【事件の表示】
　特許第３１２０１６８号「処理方法及び処理装置」の請求項１、８、９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２０１６８号の請求項１、８、９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３１２０１６８号は、平成６年５月３０日に特許出願され、平成１２年１０月２０日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人山下千代子から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１１月７日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年２月４日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人山下千代子は、甲第１号証（特開平４−１２４８１２号公報）、甲第２号証（特開平１−１６８３７８号公報）、甲第３号証（特開平４−６１９５８号公報）及び甲第４号証（特開平５−１９７１１８号公報）を提出し、以下の理由により、本件請求項１、８及び９に係る特許を取消すべき旨主張している。
　請求項１及び８に係る発明は、甲第１号証記載の発明であるから、本件請求項１及び８に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
　請求項８及び９に係る発明は、、甲第４号証記載の発明であるから、本件請求項８及び９に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項９に係る発明は、甲第１及び第４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項９に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項１に係る発明の特許は、その明細書の発明の詳細な説明の欄及び図面の記載が、不備のため、特許法第３６条に規定する要件を満たさない発明に対してされたものである。
１．２　異議申立人山下千代子が提出した甲第１〜第４号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証
　甲第１号証第２頁右下欄第３行〜第１８行には、「上記ノズル８の詳細は第２図、第３図、第４図を用いて説明する。
　上記ノズル８は樹脂例えば硬質ＰＶＣよりなり、流入口２０が２ケ所に設けられている。これらの流入口２０の先端部に…円筒状の液溜部２１と接続されており、この液溜部２１の流出口には幅例えば２ｍｍ、厚さ例えば０．１〜０．５ｍｍ好ましくは０．３ｍｍで長さ例えば１０ｍｍの細管２２列が接続され、この細管２２列は間隔例えば２ｍｍで複数…設けられている。
　また、上記細管２２は、幅例えば１６０ｍｍ、厚さ例えば０．５ｍｍ、長さ例えば５ｍｍの吐出部２３に所定の角度Ｘ例えば３０度で接続され、この吐出部２３の吐出口２４は厚さ例えば０．３ｍｍであり、上記吐出口２４側で厚さが薄くなる如くテーパー状に形成されている。」と記載されている。
　甲第１号証第３頁左上欄第３行〜第１４行には、「第５図に示すように半導体ウエハ１はチャック２に裏面を真空吸着されて水平状態に保たれている。
　バルブ１０を開、その他のバルブ１ｌ、１２を閉として現像液供給部１３を作動させると、ノズル８から帯状に現像液が流出され、上記ノズル８は図示しない移動機構により半導体ウエハ１の左端から右端へと予め定められた速度で移動され、上記半導体ウエハ１上に均一に現像液の液膜が形成され現像処理が開始され、バルブ１０を閉として現像液供給部１３を停止する。この状態を６０秒間保つと全てのフォトレジストの現像が終了する。」と記載されている。
　甲第１号証第３頁左下欄第１行〜第１１行には、「このように、液溜部２１と細管２２のコンダクタンス比を例えば１００倍以上と大きくすると、全ての細管２２列にはほぼ同一の圧力で液体が供給され、吐出部２３へ均一に液体が供給される。
　また、細管２２と吐出部２３とは所定の角度Ｘ例えば３０度で接続されているため、上記細管２２から供給された液体は吐出部２３の壁に衝突され吐出部２３内に均一に広がる。
　また、吐出部２３は吐出口２４側で厚さが薄くなるテーパー状に形成されているため、さらに吐出口２４から均一に液体が流出される。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証
　甲第２号証第２頁右下欄第２行〜第７行には、「これは、第６図（ａ）に示すようにピストン速度がスタートから停止まで一定速度で動作しても、ペースト状流体のような粘弾性を有する非ニュートン流体では、第６図（ｂ）に示すように吐出始めに流体の縮みによる応答遅れにより所定量の吐出がなされず、」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証
　甲第３号証第２頁左下欄第６行〜第８行には、「液体の被覆の連結ビードの形成後に前記相対的な動きを開始すること」と記載されている。
　甲第３号証第３頁左下欄第１行〜第５行には、「基板を予め測定された「バッチ」被覆する方法および装置に関するものであつて、液体の単位面積当りの予め測定された体積を表面へ付着し、予め定めた形および所定の被覆厚さを液体層「バッチ」が有する。」と記載されている。
　甲第３号証第４頁左下欄第２０行〜右下欄第７行には、「処理液体としてはフォトレジスト、現像液、エッチング剤、化学的剥離剤、接合剤マスク、その他、予め計量される被覆系を用いる液状化学物質を用いることができる。「予め計量された被覆」という用語は、被覆すべき基板の表面から距離ｘだけ隔てられている被覆付着器内に制御された体積流量の液体被覆を送りこむプロセスを指すものである。」と記載されている。
　甲第３号証第６頁左下欄第１１行〜第１２行には、「被覆液体付着器のリップとラミネートの間に被覆液体の連結ビード６６を形成する。」と記載されている。
　甲第３号証第７頁右上欄第５行〜第１０行には、「真空台とラミネートが右へ動くと、動的な湿らせる作用が生じ、それにより、被覆液体付着器スロットの出口開口部から出る液体が、第５図に示すように、ラミネートの表面へ一様な厚さの層として連続して付着される。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証
　甲第４号証の【００１２】段落には、「本発明
この発明によれば、上記の点の解決手段として、発明者が発見したのは図６及び図７に示すようにコーター装置１２０のチャンネル３２を構成することである。この発明によれば、そのチャンネル３２の主要流れ接触面を形成するは離間した対向した表面３５及び３６を離間した間隔で壁部分３８によってチャンネルの大部分の長さに沿って相互に連結した構成としている。ここで“大部分”とは図７に示すように、エッジ３３での開始部分からオリフィス３４までのチャンネル３２の長さの少なくとも５０％の部分が壁部分３８にて占有されていることである。壁部分３８は、充分な数が設けられており、かつ表面３５及び３６間の空間の実質的に完全に横断して延びているのが好ましく、図６に示すように幅ｗにて規則的もしくは不規則な間隔で離間している。表面３５及び３６間で実質的に完全に延設されているのが好ましく、それは、さもないと壁部分３８は流れを個々の流れに破細するのに有効ではなくなるようになるからである。好ましくは、壁部分はチャンバ３０からオリフィス３４までの方向に延びており、その方向は好ましくはオリフィス３４を形成するコーター１２０縁部と直交する。」と記載されている。
　甲第４号証の【００１３】段落には、「壁部分３８の機能は液体流を区別された個々の流れ４０に分割することにあり、これは図８に一層明確に図示されている。最も好ましくは、これらの流れ、即ち、壁部分３８は全体的には平行である。このような区別された流れにすることの理由は完全には明かになっていない。しかしながら、次のような説明が可能であろう。即ち、壁部分３８による液体の個々の流れへの細分を行なわないとすると、前進するメニスカスはオリフィスに向って勝手に不均等に前進され、その結果流出時に不均一となり、非線型の不均一な波頭がデポジットされる。しかしながら、壁部分３８を設けることによって液体が個々の流れに細分され、オリフィスのすぐそばに来るまでは連続的な波頭を形成することはない。この再形成作用を達成する合体手段については以下説明する。」と記載されている。
　甲第４号証の【００１７】段落には、「図７及び図８の合体ポケット５０は、液体の射出時に個々の液流４０（図８）をオリフィス３４内で実質的一つの連続帯流もしくは液を数珠状に連接するためものである。このポケット５０を生成するため壁部分３８はオリフィス３４のところまでは延びてはおらず、その代りに、エッジ５２のところで終端している。液体のコーティングをそれ以上は行なわない場合は、先行して被覆された液体はエッジ５２の箇所で破断され、図８に示すように個々の液流４０のそれぞれのメニスカスＭが残される。合体ポケット５０が欠如している場合は、不動状態ではコーター装置はチャンネル３２の全幅を横断するメニスカスを惹起せしめることになるから、このような挙動は重要である。このような事態が惹起されると、露出表面が大きくなることが原因で空気き進入が起こり、長いメニスカスが塊状となって落下し始め、作業ステーションに容認できない大量の液体を残留せしめ、次に処理を受ける製品にさらされる。その結果、次の製品への現像液の不均等でかつその量が過大となる。加えて、ホッパに導入される空気はポケットを形成し、このポケットは次のコーティング行程に対する障害となり、大量の不均等の液体の送出を行ない、この不均等はオリフィスに部分に設けられる合体手段によっては補償しきれない。従って、エッジ５２の箇所でのメニスカスＭの停止の促進のため、図７及び図１０に示すように、ポケット５０のところで表面３５及び３６はチャンネルのところと比較して急激な段状部をなしている。この段状部によって図１０に示すように表面３５もしくは３６に少なくとも一つのエッジ面５４が形成され、メニスカスＭをして図８のエッジ面５２の箇所で停止せしめる。もっとも好ましくは図７のようにそのようなエッジ５２は２箇所に形成される。」と記載されている。
　甲第４号証の【００１８】段落には、「一例として、図１０の“ｈ”は約0.4mm であり、表面３５とポケット５０での３６との間隔ｈ′は約0.5mm である。エッジ５４からオリフィス３４に向けて延びる方向で計測されるポケット５０の長さは好ましくは2.5mm を超えることがなく、壁部分を欠如した前記した従来技術のオリフィスの欠点であるメニスカスの不均一な分布が解消される。」と記載されている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第３１２０１６８号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書中の請求項１に記載された「対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に…処理する処理方法において、静止状態において、…する工程と、処理液供給手段から…する工程とを有することを特徴とする処理方法。」を、「対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の所定厚の液膜を形成し処理する処理方法において、
　静止状態において、上記処理液供給手段を加圧して処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に直線状に濡れた液膜を形成する工程と、
　次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に上記所定厚の液膜を形成する工程とを有することを特徴とする処理方法。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書中の請求項８に記載された、「被処理体の表面に…を具備する処理装置において、上記処理液供給手段に、…ことを特徴とする処理装置。」を、「被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する請求項１記載の処理方法を用いる処理装置において、
　上記処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けてなり、上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してなることを特徴とする処理装置。」と訂正する。
訂正事項ｃ１
　特許明細書中の段落番号【０００８】の、「【課題を解決するための手段】上記目的を達成するためにこの発明の第１の処理方法は、…を有することを特徴とするものである（請求項１）。」を、「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するためにこの発明の第１の処理方法は、対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の所定厚の液膜を形成し処理する処理方法を前提とし、静止状態において、上記処理液供給手段を加圧して処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に直線状に濡れた液膜を形成する工程と、次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に上記所定圧の液膜を形成する工程とを有することを特徴とするものである（請求項１）。」と訂正する。訂正事項ｃ２
　特許明細書中の段落番号【００１４】の、「また、この発明の第５の処理装置は、…が好ましい（請求項９）。」を、「また、この発明の第５の処理装置は、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する請求項１記載の処理方法を用いる処理装置を前提とし、上記処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けてなり、上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してなることを特徴とするものである（請求項８）。この場合、スリット状吐出孔の開口端に、処理液溜め用の拡開部を形成する方が好ましい（請求項９）。」と訂正する。
訂正事項ｃ３
　特許明細書中の段落番号【００１７】の、「【作用】
　上記技術的手段によるこの発明の第１の処理方法によれば、…できる（請求項１）。」を、「【作用】
　上記技術的手段によるこの発明の第１の処理方法によれば、静止状態において、処理液供給手段を加圧して、処理液供給手段から所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に衝撃を与えないように直線状に濡れた液膜を形成した後、次いで、処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に所定厚の液膜を形成することにより、処理液の供給による被処理体表面への物理的衝撃を緩和することができると共に、処理液と被処理体との親和性（ぬれ性）を高めて、処理液の液膜中の気泡の発生を防止して、液膜を均一に形成することができる（請求項１）。」と訂正する。
訂正事項ｃ４
　特許明細書中の段落番号【００２１】の、「また、処理液供給手段に…できる（請求項８）。」を、「また、処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の直径が１〜２ｍｍの処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット幅が０．０５〜０．５ｍｍのスリット状吐出孔を設けることにより、処理液は処理液供給孔で分散された後、スリット状吐出孔から連続した線状となって被処理体に供給されることで，気泡が残留しない液膜を均一に形成することができる（請求項８）。」と訂正する。
訂正事項ｃ５
　特許明細書中の段落番号【００４５】の、「次いで、Ｎ２ガスの加圧を高めて…できる（第２工程）。」を、「次いで、Ｎ２ガスの加圧を高めて現像液供給ノズル２０から所定の液膜厚に必要な量、すなわち所定厚の液膜形成に必要な量例えば１．０〜２．０１（リットル）／ｍｉｎを例えば１．０〜２．０ｓｅｃの現像液Ｌを吐出（供給）すると共に、スピンチャック１２の駆動によりウエハＷと現像液供給ノズル２０とを相対移動例えばウエハＷを水平状態で回転させると（図１７（ｃ），（ｄ）及び図１８参照）、ウエハＷ表面に所定厚（例えば０．５〜３ｍｍ）の液膜を形成することができる（第２工程）。」と訂正する。
訂正事項ｃ６
　特許明細書中の段落番号【００５７】の、「５）請求項８記載の処理装置によれば、…できる。」を、「５）請求項８記載の処理装置によれば、処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の直径が１〜２ｍｍの処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット幅が０，０５〜０．５ｍｍのスリット状吐出孔を設けることにより、処理液は処理液供給孔で分散された後、スリット状吐出孔から連続した線状となって被処理体に供給されるので、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができ、歩留まりの向上を図ることができる。」と訂正する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
【請求項１】
「対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の所定厚の液膜を形成し処理する処理方法において、
　静止状態において、上記処理液供給手段を加圧して処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に直線状に濡れた液膜を形成する工程と、
　次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に上記所定厚の液膜を形成する工程とを有することを特徴とする処理方法。」
【請求項２】
「対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の液膜を形成し処理する処理方法において、
　上記処理液供給手段を被処理体表面に近接させ、処理液供給手段から処理液を供給して液膜を形成する工程と、
　上記処理液供給手段を被処理体表面から離しつつ被処理体上の液膜に接触しない状態で処理液を供給する工程とを有することを特徴とする処理方法。」
【請求項３】
「被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、
 上記処理液供給手段に、上記処理液供給孔を有する処理液収容室を形成し、この処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に、処理液の液圧変動を抑制する圧力緩衝部材を配設してなることを特徴とする処理装置。]
【請求項４】
「被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記複数の処理液供給孔を直列状に複数列配列すると共に、各列の処理液供給孔をそれぞれ先端側が互いに近接する方向へ傾斜させて設け、
　上記複数の処理液供給孔の外部近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に案内する案内部材を配設してなることをを特徴とする処理装置。」
【請求項５】
「複数の処理液供給孔の列間外部近傍位置に、垂直状の板状案内部材を配設してなることを特徴とする請求項４記載の処理装置。」
【請求項６】
「被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記複数の処理液供給孔を直列状に列配列し、上記複数の処理液供給孔の外部近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に案内する傾斜状の板状案内部材を配設してなることを特徴とする処理装置。」
【請求項７】
「被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記複数の処理液供給孔を円周方向に配設し、上記複数の処理液供給孔の外方近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に案内するスカート状の案内部材を配設してなることを特徴とする処理装置。」
【請求項８】
「被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する請求項１記載の処理方法を用いる処理装置において、
　上記処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けてなり、上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してなることを特徴とする処理装置。」
【請求項９】
「スリット状吐出孔の開口端に、処理液溜め用の拡開部を形成してなることを特徴とする請求項８記載の処理装置。」
【請求項１０】
「被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記処理液供給手段に吐出口を設けると共に、この吐出口及びその周辺において処理液の吐出時に接液する部分に親水性を付与したことを特徴とする処理装置。」
【請求項１１】
「親水性を付与する手段として、水を化学的あるいは物理的に吸着して保持することのできる材料を使用していることを特徴とする請求項１０記載の処理装置。」
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａについては、特許明細書の請求項１に記載された「処理液の液膜」、「静止状態において、上記処理液供給手段から所定量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に液膜を形成する工程」及び「上記処理液供給手段から所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に所定厚の液膜を形成する工程」を下位概念である「処理液の所定厚の液膜」、「静止状態において、上記処理液供給手段を加圧して処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に直線状に濡れた液膜を形成する工程」及び「次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に上記所定厚の液膜を形成する工程」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「処理液の所定厚の液膜」、「静止状態において、上記処理液供給手段を加圧して処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に直線状に濡れた液膜を形成する工程」及び「次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に上記所定厚の液膜を形成する工程」は、特許明細書の【００４４】段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるから、上記訂正事項ａは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂについては、特許明細書の請求項８に記載された「処理装置」及び「スリット状吐出孔を設けてなる」を下位概念である、「請求項１記載の処理方法を用いる処理装置」及び「スリット状吐出孔を設けてなり、上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してなる」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「請求項１記載の処理方法を用いる処理装置」及び「スリット状吐出孔を設けてなり、上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してなる」は、特許明細書の【００３７】段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるから、上記訂正事項ｂは、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．３　訂正事項ｃ１〜ｃ６
　上記訂正事項ｃ１〜ｃ６については、上記訂正事項ａ、ｂの特許請求の範囲の訂正による、明細書の発明の詳細な説明の記載と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。
　従って、訂正事項ｃ１については、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｃ１〜ｃ６は、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．４　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ〜ｃ６は、上記３．１〜３．３のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１、８及び９に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１、８及び９に係る発明と異議申立人山下千代子が提出した甲第１〜甲第４号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「静止状態において、上記処理液供給手段を加圧して処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に直線状に濡れた液膜を形成する工程と、
　次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に上記所定厚の液膜を形成する工程とを有する」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人山下千代子が提出した甲第１号証〜甲第４号証のいずれにも、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の構成を有することにより、「処理液の供給による被処理体表面への物理的衝撃を緩和することができるので、被処理体の損傷を少くすることができる。また、処理液と被処理体との親和性（ぬれ性）を高めて、処理液の液膜中の気泡の発生を防止して、液膜を均一に形成することができるので、気泡の残存による被処理体表面の回路パターン等の欠陥を防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。」（特許明細書【発明の効果】）という上記異議申立人山下千代子が提出した甲第１号証〜甲第４号証記載のいずれの発明にもない効果を有する。
　そうすると、本件請求項１に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した甲第１号証に記載された発明ではない。
　また、本件請求項１に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した甲第１号証〜甲第３号証に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　本件請求項１に係る発明を引用する本件請求項８に係る発明については、本件請求項１に係る発明と同様に、異議申立人山下千代子が提出した甲第１号証又は甲第４号証に記載された発明ではない。
　本件請求項１に係る発明を引用する本件請求項９に係る発明については、本件請求項１に係る発明と同様に、異議申立人山下千代子が提出した甲第４号証に記載された発明ではなく、また、本件請求項９に係る発明は、異議申立人山下千代子が提出した甲第１号証及び甲第４号証に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。。
４．２．２　３６条違反について
　本件請求項１に係る発明が、特許法第３６条に違反する点については、訂正により解消した。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１、８及び９に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、８及び９に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１、８及び９に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月１２日（２００２．２．１２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ及びｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ｃ１〜ｃ６は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ
　特許明細書中の請求項１に記載された「対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に…処理する処理方法において、静止状態において、…する工程と、処理液供給手段から…する工程とを有することを特徴とする処理方法。」を、「対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の所定厚の液膜を形成し処理する処理方法において、
　静止状態において、上記処理液供給手段を加圧して処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に直線状に濡れた液膜を形成する工程と、
　次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に上記所定厚の液膜を形成する工程とを有することを特徴とする処理方法。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書中の請求項８に記載された、「被処理体の表面に…を具備する処理装置において、上記処理液供給手段に、…ことを特徴とする処理装置。」を、「被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する請求項１記載の処理方法を用いる処理装置において、
　上記処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けてなり、上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してなることを特徴とする処理装置。」と訂正する。
訂正事項ｃ１
　特許明細書中の段落番号【０００８】の、「【課題を解決するための手段】上記目的を達成するためにこの発明の第１の処理方法は、…を有することを特徴とするものである（請求項１）。」を、「【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するためにこの発明の第１の処理方法は、対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の所定厚の液膜を形成し処理する処理方法を前提とし、静止状態において、上記処理液供給手段を加圧して処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に直線状に濡れた液膜を形成する工程と、次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から上記所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に上記所定圧の液膜を形成する工程とを有することを特徴とするものである（請求項１）。」と訂正する。訂正事項ｃ２
　特許明細書中の段落番号【００１４】の、「また、この発明の第５の処理装置は、…が好ましい（請求項９）。」を、「また、この発明の第５の処理装置は、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する請求項１記載の処理方法を用いる処理装置を前提とし、上記処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けてなり、上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してなることを特徴とするものである（請求項８）。この場合、スリット状吐出孔の開口端に、処理液溜め用の拡開部を形成する方が好ましい（請求項９）。」と訂正する。
訂正事項ｃ３
　特許明細書中の段落番号【００１７】の、「【作用】
　上記技術的手段によるこの発明の第１の処理方法によれば、…できる（請求項１）。」を、「【作用】
　上記技術的手段によるこの発明の第１の処理方法によれば、静止状態において、処理液供給手段を加圧して、処理液供給手段から所定厚の液膜形成に必要な量より少量の処理液を供給して処理液供給手段の直下における被処理体表面に衝撃を与えないように直線状に濡れた液膜を形成した後、次いで、処理液供給手段の加圧を高めて処理液供給手段から所定厚の液膜形成に必要な量の処理液を供給すると共に、処理液供給手段と被処理体を相対移動して被処理体表面に所定厚の液膜を形成することにより、処理液の供給による被処理体表面への物理的衝撃を緩和することができると共に、処理液と被処理体との親和性（ぬれ性）を高めて、処理液の液膜中の気泡の発生を防止して、液膜を均一に形成することができる（請求項１）。」と訂正する。
訂正事項ｃ４
　特許明細書中の段落番号【００２１】の、「また、処理液供給手段に…できる（請求項８）。」を、「また、処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の直径が１〜２ｍｍの処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット幅が０．０５〜０．５ｍｍのスリット状吐出孔を設けることにより、処理液は処理液供給孔で分散された後、スリット状吐出孔から連続した線状となって被処理体に供給されることで，気泡が残留しない液膜を均一に形成することができる（請求項８）。」と訂正する。
訂正事項ｃ５
　特許明細書中の段落番号【００４５】の、「次いで、Ｎ２ガスの加圧を高めて…できる（第２工程）。」を、「次いで、Ｎ２ガスの加圧を高めて現像液供給ノズル２０から所定の液膜厚に必要な量、すなわち所定厚の液膜形成に必要な量例えば１．０〜２．０１（リットル）／ｍｉｎを例えば１．０〜２．０ｓｅｃの現像液Ｌを吐出（供給）すると共に、スピンチャック１２の駆動によりウエハＷと現像液供給ノズル２０とを相対移動例えばウエハＷを水平状態で回転させると（図１７（ｃ），（ｄ）及び図１８参照）、ウエハＷ表面に所定厚（例えば０．５〜３ｍｍ）の液膜を形成することができる（第２工程）。」と訂正する。
訂正事項ｃ６
　特許明細書中の段落番号【００５７】の、「５）請求項８記載の処理装置によれば、…できる。」を、「５）請求項８記載の処理装置によれば、処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の直径が１〜２ｍｍの処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット幅が０，０５〜０．５ｍｍのスリット状吐出孔を設けることにより、処理液は処理液供給孔で分散された後、スリット状吐出孔から連続した線状となって被処理体に供給されるので、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができ、歩留まりの向上を図ることができる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
処理方法及び処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の
所定厚の
　静止状態において、上記
処理液供給手段を加圧して
上記所定厚の液膜形成に必要な
直線状に濡れた
　
次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて
上記所定厚の液膜形成
上記
　【請求項２】　対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の液膜を形成し処理する処理方法において、
　上記処理液供給手段を被処理体表面に近接させ、処理液供給手段から処理液を供給して液膜を形成する工程と、
　上記処理液供給手段を被処理体表面から離しつつ被処理体上の液膜に接触しない状態で処理液を供給する工程とを有することを特徴とする処理方法。
　【請求項３】　被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記処理液供給手段に、上記処理液供給孔を有する処理液収容室を形成し、この処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に、処理液の液圧変動を抑制する圧力緩衝部材を配設してなることを特徴とする処理装置。
　【請求項４】　被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記複数の処理液供給孔を直列状に複数列配列すると共に、各列の処理液供給孔をそれぞれ先端側が互いに近接する方向へ傾斜させて設け、
　上記複数の処理液供給孔の外部近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受止めて被処理体表面に案内する案内部材を配設してなることを特徴とする処理装置。
　【請求項５】　複数の処理液供給孔の列間外部近傍位置に、垂直状の板状案内部材を配設してなることを特徴とする請求項４記載の処理装置。
　【請求項６】　被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記複数の処理液供給孔を直列状に列配列し、上記複数の処理液供給孔の外部近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に案内する傾斜状の板状案内部材を配設してなることを特徴とする処理装置。
　【請求項７】　被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記複数の処理液供給孔を円周方向に配設し、上記複数の処理液供給孔の外方近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に案内するスカート状の案内部材を配設してなることを特徴とする処理装置。
　【請求項８】　被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する
請求項１記載の処理方法を用いる
　上記処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の処理液供給孔を設けると共に、これら処理液供給孔に連通するスリット状吐出孔を設けてな
り、
　
上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してな
　【請求項９】　スリット状吐出孔の開口端に、処理液溜め用の拡開部を形成してなることを特徴とする請求項８記載の処理装置。
　【請求項１０】　被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する処理装置において、
　上記処理液供給手段に吐出口を設けると共に、この吐出口及びその周辺において処理液の吐出時に接液する部分に親水性を付与したことを特徴とする処理装置。
　【請求項１１】　親水性を付与する手段として、水を化学的あるいは物理的に吸着して保持することのできる材料を使用していることを特徴とする請求項１０記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、半導体ウエハ等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給して処理する処理方法及び処理装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理体としての半導体ウエハ（以下にウエハという）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施される。
　【０００３】
　上記現像処理において、ウエハ表面のフォトレジスト上に現像液を表面張力によって液盛りして所定時間おくことで、レジストの露光部分あるいは未露光部分を現像させるパドル型の現像方式が知られている。このパドル型の現像装置は、図２１に示すように、多数のノズル孔（図示せず）を直線状に配列した現像液供給ノズルａによって現像液Ｌを惨み出させつつスピンチャックｂによってウエハＷを低速回転例えば３０ｒｐｍで約１／２回転させ、ウエハＷ上に供給した現像液Ｌを押し広げることによってウエハＷ表面に均一に薄く現像液Ｌを液盛りすることができ、省現像液による現像処理を可能にすることができる。
　【０００４】
　また、この種の現像装置を用いた別の現像方法として、図２２に示すように、現像液Ｌを供給させながら現像液供給ノズルａを上昇させて現像液保持間隔ｈを広げることにより、現像液供給ノズルａとレジストｃ間の表面張力により、現像液Ｌを現像液保持間隔ｈ内に保持させて、現像液の液盛りを短時間に行えるようにする現像方法（特開昭６２−１９９０１８号公報参照）や、図２３に示すように、現像液供給ノズルａのノズル孔に現像液Ｌのメニスカスを形成して、ウエハＷ上のレジスト膜面に移行させるようにした現像方法（特開平４−３６７２１４号公報参照）などが知られている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来のこの種のパドル型の現像装置においては、圧送用気体の加圧によって現像液供給ノズルａのノズル孔から現像液ＬをウエハＷに被着されたレジスト膜Ｒの表面に吐出する際に、ウエハＷ表面に物理的衝撃を与えてレジストパターンに損傷を与える虞れがあり、特に、この現象は、図２４に示すように、現像液供給ノズルａ内の現像液Ｌの液圧変動により顕著に現れ、吐出開始時に吐出流量が大になる。また、各ノズル孔からレジスト膜Ｒの表面に吐出された現像液Ｌの液膜は、ノズル孔から吐出された隣接する現像液Ｌの液膜同士が表面張力によって結合して、全体的に液盛りされるが、図２５に示すように、液膜同士が合流する際に空洞部ｅが生じ、この空洞部ｅ内の空気が気泡ｆとして残留する。このように気泡ｆがレジスト膜の表面あるいはその表面の近傍に残留すると、気泡ｆが現像液とレジスト膜の接触を妨げる結果、反応が阻害されて未反応のレジストが残り、この未反応のレジストが所期のレジストパターンが得られないというレジストパターンの欠陥となり、ひいては回路パターンの欠陥（デフェクト）が生じて、歩留まりの低下を招くという問題があった。
　【０００６】
　また、特開昭６２−１９９０１８号公報に記載の現像方法においては、現像液供給ノズルａに常時現像液Ｌが接触するため、この接触部において化学的汚染（コンタミネーション）が発生し、ウエハＷが汚染されるという問題がある。これに対して、特開平４−３６７２１４号公報に記載の現像方法においては、現像液供給ノズルａのノズル孔に現像液Ｌのメニスカスを形成して、ウエハＷ上のレジスト膜面に移行させるため、コンタミネーションの発生を少なくすることができるが、現像液ＬのメニスカスをウエハＷ上のレジスト膜面に移行する際、移行する速度を速くし、その押圧力を強くすると、ウエハＷに物理的衝撃を与え、ウエハＷに損傷を与えるという問題があり、また逆に、移行速度を遅くし、押圧力を弱めると、レジスト膜と現像液との親和性（ぬれ性）が悪くなり、液盛りされる現像液Ｌの液膜中に気泡が生じ、上述したように、この気泡によってデフェクトが生じ、歩留まりの低下を招くという問題がある。
　【０００７】
　この発明は上記事情に鑑みなされたもので、被処理体表面に供給される処理液の液盛り（液膜）中に残留する気泡、特にレジスト膜の表面あるいはその近傍に残留する気泡を除去してデフェクトを少なくし、歩留まりの向上を図ることを第１の目的とし、処理液供給手段と処理液との接触によるコンタミネーションを少なくして、歩留まりの向上を図ることを第２の目的とする処理方法及び処理装置を提供するものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するためにこの発明の第１の処理方法は、対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の
所定厚の
処理液供給手段を加圧して
上記所定厚の液膜形成に必要な
直線状に濡れた
次いで、上記処理液供給手段の加圧を高めて
上記所定厚の液膜形成
上記
　【０００９】
　また、この発明の第２の処理方法は、上記第１の処理方法と同様に、対向する被処理体と処理液供給手段とを相対移動させて、被処理体表面に処理液供給手段から供給される処理液の液膜を形成し処理する処理方法を前提とし、上記処理液供給手段を被処理体表面に近接させ、処理液供給手段から処理液を供給して液膜を形成する工程と、上記処理液供給手段を被処理体表面から離しつつ被処理体上の液膜に接触しない状態で処理液を供給する工程とを有することを特徴とするものである（請求項２）。
　【００１０】
　また、この発明の第１の処理装置は、被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、上記処理液供給手段に、上記処理液供給孔を有する処理液収容室を形成し、この処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に、処理液の液圧変動を抑制する圧力緩衝部材を配設してなることを特徴とするものである（請求項３）。
　この第１の処理装置において、上記圧力緩衝部材は、処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に配設されて、処理液の液圧変動を抑制するものであれば任意のものでよく、例えば多孔質材料、多孔板あるいはバッフル板等にて形成することができる。
　【００１１】
　また、この発明の第２の処理装置は、上記第１の処理装置と同様に、被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、上記複数の処理液供給孔を直列状に複数列配列すると共に、各列の処理液供給孔をそれぞれ先端側が互いに近接する方向へ傾斜させて設け、上記複数の処理液供給孔の外部近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受止めて被処理体表面に案内する案内部材を配設してなることを特徴とするとするものである（請求項４）。この場合、上記複数の処理液供給孔の列間外部近傍位置に、垂直状の板状案内部材を配設する方が好ましい（請求項５）。
　【００１２】
　また、この発明の第３の処理装置は、第１及び第２の処理装置と同様に、被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、上記複数の処理液供給孔を直列状に列配列し、上記複数の処理液供給孔の外部近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に案内する傾斜状の板状案内部材を配設してなることを特徴とするものである（請求項６）。
　【００１３】
　また、この発明の第４の処理装置は、第１ないし第３処理装置と同様に、被処理体の表面に処理液を供給する複数の処理液供給孔を有する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、上記複数の処理液供給孔を円周方向に配設し、上記複数の処理液供給孔の外方近傍位置に、上記複数の処理液供給孔から吐出される処理液を受け止めて被処理体表面に案内するスカート状の案内部材を配設してなることを特徴とするものである（請求項７）。
　【００１４】
　また、この発明の第５の処理装置は、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する
請求項１記載の処理方法を用いる
り、上記処理液供給孔の直径を１〜２ｍｍ、上記スリット状吐出孔のスリット幅を０．０５〜０．５ｍｍに形成してな
　【００１５】
　また、この発明の第６の処理装置は、被処理体の表面に処理液を供給する処理液供給手段を具備する処理装置を前提とし、上記処理液供給手段に吐出口を設けると共に、この吐出口及びその周辺において処理液の吐出時に接液する部分に親水性を付与したことを特徴とするものである（請求項１０）。
　【００１６】
　更に、親水性を付与する手段として、水を化学的あるいは物理的に吸着して保持することのできる材料を使用していることを特徴とする（請求項１１）。
　【００１７】
　【作用】
　上記技術的手段によるこの発明の第１の処理方法によれば、静止状態において、
処理液供給手段を加圧して、
所定厚の液膜形成に必要な量より
直線状に濡れた
次いで、処理液供給手段の加圧を高めて
所定厚の液膜形成
　【００１８】
　また、処理液供給手段を被処理体表面に近接させ、処理液供給手段から処理液を供給して液膜を形成した後、処理液供給手段を被処理体表面から離しつつ被処理体上の液膜に接触しない状態で処理液を供給することにより、処理液供給手段と処理液との接触を可及的に少くすることができ、処理液供給手段と処理液との接触によるコンタミネーションの発生を少くすることができる（請求項２）。
　【００１９】
　また、処理液供給手段に、処理液供給孔を有する処理液収容室を形成し、この処理液収容室における処理液供給孔の近傍位置に、処理液の液圧変動を抑制する圧力緩衝部材を配設することにより、処理液供給手段の処理液の液圧の変動を抑制することができると共に、処理液供給手段から被処理体に供給される処理液の物理的衝撃を少くすることができ、被処理体の損傷を防止することができる（請求項３）。
　【００２０】
　また、処理液供給手段の処理液供給孔の外部近傍位置に、この処理液供給孔から吐出される処理液を受止めて被処理体表面に案内する案内部材を配設することにより、処理液供給手段の処理液供給孔から吐出される処理液を一旦案内部材で受け止めた後、自由落下により被処理体表面に当てることで、物理的衝撃を緩和することができると共に、連続した線状で処理液を供給することができる（請求項４〜７）。したがって、被処理体の損傷を防止することができると共に、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができる。
　【００２１】
　また、処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の
直径が１〜２ｍｍの
スリット幅が０．０５〜０．５ｍｍの
　【００２２】
　また、処理液供給手段に設けた吐出口及びその周辺において処理液の吐出時に接液する部分に親水性を付与することにより、吐出口及びその周辺に処理液が付着し易くなるので、吐出口部が大きい場合でも、とぎれのない連続した状態で処理液を吐出することが可能となる（請求項１０，１１）。
　【００２３】
　【実施例】
　次に、この発明の実施例を添付図面に基いて詳細に説明する。この実施例ではこの発明に係る処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
　【００２４】
　半導体ウエハ（以下にウエハという）の塗布・現像処理システムは、図１に示すように、被処理体としてのウエハＷを搬入・搬出するローダ部１、ウエハＷをブラシ洗浄するブラシ洗浄装置２、ウエハＷを高圧ジェット水で洗浄するジェット水洗浄装置３、ウエハＷの表面を疎水化処理するアドヒージョン処理装置４、このアドヒージョン処理装置４の下に配置されウエハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置５、ウエハＷの表面にレジストを塗布しかつサイドリンス処理によりウエハ周縁部の余分なレジストを除去するレジスト塗布装置６、レジスト塗布の後でウエハＷを加熱してプリベーク並びにポストベークを行う複数の多段に積層された加熱処理装置７、露光されたウエハＷ表面上のレジストの回路パターンを現像処理しかつ現像後のウエハＷ表面をリンス処理する機能を備えたこの発明に係る現像処理装置８などを集合化して作業効率の向上を図っている。
　【００２５】
　上記のように構成される塗布・現像処理システムの中央部には、長手方向に沿ってウエハ搬送路９が設けられ、このウエハ搬送路９に各装置２〜８が正面を向けて配置され、各装置２〜８との間でウエハＷの受け渡しを行うウエハ搬送アーム１０を備えた２つのウエハ搬送機構１１がウエハ搬送路９に沿って移動自在に設けられている。そして、例えば、ローダ部１の図示省略のウエハカセット内に収納されている処理前のウエハＷを１枚取り出して搬送し、順に、洗浄、アドヒージョン処理、冷却し、レジスト塗布装置６によってレジストを塗布した後、プリベーク、図示省略の露光装置による露光後に、この発明に係る現像処理装置８によって現像処理を行い、次いでポストベークを行い、処理後のウエハＷをローダ部１の図示省略のウエハカセット内に搬送して収納する。
　【００２６】
　上記現像処理装置８は、図２に示すように、被処理体である半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を真空吸着によって保持し、水平方向に回転するスピンチャック１２と、このスピンチャック１２とウエハＷを包囲する処理カップ１３と、ウエハＷの表面のレジスト膜面に処理液である現像液を供給する現像液供給ノズル２０（処理液供給手段）と、現像液供給ノズル２０を待機位置２１とウエハＷの上方の処理位置に移動する移動機構２２と、現像後のウエハＷ表面の回路パターンをリンス処理するリンス機構２３とを具備してなる。
　【００２７】
　この場合、上記現像液供給ノズル２０は、その吐出液膜の幅がウエハＷの直径に相当する長さに形成されており、図３及び図４に示すように、現像液Ｌを収容する現像液収容室２４の底部に、複数の処理液供給孔としてのノズル孔２５を適宜間隔をおいて直線的に配列してなり、現像液収容室２４におけるノズル孔２５の近傍位置に、現像液の液圧変動を抑制するための圧力緩衝部材２６を底部全域に亘り配設してなる。この圧力緩衝部材２６は、例えばセラミックや樹脂、ステンレス鋼等の耐蝕、耐薬品性の多孔質材料、多孔板あるいはバッフル板等にて形成されている。
　【００２８】
　また、現像液収容室２４の上部開口にはシールパッキング２７を介して蓋体２８が閉塞されており、この蓋体２８の両側に接続する現像液供給管２９が現像液収容タンク３０に接続されると共に、現像液収容タンク３０にガス供給管３１を介して接続する例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガスのガス供給源３２から現像液収容タンク３０内の現像液Ｌに加圧されるＮ２ガスによって現像液収容タンク３０内の現像液Ｌが現像液供給管２９を介して現像液供給ノズル２０の現像液収容室２４内に供給され、ノズル孔２５からウエハＷ表面に吐出（供給）されるように構成されている。
　【００２９】
　上記のように、現像液収容室２４におけるノズル孔２５の近傍位置に、圧力緩衝部材２６を配設することにより、Ｎ２ガスの加圧によって現像液収容室２４内に供給された現像液Ｌは圧力緩衝部材２６の細孔を通ってノズル孔２５に流れるため、ノズル孔２５の軸方向に加わる液圧変動を圧力緩衝部材２６によって抑制することができるため、現像液Ｌが勢いよく吐出されることはなく、ウエハＷ表面に吐出される現像液Ｌによる物理的衝撃を緩和することができる。また、各ノズル孔２５から均一に吐出させることもできる。
　【００３０】
　上記第１実施例では現像液供給ノズル２０の現像液収容室２４におけるノズル孔２５の近傍位置に圧力緩衝部材２６を配設した場合について説明したが、現像液供給ノズル２０は必しもこのような構造である必要はなく、別の構造の現像液供給ノズルを用いることができる。以下に、現像液供給ノズルの別の構造について説明する。
　【００３１】
　図５及び図６には現像液供給ノズルの第２実施例の断面図及び断面斜視図が示されている。第２実施例の現像液供給ノズル２０Ａは、現像液収容室２４の底部に複数のノズル孔２５を適宜間隔をおいて直線状に２列配列すると共に、各列のノズル孔２５をそれぞれ先端側が互いに近接する方向へ傾斜させて設け、そして、現像液収容室の底部外面における列間のノズル孔２５，２５間に垂直状の板状案内部材３３を長手方向に設けた場合である。このように２列のノズル孔２５，２５間に垂直状の板状案内部材３３を設けることにより、現像液収容室２４内の現像液Ｌがそれぞれノズル孔２５から吐出されて板状案内部材３３に一旦受止められた後、板状案内部材３３の両側面を伝わって自由落下によってウエハＷ上に落下するので、ウエハＷに与える衝撃を緩和することができ、かつ、直線状に連続して現像液Ｌを供給することができる。
　【００３２】
　なお、ノズル孔２５を２列配列することにより、ノズル孔２５の径を小さく形成し、現像液Ｌのぼた落ちを防止し易くできると共に、板状案内部材３３の両面をクリーンな状態に維持することもできる。
　【００３３】
　また、上記第２実施例の現像液供給ノズル２０Ａの構造のものに代えて、図７及び図８に示すような構造の現像液供給ノズル２０Ｂを用いてもよい。すなわち、第３実施例の現像液供給ノズル２０Ｂは、上記第１実施例の現像液供給ノズル２０と同様に、現像液収容室２４の底部に直線状に設けられたノズル孔２５の外部近傍位置に傾斜状の板状案内部材３３ａを設けることによって、各ノズル孔２５から吐出される現像液Ｌを板状案内部材３３ａにて一旦受け止めた後、自由落下によってウエハＷ上に直線状に連続して供給することができる。
　【００３４】
　なお、第２及び第３実施例において、その他の部分は上記第１実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。また、上記第１及び第２実施例の現像液供給ノズル２０Ａ，２０Ｂにおいて、第１実施例と同様に、現像液収容室２４のノズル孔２５の近傍位置に圧力緩衝部材２６を配設することも可能であり、これにより現像液Ｌの液圧の変動を抑制して更に安定した状態で連続液膜を形成することができる。
　【００３５】
　また、上記第２及び第３実施例では、ノズル孔２５を直線状に配列して、現像液Ｌを直線状に連続して供給する場合について説明したが、以下に説明するように、現像液Ｌを円周状に連続して供給することも可能である。すなわち、第４実施例の現像液供給ノズル２０Ｃは、図９及び図１０に示すように、先端に現像液Ｌの反転部３４を設けた有底筒状のノズル体３５の先端部の円周方向に適宜間隔をおいて複数のノズル孔２５を設け、そして、これらノズル孔２５の外方近傍位置に、スカート状の案内部材３３ｂを設けることにより、現像液供給ノズル２０Ｃのノズル孔２５から吐出される現像液Ｌを一旦案内部材３３ｂの内面で受け止めた後、案内部材３３ｂの内面を伝わって自由落下することができ、ウエハＷ上に円周状に連続して供給することができる。
　【００３６】
　なお、上記ノズル孔２５の形状は、図９に示すような丸穴でもよく、また、円周方向にスリット（図示せず）を１個以上設けてもよい。そして、案内部材３３ｂ内面を伝わってウエハＷ上に供給される現像液ＬをウエハＷ表面に均一に液盛りするには、図１１（ａ）に示すように、現像液供給ノズル２０Ｃをスピンチャック１２によって回転可能に保持されるウエハＷの回転中心Ｏから偏心させた位置に配置し、ウエハＷを回転しつつ現像液供給ノズル２０Ｃから現像液Ｌを円周状に連続して供給するか、あるいは、図１１（ｂ）に示すように，現像液供給ノズル２０ＣをウエハＷの上方に図示しないスキャン機構によって往復移動可能に配設して、回転するウエハＷの上方で現像液供給ノズル２０Ｃを往復移動させつつ現像液供給ノズル２０Ｃから現像液Ｌを円周状に連続して供給すればよい。
　【００３７】
　図１２はこの発明における現像液供給ノズルの第５実施例の断面図、図１３は図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図が示されている。第５実施例の現像液供給ノズル２０Ｄは、直線状に配列された複数のノズル孔２５から分散されて吐出される現像液Ｌを直線状に連続してウエハＷ表面に供給できるようにした別の形態の場合である。すなわち、第５実施例の現像液供給ノズル２０Ｄは、上記第１実施例の現像液供給ノズル２０と同様に直線状に適宜間隔をおいて配列される複数のノズル孔２５を設けると共に、これらノズル孔２５に連通するスリット状吐出孔３６を設けた場合である。この場合、具体的には、ノズル孔２５の直径は約１〜２ｍｍ、スリット状吐出孔３６のスリット幅は０．０５〜０．５ｍｍに形成されている（図１４参照）。
　【００３８】
　このようにノズル孔２５に連通させてスリット状吐出孔３６を設けることにより、現像液収容室２４内の現像液Ｌは各ノズル孔２５によって分散されて吐出された後、スリット状吐出孔３６で合流して、直線状に連続してウエハＷ上に供給される。したがって、ウエハＷ表面に液盛りされる現像液Ｌ中に気泡が残存することがなく、均一な現像液Ｌの液盛りを可能とすることができる。
　【００３９】
　なおこの場合、図１５に示すように、スリット状吐出孔３６の開口端に、開口幅約０．３〜０．５ｍｍの拡開部３７を設けることによって、スリット状吐出孔３６を流れる現像液Ｌを拡開部３７の表面張力によって保持して液溜まりを作ることができるので、現像液Ｌの連続液膜を更に確実に形成することができる。
　【００４０】
　なお、第５実施例において、その他の部分は上記第１実施例と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、その説明は省略する。また、第５実施例において、上記第１実施例と同様に現像液収容室２４のノズル孔２５の近傍位置に圧力緩衝部材２６を配設することも可能であり、これにより現像液Ｌの液圧の変動を抑制して更に安定した状態で連続液膜を形成することができる。
　【００４１】
　また、図１６に示すように、現像液供給ノズル２０の例えばノズル孔２５の先端の吐出口２５Ａ及びこの周辺において、現像液Ｌの吐出時に接液する部分２５Ｂに親水性を付与しておいてもよい。親水性を付与する具体的な手段としては、例えば、表面に微細な凹凸を多数加工形成したり、マイクロメッシュを表面に被着したり、また、塩化ビニル，ナイロン，セラミックス等の表面が親水性の材料を使用する。
　【００４２】
　これにより、現像液例えば水を物理的あるいは化学的に吸着して保持することができるので、図３のように、現像液供給ノズル２０のノズル孔２５が多数直線的に長く配列されている場合でも、吐出口２５Ａ全部に亘り液溜りＬＡが形成される。
　したがって、現像液ＬをウエハＷ表面に供給する際、部分的な液切れ状態は発生せず、空気が気泡としてウエハＷ表面に残留するのを防止できる。
　【００４３】
　次に、上記のように構成される現像処理装置８を用いて、ウエハＷの表面の回路パターンの上に現像液を供給する処理方法について、第１実施例の現像液供給ノズル２０を代表として説明する。
　【００４４】
　◎処理方法−Ｉ
　まず、露光装置で露光されたウエハＷがウエハ搬送機構１１のウエハ搬送アーム１０によって現像処理装置８の処理室内に搬入されると、スピンチャック１２が上昇してウエハＷを受け取って吸着保持した後、下降することによりウエハＷが処理カップ１３内に配設される。次に、移動機構２２によって現像液供給ノズル２０をウエハＷの上方に移動した後、スピンチャック１２を上昇（又は現像液供給ノズル２０を下降）させてウエハＷと現像液供給ノズル２０との間を所定の間隔例えば約１ｍｍとし、そして、ウエハＷを静止させた状態で、Ｎ２ガス供給源３２からＮ２ガスを現像液収容タンク３０に所定量加圧して、現像液収容タンク３０から現像液供給管２９を介して現像液収容室２４内に収容されている現像液Ｌを、少量例えば０．０１〜１．０ｌ（リットル）／ｍｉｎの現像液Ｌを、例えば０．１〜１．０ｓｅｃ間吐出（供給）すると（図１７（ａ），（ｂ）及び図１８参照）、現像液供給ノズル２０の直下におけるウエハＷ表面に現像液Ｌが直線状に濡られる（第１工程）。
　【００４５】
　次いで、Ｎ２ガスの加圧を高めて現像液供給ノズル２０から所定の液膜厚に必要な量
、すなわち所定厚の液膜形成に必要な量
（供給）
　【００４６】
　上記のように、第１段階で現像液供給ノズル２０から少量の現像液Ｌを吐出して、現像液供給ノズル２０の直下部分のウエハＷ表面を現像液Ｌで濡らすことにより、ウエハＷ表面と現像液Ｌとの親和性（ぬれ性）がよくなり、次の第２段階で所定量の現像液Ｌを現像液供給ノズル２０から吐出してウエハＷ表面に現像液Ｌの液膜を形成する際に液膜中に気泡が残存することがなく、液膜を均一に形成することができ、現像むらの発生を防止することができる。したがって、液膜中に残存する気泡によって生じる回路パターンの欠陥（デフェクト）を防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。
　【００４７】
　上記のようにして、ウエハＷのレジスト膜面（回路パターン）上に所定厚の現像液Ｌの液膜を形成し所定時間経過した後、現像液供給ノズル２０を待機位置２１に移動させ（なお、液膜形成後、待機位置２１に移動させておいてもよい。）、代わりにリンス機構２３を駆動させてリンス液供給ノズル２３ａをウエハＷ上に移動させ、そして、スピンチャック１２の駆動によりウエハＷを回転させつつリンス液供給ノズル２３ａから例えば純水等のリンス液を噴射して、ウエハＷ表面に残滓する現像液を除去して現像処理が完了する。
　【００４８】
　◎処理方法−ＩＩ
　まず、上記処理方法−Ｉと同様に、ウエハ搬送機構１１のウエハ搬送アーム１０によって搬送される露光処理済みのウエハＷを、処理カップ１３内のスピンチャック１２上に吸着保持させる。次に、ウエハＷの上方に現像液供給ノズル２０を移動させると共に、スピンチャック１２を上昇させてウエハＷと現像液供給ノズル２０との間隔を約１ｍｍに近接させ、スピンチャック１２を駆動してウエハＷを回転させると共に、現像液供給ノズル２０から現像液Ｌを吐出（供給）して液膜を形成する（第１工程）。
　【００４９】
　次に、スピンチャック１２を下降させて現像液供給ノズル２０をウエハＷ表面から離しつつウエハＷ上の液膜に接触しない状態（例えばウエハＷと現像液供給ノズル２０の間隔を３〜５ｍｍにする）で現像液供給ノズル２０から現像液ｌを吐出して、所定の厚さ（例えば１ｍｍ）の液膜を形成する（第２工程）。この場合、第１工程のウエハＷと現像液供給ノズル２０の近接状態から第２工程の引き離し状態への変換は、図２０に破線の▲１▼で示すように瞬時に行ってもよく、あるいは、図２０に実線の▲２▼で示すように所定時間後にウエハＷと現像液供給ノズル２０とを引き離してもよい。
　【００５０】
　上記のようにして、ウエハＷと現像液供給ノズル２０とを近接させて現像液Ｌを供給することにより、ウエハＷと現像液Ｌとの親和性（ぬれ性）を良好にすることができる。また、現像液供給ノズル２０をウエハＷ表面から離しつつウエハＷ上の液膜に接触しない状態で現像液供給ノズル２０から現像液Ｌを供給することにより、現像液供給ノズル２０と形成された現像液Ｌの液膜との接触時間を可及的に少くすることができ、現像液供給ノズル２０と現像液Ｌとの接触により発生するコンタミネーションを防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。
　【００５１】
　上記のようにして、ウエハＷのレジスト膜面（回路パターン）上に所定厚の現像液Ｌの液膜を形成し所定時間経過した後、現像液供給ノズル２０を待機位置に移動させ、代わりにリンス機構２３を駆動させてリンス液供給ノズル２３ａをウエハＷ上に移動させ、そして、スピンチャック１２の駆動によりウエハＷを回転させつつリンス液供給ノズル２３ａから例えば純水等のリンス液を噴射して、ウエハＷ表面に残滓する現像液を除去して現像処理が完了する。
　【００５２】
　なお、上記実施例では、被処理体を回転させる場合について説明したが、必しも被処理体を回転するものに限定されるものではなく、処理液供給手段を移動させてもよく、あるいは被処理体と処理液供給手段の双方を移動させて処理液を供給して液膜を形成するようにしてもよい。また、上記実施例では、この発明の処理装置が半導体ウエハの現像処理装置である場合について説明したが、被処理体は必ずしも半導体ウエハに限られるものではなく、例えばＬＣＤ基板、セラミック基板などに対して現像処理あるいは現像以外の処理、例えばエッチング処理、洗浄処理などを施すものについても適用できるものである。
　【００５３】
　【発明の効果】
　以上に説明したように、この発明によれば、以下のような効果が得られる。
　１）請求項１記載の処理方法によれば、処理液の供給による被処理体表面への物理的衝撃を緩和することができるので、被処理体の損傷を少くすることができる。また、処理液と被処理体との親和性（ぬれ性）を高めて、処理液の液膜中の気泡の発生を防止して、液膜を均一に形成することができるので、気泡の残存による被処理体表面の回路パターン等の欠陥を防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。
　【００５４】
　２）請求項２記載の処理方法によれば、処理液供給手段と処理液との接触を可及的に少くすることができるので、処理液供給手段と処理液との接触によるコンタミネーションの発生を防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。
　【００５５】
　３）請求項３記載の処理装置によれば、処理液供給手段の処理液収容室に配設された圧力緩衝部材により、処理液供給手段の処理液の液圧の変動を抑制することができると共に、処理液供給手段から被処理体に供給される処理液の物理的衝撃を少くすることができるので、被処理体の損傷を防止することができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。
　【００５６】
　４）請求項４〜７記載の処理装置によれば、処理液供給手段の処理液供給孔の外部近傍位置に配設された案内部材により、処理液供給手段の処理液供給孔から吐出される処理液を一旦受け止めた後、自由落下により被処理体表面に当てることができるので、物理的衝撃を緩和することができると共に、連続した線状で処理液を供給することができる。したがって、被処理体の損傷を防止することができると共に、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
　【００５７】
　５）請求項８記載の処理装置によれば、処理液供給手段に、処理液を分散して供給する複数の
直径が１〜２ｍｍの
スリット幅が０．０５〜０．５ｍｍ
　【００５８】
　６）請求項１０記載の処理装置によれば、処理液供給手段の吐出口及びその周辺の接液する部分に親水性を付与したので、スリット状吐出孔から液切れ状態のない連続した線状となって処理液が被処理体に供給されるので、気泡が残留しない液膜を均一に形成することができ、歩留まりの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の処理装置を組込んだ半導体ウエハの塗布・現像処理システムの斜視図である。
　【図２】
　この発明の処理装置の概略平面図である。
　【図３】
　この発明における現像液供給ノズルの第１実施例を示す断面図である。
　【図４】
　図３に示す現像液供給ノズルの処理状態を示す断面図である。
　【図５】
　この発明における第２実施例の現像液供給ノズルの断面図である。
　【図６】
　第２実施例の現像液供給ノズルの断面斜視図である。
　【図７】
　この発明における第３実施例の現像液供給ノズルの断面図である。
　【図８】
　第３実施例の現像液供給ノズルの要部斜視図である。
　【図９】
　この発明における第４実施例の現像液供給ノズルの断面図である。
　【図１０】
　第４実施例の現像液供給ノズルの要部斜視図である。
　【図１１】
　第４実施例の現像液供給ノズルの処理状態を説明する概略平面図である。
　【図１２】
　この発明における現像液供給ノズルの第５実施例の断面図である。
　【図１３】
　図１２のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ断面図である。
　【図１４】
　第５実施例の現像液供給ノズルの要部の拡大断面図である。
　【図１５】
　第５実施例の現像液供給ノズルの別の形態の要部拡大断面図である。
　【図１６】
　この発明における現像液供給ノズルの先端部分の構成を説明する拡大断面図である。
　【図１７】
　この発明の処理方法の一例の工程を説明する説明図である。
　【図１８】
　図１７に示す処理方法における処理液の吐出量と時間の関係を示すグラフである。
　【図１９】
　この発明の処理方法の別の例の工程を説明する説明図である。
　【図２０】
　図１９に示す処理方法における現像液供給ノズルとウエハとの間隔と時間との関係を示すグラフである。
　【図２１】
　処理装置の処理状態を説明する説明図である。
　【図２２】
　従来の処理方法の一例の工程を示す説明図である。
　【図２３】
　従来の処理方法の別の一例の工程を示す説明図である。
　【図２４】
　従来の現像液供給ノズルの吐出量と時間の関係を示すグラフである。
　【図２５】
　従来の現像液供給ノズルによって吐出された現像液の液膜の形成状態を説明する説明図である。
　【符号の説明】
　２０，２０Ａ〜２０Ｄ　現像液供給ノズル（処理液供給手段）
　２４　現像液収容室（処理液収容室）
　２５　ノズル孔（処理液供給孔）
　２５Ｂ　接液する部分
　２６　圧力緩衝部材
　３３　垂直状の板状案内部材
　３３ａ　傾斜状の板状案内部材
　３３ｂ　スカート状の案内部材
　３６　スリット状吐出孔
　３７　拡開部
　Ｗ　半導体ウエハ（被処理体）
　Ｌ　現像液（処理液）