【事件の表示】
　特許第３１４０２９１号「インダクタンス素子」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４０２９１号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３１４０２９１号に係る手続きの主な経緯は次のとおりである。
　特許出願（特願平６−９１４００号）　　　　　平成　６年　４月２８日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　　　平成１２年１２月１５日
　特許異議申立　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　９月　５日
　取消理由通知（１）　　　　　　　　　　　　　平成１３年１１月　２日
　意見書・訂正請求書（１）　　　　　　　　　　平成１３年１２月２８日
　取消理由通知（２）　　　　　　　　　　　　　平成１４年　３月２６日
　訂正請求書（１）の取下書　　　　　　　　　　平成１４年　４月２３日
　訂正請求書（２）　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　４月２３日
　
２．訂正の適否についての判断
２．１　訂正の内容
２．１．１　訂正事項ａ
　特許請求の範囲請求項１中の「基台上に導電膜を設けた基体」を「基台上に膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けた基体」と訂正する。
　
２．１．２　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲請求項３及び請求項４を削除する。
　
２．１．３　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲請求項５を
「端子部上にニッケルを設けた事を特徴とする請求項１〜２いずれか１記載のインダクタンス素子。」と訂正するとともに請求項３とする。
　
２．１．４　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲請求項６を
「基台を四角柱とした事を特徴とする請求項１〜３いずれか１記載のインダクタンス素子。」と訂正するとともに請求項４とする。
　
２．１．５　訂正事項ｅ
　特許請求の範囲請求項７を
「導電膜として複数の導電膜を積層して構成した事を特徴とする請求項１〜４いずれか１記載のインダクタンス素子。」と訂正するとともに請求項５とする。
　
２．１．６　訂正事項ｆ
　本件明細書【０００５】中の「基台上に導電膜を設けた基体」を「基台上に膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けた基体」と訂正する。
　
２．１．７　訂正事項ｇ
　本件明細書【００２０】中の「基台上に導電膜を設けた基体」を「基台上に膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けた基体」と訂正する。
　
２．２　訂正の目的の適否，新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１　訂正事項ａ
　訂正事項ａについては、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された導電膜の膜厚を１５μｍ〜２０μｍと限定するものであり、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　導電膜の膜厚を１５μｍ〜２０μｍとすることについては、特許明細書の段落番号【００１１】及び訂正前の請求項４に記載されており、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２．２．２　訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、請求項３及び請求項４を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　
２．２．３　訂正事項ｃ，ｄ，ｅ
　訂正事項ｃ，ｄ，ｅは、他の請求項を引用して記載していた請求項５，６，７を、請求項３及び請求項４の削除に伴い、引用する従属請求項番号を訂正するとともに請求項を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　さらに、訂正事項ｃ，ｄ，ｅは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２．２．４　訂正事項ｆ，ｇ
　訂正事項ｆ，ｇは、特許請求の範囲の訂正に対応して、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　さらに、訂正事項ｆ，ｇは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
２．３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立及びこれについての判断
３．１　特許異議申立の理由及び取消理由の概要
３．１．１　特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人竹内光は、
１．刊行物１（甲第１号証の１）：特開平２−２２４２１２号公報
２．刊行物２（甲第１号証の２）：特開昭５８−７９７０６号公報
３．刊行物３（甲第１号証の３）：特開平５−３４３２３２号公報
４．刊行物４（甲第１号証の４）：特開平６−９６９５５号公報
５．刊行物５（甲第１号証の５）：特開平５−２８３２３３号公報
６．刊行物６（甲第２号証の１）：特開昭６１−２３０３０１号公報
７．刊行物７（甲第２号証の２）：特開平５−２０５９０２号公報
８．刊行物８（甲第２号証の３）：特開平６−１１２０９１号公報
９．刊行物９（甲第３号証）　　：特公昭６２−８９２４号公報
１０．刊行物１０（甲第４号証）：「多層プリント配線板の実装技術」昭和６０年９月２５日、日刊工業新聞社発行、第２２頁、第８２頁
１１．刊行物１１（甲第５号証）：「最新プリント配線板技術」１９８４年（昭和５９年）５月２１日、（株）工業調査会発行、第１７頁、第４６頁、第１１９頁
１２．刊行物１２（甲第６号証）：実願昭６３−８７５９６号（実開平２−９４０６号）のマイクロフィルム
１３．刊行物１３（甲第７号証）：「表面技術総覧」昭和５８年６月１５日、（株）広信社発行、第３１１頁
１４．刊行物１４（甲第８号証）：特開平１−１６２３１２号公報
１５．刊行物１５（甲第９号証）：実願昭６０−１９１４４７号（実開昭６２−９８２１５号）のマイクロフィルム
１６．刊行物１６（甲第１０号証）：実願平３−７６８０４号（実開平５−２１４１０号）のＣＤ−ＲＯＭ
を提出し、本件請求項１〜７に係る発明は、刊行物１〜１６に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　
３．１．２　取消理由の内容
　取消理由通知（１）の内容は、以下のとおりである。
「１）本件特許の請求項１〜７に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１〜１６に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
２）平成１２年９月２８日付け手続補正書による請求項３の「導電膜の厚さを１５μｍ以上とした」は、新規事項にあたるので、特許法第１７条の２第２項において準用する特許法第１７条第２項に規定する要件を満たしていない。（出願当初明細書には「導電膜の厚さを１５μｍ〜２０μｍとした」としか記載がない。）
　
　したがって、本件請求項１〜７に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。　
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、取り消すべきものである。
　
　　　　　　　　　　　　　記
１．刊行物１（甲第１号証の１）：特開平２−２２４２１２号公報
２．刊行物２（甲第１号証の２）：特開昭５８−７９７０６号公報
３．刊行物３（甲第１号証の３）：特開平５−３４３２３２号公報
４．刊行物４（甲第１号証の４）：特開平６−９６９５５号公報
５．刊行物５（甲第１号証の５）：特開平５−２８３２３３号公報
６．刊行物６（甲第２号証の１）：特開昭６１−２３０３０１号公報
７．刊行物７（甲第２号証の２）：特開平５−２０５９０２号公報
８．刊行物８（甲第２号証の３）：特開平６−１１２０９１号公報
９．刊行物９（甲第３号証）　　：特公昭６２−８９２４号公報
１０．刊行物１０（甲第４号証）：「多層プリント配線板の実装技術」昭和６０年９月２５日、日刊工業新聞社発行、第２２頁、第８２頁
１１．刊行物１１（甲第５号証）：「最新プリント配線板技術」１９８４年（昭和５９年）５月２１日、（株）工業調査会発行、第１７頁、第４６頁、第１１９頁
１２．刊行物１２（甲第６号証）：実願昭６３−８７５９６号（実開平２−９４０６号）のマイクロフィルム
１３．刊行物１３（甲第７号証）：「表面技術総覧」昭和５８年６月１５日、（株）広信社発行、第３１１頁
１４．刊行物１４（甲第８号証）：特開平１−１６２３１２号公報
１５．刊行物１５（甲第９号証）：実願昭６０−１９１４４７号（実開昭６２−９８２１５号）のマイクロフィルム
１６．刊行物１６（甲第１０号証）：実願平３−７６８０４号（実開平５−２１４１０号）のＣＤ−ＲＯＭ
　
　刊行物１〜１６には、特許異議申立人が提出した特許異議申立書の「（４）ｂ．証拠の説明」記載の発明、さらに、刊行物８には「【０００２】・・・圧着積層体を個々のコンデンサ及びコイル毎の積層部品の大きさに切断し、各個体をバレル研磨器によって研磨してそのエッジ部を丸くする。このバレル研磨を行わないと、エッジ部分が鋭角になり、後の工程で電極材料ペーストを塗布し、焼付けることにより端子電極を形成するとき、エッジ部の端子電極膜が薄くなり、後に完成部品をプリント基板のはんだ付けランドにはんだ付けするときに、はんだ食われ現象を起こすことがあり、断線することがある。」及び「【００２２】・・・切り溝をＶ字状にすると、切断により得られる各個体はエッジがテーパーに形成され、その縁辺は鈍角に形成されるので、端子電極を形成する際もその膜厚が角部で薄くなる度合が小さく、実用上支障のないようにできる。・・・」が記載されている。
　
　そして、以下の（１）〜（３）の理由により、本件請求項１〜７に係る発明は、刊行物１〜１６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（１）特許異議申立書の「（４）ｃ．本件特許発明と証拠との対比」記載の理由
（２）刊行物８には、エッジ部の端子電極膜が薄くならないようにエッジ部を丸くすることが記載されているので、本件発明のように角部の導電膜の膜厚が薄くならないようにインダクタンス素子の基台の角部に面取りを施すことは、当業者が必要に応じて適宜なし得ることである。
（３）各刊行物の図面が概略図であるとしても、溝の幅Ｇより導電膜の間隔Ｈの方が大きいことは明らかである。また、刊行物５の段落【００１５】に記載されているように「電流容量は被膜厚ｔとスパイラルコイル幅ｂとから規定される導電部の断面積（ｔ・ｂ）により決定され」るものであり、また電流容量は大きいほどいいので、コイル幅ｂ（導電膜の間隔Ｈ）を大きく取り、溝の幅Ｇを小さくするのがスペース効率を考慮すれば普通であるから、Ｇ≦１．５×Ｈとすることは、当業者が通常的に行っていることに過ぎない。本件発明の範囲外である溝の幅Ｇを導電膜の間隔Ｈの１．５倍以上も取る方が希有である。」
　
３．２　特許法第２９条第２項について
３．２．１　本件発明
　上記２．で示したように上記訂正は認められるので、本件請求項１〜５に係る発明（以下、「本件発明１〜５」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】非導電性材料で構成され角部を有した基台上に膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けた基体と、前記基体の両端部を避けて前記基体上に設けられた保護部材とを備え、前記両端部を端子部とし、前記基体において前記端子部間に前記導電膜を取り除くように螺旋状の溝を設けることによってコイル状に前記導電膜を残し、前記コイル状に残った導電膜を覆うように前記保護部材を設けたインダクタンス素子であって、両端子部間に設けられた基台の角部に面取りを施すとともに、溝の幅Ｇと前記溝の間に残った導電膜の間隔Ｈの関係をＧ≦１．５×Ｈとした事を特徴とするインダクタンス素子。
　【請求項２】保護部材を基体の中央部に設けた事を特徴とする請求項１記載のインダクタンス素子。
　【請求項３】端子部上にニッケルを設けた事を特徴とする請求項１〜２いずれか１記載のインダクタンス素子。
　【請求項４】基台を四角柱とした事を特徴とする請求項１〜３いずれか１記載のインダクタンス素子。
　【請求項５】導電膜として複数の導電膜を積層して構成した事を特徴とする請求項１〜４いずれか１記載のインダクタンス素子。」
　
３．２．２　取消理由通知で引用した刊行物に記載された発明
３．２．２．１　刊行物１（甲第１号証の１）：特開平２−２２４２１２号公報
　刊行物１には、磁性体１上に金属膜４を設け、両端の端子部間に金属膜４を取り除くように螺旋状の溝５を設けることによってコイル状に金属膜４を残し、コイル状に残った金属膜４を覆うように絶縁被膜７を設けたインダクタンス部品が示されている。また、第３頁左下欄第１０行〜第１３行には、「上記各実施例では円柱状の磁性体１について説明したが、この磁性体１の形状は三角柱，四角柱あるいは六角柱等の適宜な幾何学的立体の柱状であっても良い。」と記載されている。
　
３．２．２．２　刊行物２（甲第１号証の２）：特開昭５８−７９７０６号公報
　刊行物２には、ロッド状のフェライトコア１上に導電被膜２を設け、両端の端子部間に導電被膜２を取り除くように螺旋状の溝を設けることによってコイル状に導電被膜２’を残し、コイル状に残った導電被膜２’を覆うように磁性被膜４を設けたチップインダクタが示されている。また、第３頁右上欄第１８行〜左下欄第１行には「レーザートリミング法により７０μｍピッチの溝巾と、７０μｍのらせん状のコイル導体となるようにカットした。」、第４頁右上欄第７行〜第１２行には「とりわけ円筒形のチップ抵抗器などの製造技術を応用することによって、円形のチップは容易に量産できて、低コスト化ができる。またたとえば角板形のような寸法のチップインダクタにも任意に応用できることが明らかであり」と記載されている。
　
３．２．２．３　刊行物３（甲第１号証の３）：特開平５−３４３２３２号公報
　刊行物３の図１２及び図１３には、四角柱の基体を用いるノイズフィル夕が示されている。また、【００１５】欄には、ノイズフィル夕の端面電極２０上にＮｉ−Ｓｎめつきを施すことが示されている。
　
３．２．２．４　刊行物４（甲第１号証の４）：特開平６−９６９５５号公報
　刊行物４の第４頁【００３０】欄には、「アルミナ基板１を基体としたが、基体はフェライトなどでもよく、またその形状は円柱状としたが角柱状に焼成したものを用いてもよく」と記載されている。
　
３．２．２．５　刊行物５（甲第１号証の５）：特開平５−２８３２３３号公報
　刊行物５の図２には、断面側部が円弧で描かれた磁心２が示されている。また、【００１４】欄には「らせん溝９は同図（ｃ）に示したように幅０．３ｍｍで、深さは被膜厚より深く、深さ５０μｍ程度であり」と記載されている。また【００１５】欄には「電流容量は図２（ｃ）に示したように上述の被膜厚ｔとスパイラルコイル幅ｂとから規定される導電部の断面積（ｔ・ｂ）により決定されるが、コイル幅ｂが細くなるとコイル巻き数が増えるので、スパイラルコイル形成部の全長も適正に設定することが好ましい」と記載されている。
　
３．２．２．６　刊行物６（甲第２号証の１）：特開昭６１−２３０３０１号公報
　刊行物６の図１〜図３には、角部に面取りを施した絶縁基板３１上に抵抗体３２を形成した角形チップ抵抗器が示されている。
３．２．２．７　刊行物７（甲第２号証の２）：特開平５−２０５９０２号公報
　刊行物７の【０００９】欄には、略直方体形状の基体８をバレル研磨して基体８の各稜線部に丸みを形成した角形チップ抵抗器が示されている。
　
３．２．２．８　刊行物８（甲第２号証の３）：特開平６−１１２０９１号公報
　刊行物８の図４には、複数の端子電極９が基台の角部を多数の部位において通過する素子において基台角部にテーパー部８ａ，８ｂを施す技術が開示されている。また、【０００２】欄には「圧着積層体を個々のコンデンサ及びコイル毎の積層部品の大きさに切断し、各個体をバレル研磨器によって研磨してそのエッジ部を丸くする。このバレル研磨を行わないと、エッジ部分が鋭角になり、後の工程で電極材料ペーストを塗布し、焼付けることにより端子電極を形成するとき、エッジ部の端子電極膜が薄くなり、後に完成部品をプリント基板のはんだ付けランドにはんだ付けするときに、はんだ食われ現象を起こすことがあり、断線することがある。」、【００２２】欄には「切り溝をＶ字状にすると、切断により得られる各個体はエッジがテーパーに形成され、その縁辺は鈍角に形成されるので、端子電極を形成する際もその膜厚が角部で薄くなる度合が小さく、実用上支障のないようにできる。」と記載されている。
　
３．２．２．９　刊行物９（甲第３号証）：特公昭６２−８９２４号公報
　刊行物９の第２頁第３欄第３９行〜第４１行には、「導電体層２を設ける。その厚さは、数１０〜数１００μｍ程が適当であるが、できるだけ厚い方が望ましい。」と記載されている。
３．２．２．１０　刊行物１０（甲第４号証）：「多層プリント配線板の実装技術」昭和６０年９月２５日、日刊工業新聞社発行、第２２頁、第８２頁
　刊行物１０の第２２頁には、めっき銅の厚みを２５〜５０μｍとすることが示されている。また、第８２頁には、めつき銅の厚みを２０μｍとすることが示されている。
　
３．２．２．１１　刊行物１１（甲第５号証）：「最新プリント配線板技術」１９８４年（昭和５９年）５月２１日、（株）工業調査会発行、第１７頁、第４６頁、第１１９頁
　刊行物１１の第１７頁の右欄第１２行には、導体厚を１５〜２００μｍとすることが示されている。第４６頁の表４には、導電膜の厚みを１８μｍとすることが示されている。第１１９頁の表１には、メッキ厚を２５μｍ以上とすることが示されている。
　
３．２．２．１２　刊行物１２（甲第６号証）：実願昭６３−８７５９６号（実開平２−９４０６号）のマイクロフィルム
　刊行物１２の第９頁第１９行〜第１０頁第３行には、導体パターンを所望厚に形成することができることが示されている。
　
３．２．２．１３　刊行物１３（甲第７号証）：「表面技術総覧」昭和５８年６月１５日、（株）広信社発行、第３１１頁
　刊行物１３の第３１１頁右欄の第１１行〜２１行には、銅めっきの耐食性を高めるために、さらにその上にニッケルめっきを行うことが示されている。
　
３．２．２．１４　刊行物１４（甲第８号証）：特開平１−１６２３１２号公報
　刊行物１４の第２頁左下欄第１５行〜右下欄第２頁第１行には、「導体部２は、…フェライト棒に導体膜としてニッケル下地メッキを施し、更に銅メツキを３〜６ミクロン施してある。」と記載されている。
　
３．２．２．１５　刊行物１５（甲第９号証）：実願昭６０−１９１４４７号（実開昭６２−９８２１５号）のマイクロフィルム
　刊行物１５の第３頁第９行〜第１２行には「電解メッキにより４５〜５０μｍ厚さの銅の良導電対層６を薄膜形成し、次に電解メッキにより約５μｍ厚さのニッケルの金属層７を薄膜形成する。」と記載されている。
　
３．２．２．１６　刊行物１６（甲第１０号証）：実願平３−７６８０４号（実開平５−２１４１０号）のＣＤ−ＲＯＭ
　刊行物１６の【０００８】欄には、「次に、かかる薄膜インダクタの製造方法の一例を説明する。まず、基体となるセラミックス１に薄膜のメタライズ方法によってニッケル・クロムの金属膜を蒸着する。この蒸着時に、金属膜をスパイラル状に形成してインダクタの基礎電極３とする。この時にセラミックス１の両端には予め電気メッキによって形成されている電極にインダクタの基礎電極３の両端部を各々接続する。次に、基礎電極３の表面に導電性良好な銅からなる銅層４を２０μｍから５０μｍの厚さに電気メッキする。この銅層４はインダクタの抵抗値を減少させる意味から肉厚を厚くすることが望ましい。インダクタとしてはこの状態でもよいが、耐環境性を良好とするために、銅層４の表面にまずクロムからなるクロム皮膜５を電気メッキした後に、さらにその表面に金からなる金層６を電気メッキによって形成する。しかる後に、セラミックス１の両端には、半田付け可能な金属からなる電極部７を基礎電極３と連通した電極に接続させて各々装着させて薄膜インダクタが完成する。」と記載されている。
　
３．２．３　本件発明と刊行物記載の発明との対比・判断
３．２．３．１　本件発明１について
　本件発明１と刊行物１〜１６記載の発明とを対比すると、刊行物１〜１６記載の発明には、本件発明１の構成要件である「膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けたインダクタンス素子」は、記載も示唆もされていない。
　本件発明１は、膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けたことにより、必要最小限の膜厚で高いＱを得るという特許明細書記載の効果を奏する。
　なお、インダクタンス素子の導電膜の厚みとしては、刊行物９の第２頁第３欄第３９行〜第４１行には、「導電体層２を設ける。その厚さは、数１０〜数１００μｍ程が適当であるが、できるだけ厚い方が望ましい。」と記載されているが、この「数１０」の「数」は、広辞苑によれば「三、四または五、六の程度の不確定数を示すのに用いる。」との意味であり、１５μｍ〜２０μｍを含まないことは明らかである。また、刊行物１５と刊行物１６は、導電膜が複数層から成り、合計膜厚は２０μｍを超えている。さらに、刊行物１０の第８２頁には、めつき銅の厚みを２０μｍとすることが示され、刊行物１１の第４６頁の表４には、導電膜の厚みを１８μｍとすることが示されているが、この導電膜は、一般的なプリント基板における導電膜の膜厚であって、この膜厚をインダクタンス素子の導電膜の膜厚に採用すべき示唆はない。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１〜１６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
３．２．３．２　本件発明２〜５について
  本件発明２〜５は、本件発明１を引用し、さらに限定したものである。
　したがって、上記本件発明１と同様の理由により、本件発明２〜５が、上記刊行物１〜１６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
３．３　特許法第１７条第２項について
　「平成１２年９月２８日付け手続補正書による請求項３の「導電膜の厚さを１５μｍ以上とした」は、新規事項にあたるので、特許法第１７条の２第２項において準用する特許法第１７条第２項に規定する要件を満たしていない。」との取消理由については、上記訂正により、請求項３は削除されたので、上記取消理由は、解消した。
　
３．４　特許異議申立についての判断のむすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件発明１〜５についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜５についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜５についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月７日（２００２．５．７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲請求項１中の「基台上に導電膜を設けた基体」を「基台上に膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けた基体」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲請求項３及び請求項４を削除する。
　訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲請求項５を「端子部上にニッケルを設けた事を特徴とする請求項１〜２いずれか１記載のインダクタンス素子。」と訂正するとともに請求項３とする。
　訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲請求項６を「基台を四角柱とした事を特徴とする請求項１〜３いずれか１記載のインダクタンス素子。」と訂正するとともに請求項４とする。
　訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲請求項７を「導電膜として複数の導電膜を積層して構成した事を特徴とする請求項１〜４いずれか１記載のインダクタンス素子。」と訂正するとともに請求項５とする。
　訂正事項ｆ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、本件明細書【０００５】中の「基台上に導電膜を設けた基体」を「基台上に膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けた基体」と訂正する。
　訂正事項ｇ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、本件明細書【００２０】中の「基台上に導電膜を設けた基体」を「基台上に膜厚１５μｍ〜２０μｍの導電膜を設けた基体」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
インダクタンス素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】非導電性材料で構成され角部を有した基台上に
膜厚１５μｍ〜２０μｍの
　【請求項２】保護部材を基体の中央部に設けた事を特徴とする請求項１記載のインダクタンス素子。
　【請求項
３
２
　【請求項
４
３
　【請求項
５
４
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、移動体通信機器等の電子機器等に用いられるインダクタンス素子に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図７は従来のインダクタンス素子を示す断面図である。図７において、１はフェライト等から構成された磁芯、２は磁芯１に巻かれたコイル、５は端子台であり、端子台５には一定の金属片３，４が嵌合されている。また磁芯１は端子台５の上に固定されており、更にコイル２の両端は金属片３，４にそれぞれ接続されている。６は金属片３，４とコイル２の両端の接合部及び磁芯１を覆う様に設けられたモールド材である。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら前記従来の構成では、インダクタンス素子自体の構造が非常に複雑であるために非常に製造工程が複雑になり生産性が向上しないという問題点があった。更に、ナノヘンリー域のインダクタンス値を有するインダクタンス素子を作製しようとすると、導線の巻き具合い等によってインダクタンス値が変化してしまう事があり特性のばらつきが大きかった。
　【０００４】
　本発明は前記従来の課題を解決するもので、生産性が向上ししかも特性のばらつきを生じないインダクタンス素子を提供する事を目的としている。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　この目的を達成するために、非導電性材料で構成され角部を有した基台上に
膜厚１５ｍ〜２０ｍの
　【０００６】
　【作用】
　この構成により、構造が簡単になり特性の劣化を抑制し、しかもコイルなどの緩みが生じない
　【０００７】
　【実施例】
　図１は本発明の一実施例におけるインダクタンス素子を示す斜視図である。図１において、７は基体で、基体７は図２，図３に示す様に非導電性材料で構成された基台８と、基台８の上に形成された導電膜９によって構成されている。基台８としてはＡｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＴｉＯ２等の材料を混合して作製されている。基台８として上記材料を用いると、強度や熱伝導度の点で優れている。
　【０００８】
　又基台８の形状として、本実施例では四角柱（図２のＡ寸法とＢ寸法はほとんど同じ）のものを採用したが、円柱等の他の形状でもよい。基台８の形状を四角柱にすると、面実装の際にプリント基板に対するすわりや位置ずれが生じにくく、更にマンハッタン減少と呼ばれる素子立ち等が防止できる点で優れている。
　【０００９】
　また、基台８の角部は、面取りを施した方が好ましい。即ち基台８上に導電膜９を形成する際に、角部が尖っていると角部に形成される導電膜９の膜厚は薄くなり良好な特性を得ることができない。
　【００１０】
　導電膜９としては、金，銀，銅等の導電材料で構成されるが、これら材料で構成された導電膜は特性的にもあまり差はないので、コスト的に有利な銅で導電膜９を形成する事が好ましい。
　【００１１】
　また導電膜９は単層でなく、複数の導電膜９を積層して構成してもよい。導電膜９の厚みｔとしては、１５μｍ〜２０μｍの間が好ましい。即ち図６に示す様に導電膜９の厚みｔとインダクタンス特性Ｑとの関係から１５μｍ以下ではＱが低く２０μｍ以上ではＱの向上が見られないからである。なお、導電膜９を複数の膜を積層して構成した場合には、複数の膜のトータル厚みが１５μｍ〜２０μｍとなるように構成する。
　【００１２】
　導電膜９を基台８上に形成する方法としては、無電界鍍金法やスパッタリング法等の薄膜形成技術が用いられる。
　【００１３】
　この様に構成された基体７には図４，図５に示す様に螺旋状に溝１０が設けられている。この溝１０は導電膜９を完全に切断する様に形成されているので、この溝１０を設けた部分はコイル状に導電膜９が残る事になる（この様な加工によって導電膜９自体に従来の巻線のコイルに対応する部分を形成できる）。
　【００１４】
　この溝１０の形成は、レーザー加工や砥石加工等によって形成される。レーザー加工で溝１０を施す場合には、出力は１０Ｗ〜５０Ｗ程度に設定する事が好ましい。更にレーザー加工や砥石加工によって溝１０を形成する場合には、基体７自体を回転させる事が好ましい。従って基体７の両端に窪み部１１を形成し、この窪み部１１に回転軸などを押し当てる事によって、基体７を均一にしかも精度良く回転させる事ができるので、溝１０を精度良く形成する事ができ特性のばらつきを小さくする事ができる。
　【００１５】
　又、図５に示す様に溝１０の深さＪは導電膜９の厚みを１５μｍ〜２０μｍとすると２５μｍ〜３０μｍとする事が好ましい。深さＪを２５μｍ以下とすると、導電膜９を完全に切断する事ができない事があり、更に３０μｍ以上とすると基台８の機械的強度が低下する等の問題点が発生する事がある。
　【００１６】
　更に図５に示す様に、溝１０の幅Ｇと溝１０の間に残った導電膜９の間隔Ｈの関係はＧ≦１．５×Ｈを満たす事が好ましい。この関係外の時はインダクタンス特性Ｑが悪くなる。
　【００１７】
　１２は導電膜９の溝１０が形成された部分に設けられた絶縁性を有する保護部材で、保護部材１２はレジストインキやエポキシ樹脂等の材料で構成される。保護部材１２の構成材料としてレジストインキを用いると薄く均一な保護部材１２を形成できるので、特性にばらつきを防止できるとともに実装性をも向上させる事ができる。この保護部材１２を基体７の両端部を避けて略中央部に設ける事によって、前記両端部は端子部１３，１４となる。この端子部１３，１４を基板の所定の位置に配置して、リフロー等を行うことによってインダクタンス素子を基板上に取り付ける事ができる。
　【００１８】
　なお、端子部１３，１４に半田等の接合材が付着すると、端子部１３，１４上に設けられた導電膜９が劣化し、所定の特性を得る事ができない場合があるので、端子部１３，１４上にニッケル等の接合材と接触しても特性が劣化しにくい導電膜を積層してもよい。
　【００１９】
　以上の様に本実施例では、基体７上に溝１０を形成する事によってインダクタンス特性を出すようにしたので、部品点数が減り非常に構成が簡単になるので、生産性が向上する。更に本実施例では従来発生していたコイルの緩み等は発生しないので、ナノヘンリー域のインダクタンス値に設定しても特性に変化がなく特性のばらつきが発生しない。
　【００２０】
　【発明の効果】
　本発明は、非導電性材料で構成され角部を有した基台上に
膜厚１５μｍ〜２０μｍの
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例におけるインダクタンス素子を示す斜視図
　【図２】
　本発明の一実施例におけるインダクタンス素子を示す斜視図
　【図３】
　本発明の一実施例におけるインダクタンス素子を示す断面図
　【図４】
　本発明の一実施例におけるインダクタンス素子を示す斜視図
　【図５】
　本発明の一実施例におけるインダクタンス素子を示す断面図
　【図６】
　本発明の一実施例におけるインダクタンス素子の導電膜の厚さとインダクタンス特性Ｑの関係を示すグラフ
　【図７】
　従来のインダクタンス素子を示す断面図
　【符号の説明】
　７　基体
　８　基台
　９　導電膜
　１０　溝
　１１　窪み部
　１２　保護部材
　１３，１４　端子部