【事件の表示】
　特許第３１５７９５７号「高熱伝導性炭化珪素質焼結体及びその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１５７９５７号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１５７９５７号の請求項１〜３に係る発明は、平成５年７月３０日に特許出願され（特願平５−１８９７０４）、平成１３年２月９日に特許の設定の登録がされ、平成１３年４月２３日に特許掲載公報が発行され、平成１３年１０月２３日に本田匠政より特許異議の申立がなされたものである。
２．本件発明・本件特許明細書の記載
２．１　本件発明
  本件の請求項１〜３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次のとおりのものである（以下、本件発明１〜３という。）。
 「【請求項１】６Ｈ型炭化珪素を主成分とし、少なくとも遊離炭素および硼素を含み、炭化珪素結晶の格子定数がａ軸で３．０８０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上で、かつ焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上であることを特徴とする高熱伝導性炭化珪素質焼結体。
【請求項２】６Ｈ型炭化珪素を主成分とし、遊離炭素および硼素を含み、かつ珪素以外の化合物を１０モル％以下の割合で含むとともに、炭化珪素結晶の格子定数がａ軸で３．０８０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上で、かつ焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上であることを特徴とする高熱伝導性炭化珪素質焼結体。
【請求項３】炭素と硼素を含み、Ｓｉ以外の陽イオン不純物量が１０００ｐｐｍ以下の６Ｈ型炭化珪素粉末からなる成形体を、炭化珪素結晶の格子定数をａ軸で３．０８０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上にせしめるように０．５〜１．５ａｔｍの不活性ガス雰囲気において１９５０〜２０５０℃で焼成し、焼結体密度を２．８ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率を１３０Ｗ／ｍ・Ｋ以上にすることを特徴とする高熱伝導性炭化珪素質焼結体の製造方法。」
２．２　本件特許明細書の記載
（ア）【０００１】段落
　「【産業上の利用分野】本発明は、高熱伝導性に優れ、高熱伝導性基板、ヒートシンク、熱交換器等に適用される炭化珪素質焼結体に関する。」
（イ）【０００２】段落
　「【従来技術】従来から、炭化珪素質焼結体は機械的特性に優れ、特に高温において強度劣化の小さい材料として注目され、各種の分野への応用が進められている。このような炭化珪素質焼結体は、一般に炭化珪素粉末に対して炭素および硼素を焼結助剤として添加し、これを成形後、Ａｒ等の不活性雰囲気中で無加圧で２０００〜２０５０℃で焼成することにより得られている。このようにして得られる炭化珪素質焼結体の熱伝導率は、せいぜい６０〜８０Ｗ／ｍ・ｋ程度である。」
（ウ）【０００６】段落
　「【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記の問題点に対して、簡便な方法で高付加価値を持つ高熱伝導炭化珪素焼結体を得る方法について鋭意検討した結果、熱伝導率が焼結体の格子定数に密接な関係が有り、焼結体中に固溶する不純物原子の量を制御して格子定数を一定範囲内に制御することによって高熱伝導率が達成できることを見出し、本発明に至った。」
（エ）【０００９】段落（【問題点を解決するための手段】の記載の一部）
　「また、本発明における大きな特徴は、炭化珪素結晶の格子定数がａ軸で３．０８０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上である点にある。この格子定数は焼結体の熱伝導率を決定する大きな要因であり、ａ軸、ｃ軸の格子定数が上記範囲より小さいと、いずれも高熱伝導性が得られない。」
（オ）【００１０】段落（【問題点を解決するための手段】の記載の一部）
　「また、本発明によれば、高熱伝導性を達成するためには焼結体は高密度体であることも必要であり、密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上・・・であることも重要であり、密度が２．８ｇ／ｃｍ３より低いと焼結体内部に存在する気孔が熱の伝達を阻害し熱伝導率が低下する。」
（カ）【００１２】段落（【問題点を解決するための手段】の記載の一部）
　「次に、本発明の窒化珪素質焼結体（当審注:「炭化珪素質焼結体」の誤記と認められる。）を製造するための方法について説明すると、まず出発原料として炭化珪素粉末、および焼結助剤として炭素および硼素を含有する各種の化合物を用意する。炭化珪素粉末としては６Ｈが主相で平均粒径は０．１〜１μｍが適当である。焼結助剤としては、炭素成分として、カーボンブラック、グラファイト等の他に熱分解により炭素を生成しうるフェノール樹脂やコールタールピッチ等を用いることができる。また、硼素成分としては、Ｂ４Ｃや金属硼素等が挙げられる。」
（キ）【００１３】段落（【問題点を解決するための手段】の記載の一部）
　「本発明によれば、炭化珪素の格子定数を決定する要因として、炭化珪素結晶中への固溶成分が大きく関与する。そのため、用いる炭化珪素原料としては、高純度のものが必要で、具体的にはＳｉ以外の陽イオン不純物量が１０００ｐｐｍ以下であることが重要であり、」
（ク）【００１４】段落（【問題点を解決するための手段】の記載の一部）
　「次に、これらの原料粉末を所定の割合で秤量し、ボールミル等の混合手段により充分に混合した後、この粉末にバインダーを添加し、周知の成形方法・・・により所望の形状に成形する。なお、焼結助剤としてフェノール樹脂等を添加した場合には、６００〜８００℃で成形体を非酸化性雰囲気中で仮焼処理して熱分解することにより炭素を生成することができる。」
（ケ）【００１５】段落（【問題点を解決するための手段】の記載の一部）
　「次に高熱伝導を得るために、上記のようにして得られた成形体をＡｒ等の不活性雰囲気中で１９５０乃至２０５０℃の比較的低温で焼成することが重要である。これは、高温での焼成では、炭化珪素結晶内への炭素や硼素、あるいは金属不純物の固溶拡散を促進してしまい、格子定数を小さくしてしまうためである。」
（コ）【００１６】段落（【問題点を解決するための手段】の記載の一部）
　「本発明によれば、最終焼結体における炭化珪素結晶のａ軸長およびｃ軸長が特定の範囲に制御することが重要であるが、このａ軸長およびｃ軸長は、炭化珪素結晶への他の元素の固溶量により変化し、特に本発明では、その固溶を極力避けることが重要である。この炭化珪素結晶への他の元素の固溶は、不純物量、助剤量、焼成温度、雰囲気などを適宜制御することが必要で、例えば、助剤量が多い方が・・・固溶が進みやすく、雰囲気種がＡｒである場合に比較してＨｅの雰囲気中の方が固溶が進みやすい。また、焼成時の圧力は１気圧が好ましいが、低圧では炭化珪素の蒸発・凝縮によってボロンが結晶内に取り込まれ易いので・・・圧力は０．５乃至１．５ａｔｍであることが重要である。その他、焼成温度が高すぎると固溶が進みやすいという傾向にあるため、例えば、これらの要素を後述する実施例に示すように制御すればよい。」
（サ）【００１７】段落（【問題点を解決するための手段】の記載の一部）
　「また、本発明の炭化珪素質焼結体によれば、・・・珪素以外の金属の化合物を添加することもできる。これら添加される金属化合物としては、ＴｉＣ、ＴｉＮ、ＷＣ、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＶＣ、ＴａＣ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２などが挙げられるが、その場合の量は１０モル％以下であることが必要でこの量が１０モル％を越えると、この金属化合物が炭化珪素結晶中に固溶しやすく、格子定数が小さくなるためである。」
（シ）【００１９】段落
　「【作用】本発明によれば、６Ｈ型炭化珪素結晶の主体とする炭化珪素質焼結体における炭化珪素結晶の格子定数を特定の範囲に制御することにより、格別な添加物などを用いることなく、一般的に用いられている炭素および硼素を焼結助剤として用いながらも、従来に比べて大幅に熱伝導率を向上できるものである。」
（ス）【００２０】段落（【作用】の記載の一部）
「本発明によれば、図１に示すように、炭化珪素の格子定数（ａ軸）と熱伝導率が比例関係にあり、炭化珪素結晶中の他の元素の固溶量を調整することが高熱伝導化に対して重要であることが理解できる。この方法によって熱伝導率が向上する原因は明確ではないが、炭化珪素結晶中への他の元素の固溶量の制御により結晶内でのフォノンの散乱因子を減少させることができることにより、焼結体の熱伝導を著しく向上させることができるものと考えられる。つまり、本発明によれば、炭化珪素結晶中への他の元素の固溶量を制御することにより最も一般的な無加圧焼成法でも高熱伝導化を達成できるのである。」
（セ）【００３１】段落
「【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、格別な助剤や原料を用いることなく、従来から一般に行われている手法に基づき、焼結体の格子定数を特定の範囲に制御することにより高熱伝導化を達成することができる。」
３．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として甲第１〜５号証を提出して、下記の理由により、本件の請求項１〜３に係る発明の特許は取り消されるべきであるという趣旨の主張をしている。
（１）本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証（第９頁〜３０頁）に記載された発明と実質的に同一である（理由−１）か、甲第１号証（第９頁〜３０頁）に記載された発明又は甲第１号証（第９頁〜３０頁）及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである（理由−２）か、または甲第３〜４号証及び甲第１号証（第１６５頁、第３８３頁）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである（理由−３）。
（２）本件の請求項２に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである（理由−４）。
（３）本件の請求項３に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである（理由−５）。
４．証拠の記載内容
４．１　甲第１号証（「新素材シリーズ　炭化珪素セラミックス　基礎・応用・製品紹介」目次、第９頁〜第３０頁（住友化学工業株式会社愛媛研究所の山田興一・毛利正英氏による「Ｉ−２　シリコンカーバイドの特性と応用」という表題の論文）、第１６５頁（田中秀彦氏による「Ｉ−１０　炭化珪素の焼結」という表題の論文中の１頁）、第３８３頁〜第３８５頁（黒崎窯業株式会社技術研究所の加治信彦による「ＩＩ−１３　各種ＳｉＣ系セラミックスについて」という表題の論文中の頁）、宗宮重行ほか１名編、株式会社内田老鶴圃、１９８８年９月１５日第１版発行）には、下記（ア）〜（ス）の記載がある。
（ア）「シリコンカーバイド（ＳｉＣ）は・・・この１０年開発が急速に進められたセラミックスである。・・・（中略）・・・。当社においてもＳｉＣの常圧焼結技術を開発し、構造材料としての用途開発を鋭意進めている。ここでは、ＳｉＣの常圧焼結とＳｉＣ成形体の製造技術について述べるとともに、当社ＳｉＣの特徴と構造材料への応用を紹介する。」（第９頁下から１０行〜第１０頁６行、「１．はじめに」の項中の記載の一部）
（イ）「ＳｉＣは・・・β−ＳｉＣと・・・α−ＳｉＣがある。α−ＳｉＣはその層状単位が変化せずに、積層方法が異なる多形現象（・・・）を示す。これまでに約５０種類の多形の存在が知られており、α−ＳｉＣの結晶格子常数は、ａ＝ｂ＝３．０７８Å、ｃ＝ｎ×２．５１８Å（ｎ＞２）と表示される。当社で開発した常圧焼結法のα−ＳｉＣ焼結体にはｎ＝６で示される六方晶系（ＳｉＣII、６Ｈ、ＡＢＣＡＣＢの３種類の表示方法がある）が多く観測される。」（第１０頁９行〜１４行、「２．シリコンカーバイドの物性」の項の下位に展開された「２．１結晶構造」の項中の記載の一部）
（ウ）「Ｐｒｏｃｈａｚｋａは・・・ＳｉＣの常圧焼結を試み、サブミクロンのβ−ＳｉＣ粉末がボロンと炭素の同時添加により高密度化することを見いだした。その後、各所でＳｉＣの常圧焼結が研究され、α−ＳｉＣ粉末のボロン、炭素添加による焼結・・・が検討された。」（第１２頁２３行〜２６行、「３．２　ＳｉＣの焼結」の項の下位に展開された「３．２．２　常圧焼結」の項中の記載の一部）
（エ）「常圧焼結法はサブミクロンのＳｉＣ粉末に焼結助剤と成形助剤を混合し、各種の成形方法により成形した後、不活性ガス雰囲気下２０００〜２３００℃で焼結しＳｉＣ成形体を製造する方法である。」（第１５頁１０行〜１１行、「４．シリコンカーバイド成形体の製造」の項中の記載の一部）
（オ）「雰囲気ガスとしてはＨｅ、Ａｒ、Ｎ２等の不活性ガスが使用できるが、」（第１７頁９行、「４．シリコンカーバイド成形体の製造」の項の下位に展開された「４．３　焼結」の項中の記載の一部）
（カ）「５．シリコンカーバイド成形体の特性
・・・。本章では当社のＳｉＣ成形体の特性について説明するとともに、最近報告されている各所の開発動向についても触れる。」との記載と「ＳｉＣ成形体の物理・機械的特性」との表題が付された表５．１中の記載であって「密度　　３．１４ｇ／ｃｍ３」との記載（第１７頁下から５行〜第１８頁５．１表の下１行）
（キ）「５．２．１　熱伝導性
表５．２に・・・測定した熱伝導率・・・を示す。　・・・。当社のＳｉＣの形体（当審注：「成形体」の誤記と認められる。）は１４６ｗ／ｍ・ｋと高い熱伝導率を示すが、」（第２１頁表５．２の下８行〜同下９行、「５．シリコンカーバイド成形体の特性」の項の下位に展開された「５．２．１ 熱伝導性」の項中の記載一部）と「ＳｉＣ成形体の熱的特性」との表題が付された表５．２中の「熱伝導率　　　　　１４６ｗ／ｍ・ｋ」との記載（第２１頁本文１行の上方）
（ク）「６．当社ＳｉＣ成形体の特長
　表６．１に各社ＳｉＣ成形体の物性を比較して示す。バランスの取れた機械的特性が当社ＳｉＣの特長である。これは、焼結助剤の選択、原料調整に始まり成形、焼結プロセスの最適化が計られているためである。・・・。図６．１のＸ線マイクロアナライザーによるホウ素面分析結果が示すように、当社のＳｉＣへの焼結助剤添加量は非常に少なく、またそのホウ素も均一に分散していることがわかる。」（第２３頁１６行〜２１行）の記載と「ＳｉＣ物性比較」という表題が付された表６．１（第２４頁上欄）中での「住友化学（α−ＳｉＣ）」の密度（ｇ/ｃｍ３）が３．１７であることを示す記載
（ケ）「ＳｉＣには５０を起えるポリタイプが発見されているが、通常焼結体に見い出されるのは、２Ｈ、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈと１５Ｒである。焼結用粉末には６Ｈのα型と３Ｃのβ型がある。焼結のメカニズムにはこのポリタイプで差はなく、焼結技術もほぼ同じである。ただし、両者の焼結体の組織は異なってくる。」（第１６５頁下から６行〜３行、「Ｉ−１０　炭化珪素の焼結」という表題の論文における「４．１．３．　αとβ型ＳｉＣ焼結体」の項中の記載の一部）
（コ）「１．はじめに
・・・。ＳｉＣは・・・高硬度で耐摩耗性に優れ高い熱伝導率を有し、しかも耐熱性にも優れているため、人造研削材、抵抗発熱体および耐火物に古くから多量に使用されてきた。・・・最近なんらかの形でＳｉＣを含む耐火物が非常に多くなっている。また、昨今のファインセラミックスブームの主役の１つとしてＳｉＣ材料は非常に注目されている材料である。本報告はＳｉＣの基本的性質については簡単にふれ、最近のＳｉＣ含有耐火物とＳｉＣ質構造材料の最近の動向について当社の製品を中心にふれるものである。」（第３８３頁下から９行〜第３８４頁５行）
（サ）「２．ＳｉＣ原料製造と基本特性
　２．１　製造方法
　・・・、一般の工業用Ｓｉ原料は、珪石とコークスを電気炉で２２００℃以上で通電加熱して製造されている。・・・。ＳｉＣ結晶を外観から分類すると黒色（Ｂ．Ｃ）、緑色（Ｇ．Ｃ）の物が一般的であり、その他黄色の物がある。化学分析上Ｂ．ＣとＧ．Ｃを比較するとＢ．Ｃの方が若干不純物が多いが大きな差はない。・・・。ＳｉＣの結晶を分類すると低温型の立方型を示すβ型と、高温型の六方型を示すα型がある。α−ＳｉＣには多数の同質多形がある。・・・。α−ＳｉＣはＨ（六方型）とＲ（菱面体）に大別されるが、一般的なＳｉＣ原料は４Ｈ、６Ｈ、１５Ｒの３種である。最も多いのは６Ｈ（II）型であり、我国のＢ．Ｃは４Ｈ（III）型が多いと言われている。ＳｉＣの変態と多型を表２に示す。ファインセラミックス用の焼結原料としての高純度超微粉はアチソン法による粉砕粉を酸洗等の精製処理した物が広く使用されている。」（第３８４頁６行〜２６行）
（シ）「炭化性素の変態と多型」との表題（当審注:「炭化性素」は「炭化珪素」の誤記と認められる。）が付された表であって、６Ｈ−ＳｉＣ（II）であるα−ＳｉＣは結晶構造が「六方」であり、格子定数（Å）がａ０（ａ軸）については３．０８１７、ｃ０（ｃ軸）については１５．１１８３であり、密度（ｇ／ｃｍ３）は３．２０８であることが示されている表２（第３８５頁）
（ス）「熱伝導率は０．２（５００℃）Ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃と高い。」（第３８５頁下から９行、「２．ＳｉＣ原料製造と基本特性」の項の下位に展開された「２．２　基本物性」の項中の記載の１部であって、ＳｉＣについての記載）
４．２　甲第２号証（「ＢＵＮＳＥＫＩ　ＫＡＧＡＫＵ」Ｖｏｌ．４２（１９９３年）第４４５頁〜第４４７頁、「炭化ケイ素の同定のための結晶学的データとＸ線回折データの再検討」という表題の論文）には、下記（セ）〜（チ）の記載がある。
（セ）「炭化ケイ素（ＳｉＣ）は六方晶系又は菱面体晶系のα相と立方晶系のβ相とに分かれ、前者は更に層の積み重ねの組み合わせやその周期の違いにより理論的には極めて多数のポリタイプが存在し、現在まで１００種以上が報告されている。通常の炭化ケイ素製品はポリタイプの混合物である。ＪＣＰＤＳカード、Ｗｙｃｋｏｆｆの著書その他の報告には、種々の炭化ケイ素ポリタイプの結晶学的データや粉末Ｘ線回折データが記載されているが、その値は必ずしも一致していない。特に同一相、同一ポリタイプのデータでも、格子定数や回折データの面間隔や相対強度の異なるものがあるが、後者の違いは計算強度と回折計やカメラによる測定強度との差、微結晶の配向の影響、測定誤差などによると思われる。又、これらのデータと実際試料の回折データとの不一致も見られ、・・・。そこで本報では、まず炭化ケイ素の格子定数に関する今までの研究データをできるだけ多く集めて比較し、問題点を明らかにした。次いでこれらのデータのうち、本来ほとんど変わらないはずの六方格子のａ軸長が異なっていることが分かった。これはｋＸ単位とÅ単位との混同や測定誤差に起因していると考えられたのでこれを一定値（３．０８１Å）に統一し、ポリタイプ間の結晶学的データの相互比較を容易にした。更に、主なポリタイプについてこの格子定数と原子配列データから、格子面間隔とＸ線回折強度を計算して互いに比較するとともに、著者らが得た実際試料のデータとも比較し、計算値の妥当性を確認した。この格子面間隔と強度とを用いると、ポリタイプ間の回折図形の差は明確になり、ポリタイプの同定がより容易になった。」（第４４５頁、「１　緒言」の項の記載）
（ソ）「２・１　文献に見られる各ポリタイプの格子定数の比較
・・・、α相の炭化ケイ素には六方晶系と菱面体晶系の両方が多数ある。従来の研究では菱面体晶系のものについても多くは六方格子として表示されており、一部は菱面体格子と六方格子の両方で表示されたものであり、必ずしも一定していない。そこで、炭化ケイ素に関する従来の主な研究から、原報の格子定数データをそのまま収録し、比較してＴａｂｌｅ　１に示す。ただし、１９４６年にｋＸ単位で表した波長には１．００２０２を乗じてÅ単位に直すことを国際的に取り決めているので、それ以前の文献値は、換算したことの記述がないものについては、Åで記載されていてもｋＸと読み替え、Å単位に換算した。更に比較を容易にするため、立方晶系のβ相も含め、全て六方格子としての格子定数（ａｈ、ｃｈ）、軸比ｃｈ／ａｈ及び六方単位格子に含まれるＳｉＣ数（Ｚｈ）を示すとともに、菱面体晶系のものについては菱面体格子としての値（ａＯ、α、Ｚ）を、原報にないものでも換算して示した。」（第４４５頁右欄下から１４行〜最下行及び第４４７頁左欄下から１１行〜同７行）
（タ）第４４６頁の「文献中の格子定数データ間の比較」という表題が付された表１には、結晶系がα（六方晶系）でポリタイプが６Ｈ（II）である炭化ケイ素の六方格子としての格子定数〔ａｈ（Å）、ｃｈ（Å）〕、軸比ｃｈ／ａｈについて７種類のデータが記載されている。
（チ）「２−２　格子定数ａｈの統一とｃｈの補正
六方格子の格子定数ａｈを決めるＳｉ−Ｃの結合距離と結合角は、ＳｉＣ網面の積み重なり方によって、通常のＸ線回折計で測定できるほど変わるとは考え難い。従って、どのポリタイプでも測定値はほとんど同じ値を示すはずである。しかし、Ｔａｂｌｅ　１のａｈの値を見ると、３．０７３Åから３．０８２３Åまでのばらつきがみられる。これらのうち、比較的最近の多くのＪＣＰＤＳカードのａｈが３．０７３Åとして記載されている。このようなデータ（すなわち、ａｈ＝３．０７３Å）の出所をさかのぼると、、ｋＸ単位をÅ単位と混同したものと推定され、ｋＸからÅ単位への換算係数１．００２０２を乗じた３．０７９Åであると解釈してよいと思われた。それでもなお、３．０７６Åから３．０８２３Åまでの値が存在するが、これらの研究をした時代では特別な精密測定をしないかぎり、試料位置や装置の調整のずれなどにより、±０．００４Å程度までの誤差が生じ得ることから、誤差範囲とも考えられる。」（第４４７頁左欄下から６行〜右欄下から２行）
４．３　甲第３号証（特開昭６２−１５３１６７号公報）には下記（ツ）〜（ナ）の記載がある。
（ツ）「Ｃ　０．５〜３．０重量％、Ｂ　０．１〜１．５重量％、Ｎ　２００ｐｐｍ以下、残部が実質的にＳｉＣからなり、嵩密度が３．０ｇ／ｃｍ３以上、電気比抵抗が１０４Ωｃｍ以上である電気比抵抗の高いＳｉＣ焼結体。」（特許請求の範囲の欄）
（テ）「本発明は電気絶縁性基板、電気抵抗体などに使用されるＳｉＣ焼結体に関し、さらに詳しくは高密度にして電気比抵抗の大きなＳｉＣ焼結体に関する。」（第１頁左下欄１１行〜１４行）
（ト）「本発明者の研究によればＳｉＣ焼結体の電気抵抗はその中に含有するＮ成分に大きく影響されることがわかった。そこで本発明は焼結体中のＮ成分を２００ｐｐｍ以下に抑えて電気抵抗を上げ、かつＣ、Ｂを特定量含有させてＳｉＣの高密度化を図ったものである。」（第２頁左上欄１４行〜１９行）
（ナ）「実施例　　アチソン法でつくった純度９６％のα−ＳｉＣ粒を粉砕して２．５μｍ以下の粉末を得た。粉砕はＮが入らないようにするため・・・ボールミル内に数ｍｍの大きさのＳｉＣ粉を入れ、真空ポンプで脱気し、１０−１TorrにしArを注入した。これを２回くり返し、その後１日間粉砕した。このものを取出し、塩酸でＦｅを除去し、沈降法で分級した。その結果得られたＳｉＣ粉末はＮ含有量１９０ppmであった。このＳｉＣ粉末１００重量部にＢ４Ｃ　０．１５３重量部、カーボンブラック　１．０重量部をよく混合し、さらに水３００ccとＰＶＡ ２重量部を加え２０時間混合した後スプレードライヤーで顆粒化した。この顆粒を直径５０mm、厚さ６mmに加圧成形し、Ar雰囲気中無加圧で２１００℃、６０分加熱し焼結した。その特性を第１表のＮｏ．１に示す。以下同様にし、但し、Ｂ、Ｃの量を変えて焼結した結果を第１表のＮｏ．２以下に示す。」（第３頁左上欄１行〜１９行）
（ニ）実施例で製造された各炭化珪素焼結体の焼結密度（ｇ／ｃｍ３）の数値（３．０７〜３．１４）が示されている第１表（第３頁下欄）
４．４　甲第４号証（特開昭６２−１１３７６４号公報）には下記（ヌ）〜（ハ）の記載がある。
（ヌ）「（１）α型炭化ケイ素粉末に、非晶質炭素を０．５重量％から２重量％、および炭化ホウ素を０．５重量％から２．５重量％の範囲内で含有させ、これを真空中で２０００℃〜２１５０℃の温度領域において無加圧焼成することを特徴とする高熱伝導性炭化ケイ素焼結体の製造方法。」（特許請求の範囲 第１項）
（ネ）「この発明における焼結助剤である炭素及び炭化ホウ素は、その含有量を適当量にすることにより、炭化ケイ素粉末の凝集化の防止及び粒界制御を効果的に行って、得られる焼結体の熱伝導率を高める。さらに温度を２０００〜２１５０℃で焼結すると、焼結体密度が高くなるため、高い熱伝導率を有する炭化ケイ素を製造することができる。」（第２頁右下欄８行〜１４行、〔作用〕の欄の記載。）
（ノ）「実施例１　平均粒径０．６μｍのα型炭化ケイ素粉末に、平均粒径１μｍの炭化ホウ素粉末と、比表面積２２０ｍ２／ｇの非晶質炭素を焼結助剤として加え、オレイン酸と炭化ケイ素球と共に、アルコール中でボールミル混合を１５時間行い、乾燥後、プレス成形した。焼結助剤のそれぞれの量的効果を第１図及び第２図に示す。第１図は横軸に炭素含有量（Ｗｔ％）、縦軸に熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）及び焼結体密度（ｇ／ｃｍ３）を示すものであり、非晶質炭素の効果を示すもので、一律に炭化ホウ素が２．０重量％加えてある。焼成条件は、２１５０℃で６０分、高周波誘導炉にて真空中焼成を行つた。・・・熱伝導率は曲線Ｂに示すように炭素量増加に従つて高くなり、０．５重量％で１５０Ｗ／ｍ・Ｋを越え、１．５重量％で最高値１８０Ｗ／ｍ・Ｋを示し、２．０重量％で減少を示す。・・・。同様に第２図は炭化ホウ素の効果を示すものである。なお、一律に非晶質炭素１．５重量％加えてある。焼成条件は２１５０℃、６０分、真空中で焼成を行つた。・・・。曲線Ｂに示すように熱伝導率は０．５重量％で１５０Ｗ／ｍ・Ｋを越え、２．０重量％で最高値１８０Ｗ／ｍ・Ｋに達し、２．５重量％で減少を示す。」（第４頁左上欄２行〜右上欄１６行）
（ハ）実施例１で製造された炭化ケイ素焼結体についてのグラフであって、該炭化ケイ素焼結体は密度（ｇ／ｃｍ３）の数値が２．８以上、熱伝導率（Ｗ／ｍ・Ｋ）の数値が１３０以上であることが読みとれる第１図及び第２図（第５頁上欄）、
４．５　甲第５号証（特開昭６１−７７６６９号公報）には下記（ヒ）〜（フ）の記載がある。
（ヒ）「従来のこの種の焼結促進剤として所定量のホウ素系化合物または／およびアルミ系化合物を添加混合し焼結して超高密度炭化珪素焼結体を得る場合には、焼結体組成内部に異常粒子の成長を伴なつて、焼結体の強度が低下する問題点に鑑み、発明者らはこの問題点を改善すべく、鋭意検討を加えた結果、焼結に際し所定量のチタン系化合物を添加するすることによつて、焼結体組成内部での異常粒子の成長を抑制し得て、超高密度で高強度の炭化珪素焼結体を安定に得られることを見出した。すなわち、高純度に精製されたＳｉＣの微粉末原料に、ホウ素若しくはホウ素化合物から成る焼結助剤を添加混合して焼結する場合、同時に粒子成長抑制剤として、所定量のＴｉＣ、ＴｉＢ２、ＴｉＯ２などのチタン系化合物を添加混合して成形し、所定温度範囲の不活性雰囲気下で焼成する方法である。」（第２頁右上欄１２行〜同頁左下欄８行、〔実施例〕の項の記載の一部）
（フ）「次にこの発明の望ましい実施例を挙げる。・・・α型またはβ型炭化珪素の微粉末を原料として、この原料に対し、焼結助剤としてのＢ、Ｂ４Ｃなどのホウ素系化合物を０．３〜０．５％・・・添加すると共に、さらにこれらの原料および焼結助剤に随伴される酸素をＣＯとして除去する炭素、および粒子成長抑制剤としてのＴｉＣ、ＴｉＢ２、ＴｉＯ２等のチタン系化合物を０．０１〜０．３％の範囲の量だけ添加して混合させ、これを成形後、２０００〜２２００℃の温度、不活性雰囲気下で焼成することによつて、・・・異常粒子成長がなく、従つて曲げ強度に優れた超高密度炭化珪素焼結体が得られた。・・・（中略）・・・。この実施例方法の適用により、次の第１表に示すように、・・・炭化珪素焼結体組成内部での異常粒子の成長を完全に抑制し得ることを確認できた。」（第２頁左下欄９行〜第３頁左上欄６行）、〔実施例〕の項の記載の一部）の記載と添加剤のＢ（添加量０．３％）又はＢ４Ｃ（添加量０．４％）と添加剤の炭素（添加量２％）と添加剤のチタン系化合物（ＴｉＣ、ＴｉＯ２、又はＴｉＢ２であり、添加量は０．１％、ただし、ＴｉＯ２の場合、０．３％のときもある。）の条件で得られた炭化珪素焼結体は密度３．１２〜３．１８であることが示された第１表（第３頁右上欄）
５．対比、判断
５．１　理由−１及び理由−２について
　本件発明１は前記２．１の請求項１に記載されたとおりの高熱伝導性炭化珪素質焼結体である。
（１）これに対して、甲第１号証の第９頁〜第３０頁（「I−２　シリコンカーバイドの特性と応用」という表題の論文）には該論文の発表者の会社である住友化学工業株式会社の開発した炭化珪素焼結体（以下、「甲第１号証発明」という。）が記載されており、この炭化珪素焼結体は、（I）前記４．１（イ）の特に「・・・。当社で開発した常圧焼結法のα−ＳｉＣ焼結体にはｎ＝６で示される六方晶系（ＳｉＣII、６Ｈ、ＡＢＣＡＣＢの３種類の表示方法がある）が多く観察される。」の記載からみて、６Ｈ型炭化珪素を主成分とするものと認められ、（II）前記４．１（ク）の記載の特に「図６．１のＸ線マイクロアナライザーによるホウ素面分析結果が示すように、当社のＳｉＣへの焼結助剤添加量は非常に少なく、またそのホウ素も均一に分散していることがわかる。」の記載からみて、硼素を含むものであると認められ、（III）前記４．１（イ）の記載から、炭化珪素結晶格子の格子定数がａ軸で３．０７８Å、ｃ軸で１５．１０８Åであると認められ、（IV）前記４．１（カ）、（ク）の記載から、焼結体密度が３．１４ｇ／ｃｍ３又は３．１７ｇ／ｃｍ３であると認められ、（V）前記４．１（キ）の記載から、熱伝導率が１４６ｗ／ｍ・ｋであると認められる。 
　ここで、本件発明１と甲第１号証発明とを対比すると、６Ｈ型炭化珪素を主成分とし、少なくとも硼素を含む高熱伝導性炭化珪素質焼結体である点で共通し、本件発明１の炭化珪素結晶のｃ軸についての格子定数、焼結体密度及び熱伝導率の数値が、それぞれ甲第１号証発明の炭化珪素結晶のｃ軸についての格子定数、焼結体密度及び熱伝導率の数値と重複しているから、両者は以下の点で相違しているといえる。
　ａ）本件発明１は硼素の外に少なくとも遊離炭素を含むものであるのに対して、甲第１号証発明は硼素のほかに少なくとも遊離炭素を含むものであるのか明らかでない点
　ｂ）本件発明１は炭化珪素結晶の格子定数がａ軸で３．０８０２Å以上であるのに対して、甲第１号証発明では３．０７８Åである点。
　次に上記相違点ａ）及びｂ）について検討する。
　相違点ａ）について　　　前記４．１（ア）の特に「当社においてもＳｉＣの常圧焼結技術を開発し、構造材料としての用途開発を鋭意進めている。・・・ここでは、ＳｉＣの常圧焼結とＳｉＣ成形体の製造技術について述べるとともに、当社ＳｉＣの特徴と構造材料への応用を紹介する。」、前記４．１（イ）の特に「当社で開発した常圧焼結法のα−ＳｉＣ焼結体にはｎ＝６で示される六方晶系（ＳｉＣII、６Ｈ、ＡＢＣＡＣＢの３種類の表示方法がある）が多く観察される。」及び、前記４．１（ク）の特に「当社のＳｉＣへの焼結助剤添加量は非常に少なく、またそのホウ素も均一に分散していることがわかる。」との記載から、甲第１号証発明は常圧焼結法により得られた炭化珪素焼結体であると認められる。そして、炭化珪素の常圧焼結法で焼結助剤として硼素成分を用いる場合は同時に炭素を併用するのが普通である。しかるに、甲第１号証発明では前記４．１（ク）の記載から明らかなように、ホウ素が均一に分散しているものであるから、その焼結時に炭素も焼結助剤として併用されていたものであり、したがってホウ素だけでなく炭素も含んでいると解するのが相当である。してみると、相違点ａ）は実質上相違点ではなくなる。
　相違点ｂ）について　　　異議申立人は、異議申立書第９頁２３行〜第１０頁２８行において、甲第２号証の記載に準拠してみると、甲第１号証の第１０頁１２行でいう「α−ＳｉＣの結晶格子常数のａ＝ｂ＝３．０７８Å」は甲第２号証の第４４７頁右欄３行〜１１行でいう「誤差の範囲」である±０．００４Åを考慮すると、３．０７８＋０．００４＝３．０８２Åとなって、これが本件発明でいう「ａ軸で３．０８０２Å以上」の範囲内となることは明らかである。」という趣旨の理由を述べて上記相違点ｂ）は実質的に相違点とはならないという趣旨のことを主張している。
　そこで、検討すると、甲第２号証の第４４７頁右欄３行〜１１行の記載は、炭化ケイ素に関する従来の主な研究から原報の炭化ケイ素格子定数データを収録し、比較して示すＴａｂｌｅ　１のａｈ（ａ軸の格子定数、Å）のうち、３．０７６Åから３．０８２３Åまでの値の存在は、「これらの研究をした時代では特別な精密測定をしないかぎり、試料位置や装置の調整のずれなどにより、±０．００４Å程度までの誤差が生じ得ることから」という理由に基づいて、「誤差範囲であるとも考えられる。」との見解を記載したものである。（前記４．２（セ）〜（チ）参照）
　しかし、甲第２号証の記載は、炭化ケイ素六方格子のａ軸の格子定数が一定の数値を呈するとの前提の基に推論を重ねるものであるが、当該格子定数は炭化ケイ素結晶への固溶成分の拡散などによりその値を変え得るもの（必要ならば、本件明細書段落００１５及び００２３〜００３０の記載を参照されたい。）であり、したがって、その推論の前提自体が元来成り立たないものである。してみれば、そのような成り立たないとことの前提に基づいて得た誤差の範囲の±０．００４Åにより、甲第１号証に記載のα−ＳｉＣの数値を修正しようとすることには無理がある。
　また、甲第２号証のテーブル１において示されるデーターは、大多数が１９４０〜１９６０年代の古いものであり、一方、甲第１号証の当該数値は１９８８年９月１５日に刊行されたものであって、後者は前者に比べるとかなり最近に測定されたものと云える。そうすると、その間に測定技術に改善が加えられているはずであり、甲第２号証のテーブル１において示されるデーターにある種の測定誤差が存在することは首肯できるとしても、それと同じ種類の測定誤差が甲第１号証に記載のものの測定に際して生じていると考える理由もない。
　そして、そもそも、甲第１号証に記載のα−ＳｉＣの数値を、甲第２号証の上記誤差範囲により修正したとしても、その数値には、誤差の範囲である±０．００４Åの幅があるものであり、修正した結果、甲第１号証に記載のα−ＳｉＣのａ軸の格子定数が３．０８０２Å以上であると断定できるものではない。
　したがって、甲第２号証の記載事項を考慮しても、本件発明１と甲第１号証発明との間に上記相違点ｂ）の不存在を確認することはできない。
　そして、甲第１号証（第９頁〜第３０頁）には少なくとも上記焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上である高熱伝導性炭化珪素質焼結体について、炭化珪素結晶の格子定数がａ軸で３．０８０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上であることを示す記載はないし、また炭化珪素焼結体の熱伝導率が炭化珪素焼結体の格子定数に密接な関係が有り、炭化珪素焼結体中に固溶する不純物原子の量を制御して格子定数を一定範囲内、すなわちａ軸で３．０８０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上である範囲に制御することによって炭化珪素焼結体の高熱伝導率（１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上）を達成できることの記載もない。
（２）前記４．２(セ）〜（チ）の記載から、甲第２号証は炭化珪素の同定のための結晶学的データとＸ線回折データの再検討に関する報告文であり、従来の炭化珪素の格子定数に関するデータを集め比較し、本来ほとんど変わらないはずの六方格子のａ軸長が異なっているという知見を得たこと等に鑑み、この六方格子のａ軸長を一定値の３．０８１に統一し、この格子定数と配列データを用いて格子面間隔とＸ線回折強度を計算し、この計算値を用いるとポリタイプ間の回折図形の差が明確になりポリタイプの同定が容易になったこと等が記載されているが、炭化珪素質成形体についてその焼結体の熱伝導率の数値の大きさと該炭化珪素質の炭化珪素結晶の格子定数の数値との関連に注目した記載は見当たらないし、少なくとも焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上である高熱伝導性炭化珪素質焼結体について、炭化珪素結晶の格子定数がａ軸で３．０８０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上であることを示す記載はない。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証（第９頁〜第３０頁）に記載された発明と同一であるとは云えないし、甲第１号証（第９頁〜第３０頁）に記載された発明又は甲第１号証（第９頁〜第３０頁）及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
５．２　理由−３について
（１）前記４．３（ツ）、（ナ）、（ニ）の記載から、甲第３号証には炭化珪素を主成分とし、遊離炭素および硼素を含み、かつ焼結体密度が２．８／ｃｍ３以上である炭化珪素質焼結体が記載されていると云える。また、前記４．４（ヌ）、（ノ）、（ハ）の記載から、甲第４号証には炭化珪素を主成分とし、遊離炭素および硼素を含み、かつ焼結体密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上である高熱伝導性炭化珪素質焼結体が記載されていると云える。
　しかしながらが、甲第３及び４号証のいずれにも炭化珪素質焼結体における炭化珪素結晶の格子定数がａ軸で３．３０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上であることは記載されていない。
　そこで、甲第３号証または甲第４号証に記載のない「炭化珪素質焼結体における炭化珪素結晶の格子定数がａ軸で３．３０２Å以上、ｃ軸で１５．１０５Å以上である」という点について甲第１号証の第３８３頁〜３８５頁及び第１６５頁の記載を検討する。
　甲第１号証の第３８３頁〜第３８５頁は、「II−１３　各種ＳｉＣ系セラミックスについて」という表題の論文（発表者:黒崎窯業株式会社技術研究所の加治信彦）であり、特にその第３８４頁〜第３８５頁の「２．ＳｉＣ原料製造と基本特性」の項での記載は、その記載内容からみて、炭化珪素をセラミックス用の原料としての観点から製法や特性を論じたものと認められ、「ＳｉＣ結晶を外観から分類すると黒色（Ｂ．Ｃ）、緑色（Ｇ．Ｃ）が一般的であり、」（第３８４頁１１行）、「ＳｉＣの結晶を分類すると低温型の立方型を示すβ型と、高温型の六方型を示すα型がある。α−ＳｉＣには多数の同質多形がある。」（第３８４頁１７行〜１８行）、「α−ＳｉＣはＨ（六方型）とＲ（菱面体）に大別されるが、一般的なＳｉＣ原料は４Ｈ、６Ｈ、１５Ｒの３種である。最も多いのは６Ｈ（II）型であり、我国のＢ．Ｃは４Ｈ（III）型が多いと言われている。」（第３８４頁２２行〜２４行）、「６Ｈ−ＳｉＣであるα−ＳｉＣ（II）は結晶構造が「六方」であり、格子定数（Å）がａ０については３．０８１７、ｃ０については１５．１１８３であり、密度は３．２０８であること」（第３８５頁中段の、「ＳｉＣの変態と多型」という表題が付された表２中）、「熱伝導率は０．２（５００℃）Ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃と高い。」（第３８５頁本文２行）との記載があることは認められるものの、炭化珪素質焼結体についてその焼結体の熱伝導率の数値の大きさと炭化珪素質焼結体の炭化珪素結晶の格子定数の数値との関連を示す記載は見当たらない。
　甲第１号証の第１６５頁は、「I−１０　炭化珪素の焼結」という表題の論文（発表者:田中英彦）中の１頁で、ここには「焼結用粉末には６Ｈのα型と３Ｃのβ型がある。」との記載があるだけで、炭化珪素質焼結体についてその焼結体の熱伝導率の数値の大きさと炭化珪素質焼結体の炭化珪素結晶の格子定数の数値との関連を示す記載は見当たらない。
　したがって、本件発明１は甲第３〜４号証及び甲第１号証（第３８３頁〜第３８５頁及び第１６５頁）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
５．３　理由−４について
　本件発明２は前記２．１の請求項２に記載されたとおりの高熱伝導性炭化珪素質焼結体であって、本質的に本件発明１において、炭化珪素質焼結体が更に珪素以外の化合物を１０モル％以下の割合で含む発明に相当する。
（１）これに対して、甲第１〜４号証に記載された発明は、前記５．１（１）〜（２）及び前記５．２（１）で記載したとおりのものである。また、前記４．５（ヒ）、（フ）の記載から甲第５号証には炭化珪素微粉にホウ素もしくはホウ素化合物からなる焼結助剤を添加混合して焼結する場合、さらにチタン系化合物と炭素とを添加混合して成形し焼成することが記載されていて、このチタン系化合物は本件発明２での「珪素以外の化合物」に相当するが、甲第５号証には炭化珪素質焼結体についてその焼結体の熱伝導率の数値の大きさと炭化珪素質焼結体の炭化珪素結晶の格子定数の数値との関連を示す記載は見当たらない。
　したがって、本件発明２は、前記５．１及び５．２において記載したと同様の理由で、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
５．３　理由−５について
　本件発明３は前記２．１の請求項３に記載されたとおりの高熱伝導性炭化珪素質焼結体の製造方法である。
（１）これに対して、甲第１号証の第９頁〜第３０頁には、ＳｉＣはβ−ＳｉＣとα−ＳｉＣがあること、α−ＳｉＣは約５０種類の多形の存在が知られていること、α−ＳｉＣの結晶格子常数は、ａ＝ｂ＝３．０７８Å、ｃ＝ｎ×２．５１８Å（ｎ＞２）と表示されること、当社（住友化学工業株式会社）で開発した常圧焼結法のα−ＳｉＣ焼結体にはｎ＝６で示される六方晶系（ＳｉＣII、６Ｈ、ＡＢＣＡＣＢの３種類の表示方法がある）が多く観察されること（以上、前記４．１（イ）参照）、ＳｉＣの常圧焼結が試みられて、β−ＳｉＣ粉末がホウ素と炭素の同時添加により高密度化することが見出され、その後、ＳｉＣの常圧焼結が研究され、α−ＳｉＣ粉末のホウ素、炭素添加による焼結が検討されたこと（前記４．１（ウ）参照）、常圧焼結法はＳｉＣ粉末に焼結助剤と成形助剤を混合し、成形した後、不活性ガス雰囲気下２０００〜２３００℃で焼結しＳｉＣ成形体を製造する方法であること（前記４．１（エ）参照）、当社（住友化学工業株式会社）のＳｉＣ成形体（「炭化珪素焼結体」の意味で用いられている。）の密度が３．１４ｇ／ｃｍ３ であり（前記４．１（カ）参照）、熱伝導率が１４６ｗ／ｍ・ｋである（前記４．１（キ）参照）こと、当社（住友化学工業株式会社）のα−ＳｉＣ成形体（「α−炭化珪素焼結体」の意味で用いられている。）の密度が３．１７ｇ／ｃｍ３ であること（前記４．１（ク）参照）が、甲第１号証の第１６５頁には炭化珪素焼結用粉末には６Ｈのα型と３Ｃのβ型があること（前記４．１（ケ）参照）が、甲第１号証の第３８３頁〜第３８５頁には一般的なＳｉＣ原料は４Ｈ、６Ｈ、１５Ｈの３種で、最も多いのは６Ｈ（II）型であり、ファインセラミックス用の焼結原料としての高純度超微粉はアチソン法による粉砕粉を酸洗等の精製処理した物が広く使用されていること（前記４．１．（サ）参照）、変態と多型が６Ｈ−ＳｉＣ（II）である炭化珪素の格子定数（Å）がａ０（ａ軸）＝３．０８１７、ｃ０（ｃ軸）＝１５．１１８３の例（前記４．１（シ）参照）、炭化珪素の熱伝導率の数値が０．２（５００℃）Ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃（すべてのＳｉＣが同じ熱伝導率を示すものでなく、ここで表示される数値が、どの型のＳｉＣの熱伝導率であるのかが不明であり、また換算しても１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上という程度の数値にはならない。）であること（前記４．１（ス）参照）が、それぞれ、記載されているものの、炭化珪素質成形体についてその焼結体の熱伝導率の数値の大きさと該炭化珪素質の炭化珪素結晶の格子定数の数値との関連に注目した記載は見当たらないし、Ｓｉ以外の陽イオン不純物量が１０００ｐｐｍ以下の６Ｈ型炭化珪素粉末からなる成形体を、炭化珪素結晶の格子定数をａ軸で３．０８０２以上、ｃ軸で１５．１０５にせしめるように、焼成し、熱伝導率を１３０Ｗ／ｍＫ以上にする炭化珪素質焼結体の製造方法の記載もない。
（２）前記５．１（２）で述べたように、（I）甲第２号証は炭化珪素の同定のための結晶学的データとＸ線回折データの再検討に関する報告文であり、そこには従来の炭化珪素の格子定数に関するデータを集め比較し、本来ほとんど変わらないはずの六方格子のａ軸長が異なっているという知見を得たこと等に鑑み、この六方格子のａ軸長を一定値の３．０８１に統一し、この格子定数と配列データを用いて格子面間隔とＸ線回折強度を計算し、この計算値を用いるとポリタイプ間の回折図形の差が明確になりポリタイプの同定が容易になったこと等が記載され、（II）前記４．３（ツ）、（ト）、（ナ）、（ニ）の記載からから、甲第３号証には炭素と珪素を含み炭化珪素粉末からなる成形体を不活性雰囲気において２１００℃で焼成し、焼結体密度３．０７〜３．１４ｇ／ｃｍ３にする炭化珪素質焼結体の製造方法が記載され、（III）前記４．４（ヌ）、（ネ）、（ノ）、（ハ）記載から、甲第４号証には炭素と硼素を含み、炭化珪素粉末からなる成形体を真空中で２０００℃〜２１５０℃で焼成し焼結体密度を２．８ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率を１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上にする高熱伝導性炭化珪素質焼結体の製造方法が記載され、（IV）前記４．５（ヒ）、（フ）の記載から、甲５号証には炭素と硼素を含み、炭化珪素粉末からなる成形体を、不活性雰囲気において２０００〜２２００℃の温度で焼成し焼結体密度を２．８ｇ／ｃｍ３以上にする炭化珪素質焼結体の製造方法が記載されているものと認められるが、これら甲第２〜５号証には炭化珪素質成形体についてその焼結体の熱伝導率の数値の大きさと該炭化珪素質の炭化珪素結晶の格子定数の数値との関連に注目した記載は見当たらないし、Ｓｉ以外の陽イオン不純物量が１０００ｐｐｍ以下の６Ｈ型炭化珪素粉末からなる成形体を、炭化珪素結晶の格子定数をａ軸で３．０８０２以上、ｃ軸で１５．１０５にせしめるように、焼成し、熱伝導率を１３０Ｗ／ｍＫ以上にするような炭化珪素質焼結体の製造方法の記載もない。  そして、本件発明３にあっては、炭化珪素焼結体の熱伝導率が焼結体の格子定数に密接な関係が有り、焼結体中に固溶する不純物原子の量を制御することによってに高熱伝導率が達成できること等の知見に基づいた、請求項３に記載された構成をとることにより、格別な助剤や原料を用いることなく、従来からから行われている手法に基づき、炭化珪素質焼結体の格子定数を特定の範囲に制御することにより、焼結体の高熱伝導化を達成することができるという効果を奏し得るものと認められる。
　したがって、本件発明３は甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとは云えない。
　なお、特許異議申立人は特許異議申立書（以下、「異議申立書」と云うことがある）の第１１頁２２行〜第１４頁５行において、本件明細書の記載について下記の趣旨の疑問を述べているので、その点について言及する。
  I．表１の結果と図１は明らかに不一致である。即ち、表１では、試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．１４とあるが、図１ではプロットした点がこれより１つ多い１５個（注、１個は図中の直線の下側で一部が重なっている。）示されていたり、また、（図１では）縦軸の熱伝導率で１２０と１３０の中間値でプロットされているが、こうした熱伝導率を示す値は表１の中では示されていない。（異議申立書第１２頁１行〜６行参照）
　II．本件発明では、熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）が１３０Ｗ／ｍＫ以上とし、そのためにはａ軸で３．０８０２Å以上を要件とするものであるが、図１ではそうした関係の実験値（プロット）は何も示されていない。（異議申立書第１２頁８行〜１０行参照）
　III．（実施例１の結果を示す表１の数値について、）試料Ｎｏ．８（本発明の範囲外）とＮｏ．９（実施例）は、いずれも炭素量（ｗｔ％）、Ｂ４Ｃ量（ｗｔ％）、焼成温度（℃）が全く同一であるばかりか、雰囲気の気体、圧力が完全に本件発明の範囲内にあるものである。それ故に、焼結体の密度も試料Ｎｏ．８（本発明の範囲外）が３．１６ｇ／ｃｍ３、試料Ｎｏ．９（実施例）が３．１８ｇ／ｃｍ３と実質的に同一といってよいほど当然に近似した値となっている。また平均結晶粒径についてみても、試料Ｎｏ．８（本発明の範囲外）が５．０（μｍ）で、試料Ｎｏ．９（実施例）が４．８（μｍ）で近似したものとなっている。ところが、これらの熱伝導率ををみると、Ｎｏ．９（実施例）は１８１Ｗ／ｍＫであるのに対し、試料Ｎｏ．８（本発明の範囲外）は８３Ｗ／ｍＫで、試料Ｎｏ．９の半分以下の小さい値となっている。また格子定数（ａ軸、ｃ軸とも）についても本発明の範囲から外れている。これは一体、何が理由なのか本件明細書の記載からは全く不明である。（異議申立書第１２頁３１行〜第１３頁１１行参照）
  IV．実施例１を示す表１からは、如何なる側面から考察しても、熱伝導率を１３０Ｗ／ｍＫ以上とする要件として、格子定数のａ軸が「３．０８０２Å以上」といったことは導くことはできない。なぜなら、熱導電率を１３０Ｗ／ｍＫ（それに相当する格子定数のａ軸の値）のデータがほとんど示されていないからである。また、当然のことながら、明細書の図１のプロットからもこうした要件を導くことは出来ない。（異議申立書第１３頁２２行〜２７行参照）
 　I〜IＶの点について検討する。
　I．の点について
表１の結果と図１との間には上記する２つの不一致点が存在するものの、本件発明の構成と効果との関係を否定しなければならないというほどのものではない。
　III．の点について
試料Ｎｏ．８（本発明の範囲外）とＮｏ．９（実施例）とでは雰囲気の不活性気体の種類が相違する。即ち、前者ではヘリウムを用いており、後者ではアルゴンを用いている。そして、本件特許明細書の【００１６】段落では最終焼結体における炭化珪素結晶のａ軸長およびｃ軸長は、炭化珪素結晶への他の元素の固溶量により変化し、特に本発明ではその固溶を極力避けることが重要であるとし、この炭化珪素結晶への他の元素の固溶は、不純物量、助剤量、焼成温度、雰囲気などを適宜制御することが必要で、たとえば、雰囲気種がアルゴンである場合に比較してヘリウムの雰囲気中の方が固溶が進みやすいとしている（前記２．２（コ）参照）ことからすれば、試料Ｎｏ．８（本発明の範囲外）とＮｏ．９（実施例）の間での焼結体の格子定数（ａ軸長、ｃ軸長のÅ値）等の測定値における差異が雰囲気ガスの違いを一因とすることを否定することはできない。
　II．及びIV．の点について
本件特許明細書において、実施例１の記載中に「【００２５】得られた焼結体に対して、焼結体の密度を・・・測定した。また、焼結体の熱伝導率を・・・室温にて・・・測定した。・・・。格子定数の測定はＸ線回折を用い、・・・測定を行い、ピークトップ法の放物線近似により２θを決定し、格子定数を算出した。測定の結果は表１に示した。なお、ａ軸の格子定数と熱伝導率との関係を図１にプロットした。」とあることから、本件特許の図面の図１は、基本的には実施例１で得られた焼結体の測定結果を示した表１中の数値についてａ軸の格子定数と熱伝導率との関係をプロットした図であると理解できる。また、本件特許明細書の【００２０】段落に「本発明によれば、図１に示すように、、炭化珪素の格子定数（ａ軸）と熱伝導率が比例関係にあり、炭化珪素結晶中の他の元素の固溶量を調整することが高熱伝導化に対して重要であることが理解できる。」とあることから、本件特許の図面の図１中に示されたプロット点に沿って通る実線の直線は、基本的には実施例１で得られた炭化珪素焼結体についての表１のデータのプロット点から帰納されたところの炭化珪素焼結体のａ軸の格子定数（Å）と熱伝導率（Ｗ／ｍＫ）との関係を示す線であって、この直線からａ軸の格子定数が３．０８０２Åのときは熱伝導率は１３０Ｗ／ｍＫであることが（プロット点がなくとも）読みとれる。してみると本件発明で格子定数がａ軸で３．０８０２Å以上、熱伝導率が１３０Ｗ／ｍ・ｋ以上とする技術的意義は本件特許明細書及び図面の記載から当業者が理解できることと認められる。
６．まとめ
　特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１７日（２００２．６．１７）