【事件の表示】
　特許第３１２６８５８号「基板の表面処理装置」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２６８５８号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理　由】
　【１】　手続きの経緯 
　特許出願　　　　　　平成５年１０月２９日
　特許権設定登録      平成１２年１１月２日
　特許異議の申立て    平成１３年７月１９日
　取消理由通知　　　　平成１３年１０月３日
　訂正請求　　　　　　平成１３年１２月１４日
　【２】　訂正の適否について
　［１］　訂正事項
　１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３における「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設け」を「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを設け」に訂正する。
　２　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４、請求項５、請求項８、請求項９及び請求項１０を削除し、請求項６及び請求項７を新たに請求項４及び請求項５に訂正する。
　３　新たな請求項４における「請求項５に記載の基板の表面処理装置」及び新たな請求項５における「請求項４に記載の基板の表面処理装置」をそれぞれ「請求項１ないし３に記載の表面処理装置」に訂正する。
　４　明細書の段落【０００８】の第１３行ないし第１４行、第２９行ないし第３０行及び第４３行ないし第４４行にそれぞれ記載された「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設け」をそれぞれ「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを設け」に訂正する。
　５　明細書の段落【０００８】の第４８行ないし第５３行に記載された「請求項４に記載の発明は……基板の表面処理装置である。」とあるのを削除する。
　６　明細書の段落【０００８】の第５４行に記載された「請求項６に記載の発明は請求項５に記載の基板の表面処理装置において、」を「請求項４に記載の発明は請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、」に訂正する。
　７　明細書の段落【０００８】の第５８行に記載された「請求項７に記載の発明は請求項４に記載の基板の表面処理装置において、」を「請求項５に記載の発明は請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、」に訂正する。
　８　明細書の段落【０００８】の第６１行ないし第７０行に記載された「請求項８に記載の発明は……基板の表面処理装置である。」とあるのを削除する。
　９　明細書の段落【００１０】の第１行に記載された「請求項１ないし１０」を「請求項１ないし５」に訂正する。
　１０　明細書の段落【００２３】の第１行ないし第２行に記載された「請求項１ないし１０」を「請求項１ないし５」に訂正する。
　［２］　訂正の目的の適正、新規事項の有無及び拡張、変更の存否    
　１　訂正事項１による訂正について
　密閉チャンバ内の状態に影響を及ぼす手段として、蒸気供給手段以外に、さらに基板が引上げられた後に作用する排気手段を設けなければならないものと限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　２　訂正事項２による訂正について
　請求項の削除をするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　３　訂正事項３ないし訂正事項１０による訂正について
　訂正事項１及び訂正事項２による訂正に伴って生じる明細書の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、訂正事項が、願書に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項５の記載に基づくものであるから、訂正事項１ないし訂正事項１０による訂正は、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　［３］　むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　【３】　特許異議の申立てについて
　［１］　本件特許の請求項１ないし請求項５に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載されたとおりのものと認める。
　「【請求項１】　洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、さらに、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを設け、蒸気供給手段は基板昇降手段が洗浄槽内の液中から基板を引上げるとき密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気を存在させることを特徴とする基板の表面処理装置。
　【請求項２】　洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽とこの洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、さらに、前記基板昇降手段が洗浄槽内の液中から基板を露出させ終わるまで、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを設けたことを特徴とする基板の表面処理装置。
　【請求項３】　洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、さらに、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを設け、前記基板昇降手段は密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気が存在する状態で、かつ、洗浄槽内で上昇液流が形成されている状態で前記基板を洗浄槽内の液中から露出させることを特徴とする基板の表面処理装置。
【請求項４】　請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒素ガス供給手段が設けられ、該窒素ガス供給手段は、排気手段が密閉チャンバ内を排気して減圧した後、密閉チャンバ内に窒素ガスを供給する基板の表面処理装置。
【請求項５】　請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、基板昇降手段によって基板が洗浄槽内の液に浸漬されるのに先立って前記排気手段が密閉チャンバ内を排気する基板の表面処理装置。」
　［２］　平成１３年１０月３日付け取消理由通知において、引用した本件特許に係る出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である各引用例には、それぞれ次の発明及び技術的事項が記載されている。
　１　特開昭６２−１９８１２６号公報（以下、第１引用例という）
　純水中に半導体ウエハがそれぞれ浸漬される水洗槽と、前記水洗槽で水洗処理され最終的にリンス処理された半導体ウエハの表面を乾燥させる乾燥処理部とを具備した半導体ウエハの表面処理装置において、前記水洗槽の上方空間を閉鎖的に筒状容器によって包囲し、かつ、水洗処理が終了した段階で半導体ウエハがウエハ上下動機構により水洗槽内の純水中から徐々に露出すると同時に有機溶剤の蒸気供給を開始し、純水から露出する時点において有機溶剤の蒸気を筒状容器内に存在させることにより、最終的にリンスが終わってから乾燥処理が終了するまで、処理基板が大気が触れることがないごとく構成した半導体ウエハのの表面処理装置。
　そして、第１引用例に記載された発明における水洗槽は、本件のそれぞれの請求項に係る発明における洗浄槽に、以下同じく、水洗は、洗浄に、半導体ウエハは、基板に、筒状容器は、密閉チャンバに、ウエハ上下動機構は、基板昇降手段に、それぞれ相当するものと認める。
　２　実願平３−９３６３５号（実開平４−９９２６９号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフイルム（平成４年８月２７日特許庁発行、以下、第２引用例という）
　（１）　第４実施例として図１０及び明細書のその説明の部分に記載された発明
　洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水をオーバーフローさせるためのオーバーフロー部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの基板処理槽と、この基板処理槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記基板処理槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置において、前記基板処理槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉可能なチャンバーによって包囲し、その密閉可能なチャンバーの内部に、前記基板処理槽の上方位置と基板処理槽内部位置との間で基板を昇降自在に設けられた基板保持具を設けるとともに、基板保持具によってオーバーフローする基板処理槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉可能なチャンバ内を排気して減圧する強制排気手段とを設けた基板の表面処理装置。
　そして、第２引用例の（１）の発明におけるオーバーフローは、本件のそれぞれの請求項に係る発明における越流に、以下同じく、基板処理槽は、洗浄槽に、密閉可能なチャンバーは、密閉チャンバに、昇降自在に設けられた基板保持具は、昇降移動させる基板昇降手段に、強制排気手段は、排気手段に、それぞれ相当するものと認める。
　（２）　図８及び図９並びに明細書のその説明の部分に記載された発明
　少なくとも１つの基板処理槽と、この基板処理槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記基板処理槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置において、さらに、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボット備えた基板の表面処理装置。
　そして、第２引用例の（２）の発明における基板処理槽本件のそれぞれの請求項に係る発明における洗浄槽に相当するものと認める。
　３　特開平４−８０９２４号公報（以下、第３引用例という）
　洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させるにあたり、有機溶剤の蒸気を供給し、次いで該有機溶剤の蒸気を供給を停止した後、窒素ガスの供給を開始するごとく構成した基板の表面処理装置。
　［３］　１　本件請求項１に係る発明について検討する。
　本件請求項１に係る発明と第２引用例の（１）の発明とを比較すると、洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、その密閉可能なチャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを設けた基板の表面処理装置ある点で一致し、次の点においてのみ相違する。
　相違点１：最終リンス処理が終わってから乾燥処理が終了するまでの間、洗浄槽の上方空間を閉鎖的に密閉チャンバ によって包囲するごとく構成するものにおいて、本件請求項１に係る発明においては、密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設けることによって、密閉チャンバ内に減圧下で有機溶剤の蒸気を存在させて基板が大気に触れることがないように構成したのに対して、第２引用例の（１）の発明においては、密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段は具備しているが、有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を具備していない点。
　相違点２：本件請求項１に係る発明が、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットを具備しているのに対して、第２引用例の（１）の発明には、この点について記載がない点。
　そこで、相違点１について検討する。
　第２引用例の（１）の発明においても密閉チャンバによって包囲するごとく構成されていることからして、密閉チャンバ内の気体とは接触するが、密閉チャンバによって遮蔽されていることからして、密閉チャンバ外の大気とは接触することがないことが明白である。
　したがって、この相違点は、本件請求項１に係る発明においては、密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設け、洗浄槽内の液中から基板を引上げるとき密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気を存在させることにより、基板表面上の純水を有機溶剤に置換した後、乾燥させるのに対して、第２引用例の（１）の発明においては、基板表面の純水を直接乾燥せさるものである点でのみ相違する。
　そして、第１引用例には、洗浄槽の上方空間を閉鎖する密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設け、基板表面上の純水を有機溶剤に置換するものが記載されており、第２引用例の（１）の発明も第１引用例に記載された発明と同様に洗浄槽の上方空間を閉鎖する密閉チャンバ内で基板が大気と接触することがないようにして洗浄後の基板を乾燥させるものであるから、第２引用例の（１）の発明の乾燥処理部に第１引用例に記載された有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設け、本件請求項１に係る発明のごとく構成することは、当業者が容易に想到することができたものである。
　つぎに、相違点２について検討する。
　第２引用例の（１）の発明と第２引用例の（２）の発明とは、少なくとも１つの基板処理槽と、この基板処理槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記基板処理槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置として共通するものであるから、第２引用例の（２）の発明における装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットを第２引用例の（１）の発明に具備させることにより、この相違点において掲げた本件請求項１に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　そして、本件請求項１に係る発明を全体としてみても、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第１引用例に記載された発明の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第１引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　２　本件請求項２に係る発明について検討する。
　本件請求項２に係る発明と第２引用例の（１）の発明とを比較すると、前記相違点１、相違点２及び次の相違点３において相違する。
　相違点３：本件請求項２に係る発明が、有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段について、基板昇降手段が洗浄槽内の液中から基板を露出させ終わるまで供給するものとしたのに対して、第２引用例の（１）の発明には、この点について記載がない点。
　そこで、相違点３について検討する。
　第１引用例に記載された発明において、基板昇降手段が洗浄槽内の液中から基板を徐々に露出させると同時に供給を開始した有機溶剤の蒸気の供給を停止する時点については記載がない。
　しかし、最終的にリンスが終わってから乾燥処理が終了するまで、処理基板が大気が触れることがないごとく構成するにあたり、その目的を達成するのに必要なだけ有機溶剤の蒸気の供給することは効率上、当然の事項であるから、第１引用例に記載された発明における有機溶剤の蒸気の供給を停止する時点を、基板の露出終了時点として、第２引用例の（１）の発明に適用することにより、この相違点において掲げた本件請求項２に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　そして、本件請求項２に係る発明を全体としてみても、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第１引用例に記載された発明の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件請求項２に係る発明は、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第１引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　３　本件請求項３に係る発明について検討する。
　第２引用例の（１）には、越流する基板処理槽内の液中から基板が引上げることについても記載されている。
　このことは、第２引用例の（１）の発明においても、洗浄槽内で上昇液流が形成されている状態で前記基板を洗浄槽内の液中から露出させるものであるとすることができる。
　よって、本件請求項３に係る発明と第２引用例の（１）の発明とを比較すると、前記相違点１及び相違点２においてのみ相違する。
　よって、本件請求項３に係る発明は、本件請求項１に係る発明と同様に、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第１引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　４　本件請求項４に係る発明について検討する。
　本件請求項４に係る発明と第２引用例の（１）の発明とを比較すると、前記相違点１、相違点２及び次の相違点４において相違する。
　相違点４：本件請求項４に係る発明が、窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒素ガス供給手段が設けられ、該窒素ガス供給手段は、排気手段が密閉チャンバ内を排気して減圧した後、密閉チャンバ内に窒素ガスを供給するものであるのに対して、第２引用例の（１）の発明には、この点について記載がない点。
　そこで、相違点４について検討する。
　第３引用例に記載された発明は、有機溶剤の蒸気を供給を停止した後、窒素ガスの供給を開始するごとく構成したもの、すなわち、窒素ガスの供給が最後に行われるものであるから、該窒素ガスは、パージをする効果があるものとすることができる。
　したがって、このようなものを第２引用例の（１）の発明に適用することにより、この相違点において掲げた本件請求項４に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　そして、本件請求項４に係る発明を全体としてみても、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第１引用例に記載された発明の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件請求項４に係る発明は、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明、第１引用例に記載された発明及び第３引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　５　本件請求項５に係る発明について検討する。
  　本件請求項５に係る発明と第２引用例の（１）に記載された発明とを比較すると、前記相違点１、相違点２及び次の相違点５において相違する。
 　相違点５：密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段について、本件請求項５に係る発明においては、基板が洗浄槽内の液に浸漬されるのに先立つ場合においても作動するごとくしたのに対して、第２引用例の（１）の発明には、このような場合においても排気手段が作動するものとは記載がない点。
　そこで、相違点５について検討する。
　基板の表面処理装置において、必要に応じて減圧パージを行うことが本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術であるから、この相違点において掲げた本件請求項５に係る発明における構成のごとくすることは、単なる設計的事項にすぎない。
　そして、本件請求項５に係る発明を全体としてみても、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第１引用例に記載された発明並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　よって、本件請求項５に係る発明は、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第１引用例に記載された発明並びに本件特許に係る出願の出願前における周知慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　【４】　むすび 
　以上のとおりであるから、本件請求項１ないし請求項５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取消すべきである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２２日（２００２．２．２２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　【１】　訂正事項
　１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３における「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設け」を「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを設け」に訂正する。
　２　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４、請求項５、請求項８、請求項９及び請求項１０を削除し、請求項６及び請求項７を新たに請求項４及び請求項５に訂正する。
　３　新たな請求項４における「請求項５に記載の基板の表面処理装置」及び新たな請求項５における「請求項４に記載の基板の表面処理装置」をそれぞれ「請求項１ないし３に記載の表面処理装置」に訂正する。
　４　明細書の段落【０００８】の第１３行ないし第１４行、第２９行ないし第３０行及び第４３行ないし第４４行にそれぞれ記載された「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を設け」をそれぞれ「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを設け」に訂正する。
　５　明細書の段落【０００８】の第４８行ないし第５３行に記載された「請求項４に記載の発明は……基板の表面処理装置である。」とあるのを削除する。
　６　明細書の段落【０００８】の第５４行に記載された「請求項６に記載の発明は請求項５に記載の基板の表面処理装置において、」を「請求項４に記載の発明は請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、」に訂正する。
　７　明細書の段落【０００８】の第５８行に記載された「請求項７に記載の発明は請求項４に記載の基板の表面処理装置において、」を「請求項５に記載の発明は請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、」に訂正する。
　８　明細書の段落【０００８】の第６１行ないし第７０行に記載された「請求項８に記載の発明は……基板の表面処理装置である。」とあるのを削除する。
　９　明細書の段落【００１０】の第１行に記載された「請求項１ないし１０」を「請求項１ないし５」に訂正する。
１０　明細書の段落【００２３】の第１行ないし第２行に記載された「請求項１ないし１０」を「請求項１ないし５」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
基板の表面処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、
　この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、
　前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、
　装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、
　前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、
　その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、
　前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、
　さらに、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段
と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　【請求項２】　洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、
　この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、
　前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、
　装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、
　前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、
　その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、
　前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、
　さらに、前記基板昇降手段が洗浄槽内の液中から基板を露出させ終わるまで、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段
と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　【請求項３】　洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、
　この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、
　前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、
　装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、
　前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、
　その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、
　前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、
　さらに、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段
と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　前記基板昇降手段は密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気が存在する状態で、かつ、洗浄槽内で上昇液流が形成されている状態で前記基板を洗浄槽内の液中から露出させることを特徴とする基板の表面処理装置。
　【請求項４】　請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、
窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒素ガス供給手段が設けられ、該窒素ガス供給手段は、排気手段が密閉チャンバ内を排気して減圧した後、密閉チャンバ内に窒素ガスを供給する
　【請求項５】　
請求項１ないし３
基板昇降手段によって基板が洗浄槽内の液に浸漬されるのに先立って前記排気手段が密閉チャンバ内を排気する
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、半導体デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス基板、電子部品等の各種基板を薬液及び純水で洗浄処理し、その後に基板表面を乾燥処理するのに使用される基板の洗浄装置、特に、１つの槽内において複数種類の洗浄用薬液を択一的に使用して複数種の洗浄処理を行なう表面処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　基板、例えばシリコンウエハを薬液及び純水を用いて洗浄し、その後にウエハの表面を処理する装置として、従来、例えば図７に概略平面レイアウト図を示すような構成のものが使用されている。この表面処理装置は、１つ又は複数、図示例のものは３つの洗浄槽１、２、３、及び、最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部、洗浄前の基板を複数枚収容したカセットが搬入されそのカセットを載置しておくローダ、及び、洗浄及び乾燥処理を終えた基板を収容したカセットを載置しそのカセットの搬出が行なわれるアンローダ、洗浄槽及び乾燥処理部の間での基板の搬送を行なう基板搬送ロボット、カセットから複数枚の洗浄前の基板を一括して基板搬送ロボットへ移し替え、基板搬送ロボットから複数枚の洗浄・乾燥処理後の基板を一括して空のカセットへ移し替える基板移し替え機、ローダから基板移し替え位置へカセットを移送し、基板移し替え位置からアンローダへカセットを移送するカセット搬送ロボット、並びに、基板搬送ロボットへ基板を移し替えて空になったカセットを洗浄するカセット洗浄槽などを備えて構成されている。それぞれの洗浄槽は、１つの洗浄槽内に基板を配置したまま、その洗浄槽内に収容される洗浄用薬液を置換して基板が浸漬させられる薬液の種類を順次変えることにより、基板に対し複数種の洗浄処理を施すようにしたものであり、例えば図８に概略図を示すように構成されている。すなわち、洗浄槽１の底部に給液口２が形設されており、その給液口２に、純水供給源に連通接続された給液管路３が接続されている。また、給液管路３には、洗浄用薬液の貯留容器に開閉弁を介在させて連通接続された複数本、この図示例では３本の薬液供給管路４、５、６が合流するように連通している。洗浄用薬液としては、例えば高温硫酸、フッ化水素等のエッチング剤及び超純水がそれぞれの貯留容器に収容されている。そして、薬液供給管路４、５、６に介挿された開閉弁を択一的に開放することにより、純水供給源から供給される純水に各洗浄用薬液を混合して所要の洗浄用処理液を調合し、給液管路３を通り給液口２を通して洗浄槽１内へ洗浄用処理液を供給し、或いは、薬液供給管路４、５、６に介挿された開閉弁を全て閉塞することにより、純水供給源から給液管路３を通って洗浄槽１内へ純水を供給することができるように構成されている。また、洗浄槽１の上部外周には溢流液受け部７が設けられており、溢流液受け部７には排液管路が接続されている。そして、給液口２を通し連続して洗浄槽１内へ洗浄用処理液を供給し、洗浄槽１の上部の越流部から処理液を溢れ出させることにより、洗浄槽１の内部において処理液の上昇液流が形成されるようにし、その処理液の上昇液流中に基板Ｗを置くことにより基板Ｗの洗浄処理が行なわれる。洗浄槽１内へ供給される洗浄用薬液の種類を変えて複数種の洗浄処理が施され最終的に純水でリンス処理された基板Ｗは、乾燥処理部へ搬送される。図８中の８は基板保持具、９は整流板である。
　【０００３】
　乾燥処理部に設置される基板の乾燥処理装置としては、遠心力によって基板の表面から純水を振り切って乾燥させるスピンドライヤや、基板の表面に付着した純水をイソプロピルアルコール等の有機溶剤の蒸気で置換することによって乾燥させる有機溶剤蒸気乾燥装置が使用される。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記した従来の基板の表面処理装置では、最終的にリンス処理された基板を洗浄槽から乾燥処理部へ搬送する場合に、その搬送は大気中を通って行なわれる。また、乾燥処理部での基板の乾燥処理自体も、大気圧下において行なわれている。このように、従来の洗浄装置では、最終リンス処理が終わった基板を乾燥し終えるまでの間、基板は大気に曝されることになる。
　【０００５】
　ところが、最終リンス処理された基板の表面が濡れた状態で大気に曝されると、基板表面にパーティクルが付着し易くなり、また炭酸ガス、酸素等のガスが吸着し易くなる。また、乾燥処理中においても、従来の洗浄装置では、完全に大気を遮断することができず基板は大気に曝された状態になるので、同様のパーティクル付着やガス吸着が起こる。この結果、カーボンや重金属等による汚染が起こり、続いて行なわれる工程、例えば酸化工程において酸化膜の不良が発生して、半導体デバイス等の歩留りが低下する、といった問題点がある。
　【０００６】
　また、図７に示した洗浄装置のように、スループットを上げるために洗浄槽を複数並設していても、乾燥処理部が１つ設けられているだけであると、装置全体としてのスループットは、乾燥処理部での処理に要する時間によって律されることになるので、洗浄槽の数を増やしても、或る程度以上には洗浄装置全体としてのスループットを上げることができない、といった問題点がある。一方、洗浄槽の数に応じて乾燥処理部の設置数を増やすようにすれば、洗浄槽の数を増やすに従って装置全体としてのスループットも上がることになるが、設置スペースが大きくなり、コスト的にも不利になる、といった問題点がある。
　【０００７】
　この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、最終リンス処理が終わってから乾燥処理が終了するまでの間、基板が大気に触れないようにして、基板表面へのパーティクル付着やガス吸着を無くし、膜汚染による歩留りの低下を防ぐことができるとともに、洗浄槽の数を増やすことによって装置全体としてのスループットを上げることができ、かつ、省スペース化、低コスト化を図ることができるような構成の基板の表面処理装置を提供することを目的とする。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に記載の発明は洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、さらに、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段
と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　請求項２に記載の発明は洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、さらに、前記基板昇降手段が洗浄槽内の液中から基板を露出させ終わるまで、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段
と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　請求項３に記載の発明は洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水を越流させるための越流部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの洗浄槽と、この洗浄槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記洗浄槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉チャンバによって包囲し、その密閉チャンバの内部に、前記洗浄槽の上方位置と洗浄槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段を設けるとともに、前記密閉チャンバの内部へ有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を形設し、さらに、前記密閉チャンバ内へ前記蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段
と、前記基板昇降手段によって洗浄槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
。
　請求項４
請求項１ないし３
　
請求項５
請求項１ないし３
。
　【０００９】
　上記した基板の表面処理装置は、それを複数並設するようにすることができる。
　【００１０】
　【作用】
　上記した構成の請求項１ないし
５
　【００１１】
　【実施例】
　以下、この発明の好適な実施例について図面を参照しながら説明する。
　【００１２】
　図１は、この発明に係る基板の表面処理装置に設置される洗浄・乾燥処理槽の概略構成の１例を示す正面縦断面図であり、図２は、この発明の１実施例に係る洗浄装置の概略平面レイアウト図である。この洗浄装置は、図２に示すように、ローダ・アンローダ、３つの洗浄・乾燥処理槽、基板搬送ロボット、カセット搬送ロボット、基板移し替え機、カセット洗浄槽、メンテナンススペースなどから構成されている。尚、３つの洗浄・乾燥処理槽のうちの１つを、酸洗浄（前洗浄）及び乾燥処理を行なう酸洗浄・乾燥処理槽とすることもできる。
　【００１３】
　洗浄・乾燥処理槽１０は、図１に示すように、洗浄槽１２及びこの洗浄槽１２の上部外周に設けられた溢流液受け部１４を有しており、それら全体を密閉チャンバ１６で包囲するように構成されている。密閉チャンバ１６の上部には、基板Ｗを搬出入するための開口１８が形設されており、その開口１８を開閉自在に密閉する開閉蓋２０が設けられている。洗浄槽１２には、その底部に給液口２２が形設されており、その給液口２２は、給液管路２４によって純水供給源に連通接続されている。給液管路２４には、開閉弁２６が介挿されているとともに、その開閉弁２６と洗浄槽１２の給液口２２との間の流路にミキシングバルブ２８が介挿されている。ミキシングバルブ２８には、それぞれ異なる種類の洗浄用薬液の供給源にそれぞれ流路接続された複数本の薬液供給管路３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄが連通接続されており、各薬液供給管路３０ａ〜３０ｄにはそれぞれ開閉弁３２ａ〜３２ｄが介挿されている。そして、薬液供給管路３０ａ〜３０ｄに介挿された開閉弁３２ａ〜３２ｄのうちの１つだけを開放するとともに給液管路２４に介挿された開閉弁２６を開くことにより、純水供給源から供給される純水に何れか１種類の洗浄用薬液が混合されて所要の洗浄用処理液が調合され、その洗浄用処理液が給液管路２４を通り給液口２２を通して洗浄槽１２内へ供給される。また、薬液供給管路３０ａ〜３０ｄに介挿された開閉弁３２ａ〜３２ｄを全て閉塞するとともに給液管路２４に介挿された開閉弁２６を開くことにより、純水供給源から給液管路２４を通って洗浄槽１２内へ純水が供給されるようになっている。また、溢流液受け部１４には排液管路３４が接続されており、排液管路３４には、給液管路２４に介挿されたドレン切換弁３６に接続された分岐管路３８が連通している。そして、洗浄槽１２では、給液口２２を通し連続して槽内へ洗浄用処理液が供給され、槽上部の越流部から処理液を溢れ出させることにより、槽内部において処理液の上昇液流が形成され、その処理液の上昇液流中に基板Ｗが置かれることにより基板Ｗが洗浄処理される。
　【００１４】
　密閉チャンバ１６には、有機溶剤の蒸気、例えばイソプロピルアルコールの蒸気を密閉チャンバ１６内へ供給するための蒸気供給口４０が形設されており、蒸気供給口４０は蒸気供給用管路４２を介してアルコール蒸気供給源に流路接続されている。尚、図１には図示していないが、蒸気供給用管路４２は窒素供給源に流路接続されており、窒素ガスをキャリヤガスとしてアルコール蒸気が密閉チャンバ１６内へ送給されるとともに、流路の切換えにより蒸気供給用管路４２を通して窒素ガスだけを密閉チャンバ１６内へ送り込んで密閉チャンバ１６の内部をパージすることができる構成となっている。さらに、密閉チャンバ１６には排気口が形設されており、排気口は排気管路４４を介して排気手段、例えば水封式真空ポンプに流路接続されていて、その排気口を通して密閉チャンバ１６内を真空ポンプで排気することにより、密閉チャンバ１６内を減圧することができる。また、図示を省略しているが、密閉チャンバ１６の内部には、基板Ｗを昇降させる基板昇降機構が設けられており、この基板昇降機構により、基板Ｗを洗浄槽１２の上方位置と洗浄槽１２内部位置との間で昇降移動させることができるようになっている。
　【００１５】
　次に、上記した構成の基板の洗浄装置を使用して基板の洗浄及び乾燥処理を行なう一連の工程について説明する。
　【００１６】
　洗浄前の複数枚の基板Ｗを収容したカセットがローダに搬入されて載置されると、そのカセットはカセット搬送ロボットにより基板移し替え位置へ移載され、基板移し替え機によりカセットから基板搬送ロボットへ複数枚の基板が一括して移し替えられる。基板が取り出されたカセットは、カセット洗浄槽へ送られて洗浄され、一方、基板搬送ロボットへ移し替えられた基板は、洗浄・乾燥処理槽へ搬送され、図３にフローチャートを示したような手順により洗浄及び乾燥処理される。
　【００１７】
　すなわち、基板搬送ロボットにより複数枚の基板Ｗが一括して洗浄・乾燥処理槽１０の密閉チャンバ１６内へ送入されて、密閉チャンバ１６内部の基板昇降機構によって昇降自在に支持された基板保持具に基板Ｗが保持され、開閉蓋２０が閉じられて密閉チャンバ１６内が密閉されると、真空ポンプにより密閉チャンバ１６内が真空排気されて減圧パージされ、或いは、密閉チャンバ１６内へ蒸気供給用管路４２を通して窒素ガスが送り込まれて密閉チャンバ１６内がガスパージされる。このとき、洗浄槽１２内には、その底部の給液口２２を通して所要の洗浄用処理液が連続して供給され、洗浄槽１２内部を満たした処理液は、その上部の越流部から溢れ出て溢流液受け部１４内へ流入し、溢流液受け部１４から排液管路３４を通って排液されており、洗浄槽１２の内部に処理液の上昇液流が形成されている。次に、基板昇降機構が作動して、基板保持具に保持され複数枚の基板Ｗが下降し、洗浄槽１２内の処理液中に基板Ｗが浸漬させられ、洗浄槽１２内の処理液の上昇液流中に基板Ｗが置かれることにより、基板Ｗに対し所要の洗浄処理が行なわれる。そして、洗浄槽１２内に基板Ｗを配置したまま、その洗浄槽１２内へ供給される洗浄用処理液の種類を変えることにより、基板Ｗに対し複数種の洗浄処理が施され、最終的に純水で基板Ｗに対しリンス処理が施される。最終的にリンス処理された基板Ｗは、基板昇降機構によって上昇させられ、洗浄槽１２内の純水中から引き上げられる。そして、純水中から基板Ｗが引き上げ始められるのと同時に、蒸気供給用管路４２を通して密閉チャンバ１６内へ蒸気供給口４０からアルコール蒸気が送り込まれ、純水中から引き上げられている途中の基板Ｗの周囲へアルコール蒸気が供給される。このアルコール蒸気の供給は、少なくとも純水中からの基板Ｗの引上げが完全に終了するまで行なわれる。純水中からの基板Ｗの引上げが終了すると、洗浄槽１２内への純水の供給を停止させ、同時に、洗浄槽１２内の純水を排出する。また、洗浄槽１２から純水を排出し始めるのと同時に、真空ポンプにより密閉チャンバ１６内が真空排気されて、密閉チャンバ１６内が減圧状態にされることにより、基板Ｗの表面に凝縮して純水と置換したアルコールが蒸発させられ、基板Ｗの乾燥処理が終了する。
　【００１８】
　基板Ｗの乾燥処理が終了すると、密閉チャンバ１６内が窒素ガスによってパージされ、真空ポンプを停止させて密閉チャンバ１６内が減圧下から大気圧下へ戻された後、開閉蓋２０が開放され、洗浄処理及び乾燥処理が終了した基板Ｗは、一括して基板保持具から再び基板搬送ロボットへ受け渡され、基板搬送ロボットにより密閉チャンバ１６外へ取り出される。そして、洗浄・乾燥処理を終えた複数枚の基板Ｗは、基板移し替え機により基板搬送ロボットから空の洗浄済みカセットへ移し替えられ、カセットに収容されてアンローダから搬出される。
　【００１９】
　以上のように、図１に示した洗浄・乾燥処理槽１０では、洗浄及び最終リンス処理された基板Ｗは、最終リンス処理されてから乾燥処理が終了するまでの間、密閉された密閉チャンバ１６内において処理され、大気に全く触れることがないので、その間に基板Ｗの表面にパーティクルが付着したり炭酸ガス、酸素等のガスが吸着したりすることがない。
　【００２０】
　図４は、洗浄装置に洗浄・乾燥処理槽１０を３つ並設したときの配管系統図の１例を示したものである。図４中において、図１中に示されていない部材の符号について説明すると、４６は、洗浄用薬液が入った貯留タンク、４８は薬液供給用ポンプ、５０はフィルタであり、これらの貯留タンク４６、薬液供給用ポンプ４８及びフィルタ５０などから構成される洗浄用薬液の供給装置は、１種類の洗浄用薬液用についてだけ示し、他の洗浄用薬液の供給装置は図示を省略している。５２は水封式真空ポンプ、５４は、排気管路４４に介挿された排気用開閉弁であり、これらの水封式真空ポンプ５２及び排気用開閉弁５４により、密閉チャンバ１６内を排気して減圧する排気装置が構成されている。また、５６は、有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールが入ったアルコール蒸気発生槽、５８は、蒸気供給用管路４２に介挿された蒸気供給用開閉弁であり、これらの蒸気発生槽５６及び蒸気供給用開閉弁５８などから蒸気供給装置が構成されている。図４の配管系統図に示すように、洗浄用薬液の供給装置、排気装置並びに蒸気供給装置は、洗浄・乾燥処理槽１０ごとに設置する必要は無く、３つの洗浄・乾燥処理槽１０で共用することができる。
　【００２１】
　図１に示したような構成の洗浄・乾燥処理槽１０に代えて、図５に示すような構成の洗浄・乾燥処理装置を設置して基板の洗浄装置を構成してもよい。図５に示した洗浄・乾燥処理槽６０は、図１に示した洗浄・乾燥処理槽１０と同様に、洗浄槽、溢流液受け部、基板昇降機構、給液管路、排液管路などを備えており、それらの構成は、図１に示した装置と同じであるので、その説明を省略する。また、この洗浄・乾燥処理槽６０も、洗浄槽１２及び溢流液受け部１４の全体を密閉チャンバ６２で包囲するように構成されており、密閉チャンバ６２の上部には、基板Ｗを搬出入するための開口６４が設けられ、その開口６４を開閉自在に密閉する開閉蓋６６を有している。そして、この洗浄・乾燥処理槽６０では、密閉チャンバ６２の一側面に、過熱蒸気７２を均一に分散させて洗浄槽１２の上方空間へ水平方向に吹き出す過熱蒸気吹出し部６８が配設されているとともに、密閉チャンバ６２の、過熱蒸気吹出し部６８と対向する側面に、過熱蒸気吹出し部６８から吹き出された過熱蒸気７２を吸引する過熱蒸気吸引部７０が配設されている。過熱蒸気吹出し部６８は、過熱蒸気供給源に流路接続されており、過熱蒸気供給源から過熱蒸気吹出し部６８へ過熱蒸気が送給され、過熱蒸気吹出し部６８から、例えば１３５〜１５０℃程度の温度の過熱蒸気７２が吹き出すようになっている。尚、過熱蒸気吸引部７０の排気口に真空ポンプを流路接続し、過熱蒸気吸引部７０を通して密閉チャンバ６２内を真空排気して減圧することができるようにしてもよい。
　【００２２】
　図５に示したような洗浄・乾燥処理槽６０では、洗浄槽１２内において洗浄処理され最終的にリンス処理されて純水中から引き上げられた基板Ｗに対して過熱蒸気７２が供給されると、基板Ｗの表面温度が次第に上昇するとともに、基板Ｗの表面で過熱蒸気７２が冷却されて結露し、基板Ｗの表面全体が水で覆われた状態になる。そして、基板Ｗの表面温度が、過熱蒸気７２の温度付近まで上昇し基板Ｗ表面上での水分凝縮が少なくなる程度にまで昇温した時に、基板Ｗ表面への過熱蒸気７２の供給を停止すると、基板Ｗの表面は加熱されて高い温度になっているため、基板Ｗの表面全体から付着水分が速やかに蒸発してしまう。このように、基板Ｗの表面全体が濡れたままの状態で基板Ｗの温度を高くし、基板Ｗの表面温度が高くなった時点で、一気に付着水分を蒸発させることにより、基板Ｗの表面が乾燥させられることになる。そして、図５に示した洗浄・乾燥処理槽６０を備えた基板の洗浄装置においても、基板Ｗは、最終的にリンス処理されてから乾燥が完了するまでの間、密閉された密閉チャンバ６２内において処理され、大気に全く触れることがないので、その間に基板Ｗの表面へのパーティクル付着やガス吸着が起こったりすることがない。図６に、この洗浄・乾燥処理槽６０により基板を洗浄及び乾燥処理するときのフローチャートを示す。
　【００２３】
　【発明の効果】
　この発明は以上説明したように構成されかつ作用するので、請求項１ないし
５
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明に係る基板の表面処理装置に設置される洗浄・乾燥処理槽の概略構成の１例を示す正面縦断面図である。
　【図２】
　この発明の１実施例に係る洗浄装置の概略平面レイアウト図である。
　【図３】
　図１に示した洗浄・乾燥処理槽により基板を洗浄及び乾燥処理するときの一連の操作を示すフローチャートである。
　【図４】
　この発明に係る基板の洗浄装置に洗浄・乾燥処理槽を３つ並設したときの配管系統の１例を示す図である。
　【図５】
　この発明に係る基板の洗浄装置に設置される洗浄・乾燥処理装置の別の構成例を示す正面断面図である。
　【図６】
　図５に示した洗浄・乾燥処理槽により基板を洗浄及び乾燥処理するときの一連の操作を示すフローチャートである。
　【図７】
　従来の基板の洗浄装置の平面レイアウトの１例を示す概略図である。
　【図８】
　洗浄槽の概略構成の１例を示す正面断面図である。
　【符号の説明】
　１０、６０　洗浄・乾燥処理槽
　１２　洗浄槽
　１４　溢流液受け部
　１６、６２　密閉チャンバ
　２０、６６　開閉蓋
　２２　給液口
　２４　給液管路
　２８　ミキシングバルブ
　３０ａ、３０ｂ、３０ｃ、３０ｄ、３０　薬液供給管路
　３４　排液管路
　４０　蒸気供給口
　４２　蒸気供給用管路
　４４　排気管路
　４６　洗浄用薬液が入った貯留タンク
　４８　薬液供給用ポンプ
　５２　水封式真空ポンプ
　５６　アルコール蒸気発生槽
　６８　過熱蒸気吹出し部
　７０　過熱蒸気吸引部
　７２　過熱蒸気