【事件の表示】
　特許第３１６１４３８号「アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法」の請求項１ないし３、７、８、２０、２３ないし２５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６１４３８号の請求項１ないし３、７、８、２０、２２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１６１４３８号の請求項１〜３、７、８、２０、２３〜２５に係る発明についての出願は、平成１０年１１月２４日の出願であって、平成１３年２月２３日にその発明についての特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人中川徹により特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年３月２５日に訂正請求がなされ、再度取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年６月２４日に、先の訂正請求が取り下げられるとともに、新たな訂正請求がなされ、再々度取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年７月２５日に、先の訂正請求が取り下げられるとともに、新たな訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
(1) 訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
・訂正事項a
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項1
「【請求項１】 画素電極と配線がオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板の層間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行うことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項１】画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、ベンゾシクロブテンポリマー、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有する有機膜を形成し、レジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成し、前記有機膜パターンをマスクとしてその下層に形成された下地膜をドライエッチングすることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
」と訂正する。
・訂正事項ｂ
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項２
「【請求項２】　ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつO２又はCF４又はCHF３又はSF６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地のパターニングを行うことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項２】 ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつO２又はCF４又はCHF３又はSF６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地膜のパターニングを行うことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
・訂正事項ｃ
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項３
「【請求項３】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項３】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地膜をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
・訂正事項ｄ
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項８
「【請求項８】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項８】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地膜をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
・訂正事項ｅ
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項１０
「【請求項１０】 式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
」を
「【請求項１０】 式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」と構造式１，２を記載しない形式として訂正する。
・訂正事項ｆ
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項２０
「【請求項２０】　画素電極と配線がオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板において、層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行って得られることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」を
「【請求項２０】　画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が、ベンゾシクロブテンポリマーによりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」と訂正します。
・訂正事項ｇ
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項２１，２４乃至４１を、削除する。
・訂正事項ｈ
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項２２
「【請求項２２】前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とする請求項２０に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」を独立項形式とし、請求項２１に繰り上げて、
「【請求項２１】 画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」と訂正する。
・訂正事項ｉ
　特許明細書記載の特許請求の範囲の請求項２３
「【請求項２３】 前記有機膜が感光基を含有しないアクリル系樹脂によりなることを特徴とする請求項２０に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」を独立項形式とし、請求項２２に繰り上げて、
「【請求項２２】 画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をレジストパターンをマスクとしてパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂によりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」と訂正する。
・訂正事項ｊ
　特許明細書記載の段落番号【００１４】欄
「【００１４】すなわち本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、画素電極と配線がオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板の層間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。」を、
「【００１４】すなわち本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、ベンゾシクロブテンポリマー、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエボキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有する有機膜を形成し、レジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成し、前記有機膜パターンをマスクとしてその下層に形成された下地膜をドライエッチングすることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。
」と訂正する。
・訂正事項ｋ
　特許明細書記載の段落番号【００１５】欄
「【００１５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつO２又はCF４又はCHF３又はSF６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地のパターニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」を、
「【００１５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつO２又はCF４又はCHF３又はSF６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地膜のパターニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」と訂正する。
・訂正事項ｌ
　段落番号【００１６】欄
「【００１６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」を、
「【００１６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」と訂正する。
・訂正事項ｍ
　特許明細書記載の段落番号【００２３】欄
「【００２３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
」を、
「【００２３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。」と訂正する。
・訂正事項ｎ
　特許明細書記載の段落番号【００２１】欄
「【００２１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウェットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」を、
「【００２１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地膜をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」と訂正する。
・訂正事項ｏ
　特許明細書記載の段落番号【００３４】欄
「【００３４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線がオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板において、層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行って得られることを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」を、
「【００３４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が、ベンゾシクロブテンポリマーによりなることを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」と訂正する。
・訂正事項ｐ
　特許明細書記載の段落番号【００３６】欄
「【００３６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、前記有機膜がベンゾシクロブテンポリマ一によりなることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」を、
「【００３６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」と訂正する。
・訂正事項ｑ
　特許明細書記載の段落番号【００３７】欄
「【００３７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」を、
「【００３７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をレジストパターンをマスクとしてパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂によりなることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」と訂正する。
・訂正事項ｒ
　特許明細書記載の段落番号【００３８】乃至【００５６】を、削除する。
・訂正事項ｓ
　特許明細書記載の段落番号【００８０】欄
「【００８０】また本実施形態の他の特徴として、熱架橋反応により有機膜を半硬化してレジスト剥離剤に対して不溶化しレジスト剥離後に再焼成を行って完全に硬化するという２段階の熱処理を行う点が挙げられる。従来のように仮焼を行ったままの状態でレジスト除去を行う場合には、強力なレジスト剥離剤を使用すると膨潤や損耗が起こりやすく、それらを使用することができなかった。しかし、有機膜パターンが形成された段階で熱架橋反応を促進させていったん半硬化の状態とすることにより、それらレジスト剥離剤への耐性が付与される。従って、レジスト剥離剤として乳酸エチルや乳酸ブチルよりも剥離性に優れたDMSO・アミン系剥離剤、又はDMSO・NMP系剥離剤を使用することが可能となる。
【００８０】同様に、従来困難であったレジスト層−アクリル層界面の「ミキシング層」除去が可能であるTMAH溶液を使用することができるようになる。さらにこの場合特筆すべきは、本来レジスト現像液であるTMAH溶液をレジスト剥離剤として適用することにより、レジストの現像、有機膜のウエットエッチング、及びレジスト除去をすべて同一の溶液により行うことができ、簡便かつ効率的な点である。」を、
「【００８０】また本実施形態の他の特徴として、熱架橋反応により有機膜を半硬化してレジスト剥離剤に対して不溶化しレジスト剥離後に再焼成を行って完全に硬化するという２段階の熱処理を行う点が挙げられる。従来のように仮焼を行ったままの状態でレジスト除去を行う場合には、強力なレジスト剥離剤を使用すると膨潤や損耗が起こりやすく、それらを使用することができなかった。しかし、有機膜パターンが形成された段階で熱架橋反応を促進させていったん半硬化の状態とすることにより、それらレジスト剥離剤への耐性が付与される。従って、レジスト剥離剤として乳酸エチルや乳酸ブチルよりも剥離性に優れたDMSO・アミン系剥離剤、又はDMSO・NMP系剥離剤を使用することが可能となる。
　同様に、従来困難であったレジスト層−アクリル層界面の「ミキシング層」除去が可能であるTMAH溶液を使用することができるようになる。さらにこの場合特筆すべきは、本来レジスト現像液であるTMAH溶液をレジスト剥離剤として適用することにより、レジストの現像、有機膜のウエットエッチング、及びレジスト除去をすべて同一の溶液により行うことができ、簡便かつ効率的な点である。」と訂正する。
　
(2) 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする点、有機膜が、ベンゾシクロブテンポリマー、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有するものである点、及び、レジストパターンをマスクとして有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成する点を限定した上で、「下地のパターニング」を「その下層に形成された下地膜をドライエッチング」と訂正したものである。これらの点は、特許明細書の請求項２の「ドライエッチング法により下地のパターニングを行う」という記載、同じく請求項３の「レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る」という記載、同じく段落番号【００５８】欄の「層間絶縁膜の材料としてベンゾシクロブテンポリマーを用いる」という記載、同じく段落番号【００６７】欄の「層間絶縁膜の材料として式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を持つ化合物との重合体を用いる」という記載及び同じく段落番号【００８１】欄の「光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂を用いて実施形態４と同様に有機膜パターンの形成までを完了」するという記載を根拠とするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、「下地」を「下地膜」と訂正することは、誤記の訂正または明瞭でない記載の釈明に該当する。よって、上記訂正事項ａは、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項b乃至ｄは、「下地」を「下地膜」と訂正したものであり、誤記の訂正または明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｅは、上記訂正事項ａの訂正に伴い、式１及び式２の重複を避けるためのものであり、誤記の訂正または明瞭でない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｆは、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップしている点を限定した上で、「下地」を「下地膜」と訂正したものである。上記点は、特許明細書の請求項２０の「層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成」という記載及び図８の記載を根拠とするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、「下地」を「下地膜」と訂正することは、誤記の訂正または明瞭でない記載の釈明に該当する。よって、上記訂正事項ｆは、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｇは、単に請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｈは、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップしている点を限定し、「下地」を「下地膜」と訂正した上で、訂正前の請求項２２を独立請求項としたものである。上記点は、特許明細書の請求項２０に記載された「層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成」及び図８の記載を根拠とするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、「下地」を「下地膜」と訂正することは、誤記の訂正または明瞭でない記載の釈明に該当する。よって、上記訂正事項ｈは、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｉは、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップしている点、及び、有機膜が光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂である点を限定し、「下地」を「下地膜」と訂正した上で、訂正前の請求項２３を独立請求項としたものである。上記点は、特許明細書の請求項２０に記載された「層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成」という記載、同じく段落番号【００５３】欄の「感光基を含有せずかつアクリル及び光開始重合剤を含有する樹脂を塗布」という記載及び図８の記載を根拠とするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、「下地」を「下地膜」と訂正することは、誤記の訂正または明瞭でない記載の釈明に該当する。よって、上記訂正事項ｉは、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｋ乃至ｒは、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるためのものであり、誤記の訂正または明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｓは、詳細に検討するまでもなく、明らかな誤記を訂正するものであって、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
(3) 独立特許要件
　上記特許明細書記載の請求項２２に係る訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、上記請求項から訂正された訂正明細書の請求項２１に係る発明（以下、「本件発明２１」という。）の独立特許要件について検討する。
　本件発明２１は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２１に記載された事項により特定された、下記の通りのものである。
「【請求項２１】 画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　そして、本件発明２１と刊行物１乃至３記載の発明（下記３．(3)参照。）とを比較すると、本件発明２１の構成要件である「有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなる」点が、刊行物１乃至３のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明２１は、上記点により、特許明細書記載の「有機膜は高い光透過性、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」（特許公報９頁右欄１７行〜１８行）という効果を奏するものである。
　よって、本件発明２１は、申立人が提出した刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではないから、出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
(4) むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立て
(1) 申立ての理由の概要
　申立人は、下記の甲第１乃至３号証を提出し、特許第３１６１４３８号の訂正前の請求項１，２０，２３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であって、また、同請求項１〜３，７，８，２０，２３〜２５に係る発明は、甲第１乃至３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号及び第２項の規定により、特許を受けることができない発明であって、当該発明に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　甲第１号証：特開平６−２４２４３３号公報（以下、「刊行物１」という。）
　甲第２号証：特開平８−１５７３１号公報（以下、「刊行物２」という。）
　甲第３号証：特開昭６３−２８４５２３号公報（以下、「刊行物３」という。）
　
(2) 本件発明
　上記２．で示したように訂正が認められるから、本件の請求項１〜３，７，８，２０，２３〜２５に係る発明は、平成１４年７月２５日付けの訂正請求書により訂正された特許請求の範囲の請求項１〜３，７，８，２０，２２に記載された次のとおりのものが、異議申立の対象となる。
「【請求項１】画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、ベンゾシクロブテンポリマー、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有する有機膜を形成し、レジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成し、前記有機膜パターンをマスクとしてその下層に形成された下地膜をドライエッチングすることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】 ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつO２又はCF４又はCHF３又はSF６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地膜のパターニングを行うことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地膜をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】　ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行う工程において、レジストの現像と有機膜のエッチングとを同時に行うことを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】 樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地膜をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
【請求項２０】　画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が、ベンゾシクロブテンポリマーによりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２２】 画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のTFT(薄型トランジスタ)基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をレジストパターンをマスクとしてパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂によりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明７」、「本件発明８」、「本件発明２０」、「本件発明２２」という。）
　
(3) 引用刊行物に記載された発明
　申立人が提出した刊行物１には、
「図１は、本発明にかかるアクティブマトリクス基板の基本的な構成を示す断面図である。図示する様に、アクティブマトリクス基板１は石英ガラス等からなる絶縁基板２を用いて構成されており、その表面には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３が集積的に形成されている。ＴＦＴ３は島状にパタニングされた半導体薄膜４を素子領域として利用している。この半導体薄膜４は例えば第一のポリシリコン（以下、１Ｐｏｌｙと称する）からなる。なお本発明はこれに限られるものではなく、ポリシリコンに代え、単結晶シリコンや非晶質シリコンを用いる事も可能である。半導体薄膜４の上には三層のゲート絶縁膜を介してゲート電極Ｇがパタニング形成されている。このゲート電極Ｇは、例えば第二のポリシリコン（以下２Ｐｏｌｙと称する）からなる。ＴＦＴ３のソース領域Ｓには第一層間絶縁膜５に設けられた第一コンタクトホール６を通じ金属配線パタン７が電気接続している。第一層間絶縁膜５は例えば燐がドーピングされたガラスからなり以下１ＰＳＧと称する。金属配線パタン７は例えばアルミニウムからなり画像信号ラインその他を構成する。一方、ＴＦＴ３のドレイン領域Ｄには第一層間絶縁膜５及び第二層間絶縁膜８を介して設けられた第二コンタクトホール９を通じ、画素電極１０が電気接続している。この第二層間絶縁膜８は金属配線パタン７を被覆する様に成膜されており、同じく燐をドーピングしたガラス等からなり、以下２ＰＳＧと称する。
【０００９】本発明の特徴事項として、第二層間絶縁膜８と画素電極１０との間に平坦化層１１が介在している。この平坦化層１１はＴＦＴ３や金属配線パタン７の凹凸を埋め平坦化する為に充分な厚みを有している。平坦化層１１の表面は略完全な平面状態にあり、その上に画素電極１０がパタニング形成される。従って、画素電極１０のレベルには何ら凹凸が存在しない。平坦化層１１は一般に無色透明である事が要求される。又、第二コンタクトホール９を設ける必要がある為、微細加工が可能でなければならない。さらに、画素電極１０のエッチング等に薬品を用いる為、所望の耐薬品性が要求される。加えて、後工程で高温にさらされる為、所定の耐熱性を要求される。かかる要求特性を満たす為、所望の有機材料や無機材料が選択される。有機材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂が挙げられる。ポリイミドは耐熱性に優れているが若干着色がある。これに対してアクリル樹脂は略完全に無色透明である。これらの樹脂は、例えばスピンコート法や転写法等により塗布される。無機材料としては、例えば二酸化珪素を主成分とする無機ガラスが挙げられる。本実施例では、所定の粘性を有し凹凸を埋めるのに好適なアクリル樹脂を用いている。」（段落番号【０００８】及び【０００９】欄）、
「先ず最初に、図２の工程Ａにおいて、石英等からなる絶縁基板の表面に１ＰｏｌｙをＬＰＣＶＤ法により成膜する。次にＳｉイオン注入を行ない一旦微細化した後固相成長を行ない１Ｐｏｌｙの大粒径化を図る。その後１Ｐｏｌｙを島状にパタニングし素子領域を形成する。さらにその表面を熱酸化しＳｉＯ2 としてゲート酸化膜を得る。さらにボロンイオンを所定濃度で注入し、予め閾値電圧の調整を行なう。なお、図示しないが同時に１Ｐｏｌｙをパタニングして補助容量を形成できる様にする。次に工程Ｂにおいて、ＬＰＣＶＤ法によりＳｉＮを成膜しゲート窒化膜とする。このＳｉＮの表面を熱酸化しＳｉＯ2 に転換する。この様にしてＳｉＯ2 ／ＳｉＮ／ＳｉＯ2 の三層構造からなる耐圧性に優れたゲート絶縁膜が得られる。次にＬＰＣＶＤ法により２Ｐｏｌｙを堆積する。２Ｐｏｌｙの低抵抗化を図った後、所定の形状にパタニングしゲート電極Ｇを得る。次にゲート電極ＧをマスクとしてセルフアライメントによりＡｓイオンを注入し所謂ＬＤＤ構造とする。続いてＳｉＮを部分的にエッチングで除去した後、Ａｓイオンを高濃度で注入し１Ｐｏｌｙにソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを設ける。この様にしてＮチャネル型のＴＦＴが形成される。なお、Ｐチャネル型のＴＦＴを形成する場合にはボロンイオンを注入する。続いて工程ＣにおいてＡＰＣＶＤ法により１ＰＳＧを堆積する。この１ＰＳＧに第一コンタクトホール（１ＣＯＮ）をパタニング形成した後、スパッタリングによりアルミニウム（Ａｌ）を全面的に成膜する。これを所定の形状にパタニングしてＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する金属配線パタンに加工する。
【００１２】図３の工程Ｄにおいて、ＡＰＣＶＤ法により、１ＰＳＧに重ねて２ＰＳＧを堆積し、Ａｌからなる配線金属パタンを完全に被覆する。続いて工程Ｅにおいて、２ＰＳＧ表面の凹凸を平坦化層で埋める。この為、本実施例では所定の粘性を有する液状のアクリル樹脂をスピンコーティングで塗布した。その後加熱処理を施しアクリル樹脂を硬化させて平坦化層とした。硬化した平坦化層に対してフォトリソグラフィ及びエッチングを施し第二コンタクトホール（２ＣＯＮ）を形成する。この２ＣＯＮの底部にはＴＦＴのドレイン領域Ｄが露出している。なお平坦化層、２ＰＳＧ、１ＰＳＧを貫通する２ＣＯＮの形成方法の具体例については後に詳細に説明する。次に工程Ｆにおいてスパッタリングにより透明導電膜を成膜する。本実施例では透明導電膜材料としてＩＴＯを用いる。ＩＴＯは２ＣＯＮの内部にも充填され、ＴＦＴのドレイン領域Ｄと電気的な導通がとられる。最後に工程ＧにおいてＩＴＯを所定の形状にパタニングし画素電極とする。以上の工程により平坦化されたアクティブマトリクス基板が得られる。」（段落番号【００１１】及び【００１２】欄）、及び、
「図１０は、図４の（Ｃ）に示したコンタクトホールの第三具体例を形成する方法を表している。この例では非感光性樹脂を利用している。工程ＡでＰｏｌｙの上にＰＳＧを成膜する。工程Ｂで非感光性樹脂を塗布した後焼成して平坦化膜を成膜する。工程Ｃでレジストを塗布し露光現像して所定の開口を設ける。工程Ｄでレジストを介し平坦化膜をエッチングする。ライトアッシングを行なった後、工程Ｅで引き続きＰＳＧをエッチングする。最後にレジストを剥離してベイキングを行なう。
【００２３】図１１は、同じく図４の（Ｃ）に示したコンタクトホールの第三具体例につき他の作成方法を示す。図１０に示した方法と異なり、本例では平坦化膜として感光性樹脂を用いている。先ず工程ＡでＰｏｌｙの上にＰＳＧを成膜する。工程Ｂで感光性樹脂を塗布し平坦化膜とする。工程Ｃで平坦化膜の露光、現像、焼成を行なう。ライトアッシングを行なった後、工程Ｄで平坦化膜をマスクとしてセルフアライメトによりＰＳＧをエッチングする。この後ベイキングを行なう。」（段落番号【００２２】及び【００２３】欄）と記載され、
図２乃至図４には、平坦化膜を備えたアクティブマトリクス基板の製造方法が示されている。
　同じく刊行物２には、
「【００２０】最後に図８〜図１０を参照して本発明にかかる表示用基板の製造方法の具体例を詳細に説明する。先ず最初に、図８の工程Ａにおいて、石英等からなる絶縁基板の表面に一層目のポリシリコン（１Ｐｏｌｙ）をＬＰＣＶＤ法により成膜する。次にＳｉイオン注入を行ない一旦微細化した後固相成長を行ない１Ｐｏｌｙの大粒径化を図る。その後１Ｐｏｌｙを島状にパタニングし素子領域を形成する。さらにその表面を熱酸化しＳｉＯ2 としてゲート酸化膜を得る。さらにボロンイオンを所定濃度で注入し、予め閾値電圧の調整を行なう。次に工程Ｂにおいて、ＬＰＣＶＤ法によりＳｉＮを成膜しゲート窒化膜とする。このＳｉＮの表面を熱酸化しＳｉＯ2 に転換する。この様にしてＳｉＯ2 ／ＳｉＮ／ＳｉＯ2 の三層構造からなる耐圧性に優れたゲート絶縁膜が得られる。次にＬＰＣＶＤ法により二層目のポリシリコン（２Ｐｏｌｙ）を堆積する。２Ｐｏｌｙの低抵抗化を図った後、所定の形状にパタニングしゲート電極Ｇを得る。次にゲート電極ＧをマスクとしてセルフアライメントによりＡｓイオンを注入し所謂ＬＤＤ構造とする。続いてＳｉＮを部分的にエッチングで除去した後、Ａｓイオンを高濃度で注入し１Ｐｏｌｙにソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを設ける。この様にしてＮチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。なお、Ｐチャネル型のＴＦＴを形成する場合にはボロンイオンを注入する。続いて工程ＣにおいてＡＰＣＶＤ法により第一層間絶縁膜（１ＰＳＧ）を堆積する。この１ＰＳＧに第一コンタクトホール（１ＣＯＮ）をパタニング形成した後、スパッタリングによりアルミニウム（Ａｌ）を全面的に成膜する。これを所定の形状にパタニングしてＴＦＴのソース領域Ｓに電気接続する金属配線パタンに加工する。次に工程Ｄにおいて、ＡＰＣＶＤ法により、１ＰＳＧに重ねて第二層間絶縁膜（２ＰＳＧ）を堆積し、Ａｌからなる金属配線パタンを完全に被覆する。この後、１ＰＳＧ及び２ＰＳＧを連続的にエッチングし、ＴＦＴのドレイン領域Ｄに連通する開口を予め設けておく。
【００２１】図９の工程Ｅにおいて、２ＰＳＧ表面の凹凸を平坦化膜で埋める。この為、本実施例では所定の粘性を有する液状の感光性アクリル樹脂をスピンコーティングで塗布した。その後仮焼成（プリベーク）を施しアクリル樹脂を固化させて平坦化膜とした。次に工程Ｆにおいて、平坦化膜に対して直接写真蝕刻（露光現像）を施し、第二コンタクトホール（２ＣＯＮ）を形成する。この２ＣＯＮの底部にはエッチング残渣が残っているとともに、平坦化膜の表面は現像液との反応により生じた被膜により覆われている。続いて比較的強度の高い紫外線を照射して後露光を行ない、平坦化膜中に残留する光吸収剤を脱色（ブリーチング）して完全に透明化する。次に工程Ｇにおいて、平坦化膜の表面灰化処理を行ない、被膜を除去するとともに２ＣＯＮの底部に残留したエッチング残渣を除去する。この表面灰化処理は、例えば基板温度を８０℃〜１００℃に設定して酸素プラズマを作用させライトアッシングを行なう。さらに加熱処理（ポストベーク）を行ない、平坦化膜を本焼成する。この結果、平坦化膜の表面はリフローを受け緻密化及び平滑化する。さらに、ライトエッチングを行ない、ＴＦＴのドレイン領域Ｄの表面を覆う酸化膜を除去する。例えば、フッ酸を作用させて酸化膜を溶解する。
【００２２】図１０の工程Ｈにおいて、スパッタリングにより透明導電膜を成膜する。本実施例では透明導電膜材料としてＩＴＯを用いる。ＩＴＯは２ＣＯＮの内部にも充填され、ＴＦＴのドレイン領域Ｄと電気的な導通がとられる。最後に工程Ｉにおいて、ＩＴＯを所定の形状にパタニングし画素電極とする。以上の工程により平坦化された表示用基板が得られる。この後、表示用基板を用いてアクティブマトリクス型の液晶表示装置を組み立てる場合には工程Ｊを行なう。即ち、所定の間隙を介して表示用基板に対向基板を接合し、間隙に液晶を注入する。なお対向基板の内表面には対向電極が予め形成されている。」（段落番号【００２０】乃至【００２２】欄）と記載され、
図７乃至図９には、平坦化膜を備えたアクティブマトリクス基板の製造方法が示されている。
　同じく刊行物３には、
「本発明は、前述の問題点を解決するため、絶縁性基板上に透明導電層を選択的に形成し、透明導電層上に第一の透明絶縁層この上にトランジスタのゲート電極となる第一の金属層を選択的に形成し、第一の金属層上に第二の透明絶縁層を介して島上半導体層を選択的に形成し、透明絶縁膜上に形成された第一及び第二の透明絶縁層に開口部を形成し、島状半導体層上で第一の金属層と一部重なり合うように選択的に形成された一対の対二の金属層の一方が前記開口部を介して電気的に接触する構造を形成する薄膜トランジスタアレーの製造において、第一の透明絶縁層及び第二の透明絶縁層をエッチングして開口部を設ける際に、弗化炭素または弗化炭素の弗素の一部が水素に置換された構造のガスを含む反応性ガスを用いたリアクティブイオンエッチングによってエッチングする。
　作用
　本発明は前記した方法によりエッチングすると、窒化シリコンによりも酸化シリコンのエッチング速度の方が遅いため開口部にオーバーハングが生ぜず、良好なコンタクトが形成され、MIS薄膜トランジスタのドレインを兼ねる第二の金属層と透明導電層との電気的接続及び走査信号線の取り出し電極を兼ねる第二の金属層と走査信号線との電気的接続の不良が低減され、歩留まりの高い薄膜トランジスタアレーが製造できる。
　実施例
　本発明の一実施例の方法を第２図の薄膜トランジスタアレーの断面図を用いて説明する。
　まず、ガラス板７上に透明導電層１として例えばITO(Indium-Tin-Oxide）を選択的に被着形成し、その後全面に第一の透明絶縁層８として例えば酸化シリコンを被着する。次いでゲート電極と走査信号線を兼ねる第一の金属層２を例えばCrで選択的に被着形成する。その後プラズマCVD法により全面に第二の透明絶縁層９として例えば窒化シリコンを形成し、ドナーまたはアクセプタとなる不純物をほとんど含まない島状の非晶質シリコン半導体層３を選択的に被着形成する。引き続き第２図（b）に示すごとく、窒化シリコン層９と酸化シリコン層８上に通常のフォトリソグラフィー法で開口部を有するレジストパターン２０を形成し、例えば、平行平板型のリアクティブイオンエッチング装置にて、例えば、CF4を２７SCCM、O2を３SCCMの流量で、圧力を４００mTorrに保ち３５０Wのパワーでエッチングすると窒化シリコン９及び酸化シリコン８のエッチング速度はそれぞれ、６０００Å／分、２０００Å／分となり、オーバーハングは生ぜずに開口部４が形成され、透明導電層１の一部が露出する。この時、図示はしないが、この薄膜トランジスタアレーの端部では走査信号線２上の窒化シリコン層９にも開口部が形成される。そして、映像信号線とMISトランジスタのソースを兼ねる第二の金属層５およびMISトランジスタのドレインと開口部４を介して透明導電層１とを接続する第二の金属層６が例えば、Aｌにて選択的に被着形成され、同時に前述した薄膜トランジスタアレー端部の開口部を介して走査信号線２の取り出し電極も形成される。」（２頁右下欄１３行〜３頁左下欄１４行）と記載され、
第２図には、開口部４を備えた薄膜トランジスタアレーが示されている。
　
(4) 対比・判断
ａ．本件発明１について
　本件発明１と刊行物１乃至３記載の発明とを比較すると、本件発明１の構成要件である「ベンゾシクロブテンポリマー、式1の構造式で表されるカルド型化合物と式2の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有する有機膜を形成し、レジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成し、前記有機膜パターンをマスクとしてその下層に形成された下地膜をドライエッチングする」（「式１」及び「式２」は、上記３．（２）の請求項１中に記載。）点が、刊行物１乃至３のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、上記点により、特許明細書記載の「異常電圧に起因して、第２の信号入力線４と第１の異常電位引出し線６とがショートしないので、信号入力回路１およびそれを備えるアクティブマトリクス液晶表示パネル１０の信頼性が向上する。」（特許公報６頁左欄３行〜６行）という効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、申立人が提出した刊行物１に記載された発明ではなく、刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもないから、特許法第２９条第１項３号に該当する発明ではなく、同法第２９条第２項の規定に違反しているともいえない。
　
ｂ．本件発明２、３、７、８について
　本件発明２、３、７、８は、その構成要件に本件発明１の構成要件を全て含むものであるから、上記ａ．で述べた理由と同じ理由により、申立人が提出した刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に違反しているとはいえない。
　
ｃ．本件発明２０について
　本件発明２０と刊行物１乃至３記載の発明とを比較すると、本件発明２０の構成要件である「有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が、ベンゾシクロブテンポリマーによりなる」点が、刊行物１乃至３のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明２０は、上記点により、特許明細書記載の「有機膜は高い光透過性、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」（特許公報９頁右欄１０行〜１２行）という効果を奏するものである。
　よって、本件発明２０は、申立人が提出した刊行物１に記載された発明ではなく、刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもないから、特許法第２９条第１項３号に該当する発明ではなく、同法第２９条第２項の規定に違反しているともいえない。
　
ｄ．本件発明２２について
　本件発明２２と刊行物１乃至３記載の発明とを比較すると、本件発明２２の構成要件である「有機膜をレジストパターンをマスクとしてパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂によりなる」点が、刊行物１乃至３のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明２２は、上記点により、特許明細書記載の「有機膜は高い光透過性、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、特性に優れる。」（特許公報１１頁左欄３９行〜４０行）という効果を奏するものである。
　よって、本件発明２２は、申立人が提出した刊行物１に記載された発明ではなく、刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものでもないから、特許法第２９条第１項３号に該当する発明ではなく、同法第２９条第２項の規定に違反しているともいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１乃至３，７，８，２０，２２の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１乃至３，７，８，２０，２２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月７日（２００２．８．７）
【訂正の要旨】
（１）訂正の内容
・訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】　画素電極と配線がオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板の層間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行うことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項１】画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、ベンゾシクロブテンポリマー、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有する有機膜を形成し、レジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成し、前記有機膜パターンをマスクとしてその下層に形成された下地膜をドライエッチングすることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
」と訂正する。
・訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２
「【請求項２】　ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつＯ２又はＣＦ４又はＣＨＦ３又はＳＦ６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地のパターニングを行うことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項２】ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつＯ２又はＣＦ４又はＣＨＦ３又はＳＦ６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地膜のパターニングを行うことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
・訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３
「【請求項３】　樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項３】　樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地膜をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
・訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項８
「【請求項８】　樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項８】　樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地膜をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
・訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項１０
「【請求項１０】　式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
」を
「【請求項１０】　式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
・訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項２０
「【請求項２０】　画素電極と配線がオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板において、層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行って得られることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」を
「【請求項２０】　画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が、ベンゾシクロブテンポリマーによりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」と訂正します。
・訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項２２
「【請求項２２】前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とする請求項２０に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」を独立項形式とし、請求項２１に繰り上げて、
「【請求項２１】　画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」と訂正する。
・訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の請求項２３
「【請求項２３】　前記有機膜が感光基を含有しないアクリル系樹脂によりなることを特徴とする請求項２０に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」を独立項形式とし、請求項２２に繰り上げて、
「【請求項２２】　画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をレジストパターンをマスクとしてパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂によりなることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」と訂正する。
・訂正事項ｉ
　特許請求の範囲の請求項２１，２４乃至４１を、削除する。
・訂正事項ｊ
　特許明細書段落番号【００１４】欄
「【００１４】すなわち本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、画素電極と配線がオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板の層間絶縁膜を形成する工程において、前記層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。」を、
「【００１４】すなわち本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、ベンゾシクロブテンポリマー、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエボキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有する有機膜を形成し、レジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成し、前記有機膜パターンをマスクとしてその下層に形成された下地膜をドライエッチングすることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。
」と訂正する。
・訂正事項ｋ
　特許明細書段落番号【００１５】欄
「【００１５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつＯ２又はＣＦ４又はＣＨＦ３又はＳＦ６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地のパターニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」を、
「【００１５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつＯ２又はＣＦ４又はＣＨＦ３又はＳＦ６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地膜のパターニングを行うことを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」と訂正する。
・訂正事項ｌ
　特許明細書段落番号【００１６】欄
「【００１６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」を、
「【００１６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成を行って前記有機膜パターンを完全に硬化させる工程とからなることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」と訂正する。
・訂正事項ｍ
　特許明細書段落番号【００２３】欄
「【００２３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
」を、
「【００２３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。」と訂正する。
・訂正事項ｎ
　特許明細書段落番号【００２１】欄
「【００２１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウェットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」を、
「【００２１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地膜をドライエッチングする工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする。これにより、製造工程を簡略化することができ、生産性が向上する。また、ドライエッチング工程においてウエットエッチング後の樹脂残存物除去を同時に行なうことができる。」と訂正する。
・訂正事項ｏ
　特許明細書段落番号【００３４】欄
「【００３４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線がオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板において、層間絶縁膜の少なくとも一部に有機膜を形成してこれをパターニングし、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のパターニングを行って得られることを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」を、
「【００３４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が、ベンゾシクロブテンポリマーによりなることを特徴とする。これにより得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」と訂正する。
・訂正事項ｐ
　特許明細書段落番号【００３６】欄
「【００３６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、前記有機膜がベンゾシクロブテンポリマーによりなることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」を、
「【００３６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」と訂正する。
・訂正事項ｑ
　特許明細書段落番号【００３７】欄
「【００３７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、前記有機膜が式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体によりなることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」を、
「【００３７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をレジストパターンをマスクとしてパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、前記有機膜が光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂によりなることを特徴とする。これにより、有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、液晶表示面の特性が向上する。」と訂正する。
・訂正事項ｒ
　特許明細書段落番号【００３８】乃至【００５６】を、削除する。
・訂正事項ｓ
　特許明細書段落番号【００８０】欄
「【００８０】また本実施形態の他の特徴として、熱架橋反応により有機膜を半硬化してレジスト剥離剤に対して不溶化しレジスト剥離後に再焼成を行って完全に硬化するという２段階の熱処理を行う点が挙げられる。従来のように仮焼を行ったままの状態でレジスト除去を行う場合には、強力なレジスト剥離剤を使用すると膨潤や損耗が起こりやすく、それらを使用することができなかった。しかし、有機膜パターンが形成された段階で熱架橋反応を促進させていったん半硬化の状態とすることにより、それらレジスト剥離剤への耐性が付与される。従って、レジスト剥離剤として乳酸エチルや乳酸ブチルよりも剥離性に優れたＤＭＳＯ・アミン系剥離剤、又はＤＭＳＯ・ＮＭＰ系剥離剤を使用することが可能となる。
【００８０】同様に、従来困難であったレジスト層−アクリル層界面の「ミキシング層」除去が可能であるＴＭＡＨ溶液を使用することができるようになる。さらにこの場合特筆すべきは、本来レジスト現像液であるＴＭＡＨ溶液をレジスト剥離剤として適用することにより、レジストの現像、有機膜のウエットエッチング、及びレジスト除去をすべて同一の溶液により行うことができ、簡便かつ効率的な点である。」を、
「【００８０】また本実施形態の他の特徴として、熱架橋反応により有機膜を半硬化してレジスト剥離剤に対して不溶化しレジスト剥離後に再焼成を行って完全に硬化するという２段階の熱処理を行う点が挙げられる。従来のように仮焼を行ったままの状態でレジスト除去を行う場合には、強力なレジスト剥離剤を使用すると膨潤や損耗が起こりやすく、それらを使用することができなかった。しかし、有機膜パターンが形成された段階で熱架橋反応を促進させていったん半硬化の状態とすることにより、それらレジスト剥離剤への耐性が付与される。従って、レジスト剥離剤として乳酸エチルや乳酸ブチルよりも剥離性に優れたＤＭＳＯ・アミン系剥離剤、又はＤＭＳＯ・ＮＭＰ系剥離剤を使用することが可能となる。
　同様に、従来困難であったレジスト層−アクリル層界面の「ミキシング層」除去が可能であるＴＭＡＨ溶液を使用することができるようになる。さらにこの場合特筆すべきは、本来レジスト現像液であるＴＭＡＨ溶液をレジスト剥離剤として適用することにより、レジストの現像、有機膜のウエットエッチング、及びレジスト除去をすべて同一の溶液により行うことができ、簡便かつ効率的な点である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
アクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　画素電極と配線が
有機膜を有する層間絶縁膜を介して
を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法において、ベンゾシクロブテンポリマー、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有する
、レジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成し、前記
その下層に形成された
膜をドライエッチングする
　【式１】
　【式２】
　【請求項２】　ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつＯ２又はＣＦ４又はＣＨＦ３又はＳＦ６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地
膜
　【請求項３】　樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地
膜
　【請求項４】　感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤としてメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチルアセテートを用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うことを特徴とする請求項３に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】　プロピレングリコールモノアセチルアセテートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳香族炭化水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イソパラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜のウェットエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　ポリシラザン化合物、又はポリシラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合体を塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液を用いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行う工程において、レジストの現像と有機膜のエッチングとを同時に行うことを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項８】　樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地
膜
　【請求項９】　感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを行い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うことを特徴とする請求項８に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１０】　式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
。
　【請求項１１】　感光基を含有しないアクリル樹脂を塗布して８０〜１００℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項９に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１２】　熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液に対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１３】　熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記有機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離剤を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機撒くパターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１４】　レジスト現像液を用いてレジストを除去することを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１５】　感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及び前記レジストの除去を行うことを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか一に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１６】　感光基を含有せずかつアクリル及び光開始重合剤を含有する樹脂を塗布して８０〜１１０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項９又は請求項１５に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１７】　ｉ線又はそれよりも短波長の光に感応するＵＶ硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、ｇ線で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記有機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に対して不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対して可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１８】　感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶剤を用いたｇ線感応型のポジ型レジストを用い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及び前記レジストの除去を行うことを特徴とする請求項１７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項１９】　式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して８０〜１５０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする請求項９又は請求項１７に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２０】　画素電極と配線が
有機膜を有する層間絶縁膜を介して
を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置
前記
を
て
と、これを
パターニングされた
膜を有しており、
　【請求項２１】　
画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、
式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体
るア
　【請求項２２】　
画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をレジストパターンをマスクとしてパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、
光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂
るア
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置及びその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】従来の、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置について、図７に示すとともに以下に説明する。この装置は、図７（ｂ）に示されるように、ＴＦＴ基板７３０とカラーフィルター（ＣＦ）基板７１０との間にツイストネマティック液晶層７２０を挟持する構造をとっている。ＴＦＴ基板７３０について見ると、ＴＦＴガラス基板１０４上にゲート電極１０５、ゲート絶縁膜１０７、ａ−Ｓｉ層１０９、ｎ＋ａ−Ｓｉ層１１０、ソース電極１１２及びドレイン電極１１１、画素電極７３１、パッシベーション膜７３２を順に形成した構造をとっている。パッシベーション膜７３２としては、プラズマＣＶＤにより成膜した３００ｎｍ程度のＳｉＮを用いるのが一般的である。一方、ＣＦ基板６１０について見ると、ＣＦガラス基板７１１上にブラックマトリクス７１２、色層７１３、対向電極７１４を順に形成した構造をとっている。
　【０００３】このような構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、図７に示される光漏れ領域Ｂを遮光するために、前記ブラックマトリクス７１２を設ける必要があった。従って、この遮光部の重ね合わせマージンを考慮する必要上、液晶表示パネルの光透過領域Ａが小さくなり、装置全体としての透過率が低下する点に問題があった。
　【０００４】そこで、前記光透過領域を大きくするすなわち開口率を高めるための手段として、図８に示されるように画素電極７３１とデータ線７０２及びゲート線７０１がオーバーラップする構造が例えば特開平９−１５２６２５号等に開示されいる。
　【０００５】このような構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、画素電極７３２とデータ線７０２及びゲート線７０１のオーバーラップ容量を低減するために、誘電率が低くかつ厚膜化可能な材料を用いて層間絶縁膜８０１を形成する必要がある。具体的には、従来用いられてきたＳｉＮからなる無機膜の上に、例えばアクリル系やポリイミド系の低比誘電率ポジ型感光性樹脂を２〜４μｍ積層した構造の層間絶縁膜を用いていた。
　【０００６】図９に上記層間絶縁膜８０１の製造工程を示し、以下に説明する。従来と同様にプラズマＣＶＤにより３００ｎｍ程度のＳｉＮ層１０２を積層し、パターニングによってコンタクトホール１１３を形成する（図９（ａ））。次に、感光性樹脂を塗布した後に仮焼、露光、及びアルカリ現像によりパターニングを行う（図９（ｂ）及び（ｃ））。次に、ｉ線を含むＵＶ光を全面照射して脱色させ、透明化する。次に、熱架橋反応により樹脂を硬化させる。次に、ＩＴＯ等の透明性電極をスパッタにより成膜し、画素電極７３２をパターニングする（図９（ｄ））。最後に、２５０℃において３０分程度アニールを行う。
　【０００７】このようにして得られたＴＦＴ基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、光漏れ領域がなくなり、ブラックマトリックスが不要となるので、開口率を高めることが可能であった。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記公知例においては、ＳｉＮ層と有機膜とのそれぞれにおいて層形成及びパターニングを行っていた。また、ウェットエッチングによる有機膜のパターニング後には、コンタクト不良の原因となる樹脂残存物を除去する目的でドライエッチングを行うことが望ましく、これらによって工数が増加し、作業性、生産性の面で問題があった。そこでこのような工数の増加を少しでも防いで生産性を向上させるために、上記工程をなるべく一括して行うこと、例えば、ＳｉＮ層と有機膜を順次形成し、有機膜をウェットエッチングした後に、得られた有機膜パターンをマスクとして下地のドライエッチングを行う方法が考えられる。
　【０００９】しかしながら、ポジ型アクリル感光性樹脂は耐ドライエッチング性に乏しく、ドライエッチングによってその表面が著しく損耗されてしまうので、このような方法を適用することはできなかった。
　【００１０】また、これら有機膜は液晶表示装置に適用されるものである以上、光透過率（特にｉ線付近での光透過率）が良好であることが要求されるが、ポジ型感光性アクリル樹脂はｉ線付近での光透過率が低く、さらに、感光基の耐熱性が十分でないことから後工程のアニール等熱処理によって透過率がさらに低下してしまい、必要とされる性能を得られないという問題があった。
　【００１１】一方ポリイミド樹脂について見ると、耐ドライエッチング性は良好であるものの、光透過率に関してはやはり十分ではなく、この点についての改善が望まれていた。
　【００１２】そこで、本発明の課題は、画素電極と配線がオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板において、高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有する層間積層膜を効率的に生産する方法を提供することである。また、そのようなＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することである。
　【００１３】
　【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意研究を重ね、アクティブマトリクス型液晶表示装置のＴＦＴ基板への適用が最適である有機膜の材料として、従来よりも高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有する化合物、及びそれらにより適正かつ効率的に有機膜を形成することが可能な方法についてそれぞれ検討し、以下の解決手段を得た。
　【００１４】すなわち本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、画素電極と配線が
有機膜を有する層間絶縁膜を介して
を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法
ベンゾシクロブテンポリマー、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体または光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂のいずれかを有する
、レジストパターンをマスクとして前記有機膜をエッチングすることにより有機膜パターンを形成し、前記
その下層に形成された
膜をドライエッチングする
　【式１】
　【式２】
　【００１５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行い、かつＯ２又はＣＦ４又はＣＨＦ３又はＳＦ６のうち少なくとも１種類以上のガスを選択して用いたドライエッチング法により下地
膜
　【００１６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、形成された有機膜の表面にレジストを塗布して焼成、露光及び現像を行ってレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを得る工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地
膜
　【００１７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤としてメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチルアセテートを用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像を行い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うことを特徴とする。これにより、有機膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことができる。
　【００１８】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、プロピレングリコールモノアセチルアセテートを溶剤としたベンゾシクロブテンポリマーを塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳香族炭化水素との混合溶液又はグリコールエーテルと合成イソパラフィン系炭化水素との混合溶液を用いて有機膜のウェットエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
　【００１９】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ポリシラザン化合物、又はポリシラザン化合物と感光基を含有しないアクリル化合物との重合体を塗布して１３０〜２００℃の温度範囲において仮焼を行い、かつフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液を用いて有機膜のウエットエッチングを行い、かつ２４０〜３００℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。特に製造工程簡略化に関しては、従来下地として使用されてきたＳｉＮｘ層が不要となり、その効果が大きい。
　【００２０】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ウェットエッチング法により有機膜のパターニングを行う工程において、レジストの現像と有機膜のエッチングとを同時に行うことを特徴とする。これにより、製造工程がさらに簡略化される。
　【００２１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地
膜
　【００２２】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチングを行い、かつジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２ピロリド（ＮＭＰ）との混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いて前記レジストの除去を行うことを特徴とする。これにより、レジストの現像と有機膜のウェットエッチングとを同時に行うことが可能となり、工程が簡略かされる。また、有機膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことができる。
　【００２３】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体を塗布して１１０〜１７０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する
。
　【００２４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、感光基を含有しないアクリル樹脂を塗布して８０〜１００℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
　【００２５】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンを熱架橋反応により半硬化させて現像液に対して不溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする。これにより、熱硬化型樹脂の特性を利用して該樹脂をレジスト剥離剤に対して不溶とすることが可能となり、該樹脂の特性を損なうことなく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことができる。また、レジスト現像液のみで、レジストの現像及び有機膜パターンのエッチングを行うことが可能であり、簡便かつ効率的である。
　【００２６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、熱硬化型樹脂を塗布した後に仮焼を行って有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成及び露光を行なう工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記レジストをレジスト剥離剤に対して可溶化する工程と、前記有機膜が不溶となるように濃度調整したレジスト剥離剤を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機撒くパターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする。これにより、熱架橋反応のための熱処理を行なった場合と同様の効果を得る。
　【００２７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、レジスト現像液を用いてレジストを除去することを特徴とする。これにより、レジスト現像液のみで、レジストの現像、有機膜パターンのエッチング、及びレジストの剥離を行うことが可能であり、簡便かつ効率的である。
　【００２８】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶剤を用いたポジ型レジストを用い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及び前記レジストの除去を行うことを特徴とする。これにより、レジストが効率的に剥離され、また剥離後の表面状態が改善される。
　【００２９】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、感光基を含有せずかつアクリル及び光開始重合剤を含有する樹脂を塗布して８０〜１１０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２２０〜２６０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
　【００３０】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、ｉ線又はそれよりも短波長の光に感応するＵＶ硬化型樹脂を塗布した後に仮焼して有機膜を形成する工程と、レジストを塗布して焼成を行う工程と、ｇ線で露光を行う工程と、前記レジストを現像してレジストパターンを形成すると同時に前記有機膜をウェットエッチングして有機膜パターンを形成する工程と、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射して前記有機膜パターンを光架橋反応により半硬化させて現像液に対して不溶化すると同時に前記レジストを現像液に対して可溶化する工程と、前記有機膜パターンをマスクとして下地をドライエッチングする工程と、前記現像液を用いて前記レジストを除去する工程と、再焼成して前記有機膜パターンを完全に硬化する工程とからなることを特徴とする。これにより、現像液に対してＵＶ硬化型樹脂を不溶化ると同時に、レジストを可溶化し、製造効率を高めることができる。
　【００３１】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、感光剤としてナフトキノンジアゾ化合物、ベース樹脂としてノボラック樹脂、溶剤として前記有機膜が不溶な溶剤であるメチルアミン系溶剤又はプロピレングリコールモノアセチルアセテート又は２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶剤を用いたｇ線感応型のポジ型レジストを用い、かつテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液にて前記レジストの現像及び有機膜のウェットエッチング及び前記レジストの除去を行うことを特徴とする。これにより、有機膜の特性を損なうことなく、レジスト層の形成及び除去を効率的に行うことができる。また、レジスト現像、有機膜のウエットエッチング、及びレジスト除去をともにＴＭＡＨ溶液にて行うことができるので、簡便である。また、レジストの剥離効率及び剥離後の表面状態に優れる。
　【００３２】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法は、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を有する化合物との重合体及び光重合開始材を含有する樹脂を塗布して８０〜１５０℃の温度範囲において仮焼を行い、かつ２３０〜２８０℃の温度範囲において再焼成を行うことを特徴とする。これにより、得られる有機膜は高い光透過率、耐ドライエッチング性、及び耐熱性を有し、製造工程簡略化及び製品の特性向上に寄与する。
　【００３３】
　【００３４】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、画素電極と配線が
有機膜を有する層間絶縁膜を介して
を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置
前記
を
て
と、これを
パターニングされた
膜を有しており、前記有機膜が、ベンゾシクロブテンポリマーによりなる
　【００３５】
　【００３６】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、
画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、
式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基とを有する化合物との重合体
　【００３７】また本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、
画素電極と配線が有機膜を有する層間絶縁膜を介してオーバーラップする構造のＴＦＴ（薄型トランジスタ）基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記有機膜をレジストパターンをマスクとしてパターニングして得られた有機膜パターンと、これをマスクとしてパターニングされた下地膜を有しており、
光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂
　【００３８】
　【００３９】
　【００４０】
　【００４１】
　【００４２】
　【００４３】
　【００４４】
　【００４５】
　【００４６】
　【００４７】
　【００４８】
　【００４９】
　【００５０】
　【００５１】
　【００５２】
　【００５３】
　【００５４】
　【００５５】
　【００５６】
　【００５７】
　【発明の実施形態】上記各解決手段についての理解を容易にするために、以下に発明の実施形態を示す。
　【００５８】（実施形態１）本発明における第一の実施形態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料としてベンゾシクロブテンポリマーを用いる場合に関するものである。図１にその製造工程を示すとともに以下に詳述する。
　【００５９】従来と同様に成膜したＳｉＮｘ膜１０２の上に、スピンンコート法によりベンゾシクロブテンポリマーを塗布し、１３０〜２００℃において仮焼を行う（図１（ａ））。この仮焼によりベンゾシクロブテンポリマーが半硬化してエッチングレートが変化し、後述のレジスト溶剤に対して不溶となる。次に、テトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＨＡ）又はプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテートを溶剤としてを用いたナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジストを塗布し、焼成、露光、及び現像を行ってレジストパターン１０３を形成する（図１（ｂ））。レジスト現像液は、０．１〜１ｍｏｌ％程度のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液を用いる。次に、レジストパターン１０３をマスクとしてベンゾシクロブテンポリマーの有機膜１００をウェットエッチングし、有機膜パターン１０１を形成する（図１（Ｃ））。エッチング液は、１，３，５トリイソプロピルベンゼンと芳香族系炭化水素との混合溶液を用いる。
　【００６０】次に、レジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１をマスクとしてドライエッチング、例えばエッチングガスとしてＯ２／ＳＦ６ガスを用いたドライエッチングを行ってＳｉＮｘ膜１０２やゲート絶縁膜１０７の不要部分を除去する（図１（ｄ））。次に、レジスト剥離剤を用いてレジストパターンを除去する（図１（ｅ））。レジスト剥離剤は、ジメチルスルオキシド（ＤＭＳＯ）とモノエタノールアミンとの混合溶液又はＤＭＳＯとｎメチル２プロリドン（ＮＭＰ）の混合溶液又は乳酸エチル又は酢酸ブチルを用いる。最後に、２４０〜３００℃において６０分間程度再焼成を行い、ベンゾシクロブテンポリマーを完全に硬化させる。
　【００６１】この実施形態の特徴は、有機膜としてベンゾシクロブテンポリマーを用いることにより、この有機膜パターンをマスクとした下地のドライエッチングを可能とした点である。ベンゾシクロブテンポリマーは耐ドライエッチング性に優れ、上記ドライエッチング工程における損傷の度合いが少ない。従ってこのようなドライエッチングが可能となり、従来に比べて工程が簡略化され、生産効率が向上する。
　【００６２】また、このドライエッチング工程においては、下地ＳｉＮｘ膜のパターニングと同時にウェットエッチング時に残存していたベンゾシクロブテンポリマーが除去される。従って、生産効率はさらに向上する。
　【００６３】また一般的に、ベンゾシクロブテンポリマーは高い光透過率及び耐熱性を有する。
　【００６４】（実施形態２）次に本発明の第二の実施形態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料としてポリシラザン化合物を用いる場合に関するものである。図２にその製造工程を示すとともに以下に詳述する。
　【００６５】本実施形態においては、実施形態１と同様にＳｉＮｘ膜１０２の上にスピンンコート法によりポリシラザン化合物を塗布しても良いが、ＳｉＮｘ膜１０２を用いずにポリシラザン化合物のみを層間絶縁膜としても良い（図２（ａ））。これは、ポリシラザン化合物とａ−Ｓｉ層との界面特性が良好である点と、ポリシラザン化合物の焼成によりその一部がシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜に変性、緻密化して耐水性、対汚染性が良好となる点によるものである。以下の工程は、第一の実施例と同様であるが、仮焼の温度は１３０〜２００℃とし、またウェットエッチング液としてフッ酸緩衝液又はバッファードフッ酸溶液を用いる。また、再焼成は、２４０〜３００℃において６０分間程度行う。
　【００６６】本実施形態の特徴は実施形態１と同様であるが、特筆すべきはポリシラザン化合物を用いることによって通常下地に用いていたＳｉＮｘ膜が不要となることである。すなわち工程がさらに簡略化され、生産性が向上する。また一般的に、ポリシラザン化合物は、高い光透過率及び耐熱性を有する。
　【００６７】（実施形態３）次に本発明の第三の実施形態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料として式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を持つ化合物との重合体を用いる場合に関するものである。図３にその製造工程を示すとともに以下に詳述する。
　【００６８】従来と同様に成膜したＳｉＮｘ膜１０２の上に、スピンンコート法により上述の重合体を塗布し、１１０〜１７０℃において仮焼を行う（図３（ａ））。この仮焼により重合体が半硬化してエッチングレートが変化し、レジスト剥離剤に対しては不溶、レジスト現像液に対しては可溶となる。
　【００６９】次に、メチルアミン系溶剤又はプロピレン
グリコールモノエチルエーテルアセテート又はプロピレングリコールモノアセチエウアセテート又は２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸エチル又は酢酸ブチル又はそれらの中から２種以上を選択して得られる混合溶液を溶剤として用いたナフトキノンジアゾ−ノボラック系ポジ型レジストを塗布し、焼成、露光、を行う。次に、０．１〜１ｍｏｌ％程度のテトラメチルアンモニウムヒドロオキサイド（ＴＭＡＨ）溶液によりレジストの現像を行ってレジストパターン１０３を形成すると、有機膜１００のウェットエッチングが同時に進行する（図３（ｂ））。
　【００７０】次に、レジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１をマスクとしてドライエッチング、例えばエッチングガスとしてＯ２／ＳＦ６ガスを用いたドライエッチングを行い、ＳｉＮｘ膜１０２やゲート絶縁膜１０７の不要部分を除去する（図３（ｃ））。次に、レジスト剥離剤を用いてレジストパターン１０３を除去する（図３（ｄ））。用いるレジスト剥離剤は実施形態１と同様でよい。最後に、２３０〜２８０℃において３０分間程度再焼成を行い、上記重合体を完全に硬化させる。
　【００７１】本実施形態の特徴は実施形態１と同様であるが、特筆すべきは、有機膜の仮焼によるエッチングレート調整を行うことにより、レジストの現像と同時に有機膜のウェットエッチングを可能とした点である。これによって工数がさらに減少し、生産性が向上する。また、式１の構造式で表されるカルド型化合物と式２の構造式で表されるエポキシ基を持つ化合物との重合体は、高い光透過率及び高耐熱性を有する。
　【００７２】また、本実施形態の製造工程により、感光基を含有しないアクリル樹脂によって有機膜パターンを形成することもできる。この場合、仮焼温度は８０〜１００℃、再焼成は２２０〜２６０℃の範囲において行うことが望ましい。感光基を含有しないアクリル樹脂は従来使用されていたアクリル樹脂とは異なり、高い光透過率を有する。また、耐熱性にも優れる。
　【００７３】（実施形態４）次に本発明の第四の実施形態を示す。本実施形態は、層間絶縁膜の材料として熱硬化型樹脂を用いる場合に関するものである。より具体的には非感光性のアクリル樹脂（例えばＪＳＲ製ＪＳＳシリーズ）を用いる場合に関するものである。図４にその製造工程を示すとともに以下に詳述する。従来と同様に成膜したＳｉＮＸ膜１０２の上に、スピンンコート法により上述のアクリル樹脂を塗布し、８０〜１００℃において仮焼を行う（図４（ａ））。この仮焼により、実施形態３と同様に、重合体が半硬化してエッチングレートが変化し、レジスト剥離剤に対しては不溶、レジスト現像液に対しては可溶となる。
　【００７４】次に、アクリルが不溶な溶剤すなわち２−ヘプタノン又は３−エトキシプロピオン酸又は酢酸ブチル又はそれらの中の２つ以上を混合して得られる溶剤を用いたレジストを用い、実施形態３と同様にレジストの塗布、焼成、及び露光を行う。次に、実施形態３と同様にレジストの現像及び有機膜のウエットエッチングを同時に行なう（図４（ｃ））。
　【００７５】その後１００〜１３０℃において１〜１０分間程度熱処理を行うと、この熱処理によりアクリル樹脂の熱架橋反応が促進される。
　【００７６】次に基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射する（図４（ｄ））と、樹脂に含有された光開始重合剤の作用により、レジストパターン１０３はアルカリに対して可溶化される。
　【００７７】次に実施形態１〜３と同様に下地のドライエッチングを行う（図４（ｅ））。次いで、レジストパターン１０３を除去する（図４（ｅ））。レジスト剥離剤としては、ＤＭＳＯ・アミン系剥離剤（例えば東京応化製、剥離１０５）又はＤＭＳＯ・ＮＭＰ系剥離剤（例えば東京応化、剥離１０４）を使用する。あるいはＴＭＡＨ溶液を使用する。その後、２２０〜２６０℃において３０分間程度再焼成を行い、アクリル樹脂を完全に硬化させる。
　【００７８】本実施形態において使用する非感光性のアクリル樹脂は、従来の公知例において用いられていたアクリル樹脂とは異なるものであり、感光基を含んでいない。従って、高い光透過率及び耐熱温度を有する。
　【００７９】また本発明の特徴として、レジストにＵＶ照射を行うことにより、レジストをレジスト剥離剤に対して可溶化している点が挙げられる。これにより、レジストの除去が容易になって作業効率が向上するとともに、除去後の表面状態が改善されて品質向上の効果が得られる。なお、本実施形態においてはドライエッチングに先立ってＵＶ照射を行ったが、ドライエッチング後にＵＶ照射を行っても構わない。
　【００８０】また本実施形態の他の特徴として、
　熱架橋反応により有機膜を半硬化してレジスト剥離剤に対して不溶化し
　レジスト剥離後に再焼成を行って完全に硬化する
という２段階の熱処理を行う点が挙げられる。従来のように仮焼を行ったままの状態でレジスト除去を行う場合には、強力なレジスト剥離剤を使用すると膨潤や損耗が起こりやすく、それらを使用することができなかった。しかし、有機膜パターンが形成された段階で熱架橋反応を促進させていったん半硬化の状態とすることにより、それらレジスト剥離剤への耐性が付与される。従って、レジスト剥離剤として乳酸エチルや乳酸ブチルよりも剥離性に優れたＤＭＳＯ・アミン系剥離剤、又はＤＭＳＯ・ＮＭＰ系剥離剤を使用することが可能となる。
　同
　【００８１】（実施形態５）次に本発明の第五の実施形態を示す。本実施形態は、光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂を用いて実施形態４と同様に有機膜パターンの形成までを完了した後に、以下の工程を行うものである。
　【００８２】まず、基板の少なくとも表側又は裏側からＵＶ光を照射し（図５（ｄ））、レジストパターン１０３はアルカリに対して可溶化する。この工程は実施形態４と同様、ドライエッチング後に行ってもよい。次に、レジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１をマスクとしてドライエッチングを行い、ＳｉＮＸ膜１０２やゲート絶縁膜１０７の不要部分を除去する（図５（ｅ））。
　【００８３】次に、ＴＭＡＨ溶液について、有機膜を損傷しないように適宜濃度調整を行い、これを用いてレジストパターン１０３を除去する（図５（ｆ））。最後に、２２０〜２６０℃において３０分間程度再焼成を行い、アクリル樹脂を完全に硬化させる。
　【００８４】本実施形態の特徴は、レジスト剥離剤の濃度調整を行っている点にある。実施形態４においては有機膜の熱架橋反応によりＴＭＡＨ溶液等の使用を可能にしていたが、本実施形態においては熱架橋反応のための熱処理は行わず、代わりにレジスト剥離剤の濃度調整を適宜行うことにより、実施形態４と同種のレジスト剥離剤を適用することを可能にしている。
　【００８５】（実施形態６）次に本発明の第六の実施形態を示す。本実施例は、層間絶縁膜の材料としてｉ線感応型のＵＶ硬化型樹脂を用いる場合に関するものである。ｉ線感応型のＵＶ硬化型樹脂としては、例えば実施形態３において使用したカルド型化合物とエポキシ基を有する化合物との重合体とともに光開始重合剤を含有する樹脂が挙げられる。以下、この樹脂を用いる場合について具体的な工程を示す。
　【００８６】本実施形態における工程は、実施形態４に準じる。ただし有機膜の仮焼は実施形態３と同様に８０〜１５０℃において行う。また、レジストはｇ線感応型ポジ型レジストを用い、ｇ線にて５０〜１００ｍＪ／ｃｍ２レジストの露光を行う。その後、実施形態４と同様にレジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１を形成した後（図６（ｂ））、ドライエッチング（図６（ｄ））及びレジストパターン１０３（図６（ｅ））の除去を行う。レジスト剥離剤は、実施形態５と同様に、濃度調整を行ったＴＭＡＨ溶液を使用する。
　【００８７】また、レジストパターン１０３及び有機膜パターン１０１を形成した後、あるいはドライエッチングを行った後に、実施形態４及び実施形態５と同様にＵＶ（ｉ線）照射を行うことにより、カルド型ポリマーを光架橋反応により半硬化させてアルカリに対して不溶化させ、同時にレジストをアルカリに対して可溶化すれば（図６（ｃ））、実施形態４の場合と同様に、レジスト剥離剤としてＴＭＡＨ溶液を濃度調整なしでそのまま適用することができる。次に２５０℃において３０分間再焼成を行い、カルド型ポリマーを完全に硬化させる。なお、ＵＶ照射はドライエッチングの前後いずれにおいて行っても良い。
　【００８８】本実施形態の最大の特徴は、ＵＶ硬化型樹脂の特性を利用していることである。ｉ線感応型のＵＶ硬化型樹脂に対してｇ線感応型のレジストを適用することにより、レジストの露光工程において上記樹脂を半硬化状態としてレジスト剥離剤に対して不溶化している。すなわち実施形態４及び実施形態５における熱架橋反応による半硬化の工程を光架橋反応により行っている。
　【００８９】また、ＵＶ（ｉ線）照射の工程においては、樹脂を完全に硬化させると同時にレジストをＴＭＡＨ溶液に対して可溶化することができる。従って実施形態４よりも少ない工程で同様の効果を得ることが可能となる。また、上記カルド型ポリマーの光透過率及び耐熱性が優れていることは、実施形態３の場合と同様である。
　【００９０】
　【実施例】次に、本発明の実施例を示す。
　【００９１】（実施例１）実施形態１において示した工程に従って、ベンゾシクロブテンポリマーを用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件について以下に記す。
　【００９２】得られた層間絶縁膜について、その光透過率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は３００℃以上であった。
　【００９３】（実施例２）実施形態２において示した工程に従って、ポリシラザン化合物を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件について以下に記す。
　【００９４】得られた層間絶縁膜について、その光透過率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は３００℃以上であった。
　【００９５】（実施例３）実施形態３において示した工程に従って、式１の構造式で表わされるカルド型化合物と敷き２の構造式で表わされるエポキシ樹脂を持つ化合物との重合体を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件について以下に記す。
　【００９６】得られた層間絶縁膜について、その光透過率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃以上であった。
　【００９７】（実施例４）実施形態４において示した工程に従って、非感光性アクリル樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件について以下に記す。
　【００９８】得られた層間絶縁膜について、その光透過率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃以上であった。
　【００９９】（実施例５）実施形態５において示した工程に従って、光開始重合剤を含有する非感光性アクリル樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件についてはほぼ実施例４に準ずるので、異なる部分のみ以下に記す。
　　レジスト剥離剤　−　濃度を約１〜１．５％に調整したＴＭＡＨ溶液
　【０１００】得られた層間絶縁膜について、その光透過率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎｍ以上において９５％以上であり、耐熱温度は２６０℃以上であった。
　【０１０１】（実施例６）実施形態６において示した工程に従って、ｉ線感応型ＵＶ硬化型ポリマー、すなわち実施形態３において使用したカルド型化合物とエポキシ基を有する化合物との重合体とともに光開始重合剤を含有する樹脂を用いた層間絶縁膜を形成した。より具体的な製造条件について以下に記す。
　【０１０２】得られた層間絶縁膜について、その光透過率及び耐熱性を測定した結果、光透過率は波長４００ｎｍ以上において９２％以上であり、耐熱温度は２５０℃以上であった。
　【０１０３】
　【発明の効果】以上のように、本発明によれば、高透過率及び高耐熱性の層間絶縁膜を有したオーバーラップ構造のＴＦＴ基板、及びそのようなＴＦＴ基板を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を効率的に製作することが可能である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の製造方法第一の実施形態を示す説明図である。
　【図２】　本発明の製造方法第二の実施形態を示す説明図である。
　【図３】　本発明の製造方法第三の実施形態を示す説明図である。
　【図４】　本発明の製造方法第四の実施形態を示す説明図である。
　【図５】　本発明の製造方法第五の実施形態を示す説明図である。
　【図６】　本発明の製造方法第六の実施形態を示す説明図である。
　【図７】　従来における第一の液晶表示装置の概略を示す説明図である。
　【図８】　従来における第二の液晶表示装置の概略を示す説明図である。
　【図９】　従来における第二の液晶表示装置の製造工程を示す説明図である。
　【符号の説明】
　１００　有機膜
　１０１　有機膜パターン
　１０２　ＳｉＮＸ膜
　１０３　レジストパターン
　１０４　ＴＦＴガラス基板
　１０５　ゲート電極
　１０６　ゲート側端子
　１０７　ゲート絶縁膜
　１０８　データ側端子
　１０９　ａ−Ｓｉ膜
　１１０　ｎ＋ａ−Ｓｉ膜
　１１１　ドレイン電極
　１１２　ソース電極
　１１３　コンタクトホール
　７０１　ゲート線
　７０２　データ線
　７０３　薄膜トランジスタ
　７１０　ＣＦ基板
　７１１　ＣＦガラス基板
　７１２　ブラックマトリックス
　７１３　色層
　７１４　対向電極
　７２０　液晶層
　７３０　ＴＦＴ基板
　７３１　画素電極
　７３２　パッシベーション膜
　８０１　層間絶縁膜