(57)【要約】  誘電体セラミックスは、Ｌａ，Ａｌ，ＣａおよびＴｉを含有する結晶を主成分とし、モリブデン酸化物を含有する。
2010074253.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌａ，Ａｌ，ＣａおよびＴｉを含有する結晶を主成分とし、モリブデン酸化物を含有することを特徴とする誘電体セラミックス。
【請求項２】
前記主成分の組成式をαＬａ2ＯX・βＡｌ2Ｏ3・γＣａＯ・δＴｉＯ2（ただし、３≦ｘ≦４）と表したときに、モル比α，β，γ，δが下記式を満足することを特徴とする請求項１に記載の誘電体セラミックス。
０．０５６≦α≦０．２１４
０．０５６≦β≦０．２１４
０．２８６≦γ≦０．５００
０．２８６≦δ≦０．４６０
α＋β＋γ＋δ＝１
【請求項３】
前記モル比α，β，γ，δが下記式を満足することを特徴とする請求項２に記載の誘電体セラミックス。
０．０７８≦α≦０．１８７
０．０７８≦β≦０．１８７
０．３３０≦γ≦０．４７０
０．３５０≦δ≦０．４４６
α＋β＋γ＋δ＝１
【請求項４】
前記モリブデンの含有量が酸化物換算で０．００１質量％以上１質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体セラミックス。
【請求項５】
さらに金属元素としてＭｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａのうち少なくとも１種をそれぞれＭｎＯ2，ＷＯ3，Ｎｂ2Ｏ5およびＴａ2Ｏ5換算で合計０．０１以上３重量％以下含有することを特徴とする請求項１に記載の誘電体セラミックス。
【請求項６】
請求項１に記載の誘電体セラミックスを含む誘電性部材と、
前記誘電性部材を挟んで対向する入力端子および出力端子と
前記誘電性部材と、前記入力端子および前記出力端子の該誘電性部材側の先端とを取り囲むケースと
を有する誘電体共振器。
【請求項７】
ランタン化合物、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、およびチタン化合物のそれぞれの粉末と、モリブデン酸化物、タングステン酸マンガン、およびチタン酸マンガンのいずれか１種からなる粉末とを混合して混合物を生成する混合工程と、
前記混合物に圧力を加えて成形体を形成する成形体形成工程と、
前記成形体を焼成する焼成工程と
を有する誘電体セラミックスの製造方法。
【請求項８】
前記ランタン化合物、前記アルミニウム化合物、前記カルシウム化合物、および前記チタン化合物は、それぞれＬａ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＣＯ3、およびＴｉＯ2である請求項７に記載の誘電体セラミックスの製造方法。
【請求項９】
前記混合工程において、前記ランタン化合物、前記アルミニウム化合物、前記カルシウム化合物、およびチタン化合物のそれぞれの粉末と、前記タングステン酸マンガン又は前記チタン酸マンガンの粉末とを混合し、前記タングステン酸マンガン又は前記チタン酸マンガンの粉末を０．０１質量％以上３質量％以下含有することを特徴する請求項７に記載の誘電体セラミックスの製造方法。
【請求項１０】
前記混合工程において、前記ランタン化合物、前記アルミニウム化合物、前記カルシウム化合物、およびチタン化合物のそれぞれの粉末と、前記タングステン酸マンガン又は前記チタン酸マンガンの粉末と、ＹｂおよびＣｅの少なくとも一方の粉末と、Ｂｉの粉末とを混合し、前記Ｂｉの粉末をＢｉ2Ｏ3換算で０．００５質量％以上０．３質量％以下混合することを特徴とする請求項７に記載の誘電体セラミックスの製造方法。
【請求項１１】
前記ＹｂおよびＣｅの少なくとも一方の粉末と前記Ｂｉの粉末とを、それぞれＹｂ2Ｏ3換算，Ｃｅ2Ｏ3換算,およびＢｉ2Ｏ3換算で合計０．０１０質量％以上３質量％以下混合することを特徴とする請求項１０に記載の誘電体セラミックスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体セラミックス、これを用いた誘電体共振器、並びに誘電体セラミックスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話の中継基地局には共振器が組み込まれている。その共振器にはフィルタが用いられる。フィルタは、例えばセラミックスからなる誘電性部材である。従来、優れた誘電特性を有するセラミックスとして、Ｌａ，Ａｌ，ＣａおよびＴｉを含有するものが提案されている（例えば、特開平６−７６６３３号公報）。この誘電体セラミックスでは、比誘電率が２０以上、Ｑ値が２００００以上の誘電特性が得られるとされている。【０００３】
しかし、近年では、共振器のコンパクト化の要求が高まり、さらに高い比誘電率とＱ値を有する誘電体セラミックスが求められている。
【発明の概要】
【０００４】
本発明の一形態に係る誘電体セラミックスは、Ｌａ，Ａｌ，ＣａおよびＴｉを含有する結晶を主成分とし、モリブデン酸化物を含有する。
【０００５】
また、本発明の一形態に係る誘電体共振器は、上記誘電体セラミックスを含む誘電性部材と、誘電性部材を挟んで対向する入力端子および出力端子と、ケースとを有する。ケースは、誘電性部材と、入力端子および出力端子の誘電性部材側の各先端とを取り囲む。
【０００６】
また、本発明の一形態に係る誘電体セラミックスの製造方法は、ランタン化合物、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、およびチタン化合物のそれぞれの粉末と、モリブデン酸化物、タングステン酸マンガン、およびチタン酸マンガンのいずれか１種からなる粉末とを混合して混合物を生成する工程と、混合物に圧力を加えて成形体を形成する工程と、成形体を焼成する工程とを有する。
【０００７】
本発明の一形態にかかる誘電体セラミックスによれば、高い比誘電率とＱ値を有する。
【０００８】
本発明の一形態に係る誘電体セラミックスの製造方法によれば、高い誘電特性（比誘電率，Ｑ値）を有する誘電体セラミックスを得ることができる。
【０００９】
本発明の一形態に係る誘電体共振器によれば、より小型の誘電体共振器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一形態に係る誘電体共振器を示す断面図である。
【符号の説明】
【００１１】
１：誘電体共振器
２：金属ケース
３：入力端子
４：出力端子
５：誘電性部材
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に本発明の実施形態を説明する。本実施形態の誘電体セラミックスは、Ｌａ，Ａｌ，ＣａおよびＴｉを含有する結晶を主成分とし、かつモリブデン酸化物を含有する。モリブデン酸化物は、例えばＭｏＯ2，ＭｏＯ3，ＣａＭｏＯ4などであり、誘電体セラミックス中に副結晶相として含まれる。このモリブデン酸化物は、Ｍｏの価数変化に伴って酸素を放出することから、誘電体セラミックス中の酸素欠陥に酸素を供給することができる。これにより、酸素欠陥によって生じる誘電体セラミックスのＱ値および比誘電率の低下が抑制される。また、酸素欠陥は誘電体セラミックスの共振周波数の温度依存性も悪化させることから、誘電体セラミックにモリブデン酸化物を含有させることによって、この温度依存性の悪化も抑制することができる。
【００１３】
上記Ｌａ，Ａｌ，ＣａおよびＴｉを含有する結晶は、好ましくは、ペロブスカイト構造の結晶である。ペロブスカイト構造の結晶は、ＡサイトおよびＢサイトの金属元素が規則的に配列したＡＢＯ3型の結晶構造であり、酸素欠陥が少ない場合には、格子歪みが小さくなり、高いＱ値が得られる。誘電体セラミックスがＬａ，Ａｌ，ＣａおよびＴｉを含有する場合、Ａサイト原子がＬａとＣａとからなり、Ｂサイト原子がＡｌとＴｉとからなる。そして、ＡサイトおよびＢサイトが規則的に配列されている。ここで、誘電体セラミックスがモリブデン酸化物を含有すると、モリブデン酸化物が酸素を放出することから、上記ペロブスカイト構造の結晶において酸素欠陥が少なくなる。その結果、結晶構造の格子歪みが小さくなるため、高いＱ値が得られる。
【００１４】
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、Ｌａ，Ａｌ，ＣａおよびＴｉを含有し、組成式を、αＬａ2ＯX・βＡｌ2Ｏ3・γＣａＯ・δＴｉＯ2（ただし、３≦ｘ≦４）と表したとき、モル比α，β，γ，δが、次の式（１）〜式（５）を満足する。
０．０５６≦α≦０．２１４・・・（１）
０．０５６≦β≦０．２１４・・・（２）
０．２８６≦γ≦０．５００・・・（３）
０．２８６≦δ≦０．４６０・・・（４）
α＋β＋γ＋δ＝１・・・・・・・（５）
【００１５】
これにより、本実施形態の誘電体セラミックスは優れた誘電特性を有する。具体的には、比誘電率（εｒ）が大きく、Ｑ値が高くなる。
【００１６】
０．０５６≦α≦０．２１４としたとき、誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）が大きく、Ｑ値が高くなる。特に、０．０７８≦α≦０．１８７であれば、優れた誘電特性をより安定的に得られる。
【００１７】
また、０．０５６≦β≦０．２１４としたとき、誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）が大きく、Ｑ値が高くなる。特に、０．０７８≦β≦０．１８７あれば、優れた誘電特性をより安定的に得られる。
【００１８】
また、０．２８６≦γ≦０．５００としたとき、誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）が大きく、Ｑ値が高くなる。特に、０．３３０≦γ≦０．４７０であれば、優れた誘電特性をより安定的に得られる。
【００１９】
また、０．２８６≦δ≦０．４６０としたとき、誘電体セラミックスの比誘電率（εｒ）が大きく、Ｑ値が高くなる。特に、０．３５０≦δ≦０．４４６であれば、優れた誘電特性をより安定的に得られる。
【００２０】
さらに、本実施形態の誘電体セラミックスは、モリブデン酸化物を含有することから、誘電特性がより向上する。この理由は次のように考えられる。
【００２１】
本実施形態の誘電体セラミックスは、ＬａＡｌＯ3とＣａＴｉＯ3とを主結晶相とする。、そして、誘電体セラミックスがモリブデンを含有する場合には、例えばＭｏＯ2，ＭｏＯ3，ＣａＭｏＯ4などのモリブデン酸化物を副結晶相として含む。このように、モリブデン酸化物は、Ｍｏの価数変化に伴って酸素を放出することから、誘電体セラミックス内の酸素欠陥に酸素を供給することが可能となる。これにより、誘電体セラミックスのＱ値が高くなり、比誘電率の低下および共振周波数の温度依存性の悪化が抑制される。
【００２２】
また、本実施の形態による誘電体セラミックスでは、モリブデン酸化物の結晶が、結晶粒界に存在する。モリブデン酸化物の結晶は、ＬａＡｌＯ3とＣａＴｉＯ3を含む主結晶よりも機械的強度が高い。これにより、誘電体セラミックスの粒界の強度を向上させ、かつピンニング効果により結晶の粒成長を抑制することが可能となる。結果として、誘電体セラミックスの機械的特性を従来よりも向上させることができる。
【００２３】
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、モリブデンの含有量を酸化物換算で０．００１質量％以上１質量％以下とすることが好ましい。この範囲内にすることにより、誘電特性が低下しにくくなる。モリブデンの含有量が０．００１質量％以上であると、誘電体セラミックス中の酸素欠陥に酸素を供給することがより容易となる。また、モリブデンの含有量が１質量％以下であると、酸素供給にあまり寄与しないモリブデン酸化物が焼結体の結晶粒界などに多く含有されることによる誘電特性の低下を抑制することができる。
【００２４】
なお、誘電体セラミックス中のモリブデンの含有量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ＩＰＣ発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−８１００）を用いてＭｏの量を測定し、これを酸化物換算することにより得られる。測定装置の誤差は、分析値をｎとするとｎ±√ｎである。
【００２５】
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、さらに金属元素としてＭｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａのうち少なくとも１種を、それぞれＭｎＯ2，ＷＯ3，Ｎｂ2Ｏ5およびＴａ2Ｏ5換算で合計０．０１質量％以上３重量％以下含有してもよい。Ｍｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａのうち１種以上をそれぞれＭｎＯ2，ＷＯ3、Ｎｂ2Ｏ5およびＴａ2Ｏ5換算で０．０１質量％以上３質量％以下含有させると、Ｑ値がより高くなる。
【００２６】
上記Ｍｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａは、固溶体中の酸素欠陥の減少に寄与し、さらにＱ値を向上させることができると考えられる。各成分の含有量の測定方法については、モリブデンの含有量と同様に、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ＩＰＣ発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−８１００）を用いてＭｎ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａの量を測定し、それぞれを酸化物換算することにより得られる。測定装置の誤差は、分析値をｎとするとｎ±√ｎである。
【００２７】
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、部材にしたときに、その表面および内部の平均ボイド率が３％以下であることが好ましい。部材表面および内部の平均ボイド率を３％以下とすることにより、部材の機械的強度の低下を抑えるとともに電気的特性の低下およびばらつきを抑えることができる。平均ボイド率が３％以下であれば、部材の密度が低下せず、部材に著しい強度劣化が生じない。この場合、ハンドリング時、落下時、共振器内への取付け時および各基地局へ設置した後にかかる衝撃等によって、カケ、割れおよび破損等が生じ難い。より好ましくは、平均ボイド率を１％以下とすると、機械的特性および電気的特性が安定化する。
【００２８】
なお、平均ボイド率は、例えば１００μｍ×１００μｍの範囲が観察できるように任意の倍率に調節した金属顕微鏡またはＳＥＭ等により、部材の表面および内部断面を写真または画像として撮影し、この写真または画像を画像解析装置により解析することにより算出することが可能である。画像解析装置としては、例えばニレコ社製のＬＵＺＥＸ−ＦＳ等を用いればよい。
【００２９】
また、本実施形態の誘電体セラミックスに含まれる結晶のうち、金属元素として少なくともＬａ、Ａｌ、ＣａおよびＴｉを含有する多結晶の割合は９０体積％以上であることが望ましい。９０体積％以上であれば、比誘電率の値を維持し、誘電損失の増加を抑制することができる。
【００３０】
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、少なくとも希土類元素Ｌａ、Ａｌ、ＣａおよびＴｉを、それぞれＬａ2Ｏx(3≦X≦4)、Ａｌ2Ｏ3、ＣａＣＯ3およびＴｉＯ2換算で合計８５重量％以上含有することが望ましい。さらに、この主成分からなる結晶はＬａＡｌＯ(X+3)/2（３≦Ｘ≦４）とＣａＴｉＯ3との固溶体からなるペロブスカイト型結晶であることが望ましい。
【００３１】
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、さらに格子歪みが０．３％以下であることがＱ値を向上させるために好ましく、さらにＱ値を向上させるためには０．２％以下であることが好ましい。
【００３２】
また、本実施形態においては、後述する製造方法のように、酸素を含む高温高圧雰囲気中で熱処理することによって、ペロブスカイト構造のＡサイト、Ｂサイトおよび酸素原子を規則的に配列させることができる。さらにこの製造方法によれば、酸素欠陥を減少させることによって、格子歪みが小さい誘電体セラミックスを得ることができる。
【００３３】
次に、本実施形態の製造方法について以下に詳細を示す。第１の製造方法においては、例えば以下の工程（１）〜（７）を実施する。
【００３４】
（第１の製造方法）
（１）出発原料として、高純度の酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）および酸化チタン（ＴｉＯ2）の各粉末を準備する。その後、まず、Ｌａ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3をそれぞれ所望の割合となるように秤量し、純水を加え、Ｌａ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3の混合原料の平均粒径が２．０μｍ以下となるまで１〜１００時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより湿式混合及び粉砕を行い、混合物を得る。これと並行してＣａＣＯ3とＴｉＯ2についても、同様の工程を経て混合物を得る（１次調合）。
【００３５】
（２）  次に、上記混合物をそれぞれ乾燥した後、１１００〜１３００℃で１〜１０時間それぞれ仮焼し、ＬａＡｌＯ3およびＣａＴｉＯ3の仮焼物を得る。
【００３６】
（３）  次に、（２）で得られたＬａＡｌＯ3，ＣａＴｉＯ3の仮焼物をそれぞれ平均粒径１〜２μｍとなるまで、ボールミル等により湿式粉砕し、得られたスラリー状の混合物をそれぞれステンレス製容器に移して乾燥させる。そして、乾燥させたＬａＡｌＯ3およびＣａＴｉＯ3の仮焼物をそれぞれメッシュパスしてＬａＡｌＯ3，ＣａＴｉＯ3の原料を得る。
【００３７】
（４）  次に、（３）で得られたＬａＡｌＯ3，ＣａＴｉＯ3の原料をそれぞれ所望の割合秤量し、ＬａＡｌＯ3およびＣａＴｉＯ3の混合物を得る。この混合物に、高純度で平均粒径０．５〜３μｍの酸化モリブデン（ＭｏＯ3）を所望の割合秤量して混合し、純水を加えた後、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより湿式混合を行いスラリーとする（２次調合）。
【００３８】
また、最終的に、Ｍｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａのうち少なくとも１種を含有する誘電体セラミックスを得る場合には、この２次調合の湿式混合時にＭｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａの少なくとも1種の添加を行う。添加する原料としては、例えば、市販の平均粒径２μｍ以下の二酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）を用いればよい。
【００３９】
（５）  次に、（４）で得られたスラリーに、３〜１０重量％のバインダーを加え、ボールミルにより湿式混合してから脱水を行う。その後、脱水された混合物を、例えばスプレードライ法等により造粒または整粒し、得られた造粒体又は整粒粉体等を、例えば金型プレス法、冷間静水圧プレス法、又は押し出し成形法等により任意の形状に成形する。なお、造粒体又は整粒粉体等の形態は粉体等の固体のみならず、スラリー等の固体と液体との混合物でもよい。この場合、液体は、水以外の液体、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、メタノ−ル、エタノ−ル、トルエン、又はアセトン等でもよい。
【００４０】
（６）  次に、（５）で得られた成形体を大気中１５００℃〜１７００℃で５〜１０時間保持して焼成する。なお、１５５０〜１６５０℃で焼成すると、誘電体セラミックスの機械的特性を向上させることができるため、より好ましい。
【００４１】
（７）  次に、得られた焼成体を、さらに酸素５〜３０体積％以上含むガス中において、温度１５００〜１７００℃、圧力３００〜３０００気圧で、１分〜１００時間熱処理すれば、焼結体表面のボイドを低減でき、焼結体をより緻密化させることができる。より好ましくは、温度１５５０〜１６５０℃，圧力１０００〜２５００気圧で２０分〜３時間熱処理するのがよい。
【００４２】
ここで、（３）の工程において、ＬａＡｌＯ3の平均粒径が１μｍ以上であれば、ＣａＴｉＯ3粒子との接触面積が増加して固溶が進み過ぎることがない。その結果、Ｑ値などの誘電特性が低下し難く、粉砕にかかる時間や製造コストを低減することができる。また、ＬａＡｌＯ3の平均粒径が２μｍ以下であれば、逆にＣａＴｉＯ3粒子との接触面積が減ることなく固溶が進み、Ｑ値などの誘電特性の低下を抑制することができる。なお、ＣａＴｉＯ3についてもこれと同様の理由から平均粒径を１〜２μｍの範囲内とするのがよい。
【００４３】
なお、上記第１の製造方法において、上記（１）〜（４）の工程を簡略化しても本実施形態の誘電体セラミックスを製造することが可能である。具体的には、（１）の１次調合段階で、高純度の酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）および酸化チタン（ＴｉＯ2）と、高純度の酸化モリブデン（ＭｏＯ3）とを、それぞれ所望の割合秤量して混合し、純水を加えた後、混合原料の平均粒径が２μｍ以下となるまで１〜１００時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより湿式混合を行いスラリーとする。以降の工程は上記（５）と同様の製造工程にて本実施形態の誘電体セラミックスを得ることができる。
【００４４】
この製造方法により、ＬａＡｌＯ3，ＣａＴｉＯ3の仮焼物を得てこれを粉砕する上記（１）〜（４）の製造工程を簡略化でき、本実施形態の誘電体セラミックスをより安価に製造することが可能となる。
【００４５】
なお、最初の混合の時点で、酸化ランタン等とともに、酸化イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3）および酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）の少なくとも一方と酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を混合してもよく、二酸化マンガン（ＭｎＯ2）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）および酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）の少なくとも１種を混合してもよい。
【００４６】
（第２の製造方法）
次に、（４）の工程において、モリブデン酸化物の代わりに、タングステン酸マンガン（ＭｎＷＯ4）又はチタン酸マンガン（ＭｎＴｉＯ3）を加える場合について説明する。
【００４７】
（１）出発原料として、高純度の酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）および酸化チタン（ＴｉＯ2）の各粉末を準備する。その後、まず、Ｌａ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3をそれぞれ所望の割合となるように秤量し、純水を加え、Ｌａ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3の混合原料の平均粒径が２．０μｍ以下となるまで１〜１００時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより湿式混合及び粉砕を行い、混合物を得る。これと並行してＣａＣＯ3とＴｉＯ2についても、同様の工程を経て混合物を得る（１次調合）。
【００４８】
（２）  次に、上記混合物をそれぞれ乾燥した後、１１００〜１３００℃で１〜１０時間それぞれ仮焼し、ＬａＡｌＯ3およびＣａＴｉＯ3の仮焼物を得る。
【００４９】
（３）  次に、（２）で得られたＬａＡｌＯ3，ＣａＴｉＯ3の仮焼物をそれぞれ平均粒径１〜２μｍとなるまで、ボールミル等により湿式粉砕し、得られたスラリー状の混合物をそれぞれステンレス製容器に移して乾燥させる。そして、乾燥させたＬａＡｌＯ3およびＣａＴｉＯ3の仮焼物をそれぞれメッシュパスしてＬａＡｌＯ3，ＣａＴｉＯ3の原料を得る。
【００５０】
（４）  次に、（３）で得られたＬａＡｌＯ3，ＣａＴｉＯ3の原料をそれぞれ所望の割合秤量し、ＬａＡｌＯ3およびＣａＴｉＯ3の混合物を得る。この混合物に、高純度で平均粒径０．５〜３μｍのタングステン酸マンガン（ＭｎＷＯ4）又はチタン酸マンガン（ＭｎＴｉＯ3）を、所望の割合秤量して混合し、純水を加えた後、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより湿式混合を行いスラリーとする（２次調合）。
【００５１】
なお、最終的に、ＹｂおよびＣｅの少なくとも一方を含有し、且つＢｉを含有する誘電体セラミックスを得る場合には、この２次調合の湿式混合時にＹｂおよびＣｅの少なくとも１種と、Ｂｉの添加を行う。添加する原料としては、例えば、市販の平均粒径２μｍ以下の酸化イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3），酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3），酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を用いる。
【００５２】
（５）  次に、（４）で得られたスラリーに、３〜１０重量％のバインダーを加え、ボールミルにより湿式混合してから脱水を行う。その後、脱水された混合物を、例えばスプレードライ法等により造粒または整粒し、得られた造粒体又は整粒粉体等を、例えば金型プレス法、冷間静水圧プレス法、又は押し出し成形法等により任意の形状に成形する。なお、造粒体又は整粒粉体等の形態は粉体等の固体のみならず、スラリー等の固体と液体との混合物でもよい。この場合、液体は、水以外の液体、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、メタノ−ル、エタノ−ル、トルエン、又はアセトン等でもよい。
【００５３】
（６）  次に、（５）で得られた成形体を大気中１５００℃〜１７００℃で５〜１０時間保持して焼成する。なお、１５５０〜１６５０℃で焼成すると、誘電体セラミックスの機械的特性を向上させることができるため、より好ましい。
【００５４】
（７）  次に、得られた焼成体を、さらに酸素５〜３０体積％以上含むガス中において、温度１５００〜１７００℃、圧力３００〜３０００気圧で、１分〜１００時間熱処理すれば、焼結体表面のボイドを低減でき、焼結体をより緻密化させることができる。より好ましくは、温度１５５０〜１６５０℃，圧力１０００〜２５００気圧で２０分〜３時間熱処理するのがよい。
【００５５】
ここで、（３）の工程において、ＬａＡｌＯ3の平均粒径が１μｍ以上であれば、ＣａＴｉＯ3粒子との接触面積が増加して固溶が進み過ぎることがない。その結果、Ｑ値などの誘電特性が低下し難く、粉砕にかかる時間や製造コストを低減することができる。また、ＬａＡｌＯ3の平均粒径が２μｍ以下であれば、逆にＣａＴｉＯ3粒子との接触面積が減ることなく固溶が進み、Ｑ値などの誘電特性の低下を抑制することができる。なお、ＣａＴｉＯ3についてもこれと同様の理由から平均粒径を１〜２μｍの範囲内とするのがよい。
【００５６】
なお、（４）の工程において、タングステン酸マンガン又はチタン酸マンガンを、０．０１質量％以上３質量％以下含有させることが好ましい。この範囲内にすることにより、誘電特性が低下しにくくなる。タングステン酸マンガンまたはチタン酸マンガンの含有量が０．０１質量％以上であると、誘電体セラミックス中の酸素欠陥に酸素を供給することがより容易となる。また、タングステン酸マンガンまたはチタン酸マンガンの含有量が３質量％以下であると、酸素供給にあまり寄与しないタングステン酸マンガン又はチタン酸マンガンが焼結体の結晶粒界などに多く含有されることによる誘電特性の低下を抑制することができる。
【００５７】
また、（４）の工程において、タングステン酸マンガンを含有させる場合には、最終的に得られる誘電体セラミックスに、例えばＷＯ3，ＣａＷＯ4，ＭｎＷＯ4，Ａｌ（ＷＯ4）3，ＭｎＯ2などの酸化物が含まれており、（４）の工程において、チタン酸マンガンを含有させる場合には、最終的に得られる誘電体セラミックスに、例えばＴｉＯ2，ＭｎＯ2などの酸化物が含まれている。このように、タングステン酸マンガンまたはチタン酸マンガンに含まれるＭｎ成分は、誘電体セラミックス中に、上述したＭｎＯ2等の酸化物として存在する。マンガンの酸化物は、Ｍｎの価数変化に伴って酸素を放出し、誘電体セラミックス内の酸素欠陥に酸素を供給することが可能となる。これにより、誘電体セラミックスのＱ値が高くなり、比誘電率の低下および共振周波数の温度依存性の悪化が抑制される。
【００５８】
また、（４）の工程において、タングステン酸マンガン又はチタン酸マンガンを含有させる場合には、最終的に得られる誘電体セラミックス中に、タングステン酸マンガン又はチタン酸マンガンが残留する場合がある。この場合、誘電体セラミックスでは、タングステン酸マンガンおよびチタン酸マンガンの結晶が、結晶粒界に存在する。タングステン酸マンガンおよびチタン酸マンガンの結晶は、ＬａＡｌＯ3とＣａＴｉＯ3を含む主結晶よりも機械的強度が高い。これにより、誘電体セラミックスの粒界の強度を向上させ、かつピンニング効果により結晶の粒成長を抑制することが可能となる。結果として、誘電体セラミックスの機械的特性を従来よりも向上させることができる。
【００５９】
なお、誘電体セラミックス中のタングステン酸マンガン又はチタン酸マンガンの含有量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、得られた粉体を塩酸などの溶液に溶解した後、ＩＰＣ発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−８１００）を用いてＷ，Ｍｎ，Ｔｉの量を測定し、それぞれを酸化物換算することにより得られる。特にＴｉの量については同時にＣａの量も測定し、Ｃａ／Ｍｎの比率からチタン酸マンガンの量を特定することができる。測定装置の誤差は、分析値をｎとするとｎ±√ｎである。
【００６０】
また、（４）の工程において、タングステン酸マンガン又はチタン酸マンガンを含有させる場合には、さらにＹｂおよびＣｅの少なくとも一方とＢｉとを含有してもよい。そして、Ｂｉを、Ｂｉ2Ｏ3換算で０．００５質量％以上０．３質量％以下含有させてもよい。この場合、従来よりもさらに高い比誘電率と、安定した共振周波数の温度依存性、および優れた強度を有する誘電体セラミックスを製造することが可能である。
【００６１】
ここで、誘電体セラミックスの比誘電率をさらに向上できる理由としては、ＹｂおよびＣｅのいずれかが誘電体セラミックス内で酸化物として存在し、その酸化物が酸素欠陥に酸素を供給することにより、酸素欠陥のより少ない誘電体セラミックスを実現することができるからである。
【００６２】
さらに、Ｂｉを添加すると安定した共振周波数の温度依存性が得られる。Ｂｉは、Ｂｉ−Ｙｂ、Ｂｉ−ＣｅおよびＢｉ−Ｙｂ−Ｃｅのいずれの組み合わせで添加しても、比誘電率の向上が望め、安定した共振周波数の温度特性が得られる。
【００６３】
Ｂｉについて、その添加量をＢｉ2Ｏ3換算で０．００５質量％以上０．３質量％以下の範囲内としたのは、０．０１質量％以上であれば、温度係数τｆおよびその安定性を向上させることができ、０．３質量％以下であれば、比誘電率εｒ，Ｑ値を殆ど低下させないからである。
【００６４】
また、ＹｂおよびＣｅの少なくとも一方とＢｉとを、Ｙｂ，Ｃｅ，およびＢｉをそれぞれＹｂ2Ｏ3換算、Ｃｅ2Ｏ3換算、およびＢｉ2Ｏ3換算で合計０．０１０質量％以上３質量％以下含有させてもよい。このように、Ｙｂ，ＣｅとＢｉとを含めた総量が０．０１０質量％以上３質量％以下であれば、最終的に得られる誘電体セラミックスの比誘電率εｒ，Ｑ値がより高くなる。
【００６５】
なお、Ｙｂ，Ｃｅ，Ｂｉの添加量については、誘電体セラミックスの一部分を機械加工により切り出し、これを粉砕して粉末状にした後、ＩＣＰ発光分光分析装置（島津製作所製ＩＣＰＳ−８１００型）により元素量を確認する方法、および誘電体セラミックスの表面を透過型電子顕微鏡により５千倍から２万倍に拡大観察した後、その任意の箇所をエネルギー分散型Ｘ線回折装置により分析し、各部の元素カウント数から、各成分の質量割合を求める方法のいずれかにより確認することができる。
【００６６】
また、第２の製造方法において、上記（１）〜（４）の工程を簡略化した製造方法によっても優れた誘電特性を有する誘電体セラミックスを製造することが可能である。具体的には、（１）の１次調合段階で、高純度の酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）、高純度の酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）および酸化チタン（ＴｉＯ2）と、高純度のタングステン酸マンガン（ＭｎＷＯ4）又はチタン酸マンガン（ＭｎＴｉＯ3）とを、それぞれ所望の割合秤量して混合し、純水を加えた後、混合原料の平均粒径が２μｍ以下となるまで１〜１００時間、ジルコニアボール等を使用したボールミルにより湿式混合を行いスラリーとする。以降の工程は上記（５）と同様の製造工程にて製造すると、誘電特性の優れた誘電体セラミックスを得ることができる。
【００６７】
この製造方法により、ＬａＡｌＯ3，ＣａＴｉＯ3の仮焼物を得てこれを粉砕する前記（１）〜（４）の製造工程を簡略化でき、上記誘電体セラミックスをより安価に製造することが可能となる。
【００６８】
なお、(１)〜（４）の製造工程を簡略化できる理由としては以下の理由がある。マンガンは、それ単独で含有すると、加熱によりＭｎ−Ａｌ化合物を生成しやすく、生成されたＭｎ−Ａｌ化合物は誘電特性を低下させる原因となる。しかし、この製造方法によれば、最初に原料を混合する段階で、マンガンがタングステン酸マンガン又はチタン酸マンガンの形で存在するため、マンガンを酸化ランタン（Ｌａ2Ｏ3）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）と混合しても、Ｍｎ−Ａｌ化合物の生成が抑制される。従って、マンガン成分をＬａ成分およびＡｌ成分と混合する際に、一旦ＬａＡｌＯ3の仮焼物を形成する必要はなく、製造工程を簡略化できる。
【００６９】
次に、本実施形態の誘電体セラミックスを使用した誘電体共振器の一例について以下に説明する。 図１に示すＴＥモ−ド型の誘電体共振器１は、金属ケース２と、その金属ケース２の内壁の相対向する位置に設けられた入力端子３及び出力端子４と、入出力端子３と出力端子４の間に設けられた誘電性部材５とを有する。金属ケース２は、軽量なアルミニウム等の金属からなる。誘電性部材５は、上述した誘電体セラミックスからなり、フィルタとして用いられる。このような誘電体共振器１において、入力端子３からマイクロ波が入力されると、マイクロ波は誘電性部材５と自由空間との境界の反射によって誘電性部材５の内部に閉じこめられ、特定の周波数で共振を起こす。そしてこの共振した信号が出力端子４と電磁界結合して金属ケース２の外部に出力される。
【００７０】
また、図示しないが、本実施形態の誘電体セラミックスを、同軸型共振器、ストリップ線路共振器、誘電体磁器共振器およびその他の共振器に適用してもよいことは勿論である。
【００７１】
さらには、入力端子３および出力端子４を誘電性部材５に直接設けてもよい。
【００７２】
また、誘電性部材５は、本実施形態の誘電体セラミックスからなる所定形状の共振媒体であるが、その形状は直方体、立方体、板状体、円板、円柱、多角柱、または、その他共振が可能な立体形状であればよい。また、入力される高周波信号の周波数は５００ＭＨｚ〜５００ＧＨｚ程度であり、共振周波数としては２ＧＨｚ〜８０ＧＨｚ程度が実用上好ましい。
【００７３】
このように、本実施形態の誘電体セラミックスは、携帯電話の基地局やＢＳアンテナに使用される種々の共振器用材料として好適に利用できる。本実施形態の誘電体セラミックスのように高いＱ値の誘電体セラミックスを誘電体共振器等に用いれば、エネルギー損失が極めて低く、低消費電力化することが可能となる。
【００７４】
また、本実施形態の誘電体セラミックスは、各種共振器用材料以外に、ＭＩＣ（Monolithic IＣ）用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料または積層型セラミックコンデンサの誘電体材料等に使用してもよい。
【実施例】
【００７５】
＜実施例１＞
Ｌａ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系材料のモル比α，β，γおよびδの値とモリブデン酸化物（ＭｏＯ3）の添加量を変えて試料を作製し、比誘電率εｒおよびＱ値を測定する試験を実施した。製造方法および特性測定方法の詳細を以下に示す。【００７６】
出発原料として、純度９９．５質量％以上のＬａ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＣａＣＯ3およびＴｉＯ2をそれぞれ準備した。【００７７】
上記各材料を表１の割合となるように秤量後、Ｌａ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3、およびＣａＣＯ3とＴｉＯ2を、それぞれ別のボールミル内に入れ、それぞれ純水を加えて、湿式混合および粉砕した。この工程では、ジルコニアボールを使用したボールミルにより、各混合物の平均粒径が２μｍ以下となるまで湿式混合および粉砕した。この１次調合により、Ｌａ2Ｏ3とＡｌ2Ｏ3との混合物、およびＣａＣＯ3とＴｉＯ2との混合物の２種類の混合物を得た。【００７８】
そして、それぞれの混合物を乾燥後、１２００℃で仮焼し、ＬａＡｌＯ3およびＣａＴｉＯ3の仮焼物を得た。【００７９】
得られた２種類の仮焼物を湿式粉砕により、ＣａＴｉＯ3およびＬａＡｌＯ3がそれぞれ１〜２μｍの平均粒径となるようにボールミルを使用して粉砕した。【００８０】
これらを混合し、さらにモリブデン成分として、市販の平均粒径１μｍの酸化モリブデンＭｏＯ3を添加し、純水を加え、１〜１００時間ジルコニアボール等を使用したボールミルにより湿式混合を行った。この２次調合により、数種類のスラリーを得た。【００８１】
そして、これらのスラリーにさらに１〜１０質量％のバインダーを加えて所定時間混合した。その後、脱水を行い、これらのスラリーをスプレードライヤーで噴霧造粒して２次原料を得た。この２次原料を金型プレス成形法によりφ２０ｍｍ，高さ１５ｍｍの円柱体に成形し成形体を得た。【００８２】
得られた成形体を大気中１５００℃〜１７００℃で１０時間保持して焼成して試料Ｎｏ．１〜３０を得た。なお、試料は焼成後に上下面と側面の一部に研磨加工を施し、アセトン中で超音波洗浄した。【００８３】
次に、これらの試料について、誘電特性を測定した。具体的には、円柱共振器法により測定周波数８００ＭＨｚで比誘電率εｒ，Ｑ値を測定した。Ｑ値は、マイクロ波誘電体において一般的に成立する（Ｑ値）×（測定周波数ｆ）＝一定の関係から、１ＧＨｚでのＱ値に換算した。【００８４】
以上のようにして得られた結果を表１に示す。なお、モリブデンの添加量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、ＩＰＣ発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−８１００）によりＭｏの値を測定し、これをＭｏＯ3に酸化物換算した合計量により求めた。また、表１の＊は、比較例を示す。【００８５】
【表１】
2010074253.tif 000003
【００８６】
表１に示すように、試料Ｎｏ．３０はモリブデンが添加されていないため、誘電率εｒが４０未満、Ｑ値が４０，０００未満の値を示した。【００８７】
また、試料Ｎｏ．１，６，７，１１，１２，１８，２１，２３については、αＬａ2ＯX・βＡｌ2Ｏ3・γＣａＯ・δＴｉＯ2の組成式におけるα，β，γ，δが上述の式（１）〜式（５）を満足しておらず、誘電率εｒが４０未満、Ｑ値が４０，０００未満の値を示した。【００８８】
これらの試料と比較して、試料Ｎｏ．２〜５，８〜１０，１３〜１７，１９，２０，２２，２４〜２９については、誘電率εｒが４０以上、Ｑ値が４０，０００以上の値を示していることが確認された。【００８９】
また、式（１）〜式（５）を満足している試料について、そのＱ値はα，β，γ，δのそれぞれの値が上限値と下限値の中間値に近いほど安定して高く、α，β，γ，δの少なくとも１つの値が上限値又は下限値に近いほど低くなる傾向が見られた。【００９０】
＜実施例２＞
次に、Ｌａ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系材料のモル比α，β，γおよびδの値とタングステン酸マンガン（ＭｎＷＯ4）の添加量を変えて試料を作製し、比誘電率εｒおよびＱ値を測定する試験を実施した。【００９１】
以上のようにして得られた結果を表２に示す。【００９２】
なお、製造方法については、モリブデン酸化物（ＭｏＯ3）の代わりにタングステン酸マンガン（ＭｎＷＯ4）を加えた以外は実施例１と同様の方法にて試料を製造した。【００９３】
また、各誘電特性についても実施例１と同様の方法を用いて測定を行っている。【００９４】
また、タングステン酸マンガンの添加量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、ＩＰＣ発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−８１００）によりＷ，Ｍｎの値を測定し、これをＭｎＷＯ4に酸化物換算した合計量により求めた。また、表２の＊は、比較例を示す。【００９５】
【表２】
2010074253.tif 000004
【００９６】
表２に示すように、試料Ｎｏ．５９はタングステン酸マンガンが添加されておらず、誘電率εｒが４０未満、Ｑ値が４０，０００未満の値を示した。【００９７】
また、試料Ｎｏ．３１，３６，３７，４１，４２，４７，４９，５２については、αＬａ2ＯX・βＡｌ2Ｏ3・γＣａＯ・δＴｉＯ2の組成式におけるα，β，γ，δが式（１）〜式（５）を満足しておらず、誘電率εｒが４０未満、Ｑ値が４０，０００未満の値を示した。【００９８】
これらの試料と比較して、試料Ｎｏ．３２〜３５，３８〜４０，４３〜４６，４８，５０，５１，５３〜５８については、誘電率εｒが４０以上、Ｑ値が４０，０００以上の値を示していることが確認された。【００９９】
また、式（１）〜式（５）を満足している試料について、そのＱ値は、α，β，γ，δのそれぞれの値が上限値と下限値の中間値に近いほど安定して高く、α，β，γ，δの少なくとも１つの値が上限値又は下限値に近いほど低くなる傾向が見られた。【０１００】
＜実施例３＞
次に、Ｌａ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系材料のモル比α，β，γおよびδの値とチタン酸マンガン（ＭｎＴｉＯ3）の添加量を変えて試料を作製し、比誘電率εｒおよびＱ値を測定する試験を実施した。【０１０１】
以上のようにして得られた結果を表３に示す。【０１０２】
なお、製造方法については、モリブデン酸化物（ＭｏＯ3）の代わりにチタン酸マンガン（ＭｎＴｉＯ3）を加えた以外は実施例１と同様の方法にて試料を製造した。【０１０３】
また、各誘電特性についても実施例１と同様の方法を用いて測定を行っている。【０１０４】
また、タングステン酸マンガンの添加量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、ＩＰＣ発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−８１００）によりＭｎ，Ｔｉの値を測定し、これをＭｎＴｉＯ3に酸化物換算した合計量により求めた。また、表３の＊は、比較例を示す。【０１０５】
【表３】
2010074253.tif 000005
【０１０６】
表３に示すように、試料Ｎｏ．８８はタングステン酸マンガンが添加されておらず、誘電率εｒが４０未満、Ｑ値が４０，０００未満の値を示した。【０１０７】
また、試料Ｎｏ．６０，６５，６６，７０，７１，７６，７８，８１については、αＬａ2ＯX・βＡｌ2Ｏ3・γＣａＯ・δＴｉＯ2の組成式におけるα，β，γ，δが式（１）〜式（５）を満足しておらず、誘電率εｒが４０未満、Ｑ値が４０，０００未満の値を示した。【０１０８】
これらの試料と比較して、試料Ｎｏ．６１〜６４，６７〜６９，７２〜７５，７７，７９，８０，８２〜８７については、誘電率εｒが４０以上、Ｑ値が４０，０００以上の値を示していることが確認された。【０１０９】
また、式（１）〜式（５）を満足している試料について、そのＱ値は、α，β，γ，δのそれぞれの値が上限値と下限値の中間値に近いほど安定して高く、α，β，γ，δの少なくとも１つの値が上限値又は下限値に近いほど低くなる傾向が見られた。【０１１０】
＜実施例４＞
モリブデンを含むＬａ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系材料における、Ｍｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａの添加量を変えて試料を作製し、比誘電率およびＱ値の変化率を測定する試験を実施した。製造方法については、２次調合時に純度９９．５質量％以上のＭｎＯ3，ＷＯ3，Ｎｂ2Ｏ5およびＴａ2Ｏ5を所望の割合添加する以外は実施例１と同様の方法により実施した。【０１１１】
なお、誘電特性εｒ，Ｑ値は実施例１と同様の測定方法を用いた。結果を表４に示す。なお、ＭｎＯ3，ＷＯ3，Ｎｂ2Ｏ5およびＴａ2Ｏ5をの添加量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、ＩＰＣ発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−８１００）によりＭｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａの値を測定し、これを上記の酸化物の組成式で換算した合計量により求められる。【０１１２】
【表４】
2010074253.tif 000006
【０１１３】
表４に示すように、全ての試料８９〜９９について、αＬａ2ＯX・βＡｌ2Ｏ3・γＣａＯ・δＴｉＯ2の組成式におけるα，β，γ，δは、式（１）〜式（５）を満足している。また、試料Ｎｏ．９０〜９３，９７〜９９については、Ｍｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａの総量は、０．０１質量％未満又は３質量％を超えている。一方、試料Ｎｏ．８９，９４〜９６については、Ｍｎ，Ｗ，ＮｂおよびＴａの総量は、０．０１質量％以上３質量％以下である。【０１１４】
表４によれば、試料Ｎｏ．８９，９４〜９６は、試料Ｎｏ．９０〜９３，９７〜９９と比較して、誘電率εｒが４３以上、Ｑ値が５０，０００以上といずれの値も高くなっていることが確認された。【０１１５】
＜実施例５＞
タングステン酸マンガンを含むＬａ−Ａｌ−Ｃａ−Ｔｉ系材料におけるＢｉ，Ｙｂ，Ｃｅの添加量を変えて試料を作製し、比誘電率およびＱ値，温度係数τｆ，τｆの変化率を測定する試験を実施した。製造方法については、２次調合時に純度９９．５質量％以上のＢｉ2Ｏ3，Ｙｂ2Ｏ3，Ｃｅ2Ｏ3を所望の割合添加する以外は実施例１と同様の方法により実施した。【０１１６】
なお、誘電特性εｒ，Ｑ値は実施例１と同様の測定方法を用い、共振周波数の温度係数τｆは、２５℃の時の共振周波数を基準にして２５〜６０℃の温度係数τｆを算出した。【０１１７】
また、前記共振周波数の温度係数について、−４０〜２０℃の間，２０〜８０℃の間のτｆ（Ａ），τｆ（Ｂ）をそれぞれ測定し、その差の絶対値である｜τｆ（Ａ）−τｆ（Ｂ）｜をτｆの変化とした。【０１１８】
結果を表５に示す。【０１１９】
なお、Ｂｉ2Ｏ3，Ｙｂ2Ｏ3，Ｃｅ2Ｏ3の添加量については、誘電体セラミックスの一部を粉砕し、ＩＰＣ発光分光分析装置（島津製作所製：ＩＣＰＳ−８１００）によりＢｉ，Ｙｂ，Ｃｅの値を測定し、これを上記の酸化物の組成式で換算した合計量により求められる。【０１２０】
【表５】
2010074253.tif 000007
【０１２１】
表５に示すように、試料Ｎｏ．１０１，１０４，１０８については、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の含有量が０．００５質量％未満又は０．３質量％を超えている。また試料Ｎｏ．１０５については、酸化イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3）、酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）の含有量の合計が０．０１０質量％未満である。また試料Ｎｏ．１１１については、酸化イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3），酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）が添加されていない。これらの試料と比較して試料Ｎｏ．１００，１０２，１０３，１０６，１０７，１０９，１１０は、誘電特性がより良好な値を示した。特に、酸化ビスマスの効果によって共振周波数の温度係数τｆの変化が小さくなった。このような誘電体セラミックスは、温度変化により特性が変化しにくいため、各国の携帯電話基地局の誘電体共振器用として好適に用いることが可能であるといえる。
【図１】
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【国際調査報告】
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