【事件の表示】
　特許第３０８９７０８号「半導体装置の製造方法」の請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０８９７０８号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］本件発明
　本件特許第３０８９７０８号（平成３年６月６日出願、平成１２年７月２１日設定登録）の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１〜３」という。）は、本件特許に係る明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】半導体基板上にＢＰＳＧ膜を形成する工程と、このＢＰＳＧ膜を熱処理し流動させて平坦化したのち直ちに前記半導体基板を温水中に浸漬するかまたは飽和水蒸気中にさらすことにより前記ＢＰＳＧ膜中のボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）の濃度を低下させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項２】半導体基板上にＢＰＳＧ膜を形成したのち熱処理し流動させて平坦化する工程と、このＢＰＳＧ膜をパターニングしコンタクト孔を形成する工程と、このコンタクト孔が形成されたＢＰＳＧ膜を有する前記半導体基板を温水中に浸漬するかまたは飽和水蒸気中にさらすことにより前記ＢＰＳＧ膜中のボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）の濃度を低下させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項３】半導体基板上にＢＰＳＧ膜を形成する工程と、このＢＰＳＧ膜上にフォトレジスト膜を形成したのちパターニングし開口部を形成する工程と、この開口部が形成されたフォトレジスト膜を有する前記半導体基板を温水中に浸漬するかまたは飽和水蒸気中にさらすことにより開口部内の前記ＢＰＳＧ膜のボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）の濃度を低下させる工程と、前記フォトレジスト膜を除去したのち前記ＢＰＳＧ膜を熱処理し流動させる工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
［２］特許異議の申立ての概要
　異議申立人木村和夫は、次の甲第１、２号証を提出して、本件発明１〜３は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜３についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、同法第１１３条第１項第２号の規定に基づいて取り消すべき旨主張している。
　
　甲第１号証：特開平２−１８１９５２号公報
　甲第２号証：特公平５−３９３３１号公報
　
［３］提出された証拠の記載事項
（１）甲第１号証
　甲第１号証の特開平２−１８１９５２号公報には、基体上の無機膜をリフローさせる平坦化方法に関する発明が第１、２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「リフロー膜としてＢＰＳＧ膜を用いる場合、アンモニア過水処理・・・等の前処理が・・・行われる。
　ところが、このような処理を行うと、ＢＰＳＧ膜がリフローしにくくなることがある。特に、洗浄効果を高めるため、処理液の液温を或る程度上昇させて前処理を行う場合に、この問題が顕著である。
　・・・
　上記問題が生じる原理は明らかではないが、前処理によりリフロー膜の組成が変化するためと考えられる。例えば、ＢＰＳＧ膜の場合、前処理により、表面層のホウ素及びリンの不純物が処理液中に溶出することにより、表面層の不純物濃度が低下し、これにより融点が上昇して、リフローしなくなるためと推定される。」（２頁左上欄１５行〜右上欄末行）
　「本実施例におけるこの無機膜形成工程Ｉでは、第２図（ａ）に示すように、・・・基体１上に、ＢＰＳＧを堆積して、不純物含有無機膜（ＢＰＳＧ膜）２とした。・・・この無機膜２を段差を緩和する平坦化用のリフロー膜として用いるのである。
　次に本実施例では、・・・コンタクトホールホールを形成するための、レジストパターニング工程ＩＩを行う。・・・第２図（ｄ）に示すように、・・・コンタクトホール４を形成する。その後、レジスト除去工程ＩＩａを行って、残余のレジストを除去し、第２図（ｅ）のようにする。
　ここで、レジスト除去工程ＩＩａにおいては、・・・必ずしもレジストを充分に・・・除去されないので、前処理工程ＩＩＩとして、洗浄を行う。
　本実施例において、洗浄のための前処理としては、アンモニア過水処理・・・等の処理を行うことができ、・・・。例えば、具体的には、６０℃のアンモニア過水処理を行った後、常温の塩酸過水処理で、洗浄を行うようにすることができる。・・・
　次に、無機膜２の表面除去工程ＩＶを行う。本実施例では、無機膜であるＢＰＳＧ膜を、・・・僅かにエッチング・・・することにより、該無機膜２の表面層のみを除去する。
　・・・
　次に、リフロー工程Ｖを行う。具体的には、拡散炉に入れて加熱することにより無機膜２をリフローさせた。・・・
　即ち、上記表面除去工程ＩＶで無機膜２の表面が除去されているので、前処理において、高温にした処理液により洗浄されることにより無機膜２の表面が変質し、リフローしにくくなっていた場合でも、該表面層が除去されたため、それによる問題が生じることなく、無処理のリフローを行うときと同様にして、ＢＰＳＧのリフロー温度である約９００℃でリフローが達成できるのである。」（２頁右下欄末行〜右下欄２行）
　
（２）甲第２号証
　甲第２号証の特公平５−３９３３１号公報には、コンタクト孔の形成後の熱処理による層間絶縁膜（例えばＢＰＳＧ膜）からコンタクト孔内への不純物のドーピングを防止するための半導体装置の製造方法に関する発明が、第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「半導体基板の全面にシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上に不純物を高濃度に含有するシリカガラス膜を堆積形成する。続いて、第１の熱処理を行なうとともに上記シリカガラス膜上に第１の絶縁膜を形成し、・・・第１の絶縁膜、シリカガラス膜及びシリコン酸化膜に電極取出し用のコンタクト孔を開孔する。次に、全面に第２の絶縁膜を堆積形成し、異方性エッチングを行なってこの第２の絶縁膜を除去することにより上記コンタクト孔の側壁に露出された上記シリカガラス膜の表面を第２の絶縁膜で被覆する。そして、第２の熱処理を行うようにしている。」（２頁右欄１３〜２６行）
　「不純物が高濃度に含有されたシリカガラス膜をこの膜の下面に形成したシリコン酸化膜、上面に形成した第１の絶縁膜、及びコンタクト孔の側壁部に残存させた第２の絶縁膜で覆った状態で熱処理（第２の熱処理）するので、上記シリカガラス膜中に含有された不純物がコンタクト孔内の拡散層に導入されることがなく、不純物の導入によるコンタクト特性の変動を防止できる。」（２頁右欄２８〜３６行）
　「このような製造方法によれば、コンタクト孔２４の形成後に８００℃以上の高い温度で熱処理を行っても、ＢＰＳＧ膜２２はＣＶＤ・ＳｉＯ２２１、第１の絶縁膜２３、及び第２の絶縁膜２５で覆われているので、このＢＰＳＧ膜２２からコンタクト孔２４内の拡散層２０中に不純物が導入されるのを防止できる。従って、コンタクト孔２４内の拡散層２０に不純物が導入されることによるコンタクト抵抗の上昇を防止して安定なコントラクト特性が得られる。」（３頁右欄７〜１６行）
　
［４］対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された洗浄のための前処理工程は、アンモニア過水処理等を行い、そのとき液温を上昇（６０℃）させて処理することが行われ、しかも、甲第１号証には、この前処理により、ＢＰＳＧ膜の表面層のホウ素及びリンの不純物が処理液中に溶出し、表面層の不純物濃度が低下して、融点が上昇し、リフローしにくくなることが記載されていることからみて、本件発明１の「半導体基板を温水中に浸漬するかまたは飽和水蒸気中にさらすこと（以下、「温水中に浸漬する等」という。）によりＢＰＳＧ膜中のボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）の濃度を低下させる工程」に対応するものである。
　しかしながら、本件発明１は、半導体基板上のＢＰＳＧ膜を熱処理し流動させて平坦化したのち直ちに半導体基板を温水中に浸漬する等によりＢＰＳＧ膜中のボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）の濃度を低下させるのに対し、甲第１号証に記載された発明は、前処理工程の次に、基体上のＢＰＳＧ膜の表面をエッチングすることにより、洗浄によるＢＰＳＧ膜の表面の変質（これは、次工程のリフローをしにくくする。）を除去する表面除去工程を行い、次にＢＰＳＧ膜を加熱してリフローするリフロー工程を行うものである。
　すなわち、甲第１号証に記載された方法は、本件発明１の、ＢＰＳＧ膜を熱処理し流動させて平坦化したのち直ちに半導体基板を温水中に浸漬する等の工程とは逆に、前処理工程の後にエッチングを行い、次にリフロー工程を行うものであって、しかも、この順序を前提としていることからみて、リフロー工程の後に直ちに前処理工程を行うとすると、その前提が崩れることになるから、甲第１号証に記載された方法を、リフロー工程の後に直ちに前処理工程を行う方法に変更することは容易に想到することができない。
　また、甲第２号証に記載された方法は、ＢＰＳＧ膜を形成し、つづいて第１の熱処理を行なった後、第１の絶縁膜を形成し、次に、コンタクト孔を開孔しているものの、この第１の熱処理（実施例では、８００℃以上）は、本件発明１の温水中に浸漬する等の工程とは著しく相違するものであるから、本件発明１のように、ＢＰＳＧ膜を熱処理し流動させて平坦化したのち直ちに半導体基板を温水中に浸漬する等の工程を行うことは容易に想到することができない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の構成に、さらに熱処理し流動させて平坦化したＢＰＳＧ膜をパターニングしコンタクト孔を形成する工程を追加したものであるが、熱処理し流動させて平坦化する工程の後に、ＢＰＳＧ膜を有する半導体基板を温水中に浸漬する等によりＢＰＳＧ膜中のボロン（Ｂ）とリン（Ｐ）の濃度を低下させる工程を含む点では、本件発明１の工程と同じであるから、甲第２号証に記載されているように、ＢＰＳＧ膜からコンタクト孔内の不純物層へＢＰＳＧ膜の不純物がドープされることが周知の事項であるにしても、上記「（１）本件発明１について」において説示したとおり、甲第１号証に記載された方法を、リフロー工程の後に前処理工程を行う方法に変更することは容易に想到することができない。
　また、本件発明２の、熱処理し流動させて平坦化したＢＳＧ膜をパターニングしコンタクト孔を形成する上記工程は、甲第２号証に記載された上記方法と類似するものの、この方法における第１の熱処理は、上記「（１）本件発明１について」において説示したとおり、本件発明２の温水中に浸漬する等の工程とは著しく相違するものであるから、本件発明２のように、ＢＰＳＧ膜を熱処理し流動させて平坦化したのちコンタクト孔を形成し、次に半導体基板を温水中に浸漬する等の工程を行うことは容易に想到することができない。
　
（３）本件発明３について
　本件発明３と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、本件発明３は、フォトレジスト膜を有する半導体基板を温水中に浸漬する等の工程を行い、その後、このフォトレジスト膜を除去したのち露出したＢＰＳＧ膜を熱処理し流動させる工程により、ＢＰＳＧ膜を流動させても開口部だけは流動しないようにして、コンタクト穴内の側面のクビレや凹凸が発生しないようにしたものである。
　一方、甲第１号証に記載された方法は、基体上にＢＰＳＧ膜を形成し、パターニングしてコンタクトホールを形成し、その後、前処理工程を行い、次に、加熱によりリフローさせる点では本件発明３と類似するものであるが、甲第１号証に記載された方法は、レジスト除去工程によりＢＰＳＧ膜上のレジストを充分に除去し、さらにエッチング工程によりＢＰＳＧ膜の変質した表面層を除去することにより、無処理のリフローと同様の温度で、ＢＰＳＧ膜の表面層を容易にリフローするものであって、甲第１号証に記載された方法では、本件発明３のように、熱処理よりＢＰＳＧ膜を流動させても開口部だけは流動しないようにすることは容易に想到することができない。
　また、甲第２号証には、コンタクト孔の側壁部のみに第２の絶縁膜を残存させることにより、コンタクト孔内への不純物の導入によるコンタクト抵抗の上昇を防止することが記載されているものの、コンタクト孔の側壁部のみに第２の絶縁膜を残存させるだけではなく、ＢＰＳＧ膜の上面にも第１の絶縁膜が形成されているから、甲第２号証に記載された方法では、本件発明３のように、フォトレジスト膜を除去してＢＰＳＧ膜を露出させた状態で熱処理することにより、ＢＰＳＧ膜を流動させても開口部だけは流動しないようにすることは容易に想到することができない。
　
　そして本件発明１〜３は、ＢＰＳＧ膜表面やコンタクト孔側面のボロンとリンの濃度を低下させることにより、自己拡散によるコンタクト抵抗の増大や、コンタクト孔側面の凸凹によるアルミニウム配線の段切れや腐食を防止するという、特許明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１〜３は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることはできない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願についてなされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月１５日（２００２．３．１５）