【事件の表示】
　特許第３０３５５５７号「ニオブ酸カリウム−リチウム結晶及びその製造方法並びにこれを利用した光波周波数増倍装置」の請求項３、４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０３５５５７号の請求項３ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件の経緯
　本件特許第３０３５５５７号は、平成２年７月１７日（優先権主張、平成１年７月２０日、オランダ国）の出願であって、平成１２年２月２５日（公報発行平成１２年４月２４日）に設定登録され、平成１２年１０月２４日に日本碍子株式会社から特許異議の申立を受けたものであって、その後平成１３年２月２７日（発送日平成１３年３月９日）付で取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年８月８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の要旨
（１）訂正事項ａ：「半導体レーザーを用いる（極めて弱い）」（公報2頁3欄19〜20行）を「半導体レーザー（極めて弱い）を用いる」と訂正
（２）訂正事項ｂ．「０．３９７ｍ」（公報2頁3欄32〜33行）を「０．３９７ｎｍ」と訂正
（３）訂正事項ｃ．「およそ」（公報2頁3欄39行）を削除
（４）訂正事項ｄ．「単位セル」（公報2頁4欄13行）を「その単位セル」と訂正
（５）訂正事項ｅ．「０．４０５２ｍｍ」（公報2頁4欄13行）を「０．４０５２ｎｍ」と訂正
（６）訂正事項ｆ．「０．４５０２ｎｍ」（公報3頁5欄22行）を「０．４０５２ｎｍ」と訂正
（７）訂正事項ｇ．「スコッット」（公報3頁5欄31行）を「スコット」と訂正
（８）訂正事項ｈ．「ｌａｚｅｒ」（公報3頁6欄7行）を「ｌａｓｅｒ」と訂正
（９）訂正事項ｉ．「℃」（公報3頁6欄37行）を「°」と訂正
（１０）訂正事項ｊ．「エピタキシャル成長層を有し」（公報4頁7欄5行）を「エピタキシャル成長層２４を支持し」と訂正
（１１）訂正事項ｋ．「μｍ」（公報4頁7欄10行）を「μｍ２」と訂正
　
３．訂正の適否についての検討
（１）訂正事項ａは、（極めて弱い）の位置を「半導体レーザー」の後に移動する訂正であり、「極めて弱い」のが「半導体レーザー」であることを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
（２）訂正事項ｂは、ニオブ酸カリウム−リチウムの結晶構造におけるｃ軸の長さの単位である「ｍ」を「ｎｍ」に訂正するものであるが、該結晶構造におけるｃ軸の長さの単位「ｍ」が「ｎｍ」の誤記であることは、同じニオブ酸カリウム−リチウムである本件発明の結晶のｃ軸の長さが０．４０５ｎｍであることから、明らかであり、前記訂正事項ｂは、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
（３）訂正事項ｃは、「およそ」という曖昧な表現を削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
（４）訂正事項ｄは、「単位セル」の前に「その」を挿入するものであり、「単位セル」がその文章の前にある「正方晶形結晶構造を有するかかる材料」の単位セルであることを明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
（５）訂正事項ｅは、単位セルのｃ軸の長さである「０．４０５２ｍｍ」の単位を「ｎｍ」に訂正するものであるが、ｃ軸の長さが「０．４０５２ｍｍ」ではなく「０．４０５２ｎｍ」の誤記であることは、【第１図】の記載から明らかであり、当該訂正事項ｅは、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
（６）訂正事項ｆは、ｃ軸の長さである「０．４５０２ｎｍ」を「０．４０５２ｎｍ」に訂正するものであるが、ｃ軸の長さが「０．４５０２ｎｍ」ではなく「０．４０５２ｎｍ」の誤記であることは、【第１図】の記載から明らかであり、当該訂正事項ｆは、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
（７）訂正事項ｇは、「スコッット」を「スコット」と訂正するものであるが、「スコッット」が「スコット」の誤記であることは、本件特許明細書（公報2頁3欄23行、4欄23〜24行）の記載から明らかであり、当該訂正事項ｇは、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
（８）訂正事項ｈは、「ｌａｚｅｒ」を「ｌａｓｅｒ」と訂正するものであるが、「ｌａｚｅｒ」が「ｌａｓｅｒ」の誤記であることは明らかであり、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
（９）訂正事項ｉは、「℃」を「°」と訂正するものであるが、「℃」が「°」の誤記であることは、前後の文章から当該箇所が温度ではなく角度を意味していることから、明らかであり、当該訂正事項ｉは、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
（１０）訂正事項ｊは、「エピタキシャル成長層」に図番「２４」を付け加える訂正ｊ−１と、「有する」を「支持し」に変更する訂正ｊ−２に細分できるが、「エピタキシャル成長層」が第３図において図番「２４」で表されることは、本件特許明細書の【図面の簡単な説明】に記載され、第３図によれば単一結晶層２２が「エピタキシャル成長層２４を支持し」ていることが明らかであるから、上記訂正ｊ−１及び訂正ｊ−２は、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
（１１）訂正事項ｋは、「μｍ」を「μｍ２」と訂正するものであるが、「μｍ」が「μｍ２」の誤記であることは、前後の文章からみて当該箇所が長さではなく面積を意味していることから、明らかであり、当該訂正事項ｋは、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
　そして、上記訂正事項ａ〜ｊは、何れも本件特許明細書の記載の範囲内でなされたものであるから新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項および第３項の規定にそれぞれ適合するものであるから、上記訂正は認める。
　
４．特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人は、下記甲第１〜３号証を提出し、本件請求項３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、仮にそうでなくても同号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号若しくは同条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項４に係る発明は、甲第１ないし３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、さらに、本件特許明細書は、その記載に矛盾があり特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていないものであるから、本件請求項３ないし４に係る特許は、同法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである旨主張している。
　甲第１号証：Isv．Aked．Nouk．Arm，vol．13（3），pp241-243，1978，L．M．Kazaryan
　甲第２号証：Journal　of　Applied　Physics，volume42，2，pp684-686
　甲第３号証：Jpn.　J.　Appl.　Phys.，vol.18（1979），No．8，pp1637-1638
５．特許異議申立人の主張についての検討
５−１．本件特許明細書の記載不備について
　特許異議申立人は、特許異議申立書8頁12行〜9頁2行において、本件特許では、請求項１、請求項３及び請求項４において、ニオブ酸カリウム−リチウム結晶の組成が、次式
（K2O）0.3（Li2O）0.2＋ａ（Nb2O5）0.5＋ｂ（式中、−0.01＜ａ＜0.01,−0.01＜ｂ＜0.01を示す）
で表されているが、本件特許明細書の【発明の詳細な説明】の項において、その特許公報2頁右欄5〜6行では、
（K2O）0.3（Li2O）0.2＋ａ（Nb2O5）0.5＋ｂ（式中、−0.01＜ａ＜0.01,−0.01＜ｂ＜0.01を示す）
で表されているものの、特許公報2頁右欄37〜39行では、
（K2O）0.3（Li2O）0.2＋ａ（Nb2O5）0.5＋ｂ（式中、−0.01＜ａ＜0.01,−0.005＜ｂ＜0.005を示す）
で表されており、式中ｂの範囲において矛盾が生じており、本件特許明細書において、特許請求の範囲の記載は、「受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること」（特許法第３６条第５項第１項）に適合せず、本願は特許を受けることができない旨主張している。
　しかしながら、本件特許明細書の【発明の詳細な説明】の項（特許公報2頁右欄5〜6行）に、請求項１、請求項３及び請求項４において、記載されるニオブ酸カリウム−リチウム結晶の組成と同一の組成が記載されている以上、特許請求の範囲の記載は、「受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであること」（特許法第３６条第５項第１項）に適合する。
　そして、特許公報2頁右欄37〜39行に記載される結晶組成におけるｂの範囲（−0.005＜ｂ＜0.005）は、上記請求項記載のｂの範囲（−0.01＜ｂ＜0.01）の範囲内であり、請求項に係る発明に対しｂの範囲が減縮された発明が開示されているにすぎないのであるから、本件特許明細書の記載に矛盾が生じるものでもない。
　したがって、この点に関する異議申立人の主張は採用できない。
　
５−3．本件発明の認定
　本件発明は、平成１３年８月８日付け訂正請求により訂正された明細書の請求項３ないし４に記載された事項により特定された次のとおりのものである（以下「本件発明３」ないし「本件発明４」という）。
「【請求項３】ニオブ酸カリウム−リチウム結晶において、その組成が次の式、（K2O）0.3（Li2O）0.2＋ａ（Nb2O5）0.5＋ｂ（式中、−0.01＜ａ＜0.01,−0.01＜ｂ＜0.01を示す）で表されることを特徴とするニオブ酸カリウム−リチウム結晶。
【請求項４】基本光波が第二調和波を形成するように非線形光学媒体を通過して光波の周波数を増倍する装置において、前記基本光波は、半導体レーザーにより発生され、前記非線形光学媒体は、次の一般式（K2O）0.3（Li2O）0.2＋ａ（Nb2O5）0.5＋ｂ（式中、−0.01＜ａ＜0.01,−0.01＜ｂ＜0.01を示す）で表される化学量論ニオブ酸カリウム−リチウム結晶から形成される、ことを特徴とする光波の周波数を増倍する装置。」
　
５−２．取消理由通知に引用された刊行物記載の発明
　ア．刊行物１（甲第１号証）
　「ニオブ酸カリウム−リチウム（ＫＬＮ）は、濃縮カリウムブロンズ構造を有しており、量子電子工学の有力材料の一つであることが知られている。また、５１から５５モル％の五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含有する固溶体は強誘電性を示し、その組成が（K2O）0.3（Li2O）0.7−ｘ（Nb2O5）ｘ（ここで、ｘは０．５１〜０．５５を示す）で表されることも知られている。」（第241頁1〜6行）
　イ．刊行物２（甲第２号証）
　イ−１．「組成（K2O）0.3（Li2O）0.7−ｘ（Nb2O5）ｘ（ｘは０．５１５〜０．５５の範囲を示す）の結晶は、有益かつ独特な非線形光学特性を有する。これらは正方晶タングステンブロンズ構造を有する。・・・ｘ＝０．５１５に対して、複屈折は非常に大きく、Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを用いた複屈折を用いない調和波発生のための位相整合温度は４５０℃であり、ｘ＝０．５５に対しては、１４０℃が得られる。これらの結晶により、０．９０μで発光するＧａＡｓ注入レーザーは室温以上で初めて複屈折を用いることなく位相整合される。」（第684頁要旨部1〜8行）
　イ−２．「ニオブ酸カリウム−リチウム結晶の非線形光学特性が研究された。これらは、低周波数及び光学周波数において大きな非線形光学特性を有する透明な強誘電性結晶である。研究された組成は、（K2O）0.3（Li2O）0.7−ｘ（Nb2O5）ｘ（ｘは０．５１５〜０．５５の範囲を示す）であった。」（第684頁左欄1〜6行）
　イ−３．「１．０６μでのＴφ（位相整合温度）の大きな値は、０．９０μでのＧａＡｓ注入レーザーが光学軸に垂直に位相整合され得ることを示唆した。・・・図１に示されるように、１．０６μレーザーの対応温度は３５０℃である。したがって、これらの結晶は、複屈折を用いないで位相整合するのに使用され得る。」（第685頁左欄25〜32行）
　
５−４．対比・判断
（１）本件発明３と刊行物１記載の発明とを対比
　　本件発明３と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者はニオブ酸カリウム−リチウム結晶である点で一致するが、その組成が、本件発明３が（K2O）0.3（Li2O）0.2（Nb2O5）0.5  又はこれと実質的に等しい（酸化リチウムと酸化ニオブの組成の誤差が０．０１未満）結晶であるのに対し、刊行物１に記載される組成は、上記本件発明の表現に合わせると（K2O）0.3（Li2O）0.19〜0.15（Nb2O5）0.51〜0.55  である点で異なる。
　　そして、刊行物１記載の結晶組成は、明確に本件発明３の結晶組成を排除しており、本件発明３が刊行物１に記載された発明ということはできないばかりか、本件特許出願時において本件発明３の結晶組成が一般に認識されていたとする証拠がない以上、単に、組成の数値範囲が近接していることを以て、当業者が刊行物１の記載に基づいて本件発明３の結晶組成を容易に想定することができたとはいえない。
（２）本件発明３と刊行物２記載の発明とを対比
  　次に、刊行物２には、刊行物１と同様なニオブ酸カリウム−リチウム結晶が記載され、その組成は（K2O）0.3（Li2O）0.185〜0.15（Nb2O5）0.515〜0.55  と表現される。
　　本件発明３と刊行物２記載の発明とを対比すると、その一致点及び相違点は、刊行物１との一致点と相違点とほぼ同じとなり、上記刊行物１との対比で検討したのと同様な理由で、刊行物２の記載に基づいて本件発明３の結晶組成を容易に想定することができたとはいえない。
（３）本件発明４と刊行物１及び２との対比
　　本件発明４は、本件発明３におけるニオブ酸カリウム−リチウム結晶から形成される、光波の周波数を増倍する装置に係る発明である。
　　一方、刊行物２には、前項（２）で表わされる組成のニオブ酸カリウム−リチウム結晶が記載されると共に、記載イ−２及び記載イ−３によれば、該ニオブ酸カリウム−リチウム結晶をレーザーなどの光波の周波数を増倍するのに使用され得ることが示唆されているが、本件発明３のニオブ酸カリウム−リチウム結晶が、刊行物１ないし２に記載されておらず、またその記載から容易に想到することができないものである以上、本件発明３のニオブ酸カリウム−リチウム結晶をその構成要件とする本件発明４も、刊行物１ないし２の記載から容易に想到することができない。
（４）甲第３号証との組合せ
　　異議申立人が提出した甲第３号証には、ニオブ酸カリウム−リチウム（ＫＬＮ）結晶は、優れた電子−光学特性、非線形光学特性及び圧電特性をもち、光学ＩＣ用の適切な材料であるという、一般的な記載があるのみであり、このような一般的な記載を前記刊行物１ないし２記載の発明と組み合わせて、上記特定の構成を有する本件発明３ないし４を、容易に想到することができたとはいえない。
（５）まとめ
　　以上検討したように、本件発明は刊行物３に記載された発明といえず、また本件発明３および４は、刊行物１、２及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、容易に発明をすることができたとすることもできない。
　
６．結び
　以上のとおりであるから、訂正後の本件請求項３ないし４に係る特許は、特許異議申立の理由および証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件請求項３ないし４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１０日（２００２．６．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１．特許第３０５５５７号の明細書中「半導体レーザーを用いる（極めて弱い）」（公報２頁３欄１９〜２０行）とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として「半導体レーザー（極めて弱い）を用いる」と訂正する。
２．特許第３０５５５７号の明細書中「０．３９７ｍ」（公報２頁３欄３２〜３３行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「０．３９７ｎｍ」と訂正する。
３．特許第３０５５５７号の明細書中「およそ」（公報２頁３欄３９行）とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として削除する。
４．特許第３０５５５７号の明細書中「単位セル」（公報２頁４欄１３行）とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として「その単位セル」と訂正する。
５．特許第３０５５５７号の明細書中「０．４０５２ｍｍ」（公報２頁４欄１３行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「０．４０５２ｎｍ」と訂正する。
６．特許第３０５５５７号の明細書中「０．４５０２ｎｍ」（公報３頁５欄２２行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「０．４０５２ｎｍ」と訂正する。
７．特許第３０５５５７号の明細書中「スコッット」（公報３頁５欄３１行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「スコット」と訂正する。
８．特許第３０５５５７号の明細書中「ｌａｚａｒ」（公報３頁６欄７行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「ｌａｓｅｒ」と訂正する。
９．特許第３０５５５７号の明細書中「℃」（公報３頁６欄３７行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「゜」と訂正する。
１０．特許第３０５５５７号の明細書中「エピタキシャル成長層を有し」（公報４頁７欄５行）とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として「エピタキシャル成長層２４を支持し」と訂正する。
１１．「μｍ」（公報４頁７欄１０行）とあるのを、誤記の訂正を目的として「μｍ２」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ニオブ酸カリウム−リチウム結晶及びその製造方法並びにこれを利用した光波周波数増倍装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ニオブ酸カリウム−リチウム結晶を製造する方法において、
　次の一般式、
　（Ｋ２Ｏ）０．３（Ｌｉ２Ｏ）０．２＋ａ（Ｎｂ２Ｏ５）０．５＋ｂ
　（式中、−０．０１＜ａ＜０．０１，−０．０１＜ｂ＜０．０１を示す）
による化学量論ニオブ酸カリウム−リチウムを、
　３０ｍｏｌ％のＫ、２７ｍｏｌ％のＬｉ、４３ｍｏｌ％のＮｂ
なるモル比のＫ、Ｌｉ及びＮｂ金属イオンを有する溶融物を冷却することにより製造するとともに、その溶融物の製造に、ＬｉＮｂＯ３の形態のＬｉを用いる、
ことを特徴とするニオブ酸カリウム−リチウム結晶製造方法。
　【請求項２】　請求項１に記載の方法において、前記溶融物の冷却速度を１０５０〜９００℃の温度範囲で１℃／時間以下にすることを特徴とする製造方法。
　【請求項３】　ニオブ酸カリウム−リチウム結晶において、その組成が次の式、
　（Ｋ２Ｏ）０．３（Ｌｉ２Ｏ）０．２＋ａ（Ｎｂ２Ｏ５）０．５＋ｂ
　（式中、−０．０１＜ａ＜０．０１，−０．０１＜ｂ＜０．０１を示す）
で表されることを特徴とするニオブ酸カリウム−リチウム結晶。
　【請求項４】　基本光波が第二調和波を形成するように非線形光学媒体を通過して光波の周波数を増倍する装置において、
　前記基本光波は、半導体レーザーにより発生され、
　前記非線形光学媒体は、次の一般式
　（Ｋ２Ｏ）０．３（Ｌｉ２Ｏ）０．２＋ａ（Ｎｂ２Ｏ５）０．５＋ｂ
　（式中、−０．０１＜ａ＜０．０１，−０．０１＜ｂ＜０．０１を示す）
で表される化学量論ニオブ酸カリウム−リチウム結晶から形成される、
ことを特徴とする光波の周波数を増倍する装置。
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明はニオブ酸カリウム−リチウム結晶及びかかる結晶を製造する方法に関する。
　更に、本発明は光波の周波数を増倍する装置で、その中で、第二調和波を形成するように基本光波が非線形光学媒体を通過するものに関する。
（従来の技術）
　正方晶形結晶構造を有するニオブ酸カリウム−リチウム（Ｋ２Ｏ）０．３（Ｌｉ２Ｏ）０．７−ｘ（Ｎｂ２Ｏ５）ｘで式中のｘは０．５１５〜０．５５であるものは、Ａ．Ｗ．スミスらのＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．
４２
（極めて弱い）を用いる
　Ｂ．Ａ．スコットらのＭａｔ．Ｒｅｓ．Ｂｕｌｌ．５（１）．４７〜５６ページ（１９７０）の文献に、Ｋ２Ｏ−Ｌｉ２Ｏ−Ｎｂ２Ｏ５系の相ダイアグラムが記載されており、ここからは化学量論Ｋ３Ｌｉ２Ｎｂ５Ｏ１５は結晶形態では存在しないことが導かれる。Ｗ．Ａ．ＢｏｎｎｅｒらのＪ．Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　
１
ｎｍ
（発明が解決しようとする課題）
　本発明の目的は非線形光学材料及びかかる材料を製造する方法を提供することにあり、該材料は相整合をあまり精密にしないことを伴う周波数増倍を可能にする。本発明の特別の目的は、室温で
、約
　更に、本発明の他の目的は、周波数‐増倍を達成することができる装置を提供することである。この点について、本発明の目的の一つは、例えばガラスファイバ及び情報の光学記憶手段による電気通信用の目的用に、半導体レーザーからの光の周波数増倍（波長を半分）を可能にすることにある。
（課題を解決するための手段）
　本発明において、かかる目的は化学量論ニオブ酸カリウム−リチウムが次の一般式、
　（Ｋ２Ｏ）０．３（Ｌｉ２Ｏ）０．２＋ａ（Ｎｂ２Ｏ５）０．５＋ｂ
　（式中、−０．０１＜ａ＜０．０１，−０．０１＜ｂ＜０．０１を示す）
に従って製造されることにより達成される。
　本発明により製造された材料はほぼ完全に化学量論的であり、精度の限度内においてこれを用いて組成が決定できる。値
ａ
ｂ
その
ｎｍ
　本発明の方法の好適例においては、結晶は溶融物を冷却することにより製造され、その組成は金属イオンの原子量比が次の比、
　３０ｍｏｌ％Ｋ，２７ｍｏｌ％Ｌｉ及び４３ｍｏｌ％Ｎｂ
であるように選定される。
　上記金属を従来の方法で、例えば酸化物若しくは炭酸物の形態で融解することができる。しかし、例えばＢ．Ａ．スコットらの、及びＷ．Ａ．ボンナーらの上記文献に示されるように、炭酸リチウムの従来の適用は、炭酸リチウムの揮発性が大きくまた混合物の融点が原因となって、組成物における精密さを欠く。本発明の特に有効な例においては、特にリチウムの量を精秤することができ、ＬｉＮｂＯ３の形態のＬｉを溶融物の製造に用いることができる。
　十分な収量を得るためには、溶融物の冷却速度を１０５０〜９００℃の温度範囲で１℃／時以下にするのが有効である。
　本発明において、光波の周波数を増倍する装置を提供する目的は、最初の欄に記載された装置により達成され、その中で基本光波が半導体レーザーにより発生し、非線形光学媒体が次の式；
　（Ｋ２Ｏ）０．３（Ｌｉ２Ｏ）０．２＋ａ（Ｎｂ２Ｏ５）０．５＋ｂ
　（式中、−０．０１＜ａ＜０．０１；−０．００５＜ｂ＜０．００５を示す）
で表される化学量論ニオブ酸カリウム−リチウム結晶から形成される。
　本発明の非線形光学媒体は、半導体レーザーと一緒に用いる適用が極めて好ましく、その理由はレーザーにより発光される光の波長の温度依存及び相整合された周波数増倍が生じる波長の温度依存がほぼ同等であるからである。これにより、半導体レーザーと非線形光学媒体との組み合わせは、他の手段を用いることなく広範な温度範囲に渡り相互に適合されたままであることが可能である。非線形媒体を、例えばプレーナー型導波路に用いる場合には、特に十分な光アウトプットが達成できる。
（実施例）
　本発明を図面を参照しながら次の実施例により説明する。
実施例１
　３１９．０ｇの五酸化ニオブＮｂ２Ｏ５、３１１．０ｇの炭酸カリウムＫ２ＣＯ３及び５９８．８ｇのニオブ酸リチウムＬｉＮｂＯ３を化合させて、２５０℃／時の速度で１２００℃まで加熱することにより融解した。該溶融物のモル組成は酸化物を基本として、４３ｍｏｌ％のＮｂ２Ｏ５、３０ｍｏｌ％のＫ２Ｏ及び２７ｍｏｌ％のＬｉ２Ｏであった。ＬｉＮｂＯ３の融点が高いことにより、エバポレーションの結果、Ｌｉの損失が生じることはなかった。該溶融物の比重は４．４ｇ／ｃｍ３で容量は２５６ｍｌであった。該溶融物を７００ｍｌの容量を有するＰｔ／Ａｕるつぼ中で製造した。
　該溶融物を速度６０℃／時で１０５０℃まで、また速度１℃／時で８００℃まで、速度５℃／時で室温まで冷却した。用いられる炉は極めて安定な温度を有し、０．０４℃の精度に調節することができる。薄黄色の結晶がＰｔ／Ａｕワイヤの端部に９８０℃の温度で形成した。およそ１〜２％の溶融物がニオブ酸カリウムーリチウム結晶に転化した。該結晶にクラッキングが生じないように室温までゆっくり冷却した。Ｘ線回析により、該結晶は、ａ軸の長さが１．２５５８ｎｍ及びｃ軸の長さが０．
４０５２
　第１図には、ニオブ酸カリウムーリチウム（Ｋ２Ｏ）０．３（Ｌｉ２Ｏ）０．７−ｘ（Ｎｂ２Ｏ５）ｘで式中のｘが０．５０〜０．５５であるものと結晶単位セル中のｃ軸の長さとの関係を示す。ｘ＝０．５０の本発明の材料から値が離れる時は、その結果はＢ．Ａ．
スコット
　本発明により製造された材料は、４８８ｎｍの波長での２００ＭＷ／ｃｍ２の一定の照射負荷にたいして耐性を有する。
　２ｘ２μｍ２の断面を有するライトコンダクタにおいて１００ｍＷの強度を有する基本光波を適用するのに１０ＭＷ／ｃｍ２の値で既に十分である。このことは、およそ１％のイールドを有する周波数‐増倍に関する有効な適用に対して十分である。
　およそ８００ｎｍの波長を有する光の周波数‐増倍に関する適用に対し、該材料は３６０〜１０００ｎｍで透明であり、したがって第二調和波は吸収されない。
　本発明の材料は湿りやすくなく、硫酸、塩酸、硝酸及び（１０％）フッ化水素酸に耐性がある。
実施例２
　実施例１により製造され、２．５ｘ２．５ｘ０．５ｍｍ３の大きさを有するニオブ酸カリウム−リチウム結晶に２つの平坦プレーンな平行な窓を設けた。結晶の配向は結晶構造のｃ軸が窓の面に延在するように選定された。
　第２図には、例えばＧａＡｓレーザー又はＡｌＧａＡｓレーザーの如き半導体レーザーのようなレーザー光源１０が示されており、これにより１００ｍＷの最大強度を有する光波１２が発生した。該光波をレンズ１４によりニオブ酸カリウム−リチウム結晶１６上の窓で焦点を集めた。結晶の位置での光ビームの断面は１，２２ｘ１０−５ｃｍ２で、光ビームのアパーチャの角度は２゜より小さいものであった。ここで記述する多くの実験は、Ｋｒレーザー及びチューナブルダイレーザー（ｔｕｎａｂｌｅ　ｄｙｅ　
ｌａｓｅｒ
　発生した第二調和波は、基本光波に平行で、結晶構造のｃ軸に平行である方向に偏光される。第二調和波の強度は基本光波の強度の二乗に比例する。入射光の強度が７０ｍＷで、発生した青色光の強度は３８０ｎＷである。本発明の非線形光学媒体は、相整合の精密さをあまり必要としないことを可能にするので、基本光波の入射角の比較的大きい偏差が許容される。最大５゜の入射角の変化は、周波数増倍が最適である１ｎｍ以下の波長の変位（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を導く。
　周波数−増倍は、基本光波の波長が８０３ｎｍで室温の時最適である。最大値の半分でのスペクトル幅は、１，６ｎｍである。波長の最適値の温度依存は、２０℃〜８０℃の温度範囲で０．２８ｎｍ／℃である。このことは、多マルチモードＧａＡｓ及びＡｌＧａＡｓ半導体レーザーを生み出す光の波長のおよそ０．３ｎｍ／℃の温度依存に極めてよく整合する。
　二次サスセプタンステンソル（ｓｅｃｏｎｄ　ｏｒｄｅｒ　ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ　ｔｅｎｓｏｒ）の非線形係数ｄ３１は周波数‐増倍の効率の尺度になる。本発明の非線形最適媒体においては、ｄ３１は１３±２ｐｍ／Ｖである。比較して、ｘ＝０．５３である従来のニオブ酸カリウム−リチウム結晶の場合には、ｄ３１は６ｐｍ／Ｖのみである。
　室温及び８０３ｎｍでの通常の屈折率ｎｏは２．２３である。特別の屈折率ｎｅは同様の条件下で２．０９である。波長が４０１．５ｎｍまで半減されたとき、ｎｅは２．２３であり、従ってかかる波長で、基礎及び第二調和光波との相整合は、
０゜
　室温及び６３２ｎｍの波長で、ｎｏ＝２．２８及びｎｅ＝２．１１である。かかる値は、本発明の材料の増倍屈折特性が、上記文献においてＡ．Ｗ．スミスらが示した値に比較して増加したことを示し、上記値はｘ＝０．５２のニオブ酸カリウム−リチウムにおいてｎｏ＝２．２８及びｎｅ＝２．１３の値を示す。
実施例３
　高いイールドを有する光波の周波数を増倍させる装置は、本発明の非線形光学媒体を共鳴光学キャビティ及び光学導波路に用いることにより得ることができる。かかる目的に関し、ニオブ酸カリウム−リチウムを粉末の形態で製造することができ、これを用いて、エピタキシャル層をｒｆ‐スパッタリング若しくはレーザーアブレーションにより製造することができる。第３図には、光波の周波数を増倍する装置の一部が示されており、当該装置はサファイアのような基板２０からなり、その上に低い屈折率を有する単一結晶層２２が堆積する。前記層はニオブ酸カリウム−リチウムのエピタキシャル成長層
２４
支持
　断面が５ｘ５
μｍ２
【図面の簡単な説明】
　第１図はカリウムーニオブ酸リチウム（Ｋ２Ｏ）０．３（Ｌｉ２Ｏ）０．７−ｘ（Ｎｂ２Ｏ５）ｘの組成と結晶単位セルのｃ軸の長さとの関係を示す線図、
　第２図は本発明の装置を示す概略図、
　第３図は本発明の他の装置の一部を示す斜視図である。
１０…レーザー光源
１２…光波
１４…レンズ
１６…ニオブ酸カリウム−リチウム結晶
２０…基板
２２…単一結晶層
２４…エピタキシャル成長層