【事件の表示】
　特許第２８６４５８４号「半導体用エポキシ樹脂組成物および半導体装置の製造法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８６４５８４号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第２８６４５８４号の請求項１〜４に係る発明は、平成１年１２月５日に特許出願され、平成１０年１２月１８日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立がなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１２年３月７日に訂正請求がなされ、訂正拒絶の理由が通知されたものである。
II．訂正請求について
１．訂正の内容
　訂正事項ａ：特許請求の範囲の請求項１において「エポキシ樹脂」を「常温で液状のエポキシ樹脂」とし、請求項３を削除して請求項４を請求項３に繰り上げる。
　訂正事項ｂ：明細書第５頁第１７行（特許公報第２欄第１０行）の「エポキシ樹脂」を「常温で液状のエポキシ樹脂」と訂正する。
　訂正事項ｃ：明細書第６頁第９〜１０行（特許公報第２欄１９〜２１行）の「特に上記エポキシ樹脂・・・好ましい。」を「特に本発明では、エポキシ樹脂として常温で液状のものを用いる。」と訂正する。
　訂正事項ｄ：明細書第８頁２行（特許公報第２欄第４９行）の「エポキシ樹脂には特に」を「エポキシ樹脂は、常温で液状であれば特に」と訂正する。
　訂正事項ｅ：明細書第１２頁下から４行（特許公報第６欄第２０行）の「優れておいているため」を「優れているため」と訂正する。
２．訂正の適否の判断
（１）訂正された請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるかどうか検討する。
（i）訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、訂正発明１という）は、その請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】常温で液状のエポキシ樹脂及び充填剤を含有し、その硬化物の線膨張係数を１．８×１０−５／℃〜４．０×１０−５／℃とした半導体用エポキシ樹脂組成物において、前記充填剤として、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有する球状溶融シリカ粉末であって、粒径２μｍ以下の粒子の含有量が１６．０〜２３．０重量％、粒径１２μｍ以下の粒子の含有量が５５．０〜８０．０重量％、粒径４５μｍ以下の粒子の含有量が９４．５重量％以上であり、かつ粒径１００μｍ以上の大型粒子の含有量が０．０１重量％以下の粒度分布をするものを使用してなる半導体用エポキシ樹脂組成物。」
（ii）刊行物記載の事項
　訂正発明１に対し、当審が訂正拒絶理由通知において示した刊行物１（特開昭６４?１１３５５号公報）には、以下の事項が記載されている。
「平均粒径が５〜１５μｍの範囲内にあり、かつ最大粒径が１００μｍ以下、粒度分布をＲＲＳ粒度線図で表示した場合に粗粒及び細粒部分を除いた中間粒径の少なくとも６０重量％以上が直線性を示しその勾配ｎが１．０以下、平均比表面積が４ｍ２／ｇ以下の球状の溶融シリカを８０重量％以上配合した熱硬化性樹脂成形材料で封止したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」（特許請求の範囲）
「本発明者等は球状の溶融シリカを用いその平均粒径、粒径範囲、粒度分布、比表面積並び表面シラノール基濃度並びその配合量等と成形材料の溶融粘度、流動性、硬化性、バリ発生量等の成形性、成形品物性及び半導体封止用成形材料としての諸特性との関係について詳細に検討した。その結果、球状充填剤として（中略）の球状溶融シリカを用いれば上記目的が達成できることを見出した。」（第２頁左下欄第１５行〜右下欄第８行）
「本発明は、上記の球状の溶融シリカをエポキシ樹脂やポリイミドまたはポリアミノビスマレイミド系の熱硬化性樹脂に８０重量％以上配合して得られる成形材料で半導体装置を封止するものである。」（第２頁右下欄第９行〜第１３行）
「本発明におけるエポキシ樹脂は現在半導体封止用成形材料に広く用いられている（中略）各種の多官能エポキシ化合物が用いられている。」（第３頁左上欄第１９行〜右上欄第４行）
「最大粒径が１００μｍ以下、平均粒径が６．５μｍ、ＲＲＳ粒度線図の勾配ｎ＝０．８５及び比表面積が３．０ｍ２／ｇの球状溶融シリカ並びに第１表の素材を用いて充填剤配合量が７０，７５，８０及び８５重量部の成形材料を作製」（第４頁左上欄第７行〜第１１行）
　充填剤配合量７０重量％の成形品の熱膨張係数が１．８×１０−５／℃であること。（第５頁第２表）
　同じく、刊行物２（特開昭６３?２８２１４６号公報）には、以下の事項が記載されている。
「本発明は、充てん材、詳しくは半導体等の電子部品の封止材、絶縁材、放熱シートなどに有用な充てん材に関する。」（第１頁左下欄第１７行〜第１９行）
「半導体技術の進歩は早く，ＶＬＳＩの高集積化とともに配線等が微細化する中で、パッケージ方法も従来のデュアルインラインパッケージ以外のフラットパッケージ等の比率が上昇する傾向があり、一層の低応力化された樹脂組成物が望まれている。つまり、さらに高充てんすることができる充てん材が要求されている。」（第２頁左上欄第２行〜第８行）
「ＲＲＳ粒度線図とは、下記のRosin-Rammlerの式に従う粒度分布を表わす粒度線図のことである。
　Ｒ（Ｄｐ）＝１００ｅｘｐ（?ｂＤｐｎ）
（但し式中Ｒ（Ｄｐ）は最大粒径から粒径Ｄｐまでの累積重量％、Ｄｐは粒径、ｂ及びａは定数である）。」（第２頁左下欄第６行〜第１１行）
「本発明の充てん材は、以上の粒度分布を有する球状であることを要する。本発明における球状とは、破砕品のように角ばっておらず、丸みがある程度でよいが、好ましくは長短径比１〜１．５の球状である。破砕品のように粒子が角ばっていると、前述した粒度分布の条件を満たしていたとしても流動性改善効果が十分でなく、したがって、十分に低応力化された樹脂組成物が得られない。」（第３頁左上欄第７行〜第１４行）
「液状エポキシ樹脂等では充てん材含有率を高めることができるので、液状エポキシ樹脂等の低応力化を達成することができ、」（第３頁右上欄第３行〜第５行）
「本発明の充てん材の種類としては、溶融シリカ（中略）特に溶融シリカ半溶融シリカ、シリカ?チタニア系ガラスが好ましい。」（第３頁左下欄第１７行〜右下欄第２行）
「本発明のＡ成分又はＡ成分とＢ成分からなる充てん材が使用される樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂（中略）などのエポキシ樹脂」（第４頁右上欄第６行〜第１２行）
　同じく、刊行物３（特開昭６３?１６０２５５号公報）には、以下の事項が記載されている。
「無機質充填剤を含むエポキシ樹脂組成物によって半導体素子を被覆モールドしてなる半導体装置において、上記無機充填剤が、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有するものであって、その主成分が粒径５０μｍ以下のものであり、かつこの粒径５０μｍ以下のものの粒度分布が、下記の（Ａ）〜（Ｃ）のようになっていることを特徴とする半導体装置。（後略）」（特許請求の範囲）
「ワーデルの球形度（化学工学便覧、丸善株式会社発行参照）とは粒子の球形度を、（粒子の投影面積に等しい円の直径）／（粒子の投影像に外接する最小円の直径）で測る指数で、この指数が１．０に近いほど真球体に近い粒子であることを意味する。
　上記ワーデルの球形度が０．７未満になると、無機質充填剤が異形状（角ばった状態）になって、鋭利な角部をもつことが多くなり、このような無機質充填剤を含む樹脂で封止すると、得られる半導体装置においては、封止後における上記樹脂の熱収縮時に、半導体素子を保護するパッシベーション膜無機質充填剤の鋭利な角部で損傷を受けるようになるからである。したがって、この発明で使用する無機質充填剤はワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有する球状のものであることが必要である。」（第２頁左下欄第１０行〜右下欄第６行）
  同じく、刊行物４（垣内弘編著「新エポキシ樹脂」，株式会社昭晃堂（昭和60年5月10日）発行、第28〜29頁）には、
  市販ビスフェノール系エポキシ樹脂の一例として、汎用液状タイプであって、常温で液状のものがあること（第２８頁表２．２）が示され、
　液体樹脂は反応性が高く、粘度が低いので、取り扱いやすく、各種の用途に広く用いられていること（第２９頁第７〜８行）が示され、
　溶融シリカ充てんエポキシ樹脂ＩＣ用封止材特性例として、熱膨張系数（１／℃）が１．９×１０−５のものが挙げられていること（第３０５頁表６．３４）が示されている。
　また、訂正発明１に対し、当審が訂正拒絶理由通知において示した参考資料１（渡邉　順之が提出した特許異議申立書に添付された参考資料１）には、刊行物１に記載の「平均粒径が６．５μｍ、ＲＲＳ粒度線図の勾配ｎ＝０．８５及び比表面積が３．０ｍ２／ｇの球状溶融シリカ」の粒度分布をＲＲＳ粒度線図に基づいて算出する具体的方法が示されている。
　同じく、参考資料２（「高分子論文集」，Vol．46，No．2，Feb．1989，p．113〜120（渡邉　順之が提出した平成１２年８月２８日付け回答書に添付された甲第１１号証)）には、「低熱膨張性エポキシ樹脂系成形材料」と題する論文が記載されており、「Ｆｉｇ．４は破砕シリカを高温炉中で溶融球形処理してつくられた球形溶融シリカのＲＲＳ粒度線図である。その粒度分布はＲＲＳ粒度線図においてほぼ直線を示す。図中のｎは直線の傾きで、ここでは粒度分布の広がりを示す尺度と考えて良い。」（第１１６頁右欄下から１３〜８行）と記載されている。また、Ｆｉｇ．４には、「Ｄｐ，粒径（μｍ）」を横軸、「Ｒ（Ｄｐ），累積重量％」を縦軸とするｎ＝２．０及びｎ＝０．８５の２つの粒度分布が示されている。
（iii）判断
　（ａ）訂正発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、「エポキシ樹脂及び充填剤を含有し、その硬化物の線膨張係数を１．８×１０−５／℃とした半導体用エポキシ樹脂組成物において、前記充填剤として、球状溶融シリカ粉末を使用してなる半導体用エポキシ樹脂組成物」の点で一致し、次の点で相違している。
　（イ）エポキシ樹脂が、訂正発明１のものは、常温で液状であるのに対して、刊行物１に記載の発明のものは、この点について記載されていない点、
　（ロ）球状溶融シリカ粉末が、訂正発明１のものでは、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有するのに対して、刊行物１に記載の発明のものでは、球状溶融シリカの球形度について具体的に記載されていない点、
　（ハ）球状溶融シリカ粉末について、訂正発明１のものは、その粒度分布が規定されているのに対し、刊行物１に記載の発明のものは、粒度分布について記載されていない点、
　（ｂ）上記相違点につて検討する。
　相違点（イ）について
　刊行物２には、半導体等の電子部品の封止材などに有用な充てん材に係る発明が記載され、液状エポキシ樹脂等では充てん材含有率を高めることができるので、液状エポキシ樹脂等の低応力化を達成することができることが記載されている。また、充填剤についても、球状のものがよく、角ばっていると流動性改善効果が十分でないことが記載され、充填剤として、特に溶融シリカが好ましいことが記載されている。これら記載からみると、刊行物２には、半導体等の封止材として、液状のエポキシ樹脂を用い、充填剤として球状の溶融シリカを用いる半導体用エポキシ樹脂組成物の技術が示されているといえる。
  また、刊行物４には、常温で液状のエポキシ樹脂が各種用途に汎用されていることが記載され、常温で液状のエポキシ樹脂組成物を半導体の封止材に用いることも本件特許出願前において周知（例えば、特開昭６１−２４６２２６号公報、特開昭６１−２８１１２１号公報、特開昭２５１１９号公報、特開昭６３−８１１５５号公報等）であり、刊行物１の記載をみても常温で液状のエポキシ樹脂の使用を特に排除するものとも解されないから、刊行物１に記載の半導体用エポキシ樹脂組成物におて、刊行物２、４に記載された常温で液状のエポキシ樹脂組成物を採用して、訂正発明１のように構成することに格別の困難性は見いだせない。
  相違点（ロ）について
　刊行物２には、球状の溶融シリカを充填材として用いることが示され、球状とは、破砕品のように角ばっておらず、丸みがある程度でよいが、好ましくは長短径比１〜１．５の球状であること、及び破砕品のように粒子が角ばっていると流動性改善効果が十分でなく、したがって、十分に低応力化された樹脂組成物が得られないことが示されている。また、刊行物３には、無機充填剤を含むエポキシ樹脂組成物によって半導体素子を被覆モールドしてなる半導体装置において、使用される無機充填剤が、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有するものであること、および、ワーデルの球形度は指数が１．０に近いほど真球体に近い粒子であることを意味することが示され、ワーデルの球形度が０．７以下である無機充填剤を含む樹脂で封止すると、半導体装置において悪影響を与えることが示されている。
  そして、刊行物２〜３の記載を考慮すると、半導体に使用する無機充填剤としての球状溶融シリカの形状についても、真球体に近い粒子であることが良いことは容易に理解できるところであるから、刊行物１に記載された球状溶融シリカの形状については、「球状」との記載からみても、刊行物２〜３に記載の程度のものが使用されているといえ、格別、刊行物２〜３に記載の程度のもの以外を使用することが積極的に示されているともいえない。
　そうすると、刊行物１に記載の発明においては、半導体に使用する無機充填剤として、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有する球状溶融シリカ粉末が採用されているとみるのが妥当であるから、訂正発明１が「ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有する球状溶融シリカ粉末である」とした点に、格別の創意工夫があるとはいえない。
  相違点（ハ）について
  参考資料１には、刊行物１に記載の「平均粒径が６．５μｍ、ＲＲＳ粒度線図の勾配ｎ＝０．８５及び比表面積が３．０ｍ２／ｇの球状溶融シリカ」の粒度分布をＲＲＳ粒度線図に基いて算出する具体的方法が示されており、それによれば最小粒径からの累積重量％は、
　Ｄｐ＝２では（粒径２μｍ以下）　２２．４７
　Ｄｐ＝１２では（同１２μｍ以下）６８．８８
　Ｄｐ＝４５では（同４５μｍ以下）９７．２４
となるものと認められる。
　この算出方法は、平均粒径がメジアン径であること、及びＲＲＳ粒度線図で表示した粒度分布が１００％直線性を示すことを前提とするものであるが、本件明細書にも記載（特許公報第４欄第３８〜４４行）されているように、充填材の平均粒径を累積重量％が５０％になる粒径、即ちメジアン径で表すことは当業界でごく普通に行われていることである。また、参考資料２のＦｉｇ．４からみて、ＲＲＳ粒度線図で表示したｎ＝０．８５の粒度分布においては粒径が２〜５０μｍ程度の領域で直線性が保たれているので、参考資料１の算出方法のように粒度分布が実質的に１００％直線性を示すものとして扱う点には、十分な合理性が認められる。
  そうすると、刊行物１に記載された球状溶融シリカ粉末については、粒度分布について明記されていないとしても、使用されている球状溶融シリカ粉末は、前記のとおりの粒度分布を有するものといえ、また、刊行物１には、球状溶融シリカについて「最大粒径が１００μｍ以下」と記載されていることから、刊行物１に記載の球状溶融シリカは、粒径が１００μｍ以上の溶融シリカを実質的に含有していないといえる。
　してみると、刊行物１に記載の半導体封止用成形材料に配合される充填剤と、訂正発明１の半導体用エポキシ樹脂組成物に配合される充填剤とは、粒径２μｍ以下、粒径１２μｍ以下及び粒径４５μｍ以下の球状溶融シリカの含有量において実質的な相違はないというべきであり、さらに、訂正発明１の球状溶融シリカ粉末が粒径１００μｍ以上の大型粒子の含有量が０．０１重量％以下である点においても格別相違するものではないから、訂正発明１と刊行物１に記載の発明とは、球状溶融シリカ粉末の粒度分布の点において、実質的に相違するものではない。
　したがって、訂正発明１は刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易になし得たものである。
（iv）むすび
　以上のとおりであるから、訂正発明１は、上記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しないので、当該訂正は認められない。
III．本件発明
　特許第２８６４５８４号の請求項１〜４に係る発明は、特許明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】エポキシ樹脂及び充填剤を含有し、その硬化物の線膨張係数を１．８×１０−５／℃〜４．０×１０−５／℃とした半導体用エポキシ樹脂組成物において、前記充填剤として、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有する球状溶融シリカ粉末であって、粒径２μｍ以下の粒子の含有量が１６．０〜２３．０重量％、粒径１２μｍ以下の粒子の含有量が５５．０〜８０．０重量％、粒径４５μｍ以下の粒子の含有量が９４．５重量％以上であり、かつ粒径１００μｍ以上の大型粒子の含有量が０．０１重量％以下の粒度分布をするものを使用してなる半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】充填剤の平均粒径を５．０〜９．０μｍの範囲とし、かつ比表面積を１．０〜５．０ｍ２／ｇの範囲とした請求項１記載の半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】エポキシ樹脂が常温で液状のエポキシ樹脂である請求項１又は２記載の半導体用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体用エポキシ樹脂組成物で半導体を封止することを特徴とする半導体装置の製造法。」
IV．特許異議申立について
１．刊行物の記載事項
　当審が通知した取消理由に引用した刊行物及びその記載事項については、上記II．２．（１）（ii）示したとおりのものである。　
２．判断
（１）請求項１に係る発明（以下、本件発明１という）について
　刊行物１には、エポキシ樹脂に充填剤として平均粒径が５〜１５μｍの範囲にあり、最大粒径が１００μｍ以下の球状の溶融シリカを配合した樹脂封止型半導体装置が示されている。
　そこで、本件発明１と刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、「エポキシ樹脂及び充填剤を含有し、その硬化物の線膨張係数を１．８×１０−５／℃とした半導体用エポキシ樹脂組成物において、前記充填剤として、球状溶融シリカ粉末を使用してなる半導体用エポキシ樹脂組成物」において一致し、次の点で相違している。
（イ）球状溶融シリカ粉末が、本件発明１では、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有する球状溶融シリカ粉末であるのに対し、刊行物１に記載の発明では、球状溶融シリカ粉末についてのワーデルの球形度が具体的に記載されていない点、
（ロ）球状溶融シリカ粉末について、本件発明１のものでは、その粒度分布が規定されているのに対し、刊行物１に記載の発明のものについては粒度分布が記載されていない点、
　上記相違点について検討する。
　相違点（イ）について
　刊行物２には、球状の溶融シリカを充填材として用いることが示され、球状とは、破砕品のように角ばっておらず、丸みがある程度でよいが、好ましくは長短径比１〜１．５の球状であること、及び破砕品のように粒子が角ばっていると流動性改善効果が十分でなく、したがって、十分に低応力化された樹脂組成物が得られないことが示されている。また、刊行物３には、無機充填剤を含むエポキシ樹脂組成物によって半導体素子を被覆モールドしてなる半導体装置において、無機充填剤が、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有すること、および、ワーデルの球形度は指数が１．０に近いほど真球体に近い粒子であることを意味することが示され、ワーデルの球形度が０．７以下である無機充填剤を含む樹脂で封止すると、半導体装置において悪影響を与えることが示されている。
　そして、刊行物２〜３の記載を考慮すると、半導体に使用する無機充填剤としての球状溶融シリカの形状についても、真球体に近い粒子であることが良いことは容易に理解できるところであるから、刊行物１に記載された球状溶融シリカの形状については、「球状」との記載からみても、刊行物２〜３に記載の程度のものが使用されているといえ、格別、刊行物２〜３に記載の程度のもの以外を使用することが積極的に示されているともいえない。
　そうすると、刊行物１に記載の発明においては、半導体に使用する無機充填剤として、ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有する球状溶融シリカ粉末が採用されているとみるのが妥当であるから、本件発明１が「ワーデルの球形度で０．７〜１．０の球形度を有する球状溶融シリカ粉末である」とした点に、格別の創意工夫があるとはいえない。
  相違点（ロ）について
  特許異議申立人　渡邉順之が提出した参考資料１には、刊行物１に記載の「平均粒径が６．５μｍ、ＲＲＳ粒度線図の勾配ｎ＝０．８５及び比表面積が３．０ｍ２／ｇの球状溶融シリカ」の粒度分布をＲＲＳ粒度線図に基いて算出する具体的方法が示されており、それによれば最小粒径からの累積重量％は、
　Ｄｐ＝２では（粒径２μｍ以下）　２２．４７
　Ｄｐ＝１２では（同１２μｍ以下）６８．８８
　Ｄｐ＝４５では（同４５μｍ以下）９７．２４
となるものと認められる。
　この算出方法は、平均粒径がメジアン径であること、及びＲＲＳ粒度線図で表示した粒度分布が１００％直線性を示すことを前提とするものであるが、本件明細書にも記載（特許公報第４欄第３８〜４４行）されているように、充填材の平均粒径を累積重量％が５０％になる粒径、即ちメジアン径で表すことは当業界でごく普通に行われていることである。また、同じく特許異議申立人　渡邉順之が提出した「高分子論文集，Vol．46，No．2，Feb．1989，p．113〜120」（渡邉　順之が提出した平成１２年８月２８日付け回答書に添付された甲第１１号証、訂正拒絶理由の通知において参考資料２として示したもの)には、「低熱膨張性エポキシ樹脂系成形材料」と題する論文が記載されており、「Ｆｉｇ．４は破砕シリカを高温炉中で溶融球形処理してつくられた球形溶融シリカのＲＲＳ粒度線図である。その粒度分布はＲＲＳ粒度線図においてほぼ直線を示す。図中のｎは直線の傾きで、ここでは粒度分布の広がりを示す尺度と考えて良い。」（第１１６頁右欄下から１３〜８行）と記載されている。また、Ｆｉｇ．４には、「Ｄｐ，粒径（μｍ）」を横軸、「Ｒ（Ｄｐ），累積重量％」を縦軸とするｎ＝２．０及びｎ＝０．８５の２つの粒度分布が示されている。参考資料２のＦｉｇ．４からみて、ＲＲＳ粒度線図で表示したｎ＝０．８５の粒度分布においては粒径が２〜５０μｍ程度の領域で直線性が保たれているので、参考資料１の算出方法のように粒度分布が実質的に１００％直線性を示すものとして扱う点には、十分な合理性が認められる。
  そうすると、刊行物１に記載された球状溶融シリカ粉末については、粒度分布について明記されていないとしても、使用されている球状溶融シリカ粉末は、前記のとおりの粒度分布を有するものといえ、また、刊行物１には、球状溶融シリカについて「最大粒径が１００μｍ以下」と記載されていることから、刊行物１に記載の球状溶融シリカは、粒径が１００μｍ以上の溶融シリカを実質的に含有していないといえる。
　してみると、刊行物１に記載の半導体封止用成形材料に配合される充填剤と、訂正発明１の半導体用エポキシ樹脂組成物に配合される充填剤とは、粒径２μｍ以下、粒径１２μｍ以下及び粒径４５μｍ以下の球状溶融シリカの含有量において実質的な相違はないというべきであり、さらに、訂正発明１の球状溶融シリカ粉末が粒径１００μｍ以上の大型粒子の含有量が０．０１重量％以下である点においても格別相違するものではないから、本件発明１と刊行物１に記載の発明とは、球状溶融シリカ粉末の粒度分布の点において、実質的に相違するものではない。
　したがって、本件発明１は、前記刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（２）請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、請求項１に記載の半導体用エポキシ樹脂組成物の充填剤において、その平均粒径を「５．０〜９．０μｍの範囲」とし、かつ比表面積を「１．０〜４．０ｍ２／ｇの範囲」と限定したものであるが、刊行物１には、平均粒径が５〜１５μｍの範囲内にあり、平均比表面積が４ｍ２／ｇ以下の球状溶融シリカ粉末を使用することが示されており、これらと重複する範囲の平均粒径及び比表面積を有する充填剤を採用することに特に困難性は認められない。
　そして、請求項１は前記のように刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に成し得たものであるから、請求項１を引用する請求項２に係る発明も同様に、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）請求項３に係る発明について
  請求項３に係る発明は、請求項１及び請求項２に記載の半導体用エポキシ樹脂組成物のエポキシ樹脂を、常温で液状のエポキシ樹脂に限定するものであるが、刊行物２には、半導体の電子部品封止材について示され、封止材として液状のエポキシ樹脂を使用することが示されている。しかも、刊行物４には、市販のビスフェノール系エポキシ樹脂の一例として常温で液状のエポキシ樹脂が示され、常温で液状のエポキシ樹脂組成物を半導体の封止材として使用することも前記II．２．（１）（iii）で示したように周知である。
　そうすると、刊行物１に記載されているエポキシ樹脂として、刊行物２、４に記載の技術に基づいて、液状のエポキシ樹脂を採用することが特に困難ということはできず、格別創意工夫を要するものということはできない。
　そして、請求項１及び請求項２に係る発明は前記のように刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１及び請求項２を引用する請求項３に係る発明は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（４）請求項４に係る発明について
　請求項４に係る発明は、請求項１〜請求項３に記載の半導体用エポキシ樹脂組成物で半導体を封止することを特徴とする半導体装置の製造法に係るものであるが、刊行物１には、球状溶融シリカを配合してなる熱硬化性樹脂成形材料で封止した樹脂封止型半導体装置が示され、球状の溶融シリカをエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂に配合して得られる成形材料で半導体装置を封止するものであること、エポキシ樹脂は現在半導体封止用成形材料に広く用いられていることが示されているから、実質的に、半導体を、球状溶融シリカをエポキシ樹脂に配合して得られる半導体封止用成形材料で封止してなる半導体装置の製造法が示されているというべきである。
　そして、請求項１〜３に係る発明は前記のように刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜３を引用する請求項４に係る発明は、刊行物１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　なお、特許権者は、平成１３年１月９日付け特許異議意見書において、本件請求項１に記載された「エポキシ樹脂及び充填剤を含有し、その硬化物の線膨張係数を１．８×１０−５／℃〜４．０×１０−５／℃とした半導体用エポキシ樹脂組成物」の記載部分を「常温で液状のエポキシ樹脂及び充填剤を含有し、その硬化物の線膨張係数を１．８×１０−５／℃〜４．０×１０−５／℃とした、ワイヤボンド法，ＴＡＢ法、又はフリップチップ法による半導体装置の封止に用いる半導体用エポキシ樹脂組成物」に訂正する案を示しているが、このような訂正案は、次のとおりで認められない。
　信越化学工業株式会社の提出した甲第４号証（特開昭６２−６６６９６号公報）には、「１．配線電極パターンが形成された絶縁性基板上に、複数個の電子部品が面実装されてなる電子回路板において、少なくとも電子部品が搭載されている部分が、端子接続部を含んで樹脂被覆されていることを特徴とする電子回路板。・・・５．該樹脂は、電子部品と絶縁基板とが作る間隙に充てんされている特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電子回路板。」（特許請求の範囲１，５）が記載され、「本発明で有用な被覆用樹脂の物性としては、弾性率の高い硬質の樹脂でかつ、熱膨張系数がソルダー材のそれに近いか、それ以下の樹脂であることが重要である。・・・ソルダー材の熱膨張系数はほぼ２０×１０−６／℃程度なので、これ以下の熱膨張系数となる樹脂であれば良く、比較的容易に入手しうるものである。すなわち、汎用の樹脂材料に、充てん剤を配合することによって達成しうるものであり、実用性に問題はない。液状あるいはペースト上で使用でき、絶縁特性に優れた樹脂であるエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂組成物が好適である。主成分であるエポキシ化合物の他に、硬化剤、硬化促進剤、を配合する他、膨張係数、弾性率などを調整するための無機質充てん剤も加えられる。」（４頁左下欄１０行〜右下欄８行）と記載され、５頁左下欄には、ポッティング材としてエピコート８２８（エポキシ樹脂）、溶融シリカ粉を配合したものが示されてる。また、「間隙を充てんする場合は、間隙端部にポッティング材を所定量載置し、表面張力の効果で間隙を充てんした上で、所定の条件で硬化させる。」（５頁右下欄１２行〜１５行）と記載されている。
　そして、エポキシ樹脂の流動性を改善するために特定の粒度分布を有する溶融シリカ粉末を充填剤として用いればよいことは、前記刊行物１に示されているところであるし、しかも、流動性の改善について記載されていれば、それが加熱溶融時のものであるとしても、流動性の観点からみれば、常温で液状のものに対しても適用できるのではないかと予測することはごく自然のことといえるから、刊行物１の技術を甲第４号証の技術に適用することに何ら創意工夫があるということはできない。
　したがって、前記訂正案の発明は、刊行物１〜４及び前記甲第４号証の記載から容易に想到しうることといえるものであって、いずれにしても特許を受けることができないものである。
V．むすび
　以上のとおりであるから、請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する
【異議決定日】
平成１３年１１月２２日（２００１．１１．２２）