【事件の表示】
　特許第３１９９２２１号「液晶表示装置およびその製造方法」の請求項４、８ないし１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１９９２２１号の請求項４、８ないし１２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１９９２２１号の特許請求の範囲の請求項４及び８〜１２に係る発明（以下、本件発明４及び８〜１２という。）の出願は、平成８年２月２７日に出願され、平成１３年６月１５日に設定登録され、三輪円香より特許異議の申立がなされたものである。
２．本件発明
　本件発明４及び８〜１２は、本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項４及び８〜１２に記載された次のとおりのものである。
「【請求項４】　基板と、該基板上に設けられたゲート信号配線およびゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に設けられたソース信号配線と、該ゲート信号配線と該ソース信号配線との各交差部に形成された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続されたドレイン電極と、該ドレイン電極に接続された接続電極と、該接続電極の一部と該ゲート絶縁膜を介して保持容量を形成するための共通配線と、該ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に設けられた液晶駆動用表示電極および対向電極と、を有するアクティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基板に対向する対向基板と、該アクティブマトリクス基板と該対向基板に狭持された液晶層と、を備えた液晶表示装置であって、
　該対向電極が、該共通配線と該層間絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して直接接続される液晶表示装置。
　【請求項８】　前記層間絶縁層の厚さが１．０〜１０．０μｍである請求項１?７に記載の液晶表示装置。
　【請求項９】　前記層間絶縁層の誘電率の値が１．５〜３．５である請求項１?８に記載の液晶表示装置。
　【請求項１０】　前記層間絶縁膜の材質が有機系の樹脂である請求項１〜９に記載の液晶表示装置。
　【請求項１１】　表示領域の液晶層分子が基板面に対してほぼ水平な方向に回転駆動することによって、画像表示を行う請求項１〜１０に記載の液晶表示装置。
　【請求項１２】　液晶表示装置を製造する方法であって、
　基板上にゲート電極を形成するとともに、接続電極とゲート絶縁層を介して保持容量を形成するための共通配線を形成する工程と、
　該基板上に、該ゲート電極および該共通配線を覆うようにゲート絶縁層を形成する工程と、
　該ゲート絶縁層上に、ソース信号配線および接続電極をパターン形成する工程と、
　該ゲート信号配線と該ソース信号配線との交差部に薄膜トランジスタを形成する工程と、
　該ゲート絶縁層上に、該薄膜トランジスタ、該接続電極、該ソース信号配線、
該ゲート信号配線を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
　該層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を形成する工程と、
　該層間絶縁膜の一部を貫通するコンタクトホールによって該接続電極を介して、該薄膜トランジスタに接続されるドレイン電極と該表示電極とを接続する工程と、を包含する方法。」
３．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人 三輪円香は、証拠として甲第１〜４号証を提出し、本件発明４及び８〜１２は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
４．特許異議申立の証拠
　刊行物１（異議申立人 三輪円香が提出した甲第１号証（特開平７−３６０５８号公報））には次の事項が記載されている。
「【００２６】〔実施例８〕
　図１１は本発明の第８の実施例の単位画素の平面図を示す。図１２は図１１中Ｂ?Ｂ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極は引出配線１６０とコモン側駆動電極１６１の２つの部材によって構成され、これらはゲート絶縁膜２０に設けたスルーホールＴＨを介して接続されている。ここで引出配線１６０にはゲート電極１０と同一の電極材料を、コモン側駆動電極１６１にはソース電極１５と同一の電極材料を用いた。本実施例においてもコモン電極の引出配線１６０とソース電極１５はゲート絶縁膜２０によって異層化されているため、互いに交差させることができ交差部Ｃｓｔにおいて付加容量を構成し、保持特性を改善出来る。また、コモン側駆動電極１６１をソース電極１５と同一層内に形成することにより、ソース電極１５と隣接するドレイン電極１４との間で形成される不必要な電界をシールドすることが可能となる。液晶の駆動に直接関与しない電極によって形成される寄生電界は液晶の配向を乱し、表示画像のコントラスト低下を招くので、通常電極の周囲を遮光層によって隠すことによって対策している。しかしこのような遮光層は開口率を低下させるという欠点を持つ。これにたいして本実施例のように、液晶の配向を乱す寄生電界をシールドすることにより遮光層の面積を縮小出来るので開口率を向上させることが可能となる。」（５頁７欄【００２６】、図１１及び１２）
　刊行物２（異議申立人 三輪円香が提出した甲第２号証（特開平４−３３５６１７号公報））には以下の事項が記載されている。
「【０００８】
  ところが、付加容量１９を構成している絵素電極１１と付加容量電極１７との間には、ゲート絶縁膜４と層間絶縁膜１０が存在するため、付加容量１９はゲート絶縁膜４による容量と層間絶縁膜１０による容量とが直列に配列された構成を有することとなり、付加容量１９の容量値は小さくなってしまう。そのため、このアクティブマトリクス基板を用いた表示装置では、コントラストの低下などの画像品位の低下が生ずることになる。」（２頁２欄【０００８】）
「【００１４】【実施例】
　本発明の実施例について以下に説明する。本実施例のアクティブマトリクス基板の一実施例の平面図を図２に、図２のＡ?Ａ線に沿った断面図を図１に示す。本実施例のアクティブマトリクス基板は、ガラス等の絶縁性基板１と、基板１上に形成されたＴＦＴ１３とを有している。図２に示すように、ＴＦＴ１３のゲート電極２はゲートバス配線３に接続され、ＴＦＴ１３のソース電極６はソースバス配線７に接続されている。絵素電極１１は下層の第１絵素電極１１ａと、該第１絵素電極１１ａ上に後述のゲート絶縁膜を挟んで重畳された第２絵素電極１１ｂからなる。第１絵素電極１１ａ及び第２絵素電極１１ｂは共にＴＦＴ１３のドレイン電極８に接続され、第２絵素電極１１ｂはゲートバス配線３及びソースバス配線７上にも重畳されている。また、第１絵素電極１１ａにはゲート電極４を挟んで付加容量電極１７が対向している。第１絵素電極１１ａと付加容量電極１７との間に付加容量１９が形成されている。付加容量電極１７は付加容量配線１８に接続されている。
　【００１５】
　図１及び図２に示すアクティブマトリクス基板の製造方法を、図３〜図５に示す。本実施例のアクティブマトリクス基板を製造工程に従って説明する。まず、ガラスからなる絶縁性基板１上に、スパッタリング法により３００ｎｍの厚さのＴａ金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法及びエッチングによりパターニングして、ゲートバス配線３及びゲート電極２を形成する。次に、スパッタリング法により８０ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、ホトリソグラフィ法及びエッチングによりパターニングを行って、付加容量電極１７及び付加容量配線１８を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法により、４００ｎｍの厚さのＳｉＮxからなるゲート絶縁膜４と、後に半導体層５となる厚さ１００ｎｍのａ−Ｓｉ層と、後にコンタクト層９、９となるｎ+型ａ−Ｓｉ層とをこの順で連続的に形成する。次に、ｎ+型ａ−Ｓｉ層とａ−Ｓｉ層のパターニングを行って、コンタクト層９、９及び半導体層５を形成する。
　【００１６】
　次に、この基板上の全面に、厚さ２００ｎｍのＭｏ金属層をスパッタリング法によって形成し、このＭｏ金属層のパターニングを行って、ソース電極６、ドレイン電極８、及びソースバス配線７を形成する。以上により、ＴＦＴ１３が完成する。更に、ＴＦＴ１３を覆って基板１上の全面に、１００ｎｍの厚さのＩＴＯ膜を形成し、パターニングを行って第１絵素電極１１ａを形成する。本実施例では第１絵素電極１１ａと付加容量電極１７との間に付加容量１９が形成される（図３）。
　【００１７】
　次に、ＴＦＴ１３及び第１絵素電極１１ａを形成した基板１上の全面にポリイミド樹脂膜又はアクリル樹脂膜からなる層間絶縁膜１０を１μｍの厚さに塗布する（図４）。次に、層間絶縁膜１０のドレイン電極８に対応する部分にコンタクトホール１２を形成する（図５）。更に、層間絶縁膜１０及びコンタクトホール１２上にＩＴＯ膜を形成し、パターニングを行って第２絵素電極１１ｂを形成する（図１）。これにより、第２絵素電極１１ｂは層間絶縁膜１０に形成されたコンタクトホール１２を介してＴＦＴ１３のドレイン電極８に接続される。また、図２に示すように、第２絵素電極１１ｂはゲートバス配線３及びソースバス配線
７に、層間絶縁膜１０を挟んで重畳形成される。
　【００１８】
　本実施例では、付加容量１９を構成する付加容量電極１７と第１絵素電極１１ａとの間には、比較的薄いゲート絶縁膜４のみが存在するので、付加容量１９の容量値を大きくすることができる。また、第２絵素電極１１ｂはゲートバス配線３及びソースバス配線７に重畳して形成されているので、この基板の開口率を大きくすることができる。」（３頁３欄【００１４】〜同頁４欄【００１８】）
　刊行物３（異議申立人 三輪円香が提出した甲第３号証（特開平６−２１４２４４号公報））には次の事項が記載されている。
「【００４２】〔実施例２〕
　本実施例の構成は下記の要件を除けば、実施例１と同一である。
　【００４３】
　図１１に本実施例の画素の断面図を示す。ソース電極２１４，ドレイン電極２１３及び信号線１０３Ａ，１０３Ｂ，コモン線１０５を同時に形成した後に窒化シリコン等の保護膜４０３，ポリイミド系の配向制御膜４０１Ａを形成し、ラビング等の配向処理を行う。配向処理後、ドライエッチング等によりソース電極３０３及びコモン線１０５と基板上部と間にコンタクトホールを形成する。その後画素電極２０８及びコモン電極２０９を形成する。これにより実施例１のように画素電極及びコモン電極の近傍にラビングむらが生じ、配向不良を起こすことがなくなるため、ラビング方向を自由に設定できる。よって、誘電率異方性Δεが負の液晶も正のものと同等に使用できる。」
　刊行物４（異議申立人 三輪円香が提出した甲第４号証（特開平７−８４２８４号公報））には次の事項が記載されている。
「【００４２】
　また、本実施例によれば、信号線９と画素電極１１，１２との間のカップリング容量は、層間絶縁膜であるフッ素系ポリイミド膜の比誘電率が２．８で、その膜厚が１．５μｍであるので、通常用いられている比誘電率が６．４のシリコン窒化膜（典型的な厚さ５００ｎｍ）を用いた場合の容量の約１／７となる。したがって、本実施例によれば、信号線９と画素電極１１，１２との間のカップリング容量を十分に小さくでき、クロストークを大幅に低減できる。なお、フッ素系ポリイミド膜の比誘電率は２〜４程度の範囲で選択できる。」（４頁６欄【００４２】）
５．当審の判断
　本件発明４及び８〜１２と上記刊行物１に記載の発明とを対比すると、本件発明４及び８〜１２は「ドレイン電極に接続された接続電極の一部がゲート絶縁膜を介して共通配線と保持容量を形成する」とともに「ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を設けている」のに対して、刊行物１に記載の発明は「ドレイン電極に接続された表示電極の一部がゲート絶縁膜を介して共通配線と保持容量を形成する」とともに「ゲート絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を設けている」点で相違している。
　そして、上記刊行物２及び４に記載の発明は「基板面に垂直な電界を液晶に印加して表示制御する液晶表示装置及びその製造方法」に係るものであるのに対して、本件発明４及び８〜１２は「基板面に平行な電界を液晶に印加して表示制御する液晶表示装置及びその製造方法」に係るものであるから、その各電極の材料、形状、配置及び構造等は互いに全く異なるものである。
  したがって、刊行物２及び４において、本件発明４及び８〜１２と同様の「ドレイン電極に接続された接続電極がゲート絶縁膜を介して共通配線と保持容量を形成する」等の事項が記載されているとしても、その記載事項を上記刊行物１に記載の発明に適用することは当業者といえども容易になし得ることではない。
　また、上記刊行物３に記載の発明は、本件発明４と同様に「基板面に平行な電界を液晶に印加して表示制御する液晶表示装置」に係るものであるが、上記刊行物１に記載の発明と同様に「ゲート絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を設ける」ものであり、本件発明４及び８〜１２の「ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を設ける」ものとは異なるものである。
　したがって、刊行物１に記載の発明に刊行物３に記載の発明を適用したとしても、本件発明４及び８〜１２のように「ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜上に液晶駆動用表示電極および対向電極を設ける」ことは当業者といえども容易になし得ないことである。
６．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明４及び８〜１２の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明４及び８〜１２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月１１日（２００２．４．１１）