【事件の表示】
　特許第３０１２８１６号「樹脂封止型半導体装置およびその製造方法」の請求項１〜１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１２８１６号の請求項１〜６に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３０１２８１６号（平成９年２月５日出願、平成１１年１２月１０日設定登録）は、異議申立人東　信雄より異議申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年５月２８日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　その１）本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１に係る記載を、「リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部の上面とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子は、前記インナーリード部の実質的に全底面と、前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列された前記インナーリード部の側面とにより構成され、前記吊りリードはアップセット処理され、段差部を有し、前記ダイパッド部の上面は前記インナーリード部の上面よりも上方に配置され、前記ダイパッド部の下方にも封止樹脂が前記アップセット分の厚みで形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
　
　その２）特許明細書の段落【００１１】（公報３頁右欄４３行〜４頁左欄３行）の「本発明の樹脂封止型半導体装置は、・・・厚みで形成されているものである。」を、「本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部の上面とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子は、前記インナーリード部の実質的に全底面と、前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列された前記インナーリード部の側面とにより構成され、前記吊りリードはアップセット処理され、段差部を有し、前記ダイパッド部の上面は前記インナーリード部の上面よりも上方に配置され、前記ダイパッド部の下方にも封止樹脂が前記アップセット分の厚みで形成されているものである。」と訂正する。
　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項２に係る記載を、「ダイパッド部は搭載された半導体素子の面積より小さいことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
　
（１−３）訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項３に係る記載を、「ダイパッド部は搭載された半導体素子よりも小さい面積であって、開口部を有していることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
　
（１−４）訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項４に係る記載を削除する。
　
（１−５）訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項５に係る記載を削除する。
　
（１−６）訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項６に係る記載を、訂正後の請求項４として、「封止樹脂の底面領域に配列された外部端子上にボール電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
　
（１−７）訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項７に係る記載を、訂正後の請求項５として、「インナーリード部の先端部は段差を有していることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
　
（１−８）訂正事項ｈ
　特許明細書の請求項８に係る記載を削除する。
　
（１−９）訂正事項ｉ
　特許明細書の請求項９に係る記載を削除する。
　
（１−１０）訂正事項ｊ
　その１）特許明細書の請求項１０に係る記載を、訂正後の請求項６として、「リードフレームのタイパッド部を支持している吊りリードに対して、段差部を形成し、前記ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセットする工程と、前記ダイパッド部に対して半導体素子を接合する工程と、前記ダイパッド部上の半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード部の上面とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、前記ダイパッド部の下部領域とを封止して封止樹脂部を形成するとともに、前記インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列する封止工程と、前記リードフレームのアウターリード部を成形することにより、前記インナーリード部の側面を外部端子として前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記封止工程は、ダイパッド部の下部の封止樹脂厚を前記インナーリード部の実質的な全底面と同一面になるような厚さとし、前記半導体素子の上面の封止樹脂厚を前記金属細線のループ高さ以上の厚さとなるように封止する工程であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」と訂正する。
　
　その２）特許明細書の段落【００１２】（公報４頁左欄４〜１９行）の「また樹脂封止型半導体装置の製造方法は、・・・封止する工程である。」を、「また樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフレームのダイパッド部を支持している吊りリードに対して、段差部を形成し、前記ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセットする工程と、前記ダイパッド部に対して半導体素子を接合する工程と、前記ダイパッド部上の半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード部の上面とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、前記ダイパッド部の下部領域とを封止して封止樹脂部を形成するとともに、前記インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列する封止工程と、前記リードフレームのアウターリード部を成形することにより、前記インナーリード部の側面を外部端子として前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記封止工程は、ダイパッド部の下部の封止樹脂厚を前記インナーリード部の実質的な全底面と同一面になるような厚さとし、前記半導体素子の上面の封止樹脂厚を前記金属細線のループ高さ以上の厚さとなるように封止する工程である。」と訂正する。
　
（１−１１）訂正事項ｋ
　特許明細書の請求項１１に係る記載を削除する。
　
（１−１２）訂正事項ｌ
　特許明細書の請求項１２に係る記載を削除する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａ
　その１）訂正後の請求項１に記載された事項は、特許明細書の段落【００１３】〜【００２３】及び図面に記載された事項に基づくものであって、インナーリード部と外部端子の構成を限定したものである。
　したがって、特許明細書の請求項１に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
　その２）特許明細書の段落【００１１】に対する訂正は、請求項１に対する訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであり、特許法第１２０条の４第２項ただし書第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−２）訂正事項ｂ
　訂正後の請求項２に記載された事項は、特許明細書の段落【００２４】〜【００３３】及び図面に記載された事項に基づくものであって、ダイパッド部の大きさを限定したものである。
　したがって、特許明細書の請求項２に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−３）訂正事項ｃ
　訂正後の請求項３に記載された事項は、特許明細書の段落【００３４】〜【００４３】及び図面に記載された事項に基づくものであって、ダイパッド部の大きさと形状（開口部）を限定したものである。
　したがって、特許明細書の請求項３に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−４）訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項４については削除され、特許明細書の請求項４に対する訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−５）訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項５については削除され、特許明細書の請求項５に対する訂正は特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の滅縮に該当する。
　
（２−６）訂正事項ｆ
　訂正後の請求項４に記載された事項は、特許明細書の段落【００８３】〜【００９２】及び図面に記載された事項に基づくものであって、訂正後の請求項１の従属項として、外部端子上のボール電極の形成を付加、限定したものである。
　したがって、特許明細書の請求項６に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−７）訂正事項ｇ
　訂正後の請求項５に記載された事項は、特許明細書の請求項７に記載された「請求項１〜請求項６のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。」を、特許明細書の請求項４、５の削除に伴い整合させたものである。
　したがって、特許明細書の請求項７に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当し、また同条第２項ただし書き第３号に規定する明瞭でない記載の釈明に該当する。
　
（２−８）訂正事項ｈ
　特許明細書の請求項８については削除され、特許明細書の請求項８に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−９）訂正事項ｉ
　特許明細書の請求項９については削除され、特許明細書の請求項９に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−１０）訂正事項ｊ
　その１）訂正後の請求項６に記載された事項は、特許明細書の段落【００１３】〜【００３３】及び図面に記載された事項に基づくものであって、特許明細書の請求項１０において、段差部を形成する工程として、ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセットする工程を付加、限定し、封止樹脂部を形成する工程として、インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として封止樹脂部の底面に配列する封止工程を付加、限定し、さらに、封止樹脂と同一面に成形する工程として、インナーリード部の側面を外部端子として封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列する工程を付加、限定したものである。
　したがって、特許明細書の請求項１０に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
　その２）特許明細書の段落【００１２】に対する訂正は、特許明細書の請求項１０に対する訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであり、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−１１）訂正事項ｋ
　特許明細書の請求項１１については削除され、特許明細書の請求項１１に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−１２）訂正事項ｌ
　特許明細書の請求項１２については削除され、特許明細書の請求項１２に対する訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
　そして、上記訂正事項ａ〜ｌは、いずれも願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ〜ｌは、いずれも平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２、３項において準用する特許法第１２６条第２、３項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについての判断
（１）異議申立ての理由の概要
　異議申立人東　信雄は、甲第１〜７号証を提出して、本件特許の請求項１〜１２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、又は甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、上記請求項１〜１２に係る発明についての特許は、特許法第２９条第１項、又は同条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第１項の規定により取り消されるべきものである旨主張している。
　
（２）本件発明
　本件特許の請求項１〜１２に係る発明は、訂正により請求項１〜６に係る発明となった。そして、本件訂正明細書の請求項１〜６に係る発明（以下、「本件発明１〜６」という。）は、訂正明細書の請求項１〜６に記載された、以下のとおりのものである。
　
　「【請求項１】リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、
　前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部の上面とを電気的に接続した金属細線と、
　前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、
　前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、
　前記外部端子は、前記インナーリード部の実質的に全底面と、前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列された前記インナーリード部の側面とにより構成され、
　前記吊りリードはアップセット処理され、段差部を有し、前記ダイパッド部の上面は前記インナーリード部の上面よりも上方に配置され、
　前記ダイパッド部の下方にも封止樹脂が前記アップセット分の厚みで形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項２】ダイパッド部は搭載された半導体素子の面積より小さいことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項３】ダイパッド部は搭載された半導体素子よりも小さい面積であって、開口部を有していることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項４】封止樹脂の底面領域に配列された外部端子上にボール電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項５】インナーリード部の先端部は段差を有していることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
　【請求項６】リードフレームのダイパッド部を支持している吊りリードに対して、段差部を形成し、前記ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセットする工程と、
　前記ダイパッド部に対して半導体素子を接合する工程と、
　前記ダイバッド部上の半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード部の上面とを金属細線により電気的に接続する工程と、
　前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、前記ダイパッド部の下部領域とを封止して封止樹脂部を形成するとともに、前記インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列する封止工程と、
　前記リードフレームのアウターリード部を成形することにより、前記インナーリード部の側面を外部端子として前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
　前記封止工程は、ダイパッド部の下部の封止樹脂厚を前記インナーリード部の実質的な全底面と同一面になるような厚さとし、前記半導体素子の上面の封止樹脂厚を前記金属細線のループ高さ以上の厚さとなるように封止する工程であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」
　
（３）甲第１〜７号証の記載事項
（３−１）甲第１号証
　甲第１号証の特開平７−５０３８０号公報には、パッケージの表面に電気特性検査用のテストパッドを有する半導体装置に関する発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「本発明の半導体装置１は、図１および図２に示すように、外観的にはエポキシレジンからなるパッケージ１の下面周縁にリード２の外端（外部端子３）が埋め込まれた形状となっている。前記外部端子３は、図２に示すように下面のみがパッケージ１から露出し、実装時の端子や特性検査用の端子（テストパッド）として使用される。」（段落【００１１】）、
　「前記パッケージ１内の中央にはタブ６が位置し、このタブ６上に半導体チップ７が固定されている。また、前記タブ６の周縁近傍には、リード２の内端が臨んでいる。そして、このリード２の内端と、前記半導体チップ７の図示しない電極は、導電性のワイヤ９によって電気的に接続されている。前記リード２は、タブ６（半導体チップ７）の周縁近傍からパッケージ１の周縁に向かって延在するが、パッケージ１内において途中でパッケージ１の下面５側に曲がってパッケージ１の下面５から突出する。また、パッケージ１から突出したリード２は突出箇所て曲がってパッケージの下面に張り付くように延在する構造となっている。下面５に突出して曲がったリード２は下面および外端がパッケージから露出し、側面部分はパッケージ内に埋設されている。この露出したリード外端部分は、実装用の外部端子３となるとともに、特性検査用の測定端子（テストパッド）ともなる。」（段落【００１２】）、
　「単位リードパターンは、一対の平行に延在する外枠１６と、この一対の外枠１６を連結しかつ外枠１６に直交する方向に延在する一対の内枠１７とによって形成される枠１９内に形成されている。この枠１９の中央には、矩形状のタブ（支持体）６が配設されている。また、前記枠１９の四隅からは細いタブ吊りリード２０が延在し、その先端で前記タブ６の四隅をそれぞれ支持している。」（段落【００１３】）、
　「また、前記リード２の多くは途中で屈曲してその先端をタブ６の近傍に臨ませている。また、前記リード２の先端部およびタブ６を含むタブ吊りリード２０の先端側は、図４に示すように屈曲して一段高くなっている。これは、最終的にはリード２の外端部が、パッケージ１の下面５の周縁に張り付いた構造とするためである。」（段落【００１４】）、
　「つぎに、前記リードフレーム１５は、図７に示すように、トランスファモールド装置のモールド上・下型２６，２７に型締めされてモールドされる。モールドは前記モールド上・下型２６，２７によって形成されたキャビティ２９内に図示しないゲートを介してレジンを注入することによって行われる。リード２の外端部分がパッケージ１の下面５周縁に露出するようにモールドするため、モールド上・下型２６，２７においては、キャビティ２９はモールド上型２６に設けられる。」（段落【００１６】）、
　「つぎに、トランスファモールドが終了したリードフレーム１５において、不要リードフレーム部分が切断除去され、図１およひ図２に示されるような半導体装置が製造される。前記不要リードフレームの切断除去においては、図８に示すように、ダイ３５およびポンチ３６によってリード２やタブ吊りリード２０が切断されるか、この切断においてリード２やタブ吊りリード２０はパッケージ１の付け根部分で切断し、パッケージ１の周縁からリード２やタブ吊りリード２０が突出しないようにする。」（段落【００１７】）
　
　以上の記載をまとめると、甲第１号証には、リードフレーム１５のタブ吊りリード２０で支持されたタブ６上に搭載された半導体チップ７と、前記半導体チップ７の上面とリード２の上面とを電気的に接続したワイヤ９と、前記半導体チップ７の上面のワイヤ領域を含む半導体チップ７の外囲領域をモールドしてパッケージ１としたレジンと、前記パッケージ１の底面領域に配列され、前記リード２と接続した外部端子３とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子３は、前記リード２がパッケージ１の下面５側に曲がって下面５に突出して露出した部分と、前記リード２が前記パッケージ１の側面に露出した外端とにより構成され、前記タブ吊りリード２０はアップセット処理され、段差部を有し、前記タブ６の上面は前記リード２の外部端子３上面よりも上方に配置され、前記タブ６の下方にもレジンが前記アップセット分の厚みで形成されている樹脂封止型半導体装置が開示されている。
　
（３−２）甲第１号証の１
　甲第１号証の１の特開昭５７−１７６７５１号公報には、甲第１号証に記載された樹脂封止型半導体装置と同様の発明が開示され、さらに公報の２頁右下欄５〜９行の記載を参照すると、第３図には、インナーリード３に段差をつけるため、インナーリード３を折り曲げて樹脂７に埋め込み、これにより直線状に埋め込まれた従来例よりもリードは長い範囲で樹脂７と密着し、リード抜けが防止できることが示されている。
　
（３−３）甲第２号証
　甲第２号証の特開平８−２０４１０７号公報には、パッケージにクラックが生じにくい樹脂封止型半導体装置に関する発明が開示され、さらに公報の段落【００１２】の記載を参照すると、図２、３の樹脂封止型半導体装置のダイパットが、半導体チップ１よりも小さい面積であって、かつ、開口を有しており、半導体チップとモールド樹脂との密着性を高めることが示されている。
　
（３−４）甲第３号証
　甲第３号証の特開平５−１５２３６２号公報には、半田実装時にクラックを生じることがない半導体装置を製造する方法に関する発明が開示され、さらに公報の段落【００２０】の記載を参照すると、図２には、インナーリード上にポリイミドフィルム３のダイパッドを接着固定して、この上に半導体素子４を載置したものが示されている。
　
（３−５）甲第４号証
　甲第４号証の特開平６−２６８１０１号公報には、樹脂封止型半導体装置に用いるリードフレームに関する発明が開示され、さらに図２、４、５から明らかなとおり、プリント基板９に設けられた配線パターン８に接合する半田バンプ５は、ポール形状をしたものが示されている。
　
（３−６）甲第５号証
　甲第５号証の特開平６−２３６９５６号公報には、アウターリードが外部に突出しないＣＯＢ方式の半導体装置に関する発明が図１、２とともに開示され、さらに公報の段落【００２５】の記載を参照すると、リードフレーム４に形成した凸部４ａを樹脂モールド部５の表面に露出させて、露出部４ｂを接続端子として使用することが示されている。
　
（３−７）甲第５号証の１
　甲第５号証の１の特開平６−１１２３９８号公報には、半導体素子がリードフレームのアイランド上で樹脂封止された樹脂封止型半導体装置に関する発明が図１とともに開示され、さらに公報の段落【００１４】、【００１５】の記載を参照すると、アイランド１に段部１４をアイランド１の露出下面１２が小さくなる向きに設けて、アイランド１と樹脂４との接着性を向上させることが示されている。
　
（３−８）甲第６号証
　甲第６号証の特開平２−３０３０５６号公報には、薄型半導体集積回路のパッケージの製造方法に関する発明が開示され、さらに第３図（ｂ）には、封止樹脂１７の側面のやや内側で厚さ方向に段差を有しているインナーリード１５が示されている。
　
（３−９）甲第６号証の１
　甲第６号証の１の特開昭６３−３３８５３号公報には、公報の３頁右上欄第７〜１２行及び第４図を参照すると、樹脂封止型半導体装置において、リードフレームに凹凸を形成して、リードフレームとモールド樹脂との密着性の向上を図ることが示されている。
　
（３−１０）甲第７号証
　甲第７号証の特開平７−１９３１８０号公報には、半導体チップの多様なサイズに適用できるリードフレーム構造を有する樹脂封止型半導体装置に関する発明が開示され、さらに図２には、樹脂封止型半導体装置において、リードフレームのアイランド３が半導体素子４よりも小さく、このアイランド３の近傍にまで、リード１の内端部が延在している構成が示されている。
　
（４）対比・判断
＜本件発明１について＞
　本件発明１と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証に記載された「タブ吊りリード２０」、「タブ６」、「リード２ 」、「ワイヤ９」、及び「パッケージ１のレジン」は、本件発明１の「吊りリード」、「ダイパッド部」、「インナーリード部」、「金属細線」、及び「封止樹脂」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された外部端子３の外端は、パッケージ１の側面に露出しているものの、パッケージ１の側面と実質的に同一面に配列されているものと認められる。
　さらに、甲第１号証に記載されたワイヤ９が、半導体チップ７の上面とリード２の上面とを電気的に接続している以上、半導体チップ７の上面には電極が設けられていることは明らかである。
　してみると、両者は、本件発明１の構成に沿って記載すると、「リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部の上面とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子は、前記インナーリード部の底面と、前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列された前記インナーリード部の側面とにより構成され、前記吊りリードはアップセット処理され、段差部を有し、前記ダイパッド部の下方にも封止樹脂が前記アップセット分の厚みで形成されている樹脂封止型半導体装置。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　本件発明１においては、外部端子は、インナーリード部の実質的に全底面により構成され、且つダイパッド部の上面はインナーリード部の上面よりも上方に配置されているのに対し、甲第１号証に記載されたものにおいては、外部端子３とタブ６はそのようなものではない点。
　
　そこで上記相違点について、以下検討する。
　甲第１号証に記載された外部端子３は、リード２がパッケージ１の下面５側に曲がって下面５に突出して露出したリード２の底面の一部分により構成されており、外部端子３がリード２の実質的に全底面により構成されているものではない。そして、甲第１号証の１〜甲第７号証に記載されたものを参照してみても、本件発明１のように、外部端子をインナーリード部の実質的に全底面により構成しているものはないし、このような構成を示唆する記載もない。
　また、甲第１号証に記載されたタブ６は、リード２の先端側と同じ面に配置されており、タブ６の上面がリード２の上面よりも上方に配置されているものではない。そして、甲第１号証の１〜甲第７号証に記載されたものを参照してみても、本件発明１のように、ダイパッドの上面がインナーリード部の上面よりも上方に配置したものはないし、このような構成を示唆する記載もない。
　さらに、本件発明１の上記相違点については、当業者が適宜に設計できるような事項でもない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明ではないし、甲第１号証に記載されたものから、及び甲第１〜７号証に記載されたものから、それぞれ容易に想到することができたものでもない。
　
＜本件発明２〜５について＞
　本件発明２〜５は、本件発明１を引用して、さらに別の構成要件を付加して限定したものであるから、甲第２号証に半導体素子の面積より小さく、かつ開口部を有するダイパッド部に相当するものが記載され、甲第４号証にボール電極に相当するものが記載され、さらに甲第５、６号証にインナーリードの先端部に段差を有するものが記載されているにしても、甲第１〜７号証に記載されたものから容易に想到することができたものではない。
　
＜本件発明６について＞
　上記＜本件発明１について＞を参照して、本件発明６と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、両者は、本件発明６の構成に沿って記載すると、「リードフレームのダイパッド部を支持している吊りリードに対して、段差部を形成する工程と、前記ダイパッド部に対して半導体素子を接合する工程と、前記ダイバッド部上の半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード部の上面とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、前記ダイパッド部の下部領域とを封止して封止樹脂部を形成する封止工程と、前記リードフレームのアウターリード部を成形することにより、前記インナーリード部の側面を外部端子として前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記封止工程は、前記半導体素子の上面の封止樹脂厚を前記金属細線のループ高さ以上の厚さとなるように封止する工程である樹脂封止型半導体装置の製造方法。」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　本件発明６においては、ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセットする工程と、インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列する封止工程であって、ダイパッド部の下部の封止樹脂厚を前記インナーリード部の実質的な全底面と同一面になるような厚さとする工程とを有するのに対し、甲第１号証に記載されたものはそのような工程を有していない点。
　
　そこで上記相違点について以下検討する。
　上記＜本件発明１について＞における相違点の判断と同様に、甲第１号証に記載されたものは、本件発明１のように、ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセットする工程と、インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列するとともに、ダイパッド部の下部の封止樹脂厚を前記インナーリード部の実質的な全底面と同一面になるような厚さとする封止工程を有しないし、このような工程を示唆する記載はないし、甲第１号証の１〜甲第７号証に記載されたものを参照してみても、このような工程を示唆する記載もない。
　さらに、本件発明６の上記相違点については、当業者が適宜に設計できるような事項でもない。
　したがって、本件発明６は、甲第１号証に記載された発明ではないし、甲第１号証に記載されたものから、及び甲第１〜７号証に記載されたものから、それぞれ容易に想到することができたものでもない。
　
　さらに、本件発明１〜６は、甲第１〜７号証に記載されたものを如何に組み合わせてみても容易に想到することができたものではない。
　
　そして、本件発明１〜６は、小型のパッケージで大型の半導体素子を搭載することができるという顕著な効果を奏するものである。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜６についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜６についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月２７日（２００１．７．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　その１）本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１に係る記載を、「リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部の上面とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子は、前記インナーリード部の実質的に全底面と、前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列された前記インナーリード部の側面とにより構成され、前記吊りリードはアップセット処理され、段差部を有し、前記ダイパッド部の上面は前記インナーリード部の上面よりも上方に配置され、前記ダイパッド部の下方にも封止樹脂が前記アップセット分の厚みで形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
　その２）特許明細書の段落【００１１】（公報３頁右欄４３行〜４頁左欄３行）の「本発明の樹脂封止型半導体装置は、・・・厚みで形成されているものである。」を、「本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部の上面とを電気的に接続した金属細線と、前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、前記外部端子は、前記インナーリード部の実質的に全底面と、前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列された前記インナーリード部の側面とにより構成され、前記吊りリードはアップセット処理され、段差部を有し、前記ダイパッド部の上面は前記インナーリード部の上面よりも上方に配置され、前記ダイパッド部の下方にも封止樹脂が前記アップセット分の厚みで形成されているものである。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項２に係る記載を、「ダイパッド部は搭載された半導体素子の面積より小さいことを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項３に係る記載を「ダイパッド部は搭載された半導体素子よりも小さい面積であって、開口部を有していることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項４に係る記載を削除する。
（５）訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項５に係る記載を削除する。
（６）訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項６に係る記載を、訂正後の請求項４として、「封止樹脂の底面領域に配列された外部端子上にボール電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項７に係る記載を、訂正後の請求項５として、「インナーリード部の先端部は段差を有していることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。」と訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　特許明細書の請求項８に係る記載を削除する。
（９）訂正事項ｉ
　特許明細書の請求項９に係る記載を削除する。
（１０）訂正事項ｊ
　その１）特許明細書の請求項１０に係る記載を、訂正後の請求項６として、「リードフレームのタイパッド部を支持している吊りリードに対して、段差部を形成し、前記ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセットする工程と、前記ダイパッド部に対して半導体素子を接合する工程と、前記ダイパッド部上の半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード部の上面とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、前記ダイパッド部の下部領域とを封止して封止樹脂部を形成するとともに、前記インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列する封止工程と、前記リードフレームのアウターリード部を成形することにより、前記インナーリード部の側面を外部端子として前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記封止工程は、ダイパッド部の下部の封止樹脂厚を前記インナーリード部の実質的な全底面と同一面になるような厚さとし、前記半導体素子の上面の封止樹脂厚を前記金属細線のループ高さ以上の厚さとなるように封止する工程であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。」と訂正する。
　その２）特許明細書の段落【００１２】（公報４頁左欄４〜１９行）の「また樹脂封止型半導体装置の製造方法は、・・・封止する工程である。」を、「また樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフレームのダイパッド部を支持している吊りリードに対して、段差部を形成し、前記ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセットする工程と、前記ダイパッド部に対して半導体素子を接合する工程と、前記ダイパッド部上の半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード部の上面とを金属細線により電気的に接続する工程と、前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、前記ダイパッド部の下部領域とを封止して封止樹脂部を形成するとともに、前記インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列する封止工程と、前記リードフレームのアウターリード部を成形することにより、前記インナーリード部の側面を外部端子として前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列する工程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記封止工程は、ダイパッド部の下部の封止樹脂厚を前記インナーリード部の実質的な全底面と同一面になるような厚さとし、前記半導体素子の上面の封止樹脂厚を前記金属細線のループ高さ以上の厚さとなるように封止する工程である。」と訂正する。
（１１）訂正事項ｋ
　特許明細書の請求項１１に係る記載を削除する。
（１２）訂正事項ｌ
　特許明細書の請求項１２に係る記載を削除する。
（５４）【発明の名称】
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、
　前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部
の上面
　前記半導体素子の上面の金属細線領域を含む半導体素子の外囲領域を封止した封止樹脂と、
　前記封止樹脂の底面領域に配列され、前記インナーリード部と接続した外部端子とよりなる樹脂封止型半導体装置であって、
　
前記外部端子は、前記インナーリード部の実質的に全底面と、前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列された前記インナーリード部の側面とにより構成され、
　前記吊りリードはアップセット処理され、段差部を有し、
前記ダイパッド部の上面は前記インナーリード部の上面よりも上方に配置され、
　前記ダイパッド部の下方にも封止樹脂が前記アップセット分の厚みで形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
　【請求項２】　
ダイパッド部は搭載された半導体素子の面積より小さいことを特徴とする請求項１に記載の
　【請求項３】　
ダイパッド部は搭載された半導体素子よりも小さい面積であって、開口部を有していることを特徴とする請求項１に記載の
　【請求項４】　
封止樹脂の底面領域に配列された外部端子上にボール電極が形成されていることを特徴とする請求頂１に記載の
　
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれか
　
【請求項６】
し、前記ダイパッド部の上面をインナーリード部の上よりも上方にアップセット
　前記ダイパッド部に対して半導体素子を接合する工程と、
　前記ダイパッド部上の半導体素子の電極とリードフレームのインナーリード部
の上面
　前記半導体素子の上面の前記金属細線で電気的に接続した領域と、前記ダイパッド部の下部領域とを封止して封止樹脂部を形成する
とともに、前記インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列する封止
　前記リードフレームのアウターリード部を成形
することにより、前記インナーリード部の側面を外部端子として
の側面
実質的に
配列
　前記封止工程は、ダイパッド部の下部の封止樹脂厚
を
実質的な全底面
とし
を
と
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、リードフレーム上に半導体素子を搭載し、その外囲を樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものであって、特に薄型化を実現し、高信頼性を有する樹脂封止型半導体装置およびその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、基板実装の高密度化に伴い、基板実装される半導体製品の小型化・薄型化が要求されている。小型化・薄型化のためには、樹脂テープを用いたＴＡＢ実装技術が開発されているが、リードフレームを用いた薄型の半導体製品の開発においては、リードフレームに半導体素子を搭載し、その搭載面を封止樹脂で封止する片面封止タイプの樹脂封止型半導体装置が開発されている。
　【０００３】
　以下、従来の樹脂封止型半導体装置について説明する。図１１は、従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図である。
　【０００４】
　図１１に示す従来の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム１のダイパッド部２上に半導体素子３が搭載され、その半導体素子３の電極（図示せず）とリードフレーム１のインナーリード部４とが金属細線５により電気的に接続されている。そしてリードフレーム１の片面、すなわちリードフレーム１の半導体素子３が搭載された面の半導体素子３の外囲領域は封止樹脂６により封止されているものである。
　【０００５】
　図１１に示すような構造により、製造された樹脂封止型半導体装置においては、半導体装置の底面に外部電極であるアウターリード部７が配列した構造を有し、リードフレーム１の半導体素子３が搭載された面のみが封止樹脂６により封止され、リードフレーム１の裏面側は実質的に封止されていないので、薄型の樹脂封止型半導体装置が実現するものである。なお、封止樹脂６との密着性を確保するために、リードフレーム１のインナーリード部４の先端部４ａには、その断面に角度を持たせ、テーパー状としているものである。
　【０００６】
　次に図１１に示した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法にあっては、まずリードフレームのインナーリード部の先端部に機械的または化学的な加工により、テーパー状を形成し、そしてリードフレームのダイパッド部上に半導体素子を接合するものである。次いで、半導体素子とリードフレームのインナーリード部とを金属細線により電気的に接続した後、トランスファーモールドによりリードフレームの半導体素子搭載面を封止樹脂により封止するものである。最後に外部電極を形成するために、封止樹脂から突出したリードフレームのアウターリード部を加工して樹脂封止型半導体装置を完成するものである。
　【０００７】
　なお、従来においては図１１に示した構造の樹脂封止型半導体装置以外に、図１２に示すような構造もある。
　【０００８】
　図１２に示す樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム１のインナーリード部４の先端部４ａに対して、半導体素子３を搭載するための絶縁性の樹脂テープ８を接合し、ダイパッド部を形成したものである。そしてその樹脂テープ８上に半導体素子３を搭載後、半導体素子３の電極とインナーリード部４とを金属細線５により電気的に接続し、リードフレーム１の半導体素子３搭載面を封止樹脂６に１に示した樹脂封止型半導体装置よりも、薄型化が図れるというメリットがある。すなわち、図１２に示した樹脂封止型半導体装置では、リードフレーム１のインナーリード部４の下面に樹脂テープ８を接合し、その上面に半導体素子３を搭載しているので、インナーリード部４の上面と、半導体素子３の上面との段差が低くなり、その結果、封止樹脂６の樹脂厚も薄くなり、樹脂封止型半導体装置としての厚みが薄型となるものである。図１１に示した樹脂封止型半導体装置では、インナーリード部４と同一面にあるダイパッド部２上に半導体素子３を搭載しているので、図１２に示した樹脂封止型半導体装置ほど封止樹脂６の厚みを薄くすることはできない。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら従来の樹脂封止型半導体装置では、薄型化を実現するために、実質的にはリードフレームの半導体素子が搭載された面、すなわちリードフレームの上面のみを封止樹脂で封止した構造である。そのため、リードフレームと封止樹脂との接触面積の低下により、密着性が損なわれ、製品の信頼性が低下するという課題があった。また、実質的にリードフレームの片面のみを樹脂封止している構造であるため、封止樹脂の応力により半導体素子が悪影響を受けたり、封止樹脂にパッケージクラックが発生するという課題もあった。
　【００１０】
　本発明は、前記従来の課題を解決するものであり、単にリードフレームの両面を樹脂封止したタイプの樹脂封止型半導体装置ではなく、高信頼性を有し、薄型化を実現した薄型の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の樹脂封止型半導体装置は、リードフレームの吊りリードで支持されたダイパッド部上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の上面の電極とインナーリード部
の上面
前記外部端子は、前記インナーリード部の実質的に全底面と、前記封止樹脂の側面と実質的に同一面に配列された前記インナーリード部の側面とにより構成され、
前記ダイパッド部の上面は前記インナーリード部の上面よりも上方に配置され、
　【００１２】
　また樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフレームのダイパッド部を支持している吊りリードに対して、段差部を形成
し、前記ダイパッド部の上面をインナーリード部の上面よりも上方にアップセット
の上面
とともに、前記インナーリード部の実質的な全底面を外部端子として前記封止樹脂部の底面に配列する封止
することにより、前記インナーリード部の側面を外部端子として
の側面
実質的に
配列
を
実質的な全底面
とし
を
と
　【００１３】
　前記構成の通り、本発明の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード部に対してアップセット加工し、ダイパッド部をインナーリード部よりも上方に上げているので、ダイパッド部の下方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上させることができ、製品の信頼性を保つことができる。またリードフレームの上面と下面との両面で樹脂封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚さであるため、薄型化は実現できるものである。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の樹脂封止型半導体装置の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
　【００１５】
　図１は本発明の第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は底面図である。なお、図１においては、内部構造を示すために、便宜上、底面図では一部封止樹脂を透視した図としている。また破線部分は半導体素子を示している。
　【００１６】
　図１に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部１１上に搭載された半導体素子１２と、その半導体素子１２の上面の電極とインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、ダイパッド部１１の下部と半導体素子１２の上面とを含む半導体素子１２の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列され、インナーリード部１３と接続した外部端子であるアウターリード部１６とより構成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１７を有しているので、ダイパッド部１１の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部１６は、封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂よりも突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。
　【００１７】
　ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、全体厚が０．７［ｍｍ］という非常に薄型の樹脂封止型半導体装置であり、半導体素子厚プラス１［ｍｍ］という厚みを目標にしたものである。そして吊りリード１０のアップセット処理の段差は、０．１［ｍｍ］であり、ダイパッド部１１の下方の封止樹脂１５ａの厚さは０．１［ｍｍ］である。また半導体素子１２の厚さは０．２［ｍｍ］であり、半導体素子１２の上方の封止樹脂１５ｂの厚さは、０．１５［ｍｍ］である。
　【００１８】
　次に図１に示した本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図１に示した構成に基づいて説明する。
　【００１９】
　まずリードフレーム９のダイパッド部１１を支持している吊りリード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイパッド部１１に対して半導体素子１２を導電性接着剤により底面側を接合する。
　【００２０】
　次にダイパッド部１１上の半導体素子１２の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。
　【００２１】
　次にトランスファーモールドにより、半導体素子１２の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１２の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、ダイパッド部１１の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ，封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部１１の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１２の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域に封止樹脂１５が回り込まないように機密性よく封止する必要がある。
　【００２２】
　そしてリードフレーム９のアウターリード部１６の成形を行い、封子樹脂１５と同一面になるように成形する。
　【００２３】
　以上のような工程により、リードフレームに対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であるため、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００２４】
　次に本発明の第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
　【００２５】
　図２は本発明の第２の実施形態の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は底面図である。なお、図２においても、内部構造を示すために、便宜上、底面図では一部封止樹脂を透視した図としている。
　【００２６】
　図２に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部１８上に搭載された半導体素子１９と、その半導体素子１９の上面の電極とインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、ダイパッド部１８の下部と半導体素子１９上面とを含む半導体素子１９の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列され、インナーリード部１３と接続した外部端子であるアウターリード部１６とより構成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１７を有しているので、ダイパッド部１８の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部１６は、封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂よりも突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部１８は、前記した第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１１よりも小型、すなわち面積を小さく構成している。このダイパッド構成の狙いは、ダイパッド部１８の下部の封止樹脂１５ａと半導体素子１９の底面との接触面積を大きくし、密着性を高め、信頼性を向上させるためのものである。図２においては、図１に示した半導体素子１２よりも大きいサイズの半導体素子１９を用い、小型のダイパッド部１８に搭載して封止樹脂１５で封止することにより、大型の半導体素子１９を樹脂内に内包しても、封止樹脂１５に対して高密着性構造であるので信頼性を保つことができる。
　【００２７】
　ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、全体厚が０．７［ｍｍ］という非常に薄型の樹脂封止型半導体装置であり、半導体素子厚プラス１［ｍｍ］という厚みを目標にしたものである。そして吊りリード１０のアップセット処理の段差は、０．１［ｍｍ］であり、ダイパッド部１８の下方の封止樹脂１５ａの厚さは０．１［ｍｍ］である。また半導体素子１９の厚さは０．２［ｍｍ］であり、半導体素子１９の上方の封止樹脂１５ｂの厚さは、０．１５［ｍｍ］である。
　【００２８】
　次に図２に示した本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図２に示した構成に基づいて説明する。
　【００２９】
　まずリードフレーム９のダイパッド部１８を支持している吊りリード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイパッド部１８に対して半導体素子１９を導電性接着剤により底面側を接合する。ここではダイパッド部１８は搭載しようとする半導体素子１９よりも面積的に小さい構成とする。
　【００３０】
　次にダイパッド部１８上の半導体素子１９の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。
　【００３１】
　次にトランスファーモールドにより、半導体素子１９の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１９の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、ダイパッド部１８の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ，封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部１８の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１９の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域に封止樹脂１５が回り込まないように機密性よく封止する必要がある。
　【００３２】
　そしてリードフレーム９のアウターリード部１６の成形を行い、封子樹脂１５と同一面になるように成形する。
　【００３３】
　以上のような工程により、リードフレームに対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であり、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、さらに半導体素子１９の底面と封止樹脂１５との密着性も向上させているので、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００３４】
　次に本発明の第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
　【００３５】
　図３は本発明の第３の実施形態の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は底面図である。なお、図３においても、内部構造を示すために、便宜上、底面図では一部封止樹脂を透視した図としている。
　【００３６】
　図３に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部２０上に搭載された半導体素子１９と、その半導体素子１９の上面の電極とインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、ダイパッド部２０の下部と半導体素子１９上面とを含む半導体素子１９の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列され、インナーリード部１３と接続した外部端子であるアウターリード部１６とより構成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１７を有しているので、ダイパッド部２０の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部１６は、封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂から突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部２０は、前記した第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１１よりも小型、すなわち面積を小さく構成しているとともに、ダイパッド自体に開口部２１を設けている。このダイパッド構成の狙いは、ダイパッド部２０の下部の封止樹脂１５ａと半導体素子１９の底面との接触面積を大きくし、密着性を高め、信頼性を向上させるためのものである。また図３においても、図１に示した半導体素子１２よりも大きいサイズの半導体素子１９を用い、小型かつ開口部を有したダイパッド部２０に搭載して封止樹脂１５で封止することにより、大型の半導体素子１９を樹脂内に内包しても、封止樹脂１５に対して高密着性構造であるので信頼性を保つことができる。
　【００３７】
　ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、全体厚が０．７［ｍｍ］という非常に薄型の樹脂封止型半導体装置であり、半導体素子厚プラス１［ｍｍ］という厚みを目標にしたものである。そして吊りリード１０のアップセット処理の段差は、０．１［ｍｍ］であり、ダイパッド部２０の下方の封止樹脂１５ａの厚さは０．１［ｍｍ］である。また半導体素子１９の厚さは０．２［ｍｍ］であり、半導体素子１９の上方の封止樹脂１５ｂの厚さは、０．１５［ｍｍ］である。
　【００３８】
　次に図３に示した本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図３に示した構成に基づいて説明する。
　【００３９】
　まずリードフレーム９のダイパッド部２０を支持している吊りリード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイパッド部２０に対して半導体素子１９を導電性接着剤により底面側を接合する。ここではダイパッド部２０は搭載しようとする半導体素子１９よりも面積的に小さい構成とし、中央部に開口部２１を設けたものとする。
　【００４０】
　次にダイパッド部２０上の半導体素子１９の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。
　【００４１】
　次にトランスファーモールドにより、半導体素子１９の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１９の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、ダイパッド部２０の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ，封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部２０の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１９の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域に封止樹脂１５が回り込まないように機密性よく封止する必要がある。
　【００４２】
　そしてリードフレーム９のアウターリード部１６の成形を行い、封子樹脂１５と同一面になるように成形する。
　【００４３】
　以上のような工程により、リードフレームに対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であり、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、さらに小型かつ開口部２１を有したダイパッド部２０を用い、半導体素子１９の底面と封止樹脂１５との密着性も向上させているので、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００４４】
　次に本発明の第４の実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
　【００４５】
　図４は本発明の第４の実施形態の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は底面図である。なお、図４においても、内部構造を示すために、便宜上、底面図では一部封止樹脂を透視した図としている。
　【００４６】
　図４に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部２０上に搭載された半導体素子１９と、その半導体素子１９の上面の電極とインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、ダイパッド部２０の下部と半導体素子１９上面とを含む半導体素子１９の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列され、インナーリード部１３と接続した外部端子であるアウターリード部１６とより構成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１７を有しているので、ダイパッド部２０の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部１６は、封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂から突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、ダイパッド部２０は、前記した第１の実施形態の樹脂封止型半導体装置のダイパッド部１１よりも小型、すなわち面積を小さく構成しているとともに、ダイパッド自体に開口部２１を設けている。このダイパッド構成の狙いは、ダイパッド部２０の下部の封止樹脂１５ａと半導体素子１９の底面との接触面積を大きくし、密着性を高め、信頼性を向上させるためのものである。さらにインナーリード部１３の先端部に対して段差部２２を形成している。その先端部の段差構成により、封止樹脂１５との密着性向上を狙っているものである。また図４においても、図１に示した半導体素子１２よりも大きいサイズの半導体素子１９を用い、小型かつ開口部を有したダイパッド部２０に搭載し、インナーリード部１３に段差部２２を形成して、封止樹脂１５で封止することにより、大型の半導体素子１９を樹脂内に内包しても、封止樹脂１５に対して高密着性構造であるので信頼性を保つことができる。
　【００４７】
　ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、全体厚が０．７［ｍｍ］という非常に薄型の樹脂封止型半導体装置であり、半導体素子厚プラス１［ｍｍ］という厚みを目標にしたものである。そして吊りリード１０のアップセット処理の段差は、０．１［ｍｍ］であり、ダイパッド部２０の下方の封止樹脂１５ａの厚さは０．１［ｍｍ］である。また半導体素子１９の厚さは０．２［ｍｍ］であり、半導体素子１９の上方の封止樹脂１５ｂの厚さは、０．１５［ｍｍ］である。
　【００４８】
　次に図４に示した本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図４に示した構成に基づいて説明する。
　【００４９】
　まずリードフレーム９のダイパッド部２０を支持している吊りリード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイパッド部２０に対して半導体素子１９を導電性接着剤により底面側を接合する。ここではダイパッド部２０は搭載しようとする半導体素子１９よりも面積的に小さい構成とし、中央部に開口部２１を設けたものとする。さらに、インナーリード部１３の先端部に段差部２２をエッチング技術により形成する。このエッチング処理は、ハーフエッチングと称されるもので、部分的にエッチングして段差部２２を形成することができる。
　【００５０】
　次にダイパッド部２０上の半導体素子１９の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。
　【００５１】
　次にトランスファーモールドにより、半導体素子１９の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１９の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、ダイパッド部２０の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ，封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部２０の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１９の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域に封止樹脂１５が回り込まないように機密性よく封止する必要がある。
　【００５２】
　そしてリードフレーム９のアウターリード部１６の成形を行い、封子樹脂１５と同一面になるように成形する。
　【００５３】
　以上のような工程により、リードフレームに対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であり、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、さらに小型かつ開口部２１を有したダイパッド部２０を用い、半導体素子１９の底面と封止樹脂１５との密着性も向上させているので、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００５４】
　次に本発明の第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
　【００５５】
　図５は本発明の第５の実施形態の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、図５（ａ）は断面図、図５（ｂ）は底面図である。なお、図５においても、内部構造を示すために、便宜上、底面図では一部封止樹脂を透視した図としている。
　【００５６】
　図５に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部２０上に搭載された半導体素子１９と、その半導体素子１９の上面の電極とインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、ダイパッド部２０の下部と半導体素子１９上面とを含む半導体素子１９の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列され、インナーリード部１３と接続した外部端子であるアウターリード部１６とより構成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１７を有しているので、ダイパッド部２０の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部１６は、封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂から突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、インナーリード部１３は、半導体素子１９の底面に位置するように延在させている。このインナーリード構成の狙いは、封止樹脂１５との接触面積を大きくし、密着性を高め、信頼性を向上させるためのものである。さらにインナーリード部１３の先端部に対して段差部２２を形成している。その先端部の段差構成により、封止樹脂１５との密着性向上を狙っているものである。
　【００５７】
　次に図５に示した本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図５に示した構成に基づいて説明する。
　【００５８】
　まずリードフレーム９のダイパッド部２０を支持している吊りリード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイパッド部２０に対して半導体素子１９を導電性接着剤により底面側を接合する。ここではダイパッド部２０は搭載しようとする半導体素子１９よりも面積的に小さい構成とし、中央部に開口部２１を設けたものとする。さらに、インナーリード部１３の先端部に段差部２２をエッチング技術により形成する。このエッチング処理は、ハーフエッチングと称されるもので、部分的にエッチングして段差部２２を形成することができる。またインナーリード部１３はダイパッド部２０の近辺まで延在させている。
　【００５９】
　次にダイパッド部２０上の半導体素子１９の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。
　【００６０】
　次にトランスファーモールドにより、半導体素子１９の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１９の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、ダイパッド部２０の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ，封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部２０の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１９の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域に封止樹脂１５が回り込まないように機密性よく封止する必要がある。
　【００６１】
　そしてリードフレーム９のアウターリード部１６の成形を行い、封子樹脂１５と同一面になるように成形する。
　【００６２】
　以上のような工程により、リードフレームに対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であり、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、さらに小型かつ開口部２１を有したダイパッド部２０を用い、半導体素子１９の底面と封止樹脂１５との密着性も向上させているので、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００６３】
　次に本発明の第６の実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
　【００６４】
　図６は本発明の第６の実施形態の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、図６（ａ）は断面図、図６（ｂ）は底面図である。なお、図６においても、内部構造を示すために、便宜上、底面図では一部封止樹脂を透視した図としている。
　【００６５】
　図６に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９のインナーリード部２３上に絶縁物質２４を介して搭載された半導体素子１９と、その半導体素子１９の上面の電極とインナーリード部２３とを電気的に接続した金属細線１４と、半導体素子１９上面および下面とを含む半導体素子１９の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列され、インナーリード部２３と接続した外部端子であるアウターリード部１６とより構成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、チップ・オン・リード構造を有し、半導体素子１９の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部１６は、封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂から突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置では、インナーリード部２３を半導体素子１９の底面に位置するように延在させている。このインナーリード構成の狙いは、封止樹脂１５との接触面積を大きくし、密着性を高め、信頼性を向上させるためのものである。さらにインナーリード部２３の先端部に対して段差部２２を形成している。その先端部の段差構成により、封止樹脂１５との密着性向上を狙っているものである。
　【００６６】
　次に図６に示した本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図６に示した構成に基づいて説明する。
　【００６７】
　まずリードフレーム９のインナーリード部２３の先端部に段差部２２をエッチング技術により形成する。このエッチング処理は、ハーフエッチングと称されるもので、部分的にエッチングして段差部２２を形成することができる。またインナーリード部２３は中心方向に向かって延在させている。そしてそのインナーリード部２３上に絶縁物質２４を介して半導体素子１９を搭載する。この場合、絶縁物質２４としては、ポリイミド系樹脂を用いてもよい。また半導体素子１９とインナーリード部２３との接合に絶縁物質２４を接着剤として用いてもよいし、別に導電性接着剤で接合してもよい。
　【００６８】
　次にインナーリード部２３上の半導体素子１９の電極とリードフレーム９のインナーリード部２３とを金属細線１４により電気的に接続する。
　【００６９】
　次にトランスファーモールドにより、半導体素子１９の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１９の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、半導体素子１９の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ，封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、半導体素子１９の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部２３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１９の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部２３の底面領域、すなわちアウターリード部１６を構成する部分に封止樹脂１５が回り込まないように機密性よく封止する必要がある。
　【００７０】
　そしてリードフレーム９のアウターリード部１６の成形を行い、封子樹脂１５と同一面になるように成形する。
　【００７１】
　以上のような工程により、リードフレームに対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であり、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、さら半導体素子１９の底面と封止樹脂１５との密着性も向上させているので、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００７２】
　次に本発明の第７の実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
　【００７３】
　図７，図８は本発明の第７の実施形態の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、図７（ａ）は断面図、図７（ｂ）は部分的に拡大した断面図、図７（ｃ）は内部構造を透過させた透過型底面図である。図８は底面図である。また図７の透過型底面図中、破線部分は半導体素子を示している。
　【００７４】
　図７，図８に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部１１上に搭載された半導体素子１２と、その半導体素子１２の上面の電極とインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、ダイパッド部１１の下部と半導体素子１２の上面とを含む半導体素子１２の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列され、インナーリード部１３と接続した外部端子であるアウターリード部１６とより構成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１７を有しているので、ダイパッド部１１の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部１６は、封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂よりも突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。なお、図８では、吊りリード１０の一部が露出しているが、これは、吊りリード１０でダイパッド部１１がアップセットされているが、アップセットされていない吊りリード１０が露出しているものである。
　【００７５】
　さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、アウターリード部１６がハーフエッチングされて、凸状部２５を形成している。そして樹脂封止型半導体装置の底面では、凸状部２５の表面のみが露出している構造であり、アウターリード部１６が封止樹脂１５に埋め込まれた構造である。このアウターリード部１６の凸状部２５の形状により、アンカー効果として、封止樹脂１５からアウターリード部１６（インナーリード部１３）が剥がれることを防止できるものである。これは、特にこの樹脂封止型半導体装置の裏面側では、封止樹脂１５による封止厚が薄く、アウターリード部１６（インナーリード部１３）をその中に埋め込んでも、固定する力が弱かったり、外部から力がかかり、アウターリード部１６（インナーリード部１３）が剥がれたりすることを防止する点に着目した構成である。
　【００７６】
　ここで本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、全体厚が０．７［ｍｍ］という非常に薄型の樹脂封止型半導体装置であり、半導体素子厚プラス１［ｍｍ］という厚みを目標にしたものである。そして吊りリード１０のアップセット処理の段差は、０．１［ｍｍ］であり、ダイパッド部１１の下方の封止樹脂１５ａの厚さは０．１［ｍｍ］である。また半導体素子１２の厚さは０．２［ｍｍ］であり、半導体素子１２の上方の封止樹脂１５ｂの厚さは、０．１５［ｍｍ］である。
　【００７７】
　次に図７，図８に示した本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図７に示した構成に基づいて説明する。
　【００７８】
　まずリードフレーム９のインナーリード部１３およびアウターリード部１６となる部分の下面部分にハーフエッチング処理し、アウターリード部１６となる部分の表面に段差を形成し、凸状部２５を形成する。
　【００７９】
　次にリードフレーム９のダイパッド部１１を支持している吊りリード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイパッド部１１に対して半導体素子１２を導電性接着剤により底面側を接合する。
　【００８０】
　次にダイパッド部１１上の半導体素子１２の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。
　【００８１】
　次にトランスファーモールドにより、半導体素子１２の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１２の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、ダイパッド部１１の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ，封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部１１の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１２の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域、すなわちアウターリード部１６（凸状部２５）の表面が露出している部分に封止樹脂１５が回り込まないように機密性よく封止する必要がある。
　【００８２】
　以上のような工程により、リードフレームに対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であるため、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００８３】
　次に本発明の第８の実施形態の樹脂封止型半導体装置について、図面を参照しながら説明する。
　【００８４】
　図９，図１０は本発明の第８の実施形態の樹脂封止型半導体装置の構造を示す図であり、図９（ａ）は断面図、図９（ｂ）は部分的に拡大した断面図、図９（ｃ）は内部構造を透過させた透過型底面図である。図１０は底面図である。また図９の透過型底面図中、破線部分は半導体素子を示している。
　【００８５】
　図９，図１０に示すように本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム９の吊りリード１０で支持されたダイパッド部１１上に搭載された半導体素子１２と、その半導体素子１２の上面の電極とインナーリード部１３とを電気的に接続した金属細線１４と、ダイパッド部１１の下部と半導体素子１２の上面とを含む半導体素子１２の外囲領域を封止した封止樹脂１５と、封止樹脂１５の底面領域に配列され、インナーリード部１３と接続した外部端子であるアウターリード部１６とより構成されている。本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード１０がアップセット処理され、段差部１７を有しているので、ダイパッド部１１の下方にも封止樹脂１５ａを存在させることができ、薄型ではあるが実質的にリードフレームに対して両面封止型の半導体装置であり、両面封止構造であるために信頼性を保つことができるものである。また外部端子であるアウターリード部１６は、封止樹脂１５の側面部と実質的に同一面にあり、従来のように封止樹脂よりも突出しているものではないため、アウターリード部１６の変形等を防止でき、面実装タイプの半導体装置である。なお、図１０では、吊りリード１０の一部が露出しているが、これは、吊りリード１０でダイパッド部１１がアップセットされているが、アップセットされていない吊りリード１０が露出しているものである。
　【００８６】
　さらに本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、アウターリード部１６がハーフエッチングされて、凸状部２５を形成している。そして樹脂封止型半導体装置の底面では、凸状部２５の表面のみが露出している構造であり、アウターリード部１６が封止樹脂１５に埋め込まれた構造である。このアウターリード部１６の凸状部２５の表面、すなわちアウターリード部１６の表面には、はんだボールなどのボール電極２６が付設されているものである。このボール電極２６をアウターリード部１６の表面に設けることにより、基板実装の際に安定した接合ができ、実装性を向上させることができる。
　【００８７】
　次に図９，図１０に示した本実施形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法について、図９に示した構成に基づいて説明する。
　【００８８】
　まずリードフレーム９のインナーリード部１３およびアウターリード部１６となる部分の下面部分にハーフエッチング処理し、アウターリード部１６となる部分の表面に段差を形成し、凸状部２５を形成する。
　【００８９】
　次にリードフレーム９のダイパッド部１１を支持している吊りリード１０に対して、加圧してアップセット処理し、段差部１７を形成する。そしてそのリードフレーム９のダイパッド部１１に対して半導体素子１２を導電性接着剤により底面側を接合する。
　【００９０】
　次にダイパッド部１１上の半導体素子１２の電極とリードフレーム９のインナーリード部１３とを金属細線１４により電気的に接続する。
　【００９１】
　次にトランスファーモールドにより、半導体素子１２の外囲領域を封止樹脂１５により封止する。この場合、半導体素子１２の上面、すなわち金属細線１４で電気的に接続した領域と、ダイパッド部１１の下部領域とを封止し、封止樹脂１５ａ，封止樹脂１５ｂを形成する。また封止樹脂１５による封止厚は、ダイパッド部１１の下部の封止樹脂１５ａでは、インナーリード部１３の底面と同一面になるような厚さであり、半導体素子１２の上面の封止樹脂１５ｂでは、金属細線１４のループ高さ以上の厚さになるように封止する。なお、樹脂封止工程では、インナーリード部１３の底面領域、すなわちアウターリード部１６（凸状部２５）の表面が露出している部分に封止樹脂１５が回り込まないように機密性よく封止する必要がある。
　【００９２】
　最後に裏面に露出しているアウターリード部１６（凸状部２５）の表面にボール電極を形成する。これは例えば、はんだボールをボール電極２６として設ける場合には、はんだの配設された型にアウターリード部１６（凸状部２５）の表面を接触させることで、ボール電極を形成することができる。
　【００９３】
　以上のような工程により、リードフレームに対して両面封止型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。そして両面封止構造であるため、封止樹脂１５とリードフレーム９との密着性を確保し、パッケージクラック等の発生を抑制して信頼性を保つことができるものである。
　【００９４】
　以上、本発明の各実施形態に示したように、リードフレームの吊りリード部に対してアップセット加工し、ダイパッド部をインナーリード部よりも上方に上げているので、ダイパッド部の下方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上させることができ、製品の信頼性を保つことができる。さらにアウターリード部を従来のように封止樹脂の側面から突出させずに、封止樹脂の底面部分に埋め込んだ形で配列しているので、外部端子としての信頼性を向上することができるとともに、外部端子が突出していない分だけ、小型の半導体装置を実現することができる。またリードフレームの上面と下面との両面で樹脂封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚さであるため、薄型化は実現できるものである。さらにダイパッド部を小面積化したり、開口部を設けたりすることで、封止樹脂と半導体素子裏面との密着性を向上させることができ、信頼性を確保することができる。
　【００９５】
　【発明の効果】
　本発明の樹脂封止型半導体装置は、吊りリード部に対してアップセット加工し、ダイパッド部をインナーリード部よりも上方に上げているので、ダイパッド部の下方にアップセットの段差分の厚さの封止樹脂が存在し、リードフレームと封止樹脂との密着性を向上させることができ、製品の信頼性を保つことができる。またリードフレームの上面と下面との両面で樹脂封止しても、下面の樹脂厚はアップセットの段差分の厚さであるため、薄型化は実現できるものである。さらにアウターリード部を従来のように封止樹脂の側面から突出させずに、封止樹脂の底面部分に埋め込んだ形で配列しているので、外部端子としての信頼性を向上することができるとともに、外部端子が突出していない分だけ、小型の樹脂封止型半導体装置を実現することができる。またアウターリード部に凸状部を形成しているので、封止樹脂とのアンカー効果により、リード剥がれを防止できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図２】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図３】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図４】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図５】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図６】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図７】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図８】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図９】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図１０】
　本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を示す図
　【図１１】
　従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
　【図１２】
　従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
　【符号の説明】
　１　リードフレーム
　２　ダイパッド部
　３　半導体素子
　４　インナーリード部
　４ａ　先端部
　５　金属細線
　６　封止樹脂
　７　アウターリード部
　８　樹脂テープ
　９　リードフレーム
　１０　吊りリード
　１１　ダイパッド部
　１２　半導体素子
　１３　インナーリード部
　１４　金属細線
　１５　封止樹脂
　１６　アウターリード部
　１７　段差部
　１８　ダイパッド部
　１９　半導体素子
　２０　ダイパッド部
　２１　開口部
　２２　段差部
　２３　インナーリード部
　２４　絶縁物質
　２５　凸状部
　２６　ボール電極