【事件の表示】
　特願２０１７−５０３５２１「アレイ基板及び液晶表示パネル」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　２月　４日国際公開、ＷＯ２０１６／０１５３５５、平成２９年　８月　３日国内公表、特表２０１７−５２１７２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２０１４年（平成２６年）８月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年７月２９日、中国）を国際出願日とする出願であって、平成３０年１月２３日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、平成３０年４月１８日に意見書及び手続補正書が提出され、その後、平成３０年９月２５日付けで拒絶査定がなされ、同査定の謄本は平成３０年１０月３日に請求人に発送された。これに対して、平成３１年１月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正書が提出されたものである。 
  
第２　平成３１年１月２８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成３１年１月２８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 
［理由］ 
１　本件補正について 
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項２の記載は、次のように補正された（下線は当審で付与。以下同じ。）。 
　「【請求項２】
　対応する液晶表示パネルに設けられるアレイ基板であって、
　データ信号を伝送するためのデータ線と、
　走査信号を伝送するための走査線と、
　前記データ信号を受信するための画素電極と、
　前記走査信号に基づいて、前記データ信号を前記画素電極に送信するための薄膜電界効果トランジスタと、
　格子状パターンの金属線であり、共通信号を伝送するための共通線と、
　前記アレイ基板の表面に設けられ、液晶分子にプレチルト角を形成させるための配向膜とを含み、
　前記データ線、前記走査線、前記画素電極、及び前記薄膜電界効果トランジスタは、前記アレイ基板の中間の表示領域に設けられ、前記共通線は、前記アレイ基板のエッジにおける非表示領域に設けられ、前記配向膜は前記アレイ基板の前記表示領域及び前記非表示領域に設けられ、
　前記共通線の材料が金属アルミニウムであり、前記共通線の厚さが８０ｎｍ〜１２０ｎｍであり、前記共通線の幅が４００μｍ〜６００μｍであり、
　前記共通線の格子の幅は４μｍ〜１０μｍであり、配向膜材料の粒子より大き
く、
　
前記配向膜の厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍである
 
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 
　上記（１）の本件補正の特許請求の範囲の請求項２に対応する、本件補正前の、平成３０年４月１８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項２の記載は次のとおりである。 
　「【請求項２】
　対応する液晶表示パネルに設けられるアレイ基板であって、
　データ信号を伝送するためのデータ線と、
　走査信号を伝送するための走査線と、
　前記データ信号を受信するための画素電極と、
　前記走査信号に基づいて、前記データ信号を前記画素電極に送信するための薄膜電界効果トランジスタと、
　格子状パターンの金属線であり、共通信号を伝送するための共通線と、
　前記アレイ基板の表面に設けられ、液晶分子にプレチルト角を形成させるための配向膜とを含み、
　前記データ線、前記走査線、前記画素電極、及び前記薄膜電界効果トランジスタは、前記アレイ基板の中間の表示領域に設けられ、前記共通線は、前記アレイ基板のエッジにおける非表示領域に設けられ、前記配向膜は前記アレイ基板の前記表示領域及び前記非表示領域に設けられ、
　前記共通線の材料が金属アルミニウムであり、前記共通線の厚さが８０ｎｍ〜１２０ｎｍであり、前記共通線の幅が４００μｍ〜６００μｍであり、
　前記共通線の格子の幅は４μｍ〜１０μｍであり、配向膜材料の粒子より大きいことを特徴とするアレイ基板。」 
２　補正の適否 
　本件補正は、本件補正前の請求項２に記載された発明を特定するために必要な事項である「配向膜の厚さ」について、本件補正事項のとおりの限定を付加するものであって、補正前の請求項２に記載された発明と補正後の請求項２に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項２に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 
（１）本件補正発明 
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 
 　 
（２）引用文献
　ア　引用文献１の記載事項
　（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された引用文献である、米国特許出願公開第２０１２／００９２５９９号明細書（２０１２年４月１９日公開。以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
　ａ　「［0002］1. Field of the Invention
［0003］The present disclosure relates to a liquid crystal display device, and more particularly, to a substrate having a means for preventing a mount of an orientation film and a liquid crystal display device including the substrate.」
（仮訳；［0002］１．発明の分野
［0003］本発明は、
液晶表示装置に係り、特に、配向膜のマウントを防止するための手段を有する基板と、その基板を含む液晶表示装置に関するものである
　ｂ　「［0016］FIG. 2  is a cross-sectional view showing a printing apparatus of an orientation film according to the related art, and  FIG. 3  is a cross-sectional view showing a transferring plate and a substrate in a printing apparatus of an orientation film according to the related art. ・・・ Although the orientation film  63  corresponding to a pattern region  54  (of  FIG. 3 ) has a uniform thickness, the orientation film  63  corresponding to an outside of the pattern region  54  has a greater thickness because the orientation film  63  is not pressurized.
［0017］In  FIG. 3 , the orientation film  63  on the substrate  60  includes a starting portion  63 a, an ending portion  63 b and a central portion  63 c. Due to rotation of the plate cylinder  51  (of  FIG. 2 ), the pattern region  54  of the transferring plate  53  starts contacting the substrate  60  to form the starting portion  63 a and stop contacting the substrate  60  to form the ending portion  63 b. Since the polymeric material is pushed out from the central portion  63 c to the starting and ending portions  63 a and  63 b, a thickness of each of the starting and ending portions  63 a and  63 b is three or four times as great as a thickness of the central portion  63 c. The starting and ending portions  63 a and  63 b may be referred to as a mount of the orientation film  63 .
「0018」The mount causes deterioration of the orientation film  63  in a subsequent rubbing step. In addition, since the starting and ending portions of the orientation film  63  have a zigzag line, the ending portion belonging to the non-display area is designed to have a relatively great width. As a result, a bezel region corresponding to the non-display area is enlarged.」
（仮訳；［0016］図2は、従来技術による配向膜の印刷装置を示す断面図であり、図3は、転写板と従来の配向膜の印刷装置における基板を示す断面図である。・・・パターン領域54(図3)に対応する配向膜63が均一な膜厚となっているが、パターン領域54の外側に対応する部分の配向膜63は、配向膜63が加圧されていないため、より大きな膜厚を有している。
［0017］図3において、基板60上の配向膜63は、始端部63a,終端部63bと中央部63cとを備えている。プレート胴51(図2)の回転により、転写板53のパターン領域54は、基板60が始端部63aを形成し、基板60の終端部63bを形成するように接触して停止する。ポリマー材料は、中央部63cから始端部63a及び終端部63bへ押し出されるので、
始端部63aおよび終端部63bのそれぞれの厚さは、中央部63cの厚さの3または4倍である。始端部63a、終端部63bは、配向膜63のマウントと呼ばれることがある
［0018］
マウントは、後続のラビング工程において、配向膜63の劣化の原因となる
　ｃ　「「0032」In  FIG. 4A , an array substrate 101 for a liquid crystal display (LCD) device includes a display area AA displaying an image and first to fourth non-display areas NA 1 , NA 2 , NA 3  and NA 4  surrounding the display area AA. ・・・
［0033］A gate line 110 and a data line 130 that cross each other to define a pixel region P are formed in the display area AA. A thin film transistor (TFT) Tr connected to the gate line  110  and the data line  130  is formed in the pixel region P. Although not shown, the TFT Tr may include a gate electrode, a gate insulating layer, a semiconductor layer, a source electrode and a drain electrode. The gate-electrode is connected to the gate line  110 . The gate insulating layer is formed on the gate electrode, and the semiconductor layer is formed on the gate insulating layer over the gate electrode. The semiconductor layer may include an active layer of intrinsic amorphous silicon and an ohmic contact layer of impurity-doped amorphous silicon. The source and drain electrodes are formed on the semiconductor layer and are spaced apart from each other. The source electrode is connected to the data line  130 . In addition, a passivation layer is formed on the TFT Tr.
［0034］A pixel electrode 150 connected to the drain electrode of the TFT Tr is formed in the pixel region P. A common electrode may be formed in the pixel region P on the array substrate 101 according to a mode of the LCD device. For example, the pixel electrode  150  of a plate shape may be formed in the pixel region P on the array substrate  101  when the LCD device has a twisted nematic (TN) mode where a liquid crystal layer is driven by a vertical electric field. In addition, the pixel electrode and the common electrode that have a bar shape and alternate with each other may be formed in the pixel region P on the array substrate when the LCD device has an in-plane switching (IPS) mode where the liquid crystal layer is driven by a horizontal electric field. Further, a common line parallel to and spaced apart from the gate line  110  may be formed on the array substrate  101  and the common electrode may be connected to the common line.」
（仮訳；［0032］図4(a)において、
液晶表示(LCD)装置のアレイ基板101は、画像を表示する表示領域AAと、表示領域AAを囲む第1?第4非表示領域NA1、NA2、NA3、NA4を含む
［0033］
画素領域Pを画定する互いに直交するゲートライン110とデータライン130が表示領域(AA)に形成される。ゲートライン110及びデータライン線130に接続された薄膜トランジスタ(TFT)Trは、画素領域Pに形成されている
［0034］
薄膜トランジスタTrのドレイン電極に接続する画素電極150が画素領域Pに形成されている。共通電極は、液晶表示装置のモードに応じて、アレイ基板101上の画素領域Pに形成されてもよい
バー(bar)形状を有し、互い違いに配置される画素電極と共通電極は、液晶表示装置が液晶層が水平電界によって駆動されるIPS(In-Plane Switching)モードを有する場合に、アレイ基板上の画素領域Pに形成されてもよい。さらに、ゲートライン110と平行に隔置されている共通ラインはアレイ基板101上に形成されてよく、共通電極は、共通ラインに接続されてもよい
　ｄ　「［0035］The gate pad  112  in the first pad area PA 1  is connected to the gate line  110  and the data pad  137  in the second pad area PA 2  is connected to the data line  130 . In addition, a first dummy pattern  170  is formed in at least one of the first to fourth non-display area NA 1 , NA 2 , NA 3  and NA 4  on the array substrate  101 . The first dummy pattern  170  may have a length corresponding to a side of the display area AA.」
（仮訳；［0035］第1のパッド領域PA1のゲートパッド112は、ゲートライン110に接続され、第2パッド領域PA2のデータパッド137はデータライン130に接続されている。また、
アレイ基板101上には、第1?第4非表示領域NA1、NA2、NA3、NA4の少なくとも一つに、第1のダミーパターン170が形成されている。第1ダミーパターン170は、表示領域(AA)の辺に対応する長さを有していてもよい
　ｅ　「［0038］Further, the first dummy pattern  170  may have a lattice pattern as shown in  FIGS. 5D to 5G . For example, the lattice pattern may include an opening having one of a hexagonal shape, a bent rectangular shape and a rectangular shape. In  FIGS. 5D to 5F , the opening of the lattice pattern has an equal size (area). In  FIG. 5E , the opening of the lattice pattern has a gradually increasing or decreasing size (area).
［0039］Referring again to  FIG. 4A , the first dummy pattern 170  may have a height of about 0.5 μm to about 3 μm and a width of about 20 μm to about 200 μm. ・・・In addition, the first dummy pattern  170  may have a width of about 20 μm to about 50 μm when the first dummy pattern  170  has one of the plurality of bar patterns as shown in  FIGS. 5B and 5C and the lattice pattern as shown in  FIGS. 5D to 5G .」
（仮訳；［0038］また、
第一のダミーパターン170は、図5D、5Gに示すような格子状のパターンを有していてもよい
［0039］再び図4Aを参照すると、第1ダミーパターン170は、高さが約0.5μm〜約3μm、幅が約20μm〜約200μmとすることができる。・・・さらに、第1のダミーパターン170が、図5B、5Cに示すように複数の棒状のパターンの1つを有するとき、及び図5D、5Gに示すように格子パターンを有するとき、約20μm〜約50μmの幅を有することができる。）
　ｆ　「［0041］In addition, when the first dummy pattern  170  has one of the plurality of bar patterns as shown in  FIGS. 5B and 5C  and the lattice pattern as shown in  FIGS. 5D to 5G , the distance between the adjacent bar patterns or the size (area) of the opening of the lattice pattern (i.e., lattice density) may vary with a position of the first dummy pattern  170 . As the distance between the adjacent bar patterns or the size of the opening increases, a thickness of the orientation film decreases. Accordingly, a mount of the orientation film is prevented by adjusting the distance between adjacent bar patterns or the size of the opening of the lattice pattern of the first dummy pattern  170 .・・・」
（仮訳；また、
第1のダミーパターン170が
図5D、5Gに示すように格子パターンを有するとき
格子パターンの開口部の大きさ(面積)(すなわち、格子密度)は、第1のダミーパターン170の位置と共に変えることができる
開口部の大きさが増加すると、配向膜の厚さが減少する。従って、前記第1ダミーパターン170の隣接する棒の距離または格子パターンの開口部の大きさを調節することによって配向膜のマウントが防止される
　ｇ　「［0042］The first dummy pattern 170 may be formed of a multiple layer used for fabricating the array substrate 101. FIGS. 6A to 6D  are cross-sectional views showing a first dummy pattern of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
［0043］In  FIGS. 4A and 6A , the first dummy pattern  170  in the first and fourth non-display areas NA1  and NA4  may have a double-layered structure including a gate dummy layer 170a and a data dummy layer 170b over the array substrate 101. Since the first and fourth non-display areas NA1 and NA4 do not include the first and second pad areas PA 1  and PA 2 , the gate dummy layer 170a may include the same layer and the same material as the gate line 110 and the data dummy layer 170b may include the same layer and the same material as the data line 130. In addition, the first dummy pattern 170 may have ・・・ the lattice pattern as shown in FIGS. 5A to 5G . For example, the gate dummy layer 170a and the data dummy layer 170b may overlap each other with the same shape and the same area as each other. In addition, the gate dummy layer 170a may be formed on the array substrate 101, a gate insulating layer 113 may be formed between the gate dummy layer  170a and the data dummy layer 170b, and a passivation layer 140 may be formed on the data dummy layer 170 b.」
（仮訳；［0042］
第1ダミーパターン170は、アレイ基板101を製造するために使用される複数の層で形成することができる
［0043］
図4Aおよび図6Aにおいて、第1及び第4非表示領域NA1、NA4の第1ダミーパターン170は、アレイ基板101上でゲートダミー層170a及びデータ層170bを含む2重膜構造を有することができる
ゲートダミー層170aはゲートライン110と同一層で同じ材料を含むことができ、データダミー層170bはデータライン130と同一層で同じ材料を含むことができる
　ｈ　ＦＩＧ．４Ａは以下のとおりである。
　ｉ ＦＩＧ．５Ｄ、ＦＩＧ．５Ｇは以下のとおりである。
　（イ）上記記載及び図面から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
引用発明
「液晶表示装置（a liquid crystal display (LCD) device）に係り、特に、配向膜（an orientation film）のマウント（a mount）を防止するための手段を有する基板に関するものであり、
　液晶表示装置のアレイ基板（the array substrate）101は、画像を表示する表示領域（a display area）AAと、表示領域AAを囲む第1〜第4非表示領域（non-display areas）NA1、NA2、NA3、NA4を含み、
　画素領域Pを画定する互いに直交するゲートライン（the gate line）110とデータライン（the data line）130が表示領域(AA)に形成され、ゲートライン110及びデータライン130に接続された薄膜トランジスタ(TFT)Trは、画素領域Pに形成されており、
　薄膜トランジスタTrのドレイン電極に接続する画素電極（A pixel electrode）150が画素領域Pに形成されており、
　共通電極は、液晶表示装置のモードに応じて、アレイ基板101上の画素領域Pに形成されてもよく、
　バー(bar)形状を有し、互い違いに配置される画素電極と共通電極は、液晶表示装置が液晶層が水平電界によって駆動されるIPS(In-Plane Switching)モードを有する場合に、アレイ基板上の画素領域Pに形成されてもよく、さらに、ゲートライン110と平行に隔置されている共通ライン（a common line）はアレイ基板101上に形成されてよく、共通電極（the common electrode）は、共通ラインに接続されてもよく、
　アレイ基板101上には、第1〜第4非表示領域NA1、NA2、NA3、NA4の少なくとも一つに、第1のダミーパターン（the first dummy pattern）170が形成されており、第1のダミーパターン170は、表示領域(AA)の辺に対応する長さを有していてもよく、
　第1のダミーパターン170は、格子状のパターンを有していてもよく、
　格子状のパターンの開口部の大きさ(面積)(すなわち、格子密度)は、第1のダミーパターン170の位置と共に変えることができ、開口部の大きさが増加すると、配向膜の厚さが減少し、前記第1のダミーパターン170の格子パターンの開口部の大きさを調節することによって配向膜のマウントが防止される、
　アレイ基板。」 
　イ　引用文献２の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された引用文献である、特開２００７−３２２６２７号公報（平成１９年１２月１３日公開。以下「引用文献２」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
　ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、液晶表示装置に関し、特に、配向膜の塗布領域の制御に適用して有効な技術に関するものである。」
　ｂ　「【００３９】
　図３は、図１に示した領域ＡＲ１におけるＴＦＴ基板の概略構成を拡大して示した模式平面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ’線における模式断面図である。
【００４０】
　本実施例の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴ基板１のゲート辺１ａの近くにある表示領域の外周付近を拡大してみると、たとえば、図３および図４に示すように、２本の隣接する走査信号線ＧＬと２本の隣接する映像信号線ＤＬで囲まれた画素領域が２次元的に配置されている
表示領域ＤＡの外側に
コモンバスライン５Ａが設けられている
【００４１】
　また、
コモンバスライン５Ａの上には、第２の絶縁層ＰＡＳ２および導電層６が設けられている。このとき、第２の絶縁層ＰＡＳ２には、たとえば、図３に示すようなスルーホールＴＨ１が設けられており、導電層６は、スルーホールＴＨ１によってコモンバスライン５Ａと電気的に接続されている
導電層６は、スルーホールＴＨ２によって
共通信号線ＣＬ
と電気的に接続されている
　ｃ　図１、３、４は以下のとおりである。
　ウ　引用文献３の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された引用文献である、特開２００５−２４２０９９号公報（平成１７年９月８日公開。以下「引用文献３」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
　ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、液晶表示装置に関し、更に詳細には、液晶層を封入する液晶注入孔の近傍等における、液晶表示装置の表示品質の劣化を防止する技術にする。」
　ｂ　「【００１７】
　以下に、実施形態例を挙げ、添付図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的且つ詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る、逆スタガー構造のＴＦＴを備えるアクティブマトリクス駆動型の液晶表示装置の構成を示す平面図である。同図は、表示面側を前面として示している。液晶表示装置１０は、裏面側に設けられたＴＦＴ基板１１と、表示面側に設けられ、ＴＦＴ基板１１よりも寸法が僅かに小さなＣＦ基板１２とを備える。液晶表示装置１０の表示面は、画像を表示する表示領域１３と、表示領域１３の周辺に位置する非表示領域１４とから構成される。
【００１８】
　ＴＦＴ基板１１上には、非表示領域１４の一方の縁部から表示領域１３の向かってゲート配線１５が延びている。また、非表示領域１４の下縁部から表示領域１３に向かってドレイン配線１６が延びている。ゲート配線１５及びドレイン配線１６にそれぞれ隣接して共通配線３０，３１が設けられている。
【００１９】
　ゲート配線１５及びドレイン配線１６はそれぞれ、ＴＦＴ基板１１上の表示領域１３にマトリクス状に設けられた、図示しない薄膜トランジスタに接続されている。ゲート配線１５及び共通配線３０は、ＴＦＴ基板１１の一方の縁部で、走査線ドライバにそれぞれ接続され、また、ドレイン配線１６及び共通配線３１は、ＴＦＴ基板１１の下縁部で、データ線ドライバにそれぞれ接続されている。
ＴＦＴ基板１１上であって、非表示領域１４の上縁部及び他方の縁部には、注入孔１９の近傍を除いて、ダミー配線（シール部ダミー配線ミー配線）１７が設けられている。ダミー配線１７は共通配線３０，３１に接続されている
　ｃ　「【００２２】
　
ダミー配線１７及びゲート配線１５（図示せず）は同一の工程で形成され
ゲート配線１５、ドレイン配線１６、及びダミー配線１７は、何れも例えばアルミニウムから成る
　ｄ　図１は以下のとおりである。
　エ　引用文献４の記載事項
　本願の優先日前に頒布された引用文献である、特開２００３−１３１２３６号公報（平成１５年５月８日公開。以下「引用文献４」という。）には、次の記載がある。
　ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係り、特には周縁遮光層を備えた液晶表示装置に関する。」
　ｂ　「【００３５】次に、ガラス基板２の柱状スペーサ５及び周縁遮光層を形成した面の表示エリア（アクティブエリア及び額縁エリア）に対して、印刷版を用いて、
日産化学株式会社製のポリイミド系配向膜材料ＳＥ−５２９１を塗布することにより
アクティブエリアにおける厚さが１００ｎｍであり且つ額縁エリアにおける厚さが２００ｎｍの薄膜を得た。次いで、この薄膜にラビング処理を施すことにより配向膜１３を得た
　オ　引用文献５の記載事項
　本願の優先日前に頒布された引用文献である、特開２００８−２３３８９１号公報（平成２０年１０月２日公開。以下「引用文献５」という。）には、次の記載がある。
　ａ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、液晶装置とその製造方法に関する。」
　ｂ　「【００６０】
　次に、図５（ｂ）に示すように、第１基板１０の画素電極９側に、例えばスピンコート法等の方法を用いて、後述する水平配向膜４２の材料を塗布し、感光性樹脂膜４２ａを形成する。
この水平配向膜４２の材料としては、例えば紫外線可溶化型ポリイミド（ポジ型ＰＩ）等を用いる。また、前記感光性樹脂膜４２ａの厚さについては、例えば１００ｎｍ程度とする
　カ　引用文献６の記載事項
　本願の優先日前に頒布された引用文献である、国際公開２０１１／１２５２８４号（２０１１年１０月１３日公開。以下「引用文献６」という。）には、次の記載がある。
　ａ　「［0001］本発明は、液晶表示パネルの製造方法に関し、特に、垂直配向モードの液晶表示パネルの製造方法に関するものである。」
　ｂ　「［0032］　＜配向膜形成工程＞
　上記母基板作製工程で作製されたＴＦＴ母基板１２０ａ及びＣＦ母基板１３０ａの各表面に、印刷法により、上述したポリイミド樹脂を塗布した後に、その塗布膜を焼成することにより、ＴＦＴ母基板１２０ａ及びＣＦ母基板１３０ａに、各表示領域Ｄを覆うように、
垂直配向膜３１及び３２（厚さ１００ｎｍ程度）をそれぞれ形成する
（３）対比 
　本件補正発明と引用発明を対比する。 
　ア　引用発明の「液晶表示装置」、「アレイ基板」、「表示領域」、「非表示領域」は、それぞれ本願補正発明の「液晶表示パネル」、「アレイ基板」、「表示領域」、「非表示領域」に相当する。
　イ　引用発明の「データライン130」、「ゲートライン110」は、それぞれデータ信号、走査信号を伝送することは技術常識から見て明らかであるから、それぞれ本願補正発明の「データ信号を伝送するためのデータ線」、「走査信号を伝送するための走査線」に相当する。
　ウ　「画素電極」がデータ信号を受信することは技術常識から見て明らかであるから、引用発明の「画素電極」は、本願補正発明の「データ信号を受信するための画素電極」に相当する。
　エ　「薄膜トランジスタ」は、技術常識から見て、走査信号に基づいて、データ信号を画素電極に送信するためのものであるから、引用発明の「薄膜トランジスタ(TFT)」は、本願補正発明の「前記走査信号に基づいて、前記データ信号を前記画素電極に送信するための薄膜電界効果トランジスタ」に相当する。
　オ　引用発明の「第1のダミーパターン170」は「格子状のパターンを有していて」非表示領域に形成されているから、本願補正発明の「共通線」と、「アレイ基板のエッジにおける非表示領域に設けられ」る「格子状パターンの」「線」である点で共通する。
　カ　引用発明の「配向膜」は液晶分子にプレチルト角を形成させるためのものであることは技術常識から見て明らかであるから、本願補正発明の「アレイ基板の表面に設けられ、液晶分子にプレチルト角を形成させるための配向膜」に相当する。
　キ　引用発明において「データライン130」、「ゲートライン110」、「画素電極」、「薄膜トランジスタ(TFT)」は、「表示領域」に設けられていることは技術常識から見ても明らかであるから、引用発明は、本願補正発明の「前記データ線、前記走査線、前記画素電極、及び前記薄膜電界効果トランジスタは、前記アレイ基板の中間の表示領域に設けられ」との構成を有する。
　ク　引用発明は「配向膜のマウントを防止するための手段を有する基板に関するもの」であり「第1のダミーパターン170の格子パターンの開口部の大きさを調節することによって配向膜のマウントが防止される」ものであることから、「配向膜」が表示領域と非表示領域に設けられていることは明らかであるので、引用発明は、本願補正発明の「前記配向膜は前記アレイ基板の前記表示領域及び前記非表示領域に設けられる」との構成を有する。
　ケ　上記ア〜クから、本件補正発明と引用発明は、 以下の点で一致し、相違点１、２で相違する。
＜一致点＞ 
「対応する液晶表示パネルに設けられるアレイ基板であって、
　データ信号を伝送するためのデータ線と、
　走査信号を伝送するための走査線と、
　前記データ信号を受信するための画素電極と、
　前記走査信号に基づいて、前記データ信号を前記画素電極に送信するための薄膜電界効果トランジスタと、
　格子状パターンの線と、
　前記アレイ基板の表面に設けられ、液晶分子にプレチルト角を形成させるための配向膜とを含み、
　前記データ線、前記走査線、前記画素電極、及び前記薄膜電界効果トランジスタは、前記アレイ基板の中間の表示領域に設けられ、前記線は、前記アレイ基板のエッジにおける非表示領域に設けられ、前記配向膜は前記アレイ基板の前記表示領域及び前記非表示領域に設けられる、
　アレイ基板。」
＜相違点１＞
　「格子状パターンの線」について、本願補正発明は「金属線であり、共通信号を伝送するための共通線」であり、「前記共通線の材料が金属アルミニウムであり、前記共通線の厚さが８０ｎｍ〜１２０ｎｍであり、前記共通線の幅が４００μｍ〜６００μｍであり、前記共通線の格子の幅は４μｍ〜１０μｍであり、配向膜材料の粒子より大き」いのに対し、引用発明ではそのような特定がなされていない点。
＜相違点２＞
　配向膜について、本願補正発明は「配向膜の厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍである」のに対し、引用発明ではそのような特定がなされていない点。
（４）判断
　ア　相違点１について
　引用発明において、引用文献１の［0042］、［0043］の記載から見て、「第１のダミーパターン170」は導電性の材料で構成されることが想定されているといえる。そして、非表示領域に形成される導電性のダミー線などの線を「共通信号を伝送するための共通線」として用いることは周知技術である（引用文献２の段落【００４１】等、引用文献３の段落【００１９】等参照）。また、ダミー線等の材料を金属材料、アルミニウムとすることは、引用文献３の段落【００２２】等に記載されているように周知技術にすぎない。
　ここで、本願補正発明は、本願明細書に「【発明が解決しようとする課題】【０００６】本発明は、従来の液晶表示パネルのアレイ基板のエッジ領域に配向膜が堆積しやすいため、液晶表示パネルのエッジ部分で光漏れ現象が発生しやすいという技術的問題を解決するアレイ基板及び液晶表示パネルを提供することを目的とする」と記載されるように、光漏れ現象の発生を抑えることを目的としてアレイ基板のエッジ領域における配向膜の堆積を防いでいる。そして、引用文献１において「基板60上の配向膜63は、・・・中央部63cから始端部63a及び終端部63bへ押し出されるので、始端部63aおよび終端部63bのそれぞれの厚さは、中央部63cの厚さの3または4倍である。始端部63a、終端部63bは、配向膜63のマウントと呼ばれることがある。」（［0017］仮訳）、「マウントは、後続のラビング工程において、配向膜63の劣化の原因となる」（［0018］仮訳）と記載され、引用発明において「格子状のパターンの開口部の大きさ(面積)(すなわち、格子密度)は、第1のダミーパターン170の位置と共に変えることができ、開口部の大きさが増加すると、配向膜の厚さが減少し、前記第1のダミーパターン170の格子パターンの開口部の大きさを調節することによって配向膜のマウントが防止される」との構成を有していることから、引用発明は本願補正発明と概ね同様の目的を持って、配向膜のマウント（堆積）を防いでいるといえる。
　一般的に共通する技術分野に属する公知・周知技術を適用することは、当業者が容易に着想し得ることであるといえるところ、引用発明において、上記周知技術を採用するとともに、「格子パターンの開口部の大きさを調節することによって配向膜のマウント（堆積）」を抑えるために「第1のダミーパターン」の厚さや幅、「格子パターンの開口部の大きさ」を適宜調節し、相違点１に係る本願補正発明の構成のようにすることは当業者が容易に想到しうる程度のことにすぎない。
　なお、本願補正発明の共通線の厚さ、幅、格子の幅の数値限定は、本願明細書を参酌しても格別の臨界的意義が認められず、当業者が必要に応じて適宜設定しうる設計事項にすぎない。
　また、本願補正発明の「配向膜材料の粒子より大きく」の構成について、一般的に配向膜材料は本願明細書の段落【０００３】にも記載されているようにポリイミド等から構成されるものであるから「粒子」という用語はあまり使われず、本願明細書を参酌しても、段落【００３９】において「粒子」という用語が１箇所あるのみで、必ずしもその意味するところが明確ではないが、引用発明は「格子パターンの開口部の大きさを調節することによって配向膜のマウント（堆積）」を防ぐことを目的としていることから、配向膜の粒子よりも格子の幅が大きい蓋然性が高い。仮にそうでないとしても、引用発明の上記目的から見れば、配向膜の粒子よりも格子の幅を大きくすることは当業者が容易に想到しうる程度のことにすぎない。
　
　イ　相違点２について
　配向膜の厚さを１００ｎｍ程度の厚さとすることは、引用文献４の段落【００３５】、引用文献５の段落【００６０】、引用文献６の段落［００３２］に例示されるように、当業者が通常採用する範囲であり、相違点２に係る本願補正発明の構成のようにすることは当業者が必要に応じて適宜設定しうる設計事項にすぎない。
　なお、本願明細書を参酌しても、本願補正発明の数値限定は、格別の臨界的意義が認められず、格別なものとはいえない。
（５）小括 
　したがって、本件補正発明は、引用発明、及び引用文献２〜６に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
３　本件補正についてのむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 
  
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成３１年１月２８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項２に係る発明は、平成３０年４月１８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項２に記載された事項により特定される、上記第２の［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由 
　原査定の拒絶の理由は、 
　この出願の請求項２に係る発明は、その出願前に頒布された引用文献１〜３に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、 
というものである。 
３　進歩性について 
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、上記第２の［理由］２（２）アに記載したとおりである。
  
（２）対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「配向膜の厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍである」との限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２に記載したとおり、引用発明、及び引用文献２、３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明、及び引用文献２、３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、及び引用文献２、３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。