【事件の表示】
　特願２０１２−２０６２２７「熱によるＳ／Ｎ比値への影響の少ない低エネルギー粒子放出装置乃至粒子吸収装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　３月１７日出願公開、特開２０１４−　４６４５１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年９月２日の出願であって、その手続の概要は、以下のとおりである。 
  
平成２８年　５月１９日付け：拒絶理由通知書 
平成２８年　９月２６日　　：意見書、手続補正書 
平成２８年１２月２６日付け：拒絶査定（平成３０年１月１０日発送）
平成２９年　４月１０日　　：審判請求書の提出、手続補正書  
平成３０年　４月２０日付け：平成２９年４月１０日の手続補正についての
　　　　　　　　　　　　　　補正却下の決定、拒絶理由通知書（当審）
平成３０年　７月　７日　　：意見書、手続補正書 
平成３０年１２月２０日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書（当審）
平成３１年　３月　９日　　：意見書、手続補正書 
  
第２　平成３１年３月９日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成３１年３月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
  
 ［理由］ 
１　本件補正の内容 
　本件補正は、平成３０年７月７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５を、本件補正による特許請求の範囲の請求項１ないし５に補正するものであるところ、本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１、３を、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１、３に変更する補正事項を含むものである。 
　そして、本件補正前の請求項１、３及び本件補正後の請求項１、３の各記載は、それぞれ、以下のとおりである。 
　なお、本件補正後の請求項１、３における下線は補正箇所を表している。
〈本件補正前の請求項１、３〉 
「【請求項１】
　粒子発生部位乃至粒子移動部位から粒子放出端まであるいは粒子消滅部位乃至粒子移動部位から粒子吸収端まで（以後、素子と略す）の粒子移動部があることにより、粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）で粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ、特に、擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積が小さくなることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無く、粒子移動部で伝わる上に、粒子放出・吸収端あるいは近傍に熱を加えられる部位を近傍に具備すること、具備しないを特徴とする粒子放出源乃至粒子吸収部位を持つ素子。」（審決注：νと０との間の記号は「＞」の下に「＿」であるが、「≧」と表記した。以下同じ。）
「【請求項３】
　請求項１記載の素子、あるいは請求項２に記載の中性粒子発生デバイスに含まれる大きなＳ／Ｎ比値を持つ粒子放出源乃至粒子吸収部位において、放出端に至る部位に放出粒子の自由度を制御し発生粒子乃至吸収粒子の流量を調整できる、放出・吸収端あるいは近傍に熱を加えられる部位を持つことを特徴とする粒子放出・吸収端乃至尖塔デバイス。」
〈本件補正後の請求項１、３〉  
「【請求項１】
　粒子発生部位乃至粒子移動部位から粒子放出端まであるいは粒子消滅部位乃至粒子移動部位から粒子吸収端まで（以後、素子と略す）の粒子移動部があることにより、粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）
の粒子が
の粒子流方向の運動に略垂直方向で
しかも
の平方根がナノサイズに
なるような粒子移動部を具備し
の
具備する、或いは具備しないことを
「【請求項３】
　請求項１記載の素子、あるいは請求項２に記載の中性粒子発生デバイスに含まれる大きなＳ／Ｎ比値を持つ粒子放出源乃至粒子吸収部位において、放出端に至る部位に放出粒子の自由度を制御し発生粒子乃至吸収粒子の流量を調整できる、放出・吸収端
の
  
２　補正の適否について 
（１）補正事項 
ア　補正事項１
　本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「粒子移動部」について、「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）で粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」を「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）
の粒子が
の粒子流方向の運動に略垂直方向で
イ　補正事項２
　本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「粒子移動部」について、「特に、擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積が小さくなることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無く、粒子移動部で伝わる」を「
しかも
の平方根がナノサイズに
なるような粒子移動部を具備し
ウ　補正事項３
　本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「粒子移動部」について、「粒子放出・吸収端あるいは近傍に熱を加えられる部位」を「粒子放出・吸収端
の
エ　補正事項４
　本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「粒子移動部」について、「熱を加えられる部位を近傍に具備すること、具備しないを」を「熱を加えられる部位を
具備する、或いは具備しないことを
オ　補正事項５
　本件補正前の請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項である「粒子放出源乃至粒子吸収部位」について、「放出端に至る部位に放出粒子の自由度を制御し発生粒子乃至吸収粒子の流量を調整できる、放出・吸収端あるいは近傍に熱を加えられる部位を持つ」を「放出端に至る部位に放出粒子の自由度を制御し発生粒子乃至吸収粒子の流量を調整できる、放出・吸収端
の
（２）補正の目的について
ア　補正事項１は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「粒子移動部」について、許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギーの方向について、「
粒子が
粒子流方向の運動に略垂直方向
イ　補正事項２は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「粒子移動部」について、「特に」とともに任意付加的事項が記載された表現であったものを、「
しかも
しかも
平方根がナノサイズに
ウ　補正事項３は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「熱を加えられる部位」について、「粒子放出・吸収端あるいは近傍」であったものを「粒子放出・吸収端
の
エ　補正事項４は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「熱を加えられる部位」について、「近傍に具備すること、具備しないを」と「
具備する、或いは具備しないことを
オ　補正事項５は、本件補正前の請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項である「粒子放出源乃至粒子吸収部位」について、「放出端に至る部位に放出粒子の自由度を制御し発生粒子乃至吸収粒子の流量を調整できる、放出・吸収端あるいは近傍に熱を加えられる部位を持つ」を「放出端に至る部位に放出粒子の自由度を制御し発生粒子乃至吸収粒子の流量を調整できる、放出・吸収端
の
カ　よって、上記補正事項１−３、５は、上記のとおり限定を付加するものであって、補正前の請求項１、３に記載された発明と補正後の請求項１、３に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であることから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。また、上記補正事項４は、特許法第１７条の２第５項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（３）新規事項の追加の有無について 
ア　平成３０年７月７日付けの手続補正において、明細書の段落【００２２】、【００２４】−【００２７】に、「マイクロ以上のサイズのワイヤの電気抵抗率ρＭを持つワイヤ半径ｒＭの極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属材質」、「ナノワイヤ長とＬＮと半径ｒＮの電気抵抗率をρＭと仮定する限り擬一次元的バリステックな電気伝導が生じない。」「ナノワイヤ直径はおよそ３０ｎｍ以下の太さとなる。」などの材質、構造、寸法などについて記載され、又、式（１）−式（２２）を追加して説明している点について、平成３０年１２月２０日付けの拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書で、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない旨通知した。
　そして、請求人は、平成３１年３月９日付けの意見書において、「当初明細書の段落００２３にもナノオーダとの記載があり、そのサイズは一般的なナノワイヤからおのずと決まってくる。また、産業上の利用可能性でも、そのサイズが決まってくる。これを明らかにさせる為にナノワイヤの特徴取り出す数式を用いて出願当初の明細書に段落【００２２】、【００２４】−【００２７】はナノワイヤの特徴を述べたものに過ぎない。」（審決注：「明細書に段落【００２２】」は、「明細書の段落【００２２】」の誤記と認められる。以下「明細書の段落【００２２】」と置き換えて記載する。）旨主張し、平成３１年３月９日付けの手続補正において明細書は補正されなかった。
イ　当初明細書の記載
　願書に最初に添付した明細書の段落【００２３】には「
ナノオーダの構造物は不純物、側面界面原子・分子配列の乱れなどによって許されるエネルギー準位が複雑に幅をもつ。ナノオーダの構造物では運動の方向に垂直は断面の周囲に構成原子・分子配列に乱れがあってもその断面空間内にある粒子流の許されるエネルギー状態は量子力学で決まる最低エネルギー準位近くでは断面中心部での存在確率が大きく断面の周囲での構成原子・分子による乱れの影響が少ない。次のエネルギー準位に至るまでのエネルギー量が素子の熱エネルギーに比べて大きいときにはナノオーダの構造物でない場合と比べるとＳＮ比のよい粒子のエネルギー状態になる。粒子移動部では
断面積が狭くなる
　そうすると、上記段落【００２３】には、ナノオーダの構造物について記載されているものの、ナノオーダの構造物は不純物、側面界面原子・分子配列の乱れなどによって許されるエネルギー準位が複雑に幅をもつことになること、ナノオーダの構造物では運動の方向に垂直な断面の周囲に構成原子・分子配列に乱れがあってもその断面空間内にある粒子流の許されるエネルギー状態は量子力学で決まる最低エネルギー準位近くでは断面中心部での存在確率が大きく断面の周囲での構成原子・分子による乱れの影響が少ないこと、粒子移動部では断面積が狭くなることが把握できる。
　また、願書に最初に添付した明細書の段落【００２６】には「
請求項３は、
粒子放出・吸収端４１に至る空間的に狭い場所の近傍４２に制御電磁場を発生する部位を配すことにより粒子の物理・化学的特性を制御する
粒子放出部と粒子吸収部とを架橋した細線の断面積が数平方ｎｍ程度で生じる濃度勾配場による粒子や粒子スピン拡散流も同様に制御できる
　そうすると、上記段落【００２６】には、粒子放出・吸収端に至る空間的に狭い場所の近傍に制御電磁場を発生する部位を配することにより粒子の物理・化学的特性を制御し、粒子放出部と粒子吸収部とを架橋した細線の断面積が数平方ｎｍ程度で生じる濃度勾配場による粒子や粒子スピン拡散流も同様に制御できることが把握できる。
ウ　上記ア、イによれば、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）には、「ナノオーダの構造物」、「『粒子移動部では』『断面積が狭くなる』」、「粒子放出部と粒子吸収部とを架橋した細線の断面積が数平方ｎｍ程度」とは記載されているものの、上記意見書で主張されている「ナノワイヤ」について、文言として記載されていないし、明示的にどのようなものまでが含まれているか記載されていない。
　これを踏まえて、平成３０年７月７日付けの手続補正において補正された、明細書の段落【００２２】、【００２４】−【００２７】の記載について、素子の材質、構造、寸法の観点で、下記に概要を整理する。
（ア）材質
　単体或いは単体を含む複合体原子（以後、簡単化のためにこれを金属原子と略す。）からなるマイクロ以上のサイズのワイヤの電気抵抗率ρＭを持つワイヤ半径ｒＭの
極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属材質（以後、簡単化のため材質と略す。）
（イ）構造
ａ　ｘ軸に直交する断面で
ワイヤ表面層から内部に１から３層までの金属原子からなる
その表面層数より内部にある金属原子からなる内部層
ｂ　ナノワイヤ長ＬＮと半径ｒＮの電気抵抗率をρＭと仮定する限り擬一次元的バリステックな電気伝導が生じない。（段落【００２２】）
ｃ　
ナノワイヤ中心軸のｘ軸に垂直な各断面のｘ軸よりｒ
Ｎ
の断面円周近傍に一様に分布する−ｅ［Ｃ］の金属電子がある
こと
各断面円周で一様分布しない
各断面中心がｘ軸からずれた箇所
　Ａ−ａ．ナノワイヤの熱による熱電子放出がナノワイヤ半径の曲率や上記の各ずれた箇所の形状に依存して生じる。
熱電子放出
　Ａ−ｂ．ナノワイヤの両端に外部電源を印加すると印加電圧とナノワイヤ半径の曲率や上記の各ずれた箇所の形状に依存する放電断面円周より電界電子放電が生じる。
電界電子放出
と関係づけることができる。あるいは
　Ａ−ｃ．上記のＡ−ａ．とＡ−ｂ．の
熱電子放出と電界電子放出条件を満たせない絶縁材料素材による被服をすれば上記Ａ．を満たす条件を緩和
　ナノワイヤ使用条件が決まれば、各断面円周で一様分布しない、あるいは各断面中心がｘ軸からずれた箇所のずれの大きさを持つ使用ナノワイヤの形状が決まる。（段落【００２４】、審決注：「絶縁材料素材による被服」は「絶縁材料素材による被覆」の誤記と認められる。以下「絶縁材料素材による被覆」と置き換えて記載する。）
ｄ　擬一次元的バリステック（弾道的）運動と同様に導体、あるいは半導体や絶縁体を構成する単体或いは複合体原子又は分子や隣接する単体或いは複合体原子又は分子間で共有する電子やそのスピン含めた二重量子ビットを含む巨視系作業物質の最高占有エネルギー状態から最低非占有エネルギー状態への状態間変化が巨視系の熱エネルギーによって生じない条件が作業物質が極低温の種々の超伝導状態や巨視的量子系の作業物質が存在する条件となる。（段落【００２７】）
（ウ）寸法
　
ナノワイヤ直径はおよそ３０ｎｍ以下の太さ
エ　上記ウ（ア）ないし（ウ）に記載した材質、構造、寸法については、当初明細書等には記載されていないし、又、平成３０年７月７日付けの手続補正において式（１）−式（２３）を追加して説明している。
　そして、平成３０年７月７日付けの手続補正において補正された明細書は、平成３１年３月９日付けの手続補正において補正されなかったことから、本件補正後の明細書にも依然として同じ記載があり、当該段落に記載された事項は、当初明細書等には記載がされていない。
　これについて、上記補正が新たな技術的事項を追加するものであるか否かを以下に検討する。
（ア）材質について
　上記ウ（ア）では、特定の条件の金属材質のものを想定する旨の記載があるが、ナノオーダの構造物には、各種材質のものがあり、特定の条件の金属材質だけにすることが、当初明細書等の記載から自明であるとまではいえない。
（イ）構造について
　ナノワイヤは、上記ウ（イ）のワイヤ表面層から内部に１から３層までの金属原子と内部にある金属原子の内部層の構造であること、ナノワイヤ長ＬＮと半径ｒＮの電気抵抗率をρＭと仮定すること、ナノワイヤ中心軸のｘ軸に垂直な各断面のｘ軸よりｒＮの断面円周近傍に一様に分布する−ｅ［Ｃ］の金属電子があること、各断面円周で一様分布しない、あるいは各断面中心がｘ軸からずれた箇所でナノワイヤ熱電子放出と電界電子放出条件を満たせない絶縁材料素材による被覆することにすることが、例えば、ナノオーダの構造物を絶縁材料素材による被覆することが当初明細書等に想定されていないことなどを考えても、当初明細書等の記載から自明であるとまではいえない。
（ウ）寸法について
　上記ウ（ウ）において寸法を規定しているが、当初明細書には、「ナノオーダの構造物」、「『粒子移動部では』『断面積が狭くなる』」との記載があり、粒子放出・吸収端に至る空間的に狭い場所の近傍に
制御電磁場を発生する部位を配すことにより
細線の断面積が数平方ｎｍ程度
オ　請求人は、平成３１年３月９日付けの意見書において、上記アに記載したように、「サイズは一般的なナノワイヤからおのずと決まってくる。また、産業上の利用可能性でも、そのサイズが決まってくる。これを明らかにさせる為にナノワイヤの特徴取り出す数式を用いて出願当初の明細書」の「段落【００２２】、【００２４】−【００２７】はナノワイヤの特徴を述べたものに過ぎない。」旨主張している
　しかしながら、ナノオーダの構造物は不純物、側面界面原子・分子配列の乱れなどによって許されるエネルギー準位が複雑に幅をもつことになることは、上記ウにも摘記したように、出願当初の明細書にも記載されており、ナノオーダの構造物が一般的なナノナノワイヤや産業上の利用可能性から、おのずとサイズが決まってくるとは考えられない。また、一般的なナノワイヤとの主張を検討しても、絶縁材料素材による被覆することや極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属材質が一般的なナノワイヤだけであるとの根拠はない。さらに、絶縁材料素材による被覆することや極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属であることなどを記載していることから考えても、単にナノオーダの構造物の断面積が狭くなることの説明しているだけとは考えられない。
　そうすると、ナノオーダの構造物では運動の方向に垂直な断面の周囲に構成原子・分子配列に乱れがある場合には、「絶縁材料素材による被覆」するというナノオーダの構造物の構造を段落【００２４】で規定していること、極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属材質やナノワイヤ直径はおよそ３０ｎｍ以下の太さとなることなどの材質、構造、寸法、各種条件などの設定を行っているという新たな技術的事項を導入しているものと認められる。
　以上のことから、本件補正後の明細書に記載された明細書の段落【００２２】、【００２４】−【００２７】は、当初明細書等には記載がなく、当初明細書等の記載から自明でもないから、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、依然として、新たな技術的事項を導入するものである。
　したがって、本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものとはいえず、特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
  
（４）独立特許要件について 
　上記のとおり、本件補正は特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるが、仮に、本件補正が、新たな技術的事項を導入するものではなく、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるとして、本件補正後の請求項１に記載された発明が、特許法第１７条の２第６項において準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について以下において検討する。 
  
ア　本件補正発明
（ア）本件補正後の請求項１には「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ、しかも、擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」「素子」と特定されているが、「素子」の構成の何を特定しようとするものか以下のように不明確である。
　
ａ　「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」について
　まず、当該記載が、粒子移動部がそのような機能を有していることを限定しようとしているのか、粒子移動部の何かの構成を限定しようとしているのか把握できなく、不明確な記載である。
　そこで、上記記載を理解するため、当初明細書等を念のため参酌する。
　当初明細書等には「【００１２】ビームはビーム発生装置の熱による格子振動でビーム流れが乱されＳ／Ｎ比値が減少する。・・・略・・・
ビーム発生装置の熱によるＳＮ比への影響は温度によって決まり低温では小さな値となる。
　そうすると、上記記載から、ビーム発生装置の熱によるＳＮ比への影響は温度によっても変動するものと読み取れ、当該記載は、熱エネルギーを小さくすることで、粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差よりも小さくし、熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられるとも考えられ、そう考えると素子の構成の何を特定しようとするものか不明確である。
ｂ　「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」について
　「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」の一つの述語は、「粒子移動部を具備」する、と文章の構造上考えられるが、そうすると意味が不明である。また、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」のもう一つの述語は、「粒子移動部で伝わる」と考えられるが、その場合に、「擬一次元的なバリスティック運動する
粒子」が
伝わる機能
　また、当該記載が、粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズをさらに特定しようとするものであるのか否か、又は、単に、そのような機能を有していることを意味するのか、又は、当該サイズ以外にも粒子移動部の何かの構成を限定しようとしているのか把握できなく、不明確な記載である。
　したがって、本件出願は、請求項１に係る発明が明確でないため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（イ）上記（ア）に記載したように本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）は、不明確であるが、仮に、本件補正発明が明確でないとまではいえない場合に、上記１に示した本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであるとして、以下に検討する。
  
イ　引用文献の記載事項 
（ア）平成３０年１２月２０日付けの拒絶理由（最後の拒絶理由）で引用された本願の出願日前に頒布された引用文献である、特表２００８−５１９４２３号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。 
ａ　「【００１１】
　カーボンベースナノチューブを、
超伝導ナノチャネルとして構成することができる。ナノチューブは、
ナノメートルスケールの鋭い先端部を有する。
このシステムが、超伝導条件（低温）の下にある時
【００１２】
　カーボンベースの超伝導ナノチューブの場合に、障壁は、超伝導カーボンベースナノチューブと基板との間のマイスナ効果の斥力である。マイスナ効果とは、超伝導状態の材料が、超伝導材料からすべての磁場を追い出す能力である（すなわち、そのような超伝導体は、完全に反磁性であり、０の透磁率を示す）。Ｄａｖｉｄ  Ｅ．Ｈ．Ｊｏｎｅｓによる「Ｔｈｅ  Ｆｕｒｔｈｅｒ  Ｉｎｖｅｎｔｉｏｎｓ  ｏｆ  Ｄａｅｄａｌｕｓ」、Ｏｘｆｏｒｄ  Ｐｒｅｓｓ誌、１９９９年を参照されたい。「Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｇａｓ  Ｌｉｇｈｔ  ｏｎ  Ｔａｐ」に関するセクション（第１７４頁〜第１７５頁）で、この著者は、住宅向き電子ビームベース配電のために排気された超伝導チューブのマイスナ効果を活用する方法を記述している。さらに、米国特許第４９７５６６９号（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｂｏｔｔｌｅ  ｅｍｐｌｏｙｉｎｇ  Ｍｅｉｓｓｎｅｒ  ｅｆｆｅｃｔ）を参照することができる。この米国特許の開示全体は、参照によって本明細書に組み込まれている。原子間力顕微鏡は、基板内の表面原子の電子雲と先端部の表面の電子雲とのオーバーラップによって生成される斥力に頼るが、同一の効果を得るための導電性基板の必要を打ち消す。
【００１３】
　
本明細書で使用される用語「ナノチューブ」は、約０．３ナノメートルから約１０ナノメートルまでの直径
極低温で超伝導体
ｂ　「【００１９】
　顕微鏡検査装置に関するカーボンベースナノチューブ応用例の従来技術による電子源は、通常、カーボンベースナノチューブを顕微鏡検査プローブの先端部に取り付けられる。しかし、従来技術には、顕微鏡検査応用例の荷電粒子ビームを案内し、操作することができる、カーボンベースナノチューブを含む超伝導ナノチャネルを組み込んだ顕微鏡検査プローブが含まれない。本明細書の残りでは、単層超伝導カーボンナノチューブの使用に言及する。しかし、他の本質的に原子的に完全なナノチューブ構造と同様に、超伝導材料でない場合に、超伝導材料の薄膜が任意選択として外部にコーティングされる多層超伝導カーボンナノチューブを、利用することができることを理解されたい。
【００２０】
　最近数十年間の半導体集積回路革命は、技術的能力を絶え間なく改善する中で劇的なコスト削減によって駆り立てられ、全市場サイズにおけるはるかに大きい相殺する利益を生成した。これまでは、一部の興味をそそる予備的作業が、真空マイクロエレクトロニクス素子の分野で行われてきたけれども、この注目すべきリソースは、ナノテクノロジに非常に重要ないくつかの主要な電子ビーム技術ために幅広く活用されてこなかった。本発明のサブナノメートルスケール電子ビームシステムの使用によって大幅に改善できる、電子ビームナノリソグラフィおよび特にナノメートル解像度走査型電子顕微鏡の高活用テクノロジでの実質的な改善を伴うナノテクノロジ関連応用分野に関する膨大な利用されていない技術的および商業的可能性がある。
【００２１】
　これらの技術に対するナノ電子ビーム手法は、本発明のサブナノメートルスケール電子ビームシステムを使用することで、電子ビーム源システムを微小なサブミクロン寸法への大幅な小型化を達成し、コスト削減および高性能を実現する。この手法は、本発明のサブナノメートルスケール電子ビームシステムを大量生産するために集積回路製造技術を活用することができる。本発明のサブナノメートルスケール電子ビームシステムは、システム全体に数千個のナノ電子ビーム源が組み込まれた、例えば基板に集積回路パターンを書き込む電子ビームナノリソグラフィシステムおよびナノメートルスケール構造の詳細な描画用のナノメートル解像度走査型電子顕微鏡などである。このような複数ナノ電子ビームシステム全体は、現在のシステムと比較して、大幅に高められた能力を有するであろう。
【００２２】
　次を含むがこれらに限定されない、そのような高められた能力の複数の主要な応用分野がある。
　１．大規模並列ナノ電子ビーム源は、電子ビームリソグラフィを、ナノリソグラフィ領域にとって適切にし、好ましいものにすることができる。これは、やはり、現在はより一層極端に高価な遠紫外線光学リソグラフィによってますます支配されている半導体製造に関する、電子ビームリソグラフィの実現性を可能にする。
【００２３】
　２．大規模並列ナノ電子ビームＳＥＭ（走査型電子顕微鏡検査）は、材料化学および分子バイオテクノロジでのさまざまな検査動作およびスクリーニング動作に非常に有用であろう。もう１つの実施形態において、微小サイズの個々のＳＥＭまたはより限られた個数の並列ＳＥＭを、医療応用のために開発することができる。
【００２４】
　３．電子ビームベースナノリソグラフィ能力およびナノＳＥＭ能力の上記の実施形態を、カーボンナノチューブなどの広範囲のナノ構造を用いる経済的なナノマニピュレーション動作、ナノプロセッシング（たとえば、溶接、切断、堆積）動作、およびナノアセンブリ動作のために組み合わせることができる。
【００２５】
　４．大規模並列ナノ電子ビーム源は、超高密度高速のデータストレージおよびデータ検索に有用であろう。
　５．大規模並列ナノ電子ビーム源は、小型高解像度高速ビデオディスプレイに有用であろう。
【００２６】
　６．ナノ電子ビームのナノ源は、非常に高性能なアナログ電子システムに関するいくつかの特殊化された実施形態用の構成要素としての使用に対して興味深い潜在能力を有する。
【００２７】
　７．宇宙応用および航空応用のための、高出力超高周波サブミリメートルマイクロ波ビームに対する、より小さく、軽い、放射線耐性のある源に対する進行中の探求に関する潜在的応用分野がある。」
ｃ　「【００５１】
　もう一度図１を参照すると、この図に示された好ましい実施形態では、
放出先端部３２
【００５２】
　この好ましい実施形態では、ビーム引出し電圧は、電子窓１２に使用される超薄膜材料の種類に従って選択されることが好ましい。というのは、当業者に既知の通り、透過性が、エネルギー依存であるからである。電子窓１２を通過した後に、ビーム３４を、その後、約２０Ｖから約１０００Ｖまでの範囲内のターゲット相対電圧まで、必要に応じて加速または減速することができる。
【００５３】
　図２に、先端部３２がカーボンナノチューブの形状である、先端部アセンブリ５０のもう１つの構成を示す。この実施形態では、
先端部３２は、０．３ナノメートルから１０ナノメートルまでの範囲の
直径を有する
金属タイプカーボンナノチューブからなるものとすることができ、タングステン単原子点エミッタまたは
からなるものとすることができる
【００５４】
　もう一度図２を参照すると、先端部３２は、支持構造体４２内に埋め込まれることが好ましく、支持構造体４２は、比較的大きい直径（たとえば、約５ナノメートルから約２００ナノメートルまでの範囲内の）の超伝導単層金属タイプカーボンナノチューブ４４に対する排熱装置および超高真空密閉体としても働き、超伝導単層金属タイプカーボンナノチューブ４４は、電場放出引出し電極としておよび微小超高真空室としても機能する。電気リード４３が、支持構造体４２を通過して、先端部３２と壁４４との間の電位差を作成する手段をもたらす。この実施形態では、
電子ビーム３４は、電場エミッタ３２から発生
【００５５】
　図３に、本発明のもう１つの好ましい実施形態を示す。この構成では、固定式のまたは動的な
エミッタ先端部位置決めシステム６０が、微小超高真空室６２および支持構造体６４内に囲まれる。
約０．３ナノメートルから約１０ナノメートルまでの範囲
金属タイプカーボンナノチューブ
は、
エミッタとして働く。
カーボンナノチューブまたはタングステン単原子点エミッタある
【００５６】
　電子ビーム３４は、電場エミッタ３２から発され、超伝導ナノチューブ６６によって閉じ込められ、集束される。電子ビーム３４は、半球形エンドキャップ４６を貫通し、その端から発される。このエンドキャップは、より弱い超伝導性であり、あるいは、全く超伝導性でないものとすることができる。電子ビームの運動量は、エンドキャップ４６に垂直なので、エンドキャップ４６は、電子窓として働く。任意選択として超伝導性とすることができる材料４８の任意選択のコーティングを、真空密閉、強化された機械的強度、または電子ビームの強化された超伝導集束のために使用することができる。【００５７】
　図３に示された実施形態では、電気リード６７および６８が、電圧源（図示せず）に接続され、この電圧源は、先端部３２と電場放出引出し電極６６との間の電位差をもたらす。代替案として、材料４８の任意選択のコーティングが電場放出引出し電極として利用される場合、任意選択の電気リード６９を、電圧供給源（図示せず）に接続することができる。
【００５８】
　図２および３の比較的より大きい単層カーボンナノチューブは、その直径と比較して非常に長く、たとえば１μｍ以上程度とすることができ、一般に、そのようなナノチューブは、少なくとも約１：１０から約１：１０００までのアスペクト比を有する。
放出される電子ビーム
【００５９】
　カーボンナノチューブは、複数の形態がある。一般に、カーボンナノチューブの最も一般的に研究される形態は、銅よりも電気をよく伝導する物理特性を有し、鋼鉄の１００倍を超える引張強度を有し、
極低温
超伝導体
ｄ　「【０１２３】
　従来の固体状態電子デバイスと比較して、
真空電子デバイスは、電子が弾道的に伝搬する
ｅ　したがって、引用文献１には、以下の発明が記載されている（以下「引用発明１」という。）。 
「０．３ナノメートルから１０ナノメートルまでの範囲の直径を有し、金属タイプカーボンナノチューブからなるものとすることができ、または、タングステン単原子点エミッタからなるものとすることができる、電子ビームが放出される放出先端部。」
（イ）平成３０年１２月２０日付けの拒絶理由（最後の拒絶理由）で引用された本願の出願日前に頒布された引用文献である、特開平１１−２９７１８９号公報（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。 
ａ　「【００１３】(18)緻密アルミナ碍子にコバールを銀ロウ付けする台座は、しばしば銀による汚染が起こる。イオンポンプ素子のチタニウムによる汚染、スポット溶接時の銅による汚染も起こりやすい。
(19)
電界放出冷陰極では熱フラッシュが必須である。
(20)減衰曲線がＳ字形になり４〜５時間後上昇し、減衰しないエミッターは目的結晶方位に関し不良となってしまう。」
ｂ　「【００２８】表１に示すように、方位〈３１０〉と方位〈１１１〉とで、明となり電子放出の程度が高く、この方位のエミッター６が使用可能となることが判明した。
【００２９】ｂｃｃおよびｆｃｃの各金属を具体的に選択して形成したエミッター６について説明する。図３に拡大かつ詳細に示すように、エミッタ−６は、ｂｃｃ金属純度９９.９９９％以上のタングステン単結晶（３１０）またはｂｃｃ金属純度９９.９９９％以上のタングステン単結晶（１１１）からなる基盤エミッタ−７と、この基盤エミッタ−７の表面に蒸着により形成された、ｆｃｃ金属被覆膜である９９.９％以上の純金薄膜８と、この純金薄膜８の表面に蒸着により形成された、ｆｃｃ金属被覆膜９９.９％以上の純アルミニウム薄膜９と、基盤エミッタ−７の先端面に真空中加熱溶解により形成された、タングステン・金・アルミニウム三元合金被覆膜１０と、この三元合金被覆膜１０の先端に加熱強電界処理で形成され、エミッタ結晶方位（３１０）またはエミッタ−結晶方位（１１１）に延びた三元合金被覆膜付ナノエミッタ−１１とから構成されている。その場合、純金被膜８および純アルミニウム薄膜９の加熱強電界処理により、結晶が基盤エミッタ−７の表面をはい上がってくるようにして進み、三元合金被覆膜付ナノエミッタ−１１が形成される。
【００３０】タングステン単結晶（１１１）からなる基盤エミッタ−７は、先端半径が２μｍ以下に設定されるのが望ましい。その理由は、あまり大きくなると、三元合金被覆膜付ナノエミッター１１の作成が困難になるからである。この例では、
三元合金被覆膜付ナノエミッター
底面の直径は１００オングストロームφとなっている
三元合金被覆膜付ナノエミッター
はトンネル電子の放出部となる。
【００３１】タングステンエミッタ−結晶方位＜３１０＞の場合、加熱強電界の下で９９.９％以上の純アルミニウム薄膜９はタングステン（１００）ファセットの縮小とタングステン中の不純物の除去に寄与し、酸化後には仕事関数（φ）が小さくなるので安定した電子放出部を形成するようになる。
【００３２】また、９９.９％以上の純金薄膜８は、アルミニウムを介してタングステンと合金を作ってエミッタ−結晶方位＜３１０＞に付着し、その表面張力を下げて、安定した三元合金被覆膜付ナノエミッター１１を形成するようになる。その場合、９９.９％以上の純金薄膜８は、タングステンのゲッター効果をなくし、コバールまたはニッケル・鉄５２％合金ステムからの表面ガス拡散を阻止する働きがあり、安定した大電流・高輝度
冷陰極
エミッター
ｃ　したがって、引用文献２には、以下の発明が記載されている（以下「引用発明２」という。）。 
「トンネル電子の放出部となり、底面の直径は１００オングストロームφとなっていて、熱フラッシュが必須である三元合金被覆膜付ナノエミッター。」
  
ウ　対比（引用発明１について） 
（ア）引用発明１の「電子ビームが放出される放出先端部」は、本件補正発明の「『粒子移動部位から粒子放出端まで』『（以後、素子と略す）の粒子移動部』」、「『粒子放出源』『を持つ素子』」に、引用発明１の「『放出先端部』が『０．３ナノメートルから１０ナノメートルまでの範囲の直径を有し』」は、本件補正発明の「粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになる」に、それぞれ相当する。 
（イ）上記（ア）から、本件補正発明と引用発明１との一致点及び相違点は、次のとおりである。 
【一致点】
「粒子移動部位から粒子放出端まで（以後、素子と略す）の粒子移動部があり、粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになる粒子移動部を具備し、粒子放出源を持つ素子。」 
 
【相違点１】
　本件補正発明においては「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ、しかも、擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」「そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」のに対し、引用発明１においてはそのようなものか明らかでない点。
【相違点２】
　本件補正発明においては「粒子放出・吸収端の近傍に熱を加えられる部位を具備する、或いは具備しない」のに対し、引用発明１においてはそのようなものか明らかでない点。
エ　判断（引用発明１について） 
（ア）相違点１について
　「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」は、下記ａ−ｄで検討し、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」「そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」は、下記ｅで検討する。
ａ　「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」との記載は、請求項１の記載からでは上記ア（ア）ａにも記載したように、粒子移動部が上記記載の機能を有していることを意味しているのか、Ｓ／Ｎ比値減少の影響が抑えるための粒子移動部の何かの構成を限定しているのか、本願の発明の詳細な説明を参酌しても把握できない。
ｂ　そこで、まず、断面積が小さくなることによって、粒子移動部が単にそのような機能を有することを意味している場合について検討する。
　なお、本願明細書の「【００２８】請求項１は図１における粒子発生部位乃至粒子移動部位１０から粒子放出端１１まであるいは粒子消滅部位乃至粒子移動部位１０から粒子吸収端１１まで（以後、素子とする）にある粒子において、
粒子の移動方向に垂直な断面１２が小さい部分を粒子が移動する部位１０に備えることによって、素子の熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響の少ない粒子を粒子放出端又は粒子吸収端１１から発生、他の部位に注入、あるいは粒子集団から状態のそろった粒子を吸収することを可能とする。
　引用発明１においても、「『放出先端部』が『０．３ナノメートルから１０ナノメートルまでの範囲の直径を有し』」ていることから、放出先端部の断面積の平方根がナノサイズであり、熱によるＳ／Ｎ比値の影響の少なくする機能を有しているものと認められる。
ｃ　したがって、上記機能において相違しないから、引用発明１は、「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」る機能を有するものである。
ｄ　次に、Ｓ／Ｎ比値減少の影響が抑えられるための粒子移動部の何らかの構成を限定していると考えた場合について検討する。
　素子の熱エネルギーを小さくすることに関し、本願明細書には、低温では小さな値となることが記載され（本願明細書の段落【００１２】を参照。）、引用文献１には極低温にすることが示唆されていること（引用文献１の段落【００１１】、【００１３】、【００５９】を参照。）から、引用発明１において、素子の熱エネルギーを小さくすることは、当業者が適宜なし得る事項にすぎず、「Ｓ／Ｎ比値減少の影響が抑えられる」ことは明らかである。
　
ｅ　「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」点について
　まず、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」の一つの述語は、「粒子移動部を具備」する、と文章の構造上考えられるが、そうすると意味が不明である。また、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」のもう一つの述語は、「粒子移動部で伝わる」と考えられるが、その場合には、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子」が、素子の中で単に伝わる機能を特定しただけである。そうすると、上記点は、「粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるよう」「粒子移動部で伝わる」と解することが、日本語としても、発明の詳細な説明に照らしても、自然である。
　仮に、そのように考え、以下検討する。
　引用発明１においても、『放出先端部』が『０．３ナノメートルから１０ナノメートルまでの範囲の直径を有し』ていることから、粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになっている。したがって、引用発明１においても、Ｓ／Ｎ比値減少の影響がなくなるものであるといえる。
　よって、上記「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」点では、相違しない。
　また、サイズを特定しようとする記載と仮定しても、仮に、上記新規事項で検討した「ナノワイヤ直径はおよそ３０ｎｍ以下の太さとなる。」の範囲であるとすれば、引用発明１の数値範囲も当該範囲内である。
（イ）相違点２について
　引用文献１には、上記イ（ア）ｃで摘記したように、放出先端部が微小超高真空室によって囲まれることが示唆され、微小超高真空室内に熱を加えられる部位を具備していないので、引用発明１において、放出先端部の近傍に熱を加えられる部位を具備しないようになすことは、当業者が容易に想到する事項にすぎない。
（ウ）したがって、仮に、本件補正発明が、明確でないとまではいえないとした場合であっても、引用発明１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
オ　対比（引用発明２について） 
（ア）引用発明２の「『トンネル電子の放出部とな』『る三元合金被覆膜付ナノエミッター』」、本件補正発明の「『粒子移動部位から粒子放出端まで』『（以後、素子と略す）の粒子移動部』」、「『粒子放出源』『を持つ素子』」に、引用発明２の「『三元合金被覆膜付ナノエミッター』の『底面の直径は１００オングストロームφとなっている』」は、本件補正発明の「粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになる」に、引用発明２の「熱フラッシュが必須である」は、本願補正発明の「『粒子放出』『端の近傍に熱を加えられる部位を具備する』」にそれぞれ相当する
（イ）上記（ア）から、本件補正発明と引用発明２との一致点及び相違点は、次のとおりである。 
【一致点】
「粒子移動部位から粒子放出端まで（以後、素子と略す）の粒子移動部があり、粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになる粒子移動部を具備し、粒子放出端の近傍に熱を加えられる部位を具備する粒子放出源を持つ素子。」 
 
【相違点】
　粒子移動部が、本件補正発明においては「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ、しかも、擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」「そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」のに対し、引用発明２においては、そのようなものか明らかでない点。
カ　判断（引用発明２について） 
（ア）「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」は、下記ａ−ｄで検討し、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」「そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」は、下記ｅで検討する。
ａ　「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」との記載は、請求項１の記載からでは上記ア（ア）ａにも記載したように、粒子移動部が上記記載の機能を有していることを意味しているのか、Ｓ／Ｎ比値減少の影響が抑えるための粒子移動部の何かの構成を限定しているのか、本願の発明の詳細な説明を参酌しても把握できない。
ｂ　そこで、まず、断面積が小さくなることによって、粒子移動部が単にそのような機能を有することを意味している場合について検討する。
　なお、本願明細書の「【００２８】請求項１は図１における粒子発生部位乃至粒子移動部位１０から粒子放出端１１まであるいは粒子消滅部位乃至粒子移動部位１０から粒子吸収端１１まで（以後、素子とする）にある粒子において、
粒子の移動方向に垂直な断面１２が小さい部分を粒子が移動する部位１０に備えることによって、素子の熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響の少ない粒子を粒子放出端又は粒子吸収端１１から発生、他の部位に注入、あるいは粒子集団から状態のそろった粒子を吸収することを可能とする。
　引用発明２においても、「『三元合金被覆膜付ナノエミッター』が『底面の直径は１００オングストロームφとなっている』」ことから、三元合金被覆膜付ナノエミッターの断面積の平方根がナノサイズであり、熱によるＳ／Ｎ比値の影響の少なくする機能を有しているものと認められる。
ｃ　したがって、上記機能において相違しないから、引用発明２は、「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）の粒子が粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、これを粒子と略す。）の粒子流方向の運動に略垂直方向での許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」る機能を有するものである。
ｄ　次に、Ｓ／Ｎ比値減少の影響が抑えられるための粒子移動部の何らかの構成を限定していると考えた場合について検討する。
　素子の熱エネルギーを小さくすることに関し、本願明細書には、低温では小さな値となることが記載され（本願明細書の段落【００１２】を参照。）、引用文献２には冷陰極に用いることが示唆されていること（引用文献２の段落【００１３】、【００３２】を参照。）から、引用発明２において、素子の熱エネルギーを小さくすることは、当業者が適宜なし得る事項にすぎず、「Ｓ／Ｎ比値減少の影響が抑えられる」ことは明らかである。
ｅ　「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」点について
　まず、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」の一つの述語は、「粒子移動部を具備」する、と文章の構造上考えられるが、そうすると意味が不明である。また、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」のもう一つの述語は、「粒子移動部で伝わる」と考えられるが、その場合には、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子」が、素子の中で単に伝わる機能を特定しただけである。そうすると、上記点は、「粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるよう」「粒子移動部で伝わる」と解することが、日本語としても、本願の発明の詳細な説明に照らしても、自然である。
　仮に、そのように考え、以下検討する。
　引用発明２においても、「『三元合金被覆膜付ナノエミッター』が『底面の直径は１００オングストロームφとなっている』」ことから、三元合金被覆膜付ナノエミッターの断面積の平方根がナノサイズとなっている。したがって、引用発明２においても、Ｓ／Ｎ比値減少の影響がなくなるものであるといえる。
　よって、上記「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるような粒子移動部を具備し、粒子移動部で伝わる」点では、相違しない。
　また、サイズを特定しようとする記載と仮定しても、仮に、上記新規事項で検討した「ナノワイヤ直径はおよそ３０ｎｍ以下の太さとなる。」の範囲であるとすれば、引用発明２の数値範囲も当該範囲内である。
（イ）したがって、仮に、本件補正発明が、明確でないとまではいえないとした場合であっても、引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび 
　本件補正は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてするものとはいえず、特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　仮に、本件補正が、新たな技術的事項を導入するものではなく、本件補正が、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるとしても、「本件補正発明」が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであることは以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する特許法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。 
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
  
第３　当審における拒絶の理由 
　平成３０年１２月２０日付けの拒絶理由通知書で当審が通知した拒絶の理由は、概略、以下のとおりである。 
  
理由１　特許法第１７条の２第３項について  
　明細書の段落【００２２】、【００２４】−【００２７】に、「マイクロ以上のサイズのワイヤの電気抵抗率ρＭを持つワイヤ半径ｒＭの極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属材質」、「ナノワイヤ長とＬＮと半径ｒＮの電気抵抗率をρＭと仮定する限り擬一次元的バリステックな電気伝導が生じない。」、「ナノワイヤ直径はおよそ３０ｎｍ以下の太さとなる。」などの材質、構造、寸法などについて記載され、又、式（１）−式（２２）を追加して説明しているが、出願当初の明細書等に段落【００２２】、【００２４】−【００２７】の式（１）−式（２２）も含め対応する記載はない。 
　平成３０年７月７日付け手続補正書でした補正は、上記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
理由２　特許法第２９条第２項について  
・請求項　　　　１−５ 
・引用文献等　　１−５
  
理由３　特許法第３６条第６項第２号について 
・請求項　１−５  
（１）請求項１に記載の「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）で粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、粒子と略す。）の許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ、特に、擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積が小さくなることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無く、粒子移動部で伝わる」とは、「素子」の構成の何を特定しようとするものか不明である。 
（２）請求項１の「特に、擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積が小さくなることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無く、」との記載では、「特に」とともに任意付加的事項が記載された表現であり、発明の構成が不明確となっている。 
（３）請求項１の「粒子移動部で伝わる上に、粒子放出・吸収端あるいは近傍に熱を加えられる部位を近傍に具備すること、具備しない」との記載では、具備しているのか、具備していないのか不明確である（また、「近傍に熱を加えられる部位を近傍に」は、近傍が二回記載され誤記ではないか。）。 
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞  
１．特表２００８−５１９４２３号公報 
２．特開平１１−２９７１８９号公報 
３．特開平５−１９０２９６号公報 
４．特開平８−２５５５５５号公報 
５．特開２０１１−１４５２９号公報 
  
第４　当審の判断 
１　理由１（特許法第１７条の２第３項）について 
　平成３１年３月９日付け手続補正書でした補正は、明細書についてされておらず、平成３１年３月９日付けの手続補正を上記のとおり却下しても、明細書の記載は同じである。
　そうすると、上記第２の２（３）で検討したとおり、平成３０年７月７日付け手続補正書でした補正は、当初明細書等には記載がなく、当初明細書等から自明でもないから、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、依然として、新たな技術的事項を導入するものである。
２　理由３（特許法第３６条第６項第２号）について 
（１）「粒子移動部で移動速度ν（ν≧０）で粒子流方向に運動する作業物質粒子（以後、粒子と略す。）の許容される最高占有状態と最低非占有状態準位間のエネルギー差が素子の熱エネルギーに比べ大きくなると熱によるＳ／Ｎ比値減少の影響が抑えられ」については、上記第２の２（４）アで検討したとおり、粒子移動部がそのような機能を有していることを限定しようとしているのか、粒子移動部の何かの構成を限定しようとしているのか把握できなく、素子の構成の何を特定しようとするものか不明確である。
　また、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は」「、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無く、粒子移動部で伝わる」は、「素子」の「粒子移動部の断面積が小さくなること」と同じ意味であるのか、または、「素子」の構成の何を具体的に特定しようとするものか不明確である。
（２）請求項１の「特に、擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積が小さくなることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無く、」との記載では、「特に」とともに任意付加的事項が記載された表現であり、発明の構成が不明確となっている。 
（３）請求項１の「粒子移動部で伝わる上に、粒子放出・吸収端あるいは近傍に熱を加えられる部位を近傍に具備すること、具備しない」との記載では、具備しているのか、具備していないのか不明確である。 
　
　したがって、請求項１−５に係る発明は明確でない。  
３　理由２（特許法第２９条第２項）について 
（１）本願発明 
　上記２に記載したように本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、不明確であるが、仮に、本願発明が明確でないとまではいえないものとして、以下に検討する。
　平成３１年３月９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年７月７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、上記第２の１に示した（本件補正前の請求項１）に記載された事項により特定されるとおりのものである。 
  
（２）引用発明 
　当審の拒絶の理由に引用された引用文献１、引用文献２、及び、その記載事項は、上記第２の２（４）イに示したとおりであり、引用文献１に記載された発明（引用発明１）、引用文献２に記載された発明（引用発明２）は、上記第２の２（４）イで認定したとおりである。 
  
（３）対比・判断 
　本願発明は、上記第２の１の「本件補正の内容」で摘記した本件補正発明に追加された限定事項を省き、「熱を加えられる部位」を「近傍に具備すること、具備しない」という記載を、「熱を加えられる部位」を「具備する、或いは具備しないこと」とする明りょうでない記載の釈明を目的とする補正をしていないものである。 
  
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加し、明りょうでない記載の釈明を目的とする補正したものに相当する本件補正発明が、上記第２の２（４）エ、カで検討したとおり、引用発明１、又は、引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明１、又は、引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
第５　請求人の主張について 
１　請求人は、平成３１年３月９日付けの意見書において「当初明細書の段落００２３にもナノオーダとの記載があり、そのサイズは一般的なナノワイヤからおのずと決まってくる。また、産業上の利用可能性でも、そのサイズが決まってくる。これを明らかにさせる為にナノワイヤの特徴取り出す数式を用いて出願当初の明細書に段落【００２２】、【００２４】−【００２７】はナノワイヤの特徴を述べたものに過ぎない。」、「引用文献１を主引用文献とし進歩性がないとの指摘であるが、本願発明は粒子の伝導方向で占有する粒子エネルギーと隣接近接する粒子不占有の高エネルギー準位間隔が熱エネルギーより広いことによるものであり、超伝導とは原理が違う物である。超伝導について述べた引用文献１と他の引用文献とを組み合わせたものではない。」、「引用文献２を主引用文献として請求項１、３の進歩性がないとの指摘であるが、本願発明は粒子移動部における粒子の伝導方向で占有する粒子エネルギーと隣接近接する粒子不占有の高エネルギー準位間隔が熱エネルギー広いことによるエネルギー準位間隔について述べており、粒子放出部での工夫について述べている引用文献２とは違うものである。引用文献２に他の引用文献を組み合わせたものでもない。」と主張する。 
  
２　新規事項の追加の有無についての請求人の主張については、上記第２の２（３）オで検討したとおりである。
再掲
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
　しかしながら、ナノオーダの構造物は不純物、側面界面原子・分子配列の乱れなどによって許されるエネルギー準位が複雑に幅をもつことになることは、上記ウにも摘記したように、出願当初の明細書にも記載されており、ナノオーダの構造物が一般的なナノナノワイヤや産業上の利用可能性から、おのずとサイズが決まってくるとは考えられない。また、一般的なナノワイヤとの主張を検討しても、絶縁材料素材による被覆することや極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属材質が一般的なナノワイヤだけであるとの根拠はない。さらに、絶縁材料素材による被覆することや極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属であることなどを記載していることから考えても、単にナノオーダの構造物の断面積が狭くなることの説明しているだけとは考えられない。
　そうすると、ナノオーダの構造物では運動の方向に垂直な断面の周囲に構成原子・分子配列に乱れがある場合には、「絶縁材料素材による被覆」するというナノオーダの構造物の構造を段落【００２４】で規定していること、極めて高純度で無欠陥の超周期を含む結晶性の良い金属材質やナノワイヤ直径はおよそ３０ｎｍ以下の太さとなることなどの材質、構造、寸法、各種条件などの設定を行っているという新たな技術的事項を導入しているものと認められる。
−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
３　引用文献１が超伝導について述べてあるとしても、また、引用文献２が粒子放出部での工夫について述べているものとしても、本件補正発明と本願発明は、超伝導を含まず、粒子放出部での工夫を含まないと特定しているものでない。
　そして、上記主張において「本願発明は粒子移動部における粒子の伝導方向で占有する粒子エネルギーと隣接近接する粒子不占有の高エネルギー準位間隔が熱エネルギーより広いことによる」「エネルギー準位間隔について述べており」との点については、上記第２の２（４）エ、カで検討したように、粒子移動部を低温にすること、又は、粒子移動部を粒子の移動方向に垂直な断面が小さい部分を持つものと考えられる。
　しかしながら、引用文献１には極低温にすることが示唆されていること、引用発明１においても、「『放出先端部』が『０．３ナノメートルから１０ナノメートルまでの範囲の直径を有し』」ていること、引用文献２には冷陰極に用いることが示唆されていること、引用発明２においても、「『三元合金被覆膜付ナノエミッター』が『底面の直径は１００オングストロームφとなっている』」ことから、上記点は当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
　さらに、引用文献１においても、上記第２の２（４）イ（ア）ｄで摘記したように「真空電子デバイスは、電子が弾道的に伝搬する」ことが示唆され、また、上記第２の２（４）イ（ア）ａで摘記したように、「ナノメートルスケールの鋭い先端部」は、「超伝導ナノチャネルとして構成することができる。」ことが示唆されていることを考慮すれば、引用発明１において、「『０．３ナノメートルから１０ナノメートルまでの範囲の直径を有』する『放出先端部』」を、「擬一次元的なバリスティック運動する粒子は粒子移動部の断面積の平方根がナノサイズになることによって、そのＳ／Ｎ比値減少の影響が無くなるよう」に「粒子移動部で伝」えるようになすことは、当業者が容易になし得る事項にすぎない。
　したがって、審判請求人の上記主張は採用できない。 
  
第６　むすび 
　以上のとおり、平成３０年７月７日付けの手続補正書でした補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　また、この出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　さらに、仮に、本願発明が、明確でないとまではいえないとした場合であっても、本願発明は、引用文献１に記載された発明、又は、引用文献２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。