(57)【要約】  鏡面研磨を施した後、エピタキシャル層を形成する前に、オゾンガスを用いてシリコンウェーハの表面を酸化させるオゾンガス処理、フッ化水素蒸気を用いてシリコンウェーハの酸化した表面を溶解させ除去するフッ化水素蒸気処理、およびシリコンウェーハの表面に残存する異物を除去する洗浄を行うことにより、鏡面研磨で発生したＰＩＤ（Polishing Induced Defect）が強制酸化されるとともに溶解して除去され、その後にエピタキシャル処理を施すことにより、エピタキシャルウェーハの表面でＰＩＤに起因した凸欠陥の発生を防止することができる。
2010150547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハに鏡面研磨を施した後、エピタキシャル層を形成する前にシリコンウェーハの表面を洗浄する方法であって、
オゾンガスを用いてシリコンウェーハの表面を酸化させるオゾンガス処理工程と、
フッ化水素蒸気を用いてシリコンウェーハの酸化した表面を溶解させ除去するフッ化水素蒸気処理工程と、を含むことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法。
【請求項２】
前記オゾンガス処理工程では、シリコンウェーハをオゾンガスの雰囲気中に保持し、前記フッ化水素蒸気処理工程では、シリコンウェーハをフッ化水素蒸気の雰囲気中に保持することを特徴とする請求項１に記載のシリコンウェーハの洗浄方法。
【請求項３】
前記フッ化水素蒸気処理工程を経た後に、シリコンウェーハの表面に残存する異物を除去する洗浄工程を経ることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコンウェーハの洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄工程では、シリコンウェーハにオゾン水処理および希フッ酸処理を施すことを特徴とする請求項３に記載のシリコンウェーハの洗浄方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のシリコンウェーハの洗浄方法により洗浄したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、鏡面研磨後のシリコンウェーハの洗浄方法、およびその洗浄方法を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法に関し、特に、エピタキシャルウェーハの表面品質の確保を図ったシリコンウェーハの洗浄方法、およびエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに用いられるシリコンウェーハは、チョクラルスキー法などによって育成されたシリコン単結晶のインゴットから製造される。通常、単結晶インゴットは、外周研削工程で円柱状に加工され、スライス工程で円板状の素材ウェーハにスライスされる。素材ウェーハは、面取り工程で外周部を面取りして製品直径に仕上げられ、粗研磨（ラッピング）工程で両面を研磨して平行度が整えられ、エッチング工程で加工ひずみを化学的に除去し、その後、鏡面研磨（ポリッシング）工程でコロイダルシリカ液などの研磨剤を用いたメカノケミカル研磨により高平坦度の鏡面に仕上げられる。鏡面研磨後のシリコンウェーハは、表面に残存するパーティクルやメタルなどの異物を除去するため、洗浄工程を経て洗浄される。【０００３】
洗浄工程では、例えば、特許文献１に開示されるように、オゾン水を用いてウェーハ表面を酸化させるオゾン水処理、および希フッ酸（フッ化水素の希釈水溶液）を用いてウェーハ表面の酸化膜を除去する希フッ酸処理を行い、場合によってはこれらの処理を交互に繰り返し、ウェーハ表面を洗浄する。その後、純水を用いた純水処理を行い、最後にスピン乾燥処理を施す。【０００４】
洗浄を完了したシリコンウェーハは、適用される半導体デバイスの用途に応じ、表面や表面近傍の性質を調整する特殊な処理が施されることが多い。その代表格として、シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウェーハを製造するため、エピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャル処理がある。エピタキシャルウェーハは結晶の完全性が高く、その優れた特質から高集積半導体デバイスに多用される。【０００５】
近年、検査装置技術の進展に伴って欠陥の検出能が著しく向上したため、シリコンウェーハの表面において、従来検出されていなかった微小な凸欠陥が問題視されている。この凸欠陥は、ウェーハ表面欠陥検査装置（例：レーザーテック社製のＭＡＧＩＣＳ、ケーエルエー・テンコール社製のＳｕｒｆｓｃａｎ  ＳＰ２）を用いて検出することが可能であり、点状または線状に現れる。【０００６】
このような微小な凸欠陥は、鏡面研磨工程で発生することが明らかになってきており、ＰＩＤ（Polishing Induced Defect）と称される。また、ＰＩＤは、その多くが洗浄工程で除去されることなく残存し、エピタキシャル層を形成する場合に、エピタキシャルウェーハの表面で凸欠陥を誘発する。【０００７】
特許文献２には、鏡面研磨工程における最終段階の仕上げ研磨で研磨速度を１０ｎｍ／ｍｉｎ以下とするシリコンウェーハの仕上げ研磨方法が記載されている。この仕上げ研磨方法では、研磨速度を制限することにより、ＰＩＤの発生を抑制できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２７３９１１号公報
【特許文献２】特開２００８−２０５１４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記特許文献２に記載の仕上げ研磨方法では、鏡面研磨工程でのＰＩＤの発生をある程度抑制できるが、完全に防止することは困難である。一方、上述の通り、鏡面研磨後のシリコンウェーハにＰＩＤが存在している場合、ＰＩＤの多くは洗浄工程を経た後も残存し、エピタキシャルウェーハの表面で凸欠陥を誘発する。これらのことから、前記特許文献２に記載の仕上げ研磨方法は、エピタキシャルウェーハの表面品質を確保するには不十分である。【００１０】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、エピタキシャルウェーハの表面でＰＩＤに起因した凸欠陥の発生を防止し、エピタキシャルウェーハの表面品質を十分に確保することができるシリコンウェーハの洗浄方法、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記目的を達成するため、シリコンウェーハの製造プロセスを詳細に検討し、種々の試験を行った結果、下記の知見を得た。【００１２】
鏡面研磨工程でＰＩＤが発生するメカニズムは、以下のように推察される。鏡面研磨の際、研磨剤中には、コロイダルシリカなどの遊離砥粒のほかに、遊離砥粒がゲル化した凝集砥粒や遊離砥粒以外の粒子などが異物として存在する。ウェーハ表面は、その異物によって局所的に圧力集中が発生し、圧力を受けた局所部分がアモルファス状の酸化物（ＳｉＯＸ）に変質する。アモルファス状酸化物に変質した局所部分は、その周囲で変質していない正常なＳｉ部と比較し、研磨され難く、研磨が遅延するため、微小な凸欠陥（ＰＩＤ）として顕在化する。【００１３】
図１は、ＰＩＤに起因してエピタキシャルウェーハの表面で凸欠陥が発生する状況を説明する模式図であり、図１（ａ）は鏡面研磨後、図１（ｂ）は洗浄後、および図１（ｃ）はエピタキシャル処理後のそれぞれの状態を示している。【００１４】
図１（ａ）に示すように、鏡面研磨工程でシリコンウェーハ１の表面１ａにＰＩＤ４が発生している場合、このシリコンウェーハ１に対して通常の洗浄工程のようにオゾン水処理および希フッ酸処理を施すと、図１（ｂ）に示すように、ＰＩＤ４は除去されることなく、むしろ高くなって残存する。ＰＩＤ４は、アモルファス状酸化物に変質しているため、ＰＩＤ４の周囲で変質していないＳｉ部と比較し、オゾン水処理で酸化し難く、希フッ酸処理でも溶解し難いことによる。すなわち、変質したＰＩＤ４のエッチングレートがその周囲のＳｉ部よりも低いことによる。【００１５】
そして、エピタキシャルウェーハを得るため、ＰＩＤ４が残存したシリコンウェーハ１にエピタキシャル処理を施すと、図１（ｃ）に示すように、シリコンウェーハ１の表面１ａには、ＰＩＤ４の部分も含めた全域にわたり、エピタキシャル層３が気相成長する。これにより、エピタキシャルウェーハ２におけるエピタキシャル層３の表面３ａには、ＰＩＤ４の位置に対応して、なだらかに突出した凸欠陥５が発生する。【００１６】
図２は、ＰＩＤに起因してエピタキシャルウェーハの表面で凸欠陥が発生する様子を示す観察画像であり、図２（ａ）は鏡面研磨後、および図２（ｂ）はエピタキシャル処理後のそれぞれの状態を示している。ここで、図２（ａ）および（ｂ）は、前記ＭＡＧＩＣＳを用いて、鏡面研磨後のシリコンウェーハの表面、および洗浄工程を経てエピタキシャル処理を完了した後のエピタキシャルウェーハの表面を同一の視野で観察した結果を示している。なお、エピタキシャル層の厚さは５μｍとしている。【００１７】
図２（ａ）および（ｂ）から、エピタキシャルウェーハの表面には、鏡面研磨後のシリコンウェーハの表面に発生したＰＩＤの位置に対応して、なだらかに突出した凸欠陥が発生することがわかる。【００１８】
これらのことから、本発明者は、鏡面研磨工程でＰＩＤが発生した場合に、変質したＰＩＤをエピタキシャル処理の前に除去することが可能になれば、エピタキシャルウェーハの表面でＰＩＤに起因した凸欠陥の発生を防止できるとの推論を導き出し、さらに検討を重ねた。その結果、洗浄工程の前段階で、オゾンガスにより、アモルファス状酸化物（ＳｉＯＸ）に変質したＰＩＤを強制的にＳｉＯ２に酸化させることができ、さらにフッ化水素蒸気により、ＳｉＯ２化したＰＩＤを完全に溶解させて除去することができ、その結果、ＰＩＤに起因した凸欠陥がなく表面品質に優れたエピタキシャルウェーハを製造できることを見出した。【００１９】
本発明は、上記の知見に基づいて完成させたものであり、下記（１）のシリコンウェーハの洗浄方法、および（２）のエピタキシャルウェーハの製造方法を要旨としている。【００２０】
（１）シリコンウェーハに鏡面研磨を施した後、エピタキシャル層を形成する前にシリコンウェーハの表面を洗浄する方法であって、オゾンガスを用いてシリコンウェーハの表面を酸化させるオゾンガス処理工程と、フッ化水素蒸気を用いてシリコンウェーハの酸化した表面を溶解させ除去するフッ化水素蒸気処理工程と、を含むことを特徴とするシリコンウェーハの洗浄方法である。【００２１】
上記（１）の洗浄方法において、前記オゾンガス処理工程では、シリコンウェーハをオゾンガスの雰囲気中に保持し、前記フッ化水素蒸気処理工程では、シリコンウェーハをフッ化水素蒸気の雰囲気中に保持することが好ましい。【００２２】
また、上記（１）の洗浄方法では、前記フッ化水素蒸気処理工程を経た後に、シリコンウェーハの表面に残存する異物を除去する洗浄工程を経ることが好ましい。この場合、前記洗浄工程では、シリコンウェーハにオゾン水処理および希フッ酸処理を施す構成とすることができる。オゾン水処理および希フッ酸処理の後には、純水処理を施すことが好ましい。【００２３】
（２）上記（１）の洗浄方法により洗浄したシリコンウェーハの表面に、エピタキシャル層を気相成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のシリコンウェーハの洗浄方法によれば、エピタキシャル処理の前に、オゾンガス処理工程を経ることによってＰＩＤを強制酸化させ、フッ化水素蒸気処理工程を経ることによってそのＰＩＤを溶解して除去することができる。このため、その後にエピタキシャル処理を施すことにより、エピタキシャル層の表面でＰＩＤに起因した凸欠陥の発生を防止することでき、表面品質に優れたエピタキシャルウェーハを製造することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、ＰＩＤに起因してエピタキシャルウェーハの表面で凸欠陥が発生する状況を説明する模式図であり、図１（ａ）は鏡面研磨後、図１（ｂ）は洗浄後、および図１（ｃ）はエピタキシャル処理後のそれぞれの状態を示している。
【図２】図２は、ＰＩＤに起因してエピタキシャルウェーハの表面で凸欠陥が発生する様子を示す観察画像であり、図２（ａ）は鏡面研磨後、および図２（ｂ）はエピタキシャル処理後のそれぞれの状態を示している。
【図３】図３は、本発明のシリコンウェーハの洗浄方法における処理工程の一例を示すフロー図である。
【図４】図４は、本発明のシリコンウェーハの洗浄方法を採用した場合のＰＩＤの挙動を説明する模式図であり、図４（ａ）は鏡面研磨後、図４（ｂ）は洗浄後、および図４（ｃ）はエピタキシャル処理後のそれぞれの状態を示している。
【図５】図５は、本発明例における各処理後のウェーハ表面の観察画像であり、図５（ａ）は鏡面研磨後、図５（ｂ）は洗浄処理後、および図５（ｃ）はエピタキシャル処理後のそれぞれの状態を示している。
【図６】図６は、本発明例と比較例とに区分して鏡面研磨後およびエピタキシャル処理後のウェーハ表面での凸欠陥の分布状況を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下に、本発明のシリコンウェーハの洗浄方法、およびエピタキシャルウェーハの製造方法について、その実施形態を詳述する。
【００２７】
図３は、本発明のシリコンウェーハの洗浄方法における処理工程の一例を示すフロー図である。本発明の洗浄方法では、シリコンウェーハに鏡面研磨を施した後、先ず、ステップ＃５にて、オゾン（Ｏ３）ガスを用いてシリコンウェーハの表面を酸化させるオゾンガス処理を行う。
【００２８】
このとき、ウェーハ表面に前工程の鏡面研磨でアモルファス状酸化物（ＳｉＯＸ）に変質したＰＩＤが発生している場合、ＰＩＤは、オゾンガスによって強制的に酸化され組成がＳｉＯ２になる。オゾンガスは、通常の洗浄工程で用いられるオゾン水よりもはるかにＯ３濃度が高く、酸化力が著しく高いことによる。例えば、オゾン水のＯ３濃度が通常１５ｐｐｍ（１５ｇ／ｍ３）程度であるのに対し、オゾンガスのＯ３濃度は１０５ｇ／ｍ３以上である。
【００２９】
このオゾンガス処理は、密閉容器内にシリコンウェーハを配置し、その容器内をオゾンガスの雰囲気に維持することで効率良く行える。また、オゾンガス処理の際、密閉容器内に配置したシリコンウェーハの表面にオゾンガスを吹き付けるようにすることもできる。
【００３０】
次に、ステップ＃１０にて、フッ化水素（ＨＦ）蒸気を用いてオゾンガス処理後のシリコンウェーハの酸化した表面を溶解させ除去するフッ化水素蒸気処理を行う。
【００３１】
このとき、オゾンガス処理でＳｉＯ２となったＰＩＤは、フッ化水素蒸気によって溶解し除去される。フッ化水素蒸気は、通常の洗浄工程で用いられる希フッ酸よりもはるかにＨＦ濃度が高く、エッチングレートが著しく高いことによる。例えば、希フッ酸のＨＦ濃度が通常１ｗｔ％程度であるのに対し、フッ化水素蒸気の原液のＨＦ濃度は４８ｗｔ％以上である。この原液を用いて窒素ガスにてバブリングさせることで、フッ化水素蒸気を発生させる。
【００３２】
このフッ化水素蒸気処理は、密閉容器内にシリコンウェーハを配置し、その容器内をフッ化水素蒸気の雰囲気に維持することで効率良く行える。また、フッ化水素蒸気処理の際、密閉容器内に配置したシリコンウェーハの表面にフッ化水素蒸気を吹き付けるようにすることもできる。
【００３３】
その後、下記のステップ＃１５〜＃３０を経て、ウェーハ表面に残存する酸化物やパーティクルやメタルなどの異物を除去する洗浄を行う。
【００３４】
すなわち、通常の洗浄工程と同様に、ステップ＃１５では、オゾン水を用いてウェーハ表面を酸化させるオゾン水処理を行い、続くステップ＃２０では、希フッ酸を用いてウェーハ表面の酸化膜を除去する希フッ酸処理を行い、これらによりウェーハ表面を洗浄する。さらに、ステップ＃２５にて、純水を用いた純水処理によりウェーハ表面をリンス洗浄し、最後にステップ＃３０にて、スピン乾燥処理を行う。
【００３５】
これらのオゾン水処理、希フッ酸処理および純水処理は、各処理液にシリコンウェーハを浸漬させたり、各処理液をウェーハ表面に噴射させることで行える。
【００３６】
また、ステップ＃１５のオゾン水処理とステップ＃２０の希フッ酸処理とを交互に繰り返すこともでき、さらに、ステップ＃２５の純水処理の直前に、ステップ＃１５のオゾン水処理を組み込むこともできる。
【００３７】
オゾン水処理で用いるオゾン水は、Ｏ３濃度が１０〜１５ｐｐｍ（１０〜１５ｇ／ｍ３）程度のものを採用し、希フッ酸処理で用いる希フッ酸は、ＨＦ濃度が０．５〜１ｗｔ％程度のものを採用することができる。ステップ＃１５のオゾン水処理とステップ＃２０の希フッ酸処理に代え、オゾン水と希フッ酸の混合液を用いた処理で、ウェーハ表面を洗浄することもできる。
【００３８】
また、ステップ＃１５のオゾン水処理とステップ＃２０の希フッ酸処理に代え、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）と過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を混合させたいわゆるＳＣ−１洗浄液を用いた処理で、ウェーハ表面を洗浄しても構わない。このＳＣ−１洗浄液は、ＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１〜５：５〜５０の配合比で混合させたものである。
【００３９】
これらの一連の処理を完了した後、エピタキシャル処理を行う。エピタキシャル処理では、枚葉式の反応炉内に洗浄後のシリコンウェーハを配置して１０００℃以上に加熱し、Ｓｉを含有する原料ガス（例：四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３））とともにキャリアガス（例：水素（Ｈ２））を炉内に導入する。これにより、ウェーハ表面に単結晶シリコン膜であるエピタキシャル層を気相成長させることができる。
【００４０】
図４は、本発明のシリコンウェーハの洗浄方法を採用した場合のＰＩＤの挙動を説明する模式図であり、図４（ａ）は鏡面研磨後、図４（ｂ）は洗浄後、および図４（ｃ）はエピタキシャル処理後のそれぞれの状態を示している。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、鏡面研磨工程でシリコンウェーハ１の表面１ａにＰＩＤ４が発生している場合、このシリコンウェーハ１に対して上記のオゾンガス処理およびフッ化水素蒸気処理を施すと、図４（ｂ）に示すように、ＰＩＤ４は、オゾンガス処理によって強制酸化され、フッ化水素蒸気処理によって完全に溶解して除去される。これにより、シリコンウェーハ１の表面１ａには、ＰＩＤ４が存在していた位置に、凹部６が形成される。
【００４２】
さらに、上記のオゾン水処理、希フッ酸処理、純水処理およびスピン乾燥処理を行った後、シリコンウェーハ１にエピタキシャル処理を施すと、図４（ｃ）に示すように、シリコンウェーハ１の表面には、凹部６の部分も含めた全域にわたり、エピタキシャル層３が気相成長する。これにより、エピタキシャルウェーハ２は、エピタキシャル層３の表面３ａでＰＩＤに起因した凸欠陥が発生することなく、表面品質を十分に確保することができる。ここで、ＰＩＤ４と比較してシリコンウェーハ１の方が、オゾンガスで酸化され易くフッ化水素蒸気によって溶解除去され易い。この結果、ＰＩＤ４が除去された時点ではシリコンウェーハ１の表面１ａの除去が進行しているため、凹部６の深さは浅くなる。したがって、エピタキシャル層３の表面３ａは、凹部６に対応する位置において凹みが発生することなく、平坦な表面が得られる。
【００４３】
本発明のシリコンウェーハの洗浄方法では、オゾンガス処理に要する時間は特に規定しないが、短時間にし過ぎると、ＰＩＤの強制酸化が不十分となるため、６０秒以上とするのが好ましい。より好ましくは１５０秒以上である。
【００４４】
また、フッ化水素蒸気処理に要する時間も特に規定しないが、短時間にし過ぎると、強制酸化させたＰＩＤの溶解が不十分となるのに伴い、ＰＩＤの凹部化が不十分となるため、１２０秒以上とするのが好ましい。一方、長時間にし過ぎると、ウェーハ表面にヘイズ（肌荒れ）が生じるため、３００秒以下とするのが好ましい。
【００４５】
本発明のシリコンウェーハの洗浄方法は、エピタキシャル層の厚さが０．５〜１０μｍと薄いエピタキシャルウェーハを製造するのに好適である。ウェーハ表面にＰＩＤが存在する場合であっても、エピタキシャル層の成長に伴って、ＰＩＤに起因する凸欠陥は次第に平坦化していくため、エピタキシャル層が厚い場合よりも薄い場合にＰＩＤ起因の凸欠陥が顕在化し易いからである。
【実施例】
【００４６】
本発明のシリコンウェーハの洗浄方法およびエピタキシャルウェーハの製造方法の効果を確認するため、下記の試験を行った。【００４７】
本発明例として、鏡面研磨を施した直径３００ｍｍの供試ウェーハを５枚準備し、各供試ウェーハに前記図３に示す各処理を施して洗浄を行い、その後にエピタキシャル処理を施した。洗浄では、６０秒のオゾンガス処理および１２０秒のフッ化水素蒸気処理を行い、次に、１０秒のオゾン水処理および３秒の希フッ酸処理を２回繰り返し行い、再度１０秒のオゾン水処理を行った後に、１０秒の純水処理および２５秒のスピン乾燥処理を行った。エピタキシャル処理では、原料ガスにＳｉＨＣｌ３を用い、反応炉内温度を１１３０℃とし、厚さ５μｍのエピタキシャル層を気相成長させた。【００４８】
その際、鏡面研磨処理後、洗浄処理後およびエピタキシャル処理後の各段階において、前記ＭＡＧＩＣＳを用いて各供試ウェーハの表面を観察するとともに、前記Ｓｕｒｆｓｃａｎ  ＳＰ２を用いて各供試ウェーハの表面での凸欠陥の個数を調査した。【００４９】
また、比較例として、鏡面研磨を施した直径３００ｍｍの供試ウェーハを５枚準備し、各供試ウェーハを洗浄した後、エピタキシャル処理を施した。比較例の洗浄では、本発明例の洗浄処理のうちでオゾンガス処理およびフッ化水素蒸気処理を省略した。そして、本発明例と同様に、各供試ウェーハの表面観察と、各供試ウェーハ表面での凸欠陥の個数調査を実施した。【００５０】
図５は、本発明例における各処理後のウェーハ表面の観察画像であり、図５（ａ）は鏡面研磨後、図５（ｂ）は洗浄処理後、および図５（ｃ）はエピタキシャル処理後のそれぞれの状態を示している。ここで、図５（ａ）〜（ｃ）は、各処理後の同一ウェーハに対し同一の視野で観察した結果を示している。【００５１】
鏡面研磨で発生したＰＩＤ（図５（ａ）参照）は、オゾンガス処理およびフッ化水素蒸気処理を含む洗浄によって除去され、その位置に凹部が形成されるのが確認できた（図５（ｂ）参照）。これにより、図５（ｃ）に示すように、エピタキシャル層の表面には、ＰＩＤに起因した凸欠陥が発生しないことが明らかになった。【００５２】
図６は、本発明例と比較例とに区分して鏡面研磨後およびエピタキシャル処理後のウェーハ表面での凸欠陥の分布状況を示す図である。同図に黒点で示すように、本発明例および比較例では、鏡面研磨後のウェーハ表面の全域にわたり、凸欠陥としてＰＩＤが発生していた。【００５３】
しかし、本発明例のエピタキシャル処理後のウェーハ表面には、凸欠陥が一切認められなかった。一方、比較例のエピタキシャル処理後のウェーハ表面には、鏡面研磨後のＰＩＤの発生位置に対応して凸欠陥が認められ、鏡面研磨後のＰＩＤの約３０％が凸欠陥を誘発した。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明のシリコンウェーハの洗浄方法によれば、エピタキシャル処理の前に、オゾンガス処理によってＰＩＤを強制酸化させ、フッ化水素蒸気処理によってそのＰＩＤを溶解して除去することができ、さらに洗浄処理によってウェーハ表面に残存する異物を除去することができる。このため、その後にエピタキシャル処理を施すことにより、エピタキシャル層の表面でＰＩＤに起因した凸欠陥の発生を防止することでき、表面品質に優れたエピタキシャルウェーハを製造することが可能になる。
【符号の説明】
【００５５】
１：シリコンウェーハ、    １ａ：シリコンウェーハの表面、
２：エピタキシャルウェーハ、    ３：エピタキシャル層、
３ａ：エピタキシャル層の表面、    ４：ＰＩＤ、
５：ＰＩＤ起因の凸欠陥、    ６：凹部
【図１】
2010150547.tif 000003
【図２】
2010150547.tif 000004
【図３】
2010150547.tif 000005
【図４】
2010150547.tif 000006
【図５】
2010150547.tif 000007
【図６】
2010150547.tif 000008
【国際調査報告】
2010150547.tif 000009
2010150547.tif 000010
2010150547.tif 000011