【事件の表示】
　特許第３１０５４０８号「液晶表示素子」の請求項１、５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０５４０８号の請求項１、５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１０５４０８号の請求項１及び５に係る発明についての出願は、平成６年１０月１９日に特許出願され、平成１２年９月１日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人佐藤勝明より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、、その指定期間内である平成１３年９月１１日に訂正請求がなされ、再度取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１１月２１日に、平成１３年９月１１日付けの訂正請求を取り下げるとともに、新たに訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否の判断
ア．訂正の内容
ａ．明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された
「上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなる」
という記載を
「上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなり、上記ゲート絶縁膜、上記ゲート電極および上記第二電極上に層間絶縁膜とを有しており、液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなる」
と訂正する。
ｂ．明細書の特許請求の範囲の請求項５に記載された
「上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、液晶をを駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示素子」
という記載を
「上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、液晶をを駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示素子」
と訂正する。
ｃ．明細書の段落０００８に記載された
「上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなる」
という記載を
「上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなり、上記ゲート絶縁膜、上記ゲート電極および前記第二電極上に層間絶縁膜とを有しており、液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなる」
と訂正する。
ｄ．明細書の段落００１２に記載された
「請求項５記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示素子において、上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、液晶をを駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴としている」
という記載を
「請求項５記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、請求項２ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示素子において、上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、液晶をを駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴としている」
と訂正する。
イ．訂正の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、明細書の段落００３２〜００３４、００３６〜００３９及び図１の記載に基づいて、請求項１に記載の液晶表示素子において、さらにゲート絶縁膜、ゲート電極および第二電極上に層間絶縁膜を有し、画素電極が、層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなるように限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、請求項５に記載の液晶表示素子に関し、引用する請求項を請求項１ないし４から請求項２ないし４に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｃは、訂正事項ａとの整合を図るために、明細書の段落００３２〜００３４、００３６〜００３９及び図１の記載に基づいて、明細書の段落０００８の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
　上記訂正事項ｄは、訂正事項ｂとの整合を図るように、明細書の段落００１２の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
ウ．結論
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項の規定及び第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立について
ア．本件発明
　本件特許の請求項１及び５に係る発明（以下、それぞれ本件発明１及び５という）は、平成１３年１１月２１日付けで提出された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び５に各々記載されたとおりの次のものである。
　「【請求項１】　薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子において、
上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、
上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなり、上記ゲート絶縁膜、上記ゲート電極および上記第二電極上に層間絶縁膜とを有しており、
液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項５】　上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、
液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、
上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。」
イ．申立ての理由の概要
　特許異議申立人佐藤勝明は、甲第１号証及び甲第２号証を提出して、本件発明１は、甲第１号証刊行物に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができず、あるいは、少なくとも甲第１号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨、また、本件発明５は、甲第１号証刊行物及び甲第２号証刊行物に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張する。
ウ．甲各号証に記載の発明
　本件特許の請求項１及び５についての出願前に頒布された刊行物である甲第１号証刊行物（特開平６−１８９３０号公報、以下、刊行物１という）及び甲第２号証刊行物（特開平４−４１５号公報、以下、刊行物２という）には、次のように記載されている。
刊行物１（特開平６−１８９３０号公報）：
　「ガラス基板上に薄膜トランジスタと画素および補助容量をマトリックス状に形成してなる表示装置において、該補助容量が前記基板上にゲート電極と同時にパターン形成した補助容量電極を一方の極とし、画素電極を対局として構成することを特徴とするアクティブマトリックス形液晶表示装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　「【０００９】図３は逆スタッガー型ＴＦＴと画素と補助容量の従来構造を示す断面図であり、次の工程により作られている。すなわち、硼珪酸ガラスなどよりなり、厚さが約１ｍｍのガラス基板１１の上に、アルミニウム（Ａｌ）やタンタル（Ｔａ）のような金属を約１００ｍｍの厚さに形成した後、写真触刻技術（フォトリソグラフィ）を用いて選択エッチングを行い、ゲート電極１２と補助容量電極１３を形成する。
【００１０】次に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎｘ）のような絶縁物を約４００ｎｍの厚さに被覆してゲート絶縁膜１４を形成する。次に、この上に先と同様にプラズマＣＶＤ法などにより動作層１５として働く非晶質シリコン膜（以下ａ−Ｓｉ膜）とＳｉ３Ｎｘ膜を形成し、Ｓｉ３Ｎｘ膜は写真触刻技術を用いてパターンニングし、チャネル保護膜１６を形成する。
【００１１】次に、プラズマＣＶＤ法によりｎ型不純物を添加した非晶質シリコン膜（ｎ＋ａ−Ｓｉ膜）１７と密着を助けるためのＴｉ膜１８とＡｌ膜とを形成し、先と同様に写真触刻技術を用いてパターンニングを行うことにより図示を省略したドレインバスラインに続くドレイン電極１９とソース電極２０を形成する。
【００１２】次に、この上にプラズマＣＶＤ法により保護膜２１を形成した後、画素形成部の保護膜２１をエッチングして窓開けし、酸化膜（ＳｎＯ２）と酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）の固溶体（略称ＩＴＯ）よりなる透明導電膜をスパッタ法などで形成した後、写真触刻技術を用いてパターンニングを行い、透明電極８をパターン形成することにより画素と補助容量が完成している。
【００１３】このようにしてＴＦＴは作られているが、補助容量はガラス基板１１の上にゲート電極と同時に形成した補助容量電極１３を一方の電極とし、ゲート絶縁膜１４と保護膜２１を誘電体とし、透明電極８を対極として構成されている。」（段落０００９〜００１３）
　また、図３にＴＦＴと画素と補助容量の構造が断面図で示されている。
　以上の記載からすれば、刊行物１には、「ガラス基板上に薄膜トランジスタと画素および補助容量をマトリックス状に形成してなり、ガラス基板上にゲート電極と補助容量電極とが形成され、それらの上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート電極の上に動作層、その上側の被膜、ドレイン電極、ソース電極が形成され、それらの上に保護膜が形成され、画素形成部の保護膜がエッチングにより窓開けされ、透明導電膜をパターンニングして画素電極が形成されているアクティブマトリックス形液晶表示装置」が記載されているものと認められる。
刊行物２（特開平４−４１５号公報）：
　「ＴＦＴの断面構造は、第２図に示すようになっており、液晶パネル全体を支持する透明なガラス基板１の表面上に多結晶シリコン層が被着され、ゲート電極８直下の真性のチャネル領域１４を除いてソース１０およびドレイン１２にｎ型の導電型不純物としてリンが導入されている。この上に厚さ１０００〜１５００Åのゲート酸化膜が形成されており、更に、ゲート電極８が導電性の多結晶シリコンで形成されている。これらの上には厚さ０．５〜１．０μｍの層間絶縁膜２４が堆積され、この層間絶縁膜２４を開口してソース１０に接続するデータ線４ａとドレイン１２に接続する透明電極２０が形成されている。・・・・ゲート線６ｂ下に作られた電荷蓄積容量の形成領域の断面は第３図に示すようになっている。ガラス基板１上に導電型多結晶シリコン層で形成された矩形状の下部電極１８の上には、ＴＦＴのゲート酸化膜２２と同時に形成された誘電絶縁膜２６があり、この上にゲート線６ｂが下部電極１８の延長方向と同じ方向に形成されている。・・・・」（第５頁左上欄第１５行〜右上欄第１７行）
エ．対比、判断
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、本件発明１という）と、刊行物１に記載のものとを対比すると、刊行物１に記載のものにおける「補助容量」、「補助容量電極」、「保護膜」、「動作層」、「アクティブマトリックス形液晶表示装置」は、それぞれ本件発明１における「蓄積容量」、「第一電極」、「第一絶縁膜」、「半導体層」、「液晶表示素子」に相当するものであり、刊行物１に記載のものにおける補助容量の誘電体としてのゲート絶縁膜は、ＴＦＴのゲート絶縁膜と同時に形成されているので、いずれも同一の材料からなり、同一の厚みを持つものと解されるから、刊行物１に記載のものにおける「ゲート絶縁膜」は本願発明１における「第二絶縁膜」に相当し、また、刊行物１に記載のアクティブマトリックス液晶表示装置は、当然アクティブマトリクス駆動方式で駆動されるものであるから、本件発明１と刊行物１に記載のものとは、「薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子において、上記薄膜トランジスタが半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、他の電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一材料からなり、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなる液晶表示素子」である点において共通するが、次の点において相違する。
ａ．本件発明１において、薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有するのに対して、刊行物１に記載のものにおいては、薄膜トランジスタがゲート電極と、その上に形成されたゲート絶縁膜と、その上に形成された動作層とを有する点。
ｂ．本件発明１における液晶表示素子は、ゲート絶縁膜、ゲート電極および他の電極としての第二電極上に層間絶縁膜を有するのに対して、刊行物１に記載のものにおいては、他の電極が画素電極としての透明電極であり、層間絶縁膜に相当するものを有していない点。
　そこで、上記相違点のうち相違点ｂについて検討すると、刊行物１に記載のものにおいて、補助容量は、基板上にゲート電極と同時に形成された補助容量電極を一方の電極とし、透明電極を対極とするものであって、透明電極は画素電極でもあるから、この透明電極の上に本件発明１における第二電極上の層間絶縁膜を形成することは想定できないものである。
　刊行物２に記載のものにおいては、ＴＦＴ領域及び電荷蓄積容量の形成領域の上に層間絶縁膜が形成されているが、電荷蓄積容量の形成領域において、誘電体としてはゲート絶縁膜があるだけで、本件発明１における第一絶縁膜に相当するものはなく、また、蓄積容量の信頼性を維持するという技術的課題に応じたものではないことからしても、このように層間絶縁膜を形成することを刊行物１に記載のものに適用することは、容易に想到し得るところではない。
　しかるに、本件発明１は、蓄積容量の第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜とゲート絶縁膜と同等の第二絶縁膜とを有し、第二電極上に層間絶縁膜を有し、その上に画素電極が形成されることにより、明細書に記載の格別な作用効果を奏するものであるから、相違点ａについて検討するまでもなく、刊行物１に記載された発明ではなく、また、刊行物１及び２に各々記載のものから当業者が容易に想到し得たものでもない。
　また、本件発明５は、異議申立てのされていない請求項２〜４を引用するものであって、刊行物１及び２に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４．むすび　
　以上のとおりであるから、本件発明１及び５についての特許は、異議申立ての理由及び証拠によって取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月６日（２００１．１２．６）
【訂正の要旨】
訂正の内容
　ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、
本件特許明細書の請求項１に記載された
「上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなる」
という記載を添付の訂正明細書の通り、
『上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してな
り、上記ゲート絶縁膜、上記ゲート電極および上記第二電極上に層間絶縁膜とを有しており、液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜から
という記載に訂正する。
　ｂ．特許請求の範囲の減縮を目的として、
本件特許明細書の請求項５に記載された
「上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示素子」
という記載を添付の訂正明細書の通り、
『上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴とする請求項
２
という記載に訂正する。
　ｃ．明瞭でない記載の釈明を目的として、
本件特許明細書の段落番号０００８に記載された
「上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなる」
という記載を添付の訂正明細書の通り、訂正後の特許請求の範囲との整合性を取るため、
『上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してな
り、上記ゲート絶縁膜、上記ゲート電極および上記第二電極上に層間絶縁膜とを有しており、液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜から
という記載に訂正する。
ｄ．明瞭でない記載の釈明を目的として、
本件特許明細書の段落番号００１２に記載された
「請求項５記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の液晶表示素子において、上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴としている」
という記載を添付の訂正明細書の通り、訂正後の特許請求の範囲との整合性を取るため、
『請求項５記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、請求項
２
という記載に訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子において、
上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、
上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してな
り、上記ゲート絶縁膜、上記ゲート電極および上記第二電極上に層間絶縁膜とを有しており、
液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜から
　【請求項２】
　薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子において、
上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、
上記蓄積容量が、非単結晶シリコンからなる第一電極と、第二電極との間に、該非単結晶シリコンの酸化膜からなる第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなることを特徴とする液晶表示素子。
　【請求項３】
　上記非単結晶シリコンは、薄膜トランジスタに供される電界効果電子移動度μが５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の多結晶シリコンに、イオン注入がなされて形成されていることを特徴とする請求項２記載の液晶表示素子。
　【請求項４】
　上記第一絶縁膜が、第一電極表面をプラズマ酸化することにより形成されたものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
　【請求項５】
　上記第二電極上に形成された層間絶縁膜と、
液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、
上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜からなることを特徴とする請求項
２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、液晶表示装置等の平面ディスプレイ装置に供され、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、平面ディスプレイ装置としての液晶表示装置に供される液晶表示素子の開発、特に、ドライバーモノリシックパネルの開発が活発に行われている。また、該パネルに使用される薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下、ＴＦＴと称する）として、多結晶シリコン（ポリシリコン）を用いたＴＦＴが種々検討されている。
　【０００３】
　そして、このようなＴＦＴを有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子においては、信号蓄積キャパシタである付加容量（蓄積容量）が配設されている。また、上記液晶表示素子の構成は、例えば、特公平１−３３８３３号公報等に記載されている。上記従来の液晶表示素子の構成について、図５および図６を参照しながら、以下に説明する。
　【０００４】
　図５および図６に示すように、上記従来の液晶表示素子は、基板５１上に、半導体層５６が形成されている。半導体層５６は、所定の方法により、該当する領域が、ＴＦＴ５２のソース領域５３、ドレイン領域５４、および、付加容量６０の付加容量電極５５とされている。上記の半導体層５６上には、ＴＦＴ５２のゲート絶縁膜５７が形成されている。ゲート絶縁膜５７上には、ＴＦＴ５２のゲート電極５８、および、付加容量６０の付加容量電極５９が形成されると共に、層間絶縁膜６１が形成されている。そして、層間絶縁膜６１上には、画素容量６５の画素電極６２が形成されている。また、上記のソース領域５３上には、ソース電極６３が形成されており、ドレイン領域５４上には、ドレイン電極６４が形成されている。上記の画素電極６２は、ドレイン電極６４と電気的に接続されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記従来の構成では、付加容量６０は、付加容量電極５５・５９間に、絶縁膜としてゲート絶縁膜５７のみを有してなっている。このため、ゲート絶縁膜５７をより薄く形成し、ＴＦＴ５２の高性能化を図ると、付加容量６０の絶縁膜も薄くなってしまう。その上、付加容量６０部分に供される絶縁膜（つまり、ゲート絶縁膜５７）は、ＴＦＴ５２部分に供される絶縁膜と比較して面積が大きい。従って、ゲート絶縁膜５７をより薄く形成すると、例えば、該ゲート絶縁膜５７にピンホール等の欠陥が発生し易くなる。つまり、ゲート絶縁膜５７をより薄く形成し、ＴＦＴ５２の高性能化を図ると、付加容量６０の信頼性が損なわれてしまうという問題点を有している。
　【０００６】
　また、ＴＦＴ５２部分に供されるゲート絶縁膜５７を薄く形成し、一方、付加容量６０部分に供されるゲート絶縁膜５７を厚く形成するには、該ゲート絶縁膜５７を形成するための工程数が凡そ２倍に増加する。つまり、パターニング工程や成膜工程等を含むフォトリソ工程（製造工程）の数が凡そ２倍に増加する。このため、液晶表示素子の歩留りの低下や、コストアップを招来するという新たな問題点を生じることとなる。
　【０００７】
　本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、薄膜トランジスタの高性能化を図ることができ、かつ、蓄積容量の信頼性を維持することができる液晶表示素子、即ち、薄膜トランジスタの性能、および、蓄積容量の信頼性が向上された液晶表示素子を提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子において、上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してな
り、上記ゲート絶縁膜、上記ゲート電極および上記第二電極上に層間絶縁膜とを有しており、液晶を駆動するための画素電極とをさらに有し、上記画素電極が、上記層間絶縁膜上に形成された透明導電膜から
　【０００９】
　請求項２記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子において、上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、非単結晶シリコンからなる第一電極と、第二電極との間に、該非単結晶シリコンの酸化膜からなる第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなることを特徴としている。
　【００１０】
　請求項３記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、請求項２記載の液晶表示素子において、上記非単結晶シリコンは、薄膜トランジスタに供される電界効果電子移動度μが５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の多結晶シリコンに、イオン注入がなされて形成されていることを特徴としている。
　【００１１】
　請求項４記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の液晶表示素子において、上記第一絶縁膜が、第一電極表面をプラズマ酸化することにより形成されたものであることを特徴としている。
　【００１２】
　請求項５記載の発明の液晶表示素子は、上記の課題を解決するために、請求項
２
　【００１３】
　【作用】
　請求項１記載の構成によれば、蓄積容量は、非単結晶シリコンからなる第一電極と、第二電極との間に、２種類の絶縁膜、即ち、該非単結晶シリコンの酸化膜からなる第一絶縁膜と、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一の第二絶縁膜とを有してなっている。つまり、蓄積容量は、第一絶縁膜と第二絶縁膜とを有しており、薄膜トランジスタと比較して、その絶縁膜が分厚く形成されている。それゆえ、ゲート絶縁膜がより薄く形成されて、薄膜トランジスタの高性能化が図られた場合においても、蓄積容量の信頼性が損なわれることはない。即ち、蓄積容量は、第二絶縁膜がより薄く形成されて例えばピンホール等が発生し易くなった場合においても、第一絶縁膜を有しているため、上記ピンホールに由来する欠陥が発生し難くなっている。
　【００１４】
　これにより、薄膜トランジスタの高性能化を図ることができ、かつ、蓄積容量の信頼性を維持することができる液晶表示素子、即ち、薄膜トランジスタの性能、および、蓄積容量の信頼性が向上された液晶表示素子を提供することができる。
　【００１５】
　請求項３記載の構成によれば、非単結晶シリコンは、薄膜トランジスタに供される電界効果電子移動度μが５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の多結晶シリコンに、イオン注入がなされて形成されている。このように、電界効果電子移動度μが５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の多結晶シリコンが用いられているので、薄膜トランジスタや蓄積容量のサイズを小さくできる。また、液晶表示素子の歩留りが向上されると共に、該液晶表示素子における開口率を維持することができる。
　【００１６】
　【実施例】本発明の一実施例について図１ないし図４に基づいて説明すれば、以下の通りである。
　【００１７】本実施例にかかる液晶表示素子は、液晶表示装置等の平面ディスプレイ装置に供され、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される。上記の液晶表示装置は、図３に示すように、表示部を構成するアクティブマトリクス基板（液晶表示素子）１、データ信号を出力するホールド回路２、および、走査信号を出力する走査回路３を備えている。
　【００１８】
　上記のアクティブマトリクス基板１上には、互いに平行な複数のデータ信号線（ドレインバス）４…と、互いに平行な複数の走査信号線（ゲートバス）５…と、互いに平行な複数の付加容量電極線６…とが配設されている。データ信号線４…は、ホールド回路２に電気的に接続されている。また、データ信号線４…は、走査信号線５…および付加容量電極線６…と直交している。走査信号線５…は、走査回路３に電気的に接続されている。付加容量電極線６…は、図示しない電源回路に電気的に接続されている。そして、走査信号線５…および付加容量電極線６…は、互いに並行となっている。これらデータ信号線４…、走査信号線５…および付加容量電極線６…は、ＡｌやＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕ等の薄膜、或いは、Ａｌとｓｉとの合金等からなる薄膜等の導電体で形成されている。
　【００１９】
　図４に示すように、アクティブマトリクス基板１上におけるデータ信号線４…と走査信号線５…との各交差点近傍には、電界効果トランジスタである薄膜トランジスタ（以下、画素ＴＦＴと称する）７、画素である画素容量８、および、信号蓄積キャパシタである付加容量（蓄積容量）９が配設されている。つまり、上記のアクティブマトリクス基板１は、ガラス、または、絶縁膜が表面に成膜された合成樹脂等からなる基板２１（図１）上に、マトリクス状に配設された多数の画素ＴＦＴ７…、画素容量８…および付加容量９…を備えてなっている。
　【００２０】
　上記の画素ＴＦＴ７は、多結晶シリコンからなる薄膜で形成されており、画素容量８を駆動する駆動回路となっている。図２および図４に示すように、画素ＴＦＴ７のゲート電極１１は走査信号線５に接続され、ソース電極１２はデータ信号線４に接続され、ドレイン電極１３は画素容量８および付加容量９に接続されている。また、上記多結晶シリコンからなる薄膜は、付加容量９にも供されている。
　【００２１】
　上記多結晶シリコンの電界効果電子移動度（以下、移動度と称する）μ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）は、特に限定されるものではないが、μ≧５が好ましい。上記の移動度μが５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の多結晶シリコンを形成することにより、画素ＴＦＴ７や付加容量９のサイズを小さくできると共に、ホールド回路２等の構成を簡単化することができる。
　【００２２】
　尚、移動度μの上記好ましい範囲、つまり、下限値である５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）は、本願発明者が回路設計に関するシミュレーションを行い、鋭意検討した結果、得られた値である。即ち、回路設計に関するシミュレーションの結果から、非晶質（アモルファス）シリコンからなる薄膜を画素ＴＦＴ７等に用いた場合の移動度の上限値である５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上に、該移動度μを設定することにより、以下に示すような顕著な効果が得られることがわかった。つまり、移動度μを５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上に設定すると、該移動度μの値が大きいため、画素ＴＦＴ７や付加容量９のサイズを小さくできる。また、液晶表示素子の歩留りが向上されると共に、該液晶表示素子における開口率を維持することができる。
　【００２３】
　ゲート電極１１、ソース電極１２およびドレイン電極１３は、ＡｌやＴｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｕ等の薄膜、或いは、ＡｌとＳｉとの合金等からなる薄膜等の導電体で形成されている。また、画素ＴＦＴ７のゲート絶縁膜２５（図１）は、例えばＳｉＯ２からなる薄膜で形成されている。
　【００２４】
　画素容量８は、アクティブマトリクス基板１上に形成されている画素電極１４と、図示しない対向基板上に形成されている対向電極１５と、これら両電極１４・１５間に封入された液晶、即ち、液晶層（図示せず）とからなっている。画素電極１４は、画素ＴＦＴ７のドレイン電極１３に電気的に接続されている。画素電極１４および対向電極１５は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）からなる薄膜で形成されている。
　【００２５】
　そして、画素容量８は、画素電極１４および対向電極１５間に印加する電圧を制御することにより液晶を駆動し、該液晶が備える電気光学特性を利用して各種表示を行うようになっている。つまり、アクティブマトリクス基板１を備える液晶表示装置は、上記液晶が備える電気光学特性を利用して各種表示を行うようになっている。
　【００２６】
　付加容量９は、画素容量８の付加容量であり、画素容量８における液晶の誘電率がその異方性によって受ける影響を低減し、表示特性の向上を図るために、該画素容量８と並列に設けられている。図１に示すように、付加容量９は、付加容量電極（第一電極）１６と、絶縁膜（第一絶縁膜）２４およびゲート絶縁膜（第二絶縁膜）２５と、付加容量電極（第二電極）１７とで形成されている。つまり、付加容量９は、絶縁膜２４と、画素ＴＦＴ７のゲート絶縁膜２５と同一の絶縁膜（説明の都合上、該絶縁膜もゲート絶縁膜２５と記す）とを有している。付加容量９の一方の付加容量電極１６は、画素容量８の画素電極１４に電気的に接続されている。また、付加容量９の他方の付加容量電極１７は、付加容量電極線６を介してアクティブマトリクス基板１外部の電極に電気的に接続されている。
　【００２７】
　付加容量電極１６は、例えば、画素ＴＦＴ７に供されている前記多結晶シリコンからなる薄膜に、少なくともリンやホウ素を含んだ不純物がイオン注入された化合物、つまり、非単結晶シリコンからなる薄膜で形成されている。絶縁膜２４は、付加容量電極１６表面、つまり、上記非単結晶シリコン薄膜表面を例えばプラズマ酸化等することにより形成された酸化膜である。また、ゲート絶縁膜２５は、絶縁膜２４上に形成されている。付加容量電極１７は、Ａｌ薄膜等の導電体、つまり、ゲート電極１１と同一の膜で形成されている。そして、付加容量電極１７は、ゲート電極１１と電気的に接続されている。尚、付加容量電極１７は、対応する画素ＴＦＴ７と電気的に接続されていない他の走査信号線５に接続されていてもよい。
　【００２８】
　以上のように、本実施例にかかる液晶表示素子は、付加容量９が、非単結晶シリコンからなる付加容量電極１６と、導電体からなる付加容量電極１７との間に、該非単結晶シリコンの酸化膜からなる絶縁膜２４と、画素ＴＦＴ７のゲート絶縁膜２５と同一の材料からなる絶縁膜（ゲート絶縁膜２５）とを有してなっている。つまり、付加容量９は、絶縁膜２４およびゲート絶縁膜２５の２種類の絶縁膜を有しており、画素ＴＦＴ７と比較して、その絶縁膜が分厚く形成されている。それゆえ、ゲート絶縁膜２５がより薄く形成されて、画素ＴＦＴ７の高性能化が図られた場合においても、付加容量９の信頼性が損なわれることはない。即ち、付加容量９は、ゲート絶縁膜２５がより薄く形成されて例えばピンホール等が発生し易くなった場合においても、絶縁膜２４を有しているため、上記ピンホールに由来する欠陥が発生し難くなっている。
　【００２９】
　これにより、画素ＴＦＴ７の高性能化を図ることができ、かつ、付加容量９の信頼性を維持することができる液晶表示素子、即ち、画素ＴＦＴ７の性能、および、付加容量９の耐圧性等の信頼性が向上された液晶表示素子をより安価に提供することができる。
　【００３０】
　また、本実施例にかかる液晶表示素子は、非単結晶シリコンからなる薄膜が、画素ＴＦＴ７に供される移動度μが５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の多結晶シリコンに、イオン注入がなされることにより形成されている。このように、移動度μが５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の多結晶シリコンが用いられているので、画素ＴＦＴ７や付加容量９のサイズを小さくできる。また、液晶表示素子の歩留りが向上されると共に、該液晶表示素子における開口率を維持することができる。
　【００３１】
　次に、上記構成の液晶表示素子の製造方法について、図１を参照しながら、以下に説明する。尚、図１は、図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。
　【００３２】
　先ず、図１（ａ）に示すように、基板（液晶表示素子基板）２１上に、多結晶シリコンからなる薄膜である半導体層２２を形成する。画素ＴＦＴ７…等となるべき上記半導体層２２は、例えば、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法や低圧ＣＶＤ法等のＣＶＤ法；非晶質シリコンからなる薄膜を低温で積層した後、６００℃程度の温度で固相成長させるか、或いは、エキシマレーザ等を用いてレーザ光を照射し結晶化させる方法等の公知の方法により形成することができる。半導体層２２の厚みは、例えば５０ｎｍとすればよいが、特に限定されるものではない。上記の半導体層２２は、例えばフォトエッチングにより、所定の形状とする。
　【００３３】
　次に、同図（ｂ）に示すように、基板２１上に、例えばフォトレジスト（感光性樹脂）、或いは、ＳｉＯ２やＳｉＮＸ等の絶縁体からなる薄膜であるドーピングマスク（マスク）２３を形成する（パターニング工程）。上記のドーピングマスク２３は、半導体層２２における、付加容量９…の付加容量電極１６…部分となるべき領域以外の領域をマスクするように形成する。
　【００３４】
　次いで、ドーピングマスク２３にてマスクされていない上記領域に、リンを含み、かつ、イオン化された不純物を、所定の注入条件、例えば加速電圧９０ｋｅＶで、ドーズ量４×１０１５個となるようにイオン注入し、非単結晶シリコンからなる付加容量電極１６…を形成する（成膜工程）。その後、該付加容量電極１６…表面をＯ２プラズマ雰囲気中でプラズマ酸化することにより、絶縁膜２４…を形成する。つまり、付加容量電極１６…を形成する際に用いたドーピングマスク２３を、そのまま、絶縁膜２４…を形成する際に用いるマスクとして使用する。従って、上記のパターニング工程や成膜工程等を含むフォトリソ工程、つまり、製造工程数は、従来の製造工程数と比較して、それ程増加しない。
　【００３５】
　そして、上記の絶縁膜２４…を形成した後、ドーピングマスク２３を半導体層２２から剥離する。尚、上記の不純物は、リンを含む代わりに、ホウ素を含んでいてもよい。また、加速電圧やドーズ量等の注入条件は、特に限定されるものではなく、適宜変更してもよい。
　【００３６】
　続いて、同図（ｃ）に示すように、基板２１上、つまり、半導体層２２および絶縁膜２４…上に、例えばＳｉＯ２からなる薄膜を形成する。ゲート絶縁膜２５…となるべき該薄膜は、公知の方法により形成すればよい。ゲート絶縁膜２５…の厚みは、例えば１００ｎｍとすればよいが、特に限定されるものではない。尚、ゲート絶縁膜２５…は、ＳｉＮＸからなっていてもよく、また、ＳｉＯ２とＳｉＮＸとを積層してなる多層構造であってもよい。
　【００３７】
　次に、同図（ｄ）に示すように、画素ＴＦＴ７…のゲート電極１１…、および、付加容量９…の付加容量電極１７…となるＡｌ薄膜、即ち、走査信号線５…および付加容量電極線６…となるＡｌ薄膜を形成する。上記Ａｌ薄膜の厚みは、例えば３００ｎｍとすればよいが、特に限定されるものではない。尚、ゲート電極１１…および付加容量電極１７…は、ＴｉやＴａ、Ｃｒ、Ｃｕ等の薄膜で形成してもよく、また、ＡｌとＳｉとの合金等からなる薄膜で形成してもよい。さらに、ゲート電極１１…と付加容量電極１７…とを一度に形成する代わりに、それぞれ別個に形成してもよい。
　【００３８】
　次いで、ゲート絶縁膜２５…に拡散用の窓開けを行った後、半導体層２２における、画素ＴＦＴ７…のソース領域２６…またはドレイン領域２７…となる領域に、リンを含み、かつ、イオン化された不純物を、所定の注入条件、例えば加速電圧９０ｋｅＶで、ドーズ量４×１０１５個となるようにイオン注入する。これにより、ソース領域２６…およびドレイン領域２７…が形成される。また、半導体層２２における、両領域２６・２７間の領域は、チャネル部となる。尚、上記の不純物は、リンを含む代わりに、ホウ素を含んでいてもよい。また、加速電圧やドーズ量等の注入条件は、特に限定されるものではなく、適宜変更してもよい。但し、該不純物は、前記付加容量９…の付加容量電極１６…を形成する際に用いた不純物と同種である方が望ましい。
　【００３９】
　その後、ゲート絶縁膜２５…、ゲート電極１１…および付加容量電極１７…上に、ＳｉＮＸの薄膜からなる層間絶縁膜２８を形成する。上記層間絶縁膜２８の厚みは、例えば４００ｎｍとすればよいが、特に限定されるものではない。そして、上記の層間絶縁膜２８を形成した後、ソース領域２６…およびドレイン領域２７…に対応する位置に、コンタクトホール２９…を形成する。尚、層間絶縁膜２８は、ＳｉＯ２からなっていてもよく、また、ＳｉＯ２とＳｉＮＸとを積層してなる多層構造であってもよい。
　【００４０】
　続いて、上記のコンタクトホール２９…部分に、Ａｌの薄膜からなるソース電極１２…およびドレイン電極１３…を形成する。上記各電極１２…・１３…の厚みは、例えば５００ｎｍとすればよいが、特に限定されるものではない。尚、ソース電極１２…およびドレイン電極１３…は、ＴｉやＴａ、Ｃｒ、Ｃｕ等の薄膜で形成してもよく、また、ＡｌとＳｉとの合金等からなる薄膜で形成してもよい。さらに、ソース電極１２…とドレイン電極１３…とを一度に形成する代わりに、それぞれ別個に形成してもよい。
　【００４１】
　次に、層間絶縁膜２８上に、ＩＴＯの薄膜からなる画素容量８…の画素電極１４…を形成する。上記画素電極１４…の厚みは、例えば１００ｎｍとすればよいが、特に限定されるものではない。尚、画素電極１４…は、ＺｎＯ２等からなる透明導電膜で形成してもよい。
　【００４２】
　以上の工程により、液晶表示素子が形成される。即ち、以上のように、本実施例にかかる液晶表示素子の製造方法は、基板２１上に半導体層２２（後に、非単結晶シリコンとなる薄膜）を形成し、該半導体層２２における付加容量９…が形成されるべき領域以外を、フォトレジストであるドーピングマスク２３でマスクした後、露出している半導体層２２表面を酸化して酸化膜である絶縁膜２４…を形成する。そして、上記絶縁膜２４…上にゲート絶縁膜２５…を形成した後、該ゲート絶縁膜２５…上に、付加容量電極１７…を形成する。従って、付加容量９…は、絶縁膜２４およびゲート絶縁膜２５の２種類の絶縁膜を有することとなる。つまり、従来の製造方法により製造される付加容量と比較して、製造工程数をそれ程増やすことなく付加容量９の絶縁膜を分厚く形成することができる。それゆえ、画素ＴＦＴ７の高性能化を図った場合においても、付加容量９の信頼性が損なわれることはない。即ち、付加容量９は、２種類の絶縁膜を有しているため、例えばピンホール等に由来する欠陥が発生し難くなっている。
　【００４３】
　これにより、画素ＴＦＴ７の性能、および、付加容量９の耐圧性等の信頼性が向上された液晶表示素子を、従来の液晶表示素子と同水準の歩留りでもってより安価に製造することができる。
　【００４４】
　本実施例の液晶表示素子の製造方法は、以上のように、蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子の製造方法において、液晶表示素子基板上に非単結晶シリコンからなる薄膜を形成し、該薄膜における上記蓄積容量が形成されるべき領域以外をマスクした後、露出している該非単結晶シリコン表面を酸化して酸化膜を形成する方法である。
　【００４５】
　この酸化膜は絶縁膜であり、従って、この酸化膜上に例えば従来の製造方法と同様にして絶縁膜を形成することにより蓄積容量を形成すると、該蓄積容量は、２種類の絶縁膜を有することとなる。つまり、従来の製造方法により製造される蓄積容量と比較して、蓄積容量の絶縁膜を分厚く形成することができる。それゆえ、例えば、ゲート絶縁膜をより薄く形成し、薄膜トランジスタの高性能化を図った場合においても、蓄積容量の信頼性が損なわれることはない。即ち、蓄積容量は、２種類の絶縁膜を有しているため、例えばピンホール等に由来する欠陥が発生し難くなっている。
　【００４６】
これにより、薄膜トランジスタの性能、および、蓄積容量の信頼性が向上された液晶表示素子を、従来の液晶表示素子と同水準の歩留りでもって製造することができる。
　【００４７】
　また、本実施例の液晶表示素子の製造方法は、以上のように、薄膜における蓄積容量が形成されるべき領域以外を感光性樹脂でマスクする方法である。
　【００４８】
　このため、上記のマスクを、蓄積容量を形成する際に用いるマスクと共通化することができる。つまり、蓄積容量の電極に例えば不純物を選択的にイオン注入し、導電性を高める場合等には、該イオン注入時に用いるマスクを、そのまま、非単結晶シリコン表面を酸化して酸化膜を形成する際に用いるマスクとして使用することができる。従って、製造工程数は、従来の製造工程数と比較して、それ程増加しない。
　【００４９】
　これにより、薄膜トランジスタの性能、および、蓄積容量の信頼性が向上された液晶表示素子を、従来の液晶表示素子と同水準の歩留りおよびコストでもって製造することができる。
　【００５０】
　さらに、本実施例の液晶表示素子の製造方法は、以上のように、上記酸化膜上に薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同一の絶縁膜を形成した後、該絶縁膜上に、薄膜トランジスタのゲート電極と同一の薄膜を形成する方法である。
　【００５１】
　上記方法によれば、蓄積容量の電極となる薄膜と、薄膜トランジスタのゲート電極とを同一の材料で形成することができる。これにより、薄膜トランジスタの性能、および、蓄積容量の信頼性が向上された液晶表示素子を、より安価に製造することができる。
　【００５２】
　尚、本実施例においては、液晶表示素子であるアクティブマトリクス基板１が多数の画素ＴＦＴ７…、画素容量８…および付加容量９…等を備えてなっている構成を例示して説明したが、液晶表示素子の構成は、上記実施例の構成に限定されるものではない。例えば、液晶表示素子は、必要に応じて他の構成要素（回路）等を備えていてもよい。
　【００５３】
　【発明の効果】
　本発明の請求項１記載の液晶表示素子は、以上のように、薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、蓄積容量が、第一電極と、第二電極との間に、第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなる構成である。
　【００５４】
　また、本発明の請求項２記載の液晶表示素子は、以上のように、薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有し、アクティブマトリクス駆動方式で駆動される液晶表示素子において、上記薄膜トランジスタが、半導体層と、該半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有し、上記蓄積容量が、非単結晶シリコンからなる第一電極と、第二電極との間に、該非単結晶シリコンの酸化膜からなる第一絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜と同一の材料からなり、かつ、上記ゲート絶縁膜と同一の厚みを持つ第二絶縁膜とを有してなる構成である。
　【００５５】
　上記各構成によれば、蓄積容量は、薄膜トランジスタと比較して、その絶縁膜が分厚く形成されており、第二絶縁膜がより薄く形成されて例えばピンホール等が発生し易くなった場合においても、上記ピンホールに由来する欠陥が発生し難くなっている。これにより、薄膜トランジスタの高性能化を図ることができ、かつ、蓄積容量の信頼性を維持することができる液晶表示素子、即ち、薄膜トランジスタの性能、および、蓄積容量の信頼性が向上された液晶表示素子を提供することができるという効果を奏する。
　【００５６】
　本発明の請求項３記載の液晶表示素子は、以上のように、非単結晶シリコンは、薄膜トランジスタに供される電界効果電子移動度μが５（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）以上の多結晶シリコンに、イオン注入がなされて形成されている構成である。
　【００５７】
　これにより、薄膜トランジスタや蓄積容量のサイズを小さくできる。また、液晶表示素子の歩留りが向上されると共に、該液晶表示素子における開口率を維持することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例における液晶表示素子の製造工程を示すものであり、（ａ）〜（ｄ）共に、各製造工程における液晶表示素子の要部の断面図である。
　【図２】
　上記液晶表示素子の概略を示す要部の平面図である。
　【図３】
　上記液晶表示素子を備えた液晶表示装置の概略を示す要部の平面図である。
　【図４】
　上記液晶表示素子の概略の回路図である。
　【図５】
　従来の液晶表示素子の概略を示す要部の平面図である。
　【図６】
　従来の液晶表示素子の要部を示すものであり、図５のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
　【符号の説明】
　１　　　アクティブマトリクス基板（液晶表示素子）
　７　　　薄膜トランジスタ
　８　　　画素容量
　９　　　付加容量（蓄積容量）
１１　　　ゲート電極
１２　　　ソース電極
１３　　　ドレイン電極
１４　　　画素電極
１６　　　付加容量電極（第一電極）
１７　　　付加容量電極（第二電極）
２１　　　基板（液晶表示素子基板）
２３　　　ドーピングマスク（マスク）
２４　　　絶縁膜（第一絶縁膜、酸化膜）
２５　　　ゲート絶縁膜（第二絶縁膜）
２８　　　層間絶縁膜