【事件の表示】
　特許第３１１８１８７号「再加工可能な電子デバイス及び形成方法」の請求項１〜１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１１８１８７号の請求項１〜１２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１１８１８７号の請求項１〜１２に係る発明についての出願は、平成８年５月９日（パリ条約による優先権主張１９９５年６月７日、米国）に特許出願がなされ、平成１２年１０月６日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人飯村惠次より特許異議の申立てがなされたものである。
　
［２］本件発明
　本件特許第３１１８１８７号の請求項１〜１２に係る発明（以下、「本件第１〜第１２発明」という。）は、本件特許に係る願書に添付した明細書及び図面（以下、「特許明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　
　「【請求項１】基板上の対応するパッドにはんだリフロー・プロセスによって行われるはんだ接続により電気的に接続されるパッドを有する集積回路チップを含む再加工可能な電子デバイスであって、はんだリフロー・プロセスによって行われる前記接続が前記チップ表面と前記基板表面との間に空間を生成するものにおいて、前記空間が前記チップの周囲付近の熱可塑性ポリマにより封止され、前記熱可塑性ポリマは、約１２０℃以上のガラス転移温度であり、かつはんだリフロー温度において劣化しないことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】前記熱可塑性ポリマのガラス転移温度は約２２０℃以下であり、前記熱可塑性ポリマは該ガラス転移温度乃至約３００℃では粘性液である請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】前記熱可塑性ポリマのガラス転移温度が、約２００℃以下である請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】前記チップ周囲の前記はんだ接続の第１列が前記熱可塑性ポリマによりカプセル化される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】実質的に全ての前記はんだ接続がカプセル化される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項６】前記熱可塑性樹脂が、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート及びポリイミド・シロキサンを含むグループから選択される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項７】相互接続基板上の対応するパッドにはんだリフロー・プロセスによって行われるはんだ接続により電気的に接続されるパッドを有する集積回路チップを含む、再加工可能なカプセル化集積回路チップ電子デバイスを形成する方法であって、前記集積回路チップと前記基板間の複数のはんだ接続により、前記基板上の前記対応するパッドに電気的に接続される前記集積回路チップを含み、前記チップ表面と前記基板表面との間に開口が存在する、集積回路チップ・アセンブリを提供する工程と、熱可塑性樹脂を提供する工程と、前記チップの周囲付近に前記樹脂のビードを形成する工程と、前記熱可塑性樹脂を融解し、前記開口を前記融解熱可塑性樹脂により封止する工程と、前記熱可塑性樹脂を凝固させて、前記封止を形成する工程と、を含み、前記熱可塑性ポリマは、約１２０℃以上のガラス転移温度であり、かつはんだリフロー温度において劣化しないことを特徴とする、方法。
【請求項８】前記チップ周囲の前記はんだ接続の第１列をカプセル化する、請求項７記載の方法。
【請求項９】実質的に全ての前記はんだ接続をカプセル化する、請求項７記載の方法。
【請求項１０】前記熱可塑性樹脂が、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート及びポリイミド・シロキサンを含むグループから選択される、請求項７記載の方法。
【請求項１１】Ｃ４接続の周囲での前記融解樹脂の流れを容易にするために真空を使用する、請求項７記載の方法。
【請求項１２】前記熱可塑性樹脂が溶液である、請求項７記載の方法。」
　
［３］異議申立ての理由の概要
　異議申立人　飯村惠次は、証拠として甲第１〜第８号証を提出し、本件第１〜第１０発明及び第１２発明は、甲第１号証に記載された発明であって、本件第１〜第１０発明及び第１２発明に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであり、また、本件第１１発明は、甲第１、７、８号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、本件第１１発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、本件第１〜第１２発明に係る特許を取り消すべきである旨、主張している。
　
［４］甲第１〜８号証の記載事項
（１）甲第１号証
　甲第１号証（特開昭６３−４５８９２号公報）には、「面実装型半導体素子、各種チップ部品等の面実装型電子素子を、所定の導電体パターンを設けた基板上に、固定し、相互接続する面実装型電子素子の実装方法の改良に関する」（１頁右下欄１９行〜２頁左上欄２行）発明が開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　実装方法として、「第１の温度で溶融する半田を含むクリーム状の半田を、導電体パターンを設けた基板の第１の所定箇所に塗布する工程と、第２の温度で溶融する熱可塑性樹脂を含むクリーム状のホットメルト接着剤を上記基板上の第２の所定箇所に塗布する工程と、上記基板上に任意の面実装型電子素子を搭載する工程と、電子素子を搭載した上記基板を、上記第１及び第２の温度のいずれか高い方の温度以上に加熱して、上記半田および上記ホットメルト接着剤の両方を溶融する工程と、上記基板を冷却して、上記半田および上記ホットメルト接着剤を固化する工程とを備え、上記電子素子を上記基板上に実装することを特徴とする、面実装型電子素子の実装方法。」（特許請求の範囲１）が記載されている。
　上記実装方法における工程のうち、基板上に任意の面実装型電子素子を搭載する工程の具体例として、「第１図Ｃは、面実装型電子素子の搭載工程を示し、上記基板１上の異なる箇所に塗布した半田クリーム２及びホットメルト接着剤クリーム３の上に、例えばチップ部品４、フラット・パッケージ半導体５などの任意の面実装型電子素子４、５が、その端子電極４ｂ、リード端子５ｂ等の外部接続用導電体と、基板１の導電体パターン１ａとが対応するように位置合せして、基板１上に搭載される。即ち、チップ部品４の本体４ａとフラット・パッケージ半導体５のパッケージ本体５ａは、ホットメルト接着剤クリーム３の上に、またチップ部品４の端子電極４ｂと上記半導体５のリード端子５ｂは、半田クリーム２の上に搭載される。半田クリーム２及びホットメルト接着剤クリーム３の粘性のために電子素子４、５は、次の加熱工程まで仮固定される。」（４頁右上欄１８行〜４頁左下欄１４行）が記載されている。
　また、上記実装方法における工程のうち、半田及びホットメルト接着剤の両方を溶融する工程とその後の冷却固化する工程の具体例として、「第１図Ｄは、半田及びホットメルト接着剤のリフロー加熱工程を示す。上記電子素子４、５を搭載した上記基板１を、耐熱ベルトなどの搬送手段により順次、予熱ゾーン、半田リフロー・ゾーン、冷却ゾーンを通過する周知の半田リフロー加熱装置内に入れる。・・・最後に、冷却ゾーンＺ３では溶融した半田及びホットメルト接着剤を均一及び急速に冷却して凝固させ固体化し、電子素子のずれを防止する。」（４頁左下欄１５行〜５頁左上欄１９行）が記載されている。
　そして、上記記載と第１図Ｄの記載によれば、面実装型電子素子表面と基板表面との間に、半田クリーム及びホットメルト接着剤に由来する空間（開口）が生成するものと認められる。
　さらに、上記工程で使用されるホットメルト接着剤について、「本発明で用いられる接着剤は、・・・第２の温度に加熱すると溶融する熱可塑性樹脂を主材とし、この熱可塑性樹脂を液状媒体中に溶解又は分散させてクリーム（ペースト）状にした、クリーム状ホットメルト接着剤である。・・・上記ホットメルト接着剤の主材である熱可塑性樹脂としては、例えばポリアミド樹脂、エチレン・ビニルアセテート共重合樹脂、エチレン・エチレンアクリレート共重合樹脂、飽和ポリエステル樹脂などの周知の熱可塑性樹脂が用いられる。」（２頁右下欄１７行〜３頁左上欄１３行）と記載されている。
　そして、上記ホットメルト接着剤の作用について、「本発明では、ホットメルト型接着剤を用いているために、基板に複数の電子素子を実装した以後に、実装ミスや故障した電子素子のみを、熱風、赤外線などにより半田の融点以上にリフロー加熱することにより、半田及びホットメルト接着剤を同時に再び溶融して、電子素子を容易に交換することが可能である。」（３頁左下欄１１〜１７行）と記載されている。
　これら記載と第１図Ｄの記載によれば、前記実装方法により形成されたものは、「基板上の導電体パターンに半田リフロー加熱装置内で行われる相互接続により電気的に接続される、外部接続用導電体を有する面実装型電子素子を基板上に実装したものであって、半田リフロー加熱装置内で行われる相互接続が前記面実装型電子素子表面と前記基板表面との間に空間を生成するものにおいて、上記面実装型電子素子の本体がホットメルト接着剤により上記基板に固定され、前記ホットメルト接着剤は、第２の温度に加熱すると溶融する熱可塑性樹脂を主材とする、面実装型電子素子を基板上に実装したもの」と認められる。
　
（２）甲第２号証
　甲第２号証（特許第２５７３８２９号公報）は、出願後に発行されたもの（平成９年１月２２日発行）であるから、証拠として採用することはできない。
　
（３）甲第３号証
　甲第３号証（増山　勇外１名編著「最新サーフェイス・マウント・テクノロジー」（１９８６年６月１日）工業調査会、ｐｐ１５〜１６）には、表面実装部品の開発状況に関するものが記載されており、そのうち、図１．１には、表面実装部品の形状的分類として、ベアチップ形のフリップチップが表面実装部品に包含されることが示されている。
　
（４）甲第４号証
　甲第４号証（「エレクトロニクス実装技術用語辞典」（１９９２年１月２０日）工業調査会、ｐｐ１８７〜１８８）には、表面実装部品の欄に、「表面実装部品の種類は受動部品では、・・・。半導体部品では、（１）・・・ディスクリート部品を収納するパッケージ、（２）・・・多数の電極を有す部品を収納するパッケージ、（３）裸の半導体チップを扱うものとに大別される。・・・（３）は、代表的なものとしてＴＡＢ、フリップチップがあり、基本的には半導体チップを裸の状態で実装できる。」と記載されている。
　
（５）甲第５号証
　甲第５号証（特開平６−１６８８１６号公報）には、熱可塑性樹脂による封止部品に関するものが記載されており、そのうち、封止用の熱可塑性樹脂について、「本発明の熱可塑性樹脂（Ｃ）は、・・・ポリエーテルイミド、・・・ポリアリレート、ポリサルフォン、・・・などが耐熱性の点で好ましい」（段落【０００９】１〜６行）と記載されている。
　
（６）甲第６号証
　甲第６号証（「電子工業用プラスチックス」（１９８３年１１月３０日）工業調査会、ｐ．１９〜２２）には、電子工業用プラスチックスに関するものが記載されており、そのうち、溶融成形性耐熱ポリマーの具体例として、「ＵＣＣ社のポリスルホン“Ｕｄｅｌ”、ＩＣＩ社のポリエーテルスルホン“Ｖｉｃｔｒｅｘ　ＰＥＳ”（いずれも中程度の耐熱性）、Ｃａｒｂｏｒｕｎｄｕｍ社のポリアリレート“Ｅｋｏｎｏｌ”（高耐熱性）」（１９頁右欄１９〜２２行）、及び、ＧＥ社から上市された「ポリイミドーエーテル“Ｕｌｔｅｍ”」（２０頁左欄１６〜１７行）が記載されている。
　
（７）甲第７号証
　甲第７号証（米国特許第５２０３０７６号明細書）には、フリップチップ素子に対するアンダーフィル材料の真空充填に関し、「基板（２０）に集積回路（１０）を取り付ける方法は、基板上に集積回路を電気的に相互接続する（１４）ことから始まる。次に、アンダーフィル材料（２２）のビードは、前記集積回路（１０）の周囲（２４）の近辺で、基板（２０）上に供給される。少なくとも部分的な真空（３４）が前記集積回路（１０）と前記基板（２０）の間の空間（１８）を実質的に吸引するために前記集積回路（１０）と前記基板（２０）間に印加される。最後に、流体圧力（４２）が前記集積回路（１０）と前記基板（２０）間の前記領域（１８）に少なくとも一部の前記アンダーフィル材料（２２）を強制的に注入するために適用される。」（要約の欄及び図１〜３）と記載され、そのアンダーフィル材料について、「この空間１８を満たすために、アンダーフィル材料、即ち、充填材２２がフリップチップ素子１０の周囲（４つの全側面２４）の全てから連続的に供給される。充填材は、適切な粘性のポリマからなる。」（２欄３９〜４３行）及び「典型的には、上記の工程段階の全てはポリマ充填材２２の粘性を減らしてその流動をより容易にするために加熱板上で行われる。」（２欄６０〜６３行）と記載されている。
　
（８）甲第８号証
　甲第８号証（特開平１−１９１４５７号公報）には、半導体装置に関するものが記載されており、そのうち、樹脂充填方法について、「第２図の実施例は・・・封止樹脂を配線基板３の上面側からポッティングし、ここで貫通穴６より真空引きして矢印Ｂのように上面側に供給した樹脂を吸引する。これによりフリップチップ１の周囲から封止樹脂がフリップチップ１と配線基板３との間に挟まれた狭い間隙内へ流動して充填し、・・・フリップチップ１を完全に覆った封止樹脂層５が形成されることになる。」（２頁左下欄１９行〜２頁右下欄６行及び第２図）と記載され、その貫通穴６について、「配線基板３にはあらかじめフリップチップ１を実装する指定箇所に貫通穴６が穿孔されている。」（２頁左下欄１〜３行）と記載されている。
　
［５］対比・判断
（１）本件第１発明について
　本件第１発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された「基板上の導電体パターン」、「半田リフロー加熱装置内で行われる相互接続」、及び、「外部接続用導電体」は、それぞれ本件第１発明における「基板上の対応するパッド」、「はんだリフロー・プロセスによって行われるはんだ接続」、及び、「パッド」に相当する。
　また、甲第３、４号証に、ベアチップ形のフリップチップ（本件第１発明における「集積回路チップ」に相当する。）が表面実装部品（甲第１号証に記載された「面実装型電子素子」に相当する。）に包含されることが記載されており、本件出願前周知の事項であることを考慮すると、甲第１号証に記載された「面実装型電子素子」は、本件第１発明における「集積回路チップ」に相当する。
　更に、甲第１号証に記載された面実装型電子素子（集積回路チップ）は、ホットメルト接着剤により基板上に固定されており、そのホットメルト接着剤の作用は、「基板に複数の電子素子を実装した以後に、実装ミスや故障した電子素子のみを、熱風、赤外線などにより半田の融点以上にリフロー加熱することにより、半田及びホットメルト接着剤を同時に再び溶融して、電子素子を容易に交換することが可能である。」というものであって、本件第１発明における「再加工可能な」に相当するものであるから、甲第１号証に記載された「面実装型電子素子を基板上に実装したもの」は、本件第１発明における「再加工可能な電子デバイス」に相当する。
　
　そうすると、両者は、「基板上の対応するパッドにはんだリフロー・プロセスによって行われるはんだ接続により電気的に接続されるパッドを有する集積回路チップを含む再加工可能な電子デバイスであって、はんだリフロー・プロセスによって行われる前記接続が前記チップ表面と前記基板表面との間に空間を生成するもの」である点で一致する。
　
　しかしながら、本件第１発明においては、「前記空間が前記集積回路チップの周囲付近の熱可塑性ポリマにより封止され、前記熱可塑性ポリマは、約１２０℃以上のガラス転移温度であり、かつはんだリフロー温度において劣化しない」としているのに対して、甲第１号証に記載された発明においては、集積回路チップが、第２の温度に加熱すると溶融する熱可塑性樹脂を主材とするホットメルト接着剤により基板に固定されている点で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、甲第１号証に記載された発明において、基板上の所定箇所に塗布した熱可塑性樹脂は、集積回路チップを基板に固定するために使用するものであって、本件第１発明のように、集積回路チップ表面と基板表面との間の空間を封止する必要はなく、しかも甲第１号証に記載された発明の実施例では、いずれも集積回路チップの中央部を熱可塑性樹脂の上に搭載させていることからみて、集積回路チップの周辺部を熱可塑性樹脂の上に搭載することはないと解するのが相当である。
　してみると、甲第１号証に記載された発明の半田リフロー加熱工程において、熱可塑性樹脂が集積回路チップ表面と基板表面との間の空間を封止するとしても、本件第１発明のように、集積回路チップの周辺部の熱可塑性樹脂がこの空間を封止するようなことはないものと認める。
　また、甲第１号証に記載された発明における熱可塑性樹脂は、再加工可能であるから、はんだリフロー温度において劣化しないものの、そのガラス転移温度については、甲第１号証全体の記載をみても、全く記載されていないから、甲第１号証に記載された発明における熱可塑性樹脂のガラス転移温度は不明である。
　してみると、甲第１号証には、本件第１発明における「熱可塑性ポリマは、約１２０℃以上のガラス転移温度であ」ることが記載されているということはできない。
　
　したがって、本件第１発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（２）本件第２発明について
　本件第２発明は、本件第１発明において、「前記熱可塑性ポリマのガラス転移温度は約２２０℃以下であり、前記熱可塑性ポリマは該ガラス転移温度乃至約３００℃では粘性液である」と、更に限定したものであるから、本件第１発明について述べたと同様の理由により、本件第２発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（３）本件第３発明について
　本件第３発明は、本件第２発明において、「前記熱可塑性ポリマのガラス転移温度が、約２００℃以下である」と、更に限定したものであるから、本件第２発明について述べたと同様の理由により、本件第３発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（４）本件第４発明について
　本件第４発明は、本件第１、第２又は第３発明において、「前記チップ周囲の前記はんだ接続の第１列が前記熱可塑性ポリマによりカプセル化される」と、更に限定したものであるから、本件第１、第２又は第３発明について述べたと同様の理由により、本件第４発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（５）本件第５発明について
　本件第５発明は、本件第１、第２又は第３発明において、「実質的に全ての前記はんだ接続がカプセル化される」と、更に限定したものであるから、本件第１、第２又は第３発明について述べたと同様の理由により、本件第５発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（６）本件第６発明について
　本件第６発明は、本件第１、第２又は第３発明において、「前記熱可塑性樹脂が、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート及びポリイミド・シロキサンを含むグループから選択される」と、更に限定したものであるところ、甲第５号証には、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリサルフォン（本件第６発明における「ポリスルフォン」に相当する。）が封止用の熱可塑性樹脂として使用されることが記載され、また甲第６号証には、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート、ポリイミド−エーテル（本件第６発明における「ポリエーテルイミド」に相当する。）が電子工業用プラスチックスとして使用されることが記載されている。
　しかしながら、甲第５、６号証は、集積回路チップ表面と基板表面との間に形成された空間の封止材として、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアリレートを用いることにより再加工可能な電子デバイスが得られることを周知の事項として示したものということはできない。
　したがって、本件第１、第２、第３発明が、甲第１号証に記載された発明でないことは既に述べたとおりであるから、甲第５号証及び甲第６号証を参酌しても、本件第６発明を、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（７）本件第７発明について
　本件第７発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載された「基板上の導電体パターン」、「半田リフロー加熱装置内で行われる相互接続」、及び、「外部接続用導電体」は、それぞれ本件第７発明における「相互接続基板上の対応するパッド」、「はんだリフロー・プロセスによって行われるはんだ接続」、及び、「パッド」に相当する。
　また、甲第３、４号証に、ベアチップ形のフリップチップ（本件第７発明における「集積回路チップ」に相当する。）が表面実装部品（甲第１号証に記載された「面実装型電子素子」に相当する。）に包含されることが記載されており、このことは本件出願前周知の事項であることを考慮すると、甲第１号証に記載された「面実装型電子素子」は、本件第７発明における「集積回路チップ」に相当する。
　更に、甲第１号証に記載された面実装型電子素子（集積回路チップ）は、ホットメルト接着剤により基板上に固定されており、そのホットメルト接着剤の作用は、「基板に複数の電子素子を実装した以後に、実装ミスや故障した電子素子のみを、熱風、赤外線などにより半田の融点以上にリフロー加熱することにより、半田及びホットメルト接着剤を同時に再び溶融して、電子素子を容易に交換することが可能である。」というものであって、本件第７発明における「再加工可能な」に相当するものであるから、甲第１号証に記載された「面実装型電子素子を基板上に実装したもの」は、本件第７発明における「再加工可能な集積回路チップ電子デバイス」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された「任意の面実装型電子素子４、５が、その端子電極４ｂ、リード端子５ｂ等の外部接続用導電体と、基板１の導電体パターン１ａ（本件第７発明における「相互接続基板上の対応するパッド」に相当する。）とが対応するように位置合わせして、基板１上に搭載される」工程と、「上記電子素子４、５を搭載した上記基板１を、耐熱ベルトなどの搬送手段により順次、予熱ゾーン、半田リフロー・ゾーン、冷却ゾーンを通過する周知の半田リフロー加熱装置内に入れる」工程の二つの工程、及び甲第１号証に記載された「面実装型電子素子表面と基板表面との間に、・・・空間（開口）が生成する」開口の形成は、本件第７発明における「前記集積回路チップと前記基板間の複数のはんだ接続により、前記基板上の前記対応するパッドに電気的に接続される前記集積回路チップを含み、前記チップ表面と前記基板表面との間に開口が存在する、集積回路チップ・アセンブリを提供する工程」に相当する。
　
　してみると、両者は、「相互接続基板上の対応するパッドにはんだリフロー・プロセスによって行われるはんだ接続により電気的に接続されるパッドを有する集積回路チップを含む、再加工可能な集積回路チップ電子デバイスを形成する方法であって、前記集積回路チップと前記基板間の複数のはんだ接続により、前記基板上の前記対応するパッドに電気的に接続される前記集積回路チップを含み、前記チップ表面と前記基板表面との間に開口が存在する、集積回路チップ・アセンブリを提供する工程」を含む点で一致する。
　
　しかしながら、本件第７発明においては、集積回路チップ電子デバイスをカプセル化（封止）するために、「熱可塑性樹脂を提供する工程と、前記チップの周囲付近に前記樹脂のビードを形成する工程と、前記熱可塑性樹脂を融解し、前記開口を前記融解熱可塑性樹脂により封止する工程と、前記熱可塑性樹脂を凝固させて、前記封止を形成する工程とを含み、前記熱可塑性ポリマは、約１２０℃以上のガラス転移温度であり、かつはんだリフロー温度において劣化しない」ものを使用しているのに対して、甲第１号証に記載された発明においては、集積回路チップを基板に固定するために、第２の温度で溶融する熱可塑性樹脂を主材とするホットメルト接着剤とはんだを基板上の所定箇所に塗布する工程と、上記基板上に集積回路チップを搭載する工程と、該チップを搭載した基板を加熱してホットメルト接着剤及びはんだを溶融する工程と、上記基板を冷却して、上記ホットメルト接着剤及びはんだを固化する工程とを設けたものである点で相違する。
　
　そこで、上記相違点について検討すると、本件第７発明を特定するために必要な事項のうち、この相違点に示した熱可塑性樹脂による封止とガラス転移温度については、甲第１号証に記載された発明とは相違するものであることは、前記「（１）本件第１発明について」の項において既に述べたとおりである。
　
　したがって、本件第７発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（８）本件第８発明について
　本件第８発明は、本件第７発明において、「前記チップ周囲の前記はんだ接続の第１列をカプセル化する」と、更に限定したものであるから、本件第７発明について述べたと同様の理由により、本件第８発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（９）本件第９発明について
　本件第９発明は、本件第７発明において、「実質的に全ての前記はんだ接続をカプセル化する」と、更に限定したものであるから、本件第７発明について述べたと同様の理由により、本件第９発明は、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（１０）本件第１０発明について
　本件第１０発明は、本件第７発明において、「前記熱可塑性樹脂が、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアリレート及びポリイミド・シロキサンを含むグループから選択される」と、更に限定したものであるところ、前記（６）本件第６発明についての項において述べたように、甲第５号証及び甲第６号証に記載された事項は、集積回路チップ表面と基板表面との間に形成された空間の封止材として、ポリスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリエーテルイミド、ポリアリレートを用いることにより再加工可能な電子デバイスが得られることを周知の事項として示したものということはできない。
　したがって、本件第７発明が、甲第１号証に記載された発明でないことは既に述べたとおりであるから、甲第５号証及び甲第６号証を参酌しても、本件第１０発明を、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできない。
　
（１１）本件第１１発明について
　本件第１１発明は、本件第７発明において、「Ｃ４接続の周囲での前記融解樹脂の流れを容易にするために真空を使用する」と、更に限定したものである。
　ところで、甲第７号証には、基板（本件第７発明における「相互接続基板」に相当する。）上に集積回路（本件第７発明における「集積回路チップ」に相当する。）を電気的に相互接続（本件第１１発明における「Ｃ４接続」に相当する。）し、次に、適切な粘性のポリマ（該ポリマは、加熱板上で加熱され、粘性を減らしてその流動を容易にしているから、本件第１１発明における「融解樹脂」に相当する。）が集積回路（集積回路チップ）の周囲の近辺で、基板（相互接続基板）上に供給され、少なくとも部分的な真空が前記回路と前記基板の間の空間（本件第７発明における「開口」に相当する。）を吸引するために印加され、最後に、流体圧力が前記空間（開口）に少なくとも一部の前記ポリマを強制的に注入するために適用されることが記載されている。
　また、甲第８号証には、封止樹脂（本件第１１発明における「融解樹脂」に相当する。）を配線基板（本件第７発明における「相互接続基板」に相当する。）の上側からポッティングし、前記基板に設けられた貫通穴より真空引きして上面側に供給した樹脂を吸引し、これによりフリップチップ（本件第７発明における「集積回路チップ」に相当する。）の周囲から封止樹脂（融解樹脂）が前記チップと前記基板との間の間隙（本件第７発明における「開口」に相当する。）内へ流動して充填し、前記チップを完全に覆った封止樹脂層が形成されることが記載されている。
　これら記載は、本件第１１発明における「Ｃ４接続の周囲での前記融解樹脂の流れを容易にするために真空を使用する」ことを開示乃至示唆しているものの、甲第７号証及び甲第８号証には、適切な粘性のポリマ及び封止樹脂の具体的な内容については全く記載されていないから、それらの内容は不明である。
　してみると、甲第７号証及び甲第８号証に記載された適切な粘性のポリマ及び封止樹脂は、本件第７発明を特定するために必要な事項である「熱可塑性ポリマは、約１２０℃以上のガラス転移温度であ」ることを開示したものとはいえない。
　そして、本件第７発明が、甲第１号証に記載された発明と全く異なっていることは既に述べたとおりであり、また、甲第７号証及び甲第８号証には、樹脂封止に真空を使用することが開示されているにすぎず、上記した本件第７発明を特定するために必要な上記事項については何ら開示されていないから、甲第１号証に記載された発明に甲第７、８号証に記載された発明を組み合わせて、本件第１１発明を当業者が容易に想到し得たものとすることはできない。
　そして、本件第１１発明は、「向上された機械的、電気的及び化学的信頼性を有するパッケージを含む、再加工可能な集積回路チップを形成する」（【０００８】欄２〜３行）という特許明細書に記載された効果を奏するものである。
　したがって、本件第１１発明は、甲第１、７、８号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（１２）本件第１２発明について
　本件第１２発明は、本件第７発明において、「前記熱可塑性樹脂が溶液である」と、更に限定したものであるから、本件第７発明について述べたと同様の理由により、本件第１２発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　なお、特許異議申立書３３頁１１〜２０行には、甲第６号証として特開平２−２４９２４５号公報が挙げられているが、該公報に記載されたものは、ボンディングワイヤどうしあるいはボンディングワイヤと、他の導電部との接触によるショート不良を防止することのできる樹脂被覆ボンディングワイヤ及びそれを用いた半導体装置に関するものであって、本件第１〜第１２発明における再加工可能なＣ４カプセル化集積回路チップに関するものと全く関係がないから、該公報が存在しても、上記各項における判断に何ら影響を与えるものではない。
　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件第１〜第１２発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１〜１２発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１０日（２００２．６．１０）