【事件の表示】
　特願２０１６−５２９４４１「アレイ基板及び該アレイ基板を用いる液晶表示パネル」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月　２日国際公開、ＷＯ２０１５／０９６２１９、平成２８年１２月２８日国内公表、特表２０１６−５４１０１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２０１４年（平成２６年）１月９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１３年１２月２７日、中国（CN））を国際出願日とする出願であって、その手続の概要は、以下のとおりである。  
　平成２９年　４月２８日：拒絶理由通知書  
　平成２９年　８月　３日：意見書、手続補正書の提出  
　平成３０年　１月１６日：拒絶査定（同年　１月１９日送達）  
　平成３０年　５月　９日：審判請求書、手続補正書の提出 
　平成３１年　３月　１日：拒絶理由通知書 
　令和　元年　６月　６日：意見書、手続補正書の提出  
  
第２　本願発明 
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、令和元年６月６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。 
  
「　　【請求項１】
　アレイ基板であって、ガラス基板と、ガラス基板上に形成されているゲート電極と、ゲート電極及びガラス基板上に形成されているゲート電極絶縁層と、ゲート電極絶縁層上に形成されているソース電極／ドレイン電極と、ソース電極／ドレイン電極及びゲート電極絶縁層上に形成されている酸化物半導体層と、酸化物半導体層、ソース電極／ドレイン電極及びゲート電極絶縁層上に形成されている保護層と、保護層上に形成されているカラーフィルタと、カラーフィルタ及び保護層上に形成されている平坦化層と、平坦化層上に形成されている画素電極と、を備え、
　前記カラーフィルタは前記アレイ基板上に配置され、前記画素電極はソース電極／ドレイン電極に電気接続され、該画素電極は線の形状に配布されるとともに「十」字構造を中心とする放射状構造となり、
　前記ゲート電極絶縁層の酸化物半導体層と対応する位置、すなわちソース電極とドレイン電極の間には凹部が設けられており、前記酸化物半導体層は前記ソース電極／ドレイン電極及び凹部を覆い、
　前記画素電極はナノインジウム・スズ酸化物で形成され、
　前記酸化物半導体層はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物層であることを特徴とするアレイ基板。」 
  
第３　拒絶の理由 
　平成３１年３月１日付けで当審が通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。 
[理由１]（進歩性）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その優先日前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
[理由２]（委任省令要件）本件出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
[理由３]（明確性）本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
●理由１（進歩性）について  
・請求項　　　１−１２  
・引用文献等　１−８ 
●理由２（委任省令要件）について
・請求項　　　３−１２
●理由３（明確性）について 
・請求項　　　１−１２ 
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞  
１．特開２０１１−１１３０８５号公報 
２．特開２０１２−２４４１４５号公報（周知技術を示す文献） 
３．特開２０１０−１３５７７２号公報（周知技術を示す文献） 
４．特開２０１０−１３５７７８号公報（周知技術を示す文献） 
５．国際公開第２０１１／０５８８５９号（周知技術を示す文献） 
６．特開２０１２−２０９４６５号公報（周知技術を示す文献） 
７．特開平８−１７９３７９号公報（周知技術を示す文献） 
８．国際公開第２００９／１５４０３１号（周知技術を示す文献） 
第４　当審の判断
１　特許法第３６条第６項第２号（明確性要件違反）について
（１）請求項１には「保護層上に形成されているカラーフィルタと、カラーフィルタ及び保護層上に形成されている平坦化層と、」「を備え、」「アレイ基板」と記載されている。 
　そうすると、アレイ基板に備えられているカラーフィルタは、保護層と平坦化層との間に形成されているものである。
（２）請求項１には「前記カラーフィルタは前記アレイ基板上に配置され、」「アレイ基板」と記載されている。 
　そうすると、アレイ基板上にカラーフィルタが配置されていることが把握される。
　しかしながら、「前記カラーフィルタ」として把握される「カラーフィルタ」は、（１）で説示した「カラーフィルタ」であり、アレイ基板の保護層と平坦化層との間に形成されているものであるから、どのようにすれば、そのようなカラーフィルタがアレイ基板上に配置されたカラーフィルタになるのか不明確であり、発明の構成が不明確となっている。
　したがって、本願発明は明確でない。
（３）審判請求人の主張について 
　審判請求人は、令和元年６月６日付けの意見書において、「（３）明確性について」、「当業者は本願の補正後の技術的事項により、『アレイ基板は、ガラス基板と、ゲート電極と、ゲート電極絶縁層と、ソース電極／ドレイン電極と、酸化物半導体層と、保護層と、カラーフィルタと、平坦化層と、画素電極とを備え、前記カラーフィルタは保護層上に形成され、前記カラーフィルタはアレイ基板の構成要素である』ということと、『液晶表示パネルは、アレイ基板と、カラーフィルム基板と、液晶層とを備え、前記アレイ基板は、アレイ基板は、ガラス基板と、ゲート電極と、ゲート電極絶縁層と、ソース電極／ドレイン電極と、酸化物半導体層と、保護層と、カラーフィルタと、平坦化層と、画素電極を備え、前記カラーフィルム基板はアレイ基板上に設けられ、前記カラーフィルム基板は液晶表示パネルの構成要素であり、前記カラーフィルタはアレイ基板の構成要素であり、前記カラーフィルタと前記カラーフィルム基板は別体のものである』ということを容易に理解することができます。
　前記補正は、出願当初の明細書、特許請求の範囲または図面に記載した事項から自明な事項であり、出願当初の明細書、特許請求の範囲または図面においてしたものであります。」、「上述した補正により請求項の事項は特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていないというご指摘を解消することができると考えます。したがって、本願の発明は明確であり、特許請求の範囲の記載も明確であると考えます。」と主張している。 
　しなしながら、請求項１については補正はされておらず、「前記カラーフィルタは前記アレイ基板上に配置され」ていると依然として記載されているから、「前記カラーフィルタはアレイ基板の構成要素である」かどうかは、依然として不明確な記載であると言わざるをえない。
　以上のとおりであるから、審判請求人の主張を採用することはできない。
２　特許法第２９条第２項（進歩性）について
　上記１で検討したように、本願発明は不明確であるが、「前記カラーフィルタは前記アレイ基板上に配置され、」についても、カラーフィルタはアレイ基板の保護層と平坦化層との間に形成されていると解して、進歩性を検討する。
（１）引用文献について 
ア　当審における拒絶の理由に引用された特開２０１１−１１３０８５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている（下線は、当審で付した。以下同じ。）。 
（ア）「【０００１】
　本発明は、液晶ディスプレイに関する。
【背景技術】
【０００２】
　
液晶ディスプレイ
は、
電極が形成されている二枚のディスプレイパネルとその間に挿入されている液晶層からなり
【０００３】
　広く使用されている液晶表示装置は電場生成電極（ｆｉｅｌｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が二つのディスプレイパネルに各々備えられている構造である。この中でも、一つのディスプレイパネル（以下、「薄膜アレイパネル」という）には複数の薄膜トランジスタと画素電極が行列状に配列されており、他のディスプレイパネル（以下、「共通電極パネル」という）には赤色、緑色、及び青色の色フィルタが形成されており、その全面を一つの共通電極が覆っている構造が主流である。
【０００４】
　しかし、このような液晶ディスプレイパネルは、画素電極とカラーフィルタが異なるディスプレイパネルに形成されるため、画素電極とカラーフィルタの間で正確な整列（ａｌｉｇｎ）が難しく整列誤差が発生する恐れがある。これを解決するため、
カラーフィルタと画素電極を同一のディスプレイパネルに形成する構造であるアレイ状カラーフィルタ
  
（イ）「【００２７】
　液晶パネルアセンブリ３００は、
下部ディスプレイパネル１００
（ウ）「【００３６】
　次に、図３乃至図６を参照して、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置についてより詳細に説明する。
【００３７】
　図３は、図１のＡ領域を示す配置図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断した断面図である。
【００３８】
　図３及び図４を参照すれば、本発明の一実施形態に係る液晶表示装置は、互いに対向する下部ディスプレイパネル１００と上部ディスプレイパネル２００、及びこれら二つのディスプレイパネル１００、２００の間に配置されている液晶層３を含む。
【００３９】
　まず、
下部ディスプレイパネル１００について説明する。
【００４０】
　
絶縁基板１１０の上に
ゲート線
１２１
【００４１】
　
ゲート線１２１は
第１及び第２ゲート電極
１２４ａ、１２４ｂを含む
【００４２】
　蓄積電極線は、ゲート線１２１と実質的に並んで伸びた幹線（ｓｔｅｍ）１３１とこれから伸び出した複数の蓄積電極１３５を含む。
【００４３】
　蓄積電極線１３１、１３５の形状及び配置は多様な形態に変更してもよい。
【００４４】
　
ゲート線１２１
上にはゲート絶縁膜
１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０の上には、アモルファスシリコンまたは結晶シリコンなどからなる複数の半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。
【００４５】
　半導体１５４ａ、１５４ｂの上には、各々複数の対のオーミックコンタクト部（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６３ｂ、１６５ｂが形成されており、オーミックコンタクト部１６３ｂ、１６５ｂはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化アモルファスシリコンなどの物質から形成されることができる。
【００４６】
　オーミックコンタクト部１６３ｂ、１６５ｂ及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数の対のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１ａ、１７１ｂと複数の対の第１及び第２ドレイン電極（ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ａ、１７５ｂが形成されている。
【００４７】
　データ線１７１ａ、１７１ｂはデータ信号を伝達し、主に縦方向に伸びてゲート線１２１及び蓄積電極線の幹線１３１と交差する。データ線１７１ａ、１７１ｂは
第１、第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ
第１及び第２ソース電極
１７３ａ、１７３ｂ
第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ
【００４８】
　第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、各々、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂによって一部囲まれた一側末端からの上に伸びており、反対側末端は、他の層との接続のためにその面積が広くてもよい。
【００４９】
　しかしながら、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを始めとしたデータ線１７１ａ、１７１ｂの形状及び配置は多様な形態に変更してもよい。
【００５０】
　
第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１及び第２薄膜トランジスタ
Ｑａ、Ｑｂを構成し、第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂのチャネル
は、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間の第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂに形成される。
【００５１】
　オーミックコンタクト部１６３ｂ、１６５ｂはその下の半導体１５４ａ、１５４ｂとその上のデータ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間に存在し、それらの間の接触抵抗を低くする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間を始めとして、データ線１７１ａ、１７１ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂで遮らずに露出された部分が存在する。
【００５２】
　データ線１７１ａ、１７１ｂ、
ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、
半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には、
下部保護膜１８０ｐが形成されている。
【００５３】
　
下部保護膜１８０ｐの上には、
カラーフィルタ２３０が形成されている。
【００５４】
　カラーフィルタ２３０は、感光性有機組成物に色を実現するための顔料が含まれている構造を有してもよい。例えば、カラーフィルタ２３０は、感光性有機組成物に赤色、緑色または青色の顔料が各々含まれている赤色、緑色、及び青色カラーフィルタを含んでもよい。
【００５５】
　特に、カラーフィルタ２３０は、開口部Ｇ１と溝（ｇｒｏｏｖｅ）Ｇ２を有してもよい。開口部Ｇ１は、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと画素電極１９１が接触する領域で下部保護膜１８０ｐを露出する。溝Ｇ２は、隣接する画素領域の間で互いに隣接したデータ線１７１ａ、１７１ｂの間に形成されている。他の実施形態では、隣接する画素領域の間で互いに隣接したデータ線１７１ａ、１７１ｂの間に互いに異なる色を表示するカラーフィルタ２３０が重なっており、溝Ｇ２が形成されない。
【００５６】
　
下部保護膜１８０ｐ及びカラーフィルタ２３０の上には、
上部保護膜１８０ｑが形成されている。
【００５７】
　下部保護膜１８０ｐは、カラーフィルタ２３０の顔料が露出された半導体１５４ａ、１５４ｂ部分へ流入するのを防止してもよい。
【００５８】
　上部保護膜１８０ｑは、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを露出するコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを有する。コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂは、カラーフィルタ２３０が有する開口部Ｇ１に接続されて重なっている。
【００５９】
　
上部保護膜１８０ｑの上に
画素電極
１９１が形成されている。画素電極１９１はＩＴＯ
から形成してもよい。画素電極１９１は
第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含む。
第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと電気的に接続され
【００６０】
　上部保護膜１８０ｑの上に遮光部２２０、画素電極１９１の上にメインスペーサ３６３Ｍが形成されている。遮光部２２０は、画素領域の境界と第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂに対応する部分に形成する。しかし、画素電極１９１とドレイン電極１７５ａ、１７５ｂが接触するコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂには、遮光部２２０でないメインスペーサ３６３Ｍを形成してもよい。
【００６１】
　メインスペーサ３６３Ｍはコンタクトホール１８５ａ、１８５ｂに接触し、上部ディスプレイパネル２００に向かって突出している。メインスペーサ３６３Ｍは上部ディスプレイパネル２００と下部ディスプレイパネル１００の間の間隔を維持する役割を果たす。メインスペーサ３６３Ｍは上部ディスプレイパネル２００と接触してもよい。」
（エ）「【００７２】
　補助スペーサ３６３Ｓはメインスペーサ３６３Ｍと共に形成してもよく、メインスペーサ３６３Ｍより上部表示板２００から遠く離れている。しかし、遮光部２２０より上部表示板２００との距離がより近くに形成してもよい。補助スペーサ３６３Ｓは、メインスペーサ３６３Ｍと共にセルギャップの高さを維持する機能がある。」
（オ）図３の記載から、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、線の形状であり、十字構造を中心とした放射状に配置された形状であることが見て取れる。
（カ）図４の記載から、第２ゲート電極１２４ｂ及び絶縁基板１１０上に形成されているゲート絶縁膜１４０が見て取れ、第２ドレイン電極１７５ｂ、第２ソース電極１７３ｂ、第２半導体１５４ｂ及びゲート絶縁膜１４０の上に形成されている下部保護膜１８０ｐが見て取れる。
　そして、図４は、図３のＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断した断面図であるので、図３及び図４の記載から、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ及び絶縁基板１１０上に形成されているゲート絶縁膜１４０が見て取れ、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ及びゲート絶縁膜１４０の上に形成されている下部保護膜１８０ｐが見て取れる。
イ　引用発明　 
　したがって、引用文献１には、以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。 
  
「絶縁基板１１０と、 
　絶縁基板１１０の上のゲート線１２１に含まれる第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂと、
　第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ及び絶縁基板１１０上に形成されているゲート絶縁膜１４０と、
　ゲート絶縁膜１４０の上のアモルファスシリコンまたは結晶シリコンなどからなる第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂと、
　第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと、
　第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ及びゲート絶縁膜１４０の上に形成されている下部保護膜１８０ｐと、
　下部保護膜１８０ｐの上には、カラーフィルタ２３０が形成され、
　下部保護膜１８０ｐ及びカラーフィルタ２３０の上には、上部保護膜１８０ｑが形成され、
　上部保護膜１８０ｑの上に画素電極１９１が形成され、
　画素電極１９１は第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含み、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと電気的に接続され、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、線の形状であり、十字構造を中心とした放射状に配置され、
　第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、及び第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂと共に第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂを構成し、第１及び第２薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂのチャネルは、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂと第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間の第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂに形成され、
　画素電極１９１はＩＴＯから形成された、  
下部ディスプレイパネル１００。」 
  
（２）対比 
　本願発明と引用発明を対比する。 
ア　引用発明の「下部ディスプレイパネル１００」は、本願発明の「アレイ基板」に、
　引用発明の「絶縁基板１１０の上のゲート線１２１に含まれる第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ」は、本願発明の「基板上に形成されているゲート電極」に、
　引用発明の「第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ及び絶縁基板１１０上に形成されているゲート絶縁膜１４０」は、本願発明の「『ゲート電極及び』『基板上に形成されているゲート電極絶縁層』」に、
　引用発明の「第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ」は、本願発明の「ソース電極／ドレイン電極」に、
　引用発明の「第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ及びゲート絶縁膜１４０の上に形成されている下部保護膜１８０ｐ」は、本願発明の「半導体層、ソース電極／ドレイン電極及びゲート電極絶縁層上に形成されている保護層」に、
　引用発明の「下部保護膜１８０ｐの上には、カラーフィルタ２３０」は、本願発明の「保護層上に形成されているカラーフィルタ」に、
　引用発明の「下部保護膜１８０ｐ及びカラーフィルタ２３０の上には、上部保護膜１８０ｑ」は、本願発明の「カラーフィルタ及び保護層上に形成されている平坦化層」に、
　引用発明の「上部保護膜１８０ｑの上に画素電極１９１」は、本願発明の「平坦化層上に形成されている画素電極」に、
　引用発明の「画素電極１９１は第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂを含み、第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと電気的に接続され、」は、本願発明の「画素電極はソース電極／ドレイン電極に電気接続され、」に、
　引用発明の「第１及び第２副画素電極１９１ａ、１９１ｂは、線の形状であり、十字構造を中心とした放射状に配置され、」は、本願発明の「画素電極は線の形状に配布されるとともに「十」字構造を中心とする放射状構造となり、」に、それぞれ相当する。 
イ　引用発明の「絶縁基板１１０」と、本願発明の「ガラス基板」とは、「基板」である点で一致する。
ウ　引用発明の「第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ」と、本願発明の「酸化物半導体層」とは、「半導体層」である点で一致する。
エ　引用発明の「画素電極１９１はＩＴＯから形成され」と、本願発明の「画素電極はナノインジウム・スズ酸化物で形成され」とは、「画素電極はインジウム・スズ酸化物で形成され」である点で一致する。 
オ　そうすると、本願発明と引用発明は、以下の構成において一致し、相違する。 
  
（一致点） 
「アレイ基板であって、基板と、基板上に形成されているゲート電極と、ゲート電極及び基板上に形成されているゲート電極絶縁層と、ソース電極／ドレイン電極と、半導体層と、半導体層、ソース電極／ドレイン電極及びゲート電極絶縁層上に形成されている保護層と、保護層上に形成されているカラーフィルタと、カラーフィルタ及び保護層上に形成されている平坦化層と、平坦化層上に形成されている画素電極と、を備え、
　前記画素電極はソース電極／ドレイン電極に電気接続され、該画素電極は線の形状に配布されるとともに「十」字構造を中心とする放射状構造となり、
　前記画素電極はインジウム・スズ酸化物で形成されるアレイ基板。」 
  
（相違点１）薄膜トランジスタについて、本願発明では、ソース電極／ドレイン電極がゲート電極絶縁層上に形成されており、半導体層が酸化物で形成され、ソース電極／ドレイン電極及びゲート電極絶縁層上に形成されており、ゲート電極絶縁層の酸化物半導体層と対応する位置、すなわちソース電極とドレイン電極の間には凹部が設けられており、前記酸化物半導体層は前記ソース電極／ドレイン電極及び凹部を覆うのに対し、引用発明では、第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、第１及び第２半導体１５４ａ、１５４ｂ、及び、絶縁基板１１０上に形成されているゲート絶縁膜１４０を備える点。 
  
（相違点２）本願発明では、ガラス基板であるのに対し、引用発明では、絶縁基板である点。 
  
（相違点３）インジウム・スズ酸化物で形成されている画素電極が、本願発明では、ナノインジウム・スズ酸化物で形成されているのに対し、引用発明では、そのようなものか明らかでない点。 
 
（相違点４）半導体層が、本願発明では、酸化物半導体層で、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物層であるのに対し、引用発明では、そのようなものか明らかでない点。  
（相違点５）カラーフィルタが、本願発明では、アレイ基板上に配置されているのに対し、引用発明では、そのようなものか明らかでない点。
（３）判断 
ア　相違点１、相違点４について 
（ア）表示装置に関する技術において、ゲート電極と、ゲート電極上に形成されているゲート電極絶縁層と、ゲート電極絶縁層上に形成されているソース電極／ドレイン電極と、ソース電極／ドレイン電極及びゲート電極絶縁層上に形成されるインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物層とを備え、前記ゲート電極絶縁層のインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物層と対応する位置、すなわちソース電極とドレイン電極の間には凹部が設けられており、前記インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物層は前記ソース電極／ドレイン電極及び凹部を覆う構造の薄膜トランジスタは、本願の優先日前に周知技術（必要ならば、特開２０１２−２４４１４５号公報（特に、【０００３】、【００３２】−【００５７】、図１参照、
また、【００５４】には、アクティブパターン３０はインジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）を含む旨記載されている。）、
特開２０１０−１３５７７２号公報（特に、【０１３２】−【０１５７】、図９、１０参照。
また、【００４５】には、酸化物半導体層２０９は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶膜で形成することができる旨記載されている。）、
特開２０１０−１３５７７８号公報（特に、【０００２】、【０００３】、【００１０】、【００２８】−【００３０】、図３６参照。
また、【００１０】には、酸化物半導体層について、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非単結晶層である旨記載されている。）を参照されたい。）である。
 
（イ）そして、液晶表示素子の薄膜トランジスタの半導体において、アモルファスシリコンは電子移動度が低いことや結晶シリコンはレーザアニール等の工程が必要なことは一般的に知られている課題であり、当該一般的に知られている課題を解決するために、アモルファスシリコンに比べ電子移動度が高く、レーザアニール等の工程が不要なインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物を半導体として用いて薄膜トランジスタを作製することも一般的に知られている（例えば、特開２０１０−１３５７７８号公報の背景技術（【０００２】、【０００３】）を参照されたい。）。
（ウ）そうすると、当該一般的に知られている課題を解決するために、引用発明の薄膜トランジスタに換えて、上記ＩＧＺＯを半導体としたものとして周知の薄膜トランジスタを用いることは、当業者が適宜なし得た事項にすぎない。
イ　相違点２について
　表示装置の絶縁基板をガラスにより形成することは、本願の優先日前に周知技術（必要ならば、特開２０１０−１３５７７２号公報（特に、【００２６】参照。）、特開２０１０−１３５７７８号公報（特に、【００２４】参照。）を参照されたい。）である。 
　そして、引用発明の絶縁基板として、上記周知技術を採用することは、当業者が容易に想到し得たことである。 
ウ　相違点３について
　ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）の電極を、ナノインジウム・スズ酸化物で形成することは、本願の優先日前に周知技術（必要ならば、国際公開第２０１１／０５８８５９号（特に、[００８２]「画素電極Ｅｂの形成工程として、ＩＴＯナノインク」参照。）、特開２０１２−２０９４６５号公報（特に、【００２６】「電極の印刷用インキに・・・酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）・・・のナノ粒子」参照。）、特開平８−１７９３７９号公報（特に、【０２１４】「第１の電極・・・膜厚１００ナノメートルの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）膜を全面に・・・形成する。」参照。）を参照されたい。）である。 
　そして、引用発明は画素電極をＩＴＯで形成しており、引用発明のＩＴＯの電極を形成する際に上記周知技術を採用することは、当業者が容易に想到し得たことである。 
エ　相違点５について
　本願発明の「前記カラーフィルタは前記アレイ基板上に配置され、」は、上記のように保護層と平坦化層との間に形成されたカラーフィルタはアレイ基板に配置されると解するので、引用発明の「下部保護膜１８０ｐの上には、カラーフィルタ２３０が形成され、下部保護膜１８０ｐ及びカラーフィルタ２３０の上には、上部保護膜１８０ｑが形成され、」は、本願発明の「前記カラーフィルタは前記アレイ基板上に配置され、」に相当する。
　そうすると、相違点５は、実質的な相違点ではない。
オ　そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。  
  
カ　まとめ  
　以上のとおりであるから、引用発明に上記周知技術を適用して、相違点１ないし５に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
  
（４）審判請求人の主張について 
ア　審判請求人は、令和元年６月６日付けの意見書において、
（ア）「引用文献には『画素電極はナノインジウム・スズ酸化物で形成され、かつ酸化物半導体層はインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物層である』という技術的事項と、それに類似する技術的事項と、それを容易に想到できる技術的示唆とが開示されていないと考えます。」、
（イ）「また、引用文献には新請求項の『カラーフィルタはアレイ基板上に配置される』という技術的事項と『画素電極はソース電極／ドレイン電極に電気接続され、該画素電極は線の形状に配布されるとともに「十」字構造を中心とする放射状構造に形成される』という技術的事項とが同時存在する技術的事項と、それらに類似する技術的事項と、それらを容易に想到できる技術的示唆とが開示されていないと考えます。したがって、新請求項１、２および６の技術的事項と引用文献の技術的事項は明らかに相違しており、本願の新請求項１、２および６に係る発明は新規性を有していると考えます。」
と主張している。 
イ　しかしながら、画素電極をナノインジウム・スズ酸化物で形成することについては、上記（３）ウにも記載し、平成３１年３月１日付けで当審が通知した拒絶の理由にも記載したように、周知技術であり、半導体層をインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物層で形成することは、上記（３）アにも記載し、平成３１年３月１日付けで当審が通知した拒絶の理由にも記載したように、周知技術である。
　さらに、両者を同時に用いることについて、相乗的な効果があるとはいえず、また、上記周知技術（上記拒絶理由）で提示した特開２０１２−２０９４６５号公報には、【００２６】「電極の印刷用インキに・・・酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）・・・のナノ粒子」、【００２９】「半導体には・・・ＩＧＺＯ」と同時に用いることも示唆されているように、同時に用いることに阻害要因があるとは考えられない。
　上記（２）ア、オ及び（３）エに記載したように、引用文献１には、上記ア（イ）の技術的事項が同時に存在する点が実質的に開示されている。
　なお、仮に、「カラーフィルタはアレイ基板上に配置される」ことが他のカラーフィルタを意味しており、カラーフィルタとアレイ基板とは別体であるとの意味であるとしても、本願発明はアレイ基板に関する発明であるので、そのようなアレイ基板と別体のカラーフィルタは本願発明の発明特定事項ではないから、上記進歩性の判断に影響を与えるものではない。
 
　以上のとおりであるから、審判請求人の主張を採用することはできない。  
第５　むすび 
　以上のとおり、本願は、特許請求の範囲（請求項１）の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、また、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
  
　よって、結論のとおり審決する。