【事件の表示】
　特許第３０５６７８１号「気相成長装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０５６７８１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０５６７８１号（以下「本件特許」という。）は、平成２年１１月２１日に特許出願され、特許権の設定登録の後、平成１２年１２月２６日に特許異議申立人　赤坂雄司より、その請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、特許取消理由の通知及び訂正請求書の提出の各手続がなされたものである。
　　　
II．訂正について
（II-1）訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　請求項１中、「前記サセプタの底面と線接触あるいは接触する第２エッジ部」なる記載を、「前記サセプタの底面と線接触あるいは点接触する第２エッジ部」として、請求項１を以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】反応管内に基板を載置するサセプタと、該サセプタを着脱自在に支持するサセプタ受けが配設され、加熱手段により前記サセプタ上に載置された基板を加熱して、前記反応管内に供給されるガスにより前記基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記サセプタ受けは、前記サセプタの外周側面と線接触あるいは点接触する第１エッジ部と、前記サセプタの底面と線接触あるいは点接触する第２エッジ部とを備え、前記第１および第２のエッジ部によって前記サセプタを着脱自在に支持することを特徴とする気相成長装置。」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
　明細書の［発明の構成］の欄中、「前記サセプタの底面と線接触あるいは接触する第２エッジ部」（特許掲載公報第３欄第４６〜４７行参照。）なる記載を、「前記サセプタの底面と線接触あるいは点接触する第２エッジ部」と訂正する。
　　
（II-2）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、訂正事項ｂは明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、そして、それらの訂正は願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとは認められない。
　以上のとおりであるから、本訂正は特許法第１２０条の４第２項、及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２〜３項の規定に適合するので、本訂正を認める。
　　
III．本件発明
　訂正後の請求項１に係る発明（以下、単に「本件発明」という。）は、訂正明細書（以下、単に「明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】反応管内に基板を載置するサセプタと、該サセプタを着脱自在に支持するサセプタ受けが配設され、加熱手段により前記サセプタ上に載置された基板を加熱して、前記反応管内に供給されるガスにより前記基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記サセプタ受けは、前記サセプタの外周側面と線接触あるいは点接触する第１エッジ部と、前記サセプタの底面と線接触あるいは点接触する第２エッジ部とを備え、前記第１および第２のエッジ部によって前記サセプタを着脱自在に支持することを特徴とする気相成長装置。」
　　
IV．特許異議申立について
(IV-1)特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　赤坂雄司は、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物として、甲第１号証（特開昭５２−１３６５７２号公報）、甲第２号証（特開昭６２−２１９９１３号公報）、及び甲第３号証（特開昭６１−２１９１３０号公報）を提示して、本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるので特許法第２９条第１項の規定により（理由１；発明の新規性）、また、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので特許法第２９条第２項の規定により（理由２；発明の進歩性）特許を受けることができない発明であるので、当該請求項１に係る特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
(IV-2)証拠の記載事実
甲第１号証
(1-1)「肩部と、これに繋がる管状体部分とからなり、前記肩部を中央部から周辺部へ向って肉薄となしたペデスタルの肩部頂面で、中央部に貫通孔を有するサセプターを支持してなることを特徴とするＣＶＤ装置。」（特許請求の範囲）
(1-2)第２図とともに、「第２図は、本発明にかかるＣＶＤ装置の一実施例を示す断面図であり、ペデスタル６の肩部６Ｃの形状が、その厚みを中央部から周辺部へ向って薄くした、例えば円錐状とされている。このような形状の肩部を有するペデスタルを用いた場合、ペデスタル６とサセプター３との接触面積が従来のＣＶＤ装置のそれにくらべて著るしく少くなる。したがって、サセプター３からペデスタル６への熱の伝導が少なくなり、熱の伝導に起因するサセプター３の温度特性の不均一性は著るしく小さくなる。」（第２頁右上欄第８〜１８行）
　　
甲第２号証
(2-1)「１．角錐形のサセプタを有するバレル型気相成長装置において、前記サセプタを実質的に角錐面部のみの形状とし、その上端または下端を熱伝導抑制手段を介して別に形成された部材に接触させるようにしたことを特徴とするバレル型気相成長装置。
２．熱伝導抑制手段が、接触面積を小さく限定する構造であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバレル型気相成長装置。
３．熱伝導抑制手段が、石英ガラスによって形成された部材であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバレル型気相成長装置。」（特許請求の範囲第１〜３項）
　　
甲第３号証
(3-1)「１．輻射光により基板および該基板を支持するカーボン製のサセプタを加熱する気相成長装置において、前記サセプタの基板設置部に基板と略等しいかまたは小さい貫通穴を設け、基板の外周部を直接または間接的に前記サセプタにより支持するようにしたことを特徴とする気相成長装置。
２．サセプタと基板との間に基板の外周部を支持する石英またはセラミックス製のリングが介在されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置。」（特許請求の範囲第１、２項）
(3-2)「本発明によれば、サセプタと基板との接触は、サセプタに設けた貫通穴によって削減され、基板に対する貫通穴の大きさを適宜に設定することにより、基板外周部の一部分のみに限定される。そこで、基板とサセプタとの温度差による影響が緩和される。」（第２頁右下欄第８〜１３行）
　　
(IV-3)対比・判断
理由１（発明の新規性）及び理由２（発明の進歩性）について
　本件発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、本件発明は、甲第１号証に記載された発明と、
反応管内に基板を載置するサセプタと、該サセプタを着脱自在に支持するサセプタ受けが配設され、加熱手段により前記サセプタ上に載置された基板を加熱して、前記反応管内に供給されるガスにより前記基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記サセプタを着脱自在に支持することを特徴とする気相成長装置、の点で一致し、そして、
　本件発明では、上記のサセプタを支持する構造について、（Ａ）「前記サセプタ受けは、前記サセプタの外周側面と線接触あるいは点接触する第１エッジ部と、前記サセプタの底面と線接触あるいは点接触する第２エッジ部とを備え、前記第１および第２のエッジ部によって」前記サセプタを支持するようにしたものであるのに対して、甲第１号証に記載の発明では、中央部から周辺部へ向って肉薄となしたペデスタルの肩部頂面で、中央部に貫通孔を有するサセプターを支持してなるものであって（摘記1-1）、上記本件発明のとおりのサセプタ支持構造の記載がない点で、本件発明は甲第１号証に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、この相違点（Ａ）について以下検討する。
　甲第２号証には、角錐形のサセプタを有するバレル型気相成長装置において、前記サセプタを実質的に角錐面部のみの形状とし、その上端または下端を熱伝導抑制手段を介して別に形成された部材に接触させるようにしたバレル型気相成長装置、及び、上記熱伝導抑制手段について、接触面積を小さく限定する構造であることが記載されており（摘記2-1）、一方、甲第３号証には、気相成長装置において、サセプタの基板設置部に基板と略等しいかまたは小さい貫通穴を設け、基板の外周部を直接または間接的に前記サセプタにより支持するようにしたことが記載されている（摘記3-1）。しかし、これら甲第２、３号証のいずれにも、上記相違点（Ａ）に係るサセプタ支持構造の記載は見当たらない。
　そして、本件発明は、当該相違点（Ａ）に係る構成要件を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、サセプタの温度分布を略均一にすることができ、基板上の全面に均一で良好な気相成長がなし得る（［発明の効果］の欄参照。）という、明細書に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　してみれば、本件発明は、甲第１号証に記載された発明とはいえず、また、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということもできない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人　赤坂雄司の主張する理由及び提示した証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月１７日（２００１．８．１７）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨　（特許第３０５６７８１号）
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　請求項１中、「前記サセプタの底面と線接触あるいは接触する第２エッジ部」なる記載を、「前記サセプタの底面と線接触あるいは点接触する第２エッジ部」として、請求項１を以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】反応管内に基板を載置するサセプタと、該サセプタを着脱自在に支持するサセプタ受けが配設され、加熱手段により前記サセプタ上に載置された基板を加熱して、前記反応管内に供給されるガスにより前記基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記サセプタ受けは、前記サセプタの外周側面と線接触あるいは点接触する第１エッジ部と、前記サセプタの底面と線接触あるいは点接触する第２エッジ部とを備え、前記第１および第２のエッジ部によって前記サセプタを着脱自在に支持することを特徴とする気相成長装置。」
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
　明細書の［発明の構成］の欄中、「前記サセプタの底面と線接触あるいは接触する第２エッジ部」（特許掲載公報第３欄第４６〜４７行参照。）なる記載を、「前記サセプタの底面と線接触あるいは点接触する第２エッジ部」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
気相成長装置
（５７）【特許請求の範囲】
（１）　反応管内に基板を載置するサセプタと、該サセプタを着脱自在に支持するサセプタ受けが配設され、加熱手段により前記サセプタ上に載置された基板を加熱して、前記反応管内に供給されるガスにより前記基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記サセプタ受けは、前記サセプタの外周側面と線接触あるいは点接触する第１エッジ部と、前記サセプタの底面と線接触あるいは
点
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
　本発明は、化合物半導体等の製造に用いられる気相成長装置に関する。
（従来の技術）
　基板上に半導体等の結晶薄膜を気相成長させて半導体等を製造する気相成長装置は、例えば第７図に示すように構成されている。
　この図に示すように、この気相成長装置は、ベースプレート１上に気密状態に固着された反応管２内に、基板３を載置するサセプタ４と、サセプタ４を着脱自在に支持する筒状のサセプタ受け５と、サセプタ４を介して基板３を加熱するヒータ６と、ヒータ６を支持すると共にヒータ６に通電する電極７が配設されている。
　反応管２の上部には、ガス（反応ガス、キャリアガス等）を反応管２内に供給するための供給口２ａが形成され、反応管２の下部には、反応管２内の未反応ガスを排出するための排気口２ｂが成形されている。
　サセプタ受け５の上部の内周面には段部５ｆが形成されており、サセプタ４は、この段部５ｆにサセプタ４の外周面および外周面下部の全面が接触するようにして着脱自在にされている。また、ヒータ６は、サセプタ４を支持するサセプタ受け５内に配設されている。
　尚、図では省略したが、反応管２の外側には反応管２の内壁面を水冷冷却するための冷却装置が配設されており、サセプタ受け５の下部には、サセプタ４を回転させるための回転駆動装置が連結されている。
　従来の気相成長装置は上記のように構成されており、サセプタ４上に載置された基板３をヒータ６による加熱によって所定温度に上昇させて、供給口２ａから反応管２内に反応ガス（例えば、ＳｉＨ４，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＣｌ４等）をキャリアガス（例えば、Ｈ２等）と共に供給し、基板３上に化合物半導体の薄膜を気相成長させる。
（発明が解決しようとする課題）
　ところで、上記した従来の気相成長装置では、サセプタ４の外周面および外周面下部がサセプタ受け５の上部の内周面に形成した段部５ｆに面接触で接している。
　このため、ヒータ６によって加熱されるサセプタ４の熱は、サセプタ４とサセプタ受け５の段部５ｆとの接触面積が大きいので、サセプタ４の外周面からサセプタ受け５側に伝導によってかなり逃げていく。よって、サセプタ４の外周側の温度が中心側に比べて下がることによって温度分布が不均一になるので（第８図参照）、サセプタ４に載置されている基板３の温度も不均一になる。従って、基板３に気相成長される化合物半導体の薄膜が不均一なものとなり、特にこのような薄膜によって例えばレーザダイオードを作製した時に発振周波数がばらつく等の問題が生じる。
　本発明は上記した課題を解決する目的でなされ、ヒータによって加熱されるサセプタの熱がサセプタ受け側に逃げるのを低減し、サセプタの温度分布を均一にすることによって基板上に良好な化合物半導体薄膜を気相成長させることができる気相成長装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　前記した課題を解決するために本発明は、反応管内に基板を載置するサセプタと、該サセプタを着脱自在に支持するサセプタ受けが配設され、加熱手段により前記サセプタ上に載置された基板を加熱して、前記反応管内に供給されるガスにより前記基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記サセプタ受けは、前記サセプタの外周側面と線接触あるいは点接触する第１エッジ部と、前記サセプタの底面と線接触あるいは
点
（作用）
　本発明によれば、サセプタ受けにサセプタを線接触あるいは点接触で着脱自在に支持することにより、サセプタとサセプタ受けの接触面積が小さくなるので、サセプタの熱がサセプタ受け側に逃げるのを低減することができる。よって、サセプタの外周側の温度低下が少なくなることにより、サセプタの温度分布を略均一にすることができるので、基板上に良好な化合物半導体の薄膜を気相成長させることができる。
（実施例）
　以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
　第１図は、本発明に係る気相成長装置を示す断面図である。尚、従来と同一部材には同一符号を付して説明する。
　この図に示すように、ベースプレート１上に気密状態で固着された反応管２内には、基板３を載置する円板状のモリブデン等から成るサセプタ４と、サセプタ４を着脱自在に支持する筒状のモリブデン等から成るサセプタ受け５と、サセプタ４を介して基板３を加熱するヒータ６と、ヒータ６を支持すると共にヒータ６に通電する電極７が配設されている。
　反応管２の上部には、ガス（反応ガス、キャリアガス等）を反応管２内に供給するための供給口２ａが形成され、反応管２の下部には、反応管２内の未反応ガスを排出するための排気口２ｂが形成されている。
　サセプタ受け５の上部の斜面状の内周面には溝部５ａが形成されており、この溝部５ａの先端の突起部（すなわちエッジ）５ｂ、５ｃで、それぞれサセプタ４の外周面（すなわちサセプタの側面）と外周面下部（すなわちサセプタの底面）が線接触で着脱自在に支持されている。
　ヒータ６は、サセプタ受け５内のサセプタ４の下方に配設されており、ヒータ６を支持している電極７を通して通電される。
　また、図では省略したが、反応管２の外側には反応管２の内壁面を水冷冷却するための冷却装置が配設されており、サセプタ受け５の下部には、サセプタ４を回転させるための回転駆動装置が連結されている。
　本発明に係る気相成長装置は上記のように構成されており、図示省略の回転駆動装置の駆動によってサセプタ受け５を回転させてサセプタ４に載置した基板３を回転（冷えば１０ｒｐｍ以上の回転数）させると共に、基板３を載置したサセプタ４をヒータ６で加熱して所定温度に上昇させ、供給口２ａから反応ガス（例えば、ＳｉＨ４，ＳｉＨ２Ｃｌ２，ＳｉＨＣｌ３，ＳｉＣｌ４等）をキャリアガス（例えば、Ｈ２等）と共に供給して基板３上に化合物半導体の薄膜を気相成長させる。
　この時、サセプタ４はサセプタ受け５の突起部５ｂ，５ｃに線接触で支持されているので、ヒータ６によって加熱されるサセプタ４の熱のサセプタ受け５側への熱伝導が低減され、サセプタ４の熱がサセプタ受け５側に逃げるのを大幅に低減することができる。よって、サセプタ４の外周側の温度低下が少なくなることにより、ヒータ６によって加熱されるサセプタ４の温度分布が略均一になるので（第８図参照）、基板３の温度も略均一になる。従って、基板３の全面にわたって均一で良好な化合物半導体の薄膜を気相成長させることができる。
　このように、サセプタ４の温度分布を略均一にすることによって、良好な化合物半導体の薄膜を得ることができるので、例えばこの薄膜でレーザダイオードを作製することにより、発振周波数のばらつき等のない良好なレーザダイオードを得ることができる。
　第２図乃至第５図、および第６図は、それぞれ本発明の他の実施例に係るサセプタとサセプタ受けの接触図を示す断面図、および平面図である。
　第２図においては、サセプタ４の外周面の下部に段部４ａを形成すると共に、サセプタ受け５の上部を内側に傾斜させて、サセプタ受け５の先端面でサセプタ４の外周面に形成した段部４ａを線接触で支持した構成である。
　第３図においては、第１図で示したサセプタ受け５に形成した溝部５ａの先端の突起部５ｂ，５ｃのサセプタ４と線接触する面の面積を少し大きくし突起部５ｂ，５ｃの先端に平面部を形成した構成である。
　第４図においては、サセプタ受け５の上部の内周面に溝部５ａを形成し、この溝部５ａの先端の突起部５ｂ，５ｃで前記第１図で示した実施例同様サセプタ４を支持する構成であるが、突起部５ｂをサセプタ４の外周面にほぼ全周にわたって線接触させ、突起部５ｃはサセプタ４の外周面下部に全周にわたらずに複数箇所で点接触（突起部５ｃは少なくとも３つ以上形成されている）させてサセプタ４を支持している。
　また、これとは逆にサセプタ４の外周面にサセプタ受け５の突起部５ｂを複数箇所で点接触させ、サセプタ４の外周面下部にサセプタ受け５の突起部５ｃを線接触させてサセプタ４を支持してもよい。
　第５図においては、第７図に示した従来のサセプタ受け５の上部に別体の例えば熱伝導率の小さなセラミックやガラス等からなるサセプタ受け８を配設して、別体のサセプタ受け８の上部に形成した溝部８ａの先端の突起部８ｂ，８ｃで、サセプタ４の外周面と外周面下部を線接触で支持した構成であり、サセプタ４の熱が逃げるのをさらに低減させることができる。
　また、別体のサセプタ受け８をサセプタ４とサセプタ受け５間に複数個介装してもよい。
　第６図においては、サセプタ受け５の内周面に形成したサセプタ５を配置する段部５ｄに、先端に平面部を有する複数の突起部（図では３つ）５ｅを形成し、この突起部５ｅでサセプタ５をほぼ点接触で支持した構成である。
　この場合、サセプタ４サセプタ受け５に点接触だけで支持することにより、サセプタ４の熱のサセプタ受け５側への熱伝導を効果的に小さくすることができる。
　このように、第２図から第６図に示した各実施例においても第１図に示した実施例同様、ヒータ６によって加熱されるサセプタ４の熱のサセプタ受け５側への熱伝導が低減されるので、サセプタ４の熱のサセプタ受け５側への逃げが大幅に低減され、サセプタ４の温度分布の均一化を図ることができる。
　また、前記した各実施例において、サセプタ受け５を熱伝導率の小さいセラミックスやガラス等で形成することによって、サセプタ４の熱のサセプタ受け５側への逃げをより低減することができる。
〔発明の効果〕
　以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明によれば、ヒータによって加熱されるサセプタの温度分布を略均一にすることができるので、基板上の全面に均一で良好な化合物半導体の薄膜を気相成長させることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明に係る気相成長装置を示す断面図、第２図乃至第５図、および第６図は、それぞれ本発明の他の実施例に係るサセプタとサセプタ受けの接触面を示す断面図、および平面図、第７図は、従来の気相成長装置を示す断面図、第８図は、本発明と従来の気相成長装置のサセプタの温度分布を示す図である。
１……ベースプレート、
２……反応管、
３……基板、
４……サセプタ、
５……サセプタ受け、
５ａ……溝部、
５ｂ，５ｃ……突起部、
６……ヒータ、
７……電極。