【事件の表示】
　特許第３０２８５４６号「固体撮像素子及びその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０２８５４６号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　平成　２年　２月２８日
　設定登録（特許第３０２８５４６号）　　　　平成１２年　２月　４日
　特許異議申立（大木宗一郎）　　　　　　　　平成１２年１０月　３日
　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　６月１４日
　特許異議意見書・訂正請求書　　　　　　　　平成１３年　８月２７日
２　訂正について
　上記訂正請求に係る訂正事項は、次のとおりである。
（１）訂正事項
　ｉ）訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１
「【請求項１】有効画素部とオプティカルブラック部を有する撮像領域を有し、上記有効画素部でシャント配線とされ上記オプティカルブラック部で主に遮光膜とされる第１の導電層からなる第１の遮光性導電膜と、
少なくともオプティカルブラック部で遮光膜とされる第２の導電層からなる第２の遮光膜導電膜とを有することを特徴とする固体撮像素子。」を次のとおり訂正する。
「（１）
それぞれ受光部を有する
画素部
　上記有効画素部でシャント配線とされ上記オプティカルブラック部で
受光部を覆って
　少なくともオプティカルブラック部で
上記第１の遮光性導電膜を覆って
遮光性導電膜
有し
　
上記オプティカルブラック部は上記有効画素部を囲んで設けられ、上記シャント配線は上記オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで上記有効画素部及び上記オプテイカルブラック部の外側でバスライン配線と接続されている
　ｉｉ）訂正事項ｂ
　同書の特許請求の範囲請求項２
「【請求項２】有効画像とオプティカルブラック部を有する撮像領域を形成し、上記有効画像部でシャント配線と上記オプティカルブラック部で主に遮光膜とされる第１の導電層を第１の遮光性導電膜として形成し、
上記第１の導電層の上側又は下側に、上記オプティカルブラック部で遮光膜とされる第２の導電層を第２の遮光膜導電膜として形成してなる固体撮像素子の製造方法。」を次のとおり訂正する。
「（２）
それぞれ受光部を有する
画素部
上記有効画素部でシャント配線と上記オプティカルブラック部で
受光部を覆って
　上記第１の導電層の上側又は下側に、上記オプティカルブラック部で
上記第１の遮光性導電膜を覆って
され、上記オプテイカルブラック部は上記有効画素部を囲んで設けられ、上記シャント配線は上記オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで上記有効画素部及び上記オプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続されることを特徴とする
　ｉｉｉ）訂正事項ｃ
　同書、第３頁第８行と第９行（同特許公報、第４欄第６行と第７行）との間に
次の記載を加入する。
「ここで、オプテイカルブラック部は有効画素部を平面上囲んで設けられ、シャント配線はオプテイカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで有効画素部及びオプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続される。」
　ｉｖ）訂正事項ｄ
　同書、第６頁第１６行（同特許公報、第６欄第３９行から第４０行）に記載される「第４図」を「第３図」と訂正する。
　
（２）訂正目的、新規事項、実質変更について
　ｉ）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、
請求項１に記載された特許発明を構成する「有効画素部とオプティカルブラック部」が「それぞれ受光部」を備えることを特定するものであり、
「第１の遮光性導電膜」が「オプティカルブラック部で受光部を覆って主に遮光膜とされる第１の導電層」により構成される点を特定するものであり、
「第２の遮光膜」が「第１の遮光性導電膜を覆って遮光膜とされる第２の導電層」によりなる点を特定するものである。
　さらに、「オブテイカルブラック部」は、有効画素部を囲んで設けられ、「シャント配線」は、オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで有効画素部及びオブテイカルブラック部の外側でバスライン配線と接続される点を特定するものである。
　従って、訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、「有効画素部とオプテイカルブラック部」が「それぞれ受光部」を備える点は、特許明細書の第３頁第２７行から第４頁第１行（同特許公報、第４欄第３２行から第３６行）の「これら有効画素部１とオプテイカルブラック部２には、それぞれマトリクス状に配列された受光部とそれら受光部からの電荷を転送するための電荷転送部が上記受光部の各列に沿って形成されている。」との記載に基づくものであり、
「第１の遮光性導電膜」が「オプティカルブラック部で受光部を覆って主に遮光膜とされる第１の導電層」により構成される点は、特許明細書の第４頁第９行から第１１行（同特許公報、第４欄第４８行から第５０行）の「この第１層目のアルミニウム層は、第１図に示すように、有効画素部１上でシャント配線３とされ、オプティカルブラック部２上で遮光膜４とされる。」との記載に基づくものである。
　そして、「第２の遮光性導電膜」が「第１の遮光性導電膜を覆って遮光膜とされる第２の導電層」より構成される点は、特許明細書の第５頁第７行から第９行（同特許公報、第５欄第３５行から第３８行）の「第１層目のアルミニウム層上に層間絶縁膜を介して形成される第２層目のアルミニウム層は、第１図中点線で示すパターンに形成されて、遮光膜７として機能する。」との記載に基づくものである。
　さらに、「オプティカルブラック部は有効画素部を囲んで設けられ」る点は、特許明細書の第３頁第２６行から第２７行（同特許公報、第４欄第３０行から第３２行）の「本発明に係る固体撮像素子は、シリコン基板等の半導体基板上にオプティカルブラック部２に平面上囲まれた有効画素部１が形成されている。」との記載に基づくものであり、「シャント配線」は、オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで有効画素部及びオプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続される」とする点は、特許明細書第４頁第２３行から第２６行（同特許公報、第５欄第１６行から第２０行）の「なお、バスライン配線５とンャント配線３の接続のため、有効画素部１とバスライン配線５の間のオプティカルブラック部２上には、シャント配線３が形成されるが、このオプテイカルブラック部２の領域は、極めて少数のビット分の領域であり」との記載及び第１図の記載に基づくものである。
　従って訂正事項ａは、新規事項違反に該当せず、特許請求の範囲の実質的な拡張・変更に該当しない。
　ｉｉ）訂正事項ｂについて
　請求項２に記載された発明を構成する「有効画素部とオプティカルブラック部」が「それぞれ受光部」を備えることを特定するものであり、「第１の遮光性導電膜」が「オプティカルブラック部で受光部を覆って主に遮光膜とされる第１の導電層」として形成される点を特定するものであり、「第２の遮光膜」が「第１の遮光性導電膜を覆って遮光膜とされる第２の導電層」により形成される点を特定するものである。
　さらに、「オプテイカルブラック部」は、有効画素部を囲んで設けられ、「シャント配線」は、オブティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで有効画素部及びオプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続される点を特定するものである。
　また、「有効画像」を「有効画素部」と訂正することは、請求項２の後段に「有効画素部」とあることから、誤記の訂正に該当する。
　従って、訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正に該当する。
　そして、「有効画素部とオプティカルブラック部」が「それぞれ受光部」を備える点は、特許明細書の第３頁第２７行から第４頁第１行（同特許公報、第４欄第３２行から第３６行）の「これら有効画素部１とオプティカルブラック部２には、それぞれマトリクス状に配列された受光部とそれら受光部からの電荷を転送するための電荷転送部が上記受光部の各列に沿って形成されている。」との記載に基づくものであり、「第１の遮光性導電膜」が「オプティカルブラック部で受光部を覆って主に遮光膜とされる第１の導電層」により形成される点は、特許明細書の第４頁第９行から第１１行（同特許公報、第４欄第４８行から第５０行）の「この第１層目のアルミニウム層は、第１図に示すように、有効画素部１上でシャント配線３とされ、オプティカルブラック部２上で遮光膜４とされる。」との記載に基づくものである。そして、「第２の遮光性導電膜」が「第１の遮光性導電膜を覆って遮光膜とされる第２の導電層」より形成される点は、特許明細書の第５頁第７行から第９行（同特許公報、第５欄第３５行から第３８行）の「第１層目のアルミニウム層上に層間絶縁膜を介して形成される第２層目のアルミニウム層は、第１図中点線で示すパターンに形成されて、遮光膜７として機能する。」との記載に基づくものである。
　さらに、「オプティカルブラック部は有効画素部を囲んで設けられ」る点は、特許明細書の第３頁第２６行から第２７行（同特許公報、第４欄第３０行から第３２行）の「本発明に係る固体撮像素子は、シリコン基板等の半導体基板上にオプティカルブラック部２に平面上囲まれた有効画素部１が形成されている。」との記載に基づくものであり、「シャント配線」は、オプテイカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで有効画素部及びオプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続される」とする点は、特許明細書第４頁第２３行から第２６行（同特許公報、第５欄第１６行から第２０行）の「なお、バスライン配線５とシャント配線３の接続のため、有効画素部１とバスライン配線５の間のオプテイカルブラック部２上には、シャント配線３が形成されるが、このオプティカルブラック部２の領域は、極めて少数のビット分の領域であり」との記載及び第１図の記載に基づくものである。
　従って訂正事項ｂは、新規事項違反に該当せず、特許請求の範囲の実質的な拡張・変更に該当しない。
　ｉｉｉ）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、上記訂正事項ａ、ｂにより請求項１、２を訂正したことに基づいて、課題を解決するための手段の記載を明瞭にするものであり、明りようでない記載の釈明に該当する。
　また訂正事項ｃは、新規事項違反に該当せず、特許請求の範囲の実質的な拡張・変更に該当しない。
　ｉｖ）訂正事項ｄについて
  訂正事項ｄは、参照する図面の誤りを訂正するものであり、誤記の訂正を目的とするものに該当する。
　また訂正事項ｄは、新規事項違反に該当せず、特許請求の範囲の実質的な拡張・変更に該当しない。
（３）訂正のまとめ
　上記訂正事項ａ〜ｄは、以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３　本件特許発明（訂正発明）
　上記訂正請求が認められるので、本件特許の特許請求の範囲請求項１，２に係る発明は、訂正発明１，２である。
　
４　異議申立理由及び取消理由の概要
　特許異議申立人大木宗一郎は、
（１）甲第１号証：特開昭６３−１６１６６７号公報
（２）甲第２号証：特開昭６３−９０１６５号公報
（３）甲第３号証：１９８９　ＩＥＥＥ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ　ＣＩＲＣＵＩＴＳ
　ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ　ＤＩＧＥＳＴ ｏｆ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＰＡＰＥＲＳ、第８８ページ〜第８９ページ
（４）参考資料１：実願昭６２−１９２２１号（実開昭６３−１２７１５３号）のマイクロフィルム
（５）参考資料２：１９９０ ＩＥＥＥ　ＩＮＴＥＲＮＡＴＩＯＮＡＬ　ＳＯＬＩＤ−ＳＴＡＴＥ　ＣＩＲＣＵＩＴＳ
　ＣＯＮＦＥＲＥＮＣＥ　ＤＩＧＥＳＴ ｏｆ　ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ　ＰＡＰＥＲＳ、第２１４ページ〜第２１５ページ
を提出し、
本件特許の請求項１，２に係る特許発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、取り消されるべきであると主張している。
　また、本件請求項１、２中には「主に遮光膜とされる第１の導電層」、「遮光膜とされる第２の導電層」という記載があるが、「遮光膜」とは一般に遮光という機能を有する膜のことであって、シャント配線であっても普通の配線であっても該当する。これは例えば本件明細書においても「本発明は、（中略）２層の遮光性導電膜を、有効画素部ではシャント配線と遮光膜として用い、オブティカルプラック部では２層の遮光膜として用いる」（第１ページ右欄第９行〜第１３行）といった記載があることからも確認できる。つまり、本件請求項１、２中の「主に遮光膜とされる第１の導電層」、「遮光膜とされる第２の導電層」とは何を指すのか不明確であり、発明の構成上欠くことができない事項のみを記載したものではないので、取り消されるべきであると主張している。
　取消理由の概要は、特許異議申立人の主張に加え、請求項２には、「有効画像」となっているが、「有効画素部」との関係が不明確であるので、取り消されるべきであるというものである。
　
５　引用例記載の発明
（１）甲第１号証記載の発明
　甲第１号証には、有効画素部（受光部１０）とオプティカルブラック部（光学的黒レベル基準信号発生部２０）を有する撮像領域（撮像信号変換面２）を有し、上記有効画素部（１０）で配線とされ上記オプティカルブラック部（２０）で主に遮光膜とされる第１の導電層からなる第１の遮光性導電膜（第１層目のアルミニウム薄膜４）と、少なくともオプテイカルブラック部（２０）で遮光膜とされる第２の遮光膜（光遮断効果を有する染色された黒色有機薄膜６）とを有する固体撮像素子が記載されている。
　しかしながら、有効画素部とオプテイカルブラック部の、平面上における位置関係は示されず、従来例を参照すると、オプテイカルブラック部は、有効画素部の一辺に配置されている。
（２）甲第２号証記載の発明
　甲第２号証には、受光部とスイッチ素子を含む電荷読み出し機構（ＣＣＤ型固体撮像素子）の上に、遮光膜とされる第１の導電層からなる第１の遮光性導電膜（一層Ａｌ膜１８）と、遮光膜とされる第２の導電層からなる第２の遮光膜導電膜（２層純Ａｌ膜１９）とを有する固体撮像素子が記載されている。
　しかしながら、有効画素部とオプテイカルブラック部の、平面上における位置関係は示されていない。
（３）甲第３号証記載の発明
　甲第３号証は、外国語文献であるので、翻訳文の提出された個所のみが証拠とされる。甲第３号証の翻訳文は、次のとおりである。
「　この論文ではフレームインターライン転送型のＣＣＤイメージセンサ（ＦＩＴＣＣＤ）を提示する。このイメージセンサは１２５８（水平）×１０３５（垂直）の画素を備え、ポリシリコン／アルミの２層転送ゲートとＰ＋のフローティングの島状分離とを用いている。
　このポリシリコン／アルミの２層転送ゲートは転送ゲートに沿って電圧が降下するのを減らしている。この電圧降下は従来のポリシリコン単層ゲート素子において著しく不利となっている点である。
　図１に示すようにアルミ遮光膜はホリシリコン転送ゲートと相互に接続された２層目のゲートとして用いられている。」
　上記記載によっても、特許異議申立人が主張する「甲第３号証には、「有効画素部でシャント配線とされ、遮光膜としても用いられる遮光性導電膜を有する固体撮像素子」が記載されている」ことは、示されていない。
（４）参考資料１記載の発明
　参考資料１の第８ページ第１４行〜第９ページ第３行に記載から、
　「遮光膜とされる第１の導電層からなる第１の遮光性導電膜と、遮光膜とされる第２の導電層からなる第２の遮光膜導電膜とを有する固体撮像素子」が示されている。
　しかしながら、この「配線」は、本件特許発明のシャント配線の部分を指すものではない。これは、参考資料１の第２図において、本件特許発明のシャント配線に相当する位置は、遮光膜とされている点から明かである。
（５）参考資料２記載の発明
　参考資料２の第２１４ページ、左欄、１７行目〜２６行目には、
「　ポリシリコン転送ゲートに沿って垂直シフトレジスタ（Ｖ−ＣＣＤ）の駆動パルス
の電圧が降下するのを減らすために、アルミ配線がポリシリコン転送ゲートの上
に配置され、それらが相互接続されて、配線抵抗を減らしている。このアルミ配
線は遮光膜としての役目も果たす。これらの層に加えて別のポリシリコン層がア
ルミ配線と転送ゲートとの間に配置されている。この層はポリシリコン層とアル
ミ配線とのアルミ接続から転送ゲートとポリシリコン層とのポリシリコン接続を
遠ざけることで電位変動が生じるのを防いでいる。図２及び図３に単位セルの俯瞰図及び断面図を示す。」と記載されている。
　しかしながら、参考資料２には、シャント配線が垂直ＣＣＤを遮光する遮光膜として働くことが記載されるのみであって、シャント配線と遮光膜とが別々の領域に同一の層として形成されていることは記載されていない。
　
６　訂正発明と引用例との対比・判断
　甲第１号証〜甲第３号証，参考資料１，２には、訂正発明１，２の構成である「
上記オプティカルブラック部は上記有効画素部を囲んで設けられ、上記シャント配線は上記オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで上記有効画素部及び上記オプテイカルブラック部の外側でバスライン配線と接続されている
　そして、オプティカルブラック部が有効画素部を囲んで設けられ、シャント配線が上記オプテイカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで有効画素部及びオプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続するようにしているので、オプティカルブラック部の遮光性を大きく阻害することもない。すなわち、シャント配線が跨ぐ部分で、２層の遮光膜が形成されない部分が発生するが、第２の遮光性導電膜による遮光性能によって問題ない程度にオブティカルブラック部を遮光することを可能とし、明細書記載の実用上、問題を生じない効果を奏する。
　
７　記載不備について
（１）　特許異議申立人は、「本件請求項１、２中には「主に遮光膜とされる第１の導電層」、「遮光膜とされる第２の導電層」という記載があるが、「遮光膜」とは一般に遮光という機能を有する膜のことであって、シャント配線であっても普通の配線であっても該当する。これは例えば本件明細書においても「本発明は、（中略）２層の遮光性導電膜を、有効画素部ではシャント配線と遮光膜として用い、オプティカルブラック部では２層の遮光膜として用いる」（第１ページ右欄第９行〜第１３行）といった記載があることからも確認できる。つまり、本件請求項１、２中の「主に遮光膜とされる第１の導電層」、「遮光膜とされる第２の導電層」とは何を指すのか不明確であり、発明の構成上欠くことができない事項のみを記載したものではない。」と主張している。
（２）　取消理由において、請求項２には、「有効画像」となっているが、「有効画素部」との関係が不明確であるとしている。
（３）　上記（２）は訂正請求により解消した。
（４）　上記（１）について検討すると、訂正発明１，２において、「上記有効画像部でシャント配線と上記オプティカルブラック部で
受光部を覆って
受光部を覆って
　
８　特許異議申立のまとめ　
　以上のとおり、訂正発明１、２は、甲第１号証〜甲第３号証，参考資料１，２記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　また、訂正明細書に当業者が容易に実施できる程度に記載されていない個所もない。
　他に特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月４日（２００２．２．４）
【訂正の要旨】
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】有効画素部とオプティカルブラック部を有する撮像領域を有し、上記有効画素部でシャント配線とされ上記オプティカルブラック部で主に遮光膜とされる第１の導電層からなる第１の遮光性導電膜と、
少なくともオプティカルブラック部で遮光膜とされる第２の導電層からなる第２の遮光膜導電膜とを有することを特徴とする固体撮像素子。」を特許請求の範囲の減縮を目的として、次のとおり訂正する。
「（１）
それぞれ受光部を有する
　上記有効画素部でシャント配線とされ上記オプティカルブラック部で
受光部を覆って
　少なくともオプティカルブラック部で
上記第１の遮光性導電膜を覆って
遮光性導電膜
有し
　
上記オプティカルブラック部は上記有効画素部を囲んで設けられ、上記シャント配線は上記オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで上記有効画素部及び上記オプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続されている
訂正事項ｂ
　同書の特許請求の範囲の請求項２
「【請求項２】有効画像とオプティカルブラック部を有する撮像領域を形成し、上記有効画像部でシャント配線と上記オプティカルブラック部で主に遮光膜とされる第１の導電層を第１の遮光性導電膜として形成し、
上記第１の導電層の上側又は下側に、上記オプティカルブラック部で遮光膜とされる第２の導電層を第２の遮光膜導電膜として形成してなる固体撮像素子の製造方法。」を特許請求の範囲の減縮及び誤記の訂正を目的として次のとおり訂正する。
「（２）
それぞれ受光部を有する
画素部
上記有効
画素部
受光部を覆って
　上記第１の導電層の上側又は下側に、上記オプティカルブラック部で
上記第１の遮光性導電膜を覆って
され、
上記オプティカルブラック部は上記有効画素部を囲んで設けられ、上記シャント配線は上記オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで上記有効画素部及び上記オプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続されることを特徴とする
訂正事項ｃ
　同書、第３頁第８行と第９行（同特許公報、第４欄第６行と第７行）との間に明りょうでない記載の釈明を目的として、次の記載を加入する。
「ここで、オプティカルブラック部は有効画素部を平面上囲んで設けられ、シャント配線はオプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで有効画素部及びオプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続される。」
訂正事項ｄ
　同書、第６頁第１６行（同特許公報、第６欄第３９行から第４０行）に記載される「第４図」を「第３図」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
固体撮像素子及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）
それぞれ受光部を有する
　上記有効画素部でシャント配線とされ上記オプティカルブラック部で
受光部を覆って
　少なくともオプティカルブラック部で
上記第１の遮光性導電膜を覆って
遮光性導電膜
有し、
　
上記オプティカルブラック部は上記有効画素部を囲んで設けられ、上記シャント配線は上記オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで上記有効画素部及び上記オプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続されている
（２）
それぞれ受光部を有する
　上記有効画素部でシャント配線と上記オプティカルブラック部で
受光部を覆って
　上記第１の導電層の上側又は下側に、上記オプティカルブラック部で
上記第１の遮光性導電膜を覆って
遮光性導電膜
され、
上記オプティカルブラック部は上記有効画素部を囲んで設けられ、上記シャント配線は上記オプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで上記有効画素部及び上記オプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続されることを特徴とする
【発明の詳細な説明】
　〔産業上の利用分野〕
　本発明は、撮像領域に有効画素部とオプティカルブラック部が形成され、転送信号がシャント配線を介して給電される固体撮像素子及びその製造方法に関する。
　〔発明の概要〕
　本発明は、撮像領域に有効画素部とオプティカルブラック部が形成された固体撮像素子において、２層の遮光性導電膜を、有効画素部ではシャント配線と遮光膜として用い、オプティカルブラック部では２層の遮光膜として用いることにより、オプティカルブラック部の遮光能力を高めて、確実な暗電流の基準信号を得るものである。
　〔従来の技術〕
　一般に、ＣＣＤ固体撮像素子は、実際の映像信号を光電変換して取り出すための有効画素部の周囲に、暗電流の基準信号を得るためのオプティカルブラック（光学的黒）部を有している。
　従来、固体撮像素子として第４図に示すようなものが知られている。この固体撮像素子は、有効画素部１０１がオプティカルブラック部１０２に平面上囲まれるように形成されている。これら有効画素部１０１及びオプティカルブラック部１０２上には、第３図中矢印Ｖ方向（垂直方向）に延在する複数のパターンで第１層目のアルミニウム層からなるシャント配線１０３が形成される。このシャント配線１０３は、その端部にバスライン配線１０４に接続され、そのバスライン配線１０４とボンディングバッド部１０５を介してそれぞれ転送信号ΦＶ１〜ΦＶ４が与えられる。図中、点線で囲む領域は、第２層目のアルミニウム層からなる遮光膜１０６のパターンを模式的に示している。図中省略しているが有効画素部１０１には、受光部が存在するために、その垂直レジスタ上のみを覆って遮光膜１０６のパターンが存在する。また、オプティカルブラック部では、そのオプティカルブラック部上の全面を覆うようなパターンで遮光膜１０６が形成される。
　〔発明が解決しようとする課題〕
　オプティカルブラック部１０２は、暗電流の基準信号を得るために、遮光膜１０６が受光部上も覆うようにされている他は、有効画素部１０１と全く同様な構造とされている。そして、遮光膜１０６が受光部上も覆うため、入射光により発生する電荷が含まれない信号が垂直レジスタを介して読みだされる。
　ところが、オプティカルブラック部１０２の遮光膜１０６は単層であり、このため遮光能力が低く、光が透過してしまう等の問題点を有している。
　これに対して、遮光膜１０６自体を厚くする方法や遮光膜を更にもう一層加える方法が解決手段として考えられるが、加工精度の低下やプロセス数の増大を招き、充分な問題解決に至っていない。
　そこで、本発明は、上述の技術的な課題に鑑み、加工精度の低下やプロセス数の増大を伴わず、オプティカルブラック部の遮光能力を高めるような固体撮像素子及びその製造方法を提供することを目的に提案されたものである。
　〔課題を解決するための手段〕
　上述の目的を達成するため、本発明に係る固体撮像素子は、まず有効画素部とオプティカルブラック部を有する撮像領域が形成される。有効画素部には、入射した光を光電変換して信号電荷を得るための受光部と、この受光部からの電荷を転送するための電荷転送部が形成される。受光部は、例えばマトリクス上に配列され、転送電極が電荷転送部に形成される。電荷転送部の転送電極には、所用の転送信号が与えられる。オプティカルブラック部にも、同様に受光部と電荷転送部が形成される。
　この固体撮像素子は、有効画素部でシャント配線とされオプティカルブラック部で主に遮光膜とされる第１の導電層からなる第１の遮光性導電層と、少なくともオプティカルブラック部で遮光膜とされる第２の導電層からなる第２の遮光膜導電膜とを有する。
　
ここで、オプティカルブラック部は有効画素部を平面上囲んで設けられ、シャント配線はオプティカルブラック部のうち最も幅の狭い部分を跨いで有効画素部及びオプティカルブラック部の外側でバスライン配線と接続される。
　第１の遮光性導電膜を構成する第１の導電層は、第２の遮光性導電膜を構成する第２の導電層の下層の膜とされるが、その逆とすることもできる。第２の遮光性導電膜の有効画素部上のパターンは、特に限定されるものではなく電荷転送部上を覆うような帯状のパターンや各受光部に対応した孔を有するものでもよく、また、有効画素部上を全面開口するようなパターンでも良い。
　〔作用〕
　第１の導電層が、有効画素部でシャント配線とされオプティカルブラック部で遮光膜とされることで、第２の遮光性導電膜を構成する第２の導電層と合わせて、オプティカルブラック部上の遮光膜は２層となる。このように遮光膜を２層とすることで、その遮光能力は高いものとなり、プロセス数の増加や加工精度の劣化等の問題は生じない。また、オプティカルブラック部では、シャント配線が形成されない構造となることで、転送信号の駆動振幅が取れない等の問題が生ずるが、本来オプティカルブラック部で転送するのは暗電流成分であり、その駆動振幅が小さくても十分に基準信号として利用できる。
　〔実施例〕
　本発明をインターライン転送型のＣＣＤ固体撮像素子に適用した例を挙げて説明する。
　本発明に係る固体撮像素子は、シリコン基板等の半導体基板上にオプティカルブラック部２に平面上囲まれた有効画素部１が形成されている。これら有効画素部１とオプティカルブラック部２には、それぞれマトリクス状に配列された受光部とそれら受光部からの電荷を転送するための電荷転送部が上記受光部の各列に沿って形成されている。受光部は、入射光に応じた信号電荷を発生させるセンサーであり、有効画素部１の受光部上には遮光膜が形成されない。電荷転送部は、半導体基板の表面に形成された絶縁膜上に複数の転送電極が形成された構造を有しており、その半導体基板に埋め込みチャンネル層が形成される。これら転送電極は、例えば２層あるいは３層のポリシリコン層等の材料をパターニングして形成される。
　このように有効画素部１とオプティカルブラック部２には、共に受光部や電荷転送部が形成されるが、さらにその上部には、層間絶縁膜を介して、第１の遮光性導電膜を構成する第１層目のアルミニウム層が形成される。この第１層目のアルミニウム層は、第１図に示すように、有効画素部１上でシャント配線３とされ、オプティカルブラック部２上で遮光膜４とされる。
　シャント配線３は、外部からの転送信号を各転送電極に伝達するための配線であり、第１図中矢印Ｖ方向を長手方向とするような帯状のパターンで延在されている。このシャント配線３は、その各所で下部の転送電極に接続され、第１図中矢印Ｖ方向の端部ではバスライン配線５に接続される。シャント配線３は、電荷転送部上に形成され、受光部上には形成されない。また、バスライン配線５は、各シャント配線３に所定の転送信号を伝達するための配線であり、第１図中矢印Ｈ方向を長手方向とする。そして、各バスライン配線５には、外部端子とワイヤボンディングするためのボンディングパッド部６が設けられ、これらボンディングパッド部６に各転送信号ΦＶ１〜ΦＶ４に供給される。従って、有効画素部１転送電極へは、ボンディングパッド部６、バスライン配線５及びシャント配線３を介して給電される。
　なお、バスライン配線５とシャント配線３の接続のため、有効画素部１とバスライン配線５の間のオプティカルブラック部２上には、シャント配線３が形成されるが、このオプティカルブラック部２の領域は、極めて少数のビット分の領域であり、後述する第２層目のアルミニウムのみで実質上、問題を生じない。
　第１層目のアルミニウム層からなる遮光膜４は、主にオプティカルブラック部２を覆う。本例では、バスライン配線５と有効画素部１の間の領域にはシャント配線３が形成されるため、遮光膜４のパターンは略凹凸状のパターンとされる。この遮光膜４は、オプティカルブラック部２の受光部上を被覆するため、受光部に入射すべき遮光は遮断される。このような遮光膜４をシャント配線３の代わりに形成することで、オプティカルブラック部２への転送信号は配線抵抗の比較的大きな経路により転送電極に供給されることになるが、本来、オプティカルブラック部２は信号電化の含まれない暗電流成分を扱うため、その駆動振幅が十分に採れなくとも実用上の不都合は生じない。
　次に、第１層目のアルミニウム層上に層間絶縁膜を介して形成される第２層目のアルミニウム層は、第１図中点線で示すパターンに形成されて、遮光膜７として機能する。この遮光膜７のパターンは、有効画素部１に対応した開口部８を有しており、この開口部８内の領域の有効画素部１上では、図示を省略しているが、電荷転送部上を覆うように、第１図中矢印Ｖ方向を長手方向とする複数の帯状のパターンが形成される。開口部８の外側、すなわちオプティカルブラック部２の上部遮光膜７は、前面にオプティカルブラック部２を被覆するように形成されている。従って、オプティカルブラック部２の上部には、第１層目のアルミニウム層からなる遮光膜４と第２層目のアルミニウム層によって構成された遮光膜７が重なって形成されることになる。このような２重の遮光膜４，７によって、オプティカルブラック部２の遮光能力は十分に高いものとされ、確実な暗電流の基準信号を得ることが可能となる。
　第２図はオプティカルブラック部の断面図である。シリコン基板２１上に絶縁膜２２が形成され、その絶縁膜上に電荷を転送するための転送電極２３，２４が形成される。転送電極２３は、第１層目のポリシリコン層からなり、転送電極２４は第２層目のポリシリコン層からなる。これら転送電極２３，２４の間やその表面には、表面酸化により形成された絶縁膜２５が存在する。この絶縁膜２５上には、第３層目のポリシリコン層２６が形成され、この第３層目のポリシリコン層２６は、有効画素部及びオプティカルブラック部ではシャント配線と転送電極の間の電気的な接続を図るために設けられる。このオプティカルブラック部では、特にオプティカルブラック部の前面を遮光する遮光膜が２層形成される。すなわち、第３層目のポリシリコン層２６上に層間絶縁膜２７を介して遮光膜である第１層目のアルミニウム層２８が形成され、その第１層目のアルミニウム層２８上に層間絶縁膜２９を介して同じく遮光膜である第２層目のアルミニウム層３０が形成される。このように、オプティカルブラック部では、第１目のアルミニウム層２８と第２層目のアルミニウム層３０が積層されるため、その遮光能力は１層だけのものに比較して格段に高いものとなる。また、第１層目のアルミニウム層２８は、従来シャント配線としていた部分のマスクの変更によって形成でき、プロセスの工程数を増加させるものではない。この固体撮像素子は、十分な遮光特性を得るために、何ら厚い膜厚で形成するものではなく、加工精度の劣化を招くものではない。
　第３図は、本発明に係る固体撮像素子の他の例を示すものであり、この固体撮像素子は、前述した第１図に示すほぼ同様の構成を備えるが、第１層目のアルミニウム層からなるシャント配線３ａと遮光膜４ａのパターンを異にする。
　なお、第３図に示す固体撮像素子において、第１図に示すものと共通する部分には、共通の符号を付して詳細な説明は省略する。
　前述した第１図に示す固体撮像素子は、遮光膜４が略凹字状のパターンとして形成され、シャント配線３の端部が有効画素部１上にあるが、第３図に示す固体撮像素子は、遮光膜４ａがシャント配線３ａの長手方向に亘って
第３図
　すなわち、第１図に示すシャント配線３及び遮光膜４のパターンでは、シャント配線３の下端と遮光膜４との隙間から垂直レジスタに光が入射してスミア信号が発生するおそれがあるので、第３図に示す例では、シャント配線３ａと遮光膜４ａとの間に隙間がないように遮光膜パターンを形成することにより垂直レジスタに光が入射することを防止してスミア信号の発生を抑えるようにしている。第３図に示す固体撮像素子は、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ　Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ　Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）等の高解像度の映像を撮影するために有効となる。
　なお、本例では、第１層目のアルミニウム層を有効画素部１でシャント配線として用いたが、第２層目のアルミニウム層を第１の遮光性導電膜とし、有効画素部上のシャント配線及びオプティカルブラック部上の遮光膜を形成する膜とすることも可能である。また、本例では、遮光導電膜を構成する導電層をアルミニウムにより形成しているが必ずしもこれに限定されるものではない。
〔発明の効果〕
　本発明に係る固体撮像素子は、オプティカルブラック部上でシャント配線を形成せずに２層の遮光性導電膜を形成しているため、何ら工程数の増加や加工精度の低下を招かずに、オプティカルブラック部の遮光能力を向上させることができ、確実な暗電流の基準信号を得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明に係る固体撮像素子を模式的に示す平面図であり、第２図はオプティカルブラック部の一部を破断して示す断面図である。第３図は本発明に係る固体撮像素子の他の例を模式的に示す平面図であり、
　第４図は従来の固体撮像素子の一例を模式的に示す平面図である。
　１　有効画素部、　２　オプティカルブラック部、　３　シャント配線、　４，７　遮光膜、　５　バスライン配線。