【事件の表示】
　特許第３１４５０８１号「非接触データキャリアの製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４５０８１号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１４５０８１号の請求項１ないし４に係る発明についての出願は、平成１１年２月１９日に特許出願され、平成１３年１月５日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人押谷泰紀より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１月２５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
ア．訂正事項ａ
（ａ−１）特許請求の範囲の請求項１を削除する。
（ａ−２）同請求項２の見出しの【請求項２】を【請求項１】と訂正する。
（ａ−３）同請求項３に
「【請求項３】　前記保護層が、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面及び側面に形成された封止樹脂膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の非接触データキャリアの製造方法。」とあるのを、
「【請求項２】　前記樹脂保護層が、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面及び側面に形成された封止樹脂膜であることを特徴とする請求項１記載の非接触データキャリアの製造方法。」と訂正する。
（ａ−４）同請求項４に
「【請求項４】　前記樹脂保護層が、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面に貼着された樹脂薄板であることを特徴とする請求項１又は２記載の非接触データキャリアの製造方法。」
とあるのを、
「【請求項３】　前記樹脂保護層が、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面に貼着された樹脂薄板であることを特徴とする請求項１記載の非接触データキャリアの製造方法。」
と訂正する。
　
イ．訂正事項ｂ
（ｂ−１）明細書の【００１０】を、
「【００１０】
【課題を解決するための手段】
　裏面に保護層が形成された３０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキャリアの製造方法であって、複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで研磨する工程と、前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程と、前記シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程と、前記シリコンウエハをダイシングして裏面に樹脂保護層が形成されたＩＣチップを得る工程と、前記ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する工程と、前記樹脂保護層上に前記アンテナコイルの形成された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを載置し貼着する工程とを具備することを特徴とする。」
と訂正する。
（ｂ−２）同【００１１】を削除する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否
ア．訂正事項ａについて
（ａ−１）特許請求の範囲の請求項１を削除した点は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（ａ−２）同請求項２の見出しの【請求項２】を【請求項１】と訂正した点は、特許請求の範囲の請求項１を削除したことに伴うものであり、実質的な変更ではない。
（ａ−３）同請求項３を請求項２と訂正し、引用を「請求項１又は２」から「請求項１」と訂正した点は、特許請求の範囲の請求項１を削除したことにより、請求項２が請求項１に繰り上がったことに伴うものであり、実質的な変更ではない。
　また、「前記保護層」を「前記樹脂保護層」と訂正した点は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（ａ−４）同請求項４を請求項３と訂正し、引用を「請求項１又は２」から「請求項１」と訂正した点は、特許請求の範囲の請求項１を削除したことにより、請求項２が請求項１に、請求項３が請求項２に繰り上がったことに伴うものであり、実質的な変更ではない。
　よって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
イ．訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａで特許請求の範囲の訂正を行ったことに伴い、課題を解決するための手段の記載が不整合とならないように明りょうにすることを目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立ての理由の概要
　異議申立人押谷泰紀は、証拠として、甲第１号証（特開平９−２６３０８２号公報）、甲第２号証（特開昭６３−８６４５８号公報）、甲第３号証（特開昭６３−１１７４４５号公報）、及び甲第４号証（「半導体製造装置用語辞典」日本半導体製造装置協会編、昭和６２年１１月２０日発行）を提出し、本件請求項１ないし４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、特許を取り消すべき旨主張している。
　
４．本件発明
　特許第３０８８８０１号の請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１ないし３」という。）は、訂正明細書の請求項１ないし３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　裏面に保護層が形成された３０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキャリアの製造方法であって、複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで研磨する工程と、前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程と、前記シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程と、前記シリコンウエハをダイシングして樹脂保護層が形成されたＩＣチップを得る工程と、前記ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する工程と、前記保護層上に前記アンテナコイルの形成された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを載置し貼着する工程とを具備することを特徴とする非接触データキャリアの製造方法。
【請求項２】　前記樹脂保護層が、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面及び側面に形成された封止樹脂膜であることを特徴とする請求項１記載の非接触データキャリアの製造方法。
【請求項３】　前記樹脂保護層が、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面に貼着された樹脂薄板であることを特徴とする請求項１記載の非接触データキャリアの製造方法。」
　
５．本件発明１について
５−１．引用刊行物
　当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物１（甲第１号証：特開平９−２６３０８２号公報）、刊行物２（特開平１０−１１２４６８号公報）、刊行物３（特開平９−２３７８０６号公報）、刊行物４（甲第２号証：特開昭６３−８６４５８号公報）、刊行物５（甲第３号証：特開昭６３−１１７４４５号公報）には、それぞれ、次の事項が記載されている。
［刊行物１］
Ａ．「本発明によるＩＣモジュールの製造方法は、集積回路が実装されるＩＣモジュールを補強して製造するＩＣモジュールの製造方法において、前記集積回路を基板に実装した後、この実装部の少なくとも片面に補強板を配置することを特徴とする。」（第３頁左欄第２２〜２６行）
Ｂ．「【００１７】本実施形態で説明するＩＣモジュールは、実装部に集積回路（以下、「ＬＳＩ」という。）と、不図示のチップコンデンサとを有し、さらにこの実装部に不図示のアンテナコイルが半田付けにより電気的に接続されて無線モジュール化が成されるものである。また、このＩＣモジュールは、例えば厚さ０．７６ｍｍのカードに内蔵されて非接触型ＩＣカードに適用されるようになっているものである。
【００１８】図１及び図２は、ＬＳＩをＴＡＢ方式で実装した場合のＩＣモジュールの補強、製造方法を説明するためのものであり、これらの図ではＬＳＩの実装部のみを示している。尚、図１は補強前のＬＳＩ実装部であり、図２は、補強後のＬＳＩ実装部を示している。
【００１９】図１に示したように、ＴＡＢ方式によるＬＳＩ実装部は、基板２（ポリイミド１２５μｍ厚）と導体による配線パターン１（銅箔／すずメッキ、２５μｍ厚）とが接着されたＴＡＢテープを有しており、さらにＬＳＩ５（２５０μｍ厚）が、配線パターン１にバンプ４（１８μｍ厚）を介して電気的に接続されて構成されている。また、ＬＳＩ実装部は、ＬＳＩ５の表面の保護として熱硬化型の樹脂からなる封止剤３で封止されている。
【００２０】このような実装状態においては、ＬＳＩ５の裏面がむき出しであるため、ＬＳＩ５の実装部は機械的ストレスに対し弱い。
【００２１】そこで、本発明では、図２に示したようにＬＳＩ５の裏面に補強板として厚さ２０μｍのステンレス箔（ＳＵＳ箔）６を接着した。これにより、ＬＳＩ実装部の曲げ強度は約２倍となる。尚、ＳＵＳ箔６とＬＳＩ５の接着は熱硬化型の接着剤を採用している。
【００２２】このＬＳＩ５の裏面への補強板の接着は、上記のようにＬＳＩ５の実装後に行ってもよいし、ＬＳＩ５が実装される前のベアチップ状態のときにＬＳＩ５の裏面へ直接ＳＵＳ箔６を接着するようにしてもよい。」（第３頁右欄第２２行〜第４頁左欄第５行、及び図１、２参照）
Ｃ．「【００２３】図３は、ＬＳＩ５が実装される前のベアチップ状態のときにＬＳＩ５の裏面へ直接ＳＵＳ箔６を接着して補強を行い、ＩＣモジュールを製造する方法を示すものである。
【００２４】この製造方法は、複数のＬＳＩ５がウェハ形状１１のまま転写されている第１の転写シート１０ａと、この複数のＬＳＩ５に対応してＳＵＳ箔６が転写されている第２の転写シート１０ｂとを重ねて加圧し、さらに熱硬化型の接着剤で接着した後、接着された両シートを剥離しＬＳＩ５単体に分離するというものである。尚、上記の両転写シートには、例えば弱粘性のあるシリコンシート等が用いられる。
【００２５】この製造方法において、第１の転写シート１０ａに転写される複数のＬＳＩ５は、ウェハに形成された複数のＬＳＩ５がダイシング工程により個々のＬＳＩ５のサイズにカットされたものであるが、転写時には個々の形状にカットされたＬＳＩ５がウェハ形状１１からくずれないように転写されるようになっている。
【００２６】一方、第２の転写シート１０ｂに転写されるＳＵＳ箔６は、エッチングによりＬＳＩ５より若干小さい形状に形成されたものであり、このとき、ＬＳＩ５に対応してＳＵＳ箔６の個々の配置場所はＬＳＩ５と一致する場所に配置されるようになっている。
【００２７】図４及び図５は、この製造方法により補強されたＬＳＩ５の補強部を示すものである。これらの図に示したように、ＳＵＳ箔６は、例えばＬＳＩ５より若干小さい四角形のＳＵＳ箔６ａ又は円形のＳＵＳ箔６ｂとしてＬＳＩ５に接着される。
【００２８】このような製造方法によれば、ＬＳＩ５の実装後に実装部を１つ１つ補強する必要がなく、多数のＬＳＩ５を１度に補強して製造できるため効率がよい。尚、上記ではダイシング工程後のＬＳＩ５にＳＵＳ箔６を接着補強したが、ダイシング工程前にこの接着補強を行ってもよい。」（第４頁左欄第６〜３９行、及び図３〜５参照）
Ｄ．「【００４３】図１１は、ＩＣモジュールを積層方法によりカード化する段階でＩＣカードを補強して製造する方法を説明するための説明図である。
　・・・（中略）・・・
【００４５】次に、図１１の（ｂ）に示したように、カードの表裏外形となるカード基材としての表シート（ＰＥＴシート）１２と裏シート（ＰＥＴシート）１３との間に上記第一段階の充填・硬化を終えた平坦なシートをはさみ、その隙間に例えば熱硬化樹脂からなる第２の充填樹脂１６を流し込み、両シートを熱と圧力により硬化させ一体化させる。最後に、所定の切断位置１７で切断を行いＩＣカードを成型する。
【００４６】上記のような工程を経てカード化が成されるわけだが、この工程において、ＳＵＳ箔６を表裏シート１２及び１３のどちらか少なくとも一方に事前に接着しておくことでＩＣカードの補強を行うことができる（図１１では、表シート１２側に接着した）。また、このＳＵＳ箔６の接着は、ＬＳＩ実装部に対応するところに行われ、これによりカード化後のＬＳＩ実装部にＳＵＳ箔６が配置されるので、ＬＳＩ実装部の強度が向上する。
【００４７】尚、上記では、ＳＵＳ箔６を表シート１２に接着したが、このＳＵＳ箔６をシートに接着せずに、積層間にはさんでおくだけでも同様な効果が得られる。また、ＳＵＳ箔６は充填樹脂１４による第１段階の充填・硬化を行う前にＬＳＩ実装部上に配置するようにしてもよい。
【００４８】この場合、図１２に示したように、実装部に配置されたＳＵＳ箔６が充填樹脂１４を充填する際に充填樹脂１４によって流されないようにするために、ＳＵＳ箔６の形状を部分的にＬＳＩ実装部の形状に合わせ、実装部に係止するようにするとよい。これにより確実にＳＵＳ箔６がＬＳＩ実装部に配置されて補強効果が得られる。」（第５頁左欄第１〜３９行、及び図１１、１２参照）
　
　上記Ｃに記載の「ＩＣモジュールを製造する方法」において、ＬＳＩ５にアンテナコイルを接続する工程は示されていないが、上記Ｂの記載に「この実装部に不図示のアンテナコイルが半田付けにより電気的に接続されて無線モジュール化が成されるものである。」とあり、ＬＳＩ５にアンテナコイルを接続する工程は当然存在するものと認められる。
　また、上記Ｃの記載に「尚、上記ではダイシング工程後のＬＳＩ５にＳＵＳ箔６を接着補強したが、ダイシング工程前にこの接着補強を行ってもよい。」とあり、上記刊行物１に記載のものは、カット前のウエハ段階で接着補強する工程を行うことを含むものと認められる。
　そして、上記Ｂの記載に「ＬＳＩ５（２５０μｍ厚）が、配線パターン１にバンプ４（１８μｍ厚）を介して電気的に接続されて構成されている。」とあり、上記刊行物１に記載のものは、少なくとも、バンプを形成する工程は存在するものと認められる。
　さらに、上記Ｄの記載、及び図１２を参照すると、ステンレス箔６の上にＰＥＴシート１２を載置しており、図２の構造のものに対しても、同様にＰＥＴシートを載置することが可能であると解される。
　よって、上記Ａ〜Ｄの記載、及び図１〜５を参照すると、上記刊行物１には、次の発明が記載されているものと認められる。（以下、「刊行物１記載の発明」という。）
　裏面にステンレス箔を接着した２５０μｍ厚のＬＳＩ５がアンテナコイルと接続されて構成された非接触型ＩＣカードの製造方法であって、複数のＬＳＩ５が形成されたウエハの裏面にステンレス箔を接着する工程と、バンプを形成する工程と、前記ウエハをダイシングして裏面にステンレス箔が接着されたＬＳＩ５を得る工程と、ＬＳＩ５とアンテナコイルとを接続する工程と、ステンレス箔上にＰＥＴシートを載置し貼着する工程とを具備する非接触型ＩＣカードの製造方法。
　
［刊行物２］
Ａ．「本発明はチップ型半導体装置の製造方法に係り、特に半導体素子を内蔵したチップ型半導体装置の製造方法に関する。」（第２頁右欄第２４〜２６行）
Ｂ．「図１は本発明になるチップ型半導体装置の製造方法の一実施の形態の各工程説明用斜視図、図２は図１の補足説明図を示す。この実施の形態では、まず、図１（ａ）に示すように、表面に多数の半導体素子２が形成された半導体ウェハ１を用意する。この半導体素子２には図２（ａ）に示すように電極３が形成されている。次に、この半導体素子２の電極３の上に図１（ｂ）及び図２（ｂ）に示すように、メタルバンプ４を形成する。メタルバンプ４は、通常は金ワイヤによるボールバンプ法や半田バンプを印刷する方法にて形成するが、他の方法でメタルバンプを形成してもよい。
　・・・（中略）・・・　　　
【００２１】図１（ｄ）に示すように、半導体ウェハ１と絶縁性基板５を上記のように貼り合わせた後、半導体ウェハ１のみを半導体素子２’の大きさに切断する。すなわち、オリエンテーションフラット８と外周で位置決めされた半導体ウェハ１のみを、半導体素子２の位置座標データを用いて切断位置を決めて切断していく。切断にはダイシングソーを用いるが、ダイシング溝９の溝幅（切断幅）は広め（約６０μｍ）にとる。
【００２２】次に、図１（ｅ）に示すように、ダイシング溝９で区分された半導体素子２’を被うように封止用の液状の樹脂１０を流し込んで樹脂１０を硬化させる。この樹脂１０には、熱硬化プロセスあるいは光硬化プロセスで硬化するものを用いる。
【００２３】次に、図１（ｆ）に示すように、樹脂１０を絶縁性基板５と共に個々の部品に分離するように切断する。このときのダイシング溝９’の溝幅は図１（ｄ）に示したダイシング溝９の溝幅よりも細く（例えば約２０μｍ）なるようにする。
【００２４】このようにして切断された個々の部品のそれぞれは、図３の一部切截斜視図に示すように、樹脂１０による外側面がダイシング溝９’による切断面１１であり、切断された絶縁性基板５’上に半導体素子２が搭載されたチップ型半導体装置１２を構成する。また、半導体素子２の外側面はダイシング溝９により定められる。」（第３頁右欄第３５行〜第４頁左欄第４８行、及び図１〜３参照）
　
［刊行物３］
「【００２１】図５は、本発明の第３の実施例を示すものである。本実施例は、バンプ電極を有するウェハ面側へのみ樹脂を塗布することにより生じるウェハの反りを防止するため、ウェハの裏面にも樹脂層１１を形成することを特徴とする。この裏面樹脂１１は、熱可塑性樹脂でも熱硬化性樹脂でもよい。熱可塑性の樹脂を用いた場合は、リフロー時に樹脂が溶融・流動して半導体チップ５の４つの側面を被う効果をさらに有する。」（第４頁左欄第４４行〜右欄第１行、及び図５参照）
　
［刊行物４］
「複数の電極パッドをバンプメッキ用の電極パターンで導通させ、この電極パターンにメッキ用電極を導通させ、このメッキ用電極を介したメッキにより前記各電極パッドにバンプを生成させた後、ダイシングしてバンプ付ＩＣチップを分割形成することを特徴とするバンプ付ＩＣチップの製造方法。」（第１頁左下欄第６〜１２行）
　
［刊行物５］
「・・・パッケージの薄型化を図るためにＩＣチップ厚は薄いことが望ましい。
　そこで半導体ウェハーにＩＣを形成した後に半導体ウェハー裏面の研磨を行ない、ウェハーの状態でＩＣの薄型化加工を行なっている。」（第１頁右下欄第３〜７行）
　
５−２．対比・判断
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、まず、刊行物１記載の発明における「ＬＳＩ５」、「ウエハ」、「ＰＥＴシート」は、本件請求項１に係る発明における「ＩＣチップ」、「シリコンウエハ」、「第２の樹脂シート」に対応する構成であり、また、刊行物１記載の発明における「ＬＳＩ５」にも、当然、対応する回路パターンが形成されているものと認められる。
　次に、刊行物１記載の発明における「ステンレス箔」と、本件発明１における「樹脂保護層」とは、ともに保護部材であるということができる。
　また、刊行物１記載の発明における「非接触型ＩＣカード」も、本件発明１にいう「非接触データキャリア」の一種であるということができる。
　さらに、本件発明１においては、「ＩＣチップがフリップチップ実装方法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキャリア」とされ、「ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する」とされているが、ＩＣチップとアンテナコイルとが接続されていることには変わりなく、これは、刊行物１記載の発明において、ＬＳＩ５とアンテナコイルとが接続されていることに対応する事項である。
　したがって、本件発明１と刊行物１記載の発明とは、
　裏面に保護部材が設けられたＩＣチップがアンテナコイルと接続されて構成された非接触データキャリアの製造方法であって、複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面に保護部材を設ける工程と、バンプを形成する工程と、前記シリコンウエハをダイシングして裏面に保護部材が設けられたＩＣチップを得る工程と、ＩＣチップとアンテナコイルとを接続する工程と、前記保護部材上に樹脂シートを載置し貼着する工程とを具備する非接触データキャリアの製造方法
である点で一致し、次の点が相違する。
　相違点（１）：「ＩＣチップ」の厚さが、本件発明１においては、「３０〜２５０μｍ」であるのに対し、刊行物１記載の発明においては、「２５０μｍ」である点。
　相違点（２）：ＩＣチップとアンテナコイルとを接続する方法が、本件発明１においては、「フリップチップ実装方法」を用いて、「ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する」のに対し、刊行物１記載の発明においては、フリップチップ実装方法を用いてＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装するとはされていない点。
　相違点（３）：本件発明１においては、「複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで研磨する工程」が設けられているのに対し、刊行物１記載の発明においては、そのような工程が設けられていない点。
　相違点（４）：ＩＣチップの裏面に保護部材を設ける方法が、本件発明１においては、「シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する」のに対し、刊行物１記載の発明においては、「ウエハの裏面にステンレス箔を接着する」点。
　相違点（５）：バンプを形成する工程が、本件発明１においては、「シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程」と「シリコンウエハをダイシングして樹脂保護層が形成されたＩＣチップを得る工程」の間に「シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程」として存在するのに対し、刊行物１記載の発明においては、バンプを形成することは明らかであるが、その工程はどのように存在するのかが明らかでない点。
　相違点（６）：保護部材上に樹脂シートを載置し貼着する工程が、本件発明１においては、「前記保護層上に前記アンテナコイルの形成された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを載置し貼着する工程」であるのに対し、刊行物１記載の発明においては、アンテナコイルが図示されていないので、アンテナコイルの形成された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを載置し貼着すると解することはできない点。
　
　次に、上記各相違点について検討する。
［相違点（１）について］
　刊行物１記載の発明におけるＬＳＩ５の「２５０μｍ」という厚さは、本件発明１におけるＩＣチップの「３０〜２５０μｍ」という厚さに包含されるものであり、また、本件発明１と刊行物１記載の発明の上記厚さは、ともに薄型化を指向して設定されたものであり、しかも、本件発明１における「３０〜２５０μｍ」という範囲に格別な臨界的意義があるものとは認められないから、「ＩＣチップ」の厚さを「３０〜２５０μｍ」とすることは、当業者が適宜に設計できる事項にすぎないものと認められる。
　
［相違点（２）について］
　ＩＣチップの実装方法において、「フリップチップ実装方法」は周知であるが、刊行物１の図２に示されるＬＳＩ５と配線パターン１とがバンプ４を介して接続されている構造は、ＴＡＢ方式により実装された構造である。
　そして、刊行物１においては、「実装部に不図示のアンテナコイルが半田付けにより電気的に接続されて無線モジュール化が成される」とされており、「ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する」ことは、記載も示唆もなされていない。
　してみると、たとえ、ＩＣチップの実装方法において、「フリップチップ実装方法」が周知であるからといって、刊行物１記載の発明において、ＬＳＩ５とアンテナコイルとを接続する方法として、「フリップチップ実装方法」を採用し、「ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する」ようにすることが、直ちに当業者が適宜になし得た事項であるとすることはできない。
　 
［相違点（３）について］
　ＩＣチップの製造工程において、ウエハ段階でその裏面を研磨して薄型化加工を行うことは、上記刊行物５等に記載されている事項にすぎないから、単に「複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで研磨する工程」を設けることは、当業者が適宜になし得る事項であるものと認められるものの、該工程の直後に「前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程」を設けることにより、薄型化加工を施されたシリコンウエハが直後に適切に保護されるという効果が期待できることから、「前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程」の直前に「複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで研磨する工程」を設けることが、直ちに当業者が適宜になし得た事項であるとすることはできない。
　
［相違点（４）について］
　ＩＣチップの裏面に保護部材を設ける方法として、ウエハ状態でその裏面に樹脂保護層を形成するようにすることは、上記刊行物２、３等に記載されている事項にすぎないから、刊行物１記載の発明において、ウエハの裏面にステンレス箔を接着する代わりに、ウエハの裏面に樹脂保護層を形成するようにすることは、当業者が適宜に設計できる事項にすぎないものと認められる。
 
［相違点（５）について］
　ＩＣチップの製造工程において、ダイシング前のウエハ段階でウエハの所定位置にバンプを形成することは、上記刊行物２〜４等に記載されている事項にすぎないが、上記刊行物２、３に記載のものは、バンプを形成してから裏面保護層を形成するようにしているのに対し、本件発明１においては、「前記シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程」の前に「前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程」を設けている。
　そして、「前記シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程」の前に「前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程」を設けているということは、とりもなおさず、該「前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程」が「複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで研磨する工程」の直後に設けられていることに他ならず、相違点（３）で検討したように、このことによって、薄型化加工を施されたシリコンウエハが直後に適切に保護されるという効果が期待できる。
　よって、バンプを形成する工程を、「シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程」と「シリコンウエハをダイシングして裏面に樹脂保護層が形成されたＩＣチップを得る工程」の間に「シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程」として設けるようにすることが、直ちに当業者が適宜になし得た事項であるとすることはできない。
　
［相違点（６）について］
　相違点（２）で検討したように、刊行物１記載の発明において、ＬＳＩ５とアンテナコイルとを接続する方法として、「フリップチップ実装方法」を採用し、「ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する」ようにすることが、直ちに当業者が適宜になし得た事項であるとすることはできないから、アンテナコイルが図示されていない刊行物１の記載をもって、「前記保護層上に前記アンテナコイルの形成された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを載置し貼着する工程」を設けることが、直ちに当業者が適宜になし得た事項であるとすることはできない。
　
　以上のとおり、上記相違点（１）、（４）は、当業者が適宜に設計できる事項にすぎないものと認められるが、上記相違点（２）、（３）、（５）、（６）は、直ちに当業者が適宜になし得た事項であるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、その必須の要件とする上記各工程を採用することにより、「本発明により得られた非接触データキャリアは、フリップチップ実装された薄型のＩＣチップ裏面に、封止樹脂や樹脂薄板からなる裏面保護層が設けられているので、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性が向上する。この結果、ＩＣチップ１０の欠損が少なくなり、信頼性の高い非接触データキャリアを提供できる。そして、本発明の非接触データキャリアの製造方法によれば、シリコンウエハの裏面及び側面を樹脂封止する、あるいは樹脂薄板を貼り合わせた後にダイシングすることにより、ＩＣチップを得ることにしているので、安価にしかも厚みを増すことなく薄膜状の裏面保護層を形成できる。この結果、耐衝撃性を向上させた非接触データキャリアを安価にしかも簡単な方法で作製できる。」という明細書記載の効果を得ることができるものと認められる。
　よって、本件発明１は、上記刊行物１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　なお、異議申立人の提出した甲第４号証刊行物は、単に「フリップチップボンディング」及び「フェイスダウンボンディング」という用語が何を意味するかを説明するものであり、甲第４号証刊行物の記載を考慮しても、本件発明１は、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
６．本件発明２、３について
　本件発明２、３は、本件発明１における「樹脂保護層」を限定したものであるから、本件発明１と同様に、上記刊行物１〜５に記載された発明、及び甲第４号証刊行物の記載に基いて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月５日（２００２．２．５）
【訂正の要旨】
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、以下の訂正を行う。
（ａ−１）特許請求の範囲の請求項１を削除する。
（ａ−２）同請求項２の見出しの【請求項２】を【請求項１】と訂正する。
（ａ−３）同請求項３に
「【請求項３】　前記保護層が、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面及び側面に形成された封止樹脂膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の非接触データキャリアの製造方法。」とあるのを、
「【請求項
２
樹脂
１記
（ａ−４）同請求項４に
「【請求項４】　前記樹脂保護層が、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面に貼着された樹脂薄板であることを特徴とする請求項１又は２記載の非接触データキャリアの製造方法。」とあるのを、
「【請求項
３
１記
イ．訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、以下の訂正を行う。
（ｂ−１）明細書の【００１０】を、
「【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　裏面に保護層が形成された３０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキャリアの製造方法であって、複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面を上記厚み範囲まで研磨する工程と、前記シリコンウエハの裏面に樹脂保護層を形成する工程と、前記シリコンウエハの所定位置にバンプを形成する工程と、前記シリコンウエハをダイシングして裏面に樹脂保護層が形成されたＩＣチップを得る工程と、前記ＩＣチップを第１の樹脂シート上に形成されたアンテナコイル上にフェイスダウンでマウントして実装する工程と、前記樹脂保護層上に前記アンテナコイルの形成された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを載置し貼着する工程とを具備することを特徴とする。」と訂正する。
（ｂ−２）同【００１１】を削除する。
（５４）【発明の名称】
非接触データキャリアの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　
【請求項１】
　【請求項
２
樹脂
１記
　【請求項
３
１記
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は非接触データキャリアの製造方法に関する。具体的には、ＩＣチップを主な内部部品として持ち、非接触で外部装置との間で信号を送受信する非接触データキャリアの製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】　非接触データキャリアシステムは、非接触データキャリアと呼ばれる応答器と、ホスト側に接続される質問器とで構成され、これら応答器と質問器との間で、磁気、誘導電磁界、マイクロ波（電波）などの伝送媒体を介して非接触で交信を行う点を特徴としている。
　【０００３】このシステムは、応答器をさまざまな個体（物品）に取付け、その個体に関する情報を質問器により遠隔的に読み取ってホストに提供し、個体に関する情報処理を実現するものである。
　【０００４】図４はこのような非接触データキャリアの一例を示す図であって、同図（ａ）は当該非接触データキャリアの平面構成図、同図（ｂ）はそのＩＣ実装部の断面構成図である。応答器（非接触データキャリア）は、質問器との間で信号を送受信するためのアンテナコイル１と、ホスト側と交信をなうためのＩＣチップ（回路部品）を主体として構成され、耐久性・耐環境性を考慮して、通常、アンテナコイル１やＩＣチップ１０などの内部部品を２枚の樹脂シート２に挟み込むことによって気密に封止した構造を有している。
　【０００５】当該非接触データキャリアは、種々な個体に取り付けられることなどから、近年薄型化が要求されており、アンテナコイル１として樹脂シート２上の形成された金属薄膜から作製されたものが用いられている。また、当該アンテナコイル１上にはＩＣチップ１０が、金製のバンプ１１を介して当該アンテナコイル１上に実装される。
　【０００６】この非接触データキャリアにおいては、より薄型化を実現するために、薄型のＩＣチップ１０、例えば、概ね３０〜２５０μｍ以下の厚さのものが用いられる。この非接触データキャリアを得るには、その最終厚みに応じてＩＣチップ１０の裏面を研磨して薄くし、フリップチップ法によってアンテナコイル１の接続パッド面と接合する方法が採用されるのが一般的である。このフリップチップ法としては、異方性導電ペーストや異方性導電シートによる熱圧着法、はんだ接合後に接合面に樹脂を充填する方法等を挙げることができる。こうして、ＩＣチップ１０の表面（接合面）側においては、アンテナコイル１との接合面を保護する接合層３が形成される。
　【０００７】ところで、通常ＩＣチップ１０の表面（接合面）は前記接合層３によって保護されているが、ＩＣチップ１０の裏面は上記したように研磨が施されているためにシリコンウエハそのものが露出された状態になっている。従って、上記非接触データキャリアにおいては、ＩＣチップ１０の裏面は、非接触データキャリアの表層を構成する１枚の樹脂シート２及び当該樹脂シート２とＩＣチップ１０を接着するフレキシビリティのある接着剤層４とによってのみ保護されているだけである。このために、点圧や点衝撃に対する耐性が極端に弱く、ＩＣチップ１０が欠ける、割れるなどの不良が発生しやすいという問題点があった。
　【０００８】かかる問題点を解決するためには、フリップチップ実装後にＩＣチップ１０全体を樹脂封止して、ＩＣチップ１０の裏面側を保護することが考えられる。しかしながら、薄型のデータキャリアとするためには、封止する樹脂層を薄くしなければならず、また、別な樹脂シート２を接着するためには平滑性が要求される。このため、真空中における印刷法などを利用しなければならず、非常に手間が掛かり、製造コストが上昇するという問題があった。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、フリップチップ法によって実装された薄型のＩＣチップ裏面が保護強化されＩＣチップの不良発生の少ない非接触データキャリアを、安価に提供する非接触データキャリアの製造方法を提供することを目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】裏面に保護層が形成された３０〜２５０μｍ厚のＩＣチップがフリップチップ実装方法によりアンテナコイル上に実装された非接触データキャリアの製造方法であって、複数のＩＣチップに対応する回路パターンの形成されたシリコンウエハの裏面
を上記厚み範囲まで研磨する工程と、前記シリコンウエハの裏面
第１の樹脂シート上に形成された
、前記樹脂保護膜層上に前記アンテナコイルの形成された第１の樹脂シートと対応する第２の樹脂シートを載置し貼着する工程と
　【００１１】
　【００１２】前記保護層は、コンプレッション成形、又は樹脂注型若しくはトランスファー成形により、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面及び側面に形成された封止樹脂膜とすることができる。
　【００１３】また、前記保護層は、シリコンウエハの回路パターン形成面の裏面に貼着された樹脂薄板とすることができる。
　【００１４】
　【発明の実施の形態】図１は本発明により得られた非接触データキャリアを示す断面構造図、図２は本発明のデータキャリアの製造方法の一例を説明するための図、図３は本発明の非接触データキャリアの製造方法の他の例を説明するための図である。以下、各図に従って本発明について詳細に説明する。
　【００１５】図１に示す非接触データキャリアは、図４に示す非接触データキャリアとほぼ同様な構造をしており、アンテナコイル１やＩＣチップ１０などの内部部品を備えている。これらの内部部品は、２枚の樹脂シート２によって挟み込まれ、接着剤層４によって２枚の樹脂シート２を密着することによって内部部品が封止されている。
　【００１６】樹脂シート２としては、特に限定されるものではないが、例えばポリエチレンやポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレートなどの熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を挙げることができる。アンテナコイル１は導電性を有する例えば銅やアルミニウム製の金属薄膜から作製されており、樹脂シート２上に例えば所定形状に金属蒸着することにより、あるいはシート上に形成された金属薄膜をエッチングなどすることにより作製される。
　【００１７】ＩＣチップ１０は、パット上に形成された金バンプ１１をアンテナコイル１上に接合してフリップチップ実装される。また、当該ＩＣチップ１０の接合面には、異方性導電ペーストや異方性導電シートなどから形成された接合層３が形成されている。当該ＩＣチップ１０の厚さとしては、薄型の非接触データキャリアとするために、その厚さとしては３０〜２５０μｍのものが好ましく用いられる。
　【００１８】当該ＩＣチップ１０の裏面側、すなわち実装面と反対面には、裏面保護層１２が形成されている。当該裏面保護層１２は、例えば、エポキシ系樹脂、シリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂のような熱硬化性樹脂等から樹脂封止によって形成された樹脂層、さらにはポリエーテルサルファン、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド等から射出成形、押出し成形、キャステイング成形等により作製した樹脂薄板を挙げることができる。これらのうち、樹脂薄板については、図３に示すように、例えばエポキシ樹脂系接着剤やシリコーン樹脂系接着剤、ウレタン樹脂系接着剤などの各種接着剤１３によって、ＩＣチップ１０裏面に貼り合わせられる。
　【００１９】これらの裏面保護層１２の厚さは特に限定されるものではなく、薄ければ薄い程好ましいものでありる。また、その材質によっても異なるが、充分な強度を得るためには、通常、５０〜１，０００μｍに設定される。
　【００２０】次に当該非接触データキャリアの製造方法について、図２及び図３に基づいて説明する。まず、ＩＣチップ１０の裏面に裏面保護層１２を形成する。図２に示す方法は、樹脂封止によって裏面保護層１２を形成する方法を示すものであって、一枚のシリコンウエハ２０をダイシングすることによって、ＩＣチップ１０を作製する方法を示す。
　【００２１】図２に示すように、同一の所定回路パターンが複数形成されたシリコンウエハ２０の回路形成面（表面）に、シリコンウエハ保護シート２２を仮着する。次に、シリコンウエハ２０の裏面から側面に掛けて、上記エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂、ウレタン系樹脂などの熱硬化性樹脂によって封止し、封止樹脂膜２１を形成する。このとき、樹脂封止する方法としては特に限定されるものではないが、例えばコンプレッション成形、又は注型法やトランスファー成形法を挙げることができる。次に当該封止樹脂膜２１が形成されたシリコンウエハ２０の所定位置に、接合用のバンプ１１を形成した後シリコンウエハ２０をダイシングして、裏面保護層１２が形成された１個１個のＩＣチップ１０に切り出す。
　【００２２】これとは別に、樹脂シート２上に金属薄膜からなるアンテナコイル１を、金属蒸着やエッチング法などにより形成しておく。
　【００２３】次に、裏面保護層１２が形成されたＩＣチップ１０をフリップチップ実装する。すなわち、当該ＩＣチップ１０をアンテナコイル１上に載置し、異方性導電ペーストや異方性導電シートを用いて実装すると共に、ＩＣチップ１０の接合面を保護するための接合層３を形成する。このとき、ＩＣチップ１０をアンテナコイル１上に実装した後に、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂などの熱硬化性樹脂によって、接合層３を形成することもできる。
　【００２４】その後、内部部品が載置された樹脂シート２上に接着剤を塗布し、別な樹脂シート２を貼り合わせることによって内部部品を２枚の樹脂シート２及び接着剤層４によって封止して、非接触データキャリアを作製できる。
　【００２５】また、本発明にあっては、樹脂薄板などを用いて裏面保護層１２を形成することもできる。図３は当該樹脂薄板を用いて裏面保護層１２を形成する場合を示す方法であって、図３では、所定の回路パターンが形成されたシリコンウエハ２０上に、エポキシ系樹脂など接着剤２４を用いて樹脂薄板２３を貼り合わせられている。このシリコンウエハ２０にバンプ１１を形成した後ダイシングすることによって、裏面保護層１２が形成されたＩＣチップ１０を得ることができる。
　【００２６】このように容易にしてＩＣチップ１０の裏面に裏面保護層１２を形成することができる。この結果、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性が向上し、ＩＣチップ１０の欠けや割れなどの不良の発生を抑えることができる。
　【００２７】特にこの方法によれば、１個１個のＩＣチップ１０に裏面保護層１２を形成する必要がなく、簡単な方法で薄膜状の裏面保護層１２を形成できる。従って、製造コストを大幅に向上させることなく、耐衝撃性に優れた非接触データキャリアを提供できる。
　【００２８】
　【実施例】次に本発明の実施例である非接触データキャリアについて説明する。
　【００２９】まず、５インチシリコンウエハの回路パターン形成面に保護シートを貼り付け、１００μｍ厚に研磨して金型にセットし、その裏面及び側面をエポキシ樹脂を用いたコンプレッション成形法によって樹脂封止し、厚さ１００μｍの封止樹脂膜による裏面保護層を形成した。
　【００３０】次に、シリコンウエハの保護シートを除去しシリコンウエハ対応ボールボンダーを用いて、所定位置に金ワイヤーによるバンプを形成した後、ダイヤモンドカッターによってダイシングし、回路パターン形成面の所定一にバンプが形成されるとともに裏面保護層が形成されたＩＣチップを得た。
　【００３１】これとは別に、アルミニウム薄膜からエッチング法によりアンテナコイルが形成されたポリエチレンテレフタレート製の樹脂シート上に、異方性導電ペーストをディスペンスし、フリップボンダーを用いて、上記裏面保護層を形成したＩＣチップをフェイスダウンでマウントして、熱圧着した。その後、当該樹脂シート上に接着剤を塗布した後、別なポリエチレンテレフタレート製の樹脂シートを重ねてラミネートし、非接触データキャリアを得た。
　【００３２】
　【発明の効果】本発明により得られた非接触データキャリアは、フリップチップ実装された薄型のＩＣチップ裏面に、封止樹脂や樹脂薄板からなる裏面保護層が設けられているので、裏面側からの点圧や点衝撃に対する耐性が向上する。この結果、ＩＣチップ１０の欠損が少なくなり、信頼性の高い非接触データキャリアを提供できる。
　【００３３】そして、本発明の非接触データキャリアの製造方法によれば、シリコンウエハの裏面及び側面を樹脂封止する、あるいは樹脂薄板を貼り合わせた後にダイシングすることにより、ＩＣチップを得ることにしているので、安価にしかも厚みを増すことなく薄膜状の裏面保護層を形成できる。この結果、耐衝撃性を向上させた非接触データキャリアを安価にしかも簡単な方法で作製できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施の形態により得られた非接触データキャリアを示す断面構造図
　【図２】本発明の非接触データキャリアの製造方法を説明するための図
　【図３】本発明の他の非接触データキャリアの製造方法を説明するための図
　【図４】非接触データキャリアの一例を示す図であって、同図（ａ）は当該非接触データキャリアの平面構成図、同図（ｂ）はその断面構成図
　【符号の説明】
１……アンテナコイル　２……樹脂シート
３……接合層　４……接着剤層
１０……ＩＣチップ　１１……バンプ
１２……裏面保護層　２０……シリコンウエハ
２１……封止樹脂膜　２２……シリコンウエハ保護シート
２３……樹脂薄板　２４……接着剤