【事件の表示】
　特許第３１９４８８１号「位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１９４８８１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１９４８８１号の請求項１ないし３に係る発明は、平成５年１２月２２日に出願された特願平５−３２３８４５号の一部を平成９年２月１４日に新たな特許出願として出願されたものであって、平成１３年６月１日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人須田武により特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年６月１７日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のア〜クのとおりである。
ア．訂正事項Ａ
　明細書、段落【００１４】において、その後段の「酸素および／または窒素」を「窒素」に訂正する。
イ．訂正事項Ｂ
　明細書、段落【００１６】において、その中段〜後段の「ここで、スパッタガスとしては、・・・・・二酸化窒素（ＮＯ２）ガスが好ましい。」を「ここでスパッタガスとしては、アルゴンなどの不活性ガスを用いてもよいし、窒素ガスとアルゴンその他の不活性ガスとの混合ガスを用いてもよい。窒素ガスは、膜中に窒素（Ｎ）を導入するためのものである。」に訂正する。
ウ．訂正事項Ｃ
　明細書、段落【００１７】において、その前後〜中段の「また、膜の透過率と導電率を制御するためには、・・・・・窒素化合物（例えばＮＨ３ガス）を使用してもよい。」を「また、膜の透過率と導電率を制御するためには、反応ガスとして窒素ガスのみを用いる場合には、スパッタガス総流量の１５〜１００％程度の窒素ガスを導入するのが望ましい。なお、Ｎの膜中への導入方法は、上記の窒素ガスの使用に限られるものではなく、上述のような効果が期待できる場合、他の窒素化合物（例えばＮＨ３ガス）を使用してもよい。」に訂正する。
エ．訂正事項Ｄ
　明細書、段落【００２３】において、その前段および後段の「酸素および／または窒素」（合計２箇所）を「窒素」に訂正し、その前段の「酸化ケイ素および／または窒化ケイ素」を「窒化ケイ素」に訂正する。
オ．訂正事項Ｅ
　明細書、段落【００２５】において、「酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）」（合計２箇所）を「窒素（Ｎ）」に訂正し、「Ｓｉ、Ｏ、Ｎ」を「Ｓｉ、Ｎ」に訂正する。
カ．訂正事項Ｆ
　明細書、段落【００２６】において、「酸素および／または窒素」（合計２箇所）を「窒素」に訂正する。
キ．訂正事項Ｇ
　明細書【実施例】の項（段落【００３５】〜【０１６３】）において実施例１、２、５、６、７、８、１１、１２を参考例１〜８と訂正し、実施例３、４、９、１０、１３、１４、１５、１６を実施例１〜８と訂正する。また、（実施例１、２、５、６、７、８、１１、１２）の項の「本実施例」を「本参考例」と訂正する。
ク．訂正事項Ｈ
　明細書、【図面の簡単な説明】の欄において、「実施例１」（２箇所）を「参考例１」に訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項Ａ〜Ｈは、特許請求の範囲の記載と適合させるために、本件特許明細書の発明の詳細な説明および図面の簡単な説明から、光半透過膜が酸素を含む態様についての記載を削除し、光半透過膜が酸素を含む実施例を参考例とするものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについての判断
（１）特許異議申立ての理由の概要
（１−１）特許異議申立人須田武は、特許第３１９４８８１号の請求項１〜３に記載された発明は、先願１（特願平５−２８５３２７号）の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
（１−２）また、特許異議申立人須田武は、特許第３１９４８８１号の明細書は、特許請求の範囲と発明の詳細な説明とに矛盾があり特許法第３６条第３、４項に規定する要件を具備していない旨主張している。
　
（２）本件発明
　特許第３１９４８８１号の請求項１〜３に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明３」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
【請求項１】　透明基板上に光半透過膜を有し、該光半透過膜は遷移金属とケイ素、又は遷移金属とケイ素と窒素を構成要素とし、遷移金属：ケイ素：窒素は、原子比で１０〜５５％：１５〜８０％：７０％以下の範囲で選定され、前記光半透過膜の、波長が２４８ｎｍの露光光に対する透過率が４〜２０％であり、かつ可視光に対する透過率が３０〜７０％であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項２】　請求項１に記載の位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、所定のパターンに従ってその一部を除去するパターニング処理を施すことにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成してなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項３】　請求項２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするリソグラフィー方法。
　
（３）特許異議申立ての理由（１−１）について
（３−１）先願１に記載された発明
　先願１（特願平５−２８５３２７号）の願書に最初に添付された明細書又は図面（特開平７−１４０６３５号公報参照）には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】　露光光を透過する基板と、この基板の主表面上に形成された位相シフトパターンと、を備え、前記位相シフトパターンは、前記基板が露出する第１の光透過部と、透過する露光光の位相と透過率とが、前記第１の光透過部を透過する露光光の位相に対して１８０°変換し、かつ、透過率が５〜４０％であり、単一の材料からなる第２の光透過部と、を有する位相シフトマスク。
【請求項２】　前記第２の光透過部は、金属の酸化物、金属の酸化窒化物、金属シリサイドの酸化物および金属シリサイドの酸化窒化物からなる群より選択される、１種類の材料からなる請求項１に記載の位相シフトマスク。
【請求項３】　前記第２の光透過部は、クロムの酸化物、クロムの酸化窒化物、クロムの酸化窒化炭化物、モリブデンシリサイドの酸化物およびモリブデンシリサイドの酸化窒化物からなる群より選択される、１種類の材料からなる請求項１に記載の位相シフトマスク。
【請求項４】　露光光を透過する基板の主表面上に、透過する露光光の位相を１８０°変換し、かつ５〜４０％の透過率を有する所定厚さの位相シフタ膜をスパッタリング法を用いて形成する工程と、この位相シフタ膜の上に、所定のパターンを有するレジスト膜を形成する工程と、このレジスト膜をマスクとして、ドライエッチング法により前記位相シフタ膜のエッチングを行ない、前記基板が露出してなる第１の光透過部と前記位相シフタ膜からなる第２の光透過部とを形成する工程と、を備えた位相シフトマスクの製造方法。
【請求項５】　前記位相シフタ膜を形成する工程は、モリブデンシリサイドのターゲットを用い、アルゴンと酸素との混合ガス雰囲気中で、モリブデンシリサイド酸化物の膜を形成する工程を含む請求項４に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項６】　前記混合ガスの各成分が占める体積百分率の範囲は、アルゴンが７６〜９２％の範囲であり、残りが酸素である請求項５に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項７】　前記位相シフタ膜を形成する工程は、モリブデンシリサイドのターゲットを用い、アルゴン，酸素および窒素の混合ガス雰囲気中で、モリブデンシリサイド酸化窒化物の膜を形成する工程を含む請求項４に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項８】　前記混合ガスの各成分を占める体積百分率の範囲は、アルゴンが６５〜７９％、酸素が８〜２４％、窒素が３〜２０％である請求項７に記載の位相シフトマスクの製造方法。
【請求項２３】　パターン形成層の上にレジスト膜を塗布する工程と、前記レジスト膜を、露光光を透過する基板の上に形成された、前記基板が露出する第１の光透過部と、透過する露光光の位相と透過率とが前記第１の光透過部を透過する露光光の位相に対して１８０°変換し、かつ、透過率が５〜４０％であり、単一の材料からなる第２の光透過部とを有する位相シフトパターンを有する位相シフトマスクを用いて露光する工程と、を備えた位相シフトマスクを用いた露光方法。」（【特許請求の範囲】、請求項１〜８、２３）
「次に、上述したスパッタリング法を用いた位相シフタ膜の形成について、以下詳述する。位相シフタ膜に要求される条件としては、まず露光光に対する透過率が５〜４０％の範囲内であること、および露光光の位相を１８０°変換させることが要求される。よって，これらの条件を満たす膜として、本実施例においては上述したように、モリブデンシリサイド酸化物およびモリブデンシリサイド酸化窒化物からなる膜を用いた。」（【００８２】、【００８３】）
「また、ターゲット５０７に、所定の距離を隔てて対向してアノード５１０が配置され、このアノード５１０のターゲット５０７の対向面上に、たとえば、２．３ｍｍ厚さ、１２７ｍｍ角の石英基板１が配置されている。さらに、排気管５１２およびガス導入管５１３が真空槽５０６の所定の位置に設けられている。膜の形成時においては、ターゲットとして、モリブデンシリサイドを用い、成膜時の上記石英基板１の温度は、図示しないヒータおよび温度制御装置により、６０℃〜１５０℃に保持されている。このような状態において、ガス導入管５１３からスパッタガスとしてのアルゴンと、反応ガスとしての酸素および窒素との混合ガスを所定の割合で導入し、真空層５０６内の圧力を所定の値に保持し、両電極間に直流電圧をかける。本実施例においては、この位相シフタ膜の成膜において、種々のケースのモリブデンシリサイド酸化物およびモリブデンシリサイド酸化窒化物からなる位相シフタ膜を形成した。表１は、上記スパッタ条件の下で、混合ガスの流量比を種々設定した場合の各ケースにおける真空層５０６内の圧力、堆積速度および膜質を示すものであり、ケースＭ−１〜Ｍ−７、Ｍ−１４〜Ｍ−１５はモリブデンシリサイド酸化窒化物の位相シフタ膜であり、ケースＭ−８〜Ｍ−１３、Ｍ−１６〜Ｍ−１７はモリブデンシリサイド酸化物の位相シフタ膜である。」（【００８７】〜【００９１】）
　上記記載からみて、先願１の願書に最初に添付された明細書又は図面には「露光光を透過する基板の主表面上に透過する露光光の位相を１８０°変換し、かつ５〜４０％の透過率を有する所定厚さの位相シフタ膜を有し、該位相シフタ膜はモリブデンシリサイド酸化窒化物で形成される」こと（以下、「先願発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（３−２）対比・判断
　先願発明に記載されたモリブデンシリサイド酸化窒化物で形成される位相シフタ膜は、露光光の透過率が５〜４０％であるから光半透過膜に相当するものであり、その構成要素は遷移金属とケイ素と酸素と窒素とからなり、酸素を構成要素として含むものである。これに対して、本件発明１の光半透過膜の構成要素は遷移金属とケイ素、又は遷移金属とケイ素と窒素であり、また、上述したように訂正明細書により発明の詳細な説明および図面の簡単な説明から光半透過膜が酸素を含む態様についての記載が削除され、光半透過膜が酸素を含む実施例１、２、５〜８、１１、１２は参考例１〜８と訂正されたので、本件発明１の光半透過膜が酸素を構成要素として含まないことは明らかである。したがって、他の点を検討するまでもなく本件発明１と先願発明とを同一であるとすることはできない。
　また、本件発明２、３は本件発明１を直接または間接的に引用しているから、少なくとも本件発明１と同じ点で先願発明と相違している。したがって、本件発明２、３についても先願発明と同一であるとすることはできない。
　
（４）特許異議申立ての理由（１−２）について
　特許異議申立ての理由（１−２）は、本件発明１では光半透過膜は酸素は含有していないものと認められるが、本件明細書の発明の詳細な説明には光半透過膜は酸素を含んでもよい旨の記載があり、実施例１、２、５〜８、１１、１２では光半透過膜が酸素を含むから、本件明細書は特許請求の範囲と発明の詳細な説明とに矛盾があるというものである。しかし、上述したように訂正明細書により発明の詳細な説明および図面の簡単な説明から光半透過膜は酸素を含んでもよい旨の記載を削除し、光半透過膜が酸素を含む実施例１、２、５〜８、１１、１２は参考例１〜８と訂正されたので、上記特許請求の範囲と発明の詳細な説明との矛盾は解消しており特許法第３６条第３、４項に規定する要件を具備していないとすることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜３についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月５日（２００２．７．５）
【訂正の要旨】
（訂正の要旨）
ア．訂正事項Ａ
　明細書、段落【００１４】において、その後段の「酸素および／または窒素」を「窒素」に訂正する。
イ．訂正事項Ｂ
　明細書、段落【００１６】において、その中段〜後段の「ここで、スパッタガスとしては、・・・・・二酸化窒素（ＮＯ２）ガスが好ましい。」を「ここでスパッタガスとしては、アルゴンなどの不活性ガスを用いてもよいし、窒素ガスとアルゴンその他の不活性ガスとの混合ガスを用いてもよい。窒素ガスは、膜中に窒素（Ｎ）を導入するためのものである。」に訂正する。
ウ．訂正事項Ｃ
　明細書、段落【００１７】において、その前後〜中段の「また、膜の透過率と導電率を制御するためには、・・・・・窒素化合物（例えばＮＨ３ガス）を使用してもよい。」を「また、膜の透過率と導電率を制御するためには、反応ガスとして窒素ガスのみを用いる場合には、スパッタガス総流量の１５〜１００％程度の窒素ガスを導入するのが望ましい。なお、Ｎの膜中への導入方法は、上記の窒素ガスの使用に限られるものではなく、上述のような効果が期待できる場合、他の窒素化合物（例えばＮＨ３ガス）を使用してもよい。」に訂正する。
エ．訂正事項Ｄ
　明細書、段落【００２３】において、その前段および後段の「酸素および／または窒素」（合計２箇所）を「窒素」に訂正し、その前段の「酸化ケイ素および／または窒化ケイ素」を「窒化ケイ素」に訂正する。
オ．訂正事項Ｅ
　明細書、段落【００２５】において、「酸素（Ｏ）や窒素（Ｎ）」（合計２箇所）を「窒素（Ｎ）」に訂正し、「Ｓｉ、Ｏ、Ｎ」を「Ｓｉ、Ｎ」に訂正する。
カ．訂正事項Ｆ
　明細書、段落【００２６】において、「酸素および／または窒素」（合計２箇所）を「窒素」に訂正する。
キ．訂正事項Ｇ
　明細書【実施例】の項（段落【００３５】〜【０１６３】）において実施例１、２、５、６、７、８、１１、１２を参考例１〜８と訂正し、実施例３、４、９、１０、１３、１４、１５、１６を実施例１〜８と訂正する。また、（実施例１、２、５、６、７、８、１１、１２）の項の「本実施例」を「本参考例」と訂正する。
ク．訂正事項Ｈ
　明細書、【図面の簡単な説明】の欄において、「実施例１」（２箇所）を「参考例１」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　透明基板上に光半透過膜を有し、該光半透過膜は遷移金属とケイ素、又は遷移金属とケイ素と窒素を構成要素とし、遷移金属：ケイ素：窒素は、原子比で１０〜５５％：１５〜８０％：７０％以下の範囲で選定され、
　前記光半透過膜の、波長が２４８ｎｍの露光光に対する透過率が４〜２０％であり、かつ可視光に対する透過率が３０〜７０％であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
　【請求項２】　請求項１に記載の位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、所定のパターンに従ってその一部を除去するパターニング処理を施すことにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成してなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
　【請求項３】　請求項２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするリソグラフィー方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクおよびそれを用いたリソグラフィー方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、簡単な膜構成により、マスクパターンを形成する際のレジストへの電子線描画時における電荷蓄積や静電気による帯電を防止しうるハーフトーン型位相シフトマスクブランク、該位相シフトマスクブランクを素材とするハーフトーン型位相シフトマスク、およびこの位相シフトマスクを用いてパターン転写を行うリソグラフィー方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体ＬＳＩ製造などにおいては、微細パターンの転写を行うためのマスクであるフォトマスクの１つとして位相シフトマスクが用いられる。この位相シフトマスクのうち、特に単一のホール、ドット、又はライン、スペース等の孤立したパターン転写に適したものとして、ハーフトーン型位相シフトマスクが知られている。
　【０００３】
　このハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板の表面上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部とで構成し、かつ、光透過部を通過してきた光の位相と、光半透過部を通過してきた光の位相を異ならしめることにより光透過部と光半透過部の境界部近傍で通過してきた光が互いに打ち消し合うようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたものであり、例えば特開平５−１２７３６１号公報には、位相差を１８０°としたハーフトーン型位相シフトマスクが開示されている。
　【０００４】
　この公報記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいては、透明基板上に光半透過部を構成する光半透過膜は、ＣｒＯｘ、ＣｒＮｘ、ＣｒＯｘＮｙ、ＣｒＯｘＮｙＣｚ等の膜などの、均一な組成の材料からなる一層の膜で構成されている。
　【０００５】
　このように一層の膜からなる光半透過膜を素材として形成した光半透過部を有するハーフトーン型位相シフトマスクは、光半透過部を、主に位相角を制御する透過率の高い層（例えばＳＯＧ）と主に光半透過性を制御する透過率の低い層（例えばクロム）との複数種類からなる積層構造としたハーフトーン型位相シフトマスクと比較すると、製造工程の減少、簡略化、欠陥発生率の低減といった利点を有する。
　【０００６】
　このＣｒＯｘ、ＣｒＮｘ、ＣｒＯｘＮｙ又はＣｒＯｘＮｙＣｚ等からなる光半透過膜の形成法に関して、上記公報には、クロムをスパッタリングターゲットとして、蒸着雰囲気中に酸素、窒素などのガスを入れることで透明基板上にクロムの酸化物、窒化物、酸窒化物、酸窒炭化物を堆積する方法、すなわち、いわゆる反応性スパッタによる方法が開示されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述の従来の方法（反応性スパッタ法）によって形成されるＣｒＯｘ、ＣｒＮｘ、ＣｒＯｘＮｙ又はＣｒＯｘＮｙＣｚ等からなる光半透過膜については、露光に寄与しない程度の光を透過する性質、すなわち露光光に対する透過率が４〜２０％という要件と、所定の位相差を与えるという光半透過部の要件を同時に満たしたものは導電性が乏しい。そのため、光半透過膜をパターニングするために行うレジストへの電子線描画において、打ち込まれた電子がレジスト中で帯電してしまい、正確なパターン形成ができないという問題があった。
　【０００８】
　また、導電性の欠如は静電気の帯電へとつながり、マスクの製造工程や使用時においてゴミが吸着しやすいという問題があった。したがって、帯電現象を防止するためには電気を伝導し、拡散させる導電層を例えば透明基板上に設ける必要があり、そのためには製造工程が増加するといった欠点があった。
　【０００９】
　さらに、透明基板と光半透過膜との間に導電層を形成する場合には、短波長の露光光に対して透明である必要があり、特に、近年における高解像度のパターンが要求されることに伴う露光光の短波長化に対しては、そのような露光光に対して透明である導電層材料を新たに開発しなければならないという問題もあった。
　【００１０】
　本発明は、上述のような背景のもとでなされたものであり、簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク、上記位相シフトマスクブランクを素材としたハーフトーン型位相シフトマスク、およびこの位相シフトマスクを用いてパターン転写を行うリソグラフィー方法を提供することを目的としたものである。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、簡単な膜構成により、電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止しうるハーフトーン型位相シフトマスクブランクについて鋭意研究を重ねた結果、透明基板上に、露光光に対する透過率および可視光に対する透過率が、それぞれ特定の範囲にある光半透過膜を有するハーフトーン型位相シフトマスクブランクが、上記の好ましい性質を有すること、そしてこの位相シフトマスクブランクに、常法に従ってパターニング処理を施すことにより、所望のマスクパターンを有するハーフトーン型位相シフトマスクが得られることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
　【００１２】
　すなわち、本発明は、
（１）透明基板上に光半透過膜を有し、該光半透過膜は遷移金属とケイ素、又は遷移金属とケイ素と窒素を構成要素とし、遷移金属：ケイ素：窒素は、原子比で１０〜５５％：１５〜８０％：７０％以下の範囲で選定され、
　前記光半透過膜の、波長が２４８ｎｍの露光光に対する透過率が４〜２０％であり、かつ可視光に対する透過率が３０〜７０％であることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク、
（２）上記位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、所定のパターンに従ってその一部を除去するパターニング処理を施すことにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターニングを形成してなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク、および
（３）上記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするリソグラフィー方法、
を提供するものである。
　【００１３】
　【発明の実施の形態】
　本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、透明基板上に光半透過膜を有するものであって、該透明基板の材料については特に制限はなく、従来、位相シフトマスクブランクに慣用されているもの、例えばソーダ石灰ガラスやホワイトクラウンのようなソーダライムガラス；ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、アルミノケイ酸ガラスのような低膨張ガラス；合成石英のような石英ガラス、あるいはポリエステルフィルムのようなプラスチックフィルムなどが用いられるが、ＬＳＩやＬＣＤ用マスクの基板材料としては、ソーダ石灰ガラスおよび石英ガラスが好適である。
　【００１４】
　一方、上記透明基板上に設けられる光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する性質と、露光光の位相を所定量シフトさせる性質とを有するとともに、マスクパターンを形成する際のレジストへの電子線描画時に電荷が帯電しない程度以上の導電性を有するものである。本発明においては、このような特性を有する光半透過膜としては、露光光に対する透過率および可視光に対する透過率が、後で説明するように、それぞれ特定の範囲にあればよく、その材料については特に制限はない。このような性状を有する光半透過膜としては、例えば遷移金属とケイ素とを主な構成要素とするもの、あるいは遷移金属とケイ素と
窒素
　【００１５】
　上記遷移金属としては、特に制限はなく、周期律表ＩＶＢ族、ＶＢ族、ＶＩＢ族に属する金属元素の中から適宜選ぶのがよい。このような遷移金属の例としては、チタニウム、ジルコニウム、バナジウム、ニオビウム、タンタル、クロム、モリブデン、タングステンなどを挙げることができるが、これらの中で、チタニウム、タンタル、クロム、モリブデン、タングステンが性能の面などから好適である。これらの遷移金属は単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　【００１６】
　本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜の成膜方法としては特に制限はなく、従来公知の方法、例えばスパッタリング法、遷移金属とケイ素の組成を調整したタブレットを用いるＥＢ蒸着法、イオンプレーティング法などの中から、状況に応じて適宜選ぶことができるが、これらの中で、特にスパッタリング法が好適である。例えばスパッタガス中において、前記遷移金属とケイ素とを含有するターゲットをスパッタリングすることにより、透明基板上に光半透過膜を形成することができる。
ここで、スパッタガスとしては、アルゴンなどの不活性ガスのみを用いてもよいし、窒素ガスとアルゴンその他の不活性ガスとの混合ガスを用いてもよい。窒素ガスは、膜中に窒素（Ｎ）を導入するためのものである。
　【００１７】
　
また、膜の透過率と導電率を制御するためには、反応ガスとして窒素ガスのみを用いる場合には、スパッタガス総流量の１５〜１００％程度の窒素ガスを導入するのが望ましい。なお、Ｎの膜中への導入方法は、上記の窒素ガスの使用に限られるものではなく、上述のような効果が期待できる場合、他の窒素化合物（例えばＮＨ３ガス）を使用してもよい。
　【００１８】
　このようにして形成された光半透過膜の膜厚ｄは、位相シフト量をφ、屈折率をｎ、露光光の波長をλとすると、次の（Ｉ）式で決定される。
　【００１９】
　　ｄ＝（φ／３６０）×｛λ／（ｎ−１）｝　　　　　　　　　　　…（１）
　（１）式において、位相シフト量φは１８０°であることが理想的であるが、実用的な位相シフト量は１６０°≦φ≦２００°であればよい。
　【００２０】
　本発明のハーフトーン型位相シフトマスクは、前記のようにして得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、所定のパターンに従ってその一部を除去するパターニング処理を施し、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成することにより得られる。
　【００２１】
　図１は本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクを示す図であり、更に具体的には図１（ａ）がハーフトーン型位相シフトマスクブランクの１例の断面図であり、図１（ｂ）がハーフトーン型位相シフトマスクの１例の断面図である。
　【００２２】
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは図１（ａ）に示されるように、透明基板１の上に光半透過膜２ａが形成されたものである。また、ハーフトーン型位相シフトマスクは図１（ｂ）に示されるように、図１（ａ）に示されるハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜２ａに所定のパターンにしたがってその一部を除去するパターニング処理を施して、光半透過部２と光透過部３とで構成されるマスクパターンを形成したものである。
　【００２３】
　本発明の位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜としては、該膜が遷移金属とケイ素と
窒素
窒化ケイ素
窒素
　【００２４】
　また、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいては、光半透過膜の可視域における透過率が３０〜７０％の範囲にあることが必要である。このような可視域における透過率を有することにより、マスクの位置合わせ（アライメント）のために、新たにアライメントマークを形成するための膜を形成する必要がなくなる。
　【００２５】
　さらに、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいては、光半透過膜のシート抵抗が５×１０７Ω／□以下が好ましい。その理由は、シート抵抗が５×１０７Ω／□を超えると、電子線照射により打ち込まれた電子を充分に導電しがたいためである。この導電性を得るためには、
窒素（Ｎ）
窒素（Ｎ）
Ｓｉ、Ｎ
　【００２６】
　本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、光半透過膜における各構成元素の比率については、該光半透過膜が前記した特性を有するように適宜選べばよく、特に制限はないが、構成元素が遷移金属、ケイ素、
窒素
窒素
　【００２７】
　次に、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法の好適な例について、図２を参照しながら説明する。
　【００２８】
　図２は、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の１例の説明図であって、まず、透明基板１の表面に上記のように光半透過膜２ａを形成して得られた位相シフトマスクブランクを用意する［図２（ａ）参照］。次いで、この位相シフトマスクブランクの光半透過膜２ａ上に、４０００〜６０００オングストローム程度の厚さの電子線レジスト膜を形成し［（図２（ｂ）参照］、所定のパターンに従って電子線を照射したのち、レジストの現像処理を行ってレジストパターン４を形成する［（図２（ｃ）参照］。次に、レジストパターン４をマスクとして、光半透過膜２ａをドライエッチング処理したのち［（図２（ｄ）参照］、残存レジストパターン４を剥離することにより、光半透過部２ａおよび光透過部３を有する本発明のハーフトーン型位相シフトマスクが得られる［（図２（ｅ）参照）。
　【００２９】
　このようにして得られた本発明のハーフトーン型位相シフトマスクは、図３の説明図で示されるように、露光光Ｌ０が照射された場合、この露光光Ｌ０が、光半透過部２を通過して図示していない被転写体に達する光Ｌ１と光透過部３を通過して同じく被転写体に達する光Ｌ２とに別れる。この場合、光半透過部２を通過した光Ｌ１の強度は、実質的にレジストの露光に寄与しない程度の弱い光である。一方、光透過部３を通過した光Ｌ２は実質的に露光に寄与する強い光である。したがって、これによりパターン露光が可能となる。この際、回折現象によって光半透過部２と光透過部３との境界を通過する光が互いに相手の領域に回り込みをおこすが、両者の光の位相はほぼ反転した関係になるため、境界部近傍では互いの光が相殺し合うことで実質的な光強度が減衰する。これによって、境界が極めて明確となり解像度が向上する。
　【００３０】
　本発明はまた、前記ハーフトーン型位相シフトマスクを用いてパターン転写を行うリソグラフィー方法をも提供するものである。
　【００３１】
　このリソグラフィー方法については、マスクとして本発明のハーフトーン型位相シフトマスクを用いる方法であれば、特に制限されず、従来ＬＳＩなどの製造において慣用されている方法を用いることができる。
　【００３２】
　例えば、被加工層を表面に形成した基板上にレジスト層を設けたのち、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクを介して、該レジスト層に紫外線、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ　ＵＶ、エキシマレーザー光、エックス線などを選択的に照射する。次いで現像工程において不必要な部分のレジスト層を除去し、基板上にレジストパターンを形成させたのち、このレジストパターンをマスクとして被加工層をエッチング処理し、次いで該レジストパターンを除去することにより、マスクパターンに忠実なパターンを基板上に形成することができる。
　【００３３】
　【作用】
　上述の本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクは、光半透過部を形成するための光半透過膜を有し、この光半透過膜は、露光光および可視光に対する透過率が、それぞれ特定の範囲にあって、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する性質と、露光光の位相を所定量シフトさせる性質とを有するとともに、電子線描画の際に電荷が帯電しない程度以上の導電性を有し、かつ導電性の幅広い制御性をも兼ね備えたものであることから、単純な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気の帯電による影響を防止しつつ再現性の高いパターニングが可能となった。
　【００３４】
　また、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用いることにより、好適な位相シフトマスクを得ることができる。
　【００３５】
　【実施例】
　次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
　【００３６】
（
参考例１
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　図１（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクブランクを次のようにして製造した。
　【００３７】
　透明基板１として、主表面を鏡面研磨した石英ガラス基板を用い、この基板上に、ターゲット組成比がタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比で１：１、スパッタガスの組成がアルゴンと酸素との容量比で１：１である条件にて、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚１２４０オングストロームの光半透過膜を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは２．０、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は８．０％、Ｗ：Ｓｉ：Ｏの原子比は２６：２９：４５、シート抵抗は３．０×１０６Ω／□未満であった。
　【００３８】
　図４は、このようにして得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜の波長に対する光透過率の依存関係を示す図である。
　【００３９】
　また、この光半透過膜について、その膜表面からの深さ方向への原子の分布を、ＥＳＣＡ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ　ｆｏｒ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ）により分析した。その結果を図５に示す。図５において、Ｘ軸が結合エネルギー（ＢＩＮＤＩＮＧ　ＥＮＥＲＧＹ）（ｅＶ）、Ｙ軸が原子数に対応する量、Ｚ軸がサイクル数（ＣＹＣＬＥＳ）（膜表面からの深さに対応し、数字が小さいほど初期の膜表面に近い）を示す。この図より、膜中にＳｉＯ２が含まれていることが分かる。
　【００４０】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、図２の工程図に従って、ハーフトーン型位相シフトマスクを製造した。
　【００４１】
　まず、位相シフトマスクブランクの光半透過膜２ａ上に電子線レジスト膜４ａ（東ソー社製：ＣＭＳ−Ｍ８）を６０００オングストロームの厚さに形成し（図２（ｂ）参照）、所定のパターンにしたがって電子線を照射した後、レジストの現像処理を行なってレジストパターン４を形成した（図２（ｃ）参照）。
　【００４２】
　次に、レジストパターン４をマスクとして光半透過膜２ａを反応性ドライエッチング方式（ＲＩＥ）平行平板型ドライエッチング装置を用いて、ドライエッチング処理した（図２（ｄ）参照）。
　【００４３】
　ドライエッチング処理後、残存レジストパターン４を剥離することにより、光半透過部２および光透過部３を有する位相シフトマスクを得た（図２（ｅ）参照）。
　【００４４】
　
本参考例
　【００４５】
　また、
本参考例
　【００４６】
　また、
本参考例
　【００４７】
　また、図４に示すように、可視域における透過率が４２％程度であ
り、マ
　【００４８】
　
本参考例
　【００４９】
（
参考例２
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
参考例１（１）
参考例１（１）
　【００５０】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【００５１】
　
本参考例
　【００５２】
　また、
本参考例
　【００５３】
　また、
本参考例
　【００５４】
　また、可視域における透過率が４１％程度であり、
参考例１
　【００５５】
　
本参考例
　【００５６】
（
実施例１
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　図１（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクブランクを次のようにして製造した。
　【００５７】
　透明基板１として、主表面を鏡面研磨した石英ガラス基板を用い、この基板上に、ターゲット組成比がタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比で１：１、スパッタガスの組成がアルゴンと窒素との容量比で１：３である条件にて、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚１０３３オングストロームの光半透過膜を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは２．２、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は７．５％、Ｗ：Ｓｉ：Ｎの原子比は２９：３０：４１、シート抵抗は３．８×１０４Ω／□未満であった。
　【００５８】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【００５９】
　本実施例によれば、位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜２ａが、前述のように３．８×１０４Ω／□未満のシート抵抗を有するため、位相シフトマスクブランクの作成においてレジストパターンの形成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防止できるものであった。
　【００６０】
　また、本実施例の位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上であるため、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができた。
　【００６１】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。
　【００６２】
　また、可視域における透過率が５２％程度であり、
参考例１
　【００６３】
　本実施例の位相シフトマスクを使用したところ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得られた。
　【００６４】
（
実施例２
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
実施例１（１）
実施例１（１）
　【００６５】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【００６６】
　本実施例によれば、位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜２ａが、前述のように５．０×１０４Ω／□未満のシート抵抗を有するので、位相シフトマスクの作成においてレジストパターンの形成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防止できるものであった。
　【００６７】
　また、本実施例の位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができた。
　【００６８】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。
　【００６９】
　また、可視域における透過率が４０％程度であり、
参考例１
　【００７０】
　本実施例の位相シフトマスクを使用したところ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得られた。
　【００７１】
（
参考例３
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　図１（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクブランクを次のようにして製造した。
　【００７２】
　透明基板１として、主表面を鏡面研磨した石英ガラス基板を用い、この基板上に、ターゲット組成比がタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比で１：１、スパッタガスの組成がアルゴンと酸素と窒素との容量比で１：１：２である条件にて、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚１０９７オングストロームの光半透過膜を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは２．１３、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は７．８％、Ｗ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１９：２２：３７：２２、シート抵抗は５．２×１０５Ω／□未満であった。
　【００７３】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【００７４】
　
本参考例
　【００７５】
　また、
本参考例
　【００７６】
　また、
本参考例
　【００７７】
　また、可視域における透過率が４５％程度であり、
参考例１
　【００７８】
　
本参考例
　【００７９】
（
参考例４
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
参考例３（１）
参考例３（１）
　【００８０】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【００８１】
　
本参考例
　【００８２】
　また、
本参考例
　【００８３】
　また、
本参考例
　【００８４】
　また、可視域における透過率が４３％程度であり、
参考例１
　【００８５】
　
本参考例
　【００８６】
（
参考例５
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
参考例１（１）
参考例１（１）
　【００８７】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【００８８】
　
本参考例
　【００８９】
　また、
本参考例
　【００９０】
　また、
本参考例
　【００９１】
　また、可視域における透過率が５５％程度であり、
参考例１
　【００９２】
　
本参考例
　【００９３】
（
参考例６
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
参考例１（１）
参考例１（１）
　【００９４】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【００９５】
　
本参考例
　【００９６】
　また、
本参考例
　【００９７】
　また、
本参考例
　【００９８】
　また、可視域における透過率が４５％程度であり、
参考例１
　【００９９】
　
本参考例
　【０１００】
（
実施例３
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
実施例１（１）
参考例１（１）
　【０１０１】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【０１０２】
　本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前述のようにシート抵抗３．８×１０４Ω／□未満であるため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防止できるものであった。
　【０１０３】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができた。
　【０１０４】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。
　【０１０５】
　また、可視域における透過率が４３％程度であり、
参考例１
　【０１０６】
　本実施例の位相シフトマスクを使用したところ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得られた。
　【０１０７】
（
実施例４
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
実施例１（１）
実施例１（１）
　【０１０８】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【０１０９】
　本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前述のように、シート抵抗５．０×１０４Ω／□未満であるため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防止できるものであった。
　【０１１０】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができた。
　【０１１１】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。
　【０１１２】
　また、可視域における透過率が４０％程度であり、
参考例１
　【０１１３】
　本実施例の位相シフトマスクを使用したところ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得られた。
　【０１１４】
（
参考例７
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
参考例３（１）
参考例３（１）
　【０１１５】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【０１１６】
　
本参考例
　【０１１７】
　また、
本参考例
　【０１１８】
　また、
本参考例
　【０１１９】
　また、可視域における透過率が４４％程度であり、
参考例１
　【０１２０】
　
本参考例
　【０１２１】
（
参考例８
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
参考例３（１）
参考例３（１）
　【０１２２】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【０１２３】
　
本参考例
　【０１２４】
　また、
本参考例
　【０１２５】
　また、
本参考例
　【０１２６】
　また、可視域における透過率が４０％程度であり、
参考例１
　【０１２７】
　
本参考例
　【０１２８】
（
実施例５
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　図１（ａ）に示すハーフトーン型位相シフトマスクブランクを次のようにして製造した。
　【０１２９】
　透明基板１として、主表面を鏡面研磨した石英ガラス基板を用い、この基板上に、ターゲット組成比がタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）との原子比で１：１、スパッタガスとしてアルゴンのみを用いる条件にて、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、膜厚８１０オングストロームの光半透過膜を形成し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造した。形成された光半透過膜の屈折率ｎは２．５３、λ＝２４８ｎｍのときの透過率は５．１％、Ｗ：Ｓｉの原子比は４７：５３、シート抵抗は１．５×１０−３Ω／□未満であった。
　【０１３０】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【０１３１】
　本実施例によれば、位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜２ａが、前述のように１．５×１０−３Ω／□未満のシート抵抗を有するため、位相シフトマスクブランクの作成においてレジストパターンの形成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防止できるものであった。
　【０１３２】
　また、本実施例の位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上であるため、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができた。
　【０１３３】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。
　【０１３４】
　また、可視域における透過率が３５〜４０％であり、
参考例１
　【０１３５】
　本実施例の位相シフトマスクを使用したところ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得られた。
　【０１３６】
（
実施例６
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
実施例５（１）
実施例５（１）
　【０１３７】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【０１３８】
　本実施例によれば、位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜２ａが、前述のように２．０×１０−３Ω／□未満のシート抵抗を有するので、位相シフトマスクの作成においてレジストパターンの形成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防止できるものであった。
　【０１３９】
　また、本実施例の位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができた。
　【０１４０】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。
　【０１４１】
　また、可視域における透過率が３５〜４０％であり、
参考例１
　【０１４２】
　本実施例の位相シフトマスクを使用したところ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得られた。
　【０１４３】
（
実施例７
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
実施例５（１）
実施例５（１）
　【０１４４】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【０１４５】
　本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前述のようにシート抵抗１．６×１０−３Ω／□未満であるため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防止できるものであった。
　【０１４６】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができた。
　【０１４７】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。
　【０１４８】
　また、可視域における透過率が３５〜４０％であり、
参考例１
　【０１４９】
　本実施例の位相シフトマスクを使用したところ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得られた。
　【０１５０】
（
実施例８
（１）ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの製造
　
実施例５（１）
実施例５（１）
　【０１５１】
（２）ハーフトーン型位相シフトマスクの製造
　上記（１）で得られたハーフトーン型位相シフトマスクブランクを用い、
参考例１（２）
　【０１５２】
　本実施例によれば、光半透過膜２ａが、前述のように、シート抵抗２．３×１０−３Ω／□未満であるため、レジストパターンの形成のために行なう電子線照射によって打ち込まれた電子が帯電することを充分に防止できるものであった。
　【０１５３】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａは、透明基板１とのエッチング選択比（光半透過膜のエッチング速度／透明基板のエッチング速度）が３以上であり、適宜な条件でのエッチングを行なうことにより、透明基板１をほとんど傷つけずに光半透過膜２ａのエッチングを行なうことができた。
　【０１５４】
　また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。
　【０１５５】
　また、可視域における透過率が３５〜４０％であり、
参考例１
　【０１５６】
　本実施例の位相シフトマスクを使用したところ、従来の位相シフトマスクと同様の焦点深度が得られた。
　【０１５７】
　上述した
参考例１〜８および実施例１〜８
　【０１５８】
　【表１】
　【０１５９】
　【表２】
　【０１６０】
　【表３】
　【０１６１】
　【表４】
　【０１６２】
（
実施例９
　上記
参考例および実施例の試料
　【０１６３】
（
実施例１０
　上記
参考例および実施例において
　【０１６４】
　【発明の効果】
　以上詳述したように、本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスクは、透明基板上に光透過部を形成するための光半透過膜を有し、この光半透過膜が、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する性質と露光光の位相を所定量シフトさせる性質とを有すると同時に、電子線描画の際に電荷が帯電しない程度以上の導電性をも兼ね備え、自由に制御できるものであることから、単純な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよび本発明のハーフトーン型位相シフトマスクを示す図であり、図１（ａ）がハーフトーン型位相シフトマスクブランクの１例の断面図、図１（ｂ）がハーフトーン型位相シフトマスクの１例の断面図である。
　【図２】
　本発明のハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程の１例を示す説明図である。
　【図３】
　ハーフトーン型位相シフトマスクの作用説明図である。
　【図４】
　
参考例１
　【図５】
　
参考例１
　【符号の説明】
　１　透明基板
　２　光半透過部
　２ａ　光半透過膜
　３　光透過部
　４　レジストパターン
　４ａ　レジスト膜