【事件の表示】
　特許第２９１８８５６号「スパッタターゲットとその製造方法、およびそれを用いて成膜した高純度チタン膜」の請求項１、１５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１８８５６号の請求項１、１５に係る特許を取り消す。
【理　由】
〔一〕　本件特許は、特願平１−１８１８７７号出願（平成１年７月１４日出願）に基づいて優先権を主張してした特願平２−１８５７３４号出願〔平成２年（１９９０）７月１２日出願〕を分割して出願した出願（特願平８−３３５２６８号）であって、平成１１年４月２３日に特許権の設定の登録がされ（特許番号　第２９１８８５６号。　請求項数　３３）、平成１１年７月１２日にその特許掲載公報が発行されたものである。
　これに対して、平成１２年１月１２日付けで、本件特許の願書に添付し明細書（以下では、本件特許明細書という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された構成の発明（以下では、本件特許発明１という。）は、甲第１号証から甲第５号証までの各刊行物に記載された発明に基づいて、また、同請求項１５に記載された構成の発明（以下では、本件特許発明１５という。）は、甲第３号証、甲第６号証及び甲第７号証の刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明であるから、本件特許は、本件特許発明１及び同１５発明について、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、取り消すべきであるとの特許異議申し立てがされた。
　当審は、平成１２年６月１２日付けで取消理由を通知し（通知書発送日　平成１２年７月１４日）、本件特許権者は、平成１２年９月１２日付けで特許異議意見書を提出した。
　なお、以下では、本件特許発明１及び同１５を単に本件特許発明と総称することがある。
　
〔二〕　本件特許発明の構成
（イ）　上記請求項１の記載（本件特許発明１の構成）
　「　酸素の含有量が３５０ｐｐｍ以下、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｒの各元素の含有量が１５ｐｐｍ以下、ＮａおよびＫの各元素の含有量が０．５ｐｐｍ以下であると共に、材料特性としての絞りが７０％以上であり、かつ熱伝導率が１６Ｗ／ｍＫ以上である高純度チタン材を任意の形状に加工してなることを特徴とする半導体素子形成用スパッタターゲット。」
（ロ）　上記請求項１５の記載（本件特許発明２の構成）
　「　溶融塩電解法、アイオダイド法、クロール法またはフンター法により粗製されたチタン粒を篩分けし、前記粗チタン粒を粒径に応じて分別する工程と、
前記粒径分別された粗チタン粒の中から、粒径１ｍｍ以上の粗チタン粒が９０％以上となるように、前記粒径分別された粗チタン粒を１種または２種以上の混合物として選別して電子ビーム溶解して、高純度チタン材を作製する工程と、
前記高純度チタン材を任意のターゲット形状に加工する工程とを有することを特徴とする半導体素子形成用スパッタターゲットの製造方法。」
　
〔三〕  本件特許明細書の詳細な説明の項の記載
　以下の摘示文中の「・・・」の部分は、摘示を省略した部分である。
（イ）　【0005】（本件特許掲載公報６欄）、【従来技術】の一部
　「ＶＬＳＩ等の配線網を形成する際のターゲットとしては、上述したように高純度であることが必要であることの他に、より均一な薄膜を形成するために、Ｔｉターゲットの表面や内部に傷やしわ等の不均一部分がないことと、スパッタリング時の熱エネルギーを均一に放出し得ることが強く要望されている。」
（ロ）　【0006】（同６〜７欄）、【従来の技術】の一部
　「すなわち、集積度が向上してより微細な配線になるにつれて、不純物による影響の他に、スパッタリングによって形成された薄膜の膜厚や内部組織等の均一性が重要になるからである。例えばターゲットの表面や内部に傷等が存在していると、その部分においてスパッタ粒子の飛翔が乱れ、基板上への被着状態の均一性が損なわれ、電気抵抗に変化が生じたり、さらには断線等を招いてしまう。また、スパッタリング時にターゲットに加わる熱エネルギーを均一にバッキングプレート側に放出することができないと、ターゲットの温度分布の不均一さに起因して被着状態の均一性が損われてしまう。」
（ハ）　【0009】（同７欄）、【発明が解決しようとする課題】の一部
　「しかしながら、上記したような従来の方法で製造されたＴｉターゲットは、いずれもその純度が２Ｎ〜３Ｎ程度であり、６４Ｋビット用のスパッタターゲットとしては使用できるものの、２５６Ｋビット、１Ｍビット、さらには４Ｍビット以上の場合には配線材料やバリア材料のターゲット材としては純度から見て不適当であった。また、従来法により製造されたＴｉターゲットでは、上述した表面状態や内部状態の点からも不十分であった。つまり、電気抵抗の変化や断線等の原因となる、Ｔｉターゲット表面や内部の傷等を防止するためには、加工性を高める必要がある。一方、高純度Ｔｉの場合、加工中のコンタミを防止するために、冷間加工によって所定形状に加工しているが、従来法によるＴｉ材の加工性では十分な均一状態を得るまでには至っていなかった。」
（ニ）　【0010】（同７〜８欄）、【発明が解決しようとする課題】の一部
　「さらに、熱エネルギーの放出性の点からも不十分であった。つまり、従来法によるＴｉ材ではスパッタリング時にターゲットに加わる熱エネルギーを均一にバッキングプレート側に放出しうるほど、高熱伝導性のものは得られていなかった。本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、ＬＳＩ配線層やバリア層等をスパッタ法によって形成する上で、Ｔｉターゲットに必要とされる高純度、優れた加工性および熱伝導性を満足させ、素子機能に悪影響を及ぼす不純物量が極めて少なく、かつ均一性に優れたＴｉ系薄膜を再現性よく形成することを可能にしたスパッタターゲットとその製造方法、およびそれを用いた高純度チタン膜を提供することを目的とするものである。」
（ホ）　【0015】（同８欄）、【課題を解決するための手段】の一部
　「本発明のスパッタターゲットは、溶融塩電解法、アイオダイド法、クロール法またはフンター法で得られた粗Ｔｉ粒が、粒径により純度、特に酸素含有量が異なること、および粗Ｔｉ粒に含まれる不純物が表層部に特に集中して存在することを見出し、さらには篩分け法および酸処理法を用いることにより、純度と共に従来法ではなかなか得られなかった、熱伝導率１６Ｗ／ｍＫ以上という値と絞り７０％以上という値とを同時に満足する、加工性および熱伝導性に優れた高純度Ｔｉ材を得ることができることを見出し、これらの知見に基いてはじめて達成されたものである。」
（ヘ）　【0019】（同９欄）、【課題を解決するための手段】の一部
　「（１）　得られた粗Ｔｉ粒を外部からの汚染を防止しながら非金属製の篩、例えばナイロン製の篩を用いて篩分けし、粒径（Ｔｉ粒の外径、以下同じ）に応じて分別する。」
（ト）　【0021】（同９欄）、【課題を解決するための手段】の一部
　「ここで、上述したように溶融塩電解によって得られた粗Ｔｉ粒に含まれる不純物は、表層部に集中して存在する。このため、上記（１）のように粒径分別を行い、比較的粒径の大きい針状Ｔｉ粒を選択して用いることにより、比表面積が小さくなることから、不純物量が相対的に減少する。このように、粒径を選択して使用することによって、不純物元素量特に酸素含有量を減少させることができると同時に、最終形態であるスパッタターゲットの熱伝導率１６Ｗ／ｍＫ以上、絞りを７０％以上にすることができる。」
（チ）　【0024】（同９〜１０欄）、【課題を解決するための手段】の一部
　「上記（１）の篩分けの方法においては、粒径１ｍｍ以上の不純物量が少ないＴｉ粒を選択的に使用することが好ましく、さらに好ましくは粒径２ｍｍ以上のＴｉ粒を使用することである。ただし、粒径１ｍｍ以上の粗Ｔｉ粒だけを使用することに限らず、粗Ｔｉ粒の不純物はほぼ粒径に比例して存在するため、本発明で用いるＴｉ材の不純物量の許容範囲内において、小径のＴｉ粒を併用することもできる。すなわち、本発明の第１の製造方法においては、粒径１ｍｍ以上の粗Ｔｉ粒が９０重量％以上となるように、粗Ｔｉ粒を選択的に使用するものとする。」
（リ）　【0026】（同１０欄）の一部、【課題を解決するための手段】の一部
　「このように、上記（１）・・・の処理を少なくとも施し、粗Ｔｉ粒に残存する不純物をさらに減少させ、次いでＥＢ溶解を施すことにより、最終的にＮａやＫの除去を行う。ＥＢ溶解によれば特にＮａやＫの除去が効果的に行える。」
（ヌ）　【0027】（同１０欄）、【課題を解決するための手段】の一部
　「ＥＢ溶解炉においては、炉内を５×１０−５ｍｂａｒ以下、好ましくは２×１０−５ｍｂａｒ以下の真空度に保持し、かつ・・・が、Ｎａ、Ｋの精製効果や酸素の汚染吸収を考慮して溶解速度を選定することが求められる。例えば、１．７５〜２．３ｋｇ／時間程度が好ましい条件である。」
（ル）　【0028】（同１０〜１１欄）、【課題を解決するための手段】の一部
　「この過程で、通常アーク溶解法を適用したときに生起する酸素含有量の増加という問題は、真空排気のコンダクタンスの大幅な改善によりなくなり、さらに微粉の篩落しにより、ＥＢ溶解時の真空度が低真空側で安定するため、得られたＥＢ鋳造材において酸素は３５０ｐｐｍ以下に抑制され、他の不純物元素も減少することはあれ増量することはなくなる。」
（ヲ）　【0031】、【0032】の一部及び【0033】の一部（同１１欄）、【課題を解決するための手段】の一部
　「【0031】Ｔｉ材の冷間加工性は、上記絞りの値によって左右される。すなわち絞りが７０％以上のＴｉ材は、スパッタターゲットに加工する際の冷間加工性を十分に満足することができ、これによって内部や表面に傷やしわ等の不均一部分を生じさせることなく、所定形状への加工が可能となる。この絞りの値は８０％以上とすることがより好ましく、８５％以上とすることがさらに好ましい。このようなＴｉターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、不均一部分に起因して発生するスパッタ粒子の飛翔乱れが抑制され、膜厚や内部組織等のより均一な薄膜を形成することが可能となる。」
　「【0032】ここで、上記絞りの値はＪＩＳ　Ｚ　２２４１に準じて測定した値とする。・・・。破断した際の破断面の面積Ａと原断面積Ａ０とから下記の（ｉ）式より絞りΨ（％）を求める。」
　「【0033】　Ψ＝（Ａ−Ａ０）/Ａ０×１００・・・・・・・（ｉ）」
（ワ）　【0044】（１４欄）、実施例１の一部
　「　（ｃ）　加工性：直径１３５ｍｍ×厚さ９０ｍｍのＴｉ材を直径２８０ｍｍ×厚さ２０ｍｍに冷間で鍛造し、加工後の試料に表面クラックおよび端部割れがあるかどうかで評価する。」
（カ）　【0047】、【表１】（８頁）
　本件特許発明の実施例として、粒径が１ｍｍ以上の溶融塩電解法Ｔｉ粒から製造したＴｉターゲット及びその比較例として、粒径が１ｍｍ以下の溶融塩電解法Ｔｉ粒から製造したＴｉターゲットについて、絞り（％）、熱伝導率及び酸素含有量が定量的に評価され、また、加工性及びスパッタ膜の膜厚特性がごく定性的に評価（○、×評価）されている。
　上記Ｔｉターゲットの絞り値及び熱伝導率は、それぞれ、Ｔｉターゲットでは、７９．５％以上、１６．８５W/mK以上、比較例のＴｉターゲットでは、７９．０％以下、１６．８０W/mK以下である。
（ヨ）　【0047】、【0048】（１５欄）、実施例１の一部
　「【0047】表１の結果から明らかなように、この実施例により作製したＴｉ材は、酸素含有量が少なく、また加工性および熱伝導性共に優れるものであることが分る。そして、このようなＴｉ材を用いてスパッタターゲットを作製することによって、膜厚等の均一性に優れたスパッタ膜が得られ、１Ｍビット、４Ｍビットというような高集積化されたＬＳＩ、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩにおける高精細な配線網、バリア用薄膜等を、高信頼性のもとで形成することが可能となる。
　【0048】なお、上記実施例１による各Ｔｉ材の他の不純物量は、いずれもＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒの各元素の含有量が１．０ｐｐｍ以下、Ｎａ、Ｋの各元素の含有量が０．０５ｐｐｍ以下であった。」
（タ）　【0054】（１７欄）、【発明の効果】
　「以上説明したように、本発明のスパッタターゲットによれば、その形成に高純度、高加工性および高熱伝導性のＴｉ材を用いているため、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ等における高精細な配線網、バリア用薄膜等に好適な高純度Ｔｉ膜を、均一性にかつ再現性よく形成することができ、また忌避すべき不純物元素の含有量も極めて低く押えることが可能となる。また、本発明の製造方法によれば、そのようなスパッタターゲットを再現性よく作製することができる。」
　
 〔四〕　引例の記載
　ただし、下記引例中、引例５／２、引例８／１〜２、引例９／１〜９／３、及び引例１０の各引例は、当審が技術常識を例証するために引用したものである。
（１）　本件特許異議申立人が提示した甲第２号証〔「未踏科学技術」（１９８８年５月、株式会社　未踏　発行）（以下では、引例２という。）
（イ）引例２、６〜２２頁には、高純度チタンの製造方法が一般的に説明されている。
　また、７頁左欄、下から６〜４行には、「チタンでいうと表２に示すチタンのようにアルタ社の電解精製と脱ガスを組み合わせて精製したものが、市販品としては今のところ最も高純度である。」と記載されている。
（ロ）１９頁の表２には、ＡＬＴＡ社のＥｘｅｐ．ｇａｓというチタン材（以下では、引例２のチタン材という。）の不純物を分析した結果（ｐｐｍ）が次のように示されている。
　Ｆｅ　Ｃｒ　　Ｎｉ　　Ｎａ　　Ｋ　　　Ｈ　　　Ｎ 　Ｃ　　Ｏ
　　８    ６　 ０．３　０．５　０．４　＜２５　２５　１　２００
（ハ）　引例２には、引例２のチタン材が半導体素子形成用スパッタターゲットの材料と使用できることについての記載はない。
　
（２）　本件特許異議申立人が提示した甲第３号証（特開平１−１０４７６９号）（以下では、引例３という。）
（イ）　特許請求の範囲
　「（１）　酸素含有量２５０ｐｐｍ以下；鉄、ニッケル、クロムの各元素の含有量１０ｐｐｍ以下；ナトリウム、カリウムの各元素の含有量０．１ｐｐｍ以下；残部実質的にチタンよりなることを特徴とするチタンターゲット。
　（２）　チタンターゲットのウラン、トリウムの含有量が、いずれも０．００１ｐｐｍ以下である特許請求の範囲第１項記載のチタンターゲット。
　（３）　溶融塩電解法によって得た粗チタン材を５×１０−５ｍｂａｒ以下の高真空下で溶解後、任意形状に鍛造し、その後機械加工を行いターゲットに加工することを特徴とするチタンターゲットの製造方法。
　（４）　溶解が、電子線溶解（ＥＢ溶解）である特許請求の範囲第３項記載のチタンターゲットの製造方法。
　（５）　粗チタン材が針状チタン材である特許請求の範囲第３項記載のチタンターゲットの製造方法。
　（６）　溶融塩電解法で針状チタン材を得、該針状チタン材をそのまま電子線溶解する特許請求の範囲第４項又は第５項記載のチタンターゲットの製造方法。」
（ロ）（３頁左上欄、下から２行〜同右上欄、下から２行）
　「一方、溶融塩電解法により得られた針状Ｔｉはエレクトロマイグレーションおよび界面準位劣化の原因となるＮａ、Ｋが多いが、Ｆｅ、Ｎｉ等の重金属および酸素は少なく、これをさらにＥＢ溶解すればＮａ、Ｋは０．１ｐｐｍ以下となり、次いで鍛造加工後、機械加工によりターゲットを製造することにより、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等の重金属、Ｎａ、Ｋ等のアルカリ金属の含有量が極めて少ないＬＳＩ、ＶＬＳＩ、ＵＬＳＩ用等の配線材料として優れたターゲットを製造できるという事実を見出し本発明のＴｉターゲットを得るに到った。
　すなわち、本発明のＴｉターゲットは、酸素含有量２５０ｐｐｍ以下；Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒの各元素の含有量１０ｐｐｍ以下；Ｎａ、Ｋの各元素の含有量０．１ｐｐｍ以下；であることを特徴とし、かつ工業的規模での大量製造が可能なＴｉターゲットであることを特徴とし、その製造方法は、溶融塩電解法によって得た粗チタン材を電子線溶解後、任意形状に鍛造し、その後機械加工を行いターゲットに加工することを特徴とする。」
（ハ）（３頁右下欄、３行〜下から３行）
　「ＥＢ溶解炉においては、炉内を５×１０−５ｍｂａｒ以下、好ましくは２×１０−５ｍｂａｒ以下の真空度に保持し、かつフレオンバッフルで拡散ポンプオイルの炉内への混入を防止しつつ、針状ＴｉのＥＢ溶解を行う。
　ＥＢ溶解時における操作条件は格別限定されるものではないが、Ｎａ、Ｋの精製効果や酸素の汚染吸収を考慮して溶解速度を選定することが求められる。例えば、１．７５〜２．３ｋｇ／ｈｒが好ましい条件である。
　この過程で、通常アーク溶解法を適用したときに生起する酸素含有量の増加という問題は真空排気のコンダクタンスの大幅な改善によりなくなり、得られたＥＢ鋳造材において酸素は２５０ｐｐｍ以下に抑制され、また、他の不純物元素も減少することはあれ増量することはなくなる。」
　
（３）　本件特許異議申立人が提示した甲第４号証（ＴＯＳＨＩＢＡ　ＲＥＶＩＥＷ　ＮＯ．１６１　ＡＵＴＵＭＮ　１９８７）（以下では、引例４という。）
（イ）　Ａｂｓｔｒａｃｔ（３８頁）には、以下の趣旨のことが記載されている。
　高純度耐火金属（Ｗ，Ｍｏ，及びＴｉ）が、半導体装置の記憶セルの増加につれて、ＶＬＳＩ等の薄膜材料となってきている。しかしながら、Ｔｉは強い酸素親和性を有し、酸素を低下させることが難しい。東芝は、８０ｐｐｍ以下の酸素を含有する高純度Ｔｉスパッタターゲットを開発した。加えて、Ｕ及びＴｈは０．５ｐｐｂ以下、並びにＮａ及びＫは１００ｐｐｂ以下である。それゆえ、この高純度チタンは、電気抵抗性が低く、機械的延性が高い。
（ロ）　Table 1  Chemical Composition of  Various Ti Materials（表１　種々のＴｉ材の化学組成） には、スパッタターゲット用の新開発の高純度チタン（ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉ）〔Newly Developed High Purity Ti(TSB 4N-Ti)〕の不純物組成（ppm単位）が下記のとおりであることが示されている。(p.39)
　　　　　　N　　H　 O　　Fe　Ni　Cr 　Cu　Na 　  K　　U　　　Th
（ハ）　Table 2  Mechanical Properties of Various Ti Materials（表２　種々のチタン材の機械的性質）には、上記ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉの機械的性質が下記のとおりであることが示されている。(p.39)
　　　　　　UTS      YS     Elongation     Reduction area　　VHN
　　　　　　kg/mm2 　 kg/cm2     %             %　　　　Load 500g
　TSB3N-Ti　　32.9　　22.6　　　44.0　　　　　79.5　　　　　116.4
　TSB4N-Ti　　27.4　　10.6　　　47.0　　　　　82.6　　　　　 84.0
〔当審注　上表中、ＵＴＳ（ultimate tensile strength）は極限引張応力、Reduction areaは、面積縮小率である。〕
（ニ）　2.1  Manufacturing Process（２．１　製造過程）には、下記の記載がある。（p39）
　「　図３は、新開発高純度Ｔｉ、ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉのスパッタターゲットの製造過程を示す。
　まず、電解Ｔｉを原料として用いる。この電解チタンは、５．０×１０−６ｍｂａｒ以下の真空で、電子ビーム熔解炉に供給される。
　これに続いて、酸素その他を吸収するのを防ぐために、室温で、インゴットを鍛造し、種々の形に機械加工する。これにより図４に示される最終製品とする。
　最大のターゲットのサイズは、直径３００ｍｍである。」
　なお、ＦＩＧ．３（工程流れ図）には、電解チタンを原材料として、ＥＢ溶解し、鍛造し、機械加工し、Ｔｉ−ターゲットを製造することが示されている。
（ホ）　2.3  Mechanical Properties（２．３　機械的性質）には、下記の記載がある。（p40）
　「　図１に示されるように、Ｔｉの機械的性質は、酸素含有量に大きく影響される。表２は、ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉ、ＴＳＢ ３Ｎ−Ｔｉ及びＪＩＳ１級Ｔｉに対する機械的性質を示す。
　ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉに対する極限引張強度及び降伏強さは、ＴＳＢ ３Ｎ−Ｔｉ及びＪＩＳ１級Ｔｉよりも低い。それで、ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉは他のＴｉ材よりも延性が大きい。
　図５は、表１及び２のデータから得られ、ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉに対して、非常に低い硬さ値を示している。したがって、これらの結果から、ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉは非常に小さな不純物含量を持っていることが認められる。」
（ヘ）　Fig.2　Effect of oxygen on room temperature tensile properties and hardness of titanium −Jaffee,Ogden, and Maykuth（チタンの室温引張特性及び硬さに対する酸素の効果　− Ｊａｆｆｅ、Ｏｇｄｅｎ、及びＭａｙｋｕｔｈ）には、酸素濃度（wt％）が０から０．７以上に増加すると、極限引張応力及び硬さが増大し、伸び率が減少することが示されている。 
（ト）　Fig. 5　Relationship between oxygen content and Vickers hardness for various Ti metals には、ＴｉのＶＨＮ（ビッカース硬度数）が酸素含量（ｗｔ ｐｐｍ）の対数値にほぼ比例していることが示されている。
（チ）　Fig.7　RRR300 results for TSB 4N−Ti and JIS−1(first grade)Ti〔図７　ＴＳＢ ４Ｎ−Ｔｉ及びＪＩＳ−１（１級）Ｔｉに対するＲＲＲ３００の結果〕には、ＴＳＢ４Ｎ Ｔｉの比抵抗（μΩ・ｃｍ）は、ＪＩＳ−１ Ｔｉの比抵抗より低く、また両チタンの比抵抗が温度により上昇することが示されている。
（リ）　Fig.8　Relationship between oxygen content and RRR300 for various Ti metals（図８　種々のチタンに対する酸素含有量とＲＲＲ３００との関係）には、ＲＲＲ３００（＝ρ３００／ρ４．２）は、酸素濃度がおよそ１００ｐｐｍ以下からおよそ３００ｐｐｍ程度までに増加するに従い、急激に減少すること示されている。
　ＴＳＢ４Ｎ Ｔｉの酸素濃度はおよそ１００ｐｐｍより小さく、ＲＲＲ３００が９０近くであり、高純度であることが示されている（ＴＳＢ ３Ｎ−ＴｉやＪＩＳ−１ ＴｉのＲＲＲ３００はおよそ２５より小さいことも示されている。）。
　
（４）（ａ）　本件特許異議申立人が提示した甲第５号証（チタニウム・ジルコニウム　Ｖｏｌ．２５，Ｎｏ．３　昭和５２年７月）（以下では、引例５／１という。）
　チタンの熱伝導率が０．０４１ｋｃａｌ／ｓ　ｃｍ　ｄｅｇであることが示されている（ｐ．１０４、表１）。（当審注。この値は、１７．２Ｗ/ｍＫに等しい。）
（４）（ｂ）　日本金属学会編、「改訂２版　金属データブック」（昭和５９年１月３０日、丸善株式会社発行）、３４頁（「ｃ．　チタンの比熱・線膨張・電気抵抗率および熱伝導率」の項の最下図）（以下では、引例５／２という。）
　「高純度」チタン及び純度９９．６４〜９９．７５％のチタンは、３００〜６００Ｋの温度範囲で、およそ０．０５〜０．０４２ｃａｌ／ｓ・ｃｍ・ｄｅｇ（当審注。　およそ２１〜１８Ｗ/ｍ・Ｋ）の熱伝導率を、０．１２３％の酸素を含有するチタンは、およそ０．０４５ｃａｌ/ｓ・ｃｍ・ｄｅｇ（当審注。　およそ１９Ｗ/ｍＫ）より小さく、０．１３１％の酸素を含有するチタンはおよそ０．０５〜０．０４５ｃａｌ/ｓ・ｃｍ・ｄｅｇ（当審注。　およそ２１〜１９Ｗ/ｍＫ）の熱伝導率を、また、ヨウ化法チタン（９９．９Ｔｉ）は、４００〜８００Ｋの温度範囲で、およそ０．０６〜０．０５ｃａｌ/ｓ・ｃｍ・ｄｅｇ（当審注。　２５〜２１Ｗ／ｍ・Ｋ）の熱伝導率を有していることが図示されている。
　なお、引例５／１及び同５／２には、チタンをチタンターゲットとして使用することについては説明されていない。
　
（５）　本件特許異議申立人が提示した甲第６号証（特開昭６３−１２８１３４号公報）（以下では、引例６という。）
（イ）　チタンの電子ビーム溶解法の特徴が記載されている。
（ロ）　３頁、左上欄５〜７行
　「０．５インチ〜２０メッシュのチタンスポンジ（６）を電子ビームガン（５ａ）のビーム（１１ａ）照射で予熱、溶解し」た。
（当審注。２０メッシュは０．８３３mmである。）
　
（６）　本件特許異議申立人が提示した甲第７号証（チタニウム・ジルコニウム　Ｖｏｌ．３０、Ｎｏ．２　昭和５７年４月）（以下では、引例７という。）
（イ）　表３　「ナトリウム還元バッチ製品の粒度別の品質例」（８６頁）には、製品粒度（ｍｍ）が小さくなるにつれて、Ｏ、Ｎ、Ｈ、Ｆｅ、Ｎａ及びＣｌの各不純物濃度が増大することが示されている〔表３の下記抜粋を参照。ただし、当審が％表示をｐｐｍ表示に改めた。なお、メッシュ表示部分については、下記（ロ）参照。〕。
　　製品粒度　　　　Ｏ　　Ｎ　　Ｈ　　Ｆｅ　　Ｎａ　Ｃｌ
　25.4〜4.0mm　　　350　　20　　35　　＜50　　760　　1100
（1''〜5メッシュ）
  4.0〜0.25mm　　　510　　20　　39　　＜50　　840　　1250
（5〜60メッシュ）
　0.25mm以下　　　1100　　25　　81　　110　　　920　　1350
（60メッシュ以下）
（ロ）（８７頁、「３．３　粒度の細かいものが得られる」の項の一部）
　　特に、ナトリウム還元製品は、通常の機械的粉砕により、Ｇｒａｉｎ　ｓｉｚｅ品や粉末製品を容易に得ることができる。
　　このため、他の合金成分との配合など、使用目的に応じて、いろいろな粒度調製ができることである。」
　
（７）（ａ）　早川茂ら、「薄膜化技術」（１９８５年１２月１５日、共立出版株式会社）、ｐ．１２２〜１２６（５．３　スパッタ装置の取扱い、Ａ．ターゲットの項）（以下では、引例８／１という。）
（イ）　「ターゲットの成形法は、ターゲット材料によって変わる。すなわち、純金属ターゲットは、室温で圧延し必要な形に切断する。ただ、Ｈｆ、Ｒｅ、Ｗ、Ｍｏのような高融点材料は高温で圧延する。これ以外にキャスティング成形したり、金属粉末を成形してもよい。ただ、粉末は不純ガスを吸着している上、表面が酸化している場合もあるから、純度はよくない。合金の場合は、真空溶解させた合金組成を圧延して形成する。」（１２３頁、９〜１６行）
（ロ）　「ターゲットの純度以外に、ターゲットの表面状態、ターゲットの密度、ターゲットの結晶性なども、スパッタ膜の特性を変えるから注意する必要がある。」（１２３頁、下から８〜３行）
（ハ）　「とりわけ、合金あるいは複合酸化物ターゲットでは、スパッタ膜の組成をターゲットの組成と一致させるため、ターゲットの冷却を徹底する。このために、図５．２５に示すように、ターゲットの裏面に、熱良導板を接着し、これをターゲット支持台に固定する場合がある。」（１２３頁、下から３行〜１２４頁、１行）
（７）（ｂ）　麻蒔立男、「薄膜作成の基礎（第２版）」（第２版４刷、昭和６２年１月３０日、日刊工業新聞社発行）（以下では、引例８／２という。）
　「加速されたイオンが固体に衝突するとき、表面近傍で電界放射された電子により中和され中性となるが、運動量をそのまま保存し固体に突入する。固体内部（表面近傍）では構成する原子や分子と衝突しながら徐々にエネルギーを失い停止する。固体はこの異粒子の突入により結晶が損傷を受けるとともに、結晶格子を構成する原子が相互に衝突を繰返し、ついには表面の原子や分子が外部に放出される。このように原子サイズの粒子が固体表面から、固体を形成する粒子をたたきだすことをスパッタという。」（１５４頁、４〜１５行）
　
（８）（ａ）（ｉ）　日本金属学会編、「改訂３版　金属便覧」（丸善株式会社）、１３８６頁（特許庁資料館、昭和４７年１１月１７日受入）の「１１・２・２　鍛造加工」（以下では、引例９／１という。）の一部
　「　ａ．　鍛造の意義　鍛造とは工具を用いて金属材料に圧力を加え、材料の高さを縮め横方向に拡げて、成形すると同時に材料の機械的性質を改善する一種の圧縮加工法であり、加工する温度によって、熱間、温間、冷間鍛造に分類されるが、本節では主として熱間鍛造を対象にのべる。一般に使用される金属材料は多結晶で、鋳造されたものは粗大な樹枝状結晶をもち、内部に鋳巣、収縮孔、偏析などの諸欠陥があり、強じん性と安全性に欠けるものが多い。そこで鋳造された金属材料を加熱軟化した状態で加圧成形すれば、粗大な結晶粒は機械的に破砕されるのみならず、再結晶により微細化され、空隙は密着し、材料の流れ変形によって生ずる鍛流線によって方向性をもち、また鍛流線方向の機械的性質が強化される。」
　
（８）（ａ）（ｉｉ）　大和久重雄（編者代表）編、「アグネ　金属術語辞典」（１９６５年６月１０日、株式会社アグネ発行）（以下では、引例９／２という。）
（イ）鍛造作業（Forging）の項（１８６頁）の一部
　「鍛造は一名火造りともいわれ、一般に金属に粘性変形を与えて成形させる方法で、常温でも行われないことはないが、粘性変形を容易にするために高温度で鍛造機械で形を整えるのがふつうである。鍛造には成形する目的のほかに、材料の粒子を微細にするとともに組織を均一にし、機械的性質を改善する重大な意義をもっている。鍛造品が鋳物に比して機械的性質が良好で、機械構造物の主要部分に用いられるのはこのためである。」
（ロ）鍛造性（Forgeability）の項
　「鍛錬性ともいう。加工物が鍛錬される場合、どの程度の加工がなされうるかを示す度合を表わすものである。冷間または熱間で、一定の鍛錬基準を設け、これに対してどの程度の性能を示すかを比較して良否をきめる。」
（ハ）鍛錬（Forging）の項（１８８頁）の一部
　「鍛錬の目的には火造り成形の他に、樹枝状晶を破壊して微細化し、かつ均一なものにするという必要条件がある。」
（ニ）鍛錬係数（Forging ratio）の項（１８８頁）の一部
　「原鋼塊の断面積を鍛造品の断面積で割った比をいう。したがって鍛錬係数の大きいものほどよく鍛錬され、鋳造のままの組織がくずされるから材質的に良くなっていると考えられる。」
　
（８）（ａ）（ｉｉｉ）　日本金属学会編、「金属便覧（第２版）」（昭和４０年８月２０日、丸善株式会社発行）、３６０頁（以下では、引例９／３という。）
　「ｃ．　鍛錬効果　鍛錬効果は前述の機械的性質の改善のほかに内部欠陥の是正によって判断される。欠陥を是正するためには鍛造比のほかに他の作業条件を考えねばならない。たとえば金敷幅１回の押込量、材料内外の温度などが鍛錬効果を左右する因子でもある。鋼塊内部の粗鬆な鋳造組織を充分改善するには鍛造比４以上必要であるが、鍛造比が大き過ぎると、繊維組織は著しくなり、また欠陥もかえって助長されるおそれがある。」
　
（８）（ｂ）　日本金属学会編、「改訂３版　金属便覧」（昭和４６年６月２５日、丸善株式会社発行）、９７６頁（以下では、引例１０という。）（「ｄ．　熱伝導現象」の項の一部）
　「　物体の各部分でその温度が異なる場合には高温部分から低温部分へと熱が移動する。こうして固体ことに金属の場合には熱伝導は結晶格子の熱振動と伝導電子とによってエネルギが輸送される。すなわち単位断面積を通して単位時間に運ばれる熱量をＱとすれば
　　　　　　　　　Ｑ＝Ｋ∂Ｔ／∂ｚ　　　　　　　　　　（７．７）
Ｋは熱伝導度でｃａｌ／ｃｍ・ｄｅｇ・ｓあるいはＷ／ｃｍ・ｄｅｇで表わされる。前者の数値に４．１８５５を乗ずれば後者の値になる。上式は熱エネルギが試料中を頻繁に散乱を受けながら不規則な途を通って伝導される場合で、試料の一端から他端へと直線的に伝導する場合には、伝導する熱量は試料の長さに関係なく両端の温度差ΔＴに比例する。実際熱伝導は温度こう配に沿って不規則に生ずるのはちょうど気体の運動とよく似ているので、　　　　　　　　　Ｋ＝ＣｖΛ／３　　　　　　　　　　　（７．８）
で近似される。
　ここにＣ：単位体積の熱容量、ｖ：キャリアの平均速度、Λ：衝突から次の衝突までの平均自由行程である。絶縁物による熱の伝導は完全に格子振動の伝播によってなされるが金属中の熱伝導は伝導電子によるものが主要な部分を占める。」
　〔当審注。　ただし、原文の上記（７．７）式及び（７．８）式は、─の上下に分数の分子、分母を書く形式で書かれ、また、平均速度ｖの上には、記号「−」が引かれている。〕
　
〔五〕　本件特許を取り消す理由
（１）　本件特許発明１について
（イ）　本件特許発明１のスパッタターゲットのチタン材の明示された純度は、引例４のスパッタターゲット材（ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉ）の純度｛上記〔四〕（３）（ロ）｝及び引例２のチタン材の純度と同程度であって、明示された純度に関する限りでは、本件特許発明の上記チタン材は、これらの既知のチタン材と異なるものではない。
（ロ）　引例４には、ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの面積縮小率（Reduction area）が８２．６％であると記載されている｛上記〔四〕（３）（ハ）｝から、本件特許発明１のチタンターゲット材の絞り値は、ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉと異なる格別なものではない（当審は、引例４の面積縮小率は、本件特許発明１の絞り値と同一の物性値であると認める。この認定について、特許異議意見書で反論されていない。）。
（ハ）　ただし、引例５／１及び引例５／２を除いて、上記〔四〕に列挙したすべての引例（引例４を含む）には、チタンターゲット材の熱伝導率は記載されていない。
　本件特許発明１のスパッタターゲットのチタン材の熱伝導率が引例４のＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの熱伝導率以下の場合は、本件特許発明１は、単に公知のスパッタターゲット材の熱伝導率に着目した発明であることになり、スパッタターゲット材の品質確認検査に役立つ程度のことにすぎない。チタンターゲット材の熱伝導率がその特性値として重要であることは周知のことであるから、品質確認検査のために、引例４のＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉのチタン材の熱伝導率を実際に測定し、その具体的な測定値を品質検査合格の基準として定めておく程度のことは、当業者が容易にできることである。
　そうすると、上記の場合では、本件特許発明１は、引例４のＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉチタンスパッタターゲット材の発明に基づいて容易に発明をすることができた発明であることになる。
　しかしながら、当審は、引例４のＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの熱伝導率が本件特許発明１のスパッタターゲットの熱伝導率以下であるとするに足る資料をもたない（本件特許権者も本件特許異議申立人も、本件特許発明１のスパッタターゲットの熱伝導率とＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの熱伝導率との関係について、少なくとも直接的には言及していない。）。そこで、以下では、本件特許発明１の上記熱伝導率は、引例４のＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの熱伝導率よりも高いものと仮定する。
（ニ）（ａ）　（α）スパッタリング時に、ターゲットの温度分布を均一にし、また、ターゲットを冷却する必要とされていることからみて、一般に、ターゲット自体の熱伝導性は高い方が好ましいことは技術常識であり｛引例８／１には、「合金あるいは複合酸化物ターゲットでは、スパッタ膜の組成をターゲットの組成と一致させるため、ターゲットの冷却を徹底する。このために、・・・、ターゲットの裏面に、熱良導板を接着し、これをターゲット支持台に固定する場合がある」と記載されている。上記〔四〕（７）（ａ）（ハ）参照。｝、かつ、
　（β）金属材質の不均一性は金属材の熱伝導を低下させること｛金属材が不純物が含有している程、均一でないことを意味するところ、一般に金属の熱伝導率は、純度が高い程高いことは周知である。上記〔四〕（４）（ｂ）の引例５／２及び及び同（８）（ｂ）の引例１０の記載を参照。なお、引例１０には、熱伝導がＱ＝Ｋ∂Ｔ/∂ｚ（この式は、熱エネルギが資料中に頻繁に散乱を受けながら不規則な途を通って伝導される場合の式である。）、また、Ｋ＝ＣｖΛ/３（Ｃは熱容量、Λは散乱の平均自由行程、ｖはキャリアの平均速度）であらわされ、熱エネルギーは散乱されながら伝導されることが記載されている。｝、かつ、
　（γ）スパッタターゲットの不均一性は、形成される膜の不均一性の原因となることは当業者には周知のことである｛引例８／１には、「ターゲットの純度以外に、ターゲットの表面状態、ターゲットの密度、ターゲットの結晶性なども、スパッタ膜の特性を変えるから注意する必要がある」と記載されている。上記〔四〕（７）（ａ）（ロ）参照。また、引例８／２には、スパッタ現象が固体内部（表面近傍）の構造に影響されることが記載されている。これらの記載は、直接パーティクルについて言及していないが、パーティクル生成は、膜の不均一性の典型例である。｝から、
スパッタターゲットの熱伝導率を上昇させるために、例えば、引例２に記載されているＥｘｅｐ．ｇａｓ、引例４のＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉのような、なるべく高純度のチタン材を用いるようにし、必要ならば、これらのチタン材をさらに均質化することによって、スパッタターゲット用のチタン材の熱伝導率を理想的なチタン金属の熱伝導率になるべく近い値に近づける程度のことは、当業者が容易に想到できることである。
（ニ）（ｂ）　引例５／２の記載によれば、フルアニールされている高純度チタンの熱伝導率は、その純度によっては、２１Ｗ／ｍ・Ｋ以上に達している（引例５／２には、フルアニールされているとは記載されていないが、同文献が金属一般に関する科学的な資料に関するものであるから、当審は、引例５／２の高純度チタンがフルアニールされているものとしておく。）。
　そうすると、たとえ、フルアニールされているとはいえ、高純度チタン類の熱伝導率は２１Ｗ／ｍ・Ｋ以上に達することが知られているのである（この点は、引例５／１の記載からもいえることである。）から、なるべくこの熱伝導値に近くするために、チタンターゲットのチタン材の熱伝導率を１６Ｗ／ｍ・Ｋ以上にする程度のことに格別の創意を要するものとは認められない。
（ホ）　したがって、本件特許発明１は、上記〔五〕（１）（イ）〜（ニ）（ａ）で言及した引例に記載された技術常識を考慮して、引例４に記載されているチタンターゲット材（ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉ）の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　
（ヘ）（ａ）　熱伝導率と不純物含量との関係
　なお、金属材料の熱伝導率自体は、材料の不純物含有量及び内部性状の現れであって、かつ、金属材料の内部性状自体が金属材料の不純物含有量に依存しているから、本件特許発明１のスパッタターゲット材の熱伝導率が１６Ｗ/ｍＫより高いという条件は、本件特許発明１のスパッタターゲット材が単に「酸素の含有量が３５０ｐｐｍ以下、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｒの各元素の含有量が１５ｐｐｍ以下、ＮａおよびＫの各元素の含有量が０．５ｐｐｍ以下である」であるだけでなく、さらに高純度であることを同材の熱伝導率というパラメータの値によって表現したものであるとも考えられる。
　この点に関して、（α）本件特許明細書８頁の表１（段落【0047】）の比較例１の試料１１〔Ｔｉ粒：０．５≦ｄ≦１、０．５mm＝５０％、１mm＝５０％；絞り７９．０％、熱伝導率１６．８０Ｗ/ｍＫ〕と同実施例１の試料１〔Ｔｉ粒：ｄ＝１mm、１００％；絞り７９．５％、熱伝導率１６．８５Ｗ/ｍＫ〕とを比較すると、Ｔｉ粒を選択することによって、チタンターゲットの酸素含有量が３６０ｐｐｍ（試料１１）から３５０ｐｐｍ（試料１）に低下し（ただし、その際、絞り値も若干高くなっている）、スパッタ膜の加工性及び膜厚特性が向上していることが認められる。
　（β）このこと自体は、本件特許発明１がチタンターゲットの性能を向上させるために酸素含有量を低下させてきた従来技術の考え方と軌を一にしているにすぎないことを示している。
　しかるに、（γ）本件特許異議申立人が提示した甲第１号証（本件特許権者である出願人が本件特許の出願の原出願の審査手続で提出した、平成６年１２月５日付けの意見書）の３頁、下から５〜２行の記載によれば、チタンターゲット材について、「材料特性としての絞りと熱伝導率」の値は、Ｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮａおよびＫだけでなく、これら以外の他の不純物元素も含めたチタン材の純度に大きく影響されるとされている。
　そこで、（δ）ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの酸素及びＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮａおよびＫ以外の不純物含有量について検討すると、不純物Ｎ＜３ｐｐｍ、不純物Ｈ＜２０ｐｐｍであって、有限であり、かつ、不純物Ｃ、Ｃｌ等の含有量は不明である。そして、一方では、本件特許発明１のスパッタターゲットの不純物含有量及び内部性状をあらわす物性値としての絞りは、ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉと同じ程度である〔上記（イ）、（ロ）参照〕にもかかわらず、その熱伝導率はＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの熱伝導率より高い（当審が仮に採用している前提による。）。
　ところで、技術常識によれば、（ε）ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの不純物酸素の濃度と同時に、不純物Ｎ、Ｈ、Ｃ等の濃度をも低下させれば、チタンターゲットの熱伝導率が上昇することは予想外のことではない。
　そうすると、（ζ）ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの熱伝導率を上昇させるためにＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの酸素だけでなく、それ以外の不純物Ｎ、Ｈ、Ｃ、Ｃｌ等のチタン材の不純物含有量をも低くすることによって、スパッタターゲット材の熱伝導率をＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの実際の熱伝導率値より高い１６Ｗ/ｍＫを越える値にする程度のことは、当業者が容易に想到できることである｛ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉ自体の熱伝導率を現実に測定することは必要に応じてできるし、理想的なチタン金属材の熱伝導率は２１Ｗ／ｍＫに達している。上記〔四〕（４）（ｂ）で認定した引例５／２の記載を参照｝。
　
（ヘ）（ｂ）　熱伝導率と絞りとの関係
　なおまた、本件特許発明１は、引例４に記載されている「酸素の含有量が８０ｐｐｍ、Ｆｅ、ＮｉおよびＣｒの各元素の含有量がそれぞれ５ｐｐｍより低く、ＮａおよびＫの各元素の含有量がそれぞれ０．１ｐｐｍより低いと共に、材料特性としての絞りが８２．６％である」チタンターゲット材｛すなわち、ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉ。上記〔四〕（３）（ロ）及び同（ハ）参照。｝を鍛造して、つまり、鍛造の効果として、チタンターゲットの内部性状等を均一化することをこころみ、その目安として、熱伝導率というパラメータを選択し、熱伝導率がＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉの熱伝導率値より高い１６Ｗ／ｍＫを越える値であれば、所期の目的を達するものとした発明であるとも考えられる。
　しかるに、スパッタターゲットを製造する場合に鍛造することはよく知られている｛引例３及び引例４の、上記〔四〕（２）（ロ）及び（３）（ニ）に示した記載を参照。ただし、鍛造の目的は明記されていない。｝。引例９／３の記載｛上記〔四〕（８）（ａ）（ｉｉｉ）｝によれば、一般に鍛造の効果は複雑であることは認められるにしても、例えば、引例９／１に記載されているように｛上記〔四〕（８）（ａ）（ｉ）参照｝、「一般に使用される金属材料は多結晶で、鋳造されたものは粗大な樹枝状結晶をもち、内部に鋳巣、収縮孔、偏析などの諸欠陥」をもっていること、また、引例９／２に記載されているように｛上記〔四〕（８）（ａ）（ｉｉ）（イ）参照｝、金属材料は、鍛造によって「材料の粒子を微細にするとともに組織を均一に」できることは、周知のことである（引例９／３にも同様の記載がある。）。
　そうすると、チタンターゲットの熱伝導率又はスパッタ膜の膜厚特性に対する鍛造（冷間を含む）の影響の程度を定式化された明確な指針等によって具体的に予想することはできないとしても、鍛造によって金属材料の内部の性状の不均一性が除去される範囲が存在し、その範囲で鍛造することによってチタンターゲット材をなるべく均質化することによって、引例４に記載されているＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉを改良し、その熱伝導率を１６Ｗ/ｍＫを越える値に向上させる程度のことは、引例５／２及び引例１０に記載されている、チタンの熱伝導率に関する技術常識（周知事項）をも考慮すれば、当業者ならば格別の創意を要することではない。
　
（チ）　そして、本件特許発明１は、チタンターゲット材の絞り、熱伝導率及び酸素等の不純物元素含有量の三者を同時に特定することによって、引例４に記載されているチタンターゲット材（ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉ）を使用したスパッタターゲットの発明と比較して、予想外の臨界的効果を奏したものとは認められない。
　なお、「スパッタリング時にターゲットに加わる熱エネルギーを均一にバッキングプレート側に放出することができないと、ターゲットの温度分布の不均一さに起因して被着状態の均一性が損われてしまう」｛本件特許明細書の記載。上記〔三〕（ロ）参照｝ことを防ぐことは、ターゲットの熱伝導率改良の効果として予想外ではない。
（リ）　以上によれば、本件特許発明１は、引例２、同３、同５／１〜２、同８／１〜２、同９／１〜３、同１０に記載された周知事項を考慮して、引例４に記載されている発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明であると認められる。
　
（２）　本件特許発明１５について
（イ）　本件特許発明１５で採用されている各工程の手段のうち、（α）「溶融塩電解法、アイオダイド法、クロール法またはフンター法」は、いずれも、チタンの周知の製造方法であり（例えば、引例２、引例３、引例７参照）、粗製チタン粒を篩分けする方法は、引例７に記載され（引例７で製品粒度をメッシュで表示している点に留意）、チタン金属を電子ビーム熔解する方法は、引例３及び引例６に記載され、ターゲット状に加工することについては、引例４に記載されている。
（ロ）（ａ）　引例７の「表３　ナトリウム還元バッチ製品の粒度別の品質例」に示されている「製品粒度（ｍｍ）」別の「重量％」組成、見掛密度、ＨＢ（ブリネル硬さ）及び元素分析値（％）は、各粒度毎にＴｉ粒をを分離した上で、測定したものと認められる。
　そして、ナトリウム還元バッチ製品の不純物、Ｏ、Ｎ、Ｈ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｃｌの濃度（ただし、当審がppmに換算した。）は、下記のとおりである｛上記〔四〕（６）（イ）参照｝。
　製品粒度（mm）　Ｏ　　Ｎ　　Ｈ　　Ｆｅ　　Ｎａ　　Ｃｌ
　　25.4〜4.0　　　350　　20　　35　　＜50　　760 　　1100
  　4.0〜0.25　　　510　　20　　39　　＜50　　840　　1250
　　0.25以下　　　1100　　25　　81　　110  　　920　　1350
（ｂ）　この測定結果によれば、ナトリウム還元バッチ製品であるチタン材の純度は、粒度別に分離された各製品の粒度が大きいほど、高いことが認められる。
（ｃ）　引例７の上記記載からは、製品粒度が約１mm以上と約１mm以下とでどのような相違があること自体は不明であるが、全体の傾向として製品粒度が大きくなるにしたがってチタン材の純度が高くなっている傾向は、製品粒状体の全体に対してその表面部分が占める割合に依存していると判断するのは技術常識に妥当であるから、当業者ならば、上記傾向は、製品粒度約１mm以上と約１mm以下との間でもみられると予想し、チタン金属の純度を高めるために、ターゲット用チタン金属原料としては、粒度約１mm以上の粒度製品を多くする程度のことは、当業者が容易に想到できることであると認められる。
（ハ）  以上によれば、例えば、引例４に記載されているチタンターゲット材（ＴＳＢ４Ｎ−Ｔｉ）を改良しようとする場合、その製造原料である粗チタン粒を選別するときに、なるべく粒度の大きな粗チタン粒を原料として使用するために、「前記粒径分別された粗チタン粒の中から、粒径１ｍｍ以上の粗チタン粒が９０％以上となるように、前記粒径分別された粗チタン粒を１種または２種以上の混合物として選別」することは、引例７の上記記載を考慮すれば、当業者が容易にできることである。
（ニ）　そして、本件特許発明１５は、「粒径１ｍｍ以上の粗チタン粒が９０％以上」であるという数値条件によって、予想外の臨界的効果を奏したものとは認められない。
　さらに、本件特許発明１５のスパッタターゲットの製造方法で得られるスパッタターゲットは、本件特許発明１のスパッタターゲットのようなチタンターゲットに限られていないから、粒径に関する、本件特許発明１５の数値条件は、チタン特有の性質に基づく特別は工夫とはいえないし、金属一般について臨界的ということはあり得ないことにも留意すべきである。
（ホ）　そうすると、本件特許発明１５は、引例２から引例４までの各引例及び引例６に記載されている周知事項を考慮して、引例７に記載されている発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができた発明であると認められる。
　
（３）　以上の（１）及び（２）の理由によって、本件特許発明１及び同１５は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものと認められ、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して特許されたものであるから、これらの発明について、特許を取り消すべきものである。
　よって、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定によって、結論のとおり、決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月１５日（２００２．３．１５）