(57)【要約】  確実に電子部品をシールドすることができるとともに、小型化を実現することができる電子部品モジュールの製造方法を提供することを目的とする。  複数の電子部品１２、１３により複数の電子部品モジュール１が形成された集合基板１０を樹脂にて一括封止し、電子部品モジュール１の境界部分にて、封止された封止樹脂層１４の天面から、集合基板１０の内部に配設してある接地用電極１６に到達する位置まで切り込み部１７を形成し、切り込み部１７及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置した後、シート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加えることにより、導電性樹脂１８を切り込み部１７に充填して接地用電極１６と接続させる。
2010047007.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子部品により複数の電子部品モジュールが形成された集合基板を樹脂にて一括封止し、
前記電子部品モジュールの境界部分にて、封止された樹脂の天面から、前記封止された樹脂又は前記集合基板の内部まで切り込み部を形成し、
少なくとも側面の一部及び天面を導電性樹脂で被覆した後、前記電子部品モジュールを切り出す電子部品モジュールの製造方法において、
前記切り込み部及び天面を覆うようにシート状の前記導電性樹脂を載置した後、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記集合基板の内部に配設してある接地用電極に到達する位置まで前記切り込み部を形成し、
前記切り込み部及び天面を覆うようにシート状の前記導電性樹脂を載置した後、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることにより、前記導電性樹脂を前記切り込み部に充填して前記接地用電極と接続させることを特徴とする請求項１記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記集合基板の表面に配設してある電極パッドと接続するように前記集合基板上又は前記電子部品上に導電性ポストを形成し、
該導電性ポストの上面を露出させ、かつ前記電子部品モジュールを覆うように、前記集合基板を樹脂にて一括封止し、
前記切り込み部及び前記導電性ポストの上面を含む天面を覆うようにシート状の前記導電性樹脂を載置した後、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることにより、前記導電性樹脂を前記切り込み部に充填し、かつ前記導電性ポストの上面と前記導電性樹脂とを接続させることを特徴とする請求項１記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記切り込み部を形成した後、シート状の前記導電性樹脂を載置する前に、前記切り込み部の一部に前記導電性樹脂を充填しておくことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項５】
ヒータプレス装置により、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に真空環境下で圧力及び熱を加えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項６】
密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項７】
シート状の前記導電性樹脂を載置した前記集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、
減圧パック装置により、前記集合基板を入れた前記袋の内部を減圧して密封し、
減圧した前記袋内の前記集合基板に熱を加えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項８】
シート状の前記導電性樹脂を載置した前記集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、
減圧パック装置により、前記集合基板を入れた前記袋の内部を減圧しつつ、前記袋内の前記集合基板に熱を加えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項９】
密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、前記槽内に載置した前記袋内の前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする請求項７又は８記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記導電性ポストは、前記集合基板又は前記電子部品から前記天面へ向かうにつれて次第に断面が小さくなる形状にて形成されることを特徴とする請求項３記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記導電性ポストは、硬化性を有する導電性溶液の吐出及び固化を繰り返して前記集合基板又は前記電子部品モジュール上に形成されることを特徴とする請求項３記載の電子部品モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の電子部品により複数の電子部品モジュールが形成された集合基板から、集合基板の内部に接地用電極を有する電子部品モジュールを切り出す電子部品モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品モジュールを製造する場合、例えば、電子部品を搭載した基板上に、所定高さのグランド端子を設け、基板上に樹脂膜とシールド効果を有する導電膜とを積層した積層シートを配設した後、樹脂膜を軟化させることにより、グランド端子と導電膜とを導通させている（特許文献１参照）。【０００３】
しかし、特許文献１に開示されている製造方法で製造して切り出した電子部品モジュールでは、側面にシールド層が形成されていないため、電界ノイズ及び電磁波ノイズが側面から侵入することを防ぐことができないという問題があった。【０００４】
そこで、電子部品モジュールの側面にシールド層を形成する方法が検討されている。例えば、一方の面の電気接点と他方の面の接続パッドとを接続する一連のバイアホール及び一連の孔を有する基板に、少なくとも１つの電子部品の活性面側を取付け、該活性面の反対側の面に導電性の変形フィルムを付着する。そして、電子部品を鎧装して形成した堅固なアセンブリが変形フィルムと接触するように、他方の面から一連の孔を通じて変形フィルムを吸気する（特許文献２参照）。【０００５】
特許文献２では、電極は電子部品の活性面を取り付けた基板表面に形成されており、一連の孔を通じて変形フィルムを吸気することにより、導電性の変形フィルムが電子部品に沿って基板表面の電極と接地する。電子部品モジュールは孔の部分で切断され、孔に充填された変形フィルムが外部と接触することになり、切断された孔の部分（電子部品の側面）へのノイズの侵入を防ぐことができる。【０００６】
また、電磁波シールドを必要とする電子部品ではないが、樹脂フィルムを電子機能素子の側面まで充填して電子部品を製造する方法が開示されている（特許文献３参照）。具体的には、基板と、基板に設けられた複数の電子機能素子とを実装集合基板上に実装し、各電子機能素子上に樹脂フィルムを貼付して気体遮断性を有する袋に入れ、内部を減圧して密封する。そして、減圧された各電子機能素子間に樹脂フィルムを浸入させて、各電子機能素子を樹脂フィルムによって封止する。【０００７】
さらに、基板上に実装する要素部品が完全にシールドされた電子部品モジュールとして、例えば基板上に配置された複数の部品が絶縁層で被覆され、絶縁層から露呈させた状態で基板上に設けられた接地用電極と、絶縁層の外側に形成され接地用電極に接続されたシールド層とを具備し、基板とシールド層の端面とが同一平面上に位置する回路モジュールが開示されている（特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−２２３６４７号公報
【特許文献２】特開２００１−１７６９９５号公報
【特許文献３】国際公開第２００５／０７１７３１号
【特許文献４】特開２００４−１７２１７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特許文献２では、孔を基板に形成するとともに電極を基板表面に形成しているため、電子部品モジュールが大型になり、集合基板から切り出す電子部品モジュール数が少なくなって、製造費用が増大するという問題があった。なお、特許文献１でも、天面に形成されるシールド層（導電膜）と接地するように接地用端子を形成する必要があり、接地用端子分だけ基板面積が大きくなることから、同様の問題を有していた。【００１０】
特許文献３では、基板と実装集合基板との間に電極が形成され、空間部が基板と実装集合基板との間に形成され、空間部の存在によって基板下の振動を妨げないようにしている。空間部を形成、すなわち樹脂フィルムの未充填空間を残すため、樹脂フィルムを基板と実装集合基板との狭い間隙に浸入させる必要がなく、袋の内部を減圧して外の大気との圧力差のみで樹脂フィルムを充填している。しかし、樹脂フィルムの狭い間隙への浸入性を高め、空気の巻き込み等によるボイドを防止し、電子部品を確実にシールドするためには、減圧だけでは不充分である。【００１１】
特許文献４では、絶縁層上にシールド層が設けられ、基板上の接地用電極とシールド層とを接続し、シールド層と基板側面を同一平面上に形成してモジュール平面方向を小型化するようにしている。しかし、特許文献４では、シールド層を導電性ペーストの塗布によって形成するため、一般に熱硬化性樹脂を主成分として含む導電性ペーストを熱硬化させる際に、導電性ペースト内に含まれる有機溶剤などの希釈液が蒸発してガス化し、シールド層内部にボイドが生じるおそれがある。また、平面方向の小型化を課題としたものであるため、低背化を実現するには不十分である。【００１２】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、確実に電子部品をシールドすることができるとともに、低背化を伴う小型化を実現することができる電子部品モジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために第１発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、複数の電子部品により複数の電子部品モジュールが形成された集合基板を樹脂にて一括封止し、前記電子部品モジュールの境界部分にて、封止された樹脂の天面から、前記封止された樹脂又は前記集合基板の内部まで切り込み部を形成し、少なくとも側面の一部及び天面を導電性樹脂で被覆した後、前記電子部品モジュールを切り出す電子部品モジュールの製造方法において、前記切り込み部及び天面を覆うようにシート状の前記導電性樹脂を載置した後、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする。【００１４】
また、第２発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１発明において、前記集合基板の内部に配設してある接地用電極に到達する位置まで前記切り込み部を形成し、前記切り込み部及び天面を覆うようにシート状の前記導電性樹脂を載置した後、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることにより、前記導電性樹脂を前記切り込み部に充填して前記接地用電極と接続させることを特徴とする。【００１５】
また、第３発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１発明において、前記集合基板の表面に配設してある電極パッドと接続するように前記集合基板上又は前記電子部品上に導電性ポストを形成し、該導電性ポストの上面を露出させ、かつ前記電子部品モジュールを覆うように、前記集合基板を樹脂にて一括封止し、前記切り込み部及び前記導電性ポストの上面を含む天面を覆うようにシート状の前記導電性樹脂を載置した後、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることにより、前記導電性樹脂を前記切り込み部に充填し、かつ前記導電性ポストの上面と前記導電性樹脂とを接続させることを特徴とする。【００１６】
また、第４発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１乃至第３発明のいずれか１つにおいて、前記切り込み部を形成した後、シート状の前記導電性樹脂を載置する前に、前記切り込み部の一部に前記導電性樹脂を充填しておくことを特徴とする。【００１７】
また、第５発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１乃至第４発明のいずれか１つにおいて、ヒータプレス装置により、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に真空環境下で圧力及び熱を加えることを特徴とする。【００１８】
また、第６発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１乃至第４発明のいずれか１つにおいて、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、シート状の前記導電性樹脂が載置された前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする。【００１９】
また、第７発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１乃至第４発明のいずれか１つにおいて、シート状の前記導電性樹脂を載置した前記集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、前記集合基板を入れた前記袋の内部を減圧して密封し、減圧した前記袋内の前記集合基板に熱を加えることを特徴とする。【００２０】
また、第８発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第１乃至第４発明のいずれか１つにおいて、シート状の前記導電性樹脂を載置した前記集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、前記集合基板を入れた前記袋の内部を減圧しつつ、前記袋内の前記集合基板に熱を加えることを特徴とする。【００２１】
また、第９発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第７又は第８発明において、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、前記槽内に載置した前記袋内の前記集合基板に圧力及び熱を加えることを特徴とする。【００２２】
また、第１０発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第３発明において、前記導電性ポストは、前記集合基板又は前記電子部品から前記天面へ向かうにつれて次第に断面が小さくなる形状にて形成されることを特徴とする。【００２３】
また、第１１発明に係る電子部品モジュールの製造方法は、第３発明において、前記導電性ポストは、硬化性を有する導電性溶液の吐出及び固化を繰り返して前記集合基板又は前記電子部品モジュール上に形成されることを特徴とする。【００２４】
第１発明では、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部にも充分に導電性樹脂を充填することができ、天面だけでなく側面にもシールド層を形成することができる。また、シールド層の薄膜化を図ることができ、ボイドの発生を未然に防止することができ、確実に電子部品をシールドすることが可能となる。さらに、側面及び天面へのシールド層の形成を１つの処理工程にて実施することができるので、生産性も向上する。加えて、シート状の導電性樹脂を用いることにより、取り扱いが容易となり、封止された樹脂の天面に薄膜のシールド層を容易に形成することができるので、電子部品モジュールを低背化することが可能となる。【００２５】
第２発明では、集合基板の内部に配設してある接地用電極に到達する切り込み部にシールド層が形成され、基板側面のシールド層を構成し、基板側面のシールド層が接地用電極と接触して電気的に接続するので、電子部品モジュール当たりの基板面積を小さくすることが可能であり、低背化とともに電子部品モジュールを小型化することが可能となる。【００２６】
第３発明では、集合基板の表面に配設してある電極パッドと接続するように集合基板上又は電子部品上に導電性ポストを形成することにより、基板表面に電極を形成して基板に孔を形成することなく、電子部品モジュール当たりの基板面積を小さくすることが可能である。特に電子部品上に導電性ポストを形成する場合に、電子部品モジュール当たりの基板面積をより小さくすることが可能であり、低背化とともに電子部品モジュールを小型化することが可能となる。さらに、電子部品モジュールにおいて導電性ポストを介して電気信号が伝達される場合、側面の導電性樹脂を介して電気信号が伝達される場合と比較して電送路が短くなり、抵抗を小さくすることが可能となる。【００２７】
第４発明では、切り込み部を形成した後、シート状の導電性樹脂を載置する前に、切り込み部の一部に導電性樹脂を充填しておくことにより、シート状の導電性樹脂が充填され難い切り込み部の底部への充填不足を補うことができるとともにボイドの発生を未然に防止して、より確実に電子部品をシールドすることが可能となる。【００２８】
第５発明では、ヒータプレス装置により、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に真空環境下で圧力及び熱を加えることにより、切り込み部へ導電性樹脂を効果的に充填することができるとともに、天面に形成されるシールド層の膜厚を制御することが容易となる。また、真空環境下で圧力及び熱を加えることにより、ボイドの発生を未然に防止することができるので、より切り込み幅を狭くしてシールド層を薄膜化することができる。切り込み部の幅を狭くすることで、集合基板から切り出す電子部品モジュール数を多くすることができ、製造コストを抑制することも可能となる。【００２９】
第６発明では、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、ヒータプレス装置よりも簡易な構成の装置を用いる場合であってもシールド層の薄膜化を図ることができ、ボイドの発生を未然に防止することができ、より製造コストを抑制することが可能となる。また、所定の方向に偏って圧力が加えられることがなく、均等に加圧することが可能となる。【００３０】
第７発明では、シート状の導電性樹脂を載置した集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、集合基板を入れた袋の内部を減圧し、減圧した袋内の集合基板に熱を加えることにより、袋の内外の圧力差により導電性樹脂がより切り込み部に充填され易くなる。また、減圧状態で加熱することにより、加熱によって導電性樹脂等に発生するガス等を減圧状態である導電性樹脂等の外に排出することができるので、ボイドの発生を未然に防止することができる。ヒータプレス装置にて真空環境下で処理する場合と比較し、簡易な装置及び処理工程でシールド層を形成することができる。さらに、気体遮断性を有する袋を使用することにより、集合基板の形状に沿って均等に外圧がかかり、集合基板が均等に加圧されることになる。【００３１】
第８発明では、シート状の導電性樹脂を載置した集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、集合基板を入れた袋の内部を減圧しつつ、袋内の集合基板に熱を加えるようにした場合、集合基板を入れた袋の内部を減圧しつつ熱を加えることにより、切り込み部の一部に充填された導電性樹脂に含まれる溶剤成分を大気圧下より多く揮発蒸散させることができ、ボイドの発生を未然に防止することができる。なお、減圧によって袋内が真空状態になるまでは、シート状の導電性樹脂は封止された樹脂の天面に完全には圧着されていないので、切り込み部の一部に充填された導電性樹脂に含まれる溶剤成分は、封止された樹脂とシート状の導電性樹脂との間から容易に揮発蒸散することができる。【００３２】
第９発明では、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置により、槽内に載置した袋内の集合基板に圧力及び熱を加えることにより、真空環境下にて全方向から均等に圧力を加えて加熱することができるので、切り込み部へ導電性樹脂がより充填され易くなるとともに、よりボイドの発生を抑制することが可能となる。【００３３】
第１０発明では、導電性ポストは、集合基板又は電子部品から天面へ向かうにつれて次第に断面が小さくなる形状にて形成される、いわゆるテーパ形状を有することにより、シート状の導電性樹脂を載置してシールド層を形成する場合、導電性ポストを破損することなく、均一かつ平坦に封止樹脂層を形成することが可能となる。すなわち、シート状の導電性樹脂を載置する場合、導電性ポストに上方から圧力が加えられるが、テーパ形状の導電性ポストは上方からの圧力に対して耐圧性が高く、上方からの圧力によって折れて破損することがない。また、シート状の導電性樹脂は、封止された樹脂の天面から露出した導電性ポストの上面を覆うように載置されるので、露出した導電性ポストの断面が大きい場合、載置したシート状の導電性樹脂が導電性ポストの上部で凸状に形成されやすいが、露出した導電性ポストの断面が小さい場合には、凸状になり難く平坦に封止樹脂層を形成することができる。【００３４】
第１１発明では、導電性ポストは、硬化性を有する導電性溶液の吐出及び固化を繰り返して集合基板又は電子部品上に形成されることにより、インクジェット法、ジェットディスペンサー法等によって、所望の高さの導電性ポストを形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００３５】
上記構成によれば、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部にも充分に導電性樹脂を充填することができ、天面だけでなく側面にもシールド層を形成することができる。また、シールド層の薄膜化を図ることができ、ボイドの発生を未然に防止することができ、確実に電子部品をシールドすることが可能となる。さらに、側面及び天面へのシールド層の形成を１つの処理工程にて実施することができるので、生産性も向上する。加えて、シート状の導電性樹脂を用いることにより、取り扱いが容易となり、封止された樹脂の天面に薄膜のシールド層を容易に形成することができるので、電子部品モジュールを低背化することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの各製造工程でのブレイク用切り込み部付近の状態を説明するための断面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】減圧パック装置での減圧時に導電性樹脂の硬化温度以下の比較的低温で加熱した場合の真空度の変化を示すグラフである。
【図１０】本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態６に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態６に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態７に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態７に係る電子部品モジュールの製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュール１は、一例として１０．０ｍｍ×１０．０ｍｍ×１．２ｍｍの直方体形状をしており、セラミック、ガラス、エポキシ樹脂等からなる回路基板１１と、回路基板１１の表面に載置されている半導体素子、コンデンサ、抵抗、ＳＡＷフィルタ等の電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・とを備えている。
【００３９】
回路基板１１は、例えば上面が長方形である厚さ略０．５ｍｍの樹脂基板である。回路基板１１の表面には、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・との接合パッド（電極パッド）を兼ねた信号パターン（図示せず）と、回路基板１１の側方に接地用電極１６とが備えてある。回路基板１１の信号パターンと各半導体素子、コンデンサ、抵抗等の電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・の端子とは、ボンディングワイヤ、ハンダ等により接続されている。
【００４０】
回路基板１１及び電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・を覆うように回路基板１１の上面に合成樹脂による封止樹脂層１４が形成されている。封止樹脂層１４の表面には、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・を電界ノイズ及び電磁波ノイズからシールドするシールド層１５が形成されている。
【００４１】
図２は、本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図２（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７が形成された状態を、図２（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８が載置された状態を、図２（ｃ）はヒータプレス装置１９にて集合基板１０に圧力及び熱を加えている状態を、図２（ｄ）はシールド層１５が形成された集合基板１０を分断する状態を、それぞれ示している。
【００４２】
まず、複数の電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・が載置されている回路基板１１を複数切り出すことが可能な集合基板１０の上部を覆うように、合成樹脂による封止樹脂層１４を形成する。封止樹脂層１４は、エポキシ樹脂等の液状の合成樹脂を、ディスペンサー塗布する、真空印刷塗布する、又はトランスファ成型方法等を用いることにより、一括して樹脂封止する。回路基板１１及び電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・が封止されることにより、絶縁層が形成される。
【００４３】
次に、図２（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１として切り出す境界部分において、回路基板１１の途中であって接地用電極１６が露出する深さまで溝状の切り込み部１７をブレード等を用いて形成する。切り込み部１７は例えば幅０．３ｍｍ程度、深さ０．８ｍｍ程度である。切り込み部１７を形成することにより、接地用電極１６を確実に露出させることができ、次の工程にて導電性樹脂１８と導電接続することができる。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示すように、切り込み部１７及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。シート状の導電性樹脂１８は、通常状態（常温等）で粘着性がなく乾いた状態であり、取り扱いが容易で、後の工程にて封止樹脂層１４の天面に薄膜のシールド層１５を容易に形成することができる。
【００４５】
シート状の導電性樹脂１８に含まれる導電性成分（フィラー）は、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等であり、導電性成分を含有する合成樹脂（バインダー）としては、例えばエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等、熱軟化性を有する樹脂である。
【００４６】
次に、図２（ｃ）に示すように、ヒータプレス装置１９を用いて真空環境下でシート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加える。図２（ｃ）では底面側を図示していないが、ヒータプレス装置１９は、集合基板１０の天面側及び底面側から集合基板１０を挟んで鉛直方向に集合基板１０に圧力を加える。そして、圧力とともに熱を加えることにより、切り込み部１７及び天面を覆うように載置されたシート状の導電性樹脂１８が軟化して変形又は流動し、切り込み部１７に浸入する。切り込み部１７に浸入した導電性樹脂１８は接地用電極１６と接触して電気的に接続する。切り込み部１７及び天面上では、導電性樹脂１８が薄膜状態となる。
【００４７】
導電性樹脂１８が、切り込み部１７に浸入して接地用電極１６と接触して電気的に接続し、切り込み部１７及び天面上で薄膜状態となった後、集合基板１０を冷却し、軟化した導電性樹脂１８を硬化させる。導電性樹脂１８が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５が形成される。なお、集合基板１０は、冷却機能付きヒータプレス装置にて冷却しても良いし、他の冷却装置等を使用して冷却しても良い。
【００４８】
最後に、図２（ｄ）に示すように、ダイサー等を用いてシールド層１５が形成された集合基板１０を切り込み部１７にて分断する。集合基板１０は、分断されて電子部品モジュール１に個片化される。なお、切り込み部１７が形成された回路基板１１の底面にも、底面側から回路基板１１の途中であって切り込み部１７と接続しない深さのブレイク用切り込み部を設けておいても良い。
【００４９】
図３は、本発明の実施の形態１に係る電子部品モジュール１の各製造工程でのブレイク用切り込み部付近の状態を説明するための断面図である。図３（ａ）はブレイク用切り込み部２７が設けられた回路基板１１上に電子部品１２、１２、・・・が載置されている状態、図３（ｂ）は封止樹脂層１４が形成された状態、図３（ｃ）は切り込み部１７が形成された状態、図３（ｄ）はシールド層１５が形成された状態、図３（ｅ）はシールド層１５が形成された集合基板１０を分断する状態をそれぞれ示す。なお、図３の例では電子部品１３、１３、・・・を省略しているが、ブレイク用切り込み部２７以外の構成は図２と同様である。
【００５０】
図３（ａ）に示すように、回路基板１１の底面側からブレイク用切り込み部２７が設けられた回路基板１１上に、電子部品１２、１２、・・・を載置する。その後、図３（ｂ）乃至（ｄ）に示すように、ブレイク用切り込み部２７が回路基板１１に設けられていること以外は、図２（ａ）乃至（ｃ）と全く同様にして、切り込み部１７及び天面上にシールド層１５が形成される。
【００５１】
そして、図３（ｅ）に示すように、ブレイク工法により、シールド層１５が形成された集合基板１０を割るようにして切り込み部１７及びブレイク用切り込み部２７にて分断する。これにより、ダイサー等の切断装置を用いることなく、集合基板１０を分断する場合に多用されているいわゆるブレイク工法によって集合基板１０を分断することができる。
【００５２】
以上のように本実施の形態１によれば、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部にも充分に導電性樹脂を充填することができ、天面だけでなく側面にもシールド層を形成することができる。また、シールド層の薄膜化を図ることができ、ボイドの発生を未然に防止することができ、確実に電子部品をシールドすることが可能となる。さらに、側面及び天面へのシールド層の形成を１つの処理工程にて実施することができるので、生産性も向上する。
【００５３】
加えて、シート状の導電性樹脂を用いることにより、取り扱いが容易となり、封止された樹脂の天面に薄膜のシールド層を容易に形成することができるので、電子部品モジュールを低背化することが可能となる。また、集合基板の内部に配設してある接地用電極に到達する切り込み部にシールド層が形成され、基板側面のシールド層を構成し、基板側面のシールド層が接地用電極と接触して電気的に接続するので、電子部品モジュール当たりの基板面積を小さくすることが可能であり、低背化とともに電子部品モジュールを小型化することが可能となる。
【００５４】
また、ヒータプレス装置により、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に真空環境下で圧力及び熱を加えることにより、切り込み部へ導電性樹脂を効果的に充填することができるとともに、天面に形成されるシールド層の膜厚を制御することが容易となる。また、真空環境下で圧力及び熱を加えることにより、ボイドの発生を未然に防止することができるので、より切り込み幅を狭くしてシールド層を薄膜化することができる。ボイドの発生を防止することができるので、より狭くて深い切り込み部へも導電性樹脂を効果的に充填することができる。切り込み部の幅を狭くすることにより、集合基板から切り出す電子部品モジュール数を多くすることができ、製造コストを抑制することが可能となる。
【００５５】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２に係る電子部品モジュールの構成は、図１に示した実施の形態１に係る電子部品モジュール１の構成と同一であるため、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。
【００５６】
図４は、本発明の実施の形態２に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図４（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７が形成された状態を、図４（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８が載置された状態を、図４（ｃ）は加圧オーブン装置２１にて集合基板１０に圧力及び熱を加えている状態を、図４（ｄ）はシールド層１５が形成された状態を、それぞれ示している。なお、図４（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ図２（ａ）及び（ｂ）と同様である。
【００５７】
実施の形態１と同様にして、集合基板１０の上部を覆うように、合成樹脂による封止樹脂層１４を形成することにより、絶縁層が形成される。そして、図４（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１として切り出す境界部分において、回路基板１１の途中であって接地用電極１６が露出する深さまで溝状の切り込み部１７をブレード等を用いて形成する。切り込み部１７は、例えば幅０．６ｍｍ程度、深さ０．６ｍｍ程度である。次に、図４（ｂ）に示すように、切り込み部１７及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。
【００５８】
次に、図４（ｃ）に示すように、加圧オーブン装置２１を用いて、シート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加える。加圧オーブン装置２１は、オートクレーブ等、密閉された槽内に充填された流体の圧力を上昇させる装置である。装置の槽内の密閉空間に充填される流体は、空気、水等である。例えば、オートクレーブにより、空気を用いてシート状の導電性樹脂１８の硬化温度にて圧力０．５ＭＰａ程度で加圧する。なお、流体に水を用いる場合、空気等を用いる装置よりも複雑な構成を要するが、空気等より安定して加圧することが可能となる。
【００５９】
加圧オーブン装置２１を用いて、シート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加えることにより、例えば装置の槽内に充填された空気が３次元の全方向から集合基板１０に均等に圧力を加えることができるので、側面から圧が逃れることなく、適切に加圧することができる。また、３次元の全方向から圧力を加えるので、所定の方向に偏って圧力が加えられることがなく、均等に加圧することができる。例えば、集合基板１０上での電極の段差等が原因で、鉛直方向（一軸方向）にのみ圧力を加える場合に集合基板１０に生じる反り、割れ等を防ぐことができる。
【００６０】
次に、図４（ｄ）に示すように、集合基板１０に加圧オーブン装置２１を用いて圧力とともに熱を加えることにより、切り込み部１７及び天面を覆うように載置されたシート状の導電性樹脂１８が軟化して変形又は流動し、切り込み部１７に浸入する。切り込み部１７に浸入した導電性樹脂１８は接地用電極１６と接触して電気的に接続する。切り込み部１７及び天面上では、導電性樹脂１８が薄膜状態となる。
【００６１】
導電性樹脂１８が、切り込み部１７に浸入して接地用電極１６と接触して電気的に接続し、切り込み部１７及び天面上で薄膜状態となった後、集合基板１０を冷却し、軟化した導電性樹脂１８を硬化させる。導電性樹脂１８が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５が形成される。なお、集合基板１０は、加圧オーブン装置２１による加圧及び加熱処理を終了した後、加圧オーブン装置２１内で放置して冷却しても良いし、他の冷却装置等を使用して冷却しても良い。
【００６２】
冷却後は、実施の形態１と同様にして図２（ｄ）に示したように、ダイサー等を用いてシールド層１５が形成された集合基板１０を切り込み部１７にて分断し、電子部品モジュール１に個片化する。なお、回路基板１１にブレイク用切り込み部が形成されている場合には、ブレイク工法により集合基板１０を分断しても良い。
【００６３】
以上のように本実施の形態２によれば、加圧オーブン装置により、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、ヒータプレス装置よりも簡易な装置を用いる場合であってもシールド層の薄膜化を図ることができ、ボイドの発生を未然に防止することができ、より製造コストを抑制することが可能となる。また、所定の方向に偏って圧力が加えられることがなく、均等に加圧することが可能となる。
【００６４】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３に係る電子部品モジュールの構成は、図１に示した実施の形態１に係る電子部品モジュール１の構成と同一であるため、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。
【００６５】
図５は、本発明の実施の形態３に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図５（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７が形成された状態を、図５（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８が載置された状態を、図５（ｃ）は気体遮断性を有する袋２２に集合基板１０を入れて減圧した状態を、図５（ｄ）は減圧した袋２２内の集合基板１０を加熱した状態を、それぞれ示している。なお、図５（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ図２（ａ）及び（ｂ）と同様である。
【００６６】
実施の形態１と同様にして、集合基板１０の上部を覆うように、合成樹脂による封止樹脂層１４を形成することにより、絶縁層が形成される。そして、図５（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１として切り出す境界部分において、回路基板１１の途中であって接地用電極１６が露出する深さまで溝状の切り込み部１７をブレード等を用いて形成する。切り込み部１７は、例えば幅０．６ｍｍ程度、深さ０．７ｍｍ程度である。次に、図５（ｂ）に示すように、切り込み部１７及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。
【００６７】
次に、図５（ｃ）に示すように、気体遮断性を有する袋２２にシート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０を入れ、減圧パック装置（図示せず）を用いて、袋２２内を減圧し、減圧した袋２２内の集合基板１０を密封する。また減圧パック装置は、例えば気体遮断性を有する袋内を減圧して密封（減圧パック）することができれば特に限定されない。なお、気体遮断性を有する袋２２内で減圧された集合基板１０には、集合基板１０の形状に沿って均等に外圧がかかり、集合基板１０が均等に加圧されることになる。そして、袋２２内の集合基板１０は、気体遮断性を有する袋２２によって減圧状態が保たれるので、袋２２から取り出されるまで長時間加圧されることになり、導電性樹脂１８を長時間流動させることができる。長時間の流動により、切り込み部１７に導電性樹脂１８を充分に充填することができる。
【００６８】
次に、図５（ｄ）に示すように、オーブン等を用いて、袋２２内に減圧パックされた集合基板１０を加熱する。袋２２の外は大気圧で袋２２内は減圧されているので、袋２２の内外の圧力差により、加熱されて流動化した導電性樹脂１８が切り込み部１７に浸入する。また、減圧状態で加熱することにより、加熱によって導電性樹脂１８、封止樹脂層１４、回路基板１１、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・に発生するガスを減圧状態である導電性樹脂１８等の外に排出することができるので、ボイドの発生を未然に防止することができる。なお、加熱によるガスは、封止樹脂層１４、回路基板１１、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・にも発生し、導電性樹脂１８に発生するガスと同様に排出することができる。
【００６９】
なお、導電性樹脂１８等のボイドの発生を防止する観点から、袋２２内は減圧されて真空状態になっていることが好ましいが、完全な真空状態でなくてもボイドの発生を防止できる程度に大気圧より充分低い減圧状態であれば良い。
【００７０】
切り込み部１７に浸入した導電性樹脂１８は接地用電極１６と接触して電気的に接続し、切り込み部１７及び天面上では、導電性樹脂１８が薄膜状態となる。その後、集合基板１０を冷却し、軟化した導電性樹脂１８を硬化させる。導電性樹脂１８が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５が形成される。
【００７１】
冷却後は、実施の形態１と同様にして図２（ｄ）に示したように、ダイサー等を用いてシールド層１５が形成された集合基板１０を切り込み部１７にて分断し、電子部品モジュール１に個片化する。なお、回路基板１１にブレイク用切り込み部が形成されている場合には、ブレイク工法により集合基板１０を分断しても良い。
【００７２】
なお本実施の形態３では、気体遮断性を有する袋２２内に減圧パックされた集合基板１０には、熱のみを加え、袋２２の内外の圧力差のみにて導電性樹脂１８を切り込み部１７に浸入させるようにしている。しかし、切り込み部１７が狭くて深く、導電性樹脂１８が浸入し難い形状である場合には、加圧オーブン装置２１等を用い、袋２２内に減圧パックされた集合基板１０に熱とともに圧力を加えるようにし、導電性樹脂１８を切り込み部１７に効果的に浸入させるようにしても良い。真空環境下にて全方向から均等に圧力を加えて加熱することができるので、切り込み部１７に導電性樹脂１８がより充填され易くなるとともに、よりボイドの発生を抑制することが可能となる。
【００７３】
以上のように本実施の形態３によれば、シート状の導電性樹脂を載置した集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、集合基板を入れた袋の内部を減圧し、減圧した袋内の集合基板に加熱することにより、袋の内外の圧力差により導電性樹脂がより切り込み部に充填され易くなる。また、減圧状態で加熱することにより、加熱によって導電性樹脂等に発生するガスを減圧状態である導電性樹脂等の外に排出することができるので、ボイドの発生を未然に防止することができる。ヒータプレス装置にて真空環境下で処理する場合と比較し、簡易な装置及び処理工程でシールド層を形成することができる。さらに、気体遮断性を有する袋を使用することにより、集合基板の形状に沿って均等に外圧がかかり、集合基板が均等に加圧されることになる。
【００７４】
（実施の形態４）
本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュールの構成は、図１に示した実施の形態１に係る電子部品モジュール１の構成と同一であるため、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。
【００７５】
図６乃至図８は、本発明の実施の形態４に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図６（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７が形成された状態を、図６（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８が載置された状態を、図６（ｃ）は気体遮断性を有する袋２２に集合基板１０を入れた状態を、図６（ｄ）は集合基板１０を入れた袋２２内を減圧している状態を、それぞれ示している。
【００７６】
また、図７（ｅ）は減圧、加熱した状態で袋２２の開口部を加熱シールしている状態を、図７（ｆ）は減圧パック装置内を大気開放している状態を、それぞれ示しており、図８（ｇ）は減圧パック装置から減圧した袋２２を取り出した状態を、図８（ｈ）は減圧した袋２２内の集合基板１０をオーブンで加熱した状態を、図８（ｉ）は導電性樹脂１８が硬化した後に袋２２から集合基板１０を取り出した状態を、図８（ｊ）は集合基板１０を分断している状態を、それぞれ示している。なお、図６（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ図２（ａ）及び（ｂ）と同様である。
【００７７】
実施の形態１と同様にして、集合基板１０の上部を覆うように、合成樹脂による封止樹脂層１４を形成することにより、絶縁層が形成される。そして、図６（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１として切り出す境界部分において、回路基板１１の途中であって接地用電極１６が露出する深さまで溝状の切り込み部１７をブレード等を用いて形成する。切り込み部１７は、例えば幅０．６ｍｍ程度、深さ０．７ｍｍ程度である。次に、図６（ｂ）に示すように、切り込み部１７及び天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。
【００７８】
次に、図６（ｃ）に示すように、気体遮断性を有する袋２２にシート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０を入れ、図６（ｄ）に示す減圧パック装置を用いて、袋２２内を減圧し、図７（ｅ）に示すように減圧した袋２２の開口部を加熱シール装置で加熱することで、袋２２内にある樹脂により溶着して、集合基板１０を密封する。また減圧パック装置は、例えば気体遮断性を有する袋内を減圧して密封（減圧パック）することができれば特に限定されない。
【００７９】
次に、図７（ｆ）に示すように、袋２２を密封した後、減圧パック装置内を大気開放することにより、気体遮断性を有する袋２２内で減圧された集合基板１０には、集合基板１０の形状に沿って均等に外圧がかかり、集合基板１０が均等に加圧される。そして、図８（ｇ）に示すように、袋２２内の集合基板１０は、気体遮断性を有する袋２２によって減圧状態が保たれるので、袋２２から取り出されるまで長時間加圧され、導電性樹脂１８を長時間流動させることができる。導電性樹脂１８が長時間流動することにより、切り込み部１７の底部にまで導電性樹脂１８を十分に充填することができる。
【００８０】
また、図６（ｄ）に示す工程において、減圧下で加熱する（減圧しながら加熱、又は加熱しながら減圧）ことにより、シート状の導電性樹脂１８に含まれる溶剤成分を揮発蒸散させることができ、ボイドの発生を未然に防止することができる。例えばシート状の導電性樹脂１８にシクロヘキサノン（大気圧での沸点は１５５℃）を０．１ｗｔ％含む場合、袋２２を減圧下で加熱することなく密封し、その後に硬化するための加熱（例えば１７０℃）したときには、硬化の過程でシクロヘキサノンが揮発蒸散することによりボイドが発生する。
【００８１】
これに対して、減圧パック装置での減圧時に導電性樹脂１８の硬化温度以下の比較的低温（例えば１２０℃）で加熱する。図９は、減圧パック装置での減圧時に導電性樹脂１８の硬化温度以下の比較的低温（例えば１２０℃）で加熱した場合の真空度の変化を示すグラフである。図９に示すように減圧パック装置での減圧時に導電性樹脂１８の硬化温度以下の比較的低温（例えば１２０℃）で加熱した場合、樹脂の硬化を進行させることなく、減圧により真空度が低くなり沸点が１５５℃より低下しているシクロヘキサノンを揮発蒸散させることができ、ボイドの発生を防止することが可能となる。
【００８２】
同様に、封止樹脂層１４、回路基板１１、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・に発生するガスを減圧状態である導電性樹脂１８等の外に排出することができるので、ボイドの発生を未然に防止することができる。なお、加熱によるガスは、封止樹脂層１４、回路基板１１、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・にも発生し、導電性樹脂１８に発生するガスと同様に排出することができる。
【００８３】
次に、図８（ｈ）に示すように、オーブン等を用いて、袋２２内に減圧パックされた集合基板１０を加熱する。袋２２の外は大気圧で袋２２内は減圧されているので、袋２２の内外の圧力差により、加熱されて流動化した導電性樹脂１８が切り込み部１７に浸入する。次に、図８（ｉ）に示すように、導電性樹脂１８が硬化した後に袋２２を開封して集合基板１０を取り出す。最後に、図８（ｊ）に示すように、ダイサー等を用いてシールド層１５が形成された集合基板１０を切り込み部１７にて分断し、電子部品モジュール１に個片化する。なお、回路基板１１にブレイク用切り込み部が形成されている場合には、ブレイク工法により集合基板１０を分断しても良い。
【００８４】
以上のように本実施の形態４によれば、切り込み部の一部に導電性樹脂を充填し、シート状の導電性樹脂を載置した集合基板を気体遮断性を有する袋に入れ、減圧パック装置により、集合基板を入れた袋内を減圧し、減圧した袋内の集合基板に加熱するようにした場合、集合基板を入れた袋内を減圧することにより、切り込み部の一部に充填された導電性樹脂に含まれる溶剤成分を大気圧下より多く揮発蒸散させることができ、ボイドの発生を未然に防止することができる。なお、減圧によって袋内が真空状態になるまでは、シート状の導電性樹脂は封止された樹脂の天面に完全には圧着されていないので、切り込み部の一部に充填されたシート状の導電性樹脂に含まれる溶剤成分は、封止された樹脂とシート状の導電性樹脂との間から容易に揮発蒸散することができる。
【００８５】
（実施の形態５）
本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュールの構成は、図１に示した実施の形態１に係る電子部品モジュール１の構成と同一であるため、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。
【００８６】
図１０は、本発明の実施の形態５に係る電子部品モジュール１の製造方法を説明するための断面図である。図１０（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７が形成された状態を、図１０（ｂ）は切り込み部１７に導電性樹脂２３を充填した状態を、図１０（ｃ）はシート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０にヒータプレス装置１９にて圧力及び熱を加えている状態を、図１０（ｄ）はシールド層１５が形成された集合基板１０を分断する状態を、それぞれ示している。なお、図１０（ａ）は図２（ａ）と同様である。
【００８７】
実施の形態１と同様にして、集合基板１０の上部を覆うように、合成樹脂による封止樹脂層１４を形成することにより、絶縁層が形成される。そして、図１０（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１として切り出す境界部分において、回路基板１１の途中であって接地用電極１６が露出する深さまで溝状の切り込み部１７をブレード等を用いて形成する。切り込み部１７は、例えば幅０．２ｍｍ程度、深さ０．８ｍｍ程度である。
【００８８】
次に、図１０（ｂ）に示すように、切り込み部１７の一部に導電性樹脂２３を充填する。導電性樹脂２３としては、シート状の導電性樹脂１８とは異なり、塗布等によって切り込み部１７に充填するため、例えば導電性ペーストを用いる。導電性樹脂２３に含まれる導電性成分（フィラー）、及び導電性成分を含有する合成樹脂（バインダー）は、シート状の導電性樹脂１８と同様であり、効果及び強度等が均質なシールドを形成するため、シート状の導電性樹脂１８と同種であることが望ましい。
【００８９】
次に、図１０（ｃ）に示すように、切り込み部１７も含めて、天面上にシート状の導電性樹脂１８を載置する。そして、実施の形態１と同様にして、ヒータプレス装置１９を用いて真空環境下でシート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加える。
【００９０】
集合基板１０に圧力とともに熱を加えることにより、切り込み部１７及び天面を覆うように載置されたシート状の導電性樹脂１８が軟化して変形又は流動し、切り込み部１７に浸入する。既に切り込み部１７の一部には導電性樹脂２３が充填されているので、充填されている導電性樹脂２３上に導電性樹脂１８が浸入するだけで、素早く導電性樹脂１８、２３は接地用電極１６と接触して電気的に接続する。切り込み部１７及び天面上では、導電性樹脂１８、２３が薄膜状態となる。
【００９１】
導電性樹脂１８が、切り込み部１７に充填されている導電性樹脂２３上に浸入して接地用電極１６と接触して電気的に接続し、切り込み部１７及び天面上で薄膜状態となった後、集合基板１０を冷却し、軟化した導電性樹脂１８を硬化させる。導電性樹脂１８が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５が形成される。
【００９２】
最後に、図１０（ｄ）に示すように、ダイサー等を用いてシールド層１５が形成された集合基板１０を切り込み部１７にて分断し、電子部品モジュール１に個片化する。なお、回路基板１１にブレイク用切り込み部が形成されている場合には、ブレイク工法により集合基板１０を分断しても良い。
【００９３】
なお、図１０（ｂ）に示したように切り込み部１７に導電性樹脂２３を充填しておき、シート状の導電性樹脂１８を載置した段階で、集合基板１０を気体遮断性を有する袋２２に入れて減圧パックし、加熱するようにしても良い。これにより、導電性樹脂２３に含まれる溶剤成分を大気圧下より多く揮発蒸散させることができる。減圧によって袋２２内が真空状態になるまでは、シート状の導電性樹脂１８は封止樹脂層１４の天面に完全には圧着されていないので、切り込み部１７の一部に充填された導電性樹脂２３に含まれる溶剤成分は、封止樹脂層１４とシート状の導電性樹脂１８との間から容易に揮発蒸散することができる。
【００９４】
切り込み部１７の一部に充填した導電性樹脂２３から、より多くの溶剤成分が揮発蒸散されていることにより、後の工程で、シート状の導電性樹脂１８を載置した集合基板１０に圧力及び熱を加える場合に、充填した導電性樹脂２３の溶剤成分が揮発することによるボイドの発生を防止することができる。
【００９５】
以上のように本実施の形態５によれば、切り込み部を形成した後、シート状の導電性樹脂を載置する前に、切り込み部の一部に導電性樹脂を充填しておくことにより、切り込み部の幅が狭くて深い等、シート状の導電性樹脂が充填され難い切り込み部の底部への充填不足を補うことができるとともに、ボイドの発生を未然に防止して、より確実に電子部品をシールドすることが可能となる。
【００９６】
なお、切り込み部の幅が広い場合には、シート状の導電性樹脂を載置する前に導電性樹脂を封止樹脂層の天面近くまで充填しておくことにより、例えば、真空環境下にすることなくシート状の導電性樹脂を載置して圧力及び熱を加えるだけの簡易な方法で、天面及び側面にシールド層を形成することができる。
【００９７】
（実施の形態６）
図１１は、本発明の実施の形態６に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。本発明の実施の形態６に係る電子部品モジュール１０１は、電子部品１２、１２、・・・上に導電性ポスト３１を備えている点以外は、実施の形態１乃至５の電子部品モジュール１と同様の構成である。同一の構成は、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。なお、図１１の例では、導電性ポスト３１を電子部品１２、１２、・・・上に備えているが、電子部品１３、１３、・・・上に備えても良いし、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・の双方に備えても良い。導電性ポスト３１は、１つの電子部品モジュール１０１に少なくとも１つ形成されていれば良い。
【００９８】
導電性ポスト３１は、その上面を含む上部を封止樹脂層１４の天面から露出させて、電子部品１２、１２、・・・とシールド層１５とを電気的に接続している。電子部品１２、１２、・・・は外部電極３２を有し、外部電極３２は、ハンダ等を介して回路基板１１に設けられた接合パッド（電極パッド）３３に電気的に接続される。また、電子部品１２、１２、・・・が接続された接合パッド３３は、ビアホールなどにより回路基板１１の内部に設けられている接地用電極１６に接続されている。さらに、外部電極３２は接合パッド３３との接続面とは反対側で導電性ポスト３１に接続されている。したがって、シールド層１５は電子部品１２、１２、・・・に接続されている接合パッド３３と導電性ポスト３１とを介して、接地用電極１６と電気的に接続されている。
【００９９】
シールド層１５は、電子部品モジュール１０１の側面の下部を除いて封止樹脂層１４の表面に形成されている。側面の一部でもシールド層１５が形成されていることにより、封止樹脂層１４の天面のみにシールド層１５が形成されている場合と比較して、充分シールド効果を高めることができる。もちろんシールド層１５は、実施の形態１乃至５と同様に、電子部品モジュール１０１の側面すべてに形成しても良い。
【０１００】
図１２は、本発明の実施の形態６に係る電子部品モジュール１０１の製造方法を説明するための断面図である。図１２（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７が形成された状態を、図１２（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８が載置された状態を、図１２（ｃ）はヒータプレス装置１９にて集合基板１０に圧力及び熱を加えている状態を、図１２（ｄ）はシールド層１５が形成された集合基板１０を分断する状態を、それぞれ示している。
【０１０１】
まず、電子部品１２、１２、・・・上に導電性ポスト３１を形成する。導電性ポスト３１は、硬化性を有する導電性溶液の吐出及び固化を繰り返すことにより形成する。例えば、硬化性を有する導電性溶液として、導電性粉末を溶剤に分散した導電性溶液を用い、インクジェット法、ジェットディスペンサー法等によって導電性ポスト３１を形成する。具体的には、インクジェット法、ジェットディスペンサー法等に用いるノズルの吐出口から、導電性溶液を複数回吐出し、導電性粉末を堆積させて固化することにより、所定の高さの導電性ポスト３１を形成する。
【０１０２】
また、導電性ペーストのような硬化性を有する導電性材料を、スクリーン印刷法等で所定箇所に複数回塗り重ねて固化することにより、導電性ポスト３１を形成しても良い。導電性ペーストとしては、銀ナノペースト、銅ナノペースト等を用いる。上述した導電性溶液においても、同様のナノオーダーの銀、銅等の導電性粉末を用いても良い。
【０１０３】
導電性ポスト３１は、積み重ねた導電性材料を所定温度で焼成して得られた焼結金属であることが好ましい。焼結金属は強度が高く、封止樹脂層１４の硬化時の熱に対して変形し難いので、封止樹脂層１４形成時等に導電性ポスト３１の破損を抑制することができる。また、導電性ポスト３１は、電子部品１２、１２、・・・から天面へ向かうにつれて、次第に断面が小さくなる形状にて形成されることが好ましい。次第に断面が小さくなる形状、いわゆるテーパ形状を有することにより、封止樹脂層１４形成時等に導電性ポスト３１を破損することなく、均一かつ平坦に封止樹脂層１４を形成することできる。
【０１０４】
次の工程でシート状の導電性樹脂１８を載置する場合に、導電性ポスト３１に上方から圧力が加えられるが、テーパ形状の導電性ポスト３１は上方からの圧力に対して耐圧性が高く、上方からの圧力によって折れて破損するようなことがない。また、シート状の導電性樹脂１８は、封止樹脂層１４の天面から露出した導電性ポスト３１の上面を覆うように載置されるので、露出した導電性ポスト３１の断面が大きい場合、載置したシート状の導電性樹脂１８が導電性ポスト３１の上部で凸状になり易いが、露出した導電性ポスト３１の断面が小さい場合には、凸状になり難く平坦に封止樹脂層１４を形成することができる。
【０１０５】
次に、導電性ポスト３１の上面を露出させ、かつ複数の電子部品モジュール１０１、１０１、・・・が形成された集合基板１０の上部を覆うように、合成樹脂による封止樹脂層１４を形成する。封止樹脂層１４は、エポキシ樹脂等の液状の合成樹脂を、ディスペンサー塗布する、真空印刷塗布する、シート状の合成樹脂をプレス装置等で圧着する、又はトランスファ成型方法等を用いることにより、一括して樹脂封止する。回路基板１１及び電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・が封止されることにより、絶縁層が形成される。その際、封止樹脂層１４は導電性ポスト３１の上面が露出する厚みまで形成する。
【０１０６】
なお、導電性ポスト３１の上面が確実に封止樹脂層１４から露出するように、封止樹脂層１４を研磨するようにしても良い。例えば、導電性ポスト３１の高さ、厳密には電子部品１２の高さに導電性ポスト３１の高さを加えた高さより、封止樹脂層１４を厚く形成しておく。その後、形成した封止樹脂層１４の所定の厚み分を、研磨ロール等で研磨することにより、導電性ポスト３１の上面を封止樹脂層１４の天面に確実かつ容易に露出させることができる。同時に、封止樹脂層１４の表面を平坦化することも可能である。
【０１０７】
次に、図１２（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール１０１として切り出す境界部分において、回路基板１１に到達する手前の深さまで溝状の切り込み部１７をブレード等を用いて形成する。切り込み部１７は、例えば幅０．３ｍｍ程度、深さ０．８ｍｍ程度である。切り込み部１７は、実施の形態１乃至５と同様に、回路基板１１の途中であって接地用電極１６が露出する深さまで形成しても良い。本実施の形態６では、導電性ポスト３１を介して、シールド層１５と電子部品１２、１２、・・・に接続されている接合パッド３３とが電気的に接続されるため、切り込み部１７によって導電性樹脂１８と接地用電極１６とが導電接続しなくても良い。
【０１０８】
次に、実施の形態１と同様にして図１２（ｂ）に示すように、切り込み部１７及び導電性ポスト３１の上面を含む天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。導電性ポスト３１は、上面が封止樹脂層１４から露出しているので、シート状の導電性樹脂１８と接触する。
【０１０９】
次に、実施の形態１と同様にして図１２（ｃ）に示すように、ヒータプレス装置１９を用いて真空環境下でシート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加える。圧力とともに熱を加えることにより、切り込み部１７及び導電性ポスト３１の上面を含む天面を覆うように載置されたシート状の導電性樹脂１８が軟化して変形又は流動し、切り込み部１７に浸入する。切り込み部１７及び導電性ポスト３１の上面を含む天面上では、導電性樹脂１８が薄膜状態となる。なお、切り込み部１７は回路基板１１に到達する手前の深さまで形成されているため、切り込み部１７に浸入した導電性樹脂１８は接地用電極１６とは接触せず、電気的に接続しない。
【０１１０】
導電性樹脂１８が、切り込み部１７及び導電性ポスト３１の上面を含む天面上で薄膜状態となった後、集合基板１０を冷却し、軟化した導電性樹脂１８を硬化させることにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５を形成する。
【０１１１】
最後に、実施の形態１と同様にして図１２（ｄ）に示すように、ダイサー等を用いてシールド層１５が形成された集合基板１０を切り込み部１７にて分断する。回路基板１１にブレイク用切り込み部が形成されている場合には、ブレイク工法により集合基板１０を分断しても良い。集合基板１０は、分断されて電子部品モジュール１０１に個片化される。なお、シールド層１５は、電子部品モジュール１０１の側面すべてではなく、側面の下部を除く側面の一部に形成され、シールド層１５の導電性樹脂１８は接地用電極１６とは接触せず、電気的に接続しないが、導電性ポスト３１を介して、シールド層１５と電子部品１２、１２、・・・に接続されている接合パッド３３とが電気的に接続される。
【０１１２】
以上のように本実施の形態６によれば、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部にも充分に導電性樹脂を充填することができ、天面だけでなく側面の一部にもシールド層を形成することができる。また、シールド層の薄膜化を図ることができ、ボイドの発生を未然に防止することができ、確実に電子部品をシールドすることが可能となる。さらに、側面及び天面へのシールド層の形成を１つの処理工程にて実施することができるので、生産性も向上する。
【０１１３】
加えて、シート状の導電性樹脂を用いることにより、取り扱いが容易となり、封止された樹脂の天面に薄膜のシールド層を容易に形成することができるので、電子部品モジュールを低背化することが可能となる。また、電子部品上に導電性ポストを形成することにより、基板表面に電極を形成して基板に孔を形成することなく、電子部品モジュール当たりの基板面積を小さくすることが可能で、低背化とともに電子部品モジュールを小型化することが可能となる。さらに、電子部品モジュールにおいて導電性ポストを介して電気信号が伝達される場合、側面の導電性樹脂を介して電気信号が伝達される場合と比較して電送路が短くなり、抵抗を小さくすることが可能となる。
【０１１４】
なお、図１１に示した本実施の形態６に係る電子部品モジュール１０１は、図１２（ａ）に示したように導電性ポスト３１、封止樹脂層１４及び切り込み部１７を形成した後は、実施の形態２乃至５と同様にして製造することができる。加圧オーブン装置２１を用いる場合、図１２（ａ）に示した工程後、図４（ｂ）〜（ｄ）及び図２（ｄ）に示した工程にて実施の形態２と同様にして電子部品モジュール１０１を製造することができ、実施の形態２と同様の効果を奏することができる。
【０１１５】
気体遮断性を有する袋２２及び減圧パック装置を用いる場合、図１２（ａ）に示した工程後、図５（ｂ）〜（ｄ）及び図２（ｄ）に示した工程にて実施の形態３と同様にして電子部品モジュール１０１を製造することができ、実施の形態３と同様の効果を奏することができる。同様に、図１２（ａ）に示した工程後、図６（ｂ）〜図８（ｊ）に示した工程にて実施の形態４と同様にして電子部品モジュール１０１を製造することができ、実施の形態４と同様の効果を奏することができる。また、切り込み部１７に導電性樹脂２３を充填し、シート状の導電性樹脂１８を載置した後にヒータプレス装置１９を用いる場合には、図１２（ａ）に示した工程後、図１０（ｂ）〜（ｄ）に示した工程にて実施の形態５と同様にして電子部品モジュール１０１を製造することができ、実施の形態５と同様の効果を奏することができる。
【０１１６】
（実施の形態７）
図１３は、本発明の実施の形態７に係る電子部品モジュールの構成を示す断面図である。本発明の実施の形態７に係る電子部品モジュール２０１は、電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・上に導電性ポスト３１を備える代わりに、回路基板１１の表面に設けられた接合パッド（電極パッド）３３と接続するようにして集合基板１０上に導電性ポスト４１を備えている点以外は、実施の形態６の電子部品モジュール１０１と同様の構成である。同一の構成は、同一の符号を付することで詳細な説明は省略する。
【０１１７】
導電性ポスト４１は、その上面を封止樹脂層１４の天面から露出させて、接合パッド３３とシールド層１５とを電気的に接続している。また、導電性ポスト４１が接続された接合パッド３３は、ビアホールなどにより回路基板１１の内部に設けられている接地用電極１６に接続されている。したがって、シールド層１５は接合パッド３３と導電性ポスト４１とを介して、接地用電極１６と電気的に接続されている。シールド層１５は封止樹脂層１４の表面全体に形成されている。なお、シールド層１５は、実施の形態６と同様、電子部品モジュール２０１の側面すべてに形成されている必要はなく、図１１に示したように側面の一部に形成されていれば良い。
【０１１８】
図１４は、本発明の実施の形態７に係る電子部品モジュール２０１の製造方法を説明するための断面図である。図１４（ａ）は封止樹脂層１４が形成された後に切り込み部１７が形成された状態を、図１４（ｂ）はシート状の導電性樹脂１８が載置された状態を、図１４（ｃ）は加圧オーブン装置２１にて集合基板１０に圧力及び熱を加えている状態を、図１４（ｄ）はシールド層１５が形成された状態を、それぞれ示している。
【０１１９】
まず、回路基板１１の表面に設けられた接合パッド（電極パッド）３３と接続するようにして集合基板１０上に導電性ポスト４１を形成する。導電性ポスト４１は、実施の形態５で説明した導電性ポスト３１の形成方法と全く同様にして形成することができる。例えば、インクジェット法に用いるノズルの吐出口から、導電性溶液を複数回吐出し、導電性粉末を堆積させて固化することにより、所定の高さの導電性ポスト４１を形成する。なお、導電性ポスト４１は、導電性ポスト３１と同様の理由から、焼結金属であることが好ましく、いわゆるテーパ形状であることが好ましい。
【０１２０】
次に、導電性ポスト４１の上面を露出させ、かつ複数の電子部品モジュール２０１、２０１、・・・が形成された集合基板１０の上部を覆うように、合成樹脂による封止樹脂層１４を形成する。封止樹脂層１４は、エポキシ樹脂等の液状の合成樹脂を、ディスペンサー塗布する、真空印刷塗布する、又はトランスファ成型方法等を用いることにより、一括して樹脂封止する。回路基板１１及び電子部品１２、１２、・・・、１３、１３、・・・が封止されることにより、絶縁層が形成される。導電性ポスト４１は、上面が封止樹脂層１４から露出しているので、完全には樹脂封止されていない。なお、上述した研磨ロール等で研磨することにより、導電性ポスト４１の上面を封止樹脂層１４の天面に露出させるようにしても良い。
【０１２１】
次に、図１４（ａ）に示すように、封止樹脂層１４が形成された状態で、電子部品モジュール２０１として切り出す境界部分において、回路基板１１に到達する位置まで溝状の切り込み部１７をブレード等を用いて形成する。切り込み部１７は、例えば幅０．６ｍｍ程度、深さ０．６ｍｍ程度である。本実施の形態７では、導電性ポスト４１を介して、シールド層１５と接合パッド３３とが電気的に接続されるため、切り込み部１７によって導電性樹脂１８と接地用電極１６とが導電接続しなくても良い。
【０１２２】
次に、実施の形態２と同様にして図１４（ｂ）に示すように、切り込み部１７及び導電性ポスト４１の上面を含む天面を覆うようにシート状の導電性樹脂１８を載置する。導電性ポスト４１は、上面が封止樹脂層１４から露出しているので、シート状の導電性樹脂１８と接触する。
【０１２３】
次に、実施の形態２と同様にして図１４（ｃ）に示すように、加圧オーブン装置２１を用いてシート状の導電性樹脂１８が載置された集合基板１０に圧力及び熱を加える。圧力とともに熱を加えることにより、例えば装置の槽内に充填された空気が３次元の全方向から集合基板１０に均等に圧力を加えることができるので、側面から圧が逃れることなく、適切に加圧することができる。また、３次元の全方向から圧力を加えるので、所定の方向に偏って圧力が加えられることがなく、均等に加圧することができる。
【０１２４】
次に、実施の形態２と同様にして図１４（ｄ）に示すように、集合基板１０に圧力とともに熱を加えることにより、切り込み部１７及び導電性ポスト４１の上面を含む天面を覆うように載置されたシート状の導電性樹脂１８が軟化して変形又は流動し、切り込み部１７に浸入する。切り込み部１７及び導電性ポスト４１の上面を含む天面上では、導電性樹脂１８が薄膜状態となる。切り込み部１７に浸入した導電性樹脂１８は回路基板１１と接続する。
【０１２５】
導電性樹脂１８が、切り込み部１７に浸入して回路基板１１と接続し、切り込み部１７及び導電性ポスト４１の上面を含む天面上で薄膜状態となった後、集合基板１０を冷却し、軟化した導電性樹脂１８を硬化させる。導電性樹脂１８が硬化することにより、例えば膜厚５〜１５μｍのシールド層１５が形成される。
【０１２６】
冷却後は、実施の形態１と同様にして、図２（ｄ）に示したようにダイサー等を用いて、シールド層１５が形成された集合基板１０を切り込み部１７にて分断し、電子部品モジュール２０１に個片化する。なお、回路基板１１にブレイク用切り込み部が形成されている場合には、ブレイク工法により集合基板１０を分断しても良い。
【０１２７】
以上のように本実施の形態７によれば、シート状の導電性樹脂が載置された集合基板に圧力及び熱を加えることにより、切り込み部にも充分に導電性樹脂を充填することができ、天面だけでなく側面の一部にもシールド層を形成することができる。また、シールド層の薄膜化を図ることができ、ボイドの発生を未然に防止することができ、確実に電子部品をシールドすることが可能となる。さらに、側面及び天面へのシールド層の形成を１つの処理工程にて実施することができるので、生産性も向上する。
【０１２８】
加えて、シート状の導電性樹脂を用いることにより、取り扱いが容易となり、封止された樹脂の天面に薄膜のシールド層を容易に形成することができるので、電子部品モジュールを低背化することが可能となる。また、集合基板の表面に配設してある接合パッドと接続するようにして集合基板上に導電性ポストを形成することにより、基板表面に電極を形成して基板に孔を形成することなく、電子部品モジュール当たりの基板面積を小さくすることができ、低背化とともに電子部品モジュールを小型化することが可能となる。さらに、電子部品モジュールにおいて導電性ポストを介して電気信号が伝達される場合、側面の導電性樹脂を介して電気信号が伝達される場合と比較して電送路が短くなり、抵抗を小さくすることが可能となる。
【０１２９】
なお、図１３に示した本実施の形態７に係る電子部品モジュール２０１は、図１４（ａ）に示したように導電性ポスト４１、封止樹脂層１４及び切り込み部１７を形成した後は、実施の形態１、３、４と同様にして製造することができる。ヒータプレス装置１９を用いる場合、図１４（ａ）に示した工程後、図２（ｂ）〜（ｄ）に示した工程にて実施の形態１と同様にして電子部品モジュール２０１を製造することができ、実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【０１３０】
気体遮断性を有する袋２２及び減圧パック装置を用いる場合、図１４（ａ）に示した工程後、図５（ｂ）〜（ｄ）及び図２（ｄ）に示した工程にて実施の形態３と同様にして電子部品モジュール２０１を製造することができ、実施の形態３と同様の効果を奏することができる。同様に、図１４（ａ）に示した工程後、図６（ｂ）〜図８（ｊ）に示した工程にて実施の形態４と同様にして電子部品モジュール２０１を製造することができ、実施の形態４と同様の効果を奏することができる。また、切り込み部１７に導電性樹脂２３を充填した後にヒータプレス装置を用いる場合には、図１４（ａ）に示した工程後、図１０（ｂ）〜（ｄ）に示した工程にて実施の形態５と同様にして電子部品モジュール２０１を製造することができ、実施の形態５と同様の効果を奏することができる。
【０１３１】
なお、上述した実施の形態１乃至７は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができることは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１３２】
１、１０１、２０１  電子部品モジュール
１２、１３  電子部品
１４  封止樹脂層
１５  シールド層
１６  接地用電極（電極パッド）
１７  切り込み部
１８  導電性樹脂
１９  ヒータプレス装置
【図１】
2010047007.tif 000003
【図２】
2010047007.tif 000004
【図３】
2010047007.tif 000005
【図４】
2010047007.tif 000006
【図５】
2010047007.tif 000007
【図６】
2010047007.tif 000008
【図７】
2010047007.tif 000009
【図８】
2010047007.tif 000010
【図９】
2010047007.tif 000011
【図１０】
2010047007.tif 000012
【図１１】
2010047007.tif 000013
【図１２】
2010047007.tif 000014
【図１３】
2010047007.tif 000015
【図１４】
2010047007.tif 000016
【国際調査報告】
2010047007.tif 000017
2010047007.tif 000018
2010047007.tif 000019
2010047007.tif 000020