(57)【要約】  多層配線基板（１）は、セパレータ（１２１〜１２Ｎ−１）を介して積層された樹脂基材（１０１〜１０Ｎ）と、これら樹脂基材（１０１〜１０Ｎ）の一方の面にそれぞれ形成された配線パターン（１１１〜１１Ｎ）と、これら配線パターン（１１１〜１１Ｎ）を電気的に接続する導電性バンプ（２０１〜２０Ｎ−１）とを含む。樹脂基材（１０１〜１０Ｎ）およびセパレータ（１２１〜１２Ｎ−１）は熱融着されており、セパレータ（１２１〜１２Ｎ−１）は、第１のガラス転移温度を持つ第１の熱可塑性樹脂材料からなり、樹脂基材（１０１〜１０Ｎ）は、第１のガラス転移温度よりも高い第２のガラス転移温度を持つ第２の熱可塑性樹脂材料からなる。
2010050193.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セパレータを介して積層された複数の樹脂基材と、
前記複数の樹脂基材の一方の面にそれぞれ形成された複数の配線パターンと、
前記樹脂基材および前記セパレータを貫通するように形成され、前記複数の配線パターンを電気的に接続する導電性バンプと、
を含み、
前記樹脂基材および前記セパレータは熱融着されており、
前記セパレータは、第１のガラス転移温度を持つ第１の熱可塑性樹脂材料からなり、
前記各樹脂基材は、前記第１のガラス転移温度よりも高い第２のガラス転移温度を持つ第２の熱可塑性樹脂材料からなる、多層配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の多層配線基板であって、前記導電性バンプは、前記配線パターンのうち隣り合う配線パターンの一方から他方へ突起するように形成されている、多層配線基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の多層配線基板であって、前記第１および第２の熱可塑性樹脂材料は、それぞれ、互いに異なるガラス転移温度を持つ環状オレフィン系樹脂組成物を主成分として構成されている、多層配線基板。
【請求項４】
請求項３に記載の多層配線基板であって、前記環状オレフィン系樹脂組成物はノルボルネン系樹脂である、多層配線基板。
【請求項５】
請求項１から４のうちのいずれか１項に記載の多層配線基板であって、前記導電性バンプは、金，銀，ニッケル，錫，鉛，亜鉛，ビスマス，アンチモンおよび銅よりなる群から選択された１種または２種以上の金属材料からなる、多層配線基板。
【請求項６】
請求項１から５のうちのいずれか１項に記載の多層配線基板であって、前記複数の配線パターンおよび前記導電性バンプは受動素子を構成している、多層配線基板。
【請求項７】
請求項６に記載の多層配線基板であって、前記受動素子は、抵抗器、インダクタおよびキャパシタのうちから選択された１種または複数種の回路を含む、多層配線基板。
【請求項８】
請求項６に記載の多層配線基板であって、前記複数の配線パターンは、螺旋状をなすように前記導電性バンプを介して接続されている、多層配線基板。
【請求項９】
請求項８に記載の多層配線基板であって、
前記配線パターンは、それぞれ３層以上の前記樹脂基材上に形成されており、
前記導電性バンプは、積層方向から視て互いに異なる位置に形成されている、多層配線基板。
【請求項１０】
請求項９に記載の多層配線基板であって、
前記複数の配線パターンの少なくとも一部は、周回角度が３６０°を超える渦巻状の配線パターンであり、
かつ前記渦巻状の配線パターンの一端が一の導電性バンプを介して一の配線パターンに接続し、他端が他の導電性バンプを介して他の配線パターンに接続している、多層配線基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の多層配線基板であって、
複数の前記渦巻状の配線パターンが表裏交互に重ね合わせられ、かつ各々の端部同士が前記導電性バンプを介して接続されている、多層配線基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の多層配線基板であって、
前記導電性バンプが埋め込まれた前記樹脂基材の数はＭ個（Ｍは自然数）であり、
前記渦巻状の配線パターンの周回角度は（３６０°＋３６０°／Ｍ）である、多層配線基板。
【請求項１３】
Ｎ個の樹脂基材（Ｎは２以上の整数）のうちＮ−１個の樹脂基材にそれぞれ導電性バンプを埋め込み形成する工程と、
前記Ｎ個の樹脂基材の一方の面にそれぞれ配線パターンを形成する工程と、
前記Ｎ個の樹脂基材をセパレータを介して重ね合わせるとともに、前記Ｎ個の樹脂基材のうち前記導電性バンプが埋め込み形成されていない樹脂基材を最も外側に配置する工程と、
前記Ｎ個の樹脂基材がセパレータを介して重ね合わされた後に、前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータを熱融着させて一体化することにより前記導電性バンプを介して前記複数の配線パターンを電気的に接続させる工程と、
を含み、
前記セパレータは、第１のガラス転移温度を持つ第１の熱可塑性樹脂材料からなり、
前記各樹脂基材は、前記第１のガラス転移温度よりも高い第２のガラス転移温度を持つ第２の熱可塑性樹脂材料からなり、
前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータを熱融着させる工程では、前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータは、前記第１のガラス転移温度よりも高く、前記第２のガラス転移温度未満の温度で熱融着される、多層配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記導電性バンプを埋め込み形成する工程では、前記導電性バンプは、前記Ｎ−１個の樹脂基材の一方の面から他方の面の方向へ突起するように形成される、多層配線基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記第１および第２の熱可塑性樹脂材料は、それぞれ、互いに異なるガラス転移温度を持つ環状オレフィン系樹脂組成物を主成分として構成されている、多層配線基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記環状オレフィン系樹脂組成物はノルボルネン系樹脂である、多層配線基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３から１６のうちのいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法であって、前記導電性バンプは、金，銀，ニッケル，錫，鉛，亜鉛，ビスマス，アンチモンおよび銅よりなる群から選択された１種または２種以上の金属材料からなる、多層配線基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１３から１７のうちのいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記配線パターンを形成する工程では、前記Ｎ個の樹脂基材の少なくとも一部に、周回角度が３６０°以上の渦巻状の配線パターンを形成し、
前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータを熱融着させる工程では、前記渦巻状の配線パターンの一端を一の導電性バンプを介して一の配線パターンに接続させ、他端を他の導電性バンプを介して他の配線パターンに接続させる、多層配線基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記配線パターンを形成する工程では、第１の樹脂基材に前記渦巻状の配線パターンを形成し、第２の樹脂基材に前記渦巻状の配線パターンを反転させた配線パターンを形成し、
前記樹脂基材を配置する工程では、前記第１の樹脂基材と前記第２の樹脂基材とを交互に繰り返し配置し、
前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータを熱融着させる工程では、前記第１の樹脂基材の配線パターンの端部と、前記第２の樹脂基材の配線パターンの端部と、を前記導電性バンプを介して接続させる、多層配線基板の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の多層配線基板の製造方法であって、
前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータを熱融着させる工程では、前記渦巻状の配線パターンの周回角度を（３６０°＋３６０°／Ｎ−１）として形成する、多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の樹脂基材の積層体である多層配線基板およびその製造方法に関し、特に、各々が受動素子を構成する配線パターンを有する複数の樹脂基材の積層体である多層配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高密度化に伴い、高密度実装された受動素子（たとえば、インダクタやコイルアンテナ）を有するフレキシブル配線板が要求されている。フレキシブル配線板の高密度化は、たとえば、特許文献１（特開平１１−５４９３４号公報）に開示されているように、各々が片面に配線パターンを有する複数の樹脂基材を接着剤層を介して積層して多層配線構造を形成することで実現することができる。【０００３】
多層配線構造に関する先行技術文献としては、特許文献１の他に、たとえば、特許文献２（特開２００８−１０３６４０号公報）や特許文献３（特開２００７−０９６１２１号公報）が挙げられる。特許文献２に開示されている多層配線構造は、配線パターン（導体パターン）を有する配線基板と多層樹脂層とが交互に積層された構造を有し、各多層樹脂層が、熱可塑性樹脂からなる第１層と、熱硬化性樹脂からなる第２層と、これら第１層および第２層を貫通する接続用導体とを含むものである。【０００４】
一方、特許文献３は、表面に導体パターンを有し熱可塑性樹脂からなる絶縁基材と、この絶縁基材を貫通するビアホールに充填された導電性ペーストとからなる配線基板を開示している。特許文献３の多層配線構造は、このような配線基板の複数個を熱融着により一括積層または逐次積層することで構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−５４９３４号公報
【特許文献２】特開２００８−１０３６４０号公報
【特許文献３】特開２００７−０９６１２１号公報
【発明の概要】
【０００６】
高周波デバイスに適した受動素子を多層配線構造内に形成するには、誘電体材料に起因するエネルギー損失を低く抑えることが重要である。エネルギー損失（誘電損失）は、損失正接（tanδ）と誘電率（ε）の積に比例するので損失正接と誘電率が共に低いことが望ましく、さらには吸湿率も低いことが望ましい。上述の通り、特許文献１には、接着剤層を用いた多層配線構造が開示されているが、接着剤層の損失正接は大きいので、特許文献１の多層配線構造は高周波デバイスに適したものとはいえない。
【０００７】
低損失正接、低誘電率および低吸湿率を実現するための１つの方法は、多層配線構造の構成材料として熱可塑性樹脂などの有機樹脂材料を使用することである。特許文献３に開示されているように、表面に配線パターンを有する複数の熱可塑性樹脂基材を熱融着により一体化することで多層配線構造を作製することができる。配線パターンの形状や組み合わせにより、高周波デバイス用の受動素子（インダクタやコイルアンテナなど）を多層配線構造内に形成することができる。しかしながら、熱融着の際に熱可塑性樹脂基材が溶融軟化すると、この熱可塑性樹脂基材上に形成されている配線パターンが変形することがある。この場合に配線パターンが大きく変形すると、隣接層間の配線パターンが短絡したり、誤動作を起こす受動素子が形成されたりするという問題がある。
【０００８】
上記に鑑みて本発明の目的は、高周波帯域で優れた電気特性を有し、かつ形状精度の良い配線パターンを有する多層配線基板を提供することである。
【０００９】
本発明によれば、セパレータを介して積層された複数の樹脂基材と、前記複数の樹脂基材の一方の面にそれぞれ形成された複数の配線パターンと、前記樹脂基材および前記セパレータを貫通するように形成され、前記複数の配線パターンを電気的に接続する導電性バンプと、を含む多層配線基板が提供される。この多層配線基板では、前記樹脂基材および前記セパレータは熱融着されており、前記セパレータは、第１のガラス転移温度を持つ第１の熱可塑性樹脂材料からなり、前記各樹脂基材は、前記第１のガラス転移温度よりも高い第２のガラス転移温度を持つ第２の熱可塑性樹脂材料からなる。
【００１０】
本発明によれば、Ｎ個の樹脂基材（Ｎは２以上の整数）のうちＮ−１個の樹脂基材にそれぞれ導電性バンプを埋め込み形成する工程と、前記Ｎ個の樹脂基材の一方の面にそれぞれ配線パターンを形成する工程と、前記Ｎ個の樹脂基材をセパレータを介して重ね合わせるとともに、前記Ｎ個の樹脂基材のうち前記導電性バンプが埋め込み形成されていない樹脂基材を最も外側に配置する工程と、前記Ｎ個の樹脂基材がセパレータを介して重ね合わされた後に、前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータを熱融着させて一体化することにより前記導電性バンプを介して前記複数の配線パターンを電気的に接続させる工程と、を含む多層配線基板の製造方法が提供される。この製造方法では、前記セパレータは、第１のガラス転移温度を持つ第１の熱可塑性樹脂材料からなり、前記各樹脂基材は、前記第１のガラス転移温度よりも高い第２のガラス転移温度を持つ第２の熱可塑性樹脂材料からなり、前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータを熱融着させる工程では、前記Ｎ個の樹脂基材および前記セパレータは、前記第１のガラス転移温度よりも高く、前記第２のガラス転移温度未満の温度で熱融着される。
【００１１】
前述の通り、本発明による多層配線基板は、表面に配線パターンが形成された複数の樹脂基材とセパレータとを熱融着してなる多層配線構造を有している。樹脂基材の構成材料である熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、セパレータの構成材料である熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも高いので、本発明による多層配線基板は、樹脂基材を溶融軟化させずにセパレータが溶融軟化する温度で樹脂基材とセパレータとを熱融着させて樹脂基材上の配線パターンの形状変化を防止し得る構造を有している。したがって、高周波帯域で優れた電気特性（低誘電率や低誘電損失）を有し、形状精度の良い配線パターンを有する多層配線基板を提供することが可能である。
【００１２】
本発明による多層配線基板の製造方法は、表面に配線パターンが形成された複数の樹脂基材とセパレータとを熱融着する際に、セパレータのガラス転移温度（第１のガラス転移温度）よりも高く、樹脂基材のガラス転移温度（第２のガラス転移温度）未満の温度で樹脂基材とセパレータとを熱融着させるので、樹脂基材を溶融軟化させずにセパレータを溶融軟化させることができる。したがって、高周波帯域で優れた電気特性（低誘電率や低誘電損失）を有し、形状精度の良い配線パターンを有する多層配線基板を作製することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
上記目的その他の目的、特徴および利点は、以下の添付図面および後述する好適な実施の形態によってさらに明らかになる。
【図１】本発明に係る第１の実施形態の多層配線基板の積層構造を概略的に示す図である。
【図２】第１の実施形態の多層配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）は、インダクタまたはコイルアンテナ用の螺旋状配線を構成する配線パターンの例を概略的に示す平面図である。
【図４】螺旋状配線を示す概略図である。
【図５】本発明に係る第２の実施形態の多層配線基板の積層構造を概略的に示す図である。
【図６】第２の実施形態の配線パターンの一例を示す概略図である。
【図７】第２の実施形態の変形例の配線パターンの一例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明に係る第１の実施形態の多層配線基板１の積層構造を概略的に示す図である。図１に示されるように、多層配線基板１は、セパレータ１２１，...，１２Ｎ−１を介して積層された樹脂基材１０１，...，１０Ｎと、これら樹脂基材１０１，...，１０Ｎの一方の面にそれぞれ形成された配線パターン１１１，...，１１Ｎと、これら配線パターン１１１〜１１Ｎを電気的に接続する導電性バンプ２０１，２１２，...，２０Ｎ−１とを含むものである。
【００１６】
導電性バンプ２０１〜２０Ｎ−１は、樹脂基材１０１〜１０Ｎ−１およびセパレータ１２１〜１２Ｎ−１を貫通するように形成されている。すなわち、各層の導電性バンプ２０ｋ（ｋは１〜Ｎ−１のいずれか）は、互いに隣り合う配線パターン１１ｋ，１１ｋ＋１のうちの一方の配線パターン１１ｋから他方の配線パターン１１ｋ＋１へ突起するように形成されている。
【００１７】
導電性バンプ２０１〜２０Ｎ−１の構成材料は、金，銀，ニッケル，錫，鉛，亜鉛，ビスマス，アンチモンおよび銅よりなる群から選択された１種または２種以上の金属材料であればよい。
【００１８】
配線パターン１１１〜１１Ｎおよび導電性バンプ２０１〜２０Ｎ−１によって高周波受動素子を構成することができる。高周波受動素子としては、たとえば、抵抗器、インダクタ、キャパシタもしくはコイルアンテナ、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
【００１９】
セパレータ１２１〜１２Ｎ−１は熱可塑性樹脂材料からなり、樹脂基材１０１〜１０Ｎも熱可塑性樹脂材料からなる。樹脂基材１０１〜１０Ｎを構成する熱可塑性樹脂材料は、セパレータ１２１〜１２Ｎ−１を構成する熱可塑性樹脂材料のガラス転移温度Ｔｇ１よりも高いガラス転移温度Ｔｇ２を有している。このような樹脂基材１０１〜１０Ｎとセパレータ１２１〜１２Ｎ−１とを、Ｔｇ１よりも高く、かつＴｇ２未満の範囲内の温度で熱融着することにより多層配線基板１が作製される。すなわち、樹脂基材１０１〜１０Ｎを溶融軟化させず、セパレータ１２１〜１２Ｎ−１を溶融軟化させる温度で樹脂基材１０１〜１０Ｎとセパレータ１２１〜１２Ｎ−１とを熱融着させて一体化することにより、熱融着工程において樹脂基材１０１〜１０Ｎ上の配線パターン１１１〜１１Ｎの形状が変化することを防止することが可能である。
【００２０】
樹脂基材１０１〜１０Ｎの熱可塑性樹脂材料と、セパレータ１２１〜１２Ｎ−１の熱可塑性樹脂材料とは、それぞれ、互いに異なるガラス転移温度Ｔｇ２，Ｔｇ１を持つ環状オレフィン系樹脂組成物を主成分として構成されている。環状オレフィン系樹脂は、環状オレフィンモノマーの（共）重合体を主体として含む。重合条件を変えることで環状オレフィン系樹脂の分子量や架橋密度を制御して所望のガラス転移温度Ｔｇ２，Ｔｇ１を得ることが可能である。重合度を高くしたり、環状オレフィン系樹脂が有する側鎖を長くしたりすることでガラス転移温度Ｔｇ２，Ｔｇ１を高くすることができる。
【００２１】
高周波領域での優れた電気特性（低誘電正接、低誘電率）を得る観点からは、環状オレフィン系樹脂組成物の中でも、特にノルボルネン系樹脂が好ましい。ノルボルネン系樹脂は、１０ＧＨｚにおいて、誘電率が約２、誘電正接が１０−３〜１０−４オーダーという電気特性を実現し得る。たとえば、１０ＧＨｚにおいて、誘電率が約２、誘電正接が１０−４オーダーという電気特性を有するノルボルネン系樹脂として、ＴｉＣｏＮａ社製の商品名「ＴＯＰＡＳ  ８００７」（ガラス転移温度７８℃）、「ＴＯＰＡＳ  ６０１３」（ガラス転移温度１３８℃）、「ＴＯＰＡＳ  ６０１５」（ガラス転移温度１５８℃）、「ＴＯＰＡＳ  ５０１３」（ガラス転移温度１３４℃）、「ＴＯＰＡＳ  ６０１７」（ガラス転移温度１７８℃）が市販されている。
【００２２】
熱融着工程において、樹脂基材１０１〜１０Ｎを溶融軟化させずに、セパレータ１２１〜１２Ｎ−１の溶融軟化を生じさせるためには、樹脂基材１０１〜１０Ｎとセパレータ１２１〜１２Ｎ−１との間のガラス転移温度の差（＝Ｔｇ２−Ｔｇ１）が約５０℃であることが望ましい。たとえば、樹脂基材１０１〜１０Ｎとセパレータ１２１〜１２Ｎ−１との組み合わせとして、「ＴＯＰＡＳ  ５０１３」と「ＴＯＰＡＳ  ８００７」との組み合わせが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２３】
次に、多層配線基板１の好適な製造工程について説明する。
【００２４】
先ず、Ｎ個の樹脂基材１０１〜１０Ｎの一方の面にそれぞれ銅箔を形成する。次に、Ｎ個の樹脂基材１０１〜１０Ｎの中の樹脂基材１０１〜１０Ｎ−１にそれぞれ導電性バンプ２０１〜２０Ｎ−１を埋め込み形成する。具体的には、樹脂基材１０１〜１０Ｎ−１の他方の面からそれぞれ銅箔に達する貫通孔を形成する。続いて、電解メッキ法またはペースト刷り込み法により、これら貫通孔の内部からそれぞれ外部に突出する導電性突起部を形成する。導電性突起部は、たとえば、銅で構成すればよい。また、レーザを使用すれば、樹脂基材１０１〜１０Ｎ−１に高精度の貫通孔を容易に形成することができる。次に、導電性突起部の露出面を金属または合金にて被覆する。金属としては、金、銀、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマスおよびアンチモンよりなる群から選択された少なくとも１種からなり、単層または２層以上であってもよい。合金としては、錫、鉛、銀、亜鉛、ビスマス、アンチモンおよび銅よりなる群から選択された少なくとも２種以上の金属で構成された半田が挙げられる。半田としては、たとえば、錫−鉛系、錫−銀系、錫−亜鉛系、錫−ビスマス系、錫−アンチモン系、錫−銀−ビスマス系もしくは錫−銅系が挙げられるが、これらに限定されず、最適なものを選択すればよい。当然、ここで挙げた金属または合金の融点は、樹脂基材１０１〜１０Ｎまたはセパレータ１２１〜１２Ｎ−１のガラス転移温度より十分に高く、上記熱融着工程において融解しない。
【００２５】
次に、Ｎ個の樹脂基材１０１〜１０Ｎの面上に形成された銅箔をエッチングして配線パターン１１１〜１１Ｎを形成する。これら配線パターン１１１〜１１Ｎは、たとえば、インダクタ、抵抗器、キャパシタあるいは整合回路などの高周波受動素子を構成するように予め設計されたものである。なお、この工程で形成される配線パターン１１１〜１１Ｎのうち少なくとも一部は、周回角度が３６０°を超える渦巻状の配線パターンとすることが望ましい。その詳細については後述する。
【００２６】
次に、図２に示すように、成型機内において、樹脂基材１０１，...，１０Ｎをセパレータ１２１，...，１２Ｎ−１を介して重ね合わせる。このとき、配線パターン１１１〜１１Ｎが全て同一方向を向くように樹脂基材１０１〜１０Ｎは配置され、導電性バンプが形成されていない樹脂基材１０Ｎは最も外側に配置される。
【００２７】
次に、成型機内に配置された樹脂基材１０１〜１０Ｎおよびセパレータ１２１〜１２Ｎ−１を、セパレータ１２１〜１２Ｎ−１のガラス転移温度Ｔｇ１よりも高く、かつ樹脂基材１０１〜１０Ｎのガラス転移温度Ｔｇ２未満の範囲内の温度で熱圧する。これにより、樹脂基材１０１〜１０Ｎおよびセパレータ１２１〜１２Ｎ−１が熱融着される。導電性バンプ２０１，...，２０Ｎ−１は、それぞれ、溶融軟化したセパレータ１２１，...，１２Ｎ−１を貫通して、配線パターン１１２，...，１１Ｎの表面と接合される。
【００２８】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、インダクタまたはコイルアンテナ用の螺旋状配線を構成する配線パターン１１ｋ，１１ｍの例を概略的に示す平面図である。図３（Ａ）の配線パターン１１ｋと図３（Ｂ）の配線パターン１１ｍとの組み合わせで螺旋状配線を構成することができる。図３（Ａ）の配線パターン１１ｋは、端部にバンプ接合点２１ｋ，２２ｋを有する渦巻状配線であって、その周回角度はほぼ３６０°である。図３（Ｂ）の配線パターン１１ｍは、端部にバンプ接合点２１ｍ，２２ｍを有する渦巻状配線であって、その周回角度は３６０°を超えている。なお、図３において、配線パターン１１ｋ，１１ｍは、曲線と直線との組み合わせからなる形状であるが、曲線のみで構成されてもよいし、直線のみで構成されてもよい。
【００２９】
ここで、螺旋状とは、多層配線基板１の厚み方向に回転しながら上昇または下降する形状のことである。また、渦巻状とは、多層配線基板１の平面上で旋回するにつれて中心軸から遠ざかるまたは近づく形状のことである。
【００３０】
図３（Ａ）の配線パターン１１ｋの一端に形成されるバンプ接合点２２ｋと、図３（Ｂ）の配線パターン１１ｍの一端に形成されるバンプ接合点２２ｍとを導電性バンプを介して接続することで螺旋状配線を形成することができる。あるいは、図３（Ａ）の配線パターン１１ｋの他端に形成されるバンプ接合点２１ｋと、図３（Ｂ）の配線パターン１１ｍの他端に形成されるバンプ接合点２１ｍとを導電性バンプを介して接続することで螺旋状配線を形成することが可能である。
【００３１】
図４は、図３（Ａ），（Ｂ）の配線パターン１１ｋ，１１ｍを用いて形成された螺旋状配線を示す概略図である。奇数番目の層の配線パターン１１１，１１３，...，１１Ｎ−１（ここで、Ｎは偶数）は、図３（Ａ）の配線パターン１１ｋと同じ形状を有しており、偶数番目の層の配線パターン１１２，１１４，...，１１Ｎは、図３（Ｂ）の配線パターン１１ｍと同じ形状を有している。そして、これら配線パターン１１１〜１１Ｎは、導電性バンプ２０１〜２０Ｎ−１によって形成される層間接続ライン２３１〜２３Ｎ−１を介して電気的に接続されている。
【００３２】
上記第１の実施形態の多層配線基板１およびその製造方法が奏する効果は以下の通りである。
【００３３】
多層配線基板１の製造工程では、表面に配線パターン１１１〜１１Ｎが形成された樹脂基材１０１〜１０Ｎとセパレータ１２１〜１２Ｎ−１とを熱融着する際に、セパレータ１２１〜１２Ｎ−１のガラス転移温度Ｔｇ１よりも高く、樹脂基材１０１〜１０Ｎのガラス転移温度Ｔｇ２未満の温度で樹脂基材１０１〜１０Ｎとセパレータ１２１〜１２Ｎ−１とを熱融着させるので、樹脂基材１０１〜１０Ｎの熱可塑性樹脂を溶融軟化させずにセパレータ１２１〜１２Ｎ−１の熱可塑性樹脂を溶融軟化させることができる。この状態で、セパレータ１２１〜１２Ｎ−１と樹脂基材１０１〜１０Ｎとを熱圧するので、溶融軟化しない樹脂基材１０１〜１０Ｎに形成された導電性バンプ２０１，...，２０Ｎ−１は、それぞれ、溶融軟化したセパレータ１２１，...，１２Ｎ−１を貫通して、配線パターン１１２，...，１１Ｎの表面と接合される。よって、熱融着工程での配線パターン１１１〜１１Ｎの形状変化を防止することができる。
【００３４】
したがって、高周波帯域で優れた電気特性（低誘電率や低誘電損失）を有し、形状精度の良好な配線パターン１１１〜１１Ｎを有する多層配線基板１を提供することができる。
【００３５】
また、偶数番目の層の配線パターン１１２，１１４，...，１１Ｎは、周回角度が３６０°を超えており、その上下に構成される奇数番目の層の配線パターン１１１，１１３，...，１１Ｎ−１との対向する部分は、ほぼ円形とすることができる。仮に、配線パターン１１１〜１１Ｎの周回角度が３６０°未満であれば、周回角度が３６０°に満たない分のターン数が減ることになり、螺旋状配線のインダクタンスが減少する。すなわち、本実施形態の螺旋状配線は、インダクタンスを損なわずに形成することができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る第２の実施形態について説明する。図５は、第２の実施形態の多層配線基板２の積層構造を概略的に示す図である。図６は、多層配線基板２内に形成された螺旋状配線を構成する配線パターン１１１〜１１１７の一例を示す概略図である。第２の実施形態の多層配線基板２は、導電性バンプ２０１〜２０１６の位置と配線パターン１１１〜１１１７の形状とを除いて、上記第１の実施形態の多層配線基板１と同じ構成を有し、第１の実施形態の多層配線基板１と同様の工程で製造されるものである。
【００３７】
配線パターン１１１〜１１１７は、それぞれ周回角度が３６０°を超える渦巻状の配線パターンである。奇数番目の層の樹脂基材１０１，１０３，...，１０１７上に形成される配線パターン１１１，１１３，...，１１１７と、偶数番目の層の樹脂基材１０２，１０４，...，１０１６上に形成される配線パターン１１２，１１４，...，１１１６とは、一方を反転させた形状になっている。すなわち、樹脂基材１０１，１０３，...，１０１７と樹脂基材１０２，１０４，...，１０１６とは交互に配置されるので、配線パターン１１１〜１１１７は表裏交互に重ね合わせられる。当然、配線パターン１１１〜１１１７は、各々の端部同士が導電性バンプを介して接続されている。
【００３８】
第１の実施形態では、図１および図４に示したように、奇数番目の層の導電性バンプ２０１，２０３，...，２０Ｎ−１（ここで、Ｎは偶数）は、積層方向から視て互いに重複する位置に形成されており、偶数番目の層の導電性バンプ２０２，２０４，...，２０Ｎ−２も、積層方向から視て互いに重複する位置に形成されている。それ故、第１の実施形態の多層配線構造では、使用される熱可塑性樹脂の種類や熱圧条件によっては、厚みが不均一になる場合がある。
【００３９】
これに対し、第２の実施形態では、配線パターン１１１〜１１１７を表裏交互に重ね合わせているので、導電性バンプ２０１〜２０１６が、積層方向から視たときに互いに重複しない位置に形成されている。さらに、導電性バンプ２０１〜２０１６を埋め込まれた樹脂基材１０１〜１０１６は１６層であるので、配線パターン１１１〜１１１７の周回角度を（３６０°＋３６０°／１６）として形成することによって、配線パターン１１１〜１１１７の中心軸の周りに均等な角度間隔で層間接続ライン２３１〜２３１６を配置することができる。すなわち、図６に示されるように、配線パターン１１１〜１１１７は、導電性バンプ２０１〜２０１６によって形成される層間接続ライン２３１〜２３１６を介して電気的に接続されている。層間接続ライン２３１〜２３１６は、配線パターン１１１〜１１１７の中心軸の周りに約２２．５°の角度間隔で配置されている。
【００４０】
上記の通り、第２の実施形態の多層配線基板２の導電性バンプ２０１〜２０１６は、積層方向から視たときに互いに重複しない位置に形成されているので、厚みの不均一を回避することができる。これにより、多層配線基板２の剛性バランスが良くなり、強度が向上する。
【００４１】
なお、第２の実施形態の多層配線基板２の層数は１７層であるが、これに限定されず、１８層以上の層数を有するように多層配線基板２を変形してもよい。例えば、多層配線基板２の層の数がＮである場合、導電性バンプ２０を埋め込まれた樹脂基材１０の数はＮ−１であり、配線パターン１１の周回角度を（３６０°＋３６０°／Ｎ−１）として形成することによって、配線パターン１１の中心軸の周りに均等な角度間隔で層間接続ライン２３を配置することができる。
【００４２】
第２の実施形態の変形例として、図７に示すような螺旋状配線を有する多層配線基板もあり得る。図７に示すように、奇数番目の層間接続ライン２３１，２３３，２３５，２３７は、配線パターン１１１〜１１８の中心軸の周りに約４５°の角度間隔で配置されるように形成されており、偶数番目の層間接続ライン２３２，２３４，２３６は、配線パターン１１１〜１１８の中心軸の周りに均等な角度間隔で配置されるように形成されている。
【００４３】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。たとえば、上記第１および第２の実施形態は、いずれも、６層以上の配線パターンを有していたが、これに限定されるものではない。第１の実施形態の変形例として少なくとも２層の配線パターンを有する多層配線基板の形態が、第２の実施形態の変形例として少なくとも２層の配線パターンを有する多層配線基板の形態が、それぞれ存在し得る。
【００４４】
また、インダクタを実現する配線は、図４および図６に示したように複数の渦巻状の配線パターンを螺旋状に接続することで形成すればよいが、配線パターンの形状はこれらに限定されるものではない。その形状は、円弧状でも方形状でも多角形状でもよい。
【００４５】
さらに、本発明の多層配線基板は、上述した配線パターンを形成する樹脂基材の層やセパレータの層以外の層を、本発明の特徴に矛盾しない範囲で備えても構わない。
【００４６】
この出願は、日本国特許庁に出願された特願２００８−２７９７３２号（出願日：２００８年１０月３０日）を基礎とする優先権を主張するものであり、その開示の全ては、本明細書の一部として援用（incorporation herein by reference）される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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