【事件の表示】
　特許第３０２２５２４号「情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０２２５２４号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３０２２５２４号の発明についての出願は、平成１０年１１月１２日（優先権主張　平成１０年２月２６日，平成１０年９月２５日，平成１０年１０月１５日）に特許出願され、平成１２年１月１４日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人・ホーヤ株式会社により特許異議の申立がなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１月２５日に訂正請求がなされたものであり、更に、平成１３年６月６日に特許権者と異議申立人の両者に審尋が通知され、回答書が提出されたものである。
　
ＩＩ．訂正の適否
１．訂正の内容
　　特許権者が求めている訂正の内容は、訂正請求及びそれに添付された訂正明細書の記載からみて、次の（ａ）〜（ｄ）のとおりである。　なお、下線の箇所が訂正された個所である。
　（ａ）特許請求の範囲の請求項１を次のとおりに訂正する。
　　「【請求項１】　情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲およびＡｌ2Ｏ3＝１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあり、
−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、３０×１０
−７
〜５０×１０
−７
／℃の範囲にあり、
からなる
　（ｂ）特許請求の範囲の請求項４を次のとおりに訂正する。
　　「【請求項４】　前記ガラスセラミック基板において、
主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト，またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなる
　（ｃ）特許請求の範囲の請求項６を次のとおりに訂正する。
     「【請求項６】　前記ガラスセラミック基板は酸化物基準の重量百分率で、
　　　ＳｉＯ2　　　　　　　　　　 ４０　　〜６０％
　　　ＭｇＯ　　　　　　　　　　  １０　　〜２０％
　　　Ａｌ2Ｏ3　　　　　　　　　　１０　　〜２０％未満
　　　Ｐ2Ｏ5　　　　　　　　　　　　０．５〜　２．５％
　　　Ｂ2Ｏ3　　　　　　　　　　　　１　　〜　４％
　　　Ｌｉ2Ｏ　　　　　　　　　　　 ０．５〜　４％
　　　ＣａＯ　　　　　　　　　　　 　０．５〜　４％
　　　ＺｒＯ2　　　　　　　　　　　 ０．５〜　５％
　　　ＴｉＯ2　　　　　　　　　　　 ２．５〜　８％
　　　Ｓｂ2Ｏ3　　　　　　　　　　　０．０１〜０．５％
　　　Ａｓ2Ｏ3　　　　　　　　　　　０　　〜　０．５％
　　　ＳｎＯ2　　　　　　　　　　　 ０　　〜　５％
　　　ＭｏＯ3　　　　　　　　　　　 ０　　〜　３％
　　　ＣｅＯ　　　　　　　　　　  　０　　〜　５％
　　　Ｆｅ2Ｏ3　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することにより得られ、該ガラスセラミックの主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
　（ｄ）段落【０００９】と段落【００１３】の記載を次のように訂正する。
　　「【０００９】　すなわち、請求項１に記載の発明は、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲およびＡｌ2Ｏ3＝１０％〜２０％未満の範囲であり、
−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、３０×１０
−７
〜５０×１０
−７
／℃の範囲にあり、
からなる
主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト，またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなる
　　　ＳｉＯ2　　　　　　　　　　　 ４０　　〜６０％
　　　ＭｇＯ　　　　　　　　　　 　 １０　　〜２０％
　　　Ａｌ2Ｏ3　　　　　　　　　　　１０　　〜２０％未満
　　　Ｐ2Ｏ5　　　　　　　　　　　　　０．５〜　２．５％
　　　Ｂ2Ｏ3　　　　　　　　　　　　　１　　〜　４％
　　　Ｌｉ2Ｏ　　　　　　　　　　　 　０．５〜　４％
　　　ＣａＯ　　　　　　　　　　 　　 ０．５〜　４％
　　　ＺｒＯ2　　　　　　　　　　　 　０．５〜　５％
　　　ＴｉＯ2　　　　　　　　　　　 　２．５〜　８％
　　　Ｓｂ2Ｏ3　　　　　　　　　　　　０．０１〜０．５％
　　　Ａｓ2Ｏ3　　　　　　　　　　　　０　　〜　０．５％
　　　ＳｎＯ2　　　　　　　　　　　 　０　　〜　５％
　　　ＭｏＯ3　　　　　　　　　　 　　０　　〜　３％
　　　ＣｅＯ　　　　　　　　　　 　　 ０　　〜　５％
　　　Ｆｅ2Ｏ3　　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することにより得られ、該ガラスセラミックの主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
　「【００１３】　本発明において主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記（ａ）の訂正は、発明の詳細な説明の段落【００１６】および請求項１に従属する請求項４に記載されている熱膨張係数を、構成として請求項１に付加したものであり、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。  なお、請求項２，３は形式的には訂正されていないけれども、請求項１を引用しているが故に実質的にかかる構成の限定が付加されるものであるところ、請求項４において請求項２，３を引用していることから、請求項２，３も実質的な特許請求の範囲の減縮に該当するものといえる。    また、「・・である」を「・・からなる」と訂正することは、明瞭でない記載の釈明に該当するものである。
　上記（ｂ）の訂正は、請求項４で引用されていた請求項１の主結晶相の選択肢を特定したものであり、かつ、「主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト，またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなる」ことは実施例に記載されていたことであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
　上記（ｃ）の訂正は、「・・である」を「・・からなる」と訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明に該当するものである。
　上記（ｄ）の訂正は、上記（ａ）〜（ｃ）の訂正により付随的に生じる記載の不備を解消するものであり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　そして、こられの訂正はいずれも、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
ＩＩＩ．特許異議申立について
１．特許異議の申立の概要
　　特許異議申立人・ホーヤ株式会社は、下記の甲第１〜８号証（なお、甲第４号証は１〜３の枝番がある）を提出し、
（ｉ）第１異議理由として、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、または、甲第１号証に記載された発明に甲第４号証の１〜３の記載を考慮すれば進歩性を欠く発明であるので、特許法第２９条第１項乃至第２項の規定に違反して特許されたものであり、その特許は取り消されるべきである旨主張し、
（ｉｉ）第２異議理由として、請求項２〜８に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、または、甲第１号証に記載された発明に甲第５〜６号証の記載を考慮すれば進歩性を欠く発明であるので、特許法第２９条第１項乃至第２項の規定に違反して特許されたものであり、その特許は取り消されるべきである旨主張し、
（ｉｉｉ）第３異議理由として、請求項１に係る発明は、本件出願の出願日（優先日）前に出願され、本件出願の出願日（優先日）後に公開された他人の出願である甲第７号証の当初明細書に記載された発明であって、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、その特許は取り消されるべきである旨主張し、
（ｉｖ）第４異議理由として、本願明細書は、その記載に不備があり、特許法第３６条の規定に違反して特許されたものであるから、その特許は取り消されるべきである旨主張している。
　
　甲第１号証：米国特許第５４９１１１６号明細書
　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「刊行物１」という。）
　甲第２号証：「実験成績証明書（その１）」　異議申立人ホーヤ株式会社
　　　　　　提示の甲第１号証の追試実験報告書
　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「実験成績証明書１」という。）
　甲第３号証：特開平９−７７５３１号公報
　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「刊行物７」という。）
　甲第４号証の１：特開平１０−１３２７号公報
　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「刊行物２」という。）
　甲第４号証の２：（株）オハラ製「ハードディスク用ガラスセラミックス　　　　サブストレート　ＴＳ−１０　ＳＴ」カタログ（１９９７年３月）
　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「刊行物３」という。）
　甲第４号証の３：「DISKCON'96　JAPAN　INTERNATIONAL　DISK　FORUM
　　　　　　　April　18−19」（１９９６年）
　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「刊行物４」という。）
　甲第５号証：「GLASS　SCIENCE　AND　TECHNOLOGY，４　THE　TECH-
　　　　　　NOLOGY　OF　GLASS　AND　CERAMICS」第２２８〜２３７頁
　　　　　　（１９８３年）　　（以下、「刊行物５」という。）
　甲第６号証：「Journal　of　Non-Crystalline　Solids」第２１９〜
　　　　　　２２７頁（１９９７年）　　（以下、「刊行物６」という。）
　甲第７号証：ＷＯ９８／２２４０５（以下、「先願Ａ」という。）
　甲第８号証：「実験成績証明書（その２）」　異議申立人ホーヤ株式会社　　　　　　提示の甲第７号証の追試実験報告書
　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「実験成績証明書２」という。）
　
２．本件発明
　　特許第３００６５４７号の請求項１〜８に係る発明（以下順に、「本件発明１」〜「本件発明８」という。）は、それぞれ、平成１３年１月２５日付け訂正明細書の請求項１〜８に記載された事項により特定される次とおりのものである。
　「【請求項１】　情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲およびＡｌ2Ｏ3＝１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあり、−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲にあり、その主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上からなることを特徴とする、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項２】　Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ，ＰｂＯを実質上含有しないことを特徴とする、請求項１に記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項３】　前記ガラスセラミック基板において、各主結晶相の結晶粒子径が０．０５μm〜０．３０μｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項４】　前記ガラスセラミック基板において、主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト，またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項５】　前記ガラスセラミック基板において、研磨後の表面の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が３〜９Å、表面最大粗さＲｍａｘが１００Å以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項６】　前記ガラスセラミック基板は酸化物基準の重量百分率で、
　　　ＳｉＯ2　　　　　　　　　　 ４０　　〜６０％
　　　ＭｇＯ　　　　　　　　　　　１０　　〜２０％
　　　Ａｌ2Ｏ3　　　　　　　　　　１０　　〜２０％未満
　　　Ｐ2Ｏ5　　　　　　　　　　　　０．５〜　２．５％
　　　Ｂ2Ｏ3　　　　　　　　　　　　１　　〜　４％
　　　Ｌｉ2Ｏ　　　　　　　　　　　 ０．５〜　４％
　　　ＣａＯ　　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　　　ＺｒＯ2　　　　　　　　　　　 ０．５〜　５％
　　　ＴｉＯ2　　　　　　　　　　　 ２．５〜　８％
　　　Ｓｂ2Ｏ3　　　　　　　　　　　０．０１〜０．５％
　　　Ａｓ2Ｏ3　　　　　　　　　　　０　　〜　０．５％
　　　ＳｎＯ2　　　　　　　　　　　 ０　　〜　５％
　　　ＭｏＯ3　　　　　　　　　　　 ０　　〜　３％
　　　ＣｅＯ　　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　　　Ｆｅ2Ｏ3　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することにより得られ、該ガラスセラミックの主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上からなることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項７】　前記ガラスセラミックスは、ガラス原料を溶融、成型および徐冷後、結晶化熱処理条件として核形成温度が６５０℃〜７５０℃、結晶化温度が７５０℃〜１０５０℃で熱処理することにより得られことを特徴とする、請求項６に記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板の製造方法。
　【請求項８】　請求項１〜７のいずれかに記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板上に磁気媒体被膜を形成して成る情報磁気記憶媒体ディスク。」
　
３．異議申立人が提出した甲各号証（刊行物１〜７，実験成績証明書１，２）の記載および発明
　刊行物１には、       
　（1-i）アブストラクとして、情報ディスクサブストレートのようなガラスセラミック物品、およびその作成方法にかかり、該ガラスセラミックは、Ｍｇ−リッチのピロキセンとスピネル型の優勢結晶相を有し、本質的に３５−６０％のＳｉＯ２と１０−３０％のＡｌ２Ｏ３、１２−３０％のＭｇＯ、０−１０％のＺｎＯ、５−２０％のＴｉＯ２、０−８％のＮｉＯからなる少なくとも９２％の組成を有する旨（第１頁アブストラクト参照）、
　（1-ii）次に、本発明の基本的目的は、公知のスピネル型物質を改良する修正されたガラスセラミック物質を提供することにあり、特に、そのような物質を提供する目的は、容易に磨くことができる一方、技術的特性を維持しまたは改良することにある旨（第２欄３３〜３８行参照）、
　（1-iii）発明の要約として、本願発明のガラスセラミック物質は、・・・（中略）・・・の物性を示し、１つの高いケイ素残ガラスマトリックス中に均一に分散するＭｇ−リッチのピロキセン結晶相とスピネル型結晶相を優勢結晶相として有し、酸化物を基準にして重量計算で本質的に３５−６０％のＳｉＯ２と１０−３０％のＡｌ２Ｏ３、１２−３０％のＭｇＯ、０−１０％のＺｎＯ、５−２０％のＴｉＯ２、０−８％のＮｉＯからなる少なくとも９２％の１組成を有する旨（第２欄４１〜５２行参照）、
　（1-iv） 現在の発明は、我々の先行出願に開示されたスピネル型ガラスセラミックスを改良しようとするものであり、特に、我々の努力は、この物資の研磨特性を改良する事、更に、他の関連した特性を維持し又は改良することに向けられている旨。　我々は今や、スピネル型の優勢結晶相（ＭｇＡｌ２Ｏ４）に加えて、Ｍｇ−リッチのピロキセン、即ち、エンスタタイト（ＭｇＳｉＯ３）に近い固溶体、を優勢結晶相に導入することができることを見出した旨。　このことは、我々の先行する組成物群のＡｌ２Ｏ３とＺｎＯの含量を低減させること、およびＭｇＯ含量を増加させることによって達成でき、明らかに、２つの物質の主たる酸化物成分は、本質的に同じであるが、ある種含量は本質的に変化している旨。　非常に驚くべきことに、マイナー変化では、改良された技術特性を有する新規な優勢結晶相を作り出すことが出来ないが、半分の時間で超微細研磨面を得ることができることになる旨（第２欄５５行〜第３欄６行参照）、
　（1-v）特に、該ガラス材は、約３００℃／時間の昇温で約７５０−５０℃に加熱され、そのあと核化の高い程度を達成するために十分な時間維持し、一度核化されたなら、ガラス材は約３００℃／時間の昇温で約９００〜１１００℃に加熱される旨（第３欄４０〜４７行参照）、
　（1-vi）更に特に、形成されたガラスセラミック物品は、１つの結晶相の集団を示すことになり、その集団は均一サイズのスピネルとピロキセンの超微粉粒の結晶の優勢状態である旨。　ここで使用されている優勢は、スピネルとピロキセンのそれぞれの結晶が他の付属の結晶相よりも多い量であることを意味し、本発明のガラスセラミックよって示されることになる旨。　好ましくは、該スピネル結晶相は、アルミニウム塩（ＭｇＡｌ２Ｏ４）であり、該ピロキセン相はエンスタタイト若しくは類似の固溶体である旨（第３欄５３〜６２行参照）、
　（1-vii）結晶含量は、本質的に１つのガラスマトリックスであるガラスセラミック物品の重量％で２５％〜７０％の範囲にあり、該スピネルとピロキセンの相は優勢である旨。　しかしながら、集合体はまた意味がある量のマグネシウムチタネート（ＭｇＴｉ２Ｏ５）若しくはマグネシウムアルミニウムチタネート結晶の固溶体ＭｇＴｉ２Ｏ５−Ａｌ２ＴｉＯ５を含有している旨（第３欄６３行〜第４欄２行参照）、
　（1-viii）結晶サイズは、組成物のある量と結晶化サイクルに依存し、一般に、スピネル結晶は、最も大きいおおきさで約５００Åより大きくなく、ピロキセン結晶は、それよりやや大きいが約１５００Åより大きくない旨（第４欄６〜１０行参照）、
　（1-ix）スピネル、エンスタタイト、チタネートのメジャー相は、マイナー量のルチル（ＴｉＯ２）、ペタライト固溶体（s.s.）を伴い、β−石英、α−石英又はコーディエライトを含有している旨（第４欄２１〜２４行参照）、
　（1-x）現在の発明の微粉砕されたナノ結晶のガラスセラミックスは、我々の確定していない関連出願に開示されたその優勢なスピネルガラスセラミックスに比べて、幾つかの重要な利点を提供すると共に、明らかな不利益を示さない旨。  この理由は、初期の物質のスピネル型結晶相が、現在の物質の優勢結晶相に保持されるためであり、同時に、新規なエンスタタイト固溶体はまたナノ結晶の性質である旨（第４欄２５〜３３行参照）、
　（1-xi）現在のガラスセラミックスは、改良された強靱さと、タフネス値の両方を提供し、摩耗されたサンプルの破断弾性値（ＭＯＲ）は、一貫して１５，０００psiを越えていて、破砕タフネス値は、１．０ＭＰａｍ１／２を越え、しばしば１．５を越える旨（第４欄３４〜３８行参照）、
　（1-xii）現在のガラスセラミックスの高いＭｇＯ量のものは、高いヤング弾性値（弾性のモジュラス）を示し、一般に２０Ｍｓｉを越える旨。   また、現在の物質の減少されたスピネルの含有量にもかかわらず、７７５を越えるＫｎｏｏｐハードネス値は典型的に見出される旨。　現在のガラスセラミックスの最も重要な特性は、商業的見地からみて、その容易に研磨出来る性質である旨（第４欄４５〜５１行参照）、
　（1-xiii）ＴＡＢＬＥＩは、種々の前駆体ガラスのための一連の組成物を提示し、それらから現在の発明を例証するためのガラスセラミックスが製造され、これらの組成物は、酸化物に基づいて計算され，適切な重量％で示される旨。　ＴＡＢＬＥＩの各組成に対応するバッチは、砂、金属酸化物、炭酸塩、硝酸塩のような典型的なバッチ物質で採用されるように明確化されている旨。　ＴＡＢＬＥＩに、実施例番号１，３，８，９，１０，１１，１４として、順に、ＳｉＯ2が４７．１重量％（以下省略），４７．５，４６．８，４７．５，４７．８，４８．０，４８．０であり、Ａｌ2Ｏ3 が２２．１，１７．０，１６．７，１７．２，１７．０，１８．４，１９．０であり、ＭｇＯが１６．９，２０．３，１９．６，２０．１，１９．０，２０．０，１９．０であり、その他ＺｎＯ，ＴｉＯ２などが含有された例が示され、ＴＡＢＬＥＩＩに、番号３，８，９，１０，１１のＥ−モジュラス（×１０６psi）が２２，２１．２，２２．７，２１．２，２１．５であること、αＴ（×１０−７／℃）に関して実施例番号１が６６．９であること（第５欄１３〜２０行、第５欄のＴＡＢＬＥＩ，第６欄のＴＡＢＬＥＩＩ参照）、
　（1-xiv）バッチ物質は均一な混融状態になるように徹底的に混合され、結局はシリカ及び／又は白金のルツボに入れられ、該ルツボは、炉に入れられ、そのガラスバッチは、次に溶融され、６〜１６時間の間１５００〜１６５０℃の温度に維持され、その溶融体は、スチール鋳型に注がれ、１０×２０×１１/４ｃｍ（４”×８”×１/２）の大きさの板状に成形した旨。　次いで、これらの板は、直ちに約６５０〜７５０℃でアニール処理を行った旨。　サンプルは、この温度に１〜３時間維持し、次いで一晩放置し、２つのガラス試験片はそれぞれの溶融を行うべく準備した旨。　その試験片の片方は、異なった熱処理スケジュールを行いガラスセラミックス、即ち結晶化ガラスの試験片とし、試験片のいずれも８００℃まで加熱され、２時間保持し、その温度でガラスを核化する旨。　一方は、１０２５℃まで加熱し、４時間保持して、結晶化させ、もう一方は、９７５℃まで加熱して、４時間保持し、均一な結晶化ガラスとする旨、得られた試験片について幾つかの関連する特性を測定して、ＴＡＢＬＥＩの実施例番号に対応させて、ＴＡＢＬＥＩＩに記載している旨（第５欄下から２５行〜末行参照）、
　（1-xv）更に、次の点を認識すべきであり、種々の熱処理サイクルと組成物は、異なった微細構造または結晶相の集合を製造するために採用することが出来る旨。　しかしながら、ＴＡＢＬＥＩの示された全ての例は、スピネルとＭｇ−リッチピロキセン結晶を優勢結晶相として生じる旨（第６欄下から３０行〜下から２４行参照）、
　（1-xvi）注意すべきことは、ここに開示された該発明のガラスセラミックス物質が示す性質は、ヘッドパッドと剛性情報ディスクの磁気メモリーストレッジデバイスに使用するのに優れて適切なものにする旨。  特に、そのガラスセラミックスは、その表面に磁気媒体の一層を設ける剛性ディスクの下層として剛性情報ディスクに使用することが出来る旨。　　換言すれば、下層は、優勢なスピネルとピロキセン結晶からなる結晶相集合を示す該発明のガラスセラミックス物質からなる旨（第６欄下から２３行〜下から１４行参照）、
　（1-xvii）１．少なくとも約１５，０００ｐｓｉのＭＯＲ、少なくとも約７６０ＫＨＮより大きいＫｎｏｏｐハードネス値、約２０×１０６ｐｓｉのヤング弾性率、１．０ＭＰａｍ1/2より大きい破砕タフネス値を示し、結晶相集合体が優勢量の（Ｍ2）（Ｍ1）Ｓｉ２Ｏ６、Ｍ2は６〜８酸素原子を配位し、Ｍ1は８配位する、で表されるマグネシウム含有のピロキセン構造とスピネル結晶が、高シリコン残のガラスマトリックス相に分散したガラスセラミックス物品であって、その物品は、酸化物に基づく重量％で３５−６０％ＳｉＯ２，１０−３０％Ａｌ２Ｏ３，１２−３０％ＭｇＯ，０−１０％ＺｎＯ，５−２０％ＴｉＯ２及び０−８％ＮｉＯで本質的に表される少なくとも９２％の全組成を有するものである物品（第６〜７欄の請求項１参照）、
　（1-xviii）１６．その表面に磁気媒体を形成したサブストレートからなる磁気記憶ディバイスに使用される剛性情報ディスクであって、該サブストレートは、少なくとも約１５，０００ｐｓｉのＭＯＲ、少なくとも約７６０ＫＨＮより大きいＫｎｏｏｐハードネス値、約２０×１０６ｐｓｉのヤング弾性率、１．０ＭＰａｍ1/2より大きい破砕タフネス値を示し、結晶相集合体が優勢量の（Ｍ2）（Ｍ1）Ｓｉ２Ｏ６、Ｍ2は６〜８酸素原子を配位し、Ｍ1は８配位する、で表されるマグネシウム含有のピロキセン構造とスピネル結晶が、高シリコン残のガラスマトリックス相に分散したガラスセラミックスからなり、酸化物に基づく重量％で３５−６０％ＳｉＯ２，１０−３０％Ａｌ２Ｏ３，１２−３０％ＭｇＯ，０−１０％ＺｎＯ，５−２０％ＴｉＯ２及び０−８％ＮｉＯで本質的に表される少なくとも９２％の全組成を有するものであるガラスセラミックスからなっているディスク（第８欄請求項１６参照）、が記載されている。
　以上の記載から、ピロキセンがエンスタタイトまたは類似の固溶体である（（1-iv）参照）こと、剛性が高剛性と認められること、サブストレートは基板のことであること、優勢な結晶相は主結晶相と認められることを考慮して、刊行物１には、「情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、Ａｌ2Ｏ3＝１０重量％〜３０重量％の範囲にあり、主結晶相は、スピネルとエンスタタイトまたは類似の固溶体を含有することを特徴とする、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。」の発明が記載されている。
　
　刊行物２には、
　（2-i）「【請求項１】　基板材料として、オキシナイトライドガラスを用いたことを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板」（請求項１参照）、
　（2-ii）表１に、実施例のオキシナイトライドガラス基板として、実施例１としてＳｉＯ2が４１（mol%、以下記載省略），Ａｌ2Ｏ3が２．０，Ａｌ２Ｎ２が６．０，Ｓｉ３Ｎ４が４．０，Ｙ２Ｏ３が７．０であり、実施例２としてＳｉＯ2が３５，Ａｌ２Ｎ２が４．０，Ｓｉ３Ｎ４が１３で、ＣａＯが４３で、ＭｇＯが５．０であり、実施例３としてＳｉＯ2が３２．５で、Ｙ２Ｏ３が０．５で、ＣａＯが３２で、ＡｌＮが３５であるものが示され、その物性として、実施例１〜３順に、比重（ｇ／ｃｍ２）が３．３８，２．９１，２．９４，ヤング率（ｋｇｆ／ｍｍ２）が１８５．７，１５６，１３９，比弾性率（１０６Ｎｍ／ｋｇ）が５４．８，５３．６，４７．３であること（段落【００７３】参照）、
　（2-iii）「【００７４】　表１からも明らかなように、実施例１〜３のガラス基板はガラス転移点が高いため、所望の熱処理に対しても十分に対応できる程度に耐熱性があることがわかる。また、ヤング率、比弾性率、曲げ強度、ヌープ硬さ等の値が大きく、強度が高いことがわかる。特に、比弾性率が大きいことから、磁気記録媒体用ガラス基板として使用した場合、このガラス基板が高速回転しても、基板に反りやブレが生じにくく、より基板の薄板化にも対応できることがわかる。さらに、表面粗度（Ｒａ）を４オングストローム程度にすることができ、平坦性に優れているので、高密度記録化を図ることができ、磁気記録媒体用ガラス基板として有用である。」（段落【００７４】参照）ことが、記載されている。
　
　刊行物３には、
　ハードディスク用ガラスセラミックスサブストレートであるハードセラムＴＳ−１０ＳＴに関して、
　（3-i）「ハードセラムＴＳ−１０シリーズは、オハラが世界に先駆けて新しく開発したハードディスク用ガラスセラミックスです。　ガラスセラミックスは、特殊な化学組成のガラスを熱処理することで、ガラス内部に微細な結晶を多数析出させたもので、析出結晶の種類、大きさおよび結晶量を厳密にコントロールすることにより、機械的・熱的・化学的・電気的性質を通常のガラスより著しく向上させた、優れた特性を持つ材料です。」（２枚目左欄の上参照）、
　（3-ii）「熱膨張係数は、他のハードディスク駆動部品とうまく組み合わせることができるように調整してあります。」（２枚目左欄の中ほど参照）、
　（3-iii）特長として「弾性・強度・硬度等の機械的特性が優れているため、ハードディスクドライブの高速回転に対して、変形等の問題がなく使用でき、１０００Ｇ以上の耐ショック性を有し、かつ耐傷性に優れています。」（２枚目右下欄）、
　（3-iv）ＴＳ−１０ＳＴの物性として、ＳＰ（スーパーポリッシュ）の場合とＣＰＴ（結晶相Texture）の場合に、順にSpecific　Gravity（g／cc）が２．４０，２．４１で、Modulus　of　Elasticity（ＧＰａ）が９５，１００で、Specific Modulus（Ｅ／Ｄ）が３９，４１で、Coeff.　Thermal　Expansion（−５０〜＋７０）（ppm／℃）が６．５，７．３であること（６枚目の表参照）、が記載されている。
　　なお、この刊行物は、本件特許権者にかかるパンフレットであるところ、公知刊行物であるとした点に関して格別の反論はなされていない。
　
　刊行物４は、
　アルミニウム・ホウ素・カーバイド（ＡｌＢＣ）に関する論文であり、その従来技術の説明の箇所において、密度がそれ自身問題が無くても、全ての材料の比弾性率は、剛性、基本共鳴振動数および共振動にとって重要であり、これらの共振動は、ディスクの回転によって発生し、比弾性率は、ディスク回転数が１０，０００ｒｐｍ以上に増加したときに特に重要である旨（第１頁下から７行〜下から３行）記載されている。
　
　刊行物５には、
　（5-i）ＴＡＢＬＥ２３．中に、主たるタイプのガラスセラミックスについての物性が記載されていて、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２（核化剤　ＴｉＯ２、Ｐ２Ｏ２）の系は、主結晶相がコーディエライトであって、熱膨張率（α×１０７）が２０−４０であり、電子機器の用途に用いる旨記載されている（第２３３頁のＴＡＢＬＥ２３参照）。
　
　刊行物６には、
　（6-i）ナノ結晶の微細構造は、エンスタタイトガラスセラミックスの場合にユニークであり、極度に研磨された表面を提供でき、その研磨面の平均粗さが５〜１０Åである旨（第２１９頁abstract参照）、
　（6-ii）特に研磨面は約５Åの平均粗さであることが不可欠であり、これらのガラスセラミックスは機械的・化学的耐久性とともに平滑面や良好な剛性・硬度を有することが必須とされている携帯ディスクドライブのための磁気記憶での基板としての可能性を秘めている旨（第２１９頁右欄９〜１６行参照）が、記載されている。
　
　刊行物７には、
　（7-i）「【請求項１】　ヤング率が約14×106 から約24×106 ｐｓｉまでの範囲にあり、破壊靭性が1.0 ＭＰａ・ｍ1/2 より大きいガラスセラミック製品であって、ケイ質を多く含む残存ガラスマトリックス相中に均一に分散している均一な大きさの尖晶石型結晶から主になる結晶相集成体から構成され、酸化物基準の重量パーセントで表して、35−60％のＳｉＯ2 と、20−35％のＡｌ2 Ｏ3 と、０−25％のＭｇＯと、０−25％のＺｎＯと、０−20％のＴｉＯ2 と、０−10％のＺｒＯ2と、０−２％のＬｉ2 Ｏと、０−８％のＮｉＯとから実質的になり、ＭｇＯ＋ＺｎＯの合計が少なくとも約10％であり、ＢａＯ、ＣａＯ、ＰｂＯ、ＳｒＯ、Ｐ2Ｏ5 、Ｂ2 Ｏ3 、およびＧａ2 Ｏ3 からなる群より選択される５％までの任意の成分と、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｒｂ2 Ｏ、およびＣｓ2 Ｏからなる群より選択される、０−５％のＲ2 Ｏと、０−８％の遷移金属酸化物とを含んでもよく、Ａｌ2Ｏ3 が約25％未満の量しか含まれない場合には、ＴｉＯ2 ＋ＺｒＯ2 ＋ＮｉＯの合計量が５％以上である組成を有することを特徴とするガラスセラミック製品。」（【請求項１】参照）、
　（7-ii）「【請求項９】　請求項１から７いずれか１項記載のガラスセラミック製品からなる、ヘッドパッドおよび剛性情報ディスクよりなる磁気記憶貯蔵装置に使用する基体であって、前記剛性情報ディスクが前記基体の表面に磁気媒体の層を有してなることを特徴とする基体。」（【請求項９】参照）が、記載されている。
　
  先願Ａは、
　国際出願の日が１９９７年１１月７日（優先権　１９９６年１１月２１日、米国）であり、国際公開日が１９９８年５月２８日（国際公開番号ＷＯ９８／２２４０５）であって、指定国に日本国が記載されていて、特願平１０−５２３７０７号（特表２００１−５０４４３４号）として出願されているところ、その国際公開パンフレットには、
  （A-i）ガラスセラミックス材料は、食器、・・・等の広範な製品に有用であることが判明しているが、最近、最終的に磁気ヘッドパッドと協同する情報ディスクとして用いられる、磁性媒体層をその上に形成できる基板としての剛性ガラスセラミックスディスクを製造するという関心が高まっている旨（本文第１頁１４〜１７行参照）、
　（A-ii）少なくともスピネルとエンスタタイトから選択される１つの相とβ−石英との微細な粒状微小構造からなる結晶相集合体を示すガラスセラミックス製品であって、該製品は、酸化物基準の重量％で表してＴｉＯ２＋ＺｒＯ２の合計が９％以上となるように、４０−６５％のＳｉＯ２、１０−４０％のＡｌ２Ｏ３、５−２５％のＭｇＯ、０．５−４％のＬｉ２Ｏ、５−１５％のＴｉＯ２、および５％までのＺｒＯ２から実質的になる組成を有することを特徴とするガラスセラミックス製品（請求項１参照）、
　（A-iii）結晶相組合せがβ−石英とエンスタタイトを含む旨（請求項５参照）、
　（A-iv）本発明のガラスセラミックスは、幅広いセラミック化温度に亘り超微細粒径を有しており、粒径が０．１ミクロンを越える結晶がない旨。　スピネルと＋β−石英のガラスセラミックスは半透明であり得るが、エンスタタイト＋β−石英のガラスセラミックスは不透明であり、そのような微小結晶質により非常に滑らかに研磨された表面が提供され、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術により測定した平均粗さの測定値は８Å以下である旨（第５頁２５〜３０行参照）、
　（A-v）β−石英−エンスタタイトガラスセラミックスはそれ自体で、例えばスピネル−エンスタタイトよりも早く研磨することができるのが分かった旨。　これは、おそらくスピネルに対するβ−石英の硬度が低いこと、ガラスセラミックスの結晶化度が高いこと、並びにβ−石英とエンスタタイトとの間の硬度差が少ないことによるものである旨（第６頁１１〜１４行参照）、
　（A-vi）実施例として、Ａｌ２Ｏ３の含有量が１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあるガラスセラミック（番号１１，１３，１４，１９，２０，２１，２２，２４）が記載され、かつその範囲にあるガラスセラミックスのヤング率が１６〜２０．５×１０４ｐｓｉであり、熱膨張係数ＣＴＥ（×１０−７／℃）が５１〜６７．５であり、いずれも主結晶相がβ−石英とエンスタタイトを含有することが記載されている旨（ＴＡＢＬＥ１、２の実施例１１，１３，１４，１９〜２２，２４参照）。　そして、番号１，２，２３のガラスセラミックは、熱膨張係数（×１０−７／℃）が３８．５，４５．７，＜４０であって、Ａｌ２Ｏ３の含有量が２７．０，２５．０，３４．８であり、いずれも主結晶相がβ−石英とスピネルを含有している旨（第８〜１１頁のＴａｂｌｅ１〜２参照）が、記載されている。
　　以上の記載から、剛性が高剛性と認められることを勘案して、先願Ａの当初明細書には、「情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、Ａｌ2Ｏ3＝１０重量％〜４０重量％の範囲にあり、主結晶相は、β−石英とエンスタタイトからなることを特徴とする、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。」の発明が開示されている。
　
　実験成績証明書１は、
　異議申立人ホーヤ株式会社のエレクトロオプティクスカンパニーのＲ＆Ｄセンターの白川温子による甲第１号証（刊行物１）の実施例２，４，５，１１，１４の追試実験報告書（平成１２年８月８日付け）であって、追試結果として、主結晶相がいずれもエンスタタイト（ＭｇＳｉＯ３），エンスタタイト固溶体（（Ｍｇ，Ａｌ）ＳｉＯ３）およびチタン酸塩（Ｍｇ−（Ａｌ）−Ｔｉ系酸化物）であったこと、実施例５，１４の追試では更に副結晶相としてルチル（ＴｉＯ２）も同定されたことが記載され、ヤング率／比重が順に４８．０，４６．５，４９．０，４７．２，４７．６であり、熱膨張係数（×１０−７／℃；２５−１００℃）が順に６５，６２，７１，６５，６６であったことが記載されている。　なお、スピネル結晶については記載がない。
　
　実験成績証明書２は、
　異議申立人ホーヤ株式会社のエレクトロオプティクスカンパニーのＲ＆Ｄセンターの白川温子による甲第７号証（先願Ａ）の実施例１９，２０，２２，２４の追試実験報告書（平成１２年９月８日付け）であって、追試結果として比重（ｇ／ｃｃ）が順に３．１２，３．０７，２．９７，２．９２であって、ヤング率（ＧＰａ）／比重が順に４５．２，４３．３，４１．８，４３．８となることが記載されている。
　
４．対比、判断
（１）本件発明１の特許について
（Ａ）刊行物１記載の発明との対比、判断（第１および第２異議理由に関して）
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、Ａｌ2Ｏ3が１０重量％〜２０重量％未満で重複しているから、両者は、「情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、Ａｌ2Ｏ3＝１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあり、主結晶相は、エンスタタイトを含有することを特徴とする、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。」の発明である点で一致している。
　他方、本件発明１が、（ｉ）ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲である点、及び、（ｉｉ）−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲にある点を、必須の構成としているのに対して、刊行物１記載の発明ではかかる点について言及していない点で、及び（ｉｉｉ）主結晶相に関して、本件発明１では、「β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上からなる」と限定しているのに対して、刊行物１記載の発明では「スピネルとエンスタタイトまたは類似の固溶体を含有する」としている点で相違する。
　以下、この相違点について検討する。
　ヤング率（ＧＰａ）／比重に関して、刊行物１記載の発明では言及していないので、特許異議申立人は、実験成績証明書１として刊行物１の実施例２，４，５，１１，１４の追試実験報告書を提出しているところ、測定された比重並びにヤング率などの測定結果から算出されるヤング率（ＧＰａ）／比重が４６．５〜４９．０であることが示されている。ところが、該実験報告書には、刊行物１においてエンスタタイトと共に優勢な結晶として説明されているスピネル結晶について何ら言及していない点で適正な追試実験と認めることができないので、甲第２号証として提示された実験成績証明書１は採用できない。　次に、上記摘示のように、刊行物２（第６頁など）には、情報記録基板ガラスの比弾性率（即ち、ヤング率（ＧＰａ）／比重）が４７．３〜５４．８程度の物性を有するものが、また刊行物３には、Specific Modulus（ヤング率（ＧＰａ）／比重に相当）が３９，４１程度の物性を有するものが、高速回転でも基板の反りやブレ、変形が生じにくいこと、刊行物４（１枚目）にはディスク回転により誘起される共振動に関しては１００００ｒｐｍ以上（即ち高速回転）になると比弾性率が重要であることが記載されている。　これらの記載は、情報記録媒体に用いる高剛性ガラスセラミックス基板においては、ヤング率（ＧＰａ）／比重を４０程度にすることが重要であることを示している。　しかも、これらのことは本件発明１のヤング率（ＧＰａ）／比重を特定する理由である「情報磁気記憶媒体基板は高速回転時のたわみによるディスク振動を防止すべく、高剛性、低比重でなければならず、このため最適な基板のヤング率と比重の比はヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３であることを発見し」（本件明細書段落【０００８】参照）との説明と軌を一にしている。
　熱膨張係数に関しては、刊行物１には、熱膨張係数（-50〜+70℃で）が30×10-7〜50×10-7／℃の範囲のものであることは記載されておらず、第６欄TableIIの実施例番号１（少なくともＡｌ2 Ｏ3の含有量が本件発明１の含有量よりも多い）にデータが唯一記載されていて、66.9×10-7／℃であることが示されているところ、この数値も本件発明１で特定する範囲を満たしていない。　ところで、上記刊行物５において熱膨張係数が20×10-7〜40×10-7／℃程度のガラスが記載されている、そして、情報記録媒体の基板に用いることを考慮すれば、基板の熱膨張係数が記録媒体の他の部分（記録層など）の熱膨張係数と同程度のものが望ましいことは当然に理解できるし、本件特許権者にかかる刊行物３（摘示（3-ii））には「熱膨張係数は、他のハードディスク駆動部品とうまく組み合わせることができるように調整してあります」と当然の如く記載されている。
　しかしながら、刊行物１記載の発明は、結晶相としてスピネルとエンスタタイト（ピロキセン）を主体とするものであるのに対して、刊行物２ではオキシナイトガラスに関するものであり、刊行物３ではガラスセラミックスではあるもののどのような材質のものか記載されていないし、刊行物４については単に全ての材質についてと記載されているだけであり、刊行物５ではＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３の結晶化ガラスについてのものであることから、果たして、刊行物２〜５に記載も示唆もされていないスピネルとエンスタタイト（ピロキセン）を主結晶相とするガラスセラミックスを採用する場合にあって、ヤング率（ＧＰａ）／比重が３７〜６３の範囲で、かつ熱膨張係数（−５０〜＋７０℃）が３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲のものが存在し得るのか、また製造し得るのかはなはだ不明というしかない。
　よって、前記（ｉ）と（ｉｉ）の相違点は、実質的な相違点であり、かつ、当業者が容易に想到し得るものと言うことが出来ない。
　（ｉｉｉ）の相違点については、もはや検討するまでもないけれども、本件発明１に関して本件発明の詳細な説明を検討しても、主結晶相として「β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体」以外のものから選択することは記載されておらず、むしろスピネル結晶については本件明細書段落【０００６】において先行技術（刊行物７に相当）の好ましくない例として説明されていることを勘案すれば、本件発明１は、スピネル結晶など他の結晶を主結晶相として含有しないものと認められる。
　ところで、刊行物６には、ガラスセラミックスの表面粗さを特定の範囲にすることが望ましいことが記載されているものの、ヤング率（ＧＰａ）／比重も熱膨張係数についての知見は示されていないし、また、刊行物７は、本件発明１及び刊行物１記載の発明の先行技術として提示されたものであり、Ａｌ2Ｏ3  含有量２０〜３５重量％である尖晶石型結晶（スピネル結晶）を用いている点で本件発明１と本質的に相違しているから、これらの刊行物の記載を勘案しても上記判断を左右することが出来ない。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、刊行物１記載の発明とはいえず、また、刊行物２〜６の記載を勘案し、周知技術を勘案しても、刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得るということができない。
　
（Ｂ）先願Ａ記載の発明との対比、判断（第３異議理由に関して）
　異議申立人の先願Ａを用いた異議理由は、訂正前の請求項１の発明のみに対するものであり、訂正後の請求項１の発明そのものと認められる訂正前の熱膨張係数を特定している請求項４の発明については何ら異議理由を説明していない。　ただ、請求項１の訂正を減縮と解釈している（特許権者もそのように主張している）ので、以下に検討する。
　ところで、先願Ａの国際公開日は１９９８年５月２８日（平成１０年５月２８日）であって、本件の出願日は平成１０年１１月１２日であるからその先願Ａの公開日より後であるけれども、本件の優先権主張の日は平成１０年２月２６日，平成１０年９月２５日，平成１０年１０月１５日であるから、最初の優先権主張日は先願Ａの公開日より前であり、後の２件の優先権主張日は先願Ａの公開日より後である。　なお、先願Ａの出願日は１９９７年１１月７日であって、本件いずれの優先権主張日よりも前であるから、先願Ａの優先権主張の妥当性を検討する必要がない。
　そこで、本件の最初の優先権主張の出願である特願平１０−０６２１９２号の当初明細書（以下、「本件優先権１明細書」という。）に本件発明１〜８の発明が開示されているか検討する。
　本件優先権１明細書を検討すると、本件発明１の「情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲およびＡｌ2Ｏ3＝１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあり、」と「情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。」の点は本件優先権１明細書の請求項１（この段落では、以下単に「請求項１」という、以下同様）に、「−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲にあり、」の点は請求項６に、「その主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上からなる」点は請求項４に記載されている。　そして、本件発明２の「Ｎａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ，ＰｂＯを実質上含有しない」点は請求項２に、本件発明３の「前記ガラスセラミック基板において、各主結晶相の結晶粒子径が０．０５μm〜０．３０μｍである」点は請求項５に記載され、本件発明４の「主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト，またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなる」点は請求項４の選択肢の１つと認められる。　更に、本件発明５の「前記ガラスセラミック基板において、研磨後の表面の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が３〜９Å、表面最大粗さＲｍａｘが１００Å以下であること」の点は請求項７に、本件発明６の原ガラス組成の特定は請求項９に、本件発明７の製法の特定は請求項１０に、本件発明８の情報磁気記憶媒体ディスクの特定は請求項１１に記載されている。　　請求項１，２，４，５，６，７，９，１０，１１は、いずれも先行する請求項（請求項３，８を除く）を引用していることを勘案すれば、本件発明１〜８に係る発明は、特願平１０−０６２１９２号の当初明細書に開示されていたものと認められる。
　よって、本件の最初の優先権の主張は、本件発明１〜８全てについて適法であるから、先願Ａの国際公開パンフレットは、公知文献ではないので、以下特許法第２９条の２の規定に違反するか否かを検討する。
　本件発明１と先願Ａ記載の発明を対比すると、Ａｌ2Ｏ3が１０重量％〜２０重量％未満で重複しているから、両者は、「情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、Ａｌ2Ｏ3＝１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあり、主結晶相は、β−石英とエンスタタイトからなることを特徴とする、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。」の発明である点で一致している。
　他方、本件発明１が、（ｉ）ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲である点、及び、（ｉｉ）−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲にある点を、必須の構成としているのに対して、先願Ａ記載の発明ではこのように特定していない点で相違する。
　まず、熱膨張係数の点について検討する。
　先願Ａの当初明細書の実施例には熱膨張係数のデータが記載されているけれども、一般的な説明はなされていない。　そして、摘示の如く、Ａｌ２Ｏ３の含有量が１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあるガラスセラミック（番号１１，１３，１４，１９，２０，２１，２２，２４）の熱膨張係数（×１０−７／℃）は５１〜６７．５であって、本件発明１で特定する３０×１０−７〜５０×１０−７／℃より大きいものしか記載されていないし、他にＡｌ２Ｏ３の含有量が１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあるガラスセラミックスに関して、５０×１０−７／℃よりも低い熱膨張係数のものが得られることを示唆する記載も見いだせない。　５０×１０−７／℃よりも低い熱膨張係数のものが得られた例（番号１，２，２３）は示されているけれども、いずれもＡｌ２Ｏ３の含有量が２０重量％以上の範囲（順に２７．０，２５．０，３４．８重量％）にあるガラスセラミックであって、かつβ−石英とスピネルを主結晶相として含有するものであるから、それらのガラスセラミックの例は前記判断を左右するものではない。
　してみると、前記（ｉｉ）の熱膨張係数の相違点は、実質的な相違点と認められる。
　よって、前記（ｉ）の相違点について検討するまでもなく、即ち、先願Ａ発明の追試実験によって比重とヤング率（ＧＰａ）／比重を明らかにしようとする実験成績証明書２について検討し、勘案するまでもなく、本件発明１は、上記先願Ａ当初明細書に記載された発明ということができない。
　
（２）本件発明２〜本件発明８の特許について
　　本件発明２〜本件発明８は、本件発明１の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する。　そうであるから、上記（１）で説示したと同様の理由により、刊行物１記載の発明と同一ではなく、刊行物２〜７の記載を勘案しても刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る発明であるとも認められず、また、先願Ａの当初明細書に記載された発明ということもできない。
　
（３）第３６条違反について（第４異議理由に関して）
　　特許異議申立人は、「本件請求項１に記載された「主結晶」の意味が不明」であり、「本件明細書の発明の詳細な説明にも「主結晶」についての説明が皆無である」点と「析出する結晶のうち、析出体積で最も多いものか、析出重量で最も多いものなのか不明」の点で記載不備がある旨主張しているので、この点について検討する。
　主結晶相の意味に関して、特許権者は、「特定の発明を達成する上で必要か否かを基準として主結晶相とそうでない結晶を区別するものである」旨主張（平成１３年７月９日付け回答書第２頁、平成１３年１月２５日付け意見書第９〜１０頁参照）すると共に、主結晶相に関して説明・定義することなくその用語を使用している文献を多数提示した。　特許異議申立人も平成１３年６月２９日付け回答書（第５頁参照）において、「主結晶」とは一般に「結晶化ガラスに、その発明の効果をもたらす結晶」をいい、明細書の記載や出願時の技術常識を参酌してその意義が導かれる旨主張していることから、両者の理解に本質的な相違がない。　かくの如く解釈が可能であることから、更に他に主結晶相に関して説明・定義することなくその用語を使用している文献が多数存在する状況も勘案すれば、単に主結晶についての説明が無いからといって、「主結晶」の意味が不明であるとまではいえない。
　そして、前記解釈が可能である以上、析出体積と析出重量のいずれを意味するのか論じる必要性は認められない。
　したがって、特許異議申立人の申し立てる記載不備の主張は失当であり、本件特許がその主張されている記載不備の点で特許法第３６条第各項の規定に違反しているということができない。
　
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由および証拠によっては、本件発明１乃至本件発明８の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１乃至本件発明８の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月１４日（２００１．８．１４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　（ａ）特許請求の範囲の請求項１を、減縮並びに明瞭でない記載の釈明を目的として次のとおりに訂正する。
　「【請求項１】　情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲およびＡｌ２Ｏ３＝１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあり、
−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲にあり、
からなる
　（ｂ）特許請求の範囲の請求項４を、減縮を目的として次のとおりに訂正する。
　「【請求項４】　前記ガラスセラミック基板において、
主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト，またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなる
　（ｃ）特許請求の範囲の請求項６を、明瞭でない記載の釈明を目的として次のとおりに訂正する。
　「【請求項６】　前記ガラスセラミック基板は酸化物基準の重量百分率で、
　ＳｉＯ２　　　　　　　　　　４０　　〜６０％
　ＭｇＯ　　　　　　　　　　　１０　　〜２０％
　Ａｌ２Ｏ３　　　　　　　　　１０　　〜２０％未満
　Ｐ２Ｏ５　　　　　　　　　　　０．５〜　２．５％
　Ｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　　１　　〜　４％
　Ｌｉ２Ｏ　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　ＣａＯ　　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　ＺｒＯ２　　　　　　　　　　　０．５〜　５％
　ＴｉＯ２　　　　　　　　　　　２．５〜　８％
　Ｓｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　０．０１〜０．５％
　Ａｓ２Ｏ３　　　　　　　　　　０　　〜　０．５％
　ＳｎＯ２　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　ＭｏＯ３　　　　　　　　　　　０　　〜　３％
　ＣｅＯ　　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　Ｆｅ２Ｏ３　　　　　　　　　　０　　〜　５％
の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することにより得られ、該ガラスセラミックの主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
　（ｄ）上記訂正事項（ａ）〜（ｃ）の訂正に付随的に生じる記載の不備を解消するため、段落【０００９】と段落【００１３】の記載を次のように訂正する。
　「【０００９】　すなわち、請求項１に記載の発明は、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲およびＡｌ２Ｏ３＝１０％〜２０％未満の範囲であり、
−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲にあり、
からなる
主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト，またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなる
　ＳｉＯ２　　　　　　　　　　４０　　〜６０％
　ＭｇＯ　　　　　　　　　　　１０　　〜２０％
　Ａｌ２Ｏ３　　　　　　　　　１０　　〜２０％未満
　Ｐ２Ｏ５　　　　　　　　　　　０．５〜　２．５％
　Ｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　　１　　〜　４％
　Ｌｉ２Ｏ　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　ＣａＯ　　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　ＺｒＯ２　　　　　　　　　　　０．５〜　５％
　ＴｉＯ２　　　　　　　　　　　２．５〜　８％
　Ｓｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　０．０１〜０．５％
　Ａｓ２Ｏ３　　　　　　　　　　０　　〜　０．５％
　ＳｎＯ２　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　ＭｏＯ３　　　　　　　　　　　０　　〜　３％
　ＣｅＯ　　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　Ｆｅ２Ｏ３　　　　　　　　　　０　　〜　５％
の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することにより得られ、該ガラスセラミックの主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
　「【００１３】　本発明において主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
（５４）【発明の名称】
情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲およびＡｌ２Ｏ３＝１０重量％〜２０重量％未満の範囲にあり、
−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲にあり、
からなる
　【請求項２】　Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ，ＰｂＯを実質上含有しないことを特徴とする、請求項１に記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項３】　前記ガラスセラミック基板において、各主結晶相の結晶粒子径が０．０５μｍ〜０．３０μｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項４】　前記ガラスセラミック基板において、
主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト、またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなる
　【請求項５】　前記ガラスセラミック基板において、研磨後の表面の表面粗度Ｒａ（算術平均粗さ）が３〜９Å、表面最大粗さＲｍａｘが１００Å以下であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板。
　【請求項６】　前記ガラスセラミック基板は酸化物基準の重量百分率で、
　ＳｉＯ２　　　　　　　　　　４０　　〜６０％
　ＭｇＯ　　　　　　　　　　　１０　　〜２０％
　Ａｌ２Ｏ３　　　　　　　　　１０　　〜２０％未満
　Ｐ２Ｏ５　　　　　　　　　　　０．５〜　２．５％
　Ｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　　１　　〜　４％
　Ｌｉ２Ｏ　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　ＣａＯ　　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　ＺｒＯ２　　　　　　　　　　　０．５〜　５％
　ＴｉＯ２　　　　　　　　　　　２．５〜　８％
　Ｓｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　０．０１〜０．５％
　Ａｓ２Ｏ３　　　　　　　　　　０　　〜　０．５％
　ＳｎＯ２　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　ＭｏＯ３　　　　　　　　　　　０　　〜　３％
　ＣｅＯ　　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　Ｆｅ２Ｏ３　　　　　　　　　　０　　〜　５％
の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することにより得られ、該ガラスセラミックの主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
　【請求項７】　前記ガラスセラミックスは、ガラス原料を溶融、成型および徐冷後、結晶化熱処理条件として核形成温度が６５０℃〜７５０℃、結晶化温度が７５０℃〜１０５０℃で熱処理することにより得られことを特徴とする、請求項６に記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板の製造方法。
　【請求項８】　請求項１〜７のいずれかに記載の情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板上に磁気媒体被膜を形成して成る情報磁気記憶媒体ディスク。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、情報記憶装置に用いられる情報磁気記憶媒体用基板、特にランプロード方式で主に用いられる、ニアコンタクトレコーディングあるいはコンタクトレコーディングに対応した、超平滑な基板表面を有し、しかも高速回転に対応し得る高ヤング率・低比重特性を有する、磁気ディスク基板等の情報記憶媒体用ガラスセラミックス基板、およびこの情報磁気記憶媒体用ガラスセラミックス基板の製造方法、ならびに情報磁気記憶媒体用ガラスセラミックス基板に成膜プロセスを施し形成される情報磁気記憶媒体に関する。尚、本明細書において「情報磁気記憶媒体」とは、パーソナルコンピュータのいわゆるハードディスクとして使用されるような、固定型ハードディスク，リムーバル型ハードディスク，カード型ハードディスクや、データストレージやデジタルビデオカメラ・デジタルカメラにおいて使用可能なディスク状情報磁気記憶媒体を意味する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、従来の固定型情報磁気記憶装置に対して、リムーバル方式やカード方式等の情報磁気記憶装置が検討、実用段階にありデジタルビデオカメラ・デジタルカメラ等の用途展開も始まりつつある。この様な動向により、パーソナルコンピュータのマルチメディア化やデジタルビデオカメラ，デジタルカメラ等の普及が近年急速に進みつつあり、動画や音声等の大きなサイズのデータを扱うべく、大容量の情報磁気記憶装置が求められている。これに対応するため、情報磁気記憶媒体はビットおよびトラック密度を増加させ、ビットセルのサイズを縮小化して面記録密度を大きくしなければならず、一方磁気ヘッドはビットセルの縮少化に合わせディスク表面により近接して作動する、ニアコンタクトレコーディング、更にコンタクトレコーディング方式を採用する方向へ進みつつある。
　【０００３】
　ところで、従来磁気ディスク用基板材として、アルミニウム合金が広く用いられているが、アルミニウム合金基板では、種々の材料欠陥の影響により、研磨工程における基板表面の突起またはスポット状の凹凸を生じ平坦性、平滑性の点で、前記の高密度磁気記憶媒体用基板として十分でなく、またアルミニウム合金は軟かい材料であるため、ヤング率、表面硬度が低いためドライブの高速回転において振動が激しく変形が生じやすく薄形化に対応することがむずかしいという問題も有している。更にヘッドの接触による変形傷を生じメディアを損傷させてしまう等、今日の高密度記録化に十分対応できない。
　【０００４】
　一方、アルミニウム合金基板の問題点を解消する材料として、化学強化ガラスのアルミノシリケートガラス特開平８−４８５３７、特開平５−３２４３１（ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｎａ２Ｏ）が知られているが、この場合、（１）研磨は化学強化後に行なわれ、ディスクの薄板化における強化層の不安定要素が高い。また強化相は、長期の使用において経時変化を発生し、磁気特性を悪化させてしまう。（２）ガラス中にＮａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ成分を必須成分として含有するため、成膜特性が悪化し、Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ溶出防止のための全面バリアコート処理が必要となり、製品の低コスト安定生産性が難しい欠点がある。（３）ガラスの機械的強度を向上させるために化学強化を行っているが、基本的に表面相と内部相の強化応力を利用するものであり、ヤング率は通常のアモルファスガラスと同等である８３ＧＰａ以下と高速回転ドライブへの使用に限界がある等、やはり高密度磁気記憶媒体用基板としての特性は不十分である。
　【０００５】
　更にアルミニウム合金基板や化学強化ガラス基板に対して、いくつかの結晶化ガラスが知られている。例えば、特開平９−３５２３４号公報，ＥＰ０７８１７３１Ａ１号公報に開示される磁気ディスク用ガラスセラミックス基板は、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系組成から成り、結晶相は二珪酸リチウムとβ−スポジューメン、あるいは二珪酸リチウムとβ−クリストバライトを析出させたものであるが、高速回転に対するヤング率と比重の関係を全く検討しておらず、何の示唆も与えていない。尚、この系のガラスセラミックスのヤング率は１００ＧＰａが限界である。
　【０００６】
　これらの低ヤング率を改善すべく、特開平９−７７５３１号公報にはＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ２系結晶化ガラスが開示されている。この結晶化ガラスは、主結晶相が多量のスピネル結晶で、副結晶としてＭｇＴｉ２Ｏ５と他複数の結晶を含み、ヤング率が９３．４〜１６０．１１ＧＰａの結晶化ガラスおよびこの結晶化ガラスからなる磁気記憶用剛性ディスクを構成する基体であるが、この材料は主結晶相が（Ｍｇ／Ｚｎ）Ａｌ２Ｏ３および／または（Ｍｎ／Ｚｎ）２ＴｉＯ４で表されるスピネル結晶（副結晶相においては他複数の結晶が選択可能）においてＡｌ２Ｏ３を多量に含むものであり、後述する本発明のようにＡｌ２Ｏ３の比較的少ない高ヤング率特性と低比重を兼ね備えた、ガラスセラミックスとは異なるものである。しかも、この様にＡｌ２Ｏ３を多量に含むと、原ガラスの溶融性が低下したり、耐失透性が悪化する等の問題を生じ、生産上も好ましくなく、また、高速回転ドライブに必要なヤング率（ＧＰａ）／比重の関係や比重の値そのものについても全く検討されておらず、これらに対する示唆も何ら与えていない。特に比重については全て２．８７以上と高いものとなっている。したがって、単に硬質な材料を提案しているにすぎない。しかもこの系の結晶化ガラスは硬度が高くなり過ぎるため、加工性が悪く量産性に劣るという大きな問題があり、高密度情報磁気記憶媒体用基板としての改善効果は不十分なものである。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の目的は、前記従来技術に見られる諸欠点を解消すべく、前記のような高記録密度化動向に対応し得る情報磁気記憶媒体用基板として、溶融性，耐失透性および加工性に優れ、高記憶密度のコンタクトレコーディング化に対応した基板表面の平滑性に優れると同時に、高速回転ドライブに対応した高ヤング率・低比重特性を兼ね備えた情報磁気記憶媒体用ガラスセラミックス基板、およびその製造方法ならびにこのガラスセラミック基板上に磁気媒体の被膜を形成してなる情報磁気記憶媒体を提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解消するための手段】
　本発明者は、上記目的を達成するために鋭意試験研究を重ねた結果、高速回転ドライブに対応するためには、情報磁気記憶媒体基板は高速回転時のたわみによるディスク振動を防止すべく、高剛性、低比重でなけらばならず、このため最適な基板のヤング率と比重の比はヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３であることを発見し、本発明に到達した。
　また本発明者は、上記目的を達成するために主結晶相がβ−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上であることに限定され、且つ各析出結晶粒子は、いずれも微細な球状粒子形状であり、原ガラスの溶融性，耐失透性および研磨加工性に優れ、研磨後の表面もより平滑性に優れ、高速回転に対応した高ヤング率と低比重を兼ね備えている、情報磁気記憶媒体用ガラスセラミック基板が得られることを見い出し、本発明に至った。
　【０００９】
　すなわち、請求項１に記載の発明は、情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板において、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３の範囲およびＡｌ２Ｏ３＝１０重量％〜２０重量％未満の範囲であり、
−５０〜＋７０℃の範囲における熱膨張係数が、３０×１０−７〜５０×１０−７／℃の範囲にあり、
からなる
主結晶相はβ−石英固溶体およびエンスタタイト、またはβ−石英固溶体およびフォルステライトからなる
　ＳｉＯ２　　　　　　　　　　４０　　〜６０％
　ＭｇＯ　　　　　　　　　　　１０　　〜２０％
　Ａｌ２Ｏ３　　　　　　　　　１０　　〜２０％未満
　Ｐ２Ｏ５　　　　　　　　　　　０．５〜　２．５％
　Ｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　　１　　〜　４％
　Ｌｉ２Ｏ　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　ＣａＯ　　　　　　　　　　　　０．５〜　４％
　ＺｒＯ２　　　　　　　　　　　０．５〜　５％
　ＴｉＯ２　　　　　　　　　　　２．５〜　８％
　Ｓｂ２Ｏ３　　　　　　　　　　０．０１〜０．５％
　Ａｓ２Ｏ３　　　　　　　　　　０　　〜　０．５％
　ＳｎＯ２　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　ＭｏＯ３　　　　　　　　　　　０　　〜　３％
　ＣｅＯ　　　　　　　　　　　　０　　〜　５％
　Ｆｅ２Ｏ３　　　　　　　　　　０　　〜　５％
の範囲の各成分を含有する原ガラスを熱処理することにより得られ、該ガラスセラミックの主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
　【００１０】
　本発明のガラスセラミックの物理的特性，主結晶相と結晶粒径，表面性状，組成範囲を上記のように限定した理由を以下に示す。尚、組成については、原ガラスと同様酸化物基準で表示する。
　【００１１】
　まずは、ヤング率および比重について述べる。前記のように、記録密度およびデータ転送速度を向上するために、情報磁気記憶媒体基板の高速回転化傾向が進行しているが、この傾向に対応するには、基板材は１００００ｒｅｖ／分以上の高速回転時のたわみによるディスク振動を防止すべく、高剛性、低比重でなければならない。単に高剛性であっても、比重が大きければ、高速回転時にその重量が大きいことによってたわみが生じ、振動を発生する。逆に低比重でも剛性が小さければ、同様に振動が発生する。したがって、高剛性でありながら、低比重という一見相反する特性のバランスを取らなければならず、その範囲はヤング率（ＧＰａ）／比重＝３７〜６３であることが判った。好ましい範囲は、ヤング率（ＧＰａ）／比重＝４０〜６３であり、更に好ましい範囲はヤング率（ＧＰａ）／比重＝４７〜６３であり、最も好ましい範囲はヤング率（ＧＰａ）／比重＝５０〜６３である。尚、剛性についてもより好ましい範囲があり、例え低比重であっても前記振動発生問題の点からすると、少なくとも１２０ＧＰａ以上が好ましいが、基板の加工性や比重の増加から勘案して上限は１５０ＧＰａ以下が好ましい。比重についても同様で、前記振動発生問題の点からすると、例え高剛性であっても３．５０以下でないと、その自重により高速回転時に基板の振動が発生しやすくなり、逆に比重が２．３未満では所望の剛性を有する基板を実質上得難い。この点を考慮した時の好ましい比重の範囲は２．５〜３．３である。
　【００１２】
　次にＮａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ，ＰｂＯ成分についてであるが、磁性膜の高精度化，微細化において、材料中にＮａ２Ｏ，Ｋ２Ｏ成分を含有すると、基板が高温となる成膜工程においてこれらのイオンが磁性膜中に拡散（特に成膜温度の高いバリウムフェライト垂直磁化膜では顕著である）し、磁性膜粒子の粗大化や配向性が悪化するため、これらの成分を実質的に含有しないことが重要である。また環境上好ましくないＰｂＯ成分も含有すべきではない。
　【００１３】
　本発明において主結晶相は、β−石英，β−石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体の中から選ばれる少なくとも１種以上
からなる
　【００１４】
　次に析出結晶粒径と表面粗度についてであるが、先に述べたように、記録密度向上のためのニアコンタクトレコーディングやコンタクトレコーディング方式に対応するには、情報磁気記憶媒体の表面の平滑性が従来品よりも良好でなければならない。従来レベルの平滑性で磁気媒体への高密度入出力を行おうとしても、ヘッドと媒体間の距離が大きいため、磁気信号の入出力を行うことができない。またこの距離を小さくしようとすると、媒体の突起とヘッドが衝突し、ヘッド破損や媒体破損を引き起こしてしまう。この様な理由から、ニアコンタクトレコーディングやコンタクトレコーディング方式に対応するためには、ディスク用基板表面の平滑性は、表面粗度（Ｒａ）＝３〜９Å，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝１００Å以下であることが必要である。好ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝３〜７Å，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝９５Å以下であり、更に好ましくは、表面粗度（Ｒａ）＝３〜６Å，最大粗さ（Ｒｍａｘ）＝９０Å以下である。
　【００１５】
　次にこれら析出結晶の粒子形態と粒径についてであるが，本願のようなガラスセラミックス基板のように高剛性で且つ超平滑性（データ領域で３〜９Å）を有するガラスセラミックス基板を得るためには、その結晶粒子と形状が重要な因子となる。上記各結晶の結晶粒径より大きくても小さくても、所望の強度および表面粗度は得られない。
　【００１６】
　次に熱膨張率についてであるが、ビットおよびトラック密度を増加させ、ビットセルのサイズを縮小化するにおいては、媒体と基板の熱膨張係数の差が大きく影響する。このため、−５０〜＋７０℃の温度範囲における熱膨張係数は、３０×１０−７〜５０×１０−７／℃であることが必要である。
　【００１７】
　次に、組成限定理由について述べる。尚、組成は全て重量％によるものである。
　ＳｉＯ２成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出するβ―石英，β―石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体結晶を生成する極めて重要な成分であるが、その量が４０％未満では、得られたガラスセラミックスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすく、６０％を超えると原ガラスの溶融・成型性が困難になる。尚、これら結晶相を析出するには熱処理条件も重要な因子となるが、より広い熱処理条件とすることができる、より好ましい範囲は４８．５〜５８．５％である。
　【００１８】
　ＭｇＯ成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出するβ―石英，β―石英固溶体，エンスタタイト，エンスタタイト固溶体，フォルステライト，フォルステライト固溶体結晶を生成する極めて重要な成分であるが、その量が１０％未満では、得られたガラスセラミックスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすく、かつ溶融性が悪化する。また２０％を超えると原ガラスの失透性・耐化学性が悪化する。尚、ＳｉＯ２と同様の理由による、より好ましい範囲は１２〜１８％である。
　【００１９】
　Ａｌ２Ｏ３成分は、原ガラスの熱処理により、主結晶相として析出するβ―石英固溶体結晶を生成する極めて重要な成分であるが、その量が１０％未満では、得られたガラスセラミックスの析出結晶が不安定で組織が粗大化しやすく、また２０％以上では原ガラスの溶融性・失透性が著しく悪化する。尚、上記と同様の理由による、より好ましい範囲は１２〜１８％である。
　【００２０】
　Ｐ２Ｏ５成分は、ガラスの結晶核形成剤として機能する上に、原ガラスの溶融性、成型時の失透性を改善するのに効果的であるが、その量が０．５％未満では上記効果が得られず、また２．５％を超えると失透性が悪化する。尚、好ましい範囲は１〜２％である。
　【００２１】
　Ｂ２Ｏ３成分は、原ガラスの溶融成型時の粘度をコントロールするのに効果的であるが、その量が１％未満では上記効果が得られず、また４％を超えると原ガラスの溶融性が悪化しガラスセラミックスの析出結晶が不安定で組織が粗大化してしまう。尚、好ましい範囲は１〜３％である。
　【００２２】
　Ｌｉ２Ｏ成分は、原ガラスの熱処理により主結晶相として析出する、β―石英固溶体結晶を生成する上に、原ガラスの溶融性を改善する極めて重要な成分であるが、その量が０．５％未満では上記効果が得られず、また４％を超えるとガラスセラミックスの析出結晶が不安定で組織が粗大化してしまう。尚、好ましい範囲は１〜３％である。
　【００２３】
　ＣａＯ成分は、ガラスの溶融性を向上させるのと同時に析出結晶の粗大化を防止する成分であるが、その量が０．５％未満では上記効果が得られず、また４％を超えると所望とする結晶が得難くなりガラスセラミックスの結晶が粗大化し耐化学性も悪化する。尚、好ましい範囲は１〜３％である。
　【００２４】
　ＺｒＯ２成分およびＴｉＯ２成分は、ガラスの結晶核形成剤として機能する上に、析出結晶の微細化と材料の機械的強度向上、および耐化学性の向上に顕著な効果を有することが見出された極めて重要な成分であるが、ＺｒＯ２成分が０．５％、ＴｉＯ２成分が２．５％未満では上記効果が得られず、またＺｒＯ２成分が５％、ＴｉＯ２成分が８％を超えると原ガラスの溶融が困難となるのと同時にＺｒＳｉＯ４等が発生し溶け残りが生じてしまったり、原ガラスの耐失透性が低下し、これによって結晶化工程において結晶粒の異常粒子成長を引き起こしてしまう。尚、好ましい範囲は、ＴｉＯ２とＺｒＯ２の合計量が９％以下であり、更に好ましい範囲は、ＺｒＯ２＝１〜４％、ＴｉＯ２＝３〜７．５％、ＴｉＯ２とＺｒＯ２の合計量が３〜８％である。
　【００２５】
　Ｓｂ２Ｏ３，Ａｓ２Ｏ３成分は、ガラス溶融の際の清澄剤として添加し得るが、これらの１種または２種の合計量は２．０％までで十分である。
　【００２６】
　ＳｎＯ２，ＭｏＯ３，ＣｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３成分は、ガラスの着色剤または着色することによる表面欠陥の検出感度の向上、およびＬＤ励起固体レーザーの吸収特性を向上させるために各成分の合計で５％まで添加し得る。ＳｎＯ２成分は５％、ＭｏＯ３成分は３％以内が好ましい。尚、ＳｎＯ２、ＭｏＯ３成分は、熱処理前のガラス状態では透光性があるが、熱処理結晶化後に着色化するという重要な成分である。
　【００２７】
　そして本発明の情報磁気記憶媒体用ガラスセラミック基板を製造するには、上記の組成を有するガラスを溶解し、熱間成形および／または冷間加工を行った後６５０℃〜７５０℃の範囲の温度で１〜１２時間熱処理して結晶核を形成し、続いて７５０℃〜１０５０℃の範囲の温度で約１〜１２時間熱処理して結晶化を行う。
　【００２８】
　【発明の実施の形態】
　次に本発明の好適な実施例について説明する。表１〜表６は本発明の磁気ディスク用ガラスセラミック基板の実施組成例（Ｎｏ．１〜１４）および比較組成例として従来の化学強化ガラスのアルミノシリケートガラス（特開平８−４８５３７号公報）を比較例１，Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系ガラスセラミックス（特開平９−３５２３４号公報）を比較例２，ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ２系結晶化ガラス（特開平９−７７５３１号公報）を比較例３として、その組成，核形成温度，結晶化温度，結晶相，結晶粒子径，ヤング率，比重，ヤング率（ＧＰａ）／比重，研磨後の表面粗度（Ｒａ），最大表面粗さ（Ｒｍａｘ），−５０〜＋７０℃における熱膨張係数を示す。尚、β−石英固溶体はβ−石英ＳＳと表している。尚、組成については全て重量％で表示したものである。
　【００２９】
　【表１】
　【００３０】
　【表２】
　【００３１】
　【表３】
　【００３２】
　【表４】
　【００３３】
　【表５】
　【００３４】
　【表６】
　【００３５】
　本発明の上記実施例のガラスは、いずれも酸化物，炭酸塩，硝酸塩等の原料を混合し、これを通常の溶解装置を用いて約１３５０〜１４９０℃の温度で溶解し攪拌均質化した後ディスク状に成形して、冷却しガラス成形体を得た。その後これを６５０〜７５０℃で約１〜１２時間熱処理して結晶核形成後、７５０〜１０５０℃で約１〜１２時間熱処理結晶化して、所望のガラスセラミックを得た。ついで上記ガラスセラミックを平均粒径５〜３０μｍの砥粒にて約１０分〜６０分ラッピングし、その後平均粒径０．５〜２μｍの酸化セリュームにて約３０分〜６０分間研磨し仕上げた。
　【００３６】
　表１〜６に示されるとおり、本発明と従来のアルミノシリケート化学強化ガラス，Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系ガラスセラミックス，ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ２系ガラスセラミックスの比較例とでは、ガラスセラミックスの結晶相が異なり、ヤング率と比重の関係においても、アルミノシリケート化学強化ガラス，Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系ガラスセラミックスに比較し高剛性もしくは低比重である。本比較例における、比較的高剛性・低比重のＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＺｎＯ−ＴｉＯ２系ガラスセラミックスは、非常に硬質な材料であるために、表面粗度において所望の値が得られなかった。これに対し本発明のガラスセラミックスは加工性に優れ、目的とする平滑性が充分得られ、加えて、結晶異方性，異物，不純物等の欠陥がなく組織が緻密で均質・微細であり、種々の薬品や水による洗浄、あるいはエッチングにも耐え得る化学的耐久性を有するものであった。
　【００３７】
　【発明の効果】
　以上述べたように、本発明によれば、上記従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、溶融性，耐失透性および加工性に優れ、高記憶密度のコンタクトレコーディング化に対応した基板表面の平滑性に優れると同時に、高速回転ドライブに対応した高ヤング率・低比重特性に兼ね備えた情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミック基板およびその製造方法ならびにこのガラスセラミック基板上に磁気媒体の被膜を形成してなる情報磁気記憶媒体を提供することができる。