【事件の表示】
　特許第３１８１３０８号「熱処理装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１８１３０８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許３１８１３０８号に係る発明は、平成３年４月３日に出願され平成１３年４月２０日に設定登録されたが、その後特許異議申立人渡邊繁雄により請求項１〜３に係る発明について異議の申立がなされたものである。
　
２．本件発明
　本件特許３１８１３０８号の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　処理用ボートに収容された複数枚の被処理体に所定の熱処理を行なう縦型の熱処理部と、
　該熱処理部の開口部に接続されるマニホールドと、
　該マニホールドに接続され、前記熱処理部内を真空引きするための真空排気系と、前記マニホールド全体を冷却するための冷却手段と、
　前記熱処理部に前記マニホールドの下端開口部を介して接続され、内部に不活性ガスが充填されると共に、前記熱処理部へ前記被処理体を搬入搬出させるロードロック室と、　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　前記マニホールドの下端開口部を開閉するために昇降可能になされたキャップ部とを備え、前記キャップ部にはこれを冷却する冷却手段が設けられることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】　前記マニホールド全体を冷却するための冷却手段は、前記マニホールドを２重管構造とすることにより形成される冷却水通路よりなることを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【請求項３】　前記マニホールドには、この内壁面に沿って石英カバーが設けられることを特徴とする請求項１または２記載の熱処理装置。」
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人渡邊繁雄は、証拠として甲第１号証（特開昭６２−２３５７２９号公報），甲第２号証（特開昭６２−１２２１２３号公報），甲第３号証（実願昭６３−１６０７０号（実開平１−１２２０６４号）のマイクロフィルム），甲第４号証（特開昭６３−２８５９２６号公報），甲第５号証（実願昭６１−１０３０４２号（実開昭６３−１１５７５号）のマイクロフィルム），甲第６号証（実願昭６１−１４７３６３号（実開昭６３−５６２７１号）のマイクロフィルム），甲第７号証（特開昭５８−１４１５２３号公報），甲第８号証（特開昭５５−３６３２号公報）及び甲第９号証（特開昭５５−３６３１号公報）を提出し、本件発明１は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて、また本件発明２，３は、甲第１〜９号証に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
　
４．甲各号証記載の発明
４．１　甲第１号証記載の発明
　甲第１号証は、気相エピタキシャル成長装置に関するものであり、以下の点が第１図，第２図と共に記載されている。
「本発明は、半導体の気相エピタキシャル成長装置に関するものであり、」（第１頁右下欄第４行〜第５行）
「また、より重大な問題として腐蝕の問題が挙げられる。回転機構を構成する材質は、機械的強度維持のため、ステンレス鋼が用いられており、高温の腐食性反応ガスにさらされるため、腐食が著しく、微粒子が剥落し、反応ガス流によって基板表面へ運ばれ、エピタキシャル膜の欠陥の原因となる。ステンレス鋼の原材料となっている鉄、ニッケル、クロム等の重金属による、基板及びエピタキシャル膜の汚染は、キャリアのライフタイムの短縮等、極めて重大な問題を生じさせる。ステンレス鋼製の部品を石英あるいは炭化ケイ素で被覆すれば、これらの問題は解消されるが、石英、炭化ケイ素の被膜に亀裂が生じやすく実用的でない。
　磁性結合利用による回転導入機構の場合、真空に保たれた反応管内部にある回転部分と外部の駆動部分とが完全に独立となっている事から、Ｏリングや磁性流体を用いた場合の様に脱ガスや真空シール不良の問題は生じないが、反応管内部の回転部分及びそれを保持する部分の腐食は避けられない。また、磁気結合利用による回転導入機構は、その構造が複雑で大型化するため保守に問題が生じ、かつ、コストが高くなるという問題も生じてくる。
　本発明の目的は、上記の問題点を改善し、構成部品の熱的損傷及び、腐食性反応ガスによる腐食が無く、保守が容易で、かつ、安価な回転機構を有する気相エピタキシャル成長装置を提供する事にある。」（第２頁右上欄第１７行〜右下欄第５行）
「第１図は本発明のー実施例の減圧気相エピタキシャル成長装置である。
　反応管１の内部に複数の細孔を有する反応ガス導入ノズル２が設けられ、縦型抵抗加熱炉３の中に設置されている。反応管１は水冷機構４を有するマニホールド５の上にＯリング６で真空シールされている。反応管１の内部には、基板７を保持する透明石英製の基板ホルダー８が、表面がスリ加工された石英製の架台９の上に設置されている。架台９は、破線で囲まれた部分の回転機構１０の上に置かれており、反応管１の外部から回転運動を導入する事で基板７を、面の中心を軸として回転する事が可能となっている。
　第２図は第１図の破線で囲まれた部分の回転機構１０を詳細に説明するものである。
　マニホールド１１は、第１図に示すマニホールド５の続きの部分で、水冷機構１２を備えており、真空排気口１３が開口している。また、マニホールド１１には、Ｏリング１４により、キヤップ１５が真空シールを保ちつつ固定されている。キャップ１５には水冷機構１６，１７，１８が設けられており、キャップ１５を冷却できるようになっている。」（第３頁左上欄第１行〜右上欄第３行）
「表面がスリ加工された石英製の円筒管３１は、スペーサ−２９のひさし部分をおおう様にキャップ１５上に設置されている。」（第３頁右上欄第１９行〜左下欄第１行）
　
４．２　甲第２号証記載の発明
　甲第２号証は、縦型熱処理装置に関するものであり、以下の点が第１〜６図と共に記載されている。
「（１）加熱手段を有する処理室と、この処理室の上部又は下部に開閉可能なゲート弁を介して連結される予備排気室と、この排気室に設けられた被処理基板を出し入れするための開閉扉と、前記排気室に連結されたガス排気管と、前記処理室と予備排気室の間を前記ゲート弁を通して被処理基板を移動させるための搬送手段とを具備したことを特徴とする縦型熱処理装置。」（特許請求の範囲）
「［発明の技術分野］
　本発明は、縦型熱処理装置に関し、特に拡散や減圧ＣＶＤに適用される縦型熱処理装置の改良に係わる。
［発明の技術的背景］
　半導体基板の大口径化に伴い、縦型拡散炉や縦型減圧ＣＶＤ装置が開発されている。」（第１頁左下欄第１８行〜右下欄第４行）
「前記拡散チューブ１の開口下部（出入口）には、キャップ５がＯリング６を介して気密かつ着脱自在に取着されている。」（第１頁右下欄第１２行〜第１４行）
「前記保治具１１の出し入れは・・・支持台７をキャップ５と共に上下させて出し入れを行なう。」（第２頁左上欄第１０行〜第１６行）
「以下本発明を縦型拡散炉に適用した例について第１図及び第２図を参照して詳細に説明する。
　図中の２１は、底付円筒体であり、この底付円筒体２１の開口上面には後述する保持具を載置する一対の突起部２２ａ、２２ｂが互いに対向するように庇状に延出されている。前記底付円筒体２１の上面には、上面付円筒体２３がＯリング２４を介して気密に固定されている。前記底付円筒体２１の上部には、上方を処理室２４、下方を予備排気室２５として区画するための開閉可能なゲート弁２６が設けられている。前記処理室２４となる上面付円筒体２３の外周には加熱ヒータ２７が配設されている。前記上面付円筒体２３の上部側壁には処理室排気管２８が連結され、かつ前記ゲート弁２６の上部付近の底付円筒体２１の側壁部分には処理室ガス供給管２９が連結されている。また、前記ゲート弁２６の下部付近の底付円筒体２１の側壁部分には排気室ガス排気管３０が連結されており、かつ底部付近の底付円筒体２１の側壁部分には排気室ガス供給管３１が連結されている。なお、これら排気管３０及び供給管３１には夫々バルブ３２、３３が介装されている。前記排気室２５に対応する底付円筒体２１の側壁は開口されており、該開口側壁には保持具を出入れするための開閉扉３４がＯリング３５を介して設けられている。」（第２頁左下欄第９行〜右下欄第１４行）
「次に、上記構成の拡散炉の作用を第１図、第２図及び第３図、第４図を参照して詳細に説明する。
（Ｉ）まず、ゲート弁２６を閉じて上部の処理室２４と下部の予備排気室２５とを仕切った後、加熱ヒータ２７により処理室２４内の温度を所定温度に設定し、更に処理室ガス供給管２９より所望のガス、例えばＮ２ガスを処理室２４内に供給する。つづいて、排気室ガス供給管３１のバルブ３３を開き、同供給管３１より例えばＮ２ガスを排気室２５内に供給し、大気圧にした状態にて開閉扉３４を開き、複数枚の被処理基板４１が保持されている保持具４２を予備排気室２５内に入れ、該保持具４２下端の脚部４３ａ、４３ｂを支持台３６の切欠部４０ａ、４０ｂに嵌合させる。この後、開閉扉３４及び排気室ガス供給管３１のバルブ３３を閉じ、ひきつづき排気室ガス排気管３０のバルブ３２を開き、図示しない油回転ポンプなどの排気手段によって予備排気室２５内のガスを排気管３０を通して１０-3ｔｏｒｒオーダまで排気する（第１図及び第２図図示）。
（II）油拡散ポンプによる排気後、バルブ３２を閉じ、排気室ガス供給管３１のバルブ３３を開け、同供給管３１よりＮ２ガスを予備排気室２５内に供給して該排気室２５の圧力を処理室２４の圧力と同等乃至若干高くする。つづいて、ゲート弁２６を開け」（第３頁左上欄第２行〜右上欄第７行）
「第３図及び第４図に示すように被処理基板４１が保持された保持具４２のみを突起部２２ａ、２２ｂ上に載置し、支持台３６を予備排気室２５側に戻す。
（III）被処理基板４１が保持された保持具４２を処理室２４内に設置した後、ゲート弁２６を閉じ、処理室ガス排気管２８から処理室２４内のガスを排気すると共に、処理室ガス供給管から所定の拡散ガスを供給して被処理基板４１への拡散処理を行なう。」（第３頁右上欄第１７行〜左下欄第６行）
「拡散処理された被処理基板４１が複数枚保持された保持具４２を扉３４から外部に取出すことにより、拡散処理の操作を完了する。
　従って、処理室２４に対して排気管３０等を付設した予備排気室２５をゲート弁２６を介して配置することによって、処理室２４内に空気等が混入することなく、予備排気室２５の底付円筒体２１に設けた開閉扉３４より被処理基板４１が複数枚保持された保持具４２を出入れできる。その結果、処理室２４内への空気等の混入に伴う被処理基板４１への界面準位の増大や薄いゲート酸化膜の電気的耐圧劣化等を防止でき、高信頼性の拡散処理を行なうことができる。」（第３頁左下欄第１２行〜右下欄第５行）
「［発明の効果］
　以上詳述した如く、本発明によれば被処理基板の出し入れ時において空気等が処理室内に混入するのを防止でき」（第４頁左上欄第１６行〜第１９行）
　
４．３　甲第３号証記載の発明
　甲第３号証は、縦形炉におけるＯリングシール部の冷却構造に関するものであり、以下の点が第１図と共に記載されている。
「Ｏリング８は、炉口フランジ側水冷ジャケット９と反応管押え側水冷ジャケット１０に冷却水を流通させることにより冷却される」（第５頁第９行〜第１２行）
　
４．４　甲第４号証記載の発明
　甲第４号証は、半導体拡散炉に関するものであり、以下の点が第１，２図と共に記載されている。
「Ｏリング９が接触する２重チューブ４の外周面は常に冷却ガスで冷やされ、又フランジ１０の水路１１に冷却水を流すことによりＯリング９及び１６の温度上昇は抑えられ」（第３頁左上欄第１１行〜第１４行）
　
４．５　甲第第５〜９号証記載の発明
　甲第５〜９号証には、「半導体の処理装置において、全体を冷却するための冷却手段を、２重管構造とすることにより形成される冷却水通路とする」点が記載されている。
　
５．本件発明と甲各号証記載の発明との対比・判断
５．１　本件発明１について
　本件発明１と甲第１〜４号証記載の発明とを対比すると、甲第１〜４号証には、本件発明１の構成要件である「熱処理部にマニホールドの下端開口部を介して接続され、内部に不活性ガスが充填されると共に、前記熱処理部へ被処理体を搬入搬出させるロードロック室と、前記マニホールドの下端開口部を開閉するために昇降可能になされたキャップ部とを備えた熱処理装置」が記載されていないし、示唆もない。
　また、縦型熱処理装置のロードロック室に関しては、甲第２号証に、キャップ５により処理室の開閉を行う従来技術に対して、処理室２４の下部に開閉可能なゲート弁２６を介して連結される予備排気室（ロードロック室）２５を設けることにより、被処理基板４１の出し入れ時において空気等が処理室内に混入するのを防止した縦型熱処理装置が記載されている。そこで、この甲第２号証記載の発明を甲第１号証記載の発明に適用する場合について検討する。
　甲第２号証記載の発明を甲第１号証記載の発明にそのまま適用すると、予備排気室を設けると共にキャップをゲート弁にすることになり、本件発明１の構成にならない。本件発明１の構成とするためには、ゲート弁とせずキャップのままとする必要がある。しかし、キャップのままとすると、被処理基板が予備排気室にあるときキャップは降下して開いており、予備排気室と処理室は連通している。この状態で予備排気室の開閉扉３４を開放すると処理室にも外気が流入し、甲第２号証記載の発明の目的・効果を達成できない。ゆえに、甲第２号証記載の発明の予備排気室を甲第１号証記載の発明に適用する際、ゲート弁にせずキャップのままとすることには、阻害要因があり、当業者が容易になし得ることとは認められない。
　したがって、本件発明１が、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
５．２　本件発明２，３について
  本件発明２，３は、本件発明１を引用し、さらに「マニホールド全体を冷却するための冷却手段は、前記マニホールドを２重管構造とすることにより形成される冷却水通路よりなること」又は「マニホールドには、この内壁面に沿って石英カバーが設けられること」を限定したものである。
　したがって、上記本件発明１と同様の理由により、本件発明２，３が、甲第１〜４号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　なお、甲第５〜９号証を参酌しても上記の結論は変わらない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明１〜３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３ついての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月４日（２００２．３．４）