【事件の表示】
　特願２０１８−１８８４１２「ウェハ加工方法及びウェハ加工システム」拒絶査定不服審判事件〔平成３１年　１月２４日出願公開、特開２０１９−　１２８５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１１月１６日に出願した特願２０１０−２５６２１７号の一部を平成２８年４月２６日に新たな特許出願とした特願２０１６−８７８６６号の一部を平成２８年１１月１４日に新たな特許出願とした特願２０１６−２２１８４１号の一部を平成３０年４月２０日に新たな特許出願とした特願２０１８−８１５２４号の一部を平成３０年６月２８日に新たな特許出願とした特願２０１８−１２３５０５号の一部を平成３０年１０月３日に新たな特許出願とした特願２０１８−１８８４１２号であり，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
　平成３０年１１月　２日：拒絶理由通知（起案日）
　平成３０年１２月　４日：意見書，手続補正書 
　平成３０年１２月２０日：最後の拒絶理由（起案日）
　平成３１年　１月２２日：意見書
　平成３１年　２月　７日：拒絶査定（起案日） 
　令和　元年　５月　９日：審判請求 
　令和　元年　６月１２日：拒絶理由通知（起案日） 
　令和　元年　８月　９日：意見書，手続補正書 
第２　本願発明
　令和元年８月９日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　ウェハの内部に設定された目標面まで前記ウェハを薄化してチップに分割するため，レーザ照射により前記ウェハの内部にレーザ改質領域を切断ラインに沿って形成する改質領域形成工程を備え，
　前記改質領域形成工程は，前記ウェハの裏面から前記目標面までを研削砥石を用いて研削して前記ウェハを薄化する薄化工程よりも先に行われる工程であって，前記ウェハのデバイス面側を保持した状態で，前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射し，前記ウェハの厚みの半分よりも深い位置で前記目標面よりレーザ照射側にある前記ウェハの内部に前記レーザ光を集光して，前記レーザ改質領域を一定の間隔で独立して形成し，前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達せず，且つ，前記研削が行われた後も前記レーザ改質領域から延びる前記微小亀裂が前記ウェハに残るように前記レーザ改質領域を形成する，
　ウェハ加工方法。」
第３　拒絶の理由
　令和元年６月１２日付けで当審が通知した拒絶理由のうちの理由１は，大略，次のとおりのものである。
　本願発明１〜１８は，本願のもととなった特許出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１〜５に記載された発明に基づいて，そのもととなった特許出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用文献１：特開２００９−２９００５２号公報 
引用文献２：特許第３７６２４０９号公報 
引用文献３：国際公開２００８／１４６７４４号 
引用文献４：特開２００９−１２４０３５号公報 
引用文献５：特開２００７−２３５０６８号公報 
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１には，以下の事項が記載されている（下線は，当審で付した。以下同じ。）。
「【請求項２】 
　基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを，該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって， 
　該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と， 
　該変質層形成工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と， 
　該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と， 
　該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と， 
　環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と，を含む， 
　ことを特徴とするウエーハの分割方法。」 
「【発明の効果】
【０００８】
　本発明におけるウエーハの分割方法によれば，基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とウエーハの基板に形成されたストリートの表面に被覆された膜をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施し後に，
ウエーハに外力を付与してウエーハをストリートに沿って破断する
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下，
本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について，添付図面を参照して詳細に説明する
【００１０】
　図１には本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図が示されており，図２には図１に示すウエーハの要部を拡大した断面図が示されている。図１および図２に示す
ウエーハ２は，例えば厚さが６００μmのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されている。このウエーハ２には，図２に示すようにストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａに図示の実施形態においてはポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆されている
  
「【００１２】 
　
裏面研削工程は，図４の(ａ)に示す研削装置４を用いて実施する
研削装置４は，被加工物を保持するチャックテーブル４１と，該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削手段４３を具備している
  
「【００１６】 
　
図５に示すレーザー加工装置５を用いて変質層形成工程を実施するには，図５に示すようにチャックテーブル５１上にウエーハ２の表面２１ａに貼着された保護テープ３側を載置する。そして，図示しない吸引手段を作動することにより，保護テープ３を介してウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する（ウエーハ保持工程）。従って，チャックテーブル５１に保持されたウエーハ２は，裏面２１ｂが上側となる
  
「【００３２】 
　次に，本発明によるウエーハの分割方法の第２の実施形態について説明する。 
　
第２の実施形態においては，先ずウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する
この変質層形成工程を実施するに際し，ウエーハ２の表面に形成されたデバイス２３を保護するために，上記図３の(ａ)および(ｂ)に示すようにウエーハ２の表面２１ａに塩化ビニール等からなる保護テープ３を貼着する（保護テープ貼着工程）。そして，上記図５に示すようにレーザー加工装置５を用いて上記図６に示す変質層形成工程と同様に実施する
この結果，図１４に示すようにウエーハ２の基板２１には，内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されるとともに，変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに向けてクラック２１１が発生する
【００３３】 
　
上述した変質層形成工程を実行したならば，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１ｂを研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する
ウエーハ２は，基板２１の裏面２１ｂが研削されて所定の厚さ（例えば１００μm）に形成される
上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２ａから例えば１００μmの位置より裏面２ｂに形成することにより，上記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０は除去される。従って，ウエーハ２の基板２１には，図１５に示すようにストリート２２に沿って形成されたクラック２１１が残される
【００３４】 
　次に，
上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する
ウエーハ２における基板２１の表面２１ａに貼着されている保護テープ３を剥離する
【００３５】 
　上述したウエーハ支持工程および保護テープ剥離工程を実施したならば，
上記ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する
【００３６】 
　上記膜分断工程を実施したならば，
ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する
このウエーハ破断工程は，上記図１２に示すテープ拡張装置６を用いて上記図１３に示すウエーハ破断工程と同様に実施する
この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割される
【００３７】 
　
上述した実施形態においては，上記裏面研削工程でウエーハ２の基板２１の裏面を研削して変質層２１０が除去されており，ウエーハ２は基板２１に形成されたクラック２１１に沿って破断される。従って，個々の分割されたデバイス２３の破断面には変質層２１０が残存しないため，デバイス２３の抗折強度が向上する
  
（２）引用発明
　上記（１）からみて，引用文献１には，引用文献１に記載された発明の第２の実施形態であるウエーハの分割方法に関する，以下の発明が記載されている（以下「引用発明」という。）。
「（ａ）ウエーハ２を準備する工程であって，前記ウエーハ２は，厚さが６００μmのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されており，このウエーハ２には，ストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａにポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆されているものである工程と，
（ｂ）ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，ウエーハ２の表面２ａから１００μmの位置より裏面２ｂに，ストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程であって，前記変質層形成工程は，チャックテーブル５１上にウエーハ２の表面２１ａに貼着された保護テープ３側を載置して，吸引手段を作動することにより，保護テープ３を介してウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持して実施するものであり，この結果，ウエーハ２の基板２１には，内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されるとともに，変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに向けてクラック２１１が発生する工程と， 
（ｃ）前記変質層形成工程を実行した後に，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１ｂを研削して１００μmの厚さに形成することで前記変質層２１０を除去するとともに，ウエーハ２の基板２１に，ストリート２２に沿って形成されたクラック２１１を残す裏面研削工程であって，前記裏面研削工程は，被加工物を保持するチャックテーブル４１と，該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削手段４３を具備している研削装置４を用いて実施する工程と，
（ｄ）前記裏面研削工程が実施されたウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と， 
（ｅ）ウエーハ２における基板２１の表面２１ａに貼着されている保護テープ３を剥離する保護テープ剥離工程と， 
（ｆ）前記ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程と， 
（ｇ）前記ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程であって，前記ウエーハ破断工程は，テープ拡張装置６を用いて実施するものであって，この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割されるものである工程と， 
を備えたウエーハの分割方法。」 
  
２　引用文献２の記載
（１）引用文献２には，以下の事項が記載されている。
「【請求項２】
基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領域によって，前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と，
前記切断起点領域を形成する工程後，前記切断起点領域を起点として前記基板の厚さ方向に発生した割れの少なくとも一部が前記基板に残存し，且つ前記基板に前記改質領域が残存しないように前記基板を研磨する工程と，
を備えることを特徴とする基板の分割方法。」
「ここで，集光点とは，レーザ光が集光した箇所のことである。また，
研磨とは
研削
を含む意味である
切断起点領域は
改質領域が断続的に形成されることで形成される場合もある
「さて，本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域としては，次の（１）〜（３）がある。
（１）改質領域が１つ又は複数のクラックを含むクラック領域の場合
　＜途中省略＞
（２）改質領域が溶融処理領域の場合
＜途中省略＞
本発明者は，シリコンウェハの内部で溶融処理領域が形成されることを実験により確認した。実験条件は次の通りである。
（Ａ）基板：シリコンウェハ（厚さ３５０μｍ，外径４インチ）
（Ｂ）レーザ
光源：半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザ
波長：１０６４ｎｍ
レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8ｃｍ2
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザ光品質：ＴＥＭ00
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ
倍率：５０倍
Ｎ．Ａ．：０．５５
レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）基板が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒
図１２は，上記条件でのレーザ加工により切断されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表した図である。シリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３が形成されている。なお，上記条件により形成された溶融処理領域１３の厚さ方向の大きさは１００μｍ程度である。」（第６ページ第４６行−第８ページ第３１行）
「以上により切断起点領域を形成する工程が終了し，半導体基板１の内部に切断起点領域が形成される。半導体基板１の内部に切断起点領域が形成されると，自然に或いは比較的小さな力によって，切断起点領域を起点として半導体基板１の厚さ方向に割れが発生する。実施例１では，上述した
切断起点領域を形成する工程において，半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成
なお，「半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成される」とは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板１の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面３側に偏倚して形成されることを意味する
「なお，サファイア基板１の表面３上にｎ型層３１及びｐ型層３２を形成した後に，サファイア基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射し，サファイア基板１の内部に改質領域７を形成してもよい。また，
レーザ光Ｌの照射は，サファイア基板１の表面３側から行ってもよいし，裏面２１側から行ってもよい
（２）引用文献２に記載されている技術的事項
　上記記載から，引用文献２には，以下の技術的事項が記載されているものと認められる。
・「基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領域によって，前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と，
　前記切断起点領域を形成する工程後，前記切断起点領域を起点として前記基板の厚さ方向に発生した割れの少なくとも一部が前記基板に残存し，且つ前記基板に前記改質領域が残存しないように前記基板を研磨する工程であって，前記研磨は，研削を含む意味で用いられている工程と，
を備えることを特徴とする基板の分割方法」において，
　前記切断起点領域を，前記改質領域を断続的に形成すること。
・改質領域が溶融処理領域の場合，レーザ加工によりシリコンウェハの内部に形成される溶融処理領域の厚さ方向の大きさは１００μｍ程度であること。
・半導体基板の内部の表面側に近い位置に切断起点領域が形成されるとは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面側に偏倚して形成されることを意味すること。
・レーザ光の照射は，サファイア基板の表面側から行ってもよいし，裏面側から行ってもよいこと。
３　引用文献３の記載
（１）引用文献３には，以下の事項が記載されている。
「［０００７］また，加工対象物を保持する保持手段に加工対象物を取り付ける工程を含むことが好ましい。この場合，切断後の加工対象物がばらばらに散乱するのを防止することができる。なお，
保持手段に加工対象物を取り付けた上でエッチングを行う場合には，改質領域及び改質領域から発生した亀裂が，保持手段との界面に至らないようにする（界面よりも手前で改質領域及び亀裂の形成を止める）ことが好ましい
エッチング材が改質領域及び亀裂を伝って界面に到達すると，例えば，このエッチング材により加工対象物が保持手段から剥離したり，デバイス面を汚染したりする場合があるためである
「［００２４］なお，集光点Ｐとは，レーザ光Ｌが集光する箇所のことである。また，切断予定ライン５は，直線状に限らず曲線状であってもよいし，仮想線に限らず加工対象物１の表面３に実際に引かれた線であってもよい。また，
改質領域７は
断続的に形成される場合もある
（２）引用文献３に記載されている技術的事項
　上記記載から，引用文献３には，以下の技術的事項が記載されているものと認められる。
・改質領域は，断続的に形成される場合もあること。
第５　対比 
　本願発明１と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
１　引用発明の「ウエーハ２」，「『レーザー光線を』『照射』」，「変質層２１０」，「ストリート２２」，「『シリコン基板２１』の『デバイス２３を含む表面２１ａ』」，「クラック２１１」は，本願発明１の「ウェハ」，「レーザ照射」，「レーザ改質領域」，「切断ライン」，「ウェハのデバイス面」，「微小亀裂」に相当する。
２　引用発明は，「（ｃ）前記変質層形成工程を実行した後に，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１ｂを研削して１００μmの厚さに形成することで前記変質層２１０を除去するとともに，ウエーハ２の基板２１に，ストリート２２に沿って形成されたクラック２１１を残す裏面研削工程」を備えるものであって，引用発明の前記「裏面研削工程」は，本願発明１の「ウェハの裏面から前記目標面までを研削砥石を用いて研削して前記ウェハを薄化する薄化工程」に相応するから，引用発明の「ウエーハ２の表面２ａから１００μmの位置」にある面は，本願発明１の「ウェハの内部に設定された目標面」に相当する。
３　引用発明は，「（ｂ）ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，ウエーハ２の表面２ａから１００μmの位置より裏面２ｂに，ストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程」を備えるものであって，上記２のとおり，引用発明の「ウエーハ２の表面２ａから１００μmの位置」にある面は，本願発明１の「ウェハの内部に設定された目標面」に相当し，さらに，引用発明の「ウェハの裏面側」は，本願発明１の「レーザ照射側」に相当することから，本願発明１と，引用発明は，「『目標面よりレーザ照射側にある前記ウェハの内部に前記レーザ光を集光して』『レーザ改質領域を』『形成』」する点で共通する。
４　引用発明は，「（ｃ）前記変質層形成工程を実行した後に，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１ｂを研削して１００μmの厚さに形成することで前記変質層２１０を除去するとともに，ウエーハ２の基板２１に，ストリート２２に沿って形成されたクラック２１１を残す裏面研削工程」の後に，「（ｇ）前記ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程であって，前記ウエーハ破断工程は，テープ拡張装置６を用いて実施するものであって，この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割されるものである工程」を備えるのであるから，引用発明においては，裏面研削工程が終了した時点においては，ウエーハ２は分割されておらず，しかも，改質領域から延びるクラック２１１が，裏面研削工程終了後のウエーハ２に残っていることは明らかといえる。したがって，本願発明１と，引用発明は，「前記研削が行われた後も前記レーザ改質領域から延びる前記微小亀裂が前記ウェハに残るように前記レーザ改質領域を形成する」点で共通する。
　上記１ないし４から，本願発明１と引用発明とは，以下の点で一致し，相違する。 
＜一致点＞
「ウェハの内部に設定された目標面まで前記ウェハを薄化してチップに分割するため，レーザ照射により前記ウェハの内部にレーザ改質領域を切断ラインに沿って形成する改質領域形成工程を備え，
　前記改質領域形成工程は，前記ウェハの裏面から前記目標面までを研削砥石を用いて研削して前記ウェハを薄化する薄化工程よりも先に行われる工程であって，前記ウェハのデバイス面側を保持した状態で，前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射し，前記目標面よりレーザ照射側にある前記ウェハの内部に前記レーザ光を集光して，前記レーザ改質領域を形成し，且つ，前記研削が行われた後も前記レーザ改質領域から延びる前記微小亀裂が前記ウェハに残るように前記レーザ改質領域を形成する，
　ウェハ加工方法。」
＜相違点＞
・相違点１：本願発明１は，「ウェハの厚みの半分よりも深い位置」でレーザ光を集光するのに対して，引用発明は，この点が特定されていない点。
・相違点２：本願発明１は，レーザ改質領域を「一定の間隔で独立」して形成するのに対して，引用発明は，この点が特定されていない点。
・相違点３：本願発明１は，「前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達せず」と特定されているのに対して，引用発明は，この点が特定されていない点。
第６　判断 
　上記相違点について，判断する。
・相違点１について
　引用発明は，「厚さが６００μmのシリコン基板２１」からなる「ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１ｂを研削して１００μmの厚さに形成することで前記変質層２１０を除去するとともに，ウエーハ２の基板２１に，ストリート２２に沿って形成されたクラック２１１を残す裏面研削工程」の後に，この残されたクラック２１１によって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って，１００μmの厚さに形成したウエーハ２を破断して個々のデバイス２３に分割する発明であり，この残されたクラック２１１は，変質層２１０から発生したものである。
　そして，当該変質層２１０を，１００μmの厚さに形成したウエーハ２に残されるクラック２１１の近傍に形成することは，当該クラック２１１の形成の制御性を高める等の当業者が通常考慮する課題に照らして当然であるから，引用発明においても，当該変質層２１０を形成するレーザ光の集光は，１００μmの厚さに形成したウエーハ２に残されるクラック２１１の近傍である「厚さが６００μmのシリコン基板２１」の「厚みの半分よりも深い位置」に行われるものと理解することが自然といえる。したがって，相違点１は，実質的なものではない。
　また，仮に，引用文献１の記載からは，引用発明において，レーザ光を「厚さが６００μmのシリコン基板２１」の「厚みの半分よりも深い位置」に集光することが理解できないとしても，変質層２１０を，１００μmの厚さに形成したウエーハ２に残されるクラック２１１の近傍に形成することは，当業者が容易に想到し得たことであるから，相違点１について本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・相違点２について
　上記第４の２（２）のとおり，引用文献２には，「基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領域によって，前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と，前記切断起点領域を形成する工程後，前記切断起点領域を起点として前記基板の厚さ方向に発生した割れの少なくとも一部が前記基板に残存し，且つ前記基板に前記改質領域が残存しないように前記基板を研磨する工程であって，前記研磨は，研削を含む意味で用いられている工程と，を備えることを特徴とする基板の分割方法」において，前記切断起点領域を，前記改質領域を断続的に形成することが記載されている。
　また，上記第４の３（２）のとおり，引用文献３には，改質領域は，断続的に形成される場合もあることが記載されている。
　すなわち，レーザ改質領域を，「一定の間隔で独立して形成」することは，引用文献２，３の記載から周知の手段であると認められるから，引用発明において，相違点２について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
・相違点３について
　引用発明は，「『変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに向けてクラック２１１が発生する』段階を含む『変質層形成工程』」，「裏面研削工程」及び「（ｇ）前記ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程であって，前記ウエーハ破断工程は，テープ拡張装置６を用いて実施するものであって，この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割されるものである工程」を備えた発明である。
　そして，前記「分割されるものである工程」において，「ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下」しているものの，「ウエーハ２」には，「外力を付与」することができるのであるから，当該「分割されるものである工程」が始まる時点においては，クラック２１１は，シリコン基板２１の表面２１ａには到達していないこと，すなわち，シリコン基板２１が，クラック２１１によって，個々のデバイスに分かれていないことが理解できる。
　そして，「分割されるものである工程」が始まる時点において，クラック２１１が，シリコン基板２１の表面２１ａには到達していないのであれば，それよりも前の時点である，変質層形成工程の終了時において，クラック２１１が，シリコン基板２１の表面２１ａには到達していないことは当然である。
　一方，上記「相違点１について」で検討したように，引用発明において，レーザ光の集光は，「ウェハの厚みの半分よりも深い位置」に行われていたか，もしくは，レーザ光の集光を，「ウェハの厚みの半分よりも深い位置」に行うことが容易であったことが認められる。
　そうすると，変質層形成工程の終了時において，クラック２１１が，レーザ光の集光する位置からより近い距離にあるシリコン基板２１の表面２１ａに到達していないのであるから，同じ変質層形成工程の終了時において，クラック２１１が，レーザ光の集光する位置からより遠い距離にあるシリコン基板２１の裏面２１ｂに到達していないことは明らかといえる。したがって，相違点３は，実質的なものではない。
　また，仮に，引用文献１の記載からは，引用発明が，「前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達せず」という構成を備えることを，直ちに理解することができないとしても，クラック２１１が，レーザ光の集光する位置からより近い距離にあるシリコン基板２１の表面２１ａに到達していない引用発明において，変質層形成工程の後に，レーザ光の集光する位置からより遠い距離にあるシリコン基板２１の裏面２１ｂに到達しないようにすることは当業者が適宜なし得たことであり，また，このような構成を採用したことによる格別の効果も認められない。
　すなわち，相違点３は，相違点１と同様に実質的なものではないか，あるいは，引用発明において，相違点３について，本願発明１の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　審判請求人は，令和元年８月９日に提出した意見書において，「（イ）ここで，引用文献１の段落［００３２］の「・・・第２の実施形態においては，先ずウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。・・・この結果，図１４に示すようにウエーハ２の基板２１には，内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されるとともに，変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに向けてクラック２１１が発生する。」の記載および図１４の記載からみて，引用発明においては，変質層形成工程が終了した時点では，変質層２１０から裏面２１ｂに向けて発生したクラック２１１は裏面２１ｂに到達していることは明らかといえる。」と主張するが，特許公報に記載される図面は，発明の理解を補助するためのものであって，図示の目的に応じて内容が取捨されて簡略なものとなっていることは周知の事項である。そして，図１４及び【００３２】の記載は，変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに「向けて」クラック２１１が「発生」するという，クラック２１１の生成の機序と，その方向を説明するものに過ぎず，当該図面及び明細書の当該記載が，クラック２１１が，表面２１ａおよび裏面２１ｂに到着することを説明するものであると認めることはできない。従って，審判請求人の主張は，引用文献１の記載の誤った理解に基づくものであり，当該理解に基づく前記主張は採用することができない。
　そして，これらの相違点１ないし３を総合的に勘案しても，本願発明１の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２，３に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　なお，審判請求人は，令和元年８月９日に提出した意見書において，「本願発明１は，相違点Ａに係る本願発明１の構成により，ウェハの裏面を研削する際に，レーザ光が透過した部分を含むレーザ改質領域を除去することが可能となると共に，研削中に研削液などがウェハ内部に浸透せず，研削中のチップ飛びを軽減し，レーザ改質領域から延びる微小亀裂のみをチップ断面に残すことが可能となり，安定した品質のチップを効率よく得ることができる，という効果を奏し，この効果はその構成を採用することではじめてもたらされるものであるから，当業者が予想できたものとはいえないものである。」と主張するが，これらの効果は，明細書に記載されたものではないから，審判請求人の前記主張を採用することはできない。
　したがって，本願発明１は，引用発明及び引用文献２，３に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものである。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１は，本願のもととなった特許出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明及び引用文献２，３に記載された事項に基づいて，そのもととなった特許出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。