【事件の表示】
　特許第３２１３５４０号「アクティブマトリクス型液晶表示装置」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２１３５４０号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　特許第３２１３５４０号の請求項１乃至３に係る発明についての出願は、平成８年３月２１日（優先権主張　平成７年３月２７日）に出願したものであって、平成１３年７月１９日にその発明についての特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人中川徹により特許異議の申立てがなされたものであり、その発明は、その特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】第１の基板と、該第１の基板上に形成された表示電極と、第１の基板上において、表示電極の下方の一部及び側方の少なくとも一方に形成された電極と、前記表示電極を覆うように形成された配向膜と、前記第１の基板に対向されている第２の基板と、前記第２の基板の第１の基板側の面に形成された対向配向膜と、前記配向膜と対向配向膜との間に挟持された液晶とを備え、前記配向膜表面の表示電極上の平坦面部分から、前記電極が存在する部分上方に向かって配向膜表面が傾斜されており、該配向膜傾斜面の傾斜角度が、前記配向膜表面の平坦面部分に対して７°以下とされている、アクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項２】  前記電極が映像線であり、表示電極の側方に形成されている、請求項１に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
【請求項３】  前記配向膜が、単一層の配向膜により構成されている、請求項２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。」（以下、「本件発明１」乃至「本願発明３」という。）
　
２．異議の申立て
(1) 申立て理由の概要
　申立人の主張は、以下の通りである。
　本件発明は、甲第１号証に記載された発明であり、また、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号または第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件発明の特許は、取り消されるべきものである。
　
(2) 刊行物記載の発明
　申立人が提出した甲第１号証である特開平５−２４９４９４号公報には、
「【請求項１】信号ラインとゲートラインとの交差部分に配置された薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する一方の基板と、対向電極を有し前記一方の基板に対向配置された他方の基板と、両方の基板に保持された液晶層とを備えた液晶表示装置において、前記画素電極の周囲に沿って形成された前記画素電極と信号ライン及びゲートラインとの間に位置する段差斜面のうち少なくとも一辺は最大傾斜角が６０度以下である事を特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】信号ラインとゲートラインとの交差部分に配置された薄膜トランジスタとこの薄膜トランジスタに接続された画素電極とを有する一方の基板と、対向電極を有し前記一方の基板に対向配置された他方の基板と、両方の基板に保持された液晶層とを備えた液晶表示装置において、前記画素電極の下に少なくとも１層はリフローされた層間絶縁膜が形成されており該層間絶縁膜の段差斜面は最大傾斜角が６０度以下である事を特徴とする液晶表示装置。」（特許請求の範囲）、
「【０００３】図３に示す様に、ＴＦＴ基板２５の表面にはパタニングされた各種の薄膜が積層されており、表面は凹凸を有する。例えばゲートライン２２及び信号ライン２３が形成された部位の頂面は画素電極２４の上面より０．１〜１．５μｍ程度突出しており、画素電極２４との間に斜面Ｓが形成されている。これらゲートライン２２及び信号ライン２３を含めてＴＦＴ基板２５の表面には、図示しないが液晶分子の配向方向を規定する為に配向膜が塗布されている。同様に、対向基板２７の内表面にも配向膜が塗布されている。」（段落番号【０００３】欄）、
「ゲートライン２２や信号ライン２３の近傍では前述した斜面に沿って液晶分子２６Ｍが立ち上がる為、プレティルト状態に乱れを生じる。この乱れは斜面が高いほど且つ傾斜角が大きいほど顕著になる。しかも、ラビング方向前方に立ちはだかる形に見える前方斜面ＳＡと、ラビング処理の影となって後方にのみ見える後方斜面ＳＢとで、その近傍のプレティルト状態の乱れに相違が生じる。一方、斜面以外の部位、例えば画素電極２４の表面上ではラビング処理によって定まるプレティルト角を呈しており、これは正常な順ティルトである。しかし、後方斜面ＳＢの近傍領域において、液晶分子は斜面に沿う様に正常な順ティルトとは反対方向に立ち上がり逆ティルトあるいはリバースティルト状態になる。この為、順ティルト状態と逆ティルト状態との境界に沿って、液晶分子がどちらの方向にも立ち上がっていないディスクリネーション領域が発生する。このディスクリネーション領域は電圧印加時においても旋光能を失わない為、特にノーマリホワイト表示の場合には線状に表われ表示品質が悪化するという問題点がある。」（段落番号【０００６】欄）
「図６を参照して本発明の作用を説明する。図６のグラフは段差領域の寸法形状と、リバースティルトあるいはディスクリネーションの発生程度との相関を示すグラフである。縦軸に段差斜面の最大傾斜角をとっており、横軸に段差高さをとってある。グラフから明らかな様に、段差斜面の最大傾斜角が小さくなるほどディスクリネーションの発生は抑制できる。又、段差の高さ自体を小さくする事によりディスクリネーションの発生を抑制できる。しかしながら、信号ラインやゲートラインを構成する薄膜の厚みを無制限に小さくする事は不可能であり、実際上３００nm程度の膜厚を有する。この場合には、最大傾斜角が８０°程度の略垂直端面に近い場合にはディスクリネーションが多発する。一方、最大傾斜角を６０°以下に制御した場合にはディスクリネーションを少なくする事ができる。さらに、最大傾斜角を４５°以下に抑えた場合には事実上ディスクリネーションを除去できる。」（段落番号【００１２】欄）、
「図１は本発明にかかるアクティブマトリクス型液晶表示装置の第１実施例を示す模式的な要部断面図である。図示する様に、画素電極１の近傍には対応する薄膜トランジスタ２が形成されている。マトリクス状に配列された画素電極１の各行間には行毎に液晶画素を選択する為のゲートライン３が配置されており、その一部は薄膜トランジスタ２のゲート電極２Ｇを構成する。又、画素電極１の各列間には画像信号を供給する為の信号ライン４が配置されている。薄膜トランジスタ２のソース／ドレインの一方が画素電極１に接続され、他方が信号ライン４に接続されている。薄膜トランジスタ２は、絶縁基板５の表面に堆積された多結晶シリコン膜６を用いて形成される。活性領域を構成する多結晶シリコン膜６の上にはゲート絶縁膜７を介して前述したゲート電極２Ｇが設けられている。かかる構成を有する薄膜トランジスタ２は層間絶縁膜８により被覆されているとともに、前述した画素電極１及び信号ライン４は層間絶縁膜８の上に形成されている。
【００１５】絶縁基板５に対面して対向電極９の形成された対向基板１０が貼り合わされている。両基板の間隙には液晶層１１が封入されておりアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成する。この液晶層１１は例えばネマティック液晶からなる。一対の基板５，１０の内表面は、図４に示した従来例と全く同様に、ラビング配向処理を施されており、ネマティック液晶分子は所定のプリティルト状態でツイスト配向される。・・・・・
【００１７】次に、本実施例の要部をなす層間絶縁膜８について詳細に説明する。この層間絶縁膜８はＰＳＧからなり成膜した後所謂リフロー処理が施されている。層間絶縁膜８は比較的鋭い傾斜端面を有するゲート電極２Ｇを被覆している。リフロー処理を施すと層間絶縁膜８が流動変形しゲート電極２Ｇの端面部あるいは段差部に対する被覆性が改善され、表面に現れた段差斜面がなだらかになる。例えば、リン濃度が７重量％のＰＳＧ膜（厚み６００nm）を１０００℃で１０分間アニールしリフロー処理を施すと、厚み３５０nmの多結晶シリコン膜からなるゲート電極２Ｇの段差部上方において、層間絶縁膜８表面の最大傾斜角θ1 を５５°程度に抑える事ができる。
【００１８】この様にリフロー処理を施した層間絶縁膜を用いる事によって、リバースティルトドメインを誘起する力を弱くする事ができ、さらには周囲の正常ティルト領域の配向力により、リバースティルトドメインを消滅させる事が可能になる。つまり、リバースティルトドメインが発生しないので、ディスクリネーションラインも発生せず、これに起因する漏れ光によるコントラストの低下を防止する事ができる。
【００１９】なお図１に示す実施例では、信号ライン４は層間絶縁膜８の上に形成されている。この信号ライン４を含む領域についても平坦化が必要な場合には、第２の層間絶縁膜を被覆し同様にリフロー処理を施せば良い。」（段落番号【００１４】乃至【００１９】欄）、
「以上に説明した各実施例においては段差部領域の表面最大傾斜角を６０°以下に制御している。しかしながら、図６から明らかな様に、傾斜角は小さい方がより効果は大きく、最大傾斜角を４５°以下に制御すると一層効果的である。」（段落番号【００２５】欄）、及び、
「以上説明した様に、本発明によれば、画素電極の周囲に存在する、画素電極と信号ライン，データライン及び蓄積容量ラインとの間の段差斜面のうち少なくともラビング処理の影になる一辺は、最大傾斜角が６０°以下となる様に緩斜面化処理を施しており、リバースティルトドメインを誘起する力を弱めている。この為、リバースティルトドメインの発生領域を極限化する事ができる。さらには、周囲の正常ティルト領域の配向力によりリバースティルトドメイン自体を消滅させる事ができる。この様に、本発明によればリバースティルトドメインが発生しない為ディスクリネーションラインを除去でき、これに起因する漏れ光による表示コントラストの低下を防ぐ事ができるという効果がある。」（段落番号【００２７】欄）と記載され、
図１には、ゲートラインによる段差部の傾きをθ１とし、層間絶縁膜８上に信号ライン４が形成された液晶表示装置が、図５には、ゲートライン２２及び信号ライン２３による斜面ＳＡ及びＳＢにより、ディスクリネーション領域が発生している液晶表示装置が、それぞれ示されている。
　
(3) 対比・判断
ａ．本件発明１について
　甲第１号証記載の発明（以下、「引用発明」という。）における絶縁基板５、画素電極１、信号ライン４、絶縁基板１０は、本件発明１における第１の基板、表示電極、電極、第２の基板に、それぞれ相当することは明らかである。
　また、甲第１号証の従来技術の欄である段落番号【０００３】欄には、「ゲートライン２２及び信号ライン２３を含めてＴＦＴ基板２５の表面には、図示しないが液晶分子の配向方向を規定する為に配向膜が塗布されている。同様に、対向基板２７の内表面にも配向膜が塗布されている。」と、本件発明の実施例の欄である段落番号【００１５】欄には、「一対の基板５，１０の内表面は、図４に示した従来例と全く同様に、ラビング配向処理を施されており、ネマティック液晶分子は所定のプリティルト状態でツイスト配向される。」と、それぞれ記載されていることから、引用発明は、第１の基板５の内表面には配向膜が、第２の基板１０の内表面には対向配向膜が、それぞれ形成されていることと推察できる。
　これらの点を考慮して、本件発明１と引用発明とを比較すると、第１の基板と、該第１の基板上に形成された表示電極と、第１の基板上において、表示電極の下方の一部及び側方の少なくとも一方に形成された電極と、前記表示電極を覆うように形成された配向膜と、前記第１の基板に対向されている第２の基板と、前記第２の基板の第１の基板側の面に形成された対向配向膜と、前記配向膜と対向配向膜との間に挟持された液晶とを備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置である点で一致し、下記（１）及び（２）の点で相違する。
（１）本件発明１が、配向膜表面の表示電極上の平坦面部分から、電極が存在する部分上方に向かって配向膜表面が傾斜されているのに対し、引用発明が、表示電極上の平坦面部分から、電極が存在する部分上方に向かって表面が傾斜されている点
（２）本件発明１が、配向膜傾斜面の傾斜角度が、配向膜表面の平坦面部分に対して７°以下であるのに対し、引用発明が、電極が存在する部分上方からの傾斜角度が、平坦面部分に対して６０°以下である点
・（１）の点について
　甲第１号証には、表示電極上の平坦面部分から、電極が存在する部分上方に向かって表面が傾斜されていることが記載されているものの、配向膜が形成された状態で該傾斜が存在するか否か明記されていない。しかしながら、甲第１号証の図５に示されたものでは、第１の基板である絶縁基板５の断面が明らかに傾斜しており、また、配向膜を通常の膜厚で形成した場合には、配向膜の形状は下方の凹凸に倣うことになるから、引用発明も、配向膜表面の表示電極上の平坦面部分から、電極が存在する部分上方に向かって配向膜表面が傾斜されていると認められ、この点は実質的に相違するものではない。
・（２）の点について
　甲第１号証には、「最大傾斜角を６０°以下に制御した場合にはディスクリネーションを少なくする事ができる。さらに、最大傾斜角を４５°以下に抑えた場合には事実上ディスクリネーションを除去できる。」（段落番号【００１２】欄）、及び、「傾斜角は小さい方がより効果は大きく、最大傾斜角を４５°以下に制御すると一層効果的である。」（段落番号【００２５】欄）と記載されており、該最大傾斜角は配向膜が形成されていない状態のものであるが、配向膜の形成された第１の基板表面の傾斜でも、ディスクリネーションをより少なくするために、傾斜角をなるべく小さくすればよいことは、当業者が普通に思考し得ることである。そして、該傾斜角を７°以下とすることも、上記のディスクリネーションをより少なくするという目的及び「傾斜角は小さい方がより効果は大きく」（段落番号【００２５】欄）の記載を考慮すれば、当業者が何ら困難なく想定しうることである。
　なお、特許権者は、特許異議意見書において、本件特許発明は、配向膜傾斜面の傾斜角度を配向膜表面の平坦面部分に対して７°以下に設定したことは、「目視で表示電極上の反転領域を消滅させることができる」臨界値としての意義は十分に有していると主張している。
　しかしながら、本件発明１において規定された「傾斜角度」も、引用発明において規定された「最大傾斜角」も、配向膜の種類、配向膜形成時の条件、液晶の性質等の傾斜角以外の条件が明確に示されておらず、また、甲第１号証の表示品質が、目視によるものなのか、画像処理データのものなのか明確に示されてはいないが、通常、画像の表示品質等を考慮する場合、当然目視による表示品質も問題となってくるものであるから、甲第１号証の、「傾斜角は小さい方がより効果は大きく、最大傾斜角を４５°以下に制御すると一層効果的である。」（段落番号【００２５】欄）との記載に基づいて、目視による表示品質の悪化がないように「傾斜角度」を７°以下と設定することは、当業者が適宜設定し得たことである。
　よって、本件発明１は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反している。
　
ｂ．本件発明２について
　甲第１号証の図１から明らかなように、信号ラインは画素電極の側方に形成されており、また、引用発明における信号ラインは、本件発明２における電極及び映像線に相当することは明らかである。
　そこで、本件発明２と引用発明とを比較すると、ａ．で述べた（１）、（２）の点で相違し、その余の点では一致する。
　そして、（１）、（２）の相違点については、ａ．で述べたとおりであるから、本件発明２は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反している。
　
ｃ．本件発明３について
　本件発明３と引用発明とを比較すると、ａ．で述べた（１）及び（２）、並びに（３）配向膜が、本件発明３では、単一層で構成されているのに対し、引用発明では、何層で構成されているか不明である点で相違し、その余の点では一致する。
　（１）、（２）の点については、ａ．において検討済みなので、以下、（３）の点について検討すると、配向膜を単一層で形成することは、当業界ではごく普通に行われていることであり、引用発明において、配向膜を単一層とすることに、なんら創作性を見いだせない。
　よって、本件発明３は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反している。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１乃至３の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　したがって、本件発明についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月２７日（２００２．８．２７）