【事件の表示】
　特許第３１７２３６５号「光起電力装置及びその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７２３６５号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１７２３６５号の特許請求の範囲の請求項１〜３に係る発明は、平成６年５月１９日に特許出願され、平成１３年３月２３日に設定登録がなされ、岩田考弘より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年４月８日に訂正請求がなされ、更に取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年５月２０日に上記平成１４年４月８日付け訂正請求は取り下げられるとともに新たに訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を削除し、もとの請求項２，３を夫々新たな請求項１，２と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許明細書段落番号【００１１】における「まず、この発明においては、前記のような課題を解決するため、光電変換層内に光発電層が設けられた光起電力装置において、光電変換層における内部電界がその層面の面方向に不均一である場合に、その内部電界の弱い部分における光発電層の膜厚が他の部分より薄くなるようにしたのである。」を削除する。
　訂正事項ｃ
　特許明細書段落番号【００１４】における「この発明においては、上記のように光電変換層内に光発電層が設けられた光起電力装置において、光電変換層における内部電界がその層面の面方向に不均一である場合に、その内部電界の弱い部分における光発電層の厚みを他の部分より薄くしたため、この部分における光電変換層の内部電界が実質的に増加して、光電変換層における内部電界がある程度均一化され、これにより光起電力装置における曲線因子の低下が抑制されるようになる。」を削除する。
　訂正事項ｄ
　特許明細書段落番号【００３６】を削除する。　　　　　　　　　　　　　　訂正事項ｅ
　特許明細書段落番号【００３７】における「以上詳述したように、この発明においては、光電変換層内に光発電層が設けられた光起電力装置において、光電変換層における内部電界が層面の面方向に不均一である場合に、その内部電界の弱い部分における光発電層の厚みを他の部分より薄くしたため、この部分における光電変換層の内部電界が実質的に増加して、光電変換層における内部電界をある程度均一化され、これにより、この光起電力装置における曲線因子が改善されて、変換効率が向上した。」を削除する。
　訂正事項ｆ
　特許請求の範囲のもとの請求項２（新たな請求項１）を、
「凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置において、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化したことを特徴とする光起電力装置。」
と訂正する。
　訂正事項ｇ
　特許明細書段落番号【００１２】を、
「まず、この発明においては、凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置において、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化するようにしたのである。」と訂正する。
　訂正事項ｈ
　特許明細書段落番号【００１５】を、
「凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置においては、前記の従来技術において述べたように、透光性導電膜の凹部と接する部分における光電変換層の内部電界が低くなるが、この発明においては、上記のように透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化したため、この部分における光電変換層の内部電界が実質的に増加して、光電変換層における内部電界がある程度均一化され、これにより光起電力装置における曲線因子の低下が抑制されるようになる。」と訂正する。
　訂正事項ｉ
　特許明細書段落番号【００３８】を、
「以上詳述したように、この発明においては、凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置に対して、透光性導電膜の凹部と接合する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化したため、この部分における光電変換層の内部電界が実質的に増加して、光電変換層における内部電界をある程度均一化されるようになり、光電変換層と透光性導電膜とが接する界面を凹凸形状に形成した従来の光起電力装置のようにその曲線因子が低下するということがなく、変換効率のよい光起電力装置が得られるようになった。」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項ａについて
　この訂正事項は、請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｆについて
　この訂正事項ｆは、もとの請求項２の番号を付け替えて新たな請求項１にするとともに、新たな請求項１に係る発明を、「光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設ける」点と「光電変換層内の内部電界を均一化する」点とに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、「光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設ける」点は明細書段落番号【００１２】の記載から、また、「光電変換層内の内部電界を均一化する」点は明細書段落番号【００１９】の記載から、それぞれ直接的かつ一義的に導き出せる事項であるから、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂ〜ｅ及びｇ〜ｉについて
　この訂正事項ｂ〜ｅ及びｇ〜ｉは、上記訂正事項ｆに対して明細書の【発明の詳細な説明】の記載を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項を追加するものでなく、また、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　ウ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同法同条第３項で準用する特許法（平成５年法）第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明
　訂正後の特許明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明（以下、本件発明１及び２という。）は次のとおりである。
「【請求項１】　凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置において、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化したことを特徴とする光起電力装置。
　【請求項２】　内部に光発電層が設けられた光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置において、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄く形成するにあたり、光の干渉縞による光の強弱によって透光性導電膜に凹凸を形成すると共に、この透光性導電膜の場合と同様に光の干渉縞による光の強弱によって上記の光発電層に凹凸を形成することを特徴とする光起電力装置の製造方法。」
　イ．異議申立の理由の概要
　異議申立人 岩田考弘は、証拠として甲第１号証を提出し、訂正前の本件明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．刊行物に記載の発明
　取消理由通知に記載した刊行物１（特開平３−２９３７４号公報、異議申立人 岩田考弘が証拠として提出した甲第１号証）には、次の事項が記載されている。
「第３図は、この発明の他の実施例にかかる非晶質太陽電池の断面図である。
　第３図を参照して、ステンレス基板５４の上に、その表面に複数個の突起２２を有する透明電極４が形成されている。透明電極４は、酸化インジウム膜（ＩＴＯ）で形成される。透明電極４の上に光の反射を大きくするための銀５が蒸着されている。透明電極４の突起２２を被覆するように、ｐ層６が形成されている。ｐ層６の上に、透明電極４の凹凸を埋めるように、ｉ層８が形成されている。ｉ層８の上に、ｎ層１０が形成されている。ｎ層１０の上に透明電極であるＩＴＯ１１が形成されている。このような実施例であっても、第１図に示す実施例と同様の効果を実現する。」（４頁右上欄６行〜１９行）
「以上説明したとおり、この発明によると、正孔の走行距離が短くなるため、キャリアの再結合が非常に少なくなる。その結果、非晶質太陽電池の光劣化が大幅に改善され、信頼性が向上とするという効果を奏する。
　また、ｉ層中の再結合が抑止されることから、太陽電池の曲線因子が大きく改善される。」（４頁左下欄１行〜７行）
　エ．当審の対比・判断
　（１）本件発明１について
　本件発明１の「凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設ける」点と「光電変換層内の内部電界を均一化する」点は、上記刊行物１に記載も示唆もされておらず、当業者に周知又は自明の事項でもない。
　そして、本件発明１は、「凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けて、光電変換層内の内部電界を均一化する」ことにより、光電変換層と透明性導電膜との界面を凹凸形状にした場合でも曲線因子の低下がなく、変換効率のよい光起電力装置が簡単に製造できるという作用効果を呈するものである。
　したがって、本件発明１は、刊行物１に記載されたに等しい発明であるとも、又は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができないから、特許法第２９条第１項第３号の規定、又は、同法同条第２項の規定に違反して特許されたものとすることができない。
　（２）本件発明２について
　本件発明２は、異議申立のないもとの請求項３に係る発明であるから、異議の決定を要さないものである。
　オ．むすび
　以上のとおり、異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明１及び２についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１及び２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月２２日（２００２．５．２２）
【訂正の要旨】
訂正の内容
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を削除し、もとの請求項２，３を夫々新たな請求項１，２と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許明細書段落番号【００１１】における「まず、この発明においては、前記のような課題を解決するため、光電変換層内に光発電層が設けられた光起電力装置において、光電変換層における内部電界がその層面の面方向に不均一である場合に、その内部電界の弱い部分における光発電層の膜厚が他の部分より薄くなるようにしたのである。」を削除する。
　訂正事項ｃ
　特許明細書段落番号【００１４】における「この発明においては、上記のように光電変換層内に光発電層が設けられた光起電力装置において、光電変換層における内部電界がその層面の面方向に不均一である場合に、その内部電界の弱い部分における光発電層の厚みを他の部分より薄くしたため、この部分における光電変換層の内部電界が実質的に増加して、光電変換層における内部電界がある程度均一化され、これにより光起電力装置における曲線因子の低下が抑制されるようになる。」を削除する。
　訂正事項ｄ
　特許明細書段落番号【００３６】を削除する。
　訂正事項ｅ
　特許明細書段落番号【００３７】における「以上詳述したように、この発明においては、光電変換層内に光発電層が設けられた光起電力装置において、光電変換層における内部電界が層面の面方向に不均一である場合に、その内部電界の弱い部分における光発電層の厚みを他の部分より薄くしたため、この部分における光電変換層の内部電界が実質的に増加して、光電変換層における内部電界をある程度均一化され、これにより、この光起電力装置における曲線因子が改善されて、変換効率が向上した。」を削除する。
　訂正事項ｆ
　特許請求の範囲のもとの請求項２（新たな請求項１）を、
「凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置において、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化したことを特徴とする光起電力装置。」
と訂正する。
　訂正事項ｇ
　特許明細書段落番号【００１２】を、
「まず、この発明においては、凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置において、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化するようにしたのである。」と訂正する。
　訂正事項ｈ
　特許明細書段落番号【００１５】を、
「凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置においては、前記の従来技術において述べたように、透光性導電膜の凹部と接する部分における光電変換層の内部電界が低くなるが、この発明においては、上記のように透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化したため、この部分における光電変換層の内部電界が実質的に増加して、光電変換層における内部電界がある程度均一化され、これにより光起電力装置における曲線因子の低下が抑制されるようになる。」と訂正する。
　訂正事項ｉ
　特許明細書段落番号【００３８】を、
「以上詳述したように、この発明においては、凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置に対して、透光性導電膜の凹部と接合する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄くすることにより前記光電変換層内の内部電界を均一化したため、この部分における光電変換層の内部電界が実質的に増加して、光電変換層における内部電界をある程度均一化されるようになり、光電変換層と透光性導電膜とが接する界面を凹凸形状に形成した従来の光起電力装置のようにその曲線因子が低下するということがなく、変換効率のよい光起電力装置が得られるようになった。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光起電力装置及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【
請求項１
凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記
することにより前記光電変換層内の内部電界を均一化
　【
請求項２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】この発明は、太陽光等の光エネルギーを電気エネルギーに　変換させる光起電力装置及びその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】従来、太陽光等の光エネルギーを電気エネルギーに変換させる光起電力装置としては、様々な構造のものが知られており、このような光起電力装置の一つとして、図１に示すように、透光性基板１上にＴＣＯ等の透光性導電膜２を設け、この透光性導電膜２上に、例えば、ｐ型（又はｎ型）の半導体からなる一導電型半導体層３ａ（又は３ｃ）と、ｉ型の半導体からなる光発電層３ｂと、ｎ型（又はｐ型）の半導体からなる他導電型半導体層３ｃ（又は３ａ）とが積層された光電変換層３を設け、さらにこの光電変換層３上にＡｇ等の高反射金属で構成された裏面電極４を設けたものが知られていた。
　【０００３】そして、このような光起電力装置においては、光を上記の透光性基板１側から透光性導電膜２を通して上記の光電変換層３に導き、上記の光発電層３ｂにおいてキャリアを発生させて光電変換を行うようになっていた。
　【０００４】また、近年においては、上記のような光起電力装置において、図２に示すように、透光性導電膜２と光電変換層３とが接する界面をテクスチャー化させて凹凸形状にし、光が上記の透光性導電膜２を通して光電変換層３に導かれる際に、透光性導電膜２と光電変換層３との界面で光が反射されるのを抑制すると共に、光電変換層３に導かれる光を散乱させて、光電変換層３内を通過する光の光路長が長くなるようにしたものが開発された。
　【０００５】ここで、図２に示す光起電力装置のように透光性導電膜２と光電変換層３とが接する界面を凹凸形状にした場合、透光性導電膜２と光電変換層３とが接する界面が平坦になった図１の光起電力装置に比べて、光電変換層３の光発電層３ｂ内を通過する光の光路長が長くなるため、多くのキャリアが発生して短絡電流が増加した。
　【０００６】しかし、このように透光性導電膜２と光電変換層３とが接する界面を凹凸形状にした場合、その界面が平坦なものに比べて曲線因子Ｆ．Ｆ．が低下し、変換効率を十分に向上させることができないという問題が生じた。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】この発明は、光起電力装置における上記のような問題を解決することを課題とするものであり、透光性導電膜と光電変換層とが接する界面を凹凸形状にした場合においても、曲線因子が低下するということがなく、変換効率のよい光起電力装置が得られるようにすると共に、このような光起電力装置を簡単かつ確実に製造できるようにすることを目的とするものである。
　【０００８】ここで、本発明者等は、図２に示す光起電力装置のように透光性導電膜２と光電変換層３とが接する界面を凹凸形状にした場合に曲線因子が低下する原因について研究を行った。
　【０００９】この結果、上記のように透光性導電膜２と光電変換層３とが接する界面を凹凸形状に形成すると、これによって光電変換層３における内部電界がその層面の面方向に不均一になり、特に、光の吸収が多く行われる部分である透光性導電膜２の凹部２ａと接する部分において、光電変換層３の内部電界が弱くなり、この光起電力装置における曲線因子が低下するということが分かった。
　【００１０】そして、本発明者等は上記の研究結果に基づいて更に研究を行い、透光性導電膜２と光電変換層３とが接する界面が凹凸形状になる等の原因で、光電変換層３内における内部電界がその層面の面方向に不均一になる場合に、これを是正して曲線因子の低下を抑制し、光起電力装置における変換効率を向上させる手段を開発し、この発明を完成するに至ったのである。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段
】
　【００１２】
まず
凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記
することにより前記光電変換層内の内部電界を均一化
　【００１３】また、上記のように内部に光発電層が設けられた光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置において、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄く形成するにあたり、この発明においては、光の干渉縞による光の強弱により透光性導電膜に凹凸を形成すると共に、この透光性導電膜の場合と同様に光の干渉縞による光の強弱により上記の光発電層に凹凸を形成するようにしたのである。
　【００１４】
　【作用
】
　【００１５】
凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記
することにより前記光電変換層内の内部電界を均一化
、こ
　【００１６】そして、このように光起電力装置における曲線因子の低下が抑制される結果、上記の各光起電力装置における変換効率が向上されるようになる。
　【００１７】また、上記のように内部に光発電層が設けられた光電変換層と、透光性導電膜とが接する界面が凹凸形状になった光起電力装置において、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄く形成するにあたり、この発明のように、光の干渉縞による光の強弱により透光性導電膜に凹凸を形成すると共に、この透光性導電膜の場合と同様に光の干渉縞による光の強弱により光電変換層における光発電層に凹凸を形成すると、透光性導電膜の凹凸に対応させて光発電層に凹凸を設けることができ、透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を簡単かつ確実に薄くすることができ、光電変換層と透光性導電膜との界面を凹凸形状にした場合であっても曲線因子の低下がなく、変換効率のよい光起電力装置が簡単に得られるようになる。
　【００１８】
　【実施例】以下、この発明の実施例に係る光起電力装置を添付図面に基づいて具体的に説明すると共に、この実施例の光起電力装置が従来の光起電力装置に比べて優れていることを明らかにする。
　【００１９】この実施例における光起電力装置においては、図３に示すように、ガラス等の絶縁性の透光性基板１上に、テクスチャー化されて凹凸形状になったＳｎＯ２からなる透光性導電膜２を形成し、この透光性導電膜２上に光電変換を行う光電変換層３として、ｐ型の非晶質シリコンで構成されたｐ型半導体層３ａとｉ型の非晶質シリコンで構成された光発電層３ｂとｎ型の非晶質シリコンで構成されたｎ型半導体層３ｃとを順々に積層させ、さらにこの光電変換層３上にＡｇ等の高反射金属で構成された裏面電極４を設けるようにした。
　【００２０】そして、上記の光起電力装置を製造するにあたり、この実施例においては、上記のように透光性基板１上に凹凸形状を有する透光性導電膜２を設けるにあたって、図４に示すように、レーザ光をハーフミラー１１に導き、このハーフミラー１１を通してレーザ光の約半分をそのまま透光性導電膜２を形成する透光性基板１に導くようにする一方、このハーフミラー１１でレーザ光の約半分を反射させ、このように反射された約半分のレーザ光をさらにミラー１２で反射させて上記の透光性基板１に導くようにし、ハーフミラー１１を通過して透光性基板１に導かれるレーザ光とミラー１２で反射されて透光性基板１に導かれるレーザ光との間の角度θを調整して、透光性基板１に適当な間隔ｄの干渉縞を発生させるようにした。
　【００２１】なお、透光性基板１上に発生する干渉縞の間隔ｄは、上記のレーザ光の波長をλ、レーザ光が通る媒体の屈折率をｎとした場合、下記の式で表される。
ｄ＝λ／（ｎ・ｓｉｎθ）
　【００２２】そして、この実施例においては、上記のレーザ光として波長λが１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光を用い、上記の角度θを１１度にし、屈折率ｎが１の条件下で、上記の透光性基板１上に間隔ｄが約１μｍになった干渉縞を発生させ、このように干渉縞を発生させた状況下で、原料ガスとしてＳｎＣｌ４を７ｓｃｃｍ，Ｏ２を３５０ｓｃｃｍのガス流量で供給すると共に、基板温度を４００℃，圧力を２０Ｔｏｒｒにして、熱ＣＶＤ法により透光性基板１上に凹凸形状になった透光性導電膜２を形成するようにした。
　【００２３】ここで、上記のようにして透光性基板１上に透光性導電膜２を形成するようにした場合、ＳｎＯ２からなる透光性導電膜２の堆積速度が、光の照射されている部分では約２００Å／分、光の照射されていない部分では約１００Å／分であった。そして、この実施例においては、上記のようにして約３０分間かけて透光性基板１上に透光性導電膜２を設けるようにし、透光性基板１上に凸部２ｂの膜厚Ｘ１が約６０００Å，凹部２ａの膜厚Ｘ２が約３０００Åになった透光性導電膜２を形成した。
　【００２４】このようにして透光性基板１上に凹凸形状になった透光性導電膜２を形成した後は、この透光性導電膜２の上に公知の方法で膜厚が約１００Åになったｐ型半導体層３ａを形成し、その後、上記の透光性導電膜２の場合と同様にして、間隔ｄが約１μｍになった干渉縞を発生させながら、原料ガスとして、Ｓｉ２Ｈ６を５０ｓｃｃｍ，Ｎ２を３００ｓｃｃｍのガス流量で供給すると共に、基板温度を２００℃，圧力を０．５Ｔｏｒｒ，ＲＦパワーを１０ｍＷ／ｃｍ２にして、プラズマＣＶＤ法により、上記のｐ型半導体層３ａの上に上記の透光性導電膜２と対応した凹凸形状になったｉ型の非晶質シリコンからなる光発電層３ｂを形成するようにした。
　【００２５】ここで、上記のようにして光発電層３ｂを形成するようにした場合、この発電層３ｂの堆積速度が、光の照射されている部分では約６０Å／分、光の照射されていない部分では約４０Å／分であった。そして、この実施例においては、上記のようにして約５０分間かけてｐ型半導体層３ａ上に光発電層３ｂを設け、上記の透光性導電膜２における凸部２ｂと対応する部分における膜厚Ｙ１が約３０００Åであるのに対して、凹部２ｂと対応する部分における膜厚Ｙ２が約２０００Åと膜厚が薄くなった光発電層３ｂを上記のｐ型半導体層３ａ上に形成した。
　【００２６】このようにして透光性導電膜２に対応した凹凸形状になった光発電層３ｂをｐ型半導体層３ａ上に形成した後は、この光発電層３ｂ上に公知の方法で膜厚が約３００Åになったｎ型半導体層３ｃと、膜厚が約２０００Åになった裏面電極４とを形成して、この実施例の光起電力装置を得た。
　【００２７】次に、この実施例の光起電力装置と比較する比較例においては、上記の実施例において光発電層３ｂを形成する方法だけを変更させ、その他は上記実施例と全く同様にして光起電力装置を得るようにした。ここで、この比較例の光起電力装置においては、光発電層３ｂを従来より一般に行われている公知の方法を用いて形成し、図２に示すように、上記のｐ型半導体層３ａ上に膜厚が約３０００Åになったほぼ均一な膜厚の光発電層３ｂを形成した。
　【００２８】そして、上記の実施例及び比較例の各光起電力装置に対して、それぞれ同じ光照射条件で光を照射し、各光起電力装置における開放電圧（Ｖｏｃ），短絡電流（Ｉｓｃ），曲線因子（Ｆ．Ｆ．）及び変換効率を求め、その結果を下記の表１に示した。
　【００２９】
　【表１】
　【００３０】この結果から明らかなように、光発電層３ｂを透光性導電膜２に対応した凹凸形状に形成し、透光性導電膜２の凹部２ａと対応する部分における光発電層３ｂの膜厚を薄くしたこの実施例の光起電力装置は、光発電層３ｂを透光性導電膜２に沿ってほぼ均一な膜厚で形成した比較例の光起電力装置に比べて、透光性導電膜２の凹部２ａと対応する部分における光発電層３ｂの膜厚が２／３になっているにも拘らず、短絡電流の低下は殆どなく、曲線因子が大幅に改善されて、変換効率が約０．８％向上していた。
　【００３１】ここで、この実施例の光起電力装置と比較例の光起電力装置とを比べた場合において、上記のように光発電層３ｂに膜厚の薄い部分が存在しても短絡電流が殆ど低下しないのは、この光発電層３ｂにおける光の吸収が、透光性導電膜２の凹部２ａと対応した光発電層３ｂの光入射側に近い部分で最も多く行われ、この光発電層３ｂの膜厚が薄くなってもキャリアの発生量が低下するということが少なく、またこの部分における光電変換層３の内部電界の低下が抑制された結果、この部分において発生したキャリアが効率よく取り出されるようになり、また裏面電極４の凹凸が比較例の光起電力装置に比べて大きくなり、光の閉じ込め効果がよくなることによると考えられる。
　【００３２】なお、この実施例における光起電力装置においては、透光性導電膜２を構成する材料にＳｎＯ２を用いるようにしたが、ＺｎＯやＩＴＯ等のその他の公知の透光性導電材料を用いることも可能である。また、光電変換層３を構成する材料についても、この実施例の光起電力装置においては、非晶質シリコンを用いるようにしたが、その他の非晶質半導体や、ＣｕＩｎＳｅ２（銅・インジウム・セレン）等の薄膜の化合物半導体を用いるようにしてもよい。
　【００３３】また、この実施例においては、透光性導電膜２の凹部２ａと接する部分の光電変換層３における光発電層３ｂの膜厚を他の部分より薄く形成するにあたり、光の干渉縞による光の強弱により透光性導電膜２に凹凸を形成すると共に、この透光性導電膜２の場合と同様に光の干渉縞による光の強弱により光電変換層３における光発電層３ｂに凹凸を形成するようにしたが、透光性導電膜２や光発電層３ｂに凹凸を設ける方法も、特にこのような方法に限られるものではない。但し、上記のようにして透光性導電膜２や光発電層３ｂに凹凸を設けると、透光性導電膜２の凹部２ａに対応させて簡単かつ確実に光発電層３ｂの膜厚を薄くすることができた。
　【００３４】また、上記のように光の干渉縞による光の強弱によって透光性導電膜２や光発電層３ｂに凹凸を設けるにあたり、この実施例においては、光の干渉縞の間隔ｄを約１μｍにし、透光性導電膜２や光発電層３ｂにピッチが約１μｍの凹凸を設けるようにしたが、透光性導電膜２や光発電層３ｂに設ける凹凸のピッチは入射された光の散乱が効果的に行われる範囲であればよく、一般には０．１〜１０μｍ程度の範囲になるようにし、好ましくは、０．３〜１．５μｍの範囲になるようにする。
　【００３５】また、この実施例の光起電力装置においては、光電変換層３と透光性導電膜２とが接合する界面を凹凸形状に形成するにあたり、透光性導電膜２自体に凹凸を設けるようにしたが、この透光性導電膜２を形成する透光性基板１に凹凸を設けておき、このような凹凸形状になった透光性基板１上に透光性導電膜２を形成して、光電変換層３と接合する界面を凹凸形状にすることも可能である。
　【００３６】
　【００３７】
　【発明の効果
】
　【００３８】
以上詳述したように
凹凸形状になった透光性導電膜上に、光電変換層としてｐ型半導体層と光発電層とｎ型半導体層とを順々に積層させ、さらに当該光電変換層上に高反射金属で構成された裏面電極を設けてなり、前記
することにより前記光電変換層内の内部電界を均一化
、こ
　【００３９】また、この発明においては、上記のように透光性導電膜の凹部と接する部分における光発電層の膜厚を他の部分より薄く形成するにあたって、光の干渉縞による光の強弱により透光性導電膜に凹凸を形成すると共に、この透光性導電膜の場合と同様に光の干渉縞による光の強弱により光電変換層における光発電層に凹凸を形成するようにしたため、透光性導電膜の凹部に対応させて簡単かつ確実に光発電層の膜厚を薄くすることができ、上記のように光電変換層と透光性導電膜との界面を凹凸形状にした場合であっても曲線因子の低下がなく、変換効率のよい光起電力装置が簡単に製造できるようになった。
【図面の簡単な説明】
　【図１】従来の光起電力装置における構造の一例を示した概略断面図である。
　【図２】従来の光起電力装置において、透光性導電膜と光電変換層とが接する界面を凹凸形状にした構造の例を示した概略断面図である。
　【図３】この発明の一実施例に係る光起電力装置の構造を示した概略断面図である。
　【図４】同実施例の光起電力装置において、光の干渉縞による光の強弱により透光性導電膜や光発電層に凹凸を形成する状態を示した概略説明図である。
　【符号の説明】
２　透光性導電膜
２ａ　透光性導電膜の凹部
３　光電変換層
３ｂ　光発電層