【事件の表示】
　特許第３０３３１４６号「洗浄後の水切り乾燥方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０３３１４６号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０３３１４６号に係る発明についての出願は、平成２年７月３日に特許出願され、平成１２年２月１８日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、申立人渡辺尚吾より特許異議の申立がなされ、平成１２年１２月２１日付けで取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年３月１９日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　ア．訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の請求項１「洗浄後容器又は洗浄冶具に収納した金属、セラミックス、又は半導体製の被洗浄部材を洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出速度が0.5mm/sec〜15mm/secであることを特徴とする水切り乾燥方法。」を、
「洗浄後容器又は洗浄冶具に収納したアルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハーを洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より40℃〜45℃の温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出速度が３mm/sec〜５mm/secであることを特徴とする水切り乾燥方法。」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　　明細書第３頁第３行〜第４頁第８行の「本発明の〜特徴とする。」を、
「本発明の水切り乾燥方法は、洗浄後容器又は洗浄冶具に収納したアルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハーを洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より40℃〜45℃の温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出速度が３mm/sec〜５mm/secであることを特徴とする。」と訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　　明細書第５頁第１行の「となる。」を、
「となる。
　そして、本発明によれば、上記条件を満足することにより、アルミ膜の酸化が進み、ボンディング性が低下することを防止できる。」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　　明細書第８頁第１７行〜第９頁第８行の「以上のように〜コストダウンが計れる。」を、
「以上のように、本発明は、洗浄後容器又は洗浄冶具に収納したアルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハーを洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より40℃〜45℃の温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出速度が３mm/sec〜５mm/secであることにより、被洗浄部材及び洗浄容器への水付着が少なく、被洗浄部材及び洗浄容器に余熱により、付着した水分もすみやかに乾燥するので、清浄な水切り乾燥ができる。更に、引上装置が簡単にでき、コストダウンが計れる。また、アルミ膜の酸化が進み、ボンディング性が低下することを防止できる。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１に記載された水切り乾燥方法が、被洗浄部材としてアルミ膜を有する半導体ウエハーを対象とし、且つ、供給する温水の温度が40℃〜45℃であり、温水の排出速度が３mm/sec〜５mm/secである点を限定したものであり、かかる限定は、特許掲載公報第４欄第９〜１４行の「被洗浄部材１がアルミ蒸着をしてある半導体ウエハーでは、温水３に〜40℃〜45℃、引上げ速度３mm/sec〜５mm/secの条件で引上げ乾燥することにより清浄面を得ることが出来る。」、及び、同第４欄第４５〜４９行の「この第２図に示す例では、被洗浄部材１はそのままにしておいて温水３を排出するものである。したがって、第１図に示す例で説明した引き上げ速度は、この例では温水の排出速度に置き換えられる。」なる記載に基くものである。
　したがって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正である。
　また、上記訂正事項ｂ乃至ｄは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　そして、上記いずれの訂正事項も、被洗浄部材に塵埃等の再付着、汚染がなく、乾燥時に前記被洗浄部材の割れ、欠け、キズ等の発生がなく、又乾燥効率の高い水切り乾燥方法の提供という課題に変更を及ぼすものでもないから、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載した事項により特定されるとおりのものである（上記２．（１）ア．訂正事項ａ参照）。
（２）引用刊行物に記載された発明
　ア．当審が通知した取消しの理由で引用した刊行物１（特開昭６２−５４４４３号公報）には、ウェーハ等の乾燥方法に関するものであって、
　例えば、公報第１頁右下欄第３〜８行の『従来、ウェーハの乾燥は多数のウェーハをキャリアに収めた状態で洗浄器に収容し・・・水洗いをし、その後に、・・・乾燥させる方法が採られていた。』なる記載、
　及び、同第２頁左上欄第１７行〜右上欄第１行の『温水路（ａ）は器体（１），温水器（２），フィルター（３），バルブ（Ｖ１）（Ｖ２）を流路中に配置して構成され、温水器（２）により加熱された70〜85℃の温水をバルブ（Ｖ１）の開き時に器体（１）へ供給する。』なる記載、
　及び、同第２頁左下欄第３行〜右下欄第３行の『而してウェーハ（７）（７）…は・・・（中略）・・・その乾燥工程は次の通りである。
(1) 　バルブ（Ｖ１）〜（Ｖ５）が閉じた状態でキャリア（８）を器体
　　（１）内に収容し蓋（１ａ）を閉じる。
(2) 　バルブ（Ｖ１）を開いて温水を器体（１）内に送入し、ウェーハ
　　（７）（７）…全体が温水に浸ったところでバルブ（Ｖ１）を閉じる。
(3) 　バルブ（Ｖ１）が閉じた直後又は所定時間経過後にバルブ（Ｖ２）を
　　開き温水を器体（１）より排出し、温水面をゆるやかに下降させる。
(4) 　温水が器体（１）より排出し終えたところでバルブ（Ｖ２）を閉じ、　　バルブ（Ｖ４）（Ｖ５）を開いて器体（１）内を真空引きする。』なる記載、
　及び、同第２頁右下欄第１８行〜第３頁左上欄第３行の『本発明の乾燥方法によれば、被乾燥材の表面に残留せる付着物が温水により剥離し、温水面の下降とともに流下して被乾燥材から除去することができ、したがって乾燥時に洗浄作用を伴って清浄なウェーハ等の被乾燥材に仕上げることができ』なる記載、
　そして、図面の記載内容、等からみて、
「キャリア８に収納したウェーハ等の被乾燥材７，７を洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う乾燥方法において、
　器体１の送入口４より70℃〜85℃の温水を供給し、被乾燥材７，７全体が温水に浸ったところで温水の供給を停止し、前記被乾燥材を所定時間浸した後、前記器体１の排出口５から温水を排出することにより前記被乾燥材７，７の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出を温水面をゆるやかに下降させるようにして行う水切り乾燥方法」、
が記載されていると認められる。
　イ．同じく引用した刊行物２（特開昭５８−１８４４７９号公報）には、水切り乾燥方法に関するものであって、
　例えば、公報第１頁左下欄第１２〜１７行の『本発明は洗浄工程を終り、洗浄液で表面が濡れている物品、とくに円形、角形など任意の形状の金属、、プラスチック、ガラスなどからなる平板・・・を精密に乾燥する方法に関する』なる記載、
　及び、同第１頁右下欄第１５〜１９行の『本発明は・・・（中略）・・・単に予め加温した水または純水の中に、物品を入れ、決められた一定の速さで外部に引きあげるだけで完全に乾燥するもので、・・・（中略）・・・取扱いも容易である。』なる記載、
　及び、同第２頁左上欄第４〜１３行の『両面を鏡面仕上げした直径３６０mm、厚さ２mmのアルミ板を用い、純水の中に１５秒間浸漬し、水温を変え、各温度毎に引き上げ速度と乾燥の関係をしらべた実験結果の一例を示すと第１図の通りである。
　図中о印の引き上げ速度の値は、・・・（中略）・・・その温度において乾燥するための最高速度を示すもので、温度が高い程、早い速度で引き上げて乾燥することができる。』なる記載、
　及び、同第２頁右上欄第１３〜１５行の『また物品を引き上げる速度に就ては、予め個々の物品に於て実験を行い、その実験結果に基づいて決めればよいことは申すまでもない。』なる記載、
　そして、第１図の、横軸の水温約40℃〜75℃に対応する縦軸の引き上げ速度が換算して約５mm/sec〜３０mm/secであり、とりわけ水温約40℃〜45℃に対応する引き上げ速度が換算して約５mm/sec〜７mm/secである図示内容、等からみて、
「アルミ板等の物品を洗浄した後に、予め加温した水に浸し、物品を所定の引き上げ速度で引き上げて、水切り乾燥を行う乾燥方法において、
　物品の引き上げ速度が水温約40℃〜45℃において約５mm/sec〜７mm/secである水切り乾燥方法」、
が記載されていると認められる。
　ウ．同じく引用した刊行物３（特開昭６３−６７７３５号公報）には、基体乾燥方法に関するものであって、
　例えば、公報第２頁右下欄第１２行〜第３頁左上欄第５行の『第１図は、本発明の一実施例による半導体ウエハ乾燥方法を示すものである。
　この例によれば、後述の収納治具（キャリア）１１に半導体ウエハ３を収容し、これを乾燥機の槽１０中に入れ、この槽１０に温純水１６を供給し、槽の全周より均一にオーバーフローすることにより、水面を常に清浄な状態に保つ。　こうして洗浄された基板３および収納治具１１は一定時間経過後に、乾燥機に備えた引上げ装置１８で、二点鎖線の如くに基板３を静止させたまま微速度で引上げ、このとき、純水の表面張力を利用して基板３および収納治具１１の水分を除去するので、液溜りも生じない。　僅かに残った水分も、基板３と収納治具１１の余熱で短時間の内に蒸発し、乾燥する。』なる記載、
　そして、第１図の記載内容、等からみて、
「収納治具１１に収納した半導体ウエハ３を洗浄した後に、温純水１６に浸し、水切り乾燥を行う乾燥方法において、
　槽１０の供給口より温純水１６を供給し、前記半導体ウエハ３を一定時間経過後、前記槽１０から微速度で引上げることにより前記半導体ウエハ３の水切り乾燥を行う乾燥方法」、
が記載されていると認められる。
（３）対比・判断
　本件発明と上記刊行物１に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比すると、引用発明の「キャリア８」が本件発明の「洗浄後容器又は洗浄冶具」に相当し、以下同様に、「器体１」が「洗浄槽」に、「送入口４」が「供給口」に、「所定時間浸した後」が「一定時間浸漬後」に、「排出口５」が「排水口」に、それぞれ相当している。
　また、引用発明において、「ウェーハ等」に「半導体ウエハー」が含まれることは明らかであるから、引用発明の「ウェーハ等の被乾燥材７，７」が本件発明の「被洗浄部材としての半導体ウエハー」に相当するものである。
　したがって、両者は、
「洗浄後容器又は洗浄冶具に収納した被洗浄部材としての半導体ウエハーを洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものである水切り乾燥方法」において一致し、
ａ．被洗浄部材としての半導体ウエハーに関し、本件発明が、「アルミ膜を有する」としたのに対し、引用発明は、アルミ膜の有無が明確にされていない点（以下、「相違点１」という。）、
ｂ．温水の温度に関し、本件発明が、「40℃〜45℃」としたのに対し、引用発明は、「70℃〜85℃」である点（以下、「相違点２」という。）、
ｃ．被洗浄部材を一定時間浸漬する際、本件発明では、「洗浄槽の供給口より温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し」としているところから、温水を供給し続けているのに対して、引用発明は、温水の供給を停止している点（以下、「相違点３」という。）、
ｄ．温水に関し、本件発明が、「排出速度が３mm/sec〜５mm/sec」としたのに対し、引用発明が、「温水面をゆるやかに下降させる」としているものの、排出速度を明確にしていない点（以下、「相違点４」という。）、
で相違している。
　以下、上記相違点について検討する。
相違点１について
　アルミ膜を有する半導体ウエハーは極普通に存在するものであり（必要であれば、特開昭５６−６７９３３号公報、特開昭５８−７１６３５号公報、特開昭６１−１８９６４３号公報等を参照）、引用発明における半導体ウエハーについても、それを除外すべき格別の事情は何等見あたらず、また、アルミ膜を有するものを採用することが格別困難であるとも認められない。
相違点２について
　上記刊行物２には、被洗浄部材（「アルミ板等の物品」が相当）の引き上げ速度が水温約40℃〜45℃において約５mm/sec〜７mm/secとした水切り乾燥方法が記載されているところであるから、引用発明の水切り乾燥方法においても、温水を40℃〜45℃とすることは、当業者であれば必要に応じて適宜設定し得る程度の事項にすぎない。
相違点３について
　水切り乾燥方法において、水面を常に清浄な状態に保つために、温水を供給しつつ被洗浄部材を一定時間浸漬することは、上記刊行物３に記載されているように公知の技術事項であるから、引用発明において、清浄化を図るために、かかる技術を適用することは、当業者が容易になし得るところである。
相違点４について
　上記刊行物２には、水切り乾燥方法において、温水（「予め加温した水」が相当）に浸しておいた被洗浄部材（「アルミ板等の物品」が相当）を約５mm/secで引き上げるようにしたものが記載されており、これは、被洗浄部材と温水の水面との相対的離隔の速度を約５mm/secとしたものであると云える。
　ところで、上記の相対的離隔を生じさせるために、温水を排出することと、被洗浄部材を引き上げることとは、互いに等価の事項として捉え得ることが明らかであるから、結局、上記刊行物２は、温水の排出速度を約５mm/secとしたものを示唆していることになる。
　さらに、上記刊行物２には、被洗浄部材の引き上げ速度は個々の被洗浄部材の実験結果に基づいて決めればよい旨の記載がなされているところから、温水の排出速度についても同様の決め方が当てはまるものと認められる。
　これらを総合的に勘案すると、引用発明において、「温水面をゆるやかに下降させる」との範囲内で、温水の排出速度を３mm/sec〜５mm/secとする程度のことは、当業者が必要に応じて適宜選択し得る事項にすぎない。
　なお、本件特許権者は、平成１３年３月１９日付けの特許異議意見書において、刊行物１乃至３には、本件発明のように、被洗浄部材としてアルミ膜を有する半導体ウエハーを適用するという記載は存在せず、ましてや、温水の温度を40℃〜45℃、温水の排出速度を３mm/sec〜５mm/secに限定するという記載も存在しないから、これら刊行物１乃至３に記載された発明を根拠として本件発明に想到することは、当業者といえども不可能である旨の主張をしている。
　しかしながら、刊行物１記載の発明において、アルミ膜を有する半導体ウエハーの適用が容易に想定されるものであること、及び、水切り乾燥方法において、温水の温度が40℃〜45℃で温水の排出速度が約５mm/secとすることが、刊行物２に開示されていることは、既に検討したとおりである。
　そして、半導体ウエハーのアルミ膜の機能からして、アルミ膜表面の酸化を防止するのが望ましいことは当然のことであり、一方、金属表面の酸化は、晒される周囲温度が高い程促進されることになるのは技術常識であるから、アルミ膜表面の酸化を防止するために、刊行物２の第１図に示された通常想定される範囲の内から、水温の比較的低い領域である40℃の近傍を選定し、それに対応する温水の排出速度を５mm/secの近傍とすることは、当業者が実験的に最適な特性が得られる条件として適宜決定し得たものと解するのが相当である。
　したがって、上記意見書における主張は採用できない。
（４）むすび
　以上のとおり、本件発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月１６日（２００１．５．１６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１「洗浄後容器又は洗浄冶具に収納した金属、セラミックス、又は半導体製の被洗浄部材を洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出速度が０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１５ｍｍ／ｓｅｃであることを特徴とする水切り乾燥方法。」を、
「洗浄後容器又は洗浄冶具に収納したアルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハーを洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より４０℃〜４５℃の温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出速度が３ｍｍ／ｓｅｃ〜５ｍｍ／ｓｅｃであることを特徴とする水切り乾燥方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書第３頁第３行〜第４頁第８行の「本発明の〜特徴とする。」を、
「本発明の水切り乾燥方法は、洗浄後容器又は洗浄冶具に収納したアルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハーを洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より４０℃〜４５℃の温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出速度が３ｍｍ／ｓｅｃ〜５ｍｍ／ｓｅｃであることを特徴とする。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書第５頁第１行の「となる。」を、
「となる。
　そして、本発明によれば、上記条件を満足することにより、アルミ膜の酸化が進み、ボンディング性が低下することを防止できる。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　明細書第８頁第１７行〜第９頁第８行の「以上のように〜コストダウンが計れる。」を、
「以上のように、本発明は、洗浄後容器又は洗浄冶具に収納したアルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハーを洗浄した後に、温水に浸し、水切り乾燥を行う水切り乾燥方法において、
　洗浄槽の供給口より４０℃〜４５℃の温水を供給し、前記被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、前記洗浄槽の排水口から温水を排出することにより前記被洗浄部材の水切り乾燥を行うものであって、
　前記温水の排出速度が３ｍｍ／ｓｅｃ〜５ｍｍ／ｓｅｃであることにより、被洗浄部材及び洗浄容器への水付着が少なく、被洗浄部材及び洗浄容器に余熱により、付着した水分もすみやかに乾燥するので、清浄な水切り乾燥ができる。更に、引上装置が簡単にでき、コストダウンが計れる。また、アルミ膜の酸化が進み、ボンディング性が低下することを防止できる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
洗浄後の水切り乾燥方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　洗浄後容器又は洗浄冶具に収納した
アルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハー
　洗浄槽の供給口より
４０℃〜４５℃の
　前記温水の排出速度が
３ｍｍ／ｓｅｃ〜５ｍｍ／ｓｅｃ
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、被洗浄部材を洗浄した後の乾燥に関する、水切り乾燥方法。
〔従来の技術〕
　従来の水切り乾燥方法は被洗浄部材を洗浄した後に、高速回転を与え、温風等を活用して水切り乾燥をするか、アルコール、トリクレン、フロン等を使用して水切り乾燥をする方法であった。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかし、前述の従来技術では、高速回転をすると回転部から発塵し、被洗浄部材に付着し、歩留が低下するという問題、又被洗浄部材の材質がセラミックスの場合には、変速回転中に破損するという問題を有している。温風の場合には、乾燥シミが発生しやすいこと、又加熱部からの発塵により歩留が低下する問題を有している。アルコール、トルクレン、フロン等を溶液として、又、蒸気として使用する場合に、火災、爆発の危険性、人体への有害性、環境の破壊性等の問題を有している。
　そこで、本発明は、この様な課題を解決するもので、その目的とする所は、被洗浄部材に塵埃等の再付着、汚染がなく、乾燥時に前記被洗浄部材の割れ、欠け、キズ等の発生がなく、又乾燥作業時の危険性等が少なく、乾燥効率の高い水切り乾燥方法を提供するところにある。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明の水切り乾燥方法は、洗浄後容器又は洗浄冶具に収納した
アルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハー
　洗浄槽の供給口より
４０℃〜４５℃の
　前記温水の排出速度が
３ｍｍ／ｓｅｃ〜５ｍｍ／ｓｅｃ
〔作用〕
　以上の方法によれば、洗浄槽の供給口より温水を供給し、被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、洗浄槽の排水口から温水を排出することにより、前記温水の表面張力の作用により、ほとんどの水分が、前記被洗浄部材及び前記洗浄容器から分離でき、残った薄い水膜、水滴は、前記被洗浄部材及び前記洗浄容器の余熱により、蒸発乾燥する。
　洗浄槽の供給口より温水を供給し、被洗浄部材を一定時間浸漬後、温水の供給を停止し、洗浄槽の排水口から温水を排出することにより乾燥するので、前記被洗浄部材に塵埃等の付着、及び衝撃による割れ、欠け、キズ等の発生が少くなり品質が向上する。温水のみを使用するので、火災、爆発の危険性、人体への有害性、環境破壊の危険性が皆無となる。
　
そして、本発明によれば、上記条件を満足することにより、アルミ膜の酸化が進み、ボンディング性が低下することを防止できる。
〔実施例〕
　以下、本発明について、実施例に基づき説明する。第１図は、本発明の実施例を示す断面図である。被洗浄部材１を収納した洗浄容器２を温水３の入った洗浄槽４に入れる。洗浄槽４には温水３を供給し、洗浄槽４の上側縁面よりオーバーフローさせ、温水３の清浄度を保つ。
　洗浄槽４に一定時間浸漬後、引上装置５により微速度で洗浄容器２及び被洗浄部材１を引上げる。温水３の表面張力の働きにより、被洗浄部材１及び洗浄容器２から水分が分離され、残った薄い水膜及び水滴は、被洗浄部材１及び洗浄容器２の余熱により蒸発、乾燥する。
　温水３の温度は２０℃（室温）〜９０℃、引上げ速度は０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１５ｍｍ／ｓｅｃの範囲とする。
　水は低温になると表面張力が低下し、引上げ時、被洗浄部材１への水の付着量が多くなる。そのため引上げ速度を遅くすると、水面に浮遊しているゴミ等の再付着が増え、乾燥品質が低下する。又室温以下では、冷却設備が必要となり、コストアップの要因になるので、下限値は水温２０℃、引上げ速度０．５ｍｍ／ｓｅｃとする。
　水温を高くすると、温水器から気泡が洗浄槽４に持ち込まれ、水面が波立ち、乾燥ムラが発生し、乾燥品質が低下する。但し、水の表面張力は大きくなり、被洗浄部材１への水の付着量も少なく、被洗浄部材１の余熱も高く乾燥速度が速まるので、引上げ速度を上げることが出来ることから、上限値は水温９０℃、引上速度１５ｍｍ／ｓｅｃとする。上記範囲内での水温と引上げ速度の選定は被洗浄部材１の材質、及び形状により決める。
　被洗浄部材１がアルミ蒸着をしてある半導体ウエハーでは、温水３に比抵抗１８ＭΩの超純水を使用し、水温が高くなるとアルミ膜の酸化が進み、ボンディング性が低下するので、４０℃〜４５℃、引上げ速度３ｍｍ／ｓｅｃ〜５ｍｍ／ｓｅｃの条件で引上げ乾燥することにより清浄面を得ることが出来る。
　被洗浄部材１がガラス基板の場合には、温水３に比抵抗１８ＭΩの超純水を用い、水温７０℃〜８０℃、引上げ速度２ｍｍ／ｓｅｃ〜４ｍｍ／ｓｅｃで、清浄面を得ることが出来る。
被洗浄部材１が黄銅材のフープ製品では、温水３に純水を使用し、水温８０℃〜９０℃、引上げ速度１０ｍｍ／ｓｅｃ〜１５ｍｍ／ｓｅｃで清浄面を得ることが出来る。
　尚、乾燥速度を速めたい時には、洗浄槽４の上部空間を除湿し、湿度を下げるか、常温又は加熱したクリーンな空気を吹きつけるか、遠赤外線等で加熱するかの方法を併用すると効果的である。
　洗浄容器２の材質は静電気を帯びやすい。テフロン等の樹脂製を使用すると、ゴミ等の付着が多くなるので、金属、ガラス、又は静電防止処理をした樹脂製のものを使用することで、より乾燥品質を向上させることが出来る。
　又、引上げる時、被洗浄部材１及び洗浄容器２に温水３の水面と並行になる箇所が有ると、その部分が水面より離れる時、温水３の水面が波立ち、乾燥ムラとなるので、被洗浄部材１及び洗浄容器２を傾けて引上げるか、洗浄容器２の構造を、水面に対し平行部分がなく、被洗浄部材１を傾けて収納できるものにすることにより、波立ちを防止し、乾燥品質を向上させることが出来る。
　第２図は、本発明のその他の実施例を示す断面図である。被洗浄部材１を収納した洗浄容器２を、温水３の入った洗浄槽４に入れる。
　洗浄槽４には温水３を供給し、洗浄槽４の上縁面よりオーバーフローさせ、温水３の洗浄度を保つ。洗浄槽４に一定時間浸漬後、温水３の供給を停止し、排水口６から温水３をゆっくり排出する。水切り乾燥に関する効果は、前記実施例に同じであるが、引上装置が簡単になり、コストダウンが計れる。この第２図に示す例では、被洗浄部材１はそのままにしておいて温水３を排出するものである。したがって、第１図に示す例で説明した引き上げ速度は、この例では温水の排出速度に置き換えられる。
〔発明の効果〕
　以上のように、本発明は、洗浄後容器又は洗浄冶具に収納した
アルミ膜を有する被洗浄部材としての半導体ウエハー
　洗浄槽の供給口より
４０℃〜４５℃の
　前記温水の排出速度が
３ｍｍ／ｓｅｃ〜５ｍｍ／ｓｅｃ
また、アルミ膜の酸化が進み、ボンディング性が低下することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明にかかわる、洗浄後の水切り乾燥方法の実施例を示す断面図。
第２図は本発明にかかわる、他の実施例の断面図。
１……被洗浄部材
２……洗浄容器
３……温水
４……洗浄槽
５……引上装置
６……排水口