【事件の表示】
　特許第３０９９９１５号「半導体装置とこれを用いた液晶表示装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０９９９１５号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０９９９１５号の請求項１ないし３に係る発明は、平成３年１２月２７日に特許出願されたものであって、平成１２年８月１８日にその特許の設定の登録がなされ、その後、佐藤勝明により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年８月２１日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　ａ．特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「基板の一主面上にＡｌを主成分とする第１の導電体層が選択的に形成され、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により酸化膜が形成され、絶縁薄膜層を介してシリコンを主成分とする第１の非単結晶半導体層が前記第１の導電体層と一部重なるように選択的に形成され、第２の導電体層がリンを含むシリコンを主成分とする第２の非単結晶半導体層を介して前記第１の非単結晶半導体層と一部重なるように形成された半導体装置であって、前記第１の導電体層が陽極酸化可能な高融点金属であるＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖのいずれか１種類あるいは複数種類を不純物として０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下含み、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜であることを特徴とする半導体装置。」と訂正する。
　ｂ．特許明細書の段落【０００８】を
「【課題を解決するための手段】
　本発明は、行配線あるいはゲート電極を、陽極酸化可能な高融点金属であるＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖのいずれか１種類あるいは複数種類を不純物として０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下含むＡｌを用いて形成し、そのＡｌの層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜である。」と訂正する。
　ｃ．特許明細書の段落【００２１】を
「以上本発明の実施例ではゲート電極としてＴａを不純物として含むＡｌを用いることを中心に説明したが、不純物としてＭｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖのいずれか１種類あるいは複数種類を含むＡｌを用いてゲート電極を形成しても、ヒロックの防止、低リーク電流の陽極酸化膜を形成できるという同様の効果を有する。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許明細書の請求項１に記載された複数の高融点金属の１つである「Ｔｉ」を削除し、かつ「酸化膜」を特許明細書の【００１３】の記載に基づいて「第１の導電体層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜である」と、さらに具体的に限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項を含むものではなく、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｂ、ｃは、訂正事項ａの特許請求の範囲の訂正に伴い、それとの整合を図るため、発明の詳細な説明の記載を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項を含むものではなく、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）訂正の適否のむすび
　したがって、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立に対する判断
（１）申立の理由の概要
　特許異議申立人は、甲第１号証；特願平３−８７２４８号（特開平４−２９９８６５号公報）を提出し、本件の請求項１〜３に係る発明は甲第１号証に記載された発明と同一であり、又、甲第２号証；特開平２−８５８２６号公報、甲第３号証；特開昭５９−１９３０６２号公報、甲第４号証；特開昭６１−８９７１号公報及び参考資料１；特開平１−２７２７４０号公報を提出し、本件の請求項１〜３に係る発明は甲第２号証と同一であるか、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明の特許は、特許法第２９条の２、特許法第２９条第１項第３号または第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
　
（２）本件発明
　本件の請求項１〜３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりの次のものである。
「【請求項１】基板の一主面上にＡｌを主成分とする第１の導電体層が選択的に形成され、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により酸化膜が形成され、絶縁薄膜層を介してシリコンを主成分とする第１の非単結晶半導体層が前記第１の導電体層と一部重なるように選択的に形成され、第２の導電体層がリンを含むシリコンを主成分とする第２の非単結晶半導体層を介して前記第１の非単結晶半導体層と一部重なるように形成された半導体装置であって、前記第１の導電体層が陽極酸化可能な高融点金属であるＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖのいずれか１種類あるいは複数種類を不純物として０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下含み、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記第２の絶縁薄膜層が前記シリコンを主成分とする前記第１の非単結晶半導体層と一部重なるように選択的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】請求項１〜２のいずれか記載の半導体装置を用いたことを特徴とする液晶表示装置。」
　
（３）甲各号証記載の発明
　甲第１号証；本件出願の日前の他の特許出願（特願平３−８７２４８号）であって本件特許出願後に出願公開されたもの（特開平４−２９９８６５号公報）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、液晶表示素子の薄膜トランジスタに関し下記の記載が認められる。
「【００２６】
　この実施例の薄膜トランジスタは、逆スタガー型のもので、ガラス基板１１上に形成されたゲート電極１２と、このゲート電極１２の上には形成されたＳi Ｎからなるゲート絶縁膜１３と、このゲート絶縁膜１３の上に上記ゲート電極１２に対向させて形成されたａ−Ｓi からなるｉ型半導体層１４と、このｉ型半導体層１４の両側部の上に、ｎ型不純物をドープしたａ−Ｓi からなるｎ型半導体層１５を介して形成されたソース電極１６およびドレイン電極１７とからなっている。なお、１８はｉ型半導体層１４のチャンネル領域の上に設けられたＳi Ｎからなるブロッキング絶縁膜である。
【００２７】
　上記ゲート電極１２は、Ａl にＴi を含有させたＴi 含有Ａl で形成されており、このゲート電極１２の表面層は、この領域を陽極酸化した陽極酸化層１２ａとされている。」
「【００４７】
　上記Ｔi 含有Ａl 膜は、そのＴi 含有量が多いほど熱処理後の表面状態がよいが、Ｔi 含有量を多くすることは、Ｔi 含有Ａl 膜の価格および抵抗値の増大につながるから、ゲート電極１２は、できるだけＴi 含有量の少ない（ただし４．２ｗｔ％以上）Ｔi 含有Ａl で形成するのが望ましい。」
　上記によれば、先願明細書には、
「ガラス基板上に形成された、４．２ｗｔ％以上のＴi を含有するＡl で形成されたゲート電極と、この表面層を陽極酸化した陽極酸化層と、前記ゲート電極上に形成されたＳi Ｎからなるゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の上に上記ゲート電極に対向させて形成されたａ−Ｓi からなるｉ型半導体層と、このｉ型半導体層の両側部の上に、ｎ型不純物をドープしたａ−Ｓi からなるｎ型半導体層を介して形成されたソース電極およびドレイン電極とからなる薄膜トランジスタを有する液晶表示素子。」の発明が記載されている。
　
　甲第２号証；特開平２−８５８２６号公報には、
「第１図（ａ）は本実施例による薄膜トランジスタアレイ基板の断面を示し、・・・１は絶縁性基板、２はＡｌ、３はＡｌの陽極化成膜（Ａｌ２Ｏ３）、４は窒化シリコン（１）、５は水素化非晶質シリコン膜、６は窒化シリコン膜（２）、７はリンドープ水素化非晶質シリコン膜、８はＣｒ膜、９はＡｌ膜、１０は透明電極・・・を示す。絶縁基板１上にＡｌを１７００Å抵抗加熱蒸着もしくはスパッタ蒸着により形成し、パターン化して、ゲート配線バスライン、ゲート電極及びゲート配線２を形成する。」（５頁左下欄５〜右下欄１行）、
「ここではゲート配線としてＡｌを用いた場合の例で示したが、Ａｌの代わりにＳｉを１〜３％含んだＡｌ−ＳｉさらにはＰｄを微量含んだＳｉ−Ｐｄでも全く同様に使用できる。」（６頁右上欄２０行〜左下欄３行）、
「Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｐｄを用いればさらにヒロックのない平坦なゲート電極・配線、付加容量電極が得られ、より歩留の良いパネルが製作できる。」（３頁左下欄２〜５行）、
「陽極酸化はウエットプロセスであるため、・・・欠陥のない酸化膜を得やすい特徴があるが、酸化膜の構造やリーク特性に対しては化成液に大きく左右される。このため化成液の選択が重要である。」（４頁左上欄１７行〜右上欄１行）、
「本発明は以上に説明したようにゲート電極・配線にＡｌもしくはＳｉやＰｄを含むＡｌを単独又は複合膜として用いるため、配線抵抗を低くした上、これらを陽極酸化することによって得られるＡｌ２Ｏ３でコートすると同時にこれをゲート絶縁膜・容量部の誘電体として利用するため、簡単なプロセスで短絡による不良のない、高性能のパネルが得られた。」（７頁右下欄１６〜８頁左上欄３行）と記載されている。
　
　甲第３号証；特開昭５９−１９３０６２号公報には、
「多結晶シリコン薄膜トランジスタは、完成後にＨ２雰囲気中あるいはＨ２を含んだＮ２雰囲気中でアニール処理を行うと動作特性が改善されるが、アニール温度が高いとソース電極４，ドレイン電極５を形成するＡｌが多結晶シリコンの結晶粒界に拡散し、オフ抵抗が低下する。」（２頁左下欄７〜１３行）、
「したがって本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ソース電極、ドレイン電極を形成するＡｌの多結晶シリコンの結晶粒界への拡散を抑制して動作特性が良好でかつ一定の多結晶シリコン薄膜トランジスタを提供することにある。」（２頁右下欄１〜６行）、
「なお、前述した実施例では、ソース電極、ドレイン電極に遷移金属としてＡｌ−２５％Ｎｉ合金を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、Ｎｉの代わりに他の遷移金属として例えばＣｏ，Ｐｔ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｔｉなどを用いても良い。」（３頁右上欄１１〜１６行）と記載されている。
　
　甲第４号証；特開昭６１−８９７１号公報には、
「半導体基板上に絶縁膜を介して設けた配線層が重量比で０．５〜５％のチタンを含むアルミニウム又はアルミニウム−シリコン合金からなることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）、
「Ａｌ又はＡｌ−Ｓｉ合金を多層配線に使うと、熱処理工程でヒロック成長がおこり、１層目の配線層と２層目の配線層とがヒロックを介して導通するという問題点もあった。」（１頁右下欄８〜１１行）と記載されている。
　　                                       
（４）当審の判断                  
　［特許法第２９条の２違反について］
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と上記先願明細書記載の発明とを対比すると、先願明細書記載の発明の「ガラス基板」、「Ｔi を含有するＡl で形成されたゲート電極」、「陽極酸化層」、「ゲート絶縁膜」、「ａ−Ｓi からなるｉ型半導体層」、「ｎ型不純物をドープしたａ−Ｓi からなるｎ型半導体層」、「ソース電極およびドレイン電極」及び「薄膜トランジスタ」は、本件発明の「基板」、「Ａｌを主成分とする第１の導電体層」、「陽極酸化により形成された酸化膜」、「絶縁薄膜層」、「シリコンを主成分とする第１の非単結晶半導体層」、「リンを含むシリコンを主成分とする第２の非単結晶半導体層」、「第２の導電体層」及び「半導体装置」にそれぞれ相当し、両者は、
「基板の一主面上にＡｌを主成分とする第１の導電体層が選択的に形成され、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により酸化膜が形成され、絶縁薄膜層を介してシリコンを主成分とする第１の非単結晶半導体層が前記第１の導電体層と一部重なるように選択的に形成され、第２の導電体層がリンを含むシリコンを主成分とする第２の非単結晶半導体層を介して前記第１の非単結晶半導体層と一部重なるように形成された半導体装置。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点：第１の導電体層を、本件発明は、陽極酸化可能な高融点金属であるＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖのいずれか１種類あるいは複数種類を不純物として０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下含み、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜であるのに対し、先願明細書に記載のものは、４．２ｗｔ％以上のＴi を含有するＡl で形成し、その陽極酸化膜のリーク電流については記載がない。
　しかも、陽極酸化膜のリーク電流を低下するのに、上記本件発明の高融点金属を用いることが周知であると認めるべき証拠もない。
　したがって、本件発明は、先願明細書に記載された発明であるとすることはできない。
　そして、本件の請求項２及び３に係る発明は、本件発明の構成を全て引用するものであるから、本件発明に対すると同様の理由で、先願明細書に記載された発明であるとすることはできない。
　
  ［特許法第２９条第１項及び第２項違反について］
　本件発明と甲第２号証〜甲第４号証記載のものを対比する。
　甲第２号証には、本件発明が前提とする半導体装置に相当するものが記載されている。しかし、甲第２号証記載のものにおいて、本件発明の第１導電体層に相当するＡｌのゲート配線に含まれる不純物はＳｉあるいはＰｄであり、酸化膜のリーク特性に関しては、化成液に大きく左右されると記載されている。ちなみに、甲第２号証のように、ＡｌにＳｉを含むものは、本件特許明細書の【０００６】および図２に、本件発明の従来技術として例示されたものである。
　そうしてみると、甲第２号証には、リーク電流を小さくするために、第１の導電体層（Ａｌ）に高融点金属であるＴａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｖのいずれか１種類あるいは複数種類を不純物として０．５ａｔ％以上１０ａｔ％以下含むこと、及びその第１の導電体層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜であること、は記載も示唆もない。
　又、甲第３号証には、ソース電極、ドレイン電極に遷移金属としてＡｌ−２５％Ｎｉ合金を用いるものにおいて、Ｎｉの代わりに他の遷移金属として例えばＣｏ，Ｐｔ，Ｗ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｅ，Ｔａ，Ｔｉなどを用いることが記載されている。しかし、甲第３号証記載のものは、ソース電極、ドレイン電極のＡｌが多結晶シリコンの結晶粒界に拡散し、オフ抵抗が低下するのを防止するためのものであり、陽極酸化膜を形成するものではなく、そのリーク電流を少なくすることについては何ら記載がない。
　さらに、甲第４号証には、半導体装置の熱処理工程でＡｌ配線にヒロック成長がおこり、１層目の配線層と２層目の配線層とがヒロックを介して導通するのを防ぐという点で一部類似の課題を有するが、重量比で０．５〜５％のチタンを含むアルミニウムが記載されているのみで、本件発明の不純物材料は記載されておらず、まして、低リーク電流の陽極酸化膜を形成することについては何ら記載がない。
　したがって、甲第２号証記載のものに甲第３及び４号証記載のものを組み合わせることは困難であり、仮に甲第４号証記載のものを組み合わせても本件発明に想到することは困難である。
　したがって、本件発明は、参考資料１を参酌しても、甲第２号証と同一であるとすることはできず、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることはできない。
　そして、本件の請求項２及び３に係る発明は、本件発明の構成を全て引用するものであるから、本件発明に対すると同様の理由で、甲第２号証と同一であるとすることはできず、甲第２号証〜甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。　
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月１０日（２００１．９．１０）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　ａ．特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を
「基板の一主面上にＡｌを主成分とする第１の導電体層が選択的に形成され、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により酸化膜が形成され、絶縁薄膜層を介してシリコンを主成分とする第１の非単結晶半導体層が前記第１の導電体層と一部重なるように選択的に形成され、第２の導電体層がリンを含むシリコンを主成分とする第２の非単結晶半導体層を介して前記第１の非単結晶半導体層と一部重なるように形成された半導体装置であって、前記第１の導電体層が陽極酸化可能な高融点金属である
Ｔａ、Ｍｏ、
含み、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜であるこ
　ｂ．特許明細書の段落【０００８】を
「【課題を解決するための手段】
　本発明は、行配線あるいはゲート電極を、陽極酸化可能な高融点金属である
Ｔａ、Ｍｏ、
形成し、そのＡｌの層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜である
　ｃ．特許明細書の段落【００２１】を
「以上本発明の実施例ではゲート電極としてＴａを不純物として含むＡｌを用いることを中心に説明したが、
不純物としてＭｏ、
（５４）【発明の名称】
半導体装置とこれを用いた液晶表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板の一主面上にＡｌを主成分とする第１の導電体層が選択的に形成され、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により酸化膜が形成され、絶縁薄膜層を介してシリコンを主成分とする第１の非単結晶半導体層が前記第１の導電体層と一部重なるように選択的に形成され、第２の導電体層がリンを含むシリコンを主成分とする第２の非単結晶半導体層を介して前記第１の非単結晶半導体層と一部重なるように形成された半導体装置であって、前記第１の導電体層が陽極酸化可能な高融点金属である
Ｔａ、Ｍｏ、
含み、前記第１の導電体層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜であること
　【請求項２】　前記第２の絶縁薄膜層が前記シリコンを主成分とする前記第１の非単結晶半導体層と一部重なるように選択的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
　【請求項３】　請求項１〜２のいずれか記載の半導体装置を用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、薄膜トランジスタ（以後ＴＦＴと呼ぶ）等の半導体装置、およびそれを利用した液晶表示装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　液晶表示装置は低消費電力、フルカラー化が容易等の特徴を有することから薄型ディスプレイの中で有望視され、近年表示画面の大型化に関する開発が活発である。
　【０００３】
　従来のＴＦＴの構造は本発明の構造と同等であり、図１に示す要部構成断面図により説明する。ガラス基板１上に例えばアルミニウム（Ａｌ）よりなるゲート電極２が形成され、ゲート電極２を被覆するように酸化アルミニウムの第１のゲート絶縁層３が形成され、非晶質シリコン半導体層５が窒化シリコンの第２のゲート絶縁膜４を介して形成され、チタン（Ｔｉ）およびＡｌよりなるソース、ドレイン電極７ａ、７ｂがリンを含む非晶質シリコン半導体層６ａ、６ｂを介して形成され、液晶に電圧を印加する透明表示電極８がドレイン電極７ｂと接続して形成されている。
　【０００４】
　次に上述の構造を持つＴＦＴの製作工程について簡単に説明する。
　【０００５】
　まず、ガラス基板１上にアルミニウムを成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングによりゲート電極２を形成する。次に前述のゲート電極２の必要部分に陽極酸化することにより酸化Ａｌの第１のゲート絶縁膜３を形成する。次にＴＦＴの主材料である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる第２のゲート絶縁膜４、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層５、およびソース、ドレイン電極ー半導体層間でオーミック接触を得るためのｎ＋−ａ−Ｓｉ層をプラズマＣＶＤ法により連続成膜し、ＴＦＴを形成するところ以外のａ−Ｓｉ層およびｎ＋−ａ−Ｓｉ層をエッチング除去する。次にｉＴＯを成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより透明表示電極８を形成する。次に、ゲート電極配線の表面を露出させてソース、ドレイン電極７ａ、７ｂを形成するソース配線との電気的接触を得るために窒化シリコンゲート絶縁膜に開孔部を設け、次にＴｉおよびＡｌの順に成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングによりソース、ドレイン電極７ａ、７ｂを形成し、ＴＦＴのチャンネル部上のｎ＋−ａ−Ｓｉ層を除去してＴＦＴが完成する。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記従来の構造では、Ａｌを成膜後、行配線およびゲート電極２を所望の形状にエッチングするためのフォトリソグラフィの工程における１３０℃程度の熱処理工程、あるいは窒化シリコンの第２のゲート絶縁膜４、ａ−Ｓｉ半導体層５の成膜時においても基板温度が３００℃に到達する工程があるため、Ａｌにヒロック（突起の成長）が発生する。このヒロックが発生した場合、陽極酸化工程の酸化Ａｌの形成で突起を十分に被覆できないことにより絶縁性が低下して、行配線と列配線間が短絡する不良が発生したり、ゲート電極配線にソース電極配線が接触する部分のＡｌ表面が荒れて接触不良が発生する確立が高い。従来、このようなＡｌのヒロックを防止するためにＡｌに２ａｔ％程度のＳｉを不純物として添加する技術があった。しかしながら、Ｓｉを不純物として含むＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌはリーク電流が大きく（図２参照）、また層間絶縁性が劣悪なため、ＴＦＴゲート絶縁膜として用いた場合、ゲート電極とソース、ドレイン電極とが短絡する不良が多発する課題があった。
　【０００７】
　本発明はかかる従来のＴＦＴの課題を考慮し、Ａｌのヒロックを防止し、ゲート絶縁膜として層間絶縁性の高い陽極酸化膜を形成できるようにして、歩留まりの高い半導体装置およびそれを利用した液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、行配線あるいはゲート電極を、陽極酸化可能な高融点金属である
Ｔａ、Ｍｏ、
形成し、そのＡｌの層の表面に陽極酸化により形成された酸化膜はそのリーク電流が純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化Ａｌのリーク電流と同等の酸化膜である。
　【０００９】
　【作用】
　本発明によれば、高融点金属を添加したことによりＡｌのヒロックが抑制されるため、陽極酸化による酸化膜の被覆性が向上し、また、添加された不純物そのものが陽極酸化により酸化物となるため、リーク電流が増加することはない。これによりゲート絶縁膜の層間絶縁性が向上し、ゲート電極とソース、ドレイン電極との短絡不良が防止できる。また、ヒロックが発生しないことによりゲート電極配線へのソース電極配線の接触不良も防止できる。
　【００１０】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
　【００１１】
　図１に本発明の一実施例の半導体装置であるＴＦＴの要部構成断面図を示す。ガラス基板１上に２ａｔ％のＴａを含むＡｌよりなるゲート電極２を形成し、ゲート電極２を被覆するように陽極酸化法により酸化アルミニウムゲート絶縁層３を形成し、その上に、非晶質シリコン半導体層５を窒化シリコンゲート絶縁膜４を介して形成し、その上に液晶に電圧を印加する透明表示電極８を形成し、最後に、それらの上にＴｉおよびＡｌよりなるソース、ドレイン電極７ａ、７ｂをリンを含む非晶質シリコン半導体層６ａ、６ｂを介して形成し、そのドレイン電極７ｂを透明表示電極８に接続したものである。
　【００１２】
　本実施例によれば２ａｔ％のＴａを含むＡｌを用いてゲート電極２を形成するため、フォトリソグラフィ工程における熱処理を経過してもヒロックの発生せず、その後の陽極酸化法を用いて形成する酸化アルミニウムゲート絶縁層３の被覆性が向上する。
　【００１３】
　また、図２に示すように、２ａｔ％のＴａを含むＡｌを陽極酸化して形成した酸化アルミニウムのリーク電流は、純度９９．９９％のＡｌを陽極酸化して形成した酸化アルミニウムのリーク電流と同等である。すなわち、２ａｔ％のＴａを含むＡｌを用いてゲート電極２を形成することにより、ゲート電極２とソース、ドレイン電極７ａ、７ｂとの短絡を防止でき、歩留りを向上できる。さらに３００℃でＳｉＮｘを形成した後でもヒロックの発生はほとんど見られず、ゲート電極配線とソース電極配線との接触部のＡｌの表面も荒れないため、良好な電気的接触が得られた。
　【００１４】
　次に本発明の他の実施例について説明する。
　【００１５】
　図３は、本実施例のＴＦＴの要部構成断面図を示す。図に示すごとく、本実施例のＴＦＴはチャンネル部を形成する非晶質シリコン半導体層上にパッシベーション用窒化シリコン膜４９を形成し、他の構成は前述の実施例と同様の構成である。
　【００１６】
　この構成を有するＴＦＴの製造方法について簡単に説明する。まず、ガラス基板４１上に２ａｔ％Ｔａを含むＡｌをスパッタ成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングによりゲート電極４２を形成する。次に前述のゲート電極４２の必要部分に陽極酸化することにより酸化アルミニウムの第１のゲート絶縁膜４３を形成する。次にＴＦＴの主材料である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなる第２のゲート絶縁膜、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層４５、およびパッシベーション用窒化シリコン膜４９をプラズマＣＶＤ法により順次連続被着する。つづいて図に示すようにパッシベーション用窒化シリコン膜４９をエッチングして島状にする。次にリンを含む非晶質シリコン半導体層（ｎ＋−ａ−Ｓｉ）４６ａ、４６ｂを全面に形成した後、ＴＦＴを形成するところ以外のａ−Ｓｉ層およびｎ＋−ａ−Ｓｉ層をエッチング除去する。次にｉＴＯを成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングにより透明表示電極４８を形成する。次にＴｉおよびＡｌの順に成膜して、フォトリソグラフィーおよびエッチングによりソース、ドレイン電極４７ａ、４７ｂを形成し、最後にパッシベーション用窒化シリコン膜４９上に残存しているｎ＋−ａ−Ｓｉ層を除去して本実施例のＴＦＴが完成する。
　【００１７】
　本実施例によれば前述の実施例と同様、ゲート電極２のヒロックを防止し、低リーク電流の陽極酸化膜を形成できるため、ゲート電極２とソース電極４７ａ間の短絡不良を発生することなく、パッシベーション膜４９をチャンネル部に形成したＴＦＴを作製できる。
　【００１８】
　図４に本発明による半導体装置を用いた液晶表示装置の略画的斜視図を示す。ガラス基板２１上にゲート電極配線２２とソース電極配線２７が交差するそれぞれの位置に、図１の要部構成断面図に示す構造を有するＴＦＴ２０がそのゲート電極２をゲート電極配線２２、ソース電極７ａをソース電極配線２７にそれぞれ接続して形成され、液晶に電圧を印加する透明表示電極２８がＴＦＴ２０のドレイン電極７ｂと接続して形成されている。液晶表示装置はこの半導体装置と対向ガラス基板３１との間に液晶を挟持して構成される。対向ガラス基板３１には、透明表示電極２８間の透過光を遮光すること、あるいはＴＦＴへの光の入射を抑制する、等を目的とするＣｒからなるブラックストライプ３２と透明対向電極３３が形成され、また、表示画像をカラー化する場合は、通常、赤、緑、青のカラーフィルタを形成する。
　【００１９】
　このような本実施例の半導体装置は前述したようにゲート電極２とソース電極７ａ間の短絡不良を防止でき、さらにゲート電極配線２２とソース電極配線２７との接続部の接触不良を防止できるため、表示不良の発生を防止できる。
　【００２０】
　なお、図３の実施例のＴＦＴも図４の液晶表示装置に用いることが出来ることも勿論である。
　【００２１】
　以上本発明の実施例ではゲート電極としてＴａを不純物として含むＡｌを用いることを中心に説明したが、
不純物としてＭｏ、
　【００２２】
　また、上述の実施例では不純物の濃度を２ａｔ％としたが、０．５ａｔ％以上添加することにより同様の効果を有する。一方、不純物濃度に比例して比抵抗が増加するため、１０ａｔ％以下が望ましい。
　【００２３】
　【発明の効果】
　以上述べたところがら明らかなように、本発明は、陽極酸化可能な高融点金属を含むＡｌを用いてゲート電極を形成することにより、ヒロックを防止でき、低リーク電流の陽極酸化膜を形成できるため、ゲート電極とソース電極との短絡不良を防止でき、またゲート電極配線とソース電極配線の接続部の接触不良を防止できるため、製造歩留りの高い半導体装置を提供できる長所を有する。
　【００２４】
　また、本発明の半導体装置を利用することによって、その歩留りを向上できるので、これを用いた液晶表示装置の製造コストを低減できる長所を有する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例における半導体装置の要部構成断面図である。
　【図２】
　各種材料を用いて陽極酸化法により形成した酸化アルミニウムの電圧に対するリーク電流を示す図である。
　【図３】
　本発明の他の実施例における半導体装置の要部構成断面図である。
　【図４】
　本発明の一実施例における液晶表示装置の斜視図である。
　【符号の説明】
　１　ガラス基板
　２　ゲート電極
　３　酸化アルミニウム絶縁層
　４　窒化シリコン絶縁層
　５　非晶質シリコン半導体層
　７ａ、７ｂ　ソース、ドレイン電極
　８　透明表示電極
　４９　パシベーション膜