(57)【要約】【課題】ねじり振動を利用した共振器において、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を有し、容易に製造可能な共振器とする。【解決手段】共振器は、平坦な主表面１ｕを有する基材１と、主表面１ｕに固定された層状のアンカ部２ａ，２ｂと、導電性を有する層状の振動付与部３と、アンカ部２ａ，２ｂの上面に対して絶縁膜５を介して接合され２次元的に展開する梁状かつ層状の振動部材４と、振動付与部３に対して電気的に接続されており、上から見て振動部材に被覆される領域の外側にまで延在している引出配線６とを備え、振動付与部３の上面３ｕは、振動部材４の下面４ｗとの間に電位差を生じさせることによって振動部材４の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、振動部材４の下面４ｗの一部に対して、絶縁膜５の厚さとほぼ等しい距離の間隙１１を介して対向している。【選択図】図２
2010147156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な主表面を有する基材と、
前記主表面に固定された層状のアンカ部と、
前記主表面に固定され、導電性を有する層状の振動付与部と、
前記アンカ部の上面に対して絶縁膜を介して接合され、２次元的に展開する梁状かつ層状の振動部材と、
前記主表面に形成され、前記振動付与部に対して電気的に接続されており、上から見て前記振動部材に被覆される領域の外側にまで延在している引出配線とを備え、
前記振動付与部の上面は、前記振動部材の下面との間に電位差を生じさせることによって前記振動部材の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、前記振動部材の下面の一部に対して、前記絶縁膜の厚さとほぼ等しい距離の間隙を介して対向している、共振器。
【請求項２】
前記アンカ部、前記振動付与部、前記絶縁膜および前記振動部材は、ＳＯＩ基板をエッチングして形成されたものである、請求項１に記載の共振器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の共振器を得るための製造方法であって、
第１，第２のシリコン層が両者の間に絶縁膜を挟み込むようにして積層されたＳＯＩ基板を用意する工程と、
前記ＳＯＩ基板において前記第１のシリコン層をエッチングすることによって前記アンカ部および前記振動付与部が残るようにパターニングする第１パターニング工程と、
前記ＳＯＩ基板において前記第２のシリコン層をエッチングすることによって２次元的に展開する梁状の振動部材が前記アンカ部および前記振動付与部と部分的に重なって残るようにパターニングする第２パターニング工程と、
前記主表面に、上から見て前記振動部材に被覆される予定の領域の外側にまで延在するように前記引出配線を設ける工程と、
前記第１，第２パターニング工程のうち少なくとも前記第１パターニング工程が済んだ前記ＳＯＩ基板を、前記アンカ部が前記主表面に接し、かつ、前記振動付与部が前記引出配線と電気的に接続されるように、前記基材に向けて貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせる工程より後に前記絶縁膜をエッチングすることによって、前記アンカ部と前記振動部材との間の前記絶縁膜を介した接続状態を維持しつつ、前記振動付与部と前記振動部材とを分離する工程とを含む、共振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体分野における微細加工技術を利用して、微細な機械構造を電子回路と一体化して形成するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術が開発されており、フィルタや共振器への応用が検討されている。【０００３】
なかでもこのようなＭＥＭＳ技術で作成されたマイクロメカニカル共振器は、リモートキーレスエントリシステム、スペクトラム拡散通信等のＲＦ無線に好適に使用される。このようなＭＥＭＳ技術で作成されたマイクロメカニカル共振器を利用したＭＥＭＳフィルタの一例が特開２００６−４１９１１号公報（特許文献１）に開示されている。この文献に記載されたＭＥＭＳフィルタ装置は、共振器を備える。この共振器に含まれる振動子は、正方形の板状のものであって、基板表面と平行で、なおかつ基板から離隔するように配置され、基板表面に連結された円柱で支持されている。共振器の各辺に対して所定間隔を隔てて対向するように形成された固定電極に交流電圧を印加することによって、この振動子と固定電極との間に静電気力が発生し、共振器が振動する仕組みとなっている。この場合、振動子の各辺の中心と角とが水平振動する。共振器同士が連結体で連結されている場合は、連結体は縦振動を伝えることとなる。【０００４】
また、半導体プロセスと親和性が高いシリコンプロセスを用いたＲＦ−ＭＥＭＳフィルタが、橋村  昭範ら、「ねじり振動を用いたＲＦ−ＭＥＭＳフィルタの開発」，信学技報，社団法人電子情報通信学会発行，IEICE Technical Report NW2005-185(2006-3)（非特許文献１）で提案されている。この文献では、小型化と高Ｑ値化の両立にねじり振動モードを利用した共振器が有効であることが紹介されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４１９１１号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】橋村  昭範ら、「ねじり振動を用いたＲＦ−ＭＥＭＳフィルタの開発」，信学技報，社団法人電子情報通信学会発行，IEICE Technical Report W2005-185(2006-3)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ねじり振動モードを利用したＭＥＭＳ共振器としては、基板上に梁状の振動部材を設置したものが考えられる。その場合、基板の表面に対して、振動部材の下面が離隔して対向するように配置される。【０００８】
このような構造を作製するためには、まず、振動部材の部分はＳｉで独自に形成される。一方、別途用意されたガラス基板の表面には導電体膜によって所望の電極パターンや引出配線が形成される。このように別々に作製された振動部材とガラス基板とが互いに陽極接合されることとなる。このとき、振動部材の下面は基板の表面に対してなるべく狭い間隙を介して対向することが望まれるが、従来、間隙を１μｍ未満とすることは困難であった。【０００９】
また、脚部と振動部材とを組み合わせた構造体を一体物として、脚部の下面と振動部材の下面との高低差が正確に１μｍ未満になるように作製できたとしても、陽極接合の工程では、数百℃の条件下で数百Ｖの電圧が印加されるので、振動部材と基板表面の電極との間で固着が生じるなどの問題があった。【００１０】
そこで、本発明は、ねじり振動モードを利用したＭＥＭＳ共振器において、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を有し、容易に製造可能な共振器を提供すること、および、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明に基づく共振器は、平坦な主表面を有する基材と、上記主表面に固定された層状のアンカ部と、上記主表面に固定され、導電性を有する層状の振動付与部と、上記アンカ部の上面に対して絶縁膜を介して接合され、２次元的に展開する梁状かつ層状の振動部材と、上記主表面に形成され、上記振動付与部に対して電気的に接続されており、上から見て上記振動部材に被覆される領域の外側にまで延在している引出配線とを備え、上記振動付与部の上面は、上記振動部材の下面との間に電位差を生じさせることによって上記振動部材の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、上記振動部材の下面の一部に対して、上記絶縁膜の厚さとほぼ等しい距離の間隙を介して対向している。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、振動付与部と振動部材との間の間隙を、ＳＯＩ基板の絶縁膜を犠牲層としてエッチングすることによって形成することができるので、きわめて狭い間隙が容易に作製可能な共振器とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における共振器の平面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における共振器の側面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第１の工程の説明図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第２の工程の説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第３の工程の説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第４の工程の説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第５の工程の説明図である。
【図８】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第６の工程の説明図である。
【図９】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第７の工程の説明図である。
【図１０】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第８の工程の説明図である。
【図１１】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第９の工程の説明図である。
【図１２】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちＳＯＩ基板側で行なう第１０の工程の説明図である。
【図１３】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第１の工程の説明図である。
【図１４】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第２の工程の説明図である。
【図１５】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第３の工程の説明図である。
【図１６】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第４の工程の説明図である。
【図１７】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうちガラス基板側で行なう第５の工程の説明図である。
【図１８】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第１の工程の説明図である。
【図１９】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第２の工程の説明図である。
【図２０】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第３の工程の説明図である。
【図２１】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第４の工程の説明図である。
【図２２】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第５の工程の説明図である。
【図２３】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第６の工程の説明図である。
【図２４】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法のうち貼合せ以降の第７の工程の説明図である。
【図２５】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法で得られる共振器の平面図である。
【図２６】本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法で得られる共振器の変形例の平面図である。
【図２７】図２６におけるＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に関する矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（実施の形態１）
（構成）
図１、図２を参照して、本発明に基づく実施の形態１における共振器について説明する。この共振器を上方から見たところを図１に示し、側方から見たところを図２に示す。この共振器１０１は、平坦な主表面１ｕを有する基材１と、この主表面１ｕに固定された層状のアンカ部２ａ，２ｂと、主表面１ｕに固定され、導電性を有する層状の振動付与部３と、アンカ部２ａ，２ｂの上面に対して絶縁膜５を介して接合され、２次元的に展開する梁状かつ層状の振動部材４と、主表面１ｕに形成され、振動付与部３に対して電気的に接続されており、上から見て振動部材４に被覆される領域の外側にまで延在している引出配線６とを備え、振動付与部３の上面３ｕは、振動部材４の下面４ｗとの間に電位差を生じさせることによって振動部材４の少なくとも一部に対してねじり振動を発生させることができるように、振動部材４の下面４ｗの一部に対して、絶縁膜５の厚さとほぼ等しい距離の間隙１１を介して対向している。引出配線６は基材１の外周縁近傍に延在している。引出配線６の外周縁近傍の先端には外部接続電極７が設けられている。
【００１５】
振動部材４は、両端に配置されたブロック状部分４ａ，４ｂと中央に配置された梁状部分４ｃとを含む。振動部材４のうち実際にねじり振動をするのは、梁状部分４ｃである。
【００１６】
（作用・効果）
このような構造であれば、振動付与部３と振動部材４との間の間隙１１を、ＳＯＩ基板の絶縁膜を犠牲層としてエッチングすることによって形成することができるので、きわめて狭い間隙が容易に作製可能な共振器とすることができる。
【００１７】
さらに、上述したアンカ部２ａ，２ｂ、振動付与部３、絶縁膜５および振動部材４は、ＳＯＩ基板をエッチングして形成されたものであることが好ましい。ＳＯＩ基板を利用して製造したものであるので、容易に作製可能な共振器であり、製造コストを下げることができる。
【００１８】
なお、ここでは基材１上に振動部材４が１つ配置されただけの単純な例を示したが、基材１の主表面１ｕにおいて振動部材の周囲を取囲む部材を設けたり、振動部材の上側をキャップのように覆う部材を設けることとしてもよい。振動部材の形状も図１に示した形状に限らず、ねじり振動モードを利用できる形状である限り、他の形状であってもよい。
【００１９】
（実施の形態２）
（製造方法）
図３〜図２５を参照して、本発明に基づく実施の形態２における共振器の製造方法について説明する。これらの図では、説明の便宜のために縦横比を誇張している。
【００２０】
この製造方法では、ＳＯＩ基板とガラス基板との両方においてそれぞれいくつかの工程を行なったのちに両者を貼り合わせる工程を含む。
【００２１】
（ＳＯＩ基板側で行なう工程）
まずＳＯＩ基板側で行なう工程について説明する。
【００２２】
図３に示すようにＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板５１を用意する。このＳＯＩ基板５１の場合、下から順にＳｉ層２１、ＳｉＯ2層２２、Ｓｉ層２３が積層されており、表裏両面に酸化膜２０ａ，２０ｂが形成されている。酸化膜２０ａ，２０ｂはＳｉＯ2の膜である。まず、フッ酸（ＨＦ）によって表裏両面の酸化膜２０ａ，２０ｂを除去し、図４に示す状態に至る。表裏両面の酸化膜が元々形成されていない場合は、フッ酸によるこの工程は不要であり、図４の状態から開始する。このＳｉ層２１の一部は、のちにアンカ部および振動付与部となる予定のものである。
【００２３】
図５に示すようにＳＯＩ基板５１の下面にＣｒ膜２４を形成する。このＣｒ膜２４をパターニングして、図６に示すようにＣｒパターン２５を形成する。このＣｒパターン２５はアンカ部、振動付与部などの形状に対応している。
【００２４】
Ｃｒパターン２５を覆うようにレジストを塗布し、図７に示すように、レジスト層２６を設ける。フォトリソグラフィを行ない、レジスト層２６をパターニングする。その結果、図８に示すようにレジストパターン２７を得る。このレジストパターン２７をマスクとしてＳｉ層２１に対して誘導結合プラズマ（Inductively Coupled Plasma）エッチング（以下「ＩＣＰエッチング」という。）を行なう。その結果、Ｓｉ層２１は部分的に除去されて図９に示す構造に至る。図１０に示すようにレジストパターン２７を除去する。Ｃｒパターン２５をマスクとしてＳｉ層２１をさらにエッチングして図１１に示す構造を得る。Ｓｉ層２１のうちＣｒパターン２５に覆われていなかった部分は覆われていた部分に比べて除去が進行して低くなっている。Ｃｒパターン２５を除去し、図１２に示す構造を得る。この構造体を硫酸過水およびフッ酸で洗浄する。なお、「硫酸過水」とは、硫酸と過酸化水素水を、硫酸と過酸化水素水との混合物である。
【００２５】
（ガラス基板側で行なう工程）
次に、共振器の基材１となるべきガラス基板を用いた工程について説明する。
【００２６】
まず、図１３に示すようにガラス基板６１を用意する。図１３に示した状態ではガラス基板６１はガラス層３１からなる。図１４に示すようにガラス基板６１の上面にＴｉ膜３２を形成する。図１５に示すようにガラス基板６１の上面にＰｔ膜３３を形成する。図１６に示すようにガラス基板６１の上面にＡｕ膜３４を形成する。こうしてガラス基板６１の上面には３種類の金属膜の積層体が出来上がる。図１７に示すように、この３種類の金属膜の積層体を、配線の形状となるようにパターニングする。
【００２７】
（貼合せ以降の工程）
図１２に示したＳＯＩ基板５１と図１７に示したガラス基板６１とを陽極接合によって貼り合わせる。こうして図１８に示す構造体を得る。
【００２８】
図１９に示すように、上面にレジストを塗布し、レジスト層４１を形成する。レジスト層４１をパターニングし、図２０に示すようにレジストパターン４２を形成する。この構造体の上面に対してレジストパターン４２をマスクとしてＩＣＰエッチングを行なう。その結果、Ｓｉ層２３が部分的に除去されて図２１に示す構造に至る。さらにレジストパターン４２を除去して図２２に示す構造に至る。Ｓｉ層２３のうち中央でアイランド状に分離された部分２３ｉはのちに振動部材４となる予定のものである。必要に応じてＳｉ層２３の全面に対してＩＣＰエッチングを行ない、厚みを調整する。
【００２９】
フッ酸（ＨＦ）により、ＳｉＯ2層２２を除去する。これにより、図２３に示す構造を得ることができる。振動付与部３においては、残っていたＳｉＯ2層２２の面積が狭かったためＳｉＯ2層２２は完全に除去され、振動付与部３と振動部材４との間に間隙１１が形成されている。他の部分においては、ＳｉＯ2層２２の面積が元々広かったため、各部分にあったＳｉＯ2層２２は外周部からいくらかは除去されて面積が縮小しているが完全に除去されるには至っていない。このように利用されるＳｉＯ2層２２は「犠牲層」とも呼ばれる。
【００３０】
図２４に示すように、上側に封止部材４３を被せる。封止部材４３は他のガラス基板を用いて別途作製しておいてもよい。また、電子部品などの封止のために「ＬＩＤ」と称して市販されている蓋部材を封止部材４３として適宜利用してもよい。ただし、封止部材４３は、下面すなわちガラス層３１の側を向く面に凹部４３ｃを有することによって、振動部材４には直接当接しない構造となっている。
【００３１】
このような製造方法を用いて作製した共振器の一例の平面図を図２５に示す。図２５では、図２４までで作製したものと寸法比、細部構造などが異なっているかもしれないが、技術的思想は共通する。図２５は封止部材４３を取り去った状態を示している。この図に示した例では、振動部材４は外壁部材８によって包囲されている。この図では平面図であるので、振動部材４の左右両端には振動部材４の一部である長方形のブロック状部分４ａ，４ｂしか見えていないが、実際にはブロック状部分４ａ，４ｂの背後には、主表面１ｕに接するようにＳｉ層からなるアンカ部２ａ，２ｂがあり、その上に絶縁膜５があり、その絶縁膜５の上側にＳｉ層からなる振動部材４が載る構造となっている。外壁部材８も主表面１ｕに近い側からＳｉ層、絶縁膜５、Ｓｉ層という積層構造になっている。外壁部材８のある構造を作製する場合は、ＳＯＩ基板５１として面積が大きなものを用い、振動部材４、アンカ部２ａ，２ｂ、振動付与部３などと同様にパターニングすることによって外壁部材８も作成することとすればよい。そのようにすればＳＯＩ基板と基材との貼合せによって、外壁部材８を備えた構造を得ることができる。
【００３２】
図２４における、Ｔｉ膜３２、Ｐｔ膜３３およびＡｕ膜３４からなる積層体は、図２５においては引出配線６および外部接続電極７として表示されている。
【００３３】
振動部材４の下側から外側に向けて主表面１ｕ上に配置されている引出配線６は外壁部材８の１ヶ所をくぐるようにして外壁部材８の外側に延在している。引出配線６は基材１の外縁近傍にまで至っており、引出配線６の終端には外部接続電極７が配置されている。図２５に示すように、引出配線６が外壁部材８の下をくぐる部分では、窒化膜９を成膜して隙間を塞いでおくことが好ましい。この場合の窒化膜９は、所定の加工を済ませたＳＯＩ基板と基材としてのガラス基板とを貼り合わせる工程の後で、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成したものである。
【００３４】
図２５において２点鎖線で示された横長の長方形は、封止部材４１の裏面に設けられた凹部４３ｃの輪郭形状を示す。
【００３５】
外壁部材８は外周部に切欠き部１０を有している。切欠き部１０においては基材１の主表面１ｕが露出しており、外部接続電極７は、切欠き部１０内に位置するように配置されている。したがって、外部接続電極７への電気的接続は切欠き部１０を利用して行なうことができる。
【００３６】
図２５に示した例では、引出配線６は梁状部分４ｃのうちねじり振動をしたときに節となる部位の真下を横切るように配置されている。この例では、節となるのは梁状部分４ｃの枝部分の中央であるので、図２５においては、振動付与部３から延在する引出配線６は梁状部分４ｃの枝部分の中央において梁状部分４ｃと交差している。
【００３７】
引出配線６の配置の仕方としては、これに限らず、たとえば図２６に示すように、梁状部分４ｃの幹部分に沿って延在し、ブロック状部分４ｂの下をくぐるように配置されてもよい。図２６におけるＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に関する矢視断面図を図２７に示す。引出配線６はブロック状部分４ｂの下面に設けられた溝の内部をくぐってブロック状部分４ｂの外側に引き出されている。その先で外壁部材８の下をくぐって外部接続電極７に至っているという点では、図２５に示した例と同じである。
【００３８】
本実施の形態における製造方法について、発明としての構成要件をまとめると以下のようになる。
【００３９】
この製造方法は、実施の形態１で説明したいずれかの共振器を得るための製造方法であって、第１，第２のシリコン層が両者の間に絶縁膜を挟み込むようにして積層されたＳＯＩ基板を用意する工程と、前記ＳＯＩ基板において前記第１のシリコン層をエッチングすることによって前記アンカ部および前記振動付与部が残るようにパターニングする第１パターニング工程と、前記ＳＯＩ基板において前記第２のシリコン層をエッチングすることによって２次元的に展開する梁状の振動部材が前記アンカ部および前記振動付与部と部分的に重なって残るようにパターニングする第２パターニング工程と、前記主表面に、上から見て前記振動部材に被覆される予定の領域の外側にまで延在するように前記引出配線を設ける工程と、前記第１，第２パターニング工程のうち少なくとも前記第１パターニング工程が済んだ前記ＳＯＩ基板を、前記アンカ部が前記主表面に接し、かつ、前記振動付与部が前記引出配線と電気的に接続されるように、前記基材に向けて貼り合わせる工程と、前記貼り合わせる工程より後に前記絶縁膜をエッチングすることによって、前記アンカ部と前記振動部材との間の前記絶縁膜を介した接続状態を維持しつつ、前記振動付与部と前記振動部材とを分離する工程とを含む。
【００４０】
図３〜図２４で説明した製造方法の例においては、ＳＯＩ基板５１に第１パターニング工程（図３〜図１２）を施したが第２パターニング工程はまだ施していない状態（図１２）で、このＳＯＩ基板５１を基材（図１７）に向けて貼り合わせる工程（図１８）を済ませ、その後で第２パターニング工程（図１９〜図２２）を行なっている。ここで、ＳＯＩ基板に第１、第２パターニング工程を両方とも施してから基材に向かって貼り合わせることとしてもよい。ただし、第２パターニング工程は貼り合わせる工程より後に行なった方が構造体を支持しやすいので好ましい。「絶縁膜をエッチングすることによって、アンカ部と振動部材との間の絶縁膜を介した接続状態を維持しつつ、振動付与部と振動部材とを分離する工程」とは、図２２から図２３にかけて行なっている工程を指す。この工程は、犠牲層である絶縁膜２２を部分的に除去する工程である。アンカ部２ａ，２ｂと振動部材４との間の絶縁膜２２を介した接続状態は維持されている一方、振動付与部３と振動部材４との間では、絶縁膜２２の除去が進んだ結果、振動付与部３と振動部材４とが分離されている。
【００４１】
（作用・効果）
本実施の形態における製造方法では、ＳＯＩ基板と基材とで別々に加工を施したものを貼り合わせ、ＳＯＩ基板に含まれる絶縁膜を犠牲層として利用して、この絶縁膜を部分的に除去することによって振動付与部と振動部材との間の間隙を形成し、共振器を構成するものであるので、基板表面と振動部材下面とが十分に狭い間隙で対向した構造を、容易に正確に作製することができる。
【００４２】
なお、上記各実施の形態では、振動部材４の平面形状が、中央の梁を挟んで両側（図１における上下）に１つずつの合計２つの長方形のフレーム構造を並べた形状（「中」の字形状）である例を示したが、振動部材４の平面形状はねじり振動を生じることができるものであれば、他の形状であってもよい。たとえば、より多くの数の長方形をつなげた形状であってもよい。
【００４３】
上記各実施の形態では、振動付与部３は１ヶ所としたが、振動付与部は１枚の基材１上で複数箇所に設けられていてもよい。
【００４４】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００４５】
１  基材、１ｕ  主表面、２ａ，２ｂ  アンカ部、３  振動付与部、３ｕ  上面、４  振動部材、４ａ，４ｂ  ブロック状部分、４ｃ  梁状部分、４ｗ  下面、５  絶縁膜、６  引出配線、７  外部接続電極、８  外壁部材、９  窒化膜、１０  切欠き部、１１  間隙、２０ａ，２０ｂ  酸化膜、２１，２３  Ｓｉ層、２２  ＳｉＯ2層、２３ｉ  部分、２４  Ｃｒ膜、２５  Ｃｒパターン、２６，４１  レジスト層、２７，４２  レジストパターン、３１  ガラス層、３２  Ｔｉ膜、３３  Ｐｔ膜、３４  Ａｕ膜、４３  封止部材、４３ｃ  凹部、５１  ＳＯＩ基板、６１  ガラス基板、１０１  共振器。
【図１】
2010147156.tif 000003
【図２】
2010147156.tif 000004
【図３】
2010147156.tif 000005
【図４】
2010147156.tif 000006
【図５】
2010147156.tif 000007
【図６】
2010147156.tif 000008
【図７】
2010147156.tif 000009
【図８】
2010147156.tif 000010
【図９】
2010147156.tif 000011
【図１０】
2010147156.tif 000012
【図１１】
2010147156.tif 000013
【図１２】
2010147156.tif 000014
【図１３】
2010147156.tif 000015
【図１４】
2010147156.tif 000016
【図１５】
2010147156.tif 000017
【図１６】
2010147156.tif 000018
【図１７】
2010147156.tif 000019
【図１８】
2010147156.tif 000020
【図１９】
2010147156.tif 000021
【図２０】
2010147156.tif 000022
【図２１】
2010147156.tif 000023
【図２２】
2010147156.tif 000024
【図２３】
2010147156.tif 000025
【図２４】
2010147156.tif 000026
【図２５】
2010147156.tif 000027
【図２６】
2010147156.tif 000028
【図２７】
2010147156.tif 000029
【国際調査報告】
2010147156.tif 000030
2010147156.tif 000031
2010147156.tif 000032
2010147156.tif 000033