(57)【要約】  転写基板を支持するセンターピンに、その中心を特定可能なマークが形成されている。
2010082341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドの表面に形成されているパターンを基板に転写する転写装置であって、
前記基板に設けられた貫通孔を介して前記基板を支持するセンターピンと、
前記センターピンの頭頂部を観察する観察部と、を含み、
前記センターピンには前記センターピンの中心軸の位置を特定可能なマークが形成されていることを特徴とする転写装置。
【請求項２】
前記マークは前記センターピンの頭頂部に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項３】
前記マークは、前記センターピンに支持された状態の前記基板の厚み範囲内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項４】
前記マークは、前記センターピンに支持された状態の前記基板の面に対して、前記基板の表面から垂直方向に６０ｍｍ以内の位置、又は前記基板の裏面から垂直方向に６０ｍｍ以内の位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項５】
前記マークは、凸形状の突起部でありこの突起部が前記センターピンの中心軸上に形成されていることを特徴とする請求項１又は３に記載の転写装置。
【請求項６】
前記基板が前記センターピンに支持されている状態において前記突起部が、前記基板の転写面と同一面上に位置していることを特徴とする請求項５に記載の転写装置。
【請求項７】
前記基板が前記センターピンに支持されている状態において前記突起部が、前記基板の上下転写面の中間面と同一面上に位置していることを特徴とする請求項５に記載の転写装置。
【請求項８】
前記頭頂部には、窪み部が形成されており、前記マークは前記窪み部の底部に形成されていることを特徴とする請求項１又は３に記載の転写装置。
【請求項９】
前記基板が前記センターピンに支持されている状態において前記窪み部の最底部が、前記基板の転写面と同一面上に位置していることを特徴とする請求項８に記載の転写装置。
【請求項１０】
前記基板が前記センターピンに支持されている状態において前記窪み部の最底部が、前記基板の上下転写面の中間面と同一面上に位置していることを特徴とする請求項８に記載の転写装置。
【請求項１１】
前記マークは、前記センターピンの中心軸上において互いに所定距離だけ隔てて形成された第１及び第２マークからなることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項１２】
前記第１マークと前記第２マークとの間の中心が前記基板の厚み範囲内に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の転写装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２マークの各々が、前記転写基板の上下転写面の中間面に対して対称に位置することを特徴とする請求項１１に記載の転写装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールドの表面に形成されているパターンを転写基板に転写する転写装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、磁気ディスクの基板に、凹凸状の微細パターンが表面上に形成されているモールドを、転写層が形成された基板に押圧することにより、この凹凸状パターンを基板表面に転写する転写装置が提案されている（例えば、特許文献１の図１参照）。かかる転写装置では、先ず、互いに離間した状態でモールド及び基板各々の基準位置同士を一致させてから、このモールドを基板の表面に押しつけるようにしている。【０００３】
ところが、従来、モールド及び基板各々の基準位置を正確に一致させることは非常に困難であり、両者の基準位置がずれたままパターン転写してしまう場合が多くあった。特に、ナノスケールの如き微細な凹凸状パターンを基板に転写する場合にその影響が大きかった。つまり、基準位置がずれた状態でモールドを基板に押しつけた場合、裏表の凹凸状パターンが正しく転写された両面磁気ディスクを提供できないという問題が生じていた。
【特許文献１】特表２００５−５２９４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであって、モールドと転写基板との相対的な位置を高精度に調整可能な転写装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による転写装置は、モールドの表面に形成されているパターンを基板に転写する転写装置であって、前記基板に設けられた貫通孔により前記基板を支持するセンターピンと、前記センターピンの頭頂部を撮影する撮影部と、を含み、前記センターピンの前記頭頂部には前記センターピンの中心軸の位置を特定可能なマークが形成されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本実施例によるナノインプリント装置の構成を表す図である。
【図２】センターピンのピン頭頂部の一例を表す断面図である。
【図３】ピン中心マークの形態の一例を示す図である。
【図４】（ａ）は視野中心とピン中心との位置調整前における、（ｂ）は位置調整後における、ピン頭頂部、その周辺の転写基板及び中心撮影部の俯瞰図である。
【図５】（ａ）は従来のピン頭頂部においてセンターピンの中心軸が下側モールド保持部の上面と垂直な軸に対して角度θだけ傾いて取付けられた場合の断面図である。（ｂ）は本実施例のピン頭頂部においてセンターピンの中心軸が下側モールド保持部の上面と垂直な軸に対して角度θだけ傾いて取付けられた場合の断面図である。
【図６】（ａ）は転写基板の転写面が下面である場合のセンターピンのピン頭頂部の一例を表す図である。（ｂ）は転写基板の転写面が両面である場合のセンターピンのピン頭頂部７２の一例を表す図である。
【図７】センターピンのピン頭頂部の別の一例を表す図である。
【図８】（ａ）はセンターピンのピン頭頂部の別の一例を表す図である。（ｂ）は中心軸Ｊ１が垂直軸Ｊ２に対して角度θだけ傾いて取付けられた場合のピン頭頂部を表す図である。
【図９】センターピンのピン頭頂部の別の一例を表す図である。
【図１０】センターピンのピン頭頂部の別の一例を表す図である。
【図１１】センターピンのピン中心に形成されるマークの例を表す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明に係る実施例について添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。【０００８】
図１は、本実施例によるナノインプリント装置１の構成を表す図である。ナノインプリント装置１は、モールド表面に形成されたナノメートルサイズの凹凸パターンを転写基板に転写する装置である。【０００９】
制御部１０は、ナノインプリント装置の管理者等（以下、単に管理者と称する）による例えばキーボードなどの操作部１１への操作入力に応じて各種制御信号を当該装置の各構成部へ与えると共に、当該各構成部からの出力信号の解析等の処理を行う。【００１０】
上側モールドステージ２２ａは、上側ステージ９０ａの下面に設置されている。上側モールドステージ２２ａの下面には、例えばガラスなどの光透過性材料からなる上側モールド保持部２１ａが設置されている。上側モールドステージ２２ａは、制御部１０からの上側モールド制御信号ＭＳａに応じて上側モールド保持部２１ａを、上側モールドステージ２２ａの取り付け面に平行に移動させる。上側モールド保持部２１ａの下面には例えば真空吸着又は機械的担持機構により上側モールド６０ａが固定されている。上側モールド６０ａは、例えばガラスなどの光透過性材料からなり、その中心部には貫通孔６１ａが設けられ、その表面には少なくとも１つのマーク６２ａが形成されている。また、上側モールド６０ａの表面にはパターン転写のための図示せぬ凹凸パターンが形成されている。【００１１】
下側モールドステージ２２ｂは、下側ステージ９０ｂの上面に設置されている。下側モールドステージ２２ｂの上面には、例えばガラスなどの光透過性材料からなる下側モールド保持部２１ｂが設置されている。下側モールドステージ２２ｂは、制御部１０からの下側モールド制御信号ＭＳｂに応じて下側モールド保持部２１ｂを、下側モールドステージ２２ｂの取り付け面に平行に移動させる。下側モールド保持部２１ｂの上面には例えば真空吸着又は機械的担持機構により下側モールド６０ｂが固定されている。下側モールド６０ｂは、例えばガラスなどの光透過性材料からなり、その中心部には貫通孔が設けられ、その表面には少なくとも１つのマーク６２ｂが形成されている。また、下側モールド６０ｂの表面にはパターン転写のための図示せぬ凹凸パターンが形成されている。【００１２】
スライドステーションテーブル３０は、上側ステージ９０ａの上面に設置されており、制御部１０からのユニット位置制御信号ＵＳに応じてカメラユニット４０を、スライドステーションテーブル３０の設置面に平行に移動させる。【００１３】
カメラユニット４０は、上側モールド６０ａ、下側モールド６０ｂ及びセンターピン７０のピン中心マーク７１を撮影するためのユニットである。ユニットステージ４２上には、センターピン７０のピン中心マーク７１を撮影するための中心カメラ４１ａと、上側モールド６０ａのマーク６２ａ及び下側モールド６０ｂのマーク６２ｂを撮影するための外周カメラ４１ｂ〜４１ｄ（４１ｄは図示せず）とが設置されている。中心カメラ４１ａ及び外周カメラ４１ｂ〜４１ｄの各々は、撮影して得られた撮影信号ＰＤを制御部１０に与える。【００１４】
この際、中心カメラ４１ａは、その撮影レンズを、垂直に下方向に向けた状態で、ユニットステージ４２上に固定設置されている。一方、外周カメラ４１ｂ〜４１ｄの各々は、ユニットステージ４２上において、その撮影レンズを上側モールド６０ａ及び下側モールド６０ｂの表面に対して垂直に向けた状態で設置されている。尚、外周カメラ４１ｂは、ユニットステージ４２上において、下側モールド６０ｂの中心点及びマーク６２ａ間の距離と同一距離だけ撮影部４１ａから離間した位置に設置される。又、撮影部４１ｃは、ユニットステージ４２上において、下側モールド６０ｂの中心点及びマーク６２ｂ間の距離と同一距離だけ撮影部４１ａから離間した位置に設置される。尚、撮影部４１ｂ〜４１ｄの各々は、制御部１０から供給された位置制御信号ＣＳに応じて、その設置位置の微調整が可能となっている。【００１５】
センターピン７０は、下側モールド６０ｂの貫通孔を貫通しており、その先端の支持部で転写基板８０を下側から支持している。センターピン７０は、転写基板８０の中心の貫通孔を貫通しており、中心カメラ４１ａによって撮影可能である。【００１６】
転写基板８０は例えば中心に貫通孔が設けられた円盤形状であり、その中心がセンターピン７０の中心軸と一致するように支持される。転写基板８０の両面には、紫外線が照射されると硬化する転写層材料からなる上側転写層及び下側転写層（共に図示せず）が形成されている。【００１７】
上側ステージ９０ａは上側機構５０ａを、下側ステージ９０ｂは下側機構５０ｂをそれぞれ支えるステージである。上側ステージ９０ａと下側ステージ９０ｂとは、ボールネジ９１によって連結されている。ステージ駆動部９２は、制御部からのステージ駆動信号ＳＧに応じて、ボールネジ９１を回転させ、上側ステージ９０ａを、下側ステージ９０ｂに対する平行状態を維持したまま上方向又は下方向に移動させる。つまり、上側機構５０ａと下側機構５０ｂとを接近又は離間するように移動させる。【００１８】
パターン転写時には、上側機構５０ａを下降させて下側機構５０ｂと接近させ、上側モールド６０ａと下側モールド６０ｂとで転写基板８０を挟み込み、上側機構５０ａの側及び下側機構５０ｂの側から図示せぬ紫外光を転写基板８０に照射することにより、転写基板８０の両面に凹凸パターンを形成する。【００１９】
ナノインプリント装置１においてはパターン転写を行う前に、先ず、上側モールド６０ａ及び下側モールド６０ｂ同士の位置合わせを行う。つまり、図１に示すように、上側モールド６０ａのマーク６２ａと下側モールド６０ｂのマーク６２ｂとが共に、上側モールド６０ａ及び下側モールド６０ｂの表面に対して垂直な軸（破線にて示す）上に位置するように、上側モールド保持部２１ａ及び下側モールド保持部２１ｂの設置位置を調整するのである。図１に示すナノインプリント装置１では、このような位置合わせを行うべく、カメラユニット４０を設けるようにしている。例えば、制御部１０は、外周カメラ４１ｂにて撮影された１フレーム画像中において、上側モールド６０ａのマーク６２ａと、下側モールド６０ｂのマーク６２ｂとが互いに同一位置で重なるように、上側モールド保持部２１ａ及び下側モールド保持部２１ｂを相対的に移動させるべく上側モールドステージ２２ａ及び下側モールドステージ２２ｂを制御するのである。ここで、上述した如き位置合わせを確実に行う為に、カメラユニット４０自体の設置位置をも調整する必要が生じる。【００２０】
そこで、図１に示すナノインプリント装置では、外周カメラ４１ａの撮影軸（一点破線にて示す）と、センターピン７０の中心軸とが一致するように、カメラユニット４０自体の設置位置を調整するようにしている。具体的には以下のような処理を行う。【００２１】
制御部１０は、中心カメラ４１ａからの撮影信号ＰＤが表す画像に例えば二値化処理などの画像解析処理を施して得られた当該画像の重心位置が中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１に一致するようにカメラユニット４０の位置を調整する。このとき、制御部１０は、当該画像の重心位置と撮影軸ａ１との相対的な位置を解析してカメラユニット４０を移動すべき方向及び距離を決定する。制御部１０は、当該決定した方向へ当該決定した距離だけカメラユニット４０を移動すべき旨のユニット位置制御信号ＵＳをスライドステーションテーブル３０へ発する。このような処理により、中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１と、センターピン７０のピン中心マーク７１とが一致する。転写基板８０は、その中心とセンターピン７０のピン中心マーク７１とが一致するように支持されているので、転写基板８０の中心と撮影軸ａ１とも一致する。【００２２】
図２は、センターピン７０のピン頭頂部７２の一例を表す断面図である。センターピン７０のピン頭頂部７２が転写基板８０の貫通孔を貫通し、基板支持面７０ａにより転写基板８０の下面８０ｂを下側から支持している。転写基板８０をセンターピン７０により安定的に支持するため、ピン頭頂部７２は凹形状であり、その外周部は基板支持面７０ａの上面８０ａよりも高くなっている。ピン頭頂部７２において、センターピン７０の中心軸（一点破線にて示す）上の位置には、その中心軸の位置を表す為のピン中心マーク７１が形成されている。【００２３】
図３（ａ）及び（ｂ）は、ピン中心マーク７１の形態の一例を示す図である。両図に示される如くピン中心マーク７１の形状は凸形状となっている。凸形状の形成方法に制限は無く、例えば旋盤加工などの機械的加工により形成できる。図３（ａ）に示される如き凸形状のピン中心マーク７１の頭頂部は、ピン頭頂部７２の色と同一色でも良いし、図３（ｂ）に示されるようにピン頭頂部７２の色と異なる色としても良い。後者の場合、色のコントラストにより、ピン中心マーク７１をより高精度に判定できる。ピン中心マーク７１の頭頂部の着色方法に制限は無く、例えば薬品等による化学的変質により着色しても良いし、色剤の塗布により着色しても良い。また、着色処理を行うのは凸形状の形成前でも形成後でも良い。【００２４】
図４（ａ）は、撮影軸ａ１とピン中心マーク７１との位置調整前におけるピン頭頂部７２、その周辺の転写基板８０及び中心カメラ４１ａの俯瞰図である。位置調整前においては、中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１と、センターピン７０のピン中心マーク７１とは一致していない。中心カメラ４１ａの撮影により得られた撮影信号ＰＤが制御部１０に供給される。制御部１０はその撮影信号ＰＤが表す画像に例えば二値化処理などの画像解析処理を施す。ピン中心マーク７１が図３(ｂ)に示される如き凸形状である場合、解析処理によりその凸形状の頭頂部の位置を画像の重心位置と判定し、その重心位置が中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１に一致するようにカメラユニット４０の位置を調整する。【００２５】
図４（ｂ）は、撮影軸ａ１とピン中心マーク７１との位置調整後におけるピン頭頂部７２、その周辺の転写基板８０及び中心カメラ４１ａの俯瞰図である。位置調整後においては、中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１と、センターピン７０のピン中心マーク７１とが一致している。ピン中心マーク７１が図３(ｂ)に示される如き凸形状である場合、その凸形状の頭頂部の位置と撮影軸ａ１とが一致する。【００２６】
このように、ピン中心マーク７１を例えば凸形状に形成することにより、中心カメラ４１ａによるピン中心マーク７１の特定を容易にすることができる。更にその頭頂部に着色することにより、より高精度にピン中心マーク７１を特定することができる。【００２７】
再び図２を参照する。ピン中心マーク７１の頭頂部は、転写基板８０の上面８０ａと同一面上に位置している。これは、転写基板８０が片面転写用の基板であって、転写面が転写基板８０の上面８０ａのときの位置である。ピン中心マーク７１の頭頂部をこのような位置とすれば、センターピン７０の中心軸Ｊ１が傾いて取り付けられた場合にも、あるいは中心カメラ４１ａが傾いて取り付けられた場合にも高精度の位置調整ができる。【００２８】
ここで、位置調整における本実施例の優位点を従来例と比較して説明する。【００２９】
図５（ａ）は、従来のピン頭頂部７２ｂにおいて、センターピン７０の中心軸Ｊ１が下側モールド保持部２１ｂの上面と垂直な軸Ｊ２（以下、垂直軸Ｊ２と称する）に対して角度θだけ傾いて取付けられた場合のピン頭頂部７２ｂを表す図である。正常に取付けがなされた場合には、センターピン７０の中心軸Ｊ１と垂直軸Ｊ２とは一致するが、同図に示される如く中心軸Ｊ１が垂直軸Ｊ２に対して傾いて取付けられる場合がある。なお、垂直軸Ｊ２は、転写基板８０の転写面の中心を貫いている。【００３０】
この場合、撮影軸ａ１がピン中心マーク７１ｂに一致するようにカメラユニット４０の位置を調整すると、撮影軸ａ１と垂直軸Ｊ２（転写基板８０の転写面の中心）との間に間隔Ｓ１のズレが生じる。転写基板８０の転写面から中心マーク７１ｂまでの距離をｈ１とした場合、間隔Ｓ１＝ｈ０×ｔａｎθとなる。例えば、ｈ０＝１００ｍｍ、θ＝０．０５度の場合、Ｓ１＝１００×ｔａｎ（０．０５ｄｅｇ）＝０．０８７ｍｍ＝８７μｍとなる。ナノスケールの精度を要求される転写装置において８７μｍのズレは許容できないものである。【００３１】
一方、図５（ｂ）は、本実施例のピン頭頂部７２において、センターピン７０の中心軸Ｊ１が垂直軸Ｊ２に対して角度θだけ傾いて取付けられた場合のピン頭頂部７２を表す図である。撮影軸ａ１がピン中心マーク７１に一致するようにカメラユニット４０の位置を調整することにより、撮影軸ａ１と垂直軸Ｊ２（転写基板８０の転写面の中心）とが一致する。そのため、撮影軸ａ１と転写基板８０の転写面の中心との間にズレは生じず、高精度の位置調整が可能となる。なお、図５（ａ）及び（ｂ）は傾きを誇張して描いたものであり、実際には図示されるほど傾いて取り付けられるわけではない。【００３２】
図６（ａ）は、転写基板８０の転写面が下面８０ｂである場合のセンターピン７０のピン頭頂部７２の一例を表す図である。ピン中心マーク７１の頭頂部が下面８０ｂと同一平面上に位置している。このような位置とすることにより、センターピン７０の中心軸Ｊ１が傾いて取り付けられた場合にも、転写面の水平方向に対するずれを最小限とすることができる。【００３３】
図６（ｂ）は、転写基板８０の転写面が両面すなわち上面８０ａと下面８０ｂである場合のセンターピン７０のピン頭頂部７２の一例を表す図である。ピン中心マーク７１の頭頂部が上面８０ａと下面８０ｂとの中間面８０ｃと同一平面上に位置している。このような位置とすることにより、センターピン７０の中心軸Ｊ１が傾いて取り付けられた場合にも、両転写面の水平方向に対するずれを最小限とすることができる。【００３４】
このように、ピン中心マーク７１を設置する位置は、転写基板８０の転写面に合わせて個別に調整するのが好ましい。個別調整が困難な場合にはマークの位置が転写基板８０の厚み範囲内になるように形成しても調整位置のずれを低減できる。この場合、転写面の位置によっては調整精度が落ちるものの、個別調整が不要であり、ピン頭頂部の形状を統一できるので工程数及びコストを削減できる。【００３５】
図７は、センターピン７０のピン頭頂部７２の別の一例を表す図である。図７に示されるように、センターピン７０のピン頭頂部に「すり鉢状」の窪み部を設け、窪み部の最底部をピン中心マーク７１としても良い。この際、この最底部だけ側面が垂直に形成されていても良い。ピン中心マーク７１の最底部は、転写基板８０の上面８０ａと同一面上に位置している。これは、転写基板８０の転写面が上面８０ａのときの位置である。ピン中心マーク７１がこのような凹形状である場合、制御部１０によって、中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１と凹形状部とが一致するようにカメラユニット４０の位置が調整される。【００３６】
図８（ａ）は、センターピン７０のピン頭頂部７２の別の一例を表す図である。中心軸Ｊ１上にマーク７１ａ及び７１ｂが形成されている。マーク７１ａは転写基板８０の上面８０ａと同一平面上に位置しており、マーク７１ｂは転写基板８０の下面８０ｂと同一平面上に位置している。換言すれば、マーク７１ａとマーク７１ｂとは、上面８０と下面８０ｂとの中間面８０ｃに対して対称な位置に形成されている。マーク７１ａ及びマーク７１ｂは、例えばガラスなどの透明部材７３の表面に形成されている。この場合、透明部材７３の厚さは転写基板８０の厚さとほぼ同一であり、ピン頭頂部７２内に固定されている。【００３７】
図８（ｂ）は、中心軸Ｊ１が垂直軸Ｊ２に対して角度θだけ傾いて取付けられた場合のピン頭頂部７２を表す図である。図８（ｃ）は、このときのマーク７１ａ及びマーク７１ｂの俯瞰図である。ピン中心マーク７１にマーク７１ａ及びマーク７１ｂが形成されている場合、制御部１０によって、中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１と、マーク７１ａとマーク７１ｂの重心７１ｃと、が一致するようにカメラユニット４０の位置が調整される。この場合、中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１と、中間面８０ｃにおける中心とが一致するので、センターピン７０の中心軸Ｊ１が傾いて取り付けられた場合にも、両転写面の水平方向に対するずれを最小限とすることができる。【００３８】
なお、上述したようにピン中心マーク７１やマーク７１ａ，７１ｂは転写基板８０の上面８０ａ又は下面８０ｂと同一平面上に位置することが好ましいが、センターピン７０の軸方向への多少のずれは許容し得る。具体的には、図９に示す如く、ピン中心マーク７１が転写基板８０の上面８０ａに対して上方向にｈ１＝６０mm以内、又は底面８０ｂに対して下方向にｈ２＝６０mm以内のずれであれば許容されうる。製造時のセンターピン７０の取り付け角度誤差として０．０５度を想定した場合に、例えば上面８０ａより６０mm上方向にピン中心マーク７１が形成されると、ピン中心マーク７１はセンターピン７０に取り付け角度誤差が無い場合に比べて５０μｍのずれ量が発生する。このずれが発生した状態で、中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１と、センターピン７０のピン中心マーク７１とを一致させる調整を行なうと、センターピン７０に対する中心カメラ４１ａの撮影軸ａ１の位置には、センターピン７０に取り付け角度誤差が無い場合に比べ、当然にずれが発生する。この時のずれ量として、５０μｍは実用面で許容できる最大値であると言える。【００３９】
また、転写基板８０が両面転写用のものである場合、図１０に示す如くマーク７１ａ及びマーク７１ｂが中間面８０ｃに対して対称となるように形成されていれば良く、透明部材７３の厚さは問わない。【００４０】
図１１は、ピン中心マーク７１の各種形態の一例を表す図である。ピン中心マーク７１は必ずしも上記したような立体的形状である必要はない。例えば、点Ｍａ（図１１（ａ））、実線円Ｍｂ（図１１（ｂ））、点線円Ｍｃ（図１１（ｃ））、四角形Ｍｄ（図１１（ｄ））、渦巻形Ｍｅ（図１１（ｅ））、その他形状Ｍｆ（図１１（ｆ））などのパターンを平らなピン頭頂部７２上に描いたものでも良い。その他、四角形Ｍｄ以外の多角形でも良く、渦巻形Ｍｅは意図的に形成したものでも、旋盤加工の渦状加工痕をそのまま利用したものでも良い。これらのパターンは全て、ピン中心マーク７１に対して対称となるように描かれている。そのように描画すれば、制御部１０は中心カメラ４１ａからの撮影信号ＰＤが表す画像に例えば二値化処理などの画像解析処理を施してパターンの重心位置を判別することができる。【００４１】
上記したように本実施例によるナノインプリント装置においては、転写基板を支持するセンターピンに、その中心を特定可能なマークが形成されている。制御部は撮影部により撮影されたピン頭頂部の画像を解析して得られたピン中心マークの重心と、撮影部の視野領域の中心とが一致するようにカメラユニットの位置を調整する。ピン頭頂部にセンターピンの中心を特定可能なマークが形成されていることにより、カメラユニットの位置調整を高精度に行うことができる。マークをその周辺の色と異なる色に着色することによって、より高精度に位置調整を行うことができる。【００４２】
また、マークの位置が転写基板の厚み範囲内になるように形成されているので、調整位置のずれを低減できる。特にマークが転写基板の転写面と同一平面内に位置していることにより、転写基板を支持するセンターピンが傾いて取り付けられた場合（すなわち転写基板が傾いた状態となった場合）でも、撮影部の位置をマークの位置に一致させることにより、転写面と水平な方向における調整位置のずれをなくすることができる。両面転写の基板の場合、マークが上下転写面の中間面と同一平面内又は中間面に対して対象に位置していることにより、調整位置のずれを最小限に抑制できる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月13日(2009.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドの表面に形成されているパターンを基板に転写する転写装置であって、
前記基板に設けられた貫通孔を介して前記基板を支持するセンターピンと、
前記センターピンを観察する観察部と、を含み、
前記センターピンには前記センターピンの中心軸の位置を特定可能なマークが形成され、前記観察部は前記マークを観察するように設置されていることを特徴とする転写装置。
【請求項２】
前記マークは前記センターピンの頭頂部を前記センターピンの中心軸に沿って観察することで観察可能に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項３】
前記マークは、前記センターピンに支持された状態の前記基板の厚み範囲内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項４】
前記マークは、前記センターピンに支持された状態の前記基板の面に対して、前記基板の表面から垂直方向に６０ｍｍ以内の位置、又は前記基板の裏面から垂直方向に６０ｍｍ以内の位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項５】
前記マークは、凸形状の突起部でありこの突起部が前記センターピンの中心軸上に形成されていることを特徴とする請求項１又は３に記載の転写装置。
【請求項６】
（削除）
【請求項７】
前記基板が前記センターピンに支持されている状態において前記突起部が、前記基板の上下転写面の中間面と同一面上に位置していることを特徴とする請求項５に記載の転写装置。
【請求項８】
前記頭頂部には、窪み部が形成されており、前記マークは前記窪み部の底部に形成されていることを特徴とする請求項１又は３に記載の転写装置。
【請求項９】
前記基板が前記センターピンに支持されている状態において前記窪み部の最底部が、前記基板の転写面と同一面上に位置していることを特徴とする請求項８に記載の転写装置。
【請求項１０】
前記基板が前記センターピンに支持されている状態において前記窪み部の最底部が、前記基板の上下転写面の中間面と同一面上に位置していることを特徴とする請求項８に記載の転写装置。
【請求項１１】
モールドの表面に形成されているパターンを基板に転写する転写装置であって、
前記基板に設けられた貫通孔を介して前記基板を支持するセンターピンと、
前記センターピンの頭頂部を観察する観察部と、を含み、
前記センターピンには前記センターピンの中心軸の位置を特定可能なマークが形成されており、
前記マークは、前記センターピンの中心軸上において互いに所定距離だけ隔てて形成された第１及び第２マークからなることを特徴とする転写装置。
【請求項１２】
前記第１マークと前記第２マークとの間の中心が前記基板の厚み範囲内に形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の転写装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２マークの各々が、前記転写基板の上下転写面の中間面に対して対称に位置することを特徴とする請求項１１に記載の転写装置。
【請求項１４】
前記マークが、前記基板の転写面と同一平面上に位置していることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項１５】
モールドの表面に形成されているパターンを基板に転写する際における前記基板の位置調整方法であって、
前記基板に設けられた貫通孔を介して前記基板をセンターピンで支持する支持ステップと、
前記センターピンの中心軸の位置を特定可能なマークを観察部によって観察する観察ステップと、
前記観察ステップによる当該観察の結果に応じて前記基板と前記観察部との相対位置を調整する調整ステップと、を含むことを特徴とする転写装置。
【国際調査報告】
2010082341.tif 000014
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