【事件の表示】
　特許第３０８６２７２号「有機エレクトロルミネッセンス素子」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０８６２７２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ手続の経緯
　本件特許第３０８６２７２号の請求項に係る発明は、平成３年５月９日に特許出願され、平成１２年７月７日に特許権の設定登録がなされ、その後、小野浩一より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年８月３１日に訂正請求がなされたものである。
　　
ＩＩ訂正の適否についての判断
１訂正の内容
訂正事項ａ
　明細書の段落【２９】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｂ
　明細書の段落【８４】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。   
訂正事項ｃ
　明細書の段落【８５】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｄ
　明細書の段落【８６】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｅ
　明細書の段落【８７】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｆ
　明細書の段落【８８】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。   
訂正事項ｇ
　明細書の段落【８９】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｈ
　明細書の段落【９０】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｉ
　明細書の段落【９１】の「比較例１〜８」を、「比較例１」と訂正する。
訂正事項ｊ
　明細書の段落【９２】の「比較例９」を、「比較例２」と訂正する
訂正事項ｋ
　明細書の段落【９３】の第１表中における、比較例２〜８の欄を削除する。
訂正事項ｌ
　明細書の段落【９３】の第１表中における、「比較例９」を、「比較例２」と訂正する。
訂正事項ｍ
　明細書の段落【９４】の「比較例１〜８」を、「比較例１」と訂正する。
訂正事項ｎ
　明細書の段落【９４】の「比較例９」を、「比較例２」と訂正する。
訂正事項ｏ
　明細書の段落【９５】の第２表中における、比較例２〜８の欄を削除する。
訂正事項ｐ
　明細書の段落【９５】の第２表中における、「比較例９」を、「比較例２」と訂正する。
訂正事項ｑ
　明細書の段落【９６】の「比較例９」を、「比較例２」と訂正する。
　　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張、変更の存否
　訂正事項ａ〜ｈは、水酸基の二とおりの命名法を混用した化合物の命名法の誤用によるもので特許請求の範囲で正しく使われている「８−ヒドロキシキノリン」の誤りであることが明らかな個所の訂正であるから誤記の訂正に当たる。
　訂正事項ｉ〜ｑは、明細書の段落【９１】の１行目の記載と２行目以降の記載との不整合を一致させ、それに伴って段落【９２】〜【９６】に生じた不整合を解消するために、明細書の比較例２〜８を削除し、比較例の番号を訂正するもので明りょうでない記載の釈明である。
　また、いずれの訂正も、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　　
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成六年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
III　特許異議の申立てについての判断
１　異議申立ての理由の概要
　異議申立人は、甲第１ないし３号証を提出し、本件発明は、甲第１ないし３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべき旨主張している。
　　
２　本件発明
　上記ＩＩで示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「 【請求項１】　陽極／発光層／接着層／陰極、もしくは陽極／正孔注入層／発光層／接着層／陰極の順に積層してなり、該発光層が
一般式（Ｉ）
【化１】
　
　　　
　（式中、Ｒ1 〜Ｒ4 はそれぞれ水素原子，炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリール基，置換あるいは無置換のシクロヘキシル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。ここで、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアシル基，炭素数１〜６のアシルオキシ基，カルボキシル基，スチリル基，炭素数６〜２０のアリールカルボニル基，炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル基，炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基，ビニル基，アニリノカルボニル基，カルバモイル基，フェニル基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。これらの置換基は単一でも複数でもよい。また、Ｒ1 〜Ｒ4 は同一でも、また互いに異なっていてもよく、Ｒ1 とＲ2 およびＲ3 とＲ4 は互いに置換している基と結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。Ａｒは置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基を表わし、単一置換されていても、複数置換されていてもよく、また結合部位は、オルト，パラ，メタいずれでもよい。但し、Ａｒが無置換フェニレンの場合、Ｒ1 〜Ｒ4 はそれぞれ炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換のナフチル基，ビフェニル基，シクロヘキシル基，アリールオキシ基より選ばれたものである。），
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　一般式（ＩＩ）
【化２】　
　　　
        Ａ−Ｑ−Ｂ                 　　　          ・・・（ＩＩ）
　　　　
（式中、Ａ及びＢは、それぞれ上記一般式（Ｉ）で表される化合物から１つの水素原子を除いた一価基を示し、同一であっても異なってもよい。また、Ｑは共役系を切る二価基を示す。）又は
　　
一般式（ＩＩＩ)
【化３】
　　　　　　
　　
（式中、Ａ1 は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基又は二価の芳香族複素環式基を示す。結合位置はオルト，メタ，パラのいずれでもよい。Ａ２ は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基又は一価の芳香族複素環式基を示す。Ｒ５及びＲ６ はそれぞれ、水素原子，置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基，シクロヘキシル基，一価の芳香族複素環式基，炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数７〜２０のアラルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を示す。なお、Ｒ５ ，Ｒ６ は同一でも異なってもよい。ここで、置換基とは、単一置換の場合、アルキル基，アリールオキシ基，アミノ基又は置換基を有するもしくは有しないフェニル基である。Ｒ５ の各置換基はＡ１ と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよく、同様にＲ６ の各置換基はＡ２ と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよい。また、Ｑは、共役を切る二価基を表す。）で表され、かつ、青，緑青もしくは青緑の発光を呈する化合物からなり、該接着層が８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体からなるとともに、その厚さが前記発光層の厚さより薄いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。」
　　
３　引用刊行物
刊行物イ　特開平２-２２２４８４号公報（異議申立人の提出した甲第１号　　　　　証）　
刊行物ロ　特開平２-２４７２７８号公報　　　　　　
刊行物ハ　特開平３-０３３１８４号公報　　　　　　
刊行物ニ　特開平２-２０９９８８号公報
刊行物ホ　特開平２-２１６７９０号公報（異議申立人の提出した甲第２号　　　　　証）
刊行物ヘ　特開平２-２５５７８８号公報
刊行物ト　特開平２-１９５６８３号公報
刊行物チ　欧州特許公開第３５７２１９号明細書（１９９０年３月７日発行　　　　　）（異議申立人の提出した甲第３号証）
　
４　引用刊行物等に記載された事項
当審が取消理由で引用した刊行物イには、
「（１）有機化合物からなり互いに積層された蛍光体発光層及び正孔輸送層が陰極及び陽極間に配された構成の電界発光素子であって、前記蛍光体発光層は、下記構造式（ＸＩＩＩ）で示され、
　　
　　　
　　（ＸＩＩＩ）
　　
上記構造式（ＸＩＩＩ）中、Ａは、
　　
　
　　　　　　　　　　　
　　又は
　　
　　
であり、ｍは１，２，３又は４でありｎは１又は２であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は独立に、−Ｈ（水素原子）、ＣＺＨ２Ｚ+１（アルキル基：Ｚは整数）、ＯＣＹＨ２Ｙ+1（アルコキシ基：Ｙは整数）、−Ｘ（ハロゲン基）、−ＮＨ２（アミノ基）及び−ＮＲＲ′（ジアルキルアミノ基：Ｒ，Ｒ′はアルキル基）から選ばれる官能基である化合物であるビススチリル誘導体を含む蛍光体薄膜からなることを特徴とする電界発光素子。
（２）前記陰極及び前記蛍光体層間に有機電子輸送層が配されたことを特徴とする請求項１記載の電界発光素子。」（請求項（１）（２））、
「ペリレンテトラカルボキシル誘導体または下記（ＸＸＩＶ）式のペリレン誘導体からなる有機電子輸送層」（５頁　右上欄　第２段落　１０〜１２行）、
「蛍光体発光層はビススチリル誘導体を含む蛍光体薄膜からなるので、低電圧にて効率良く高輝度で青色発光させることができる。」（５頁　左下欄　３〜６行目）と記載されている。
　　
刊行物ロには［陽極−正孔注入層−発光層−電子注入層−陰極］、刊行物ハには［陽極−正孔注入輸送層−発光層−電子注入層−陰極］、刊行物ニには［陽極−正孔注入輸送層−発光層−電子注入輸送層−陰極］からなるエレクトロルミネッセンス素子であって、発光層が本件発明の一般式（Ｉ）（ＩＩ）（ＩＩＩ）の青、緑青、青緑の発光を呈する化合物に包含される化合物で構成された素子が記載されている。（刊行物ロの請求項１,請求項５、刊行物ハの請求項１,請求項５、刊行物ニの請求項１,請求項５参照）
また、電子注入層、電子注入輸送層を構成する化合物には多種類の化合物が記載されている。（刊行物ロの１０頁左上欄末８行目〜右下欄7行目、刊行物ハの８頁左下欄末４行目〜９頁右上欄末行、刊行物ニの９頁右下欄１行目〜１０頁左上欄末２行参照）
　　
刊行物ホには、                                    
「（１）有機化合物からなり互いに積層された蛍光体発光層及び正孔輸送層が陰極及び陽極間に配された構成の電界発光素子であって、前記蛍光体発光層は互いに積層されかつ陽極側よりも陰極側の方が電子輸送能力が大なる１対の蛍光体薄膜からなることを特徴とする電界発光素子。
（２）前記１対の蛍光体発光薄膜のうち陰極側が８−ヒドロキシキノリンの金属錯体からなることを特徴とする請求項１記載の電界発光素子。」（請求項１，２）、
「（５）前記１対の蛍光体発光薄膜のうち陽極側が８−ヒドロキシキノリンの金属錯体からなることを特徴とする請求項４記載の電界発光素子。」（請求項５）、
「蛍光体を効率良く高輝度にて発光させることができると共に、素子寿命を向上できる」（４頁右上欄１３〜１５行目）と記載されている。
　　
刊行物へには、
「陽極上に順次正孔注入輸送層、発光層、正孔阻止層、陰極を有し、これらの電極のうち少なくとも一方が透明である有機エレクトロルミネセンス素子において、発光層がエキサイマー又はエキサイプレックス発光を示す化合物であることを特徴とする、有機エレクトロルミネセンス素子。」（請求項１）、
「正孔阻止層に用いられる電子伝達性化合物としては、有機、無機、あるいは金属錯体など任意の電子伝達性化合物を用いることができ、・・・好ましいものとして、例えば、以下のような化合物を挙げることができる。・・・有機化合物では、アミノ基またはその誘導体を有するトリフェニルメタン、ジフェニルメタン、キサンテン、アクリジン、アジン、チアジン、チアゾール、オキサジン、アゾなどの各種染料及び顔料、フラバントロンなどのインダンスレン系染料、ペリノン系顔料、ペリレン系顔料、シアニン色素、2,4,7?トリニトロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、テレフタル酸ジアルキルエステルなどの電子受容体がある。また、金属錯体では、環上に電子吸引性置換基を有する金属、無金属フタロシアニン類、環上にピリジル基、キノリル基、キノキサリル基などを有するポリフィリン類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体などである。」（５頁左上欄末３行〜左下欄１行）、
「実施例１・・・発光層として、１，３−ビス（１−ピレニル）プロパン・・・を、・・・５００Åの厚さに蒸着し・・・正孔阻止層としてトリス（５，７−ジクロルー８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウムを・・・６００Åの厚さに蒸着し・・・作成した素子に・・・直流電圧を印加すると、４８５ｎｍの青色光を発した。その輝度は、１６Ｖ，６ｍＡ／ｃｍ２において１２０ｃｄ／ｍ２であった。」（実施例１）、
「発光効率が良好で十分な輝度が得られ、」（７頁右上欄１〜２行）と記載されている。
　　
刊行物トには、
「陽極上に順次正孔注入輸送層、発光層、陰極を有し、これらの電極のうち少なくとも一方が透明である有機エレクトロルミネセンス素子において、発光層と陰極の間に、発光層の第一酸化電位よりも0.1V以上大きな第一酸化電位を有する正孔阻止層を設けたことを特徴とする、有機のエレクトロルミネセンス素子。」（請求項１）、
「正孔阻止層に用いられる電子伝達性化合物の好ましいものとして、例えば以下のような化合物を挙げることができる。アミノ基またはその誘導体を有するトリフェニルメタン、ジフェニルメタン、キサンテン、アクリジン、アジン、チアジン、チアゾール、オキサジン、アゾなどの各種染料及び顔料、フラバントロンなどのインダンスレン系染料、ペリノン系顔料、ペリレン系顔料、シアニン色素、2,4,7−トリニトロフルオレノン、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレンなどの電子受容体、環上に電子吸引性置換基を有する金属あるいは無金属フタロシアニン類、環上にピリジル基、キノリル基、キノキサリル基などを有するポルフィリン類、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体などである。」（３頁左下欄２〜１４行）、
「実施例１ ITOガラス（HOYA（株）製）上に、正孔注入輸送層として、N,N′−ジフェニル−N,N′−（３−メチルフェニル）1,1′−ジフェニル−4,4−ジアミンを３×１０−６トールの真空度で150℃に加熱し、750Åの厚さに蒸着した。
次いで、発光層としてトリス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（第一酸化電位1.14V）を、２．３×１０−６トールの真空度で208℃に加熱し、425Åの厚さに蒸着した。次いで、その上に正孔阻止層としてトリス（5,7−ジクロル−８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（第一酸化電位1.35V）を、２．５×１０−６トールの真空度で250℃に加熱し、400Åの厚さに蒸着した。次いで、その上に陰電極として金属インジウムをシャドーマスクを介して0.1cm２の面積に蒸着し、素子の面積を規定した。
このようにして作成した素子に、ITO電極を陽極として直流電圧を印加すると、520nmの緑色光を発した。その輝度は30V、14mA/cm２において120cd/m２であった。
実施例２ 正孔阻止層としてトリス（5,7−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノ）アルミニウム（第一酸化電位1.42V）を、２．０×１０−６トールの真空度で268℃に加熱し、420Åの厚さに蒸着して用いた以外は、実施例１と同様に素子を作成した。
この素子は、28V、１３mA/cm２において輝度１２５cd/m２の緑色光の発光を示した。」（実施例１，２）、
「発光効率が良好で十分な輝度が得られ、」（６頁右上欄７〜８行）と記載されている。
　　
刊行物チには、アルミニウムを８-ヒドロキシキノリン又はその誘導体のアルミニウム錯体水溶液に接触することにより、アルミニウム表面にアルミニウム錯体が形成される旨の記載が請求項２１〜２４にあり、
アルミニウム表面にキレート結合が形成されることにより、難溶性または不溶性の錯体化合物が生成する。そして、このキレート結合は、アルミニウムの結合よりも、はるかに強力である旨の記載が３頁１８〜１９行にあり、
アルミニウム−オキシンキレートは、種々の腐食性環境に対して、安定であり、そして、アルミニウム材料と強固に結合し、それを保護し、耐食性を付与する旨記載されている。（３頁２７〜２８行）
　　
５　対比・判断
　本件発明と刊行物イ〜ニに記載された発明とを比較すると、両者は、青、緑青、青緑の有機エレクトロルミネッセンス素子を得るべく、本件発明の（Ｉ）（ＩＩ）（ＩＩＩ）の化合物を青色の発光層材料として採用する点では一致しているが、発光層と陰極との間に、本件発明では発光層よりも薄い８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の層を設けるのに対し、刊行物イ〜ニに記載された発明では、有機電子輸送層、電子注入層あるいは電子注入輸送層と呼称される層を設けるもので、該層を形成する化合物として各種の化合物が記載されているものの、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体からなる層を設けること、及び、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の層の厚みが発光層よりも薄いことが記載されていない点で相違する。
　その相違点を検討すると、刊行物ホ〜トには、高効率発光、高輝度、高寿命化を課題とし、発光層と陰極との間に設ける層の材料として８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体も記載されているが、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体を採用した例の発光効率を特許異議意見書５頁第１段落中の発光効率を算出する計算式に基づいて算出してみると本件発明の発光効率よりずっと低い例が多く、さらに、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体層の厚みについても発光層よりも厚いものから薄いものまである。
　また、本件段落【９４】に記載されるようにエージングした後の初期輝度の残存性や均一発光性についても刊行物ホ〜トには記載がない。
　以上のとおりであるから、青、緑青、青緑の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を更に高め、しかも、エージング後の初期輝度の低下が少なく、しかも、無発光領域の拡大や色むら発生が無く、均一に発光するものを得るべく、刊行物イ〜ニに記載される、本件請求項１の式（Ｉ）（ＩＩ）（ＩＩＩ）の化合物を青色の発光層材料として採用した有機エレクトロルミネッセンス素子に、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体層を発光層よりも厚みを薄くして介在させてみることは、刊行物ホ〜トの記載からは着想することはできない。
　また、刊行物チの記載は、青色の発光層材料と陰極との間に、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体層を発光層よりも厚みを薄くして介在させることにより格別大きな発光効率を得ることができ、また、エージング後の初期輝度の残存性や均一発光性についても優れたものにできることを示唆するものでないから、刊行物イ〜トの記載事項に刊行物チの記載事項を勘案しても、本件請求項１の式（Ｉ）（ＩＩ）（ＩＩＩ）の化合物を青色の発光層材料として採用した有機エレクトロルミネッセンス素子に、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体層を発光層よりも厚みを薄くして介在させることで、青、緑青、青緑の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を更に高め、しかも、エージング後の初期輝度の低下が少なく、無発光領域の拡大や色むら発生が無く、均一に発光するものを得ることを着想することはできない。
　また、本件実施例１と比較例１とから、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の介在層を設けないと発光効率が低く、発光の面内均一性が悪く、エージング後に初期輝度の低下も大きく、無発光領域も拡大すること、さらに、本件実施例２と比較例２とから、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の介在層を設けても８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の層の厚みを発光層の厚みよりも薄くしないと、発光色が緑色がかるだけでなく、発光効率も低く、エージング後に初期輝度の低下も大きく、色むらも大きくなることは明らかであり、ひいては、素子の微細な加工が可能であり、歩留まりの向上、高寿命が可能となるという明細書記載の効果も充分推認し得ることであり、本件発明では、刊行物イ〜チの記載からは予測し得ない極めて優れた効果が奏されている。
　したがって、本件発明は、刊行物イ〜チに記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとは言えない。
６　むすび
　以上のとおりであるから、当審の取消理由、あるいは特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月２１日（２００１．９．２１）
【訂正の要旨】
訂正事項ａ
　明細書の段落【２９】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｂ
　明細書の段落【８４】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｃ
　明細書の段落【８５】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｄ
　明細書の段落【８６】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｅ
　明細書の段落【８７】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｆ
　明細書の段落【８８】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｇ
　明細書の段落【８９】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｈ
　明細書の段落【９０】の「８−ヒドロキシキノリノール」を、「８−キノリノール」と　訂正する。
訂正事項ｉ
　明細書の段落【９１】の「比較例１〜８」を、「比較例１」と訂正する。
訂正事項ｊ
　明細書の段落【９２】の「比較例９」を、「比較例２」と訂正する
訂正事項ｋ
　明細書の段落【９３】の第１表中における、比較例２〜８の欄を削除する。
訂正事項ｌ
　明細書の段落【９３】の第１表中における、「比較例９」を、「比較例２」と訂正する。
訂正事項ｍ
　明細書の段落【９４】の「比較例１〜８」を、「比較例１」と訂正する。
訂正事項ｎ
　明細書の段落【９４】の「比較例９」を、「比較例２」と訂正する。
訂正事項ｏ
　明細書の段落【９５】の第２表中における、比較例２〜８の欄を削除する。
訂正事項ｐ
　明細書の段落【９５】の第２表中における、「比較例９」を、「比較例２」と訂正する。
訂正事項ｑ
　明細書の段落【９６】の「比較例９」を、「比較例２」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
有機エレクトロルミネッセンス素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　陽極／発光層／接着層／陰極、もしくは陽極／正孔注入層／発光層／接着層／陰極の順に積層してなり、該発光層が一般式（Ｉ）
　【化１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ水素原子，炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリール基，置換あるいは無置換のシクロヘキシル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。ここで、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアシル基，炭素数１〜６のアシルオキシ基，カルボキシル基，スチリル基，炭素数６〜２０のアリールカルボニル基，炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル基，炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基，ビニル基，アニリノカルボニル基，カルバモイル基，フェニル基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。これらの置換基は単一でも複数でもよい。また、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも、また互いに異なっていてもよく、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに置換している基と結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。Ａｒは置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基を表わし、単一置換されていても、複数置換されていてもよく、また結合部位は、オルト，パラ，メタいずれでもよい。但し、Ａｒが無置換フェニレンの場合、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換のナフチル基，ビフェニル基，シクロヘキシル基，アリールオキシ基より選ばれたものである。），
一般式（ＩＩ）
　【化２】
　Ａ−Ｑ−Ｂ　　　・・・（ＩＩ）
（式中、Ａ及びＢは、それぞれ上記一般式（Ｉ）で表される化合物から１つの水素原子を除いた一価基を示し、同一であっても異なってもよい。また、Ｑは共役系を切る二価基を示す。）
又は一般式（ＩＩＩ）
　【化３】
（式中、Ａ１は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基又は二価の芳香族複素環式基を示す。結合位置はオルト，メタ，パラのいずれでもよい。Ａ２は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基又は一価の芳香族複素環式基を示す。Ｒ５及びＲ６はそれぞれ、水素原子，置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基，シクロヘキシル基，一価の芳香族複素環式基，炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数７〜２０のアラルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を示す。なお、Ｒ５，Ｒ６は同一でも異なってもよい。ここで、置換基とは、単一置換の場合、アルキル基，アリールオキシ基，アミノ基又は置換基を有するもしくは有しないフェニル基である。Ｒ５の各置換基はＡ１と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよく、同様にＲ６の各置換基はＡ２と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよい。また、Ｑは、共役を切る二価基を表す。）
で表され、かつ、青，緑青もしくは青緑の発光を呈する化合物からなり、該接着層が８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体からなるとともに、その厚さが前記発光層の厚さより薄いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子に関し、詳しくは発光均一性を向上させ、初期輝度低下を抑制する有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
　【０００１】
　【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
　エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）は、自己発光のため視認性が高く、また、完全固体素子であり、耐衝撃性に優れるという特徴を有していることから、現在、無機・有機化合物を用いたいろいろな素子が提案され、かつ、実用化が試みられている。これらの素子のうち、有機ＥＬ素子は印加電圧を大幅に低下させることができるので、各種材料・素子の開発が進められている。
　前記有機ＥＬ素子の構成については、陽極／発光層／陰極を基本構成として、発光性能向上のため、正孔注入層や電子注入層を必要に応じて設ける構成が知られている。このような素子構成において陰極は発光層との付着性が十分でなければならない。この付着性が十分でない場合、機械的強度が低下し、発光不均一や特に悪い場合に無発光領域を生じる。さらに、発光面内の負荷が不均一になり、このため、劣化を促進し寿命を短くする要因となり、実用化への問題点となる。
　【０００２】
　従来、電子注入層や正孔障壁層を必要に応じて発光層と陰極の間に設ける技術が知られている。これらの技術は特に、後者の層を設ける場合は、発光層とのエネルギーレベルの違いにより決定するものであり、この概念に従う材料でなければならない。例えば、「発光層の第一酸化電位より０．１Ｖ以上大きな第一酸化電位を有する正孔阻止層（正孔障壁層）を発光層と陰極の間に設ける」（特開平２−１９５６８３公報）技術が挙げられる。特開平２−１９５６８３公報及び特開平２−２５５７８８公報においても、上記概念に基づき正孔障壁層として８−ヒドロキシキノリン誘導体が用いられているが、青系統での発光効率が０．３（ｌｍ・Ｗ−１）とまだ低いものである。一方、特願平２−２４２６６９公報，特願平２−２７９３０４公報に記載されている材料を発光層に用いた場合、青系統の高輝度の発光を得ることができ、今後、フラットパネルディスプレイ等のフルカラー化に向けての有効な材料として挙げることができる。しかし、これらの材料にて、前記のような陽極／発光層／陰極／、陽極／正孔注入層／発光層／陰極といった構成にて素子化した場合、発光むらや無発光領域を生じることがあり、素子の寿命，微細加工等の実用化への問題点となっていた。
　【０００３】
　【課題を解決するための手段】
　そこで、本発明者らは、従来のＥＬ素子の持つ特性を維持しつつ、発光層と陰極の付着度について鋭意検討した結果、発光層と陰極との間に付着性を向上する層（接着層）を設けることにより発光色を変化させることなく、発光均一性及び発光効率の向上したＥＬ素子が得られることを見い出した。
　【０００４】
　本発明はかかる知見に基づいて完成したものである。すなわち本発明は、陽極／発光層／接着層／陰極、もしくは陽極／正孔注入層／発光層／接着層／陰極の順に積層してなり、該発光層が一般式（Ｉ）
　【０００５】
　【化４】
　【０００６】
（式中、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ水素原子，炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリール基，置換あるいは無置換のシクロヘキシル基，置換あるいは無置換の炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。ここで、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアシル基，炭素数１〜６のアシルオキシ基，カルボキシル基，スチリル基，炭素数６〜２０のアリールカルボニル基，炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル基，炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基，ビニル基，アニリノカルボニル基，カルバモイル基，フェニル基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンを示す。これらの置換基は単一でも複数でもよい。また、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも、また互いに異なっていてもよく、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに置換している基と結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。Ａｒは置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基を表わし、単一置換されていても、複数置換されていてもよく、また結合部位は、オルト，パラ，メタいずれでもよい。但し、Ａｒが無置換フェニレンの場合、Ｒ１〜Ｒ４はそれぞれ炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換のナフチル基，ビフェニル基，シクロヘキシル基，アリールオキシ基より選ばれたものである。），
一般式（ＩＩ）
　【０００７】
　【化５】
　Ａ−Ｑ−Ｂ　　　・・・（ＩＩ）
　【０００８】
（式中、Ａ及びＢは、それぞれ上記一般式（Ｉ）で表される化合物から１つの水素原子を除いた一価基を示し、同一であっても異なってもよい。また、Ｑは共役系を切る二価基を示す。）
又は一般式（ＩＩＩ）
　【０００９】
　【化６】
　【００１０】
（式中、Ａ１は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリーレン基又は二価の芳香族複素環式基を示す。結合位置はオルト，メタ，パラのいずれでもよい。Ａ２は置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基又は一価の芳香族複素環式基を示す。Ｒ５及びＲ６はそれぞれ、水素原子，置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基，シクロヘキシル基，一価の芳香族複素環式基，炭素数１〜１０のアルキル基，炭素数７〜２０のアラルキル基又は炭素数１〜１０のアルコキシ基を示す。なお、Ｒ５，Ｒ６は同一でも異なってもよい。ここで、置換基とは、単一置換の場合、アルキル基，アリールオキシ基，アミノ基又は置換基を有するもしくは有しないフェニル基である。Ｒ５の各置換基はＡ１と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよく、同様にＲ６の各置換基はＡ２と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよい。また、Ｑは、共役を切る二価基を表す。）
で表され、かつ、青，緑青もしくは青緑の発光を呈する化合物からなり、該接着層が８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体からなるとともに、その厚さが前記発光層の厚さより薄いことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供するものである。
　【００１１】
　本発明の有機ＥＬ素子は、上記のように陽極／発光層／接着層／陰極、もしくは陽極／正孔注入層／発光層／接着層／陰極の順に積層してなることを特徴とする。
　このＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ２，ＺｎＯなどの誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作製することができる。この電極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
　さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ，好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
　【００１２】
　一方、陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシウム／銅混合物，Ａｌ／（Ａｌ２Ｏ３），インジウムどが挙げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、電極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合である。
　【００１３】
　次いで、上記ＥＬ素子における発光層としては、通常の発光層と同様、▲１▼注入機能（電圧印加時に、陽極又は正孔注入層より正孔を注入可能であり、かつ陰極又は電子注入層より電子を注入可能である。），▲２▼輸送機能（正孔及び電子を電界の力により移動させることが可能である。），▲３▼発光機能（正孔と電子の再結合の場を提供し、発光させることが可能である。）を有するものである。この層の厚さは特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができ、好ましくは１ｎｍ〜１０μｍ、特に好ましくは、５ｎｍ〜５μｍである。
　この発光層の具体例としては、上記一般式（Ｉ），一般式（ＩＩ）又は一般式（ＩＩＩ）で表わされる化合物が挙げられる。
　【００１４】
　ここで、一般式（Ｉ）中のＲ１〜Ｒ４は、前述の如く同一でも異なってもよく、それぞれ水素原子，炭素数１〜６のアルキル基（メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，イソペンチル基，ｔ−ペンチル基，ネオペンチル基，イソヘキシル基），炭素数１〜６のアルコキシ基（メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，ブトキシ基等），炭素数７〜８のアラルキル基（ベンジル基，フェネチル基等），炭素数６〜１８のアリール基（フェニル基，ビフェニル基，ナフチル基等），シクロヘキシル基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基（フェノキシ基，ビフェニルオキシ基，ナフチルオキシ基等）を示す。
　【００１５】
　また、Ｒ１〜Ｒ４は、これらに置換基の結合したものでもよい。即ち、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ置換基含有フェニル基，置換基含有アラルキル基，置換基含有シクロヘキシル基，置換基含有ビフェニル基，置換基含有ナフチル基を示す。ここで、置換基は炭素数１〜６のアルキル基，炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，炭素数６〜１８のアリールオキシ基，炭素数１〜６のアシル基，炭素数１〜６のアシルオキシ基，カルボキシル基，スチリル基，炭素数６〜２０のアリールカルボニル基，炭素数６〜２０のアリールオキシカルボニル基，炭素数１〜６のアルコキシカルボニル基，ビニル基，アニリノカルボニル基，カルバモイル基，フェニル基，ニトロ基，水酸基あるいはハロゲンであり、複数置換されていてもよい。したがって、例えば、置換基含有アラルキル基は、アルキル基置換アラルキル基（メチルベンジル基，メチルフェネチル基等），アルコキシ基置換アラルキル基（メトキシベンジル基，エトキシフェネチル基等），アリールオキシ基置換アラルキル基（フェノキシベンジル基，ナフチルオキシフェネチル基等），フェニル基置換アラルキル基（フェニルフェネチル基等）上記置換基含有フェニル基は、アルキル基置換フェニル基（トリル基，ジメチルフェニル基，エチルフェニル基など），アルコキシ基置換フェニル基（メトキシフェニル基，エトキシフェニル基など）アリールオキシ基置換フェニル基（フェノキシフェニル基，ナフチルオキシフェニル基等）あるいはフェニル基置換フェニル基（つまり、ビフェニリル基）である。また、置換基含有シクロヘキシル基は、アルキル基置換シクロヘキシル基（メチルシクロヘキシル基，ジメチルシクロヘキシル基，エチルシクロヘキシル基等），アルコキシ基置換シクロヘキシル基（メトキシシクロヘキシル基，エトキシシクロヘキシル基等）あるいはアリールオキシ基置換シクロヘキシル基（フェノキシシクロヘキシル基，ナフチルオキシシクロヘキシル基），フェニル基置換シクロヘキシル基（フェニルシクロヘキシル基）である。置換基含有ナフチル基は、アルキル基置換ナフチル基（メチルナフチル基，ジメチルナフチル基等），アルコキシ基置換ナフチル基（メトキシナフチル基，エトキシナフチル基等）あるいはアリールオキシ基置換ナフチル基（フェノキシナフチル基，ナフチルオキシナフチル基），フェニル基置換ナフチル基である。
　Ｒ１〜Ｒ４としては、上述したもののうち、それぞれ炭素数１〜６のアルキル基，アリールオキシ基，フェニル基，ナフチル基，ビフェニル基，シクロヘキシル基が好ましい。これらは置換・無置換のいずれでもよい。また、Ｒ１〜Ｒ４は同一でも、また互いに異なっていてもよく、Ｒ１とＲ２およびＲ３とＲ４は互いに置換している基と結合して、置換あるいは無置換の飽和五員環又は置換あるいは無置換の飽和六員環を形成してもよい。
　【００１６】
　一方、一般式（Ｉ）中のＡｒは置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基を表わし、置換あるいは無置換のフェニレン基，ビフェニレン基，ｐ−テルフェニレン基，ナフチレン基，ターフェニレン基，ナフタレンジイル基，アントラセンジイル基，フェナントレンジイル基，フェナレンジイル基等のアリーレン基であり、無置換でも置換されていてもよい。又、メチリディン（＝Ｃ＝ＣＨ−）の結合位置はオルト，メタ，パラ等どこでもよい。但し、Ａｒが無置換フェニレンの場合、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜６のアルコキシ基，炭素数７〜８のアラルキル基，置換あるいは無置換のナフチル基，ビフェニル基，シクロヘキシル基，アリールオキシ基より選ばれたものである。置換基はアルキル基（メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔ−ブチル基，イソペンチル基，ｔ−ペンチル基，ネオペンチル基，イソヘキシル基等），アルコキシ基（メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，ｉ−プロポキシ基，ブチルオキシ基，ｉ−ブチルオキシ基，ｓｅｃ−ブチルオキシ基，ｔ−ブチルオキシ基，イソペンチルオキシ基，ｔ−ペンチルオキシ基），アリールオキシ基（フェノキシ基，ナフチルオキシ基等），アシル基（ホルミル基，アセチル基，プロピオニル基，ブチリル基等），アシルオキシ基，アラルキル基（ベンジル基，フェネチル基等），フェニル基，水酸基，カルボキシル基，アニリノカルボニル基，カルバモイル基，アリールオキシカルボニル基，メトキシカルボニル基，エトキシカルボニル基，ブトキシカルボニル基，ニトロ基，ハロゲンであり、単一置換でも複数置換されていてもよい。
　前記式（Ｉ）で表わされるジメチリディン芳香族化合物は、１分子中に２つのメチリディン（＝Ｃ＝ＣＨ−）単位を有し、このメチリディン単位の幾何異性によって、４通りの組合わせすなわち、シス−シス，トランス−シス，シス−トランス及びトランス−トランスの組合わせがある。本発明の発光層は、それらのいずれのものであってもよいし、幾何異性体の混合したものでもよい。特に好ましくは、全てトランス体のものである。
また、上記置換基は、置換基の間で結合し、置換、無置換の飽和五員環又は六員環を形成してもよい。
　【００１７】
　一般式（ＩＩ）におけるＡ及びＢは、それぞれ上記一般式（Ｉ）で表される化合物から１つの水素原子を除いた一価基を示し、同一であっても異なってもよいものである。ここで、一般式（ＩＩ）におけるＱは共役系を切る二価基を示す。
　ここで共役とは、π電子の非極在性によるもので、共役二重結合あるいは不対電子または孤立電子対によるものも含む。Ｑについて具体的には、直鎖アルカンからＨ原子を１個ずつ除いた二価基、例えば、
　【００１８】
　【化７】
　【００１９】
等を表わしている。
　このように共役系を切る二価の基を用いる理由は、上記で示されるＡあるいはＢ（即ち、一般式（Ｉ）の化合物）を、単独で本発明の有機ＥＬ素子として用いた場合に得られるＥＬ発光色と、一般式（ＩＩ）で表わされる化合物を本発明の有機ＥＬ素子として用いた場合に得られるＥＬ発光色とが変わらぬようにする為である。つまり、一般式（Ｉ）又は一般式（ＩＩ）で表わされる発光層が、短波長化あるいは長波長化したりすることはないようにするためである。また、共役系を切る二価基で接続するとガラス転移温度（Ｔｇ）は、上昇することが確認でき、均一なピンホールフリーの微結晶あるいはアモルファス性薄膜が得られることができ、発光均一性を向上させている。更に、共役系を切る二価基で結合していることにより、ＥＬ発光が長波長化することなく、また、合成あるいは精製が容易にできる長所を備えている。
　【００２０】
　また、一般式（ＩＩＩ）中のＡ１は炭素数６〜２０のアリーレン基，二価の芳香族複素環式基、Ａ２は炭素数６〜２０のアリール基（フェニル基，ビフェニル基，ナフチル基等），一価の芳香族複素環式基を示す。Ｒ５及びＲ６はそれぞれ、水素原子，置換あるいは無置換の炭素数６〜２０のアリール基，シクロヘキシル基，一価の芳香族複素環式基，炭素数１〜１０のアルキル基（メチル基，エチル基，ｎ−プロピル基，ｉ−プロピル基，ｎ−ブチル基，ｉ−ブチル基，ｓｅｃ−ブチル基，ｔｅｒｔ−ブチル基，イソペンチル基，ｔ−ペンチル基，ネオペンチル基，イソヘキシル基等），炭素数７〜２０のアラルキル基（ベンジル基，フェネチル基等）又は炭素数１〜１０のアルコキシ基（メトキシ基，エトキシ基，プロポキシ基，ブトキシ基等）を示す。なお、Ｒ５，Ｒ６は同一でも異なってもよい。ここで、置換基とは、単一置換の場合、アルキル基，アリールオキシ基，アミノ基又は置換基を有するもしくは有しないフェニル基である。Ｒ５の各置換基はＡ１と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよく、同様にＲ６の各置換基はＡ２と結合して、飽和もしくは不飽和の五員環又は六員環を形成してもよい。また、Ｑは、上記と同様に共役を切る二価基を表す。
　さらに、本発明において、上記の一般式（Ｉ），一般式（ＩＩ）又は一般式（ＩＩＩ）で表わされる発光層は、ＣＩＥ色度座標における青，緑青もしくは青緑の発光を呈する化合物であることが必要である。
　上記発光層の形成方法としては、例えば蒸着法，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法などの公知の方法により薄膜化することにより形成することができるが、特に分子堆積膜であることがより好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状態又は液相状態から固体化され形成された膜のことであり、通常この分子堆積膜はＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは、凝集構造，高次構造の相異や、それに起因する機能的な相異により区分することができる。
　また、該発光層は、特開昭５９−１９４３９３号公報などに開示されているように、樹脂などの結着剤と該化合物とを溶剤に溶かして溶液としたのち、これをスピンコート法などにより薄膜化し、形成することができる。
　このようにして形成された発光層の膜厚については特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことができるが、好ましくは１ｎｍ〜１０μｍ、特に好ましくは５ｎｍ〜５μｍの範囲がよい。
　【００２１】
　このように本発明における発光層は、電界印加時に、陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、かつ陰極又は電子注入輸送層より電子を注入することができる注入機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる輸送機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる発光機能などを有している。なお、正孔の注入されやすさと、電子の注入されやすさには違いがあっても構わない。また、正孔と電子の移動度で表される輸送機能に大小があってもよいが、どちらか一方を移動することが好ましい。
　【００２２】
　次に、本発明における正孔注入層は、必ずしも本素子に必要なものではないが、発光性能の向上のため用いた方が好ましいものである。この正孔注入層としては、より低い電界で正孔を発光層に輸送する材料が好ましく、さらに正孔の移動度が１０４〜１０６ボルト／ｃｍの電場で少なくとも１０−６ｃｍ２ボルト・秒であれば尚好ましい。例えば、従来、光導伝材料において、正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものやＥＬ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。
　【００２３】
　正孔注入層としては、例えばトリアゾール誘導体（米国特許第３，１１２，１９７号明細書等参照），オキサジアゾール誘導体（米国特許第３，１８９，４４７号明細書等参照），イミダゾール誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報等参照），ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３，６１５，４０２号明細書，同３，８２０，９８９号明細書，同３，５４２，５４４号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同５１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５３号公報，同５６−３６６５６号公報等参照），ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３，１８０，７２９号明細書，同４，２７８，７４６号明細書，特開昭５５−８８０６４号公報，同５５−８８０６５号公報，同４９−１０５５３７号公報，同５５−５１０８６号公報，同５６−８００５１号公報，同５６−８８１４１号公報，同５７−４５５４５号公報，同５４−１１２６３７号公報，同５５−７４５４６号公報等参照），フェニレンジアミン誘導体（米国特許第３，６１５，４０４号明細書，特公昭５１−１０１０５号公報，同４６−３７１２号公報，同４７−２５３３６号公報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５４−１１０５３６号公報，同５４−１１９９２５号公報等参照），アリールアミン誘導体（米国特許第３，５６７，４５０号明細書，同３，１８０，７０３号明細書，同３，２４０，５９７号明細書，同３，６５８，５２０号明細書，同４，２３２，１０３号明細書，同４，１７５，９６１号明細書，同４，０１２，３７６号明細書，特公昭４９−３５７０２号公報，同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−１４４２５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同５６−２２４３７号公報，西独特許第１，１１０，５１８号明細書等参照），アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第３，５２６，５０１号明細書等参照），オキサゾール誘導体（米国特許第３，２５７，２０３号明細書などに記載のもの），スチリルアントラセン誘導体（特開昭５６−４６２３４号公報等参照），フルオレノン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報等参照），ヒドラゾン誘導体（米国特許第３，７１７，４６２号明細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同５５−５２０６３号公報，同５５−５２０６４号公報，同５５−４６７６０号公報，同５５−８５４９５号公報，同５７−１１３５０号公報，同５７−１４８７４９号公報，特開平２−３１１５９１号公報等参照），スチルベン誘導体（特開昭６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４５１号公報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２２５５号公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３６６７４号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−３０２５５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０−９４４６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同６０−１７５０５２号公報等参照）などを挙げることができる。
　さらに、正孔注入輸送材料としては、シラザン誘導体（米国特許第４９５０９５０号明細書），ポリシラン系（特開平２−２０４９９６号公報），アニリン系共重合体（特開平２−２８２２６３号公報）、また特願平１−２１１３９９号明細書で示された導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマーなどが挙げられる。
　【００２４】
　本発明においては、これらの化合物を正孔注入層として使用することができるが、次に示すポルフィリン化合物（特開昭６３−２９５６９６５号公報などに記載のもの）及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物（米国特許第４，１２７，４１２号明細書，特開昭５３−２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５５５８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５６９５号公報等参照），特に該芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
　【００２５】
　該ポルフィリン化合物の代表例としては、ポルフィン，１，１０，１５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン銅（ＩＩ），１，１０，１５，２０−テトラフェニル２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン亜銅（ＩＩ），５，１０，１５，２０−テトラキス（ペンタフルオロフェニル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィン，シリコンフタロシアニンオキシド，アルミニウムフタロシアニンクロリド，フタロシアニン（無金属），ジリチウムフタロシアニン，銅テトラメチルフタロシアニン，銅フタロシアニン，クロムフタロシアニン，亜鉛フタロシアニン，鉛フタロシアニン，チタニウムフタロシアニンオキシド，マグネシウムフタロシアニン，銅オクタメチルフタロシアニンなどが挙げられる。
　また、該芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノフェニル，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル（ＴＰＤＡ），２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン，１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４，４’−ジアミノビフェニル，１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン，ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン，ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン，Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４’−ジアミノビフェニル，Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル，４，４’−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル，Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン，４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン，４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン，３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン，Ｎ−フェニルカルバゾール，芳香族ジメチリディン系化合物などが挙げられる。
　【００２６】
　本発明のＥＬ素子における正孔注入層は、上記化合物を、例えば真空蒸着法，スピンコート法，キャスト法，ＬＢ法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。この正孔注入層としての膜厚は、特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍである。
　この正孔注入層は、これらの正孔注入輸送材料一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよいし、あるいは、前記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
　本発明で得られる有機ＥＬ素子の素子構成として、新たに付加する発光層と陰極間の付着性を向上させる層（接着層）は、発光層及び陰極に対し付着性の高い材料を用いるのが好ましい。この様な接着層の材料として、８−ヒドロキシキノリン、又はその誘導体の金属錯体を挙げることができる。具体的には、オキシン（一般に８−キノリノールまたは８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物である。このような化合物は高水準の性能を示し、容易に薄膜形態に成形される。オキシノイド化合物の例は下記構造式を満たするものである。
　【００２７】
　【化８】
　【００２８】
（式中、Ｍｔは金属を表し、ｎは１〜３の整数であり、且つ、Ｚはその各々の位置が独立であって、少なくとも２以上の縮合芳香族環を完成させるために必要な原子を示す。）
　ここで、Ｍｔで表される金属は、一価，二価または三価の金属とすることができるものであり、例えばリチウム，ナトリウムまたはカリウム等のアルカリ金属、マグネシウムまたはカルシムウ等のアルカリ土類金属、またはホウ素またはアルミニウム等の土類金属である。
　一般に有用なキレート化合物であると知られている一価，二価または三価の金属はいずれも使用することができる。
　【００２９】
　また、Ｚは、少なくとも２以上の縮合芳香族環の一方がアゾールまたはアジンからなる複素環を形成させる原子を示す。ここで、もし必要であれば、上記縮合芳香族環に他の異なる環を付加することが可能である。また、機能上の改善が無いまま嵩ばった分子を付加することを回避するため、Ｚで示される原子の数は１８以下に維持することが好ましい。
　さらに、具体的にキレート化オキシノイド化合物を例示すると、トリス（８−キノリノール）アルミニウム，ビス（８−キノリノール）マグネシウム，ビス（ベンゾ−８−キノリノール）亜鉛，ビス（２−メチル−８−キノリラート）アルミニウムオキシド，トリス（８−キノリノール）インジウム，トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム，８−キノリノールリチウム，トリス（５−クロロ−８−キノリノール）ガリウム，ビス（５−クロロ−８−キノリノール）カルシウム，５，７−ジクロル−８−キノリノールアルミニウム，トリス（５，７−ジブロモ−
８−キノリノール
　また、上記接着層の厚さは、上記発光層の厚さより薄いことが必要であり、好ましくは１〜５０ｎｍ、特に好ましくは５〜３０ｎｍがよい。この様に膜厚を制限するのは、発光色を青系統に維持するためである。
　【００３０】
　この接着層の作製法は、例えば、スピンコート法，キャスト法，蒸着法等がある。好ましくは、前記、発光層及び正孔注入層と同様、蒸着法が好ましい。
　ここで、上記発光層に用いられる化合物の例を以下に示す。
　【００３１】
　【化９】
　【００３２】
　【化１０】
　【００３３】
　【化１１】
　【００３４】
　【化１２】
　【００３５】
　【化１３】
　【００３６】
　【化１４】
　【００３７】
　【化１５】
　【００３８】
　【化１６】
　【００３９】
　【化１７】
　【００４０】
　【化１８】
　【００４１】
　【実施例】
　次に、本発明を参考例，実施例及び比較例によりさらに詳しく説明する。
参考例１
〔４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニルの製法〕
▲１▼アリーレン基含有リン化合物の製造
　４，４’−ビス（ブロモメチル）ビフェニル９．０ｇと亜リン酸トリエチル１１ｇを、アルゴン気流下オイルバスで、温度１４０℃で６時間加熱攪拌を行った。
　その後、過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した臭化エチルを減圧留去した。一晩放置後、白色結晶９．５ｇ（収率８０％）を得た。このものの分析結果等は、以下の通りである。
融点：９７．０〜１００．０ＣＣ
プロトン核磁気共鳴〔１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）〕による測定：
　δ＝７．３〜８．４ｐｐｍ（ｍ；８Ｈ，ビフェニレン環−Ｈ）
　δ＝４．１ｐｐｍ（ｄ；４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈｚ（３１ｐ−１Ｈカップリング）Ｐ−ＣＨ２
　δ＝３．７ｐｐｍ（ｑ；８Ｈ，エトキシ基メチレン−ＣＨ２）
　δ＝１．０ｐｐｍ（ｔ；１２Ｈ，エトキシ基メチル−ＣＨ３）
　以上の結果から，上述の生成物は、下記式
　【００４２】
　【化１９】
　【００４３】
で表わされるアリーレン基含有リン化合物（ホスホネート：Ｍｗ＝４５４．５）であることが確認された。
　【００４４】
▲２▼芳香族ジメチリディン化合物の製造
　上記参考例１▲１▼で得られたホスホネート４．５ｇとべンゾフェノン５．５ｇを、ジメチルスルホキシド１００ミリリットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシド２．２ｇを加え、アルゴン気流下、室温で４時間攪拌した後、一晩放置した。
　得られた混合物にメタノール１００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。濾過生成物を水１００ミリリットルで３回、続いてメタノール１００ミリリットルで３回充分に洗浄し、カラム精製を行い、黄橙色粉末２．０ｇを得た（収率２６％）。
　このものの分析結果等は、以下の通りである。
融点：　２０４．５〜２０６．５℃
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）による測定：
δ＝６．７〜７．３ｐｐｍ（ｍ；３０Ｈ，末端フェニル環−Ｈ，中心ビフェニレン及びメチリディン＝Ｃ＝ＣＨ−）
元素分析値：組成式Ｃ４０Ｈ３０として以下の通りである。なお括弧内は理論値である。
　　Ｃ：９４．２３％（９４．０８％）
　　Ｈ：　５．８４％（　５．９２％）
　　Ｎ：　０．００％（　　　　０％）
　また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は、以下の通りである。
　　νＣ＝Ｃ　　１５２０，　１６２０ｃｍ−１
　また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ／Ｚ＝５１０が検出された。
　以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
　【００４５】
　【化２０】
　【００４６】
で表わされる４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニルであることが確認された。
　【００４７】
参考例２
〔４，４’−ビス（２，２’−ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ビニル）ビフェニルの製法〕
▲１▼アリーレン基含有リン化合物の製造
　参考例１▲１▼と同じである。
▲２▼芳香族ジメチリディン化合物の製造
　上記参考例２▲１▼で得られたホスホネート１．８ｇと４，４’−ジ−ｔ−ブチルベンゾフェノン２．４ｇを、ジメチルスルホキシド１００ミリリットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシド１．０ｇを加え、アルゴン気流下、室温で４時間攪拌した後、一晩放置した。
　得られた混合物にメタノール１００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。濾過生成物を水１００ミリリットルで３回、続いてメタノール１００ミリリットルで３回充分に洗浄し、カラム精製を行い、淡黄色粉末１．０ｇを得た（収率３５％）。
　このものの分析結果等は、以下の通りである。
融点：２９３．０〜２９６．０℃
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
δ＝７．０〜７．４ｐｐｍ（ｍ；２４Ｈ，末端フェニル環−Ｈ，中心ビフェニレン−Ｈ）
δ＝６．９ｐｐｍ　　　　（ｓ；２Ｈ，メチリディン＝Ｃ＝ＣＨ−）
δ：１．３ｐｐｍ　　　　（ｓ；３６Ｈ，ｔ−ブチル基−Ｃ（ＣＨ３）３）
元素分析値：組成式Ｃ５６Ｈ６２として以下の通りである。なお括弧内は理論値である。
　　Ｃ：９１．４２％（９１．５０％）
　　Ｈ：　８．４５％（　８．５０％）
　　Ｎ：　０．００％（　　　　０％）
　また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は、以下の通りである。
　　νＣ＝Ｃ　　１５２０，　１６１０ｃｍ−１
　また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ／Ｚ＝７３４が検出された。
　以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
　【００４８】
　【化２１】
　【００４９】
で表わされる４，４’−ビス（２，２’−ジ（４−ｔ−ブチルフェニル）ビニル）ビフェニルであることが確認された。
　【００５０】
参考例３
〔４，４’−ビス（２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−２−フェニルビニル）ビフェニルの製法〕
▲１▼アリーレン基含有リン化合物の製造
　参考例１▲１▼と同じである。
▲２▼芳香族ジメチリディン化合物の製造
　上記参考例３▲１▼で得られたホスホネート３．０ｇと４−ｔ−ブチルベンゾフェノン４．１ｇを、ジメチルスルホキシド１００ミリリットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシド１．５ｇを加え、アルゴン気流下、室温で４時間攪拌した後、一晩放置した。
　得られた混合物にメタノール１００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。濾過生成物を水１００ミリリットルで３回、続いてメタノール１００ミリリットルで３回充分に洗浄し、カラム精製を行い、淡黄色粉末１．８９を得た（収率３８％）。
　このものの分析結果等は、以下の通りである。
融点：２０２．０〜２０４．０℃
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
δ＝７．０〜７．４ｐｐｍ（ｍ；２６Ｈ，末端フェニル環−Ｈ，中心ビフェニレン−Ｈ）
δ＝６．９ｐｐｍ　　　（ｓ；２Ｈ，メチリディン：Ｃ：ＣＨ−）
δ＝１．３ｐｐｍ　　　（ｓ；１８Ｈ，ｔ−ブチル基−Ｃ（ＣＨ３）３）
元素分析値：組成式　Ｃ４８Ｈ４６として以下の通りである。なお括弧内は理論値である。
　　Ｃ：９２．３８％（９２．５６％）
　　Ｈ：　７．１８％（　７．４４％）
　　Ｎ：　０．００％（　　　　０％）
　また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は、以下の通りである。
　　νＣ＝Ｃ　１５２０，　１６１０ｃｍ−１
　また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ／Ｚ＝６２２が検出された。
　以上のことより、上記生成物である黄橙色粉末は、下記式
　【００５１】
　【化２２】
　【００５２】
で表わされる４，４’−ビス（２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−２−フェニルビニル）ビフェニルであることが確認された。
　【００５３】
参考例４
（４，４’−ビス（２，２’−ジ−ｐトリルビニル）ビフェニルの製法）
▲１▼アリーレン基含有リン化合物の製造
　参考例１▲１▼と同じである。
▲２▼芳香族ジメチリディン化合物の製造
　上記参考例４▲１▼で得られたホスホネート４．０ｇと４，４’−ジメチルベンゾフェノン５．０ｇを、テトラヒドロフラン６０ミリリットルに溶解し、カリウム−ｔ−ブトキシド２．０ｇを加え、アルゴン気流下、還流攪拌した後、一晩放置した。
　得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール２００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物を水１００ミリリットルで３回、続いてメタノール１００ミリリットルで３回充分に洗浄し、ベンゼンにて再結晶したところ、淡黄色粉末１．０ｇが得られた（収率２２％）。このものの融点は１５３〜１５５℃であった。またこの粉末の１Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下の通りである。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
δ＝６．３〜７．３ｐｐｍ（ｍ；２６Ｈ，芳香環−Ｈ及びメチリディン　ＣＨ＝Ｃ−）
δ＝１．０〜２．０ｐｐｍ（ｓ；１２Ｈ，ｐ−トリルメチル基−ＣＨ３）
　さらに元素分析結果は、組成式Ｃ４４Ｈ３８として以下の通りである。なお括弧内は理論値である。
　　Ｃ：９３．１０％（９３．２４％）
　　Ｈ：　７．０４％（　６．７６％）
　　Ｎ：　０．００％（　　　　０％）
　また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は、以下の通りである。
　　νＣ＝Ｃ　１５２０，　１６１０ｃｍ−１
　また、マススペクトルより、目的物の分子イオンピークｍ／Ｚ：５６６が検出された。
　以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
　【００５４】
　【化２３】
　【００５５】
で表わされる４，４’−ビス（２，２’−ジ−ｐトリルビニル）ビフェニルであることが確認された。
　【００５６】
参考例５
〔４，４’−ビス（２，２’−ジ−ｐ−メトキシフェニルビニル）ビフェニルの製法〕
▲１▼アリーレン基含有リン化合物の製造
　参考例１▲１▼と同じである。
▲２▼芳香族ジメチリディン化合物の製造
　上記参考例５▲１▼で得られたホスホネート３．０ｇと４，４’−ジ−メトキシベンゾフェノン４．８ｇを、ジメチルスルホキシド１００ミリリットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシド１．５ｇを加え、アルゴン気流下、室温で４時間攪拌した後、一晩放置した。
　得られた混合物にメタノール１００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。濾過生成物を水１００ミリリットルで３回、続いてメタノール１００ミリリットルで３回充分に洗浄し、カラム精製し、黄緑色粉末１．１ｇを得た（収率２６％）。
　このものの分析結果等は、以下の通りである。
融点：２１８〜２１８．５℃
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
δ＝６．７〜７．３ｐｐｍ（ｍ；２６Ｈ，末端フェニル環−Ｈ，中心ビフェニレン−Ｈ，メチリディン＝Ｃ＝ＣＨ−）
δ＝３．８ｐｐｍ（ｓ；１２Ｈ，末端メトキシ−ＯＣＨ３）
元素分析値：組成式　Ｃ４４Ｈ３８Ｏ４として以下の通りである。なお括弧内は理論値である。
　　Ｃ：８３．５１％（８３．７８％）
　　Ｈ：　５．８９％（　６．０７％）
　　Ｎ：　０．００％（　　　　０％）
　また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は、以下の通りである。
　　νＣ＝Ｃ　　１５２０，　１６２０ｃｍ−１
　また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ／Ｚ＝６３０が検出された。
　以上のことより、上記生成物である黄緑色粉末は、下記式
　【００５７】
　【化２４】
　【００５８】
で表わされる４，４’−ビス（２，２’−ジ−ｐ−メトキシフェニルビニル）ビフェニルであることが確認された。
　【００５９】
参考例６
〔３，３’−ジメチル−４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニルの製法〕
▲１▼アリーレン基含有リン化合物の製造
　３，３’−ジメチル−４，４’−ビス（ブロモメチル）ビフェニル１２ｇと亜リン酸トリエチル１２ｇを、アルゴン気流下オイルバスで、温度１３０℃で６時間加熱攪拌を行った。その後、過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した臭化エチルを減圧留去した。一晩放置後、得られた白色結晶を、ベンゼン−ヘキサンより再結晶し、白色結晶１５．２ｇ（収率９７％）を得た。このものの分析結果等は、以下の通りである。
融点：９０．５〜９１．５℃
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
　δ＝７．２ｐｐｍ（ｓ；６Ｈ，ビフェニル環−Ｈ）
　δ＝３．１ｐｐｍ（ｄ；４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈｚ（３１Ｐ−１Ｈカップリング）Ｐ−ＣＨ２）
　δ＝４．０ｐｐｍ（ｑ；８Ｈ，エトキシ基メチレン−ＣＨ２）
　δ＝１．２ｐｐｍ（ｔ；１２Ｈ，エトキシ基メチル−ＣＨ３）
　δ＝２．５ｐｐｍ（ｓ；６Ｈ，ビフェニル環のメチル−ＣＨ３）
　以上の結果から，上述の生成物は、下記式で表わされるアリーレン基含有リン化合物（ホスホネート）であることが確認された。
　【００６０】
　【化２５】
　【００６１】
▲２▼芳香族ジメチリディン化合物の製造
　上記参考例６▲１▼で得られたホスホネート０．７５ｇとべンゾフェノン０．６ｇを、ジメチルスルホキシド１００ミリリットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシド０．３５ｇを加え、アルゴン気流下、室温で４時間攪拌した後、一晩放置した。
　得られた混合物にメタノール１００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。濾過生成物を水１００ミリリットルで３回、続いてメタノール１００ミリリットルで３回充分に洗浄し、カラム精製を行い、淡黄色粉末０．４５ｇを得た（収率５４％）。
　このものの分析結果等は、以下の通りである。
融点：２０１．８〜２０２．８℃
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
　δ＝６．９〜７．３ｐｐｍ（ｍ；２６Ｈ，末端フェニル環−Ｈ，中心ビフェニレン−Ｈ）
　δ＝６．８ｐｐｍ　　　　（ｓ；２Ｈ，メチリディン　＝Ｃ＝ＣＨ−）
　δ＝２．２ｐｐｍ　　　　（ｓ；６Ｈ，中心ビフェニレン−ＣＨ３）
元素分析値：組成式　Ｃ４２Ｈ３４として以下の通りである。なお括弧内は理論値である。
　　Ｃ：９３．５４％（９３．６４％）
　　Ｈ：　６．２２％（　６．３６％）
　　Ｎ：　０．００％（　　　　０％）
　また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は、以下の通りである。
　　νＣ＝Ｃ　　１５２０，　１６１０ｃｍ−１
　また、マススペクトルより目的物の分子イオンピークｍ／Ｚ＝５３８が検出された。
　以上のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
　【００６２】
　【化２６】
　【００６３】
で表わされる３，３’−ジメチル−４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニルであることが確認された。
　【００６４】
参考例７
▲１▼
　【００６５】
　【化２７】
　【００６６】
　【化２８】
　【００６７】
　Ｏ，Ｏ−ジエチルジフェニルメチルホスホネート１１．２ｇ（０．０３７モル）と４−メチル−４’−ホルミルビフェニル７．２ｇ（０．０３６モル）をアルゴンガス気流下、無水ジメチルスルホキシド２００ミリリットルに溶解させ、カリウム−ｔ−ブトキシド４．１ｇ（０．０３６モル）を加えた。
　その後、室温にて６時間攪拌を行った後、メタノール２００ミリリットルを加え、析出した白色粉末８．０ｇ（収率６４％）を得た。この化合物は融点
１２８．０〜１２９．０℃であった。
　生成物の１Ｈ−ＮＭＲは以下の通りである。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
δ＝６．８〜７．４ｐｐｍ（ｍ；１９Ｈ，芳香環−Ｈ及びメチリディン−ＣＨ＝Ｃ＝）
δ＝２．３ｐｐｍ（ｓ；３Ｈ，メチル基　−ＣＨ３）
　【００６８】
▲２▼
　【００６９】
　【化２９】
　【００７０】
　上記参考例７▲１▼で得られた化合物６．５ｇ（０．０１８モル）とＮ−ブロモこはく酸イミド３．５ｇ（０．０１９モル）と過酸化ベンゾイル０．７ｇを四塩化炭素１５０ミリリットルに懸濁させ、外温１００℃にて激しく攪拌した。４時間還流攪拌させた後、溶媒留去を行い、淡黄色粉末１０ｇを得た。これをシリカゲルカラム精製（溶媒：塩化メチレン）を行い、白色粉末５．３ｇ（収率７０％）を得た。この化合物の融点は
１２７．０〜１２８．０℃であった。
　生成物の１Ｈ−ＮＭＲは以下の通りである。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
　δ＝７．６〜６．９ｐｐｍ（ｍ；１９Ｈ，芳香環−Ｈ及びメチリディン−ＣＨ＝Ｃ＝）
　δ＝４．５ｐｐｍ（ｓ；２Ｈ，ブロモメチル−ＣＨ２Ｂｒ）
　【００７１】
▲３▼
　【００７２】
　【化３０】
　【００７３】
　上記参考例７▲２▼で得られた化合物５．３ｇ（０．０１２５モル）に亜リン酸トリエチル１３．０ｇ（０．０７９モル）を加え、アルゴンガス雰囲気下、１１０℃で６時間加熱攪拌を行った。一晩放置後、過剰の亜リン酸トリエチルを減圧留去し、黄色ペースト状の化合物を得た。これをシリカゲルカラム精製（溶媒：初め塩化メチレンを用い、次に塩化メチレン：アセトン＝１：１（容量比）に変えた。）を行い、淡黄色粉末６．０ｇ（定量的）を得た。この化合物の融点は６２〜６４℃であった。またこの化合物１Ｈ−ＮＭＲは以下の通りである。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
　δ＝７．０〜７．４ｐｐｍ（ｍ；１８Ｈ，芳香環−Ｈ）
　δ＝６．９ｐｐｍ（ｓ；１Ｈ，メチリディン−ＣＨ＝Ｃ＝）
　δ＝４．０ｐｐｍ（ｑ；４Ｈ，エトキシ基　−ＣＨ２−）
　δ＝３．１ｐｐｍ（ｄ；２Ｈ，−ＣＨ２−Ｐ　Ｊ＝１６Ｈｚ）
　δ＝１．３ｐｐｍ（ｔ；６Ｈ，エトキシ基　−ＣＨ３）
▲４▼
　【００７４】
　上記参考例５▲１▼で得られたホスホネート３．８ｇ（０．００９３モル）をアルゴンガス気流下、ジメチルスルホキシド１５０ミリリットルへ懸濁させ、これに前記参考例７▲３▼で得られた化合物（ジケトン）２．０ｇ（０．００４９モル）とカリウム−ｔ−ブトキシド１．２ｇ（０．０１０モル）を加えた。溶液は赤茶色懸濁液を呈し、室温で６時間攪拌した。一晩放置後、溶媒を留去した後、反応混合物にメタノール７００ミリリットルを投入し、析出した淡黄色粉末を濾取した。これをシリカゲルカラム（溶媒：ＣＨ２Ｃｌ２，直径４０ｍｍ×長さ２３０ｍｍ）にて精製し、０．９（収率２０％）のアモルファス状晶を得た。ＤＳＣ測定よりこのもののＴｇは９１．７℃であった。
　なお、この化合物の融点は２０３．０〜２０４．０℃であった。また、生成物の１Ｈ−ＮＭＲは以下の通りであった。
　１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）
　δ＝６．８〜７．９ｐｐｍ（ｍ；５６Ｈ，芳香環及びメチリディン−ＣＨ＝Ｃ＝）
　δ＝２．５ｐｐｍ（ｓ，６Ｈ，メチル基−ＣＨ３）
　また直導マススペクトル（ＭＳ）より、目的物の分子イオンピークｍ／Ｚ＝１０６２のみが検出された。
　更に、元素分析結果は組成式としてＣ８２Ｈ６２Ｏとして以下の通りである。なお、括弧内は理論値である。
　　Ｃ：９２．３１％（９２．６２％）
　　Ｈ：　５．４１％（　５．８８％）
　　Ｎ：　０．００％（　　　　０％）
　また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）は、以下の通りである。
　　νＣ＝Ｃ　１５２０，　１６１０ｃｍ−１
以上のことより、上記化合物は下記式
　【００７５】
　【化３１】
　【００７６】
で表わされる化合物であることが確認された。
　【００７７】
実施例１
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない、次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ，イオン化エネルギー：５．９ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＰＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３，イオン化エネルギー：５．６ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ３の入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ３を０．０１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００７８】
実施例２
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（４−ｔ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル（ＤＴＢＰＶＢｉ，イオン化エネルギー：５．９ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＴＢＰＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が３３０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ３の入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ３を０．０１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００７９】
実施例３
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス〔２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−２−ビフェニルビニル〕ビフェニル（ＴＢＰＶＢｉ，イオン化エネルギー：５．８５ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＴＢＰＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２８０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ３の入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ３を０．０１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８０】
実施例４
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２−ジ−ｐ−トリビニル）ビフェニル（ＤＴＶＢｉ，イオン化エネルギー：５．８５ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＴＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２７５℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ３の入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ３を０．０１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８１】
実施例５
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２−ジ−ｐ−メトキシフェニルビニル）ビフェニル（ＤＭＶＢｉ，イオン化エネルギー：５．８５ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＭＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が３２０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ３の入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ３を０．０１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８２】
実施例６
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに３，３’−ジメチル−４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＭＤＰＶＢｉ，イオン化エネルギー：５．８５ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＤＭＤＰＶＢｉを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が３０５℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）を２００ｍｇ入れて真空槽に装着した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ３の入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ３を０．０１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８３】
実施例７
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル〔１，１’−ビフェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに参考例７▲４▼で得られた化合物（（ＤＰＶＴＰＶＢｉ）２Ｅ，イオン化エネルギー：５．８ｅＶ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶＴＰＶＢｉ）２Ｅを発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２２５℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）を２００ｍｇ入れて真空槽に蒸着した。さらに、モリブデン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入れ、また違うタングステン製バスケットに銀ワイヤーを５００ｍｇ入れ蒸着した。その後、真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧してから、Ａｌｑ３の入ったボートを２３０℃まで加熱し、Ａｌｑ３を０．０１〜０．０３ｎｍ／ｓの蒸着速度で２０ｎｍ蒸着した。さらに、銀を０．１ｎｍ／ｓの蒸着速度で同時に抵抗加熱法により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウムを１．４ｎｍ／ｓの蒸着速度で蒸着し始めた。
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８４】
実施例８
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶＢｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにビス（
８−キノリノール
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８５】
実施例９
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶＢｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにビス（
８−キノリノール
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８６】
実施例１０
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶＢｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにビス（
８−キノリノール
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８７】
実施例１１
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶＢｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（
８−キノリノール
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８８】
実施例１２
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶＢｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（
８−キノリノール
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００８９】
実施例１３
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶＢｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（２−メチル−
８−キノリノール
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００９０】
実施例１４
　２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯを蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したものを透明支持基板とした。この基板をイソプロピルアルコール中にて５分間、さらに純水中にて５分間超音波洗浄を行ない次いでＵＶオゾン洗浄を（株）サムコインターナショナル研究所製の装置にて１０分間行った。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ入れ、また違うモリブデン製ボートに４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１０−４Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤ入りの前記ボートを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓで透明支持基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は室温であった。これを真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、もう一つのボートより（ＤＰＶＢｉ）を発光層として４０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件はボート温度が２４０℃で蒸着速度は０．１〜０．３ｎｍ／ｓ、基板温度は室温であった。これ真空槽より取り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブデン製ボートにトリス（２−メチル−
８−キノリノール
　上記条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し、対向電極とした。
　【００９１】
比較例１
　一度真空層から取り出し、再度、それぞれマグネシウムと銀のボートとともに真空層内に設置し、実施例１と同じ条件でマグネシウムと銀の混合金属電極を蒸着したこと以外は、実施例１と同様にＥＬ素子を作製した。
　【００９２】
比較例２
　発光層３０ｎｍ，接着層３０ｎｍとしたこと以外は、実施例２と同様にＥＬ素子を作製した。
　初期特性は第１表に示す通りであった。
　【００９３】
　【表１】
　【００９４】
均一性：素子を１００ｃｄ・ｍ−２の輝度に発光させ、輝度計（ＣＳ−１００，ミノルタカメラ（株）製）を用いて発光面を観察し、以下のように評価した。
　×：観察領域に、直径１０μｍ以上の無発光領域、若しくは色むらがある。
　○：観察領域が均一発光（直径１０μｍ以上の無発光領域もしくは色むらなし）である。
効率：素子を１００ｃｄ・ｍ−２の輝度に発光させたときの変換効率を示す。
　この評価を行った後、大気中にて、それらの素子に、ＩＴＯを陽極，金属電極を陰極として、直流電界を０Ｖ／ｃｍから１．３×１０６Ｖ／ｃｍまで４．２×１０４Ｖ／ｃｍ間隔で２秒ずつ印加し、電圧電流特性を測定しながら、エージングを行った。さらに、窒素中にて、初期輝度１００ｃｄ・ｍ−２からエージングを１０分間行った。
　このように処理した素子を、窒素中にて、直流電流駆動にて、初期輝度１００ｃｄ・ｍ−２に設定し、２４時間連続発光させた。この後、前記と同様、輝度計を用いて評価した。実施例は、いずれも均一発光するのに対し、
比較例１
比較例２
　【００９５】
　【表２】
　【００９６】
　以上に示したように、実施例は、本発明の請求内容の素子構成であり、比較例は接着層を除いた素子構成であり、例の番号が同じものは発光材料が同じである。実施例の素子構成から青色発光を保持したまま発光効率が向上し劣化が抑制されていることがわかる。さらに、実施例２と
比較例２
　【００９７】
　【発明の効果】
　本発明の有機ＥＬ素子によれば、発光の面内均一性の向上を図ることができると同時に初期輝度低下を抑えることができ、従って、素子の微細な加工が可能であり、歩止まりの向上、さらには高寿命が可能となった。
　よって、本発明の有機ＥＬ素子は、各種発光材料として、有効な利用が期待される。