(57)【要約】本発明は、電気抵抗のより低いプリント配線板を提供することを目的とするものであり、本発明のプリント配線板は、第１絶縁層と、上記第１絶縁層上に形成されている第１導体回路と、上記第１絶縁層と上記第１導体回路との上に形成されていて、上記第１導体回路に到達する開口部を有する第２絶縁層と、上記第２絶縁層上に形成されている第２導体回路と、上記開口部内に形成されていて、上記第１導体回路と上記第２導体回路とを接続するビア導体とからなるプリント配線板であって、上記ビア導体は、少なくとも上記開口部の内壁面に形成されていて、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ又はＳｉの窒化物又は炭化物のうちの少なくとも１種を含むシード層と、上記開口部内に形成されためっき膜と、を有しており、上記めっき膜と上記第１導体回路とが少なくとも一部で直接接していることを特徴とする。
2011002022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に形成されている第１導体回路と、
前記第１絶縁層と前記第１導体回路との上に形成されていて、前記第１導体回路に到達する開口部を有する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成されている第２導体回路と、
前記開口部内に形成されていて、前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続するビア導体とからなるプリント配線板であって、
前記ビア導体は、
少なくとも前記開口部の内壁面に形成されていて、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ又はＳｉの窒化物又は炭化物のうちの少なくとも１種を含むシード層と、
前記開口部内に形成されためっき膜と、を有しており、
前記めっき膜と前記第１導体回路とが少なくとも一部で直接接していることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記めっき膜は銅からなる請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記めっき膜は前記開口部に充填されている請求項１又は２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記第１導体回路は、前記めっき膜と直接接する第１表面部と、前記シード層と直接接する第２表面部と、を有する請求項１〜３のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記シード層は、スパッタリングにより形成されている請求項１〜４のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記シード層は、前記開口部の内壁面上に形成されているＴｉＮ層と、前記ＴｉＮ層上に形成されているＴｉ層と、前記Ｔｉ層上に形成されているＣｕ層とからなる請求項１〜５のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項７】
前記第２絶縁層は、平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラーを含む請求項１〜６のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項８】
前記シード層の厚さは、１００〜２００ｎｍである請求項１〜７のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項９】
前記第１導体回路の表面のうち前記第２絶縁層に接する箇所にはＳｎを含む金属層がさらに形成されており、前記金属層上にはカップリング剤からなる被膜がさらに形成されている請求項１〜８のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１０】
前記第２絶縁層と前記第２導体回路の上に形成された樹脂層をさらに有しており、
前記第２導体回路の表面のうち前記樹脂層に接する箇所にはＳｎを含む金属層がさらに形成され、前記金属層上にはカップリング剤からなる被膜がさらに形成されている請求項１〜９のいずれかに記載のプリント配線板。
【請求項１１】
第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に第１導体回路を形成する工程と、
前記第１絶縁層上及び前記第１導体回路上に第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層の内部に、前記第１導体回路に到達する開口部を形成する工程と、
前記開口部の内壁面及び前記開口部から露出した前記第１導体回路の表面に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ又はＳｉの窒化物又は炭化物のうちの少なくとも１種を含むシード層を形成する工程と、
前記第１導体回路の表面に形成された前記シード層の少なくとも一部を除去し、前記第１導体回路の表面を露出させる工程と、
前記シード層の上及び露出させた前記第１導体回路の表面にめっきを行い、前記開口部内に、前記第１の導体回路と少なくとも一部で直接接しているめっき膜を形成する工程と、を有することを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１２】
前記シード層の少なくとも一部が露出するようにレジストマスクを形成し、露出させたシード層を除去する請求項１１に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１３】
前記シード層をスパッタリングにより形成する請求項１１又は１２に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部の内壁面上に、ＴｉＮ層と、前記ＴｉＮ層上に形成されているＴｉ層と、前記Ｔｉ層上に形成されているＣｕ層とからなるシード層を形成する、請求項１１〜１３のいずれかに記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板、及び、プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板としては、コアと呼ばれる樹脂基板の上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが交互に積層された多層プリント配線板が提案されている。そして、多層プリント配線板の層間樹脂絶縁層を介した導体回路間は、ビア導体により接続されている。【０００３】
特許文献１には、絶縁体上に窒化チタン（ＴｉＮ）薄膜が形成され、窒化チタン薄膜を下地として電極あるいは配線が形成されたビルドアップ配線基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１６８５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１は、窒化チタン薄膜を下地として電極あるいは配線が形成されたビルドアップ配線基板を模式的に示す断面図である。
図１に示すビルドアップ配線基板５１０では、ベース基板５１１及びビルドアップ樹脂層５１２の上に配線５１４が形成されており、配線５１４間がビア５１７で接続されている。
配線５１４及びビア５１７は、窒化チタン薄膜５２３及び窒化チタン薄膜５２３の上に形成された銅膜５２２とからなる。
特許文献１においては窒化チタン薄膜は絶縁体との密着性を改善し、銅膜が基板へ拡散することを防止するために設けられており、シード層として機能する。【０００６】
しかしながら、図１に示すビルドアップ配線基板のように、配線５１４及びビア５１７が、窒化チタン薄膜５２３及び銅膜５２２からなる構成であると、下層の配線５１４と上層の配線５１４の間を電気信号が通過する経路には必ず窒化チタン薄膜５２３が存在する。
そのため、下層の配線５１４と上層の配線５１４の間の電気抵抗が高くなってしまうことがある。
近年、配線の高密度化が進み、ビアの径が小さくなるにつれて、このような電気抵抗の増大が無視できなくなっており、電気抵抗のより低いプリント配線板が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは鋭意検討を行い、ビア導体を形成する部位である開口部の内壁面にシード層を設け、さらに開口部内にめっき膜を設けるとともに、上記めっき膜と下層の導体回路とが少なくとも一部で直接接触する構成を有するプリント配線板を作製した。そして、上記構成とすることにより電気抵抗の低いプリント配線板とすることができることを見出し、本発明のプリント配線板及びその製造方法を完成した。【０００８】
即ち、請求項１に記載のプリント配線板は、
第１絶縁層と、
上記第１絶縁層上に形成されている第１導体回路と、
上記第１絶縁層と上記第１導体回路との上に形成されていて、上記第１導体回路に到達する開口部を有する第２絶縁層と、
上記第２絶縁層上に形成されている第２導体回路と、
上記開口部内に形成されていて、上記第１導体回路と上記第２導体回路とを接続するビア導体とからなるプリント配線板であって、
上記ビア導体は、
少なくとも上記開口部の内壁面に形成されていて、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ又はＳｉの窒化物又は炭化物のうちの少なくとも１種を含むシード層と、
上記開口部内に形成されためっき膜と、を有しており、
上記めっき膜と上記第１導体回路とが少なくとも一部で直接接していることを特徴とする。【０００９】
請求項１に記載のプリント配線板では、ビア導体を形成するめっき膜と第１導体回路とが少なくとも一部で直接接している。両者の間にはシード層である金属が存在しないため、ビア導体と第１導体回路の間の電気抵抗が小さく、電気特性に優れる。
また、開口部の内壁面にはＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ又はＳｉの窒化物又は炭化物のうちの少なくとも１種からなるシード層が形成されている。上記シード層となる化合物は、銅イオン等の金属イオンが第２絶縁層に拡散することを防止する、いわゆるバリア性を有する。本発明のプリント配線板においては、絶縁層とビア導体が接する箇所にシード層が設けられているため、めっき膜を構成する金属イオンの拡散が防止される。【００１０】
請求項２に記載のプリント配線板では、上記めっき膜は銅からなる。
めっき膜が銅からなると、その抵抗値が低いために電気特性が特に優れたプリント配線板とすることができる。また、開口部の内壁面にシード層が設けられているため、銅イオンが第２絶縁層中に拡散することは防止される。【００１１】
請求項３に記載のプリント配線板では、上記めっき膜は上記開口部に充填されている。
めっき膜が開口部に充填された構成は、いわゆるフィルドビア構造であり、フィルドビア構造を有するとフィルドビアを介した第１導体回路と第２導体回路の接続信頼性が向上する。
また、フィルドビアの直上にフィルドビアを設けた、いわゆるスタックビア構造とすることもできるため、信号の伝送経路を短くすることができる。【００１２】
請求項４に記載のプリント配線板では、上記第１導体回路は、上記めっき膜と直接接する第１表面部と、上記シード層と直接接する第２表面部と、を有する。
このような構成であると、開口部が第１導体回路の表面から立ち上がる部分（以下、エッジ部ともいう）をシード層が覆った状態となる。そして、ビア導体を形成するめっき膜と第１導体回路とによりシード層が挟まれることにより、シード層が絶縁層に密着する。その結果、エッジ部近傍を起点として絶縁層にクラックが進展することを防止することができる。【００１３】
請求項５に記載のプリント配線板では、上記シード層は、スパッタリングにより形成されている。
シード層がスパッタリングにより形成されていると、絶縁層を粗化することなく薄膜を形成することができるため、薄膜の厚みのばらつきを小さくすることができる。【００１４】
請求項６に記載のプリント配線板では、上記シード層は、上記開口部の内壁面上に形成されているＴｉＮ層と、上記ＴｉＮ層上に形成されているＴｉ層と、上記Ｔｉ層上に形成されているＣｕ層とからなる。
ＴｉＮ層は金属イオンの拡散を防止するバリア機能を有する。また、Ｃｕ層がシード層の表面に存在していると開口部に電解銅めっき膜を形成することに適している。また、ＴｉＮ層とＣｕ層の間にＴｉ層を設けることによってＴｉＮ層とＣｕ層の間の密着性を高めることができる。【００１５】
請求項７に記載のプリント配線板において、上記第２絶縁層は、平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラーを含む。
第２絶縁層が無機フィラーを含むと、熱膨張率を低くすることができるため、熱ストレスによる絶縁層の膨脹、収縮が生じにくくなる。
また、無機フィラーの平均粒径が１．０μｍ以下であると、ビア導体用の開口を形成してデスミア処理をした後に無機フィラーが開口部の内壁面から露出したとしても、無機フィラーの露出した部分がシード層を形成する際の障害となることがほとんどない。そのため、開口部の内壁面に均一にシード層を形成することが可能となる。【００１６】
請求項８に記載のプリント配線板において、上記シード層の厚さは、１００〜２００ｎｍである。
シード層の厚さが１００〜２００ｎｍであると、銅イオンの拡散を抑制する作用をより発揮することができ、且つクイックエッチング時間を短縮することが可能となる。【００１７】
請求項９に記載のプリント配線板においては、上記第１導体回路の表面のうち上記第２絶縁層に接する箇所にはＳｎを含む金属層がさらに形成されており、上記金属層上にはカップリング剤からなる被膜がさらに形成されている。
第１導体回路の表面にＳｎを含む金属層を形成するとともに、この金属層上にカップリング剤からなる被膜を形成することによって、第１導体回路と第２絶縁層との密着性を向上させることができる。【００１８】
請求項１０に記載のプリント配線板においては、上記第２絶縁層と上記第２導体回路の上に形成された樹脂層をさらに有しており、上記第２導体回路の表面のうち上記樹脂層に接する箇所にはＳｎを含む金属層がさらに形成され、上記金属層上にはカップリング剤からなる被膜がさらに形成されている。
このような構成であると、第２導体回路とその上の樹脂層との密着性を向上させることができる。【００１９】
請求項１１に記載のプリント配線板の製造方法は、
第１絶縁層を形成する工程と、
上記第１絶縁層上に第１導体回路を形成する工程と、
上記第１絶縁層上及び上記第１導体回路上に第２絶縁層を形成する工程と、
上記第２絶縁層の内部に、上記第１導体回路に到達する開口部を形成する工程と、
上記開口部の内壁面及び上記開口部から露出した上記第１導体回路の表面に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ又はＳｉの窒化物又は炭化物のうちの少なくとも１種を含むシード層を形成する工程と、
上記第１導体回路の表面に形成された上記シード層の少なくとも一部を除去し、上記第１導体回路の表面を露出させる工程と、
上記シード層の上及び露出させた上記第１導体回路の表面にめっきを行い、上記開口部内に、上記第１の導体回路と少なくとも一部で直接接しているめっき膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。【００２０】
請求項１１に記載のプリント配線板の製造方法では、第１導体回路の表面に形成されたシード層の少なくとも一部を除去し、第１導体回路の表面を露出させる。そして露出させた第１導体回路の表面にめっきを行って、第１導体回路と少なくとも一部で直接接しているめっき膜を形成する。
このようにすることによって、ビア導体を形成するめっき膜と第１導体回路が少なくとも一部で直接接した構造を有するプリント配線板を製造することができる。このため、ビア導体と第１導体回路の間において電気抵抗の低いプリント配線板を得ることが可能となる。【００２１】
請求項１２に記載のプリント配線板の製造方法においては、上記シード層の少なくとも一部が露出するようにレジストマスクを形成し、露出させたシード層を除去する。
シード層の一部が露出するようにレジストマスクを形成することで、露出させたシード層をエッチング等の手法によって除去することができる。【００２２】
請求項１３に記載のプリント配線板の製造方法においては、上記シード層をスパッタリングにより形成する。
シード層をスパッタリングにより形成する場合には、絶縁層を粗化することなく薄膜を形成することができるため、薄膜の厚みのばらつきを小さくすることができる。【００２３】
請求項１４に記載のプリント配線板の製造方法においては、上記開口部の内壁面上に、ＴｉＮ層と、上記ＴｉＮ層上に形成されているＴｉ層と、上記Ｔｉ層上に形成されているＣｕ層とからなるシード層を形成する。
請求項１４に記載の方法によると、バリア機能を有するＴｉＮ層を第２絶縁層に接する部位に設け、かつ、シード層の上にめっき膜を形成することに適したＣｕ層をシード層の表面に設けることができる。そして、ＴｉＮ層とＣｕ層の間にＴｉ層を設けることによってＴｉＮ層とＣｕ層の間の密着性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、窒化チタン薄膜を下地として電極あるいは配線が形成されたビルドアップ配線基板を模式的に示す断面図である。
【図２】図２Ａは、第一実施形態に係るプリント配線板を模式的に示す断面図であり、図２Ｂは、図２Ａに示したプリント配線板の領域ａを示す部分拡大断面図である。図２Ｃは、図２Ａに示したプリント配線板の領域ｂを示す部分拡大断面図である。
【図３】図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ及び図３Ｇは、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅ、図５Ｆ及び図５Ｇは、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す部分拡大断面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図７】図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、ビア導体の抵抗値を推定する方法を模式的に示した断面図である。
【図９】図９は、第二実施形態に係るプリント配線板を模式的に示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明のプリント配線板の別の実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を説明する。
（第一実施形態）
ここでは、第一実施形態に係るプリント配線板及びその製造方法を説明する。
図２Ａは、第一実施形態に係るプリント配線板を模式的に示す断面図であり、図２Ｂは、図２Ａに示したプリント配線板の領域ａを示す部分拡大断面図である。図２Ｃは、図２Ａに示したプリント配線板の領域ｂを示す部分拡大断面図である。
【００２６】
図２Ａに示すプリント配線板１０は、絶縁性基板１１と、絶縁性基板１１上に形成されていて層間樹脂絶縁層（１１１、２１１）と導体回路（１４、１１４、２１４）とが交互に形成されてなるビルドアップ層とを有している。
【００２７】
絶縁性基板１１の両面には、導体回路１４と層間樹脂絶縁層１１１とが形成されている。絶縁性基板１１の両面に形成された導体回路１４間は、絶縁性基板１１の内部に形成されたスルーホール導体１９により電気的に接続されている。
導体回路１４と導体回路１１４とは、層間樹脂絶縁層１１１の内部に形成されているビア導体１７を介して電気的に接続されている。導体回路１１４と導体回路２１４とは、層間樹脂絶縁層２１１の内部に形成されているビア導体１１７を介して電気的に接続されている。
また、スルーホール導体１９の内部には樹脂充填材２０が充填されている。そして、樹脂充填材２０を覆う導体回路１４が形成されている。
ビルドアップ層の最外層には、ソルダーレジスト層３１１が形成されている。
最外層の導体回路２１４上には、半田パッド３２６を介して半田バンプ３２７が形成されている。
また、層間樹脂絶縁層１１１及び層間樹脂絶縁層２１１には、平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラー３００が含まれている。
上記無機フィラーとしては、特に限定されるものではないが、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物等が挙げられる。これらの化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
特に、無機フィラーとしてシリカを用いることが望ましい。
【００２８】
上記構成のプリント配線板１０において、絶縁性基板１１、層間樹脂絶縁層１１１及び層間樹脂絶縁層２１１は絶縁層であり、第１絶縁層又は第２絶縁層として機能する。
本明細書においては、上下に隣接する２つの絶縁層に着目して、内側（絶縁性基板１１に近い側）に位置する絶縁層、又は、絶縁性基板１１そのものを第１絶縁層と定め、外側（プリント配線板１０の表面に近い側）に位置する絶縁層を第２絶縁層と定める。
すなわち、絶縁性基板１１と層間樹脂絶縁層１１１の関係に着目すると、絶縁性基板１１が第１絶縁層であり、層間樹脂絶縁層１１１が第２絶縁層である。
一方、層間樹脂絶縁層１１１と層間樹脂絶縁層２１１の関係に着目すると、層間樹脂絶縁層１１１が第１絶縁層であり、層間樹脂絶縁層２１１が第２絶縁層である。
【００２９】
上記構成のプリント配線板１０において、導体回路１４、導体回路１１４及び導体回路２１４は第１導体回路又は第２導体回路として機能する。
本明細書においては、上下に隣接する２つの導体回路に着目して、内側（絶縁性基板１１に近い側）に位置する導体回路を第１導体回路と定め、外側（プリント配線板１０の表面に近い側）に位置する導体回路を第２導体回路と定める。
すなわち、導体回路１４と導体回路１１４の関係に着目すると、導体回路１４が第１導体回路であり、導体回路１１４が第２導体回路である。
一方、導体回路１１４と導体回路２１４の関係に着目すると、導体回路１１４が第１導体回路であり、導体回路２１４が第２導体回路である。
【００３０】
図２Ｂには、導体回路１４（第１導体回路）と導体回路１１４（第２導体回路）を接続するビア導体１７の近傍の様子を示している。
絶縁性基板１１（第１絶縁層）上の導体回路１４は、銅箔、無電解銅めっき膜及び電解銅めっき膜等の導体からなる。図２Ｂではこれらの導体を区別せずに１層の導体回路１４として示している。
導体回路１４はビア導体１７を介して導体回路１１４に接続されている。ここで、ビア導体１７は、層間樹脂絶縁層１１１（第２絶縁層）に形成された開口部１６の内壁面に接する部分に形成されたシード層３２と、開口部１６のその他の部分に充填された電解銅めっき膜３３からなる。ビア導体１７は、いわゆるフィルドビア構造である。
【００３１】
導体回路１１４（第２導体回路）は、層間樹脂絶縁層１１１上に形成されているシード層１２２とシード層１２２上の電解銅めっき膜１２３とからなる。導体回路１１４（第２導体回路）はビア導体１７を介して導体回路１４（第１導体回路）と接続されている。
【００３２】
導体回路１４の表面（開口部１６によって露出されている露出面）１４ａは、ビア導体を形成する電解銅めっき膜３３と直接接している第１表面部１４ｂと、ビア導体を形成するシード層３２と直接接している第２表面部１４ｃとを有する。
つまり、ビア導体１７を構成するめっき膜（電解銅めっき膜３３）と導体回路１４とは第１表面部１４ｂで直接接続されていることとなる。
【００３３】
このように、導体回路１４の表面には、ビア導体１７の一部を構成しているシード層３２を介することなく、電解銅めっき膜３３の一部が直接接している。すなわち、ビア導体１７を形成する電解銅めっき膜と導体回路１４を形成する電解銅めっき膜とが接続されている。そのため、導体回路１４とビア導体１７の間の電気抵抗が小さく、本実施形態のプリント配線板１０は電気特性に優れる。
【００３４】
また、導体回路１４の露出面１４ａ上にビア導体１７を構成する電解銅めっき膜３３が直接形成されるので、導体回路１４とビア導体１７との間での剥離が発生しにくい。そのため、導体回路とビア導体との接続信頼性が向上する。
また、導体回路１４とビア導体１７とが電解銅めっき膜同士で接続されているため、両者の接続強度も優れることとなる。
【００３５】
シード層３２は、層間樹脂絶縁層１１１（第２絶縁層）に形成された開口部１６の内壁面に接する部分に形成されている。本実施形態ではシード層３２は開口部１６の内壁面上に形成されているＴｉＮ層と、ＴｉＮ層上に形成されているＴｉ層と、Ｔｉ層上に形成されているＣｕ層とからなる。
このシード層３２を形成するＴｉＮ層により、電解銅めっき膜３３に含まれる銅イオンが層間樹脂絶縁層１１１内に拡散することが防止される。
シード層の好ましい厚さは、シード層を構成する各層の厚さの合計で１００〜２００ｎｍである。例えば、ＴｉＮ層の厚さは約６０ｎｍ、Ｔｉ層の厚さは約２０ｎｍ、Ｃｕ層の厚さは約１００ｎｍである。
【００３６】
シード層３２は、導体回路１４の表面１４ａの一部である第２表面部１４ｃとも接している。そして、開口部１６が導体回路１４の表面１４ａから立ち上がる部分１６ａ（エッジ部）をシード層３２が覆っている。
そして、シード層３２の上には電解銅めっき膜３３が充填されている。
このようにシード層３２が導体回路１４と電解銅めっき膜３３とで挟まれることにより、シード層３２が層間樹脂絶縁層１１１に密着する。その結果、エッジ部１６ａを起点として層間樹脂絶縁層１１１内にクラックが生じることが防止される。
【００３７】
図２Ｃには、導体回路１１４（第１導体回路）と導体回路２１４（第２導体回路）を接続するビア導体１１７の近傍の様子を示している。
層間樹脂絶縁層１１１（第１絶縁層）上の導体回路１１４は、シード層１２２とシード層１２２上の電解銅めっき膜１２３とからなる。
導体回路１１４はビア導体１１７を介して導体回路２１４に接続されている。ここで、ビア導体１１７は、層間樹脂絶縁層２１１（第２絶縁層）に形成された開口部１１６の内壁面に接する部分に形成されたシード層１３２と、開口部１１６のその他の部分に充填された電解銅めっき膜１３３からなる。ビア導体１１７は、いわゆるフィルドビア構造である。
なお、図２Ｃに示す部位に着目する場合には、図２Ｂに示す部位に着目する場合と異なり、導体回路１１４は第１導体回路として機能し、層間樹脂絶縁層１１１は第１絶縁層として機能する。
【００３８】
導体回路２１４（第２導体回路）は、層間樹脂絶縁層２１１上に形成されているシード層２２２とシード層２２２上の電解銅めっき膜２２３とからなる。導体回路２１４（第２導体回路）はビア導体１１７を介して導体回路１１４（第１導体回路）と接続されている。
【００３９】
図２Ｃに示した部位において、第１導体回路、ビア導体及び第２導体回路の位置関係は、図２Ｂに示した部位と同様であり、導体回路１１４の露出面１１４ａ上にビア導体１１７を形成する電解めっき膜１３３の一部が直接接している。すなわち、ビア導体１１７を形成する電解銅めっき膜と導体回路１１４を形成する電解銅めっき膜とが接続されている。そのため、導体回路１１４とビア導体１１７の間の電気抵抗が小さく、本実施形態のプリント配線板１０は電気特性に優れる。
また、開口部１１６の内壁面はシード層１３２で覆われている。このシード層１３２を形成するＴｉＮ層により、電解銅めっき膜１３３に含まれる銅イオンが層間樹脂絶縁層２１１内に拡散することが防止される。
【００４０】
次に、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法を工程順に説明する。
図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ、図３Ｆ、図３Ｇ及び図４は、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
（１）図３Ａに示すような絶縁性基板１１を出発材料とし、まず、該絶縁性基板上に導体回路を形成する。
上記絶縁性基板としては特に限定されず、例えば、心材としてガラス繊維を有する基板（ガラスエポキシ基板等）、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板、銅張積層板、ＲＣＣ基板等の樹脂基板、窒化アルミニウム基板等のセラミック基板、シリコン基板等が挙げられる。図３Ａには、絶縁性基板１１に銅箔１８がラミネートされた基板を示している。
【００４１】
上記導体回路は、例えば、上記絶縁性基板の表面に無電解銅めっき処理を施し、続いて電解銅めっき処理を施す等により銅からなるベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。
このような電解銅めっき膜を形成することにより、上記絶縁性基板上に形成する導体回路の上面が電解銅めっき膜で構成されることとなる。そのため、後工程の電解銅めっき処理を経てビア導体を形成した際に、導体回路とビア導体とが電解銅めっき膜同士で接続されることとなり、両者の間の電気特性が優れたものとなる。
また、上記絶縁性基板を挟んだ導体回路間を接続するためのスルーホール導体を形成してもよい。
【００４２】
図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄ、図３Ｅ及び図３Ｆには、スルーホール導体及び導体回路を形成する工程の一例を模式的に示している。
まず、図３Ｂに示すように、ドリル等を用いて基板に貫通孔２９を形成する。
続いて、図３Ｃに示すように、銅箔１８上と貫通孔２９の内壁表面とに無電解銅めっき処理と電解銅めっき処理とを施し、無電解銅めっき膜と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜とからなるスルーホール導体１９を含む導体層を形成する。
続いて、図３Ｄに示すように、スルーホール導体１９の内部に樹脂充填材２０を充填する。
続いて、図３Ｅに示すように、基板表面及び樹脂充填材２０の表面に無電解銅めっき及び電解銅めっきを行い、導体層２１を形成する。
続いて、図３Ｆに示すように、エッチング処理を行い所定の部位に導体回路１４を形成する。
なお、図３Ｆ以降の図面では、銅箔、無電解銅めっき膜及び電解銅めっき膜からなる導体回路１４をまとめて１つの層で示している。
また、導体回路を形成した後には、必要に応じて、導体回路の表面をエッチング処理等により粗化面としてもよい。
【００４３】
（２）次に、図３Ｇに示すように、導体回路１４を形成した絶縁性基板１１上に、層間樹脂絶縁層１１１を形成する。
上記層間樹脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂とを含む樹脂複合体等を用いて形成すればよい。
具体的には、まず、未硬化の樹脂をロールコータ、カーテンコータ等により塗布したり、樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより樹脂層を形成する。その後、必要に応じて、硬化処理を施すとともに、レーザ処理や露光現像処理により上記開口部を形成することにより、上記開口部を有する層間樹脂絶縁層を形成する。
また、上記熱可塑性樹脂からなる層間樹脂絶縁層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成すればよい。
また、これらの層間樹脂絶縁層の材料に平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラーが含まれていることが望ましい。
さらに、図４に示すように、この層間樹脂絶縁層１１１に、導体回路１４の表面１４ａに到達する開口部１６を形成する。
【００４４】
（３）次に、上記層間樹脂絶縁層の表面（上記開口部の壁面を含む）に、スパッタリングによりシード層を形成し、シード層の一部を除去し、さらに電解銅めっきを行ってビア導体を形成する。この工程について拡大断面図を用いて詳しく説明する。
【００４５】
以下、開口部１６の近傍、図４で領域ｃで示した部位にビア導体を形成する工程について説明する。
図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、図５Ｄ、図５Ｅ、図５Ｆ及び図５Ｇは、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す部分拡大断面図である。
初めに、図５Ａに示すように層間樹脂絶縁層１１１に開口部１６が形成され、導体回路１４の表面１４ａが開口部１６から露出している基板を準備する。そして、この基板に対してＴｉＮ層、Ｔｉ層、Ｃｕ層の順にスパッタリング処理を行い、図５Ｂに示すようにシード層３２を形成する。
スパッタリングによるＴｉＮ層の形成は、Ｔｉをターゲットとするスパッタリング装置を用い、雰囲気ガスを窒素とすることによって行うことができる。Ｔｉ層の形成は、同じくＴｉをターゲットとするスパッタリング装置を用い、雰囲気ガスをアルゴンとすることによって行うことができる。なお、ＴｉＮ層の形成とＴｉ層の形成は、雰囲気ガスを切り換えることによって一つの装置を用いて同一のターゲットを用いて行うことができる。
スパッタリングによるＣｕ層の形成は、ターゲットをＣｕに変更して、雰囲気ガスをアルゴンとすることによって行うことができる。
図５Ｂには、ＴｉＮ層、Ｔｉ層及びＣｕ層からなるシード層をまとめて一層のシード層３２として示している。
【００４６】
続いて、図５Ｃに示すように、導体回路１４の表面１４ａの上に位置するシード層３２の一部のみが露出したままとなるように、その他の部分にレジストマスク１５０を形成する。
レジストマスクの種類は特に限定されず、市販の液状レジストが挙げられる。
【００４７】
次に、図５Ｄに示すように、シード層３２の露出させた部分をエッチングによって除去し、導体回路１４の表面１４ａを露出させる。
エッチングの方法としては、硫酸及び過酸化水素水を含有するエッチング液を用いてＣｕ層をエッチングし、続いて水酸化カリウム及び過酸化水素水を含有するエッチング液を用いてＴｉ層及びＴｉＮ層をエッチングするウエットエッチング法が挙げられる。又は、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）によるドライエッチング法が挙げられる。
【００４８】
次に、図５Ｅに示すように、レジストマスク１５０を剥離する。
続いて、図５Ｆに示すように層間樹脂絶縁層１１１上の所定の位置にめっきレジスト１６０を形成する。
上記めっきレジストは、導体回路及びビア導体を形成しない部分に形成する。
上記めっきレジストを形成する方法は特に限定されず、例えば、感光性ドライフィルムを貼り付けた後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
【００４９】
次に、シード層３２上のめっきレジスト１６０を形成しなかった部位、及び、導体回路１４の露出させた表面１４ａ上に電解銅めっきを行う。この電解銅めっきにより、開口部１６に電解銅めっき膜３３を充填する。
導体回路１４の露出させた表面１４ａにはシード層３２が存在していないので、導体回路１４の表面１４ａと電解銅めっき膜３３がシード層３２を介することなく直接接続される。
ここで、上記電解銅めっきは、従来公知の方法により行えばよい。
また、上記電解銅めっき膜の厚さは５〜２０μｍが望ましい。
なお、この工程では、シード層３２及び導体回路１４の露出面１４ａが、電解銅めっきにおけるシード層として機能することとなる。
【００５０】
次に、図５Ｇに示すように、層間樹脂絶縁層１１１上のめっきレジスト１６０を剥離する。
上記めっきレジストの剥離は、例えば、アミンを含有するアルカリ水溶液等を用いて行えばよい。
次に、上記めっきレジストを剥離することにより露出したシード層をエッチング液を用いて除去する。
【００５１】
上記工程によって、開口部１６内にビア導体１７が形成される。そして、ビア導体１７と一体化された導体回路１１４が同時に形成される。そして、導体回路１１４（第２導体回路）と導体回路１４（第１導体回路）がビア導体１７を介して接続される。
【００５２】
（４）さらに、必要に応じて、さらに層間樹脂絶縁層を形成する工程、層間樹脂絶縁層に開口部を形成する工程、ビア導体及び導体回路を形成する工程を行う。
図６Ａ及び図６Ｂは、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
図６Ａは、上記工程（１）〜（３）によってビア導体１７及び導体回路１１４を形成する工程までを行った基板を模式的に示している。
この基板に対し、上記工程（２）、（３）と同様に層間樹脂絶縁層を形成する工程、層間樹脂絶縁層に開口部を形成する工程、ビア導体及び導体回路を形成する工程を行うことによって、図６Ｂに示すように上層の層間樹脂絶縁層２１１、ビア導体１１７及び導体回路２１４を形成することができる。
【００５３】
（５）最後に、ソルダーレジスト層と半田バンプとの形成を行い、プリント配線板を完成する。
図７Ａ、図７Ｂ及び図７Ｃは、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
まず、図７Ａに示すように、最上層の導体回路２１４を含む層間樹脂絶縁層２１１上に、ロールコータ法等によりソルダーレジスト組成物を塗布し、レーザ処理、露光、現像処理等による開口処理を行い、硬化処理等を行うことにより、ソルダーレジスト層３１１を形成する。
次に、図７Ｂに示すように、ソルダーレジスト層３１１に開口３２８を形成する。
続いて、図７Ｃに示すように開口３２８に半田パッド３２６及び半田バンプ３２７を形成することによりプリント配線板１０の製造を終了する。
【００５４】
以下、第一実施形態に係るプリント配線板及びプリント配線板の製造方法の作用効果について列挙する。
（１）本実施形態に係るプリント配線板では、ビア導体を形成するめっき膜と第１導体回路とが少なくとも一部で直接接している。両者の間にはシード層としての異種金属が存在しないため、ビア導体と第１導体回路の間の電気抵抗が小さく、電気特性に優れる。
【００５５】
（２）本実施形態に係るプリント配線板では、絶縁層とビア導体が接する箇所である第２絶縁層の開口部の内壁面に、ＴｉＮを含むシード層が設けられているため、めっき膜を構成する銅イオンの拡散が防止される。
【００５６】
（３）本実施形態に係るプリント配線板では、めっき膜が開口部に充填されたいわゆるフィルドビア構造を有するため、フィルドビアを介した第１導体回路と第２導体回路の接続信頼性が向上する。
【００５７】
（４）本実施形態に係るプリント配線板では、開口部が導体回路の表面から立ち上がる部分（エッジ部）をシード層が覆っている。
ビア導体を形成するめっき膜と第１導体回路とによりシード層が挟まれることにより、シード層が絶縁層に密着する。その結果、エッジ部を起点として層間樹脂絶縁層内にクラックが生じることが防止される。
【００５８】
（５）本実施形態に係るプリント配線板では、シード層は、開口部の内壁面上に形成されているＴｉＮ層と、ＴｉＮ層上に形成されているＴｉ層と、Ｔｉ層上に形成されているＣｕ層とからなる。
ＴｉＮ層は金属イオンの拡散を防止するバリア機能を有する。また、Ｃｕ層がシード層の表面に存在していると開口部に電解銅めっき膜を形成することに適している。また、ＴｉＮ層とＣｕ層の間にＴｉ層を設けることによってＴｉＮ層とＣｕ層の間の密着性を高めることができる。
【００５９】
（６）本実施形態に係るプリント配線板の製造方法では、第１導体回路の表面に形成されたシード層の少なくとも一部を除去し、第１導体回路の表面を露出させる。そして露出させた第１導体回路の表面に電解銅めっきを行って、第１導体回路と少なくとも一部で直接接しているめっき膜を形成する。
このようにすることによって、めっき膜と第１導体回路が少なくとも一部で直接接した構造を有するプリント配線板を製造することができる。そして、製造されたプリント配線板は、めっき膜と第１導体回路の間にシード層である金属を有さないため、めっき膜と第１導体回路の間の電気抵抗の低いプリント配線板となる。
【００６０】
（７）本実施形態に係るプリント配線板の製造方法では、シード層をスパッタリングにより形成する。
シード層をスパッタリングにより形成する場合には、絶縁層を粗化することなく薄膜を形成することができるため、薄膜の厚みのばらつきを小さくすることができる。そして、エッチングにより余計な薄膜が残ることなく薄膜をエッチングすることができるため、ショートが防止される。
【００６１】
（８）本実施形態のプリント配線板の製造方法では、層間樹脂絶縁層に平均粒径１．０μｍ以下の無機フィラーが含まれている。無機フィラーの平均粒径が１．０μｍ以下であると、デスミア処理をした後の開口部の内壁面に無機フィラーが過剰に飛び出して残ることが防止される。
無機フィラーが過剰に飛び出していると、スパッタリングによって開口部にシード層を形成する際に、飛び出した無機フィラーの陰になる部分に成膜することが困難になる。しかしながら、本実施形態では無機フィラーの過剰な飛び出しが防止されるため、シード層を開口部に均一に追従させて形成することができる。
そして、シード層が開口部に均一に追従されていると、ビア導体を形成する際のめっきの充填性を向上させることが可能となる。さらに、ビア導体の側面全体に亘ってシード層が形成されることで、層間樹脂絶縁層への銅イオンの拡散を効果的に抑制することができる。
【００６２】
以下に実施例を掲げて、第一実施形態について、さらに詳しく説明するが、本発明の実施形態はこれら実施例のみに限定されるものではない。
（実施例１）
【００６３】
Ａ．樹脂充填材の調製
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒子径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ１１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【００６４】
Ｂ．プリント配線板の製造
（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂からなる絶縁性基板の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした。
次に、この銅張積層板をドリル削孔し、スルーホール導体用の貫通孔を形成した。
【００６５】
次に、銅箔上と貫通孔の内壁表面とに無電解銅めっき処理と電解銅めっき処理とを施し、無電解銅めっき膜と無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜とからなるスルーホール導体を含む導体層を形成した。
【００６６】
（２）次に、スルーホール導体を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ２（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ３ＰＯ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ４（６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール導体の表面を粗化面とした。
【００６７】
（３）次に、スルーホール導体の内部に、上記Ａに記載した樹脂充填材を下記の方法で充填した。
すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール導体内に樹脂充填材を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させた。続いて、基板の片面を、♯６００のベルト研磨紙（三共理化学社製）を用いたベルトサンダー研磨により、電解銅めっき膜上に樹脂充填材が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った。
次いで、１００℃で１時間、１２０℃で３時間、１５０℃で１時間、１８０℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填材層を形成した。
【００６８】
（４）次に、電解銅めっき膜上及び樹脂充填材上に無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜とからなる導体層を形成した。続いて、サブトラクティブ法で絶縁性基板上及び樹脂充填材上に導体回路を形成した。
【００６９】
（５）次に、上記基板を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両面にスプレーで吹き付けて、導体回路の表面をエッチングすることにより、導体回路の全表面を粗化面とした。エッチング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、及び、塩化カリウム５重量部を含むエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用した。
【００７０】
（６）次に、絶縁性基板と導体回路との上に、無機フィラーとして平均粒径１．０μｍのシリカ粒子を含有する層間樹脂絶縁層形成用フィルム（味の素社製、ＡＢＦ）を用いて層間樹脂絶縁層を形成した。
すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度６５Ｐａ、圧力０．４ＭＰａ、温度８０℃、時間６０秒の条件で積層し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させた。
【００７１】
（７）次に、層間樹脂絶縁層にＣＯ２ガスレーザにて、直径約６０μｍの開口部を形成した。この結果、開口部によって、導体回路の上面の一部（露出面）が露出された。
【００７２】
続いて、開口部にビア導体を形成する工程を行った。
（８）ターゲットをＴｉ、雰囲気ガスを窒素としてスパッタリングを行い、ＴｉＮ層を形成した。続いて、ターゲットはＴｉのままで、雰囲気ガスをアルゴンとしてさらにスパッタリングを行い、Ｔｉ層を形成した。続いて、ターゲットをＣｕに変更し、雰囲気ガスをアルゴンとしてＣｕ層を形成した。これにより膜厚がＴｉＮ＝６０ｎｍ、Ｔｉ＝２０ｎｍ、Ｃｕ＝１００ｎｍであるシード層を形成した。
【００７３】
（９）次に、液状レジストの塗布、露光、現像を行い、導体回路の表面に形成されたシード層が露出するように、その他の部分にレジストマスクを形成した。
そして、シード層の露出させた部分について、硫酸及び過酸化水素水を含むエッチング液を用いてＣｕ層をエッチングし、続いて水酸化カリウム及び過酸化水素水を含むエッチング液を用いてＴｉ層及びＴｉＮ層をエッチングすることによって除去し、導体回路の表面を露出させた。 
【００７４】
（１０）次に、レジストマスクを市販のエッチング液を用いて剥離した。
さらに、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、露光、現像することにより、導体回路及びビア導体を形成しない位置に厚さ２５μｍのめっきレジストを設けた。
【００７５】
（１１）次に、めっきレジストを設けた基板を５０℃の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、開口部内にめっき膜を充填するとともに層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成した。
〔電解銅めっき液〕
硫酸            １５０ｇ／Ｌ
硫酸銅          １５０ｇ／Ｌ
塩素イオン        ８ｍｇ／Ｌ
添加剤            ４ｍｌ／Ｌ（奥野製薬工業社製、トップルチナＮＳＶ−１）
０．５ｍｌ／Ｌ（奥野製薬工業社製、トップルチナＮＳＶ−２）
１ｍｌ／Ｌ（奥野製薬工業社製、トップルチナＮＳＶ−３）
〔電解めっき条件〕
電流密度          １Ａ／ｄｍ２
時間                ９０分
温度                ２３℃
開口部内に形成しためっき膜の一部は、下層の導体回路の表面と直接接していた。
【００７６】
（１２）次に、めっきレジストを剥離除去した。さらに、めっきレジストの剥離により露出したシード層を硫酸及び過酸化水素水を含むエッチング液、並びに、水酸化カリウム及び過酸化水素水を含むエッチング液を用いて除去した。
上記工程によってビア導体及び導体回路を形成した。
【００７７】
（１３）さらに、上記（５）の工程で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いて、導体回路及びビア導体の表面を粗化面とした。次いで、上記（６）、（７）の工程と同様にして開口部を有する層間樹脂絶縁層を形成した。
【００７８】
（１４）次に、上記（８）〜（１２）の工程で用いた方法と同様の方法を用いて、導体回路とビア導体とを形成した。
【００７９】
（１５）次に、最外層の層間樹脂絶縁層及び導体回路上に、市販のソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行い、ソルダーレジスト組成物の層を形成した。
【００８０】
（１６）次に、半田バンプ形成用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト組成物の層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、半田バンプ形成用開口を形成した。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層（２０μｍ厚）を形成した。
【００８１】
（１７）次に、ソルダーレジスト層を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッドとした。
【００８２】
（１８）次に、ソルダーレジスト層に形成した半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷し、２００℃でリフローすることにより、半田バンプを形成し、プリント配線板を完成した。
【００８３】
（ビア導体の抵抗値の推定）
シード層の存在がビア導体の抵抗値に与える影響を、以下の方法で推定した。
図８Ａ及び図８Ｂは、ビア導体の抵抗値を推定する方法を模式的に示した断面図である。図８Ａはビア導体の底部全体がシード層となっているビア導体の例、図８Ｂはシード層を有さないビア導体の例を模式的に示している。
図８Ａで示すビア導体１７ａは、直径が６０μｍである円柱状である。ビア導体１７ａの底部にはシード層３２が全面に設けられており、シード層３２は下から順に厚さ６０ｎｍのＴｉＮ層３２ａ、厚さ２０ｎｍのＴｉ層３２ｂ、厚さ１００ｎｍのＣｕ層３２ｃからなる。シード層３２の上には厚さ１０μｍの電解銅めっき膜３３が設けられている。
一方、図８Ｂで示すビア導体１７ｂは、その形状がビア導体１７ａと同様であり、全体が電解銅めっき膜３３からなり、電解銅めっき膜の厚さが１０．１８μｍである。
【００８４】
ビア導体１７ａ及びビア導体１７ｂの縦方向（円柱の上面から底面方向）への抵抗値は、以下の手順で推定した。
電解銅めっき膜３３の比抵抗を１．６８Ω／ｃｍ、Ｃｕ層３２の比抵抗を１０Ω／ｃｍ、Ｔｉ層３２ｂの比抵抗を１５０Ω／ｃｍ、ＴｉＮ層３２ａの比抵抗を３００Ω／ｃｍとした。これらの比抵抗は各層と同じ材質のベタ膜を作製して、抵抗値を実測することによって求めた。
そして、ビアの径及び各層の厚みからビア導体１７ａの各層の抵抗値を計算したところ、電解銅めっき膜３３が５９μΩ、Ｃｕ層３２が４μΩ、Ｔｉ層３２ｂが１１μΩ、ＴｉＮ層３２ａが６４μΩであった。そしてビア導体１７ａ全体の抵抗値は１３７μΩであった。
一方、ビア導体１７ｂの抵抗値は、電解銅めっき膜３３が６１μΩであり、これがビア導体１７ｂ全体の抵抗値であった。
すなわち、シード層３２が存在するビア導体１７ａでは、シード層３２が存在しないビア導体１７ｂに対して抵抗値が約２．３倍となっており、抵抗値が非常に大きくなっていることが推定された。
【００８５】
そして、本発明のプリント配線板においては、ビア導体を形成するめっき膜と第１導体回路とが少なくとも一部で直接接しているため、めっき膜と第１導体回路の間の電気抵抗が小さく、電気特性に優れることが推定される。
【００８６】
（第二実施形態）
本実施形態のプリント配線板では、導体回路の表面のうち絶縁層に接する箇所にＳｎを含む金属層がさらに形成されており、上記金属層上にカップリング剤からなる被膜がさらに形成されている。
図９は、第二実施形態に係るプリント配線板を模式的に示す断面図である。
第二実施形態に係るプリント配線板２１０では、導体回路１４の表面にＳｎを含む金属層が形成され、さらに金属層上にはシランカップリング剤からなる被膜が形成されている（以下、このような金属層とこの金属層上の被膜とを併せて導体回路被覆層ともいい、図９では、導体回路被覆層１５と示す）。
また、導体回路１１４の表面にも導体回路被覆層１１５が形成されている。
なお、導体回路１４の表面及び導体回路１１４の表面のうちビア導体１７又はビア導体１１７と接する箇所には導体回路被覆層は形成されていない。
【００８７】
このように、導体回路の表面の所定の部分にＳｎを含む金属層が形成され、さらに、この金属層上にシランカップリング剤からなる被膜が形成されていると、導体回路と層間樹脂絶縁層とが、金属層及び被膜を介して、強固に密着されることとなる。
【００８８】
なお、図９には導体回路１４の表面及び導体回路１１４の表面の両方に導体回路被覆層が形成されている実施形態を示しているが、導体回路被覆層は全ての導体回路の表面に設けられている必要はなく、導体回路１４の表面又は導体回路１１４の表面のどちらか一方にのみ導体回路被覆層が設けられていてもよい。
【００８９】
上記構成を有する第二実施形態のプリント配線板は、第一実施形態のプリント配線板の製造方法において、以下のようにすることによって製造することができる。
すなわち、第一実施形態のプリント配線板の製造方法において導体回路を形成した基板（図３Ｆ参照）において、導体回路の露出している面全体（上面及び側面）にＳｎを含む金属層を形成する。Ｓｎを含む金属層を形成する方法としては、例えば、置換スズめっき法、無電解スズめっき法、電解スズめっき法、溶融スズ浸漬法等が挙げられる。
【００９０】
次に、上記金属層の上にシランカップリング剤からなる被膜を形成して導体回路被覆層を形成する。ここで、被膜の形成は、例えば、シランカップリング剤を含む溶液を導体回路表面にスプレー塗布し、その後、乾燥処理を行えばよい。
【００９１】
次に、第一実施形態の説明において説明したように層間樹脂絶縁層を形成し、層間樹脂絶縁層に開口部を形成する。
そして、開口部から露出した部分の導体回路被覆層を除去する。
金属層を除去する方法としては、過マンガン酸水溶液を用いる方法等が挙げられる。過マンガン酸水溶液を用いることにより、Ｓｎを含む金属層を確実に除去することができる。
また、レーザ処理や露光現像処理等により層間樹脂絶縁層に開口部を形成する際、及び／又は、過マンガン酸水溶液を用いる方法等により金属層を除去する際に、本工程で除去される金属層上の被膜も除去されることとなる。
【００９２】
以後は、第一実施形態のプリント配線板の製造方法における（３）以降の工程を行うことによって、プリント配線板を製造することができる。
【００９３】
以下、第二実施形態に係るプリント配線板及びプリント配線板の製造方法の作用効果について列挙する。
（９）本実施形態に係るプリント配線板では、導体回路の表面のうち絶縁層に接する箇所にはＳｎを含む金属層がさらに形成されており、上記金属層上にはカップリング剤からなる被膜がさらに形成されている。
このような構成であると、導体回路とその上の絶縁層の密着性を向上させることができる。
【００９４】
（その他の実施形態）
本発明のプリント配線板において、ビア導体はスタックビア構造となっていてもよい。
図１０は、本発明のプリント配線板の別の実施形態の一例を模式的に示す断面図である。
図１０に示すプリント配線板４１０では、ビア導体１７の直上にビア導体１１７が形成された、いわゆるスタックビア構造となっている。このようなスタックビア構造のバイアホールを有するプリント配線板では、信号伝送時間が短縮されるため、プリント配線板の高速化に対応し易く、また、導体回路の設計の自由度が向上するため、プリント配線板の高密度化に対応し易い。
【００９５】
上記各実施形態では、シード層がＴｉＮ層、Ｔｉ層、Ｃｕ層の３層からなる構成であるが、シード層の構成は上記構成に限定されるものではなく、銅イオン等の金属イオンが絶縁層に拡散することを防止する、いわゆるバリア性を有する層を少なくとも１層有していればよい。
バリア性を有する層としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ又はＳｉの窒化物又は炭化物が挙げられる。具体的には、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＺｒＣ、ＺｒＮ、ＨｆＣ、ＨｆＮ、ＶＣ、ＶＮ、ＮｂＣ、ＮｂＮ、ＴａＣ、Ｔａ４Ｎ５、Ｔａ５Ｎ６、ＴａＮ、Ｔａ２Ｎ、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４が挙げられる。
シード層は、これらのバリア性を有する層を１種類のみ有していてもよく、複数種類を有していても良い。また、シード層は上記バリア性を有する層以外の層を有していてもよい。
【００９６】
上記層間樹脂絶縁層を熱硬化性樹脂を用いて形成する場合、上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記層間樹脂絶縁層を感光性樹脂を用いて形成する場合、上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、層間樹脂絶縁層には無機フィラーが含まれていなくてもよい。
【００９７】
また、上記層間樹脂絶縁層の開口部をレーザ処理により形成する場合、上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。
なお、開口部を形成した後には、必要に応じて、デスミア処理を施してもよい。
【００９８】
プリント配線板における層間樹脂絶縁層及び導体回路の層数は、第一実施形態に示したような層数に限定されるものではなく、さらに多層であってもよい。
また、両面板ではなく片面板でもよい。
また、第一実施形態に係るプリント配線板の製造方法では、絶縁性基板の両側の層間樹脂絶縁層の総数は同数であるが、絶縁性基板の両側で総数が異なっていてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
１０、２１０、４１０  プリント配線板
１１  絶縁性基板（第１絶縁層）
１１１、２１１  層間樹脂絶縁層（第１絶縁層又は第２絶縁層）
１４、１１４、２１４  導体回路（第１導体回路又は第２導体回路）
１４ｂ  第１表面部
１４ｃ  第２表面部
１５、１１５  導体回路被覆層
１６、１１６  開口部
１７、１１７  ビア導体
３２、１３２  シード層
３２ａ  ＴｉＮ層
３２ｂ  Ｔｉ層
３２ｃ  Ｃｕ層
３３、１３３  めっき膜（電解銅めっき膜）
１５０  レジストマスク
３００  無機フィラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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