【事件の表示】
　特許第３０３４９４４号「原料供給装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０３４９４４号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０３４９４４号発明は、平成２年１１月２０日に特許出願され、平成１２年２月１８日にその特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、その後、特許異議申立人坂本典子より特許異議申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年３月６日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成１３年３月６日付け訂正請求書によって請求された訂正の内容は、訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として次のとおり訂正するものである。
訂正事項（ａ）：特許請求の範囲の請求項１を、その減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とし、次のとおり訂正する。
「【請求項１】恒温槽内で、原料容器内に収納されている低蒸気圧の原料を希釈ガスにより希釈して供給する原料供給装置において、前記原料容器から原料使用場所まで延びる原料ガス供給管と、希釈ガス源と、前記希釈ガス源から前記恒温槽内部の原料ガス供給管まで延びる希釈ガス供給管と、前記希釈ガス供給管上に設けられる希釈ガス供給量制御装置とを備え、前記原料容器の温度及び前記恒温槽内の前記原料ガス供給管の温度は前記恒温槽の外側の温度よりも高く調整され、前記希釈ガスの流量をＦ、原料ガスの流量をｆ、前記原料ガス供給管の原料供給装置出口側における全圧をＰＯ、前記原料供給装置から前記原料使用場所までの前記原料ガス供給管での温度Ｔにおける前記原料ガスの蒸気圧をＰ（Ｔ）としたときに、
Ｆ＞［（ＰＯ／Ｐ(Ｔ)）−１］ｆ
を満たすように前記希釈ガスの流量を制御することによって、前記原料供給管での前記原料ガスの凝縮を防止する原料供給装置。」
訂正事項（ｂ）：特許請求の範囲の請求項２乃至５を、明りょうでない記載の釈明を目的として、次のとおり訂正するものである。
【請求項２】キャリアガスを前記原料容器に供給するためのキャリアガス供給管と、前記キャリアガス供給管上に設けられるキャリアガス供給量制御装置とをさらに備え、前記キャリアガスの流量をＦ１、前記希釈ガスの流量をＦ２とした場合に、
Ｆ１+Ｆ２＞ ［（ＰＯ／Ｐ(Ｔ)）−１］ｆ
を満たすように前記キャリアガスおよび前記希釈ガスの流量を制御することによって、前記原料供給管での前記原料ガスの凝縮を防止することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】前記原料供給装置は、前記恒温槽内部での前記原料ガス供給管上に配置され、前記原料ガスの流量を制御する原料ガス供給量制御装置と、前記原料容器内の原料の温度を、前記原料ガス供給量制御装置の温度と、前記原料容器から前記原料ガス供給量制御装置までの間の前記ガス供給管の温度の双方よりも低くなるように制御する温度制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の原料供給装置。
【請求項４】前記原料ガス供給管上に設けられる原料ガス流量制御装置と、前記原料ガス流量制御装置に接続され、供給した前記原料ガスの量を積算する積算手段と、前記原料ガスの積算流量または前記原料の残量を表示する表示装置とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の原料供給装置。
【請求項５】前記積算流量または前記原料の残量が一定の値に達した場合にアラームを発生するアラーム手段をさらに設けることを特徴とする請求項４に記載の原料供給装置。」
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項（ａ）は、特許請求の範囲の請求項１について、その減縮を目的として、「希釈ガス供給量制御装置とを備え、前記希釈ガスの流量をＦ、」に、「前記原料容器の温度及び前記恒温槽内の前記原料ガス供給管の温度は前記恒温槽内の外側の温度よりも高く調整され」という事項を追加し、「希釈ガス供給量制御装置とを備え、前記原料容器の温度及び前記恒温槽内の前記原料ガス供給管の温度は前記恒温槽内の外側の温度よりも高く調整され、前記希釈ガスの流量をＦ、」とするものであり、これは、原料容器の温度及び恒温槽内の原料ガス供給管の温度と恒温槽の外側の温度との関係を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また、上記訂正事項（ａ）は、「恒温槽内で、容器内」を「恒温槽内で、原料容器内」と、「原料容器から原料使用場所」を「前記原料容器から原料使用場所」と、「希釈ガス源から前記恒温槽内部」を「前記希釈ガス源から前記恒温槽内部」と、それぞれ訂正するものであり、さらには「使用場所までの原料ガス供給管」を「前記原料使用場所までの原料ガス供給管」と、「原料ガスの蒸気圧」を「前記原料ガスの蒸気圧」と、「希釈ガスの流量」を「前記希釈ガスの流量」と、「原料供給管での原料ガスの凝縮」を「前記原料供給管での前記原料ガスの凝縮」とそれぞれ訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項（ａ）の「前記原料容器の温度及び前記恒温槽内の前記原料ガス供給管の温度は前記恒温槽内の外側の温度よりも高く調整され」という事項については、特許明細書の第１３頁第１３行目乃至同頁第１９行目に「尚、原料３の温度は、恒温槽２の外側の室温よりも高く調整されている。そして、第２、３、４の各温度制御装置２３、２４、２５によって容器４内の原料３の温度を配管６ａ、供給量制御装置５より低くなるように制御することによって、原料３が配管６ａ、供給量制御装置５内で凝縮するのを防止することができる。」と記載されているから、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。　
　また、上記訂正事項（ａ）の「恒温槽内で、容器内」を「恒温槽内で、原料容器内」と訂正する等についても、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　次に、上記訂正事項（ｂ）は、特許請求の範囲の請求項２乃至５中の語句に「前記」を追加したり、「恒温内」を「恒温槽内」に訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、いずれも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてされたものであり、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおり、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定により、なお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．本件訂正発明
　本件訂正後の請求項１乃至５に係る発明（以下、それぞれ「本件訂正発明１乃至５」という）は、上述のとおり、上記訂正を認容することができるから、訂正後の請求項１乃至５に記載された事項により特定されるとおりのものである（上記２.（１）参照）。
４．特許異議申立について
（１）申立て理由の概要
　特許異議申立人は、証拠方法として甲第１号証乃至甲第４号証を提出して、請求項１及び２に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、また本件請求項３乃至５に係る発明も甲第１号証乃至甲第４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件各発明は、特許法第２９条第１項第３号又は同条２項の規定により特許を受けることができないと主張している。
（２）引用刊行物記載の内容
　当審が取消理由通知において引用した刊行物１乃至４には、それぞれ以下の事項が記載されている。
（２−１）刊行物１：特開平１−１１５１１９号公報
（イ）「原料液体を収納する容器と、この液体の蒸気を輸送する気体の流量を制御する流量制御機構とから成る液体蒸気原料供給部を一組以上有し、これら各組の輸送ガスの入口および前記液体蒸気を含む輸送ガスの出口がそれぞれ共通の入口および出口に接続されており、さらにこれら共通の入口および出口の間に輸送ガスバイパスラインが接続されると共に、このバイパスラインの入口と出口との間に差圧を与える差圧機構を有し、その差圧が前記液体原料供給部における前記流量制御機構を動作させるに足る差圧よりも大きくできるようにしたことを特徴とする液体蒸気原料供給装置」（第１頁左欄第５−１６行）
（ロ）「本発明は、液体の蒸気を原料として半導体結晶の成長や化学薬品を合成する場合に用いられる液体蒸気原料供給装置に関する。」（第１頁右欄第２−４行）
（ハ）「第２図は従来の液体原料供給装置の一例を示す模式図である。輸送ガスの入口３より輸送ガス（Ｈ２、Ｎ２、Ａｒなど）を導入し、マスフローコントローラ２でその流量ｆｃを制御するが、このマスフローコントローラ３は気体流量制御機構の一例である。液量ｆｃの輸送ガスは矢印Ｂの方から温度が一定に保たれた液体原料容器１を通過し、液体蒸気を含んだ上で、矢印Ｃの方の液体蒸気原料供給装置の出口４から取り出される。この液体原料容器１中の気体圧力ｐｃは、ニードル弁などの流体調整バルブ８により圧力計６を監視しながら調節される。この場合、原料蒸気の正味流量ｆｓは、気体圧力ｐｃ、液体原料の蒸気圧ｐｓとすると、ｆｓ＝ｆｃ＊（ｐｓ／ｐｃ）で表される。従って、輸送ガス流量ｆｃを調節することにより、原料蒸気正味流量は決定される。」（第１頁右欄第１５行−第２頁左上欄第１１行）
（ニ）「第３図は従来の改良された原料供給装置の一例を示す。この装置の第２図の従来例と異なる点は、希釈ガスラインが付加されている点である。つまり、第２の構造に加えて、希釈ガス入口１１から導入された希釈ガスはマスフローコントローラ７で流量が制御され矢印Ａの方に流れ、出口４で矢印Ｂの方から蒸気原料の流れと合流して矢印Ｃの方向に流れる。この希釈ガスの効果は、飽和蒸気原料ガスの濃度を低くしてガス配管壁への附着を防ぐ、総流量を増して圧力調整を容易にする等である。」（第２頁左上欄第１６行−同頁右上欄第６行）
（ホ）「また、第３図の従来例の場合は、流量ｆｃを変化させる時に希釈ガスの流量ｆｏを変えなければ、第２図の場合と同様な問題を生じる。しかし、流量ｆｃの変化（ｆｃ１→ｆｃ２）に伴い、流量ｆｏをｆｏ−（ｆｃ２ −ｆｃ１）と変えれば、流量調整バルブ８を通過するガス総流量が次式のようになる。
ｆｏ−（ｆｃ２−ｆｃ１）＋ｆｃ２＝ｆｏ＋ｆｃ１
　すなわち、第１の状態と変わらないため、圧力ｐｃは一定に保つことができる。ところがマスフローコントローラ２、３の特性の違いにより、変動の際の過渡現象により、第１の状態から第２の状態に切り替えた時に圧力ｐｃが変動し、原料ガス正味流量ｆｓがゆらぐという問題が生じ、最終的に落ち着くの迄に１０秒程度かかる。このことは、ＭＯＶＰＥ法の場合、結晶成長層の界面の乱れる原因となり、素子特性にも重大な問題を生じる。」（第２頁左下欄第４−２０行）
（へ）「第１図は…液体蒸気原料供給部が一組の場合を示している。ＭＯＶＰＥ法に適用する場合とし、液体原料はＴＭＡｌとする。このＴＭＡｌは液体原料容器１に貯えられ、温度は一定に保たれ、このＴＭＡｌの蒸気圧をｐｓとする。輸送用ガスは入口より矢印Ｂに流れ液体蒸気原料供給部に送られ、気体の流量を制御するマスフローコントローラ２により、その流量ｆｃが制御される。液体原料容器を通過した輸送ガスは、ＴＭＡｌの飽和蒸気を含み、出口４に達する。一方、入口３と出口４の間には輸送ガス・バイパスラインが設けてある。このライン１０上には、矢印Ａからの流れに差圧を与える開口としてニードル弁５を設け、その差圧をマスフローコントローラに必要な差圧（例えば０．２ｋｇｆ／ｃｍ２）よりも大きな０．３ｋｇｆ／ｃｍ２とする。なお、マスフローコントローラ７は入口３に導入される全ガス流量を設定する。液体原料容器の圧力ｐｃは圧力計６を監視しながら流量調整バルブ８を調整することにより設定される。出口４から取り出されるＴＭＡｌ蒸気正味流量ｆｓは、前述のように、この場合もｆｓ＝ｆｃ＊（ｐｓ／ｐｃ）で与えられる。次に、本実施例の動作を説明する。ＴＭＡｌ蒸気正味流量ｆｓを第１の状態ｆｓ１から第２の状態ｆｓ２に変える場合を考える。マスフローコントローラ７により入口３に導入される気体の流量を第１の状態と第２の状態で一定にしておけば、流量調節バルブ８による差圧は不変となり、容器の圧力ｐｃは不変である。このため流量ｆｓはｆｃを変えることにより、流量ｆｃに比例した値として得られる。また、同期させたマスフローコントローラの操作が不要であるため、過渡現象の影響が小さい。このため、ＴＭＡｌ蒸気流量ｆｓを変える場合、制御性がよく、かつ１〜２秒以下の過渡時間で行うことができる。従って、組成が精密に制御かつ良質な界面を持つ半導体結晶が得られる。」（第３頁左上欄第１行−同頁右上欄第２０行）
（ト）「原料としてはＴＭＡｌについて説明したが、ＭＯＶＰＥ法の場合には…トリメチルインジウム、ジメチル亜鉛等に…適用できる。」（第３頁左下欄第１−５行）
（チ）「以上説明した様に本発明の構成によれば、液体の蒸気を原料とする結晶成長や薬品合成において、液体状気流量を精密に、かつ最小の過渡時間で変えることができるという効果がある。」（第３頁左下欄第１０−１３行）
（２−２）刊行物２：特開昭５９−１２７６４４号公報
（イ）「本発明はバブラより発生するガスの流量を精密に制御する原料ガス発生制御装置に関する。」（第１頁左欄第１５−１６行）
（ロ）「第１図は従来の原料ガスの発生および流量制御のために装置の構成図を示す。この構成は、バブラ１２に原料液体１３が貯えられ、この中に矢印１６の方向にキャリアガスを通すとする。このキャリアガスはバブラ１２中のパイプ出口１５から原料液体１３中を泡１４となって通過し、そのときにキャリアガス中に原料液体１３の飽和蒸気が含まれる。原料蒸気を含むキャリアガスは矢印１７の方向にバブラ１２からとり出され、次の反応部に送りこまれる。このバブラ１２は、温度を精密に制御された液体１８（水、エチレングリコールなどが用いられる）を貯えた容器１９に収容されてバブラ１２を一定の設定温度に保つ。バブラ中の原料液体の蒸気圧はこの設定温度により決まる。このキャリアガスの流量は気体の流量調節器１１により制御され、この気体の流量調節器１１としては、流量計と流量調節バルブの組み合せ、或いはマスフローコントローラなどが用いられる。ところで、反応部に送りこまれる原料ガスの正味流量ｆｓは、次式により決まる。
ｆｓ＝（ｆｏ＋ｆｓ）＊ＰＶ／ＰＴ…（１）
ここで、ｆｏはキャリアガスの流量、原料蒸気を含むキャリアガスの圧力をＰＴ、原料液体の飽和蒸気圧ＰＶとする。通常ｆｏ＞＞ｆｓであるので、（１）式は（２）式のように近似できる。
ｆｓ＝ｆｏ＊ＰＶ／ＰＴ…（２）
この（１）式からわかるように原料ガスの流量制御は、キャリアガス流量ｆｃの制御、原料の飽和蒸気圧ＰＶの制御をすることにより行われる。さらに蒸気圧ＰＶの制御をすることにより行われる。さらに、蒸気圧ＰＶの制御はバブラ１２の温度を制御して行われる。」（第１頁右欄第９行−第２頁右上欄第２行）
（２−３）刊行物３：特開平２−２６１５３１号公報
（イ）「恒温槽内に、液体材料を収容にこれを気化させる液体材料タンクと、この液体材料タンクからの気化ガスの流量を制御するマスフローコントローラとを設けるとともに、外部装置に対して前記気化ガスを供給するための外部配管を接続できるようにした液体気化供給装置」（第１頁左欄第５−１０行）
（ロ）「上記構成の液体材料気化供給装置１によって外部装置２７に所定の気化ガスを供給するには、先ず、タンク８内に所定のレベル範囲に液体材料７を収容した状態で、ヒータ４，プレートヒータ９、１９、リボンヒータ２５を通電して恒温槽２内、タンク８、マスフローコントローラ１７、外部配管２４を加熱する。そして、液体材料７の気化が最も円滑に行われるときの温度が例えば７０℃前後であれば、タンク８の温度が７０℃前後になるように加熱するとともに、恒温槽２内の温度が７０℃〜７３℃前後に、そして、マスフローコントローラ１７の温度が７５℃前後に、また、外部配管２４の温度が７５〜９０℃前後にそれぞれなるように加熱するのである。・・・この温度設定は前記制御ボックス３内にコントローラで行うようにしてある。」（第３頁左下欄第１７行−同頁右下欄第９行）
（２−４）刊行物４：特開昭６３−１２８６３１号公報
　「第１図において、液化ガスボンベ３とエッチング処理室１とのガス流路に、・・・エッチングガスの流量を制御するマスフローコントローラ２を設置する。・・・本発明はマスフローコントローラ２からの流量積算用信号ｂを受けこれを積算する流量積算計５を具備したものである。６は流量積算計５に設けた残量警報用パトライトである。実施例において、マスフローコントローラ２からの信号を受けて流量積算計５はエッチングガスの流量を積算する。そして、ボンベ内のガス残量が設定値以下になったときにパトライト６を点灯して残量警報を発する。」（第２頁左上欄第３−１６行）
（３）当審の判断
（３−１）刊行物１の第１図をベースとした引用発明との対比
（ｉ）本件訂正発明１について
　刊行物１の上記（イ）には、「原料液体を収納する容器と、この液体の蒸気を輸送する気体の流量を制御する流量制御機構とから成る液体蒸気原料供給部を一組以上有し、これら各組の輸送ガスの入口および前記液体蒸気を含む輸送ガスの出口がそれぞれ共通の入口および出口に接続されており、さらにこれら共通の入口および出口の間に輸送ガスバイパスラインが接続されると共に、このバイパスラインの入口と出口との間に差圧を与える差圧機構を有し、その差圧が前記液体原料供給部における前記流量制御機構を動作させるに足る差圧よりも大きくできるようにしたことを特徴とする液体蒸気原料供給装置」と記載されている。また、上記（ロ）、（チ）の記載によれば、この原料供給装置は、半導体結晶の成長装置に用いられるものであるから、原料容器の出口４の先には「原料使用場所まで延びる原料ガス供給管」が設けられていることは明らかであり、そして上記（ト）の記載によれば、液体原料は低蒸気圧の原料であることも明らかである。
　そうすると、上記（イ）の「液体蒸気原料供給装置」に、「原料使用場所まで延びる原料ガス供給管」を付加して本件訂正発明１の記載振りに則って整理すると、上記刊行物１には「容器内に収納されている低蒸気圧の原料を供給する原料供給装置において、原料容器から原料使用場所まで延びる原料ガス供給管と、蒸気を輸送する気体の流量を制御する流量制御機構とから成る１組以上の液体蒸気原料供給部とを備え、液体蒸気原料供給部の各組の輸送ガスの入口および前記液体蒸気を含む輸送ガスの出口がそれぞれ共通の入口および出口に接続されており、さらにこれら共通の入口および出口の間に輸送ガスバイパスラインが接続されると共に、このバイパスラインの入口と出口との間に差圧を与える差圧機構を有し、その差圧が前記液体原料供給部における前記流量制御機構を動作させるに足る差圧よりも大きくできるようにしたことを特徴とする液体蒸気原料供給装置」の発明（以下、「刊行物１発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明１と刊行物１発明とを対比すると、両者は、「原料容器内に収納されている低蒸気圧の原料を供給する原料供給装置において、前記原料容器から原料使用場所まで延びる原料ガス供給管とを備える液体蒸気原料供給装置。」である点で一致し、以下の点で相違していると云える。
相違点（ａ）：本件訂正発明１は、原料を希釈ガスにより希釈して供給するために「希釈ガス源」、「希釈ガス供給管」及び「希釈ガス供給量制御装置」を備えており、しかも希釈ガスの流量を「前記希釈ガスの流量をＦ、原料ガスの流量をｆ、前記原料ガス供給管の原料供給装置出口側における全圧をＰＯ、前記原料供給装置から前記原料使用場所までの前記原料ガス供給管での温度Ｔにおける前記原料ガスの蒸気圧を
Ｐ（Ｔ）としたときに、
Ｆ＞［（ＰＯ／Ｐ(Ｔ)）−１］ｆ
を満たすように前記希釈ガスの流量を制御することによって、前記原料供給管での前記原料ガスの凝縮を防止する」のに対し、刊行物１発明は、輸送ガスの流量制御機構を備えているが、希釈ガス供給手段を有していない点。
相違点（ｂ）：本件訂正発明１は、恒温槽を設け、この恒温槽内で蒸発原料を希釈ガスにより希釈するのに対し、刊行物１発明は、恒温槽や希釈ガス供給手段を有していない点。
相違点（ｃ）：本件訂正発明１では、「前記原料容器の温度及び前記恒温槽内の前記原料ガス供給管の温度は前記恒温槽外側の温度よりも高く調整され」ているのに対し、刊行物１発明では、恒温槽がないためこのような温度調整がなされていない点。
　次に、これら相違点の特に上記相違点（ａ）について検討すると、上記刊行物２には、キャリアガスを利用した「原料ガス発生制御装置」が記載されているものの、この装置では希釈ガスは利用されていないから、この証拠は原料供給管での原料ガスの凝縮を防止するための希釈ガス流量制御の点について何ら示唆するものではない。また、刊行物３及び４も、希釈ガスを利用した原料供給装置に関するものではないから、これら証拠も上記相違点（ａ）について何ら示唆するものではない。
　なお、特許異議申立人は、刊行物１の記載の解釈として、刊行物１の図１の「輸送ガスのバイパス流Ａのバイパスライン１０上に設けられたニードル弁５」が本件訂正発明１の「希釈ガス供給量制御装置」に相当するから、輸送ガスバイパスラインは本件訂正発明１の希釈ガス供給管に相当するとしているが、この解釈は、以下の理由（ａ）、（ｂ）により採用することができない。
理由（ａ）：刊行物１の記載では「希釈ガス」と「輸送ガス」とはその用語が使い分けられており、そこには両者が同じ意味であるとする記載はない。また、刊行物１には、輸送ガスバイパスラインに配置されている「ニードル弁５」について、「入口３と出口４の間には輸送ガス・バイパスラインが設けてある。このライン１０上には、矢印Ａからの流れに差圧を与える開口としてニードル弁５を設け、その差圧をマスフローコントローラに必要な差圧（例えば０．２ｋｇｆ／ｃｍ２）よりも大きな０．３ｋｇｆ／ｃｍ２とする。」と記載（（ヘ）参照）されており、このニードル弁の機能からみて、輸送ガスバイパスラインを流れる輸送ガスの流量は液体原料容器を通過する輸送ガス流量よりも少なく、したがってこの「輸送ガスバイパスライン」は、原料ガスを希釈すると共にこの原料ガスを原料使用場所まで搬送するためのラインというものではないから本件訂正発明１の「希釈ガス供給管」に相当するものとは云えない。
理由（ｂ）：刊行物１の図１に示す装置は、そもそも「希釈ガス」を利用した従来例の原料供給装置における「原料蒸気の流量を第１の状態から第２の状態に切り替える際に、原料蒸気ガスの正味流量がぐらつき、最終的に落ち着くまでに時間がかかるため、結晶成長層の外面が乱れる原因となり、素子特性にも重大な問題を生じる」（（ホ）参照）という課題を解決するために工夫されたものであり、そして、その工夫が「希釈ガス」に替えて「輸送ガスのバイパスライン」を新たに設けた点にあるのであるから、この「輸送ガスバイパスライン」を工夫前の従来例の「希釈ガスライン」と同じと解することは妥当ではない。
　してみると、上記相違点の少なくとも相違点（ａ）は刊行物１乃至４のいずれにも記載されていないから、本件訂正発明１は、上記刊行物１に記載された発明であるとすることはできないし、また上記刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
（ii）本件訂正発明２乃至５について
　本件訂正発明２乃至５は、少なくとも請求項１を引用してなるものであるから、本件訂正発明１について上記（ｉ）で説示したのと同様の理由により、上記刊行物１に記載された発明であるとすることはできないし、また上記刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
（３−２）刊行物１の第３図をベースとした引用発明との対比
（ｉ）本件訂正発明１について
　刊行物１の上記（ニ）や第３図には、輸送ガスと希釈ガスを使用した「原料供給装置」が記載されており、そしてこれら記載を参酌すれば、刊行物１の第３図には「希釈ガスを原料容器の出口に導入する希釈ガス供給管と、希釈ガス供給管上に設けられた希釈ガスの流量制御のためのマスフローコントローラ７と、輸送ガス供給管と、輸送ガス供給管上に設けられたマスフローコントローラ２と、液体原料容器とからなる原料ガスのガス配管壁への付着を防止する原料供給装置」が記載されていると云える。
　また、この原料供給装置では、第２図に関する上記（ハ）の「この液体原料容器１中の気体圧力ｐｃは、ニードル弁などの流量調整バルブ８により圧力計６を監視しながら調節される。この場合、原料蒸気の正味流量ｆｓは、気体圧力ｐｃ、液体原料の蒸気圧ｐｓとすると、ｆｓ＝ｆｃ＊（ｐｓ／ｐｃ）で表される。従って、輸送ガス流量ｆｃを調節することにより、原料蒸気正味流量は決定される。」という記載によれば、流量調整バルブにより希釈ガスで希釈された輸送ガス流量の調節も行われているから、刊行物１には、「希釈ガスを原料容器の出口に導入する希釈ガス供給管と、希釈ガス供給管上に設けられた希釈ガスの流量制御のためのマスフローコントローラ７と、輸送ガス供給管と、輸送ガス供給管上に設けられたマスフローコントローラ２と、液体原料容器と、流量調整バルブとからなる原料供給装置であって、輸送ガスの流量をｆｃ、液体原料容器中の気体圧力ｐｃ、液体原料の蒸気圧ｐｓとした場合、原料蒸気の正味流量ｆｓを、ｆｓ＝ｆｃ＊（ｐｓ／ｐｃ）の式に基づいて輸送ガス流量ｆｃを調節することにより決定する原料ガスのガス配管壁への付着を防止する原料供給装置」が記載されていると云える。
　そして、この原料供給装置は半導体結晶の成長装置に用いられるものであり「液体原料容器から原料ガス使用場所まで延びる原料ガス供給管」が設けられていることも明らかであるから、刊行物１には、結局のところ、本件訂正発明１の記載振りに則って整理すると、「液体原料容器１に収納された原料を希釈ガスにより希釈して供給する原料供給装置において、液体原料容器から原料ガス使用場所まで延びる原料ガス供給管と、希釈ガス源と、希釈ガスを原料容器の出口に導入する希釈ガス供給管と、希釈ガス供給管上に設けられた希釈ガスの流量制御のためのマスフローコントローラ７と、輸送ガス供給管と、輸送ガス供給管上に設けられたマスフローコントローラ２と、液体原料容器と、流量調整バルブとからなり、輸送ガスの流量をｆｃ、液体原料容器中の気体圧力ｐｃ、液体原料の蒸気圧ｐｓとした場合、ｆｓ＝ｆｃ＊（ｐｓ／ｐｃ）の式に基づいて輸送ガス流量ｆｃを調節することにより原料蒸気の正味流量ｆｓを決定することによって、前記原料供給管での前記原料ガスの凝縮を防止する原料供給装置」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明１と刊行物１発明とを対比すると、本件訂正発明１の「希釈ガス供給量制御装置」は、刊行物１発明の「マスフローコントローラ７」に相当する。また刊行物１発明の「出口」は「液体原料容器から原料ガス使用場所まで延びる原料ガス供給管」上にあることは明らかであるから、刊行物１発明の希釈ガス供給管は「希釈ガス源から原料ガス供給管まで延びる希釈ガス供給管」と云うことができるし、刊行物１発明の「液体原料」も上記（ト）の記載から「低蒸気圧の原料」に相当すると云える。
　してみると、本件訂正発明１と刊行物１発明は、「原料容器内に収納されている低蒸気圧の原料を希釈ガスにより希釈して供給する原料供給装置において、前記原料容器から原料使用場所まで延びる原料ガス供給管と、希釈ガス源と、前記希釈ガス源から原料ガス供給管まで延びる希釈ガス供給管と、前記希釈ガス供給管上に設けられる希釈ガス供給量制御装置とを備える、前記原料供給管での前記原料ガスの凝縮を防止する原料供給装置。」である点で一致し、以下の点で相違していると云える。
相違点（ａ）：本件訂正発明１は、「前記希釈ガスの流量をＦ、原料ガスの流量をｆ、前記原料ガス供給管の原料供給装置出口側における全圧をＰＯ、前記原料供給装置から前記原料使用場所までの前記原料ガス供給管での温度Ｔにおける前記原料ガスの蒸気圧を
Ｐ（Ｔ）としたときに、
Ｆ＞［（ＰＯ／Ｐ(Ｔ)）−１］ｆ
を満たすように前記希釈ガスの流量を制御する」のに対し、刊行物１発明は、輸送ガスの流量を制御するものであって、希釈ガスの流量を制御するものではない点。
相違点（ｂ）：本件訂正発明１は、恒温槽を設け、この恒温槽内で蒸発原料を希釈ガスにより希釈するのに対し、、刊行物１発明は、恒温槽が設けられていない点。
相違点（ｃ）：本件訂正発明１では、「前記原料容器の温度及び前記恒温槽内の前記原料ガス供給管の温度は前記恒温槽外側の温度よりも高く調整され」ているのに対し、刊行物１発明では恒温槽がないため、このような温度調整がなされていない点。
　次に、これら相違点の特に上記相違点（ａ）について検討すると、上記刊行物２には、キャリアガスの流量制御が温度Ｔを加味したｆｓ＝（ｆｏ＋ｆｓ）＊ＰＶ／ＰＴの関係式に基づいてなされることが記載されているだけであり、この刊行物２にも、上記特定の式に基づいて希釈ガスの流量を制御して原料ガスの凝縮を防止することについては記載されていない。また、刊行物３及び４も、希釈ガスを利用した原料供給装置に関するものではないから、これら証拠も上記相違点（ａ）について何ら示唆するものではない。
　してみると、上記相違点の少なくとも相違点（ａ）は、刊行物１乃至４のいずれにも記載されていないから、本件訂正発明１は、上記刊行物１に記載された発明であるとすることはできないし、また上記刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　
（ii）本件訂正発明２について
　本件訂正発明２は、請求項１を引用すると共に、キャリアガス供給管とキャリアガス供給量制御装置をさらに備え、希釈ガスとキャリアガスとの両方の流量を制御するものであるから、本件訂正発明２と刊行物１記載の発明を対比すると、両者は、本件訂正発明１についての上記（ｉ）で摘示した相違点（ａ）乃至（ｃ）に加え、次の（ｄ）の点で相違していると云える。
相違点（ｄ）：本件訂正発明２は、「前記キャリアガスの流量をＦ１、前記希釈ガスの流量をＦ２とした場合に、
Ｆ１+Ｆ２＞ ［（ＰＯ／Ｐ(Ｔ)）−１］ｆ
を満たすように前記キャリアガスおよび前記希釈ガスの流量を制御する」のに対し、刊行物２発明は、キャリアガスの流量制御のみでありキャリアガスと希釈ガスとの両方の流量までは制御していない点。
　そして、上記相違点（ａ）乃至（ｄ）の特に相違点（ａ）及び（ｄ）については、上記（ｉ）で検討したとおり、刊行物２乃至４に何ら示唆されていないと云えるから、本件訂正発明２も、上記刊行物１に記載された発明であるとすることはできないし、また上記刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
（iii）本件訂正発明３乃至５について
　本件訂正発明３乃至５は、少なくとも請求項１を引用してなるものであるから、本件訂正発明１について上記（ｉ）で説示したのと同様の理由により、上記刊行物１に記載された発明であるとすることはできないし、また上記刊行物１乃至４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　なお、特許異議申立人は、回答書と共に特開平２−２５５５９５号公報を提出し、この証拠に記載の「熱分解促進用キャリアガス」が本件訂正発明１の希釈ガスに相当し、このキャリアガスも原料の凝縮防止を行うものであると主張しているが、この証拠に記載の「原料の配管への凝縮あるいは吸着防止」は、「熱交換器により加熱されたキャリアガス」によるものであり、希釈ガスの流量制御によるものではないから、この証拠も上記結論に影響を及ぼすものではない。
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件訂正後の請求項１乃至５に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正後の請求項１乃至５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月６日（２００１．１１．６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件訂正の要旨は、本件特許第３０３４９４４号発明の特許明細書を平成１３年３月６日付け訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として次の訂正事項ａ及び訂正事項ｂのとおりに訂正するものである。
訂正事項（ａ）：特許請求の範囲の請求項１を、その減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とし、次のとおり訂正する。
「【請求項１】恒温槽内で、原料容器内に収納されている低蒸気圧の原料を希釈ガスにより希釈して供給する原料供給装置において、前記原料容器から原料使用場所まで延びる原料ガス供給管と、希釈ガス源と、前記希釈ガス源から前記恒温槽内部の原料ガス供給管まで延びる希釈ガス供給管と、前記希釈ガス供給管上に設けられる希釈ガス供給量制御装置とを備え、前記原料容器の温度及び前記恒温槽内の前記原料ガス供給管の温度は前記恒温槽の外側の温度よりも高く調整され、前記希釈ガスの流量をＦ、原料ガスの流量をｆ、前記原料ガス供給管の原料供給装置出口側における全圧をＰ０、前記原料供給装置から前記原料使用場所までの前記原料ガス供給管での温度Ｔにおける前記原料ガスの蒸気圧をＰ（Ｔ）としたときに、
Ｆ＞［（Ｐ０／Ｐ（Ｔ））−１］ｆ
を満たすように前記希釈ガスの流量を制御することによって、前記原料供給管での前記原料ガスの凝縮を防止する原料供給装置。」
訂正事項（ｂ）：特許請求の範囲の請求項２乃至５を、その減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、次のとおり訂正するものである。
　【請求項２】キャリアガスを前記原料容器に供給するためのキャリアガス供給管と、前記キャリアガス供給管上に設けられるキャリアガス供給量制御装置とをさらに備え、前記キャリアガスの流量をＦ１、前記希釈ガスの流量をＦ２とした場合に、
Ｆ１＋Ｆ２＞［（Ｐ０／Ｐ（Ｔ））−１］ｆ
を満たすように前記キャリアガスおよび前記希釈ガスの流量を制御することによって、前記原料供給管での前記原料ガスの凝縮を防止することを特徴とする請求項１に記載の装置。
　【請求項３】前記原料供給装置は、前記恒温槽内部での前記原料ガス供給管上に配置され、前記原料ガスの流量を制御する原料ガス供給量制御装置と、前記原料容器内の原料の温度を、前記原料ガス供給量制御装置の温度と、前記原料容器から前記原料ガス供給量制御装置までの間の前記ガス供給管の温度の双方よりも低くなるように制御する温度制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の原料供給装置。
　【請求項４】前記原料ガス供給管上に設けられる原料ガス流量制御装置と、前記原料ガス流量制御装置に接続され、供給した前記原料ガスの量を積算する積算手段と、前記原料ガスの積算流量または前記原料の残量を表示する表示装置とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の原料供給装置。
　【請求項５】前記積算流量または前記原料の残量が一定の値に達した場合にアラームを発生するアラーム手段をさらに設けることを特徴とする請求項４に記載の原料供給装置。」
（５４）【発明の名称】
原料供給装置
（５７）【特許請求の範囲】
（１）　恒温槽内で、
原料
前記
前記
前記原料容器の温度及び前記恒温槽内の前記原料ガス供給管の温度は前記恒温槽の外側の温度よりも高く調整され、
前記原料
前記
前記
Ｆ＞［（Ｐ０／Ｐ（Ｔ））−１］ｆ
を満たすように
前記
前記
前記
（２）　キャリヤガスを
前記
前記
前記
Ｆ１＋Ｆ２＞［（Ｐ０／Ｐ（Ｔ））−１］ｆ
を満たすように
前記
前記
前記
前記
（３）　前記原料供給装置は、前記恒温
槽
前記
前記
前記
（４）　
前記
前記
前記
（５）　前記積算流量または
前記
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
　本発明は、気相成長装置等に原料を供給するための原料供給装置に関する。
（従来の技術）
　従来、気相成長装置等に原料を供給する原料供給装置は、例えば第８図のように恒温槽１００内に注入されている液体１０１により、液体あるいは固体の原料１０２を入れた容器１０３を一定の温度に保ち、供給量制御装置１０４により流量制御されたキャリアガスを容器１０３に導入し、原料１０２をキャリアガスに同伴して気相成長装置１０５に供給していた。
（発明が解決しようとする課題）
　ところで、上記した従来の原料供給装置では、原料がキャリアガス中に飽和しにくいような低蒸気圧の原料、特に原料が固体の場合などは、安定した原料供給を行うことが困難であるという問題点があった。
　また、キャリアガス流量が多くなると原料供給量を多くするためにキャリアガス流量を増加させても、原料ガスがキャリアガスに飽和しなくなり、原料供給量が増加しなくなるという問題点もある。
　更に、原料容器が金属等で作成されている場合、原料の残量がわかりにくいという問題点もある。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　前記した課題を解決するために、本発明は、恒温槽内で容器内に収納されている低蒸気圧の原料を希釈ガスにより希釈して供給する原料供給装置において、原料容器から原料使用場所まで延びる原料ガス供給管と、希釈ガス源と、希釈ガス源から前記恒温槽内部の原料ガス供給管まで延びる希釈ガス供給管と、希釈ガス供給管上に設けられる希釈ガス供給量制御装置とを備え、希釈ガスの流量をＦ、原料ガスの流量をｆ、原料ガス供給管の原料供給装置出口側における全圧をＰ０、恒温槽外部の原料ガス供給管内の温度Ｔにおける原料ガスの蒸気圧をＰ（Ｔ）としたときに、
Ｆ＞［（Ｐ０／Ｐ（Ｔ））−１］ｆ　　　　（１）
を満たすように希釈ガスの流量を制御することによって、原料供給管での原料ガスの凝縮を防止する原料供給装置を提供する。
　望ましくは、原料供給装置はさらに、恒温室内部で原料ガス供給管上に配置されて原料ガスの流量を制御する原料ガス供給量制御装置と、原料容器内の原料の温度を、原料ガス供給量制御装置の温度、および原料容器から原料ガス供給量制御装置までの間の原料ガス供給管の温度の双方よりも低くなるように制御する温度制御手段とを備える。このような温度制御装置を追加することによって、より信頼性高く凝縮を防止することができる。
　前記原料供給装置は、原料ガス供給管上に設けられる原料ガス流量制御装置と、前記原料ガス流量制御装置に接続され、供給した原料ガスの量を積算する積算手段と、前記原料ガスの積算流量または原料の残量を表示する表示装置とをさらに備える。この場合、積算流量または原料の残量が一定の値に達した場合にアラームを発生するアラーム手段をさらに設けてもよい。
（作用）
　本発明によれば、希釈ガスの流量Ｆを、
Ｆ＞［（Ｐ０／Ｐ（Ｔ））−１］ｆ
（ただし、ｆ；原料の流量、Ｐｏ；原料供給装置から原料使用場所まで原料を供給する配管の原料供給装置出口の圧力、Ｐ（Ｔ）；原料供給装置から原料使用場所まで原料を供給する配管での温度Ｔにおける原料の蒸気圧）となるようにしたことにより、恒温槽から出たガス中の原料ガスの蒸気圧が、恒温槽の外側の温度における飽和蒸気圧より低くなるので、凝縮することなく安定して原料の供給を行うことができる。
　また、本発明によれば、温度制御手段によって原料の温度を、原料を供給する配管と供給量制御装置の温度よりも低くなるように制御することによって、原料が配管と供給量制御装置までの間で凝縮するのを防止することができる。
　また、例えば気相成長装置の原料供給装置として用いた場合等には多層成長を行わせる場合、１つの恒温槽から原料供給でき、設置スペース、自由度、コスト等の面で有利となる。
　また、原料残量の把握が容易となり、原料供給量が不安定となる前に対処することが可能であるから常に安定した原料供給を実現できる。
（実施例）
　以下、本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明する。
　第１図は、本発明に係る原料供給装置を気相成長装置の原料供給に適用した場合の構成を示す概略図である。この図に示すように本発明に係る原料供給装置１は、温槽２内に原料（例えばトリメチルインジウム（ＴＭＩ））３を収納した容器４と、原料３の供給量を制御する供給量制御装置（マスフローコントローラ（ＭＦＣ））５を具備しており、容器４と供給量制御装置５は配管６ａを介して接続されている。
　供給量制御装置５から気相成長装置７に配設される配管６ｂの供給量制御装置５の恒温槽２内出口には、希釈ガス（例えばＨ２）が供給される配管６ｃが供給量制御装置８を介して接続されている。気相成長装置７に接続されている配管６ｂには、ＰＨ３とＨ２をそれぞれ原料（ＴＭＩ）３と希釈ガス（Ｈ２）と共に気相成長装置７内に供給する配管６ｄ，６ｅが供給量制御装置９，１０を介して接続されている。
　また、配管６ｂには圧力計１１が接続されており、気相成長装置７に設けた排出管１２には、気相成長装置７内の排ガスを排出するためのロータリーポンプ１３が接続されている。尚、圧力計１１は、配管６ｂ内の圧力を推定できる場合には設けなくても良い。
　そして、気相成長装置７内のサセプタ１４上に載置される基板１５を加熱して、原料供給装置１から原料（ＴＭＩ）３を、希釈ガス（Ｈ２）およびＰＨ３とＨ２と共に配管６ｂを通して気相成長装置７内に供給することにより、基板１５上に結晶薄膜（ＩｎＰ）が形成される。
　この時、原料３の凝縮を防止するために、原料３を希釈する希釈ガスの流量Ｆは、
　（ただし、ｆ；原料の流量、Ｐｏ；原料供給装置１と気相成長装置７間の原料供給装置１の出口における配管６ｂ内の圧力、Ｐ（Ｔ）；原料供給装置１と気相成長装置７間の配管６ｂ内での温度Ｔにおける原料３の蒸気圧）を満足するように供給量制御装置８で調整する。
　即ち、第１図に示した実施例において、気相成長装置７内の圧力を７０Ｔｏｒｒ、配管６ｂの恒温槽２の出口付近の圧力を７６Ｔｏｒｒに調整し、容器４内の原料（ＴＭＩ）３の温度を７８℃、恒温槽２内の供給量制御装置５の温度を８０℃、これらの装置が配設される部屋の室温を２０℃に調整して、原料（ＴＭＩ）３を流量ｆ＝１ｃｃ／ｍｉｎで流す時に希釈ガス（Ｈ２）の流量Ｆは、以下のように求められる。
　２０℃での原料（ＴＭＩ）３の蒸気圧は約１Ｔｏｒｒであり、配管６ｂの恒温槽２の出口付近での原料（ＴＭＩ）３の蒸気圧を１Ｔｏｒｒ以下にするためには、恒温槽出口の圧力が７６Ｔｏｒｒであるから
の関係が成り立つ。
　（２）式より、
となる。
　∴（３）式より、この場合の希釈ガス（Ｈ２）の流量は、７５ｃｃ／ｍｉｎ以上となる。
　第２図は、本発明に係る原料供給装置１によって原料（ＴＭＩ）３を供給した時に気相成長装置７内のサセプタ１４上に形成される結晶薄膜（ＩｎＰ）の成長速度と成長回数の関係を示したものであり、本発明に係る原料供給装置１では成長回数が増えても従来の原料供給装置のように成長速度が低下することなく、略一定の成長速度であった。
　尚、この時、原料（ＴＭＩ）３は１ｃｃ／ｍｉｎ、希釈ガス（Ｈ２）は１００ｃｃ／ｍｉｎ、配管６ｄ，６ｅによるＰＨ３とＨ２の供給は２０ｃｃ／ｍｉｎと１ｌ／ｍｉｎの各流量で結晶薄膜（ＩｎＰ）の成長を行った。
　第３図は、本発明の第２実施例に係る原料供給装置を示す概略図である。
　本実施例においては、容器４内の原料３に供給量制御装置２１を介してキャリアガス（例えばＨ２）を供給する配管６ｆを配置すると共に、原料３を気相成長装置（不図示）に供給する配管６ｂに、供給量制御装置８を介して希釈ガス（例えばＨ２）を供給する配管６ｃを接続した構成であり、他の構成は第１図に示した実施例と同様である。
　本実施例においても、原料ガスの流量をｆ、配管６ｂの恒温槽２の出口付近での温度Ｔにおける蒸気圧をＰ（Ｔ）、配管６ｆの恒温槽２の出口付近の圧力をＰｏ、配管６ｆを流れるキャリアガス流量をＦ１、６ｃを流れる希釈ガスの流量をＦ２とした時に、キャリアガスと希釈ガスの流量Ｆ１，Ｆ２は前記した（１）式から、
　を満足するように供給量制御装置２１，８で調整することにより、原料の凝縮を防止して良好な結晶薄膜を形成することができる。尚、配管６ｆ，６ｃでそれぞれ供給される希釈ガスとキャリアガスは、同じガスでもよく、また異なるガスでもよい。
　第４図は、本発明の第３実施例に係る原料供給装置を示す概略図である。
　本実施例においては、原料３を収納した容器４と、配管６ａを介して接続した供給量制御装置５を内部に配設した恒温槽２全体の温度制御を行う第１の温度制御装置２２と、原料３の温度制御を行う第２の温度制御装置２３と、供給量制御装置５の温度制御を行う第３の温度制御装置２４と、配管６ａの温度制御を行う第４の温度制御装置２５を設けた構成であり、他の構成は第１図に示した実施例と同様である。尚、原料３の温度は、恒温槽２の外側の室温よりも高く調整されている。そして、第２，３，４の各温度制御装置２３，２４，２５によって容器４内の原料３の温度を配管６ａ、供給量制御装置５より低くなるように制御することによって、原料３が配管６ａ、供給量制御装置５内で凝縮するのを防止することができる。
　また、前記した実施例では、第２，３，４の温度制御装置２３，２４，２５によって原料３、供給量制御装置５、配管６ａの温度を制御したが、恒温槽２内で配管６ａ、供給量制御装置５を原料３より恒温槽２内の温度の高い位置（恒温槽２の種々の条件、及びヒータやファン等の配置等によって異なる）に配設することにより、原料３、供給量制御装置５、配管６ａの温度制御を行うことなく、自然に原料３の温度を供給量制御装置５、配管６ａより低く保つことが可能である。
　第５図、第６図は、それぞれ本発明の第４および第５実施例に係る原料供給装置を示す概略図である。
　第５図に示した本実施例においては、１つの恒温槽２内に１種の原料３を収納した１つの容器４と、この容器４に接続された配管６ａを介して複数の供給量制御装置５を並設して配置し、各供給量制御装置５から複数のラインに原料３を供給できるようにした構成である。また、第６図に示した本実施例においては、１つの恒温槽２内に複数の異なる原料３をそれぞれ収納した各容器４と、各容器４にそれぞれ接続された配管６ａを介して１つもしくは複数の供給量制御装置５を並設して設置し、複数のラインに異なる原料３を供給できるようにした構成である。
　このように、これらの実施例では、１つの恒温槽２内に、複数の供給量制御装置や複数の異なる原料３および複数の供給量制御装置５を設置することにより、スペースの削減とコストの低減を図ることができる。
　第７図は、本発明の第６の実施例に係る原料供給装置を示す概略図である。
　本実施例においては、恒温槽２内に設置されている供給制御装置５の流量信号を積算する積算装置１７と、原料の積算流量もしくは残量を示す表示装置１８が配設されている。この積算装置１７により、残量を把握しにくい容器４内の原料残量を容易に把握することが可能となる。また、表示装置１８に、原料３の積算流量もしくは残り量が一定の値になった場合にアラームを発生する機構を設けることにより、原料３の交換時期を知らせるようにすることができる。
　このように、この実施例では、原料３が少なくなり原料供給量が不安定になる前に原料３を収納した容器４を交換することが可能になり、常に安定した原料供給を実現することができる。
〔発明の効果〕
　以上、実施例に基づいて具体的に説明したように本発明によれば、常温で蒸気圧が低い原料を凝縮することなく安定して供給することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明に係る原料供給装置を気相成長装置の原料供給に適用した場合の構成を示す概略図、第２図は、同原料供給装置によって原料を供給した時に気相成長装置で形成される結晶薄膜の成長速度と成長回数の関係を示す図、第３図乃至第７図は、それぞれ本発明の他の実施例に係る原料供給装置を示す概略図、第８図は、従来の原料供給装置を示す概略図である。
１……原料供給装置
２……恒温槽
３……原料
４……容器
５，８，９，１０，２１……供給量制御装置
６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ，６ｅ，６ｆ……配管
７……気相成長装置
１７……積算装置
１８……表示装置
２２，２３，２４，２５……温度制御装置