【事件の表示】
　特許第２９５５３１９号「サーマルヘッドの製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９５５３１９号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第2955319号の請求項1〜3に係る発明は、平成2年2月28日の出願であって、平成11年7月16日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立て（申立人：林哲央）より特許異議の申し立てがなされ、平成12年6月8日に取消の理由が通知され、その指定期間内である平成12年8月22日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項1について、「焼結密度が理論密度の60％〜95％の範囲のセラミックス焼結体」とあるのを「焼結密度が理論密度の60％〜76％の範囲のセラミックス焼結体」と訂正する。
イ．訂正事項ｂ
　明細書第5頁第2〜5行（平成11年3月15日付け手続補正書により補正）の「サーマルヘッドの製造方法は、基板上に設けられた発熱抵抗体層と、発熱部となる開口部が設けられるように、前記発熱抵抗体層上に形成された個別電極および共通電極と、前記発熱部が少なくとも被覆されるように形成された保護膜とを具備するサーマルヘッドを製造するにあたり、焼結密度が理論密度の60％〜95％の範囲のセラミックス焼結体からなるスパッタターゲットを用いて、前記保護膜をスパッタリングにより形成する」とあるのを「サーマルヘッドの製造方法は、基板上に設けられた発熱抵抗体層と、発熱部となる開口部が設けられるように、前記発熱抵抗体層上に形成された個別電極および共通電極と、前記発熱部が少なくとも被覆されるように形成された保護膜とを具備するサーマルヘッドを製造するにあたり、焼結密度が理論密度の60％〜76％の範囲のセラミックス焼結体からなるスパッタターゲットを用いて、前記保護膜をスパッタリングにより形成する」と訂正する。
ウ．訂正事項ｃ
　明細書第6頁第9〜11行の「その上限は95％とする。より好ましい焼結密度としては、理論密度の70％〜80％の範囲である。」とあるのを「その上限は76％とする。より好ましい焼結密度としては、理論密度の70％〜76％の範囲である。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、サーマルヘッドの保護膜をスパッタリングで形成するときに用いるセラミックス焼結体からなるスパッタターゲットにおいて、該焼結体の焼結密度が理論密度の「60％〜95％」とあるのを「60％〜76％」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　上記訂正事項ｂ及びｃは、上記訂正事項ａとそれぞれ整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、理論密度の上限値である「95％」を「76％」とする訂正は、明細書中の実施例3〜5に関する記載、具体的には当初明細書の第15頁第1表の「実施例3：焼結密度＝2.5g/cm3、理論密度比＝76％、実施例4：焼結密度＝2.3g/cm3、理論密度比＝70％、実施例5：焼結密度＝2.1g/cm3、理論密度比＝64％」における最大理論密度比（76％）に基礎をおくものであるから、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第120条の4第3項で準用する平成６年法律第116号による改正前の第126条第1項ただし書、第2項及び第3項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
（１）申立ての理由の概要
　申立人林哲央は、請求項1〜3の発明は、甲第1号証（特開昭56-58967号公報）に記載された発明に該当するものであるから、特許法第29条第1項第3号の規定により、特許を受けることができないものであり、取り消されるべき旨主張している。
（２）本件の請求項1〜3に係る発明
　上記2.で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項1〜3に係る発明（以下、「本件発明1〜3」という）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項1〜3に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
【請求項１】基板上に設けられた発熱抵抗体層と、発熱部となる開口部が設けられるように、前記発熱抵抗体層上に形成された個別電極および共通電極と、前記発熱部が少なくとも被覆されるように形成された保護膜とを具備するサーマルヘッドを製造するにあたり、焼結密度が理論密度の60％〜76％の範囲のセラミックス焼結体からなるスパッタターゲットを用いて、前記保護膜をスパッタリングにより形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項２】請求項１記載のサーマルヘッドの製造方法において、前記セラミックス焼結体は、酸化物系セラミックス、窒化物系セラミックスおよび炭化物系セラミックスから選ばれた少なくとも１種であることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項３】請求項１または請求項２記載のサーマルヘッドの製造方法において、前記スパッタ膜からなる保護膜は、その組織の少なくとも一部がアモルファス状であることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
（３）刊行物等の記載
　申立人が証拠方法として提出した、刊行物1（特開昭56-58967号公報：甲第1号証）は、「サーマルヘッドの製造方法」について記載したものであり、具体的には以下の記載がある。
ア．「耐摩耗保護膜として炭化珪素化合物をスパッタリングにより被着するサーマルヘッドの製造方法において、炭化珪素の焼結体中に珪素を含浸させた材料をターゲットとし、炭化水素ガス、または炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを不活性ガス中に混入したガスによりスパッタリングを行うことにより炭化珪素化合物被膜からなる耐摩耗保護膜を形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」（特許請求の範囲参照）
イ．「炭化珪素の焼結体としては、高純度のもので大きな形状のものが製作されているが、一般的に10〜20％の気孔率を有しており・・・気孔部分においてチャージアップによる異常放電が生じ、安定した放電ができなかった。このため、従来は絶縁物のスパッタリングができる高周波マグネトロンスパッタリングにより被膜形成を行っていたが、この場合にも被膜形成速度を向上させるために投入電力を大きくさせると気孔部からの異常放電により焼結物自体が飛びちり、膜中に欠陥を生ずることが多くなり、充分な被覆形成速度を得ることはできなかった。」（第1頁右下欄下から2行〜第2頁左上欄第14行参照）
ウ．「炭化珪素焼結体の気孔をなくすために気孔部分に高純度の珪素を含浸させ、完全に無気孔の焼結体とすることも可能である。」（第2頁右上欄第1〜3行参照）
エ．「本発明はこのターゲット材料に注目し、スパッタリング中に含有珪素分のみを炭化水素ガス中の炭素と反応させながら被膜を形成することにより、スパッタリングで大電力の投入を可能にし、被膜形成速度を大きく向上させたものである。」（明細書第2頁右上欄第10〜14行参照）
（４）対比・判断
（ａ）本件発明1について
　刊行物1には、上記（ア）〜（エ）の記載を総合すると、サーマルヘッドの保護膜を形成するためのスパッタターゲットである炭化珪素焼結体は、一般的には10〜20％の気孔率（理論密度比80〜90％に相当：申立人提出にかかる参考資料：佐多敏之著「ファインセラミックス工学」第52頁参照）を有しているが、被膜形成速度を向上させるために投入電力を大きくさせると、気孔部から異常放電が発生し、焼結物が飛散して膜中に欠陥を生ずるので、炭化珪素焼結体の気孔部分に珪素を含浸させて無気孔の焼結体とすることにより、スパッタリングでの大電力の投入を可能にし、被膜形成速度を大きくさせることは記載されているが、被膜形成速度を向上させるために炭化珪素焼結体の気孔率を高くすること、また20％を越える気孔率を有する炭化珪素焼結体スパッタターゲットを使用することについては、刊行物1に示唆する記載もない。
　一方、本件発明1は、理論密度比60〜76％という低い焼結密度のセラミックス焼結体を使用することにより、高い成膜速度、高硬度、高い膜破壊強度を得ることを特徴としており、このことは第2表の実施例のデータからも裏付けられていることである。
　したがって、本件発明1と刊行物1を改めて対比するまでもなく、両者の焼結体は焼結密度が相違し、刊行物1に本件発明1が記載されていたとすることはできない。
（ｂ）本件発明2〜3について
　本件発明2〜3は、本件発明1を引用することにより、本件発明1のスパッタターゲットの焼結体を使用することを構成要件の1部としているところから、上記（a）に記載と同様の理由により、刊行物1に記載されていたとすることはできない。
（ｃ）なお、申立人は、特許異議回答書において、焼結密度を理論密度の「80〜90％」とした刊行物1記載のスパッタターゲットを用いるサーマルヘッドの保護膜の製造方法と、「60〜76％」を用いる本件発明1の製造方法を比較して、本件発明1の方が際だって優れているとは認められないので、本件発明1の範囲は当業者が任意に選択しうる範囲を出ず、本件発明1の特許は、特許法第29条第2項の規定に違反してされたものであると主張する。
　しかし、本件明細書の第2表のデータからも明らかなように、本件発明1の方が保護膜の成膜速度、ヌープ硬度及び膜破壊強度のいずれのデータも優れており、サーマルヘッドの保護膜の製造において両者のデータの違いを越えて当業者が任意に選択しうる程度のものであるとする具体的根拠を見出すことはできない。したがって、申立人の上記主張を採用することはできない。
　また、申立人は前記回答書において、スパッタターゲットを構成するセラミックス焼結体がたとえ同じ理論密度比を有していても、材質が異なれば成膜速度、ヌープ硬度、膜破壊強度等の特性が異なると考えるのが一般的であり、窒化珪素以外のセラミックス焼結体が実施例と異なる特性を示すと解すべきであるから、スパッタターゲットの材質を特定せずに特許請求の範囲に単に「セラミックス焼結体」と記載することは、発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載したものとは認められず、本件発明1の特許は、特許法第36条第5項の規定に違反してなされたものである、とも主張する。
　申立人が主張するように、仮にスパッタターゲットの材質の違いにより上記特性が相違するとしても、それによって窒化珪素以外のセラミックス焼結体のスパッタターゲットが本件発明1の効果を有しないとすることはできず、申立人の上記主張を直ちに採用することはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件発明1〜3についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明について特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月６日（２００１．１１．６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
１．特許第２９５５３１９号明細書中特許請求の範囲の請求項１に「焼結密度が理論密度の６０％〜９５％の範囲のセラミックス焼結体」とあるのを、特許請求の範囲の減縮を目的として「焼結密度が理論密度の６０％〜７６％の範囲のセラミックス焼結体」と訂正する。
２．特許第２９５５３１９号明細書中第５頁第２〜５行（平成１１年３月１５日付け手続補正書）の「サーマルヘッドの製造方法は、基板上に設けられた発熱抵抗体層と、発熱部となる開口部が設けられるように、前記発熱抵抗体層上に形成された個別電極および共通電極と、前記発熱部が少なくとも被覆されるように形成された保護膜とを具備するサーマルヘッドを製造するにあたり、焼結密度が理論密度の６０％〜９５％の範囲のセラミックス焼結体からなるスパッタターゲットを用いて、前記保護膜をスパッタリングにより形成する」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として「サーマルヘッドの製造方法は、基板上に設けられた発熱抵抗体層と、発熱部となる開口部が設けられるように、前記発熱抵抗体層上に形成された個別電極および共通電極と、前記発熱部が少なくとも被覆されるように形成された保護膜とを具備するサーマルヘッドを製造するにあたり、焼結密度が理論密度の６０％〜７６％の範囲のセラミックス焼結体からなるスパッタターゲットを用いて、前記保護膜をスパッタリングにより形成する」と訂正する。
３．特許第２９５５３１９号明細書中第６頁第９〜１１行の「その上限は９５％とする。より好ましい焼結密度としては、理論密度の７０％〜８０％の範囲である。」とあるのを、明りょうでない記載の釈明を目的として「その上限は７６％とする。より好ましい焼結密度としては、理論密度の７０％〜７６％の範囲である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
サーマルヘッドの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）基板上に設けられた発熱抵抗体層と、発熱部となる開口部が設けられるように、前記発熱抵抗体層上に形成された個別電極および共通電極と、前記発熱部が少なくとも被覆されるように形成された保護膜とを具備するサーマルヘッドを製造するにあたり、
　焼結密度が理論密度の６０％〜
７６
（２）請求項１記載のサーマルヘッドの製造方法において、
　前記セラミックス焼結体は、酸化物系セラミックス、窒化物系セラミックスおよび炭化物系セラミックスから選ばれた少なくとも１種であることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
（３）請求項１または請求項２記載のサーマルヘッドの製造方法において、
　前記スパッタ膜からなる保護膜は、その組織の少なくとも一部がアモルファス状であることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
　（産業上の利用分野）
　本発明は、サーマルヘッドの製造方法に関する。
　（従来の技術）
　近年、たとえばサーマルヘッドや密着型センサなどの保護膜のような耐摩耗性被膜として、窒化ケイ素系、炭化ケイ素系、酸化アルミニウム系、酸化ケイ素系などのセラミックス被膜が多用されるようになってきている。
　このようなセラミックス被膜を保護膜として用いたサーマルヘッドは、たとえば以下に示すような構造を有している。
　すなわち上記サーマルヘッドは、金属基板上にポリイミド樹脂などからなる保温層が設けられ、この保温層上に発熱抵抗体層、個別電極および共通電極となる導電層が順に形成され、最外表面をＳｉ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣなどからなる保護膜で被覆することによって構成されている。
　ところで、上述したようなセラミックス系の耐摩耗性被膜は、一般にスパッタ法などの薄膜化法を利用して形成されている。このように、スパッタ法によってセラミックス被膜を形成するにあたっては、まずスパッタターゲットの形成が必要となる。
　上記セラミックス被膜の形成に用いられるスパッタターゲットとしては、セラミックス材料からなる焼結ターゲットが主流であり、通常のセラミックス焼結体と同様に作製されるため、それらの焼結密度は理論密度に近い、高密度のものが利用されている。
　しかし、従来の焼結スパッタターゲットは、長時間に渡って使用すると組成に変化をきたして、得られる膜組成にバラツキが生じ、膜の硬度や強度などの特性低下を招きやすいという難点があった。
　（発明が解決しようとする課題）
　上述したように、従来の焼結スパッタターゲットでは、膜の強度が低い、組成の安定性が悪いなどという難点があり、高品質のセラミックス被膜からなる硬質被膜などを得るために、上述したような難点の早急な解決が強く望まれている。
　また、上記サーマルヘッドの保護膜などとしては、高硬度を有し耐摩耗性に優れたＳｉ−Ｏ−Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣなどの被膜が一般的に用いられているが、サーマルヘッドの印字性能を安定して発揮させるためには、セラミックス被膜の靭性と耐摩耗性を向上させて、クラックなどの膜破壊が発生することを防止することが必要とされており、このような要求を満足することが強く望まれている。
　本発明は、このような従来の課題に対処するためになされたもので、信頼性の高い保護膜を短時間で形成することができ、長時間の使用に際しターゲットの組成およびスパッタ膜の特性にほとんど変化を生じさせない、安定なスパッタターゲットを用いることによって、高硬度、適度な靭性を有する保護膜を効率よくかつ安定して得ることを可能にしたサーマルヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
［発明の構成］
　（課題を解決するための手段）
　本発明のサーマルヘッドの製造方法は、基板上に設けられた発熱抵抗体層と、発熱部となる開口部が設けられるように、前記発熱抵抗体層上に形成された個別電極および共通電極と、前記発熱部が少なくとも被覆されるように形成された保護膜とを具備するサーマルヘッドを製造するにあたり、焼結密度が理論密度の６０％〜
７６
　また、上記スパッタターゲットを用いて形成したスパッタ膜からなる高靭性、高耐摩耗性を持つサーマルヘッドの保護膜は、その組織の少なくとも一部がアモルファス状であることを特徴としている。
　すなわち本発明は、スパッタターゲットの焼結密度を低くすると、従来使われていた高密度ターゲットによって得られる膜よりも、逆に被着基体に対する膜付着力の安定性、膜の機械的強度などが向上することを見出だして成されたものである。
　ここで、本発明の焼結スパッタターゲットの焼結密度を上記範囲に限定した理由は、以下の通りである。
　上述したように、焼結密度を低く設定した焼結体をターゲットとして用いることにより、膜の付着力や機械的強度の向上が図れるが、あまり焼結密度が低いと、バッキングプレートと接合する際に用いるろう材が焼結体内に侵入しやすいとともに加工性が低下するため、その下限は理論密度の６０％とする。また、焼結密度があまり高すぎると、理論密度近傍のターゲットと比較して、膜の付着力や機械的強度の優位性があまり認められないとともに、バッキングプレートとの熱膨脹差による熱応力割れが発生しやすくなるため、その上限は
７６
７６
　本発明のスパッタターゲットに使用するセラミックス材料は、使用目的を考慮して選択されるものであり、たとえば窒化物系セラミックス、酸化物系セラミックス、炭化物系セラミックスなどから適宜選択される。
　サーマルヘッドの保護膜形成用のスパッタターゲットとしては、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素などのセラミックス材料を選択することが好まく、特に酸化チタン、酸化ジルコニウムおよび酸化ハフニウムから選ばれた少なくとも１種１ｍｏｌ％〜４０ｍｏｌ％と、酸化イットリウムおよび酸化アルミニウムから選ばれた少なくとも１種０．０５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％との少なくとも一方を含み、残部が実質的に窒化ケイ素からなるセラミックス焼結体が好適である。
　本発明で用いられるスパッタターゲットは、たとえば通常のセラミックス焼結体と同様に、常圧焼結法、雰囲気加圧焼結法、ホットプレス法などの焼結法を適用して作製されるものであるが、その際に焼結圧、焼結温度などを最適化することによって、焼結密度を上記範囲内とする。
　たとえば窒化ケイ素系のスパッタターゲットを作製する場合には、焼結温度を１３００℃〜１７００℃としたり、また出発原料となる窒化ケイ素粉末として、比較的粒径が大きなもの、たとえば平均粒径０．８μｍ以上の窒化ケイ素粉末を使用するなどによっても、同様に焼結密度を低めに制御することができる。
　また、本発明における保護膜は、上記した本発明のスパッタターゲットを用いて形成されたスパッタ膜からなるものであって、その組織の少なくとも一部がアモルファスからなるものである。
　上記被膜は、高硬度、優れた膜破壊強度などを有し、かつ被着基体との密着性に優れることから、サーマルヘッドの保護膜として好適である。
　（作　用）
　本発明で用いられるスパッタターゲットは、焼結密度を比較的低く設定しているため、表面組織や内部組織は共に緻密ではなく、ポーラスな組織であることから、ターゲットのスパッタ面の表面積は、理論密度に近い焼結ターゲットに比べて大きい。このようなスパッタターゲットを用いてスパッタリングを行った場合、スパッタリング時の入射イオンのターゲットヘの衝突を効率的に実施することができる。したがって、成膜速度が速くなり、コストダウンが図れる。また、スパッタリング時の入射イオンの衝突が、ターゲットの各部において均一に行われるため、スパッタターゲットの組成変化やスパッタ膜の組成変化を抑制することが可能となり、これにより安定して優れた特性を有するスパッタ膜が得られる。
　また、上記スパッタターゲットを用いて形成したスパッタ膜は、硬度および膜破壊強度が共に高く、適度な靭性を有する保護被膜が得られる。
　（実施例）
　以下、本発明の実施例について説明する。
実施例１
　平均粒径０．５μｍのＳｉ３Ｎ４粉末中に、ＺｒＯ２が９．７ｍｏｌ％、Ｙ２Ｏ３が０．３ｍｏｌ％およびＡｌ２Ｏ３が０．８ｍｏｌ％含まれるように、平均粒径０．０３μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径０．１μｍ以下のＹ２Ｏ３粉末および平均粒径０．１μｍ以下のＡｌ２Ｏ３粉末とを加え、ボールミルによりエタノール中で１２時間混合分散した後、乾燥して原料粉末を作製した。
　次に、上記原料粉末をＮ２雰囲気中、４００ｋｇｆ／ｃｍ２、１７７５℃、６時間の条件でホットプレス焼結し、次いでダイヤモンド研削を行った後、バッキングプレートと接合し、直径２０３ｍｍ×厚さ８ｍｍのスパッタターゲットを得た。このスパッタターゲットの焼結密度は、理論密度３．３ｇ／ｃｍ３に対して、２．９ｇ／ｃｍ３であった。
　このようにして得たスパッタターゲットを用いて、サーマルヘッドの保護膜を形成した。
　第１図は、この実施例で使用したサーマルヘッドの構成を示す図であり、たとえば下記に示すような方法により製造される。
　まず、たとえばＣｒを１８重量％含有する厚さ０．５ｍｍ程度のＦｅ合金からなる金属基板１をレベリング後、所定の寸法に切断し、ばり取り後、有機溶剤中にて脱脂洗浄し、５０℃〜７０℃に保持した希硫酸中に浸漬して、表面に形成されている酸化物層を除去するとともに表面をミクロ的に荒らすための活性化処理を行う。
　次に、ポリアミック酸をＮ‐メチル‐２‐ピロリドンなどの溶剤を用いて所定の粘度に調整し、上記金属基板１上に所定の膜厚に塗布し、焼成炉を用いて５０℃で１時間、８０℃で３０分、次いで１２０℃３０分、２５０℃で１時間、４５０℃で１時間というような条件で加熱処理を行い、溶剤成分を除去するとともに、脱水環化反応を進行させて成膜し、耐熱樹脂であるポリイミド樹脂からなる保温層２を形成する。
　次いで、上記保温層２上にＳｉＨ４ガスとＮ２ガスおよびＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスを用いて、基板温度１５０℃〜３００℃によるプラズマＣＶＤで、連続してＳｉＮ層３１およびＳｉＣ層３２からなる下地層３を形成する。
　次に、Ｔａ‐ＳｉＯ２からなる発熱抵抗体層４、さらにＡｌからなる電極導体層を形成し、ウェットエッチングやドライエッチングにより発熱部５となる開口部が設けられるようにパターニングし、個別電極６および共通電極７を形成する。
　この後、上記発熱部５が少なくとも被覆されるように、スパッタリングによって保護膜８を形成する。なお、この保護膜８の厚さは、通常１μｍ〜７μｍ、好ましくは２μｍ〜４μｍである。
　そして、上記保護膜８の形成にあたって、この実施例のスパッタターゲットを用い、不活性ガス雰囲気中、２ｋＷの出力で高周波マグネトロンスパッタにより、厚さ３．０μｍの保護膜８を成膜し、この実施例のサーマルヘッドを得た。
　このようにして得たサーマルヘッドを用いて、以下に示す特性評価を行った。
　▲１▼　保護膜を形成する際の成膜速度を成膜時間と膜厚とから算出した。
　▲２▼　薄膜用超微少ヌープ硬度計を用いて、硬度を測定した。
　▲３▼　膜破壊時に発生するＡＥ（アコースティックエミッション）を検知するセンサーを有するスクラッチ試験機を用いて、膜破壊強度を測定した。
　▲４▼　保護膜形成時のスパッタターゲットの熱応力による割れの有無を判定した。
　▲５▼　沸騰水中にサーマルヘッドを浸漬し、膜の付着力を評価した。
　これらの結果を第１表および第２表に示す。
　また、上記実施例のスパッタターゲットを用いて、ガラス基板上に上記保護膜と同一条件でスパッタ成膜を行った。そして、得られたスパッタ膜に対し、Ｘ線管電圧４０ｋＶ、Ｘ線管電流１５０ｍＡの条件下で、回折角１０度≦２θ≦９０度の範囲でＸ線回折を行った。このＸ線回折によって得た回折パターンを第２図に示す。
　同図から明らかなように、結晶質の回折ピークが認められず、ハローパターンを示していることから、上記保護膜はアモルファス状態であることが分る。
実施例２〜５、比較例１〜３
　第１表に示す組成のスパッタターゲットを、それぞれ第１表に示す条件下で作製し、これらのスパッタターゲットをそれぞれ用いて、実施例１と同様にして保護膜８を形成してサーマルヘッドをそれぞれ得た。
　これらサーマルヘッドに関しても、実施例１と同様にして特性を評価した。
　第１表および第２表に上記各スパッタターゲットの焼結密度と、上記特性の測定結果とを併せて示す。
　なお、第１表および第２表に示す比較例は、焼結密度を本発明の範囲外としたものであり、本発明との比較として掲げたものである。
　以上の結果から明らかなように、上記各実施例によるスパッタターゲットは、比較例によるターゲットに比べて良好な成膜速度が得られており、また得られたスパッタ膜は、硬度や破壊強度などの機械的強度に優れるとともに付着力も良好であり、サーマルヘッドの保護膜として好適であることが分る。
　なお、上記実施例ではサーマルヘッドについて説明したが、本発明のスパッタターゲットは上述したサーマルヘッドに限らず、Ａｌ２Ｏ３基板を用いたサーマルヘッドの保護膜を形成する場合にも有効である。
　［発明の効果］
　以上説明したように本発明で用いられるスパッタターゲットは、良好な成膜速度が得られ、コストダウンを図ることができるとともに、これによって形成される保護膜は高硬度、高破壊強度、高靭性などの優れた特性を有することから、信頼性の高いサーマルヘッドの保護膜を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の硬質被膜を保護膜として使用したサーマルヘッドを示す図であり、第２図は本発明の一実施例で得たスパッタ膜のＸ線回折パターンを示す図である。
　１……金属基板、２……保温層、３……下地層、４……発熱抵抗体、５……発熱部、６……個別電極、７……共通電極、８……保護膜。