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　特願２０１２−２１８６４１「感光性樹脂組成物の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　４月２１日出願公開、特開２０１４−　７１３７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２４年９月２８日の出願であって、その後の手続の経緯は、以下のとおりである。
　平成２８年６月１４日付け：拒絶理由通知書
　平成２８年１０月２６日：意見書、手続補正書の提出
　平成２９年２月２３日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年４月１９日：意見書の提出
　平成２９年８月９日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年１０月６日：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年２月２２日付け：拒絶査定
　平成３０年５月３１日：審判請求書、手続補正書の提出
　令和元年５月１７日付け：拒絶理由通知書（この拒絶理由通知書によって通知された拒絶の理由を、以下、「当審拒絶理由通知」という。）
　令和元年７月１９日：意見書、手続補正書（この手続補正書による手続補正を、以下、「本件補正」という。）の提出
第２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項によって特定されるとおりの、次のものである。
　「　（Ａ）酸性の官能基を有するアルカリ可溶性樹脂；
　（Ｂ）光酸発生剤；及び
　（Ｃ）２５℃における蒸気圧が１０Ｐａ〜２５０Ｐａであり、かつ２５℃における密度が０．７ｇ／ｃｍ３〜１．０２ｇ／ｃｍ３である溶媒；
を含むスピンコート用感光性樹脂組成物の製造方法であって、
　前記酸性の官能基は、フェノール性水酸基及びカルボキシル基から選ばれる少なくとも１つの基であり、
　該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における密度を、０．７５ｇ／ｃｍ３〜１．１ｇ／ｃｍ３の範囲内に調整し、そして
　該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における粘度を、０．５Ｐａ・ｓ〜２Ｐａ・ｓの範囲内に調整する、前記スピンコート用感光性樹脂組成物の製造方法。」
第３　当審拒絶理由の概要
　当審拒絶理由の概要は、この出願の請求項１〜８、１１及び１２に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
３．特開２０１０−２０４６２４号公報
４．特開２０１０−７７３８０号公報
Ｅ．特開２０１３−１５４６１２号公報（参考文献）
Ｆ．特開２００９−２５８５５３号公報（参考文献）
第４　引用文献の記載事項及び引用発明
１　引用文献３の記載事項
　当審拒絶理由で引用され、本件出願前に頒布された刊行物である、特開２０１０−２０４６２４号公報（平成２２年９月１６日公開。以下「引用文献３」という。）には、以下のとおり記載されている。なお、下線は当合議体が付したものであり、引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。
（１）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、解像性と耐熱性に優れたパターンを形成することができ、高温焼成が不要で、熱処理工程において水分等のアウトガスを殆ど発生することなく、かつ、アルカリ現像可能なポジ型レジスト組成物又はネガ型レジスト組成物に関する。
・・・（省略）・・・
【０００９】
しかし、従来知られている感光性接着剤では、露光及び現像によりパターンを形成するフォトリソグラフの手法によって接着剤パターンを形成する際に、パターン形成の精度が不充分であり、また、接着力や耐熱性の不足やプロセス中の加熱工程での気泡（ボイド）の発生等、接合の信頼性に欠ける等の問題点があった。
・・・（省略）・・・
【００１２】
本発明は、解像性と耐熱性に優れたパターンを形成することができ、高温焼成が不要で、熱処理工程において水分等の低分子成分を殆ど発生することなく、かつ、アルカリ水溶液による現像が可能なポジ型レジスト組成物又はネガ型レジスト組成物を提供することを目的とする。」
（２）「【００１３】
本発明１は、アルカリ可溶性樹脂、光反応により酸を発生する光反応性化合物、及び、溶媒を含有するポジ型レジスト組成物であって、上記アルカリ可溶性樹脂は、ベンゾオキサジン環の開環により生じるフェノール性水酸基を有するものであるポジ型レジスト組成物である。
本発明２は、アルカリ可溶性樹脂、重合性不飽和化合物、光反応開始剤、及び、溶媒を含有するネガ型レジスト組成物であって、上記アルカリ可溶性樹脂は、ベンゾオキサジン環の開環により生じるフェノール性水酸基を有するものであるネガ型レジスト組成物である。
・・・（省略）・・・
【００１６】
本発明１のポジ型レジスト組成物及び本発明２のネガ型レジスト組成物（以下、共通する場合は単に「本発明のレジスト組成物」ともいう）は、ベンゾオキサジン環の開環により生じるフェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂を含有する。このようなアルカリ可溶性樹脂を用いることにより、本発明のレジスト組成物は、高温焼成が不要で、熱処理時に水等のアウトガスを殆ど発生することなく、解像性や耐熱性に優れたパターンを形成することができる。
なお、ベンゾオキサジン環構造を下記式（１）、ベンゾオキサジン環の開環構造の例を下記式（２）に示した。
【００１７】
【化１】
【００１８】
式（１）中、Ｒ１〜Ｒ５のうち少なくとも１つは、ポリマーの主鎖又は側鎖への連結基を表す。連結基以外の置換基である場合、Ｒ１は脂肪族基、脂環式基又は芳香族基を表し、Ｒ２〜Ｒ４は同一でも異なってもよく、水酸基、水素原子、脂肪族基、脂環式基又は芳香族基を表す。またＲ２〜Ｒ４のうちいずれかが一体となって環を形成していてもよい。
【００１９】
式（２）中、Ｒ６〜Ｒ１１のうち、Ｒ６はポリマーの主鎖又は側鎖への連結基を表す。また、Ｒ７〜Ｒ１１については、ポリマーの主鎖または側鎖への連結基であっても、連結基以外の置換基であってもよい。連結基以外の置換基である場合、Ｒ７は脂肪族基、脂環式基又は芳香族基を表し、Ｒ８〜Ｒ１１は同一でも異なってもよく、水酸基、水素原子、脂肪族基、脂環式基又は芳香族基を表す。またＲ８〜Ｒ１１のうちいずれかが一体となって環を形成していてもよい。
【００２０】
上記アルカリ可溶性樹脂は、ベンゾオキサジン環の開環構造由来のフェノール性水酸基（すなわち式（２）中に示した水酸基）に加え、更に共重合成分由来のフェノール性水酸基を有することが好ましい。このようなフェノール性水酸基を有することにより、上記アルカリ可溶性樹脂のアルカリ可溶性が向上し、現像性、解像性を改善することができる。
【００２１】
上記アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量の好ましい下限は１０００、好ましい上限は２万である。上記アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量が１０００未満であると、レジスト組成物の保持力が弱く、パターンを形成することができないことがある。上記アルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量が２万を超えると、樹脂自体の合成が困難であり、また、アルカリ現像性が劣ることがある。
・・・（省略）・・・
【００５５】
本発明のレジスト組成物は、溶媒を含有する。
・・・（省略）・・・
【００５６】
上記溶媒の配合量としては特に限定されないが、本発明のレジスト組成物の固形分濃度が１０〜６０重量％、より好ましくは１５〜５０重量％となるように配合することが、塗工性や塗膜均一性等の点から好ましい。
・・・（省略）・・・
【００６３】
本発明の感光性絶縁材料を用いて半導体集積回路を製造する方法を説明する。
まず、シリコンウエハ、金属基板、セラミック基板、ガラス基板、有機基板等の基板上に、本発明の感光性絶縁材料を塗工して塗膜を形成する。
上記塗工方法は特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、回転塗布（スピンコート）法等の従来公知の方法を用いることができる。形成された塗膜は、適度に加熱乾燥して溶媒を蒸発させることにより、粘着性のない塗膜とすることができる。
【００６４】
次いで、得られた塗膜上に、所望のパターンが描かれたフォトマスクを通して活性光線又は化学線を照射する。活性光線又は化学線を照射には、例えば、超高圧水銀灯を用いるコンタクト／プロキシミテイ露光機、ミラープロジェクション露光機、ｉ線ステッパ、ｇ線ステッパ、その他の紫外線、可視光源や、Ｘ線、電子線を用いることができる。
照射後に、必要に応じて露光後加熱（ＰＥＢ、ｐｏｓｔ　ｅｘｐｏｓｕｒｅ　ｂａｋｅ）処理を行ってもよい。
【００６５】
次いで、アルカリ現像して所望のパターンの塗膜を得る工程を行う。上記塗膜の活性光線が照射された部分では、成分として含まれている光反応性化合物から酸が発生し、その部分が現像液に可溶となる。活性光線又は化学線を照射後、照射部を現像液で溶解除去することにより所望のパターンに塗膜がパターン化される。
・・・（省略）・・・
【００７２】
本発明１のポジ型レジスト組成物を含有する感光性接着剤もまた、本発明の１つである。
本発明の感光性接着剤は、上述した本発明の感光性絶縁材料と同様にして基板上に所望の形状にパターン化された接着剤パターンを形成することができる。
【００７３】
形成した接着剤パターンの厚みは特に限定されないが、２〜１００μｍの範囲であることが好ましく、１０〜５０μｍの範囲であることがより好ましい。」
（３）「【発明を実施するための形態】
【００８５】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されない。
【００８６】
〈アルカリ可溶性樹脂の合成〉
（合成例１［方法１］）
５００ｍＬ容の
ビーカーに、ｐ−クレゾール
、パラホルムアルデヒド
、アニリン
を投入し、
攪拌を行いながら
加熱し、
反応させることにより、１分子中に１個のベンゾオキサジン環を有する化合物を得
【００８７】
得られた１分子中に１個のベンゾオキサジン環を有する化合物を、更に
反応させて、ベンゾオキサジン環の開環構造を有するアルカリ可溶性樹脂を得
得られたアルカリ可溶性樹脂を乳酸エチルに溶かし、固形分３０重量％の溶液とし
・・・（省略）・・・
【００９７】
〈ポジ型レジスト組成物の作製及び評価〉
（実施例１〜５）
合成例１
で得られた固形分３０重量％の樹脂溶液
光反応により酸を発生する光反応性化合物として２，３，４，４’−テトラメチルベンゾフェノンに平均して３個の５−ナフトキノンジアジドスルホニル基を結合させた化合物
フッ素系界面活性剤
ジエチレングリコールメチルエチルエーテル
を混合し、固形分２０重量％のポジ型レジスト組成物を得た
【００９８】
得られたポジ型レジスト組成物を、
スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に
塗布した後、
加熱し、
乾燥させて塗膜を得た
得られた塗膜に対して、４〜２０μｍのドットパターン及びラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行った。紫外線照射後、２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて３０秒間現像し、水で洗浄してパターン形成を行った。
【００９９】
得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、解像度の評価を行った。
また、得られたパターンを、更に２２０℃、６０分間加熱処理した後、シリコンウエハ上から削り取り、熱重量測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「ＴＧ／ＤＴＡ３２０」）により耐熱性評価を行った。１００℃まで昇温して吸着水分を除去した後、この重量を１００％とし、１０℃／分の昇温速度で５００℃まで加熱して５％重量減少温度を測定した。
結果を表２に示す。
【０１００】
〈ネガ型レジスト組成物の作製及び評価〉
（実施例６〜１０）
合成例１〜５で得られた固形分３０重量％の樹脂溶液２０．０ｇ、重合性不飽和化合物としてペンタエリスリトールトリアクリレート６．０ｇ、光反応開始剤として２−メチル−１（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（チバ・ジャパン社製、「イルガキュア９０７」）１．０ｇ、フッ素系界面活性剤（ＯＭＮＯＶＡ　ＳＯＬＵＴＩＯＮＳ社製、「ＰＦ−３３２０」）０．０１５ｇ、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル３８．１ｇを混合し、固形分２０重量％のネガ型レジスト組成物を得た。
【０１０１】
得られたネガ型レジスト組成物を、スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に厚さ３μｍとなるように塗布した後、ホットプレート上で１００℃に加熱し、２分間乾燥させて塗膜を得た。
得られた塗膜に対して、４〜２０μｍのドットパターン及びラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行った。紫外線照射後、２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて３０秒間現像し、水で洗浄してパターン形成を行った。
【０１０２】
得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、解像度の評価を行った。
また、得られたパターンを、更に２２０℃、６０分間加熱処理した後、シリコンウエハ上から削り取り、熱重量測定装置（セイコーインスツルメンツ社製、「ＴＧ／ＤＴＡ３２０」）により耐熱性評価を行った。１００℃まで昇温して吸着水分を除去した後、この重量を１００％とし、１０℃／分の昇温速度で５００℃まで加熱して５％重量減少温度を測定した。
結果を表３に示す。
【０１０３】
【表１】
【０１０４】
【表２】
【０１０５】
【表３】
」
２　引用発明１
　前記１の記載事項（３）に基づけば、引用文献３には、実施例１として、「ポジ型レジスト組成物の製造方法」に関する事項が記載されている。そうしてみると、引用文献３には、以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていたと認められる。なお、段落【００８７】に記載の「固形分３０重量％の溶液」と、段落【００９７】に記載の「固形分３０重量％の樹脂溶液」は、同じ材料であるため、両者とも「固形分３０重量％の樹脂溶液」に用語を統一した。
「　ビーカーに、ｐ−クレゾール、パラホルムアルデヒド、アニリンを投入し、攪拌を行いながら加熱し、反応させることにより、１分子中に１個のベンゾオキサジン環を有する化合物を得、
　得られた１分子中に１個のベンゾオキサジン環を有する化合物を、更に反応させて、ベンゾオキサジン環の開環構造を有するアルカリ可溶性樹脂を得、
　得られたアルカリ可溶性樹脂を乳酸エチルに溶かし、固形分３０重量％の樹脂溶液とし、
　得られた固形分３０重量％の樹脂溶液、光反応により酸を発生する光反応性化合物として２，３，４，４’−テトラメチルベンゾフェノンに平均して３個の５−ナフトキノンジアジドスルホニル基を結合させた化合物、フッ素系界面活性剤、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルを混合することからなる、
　スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に塗布した後、加熱し、乾燥させて塗膜を得るために使用される、
　固形分２０重量％のポジ型レジスト組成物の製造方法。」
３　引用文献４の記載事項　
　当審拒絶理由で引用され、本件出願前に頒布された刊行物である、特開２０１０−７７３８０号公報（平成２２年４月８日公開。以下「引用文献４」という。）には、以下のとおり記載されている。
（１）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト組成物に好適な高いアルカリ可溶性を有し、高温焼成が不要で、熱処理工程において水分等の低分子成分を殆ど発生することなく、解像性や耐熱性に優れた硬化物を生成することができるアルカリ可溶性樹脂に関する。また、該アルカリ可溶性樹脂を用いたポジ型レジスト組成物及びネガ型レジスト組成物に関する。
・・・（省略）・・・
【０００４】
これに対し、ベンゾオキサジン樹脂は、絶縁性や耐熱性等に優れ、熱硬化時に揮発成分を発生することがない樹脂として知られている。しかしながら、従来のベンゾオキサジン樹脂はアルカリ水溶液に対する溶解性が無い（又は極めて低い）ため、レジスト組成物のアルカリ可溶性樹脂としてはほとんど用いられていなかった。
・・・（省略）・・・
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、レジスト組成物に好適な高いアルカリ可溶性を有し、熱処理工程において水分等の低分子成分を殆ど発生することなく、高温焼成が不要で、解像性や耐熱性に優れた硬化物を生成することができるアルカリ可溶性樹脂を提供することを目的とする。また、該アルカリ可溶性樹脂を用いたポジ型レジスト組成物及びネガ型レジスト組成物を提供することを目的とする。」
（２）「【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、下記一般式（１−１）又は（１−２）で表される繰り返し単位からなるアルカリ可溶性樹脂である。
【０００８】
【化１】
【０００９】
式（１−１）中、Ａｒ１は下記一般式（２−１）、（２−２）又は（２−３）で表される４価の芳香族基を表し、Ｒ１は脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を表し、Ｒ２〜Ｒ４は、同一でも異なってもよく、水酸基、水素原子、脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を表す。
式（１−２）中、Ｘは２価の有機基を表す。Ｒ１〜Ｒ４は、同一でも異なってもよく、水素原子、脂肪族基、脂環式基、芳香族基、又は、ハロゲン基を示す。Ｒ５〜Ｒ７は、同一でも異なってもよく、水酸基、水素原子、脂肪族基、脂環式基、又は、芳香族基を示す。
【００１０】
【化２】
【００１１】
式（２−１）、（２−２）、（２−３）中、＊＊印は酸素原子への結合部位を表し、他はメチレン基への結合部位を表す。また、各芳香環の水素は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、又は、置換若しくは無置換フェニル基で置換されていてもよい。式（２−１）において、Ｘは、直接結合手（原子又は原子団が存在しない）、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基、及び、下記群Ａからなる群より選択される少なくとも１つであるヘテロ元素若しくは官能基を含んでいてもよい脂肪族、脂環式、又は、芳香族の炭化水素基を表す。
【００１２】
【化３】
【００１３】
群Ａに含まれる各式中、＊印は式（２−１）における芳香環への結合部位を表す。
・・・（省略）・・・
【００１５】
本発明のアルカリ可溶性樹脂は、重量平均分子量の好ましい下限が１０００、好ましい上限が２万である。重量平均分子量が１０００未満であると、レジスト組成物としたときの保持力が弱く、パターンを形成することができないことがある。重量平均分子量が２万を超えると、樹脂自体の合成が困難であり、また、アルカリ現像性が劣ることがある。
なお、本明細書において重量平均分子量とは、例えば、昭和電工社製Ｓｈｏｄｅｘ　ＬＦ−８０４等のカラムを用い、テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ）法により測定された値であって、ポリスチレン換算されたものを意味する。
・・・（省略）・・・
【００５３】
本発明のポジ型レジスト組成物、ネガ型レジスト組成物は、粘度等を調整する目的で、溶剤を含有することが好ましい。
上記溶剤としては特に限定されず、例えば、芳香族炭化水素化合物、飽和又は不飽和炭化水素化合物、エーテル類、ケトン類、エステル類等が挙げられる。
・・・（省略）・・・
上記エーテル類は特に限定されず、例えば、・・・（省略）・・・ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、・・・（省略）・・・等が挙げられる。
・・・（省略）・・・
【００５４】
上記溶剤の配合量としては特に限定されないが、本発明のポジ型レジスト組成物、ネガ型レジスト組成物の固形分濃度が１０〜６０重量％、より好ましくは１５〜５０重量％となるように配合することが、塗工性や塗膜均一性等の点から好ましい。」
（３）「【発明を実施するための形態】
【００５８】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００５９】
〈アルカリ可溶性樹脂の合成〉
（合成例１）
５００ｍＬ容の
ビーカーに、ビスフェノールＡ
、パラホルムアルデヒド
、アニリン
を投入し、
攪拌してスラリー状にした後、
加熱し、
反応させ
反応液を
冷却して
１分子中に２個のベンゾオキサジン環を有する化合物を得
【００６０】
還流管を備えた５００ｍＬ容の
フラスコに、得られた１分子中に２個のベンゾオキサジン環を有する化合物
、ピロガロール
、乳酸エチル
を投入し、
反応させて、
アルカリ可溶性樹脂の溶液（固形分３０重量％）を得
・・・（省略）・・・
【００６９】
〈ポジ型レジスト組成物の作製及び評価〉
（実施例１〜５）
合成例１
で得られた固形分３０重量％の樹脂溶液
、光酸発生剤として２，３，４，４’−テトラメチルベンゾフェノンに平均して３個の５−ナフトキノンジアジドスルホニル基を結合させたもの
フッ素系界面活性剤
、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル
を混合し、固形分２０重量％のポジ型レジスト組成物を得た
【００７０】
得られたポジ型レジスト組成物を、
スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に
塗布した後、
加熱し、
乾燥させて塗膜を得た
得られた塗膜に対して、４〜２０μｍのドットパターン及びラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行った。紫外線照射後、２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて３０秒間現像し、水で洗浄してパターン形成を行った。
【００７１】
得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、解像度の評価を行った。
また、得られたパターンを、更に２２０℃、６０分間加熱処理した後、シリコンウェハ上から削り取り、熱重量測定装置（ＴＧ／ＤＴＡ３２０、セイコーインスツルメンツ社製）により耐熱性評価を行った。１００℃まで昇温して吸着水分を除去した後、この重量を１００％とし、１０℃／分の昇温速度で５００℃まで加熱して５％重量減少温度を測定した。
結果を表２に示す。
【００７２】
〈ネガ型レジスト組成物の作製及び評価〉
（実施例６〜１０）
合成例１〜５で得られた固形分３０重量％の樹脂溶液２０．０ｇ、重合性不飽和化合物としてペンタエリスリトールトリアクリレート６．０ｇ、光重合開始剤として２−メチル−１（４−メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパン−１−オン（イルガキュア９０７、チバスペシャルティケミカルズ社製）１．０ｇ、フッ素系界面活性剤（ＰＦ−３３２０、ＯＭＮＯＶＡ　ＳＯＬＵＴＩＯＮＳ社製）０．０１５ｇ、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル３８．１ｇを混合し、固形分２０重量％のネガ型レジスト組成物を得た。
【００７３】
得られたネガ型レジスト組成物を、スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に厚さ３μｍとなるように塗布した後、ホットプレート上で１００℃に加熱し、２分間乾燥させて塗膜を得た。
得られた塗膜に対して、４〜２０μｍのドットパターン及びラインアンドスペースパターンを有するマスクを介して４００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行った。紫外線照射後、２．３８％の水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて３０秒間現像し、水で洗浄してパターン形成を行った。
【００７４】
得られたパターンを光学顕微鏡で観察し、解像度の評価を行った。
また、得られたパターンを、更に２２０℃、６０分間加熱処理した後、シリコンウェハ上から削り取り、熱重量測定装置（ＴＧ／ＤＴＡ３２０、セイコーインスツルメンツ社製）により耐熱性評価を行った。１００℃まで昇温して吸着水分を除去した後、この重量を１００％とし、１０℃／分の昇温速度で５００℃まで加熱して５％重量減少温度を測定した。
結果を表３に示す。
【００７５】
【表１】
【００７６】
【表２】
【００７７】
【表３】
」
４　引用発明２
　前記３の記載事項（３）に基づけば、引用文献４には、実施例１として、「ポジ型レジスト組成物の製造方法」に関する事項が記載されている。そうしてみると、引用文献４には、以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていたと認められる。
　「　ビーカーに、ビスフェノールＡ、パラホルムアルデヒド、アニリンを投入し、攪拌してスラリー状にした後、加熱し反応させ、反応液を冷却して１分子中に２個のベンゾオキサジン環を有する化合物を得、
　フラスコに、得られた１分子中に２個のベンゾオキサジン環を有する化合物、ピロガロール、乳酸エチルを投入し、反応させて、アルカリ可溶性樹脂の溶液（固形分３０重量％）を得、
　得られた固形分３０重量％の樹脂溶液、光酸発生剤として２，３，４，４’−テトラメチルベンゾフェノンに平均して３個の５−ナフトキノンジアジドスルホニル基を結合させたもの、フッ素系界面活性剤、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルを混合することからなる、
　スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に塗布した後、加熱し、乾燥させて塗膜を得るために使用される、
　固形分２０重量％のポジ型レジスト組成物の製造方法。」
５　参考文献Ｅの記載事項
　当審拒絶理由で参考文献として引用された刊行物である、特開２０１３−１５４６１２号公報（平成２５年８月１５日公開。以下「参考文献Ｅ」という。）には、以下のとおり記載されている。
　「【００４０】
　また、ジエチレングリコールジエチルエーテルの蒸気圧は６６．７Ｐａ（２０℃）であり、テトラエチレングリコールジメチルエーテルの蒸気圧は１．３Ｐａ以下（２０℃）であり、
ジエチレングリコールメチルエチルエーテルの蒸気圧は９０．０Ｐａ（２５℃）である
６　参考文献Ｆの記載事項
　当審拒絶理由で参考文献として引用され、本件出願前に頒布された刊行物である、特開２００９−２５８５５３号公報（平成２１年１１月５日公開。以下「参考文献Ｆ」という。）には、以下のとおり記載されている。
　「【００２９】
・・・（省略）・・・。なお、これら各溶剤の密度は以下の通りである。
　・
ジエチレングリコールエチルメチルエーテル　　　　密度；０．９２ｇ／ｍｌ
７　引用文献Ｇの記載事項
　本件出願前に頒布された刊行物である、特開平３−１７９７２４号公報（平成３年８月５日公開。以下「引用文献Ｇ」という。）には、以下のとおり記載されている。なお、刊行物に付されていた下線を省き、当合議体が引用発明の認定や判断等に活用した箇所に、新たに下線を付した。
　「　第１実施例
　第１実施例の
下層材料を
調整する
　先ず、単結晶グラファイトをボールミルを用いて充分に微粉末化する。
　次に、ＭＰ　１４００−３１フォトレジスト１００ｍｌ中に微粉末化した上記単結晶グラファイト５ｇを加える。
　次に、この混合物をポットミルに移し、その後、この混合物を２４時間粉砕・混練して、第１実施例の
下層形成材料
　なお、
ＭＰ　１４００−３１フォトレジストは、
レジストの比重が約１である
　次に、下地としてのシリコンウェハ上に
第１実施例の下層材料を２０００回転／分の条件でスピンコートする
下層を形成する
８　引用文献Ｈの記載事項
　本件出願前に頒布された刊行物である、特開２００６−３８６１号公報（平成１８年１月５日公開。以下「引用文献Ｈ」という。）には、以下のとおり記載されている。
　「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　以上の様な状況に鑑み、本発明の目的は、微細パターン形成が可能で、しかも安価なポジ型感光性レジスト材料およびそれに用いる酸感光性共重合体を提供することである。更に詳しくはスルーホールのある基板にも対応でき、近紫外光で露光して１％炭酸ナトリウム水溶液などの弱アルカリ現像液で現像することにより微細なパターン加工を解像性良くできるポジ型感光性レジスト材料を提供することである。
・・・（省略）・・・
【００７４】
　以上で得られた
ポジ型感光性レジスト材料を
塗布方法に適した粘度に調整し
【００７５】
　この時、
本発明のポジ型感光性レジスト組成物の液比重は、乾燥速度を上げるために比重の小さい溶剤を使用するため０．８００以上が好ましく、０．８５０以上がより好ましく、残留溶媒の為に基板同士の張り付き（残留タック）が無い様に０．９９０以下が好ましく、０．９５０以下がより好ましい。
９　引用文献Ｉの記載事項
　本件出願前に頒布された刊行物である、特開２００２−２４６２９３号公報（平成１４年８月３０日公開。以下「引用文献Ｉ」という。）には、以下の記載がある。
　「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトレジストのコーティング方法（回転塗布方法）に関し、より詳しくは、
高粘度フォトレジストの厚膜を、１回のスピンコート操作により基板表面に均一に、かつ気泡が巻き込まれることなく成膜することができる
・・・（省略）・・・
【００１１】本発明のコーティング方法は、
常温での粘度が１．４Ｐａ・ｓ以上、１．６Ｐａ・ｓ以下のフォトレジストをコーティングする場合に特に有効であり、膜厚１０μｍ以上のフォトレジスト膜を、１回のコーティング操作で成膜することができる。
・・・（省略）・・・
【００２４】実施例１
本発明によるフォトレジスト成膜の実施例を説明する。この実施例１では、基板として口径４インチ、厚み０．３ｍｍのシリコンウェハーを用いた。このウェハーを予めアセトンで超音波洗浄し、表面すなわちレジストコート面にゴミや染みがないことを確認した。なお、基板材料がシリコンなど、金属以外の材料の場合には、レジストの付着力を向上させるために、ヘキサメチルシラザン（例えば、東京応化工業製の「ＯＡＰ」）を膜厚５０ｎｍ〜数百ｎｍで成膜することが好ましい。なお、このＯＡＰ膜のベークは不要である。
【００２５】上記予備洗浄の後、以下の手順でＳＩＰＲ−９２７０（信越化学製のポジ型フォトレジスト：粘度１．４〜１．６Ｐａ・ｓ）の成膜を行った。スピンコータのターンテーブルにウェハーをセットし、注入口の口径が３０ｍｍの容器の上記注入口をウェハー表面の直近に位置決めし、上記注入口からレジストをウェハー中央部に直接注いだ。使用したレジスト量は１０ｍｌ（ミリリットル）〜５０ｍｌであった。
【００２６】なお、注入口をウェハー表面から離しすぎた場合には、注がれるレジスト液の太さにより、ウェハー表面での液の跳ね上がり量（レジスト液がウェハーに接触したときに飛び散る滴の量）が異なるようになる。この場合、レジスト液を細く絞って注ぎ込むと跳ね返り量が多くなって、塗布されたレジスト内に空気が進入しやすくなり、気泡の発生量が多くなるうえ、気泡が大きくなる。また、このような気泡巻き込みの問題を防止するには、容器の注入口をウェハー表面の直近に位置決めすることのほかに、レジスト容器をできるだけ揺らさずに保管・移動することが必要である。
【００２７】上記レジスト滴下につづいて、ターンテーブルを回転させて成膜した。この場合、初めに５００ｒｐｍ×５秒間の条件で回転させ、ついで１０００ｒｐｍ×１０秒間で、最後に１５００ｒｐｍ×６０秒間の条件でそれぞれ回転させた。その後、成膜したウェハー表面のフォトレジスト膜を１１０℃×３００秒の条件でベークした。
【００２８】その結果、ベーク後のウェハー表面のフォトレジスト膜の厚みは均一で、しかもウェハー表面のフォトレジスト膜の全面について観察したところ、気泡は確認されなかった。」
１０　引用文献Ｊの記載事項
　本件出願前に頒布された刊行物である、特開平６−７５３６５号公報（平成６年３月１８日公開。以下「引用文献Ｊ」という。）には、以下のとおり記載されている。
　「【０００７】本発明は、上述のような事情に鑑みてなされたものであり、微細な凹部を高い精度で形成することのできる凹版印刷版の製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成するために、本発明は基板表面に第１フォトレジスト層を形成し、該第１フォトレジスト層上にシリコンを含有した薄い第２フォトレジスト層を形成し、この基板に所定パターンのフォトマスクを介して紫外線を照射して前記第２フォトレジスト層を露光・現像して前記第２フォトレジスト層からなるマスクを形成し、次に、前記基板を真空チャンバー内に載置して前記マスク面に酸素のリアクティブイオンビームを照射して前記第１フォトレジスト層の前記マスク非存在部分をエッチングし、その後、前記マスク面にイオンビームを照射して前記基板の前記マスクおよび前記第１フォトレジスト層非形成部分をエッチングして前記基板に凹部を形成するような構成とした。
・・・（省略）・・・
【００１６】第１フォトレジスト層２の形成に使用する通常のフォトレジストとしては、ゼラチン、カゼイン、ポリビニルアルコール等に重クロム酸塩等の感光剤を添加したものを挙げることができる。また、第１フォトレジスト層２の厚さは基板との選択比を考慮して適宜決定することができ、通常２〜１０μｍ程度が好ましい。
・・・（省略）・・・
【００１９】次に、実験例を示して本発明を更に詳細に説明する。
（実験例１）
ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にポジ型の厚塗り用レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００Ｂ、粘度＝８００ｃｐ）をスピンコート法により塗布して厚さ５μｍの第１フォトレジスト層を形成した。
１１　引用文献Ｋの記載事項
　本件出願前に頒布された刊行物である、特開２００９−１７５３９９号公報（平成２１年８月６日公開。以下「引用文献Ｋ」という。）には、以下のとおり記載されている。
　「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、電子放出素子の絶縁層を形成する際に用いる感光性組成物、感光性組成物の製造方法およびこれを用いた電子放出素子に関する。
・・・（省略）・・・
【０００９】
　　本発明は、感光性有機成分、分散剤、無機粉末を含有してなる電子放出素子の絶縁層形成用感光性組成物であって、組成物１００ｇ中の粒径２０μｍ以上の凝集体数が５０個未満であることを特徴とする感光性組成物である。
・・・（省略）・・・
【００１６】
　感光性組成物の粘度調整は無機成分、増粘剤、有機溶媒、可塑剤および沈殿防止剤などの添加割合によって適宜調整されるが、その範囲は０．５〜２００Ｐａ・ｓが好ましい。
例えばガラス基板への塗布をスピンコート法で行う場合は、０．５〜５Ｐａ・ｓが好ましい。
第５　対比
１　本件補正発明と引用発明１との対比
（１）　対比
ア　酸性の官能基を有するアルカリ可溶性樹脂
　引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、「ベンゾオキサジン環の開環構造を有するアルカリ可溶性樹脂」を含有する。
　引用文献３の段落【００２０】には、引用発明１の「アルカリ可溶性樹脂」が、「ベンゾオキサジン環の開環構造由来のフェノール性水酸基」を有することが記載されている。そして、「フェノール性水酸基」は、本願発明でいう「酸性の官能基」に該当する（本願明細書の段落【００２９】）。
　そうしてみると、引用発明１の「アルカリ可溶性樹脂」は、本件補正発明の「（Ａ）酸性の官能基を有する」という要件を満たす「アルカリ可溶性樹脂」に相当する。
イ　光酸発生剤
　引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、「光反応により酸を発生する光反応性化合物」を含有する。
　引用発明１の「光反応により酸を発生する光反応性化合物」は、その文言の意味する機能からみて、「光酸発生剤」である。
　そうしてみると、引用発明１の「光反応により酸を発生する光反応性化合物」は、本件補正発明の「光酸発生剤」に相当する。
ウ　溶媒
　引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、「ジエチレングリコールメチルエチルエーテル」を含有する。
　引用発明１の「ジエチレングリコールメチルエチルエーテル」は、引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」の組成からみて、「溶媒」である。また、参考文献Ｅの段落【００４０】の記載によると、引用発明１の「ジエチレングリコールメチルエチルエーテル」は、蒸気圧が９０．０Ｐａ（２５℃）である。また、及び参考文献Ｆの段落【００２９】の記載によると、引用発明１の「ジエチレングリコールメチルエチルエーテル」は、「密度；０．９２ｇ／ｍｌ」である。参考文献Ｆに記載された「ジエチレングリコールメチルエチルエーテル」は、技術常識からみて、２５℃における密度が０．９２ｇ／ｃｍ３、もしくは同程度であると認められる。
　そうしてみると、引用発明１の「ジエチレングリコールメチルエチルエーテル」は、本件補正発明の「２５℃における蒸気圧が１０Ｐａ〜２５０Ｐａであり、かつ２５℃における密度が０．７ｇ／ｃｍ３〜１．０２ｃｍ３である」という要件を満たす「溶媒」に相当する。
エ　スピンコート用感光性樹脂組成物
　引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、「スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に塗布した後、加熱し、乾燥させて塗膜を得る」ための組成物である。
　引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、技術常識からみて、「感光性樹脂組成物」である。また、引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、「スピンコーターを用いてシリコンウエハ上に塗布」されるから、「スピンコート用」の組成物である。
　そうしてみると、引用発明１「ポジ型レジスト組成物」は、本件補正発明の「スピンコート用感光性樹脂組成物」に相当する。
オ　酸性の官能基
　前記アで述べたとおり、引用発明１の「アルカリ可溶性樹脂」は、「フェノール性水酸基を有する」から、本件補正発明の「前記酸性の官能基は、フェノール性水酸基及びカルボキシル基から選ばれる少なくとも１つの基であり」という要件を満たす。
（２）　一致点
　以上のことから、本件補正発明と引用発明１は、以下の構成において一致する。
　「　（Ａ）酸性の官能基を有するアルカリ可溶性樹脂；
　（Ｂ）光酸発生剤；及び
　（Ｃ）２５℃における蒸気圧が１０Ｐａ〜２５０Ｐａであり、かつ２５℃における密度が０．７ｇ／ｃｍ３〜１．０２ｇ／ｃｍ３である溶媒；
を含むスピンコート用感光性樹脂組成物の製造方法であって、
　前記酸性の官能基は、フェノール性水酸基及びカルボキシル基から選ばれる少なくとも１つの基である、前記スピンコート用感光性樹脂組成物の製造方法。」
（３）　相違点
　本件補正発明と引用発明１を対比すると、本件補正発明は、「該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における密度を、０．７５ｇ／ｃｍ３〜１．１ｇ／ｃｍ３の範囲内に調整し」、「該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における粘度を、０．５Ｐａ・ｓ〜２Ｐａ・ｓの範囲内に調整する」のに対し、引用発明１は、そのように特定されていない点。
（４）　判断
ア　引用文献Ｇには、「比重が約１」の「フォトレジスト」を使用して、「下層形成材料」を「調整する」こと（前記第４の「７」を参照。）や、引用文献Ｈには、「ポジ型感光性レジスト組成物」を「塗布方法に適した粘度に調整し」、「ポジ型感光性レジスト組成物の液比重」を「０．８００以上」「０．９９０以下」とすることが記載されている（前記第４の「８」を参照。）。ここで、引用文献Ｇに記載された「比重」及び引用文献Ｈに記載された「液比重」は、技術常識からみて、本件補正発明でいう「密度」に該当する。
　そうしてみると、感光性樹脂組成物の密度を「約１」または「０．８００以上」「０．９９０以下」に調整することは、当該技術分野において周知の技術事項であったと認められる。
イ　また、引用文献Ｉには、「常温での粘度」を「１．４Ｐａ・ｓ以上、１．６Ｐａ・ｓ以下」とすることにより、「膜厚１０μｍ以上のフォトレジスト膜を」「１回のスピンコート操作により基板表面に均一に、かつ気泡が巻き込まれることなく成膜することができる」こと（前記第４の「９」を参照。）、引用文献Ｊには、「ガラス基板（厚さ２．３ｍｍ）の表面にポジ型の厚塗り用レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８００Ｂ、粘度＝８００ｃｐ）をスピンコート法により塗布して厚さ５μｍの第１フォトレジスト層を形成」すること（前記第４の「１０」を参照。）が記載されている。
　そうしてみると、感光性樹脂組成物の粘度を１．４Ｐａ・ｓ以上、１．６Ｐａ・ｓ以下または８００ｃｐ（＝０．８Ｐａ・ｓ）程度とすることにより、感光性樹脂組成物からなる膜厚１０μｍ以上または５μｍの厚膜を、スピンコート法で作製することは、当該技術分野において周知の技術事項であったと認められる。
　また、引用文献Ｋには、「ガラス基板への塗布をスピンコート法で行う場合は、０．５〜５Ｐａ・ｓが好ましい」と記載されているから（前記第４の「１１」を参照。）、スピンコート用の感光性樹脂組成物の粘度を「１．４Ｐａ・ｓ以上、１．６Ｐａ・ｓ以下」、「８００ｃｐ」または「０．５〜５Ｐａ・ｓ」に調整することは、当該技術分野において周知の技術事項であったと認められる。
ウ　引用文献３の段落【００５６】には、「レジスト組成物の固形分濃度が１０〜６０重量％・・・（省略）・・・となるように配合すること」が記載されている。そして、本件明細書の段落【０１５８】に記載されているとおり、乳酸エチルの密度は１．０５ｇ／ｃｍ３、参考文献Ｅに記載されているとおり、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルの密度は０．９２ｇ／ｃｍ３であるから、引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、溶媒の種類や組成物の固形分濃度に応じて、「０．７ｇ／ｃｍ３〜１．１ｇ／ｃｍ３」という範囲に調整できるものである。
　また、引用文献３の段落【００７２】及び段落【００７３】には、「本発明の感光性接着剤」で形成した「接着剤パターンの厚み」は、「２〜１００μｍの範囲であることが好ましく、１０〜５０μｍの範囲であることがより好ましい」こと、引用発明１の「アルカリ可溶性樹脂」の「重量平均分子量」は、「ポジ型レジスト組成物」を使用したパターン形成に影響を及ぼすものであること（段落【００２１】）が記載されている。そして、引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、塗膜をスピンコート法で作製するものである。
　したがって、前記イでの検討事項も考慮すれば、引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、その粘度が、「１．４Ｐａ・ｓ以上、１．６Ｐａ・ｓ以下」または「８００ｃｐ」となる蓋然性が高い。仮に、粘度が「１．４Ｐａ・ｓ以上、１．６Ｐａ・ｓ以下」または「８００ｃｐ」ではないとしても、引用発明１の「ポジ型レジスト組成物」は、溶媒の種類や配合量並びにアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量といった感光性樹脂組成物の材料組成を調整することにより、「０．５Ｐａ・ｓ〜２Ｐａ・ｓ」という範囲に調整できるものである。
エ　そして、引用文献３の段落【００５６】に、「本発明のレジスト組成物の固形分濃度が１０〜６０重量％、より好ましくは１５〜５０重量％となるように配合することが、塗工性や塗膜均一性等の点から好ましい。」と記載され、引用文献Ｉの段落【０００１】に、「フォトレジストのコーティング方法（回転塗布方法）に関し、より詳しくは、高粘度フォトレジストの厚膜を、１回のスピンコート操作により基板表面に均一に、かつ気泡が巻き込まれることなく成膜することができるコーティング方法に関する」と記載されているとおり、スピンコート法により塗膜を形成する際に、操作性や塗膜均一性を勘案することは、当該技術分野において自明の課題であるといえる。
オ　そうしてみると、引用発明１の「ポジ型レジスト組成物の製造方法」において、スピンコート法により塗膜を作製する際の操作性や塗膜均一性を勘案した当業者が、溶媒の種類や配合量並びにアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量を調整し」、「該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における密度を、０．７５ｇ／ｃｍ３〜１．１ｇ／ｃｍ３の範囲内に調整し」、「該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における粘度を、０．５Ｐａ・ｓ〜２Ｐａ・ｓの範囲内に調整する」という２つの要件を満たす調整を行うことは、通常の創意工夫の範囲内の事項である。
カ　本願発明の効果に関して、請求人は、令和元年７月１９日提出の意見書において、以下のとおり主張する。
　「上記「２．補正の根拠」におきまして本件明細書の根拠段落００１１、０１１２及び０１１３としても抜粋しましたとおり、本件の出願当初の明細書から、感光性樹脂組成物の製造方法において感光性樹脂組成物の２５℃における密度と粘度とを特定の数値範囲に調整することによりまして、スピンコート膜作製時の吐出質量を飛躍的に削減し、かつ通常の半導体保護膜で必要とされる膜厚（最終硬化膜で３μｍ〜２０μｍ）をスピンコート法で適当な回転数（５００ｒｐｍ〜５０００ｒｐｍ）で作製することを可能にせしめるという技術的思想が把握されることができます。
・・・（省略）・・・
　引用文献３及び４には、感光性樹脂組成物が開示されておりますが、上記のような技術的思想に基づいて感光性樹脂組成物（例えば、溶剤を含むワニス）を製造する方法までが開示又は示唆されているわけではありません。
　さらに、本件発明は、スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃での粘度と密度を特定することによりまして、従来の水準より少ない吐出質量で、スピンコート法による塗膜作製時の濡れ広がり性に優れ、その塗膜の面内均一性に優れるという効果を奏します（明細書の段落００１１及び００２６など）。この効果は、本件実施例により裏付けられますが、引用文献３及び４では検討も評価もされておりませんので、際立って優れた効果又は異質な効果であると思料します。」
　しかしながら、引用発明３及び４は、「ポジ型レジスト組成物の製造方法」が開示されており、「該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における密度を、０．７５ｇ／ｃｍ３〜１．１ｇ／ｃｍ３の範囲内に調整し」、「該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における粘度を、０．５Ｐａ・ｓ〜２Ｐａ・ｓの範囲内に調整する」という要件を満たすように設定することは、通常の創意工夫の範囲内の事項である。
　また、本願明細書に記載の実施例及び比較例では、プリベーク膜の厚さが９．０μｍなる一定の膜厚となるように感光性樹脂組成物０．９ｇをスピン塗布した上で、塗布面積の評価を行っている（厚さ及び重量を一定として面積を比較している）のであるから（段落【０２１２】）、密度が１．１ｇ／ｃｍ３を超えるような樹脂組成物に比して塗布面積が大きくなるという事象は、引用文献Ｇや引用文献Ｈに開示された（密度が１．１ｇ／ｃｍ３より小さい）周知の感光性樹脂組成物が塗布しうる面積を確認したにすぎない。したがって、本願発明の奏する作用効果は、引用発明１に記載された技術及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
２　本件補正発明と引用発明２との対比
　前記１における検討事項と同様に、引用発明２の「ポジ型レジスト組成物の製造方法」において、スピンコート法により塗膜を作製する際の操作性や塗膜均一性を勘案した当業者が、溶媒の種類や配合量並びにアルカリ可溶性樹脂の重量平均分子量を調整し、「該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における密度を、０．７５ｇ／ｃｍ３〜１．１ｇ／ｃｍ３の範囲内に調整し、」「該スピンコート用感光性樹脂組成物の２５℃における粘度を、０．５Ｐａ・ｓ〜２Ｐａ・ｓの範囲内に調整する」という要件を満たすように設定することは、通常の創意工夫の範囲内の事項である。
　そして、上記相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明１に記載された技術及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。