【事件の表示】
　特願２０１５−５５０８１１「インジウムドープシリコンウェハおよびそれを用いた太陽電池セル」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月　３日国際公開、ＷＯ２０１４／１０６０８６、平成２８年　２月　８日国内公表、特表２０１６−５０３９６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２０１３年（平成２５年）１２月２７日（パリ条約による優先権主張　２０１２年１２月３１日、イタリア、２０１３年３月１１日、欧州特許庁（２件））を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。  
　平成２８年１２月２６日　　：手続補正書の提出    
　平成２９年１２月　５日付け：拒絶理由通知書  
　平成３０年　６月１２日　　：意見書、手続補正書の提出  
　平成３０年　７月３０日付け：拒絶査定（原査定） 
　平成３０年１２月　６日　　：審判請求書、手続補正書の提出  
  
第２　平成３０年１２月６日にされた手続補正についての補正の却下の決定  
［補正の却下の決定の結論］  
　平成３０年１２月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。  
 
［理由］  
１　本件補正について
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載  
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。  
「　　【請求項１】
　チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされ
、且つインジウムのみでドープされた
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載  
　本件補正前の、平成３０年６月１２日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。    
「　　【請求項１】
　チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み、絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である太陽電池セル。」
２　新規事項の追加について 
　本件補正の補正により、請求項１において「インジウムドープ単結晶シリコンウェハ」と記載されたものが、「インジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハ」とされた。 
  
　インジウムドープ単結晶シリコンウェハに関し、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「出願当初の明細書等」という。）の明細書に、
「【０００２】
　本分野は概して単結晶シリコンウェハ上に作製された太陽電池セルの製造に関し、より具体的には
チョクラルスキー成長単結晶シリコンインゴットからスライスされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハ
「【００２１】
　
チョクラルスキー法により準備されたインゴットは一般的に酸素不純物を含み、
酸素ドーピングを生じる。
単結晶シリコンウェハは
一般的に約１１ｐｐｍａと約２０ｐｐｍａとの間のように約２０ｐｐｍａより小さい。
【００２２】
　
チョクラルスキー法により準備されたインゴットは不純物として炭素も含む場合がある。
単結晶シリコンウェハは、約２ｐｐｍａ以下の濃度で炭素を含む場合がある。
【００２３】
　いくつかの実施形態において、本開示は、図６に示されるインゴットのような、
インジウムでドープされ、チョクラルスキー法により準備された単結晶シリコンインゴットに関する。
【００２４】
　いくつかの実施形態において、中心軸と、中心軸に対して略垂直である前面および後面と、前面と後面との間にあり且つそれらに平行な中心面と、周縁端と、中心軸から周縁端に伸びる半径Ｒとを有するインジウムドープ単結晶シリコンインゴット（種結晶（または、種、ｓｅｅｄ）およびエンドコーンを取り除くために切断されている場合がある）またはそこからスライスされた
インジウムドープ単結晶シリコンセグメント（例えば、ウェハ）は、少なくとも約５×１０
１４
原子／ｃｍ
３
（約０．０１ｐｐｍａ）または少なくとも約１×１０
１５
原子／ｃｍ
３
（約０．０２ｐｐｍａである）の平均インジウム濃度を含む。いくつかの実施形態において、平均インジウム濃度は、約１×１０
１５
原子／ｃｍ
３
（約０．０２ｐｐｍａ）と約１×１０
１８
原子／ｃｍ
３
（約２０ｐｐｍａ）との間である。いくつかの実施形態において、平均インジウム濃度は、約１×１０
１５
原子／ｃｍ
３
（約０．０２ｐｐｍａ）と約１×１０
１７
原子／ｃｍ
３
（約２ｐｐｍａ）との間である。いくつかの実施形態において、平均インジウム濃度は、約１×１０
１５
原子／ｃｍ
３
（約０．０２ｐｐｍａ）と約１×１０
１６
原子／ｃｍ
３
（約０．２ｐｐｍａ）との間である。
と記載されている（下線は、当審で付した。以下同様。）。
　また、上記明細書の段落【００８２】−【００９４】の実施例１−４のバッチチョクラルスキー法により成長させたインジウムドープ単結晶シリコンインゴットは、所定のインジウム濃度、酸素濃度、炭素濃度であり、インジウム以外にも酸素、炭素が含まれている。
　まず、「ドープ」とは、上記明細書の段落【００２１】の「『チョクラルスキー法により準備されたインゴットは一般的に酸素不純物を含み、』『酸素ドーピングを生じる。』」といった記載からみても、意図的に不純物を添加することのみを意味するとはいえず、（望むか望まないにかかわらず）不純物が添加されることを意味するというべきである。
　そうすると、インジウムドープ以外に酸素ドーピングなどによりドーピングされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハについては、出願当初の明細書等に記載されているものの、インジウムドープ単結晶シリコンウェハにおいて、インジウムのみでドープされたこと（つまり、酸素を含まない）に関して、出願当初の明細書等には明示的な記載はない。 
　そして、インジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハは、当業者にとって自明な事項とも認められず、本件補正は、出願当初の明細書等に記載した事項との関係において、インジウムドープ単結晶シリコンウェハについて、インジウムのみでドープされたという新たな技術的事項を導入するものである。 
  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定する要件を満たしていないものであり、特許法第１５９条第１項で読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
３　独立特許要件について
　上記２で説示したとおり、本件補正は新規事項の追加により却下すべきものであるが、仮に、「ドープ」が、意図的に不純物を添加することのみを意味し、結果として、新たな技術的事項を導入するものではなく、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるとして、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。
（１）本件補正発明  
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。  
  
（２）引用文献の記載事項  
ア　原査定の拒絶の理由で引用された本願の最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００１−２６７６１０号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。  
  
「【要約】
【課題】　裏面コンタクト型単結晶シリコン太陽電池あるいは両面受光型太陽電池の裏面受光特性に対し、光劣化を回避し、さらに発電量を増加させること。
【解決手段】　
主たるドーパントがアルミニウム、ガリウム、インジウムのいずれかであるＰ型半導体基板
【効果】　上記構造で顕著に現れていた光劣化を完全に消滅させるだけでなく、
同比抵抗の通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示す
  
「【請求項１】
主たるドーパントがアルミニウム、ガリウム、インジウムのいずれかであるＰ型半導体基板
を有する
太陽電池。
  
「【０００６】ボロンドープ低抵抗ＣＺ基板から作製された太陽電池は光照射によって特性が劣化することが観測されている。上記文献内、Ｆｉｇｕｒｅ４に示されるように、基板比抵抗が１Ω・ｃｍの基板から作製された図２に示すような通常タイプの太陽電池では、太陽光を数時間照射すると、劣化の割合は１割にも満たないが、変換効率は減少する。この原因はバルクライフタイムの減少と考えられている。これは生基板に光を照射した際、バルクライフタイムが減少することからも裏付けられている。バルクライフタイムの減少は格子間ボロンと通常のＣＺ基板には多く含まれている格子間酸素が結合することにより中間準位を形成するためと推察されている。よって、太陽電池の光劣化を低減するためには、酸素濃度の低い基板を利用するか、
ドーパントにボロンを使用していない
基板を用いるのがよい
「【０００９】
本発明の目的は、
変換効率を増加させる
  
「【００１２】つまり、
本発明では
ドーパントにボロンを使用していない基板を組み合わせる。
「【００１７】ここで示したボロン濃度が１．０×１０15ｃｍ-3以下、比抵抗が１０Ω・ｃｍ以下の
Ｐ型ＣＺ基板では、主たるドーパントとしてアルミニウム、ガリウム、インジウム等が用いられている。
「【００１９】
【発明の実施の形態】
図３（ａ）
本発明であるガリウムドープ１Ω・ｃｍＣＺ基板（丸印）から作製した裏面コンタクト型太陽電池の変換効率
本発明では光照射前２０％の変換効率を示し
「【００２５】ボロンドープ基板およびガリウムドープ基板から作製した太陽電池を２５℃の雰囲気の中、 ソーラーシミュレータ（光強度：１ｋＷ／ｍ2、スペクトル：
ＡＭ１．５
の下で電流電圧特性を測定し、光照射時間依存性を調べた結果を図３（ａ）に示す。
ボロンドープＣＺ、Ｐ型２Ω・ｃｍ基板から作製した裏面コンタクト型太陽電池
　図３（ａ）の記載から、ボロンドープＣＺ、Ｐ型２Ω・ｃｍ基板から作製した裏面コンタクト型太陽電池は、光照射前１８％の変換効率を示すことが見て取れる。
  
イ　上記アから、引用文献１には、次の発明及び技術的事項が記載されていると認められる。  
  
「主たるドーパントがアルミニウム、ガリウム、インジウムのいずれかであるＰ型ＣＺ基板を有し、
　ドーパントにボロンを使用していない基板を用い、
　同比抵抗の通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示す、
　太陽電池。」（以下「引用発明」という。）  
「ガリウムドープ１Ω・ｃｍＣＺ基板から作製した裏面コンタクト型太陽電池は、ＡＭ１．５の下で、光照射前２０％の変換効率を示す。」（以下「技術的事項１」という。）  
「ボロンドープＣＺ、Ｐ型２Ω・ｃｍ基板から作製した裏面コンタクト型太陽電池は、ＡＭ１．５の下で、光照射前１８％の変換効率を示す。」（以下「技術的事項２」という。） 
  
（３）対比  
　本件補正発明と引用発明とを対比する。  
ア　引用発明の「太陽電池」は、本件補正発明の「太陽電池セル」に相当する。  
イ　引用発明のＣＺ（チョクラルスキー）基板は、チョクラルスキー法で生産されるものなので、通常、酸素や炭素が不純物として含まれ、ドープされているが、引用発明は「ドーパントにボロンを使用していない基板を用い」と特定されているので、ボロンではドープされていない。
　そうすると、引用発明は「『主たるドーパントが』『インジウム』『であるＰ型ＣＺ基板を有し、ドーパントにボロンを使用していない基板を用い』」は、本件補正発明の「チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされ、且つインジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含み」に相当する。
ウ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。  
  
【一致点】  
「チョクラルスキー法により成長させたインゴットからスライスされ、且つインジウムのみでドープされたインジウムドープ単結晶シリコンウェハを含む太陽電池セル。」  
  
【相違点】  
　太陽電池セルの変換効率が、本件補正発明では「絶対的エアマス１．５の下での前記インジウムドープ単結晶シリコンウェハの表面における太陽光の分光放射照度の変換効率が、少なくとも１７％である」のに対し、引用発明ではそのようなものか明らかでない点。  
  
（４）判断  
　以下、上記相違点について検討する。  
ア　相違点について
（ア）引用発明の太陽電池は「同比抵抗の通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示す」と特定されている。
（イ）そして、通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池は、ＡＭ１．５の下で、光照射前１８％の変換効率を示すことが、上記技術的事項２に記載されている。
（ウ）また、引用発明の「『主たるドーパントが』『ガリウム』『であるＰ型ＣＺ基板を有し、』『同比抵抗の通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示す』」との特定に関し、高い変換効率は、具体的には、ＡＭ１．５の下で、光照射前２０％の変換効率を示すことが、上記技術的事項１に記載されている。
（エ）そうすると、引用発明の「『主たるドーパントが』『インジウム』『であるＰ型ＣＺ基板を有し、ドーパントにボロンを使用していない基板を用い、同比抵抗の通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示す、太陽電池』」においても、ＡＭ１．５の下で、光照射前１８％よりさらに高い変換効率を示すようになすことは、当業者が容易に想到し得た事項にすぎない。
イ　そして、相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び引用文献１に記載された事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。  
  
ウ　したがって、本件補正発明は、引用発明及び引用文献１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
  
（５）審判請求人の主張について  
ア　本件審判請求人は、平成３０年１２月６日付けで提出された審判請求書において、  
（ア）「このように、引用文献１には、ガリウム及びホウ素でドープされた基板が開示されていますが、本願の請求項１に係る発明のようにインジウムのみでドープされた基板は開示されておりません。」、
（イ）「ガリウムはインジウムと同じドーパントではなく、ガリウムをドーピングしたウェハは、インジウムをドーピングしたウェハと同じ性質を有しません。そのため、当業者であれば、引用文献１の実施例において単にドーパントをガリウムからインジウムに変更することはあり得ず、ガリウムをドーピングしたウェハがインジウムをドーピングしたウェハと同じ性質を有すると予期することはありません。」、 
旨主張している。  
  
イ　上記主張について以下検討する。  
（ア）上記ア（ア）の「本願の請求項１に係る発明のようにインジウムのみでドープされた基板」について、「インジウムのみでドープされた」を文字通り解釈した場合には、上記２で検討したとおり、新たな技術的事項を導入するものである。
　そして、引用文献１には「ガリウム及びホウ素でドープされた基板」以外にも、主たるドーパントがインジウムであるＰ型ＣＺ基板を有し、ドーパントにボロンを使用していない基板を用いることが開示されている（上記３（２）ア）。
（イ）引用文献１の請求項１には「主たるドーパントがアルミニウム、ガリウム、インジウムのいずれかであるＰ型半導体基板」と記載され、引用文献１は、主たるドーパントとしてインジウムを用いることを想定している。
　また、引用文献１の、主たるドーパントがアルミニウム、ガリウム、インジウムのいずれかであるＰ型半導体基板を有する太陽電池が、通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池よりさらに高い変換効率を示すとの効果からして、主たるドーパントがインジウムであるＰ型ＣＺ基板を有する太陽電池も、ＡＭ１．５（絶対的エアマス１．５）の下での変換効率が、上記技術的事項２に記載したように通常のボロンドープＣＺ基板から作製した太陽電池の変換効率が１８％なので、少なくとも１８％であるとの効果を有することは予期することができる。
  
　以上から、請求人の上記主張は、採用することができない。  
  
４　本件補正についてのむすび  
　本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものとはいえず、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　仮に、本件補正が、新たな技術的事項を導入するものではなく、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるとしても、「本件補正発明」が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであることは以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
  
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。  
  
第３　本願発明について  
１　本願発明  
　平成３０年１２月６日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年６月１２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２の［理由］１（２）に記載のとおりのものである。  
２　原査定の拒絶の理由  
　原査定の拒絶の理由は、この出願の下記の請求項に係る発明は、その最先の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。  
  
 　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照） 
  
・請求項１−１５
・引用文献等１
  
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００１−２６７６１０号公報
  
３　引用文献  
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］３（２）に記載したとおりである。  
  
４　対比・判断  
　本願発明は、前記第２の［理由］３で検討した本件補正発明から、「且つインジウムのみでドープされた」との限定事項を省いたものである。  
  
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］３（３）、（４）に記載したとおり、引用発明及び引用文献１に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明及び引用文献１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
  
第４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。  
  
　よって、結論のとおり審決する。