【事件の表示】
　特許第３１２３９２８号「磁気抵抗効果ヘッド」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１２３９２８号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成　８年　７月３１日
　設定登録（特許第３１２３９２８号）　　　　　平成１２年１０月２７日
　特許異議申立（伊東一幸）　　　　　　　　　　平成１３年　７月１３日
　
２　本件特許発明
　特許明細書に記載された特許請求の範囲請求項１〜３に係る発明は、その特許請求の範囲請求項１〜３に記載されたとおりの次のものである。
「【請求項１】　イ）磁気媒体に記録された情報を検出する磁気抵抗効果素子を含む中央能動領域と、ロ）この中央能動領域に隣接して設けられ前記磁気媒体表面のトラック幅方向のバイアス磁界を前記磁気抵抗効果素子に与える縦バイアス部を含む受動領域とを有する磁気抵抗効果ヘッドであって、ハ）前記受動領域の膜厚を中央能動領域の膜厚との差が小さくなるように設定することができるように、ニ）前記受動領域は、前記中央能動領域と隣接する部分において前記トラック幅方向に垂直な方向に一定の幅を有する部分を含み、ホ）その幅が前記中央能動領域の幅よりも大であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】  前記縦バイアス部は、永久磁石膜からなることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】  前記縦バイアス部は、軟磁性膜及び反強磁性膜が積層されてなることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッド。」
　ここで請求項１でのイ）〜ホ）は整理のための記号である。
　
３　特許異議申立人の主張
　特許異議申立人伊東一幸は、甲第１号証（特開平８−８７７２１号公報）、甲第２号証（特開平８−１６７１２４号公報）、甲第３号証（特開平７−９３７１４号公報）、甲第４号証（特開平８−１２４１２３号公報）及び甲第５号証（特開平７−６５３２８号公報）を提出し、請求項１に係る発明は、甲第１号証あるいは甲第２号証記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けられない発明であり、請求項２及び３に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けられない発明である。従って、請求項１〜３に係る特許は取り消されるべきであると主張している。
　
４　甲第各号証記載の発明
（１）甲第１号証（特開平８−８７７２１号公報）
　段落【００３０】 には、図１における、イ）中央（中心）能動領域１が磁気記録データを読みとるＭＲ膜１１を含むことが述べられ、段落【００３７】には、口）受動領域（端部受動領域）２、３が中央能動領域１に隣接して設けられＭＲ膜１１に磁気バイアスを加える磁区制御膜２１、３１を含むことが述べられている。さらに、図１には、二）受動領域２、３が中央能動領域１に隣接する部分において一定の幅を有する部分を含み、且つホ）その幅が中央能動領域１の幅よりも大であることが明示されている。
　また、段落【００４０】には、受動領域２、３に含まれる磁区制御膜２１、３１とりード導線膜２２、３２とが同一形状として積層可能であることが示唆されている。
（２）甲第２号証（特開平８−１６７１２４号公報）
　段落【００２８】には、図３及び５における、イ）ＭＲ素子（中央能動領域）４が磁気抵抗薄膜４ｃを含むこと、及び口）縦バイアス層９がＭＲ素子の両側に積層されることが述べられ、段落【０００５】には、縦バイアス層９が検出電流を導通させる電極の役割を果たすことが述べられている。さらに、図３及び５には、二）受動領域（電極の役目も有する縦バイアス層９）が中央能動領域（ＭＲ素子４）に隣接する部分において一定の幅を有する部分を含み、且つホ）その幅が中央能動領域１の幅よりも大であることが明示されている。
（３）甲第３号証（特開平７−９３７１４号公報）
　段落【００１３】には、図１における、イ）本件発明における中央能動領域に相当する部分が、軟磁性膜５、中間層６及びＭＲ膜７からなること、及び口）受動領域に相当する部分が硬質磁性膜層８及びリード層９からなることが述べられている。さら図２には、二）硬質磁性膜層（縦バイアス部）８が中央能動領域に隣接する部分において一定の幅を有する部分を含み、ホ）且つその幅が中央能動領域に相当する部分の幅よりも大であることが明示されている。
　また、段落【００１１】においてＭＲ膜の磁区を制御するために、すなわち縦バイアスを与えるために種々の硬質磁性膜（永久磁石膜）が用い得ることが述べられている。
（４）甲第４号証（特開平８−１２４１２３号公報）
　段落【００１４】 ４乃至７行目に、図３にも示されるように本件発明における受動領域に対応する部分において、永久磁石膜（ＣｏＣｒＰｔ 膜）７０を用いることが述べられている。
（５）甲第５号証（特開平７−６５３２８号公報）
　段落【０００２】において、磁気抵抗膜に一方向磁気異方性を付与する方法（縦バイアスを与える方法）として、従来より、反強磁性膜と軟磁性膜を直接接して積層させ、これら膜の交換作用により生じる磁界を用いる方法があることが述べられている。
４　本願発明と引用刊行物との対比
（１）請求項１について
　請求項１の構成である「受動領域の膜厚を中央能動領域の膜厚との差が小さくなるように設定することができるように、前記受動領域は、前記中央能動領域と隣接する部分において前記トラック幅方向に垂直な方向に一定の幅を有する部分を含み、その幅が前記中央能動領域の幅よりも大であること」のうちの整理したハ）の「受動領域の膜厚を中央能動領域の膜厚との差が小さくなるように設定することができるように」の記載は、甲第１号証〜甲第５号証にはされていない。
　そして、「受動領域の膜厚を中央能動領域の膜厚との差が小さくなるように設定することができるように」することで、「受動領域は、前記中央能動領域と隣接する部分において前記トラック幅方向に垂直な方向に一定の幅を有する部分を含み、その幅が前記中央能動領域の幅よりも大であること」の構成の技術的意義が示され、即ち、受動領域の膜厚を中央能動領域の膜厚との差が小さくなるように設定することができるようにということは、【００２１】の記載を見ると、縦バイアス磁界が減ずることがないようにということであり、受動領域と中央能動領域の幅の大小と、膜厚の差が決められるので、単に受動領域の幅が中央能動領域の幅よりも大である構成とは、区別される。
　従って、特許異議申立人伊東一幸の、「当該文言は、単に本件請求項１に係る発明を実施することによって得られるであろう希望乃至目的、即ち課題について述べたものであって、これを機能的特徴で有るかの如く記載したものであるとしか解釈できない。また、後述するようにこの課題に関しても、従来技術にて既に解決された構成が開示されており、課題自体にも明瞭な新規性は認められない。以上に述べたように、ハ）として記述された文言を、発明を構成する技術要素として考慮すべき合理的理由がないことから、これを当該請求項１に係る発明の構成要素から排除した上で引例との対比を行うべきである。」という主張は認められない。
　してみると、請求項１に係る発明は、甲第１号証または甲第２号証記載の発明と同一であるということはできない。
　異議申立人主張の請求項１に係る取消理由は、理由がない。
　
（２）請求項２，３について
　請求項２，３は請求項１を引用する従属形式の発明であり、上記（１）で検討したように、甲第１号証〜甲第５号証には、請求項１の構成である「受動領域の膜厚を中央能動領域の膜厚との差が小さくなるように設定することができるように、前記受動領域は、前記中央能動領域と隣接する部分において前記トラック幅方向に垂直な方向に一定の幅を有する部分を含み、その幅が前記中央能動領域の幅よりも大であること」のうちの「受動領域の膜厚を中央能動領域の膜厚との差が小さくなるように設定することができるように」の記載は、されていない。
　また、この構成が、甲第１号証〜甲第５号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることもできない。
  異議申立人主張の請求項２，３に係る取消理由は、理由がない。
　
５　まとめ
　異議申立人主張の取消理由は、理由がないものであり、また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月２９日（２００２．１．２９）