【事件の表示】
　特許第３００７４９８号「塗膜形成方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００７４９８号の訂正後の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３００７４９８号は、平成４年１２月２日に特許出願され、平成１１年１１月２６日にその特許の設定登録がなされ、その後、安井哲也から特許異議の申立てがあり、取消理由が通知されたところ、その指定期間内である平成１３年２月２３日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　本件訂正請求書における訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。すなわち、
訂正事項ａ：特許請求の範囲「【請求項１】アウターカップ内にスピンナーによって回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理物表面に塗布液を滴下し、インナーカップの回転によってインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力によって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法において、前記塗布液は沸点が２００℃以下の溶剤を用い、且つ塗布液の粘度は５ｃＰ以下とし、更に前記インナーカップ内の圧力は回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにしたことを特徴とする塗膜形成方法。【請求項２】前記板状被処理物表面には配線が形成され、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の塗膜形成方法。」を「【請求項１】アウターカップ内にスピンナーによって回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理物表面に塗布液を滴下し、インナーカップの回転によってインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力によって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法において、前記板状被処理物表面には配線が形成され、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍであり、前記塗布液は沸点が２００℃以下の溶剤を用い、且つ塗布液の粘度は５ｃＰ以下とし、更に前記インナーカップ内の圧力は回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにしたことを特徴とする塗膜形成方法。」と訂正する。
訂正事項ｂ：明細書の段落【００１８】の「Ａを第１層目のヒロック防止膜２２表面からのＳＯＧ膜２３の膜厚」を「Ａを第１層目の配線２１のある部分のＳＯＧ膜２３の膜厚」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１を削除し、それに伴って請求項２の項番を繰りあげると共に請求項１を引用して記載されていた構成を明記したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付された明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものである。
　上記訂正事項ｂは、本件明細書の段落【００１８】及び図３（ａ）の記載に基いて、Ａの意味を第１層目の配線２１のある部分のＳＯＧ膜２３の膜厚であることを明瞭にしたものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
　また、上記訂正事項ａ〜ｂは、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　特許権者が請求した上記訂正は、上述したとおり、容認することができるから、訂正後の本件請求項１に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
 「アウターカップ内にスピンナーによって回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理物表面に塗布液を滴下し、インナーカップの回転によってインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力によって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法において、前記板状被処理物表面には配線が形成され、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍであり、前記塗布液は沸点が２００℃以下の溶剤を用い、且つ塗布液の粘度は５ｃＰ以下とし、更に前記インナーカップ内の圧力は回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにしたことを特徴とする塗膜形成方法。」
（２）申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠方法として甲第１ないし６号証を提出し、請求項１ないし２に係る発明は、甲第１ないし６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
（３）甲第１ないし６号証の記載内容
　甲第１号証（特開平４−７８４６９号公報）には以下の事項が記載されている。
（ａ）「被膜形成ラインは最上流部（第１図において左端）にガラス基板等の板状被処理物Ｗの投入部１を設け、この投入部１の下流側に本件発明方法を実施する塗布装置２を配置し、」（第２頁右下欄第５〜８行）
（ｂ）「塗布装置２はスピンナー装置の軸２１に取り付けられたインナーカップ２２の外側にアウターカップ２３を固設している。これらインナーカップ２２及びアウタ−カップ２３は下面を閉じ上面を開放し、インナ−カップ２２内の中央部には被処理物Ｗを吸着固定する真空チャック２４を設け、更にインナーカップ２２の側壁下部にはドレインパイプ２５を取り付けている。また、アウターカップ２３内にはドレイン回収リング２６を配置している。このドレイン回収リング２６は内側壁を外側壁よりも低くして前記ドレインパイプ２５の先端を臨ませ且つ底壁を一方に傾斜せしめ最も低くなった位置にドレイン回収パイプ２７を取り付けている。また、アウタ−カップ２３の閉じられた下面には排気口２８が形成されている。−方、インナ−カップ２２及びアウターカップ２３の上方には第１図に示すようにア−ム２９、３０を配置している。これらア−ム２９、３０は直線動、回転動、上下動或いはこれらを合成した動きが可能で互いに干渉しないようになっている。そして、アーム２９にはレジスト液等の塗布液を滴下するノズルを取り付け、アーム３０の先端には下方に伸びる軸３１を取り付け、この軸３１にはノズル孔３２を穿設し、このノズル孔３２をジョイント３３及びア−ム３０内を通るホース３４を介してチッ素ガスなどの圧気源につなげている。また、前記軸３１にはべアリング３５及び磁気シ−ル３６を介してボス部３７を回転自在に嵌合し、このボス部３７にインナーカップ２２の上面開口を閉塞するための円板状をなすアルミニウム製の蓋体３８を取り付けている。そして、蓋体３８の下面にはビス３９によって整流板４０を取り付けている。この整流板４０の外径寸法はインナ一カップ２２の内径寸法よりも若干小径とされ、また蓋体３８の下面と整流板４０上面との間に形成される空間に前記ノズル孔３２が開□する。以上においてガラス基板等の被処理物Ｗ表面にレジスト液を均一に塗布するには、インナーカップ２２の上面を開放して真空チャック２４上に固着されている被処理物Ｗの表面にア−ム２９に取り付けられているノズルからレジスト液を滴下し、次いでア−ム２９を後退せしめて第２図に示すようにインナ−カップ２２上にアーム３０を回動させて蓋体３８を臨ませる。そして第３図に示すように、アーム３０を下降することで蓋体３８によりインナーカップ２２の上面を閉塞したならば、スピンナ−によってインナーカップ２２を回転せしめ、遠心力によりレジスト液を被処理物Ｗの表面に均一に拡散塗布する。そして、以上の処理においてインナ−カップ２２内は減圧状態になっているので、レジスト液が均一に塗布された被処理物Ｗを取り出すには、先ずノズル孔３２を介して蓋体と３８と整流板４０の間の空間に窒素ガス等を導入する。すると導入されたガスは整流板４０とインナーカップ２２との間の隙間を通ってインナーカップ内に行き渡り、減圧状態が解除される。このときノズル孔３２からのガスは整流板４０があるため、被処理物Ｗ表面のレジストに液に直接吹きつけられることがない。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左下欄第１９行）
　甲第２号証（特開平４−６２９２３号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｃ）「その表面に、溶剤に溶かしたＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ）をスピンコーターで回転塗布する。」（第２頁左上欄第１３〜１５行）
（ｄ）「ＳＯＧを溶かす溶剤の沸点が低いため（第３図イの溶剤では７８．３℃，第３図ロの溶剤では高い方で１８７．３℃）」（第２頁左下欄第１４〜１６行）
  甲第３号証（特開平４−９８８２３号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｅ）「本発明は、例えば半導体装置の製造工程で用いられるフォトレジスト、塗布ガラス材いわゆるＳＯＧ（スピン・オン・グラス）、ポリイミド樹脂等の各回転塗布に適用される回転塗布方法に係わる。」（第１頁左欄第１０〜１４行）
（ｆ）「具体的には低沸点の溶剤、例えばメタノール(沸点〜６４．７℃)が多く含まれる場合は、塗布材の乾きが速いことから中心部の塗布厚が大となる。」（第２頁左上欄第１１〜１４行）
  甲第４号証（特開平２−１８８９４５号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｇ）「下層絶縁膜１上に０．５〜０．６μｍ程度の狭い間隔ｄ１と１〜２μｍ程度の広い間隔ｄ２で幅１μm、高さ１μm程度の下層アルミニウム（Aｌ）配線２Ａ、２Ｂ、２Ｃが形成された基体」（第４頁右上欄第１１〜１５行）
（ｈ）「次いで、上記基体上に通常のスピンコート法により低粘度の第１の液相絶縁膜105を塗布する。この低粘度を有する第１の液相絶縁膜１０５には、例えば第２図に示すような分子構造を有し粘度が０．５〜２．０ｃ．ｐ程度のS．O．G．である　OCDｔｙｐｅ７（東京応化製）を用いる。なお、粘度調整用にはアルコール系溶剤を用いる。このスピンコートにより前記狭い開口幅W1を有するアスペクト比の大な第１の溝4AはOCDｔｙｐｅ７によって隙間なく満たされ、第１の気相成長絶縁膜３の上面及広い開口幅ｗ２を有するアスペクト比の小さい第２の溝４Ｂの内面には0.1μｍ以下程度に薄く第１の液相絶縁１０５が被着され、且つ第２の溝４Bの低部の尖鋭な角度４BＥには0.2〜0.3μｍ程度にめに第１の気相絶縁膜３溜まって被着される。第１図(c)参照　次いで上記基体を窒素（Ｎ２）中において、２５０〜３００℃程度の温度で３０分程度加熱し、上記第１の液相絶縁膜１０５をキュア−する。このキュア一により前記OCDｔｙｐｅ７は脱水縮合して第１の酸化シリコン（ＳｉＯ+ＳｉＯ２）膜５となる。第１図(d)参照　次いで、上記基体上通常のスピンコート法により高粘度の第２の液相絶縁膜106を塗布する。この高粘度を有する第２の液相絶縁膜１０６には、例えば第３図に示すような分子構造を有し、粘度2.0〜5.0c.p程度のS.O.Gである　OCDｔｙｐｅ７(東京応化製)を用いる。なお、粘度調整用にはアルコール系溶剤を用いる．このスピンコートにより前記広い開口幅wzを有するアスペクト比の小さな第２の溝４Ａは、第２の液相絶縁膜１０６であるＯＣＤｔｙｐｅ７によって隙間なく満たされ、且つ基体上部に厚さ0.5〜1μｍ程度の第２の液相絶縁膜１０６が形成される。」（第４頁左下欄第６行〜右下欄第２０行）
  甲第５号証（特開平３−３０４５３号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｉ）「即ち、高粘性のＳＯＧもコーティング時に加熱することによって、低粘性となり、高アスペクト比を有する孔や段差部に対しても充分な平坦化が達成される。本実施例においては、第１次ＳＯＧ膜３Ａの形成、供給時の粘度は０．５〜１．０ｃｐとなり、第２次ＳＯＧ３Ｂの形成、供給時の粘度は1.2〜1.5cpであった。」（第３頁右上欄第６〜１３行）
  甲第６号証（特開平３−２７２１３０号公報）には以下の事項が記載されている。
（ｊ）「上カップ(１４）を開き、１２５×１２５mm角のガラス基板（１１）を試料台（１３）の上に設置する。次いで液状レジストＯＦＰＲ−８００（１５ｃ）東京応化工業（株）製を基板中央に滴下して上カップを閉じ、モータ(１２）によって基板(１１）を３００rpm、５秒間回転させて、液状ジストを全面に広げる。直ちに回転数を１０００ｒｐｍにして10秒後にロータリーポンプ（２４）によって排気を開始し、２０秒後に50mmＨgの真空度に達した。圧力調整バルブ（２３）でこの真空度を保ちながら更に30秒間回転させた後に、さらに９０℃３０分間オーブン中でプレべ−クを行った。この時の膜厚分布を第２図の特性図に示した。縦軸は相対膜厚、横軸は距離を表わす。」（第３頁左上欄第１６行〜右上欄第８行）
（ｋ）「この発明によれば、スピン塗布において、塗布液を基板を回転させて全面に広げた後、上記基板を収容する槽内を真空に排気し、上記基板を回転させながら流動状態の上記塗布液を乾燥固定するようにしたので、槽内空気と塗布液表面の摩擦及び基板の風切り現象を低減でき、それに起因する膜厚不均一を低減できるので、均一な膜厚の塗布膜が得られる効果がある。」（第３頁左下欄第２〜９行）
（４）当審の判断
　訂正請求により、特許時の請求項１は削除され、特許時の請求項２が訂正後の請求項１に訂正されたので、訂正後の請求項１に係る発明（以下「本件訂正発明」という）について検討する。
　甲第１号証には、上記（ａ）〜（ｂ）より「板状被処理物」を用いること、「インナーカップの外側にアウターカップを固設している」こと、「インナ−カップ内の中央部には被処理物を吸着固定する真空チャックを設ける」こと、「被処理物の表面にレジスト液を滴下」すること、「スピンナ−によってインナーカップを回転せしめ、遠心力によりレジスト液を被処理物の表面に均一に拡散塗布する。そして、以上の処理においてインナ−カップ内は減圧状態になっている」ことが記載されているから、「アウターカップ内にスピンナーによって回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理物表面にレジスト液を滴下し、インナーカップの回転によってインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力によって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法」が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明と甲第１号証に記載された発明（以下「甲１発明」という）とを対比すると、甲１発明の「レジスト液」は本件訂正発明の「塗布液」に相当するから、両者は「アウターカップ内にスピンナーによって回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理物表面に塗布液を滴下し、インナーカップの回転によってインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力によって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法」である点で一致し、以下の点で相違している。
（イ）本件訂正発明は板状被処理物表面には配線が形成され、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍであるのに対し、甲第１号証には板状被処理物表面の配線については記載されていない点。
（ロ）本件訂正発明は塗布液が沸点２００℃以下の溶剤を用い、且つ塗布液の粘度は５ｃＰ以下であるのに対し、甲第１号証には溶剤の沸点及び塗布液の粘度については記載されていない点。
（ハ）本件訂正発明はインナーカップ内の圧力を回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるように規制しているのに対し、甲１発明はこのような規制がない点。
　以下、上記相違点のうち相違点（ハ）に着目して検討すると、甲第２〜５号証には「インナーカップ内の圧力を回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにする」点については記載ないし示唆されていない。すなわち、甲第２号証には、上記（ｃ）〜（ｄ）より 、沸点が７８．３℃または１８７．３℃の溶剤（本件訂正発明の「沸点２００℃以下の溶剤」に相当する）を用いることが記載されているだけであり、甲第３号証には、上記（ｅ）〜（ｆ）より、沸点が６４．７℃の溶剤（本件訂正発明の「沸点２００℃以下の溶剤」に相当する）を用いることが記載されているだけであり、甲第４号証には、上記（ｇ）〜（ｈ）より、０．５〜０．６μｍ程度の狭い間隔と１〜２μｍ程度の広い間隔で幅１μm、高さ１μm程度の配線が形成された基体（本件訂正発明の「高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍの配線が形成された板状被処理物」に相当する）表面に、粘度０．５〜５．０c.p程度の塗布液（本件訂正発明の「粘度が５ｃＰ以下の塗布液」に相当する）を塗布して塗膜を形成することが記載されているだけであり、甲第５号証には、上記（ｉ）より、粘度が０．５〜１．０ｃｐまたは１．２〜１．５ｃｐの塗布液（本件訂正発明の「粘度が５ｃＰ以下の塗布液」に相当する）を用いることが記載されているだけである。
　また、甲第６号証について検討すると、この証拠には、上記（ｊ）〜（ｋ）より、スピン塗布において３５秒後に槽内を５０mmＨgの真空度にすることが記載され、これは本件訂正発明のインナーカップ内の圧力を回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにすることに相当するが、ロータリーポンプにより減圧するものであって、その減圧条件はインナーカップの回転数、形状、容積を規定するためのものではなく、槽内空気との摩擦及び風切り現象の低減を目的とするものであるから、本件訂正発明の技術思想と異なるものである。してみると、甲１発明の減圧目的と明らかに相違するものであるから、甲１発明の減圧条件に甲第６号証記載の減圧条件を適用することはできない。
　また、本件訂正発明は「インナーカップの回転によってインナーカップ内の圧力を回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにした」という構成と「板状被処理物表面には配線が形成され、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍであり」という構成を組み合わせることにより、「配線のある部分の膜厚Ａと配線のない部分の膜厚Ｂとの膜厚比（Ａ／Ｂ）を０に近づけることができ、エッチバック等の工程を省略できる」（本件特許公報段落【００２３】）という甲第１ないし６号証の記載から予期し得ない効果を奏するものである。
　してみると、上記相違点の少なくとも（ハ）は、甲第１ないし６号証には記載も示唆もされていないから、本件訂正発明は甲第１ないし６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、訂正後の本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正後の本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月１５日（２００１．１０．１５）
【訂正の要旨】
特許第３００７４９８号の明細書を、
特許請求の範囲の減縮を目的として、
訂正事項ａ：特許請求の範囲「【請求項１】アウターカップ内にスピンナーによって回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理物表面に塗布液を滴下し、インナーカップの回転によってインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力によって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法において、前記塗布液は沸点が２００℃以下の溶剤を用い、且つ塗布液の粘度は５ｃＰ以下とし、更に前記インナーカップ内の圧力は回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにしたことを特徴とする塗膜形成方法。【請求項２】前記板状被処理物表面には配線が形成され、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の塗膜形成方法。」を「【請求項１】アウターカップ内にスピンナーによって回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理物表面に塗布液を滴下し、インナーカップの回転によってインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力によって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法において、前記板状被処理物表面には配線が形成され、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍであり、前記塗布液は沸点が２００℃以下の溶剤を用い、且つ塗布液の粘度は５ｃＰ以下とし、更に前記インナーカップ内の圧力は回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧になるようにしたことを特徴とする塗膜形成方法。」と訂正し、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
訂正事項ｂ：明細書の段落【００１８】の「Ａを第１層目のヒロック防止膜２２表面からのＳＯＧ膜２３の膜厚」を「Ａを第１層目の配線２１のある部分のＳＯＧ膜２３の膜厚」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
塗膜形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　アウターカップ内にスピンナーによって回転せしめられるインナーカップを配置し、このインナーカップ内に板状被処理物をセットし、この板状被処理物表面に塗布液を滴下し、インナーカップの回転によってインナーカップ内を減圧した状態で塗布液を遠心力によって板状被処理物表面に拡散せしめるようにした塗膜形成方法におい
て、前記板状被処理物表面には配線が形成され、この配線は高さが３μｍ以下で、幅は０．３μｍ乃至１００μｍで、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ乃至１００μｍであり、前
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はＳＯＧ（Ｓｐｉｎ−Ｏｎ−Ｇｌａｓｓ：珪素化合物を有機溶媒に溶解した溶液、及びこの溶液を塗布・焼成することで形成される酸化珪素膜）等の塗膜を形成する方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体デバイスの高集積化、配線抵抗の低減、配線レイアウトの自由度の増大更には処理速度の高速化を図るため、図５に示すように半導体ウェハやガラス基板１００の表面にＡｌ等からなる第１層目の配線１０１を形成し、この第１層目の配線１０１上に絶縁膜１０２を形成し、この絶縁膜１０２の上に第２層目の配線１０３を形成し、これら第１層目１０１と第２層目の配線１０３を絶縁膜１０２に形成したスルーホールを介して接続するようにした多層配線構造がバイポーラデバイス等で行なわれている。
　【０００３】
　上述した絶縁膜１０２や第２層目の配線１０３はスパッタリングやＣＶＤ（化学蒸着）にて形成される。ここで、スパッタリングやＣＶＤにあっては凸部の側面に膜を形成しにくい特性があり、このため図５に示すように第２層目の配線１０３に断線箇所が生じる等の問題が生じる。
　【０００４】
　そこで、ＳＯＧを用いて平坦化する方法が一般的に採用されている。この方法は先ず図６（ａ）に示すように、半導体ウェハ１００の表面にＡｌ等からなる第１層目の配線１０１を形成し、この第１層目の配線１０１上にＣＶＤによってヒロック防止膜（ＳｉＯ２）１０４を形成し、このヒロック防止膜１０４上に回転塗布装置にてＳＯＧ膜１０５を形成し、このＳＯＧ膜１０５の上に前記と同様の絶縁膜１０２を形成し、次いで図６（ｂ）に示すようにエッチングによってスルーホール１０６を形成し、この後図６（ｃ）に示すようにスパッタリング等によって第２層目の配線１０３を形成する。
　【０００５】
　上述したＳＯＧによる平坦化を行なうことで、多層配線構造が可能になるが、スルーホール１０６を形成すると、ＳＯＧ膜１０５がスルーホール１０６の一部に露出することになる。このようにＳＯＧ膜１０５が露出した状態でスパッタリングを行なうと、スパッタリングは減圧雰囲気で行なうため、ＳＯＧ膜１０５からの脱ガスが発生し、この脱ガスによって図７に示すように配線材料（Ａｌ）が付着していない接続不良箇所（Ｐｏｉｓｏｎｅｄ　Ｖｉａ）が生じやすい。
　【０００６】
　そこで、上記のＳＯＧによる平坦化に加えてエッチバックを行なう方法もある。このエッチバックは図８（ａ）に示すように一旦絶縁膜１０２まで形成した後、エッチングによりヒロック防止膜１０４が露出する程度まで除去し、次いで、図８（ｂ）に示すようにヒロック防止膜１０４にスルーホール１０６を形成し、更にスパッタリングにて第２層目の配線１０３を形成する。このようにすることで、スルーホール１０６にＳＯＧ膜１０５が露出しないので、脱ガスが生じない。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述したようにＳＯＧ膜を形成した後にエッチバックを行なえば、接続不良箇所等のない多層配線構造を得ることができるが、エッチバック工程を付加しなければならず、またエッチバックを行なうための装置を別途必要とする。また、一旦形成したＳＯＧ膜を除去するのであるから材料的にも無駄が生じる。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記課題を解決すべく本発明は、回転カップ式の塗布装置を用いて半導体ウエハやガラス基板表面にＳＯＧ等の塗膜を形成するにあたり、塗布装置のインナーカップ内の圧力が回転開始から６０秒以内で回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧、好ましくは５〜３０Ｔｏｒｒ減圧になるようにした。
　【０００９】
　【作用】
　インナーカップの回転開始から６０秒以内にインナーカップ内の圧力が例えば５〜３０Ｔｏｒｒ減圧になるようにすることで、膜厚比（Ａ／Ｂ）を０に近づけることができる。ただし、Ａは第１層目の配線表面からの膜厚、Ｂは板状被処理物表面（配線のない部分）からの膜厚である。
　【００１０】
　【実施例】
　以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。ここで、図１は本発明方法の実施に用いる回転カップ式塗布装置の開状態の断面図、図２は同回転カップ式塗布装置の閉状態の断面図である。
　【００１１】
　回転カップ式塗布装置はベースプレートに固定した環状のアウターカップ１内にインナーカップ２を配置し、このインナーカップ２をスピンナー装置３の軸に取り付け、インナーカップ２を高速で回転せしめるようにしている。このインナーカップ２の底部中央には板状被処理物としての半導体ウェハＷを吸着固定する真空チャック４を設け、インナーカップ２の側面にはアウターカップに形成した回収通路５内に臨むドレインパイプ６を取り付けている。
　【００１２】
　前記アウターカップ１及びインナーカップ２の上方にはアーム７を配置している。アーム７は直線動、回転動、上下動或いはこれらを合成した動きが可能で先端には下方に伸びる軸８を取り付け、この軸８にはノズル孔９を穿設し、このノズル孔９をジョイント及びアーム７内を通るホースを介してチッ素ガス供給源及び洗浄液供給源につなげている。
　【００１３】
　また、前記軸８にはベアリング及び磁気シールを介してボス部１０を回転自在に嵌合し、このボス部１０にインナーカップ２の上面開口を閉塞するための円板状をなすアルミニウム製の蓋体１１を取り付けている。また、この蓋体１１の上方のアーム７の先端下面にはアウターカップ１の上面開口を閉塞するための蓋体１２を固着している。
　【００１４】
　蓋体１２はアーム７の先端下面に取り付けた筒体１３の外周にリング状のスライド部材１４を介して上下摺動自在に保持され、また蓋体１２の内周縁にはテフロン製の軸受１５を取り付け、この軸受１５に筒体１３に植設したガイドポスト１６を係合している。而して、図１に示すようにアーム７が上昇している場合には、蓋体１２に形成した受け孔１７に蓋体１１に固着したピン１８が係合して蓋体１１の位置決めを行ない、また図２に示すようにアーム７が降りて蓋体１１，１２がそれぞれインナーカップ２及びアウターカップ１の開口を閉塞する場合には、蓋体１２はガイドポスト１６に沿って上昇し、受け孔１７からピン１８が抜け出る。また、蓋体１１の下面にはビス１９によってインナーカップ２内の乱流を防止する整流板２０を取り付けている。
　【００１５】
　以上において、半導体ウェハＷ表面にＳＯＧ液を均一に塗布するには、カップ１，２の上面を開放して真空チャック４上に固着している半導体ウェハＷの表面にＳＯＧ液を滴下し、次いで図１に示すようにインナーカップ２及びアウターカップ１上にアーム７を回動させて蓋体１１，１２を臨ませ、次いで図２に示すように、アーム７を下降することで蓋体１１によりインナーカップ２の上面を閉塞し、蓋体１２によりアウターカップ１の上面開口を閉塞したならば、スピンナーによって真空チャック４とインナーカップ２を一体的に回転せしめ、遠心力によりＳＯＧ液を半導体ウェハＷの表面に塗布する。
　【００１６】
　また、上記したようにインナーカップ２が真空チャック４とともに高速回転すると、ドレインパイプ６からインナーカップ２内のガス（空気）が外部（回収通路）に排出され、インナーカップ２内は減圧される。
　【００１７】
　ここで、本発明にあってはインナーカップ２内の圧力は回転の開始後６０秒以内に回転前より５Ｔｏｒｒ以上減圧、好ましくは５〜３０Ｔｏｒｒ減圧になるようにする。このような条件で塗布を行なえるようにするには、高速回転可能（１，０００ｒｐｍ以上）なスピンナーを用いなければならないが、これよりもインナーカップ２の形状をできるだけ扁平にすることが重要である。扁平形状にすることで、インナーカップ２内の容積を小さくできるので、短時間のうちに所望の減圧とすることができ、且つ作用する遠心力を最大限に利用することができる。また、回転前より３０Ｔｏｒｒ以上減圧するためには、更に構造を複雑にしなければならず好ましくない。
　【００１８】
　図３（ａ）は本発明方法を適用した半導体ウェハＷの断面図であり、半導体ウェハＷの表面には第１層目の配線２１が形成され、この第１層目の配線２１上にＣＶＤによってヒロック防止膜（ＳｉＯ２）２２が形成され、このヒロック防止膜２２の上に上記の塗布条件によってＳＯＧ膜２３が形成されている。ここで、Ａを第１層目
の配線２１の
　【００１９】
　したがって、図３（ｂ）に示すように、エッチバックを行なうことなく、ＳＯＧ膜２３の上に低温ＣＶＤで絶縁膜２４を成長させ、エッチングによってスルーホール２５を形成し、このスルーホール２５を介してスパッタリング等によって形成した第２層目の配線２６と第１層目の配線２１とを接続して多層配線構造が完成する。
　【００２０】
　図４は膜厚比（Ａ／Ｂ）とインナーカップ内の回転前と回転後６０秒後における圧力差の関係を示すグラフであり、回転前よりも５Ｔｏｒｒ以上減圧すると、膜厚比（Ａ／Ｂ）は限りなく０に近づくことが分る。
　【００２１】
　尚、図４の結果を得るために用いたＳＯＧ液はＯＣＤ　Ｔｙｐｅ７（東京応化工業製）であり、このＳＯＧ液の粘度は５ｃＰ以下とし、溶剤の沸点は２００℃以下とし、配線の高さは１μｍ、幅は１〜１０μｍ、隣接する配線との間隔は１〜１０μｍとした。このように粘度を５ｃＰ以下とするのは、ヒロック防止膜の凸部から凹部にＳＯＧ液が流れ込み易くなるからであり、沸点を２００℃以下とするのはインナーカップ内で溶剤飽和状態を生成し易くするためである。
　【００２２】
　また、本発明方法の効果つまりエッチバックが必要でない程度まで膜厚比（Ａ／Ｂ）を小さくできる配線の高さは３μｍ以下、幅は０．３μｍ〜１００μｍ、更に隣接する配線との間隔は０．３μｍ〜１００μｍである。
　【００２３】
　【発明の効果】
　以上に説明したように本発明によれば、回転カップ式の塗布装置を用いて半導体ウエハやガラス基板表面にＳＯＧ等の塗膜を形成するにあたり、塗布装置のインナーカップ内の圧力が塗布液を滴下した後に６０秒以内で回転前よりも５〜３０Ｔｏｒｒ減圧になるようにしたので、膜厚比（Ａ／Ｂ）を０に近づけることができ、エッチバック等の工程を省略して多層配線構造のデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明方法の実施に用いる回転カップ式塗布装置の開状態の断面図
　【図２】
　同回転カップ式塗布装置の閉状態の断面図
　【図３】
　（ａ）は本発明方法によって塗膜を形成した板状被処理物の断面図、（ｂ）は（ａ）の工程に続いて多層配線構造とした板状被処理物の断面図
　【図４】
　膜厚比とインナーカップ内の減圧の立ち上がり時間との関係を示すグラフ
　【図５】
　膜厚比とインナーカップ内の圧力との関係を示すグラフ
　【図５】
　単純な多層配線構造とした場合の不利を説明した断面図
　【図６】
　（ａ）はＳＯＧを形成した状態の図、（ｂ）は（ａ）の工程に続いてスルーホールを形成した状態の図、（ｃ）は（ｂ）の工程に続いて２層目の配線を形成した状態の図
　【図８】
　ＳＯＧからのガスによって接続不良を生じている状態を示す図
　【図９】
　（ａ）及び（ｂ）はエッチバック法を説明した図
　【符号の説明】
　１…アウターカップ、２…インナーカップ、４…真空チャック、５…回収通路、６…ドレインパイプ、２１…第１層目の配線、２２…ヒロック防止膜２２、２３…ＳＯＧ膜、２４…絶縁膜、２５…スルーホール、２６…第２層目の配線、Ｗ…板状被処理物。