｂ間の高台は、線４３のレジスト断面部を表している。同様に、点Ｂ，Ｃ間の高台，点Ｃ，Ｄ間の高台は、それぞれ線４４，４５レジスト断面部に対応する。このように、露光エネルギー７０ｍＪにおいては、断面４６によりレジストパターンにまだ均一化バーが残っているのが分かる。これは、７０ｍＪの露光エネルギーが、均一化バーを消し去るのに示唆した最適露光エネルギーよりかなり小さいためである。
　図７Ｃの断面図５０は、露光エネルギーを適切な１５０ｍＪとした場合の、図７Ａに示すパターンのレジスト断面部である。この図で、線４３，４４の断面図は、それぞれ点Ａ，Ｂ間、点Ｃ，Ｄ間に対応する。しかし、均一化バー４５の跡はない。このように、均一化バーはエッジ強度の均一化に効果的であると同時に、最終的なレジストパターンには影響を及ぼさない。
　多くの従来の隣接効果の解決法としては、線幅を調整する手法が主流である。確かに、臨界線幅寸法はＩＣ設計上重要課題である。しかし、隣接効果は、線の長さや角の曲がり方のばらつきへの要因ともなる。このように、本発明の他の効果は、均一化バーがあらゆる孤立パターンのエッジを全て囲むように作成できるので、均一化バーがパターン部位のどんなエッジの強度均一化にも使用できることである。図８Ａ及び８Ｂは、透明地マスクと黒地マスクとについて本発明の種々の実施例を示している。図８Ａにおいて、部位セット５１は密集線５２の群から成っており、その全孤立エッジの周辺は均一化バーで囲まれている。均一化バー５３は部位セット５１の孤立エッジの全てを囲んでいる。部位セット５１のいくつかの線エッジは孤立エッジではないので均一化の必要はない。部位５４では、全てのエッジが孤立エッジであり、均一化バー５５は線５６を完全に囲っている。部位セット５７は、２つの孤立線の間に置かれて両方を同時に均一化する均一化バーの一例が示されている。ここで、線５８は均一化バーの距離間隔で互いに整列して並んでいる。このように、線５９は両線５８を均一化する役割を同時に果たしている。最後に、部位６０は、均一化バーがセリフなどの他の補償パターンと同時に用いられる場合の一例を示している。セリフ６１は、通常、パターン転写を行う際に、角が丸くなるのをなくすために使われる。均一化バー６２は部位６０とセリフ６１とをまとめて囲んでいる。
　図８Ｂは黒地マスクを使用する場合の均一化バーの配置例を示している。
　本発明は半導体フォトリソグラフィでの使用を対象としているが、どんなフォトリソグラフィ工程にも適用できる。
　このように、本発明は回路設計の臨界寸法のみに依存する隣接効果の単純な解決手法を提供する。