【事件の表示】
　特許第３１８１００６号「静電チャック」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１８１００６号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　平成　６年　８月１１日　出願（特願平６−１８９２１７号）
　同　１３年　４月２０日　設定登録（特許第３１８１００６号）
　同　１３年１２月２８日　本件特許異議の申立て（申立人　熊崎勝子）
　同　１４年　４月　４日　取消しの理由の通知
　同　１４年　６月１８日　訂正の請求
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　特許権者は、本件特許の登録時の明細書（以下「登録明細書」という。）を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正しようとするものであり、その各訂正事項は、下記のとおりである。
(1) 訂正事項ａ
　特許請求の範囲を、下記のように訂正する。
「【請求項１】所定の基体表面に、窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体からなる薄層を具備し、該薄層中に酸素が０．０２〜２０原子％の割合で存在し、前記窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであるとともに、２５℃における体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍであることを特徴する静電チャック。
【請求項２】前記セラミック抵抗体の２５〜４００℃の温度変化に対する抵抗変化が３桁以内であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】前記基体が窒化アルミニウムを主体とする焼結体であることを特徴とする請求項１又は２記載の静電チャック。」
(2) 訂正事項ｂ
　登録明細書段落番号【０００８】に「室温（２５℃）において体積固有抵抗が１０７〜１０１３Ω−ｃｍの抵抗を有する」とあるのを「室温（２５℃）において体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍの抵抗を有する」に訂正する。
(3) 訂正事項ｃ
　登録明細書段落番号【０００９】を、下記のように訂正する。
「即ち、本発明の静電チャックは、所定の基体表面に、窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体からなる薄層を具備し、該薄層中に酸素が０．０２〜２０原子％の割合で存在し、前記窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであるとともに、２５℃における体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍであることを特徴するものである。また、前記セラミック抵抗体の２５〜４００℃の温度変化に対する抵抗変化が３桁以内であることが好ましい。さらに、前記基体が窒化アルミニウムを主体とする焼結体であることが好ましい。」
(4) 訂正事項ｄ
　登録明細書段落番号【００１２】を、下記のように訂正する。
「また、セラミック抵抗体層を構成する窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであることが重要である。これに伴い、２５℃の温度における体積固有抵抗１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍを実現することができる。この格子定数が上記の範囲を逸脱すると２５℃の温度における体積固有抵抗１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍ以下は達成されない。」
(5) 訂正事項ｅ
　登録明細書段落番号【００１３】を、下記のように訂正する。
「なお、静電チャックとして特性の点で、このセラミック抵抗体層の抵抗が１×１０７Ω−ｃｍより小さいとリーク電流が大きくなり、１×１０１３Ω−ｃｍより大きいと残留吸着力が発生する場合があり、さらに漏れ電流や電圧印加に対する応答性を考慮すれば１×１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍが必要であり、さらに耐電圧を考慮すると１×１０９〜５×１０１１Ω−ｃｍが最も望ましい。この体積固有抵抗の変化は、前記格子定数と相関を有し、それぞれの抵抗特性を得るためには下記表１のように格子定数を制御すればよい。」
(6) 訂正事項ｆ
　登録明細書段落番号【００１５】を、下記のように訂正する。
「つまり、格子定数がａ軸で３．１１５Å、ｃ軸で４．９８７Åを越えると電気伝導に寄与するキャリア濃度が低く、体積固有抵抗は温度に対して急激な変化をするので安定した静電吸着特性を得られない。また、ａ軸で３．１０８Å、ｃ軸で４．９７８Åを下回ると電気抵抗が低く、静電チャックとしては漏れ電流が大きくなって実用的ではない。」
(7) 訂正事項ｇ
　登録明細書段落番号【００２４】に「そして格子定数をａ軸で３．１０７〜３．１１６Å、ｃ軸で４．９７６〜４．９８８Åにすると室温の体積固有抵抗を１０７〜１０１３Ω−ｃｍに制御することができる。」とあるのを「そして格子定数をａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åにすると室温の体積固有抵抗を１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍに制御することができる。」に訂正する。
(8) 訂正事項ｈ
　登録明細書段落番号【００２９】の表２において、試料Ｎｏ．１３を削除する。
(9) 訂正事項ｉ
　登録明細書段落番号【００３０】の表３において、試料Ｎｏ．１３を削除する。
(10) 訂正事項ｊ
　登録明細書段落番号【００３５】の「１０７〜１０１３Ω−ｃｍ」を「１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍ」に訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び拡張・変更の存否
(1) 訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、登録明細書段落番号【００１３】の「このうち、漏れ電流や電圧印加に対する応答性を考慮すれば１×１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍが、さらに耐電圧を考慮すると１×１０９〜５×１０１１Ω−ｃｍが最も望ましい。」の記載及び段落番号【００１４】【表１】の記載に基づいて、登録明細書の特許請求の範囲の請求項１における「ａ軸で３．１０７〜３．１１６Å、ｃ軸で４．９７６〜４．９８８Åであるとともに、２５℃における体積固有抵抗が１０７〜１０１３Ω−ｃｍである」を「ａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであるとともに、２５℃における体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍである」に減縮するものであって、特許請求の範囲の減縮に相当し、且つ、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
(2) 訂正事項ｂ乃至訂正事項ｊについて
　訂正事項ｂ乃至訂正事項ｊは、訂正事項ａに伴って、発明の詳細な説明の内容を整合させるものであり、明りょうでない記載の釈明に相当し、且つ、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び同第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議申立ての理由の概要　
　特許異議申立人は、本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物である下記甲第１号証乃至甲第５号証を提出して、おおよそ次のように主張している。
理由１
　本件特許の請求項１乃至請求項３に係る発明は、甲第１号証又は甲第２号証記載の発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、同項の規定により特許を受けることができない。    
理由２
　本件特許の請求項１乃至請求項３に係る発明は、甲第１号証乃至甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。なお、当審で通知した取消しの理由は、この理由２に沿うものである。
証拠方法：
　甲第１号証　特開平５−３６８１９号公報
　甲第２号証　特開平４−　３９５６号公報
　甲第３号証  「ＬＡＮＤＯＬＴ−ＢＯＲＮＳＴＥＩＮ」：科学技術におけ
　　　　　　　る数値データ及び機能的関係　第１７巻　半導体　Springer
　　　　　　　-Verlag Berlin・Heidelberg　NewYork　１９８２年発行
　　　　　　　第１５８〜１６１頁及び第４６９〜４７２頁
　甲第４号証　「ＮＯＮＭＥＴＡＬＬＩＣ　ＣＲＹＳＴＡＬＳ　ＷＩＴＨ
　　　　　　　ＨＩＧＨ　ＴＨＥＲＭＡＬ　ＣＯＮＤＵＣＴＩＶＩＴＹ」
　　　　　　　第３４巻　１９７３年発行　第３２１〜３３５頁
　甲第５号証　社団法人日本セラミックス協会編「セラミック工学ハンドブ
　　　　　　　ック」第１版１９８９年４月１０日技報堂出版株式会社発行
　　　　　　　第２０２０〜２０２３頁
第４　特許異議申立ての理由についての判断
１　本件発明
　第２の３に示すとおり、本件については明細書の訂正が認められており、本件特許の請求項１乃至請求項３に係る発明（以下「本件発明１乃至本件発明３」という。）は、訂正された明細書及び登録時の図面の記載からみて、第２の１(1)に示した特許請求の範囲の請求項１乃至請求項３に記載された事項により特定されるとおりの「静電チャック」であると認められるところ各構成要件毎に符号を付して示すと以下のとおりである。
「【請求項１】
Ａ　所定の基体表面に、窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵
　抗体からなる薄層を具備し、
Ｂ　該薄層中に酸素が０．０２〜２０原子％の割合で存在し、
Ｃ　前記窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５
　Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであるとともに、
Ｄ　２５℃における体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍである
Ｅ　ことを特徴する静電チャック。
【請求項２】
Ｆ　前記セラミック抵抗体の２５〜４００℃の温度変化に対する抵抗変化が
　３桁以内であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】
Ｇ　前記基体が窒化アルミニウムを主体とする焼結体であることを特徴とす
　る請求項１又は２記載の静電チャック。」
２　甲各号証の記載内容
(1) 甲第１号証
ア「【００１４】図１、図２に示すように、本発明の静電チャックは、窒化物セラミックスから成るセラミック板状体１に内部電極２を備え、接合剤３によってベース板４に固定したものである。・・・・。」
イ「【００１５】・・・・・、ＡｌＮを主成分とし、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 などの焼結助剤を含有する窒化アルミニウム質セラミックスなどを用いる。さらに、シリコンウェハ等の被吸着物６に悪影響を及ぼさないためには、窒化物セラミックス中の主成分である・・・ＡｌＮの含有量を９９重量％以上とし、焼結助剤などの他の成分は１重量％以下としたものが望ましい。」
ウ「【００１７】また、本発明の静電チャックは、セラミック板状体１中の微小な漏れ電流によるジョンソン・ラーベック力によって吸着力を得るものであり、適正な吸着力を得るためには、セラミック板状体１の体積固有抵抗値が重要となる。そこで、この点に関し種々実験の結果、セラミック板状体１の体積固有抵抗が１０１１Ω・ｃｍより小さいと、漏れ電流が大きすぎてシリコンウェハに形成した回路を破壊する恐れがあり、逆に体積固有抵抗が１０１５Ω・ｃｍより大きいと必要な吸着力を得ることができなかった。したがって、セラミック板状体１の体積固有抵抗値は１０１１〜１０１５Ω・ｃｍ、好ましくは１０１２〜１０１４Ω・ｃｍとしたものが良く、この範囲内のものは漏れ電流が小さく、かつ実用上充分な吸着力を有していた。例えば図３に３種類の体積固有抵抗値を持った材質からなる静電チャックの、印加電圧と吸着力の関係を示すように、体積固有抵抗値１０１２〜１０１４Ω・ｃｍのものは実用上充分な吸着力を得ることができた。
【００１８】さらに、本発明のセラミック板状体１を上記体積固有抵抗値とするためには、・・・・窒化アルミニウム質セラミックス単体でもよいが、さらに炭素（Ｃ）などの導電性物質を添加して、体積固有抵抗値を好適な範囲に調整することができる。」
エ「【００２１】実験例１本発明実施例として、図１、図２に示す静電チャックを試作した。・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・。また、セラミック板状体１として、９９．５重量％のＡｌＮと、０．５重量％のＣからなるセラミック原料を乾式プレスで板状に成形し、この板状成形体上にＡｇ−Ｐｄによって内部電極２を形成し、他の板状成形体を積層して焼成一体化した（実施例３）。」
オ  実施例３の体積固有抵抗が１０１３Ω−ｃｍであること。（段落【００２５】【表１】参照）
　これらの記載事項から、甲第１号証には、以下の発明乃至技術的事項が記載されていると認める。
　Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2Ｏ3等の焼結助剤を１重量％以下の割合で含有するＡｌＮ焼結体をベース板に固定してなる静電チャック。
　静電チャックに用いられるＡｌＮ焼結体としては、上記のＹ2 Ｏ3 、Ｅｒ2Ｏ3等の焼結助剤を１重量％以下の割合で含有するＡｌＮ焼結体のほかに、導電性物質としてカーボンを添加してなる体積固有抵抗が１０１３Ω−ｃｍのＡｌＮ焼結体及びＡｌＮ単体の焼結体があること。
　セラミックス板状体をベース板に固定してなる静電チャックにおいて、セラミック板状体の体積固有抵抗値を１０１１〜１０１５Ω−ｃｍとすること。
(2) 甲第２号証
ア　第１頁左欄特許請求の範囲
「所定数の電極（２，２ａ，２ｂ）と半導体基板（３）との間に絶縁膜（４）を介在させ、所定の電圧（Ｖ）を印可することにより、該絶縁膜（４）に該半導体基板（３）を静電吸引力により吸着させる静電吸着装置において、
　前記絶縁膜（４）を、比抵抗ρ（１０８Ωｃｍ＜ρ＜１０１２Ωｃｍ）の絶縁体で形成することを特徴する静電吸着装置。」
イ　第３頁左下欄第５行
「金属製のベース基板５」
ウ　第３頁左下欄第１１〜１７行
「ここで、絶縁膜４は、たとえば比抵抗ρ（１０８Ωｃｍ＜ρ＜１０１２Ωｃｍ）のセラミックスが使用される。このセラミックスは不純物を混入することで組成制御が可能であり、例えば比抵抗１０１１Ωｃｍのアルミナ、比抵抗１０１０Ωｃｍのシリカカーボン又はＡｌＮ（窒化アルミニウム）が考えられる。」
エ　第４頁左上欄下から第５〜最下行
「以上のように本発明によれば、電極と半導体基板との間に比抵抗ρ（１０８Ωｃｍ＜ρ＜１０１２Ωｃｍ）の絶縁膜を形成することにより、吸着力を強化することができると共に、半導体基板への残留電荷による塵の付着を防止することができる。」
(3) 甲第３号証
ア　第１５８頁の「2.4　窒化アルミニウム（ＡＩＮ）」における「2.4.3　格子特性」の欄
　ＡｌＮの単結晶と粉体（single crystals and powder）の格子定数として、Ｔ＝２９８Ｋ（２５℃）で、ａ軸が３．１１０〜３．１１２７Åであり、ｃ軸が４．９７９８〜４．９８２Åであること。
「この格子定数は酸素含有量によって影響を受ける（Fig.5参照）。」
イ　第１５９頁の「2.4　窒化アルミニウム（ＡＩＮ）」における「2.4.4　トランスポート特性」の欄
「窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、外因性半導体である。」
　ＡｌＮの導電率が、Ｔ＝２９０Ｋで、１０−３〜１０−５Ω−１ｃｍ−１（体積固有抵抗としては１０３〜１０５Ω−ｃｍ）であり、Ｔ＝３００Ｋ（２７℃）で、１０−１１〜１０−１３Ω−１ｃｍ−１（体積固有抵抗としては１０１１〜１０１３Ω−ｃｍ）であること。
ウ　第４７０頁のFig.5
　横軸に酸素含有量（酸素原子数）として０〜３０×１０２０ｃｍ−３が与えられ、縦軸にｃ軸の格子定数として４．９７４〜４．９８３Åが与えられた酸素含有量と格子定数との関係を示すグラフであること。
　ここで、酸素原子％は、換算すべき酸素原子数をＡｌＮ１ｃｍ３当たりの全原子数で除した値を１００倍したものであるところ、
　ＡｌＮの密度＝３．２６ｇ／ｃｍ３、
　ＡｌＮの分子量＝２６．９８＋１４．０１＝４０．９９ｇ／mol、
　アボガドロ数＝６．０２２×１０２３molecule／mol、
　ＡｌＮの一分子中の原子数＝２
であるから、ＡｌＮ１ｃｍ３当たりの全原子数は、（３．２６／４０．９９）×６．０２２×１０２３× ２＝９．５７８×１０２２となり、酸素原子％は、（換算すべき酸素原子数／９．５７８×１０２２）×１００となる。
　したがって、酸素含有量（酸素原子数）の９．５７８×１０２０ｃｍ−３（約１０×１０２０ｃｍ−３）が、酸素原子１％に対応することになので、上記グラフは、酸素原子１％を略中心にした範囲を示していることになる。
(4) 甲第４号証
ア　第３２７頁のFig.5
  横軸に酸素含有量（酸素原子数）として０〜約４５×１０２０ｃｍ−３が与えられ、縦軸にｃ軸の格子定数として４．９７０〜４．９８３Åが与えられた酸素含有量と格子定数との関係を示すグラフであり、上記した酸素原子％と酸素原子数との関係から酸素原子２％（酸素原子数約２０×１０２０ｃｍ−３）を略中心にした範囲を示していること。
イ　第３２８頁のTable3
　ＡｌＮの格子定数として、ａ軸が３．１０〜３．１１９Å、ｃ軸が４．９６５〜４．９９１Åであること。
(5) 甲第５号証
ア　第２０２２頁の表1.17
　ＡｌＮの格子定数として、ａ軸が３．１１１Å、ｃ軸が４．９８０Åであること。
　ＡｌＮの室温（ＲＴ）における抵抗率、すなわち、体積固有抵抗が、１０９〜１０１１Ωｍ、すなわち、１０１１〜１０１３Ω−ｃｍであること。
イ　第２０２２，２０２３頁「ｃ．焼結体の特性」の項
「焼結体の熱伝導率は純度や焼結条件、特に酸素含有量とその存在状態すなわち第２相の組成や偏析状態によって強く影響される。」
ウ　第２０２３頁「ｄ．関連物質」の項
「ＡｌＮはＳｉＯ２，ＳｉＣ，Ａｌ２Ｏ３等と化合物や固溶体をつくる。よく知られたものにサイアロンがある。ＡｌＮ−Ａｌ２Ｏ３系の、ＡｌＮ４０〜１６mol％，１７００〜２１００℃でスピネル形の酸窒化アルミニウム（ＡｌＯＮ）固溶体を・・・生ずる。」
エ　第２０２３頁「ｅ．用途・展望」の項
「またＧａＡｓなどIII−Ｖ族化合物半導体の引上げ用坩堝や周辺部材に利用される。」
３　対比・検討
(1) 本件発明１について
　まず、本件発明１と甲第１号証記載の発明とを対比すると、甲第１号証記載のＹ2 Ｏ3 、Ｅｒ2Ｏ3等の焼結助剤を１重量％以下の割合で含有するＡｌＮ焼結体をセラミック板状体として用いた静電チャックは、本件発明１の構成要件Ａ及びＥを具備することが明らかであり、また、構成要件ＢについてはＹ2 Ｏ3 、Ｅｒ2Ｏ3等を最大１重量％含むことからみて構成要件Ｂの範囲内の酸素原子％割合であると考えられるものの、構成要件Ｃ及びＤについてはいかなる値であるか明らかでない。　
　そこで、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2Ｏ3等の焼結助剤を１重量％以下の割合で含有するＡｌＮ焼結体の格子定数及び体積固有抵抗について考察するため、例えば、特開平４−６５３６７号公報の第５頁第３表及び第６頁第４表、「工業材料」第３６巻第１５号（１９８８年１１月号）の第４５頁左上欄の表１０を参照すると、そこには希土類元素酸化物のＹ2 Ｏ3 等を焼結助剤として含むＡｌＮ焼結体が記載されており、それら焼結体の体積固有抵抗はいずれも１０１４Ω−ｃｍ以上であることが明記されている。そうしてみると、甲第１号証記載のＹ2 Ｏ3 、Ｅｒ2Ｏ3等の希土類元素酸化物である焼結助剤を１重量％以下の割合で含有するＡｌＮ焼結体の体積固有抵抗も１０１４Ω−ｃｍ以上であると考えられ本件発明１の構成要件Ｄの範囲を超えるものである。
　また、上記「工業材料」第３６巻第１５号の第４２頁右欄第３〜７行目には、希土類元素酸化物がＡｌＮ結晶中から酸素を取り除いて結晶粒界に化合物を形成するため、ＡｌＮ結晶が高純度化される結果、焼結体の熱伝導が高くなることが記載されている。そして、ＡｌＮ結晶が高純度化されるということは、ＡｌＮ結晶には何も固溶していないＡｌＮ単体であることを意味し、本件訂正明細書の段落番号【００２４】に「酸素を含まない窒化アルミニウムの格子定数はａ軸で３．１２０Å、ｃ軸で４．９９４Åである」と記載されているように、その格子定数はａ軸で３．１２０Å、ｃ軸で４．９９４Å程度であると推察でき、本件発明１の構成要件Ｃの範囲を超えるものである。
　したがって、甲第１号証記載の発明におけるＹ2 Ｏ3 、Ｅｒ2Ｏ3等の焼結助剤を１重量％以下の割合で含有するＡｌＮ焼結体は、本件発明１の構成要件Ｃ及びＤを具備するものであるということはできない。
　また、甲第１号証には、ＡｌＮセラミックス焼結体として、上記Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｒ2Ｏ3等の焼結助剤を１重量％以下の割合で含有するＡｌＮ焼結体のほか、導電性物質としてカーボンを添加してなる体積固有抵抗が１０１３Ω−ｃｍのＡｌＮ焼結体及びＡｌＮ単体の焼結体が記載されているが、導電性物質としてカーボンを添加してなる体積固有抵抗が１０１３Ω−ｃｍのＡｌＮ焼結体は、導電性物質（カーボン）の添加によって焼結体の抵抗を調整しているのであって、本件発明１のように、酸素を含有せしめることによって、格子定数を特定範囲に制御して体積固有抵抗を低下させるものではなく、ＡｌＮ単体の焼結体は、導電性物質であるカーボンを添加したＡｌＮ焼結体でも体積固有抵抗が１０１３Ω−ｃｍまでしか低下しないことから勘案すれば、少なくとも１０１３Ω−ｃｍよりも高い体積固有抵抗を有していることは明らかである。
　このように、甲第１号証には、体積固有抵抗が本件発明１の構成要件Ｄと１０１１〜１０１２Ω−ｃｍの範囲で重なる１０１１〜１０１５Ω−ｃｍの窒化物セラミックスを用いることが記載されるものの、窒化物セラミックスとしての甲第１号証記載のＡｌＮセラミックス焼結体は、体積固有抵抗についてはいずれも本件発明１の構成要件Ｄの上限である１０１２Ω−ｃｍを越えるものであり、また、格子定数については不明であるか或いは本件発明１の構成要件Ｃのａ軸での上限３．１１５Å、ｃ軸での上限４．９８７Åを越えるものであって本件発明１の構成要件Ｃ及びＤを具備するものではない。
　次に、本件発明１と甲第２号証記載の発明とを対比すると、甲第２号証には、比抵抗、すなわち、体積固有抵抗が１０８〜１０１２Ω−ｃｍのセラミックスを有する静電吸着装置、すなわち、静電チャックが記載されており、また、セラミックスの一例としてＡｌＮ（窒化アルミニウム）が挙げられていることから、甲第２号証記載の発明において、セラミックスとしてＡｌＮを選択した場合、本件発明１の構成要件Ａ及びＥだけでなく、構成要件Ｄも具備しているかにみえる。
　しかしながら、上記したようにＡｌＮそのものは、絶縁体（＞１０１３Ω−ｃｍ）であるところ、本件発明１では、構成要件Ｂ及びＣを具備することにより、構成要件Ｄを得ているのに対して、甲第２号証には、構成要件Ｂ及びＣについて何等記載されていないだけでなく、ＡｌＮセラミックスを体積固有抵抗１０８〜１０１２Ω−ｃｍに制御するための具体的な手法について全く記載されていないし、それを予測させる記載もない。
　特許異議申立人は、甲第２号証の「不純物を混入することで組成制御が可能であり」との記載に基づき、「不純物」が「酸素」であるかのように主張するが、この記載は、不純物によって「組成制御」が可能であることが記載されるのみで抵抗制御を意味するものではない。仮に、「不純物」が抵抗に影響を与えることを示唆するものであるとしても、「不純物」としては、陽イオン金属不純物、カーボン等も不純物の１種であることを考慮すれば、甲第２号証のこの記載が、本件発明１の構成要件Ｂ及びＣを示唆しているとはいえない。
　したがって、甲第２号証記載の発明において、セラミックスとしてＡｌＮを選択した場合でも、本件発明１の構成要件Ｂ及びＣだけでなく、構成要件Ｄも具備しているとはいえない。
　このように、甲第１号証及び甲第２号証記載の発明におけるＡｌＮのセラミックス抵抗体は、少なくとも本件発明１の構成要件Ｃ及びＤを具備するものではなく、構成要件Ｂ、Ｃ及びＤの全てを具備するものでもない。
　そこで、本件発明１の構成要件Ｂ、Ｃ及びＤについてさらに検討するためにＡｌＮの特性に関する甲第３号証乃至甲第５号証記載の事項を参照すると、本件発明１の構成要件Ｂについては甲第３号証及び甲第４号証に、構成要件Ｃについては甲第３号証乃至甲第５号証に、また、構成要件Ｄについては甲第３号証及び甲第５号証にそれぞれ対応する範囲内の数値が記載されている。
　しかしながら、ＡｌＮの特性は、その形態（粉末、単結晶、焼結体等）及び製造方法等によって種々変化し得るものであって、ＡｌＮに関する甲第３号証乃至甲第５号証記載のデータから、格子定数は、ａ軸が３．１０〜３．１１９Å、ｃ軸が４．９６５〜４．９９１Åの範囲で、また、体積固有抵抗は、１０３〜１０１３Ω−ｃｍの範囲で変動し得ることが窺えるものの甲第３号証乃至甲第５号証記載のデータは、いずれも異なる技術文献に記載されたデータを羅列したにすぎず単一のＡｌＮ試料についての酸素量、格子定数、体積固有抵抗の３つの要素の相互的な関係については記載されていない。
　また、甲第３号証乃至甲第５号証に記載されているデータは、そのほとんどがＡｌＮ粉末、または、ＡｌＮ単結晶のデータであって、ＡｌＮ粉末、または、ＡｌＮ単結晶であるならば、結晶粒界に酸素化合物が形成されることはないので、本件発明１の構成要件Ｂ、Ｃ及びＤを具備することが考えられるところ、多結晶質のＡｌＮでは、たとえ本件発明１の構成要件Ｂを具備していたとしても結晶粒界に酸素化合物が形成されることによりＡｌＮ結晶が高純度化されて本件発明１の構成要件Ｃ及びＤを具備するとは限らず、ＡｌＮ粉末やＡｌＮ単結晶のデータから本件発明１の構成要件Ａの「所定の基体表面に、窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体からなる薄層」により示される多結晶質のＡｌＮの特性値を予測することはできない。
　しかも、甲第３号証乃至甲第５号証記載の種々のデータの中から、とりわけ静電チャックに対して、本件発明１の構成要件Ｂ、Ｃ及びＤを兼ね備えたＡｌＮのセラミック抵抗体の薄層を選択するべき動機づけは、甲第１号証乃至甲第５号証には一切存在しない。
　そして、本件発明１は、これらの構成要件Ｂ、Ｃ及びＤの全てを具備したＡｌＮのセラミック抵抗体を静電チャックに用いることによって、漏れ電流や電圧印加に対する応答性に優れ、残留吸着がなく、４００Ｖの電圧印加で１２４ｇ／ｃｍ２以上もの高い吸着力を有し、優れた信頼性と長期安定性を備えた静電チャックを得ることができる。
　したがって、本件発明１は、甲第１号証又は甲第２号証記載の発明であるということができないだけでなく、甲第１号証乃至甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
(2) 本件発明２及び本件発明３について
　本件発明２は、本件発明１にさらに構成要件Ｆを付加するものであり、また、本件発明３は、本件発明１又は本件発明２さらに構成要件Ｇを付加するものであるから、いずれも本件発明１と同様に甲第１号証又は甲第２号証記載の発明であるということができないだけでなく、甲第１号証乃至甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということもできない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する特許異議申立ての理由及び提出した証拠によっては、本件発明１乃至本件発明３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１乃至本件発明３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１乃至本件発明３に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものではない。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１４年７月９日（２００２．７．９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３１８１００６号の明細書を、本件に係る訂正請求書に添付された明細書のとおり、すなわち、次の訂正事項ａ乃至訂正事項ｊのとおりに訂正する。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲を、下記のように訂正する。
「【請求項１】所定の基体表面に、窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体からなる薄層を具備し、該薄層中に酸素が０．０２〜２０原子％の割合で存在し、前記窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであるとともに、２５℃における体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍであることを特徴する静電チャック。
　【請求項２】前記セラミック抵抗体の２５〜４００℃の温度変化に対する抵抗変化が３桁以内であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
　【請求項３】前記基体が窒化アルミニウムを主体とする焼結体であることを特徴とする請求項１又は２記載の静電チャック。」
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の訂正に伴いその記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【０００８】に「室温（２５℃）において体積固有抵抗が１０７〜１０１３Ω−ｃｍの抵抗を有する」とあるのを「室温（２５℃）において体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍの抵抗を有する」に訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　同じく、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【０００９】を、下記のように訂正する。
「即ち、本発明の静電チャックは、所定の基体表面に、窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体からなる薄層を具備し、該薄層中に酸素が０．０２〜２０原子％の割合で存在し、前記窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであるとともに、２５℃における体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍであることを特徴するものである。また、前記セラミック抵抗体の２５〜４００℃の温度変化に対する抵抗変化が３桁以内であることが好ましい。さらに、前記基体が窒化アルミニウムを主体とする焼結体であることが好ましい。」
（４）訂正事項ｄ
　同じく、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【００１２】を、下記のように訂正する。
「また、セラミック抵抗体層を構成する窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであることが重要である。これに伴い、２５℃の温度における体積固有抵抗１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍを実現することができる。この格子定数が上記の範囲を逸脱すると２５℃の温度における体積固有抵抗１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍ以下は達成されない。」
（５）訂正事項ｅ
　同じく、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【００１３】を、下記のように訂正する。
「なお、静電チャックとして特性の点で、このセラミック抵抗体層の抵抗が１×１０７Ω−ｃｍより小さいとリーク電流が大きくなり、１×１０１３Ω−ｃｍより大きいと残留吸着力が発生する場合があり、さらに漏れ電流や電圧印加に対する応答性を考慮すれば１×１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍが必要であり、さらに耐電圧を考慮すると１×１０９〜５×１０１１Ω−ｃｍが最も望ましい。この体積固有抵抗の変化は、前記格子定数と相関を有し、それぞれの抵抗特性を得るためには下記表１のように格子定数を制御すればよい。」
（６）訂正事項ｆ
　同じく、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【００１５】を、下記のように訂正する。
「つまり、格子定数がａ軸で３．１１５Å、ｃ軸で４．９８７Åを越えると電気伝導に寄与するキャリア濃度が低く、体積固有抵抗は温度に対して急激な変化をするので安定した静電吸着特性を得られない。また、ａ軸で３．１０８Å、ｃ軸で４．９７８Åを下回ると電気抵抗が低く、静電チャックとしては漏れ電流が大きくなって実用的ではない。」
（７）訂正事項ｇ
　同じく、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【００２４】に「そして格子定数をａ軸で３．１０７〜３．１１６Å、ｃ軸で４．９７６〜４．９８８Åにすると室温の体積固有抵抗を１０７〜１０１３Ω−ｃｍに制御することができる。」とあるのを「そして格子定数をａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åにすると室温の体積固有抵抗を１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍに制御することができる。」に訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　同じく、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【００２９】の表２において、試料Ｎｏ．１３を削除する。
（９）訂正事項ｉ
　同じく、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【００３０】の表３において、試料Ｎｏ．１３を削除する。
（１０）訂正事項ｊ
　同じく、明りょうでない記載の釈明を目的として、登録明細書段落番号【００３５】の「１０７〜１０１３Ω−ｃｍ」を「１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍ」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
静電チャック
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】所定の基体表面に、窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体からなる薄層を具備し、該薄層中に酸素が０．０２〜２０原子％の割合で存在し、前記窒化アルミニウム結晶の格子定数が
ａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Å
１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍ
　【請求項２】前記セラミック抵抗体の２５〜４００℃の温度変化に対する抵抗変化が３桁以内であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
　【請求項３】前記基体が窒化アルミニウムを主体とする焼結体であることを特徴とする請求項１又は２記載の静電チャック。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置等においてウエハを静電的に吸着保持して処理したり、搬送するための静電チャックに関するものである。
　【０００２】
　【従来技術】従来より、半導体製造用装置において、シリコンウエハ等の半導体を成膜やエッチングするためにはシリコンウエハの平坦度を保ちながら保持する必要があるが、このような保持手段としては機械式、真空吸着式、静電吸着式が提案されている。これらの保持手段の中で静電的にシリコンウエハを保持することのできる静電チャックはシリコンウエハの加工を行うに際して要求される加工面の平坦度や平向度を容易に実現することができ、さらにシリコンウエハを真空中で加工処理することができるため、半導体の製造に際して最も多用されている。
　【０００３】従来の静電チャックは、電極板の上にアルミナ、サファイヤ等からなる絶縁層を形成したもの（特開昭６０―２６１３７７号）、絶縁性基体の上に導電層を形成しその上に絶縁層を形成したもの（特開平４―３４９５３号）、絶縁性基体内部に導電層を組み込んだもの（特開昭６２―９４９５３号）などが提案されている。
　【０００４】近年、半導体素子の集積回路の集積度が向上するに従い、静電チャックの精度が高度化し、さらに耐食性、耐摩耗性、耐熱衝撃性に優れたセラミックス製静電チャックが要求されるようになってきた。特に窒化アルミニウムは耐プラズマ性に優れることから、これを用いた静電チャックが検討されている。
　【０００５】一般に絶縁体の体積固有抵抗値は温度とともに低下する。例えば窒化アルミニウムの場合には室温で１０１６Ω−ｃｍから６００℃で１０７Ω−ｃｍ以下の９桁も減少し、安定した動作が不可能であり、使用温度に制限があった。そこで、特開平２―１６０４４４号には絶縁層を２層以上積層するとともにそれぞれの層に対応する電極層及び電気回路、スイッチングを設けて、室温から４００℃までの使用に耐えられるような構造が提案されている。また、特開平４―３００１３７号には静電チャック内にヒータ、熱電対などの温度検出器を取付け、外部に制御部を設けて温度変化にともなって電源部を制御して吸着力を安定させ、使用温度範囲を広げることも提案されている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする問題点】静電チャックの表面を形成する誘電性絶縁体として、主として窒化アルミニウムやアルミナなどが検討されているが、従来のこれらの誘電性絶縁体では、室温から高温まで安定した吸着力を得るには至っておらず、上述のように静電チャックの構造を変えたり、電気的な制御により使用できる温度範囲を広げようとしてきた。しかし、前述したような絶縁層を２層以上積層して電極層を増やしたものでは、電気回路も複雑となり、静電チャック自体の構造が複雑になるために製造工程が煩雑であり、そのために製品の信頼性が低下したり、コストが高くなるといった欠点があった。
　【０００７】
　また、ヒータを内蔵してその温度を検知し、印加電圧を制御する方法においても静電チャック内に熱電対などの温度検知器を内蔵するために検知器が故障すると使用不可能になるという問題があり、またこの方法においてもセラミック材料の持つ特性は本質的に変化しないことから、その使用範囲には自ずと限界があることには変わりがない。
　【０００８】
　【問題点を解決するための手段】本発明者等は、上記問題点に対して静電チャックの表面を形成するセラミック抵抗体について特に静電チャックを構成する材料の観点から検討を重ねた結果、窒化アルミニウム結晶中に酸素を含有せしめ、その格子定数を特定の範囲に制御することにより、
室温（２５℃）において体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍの抵抗を有する
　【０００９】
即ち、本発明の静電チャックは、所定の基体表面に、窒化アルミニウム結晶相を主相とするセラミック抵抗体からなる薄層を具備し、該薄層中に酸素が０．０２〜２０原子％の割合で存在し、前記窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであるとともに、２５℃における体積固有抵抗が１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍであることを特徴するものである。また、前記セラミック抵抗体の２５〜４００℃の温度変化に対する抵抗変化が３桁以内であることが好ましい。さらに、前記基体が窒化アルミニウムを主体とする焼結体であることが好ましい。
　【００１０】以下、本発明を詳述する。本発明の静電チャックは、図１に示すように、室温における体積固有抵抗が１０１４Ω−ｃｍ以上の絶縁体からなる基体１の表面に電圧が印加される電極層２が形成され、さらにその電極層２上にセラミック抵抗体からなる薄層３（以下、セラミック抵抗体層という。）が形成されている。セラミック抵抗体層３は、少なくともシリコンウエハ４の載置面、あるいは半導体製造装置内に露出している基体面全体に形成される。なお、基体１内にはヒータ５を内蔵させても何ら差し支えない。
　【００１１】本発明において、セラミック抵抗体層３は、窒化アルミニウムを主体とし、酸素原子を０．０１〜２０原子％の割合で含有するものである。これは、酸素原子量が０．０１原子％未満では体積固有抵抗値を低くするのに十分ではなく、また２０原子％を越えると窒化アルミニウムとしての特性が変化し、例えば耐プラズマ性が劣化するとともに、特に熱膨張係数の変化により基体との密着性に影響を及ぼすので好ましくない。
　【００１２】
また、セラミック抵抗体層を構成する窒化アルミニウム結晶の格子定数がａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åであることが重要である。これに伴い、２５℃の温度における体積固有抵抗１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍを実現することができる。この格子定数が上記の範囲を逸脱すると２５℃の温度における体積固有抵抗１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍ以下は達成されない。
　【００１３】
なお、静電チャックとして特性の点で、このセラミック抵抗体層の抵抗が１×１０７Ω−ｃｍより小さいとリーク電流が大きくなり、１×１０１３Ω−ｃｍより大きいと残留吸着力が発生する場合があり、さらに漏れ電流や電圧印加に対する応答性を考慮すれば１×１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍが必要であり、さらに耐電圧を考慮すると１×１０９〜５×１０１１Ω−ｃｍが最も望ましい。この体積固有抵抗の変化は、前記格子定数と相関を有し、それぞれの抵抗特性を得るためには下記表１のように格子定数を制御すればよい。
　【００１４】
　【表１】
　【００１５】
つまり、格子定数がａ軸で３．１１５Å、ｃ軸で４．９８７Åを越えると電気伝導に寄与するキャリア濃度が低く、体積固有抵抗は温度に対して急激な変化をするので安定した静電吸着特性を得られない。また、ａ軸で３．１０８Å、ｃ軸で４．９７８Åを下回ると電気抵抗が低く、静電チャックとしては漏れ電流が大きくなって実用的ではない。
　【００１６】更に、静電チャックとして安定した動作を行なうためには、２５℃から４００℃の温度範囲における体積固有抵抗の変化が３桁以内、好ましくは２桁以内であるのが良い。
　【００１７】本発明の窒化アルミニウムからなるセラミック抵抗体層は組織としては窒化アルミニウム結晶を主相とするものであるが、窒化アルミニウム結晶中に固溶しきれなかった酸素により酸化アルミニウムおよび／または酸窒化アルミニウムの相が副相として存在する場合もある。
　【００１８】上記のように、酸素を固溶するとともに上記の電気特性を有するセラミック抵抗体層は、粉末焼結法で製造することが難しいが、気相合成法によると容易に作製することができる。具体的な成膜方法としては、スパッタリング、イオンプレーティングなどの物理気相合成法（ＰＶＤ法）や、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＭＯ（Ｍｅｔａｌ−ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤなどの化学気相合成法（ＣＶＤ法）により形成されるが、これらの中でもＣＶＤ法がよい。
　【００１９】例えば、ＣＶＤ法により前記セラミック抵抗体層を形成するには、例えば原料ガスとしてＮ２ガス、ＮＨ３ガス、ＮＯ２およびＡｌＣｌ３ガスを用い、これらのガスの流量比をＮ２／ＡｌＣｌ３＝５〜７０、ＮＯ２／ＮＨ３＝０．００５〜１、ＮＨ３／ＡｌＣｌ３＝１〜１０とし、成膜温度を８５０℃以上の比較的高めに設定することにより作製することができる。
　【００２０】一方、セラミック抵抗体層を形成する基体としては、格別限定するものではないが、特にＡｌ２Ｏ３、ＡｌＯＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ダイヤモンド、ムライト、ＺｒＯ２などを主とするセラミック材料が挙げられるが、これらの中でも半導体製造時の耐プラズマ性に優れる点で窒化アルミニウムを主体とする焼結体が最も望ましい。
　【００２１】さらに、電圧を印加する電極層２は、周知の金属材料が適用でき、例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ａｇのいずれでも使用可能である。また、導電性のセラミック材料、例えばＴｉＮ、ＳｉＣ、ＷＣ、カーボンやＳｉ半導体材料（ｎ型あるいはｐ型）も電極材料として使用できる。その他、電極層２が存在せず、基体自体が電極能を有する場合もあり、その場合には基体１としてＳｉＣ、ＴｉＮ、ＷＣなどを主体とする導電性セラミックス、Ｗ、Ｍｏなどの金属単体およびこれらの合金などにより形成すればよい。その場合には導電性基体そのものに直接電圧を印加することにより静電気が発生する。また、基体内にヒータを内蔵させる場合、ヒータ用材料としてはＭｏ、Ｗ、Ｍｏ−Ｍｎ、ＴｉＣ、ＴｉＮなどが用いられる。
　【００２２】上記のような構成からなる静電チャックによりシリコンウエハを静電吸着するには、電極層２あるいは導電性基体１におよそ０．２〜２．０ｋＶの電圧を印加することにより静電吸着を行うことができる。
　【００２３】本発明によれば、これまでセラミック抵抗体を静電チャックの基体表面に形成されるセラミック抵抗体層として使用した場合について説明したが、本発明のセラミック抵抗体は、その他に静電気を防止するための部品として、例えば半導体製造装置におけるウエハ搬送用アーム、ウエハハンドリング用治具の他に、ヒータ材料、真空管外囲管などにも使用することができる。
　【００２４】
　【作用】通常、窒化アルミニウムは体積固有抵抗１０１４Ω−ｃｍ以上の高絶縁体であるが、その窒化アルミニウム結晶中に酸素を固溶させて窒素を酸素で置換させると、電子が１個余剰となりこれが導電性に寄与し結晶の導電率を高める作用となすものと考えられる。また、窒化アルミニウム結晶への酸素の固溶は格子定数の変化により判定できる。例えば、酸素を含まない窒化アルミニウムの格子定数はａ軸で３．１２０Å、ｃ軸で４．９９４Åであるが、酸素原子が固溶するに従い、ａ軸、ｃ軸とも小さくなる。
そして格子定数をａ軸で３．１０８〜３．１１５Å、ｃ軸で４．９７８〜４．９８７Åにすると室温の体積固有抵抗を１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍに制御することができる。
　【００２５】また、本発明によれば、静電チャックとして格別に複雑な構造をとる必要がなく、本発明の材料を用いることによって静電チャック自体の構造が簡単になり、低コストで広範囲な温度領域における使用を可能とし、電気回路を含めて組み込まれる装置自体の簡略化も実現でき、また静電チャックとして信頼性、長期安定性が保証される。
　【００２６】
　【実施例】
実施例１
窒化アルミニウム質焼結体からなる基体表面に電極層としてＭｏとＭｎからなる合金をメタライズした後、その電極を含む基体表面に化学気相合成法によってＡｌＮ膜を形成した。ＡｌＮ膜の成膜は、基体を外熱式によって９００℃に加熱した炉に入れ、窒素ガスを８ＳＬＭ、アンモニアガスを１ＳＬＭに一定にし、酸素添加ガスとしてＮ２Ｏガス、ｄｒｙ−空気および水蒸気（Ｈ２Ｏ）を０〜２００ＳＣＣＭの範囲で表２に示す流量に変化させ、炉内圧力を４０ｔｏｒｒとした。そして、塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ４）を０．３ＳＬＭの流量で流して反応を開始し、６時間の反応によって４００μｍの膜厚のセラミック抵抗体層を形成した。
　【００２７】得られた抵抗体層に対して、層中の酸素原子量を中性子放射化分析により測定するとともに、Ｘ線回折法でＳｉ（ＳＲＭ６４０ｂ）を標準試料として角度補正を行い、ピクトップ法により格子定数を算出した。測定面指数は（１００）、（００２）、（１０１）、（１０２）、（１１０）、（１０３）、（１１２）、（００４）とした。さらに、抵抗体層の２５℃および４００℃における体積固有抵抗を測定した。
　【００２８】そして、気相成長後のセラミック抵抗体層の表面を表面粗さＲａが０．０２ｍｍとなるように研磨した後、電極に４００Ｖの電圧を印加した時の静電チャックとしての吸着力および３０分間電圧印加し、電圧印加を停止した直後の残留吸着力の有無を真空中で測定した。さらに、室温から４００℃までの吸着力の変化において、その変化率が１０％以内のものを○、それ以上のものを×として評価した。
　【００２９】
　【表２】
　【００３０】
　【表３】
　【００３１】表２および表４の結果から明らかなように、抵抗体層の酸素原子量および格子定数は酸素含有ガスの流量によって変化し、酸素含有ガスを全く導入せず、酸素原子量も不純物レベルの０．０００１原子％の場合には、抵抗値も９×１０１５Ω−ｃｍの高絶縁性であったが、Ｎ２Ｏ、Ｈ２Ｏなどの空気の流量を徐々に増加させると、酸素原子量が増加するとともに室温の体積固有抵抗も９．７×１０７Ω−ｃｍまで低下した。
　【００３２】なお、得られた抵抗体層はＸ線回折測定から（００２）に配向するＡｌＮ膜であった。しかし、透過型電子顕微鏡観察ではアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）結晶相が少量存在しており、またアルミニウム、酸素および窒素が検出される結晶相もわずかに見い出された。
　【００３３】また、試料Ｎｏ．４に対して、体積固有抵抗値の温度依存性の測定結果を図２に、吸着力の温度依存性の測定結果を図３にそれぞれ示した。図２、３から明らかなように、室温から４００℃の温度範囲において、体積固有抵抗値は１×１０１２〜１．４×１０１０Ω・ｃｍの範囲にあり、吸着力はこの温度域でほとんど一定であり、安定した吸着性を示した。
　【００３４】これに対して、ＡｌＮ膜中に不純物レベルしか酸素を含まない静電チャックＡでは、測定温度の２００℃から４００℃への変化に伴い、体積抵抗は１０１６Ω−ｃｍから１０１０Ω−ｃｍまで急激に変化した。そのため、１５０℃、２００℃では吸着力が安定化するまでの時間が長く、また残留吸着力が観察された。
　【００３５】
　【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、静電チャックの表面層として、窒化アルミニウム中の酸素量および格子定数を制御した、２５℃における体積固有抵抗が
１０８〜５×１０１２Ω−ｃｍ抵抗を有し
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の静電チャックの構造を示す断面図である。
　【図２】実施例において作製したセラミック抵抗体層の体積抵抗値の温度依存性を示す図である。
　【図３】実施例において作製した静電チャックの吸着力の温度依存性を示す図である。
　【符号の説明】
　１　　　　基体
　２　　　　電極
　３　　　　セラミック抵抗体層
　４　　　　シリコンウエハ