(57)【要約】  焼結性に優れた、高熱伝導率の窒化珪素基板を成形割れや脱脂割れの発生なく製造できる製造方法及び窒化珪素基板並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。  窒化珪素粉末、焼結助剤粉末およびバインダーを分散媒となる有機溶剤中で混合して作製したスラリーをシート成形後、脱脂、焼成する窒化珪素基板の製造方法において、前記窒化珪素粉末の酸素量が２．０質量％以下、比表面積が３〜１１ｍ２／ｇであり、前記焼結助剤粉末の添加率が４〜１５ｍｏｌ％であり、前記有機溶剤の含水率が０．０３〜３質量％である窒化珪素基板の製造方法。
2010082478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化珪素粉末、焼結助剤粉末およびバインダーを分散媒となる有機溶剤中で混合して作製したスラリーをシート成形後、脱脂、焼成する窒化珪素基板の製造方法において、前記窒化珪素粉末の酸素量が２．０質量％以下、比表面積が３〜１１ｍ２／ｇであり、前記焼結助剤粉末の添加率が４〜１５ｍｏｌ％であり、前記有機溶剤の含水率が０．０３〜３質量％であることを特徴とする窒化珪素基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の窒化珪素基板の製造方法によって製造された窒化珪素基板であって、β型窒化珪素と、少なくとも１種類の希土類元素（ＲＥ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、マグネシウム（Ｍｇ）を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に換算し、希土類元素（ＲＥ）を希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）に換算したとき、ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の合計の含有量が４〜１５ｍｏｌ％であることを特徴とする窒化珪素基板。
【請求項３】
請求項２に記載の窒化珪素基板と、前記窒化珪素基板の一面に接合された金属回路板と、前記窒化珪素基板の他の面に接合された金属放熱板とからなることを特徴とする窒化珪素回路基板。
【請求項４】
請求項３に記載の窒化珪素回路基板と、該窒化珪素回路基板上に搭載された半導体素子を有することを特徴とする半導体モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化珪素基板の製造方法及び窒化珪素基板に関する。また、本発明は、上記窒化珪素基板を使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電動車両用インバータ等の分野において、高電圧・大電流動作が可能なパワー半導体モジュール（ＩＧＢＴ，パワーＭＯＳＦＥＴ等）が用いられている。パワー半導体モジュールに使用される基板としては、絶縁性セラミックス基板の一方の面に金属回路板を接合し、他方の面に金属放熱板を接合したセラミックス回路基板を用いることができる。また、前記金属回路板の上面には、半導体素子等が搭載される。上記絶縁性セラミックス基板と金属回路板及び金属放熱板との接合は、例えばろう材による活性金属法や銅板を直接接合する、いわゆる銅直接接合法が採用されている。【０００３】
このようなパワー半導体モジュールにおいては、大電流を流すことにより発熱量が多くなるが、上記絶縁性セラミックス基板は銅板に比べて熱伝導率が低いため、半導体素子からの放熱を阻害する要因となりえる。また、絶縁性セラミックス基板と金属回路板及び金属放熱板との間の熱膨張率の相異に基づく熱応力が発生し、これにより、絶縁性セラミックス基板にクラックを生じさせ破壊に至るか、あるいは金属回路板または金属放熱板の絶縁性セラミックス基板からの剥離を生じさせる場合がある。このように、絶縁性セラミックス基板は放熱性を良好にするために高い熱伝導率と高い機械的強度が必要になる。絶縁性セラミックス基板の材料としては、主にアルミナ、窒化アルミニウムや窒化珪素が挙げられるが、中でも窒化珪素は熱伝導率が高く、機械的強度に優れたセラミックス基板の材料となり、多大な応力が加わる構造のパワー半導体モジュールに適している。また、この窒化珪素基板は０．１〜１ｍｍ程度の厚さの板状の形状をしている。窒化珪素基板の製造方法としては、バルク状の窒化珪素セラミックスを機械加工により基板状にすることもできるが窒化珪素セラミックスは難加工性であるため、コスト高となる。そこで、あらかじめシート状の成形体を作製し、それを焼結して窒化珪素基板を得る方法が適している。シート状の成形体を作製する方法としては、主にプレス成形、押し出し成形及びドクターブレード成形があるが、量産性の良さからドクターブレード成形の適用が好ましい。しかしながら、ドクターブレード成形はセラミックス原料粉末、溶剤、バインダーなどからなるスラリーをブレードにより形成されたスリットに通し、その後乾燥する成形方法であるため、乾燥時の収縮による応力で割れやシワ等の欠陥が発生し易い。このような欠陥の発生を抑制するために、スラリーには多量のバインダーを含有させ、そのバインダーにより原料粉末粒子間の結合を保持している。使用する原料粉末の比表面積が大きいほど、原料粉末粒子間の結合を保つために多量のバインダーが必要になるが、バインダーは焼結前の脱脂工程で燃焼して除去する必要があり、含有するバインダー量が多いとこの脱脂が困難になるという問題がある。上記の理由で、バインダー含有量には制限があるので、比表面積が比較的大きい原料粉の場合はバインダー量が不足し、成形時の乾燥中に成形体に欠陥が生じ、成形割れが発生しやすいという問題もある。通常窒化珪素基板は、製品となる回路基板の面積より大きな面積のシート成形体を作成、脱脂、焼結後、分割して使用するため、成形割れや脱脂割れが発生したものを、その後焼成することもできるが、割れを除いた箇所から製品を取り出す必要があり、製造歩留まりが悪化し、製造コストが上昇するという問題につながる。【０００４】
そのため、ドクターブレード法で欠陥のない成形体を作製するためには、比較的比表面積が小さい原料粉が適しているが、原料粉の比表面積が小さいために、難焼結性の窒化珪素粉末では焼結性に課題が生じ、密度が高く、かつ熱伝導率の高い窒化珪素セラミックス基板が得られないという課題があった。【０００５】
窒化珪素セラミックスの焼結性を改善する方法として、特許文献１には、最表面の酸化珪素層内に存在する酸素が酸素量換算で０．１ｗｔ％以下であり、酸化珪素層に続いて存在する酸窒化珪素層内に存在する酸素が酸素量換算で０．４〜１．２ｗｔ％であり、比表面積が５〜３０ｍ２／gの範囲である結晶質窒化珪素粉末が開示され、この粉末を使用することにより、易焼結性で高温強度等の焼結体特性に優れた窒化珪素焼結体を得ることができるとされている。【０００６】
また本出願人は、高強度、高熱伝導性の発現の為に用いる窒化珪素粉末及びその製造方法を特許文献２に開示している。β分率が３０〜１００％であり、酸素量が０．５ｗｔ％以下であり、平均粒子径が０．２〜１０μｍであり、アスペクト比が１０以下である窒化珪素質粉末を使用することにより、機械的強度に優れ、熱伝導の方向に異方性を持たずに従来に比べて熱伝導率を高めた高熱伝導型窒化ケイ素質焼結体を得ることができることを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平８−１１９６０９号公報
【特許文献２】特開２００２−９７００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら本発明者らが、特許文献１に記載の窒化珪素粉末を実際に使用して窒化珪素基板を製造してみると、特に窒化珪素原料粉末の比表面積が小さな粉末の場合は、成形割れや脱脂割れが発生しないようにバインダーの配合割合を設定すると、焼結性に問題が発生し、高密度で、高熱伝導性を有する窒化珪素基板が得られないという問題が発生した。このため、成形割れや脱脂割れが発生せず、かつ高密度、高強度窒化珪素基板を確実に得ることができないという課題があった。【０００９】
また、本発明者らが特許文献２に記載の窒化珪素粉末を実際に使用して窒化珪素基板を製造してみると、高強度、高熱伝導率を得ることは可能であるが、特に窒化珪素原料粉末の比表面積が小さな粉末を使用した場合の、成形割れや脱脂割れという観点からは、十分とは言えず、課題を残していた。【００１０】
本発明は、上記従来技術の課題に鑑みなされたものであり、その目的は、焼結性に優れ高密度で高熱伝導率の窒化珪素基板を成形割れや脱脂割れの発生なく製造できる窒化珪素基板の製造方法及び窒化珪素基板並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明者らが鋭意検討した結果、本発明に想到した。本発明の窒化珪素基板の製造方法は、窒化珪素粉末、焼結助剤粉末およびバインダーを分散媒となる有機溶剤中で混合して作製したスラリーをシート成形後、脱脂、焼成する窒化珪素基板の製造方法において、前記窒化珪素粉末の酸素量が２．０質量％以下、比表面積が３〜１１ｍ２／ｇであり、前記焼結助剤粉末の添加率が４〜１５ｍｏｌ％であり、前記有機溶剤の含水率が０．０３〜３質量％であることを特徴とする。【００１２】
本発明の窒化珪素基板は、前記窒化珪素基板の製造方法によって製造されたβ型窒化珪素と、少なくとも１種類の希土類元素（ＲＥ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有する窒化珪素基板であって、含有するマグネシウム（Ｍｇ）を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に換算し、含有する希土類元素（ＲＥ）を希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）に換算したとき、ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の合計の含有率が４〜１５ｍｏｌ％であることを特徴とする。【００１３】
本発明の窒化珪素回路基板は、前記窒化珪素基板と、前記窒化珪素基板の一面に接合された金属回路板と、前記窒化珪素基板の他の面に接合された金属放熱板とからなることを特徴とする。【００１４】
本発明の半導体モジュールは、前記窒化珪素回路基板と、前記窒化珪素回路基板上に搭載された半導体素子と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の窒化珪素基板の製造方法によれば、窒化珪素粉末の酸素量を２．０質量％以下、比表面積を３〜１１ｍ２／ｇ、前記焼結助剤粉末の添加率を４〜１５ｍｏｌ％、有機溶剤の含水率を０．０３〜３質量％としているため、成形体の割れを防止し、且つ、脱脂の割れを防止し、高密度、高熱伝導の窒化珪素焼結体を得ることができる。
本発明の窒化珪素基板の製造方法では、窒化珪素粉末の比表面積を３〜１１ｍ２／ｇとしている。ここで窒化珪素粉末の比表面積を３〜１１ｍ２／ｇとしているのは、比表面積が１１ｍ２／ｇを超えると、成形割れ及び／又は脱脂割れが発生しやすくなるからであり、比表面積が３ｍ２／ｇ未満になると、焼結性が悪くなり、高密度、高熱伝導率の窒化珪素基板を得ることができなくなるためである。【００１６】
本発明の窒化珪素基板の製造方法において、窒化珪素粉末の酸素量を２．０質量％以下、有機溶剤の含水率を０．０３〜３質量％とするのは、以下の理由による。含有酸素量が２．０質量％以下の窒化珪素粉末では、窒化珪素粉末内部に固溶した酸素量が比較的少ないため、作製した窒化珪素基板中の窒化珪素結晶粒子内の酸素量も低く抑えられ、高い熱伝導率を得ることができるからである。更に窒化珪素粉末、焼結助剤粉末およびバインダーを分散媒となる有機溶剤中で混合してスラリーを作製する際の有機溶剤の含水率を０．０３〜３質量％作製しているため、混合の際に窒化珪素粉末の表面が酸化され窒化珪素粉末の酸素量が増加し、窒化珪素粉末が含有する酸素に加えこの生じた窒化珪素粉末の表面の酸素による珪素酸化物が焼結助剤粉末とともに、焼結時に液相を形成し、窒化珪素基板の焼結を促進し、高密度、高熱伝導率の窒化珪素基板が得られるからである。混合中に窒化珪素粉末の酸素量が増加する原因については、明確になっていないが、窒化珪素粉末の表面が有機溶剤中の水分との接触の影響によって窒化珪素粉末の表面が酸化したためと考えている。有機溶剤の含水率が３質量％を超えると、焼結時に生成する液相の量が多くなりすぎ、生成した液相は窒化珪素焼結体に粒界相として残留し、窒化珪素基板の熱伝導率に悪影響を及ぼすからである。一方、有機溶剤の含水率が０．０３質量％未満の場合、窒化珪素粉末表面の酸化が不十分なため、焼結時に十分な液相が生成せず、窒化珪素基板の密度が低く、熱伝導率も低くなるためである。【００１７】
さらに、焼結助剤粉末の添加率を４〜１５ｍｏｌ％とするのは、以下の理由による（添加率とは、ｍｏｌ基準での焼結助剤粉末量／（窒化珪素粉末量＋焼結助剤粉末量）×１００を示す）。上述したように、焼結の際に、窒化珪素粉末の珪素酸化物が焼結助剤粉末とともに、液相を生成して焼結を促進しているため、焼結助剤粉末の添加率が４ｍｏｌ％未満では、生成する液相量が十分でなく、窒化珪素基板の密度が低く、熱伝導率も低くなるためである。一方、焼結助剤粉末の添加率が１５ｍｏｌ％を超えると、焼結時に生成する液相の量が多くなりすぎ、生成した液相は窒化珪素焼結体に粒界相として残留し、窒化珪素基板の熱伝導率に悪影響を及ぼすからである。【００１８】
焼結助剤粉末としては、焼結の際に窒化珪素粉末の珪素酸化物と共に液相を生成する希土類元素（ＲＥ）の希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）、アルカリ土類金属の酸化物、及びその他の金属酸化物などを用いることができる。希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）としては例えば、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）、アルカリ土類金属の酸化物としては酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などが好ましい。【００１９】
本発明の窒化珪素基板によれば、前記窒化珪素基板の製造方法によって製造された窒化珪素基板であって、β型窒化珪素と、少なくとも１種類の希土類元素（ＲＥ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し含有するマグネシウム（Ｍｇ）を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に換算し、含有する希土類元素（ＲＥ）を希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）に換算したとき、ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の合計の含有量が４〜１５ｍｏｌ％であることを特徴としていることから、成形体の割れや脱脂の割れを発生させずに、高密度、高熱伝導率の窒化珪素基板を得ることができる。【００２０】
本発明の窒化珪素基板では、β型窒化珪素と、少なくとも１種類の希土類元素（ＲＥ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、含有するマグネシウム（Ｍｇ）を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に換算し、含有する希土類元素（ＲＥ）を希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）に換算したとき、ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の合計の含有量が４〜１５ｍｏｌ％としているため、特に高強度、高密度の窒化珪素基板を得ることが可能となる。これは、ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３により焼結時に生成する液相が窒化珪素基板の焼結性と高密度化に貢献するためである。ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の割合はモル比でＭｇＯ／ＲＥ２Ｏ３＝０．１〜２０が好ましい。【００２１】
本発明の窒化珪素回路基板によれば、高密度、高熱伝導率の窒化珪素基板の一面に接合された金属回路板と、前記窒化珪素基板の他の面に接合された金属放熱板とからなっていることから、放熱性に優れ、更に絶縁性に優れた窒化珪素回路基板を実現できる。【００２２】
本発明の半導体モジュールによれば、高密度、高熱伝導率の窒化珪素基板の一面に接合された金属回路板と、前記窒化珪素基板の他の面に接合された金属放熱板とからなる窒化珪素回路基板上に半導体素子を搭載していることから、半導体素子から発生する熱を有効に放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】窒化珪素回路基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施形態という）について説明する。
【００２５】
本発明の一実施形態では、上述したパワー半導体モジュール等に使用される絶縁性セラミックス基板としての窒化珪素基板の製造方法であって、まず、原料調整・混合工程として、含有酸素量２．０質量％以下で比表面積が３〜１１ｍ２／ｇの主原料となる窒化珪素粉末に焼結助剤粉末を４〜１５ｍｏｌ％の割合で加え、更にバインダーを加え、分散媒となる含水率が０．０３〜３質量％の有機溶剤を使用してこれらを混合してスラリーを作製する。
【００２６】
ここで使用する窒化珪素粉末の含有酸素量は、２質量％以下としているが、０．４〜１．２質量％が好ましい。０．４質量％以上では、焼結の際に十分な液相が生成され、より焼結性が改善され、より高密度、高熱伝導率の窒化珪素基板が得られるからであり、１．２質量％以下では、窒化珪素粉末内部に固溶した酸素量がより少なくなるため、作製した窒化珪素基板中の窒化珪素結晶粒子内の酸素量もより低く抑えられ、より高い熱伝導率を得ることができるからである。また、窒化珪素粉末の比表面積は、３〜１１ｍ２／ｇとしているが、３．５〜９ｍ２／ｇが好ましい。比表面積が３．５〜９ｍ２／ｇでは、成形割れ及び／又は脱脂割れがより発生し難くなり、かつより高密度、高熱伝導率の窒化珪素基板を得ることができるためである。同様の理由から、窒化珪素粉末の比表面積は、更に好ましくは４〜８ｍ２／ｇである。
【００２７】
ここで、焼結助剤粉末の添加率は、４〜１５ｍｏｌ％としているが、９〜１１が好ましい（添加率は、ｍｏｌ基準での焼結助剤粉末量／（窒化珪素粉末量＋焼結助剤粉末量）×１００を示す）。その理由は、焼結の際に、窒化珪素の珪素酸化物が焼結助剤粉末とともに、液相を生成するが、生成される液相量を最適化し、より高密度、８５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高熱伝導率の窒化珪素焼結体を得ることが可能となるからである。
【００２８】
焼結助剤粉末としては、焼結の際に窒化珪素粉末の珪素酸化物と共に液相を生成する希土類元素（ＲＥ）の希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）、アルカリ土類金属の酸化物、及びその他の金属酸化物などを用いることができが、中でも希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）として酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、アルカリ土類金属の酸化物として酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を用いることが、より高強度、高密度の窒化珪素基板が得られることから好ましい。なお、ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の割合はモル比でＭｇＯ／ＲＥ２Ｏ３＝０．１〜２０が好ましい。
【００２９】
本発明の窒化珪素基板の製造方法で使用するバインダーはポリビニルブチラール、ポリメタクリル酸ブチル等が好適である。中でもポリビニルブチラールが、成形割れ及び脱脂割れを防ぐ観点から最適である。バインダーの添加量は窒化珪素粉末と焼結助剤粉末の合計１００質量部に対して８〜２５質量部であり、８質量部未満では成形時の乾燥中に成形体に欠陥が生じ、成形割れが発生しやすくなり、２５質量部を超えると脱脂時に割れが発生しやすくなるため好ましくない。バインダーの好ましい添加量は、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末の合計１００質量部に対して１０〜２０質量部である。
【００３０】
本発明の窒化珪素基板の製造方法で使用する有機溶剤には、アルコール系有機溶剤や非アルコール系の有機溶剤、もしくはこれらの混合溶剤を用いることができる。本発明の窒化珪素基板の製造方法において、有機溶剤の含水率を０．０３〜３質量％としているが、含水率が０．０３〜３質量％である有機溶剤を使用すれば良いが、市販の有機溶剤の水分量を、例えば、カールフィッシャー電量滴定法等の公知の方法で測定し、その結果から、含水率が０．０３〜３質量％になるように有機溶剤に水を添加して含水率を調整することもできる。有機溶剤の含水率は０．０９〜２質量％が好ましい。
【００３１】
また、有機溶剤の投入量は、混合を行うために十分な量であれば良く、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末の合計１００質量部に対して３０〜１００質量部であれば、窒化珪素粉末表面と有機溶剤中の水分との接触を行わせることができ、混合の際に窒化珪素粉末の酸素量を増加させることができる。
【００３２】
本発明の窒化珪素基板の製造方法では、窒化珪素粉末、焼結助剤粉末およびバインダーを分散媒となる有機溶剤中で混合してスラリーを作製するが、窒化珪素粉末、焼結助剤粉末およびバインダーに加え、可塑剤、分散剤などの添加剤を加えることもできる。
【００３３】
可塑剤はバインダーのガラス転移温度を下げ、シートのハンドリング性を良くするために添加する。本発明の窒化珪素基板の製造方法で使用する可塑剤は、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等が好適である。添加量は原料粉末に対して２〜３０質量％であり、２質量％未満ではシートの可塑性が低くなり、成形時やその後のハンドリング時に割れが発生しやすくとなり、３０質量％を超えるとシートの可塑性が高くなり、厚みむらや変形が生じやすくなるため好ましくない。
【００３４】
分散剤は混合時の原料粉末の凝集を抑制し、スラリーの粘度を下げるために添加する。本発明の窒化珪素基板の製造方法で使用する分散剤は、ポリオキシエチレン型や脂肪酸系の非イオン系散剤やアンモニウム塩やイミン等のイオン系等やこれらの混合物が好適である。添加量は原料粉末に対して０．１〜１質量％であり、０．１質量％未満では凝集を抑制する効果に乏しく、１質量％を超えると再凝集しやすくなるため好ましくない。
【００３５】
本発明の窒化珪素基板の製造方法において、混合は、セラミックス粉末の製造で通常使用される湿式混合装置、たとえばボールミル、アトライターなどを用いて行うことができるが、ボールミルが好ましい。特に、水冷ジャケット式のボールミルを用いて、混合時のスラリー温度を、１０〜４５℃として行うことが好ましい。
【００３６】
また、混合時の原料粉末の粉砕により、混合後の粉末（窒化珪素粉末及び焼結助剤原料粉末）の比表面積が大きくなり、成形割れを起こさないように、混合後の粉末の比表面積が１２ｍ２／ｇ以下になるように混合条件を調整する。混合後の粉末の比表面積は５〜１１．５ｍ２／ｇが好ましい。
【００３７】
次に、成形工程として、上記混合して作製したスラリーを脱泡・増粘し、３〜５０Ｐａ・ｓの粘度にした後、これを公知のドクターブレード法やそれに準じた方法により所定厚さの板状にシート成形する。このときのシート成形体の板厚は、用途に応じて適宜決定できるが、例えば０．２〜１．０ｍｍ程度とすることができる。このとき、スラリー中の有機溶剤は乾燥されシート成形体から取り除かれ、シート成形体中に残留する有機溶剤量は２質量％以下となる。
【００３８】
次に、焼結工程として、上記シート成形体を１枚もしくはＢＮ等の剥離剤を介して複数枚重ね、大気中や窒素雰囲気等で４００〜９００℃の温度で加熱して、バインダー、可塑剤、分散剤（界面活性剤）の有機成分を取り除く脱脂を行った後、０．１〜２ＭＰａの窒素雰囲気中で１６００〜２０００℃の温度で２〜５０ｈ焼結し、窒化珪素基板とする。また、焼結後の窒化珪素基板はそのまま用いてもよいが熱処理やブラスト加工等による表面処理を施してもよい。
【００３９】
次に、本実施形態にかかる窒化珪素基板について説明する。
【００４０】
本実施形態にかかる窒化珪素基板においては、上記の製造方法によって製造された窒化珪素基板であって、β型窒化珪素と、少なくとも１種類の希土類元素（ＲＥ）と、マグネシウム（Ｍｇ）を含有し、含有するマグネシウム（Ｍｇ）を酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に換算し、含有する希土類元素（ＲＥ）を希土類元素酸化物（ＲＥ２Ｏ３）に換算したとき、ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の合計の含有量が４〜１５ｍｏｌ％としている。より高い焼結体密度を得るためには、ＭｇＯが６．０ｍｏｌ％以上、ＲＥ２Ｏ３が０．６ｍｏｌ％以上をそれぞれ含有することが好ましい。
【００４１】
本発明の窒化珪素基板において、ＡｌをＡｌ２Ｏ３換算で０．３質量％以下含有していることが好ましい。これは窒化珪素基板の熱伝導率が含まれるＡｌ量の影響を受けるためであり、０．３質量％以下であれば８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を得ることが可能となるためである。
【００４２】
以上のような製造方法により作製した窒化珪素基板は、高い曲げ強度と熱伝導率を有しており、高周波トランジスタ、パワー半導体モジュール等の回路用基板またはマルチチップモジュール用基板などの各種基板、あるいはペルチェ素子用熱伝板、または各種発熱素子用ヒートシンクなどの電子部品用部材に用いることができる。本実施形態にかかる製造方法で作製した窒化珪素基板を、例えば半導体素子搭載用基板として用いる場合、空孔が少なく高密度で、かつ高熱伝導率の窒化珪素基板が使用されているため、絶縁性及び放熱性に優れた基板を実現できる。
【００４３】
また、本実施形態にかかる窒化珪素基板の一面または両面に、金属回路板及び金属放熱板であるＣｕ（銅）回路板やＡｌ（アルミニウム）回路板をＤＢＣ法（Direct Bonding Cupper 銅直接接合法）や活性金属ろう材法等を用いて接合することにより、窒化珪素回路基板が作製される。ここで、ＤＢＣ法とは、窒化珪素基板とＣｕ回路板またはＡｌ回路板とを不活性ガスまたは窒素雰囲気中で共晶温度以上の温度に加熱し、生成したＣｕ−Ｏ、Ａｌ−Ｏ共晶化合物液相を接合剤として上記回路板を窒化珪素基板の一面または両面に共晶化合物層を介して直接接合するものである。一方、活性金属ろう材法とは、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）またはハフニウム（Ｈｆ）等の活性金属と低融点合金を作る銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等の金属を混合または合金としたろう材を用いてＣｕ回路板またはＡｌ回路板を窒化珪素基板の一面または両面にろう材層を介して不活性ガスまたは真空雰囲気中で加熱圧着接合するものである。回路板を接合した後、窒化珪素基板上のＣｕ回路板またはＡｌ回路板をエッチング処理して回路パターンを形成し、さらに回路パターン形成後のＣｕ回路板またはＡｌ回路板にＮｉ−Ｐめっきを施し、窒化珪素回路基板が作製される。図１に窒化珪素回路基板の断面図を示す。窒化珪素回路基板１０は窒化珪素基板１、その一方の面に接合した金属回路板２および他方の面に接合した金属放熱板３とからなる。窒化珪素基板１は矩形であり縦と横の寸法が１０〜１００ｍｍ、厚さ０．２〜０．８ｍｍ程度である。金属回路板２と金属放熱板３の厚さは０．２〜１．０ｍｍ程度である。接合後の反りを小さくするために金属放熱板３より金属回路板２をやや厚くするとよい。
【００４４】
また、上記窒化珪素回路基板上に適宜な半導体素子を搭載することにより、所望の半導体モジュールを作製することができる。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明の実施例を説明する。ただし、本発明は、以下に述べる実施例に限定されるものではない。【００４６】
前記窒化珪素基板の製造方法に基づいて、窒化珪素粉末、焼結助剤粉末、バインダー、分散剤、可塑剤及び有機溶剤を表１、２に示す割合で配合し、水冷ジャケット付きのボールミルをφ５ｍｍ窒化珪素球、ボール量２０〜３５ｖｏｌ／％の条件で使用し、表１、２に示す条件で混合を行った。使用した窒化珪素粉末の酸素量及び比表面積は表１、２に示した。また焼結助剤粉末として使用したＭｇＯ、Ｙ２Ｏ３およびＥｒ２Ｏ３の比表面積はそれぞれ７、１５、１５ｍ２／ｇのものを用いた。【００４７】
窒化珪素粉末の酸素量は酸素分析装置による、不活性ガス融解熱伝導度法により測定した。【００４８】
また窒化珪素粉末及び焼結助剤粉末の比表面積は、ＪＩＳ−Ｒ１６２６に準拠した方法でＢＥＴ一点法により測定した。【００４９】
また、有機溶剤は、市販の有機溶剤を使用したりあるいは市販の有機溶剤の含水率をカールフィッシャー電量滴定法で測定後、水分を添加して調整して、表１、２に示す含水率のものを使用した。【００５０】
また、バインダーにはポリビニルブチラールを使用し、窒化珪素粉末と焼結助剤粉末の合計１００質量部に対して１８質量部添加し、可塑剤にはジ−２−エチルヘキシルフタレートを使用し、７質量部添加した。また分散剤にはカチオン系分散剤を０．４質量部添加した。【００５１】
混合により得られたスラリーを、ドクターブレード法により成形し、乾燥、切断して１５０ｍｍ×２００ｍｍシート厚み０．４ｍｍのシート成形体を作製し、この成形体をＢＮ介して５枚積層して、５００℃の大気中で脱脂後、１９００℃の窒素中で５時間焼結したのち、ＢＮを取り除いて平均寸法１２０ｍｍ×１６０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの窒化珪素基板を得た。【００５２】
上記製造の途中で、混合が完了したスラリーから一部抜き出して、有機溶剤、バインダー、分散剤、可塑剤を除去した後、混合後の粉末の比表面積及び窒化珪素粉末の混合時の酸素増加量を測定した。混合後の粉末の比表面積は、ＪＩＳ−Ｒ１６２６に準拠した方法でＢＥＴ一点法により測定したが、混合後の原料粉末の比表面積は、混合後の窒化珪素粉末及び焼結助剤粉末の比表面積に影響受けるが、焼結助剤粉末の添加量は１５ｍｏｌ％以下と少ないため、主に混合後の窒化珪素粉末の比表面積が支配する。窒化珪素粉末の混合時の酸素増加量は、混合後の原料粉末（窒化珪素粉末と焼結助剤粉末を含む）の酸素含有量を測定し、混合前の窒化珪素粉末と焼結助剤粉末の合計の酸素含有量を引いた値として算出した。混合時の酸素増加量は有機溶剤中の水分と窒化珪素粉末表面との接触による反応で生じるため、実質的に窒化珪素粉末の表面のみの酸素増加量を示している。各々の酸素含有量は酸素分析装置により、不活性ガス融解熱伝導度法により測定した。【００５３】
成形が完了した後に成形時の割れの評価を行った。成形時の割れはグリーンシートを成形後、外観を確認し、成形した長さに対して割れたシートの長さが３％未満のものを合格（○）と判定した。また、脱脂が完了した後、脱脂割れの評価を行った。脱脂時の割れは脱脂後の外観を確認し、割れがないものを合格（○）と判定した。【００５４】
焼結が完了した窒化珪素基板に対して、窒化珪素基板の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）及び酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）の含有量、Ａｌの含有量、焼結体密度及び熱伝導率を測定した。これらの項目の内、焼結体密度及び熱伝導率について予め設定した範囲内（焼結体密度：９７．５％以上、熱伝導率：８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上）にあるか否かを判定した。【００５５】
上記酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）及び酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）の合計の含有量は、窒化珪素基板をマイクロウェーブ分解処理及び酸溶解処理により溶液化した後、ＩＣＰ発光分析法により、マグネシウム（Ｍｇ）、イットリウム（Ｙ）及びエルビウム（Ｅｒ）の含有量を測定し、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）及び酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）に換算することにより重量分率を求めた。さらに、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）及び酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）以外の残分すべてが窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）と仮定することにより、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）及び酸化エルビウム（Ｅｒ２Ｏ３）の合計の含有量のモル分率を計算した。また、アルミニウム（Ａｌ）の含有量も、同時に測定した。【００５６】
焼結体密度は水中置換法により測定し、相対密度に換算した。【００５７】
熱伝導率は、窒化珪素基板から５ｍｍ角の測定用試料を切り出し、ＪＩＳ−Ｒ１６１１に準拠して測定した。【００５８】
また、比較例として、上記製造条件を変更して製造した窒化珪素基板についても同様に物性を測定し、判定を行った。その結果を表３、４に示す（比較例１〜１０）。【００５９】
【表１】
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【００６０】
【表２】
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【００６１】
【表３】
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【００６２】
【表４】
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【００６３】
上記表１、２に示されるように、分散媒となる有機溶剤の含水率が０．０３〜３質量％、含有酸素量２．０質量％以下の窒化珪素粉末の比表面積が３〜１１ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が４〜１５ｍｏｌ％の条件で製造することで、混合時の窒化珪素粉末表面の酸素量の増加を０．０５〜０．５質量％の範囲に調整することができ、成形割れや脱脂割れがなく、ＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の合計含有量（設定範囲４〜１５ｍｏｌ％）、焼結体密度（設定範囲９７．５％以上）及び熱伝導率（設定範囲８０Ｗ／ｍ・Ｋ以上）が全て設定範囲に入った窒化珪素基板が得られた。【００６４】
一方、表３に示されるように、比較例１として、有機溶剤の含水率０．０２質量％、窒化珪素粉末の酸素量０．８質量％、比表面積が５．７ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が１１．０ｍｏｌ％とした条件で製造した場合、混合時の原料粉末の酸素増加量は０．０２質量％と少なく、製造した窒化珪素基板の焼結体密度は９６．７％と低くなっている。これは、有機溶剤の含水率が低いため、窒化珪素粉末表面の酸化が抑制されたためである。なお、比較例１との相違点として、有機溶剤の含水率０．００５質量％、窒化珪素粉末の比表面積が１０ｍ２／ｇとした比較例２も、有機溶剤の含水率が低いため、製造時の窒化珪素粉末表面の酸化が抑制され、窒化珪素基板中の焼結体密度が９７．０％と低くなっている。【００６５】
また、比較例３として、有機溶剤の含水率０．１１質量％、窒化珪素粉末の酸素量１．４質量％、比表面積が１３ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が１１．０ｍｏｌ％とした条件で製造した窒化珪素基板では焼結体密度は９８．５％と高くなっているが、成形割れが多く発生している。これは、窒化珪素粉末の比表面積が大きいため、焼結性には優れるが、バインダー量が不足し、ドクターブレード法による成形が困難なためである。また、窒化珪素粉末の比表面積が大きいため、混合時の酸素増加量が大きくなり、熱伝導率は７８Ｗ／ｍ・Ｋと低くなっている。【００６６】
また、比較例４として、有機溶剤の含水率２質量％、窒化珪素粉末の酸素量０．７質量％、比表面積が２．５ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が１１．０ｍｏｌ％とした条件で製造した窒化珪素基板では焼結密度が９６．４％と低くなっている。これは、窒化珪素粉末の比表面積が著しく小さいため、有機溶剤中の含水率を上記範囲内としても、焼結性が悪いためである。【００６７】
また、比較例５として、有機溶剤の含水率７質量％、窒化珪素粉末の酸素量０．８質量％、比表面積が３．７ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が１１．０ｍｏｌ％とした条件で製造した窒化珪素基板では焼結体密度は９８．５％と高くなっているが、熱伝導率が７７Ｗ／ｍ・Ｋと低くなっている。これは、有機溶剤の含水率が高いため、窒化珪素粉末表面の酸化が著しく促進され、混合時の酸素増加量が大きくなり過ぎて熱伝導率を低下させる要因となったためである。【００６８】
また、比較例６として、有機溶剤の含水率０．１３質量％、窒化珪素粉末の酸素量０．８質量％、比表面積が５．９ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が３．７ｍｏｌ％とした条件で製造した窒化珪素基板では焼結体密度が９４．４％と低くなっている。これは、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が少ないため、有機溶剤中の含水率を上記範囲内として、窒化珪素原料粉末の表面の酸化を促進させたとしても、焼結が不十分となったためである。【００６９】
また、比較例７として、有機溶剤の含水率０．２５質量％、窒化珪素粉末の酸素量０．８質量％、比表面積が６．１ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が１５．３ｍｏｌ％とした条件で製造した窒化珪素基板では熱伝導率が７７Ｗ／ｍ・Ｋと低くなっている。これは、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が多いため、窒化珪素基板中のＭｇＯとＹ２Ｏ３の合計含有量も１５．３ｍｏｌ％と過剰になり、熱伝導率を低下させる要因となる粒界相量が増したためである。【００７０】
また、比較例８として、有機溶剤の含水率０．２５質量％、窒化珪素粉末の酸素量２．５質量％、比表面積が５．７ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が１１．０ｍｏｌ％とした条件で製造した窒化珪素基板では熱伝導率が７２Ｗ／ｍ・Ｋと低くなっている。これは、窒化珪素粉末内部に固溶した酸素量が多いため、作製した窒化珪素基板中の窒化珪素粒子内の酸素量も多くなり、熱伝導率を低下させる要因となったためである。【００７１】
また、比較例９として、有機溶剤の含水率０．１１質量％、窒化珪素粉末の酸素量０．８質量％、比表面積が５．４ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が１１．０ｍｏｌ％とした条件で、バインダーを３５質量％と他の例より多く添加した条件で製造した窒化珪素基板では脱脂時に割れが生じる基板が発生した。これは、シート中のバインダー含有量が多いため、脱脂時に大きな変形が起こったためである。【００７２】
また、比較例１０として、有機溶剤の含水率０．１１質量％、窒化珪素粉末の酸素量０．８質量％、比表面積が５．４ｍ２／ｇ、焼結助剤となるセラミックス粉末の添加量が１１．０ｍｏｌ％とした条件で、不純物としてＡｌを他の例より多く含んだ窒化珪素粉末を用いて、製造した窒化珪素基板では窒化珪素基板中のＡｌ含有量が０．５質量％と高く、熱伝導率が７８Ｗ／ｍ・Ｋと低くなっている。これは、窒化珪素粉末中にあったＡｌが窒化粒子内に固溶し、熱伝導率を低下させる要因となったためである。【００７３】
以上述べた通り、表１、２に示された製造条件の設定範囲では、成形割れが少なく、焼結性に優れており、また、製造した窒化珪素基板は酸素含有量とＭｇＯとＲＥ２Ｏ３の合計の含有量が表１、２に示された設定範囲に入り、高密度で高熱伝導率となることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、焼結性に優れた、高熱伝導率の窒化珪素基板を成形割れや脱脂割れの発生なく製造できる製造方法及び窒化珪素基板並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。本発明は、電動車両用インバータ等の分野において使用する高電圧・大電流動作が可能なパワー半導体モジュールの絶縁基板またはその製造方法として好適に使用できる。
【符号の説明】
【００７５】
１  窒化珪素基板
２  金属回路板
３  金属放熱板  
１０  窒化珪素回路基板
【図１】
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【国際調査報告】
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