【事件の表示】
　特願２０１６−１９５５８６「太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　４月　６日出願公開、特開２０１７−　６９５６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２８年１０月３日（パリ条約による優先権主張２０１５年１０月１日、大韓民国（KR）、２０１６年９月２３日、大韓民国（KR））の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 
　平成２９年　８月３０日付け：拒絶理由通知書 
　平成２９年１２月２１日　　：意見書、手続補正書の提出 
　平成３０年　２月２３日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書 
　平成３０年　５月２５日　　：意見書、手続補正書の提出 
　平成３０年　６月１１日付け：平成３０年５月２５日の手続補正について
　　　　　　　　　　　　　　　の補正の却下の決定、拒絶査定（原査定、
　　　　　　　　　　　　　　　同年６月１９日送達） 
　平成３０年１０月１８日　　：審判請求書、手続補正書の提出
  
第２　平成３０年１０月１８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 
  
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成３０年１０月１８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
  
［理由］ 
  
１　本件補正について（補正の内容） 
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 
  
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１ないし１１の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。 
  
 「　　【請求項１】
　半導体基板と、
　前記半導体基板の一面上の第１導電型領域と、
　前記半導体基板の一面と対向する他面上の第２導電型領域と、
　前記第１導電型領域に接続される第１電極と、
　前記第２導電型領域に接続される第２電極とを含み、
　前記第１導電型領域及び前記第２導電型領域のそれぞれは金属酸化物層で構成され、
　前記第１電極は、前記第１導電型領域上に形成された第１透明電極を含み、
　前記第２電極は、前記第２導電型領域上に形成された第２透明電極を含
み、
　
前記第２導電型領域の仕事関数が前記半導体基板の仕事関数よりも小さく、
　
前記第２導電型領域のフェルミレベルは前記半導体基板のフェルミレベルより高く、
　
前記第２導電型領域の伝導帯と前記半導体基板の伝導帯のエネルギーバンドギャップは、１ｅＶ以下である
　　【請求項２】
　前記第１導電型領域及び前記第２導電型領域のそれぞれは、異なる金属酸化物層を含む、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項３】
　前記金属酸化物層は二成分系化合物で構成される、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項４】
　前記半導体基板が、ｎ型の導電型を有する半導体物質としてシリコンを含む、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項５】
　前記第１導電型領域の仕事関数が前記半導体基板の仕事関数よりも大きい、請求項４に記載の太陽電池。
　　【請求項６】
　前記第１導電型領域が、モリブデン酸化物層、タングステン酸化物層、バナジウム酸化物層、チタン酸化物層、ニッケル酸化物層、銅酸化物層、レニウム酸化物層、タンタル酸化物層またはハフニウム酸化物層で構成された、請求項４に記載の太陽電池。
　　【請求項７】
　前記第２導電型領域が、チタン酸化物層、亜鉛酸化物層、錫酸化物層またはジルコニウム酸化物層で構成される、請求項４に記載の太陽電池。
　　【請求項８】
　前記第１導電型領域と前記第２導電型領域は半導体物質を含まず、前記半導体物質中にドーパントとして作用する物質を含まない、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項９】
　前記第１導電型領域の仕事関数は、７ｅＶ以下である、請求項５に記載の太陽電池。
　　【請求項１０】
　前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一つは、前記第１透明電極又は前記第２透明電極の上に形成された第２電極層を含み、パターンを有する、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項１１】
　前記第１電極
は、第
　前記第１電極層は、前記第１導電型領域の金属酸化物とは異なる金属酸化物から形成された、請求項
１０
  
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 
  
　本件補正前の、平成２９年１２月２１日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２の記載は次のとおりである。 
  
「　　【請求項１】
　半導体基板と、
　前記半導体基板の一面上の第１導電型領域と、
　前記半導体基板の一面と対向する他面上の第２導電型領域と、
　前記第１導電型領域に接続される第１電極と、
　前記第２導電型領域に接続される第２電極とを含み、
　前記第１導電型領域及び前記第２導電型領域のそれぞれは金属酸化物層で構成され、
　前記第１電極は、前記第１導電型領域上に形成された第１透明電極を含み、
　前記第２電極は、前記第２導電型領域上に形成された第２透明電極を含む、太陽電池。
　　【請求項２】
　前記第１導電型領域及び前記第２導電型領域のそれぞれは、異なる金属酸化物層を含む、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項３】
　前記金属酸化物層は二成分系化合物で構成される、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項４】
　前記半導体基板が、ｎ型の導電型を有する半導体物質としてシリコンを含む、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項５】
　前記第１導電型領域の仕事関数が前記半導体基板の仕事関数よりも大きい、請求項４に記載の太陽電池。
　　【請求項６】
　前記第１導電型領域が、モリブデン酸化物層、タングステン酸化物層、バナジウム酸化物層、チタン酸化物層、ニッケル酸化物層、銅酸化物層、レニウム酸化物層、タンタル酸化物層またはハフニウム酸化物層で構成された、請求項４に記載の太陽電池。
　　【請求項７】
　前記第２導電型領域の仕事関数が前記半導体基板の仕事関数よりも小さい、請求項４に記載の太陽電池。
　　【請求項８】
　前記第２導電型領域が、チタン酸化物層、亜鉛酸化物層、錫酸化物層またはジルコニウム酸化物層で構成される、請求項４に記載の太陽電池。
　　【請求項９】
　前記第１導電型領域と前記第２導電型領域は半導体物質を含まず、前記半導体物質中にドーパントとして作用する物質を含まない、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項１０】
　前記第１導電型領域の仕事関数は、７ｅＶ以下である、請求項５に記載の太陽電池。
　　【請求項１１】
　前記第１電極と前記第２電極の少なくとも一つは、前記第１透明電極又は前記第２透明電極の上に形成された第２電極層を含み、パターンを有する、請求項１に記載の太陽電池。
　　【請求項１２】
　前記第１電極は、前記第１電極層と前記第２電極層を含み、
　前記第１電極層は、前記第１導電型領域の金属酸化物とは異なる金属酸化物から形成された、請求項１１に記載の太陽電池。 」 
  
２　補正の適否 
　本件補正は、本件補正前の請求項１ないし６、８ないし１２に記載された発明を特定するために必要な事項である「第２導電型領域」と「半導体基板」について、「前記第２導電型領域の仕事関数が前記半導体基板の仕事関数よりも小さく、前記第２導電型領域のフェルミレベルは前記半導体基板のフェルミレベルより高く、前記第２導電型領域の伝導帯と前記半導体基板の伝導帯のエネルギーバンドギャップは、１ｅＶ以下である、」と限定するものであって、本件補正前の請求項１ないし１２に記載された発明と本件補正後の請求項１ないし１１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、
　また、本件補正は、本件補正前の請求項７を削除するものであって、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当し、
　さらに、本件補正は、本件補正前の請求項１２の「前記第１電極層」を「第１電極層」と明りょうにするものであって、特許法第１７条の２第５項第４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１、８に記載される発明（以下「本件補正発明１」、「本件補正発明８」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。 
  
（１）本件補正発明１について
　本件補正発明１は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 
  
ア　引用文献の記載事項 
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の最先の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２０１３−２３４１０６号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。）。 
 
「【０００７】
また、地球温暖化対策として発電時に二酸化炭素の排出の無く、有害な排出物を伴わないクリーンな光電変換装置が注目されている。その代表例としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどを用いた
シリコン（Ｓｉ）太陽電池をはじめとする光電変換装置
「【００３４】
また、本明細書に開示する本発明の他の一態様は、ｎ型の導電型を有するシリコン基板と、シリコン基板の一方の面に形成された、仕事関数が前記シリコン基板よりも大きく、ｐ型の伝導性を有する酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に形成された透光性導電膜と、透光性導電膜上に形成された第１の電極と、シリコン基板の他方の面に形成された第２の電極と、を有し、第２の電極は、仕事関数がシリコン基板よりも小さい材料で形成されていることを特徴とする半導体装置である。」
 
「【０１１４】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態２とは異なる構造の光電変換装置、およびその作製方法について図１０乃至図１５を参照して説明する。なお、実施の形態２と共通する内容については、その詳細を省略する。
【０１１５】
図１０は、本発明の一態様における光電変換装置の断面図である。
該光電変換装置は、シリコン基板２００、該シリコン基板の一方の面上に形成された第１のシリコン半導体層２０１、酸化物半導体層２１０、透光性導電膜２５０、および第１の電極２７０、並びに、該シリコン基板の他方の面上に形成された第２のシリコン半導体層２０２、第３のシリコン半導体層２０３、および第２の電極２９０を含んで構成される。
【０１１６】
なお、
酸化物半導体層２１０には、
二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯ
ｙ
（２＜ｙ＜３））を含有する酸化物半導体を用いればよい。
【０１１７】
従来の光電変換装置では、シリコン材料を窓層としていたため、窓層における光吸収は大きな損失となっていた。本発明の一態様では、光電変換装置の窓層として透光性を有する金属酸化物を用いることにより、窓層での光吸収損失が低減し、光吸収領域において効率良く光電変換を行うことできるようになる。
【０１１８】
また、図１０では、シリコン基板２００の表裏に凹凸加工を施したテクスチャ構造の例を示している。テクスチャ構造に加工された面では入射光が多重反射し、光電変換領域内には光が斜めに進行することから光路長が増大する。また、裏面からの反射光が表面で全反射する、所謂光閉じ込め効果を起こさせることもできる。
【０１１９】
なお、図１１に例示したように、シリコン基板２００の表裏のどちらか一方のみに凹凸加工を施した構成であっても良い。凹凸加工によってシリコン基板の表面積が増大するため、上記光学的効果が得られる一方で、表面欠陥の絶対量が増大してしまう。したがって、光学的効果と表面欠陥量のバランスを考慮し、より良好な電気特性が得られるように実施者が構造を決定すればよい。
【０１２０】
また、図１２に示すように、第２の電極２９０もグリッド電極とし、
第３のシリコン半導体層２０３と第２の電極２９０との間に透光性導電膜２８０を形成して両面を受光面とする構造
【０１２１】
また、図１３に示すように、第１のシリコン半導体層２０１を設けずに、シリコン基板２００と酸化物半導体層２１０が直接接する構造としてもよい。実施の形態１で説明したように、本発明の一態様の光電変換装置に用いることのできる酸化物半導体層は、シリコン表面のパッシベーション効果が高く、シリコン基板２００と良好な接合を形成することができる。
【０１２２】
なお、図１０、図１１、図１２および図１３のそれぞれの構成を任意に複合した構成としてもよい。
【０１２３】
第１のシリコン半導体層２０１および第２のシリコン半導体層２０２には、水素を含む欠陥の少ない半導体層を用いることができ、シリコン基板２００の表面の欠陥を終端することができる。該半導体層には、非晶質シリコン半導体を用いることが好ましい。
【０１２４】
第１のシリコン半導体層２０１および第２のシリコン半導体層２０２には、例えば、ｉ型のシリコン半導体層を用いることができる。また、本実施の形態においては、シリコン基板２００にｎ型のシリコン基板を用いるため、第１のシリコン半導体層２０１および第２のシリコン半導体層２０２にはｐ型のシリコン半導体層を用いることもできる。
【０１２５】
なお、本明細書において、ｉ型の半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるｐ型若しくはｎ型を付与する不純物が１×１０１８ｃｍ−３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が高い半導体を指す。
【０１２６】
また、第１のシリコン半導体層２０１および第２のシリコン半導体層２０２にｐ型のシリコン半導体層を用いる場合には、ｐ−型のシリコン半導体層を用いることが好ましい。ｐ−型シリコン半導体を用いる場合には、該半導体層の暗伝導度を１×１０−１０Ｓ／ｃｍ〜１×１０−５Ｓ／ｃｍ、好ましくは１×１０−９Ｓ／ｃｍ〜１×１０−６Ｓ／ｃｍ、さらに好ましくは１×１０−９Ｓ／ｃｍ〜１×１０−７Ｓ／ｃｍとする。
【０１２７】
本実施の形態において、シリコン基板２００の導電型はｎ型であり、酸化物半導体層２１０の導電型はｐ型である。したがって、シリコン基板２００と酸化物半導体層２１０との間には、第１のシリコン半導体層２０１を介したｐ−ｎ接合が形成される。
【０１２８】
また、裏面側に設けられる第３のシリコン半導体層２０３は、シリコン基板２００と同じ導電型で、該シリコン基板よりもキャリア濃度が高い半導体層である。したがって、シリコン基板２００と第３のシリコン半導体層２０３との間には、第２のシリコン半導体層２０２を介してｎ−ｎ＋接合が形成される。つまり、第３のシリコン半導体層２０３は、ＢＳＦ層として作用する。ＢＳＦ層を設けることにより、ｎ−ｎ＋接合のバンドベンディングによる電位障壁により第２の電極２９０近傍での少数キャリアの再結合を防止することができる。
【０１２９】
なお、
第３のシリコン半導体層２０３の代替として、
ｎ型の透光性導電膜を用いてもよい。該透光性導電膜には、
酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、アンチモンを含む酸化錫
を用いる
透光性導電膜は
異なる膜の積層でも良い。該透光性導電膜は、電界形成層として作用する
「【０２０３】
また、図３３のように、第２の電極６９１とシリコン基板６００の間に、シリコンよりも仕事関数の小さい半導体領域６９２を設けてもよい。半導体領域６９２の仕事関数は４．６ｅＶ以下が好ましく、４．２ｅＶ以下がより好ましい。例えば、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯなどから選ばれた１つ以上の半導体材料で形成することができる。このとき第２の電極は、同上の述べた低仕事関数材料の導体で構成されることが好ましいが、低仕事関数材料でなく、ＡｌやＡｇなどの低抵抗金属としてもよい。」
  
（イ）上記（ア）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
  
「シリコン基板２００、
該シリコン基板の一方の面上に形成された第１のシリコン半導体層２０１、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））を含有する酸化物半導体を用いた酸化物半導体層２１０、透光性導電膜２５０、および第１の電極２７０、
並びに、該シリコン基板の他方の面上に形成された第２のシリコン半導体層２０２、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫を用いたｎ型の透光性導電膜、透光性導電膜２８０、および第２の電極２９０を含んで構成される、
シリコン（Ｓｉ）太陽電池をはじめとする光電変換装置。」
   
イ　引用発明との対比 
（ア）本件補正発明１と引用発明とを対比する。 
　引用発明の「シリコン基板２００」は、本件補正発明１の「半導体基板」に、
　引用発明の「二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））を含有する酸化物半導体を用いた酸化物半導体層２１０」は、本件補正発明１の「第１導電型領域」及び「『第１導電型領域』『は金属酸化物層』」に、
　引用発明の「酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫を用いたｎ型の透光性導電膜」は、本件補正発明１の「第２導電型領域」及び「『第２導電型領域』『は金属酸化物層』」に、
　引用発明の「透光性導電膜２５０、および第１の電極２７０」は、本件補正発明１の「第１導電型領域に接続される第１電極」に、
　引用発明の「透光性導電膜２８０、および第２の電極２９０」は、本件補正発明１の「第２導電型領域に接続される第２電極」に、
　引用発明の「透光性導電膜２５０」は、本件補正発明１の「第１導電型領域上に形成された第１透明電極」に、
　引用発明の「透光性導電膜２８０」は、本件補正発明１の「第２導電型領域上に形成された第２透明電極」に、
　引用発明の「シリコン（Ｓｉ）太陽電池をはじめとする光電変換装置」は、本件補正発明１の「太陽電池」に、それぞれ相当する。 
（イ）以上のことから、本件補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 
  
　【一致点】 
 「半導体基板と、 
　第１導電型領域と、
　第２導電型領域と、
　前記第１導電型領域に接続される第１電極と、
　前記第２導電型領域に接続される第２電極とを含み、
　前記第１導電型領域及び前記第２導電型領域のそれぞれは金属酸化物層で構成され、
　前記第１電極は、前記第１導電型領域上に形成された第１透明電極を含み、
　前記第２電極は、前記第２導電型領域上に形成された第２透明電極を含む、太陽電池。」
【相違点１】 
　第１導電型領域と第２導電型領域について、本件補正発明１では半導体基板の一面上の第１導電型領域と、半導体基板の一面と対向する他面上の第２導電型領域であるのに対し、引用発明ではそのようなものか明らかでない点。 
【相違点２】 
　第２導電型領域の仕事関数、フェルミレベル及び伝導帯のエネルギーバンドギャップについて、本件補正発明１では「半導体基板の仕事関数よりも小さく」、「半導体基板のフェルミレベルより高く」、「第２導電型領域の伝導帯と半導体基板の伝導帯のエネルギーバンドギャップは、１ｅＶ以下である」のに対し、引用発明ではそのようなものか明らかでない点。
 
ウ　判断 
　以下、上記相違点について検討する。 
（ア）相違点１について
ａ　引用文献１の【０１２１】には「第１のシリコン半導体層２０１を設けずに、シリコン基板２００と酸化物半導体層２１０が直接接する構造としてもよい。」、「本発明の一態様の光電変換装置に用いることのできる酸化物半導体層は、シリコン表面のパッシベーション効果が高く、シリコン基板２００と良好な接合を形成することができる。」と記載され、【０１２２】には「図１０、図１１、図１２および図１３のそれぞれの構成を任意に複合した構成としてもよい。」と記載されている。
ｂ　二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））を含有する酸化物半導体を用いた酸化物半導体層２１０、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫を用いたｎ型の透光性導電膜は、ともに引用文献１の一態様の光電変換装置に用いることのできる酸化物半導体層である。
ｃ　そうすると、シリコン基板の一方の面上に、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））を含有する酸化物半導体を用いる酸化物半導体層２１０が直接接する構造とし、シリコン基板の他方の面上に、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫を用いたｎ型の透光性導電膜が直接接する構造とすることは、当業者が容易に想到する事項にすぎない。
（イ）相違点２について
ａ　引用文献１の【００３４】には「シリコン基板の他方の面に形成された第２の電極と、を有し、第２の電極は、仕事関数がシリコン基板よりも小さい材料で形成されていることを特徴とする半導体装置である。」、【０２０３】には「また、図３３のように、第２の電極６９１とシリコン基板６００の間に、シリコンよりも仕事関数の小さい半導体領域６９２を設けてもよい。」と記載されていることからみて、第２の電極とシリコン基板の間に、シリコン基板よりも仕事関数の小さい半導体領域を設けてもよいことが把握できる。
ｂ　そうすると、引用発明の、シリコン基板と透光性導電膜２８０、および第２の電極２９０の間にある、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫を用いたｎ型の透光性導電膜をシリコン基板よりも仕事関数の小さい半導体領域とすることは、当業者が容易に想到する事項にすぎない。
ｃ　そして、仕事関数は真空準位からフェルミレベルまでのエネルギー差であり、仕事関数が小さくなればフェルミレベルが高くなることも、当業者には技術常識である。
ｄ　電子を効率よく輸送するために、各層間の伝導帯下端の差を小さくすることは周知技術（例えば、特開２０１０−１４１１２１号公報の【００３７】〜【００３９】及び図１を参照（ｎ＋型ＺｎＯ層の伝導帯Ｅｃはｎ型非晶質シリコン層の伝導帯Ｅｃよりも０．２ｅＶだけ低い点についても記載されている。）、特開２０１０−２５８３６８号公報の【００４９】を参照（ｎ＋型ＺｎＯ層の伝導帯Ｅｃはｎ型非晶質シリコン層の伝導帯Ｅｃよりも０．２ｅＶだけ低い点についても記載されている。）。）である。
ｅ　酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫を用いたｎ型の透光性導電膜の伝導帯とシリコン基板の伝導帯のエネルギーバンドギャップについて、引用発明には具体的な数値が記載されていないので、以下検討する。
　まず、本願の第２導電型領域の伝導帯と半導体基板の伝導帯のエネルギーバンドギャップは、１ｅＶ以下であることに関して、本願明細書には、【００３１】に「より具体的には、第２導電型領域３４の伝導帯と半導体基板１０の伝導帯との間のエネルギーバンドギャップが１ｅＶ以下（一例として、０．１ｅＶ〜１ｅＶ）であってもよい。上述したエネルギーバンドギャップが１ｅＶを超えると、電子を選択的に収集することが難しい。上述したエネルギーバンドギャップが０．１ｅＶ未満であると、エネルギーバンドギャップが小さいため、正孔を除いて選択的に電子だけを収集することが難しい。」と記載されているものの、他の箇所を参照しても１ｅＶ以下の数値限定の臨界的意義については本願の明細書には記載されていない。（なお、本願明細書には【００３３】に「一例として、上述したような第２導電型領域３４に使用可能な金属化合物層としては、チタン酸化物（一例として、ＴｉＯ2）で構成されるチタン酸化物層、亜鉛酸化物（一例として、ＺｎＯ）で構成される亜鉛酸化物層などを挙げることができる。」と、当該第２導電型領域３４の例示がされている。）
　そうすると、電子を効率よく輸送することを考慮し、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫を用いたｎ型の透光性導電膜の伝導帯とシリコン基板の伝導帯のエネルギーバンドギャップを、１ｅＶ以下とすることは、当業者が適宜なし得る事項にすぎない。
（ウ）そして、相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明１の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 
  
（エ）したがって、本件補正発明１は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。  
（２）請求人の主張について 
ア　本件請求人は、平成３０年１０月１８日付けで提出された審判請求書において、 
（ア）「本願の補正後の請求項１に係る発明は、上記（１）で指摘したとおり、（ａ）『前記第２導電型領域の仕事関数が前記半導体基板の仕事関数よりも小さく』、（ｂ）『前記第２導電型領域のフェルミレベルは前記半導体基板のフェルミレベルより高く』、（ｃ）『前記第２導電型領域の伝導帯と前記半導体基板の伝導帯のエネルギーバンドギャップは、１ｅＶ以下である』との構成を備えております。」、
（イ）「しかしながら、引用文献１の半導体酸化物は裏面電界層に適用できるものではないと考えます。 」、
（ウ）「さらに、補正後の請求項１に係る発明の備える上記構成（ａ）〜（ｃ）については、引用文献１〜５のいずれにも開示も示唆もされていません。」、
と本件補正発明１の進歩性に関し、主張している（なお、上記審判請求書において、明確性に関しても主張しているものの、実施可能要件に関しての主張はない。）。 
  
イ　上記主張について以下検討する。 
（ア）上記（ア）、（ウ）については、上記（１）ウ（イ）で検討したとおりである。
（イ）引用文献１の【０１２８】には「第３のシリコン半導体層２０３は、ＢＳＦ層として作用する。」、【０１２９】には「第３のシリコン半導体層２０３の代替として、導電型がｎ型の透光性導電膜を用いてもよい。該透光性導電膜には、例えば、インジウム錫酸化物、珪素を含むインジウム錫酸化物、亜鉛を含む酸化インジウム、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、アンチモンを含む酸化錫、またはグラフェン等を用いることができる。また、透光性導電膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。該透光性導電膜は、電界形成層として作用する」と記載されていることから、引用文献１の酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、またはアンチモンを含む酸化錫を用いたｎ型の透光性導電膜は、ＢＳＦ層として作用することが把握できる。　  
　  
　してみれば、請求人の上記主張は、採用することができない。 
  
（３）本件補正発明８について
　請求項８には、「前記第１導電型領域と前記第２導電型領域は半導体物質を含まず、前記半導体物質中にドーパントとして作用する物質を含まない、請求項１に記載の太陽電池。」と、請求項８は請求項１を引用し、第１導電型領域と第２導電型領域が半導体物質を含まず、かつ、ドーパントとして作用する物質も含まないことが記載されている。
　一方、本願の請求項１には、第１導電型領域及び第２導電型領域のそれぞれは金属酸化物層で構成されと特定され、本願の発明の詳細な説明には、第１導電型領域に用いられる材料として、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、バナジウム酸化物、チタン酸化物、ニッケル酸化物、銅酸化物、レニウム酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物が例示され（【００８４】など）、第２導電型領域に用いられる材料としてチタン酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、ジルコニウム酸化物が例示されている（【００８８】など）が、これらの金属酸化物は一般に半導体物質であると解される（例えば、特開２０１３−５８５６２号公報の【００１６】、【００２７】−【００２８】、再公表特許第２００４／００６３８１号の第４頁第５−９行、特開２０１５−１１９０２３号公報の【００８０】−【００８１】などを参照。）。
　そして、本願の発明の詳細な説明には、第１導電型領域及び第２導電型領域に用いられる金属酸化物であって半導体物質でない金属酸化物が具体的に記載されていないため、本件補正発明８をどのように実施するのかを当業者が理解することができない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が本件補正発明８を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
３　本件補正についてのむすび 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
  
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 
  
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成３０年１０月１８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２９年１２月２１日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１、９、１２に係る発明（以下「本願発明１」、「本願発明９」、「本願発明１２」という。）は、その請求項１、９、１２に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 
  
２　原査定の拒絶の理由 
１．（明確性）この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
２．（実施可能要件）この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
３．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
●理由１（明確性）について
・請求項　１２
　請求項１２の「前記第１電極は、前記第１電極層と前記第２電極層を含み」という記載について、請求項１２が引用する請求項１及び請求項１１には「第１電極層」が記載されていないため、「前記第１電極層」が示す内容を明確に把握することができない。
　よって、請求項１２に係る発明は明確でない。
●理由２（実施可能要件）について
・請求項　９
　請求項９には、「前記第１導電型領域と前記第２導電型領域は半導体物質を含まず、前記半導体物質中にドーパントとして作用する物質を含まない」こと、すなわち、第１導電型領域と第２導電型領域が半導体物質を含まず、かつ、ドーパントとして作用する物質も含まないことが記載されている。
　一方、本願の発明の詳細な説明には、第１導電型領域に用いられる材料として、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、バナジウム酸化物、チタン酸化物、ニッケル酸化物、銅酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物が例示され（［００８４］など）、第２導電型領域に用いられる材料としてチタン酸化物、亜鉛酸化物、錫酸化物、ジルコニウム酸化物が例示されている（［００８８］など）が、これらの金属酸化物は一般に半導体物質であると解される（例えば、引用文献３の［００１６］、［００２７］−［００２８］、引用文献４の第４ページ第５−９行、引用文献５の［００８０］−［００８１］などを参照。）。
　そして、本願の発明の詳細な説明には、第１導電型領域及び第２導電型領域に用いられる金属酸化物であって半導体物質でない金属酸化物が具体的に記載されていないため、請求項９に係る発明をどのように実施するのかを当業者が理解することができない。
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項９に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
●理由３（進歩性）について
・請求項　　　１−８、１０−１２
・引用文献等　１
・備考
　引用文献１には、ｎ型のシリコン基板と、前記シリコン基板の受光面側に形成されたＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３）からなる酸化物半導体層と、前記シリコン基板の裏面側に形成されたＺｎＯ等からなるＢＳＦ層と、前記酸化物半導体層及び前記ＢＳＦ層にそれぞれ電気的に接続される第１の電極及び第２の電極とを備える光電変換装置が記載されている（特に、［００２３］、［００２５］、［００４８］−［０２６６］、図１−３２などを参照。）。ここで、ＭｏＯｙの仕事関数は７ｅＶ以下であって（例えば、引用文献２の［００３５］などを参照。）、かつ、シリコン基板の仕事関数より大きく、ＺｎＯ等の仕事関数はシリコン基板の仕事関数より小さいといえる。
　そして、引用文献１には、光電変換装置の構成として、シリコン基板の受光面側の酸化物半導体層上に透光性導電膜と、グリッド電極である第１の電極とを順に形成し、裏面側のＢＳＦ層上に透光性導電膜とグリッド電極である第２の電極を順に形成した構成とすることや、透光性導電膜としてインジウム錫酸化物を用いることが記載されており（［０１１４］−［０１４９］、図１２など）、各構成を任意に複合して良いことが示唆されているため（［０１２２］、［０１４９］など）、光電変換装置の構成を図１２に記載の構成とし、ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３）からなる酸化物半導体層上にインジウム錫酸化物からなる透光性導電膜及びグリッド電極を形成し、ＺｎＯ等からなるＢＳＦ層上に透光性導電膜及びグリッド電極を形成して、本願の請求項１−８、１０−１２に係る発明となすことは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開２０１３−２３４１０６号公報
２.特開２００７−３５８９３号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
３.特開２０１３−５８５６２号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
４.再公表特許第２００４／００６３８１号（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
５.特開２０１５−１１９０２３号公報（周知技術を示す文献；新たに引用された文献）
３　本願発明１２は、本件補正後の請求項１１の「第１電極層」を「前記第１電極層」と不明りょうな記載に戻すものである。
　よって、請求項１２に係る発明は明確でない。
４　本願発明９は、本件補正後の請求項８と同様に「前記第１導電型領域と前記第２導電型領域は半導体物質を含まず、前記半導体物質中にドーパントとして作用する物質を含まない、請求項１に記載の太陽電池。」と特定されている。
　そうすると、前記第２の［理由］２（３）に記載したことと同様に、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項９に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
５　引用文献 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（１）アに記載したとおりである。 
  
６　対比・判断 
　本願発明１は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明１の「前記第２導電型領域の仕事関数が前記半導体基板の仕事関数よりも小さく、前記第２導電型領域のフェルミレベルは前記半導体基板のフェルミレベルより高く、前記第２導電型領域の伝導帯と前記半導体基板の伝導帯のエネルギーバンドギャップは、１ｅＶ以下である」に係る限定事項を削除したものである。  
　そうすると、本願発明１の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明１が、前記第２の［理由］２（１）イ、ウに記載したとおり、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、上記限定事項が削除され本願発明１と引用発明の相違点は相違点１のみとなったことから、本願発明１は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
第４　むすび 
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、本願は、発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件をみたしておらず、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
  
 　よって、結論のとおり審決する。