【事件の表示】
　特許第３１２３４２３号「プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法」の請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２３４２３号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
I. 手続の経緯
　特許第３１２３４２３号の請求項１〜３に係る発明は、平成８年２月２０日に特許出願され、平成１２年１０月２７日に設定の登録がなされた後、本件請求項１〜３に係る発明の特許について、特許異議申立人高橋友之輔および　畠　明（以下、「申立人」という）により、平成１３年７月６日、平成１３年７月９日付けで特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年３月１１日に訂正請求がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年４月１５日に上記訂正請求が取り下げられるとともに新たな訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正請求の適否
１．訂正の内容
　上記訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その内容は次のとおりである。
（１）訂正事項Ａ
　特許明細書の請求項１の「渦形放電コイルは、」を「渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成され、」に訂正する。
（２）訂正事項Ｂ
　特許明細書の請求項２の「この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加する」を「この渦形放電コイルの一端は接地し、前記コイルの渦の中心に高周波電圧を印加する」に訂正する。
（３）訂正事項Ｃ
　特許明細書【００１１】欄の「渦形放電コイルは、中心に近いほど誘電板の内壁面との距離が大きい構造（以下、ドーム状渦形放電コイル）とする。」を「渦形放電コイルの形状は、その渦の中心に近いほど前記誘電板の内壁面と前記コイルとの距離が大きくなるように形成（以下、ドーム状渦形放電コイル）する。更に、渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧を印加し、他端は接地されるように構成される。」に訂正する。
（４）訂正事項Ｄ
　特許明細書【００２４】欄の「渦形放電コイルの形状をドーム状とすること」を「渦形放電コイルの形状は、その渦の中心に近いほど前記誘電板の内壁面と前記コイルとの距離か大きくなるように形成したドーム状であり、前記コイルの渦の中心に高周波電圧を印加し、他端は接地されること」に訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、および拡張・変更の存否
（１）訂正事項Ａについて
　訂正事項Ａは、請求項１において、「渦形放電コイルは、」を、より下位の概念である「渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成され、」に限定するものであるから、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。          
　そして、請求項１に係る発明を上記のように訂正することは、【００１３】、【００１９】の記載および図１〜５から読みとれる。したがって、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
（２）訂正事項Ｂについて
　訂正事項Ｂは、請求項２において、「この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加する」をより下位の概念である「この渦形放電コイルの一端は接地し、前記コイルの渦の中心に高周波電圧を印加する」に限定するものであるから、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当する。          
　そして、請求項２に係る発明を上記のように訂正することは、【００１３】、【００１９】の記載および図１〜５から読みとれる。したがって、この訂正は、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
（３）訂正事項Ｃ、Ｄについて
　訂正事項Ｃ、Ｄは、上記訂正事項Ａ、Ｂの訂正にあわせて、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを整合させようとするものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、この訂正は、願書に添付した明細書および図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、しかも、実質上特許請求の範囲を拡張しまたは変更するものではない。
　
３．訂正の認否
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書および同第３項の規定で準用する同法第１２６条第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．特許異議の申立て
１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１〜３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのもの（以下、「本件発明１〜３」という）である。
「【請求項１】上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電源よりなるプラズマ処理装置であって、
　前記誘電板の内壁面および外壁面は平面で、かつ前記渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成され、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面との距離が大きくなるように構成したプラズマ処理装置。
【請求項２】上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの一端は接地し、前記コイルの渦の中心に高周波電圧を印加するための高周波電源とを用いてプラズマ処理をするプラズマ処理方法において、
　前記誘電板の内壁面および外壁面を平面として、かつ渦形放電コイルが、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面との距離が大きくなるように形成してプラズマ処理を行なうプラズマ処理方法。
【請求項３】渦形放電コイルの一部または全部が多重の渦形であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。」
　
２．申立人の主張する特許異議申立ての理由
　申立人　高橋友之輔は、
（１）訂正前の特許明細書の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証として提出した、本件特許出願の日前の出願であって当該特許出願後に特開平８−２２７８７８号公報として出願公開された特願平６−２８３５５０号の願書に最初に添付した明細書または図面（以下、「先願明細書１」という）に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許出願の日前の他の特許出願の発明者が、本件特許出願の発明者と同一であるとも、本件特許出願の出願時に本件特許出願の出願人が、他の特許出願の出願人と同一であるとも認められないから、請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨、主張し、
　申立人　畠　明は、
（２）訂正前の特許明細書の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証として提出した、本件特許出願の日前の出願であって当該特許出願後に特開平８−８８１９０号公報として出願公開された特願平７−２５９８６０号の願書に最初に添付した明細書または図面（以下、「先願明細書２」という）に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許出願の日前の他の特許出願の発明者が、本件特許出願の発明者と同一であるとも、本件特許出願の出願時に本件特許出願の出願人が、他の特許出願の出願人と同一であるとも認められないから、請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨、主張し、さらに、
（３）訂正前の特許明細書の請求項１〜３に係る発明は、甲第２号証として提出した特表平７−５０８１２５号公報（以下、「刊行物１」という）および甲第３号証として提出した特開平６−２６７９０３号公報（以下、「刊行物２」という）をそれぞれ提示し、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものである旨、主張している。
　
３．証拠方法
（１）「先願明細書等１」の記載事項
（１ー１）段落番号【００３０】には
「最小の容量結合をもって、高い電力でウエハ表面にわたって高度に均一なプラズマを与えること誘導結合プラズマ反応器を提供することが可能になる。」が記載されている。
（１−２）段落番号【００１０】〜【００１２】には
「図３（ａ）及び４に示されるように、コイルアンテナ３０は反応器チャンバ３１の上に置かれ、コイルアンテナ３０は、キャパシタ６２とＲＦソース６４に対して並列に接続された複数の同心らせん巻線３２、３４、３６を有する。巻線３２、３４、４６は、らせんの中心附近に内側端部３２ａ、３４ａ、３６ａと、らせんの外縁に３２ｂ、３４ｂ、３６ｂとを有する。内側端部３２ａ、３４ａ、３６ａは、共通頂点端子３８で共に接続される。好ましい具体例では、共通頂点端子３８は大地に接続され、外側巻線端部３２ｂ、３４ｂ、３６ｂはＲＦソース６４に接続される。図４に示されるように、巻線３２、３４、３６の直線中央内部アームは、反応器頂部から頂点端子３８へ約２ｃｍの垂直長さｖをもって、垂直上向きに離れるように立っていることが好ましい。図３（ｂ）は、図３（ａ）のコイルアンテナの巻線が５本である態様であり、内側端部３２ａ、３３ａ、３４ａ、３５ａ、３６ａと、外側端部３２ａ、３３ａ、３４ａ、３５ａ、３６ａ（「３２ｂ、３３ｂ、３４ｂ、３５ｂ、３６ｂ」の誤記であると認められる）を有する同心巻線３２、３３、３４、３５、３６を有している。図５は、平坦ディスク絶縁体天井部５２と接地導電性円筒状側壁５４とガス供給流入口５６とウエハペデスタル５８とを有する円筒状の真空チャンバ５０を有する誘導結合プラズマ反応器を例示する。真空ポンプ６０は、ガスを真空チャンバの外へと排出させる。図３（ａ）のコイルアンテナ３０は、天井部５２（３１の誤記であると認められる）上に置かれている。ＲＦ電力ソース６４はキャパシタ６４（「６２」の誤記であると認められる）を介して外側巻線端部３２、３４、３６に電力を印加する一方、共通端子３８は接地される。バイアスＲＦ電力ソース６６、６８（「６６、６８」は「６８」の誤記であると認められる）は、ウエハペデスタル５８に接続されて、イオン運動エネルギーを制御する。図５の具体例における好ましい実施態様では、円形の巻線が直線の放射状アームとなって頂上端子３８で終結する。このアームは約２．５ｃｍの半径ｒ（図５）に沿って延長する。ウエハの直径ｄ（図５）が約２０ｃｍの場合では、巻線３２、３４、３６のうち最外のものは、約３５ｃｍの半径Ｒを有する。ウエハの上方のコイルアンテナの高さｈ（図５）は、好ましくは約５．０〜７．０ｃｍである。好ましくは、コイルアンテナ３２、３４、３６はそれぞれ、１．５巻きを成す。半径の長さ当たりの巻きの数は、図５の具体例では１．５／２６ｃｍ-1であるが、ウエハ表面にわたるプラズマ密度分布を望ましく調節するように変化させてもよい。」が記載されている。　　　
（２）「先願明細書等２」の記載事項
（２−１）【実施例】の欄には
「第１図に本発明のプラズマ処理装置の第１の実施例を示す。以下にプラズマ生成方法及びエッチング方法を詳細に説明する。反応容器１に例えば直径６インチの処理ウェハ７を導入後、処理ウェハ７ー誘電体窓４間隔を調整し、処理ガスをガスリング９から反応容器１内に導入し、反応容器１内の圧力を例えば数ｍＴｏｒｒに調整する。この状態で誘電体窓４の上部に配置されている渦巻き状コイル２に第１図には記載されていないがマッチング回路を通し例えば１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源３を印加することにより高周波電流を流す。…中略…まず、プラズマの均一化に体する（「対する」の誤記であると認められる）誘電体窓の形状の効果を調べるために、誘電体窓の形状を厚さの均一な物１６、中央部分を厚くした物１７、さらに厚い部分の幅を広げた物１８と変えてイオン電流密度の反応容器１の径方向の分布を測定した結果を第３図に示す。誘電体窓の厚さの均一な物１６では、中央部分でイオン電流密度が大きく、均一性は６インチ径で±１５％と不均一である。これは渦巻き状コイル２の形状が等間隔で反応容器１の中央にまで巻かれているため、コイル２により生成される誘導電界の大きさが中央部分で大きくなるためである。この中央部分の誘導電界の大きさを抑えるために誘電体窓の中央部分を厚くした１７では均一性は±５％に向上し、さらに誘電体窓の厚い部分の幅を広くした１８では±３％にまで向上した。エッチングとって（「にとって」の誤記であると認められる）重要なのは実際のエッチング速度の均一性であるため、上述の誘電体窓形状１６、１７、１８を使用しポリシリコン及びＷＳｉ２のエッチング速度１９、２１を測定した結果を第４図に示す。第４図から明らかなようにポリシリコンＷＳｉ２のエッチング速度の均一性はプラズマの均一化に対応し、ポリシリコンではエッチング速度の均一性１９は±１０％から±４％に、ＷＳｉ２２１では±７％から±２．５％に向上する。プラズマ及びエッチング速度の均一化には直径８インチ、８回巻きの渦巻き状コイル形状に対し誘電体プレートの直径の０．２〜０・５（０．５の誤記であると認められる）倍の径で、厚い部分の厚さは２〜５倍とすることが最適であった。第５図に本発明の第２の実施例として誘電体プレートの形状を上部に凸またはドーム形とした場合を示す。第５図（ａ）は上部に凸状の誘電体プレートに対し平面状のコイルを使用した場合、（ｂ）は上部に凸状の誘電体プレートに対し誘電体プレート上部の表面に沿ってコイルを配置した場合、（ｃ）は上部にドーム形の誘電体プレートに対し誘電体プレート上部の表面に沿ってコイルを配置した場合の実施例である。このように誘電体プレートを反応容器外に凸とすることでメンテナンス性が向上し、また誘電体プレートーウェハ間の距離を一定にできる。…以下略…」が記載されている。
（２−２）図１、６、８、９、１０には
　渦巻き状コイル２、３２、３３の中心電極にＲＦ電源を接続し、渦巻き状コイル２、３２、３３の周辺電極が接地されている構成が記載されている。
（３）刊行物１の記載事項
（３−１）第３頁左上欄２行〜７行には
「通常は、平たい誘電性ウィンドウがこれら装置には使用されている．平板コイルの磁束は、ウィンドウの中央の近傍で最大であり、平坦なウィンドウの場合は、誘起電場は、従って、ウィンドウの中央付近でより大きくなる。本発明の装置及び方法は、特徴的な断面積を有する誘電性ウィンドウを使用し、そのウィンドウは、中央でより厚く、周囲でより薄く、ウィンドウの中央付近でより高い誘起電場を低減している。」が記載されている。　
（３−２）第４頁左上欄末行〜右上欄１９行には
「図１及び２を参照すると、個々の半導体ウェーハＷをエッチングするに適当なプラズマ処理システム１０は、上部壁１６中に形成されたアクセスポート１４を有するチャンバ１２を含む。誘電性シールド／ウィンドウ１８は、上部壁１６の下部に配置され、アクセスポート１４を越えて延びている。誘電性ウインドウ１８は上部壁１６に密封され、チャンバ１２の真空内部チャンバ１９を画定している。平坦コイル２０は、誘電性ウインドウ１８に隣接して、アクセスポート１４内に配置されている。コイル２０は、センタータップ２２及び外側タップ２４を有するスパイラルとして形成されている。コイル２０の形成する平面は、誘電性ウインドウ１８及びウェーハＷが載置される支持表面１３の両者に対して平行となる向きに配置される。こうして、コイル２０は、ウェーハＷに平行なチャンバ１２のチャンバ１９内に平面プラズマを形成することが可能となる。コイル２０と支持表面１３の間の距離は、約３ｃｍ〜１５ｃｍであり、よリ一般的には、５ｃｍ〜２０ｃｍの範囲であり、正確な距離は、個別の応用分野に依存する。図１〜図３を参照して、平坦コイル２０は、既に説明した種類のＲＦ発振器３０により駆動される。発振器３０の出力は、同軸ケーブル３２によりマッチング回路３４に接続される。マッチング回路３４は、一次コイル３６及び二次ループ３８を含み、これらは、回路の有効的結合を調整し、動作周波数での回路の負荷を考慮するように相互に配置される。一次コイル３６は、結合を調整するために、垂直軸４２を中心として回転するディスク４０上に配置されている。」が記載されている。
（３−３）第４頁左下欄２０行〜右下欄１５行には　
「図７〜図９が示すように本発明によるウインドウ１８は、種々の断面を有する。…中略…図７で示されるように一連の段差を形成する。…中略…図８が示すように凸部の断面からなるか、…中略…図９が示すように鏡台上の断面を有する。図９では、…中略…積層してもよい。」が記載されている。
（４）刊行物２の記載事項
（４ー１）段落【０１００】〜【０１０２】には、プラズマ装置について、
「次に、図１７及び図１８を参照して、第５実施例について説明する。ただし、図１１に示す第１実施例と同じ機能及び構造を有する構成部材については、同一の番号を付すことにより、重複説明を省略している。この第５実施例においては、図１１に示す石英管８２に代えて、石英板１１０が処理室９１の上面に配置されており、この石英板１１０の外側表面上に、アンテナ手段１１１が設置されている。このアンテナ手段１１１は、図１８に示すように、渦巻形状を有する渦巻アンテナであり、高周波電源８６からマッチングボックス８５を介して高周波電流を印加することにより効率よく交番電界を形成することが可能である。なお、石英板１１０の外側表面に設置されるアンテナ構造については、所望の領域に所望の交番電界を形成できればよく、前記形状に限定されない。例えば図４〜図１０に示された各種形態のアンテナを使用することができ…以下略…可能になるものである。」と記載されている。
　
４．対比・判断
（１）異議申立て理由（１）について
　記載事項「３．（１）（１ー１）、（１−２）」を総合すると、
先願明細書１には、
　絶縁天井部を有する真空チャンバと、この天井部の外側に設けた同心らせん巻線よりなるコイルアンテナと、コイルアンテナに高周波電圧を印加するためのＲＦソースよりなる誘導結合プラズマ反応器であって、天井部の内壁面および外壁面は平面で、コイルアンテナは、その頂点端子が大地に接続され、外側巻線端部がＲＦソースに接続され、その中心部（直線中央内部アームが、反応器内部から垂直上向きに離れるように立っている部分（図４参照））がその中心に近いほど絶縁天井部の内壁面との距離が大きくなるようにした反応器（以下、「先願発明１」という）が記載されていると認められる。
　そこで、本件発明１と先願発明１とを対比すると、
先願発明１の、「絶縁天井部」、「真空チャンバ」、「天井に設けた同心らせん巻線よりなるコイルアンテナ」、「コイルアンテナに高周波電圧を印加するためのＲＦソース」、「誘導結合プラズマ反応器」は、それぞれ、本件発明１の、「誘電板で構成した上壁」、「真空容器」、「上壁の外側に設けた渦形放電コイル」、「渦形放電コイルに高周波電圧を印加するための高周波電源」、「プラズマ処理装置」に相当するから、両者は、
「上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けた渦型放電コイルと、この渦型放電コイルに高周波電圧を印加するための高周波よりなるプラズマ処理装置であって、上壁の内壁面および外壁面は平面である」点で一致し、以下の点で相違している。
　本件発明１が、「渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成され、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面との距離が大きくなるように構成した」ものであるのに対し、先願発明１は、「コイルアンテナは、その頂点端子が大地に接続され、外側巻線端部に高周波電圧が印加されるようにるように構成され、かつ、その中心部がその中心に近いほど絶縁天井部の内壁面との距離が大きくなるように構成した」ものである点。
　そして、この相違点は単なる設計上の微差とすることはできない。
　したがって、本件発明１が先願発明１と同一であるとすることはできない。
　また、本件発明２、３は、本件発明１を引用する発明であって、本件発明１と同様に「渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの一端は接地されるように構成され、その中心に近いほど誘電板の内壁面との距離が大きくなるように構成した」ものであるところ、当該構成が先願明細書１に記載されていないことは前記したとおりであるから、本件発明２、３も先願発明１と同一であるとすることはできない。
（２）異議申立て理由（２）について
　記載事項「３．（２）（２ー１）、（２−２）」を総合すると、先願明細書２の第５図（ｃ）に示すように、誘電体材料で構成されるプレートの形状を上部にドーム形とした場合、先願明細書２には、
　上部に誘電体材料で構成されるプレートの形状を上部にドーム形としたプレートを有する真空反応容器と、該反応容器外で前記プレートのドーム表面形状に沿って配置される渦巻き状のコイルと、該コイルに高周波電流を流すためのＲＦ電源と周辺電極を接地するプラズマ処理装置であって、前記誘電体プレートを反応容器中央部で厚く、周辺部で薄くし、かつ、前記渦巻き状コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成されることにより、コイルとプレートとの距離は、コイルの中心に近いほど前記プレートの内壁面との距離が大きくなるように構成した装置の発明（以下、「先願発明２」という）が記載されていると認められる。
　そこで、本件発明１と先願発明２とを対比すると、
　先願発明２の「上部に誘電体プレートを有する真空反応容器」、「反応容器外で誘電体プレートのドーム表面形状に沿って配置される渦巻き状のコイル」、「ＲＦ電源」は、本件発明１の「上壁を誘電板で構成した真空容器」、「誘電板の外側に設けた渦形放電コイル」、「高周波電源」に相当するから、両者は、
「上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電源よりなるプラズマ処理装置であって、前記渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成され、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面との距離が大きくなるように構成したプラズマ装置」で一致し、以下の点で相違している。
　本件発明１は、「誘電板の内壁面および外壁面は平面」として構成したものであるのに対し、先願発明２は誘電体プレートが「反応容器中央部で厚く、周辺部で薄く」構成されている点、。
　そして、この相違点が単なる設計上の微差であるとすることはきない。
　したがって、本件発明１が、先願発明２と同一であるとすることはできない。　また、本件発明２、３は、本件発明１を引用する発明であって、本件発明１と同様に「誘電板の内壁面および外壁面は平面」として構成したものであるところ、当該構成が先願明細書２に記載されていないことは前記したとおりであるから、本件発明２、３も先願発明２と同一であるとすることはできない。
　
（３）異議申立の理由（３）について
　本件発明１〜３はいづれも「誘電板の内壁面および外壁面は平面で、かつ渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成され、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面との距離が大きくなるようにした構成」を有するもの（以下、「本件発明１〜３の構成Ａ」という）である。
　これに対して、刊行物１には、前記「３．（３）」に示したとおりの構成が記載されているから、刊行物１には、「上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの両端に高周波電圧を印加する高周波電源よりなるプラズマ処理装置」が記載されていると認められるものの、本件発明１〜３の構成Ａについて示唆する記載はない 。
　また、刊行物２には前記「３．（４）」に示したとおりの構成が記載されているから、刊行物２には、「上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けた渦形放電コイルとこの渦形放電コイルの両端に高周波電圧を印加する高周波電源よりなるプラズマ処理装置」が記載されていると認められるものの、本件発明１〜３の構成Ａについて示唆する記載はない。
　また、刊行物１、２の記載を総合しても、本件発明１〜３の構成Ａを想到することが当業者にとって容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明１〜３は、本件発明１〜３の構成Ａを有することにより、訂正明細書の段落【００２４】に記載の、「誘電板の内壁面のうち、中心部分が特にスパッタリングされることを防ぐことができる。」という格別な作用効果を奏するものである。
　してみると、本件発明１〜３は、刊行物１、２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
５．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する理由および提出した証拠によっては、本件発明１〜３の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３の特許を取り消すべき理由を発見しない。
  よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月９日（２００２．７．９）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
〈特許請求の範囲の減縮を目的として〉
（１）訂正事項Ａ
　請求項１の「渦形放電コイルは、」を「渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成され、」に訂正する。
（２）訂正事項Ｂ
　特許請求の範囲の請求項２の「この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加する」を「この渦形放電コイルの一端は接地し、前記コイルの渦の中心に高周波電圧を印加する」に訂正する。
〈明りょうでない記載の釈明を目的として〉
（３）訂正事項Ｃ
　明細書【００１１】欄の「渦形放電コイルは、中心に近いほど誘電板の内壁面との距離が大きい構造（以下、ドーム状渦形放電コイル）とする。」を「渦形放電コイルの形状は、その渦の中心に近いほど前記誘電板の内壁面と前記コイルとの距離が大きくなるように形成（以下、ドーム状渦形放電コイル）する。更に、渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧を印加し、他端は接地されるように構成される。」に訂正する。
（４）訂正事項Ｄ
　明細書【００２４】欄の「渦形放電コイルの形状をドーム状とすること」を「渦形放電コイルの形状は、その渦の中心に近いほど前記誘電板の内壁面と前記コイルとの距離か大きくなるように形成したドーム状であり、前記コイルの渦の中心に高周波電圧を印加し、他端は接地されること」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電源よりなるプラズマ処理装置であって、
　前記誘電板の内壁面および外壁面は平面で、かつ前記
渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧が印加され、前記コイルの他端は接地されるように構成され、
　【請求項２】　上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けた渦形放電コイルと、
この渦形放電コイルの一端は接地し、前記コイルの渦の中心に高周波電圧を印加する
　前記誘電板の内壁面および外壁面を平面として、かつ渦形放電コイルが、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面との距離が大きくなるように形成してプラズマ処理を行なうプラズマ処理方法。
　【請求項３】　渦形放電コイルの一部または全部が多重の渦形であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、ドライエッチング、スパッタリング、プラズマＣＶＤ等のプラズマ処理装置および方法に関し、特に高周波誘導方式のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、半導体素子の微細化に伴って、ドライエッチング技術においては高アスペクト比の加工を実現するために、またプラズマＣＶＤ技術においては高アスペクト比の埋め込みを実現するために、より高真空でプラズマ処理を行うことが求められている。
　【０００３】
　例えば、ドライエッチングの場合においては、高真空において高密度プラズマを発生させると、被処理物である基板の表面に形成されるイオンシース中でイオンが中性ガス粒子等と衝突する確率が小さくなるために、イオンの方向性が被処理物の表面に垂直な方向に揃うことになる。また、処理ガスの電離度が高いために基板に到達するイオン入射粒子束の中性ラジカルに対する比率が大きくなる。したがって、エッチング異方性が高められ、高アスペクト比の加工が可能となる。
　【０００４】
　また、プラズマＣＶＤの場合においては、高真空において高密度プラズマを発生させると、イオンによるスパッタリング効果によって微細パターンの埋め込み・平坦化作用が得られ、高アスペクト比の埋め込みが可能となる。
　【０００５】
　高真空において高密度プラズマを発生させることができるプラズマ処理装置の１つとして、平面状渦形放電コイルに高周波電圧を印加することによって真空容器内にプラズマを発生させる高周波誘導方式のプラズマ処理装置がある。この方式のプラズマ処理装置は、真空容器内に高周波磁界を発生させ、その高周波磁界によって真空界器内に誘導電界を発生させて電子の加速を行い、プラズマを発生させるもので、放電コイル電流を大きくすれば高真空においても高密度プラズマを発生することができ、十分な処理速度を得ることができる。
　【０００６】
　従来の高周波誘導方式のプラズマ処理装置の一例を図４に示す。図４は従来のプラズマ処理装置の断面を示したものである。真空容器１の上壁は石英ガラスよりなる誘電板３で構成される。この誘電板３上には図５の平面図に示す平面状渦形放電コイル９が配されている。この平面状渦形放電コイル９に高周波電圧を印加するために、平面状渦形放電コイル９の中心、点Ａはコイル用高周波電源２に接続されており、また平面状渦形放電コイル９の他端、点Ｂは接地されている。
　【０００７】
　ガス供給口７より処理ガスを真空容器１内に導入しながら、ガス排気口８より排気を行い、真空容器１内を適当な圧力に保つ。このとき平面状渦形放電コイル９に高周波電圧を印加すると真空容器１内にプラズマが発生し、電極５上に載置されたシリコン基板６に対してエッチング、堆積、表面改質等のプラズマ処理を行うことができる。このとき電極用高周波電源１０を用いて電極５にも高周波電圧を印加することにより、シリコン基板６に到達するイオンエネルギーを制御することができる。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、図４に示した従来のプラズマ処理方法では、誘電板の内壁面のうち、中心付近がスパッタリングされ、誘電板３を構成する物質が基板６上に降り落ちたり、基板６の表面に不純物として取り込まれてしまうという問題点や、誘電板３の寿命が短いという問題点があった。これは誘電板３の上に配される平面状渦形放電コイル９に印加される高周波電圧の振幅が平面状渦形放電コイル９の中心点Ａに近いほど大きく、誘電板３の内壁面のうち、中心付近が大きく負に帯電するためである。
　【０００９】
　この問題を回避する方法として、図６に示すように誘電板３の中心付近を厚くして、平面状渦形放電コイル９と誘電板３の内壁面との距離が、平面状渦形放電コイル９の中心付近で大きくなるようにすることにより、誘電板３の内壁面のうち、特に中心付近で発生する負の帯電を緩和することが考えられた。しかし、このような構成では誘電板３の内壁面に角部が存在している。誘電板３に付着する処理ガスによる堆積物は、その膜厚が一定以上になると剥がれ落ち、基板６を汚染してしまうが、角部では平面部よりも膜厚が小さい段階で、堆積物が剥がれ落ちてしまう。従って、角部が存在する誘電板３にあっては、堆積物を取り除くメンテナンスを行う頻度が高くなるという問題点がある。また、誘電板３の内壁面の形状が複雑であるため、メンテナンス作業の効率が悪いという問題点もある。
　【００１０】
　本発明は上記従来の問題点に鑑み、誘電板３の内壁面のうち、中心付近で特に発生するスパッタリングを抑制するとともに、メンテナンス頻度が低く、メンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理装置および方法を提供することを目的としている。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　上記の課題を解決するために本発明では、プラズマ処理装置において、真空容器の上壁を構成する誘電板の内壁面および外壁面を平面とし、誘電板の外側に設けられる
渦形放電コイルの形状は、その渦の中心に近いほど前記誘電板の内壁面と前記コイルとの距離が大きくなるように形成（以下、ドーム状渦形放電コイル）する。更に、渦形放電コイルは、その渦の中心に高周波電圧を印加し、他端は接地されるように構成される。
　【００１２】
　また、誘電板の内壁面が平面であることから、誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理装置および方法を提供することが可能となる。
　【００１３】
　【発明の実施の形態】
　本発明の請求項１に記載の発明は、上壁を誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けたドーム状渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電源よりなるプラズマ処理装置である。なお、前記誘電板の内壁面および外壁面は平面である。
　【００１４】
　本発明によれば、誘電板の内壁面のうち、特に中心付近がスパッタリングされることを防ぐことができる。また、誘電板の内壁面が平面であることから、誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理装置を提供することが可能となる。
　【００１５】
　本発明の請求項２に記載の発明は、上壁は誘電板で構成した真空容器と、この誘電板の外側に設けたドーム状渦形放電コイルと、この渦形放電コイルの中心に高周波電圧を印加するための高周波電源とを用いて行うプラズマ処理方法であり、前記誘電板の内壁面および外壁面は平面となっている。
　【００１６】
　本発明によれば、誘電板の内壁面のうち、特に中心付近がスパッタリングされることを防ぐことができる。また、誘電板の内壁面が平面であることから、誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低く、かつメンテナンス作業の効率に優れたプラズマ処理が可能となる。
　【００１７】
　本発明の請求項３に記載の発明は、渦形放電コイルの一部または全部を多重の渦形放電コイルで構成するプラズマ処理装置である。
　【００１８】
　本発明によれば渦形放電コイルのインダクタンスが極めて小さくなるため、高周波電源と渦形放電コイルのマッチング特性が優れたプラズマ処理装置を提供することができる。
　【００１９】
　以下、本発明の一実施形態について図１および図２を用いて説明する。図１に本発明の実施の形態であるプラズマ処理装置の断面図を示す。真空容器１の上壁は石英ガラスよりなる誘電板３で構成される。この誘電板３の外壁面上に沿ってドーム状渦形放電コイル４が配されている。このドーム状渦形放電コイル４は図２に示すように多重すなわち４つのドーム状渦形放電コイルによって構成されている。これら４つのドーム状渦形放電コイル４に高周波電圧を印加するために、それぞれのドーム状渦形放電コイル４の中心、点Ａはコイル用高周波電源２に接続されており、またドーム状渦形放電コイル４のそれぞれの他端、点Ｂ１ないしＢ４は接地されている。
　【００２０】
　図１においてガス供給口７よりＣ４Ｆ８とＨ２の混合ガスを真空容器１内に導入しながら、ガス排気口８より排気を行い、真空容器１内の圧力を１０ｍＴｏｒｒに保つ。このときコイル用高周波電源２によりドーム状渦形放電コイル４に１０００Ｗの高周波電圧を印加することにより真空容器１内にプラズマを発生させ、電極５上に載置されたシリコン基板６に対してエッチングを行うことができる。このとき電極用高周波電源１０を用いて電極５にも３００Ｗの高周波電圧を印加することにより、シリコン基板６に到達するイオンエネルギーを制御することができる。Ｃ４Ｆ８とＨ２の流量はそれぞれ５０ｓｃｃｍ、１５ｓｃｃｍである。
　【００２１】
　この条件下で５００ｎｍ厚のシリコン酸化膜付きのシリコン基板６を、１枚当たり約１分３０秒の時間をかけて１００枚連続でエッチングした。比較のために図４および図６に示した従来のプラズマ処理装置を用いて実験を行った。この結果、図４に示した従来のプラズマ処理装置では誘電板３の内壁面の中心付近がスパッタリングされ、また図６に示した従来のプラズマ処理装置においては、誘電板３の内壁面に付着する堆積物であるフッ化炭素系ポリマーがシリコン基板６の上に落下して付着したのに対して、本発明のプラズマ処理装置においては誘電板３のスパッタリングや、シリコン基板６への堆積物の落下は認められなかった。
　【００２２】
　本実施の形態では、ドーム状渦形放電コイル４として、多重のドーム状渦形放電コイル４を用いたが、図３（ａ）または（ｂ）に示すような一部多重のドーム状渦形放電コイル、あるいは多重ではない単一のドーム状渦形放電コイル、すなわち図５に示した平面状渦形放電コイル９をドーム状にしたものを用いてもよい。
　【００２３】
　また、本実施の形態では、ドーム状渦形放電コイル４を、外壁がドーム形状である誘電板３で支える方法を示したが、誘電板３の内壁面が平面でかつ渦形放電コイルがドーム状であれば、本発明の効果は得られる。従って、例えば誘電板３は内壁面および外壁面がともに平面で、ドーム状渦形放電コイル４が上方から吊り下げられる構成でもよい。
　【００２４】
　【発明の効果】
　以上のように本発明では、プラズマ処理装置において、真空容器の上壁を構成する誘電板の内壁面を平面とし、誘電板の外側に設ける
渦形放電コイルの形状は、その中心に近いほど前記誘電板の内壁面と前記コイルとの距離が大きくなるように形成したドーム状であり、前記コイルの渦の中心に高周波電圧を印加し、他端は接地されること
　【００２５】
　また、誘電板の内壁面に角部が存在しないために、付着した堆積物が剥がれにくく、誘電板の堆積物を取り除くメンテナンス作業の頻度が低いという効果を有する。さらに誘電板の内壁面が平面であることから、メンテナンス作業の効率が優れているという効果も併せもつ。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施の形態で用いたプラズマ処理装置の断面図
　【図２】
　本発明の実施の形態で用いた多重のドーム状渦形放電コイルの平面図
　【図３】
　一部多重のドーム状渦形放電コイルの平面図
　【図４】
　従来のプラズマ処理装置の断面図
　【図５】
　平面状の渦形放電コイルの平面図
　【図６】
　従来のプラズマ処理装置の断面図
　【符号の説明】
　１　真空容器
　２　コイル用高周波電源
　３　誘電板
　４　ドーム状渦形放電コイル
　５　電極
　６　シリコン基板
　７　ガス供給口
　８　ガス排気口
　９　平面状渦形放電コイル