【事件の表示】
　特許第３１３２０３４号「化合物半導体結晶の育成方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１３２０３４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯・本件発明
　本件特許第３１３２０３４号（平成３年４月２６日出願、平成１２年１１月２４日設定登録）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
２．特許異議申立ての理由の概要
（申立ての理由）
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証及び甲第２号証を提出して、本件発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないと主張している。
（証拠の記載内容）
　特許異議申立人が提出した甲第１号証及び甲第２号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
甲第１号証：特開昭６０−１４１６９５号公報
（ａ）「（１）ブリッジマン成長法によるバルク結晶成長において、結晶素材を封入した容器が炉芯管の高温部から低温部へと下がるにつれて、前記高温部の温度を降温させることを特徴とする結晶成長法。
（２）高温部と低温部を具備した炉芯管を具備したブリッジマン成長法によるバルク結晶成長装置において、結晶素材封入容器を炉芯管内で降下させる駆動部と炉芯管を加熱する複数のヒータとを炉制御盤に接続し、前記容器が降下するにつれて炉制御盤が前記ヒータを降温させる構成としたことを特徴とする結晶成長装置。」（第１頁左欄特許請求の範囲の項）
（ｂ）「本発明者は、ブリッジマン成長法において、成長中の炉の温度を成長アンプルの位置の移動（変化）に合せて調整することにより成長中の固液界面の形状を平坦に保ち、粒界の少ない結晶を成長する方法を提供するものである。（第２頁左下欄第１４行乃至第１８行）
（ｃ）「それ故に本発明においては、第３図に類似の第５図に示される如く、アンプルの降下と共に炉の高温部の温度を下げて行く。すなわち、アンプル外側温度と中心部温度を、先端部成長時ａ１、ｂ１に始まり最初は破線ａ、ｂで示す如くに設定する。しかし、この温度状態は固定することなく、中央部成長時ａ２、ｂ２においては、アンプル外側温度、中心部温度を実線ａａ、ｂｂで示す如くに、アンプル外側温度と中心部温度が融点付近で一致するように下げる。」（第３頁左上欄第４行乃至第１３行）
（ｄ）「１実施例において、ＣｄＴｅ結晶（融点１０９２℃）の成長において、アンプル外側温度を最初１１５０℃に設定し、中央部成長時には１１３０℃に下げ、降下期間１０日でアンプルを５ｃｍ下げ、結晶欠陥のないＣｄＴｅ結晶を得た。」（第３頁左上欄第１６行乃至第２０行）
甲第２号証：特開昭６１−１０６４９８号公報
（ａ）「カドミウム（Ｃｄ）とテルリウム（Ｔｅ）の結晶を化学当量比の割合で容器に収納し、８００℃付近で低温反応させて合金化した後、上部炉が１１５０℃程度、下部炉が９５０℃程度の温度勾配を有するブリッジマン炉に入れ、前記合金化したＣｄとＴｅを１１５０℃程度で数時間反応させ、次に９５０℃程度の下部炉まで移動させて降温し、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）の単結晶を得るようにしたＣｄＴｅの結晶成長法において、結晶成長後、上部炉の温度を下部炉の９５０℃程度の温度と一致させ、その後上部および下部炉の温度を１時間数１０℃の程度の速さで降温させることを特徴とするＣｄＴｅの結晶成長法。」（第１頁左欄特許請求の範囲の項）
（ｂ）「本発明では、結晶成長後の処理の方法に特徴を有するものであり、・・・上部炉イの温度を９５０℃程度の温度まで下げ、上部炉イと下部炉口の温度を同じ程度にし、・・・例えば１時間４０℃程度の温度降下速度で徐冷するものである。」（第２頁左下欄第１１行乃至第２０行）
（当審の判断）
　甲第１号証の上記（ａ）には、「ブリッジマン成長法によるバルク結晶成長において、結晶素材を封入した容器が炉芯管の高温部から低温部へと下がるにつれて、前記高温部の温度を降温させることを特徴とする結晶成長法」が記載されている。
　そして、この記載中の「ブリッジマン成長法によるバルク結晶成長」は、本件発明の記載振りによれば「化合物半導体の原料を縦型容器に収容した後、前記容器内原料の下端から上方に単結晶を育成していく化合物半導体結晶の育成方法において、温度勾配をつけた炉内で、前記縦型容器を降下して前記容器内原料の下端から単結晶を育成する」に相当するものであるから、甲第１号証には、本件発明の記載振りに則って整理すると、「化合物半導体の原料を縦型容器に収容した後、前記容器内原料の下端から上方に単結晶を育成していく化合物半導体結晶の育成方法において、温度勾配をつけた炉内で、前記縦型容器が高温部から低温部へと下がるにつれて、前記高温部の温度を降温させて前記容器内原料の下端から単結晶を育成する化合物半導体結晶の育成方法」の発明（以下、「甲１発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明と甲１発明とを対比すると、両者は、「化合物半導体の原料を縦型容器に収容した後、前記容器内原料の下端から上方に単結晶を育成していく化合物半導体結晶の育成方法において、温度勾配をつけた炉内で、前記縦型容器を降下して前記容器内原料の下端から単結晶を育成する化合物半導体結晶の育成方法」の点では一致するが、甲１発明は、縦型容器の降下と炉内温度の降下とを同時に連動して単結晶を育成するものであるから、縦型容器の降下と炉内温度の降下をそれぞれ別個に行って単結晶を育成する本件発明とは、次の（イ）及び（ロ）点で相違していると云える。
相違点（イ）：本件発明は、縦型容器を降下させて容器内原料の下端から単結晶を育成するのに対し、甲１発明は、縦型容器を降下させつつ高温部の温度をも降下させて単結晶を育成する点
相違点（ロ）：本件発明は、縦型容器の降下を停止した後、炉の温度を降下させて引続き単結晶を育成するのに対し、甲１発明は、縦型容器の降下を停止させずにそのまま降下させつつ炉の温度をも降下させて単結晶を育成する点
　次に、これら相違点についてさらに検討すると、甲第１号証には、単結晶の育成工程において、縦型容器の降下と炉内温度の降下とをそれぞれ別個に行うことを示唆する記載は一切ない。また、甲第２号証にも、ブリッジマン結晶成長法において、その炉内の温度を降下させることが記載されているが、甲第２号証に記載の炉内温度の降下は、上記（ｂ）からも明らかな如く、ブリッジマン結晶成長法における単結晶成長後（育成後）に行われるものであって、しかもその目的も育成後の「単結晶の徐冷」のためであり、本件発明の如き「単結晶の育成」のためではない。
　してみると、甲第２号証に記載の徐冷のための炉内温度の降下は、その目的や効果が本件発明のものと別異のものであり、本件発明の育成工程における炉内温度の降下の動機付けとなるものではないから、甲第２号証も、上記相違点（イ）及び（ロ）を何ら示唆するものではないと云うべきである。
　したがって、本件発明の上記相違点（イ）及び（ロ）は、甲第２号証の記載からも当業者が容易に想到することができないと云えるから、本件発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
３．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月２７日（２００１．１２．２７）