【事件の表示】
　特許第３１３４４８３号「半導体基板の液体による処理装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１３４４８３号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１３４４８３号の請求項１に係る発明についての出願は、平成４年３月３０日に特許出願され、平成１２年１２月１日にその特許の設定登録がなされ、その後、高橋友之輔より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１２月２０日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正請求は、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は次のとおりのものである。
ア．訂正事項ａ−１
　特許請求の範囲の請求項１において、「半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置において、」を、特許請求の範囲の請求項１の冒頭に加入する。
イ．訂正事項ａ−２
　特許請求の範囲の請求項１において、「第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出するとともに、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出して、半導体基板の表面及び裏面の処理を同時に行う構成とした半導体基板の液体による処理装置。」を、「半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該スピンチャックは該スピンチャックによる把持部以は空間となっているものを用い、かつ該半導体基板を回転しながら、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出し、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することにより、裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の純水処理及び裏面の薬液処理を同時に行う構成とすることによって、前記片方の面のみ薬液処理するものとした半導体基板の液体による処理装置。」と訂正する。
ウ．訂正事項ｂ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落【０００６】を、
「　　【０００６】
　【発明の構成】
　本発明に係る半導体基板の液体による処理装置は、上記目的を達成するため、半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置において、半導体基板の上方に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の吐出口と、半導体基板の下方に位置して半導体基板の裏面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該スピンチャックは該スピンチャックによる把持部以外は空間となっているものを用い、かつ該半導体基板を回転しながら、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出し、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することにより、裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の純水処理及び裏面の薬液処理を同時に行う構成とすることによって、前記片方の面のみ薬液処理するものとした。」と訂正する。
エ．訂正事項ｃ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落【００１０】を、
「　　　【００１０】
　本実施例の処理装置は、図１に示すように、半導体基板１の表面１ａに第１の処理液３１を吐出する第１の吐出口２と、半導体基板１の裏面１ｂに第２の処理液３２を吐出する第２の吐出口２２とを備え、第１，第２の吐出口２１，２２から同時に処理液を吐出して、半導体基板１の表面１ａ及び裏面１ｂ処理を同時に行う構成としたものである。特に、半導体基板の上方に位置する第１の吐出口２１から半導体基板１の表面１ａに純水を吐出するとともに、半導体基板の下方に位置する第２の吐出口２２から半導体基板１の裏面１ｂに薬液を吐出して、半導体基板の表面及び裏面の処理を同時に行う構成としたものである。
」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ−１については、本件発明に係る半導体基板の処理装置を、「半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、この限定は、段落【０００３】、【０００９】〜【００１２】の記載に基づくものであり、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ａ−２については、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出するとともに、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することを、さらに「半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該スピンチャックは該スピンチャックによる把持部以外は空間となっているものを用い、かつ該半導体基板を回転しながら」行うことに限定し、また、「裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の薬液処理及び裏面の薬液処理を同時に行う」ことに限定し、そして「前記片方の面のみ薬液処理するものとした」ことに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、これらの限定は、段落【００１０】、【００１１】、【００１４】、及び図１の記載に基づくものであり、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂ〜ｃについては、訂正事項ａ−１及びａ−２による特許請求の範囲の請求項１の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するもので、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、新規事項の追加に該当せず、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　異議申立人は、甲第１号証として特開平２−１９７１２６号公報を、甲第２号証として特開昭５９−９４４２５号公報を、甲第３号証として特開平３−１７９７３６号公報、甲第４号証として特開昭６２−２７６８３１号公報を提出し、本件請求項１に係る発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許を取り消すべきものである旨主張している。
（２）本件発明
　本件特許第３１３４４８３号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書及び特許明細書に添付された図面からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「　【請求項１】
　半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置において、
　半導体基板の上方に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の吐出口と、半導体基板の下方に位置して半導体基板の裏面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、
　半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該スピンチャックは該スピンチャックによる把持部以外は空間となっているものを用い、かつ該半導体基板を回転しながら、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出し、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することにより、裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の純水処理及び裏面の薬液処理を同時に行う構成とすることによって、前記片方の面のみ薬液処理するものとした半導体基板の液体による処理装置。」
（３）甲各号証に記載された発明
　甲第１号証：
ア．「半導体基板を…、該基板を処理室内で回転させながら、純水又は薬液により洗浄を行う枚葉式半導体基板洗浄装置において、半導体基板の周縁に複数のころ状部材を押しあてて該基板を保持し、前記ころ状部材により該基板に回転運動を与える機構と、前記基板の両面を同時に洗浄する機構とを有するものである。」（第２頁左上欄第２〜９行）
イ．半導体基板の上方に位置して表面洗浄ノズル７と、半導体基板の下方に位置して裏面洗浄ノズル８とが設けられていること。」（第２頁左上欄第１４行〜右上欄第３行および第１図、第２図参照）
ウ．「表面洗浄ノズル７及び裏面洗浄ノズル８より純水または薬液が吐出されウェハー２の両面洗浄が実施される。」（第２頁右上欄第１８〜２０行）
エ．「ウエハーの表面又は裏面を吸着せずエッジ部を保持するため…、又両面を同時に洗浄できるため、処理時間を従来の半分に低減できる効果がある。」（第２頁左下欄第４〜８行）
　甲第２号証：
ア．「半導体基板裏面に付着したゴミが半導体基板表面へ悪影響を与えるのを防止するために半導体基板の表裏を同時にゴミ除去する事のできる装置を提供することにある。」（第１頁右下欄第１４〜１７行）
イ．「半導体基板２の４点をパルスモ−タ−３に接続されたＩの字型の支点４，５，６，７によって挟み込まれ、…各支点４，５，６，７が回転運動を始め半導体基板２も回転を開始する（第３図）。更にそれと同時にノズル９より純水を射出し半導体基板２の表面及び裏面に付着したゴミを除去し」（第２頁左上欄第２０行〜同頁右上欄第６行）
　甲第３号証：
ア．「この回転洗浄装置においては、被洗浄物取付具１４に被洗浄物７を取り付けたのち、モータ２０を作動すると、回転体１１、被洗浄物取付具１４、被洗浄物７が回転され、この状態で洗浄ノズル１８から洗浄液を噴射すると、洗浄液により被洗浄物７の裏面が洗浄される。そして、洗浄ノズル１８は被洗浄物取付具１４の支持部よりも内側に位置しているから、洗浄ノズル１８から噴射された洗浄液が被洗浄物取付具１４の支持部によって遮断されることはないので、被洗浄物７の裏面を均一に洗浄することができる。」（第２頁左下欄第９〜１９行）
　甲第４号証：
ア．「半導体ウエハーの表面あるいは裏面の一方の面のみを選択的にエッチングあるいはメッキなどのウエット処理を行う場合、従来は処理を行なわない面にレジストなどで保護被膜を形成し、ウエハー全体を処理液に浸漬して、目的の面の処理を行なった後、レジストなどの保護被膜を除去する方法をとっていた。」（第１頁左下欄第１４〜２０行）
イ．「本発明は、テーブル面の細孔を通して、同テーブル表面に溶液を溢流させた状態で、半導体ウエハーの片面を前記溶液に接触させる工程をそなえた半導体ウエハーのウエット処理方法である。」（第１頁右下欄第１１〜１５行）
ウ．「テーブルはテーブル内部あるいは同テーブルの下面からテーブル表面に通じる微小な孔が多数設けられ、それらの孔を通してエッチング液、メッキ液等の溶液あるいは処理後の洗浄水等の処理液３がテーブル表面に供給される。」（第２頁左上欄第５〜９行）
エ．「まず処理液が供給されていない状態でウエハーをテーブル表面に置く。処理を行なおうとする面をテーブル表面に向ける。次にエッチング液，メッキ液などの処理液をテーブル内部からテーブル表面に供給する。ウエハーは処理液上に浮かんでテーブル表面側の面のみが処理される。」（第２頁左上欄第１６行〜同頁右上欄第２行）
（３）対比・判断
　本件発明と上記甲第１ないし４号証に記載の各発明とを対比すると、甲第１号証に記載の発明は、半導体基板のエッヂ部分を支持するとともに、該半導体基板を回転しながらその表裏面を同時に洗浄処理するものであり、表裏面の一方が純水処理、他方が薬液処理することについては不明である。甲第２号証に記載の発明は、半導体基板のエッヂ近傍部分を支持するとともに、該半導体基板を回転しながらその表裏面を同時に純水により洗浄処理するものである。甲第３号証に記載の発明は、被洗浄物を回転しながらその裏面を洗浄処理するものである。また、上記甲第４号証に記載の発明は、半導体ウエハーの片方の面だけをウエット処理するものであるが、テーブル表面に溶液を溢流させ、ウエハーは浮かんた状態で、半導体ウエハーの片面である裏面を前記溶液に接触させるものであって、半導体ウエハーを支持して回転しながら吐出口から処理液を吐出して処理を行うものとは相違している。
　したがって、甲各号証に記載の発明は本件発明と一部共通する事項が認められるものの、いずれも、本件発明の必須の構成である「半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置において、半導体基板の上方に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の吐出口と、半導体基板の下方に位置して半導体基板の裏面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該半導体基板を回転しながら、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出し、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することにより、裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の純水処理及び裏面の薬液処理を同時に行う構成とすること」を備えていない。
　そして、本件発明は、上記構成を具備することにより「液体による処理を少ない工程数で短い時間で行うことができ、生産性を高めることが可能で、また、コーティング材等を用いる必用がなく、汚染等の問題もない。」という明細書記載の顕著な効果を奏するものであり、本件発明が上記甲第１号証ないし甲第４号証に記載されたものから容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、他に本件発明を拒絶すべき理由を発見しない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月３１日（２００２．１．３１）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第３１３４４８３号発明の明細書（以下「特許明細書」という。）を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、次の各訂正事項ａ〜ｃのとおり訂正する。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「　【請求項１】
　半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置において、
　半導体基板の上方に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の吐出口と、半導体基板の下方に位置して半導体基板の裏面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、
　半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該スピンチャックは該スピンチャックによる把持部以外は空間となっているものを用い、かつ該半導体基板を回転しながら、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出し、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することにより、裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の純水処理及び裏面の薬液処理を同時に行う構成とすることによって、前記片方の面のみ薬液処理するものとした半導体基板の液体による処理装置。」と訂正をする。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落【０００６】の記載を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
「　　【０００６】
　【発明の構成】
　本発明に係る半導体基板の液体による処理装置は、上記目的を達成するため、半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置において、半導体基板の上方に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の吐出口と、半導体基板の下方に位置して半導体基板の裏面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該スピンチャックは該スピンチャックによる把持部以外は空間となっているものを用い、かつ該半導体基板を回転しながら、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出し、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することにより、裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の純水処理及び裏面の薬液処理を同時に行う構成とすることによって、前記片方の面のみ薬液処理するものとした。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許明細書の段落【００１０】の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　　　【００１０】
　本実施例の処理装置は、図１に示すように、半導体基板１の表面１ａに第１の処理液３１を吐出する第１の吐出口２と、半導体基板１の裏面１ｂに第２の処理液３２を吐出する第２の吐出口２２とを備え、第１，第２の吐出口２１，２２から同時に処理液を吐出して、半導体基板１の表面１ａ及び裏面１ｂ処理を同時に行う構成としたものである。特に、半導体基板の上方に位置する第１の吐出口２１から半導体基板１の表面１ａに純水を吐出するとともに、半導体基板の下方に位置する第２の吐出口２２から半導体基板１の裏面１ｂに薬液を吐出して、半導体基板の表面及び裏面の処理を同時に行う構成としたものである。
」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体基板の液体による処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置において、　
　半導体基板の上方に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の吐出口と、半導体の下方に位置して半導体基板の裏面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、
　半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該スピンチャックは該スピンチャックによる把持部以外は空間となっているものを用い、かつ該半導体基板を回転しながら、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出し、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することより、裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の純水処理及び裏面の薬液処理を同時に行う構成とすることによって、前記片方の面のみ薬液処理するものとした半導体基板の液体による処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体基板を液体により処理する場合の処理装置に関する。本発明に係る半導体基板の処理装置は、半導体基板の片面のみを薬液で処理する場合に利用できる。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体装置製造の際など、半導体基板（以下適宜「半導体ウェハ」と称することもある）を液体で処理する工程を要する場合がある。例えばシリコン半導体ウェハの表面に空気酸化により生ずるいわゆる自然酸化膜をフッ酸系の薬液で処理する場合などである。また、薬液処理後には、一般に、水等により洗浄する必要がある。
　【０００３】
　従来、このような液体による処理に際しては、半導体ウェハの片面だけを薬液処理する場合、反対面をフォトレジスト等により耐薬品コーティングし、薬液槽に浸し、処理後にコーティングを除去していた。
　【０００４】
　このような従来方法では、耐薬品コーティングをする工程と、処理後に除去する工程に、時間を多く費やしていた。また、コーティング材からの汚染がもたらされるおそれがあった。
　【０００５】
　【発明の目的】
　本発明は、上記従来技術の問題点を解決して、液体による処理を少ない工程数で短い時間で行うことができ、生産性を高めることを可能とし、また、コーティング材等を用いる必要をなくして汚染等の問題を解決した、液体による半導体装置の処理装置を提供することを目的とする。
　【０００６】
　【発明の構成】
　本発明に係る半導体基板の液体による処理装置は、上記目的を達成するため、半導体基板の片方の面だけを薬液処理する半導体基板の処理装置において、半導体基板の上方に位置して半導体基板の表面に処理液を吐出する第１の吐出口と、半導体基板の下方に位置して半導体基板の裏面に処理液を吐出する第２の吐出口とを備え、半導体基板は薬液処理する前記片方の面を裏面として、該半導体基板のエッヂのみをスピンチャックでチャックして支持するとともに、該スピンチャックは該スピンチャックによる把持部以外は空間となっているものを用い、かつ該半導体基板を回転しながら、第１の吐出口から半導体基板の表面に純水を吐出し、第２の吐出口から半導体基板の裏面に薬液を吐出することにより、裏面処理用の該薬液が半導体基板の表面に回りこむことなく、半導体基板表面の純水処理及び裏面の薬液処理を同時に行う構成とすることによって、前記片方の面のみ薬液処理するものとした。
　【０００７】
　【作用】
　本発明によれば、第１，第２の吐出口から同時に処理液を吐出して、半導体基板の表・裏面両面を同時に液体処理することができる。よって本発明によれば、従来、耐薬品コーティング、薬液処理、コーティング除去の３工程必要だった場合も、薬液処理のみの１工程とすることができた。また、コーティング材を要さないので、コーティング材に伴う例えば汚染などのおそれがない。
　【０００８】
　【実施例】
　以下本発明の実施例について説明する。但し、当然のことではあるが、本発明は以下に示す実施例により限定を受けるものではない。
　【０００９】
　実施例１
　本実施例の装置を図１に示す。本実施例は、被処理半導体基板１である半導体ウェハが、その両面（表面１ａ及び裏面１ｂ）に酸化膜の付いたシリコンウェハであり、その裏面１ｂの酸化膜のみを除去する場合に、本発明を適用したものである。
　【００１０】
　本実施例の処理装置は、図１に示すように、半導体基板１の表面１ａに第１の処理液３１を吐出する第１の吐出口２と、半導体基板１の裏面１ｂに第２の処理液３２を吐出する第２の吐出口２２とを備え、第１，第２の吐出口２１，２２から同時に処理液を吐出して、半導体基板１の表面１ａ及び裏面１ｂ処理を同時に行う構成としたものである。特に、半導体基板の上方に位置する第１の吐出口２１から半導体基板１の表面１ａに純水を吐出するとともに、半導体基板の下方に位置する第２の吐出口２２から半導体基板１の裏面１ｂに薬液を吐出して、半導体基板の表面及び裏面の処理を同時に行う構成としたものである。
　【００１１】
　更に具体的には、本実施例では、図１に示すとおり半導体基板１のエッヂのみをスピンチャック４でチャックして、回転軸４１を中心にして回転しながら、上部ノズルである第１の吐出口２から、半導体基板１のウェハ表面１ａに処理液３１を吐出し、下部ノズルである第２の吐出口２２から、半導体基板１のウェハ裏面１ｂに処理液３２を吐出して、処理を行う。ここで、被処理半導体基板１は、両面に酸化膜（ＳｉＯ２）の付いたＳｉウェハであり、その裏面１ｂのみ酸化膜除去する場合であるので、上部ノズルである第１の吐出口２１から第１の処理液３１として純水を吐出し、下部ノズルである第２の吐出口２２から第２の処理液３２としてフッ酸（ＨＦ）を吐出する。これにより、表面１ａにフッ酸が回り込むことなく、裏面１ｂのみ、酸化膜除去が行える。
　【００１２】
　半導体基板１の裏面１ｂのみの膜除去が必要となるのは、例えば次のような場合である。即ち、例えばＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌ）にてウェハをアニールする時の温度制御は、ウェハ裏面からの熱放射を放射温度計にて測定して行っている。この時、裏面の膜種によって補正をしなければならない。ここで、裏面のみ膜を除去することで、基板材質の放射率に固定して、温度測定が可能となる。よってこの場合、裏面のみの膜除去が有効になる。
　【００１３】
　本実施例により、簡明な、少ない工程により、短時間で効率的な処理が達成でき、かつ、汚染の問題も生じなかった。
　【００１４】
　なお図１中、スピンチャック４は、３本程度の数本の把持部で半導体基板１を把持し、それ以外は空間となっているものを用いることにより、処理液３２がスピンチャック４に邪魔されずに、基板１の裏面１ｂを処理できる。
　【００１５】
　実施例２
　実施例１では、シリコン上の酸化膜ＳｉＯ２の裏面のみにおける除去を行ったが、この実施例では、シリコン半導体基板上のシリコンナイトライド（ＳｉＮ）を除去するのに、本発明を用いた。本実施例では、第２の処理液２２として、１５０℃前後のＨ３ＰＯ４を用いて、膜除去を行った。その他は実施例１と同様に行った。本実施例によって、実施例１と同様な効果が得られる。
　【００１６】
　実施例３
　本実施例では、半導体基板上の多結晶Ｓｉ膜を除去するようにした。多結晶Ｓｉ膜除去用処理液としてＫＯＨ水溶液を用い、その他は実施例１と同様にした。本実施例でも、実施例１と同様な効果が得られる。
　【００１７】
　【発明の効果】
　本発明によれば、液体による処理を少ない工程数で短い時間で行うことができ、生産性を高めることが可能で、また、コーティング材等を用いる必要がなく、汚染等の問題もない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】実施例１の処理装置の構成図である。
　【符号の説明】
　１　　　半導体基板（被処理半導体ウェハ）
　２１　　第１の吐出口（上部ノズル）
　２２　　第２の吐出口（下部ノズル）
　３１　　第１の処理液（純水）
　３２　　第２の処理液（フッ酸等の薬液）