【事件の表示】
　特許第３１７９２８７号「導電性透明基材およびその製造方法」の請求項１ないし８、１１、１２、１４、１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７９２８７号の請求項１ないし８、１１、１２、１４、１５、に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１７９２８７号の手続の経緯は、次のとおりである。
　出願日　　　　　平成　６年　６月１４日
　　　　（優先日：平成　５年１２月２８日、優先権主張国：日本）
　設定登録　　　　平成１３年　４月１３日
　公報発行　　　　平成１３年　６月２５日
　特許異議申立　　平成１３年１２月２５日
　取消理由通知　　平成１４年　２月１５日付
　訂正請求　　　　平成１４年　４月３０日
　特許異議意見書　平成１４年　４月３０日
［２］訂正の適否についての判断
　ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１中の「０．８〜０．９」の記載を、「０．８１〜０．９」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１１中の「０．８〜０．９」の記載を、「０．８１〜０．９」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否、独立特許要件
　上記訂正事項ａ及びｂは、請求項１及び１１における、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）「０．８〜０．９」を、「０．８１〜０．９」と限定するものであって、本件特許明細書の【０００８】、【０００９】中の「Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内である透明導電膜」という記載内容に基づくものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、かつ新規事項を追加するものでも実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　また、異議申立の対象とされていない本件請求項９，１０及び１３に記載された発明は、訂正された本件請求項１，１１に記載された発明を引用しさらに別の構成を付加した発明であるか、もしくは訂正された本件請求項１，１１に記載された発明を引用しさらに別の構成を付加した請求項２〜９，１２に記載された発明をさらに引用した発明であるから、その構成中に訂正された本件請求項１，１１に記載の導電性透明基材を包含している以上、訂正された本件請求項１，１１に記載された発明と同様に判断される結果、訂正された本件請求項１，１１に記載された発明について下記の［３］エ．（１）及び（２）において記載したとおり、本件請求項９，１０に記載された発明については甲１に記載された発明と同一ではなく、また、本件請求項９，１０及び１３に記載された発明については、甲１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認めることはできないので、結局、本件請求項９，１０及び１３に記載された発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　ウ．訂正の適否についての結論
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
［３］特許異議申立についての判断
　ア．本件発明
　本件発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１５（以下、「本件発明１〜１５」という）に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内である透明導電膜が設けられていることを特徴とする導電性透明基材。
【請求項２】透明導電膜におけるキャリヤ濃度が０．５×１０２１／ｃｍ３以上である、請求項１に記載の導電性透明基材。
【請求項３】大気中９０℃で１０００時間保持した後における透明導電膜の比抵抗Ｒ１０００と前記の透明導電膜についての初期比抵抗Ｒ０との比Ｒ１０００／Ｒ０で表される抵抗変化率が２．０以下である、請求項１または請求項２に記載の導電性透明基材。
【請求項４】透明基材が可撓性基板またはガラス基板である、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の導電性透明基材。
【請求項５】透明基材がフィルム状またはシート状の透明高分子からなる、請求項４に記載の導電性透明基材。
【請求項６】透明基材と透明導電膜との間に単層構造または複数層構造の中間層が少なくとも介在する、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の導電性透明基材。
【請求項７】中間層が金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物からなる群より選択された１種からなる層を含む、請求項６に記載の導電性透明基材。
【請求項８】中間層が架橋性樹脂からなる層を含む、請求項６または請求項７に記載の導電性透明基材。
【請求項９】透明導電膜が、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の他に価数が正３価以上である１種以上の第３元素を含有し、前記第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下である、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の導電性透明基材。
【請求項１０】第３元素がアルミニウム（Ａｌ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項９に記載の導電性透明基材。
【請求項１１】透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内である透明導電膜をスパッタリング法により形成することを特徴とする導電性透明基材の製造方法。
【請求項１２】スパッタリングターゲットとして酸化物ターゲットを用い、スパッタリング時の酸素分圧を１×１０−３〜４×１０−５Ｐａの範囲内とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】透明導電膜として、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の他に価数が正３価以上である１種以上の第３元素を含有する透明導電膜であって、前記第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下である透明導電膜を形成する、請求項１１または請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】透明基材として透明高分子からなるフィルムまたはシートを用いる、請求項１１〜請求項１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】透明基材として透明ガラス基材を用いる、請求項１１〜請求項１４のいずれか一項に記載の方法。
　イ．特許異議申立理由及び取消理由の概要
　本件発明に対して、特許異議申立人村戸良至は、甲第１号証〜甲第５号証（以下、「甲１」〜「甲５」という）を挙示し、本件請求項１、４に係る発明の特許は、甲１：特開昭６０−３９７１０号公報に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり（以下、「取消理由１」という）、または、本件請求項１〜８、１１〜１２、１４〜１５に係る発明の特許は、上記甲１、甲２：特開昭５９−３８２３８号公報、甲３：特開平２−１６２６０９号公報、甲４：特開昭６２−１０８４０８号公報及び甲５：特開昭６３−１８４７２６号公報に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり（以下、「取消理由２」という）、特許を受けることができないものである。
　ウ．甲号証に記載の事項
　甲１には、「透明で電導性のドーパント添加酸化インジウム層を製造するための浸漬方法」について記載され、
（１−１）「被覆される基質を、インジウムの加水分解性化合物を含む溶液中に浸漬し、この基質を溶液中より引き上げ、乾燥しそして５００℃以下の温度で焼成することでなり、該浸漬溶液が、インジウム化合物以外に、元素の周期律系の第ＩＩ、第ＩＶもしくは第Ｖのａ亜族または第Ｉ、第ＩＩ、第ＩＶ、第Ｖもしくは第ＶＩＩＩのｂ亜族または希士類の元素の加水分解性化合物を少なくとも１つの含有することを特徴とする透明で電導性のドーパント添加酸化インジウム膜の浸漬法による製造方法。」（特許請求の範囲第１項）、
（１−２）「浸漬溶液がＭｇ、Ｃａ、Ｙ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｃｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、ＢｉおよびＡｓからなる群から選ばれた１つの元素の化合物を含んでなる特許請求の範囲第１項に記載の製造方法。」（特許請求の範囲第２項）、
（１−３）「浸漬溶液がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、…からなる群から選ばれた１つの元素の化合物を含んでなる特許請求の範囲第１項または第２項に記載の製造方法。」（特許請求の範囲第３項）、
（１−４）「熱反射の目的のためまたは表示装置（ディスプレイ）もしくは加熱装置…として等、透明で電導性の酸化被膜はたいへん興味のあるところである。金属薄層と比較して、酸化物薄層は相当高い安定性を有しており、それゆえ外面に用いられるものとして適している。フッ素添加酸化錫、アンチモン添加酸化錫およびスズ酸カドミウム等の公知の酸化物薄層とは、ドーパント添加酸化インジウムは高い透過値において非常に高い伝導性を示すゆえに異なるものである。先行技術によると、酸化インジウムは、酸化錫を添加されている。真空法またはスプレー法において製造されるＩｎ２Ｏ３薄層の他の添加剤（ドーパント）、例えばＣｄ、Ｓｂ、Ｔｉ、Ｚｒおよびフッ化物を加えたＩｎ２Ｏ３などもすでに公知である。」（第２頁左上欄第１８行〜右上欄第１２行）、
（１−５）「本発明は、透明で電導性のドーパント添加酸化インジウム被膜を製造するため浸漬方法を提供することを目的とする。」（第２頁右下欄第６行〜第８行）と記載されており、また、
（１−６）実施例４として、「硝酸亜鉛５．７ｇを、比較例と同様にして調製した酸化インジウム浸漬溶液｛硝酸インジウム（ＩＩＩ）２６．５ｇを水１６ｍｌおよび酢酸１４ｍｌの混合液に溶解し、エタノール２００ｍｌで希釈する｝に溶解し、更にエタノール２５０ｍｌで希釈して酸化亜鉛添加酸化インジウム浸漬溶液を調製すること、その浸漬液にガラス板を浸漬し、引き上げて乾燥後、４５０℃に加熱して、ガラス板の上に酸化亜鉛添加酸化インジウム被膜を形成する」旨（第６頁左下欄第１行〜右下欄第１行）、記載されている。
　甲２には、「透明電導性フィルム」について記載されていて、
（２−１）「プラスチックフィルム上に、スズの含有量が８〜１４重量％の酸化インジウム／酸化スズの合金をターゲットとしてスパッタリング法により蒸着したことを特徴とする透明導電性フィルム。」（特許請求の範囲）、
（２−２）「蒸着金属（ターゲット）のスズの含有量が８〜１４ｍｏｌ％であることとあいまって、エッチング加工性に優れている。…又、本発明のＩＴＯ膜は、従来のものに比べ抵抗値が比較的安定であり、且つ耐化学薬品性、耐機械性等にもすぐれている。」（第２頁左上欄第３行〜第１０行）、
（２−３）「本発明のフィルムは、ＥＬ電極、タッチパネル、電機しゃへい板、透明導電性ハーネス等の透明性が要求されるエレクトロニックス材料に最適に用いれる。」（第２頁左上欄第１１行〜第１４行）、
（２−４）「本発明で用いられるプラスチックフィルムとしては、…例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、フッ素樹脂などが用いられる。」（第２頁左上欄第１５行〜第２０行）、
（２−５）「蒸着膜のＳｎ／Ｉｎの比率を蛍光Ｘ線分析法により求めると、０．０４〜０．１０である。」（第２頁右上欄第１８行〜第１９行）、
（２−６）「得られた透明導電性フィルム上に、通常良く使用されるフォトレジストを用い、…エッチングし、次にレジストを剥離した。エッチングは非常にやりやすく、得られたものもエッチング性が良好であった。一方、本特許請求範囲外のＳｎ濃度をもつターゲットを使用して蒸着したフィルムでは、すぐれたエッチング性は得られなかった。」（第２頁左下欄第１７行〜右下欄第６行）という記載がある。
　甲３には、「透明導電性フィルム」について記載されていて、
（３−１）「透明導電性フィルムは可とう性を有する透明プラスチックフィルムの片面ないし両面に、例えば、酸化インジウム及び酸化スズよりなる導電層を設けたものであり、その透明性、導電性、可とう性から、液晶、エレクトロルミネッセンス等の表示体の電極、タッチパネルの電極…として盛んに用いられている。」（第１頁右下欄第２行〜第９行）、
（３−２）「フィルムとの付着性及び耐摩擦性，耐屈曲性を向上させる方法として、フィルムと導電層の中間に（１）有機物、例えばポリエステル，エポキシ，ウレタン等の樹脂を塗布等の方法で設ける方法、（２）無機物、例えば酸化ケイ素，酸化チタン，酸化スズ，酸化アルミニウム等の金属酸化物をスパッタリング法等の方法で設ける方法が一般的に用いられている。」（第１頁右下欄第１９行〜第２頁左上欄第６行）、
（３−３）「本発明で用いるターゲット材としては、特に酸化インジウムと酸化スズの比率が９０：１０〜９５：５（重量％）のものが好適である。また、反応系内の圧力は、アルゴンガスを用いた場合、通常、…であるが、同時に酸素ガスを１０−６〜１０−４Ｔｏｒｒ程度の圧力で導入するのが好ましい。」（第２頁左下欄第２０行〜右下欄第６行）
という記載がある。
　甲４には、透明電極について記載されていて、
（４−１）「透明なプラスチックフィルム又はシート（Ａ）の少なくとも片面に、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物および金属のうちのいずれかの物質よりなる１層又は複数層の透明な薄膜層（Ｂ）、透明な有機質薄膜層（Ｃ）、透明導電層（Ｄ）を、順次積層してなることを特徴とする透明電極」（特許請求の範囲第１項）、
（４−２）「本発明は、プラスチックフィルム又はシートを基板とした透明電極に関する。」（第２頁左上欄第７行〜第８行）
（４−３）「第１〜３図は、本発明による透明電極の構造を示す断面図であり、図中、１はプラスチックフィルム又はシートからなる基板、２は金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物および金属のうちのいずれかの物質よりなる１層又は複数層の無機質薄膜層、３は有機質薄膜層、４は透明導電層である。」（第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄第５行）、
（４−４）「「透明なプラスチックフィルム又はシート（Ａ）と接する層には、低融点金属の酸化物層が好ましく用いられる。ここで、低融点金属とは、…中でもＺｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎ及びこれらの混合物もしくは合金が好ましく用いられる。」（第３頁右上欄第７行〜第１３行）、
（４−５）「透明電極（Ｄ）としては、…薄膜が好ましく用いられる。…Ｓｂ、Ｉｎ、Ｓｎ及びこれらの混合物もしくは合金の酸化物が挙げられる。」（第３頁左下欄第１３行下第１９行）、
（４−６）「本発明の透明電極は、本発明者らの先の発明の透明電極（時願昭６０−０２９４４４）同様、可とう性、耐化学薬品性、モイスチャーバリヤー性、ガスバリヤー性、等に優れる一方、先の発明の透明電極とは構成が異なるため、透明電極の製造方法の多様化を可能としたものである。」（第３頁右下欄第２行〜第７行）という記載がある。
　甲５には、「液晶ディスプレイおよびその製造方法」について記載されていて、
（５−１）「ガラス基板上にゲート電極パターン、ゲート絶縁膜、…少なくともＡｌを主体とする金属を含むソース・ドレイン電極パターン、ＩＴＯ…画素電極パターンを順次形成してなる液晶ディスプレイにおいて、ＩＴＯ画素電極に非晶質状態のＩＴＯ膜を用いることを特徴とする液晶ディスプレイ」（特許請求の範囲第１項）、
（５−２）「本発明の目的は、…ＩＴＯ／Ａｌエッチレート比を十分に大きくするＩＴＯ膜を開発し、…パターン化を容易ならしめる方法を提供することにある。」（第２頁左下欄第３行〜第８行）、
（５−３）「上記の目的は第２図に示す如く、ＩＴＯ画素電極として、非晶質状態のＩＴＯ膜を用いることにより達成される。」（第２頁左下欄第１０行〜第１２行）、
（５−４）「Ｘ線回折の立場から見て結晶化の進んでいない非晶質状態に近い膜であることが判明した。しかも、このＩＴＯ膜は比抵抗が…であり、通常の多結晶状態のＩＴＯ膜の比抵抗と比較しても、大きな遜色は認められなかった。」（第３頁左上欄第８行〜第１３行）という記載がある。
　エ．対比・判断
（１）取消理由１について
  本件発明１と甲１発明とを対比する。
　従来から電気抵抗が低くかつ透明性が高いＩＴＯ膜をスパッタリング法により得るためには、一般に基板温度を２００〜３００℃にする必要があり、このようにしてＩＴＯ膜を形成した場合にはＩＴＯ膜が結晶化する結果、そのエッチング特性は良好ではあっても優れているとはいい難いものとなる。ＩＴＯ膜のエッチング特性は当該ＩＴＯ膜を非晶質にすることで向上させ得るが、非晶質にした場合には導電性が低下するという難点があり、また、非晶質のＩＴＯは耐熱性や耐湿性に劣るという問題点があることに鑑みて、本件発明１〜１５はなされたものであって、実用上十分な導電性および光透過性を有するとともに、エッチング特性および比抵抗の熱的安定性に優れた透明導電膜であって、低基板温度下でも基板上に設けることが可能な透明導電膜を利用した導電性透明基材、およびその製造方法を提供することを目的として、上記請求項１〜１５の構成を採用するものである。
　一方、甲１発明では、上記（１−１）〜（１−６）の記載を含む全記載からみて、透明で電導性のドーパント（＝酸化亜鉛）添加酸化インジウム被膜（＝インジウム及び亜鉛を含有する酸化物からなる透明導電膜）を製造するための浸漬方法の提供を目的としていて、上記（１−１）に記載された構成を採用するものであり、その実施例４では、浸漬法により得られた透明導電膜のＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、０．８０２となっており、このＩｎの原子比は、本件発明１で規定している０．８１〜０．９の範囲外となっている。（＝相違点１）
　また、甲１発明における浸漬法により得られた透明導電膜の酸化亜鉛添加酸化インジウム被膜が、結晶質であるのか非晶質であるのかについては、記載がない。（＝相違点２）
　そして、本件発明１のＩｎ及びＺｎを含有する透明導電膜は、スパッタリング法により得ており（実施例１等々）、図１から明らかなように非晶質となっていて、その物性値としては膜厚：１００〜３００ｎｍ、（初期）表面抵抗：１０．７〜４０．０（Ω／□）、キャリヤ濃度：３．７×１０２０〜１１．４×１０２０（／ｃｍ３）、移動度：１７．０〜２１．０（ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ）となっているのに対して、甲１発明のＩｎ及びＺｎを含有する透明導電膜は、浸漬法により得ていて、得られた甲１発明の実施例４の透明導電膜の物性値をみても、膜厚：９０ｎｍ、表面抵抗：３４３（Ω／□）、帯電担体（＝キャリヤ）濃度：１．６×１０２０（／ｃｍ３）、移動度：１３（ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ）となっているところから、甲１発明の透明導電膜は、本件発明１の非晶質の透明導電膜と比べると、略同じ膜厚で、表面抵抗は１０倍大きく、キャリヤ濃度は半分以下で、移動度も７５％以下に減少しているため、本件発明１の透明導電膜と甲１発明の透明導電膜が実質的に同じものであると認めることはできず、その為甲１発明の透明導電膜が本件発明１の透明導電膜と同じように、当然に非晶質であるとすることはできない。（なお、この点に関して、被請求人が乙１号証として提出した実験証明書では、甲１発明の実施例４に記載されたと略同じ浸漬法により亜鉛添加酸化インジウム被膜を得て、その物性値を種々測定しており、その中のＸ線回折法の測定結果により、結晶質であることを確認している点にも留意されたい。）
　したがって、本件発明１は、甲１に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　また、本件発明４は、本件発明１を引用した発明であるか、もしくは本件発明１を引用した本件発明２〜３をさらに引用した発明であるから、本件発明１と同様に判断される結果、本件発明４は、本件発明１について上記したとおり、甲１に記載された発明と同一であるとすることはできない。
（２）取消理由２について
  本件発明１と甲１発明とは、上記したとおり相違点１及び２においてのみ相違しているから、相違点１及び２が甲１〜甲５に記載された発明から容易であるか否かについて検討する。
　上記相違点１について
　甲１の実施例４では、浸漬法により得られた透明導電膜のＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、０．８０２となっており、このＩｎの原子比は、本件発明１で規定している０．８１〜０．９の範囲外ではあるが、０．８０２も０．８１も０．８以下を四捨五入すると、ともに０．８となるところからも明らかなように、０．８の近辺としてみた場合には格別相違するものとは認められず、また、それ以外の０．９の近辺にあっても、浸漬法により製造するに当たり、原料である硝酸亜鉛と硝酸インジウムの配合割合を適宜変えることにより容易になし得る設計的事項にすぎないものと認める。
　上記相違点２について
　甲１発明における浸漬法により得られた透明導電膜の酸化亜鉛添加酸化インジウム被膜が、非晶質であることが甲２〜甲５に記載された発明から容易に想到し得るか否かについてみてみる。
　甲２には、上記（２−１）〜（２−６）の記載から明らかなように、スパッタリング法により得られた、Ｓｎ／Ｉｎの比率が０．０４〜０．１０であるＩＴＯ膜からなる透明導電性フィルムの、エッチング性が良好である旨の記載があるにすぎないから、酸化亜鉛添加酸化インジウム被膜が、非晶質であることについては記載も示唆もない。
　甲３〜甲４には、上記（３−１）〜（３−３）、（４−１）〜（４−６）の記載から明らかなように、透明フィルム（＝基材）と（透明）導電層の中間に１層又は複数層の中間層を設ける旨の記載があるにすぎないし、又、甲５には、上記（５−１）〜（５−４）の記載から明らかなように、Ａｌソース・ドレイン電極のパターン化を容易ならしめるために、ＩＴＯ画素電極として、非晶質状態のＩＴＯ膜を用いることが記載されているものの、酸化亜鉛添加酸化インジウム被膜について記載も示唆もするところはないし、さらに、ＩＴＯ中のＳｎの代わりにＺｎを用いた場合にどのような効果が得られるのかも不明であるから、甲５に非晶質状態のＩＴＯ膜が記載されているからといって、甲１発明における浸漬法により得られた透明導電膜の酸化亜鉛添加酸化インジウム被膜を非晶質状態にする必然性も必要性も認められない上に、浸漬法により非晶質状態のものが得られるのか否かも不明である。
　そして、本件発明１では、Ｉｎ及びＺｎを含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜とすることにより、エッチング特性に優れるのみならず、比抵抗の熱的安定性に優れ、実用上十分な導電性及び光透過性を有し、かつ熱的安定性にも優れた透明電極を、透明ガラス基材上や透明高分子基材上等にエッチング法により容易に形成できるという特有の効果を達成したものである。
　したがって、本件発明１は、甲１〜５を寄せ集めて総合的に判断しても、上記相違点２については、甲１〜５に記載も示唆もなく、しかも、その奏する効果も顕著なものである以上、これらに記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認めることはできない。
　また、本件発明２〜８は、本件発明１を引用した発明であるか、もしくは本件発明１を引用した発明２〜７をさらに引用した発明であるから、本件発明１と同様に判断される結果、本件発明２〜８は、本件発明１について上記したとおり、甲１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認めることはできない。
　本件発明１１は、本件発明１に記載の導電性透明基材における透明導電膜をスパッタリング法により形成することを特徴とする（本件発明１に記載の）導電性透明基材の製造方法に係る発明であるから、本件発明１に記載の導電性透明基材を構成中に包含している以上、本件発明１と同様に判断される結果、本件発明１１は、本件発明１について上記したとおり、甲１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認めることはできない。
　また、本件発明１２、１４〜１５は、本件発明１１を引用した発明であるか、もしくは本件発明１１を引用した発明１２〜１４をさらに引用した発明であるから、本件発明１１と同様に判断される結果、本件発明１２、１４〜１５は、本件発明１１について上記したとおり、甲１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認めることはできない。
　オ．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許異議の申立の理由及び証拠方法によっては、本件請求項１〜８，１１〜１２，１４〜１５の発明に係わる特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜８，１１〜１２，１４〜１５の発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１４年６月６日（２００２．６．６）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に係る記載としての、本件特許公報第１頁第１欄６行目において、「０．８〜０．９」を、「０．８１〜０．９」と訂正する。
▲２▼　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１１に係る記載としての、本件特許公報第２頁第３欄１４行目において、「０．８〜０．９」を、「０．８１〜０．９」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
導電性透明基材およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が
０．８１
　【請求項２】　透明導電膜におけるキャリア濃度が０．５×１０２１／ｃｍ３以上である、請求項１に記載の導電性透明基材。
　【請求項３】　大気中９０℃で１０００時間保持した後における透明導電膜の比抵抗Ｒ１０００と前記の透明導電膜についての初期比抵抗Ｒ０との比Ｒ１０００／Ｒ０で表される抵抗変化率が２．０以下である、請求項１または請求項２に記載の導電性透明基材。
　【請求項４】　透明基材が可撓性基板またはガラス基板である、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の導電性透明基材。
　【請求項５】　透明基材がフィルム状またはシート状の透明高分子からなる、請求項４に記載の導電性透明基材。
　【請求項６】　透明基材と透明導電膜との間に単層構造または複数層構造の中間層が少なくとも介在する、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の導電性透明基材。
　【請求項７】　中間層が金属酸化物、金属窒化物および金属炭化物からなる群より選択された１種からなる層を含む、請求項６に記載の導電性透明基材。
　【請求項８】　中間層が架橋性樹脂からなる層を含む、請求項６または請求項７に記載の導電性透明基材。
　【請求項９】　透明導電膜が、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の他に価数が正３価以上である１種以上の第３元素を含有し、前記第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下である、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の導電性透明基材。
　【請求項１０】　第３元素がアルミニウム（Ａｌ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）およびゲルマニウム（Ｇｅ）からなる群より選択される少なくとも１種である、請求項９に記載の導電性透明基材。
　【請求項１１】　透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が
０．８１
　【請求項１２】　スパッタリングターゲットして酸化物ターゲットを用い、スパッタリング時の酸素分圧を１×１０−３〜４×１０−５Ｐａの範囲内とする、請求項１１に記載の方法。
　【請求項１３】　透明導電膜として、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）の他に価数が正３価以上である１種以上の第３元素を含有する透明導電膜であって、前記第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下である透明導電膜を形成する、請求項１１または請求項１２に記載の方法。
　【請求項１４】　透明基材として透明高分子からなるフィルムまたはシートを用いる、請求項１１〜請求項１３のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項１５】　透明基材として透明ガラス基材を用いる、請求項１１〜請求項１４のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、導電性透明基材およびその製造方法に係り、特に、電気絶縁性透明基材の上に透明導電膜を設けてなるタイプの導電性透明基材およびその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶表示装置は軽量化、薄型化が可能であり、駆動電圧も低いことから、パーソナルコンピュータやワードプロセッサ等のＯＡ機器へ活発に導入されている。そして、前述のような利点を有している液晶表示装置は必然的に大面積化、多画素化、高精細化の方向に向かっており、表示欠陥のない高品質の液晶表示素子が求められている。
　【０００３】
　液晶表示素子は、互いに対向して配置された２つの透明電極により液晶を挟み込んだサンドイッチ構造をなしており、透明電極は高品質の液晶表示素子を得るうえでの重要な要素の一つである。この透明電極は、例えば透明ガラス基板上に成膜した透明導電膜をフォトリソグラフィー法等により所定形状にパターニングすることで作製されており、近年では表示装置のより一層の軽量化を図るため、透明ガラス基板に代えて高分子フィルムを用いることが試みられている。そして、このような透明電極を作製するための母材等として、ガラスや透明高分子からなる電気絶縁性の透明基材の上に透明導電膜を設けたタイプの導電性透明基材が開発されている。
　【０００４】
　上記タイプの導電性透明基材としては、現在、透明導電膜としてＩＴＯ膜を利用したものが主流を占めており、このＩＴＯ膜はスパッタリングターゲットとしてＩＴＯを用いたスパッタリング法等により成膜されている。透明導電膜としてＩＴＯ膜が多用されている理由は、ＩＴＯ膜の高透明性、低抵抗性の他、エッチング特性、基材への付着性等が良好なためである。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、電気抵抗が低くかつ透明性が高いＩＴＯ膜をスパッタリング法により得るためには、一般に基板温度を２００〜３００℃にする必要があり、このようにしてＩＴＯ膜を形成した場合にはＩＴＯ膜が結晶化する結果、そのエッチング特性は良好ではあっても優れているとはいい難いものとなる。また、基板として高分子フィルムや高分子シートを用いた場合には、基板温度を２００〜３００℃にすることが困難であるために、電気抵抗が低くかつ透明性が高いＩＴＯ膜を形成することが困難である。
　【０００６】
　ＩＴＯ膜のエッチング特性は当該ＩＴＯ膜を非晶質にすることで向上させ得るが（米国特許第５１０５２９１号明細書参照）、非晶質にした場合には導電性が低下するという難点がある（非晶質のＩＴＯについては『透明導電性フィルムの製造と応用』（第１９〜２６頁，（株）シー・エム・シー，１９８６年）にも記載有り）。また、非晶質のＩＴＯは耐熱性や耐湿性に劣り、例えば大気中で９０℃、１０００時間の耐熱性試験を行った場合や、９５％ＲＨの雰囲気中で４０℃、１０００時間の耐湿性試験を行った場合には、表面抵抗が７０〜８０％増大する。インジウム酸化物を主成分とする膜で結晶化度が１〜８０％のものも知られているが（特開平２−２７６６３０号公報参照）、比抵抗が４×１０−４Ωｃｍ未満のものは耐熱性が低く、１００〜２５０℃の熱処理により抵抗値が増大する。
　【０００７】
　本発明は、実用上十分な導電性および光透過性を有するとともに、エッチング特性および比抵抗の熱的安定性に優れた透明導電膜であって、低基板温度下でも基板上に設けることが可能な透明導電膜を利用した導電性透明基材、およびその製造方法を提供することを目的とする。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成する本発明の導電性透明基材は、透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内である透明導電膜が設けられていることを特徴とするものである。
　【０００９】
　また、上記目的を達成する本発明の導電性透明基材の製造方法は、透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内である透明導電膜をスパッタリング法により設けることを特徴とするものである。
　【００１０】
　以下、本発明を詳細に説明する。まず本発明の導電性透明基材について説明する。この導電性透明基材は、上述したように、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する特定組成の非晶質酸化物からなる透明導電膜が透明基材上に設けられているものである。ここで、透明基材は電気絶縁性の透明材料からなるものであれば特に限定されるものではないが、電気絶縁性の透明高分子または透明ガラスからなるものが好ましい。透明基材は可撓性基板（例えば以下に述べるフィルム状の透明高分子等）であってもよいし、可撓性に乏しい基板（例えばガラス基板）であってもよい。
　【００１１】
　電気絶縁性の透明高分子からなる透明基材（以下、透明高分子基材という）の具体例としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、マレイミド樹脂等からなるフィルムまたはシートが挙げられる。これらの透明高分子基材のなかでも、透明性および熱的安定性の点から、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、またはポリエーテルスルホン樹脂からなるものが好ましい。
　【００１２】
　一方、電気絶縁性の透明ガラスからなる透明基材（以下、透明ガラス基材という）の具体例としては、ソーダ石灰ガラス、鉛ガラス、硼硅酸ガラス、高硅酸ガラス、無アルカリガラス等の透明ガラス製のフィルム状物あるいは板状物が挙げられる。これらの透明ガラス基材のなかでも、透明導電膜中へのアルカリイオンの拡散が起こらない
　点でアルカリ成分を含有しないものが好ましい。
　【００１３】
　なお、透明基材において透明導電膜が設けられる側の表面には、金属酸化物（ケイ素酸化物を含む）、金属窒化物（ケイ素窒化物を含む）、金属炭化物（ケイ素炭化物を含む）、架橋性樹脂等からなる単層構造または複数層構造の中間層が設けられていてもよい。前記金属酸化物の具体例としてはＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯｘ（０＜ｘ≦２），ＺｎＯ，ＴｉＯ２等が挙げられ、前記金属窒化物の具体例としてはＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＴｉＮ等が挙げられ、前記金属炭化物の具体例としてはＳｉＣ，Ｂ４Ｃ等が挙げられる。また、前記架橋性樹脂の具体例としてはエポキシ樹脂、フェノキシエーテル樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。
　【００１４】
　上記の中間層は、透明基材と透明導電膜との密着性を向上させる上で有用である。透明基材として透明高分子基材を用いる場合には、架橋性樹脂層と無機物層（前記の金属酸化物、金属窒化物、または金属炭化物からなる層）とが順次積層された２層構造の中間層が設けられていることが好ましく、この２層構造の中間層が設けられていた場合には単層構造の中間層が設けられていた場合よりも密着性が向上する。一方、透明基材として透明ガラス基材を用いる場合には、無機物層（前記の金属酸化物、金属窒化物、または金属炭化物からなる層）と架橋性樹脂層とが順次積層された２層構造の中間層が設けられていることが好ましく、この２層構造の中間層が設けられていた場合には単層構造の中間層が設けられていた場合よりも密着性が向上する。また、透明高分子基材上に熱的安定性がより向上した透明導電膜を形成するうえからは、中間層またはその一部として設けた無機物層（前記の金属酸化物、金属窒化物、または金属炭化物からなる層）上に透明導電膜を形成するようにすることが好ましい。
　【００１５】
　また、透明高分子基材の直上に中間層としてまたはその一部として架橋性樹脂層を設ける場合、この架橋性樹脂層と前記の透明基材との間には接着層やガスバリヤー層を介在させてもよい。接着層の材質としては、エポキシ系、アクリルウレタン系、フェノキシエーテル系の接着剤等が挙げられる。ガスバリヤー層は、例えば導電性透明基材を最終的に液晶表示素子用の透明電極として利用したときに、液晶への水蒸気や酸素等の拡散を防止するうえで有用である。ガスバリヤー層の材質としては、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、ポリアクリルニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフッ化ビニリデン等が挙げられる。
　【００１６】
　前述した透明高分子基材や透明ガラス基材等からなる透明基材は、その光透過率が７０％以上であることが好ましい。７０％未満では透明基材として不適である。透明基材としては光透過率が８０％以上のものがより好ましく、更に好ましいものは光透過率が９０％以上のものである。また、透明基材の厚さは目的とする導電性透明基材の用途や透明基材の材質等に応じて適宜選択されるが、概ね１５μｍ〜３ｍｍが好ましく、５０μｍ〜１ｍｍがより好ましい。
　【００１７】
　本発明の導電性透明基材では、上述した透明基材の上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内である透明導電膜が設けられている。ここで、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）を前記の範囲に限定する理由は、この原子比が０．８未満では比抵抗の熱的安定性が低くなり、０．９を超えると比抵抗の熱的安定性が低くなるとともにエッチング特性も低くなるからである。Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、特に０．８２〜０．９０の範囲内が好ましい。
　【００１８】
　上記の非晶質酸化物は、カチオン元素として実質的にインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のみを含有するものであってもよいし、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）以外のカチオン元素として価数が正３価以上である１種以上の第３元素を含有するものであってもよい。前記第３元素の具体例としてはアルミニウム（Ａｌ）、アンチモン（Ｓｂ）、ガリウム（Ｇａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）等が挙げられる。また、第３元素の含有量は、その総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下となる量であることが好ましい。第３元素の総量の原子比が０．２を超えると、イオンの散乱により導電性が低くなる。第３元素の総量のより好ましい原子比は０．０８以下であり、さらに好ましくは０．０１以下である。なお、組成が同じであっても結晶化したものは非晶質のものより導電性に劣るので、本発明の導電性透明基材で利用する透明導電膜は非晶質のものに限定される。
　【００１９】
　上述の非晶質酸化物は、薄膜にすることで透明導電膜として利用することが可能になる。このときの膜厚は用途や当該透明導電膜が設けられる基材の材質等に応じて適宜選択可能であるが、概ね３ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内である。３ｎｍ未満では導電性が不十分となり易い。一方、３０００ｎｍを超えると光透過性が低下したり、導電性透明基材を製造する過程や製造後において故意または不可避的に透明基材を変形させたときに透明導電膜にクラック等が生じ易くなる。透明導電膜の好ましい膜厚は５〜１０００ｎｍであり、特に好ましい膜厚は１０〜８００ｎｍである。
　【００２０】
　なお、上記の透明導電膜の比抵抗の熱的安定性は、例えば後述する本発明の方法により当該透明導電膜を形成する場合、成膜時の雰囲気ガス中の酸素分圧の影響を受ける。より比抵抗の熱的安定性が高い透明導電膜を得るうえからは、前記の酸素分圧を後述のように制御することが好ましい。
　【００２１】
　上述した透明導電膜が前述した透明基材の上に設けられている本発明の導電性透明基材は、実用上十分な導電性および光透過性を有しており、かつ、この導電性透明基材を構成する透明導電膜はエッチング特性に優れている。また、その比抵抗の熱的安定性は高い。さらに、後述するように、前記透明導電膜は低基板温度下においても基板上に設けることができるため、高分子フィルムのような耐熱性が比較的低いものでも基板として利用することができる。このような特徴を有する本発明の導電性透明基材は、液晶表示素子用の透明電極、エレクトロルミネッセンス素子用の透明電極、太陽電池用の透明電極等、種々の用途の透明電極をエッチング法により形成する際の母材等として、あるいは帯電防止膜や窓ガラス等用の氷結防止ヒータ等として好適である。
　【００２２】
　なお、本発明の導電性透明基材は、透明導電膜が設けらていれる面とは反対の側の面に、ガスバリヤー層、ハードコート層、反射防止層等を有していてもよい。ガスバリヤー層の具体例としては、透明高分子基材の説明の中で例示したものと同じものが挙げられる。また、ハードコート層の具体例としては、チタン系やシリカ系のハードコート剤、ポリメチルメタクリレート等の高分子、ポリフォスファゼン等の無機高分子等からなるものが挙げられる。そして、反射防止層の具体例としては、低屈折率ポリマー、ＭｇＦ２やＣａＦ２等のフッ化物、ＳｉＯ２，ＺｎＯ，ＢｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３等の酸化物等からなるものが挙げられる。また、本発明の導電性透明基材は、透明導電膜上に有機重合体薄膜または無機薄膜を有していてもよい。
　【００２３】
　以上説明した本発明の導電性透明基材は、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スプレイパイロリシス、蒸着法等、種々の方法により製造することが可能であるが、透明導電膜の性能、生産性等の点から、以下に述べる本発明の方法により製造することが好ましい。
　【００２４】
　本発明の導電性透明基材の製造方法は、前述したように、透明基材上に、主要カチオン元素としてインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）を含有する非晶質酸化物からなる透明導電膜であって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内である透明導電膜を所定のスパッタリングターゲットを用いたスパッタリング法により設けることを特徴とするものである。
　【００２５】
　ここで、前記透明基材については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである。また、透明導電膜は、前述したようにカチオン元素として実質的にインジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）のみを含有する非晶質酸化物からなるものであってもよいし（以下、この透明導電膜を透明導電膜Ｉという）、インジウム（Ｉｎ）および亜鉛（Ｚｎ）以外のカチオン元素として価数が正３価以上である１種以上の第３元素を含有する非晶質酸化物からなるものであってもよい（以下、この透明導電膜を透明導電膜ＩＩという）。
　【００２６】
　スパッタリングの方法はＲＦあるいはＤＣマグネトロンスパッタリング等の通常のスパッタリング（以下、ダイレクトスパッタリングという）でも反応性スパッタリングでもよく、使用するスパッタリングターゲットの組成やスパッタリング条件は、成膜しようとする透明導電膜の組成等に応じて適宜選択される。例えばダイレクトスパッタリング法により透明導電膜Ｉを設ける場合には、下記（ｉ）〜（ｉｉ）のスパッタリング用酸化物ターゲット（酸化物ターゲット）を用いることが好ましい。
　【００２７】
　（ｉ）酸化インジウムと酸化亜鉛との組成物からなる焼結体ターゲットで、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの。ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）となるものを意味する。具体的には、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．７５〜０．９である焼結体ターゲットを用いることで達成される。前記原子比が０．７５〜０．９の範囲から外れると、このターゲットをスパッタリングすることで得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８未満に、または０．９を超えるようになり易く、目的とする透明導電膜Ｉを得ることが困難になる。この焼結体ターゲットは、酸化インジウムと酸化亜鉛との混合物からなる焼結体であってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以上とＩｎ２Ｏ３とから実質的になる焼結体であってもよい。なお、六方晶層状化合物を表す前記式においてｍを２〜２０に限定する理由は、ｍが前記範囲外では六方晶層状化合物にならないからである。ｍの好ましい範囲は２〜８であり、更に好ましくは２〜６である。
　【００２８】
　（ｉｉ）酸化物系ディスクと、このディスク上に配置した１個以上の酸化物系タブレットとからなるスパッタリングターゲット。酸化物系ディスクは、酸化インジウムから実質的になるものであってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以上とＩｎ２Ｏ３とから実質的になる焼結体であってもよい。また、酸化物系タブレットは、酸化亜鉛または酸化インジウムから実質的になるものであってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以上から実質的になるものであってもよし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以上とＩｎ２Ｏ３とから実質的になるものであってもよい。酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレットの組成並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブレットの使用割合は、最終的に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）となるように適宜決定される。
　【００２９】
　上記（ｉ）〜（ｉｉ）のいずれのスパッタリングターゲットも、その純度は９８％以上であることが好ましい。９８％未満では、不純物の存在により、得られる膜の化学的安定性が低下したり、導電性が低下したり、光透過性が低下したりすることがある。より好ましい純度は９９％以上であり、更に好ましい純度は９９．９％以上である。また、焼結体ターゲットを用いる場合、このターゲットの相対密度は７０％以上とすることが好ましい。相対密度が７０％未満では、成膜速度の低下や膜質の低下をまねき易い。より好ましい相対密度は８５％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。
　【００３０】
　ダイレクトスパッタリング法により透明導電膜Ｉを設ける場合のスパッタリング条件は、ダイレクトスパッタリングの方法やスパッタリングターゲットの組成、用いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規定することは困難であるが、ＤＣマグネトロンスパッタリング法による場合には例えば以下のように設定することが好ましい。
　【００３１】
・到達真空度
　スパッタリングを行う前に、真空槽内を予め１×１０−３Ｐａ以下に減圧する。
・スパッタリング時の真空度およびターゲット印加電圧
　スパッタリング時の真空度は１×１０−４〜５×１０−２Ｔｏｒｒ程度（１．３×１０−２〜６．７×１００Ｐａ程度）、より好ましくは２×１０−４〜１×１０−２Ｔｏｒｒ（２．７×１０−２〜１．３×１００Ｐａ程度）、更に好ましくは３×１０−４〜５×１０−３Ｔｏｒｒ（４．０×１０−２〜６．７×１０−１Ｐａ程度）とする。また、ターゲット印加電圧は２００〜５００Ｖが好ましい。ここで、スパッタリング時の真空度とはスパッタリング時の真空槽内の圧力を示す。スパッタリング時の真空度が１×１０−４Ｔｏｒｒより高い（１×１０−４Ｔｏｒｒよりも圧力が低い）とプラズマの安定性が悪く、５×１０−２Ｔｏｒｒに達しない（５×１０−２Ｔｏｒｒよりも圧力が高い）とスパッタリングターゲットヘの印加電圧を高くすることができなくなる。また、ターゲット印加電圧が２００Ｖ未満では良質の薄膜を得ることが困難になったり、成膜速度が制限されることがある。
　【００３２】
・雰囲気ガス
　雰囲気ガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが好ましい。不活性ガスとしてアルゴンガスを用いる場合、このアルゴンガスと酸素ガスとの混合比（体積比）は概ね０．６：０．４〜０．９９９：０．００１とすることが好ましい。この範囲を外れると、低抵抗かつ光透過率の高い膜が得られない場合がある。不活性ガスと酸素ガスとの混合比を前記の範囲内とし、かつ酸素分圧を１×１０−３〜４×１０−５Ｐａの範囲内とすることにより、大気中９０℃で１０００時間保持した後の比抵抗Ｒ１０００と初期比抵抗Ｒ０との比Ｒ１０００／Ｒ０で表される抵抗変化率が２．０以下の透明導電膜を容易に得ることができる。ここで、酸素分圧はスパッタリング時の真空度とこのときの雰囲気ガス中の酸素ガスの体積分率との積により表される。また、酸素分圧を前記の範囲内とすることによりファン・デル・ポウ（ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ）法に基づいて測定したキャリア濃度が０．５×１０２１／ｃｍ３以上の透明導電膜を容易に得ることができる。前記のキャリア濃度が高いほど、耐熱性および温度変化に対する電気抵抗の安定性に優れた膜が得やすい。
　【００３３】
・基板温度
　基板温度（透明基材の温度）は、透明基材の耐熱性に応じて、当該基材が熱により変形や変質を起こさない温度の範囲内で適宜選択される。基板温度が室温未満では冷却用の機器が別途必要になるため、製造コストが上昇する。また、基板温度を高温に加熱するにしたがって製造コストが上昇する。透明基材として透明高分子基材を用いる場合には室温〜２００℃が好ましく、２００℃を超えると透明高分子基材が変形することがある。また、透明ガラス基板を用いる場合には室温〜４００℃が好ましく、４００℃を超えると透明ガラス基材が変形したり、高温に加熱することの効果が得られなくなる場合がある。
　【００３４】
　前述した（ｉ）〜（ｉｉ）等のスパッタリングターゲットを用いて上述したような条件でダイレクトスパッタリングを行うことにより、目的とする透明導電膜Ｉを透明基材上に設けることができる。
　【００３５】
　なお、前記（ｉ）のスパッタリングターゲット並びに前記（ｉｉ）の酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレットの１つである、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以上とＩｎ２Ｏ３とから実質的になる焼結体は、例えば次のようにして作ることができる。
　【００３６】
　すなわち、インジウム化合物と亜鉛化合物とを混合し、この混合で得られた混合物を仮焼して仮焼物を得た後、この仮焼物を成型し焼結して、目的とする酸化物の焼結体を得る。ここで、原料として用いるインジウム化合物および亜鉛化合物は、酸化物または焼成後に酸化物になるもの（酸化物前駆体）であればよい。インジウム酸化物前駆体、亜鉛酸化物前駆体としては、インジウムおよび亜鉛それぞれについての硫化物、硫酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物（塩化物、臭化物等）、炭酸塩、有機酸塩（酢酸塩、しゅう酸塩、プロピオン酸塩、ナフテン酸塩等）、アルコキシド（メトキシド、エトキシド等）、有機金属錯体（アセチルアセトナート等）等が挙げられる。低温で完全に熱分解し、不純物が残存しないようにするためには、この中でも硝酸塩、有機酸塩、アルコキシド、有機金属錯体を用いるのが好ましい。
　【００３７】
　また、上記のインジウム化合物と亜鉛化合物との混合物は、下記（Ａ）溶液法（共沈法）または（Ｂ）物理混合法により得ることが好ましい。
　【００３８】
（Ａ）溶液法（共沈法）
　この方法は、インジウム化合物および亜鉛化合物を溶解した溶液、もしくは少なくともインジウム化合物を溶解した溶液と少なくとも亜鉛化合物を溶解した溶液の他に、沈澱形成剤を溶解した溶液をそれぞれ調製し、別に用意した容器（必要により溶媒を入れておいてもよい）に、必要により撹拌しながら、前述の溶液を同時にあるいは順次添加混合してインジウム化合物と亜鉛化合物の共沈物を形成させるものである。またインジウム化合物と亜鉛化合物を溶解した溶液に、沈澱形成剤を溶解した溶液を添加してもよいし、またその逆であってもよい。
　【００３９】
　インジウム化合物と亜鉛化合物を溶解した溶液と沈澱形成剤を溶解した溶液とをそれぞれ調製し、溶媒を入れた別の容器に撹拌しながら両者の溶液を同時に添加混合して沈澱を形成する場合を例として以下詳細に説明する。
　【００４０】
　まず、上記インジウム化合物と亜鉛化合物とを適当な溶媒に溶解させた溶液（以下溶液Ａという）を準備する。溶媒は、用いるインジウム化合物または亜鉛化合物の溶解性に応じて適宜選択すればよく、例えば、水、アルコール、非プロトン性極性溶媒（ＤＭＳＯ、ＮＭＰ、スルホラン、ＴＨＦ等）を用いることができ、生成する沈澱の溶解度が低いことから、特に炭素数１〜５のアルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール、メトキシエタノール、エチレングリコール等）が好ましい。溶液Ａ中の各金属の濃度は０．０１〜１０ｍｏｌ／リットルが好ましい。その理由は０．０１ｍｏｌ／リットル未満では生産性が劣り、１０ｍｏｌ／リットルを超えると不均一な沈澱が生成するからである。
　【００４１】
　さらに、原料の溶解を促進するため、各種溶媒により適宜、酸（硝酸、塩酸等）やアセチルアセトン類、多価アルコール（エチレングリコール等）、エタノールアミン類（モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等）を溶液中の金属量の０．０１〜１０倍程度添加してもよい。
　【００４２】
　上記溶液Ａとともに、沈澱形成剤を溶解させた溶液（以下、溶液Ｂという）を準備する。溶液Ｂに溶解させる沈澱形成剤としては、アルカリ（水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウム、水酸化アンモニウム、炭酸アンモニウム、重炭酸アンモニウム等）、有機酸（ギ酸、蓚酸、クエン酸等）等を用いることができる。沈澱は、沈澱形成剤により水酸化物、無機酸塩、有機酸塩となる。
　【００４３】
　また、沈澱形成剤を溶解するための溶媒、および沈澱を形成させる容器に入れる溶媒としては、インジウム化合物、亜鉛化合物を溶解するために用いる前述の溶媒を用いることができる。また、各種溶液に用いる溶媒は、操作上同じものを用いた方がよいが、異なる溶媒を用いてもよい。
　【００４４】
　この方法においては上述のいずれかの手段で沈澱を形成させるが、沈澱形成時の温度は、溶媒の融点以上沸点以下であればよい。また、沈澱形成後に１〜５０時間沈澱を熟成させてもよい。このようにして得られた沈澱物を次に固液分離、乾燥する。沈澱物の固液分離は、遠心分離、濾過等の常法により行われる。固液分離後、沈澱物から陰イオンやアルカリ金属イオン等を除去する目的で、溶液Ａ、Ｂに用いた溶媒またはその他の溶媒で沈澱物を十分に洗浄することが望ましい。固液分離後の乾燥は、４０〜２００℃で０．１〜１００時間行うのが好ましい。４０℃未満では乾燥に時間がかかり過ぎ、２００℃以上では粒子の凝集が起きやすくなる。
　【００４５】
　（Ｂ）物理混合法この方法は、上記のインジウム化合物が酸化インジウムまたはその前駆体（水溶性、難溶性を問わない）であり、上記の亜鉛化合物が酸化亜鉛またはその前駆体（水溶性、難溶性を問わない）である場合のいずれにも行なうことができる方法であり、インジウム化合物と亜鉛化合物をボールミル、ジェットミル、パールミル等の混合器に入れ、両化合物を均一に混ぜ合わせるものである。混合時間は１〜２００時間とするのが好ましい。１時間未満では均一化が不十分となりやすく、２００時間を超えると生産性が低下するからである。特に好ましい混合時間は１０〜１２０時間である。
　【００４６】
　上記溶液法、物理混合法等の方法で上述のインジウム化合物と亜鉛化合物の混合物を得た後、この混合物を仮焼する。この仮焼工程は、温度と時間との兼ね合いで種々異なってくるが、５００〜１２００℃で１〜１００時間行うことが好ましい。５００℃未満または１時間未満ではインジウム化合物と亜鉛化合物の熱分解が不十分であり、１２００℃を超えた場合または１００時間を超えた場合には粒子が焼結して粒子の粗大化が起こる。特に好ましい焼成温度および焼成時間は、８００〜１２００℃で２〜５０時間である。
　【００４７】
　上述のようにして仮焼した後、得られた仮焼物の粉砕を行なった方が好ましく、また必要に応じて、粉砕前後に還元処理を行ってもよい。仮焼物の粉砕は、ボールミル、ロールミル、パールミル、ジェットミル等を用いて、粒子径が０．０１〜１．０μｍになるように行うことが好ましい。粒子径が０．０１μｍ未満では粉末が凝集しやすく、ハンドリングが悪くなる上、緻密な焼結体が得にくい。一方１．０μｍを超えると繊密な焼結体が得にくい。なお仮焼と粉砕を繰り返し行なった方が組成の均一な焼結体が得られる。
　【００４８】
　また還元処理を行う場合の還元方法としては還元性ガスによる還元、真空焼成または不活性ガスによる還元等を適用することができる。還元性ガスによる還元を行う場合、還元性ガスとしては水素、メタン、ＣＯ等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。また、不活性ガス中での焼成による還元の場合、不活性ガスとしては窒素、アルゴン等や、これらのガスと酸素との混合ガス等を用いることができる。還元温度は１００〜８００℃が好ましい。１００℃未満では十分な還元を行うことが困難である。一方、８００℃を超えると酸化亜鉛の蒸発が生じて組成が変化する。特に好ましい還元温度は２００〜８００℃である。還元時間は、還元温度にもよるが、０．０１〜１０時間が好ましい。０．０１時間未満では十分な還元を行うことが困難である。一方、１０時間を超えると経済性に乏しくなる。特に好ましい還元時間は０．０５〜５時間である。
　【００４９】
　上述のようにして仮焼物（当該仮焼物の粉末を含む）を得た後、この仮焼物の成型、焼結を次に行なう。仮焼物の成型は、金型成型、鋳込み成型、射出成型等により行なわれるが、焼結密度の高い焼結体を得るためには、ＣＩＰ（冷間静水圧）等で成型し、後記する焼結処理に付するのが好ましい。成型体の形状は、ターゲットとして好適な各種形状とすることができる。また成型するにあたっては、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＭＣ（メチルセルロース）、ポリワックス、オレイン酸等の成型助剤を用いてもよい。
　【００５０】
　成型後の焼結は、常圧焼成、ＨＩＰ（熱間静水圧）焼成等により行なわれる。焼結温度は、インジウム化合物と亜鉛化合物が熱分解し、酸化物となる温度以上であればよく、通常８００〜１７００℃が好ましい。１７００℃を超えると酸化亜鉛および酸化インジウムが昇華し組成のずれを生じるので好ましくない。特に好ましい焼結温度は１２００〜１７００℃である。焼結時間は焼結温度にもよるが、１〜５０時間、特に２〜１０時間が好ましい。
　【００５１】
　焼結は還元雰囲気で行なってもよく、還元雰囲気としては、Ｈ２、メタン、ＣＯ等の還元性ガス、Ａｒ、Ｎ２等の不活性ガスの雰囲気が挙げられる。なお、この場合酸化亜鉛、酸化インジウムが蒸発しやすいので、ＨＩＰ焼結等により加圧焼結することが望ましい。このようにして焼結を行なうことにより、目的とするターゲットを得ることができる。
　【００５２】
　次に、反応性スパッタリング法によって透明基材上に透明導電膜Ｉを設ける場合について説明する。反応性スパッタリング法により透明導電膜Ｉを設ける場合には、スパッタリングターゲットとして、インジウムと亜鉛との合金からなるものであって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のものを用いることが好ましい。ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）となるものを意味するが、前記原子比が概ね０．７５〜０．９のものである。
　【００５３】
　この合金ターゲットは、例えば、溶融インジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することにより得られる。なお、この合金ターゲットの純度は、前述した（ｉ）〜（ｉｉ）のスパッタリングターゲットと同様の理由から９８％以上であることが好ましい。より好ましい純度は９９％以上であり、更に好ましい純度は９９．９％以上である。
　【００５４】
　反応性スパッタリングを行う場合のスパッタリング条件は、スパッタリングターゲットの組成や用いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規定することは困難であるが、スパッタリング時の真空度、ターゲット印加電圧および基板温度については、先に例示したＤＣダイレクトスパッタリングの条件と同様である。また、雰囲気ガスとしてはＤＣダイレクトスパッタリングの場合と同様にアルゴンガス等の不活性ガスと酸素ガスとの混合ガスが好ましいが、酸素ガスの割合はダイレクトスパッタリングのときよりも高めにすることが好ましい。不活性ガスとしてアルゴンガスを用いる場合、このアルゴンガスと酸素ガスとの混合比（体積比）は概ね０．５：０．５〜０．９９：０．０１とすることが好ましい。前述した合金ターゲットを用いて上述のような条件で反応性スパッタリングを行うことにより、目的とする透明導電膜Ｉを透明基材上に設けることができる。
　【００５５】
　次に、ダイレクトスパッタリング法により所定の基材上に透明導電膜ＩＩを設ける場合について説明する。ダイレクトスパッタリング法により透明導電膜ＩＩを設ける場合には、下記（ｉｉｉ）〜（ｉｖ）のものをスパッタリングターゲットとして用いることが好ましい。
　【００５６】
　（ｉｉｉ）酸化インジウムと酸化亜鉛の他に価数が正３価以上である１種以上の第３元素の酸化物を含有させた組成物からなる焼結体ターゲットで、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）および第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）がそれぞれ所定値のもの。ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）となるものを意味するが、前記原子比が概ね０．７５〜０．９である焼結体ターゲットを用いることで達成される。また、「第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が所定値のもの」とは、最終的に得られる膜における第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）となるものを意味する。第３元素の具体例としてはＡｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられる。この焼結体ターゲットは、酸化インジウムと酸化亜鉛と少なくとも１種の第３元素の酸化物との混合物から実質的になる焼結体であってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に少なくとも１種の前記第３元素を含有させてなる化合物の１種以上とＩｎ２Ｏ３とから実質的になる焼結体であってもよい。
　【００５７】
　（ｉｖ）酸化物系ディスクと、このディスク上に配置した１個以上の酸化物系タブレットとからなるもの。酸化物系ディスクは、酸化インジウムから実質的になるものであってもよいし、価数が正３価以上である１種以上の第３元素の酸化物と酸化インジウムとの混合物からなるものであってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の少なくとも１種と前記第３元素の少なくとも１種とＩｎ２Ｏ３とから実質的になる焼結体であってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に少なくとも１種の前記第３元素を含有させてなる化合物（例えばＺｎｍＩｎＡｌＯｍ＋３（ｍ＝２〜７）で表される酸化インジウム・酸化亜鉛・酸化アルミニウムの六方晶層状化合物や、ＺｎｍＩｎＧａＯｍ＋３（ｍ＝２〜７）で表される酸化インジウム・酸化亜鉛・酸化ガリウムの六方晶層状化合物等）の１種以上とＩｎ２Ｏ３とから実質的になる焼結体であってもよい。また、酸化物系タブレットは、酸化亜鉛および／または酸化インジウムから実質的になるものであってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物の１種以上から実質的になる焼結体であってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に少なくとも１種の第３元素を含有させてなる化合物（例えばＺｎｍＩｎＡｌＯｍ＋３（ｍ＝２〜７）で表される酸化インジウム・酸化亜鉛・酸化アルミニウムの六方晶層状化合物や、ＺｎｍＩｎＧａＯｍ＋３（ｍ＝２〜７）で表される酸化インジウム・酸化亜鉛・酸化ガリウムの六方晶層状化合物等）から実質的になる焼結体であってもよいし、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に少なくとも１種の第３元素を含有させてなる化合物の１種以上とＩｎ２Ｏ３とから実質的になる焼結体であってもよいし、Ｚｎ７Ｓｂ２Ｏ１２，ＺｎＡｌ２Ｏ４等のスピネル構造化合物から実質的になっていてもよいし、三重ルチル構造化合物から実質的になっていてもよい。
　【００５８】
　酸化物系ディスクおよび酸化物系タブレットの組成並びに酸化物系ディスクと酸化物系タブレットの使用割合は、最終的に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）で、かつ第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）となるように適宜決定される。
　【００５９】
　上記（ｉｉｉ）〜（ｉｖ）のいずれのスパッタリングターゲットも、その純度は９８％以上であることが好ましい。９８％未満では、不純物の存在により、得られる膜の化学的安定性が低下したり、導電性が低下したり、光透過性が低下したりすることがある。より好ましい純度は９９％以上であり、更に好ましい純度は９９．９％以上である。また、焼結体ターゲットを用いる場合、このターゲットの相対密度は７０％以上とすることが好ましい。相対密度が７０％未満では、成膜速度の低下や膜質の低下をまねき易い。より好ましい相対密度は８５％以上であり、更に好ましくは９０％以上である。
　【００６０】
　ダイレクトスパッタリング法により透明導電膜ＩＩを設ける場合のスパッタリング条件も、ダイレクトスパッタリングの方法やスパッタリングターゲットの組成、用いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規定することは困難であるが、ＤＣダイレクトスパッタリング法による場合には、この方法により透明導電膜Ｉを設ける場合と同様に設定することができる。
　【００６１】
　前述した（ｉｉｉ）〜（ｉｖ）等のスパッタリングターゲットを用いて上述したような条件でダイレクトスパッタリングを行うことにより、目的とする透明導電膜ＩＩを透明基材上に設けることができる。
　【００６２】
　なお、上記（ｉｉｉ）のスパッタリングターゲットの１つである、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝２〜２０）で表される六方晶層状化合物に少なくとも１種の第３元素を含有させてなる化合物の１種以上とＩｎ２Ｏ３とから実質的になる焼結体は、例えば次のようにして得ることができる。すなわち、出発原料に所望の第３元素の酸化物または焼成により所望の第３元素の酸化物となる化合物を所定量加える以外は前述した物理混合法と同様にして混合物を得た後、または、インジウム化合物および亜鉛化合物の他に所望の第３元素の化合物をも溶解させた溶液と沈殿形成剤を溶解させた溶液とを反応させて沈殿物を生成させる以外は前述した溶液法（共沈法）と同様にして混合物を得た後、この混合物を前述した（ｉ）のスパッタリングターゲットを得る場合と同様に仮焼、焼結することにより得ることができる。
　【００６３】
　例えば第３元素としてアルミニウム（Ａｌ）を含有する焼結体用の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化アルミニウムまたは焼成により酸化アルミニウムとなる化合物、具体的には塩化アルミニウム、アルミニウムアルコキシド（トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム等）、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、しゅう酸アルミニウム等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはアルミニウム化合物として前述の「焼成により酸化アルミニウムとなる化合物」の所望量を加える。
　【００６４】
　また、第３元素としてアンチモン（Ｓｂ）を含有する焼結体用の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化アンチモンまたは焼成により酸化アンチモンとなる化合物、具体的には塩化アンチモン、フッ化アンチモン、アンチモンアルコキシド（トリメトキシアンチモン、トリエトキシアンチモン、トリプロポキシアンチモン、トリブトキシアンチモン等）、硫酸アンチモン、水酸化アンチモン等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはアンチモン化合物として前述の「焼成により酸化アンチモンとなる化合物」の所望量を加える。
　【００６５】
　第３元素としてガリウム（Ｇａ）を含有する焼結体用の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化ガリウムまたは焼成により酸化ガリウムとなる化合物、具体的には塩化ガリウム、ガリウムアルコキシド（トリメトキシガリウム、トリエトキシガリウム、トリプロポキシガリウム、トリブトキシガリウム等）、硫酸ガリウム等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはガリウム化合物として前述の「焼成により酸化ガリウムとなる化合物」の所望量を加える。
　【００６６】
　そして、第３元素としてゲルマニウム（Ｇｅ）を含有する焼結体用の混合物を物理混合法に準じて得る場合には、酸化ゲルマニウムまたは焼成により酸化ゲルマニウムとなる化合物、具体的には塩化ゲルマニウム、ゲルマニウムアルコキシド（テトラメトキシゲルマニウム、テトラエトキシゲルマニウム、テトラプロポキシゲルマニウム、テトラブトキシゲルマニウム等）等を出発原料に所望量加え、溶液法に準じて得る場合にはゲルマニウム化合物として前述の「焼成により酸化ゲルマニウムとなる化合物」の所望量を加える。
　【００６７】
　次に、反応性スパッタリング法により透明基材上に透明導電膜ＩＩを設ける場合について説明する。反応性スパッタリング法により透明導電膜ＩＩを設ける場合には、インジウムと亜鉛と価数が正３価以上である少なくとも１種の第３元素との合金からなるものであって、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）および第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）がそれぞれ所定値であるものをスパッタリングターゲットとして用いることが好ましい。
　【００６８】
　ここで、「Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が所定の値のもの」とは、最終的に得られる膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が０．８１〜０．９の範囲内の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）となるものを意味するが、前記原子比が概ね０．７５〜０．９のものである。また、「第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が所定値のもの」とは、最終的に得られる膜における第３元素の総量の原子比（全第３元素）／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋全第３元素）が０．２以下の所望値（この値の好ましい範囲については本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたとおりである）となるものを意味する。第３元素の具体例としてはＡｌ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｇｅ等が挙げられる。
　【００６９】
　この合金ターゲットは、例えば、溶融インジウム中に亜鉛の粉末またはチップの所定量並びに第３元素の単体（固体）の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することにより得られる。また、インジウムと少なくとも１種の第３元素との合金を溶融させ、この中に亜鉛の粉末またはチップの所定量を分散させた後、これを冷却することによっても得られる。なお、この合金ターゲットの純度は、前述した（ｉｉｉ）〜（ｉｖ）のスパッタリングターゲットと同様の理由から９８％以上であることが好ましい。より好ましい純度は９９％以上であり、更に好ましい純度は９９．９％以上である。
　【００７０】
　反応性スパッタリング法により透明導電膜ＩＩを設ける場合のスパッタリング条件も、スパッタリングターゲットの組成や用いる装置の特性等により種々変ってくるために一概に規定することは困難であるが、この方法により透明導電膜Ｉを設ける場合と同様に設定することができる。前述した合金ターゲットを用いて上述のような条件で反応性スパッタリングを行うことにより、目的とする透明導電膜ＩＩを透明基材上に設けることができる。
　【００７１】
　以上説明したスパッタリング法により所定の透明基材上に透明導電膜Ｉまたは透明導電膜ＩＩを設けることにより、目的とする本発明の導電性透明基材を得ることができる。このときの透明導電膜Ｉまたは透明導電膜ＩＩの膜厚は、前述した本発明の導電性透明基材の説明の中で述べたように、目的とする導電性透明基材の用途や透明導電膜が設けられる基材の材質等に応じて適宜選択されるが、概ね３ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内である。そして、透明導電膜Ｉおよび透明導電膜ＩＩのいずれを設ける場合でも好ましい膜厚は５〜１０００ｎｍであり、特に好ましい膜厚は１０〜８００ｎｍである。
　【００７２】
　なお本発明の導電性透明基材は、前述したように透明導電膜が設けらていれる面とは反対の側の面にガスバリヤー層、ハードコート層、反射防止層等を有していてもよいわけであるが、これらの層の形成は透明導電膜の形成に先立て行ってもよいし、透明導電膜の形成後に行ってもよい。ガスバリヤー層、ハードコート層、反射防止層等の形成は、常法により行うことができる。
　【００７３】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
　透明高分子基材として厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を用い、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３焼結体（直径４インチ、厚さ５ｍｍ、相対密度７３％）の上にＺｎＯ焼結体（直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍ、相対密度８０％）を３個載せたものを用いて、以下の要領で導電性透明フィルムを製造した。まず、前記ポリエステルフィルムをＲＦスパッタリング装置に装着し、真空槽内を１×１０−３Ｐａ以下まで減圧した。この後、アルゴンガス（純度９９．９９％）と酸素ガスとの混合ガス（酸素ガスの濃度＝０．２８％）を１×１０−１Ｐａまで導入し（酸素分圧は２．８×１０−４Ｐａ）、ＲＦ出力１．２Ｗ／ｃｍ２、基板温度２０℃の条件で膜厚２７３ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ポリエステルフィルム上に設けた。なお、透明導電膜の膜厚はスローン（Ｓｌｏａｎ）社製のＤＥＫＴＡＫ３０３０を用いた触針法により測定した（以下の実施例および比較例においても同じ）。
　【００７４】
　このようにして得られた導電性透明フィルムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定（使用機種はリガク社製のロータフレックスＲＵ−２００Ｂ。以下の実施例および比較例においても同じ。）の結果、非晶質であることが確認された。このＸ線回折の測定結果を図１に示す。また、この透明導電膜１におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析（誘導結合プラズマ発光分光分析；使用機種はセイコー電子工業社製のＳＰＳ−１５００ＶＲ。以下の実施例および比較例においても同じ。）の結果、０．８８であった。透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。
　【００７５】
　また、導電性透明フィルムの光線透過率をＵＶ分光測定（使用機種は日立製作所製のＵ−３２１０、試験光の波長＝５５０ｎｍ）により求めると共に、透明導電膜Ｉの表面抵抗（以下、初期表面抵抗という）を四端子法（使用機種は三菱油化社製のロレスタＦＰ）により測定し、その比抵抗（以下、初期比抵抗Ｒ０という）を算出した。さらに、このときのキャリア濃度と移動度を東洋テクニカ社製のホール係数測定装置（商品名ＲＥＳＩＴＥＳＴ８２００；ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ法に基づく測定装置）により測定した。また、この導電性透明フィルムを２つに分け、一方の断片については大気中９０℃で１０００時間保持することで耐熱性試験を行い、試験後に透明導電膜Ｉの比抵抗（以下、比抵抗Ｒ１０００という）を求めて、この比抵抗Ｒ１０００と初期比抵抗Ｒ０との比Ｒ１０００／Ｒ０で定義される抵抗変化率を算出した。残りの断片については、ＨＣｌ：ＨＮＯ３：Ｈ２Ｏ＝１：０．０８：１（モル比）の溶液をエッチング容液として用いて透明導電膜Ｉのエッチング速度（以下、初期エッチング速度という）を測定した。これらの結果を表２に示す。
　【００７６】
実施例２
　透明ガラス基材として無アルカリガラス板（コーニング社製の＃７０５９）を用い、その他は実施例Ｉと同条件で、膜厚２００ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ガラス板上に設けた。このようにして得られた導電性透明ガラスを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明ガラスを３つに分け、うち２片を用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。３つに分けたうちの残りの１片については、これを２００℃で１時間加熱した後に、透明導電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング速度を実施例１と同様にして測定した。また、加熱後における透明導電膜Ｉの比抵抗を算出した。これらの結果を表３に示す。
　【００７７】
実施例３
　基板温度を２００℃とし、その他は実施例２と同条件で、膜厚１００ｎｍの透明導電膜Ｉをガラス板（コーニング社製の＃７０５９）上に設けた。このようにして得られた導電性透明ガラスを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明ガラスを３つに分け、うち２片を用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。３つに分けたうちの残りの１片については、これを２００℃で１時間加熱した後に、透明導電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング速度を実施例１と同様にして測定した。また、加熱後における透明導電膜Ｉの比抵抗を算出した。これらの結果を表３に示す。
　【００７８】
実施例４
　透明高分子基材として厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を用い、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３で表される六方晶層状化合物とＩｎ２Ｏ３とからなる焼結体ターゲット（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８４、相対密度９５％）を用いて、以下の要領で導電性透明フィルムを製造した。まず、前記ポリエステルフィルムをＤＣスパッタリング装置に装着し、真空槽内を１×１０−３Ｐａ以下まで減圧した。この後、アルゴンガス（純度９９．９９％）と酸素ガスとの混合ガス（酸素ガスの濃度＝０．５０％）を１×１０−１Ｐａまで導入し（酸素分圧は５×１０−４Ｐａ）、ＤＣ出力１．２Ｗ／ｃｍ２、基板温度２０℃の条件で膜厚３００ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ポリエステルフィルム上に設けた。このようにして得られた導電性透明フィルムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明フィルムの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明フィルムを２つに分け、透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。
　【００７９】
実施例５
　透明ガラス基材として無アルカリガラス板（コーニング社製の＃７０５９）を用い、その他は実施例４と同条件で、膜厚２５０ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ガラス板上に設けた。このようにして得られた導電性透明ガラスを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８７であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明ガラスを３つに分け、うち２片を用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例Ｉと同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。３つに分けたうちの残りの１片については、これを２００℃で１時間加熱した後に、透明導電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング速度を実施例１と同様にして測定した。また、加熱後における透明導電膜Ｉの比抵抗を算出した。これらの結果を表３に示す。
　【００８０】
実施例６
　スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）４で表される六方晶層状化合物とＩｎ２Ｏ３とからなる焼結体ターゲット（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８０、相対密度８７％）を用い、その他は実施例５と同条件で、膜厚２１０ｎｍの透明導電膜Ｉをガラス板（コーニング社製の＃７０５９）上に設けた。このようにして得られた導電性透明ガラスを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８４であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明ガラスを３つに分け、うち２片を用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。３つに分けたうちの残りの１片については、これを２００℃で１時間加熱した後に、透明導電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング速度を実施例１と同様にして測定した。また、加熱後における透明導電膜Ｉの比抵抗を算出した。これらの結果を表３に示す。
　【００８１】
実施例７
　厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）の上に厚さ１μｍのエポキシ樹脂層をスピンコート法により設け、ＵＶ照射により前記エポキシ樹脂を架橋させて架橋性樹脂層を形成した。この後は実施例６と同条件で、前記架橋性樹脂層上に膜厚２００ｎｍの透明導電膜Ｉを設けた。このようにして得られた導電性透明フィルムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８４であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明フィルムの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明フィルムを２つに分け、透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。
　【００８２】
実施例８
　透明高分子基材として厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を用い、スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）４で表される六方晶層状化合物とＩｎ２Ｏ３とからなる焼結体ターゲット（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．８４、相対密度９５％）を用いて、スパッタリング時の混合ガス雰囲気中の酸素ガス量を０．１％（酸素分圧は１×１０−４Ｐａ）とした以外は実施例１と同条件で、膜厚１００ｎｍの透明導電膜Ｉを前記ポリエステルフィルム上に設けた。このようにして得られた導電性透明フィルムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明フィルムの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明フィルムを２つに分け、透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。
　【００８３】
実施例９
　厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）の上に厚さ１００ｎｍのＳｉＯ２層をＥＢ蒸着法により形成し、このＳｉＯ２層表面に実施例４と同条件で膜厚１００ｎｍの透明導電膜Ｉを設けた。このようにして得られた導電性透明フィルムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明フィルムの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明フィルムを２つに分け、透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。
　【００８４】
実施例１０
　スパッタリング時の混合ガス雰囲気中の酸素ガス量を３％（酸素分圧は３×１０−３Ｐａ）とした以外は実施例９と同条件で、膜厚１００ｎｍの透明導電膜Ｉをポリエステルフィルム（厚さ１００μｍの２軸延伸ポリエステルフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム））上に設けた。このようにして得られた導電性透明フィルムを構成する前記透明導電膜Ｉは、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜ＩにおけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、０．８８であった。この透明導電膜Ｉの成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明フィルムの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明フィルムを２つに分け、透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、キャリア濃度、移動度、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。
　【００８５】
比較例１
　スパッタリングターゲットとして、Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）３で表される六方晶層状化合物とＩｎ２Ｏ３とからなる焼結体ターゲット（Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）＝０．９１、相対密度８０％）を用い、その他は実施例２と同条件で、膜厚３００ｎｍの透明導電膜をガラス板（コーニング社製の＃７０５９）上に設けた。このようにして得られた導電性透明ガラスを構成する前記透明導電膜は、Ｘ線回折測定の結果、非晶質であることが確認された。また、この透明導電膜におけるＩｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）は、ＩＣＰ分析の結果、本発明の限定範囲外の０．９３であった。この透明導電膜の成膜条件の抜粋とＩｎの原子比を表１に示す。また、この導電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この導電性透明ガラスを３つに分け、うち２片を用いて透明導電膜Ｉの初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０、抵抗変化率、および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定ないし算出した。これらの結果を表２に示す。３つに分けたうちの残りの１片については、これを２００℃で１時間加熱した後に、透明導電膜Ｉの表面抵抗およびエッチング速度を実施例１と同様にして測定した。また、加熱後における透明導電膜１の比抵抗を算出した。これらの結果を表３に示す。
　【００８６】
比較例２
　スパッタリグターゲトとしてＩＴＯターゲット（Ｉｎ２Ｏ３−５ｗｔ％ＳｎＯ２）を用い、その他は実施例３と同条件で、膜厚１００ｎｍの透明導電膜をガラス板（コーニング社製の＃７０５９）上に設けた。このようにして得られた導電性透明ガラスを構成する前記透明導電膜についてＸ線回折測定を行った結果、酸化インジウムの結晶が確認された。この透明導電膜の成膜条件の抜粋を表１に示す。また、この導電性透明ガラスの光線透過率を実施例１と同様にして測定した。さらに、この透明導電膜の初期表面抵抗、初期比抵抗Ｒ０および初期エッチング速度を実施例１と同様にして測定した。これらの結果を表２に示す。
　【００８７】
　【表１】
　【００８８】
　【表２】
　【００８９】
　【表３】
　【００９０】
　表２から明らかなように、実施例１〜実施例１０で得られた各導電性透明基材は、実用上十分な導電性および光透過性を有しており、各導電性透明基材を構成する透明導電膜Ｉはいずれも優れたエッチング特性を有している。また、抵抗変化率の値から明らかなように、実施例１〜実施例９で得られた各導電性透明基材を構成する透明導電膜Ｉはいずれも比抵抗の熱的安定性に優れており、特に実施例９の透明導電膜Ｉの比抵抗の熱的安定性は極めて高い。実施例１０で得られた導電性透明基材を構成する透明導電膜Ｉは、抵抗変化率については他の実施例のものよりも値が大きく、抵抗変化率からいえる比抵抗の熱的安定性は劣るが、比較例１のものと比べれば抵抗変化率からいえる比抵抗の熱的安定性は高い。
　【００９１】
　これらの透明導電膜Ｉのうち実施例２、実施例３、実施例５および実施例６で得られたものは、表３に示したように熱処理（２００℃、１時間）後でも比抵抗がそれ程変化しておらず、この点からも比抵抗の熱的安定性に優れていることがわかる。またエッチング速度も殆ど変化していない。なお、実施例１、実施例４、実施例７、実施例８および実施例９で得られた各導電性透明基材については、透明基材（ポリエチレンフィルム）の耐熱性が低いことから透明導電膜Ｉの比抵抗の熱的安定性を確かめるための熱処理（２００℃、１時間）を行っていない。
　【００９２】
　一方、Ｉｎの原子比Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）が本発明の限定範囲外である透明導電膜を備えた比較例１の導電性透明ガラスは、表２に示したように、実用上十分な導電性および光透過性を有するとともに、これを構成する透明導電膜は優れたエッチング特性を有している。しかしながら、抵抗変化率からいえる比抵抗の熱的安定性はそれ程高くなく（表２参照）、熱処理（２００℃、１時間）後の比抵抗からいえる熱的安定性は極めて低い（表３参照）。また、ＩＴＯターゲットを用いて得た結晶質の透明導電膜を備えた比較例２の導電性透明ガラスは、導電性および光透過性に優れてはいるものの、表２から明らかなように、これを構成する透明導電膜のエッチング特性は実施例１〜実施例１０の各導電性透明基材を構成する透明導電膜Ｉよりも遥かに劣る。
　【００９３】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の導電性透明基材は実用上十分な導電性および光透過性を有し、かつ、これを構成する透明導電膜はエッチング特性および比抵抗の熱的安定性に優れた透明導電膜である。したがって本発明によれば、実用上十分な導電性および光透過性を有し、かつ熱的安定性にも優れた透明電極を、透明ガラス基材上や透明高分子基材上等にエッチング法により容易に形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　実施例１で形成した透明導電膜ＩについてのＸ線回折測定の結果を示すグラフである。