【事件の表示】
　特許第３１３７６５９号「静磁波装置の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３１３７６５９号の請求項１ないし１２に係る発明についての出願は、平成１０年３月１９日（優先権主張　平成９年５月１５日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成１２年１２月８日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許の請求項１に係る発明について、異議申立人株式会社村田製作所より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１月１５日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
訂正事項ａ
　特許明細書に記載の請求項１に係る記載を削除する。
訂正事項ｂ
　特許明細書に記載の請求項２〜１２を請求項１〜１１に繰り上げる。
訂正事項ｃ
　発明の名称を「静磁波装置の製造方法」に訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書第１頁第３行〜第５行（特許公報第２頁第３欄第２６行〜第２９行）の
「技術分野
　本発明は、非磁性ガーネット基板と磁性ガーネット膜と磁界発生器とを有する静磁波装置と、その製造方法とに関する。」を
「技術分野
　本発明は、非磁性ガーネット基板と磁性ガーネット膜と磁界発生器とを有する静磁波装置の製造方法とに関する。」に訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書第３頁第６行〜第４頁第１９行（特許公報第２頁第４欄第４３行〜第３頁第５欄第４６行）に記載の
「上記目的は、下記（１）〜（１２）のいずれかの構成により達成される。
（１）　非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁界発生器とを有する静磁波装置であって、
　磁性ガーネット膜の側面が傾斜面であり、この傾斜面の水平方向長さをＬとし、磁性ガーネット膜の厚さをｔとしたとき、
　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００
である静磁波装置。
（２）　非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁界発生器とを有する静磁波装置を製造するに際し、
　基板の表面に、基板側から、磁性ガーネット膜と中間層とレジスト層とをこの順で有する積層体を形成する積層工程と、中間層とレジスト層とを島状に成形する成形工程と、積層体を設けた基板を熱燐酸溶液に浸漬することにより、磁性ガーネット膜のレジスト層で被覆されていない領域を選択的に除去するエッチング工程とを設け、
　中間層を、レジスト層構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けやすい材料から構成し、
　磁性ガーネット膜の側面が傾斜面であり、この傾斜面の水平方向長さをＬとし、磁性ガーネット膜の厚さをｔとしたとき、
　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００
である磁性ガーネット膜を形成する静磁波装置の製造方法。
（３）　前記熱燐酸溶液の温度が１５０〜２３０℃である上記（２）の静磁波装置の製造方法。
（４）　前記中間層をＣｒから構成する上記（２）または（３）の静磁波装置の製造方法。
（５）　前記中間層の厚さが４０〜６０ｎｍである上記（４）の静磁波装置の製造方法。
（６）　前記レジスト層をＡｕから構成する上記（２）〜（５）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（７）　前記レジスト層の厚さが０．２〜１μｍである上記（６）の静磁波装置の製造方法。
（８）　前記エッチング工程の後に、前記磁性ガーネット膜を鏡面研磨する研磨工程を設ける上記（２）〜（７）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（９）　熱燐酸溶液に浸漬する前に、前記基板構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けにくい材料からなる保護レジスト層を、前記基板の裏面に形成する上記（２）〜（８）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（１０）　前記保護レジスト層がＡｕから構成される上記（９）の静磁波装置の製造方法。
（１１）　前記基板と前記保護レジスト層との間にバインダ層を設ける上記（９）または（１０）の静磁波装置の製造方法。
（１２）　前記バインダ層がＣｒから構成される上記（１１）の静磁波装置の製造方法。」を
「　上記目的は、下記（１）〜（１１）のいずれかの構成により達成される。
（１）　非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁界発生器とを有する静磁波装置を製造するに際し、基板の表面に、基板側から、磁性ガーネット膜と中間層としジスト層とをこの順で有する積層体を形成する積層工程と、中間層としジスト層とを島状に成形する成形工程と、積層体を設けた基板を熱燐酸溶液に浸潰することにより、磁性ガーネット膜のレジスト層で被覆されていない領域を選択的に除去するエッチング工程とを設け、
　中間層を、レジスト層構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けやすい材料から構成し、
　磁性ガーネット膜の側面が傾斜面であり、この傾斜面の水平方向長さをＬとし、磁性ガーネット膜の厚さをｔとしたとき、
　　　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００
である磁性ガーネット膜を形成する静磁波装置の製造方法。
（２）　前記熱燐酸溶液の温度が１５０〜２３０℃である上記（３）の静磁波装置の製造方法。
（３） 前記中間層をＣｒから構成する上記（１）または（２）の静磁波装置の製造方法。
（４）　前記中間層の厚さが４０〜６０ｎｍである上記（３）の静磁波装置の製造方法。
（５） 前記レジスト層をＡｕから構成する上記（１）〜（４）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（６） 前記レジスト層の厚さが０．２〜１μｍである上記（５）の静磁波装置の製造方法。
（７）　前記エッチング工程の後に、前記磁性ガーネット膜を鏡面研磨する研磨工程を設ける上記（１）〜（６）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（８）　熱燐酸溶液に浸潰する前に、前記基板構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けにくい材料からなる保護レジスト層を、前記基板の裏面に形成する上記（１）〜（７）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（９）前記保護レジスト層がＡｕから構成される上記（８）の静磁波装置の製造方法。
（１０）前記基板と前記保護レジスト層との間にバインダ層を設ける上記（８）または（９）の静磁波装置の製造方法。
（１１）前記バインダ層がＣｒから構成される上記（１０）の静磁波装置の製造方法。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
１）訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａの、請求項１を削除することは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２）訂正事項ｂについて
　請求項を繰り上げることは、請求項１の削除に伴う、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正であり、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、上記訂正事項ａ、ｂの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の名称との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正であり、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３）訂正事項ｄ、ｅについて
　訂正事項ｄ、ｅは、訂正事項ａ、ｂの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的とした訂正であり、かつ、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
４）まとめ　
　上記いずれの訂正も実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。　
３．特許異議の申立てについての判断
　請求項１に係る発明は、訂正の結果削除され、特許異議の申立ての対象が存在しないので、この特許異議の申立ては、不適法な申立てであって、その補正をすることができないものである。
　したがって、本件特許異議の申立ては、特許法第１２０条の６第１項で準用する第１３５条の規定により却下すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２６日（２００２．２．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書に記載の請求項１に係る記載を削除する。
訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書に記載の請求項２〜１２を請求項１〜１１に繰り上げる。
訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、発明の名称を「静磁波装置の製造方法」に訂正する。
訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書第１頁第３行〜第５行（特許公報第２頁第３欄第２６行〜第２９行）の
「技術分野
　本発明は、非磁性ガーネット基板と磁性ガーネット膜と磁界発生器とを有する静磁波装置およびその製造方法とに関する。」を
「技術分野
　本発明は、非磁性ガーネット基板と磁性ガーネット膜と磁界発生器とを有する静磁波装置の製造方法とに関する。」に訂正する。
訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書第３頁第６行〜第４頁第１９行（特許公報第２頁第４欄第４３行〜第３頁第５欄第４６行）に記載の
「上記目的は、下記（１）〜（１２）のいずれかの構成により達成される。
（１）　非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁性発生器とを有する静磁波装置であって、　磁性ガーネット膜の側面が傾斜面であり、この傾斜面の水平方向長さをＬとし、磁性ガーネット膜の厚さをｔとしたとき、　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００である静磁波装置。
（２）　非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁界発生器とを有する静磁波装置を製造するに際し、　基板の表面に、基板側から、磁性ガーネット膜と中間層とレジスト層とをこの順で有する積層体を形成する積層工程と、中間層とレジスト層とを島状に成形する成形工程と、積層体を設けた基板を熱燐酸溶液に浸漬することにより、磁性ガーネット膜のレジスト層で被覆されていない領域を選択的に除去するエッチング工程とを設け、　中間層を、レジスト層構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けやすい材料から構成し、磁性ガーネット膜の側面が傾斜面であり、この傾斜面の水平方向長さをＬとし、磁性ガーネット膜の厚さをｔとしたとき、　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００である磁性ガーネット膜を形成する静磁波装置の製造方法。
（３）　前記熱燐酸溶液の温度が１５０〜２３０℃である上記（２）の静磁波装置の製造方法。
（４）　前記中間層をＣｒから構成する上記（２）または（３）の静磁波装置の製造方法。
（５）　前記中間層の厚さが４０〜６０ｎｍである上記（４）の静磁波装置の製造方法。
（６）　前記レジスト層をＡｕから構成する上記（２）〜（５）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（７）　前記レジスト層の厚さが０．２〜１μｍである上記（６）の静磁波装置の製造方法。
（８）　前記エッチング工程の後に、前記磁性ガーネット膜を鏡面研磨する研磨工程を設ける上記（２）〜（７）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（９）　熱燐酸溶液に浸漬する前に、前記基板構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けにくい材料からなる保護レジスト層を、前記基板の裏面に形成する上記（２）〜（８）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（１０）　前記保護レジスト層がＡｕから構成される上記（９）の静磁波装置の製造方法。
（１１）　前記基板と前記保護レジスト層との間にバインダ層を設ける上記（９）または（１０）の静磁波装置の製造方法。
（１２）　前記バインダ層がＣｒから構成される上記（１１）の静磁波装置の製造方法。」を
「　上記目的は、下記（１）〜（１１）のいずれかの構成により達成される。
（１）　非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁界発生器とを有する静磁波装置を製造するに際し、基板の表面に、基板側から、磁性ガーネット膜と中間層としジスト層とをこの順で有する積層体を形成する積層工程と、中間層としジスト層とを島状に成形する成形工程と、積層体を設けた基板を熱燐酸溶液に浸潰することにより、磁性ガーネット膜のレジスト層で被覆されていない領域を選択的に除去するエッチング工程とを設け、中間層を、レジスト層構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けやすい材料から構成　し、磁性ガーネット膜の側面が傾斜面であり、この傾斜面の水平方向長さをＬとし、磁性ガーネット膜の厚さをｔとしたとき、
　　　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００
　である磁性ガーネット膜を形成する静磁波装置の製造方法。
（２）　前記熱燐酸溶液の温度が１５０〜２３０℃である上記（３）の静磁波装置の製造方法。
（３）前記中間層をＣｒから構成する上記（１）または（２）の静磁波装置の製造方法。
（４）　前記中間層の厚さが４０〜６０ｎｍである上記（３）の静磁波装置の製造方法。
（５）前記レジスト層をＡｕから構成する上記（１）〜（４）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（６）前記レジスト層の厚さが０．２〜１μｍである上記（５）の静磁波装置の製造方法。
（７）　前記エッチング工程の後に、前記磁性ガーネット膜を鏡面研磨する研磨工程を設ける上記（１）〜（６）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（８）　熱燐酸溶液に浸潰する前に、前記基板構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けにくい材料からなる保護レジスト層を、前記基板の裏面に形成する上記（１）〜（７）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
（９）前記保護レジスト層がＡｕから構成される上記（８）の静磁波装置の製造方法。
（１０）前記基板と前記保護レジスト層との間にバインダ層を設ける上記（８）または（９）の静磁波装置の製造方法。
（１１）前記バインダ層がＣｒから構成される上記（１０）の静磁波装置の製造方法。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
静磁波装置
の
【発明の詳細な説明】
技術分野
　本発明は、非磁性ガーネット基板と磁性ガーネット膜と磁界発生器とを有する静磁波装置
の
背景技術
　静磁波装置は、主にマイクロ波帯、準マイクロ波帯において電圧制御発振器（ＶＣＯ：ｖｏｌｔａｇｅ　ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）等に用いられ、高周波磁界の変化に応じて特定振動数の静磁波を発生する静磁波素子を備えた装置である。
　図１２Ａに、静磁波共振子の構成例を示す。この静磁波共振子では、非磁性ガーネットからなる基板７の表面の一部に磁性ガーネット膜６が形成されており、この磁性ガーネット膜６表面にストリップライン１１、１２が形成されている。また、基板７表面には、磁性ガーネット膜６を挟んで、電極パッド１３、１４と、ストリップライン１５とが形成されており、電極パッド１３、１４はストリップライン１１、１２それぞれの一端と接続され、ストリップライン１５はストリップライン１１、１２それぞれの他端同士を接続している。各ストリップラインは、静磁波励振用のＲＦ信号を給電するためのものである。一方の電極パッド１４はグランド導体と接続され、他方の電極パッド１３は入出力と接続される。
　この静磁波共振子は、図１２Ｂに示すように磁界発生器の一対の磁極１７ａ、１７ｂ間に配置される。一方の磁極１７ａは、グランド導体を兼ねるものである。静磁波共振子は、上記一方の磁極１７ａの平坦な磁極面１８ａに導電ペースト層１９で密着固定され、磁性ガーネット膜６に、その表面に垂直な磁界が印加される構成となっている。
　静磁波装置の磁性ガーネット膜のパターニング方法は、例えば特公昭６０−２６２８４号公報や特開昭５８−１０６８１４号公報に記載されている。これらの方法では、熱燐酸に溶解しない材料［ＳｉＯ２やポリイミド系耐熱性高分子（ＰＩＱ：日立化成商標）等］からなる所定パターンのレジスト層を、磁性ガーネット膜上の一部に密着させて形成した後、数十℃から二百数十℃の燐酸溶液中に浸漬することにより、レジスト層を形成しなかった部分の磁性ガーネット膜をエッチングして、任意形状の磁性ガーネット膜を形成する。
発明の開示
　上記した従来のパターニング方法では、磁性ガーネット膜の側面は、その表面に近い領域、すなわちエッチング時にレジスト層近傍に存在していた領域ではほぼ垂直に近い傾斜面となり、基板近傍の領域では比較的緩やかな傾斜面となる。図１２Ａ、図１２Ｂに示すように、ストリップライン１１、１２、１５および電極パッド１３、１４は、磁性ガーネット膜６表面と基板７表面とにまたがったＵ字状の導体パターンとして一体的に形成されるため、磁性ガーネット膜６表面と基板７との間に、ほぼ垂直に近い傾斜面をもつ段差が形成されていると、この付近で導体パターンが途切れやすいという問題が生じる。
　また、磁性ガーネット膜６をパターニングするために熱燐酸溶液に浸漬したとき、基板７の裏面（磁性ガーネット膜６が形成されていない面）もエッチングされることになるが、このとき、溶液中の局所的なエッチングレートの違いにより基板７の裏面が平滑ではなくなってしまう。このため、静磁波共振子を磁極面１８ａに取り付ける際に、基板７の裏面と磁極面１８ａとが平行にならず、磁性ガーネット膜６表面に対する磁界の印加角度が目標値と異なってしまうという問題が生じる。
　本発明は従来の静磁波装置における上記問題を解決するためになされたものである。本発明の第１の目的は、静磁波装置を製造する際に、非磁性ガーネット基板と磁性ガーネット膜表面とにまたがった導体パターンを、途切れなく形成することである。本発明の第２の目的は、静磁波装置において、磁性ガーネット膜表面に対する磁界の印加角度を正確に制御することである。
　上記目的は、下記
（１）〜（１１）
（１）　非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁界発生器とを有する静磁波装置を製造するに際し、
　基板の表面に、基板側から、磁性ガーネット膜と中間層とレジスト層とをこの順で有する積層体を形成する積層工程と、中間層とレジスト層とを島状に成形する成形工程と、積層体を設けた基板を熱燐酸溶液に浸漬することにより、磁性ガーネット膜のレジスト層で被覆されていない領域を選択的に除去するエッチング工程とを設け、
　中間層を、レジスト層構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けやすい材料から構成し、
　磁性ガーネット膜の側面が傾斜面であり、この傾斜面の水平方向長さをＬとし、磁性ガーネット膜の厚さをｔとしたとき、
　　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００
である磁性ガーネット膜を形成する静磁波装置の製造方法。
　（２）　前記熱燐酸溶液の温度が１５０〜２３０℃である上記（３）の静磁波装置の製造方法。
　（３）　前記中間層をＣｒから構成する上記（１）または（２）の静磁波装置の製造方法。
　（４）　前記中間層の厚さが４０〜６０ｎｍである上記（３）の静磁波装置の製造方法。
　（５）　前記レジスト層をＡｕから構成する上記（１）〜（４）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
　（６）　前記レジスト層の厚さが０．２〜１μｍである上記（５）の静磁波装置の製造方法。
　（７）　前記エッチング工程の後に、前記磁性ガーネット膜を鏡面研磨する研磨工程を設ける上記（１）〜（６）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
　（８）　熱燐酸溶液に浸漬する前に、前記基板構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けにくい材料からなる保護レジスト層を、前記基板の裏面に形成する上記（１）〜（７）のいずれかの静磁波装置の製造方法。
　（９）前記保護レジスト層がＡｕから構成される上記（８）の静磁波装置の製造方法。
　（１０）前記基板と前記保護レジスト層との間にバインダ層を設ける上記（８）または（９）の静磁波装置の製造方法。
　（１１）前記バインダ層がＣｒから構成される上記（１０）の静磁波装置の製造方法。
作用および効果
　本発明では、静磁波装置の磁性ガーネット膜を熱燐酸溶液によりエッチングして成形するに際して、磁性ガーネット膜とレジスト層との間に、レジスト層よりも熱燐酸溶液に溶けやすい材料からなる中間層を形成しておく。熱燐酸溶液は、磁性ガーネット膜だけではなく中間層もわずかにエッチングすることになる。このため、磁性ガーネット膜のうち、エッチングされた中間層に被覆されていた領域まで熱燐酸溶液がエッチングすることになり、この結果、磁性ガーネット膜側面は緩やかな傾斜面に形成される。このため、基板表面と磁性ガーネット膜表面との間の段差にまたがる導体パターンを形成したとき、導体パターンが途切れにくくなる。本発明では中間層構成材料を変更することにより、磁性ガーネット膜側面の傾斜角度を変えることができる。
　また、本発明を静磁波共振子に適用して、その磁性ガーネット膜側面を傾斜面とすることにより、Ｓ１１測定法によるＱＵ値を向上させることができる。
　前述したように、磁性ガーネット膜をエッチングする際に、非磁性ガーネット基板の裏面もエッチングされ、このとき局所的なエッチングレートの違いにより基板裏面の平滑性が損なわれやすい。磁性ガーネット膜は磁界発生器の一対の磁極間に所定の角度で設置される必要があるが、従来は基板裏面の荒れにより目標とする角度で設置することが困難であった。これに対し、本発明において基板の裏面に保護レジスト層を形成すれば、基板裏面のエッチングを防ぐことができる。このため、基板の裏面と、これが設置される磁極面とを平行に保つことができ、磁性ガーネット膜表面に対する磁界の印加角度を目標値に保つことが容易となる。
　本発明において、磁性ガーネット膜をエッチングにより成形した後、磁性ガーネット膜を鏡面研磨した場合、エッチングにより荒れた磁性ガーネット膜側面を平滑化できる。また、磁性ガーネット膜側面のうちほぼ垂直な傾斜面となっている領域を除去でき、かつ丸みを生じさせることができるため、磁性ガーネット膜側面の傾斜を全体的に緩やかにでき、導体パターンの途切れを防ぐ効果がより高くなる。
　なお、特開平４−１１５７０２号公報には、静磁波素子において、静磁波伝搬媒体（磁性ガーネット膜）の端部の一部または全部を、静磁波の伝搬面に垂直な面から変位させることが提案されている。すなわち、本発明により得られる静磁波装置と同様に、磁性ガーネット膜の端部をテーパ面とすることが記載されている。同公報には、フィルタや共振子に適用した場合にスプリアスなモードを抑圧できる旨の効果が記載されている。
　同公報では、磁性ガーネット膜端部をテーパ面に形成する方法が本発明とは全く異なる。同公報では、磁性ガーネット膜を設けた基板を研磨治具の基準面に対して所定の角度で固定し、研磨を行っている。しかし、この研磨法を量産に適用することは不可能である。すなわち、静磁波素子を量産する際には、非磁性ガーネット基板（ウェーハまたはこれを切断したチップ）表面の全面に形成してある磁性ガーネット膜をパターニングして、１つの素子に相当する方形状パターンを多数形成し、各方形状パターンに対して導体パターンを形成することにより、同時に多数の素子を得るのが一般的である。しかし、基板を研磨治具の基準面に対して所定の角度に保って研磨を行う方法では、研磨対象となり得るのは基板の端部付近に存在する方形状パターンだけである。このため、このような研磨方法を用いる場合には、磁性ガーネット膜のパターニング後に基板を切断して各方形状パターンを独立させて研磨を行い、次いで、各パターンごとに導体パターンをフォトリソグラフィーなどにより形成しなければならない。したがって、実質的に量産が不可能である。
　また、同公報ではテーパ角を１〜２０°としているが、このテーパ角は本発明範囲を外れるものであり、上述した本発明の効果は実現しない。同公報の記載から、同公報におけるテーパ角は垂直からの変位（ガーネット膜端面からの傾き）を意味すると考えられる。これに対し、本発明で限定する磁性ガーネット膜側面の傾きは図３Ｄに示すｔ／Ｌである。このｔ／Ｌを用いて同公報におけるテーパ角を表すと、２．７５〜５７．３となる。ｔ／Ｌがこのように大きいと、磁性ガーネット膜端部付近における導体パターンの途切れを防ぐ効果はほとんど認められない。また、同公報には、共振子において磁性ガーネット膜の端面を垂直から変位させたときに、ＱＵ値が向上する旨の記載は一切ない。
　実願昭６３−２８８５１号（実開平１−１３３８１８号）添付の明細書には、静磁波を伝搬する薄膜（磁性ガーネット薄膜）の厚さがその端面に近づくにしたがって連続的に薄くなるように形成することにより、端面反射を除去するように構成した静磁波素子が記載されている。磁性ガーネット膜の厚さを端面に近づくにしたがって連続的に薄くする点では、同明細書に記載された発明は本発明により得られる静磁波装置と同様である。
　しかし、同明細書には、磁性ガーネット膜をこのような形状に形成する方法は記載されていない。また、同明細書記載の発明は、端面反射を除去することを効果としており、共振子に適用したときにＱＵ値を向上させる本発明とは効果が異なる。同明細書には、端面反射を減衰させるために、磁性ガーネット膜の厚さが変化する部分の端面からの深さを、静磁波の波長よりも長めにとる必要がある旨の記載がある。この記載における端面からの深さとは、磁性ガーネット膜の傾斜が始まる位置から端部までの距離のことである。本発明における静磁波装置は、静磁波の波長が０．１〜５ｍｍ程度である用途を主な対象とするものであるが、この波長域を対象とする素子において、上記明細書にしたがって傾斜開始位置から端部までの距離を大きくすると、素子の小型化が不可能となってしまう。しかし、本発明が効果とするＱＵ値の向上のためには、傾斜部分の長さを静磁波の波長よりも長めにとる必要はないため、本発明では上記明細書記載の発明と異なり、素子の小型化が可能である。
図面の簡単な説明
　図１Ａ〜図１Ｊは、本発明法の構成Ｉを説明する断面図である。
　図２は、８５％熱燐酸溶液の温度と磁性ガーネット膜のエッチングレートとの関係を示すグラフである。
　図３Ａ〜図３Ｄは、磁性ガーネット膜側面がエッチングによって傾斜面となる過程を説明する断面図である。
　図４Ａは、本発明法により作製された静磁波素子の斜視図であり、図４Ｂは、図４ＡのＡ−Ａ線断面図である。
　図５Ａは、本発明法により作製された静磁波共振子の斜視図であり、図５Ｂは、図５Ａの静磁波共振子のＡ−Ａ線断面と磁界発生器との関係を示す断面図である。
　図６Ａ〜図６Ｋは、本発明法の構成ＩＩを説明する断面図である。
　図７は、基板上に形成された微細なパターンを表す図面代用写真であって、本発明の静磁波素子の光学顕微鏡写真である。
　図８は、Ｓ１１法により得られたデータからＱＵ値を求める方法を説明するグラフである。
　図９は、Ｓ１１法により得られたデータから求めたＱＵ値を示すグラフである。
　図１０は、基板上に形成された微細なパターンを表す図面代用写真であって、エッチングにより得られた正方形状磁性ガーネット膜の表面および側面の様子を表す光学顕微鏡写真である。
　図１１は、基板上に形成された微細なパターンを表す図面代用写真であって、エッチングにより得られた正方形状磁性ガーネット膜を鏡面研磨した後の、表面および側面の様子を表す光学顕微鏡写真である。
　図１２Ａは、従来の静磁波共振子の斜視図であり、図１２Ｂは、図１２Ａの静磁波共振子のＡ−Ａ線断面と磁界発生器との関係を示す断面図である。
発明を実施するための最良の形態
　以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
　本発明では、非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁界発生器とを有する静磁波装置を製造する。本発明は、以下に説明する構成Ｉおよび構成ＩＩを含む。
構成Ｉ
　構成Ｉでは、積層工程と、成形工程と、エッチング工程とを設ける。
　図１Ａ〜図１Ｊに、構成Ｉにおける一連の工程を示す。
　図１Ａおよび図１Ｂは、積層工程の説明図である。積層工程では、基板７表面に、基板側から磁性ガーネット膜６と中間層２とレジスト層３とをこの順で有する積層体を形成する。
　具体的には、まず図１Ａに示すように、ＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）等の非磁性ガーネットからなる基板７の表面に、ＹＩＧ（イットリウム・鉄・ガーネット）等からなる磁性ガーネット膜６を、ＬＰＥ（液相エピタキシャル）法などにより形成する。基板の厚さは、通常、０．０５〜０．４ｍｍ程度とする。磁性ガーネット膜６の厚さは、通常、５〜３０μｍ程度とすることが好ましいが、後述する構成ＩＩにおいて磁性ガーネット膜６を研磨する場合には、３５〜６５μｍ程度と厚めにすることが好ましい。
　次いで図１Ｂに示すように、磁性ガーネット膜６の表面に中間層２を形成し、さらに、中間層２の表面にレジスト層３を形成する。なお、磁性ガーネット膜６は、通常、非磁性ガーネットウェーハ表面に形成される。中間層およびレジスト層は、ウェーハの状態のままで形成してもよく、ウェーハをチップに切り出してから形成してもよい。図示例は、ウェーハから切り出したチップ１の表面に各層を形成する場合を示している。チップの一辺の長さは特に限定されないが、通常、１０ｍｍ前後とすればよい。
　中間層２は、レジスト層３を構成する材料よりも熱燐酸溶液に溶けやすい材料から構成する。中間層構成材料およびレジスト層構成材料は特に限定されないが、中間層構成材料としてはＣｒが好ましく、レジスト層構成材料としてはＡｕ等の金属系材料、ＳｉＯ２等の無機化合物系材料、ポリイミド系耐熱性高分子（例えば日立化成製ＰＩＱ）等の有機系材料などが好ましい。これらのうちでは、中間層にＣｒを、レジスト層にＡｕを用いる組み合わせが最も好ましい。中間層の厚さは好ましくは４０〜６０ｎｍであり、レジスト層の厚さは好ましくは０．２〜１μｍである。各層の形成方法は特に限定されず、構成材料に応じて適宜決定すればよいが、金属系材料から構成する場合には蒸着法を用いることが好ましい。
　図１Ｃ、図１Ｄおよび図１Ｅは、成形工程の説明図である。成形工程では、中間層２とレジスト層３とを島状に成形する。
　具体的には、まず、フォトレジスト溶液をスピンコート等によりレジスト層３表面に塗布して、厚さ２〜９μｍ程度の塗膜を形成する。次いで、オーブン中において８５〜９０℃程度で３０分間程度プリベークするか、９０℃程度のホットプレートで５分間程度プリベークして、図１Ｃに示すようにフォトレジスト層４を形成する。
　次いで、露光、現像および純水による十分なリンスを行うことにより、図１Ｄに示すようにフォトレジスト層４を所定の寸法の方形状にパターニングする。
　次に、チップ１をエッチング液に浸漬することにより、レジスト層３と中間層２とを、フォトレジスト層４と同じパターンとなるようにパターニングする。各層のエッチャントは、各層の構成材料に応じて適宜選択すればよい。例えば、レジスト層３をＡｕから構成した場合には、ＮＨ４Ｉとエタノールとヨウ素と水とを混合したものをレジスト層用エッチャントとして用いることが好ましい。また、中間層２をＣｒから構成した場合には、Ｃｅ（ＮＯ３）２ＮＨ４ＮＯ３をＨＣｌＯ４と水とに溶解したものを中間層用エッチャントとして用いることが好ましい。パターニング後、フォトレジスト層４を剥離液により剥離し、チップ１全体を十分に洗浄して、図１Ｅに示す状態とする。
　次に、チップ１を熱燐酸溶液に浸漬して、磁性ガーネット膜６をエッチングするが、本発明ではチップ１を熱燐酸溶液に浸漬する前に、図１Ｇに示すように、基板７の裏面側に保護レジスト層３ａを形成することが好ましい。
　保護レジスト３ａは、基板７構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けにくい材料から構成する。具体的には、レジスト層３の説明において挙げた材料から選択することが好ましく、レジスト層３と同様にＡｕから構成することが最も好ましい。保護レジスト層３ａの好ましい厚さ範囲は、レジスト層３と同様である。
　保護レジスト層３ａと基板７との密着性が十分ではない場合、例えば保護レジスト層３ａをＡｕから構成した場合は、図１Ｆに示すように、保護レジスト層３ａを形成する前に、基板７の裏面にバインダ層２ａを形成し、このバインダ層２ａに接して保護レジスト層３ａを形成することが好ましい。バインダ層２ａは、基板７および保護レジスト層３ａの両者に対して密着性が良好な材料から構成する。例えば、保護レジスト層３ａをＡｕから構成する場合には、バインダ層２ａは中間層２と同様にＣｒから構成することが好ましい。バインダ層２ａの好ましい厚さ範囲は、中間層２と同様である。
　なお、バインダ層２ａおよび保護レジスト層３ａは、チップを熱燐酸溶液に浸漬する前に形成されていればよいが、好ましくは、図１Ｅに示す状態とした後、すなわち成形工程の後に形成する。これは、保護レジスト層３ａの損傷を防ぐためである。図１Ｃにおいてフォトレジスト層４をスピンコートにより形成する際に、スピナーのプレート面に接する基板７裏面が、スピナーの回転によって擦れて傷付きやすい。したがって、フォトレジスト層４を形成する際に基板７裏面に保護レジスト層３ａが既に形成されていると、保護レジスト層３ａが破れるなどの問題が生じやすい。これに対し、フォトレジスト層４の形成工程を含む成形工程の後に保護レジスト層３ａを形成すれば、保護レジスト層３ａの損傷を防ぐことができる。
　図１Ｈは、エッチング工程の説明図である。エッチング工程では、チップ１を熱燐酸溶液５に浸漬することにより、磁性ガーネット膜６のレジスト層３および中間層２で被覆されていない領域を選択的に除去する。これにより、磁性ガーネット膜６をレジスト層３と同じパターンにすると共に、パターニングされた磁性ガーネット膜側面を傾斜面として、図１１に示す状態とする。
　磁性ガーネット膜のエッチングレートは、熱燐酸溶液の温度に依存し、温度が高いほどエッチングレートが高くなる。また、エッチングレートは、熱燐酸溶液の濃度にも依存する。磁性ガーネット膜６のエッチング量が多すぎると、基板７の表面付近がエッチングされてしまい好ましくないので、熱燐酸溶液の温度および濃度を考慮し、磁性ガーネット膜６の厚さに応じてエッチング時間を制御することが好ましい。
　具体的なエッチング条件は、実験的に決定すればよい。図２に、８５％燐酸溶液の温度と、単位時間（分）当たりにエッチングされる磁性ガーネット膜の厚さとの関係を実験的に求めた結果を示す。エッチングする際には、このような実験データに基づき、熱燐酸溶液の温度を一定に保ちながら磁性ガーネット膜の厚さに応じてエッチング時間を制御すればよい。例えば、２００℃の熱燐酸溶液を用いる場合、磁性ガーネット膜の厚さが５μｍのときにはエッチング時間を約２分とすればよく、磁性ガーネット膜の厚さが２０μｍのときにはエッチング時間を約９分とすればよく、磁性ガーネット膜の厚さが３０μｍのときにはエッチング時間を約１３分間とすればよい。
　熱燐酸溶液の温度は、好ましくは１５０〜２３０℃である。磁性ガーネット膜の厚さを前記した好ましい範囲から選択した場合、上記範囲を下回る温度の熱燐酸溶液を用いると、エッチング時間が長くなりすぎて好ましくなく、一方、上記範囲を上回る温度の熱燐酸溶液を用いると、レジスト層に存在するピンホールの径が加熱によって広がり、そこから熱燐酸溶液が染み込んで磁性ガーネット膜の表面を荒らしてしまうことがあるため、好ましくない。また、熱燐酸溶液の温度が高すぎると、熱燐酸溶液中の水分が急激に減少して溶液の粘度が上昇し、熱対流が起こり難くなる。このために溶液中の熱分布が一定ではなくなって、エッチングのムラが生じやすくなる。
　エッチング後、中間層２、レジスト層３、バインダ層２ａおよび保護レジスト層３ａをそれぞれのエッチャントで除去し、洗浄すれば、図１Ｊに示すように、磁性ガーネット膜６は基板７表面に島状に独立した状態となり、かつ磁性ガーネット膜６の側面は傾斜面となる。パターニング後の磁性ガーネット膜６の寸法は、一辺が０．１〜２ｍｍ程度であることが好ましい。磁性ガーネット膜の寸法が大きすぎると、製造コストが高くなり、また、静磁波装置が大型化してしまう。
　磁性ガーネット膜６の側面が傾斜面となる理由、すなわち、磁性ガーネット膜６が台形状に形成される理由を、図３Ａ〜図３Ｄにより説明する。
　磁性ガーネット膜のエッチャントである熱燐酸溶液は、図３Ａに示すように、まず、磁性ガーネット膜６の中間層２／レジスト層３により被覆されていない領域１６からエッチングしていく。ところが、中間層２は、熱燐酸に対する溶解性がレジスト層３より高く、かつ中間層２はレジスト層３よりも薄いため、熱燐酸に浸漬後、時間を経るにしたがって図３Ｂに示すように中間層２も溶けだす。これにより、磁性ガーネット膜６とレジスト層３との間には空間が生じ、この空間付近の磁性ガーネット膜６を熱燐酸溶液がエッチングし始め、図３Ｃに示すように中間層２の端部付近の磁性ガーネット膜６の側面は緩やかに湾曲する。そして、最終的に、磁性ガーネット膜６の側面は図３Ｄに示すように基板７表面近傍では傾斜が緩やかで、レジスト層３近傍では傾斜が急な傾斜面となる。
　本発明では、磁性ガーネット膜６の側面の傾きを、図３Ｄに示すＬとｔとを用いてｔ／Ｌで表す。Ｌは、磁性ガーネット膜の傾斜が始まる位置から磁性ガーネット膜端部までの距離、すなわち、傾斜面（側面）の水平方向（基板７表面に平行な方向）長さであり、ｔは、磁性ガーネット膜６の厚さである。
　本発明において、
　　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００
であり、好ましくは
　　ｔ／Ｌ＝０．１７〜０．８４
である。ｔ／Ｌが大きすぎると、静磁波励振用のＲＦ信号を給電する導体パターンが、磁性ガーネット膜６側面付近において途切れやすくなる。一方、ｔ／Ｌが小さすぎると、磁性ガーネット膜側面の寸法が大きくなりすぎ、その結果、静磁波装置が大型化してしまい、コスト高となってしまう。例えば、ｔ／Ｌが上記範囲の下限値（０．０８）である場合、磁性ガーネット膜の厚さを５μｍとすれば２Ｌは約１２５μｍ、磁性ガーネット膜の厚さを３０μｍとすれば２Ｌは約７５０μｍとなる。すなわち、ｔ／Ｌが上記範囲を下回ると、磁性ガーネット膜の寸法を左右する２Ｌ（側面の水平方向長さの合計）が著しく大きくなってしまうことがわかる。
　ｔ／Ｌは、中間層２の構成材料やレジスト層３の厚さなどに制御することができる。例えば、中間層構成材料がエッチャントに溶けやすいほどｔ／Ｌは小さくなり、溶けにくいほどｔ／Ｌは大きくなる。また、レジスト層３が薄いほど熱燐酸溶液中でレジスト層がめくれやすくなり、これによってレジスト層３の下側の磁性ガーネット膜のエッチングが進むので、ｔ／Ｌは小さくなる。一方、レジスト層３が厚いほど、ｔ／Ｌは大きくなる。
　なお、図１Ｈの工程において、チップ１に対する熱燐酸溶液５の量が相対的に少ない場合には、溶液中の温度ムラにより局所的にエッチングレートの違いが生ずることがあり、これによりエッチングが過剰となることがある。したがって、チップに対して十分な量の熱燐酸溶液を用いることが好ましい。なお、図示例ではウェーハから切り出したチップを浸漬しているが、熱燐酸溶液が十分にあれば、チップ化せずにウェーハごと浸漬する構成とすることもできる。
　このようにして作製された静磁波素子の一例を、図４Ａと図４Ｂに示す。図４Ａは、静磁波素子を上方から見た斜視図であり、図４Ｂは、図４ＡのＡ−Ａ線断面図である。この静磁波素子は、図１Ｊに示すチップ１からダイシングソーにより切り出した後、基板７の裏面にグランド導体層９を蒸着等により形成したものである。
　このようにして作製した静磁波素子に、図５Ａ、図５Ｂに示すようにＲＦ信号給電用のストリップラインを形成し、静磁波共振子とする。
　図５Ａに斜視図として示す静磁波共振子は、基板７の表面の一部に磁性ガーネット膜６が形成されており、この磁性ガーネット膜６表面にストリップライン１１、１２が形成されている。また、基板７表面には、磁性ガーネット膜６を挟んで、電極パッド１３、１４と、ストリップライン１５とが形成されており、電極パッド１３、１４はストリップライン１１、１２それぞれの一端と接続され、ストリップライン１５はストリップライン１１、１２それぞれの他端同士を接続している。一方の電極パッド１４はグランド導体と接続され、他方の電極パッド１３は入出力と接続される。
　ストリップライン１１、１２、１５および電極パッド１３、１４は、磁性ガーネット膜６表面と基板７表面とにまたがったＵ字状の導体パターンとして一体的に形成される。磁性ガーネット膜６の側面６ａ、６ｂは緩やかな傾斜面となっているので、磁性ガーネット膜６の端部付近で導体パターンが途切れることはない。なお、導体パターンは、通常、蒸着法により形成した導体層をフォトリソグラフィー技術によりパターニングすることにより形成される。
　図５Ｂは、図５Ａに示す静磁波共振子を、磁界発生器の一対の磁極１７ａ、１７ｂ間に配置したときの断面図である。図５Ｂの静磁波共振器は、図５ＡのＡ−Ａ線断面図である。静磁波装置の磁極１７ａ、１７ｂはグランド導体を兼ねるものであり、静磁波共振子は、上記一方の磁極１７ａの平坦な磁極面１８ａに導電ペースト層１９で密着固定されている。なお、静磁波共振子を磁極面に固定する手段は、導電ペーストに限らない。
　図示例では、磁性ガーネット膜６の表面に垂直に磁界が印加される構成となっているが、磁極１７ａの磁極面１８ａと磁極１７ｂの磁極面１８ｂとを任意の角度で対向させることにより、磁性ガーネット膜６の膜面に対して任意の角度で磁界を印加することができる。
　なお、中間層２とレジスト層３との間に、両層の剥離を防ぐための剥離防止層を設けてもよい。両層の構成材料の組み合わせによっては両層間の密着性が不十分となり、エッチング時に両層間に剥離が生じることがあるが、中間層構成材料とレジスト層構成材料との両者に対し密着性が良好な材料から剥離防止層を構成することにより、エッチング時の剥離を防ぐことができる。
構成ＩＩ
　図６Ａ〜図６Ｋに、構成ＩＩにおける一連の工程を示す。構成ＩＩは、構成Ｉのエッチング工程の後に研磨工程を加えたものであり、他の工程は構成Ｉと同様である。すなわち、図６Ａ〜図６Ｉおよび図６Ｋは、それぞれ図１Ａ〜図１Ｉおよび図１Ｊと同じであり、図６Ａ〜図６Ｋは、図６Ｉの後に研磨工程を説明する図６Ｊを加えたものである。
　磁性ガーネット膜側面は、エッチングにより傾斜面となるが、レジスト層３の近傍では傾斜が急である。そこで、構成ＩＩでは、磁性ガーネット膜表面を研磨することにより、磁性ガーネット側面の傾斜の急な領域を削除して丸みを帯びさせる。磁性ガーネット膜側面に急傾斜部分が存在すると、その付近で導体パターンに途切れが生じやすいが、鏡面研磨により磁性ガーネット膜側面の傾斜を緩和すれば、導体パターンの途切れを防ぐことができる。エッチング後の磁性ガーネット膜の光学顕微鏡写真を図１０に、エッチング後、鏡面研磨を行った磁性ガーネット膜の光学顕微鏡写真を図１１に示す。図１０の磁性ガーネット膜では、その表面と側面との境界が明瞭に観察される。これは、前記境界付近において膜側面と膜表面とがほぼ垂直であるためである。これに対し図１１では、膜表面と膜側面との境界が比較的不明瞭である。これは、前記境界付近において膜側面と膜表面とが緩やかな角度で連続しているためである。なお、図１０はダイシング前のものであり、図１１はダイシングして切り出した後のものである。
　次に、鏡面研磨の具体的手順の例を説明する。
　まず、エッチングにより磁性ガーネット膜側面を傾斜面としたチップ１を、基板７の裏面側がキーパ２６と対向するようにキーパ２６に固定する。図示例では、熱融着テープ２７により固定しているが、接着剤などを用いてもよい。また、図示例では、中間層２およびレジスト層３を剥離しない状態でキーパ２６に固定しているが、これは、工程簡略化のために両層の剥離工程を省いたためである。エッチング後、研磨の前に、中間層およびレジスト層を剥離する工程を必要に応じて設けてもよい。
　次に、磁性ガーネット膜を研磨粒２８により研磨する。研磨に際しては、まず第１ステップとして粒径８μｍ程度の研磨粒によりラップ研磨を行い、次に第２ステップとして粒径１μｍ程度の研磨粒を用いて研磨を行い、さらに第３ステップとして粒径１／８μｍ程度の研磨粒で研磨を行う。第４ステップの仕上げ研磨には、０．０５μｍ程度の径のコロイダルシリカとパッドでバフ研磨を施す。磁性ガーネット膜側面の荒れの程度によっては、第１ステップを省略して第２ステップから第４ステップまでだけを行ってもよく、第３ステップおよび第４ステップだけを行ってもよい。
　なお、前記した特開平４−１１５７０２号公報では、研磨治具の基準面に対して基板面（磁性ガーネット膜面）を所定の角度に保って磁性ガーネット膜端部付近だけを研磨するが、本発明における研磨工程は、同公報記載のものとは異なる。本発明では、図６Ｊに示すように磁性ガーネット膜６表面を研磨することにより、結果として磁性ガーネット膜端部付近が過剰に研磨されるものである。したがって、本発明において研磨工程を設けた場合には、磁性ガーネット膜の厚さの減少と、磁性ガーネット膜側面の傾斜の緩和とが同時に実現する。この結果、前記したｔ／Ｌは、研磨により減少する。ただし、研磨後のｔ／Ｌは、前記したｔ／Ｌの限定範囲内に存在する必要がある。
実施例
　以下、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１（構成Ｉ）
　図１Ａ〜図１Ｊに示す手順にしたがって、静磁波素子を作製した。
　まず、基板表面に、磁性ガーネット膜６、中間層２、レジスト層３を順次形成し、図１Ｂの状態とした。基板７としては、ＧＧＧ基板を用いた。磁性ガーネット膜６はＹＩＧであり、ＬＰＥ法により形成した。磁性ガーネット膜６の厚さは１７μｍとした。中間層２は、Ｃｒを蒸着することにより形成した。中間層の厚さは５０ｎｍとした。レジスト層３は、Ａｕを蒸着することにより形成した。レジスト層の厚さは０．２μｍとした。
　フォトレジスト層４は、フォトレジストとしてＯＦＰＲ８００（東京応化製）を用い、その溶液を塗布して厚さ２μｍの塗膜を形成し、８５〜９０℃の循環型オーブン中で３０分間プリベークすることにより形成した。次いで、露光、現像、純水による十分なリンスを行い、レジスト層をほぼ正方形状にパターニングして、図１Ｄに示す状態とした。
　次に、中間層２およびレジスト層３のパターニングを行った。Ａｕエッチャントには、８０ｇのＮＨ４Ｉと１２ｇのヨウ素を６００ｍｌのエタノールと、４００ｍｌの水に溶解した溶液を用いた。Ｃｒエッチャントには、５１ｇのＣｅ（ＮＯ３）２ＮＨ４ＮＯ３を１５ｍｌのＨＣｌＯ４および３００ｍｌの水に溶解した溶液を用いた。パターニング後、レジスト層４を剥離液により剥離し、チップ１全体を十分に洗浄して、図１Ｅの状態とした。
　次に、基板７の裏面に、バインダ層２ａとして厚さ５０ｎｍのＣｒ層を蒸着法により形成した後、保護レジスト層３ａとして厚さ０．５μｍのＡｕ層を蒸着法により形成して、図１Ｇの状態とした。
　次いで、図１Ｈに示すように、チップ１を２００℃の８５％燐酸溶液５に浸漬して磁性ガーネット膜６をエッチングし、図１Ｉの状態とした。エッチング時間は７分３０秒とした。
　エッチング後、レジスト層３および中間層２をそれぞれのエッチャントで除去し、洗浄して、図１Ｊの状態とした後、チップ１の裏面にＣｕを蒸着して厚さ６μｍの導体層９とし、図４Ａ、図４Ｂに示す構造の静磁波素子を得た。
　この静磁波素子の光学顕微鏡写真を、図７に示す。ほぼ正方形状にパターニングされた磁性ガーネット膜は、一辺の長さが約１ｍｍであった。この磁性ガーネット膜では、図３Ｄに示すｔ／Ｌが０．５であった。
　この静磁波素子の表面（磁性ガーネット膜６側の面）にＣｕを蒸着して厚さ６μｍの導体層を形成し、これをフォトリソグラフィー技術によりパターニングして、図５Ａに示す構造の静磁波共振子を得た。一方の電極パッド１４はグランド導体に接続し、他方の電極パッド１３は入出力に接続した。
　次に、図５Ｂに示すように、この静磁波共振子を、磁極１７ａの磁極面１８ａに導電ペースト層１９により固定し、磁性ガーネット膜６の表面に垂直に磁界が印加されるようにした。
　この静磁波共振子のＳ１１を、ネットワークアナライザにより測定した。結果を図９に示す。また、この静磁波共振子のＱＵ値を、Ｓ１１法により測定した。
　ここで、Ｓ１１法によるＱＵの測定方法を、図８に基づいて説明する。まず、共振子の結合係数がほぼ１になるときのＳ１１を測定し、共振していないときのＳ１１を基準値（０ｄＢ）にして、この基準値に対する共鳴吸収ピーク値Ａｒを測定する。次に、基準値から−３０ｄＢ以上離れた点Ａｄで共鳴吸収の幅２Δωを測定する。ここでＡｒはＡｄより１０〜２０ｄＢ以上小さいことが望ましい。そして、最後に共鳴吸収の中心周波数ω０を測定する。ＱＵは次式で与えられる。
　ＱＵ＝（１＋β）・ＱＬ
　ＱＬ＝ω０／（Ｋ・２Δω）
　β＝（１−１０Ａｒ／２０）／（１＋１０Ａｒ／２０）　　　β＜１の場合
　β＝（１＋１０Ａｒ／２０）／（１−１０Ａｒ／２０）　　　β＞１の場合
　Ｋ２＝（１−１０Ａｄ／１０）／（１０Ａｄ／１０−１０Ａｒ／１０）
　このようにして求めたＱＵを、図９に示す。なお、図９には、比較のために、磁性ガーネット膜端部をダイサーで基板表面に垂直に切り落とした共振子のＱＵ値も示してある。図９から、磁性ガーネット膜側面を傾斜面とすることにより、ＱＵ値の高い共振子が得られることがわかる。
実施例２（構成ＩＩ）
　図６Ａ〜図６Ｉに示す手順にしたがい、実施例１と同様にしてエッチング工程までを終了させた。ただし、磁性ガーネット膜の厚さは５０μｍとした。
　次に、図６Ｊに示すように、基板７裏面側の保護レジスト層３ａを、キーパ２６に熱融着テープ２７を使って固定した。そして、第１ステップとして、粒径約８μｍの研磨粒を用いてラップ研磨を行い、次に第２ステップとして粒径約１μｍの研磨粒を用いて研磨し、さらに第３ステップとして粒径約１／８μｍの研磨粒を用いて研磨を行った。そして、第４ステップとして、粒径約０．０５μｍのコロイダルシリカとパッドでバフ研磨を行った。
　研磨後の磁性ガーネット膜側面付近の光学顕微鏡写真を、図１１に示す。前述したように、図１１の磁性ガーネット膜側面は、エッチング後に研磨しなかったもの（図１０）と比較して極めて平滑であることがわかる。磁性ガーネット膜の厚さｔおよびｔ／Ｌは、図１０ではそれぞれ２０μｍおよび０．５であり、図１１ではそれぞれ１７μｍおよび０．４２であった。なお、図１０に示すものは、エッチング前に磁性ガーネット膜表面の研磨を行って、磁性ガーネット膜の厚さを２０μｍまで減少させたものである。
　以上の実施例から、本発明の効果が明らかである。
（５７）【特許請求の範囲】
１．　非磁性ガーネットからなる基板と、この基板の表面に設けられた磁性ガーネット膜と、この磁性ガーネット膜に磁界を印加するための磁界発生器とを有する静磁波装置を製造するに際し、
　基板の表面に、基板側から、磁性ガーネット膜と中間層とレジスト層とをこの順で有する積層体を形成する積層工程と、中間層とレジスト層とを島状に成形する成形工程と、積層体を設けた基板を熱燐酸溶液に浸漬することにより、磁性ガーネット膜のレジスト層で被覆されていない領域を選択的に除去するエッチング工程とを設け、
　中間層を、レジスト層構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けやすい材料から構成し、
　磁性ガーネット膜の側面が傾斜面であり、この傾斜面の水平方向長さをＬとし、磁性ガーネット膜の厚さをｔとしたとき、
　　ｔ／Ｌ＝０．０８〜１．００
である磁性ガーネット膜を形成する静磁波装置の製造方法。
２．　前記熱燐酸溶液の温度が１５０〜２３０℃である請求の範囲第１項記載の静磁波装置の製造方法。
３．　前記中間層をＣｒから構成する請求の範囲第１項または第２項記載の静磁波装置の製造方法。
４．　前記中間層の厚さが４０〜６０ｎｍである請求の範囲第３項記載の静磁波装置の製造方法。
５．　前記レジスト層をＡｕから構成する請求の範囲第１項〜第４項のいずれかに記載の静磁波装置の製造方法。
６．　前記レジスト層の厚さが０．２〜１μｍである請求の範囲第５項記載の静磁波装置の製造方法。
７．　前記エッチング工程の後に、前記磁性ガーネット膜を鏡面研磨する研磨工程を設ける請求の範囲第１項〜第６項のいずれかに記載の静磁波装置の製造方法。
８．　熱燐酸溶液に浸漬する前に、前記基板構成材料よりも熱燐酸溶液に溶けにくい材料からなる保護レジスト層を、前記基板の裏面に形成する請求の範囲第１項〜第７項のいずれかに記載の静磁波装置の製造方法。
９．　前記保護レジスト層がＡｕから構成される請求の範囲第８項の静磁波装置の製造方法。
１０．　前記基板と前記保護レジスト層との間にバインダ層を設ける請求の範囲第８項または第９項記載の静磁波装置の製造方法。
１１．　前記バインダ層がＣｒから構成される請求の範囲第１０項記載の静磁波装置の製造方法。