【事件の表示】
　特許第３０９２８０１号「薄膜成長装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０９２８０１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０９２８０１号は、平成１０年４月２８日に特許出願した特願平１０−１３４３８２号を国内優先権主張の基礎とする出願であって、平成１１年４月２７日に特許出願され、平成１２年７月２８日にその発明について設定登録がされ、平成１２年９月２５日に特許公報が発行されたところ、その申立期間内である平成１３年３月２６日に異議申立人小野和広（以下、「申立人」という）により特許異議の申立てがなされ、その後、平成１３年７月２６日付（平成１３年８月１０日発送）で取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１０月５日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成１３年１０月５日に提出された訂正請求で特許権者が求めている訂正の内容は、以下のア〜クのとおりである。
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１について、
「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピン」
とあるのを、
「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
ＳｉＣ
と訂正する。
イ．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項３及び４を削除する。
ウ．訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項５を請求項２に繰り上げ、また、その記載に関し、
「前記リフトピンの基材が黒鉛であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜成長装置。」
とあるのを、
「
反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　
前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い黒鉛基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
と訂正する。
エ．訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項６を請求項３に繰り上げ、また、その記載に関し、
「前記リフトピンの基材がガラス状カーボンであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜成長装置。」
とあるのを、
「
反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　
前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
とする。
オ．訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項２を請求項４に繰り下げ、
「前記リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする請求項１記載の薄膜成長装置。」
とあるのを、
「前記リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれか１項に
と訂正する。
カ．訂正事項ｆ
　明細書【００１２】段落に、
「・・・・・・リフトピンとしては、サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
基材
とあるのを、
「・・・・・・リフトピンとしては、サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
ＳｉＣ基材、黒鉛基材あるいはガラス状カーボン基材
と訂正する。
キ．訂正事項ｇ
　明細書【００１４】段落の表１中、「石英」を構成材料とするものが、「本発明のリフトピン」として記載されているものを、「参考例」へと変更する訂正を行う。
ク．訂正事項ｈ
　明細書【００１５】段落に、
「・・・・・・石英は、黒鉛やＳｉＣよりも著しく低い熱伝導度を示す材料である。石英は、ＳｉＣ被膜を形成せずに、無垢のまま使用することが好適である。」
とあるのを、
「・・・・・・
参考例として
に訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ア．訂正の目的について
　上記訂正事項ａは、請求項１について、「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピン」とあるのを、上記「熱伝導率の低い（リフトピンの）基材」の基材の構成材料を「ＳｉＣ」に限定して「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
ＳｉＣ
　また、上記訂正事項ｃは、「前記リフトピンの基材が黒鉛であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜成長装置。」とあるのを、
（１）訂正前の請求項１の薄膜成長装置のみを引用するものに限定し（以下「訂正事項ｃ（１）」という）、
（２）さらに、従属請求項として記載されている当該記載を、独立請求項による記載形式に改め（以下「訂正事項ｃ（２）」という）、
「
反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い黒鉛基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
と訂正するものである。ここで、上記訂正事項ｃ（１）は、明らかに特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、上記訂正事項ｃ（２）は、上記訂正事項ａにより請求項１が減縮され、これを引用することが困難になったことに伴い、従属請求項による記載形式を独立請求項による記載形式に改めるものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。よって、上記訂正事項ｃは、特許法第１２０条第２項ただし書きに規定する訂正の目的に該当するものである。
　そして、上記訂正事項ｄは、「前記リフトピンの基材がガラス状カーボンであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜成長装置。」とあるのを、
（１）訂正前の請求項１の薄膜成長装置のみを引用するものに限定し（以下「訂正事項ｃ（１）」という）、
（２）さらに、従属請求項として記載されている当該記載を、独立請求項による記載形式に改め（以下「訂正事項ｃ（２）」という）、
「
反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しなから該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
と訂正するものであるから、上記訂正事項ｃと同様に、特許請求の範囲の減縮あるいは明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、特許法第１２０条第２項ただし書きに規定する訂正の目的に該当するものである。
　さらに、上記訂正事項ｅは、
「前記リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする請求項１記載の薄膜成長装置。」
とあるのを、
「前記リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれか１項に
と訂正するものであるが、ここで、訂正後の「請求項１ないし３」の薄膜成長装置では、上記訂正事項ａ〜ｄにより、「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピン」（訂正前の請求項１に係る薄膜成長装置）の基材の構成材料が、「ＳｉＣ」、「黒鉛」ないし「ガラス状カーボン」に限定されたものになっている。してみると、訂正事項ｅは、実質的に「熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であるリフトピンの基材」として選択しうる「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピン」の基材の構成材料を「ＳｉＣ」、「黒鉛」ないし「ガラス状カーボン」のいずれか一つのものに限定するものであるであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえる。
　一方、上記訂正事項ｆ〜ｈは、上記訂正事項ａ〜ｅによる、特許請求の範囲の減縮に伴い、本件発明の「リフトピンの基材」を「ＳｉＣ基材、黒鉛基材あるいはガラス状カーボン基材」に限定し、また、「リフトピンの基材」の構成材料として「石英」を用いたものを「参考例」とすることにより、発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載と整合させようとして訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
イ．新規事項の有無、拡張・変更の存在について
　上記訂正事項ａに関し、「リフトピンの基材」として「ＳｉＣ基材」を用いることは、特許明細書の段落【００１４】（【表１】）、段落【００１５】、及び、実施例において具体的に記載されており、しかも訂正前の請求項３に特定されていた事項であるから、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書に記載した範囲内においてしたものである。
　上記訂正事項ｃに関し、上記訂正事項ｃ（１）が、新規事項を含むものでないことは明らかである。一方、上記訂正事項ｃ（２）は、「訂正前の請求項１に記載の薄膜成長装置」の記載（「反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。」）を用いることにより、「請求項１に記載の薄膜成長装置。」という従属形式の記載を独立形式の表現に改め、また、「訂正前の請求項１に記載の薄膜成長装置」の記載において、「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピン」の基材の構成材料を「
黒鉛
　同様に、上記訂正事項ｄに関し、上記訂正事項ｄ（１）が新規事項を含むものでないことは明らかであり、一方、上記訂正事項ｄ（２）は、「訂正前の請求項１に記載の薄膜成長装置」の記載を用いることにより、「請求項１に記載の薄膜成長装置。」という従属形式の記載を独立形式の表現に改め、また、「訂正前の請求項１に記載の薄膜成長装置」の記載において、「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピン」の基材の構成材料を「
ガラス状カーボン
　上記訂正事項ｅに関して、上記アのとおり、「請求項１ないし３のいずれか１項に記載の薄膜成長装置。」とする訂正は、実質的に「熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であるリフトピンの基材」の構成材料を、「ＳｉＣ」、「黒鉛」ないし「ガラス状カーボン」のいずれか一つのものに限定するものであり、これは特許明細書の段落【００１４】（【表１】）、段落【００１５】、及び、実施例において具体的に記載されており、しかも訂正前の請求項３、５及び６に特定されていた事項であるから、上記訂正事項ｅは、願書に添付した明細書に記載した範囲内においてしたものである。
　上記訂正事項ｂ及びｆ〜ｈが新規事項を含むものでないことは明らかである。
　また、上記訂正事項ａ〜ｈが、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではないことは明らかである。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ〜ｈは、特許法第１２０条の４第２項ただし書き、及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項から第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立ての概要
　申立人は、下記の甲第１〜２号証を提示して、
（ｉ）本件請求項１及び４（訂正前の請求項１及び２）に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定する発明に該当し、
また、
（ｉｉ）本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、
と主張している。
　甲第１号証：特開平６−３１８６３０号公報
　甲第２号証：国際公開第９７／８７４３号パンフレット（１９９７）
４．特許異議の申立てについての判断
（１）本件訂正発明について
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件特許第３０９２８０１号の請求項１〜４に記載の発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される次の通りのものである。
「【請求項１】反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低いＳｉＣ基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
【請求項２】反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い黒鉛基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
【請求項３】反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しなから該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
【請求項４】前記リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれか１項に
（２）刊行物記載の発明
（Ａ）刊行物
　当審が平成１３年７月２６日付で通知した取消の理由に引用された刊行物は以下のとおりである。
　刊行物１：特開平６−３１８６３０号公報（申立人の提出した甲第１号証）
　刊行物２：国際公開第９７／８７４３号パンフレット（１９９７）（申立人の提出した甲第２号証）
（Ｂ）刊行物に記載された事項
　上記公知刊行物１には、下記ア〜オの点が記載されている。
ア．「【従来の技術】半導体ウエハは、通常、熱反応炉内で処理される。これを実現する為に、ウエハはロボットアームにより反応炉内に挿入され、グラファイト製サセプタ上に置かれる。ウエハはそれから処理され、一旦プロセス操作が完了すると、ロボットアームは当該ウエハをサセプタ及び反応炉から除去する。」（第２頁段落【０００２】）
イ．「上記ウエハが上記サセプタに、あるいは上記サセプタから移送される従来の方式は、図８に図示されている。この図は、サセプタ１４上に置かれるように示されたウエハ１２を備えた半導体熱反応炉１０の一部に至る概略断面図である。明確にする為に、熱反応炉１０の下部、すなわち、サセプタ駆動機構及びドーム形上部石英窓は図示していない。」（第２〜３頁段落【０００３】）
ウ．「ウエハ移送操作を始める為に、２ステップ工程で、サセプタ１４は下方に移動する。これらのステップの第１ステップの間、サセプタの下方に配置されているウエハ支持用クレードル１６と共にサセプタ１４は、破線１６’で示されたクレードルにより表示された低位置まで下降する。それから、クレードルが静止状態になっている、これらのステップの第２ステップの間、サセプタは破線１４’で表示された低位置へとさらに下降する。その結果、サセプタ１４を貫通して形成された孔２０の中に配置されているウエハ支持用ピン１８は、サセプタを貫通し、位置１２’にてウエハ１２を支持する。この位置１２’はサセプタの低位置１４’より幾分高いが、移送操作がなされる前はウエハの位置よりは低い。この下げられた外形におけるウエハ１２とサセプタ１４間の間隔は、ロボットアームがチャンバにアクセスし、ウエハの下方位置に移動することを許容するのに充分である。」（第３頁段落【０００４】）
エ．「その後、サセプタ１４及びクレードル１６の両方は、ウエハ１２が全体的にロボットアームで支持されウエハ支持用ピン１８から離れるまで、さらに一緒に下降する。ここで、ロボットアームはウエハを熱反応炉から取り出す。」（第３頁段落【０００５】）
オ．「汚染粒子の問題は、さらに、サセプタ１４がグラファイトで形成されており、クレードル１６が通常はステンレス鋼あるいは石英で形成されていることから、一層、増大する。また、構成が異なる材料でなされているという理由から、サセプタ１４およびクレードル１６に対する異なる熱膨張率が存在する。熱反応炉１０内での処理温度は１０００℃を越え得るとした場合、膨張におけるこれらの差異は無視できるものではない。そのため、ピン１８を正確に孔２０内に位置決めすることは不可能になる。その結果、一定温度で、ピン１８は強く孔２０の内壁と当たり(bear)、これが、上述した摩滅に寄与し、もって生成される粒子数を増加する。」（第３頁段落【０００９】）
　上記公知刊行物２には、下記カ〜クの点が記載されている。
カ．「High-temperature ovens, called reactors, are used to process semiconductor wafers from which integrated circuits aremade for the electronics industry. A circular wafer or substrate, typically made of silicon, is placed on a wafer support called a susceptor. Both the wafer and susceptor are enclosed in a quartz chamber and heated, typically by a plurality of radiant lamps placed around the quartz chamber. A reactant gas is passed over the heated wafer, causing the chemical vapor deposition (CVD) of a thin layer of the reactant material on the wafer. ……If the deposited layer has the same crystallographic structure as the underlying silicon wafer, it is called an epitaxial layer.This is also sometimes called a monocrystalline layer because it has only one crystal structure.」（第１頁第６〜１４行）
キ．「Figures 7-9 illustrate one embodiment of a low-mass susceptor 20 according to the present invention. The susceptor 20 generally comprises a thin, disk-shaped circular body having opposed top and bottom surfaces and a peripheral circular edge 21. On the top surface, the susceptor 20 has an outer ledge 22 surrounding an inner wafer recess 24 formed below the top plane of the ledge at a shoulder 26. The wafer recess 24 is sized to receive a wafer therein so that the edge of the wafer is very close to the shoulder 26. 」（第６頁第６〜１０行）
ク．「The support pins are manufactured of a ceramic or naturally occuring or synthetically fabricated sapphire, sapphire being derived from aluminumoxide. The support pins in various forms are available from the Swiss Jewel Co. of Philadelphia, PA. Alumina is a preffered ceramic which may be used. In an alternative configuration, the support pins may be formed of quarts, although this material will eventually devitrify from the repeated thermal cycling within the CVD environment.」（第７頁第２２〜２６行）
（Ｃ）刊行物に記載された発明等
　刊行物１には、上記ア〜エの記載事項及び図８から見て、「熱反応炉内に配置されたサセプタ上に半導体ウェハを載置し、半導体ウェハを処理する装置であって、前記サセプタに設けられた孔にウェハ支持用ピンが挿通され、該ウェハ支持用ピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該半導体ウェハの着脱を行うようになされたことを特徴とする半導体ウェハ処理装置。」に係る発明（以下、「刊行物１に記載の発明」という）が記載されているものと認められる。
　刊行物２には、上記カ〜クの記載事項及びＦｉｇ．７〜９から見て、「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置において、サセプタに基板載置用の凹部を設け、当該凹部に基板を支持するピンを挿通する貫通孔を設け、さらに基板を支持するピンが、セラミック（特に「アルミナ」）、サファイアまたは石英により構成された薄膜成長装置。」に係る発明（以下、「刊行物２に記載の発明」という）が記載されているものと認められる。また、刊行物２には、上記カの記載から見て、『「半導体ウェハ処理装置」が、通常「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」により構成される点』が示されているものといえる。
（３）対比・判断
（Ａ）本件請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という）について
　本件発明１と刊行物１に記載の発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、上記４．（２）（Ｃ）に示したとおり、「熱反応炉内に配置されたサセプタ上に半導体ウェハを載置し、半導体ウェハを処理する装置であって、前記サセプタに設けられた孔にウェハ支持用ピンが挿通され、該ウェハ支持用ピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該半導体ウェハの着脱を行うようになされたことを特徴とする半導体ウェハ処理装置。」であり、ここで、上記「熱反応炉」、「半導体ウェハ」、「孔」が、それぞれ、本件発明１の「反応容器」、「基板」、「貫通孔」に相当することは自明であり、また、上記「ウェハ支持用ピン」はその機能などから見て、本件発明１の「リフトピン」に相当するものといえるから、本件発明１と刊行物１に記載の発明とは、「反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該基板を処理する装置であって、前記サセプタに設けられた貫通孔にリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする装置。」である点で一致し、一方、両者は以下の（ａ）〜（ｃ）の点において相違しているものといえる。
（ａ）装置が、本件発明１では「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」であるのに対して、刊行物１に記載の発明では「半導体ウェハ処理装置」である点
（ｂ）サセプタの構造に関し、本件発明１では「サセプタの基板載置用の座繰り部にリフトピンを挿通する貫通孔が設けられている」のに対して、刊行物１に記載の発明ではその様な規定がない点。
（ｃ）リフトピンの構造材料に関し、本件発明１では「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いＳｉＣ基材からなるリフトピン」が使用されるものと規定されているのに対して、刊行物１に記載の発明ではその様な規定がない点。
　そこで、上記相違点について検討してみる。
　相違点（ａ）に関して、上記４．（２）（Ｃ）に示したとおり、「半導体ウェハ処理装置」が、通常「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」により構成されることは、刊行物２に記載のとおり明らかであるので、刊行物１の「半導体ウェハ処理装置」を「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」とすることに格別の困難性があるものとは認められない。そして、この点により本件発明１が格別の作用効果を奏したものとも認められない。
　相違点（ｂ）に関して、刊行物２に記載の発明が示すとおり、「半導体ウェハ処理装置において、サセプタに基板載置用の凹部を設け、当該凹部に基板を支持するピンを挿通する貫通孔を設ける」ことは、当業者により通常行われる事項といえる。また、刊行物２に記載の発明の上記「凹部」は、その機能から見て、本件発明１の「座繰り部」に相当するものである。してみると、刊行物１に記載の発明の「半導体ウェハ処理装置」において、サセプタに対して、基板載置用の座繰り部を設け、「サセプタの基板載置用の座繰り部にリフトピンを挿通する貫通孔を設ける」構造とすることは、当業者にとって格別困難なことではない。そして、この点により本件発明１が格別の作用効果を奏したものとも認められない。
　相違点（ｃ）に関して、本件発明１は、従来、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」（特許明細書の段落【０００９】）という問題があるところ、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いＳｉＣ基材からなるリフトピン」を使用することにより、これらの問題を解決し、「エピタキシャルウェーハ上に形成される半導体デバイスの歩留りを改善し、また半導体デバイスの品質トラブルを未然に防止することができる。」（特許明細書の段落【００２２】）という効果を奏するものである。
　これに対して、刊行物１に記載の発明では、上記オからも明らかなように、「クレードル１６」は「石英」で形成されており、また、上記ウ〜オ及び図８から見て、刊行物１に記載の発明に係る半導体ウェハ処理装置においては、「リフトピン（ウェハ支持用ピン）」が「クレードル」と一体的に、あるいは、これと同様の材質で構成されているのは明らかであるから、「リフトピン（ウェハ支持用ピン）」は、「ＳｉＣ」ではなく、「石英」にて形成されているものと認められる。そして、刊行物１には、リフトピンの構造材料に関し、その他に有意な記載はないので、従来「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題があるところ、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いＳｉＣ基材からなるリフトピン」を使用することは、何ら示唆されていないものといえる。
　一方、刊行物２には、上記４．（２）（Ｃ）で示したとおり、「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置において、サセプタに基板載置用の凹部を設け、当該凹部に基板を支持するピンを挿通する貫通孔を設け、さらに基板を支持するピンが、セラミック（特に「アルミナ」）、サファイアまたは石英により構成された薄膜成長装置。」に係る発明が記載されており、「基板を支持するピン」として、「セラミック（特に「アルミナ」）」、「サファイア」、「石英」が使用されるものであることが示されているものといえる。しかしながら、刊行物２には、「基板を支持するピン」として、「ＳｉＣ基材からなるピン」は、具体的に開示されていない。また、刊行物２には、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題を改善するために、「基板を支持するピン」として特定の基材からなるものを使用するなどの記載は見あたらず、そもそも「サセプタ」と「基板を支持するピン」との熱伝導率の関係に関する記述すらないので、上記「基板を支持するピン」として使用する「セラミック」に「ＳｉＣ」を採用することは、何ら示唆されていないものといえる。
　してみると、刊行物１に記載の発明において、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題を解決するために、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いＳｉＣ基材からなるリフトピン」を使用することは、刊行物２における記載を参酌しても、当業者といえども容易に想到できたものとはいえない。
　そして、本件発明１は、上記構成により、「エピタキシャルウェーハ上に形成される半導体デバイスの歩留りを改善し、また半導体デバイスの品質トラブルを未然に防止することができる」という格段の効果を奏しているものといえる。
　以上のとおりであるから、本件発明１は、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１〜２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（Ｂ）本件請求項２に係る発明（以下「本件発明２」という）について
　本件発明２と刊行物１に記載の発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、上記４．（２）（Ｃ）に示したとおり、「熱反応炉内に配置されたサセプタ上に半導体ウェハを載置し、半導体ウェハを処理する装置であって、前記サセプタに設けられた孔にウェハ支持用ピンが挿通され、該ウェハ支持用ピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該半導体ウェハの着脱を行うようになされたことを特徴とする半導体ウェハ処理装置。」であり、ここで、上記「熱反応炉」、「半導体ウェハ」、「孔」が、それぞれ、本件発明２の「反応容器」、「基板」、「貫通孔」に相当することは自明であり、また、上記「ウェハ支持用ピン」はその機能などから見て、本件発明２の「リフトピン」に相当するものといえるから、本件発明２と刊行物１に記載の発明とは、「反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該基板を処理する装置であって、前記サセプタに設けられた貫通孔にリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする装置。」である点で一致し、一方、両者は以下の（ｄ）〜（ｆ）の点において相違しているものといえる。
（ｄ）装置が、本件発明２では「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」であるのに対して、刊行物１に記載の発明では「半導体ウェハ処理装置」である点
（ｅ）サセプタの構造に関し、本件発明２では「サセプタの基板載置用の座繰り部にリフトピンを挿通する貫通孔が設けられている」のに対して、刊行物１に記載の発明ではその様な規定がない点。
（ｆ）リフトピンの構造材料に関し、本件発明２では「サセプタの基材よりも熱伝導率の低い黒鉛基材からなるリフトピン」が使用されるものと規定されているのに対して、刊行物１に記載の発明ではその様な規定がない点。
　そこで、上記相違点について検討してみる。
　相違点（ｄ）に関して、上記４．（２）（Ｃ）に示したとおり、「半導体ウェハ処理装置」が、通常「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」により構成されることは、刊行物２に記載のとおり明らかであるので、刊行物１の「半導体ウェハ処理装置」を「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」とすることに格別の困難性があるものとは認められない。そして、この点により本件発明２が格別の作用効果を奏したものとも認められない。
　相違点（ｅ）に関して、刊行物２に記載の発明が示すとおり、「半導体ウェハ処理装置において、サセプタに基板載置用の凹部を設け、当該凹部に基板を支持するピンを挿通する貫通孔を設ける」ことは、当業者により通常行われる事項といえる。また、刊行物２に記載の発明の上記「凹部」は、その機能から見て、本件発明２の「座繰り部」に相当するものである。してみると、刊行物１に記載の発明の「半導体ウェハ処理装置」において、サセプタに対して、基板載置用の座繰り部を設け、「サセプタの基板載置用の座繰り部にリフトピンを挿通する貫通孔を設ける」構造とすることは、当業者にとって格別困難なことではない。そして、この点により本件発明２が格別の作用効果を奏したものとも認められない。
　相違点（ｆ）に関して、本件発明２は、従来、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」（特許明細書の段落【０００９】）という問題があるところ、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いＳｉＣ基材からなるリフトピン」を使用することにより、これらの問題を解決し、「エピタキシャルウェーハ上に形成される半導体デバイスの歩留りを改善し、また半導体デバイスの品質トラブルを未然に防止することができる。」（特許明細書の段落【００２２】）という効果を奏するものである。
　これに対して、刊行物１に記載の発明では、上記オからも明らかなように、「クレードル１６」は「石英」で形成されており、また、上記ウ〜オ及び図８から見て、刊行物１に記載の発明に係る半導体ウェハ処理装置においては、「リフトピン（ウェハ支持用ピン）」が「クレードル」と一体的に、あるいは、これと同様の材質で構成されているのは明らかであるから、「リフトピン（ウェハ支持用ピン）」は、「黒鉛」ではなく、「石英」にて形成されているものと認められる。そして、刊行物１には、リフトピンの構造材料に関し、その他に有意な記載はないので、従来「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題があるところ、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低い黒鉛基材からなるリフトピン」を使用することは、何ら示唆されていないものといえる。
　一方、刊行物２には、上記４．（２）（Ｃ）で示したとおり、「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置において、サセプタに基板載置用の凹部を設け、当該凹部に基板を支持するピンを挿通する貫通孔を設け、さらに基板を支持するピンが、セラミック（特に「アルミナ」）、サファイアまたは石英により構成された薄膜成長装置。」に係る発明が記載されており、「基板を支持するピン」として、「セラミック（特に「アルミナ」）」、「サファイア」、「石英」が使用されるものであることが示されているものといえる。しかしながら、刊行物２には、「基板を支持するピン」として、「黒鉛基材からなるピン」は、具体的に開示されていない。また、刊行物２には、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題を改善するために、「基板を支持するピン」として特定の基材からなるものを使用するなどの記載は見あたらず、そもそも「サセプタ」と「基板を支持するピン」との熱伝導率の関係に関する記述すらないので、上記「基板を支持するピン」として使用する「セラミック」に「黒鉛」を採用することは、何ら示唆されていないものといえる。
　してみると、刊行物１に記載の発明において、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題を解決するために、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低い黒鉛基材からなるリフトピン」を使用することは、刊行物２における記載を参酌しても、当業者といえども容易に想到できたものとはいえない。
　そして、本件発明２は、上記構成により、「エピタキシャルウェーハ上に形成される半導体デバイスの歩留りを改善し、また半導体デバイスの品質トラブルを未然に防止することができる」という格段の効果を奏しているものといえる。
　以上のとおりであるから、本件発明２は、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１〜２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（Ｃ）本件請求項３に係る発明（以下「本件発明３」という）について
　本件発明３と刊行物１に記載の発明とを対比する。
　刊行物１に記載の発明は、上記４．（２）（Ｃ）に示したとおり、「熱反応炉内に配置されたサセプタ上に半導体ウェハを載置し、半導体ウェハを処理する装置であって、前記サセプタに設けられた孔にウェハ支持用ピンが挿通され、該ウェハ支持用ピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該半導体ウェハの着脱を行うようになされたことを特徴とする半導体ウェハ処理装置。」であり、ここで、上記「熱反応炉」、「半導体ウェハ」、「孔」が、それぞれ、本件発明３の「反応容器」、「基板」、「貫通孔」に相当することは自明であり、また、上記「ウェハ支持用ピン」はその機能などから見て、本件発明３の「リフトピン」に相当するものといえるから、本件発明３と刊行物１に記載の発明とは、「反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該基板を処理する装置であって、前記サセプタに設けられた貫通孔にリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする装置。」である点で一致し、一方、両者は以下の（ｇ）〜（ｉ）の点において相違しているものといえる。
（ｇ）装置が、本件発明３では「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」であるのに対して、刊行物１に記載の発明では「半導体ウェハ処理装置」である点
（ｈ）サセプタの構造に関し、本件発明３では「サセプタの基板載置用の座繰り部にリフトピンを挿通する貫通孔が設けられている」のに対して、刊行物１に記載の発明ではその様な規定がない点。
（ｉ）リフトピンの構造材料に関し、本件発明３では「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピン」が使用されるものと規定されているのに対して、刊行物１に記載の発明ではその様な規定がない点。
　そこで、上記相違点について検討してみる。
　相違点（ｇ）に関して、上記４．（２）（Ｃ）に示したとおり、「半導体ウェハ処理装置」が、通常「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」により構成されることは、刊行物２に記載のとおり明らかであるので、刊行物１の「半導体ウェハ処理装置」を「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置」とすることに格別の困難性があるものとは認められない。そして、この点により本件発明３が格別の作用効果を奏したものとも認められない。
　相違点（ｈ）に関して、刊行物２に記載の発明が示すとおり、「半導体ウェハ処理装置において、サセプタに基板載置用の凹部を設け、当該凹部に基板を支持するピンを挿通する貫通孔を設ける」ことは、当業者により通常行われる事項といえる。また、刊行物２に記載の発明の上記「凹部」は、その機能から見て、本件発明３の「座繰り部」に相当するものである。してみると、刊行物１に記載の発明の「半導体ウェハ処理装置」において、サセプタに対して、基板載置用の座繰り部を設け、「サセプタの基板載置用の座繰り部にリフトピンを挿通する貫通孔を設ける」構造とすることは、当業者にとって格別困難なことではない。そして、この点により本件発明３が格別の作用効果を奏したものとも認められない。
　相違点（ｉ）に関して、本件発明３は、従来、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」（特許明細書の段落【０００９】）という問題があるところ、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピン」を使用することにより、これらの問題を解決し、「エピタキシャルウェーハ上に形成される半導体デバイスの歩留りを改善し、また半導体デバイスの品質トラブルを未然に防止することができる。」（特許明細書の段落【００２２】）という効果を奏するものである。
　これに対して、刊行物１に記載の発明では、上記オからも明らかなように、「クレードル１６」は「石英」で形成されており、また、上記ウ〜オ及び図８から見て、刊行物１に記載の発明に係る半導体ウェハ処理装置においては、「リフトピン（ウェハ支持用ピン）」が「クレードル」と一体的に、あるいは、これと同様の材質で構成されているのは明らかであるから、「リフトピン（ウェハ支持用ピン）」は、「ガラス状カーボン」ではなく、「石英」にて形成されているものと認められる。そして、刊行物１には、リフトピンの構造材料に関し、その他に有意な記載はないので、従来「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題があるところ、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピン」を使用することは、何ら示唆されていないものといえる。
　一方、刊行物２には、上記４．（２）（Ｃ）で示したとおり、「反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置において、サセプタに基板載置用の凹部を設け、当該凹部に基板を支持するピンを挿通する貫通孔を設け、さらに基板を支持するピンが、セラミック（特に「アルミナ」）、サファイアまたは石英により構成された薄膜成長装置。」に係る発明が記載されており、「基板を支持するピン」として、「セラミック（特に「アルミナ」）」、「サファイア」、「石英」が使用されるものであることが示されているものといえる。しかしながら、刊行物２には、「基板を支持するピン」として、「ガラス状カーボン基材からなるピン」は、具体的に開示されていない。また、刊行物２には、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題を改善するために、「基板を支持するピン」として特定の基材からなるものを使用するなどの記載は見あたらず、そもそも「サセプタ」と「基板を支持するピン」との熱伝導率の関係に関する記述すらないので、上記「基板を支持するピン」として使用する「セラミック」に「ガラス状カーボン」を採用することは、何ら示唆されていないものといえる。
　してみると、刊行物１に記載の発明において、「気相成長装置により得られるエピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差がある」という問題を解決するために、「サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピン」を使用することは、刊行物２における記載を参酌しても、当業者といえども容易に想到できたものとはいえない。
　そして、本件発明３は、上記構成により、「エピタキシャルウェーハ上に形成される半導体デバイスの歩留りを改善し、また半導体デバイスの品質トラブルを未然に防止することができる」という格段の効果を奏しているものといえる。
　以上のとおりであるから、本件発明３は、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１〜２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
（Ｄ）本件請求項４に係る発明（以下「本件発明４」という）について　
　本件発明４は、本件発明１〜３に対して、「リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下である」という更なる技術的な限定を加えたものであるから、上記本件発明１〜３についての理由と同様に、刊行物１に記載された発明ではないし、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
４．むすび
　訂正後の本件発明１〜４に係る特許は、特許異議の申立の理由および証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に訂正後の本件発明１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月１２日（２００１．１１．１２）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨：異議２００１−７０９６６（特許第３０９２８０１）
　特許第３０９２８０１号発明の明細書を以下のア〜クのとおり訂正する。
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１について、
「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い基材からなるリフトピン」
とあるのを、
「該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
ＳｉＣ
と訂正する。
イ．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項３及び４を削除する。
ウ．訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項５を請求項２に繰り上げ、また、その記載に関し、「前記リフトピンの基材が黒鉛であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜成長装置。」
とあるのを、
「
反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い黒鉛基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。」
と訂正する。
エ．訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項６を請求項３に繰り上げ、また、その記載に関し、
「前記リフトピンの基材がガラス状カーボンであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜成長装置。」
とあるのを、
「
反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　
前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。」
とする。
オ．訂正事項ｅ
　特許請求の範囲の請求項２を請求項４に繰り下げ、
「前記リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする請求項１記載の薄膜成長装置。」
とあるのを、
「前記リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれか１項に
と訂正する。
カ．訂正事項ｆ
　明細書【００１２】段落に、
「・・・・・・リフトピンとしては、サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
基材
とあるのを、
「・・・・・・リフトピンとしては、サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
ＳｉＣ基材、黒鉛基材あるいはガラス状カーボン基材
と訂正する。
キ．訂正事項ｇ
　明細書【００１４】段落の表１中、「石英」を構成材料とするものが、「本発明のリフトピン」として記載されているものを、「参考例」へと変更する訂正を行う。
ク．訂正事項ｈ
　明細書【００１５】段落に、
「・・・・・・石英は、黒鉛やＳｉＣよりも著しく低い熱伝導度を示す材料である。石英は、ＳｉＣ被膜を形成せずに、無垢のまま使用することが好適である。」
とあるのを、
「・・・・・・
参考例として
に訂正する。
（５４）【発明の名称】
薄膜成長装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
ＳｉＣ
　【請求項２】　
反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低い黒鉛基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
　【請求項３】　
反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる薄膜成長装置であって、
　前記サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に、該サセプタの基材よりも熱伝導率の低いガラス状カーボン基材からなるリフトピンが挿通され、該リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、該サセプタ上における該基板の着脱を行うようになされたことを特徴とする薄膜成長装置。
　【請求項４】　前記リフトピンの基材の熱伝導率が１０００℃において４０Ｗ／ｍＫ以下であることを特徴とする
請求項１ないし３のいずれか１項に
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は薄膜成長装置に関し、特にシリコン単結晶薄膜成長装置における温度均一性の改善に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体デバイスのデザイン・ルールは、実用レベルで既にサブクォーター・ミクロンのレベルに到達しようとしている。微細化によって半導体デバイスの取扱い電荷量が減少すると、ウェーハ表面近傍のわずかな微小欠陥もデバイス特性に致命的な影響を与えるおそれが従来以上に大きくなり、特にバイポーラ回路やＣＭＯＳ回路の性能劣化が問題となる。
　そこで今後は、融液から引上げられたシリコン単結晶インゴットをスライス、研磨して製造される鏡面研磨ウェーハに替わり、その表面にさらにシリコン単結晶薄膜を気相成長させたシリコンエピタキシャルウェーハの利用が増加するものと予想される。
　【０００３】
　シリコンエピタキシャルウェーハにおいては、高度な厚さ均一性が要求される。この厚さ均一性は、元々の鏡面研磨ウェーハが高度に平坦であることから、該鏡面研磨ウェーハ上に気相成長されるシリコンエピタキシャル層の平坦性と言い換えてもよい。高度な平坦性が要求されるのは、近年のフォトリソグラフィに用いられる露光光の波長が遠紫外線波長域まで短波長化され、焦点深度が著しく低減しているため、少しでもプロセスマージンを稼ぐ必要があるからである。しかもこの要求は、ウェーハの口径が現行の２００ｍｍから３００ｍｍ、さらにはそれより上へと拡大するにつれて、ますます厳しくなってゆく。
　【０００４】
　図１に、枚葉式の気相成長装置１０の一構成例を示す。この装置は、透明石英からなる反応容器１内に１枚ずつセットされたウェーハＷを上下より赤外線ランプ９を用いて加熱しながら、気相エピタキシャル成長を行わせるものである。
　上記反応容器１内は、ウェーハＷを載置するためのサセプタ５によって上部空間１ａと下部空間１ｂとに分割されている。この上部空間１ａでは、ガス供給孔２からキャリアガスであるＨ２ガスと共に導入された原料ガスがウェーハＷの表面をほぼ層流を形成しながら図中矢印Ａ方向に流れ、反対側の排気孔４から排出される。下部空間１ｂには、上記原料ガスよりも高圧にてパージガスであるＨ２ガスが供給されている。パージガスを高圧とするのは、反応容器１とサセプタ５との間の隙間から下部空間１ｂへの原料ガスの進入を防止するためである。
　【０００５】
　上記下部空間１ｂには、上記サセプタ５をその裏面から支えるための石英からなるサポート手段と、サセプタ５上でウェーハＷを着脱するためのリフトピン８が内蔵されている。
　上記サポート手段は、回転軸６と、該回転軸６の先端部から放射状に分岐される複数のスポーク７から構成される。上記スポーク７の末端には垂直ピン７ｂが設けられ、該垂直ピン７ｂの先端が上記サセプタ５の裏面に当接されることによりこれを支えるようになされている。上記回転軸６は、図示されない駆動手段によって図中矢印Ｃ方向に回転可能とされている。
　【０００６】
　上記リフトピン８は頭部が拡径され、この頭部がウェーハＷを載置するためのサセプタ５の座繰り部５ａの底面に設けられた貫通孔５ｂのテーパ状側壁部に懸吊されている。リフトピン８の軸部はスポーク７の中途部に穿設された貫通孔７ａに挿通され、該リフトピン８が安定に垂下されるようになされている。
　【０００７】
　サセプタ５上におけるウェーハＷの着脱は、サポート手段の昇降により行う。たとえば、ウェーハＷをサセプタ５から取り外す場合、図２に示されるようにサポート手段を下降させ、リフトピン８の尾部を反応容器１の下部空間１ｂの内壁に当接させる。これによって付勢されたリフトピン８が、その頭部においてウェーハＷの裏面に衝合し、該ウェーハＷを座繰り部５ａの上方へ浮上させる。この後、サセプタ５とウェーハＷとの間の空間にハンドラを挿入し、ウェーハＷの受け渡しおよび搬送を行う。
　【０００８】
　上記サセプタ５の構成材料としては通常、黒鉛基材をＳｉＣ（炭化珪素）の被膜でコーティングしたものが用いられている。基材として黒鉛が選択されているのは、開発当初の気相成長装置の加熱方式の主流が高周波誘導加熱であったことと関連しているが、その他にも高純度品が得やすいこと、加工が容易であること、熱伝導率に優れていること、破損しにくい等のメリットがあるからである。ただし、黒鉛は多孔質体であるが故にプロセス中に吸蔵ガスを放出する可能性があること、また、シリコンエピタキシャル成長の過程では黒鉛と原料ガスが反応してサセプタの表面がＳｉＣに変化すること等の問題があり、その表面を最初からＳｉＣ被膜で覆う構成が一般化したのである。ＳｉＣ被膜は通常、ＣＶＤ（化学的気相成長法）により形成されている。
　上記リフトピン８の構成材料もサセプタ５と同様、黒鉛基材のＳｉＣ被覆物とされている。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、エピタキシャルウェーハの平坦度に対する要求は年々厳しさを増しているが、上述のような構成上および材料上の工夫を経た枚葉式気相成長装置をもってしても、エピタキシャルウェーハの面内位置によってエピタキシャル層の厚みに差があることがわかってきた。特に、エピタキシャル層の厚みが概ね８μｍを超えると、エピタキシャル層の面内厚さの差が実用上好ましくないレベルにまで強調される傾向がある。
　【００１０】
　図６に、直径２００ｍｍのｐ＋型、面方位（１００）の単結晶シリコン基板上に、目標厚さ１５μｍでｐ型のシリコンエピタキシャル層（抵抗率：１０Ω・ｃｍ）を気相成長させた場合について、その平坦度を示す。この図は、ウェーハ上における平坦度のマッピングであり、ウェーハ全面を２０ｍｍ角のセルに分割し、ベストフィット法で求めた基準面と各セル内に発生している凸部または凹部との標高差の最大値を絶対値で表したもの（ＳＥＭＩの定義によるＳＦＱＤ）である。この図を見ると、円周の３分割地点にほぼ等しい縁部において、エピタキシャル層の厚みの差が極端に大きくなっていることがわかる。これは、実用上許容できるものではない。
　そこで本発明は、得られるシリコン単結晶薄膜の膜厚均一性を改善することが可能な薄膜成長装置を提供することを目的とする。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、前掲の図６に示された平坦度のマッピングにおいて数値が悪化している地点がリフトピンによる支点とほぼ一致していることに着目し、この部分においてサセプタの熱がリフトピンに奪われて散逸し、この結果としてウェーハ温度が局部的に低下し、エピタキシャル層の膜厚均一性を劣化させたとの仮説を立てた。この仮説にしたがってリフトピンの基材をサセプタの基材よりも熱伝導率の低いものに変更することで良好な結果が得られることを確認し、本発明を提案するに至ったものである。
　【００１２】
　すなわち本発明の薄膜成長装置は、反応容器内に配置されたサセプタ上に基板を載置し、該反応容器内に原料ガスを供給しながら該基板上にシリコン単結晶薄膜を気相成長させる装置であって、サセプタの基板載置用の座繰り部に設けられた貫通孔に挿通されるリフトピンとしては、サセプタの基材よりも熱伝導率の低い
ＳｉＣ基材、黒鉛基材あるいはガラス状カーボン基材
　【００１３】
　【発明の実施の形態】
　本発明では、リフトピン８の基材としてサセプタの基材より低い熱伝導率を有するものを選択し、リフトピン８からの放熱を抑制することにより、該リフトピン８の近傍のウェーハの温度低下を軽減することができる。より好ましくは、リフトピン８の基材として、１０００℃における熱伝導率が４０Ｗ／ｍＫ以下のものを選択することである。１０００℃における熱伝導率を考慮しているのは、シリコン単結晶薄膜成長が実際に行われる温度域において基材の特性を評価する必要があるからである。
　かかる条件を満たすリフトピン８の基材として、本発明者らは次の表１に挙げるものが好適であることを見出した。
　【００１４】
　【表１】
　【００１５】
　従来、リフトピン８の基材としては、サセプタに用いられるものと共通の黒鉛が用いられており、その１０００℃における熱伝導率は、通常８０Ｗ／ｍＫ以上であった。しかし、同じ黒鉛材でも結晶化度の違いによって熱伝導率が４０Ｗ／ｍＫと低いものも入手できる。基材として黒鉛を用いる場合には、基材からの不純物や吸蔵ガスの放出、およびシリコン単結晶薄膜成長の最中における原料ガスと基材表面の反応を防止するために、従来と同様にＳｉＣ被膜を形成することが必要である。
　また、黒鉛と同じ炭素材料でありながら、黒鉛と異なり均質で緻密な等方性組織を有するガラス状カーボンを基材として用いると、熱伝導率が１６Ｗ／ｍＫとさらに低いため、リフトピン８からの放熱をより効果的に抑制することができる。ガラス状カーボンは、黒鉛に比べ気孔が少なく均質な材料であるため、基材からのガス放出量が少なく、また、シリコンとも反応しないため、ＳｉＣ被膜を形成する必要がない。
　基材を熱伝導率が黒鉛よりも低いＳｉＣとすることも好適である。ＳｉＣ結晶から機械加工により削出したものをそのままリフトピンとして用いても構わないが、加工歪みが生じている可能性があるので、より低い熱伝導率を得るためにはＣＶＤによるＳｉＣ被膜でコーティングすることが一層効果的である。
　
参考例として
　【００１６】
　【実施例】
　以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
　前掲の図１に示した気相成長装置１０を用い、前出の表１に示した材料でリフトピン８を５種類作製し、熱伝導率１３０Ｗ／ｍＫの黒鉛基材にＳｉＣ被膜を施したサセプタに装着した。この状態で、直径２００ｍｍのｐ＋型、面方位（１００）のシリコン単結晶基板上に、厚さ１５μｍのｐ型シリコンエピタキシャル層（抵抗率＝１０Ω・ｃｍ）を気相成長させた場合について、リフトピン８の配設位置近傍のエピタキシャル層の膜厚と、ウェーハ全体にわたるエピタキシャル層の表面状態を調べた。
　エピタキシャル成長条件は、一例として下記のとおりとした。
　Ｈ２アニール条件：　１１３０℃，４５秒
　エピタキシャル成長温度：　１１３０℃
　Ｈ２流量：　４０リットル／分
　原料ガス（ＳｉＨＣｌ３をＨ２で希釈）流量：　１２リットル／分
　ドーパント（Ｂ２Ｈ６をＨ２で希釈）流量：　１００ｍｌ／分
　【００１７】
　ここで使用したリフトピン８の頭部の直径は７．０ｍｍ、軸部の直径は３．２ｍｍ、軸部の長さは１４ｃｍとした。
　図３に、赤外干渉法で測定したリフトピン８の配設位置近傍におけるシリコンエピタキシャル層の厚さ分布を示す。縦軸にあるエピタキシャル層の厚さの変移とは、層厚測定値のうち最も中心側の測定点における層厚値と最も周辺側の測定点における層厚値とを基準値とし、該基準値に対するエピタキシャル層の標高差を比例換算して表したものである。また、Ｃ（１３０）とは１０００℃における熱伝導率が１３０Ｗ／ｍＫの黒鉛を表し、従来のリフトピンの基材に相当する。また、Ｃ（４０）とは同じく４０Ｗ／ｍＫの黒鉛を表し、本発明で用いられる基材に相当する。
　【００１８】
　この図より、Ｃ（１３０）を基材とするリフトピンを用いた場合には、その近傍においてシリコンエピタキシャル層が基準面よりも０．１４μｍ窪んだのに対し、本発明においてＣ（４０）を基材とした場合には、この窪みが０．１０μｍに改善された。
　ＳｉＣを基材とした場合には、窪みはわずか０．０１μｍに抑えられた。
　ガラス状カーボンを基材とした場合には、ＳｉＣを基材とした場合とほぼ同じ結果が得られた。　さらに、石英を用いた場合には、逆にシリコンエピタキシャル層が基準面よりも凸となる傾向があることがわかった。
　これらの結果から、リフトピン８の基材をサセプタの基材よりも熱伝導率の低い材料に変更することにより、該リフトピン８近傍における局所的なウェーハの温度の低下が防止され、シリコンエピタキシャル層の厚さ均一性が向上することがわかった。
　【００１９】
　次に、ウェーハ全面についてエピタキシャル層の表面に発生する微小な凹凸の分布状況を調べた。ここでは、１枚のシリコン単結晶基板に対してＣ（４０）＋ＳｉＣ被膜、ＳｉＣ＋ＳｉＣ被膜、および比較のためのＣ（１３０）＋ＳｉＣ被膜の計３種類のリフトピン８を１本ずつ装着してシリコンエピタキシャル層を気相成長させる実験と、３本共石英からなるリフトピン８を装着してシリコンエピタキシャル層を気相成長させる実験とを行った。
　図４に、３種類のリフトピン８を一度に用いた場合について、レーザ散乱光検出装置を用いてウェーハ面内の微小な凹凸の分布を測定した結果を示す。図中の各矢印の先端は、リフトピン８の位置に対応する。また、微小な凹凸の値（単位：ｐｐｍ）が小さい領域ほど、ウェーハ表面温度は相対的に低い。
　これを見ると、Ｃ（１３０）＋ＳｉＣ被膜のリフトピン近傍では低温域が大きく広がっているのに対し、Ｃ（４０）＋ＳｉＣ被膜のリフトピン近傍ではこの広がりがやや狭く、また微小な凹凸の最大値もやや小さい。さらに、ＳｉＣ＋ＳｉＣ被膜のリフトピンの近傍では微小な凹凸の局部的変化が観察されないので、低温域がほとんど解消されていることが明らかとなった。
　【００２０】
　図５には、石英からなるリフトピン８を用いた場合について、図４の測定と同じ装置によるウェーハ面内の微小な凹凸の分布を示す。この図は、前掲の図５と表示スケールが異なっている。これより、石英からなるリフトピン近傍では、温度低下がほとんど解消されていることが明らかである。
　【００２１】
　以上、本発明の具体的な実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。たとえば、リフトピンの形状や寸法、回転軸の先端部から分岐されるスポークの本数、使用するウェーハの口径、シリコン単結晶薄膜の気相成長条件、枚葉式気相成長装置の構成の細部については適宜変更、選択、組合せが可能である。
　【００２２】
　【発明の効果】
　以上の説明からも明らかなように、本発明の薄膜成長装置ではリフトピンの基材の変更により、リフトピン位置近傍における温度低下を防止してウェーハの面内温度分布を改善し、これによりシリコンエピタキシャル層の膜厚の変化をリフトピン位置の近傍において０．０１μｍのオーダーに抑制することも可能となる。したがって、エピタキシャルウェーハ上に形成される半導体デバイスの歩留りを改善し、また半導体デバイスの品質トラブルを未然に防止することができる。
　本発明は、ウェーハの大口径化に伴って主流となることが予想される枚葉式気相成長装置の実用性能を高める技術であり、半導体製造分野における産業上の価値は極めて高いものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　気相成長装置の典型的な構成例において、気相成長中の使用状態を示す模式的断面図である。
　【図２】
　気相成長装置の典型的な構成例において、リフトピンを用いてウェーハをサセプタから上昇させた状態を示す模式的断面図である。
　【図３】
　リフトピン近傍のシリコンエピタキシャル層の厚さの変移を様々なリフトピンの基材間で比較したグラフである。
　【図４】
　１枚のシリコン単結晶ウェーハに対して３種類の基材からなるリフトピンを１本ずつ使用した場合のウェーハ面内の微小な凹凸の分布を示す模式図である。
　【図５】
　１枚のシリコン単結晶ウェーハに対して石英からなるリフトピンを３本使用した場合のウェーハ面内の微小な凹凸の分布を示す模式図である。
　【図６】
　従来の枚葉式気相成長装置を用いて成長されたシリコンエピタキシャル層について、ウェーハ上における平坦度をマッピングした図である。
　【符号の説明】
１　反応容器
１ａ　（反応容器の）上部空間
１ｂ　（反応容器の）下部空間
５　サセプタ
５ａ　座繰り部
６　回転軸
７　スポーク
８　リフトピン
９　赤外線ランプ
１０　気相成長装置
Ｗ　ウェーハ