【事件の表示】
　特許第３０７９０７７号「有機金属気相成長装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７９０７７号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０７９０７７号（以下「本件特許」という。）は、平成１年１月２０日に出願した実願平１−５３４７号を、平成９年１２月１７日に特許出願に変更したものであって、平成１２年６月１６日に、請求項１に係る発明について特許権の設定登録がなされた後、平成１３年２月１４日に特許異議申立人　中村孝子より、その請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、平成１３年７月１６日付けで審判官合議体より特許取消理由の通知がなされ、これに対して、平成１３年１０月１日付けで、特許権者より訂正請求書及び特許異議意見書の提出がなされ、さらに、平成１３年１１月２０日付けで審判官合議体より特許取消理由の通知がなされ、これに対して、平成１４年２月１日付けで、特許権者より訂正請求書及び特許異議意見書が提出されるとともに、先の平成１３年１０月１日付けの訂正請求書による訂正請求を取り下げる旨の訂正請求取下書が提出されたものである。
　　
II．訂正の適否について
　上記平成１４年２月１日付けの訂正請求書による訂正は、以下のとおりである。
（II-1）訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
(a-1)請求項１を、以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】有機金属気相成長を行わせるリアクタと、該リアクタからの排気ガスを処理する廃ガス処理機との間には配管を介して、ロータとそのハウジングとの間に油を介在させないドライ回転吸引機を設けて油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにした有機金属気相成長装置であって、前記ドライ回転吸引機にはパージガスを供給するラインが設けられ、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つことを特徴とする有機金属気相成長装置。」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
(b-1)段落【0005】中、「両者の問にバルブが存在」を、「両者の間にバルブが存在」と訂正し、「間題点があった。」を、「問題点があった。」と訂正する。
(b-2)段落【0006】中、「上記の目的を連成・・・・供給するラインを設けた。」を、「上記の目的を達成するために本発明では、有機金属気相成長を行わせるリアクタと、該リアクタからの排気ガスを処理する廃ガス処理機との間には配管を介して、ロータとそのハウジングとの間に油を介在させないドライ回転吸引機を設けて油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにするとともに、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つようにした。」と訂正する。
(b-3)段落【0007】中、「廃ガス処理機との問には」を、「廃ガス処理機との間には」と訂正する。
(b-4)段落【0008】中、「流しておくようにすれば」を、「流しておくようにしたので」と訂正する。
(b-5)段落【0009】中、「ロータ８相互問」を、「ロータ８相互間」と訂正する。
(b-6)段落【0011】中、「（イ）リアクタと廃ガス処理機との間に減圧機としてロータとハウジングとの問に油を介在させないドライ回転吸引機を設置したので、このようなドライ回転吸引機の場合にはロータとハウジングとの間のクリアランスが油回転ポンプに比べて大きく、しかもロータとハウジングとの間に油を用いていないので」を、「（イ）リアクタと廃ガス処理機との間に減圧機としてロータとハウジングとの間に油を介在させないドライ回転吸引機を設置し、しかもロータとハウジングとの間に油を用いていないので」と訂正する。
(b-7)段落【0011】中、「パージカスを供給」を「パージガスを供給」訂正し、「廃カス処理機」を「廃ガス処理機」と訂正する。
　　
（II-2）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　訂正事項(a-1)は特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、訂正事項(b-1)、(b-3)、(b-5)、(b-7)は誤記の訂正を目的とするもの、訂正事項(b-4)は明りょうでない記載の釈明を目的とするもの、訂正事項(b-2)、(b-6)は明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正を目的とするものにそれぞれ該当し、そして、これらの訂正は、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとは認められない。したがって、本訂正を認める。
　　
III．本件発明 
　訂正後の請求項１に係る発明（以下、「訂正発明」という。）は、訂正明細書（以下、単に「明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの、次のものと認める。
「【請求項１】有機金属気相成長を行わせるリアクタと、該リアクタからの排気ガスを処理する廃ガス処理機との間には配管を介して、ロータとそのハウジングとの間に油を介在させないドライ回転吸引機を設けて油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにした有機金属気相成長装置であって、前記ドライ回転吸引機にはパージガスを供給するラインが設けられ、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つことを特徴とする有機金属気相成長装置。」
　　
IV．特許異議申立について
(IV-1)特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　中村孝子は、本件のもとの実用新案出願前に日本国内において頒布された刊行物として、甲第１号証（特開昭５５−３４１５８号公報；昭和５５年３月１０日公開）、甲第２号証（特開昭６４−１２０９２号公報；平成１年１月１７日公開）、甲第３号証（日本半導体製造装置協会編「半導体製造装置用語辞典」日刊工業新聞社（昭和６２年１１月２０日初版１刷発行）第１３６〜１４２頁）、及び、甲第４号証（「Vacuum，TECHNOLOGY APPLICATIONS AND ION PHYSICS，Volume 38/numbers8-10/1988）」第６６５〜６６８頁）を提示して、甲第４号証の記載を参酌すれば、特許権設定登録時の本件請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許を受けたものであるから、当該請求項１に係る特許は取り消すべきものであると主張している。
　　
(IV-2)証拠の記載事実
甲第１号証（特開昭５５−３４１５８号公報）
(1-1)「減圧反応炉の排気経路においてエゼクタポンプと液封ポンプとが順次接続されており、少なくともこれら両ポンプを含む吸引手段によって前記減圧反応炉内が所定の減圧状態に制御されつつ前記減圧反応炉からの排ガスが導びかれ、かつ前記両ポンプの少なくとも一方において前記排ガス中の危険又は有害物質が安全物質に変換され、この安全物質が前記液封ポンプ内で液体中に除去されるように構成した減圧反応装置。」（特許請求の範囲）
(1-2)「本発明は減圧反応装置、例えば減圧気相成長（ＣＶＤ）装置に関するものである。減圧ＣＶＤ工程では、爆発性のＳiＨ４等の特殊ガスを中心とした化学反応系を使用し、主としてポリシリコン膜、Ｓi３Ｎ４膜、ＳiＯ２膜、ＤＯＰＯＳ膜・・・等を形成しており、この工程は最新の半導体素子を製造する上で必至のものである。上記のような薄膜を成長させる場合には、膜厚分布の改善や品質の向上のために、減圧下で反応を行わせることが必要とされる。」（第１頁左下欄第１５行〜右下欄第５行）
(1-3)「こうした減圧反応装置には、爆発性のあるＳiＨ４等の反応ガスを供給する関係で、特にその排気系において未反応のＳiＨ４等による爆発危険性を皆無とし、また有毒ガスが人体に直接的に触れず、かつ維持（メインテナンス）が容易で、高い安全性及び公害防止の要求を満たすことが重要とされる。」（第１頁右下欄第６〜１１行）
(1-4)「本発明は・・・減圧反応炉（例えば減圧ＣＶＤ反応炉）の排気経路においてエゼクタポンプ・・・と液封ポンプ・・・とが順次接続されており、これら両ポンプを含む吸引手段（例えばこれら両ポンプとメカニカルブースターポンプとからなる吸引手段）によって前記減圧反応炉が所定の減圧状態に制御されつつ前記減圧反応炉からの排ガス（例えばＳｉＨ４を含むガス）が導びかれ、かつ前記両ポンプの少なくとも一方において前記排ガス中の危険又は有害物質・・・が安全物質・・・に変換され、この安全物質が前記液封ポンプ内で液体中・・・に除去されるように構成した減圧反応装置に係るものである。」（第２頁左上欄第１６行〜右上欄第１０行）
(1-5)第２図（第４頁）とともに（以下、図面に関して同様。）、「反応炉(2)内を所定の真空状態、例えば10ー３トル程度に減圧しながら、反応生成ガス及び未反応ガスを排出する必要がある。このために本実施例では、反応炉(2)の排気管(8)に設けた圧力ゲージ(9)によって作業圧を測定しながら、下記の3つのポンプからなる吸引系を作動させる。即ち、排気管の(8)排気経路中には、2つのメカニカルブースターポンプ(15)及び(25)と、空気エゼクタポンプ(10)と、水封ポンプ(11)とが順次設けられている。」（第２頁右上欄第２０行〜左下欄第９行）
(1-6)「ポンプ(15)(25)はまゆ型カムを(31)を有する従来公知のほゞオイルフリーのポンプであって、排気容量と到達真空度を実現するために使用される。」（第２頁左下欄第１７〜１９行）
(1-7)「排ガス(14)は吸引された際に、ガス中の成分であるＳiＨ４は空気と混合されて燃焼を起こし、ＳiＨ４+２Ｏ２ →ＳiＯ２+２Ｈ２Ｏなる反応によって、ＳiＯ２とＨ２Ｏとに分解する。従ってこの時点で、爆発性のあるＳiＨ４は安全なＳiＯ２とＨ２Ｏとに変化するのである。これらの分解生成物(18)及び未反応ガスは次いで後続の回転羽根(32)付きの水封ポンプ(11)に送り込まれる。水封ポンプ(11)は従来公知のように・・・真空ポンプの役割りを果たしつつ、エゼクタ反応物(18)や未反応ガス、反応炉(2)内の反応物・・・を水封を利用して安全に処理するものである。」（第２頁右下欄第１１行〜第３頁左上欄第４行）
(1-8)「ポンプ(11)には水以外の他の液体を供給してよい場合もある。本発明は、Ｓiゲートを有する半導体装置やＣＣＤ等に用いられるポリシリコン膜の形成装置や、ドライアッシャー、イオンインプランター等にも応用し、爆発性及び可燃性及び可燃性ガスをはじめ腐食性ガスや毒性ガスが排出されるあらゆる減圧反応装置に適用でき、応用範囲を広くすることができる。」（第３頁右下欄第１２〜１９行）
　　
甲第２号証（特開昭６４−１２０９２号公報）
(2-1)「互いに噛み合う雌雄一対のスクリュロータと、一方が吸込口に、他方が吐出口に開口したロータ室を有し、このロータ室内にスクリュロータを回転可能に収納したケーシングとからなるオイルフリースクリュ式真空ポンプにおいて、上記吐出口に連通し、平均圧力が吐出口におけるよりも低いロータロータ室内の位置に面したロータ室壁部に大気に連通するガス導入孔を穿設して形成したことを特徴とするスクリュ式真空ポンプ。」（特許請求の範囲）
(2-2)「従来、スクリュ式真空ポンプ、特に半導体の製造部門・・・等、不純物の混入、においの発生をきらう分野に適したオイルフリースクリュ式真空ポンプが公知である。」（第１頁左下欄第１９行〜右下欄第２行）
(2-3)第１〜３図（第３頁）とともに（以下、図面に関して同様。）、「ロータ室５内の位置とは第３図に示すようにスクリュロータ１，２の歯溝部の吐出口側の境界線が、丁度吐出ポート８に達した状態におけるハッチングを施した一連の歯溝部９，１０が存在する位置をいう。」（第２頁左下欄第２〜６行）
(2-4)「しかし、明らかなように、空気をＡ点にて流入させる方がＣ点にて流入させるよりＸ点に至るまでのシール箇所が多いため、Ｘ点への空気の漏れは少なくなり到達真空度が向上する。」（第２頁左下欄第１７〜２０行）
(2-5)「ガス導入孔から流入させるガスは空気に限らず用途に応じて他のガスを用いてもよい。」（第３頁左上欄第１９〜２０行）
(2-6)「スクリュ形式の特徴を真空ポンプに有効に生かして別途装置を設けることなく、ロータ室内に冷却用の空気を供給して吐出温度を下げるとともに、吸込口側への空気漏れの減少による到達真空度の向上が可能となる。また、吐出温度を下げることによる所要動力の増加を最小にすることが出来る。さらに、メタノール、アセトン等の爆発性ガスを吸引する場合には上記ガス導入孔から空気の代わりにＮ２ガス等を流入させて、吐出温度を低下させるという本来の目的の他に爆発防止も出来る等の効果を奏する。」（第３頁右上欄第７〜１８行）
　　
甲第３号証（上記「半導体製造装置用語辞典」抜粋）
(3-1)「1.3　ＣＶＤ装置」の欄に、「ＣＶＤ装置」の意味として、「薄膜材料を構成する元素からなる一種または数種の化合物ガス、単体ガスをウェーハ上に供給し、気相またはウェーハ表面での化学反応により所望の薄膜を形成させる装置。」（第１３６頁）、及び、「有機金属ＣＶＤ装置」の意味として、「有機金属化合物の熱分解反応を利用して化合物半導体又は金属膜を作成するＣＶＤ装置。」（第１３７頁）であることが記載され、また、「1.4　エピタキシャル成長装置」の欄に、「有機金属気相エピタキシャル成長装置」の意味として、「有機金属化合物とＰＨ３、ＡsＨ３等の水素化合物を用いてＧaＰ、ＧaＡs等の化合物半導体単結晶を成長させる装置。」（第１４２頁）であることが記載されている。
　　
甲第４号証（上記「Vacuum，TECHNOLOGY APPLICATIONS AND ION PHYSICS，Volume 38/numbers8-10」（訳））
(4-1)「１．序　吸引領域内に油無しポンプを使用することが利点であるような多くの応用分野がある。多くの工業プロセスは、高負荷の攻撃的なガス、微粒子、溶解性蒸気に対する対策として真空ポンプを必要とする。油封ポンプでは、信頼性と使用可能時間は油の清浄度と潤滑条件とに依存するところが大きい。清浄な応用分野では、油は吸引されるガスにとっても或いは真空システムの後流側においても汚染物質である。清浄かつ重工業の応用分野に適したドライポンプがワイクリフによって説明されている・・」（第665頁左欄本文第1〜11行）
(4-2)「８．窒素ガス又は空気バラストを用いて軽量ガスを吸引する　本実験の目的は、高分子量ガスをクリアランスに導入することによって、それが水素やヘリウムのような軽量ガスの拡散障壁として機能するか否かを確かめることであった。ガスは、最終的に得られる真空の低下を最小限にするために、ＤＰ８０の吐出段のガスバラストポートに導入された。」（第667頁右欄下から第3行〜第668頁左欄本文第4行）
(4-3)「（3）軽量ガスのための吸引速度は、ガスバラストの使用により著しく改善され、ポンプ速度は1×10−２ から10mbarの圧力領域では、全てのガスについて似たようなものである。」（第668頁右欄本文第4〜6行）
　　
(IV-3)対比・判断
　訂正発明と、甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証には、減圧反応炉の排気経路においてエゼクタポンプと液封ポンプとが順次接続されており、少なくともこれら両ポンプを含む吸引手段によって前記減圧反応炉内が所定の減圧状態に制御されつつ前記減圧反応炉からの排ガスが導びかれ、かつ前記両ポンプの少なくとも一方において前記排ガス中の危険又は有害物質が安全物質に変換され、この安全物質が前記液封ポンプ内で液体中に除去されるように構成した減圧反応装置（摘記1-1）に係る発明が記載されている。当該甲第１号証には、併せて、上記の減圧反応装置としては、例えば減圧気相成長（ＣＶＤ）装置が該当すること（摘記1-2）、減圧反応炉（例えば減圧ＣＶＤ反応炉）の排気経路においてエゼクタポンプと液封ポンプとが順次接続され、これら両ポンプを含む吸引手段（例えばこれら両ポンプとメカニカルブースターポンプとからなる吸引手段）によって前記減圧反応炉が所定の減圧状態に制御されつつ前記減圧反応炉からの排ガスが導びかれ、かつ前記両ポンプの少なくとも一方において前記排ガス中の危険又は有害物質が安全物質に変換され、この安全物質が前記液封ポンプ内で液体中に除去されること（摘記1-4）が記載されており、また、実施例においては、反応炉(2)内を所定の真空状態に減圧しながら、反応生成ガス及び未反応ガスを排出する必要があり、そのため、排気管の(8)排気経路中には、2つのメカニカルブースターポンプ(15)及び(25)と、空気エゼクタポンプ(10)と、水封ポンプ(11)とを順次設けたこと（摘記1-5）、ポンプ(15)(25)はまゆ型カムを(31)を有する従来公知のほゞオイルフリーのポンプであったこと（摘記1-6）、及び、水封ポンプ(11)は従来公知のように、真空ポンプの役割りを果たしつつ、エゼクタ反応物(18)や未反応ガス、反応炉(2)内の反応物を水封を利用して安全に処理するものであること（摘記1-7）、ポンプ(11)には水以外の他の液体を供給できること（摘記1-8）が説明され、さらに、当該甲第１号証に記載の発明が、Ｓiゲートを有する半導体装置やＣＣＤ等に用いられるポリシリコン膜の形成装置や、ドライアツシャー、イオンインプランター等にも応用し、爆発性及び可燃性及び可燃性ガスをはじめ腐食性ガスや毒性ガスが排出されるあらゆる減圧反応装置に適用できること（摘記1-8）が記載されている。
　そして、甲第１号証に記載された上記の反応炉は、訂正発明におけるリアクタに相当し、甲第１号証に記載された上記の水封ポンプは、そのガス処理機能の点から見て、訂正発明における廃ガス処理機に相当する。また、甲第１号証には、上記のとおり、まゆ型カムを有するオイルフリーのポンプが説明され、これは、訂正発明における、「ロータとハウジングとを有し、その間に油を介在させないドライ回転吸引機」に相当し、また、「油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにした」ものであるとも認められる。そして、甲第１号証の記載を見ると、反応炉、メカニカルブースターポンプ及び水封ポンプが、配管を介して接続されていることが認められる（摘記1-1、1-4、1-5、第２図）。
　以上のことからすると、訂正発明は、甲第１号証に記載された発明と、「リアクタと、該リアクタからの排気ガスを処理する廃ガス処理機との間には配管を介して、ロータとそのハウジングとの間に油を介在させないドライ回転吸引機を設けて油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにした装置」の点で一致し、そして、
(イ）訂正発明では、リアクタが「有機金属気相成長を行わせる」ものであり、また、それに伴い、上記装置が「有機金属気相成長装置」であるのに対して、甲第１号証には、当該「有機金属気相成長」に係る記載が見あたらない点、及び、
（ロ）訂正発明では、「ドライ回転吸引機にはパージガスを供給するラインが設けられ、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つ」ものであるのに対して、甲第１号証にはその記載が見あたらない点、
で訂正発明は甲第１号証に記載された発明と、一応相違しているものと認められる。
　　
　そこで、これらの相違点（イ）及び（ロ）について、以下検討する。
相違点（イ）について
　甲第１号証には、同号証に係る発明が、「減圧反応装置、例えば減圧気相成長（ＣＶＤ）装置」（摘記1-2）に関するものである旨が記載されている。しかし、これら減圧気相成長又はＣＶＤと、訂正発明における「有機金属気相成長」との関連については明らかでない。そこで、技術用語を説明した甲第３号証の記載を見ると、甲第３号証には、ＣＶＤ装置の一種として「有機金属ＣＶＤ装置」が挙げられ、そしてそれが、有機金属化合物の熱分解反応を利用して化合物半導体又は金属膜を作成するＣＶＤ装置であることが説明されている（摘記3-1）。一方、本件明細書の記載を見ると、訂正発明における有機金属気相成長装置については、有機金属気相成長法によって薄膜を成長させるものであり、そして、例えば、３族元素を含む有機金属と５族元素を含むＡsＨ3、ＰＨ3等を含む原料をリアクタに送り、該リアクタ内の高温に加熱されているサセプタ上の基板に薄膜を成長させるものであること（段落【0001】〜【0002】参照。）、及び、減圧下で処理を行うこと（段落【0003】〜【0004】、【0010】参照。）が説明されている。してみれば、訂正発明における有機金属気相成長は、甲第１号証に記載された減圧気相成長又はＣＶＤに該当するものと認められ、したがって、両者は用語上の相違はあるものの、その内容については実質的に重複、一致し、したがって、上記相違点（イ）には、実質的な相違があると言うことはできない。
　他方、甲第１号証には、同号証に記載された発明について、Ｓiゲートを有する半導体装置やＣＣＤ等に用いられるポリシリコン膜の形成装置や、ドライアツシャー、イオンインプランター等にも応用し、爆発性及び可燃性及び可燃性ガスをはじめ腐食性ガスや毒性ガスが排出されるあらゆる減圧反応装置に適用できることが記載されており（摘記1-8）、してみれば、甲第１号証に記載された減圧気相成長装置又はＣＶＤ装置（摘記1-2）を、腐食性ガスを用いて有機金属気相成長を行うリアクタに対して適用し、もって上記相違点（イ）のとおり構成することに、格別の困難性があるということはできない。
　以上のとおりであるから、上記相違点（イ）については、甲第１号証に記載された発明と実質的な相違を構成するものではなく、あるいは、甲第１号証の記載事項に基いて、当業者が容易に想到し得た事項であると認める。
　　
相違点（ロ）について
　甲第２号証には、吐出口に連通し、平均圧力が吐出口におけるよりも低いロータ室内の位置に面したロータ室壁部に大気に連通するガス導入孔を穿設して形成したオイルフリースクリュ式真空ポンプが記載され（摘記2-2）、そして、上記のロータ室内の位置について、スクリュロータの歯溝部の吐出口側の境界線が、丁度吐出ポートに達した状態における一連の歯溝部が存在する位置（第３図のハッチング部）であることが説明されている（摘記2-3）。
　してみれば、甲第２号証には、オイルフリースクリュ式真空ポンプに対して、ガス導入口を穿設することが開示されていると言うことができるが、その詳細を見ると、そのガス導入口の位置は、所定の冷却効果及び真空度を得る点から、ポンプの吐出口に連通した吐出側近傍に特定されたものであって（摘記2-1、2-3、2-6）、訂正発明のように、真空ポンプの内部をパージガスにより清浄化する構成を具備したものではない。そして、甲第２号証の記載では、真空ポンプの、より吸込口に近い位置からのガス導入については、吸込口への空気の漏れが多く、真空度上不適当であると説明され、当該甲第２号証に係る発明の構成からも排除されている（摘記2-1、2-3、2-4）。
　以上のことからすると、甲第２号証には、上記相違点（ロ）に係る、「ドライ回転吸引機にはパージガスを供給するラインが設けられ、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つ」点が開示されているということはできない。
　なお、甲第４号証には、油無しポンプに対するガスバラストの導入についての記載がみられるが（摘記4-1〜4-3）、前記甲第２号証と同様、上記の相違点（ロ）に係る構成の記載は見あたらない。
　そして、訂正発明は、当該相違点（ロ）に係る構成要件を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、従前の油回転ポンプを用いた場合に比して、油と有機金属との反応生成物が発生しなくなり、オイルフィルターが不要になって保守が容易になり、処理系に油の汚染源を存在させないように装置を構成することができ、リアクタヘは油が不純物として入り込まなくなり、該リアクタ内で処理する基板の歩留りを向上させることができ、基板上に形成する回路の集積度が上がっても、容易にこれに対処することができ、また、リアクタ内の圧力制御が安定し、しかも廃ガス処理機も流速が速くなり過きず、処理能力を低下させない、との効果を奏する他、さらに、ドライ回転吸引機にパージガスを供給できる構造としたため、ドライ回転吸引機の吸引能力を高めることが可能となると共に、常にパージガスを流すようにしたので、装置内を清浄に保つことができる（段落【0011】）という、明細書に記載され、そして各甲号証に記載のない効果を奏したものと認められる。
　してみれば、訂正発明は、甲第４号証の記載を参酌しても、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできず、したがって、特許異議申立人の上記主張は採用することができない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人　中村孝子の主張する理由及び提示した証拠によっては、訂正発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１１日（２００２．６．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨（特許第３０７９０７７号）
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
（ａ−１）請求項１を、以下のとおりに訂正する。
「【請求項１】有機金属気相成長を行わせるリアクタと、該リアクタからの排気ガスを処理する廃ガス処理機との間には配管を介して、ロータとそのハウジングとの間に油を介在させないドライ回転吸引機を設けて油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにした有機金属気相成長装置であって、前記ドライ回転吸引機にはパージガスを供給するラインが設けられ、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つことを特徴とする有機金属気相成長装置。」
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
（ｂ−１）段落【０００５】中、「両者の問にバルブが存在」を、「両者の間にバルブが存在」と訂正し、「間題点があった。」を、「問題点があった。」と訂正する。
（ｂ−２）段落【０００６】中、「上記の目的を連成・・・・供給するラインを設けた。」を、「上記の目的を達成するために本発明では、有機金属気相成長を行わせるリアクタと、該リアクタからの排気ガスを処理する廃ガス処理機との間には配管を介して、ロータとそのハウジングとの間に油を介在させないドライ回転吸引機を設けて油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにするとともに、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つようにした。」と訂正する。
（ｂ−３）段落【０００７】中、「廃ガス処理機との問には」を、「廃ガス処理機との間には」と訂正する。
（ｂ−４）段落【０００８】中、「流しておくようにすれば」を、「流しておくようにしたので」と訂正する。
（ｂ−５）段落【０００９】中、「ロータ８相互問」を、「ロータ８相互間」と訂正する。
（ｂ−６）段落【００１１】中、「（イ）リアクタと廃ガス処理機との間に減圧機としてロータとハウジングとの問に油を介在させないドライ回転吸引機を設置したので、このようなドライ回転吸引機の場合にはロータとハウジングとの間のクリアランスが油回転ポンプに比べて大きく、しかもロータとハウジングとの間に油を用いていないので」を、「（イ）リアクタと廃ガス処理機との間に減圧機としてロータとハウジングとの間に油を介在させないドライ回転吸引機を設置し、しかもロータとハウジングとの間に油を用いていないので」と訂正する。
（ｂ−７）段落【００１１】中、「パージカスを供給」を「パージガスを供給」訂正し、「廃カス処理機」を「廃ガス処理機」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
有機金属気相成長装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　有機金属気相成長を行わせるリアクタと、該リアクタからの排気ガスを処理する廃ガス処理機との間には
配管を介して
、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つこと
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、基板上に有機金属気相成長法によって薄膜を成長させる有機金属気相成長装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来技術】
　この有機金属気相成長装置は、３族元素を含む有機金属と５族元素を含むＡｓＨ３又はＰＨ３等を用いて行われる。ドーパントとして、ＳｉＨ４、Ｈ２Ｓ、Ｈ２Ｓｅ、ＴＭＺｎ等が用いられ、キャリアガスとして水素が用いられている。これをリアクタに送り、該リアクタ内の高温に加熱されているサセプタ上のＧａＡｓ或いはＩｎＰ等の基板に薄膜を成長させることにより実施される。この場合、リアクタ内は常圧に近い圧力で実施されていたが、ガス速度を速くした方が膜厚の均一性が向上し、ガス切換え速度が良くなるので、リアクタ内を減圧する減圧方式が現在各社で開発中である。
　【０００３】
　減圧方式は、圧力補償や、大気から真空或いはその逆にする設備上の工夫が常圧方式のものよりも必要である。
　図３は従来の減圧方式の有機金属気相成長装置の構成を示したものである。図において、１はリアクタ、２はリアクタ１内を例えば１００Ｔｏｒｒに減圧する減圧機としての油回転ポンプ、３はリアクタ１と油回転ポンプ２との間に設けられた廃ガス処理機である。該廃ガス処理機３は、リアクタ１からの排気ガス中に存在するＡｓＨ３、ＰＨ３等の毒性ガス、ＴＭＡ、ＴＭＧ等の可燃性ガスを許容限度以下に処理した後、油回転ポンプ２を経て屋外に排出するようになっている。
　【０００４】
　しかしながら、このような有機金属気相成長装置では、廃ガス処理機３内も油回転ポンプ２により例えば１００Ｔｏｏｒに減圧されて廃ガス処理が行われるので、廃ガス処理機３中の流速が速くなり過ぎ、廃ガス処理能力が低下してしまう問題点があった。
　これを改善するため、図４に示すように廃ガス処理機３の前に油回転ポンプ２を置き、油回転ポンプ２を経て７６０Ｔｏｏｒ（大気圧）になった排気ガスを廃ガス処理機３で処理することが提案されている。この場合には、リアクタ１から排出される排気ガスが、油回転ポンプ２中を通ると、該油回転ポンプ２中の油と排気ガス中の有機金属が反応して例えばＴＭＡからはアルミナ、ＴＭＧからはＧａの酸化物等の反応生成物が発生する。これが多くなると、油回転ポンプ２中のブレードと摩擦し、該ブレードを傷めたり、或いはポンプモータに過負荷がかかったりする。これを避けるため、油回転ポンプ２にはオイルフィルター４が設けられている。また、廃ガス処理機３からの排気を良好に行わせるため該廃ガス処理機３の後には、吸引ブロワー５が設けられている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、油回転ポンプ２にオイルフィルター４を取付けると、今度はオイルフィルター４が詰り易く、そのメンテナンスに手数がかかる問題点がある。
　また、リアクタ１の後に油回転ポンプ２が存在すると、両者の
間
問
　本発明の目的は、廃ガス処理機の問題点及び油回転ポンプの問題点を共に解決できる有機金属気相成長装置を提供することにある。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記の目的を
達
配管を介して
間
、該ドライ回転吸引機内にパージガスを常に流して排気ガスが溜まらないようにし、ドライ回転吸引機の内部とドライ回転吸引機から廃ガス処理機に至る配管内を常に清浄に保つようにした。
　このように廃ガス処理機の前段に設ける減圧機として、ロータとハウジングとの
間
　【０００７】
　また、リアクタと廃ガス処理機との
間
　【０００８】
　また本発明において、ドライ回転ポンプにパージガスを供給するラインを設けたのは次の理由による。
　即ち、前述の通り、この種の有機金属気相成長装置では原料のキャリアガスとして分子量が極めて小さい水素が用いられているため、ドライ回転吸引機のロータが空回りのような状態となって、ロータ回転数を上げても十分な吸引力を得ることができない。
　そこで、ドライ回転ポンプにパージガスを供給するラインを設けて装置の稼動中にＮ２ガスなどのパージガスをドライ回転ポンプに供給することによってロータの空回りの状態が改善され、ドライ回転ポンプの吸引力を十分に高めることができるのである。
　また、Ｎ２ガスなどのパージガスは稼動中だけでなく、常に流しておくように
したので
と
　【０００９】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施形態の一実施例を図１を参照して詳細に説明する。なお、前述した図３と対応する部分には、同一符号を付けて示している。本実施例の有機金属気相成長装置では、有機金属気相成長を行わせるリアクタ１と、該リアクタ１からの排気ガスを処理する廃ガス処理機３との間には、該廃ガス処理機３の前段に設ける減圧機として、ロータとハウジングとの間に油を介在させてないドライ回転吸引機６を設けて油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにしている。該ドライ回転吸引機６としては、例えば図２に示すようにハウジング７内で２個のロータ８が噛み合いながら回転して吸引を行う構造のもの等を用いる。このドライ回転吸引機６は、ロータ８相互
間及び
部
　【００１０】
　本発明の装置を用いた有機金属気相成長の具体例を以下に示す。
　リアクタ内圧力　　：１００Ｔｏｒｒ
　リアクタ内へのガス：Ｈ２　８０１／ｍｉｎ（水素換算の総流量）
　　　　　　　　　　　ＡｓＨ３、ＴＭＧ、ＴＭＡ（水素をキャリアガスとする）
　サセプタ温度　　　：６５０〜７００℃
　基板　　　　　　　：ＧａＡｓウエハ
　基板上の薄膜　　　：ＧａＡｓとＧａＡｌＡｓの薄膜
　ドライ回転吸引機内
　へのＮ２量　　　　：２０１／ｍｉｎ
　リアクタ内の圧力が、該リアクタに流すガス量、ガス種を変えても一定となるように、排気圧制御を行った。
　リアクタ内圧力は、減圧有機金属気相成長装置では、数Ｔｏｒｒ〜２００Ｔｏｒｒのどこにしてもよい。要は、圧力が安定し、そのときの各種条件が安定することが重要である。
　廃ガス処理機３の後には、吸引ブロアー５を設置する方が、ガスの滞留がないので望ましいが、場合によっては省略してもよい。吸引ブロアー５を設けたときの廃ガス処理機３内の圧力は、７４０〜７６０Ｔｏｒｒとする。
　なお、ドライ回転吸引機６はその吸引能力が低くて所定の減圧状態が得られないときには、複数台を継続接続して使用する。
　また、ドライ回転吸引機６は、羽根車が回転する等のタイプのものでもよい。
　【００１１】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明に係る有機金属気相成長装置によれば、下記のような優れた効果を得ることができる。
（イ）リアクタと廃ガス処理機との間に減圧機としてロータとハウジングとの
間
設置し、
（ロ）また、本発明のようにリアクタと廃ガス処理機との間には、ドライ回転吸引機を設けて油回転ポンプ等の油の汚染源を存在させないようにすると、処理系に油の汚染源を存在させないようにして装置を構成することができる利点がある。
（ハ）また、本発明ではリアクタ内が油で汚染されるのを防止するために、油使用吸引機の入口側にパージガス供給源からパージ
ガ
（ニ）また、ドライ回転吸引機はロータとそのハウジングとの間に油を介在させないので、使用中の操作時に或いは保守の際にも、該ドライ回転吸引機からリアクタへは油が不純物として入り込まなくなり、該リアクタ内で処理する基板の歩留りを向上させることができる。従って、基板上に形成する回路の集積度が上がっても、容易にこれに対処することができる利点がある。
（ホ）更に、ドライ回転吸引機を廃
ガ
（ヘ）ドライ回転吸引機にパージガスを供給できる構造としたため、ドライ回転吸引機の吸引能力を高めることが可能となり、また、常にパージガスを
流すようにしたので
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る有機金属気相成長装置の一実施例の系統図である。
　【図２】
　ドライ回転吸引機の一例を示す縦断面図である。
　【図３】
　従来の有機金属気相成長装置の系統図である。
　【図４】
　従来の有機金属気相成長装置の系統図である。
　【符号の説明】
　１　　リアクタ
　２　　油回転ポンプ
　３　　廃ガス処理機
　５　　ブロワー
　６　　ドライ回転吸引機
　７　　ハウジング
　８　　ロータ
　９　　キャビネット
　１０　吸引管