【事件の表示】
　特許第３０４８２０７号「還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法」の請求項１、２、４、６ないし１３、１５、１７ないし４０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０４８２０７号の請求項１、２、４、１５、６ないし１３、１７ないし４０に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０４８２０７号は、平成５年７月９日（パリ条約による優先権主張１９９２年７月９日および１９９３年６月２１日、アメリカ合衆国、）に出願され、平成１２年３月２４日にその発明について特許の設定登録がなされた。
　本件特許公報は、平成１２年６月５日に発行され、その特許に対して、東京応化工業株式会社より特許異議の申立がなされた。
II．特許異議申立について
１．本件発明
　本件請求項１、２、４、６ないし１３、１５、１７ないし４０に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１、２、４、６ないし１３、１５、１７ないし４０に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するための組成物であって、
（ａ）化学式１を有する化合物、化学式２を有する化合物、化学式３を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する１種又は２種以上の求核アミン化合物を約５〜約５０重量％，　
【化１】
［式中、Ｒ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ は、それぞれ独立に，水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩及びそれらの誘導体である］　
【化２】
 
［式中、Ｒ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０の全部が水素であることはない］及び　
【化３】
  　
　
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩である］；
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上の有機溶剤を約１０〜約８０重量％；
（ｃ）化学式４を有する化合物、化学式５を有する化合物、化学式６を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式７で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の１種または２種以上を約２．５〜約３０重量％、　
【化４】
  　
　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］　
【化５】
  　
　
［式中、Ｒ１７は、ＯＨ又はＣＯＯＨである］　
【化６】
  　
［式中、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、Ｈ又はＮＨ４ のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である］
　　【化７】Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＮＯＨ
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 又はＲ４ は、それぞれ独立に．水素、または炭素原子１から５を有する短鎖アルキル基である］及び
（ｄ）水、
であって，前記求核アミン化合物、有機溶剤及び化合物（ｃ）が、基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するのに十分な量で存在している組成物。
【請求項２】　前記求核アミン化合物がヒドロキシルアミンの誘導体である請求項１記載の組成物。
【請求項４】　前記１種または２種以上の化合物（ｃ）がジヒドロキシベンゼン又はその誘導体である請求項１記載の組成物。
【請求項６】　前記有機溶剤がアルカノールアミンである請求項１記載の組成物。
【請求項７】　前記アルカノールアミンが炭素分子１から５個を有する少なくとも１種のアルカノール基を含有する請求項６記載の組成物。
【請求項８】　前記アルカノールアミンがモノアミンまたはジアミンである請求項６記載の組成物。
【請求項９】　前記アルカノールアミンが下記化学式；　
　　Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ
［式中Ｒ１及びＲ２は、Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ３ＣＨ２、またはＣＨ２ＣＨ２ＯＨである］を有する請求項６記載の組成物。
【請求項１０】　前記アルカノールアミンがアミノアルコキシアルカノールである請求項６記載の組成物。
【請求項１１】　前記有機溶剤がモノエタノールアミンである請求項１記載の組成物。
【請求項１２】　基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去する、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を有する基板に下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を含む組成物を接触させることを含む方法であって、
（ａ）化学式８を有する化合物、化学式９を有する化合物、化学式１０を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化及び還元電位を有する１種又は２種以上の求核アミン化合物を約５〜約５０重量％、　
【化８】
［式中、Ｒ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩及びそれらの誘導体である。］　
【化９】　
［式中、Ｒ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０は，それぞれ独立に、水素、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり，かつ式中のＲ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０の全部が水素であることはない］及び　
【化１０】
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又はアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩である。］；
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上を約１０〜約８０重量％；及び
（ｃ）化学式１１を有する化合物、化学式１２を有する化合物、化学式１３を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式１４で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の１種または２種以上を約２．５〜約３０重量％、　
【化１１】
  　　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］　
【化１２】
  　
　
［式中、Ｒ１７は、ＯＨ又はＣＯＯＨである］
【化１３】  　
［式中、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、Ｈ又はＮＨ４ のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である］
　　【化１４】Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＮＯＨ
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 又はＲ４ は、それぞれ独立に．水素、または炭素原子１から５を有する短鎖アルキル基である］及び
（ｄ）水、
であって、前記組成物をレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を基板から除去するのに十分な温度及び時間で前記基板と接触させる方法。
【請求項１３】　前記求核アミン化合物がヒドロキシルアミンまたはその誘導体である請求項１２記載の方法。
【請求項１５】　前記１種又は２種以上の化合物（ｃ）がジヒドロキシベンゼンまたはその誘導体である請求項１２記載の方法。
【請求項１７】　前記有機溶剤がアルカノールアミンである請求項１２記載の方法。
【請求項１８】　前記アルカノールアミンがアミノアルコキシアルカノールである請求項１７記載の方法。
【請求項１９】　前記アルカノールアミンが炭素分子１から５を有するアルカノール基を少なくとも１種有する請求項１７記載の方法。
【請求項２０】　前記アルカノールアミンがモノアミン又はジアミンである請求項１７記載の方法。
【請求項２１】　前記アルカノールアミンが下記化学式；
　　　　　Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ
［式中、Ｒ１ 及びＲ２ は、Ｈ、ＣＨ３ 、ＣＨ３ ＣＨ２ 、またはＣＨ２ ＣＨ２ ＯＨである］を有する請求項１７記載の方法。
【請求項２２】　前記溶剤がモノエタノールアミンだる請求項１２記載の方法。
【請求項２３】　前記基板が半導体ウエファーである請求項１２記載の方法。
【請求項２４】　前記温度が室温から約１００℃の範囲である請求項１２記載の方法。
【請求項２５】　前記時間が約２分から約６０分の範囲である請求項１２記載の方法。
【請求項２６】　ヒドロキシルアミンを約５〜約５０重量％、前記ヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも１種の有機溶剤を約１０〜約８０重量％、化学式１５で示す少なくとも１種の化合物を約２．５〜約３０重量％、　
【化１５】
  
　　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］及び水を含むレジスト及びエッチング残留物少なくとも一種を除去するための組成物であって、前記ヒドロキシルアミン、少なくとも１種の有機溶剤及び化学式１５で示す少なくとも１種の化合物が、基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するのに十分な量で存在する組成物。
【請求項２７】　前記有機溶剤はジグリコールアミンであり、化学式１５で示す前記化合物がカテコールである請求項２６の組成物。
【請求項２８】　前記ヒドロキシルアミンと水とが約５０：５０の割合で存在する請求項２６記載の組成物。
【請求項２９】　前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約２．５重量％又はそれ以上の量で存在する請求項２７記載の組成物。
【請求項３０】　前記ヒドロキシルアミンが約１７．５重量％の量で存在し、前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約２．５重量部又はそれ以上の量で存在し、及び前記水が約１７．５重量％の量で存在する請求項２８記載の組成物。
【請求項３１】　前記有機溶剤はモノエタノールアミンである請求項２６記載の組成物。
【請求項３２】　前記有機溶剤はモノイソプロパノールアミンである請求項２６記載の組成物。
【請求項３３】　基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去する方法であって、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を有する基板に、ヒドロキシルアミンを約５〜約５０重量％、前記ヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも１種の有機溶剤を約１０〜約８０重量％、化学式１６で示す少なくとも１種の化合物を約２．５〜約３０重量％、　
【化１６】
 
 　　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］及び水を含む組成物を接触させることを含み、前記組成物を基板からレジストまたはエッチング残留物の少なくとも一つを除去するのに十分な温度及び時間で基板と接触させる方法。
【請求項３４】　前記ヒドロキシルアミンと水とが約５０：５０の割合で存在する請求項３３記載の方法。
【請求項３５】　前記有機溶剤がジグリコールアミンであり、化学式１６で示す前記化合物がカテコールである請求項３３記載の方法。
【請求項３６】　前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約２．５重量％又はそれ以上存在する請求項３５記載の方法。
【請求項３７】　前記ヒドロキシルアミンが約１７．５重量％の量で存在し、前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約２．５重量部又はそれ以上の量で存在し、及び前記水が約１７．５重量％の量で存在する請求項３５記載の方法。
【請求項３８】　前記有機溶剤がモノエタノールアミンである請求項３３記載の方法。
【請求項３９】　前記有機溶剤がモノイソプロパノールアミンである請求項３３記載の方法。
【請求項４０】　下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む組成物。
（ａ）化学式１７を有する化合物、化学式１８を有する化合物、化学式１９を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する１種又は２種以上の求核アミン化合物を約５〜約５０重量％，　
【化１７】
［式中、Ｒ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ は、それぞれ独立に，水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩及びそれらの誘導体である］　
【化１８】
  
［式中、Ｒ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０の全部が水素であることはない］及び　
【化１９】  
　　
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩である］；
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上を約１０〜約８０重量％；及び
（ｃ）化学式２０を有する化合物、化学式２１を有する化合物、化学式２２を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式２３で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の１種または２種以上を約２．５〜約３０重量％、　
【化２０】 
 　　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］　
【化２１】
  　　
［式中、Ｒ１７は、ＯＨ又はＣＯＯＨである］　
【化２２】　　  　
　
［式中、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、Ｈ又はＮＨ４ のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である］
　　Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＮＯＨ
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 又はＲ４ は、それぞれ独立に．水素、または炭素原子１から５を有する短鎖アルキル基である］及び
（ｄ）水。　　」
２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、
　甲第１号証　特開平４−２８９８６６号公報
　甲第２号証　「化学大辞典　２　縮刷版」共立出版株式会社（昭和５９年３月１５日縮刷版第２８刷発行）第８７５〜８７６頁
　甲第３号証　東京化成工業株式会社編「取り扱い注意試薬ラボガイド」株式会社講談社（１９８８年１２月２０日第３刷発行）第１００頁
　甲第４号証　米国特許第４３９５３４８号明細書
を提出して、
請求項１、２、４、６〜１３、１５、１７〜４０に係る発明は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する発明に該当するとして、各発明に係る特許は、拒絶しなければならない特許出願に対して特許されたものであるからその特許を取り消すべき旨主張する。
３．甲号各証の検討
　甲第１号証には、
　(1a)「【請求項１】　耐食膜を支持体から除去する組成物で、ヒドロキシルアミンと、前記ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくとも１種のアルカノールアミンからなり、前記ヒドロキシルアミンと前記アルカノールアミンが耐食膜を支持体から除去するだけの十分な量で存在することを特徴とする組成物。　
　【請求項２】　前記ヒドロキシルアミンは、重量比で約５％乃至９０％の量で存在することを特徴とする請求項１の組成物。
　【請求項３】　前記少なくとも１つのアルカノールアミンは、重量比で約１０％乃至９５％の量で存在することを特徴とする請求項１の組成物。　
　【請求項４】　前記組成物が少なくとも１つの極性溶媒からさらになることを特徴とする請求項１の組成物。
　【請求項５】　前記少なくとも１つの極性溶媒は、重量比で約５％乃至８５％の量で存在することを特徴とする請求項４の組成物。
　【請求項６】　前記少なくとも１ つの極性溶媒は、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、ブロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン、エチレンジアミンおよびエチレントリアミンから本質的になる群から選ばれることを特徴とする請求項４又は５の組成物。
　【請求項７】　前記少なくとも１つのアルカノールアミンのアルカノール基には、１乃至５の炭素原子が含まれることを特徴とする請求項１の組成物。
　【請求項８】　前記少なくとも１つのアルカノールアミンは、モノアミン類、ジアミン類およびトリアミン類から本質的になる群から選ばれることを特徴とする請求項１の組成物。
　【請求項９】　前記少なくとも１つのアルカノールアミンは次式すなわち、Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｒ３　で示され式中のＲ１とＲ２は、Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ３ＣＨ２もしくは、ＣＨ２ＣＨ２ＯＨそしてＲ３はＣＨ２ＣＨ２ＯＨであることを特徴とする請求項１の組成物。
　【請求項１０】　食膜を支持体から除去する方法で、次掲の工程、すなわち、耐食膜がその上に覆われた支持体を、ヒドロキシルアミンと、前記ヒドロキシルアミンと、混和性のある少なくとも１つのアルカノールアミンからなる組成物と、前記耐食膜を前記支持体から除去するだけの十分な温度と時間で接触させる工程からなる耐食膜を支持体から除去する方法。。
　【請求項１１】　前記耐食膜が感光性耐食膜であることを特徴とする請求項１０の方法。
　【請求項１２】　前記耐食膜がポリイミドコーチングであることを特徴とする請求項１０の方法。
　【請求項１３】　前記ヒドロキシルアミンが重量比で約５％乃至９０％の量で存在することを特徴とする請求項１０の方法。　
　【請求項１４】　前記少くとも１つのアルカノールアミンが重量比で約１０％乃至９５％の量で存在することを特徴とする請求項１０の方法。　
　【請求項１５】　前記ストリップ組成物が少くとも１つの極性溶媒からさらになることを特徴とする請求項１０の方法。　
　【請求項１６】　前記少くとも１つの極性溶媒が重量比で５％乃至８５％の量で存在することを特徴とする請求項１５の方法。　
　【請求項１７】　前記少くとも１つの極性溶媒は、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、Ｎ-置換ピロリドン、エチレンジアミン及びエチレントリアミンから本質的になる群から選ばれることを特徴とする請求項１５もしくは１６の方法。　
　【請求項１８】　前記少くとも１つのアルカノールアミンのアルコノール基には、１乃至５の炭素原子が含まれることを特徴とする請求項１０の方法。　
　【請求項１９】　前記少くとも１つのアルカノールアミンはモノアミン類、ジアミン類及びトリアミン類から本質的になる群より選ばれることを特徴とする請求項１０の方法。　
　【請求項２０】　前記少くとも１つのアルカノールアミンは次式すなわち、　Ｒ１Ｒ２-Ｎ-ＣＨ２ＣＨ２-０-Ｒ３で示され、式中、Ｒ１とＲ２はＨ、ＣＨ３.、ＣＨ４ＣＨ２もしくはＣＨ２ＣＨ２ＯＨそしてＲ３はＣＨ２ＣＨ２ＯＨであることを特徴とする請求項１０の方法。　
　　【請求項２１】　前記支持体が半導体ウエファーであることを特徴とする請求項１０の方法。　
　　【請求項２２】　前記温度は、５０℃乃至１５０℃の範囲であることを特徴とする請求項１０の方法。　
　　【請求項２３】　前記時間は、２乃至３０分の範囲であることを特徴とする請求項１０の方法。　」（特許請求の範囲）に関する発明が記載され、
　(1b)「【０００２】
　　【従来の技術】超小形回路の２次加工中、多数の適切にドープされた域を半導体の切片に正確に位置決定させるには、前記半導体の上に１つ以上の系統連系パターンの位置づけをその後に行う必要がある。ポジ型の耐食膜が支持体上のパターンの線引きに広く使用され、それによってパターンが支持体に実質的にエッチングされるか、別の方法で輪かくをつけることができるようになる。そこで、支持を準備する最終工程で、未露光耐食膜物質を支持体から除去する必要がある。しかし、ますます、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチングもしくはイオンミリングが、支持体に対するパターンの輪かくづけに用いられるが、耐食膜マスクが、１つ以上の次掲の溶媒を含むストリップ剤による除去も実質的に不可能にする。溶媒は、すなわち：ハロゲン化炭化水素、例えば、塩化メチレンもしくはテトラクロロエチレン；アミンとその誘導体例えば、ジエタノールアミン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ピロリドン、ジエタノールアミンとトリエタノールアミン；グリコールエーテル類例えばエチレングリコールモノエチルエーテル、２-ブトキシエタノールと２-（ブトキシエトキシ）エタノール；及びアルキルスルホン例えばジメチルスルホンのようなものである。　
　(1c)「【０００３】そのうえ、前記エッチング加工中、有機金属化合物が側壁高分子物質として形成される。上述の溶媒も、この側壁有機金属重合体の除去には効果的でない。感光性耐食膜除去に効果的な最近開発された技術は、プラズマ灰化としても周知のプラズマ酸化である。しかし、この方法が感光性耐食膜の除去に有効であるが、エッチング工程中に形成された側壁有機金属重合体の除去には効果的でない。」　
　(1d)「【０００８】本発明はさらに、支持体から、半導体集積回路の製造中、前記支持体に損傷を与えることなく、又後続の作業や作業工程に悪影響或いは妨害することなく感光性耐食膜を除去するストリップ組成物の提供を主目的とする。」　
　(1e)「【００１５】
　【作用】本発明のストリップ組成物には、ヒドロキシルアミン、少くとも１つのアルカノールアミンと、任意に少くとも１つの極性溶媒が含まれる。前記ストリップ組成物は、耐食膜例えばプラズマエッチング環境で処理されたものと、硬化重合体耐食膜例えばポリイミドコーチングを含む感光性耐食膜の除去に適当な相乗作用のあるストリップ組成物の性質を示す。そのうえ、ストリップ組成物はプラズマエッチング工程中に支持体上に形成された有機金属重合体の除去に適当である。」　
　(1f)「【００１８】
　本発明で使用する適当なアルカノールアミンは、前記ヒドロキシルアミンとの混和性を有し、好ましくは水溶性であることである。」と記載されている。　
　甲第２号証には、
　(2a)極性溶媒の代表的なものは、水、アルコールであることが記載されている。
　甲第３号証には、
　(3a)ヒドロキシルアミンは、５０％水溶液として市販されていることが記載されている。
　甲第４号証には、
　(4a)「1.基体からホトレジストを除去するのに十分な量の有機スルホン酸及び１，２−ジヒドロキシベンゼンから実質的になる、基板からホトレジストを除去するための組成物。
２．前記の組成物において、さらに非極性又は極性有機溶剤を含む請求項１の組成物。
３．非極性有機溶剤が６〜２０個の炭素原子を含む芳香族又はアルキル芳香族溶剤である請求項２の組成物。
４．有機スルホン酸が約２０〜約９０重量％、１，２−ジヒドロキシベンゼンが約０．１〜約２０重量％及び非極性有機溶剤が０〜約６０重量％の量で存在する請求項１の組成物。
５．有機スルホン酸約３０〜６０重量％及び１，２−ジヒドロキシベンゼン約３〜１５重量％を含む請求項４の組成物。
６．有機スルホン酸約１５重量％、１，２−ジヒドロキシベンゼン約５重量％及び非極性有機溶剤約６０重量％を含む請求項５の組成物。
７．非極性有機溶剤がキシレンである請求項６の組成物。
８．約２０〜１５０℃の温度においてホトレジストに請求項１の組成物を接触させることを含む、基板からホトレジストをストリップする方法。
９．基板が金属被覆無機基板である請求項８の方法。
１０．基板がアルミニウム被覆された二酸化ケイ素絶縁層をもつシリコンウエハである請求項９の方法。」（第６欄第４〜３８行（特許請求の範囲））に関する発明が記載され、
　(4b)従来技術の課題として、「現在、最も普通に用いられてきたホトレジストストリッパー、例えば本発明の譲渡人から市販されている７１２Ｄホトレジストストリッパー、インダストリーケムから市販されているＪ−１００ホトレジストストリッパー、アライドケミカルコーポレーションから市販されているＡ−２０、Ａ−３０及びＡ−４０ホトレジストストリッパーは、特定の有機スルホン酸、フェノール及び塩素化炭化水素溶剤の混合物である。」（第１欄第２１〜２８行）こと、
　(4c)「塩素化炭化水素及びフェノールに伴う安全性及び環境汚染の問題の結果として、組成物中のこれらの成分を適当なものに置き換えることが望ましいこと、及び半導体工業において種々のホトレジストストリッパー組成物が提案されたが、上記の組成物は、いずれも実用的には適切ではないことが分った。」（第１欄第３４〜４１行）こと、
　(4d)そのために、「この発明は、特に集積回路の構築に有用な新規なフェノールを含まないホトレジストストリッピング組成物及び方法に関するものであり、さらに詳しくは、ポジ型及びネガ型両方のホトレジストに有用で、従来のホトレジストストリッピング組成物及び方法に存在した安全性及び環境汚染に問題をもたらす化合物を含まないストリッピング組成物及び方法に関するものである。」（第１欄第７〜１５行）こと、
　(4e)具体的な目的として、「この発明の目的は、集積回路に慣用されている金属及び絶縁層と両立しうる、フェノール及び塩素化炭化水素溶剤を含まないホトレジストストリッピング組成物及び方法を提供することである。」（第１欄第５９〜６３行）、
　(4f)「この発明のさらに別の目的は、市販品として入手しうる、フェノール又は塩素化炭化水素溶剤を含むホトレジストストリッピング組成物を用いて得られる結果に、少なくとも匹敵するストリッピング効果を与えるような組成物及び方法を提供することである。」（第１欄第６７行〜第２欄第４行）
　(4g)１，２−ジヒドロキシベンゼンの作用に関して、「この発明の組成物及び方法に使用する１，２−ジヒドロキシベンゼンは、アルミニウム、鉄、その他の金属の腐食抑制剤としての作用、および、集積回路からホトレジストをストリッピングするのに用いる高温処理の間に、金属上に重合体残査の沈積が形成するのを阻止する遅延剤としての作用の両方の作用を行っていると信じられる。」（第２欄第３１〜３８行）こと、
　(4h)具体的な配合量として、「組成物中の１，２−ジヒドロキシベンゼンの量の好適範囲は、約３から約１５重量％であり、特に約５重量％が好ましい。」（第２欄第６１〜６５行）こと、が記載されている。
４．判断
４．１　請求項１に係る発明について
　甲第１号証に記載されたヒドロキシルアミンは、本件請求項１に係る発明（以下、「第１発明」という）における化学式１の化合物に該当し、ヒドロキシルアミンと混和性のあるアルカノールアミンは、第１発明における求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤に該当し、それらの配合割合も一致する範囲を有している。　
　そして、甲第３号証によれば、ヒドロキシルアミンは水溶液として取り扱われるのが常態であるものと認められるから、ヒドロキシルアミンを使用する甲第１号証に記載された組成物が、水を含有することは明らかである。
　したがって、第１発明と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者は、「下記（ａ）、（ｂ）及び（ｄ）を含む、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するための組成物であって、
（ａ）化学式１に含まれるヒドラジンからなる酸化および還元電位を有する求核アミン化合物を約５〜約５０重量％、　
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上の有機溶剤を約１０〜約８０重量％；
（ｄ）水、
であって，前記求核アミン化合物、有機溶剤が基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するのに十分な量で存在している組成物。」である点で一致し、
　第１発明が、（ｃ）成分である、化学式４を有する化合物、化学式５を有する化合物、化学式６を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び化学式７で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の１種または２種以上を約２．５〜約３０重量％含有することを規定するのに対して、甲第１号証に記載された発明にはこの点についての規定がない相違がある。
  相違点について検討する。
　甲第４号証には、基体からホトレジストを除去するための組成物、すなわち剥離剤に、１，２−ジヒドロキシルベンゼンを、約３〜１５重量％添加することで、フェノールや塩素化炭化水素溶剤を使用することなく、フェノールや塩素化炭化水素溶剤を使用した剥離剤に匹敵する剥離剤が得られること、１，２−ジヒドロキシベンゼンは、集積回路からホトレジストを剥離するのに用いている高温処理の間に、金属上に重合体残査の沈積が形成するのを阻止する遅延剤としても作用することが記載されている。
  ところで、甲第４号証の組成物は、有機スルホン酸を主要成分とするものであると記載されているところからみて、ｐＨが極めて低い強酸性の剥離剤である。それに対して、甲第１号証のヒドロキシルアミンを使用する組成物は、ｐＨが高い強塩基性の除去組成物である。　
　そのように、強酸性の剥離剤中に使用される場合に有効であった添加剤を、液性の全く異なる強塩基性の剥離剤中に添加することは、剥離剤と添加物との相互作用等の点を考慮すると当業者が通常行う技術事項とは認められない。　
　そして、１，２−ジヒドロキシベンゼンが、強酸性及び強塩基性の両者において同様の作用効果が奏されることを事前に予測できるものでもない。　
　また、第１発明は、プラズマエッチング工程中に形成される有機金属及び金属酸化物等のエッチング残留物の除去に適する（本件特許明細書段落【００１１】、【００２５】及び【０００１】〜【００１０】の従来の技術参照）という効果を奏するものであるのに対し、被申立人が取消理由通知に対応して提出した意見書に添付した乙第１号証の記載によれば、甲第４号証の出願時である１９８１年当時、ドライエッチング法は未開発であることが認められる。　
　そのため、甲第４号証には、ドライエッチングに起因する課題（エッチング残留物の生成）について認識しうる根拠がないから、甲第４号証に記載された金属成分の沈積形成物と第１発明のエッチング残留物とが同一の物質であるとはいい難いし、第１発明と甲第４号証に記載の発明とが同じエッチング法に関する技術であるとも認められない。　
　以上のとおり、甲第１号証に記載の「耐食膜をその支持体から除去する組成物」に対して、甲第４号証に記載された組成物に使用される１，２−ジヒドロキシルベンゼンを組み合わせるべき動機は存在しないし、組み合わせることによる第１発明の前述の効果が予測されるものでもない。
　甲第２号証には、極性溶媒の代表的な例として水、アルコールが記載されているのみであり、レジスト剥離剤との関連を示す記載はない。
　したがって、第１発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
４．２　請求項２，４，６〜１１に係る発明について
　第１発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの（ａ）成分化合物について特定する請求項２，４，６〜１１に係る発明は、第１発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４．３　請求項１２に係る発明について
　請求項１２に係る発明は、第１発明の組成物を、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を基板と接触させる方法であり、その組成物そのものに主要な特徴を有するものであるから、第１発明と同様の理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４．４　請求項１３，１５，１７〜２５に係る発明について
　請求項１２に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの（ａ）成分化合物について特定する請求項１３，１５に係る発明、（ｂ）成分の化合物を特定する請求項１７〜２２に係る発明、基板の材質について規定する請求項２３に係る発明、接触させる条件について特定する請求項２４，２５に係る発明についても、請求項１２に係る発明に対する判断と同じ理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４．５　請求項２６に係る発明について
　請求項２６に係る発明は、第１発明の構成のうちの（ａ）成分化合物について特定するものであり、その余の構成は変わらないものである。上記のとおり、第１発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない以上、その構成のうちの（ａ）成分についてさらに下位概念で表現したのみの、請求項２６に係る発明は、第１発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４．６　請求項２７〜３２に係る発明について
　請求項２６に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの（ａ）成分化合物について特定する請求項２７〜３２に係る発明は、請求項２６に係る発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４．７　請求項３３に係る発明について
　請求項３３に係る発明は、請求項２６に係る発明の組成物を、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するために基板に接触させる方法であり、その組成物そのものに主要な特徴を有するものであるから、請求項２６に係る発明と同様の理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４．８　請求項３４〜３９に係る発明について
　請求項３３に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの（ｂ）成分化合物について特定する請求項２１〜２５に係る発明についても、請求項３３に係る発明に対する判断と同じ理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４．９　請求項４０に係る発明について
　さらに、請求項４０に係る発明は、特に用途を限定しない、いわゆる、絶対組成物クレームになっているが、上記のとおり、レジストを洗浄、除去し、エッチング残留物を除去する分野において、その配合に係る組成物を容易に発明し得たとする根拠が無く、さらに、レジストを洗浄する分野とは異なる分野でも、本件発明の（ａ）〜（ｄ）からなる特定物質を特定の配合比で用いる組成物と全く同一の組成物が存在していることも示されていないから、請求項４０に係る発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　そして、本件各発明は、その構成によって、ウエットエッチングからドライエッチングに推移するにともないそれまでの剥離剤では剥離しにくくなったレジストを剥離できるようにするとともに、エッチング残留物というドライエッチングに伴う独特の課題を解決することができる組成物、除去方法を提供するうえに、除去組成物が経時的に劣化したものを、キレート剤すなわち（ｃ）成分を添加することにより再生することができるという、格段の効果を奏するものである。
III．むすび
  以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１、２、４、６〜１３、１５、１７〜４０に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件請求項１、２、４、６〜１３、１５、１７〜４０に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１、２、４、６〜１３、１５、１７〜４０に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して付与されたものと認めないから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月３０日（２００２．１．３０）