【事件の表示】
　特許第３００８９３９号「高周波回路基板」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００８９３９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
　
Ｉ．手続の経緯
　
　本件特許第３００８９３９号は、平成１０年９月２４日に特許出願され、平成１１年１２月３日にその請求項１〜３に係る発明について特許の設定登録がなされ、その後、請求項１，２に係る特許について京セラ株式会社により特許異議の申立てがなされ、当審より取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年５月１４日に訂正請求がなされ、当審より再度取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１月１１日に先の訂正請求が取り下げられると共に、新たな訂正請求がなされたものである。
　
　
II．訂正の適否
　
１．訂正の内容
　訂正１：
　（ｉ）特許請求の範囲の請求項１において、「グランド付きコプレーナ線路からなる一対の伝送線路」とあるを「いずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ形伝送線路」に、又、「これらの伝送線路を誘電体基板に設けたスルーホールを介して」とあるを「表裏面それぞれの信号ラインの一端部を誘電体基板に設けたスルーホールを介して他面の信号ラインに」に、それぞれ、訂正する。
　（ii）同じく請求項１において、「各伝送線路と同一平面上のグランド電極との間隔が、スルーホール近傍において他の部分と比べて」とあるを「表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞されるとともに、該間隔は、表裏面ともにスルーホール近傍における間隔が、スルーホール近傍以外における間隔よりも」に訂正する。
　（iii）同じく請求項２，３において、「伝送線路」（全５個所）とあるを「信号ライン」に、又、「コプレーナ線路」（全２個所）とあるを「コプレーナ型伝送線路」に、それぞれ、訂正する。
　訂正２：
　明細書の段落【０００５】【課題を解決するための手段】に「上記した…（中略）…好ましい。」とあるを、以下のとおりに訂正する。
　「上記した本発明の目的を達成するために、本発明においては、誘電体基板の表面及び裏面にいずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ型伝送線路を設け、表裏面それぞれの信号ラインの一端部を誘電体基板に設けたスルーホールを介して他面の信号ラインに電気的に接続した高周波回路基板において、表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞されるとともに、該間隔は、表裏面ともにスルーホール近傍における間隔が、スルーホール近傍以外における間隔よりも広く設定されていることを特徴としている。
　本発明においては、スルーホール近傍における信号ラインとグランド電極との間隔Ｗが、所定のコプレーナ型伝送線路の所定の特性インピーダンスを有する部分の間隔ｄ１と対比して、ｄ１＜Ｗ≦３ｄ１に設定されることが好ましい。
　さらに、本発明においては、コプレーナ型伝送線路の所定の特性インピーダンスを有する部分である信号ラインの側縁とグランド電極との間隔ｄ１、スルーホール近傍における信号ラインの側縁とグランド電極との間隔ｄ２、スルーホール近傍における信号ラインの端部とグランド電極との間隔ｄ３、並びに、スルーホール近傍における信号ラインの端縁と間隔ｄ１及びｄ２の境界との間隔ｄ４が、ｄ１＜ｄ２≦２ｄ１、２ｄ１≦ｄ３≦３ｄ１、２ｄ１≦ｄ４≦３ｄ１に設定されることが好ましい。」
　訂正３：
　明細書の段落【０００６】【発明の実施の態様】に、「図１及び図２は、…（中略）…である。」とあるを、以下のとおりに訂正する。
　「図１及び図２は、本発明の第１及び第２の実施例の高周波回路基板を示している。図１及び図２において、（Ａ）及び（Ｂ）は高周波回路基板の表面図及び裏面、図（Ｃ）は該基板にモジュールＭＭＩＣを配置した状態の線Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿った断面図を示している。
　これらの図において、１はセラミックス等からなる誘電体基板、２１、　　２２、２１’、２２’は誘電体基板１の表裏面上に形成された信号ラインであり、信号の伝送線路を構成する。３０、３０’は誘電体基板１の表裏面上に形成されたグランド電極、４１、４２は誘電体基板１の中心線上の点にて該基板を貫通して設けられたスルーホールである。なお、誘電体基板１の表裏面上の各信号ライン２１、２２、２１’、２２’直下の対向する面には、図１及び図２から明らかなように、グランド電極３０’、３０が設けられており、したがって、伝送線路を構成する信号ライン２１、２２、２１’、２２’はグランド付きコプレーナ型伝送線路でもある。」
　訂正４：
　明細書の段落【０００７】に「誘電体基板１の…（中略）…形成される。」とあるを、以下のとおりに訂正する。
　「誘電体基板１の表裏に形成された信号ライン２１、２１’は、スルーホール４１を介して電気的に接続され、同様に、信号ライン２２、２２’はスルーホール４２を介して電気的に接続されている。信号ライン及びグランド電極からなる誘電体基板１の表面及び裏面上の電極パターンは、フォトリソグラフィ又はスクリーン印刷等によってパターニングされ形成される。スルーホール４１、４２は、ＮＣパンチ等の機械加工によって形成される。」
　訂正５：
　明細書の段落【０００８】に「図１に…（中略）…接続される。」とあるを、以下のとおりに訂正する。
　「図１に示した第１の実施例においては、誘電体基板１の中心部１５がモジュールＭＭＩＣのサイズに打ち抜かれており、該モジュールが、図１（Ｃ）に示すように、誘電体基板１に埋め込み状態に固定配置される。モジュールと誘電体基板１上の信号ライン２１、２２との電気的接続は、ワイアボンディング（ワイア５１、５２）により行われる。
　図２に示した第２の実施例においては、誘電体基板１の中心部を打ち抜かずに、表面中心部に電極パターンを形成しない部分を設けている。該部分に対応する裏面中心部にはグランド電極が形成されている。モジュールＭＭＩＣは、図２（Ｃ）に示すように、誘電体基板１の表面の中心部に載置され、信号ライン２１、２２と直接電気的に接続される。なお、図１及び図２に示すとおり、誘電体基板の表面及び裏面の各信号ライン２１、２２、２１’、２２’は、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホール４１、４２に接続する側の端緑から間隔をもってグランド電極により囲繞されている。」
　訂正６：
　明細書の段落【０００９】に「図３（Ａ）及び…（中略）…形成されている。」とあるを、以下のとおりに訂正する。
　「図３（Ａ）及び（Ｂ）は、図１及び図２に示した本発明の高周波回路基板における信号ライン２１、２２、２１’、２２’、グランド電極３０、３０’、及びスルーホール４１、４２の配置関係を説明するための斜視図及び平面図を示している。なお、図３においては、図１の線Ｃ−Ｃから左部分又は線Ｄ−Ｄから右部分を切断して示しており、また、信号ライン、グランド電極及びスルーホールを代表的に、参照番号２０、３０及び４０で示している。
　図３（Ｂ）に示すように、信号ライン２０は、矩形形状を有し、その一端部にスルーホール４０が形成され、そして適宜の間隔（ｄ１、ｄ２、ｄ３）を介してグランド電極３０に囲縛されている。信号ライン２０及びグランド電極３０からなる電極パターンは、スルーホール４０及び信号ライン２０の中心を通る線Ｅ−Ｅに対して線対称に形成されている。図３には示されていないが、誘電体基板１の裏面にも、スルーホール４０に対して点対称の関係に信号ライン及びグランド電極が形成されている。」
　訂正７：
　明細書の段落【００１０】に「スルーホール４０から…（中略）…距離である。」とあるを、以下のとおりに訂正する。
　「スルーホール４０から離れている信号ライン２０の両側縁とグランド電極３０との間の間隔ｄ１は、伝送線路の所定の特性インピーダンスを有する部分であり、該特性インピーダンスが５０９となるように設定されている。また、スルーホール４０近傍の信号ライン２０の側縁とグランド電極３０との間の間隔ｄ２、及びスルーホール４０近傍の信号ライン２０の端部とグランド電極３０との間隔ｄ３は、所望の通過帯域で減衰量が最小となるように、電磁界シミュレーションによって決定される。なお、間隔ｄ４は、信号ライン２０のスルーホール側の端縁と間隔ｄ１及びｄ２の境界との距離である。」
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否　
　訂正１のうち、（ｉ）の訂正、（ii）の訂正のうち「囲繞されるとともに、」より後の部分および（iii）の訂正は、請求項１〜３の記載において、用語を統一するとともに用語の概念をより明確にすべく表現の適正化を図ったものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当し、又、（ii）の訂正のうち「囲繞されるとともに」までの部分は、グランド電極が、信号ラインの両側縁からのみならず、その端縁からも間隔をもって信号ラインを囲繞することを請求項１に規定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　又、訂正２〜訂正７は、明細書の発明の詳細な説明の記載を上記〔訂正事項１〕の訂正内容と整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、これらの訂正は、訂正前の明細書の【０００６】〜【００１３】及び【図面１】〜【図面３】に実質的に記載された事項に基づいているから、いわゆる新規事項を追加するものではなく、又、特許請求の範囲を実質上拡張または変更するものではない。
　
３．むすび
　よって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項但し書き、及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
III．特許異議申立てについて
　
１．特許異議申立ての理由の概要　
　特許異議申立人は、証拠として下記甲第１〜４号証を提示して、本件請求項１，２に係る発明は、甲第１，２号証に記載された発明であるか、甲第１〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１，２に係る特許は、特許法第２９条第１項又は同条第２項の規定により特許を受けることができない旨主張する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　甲第１号証：特開平１−１６８０９３号公報
　甲第２号証：実開昭６２−９６８８３号公報
　甲第３号証：特開平８−１８６１９８号公報
　甲第４号証：特開平４−３３６７０２号公報
　
２．本件発明　
　訂正後の本件請求項１，２に係る発明（以下、「本件発明１」，「本件発明２」という。）は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１，２に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】誘電体基板の表面及び裏面にいずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ型伝送線路を設け、表裏面それぞれの信号ラインの一端部を誘電体基板に設けたスルーホールを介して他面の信号ラインに電気的に接続した高周波回路基板において、表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞されるとともに、該間隔は、表裏面ともにスルーホール近傍における間隔が、スルーホール近傍以外における間隔よりも広く設定されていることを特徴とする高周波回路基板。
　【請求項２】請求項１記載の高周波回路基板において、スルーホール近傍における信号ラインとグランド電極との間隔Ｗが、コプレーナ型伝送線路の所定の特性インピーダンスを有する部分の間隔ｄ１と対比して、ｄ１＜Ｗ≦３ｄ１に設定されていることを特徴とする高周波回路基板。
　
３．甲各号証に記載の事項　
〈甲第１号証〉
　ア．「第１図及び第２図は、本発明の一実施例を説明する図で、第１図は回路基板の要部斜視図、第２図は第１図のＢ−Ｂ'断面図で、第６図と同等の部分については同一符号を付している。
　図において、セラミック等からなる回路基板１に形成した信号用スルーホール２の周辺に、該信号用スルーホール２の直径及び回路基板１の材料の誘電率から求められ、第１図に示す如く信号用スルーホール２を中心とする位置に、アース層を形成するための馬蹄形孔をグリーンシート状態で設け、該信号用スルーホール２及び馬蹄形孔を形成した回路基板１に厚膜法やメッキ法等により導体層を形成して馬蹄形アース層５が形成された回路基板１の両面に、信号用スルーホール２に接続されるストリップライン等の信号パターン３を形成し、該信号パターン３及び信号用スルーホール２の周辺なら倍に回路基板１の裏面にアース層５がアースパターン４に接続され、信号用スルーホール２が同軸構造となる。」（２頁右上欄11行〜左下欄12行）
　イ．「本発明によれば信号用スルーホール部をインピーダンスのミスマッチングが解消できるので、信号の反射が防止でき高周波特性の向上に極めて有効である。」（３頁右上欄２〜６行）
　ウ．第１，２図（上記アに対応する図）
　
〈甲第２号証〉
　エ．「本考案は、多層配線基板のスルーホールによる接続に係り、特に高周波回路に好適な多層配線基板に関する。」（１頁12〜14行）
　オ．「以下、本考案の一実施例を第１図、第２図により説明する。第１図はスルーホールの断面図である。同図において、１は、基板、２は接地導体、３は誘電体、４は、接続導体である。第２図は第１図を上面から見た平面図であり、第１図と同一の部分は同一の番号を付し、説明を略す。
　基板１に設けた貫通孔の内面に接地導体２を配し、その内面に誘電体３を充填する。さらに誘電体３に貫通孔を設け、接続導体４を充填する。
　この接続導体４で上面パターンと下面パターンを接続し高周波信号を伝送させるのであるが、接続導体４と誘電体３、接地導体２で同軸線路を構成し、高周波信号を接続導体４と接地導体２の間に集中させて、高周波信号の基板１内部への輻射を抑圧している。」（２頁14行〜３頁10行）
　カ．第１，２図（上記オに対応する図）
　
〈甲第３号証〉
　キ．「図１及び図２を参照すると、正面及び裏面上のプリント回路は、多数の金属充てん環状ホール16によって接続されたグラウンド面12および22（45°の斜線の領域）を有している。４個のＩ／Ｏポート１、２、３、４がある。各ポートは３個の物理的セクションを含む電気信号線を含む：誘電体基板の正面上のワイヤボンディングパッド11、誘電体基板の裏面上のはんだ付けパッド21、および基板中に埋め込まれていてはんだ付けパッドとワイヤボンディングパッドを接続している金属充填バイアスロット15、ＭＭＩＣは正面のグラウンド面12のダイキャビティ13上に置かれている。ＭＭＩＣの単一のポートはパッケージのＩ／Ｏポートのワイヤボンディングパッド11にワイヤ結合されている。斜線の領域の間の空間は支持体の純粋な表面である。」（４欄31〜45行）
　ク．「この欠点を克服するために、本発明では、パッケージの上面上に２つのエクステンディド（extended）フラウンド面12を利用して、パッド21により大きい分布キャパシタンスを提供して、結果として、はんだ付けパッド21の特性インピーダンスを80オームから50オームへ減ずる。図５の第１部分Ｉに対応するこのような補償形疑似ＣＰＷ構造の側面図を図６（ｂ）に例証する。本発明の構造は、「補償形疑似ＣＰＷ構造」と呼ばれている。図６（ａ）に示されている慣用的なＣＰＷ構造やＣＰＷＧ（ＣＰＷゲート）構造とは異なるからである。」（段落【0012】）
　ケ．図１，２，５，６（上記キ、クに対応する図）
　
〈甲第４号証〉
　コ．「パッケージ基板と、このパッケージ基板上に装着された…（中略）…外部コプレーナ線路と、前記内部高周波伝送線路と前記外部コプレーナ線路を電気的に接続する金属からなるバイアホールとから構成されたパッケージにおいて、前記キャビティ内に形成される前記内部高周波伝送線路を、コプレーナ線路で構成したことを特徴とするパッケージ。」（【請求項１】）
　サ．「以下、本発明の実施例を図について説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施例であるパッケージを示す図で、図１（ａ）はパッケージの内部および外部を示す一部を破断した平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線による断面図、図１（ｃ）は、図１（ａ）の底面図である。また、図２は、図１（ａ）の要部を拡大して示した部分斜視図である。図１において、１ないし６および８ないし11は図６，図７の従来例と同一または相当部分を示す。誘電体基板６の表面上に金属薄膜からなるパッケージ内部の接地金属薄膜18と、所定の線路幅および接地金属薄膜18と、所定の線路幅および接地金属薄膜18との所定間隔を有する金属薄膜からなる内部信号線金属薄膜19が形成されている。これら接地金属薄膜18と内部信号線金属薄膜19により高周波伝送線路として動作する内部コプレーナ線路20を構成している。また、内部コプレーナ線路20の接地金属薄膜18は、金属からなる複数のバイアホール11により外部コプレーナ線路10の接地金属薄膜８と電気的に接続している（図２参照）。
　図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２１の実施例であるパッケージを示す図で、図３（ａ）はパッケージの内部および外部を示す一部を破断した平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ線による断面図、図３（ｃ）は、図３（ａ）の底面図である。また、図４は、図３（ａ）の要部を拡大して示した斜視図である。図３において、１ないし６，８ないし10および18ないし20はそれぞれ図１の実施例と同一または相当部分を示し、」（３欄37行〜４欄14行）
　シ．図１〜４（上記コ、サに対応する図）
　
４．対比・判断
（１）特許法第２９条第１項違反の主張について
　特許異議申立人は、上記のように、本件発明１，２は、甲第１，２号証に記載された発明である旨主張するので、以下、この主張の当否を検討する。
　
　（１-１）本件発明１について
　先ず、本件発明１と甲第１号証に記載のもの（前記III．３．ア〜ウ参照）を対比すると、後者における「高周波特性の向上に極めて有効」な「セラミック等からなる回路基板１」は、前者における「誘電体基板」に形成された「高周波回路基板」に相当し、又、後者における「信号用パターン３」は、前者における「信号ライン」に相当し、又、後者における「アースパターン４」は、前者における「グランド電極」に相当し、又、後者における「信号用スルーホール２」は、前者における「スルーホール」に相当する。
　又、後者における「信号用パターン３」及び「アースパターン６」は、その第１，２図やこれに関する２頁右上欄(下から)４行〜３頁左下欄10行の記載からみて、前者における「信号ライン」及び「グランド電極」と同様に、「表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ型伝送線路」を形成し、且つ、その「表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞される」ものであることが認められる。
　従って、結局、両者は、
“誘電体基板の表面及び裏面にいずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ型伝送線路を設け、表裏面それぞれの信号ラインの一端部を誘電体基板に設けたスルーホールを介して他面の信号ラインに電気的に接続した高周波回路基板において、表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞される高周波回路基板。”
である点で一致する。
　しかし、両者は、次の点で相違する。
　(ａ)本件発明１では、誘電体基板の表裏面ともに、信号ラインとそれを囲繞するグランド電極との間隔が、スルーホール近傍において、該近傍以外におけるよりも広く設定されるのに対し、甲第１号証に記載のものでは、かかる間隔の広狭の設定が行われるとはいえない点。
　而して、上記（ａ）の相違点に係る本件発明１の構成は、本件発明１の目的達成上、必須の要件をなすものである。従って、かかる重要な構成において明確に相違する以上、本件発明１は、甲第１号証に記載の発明であるということはできない。
　なお、上記（ａ）の相違点につき、特許異議申立人は、甲第１号証の第１図を根拠に、甲第１号証に記載のものにおいても、信号ラインとグランド電極との間隔は、スルーホール近傍において、該近傍以外におけるよりも広く設定されていると主張するが、しかし、甲第１号証の第１図によれば、スルーホール近傍における間隔と該近傍以外における間隔とは、（スルーホール近傍における方が僅かに広いように見えなくもないが、その差は極めて微妙であるから、むしろ、）殆ど同寸であると解される。しかも、もともと、この種の図面は、一般に、概略図であり、広狭の明確な書き分けや或いはその旨を明示する記載があるならば兎も角、そうでなければ、図面上の極めて微妙な差を以て、その広狭を結論づけ得るような性格のものではない。そして、甲第１号証には、その記載全体をみても、スルーホール近傍における間隔が該近傍以外のそれより広く設定されることを示す記載は特に見出せない。してみれば、第１図における寸法の微妙な差のみに基づく特許異議申立人の上記主張は、根拠薄弱というべきであり、認容できるものではない。
　
　次に、本件発明１と甲第２号証に記載のもの（前記III．３．エ〜カ参照）を対比すると、後者における「誘電体３」に形成された「高周波回路に好適な多層配線基板」は、前者における「誘電体基板」に形成された「高周波回路基板」に相当し、又、後者における「接続導体４」の「上面パターン」及び「下面パターン」は、前者における「信号ライン」に相当し、又、後者における「接地導体２」は、前者における「グランド電極」に相当し、又、後者における「接続導体４」の基板貫通部分は、前者における「スルーホール」に相当する。
　又、後者の基板表面側における上記「上面パターン」と「接続導体２」は、その第１図及び第２図からみて、（積層構造をなしてではあるが、少なくともスルーホール近傍において）間隔をもって配置されていることが認められる。
　又、後者の基板裏面側における上記「下面パターン」及び「接地導体２」は、（その配置を明示する底面図はないが、その第１図に基板表裏の断面構造がほぼ対称的に描かれていることからみれば、）第２図（平面図）に示される基板表面側における「上面パターン」と「接地導体２」の配置と対称的な形で配置されているものと推定される。
　従って、結局、両者は、
“誘電体基板の表面及び裏面にいずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなる伝送線路を設け、表裏面それぞれの信号ラインの一端部を誘電体基板に設けたスルーホールを介して他面の信号ラインに電気的に接続した高周波回路基板において、表裏面の各信号ラインは、少なくともスルーホール近傍において、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞される高周波回路基板。”
である点で一致する。
　しかし、両者は、次の点で相違する。
　(ａ')基板表裏の各伝送線路が、本件発明１では「コプレーナ型伝送線路」を形成し、従って、「信号ライン」と「グランド電極」とは、基板に対し、コプレーナ（共面）状に設けられるのに対し、甲第２号証に記載のものでは、「上面パターン」及び「下面パターン」（以下、本件発明１における用語に合わせ、「信号ライン」ともいう。）と「接地導体４」（以下、本件発明１における用語に合わせ、「グランド電極」ともいう。）とは、「誘電体３」を中間層とする積層構造をなすものであって、基板に対し、コプレーナ（共面）状に設けられるものではない点。
　(ｂ')グランド電極による信号ラインの囲繞が、本件発明１では、スルーホール近傍においては、該近傍以外におけるよりも広い間隔をもってなされるのに対し、甲第２号証に記載のものでは、スルーホール近傍においては該囲繞が認められるものの、スルーホール近傍以外においては、果たして囲繞されているかどうか明らかでなく、従って又、スルーホール近傍と該近傍以外での間隔の広狭も不明な点。
　而して、上記（ａ'）及び（ｂ'）の相違点に係る本件発明１の構成は、本件発明１の目的達成上必須の要件をなすものである。従って、かかる重要な構成において相違する以上、本件発明１は、甲第２号証に記載の発明であるということはできない。
　
　なお、上記（ａ'）の点に関し、特許異議申立人は、甲第２号証の上面パターンは、接地導体２と同一平面上に設けられ、コプレーナ線路構造を形成する旨主張している（特許異議申立書７頁12〜13行，12頁８〜11行，12頁21〜28行）が、甲第２号証の第１図によれば、上面パターンと接地導体２とは、誘電体３を中間層とする積層構造をなし、上面パターンは、接地導体２上の誘電体３上に形成されるのであるから、上面パターンと接地導体２とが、本件発明１のように、コプレーナ型伝送線路として、基板上に、いわゆる共面（同平面）をなして形成されるものでないことは明らかであり、従って、特許異議申立人の上記主張には、理由がない。
　なお又、上記（ｂ'）の点に関し、特許異議申立人は、甲第２号証の第２図を根拠に、甲第２号証の信号ラインは、本件発明１同様、スルーホール近傍において、該近傍以外より広い間隔をもってグランド電極により囲繞される旨主張している（特許異議申立書７頁８〜10行，12頁21〜28行）が、該第２図は平面図であって、この図面で見られる囲繞における上記主張の如き間隔は、グランド電極を、その平面図上で見える部分だけ、即ち、上に露出した部分だけのものとして把握した場合に言える、いわば見かけ上（外観上）の間隔でしかない。実際には、グランド電極は、第１図にみるように、信号ラインや誘電体３と積層構造をなしており、スルーホール近傍においては、グランド電極が誘電体３の下に入り込んでいるのであるから、グランド電極と信号ラインとの真の間隔は、特許異議申立人が広いと見た上記見かけの間隔より遙かに狭いものである。又、スルーホール近傍以外においては、第１，２図はもとより、甲第１号証の記載全体を参酌しても、グランド電極が誘電体３の下にどの程度入り込むのかは、全く不明であるから、スルーホール近傍と該近傍以外とにおける真の間隔の広狭も全く不明というしかないし、又、スルーホール近傍以外において、グランド電極が、例えば、（平面図で見て）信号ラインの両側縁から垂直におろした線より内側にまで入り込む場合や、或いは、より極端に、誘電体３の裏面全体に及ぶ場合のグランド電極は、もはや、信号ラインを「囲繞」するものとさえ言い難い。従って、特許異議申立人の上記主張には、何ら正当な根拠を見出すことができない。
　
　（１-２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１に対し、その信号ラインとグランド電極の間隔についてより詳細な限定を施したものといえるから、本件発明１が、上述したように、甲第１，２号証に記載の発明であるということができない以上、本件発明２も、甲第１，２号証に記載の発明であるということはできない。
　
（２）特許法第２９条第２項違反の主張について
　特許異議申立人は、上記のように、本件発明１，２は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張するので、以下、この主張の当否を検討する。。
　
　（２-１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載のものには、上記（１-１）で述べたように上記（ａ）の相違点が存在する。便宜上、これを再度、以下に記す。
　(ａ)本件発明１では、誘電体基板の表裏面ともに、スルーホール近傍における信号ラインとそれを囲繞するグランド電極との間隔が、スルーホール近傍以外における該間隔よりも広く設定されるのに対し、甲第１号証に記載のものでは、かかる広狭の間隔設定が行われるとはいえない点。
　
　そこで、この（ａ）の相違点について他の甲号証の記載を検討するに、先ず、甲第２号証には、上記（１-１）で詳細に検討したとおりの内容のものが記載されており、このものは、その平面図（第２図）でみる限りでは、上面パターンと接地導体２との間隔が、
　　　スルーホール近傍での間隔＞該近傍以外での間隔
であり、この関係は、一見、本件発明１における信号ラインとグランド電極との間隔と一致するかに見える。しかし、それは、その断面図（第１図）にみるような積層構造を考慮せず、平面図だけから判断されるいわば見かけ上の広狭に過ぎないこと、又、スルーホール近傍以外においては、接地導体２が、中間層たる誘電体３の下にどの程度入り込んでいるのか不明であるから、スルーホール近傍と該近傍以外との真の広狭は不明であることは、上記（１-１）で述べたとおりである。従って、甲第２号証に記載のものは、本件発明１の上記（ａ）の相違点に係る構成について、何ら示唆を与え得るものではない。
　
　次に、甲第３号証には、前記III．３．キ〜ケにみるように、表面取付け可能なマイクロ波パッケージについて記載されており、その図１、図２には、誘電体基板の表裏面に形成され、「金属充填バイアスロット15」で表裏が接続される「ワイヤボンディングパッド11」と「はんだ付けパッド21」とのほぼ周囲を、間隔をもって「グラウンド面12」，「同22」が囲繞したものが示されており、且つ、この場合の囲繞は、その図２でみる限り、基板裏面においては、
　　「はんだ付けパッド21」の「金属充填バイアスロット15」と接続する側の端縁と「グラウンド面22」との間隔
　　＞「はんだ付けパッド21」の両側縁と「グラウンド面22」との間隔
の関係にあることが認められ、ここで、「はんだ付けパッド21」は、本件発明１でいう基板裏面の「信号ライン」に、又、「金属充填バイアスロット15」は本件発明１でいう「スルーホール」に、又、「グラウンド面22」は本件発明１でいう基板裏面の「グランド電極」に相当するといえるので、基板裏面における上記囲繞の関係は、
　　信号ラインのスルーホールと接続する側の端縁とグランド電極との間隔
　　＞信号ラインの両側縁とグランド電極との間隔
と言い換え得るから、この基板裏面での関係は、部分的には、即ち、スルーホール近傍における信号ラインの両側縁とグランド電極との間隔を除いては、本件発明１における信号ラインとグランド電極との間隔における関係と一致するといえる。しかし、本件発明１では、信号ラインとグランド電極との間隔は、信号ラインの両側縁においても、スルーホール近傍と該近傍以外とで異なるのに対し、甲第３号証の上記図２のものは、信号ライン両側縁とグランド面との間隔は、スルーホール近傍と該近傍以外とで何ら異ならない点で、両者は明らかに相違する。しかも、甲第３号証のものが、上記のように、図２でみる限り、部分的に一致しているとしても、甲第３号証には、（その技術的特徴とする基板表面におけるグランド面のエクステンディッド構造等については説明されていても、）上記部分的に一致するスルーホール近傍と該近傍以外とにおける信号ラインとグランド面との間隔の違いが、如何なる技術的意味を有するのかについては、一言たりと説明がある訳でもない。
　更に又、甲第３号証に記載のものは、基板表面の間隔においても、図１で明らかなように、本件発明１のそれとは異なるものである。即ち、甲第３号証に記載のものの「ワイヤボンディングパッド11」（注．本件発明１の基板表面の「信号ライン」に相当）の両側縁と「グラウンド面12」（注．本件発明１の基板表面の「グランド電極」に相当）との間隔は、図２の基板裏面におけると同様、「金属充填バイアスロット15」（「スルーホール」）近傍と該近傍以外とで何ら差がないし、又、上記「ワイヤボンディングパッド11」（信号ライン）の「金属充填バイアスロット15」（スルーホール）と接続する側の端縁は、直接に基板端縁に臨んでいて、本件発明１のように、「グラウンド面12」（グランド電極）によって囲繞されてはいないから、そもそも、本件発明１において問題とされるような、信号ラインのスルーホールと接続する側の端縁とグランド電極との間隔なるものは存在しない。
　従って、このように構成上明らかに相違し、技術的特徴とするところも異なる甲第３号証の図１，図２に記載のものから、本件発明１における上記（ａ）の相違点に係る構成が示唆されるとは到底言うことができない。
　
　次に、甲第４号証には、前記III．３．コ〜シにみるように、内外の高周波伝送線路がコプレーナ線路で構成されたパッケージについて記載されており、その図１〜図４には、誘電体基板表裏の信号線金属薄膜９，19（注．本件発明１の「信号ライン」に相当）がバイアホール11（注．本件発明１の「スルーホール」に相当）で接続されるとともに、いずれも接地金属薄膜８，18（注．本件発明１の「グランド電極」に相当）で囲繞されたものが示されているが、該信号線金属薄膜と接地金属薄膜との間隔は、本件発明１におけるそれと異なり、バイアホール11（スルーホール）近傍と該近傍以外とで、図面上、特に差がない（図２，図４参照）か、或いはむしろ、バイアホール11（スルーホール）近傍の特に信号線金属薄膜の端縁近辺において、該近傍以外より狭くなったものが示される（図１，３参照）に過ぎないから、甲第４号証に記載のものも、本件発明１における上記（ａ）の相違点に係る構成を示唆するものではない。
　
　而して、これら甲第２〜４号証に記載のものを総合してみても、本件発明１における上記（ａ）の相違点に係る構成を示唆し得るとはいえない。
　
　そして、本件発明１は、上記（ａ）の相違点に係る構成を有することにより、インピーダンスマッチングを行うことができ、マイクロ波帯及びミリ波帯の信号がスルーホールを介して伝達されることによる伝送特性の劣化を低減することができるという明細書記載の顕著な効果を奏する。
　従って、本件発明１は、甲第１〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
　
　（２-２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１に対し、その信号ラインとグランド電極の間隔についてより詳細な限定を施したものといえるから、上記のように、本件発明１が、甲第１〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということもできない以上、本件発明２も、甲第１〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということはできない。
　
５．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１，２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月６日（２００２．３．６）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第３００８９３９号発明の明細書を、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正する。
　すなわち、
　訂正１：
　（ｉ）請求項１において、「グランド付きコプレーナ線路からなる一対の伝送線路」とあり、又、「これらの伝送線路を誘電体基板に設けたスルーホールを介して」とあるを、いずれも、明りょうでない記載の釈明を目的として、それぞれ、「いずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ形伝送線路」及び「表裏面それぞれの信号ラインの一端部を誘電体基板に設けたスルーホールを介して他面の信号ラインに」に訂正する。
　（ｉｉ）請求項１において、「各伝送線路と同一平面上のグランド電極との間隔が、スルーホール近傍において他の部分と比べて」とあるを、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、「表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞されるとともに、該間隔は、表裏面ともにスルーホール近傍における間隔が、スルーホール近傍以外における間隔よりも」に訂正する。
　（ｉｉｉ）請求項２，３において、「伝送線路」（全５個所）とあり、又、「コプレーナ線路」（全２個所）とあるを、いずれも、明りょうでない記載の釈明を目的として、それぞれ、「信号ライン」及び「コプレーナ型伝送線路」に訂正する。
　訂正２：
　明細書の段落【０００５】【課題を解決するための手段】に「上記した…（中略）…好ましい。」とあるを、明りょうでない記載の釈明を目的として、以下のとおりに訂正する。
　「上記した本発明の目的を達成するために、本発明においては、誘電体基板の表面及び裏面にいずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ型伝送線路を設け、表裏面それぞれの信号ラインの一端部を誘電体基板に設けたスルーホールを介して他面の信号ラインに電気的に接続した高周波回路基板において、表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞されるとともに、該間隔は、表裏面ともにスルーホール近傍における間隔が、スルーホール近傍以外における間隔よりも広く設定されていることを特徴としている。
　本発明においては、スルーホール近傍における信号ラインとグランド電極との間隔Ｗが、所定のコプレーナ型伝送線路の所定の特性インピーダンスを有する部分の間隔ｄ１と対比して、ｄ１＜Ｗ≦３ｄ１に設定されることが好ましい。
　さらに、本発明においては、コプレーナ型伝送線路の所定の特性インピーダンスを有する部分である信号ラインの側縁とグランド電極との間隔ｄ１、スルーホール近傍における信号ラインの側縁とグランド電極との間隔ｄ２、スルーホール近傍における信号ラインの端部とグランド電極との間隔ｄ３、並びに、スルーホール近傍における信号ラインの端縁と間隔ｄ１及びｄ２の境界との間隔ｄ４が、ｄ１＜ｄ２≦２ｄ１、２ｄ１≦ｄ３≦３ｄ１、２ｄ１≦ｄ４≦３ｄ１に設定されることが好ましい。」
　訂正３：
　明細書の段落【０００６】【発明の実施の態様】に、「図１及び図２は、…（中略）…である。」とあるを、明りょうでない記載の釈明を目的として、以下のとおりに訂正する。
　「図１及び図２は、本発明の第１及び第２の実施例の高周波回路基板を示している。図１及び図２において、（Ａ）及び（Ｂ）は高周波回路基板の表面図及び裏面、図（Ｃ）は該基板にモジュールＭＭＩＣを配置した状態の線Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿った断面図を示している。
　これらの図において、１はセラミックス等からなる誘電体基板、２１、　　２２、２１’、２２’は誘電体基板１の表裏面上に形成された信号ラインであり、信号の伝送線路を構成する。３０、３０’は誘電体基板１の表裏面上に形成されたグランド電極、４１、４２は誘電体基板１の中心線上の点にて該基板を貫通して設けられたスルーホールである。なお、誘電体基板１の表裏面上の各信号ライン２１、２２、２１’、２２’直下の対向する面には、図１及び図２から明らかなように、グランド電極３０’、３０が設けられており、したがって、伝送線路を構成する信号ライン２１、２２、２１’、２２’はグランド付きコプレーナ型伝送線路でもある。」
　訂正４：
　明細書の段落【０００７】に「誘電体基板１の…（中略）…形成される。」とあるを、明りょうでない記載の釈明を目的として、以下のとおりに訂正する。
　「誘電体基板１の表裏に形成された信号ライン２１、２１’は、スルーホール４１を介して電気的に接続され、同様に、信号ライン２２、２２’はスルーホール４２を介して電気的に接続されている。信号ライン及びグランド電極からなる誘電体基板１の表面及び裏面上の電極パターンは、フォトリソグラフィ又はスクリーン印刷等によってパターニングされ形成される。スルーホール４１、４２は、ＮＣパンチ等の機械加工によって形成される。」
　訂正５：
　明細書の段落【０００８】に「図１に…（中略）…接続される。」とあるを、明りょうでない記載の釈明を目的として、以下のとおりに訂正する。
　「図１に示した第１の実施例においては、誘電体基板１の中心部１５がモジュールＭＭＩＣのサイズに打ち抜かれており、該モジュールが、図１（Ｃ）に示すように、誘電体基板１に埋め込み状態に固定配置される。モジュールと誘電体基板１上の信号ライン２１、２２との電気的接続は、ワイアボンディング（ワイア５１、５２）により行われる。
　図２に示した第２の実施例においては、誘電体基板１の中心部を打ち抜かずに、表面中心部に電極パターンを形成しない部分を設けている。該部分に対応する裏面中心部にはグランド電極が形成されている。モジュールＭＭＩＣは、図２（Ｃ）に示すように、誘電体基板１の表面の中心部に載置され、信号ライン２１、２２と直接電気的に接続される。なお、図１及び図２に示すとおり、誘電体基板の表面及び裏面の各信号ライン２１、２２、２１’、２２’は、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホール４１、４２に接続する側の端緑から間隔をもってグランド電極により囲繞されている。」
　訂正６：
　明細書の段落【０００９】に「図３（Ａ）及び…（中略）…形成されている。」とあるを、明りょうでない記載の釈明を目的として、以下のとおりに訂正する。
　「図３（Ａ）及び（Ｂ）は、図１及び図２に示した本発明の高周波回路基板における信号ライン２１、２２、２１’、２２’、グランド電極３０、３０’、及びスルーホール４１、４２の配置関係を説明するための斜視図及び平面図を示している。なお、図３においては、図１の線Ｃ−Ｃから左部分又は線Ｄ−Ｄから右部分を切断して示しており、また、信号ライン、グランド電極及びスルーホールを代表的に、参照番号２０、３０及び４０で示している。
　図３（Ｂ）に示すように、信号ライン２０は、矩形形状を有し、その一端部にスルーホール４０が形成され、そして適宜の間隔（ｄ１、ｄ２、ｄ３）を介してグランド電極３０に囲縛されている。信号ライン２０及びグランド電極３０からなる電極パターンは、スルーホール４０及び信号ライン２０の中心を通る線Ｅ−Ｅに対して線対称に形成されている。図３には示されていないが、誘電体基板１の裏面にも、スルーホール４０に対して点対称の関係に信号ライン及びグランド電極が形成されている。」
　訂正７：
　明細書の段落【００１０】に「スルーホール４０から…（中略）…距離である。」とあるを、明りょうでない記載の釈明を目的として、以下のとおりに訂正する。
　「スルーホール４０から離れている信号ライン２０の両側縁とグランド電極３０との間の間隔ｄ１は、伝送線路の所定の特性インピーダンスを有する部分であり、該特性インピーダンスが５０９となるように設定されている。また、スルーホール４０近傍の信号ライン２０の側縁とグランド電極３０との間の間隔ｄ２、及びスルーホール４０近傍の信号ライン２０の端部とグランド電極３０との間隔ｄ３は、所望の通過帯域で減衰量が最小となるように、電磁界シミュレーションによって決定される。なお、間隔ｄ４は、信号ライン２０のスルーホール側の端縁と間隔ｄ１及びｄ２の境界との距離である。」
（５４）【発明の名称】
高周波回路基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】誘電体基板の表面及び裏面に
いずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ型伝送線路
表裏面それぞれの信号ラインの一端部
他面の信号ラインに
表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞されるとともに、該間隔は、表裏面ともにスルーホール近傍における間隔が、スルーホール近傍以外における間隔よりも
　【請求項２】請求項１記載の高周波回路基板において、スルーホール近傍における
信号ライン
型伝送
　【請求項３】請求項１記載の高周波回路基板において、コプレーナ
型伝送
信号ライン
信号ライン
信号ライン
信号ライン
　　ｄ１＜ｄ２≦２ｄ１
　２ｄ１≦ｄ３≦３ｄ１
　２ｄ１≦ｄ４≦３ｄ１
に設定されていることを特徴とする高周波回路基板。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の技術分野】
　本発明は、スルーホールを有する高周波回路基板及び該基板を備えた半導体装置に関し、特に、スルーホール部での伝送損失を小さくすることができる高周波回路基板及び該基板を備えた半導体装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、表面に素子又は回路チップからなるモジュールが搭載される誘電体基板にスルーホールを設け、該モジュールが電気的に接続される基板表面の伝送線路をスルーホールを介して基板裏面に設けた伝送線路に電気的に接続することにより、該基板裏面を外部回路基板上に面実装可能にしている半導体装置が提案されている。しかしながら、このような構成の半導体装置は、取り扱う信号の周波数が１０ＧＨｚ程度以上になると、スルーホールによる透過損失が急激に大きくなることが知られている。
　したがって、上記した従来例の構成は、マイクロ波帯及びミリ波帯の信号を伝送させた場合には信号の特性劣化が著しく、これらの周波数領域の信号処理には適していない。
　【０００３】
　このような問題点に鑑み、スルーホールを用いていない高周波回路基板が既に提案されている。図６は、このような高周波回路基板の断面を示しており、該高周波回路基板は、多層構造等の誘電体基板１で構成され、その内部に複数のスロット孔１１を設けたグランド電極層６を設けるとともに、モジュール５が配置接続される基板の表面にストリップ導体７を形成してグランド電極層６とともにマイクロストリップ線路８を構成し、さらに、外部回路基板上に面実装される基板裏面にもストリップ導体９を形成してグランド電極層６とともにマイクロストリップ線路１０を構成し、これら２つのマイクロストリップ線路をグランド電極層のスロット孔１１を介して電磁結合させるよう構成されている。このような半導体装置によれば、スルーホールを必要としないため、それによる透過損失を生じることがないので、高周波信号を比較的劣化が少ない状態で伝送することができる。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、図６の従来例においては、マイクロストリップ線路８、１０を構成するために基板内部にグランド電極層６を設ける必要があり、したがって、その製造が単一層の基板に比べて複雑であり高価となる。したがって、安価な単一層の基板を用い、スルーホールによる高周波信号の特性劣化を抑制することができる高周波回路基板の提供が待たれていた。
　本発明は、このような従来例の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、スルーホールを有する単一層の基板を用いた高周波回路基板において、高周波信号をその特性劣化を抑制して伝送できるようにすることである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　上記した本発明の目的を達成するために、本発明においては、誘電体基板の表面及び裏面に
いずれも表裏一対の信号ライン及びグランド電極からなるコプレーナ型伝送線路を設け、表裏面それぞれの信号ラインの一端部を誘電体基板に設けたスルーホールを介して他面の信号ラインに
表裏面の各信号ラインは、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホールに接続する側の端縁から間隔をもってグランド電極により囲繞されるとともに、該間隔は、表裏面ともにスルーホール近傍における間隔が、スルーホール近傍以外における間隔よりも広く設定されている
　本発明においては、スルーホール近傍における
信号ライン
型伝送
　さらに、本発明においては、コプレーナ
型伝送
信号ライン
信号ライン
信号ライン
信号ライン
　【０００６】
　【発明の実施の態様】
　図１及び図２は、本発明の第１及び第２の実施例の高周波回路基板を示している。図１及び図２において、（Ａ）及び（Ｂ）は高周波回路基板の表面図及び裏面図、（Ｃ）は該基板にモジュールＭＭＩＣを配置した状態の線Ａ−Ａ及び線Ｂ−Ｂに沿った断面図を示している。
　これらの図において、１はセラミックス等からなる誘電体基板、２１、２２、２１’、２２’は誘電体基板１の表裏面上に形成された
信号ライン
なお、
表
信号ライン２１、２２、２１’、２２’直下の対向する面
３０’、３０
信号ライン
も
　【０００７】
　誘電体基板１の表裏に形成された
信号ライン
信号ライン
信号ライン
　【０００８】
　図１に示した第１の実施例においては、誘電体基板１の中心部１５がモジュールＭＭＩＣのサイズに打ち抜かれており、該モジュールが、図１（Ｃ）に示すように、誘電体基板１に埋め込み状態に固定配置される。モジュールと誘電体基板１上の
信号ライン
　図２に示した第２の実施例においては、誘電体基板１の中心部を打ち抜かずに、表面中心部に電極パターンを形成しない部分を設けている。該部分に対応する裏面中心部にはグランド電極が形成されている。モジュールＭＭＩＣは、図２（Ｃ）に示すように、誘電体基板１の表面の中心部に載置され、
信号ライン
なお、図１及び図２に示すとおり、誘電体基板の表面及び裏面の各信号ライン２１、２２、２１’、２２’は、各信号ラインの両側縁及び各信号ラインのスルーホール４１、４２に接続する側の端縁から間隔
グランド電極により
　【０００９】
　図３（Ａ）及び（Ｂ）は、図１及び図２に示した本発明の高周波回路基板における
信号ライン
信号ライン
　図３（Ｂ）に示すように、
信号ライン
信号ライン
信号ライン
信号ライン
　【００１０】
　スルーホール４０から離れている
信号ライン
信号ライン
信号ライン
信号ライン
　【００１１】
　電磁界シミュレーション及び種々の実機テストの結果、間隔ｄ１〜ｄ３が、
　ｄ１＜ｄ２≦３ｄ１
　ｄ１＜ｄ３≦３ｄ１
を満足している場合に、伝送特性の向上が認められた。なお、ｄ２及びｄ３をまとめてＷで表すと、上記不等式は
　ｄ１＜Ｗ≦３ｄ１
で表される。
　さらにまた、間隔ｄ１〜ｄ４が、
　ｄ１＜ｄ２≦２ｄ１
　２ｄ１≦ｄ３≦３ｄ１
　２ｄ１≦ｄ４≦３ｄ１
を満足するように設定した場合に、伝送特性の劣化がより低減されるという結果が得られた。
　【００１２】
　図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、実機テストにより本発明及び従来例の入出力間の伝送特性をネットワークアナライザで測定した結果を対比して示したグラフである。
　従来例においては（グラフＢ）、誘電体基板１の材料として、誘電率７．５のセラミックスを用い、図５に示すように、信号ラインとグランド電極との距離を一定の値ａに設定した回路基板を用いた。
　本発明の実験例においては（グラフＡ）、誘電体基板１の材料として、従来例の場合と同様に誘電率７．５のセラミックスを用い、図３に示した構造を用いた。また、図３（Ｂ）に示したそれぞれの間隔ｄ１〜ｄ４は、
　ｄ１＝ａ
　ｄ２＝１．５ａ
　ｄ３＝ｄ４＝２．５ａ
に設定した。
　図４から明らかなように、本発明の高周波回路基板によれば、５５〜８０ＧＨｚの範囲で−０．５ｄＢ以上の伝送特性が得られており、これに対して、従来例においては、この周波数範囲で−１．０ｄＢ程度である。したがって、本発明によれば、従来例に比べて減衰量が１／２に低減されていることが分かる。
　【００１３】
　以上説明したように、本発明の高周波回路基板によれば、信号ラインとグランド電極との間隔をスルーホール近傍において広くしているので、インピーダンスマッチングを行うことができる。したがって、マイクロ波帯及びミリ波帯の信号がスルーホールを介して伝達されることによる伝送特性の劣化を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の高周波回路基板の第１の実施例を示す表面図、裏面図及び断面図である。
　【図２】
　本発明の高周波回路基板の第２の実施例を示す表面図、裏面図、及び断面図である。
　【図３】
　本発明の高周波回路基板の信号ラインとグランド電極との関係を説明するための説明図である。
　【図４】
　本発明及び従来例の伝送特性を実験的に測定した結果を示すグラフである。
　【図５】
　図４に結果を示した実験に用いた従来例の回路基板を示す斜視図である。
　【図６】
　スルーホールを用いていない従来例の高周波回路基板を示す断面図である。