【事件の表示】
　特許第３１４１８６０号「液晶表示装置の製造方法」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４１８６０号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１４１８６０号の特許請求の範囲の請求項１〜９に係る発明は、平成１０年１０月２８日に特許出願され、平成１２年１２月２２日に設定登録がなされ、中川徹より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１月２６日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の記載を
「【請求項１】　基板上で半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造の画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、
　画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴとの間の双方の側に遮光層を形成し、
　前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して、画素開口以外の領域すべての遮光を行ない、
　前記対向基板には遮光層を形成せず、
　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続し、
　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を画素単位で切り離す工程を含む
　ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　少なくとも画素トランジスタのソース／ドレイン端部は、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層で遮光する
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】　前記遮光されているソース／ドレイン端部にＬＤＤ領域を形成する
　ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、画素トランジスタ形成層の下部に膜厚２００〜１５００ｎｍの絶縁膜を介して形成する
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層の
抵抗は、１００Ω／□以下にする
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、少なくとも４００〜５００ｎｍの領域の光に対して透過率が５０％以下にする
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して２以上の相互に分離された遮光層により遮光を行なう
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項８】　前記画素トランジスタが多結晶Ｓｉ−ＴＦＴである
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。」
　と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許明細書段落【０００９】の記載を
「【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板上に画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間の双方の側に遮光層を形成し、前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して２以上の遮光層により、画素開口以外の領域すべての遮光を行ない、前記対向基板には遮光層を形成しないことを特徴とするものである。前記の２以上の遮光層は、その重ね合わせにより、画素開口以外の領域すべての遮光を行うように形成できる。そして、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続するとともに、この遮光層を画素単位で切り離す。」
　と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項ａについて
　この訂正事項ａは、実質的に訂正前の請求項１を削除して請求項の番号を順次繰り上げたものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項を追加するものでなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂについて
　この訂正事項ｂは、訂正事項ａに整合させるように特許明細書の段落【０００９】の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項を追加するものでなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　ウ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同法同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明
　訂正後の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に係る発明（以下、本件発明１〜８という。）は次のとおりである。
「【請求項１】　基板上で半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造の画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、
　画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴとの間の双方の側に遮光層を形成し、
　前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して、画素開口以外の領域すべての遮光を行ない、
　前記対向基板には遮光層を形成せず、
　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続する
　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を画素単位で切り離す工程を含む
　ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　少なくとも画素トランジスタのソース／ドレイン端部は、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層で遮光する
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】　前記遮光されているソース／ドレイン端部にＬＤＤ領域を形成する
　ことを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、画素トランジスタ形成層の下部に膜厚２００〜１５００ｎｍの絶縁膜を介して形成する
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層の
抵抗は、１００Ω／□以下にする
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、少なくとも４００〜５００ｎｍの領域の光に対して透過率が５０％以下にする
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して２以上の相互に分離された遮光層により遮光を行なう
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項８】　前記画素トランジスタが多結晶Ｓｉ−ＴＦＴである
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。」
　イ．異議申立の理由の概要
　異議申立人　中川徹は、証拠として甲第１号証〜甲第３号証を提出し、本件発明１〜８は、特許法第２９条第２項の規定、若しくは、同法第１７条の２第３項の規定に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．刊行物に記載の発明
　取消理由通知に記載した刊行物１（特開平１０−１１１５２０号公報、異議申立人中川徹が証拠として提出した甲第１号証）には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】　一対の基板の間に液晶が封入され、かつ、一方の基板上に、複数の走査信号線と、複数のデータ信号線と、それらの交差によって形成される各画素位置にて前記液晶と直列に接続されるスイッチング素子と、を有する液晶表示パネルにおいて、
　前記一方の基板と各々の前記スイッチング素子との間に、遮光層と、該遮光層及び前記スイッチング素子間を絶縁する絶縁層とを設け、かつ、前記遮光層を、一定のＤＣ電位に設定したことを特徴とする液晶表示パネル。」（２頁左欄【特許請求の範囲】【請求項１】）
「【０００２】
　【背景技術】ＴＦＴをスイッチング素子とした用いたアクティブマトリクス型液晶表示パネルは、例えばプロジェクタのライドバルブとして利用されている。プロジェクタの光源光は、この液晶表示パネルを透過する際に、そのパネルを構成する基板にて、あるいはその後段の光学系にて反射され、それがＴＦＴに向かって入射することがある。ＴＦＴを構成するポリシリコン層は、可視光に対して２０〜３０％の透過率があり、ＴＦＴ内にフォトキャリアを生成し、リーク電流が流れる。このリーク電流により、ＴＦＴがオンし、非選択期間であった画素にも信号電位が供給されるクロストークが生ずる。
　【０００３】これを防止するために、ＴＦＴの下層に遮光層を設ける技術が、特公平３−５２６１１号、特開平８−１７１１０１号、特開平３−１２５１２３号などに開示されている。」（２頁右欄段落【０００２】【０００３】）
「【０００５】そこで、本発明の目的は、スイッチング素子への光の入射を遮光層により防止してクロストークの発生を低減しながら、遮光層の持つ電荷によってスイッチング素子のスイッチング動作に悪影響を及ぼすことのない液晶表示パネル及びそれを用いた電子機器を提供することにある。」（２頁右欄段落【０００５】）
「【００２８】図１は、アクティブマトリクス型液晶表示パネルの断面を示している。図１において、この液晶表示パネルは、透明基板な２枚の基板１０，１２間に、液晶１４を封入して構成されている。一方の基板１０は石英等の絶縁基板であり、この石英基板１０には後述するとおり、各画素の液晶１４に直列に接続されたスイッチング素子としてのトップゲート型薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３０がアレイ状に形成される。この石英基板１０には、液晶ドライブ回路を構成するＴＦＴも形成されている。他方の基板１２は例えばガラス基板にて形成されている。このガラス基板１２が石英基板１０と対向する面１２ａには、該対向面１２ａを覆ってＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）から成る透明電極１６が形成され、共通電極として機能する。なお、対向基板１２には、ブラックマトリクスのためのクロム層などは形成されてなく、このブラックマトリクスは、後述の通り、石英基板１０側のみに配置されている。
　【００２９】次に、石英基板１０に形成される各層について、図１及び図２を参照して説明する。図２は、石英基板１０上の各画素領域に形成される各層の透視図であり、デュアルゲート型のＴＦＴ構造が示されている。この石英基板１０上には、主として、上述のＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０と石英基板１０との間に形成された遮光層２０と、この遮光層２０とＴＦＴ３０とを絶縁する絶縁層２２とを有する。」（４頁左欄段落【００２８】【００２９】）
「【００３１】また、ゲート酸化膜４２及び第２ポリシリコン層４４を覆って第１層間絶縁層４６が設けられている。その上に、トランジスタのソース線として機能する例えばアルミニウム（Ａｌ）にて形成された金属配線層４８が設けられている。この金属配線層４８は、第１層間絶縁層４６に形成された第１コンタクトホール４７を介して、第１ポリシリコン層４０と接続されている。なお、この金属配線層４８は、図２及び図４（Ｂ）のとおり、液晶表示パネルの前記第１の方向と直交する第２の方向（図の縦方向）と平行に複数本設けられ、液晶表示パネルの複数のデータ信号線として用いられる。
　【００３２】この金属配線層４８及び第１層間絶縁層４６を覆って第２層間絶縁層５０が設けられ、その上に例えばＩＴＯから成る透明電極５２が各画素領域と対向する位置に形成されている。この透明電極５２は、第１，第２層間絶縁層４６，５０に形成された第２コンタクトホール５１を介して、第１ポリシリコン層４０に接続され、画素電極として機能する。」（４頁右欄段落【００３１】【００３２】）
「【００３６】＜遮光層２０の形成工程＞この遮光層２０は、石英基板１０の表面などでの反射光が、ＴＦＴ３０に入射すること防止するものである。この遮光層２０により、ＴＦＴ３０内にフォトキャリアが形成されることを防止でき、リーク電流に起因したクロストークが防止される。
　【００３７】このために、この遮光層２０は、図１に示すように、第１ポリシリコン層４０の幅より広い幅に亘って形成され、かつ、充分な遮光特性を有する材質にて形成される。この遮光層２０の求められる遮光特性として、ＯＤ値が３以上、換言すれば、透過率が１／１０００以下である。
　【００３８】この遮光層２０の特性として、上記の遮光特性の他、この液晶表示パネルの最高プロセス温度に対する耐熱性を有することが必要となる。本実施例では、後述するとおり、ゲート酸化膜４２の熱酸化工程が最高プロセス温度であり、例えば１０００℃である。そこで、この遮光層２０は、最高プロセス温度である１０００℃以上の融点を有する材質として、金属又は金属化合物を用いている。この種の好適な材質として、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）などのシリサイド系金属を挙げることができる。この種のシリサイド系金属は、石英基板１０との相性が良く、熱膨張係数を石英基板１０と近くできる点でも好ましい。これにより、石英基板１０等に亀裂、割れが生ずることを防止できる。
　【００３９】また、この遮光層２０は、図３（Ａ）に示すように、ＴＦＴ３０と対向する領域Ａと、横方向（走査信号線と平行な方向）に伸びる領域Ｂとで形成される。このように配置することで、この遮光層２０と、これと交差する遮光性を有する金属配線層４８とにより、各画素を囲むブラックマトリクスを、石英基板１０側のみに構成することができる。これにより、対向基板に設けた遮光層例えばクロム層によりブラックマトリクスを構成する場合とは異なり、石英基板１０と対向基板１２との厳密な位置合わせは不要となる。また、従来では、２つの基板の位置ずれを考慮してブラックマトリクスの形成層の線幅にマージンを比較的大きく確保する必要があったが、本実施例ではその必要はなくなる。従って、液晶表示パネルの開口率が増大し、明るい表示画面を確保できる。
　【００４０】この遮光膜２０はスパッタ法又はＣＶＤ（化学的気相成長）により形成し、図３（Ａ）に示す領域Ａ，Ｂのみ残存されるように、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程が実施される。なお、図３（Ａ）のようにブラックマトリクスとして遮光層２０を使用する場合には、遮光層２０が黒色となるのに充分な厚さを有することが必要である。このため、シリサイド系金属の場合には、０．１μｍ以上の膜厚とすればよい。
　【００４１】＜絶縁層２２の形成工程＞この絶縁層２２は、遮光層２０を第１ポリシリコン層４０から絶縁するための
ものである。この絶縁層２２は例えばＳｉＯ2にて形成され、例えばＣＶＤにより形成される。
　【００４２】＜遮光層２０の電位設定と絶縁層２２の膜厚について＞遮光層２０は、他の配線と接続されない場合には、フローティング電位となる。この場合には、絶縁層２２の膜厚が薄いと、上述の通り、遮光層２０の持つ電荷が、ＴＦＴ３０のスイッチングに悪影響を及ぼす。これを防止するには、絶縁層２２の膜厚を厚く形成しなければならない。」（４頁右欄〜５頁左欄段落【００３６】〜【００４２】）
「【００４６】このようにすると、遮光層２０が持つ電荷によってＴＦＴ３０のスイッチング動作は影響を受けないため、絶縁膜２２の膜厚は、単に遮光層２０と第１ポリシリコン層４０とを電気的に絶縁できるものであればよい。この場合の遮光層２０の膜厚は、０．０５μｍ以上あれば良く、遮光層２０がフローティング電位である場合に要求される絶縁層２２の膜厚（０．８μｍ以上）よりも薄くてもよい。
この絶縁層２２の膜厚は、０．０５〜１．５μｍの中から選ぶことができる。
　【００４７】図３（Ａ）の場合、遮光層２２は、走査信号線である第２ポリシリコン層４４と対応して、少なくとも走査信号線の本数分だけそれぞれ分離して設けられている。この場合には、各々の遮光層２２に、対応する走査信号線への走査信号を供給しても良い。こうすると、走査信号線である第２ポリシリコン層４４と遮光層２０とは、ＴＦＴ３０をオンさせたい時には共にオン電位となり、オフさせたい時には共にオフ電位となり、ＴＦＴ３０のスイチッチングに誤動作が生ずることはなくなる。
　【００４８】＜遮光層２０を保持容量の容量線として用いる場合について＞図３（Ａ）に示す領域Ａ，Ｂに加えて、図５に示す領域Ｃにも遮光層２０を形成することができる。この領域Ｃは、図３（Ｂ）に示す第１ポリシリコン層４０が同図の縦方向に伸びる領域と対向する領域である。こうすると、遮光層２０と第１ポリシリコン層４０とで保持容量Ｃ１を構成することができる。」（５頁右欄段落【００４６】〜【００４８】）
「【００５３】この後、Ｎ2雰囲気にて、６４０℃にて約６時間アニール処理し、固相成長によりポリシリコン膜を形成した。ポリシリコン層をＣＶＤにて形成する方法もあるが、これだとグレインの大きさが細かくなってしまう。本実施例では、ａ−Ｓｉから鈍晶でグレインを固相成長させてポリシリコンとしているので、グレインサイズが大きく、形成されたポリシリコン層が単結晶の特性に近くなり、半導体としての特性を向上させている。」（６頁左欄段落【００５３】）
「本実施例においては、ソース・ドレイン領域に低濃度領域と高濃度領域とを有するＬＤＤ構造としているが、ＬＤＤ構造に限定されるものではなく、ゲート電極に対してソース・ドレイン領域が離れているオフセット構造であっても良い。あるいは、ゲート電極をマスクとしてソース・ドレイン領域を形成するセルフアライン構造であっても良い。」（７頁右欄段落【００６９】１４行〜１８行）
　甲第２号証（特開平５−２８１５７４号公報）には、次の事項が記載されているか、読みとることができる。
「【００１６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、絶縁不良、構造欠陥を減少させ信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】本発明は透明基板上に所定数の画素電極と、該画素電極に隣接して薄膜トランジスタとを形成してなる駆動基板と、該駆動基板に対向して対向電極が形成された対向基板との間に液晶を介在させ、該画素電極と該対向電極との間に電圧を印加することにより、該液晶の状態を変化させ表示を行なう液晶表示装置において、最上層に絶縁膜を介して前記画素電極夫々の周囲に形成された蓄積容量電極を有する。
　【００１８】
　【作用】蓄積容量電極は薄膜トランジスタの上部に絶縁膜を介して積層される構成であるため、薄膜トランジスタを透明基板（１）上に直接的に形成することができる。」（２頁右欄段落【００１６】〜【００１８】）
「【００２２】ゲート電極３ａはマトリクス状に配置された複数の画素電極２-1〜２-nの間に配設されたゲートバスライン４（図３）に接続される。また、ドレイン電極３ｂはマトリクス状に配置された複数の画素電極２-1〜２-nの間にゲートバスライン４と絶縁状態に直交するドレインバスライン５（図３）に接続される。ソース電極３ｃは隣接した画素電極２-1〜２-nに接続される。
　【００２３】薄膜トランジスタ３-1〜３-n及びゲートバスライン４，ドレインバスライン５上には保護膜６を介して蓄積容量電極７が形成される。
　【００２４】蓄積容量電極７はクロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），モリブデン（Ｍｏ），タンタル（Ｔａ），コバルト（Ｃｏ），ニオブ（Ｎｂ），タングステン（Ｗ），イリジウム（Ｉｒ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ）等の単体金属または２種類以上からなる合金の遮光性の導電材よりなる。蓄積容量電極７は全面にわたって一体的に形成されている。」（３頁左欄段落【００２２】〜【００２４】）
「【００４１】また、蓄積容量電極７を遮光性の導電材を用いて薄膜トランジスタ３-1〜３-n及びゲートバスライン４，ドレインバスライン５上に形成することにより、蓄積容量電極７を遮光膜と兼用して形成している。このため、光によるリーク電流の発生を抑制し、動作特性を安定させることができ、鮮明な画像を得ることができる。」（４頁左欄段落【００４１】）
　甲第３号証（特開平１０−３１２３５号公報）には、次の事項が記載されているか、読みとることができる。
「【請求項１】　トップゲイト型構造のＴＦＴをスイッチング素子としたアクティブマトリクス回路を有し、該アクティブマトリクス回路において、
　一定の電位に固定された遮光膜を半導体層の下に有し、
　前記遮光膜によって、ソースバスラインもしくはゲイトバスラインの少なくとも一方が遮光され、
　前記遮光膜は半導体層のうち、画素電極に電気的に接続した領域の少なくとも一部と絶縁層を介して容量を形成することを特徴とする液晶表示装置。
  【請求項２】　請求項１において、前記半導体層と他行のゲイトバスラインとの間の容量をも有することを特徴とする液晶表示装置。
  【請求項３】　前記遮光膜は、その幅がソースバスラインもしくはゲイトバスラインよりも太いことを特徴とする請求項１の液晶表示装置。
　【請求項４】　素子の上層に、前記遮光膜とその一部が重なる別の遮光膜を有することを特徴とする請求項１の液晶表示装置。」（２頁左欄特許請求の範囲【請求項１】〜【請求項４】）
「【００１０】もちろん、上記のように遮光膜と半導体層との間の容量に加えて、半導体層と他行のゲイトバスラインその他の配線との間の容量を組み合わせてもよい。半導体層と遮光膜の間に存在する絶縁膜の厚さは、ＴＦＴのゲイト絶縁膜の厚さの２倍以上であることが好ましい。遮光膜は、ソースバスラインやゲイトバスラインよりも太く、これらを遮光できる構造とすることが望ましい。また遮光膜は適当な電位に固定される。例えば、遮光膜は液晶パネルの外部端子に接続され、適当な電位を外部から与えられる構成が採られる。
　【００１１】さらに、タンタルやチタンのごとき機械的に強固な材料を用いた場合には、このような遮光膜は外部の接触端子としても使用できる。
　上記の補助容量は遮光膜と重なって形成されるので、回路設計上、開口率を低下させることがない。
　本発明においては、遮光膜は半導体層を全て隠す形状でも、一部が重なる形状でもよい。
　【００１２】また、上記のような半導体層の下に設ける遮光膜に加えて、素子の上層にも遮光膜（上層の遮光膜という）を設けてもよい。
　特にＴＦＴの部分において上層の遮光膜を設けると、ＴＦＴに入射する迷光を極限にまで減らすことができ、ＴＦＴの動作を安定させる上で効果的である。
　この場合、上層の遮光膜は導電性でも、絶縁性でもよい。また、上層の遮光膜を導電性のものとする場合には、上層の遮光膜と画素電極との間に容量を形成してもよい。この場合、上層の遮光層と下層の遮光層が重なるように配置すると、同じ位置に層の異なる２つの容量が形成でき、素子の集積化の上で有効である。」（２頁右欄段落【００１０】〜３頁左欄【００１２】）
「【００３４】〔実施例５〕図７に本実施例の作製工程断面図、図８に本実施例の作製工程平面図をそれぞれ示す。基板７１としてはコーニング１７３７を用いる。基板７１上にはスパッタ法によってタンタル膜を１０００Å形成し、これをフォトリソグラフィー法によって加工して、遮光膜７２を得る。この段階で上方より見た様子を図８（Ａ）に示す。同図に示すように、遮光膜７２のパターンはソースバスラインと重なるパターンである。（図８（Ａ））
  【００３５】次に、プラズマＣＶＤ法によって厚さ２０００Åの酸化珪素膜７３を堆積する。酸化珪素膜７３はＴＦＴの下地絶縁膜として機能する。（図７（Ａ））
　次いで、減圧ＣＶＤ法により厚さ１０００Åの非晶質珪素膜を堆積し、レーザーアニール法によってこれを結晶化させ、フォトリソグラフィー法によって、これを島状に分離し、活性層（島状領域）７４を得る。さらに、プラズマＣＶＤ法により、厚さ１２００Åの酸化珪素膜７５を堆積する。酸化珪素膜７５はＴＦＴのゲイト絶縁膜として機能する。
　【００３６】次に、厚さ５０００Åのアルミニウム−チタン合金膜をスパッタ法によって堆積し、これをフォトリソグラフィー法によって加工し、ゲイトバスライン７６を形成する。（図７（Ｂ））
　図８（Ｂ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにゲイトバスライン７６は平行に複数形成され、それらは先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン７２と直交する。また、活性層７４は、その一部が先に形成された遮光膜のパターン７２と重なるように形成される。（図８（Ｂ））
　【００３７】さらに、イオンドーピング法により活性層７４にゲイトバスライン７６をマスクとしてＮ型の不純物を導入する。ドーピング後はレーザーアニール法によって、再結晶化をおこなう。かくして、ソース７７、ドレイン７８が得られる。
　次にプラズマＣＶＤ法により厚さ５０００Åの窒化珪素膜７９を堆積する。窒化珪素膜７９は第１の層間絶縁物として機能する。窒化珪素の代わりに酸化珪素を用いてもよい。（図７（Ｃ））
  【００３８】次いで、窒化珪素膜７９にソース７７およびドレイン７８に通じるコンタクトホールを形成し、スパッタ法によりアルミニウムとチタンの多層膜を堆積し、これをフォトリソグラフィー法により加工し、ソースバスライン８０、ドレイン電極８１を形成する。図８（Ｃ）にはこの段階で上方より見た様子を示す。同図に示されるようにソースバスライン８０は平行に複数形成され、また、個々の活性層７４と各１つのコンタクトを有する。また、ソースバスライン８０は先に形成されたタンタルの遮光膜のパターン７２上に存在する。（図８（Ｃ））
  【００３９】その後、プラズマＣＶＤ法により厚さ５０００Åの酸化珪素膜８２を堆積する。酸化珪素膜８２は第２の層間絶縁物として機能する。酸化珪素の代わりに窒化珪素を用いてもよい。（図７（Ｄ））
　次に、スパッタ法によって厚さ１０００Åのクロム膜を堆積し、これをパターン形成して上層の遮光膜８５を形成する。この段階で上方より見た様子を図８（Ｄ）に示す。同図より明らかなように上層の遮光膜はゲイトバスラインを隠すように形成される。
  【００４０】さらに、ポリイミド膜の平坦化膜８３を形成し、これをエッチングして、ドレイン電極８１に通じるコンタクトホールを形成する。遮光膜８５とポリイミド膜８３の間には何らかの無機材料被膜を設けて、密着性を強化してもよい。そして、スパッタ法によって、インディウム錫酸化物被膜を１５００Å堆積し、これをフォトリソグラフィー法を用いて加工し、画素電極８４を得る。画素電極８４と上層の遮光膜８５は一部重なるように配置する。（図７（Ｅ））
　かくして、アクティブマトリクス回路が完成する。本実施例も実施例１および３と同様にＮチャネル型であるが、遮光膜７２はＴＦＴの活性層のうち、チャネルと重なっていないので、遮光膜７２の電位がいかなるものであれ、ＴＦＴに与える影響はない。この点で他の実施例のものよりも優れている。
  【００４１】
　本実施例では、実施例１と同様に、遮光膜７２とドレイン７８（活性層７４）との間に容量が形成される。そればかりではなく、上層の遮光膜８５にも適切な電位を付与することにより、画素電極８４との間にも容量が形成される。画素電極８４は当該画素を駆動するゲイトバスライン７６により影響を受けることは避けなければならないが、本実施例では、ゲイトバスラインを覆って導電性の遮光膜８５が設けられるので、画素電極８４とゲイトバスライン７６とのカップリングは十分に低減される。
  【００４２】さらに、本実施例では、下層の遮光膜７２はソースバスライン８０と、上層の遮光膜８５はゲイトバスライン７６と、それぞれ重なって配置されるが、各遮光膜とバスラインの間には十分な絶縁層があるので、バスラインに対する寄生容量は極限にまで低減できる。
　なお、本実施例ではＴＦＴのチャネル部分は上層の遮光膜８５によってのみ遮光される構造となっているが、下層の遮光膜７２によっても遮光されるようなパターンとするとＴＦＴの動作を安定させる上でより効果的である。」（５頁左欄段落【００３４】〜６頁左欄【００４２】）
　エ．当審の対比・判断
　（１）特許法第２９条第２項の規定の違反について
　本件発明１〜８の「対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続し、対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を画素単位で切り離す」工程は、上記刊行物１〜３のいずれにも記載も示唆もされておらず、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして、本件発明１〜８の「対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続し、対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を画素単位で切り離す」工程を備えることにより、画素間の容量結合を防ぎ、バックゲートとなる下層遮光膜の電位を安定化するという作用効果を呈するものである。
　したがって、本件発明１〜８は、刊行物１〜３に記載の発明及び従来周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができないものである。
　（２）特許法第１７条の２第３項の規定の違反について
　本件発明１〜８は、上記訂正により願書に最初に添付した明細書及び図面に記載されたものとなったから、特許法第１７条の２第３項の規定に違反して特許されたものとすることはできない。
　オ．むすび
　　以上のとおり、異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１〜８についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１〜８についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月２日（２００２．４．２）
【訂正の要旨】
　訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許第３１４１８６０号発明の「特許請求の範囲」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下の様に訂正する。
「【請求項１】　基板上で半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造の画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、
　画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴとの間の双方の側に遮光層を形成し、
　前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して、画素開口以外の領域すべての遮光を行ない、
　前記対向基板には遮光層を形成せず、
　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続
し、
　
前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を画素単位で切り離す工程を含む
　ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　少なくとも画素トランジスタのソース／ドレイン端部は、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層で遮光する
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】　前記遮光されているソース／ドレイン端部にＬＤＤ領域を形成する
　ことを特徴とする請求項
１
　【請求項４】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、画素トランジスタ形成層の下部に膜厚２００〜１５００ｎｍの絶縁膜を介して形成する
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層の抵抗は、１００Ω／□以下にする
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、少なくとも４００〜５００ｎｍの領域の光に対して透過率が５０％以下にする
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して２以上の相互に分離された遮光層により遮光を行なう
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項８】　前記画素トランジスタが多結晶Ｓｉ−ＴＦＴである
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。」
　訂正事項ｂ
　特許第３１４１８６０号発明の明細書の段落０００９を、明りょうでない記載の釈明を目的として以下の様に訂正する。
「　　　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板上で半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造の画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間の双方の側に遮光層を形成し、前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して２以上の遮光層により、画素開口以外の領域すべての遮光を行ない、前記対向基板には遮光層を形成しないことを特徴とするものである。前記の２以上の遮光層は、その重ね合わせにより、画素開口以外の領域すべての遮光を行うように形成できる。そして、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続する
とともに
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上で半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造の画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、
　画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴとの間の双方の側に遮光層を形成し、
　前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して、画素開口以外の領域すべての遮光を行ない、
　前記対向基板には遮光層を形成せず、
　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続
し、
　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を画素単位で切り離す工程を含む
　ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　少なくとも画素トランジスタのソース／ドレイン端部は、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層で遮光する
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】　前記遮光されているソース／ドレイン端部にＬＤＤ領域を形成する
　ことを特徴とする請求項
１
　【請求項４】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、画素トランジスタ形成層の下部に膜厚２００〜１５００ｎｍの絶縁膜を介して形成する
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項５】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層の抵抗は、１００Ω／□以下にする
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項６】　前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層は、少なくとも４００〜５００ｎｍの領域の光に対して透過率が５０％以下にする
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項７】　前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して２以上の相互に分離された遮光層により遮光を行なう
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項８】　前記画素トランジスタが多結晶Ｓｉ−ＴＦＴである
　ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、液晶表示装置に関し、特に、画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より、ガラスや石英等より成る基板上にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成してＴＦＴ基板とし、該ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶を有する液晶表示装置が知られている。
　【０００３】
　従来のこの種のものは、通常、対向基板側から光源の光を入射させる。この光が画素トランジスタに入射すると、光リーク電流により、コントラスト低下やフリッカ等の画質劣化が生じることがある。
　【０００４】
　たとえば多結晶Ｓｉは、ａ−Ｓｉほど高感度ではないが、たとえば近年の液晶表示装置ではプロジェクタのように大光量下での使用が増加するので、多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを用いた液晶表示装置にあっても、光リーク電流が無視できなくなって来ている。よって多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを用いた場合についても、光リーク電流によるコントラスト低下やフリッカ等の画質劣化が問題となっている。
　【０００５】
　従来、対向基板側からの光の画素トランジスタへの入射抑制については、図５（ａ）に示すように、対向基板２にブラックマトリックスＢを設置することで、その遮光を行っていた。しかしこの構造では、直進する入射光Ｌ１の遮光は可能であるが、散乱ないし反射等した入射光の一部Ｌ２が画素トランジスタ７に入射することを防ぐことができない。そこで本発明者らは、図５（ｂ）に示すように、対向基板２に設置してあったブラックマトリックスをよりトランジスタに近い位置であるＴＦＴ基板１のトランジスタの上層（対向基板側）に設置することで、光入射低減を図る技術を提案した（特開平８−２６２４９４号公報参照）。これによれば、図５（ｂ）のように、散乱ないし反射等した入射光Ｌ２の画素トランジスタ７への入射を防ぐことができる。この提案では、２つの層でブラックマトリックスを形成して、遮光層としている。
　【０００６】
　しかし図示するように、出射光の一部Ｌ３は、光学系等からの反射等により、ＴＦＴ基板側からトランジスタへ入る戻り光（迷光）を発生させている。この戻り光（迷光）Ｌ３のトランジスタ部７への入射は、いずれの構造でも防止できない。
　【０００７】
　特に、トップゲートまたはプレーナ構造の多結晶Ｓｉ−ＴＦＴを用いた液晶表示装置では、ＴＦＴ基板の最下層（対向基板とは逆の方）にトランジスタの活性層が形成されているため、ＴＦＴ基板側からの光は直接トランジスタ活性層に入射し、光リーク電流の原因となっている。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、上記した問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、上記戻り光を含め、散乱・反射等した入射光がトランジスタ部に入射することを防止でき、もって光リーク電流等の発生の問題を解決した液晶表示装置を提供することである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板上で半導体薄膜の上にゲート電極を配したトップゲート構造の画素トランジスタであるＴＦＴを有するＴＦＴ基板と、液晶を介して該ＴＦＴ基板と対向する対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間の双方の側に遮光層を形成し、前記対向基板側の遮光層は、対向基板側からの入射光に対して２以上の遮光層により、画素開口以外の領域すべての遮光を行ない、前記対向基板には遮光層を形成しないことを特徴とするものである。前記の２以上の遮光層は、その重ね合わせにより、画素開口以外の領域すべての遮光を行うように形成できる。そして、前記対向基板とは逆の側で基板とＴＦＴの間にある遮光層を各画素内でゲートラインと接続する
とともに
　【００１０】
　本発明によれば、画素トランジスタ部の対向基板側、及び画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側の双方の側に遮光層が形成されることにより、図４に略示するように上述した戻り光（Ｌ３）も対向基板とは逆の側（出射側）の遮光層（遮光層５）により遮光され、よって光入射による光リーク電流等の発生の問題を解決できる。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の好ましい実施の形態について、図面を参照して具体的な実施の形態例を説明することにより、さらに説明する。但し当然のことではあるが、本発明は以下の説明及び図示の実施の形態例に限定されるものではない。
　【００１２】
実施の形態例１
　本実施の形態例の構成を、図１に断面構造で、図２に平面構造で示す。なお、本例は、画素トランジスタとして高温ポリシリコンＴＦＴを用いた場合を示したが、その他たとえば低温ポリシリコンＴＦＴや、ａ−シリコンＴＦＴを用いた場合等にも適用できる（他の実施の形態例についても同じ）。
　【００１３】
　図１を参照する。図示例は本発明を具体化したアクティブマトリクス型の液晶表示装置であって、画素トランジスタであるＴＦＴを有する基板１（ＴＦＴを担持する石英から成る）と、対向基板２とを備え、該基板１と対向基板２との間には、液晶３が保持される。対向基板２は対向電極６を備える。
　【００１４】
　基板１は、上層部に画素電極８を有し、下層部にＴＦＴ（薄膜トランジスタ、ここではトップゲート構造のＴＦＴ）７を有する。ＴＦＴ７は、各画素電極８を駆動するスイッチング素子としての役割を果たす。ＴＦＴ７は、本例ではポリシリコンからなる半導体薄膜１０を活性層としている。この半導体薄膜１０は、第１層ポリシリコン（１ｐｏｌｙ）で、構成される。半導体薄膜１０上には、ＳｉＯ２等からなるゲート絶縁膜１１を介して、ゲートＧが形成されている。このゲートＧは、第２層ポリシリコン（２ｐｏｌｙ）で、構成される。ＴＦＴ７は、ゲートＧの両側に、ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄを有する。本例では、ソース／ドレイン端部にＬＤＤ領域が形成されている。ソース領域Ｓ及びドレイン領域Ｄには、各々引き出し電極１２Ａ，１２Ｂが接続している。各引き出し電極１２Ａ，１２Ｂは、アルミニウム等のアルミニウム系材料で形成できる。
　【００１５】
　半導体薄膜１０には、補助容量１３（Ｃｓ）が形成されている。この補助容量１３（Ｃｓ）は、半導体薄膜１０すなわちＴＦＴ７を構成する第１層ポリシリコン（１ｐｏｌｙ）と、半導体薄膜１４すなわちゲートＧを構成する第２層ポリシリコン（２ｐｏｌｙ）とが、ゲート絶縁膜１１をを構成するＳｉＯ２等の絶縁膜を挟んで形成される。
　【００１６】
　上記画素電極８を有する上層部と、ＴＦＴ７が形成されている下層部との間の中層部には、遮光層４Ｍ，４Ｐが形成されている。これは、ＴＦＴ７に対して対向基板２側、すなわち、入射側にある遮光層である。適宜、「上層遮光層」とも称する。本例では図示のとおり、上層遮光層は、マスク遮光層４Ｍ及びパッド遮光層４Ｐとからなる。このように、対向基板側からの入射光に対しては２つの上層遮光層（マスク遮光層４Ｍ及びパッド遮光層４Ｐ）と引き出し電極１２Ａ及び１２Ｂ（ここではアルミニウムにより形成）の重ね合わせにより、画素開口以外の領域すべての遮光をなしている。本例ではマスク遮光層４Ｍ及びパッド遮光層４Ｐは、ともに導電性を有する材料、たとえばＴｉ等の金属膜からなる。マスク遮光層４Ｍは画素の行方向に沿って、連続的にパターニングされてなり、少なくとも部分的にＴＦＴ７を遮光する。パッド遮光層４Ｐは画素ごとに離散的にパターニングされ、画素電極とのコンタクトに寄与している。これらマスク遮光層４Ｍ及びパッド遮光層４Ｐと、引き出し電極１２Ａ及び１２Ｂの重ね合わせにより、画素開口以外の領域のすべてが対向基板側からの入射に対して遮光される。
　【００１７】
　一方、画素トランジスタ部の対向基板とは逆の側に、遮光層５が形成されている。これを適宜、「下層遮光層」とも称する。少なくとも画素トランジスタのソース／ドレイン端部は、この下層遮光層で遮光されている。このように遮光されているソース／ドレイン端部に、前述のＬＤＤ領域７１，７２が形成されているのである。
　【００１８】
　図２において、この下層遮光層５は、特に斜線を付して明示する。なお図２中、符号１０で、画素を構成する第１層ポリシリコンを示し、１４１で、ゲート線を構成する第２層ポリシリコンを示し、１４２で、補助容量Ｃｓを構成する第２層ポリシリコンを示す。符号１５は、信号線（ここではアルミニウムからなる）である。
　【００１９】
　本例において、下層遮光層５は、高融点金属のシリサイドから形成した。特に、ＷＳｉの２００ｎｍ厚の膜で形成した。
　【００２０】
　下層遮光層５は、ここでは少なくとも画素トランジスタ（ＴＦＴ７）のソース／ドレイン端部より、±２．０μｍの領域を遮光する形状に、パターニングした。この下層遮光層５は、ＧＮＤと接地した。
　【００２１】
　少なくとも遮光されるべき画素トランジスタ（ＴＦＴ７）のソース／ドレイン端部は、ゲートＧの端±０．５μｍ、より好ましくは±１．０μｍであることが好ましい。
　【００２２】
　また、トランジスタ部のチャネル部の下部まで、一体化して、下層遮光層５を設置してもよい。
　【００２３】
　さらに、ＧＮＤと接地するために画素領域外まで配線を伸ばす際には、画素トランジスタのゲート線以外の領域に設置してもよい。これは、段差緩和のためと、ゲート線の負担を軽くできるためである。このような配線ができるのは、入射光に対する画素開口以外全体の遮光が、上層遮光層で達成できていることによる。
　【００２４】
　本例では、下層遮光層５上に、ＡＰ−ＣＶＤにより、ＮＳＧ６００ｎｍを絶縁層９として積層した。さらにその上に、ＴＦＴ７の活性層となる多結晶シリコン（半導体薄膜１０をなす第１層ポリシリコン（１ｐｏｌｙ））を、ＬＰ−ＣＶＤにより形成した。
　【００２５】
　下層遮光層５への隣接配線からの寄生容量を抑えるためには、上記したように、下層遮光層５と画素トランジスタ形成層（半導体薄膜１０）との間になるべく厚膜の絶縁膜９を設置するのが好ましい。通常その膜厚は１００ｎｍ以上がよく、さらに好ましくは２００〜１５００ｎｍがよい。ここでは上記のようにＮＳＧ６００ｎｍとした。絶縁膜材料は、ＬＰ−ＣＶＤやＡＰ−ＣＶＤやｐ−ＣＶＤによるＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜等が使われる。好ましくは、ＬＰ−ＣＶＤによるＴＥＯＳ膜、ＨＴＯ膜、ＡＰ−ＣＶＤによるＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ等、あるいはこれらの積層膜が用いられる。
　【００２６】
　下層遮光層５は、隣接配線からのカップリング容量を抑えるため、１００Ω／□以下の低抵抗であることが好ましい。より好ましくは、１０Ω／□以下であることがよい。
　【００２７】
　また、トランジスタの光リークを抑制するためには、少なくとも４００〜５００ｎｍの領域の光に対して、透過率が一般に５０％以下であるようにする。好ましくは、透過率が１０％以下がよい。遮光効果を上げるためには、さらに低い方が好ましい。
　【００２８】
　下層遮光層５の厚さは、上記抵抗と遮光性の両立が達成されれば、どの程度でもよいが、実用上は、１０〜１０００ｎｍがよく、さらに好ましくは１００〜４００ｎｍがよい。
　【００２９】
　下層遮光層５より上層に多結晶シリコンのトランジスタを形成するためのプロセスの整合性を考慮すると、該遮光層５の材料としては、高融点金属、またはその化合物が好ましく用いられる。たとえば、Ｗ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｔｉ，Ｃｒや、それらのシリサイドを挙げることができる。
　【００３０】
　一方、上層遮光層については、マスク遮光層４Ｍ及びパッド遮光層４Ｐともに導電性を有する材料、たとえばチタン等の金属からなることが好ましいわけであるが、マスク遮光層４Ｍは固定電位、たとえば対向電極６の電位と等しく設定し、パッド遮光層４Ｐは、画素電極８と引き出し電極１２Ｂとの間に介在して、両者の電気的接続を良好にする（図１参照）作用を果たさせるようにできる。これら上層遮光層も、たとえば４００〜７００ｎｍの可視光領域で、透過率１％以下、好ましくは０．１％以下として、設定できる。材料としては、上記Ｔｉの他に、Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔａ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属、これらの合金、シリサイド等を用いてもよい。膜厚は、上記遮光性を満たせばよいが、通常好ましくは５０ｎｍ以上であればよい。マスク遮光層４Ｍ及びパッド遮光層４Ｐは、同一層で構成できる。
　【００３１】
　画素トランジスタは、ダブルゲート構造であってもよい。その場合は、信号線側と画素側の少なくとも２個所のソース／ドレイン端部を遮光すればよい。
　【００３２】
　また、画素トランジスタに限らず、駆動回路のトランジスタを遮光してもよい。光により発生したキャリアによる特性不良を防ぐこともできる。
　【００３３】
実施の形態例２
　本実施の形態例においては、下層遮光層５を、各段のゲートＧと接続した。それ以外は、実施の形態例１と同様とした。
　【００３４】
　下層遮光層５は、厚い絶縁膜９を介してはいるが、活性層である半導体薄膜１０（第１層ポリシリコン（１ｐｏｌｙ））に対して弱いゲートの作用を及ぼすため、実施の形態例１のごときＧＮＤ接続の場合、トランジスタのＯＮ電流が少し低下する傾向がある。これに対し本実施の形態例によれば、下層遮光層５をゲートＧと接続することで、このＯＮ電流低下を抑制することができる。
　【００３５】
　実施の形態例３
　本実施の形態例の平面構造を、図３に示す。本例では、下層遮光層５を、画素単位で切り離して、各画素に対応する下層遮光層５１，５２・・・とした。各トランジスタのＬＤＤは、実施の形態例１と同様、十分に覆って、遮光するようにした。また、本例では、各画素のなかで、各下層遮光層５１，５２・・・は、ゲートＧと接続した。それ以外は、実施の形態例１と同様とした。
　【００３６】
　【発明の効果】
　上述したように、本発明の液晶表示装置によれば、上述した戻り光を含め、散乱・反射等した入射光がトランジスタ部に入射することを防止でき、もって光リーク電流等の発生の問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の実施の形態例１の構成を断面構造で示すものである。
　【図２】　本発明の実施の形態例１の構成を平面構造で示すものである。
　【図３】　本発明の実施の形態例３の構成を平面構造で示すものである。
　【図４】　本発明の作用を示す概略説明図である。
　【図５】　従来技術の問題点を示す図である。
　【符号の説明】
　１・・・基板（ＴＦＴ基板）、２・・・対向基板、３・・・液晶、４Ｍ・・・マスク遮光層（上層遮光層）、４Ｐ・・・パッド遮光層（上層遮光層）、５，５１，５２・・・下層遮光層、６・・・対向電極、７・・・ＴＦＴ、Ｇ・・・ゲート、Ｓ・・・ソース領域、Ｄ・・・ドレイン領域、８・・・画素電極、９・・・絶縁層、１０・・・半導体薄膜（１ｐｏｌｙＳｉ）、１１・・・ゲート絶縁膜、１２Ａ・・・引き出し電極、１２Ｂ・・・引き出し電極、１３・・・補助容量（Ｃｓ）、１４・・・半導体薄膜（２ｐｏｌｙＳｉ）、１５・・・信号線。