(57)【要約】本発明の目的は、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体の効率的な製造方法を提供することにある。2010079813.tif 000036下記工程ａ〜ｄを含む、イノシン誘導体（８）の製造方法。工程ａ：イノシン誘導体（１）にモノチオアセタール化合物（２）とメタンスルホン酸とヨウ素を作用させることによってイノシン誘導体（３）を製造する工程、工程ｂ：工程ａにおいて製造されるイノシン誘導体（３）に、ケイ素置換基を脱離するための試薬を作用させることによって、イノシン誘導体（６）を製造する工程、工程ｃ：工程ｂにおいて製造されるイノシン誘導体（６）の５’位の水酸基に、Ｒ１Ｘ３を作用させることによってイノシン誘導体（８）を製造する工程、工程ｄ：工程ｃの反応残渣を抽出操作して得られる残渣を有機溶媒に懸濁することによって生じる結晶性のイノシン誘導体（８）をろ取する工程。
2010079813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程ａ〜ｄを含む、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体の製造方法。
【化１】
2010079813.tif 000020
式中、ＷＧ１は、電子吸引性基を表す。Ｒ１は、次の一般式（５）で表される置換基を表す。
【化２】
2010079813.tif 000021
式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、同一または異なって、水素またはアルコキシを表す。
工程ａ：
次の一般式（１）で表されるイノシン誘導体に、次の一般式（２）で表されるモノチオアセタール化合物とメタンスルホン酸とヨウ素を作用させることによって、次の一般式（３）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化３】
2010079813.tif 000022
式中、ＷＧ１は、前記と同義である。Ｒ３は、アルキルまたは置換されていてもよいアリールを表し、Ａは、次の一般式（４ａ）または（４ｂ）で表されるケイ素置換基を表す。
【化４】
2010079813.tif 000023
式中、Ｒ６は、アルキルを表す。
工程ｂ：
工程ａにおいて製造されるイノシン誘導体（３）に、ケイ素置換基を脱離するための試薬を作用させることによって、次の一般式（６）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化５】
2010079813.tif 000024
式中、Ａ、ＷＧ１は、前記と同義である。
工程ｃ：
工程ｂにおいて製造されるイノシン誘導体（６）の５’位の水酸基に、次の一般式（７）で表されるＲ１Ｘ３を作用させることによって、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化６】
2010079813.tif 000025
式中、Ｒ１、ＷＧ１は、前記と同義である。Ｘ３は、ハロゲンを表す。
工程ｄ：
工程ｃの反応残渣を抽出操作して得られる残渣を有機溶媒に懸濁することによって生じる結晶性のイノシン誘導体（８）をろ取する工程。
【請求項２】
Ｒ３がメチルである、請求項１に記載のイノシン誘導体の製造方法。
【請求項３】
ＷＧ１がシアノ、ニトロ、アルキルスルホニル、置換されていてもよいアリールスルホニル、ハロゲンである、請求項１または２のいずれかに記載のイノシン誘導体の製造方法。
【請求項４】
ＷＧ１がシアノである、請求項１または２のいずれかに記載のイノシン誘導体の製造方法。
【請求項５】
下記工程ａ〜ｅを含む、次の一般式（９）で表されるイノシンアミダイト化合物の製造方法。
【化７】
2010079813.tif 000026
式中、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂは、同一または異なって、アルキルを表すか、または、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する５または６員の飽和環状アミノ基を表す。かかる飽和環状アミノ基は、窒素原子の他に環構成原子として酸素原子または硫黄原子を１個有していてもよい。ＷＧ１、ＷＧ２は、同一または異なって、電子吸引性基を表す。Ｒ１は、次の一般式（５）で表される置換基を表す。
【化８】
2010079813.tif 000027
式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、同一または異なって、水素またはアルコキシを表す。
工程ａ：
次の一般式（１）で表されるイノシン誘導体に、次の一般式（２）で表されるモノチオアセタール化合物とメタンスルホン酸とヨウ素を作用させることによって、次の一般式（３）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化９】
2010079813.tif 000028
式中、ＷＧ１は、前記と同義である。Ｒ３は、アルキルまたは置換されていてもよいアリールを表し、Ａは、次の一般式（４ａ）または（４ｂ）で表されるケイ素置換基を表す。
【化１０】
2010079813.tif 000029
式中、Ｒ６は、アルキルを表す。
工程ｂ：
工程ａにおいて製造されるイノシン誘導体（３）に、ケイ素置換基を脱離するための試薬を作用させることによって、次の一般式（６）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化１１】
2010079813.tif 000030
式中、Ａ、ＷＧ１は、前記と同義である。
工程ｃ：
工程ｂにおいて製造されるイノシン誘導体（６）の５’位の水酸基に、次の一般式（７）で表されるＲ１Ｘ３を作用させることによって、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化１２】
2010079813.tif 000031
式中、Ｒ１、ＷＧ１は、前記と同義である。Ｘ３は、ハロゲンを表す。
工程ｄ：
工程ｃの反応残渣を抽出操作して得られる残渣を有機溶媒に懸濁することによって生じる結晶性のイノシン誘導体（８）をろ取する工程、
工程ｅ：
工程ｄにおいてろ取された結晶性のイノシン誘導体（８）にホスホロアミダイト化試薬と、必要に応じて活性化剤とを作用させることによって、次の一般式（９）で表されるイノシンアミダイト化合物を製造する工程。
【化１３】
2010079813.tif 000032
式中、Ｒ１、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、ＷＧ１、ＷＧ２は、前記と同義である。
【請求項６】
Ｒ３がメチルである、請求項５に記載のイノシンアミダイト化合物の製造方法。
【請求項７】
ＷＧ１がシアノ、ニトロ、アルキルスルホニル、置換されていてもよいアリールスルホニル、ハロゲンである、請求項５または６のいずれかに記載のイノシンアミダイト化合物の製造方法。
【請求項８】
ＷＧ１がシアノである、請求項５〜７のいずれかに記載のイノシンアミダイト化合物の製造方法。
【請求項９】
ホスホロアミダイト化試薬が、次の一般式（１０ａ）または（１０ｂ）で表される化合物である、請求項５〜８のいずれかに記載のイノシンアミダイト化合物の製造方法。
【化１４】
2010079813.tif 000033
式中、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂは、同一または異なって、アルキルを表すか、または、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する５または６員の飽和環状アミノ基を表す。かかる飽和環状アミノ基は、窒素原子の他に環構成原子として酸素原子または硫黄原子を１個有していてもよい。ＷＧ２は、電子吸引性基を表し、Ｘ１は、ハロゲンを表す。
【請求項１０】
工程ｅにおいて使用する活性化剤が、ジイソプロピルアミンテトラゾリド、１Ｈ−テトラゾール、５−エチルチオテトラゾール、５−ベンジルメルカプト−１Ｈ−テトラゾール、４，５−ジクロロイミダゾール、４，５−ジシアノイミダゾール、ベンゾトリアゾールトリフラート、イミダゾールトリフラート、ピリジニウムトリフラート、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミンまたは２，４，６−コリジン／Ｎ−メチルイミダゾールである、請求項５〜９のいずれかに記載のイノシンアミダイト化合物の製造方法。
【請求項１１】
次の一般式（１１）で表されるイノシン誘導体。
【化１５】
2010079813.tif 000034
式中、ＲＡは水素もしくは次の一般式（５）で表される基を表し、ＲＢは水素もしくは次の一般式（１２）で表される基を表すか、または、ＲＡとＲＢとが一緒になって、次の一般式（４ａ）もしくは（４ｂ）で表される基を表す。
【化１６】
2010079813.tif 000035
式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、同一または異なって、それぞれ水素またはアルコキシを表す。Ｒ２ａ、Ｒ２ｂは、同一もしくは異なって、それぞれ置換されていてもよいアルキルを表すか、または、Ｒ２ａとＲ２ｂとが隣接する窒素原子と一緒になって形成される、５または６員の飽和環状アミノ基を表す。Ｒ６はアルキルを表す。ＷＧ１、ＷＧ２は、同一または異なって、電子吸引性基を表す。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体の製造方法に関するものである。
【化１】
2010079813.tif 000003
式中、ＷＧ１は電子吸引性基を表す。Ｒ１は、次の一般式（５）で表される置換基を表す。
【化２】
2010079813.tif 000004
式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、同一または異なって、水素またはアルコキシを表す。
【背景技術】
【０００２】
オリゴ核酸化合物は固相合成で製造されるのが一般的である。その合成原料としてリボ核酸アミダイト化合物が利用されている。
これまでに、リボースの２’位水酸基が２−シアノエトキシメチル（ＣＥＭ）基で保護されたリボ核酸アミダイト化合物が、長鎖オリゴＲＮＡを効率的に合成するための合成原料として非常に有用であることが報告されている（特許文献１、非特許文献１、非特許文献２）。【０００３】
リボースの２’位水酸基がＣＥＭ基で保護されたリボ核酸アミダイト化合物は、例えば、次の工程を経て製造される。
工程１：３’位と５’位の水酸基がケイ素置換基で保護されたリボ核酸誘導体に対してＣＥＭ基を導入する工程、
工程２：工程１において製造されるリボ核酸誘導体からケイ素置換基を脱離する工程、
工程３：工程２において製造されるリボ核酸誘導体の５’位水酸基に４，４’−ジメトキシトリチルを導入する工程、
工程４：工程３において製造されるリボ核酸誘導体をアミダイト化する工程。
これまで、上記工程１および工程２については、改良方法が報告されている（特許文献２、特許文献３、特許文献４）。これら改良方法によって、当該工程ではシリカゲルカラムを使用して生成物を精製することが不要となり、当該リボ核酸アミダイト化合物の製造コストが低減する。
しかしながら、核酸塩基がアデニン、グアニン、シトシン、ウラシルである場合、上記工程３で製造されるリボ核酸誘導体は結晶化させることが困難であるため、シリカゲルカラムを使用して精製しなければならない。
なお、これまでに、核酸塩基がヒポキサンチンであり、リボースの２’位水酸基がＣＥＭ基で保護されているリボ核酸アミダイト化合物は報告されていない。
【特許文献１】国際公報ＷＯ２００６／０２２３２３  Ａ１
【特許文献２】国際公報ＷＯ２００８／０１６０７９  Ａ１
【特許文献３】国際公報ＷＯ２００８／０９０８２９  Ａ１
【特許文献４】特開２００８−１７４５２４
【非特許文献１】大木ら，ＯＲＧＡＮＩＣ  ＬＥＴＴＥＲＳ，Ｖｏｌ．７，３４７７（２００５）
【非特許文献２】柴ら，ＮＵＣＬＥＩＣ  ＡＣＩＤ  ＲＥＳＥＡＲＣＨ，Ｖｏｌ．３５，３２８７（２００７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体の効率的な製造方法を提供することにある。
【化３】
2010079813.tif 000005
式中、ＷＧ１、Ｒ１は、前記と同義である。
ＷＧ１に係る「電子吸引性基」としては、例えば、シアノ、ニトロ、アルキルスルホニル、置換されていてもよいアリールスルホニル、ハロゲンを挙げることができる。なかでも、シアノが好ましい。
ＷＧ１に係る「アルキルスルホニル」の「アルキル」部分としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。
ＷＧ１に係る「アリールスルホニル」の「アリール」部分としては、例えば、炭素数６〜１２のアリールを挙げることができる。具体的には、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニルを挙げることができる。当該アリールは置換されていてもよく、かかる置換基としては、例えば、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されていてもよい。
ＷＧ１に係る「ハロゲン」としては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素を挙げることができる。
ＷＧ１に係る「アリールスルホニル」の「アリール」部分の置換基である「ハロゲン」としては、前記「ハロゲン」と同じものを挙げることができる。
ＷＧ１に係る「アリールスルホニル」の「アリール」部分の置換基である「アルキル」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。
ＷＧ１に係る「アリールスルホニル」の「アリール」部分の置換基である「アルコキシ」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜４のアルコキシを挙げることができる。具体的には、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシを挙げることができる。なかでも炭素数１〜３の該アルコキシが好ましい。
Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３に係る「アルコキシ」としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数１〜４のアルコキシを挙げることができる。具体的には、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシを挙げることができる。なかでも炭素数１〜３の該アルコキシが好ましく、とりわけメトキシが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記目的を達成するために、鋭意検討した結果、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。【０００６】
本発明としては、次の工程ａ〜ｄを含む、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体の製造方法を挙げることができる。
【化４】
2010079813.tif 000006
式中、ＷＧ１、Ｒ１は、前記と同義である。
工程ａ：
次の一般式（１）で表されるイノシン誘導体に、次の一般式（２）で表されるモノチオアセタール化合物とメタンスルホン酸とヨウ素を作用させることによって、次の一般式（３）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化５】
2010079813.tif 000007
式中、ＷＧ１は、前記と同義である。Ｒ３は、アルキルまたは置換されていてもよいアリールを表し、Ａは、次の一般式（４ａ）または（４ｂ）で表されるケイ素置換基を表す。
【化６】
2010079813.tif 000008
式中、Ｒ６は、アルキルを表す。
Ｒ３に係る「アルキル」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。なかでもメチルが好ましい。
Ｒ３に係る「アリール」としては、前記ＷＧ１に係る「アリールスルホニル」の「アリール」部分と同じものを挙げることができる。当該アリールは置換されていてもよく、かかる置換基としては、例えば、ハロゲン、アルキル、アルコキシ、シアノ、ニトロを挙げることができ、これらが任意の位置に１〜３個置換されていてもよい。
Ｒ３に係る「アリール」の置換基である「ハロゲン」、「アルキル」、「アルコキシ」としては、前記ＷＧ１に係る「アリールスルホニル」の「アリール」部分の置換基である「ハロゲン」、「アルキル」、「アルコキシ」と同じものを挙げることができる。
Ｒ６に係る「アルキル」としては、例えば、直鎖状又は分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。
工程ｂ：
工程ａにおいて製造されるイノシン誘導体（３）に、ケイ素置換基を脱離するための試薬を作用させることによって、次の一般式（６）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化７】
2010079813.tif 000009
式中、Ａ、ＷＧ１は、前記と同義である。
工程ｃ：
工程ｂにおいて製造されるイノシン誘導体（６）の５’位の水酸基に、次の一般式（７）で表されるＲ１Ｘ３を作用させることによって、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体を製造する工程、
【化８】
2010079813.tif 000010
式中、Ｒ１、ＷＧ１は、前記と同義である。Ｘ３は、ハロゲンを表す。
Ｘ３に係る「ハロゲン」としては、前記ＷＧ１に係る「ハロゲン」と同じものを挙げることができる。
工程ｄ：
工程ｃの反応残渣を抽出操作して得られる残渣を有機溶媒に懸濁することによって生じる結晶性のイノシン誘導体（８）をろ取する工程。
また、本発明としては、上記工程ａ〜工程ｄの工程を含む、次の一般式（９）で表されるイノシンアミダイト化合物の製造方法を挙げることができる。
【化９】
2010079813.tif 000011
式（９）中、Ｒ１、ＷＧ１は、前記と同義である。Ｒ２ａ、Ｒ２ｂは、同一または異なって、アルキルを表すか、または、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、５または６員の飽和環状アミノ基を表す。かかる飽和環状アミノ基は、窒素原子の他に環構成原子として酸素原子または硫黄原子を１個有していてもよい。ＷＧ２は、電子吸引性基を表す。
Ｒ２ａ、Ｒ２ｂに係る「アルキル」としては、例えば、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキルを挙げることができる。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチルを挙げることができる。
「Ｒ２ａ、Ｒ２ｂが隣接する窒素原子と一緒になって形成する、５または６員の飽和環状アミノ基」としては、例えば、ピロリジン−１−イル、ピペリジン−１−イル、モルホリン−４−イルまたはチオモルホリン−４−イルを挙げることができる。
ＷＧ２に係る「電子吸引性基」としては、前記ＷＧ１に係る「電子吸引性基」と同じものを挙げることができる。
さらに、本発明としては、次の一般式（１１）で表されるイノシン誘導体（以下、「本発明化合物」という。）を挙げることができる。
【化１０】
2010079813.tif 000012
式中、ＲＡは水素もしくは次の一般式（５）で表される基を表し、ＲＢは水素もしくは次の一般式（１２）で表される基を表すか、または、ＲＡとＲＢとが一緒になって、次の一般式（４ａ）もしくは（４ｂ）で表される基を表す。
【化１１】
2010079813.tif 000013
式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、Ｒ６、ＷＧ１、ＷＧ２は、前記と同義である。
本発明化合物は、オリゴ核酸を構成するヌクレオチドとしてイノシンを含有するオリゴ核酸を合成するための原料として非常に有用である。
【０００７】
以下、本発明を詳細に説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に示す製法において、原料が反応に影響を及ぼす置換基（例えば、ヒドロキシ、アミノ、カルボキシ）を有する場合は、原料をあらかじめ公知の方法に従い、適当な保護基で保護した後に反応を行う。保護基は、最終的に、接触還元、アルカリ処理、酸処理などの公知の方法に従い脱離することができる。【０００９】
Ｉ．イノシン誘導体（８）の製法
イノシン誘導体（８）は、公知化合物または容易に製造可能な中間体から、例えば、次の工程ａ〜工程ｄを実施することにより製造することができる。
以下、詳細に説明する。【００１０】
（１）工程ａ：
本製法は、次の一般式（１）で表されるイノシン誘導体に、次の一般式（２）で表されるモノチオアセタール化合物とメタンスルホン酸とヨウ素を作用させることによって実施することができる。
【化１２】
2010079813.tif 000014
式中、Ａ、Ｒ３、ＷＧ１は、前記と同義である。
モノチオアセタール化合物（２）は、公知の方法（例えば、国際公開公報ＷＯ２００６／０２２３２３Ａ１パンフレット）により製造することができる。
本製法は、酸存在下、市販品として入手可能なまたは文献記載の方法に従い合成可能なイノシン誘導体（１）に、モノチオアセタール化合物（２）とヨウ素とを作用させることにより実施することができる。本製法で使用する「ヨウ素」の量は、イノシン誘導体（１）に対して、モル比で０．８倍量〜２０倍量の範囲内が適当であり、好ましくは等倍量〜１０倍量の範囲内である。反応温度は、−２０℃〜２０℃の範囲内が適当であり、好ましくは、−１０℃〜１０℃の範囲内であり、より好ましくは、−５℃〜５℃の範囲内である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常５分間〜５時間の範囲内が適当である。本製法で使用しうる「モノチオアセタール化合物（２）」の使用量は、イノシン誘導体（１）に対して、モル比で０．８倍量〜５倍量の範囲内が適当であり、好ましくは等倍量〜３倍量の範囲内である。本製法で使用する「メタンスルホン酸」の量は、イノシン誘導体体（１）に対して、モル比で０．０１倍量〜１０倍量の範囲内が適当であり、好ましくは０．１倍量〜５倍量の範囲内である。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン（以下、「ＴＨＦ」という。）、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドまたはこれら任意の混合溶媒を挙げることができる。特に、ＴＨＦが好ましい。【００１１】
（２）工程ｂ：
本工程は、工程ａにおいて製造されるイノシン誘導体（３）に、ケイ素置換基を脱離するための試薬を作用させることによって、次の一般式（６）で表されるイノシン誘導体を製造する工程である。
【化１３】
2010079813.tif 000015
式中、Ａ、ＷＧ１は、前記と同義である。
本工程で使用する「ケイ素置換基を脱離するための試薬」としては、テトラブチルアンモニウムフロリド、アミンとフッ化水素酸との塩または適当な溶媒中においてアミンとフッ化水素酸とを任意の比で混合したものを挙げることができる。
また、場合によっては、テトラブチルアンモニウムフロリド、アミンとフッ化水素酸との塩または適当な溶媒中においてアミンとフッ化水素酸とを任意の比で混合したものに、さらに適当な酸を添加した混合試薬を使用して本工程を実施することもできる。その時に使用することができる酸としては、例えば、酢酸、塩酸、硫酸を挙げることができる。かかる酸の使用量としては、テトラブチルアンモニウムフロリドまたはアミンに対して、モル比で０．０１倍量〜１０倍量の範囲内が適当であり、好ましくは０．１倍量〜５倍量の範囲内である。
使用する溶媒としては、例えば、ＴＨＦ、アセトニトリル、メタノール、イソプロパノール、トルエン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドまたはこれらの任意の混合溶媒を挙げることができる。特に、ＴＨＦ、メタノールが好ましい。また、フッ化アンモニウムの場合には、メタノールが好ましい。
イノシン誘導体（３）の種類、用いるケイ素置換基を脱離するための試薬、使用する溶媒等によって異なるが、本工程で使用しうる「ケイ素置換基を脱離するための試薬」の使用量としては、イノシン誘導体（３）に対して、モル比で等倍量〜１０倍量の範囲内が適当であり、好ましくは等倍量〜１．５倍量の範囲内である。反応温度は、０℃〜８０℃の範囲内が適当である。反応時間は、イノシン誘導体の種類、用いるケイ素置換基を脱離するための試薬、使用する溶媒、反応温度等によって異なるが、通常３０分間〜１０時間の範囲内が適当である。
本工程で使用しうる「アミンとフッ化水素酸との塩」としては、具体的には、アンモニウムフロリド、トリメチルアミンヒドロフロリド、トリメチルアミンジヒドロフロリド、トリメチルアミントリスヒドロフロリド、トリメチルアミンテトラヒドロフロリド、トリメチルアミンペンタヒドロフロリド、トリメチルアミンヘキサヒドロフロリド、トリエチルアミンヒドロフロリド、トリエチルアミンジヒドロフロリド、トリエチルアミントリスヒドロフロリド、トリエチルアミンテトラヒドロフロリド、トリエチルアミン２６ヒドロフロリド、キヌクリジントリスヒドロフロリド、トリエチレンジアミンテトラヒドロフロリド等を挙げることができる（例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ，１９３，２４７（１９８９）、Ｐｏｌ．Ｊ．Ｃｈｅｍ，６７（２），２８１（１９９３）、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒｏｐ．Ｊ．，４（６），１０４３（１９９８）、Ｊ．Ｆｌｕｏｒｉｎｅ．Ｃｈｅｍ．，１１８（１−２），１２３（２００２）を参照）。とりわけ、アンモニウムフロリド、トリエチルアミントリスヒドロフロリドが好ましい。
また、本工程で使用しうる「適当な溶媒中においてアミンとフッ化水素酸とを任意の比で混合したもの」としては、例えば、アンモニア、トリエチルアミン、キヌクリジン、トリエチレンジアミン等のアミンとフッ化水素酸とを、適当な溶媒中（例えば、ＴＨＦ、アセトニトリル、メタノール、イソプロパノール、トルエン）、例えば、１：１〜１：３０（アミン：フッ化水素酸）の範囲内の混合比（モル比）で混合したものを挙げることができる。【００１２】
（３）工程ｃ：
本工程は、工程ｂにおいて製造されるイノシン誘導体（６）に、公知の方法に従い、次の一般式（７）で表されるＲ１Ｘ３を作用させ、イノシン誘導体（６）の５’位の水酸基に酸性条件下において脱離する保護基（Ｒ１）を導入することによって、次の一般式（８）で表されるイノシン誘導体を製造する工程である。
【化１４】
2010079813.tif 000016
式中、Ｒ１、ＷＧ１、Ｘ３は、前記と同義である。
Ｒ１Ｘ３（７）の使用量は、イノシン誘導体（６）に対して、モル比で０．８倍量〜２０倍量の範囲内が適当であり、好ましくは等倍量〜１０倍量の範囲内である。使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、アセトニトリル、ＴＨＦ等を挙げることができる。「塩基」としては、ピリジン、２，６−ジメチルピリジン、２，４，６−トリメチルピリジン、Ｎ−メチルイミダゾール、トリエチルアミン、トリブチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセンなどの有機塩基を挙げることができる。かかる「塩基」の使用量は、イノシン誘導体（６）に対して、モル比で０．８倍量〜２０倍量の範囲内が適当であり、好ましくは等倍量〜１０倍量の範囲内である。反応温度は、０℃〜１２０℃の範囲内が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常３０分間〜２４時間の範囲内が適当である。【００１３】
（４）工程ｄ：
本工程は、工程ｃの反応残渣を抽出操作して得られる残渣を有機溶媒に懸濁することによって生じる結晶性のイノシン誘導体（８）をろ取する工程である。
工程ｃの反応残渣を抽出するための溶媒としては、例えば、酢酸エチル、ジクロロメタンを挙げることができる。
また、濃縮して得られる残渣を懸濁するための有機溶媒としては、例えば、酢酸エチルを挙げることができる。当該溶媒の使用量は、残渣重量に対して３．５〜５倍量（ｍｌ／ｇ）が適当である。
上記工程ａ〜工程ｄにより製造されるイノシン誘導体（８）は結晶性のよい化合物であるから、シリカゲルカラムによる精製を行うことなく、高純度のものを得ることができる。
ＩＩ．イノシンアミダイト化合物（９）の製造方法
イノシンアミダイト化合物（９）は、公知化合物または容易に製造可能な中間体から、例えば、次の工程ａ〜工程ｅを実施することにより製造することができる。
（１）工程ａ：
本工程は、前述Ｉ工程ａの製法と同じである。
（２）工程ｂ：
本工程は、前述Ｉ工程ｂの製法と同じである。
（３）工程ｃ：
本工程は、前述Ｉ工程ｃの製法と同じである。
（４）工程ｄ：
本工程は、前述Ｉ工程ｄの製法と同じである。
（５）工程ｅ：
本工程は、工程ｄにおいて製造されるイノシン誘導体（８）にホスホロアミダイト化試薬と、必要に応じて活性化剤とを作用させ、３’位の水酸基がホスホロアミダイト化させることによって、イノシンアミダイト化合物（９）を製造する工程である。
【化１５】
2010079813.tif 000017
式中、Ｒ１、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、ＷＧ１、ＷＧ２は、前記と同義である。    
「ホスホロアミダイト化試薬」としては、例えば、次の一般式（１０ａ）、（１０ｂ）で表される化合物を挙げることができる。
【化１６】
2010079813.tif 000018
式中、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、ＷＧ２は、前記と同義である。Ｘ１は、ハロゲンを表す。
Ｘ１に係る「ハロゲン」としては、前記ＷＧ１に係る「ハロゲン」と同じものを挙げることができる。
使用する溶媒は、反応に関与しなければ特に限定されないが、例えば、アセトニトリル、ＴＨＦ等を挙げることができる。
本工程で使用しうる「ホスホロアミダイト化試薬」の使用量は、イノシン誘導体（８）に対して、モル比で０．８倍量〜２０倍量の範囲内が適当であり、好ましくは等倍量〜１０倍量の範囲内である。「活性化剤」としては、例えば、ジイソプロピルアミンテトラゾリド、１Ｈ−テトラゾール、５−エチルチオテトラゾール、４，５−ジクロロイミダゾール、４，５−ジシアノイミダゾール、ベンゾトリアゾールトリフラート、イミダゾールトリフラート、ピリジニウムトリフラート、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン、２，４，６−コリジン／Ｎ−メチルイミダゾールを挙げることができる。かかる「活性化剤」の使用量は、イノシン誘導体（８）に対して、モル比で０．８倍量〜２０倍量の範囲内が適当であり、好ましくは等倍量〜１０倍量の範囲内である。反応温度は、０℃〜１２０℃の範囲内が適当である。反応時間は、使用する原料の種類、反応温度等によって異なるが、通常３０分間〜２４時間の範囲内が適当である。
このようにして製造されるイノシンアミダイト化合物（９）は、それ自体公知の手段、例えば、濃縮、液性変換、転溶、溶媒抽出、結晶化、再結晶、分留、クロマトグラフィー等により分離精製することができる。
【実施例】
【００１４】
以下に実施例を揚げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらのみに限定されない。【００１５】
参考例１  メチルチオメチル  ２−シアノエチルエーテル
３２ｇの３−ヒドロキシプロピオニトリル（４５０ｍｍｏｌ）を４５０ｍＬのジメチルスルホキシドに溶解し、３２４ｍＬの無水酢酸、２３１ｍＬの酢酸を加え室温で２４時間攪拌した。９９０ｇの炭酸水素ナトリウムを４．５Ｌの水に溶解したものを調製し、これに反応液を一時間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま一時間攪拌した。反応液に酢酸エチルを加えて抽出操作を行った。酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥した後、酢酸エチルを留去し得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、無色油状物の目的化合物を４１ｇ得た（収率７０％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：  ２．１８（ｓ，３Ｈ）；２．６６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；３．７７（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．３Ｈｚ）；４．６９（ｓ，２Ｈ）【００１６】
参考例２  ３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）イノシン
イノシン（５３ｇ，１９７．６ｍｍｏｌ）、イミダゾール（２６．９ｇ，３９５．２ｍｍｏｌ）に脱水ピリジン（４３０ｍＬ）を加え、氷冷下、１，３−ジクロロ−１，１，３，３−テトライソプロピルジシロキサン（６５．４ｇ，２０７．３ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で終夜撹拌した。反応液にメタノール（２０ｍＬ）を加えて減圧濃縮後、残渣を酢酸エチルに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水、０．５Ｍ  リン酸二水素カリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した。無水硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧下溶媒を留去し、残渣に酢酸エチル（２００ｍＬ）を加えて粉末化した。析出晶をろ取し、氷冷した酢酸エチル（１００ｍＬ）で洗浄後、乾燥し、７６ｇの目的化合物を得た（収率７５％）。
ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：５１１［Ｍ＋Ｈ］＋
元素分析値  （Ｃ２２Ｈ３８Ｎ４Ｏ６Ｓｉ２・０．１Ｈ２Ｏとして）
計算値（％）  Ｃ：５１．５５  Ｈ：７．５１  Ｎ：１０．９３
分析値（％）  Ｃ：５１．１７  Ｈ：７．５１  Ｎ：１０．９７【００１７】
参考例３  ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンの製造
工程１  ３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）イノシン（４８．０ｇ，９４．０ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ（２４ｇ）に脱水テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を加え、−４５℃に冷却下、トリフルオロメタンスルホン酸（２８．２ｇ，１８７．９ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。次いで、２−シアノエチル  メチルチオメチルエーテル（１４．８ｇ，１１２．８ｍｍｏｌ）を加えた後、Ｎ−ヨードスクシンイミド（３１．７１ｇ，１４０．９ｍｍｏｌ）を加え、１５分間撹拌した。反応液にトリエチルアミン（２６．６ｍＬ）を加え、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和チオ硫酸ナトリウムの混合溶液（１／１）にあけ、酢酸エチルで抽出操作を行った。飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧下溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、３７．０ｇの３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンを得た（収率：６６％）。
工程２  ２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン（３７ｇ，６２．３ｍｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン（１３０ｍＬ）に溶解し、トリエチルアミントリスヒドロフルオリド（１０ｇ，６２．３ｍｍｏｌ）を加えて４５℃にて２時間撹拌した。反応液を氷冷後、上清を除き、残渣にメタノール（８０ｍＬ）を加え氷冷して結晶化した。析出晶をろ取し、氷冷したメタノール（５０ｍＬ）で洗浄後乾燥して２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンを得た（収率：８４％）。
工程３  ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン（１８．４ｇ，５２．４ｍｍｏｌ）、に脱水テトラヒドロフラン（１５０ｍＬ）と脱水ピリジン（１５０ｍＬ）を加え、さらに４，４’−ジメトキシトリチルクロライド（２３．１ｇ，６８．１ｍｍｏｌ）を加えて室温で終夜撹拌した。反応液を氷冷し、メタノール（１０ｍＬ）を加えて室温で１０分撹拌後、減圧濃縮した。残渣を酢酸エチル（１５０ｍＬ）に溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧下溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンを得た（収率：９０％）。【００１８】
参考例４  ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン  ３’−Ｏ−（２−シアノエチル  Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）
５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン（５１．６ｇ，７８．９ｍｍｏｌ）、ジイソプロピルアミンテトラゾリド（１７．６ｇ，１０２．６ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ（２０ｇ）に脱水アセトニトリル（４１６ｍＬ）を加えた後、ビス（ジイソプロピルアミン）シアノエチルホスファイト（３０．９ｇ，１０２．６ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で７時間撹拌した。反応液を氷冷後ろ過し、ろ液を減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して、５５．５ｇの目的化合物を得た（収率８２％）。
３１Ｐ ＮＭＲ（２０２ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：  １５２．５９８，１５２．８１２【００１９】
実施例１  ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン  ３’−Ｏ−（２−シアノエチル  Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルホスホロアミダイト）
工程１  ３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）イノシン（５４ｇ、１０５．７ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ（１８ｇ）に脱水テトラヒドロフラン（２１１ｍＬ）を加え、氷／メタノール浴で冷却下、メタンスルホン酸（２０．３ｇ，２１１．５ｍｍｏｌ）を滴下した。次いで、２−シアノエチル  メチルチオメチルエーテル（２０．８ｇ，１５９．０ｍｍｏｌ）を加えた後、ヨウ素（１６１ｇ，６３４．４ｍｍｏｌ）を加え、３０分撹拌した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和チオ硫酸ナトリウムの混合溶液（１／１）にあけ、酢酸エチルで抽出操作を行った。酢酸エチル層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和チオ硫酸ナトリウムの混合溶液（１／１）、飽和食塩水で順次洗浄した。無水硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧下溶媒を留去して固化した。これに氷冷した酢酸エチル（１００ｍＬ）を加えてろ取し、乾燥して３２．９ｇの３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンを得た（収率５２％）。
ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：５９４［Ｍ＋Ｈ］＋，６１６［Ｍ＋Ｎａ］＋
元素分析値  （Ｃ２６Ｈ４３Ｎ５Ｏ７Ｓｉ２・０．３Ｈ２Ｏとして）
計算値（％）  Ｃ：５２．１１  Ｈ：７．３３  Ｎ：１１．６９
分析値（％）  Ｃ：５２．４３  Ｈ：７．３７  Ｎ：１１．３１
工程２  ２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン（３２．７ｇ，５５．１ｍｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン（９０ｍＬ）に溶解し、トリエチルアミントリスヒドロフルオリド（８．９ｇ，５５．１ｍｍｏｌ）を加えて４５℃にて２時間撹拌した。反応液を氷冷後、上清を除き、残渣にメタノール（２００ｍＬ）を加え氷冷して結晶化した。析出晶をろ取し、氷冷したメタノール（１００ｍＬ）で洗浄後乾燥して１５．３５ｇの２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンを得た（収率７９％）。
ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：３５０［Ｍ−Ｈ］−
元素分析値  （Ｃ１４Ｈ１７Ｎ５Ｏ６・Ｈ２Ｏとして）
計算値（％）  Ｃ：４５．５３  Ｈ：５．１９  Ｎ：１８．９６
分析値（％）  Ｃ：４５．５７  Ｈ：４．３９  Ｎ：１９．１２
工程３  ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン（２７．３ｇ，７７．７ｍｍｏｌ）、モレキュラーシーブス４Ａ（１０ｇ）に脱水テトラヒドロフラン（１３０ｍＬ）と脱水ピリジン（１３０ｍＬ）を加え、さらに４，４’−ジメトキシトリチルクロライド（３１．６ｇ，９３．３ｍｍｏｌ）を加えて室温で終夜撹拌した。反応液を氷冷し、メタノール（２０ｍＬ）を加えて室温で１０分撹拌後、ろ過し、ろ液を減圧濃縮した。残渣を酢酸エチル（１０００ｍＬ）に溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧下溶媒を留去した。残渣に酢酸エチル（２００ｍＬ）を加えて氷冷し、析出晶をろ取、乾燥して４６．８ｇの目的化合物を得た（収率９２％）。
ＥＳＩ−Ｍａｓｓ：６５２［Ｍ−Ｈ］−
元素分析値  （Ｃ３５Ｈ３５Ｎ５Ｏ８・０．２Ｈ２Ｏとして）
計算値（％）  Ｃ：６３．９６  Ｈ：５．４３  Ｎ：１０．６５
分析値（％）  Ｃ：６３．６２  Ｈ：５．０１  Ｎ：１０．４３【００２０】
実施例２  ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
工程１  ３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）イノシン（５１ｇ，１００ｍｍｏｌ）に脱水テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を加え、氷／メタノール浴で冷却下、メタンスルホン酸（１３．０ｍＬ，２００ｍｍｏｌ）を滴下した。次いで、２−シアノエチル  メチルチオメチルエーテル（１９．７ｇ，１５０．０ｍｍｏｌ）を加えた後、ヨウ素（１５２ｇ，６００ｍｍｏｌ）を加え、３０分撹拌した。反応液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和チオ硫酸ナトリウムの混合溶液（１／２）にあけ、酢酸エチルで抽出操作を行った。酢酸エチル層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と飽和チオ硫酸ナトリウムの混合溶液（１／１）、飽和食塩水で順次洗浄した。無水硫酸ナトリウムにて乾燥後、減圧下溶媒を留去し、乾燥して９４．３ｇの３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンを得た。
工程２  ２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
３’，５’−Ｏ−（テトライソプロピルジシロキサン−１，３−ジイル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン（上記粗生成物９４．３ｇ，１００ｍｍｏｌ）を脱水テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）に溶解し、トリエチルアミントリスヒドロフルオリド（１９．６ｇ，１２０ｍｍｏｌ）を加えて４５℃にて３時間撹拌した。反応液を氷冷後、上清を除き、乾燥して３６．８ｇの２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンを得た。
工程３  ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン
２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシン（上記粗生成物２５．５ｇ，６９ｍｍｏｌ）に脱水テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）と脱水ピリジン（２００ｍＬ）を加え、さらに４，４’−ジメトキシトリチルクロライド（３０．５ｇ，９０ｍｍｏｌ）を加えて室温で終夜撹拌した。メタノール（２０ｍＬ）を加えて室温で１０分撹拌後、減圧濃縮した。残渣を酢酸エチル（５００ｍＬ）に溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄した後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧下溶媒を留去した。残渣に酢酸エチル（１５０ｍＬ）を加えて氷冷し、析出晶をろ取、乾燥して３０．１ｇの５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンを得た（３工程の収率６７％）。【００２１】
試験例１  ５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンの合成比較
上記参考例３、実施例１および２により得られた５’−Ｏ−（４，４’−ジメトキシトリチル）−２’−Ｏ−（２−シアノエトキシメチル）イノシンの合成収率を表１に示す。
【表１】
2010079813.tif 000019
参考例３では、ＣＥＭ基を導入する工程において酸化剤としてＮ−ヨードスクシンイミドを、酸としてトリフルオロメタンスルホン酸を使用している。
参考例３では、シリカゲルカラムにより精製しなければ、純度の高い目的化合物を得ることができなかった。また、全３工程の合成収率も５０％であり好ましい結果ではなかった。
実施例１と２では、ＣＥＭ基を導入する工程において酸化剤としてヨウ素を、酸としてメタンスルホン酸を使用している。
実施例１では工程ごとに析出物をろ取することによって化合物を取得できるので、参考例３のようにシリカゲルカラムを使用しなくても、目的化合物が簡便、低コストで得られる。
実施例２ではリボースの５’位を４，４’−ジメトキシトリチルで保護する工程のみ析出物をろ取することによって化合物を取得することができる。この方法によって、目的化合物がより簡便、低コスト、高収率で得られることが明らかである。
【国際調査報告】
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2010079813.tif 000039
2010079813.tif 000040