【事件の表示】
　特許第２９７４０３５号「酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７４０３５号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２９７４０３５号の手続の経緯は、次のとおりである。
　特許出願　　　　平成　３年　５月１６日
　設定登録　　　　平成１１年　９月　３日
　公報発行　　　　平成１１年１１月　８日
　特許異議申立　　平成１２年　５月　８日
　取消理由通知　　平成１２年　８月１７日付
　特許異議意見書　平成１２年１０月３０日
　審尋（被請求人）平成１３年　１月１０日付
　回答書　　　　　平成１３年　３月２７日
　取消理由通知　　平成１３年　４月１６日付
　特許異議意見書　平成１３年　６月２６日
　訂正請求　　　　平成１３年　６月２６日
［２］訂正の適否についての判断
　ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を、下記のとおりに訂正する。
「【請求項１】
　回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法。」
　訂正事項ｂ
　明細書の［０００６］の全記載を、「すなわち、本発明は、回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法を提供するものである。」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　明細書の［０００８］の１〜３行における「本発明方法において…のが好ましい。」の全記載を、削除する。
　訂正事項ｄ
　明細書の［０００９］の１〜２行における「ハロゲノシランやオルガノハロゲノシランとアンモニア又はアミン類とを、」の記載を、「ハロゲノシランとアンモニアとを、」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　明細書の［０００９］の４〜１１行における「…ことができるし、また…挙げることができる。」の記載を、「…ことができる。」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　明細書の［００１０］の１〜５行における「一方、これらの…挙げることができる。」の全記載を、削除する。
　訂正事項ｇ
　明細書の［００１２］の１行における「特に好適なシラザン化合物は、」の記載を、「このシラザン化合物は、」と訂正する。
　訂正事項ｈ
　明細書の［００１３］の全記載を、「本発明方法においては、シラザン化合物の有機溶剤溶液として、このようにして得られたハロゲノシランとアンモニアとの反応混合物をそのまま塗布液とすることができる。」と訂正する。
　訂正事項ｉ
　明細書の［００１４］の１〜１７行における「この場合の有機溶剤としては、…混合して用いてもよい。」の全記載を、削除する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否　
　上記訂正事項ａは、「ハロゲノシラン又はオルガノハロゲノシラン」を「ハロゲノシラン」に、「アンモニア又はアミン類」を「アンモニア」に、それぞれ限定するものであり、また、「赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない」については、明細書の［０００７］の記載に基づいて、酸化ケイ素連続膜の物性を特定して限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、かつ新規事項を追加するものでも実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｂ〜ｉは、上記訂正事項ａに整合させて、発明の詳細な説明の記載を訂正するものにすぎないから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、且つ上記訂正事項ａの場合と同様に新規事項を追加するものでも実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。　
　ウ．訂正の適否についての結論
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する第１２６条第２−３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
［３］特許異議申立についての判断
　ア．特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人村戸良至は、甲第２号証：特開昭６２−８８３２７号公報（以下、「甲２」という）、甲第３号証：特開平１−２０３４７６号公報、（以下、「甲３」という）及び甲第４号証：「ＴＯＮＥＮ　セーフティ　データシート」東燃（株）平成２年１２月作成（以下、「甲４」という）、甲第５号証：東燃（株）鈴木　直による「回答書」（平成１２年４月２０日付）｛該甲第５号証は、本件出願後に作成されたものであるため、参考資料１（以下、「参１」という）とする。｝及び甲第６号証：「電子材料」Ｖｏｌ．３３　Ｎｏ．１２　ｐ．５０〜５５（平成６年１２月１日発行）｛該甲第６号証は、本件出願後に発行されたものであるため、参考資料２（以下、「参２」という）とする。｝を挙示して、請求項１に係る発明は、甲２又は甲３に記載された発明と同一であるから特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、甲２〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　イ．本件発明
　訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に係わる発明（以下、「本件発明」という）は、訂正明細書の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】
（Ａ）回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、
（Ｂ）５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、
（Ｃ）該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、」
（Ｄ）赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法。」
（上記の記号Ａ〜Ｄは、便宜上付与したものである。）
　ウ．甲号証に記載の事項
　当審において、取消理由に引用した刊行物１｛（＝甲３）以下、「刊１」という｝、刊行物２｛（＝甲４）以下、「刊２」という｝及び参１のうちの刊１には、コーティング組成物及びコーティング方法についての発明が記載され、
（１−１）特許請求の範囲：「（１）一般式
　−（Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−ＮＲ３）−（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は各々独立に水素原子又は炭化水素基を表す。）で示される繰り返し単位を有する直鎖状構造、環状構造又はこれらの混合構造を包含し、数平均分子量が１００〜５０，０００であり、１分子中に３個以上のＳｉＨ３基を有し、かつ元素比率がＳｉ：５９〜６９重量％，Ｎ：２４〜３４重量％，Ｈ：５〜８重量％であるポリシラザンを少なくとも含有するコーティング用組成物。
（２）請求項（１）記載のコーティング組成物を基盤に１回又は２回以上繰り返し塗布した後、焼成し…被覆膜を形成させることを特徴とするコーティング方法。」
（１−２）２頁右下欄１６〜２０行：「好ましいポリシラザンは、上記−般式のＲ１、Ｒ２およびＲ３のすべてが水素原子であるものであり、１ＨＮＭＲスペクトル測定により得られる１分子中のＳｉＨ３の数が３個から１５個のものであり、特に好ましい範囲は５個から１０個のものである」、
（１−３）３頁左上欄９〜１５行：「前記で示したポリシラザンは、たとえば下記に示す方法で合成することができる。即ち、一般式ＳｉＨ２Ｘ２（式中Ｘはハロゲン原子である。）で示されるジハロシランと塩基性化合物を反応させて、ジハロシランのアダクツを形成させたのち、当該ハロシランのアダクツをアンモニアと反応させることにより合成することができる。」、
（１−４）３頁左下欄１９行〜右下欄７行：「無色透明な液状のポリシラザンが得られる。本発明において、前記ポリシラザンを用いてコーティング用組成物を形成するには、通常ポリシラザンを溶剤に溶解させればよい。溶剤としては、…炭化水素溶媒、…ハロゲン化炭化水素、…エーテル類が使用できる。」、
（１−５）４頁左下欄１９行〜右下欄１１行：「このような方法でコーティングし、充分乾燥させた後、加熱・焼成する。この焼成によってポリシラザンは、架橋、縮合して硬化し、強靱な被覆を形成する。…１００℃〜１０００℃の範囲の温度で焼成する。好ましい焼成温度は２００℃〜５００℃の範囲である。焼成雰囲気は空気中あるいは不活性ガスのいずれであってもよいが、非酸化性雰囲気であればＳｉ−Ｎ結合を、酸化又は加水解性雰囲気であればＳｉ−Ｏ結合の被膜を形成するので、基盤に応じて雰囲気を適当に選択することができる。」、
（１−６）４頁右下欄２０行〜５頁左上欄２行：「また本発明のコーティング用組成物は電子部品用の多層配線の絶縁膜としても利用することができる。」、と記載されている。
　参１には、上記刊２のセーフティデータシートが、本件特許出願以前より公然とサンプル配付及び販売されていた東燃株式会社の商品であるポリシラザンに添付して、公然と頒布されたセーフティデータシートであることが記載され、また、本件発明の唯一の実施例で使用された「ＴＥＦＰ」が、東燃株式会社で製造されたポリシラザンに総称的に付された製造ロットなどを示す記号の一種であることが記載されている。
　（なお、参１は、本件特許出願後に作成されたものであるが、参１の内容は、本件発明の実施例で使用された「ＴＥＦＰ」の記載内容を明らかにするものであるから、本件発明の実施例の理解を助ける上で、参考資料として援用することとした。）
［４］対比・判断
  本件発明と刊１に記載の発明（以下、「刊１発明」という）とを対比する。
　本件発明における「ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物」が、回答書（平成１３年３月２７日付け）にあるように、ポリシラザン製造用ポリマーとして市販されている「ＰＨＰＳ−１」又は「ＰＨＰＳ−２」（以下、まとめて「ＰＨＰＳ」という）である場合には、上記参１の記載から、ハロゲノシランをアンモニアと反応させて合成した、又はハロゲノシランを塩基性化合物と反応させてアダクツを形成させた後、該アダクツをアンモニアと反応させて合成したペルヒドロポリシラザン（分子量１２００〜１５００等々）であるところから、刊１の上記（１−１）〜（１−３）に記載された一般式−（Ｒ１Ｒ２Ｓｉ−ＮＲ３）−（式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は各々独立に水素原子又は炭化水素基を表す。）で示される繰り返し単位を有する直鎖状構造、環状構造又はこれらの混合構造におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３が全て水素である場合のペルヒドロポリシラザン（数平均分子量が１００〜５０，０００）に相当していることは明らかであり、また、刊１では、上記（１−４）に記載があるように、ポリシラザンを有機溶剤で希釈してコーティング用組成物とし、基盤（金属、セラミックス、プラスチックス等。第４頁左下欄１１〜１４行参照）上に塗布（例えば、浸漬、刷毛塗り、スプレー塗り等々）しているところから、刊１には、基盤（＝基板）上にハロゲノシランとアンモニアとを反応原料として、アダクツを経由して合成された反応生成物である分子量１２００〜１５００のペルヒドロポリシラザン（＝「ＰＨＰＳ−２」等々）を有機溶剤で希釈して塗布する工程が記載されていて、この工程は、本件発明におけるハロゲノシランとアンモニアとを反応原料として合成された反応生成物を含む有機溶剤を塗布する工程（＝本件発明の上記構成Ａの一部）に相当している。
　そして、刊１には、上記（１−５）に記載があるように、塗布液の乾燥工程を有していて、乾燥温度については記載がないが、技術常識上、乾燥温度の如何を問わず乾燥により有機溶剤は蒸発して、ポリシラザン被膜が形成されることは、塗布液としてポリシラザンの有機溶剤溶液を用いている以上、自明のことであるから、刊１には、本件発明における反応生成物であるポリシラザン化合物を含む有機溶剤溶液を塗布して、乾燥することによりポリシラザン系被膜を形成する工程（＝本件発明の上記構成Ｂの一部）が開示されていると認められる。
　さらに、刊１の上記（１−５）に記載があるように、刊１において乾燥させて形成されたポリシラザン被膜、の加熱焼成工程は、空気中又は不活性ガス（例えば、窒素ガス）中、１００〜１０００℃の範囲、好ましくは２００〜５００℃の範囲で行って、酸化雰囲気ではＳｉ−Ｏ結合の被膜を、窒素ガス雰囲気ではＳｉ−Ｎ結合の被膜を形成すると記載しているから、この加熱焼成工程は、本件発明において２００〜８００℃の範囲で行っている加熱焼成工程（＝本件発明の上記構成Ｃの一部）に相当していることは明らかである。
　また、刊１で得られたＳｉ−Ｏ結合の被膜の用途として上記（１−６）に記載されている電子部品用の多層配線の絶縁膜とは、本件発明における層間絶縁膜（＝本件発明の上記構成Ｄの一部）と同義である。
　そうすると、結局、刊１の上記（１−１）〜（１−６）を含む全記載からみて、刊１には、「基板上に、ハロゲノシランとアンモニアとを反応原料として、アダクツを経由して合成された反応生成物である分子量１２００〜１５００のペルヒドロポリシラザン（＝「ＰＨＰＳ−２」等々）を有機溶剤で希釈して塗布し、乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中、２００〜８００℃の範囲の温度において加熱焼成し、Ｓｉ−Ｏ結合の被膜を形成させることを特徴とするＳｉ−Ｏ結合の層間絶縁膜の製造方法」に係る発明が、開示されているものと認められるから、本件発明と刊１発明とは、「基板上に、ハロゲノシランを（塩基性化合物と反応させてアダクツを形成させた後、該アダクツを）アンモニアと反応させて合成した分子量１２００〜１５００のペルヒドロポリシラザン（＝「ＰＨＰＳ−２」等々）を含む有機溶剤溶液を塗布し、乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中、２００〜８００℃の範囲の温度において加熱焼成し、層間絶縁膜を形成させることを特徴とする層間絶縁膜の製造方法」である点で一致し、下記の点で相違していると認める。
（１）基板が、本件発明では、回路パターンが形成されたシリコンウエーハと規定している（＝本件発明の上記構成Ａの一部）のに対して、刊１発明では、そのような記載がない点。
（２）乾燥温度が、本件発明では、５０〜２００℃と規定している（＝本件発明の上記構成Ｂの一部）のに対して、刊１発明では、そのような記載がない点。
（３）ポリシラザン系被膜を加熱焼成して形成される層間絶縁膜が、本件発明では、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化し（＝本件発明の上記構成Ｃの一部）、赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素系連続膜である（＝本件発明の上記構成Ｄの一部）のに対して、刊１発明では、そのような記載とはなっていない点。
　上記相違点につき検討する。
　上記相違点（１）について
　従来から、電子部品における層間絶縁膜の基板としては、回路パターンが形成されたシリコンウエハーは、ごく普通に汎用されているものにすぎない（必要あらば、特開昭６２−８８３２７号公報参照）ので、刊１発明における層間絶縁膜の基板材料として、金属、セラミックス、プラスチックス等であるという記載（第４頁左下欄１１〜１４行参照）がある以上、刊１発明における層間絶縁膜の基板として、回路パターンが形成されたシリコンウエハーは、当業者がごく当然に想起するものにすぎないので、この点（＝本件発明の上記構成Ａの一部）に実質的な特徴があると認めることはできず、従来の技術常識を援用すれば刊１の記載から自明なことにすぎない。
　上記相違点（２）について
　刊１には乾燥温度について記載がないけれども、乾燥温度としては、蒸発除去する有機溶剤の沸騰温度以下の温度で行い、乾燥温度は高いほど乾燥速度は速くなることは技術常識であって、本件発明の５０〜２００℃という温度範囲にも、なんら技術的にみて特徴があるものとは認められない（明細書中においても、５０〜２００℃という乾燥温度を採用する技術的意義や必然性については、記載するところがない。）ため、刊１の乾燥工程においては当業者がごく普通に、特に１００℃近辺以下の温度にあっては当然に実施しうる自明な範囲と認められるので、この点（＝本件発明の上記構成Ｂの一部）に実質的な特徴があると認めることはできず、従来の技術常識を援用すれば刊１の記載から自明なことにすぎない。
　上記相違点（３）について
　上記刊２には、ペルヒドロポリシラザンは、２００℃以上では顕著に熱分解し、酸窒化ケイ素やシリカを生じる旨の記載があることから判断しても、刊１発明におけるＳｉ−Ｏ結合の被膜とは、本件発明におけるポリシラザンが完全に酸化して転化した酸化ケイ素膜であること（＝本件発明の上記構成Ｃの一部）は明らかであると認められるし、さらに、従来から、刊１と同じペルヒドロポリシラザンを、窒素雰囲気で２００℃以上の範囲の温度において加熱焼成して形成される物質が、窒化ケイ素であることは周知の事実である（必要あらば、特開昭５９−２０７８１２号公報、特開昭６０−１４５９０３号公報参照）ことからみて、刊１のペルヒドロポリシラザンを、酸素雰囲気で２００〜８００℃の範囲の温度において加熱焼成して形成されるＳｉ−Ｏ結合の被膜とは、酸化ケイ素の被膜であること（＝本件発明の上記構成Ｃの一部）は、明らかであると認める。
　また、本件発明においては、酸化ケイ素が連続膜であるとしている（＝本件発明の上記構成Ｄの一部）が、刊１発明においても、層間絶縁膜としての用途が記載されている以上、焼結により得られたＳｉ−Ｏ結合の被膜は、層間絶縁膜としての使用に支障がない範囲で巨大な穴や欠陥がないという技術的な意味における連続膜となっていることは技術常識であると認められるから、この点（＝本件発明の上記構成Ｄの一部）においても差があるとは認めない。
　そして、本件発明と刊１発明とは、上記したとおり、両者とも基板上に塗布する塗布液として同じペルヒドロポリシラザン（＝「ＰＨＰＳ−２」等々）の有機溶剤溶液（＝原料）を用いて、同じ乾燥工程に付して同じポリシラザン系皮膜を形成し、更に同じく酸化雰囲気で２００〜８００℃の範囲の同じ温度範囲において加熱焼成する工程に付しているため、原料、処理工程及び処理条件が同じで実質的に差がない以上、最終生成物は同じものが形成されることは技術常識であるから、刊１発明において形成されているＳｉ−Ｏ結合の被膜（＝酸化ケイ素系皮膜）と表現している被膜とは、実質的には本件発明におけるポリシラザンが完全に酸化して転化した、赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素膜に他ならないことは自明であると認める。
　さらに付言すると、本件発明では、得られた酸化ケイ素膜の赤外吸収スペクトルにおける波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しないことを特徴としているが、この吸収は、不純物である水に起因して現れるものである（本件特許明細書［０００７］参照）ところ、本件発明と刊１発明とは、原料、処理工程及び処理条件が同じで実質的に差がない以上、最終生成物のみならず、最終生成物に随伴してくる不純物においても同じになっていることは、技術常識から自明のことである。そうすると、刊１発明においては、最終生成物の物性値の特性を赤外吸収スペクトル等々において具体的に確認していないだけのことにすぎず、当業者が赤外吸収スペクトル等々により最終生成物中の不純物である水の存否を確認した場合には、当然、本件発明と同じ結果が得られるはずであるから、本件発明の赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素膜と規定した点（＝本件発明の上記構成Ｄの一部）に実質的な相違があるとは認めない。
　このことは、異議申立人が挙示した上記参２に、刊１発明と同じ原料｛即ち、ペルヒドロポリシラザン（＝「ＰＨＰＳ−２」等々）の有機溶剤溶液｝を用いて、刊１発明と同じ処理工程及び処理条件｛即ち、基板上に塗布し、酸化雰囲気で、２００〜８００℃の温度範囲である４５０℃で加熱焼成するという工程｝（特に、参２の図１、表１及び図２参照）に付して得られたＳｉＯ２膜のＩＲスペクトルを示している参２の図３において、波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在していないことに徴しても明らかと認める。なお、参２においては、塗布液を乾燥する工程に付していないが、４５０℃の加熱焼成工程に付せば、４５０℃の焼成温度に至る工程において、必然的に含有されている水分等は蒸発除去されて実質的に乾燥工程に付したと同じことになると認められるので、刊１発明と参２との間に実質的な相違があるとは認めない。
　したがって、上記（１）〜（３）の相違点に実質的な差異がなく、刊１の記載から自明もしくは均等な発明であると認められる本件発明は、刊１に記載された発明と同一、もしくは刊１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到しえた発明であると認める。
［５］むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、もしくは同法第２９条第２項に違反して特許されたものであるから、特許法第１１３条第１項第２号の規定により特許を受けることができないものであり、取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１３年７月３１日（２００１．７．３１）
【訂正の要旨】
（３）訂正の要旨
（ｉ）訂正事項ａ
　平成１１年６月４日の本件請求人提出に係る手続補正書により訂正された請求項１の記載
　「回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシラン又はオルガノハロゲノシランとアンモニア又はアミン類との反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法。」
を
　「回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法」
と訂正する。
（ｉｉ）訂正事項ｂ
　同明細書、段落番号０００６の欄の記載
　「すなわち、本発明は、回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシラン又はオルガノハロゲノシランとアンモニア又はアミン類との反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法を提供するものである。」
を
　「すなわち、本発明は、回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法を提供するものである。」
と訂正する。
（ｉｉｉ）訂正事項ｃ
　同明細書段落番号０００８の欄第１〜３行の「本発明方法において…のが好ましい。」を削除する。
（ｉｖ）訂正事項ｄ
　同明細書段落番号０００９の欄第１〜２行の「ハロゲノシランやオルガノハロゲノシランとアンモニア又はアミン類とを、」を「ハロゲノシランとアンモニアとを、」と訂正する。
（ｖ）訂正事項ｅ
　同明細書段落番号０００９の欄第４〜１１行の「…ことができるし、また…挙げることができる。」を「…ことができる。」と訂正する。
（ｖｉ）訂正事項ｆ
　同明細書段落番号００１０の欄第１〜５行の「一方、これらの…挙げることができる。」を削除する。
（ｖｉｉ）訂正事項ｇ
　同明細書段落番号００１２の欄第１行の「特に好適なシラザン化合物は、」を「このシラザン化合物は、」と訂正する。
（ｖｉｉｉ）訂正事項ｈ
　同明細書段落番号００１３の欄第１〜６行の「本発明方法においては、…とすることもできる。」を「本発明方法においては、シラザン化合物の有機溶剤溶液として、このようにして得られたハロゲノシランとアンモニアとの反応混合物をそのまま塗布液とすることができる。」と訂正する。
（ｉｘ）訂正事項ｉ
　同明細書段落番号００１４の欄第１〜１７行の「この場合の有機溶剤としては、…混合して用いてもよい。」を削除する。
（５４）【発明の名称】
酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は層間絶縁膜の製造方法、さらに詳しくは、特に各種電子部品、例えば半導体素子や液晶表示素子などに好適に用いられる、厚膜でもクラックが発生することなく、かつ密着性及び絶縁性に優れた酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　各種電子部品材料の製造においては、固体表面に層間絶縁膜を形成させる必要性がしばしば生じる。この層間絶縁膜としては、従来、酸化ケイ素系被膜が一般的に用いられ、これは例えば気相成長法、分散塗布法、被膜形成液塗布法などによって固体表面に形成されている。
　【０００３】
　しかしながら、該気相成長法は、特殊な装置を用いて固体表面にシリカを蒸着させ、成長させる方法であって、高価な装置を必要とする上、大量生産が困難であるという欠点を有している。また、分散塗布法は、酸化ケイ素やガラス粉末を高分子化合物中に分散させたものを固体表面に塗布する方法であり、簡便なため近年注目されるようになってきたが、均質な分散を行うことがむずかしい上に、膜厚が不均一となりやすく、かつピンホールが発生しやすいなどの欠点がある。さらに、被膜形成液塗布法としては、例えばカルボン酸、ハロゲノシラン及びアルコールの反応生成物を塗布液として用いることが知られているが（特公昭５２−１６４８８号公報）、このような塗布液から形成された酸化ケイ素系被膜は吸湿性を有するため、雰囲気中の水分を吸収して密着性及び絶縁特性が低下し、実用的な層間絶縁膜が得られない上に、厚膜にするとクラックが発生しやすいという欠点があった。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、このような従来の酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造法のもつ欠点を克服し、密着性及び絶縁特性に優れる上、厚膜にしてもクラックの発生のない酸化ケイ素系層間絶縁膜を容易に製造する方法を提供することを目的としてなされたものである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、前記した酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造法について鋭意研究を重ねた結果、シラザン化合物の有機溶剤溶液を塗布液として用いることにより、その目的を達成しうることを見い出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
　【０００６】
　すなわち、本発明は、回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に、ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物を含む有機溶剤溶液を塗布し、５０〜２００℃の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、該ポリシラザン系被膜を大気中又は酸素雰囲気中、２００〜８００℃の範囲の温度において、ポリシラザンが完全に酸化ケイ素に転化するまで加熱焼成し、赤外吸収スペクトルにおいて波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在しない酸化ケイ素連続膜を形成させることを特徴とする酸化ケイ素系層間絶縁膜の製造方法を提供するものである。
　【０００７】
　本発明方法は、水の不存在下及び水の生成を伴わない条件下で行われることにより、従来の層間絶縁膜として用いられている酸化ケイ素膜が、その赤外吸収スペクトルにおいて、水の存在に起因する波数３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲にピークが存在するのに対し、本発明方法により得られる層間絶縁膜は、前記波数の範囲に実質上ピークが存在しないという点で、両者の間には明らかに組成上の差異が認められる。
　【０００８】
　【０００９】
　このようなシラザン化合物は、ハロゲノシランとアンモニアとを、有機溶剤中で反応させることによって得られる。この際用いられるハロゲノシランとしては、例えばＳｉＣｌ４、ＨＳｉＣｌ３、Ｈ２ＳｉＣｌ２、Ｈ３ＳｉＣｌなどを挙げることができる。
　【００１０】
　【００１１】
　また、これらの反応に用いる有機溶剤としては、例えばトルエン、キシレン、ジエチルエーテル、ジクロロメタンなどが挙げられる。
　【００１２】
　このシラザン化合物は、前記有機溶剤中に、ＨＳｉＣｌ３、Ｈ２ＳｉＣｌ２、Ｈ３ＳｉＣｌなどのハロゲノシランを溶解し、これにアンモニアガスを吹き込むことによって得られる。
　【００１３】
　本発明方法においては、シラザン化合物の有機溶剤溶液として、このようにして得られたハロゲノシランとアンモニアとの反応混合物をそのまま塗布液とすることができる。
　【００１４】
　【００１５】
　本発明方法で用いられる有機溶剤溶液としては、シラザン化合物を１〜６０重量％、好ましくは１０〜３０重量％の割合で含有し、かつ常温における粘度が０．５〜５０センチポイズ、好ましくは１〜２０センチポイズの範囲にあるものが実用上好適である。該粘度は所望の膜厚などによって、有機溶剤の種類や量を適宜選択することにより、調整することができる。
　【００１６】
　本発明方法においては、前記のようにして調製されたシラザン化合物の有機溶剤溶液を、回路パターンが形成されたシリコンウエーハ上に塗布する。その際の塗布法としては、スピンナー法、スプレー法、浸せき法など、従来慣用されている手法が用いられる。次いで、５０〜２００℃程度の温度で乾燥してポリシラザン系被膜を形成させたのち、大気中又は酸素雰囲気中で、２００〜８００℃の範囲の温度において、１５〜６０分間程度焼成し、該ポリシラザン系被膜を完全に酸化ケイ素の連続膜に転化する。
　【００１７】
　このようにして形成された層間絶縁膜は、膜厚が０．２〜３．０μｍのクラックのない均質な吸湿性の低い酸化ケイ素から成る連続膜である。
　【００１８】
　【発明の効果】
　本発明方法により得られる酸化ケイ素系層間絶縁膜は吸湿性が低く、均質でち密な酸化ケイ素膜から成るものであって、基板との密着性に優れ、剥離や厚膜でもクラックを発生することがなく、かつ絶縁性に優れており、例えば電子部品の多層配線用層間絶縁膜などとして好適に用いられる。
　【００１９】
　【実施例】
　次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されるものではない。
　【００２０】
実施例
　表面にアルミニウムによる回路パターンが形成されたシリコンウエハー上に、ハロゲノシランとアンモニアとの反応生成物の２０重量％キシレン溶液であるＴＥＦＰ（東燃社製）を２０００ｒｐｍでスピン塗布し、１５０℃で３０分間乾燥してポリシラザン系被膜を形成したのち、大気中で５００℃において、６０分間焼成することにより、酸化ケイ素膜から成る絶縁膜を製造した。この酸化ケイ素膜は表面にクラックの発生は確認されず、極めて均質性の高い被膜であった。また、この酸化ケイ素膜は赤外吸収スペクトルから水の存在を示すピークは確認されなかった。
　【００２１】
　次いで、形成された酸化ケイ素膜上にアルミニウムを蒸着し、ｉ線感応ポジ型ホトレジストであるＴＳＭＲ‐Ｖ５０（東京応化工業社製）をスピンナーにより４０００ｒｐｍで２０秒間塗布し、ホットプレート上で９０℃において９０秒間乾燥することにより、１．０μｍ厚のレジスト膜を形成したのち、ｉ線用縮小投影露光装置ＬＤ−５０１１ｉＡ（日立製作所社製）によりｉ線を選択的に露光し、さらに、２．３５重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に１分間浸せきしてｉ線の照射部分を溶解除去することで、レジストパターンを形成した。次に、四塩化炭素ガスを使用してＯＡＰＭ‐４００（東京応化工業社製、プラズマ処理装置）によりＲＩＥモードでアルミニウムをエッチングしたところ、絶縁膜上に高精度のアルミニウムパターンが得られた。
　【００２２】
比較例
　実施例で用いたＴＥＦＰ（東燃社製）の代りに、テトラエトキシシランをエチルアルコールの存在下で部分加水分解して得られたＳｉＯ２換算濃度が１２重量％の塗布液を使用した以外は、実施例と同様の操作により酸化ケイ素膜から成る絶縁膜を製造した。この酸化ケイ素膜の赤外吸収スペクトルから水に起因する３２００〜３６００ｃｍ−１の範囲に吸収ピークが確認された。次にこの上に実施例と同様の操作によりアルミニウムパターンを形成したところ、アルミニウムパターンに剥離現象が確認された。