(57)【要約】ＲＦタグは、第１誘電体層（２０ａ）と、その第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面にそれぞれ積層されたプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）とを含むプリプレグ板を含む。第１誘電体層（２０ａ）は、α−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体より得られる重合体（ａ）６０〜８５質量部に、単官能性芳香族ビニル単量体（ｂ１）７０〜９５質量％及び二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）５〜３０質量％を含む芳香族ビニル単量体（ｂ）１５〜４０質量部を重合したグラフト共重合体である。各プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）は、エポキシ樹脂含浸ガラス繊維基材である。アンテナ回路（１０）及び金属箔層（４０）は、プリプレグ板のプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）に熱圧着によりそれぞれ接合される。
2010038772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１誘電体層（２０ａ）と、前記第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面にそれぞれ積層された２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）とから形成されるプリプレグ板と、
前記プリプレグ板の前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）にそれぞれ積層されたアンテナ回路（１０）及び金属箔層（４０）とを備えるＲＦタグであって、
前記第１誘電体層（２０ａ）は、α−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体に基づく単量体単位からなる重合体（ａ）６０〜８５質量部に、単官能性芳香族ビニル単量体（ｂ１）７０〜９５質量％及び二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）５〜３０質量％を含有する芳香族ビニル単量体（ｂ）１５〜４０質量部をグラフト重合してなるグラフト共重合体で構成され、
前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）の各々は、ガラス繊維基材にエポキシ樹脂を含浸させて得られたエポキシ樹脂含浸ガラス繊維基材であり、
前記アンテナ回路（１０）は、第１導電体層（１２ａ）と、前記第１導電体層（１２ａ）に実装されて情報の読み取り及び書き込みが可能な記憶媒体（１１）とを含み、
前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）は、前記第１誘電体層（２０ａ）の前記２つの主面に熱圧着によりそれぞれ接合されており、
前記アンテナ回路（１０）及び前記金属箔層（４０）は、前記プリプレグ板の前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）に熱圧着によりそれぞれ接合されている、ＲＦタグ。
【請求項２】
前記第１導電体層（１２ａ）と前記金属箔層（４０）とが電気的に導通している請求項１に記載のＲＦタグ。
【請求項３】
前記第１導電体層（１２ａ）の表面のうち前記プリプレグ層（３０ｂ）とは反対側の面にこの順に積層された第２誘電体層（２０ｂ）と第２導電体層（１２ｂ）を備え、前記第１導電体層（１２ａ）と前記第２導電体層（１２ｂ）とが電気的に導通しており、
前記第２誘電体層（２０ｂ）は、α−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体に基づく単量体単位からなる重合体（ａ）６０〜８５質量部に、単官能性芳香族ビニル単量体（ｂ１）７０〜９５質量％及び二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）５〜３０質量％を含有する芳香族ビニル単量体（ｂ）１５〜４０質量部をグラフト重合してなるグラフト共重合体で構成され、前記第１導電体層（１２ａ）と前記第２誘電体層（２０ｂ）と前記第２導電体層（１２ｂ）は熱圧着によりこの順で接合されている請求項１又は請求項２のＲＦタグ。
【請求項４】
前記電気的導通のためのビア（５０）を更に備える請求項２または請求項３に記載のＲＦタグ。
【請求項５】
前記電気的導通のための端面電極（６０）を更に備える請求項２または請求項３に記載のＲＦタグ。
【請求項６】
工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を備える請求項１に記載のＲＦタグの製造方法であって、
前記工程（Ａ）は、前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）を前記第１誘電体層（２０ａ）の前記２つの主面にそれぞれ熱圧着により接合して、前記プリプレグ板を作製する工程であり、
前記工程（Ｂ）は、前記プリプレグ板の前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）に前記アンテナ回路（１０）及び前記金属箔層（４０）をそれぞれ熱圧着により接合する工程である、前記製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触接続型のＲＦタグ及びその製造方法に関し、より詳しくはプリプレグシートを介して各層を熱圧着することによって形成される非接触接続型ＲＦタグ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高度情報化社会の進展に伴い、通信機器等に使用される信号の周波数帯は、極超短波（ＵＨＦ）帯やセンチメートル波（ＳＨＦ）帯等、情報密度のより高い伝送が可能になる高周波帯域に移行しつつある。近頃大きな注目を浴びているＲＦＩＤ〔Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ〕システムにおいても同様のことが言える。ＲＦＩＤシステムとは、非接触状態にて情報の読み取り及び書き込みが可能な記憶媒体のデータを読み書きすることによって情報の送受信を行うものである。半導体技術の向上により、ＲＦタグ用として用いられる記憶媒体の小型化、高性能化が進んでおり、通信距離の拡張や通信安定度の向上などにより、ＲＦタグの幅広い分野における活用が期待されている。特に、高周波数帯域を利用したＲＦタグでは電波を用いてＲＦタグの記憶媒体に電力を供給しているため、通信距離は大幅に向上し、通信距離の短いＲＦＩＤシステムでは実現が困難であった複数枚のＲＦタグの一括読み取りや、移動しているＲＦタグの読み取りなども可能となっている。【０００３】
ＲＦＩＤシステムの高周波化により、利用範囲は大幅に広がるが、それに伴って利用環境も厳しくなる。寒冷地や冷凍設備内部での使用、夏場の炎天下における使用は当たり前であり、さらに船舶積載コンテナのように設置対象物が金属の場合には、吸熱、放熱の条件も加わるため、温度変化の幅が広く非常に厳しい使用環境となる。【０００４】
一方で、ＲＦタグは高周波帯域を利用することでも技術的難度を有している。電気信号は周波数が高くなるほど伝送損失が大きくなる性質があるため、高周波帯域に対応しうる優れた高周波伝送特性を有する電気絶縁材料が強く求められている。絶縁材料と接触した回路における伝送損失は、アンテナ回路の形状、表皮抵抗、特性インピーダンス等で決まる導体損と、回路周りの誘電体層の誘電特性で決まる誘電体損とからなり、特に高周波回路では誘電体損として放出され電子機器の誤作動の原因となる。誘電体損は、比誘電率（ε）と材料の誘電損失（ｔａｎδ）の積に比例して大きくなる。よって、誘電体損を少しでも小さくするためには、低誘電率と低誘電損失という特性を有する材料を用いる必要がある。【０００５】
高分子絶縁材料の中でも熱可塑性樹脂は、低誘電率と低誘電損失に優れ加工も容易であるので、ＲＦタグの誘電体層に用いる材料として適している。特許文献１には、金属箔層とアンテナ回路との間に、熱可塑性樹脂の射出成形により誘電体層を形成したＲＦタグが開示されており、設置対象に導電性物質と非導電性物質の区別なく、通信距離を落とすことなく設置可能であることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−９５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願発明者は、従来技術の短所に気付いた。すなわち、従来技術では、線膨張係数が大きく異なる部材が接着されているため、部材間に残留応力が生じる。よって、ＲＦタグに加熱と冷却の繰り返し等の負荷が加えられた場合に部材間の層間剥離が生じるおそれがあり、射出成形時に内部に僅かな空隙が残存した場合には局部的な膨張収縮が生じるため、さらに層間剥離の可能性が高まる。【０００８】
ＲＦＩＤシステムは使用周波数と記憶媒体のインピーダンス整合を調整することにより目的の放射パターンや利得等の機能を発揮するものであるが、この調整はＲＦタグの比誘電率及び誘電体層の厚さにも非常に大きく関係する。よって、層間剥離が生じ誘電体層に空気層が加わることによるＲＦタグ全体の誘電率変化や、線膨張係数が異なる部材を接着することによる応力歪みから生じる厚さ制御の困難性は、ＲＦＩＤシステムを継続的に利用する上で致命的な問題点である。また、層間剥離が生じやすいＲＦタグを一システムに付き数千〜数万個用いるのは使用者側にとって大きな財政的リスクを背負うことになる上に、そのようなＲＦタグはリユース性に難点があるため製造コスト増にも繋がることになる。【０００９】
そこで、本願発明の目的は、高周波帯域において優れた伝送特性を有し、温度変化の厳しい環境においても、層間剥離等の問題を生じることなく、所期の伝送特性を維持できる信頼性の高いＲＦタグを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは従来技術の短所を解消すべく鋭意検討した結果、誘電体層として特定構造のグラフト共重合体を用い、誘電体層とアンテナ回路及び金属箔層とを接合するのに特定のガラス布基材エポキシ樹脂プリプレグからなる熱硬化性シートを用いるという解決手段に到達した。【００１１】
一態様のＲＦタグは、第１誘電体層（２０ａ）と、前記第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面にそれぞれ積層された２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）とから形成されたプリプレグ板と、前記プリプレグ板の前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）にそれぞれ積層されたアンテナ回路（１０）及び金属箔層（４０）とを備える。前記第１誘電体層（２０ａ）は、α−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体に基づく単量体単位からなる重合体（ａ）６０〜８５質量部に、単官能性芳香族ビニル単量体（ｂ１）７０〜９５質量％及び二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）５〜３０質量％を含有する芳香族ビニル単量体（ｂ）１５〜４０質量部をグラフト重合してなるグラフト共重合体で構成される。前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）の各々は、ガラス繊維基材にエポキシ樹脂を含浸させて得られたエポキシ樹脂含浸ガラス繊維基材である。前記アンテナ回路（１０）は、第１導電体層（１２ａ）と、前記第１導電体層（１２ａ）に実装されて情報の読み取り及び書き込みが可能な記憶媒体（１１）とを含む。前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）は、前記第１誘電体層（２０ａ）の前記２つの主面に熱圧着によりそれぞれ接合されている。前記アンテナ回路（１０）及び前記金属箔層（４０）は、前記プリプレグ板の前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）に熱圧着によりそれぞれ接合されている。【００１２】
この構成によれば、第１誘電体層（２０ａ）は、特定のグラフト共重合体で構成されており、このグラフト共重合体は、実質的に炭化水素基団で形成され、極性基団を有していないため、低誘電率及び低誘電損失を示し高周波特性に優れている。さらに、このグラフト共重合体は、芳香族ビニル単量体（ｂ）に基づく単量体単位がマトリックスとしての重合体（ａ）に対してドメインを形成した構造を備えるため、有機溶剤に対する溶解性が部分的であり、融点以上の温度でもグラフト共重合体は熱だれを起こさない。そのため、プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）の熱圧着に対応することができ、第１誘電体層（２０ａ）とプリプレグ層の間の空隙の形成が抑制され、両層の密着性は向上する。加えて、プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）は、ガラス繊維基材（Ｓ１）にエポキシ樹脂（Ｓ２）を含浸したプリプレグシートであり、例えば１４０〜１８０℃で熱圧着することにより硬化する。プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）は、第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面とアンテナ回路（１０）及び金属箔層（４０）との接合を強固にすることができ、接合後に所期の耐久性を維持することができる。【００１３】
従って、ＲＦタグは、優れた高周波伝送特性を有すると共に、使用環境の温度変化に対しても所期の伝送特性を維持することができる。
一例では、前記第１導電体層（１２ａ）と前記金属箔層（４０）とが電気的に導通している。この構成によれば、第１導電体層（１２ａ）に情報の読み取り及び書き込みが可能な記憶媒体（１１）が実装されたアンテナ回路（１０）が有するアンテナ機能を金属箔層（４０）に付与することが可能となる。これは、ＲＦタグの小型化に寄与する。【００１４】
一例では、前記第１導電体層（１２ａ）の表面のうち前記プリプレグ層（３０ｂ）とは反対側の面にこの順に積層された第２誘電体層（２０ｂ）と第２導電体層（１２ｂ）を備え、前記第１導電体層（１２ａ）と前記第２導電体層（１２ｂ）とが電気的に導通しており、前記第２誘電体層（２０ｂ）は、α−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体に基づく単量体単位からなる重合体（ａ）６０〜８５質量部に、単官能性芳香族ビニル単量体（ｂ１）７０〜９５質量％及び二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）５〜３０質量％を含有する芳香族ビニル単量体（ｂ）１５〜４０質量部をグラフト重合してなるグラフト共重合体で構成され、前記第１導電体層（１２ａ）と前記第２誘電体層（２０ｂ）と前記第２導電体層（１２ｂ）は、熱圧着によりこの順で接合されている。この構成によれば、ＲＦタグの更なる小型化を行うことができる。【００１５】
一態様のＲＦタグの製造方法は、工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を備え、前記工程（Ａ）は、前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）を第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面に熱圧着によりそれぞれ接合して、前記プリプレグ板を作製する工程であり、前記工程（Ｂ）は、前記プリプレグ板の前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）に前記アンテナ回路（１０）及び前記金属箔層（４０）を熱圧着によりそれぞれ接合する工程である。この構成によれば、層間接合強度の向上したＲＦタグを簡易な工程により効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一実施形態に従うＲＦタグの分解断面図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は図１のＲＦタグの製造工程を示す断面図。（ｄ）は、記憶媒体が座繰り部に収容されている変更例のＲＦタグの断面図。
【図３】変更例に従うＲＦタグの断面図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は電気的導通のための構成を有するＲＦタグの模式的な斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本実施形態のＲＦタグは、第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面に２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）が熱圧着によりそれぞれ接合されたプリプレグ板と、このプリプレグ板の２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）にそれぞれ熱圧着されたアンテナ回路（１０）及び金属箔層（４０）とを備える。このようなＲＦタグは、高周波帯域で高い伝送特性を有し、温度変化に対して所期の性能を維持することができる。次に、係るＲＦタグの構成要素について順に説明する。
【００１８】
［誘電体層（２０）］
この誘電体層（２０）は、α−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体に基づく単量体単位からなる重合体（ａ）に芳香族ビニル単量体（ｂ）をグラフト重合してなるグラフト共重合体で構成される。誘電体層（２０）の構成単位をなすのは、α−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体に基づく重合体（ａ）単位と、芳香族ビニル単量体（ｂ）に基づく単位であり、いずれの単位も実質的に炭化水素基団で構成されている。よって、これらの単位は高い双極子能率を持つ極性基団を有していないため、重合体としたときに低誘電率及び低誘電損失を示す。よって、誘電体層（２０）は良好な高周波特性を有する。
【００１９】
さらに、誘電体層（２０）はα−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体の単量体単位からなる重合体（ａ）に、芳香族ビニル単量体（ｂ）がグラフトされたグラフト共重合体から構成される。このグラフト共重合体の分子形態では、重合体（ａ）単位がマトリックスを形成し、芳香族ビニル単量体（ｂ）単位がドメインを形成すると考えられる。このため、誘電体層（２０）は、有機溶剤等に対して部分的な溶解性を示すだけであり、融点以上の温度でも液状で流動せず、熱だれを起こし難いという特性を有する。重合体（ａ）単位が該グラフト共重合体の主鎖構造体（幹成分）を形成し、芳香族ビニル単量体（ｂ）単位が該グラフト共重合体の側鎖構造（グラフト体、枝成分）を形成する。
【００２０】
前記α−オレフィン単量体は、具体的には一般式Ｒ−ＣＨ＝ＣＨ２（式中Ｒは炭素数１〜１６個のアルキル基を示す）で表される炭素数が３〜１８のα−オレフィンである。α−オレフィン単量体としては、例えばプロピレン、ブテン−１、ペンテン−１、ヘキセン−１、オクテン−１、デセン−１、４−メチルペンテン−１、４−メチルヘキセン−１、４，４−ジメチルペンテン−１等が挙げられる。これらのうち、プロピレン、ブテン−１、ヘキセン−１、オクテン−１及び４−メチルペンテン−１から選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００２１】
また、鎖状共役ジエン単量体は、具体的には炭素数３〜１０の鎖状共役ジエン化合物である。鎖状は直鎖または分岐鎖を意味する。鎖状共役ジエン単量体としては、例えばイソプレン、１，３−ブタジエン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。これらのうち、イソプレン及び１，３−ブタジエンが好ましく、１，３−ブタジエンが特に好ましい。
【００２２】
グラフト共重合体の主鎖構造体は、上記のα−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体に基づく単量体単位からなる重合体である。ここで、重合体とは単独重合体であっても共重合体であってもよく、ホモ／共重合体と記載することもある。主鎖構造体が共重合体である場合にはランダム共重合体又はブロック共重合体のいずれでもよい。そして、α−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体に基づく単量体単位は、異種のものが複数混合して形成されていてもよい。また、主鎖構造体中の鎖状共役ジエン単量体単位は、部分的に水素化されていてもよい。
【００２３】
上記の主鎖構造体にグラフトされる芳香族ビニル単量体は、具体的には炭素数８〜１８の芳香族ビニル化合物である。単官能性芳香族ビニル単量体（ｂ１）としては、スチレン、ｐ−メチルスチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体が挙げられる。二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）としては、ジビニルベンゼン、１，３−ジビニルナフタレン等が挙げられる。これらの単量体はそれぞれ１種又は２種以上を混合して用いることができる。
【００２４】
グラフト共重合体を形成する場合の重合体（ａ）と芳香族ビニル単量体（ｂ）の割合は、重合体（ａ）６０〜８５質量部と芳香族ビニル単量体（ｂ）１５〜４０質量部であり、好ましくは重合体（ａ）６５〜７５質量部と芳香族ビニル単量体（ｂ）１２５〜３５質量部である。芳香族ビニル単量体（ｂ）の割合が１５質量部より少ない場合には、グラフト共重合体はα−オレフィン系重合体や鎖状共役ジエン重合体の特性を強く示し、融点以上において非常に高い流動性を示すため、厚さの制御が困難となる。その一方、４０質量部より多い場合には、グラフト共重合体が非常に脆くなり、板状に形成することが困難となる。
【００２５】
さらに、芳香族系ビニル単量体（ｂ）のうち、単官能性芳香族ビニル単量体（ｂ１）と二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）の割合は、単官能性芳香族ビニル単量体（ｂ１）が７０〜９５質量％、二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）が５〜３０質量％である。二官能性芳香族ビニル単量体の割合が５質量％より少ないとその機能が十分に発現されず、３０質量％より多くなるとグラフト共重合体が非常に脆くなり、板状に形成することが難しくなる。
【００２６】
誘電体層（２０）をなすグラフト共重合体を製造する際のグラフト化方法は、過酸化物を用いた連鎖移動法、電離性放射線照射法、ポリマー開始剤法等いずれの方法によってもよいが、より好ましいのは下記に示す含浸グラフト重合法である。この含浸グラフト重合法によれば、グラフト効率が高く、熱による二次的凝集が起こらないため性能の発現がより効果的であると共に、製造方法が簡便であるという利点もある。含浸グラフト重合法を採る場合、グラフト共重合体は通常次の方法によって製造される。α−オレフィン単量体及び鎖状共役ジエン単量体から選ばれる少なくとも１種の単量体から形成される重合体１００質量部を水に懸濁させる。別に、芳香族ビニル単量体５〜４００質量部に、後述するラジカル共重合性有機過酸化物の１種又は２種以上の混合物を上記芳香族ビニル単量体１００質量部に対して０．１〜１０質量部と、１０時間の半減期を得るための分解温度が４０〜９０℃であるラジカル重合開始剤を芳香族ビニル単量体及びラジカル共重合性有機過酸化物の合計１００質量部に対して０．０１〜５質量部とを溶解させた溶液を加える。
【００２７】
次に、前記ラジカル共重合性有機過酸化物を主鎖構造体に含浸させる。その後、ラジカル重合開始剤の分解が実質的に起こらない条件にこの水性懸濁液の温度を設定し、芳香族ビニル単量体及びラジカル共重合性有機過酸化物を主鎖構造体中で共重合させて、グラフト化前駆体を得る。前記ラジカル共重合性有機過酸化物は、単分子中にラジカル共重合が可能である単量体としての特性と、有機過酸化物としての特性とを兼ね備えた化合物である。ラジカル共重合性有機過酸化物としては、好ましくはｔ−ブチルペルオキシアクリロイルオキシエチルカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシメタクリロイルオキシエチルカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシアリルカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシメタリルカーボネート等が挙げられる。これらの中でｔ−ブチルペルオキシメタクリロイロキシエチルカーボネートが最も好ましい。
【００２８】
次いで、含浸後の主鎖構造体を１００〜３００℃で溶融混練することにより、目的とするグラフト共重合体を得ることができる。溶融混練の方法としては、加熱機能と混練機能とを兼ね備えたバンバリーミキサー、一軸又は二軸スクリュー押出機等を使用する方法が挙げられる。中でも、スクリュー押出機を用いて、メインホッパーよりグラフト化前駆体を供給して溶融混練した後、ダイスより吐出される棒状成形物をペレタイザーに通し、造粒物（ペレット）として得る方法が簡便かつ安価であり好ましい。
【００２９】
また、得られたグラフト共重合体には、本発明の目的を損なわない範囲において、滑剤、可塑剤、結晶核剤、紫外線防止剤、着色剤、難燃剤、酸化防止剤、重金属不活性化剤等の通常の添加剤を添加することができる。グラフト共重合体と添加剤との混練方法は特に制限されないが、加熱機能と混練機能とを兼ね備えたバンバリーミキサー、加圧ニーダー、ロール、一軸又は二軸スクリュー押出機等を使用して混練することができる。特に好ましいのは二軸スクリュー押出機であり、グラフト共重合体を得る場合に行った方法と同条件で製造可能である。
【００３０】
次に、上記の共重合により得たグラフト共重合体または当該グラフト共重合体と添加剤とのブレンドを用いて誘電体層（Ｐ）となるシート状成形物を得る方法としては、Ｔダイ法、インフレーション成形法、ロール成形法、プレス成形法又は射出成形法のいずれの方法によってもよいが、シート状成形物に反りが発生しにくい、ロール成形法又は射出成形法を採用することが好ましい。
【００３１】
［プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）］
プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）を形成するために用いられるプリプレグシートは、ガラス繊維基材（Ｓ１）に未硬化の熱硬化性樹脂としてのエポキシ樹脂（Ｓ２）を含浸させた後、半硬化状態（所謂Ｂステージ）のプリプレグシートである。
【００３２】
＜ガラス繊維基材（Ｓ１）＞
ガラス繊維基材（Ｓ１）は、プリプレグシートに使用してＲＦタグとして必要な剛性を与えるものである。高周波帯域用ＲＦタグの用途に必要な電気特性を得るため、材料種としてはガラスが用いられる。ガラスとしては、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラスのほか、二酸化珪素（ＳｉＯ２）の含有量を増加させて誘電特性を改善したＳガラス、Ｄガラス又は石英ガラスが用いられる。繊維の形態としては、コンティニュアスマット、クロス、不織布、ロービングクロス、サーフェシングマット及びチョップドストランドマット等が挙げられ、成形物の用途及び性能によって適宜選択すればよい。これらの中でもクロスが好ましい。
【００３３】
ガラス繊維基材（Ｓ１）としては、電気的特性に悪影響を及ぼさない範囲において必要に応じ、絶縁コーティング処理やシラン化合物（クロロシラン、アルコキシシラン、有機官能性シラン、シラザン）、カップリング剤（チタネート系、アルミニウム系）等による表面処理を行ったものを用いてもよい。
【００３４】
プリプレグシートにおけるガラス繊維基材（Ｓ１）の配合量は、好ましくは１０〜６０質量％であり、より好ましくは１５〜４５質量％である。この配合量が１０質量％より低い場合には、組成物の粘度が過剰に上昇して作業性が低下したり、硬化物中で粗大分離してプリプレグシートの強度が低下する。その一方、配合量が６０質量％より高い場合には、エポキシ樹脂（Ｓ２）とガラス繊維基材（Ｓ１）との接着性や、エポキシ樹脂（Ｓ２）による靱性向上の効果が十分でない上に、プリプレグシートの高周波帯域における低誘電率性及び低誘電損失性が低下する。
【００３５】
＜エポキシ樹脂（Ｓ２）＞
プリプレグシートに用いられるエポキシ樹脂（Ｓ２）としては特に制限はなく、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、アミノグリシジル型、アミノフェノール型、ノボラック型、ナフタレン型、脂肪族、脂環族等のエポキシ樹脂が用いられる。これらの中でもビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型及びビスフェノールＳ型等のビスフェノール系エポキシ樹脂は、プリプレグシートの耐熱性及び機械的強度が良好となるため特に好ましい。
【００３６】
プリプレグ種としては、一方向プリプレグ、クロスプリプレグ、ヤーンプリプレグ、マットプリプレグ、ロービングプリプレグ等が挙げられるが、好ましくはマットプリプレグ又はクロスプリプレグである。プリプレグシートの厚さは通常２０〜４００μｍ、好ましくは３０〜３００μｍ、より好ましくは４０〜２００μｍであり、１枚又は複数枚重ねたものを用いてもよい。
【００３７】
［アンテナ回路（１０）］
アンテナ回路は、導電体層（１２）に情報の読み取り及び書き込みが可能な記憶媒体（１１）が実装されたものである。導電体層（１２）と記憶媒体（１１）は任意の方法で電気的接合されている。電気的接合方法としては、はんだ接合、導電性ペースト接合等の公知の方法を採ることができる。また、記憶媒体が接合された導電体層（１２）と金属箔層（４０）の導通を行うことによって、アンテナ回路（１０）が有するアンテナとしての機能を金属箔層（４０）に付与することが可能となる。アンテナ回路（１０）の形状は特に限定されず、ストリップ状（図４ａ〜４ｅ参照）、環状、コイル状等の種々の形状でありえる。
【００３８】
［導電体層（１２）］
導電体層（１２）とは、銅、アルミニウム、鉄、ニッケル、亜鉛等の単体又は合金による金属箔を用いて形成されており、必要に応じて防錆のための表面処理が施されたものを用いることができる。これらの金属箔については電解法、圧延法等によって製造されたものを用いることができる。また、金属箔は真空蒸着法やめっき法によって形成されたものでもよい。第１導電体層（１２ａ）、第２導電体層（１２ｂ）に関しては、それぞれ異種のものを用いても良い。
【００３９】
［記憶媒体（１１）］
記憶媒体（１１）については、非接触で情報を記録し、かつ読み取るための通信回路、メモリ及び所定の制御回路を備えると共に、導電体層（１２）と電気的に接続するためのチップ電極を備えているものを用いることができる。
【００４０】
［金属箔層（４０）］
金属箔層（４０）としては、箔状又は薄板状の金属製シート、或いは金属網、エキスパンドメタルのような多孔の箔状又は薄板状の金属製メッシュを用いることができる。金属箔層（４０）の厚さは好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは５〜５０μｍである。この厚さが５μｍより薄くなると導体回路の電気抵抗が高くなり過ぎ、１００μｍより厚くなるとエッチングによって導体回路を形成する際に、サイドエッチングによって導体回路が途切れてしまう可能性が高くなる。
【００４１】
金属箔層（４０）の金属種には特に制限はなく、アルミニウム、チタン、鉄、銅、ニッケル、ニクロム、錫、鉛、マグネシウム、金、銀、白金、その他種々の金属及びこれらの合金などが使用できる。
【００４２】
［ＲＦタグの製造方法］
ＲＦタグは、工程（Ａ）及び工程（Ｂ）を実施することにより好適に得られる。
工程（Ａ）は、２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）を第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面に熱圧着によりそれぞれ接合して、プリプレグ板を作製する工程である。各プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）はプリプレグシートから採取することができる。
【００４３】
工程（Ｂ）は、工程（Ａ）を経て作成されたプリプレグ板の前記２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）にアンテナ回路（１０）及び金属箔層（４０）を熱圧着によりそれぞれ接合する工程である。
【００４４】
工程（Ａ）の熱圧着及び工程（Ｂ）の熱圧着を同時に行ってもよい。この場合、１回の熱圧着によってＲＦタグを形成してもよい。
工程（Ｂ）を行う前に、プリプレグ板において記憶媒体（１１）の配置予定位置にドリル加工によって座繰り部（１４）を設けてもよい（図２（ｂ）参照）。この場合、アンテナ回路（１０）に搭載された記憶媒体（１１）が座繰り部（１４）に収容されてＲＦタグの最表面から外方に突出しないようにすることが可能である（図２（ｄ）参照）。図示した例では、充填剤の一例としてエポキシ樹脂が座繰り部（１４）と記憶媒体（１１）の隙間を埋めている。記憶媒体（１１）と座繰り部（１４）の間に隙間ができないように座繰り部（１４）を形成して充填剤を不使用にしてもよい。
【００４５】
誘電体層（２０）はα−オレフィン単量体又は鎖状共役ジエン単量体の単量体単位からなるランダム又はブロック共重合体に、芳香族ビニル単量体がグラフトされたグラフト共重合体の分子形態をとる。そのため、芳香族ビニル単量体単位がマトリックスに対してドメインを形成し、有機溶剤等に対して部分的な溶解性を示すだけであり、融点以上の温度でも液状で流動せず、熱だれを起こさないという特性を有する。よって、プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）の使用温度範囲での熱圧着に対応することが可能である。さらに、熱圧着で均一な面圧を与えることが可能となり、層間接合強度の向上した、層間剥離しにくいＲＦタグを作製することができる。
【００４６】
工程（Ａ）により作製されたプリプレグ板は、絶縁性のプリプレグ層（３０ａ，３０ｂ）によって提供される２つの主面を有する。アンテナ回路（１０）と金属箔層（４０）は熱圧着により絶縁性のプリプレグ層（３０ａ，３０ｂ）に接合されている。この積層構造により、ＲＦタグの取り付け対象物が導電性物質の場合においても、通信距離の低下を防ぐことが可能となる。
【００４７】
ＲＦタグの基本的な構成を説明する。図１のＲＦタグは、前記グラフト共重合体よりなる第１誘電体層（２０ａ）、この第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面にそれぞれ積層される２つのプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）、一方のプリプレグ層に積層されるアンテナ回路（１０）、他方のプリプレグ層に積層される導体としての金属箔層（４０）とから構成される。各プリプレグ層は例えばガラスエポキシ樹脂から形成することができる。アンテナ回路（１０）は、第１導電体層（１２ａ）と、第１導電体層（１２ａ）の内面側にはんだ（１３）により接合される記憶媒体（１１）とを備える。
【００４８】
ＲＦタグの製造方法を説明する。図２（ａ）に示すように、第１誘電体層（２０ａ）の２つの主面にプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）を熱圧着によりそれぞれ接合する。第１誘電体層（２０ａ）とプリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）とからなる積層体をプリプレグ板と呼ぶことがある。
【００４９】
一方、図２（ｂ）に示すように、第１導電体層（１２ａ）の内面側に載せられたはんだ（１３）を介して記憶媒体（１１）を第１導電体層（１２ａ）に搭載する。第１導電体層（１２ａ）及び記憶媒体（１１）はアンテナ回路（１０）を構成する。
【００５０】
プリプレグ板とアンテナ回路（１０）を用意した後、記憶媒体（１１）が内側になるように、すなわち記憶媒体（１１）がプリプレグ板の一方のプリプレグ層に対面するようにアンテナ回路（１０）を配置する。同時に、プリプレグ板の他方のプリプレグ層に金属箔層（４０）を重ねる。その状態で熱圧着することにより、アンテナ回路（１０）及び金属箔層（４０）がプリプレグ板に接合されて、図２（ｃ）に示すＲＦタグが得られる。この際、熱圧着によって記憶媒体（１１）はプリプレグ層（３０ｂ）及び第１誘電体層（２０ａ）に圧入され、埋設される。
【００５１】
次に変更例に従うＲＦタグを具体的に説明する。変更例に従うＲＦタグでは、第１導電体層（１２ａ）と金属箔層（４０）とが電気的に導通されている。導通は導電性物質を用いた接続やビアや端面電極等の任意の方法で行うことが可能である。（図４ａ〜４ｅ参照）
［ビア（５０）］
導電体層間の電気的な導通は、ビアによって実施することができる。ビアは、例えば、誘電体層を厚さ方向に延びる貫通ビア及びブラインドビアを含む。ビアは、例えば、レーザー加工やドリル加工等の方法にてビアホールを形成し、そのビアホールの内面にめっき層を形成したり、ビアホールに導体プラグを充填することによって作製することができる。ビアの数及び位置に特に制限は無く、任意の数で任意の位置に配置することが可能である。
【００５２】
［端面電極（６０）］
導体層間の電気的な導通は、端面電極（６０）によって実施することができる。端面電極は、誘電体層の厚さ方向に横切るように当該誘電体層の外面（側面あるいは端面）に配置される。一例では、端面電極（６０）は、導電性ペーストや金属めっきをＲＦタグの端面に施すことによって形成することができる。別の例では、端面電極（６０）は、大括弧（square bracket）“］”字型の金属かしめや、アルミやカーボンにて作製された導電性テープ等の電導体により構成することもできる。端面電極（６０）の数、位置に特に制限は無く、任意の数で任意の位置に配置することが可能である。
【００５３】
上記のビア（５０）と端面電極（６０）を併用してもよい。
次に本発明の別の変更例に従うＲＦタグを説明する。図３に示すように、ＲＦタグは、実施形態のＲＦタグの第１導電体層（１２ａ）の表面のうちプリプレグ層（３０ｂ）とは反対側の面に、この順に積層された第２誘電体層（２０ｂ）と第２導電体層（１２ｂ）とを備え、第１導電体層（１２ａ）と第２導電体層（１２ｂ）とが電気的に導通している。導通は導電性物質を用いた接続やビアや端面電極等の任意の方法で行うことが可能である。ビアと端面電極については、上記の説明を参照されたい。図３の例では、第１誘電体層（２０ａ）と第２誘電体層（２０ｂ）を接続する貫通ビアが形成されている。第１導電体層（１２ａ）と第２導電体層（１２ｂ）とを接続するビア、第１導電体層（１２ａ）と金属箔層（４０）とを接続するビア、及びこれらビアの組合せであってもよい。第２誘電体層（２０ｂ）と第１導電体層（１２ａ）との接合、及び、第２誘電体層（２０ｂ）と第２導電体層（１２ｂ）との接合は、熱圧着により同時にまたは別々に行うことができる。例えば、第２誘電体層（２０ｂ）と第２導電体層（１２ｂ）を予め熱圧着により接合しておき、その後に、アンテナ回路（１０）を覆うように第２誘電体層（２０ｂ）を配置して、第２誘電体層（２０ｂ）と第１導電体層（１２ａ）とを熱圧着により接合してもよい。あるいは、アンテナ回路（１０）を覆うように第２誘電体層（２０ｂ）と第２導電体層（１２ｂ）とを重ねて配置し、この状態で熱圧着により接合してもよい。アンテナ回路（１０）の第１導電体層（１２ａ）がプリプレグ（３０ｂ）の全面ではなく一部分にのみ重ねられている場合、第２誘電体層（２０ｂ）は、プリプレグ（３０ｂ）の主面のうち、第１導電体層（１２ａ）と重なっていない箇所に部分的に接合されてもよい。熱圧着については、上記した工程Ａ，Ｂの説明を参照されたい。
【００５４】
必要に応じて、図１の第１導電体層（１２ａ）または図３の第２導電体層（１２ｂ）を被覆する保護層を設けてもよい。
【実施例】
【００５５】
以下に、合成例、実施例及び比較例を挙げて実施形態をさらに具体的に説明する。まず、各例に用いたＲＦタグの評価方法を示す。
＜耐環境性の評価＞
耐環境性の判定は、耐ヒートサイクル性試験及び耐高温高湿性によって行った。評価用試料の形態を以下に示す。【００５６】
ＲＦタグ：縦９０ｍｍ  横５０ｍｍ及び厚さ４ｍｍ
アンテナ回路（１０）：縦９０ｍｍ及び横４０ｍｍ
金属箔（Ｍ）：縦９０ｍｍ及び横５５ｍｍ
＜耐ヒートサイクル性＞
ＲＦタグ供試体を耐ヒートサイクル性評価装置に投入することにより、耐ヒートサイクル性の判定を行った。評価指標としては、ＲＦタグの目視確認による層間剥離が観測された時点でのサイクル数、及び５００サイクルに到達した時点でのアンテナ回路間抵抗値とＧＮＤパターン間抵抗値の初期値からの変化率を用いた。【００５７】
試験条件：温度−２０℃／＋６０℃、各３０分
＜耐高温高湿性＞
ＲＦタグ供試体を恒温恒湿槽に投入することにより耐高温高湿性の判定を行った。評価指標としては、ＲＦタグの目視確認による層間剥離が観測された時点でのサイクル数及び５００時間に到達した時点でのアンテナ回路間抵抗値とＧＮＤパターン間抵抗値の初期値からの変化率を用いた。【００５８】
試験条件：温度８０℃、相対湿度８５％
上記の両試験において、アンテナ回路間及びＧＮＤパターン間の導通確認方法は、アンテナ回路（１０）の記憶媒体（１１）が電気的に接続されている部分に、０．５Ａの電流を流した場合における導体抵抗率を測定し、初期値からの変化率により評価を行った。また、耐ヒートサイクル性評価装置への投入後５００サイクル未満、又は恒温恒湿槽への投入後５００時間未満にて層間剥離が生じたＲＦタグや、製造工程中や製造直後に層間剥離が見られた場合等、ＲＦタグが作製できなかったものについては各パターン間抵抗値変化率の評価は測定不能とした。【００５９】
次に、実施例に用いた高分子材料の製造方法を合成例として示す。
（合成例１、グラフト共重合体の製造）
内容積２０リットルのステンレス鋼製オートクレーブに、純水８５００ｇを入れ、さらに懸濁剤としてポリビニルアルコール１質量％水溶液７５０ｇを溶解させた。この中に下記に示すポリプロピレン３５００ｇを入れ、攪拌、分散させた。それとは別に、ラジカル重合開始剤としてベンゾイルペルオキシド１０．０ｇ、ラジカル共重合性有機過酸化物としてｔ−ブチルペルオキシメタクリロイロキシエチルカーボネート３７．５ｇを、単官能性芳香族ビニル単量体であるスチレン１０８０ｇと二官能性芳香族ビニル単量体であるジビニルベンゼン３００ｇ中に溶解させ、この溶液を前記オートクレーブ中に投入し、攪拌した。【００６０】
次いで、オートクレーブの温度を８５〜９５℃に昇温し、２時間攪拌することにより、ベンゾイルペルオキシド及びｔ−ブチルペルオキシメタクリロイロキシエチルカーボネートを含むジビニルベンゼン及びスチレンをポリプロピレン中に含浸させた。続いて、温度を７５〜８５℃に下げ、その温度で５時間維持して重合を完結させ、濾過後、水洗及び乾燥してグラフト化前駆体を得た。【００６１】
次に、このグラフト化前駆体をラボプラストミル一軸押出機〔（株）東洋精機製作所製〕で２１０℃にて押し出し、グラフト化反応させることによりグラフト樹脂を得た。さらに、このグラフト樹脂に酸化防止剤として１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、ネオペンタンテトライルビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイトをそれぞれ１０ｇずつドライブレンドした後、シリンダー温度２１０℃に設定されたスクリュー径３０ｍｍの同軸方向二軸スクリュー押出機〔ＴＥＸ−３０α、（株）日本製鋼所製〕に供給し、押出後造粒してグラフト共重合体を得た。【００６２】
ポリプロピレン：〔商品名「サンアロマーＰＭ６７１Ａ」、サンアロマー（株）製〕
ベンゾイルペルオキシド：〔商品名「ナイパーＢＷ」、日油（株）製、純度７５％含水品〕
ｔ−ブチルペルオキシメタクリロイロキシエチルカーボネート：〔日油（株）製、４０％トルエン溶液〕
１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン：〔商品名「Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０」、チバ・スペシャルティケミカルズ（株）製〕
ネオペンタンテトライルビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイト：〔商品名「アデカスタブＰＥＰ−３６」、（株）ＡＤＥＫＡ製〕
（合成例２〜１４、グラフト共重合体の製造）
合成例１に示した方法と同様の方法を用いて、様々な主鎖構造体に芳香族ビニル単量体をグラフト重合させて合成例２〜１４のグラフト共重合体を得た。表１にそれらの構成を示す。【００６３】
【表１】
2010038772.tif 000003
表１中の略号を以下に示す。【００６４】
ＰＰ：ポリプロピレン〔商品名「サンアロマーＰＭ６７１Ａ」、サンアロマー（株）製、ＭＦＲ：７ｇ／（１０ｍｉｎ）〕
Ｓｔ：スチレン
ＤＶＢ：ジビニルベンゼン
ＴＰＸ：ポリ（４−メチルペンテン−１）〔商品名「ＴＰＸ  ＲＴ１８」、三井化学（株）製、ＭＦＲ：２６ｇ／（１０ｍｉｎ）〕
ＴＯＰＡＳ６０１３：エチレン−ノルボルネン共重合体〔商品名「ＴＯＰＡＳ  ６０１３」、ポリプラスチックス（株）製、ＭＦＲ：１４ｇ／（１０ｍｉｎ）〕
ＴＯＰＡＳ６０１５：エチレン−ノルボルネン共重合体〔商品名「ＴＯＰＡＳ  ６０１５」、ポリプラスチックス（株）製、ＭＦＲ：４ｇ／（１０ｍｉｎ）〕
ＰＰＥ：ポリフェニレンエーテル〔商品名「ユピエース」、三菱ガス化学（株）製〕
次に、実施例及び比較例に用いたプリプレグ（Ｓ１〜Ｓ６）の構成を表２に示す。【００６５】
【表２】
2010038772.tif 000004
（実施例１）
合成例１で得られたグラフト共重合体を射出成型機（田端機械工業（株）製）を用いて板状に成形し誘電体層（縦９０ｍｍ  横５０ｍｍ及び厚さ４ｍｍ）を作製した。【００６６】
続いて、プリプレグ層を形成するガラスエポキシプリプレグシート（パナソニック電工（製）、Ｒ−１６６１、縦９０ｍｍ  横５０ｍｍ及び厚さ１００μｍ）を、この誘電体層の両面に配し、１５０℃の条件で真空プレス機（北川精機（株）製）を用いて熱圧着を行いプリプレグ板を作製した。【００６７】
続いて、圧延銅箔（福田金属箔粉工業（株）製、縦９０ｍｍ  横４０ｍｍ及び厚さ１８μｍ）にＩＣチップ（記憶媒体）を実装してアンテナ回路を作製した。
続いて、アンテナ回路に搭載されたＩＣチップがＲＦタグ表面に突出しないように、プリプレグ板の片面に、ドリル穴明機（日立ビアエンジニアリング（株）製）を用いて座繰り部（直径５ｍｍ  深さ１ｍｍ）を設けた。【００６８】
続いて、プリプレグ板に施された座繰り部にスクリーン印刷機（マイクロ・テック（株）製）を用いてＩＣチップ封止用エポキシ樹脂（サンユレック（株）製）を充填した。
続いて、アンテナ回路に搭載されたＩＣチップがプリプレグ板の座繰り部に収容されるように、アンテナ回路をプリプレグ板の片面に配し、プリプレグ板のもう一方の面に、金属箔層を形成するための圧延銅箔（福田金属箔粉工業（株）製、縦９０ｍｍ  横５０ｍｍ及び厚さ１８μｍ）を配し、この状態で再び１５０℃の条件で真空プレス機を用いて熱圧着を行い、ＲＦタグを得た。【００６９】
（実施例２〜９）
表１に示した種々の誘電体層と、表２に示した種々のプリプレグ層を用いて、実施例１と同じ方法を実施することによって、実施例２〜９のＲＦタグを得た。そして、実施例１〜９のＲＦタグについて、ヒートサイクル試験及び高温高湿試験を行い、それらの結果を表３に示した。【００７０】
（実施例１０）
上方金型及び下方金型を備えた射出成形機（田端機械工業（株）製）を使用し、実施例１に示した、誘電体層を形成するグラフト共重合体、プリプレグ層を形成するプリプレグシート及び、アンテナ回路及び金属箔層を用いたＲＦタグの製造を次の手順で行った。まず、真空引きを行うために設けられた下方金型の穴部の上に置かれた金属箔の上にプリプレグシートを載置し、溶融されたグラフト共重合体を射出成形機を用いて射出注入して、金属箔層・プリプレグ層・誘電体層がこの順に積層された積層体を形成した後、この積層体にプリプレグ層を介してアンテナ回路を接着剤で貼り付けた。【００７１】
（実施例１１）
実施例１にて得られたＲＦタグのアンテナ回路と金属箔層との電気的接続を行うためのビア（５０）を形成して、実施例１１のＲＦタグを作製した（図４ａ参照）。ビア（５０）は、アンテナ回路及び金属箔層が貫通されるようにドリル穴明機（日立ビアエンジニアリング（株）製）を用いてビアホール（直径１ｍｍ）を穿ち、その後、ビアホールの内面に銅めっき層を形成して形成した。図４ａ〜ｅには、簡略化のため、記憶媒体（１１）とはんだ（１３）は示されていない。【００７２】
（実施例１２）
合成例１で得られたグラフト共重合体から、縦９０ｍｍ、横５０ｍｍ及び厚さ０．５ｍｍに成型したフィルムを用意した。このグラフト共重合体のフィルムの両面に対し、ＵＶ−Ｏ３処理装置（セン・エンジニアリング（株）製）を用いて表面改質を行った。この表面改質済みのこのグラフト共重合体のフィルムと、導電体層を形成する厚さ１８μｍの圧延銅箔（福田金属箔粉工業（株）製）とをこの順で、実施例１１にて得られたＲＦタグのアンテナ回路の表面のうちプリプレグ層とは反対側の面に積層し、２００℃の条件で真空プレス機（北川精機（株）製）を用いて熱圧着を行った。その後、導電体層とアンテナ回路とを実施例１１と同様の方法にてビア（５０）を作製して導電体層とアンテナ回路の導通を行い、ＲＦタグを得た（図４ｂ参照）。【００７３】
（実施例１３）
実施例１にて得られたＲＦタグのアンテナ回路と金属箔層に跨るように印刷用銀ペースト（藤倉化成（株）製）をスクリーン印刷機（マイクロ・テック（株）製）を用いてスクリーン印刷した後、これを硬化して端面電極（６０）を形成してアンテナ回路と金属箔層の導通を行い、ＲＦタグを得た（図４ｃ参照）。【００７４】
（実施例１４）
実施例１にて得られたＲＦタグのアンテナ回路と金属箔層に跨るように金属製］の字型かしめを嵌め込み、端面電極（６０）を形成してアンテナ回路と金属箔層の導通を行い、ＲＦタグを得た（図４ｄ参照）。【００７５】
（実施例１５）
実施例１にて得られたＲＦタグのアンテナ回路と金属箔層に跨るように導電性アルミ粘着テープ（（株）寺岡製作所製）を貼り付け、端面電極（６０）を形成してアンテナ回路と金属箔層の導通を行い、ＲＦタグを得た（図４ｅ参照）。【００７６】
【表３】
2010038772.tif 000005
表３に示した結果より、実施例１〜９、１１〜１５によるＲＦタグは５００サイクル以上層間剥離を生じないという良好な耐ヒートサイクル性を示した。同時に、ヒートサイクル試験におけるアンテナ回路間抵抗値変化率、ＧＮＤパターン間抵抗値変化率及び、恒温恒湿試験におけるアンテナ回路間抵抗値変化率、ＧＮＤパターン間抵抗値変化率は全て５％以下と小さく、信頼性が高いＲＦタグを得ることができた。また、実施例１０では、射出成形により積層体を成形し、その積層体にプリプレグシートを介してアンテナ回路を接着剤で接着した結果、耐ヒートサイクル性は若干低下し（３００サイクル）、実施例１〜９、１１〜１５に比較して劣るが、その他は実施例１〜９と同等であった。【００７７】
（比較例１〜９）
表１に示した種々の誘電体層と表２に示した種々のプリプレグ層を用いて実施例１と同様の方法を行うことによって、様々なＲＦタグを得た。得られた比較例１〜９のＲＦタグについて、ヒートサイクル試験及び恒温恒湿試験を行い、それらの結果を表４に示した。【００７８】
（比較例１０）
表１に示した種々の誘電体層と表２に示した種々のプリプレグ層を用いて実施例１１と同様の方法を行うことによって、ＲＦタグを得た。得られた比較例１０のＲＦタグについて、ヒートサイクル試験及び恒温恒湿試験を行い、それらの結果を表４に示した。【００７９】
（比較例１１）
表１に示した種々の誘電体層と表２に示した種々のプリプレグ層を用いて実施例１１と同様の方法を行うことによって、様々なＲＦタグを得た。得られた比較例１１のＲＦタグについて、ヒートサイクル試験及び恒温恒湿試験を行い、それらの結果を表４に示した。【００８０】
（比較例１２）
表１に示した種々の誘電体層と表２に示した種々のプリプレグ層を用いて実施例１２と同様の方法を行うことによって、様々なＲＦタグを得た。得られた比較例１２のＲＦタグについて、ヒートサイクル試験及び恒温恒湿試験を行い、それらの結果を表４に示した。【００８１】
【表４】
2010038772.tif 000006
比較例１、１１、１２では、グラフト共重合体を形成する芳香族ビニル単量体（ｂ）の割合が少なく、結果としてグラフト共重合体の流動性が高くなり、熱圧着を行う際に流動するため誘電体層（Ｐ）を形成することができなかった。その一方、比較例２ではグラフト共重合体を形成する芳香族ビニル単量体（ｂ）の割合が多く、結果としてグラフト共重合体が非常に脆くなり、第１誘電体層（２０ａ）及び第２誘電体層（２０ｂ）を形成することができなかった。【００８２】
比較例３では、グラフト共重合体のドメインを形成する二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）の割合が少ないため、グラフト共重合体の流動性が高くなって厚さの制御が困難となり、第１誘電体層（２０ａ）の形成が困難であった。一方、比較例４ではグラフト共重合体のドメインを形成する二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）の割合が多いため、ヒートサイクル試験及び恒温恒湿試験におけるアンテナ回路間抵抗値変化率及びＧＮＤパターン間抵抗値変化率が極めて高くなる結果を示した。【００８３】
比較例５では、グラフト共重合体を形成する芳香族ビニル単量体（ｂ）の割合が多く、かつグラフト共重合体のドメインを形成する二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）の割合が多いことから、グラフト共重合体が脆くなり板状にすることができなかった。一方、比較例６では、グラフト共重合体を形成する芳香族ビニル単量体（ｂ）の割合が少なく、かつグラフト共重合体のドメインを形成する二官能性芳香族ビニル単量体（ｂ２）の割合が少ないことから、グラフト共重合体が非常に高い流動性を示し、一定厚さの第１誘電体層（２０ａ）を得ることができなかった。【００８４】
比較例７では、グラフト共重合体を形成するマトリックス樹脂としてポリフェニレンエーテルを使用したことから、グラフト共重合体を合成することができなかった。
比較例８では、プリプレグ層（３０ａ、３０ｂ）の強化繊維にセルロース繊維を用いたため、ヒートサイクル試験及び恒温恒湿試験において、温度変化と湿度の影響を受けやすくなり、満足できる耐ヒートサイクル性を得ることができなかった。比較例９では、プリプレグ（３０ａ、３０ｂ）を形成する樹脂にフェノール樹脂を用いたため、第１誘電体層（２０ａ）との十分な密着性を得ることができず、熱圧着を行った後すぐに層間剥離が生じ、ＲＦタグを形成することができなかった。
【符号の説明】
【００８５】
２０ａ、２０ｂ…誘電体層、３０ａ、３０ｂ…プリプレグ層、１０…アンテナ回路、１１…記憶媒体、１２ａ、１２ｂ…導電体層、４０…金属箔層
【図１】
2010038772.tif 000007
【図２】
2010038772.tif 000008
【図３】
2010038772.tif 000009
【図４】
2010038772.tif 000010
【国際調査報告】
2010038772.tif 000011
2010038772.tif 000012
2010038772.tif 000013
2010038772.tif 000014