【事件の表示】
　特許第２９８９１５６号「スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９８９１５６号の請求項１ないし２、４ないし７、９に係る特許を取り消す。
　同請求項３、８に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２９８９１５６号の請求項１〜９に係る発明についての出願は、平成９年３月３１日（優先権主張平成８年３月３０日）に出願され、平成１１年１０月８日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、荒井純子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月６日に訂正請求（後日取下げ）がなされ、その後再度取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年４月１６日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正の適否について
１．訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「前記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、７０〜９５ｍｏｌ％であること」を、「前記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、８０〜９５ｍｏｌ％であること」と訂正する。
　請求項３の「スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％である化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量が多いこと」を、「スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％よりもシリコンの量が多いこと」と訂正する。
  請求項４の「スパッタターゲット中のシリコンの含有量が７０〜９５ｍｏｌ％である」を、「スパッタターゲット中のシリコンの含有量が８０〜９５ｍｏｌ％であること」と訂正する。
  請求項８の「スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％である化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量を多く含んだ」を、「スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％よりもシリコンの量を多く含んだ」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１、４において、スパッタターゲット中のシリコンの含有量を、「７０〜９５ｍｏｌ％」から「８０〜９５ｍｏｌ％」であるとし、また、請求項３において、スパッタターゲットの組成を「Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％である化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量が多い」から「Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％よりもシリコンの量が多い」と、請求項８において、スパッタターゲットの組成を「Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％である化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量を多く含んだ」から「Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌよりもシリコンの量を多く含んだ」と、それぞれシリコンの含有量を減縮するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、また、これ等の点は特許明細書の【００３０】、【００３７】、【００４１】欄における実施例２、５〜８、９〜１１でモリブデンとシリコンとの混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用いることに裏付けられている。
　よって、上記訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、また、願書に添付された明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．異議申立てについて
１．異議申立ての概要
　特許異議申立人荒井純子は、証拠として下記の甲第１号証〜甲第７号証を提出し、請求項１、２、４〜６、９に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証に記載された発明であるから、又請求項３、８に係る発明は、甲第２号証に記載された発明であるから、該請求項に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、又請求項１〜９に係る発明は、甲第１号証〜甲第６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜９に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、更に、請求項１〜５、８、９に係る発明は、甲第７号証に記載された発明と同一であるから、該請求項に係る発明の特許は、特許法第３９条第１項の規定に違反してなされたものであるから、これを取り消すべき旨主張している。
　　　　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平７−１８１６６４号公報（以下、「刊行物１」という）
甲第２号証：特開平８−７４０３１号公報（以下、「刊行物２」という）
甲第３号証：特開昭６４−３９３７４号公報（以下、「刊行物３」という）
甲第４号証：特開平５−１３７０号公報（以下、「刊行物４」という）
甲第５号証：国際公開第９５／０４１６７号パンフレット（以下、「刊行物５」という）
甲第６号証：特開平６−２００３６７号公報（以下、「刊行物６」という）
甲第７号証：特開平９−２４４２１８号公報（以下、「先願発明」という）　　   
２．本件発明
　本件の請求項１〜９に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】　位相シフトマスクの光半透過部を形成するために使用されるスパッタターゲットであって、
　前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、かつ、前記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、８０〜９５ｍｏｌ％であることを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項２】　前記金属が、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上の金属であることを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲット。
【請求項３】　位相シフトマスクブランクにおける金属とシリコンを含む光半透過部を、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより形成するために使用されるスパッタターゲットであって、
　前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、かつ、スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％よりもシリコンの量が多いことを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項４】　スパッタターゲット中のシリコンの含有量が８０〜９５ｍｏｌ％であるシリコンと金属とを含んだスパッタターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜を形成することを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項５】　前記金属が、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上の金属であることを特徴とする請求項４記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項６】　使用する露光光源の波長が２４８ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を２５〜１００％としたことを特徴とする請求項４又は５記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項７】　使用する露光光源の波長が３６５ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を３８〜４８％としたことを特徴とする請求項４又は５記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項８】　スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌよりもシリコンの量を多く含んだシリコンと金属とを含むスパッタターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜を形成することを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
【請求項９】　請求項４ないし８のいずれか１項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られる位相シフトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。」（以下、「本件発明１」〜「本件発明９」という）　
　
３．各刊行物記載の発明
（１）刊行物１：（特開平７−１８１６６４号公報）
（１ａ）「【請求項１】　透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素とを少なくとも含む膜からなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項２】　遷移金属がタングステン、タンタルおよびクロムから選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項３】　光半透過膜が酸素および窒素から選ばれる元素の少なくとも１種を更に含む、請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項４】　光半透過膜中の遷移金属とケイ素が、酸化ケイ素および／または窒化ケイ素中に含有されている、請求項３に記載のハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項８】　請求項１〜７のいずれか１項に記載の位相シフトマスクブランクの光半透過膜に、所定のパターンにしたがってその一部を除去するパターニング処理を施すことにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成したことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」（請求項１〜４、８）
（１ｂ）「本発明は、上述のような背景のもとでなされたものであり、簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的としたものである。」（【００１０】）
（１ｃ）実施例１には、「図１は実施例１のハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクを示す図であり、更に具体的には図１（ａ）がハーフトーン型位相シフトマスクブランクの断面図であり、図１（ｂ）がハーフトーン型位相シフトマスクの断面図である。
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランクは図１（ａ）に示されるように、透明基板１の上に光半透過膜２ａが形成されたものである。・・・
　透明基板１は、主表面を鏡面研磨した石英ガラス基板からなる。また光半透過膜２ａはＲＦマグネトロンスパッタ法によりタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）を主成分としたターゲットを用いて形成した。スパッタ時に用いるスパッタガスには、アルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ2 ）ガスを用いた。・・・
　本実施例ではターゲットの組成比をＷ：Ｓｉ＝１：１とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｏ2 ＝１：１にして、基板１上に光半透過膜２ａを形成した。形成した光半透過膜２ａの屈折率は後掲の表１に示すように２．０であり、膜厚を１２４０オングストロームとすることによってλ＝２４８ｍｍのときの透過率８．０％を得た。」（【００２３】〜【００２６】）
（１ｄ）実施例３には、「実施例３のハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクは実施例１における光半透過膜２ａおよび光半透過部２を以下のように変更したものである。
　すなわち、本実施例では、光半透過膜２ａをＲＦマグネトロンスパッタ法により作成する際に、スパッタガスとして、Ａｒガスと窒素ガス（Ｎ2 ガス）を用いた。窒素ガスは、膜中に窒素（Ｎ）を導入するために用いたものであり、膜の透過率と導電率を制御するためにはスパッタガス総流量の１５〜８５％程度の窒素ガスを導入することが望ましい。・・・
　本実施例ではターゲットの組成比をＷ：Ｓｉ＝１：１とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｎ２ ＝１：３として、光半透過膜を形成した。形成した光半透過膜の屈折率は表１に示すように２．２であり、膜厚を１０３３オングストロームとすることによりλ＝２４８ｎｍのときの透過率７．５％を得た。・・・
　本実施例で得られた位相シフトマスクブランクにおいて光半透過膜の組成は表１に示すようにＷ：Ｓｉ：Ｎ＝２９：３０：４１であった。」（【００５２】〜【００５６】）
　「また、本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。」（【００５９】）
（１ｅ）実施例４では、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクを、ターゲットの組成比をＷ：Ｓｉ＝１：２とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｎ２＝１：３として、光半透過膜を形成し、形成した光半透過膜２ａの屈折率は２．５、膜厚を９５４オングストロームとすることによりλ＝２４８ｎｍのときの透過率６．５％、得られた位相シフトマスクブランクにおいて光半透過膜の組成は、Ｗ：Ｓｉ：Ｎ＝１４：３０：５６であったこと（【００６２】〜【００６４】）、
　実施例５では、ターゲットの組成比をＷ：Ｓｉ＝１：１とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｏ２：Ｎ2＝１：１：２として、光半透過膜を形成し、形成した光半透過膜２ａの屈折率は２．１３、膜厚を１０９７オングストロームとすることによりλ＝２４８ｎｍのときの透過率７．８％、得られた光半透過膜の組成は、Ｗ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１９：２２：３７：２２であったこと（【００７０】〜【００７４】）、
　実施例６では、ターゲットの組成比をＷ：Ｓｉ＝１：２とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｏ２：Ｎ2  ＝１：１：２として、光半透過膜を形成し、形成した光半透過膜２ａの屈折率は２．２５、膜厚を９９２オングストロームとすることによりλ＝２４８ｎｍのときの透過率６．８％、得られた光半透過膜の組成は、Ｗ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１３：２６：４０：２１であったこと（【００８０】〜【００８２】）、
　実施例９では、ターゲットの組成比をＴａ：Ｓｉ＝１：１とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｎ2 ＝１：３として、光半透過膜２ａを形成し、形成した光半透過膜２ａの屈折率は２．２５であり、膜厚を９９２オングストロームとすることによりλ＝２４８ｎｍのときの透過率６．８％、得られた光半透過膜の組成は、Ｔａ：Ｓｉ：Ｎ＝２７：３１：４２であったこと（【０１０５】〜【０１０８】）、  
　実施例１０では、ターゲットの組成比をＴａ：Ｓｉ＝１：２とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｎ2 ＝１：３として、光半透過膜２ａを形成し、形成した光半透過膜２ａの屈折率は２．０５であり、膜厚を１１８１オングストロームとすることによりλ＝２４８ｎｍのときの透過率６．０％、得られた光半透過膜の組成は、Ｔａ：Ｓｉ：Ｏ（Ｎの誤記と認める）＝１３：３０：５７であったこと（【０１１４】〜【０１１６】）、
　実施例１１では、ターゲットの組成比をＴａ：Ｓｉ＝１：１とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｏ２：Ｎ2＝１：１：２として、光半透過膜を形成し、形成した光半透過膜２ａの屈折率は２．１８、膜厚を１０５１オングストロームとすることによりλ＝２４８ｎｍのときの透過率７．２％、得られた光半透過膜の組成は、Ｔａ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１７：２３：３７：２５であったこと（【０１２２】〜【０１２５】）、
　実施例１２では、ターゲットの組成比をＴａ：Ｓｉ＝１：２とし、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｏ２：Ｎ2  ＝１：１：２として、光半透過膜を形成し、形成した光半透過膜２ａの屈折率は２．２１、膜厚を１１１７オングストロームとすることによりλ＝２４８ｎｍのときの透過率６．５％、得られた光半透過膜の組成は、Ｔａ：Ｓｉ：Ｏ：Ｎ＝１３：２７：３９：２１であったこと（【０１３１】〜【０１３３】）、
　また、各実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであったこと（【００６７】【００７７】【００８５】【０１１１】【０１１９】【０１２８】【０１３６】）
（１ｆ）実施例１７には、「上記実施例の試料について３６５ｎｍでの屈折率を測定し、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクとしての条件を満たす膜厚において光半透過膜を作成しその透過率を測定したところ、いずれも５〜１５％の範囲であり、３６５ｎｍ波長においてもハーフトーン型シフトマスクブランクおよびハーフトーン型位相シフトマスクとして使用できることを確認した。」（【０１７５】）
（１ｇ）「なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例えば、ターゲット組成としては、遷移金属：Ｓｉ＝３０：１〜１：２０の範囲で混合比を変えることができる。」（【０１７７】）が記載されている。　
　
（２）刊行物２：（特開平８−７４０３１号公報）
（２ａ）「【産業上の利用分野】この発明は、位相シフトフォトマスクに関し、特に、露光波長の光を減衰させる減衰型で、ＫｒＦエキシマレーザーなどの紫外光露光に特に適した位相シフトフォトマスク、及びその位相シフトフォトマスクを製造する方法に関する。」（【０００１】）
（２ｂ）「一方、位相シフト膜を単層膜で構成する場合は、従来は、アルゴン及び酸素、或いは酸素及び窒素からなる混合ガス雰囲気中でモリブデンシリサイドのターゲットをスパッタして、石英基板２０１上にモリブデンシリサイドの酸化物あるいは酸窒化物の薄膜を成膜していたが、光透過率は高いものの耐薬品性に劣るという欠点があった。・・・更に、モリブデンシリサイドの酸化物やその酸窒化物の単層膜は、普通用いられるフォトマスクの欠陥検査波長（たとえばλ＝４８８nm）における透過率が４０％を超えるため、欠陥検査ができないという重大な欠点があった。」（【０００６】【０００８】）
（２ｃ）「【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のような従来の位相シフトフォトマスクの有する問題点を解決するもので、その目的は、ＫｒＦエキシマレーザー露光波長等の短波長露光光における透過率が高く、欠陥検査波長における透過率が低く、且つ、耐薬品性があり、膜の内部応力が低い位相シフト膜を有する位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスクを製造する方法を提供することにある。
　【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために請求項１記載の発明は、位相シフトフォトマスク製造方法であって、体積百分率で２．６５％から６％の割合で一酸化窒素ガスが添加されたスパッタガスでモリブデンシリサイドのターゲットをスパッタし、透明基板上に位相シフト膜としてモリブデンシリサイド酸化窒化膜を成膜することを特徴とし、・・・請求項３記載の発明は、請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の位相シフトフォトマスク製造方法であって、前記モリブデンシリサイド酸化窒化膜が成膜された透明基板を２００℃以上の温度で熱処理することを特徴とする。」（【０００９】【００１０】）
（２ｄ）ターゲットについて、「本実施例では、モリブデン(Ｍｏ)とシリコン(Ｓｉ)との割合が、略１：２のモリブデンシリサイドターゲットを使用したが、シリコンの割合がそれよりも略±１０％の範囲で異なるモリブデンシリサイドのターゲットを使用しても、成膜されたモリブデンシリサイド酸化窒化膜の特性に変わりはなかった。」（【００５６】）が記載されている。
　
（３）刊行物３：（特開昭６４−３９３７４号公報）
（３ａ）シリサイドがタングステンシリサイド、モリブデンシリサイド、チタンシリサイド、ニオブシリサイド又はタンタルシリサイドであるシリサイドターゲットの製造方法に関する発明で、原料粉末について「こうした原料粉末を目標とするシリサイドＷＳｉＸ、ＭｏＳｉＸ（ｘは一般に２〜３）に対応する所定の比率の下でＶ型ミキサ等により混合し、例えば真空抵抗炉において加熱合成を行う。」こと（第３頁左下欄第１９〜右下欄２行）
（３ｂ）実施例には、ＷＳｉ２．８０のシリサイドターゲットを製造したこと（第５頁右上欄第１３〜左下欄末行）が記載されている。
　
（４）刊行物４：（特開平５−１３７０号公報）　
（４ａ）「シリコン／金属のモル比が２を超えるスパッタリング用シリサイドターゲットにおいて、該シリサイドターゲットのスパッタ面に現れる１０μｍ以上の粗大シリコン相の存在量が１０ケ／ｍｍ２以下であることを特徴とするスパッタリング用シリサイドターゲット。」（請求項１）
（４ｂ）「本発明は、スパッタリングに際してのパーティクル発生問題を解決した、２を超えるシリコン／金属モル比を有するタングステンシリサイド（ＷＳｉＸ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉＸ）、タンタルシリサイド（ＴａＳｉＸ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉＸ）、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉＸ）、クロムシリサイド（ＣｒＳｉＸ）等に代表される金属シリサイドターゲットを提供する。」（【０００９】）
（４ｃ）実施例には、モル比２．８０のタングステンシリサイドターゲットを製造したこと（【００２０】）が記載されている。
　
（５）刊行物５：（国際公開９５／０４１６７号）
（５ａ）ＭＯＳ・ＬＳＩデバイス等の半導体装置のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極あるいは配線用の高融点金属シリサイド薄膜の形成に有効なＭＳｉ２粒子（但しＭはＷ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｖ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉから選択される少なくとも１種の高融点金属）とＳｉ粒子とから成る微細な混合組織を有するシリサイドターゲットに関する発明である（第１頁第１１〜１４行、請求項１）。
（５ｂ）実施例１〜５、１８〜２０には、ＷＳｉ２．８、実施例６〜１０、２１〜２３には、ＭｏＳｉ２．７の平均組成のターゲット（【表１】〜【表３】、【表５】〜【表７】）が記載されている。
　
（６）刊行物６：（特開平６−２００３６７号公報）
（６ａ）「【請求項１】メカニカルアロイングによって得られた金属シリサイド粉のプレス成形体であることを特徴とするスパッタリング用金属シリサイドターゲット。　【請求項３】金属とシリコンのモル比率が２．０以上の範囲である請求項１乃至２のスパッタリング用金属シリサイドターゲット。」（請求項１、請求項３）
（６ｂ）実施例１には、ＷＳｉ２．７、実施例２には、ＭｏＳｉ２．７のターゲットを製造したこと（【００１７】【００１８】）が記載されている。
　
（７）先願発明：（特開平９−２４４２１８号公報）
（７ａ）「【請求項１】透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素と酸素および／または窒素とを主な構成要素とし、かつ酸素および／または窒素を含む雰囲気中において、遷移金属とケイ素とを原子比３０：１〜１：２０の割合で含有するターゲットをスパッタリングすることにより形成されたものであることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
【請求項２】請求項１に記載の位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、所定のパターンに従ってその一部を除去するパターニング処理を施すことにより、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成してなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項３】請求項２に記載のハーフトーン型位相シフトマスクを用いてパターン転写を行うことを特徴とするリソグラフィー方法。」（特許請求の範囲）
（７ｂ）「本実施例において、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄あるいは過酸化水素と濃硫酸との混合液による洗浄に充分耐え得るものであった。」（【００４７】【００５４】【００６２】等）
（７ｃ）実施例には、ターゲット組成比（原子比）が、実施例１、３、５で、Ｗ：Ｓｉ＝１：１、実施例２、４、６で、Ｗ：Ｓｉ＝１：２、実施例７、９、１１で、Ｔａ：Ｓｉ＝１：１、実施例８、１０、１２で、Ｔａ：Ｓｉ＝１：２のターゲットを用い、ガス流量比［Ａｒ：Ｏ２及び／又はＮ２］が、実施例３、４、９、１０で、１：３（Ｎ２）、実施例５、６、１１、１２で、１：１（Ｏ２）：２（Ｎ２）の条件でスパタリングして、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを製造し、形成された光半透過膜の２４８ｎｍでの透過率が６．０〜９．５％であること、更にハーフトーン型位相シフトマスクを製造したこと（【００３７】〜【０１３２】）が記載されている。
　
４．対比判断
（１）本件発明１、２、４〜７、９について
（１−ａ）本件発明１について
　当審が平成１２年８月１６日付で通知した取消理由で引用した刊行物１には、上記摘記事項（１ｂ）によれば、簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供することを目的とし、上記摘記事項（１ａ）によれば、「透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素とを少なくとも含む膜からなることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク」（請求項１）が記載され、
　上記摘記事項（１ｃ）〜（１ｅ）によれば、ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供するため、組成比をＷ：Ｓｉ＝１：２（１：１）、及びＴａ：Ｓｉ＝１：２（１：１）としたスパッタターゲットを用い、透明基板１上に光半透過膜２ａを形成したこと、そして、光半透過膜２ａ（光半透過部２）は、透明基板１との充分な付着性を有しており、通常のフォトマスク作成の洗浄工程で行なわれる超音波洗浄やスクラブ洗浄にも耐えることができ、さらに耐酸性に優れているため、上記洗浄工程で行なわれる熱濃硫酸洗浄に充分耐え得るものであったこと、上記摘記事項（１ｇ）によれば、ターゲット組成としては、遷移金属：Ｓｉ＝３０：１〜１：２０の範囲で混合比を変えることができること、即ちターゲット中のシリコンの含有量は３．２〜９５．２ｍｏｌ％であることが記載されている。
　以上のことから、刊行物１には、位相シフトマスクの光半透過部を形成するために使用されるスパッタターゲットであって、スパッタターゲットはシリコンと遷移金属とを含み、かつ、スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、３．２〜９５．２ｍｏｌ％であるスパッタターゲットが記載されていることになる。
　そうすると、本件発明１は、刊行物１に記載された発明に含まれているものである。
　よって、本件発明１は、刊行物１に記載された発明である。
　
　なお、甲第７号証は、刊行物１の出願である特願平５−３２３８４５号から分割した出願（特願平９−３０６７９号）の公開公報であって、この特許請求の範囲の請求項１には、「遷移金属とケイ素とを原子比３０：１〜１：２０の割合で含有するターゲット」（上記摘記事項（７ａ）参照）と記載されている。このことは、原出願である刊行物１の発明の詳細な説明の「ターゲット組成としては、遷移金属：Ｓｉ＝３０：１〜１：２０の範囲で混合比を変えることができる」（上記摘記事項（１ｇ）参照）との記載に基づいていることは明白である。そうすると、刊行物１には、ターゲット組成が遷移金属：Ｓｉ＝３０：１〜１：２０であるターゲットが記載されていることは、このことからも明確に裏づけられている。
　
　また、特許権者は、平成１４年４月１６日付異議意見書で、刊行物１に記載されているのは、シリコンの含有量が３．２〜９５．２ｍｏｌ％という極めて広い範囲の含有率であり、実施例ではシリコンが５０％、６６．６％の場合のみであり、更に具体的な範囲（シリコンの含有量：８０〜９５ｍｏｌ％）、その効果である耐酸性が顕著に向上しかつ高透過率の膜が得られること、に関し記載も示唆もない旨主張している。
　しかし、シリコンの含有量は、刊行物１に広範囲ではあっても３．２〜９５．２ｍｏｌ％と記載されており、本件発明１がその範囲に含まれているのは明白である。また、その効果も刊行物１には、熱濃硫酸洗浄に充分耐えること、透過率も本件発明１と同レベルのものが得られることが記載されているのであるから、この点においても格別な技術的意義は見いだせず、上記特許権者の主張は意味がない。
　
（１−ｂ）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１を引用し、更に、スパッタターゲットに含まれる金属を、「モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上の金属である」と限定するものである。
　しかし、スパッタターゲットに含まれる金属が、タンタル、又はタングステンであることは、刊行物１の実施例に、タングステンとケイ素を主成分としたターゲット、タンタルとケイ素を主成分としたターゲットが記載されている。
　よって、本件発明２は、刊行物１に記載された発明である。
　
（１−ｃ）本件発明４について
　上記摘記事項（１ｄ）〜（１ｅ）によれば、刊行物１には、透明基板１の上に光半透過膜２ａをＲＦマグネトロンスパッタ法によりタングステン（Ｗ）とケイ素（Ｓｉ）を主成分としたターゲットを用いて、スパッタ時に用いるスパッタガスに、アルゴン（Ａｒ）ガスと窒素ガス（Ｎ2ガス）を用い、タングステン、ケイ素、窒素を含む光半透過膜を形成した位相シフトマスクブランクを製造することが記載され、また、同様にして、タンタル（Ｔａ）とケイ素（Ｓｉ）を主成分としたターゲットを用いて、タンタル、ケイ素、窒素を含む光半透過膜を形成した位相シフトマスクブランクを製造することが記載され、
　更に、上記摘記事項（１ｇ）によれば、ターゲット組成としては、遷移金属：Ｓｉ＝３０：１〜１：２０の範囲で混合比を変えることができること、即ちターゲット中のシリコンの含有量は３．２〜９５．２ｍｏｌ％であることが記載されている。
　以上のことから、刊行物１には、スパッタターゲット中のシリコンの含有量が３．２〜９５．２ｍｏｌ％であるシリコンと金属とを含んだスパッタターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜を形成する位相シフトマスクブランクの製造方法が記載されていることになる。
　そうすると、本件発明４は、刊行物１に記載された発明に含まれているものである。
　よって、本件発明４は、刊行物１に記載された発明である。
　
（１−ｄ）本件発明５について
　本件発明５は、本件発明４を引用し、更に、スパッタターゲットに含まれる金属を、「モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上の金属である」と限定するものである。
　しかし、スパッタターゲットに含まれる金属が、タンタル、又はタングステンであることは、刊行物１の実施例に、タングステンとケイ素を主成分としたターゲット、タンタルとケイ素を主成分としたターゲットが記載されている。
　よって、本件発明５は、刊行物１に記載された発明である。
　
（１−ｅ）本件発明６について
　本件発明６は、本件発明４又は５を引用し、更に、「使用する露光光源の波長が２４８ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を２５〜１００％としたこと」と限定するものである。
　そこで、この点について検討すると、上記摘記事項（１ｄ）（１ｅ）によれば、刊行物１の実施例３、４、９、１０では、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｎ2 ＝１：３、即ち、スパッタガス中の窒素ガス量を７５％としたこと、実施例５、６、１１、１２では、スパッタガス導入条件をＡｒ：Ｏ２：Ｎ2  ＝１：１：２、即ち、スパッタガス中の窒素ガス量を５０％としたこと、実施例３には、「窒素ガスは、膜中に窒素（Ｎ）を導入するために用いたものであり、膜の透過率と導電率を制御するためにはスパッタガス総流量の１５〜８５％程度の窒素ガスを導入することが望ましい。」ことが記載され、更に、それぞれの実施例において、λ＝２４８ｎｍのときの透過率６．０〜７．８％を得たことが記載されている。
　以上のことから、実施例において波長が２４８ｎｍ時の良好な透過率が得られているから、使用する露光光源の波長が２４８ｎｍである位相シフトマスクブランクに適用できることは明らかであって、刊行物１には、使用する露光光源の波長が２４８ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法であって、スパッタ雰囲気中に含まれる窒素の量を１５〜８５％程度とすることが記載されていることになる。
　そうすると、本件発明６は、刊行物１とは、スパッタ雰囲気中に含まれる窒素の量を２５〜８５％とした点でも一致している。
　よって、本件発明６は、刊行物１に記載された発明である。
　
（１−ｆ）本件発明７について
　本件発明７は、本件発明４又は５を引用し、更に、「使用する露光光源の波長が３６５ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を３８〜４８％としたこと」と限定するものである。
　そこで、この点について検討すると、上記摘記事項（１ｆ）によれば、刊行物１の実施例１７においては、それまでに記載した実施例１〜１６の試料について、３６５ｎｍ波長においてもハーフトーン型位相シフトマスクブランクとして使用できることが確認された旨の記載があり、又上記（１−ｅ）で示したとおり、スパッタガス総流量の１５〜８５％程度の窒素ガスを導入することが記載されている。
　以上のことから、刊行物１には、使用する露光光源の波長が３６５ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を１５〜８５％程度とすることが記載されていることになる。
　そうすると、本件発明７は、刊行物１とは、窒素の量、使用する露光光源の波長が３６５ｎｍである位相シフトマスクプランクの製造方法とする点でも一致している。
　よって、本件発明７は、刊行物１に記載された発明である。
　
（１−ｇ）本件発明９について
　本件発明９は、本件発明４ないし８を引用した「位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られた位相シフトマスクブランクを用いて製造する位相シフトマスクの製造方法」である。
　しかしながら、刊行物１に記載の発明は、位相シフトマスクブランク及びこれを素材とした位相シフトマスクを提供するものであるから（上記摘記事項（１ａ）請求項８、（１ｂ）参照）、この点でも一致している。
　よって、本件発明９は、刊行物１に記載された発明である。
　
　なお、本件発明１、２、４〜７、９は、平成１２年８月１６日付取消理由（特許法第２９条第１項第３号違反）に対して、平成１２年１１月６日付訂正請求（後日取下げ）で、本件発明１では「シリコンとモリブデンとを含み、かつ、・・・シリコンの含有量が、８０〜９５ｍｏｌ％であること」、他の発明でも、シリコンとモリブデンに、限定されていた。
　そこで、平成１４年２月５日付取消理由においては、本件発明１以外の発明について、特許法第２９条第２項違反を通知したところ、本件発明１以下で、即ち、本件発明１、２、４〜７、９において、モリブデンであるとの金属の限定がなくなってしまったので、当初の平成１２年８月１６日付取消理由（特許法第２９条第１項第３号違反）が、そのまま適用されたものである。
　
（２）本件発明３、８について
（２−ａ）本件発明３は、位相シフトマスクブランクにおける金属とシリコンを含む光半透過部を、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより形成するために使用されるスパッタターゲットであって、スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％よりもシリコンの量が多いスパッタターゲット、
　本件発明８は、スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌよりもシリコンの量を多く含んだスパッタターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜を形成する位相シフトマスクブランクの製造方法であって、両者とも、スパッタターゲットの組成がモリブデンとシリコンからなり、シリコンの量が８０ｍｏｌ％よりもを多いこと、即ち、モリブデンとシリコンからなり８０ｍｏｌ％よりもシリコンリッチであることを特徴とするものである。
　そこで、本件発明３、８と各刊行物の記載とを対比する。
　刊行物１には、位相シフトマスクブランクの光半透過膜を形成するスパッタターゲットとして、モリブデンを含むものの記載はなく、刊行物２には、
位相シフトマスクを製造するためのスパッタターゲットとして、シリコンの割合が６７ｍｏｌ％よりも略±１０％の範囲で異なるモリブデンシリサイドのターゲット（上記摘記事項（２ｄ）参照）、即ち、７３．７ｍｏｌ％のシリコンを含有するモリブデンシリサイドターゲットが、刊行物３〜６には、モリブデンシリサイトターゲットにおいて、シリコンが最大ＭｏＳｉ２．８ であること、即ち、シリコンの含有割合が７４ｍｏｌ％であることが記載されている。
　以上のとおり、刊行物１〜６には、モリブデンとシリコンからなり８０ｍｏｌ％よりもシリコンリッチであるスパッタターゲットが記載されておらず、また、これ等の刊行物１〜６には、シリコンリッチであるとする技術思想も示されていない。
　そうすると、本件発明３、８は、刊行物１〜６に記載された発明であるとすることはできず、又刊行物１〜６の記載からは、スパッタターゲットの組成がモリブデンとシリコンからなりシリコンの量が８０ｍｏｌ％よりもを多いとする構成を導き出すことができず、この点を当業者が容易に想到できるものでもない。
　そして、本件発明３、８は、この構成により明細書記載の刊行物１〜６の記載からは予測することのできない格別な効果を奏しているものである。
　よって、本件発明３、８は、刊行物１〜６に記載された発明ではないばかりか、刊行物１〜６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（２−ｂ）次に、先願発明は、刊行物１の出願である特願平５−３２３８４５号から分割した出願（特願平９−３０６７９号）に記載された発明であるが、そこには、上記摘記事項（７ａ）に示すとおり、遷移金属とケイ素とを原子比３０：１〜１：２０の割合で含有するターゲットは記載されているが、遷移金属がモリブデンであることは記載されていないから、本件発明３、８が先願発明と同一であるとすることはできない。
　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１、２、４〜７、９に係る発明は、刊行物１に記載された発明であるから、本件請求項１、２、４〜７、９に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件請求項１、２、４〜７、９に係る発明の特許は、特許法第１１３条第２項に該当し、取り消されるべきものである。
　また、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項３、８に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項３、８に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月３日（２００２．７．３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「前記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、７０〜９５ｍｏｌ％であること」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、８０〜９５ｍｏｌ％であること」と訂正する。
　請求項３の「スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％である化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量が多いこと」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％よりもシリコンの量が多いこと」と訂正する。
　請求項４の「スパッタターゲット中のシリコンの含有量が７０〜９５ｍｏｌ％である」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「スパッタターゲット中のシリコンの含有量が８０〜９５ｍｏｌ％であること」と訂正する。
　請求項８の「スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％である化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量を多く含んだ」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌよりもシリコンの量を多く含んだ」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　位相シフトマスクの光半透過部を形成するために使用されるスパッタターゲットであって、
　前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、かつ、前記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、
８０
　【請求項２】　前記金属が、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上の金属であることを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲット。
　【請求項３】　位相シフトマスクブランクにおける金属とシリコンを含む光半透過部を、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより形成するために使用されるスパッタターゲットであって、
　前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、かつ、スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝
２０：８０ｍｏｌ％
　【請求項４】　スパッタターゲット中のシリコンの含有量が
８０
　【請求項５】　前記金属が、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上の金属であることを特徴とする請求項４記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
　【請求項６】　使用する露光光源の波長が２４８ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を２５〜１００％としたことを特徴とする請求項４又は５記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
　【請求項７】　使用する露光光源の波長が３６５ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる前記窒素の量を３８〜４８％としたことを特徴とする請求項４又は５記載の位相シフトマスクブランクの製造方法。
　【請求項８】　スパッタターゲットの組成はＭｏ：Ｓｉ＝
２０：８０
　【請求項９】　請求項４ないし８のいずれか１項に記載の位相シフトマスクブランクの製造方法によって得られる位相シフトマスクブランクを用いて製造することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、スパッタターゲット、及び該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法等に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、フォトリソグラフィーに要求される二つの重要な特性である高解像度化と焦点深度の確保は相反する関係にあり、露光装置のレンズの高ＮＡ化、短波長化だけでは実用解像度を向上できないことが明らかにされた（月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９９０．１２、応用物理第６０巻第１１月号（１９９１）等）。
　【０００３】
　このような状況下、次世代のフォトリソグラフィー技術として位相シフトリソグラフィーが注目を集めている。位相シフトリソグラフィーは、光学系には変更を加えず、マスクだけの変更で光リソグラフィーの解像度を向上させる方法であり、フォトマスクを透過する露光光間に位相差を与えることにより透過光相互の干渉を利用して解像度を飛躍的に向上できるようにしたものである。
　【０００４】
　位相シフトマスクは、光強度情報と位相情報とを併有するマスクであり、レベンソン（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ）型、補助パターン型、自己整合型（エッジ強調型）などの各種タイプが知られている。これらの位相シフトマスクは、光強度情報しか有しない従来のフォトマスクに比べ、構成が複雑で製造にも高度の技術を要する。
　【０００５】
　この位相シフトマスクの一つとして、いわゆるハーフトーン型位相シフトマスクと称される位相シフトマスクが近年開発されている。
　【０００６】
　このハーフトーン型の位相シフトマスクは、光半透過部が、露光光を実質的に遮断する遮光機能と、光の位相をシフト（通常は反転）させる位相シフト機能との二つの機能を兼ね備えることになるので、遮光膜パターンと位相シフト膜パターンを別々に形成する必要がなく、構成が単純で製造も容易であるという特徴を有している。
　【０００７】
　ハーフトーン型の位相シフトマスクは、図１に示すように、透明基板１上に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部（透明基板露出部）２と、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる光半透過部（遮光部兼位相シフタ部）３とで構成し（同図（ａ））、かつ、この光半透過部を透過する光の位相をシフトさせて、光半透過部を透過した光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって（同図（ｂ））、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラストすなわち解像度を向上させるものである（同図（ｃ））。
　【０００８】
　ところで上述したハーフトーン型の位相シフトマスクにおける光半透過部（位相シフト層）は、光透過率及び位相シフト量の双方について、要求される最適な値を有している必要がある。
　【０００９】
　そして、この要求される最適な値を単層の光半透過部で実現しうる位相シフトマスクに関し本願出願人は先に出願を行っている（特開平６−３３２１５２号公報）。
　【００１０】
　この位相シフトマスクは、光半透過部を、モリブデンなどの金属、シリコン、及び酸素を主たる構成要素とする物質からなる薄膜で構成したものである。この物質は、モリブデンシリサイド、具体的には、酸化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯ系材料と略す）、あるいは、酸化窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＯＮ系材料と略す）である。
　【００１１】
　これによれば、酸素含有量、又は酸素と窒素の含有量を選定することにより透過率を制御することができ、また、薄膜の厚さで位相シフト量を制御できる。また、光半透過部をこのような物質で構成することにより、一種類の材料からなる単層の膜で光半透過部を構成することができ、異なる材料からなる多層膜で構成する場合と比較して、成膜工程が簡略化できるとともに、単一のエッチング媒質を用いることができるので、製造工程を単純化できる。
　【００１２】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述した従来のハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法には、次に示すような問題がある。
　【００１３】
　すなわち、位相シフトマスクの光半透過部の構成要素である酸化モリブデンシリサイド膜あるいは酸化窒化モリブデンシリサイド膜は、マスク製造工程における洗浄及びマスク使用時の洗浄等の前処理又は洗浄液として使用される硫酸等の酸に弱く、特に、光半透過部の透過率及び位相差の値をＫｒＦエキシマレーザー光（２４８ｎｍ）用に設定した場合、消衰係数（Ｋ）を小さくする必要があり、この手段として酸化度又は酸化窒化度を十分に上げなくてはならないが、耐酸性が著しく低下してしまい、設定した透過率、位相差にずれが生じてしまうという問題があった。
　【００１４】
　また、位相シフトマスクブランクの成膜時においては、酸化度又は酸化窒化度を上げていくに従いスパッタターゲット表面上（特に非エロージョン領域）に酸化物が堆積し放電が不安定となることから、透過率及び膜厚の制御性が悪化し、ブランクに欠陥等が生じ易いという問題もあった。
　【００１５】
　さらに、スパッタターゲット組成やスパッタガスの組成と耐酸性や透過率等の膜特性との関係が解明されていなかったため、耐酸性や透過率等の膜特性に優れた位相シフトマスクが得られなかった。
　【００１６】
　本発明は上述した問題点にかんがみてなされたものであり、耐酸性や透過率等の膜特性に優れた光半透過部を有する位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクの提供する際に、前記光半透過部の成膜工程において使用されるスパッタターゲットの提供を第一の目的とする。
　【００１７】
　また、本発明は上記スパッタターゲットを用いてスパッタ法によって、上記膜特性に優れた光半透過部を有する位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを製造する方法の提供を第二の目的とする。
　【００１８】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために本発明のスパッタターゲットは、位相シフトマスクの光半透過部（位相シフト層）を形成するために使用されるスパッタターゲットであって、前記スパッタターゲットはシリコンと金属とを含み、かつ、スパッタターゲットの組成が化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量が多い構成としてある。
　【００１９】
　また、本発明のスパッタターゲットは、上記本発明のスパッタターゲットにおいて、
　上記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、７０〜９５ｍｏｌ％である構成、あるいは、
　上記金属が、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上の金属である構成としてある。
　【００２０】
　さらに、本発明の位相シフトマスクブランクの製造方法は、シリコンと金属を含み、化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量を多く含んだスパッタターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜（位相シフト膜）を形成する構成としてある。
　【００２１】
　また、本発明の位相シフトマスクブランクの製造方法は、上記本発明の製造方法において、
　上記スパッタターゲット中のシリコンの含有量が、７０〜９５ｍｏｌ％である構成、
　上記金属が、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムのうちから選ばれる一以上の金属である構成、
　使用する露光光源の波長が２４８ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる上記窒素の量を２５〜１００％とした構成、あるいは、
　使用する露光光源の波長が３６５ｎｍである位相シフトマスクブランクの製造方法において、スパッタリング雰囲気中に含まれる上記窒素の量を３８〜４８％とした構成としてある。
　【００２２】
　さらに、本発明の位相シフトマスクの製造方法は、上記本発明の製造方法によって得られる位相シフトマスクブランクを用いて製造する構成としてある。
　【００２３】
　【作用】
　本発明のスパッタターゲットは、シリコンと金属とを含み、かつ、スパッタターゲットの組成を化学量論的に安定な組成よりもシリコンの量を多くした組成とすることで、比較的容易に消衰係数（Ｋ）を小さくすることができるとともに、このスパッタターゲットを用いてスパッタ法により成膜した膜が、高透過率、耐酸性等を確保した光半透過部（位相シフト層）として好適な薄膜となる。
　【００２４】
　なお、成膜時の放電安定性等を考慮すると、具体的には、スパッタターゲット中のシリコンの含有量を７０〜９５ｍｏｌ％とすることが好ましい。これは、スパッタターゲット中のシリコンの含有量が９５ｍｏｌ％よりも多いと、ＤＣスパッタリングにおいては、スパッタターゲット表面上（エロージョン部）に電圧をかけにくくなる（電気が通りにくくなる）ため、放電が不安定（困難）となり、また、スパッタターゲット中のシリコンの含有量が７０ｍｏｌ％よりも少ないと、高透過率の光半透過部を構成する薄膜が得られないばかりか、耐酸性の良好な膜とならないからである。なお、成膜時の放電安定性は、膜質にも影響し、放電安定性に優れると良好な膜質の光半透過部が得られる。
　【００２５】
　また、ターゲット材の相対密度（本発明のターゲット材の比重を計算した値を１００とした場合に、実際使うターゲット材の比重の比率）は、９０％以上、好ましくは９５％以上、さらに好ましくは９８％以上であることが好ましい。ターゲット材の相対密度を高くすることにより、ターゲットのポア部（空洞）が少なくなるので、放電が安定し、異常放電によるパーティクルの発生を防ぐことができる。ターゲット材の相対密度が９０％未満の場合、成膜して得られた膜中にパーティクルが存在する確立が高くなり、そのパーティクルが原因となって膜にピンホールが発生するので好ましくない。
　【００２６】
　なお、スパッタターゲット中の金属としては、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、クロムなどが挙げられる。
　【００２７】
　本発明の位相シフトマスクブランクの製造方法においては、上述した本発明のスパッタターゲットを用い、窒素を含む雰囲気中でスパッタリングすることにより、窒素、金属及びシリコンを含む光半透過膜（位相シフト膜）を形成する際に、スパッタリング雰囲気中に含まれる窒素の量を、使用する露光光源の波長が２４８ｎｍである場合には２５〜１００％とし、使用する露光光源の波長が３６５ｎｍである場合には３８〜４８％とすることによって、高透過率の光半透過部を構成する薄膜が得られるとともに、位相シフトマスクブランクやこの位相シフトマスクブランクをパターニングして得られた位相シフトマスクの光学特性やパターンの検査を行う際に、容易かつ確実に検査を行うことができる。
　これは、使用する露光光源の波長がそれぞれ２４８ｎｍ、３６５ｎｍであって、スパッタリング雰囲気中に含まれる窒素の量がそれぞれ２５％、３８％より小さい場合には、高透過率の位相シフト層が得られず、また、波長３６５ｎｍにおいて窒素の量が４８％を超える場合には、位相シフト層の透過率が高くなりすぎて、透過型の検査機で位相シフト層の光学特性やパターンの検査を行う際に、検査しづらくなるので好ましくない。
　【００２８】
　さらに、本発明の位相シフトマスククブランクの製造方法によれば、スパッタターゲットの組成を特定することで、上述した膜特性に優れた光半透過部を有する位相シフトマスククブランクを、安定的に、欠陥なく製造できる。
　【００２９】
　【実施例】
　以下、実施例にもとづき本発明をさらに詳細に説明する。
　【００３０】
実施例１〜４及び比較例１〜２
ブランクの製造
　透明基板１の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜３ａを形成してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランクを得、光半透過膜をパターニングして位相シフトマスクを得た（図２）。
　【００３１】
　具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ：ケイ素）との比率を変えた混合ターゲット［（Ｍｏ：Ｓｉ＝３０：７０ｍｏｌ％）（実施例１）、（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）（実施例２）、（Ｍｏ：Ｓｉ＝１０：９０ｍｏｌ％）（実施例３）、（Ｍｏ：Ｓｉ＝５：９５ｍｏｌ％）（実施例４）、（Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％＝化学量論的に安定な組成）（比較例１）、（Ｍｏ：Ｓｉ＝４：９６ｍｏｌ％）（比較例２）］を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）との混合ガス雰囲気（Ａｒ：１０％、Ｎ２Ｏ：９０％、圧力：１．５×１０−３Ｔｏｒｒ）で、反応性スパッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜（膜厚８５５ｎｍ、９２５ｎｍ、９６９ｎｍ、１００８ｎｍ、７９５ｎｍ、１０２５ｎｍ）を形成して位相シフトマスクブランクを得た。
　【００３２】
マスク加工
　上記位相シフトマスクブランクの窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）からなる薄膜上に、レジスト膜を形成し、パターン露光、現像によりレジストパターンを形成した。次いで、エッチング（ＣＦ４＋Ｏ２ガスによるドライエッチング）により、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜の露出部分を除去し、窒化されたモリブデン及びシリコンからなる薄膜のパターン（ホール、ドット等）を得た。レジスト剥離後、１００℃の９８％硫酸（Ｈ２ＳＯ４）に１５分間浸漬して硫酸洗浄し、純水等でリンスして、ＫｒＦエキシマレーザー用の位相シフトマスクを得た。
　【００３３】
　図３にターゲット材の組成を変化させたときの透過率、耐酸性、放電安定性を示す。
　【００３４】
　なお、光透過率は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用いて測定し、耐酸性に関しては、１２０℃の熱濃硫酸（Ｈ２ＳＯ４）に２時間浸漬して変化が認められなかったものを「○」、変化が小さく許容範囲内のものを「△」、変化が大きく許容範囲外のものを「×」とした。
　【００３５】
評価
　図３からわかるように、ターゲット材の組成が化学量論的に安定な組成（Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％）よりもシリコンの量を多くした組成のスパッタターゲットを用いて成膜した場合（実施例１〜４）は、光透過率、耐酸性に優れた光半透過部が得られる。一方、化学量論的に安定な組成（Ｍｏ：Ｓｉ＝３３：６７ｍｏｌ％）のスパッタターゲットを用いて成膜した場合（比較例１）は、高透過率が得られないばかりか、耐酸性に劣る結果となった。また、シリコンの含有量が９５ｍｏｌ％を超える場合（比較例２）、成膜時の放電が不安定になり、良好な膜質の光半透過部が得られなかった。
　【００３６】
実施例５〜８及び比較例３〜４
　透明基板の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してｉ線（波長３６５ｎｍ）用の位相シフトマスクブランクを得、光半透過膜をパターニングして位相シフトマスクを得た。
　【００３７】
　具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、３８％（実施例５）、４０％（実施例６）、４５％（実施例７）、４８％（実施例８）、３７％（比較例３）、５０％（比較例４）と変化させるとともに、圧力を１．２〜１．７×１０−３Ｔｏｒｒの範囲で調整して、反応性スパッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜を形成したこと以外は、上記実施列と同様にして位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを得た。なお、光半透過部の膜厚は位相シフト量が１８０°となるように調整した。
　【００３８】
　図４に混合ガス雰囲気における窒素の含有量を変化させたときの光透過率を示す。
　なお、光透過率は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用いて測定した。
　【００３９】
評価
　図４からわかるように、Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％の混合ターゲットを使用して、ｉ線（波長３６５ｎｍ）用の位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを製造する際に、成膜時における混合ガス雰囲気中に占める窒素の量が３８％より小さい場合は、高透過率の位相シフト層が得られないので好ましくなく、また、窒素の量が４８％を超える場合には、位相シフト層の透過率が高くなりすぎて、透過型の検査機で位相シフト層の光学特性やパターンの検査を行う際に、検査しづらくなるので好ましくない。
　【００４０】
実施例９〜１１及び比較例５
　透明基板の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランクを得、光半透過膜をパターニングして位相シフトマスクを得た。
　【００４１】
　具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、８０％（実施例９）、９０％（実施例１０）、１００％（実施例１１）、７９％（比較例５）と変化させるとともに、圧力を１．２〜１．７×１０−３Ｔｏｒｒの範囲で調整して、反応性スパッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜を形成したこと以外は、上記実施例と同様にして位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを得た。なお、光半透過部の膜厚は位相シフト量が１８０°となるように調整した。
　【００４２】
　図５に混合ガス雰囲気における窒素の含有量を変化させたときの光透過率を示す。
　なお、光透過率は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用いて測定した。
　【００４３】
評価
　図５からわかるように、Ｍｏ：Ｓｉ＝２０：８０ｍｏｌ％の混合ターゲットを使用して、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを製造する際に、成膜時における混合ガス雰囲気中に占める窒素の量が８０％より小さい場合は、高透過率の位相シフト層が得られないので好ましくない。
　【００４４】
　なお、実施例１〜１１の組成のターゲット材の相対密度は、すべて９０％以上であり、ターゲット材の相対密度が疎であることに起因して膜にピンホールが発生することはなかった。
　【００４５】
実施例１２〜１３及び比較例６
　透明基板の表面に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜からなる光半透過膜を形成してＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランクを得、光半透過膜をパターニングして位相シフトマスクを得た。
　【００４６】
　具体的には、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ：ケイ素）との混合ターゲット（Ｍｏ：Ｓｉ＝５：９５ｍｏｌ％）を用い、アルゴン（Ａｒ）と窒素（Ｎ２）との混合ガス雰囲気における窒素の含有量を、２５％（実施例１２）、３５％（実施例１３）、２４％（比較例６）と変化させるとともに、圧力を１．２〜１．７×１０−３Ｔｏｒｒの範囲で調整して、反応性スパッタリングにより、透明基板上に窒化されたモリブデン及びシリコン（ＭｏＳｉＮ）の薄膜を形成したこと以外は、上記実施例と同様にして位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを得た。なお、光半透過部の膜厚は位相シフト量が１８０°となるように調整した。
　【００４７】
　図６に混合ガス雰囲気における窒素の含有量を変化させたときの光透過率を示す。
　なお、光透過率は分光光度計（日立（株）社製：モデル３４０）を用いて測定した。
　【００４８】
評価
　図６からわかるように、Ｍｏ：Ｓｉ＝５：９５ｍｏｌ％の混合ターゲットを使用して、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）用の位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクを製造する際に、成膜時における混合ガス雰囲気中に占める窒素の量が２５％より小さい場合は、高透過率の位相シフト層が得られないので好ましくない。
　【００４９】
　以上好ましい実施例をあげて本発明を説明したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるものではない。
　【００５０】
　例えば、反応性スパッタリングとして、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング等によって、光半透過部の薄膜を形成できる。なお、ＤＣスパッタリングの方が効果は大である。
　【００５１】
　また、透明基板は、使用する露光波長に対して透明な基板であれば特に制限されない。透明基板としては、例えば、石英基板、蛍石、その他各種ガラス基板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、アルミノボロシリケートガラス等）などが挙げられる。
　【００５２】
　また、実施例において、Ａｒガスの代わりに、ヘリウム、ネオン、キセノン等の他の不活性ガスを用いてもよい。
　【００５３】
　さらに、実施例では窒化された金属及びシリコンの薄膜についてのみ挙げたが、本発明のターゲットは、特開平６−３３２１５２号公報に記載されているような酸化された金属及びシリコンの薄膜や、酸化窒化された金属及びシリコンの薄膜等の薄膜を成膜する際にも有用である。
　【００５４】
　さらに、実施例において、Ｍｏの代わりに、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ等の金属を用いてもよい。
　【００５５】
　なお、実施例では本発明のターゲットを位相シフトマスクの光半透過部を形成するためのターゲットとして使用する例を示したが、これに限られず、本発明のターゲットは、通常のフォトマスク等における遮光膜や低反射膜等を形成するためのターゲットとして使用することもできる。
　【００５６】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、耐酸性や透過率等の膜特性に優れた光半透過部を有する位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクを提供できる。
　【００５７】
　また、成膜時の放電安定性に優れるとともに、良好な膜質の光半透過部が得られる。
　【００５８】
　さらに、位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの光学特性やパターンの検査を行う際に、容易かつ確実に検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　ハーフトーン型位相シフトマスクの転写原理を説明するための図である。
　【図２】
　ハーフトーン型位相シフトマスクブランクを示す部分断面図である。
　【図３】
　ターゲット材の組成と透過率、耐酸性及び放電安定性との関係を示す図である。
　【図４】
　ターゲット材の組成及び混合ガス雰囲気中の窒素含有量と透過率との関係を示す図である。
　【図５】
　ターゲット材の組成及び混合ガス雰囲気中の窒素含有量と透過率との関係を示す図である。
　【図６】
　ターゲット材の組成及び混合ガス雰囲気中の窒素含有量と透過率との関係を示す図である。
　【符号の説明】
　１　　　透明基板
　２　　　光透過部
　３　　　光半透過部
　３ａ　　光半透過膜