(57)【要約】  ＩＣチップを有し、外部の読取装置と非接触でデータ通信可能な非接触ＩＣラベルであって、透明なラベル基材と、ラベル基材の下面に設けられた光学変化デバイスと、光学変化デバイスの下面に接合されて設けられ、ＩＣチップのアンテナとして機能する導電層と、ＩＣチップと電気的に接続された接続層と、導電層と接続層との間に設けられ、導電層と接続層とを電気的に結合させるための絶縁層と、導電層と接続層の少なくとも前記接続層に設けられ、導電層とＩＣチップとのインピーダンスを調節するインピーダンス調節部とを有する。
2010055683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップを有し、外部の読取装置と非接触でデータ通信可能な非接触ＩＣラベルであって、
透明なラベル基材と、
前記ラベル基材の下面に設けられた光学変化デバイスと、
前記光学変化デバイスの下面に接合されて設けられ、前記ＩＣチップのアンテナとして機能する導電層と、
前記ＩＣチップと電気的に接続された接続層と、
前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記導電層と前記接続層とを電気的に結合させるための絶縁層と、
前記導電層と前記接続層の少なくとも前記接続層に設けられ、前記導電層と前記ＩＣチップとのインピーダンスを調節するインピーダンス調節部と、
を有する非接触ＩＣラベル。
【請求項２】
前記インピーダンス調節部は、前記接続層に設けられた切り欠けによって形成される第１のループ回路からなる請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項３】
前記インピーダンス調節部は、前記接続層と、前記導電層と、前記接続層と前記導電層とを電気的に接続する容量結合部とによって形成された第２のループ回路を有する請求項２に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項４】
前記第２のループ回路の長さは、前記第１のループの長さ以上である請求項３に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項５】
前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記ラベル基材上から前記接続層を可視光下で視認することを不能にする絶縁性の隠蔽層をさらに備える請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項６】
前記ＩＣチップには、書き換え不能の識別コードが記録されている請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項７】
前記ラベル基材と前記光学変化デバイスとの間に設けられる剥離層を更に有する請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項８】
前記隠蔽層として、耐熱温度が、１８０度以上の材料を用いる請求項５に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項９】
前記導電層の厚さは、１０ｎｍ以上、１μｍ未満未満であり、
前記接続層の厚さは、１μｍ以上、２０μｍ以下である請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項１０】
透明なラベル基材と、
前記ラベル基材の下面に設けられた光学変化デバイスと、
前記光学変化デバイスの下面に接合されて設けられ、前記ＩＣチップのアンテナとして機能する導電層と、
前記ＩＣチップと電気的に接続された接続層と、
前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記導電層と前記接続層とを電気的に結合させるための絶縁層と、
前記導電層と前記接続層の少なくとも前記接続層に設けられ、前記導電層と前記ＩＣチップとのインピーダンスを調節するインピーダンス調節部と、
を有する非接触ＩＣラベルが接着されたことを特徴とする物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的な視覚効果を呈する光学変化デバイスを備え、外部のデータ読取装置との間で、非接触でデータの送受信をすることができる非接触ＩＣラベルに関する。
本願は、２００８年１１月１４日に、日本に出願された特願２００８−２９２５２２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
従来、小売店やレンタル店等における商品管理に、ＩＣチップとアンテナとを備えた非接触ＩＣラベルが使用されている。これは、非接触ＩＣラベルを、管理する商品を被接着体として取り付け、専用のデータ読み書き装置でＩＣチップに格納されたデータを読み書きし、商品の出入庫管理、在庫管理、貸し出し管理等を行うものである。ＩＣチップを備えている為、商品コードだけでなく、入荷日、担当者等の豊富な情報を商品と一体で管理することができる。特に物品管理等においては、静電結合や電磁誘導を用いたものに比べ通信距離が１〜２ｍと長いことからマイクロ波を用いた非接触ＩＣラベルが多く利用されている。【０００３】
また、非接触ＩＣラベルが普及するにつれ、非接触ＩＣラベルに光学変化デバイス（optical variable device:以下、「ＯＶＤ」と称する。）を組み合わせることが期待されている。ＯＶＤとは、光の干渉を用いて立体画像や特殊な装飾画像を表現できるホログラムや回折格子、光学特性の異なる薄膜を重ねることにより見る角度により色の変化を生じる多層薄膜の総称である。これらＯＶＤは立体画像や色の変化といった独特な印象を与えるため、優れた装飾効果を有しており、各種包装材や絵本、カタログ等の一般的な印刷物に利用されている。さらに、ＯＶＤは高度な製造技術を要することから偽造防止手段としてクレジットカード、有価証券、証明書類等にも利用されている。【０００４】
上述の非接触ＩＣラベルとＯＶＤとを組み合わせると、非接触ＩＣラベルのデータ読み書き機能とＯＶＤの偽造防止機能や装飾効果を組み合わせることによって、より高レベルの偽造防止効果を実現したり、偽造防止効果又は装飾効果と商品管理機能を併せ持つラベルを構成したりすることができる等の利点がある。
一例として、導電性金属層を配した金属薄板の所要位置にホログラム加工を施して前記導電性金属層をアンテナパターンとした非接触型データ送受信体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−４２０８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の非接触型データ送受信体においては、さらに美観を向上させて物品等に取り付けた際に意匠効果を発揮させるために、金属性の導電層を蝶や花等の所望の平面形状に形成することが期待されている。【０００７】
しかしながら、導電層の平面形状が変化すれば、そのインピーダンスも変化する。そのため、実装するＩＣチップの内部インピーダンスとのアンマッチングが生じることがある。このような場合、単に導電層とＩＣチップとを接続するだけでは、通信距離が短くなったり、全く通信が不能となったりして、所望の通信特性を確保することが困難であるという問題がある。【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、導電層を所望の形状にしても、通信特性を良好に保持することができる非接触ＩＣラベルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様である非接触ＩＣラベルは、ＩＣチップを有し、外部の読取装置と非接触でデータ通信可能な非接触ＩＣラベルであって、透明なラベル基材と、前記ラベル基材の下面に設けられた光学変化デバイスと、前記光学変化デバイスの下面に接合されて設けられ、前記ＩＣチップのアンテナとして機能する導電層と、前記ＩＣチップと電気的に接続された接続層と、前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記導電層と前記接続層とを電気的に結合させるための絶縁層と、前記導電層と前記接続層の少なくとも前記接続層に設けられ、前記導電層と前記ＩＣチップとのインピーダンスを調節するインピーダンス調節部とを有する。【００１０】
なお、「下面」とは、非接触ＩＣラベルが物品等の被接着体に貼りつけられる際に、当該被接着体に対向する側の面を指す。【００１１】
本発明の非接触ＩＣラベルによれば、インピーダンス調節部によって、ＩＣチップと導電層とのアンマッチングが解消されるので、導電層の形状にかかわらず、非接触ＩＣラベルの通信特性を一定レベルに保持することが可能となる。【００１２】
前記インピーダンス調節部は、前記接続層に設けられた切り欠けによって形成される第１のループ回路からなってもよい。この場合、切り欠けの形状を変更することで、導電層の形状変化に容易に対応することができる。【００１３】
前記インピーダンス調節部は、前記接続層と、前記導電層と、前記接続層と前記導電層とを電気的に接続する容量結合部とによって形成されてもよい。【００１４】
前記第２のループ回路の長さは、前記第１のループの長さ以上であってもよい。【００１５】
前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記ラベル基材上から前記接続層を可視光下で視認することを不能にする絶縁性の隠蔽層をさらに備えてもよい。この場合、接続層が導電層の外観を損なうことがなく、非接触ＩＣラベルの外観をさらに向上させることができる。【００１６】
前記ＩＣチップには、書き換え不能の識別コードが記録されてもよい。この場合、よりセキュリティ性を向上させることができる。【００１７】
前記ラベル基材と前記光学変化デバイスとの間に設けられる剥離層を更に有してもよい。【００１８】
前記隠蔽層として、耐熱温度が、１８０度以上の材料を用いてもよい。【００１９】
前記導電層の厚さは、１０ｎｍ以上、１μｍ未満未満であり、前記接続層の厚さは、１μｍ以上、２０μｍ以下であってもよい。【００２０】
本発明の第２の態様である物品は、透明なラベル基材と、前記ラベル基材の下面に設けられた光学変化デバイスと、前記光学変化デバイスの下面に接合されて設けられ、前記ＩＣチップのアンテナとして機能する導電層と、前記ＩＣチップと電気的に接続された接続層と、前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記導電層と前記接続層とを電気的に結合させるための絶縁層と、前記導電層と前記接続層の少なくとも前記接続層に設けられ、前記導電層と前記ＩＣチップとのインピーダンスを調節するインピーダンス調節部とを有する非接触ＩＣラベルが接着される。
本発明の物品によれば、非接触ＩＣラベルによって高い意匠効果が付与され、かつ導電層の形状にかかわらず良好な通信特性を確保することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の非接触ＩＣラベルによれば、導電層を所望の形状にしても、通信特性を良好に保持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態の非接触ＩＣラベルを示す平面図である。
【図２】同非接触ＩＣラベルの底面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】同非接触ＩＣラベルの接続層及びＩＣチップの拡大図である。
【図５】同接続層のＩＣチップ実装部位周辺を拡大して示す図である。
【図６】同非接触ＩＣラベルの実施例を示す図である。
【図７】本発明の実施例及び比較例を用いた場合の結果を示す表である。
【図８】本発明の変形例の非接触ＩＣラベルにおける接続層のＩＣチップ実装部位周辺を拡大して示す図である。
【図９】本発明の第２実施形態の非接触ＩＣラベルのＡ−Ａ線における断面図である。
【図１０Ａ】本発明の第３実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１０Ｂ】本発明の第３実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１０Ｃ】本発明の第５実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１０Ｄ】本発明の第６実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１１Ａ】本発明の第７実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１１Ｂ】本発明の第８実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ａ】本発明の第９実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｂ】本発明の第１０実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｃ】本発明の第１１実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｄ】本発明の第１２実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｅ】本発明の第１３実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｆ】本発明の第１４実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１３】本発明の第１５実施形態によるＩＣラベルの説明図である。
【図１４Ａ】本発明の第１６実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１４Ｂ】本発明の第１７実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１５】隠蔽層の製造方法の一例を示す図である。
【図１６】隠蔽層８として、所定の樹脂を用いた場合における耐熱温度、密着性、ホログラム白化・基材収縮の有無を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態の非接触ＩＣラベル（以下、単に「ＩＣラベル」と称する。）について、図１から図８を参照して説明する。
図１は本実施形態のＩＣラベル１を示す平面図であり、図２はＩＣラベル１の底面図である。図１及び図２に示すように、ＩＣラベル１は、ラベル基材２、導電層３、接続層４、ＩＣチップ５を備えている。
ラベル基材２は、ＩＣラベル１の上面に設けられた透明な基材である。
導電層３は、ラベル基材２の下面側に設けられる。なお、下面とは、ＩＣラベル１が被着体に貼り付けられる際に、当該被着体に対向する面をいい、以下、各層において同様の面を「下面」と称する。導電層３は、ダイポールアンテナやループアンテナの放射素子として機能する。
接続層４は、導電層３の下面側に設けられる。導電層３は通常のアンテナに比べて薄いため、接続層４が用いられる。接続層４は、導電性粒子を含む導電性インキを用いた印刷により形成したり、ＰＥＴ又はＰＥＮ等のフィルム上に形成された銅、アルミ等の導体により形成したり、銅、アルミ等の導体を箔押ししたり、予めＰＥＴ又は紙等の基材に形成された銅、アルミ等の導体を接着したりすることにより形成する。
ＩＣチップ５は、接続層４に実装される。ＩＣチップ５と電気的に接続された接続層４単体でもタグとしての機能を有しているが、導電層３を積層することにより、更に通信性能（通信距離）を向上させることができる。
【００２４】
ラベル基材２は、導電層３が視認できるような透明の樹脂等からなる。具体的には、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、アクリロニトリル、ブタジエン、スチレン共重合合成樹脂（ＡＢＳ）等の樹脂等からなる透明なシート状の材料を好適に採用することができる。なお、ラベル基材２は、下方の導電層３が視認できれば、必ずしも無色でなくてもよく、透明性を有する有色の材料で形成されてもよい。
【００２５】
図３は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。ラベル基材２の導電層３に対向する面には、ＯＶＤとして機能する機能層６が形成されている。機能層６は、立体画像が表現されたり、見る角度によって色が変化するカラーシフトを生じたりする層状の構造である。機能層６は、レリーフ型や体積型のホログラム、複数種類の回折格子が画素として配置されたグレーティングイメージやピクセルグラム等の回折格子画像、カラーシフトを生じるセラミクスや金属材料の薄膜積層体等が、適宜選択されて公知の方法により形成される。
これらの中では、量産性やコストを考慮すると、レリーフ型ホログラム（回折格子）や多層薄膜方式のものが好ましい。
【００２６】
導電層３は、アルミ等の金属を機能層６上に蒸着することによって蒸着膜として形成される。導電層３は、ポリアミドイミド等からなる所望の形状のマスク層（絶縁層）７で被覆し、金属蒸着を部分的に取り除くディメタライズ処理を施すことによって、所望の形状に形成して意匠性が高められている。本実施形態のＩＣラベル１においては、図１及び図２に示すように、一例として導電層３が蝶の形に形成されている。
【００２７】
導電層３は、マスク層７を挟んで接続層４と電気的に結合し、その結果導電層３とＩＣチップ５とが電気的に接続されて、ＩＣチップ５の非接触通信が可能となるとともに、機能層６が発揮する視覚効果を高める。なお、本願明細書において、電気的に結合には、静電容量結合、磁界結合、直接的な結合が含まれる。直接的な接合は例えば導電性接着剤、導電性ペースト、超音波融着、抵抗溶接、レーザー溶接等によって実現される。機能層６の視覚効果は、導電層３が下方に配置されなくても一応視認可能である。特に機能層６がレリーフホログラムや回折格子等の場合は、機能層６の下方に導電層３が配置されることによってこれらの視覚効果が高められる。これにより美麗なデザインを得られると共に偽造防止にも効果を発揮する。
【００２８】
マスク層７の下面及びラベル基材２の下面のうち導電層３が形成されていない領域には、ＩＣラベル１を上面から見たとき（平面視）に接続層４を可視光下で視認不能にするための隠蔽層８が設けられている。隠蔽層８としては黒色のいわゆる墨印刷層等を好適に採用することができるが、他の色彩を有するものでもよい。また、隠蔽層８を形成するインキ等の材料を適宜選択すれば、その上に形成する接続層４を良好に定着させることが可能である。
【００２９】
ＯＶＤの意匠効果を発揮させるための金属性の導電層３は、一般的には蒸着法により形成される。蒸着法で形成する場合、厚みは数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度の薄膜である。このような薄膜にＩＣチップ５を実装しようとすると、実装時にかかる圧力によりバンプなどのＩＣチップ５の接続部分が薄膜を突き破り導通をとれず、断線することがある。
本発明の実施形態のように、ある程度厚みのある導電性の接続層４を用いてこれにＩＣチップ５を接続させ、接続層４と金属性の導電層３を電気的に接続することにより、安定した接続をとることができる。
導電層３の厚さは、１０ｎｍ以上、１μｍ未満であることが好ましく、更に好ましくは、２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下とすると良い。
接続層４の厚さは、１μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは２μｍ以上、１０μｍ以下とすると良い。
【００３０】
図４は、接続層４及びＩＣチップ５の拡大図である。ＩＣチップ５と導電層３とを電気的に接続する接続層４は、導電性粒子を含む導電性インキを用いて隠蔽層８の下面に公知の方法で印刷されることによって、例えば図２に示すように帯状に形成される。導電性インキとしては、銀ペースト等を好適に使用することができる。接続層４の端部は、図２に示すように、平面視において導電層３と重なるように、かつ、接続層４のＩＣチップ実装部およびインピーダンス調整部１１は、平面視において導電層３と重ならないように、形成されている。
【００３１】
ＩＣチップ５は、シリコンの単結晶等からなり、図３に示すように、バンプ９が異方性導電性接着剤（ＡＣＰ）１８等を用いて加熱加圧接着されることによって接続層４に電気的に接続されて実装される。ＡＣＰ１８を用いた実装に代えて、超音波実装等によってＩＣチップ５が接続層４に実装されてもよい。
【００３２】
導電層３と接続層４とは、両者の間に介在する絶縁性のマスク層７及び隠蔽層８を誘電体として静電容量結合されて電気的に接続されており、ＩＣチップ５が、外部の読取装置と電波方式の非接触データ通信が可能である。ＩＣチップ５と外部の読取装置との通信に使用可能な周波数は、マイクロ波帯（２．４５ギガヘルツ以上）及びＵＨＦ波帯（８５０〜９５０メガヘルツ）となっているが、マイクロ波帯を使用するものを用いると、接続層４及び導電層３の寸法をより小さくすることができ、ＩＣラベル１をより小型化することが可能である。
【００３３】
ＩＣチップ５は、図４に示すように、帯状の接続層４の下面において、長手方向中心付近の領域Ｒ１に実装されており、ＩＣチップ５の両側に延びる接続層４の長さが略同一となっている。そして、ＩＣチップ５の周囲には、導電層３のインピーダンスとＩＣチップ５の内部インピーダンスとが同等となるように調節するためのインピーダンス調節部１１が設けられている。なお、本願明細書において、インピーダンスは、虚部のインピーダンスについてのみについて述べる。
【００３４】
図５にさらに拡大して示すように、インピーダンス調節部１１は、接続層４の幅方向に延びる第１スリット１２と、接続層４の長手方向に延びる第２スリット１３との２本のスリットから形成されている。なお、図５においては、図を見やすくするため、ＩＣチップ５を除いて示している。
【００３５】
第１スリット１２は、接続層４の幅方向の一方の端部から接続層４の幅方向に延び、接続層４を２つに分断しないように、もう一方の端部の手前の任意の位置で終わるように形成されている。第２スリット１３は、第１スリット１２と連通するように形成されている。そして、ＩＣチップ５は、バンプ９が第１スリット１２を挟んで両側に位置するように接続層４に実装されている。
【００３６】
このように実装されたＩＣチップ５及び接続層４においては、図５に矢印Ｄ１で示すように、実装されたＩＣチップよりも第２スリット１３側の接続層がコイル状のループを形成し、一方のバンプ９から当該ループを通って他方のバンプ９に流れる電流のループが形成される。この電流によって生じるリアクタンスはインピーダンス調節部１１の形状によって変化するため、インピーダンス調節部１１の形状を適宜変更することによって導電部３のインピーダンスとＩＣチップ５のインピーダンスとのマッチングを行うことが可能となる。
【００３７】
導電層３のインピーダンスはその形状によって変化するため、インピーダンス調節部１１の形状もそれに伴って適宜変更することが必要である。具体的には、第１スリット１２の長さＬ１、第２スリット１３の長さＬ２及び幅Ｗ１、及びＩＣチップ５の第１スリット１２の長手方向における実装位置等のパラメータを適宜変更しながら外部読取装置との通信可能距離を計測することによって、所望の通信特性が確保できる各パラメータ値を確定してインピーダンス調節部１１の形状を決定することができる。
【００３８】
このほか、ＩＣラベル１の通信特性は、ＩＣラベル１が貼り付けられる被着体の誘電率や、接続層４の導電層３に対する位置関係によっても変化する。したがって、インピーダンス調節部１１の形状を決定するにあたっては、ＩＣラベル１が実際の被着体に貼り付けられた状態で、インピーダンス調節部１１の形状を変化させたり、接続層４と導電層３との位置関係を変化させたりしながら上記の実験を行うことによって決定されるのが好ましい。
【００３９】
また、ＩＣチップ５として、１個１個異なる識別コード（ユニークＩＤ、以下、「ＵＩＤ」と称する。）が書き換え不能に記録されたものが用いられてもよい。このようなＩＣチップを用いると、ＵＩＤを読み取り利用することによって、そのＩＣチップ（又はそのＩＣチップが付いたＩＣラベル）のトレーサビリティを確保し、セキュリティを向上させることができる。
このようなＩＣチップとしては、商品名ミューチップ（（株）日立製作所製）を好適に採用することができる。ミューチップは、通信周波数として２．４５ギガヘルツ以上のマイクロ波帯を使用するものであるため、ＩＣラベル１を小型化するにあたっても好都合である。
【００４０】
図３の説明に戻って、ＩＣチップ５及び接続層４を含む隠蔽層８の下面側には、接着層１５を介して樹脂シート１６が設けられている。さらに、樹脂シート１６の下方には接着層１７が設けられており、ＩＣラベル１の下面を各種物品等の被着体に接着することができる。
必要に応じて、接着層１７に剥離紙等のセパレータが取り付けられ、被着体への貼付時まで接着層１７が保護されてもよい。
【００４１】
上記のように構成されたＩＣラベル１は、例えば以下のような手順で製造することが可能である。すなわち、ラベル基材２の下面に機能層６を形成し、機能層６の下面に導電層３を形成するための金属蒸着膜を設ける。次に、マスク層７を用いて導電層３を所望の形状に形成し、さらに導電層３の下面に隠蔽層８及び接続層４を順番に印刷によって設け、ＩＣチップ５を接続層４に実装する。最後に接着層１５、樹脂シート１６、及び接着層１７を設けることによってＩＣラベル１が完成する。
なお、隠蔽層８及び接続層４については、例えば、多色スクリーン印刷機で最初に隠蔽層８を印刷し、続いて接続層４を印刷し、その印刷直後に乾燥工程を入れることで効率的に製造することが可能である。
【００４２】
以上説明してきた本実施形態のＩＣラベル１について、実施例及び比較例を用いてさらに説明する。
（実施例１）
ラベル基材２として、厚さ５０マイクロメートル（μｍ）のＰＥＴ製シートを使用した。ラベル基材２の下面に機能層６を形成したあと、蒸着とマスク層７とを用いて、図１に示すように、縦方向の寸法が約２６ミリメートル（ｍｍ）の蝶の形（以下、「デザインＺ１」と称する。）に形成されたアルミニウムからなる薄膜の導電層３を形成した。機能層６及び導電層３の下面全体を覆うように、印刷によって厚さ４μｍの墨印刷からなる隠蔽層８を形成した。
【００４３】
さらに、長手方向の寸法１５ｍｍ、幅方向の寸法４ｍｍ、厚さ６μｍの接続層４を、銀ペーストを用いて印刷により形成した。インピーダンス調節部１１の寸法は、予め行った実験に基づき、第１スリット１２の長さＬ１、第２スリット１３の長さＬ２及び幅Ｗ１を、それぞれ２．５ｍｍ、５．０ｍｍ、０．３ｍｍに設定した。第２スリット１３は、長手方向中央が第１スリット１２と接続されるように設定した。
【００４４】
接続層４の形成後、上述のミューチップをＩＣチップ５として異方性導電材料を用いて接続層４の下面に実装した。ＩＣチップ５の実装位置は、第１スリット１２の開口（接続層４の幅方向端部と連通する部分）側の端部から２．０ｍｍの位置とした。さらに厚さ２０μｍの接着層１５を介して厚さ１０μｍのＰＥＴ製フィルムを樹脂シート１６として取り付け、さらに厚さ２０μｍの接着層１７を設けて本実施例のＩＣラベル１Ａを得た。
【００４５】
（比較例１）
比較例１のＩＣラベルは、上述の実施例１とほぼ同様の手順で作成したが、接続層４にはインピーダンス調節部１１を設けなかった。ＩＣチップ５の実装位置は実施例１と同様とした。
【００４６】
（実施例２）
実施例２のＩＣラベル１Ｂは、概ね実施例１のＩＣラベル１と同様の手順で作成したが、導電層３Ｂの形状は、図６に示すような巻貝をモチーフとした形状（以下、「デザインＺ２」と称する。）とした。導電層３Ｂの図６における縦方向の寸法は約３０ｍｍとした。
【００４７】
導電層の形状がデザインＺ１からデザインＺ２に変化したことによって導電層のインピーダンスが変化するため、インピーダンス調節部１１の形状は実施例１とは異なるものとした。具体的には、予め行った実験結果に基づいて、第１スリット１２の長さＬ１、第２スリット１３の長さＬ２及び幅Ｗ１を、それぞれ２．５ｍｍ、４．０ｍｍ、０．３ｍｍに設定した。また、ＩＣチップ５（不図示）はＡＣＰ１８（不図示）を用いて接続層４に実装し、その実装位置は、第１スリット１２の開口側の端部から２．０ｍｍの位置とした。
【００４８】
（比較例２）
比較例２のＩＣラベルは、インピーダンス調節部１１を設けない点を除いて実施例２と同様の手順で作成した。
【００４９】
上記のように作成された実施例１、２、及び比較例１、２のそれぞれについて、通信特性を検討した。リーダー（読取装置）としては、ハンディタイプのもの（商品名Ｒ００１Ｍ：株式会社セコニック製）を用い、１００回読み取りを行ってすべて成功した（読取率１００％）通信距離をハイトゲージで測定し、これを通信距離とした。また、通信特性の検討は、ＩＣラベル１を被着体に貼り付けない場合、厚さ１．２ｍｍのガラス（誘電率４．５）、厚さ２ｍｍのＰＥＴシート（誘電率２．９）をそれぞれ被着体とした場合の３パターン行った。結果を図７の表に示す。
【００５０】
図７の表に示すように、デザインＺ１の実施例１及びデザインＺ２の実施例２のいずれについても、インピーダンス調節部１１を有さない対応比較例に比べて通信距離が長くなっており、通信特性が向上されることが確認された。また、その効果は被着体の種類によって若干差はあるものの、いずれのパターンにおいても発揮された。特に被着体がガラスの場合には、比較例２では通信不能（通信距離０ｍｍ）であったものが、実施例２では通信可能となり、その効果が著しいことが確認された。
【００５１】
本実施形態のＩＣラベル１によれば、接続層４にインピーダンス調節部１１が設けられているので、意匠効果を高めるために導電層３をどのような形に形成しても、導電層３のインピーダンスとＩＣチップ５のインピーダンスとのマッチングを行うことができる。したがって、所望の通信特性を確保しつつ、美観に優れた意匠効果の高いＩＣラベルとすることができ、対象物品等に貼り付けることにより、高いセキュリティやトレーサビリティ等を付与することができる。
【００５２】
また、インピーダンス調節部１１は、第１スリット１２及び第２スリット１３の２本のスリットで構成されているので、各スリット１２、１３の長さや幅等を適宜変更することによって、容易にインピーダンスの調節を行うことができる。
【００５３】
また、接続層４が銀ペースト等の導電性粒子を含む導電性インキを用いて印刷によって形成されている。そのため、実験等によってインピーダンス調節部１１の形状を確定した後、当該形状に対応した接続層４の印刷版を製造すれば、同一形状の接続層を効率よく大量に形成することができる。したがって、ＩＣラベル１の製造効率及び製造コストを低減することができる。また、接続層４及びＩＣチップ５を破壊せずに導電層３から分離することが困難となり、偽造等の不正行為が行いにくいＩＣラベルとすることができる。
【００５４】
さらに、透明なラベル基材２と接続層４との間に隠蔽層８が設けられているので、ＩＣラベル１が被接着体に接着されたときには、ＩＣラベル１の上面から接続層４を視認することができない。すなわち、使用者が視認できるのは、もっぱら所望の形に形成された導電層３と、導電層３の上面に設けられたＯＶＤとしての機能層６となる。したがって、接続層４が導電層３や機能層６の意匠性や美観を損ねることがなく、意匠性とセキュリティ性とが高いレベルで両立されたＩＣラベルを構成することができる。
【００５５】
例えば、上述の各実施形態においては、第２スリット１３の長手方向略中央において第１スリット１２と第２スリット１３とが接続されて、インピーダンス調節部１１が略Ｔ字型に形成されている例を説明したが、インピーダンス調節部１１の形状はこれには限定されない。一例としては、図８に示すように、第１スリット１２の端部と第２スリット１３の端部とが接続されて、インピーダンス調節部１１が略Ｌ字型に形成されてもよい。また、第１スリット１２と第２スリット１３とが直交することも必須ではない。
【００５６】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態が、第１実施形態と同様の部分については、説明を省略する。第２実施形態の非接触ＩＣラベルは、第１実施形態の非接触ＩＣラベル１（図１）と同様の構成を有する。
【００５７】
図９は、本発明の第２実施形態の非接触ＩＣラベルのＡ−Ａ線における断面図である。第２実施形態では、ラベル基材２と、機能層６との間に、剥離層１１０が設けられている点において、第１実施形態（図３）と異なる。
剥離層は、支持体から剥がれる層であり、用いられる材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、紫外線あるいは電子線硬化性樹脂等の有機高分子樹脂であって、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、セルロース系樹脂、ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂や、反応性水酸基を有するアクリルポリオールやポリエステルポリオール等にポリイソシアネートを架橋剤として添加、架橋したウレタン樹脂や、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化樹脂、エポキシ（メタ）アクリル、ウレタン（メタ）アクリレート等の電離放射線（紫外線あるいは電子線）硬化樹脂を、単独もしくはこれらを複合して使用できる。また、上記以外のものであっても、ラベル基材から剥離する透明な樹脂であれば適宜使用できる。これらの樹脂はグラビアコーティング、ホットメルトコーティング等の公知の各種コーティング法によって１〜２０μｍ程度形成される。
【００５８】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１０Ａは、本発明の第３実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１０Ａでは、接続層４ａの中央部に、矩形状の切り欠き１３ａが形成されている。また、切り欠き１３ａの上辺の中央部から、接続層４ａの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ａが形成されている。切り欠き１２ａをまたぐように、領域１００ａにＩＣチップ５が配置される。図１０Ａの切り欠き１１ａ（切り欠き１２ａ及び切り欠き１３ａ）における矢印１０１ａで示すループのインピーダンスと、ＩＣチップ５のインピーダンスとに基づいて、切り欠き１１ａの形状が決定される。例えば、切り欠き１１ａにおける矢印１０１ａで示す第２のループのインピーダンスが、ＩＣチップ５のインピーダンスと等しくなるように、切り欠き１１ａの形状が決定される。
【００５９】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図１０Ｂは、本発明の第３実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１０Ｂでは、接続層４ｂの中央部に、矩形状の切り欠き１３ｂが形成されている。また、切り欠き１３ｂの上辺の左端から、接続層４ｂの上辺に達するスリット状の切り欠き１２ｂが形成されている。切り欠き１２ｂをまたぐように、領域１００ｂにＩＣチップ５が配置される。図１０Ｂの切り欠き１１ｂ（切り欠き１２ｂ及び切り欠き１３ｂ）における矢印１０１ｂで示すループのインピーダンスと、ＩＣチップ５のインピーダンスとに基づいて、切り欠き１１ｂの形状が決定される。例えば、切り欠き１１ｂにおける矢印１０１ｂで示すループのインピーダンスが、ＩＣチップ５のインピーダンスと等しくなるように、切り欠き１１ｂの形状が決定される。
【００６０】
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。図１０Ｃは、本発明の第５実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１０Ｃでは、接続層４ｃの中央部に、スリット状の切り欠き１３ｃが形成されている。切り欠き１３ｃをまたぐように、領域１００ｃにＩＣチップ５が配置される。図１０Ｃの切り欠き１３ｃにおける矢印１０１ｃ−１及び１０１ｃ−２で示す第１及び第２のループで合成されるインピーダンスの値と、ＩＣチップ５のインピーダンスとに基づいて、切り欠き１３ｃの形状が決定される。例えば、切り欠き１３ｃにおける矢印１０１ｃ−１及び１０１ｃ−２で示す第１及び第２のループで合成されるインピーダンスの値が、ＩＣチップ５のインピーダンスと等しくなるように、切り欠き１３ｃの形状が決定される。
【００６１】
（第６実施形態）
次に、本発明の第６実施形態について説明する。図１０Ｄは、本発明の第６実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１０Ｄでは、接続層４ｄの上部及び下部に、矩形状の切り欠き１３ｄ−１及び１３ｄ−２が形成されている。また、切り欠き１３ｄ−１の下辺の中央部から、切り欠き１３ｄ−２の上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｄが形成されている。切り欠き１２ｄをまたぐように、領域１００ｄにＩＣチップ５が配置される。図１０Ｄの切り欠き１１ｄ（切り欠き１２ｄ、及び、切り欠き１３ｄ−１及び１３ｄ−２）における矢印１００ｄ−１及び１００ｄ−２で示す第１及び第２のループで合成されるインピーダンスの値と、ＩＣチップ５のインピーダンスとに基づいて、切り欠き１１ｄの形状が決定される。例えば、切り欠き１１ｄにおける矢印１００ｄ−１及び１００ｄ−２で示す第１及び第２のループで合成されるインピーダンスの値が、ＩＣチップ５のインピーダンスと等しくなるように、切り欠き１１ｄの形状が決定される。
【００６２】
（第７実施形態）
次に、本発明の第７実施形態について説明する。図１１Ａは、本発明の第７実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１１Ａでは、接続層４ｅの左右方向にスリット状の切り欠き１３ｅが形成されている。また、欠き１３ｅの上辺の中央部から、接続層４ｅの上辺の中央部に達するスリット状の欠き１２ｅが形成されている。また、接続層４ｅ上には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｕ字状の導電層３ｅが形成されている。接続層４ｅの両端と、導電層３ｅの両端は、平面視上それぞれ重なっており、静電結合する。欠き１２ｅをまたぐように、領域１００ｅにＩＣチップ５が配置される。図１１Ａの欠き１１ｅ（欠き１２ｅ及び欠き１３ｅ）における矢印１０１ｅ−１で示すループのインピーダンスと、導電層３ｅにおける矢印１０１ｅ−２で示すループのインピーダンスとを合成した値と、ＩＣチップ５のインピーダンスとに基づいて、欠き１１ｅの形状が決定される。例えば、欠き１１ｅにおける矢印１０１ｅ−１で示すループのインピーダンスと、導電層３ｅにおける矢印１０１ｅ−２のインピーダンスとを合成した値が、ＩＣチップ５のインピーダンスと等しくなるように、欠き１１ｅの形状が決定される。
【００６３】
（第８実施形態）
次に、本発明の第８実施形態について説明する。図１１Ｂは、本発明の第８実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１１Ｂでは、接続層４ｆの下辺の中央部から、接続層４ｆの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｆが形成されている。また、接続層４ｆ上には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｕ字状の導電層３ｆが形成されている。接続層４ｆの両端と、導電層３ｆの両端は、平面視上それぞれ重なっており、静電結合する。切り欠き１２ｆをまたぐように、領域１００ｆにＩＣチップ５が配置される。図１１Ｂの切り欠き１２ｆにおける矢印１０１ｆで示すループのインピーダンスと、ＩＣチップ５のインピーダンスとに基づいて、切り欠き１１ｆの形状が決定される。例えば、切り欠き１１ｆにおける矢印１０１ｆで示すループのインピーダンスが、ＩＣチップ５のインピーダンスと等しくなるように、切り欠き１１ｆの形状が決定される。なお、切り欠き１１ｆは、導電層３と接続層４とで囲われた領域に、切り欠き１２ｆを加えたものである。
【００６４】
（第９実施形態）
次に、本発明の第９実施形態について説明する。図１２Ａは、本発明の第９実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１２Ａでは、接続層４ｇの中央部に矩形状の切り欠き１３ｇが形成されている。また、切り欠き１３ｇの上辺の中央部から、接続層４ｇの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｇが形成されている。また、接続層４ｇの左側の領域上には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｉ字状の導電層３ｇが形成されている。接続層４ｇの２点と、導電層３ｇの両端は、平面視上それぞれ重なっており、静電結合する。切り欠き１２ｇをまたぐように、領域１００ｆにＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では、接続層４ｇにおいてループ状に電流が流れる経路よりも、平面視において接続層４ｇと導電層３ｇとを重ねた場合に電流が流れる経路の方が短い。
第９実施形態では、導電層３を重ねることにより、ループ電流の経路が短くなり、インピーダンスアンマッチングが生じ易くなるが、後述する第１５実施形態と組み合わせることにより、通信特性を向上させることができる。
【００６５】
（第１０実施形態）
次に、本発明の第１０実施形態について説明する。図１２Ｂは、本発明の第１０実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１２Ｂでは、接続層４ｈの中央部に矩形状の切り欠き１３ｈが形成されている。また、切り欠き１３ｈの上辺の中央部から、接続層４ｈの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｈが形成されている。また、接続層４ｈの領域内には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｕ字状の導電層３ｈが形成されている。接続層４ｈの２点と、導電層３ｈの両端は、平面視上それぞれ重なっており、静電結合する。切り欠き１２ｈをまたぐように、領域１００ｈにＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では、接続層４ｈにおいてループ状に電流が流れる経路よりも、平面視において接続層４ｈと導電層３ｈとを重ねた場合に電流が流れる経路の方が短い。
第１０実施形態では、導電層３を重ねることにより、ループ電流の経路が短くなり、インピーダンスアンマッチングが生じ易くなるが、後述する第１５実施形態と組み合わせることにより、通信特性を向上させることができる。
【００６６】
（第１１実施形態）
次に、本発明の第１１実施形態について説明する。図１２Ｃは、本発明の第１１実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１２Ｃでは、接続層４ｉの中央部に矩形状の切り欠き１３ｉが形成されている。また、切り欠き１３ｉの上辺の中央部から、接続層４ｉの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｉが形成されている。また、接続層４ｉの左上の領域には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、矩形状の導電層３ｉが形成されている。接続層４ｉと、導電層３ｉとが平面視上、重なっている領域は、静電結合する。切り欠き１２ｉをまたぐように、領域１００ｉにＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では、接続層４ｉにおいてループ状に電流が流れる経路よりも、平面視において接続層４ｉと導電層３ｉとを重ねた場合に電流が流れる経路の方が短い。
第１１実施形態では、導電層３を重ねることにより、ループ電流の経路が短くなり、インピーダンスアンマッチングが生じ易くなるが、後述する第１５実施形態と組み合わせることにより、通信特性を向上させることができる。
【００６７】
（第１２実施形態）
次に、本発明の第１２実施形態について説明する。図１２Ｄは、本発明の第１２実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１２Ｄでは、接続層４ｊの中央部に矩形状の切り欠き１３ｊが形成されている。また、切り欠き１３ｊの上辺の中央部から、接続層４ｊの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｊが形成されている。また、接続層４ｊの両側には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｕ字状の導電層３ｊが形成されている。接続層４ｊと、導電層３ｊとが平面視上、重なっている領域は、静電結合する。切り欠き１２ｊをまたぐように、領域１００ｊにＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では接続層４ｊにおいてループ状に流れる経路よりも、導電層３ｊを介して流れる経路が長く、かつ導電層は非常に薄く抵抗が高いため、接続層４ｊにおけるループ状に流れる経路が支配的となるため、導電層を重ねてもインピーダンスアンマッチが生じにくい。
【００６８】
（第１３実施形態）
次に、本発明の第１３実施形態について説明する。図１２Ｅは、本発明の第１３実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１２Ｅでは、接続層４ｋの中央部に矩形状の切り欠き１３ｋが形成されている。また、切り欠き１３ｋの上辺の中央部から、接続層４ｋの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｋが形成されている。また、接続層４ｋ内の左側の領域には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、点状の導電層３ｋが形成されている。切り欠き１２ｋをまたぐように、領域１００ｋにＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では、接続層４ｋにおいてループ状に電流が流れる経路は、平面視において接続層４ｋと導電層３ｋとを重ねた場合に電流が流れる経路と同じであり、通信特性が良い。
【００６９】
（第１４実施形態）
次に、本発明の第１４実施形態について説明する。図１２Ｆは、本発明の第１４実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１２Ｆでは、接続層４ｌの中央部に矩形状の切り欠き１３ｌが形成されている。また、切り欠き１３ｌの上辺の中央部から、接続層４ｌの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｌが形成されている。また、接続層４ｊの下辺と交差するように、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｉ字状の導電層３ｌが形成されている。接続層４ｌと、導電層３ｌとが平面視上、重なっている領域は、静電結合する。切り欠き１２ｌをまたぐように、領域１００ｊにＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では、接続層４ｌにおいてループ状に電流が流れる経路は、平面視において接続層４ｌと導電層３ｌとを重ねた場合に電流が流れる経路と同じであり、通信特性が良い。
【００７０】
（第１５実施形態）
次に、本発明の第１５実施形態について説明する。図１３は、本発明の第１５実施形態によるＩＣラベルの説明図である。
図１３では、接続層４ｍの中央部に矩形状の切り欠き１３ｍが形成されている。また、切り欠き１３ｍの上辺の中央部から、接続層４ｍの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｍが形成されている。切り欠き１２ｍをまたぐように、ＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では、切り欠き１２ｍ及び切り欠き１３ｍの形状を決定する際に、ネットワークアナライザ１０２の高周波プローブ１０２ａ、１０２ｂを、それぞれ、接続層４ｍの両端に当てて、接続層４ｍのリアクタンスＸを計測する。ＩＣチップ５の虚部入力インピーダンスを−Ｘ’としたときに、０．９Ｘ’＜Ｘの関係を満たすように、切り欠き１２ｍ及び切り欠き１３ｍの形状を決定する。また、第９〜第１１実施形態において、導電層を重ねた状態で同様の測定を実施したときに得られたループのリアクタンスＸ対して、先に述べた条件０．９Ｘ’＜Ｘの関係を満足すれば、更に適した通信特性が得られる。
【００７１】
（第１６実施形態）
次に、本発明の第１６実施形態について説明する。図１４Ａは、本発明の第１６実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。図１４Ａにおいて、接続層４ｎのループ回路は、導電層３ｎによって形成されるループ状の放射素子の外側に配置されている。
図１４Ａでは、接続層４ｎの中央部に矩形状の切り欠き１３ｎが形成されている。また、切り欠き１３ｎの上辺の中央部から、接続層４ｎの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｎが形成されている。また、接続層４ｎ上には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｏ字状の導電層３ｎが形成されている。接続層４ｎの下辺と、導電層３ｎの下辺とは、平面視上重なっており、静電結合する。
本実施形態では、接続層４ｎに反時計回りの電流が流れると、導電層３ｎには、時計回りの電流が流れる。接続層４ｎと導電層３ｎの電流経路は互いに包含される関係にないことから、両者で形成される磁界は互いに打ち消しあうことなく、広く広がるようになり、通信特性が良好となる。
【００７２】
（第１７実施形態）
次に、本発明の第１７実施形態について説明する。図１４Ｂは、本発明の第１７実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１４Ｂでは、接続層４ｏの中央部に矩形状の切り欠き１３ｏが形成されている。また、切り欠き１３ｏの上辺の中央部から、接続層４ｏの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｏが形成されている。また、接続層４ｏ上には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｏ字状の導電層３ｏが形成されている。接続層４ｏの上辺と、導電層３ｏの下辺とは、平面視上重なっており、静電結合する。
本実施形態では、接続層４ｏに反時計回りの電流が流れると、導電層３ｏには、時計回りの電流が流れる。導電層３ｏの電流経路は接続層４ｏの経路を完全に包含しており、両者で形成される磁界は互いに打ち消し合い、通信特性は低下する。
【００７３】
なお、上述した各実施形態において、隠蔽層８（図３）としては、導電性を示さない有機高分子樹脂が用いられるが、特に以下の（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の点をふまえて、耐熱性の高いＴｇ１８０度以上の材料（樹脂）を用いることができる。
【００７４】
（Ｉ）  接続層を可視光下で視認することを不能にする隠蔽効果
これにより、表面からはＯＶＤ機能層６のみが視認されるため、意匠性を上げることができ、かつ導電層３のデザインの自由度も上がるため通信特性の向上も期待できる。隠蔽層８の材料としては、着色しているものであればよく、一般的なインキが用いられるが、耐熱性・耐光性が高い顔料、カーボンブラックなどで着色したインキを印刷することが好ましい。
【００７５】
（ＩＩ）  ＩＣチップの接合強度向上
特にＡＣＰ接合の場合、接続層４にＩＣチップを実装する場合は、実装時の加工で１８０℃以上の熱、および７５ｇｆ程度の圧力が、ＩＣチップ５よりも大きい金属ヘッド１２０において、数十秒かかる（図１５参照）。そのため、隠蔽層８の耐熱性が重要となってくる。耐熱性がない場合には、隠蔽層８が溶融してしまうため、隠蔽層８内で凝集破壊が生じ、ＩＣチップ５の密着性が低下してしまう。一方、耐熱性が高い（Ｔｇ１８０℃以上）の樹脂を用いた場合は、隠蔽層８が溶融せず隠蔽層８内で凝集破壊は生じないため、隠蔽層８内での凝集破壊は抑えられる。したがって、ＩＣチップ５の接合強度が向上する。
【００７６】
（ＩＩＩ）  ＯＶＤ画像の白濁・ラベル基材の収縮防止
特にＡＣＰ接合の場合、接続層４にＩＣチップ５を実装する場合は、実装時の加工で１８０℃以上の熱、および７５ｇｆ程度の圧力が、ＩＣチップ５よりも大きい金属ヘッド１２０において、数十秒かかる（図１５参照）。そのために、この隠蔽層８に耐熱性を付与することが好ましい。耐熱性がない場合は、実装加工時の熱でＯＶＤ機能層が変形（溶融）してしまうため、ＯＶＤ画像が白く濁ってしまう。またラベル基材２の熱収縮も大きく、ラベル自体もゆがんでしまう。一方、耐熱性が高い（Ｔｇ１８０℃以上）の樹脂を用いた場合は、隠蔽層８で熱伝導が抑えられるため、ＯＶＤ機能層６の変形も抑えられ、かつ基材収縮も抑えられるため、ＯＶＤ機能層６の視覚効果を最大限に生かすことができる。
【００７７】
以上、（Ｉ）〜（ＩＩＩ）の役割を考慮した材料（有機高分子樹脂）としては、例えば、ポリアリレート樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のＴｇの高い熱可塑性樹脂や、架橋したウレタン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂等の熱硬化樹脂、エポキシ（メタ）アクリル、ウレタン（メタ）アクリレート等の電離放射線（紫外線あるいは電子線）硬化樹脂が挙げられる。図１６に、隠蔽層８として、所定の樹脂を用いた場合における耐熱温度、密着性、ホログラム白化・基材収縮の有無について示す表である。
【００７８】
なお、絶縁層の役割としては、導電層３と接続層４とを容量結合させることであり、導電性を示さない材料であればよい。例えば、絶縁層として、以下の（１）〜（３）の構成とすることが考えられる。
（１）マスク層７のみ、
（２）隠蔽層８のみ、
（３）マスク層７＋隠蔽層８
なお、この（２）の場合、水溶性樹脂（水溶性樹脂部分を洗い流す方法）、レザーディメタ（レザーを用いて部分的に導電性薄膜を破壊する方法）等により、マスク層なしでのディメタライズ処理が可能である。なお、絶縁層を、マスク層と隠蔽層とにより形成してもよい。
ただし、絶縁層はインピーダンス調整部に積層される部分のみが非道電性を示せばよく、その他の部分は導電性を示しても良い。
【００７９】
なお、上述の各実施形態においては、導電層３がラベル基材２上に直接設けられる例を説明したが、これに代えて、フィルム状の基材上に金属蒸着膜を所望の形状に形成してラベル基材２と接合することにより導電層が形成されても良い。このとき、金属蒸着膜だけでなく、ＯＶＤ機能層６も基材上に形成することにより、ＯＶＤ機能の効果を保持したラベルが得られる。
【００８０】
さらに、接続層４を導電層３の下面に直接形成するのに代えて、シート状の絶縁性材料からなる基材の一面にスパッタリングや蒸着により金属薄膜を成膜し、あるいは導電性ペースト等を用いて印刷等の方法により導電層を形成して接続層とし、この接続層にＩＣチップを実装してインレットを形成して、隠蔽層８の下面側に接合することによってＩＣラベルを形成しても良い。
ただし、接続層を印刷によって直接導電層の下面に形成すると、ＩＣラベルから接続層及びＩＣチップのみをインレットとして取り出すことが困難となるので、ＩＣラベルの偽造等がより困難となりセキュリティ性を高めることができるため好ましい。
【００８１】
加えて、上述の各実施形態においては、隠蔽層８がラベル基材２の下面全体に設けられる例を説明したが、これに代えて、接続層４及びＩＣチップ５のみを覆うように部分的に設けられても良い。
【００８２】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１、１Ａ、１Ｂ  非接触ＩＣラベル
２  ラベル基材
３、３Ｂ  導電層
４  接続層
５  ＩＣチップ
６  機能層（光学変化デバイス）
７  マスク層（絶縁層）
８  隠蔽層
１１  インピーダンス調節部
１２  第１スリット
１３  第２スリット
【図１】
2010055683.tif 000003
【図２】
2010055683.tif 000004
【図３】
2010055683.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010055683.tif 000009
【図８】
2010055683.tif 000010
【図９】
2010055683.tif 000011
【図１０Ａ】
2010055683.tif 000012
【図１０Ｂ】
2010055683.tif 000013
【図１０Ｃ】
2010055683.tif 000014
【図１０Ｄ】
2010055683.tif 000015
【図１１Ａ】
2010055683.tif 000016
【図１１Ｂ】
2010055683.tif 000017
【図１２Ａ】
2010055683.tif 000018
【図１２Ｂ】
2010055683.tif 000019
【図１２Ｃ】
2010055683.tif 000020
【図１２Ｄ】
2010055683.tif 000021
【図１２Ｅ】
2010055683.tif 000022
【図１２Ｆ】
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【図１３】
2010055683.tif 000024
【図１４Ａ】
2010055683.tif 000025
【図１４Ｂ】
2010055683.tif 000026
【図１５】
2010055683.tif 000027
【図１６】
2010055683.tif 000028
【手続補正書】
【提出日】平成23年5月25日(2011.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記ラベル基材側から見た場合に前記接続層を可視光下で視認することを不能にする絶縁性の隠蔽層をさらに備えてもよい。この場合、接続層が導電層の外観を損なうことがなく、非接触ＩＣラベルの外観をさらに向上させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態の非接触ＩＣラベルを示す平面図である。
【図２】同非接触ＩＣラベルの底面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図４】同非接触ＩＣラベルの接続層及びＩＣチップの拡大図である。
【図５】同接続層のＩＣチップ実装部位周辺を拡大して示す図である。
【図６】同非接触ＩＣラベルの実施例を示す図である。
【図７】本発明の実施例及び比較例を用いた場合の結果を示す表である。
【図８】本発明の変形例の非接触ＩＣラベルにおける接続層のＩＣチップ実装部位周辺を拡大して示す図である。
【図９】本発明の第２実施形態の非接触ＩＣラベルのＡ−Ａ線における断面図である。
【図１０Ａ】本発明の第３実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１０Ｂ】本発明の第４実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１０Ｃ】本発明の第５実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１０Ｄ】本発明の第６実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１１Ａ】本発明の第７実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１１Ｂ】本発明の第８実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ａ】本発明の第９実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｂ】本発明の第１０実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｃ】本発明の第１１実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｄ】本発明の第１２実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｅ】本発明の第１３実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１２Ｆ】本発明の第１４実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１３】本発明の第１５実施形態によるＩＣラベルの説明図である。
【図１４Ａ】本発明の第１６実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１４Ｂ】本発明の第１７実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
【図１５】隠蔽層の製造方法の一例を示す図である。
【図１６】隠蔽層８として、所定の樹脂を用いた場合における耐熱温度、密着性、ホログラム白化・基材収縮の有無を示すグラフである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について説明する。図１０Ｂは、本発明の第４実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１０Ｂでは、接続層４ｂの中央部に、矩形状の切り欠き１３ｂが形成されている。また、切り欠き１３ｂの上辺の左端から、接続層４ｂの上辺に達するスリット状の切り欠き１２ｂが形成されている。切り欠き１２ｂをまたぐように、領域１００ｂにＩＣチップ５が配置される。図１０Ｂの切り欠き１１ｂ（切り欠き１２ｂ及び切り欠き１３ｂ）における矢印１０１ｂで示すループのインピーダンスと、ＩＣチップ５のインピーダンスとに基づいて、切り欠き１１ｂの形状が決定される。例えば、切り欠き１１ｂにおける矢印１０１ｂで示すループのインピーダンスが、ＩＣチップ５のインピーダンスと等しくなるように、切り欠き１１ｂの形状が決定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（第９実施形態）
次に、本発明の第９実施形態について説明する。図１２Ａは、本発明の第９実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１２Ａでは、接続層４ｇの中央部に矩形状の切り欠き１３ｇが形成されている。また、切り欠き１３ｇの上辺の中央部から、接続層４ｇの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｇが形成されている。また、接続層４ｇの左側の領域上には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｉ字状の導電層３ｇが形成されている。接続層４ｇの２点と、導電層３ｇの両端は、平面視上それぞれ重なっており、静電結合する。切り欠き１２ｇをまたぐように、領域１００ｇにＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では、接続層４ｇにおいてループ状に電流が流れる経路よりも、平面視において接続層４ｇと導電層３ｇとを重ねた場合に電流が流れる経路の方が短い。
第９実施形態では、導電層３を重ねることにより、ループ電流の経路が短くなり、インピーダンスアンマッチングが生じ易くなるが、後述する第１５実施形態と組み合わせることにより、通信特性を向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
（第１４実施形態）
次に、本発明の第１４実施形態について説明する。図１２Ｆは、本発明の第１４実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。
図１２Ｆでは、接続層４ｌの中央部に矩形状の切り欠き１３ｌが形成されている。また、切り欠き１３ｌの上辺の中央部から、接続層４ｌの上辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｌが形成されている。また、接続層４ｌの下辺と交差するように、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｉ字状の導電層３ｌが形成されている。接続層４ｌと、導電層３ｌとが平面視上、重なっている領域は、静電結合する。切り欠き１２ｌをまたぐように、領域１００ｌにＩＣチップ５が配置される。
本実施形態では、接続層４ｌにおいてループ状に電流が流れる経路は、平面視において接続層４ｌと導電層３ｌとを重ねた場合に電流が流れる経路と同じであり、通信特性が良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
（第１６実施形態）
次に、本発明の第１６実施形態について説明する。図１４Ａは、本発明の第１６実施形態によるＩＣラベルの構成の概略を示す平面図である。図１４Ａにおいて、接続層４ｎのループ回路は、導電層３ｎによって形成されるループ状の放射素子の外側に配置されている。
図１４Ａでは、接続層４ｎの中央部に矩形状の切り欠き１３ｎが形成されている。また、切り欠き１３ｎの下辺の中央部から、接続層４ｎの下辺の中央部に達するスリット状の切り欠き１２ｎが形成されている。また、接続層４ｎ上には、隠蔽層（図示省略）や絶縁層（図示省略）を介して、Ｏ字状の導電層３ｎが形成されている。接続層４ｎの上辺と、導電層３ｎの下辺とは、平面視上重なっており、静電結合する。
本実施形態では、接続層４ｎに反時計回りの電流が流れると、導電層３ｎには、時計回りの電流が流れる。接続層４ｎと導電層３ｎの電流経路は互いに包含される関係にないことから、両者で形成される磁界は互いに打ち消しあうことなく、広く広がるようになり、通信特性が良好となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップを有し、外部の読取装置と非接触でデータ通信可能な非接触ＩＣラベルであって、
透明なラベル基材と、
前記ラベル基材の下面に設けられた光学変化デバイスと、
前記光学変化デバイスの下面に接合されて設けられ、前記ＩＣチップのアンテナとして機能する導電層と、
前記ＩＣチップと電気的に接続された接続層と、
前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記導電層と前記接続層とを電気的に結合させるための絶縁層と、
前記導電層と前記接続層の少なくとも前記接続層に設けられ、前記導電層と前記ＩＣチップとのインピーダンスを調節するインピーダンス調節部と、
を有する非接触ＩＣラベル。
【請求項２】
前記インピーダンス調節部は、前記接続層に設けられた切り欠けによって形成される第１のループ回路からなる請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項３】
前記インピーダンス調節部は、前記接続層と、前記導電層と、前記接続層と前記導電層とを電気的に接続する容量結合部とによって形成された第２のループ回路を有する請求項２に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項４】
前記第２のループ回路の長さは、前記第１のループの長さ以上である請求項３に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項５】
前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記ラベル基材側から見た場合に前記接続層を可視光下で視認することを不能にする絶縁性の隠蔽層をさらに備える請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項６】
前記ＩＣチップには、書き換え不能の識別コードが記録されている請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項７】
前記ラベル基材と前記光学変化デバイスとの間に設けられる剥離層を更に有する請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項８】
前記隠蔽層として、耐熱温度が、１８０度以上の材料を用いる請求項５に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項９】
前記導電層の厚さは、１０ｎｍ以上、１μｍ未満未満であり、
前記接続層の厚さは、１μｍ以上、２０μｍ以下である請求項１に記載の非接触ＩＣラベル。
【請求項１０】
透明なラベル基材と、
前記ラベル基材の下面に設けられた光学変化デバイスと、
前記光学変化デバイスの下面に接合されて設けられ、前記ＩＣチップのアンテナとして機能する導電層と、
前記ＩＣチップと電気的に接続された接続層と、
前記導電層と前記接続層との間に設けられ、前記導電層と前記接続層とを電気的に結合させるための絶縁層と、
前記導電層と前記接続層の少なくとも前記接続層に設けられ、前記導電層と前記ＩＣチップとのインピーダンスを調節するインピーダンス調節部と、
を有する非接触ＩＣラベルが接着されたことを特徴とする物品。
【国際調査報告】
2010055683.tif 000029
2010055683.tif 000030
2010055683.tif 000031
2010055683.tif 000032