【事件の表示】
　特許第２９９０８７５号「ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９９０８７５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件特許第２９９０８７５号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平３−１９３１２９号）平成　３年　８月　１日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　平成１１年１０月１５日
　特許異議申立　　　　　　　　　　　　平成１２年　６月１３日
　取消理由通知（1）　　　　　　　　　 平成１３年　４月　３日
　意見書　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　６月１８日
　取消理由通知（2）　　　　　　　　　 平成１４ 年 ４月２４日
　訂正請求書　　　　　　　　　　　　　平成１４ 年 ５月２３日　
　
２　訂正の適否についての判断
２．１　訂正の内容 
２．１．１　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１および請求項３を削除し、これに伴い請求項２を請求項１に、請求項４を請求項２にそれぞれ訂正する。　
　
２．１．２　訂正事項ｂ
　本件特許明細書の段落【００１２】の「本発明の第１の実施例」を「まずは、参考例」と、段落【００１３】の「本発明の第２の実施例」を「本発明の実施例」と、段落【００１４】の第１０行目の「本発明第１の実施例」を「参考例」と，同じく段落【００１４】の「本発明第２の実施例」を「本発明の実施例」とそれぞれ訂正し、さらに、段落【００１４】の「エミッタ島領域を…改善できる。さらに，」を削除する訂正を行う。　
　
２．２訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、請求項１および請求項３を削除するものであるから特許請求の範囲の減縮に相当し、請求項２を請求項１に、請求項４を請求項２にそれぞれ訂正することは請求項１および請求項３の削除に伴い、請求項番号をそれぞれ繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。　
２．２．２ 訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、削除した請求項１および請求項３に対応する発明の詳細な説明の内容を参考例とし、それに伴い訂正前に本発明の第２の実施例を本発明の実施例に置きかえるものであるので、この訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、上記訂正事項ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。　
　
２．３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　
　
３　特許異議の申立てについての判断
３．１　特許異議申立の理由及び取消理由の概要
　特許異議申立人シャ−プ株式会社は、甲第１号証（刊行物１：特開平２−９８９３７号公報）、甲第２号証（刊行物２：特開平３−１３２０３８号公報）、甲第３号証（刊行物３：特開平３−５３５６３号公報）、甲第４号証（刊行物４：特開平２−３６５３６号公報）を提出し、本件請求項１，３に係る発明は、甲第１乃至３号証に記載された発明に基づいて、また本件請求項２に係る発明は甲第１乃至４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　取消理由通知（１）の内容も異議の申立の理由と同趣旨である。　
　
３．２　本件発明
　上記２．で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１に係る発明（以下、本件発明という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　ｎ型ＧａＡｓのコレクタ層上にｐ型ＧａＡｓのベ−ス層が設けられ、前記ベース層上にｎ型のＩｎＸＧａ１−ＸＰ層とｎ型のＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層が順次形成されてなるエミッタ層が設けられ、かつ前記ＩｎＸＧａ１−ＸＰ層の側面が前記ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層の側面よりも外側に形成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。」　
　
３．３　取消理由通知で引用した刊行物に記載された発明　
３．３．１　刊行物１（甲第１号証）：特開平２−９８９３７号公報
　２頁左下欄第１５行〜右下欄第７行の記載と第１図から、「ｎ−ＧａＡｓ層（２２）のコレクタ層とｐ＋−ＡｌＧａＡｓ傾斜組成層（２３）のベ−ス層とｎ−ＡｌＧａＡｓ層（２４）、ｎ−ＧａＩｎＰ層（２５）、ｎ−ＡｌＧａＡｓ傾斜組成層（２６）、ｎ＋−ＧａＡｓ層（２７）から成るエミッタ層を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ」が開示されている。
　また、４頁左上欄第１３行〜１６行には「また、上例においては、ｐ＋−ＡｌＧａＡｓのベース領域に（３５）上に薄いｎ−ＡｌＧａＡｓ層（２４）を介してｎ−ＧａＩｎＰ層（２５）を形成したが、ｐ＋−ＡｌＧａＡｓのベース領域（３５）に接してｎ−ＧａＩｎＰ層（２５）を形成することもできる。」と記載されている。
　即ち、上記２個所の記載から、刊行物１には「ｎ型ＧａＡｓのコレクタ層上にｐ型ＧａＡｓ傾斜組成層のベース層が設けられ、前記ベース層上にｎ型のＩｎＧａＰ層とｎ型のＡｌＧａＡｓ傾斜組成層が順次形成されて成るエミッタ層が設けられた構造を少なくとも含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ」が記載されているものと認められる。
　また、その作用として、２頁右上欄第１３行〜左下欄第１０行には、「エミッタ領域（３４）はそのベース領域（３５）に近接するまたは接する部分に、ベース領域に対してバンドギャップが大きくてエッチング特性が異なる化合物半導体層（２５）を有するので、ベース電極取り出し領域形成時の選択エッチング工程でベース領域（３５）がエッチングされることがない。従って、十分薄い（５００Å以下）ベース領域（３５）の形成が可能となる。
　また、ベース領域（３５）の厚さは成長時の厚を維持するので、寄生抵抗（外部ベース抵抗）の増加が少ない。
　また、化合物半導体層（２５）によって、ベース領域に影響を与えずにエミッタ領域をエッチングできるので、化合物半導体層（２５）のエッチング時間の制御で実質的なエミッタサイズｄＺを小さくすることができる。」と記載されている。　
　
３．３．２　刊行物２（甲第２号証：特開平３−１３２０３８号公報）
　刊行物２には、ｎ−ＧａＡｓコレクタ層と、Ｐ＋−ＧａＡｓベース層と、ｎ−ＩｎＧａＰエミッタ層からなるヘテロ接合バイポーラトランジスタが第１図と共に開示されている。
　そして、第２頁右下欄第１行乃至第９行には、「第１図は本発明にかかるへテロ接合バイポーラトランジスタの第１の実施例の断面図であり、半絶縁性ＧａＡｓ基板（１１）上にｎ＋−ＧａＡｓからなるサブコレクタ層（１２）、ｎ−ＧａＡｓからなるコレクタ層（１３）、Ｐ＋−ＧａＡｓからなるベ−ス層（１４）、ｎ−ｌｎ０．５Ｇａ０．５Ｐからなる工ミッタ層（１６）およびｎ＋ｌｎｚＧａ１−ＺＡｓからなるキャップ層（１７’）を順次エピタキシャル積層したものである。」が記載されている。　
　
３．３．３　刊行物３（甲第３号証：特開平３−５３５６３号公報）
　刊行物３は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタからなる半導体装置とその製造方法に関するものであり、第２頁右下欄第１９行乃至第３頁左上欄第７行には、「電流利得が大きくかつ横方向寸法が小さいＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓのＨＢＴを製造する場合の上記の困難性の主な理由の一つは、ＧａＡｓの表面再結合速度の値が大きいことであるる。エミッタストライプ幅の小さいＨＢＴのＧａＡｓ外因性ベース領域においては、表面再結合電流が一般的に全ベース電流を支配し、トランジスタの電流利得を減少する。同様の影響は他の化合物半導体系を用いるＨＢＴの場合にも起こり易い。」ことが記載されている。　
　
３．３．４　刊行物４（甲第４号証：特開平２−３６５３６号公報）
　刊行物４は半導体装置に関するものであり、第４頁右上欄第１８行乃至左下欄第１０行には「第３図は、本発明の第２の実施例のバイポーラトランジス夕の断面図である。
２０１はｎ型ＧａＡｓ基板、２０２はｎ型ＧａＡｓコレクタ層、２０３はコレクタ電極、２０４はｐ型ＧａＡｓベース層、２０５はアンド−プｌｎ０．８Ｇａ０．２Ｐバリア層、２０６はｎ型ＧａＡｓエミッタ層、２０７はエミッタ電極、２０８はベ−ス電極である。
　本実施例では、上記のような構造にすることにより、バイポーラトランジス夕の製造工程において、バリア層２０５を選択除去しても厚さを十分薄くしたベース層２０４を良好に残すことができ、従って、動作の高速化を実現できる。」ことが第３図と共に示されている。
　即ち、刊行物４には、「ｎ型ＧａＡｓコレクタ層２０２、ｐ型ＧａＡｓベース層２０４、アンド−プのｌｎＧａＰ層（バリア層）２０５、ｎ型ＧａＡｓエミッタ層２０６とが積層され、上記アンド−プのｌｎＧａＰ層（バリア層）２０５がｎ型ＧａＡｓエミッ夕層２０６よりも側壁が外側にある」ことが第３図と共に示されている。
　さらに上記ｌｎＧａＰ層（バリア層）２０５の作用に関して、第５頁右上欄第１行乃至５行には「ＧａＡｓ層２０６のみをエッチングし、その下層にあるバリア層でエッチングを停止させる層としては、このエッチング停止層のみにｌｎあるいはＡｌを含む層を用いる。」と記載されている。　
　
３．４　本件発明と刊行物記載の発明との対比・判断
　本件発明と刊行物４とを対比すると、刊行物４には、ｌｎＧａＰ層の側面がｌｎＧａＰ層上に形成したエミッ夕層の側面よりも外側に形成されていることが記載されているものの、ｌｎＧａＰ層がアンド−プであり、エッチング停止層（バリア層）の目的で設けられているものであって、本件発明の構成要件である「ｎ型のｌｎＧａＰ層をエミッタ層の下層部として用い、さらにその側面が上層部のエミッタ層（ｎ型のＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層）の側面よりも外側に形成する」点について記載も示唆もされていない。
　しかも本件発明は、上記構成をとることにより「その結果表面再結合に起因するリ−ク電流をより減少させることができる。この効果により、低コレクタ電流領域における電流増幅率の低下が生じにくくなる。」という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　上記刊行物１〜３にも上記の点について記載も示唆もされておらず、よって、本件発明は上記刊行物１〜４に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものと認めることができない。　
　
３．５　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。　
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月３１日（２００２．５．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮、及び明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１および請求項３を削除し、これに伴い請求項２を請求項１に、請求項４を請求項２にそれぞれ訂正する。
訂正事項ｂ
　明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１２】の「本発明の第１の実施例」を「まずは、参考例」と、段落【００１３】の「本発明の第２の実施例」を「本発明の実施例」と、段落【００１４】の第１０行目の「本発明第１の実施例」を「参考例」と，同じく段落【００１４】の「本発明第２の実施例」を「本発明の実施例」とそれぞれ訂正し、さらに、段落【００１４】の「エミッタ島領域を…改善できる。さらに，」を削除する訂正を行う。
（５４）【発明の名称】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
　【請求項
２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】　本発明は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】　ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓなどのヘテロ接合を用いたバイポーラトランジスタは高速スイッチング素子・高周波アナログ素子として注目されている。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（以下ＨＢＴと略す）を製造する上で、その歩留まりに大きく影響を与える要因の一つにエミッタの島領域をエッチングにより形成する工程の不安定さがある。図３を用いてこれを説明する。
　【０００３】図３（ａ）において、１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ型不純物を高濃度に添加したｎ＋型ＧａＡｓコレクタ層、３は低不純物濃度のｎ型ＧａＡｓコレクタ層、４はｐ型ＧａＡｓのベース層、５０はｎ型ＡｌＧａＡｓのエミッタ層、１０１はＳｉＯ２などの絶縁膜でエミッタの島領域を形成するために選択的に形成されエッチングマスクとして用いられている。次に、図３（ｂ）に示すように硫酸と過酸化水素水と水の混合溶液で湿式エッチングを行い、ｎ型ＡｌＧａＡｓ５０をｐ型ＧａＡｓのベース層４が現れるまで表面より除去する。こうしてエミッタの島領域が形成される。ｐ型ＧａＡｓベース層４とｎ型ＧａＡｓコレクタ層３を順次選択的にエッチング除去し、メサを形成する工程と、ＳｉＯ２やＳｉＮの絶縁膜１０２を堆積し、エミッタ・ベース・コレクタの各電極７、８、９に対応するコンタクトの窓開けと電極金属の形成をそれぞれの電極について行い図３（ｃ）に示すＨＢＴができあがる。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】従来のＨＢＴ構造では、ｎ型ＡｌＧａＡｓ５０の厚さが４００ｎｍから５００ｎｍと厚いのに対してｐ型ＧａＡｓのベース層４の厚さが通常１００ｎｍ以下と薄い事と、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓのエッチングが同程度の速度で進むことのために、エッチング量を時間により制御する事が非常に難しくエッチング不足やエッチングのしすぎなどがしばしば生じ、ＨＢＴの歩留まりを低下させる要因となっている。
　【０００５】また、従来のＧａＡｓ系のＨＢＴでは、ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ系のＨＢＴに比べてキャリアの表面再結合速度が大きいためコレクタ電流の小さい領域における電流増幅率が小さくなるという問題点があった。このキャリアの表面再結合によるリーク電流は図３の１０４で示すエミッタ・ベースｎｐ接合の周辺部分で発生し、このリーク電流を低減する方法として、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層の薄層によりエミッタ・ベースｎｐ接合の周辺近傍を覆った構造が提案されている。
　【０００６】図４はそのような提案によるＨＢＴの断面構造図を示す。図４の１０５で示した部分がエミッタ・ベースｎｐ接合の周辺近傍を覆う薄層のｎ型ＡｌＧａＡｓを示すが、この部分のＡｌＧａＡｓ層の電子は空乏化している必要があり、通常３０ｎｍ程度の厚さに設定する必要がある。しかしながら、この膜厚を制御性良くエッチングにより実現することは困難であり、再びＨＢＴの歩留まりを低下させることになる。
　【０００７】本発明は、エミッタの島領域形成時における従来のこのようなエッチングの不安定性の少ないＨＢＴとその製造方法を提供することを目的とする。また、低コレクタ電流領域においても、電流増幅率の低下が少ない高性能なＨＢＴを提供することを目的とする。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解決するために、エミッタの島領域形成時におけるエッチングの不安定性を解決する方法として、エミッタ層にｎ型のＩｎｘＧａ１−ｘＰ層とｎ型のＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層を用い、ベース層上に順次形成したヘテロ構造を用いる。エミッタの島領域を形成する方法として、硫酸・過酸化水素・水の混合溶液によるＡｌｙＧａ１−ｙＡｓの選択エッチングと塩酸・水の混合溶液によるＩｎｘＧａ１−ｘＰの選択エッチングを用いる。さらに、低コレクタ電流領域における電流増幅率の低下を防止するための方法として、ＩｎｘＧａ１−ｘＰ層の側面がＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層の側面よりも外側に形成されている構造を用いる。
　【０００９】
　【作用】エミッタ層をｎ型のＩｎｘＧａ１−ｘＰ層とｎ型のＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層によるヘテロ構造で形成することによりエミッタ層を湿式エッチングにより選択的にエッチングすることが可能となる。すなわち、ＧａＡｓやＡｌＧａＡｓは薄い濃度の塩酸水溶液では、殆どエッチングされないのに対して、ＩｎＧａＰはかなりのエッチング速度でエッチングを行える。またＧａＡｓやＡｌＧａＡｓは硫酸・過酸化水素・水の溶液でエッチングされるのに対して、ＩｎＧａＰはこの溶液では、殆どエッチングされない。以上のことから、Ｐ型ＧａＡｓのベース層上にｎ型のＩｎＧａＰ層とｎ型ＡｌＧａＡｓ層を順次結晶成長して形成したヘテロ構造のエミッタ層を設けた構造を用いると、エミッタ島領域形成時におけるエッチング深さの精度を著しく向上できる。ただし、エミッタ島領域の断面寸法の加工精度を向上するために、エミッタ層の最下層にあるＩｎＧａＰ層の膜厚はなるべく薄くするほうがよい。
　【００１０】また、ＩｎｘＧａ１−ｘＰは、ＡｌＧａＡｓと同様にベース層のＧａＡｓよりもエネルギーバンドギャップが大きく、特に価電子帯のエネルギー不連続値を０．４ｅＶ以上とＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓヘテロ接合の場合よりも大きく取れるという特徴がある。このため、ＩｎｘＧａ１−ｘＰ層の側面がＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層の側面よりも外側に形成されている構造を用いると、ＩｎｘＧａ１−ｘＰ層がＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層よりも突きだした領域においてＩｎｘＧａ１−ｘＰはベース層の正孔に対してはＡｌＧａＡｓよりも高いエネルギー障壁となり、その結果表面再結合に起因するリーク電流をより減少させることができる。この効果により、低コレクタ電流領域における電流増幅率の低下が生じにくくなる。またすでに述べたようにＩｎｘＧａ１−ｘＰ層の側面がＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層の側面よりも外側に形成されている構造を用いる場合、ＩｎｘＧａ１−ｘＰ層がＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層よりも突きだした領域のＩｎｘＧａ１−ｘＰ層の膜厚をエッチングにより精密に制御する必要があるが、結晶成長の段階であらかじめｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰを所望の厚さに設定することと選択エッチングを用いることにより、その膜厚の制御性は著しく改善される。
　【００１１】以上述べたように、本発明によれば、エミッタ島領域をエッチングにより形成する工程の安定性をを著しく高められることができ、この工程によるＨＢＴの歩留り低下を著しく改善できる。さらに、エミッタ・ベースｎｐ接合の周辺近傍のベース層が、空乏化したｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰで覆われた構造を再現性良く形成できるので、低コレクタ電流領域における電流増幅率の低下の少ない高性能なＨＢＴを高い歩留まりで製造することが可能となる。
　【００１２】
　【実施例】本発明を実施例を用いてより詳細に説明する。
まずは、参考
　【００１３】図１（ａ）において１は半絶縁性ＧａＡｓ基板、２はｎ型不純物を高濃度に添加したｎ＋型ＧａＡｓコレクタ層、３は低不純物濃度のｎ型ＧａＡｓコレクタ層、４は高濃度にｐ型不純物（例えばＢｅ）を添加したｐ型ＧａＡｓベース層、５はＩｎ組成が約５０％のｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰエミッタ層、６はＡｌ組成が約１０％から１５％のｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓエミッタ層を示し、これらｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰ、ｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓでエミッタ層が構成されている。このような構造は、通常ＭＯＣＶＤ法などの結晶成長法により形成される。このようなヘテロ構造基板上にＳｉＯ２などの絶縁膜１０１を全面に堆積し、エミッタ形成領域の絶縁膜を残して、他の領域の絶縁膜をエッチングし除去する。さらに、硫酸・過酸化水素・水の混合溶液でｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ６を絶縁膜１０１をエッチングマスクとして選択的に除去しｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙ６のエミッタ島領域を形成する（図１（ｂ））。このとき、ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰエミッタ層５は殆どエッチングされない。しかる後、全面を水で希釈した塩酸によりエッチングすると、ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰエミッタ層５のみが選択的にエッチングされ、ｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ６のエミッタ島領域直下のｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰエミッタ層５が形成される（図１（ｃ））。以降の工程は公知であり、詳細な説明はしないが、ベース領域を残してｐ型ＧａＡｓ層４とｎ型ＧａＡｓコレクタ層３をを選択的にエッチング除去する工程と、コレクタ領域以外のｎ＋ＧａＡｓコレクタ層２を選択的にエッチング除去する工程と全面にＳｉＯ２やＳｉＮの絶縁膜１０２を堆積し、エミッタ・ベース・コレクタの各電極７、８、９に対応するコンタクトの窓開けと電極金属の形成をそれぞれの電極について行い図１（ｄ）に示すＨＢＴができあがる。本実施例は、エミッタ層にｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓとｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＰのヘテロ構造を用い、それぞれの材料を選択的にエッチングする方法を採用したものであるが、これによりエミッタ島領域の形成工程の安定性が従来法に比べ著しく改善される。図２に本発
明の
　【００１４】
　【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば
、Ｉｎ
【図面の簡単な説明】
　【図１】
参考
　【図２】本発
明の
　【図３】従来のＨＢＴの製造工程断面図
　【図４】従来のＨＢＴの構造断面図
　【符号の説明】
１　半絶縁性ＧａＡｓ基板
２　ｎ＋型ＧａＡｓコレクタ層
３　ｎ型ＧａＡｓコレクタ層
４　ｐ型ＧａＡｓベース層
５　ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘエミッタ層
６　ｎ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓエミッタ層
７　エミッタ電極
８　ベース電極
９　コレクタ電極
５０　ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層
１０１　絶縁膜
１０２　絶縁膜
１０３　絶縁膜
１０４　エミッタ・ベースＮｐ接合の周辺部分
１０５　ｎ型ＡｌＧａＡｓ層