【事件の表示】
　特願２０１４−２６３５５４「半導体装置用基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　７月　７日出願公開、特開２０１６−１２２８０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年１２月２５日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年１１月２０日付け：拒絶理由通知
　平成３０年　１月１１日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年　６月　４日付け：拒絶査定
　平成３０年　９月１０日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和　１年１１月２２日付け：拒絶理由通知
　令和　２年　１月２４日　　：意見書、手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明は、令和２年１月２４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
　金属板を有するとともに、所定幅または径の第１の所定状に形成された内部端子領域と、その一端が前記内部端子領域に接続し、かつ、該内部端子領域の幅または径よりも幅が細い細長形状に形成された配線部領域と、前記配線部領域の他端と接続し、かつ、該内部端子領域の幅または径よりも大きな幅または径の第２の所定形状に形成された外部端子領域とを、水平方向の異なる位置に備えためっき形成領域を前記金属板上に有する半導体装置用基板において、
　前記金属板上の前記めっき形成領域の全域に内部端子となる部位を有する内部端子面をなす第１の貴金属めっき層が前記金属板の面に接した状態に形成され、前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、更に前記金属めっき層の上における、前記めっき形成領域の前記外部端子領域に対応する部位に、部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層が形成され、
　前記第１の貴金属めっき層が、Ａｇめっき層、又は、順に積層されたＡｇめっき層とＰｄめっき層、又は、Ｐｄめっき層からなり、前記金属めっき層が、Ｎｉめっき層からなり、
　前記第２の貴金属めっき層が、Ａｕめっき層、又は、順に積層されたＰｄめっき層とＡｕめっき層からなり、
　前記第１の貴金属めっき層のみが、前記金属板の面に接するめっき層として形成され、
　前記第１の貴金属めっき層と同一形状の前記金属めっき層のみが、前記第１の貴金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層との間に位置するめっき層として形成され、
　前記第２の貴金属めっき層のみが、前記第１の貴金属めっき層と同一形状の前記金属めっき層表面から前記めっき形成領域の前記外部端子領域に対応する部位において部分的に突出するめっき層として形成され、
　更に前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に前記第２の貴金属めっき層の上面を露出させた状態で樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。」
第３　当審の拒絶理由の概要
　当審において令和１年１１月２２日付けで通知した拒絶理由は、次のとおりのものである。
　本願の請求項１、２に係る発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１．特開２００５−２４４０３３号公報
引用文献２．特開２００９−１６４５９４号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
　引用文献１には、図面とともに、次の事項が記載されている（下線は、当審で付したものである。以下同じ）。
「【００１３】
  以下、本発明の電極パッケージ及び該電極パッケージを用いた半導体装置について、図面を参照して説明する。なお、本発明は、樹脂封止されたリードレス表面実装型の
半導体装置に関し、その製造工程で使用される電極パッケージについて説明する。
【００１４】
  図１は、本発明の電極パッケージの一実施の形態を示しており、同図（ａ）はその表面図、同図（ｂ）はその背面図、同図（ｃ）はＩ−Ｉ線断面図である。同図に示すように、電極パッケージ２０は、後述する半導体素子が搭載されると共に、半導体素子と電気的に接続される導電パターン層２１と、この導電パターン層２１に積層して設けられ、同一形状の複数の独立した電極材からなる電極層２２とを備えている。この導電パターン層２１及び電極層２２とは、板状樹脂２３内に封止され、この板状樹脂２３の一方の板面から導電パターン層２１が露出し、他方の板面から電極層２２が露出している。
【００１５】
　導電パターン層２１は、その露出面側に形成された金（Ａｕ）ワイヤーが接続可能な金（Ａｕ）又は銀（Ａｇ）薄膜層と、このＡｕ又はＡｇ薄膜層に積層して形成された、ニッケル（Ｎｉ）、ニッケル・コバルト（Ｎｉ・Ｃｏ）又は銅（Ｃｕ）合金を電着したＮｉ、Ｎｉ・Ｃｏ又はＣｕ薄膜層とから構成される。また、
電極層２２は、
Ａｕ
薄膜層と、
Ｎｉ
薄膜層とから構成される。
【００１６】
　続いて、図１の電極パッケージ２０の製造方法の一実施の形態について、図２及び図３を参照して説明する。先ず、図２（ａ）に示すように、電極パッケージ２０を製造するにあたり、可撓性平板状の金属基板３０を用意する。金属基板３０は、薄いステンレス鋼板であり、その厚さは、０．１ｍｍである。そして、
金属基板３０の表面上において、導電パターン層２２（２１の誤記）を形成する部分を除いた部分に、レジスト膜３１を形成する。
【００１７】
　その後、金属基板３０を電着漕に侵漬し、金属基板３０と電着漕内の電極との間を通電して、
レジスト膜３１が形成されていない部分の
Ａｇ
Ｎｉ
の順に
電着させる。
金属基板３０の表面に、
Ａｇ薄膜層、Ｎｉ
薄膜層からなる導電パターン層２１が
【００１８】
　続いて、図２（ｃ）に示すように、
導電パターン層２１上において、電極層２２を形成する部分を除いた部分に、レジスト膜３２を形成する。
レジスト膜３２が形成されていない部分の導電パターン層２１に、Ｎｉ
Ａｕ
の順に電着させる。
導電パターン層２１上に電極層２２が形成される。
【００１９】
　次に、図２（ｅ）に示すように、
レジスト膜３１、３２を
除去した後、
スピン塗布法などにより樹脂２３を塗布する。その後、表面全体を削って
、樹脂２３の表面側から電極層２２を露出させる
「【００２１】
　また、導電パターン層２１、電極層２２の成膜法としては、金属基板３０上に導電パターン層２１、電極層２２を電着又はフラッシュ法等で真空蒸着した後、エッチングにより、導電パターン層２１、電極層２２以外の部分を除去することが考えられる。さらに、レジスト膜３１、３２は、導電パターン層２１及び電極層２２を形成した後、同時に除去していたが、導電パターン層２１を電着した後に、レジスト膜３１を除去し、電極層２２を電着した後に、レジスト膜３２を除去することも考えられる。」
「【００２３】
　半導体素子３３が搭載された後、金ワイヤ３４によって、
半導体素子３３の電極パッドと導電パターン層２１とを電気的に接続する。
【００２４】
　モールド金型内には、エポキシ樹脂がモールド金型（上型）に形成されたキャビティ（図示せず）により注入される。このモールド金型では、電極パッケージ２０が下型としての機能を果たす。この工程により、半導体素子３２が樹脂３５（樹脂パッケージ）内に封止され、半導体素子３３、導電パターン層２１、電極層２２が樹脂封止された樹脂封止体３６が形成される。また、この樹脂封止体３６の底面から露出している
電極層２２上に半田などの導電材を付着して、ボール状の導電端子１２を設ける。」
「【００２６】
　また、この電極パッケージを用いて半導体装置を製造する過程において、従来のように金属基板３０を剥離する工程も、均等な
導電端子１２を設けるためのレジスト膜１０を形成する必要もなくなる。
　上記【００１９】には「図２（ｅ）に示すように、レジスト膜３１、３２を同時に除去した後、図２（ｆ）に示すように、スピン塗布法などにより樹脂２３を塗布する。その後、表面全体を削って、図２（ｇ）に示すように、樹脂２３の表面側から電極層２２を露出させると共に、金属基板３０を剥離する。」と記載されている。
　ここで、金属基板３０は、導電パターン層２１、電極層２２及び樹脂２３を支える基板であるから（図２（ｆ））、樹脂の表面を研磨するなどの表面全体を削る工程において金属基板３０の支えが必要であり、金属基板３０の剥離は、当該工程の後に行なっていることは明らかである。したがって、【００１９】及び図２（ｆ）より、電極層２２を露出させるように樹脂２３が形成された金属基板３０が記載されているといえる。
　また、図２（ｆ）より、金属基板３０、導電パターン層２１及び電極２２の上に、樹脂２３を塗布することが見て取れる。
　さらに、図１及び図３より、正方形、長方形及びコの字型の導電パターン層２１に対して、電極層２２は所定の位置で重なっていることが見て取れる。
　したがって、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている（括弧内は、認定に用いた引用文献１の記載箇所である。）。
「金属基板３０の表面上において、導電パターン層２１を形成する部分を除いた部分に、レジスト膜３１を形成し（【００１６】）、
　レジスト膜３１が形成されていない部分の金属基板３０の表面に、Ａｇ薄膜層、Ｎｉ薄膜層の順に導電パターン層２１が電着され（【００１７】）、
　導電パターン層２１上において、電極層２２を形成する部分を除いた部分に、レジスト膜３２を形成し、
　レジスト膜３２が形成されていない部分の導電パターン層２１に、Ｎｉ薄膜層、Ａｕ薄膜層の順に電着され、導電パターン層２１上に電極層２２が形成され（【００１５】【００１８】）、
　レジスト膜３１、３２を除去した後、スピン塗布法などにより、金属基板３０、導電パターン層２１及び電極２２の上に樹脂２３を塗布し、その後、表面全体を削って、樹脂２３の表面側から電極層２２を露出させた金属基板３０であって（【００１９】、図２）、
　導電パターン層２１は、半導体素子３３の電極パッドを電気的に接続するもので（【００２３】）、
　電極層２２は、半田などの導電材を付着して、ボール状の導電端子１２を設けるもので（【００２４】）、
　正方形、長方形及びコの字型の導電パターン層２１に対して、電極層２２は所定の位置で重なっている（図１、３）、
　導電パターン層２１、電極層２２及び樹脂２３を備えている金属基板３０（図２（ｆ））。」
２　引用文献２の記載
　引用文献２には、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【０００７】
　本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、
平面方向で十分に小型化された樹脂封止型半導体装置
樹脂封止型半導体装置を得るための半導体装置用基板
を提供する
「【００４８】
　図１および図２（ａ）（ｂ）に示すように、
半導体装置用基板１０は、
外部端子部１２ｐ，１２ｑと、
内部端子部１１と、内部端子部１１と外部端子部１２ｐ，１２ｑとを基板上の平面内で接続する配線部１７と、を備えている。
「【００５０】
　また、図２（ａ）に示すように、
内部端子部１１は、
ワイヤボンド接続に対応している。
「【００５２】
　また、図２（ａ）に示すように、配置予定領域Ａ内に配置された一部の外部端子部１２ｐ以外の外部端子部１２ｑは、基板１上であって、内部端子部１１に対して平面方向外方に配置されている。本実施の形態においては、図２（ａ）に示すように、外部端子部１２ｑは、３つずつ列（行）になって、配置されている。なお、このように、外部端子部１２ｐ，１２ｑは、内部端子部１１の平面方向内方および平面方向外方の両方（広い範囲）に配置されているのに対して、内部端子部１１は、マトリックス状の外部端子部１２ｐを囲む一箇所（狭い範囲）に配置されているので、
内部端子部１１の大きさは、外部端子部１２ｐ，１２ｑの大きさよりも小さくする必要がある。
「【００５４】
　この
配線部１７は、
長円形状
の内部端子部１１のうち、外部端子部１２ｐ，１２ｑと近い方の端部に接続されている。
「【００６１】
　上述した
内部端子部１１および外部端子部１２ｐ，１２ｑの層構成は、
基板１側から順に、
Ａｕ／Ｎｉ／Ａｇ
からなることが好ましい。
　ここで、引用文献２に記載の内部端子部１１は、ワイヤボンド接続に対応しているので（【００５０】）、図２（ｂ）にも示されているように、内部端子部１１の幅は、配線部１７の幅より広いことは明らかである。
　したがって、【０００７】、【００４８】、【００５２】、【００５４】及び図２より、引用文献２には次の周知技術が記載されている。
「樹脂封止型半導体装置を小型化するために、半導体装置用基板において、内部端子部と外部端子部との接続部を、長円形状の内部端子部と、内部端子部より大きい外部端子部と、内部端子部と外部端子部とを接続する内部端子部より幅が細い配線部で構成する技術。」
　さらに、【００６１】より、引用文献２には「内部端子部１１および外部端子部１２ｐ，１２ｑの層構成を、基板１側から順にＡｕ／Ｎｉ／Ａｇとする技術。」も記載されている。
第５　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
１　引用発明の「金属基板３０」は、本願発明の「金属板」に相当する。
　また、引用発明の「導電パターン層２１」は「半導体素子３３の電極パッドを電気的に接続するもの」であるから、引用発明において「導電パターン層２１」が形成される領域は、本願発明の「所定幅または径の第１の所定状に形成された内部端子領域」に相当する。
　そして、引用発明の「導電パターン層２１」は「レジスト膜３１が形成されていない部分の金属基板３０の表面に、Ａｇ薄膜層、Ｎｉ薄膜層の順に」「電着され」たものであるから、「レジスト膜３１が形成されていない部分」、すなわち「導電パターン層２１」が形成される「金属基板３０の表面」の領域は、めっき形成領域であるといえる。そうすると、引用発明の「金属基板３０」は、本願発明でいう「めっき形成領域」を「金属基板３０」上に有しているから、本願発明の「めっき形成領域を前記金属板上に有する半導体装置用基板」に相当する。
　したがって、引用発明における導電パターン層２１を電着する「金属基板３０」は、本願発明の「金属板を有するとともに、所定幅または径の第１の所定状に形成された内部端子領域」を「備えためっき形成領域を前記金属板上に有する半導体装置用基板」に相当する。
　但し、めっき形成領域が、本願発明は、「所定幅または径の第１の所定状に形成された内部端子領域と、その一端が前記内部端子領域に接続し、かつ、該内部端子領域の幅または径よりも幅が細い細長形状に形成された配線部領域と、前記配線部領域の他端と接続し、かつ、該内部端子領域の幅または径よりも大きな幅または径の第２の所定形状に形成された外部端子領域とを、水平方向の異なる位置に備えた」めっき形成領域であるのに対して、引用発明には、その旨の記載がない。
２
（１）引用発明の「導電パターン層２１」は、「半導体素子３３の電極パッドを電気的に接続するもの」であるから、当該導電パターン層２１の「Ａｇ薄膜層」は内部端子となっており、その表面は内部端子面といえる。そして、「レジスト膜３１が形成されていない部分」の全域といえる領域が、「導電パターン層２１」を形成するための「金属基板３０の表面」におけるめっき形成領域であるので、引用発明における「導電パターン層２１」のうち「金属基板３０の表面」の「Ａｇ薄膜層」は、本願発明の「前記金属板上の前記めっき形成領域の全域に内部端子となる部位を有する内部端子面をなす」「前記金属板の面に接した状態に形成され」た「第１の貴金属めっき層」に相当する。
（２）引用発明は「レジスト膜３１が形成されていない部分の金属基板３０の表面に、Ａｇ薄膜層、Ｎｉ薄膜層の順に導電パターン層２１が電着され」たものであるから、「導電パターン層２１」の「Ａｇ薄膜層」と「Ｎｉ薄膜層」は、同一形状である。
　したがって、引用発明における「導電パターン層２１」のうち「Ｎｉ薄膜層」は、本願発明の「前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で」「形成され」た「金属めっき層」に相当する。
（３）引用発明の「電極層２２」は「半田などの導電材を付着して、ボール状の導電端子１２を設けるもの」であるから、引用発明において「電極層２２」が形成される領域は、本願発明の「前記めっき形成領域の前記外部端子領域」に相当する。
　そして、引用文献１の図１より、正方形、長方形及びコの字型の導電パターン層２１に対して、部分的に電極層２２が形成されていることが見て取れるので、引用発明における「電極層２２」のうち「Ａｕ薄膜層」は、本願発明の「更に前記金属めっき層の上における、前記めっき形成領域の前記外部端子領域に対応する部位に、部分的に」「形成され」た「外部端子となる第２の貴金属めっき層」に相当する。
　上記（１）〜（３）より、引用発明の「レジスト膜３１が形成されていない部分の金属基板３０の表面に、Ａｇ薄膜層、Ｎｉ薄膜層の順に導電パターン層２１が電着され、導電パターン層２１上に、」「Ｎｉ薄膜層、Ａｕ薄膜層の順に電着され、導電パターン層２１上に電極層２２が形成され」ることは、本願発明の「前記金属板上の前記めっき形成領域の全域に内部端子となる部位を有する内部端子面をなす第１の貴金属めっき層が前記金属板の面に接した状態に形成され、前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、更に前記金属めっき層の上における、前記めっき形成領域の前記外部端子領域に対応する部位に、部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層が形成され」ることに相当する。
３　上記２を踏まえると、引用発明の「導電パターン層２１」が順に電着された「Ａｇ薄膜層」及び「Ｎｉ薄膜層」からなることは、本願発明の「前記第１の貴金属めっき層が、Ａｇめっき層」「からなり、前記金属めっき層が、Ｎｉめっき層からな」ることに相当する。
　また、引用発明において「電極層２２」のうち後に電着された層が「Ａｕ薄膜層」からなることは、本願発明の「前記第２の貴金属めっき層が、Ａｕめっき層」「からな」ることに相当する。
４　引用発明の「金属基板３０の表面に、Ａｇ薄膜層、Ｎｉ薄膜層の順に導電パターン層２１が電着され、」「導電パターン層２１に、Ｎｉ薄膜層、Ａｕ薄膜層の順に電着され、導電パターン層２１上に電極層２２が形成され」ることとは、「導電パターン層２１」の「Ａｇ薄膜層」と「Ｎｉ薄膜層」は同一形状であることから（上記「２　（２）」）、本願発明の「前記第１の貴金属めっき層のみが、前記金属板の面に接するめっき層として形成され、前記第１の貴金属めっき層と同一形状の前記金属めっき層」「が、前記第１の貴金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層との間に位置するめっき層として形成され、前記第２の貴金属めっき層」「が、前記第１の貴金属めっき層と同一形状の前記金属めっき層表面から前記めっき形成領域の前記外部端子領域に対応する部位において部分的に突出するめっき層として形成され」ることに相当する。
　但し、第１の貴金属めっき層と第２の貴金属めっき層との間に位置するめっき層が、本願発明は、「前記第１の貴金属めっき層と同一形状の前記金属めっき層のみ」であるのに対して、引用発明には、その旨の記載がない。
　さらに、金属めっき層表面から部分的に突出するめっき層が、本願発明は、「前記第２の貴金属めっき層のみ」であるのに対して、引用発明には、その旨の記載がない。
５　引用文献１の図１より、正方形、長方形及びコの字型の導電パターン層２１に対して、部分的に電極層２２が形成されていることが見て取れる（上記「２　（３）」）。
　そして、引用発明は「金属基板３０、導電パターン層２１及び電極２２の上に樹脂２３を塗布し」ているので、「導電パターン層２１」の「Ｎｉ薄膜層」において「電極層２２」が形成されてない部位の上に「樹脂２３」が形成されている。
　したがって、引用発明の「金属基板３０、導電パターン層２１及び電極２２の上に樹脂２３を塗布し、その後、表面全体を削って、樹脂２３の表面側から電極層２２を露出させた金属基板３０」は、本願発明の「更に前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に前記第２の貴金属めっき層の上面を露出させた状態で樹脂層が形成されている」「半導体装置用基板」に相当する。
　すると本願発明と引用発明とは、次の（一致点）及び（相違点）を有する。
（一致点）
「金属板を有するとともに、所定幅または径の第１の所定状に形成された内部端子領域を備えためっき形成領域を前記金属板上に有する半導体装置用基板において、
　前記金属板上の前記めっき形成領域の全域に内部端子となる部位を有する内部端子面をなす第１の貴金属めっき層が前記金属板の面に接した状態に形成され、前記第１の貴金属めっき層の上に該第１の貴金属めっき層と同一形状で金属めっき層が形成され、更に前記金属めっき層の上における、前記めっき形成領域の前記外部端子領域に対応する部位に、部分的に外部端子となる第２の貴金属めっき層が形成され、
　前記第１の貴金属めっき層が、Ａｇめっき層からなり、前記金属めっき層が、Ｎｉめっき層からなり、
　前記第２の貴金属めっき層が、Ａｕめっき層からなり、
　前記第１の貴金属めっき層のみが、前記金属板の面に接するめっき層として形成され、
　前記第１の貴金属めっき層と同一形状の前記金属めっき層が、前記第１の貴金属めっき層と前記第２の貴金属めっき層との間に位置するめっき層として形成され、
　前記第２の貴金属めっき層が、前記第１の貴金属めっき層と同一形状の前記金属めっき層表面から前記めっき形成領域の前記外部端子領域に対応する部位において部分的に突出するめっき層として形成され、
　更に前記金属板および前記金属めっき層における前記第２の貴金属めっき層が形成されていない部位の上に前記第２の貴金属めっき層の上面を露出させた状態で樹脂層が形成されている半導体装置用基板。」
（相違点１）
　めっき形成領域が、本願発明は、「所定幅または径の第１の所定状に形成された内部端子領域と、その一端が前記内部端子領域に接続し、かつ、該内部端子領域の幅または径よりも幅が細い細長形状に形成された配線部領域と、前記配線部領域の他端と接続し、かつ、該内部端子領域の幅または径よりも大きな幅または径の第２の所定形状に形成された外部端子領域とを、水平方向の異なる位置に備えた」めっき形成領域であるのに対して、引用発明には、その旨の記載がない。
（相違点２）
　第１の貴金属めっき層と第２の貴金属めっき層との間に位置するめっき層が、本願発明は、「前記第１の貴金属めっき層と同一形状の前記金属めっき層のみ」であるのに対して、引用発明には、その旨の記載がない。
（相違点３）
　金属めっき層表面から部分的に突出するめっき層が、本願発明は、「前記第２の貴金属めっき層のみ」であるのに対して、引用発明には、その旨の記載がない。
第６　判断
１　上記相違点について検討する。
　まず、相違点１について検討する。
　引用文献２に記載されているように、樹脂封止型半導体装置を小型化するために、半導体装置用基板において、内部端子部と外部端子部との接続部を、長円形状の内部端子部と、内部端子部より大きい外部端子部と、内部端子部と外部端子部とを接続する内部端子部より幅が細い配線部で構成する技術は周知である（上記「第４　２」）。
　そして、半導体装置において装置を小型化することは一般的な課題であることろ、引用発明の「導電パターン層２１、電極層２２及び樹脂２３を備えている金属基板３０」についても、半導体装置に使用されるものであるから（【００１３】）、小型化が求められることは明らかである。
　そうすると、引用発明における内部端子部と外部端子部の接続部である「導電パターン層２１」及び「電極層２２」に上記周知技術を適用し、当該接続部を「長円形状の導電パターン層」と「導電パターン層より大きい電極層」と導電パターン層と電極層とを接続する「導電パターン層より幅が細い配線部」で構成し、「金属基板３０」のめっき形成領域を上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　次に、相違点２、３についてまとめて検討する。
　そもそも、内部端子となる第１の貴金属めっき層と外部端子となる第２の貴金属めっき層の間にある金属めっき層の層数は、半導体素子が搭載される内部端子部と外部端子部との間の必要な高さに応じて適宜決めれば良い設計的事項であるところ、引用文献２に、内部端子部１１および外部端子部１２ｐ，１２ｑの層構成として、基板１側から順にＡｕ／Ｎｉ／Ａｇの例が示されている（上記「第４　２」］）。してみれば、引用発明において、２層の「Ｎｉ薄膜層」のうち、後から形成される「電極層２２」の「Ｎｉ薄膜層」を省略することとして、「Ａｇ薄膜層」と「Ａｕ薄膜層」との間にある「Ｎｉ薄膜層」を１層にし、上記相違点２及び３の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　そして、上記相違点１ないし３を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用発明、引用文献２に記載された技術及び周知技術から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
　よって、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
２　請求人の主張について
　請求人は、令和２年１月２４日付けの意見書において、
「第４．本件請求人の意見
・・・
２．しかし、引用文献１、２に記載のものにおける課題は、いずれも、本願発明を導出する起因となった課題とは全く異なる。このため、本願発明１、２に対する『引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。』とした審判官の認定には誤りがある。以下、詳述する。」
「（１）本願発明を導出する起因となった課題
ア．本願発明の課題は、本願明細書で特許文献１として挙げた特開２００９−１６４５９４号公報に記載されている、従来の『金属板を有するとともに、所定幅または径の第１の所定形状に形成された内部端子領域と、その一端が内部端子領域に接続し、かつ、内部端子領域の幅または径よりも幅が細い細長形状に形成された配線部領域と、配線部領域の他端と接続し、かつ、内部端子領域の幅または径よりも大きな幅または径の第２の所定形状に形成された外部端子領域とを、水平方向の異なる位置に備えためっき形成領域を金属板上に有し、金属板上のめっき形成領域の全域に金属板側から外部端子部を有する外部端子面をなすめっき層が金属板の面に接した状態に形成され、その上に中間層をなすめっき層が同じ形状で形成され、更にその上に内部端子部をなすめっき層を有する内部端子面が同じ形状で形成された』半導体装置用基板における、『内部端子領域と、配線部領域と、外部端子領域とを、水平方向の異なる位置に備えためっき形成領域の全域に、金属板側から外部端子部を有する外部端子面をなすめっき層を金属板の面に接した状態に形成し、最上層に
内部端子部を有する内部端子面をなすめっき層を形成すると実際の生産においては、めっき厚のばらつきが発生し
外部端子面全体を覆う樹脂を形成し、外部端子部のみが露出する開口部を形成する工程が必要となっている。
「（２）引用文献１に記載のものの課題
ア．これに対し、引用文献１に記載のものの課題は、『表面実装型の半導体装置に用いられる従来の電着フレームは、互いに独立した複数の金属層が、金属基板によって支持されており、金属基板をつけた状態で、各半導体装置のメーカに納品する必要があるため、電着フレームを納品する際の重量が重くなり、納品コストがかかる』（引用文献１の段落０００２〜０００５参照）、
『各メーカにおいて、上述した電着フレームを用いて、半導体装置を作る際には、金属基板を剥がす必要があり、手間がかかると共に、金属基板を剥がす装置を所有する必要が有り、さらに、半導体素子と金属層間の絶縁距離を確保する必要があり、半導体装置を小型にすることができず、半導体素子に対して大きな面積を必要とし、半導体装置の製造原価が高騰する要因となっていた。』（引用文献１の段落０００６参照）という問題を解決することである。」と主に主張している。
　上記主張について検討する。
　引用文献１には、金属基板３０に、導電パターン層２１と電極層２２とを積層した後、図２（ｆ）に示すように、スピン塗布法などにより樹脂２３を塗布し、その後、表面全体を削って、図２（ｇ）に示すように、樹脂２３の表面側から電極層２２を露出させると共に、金属基板３０を剥離して、電極パッケージ２０を製造し（【００１９】）、半導体素子３３が搭載された後、金ワイヤ３４によって、半導体素子３３の電極パッドと導電パターン層２１とを電気的に接続し、半導体素子３３が搭載されて、ワイヤボンディングされた後の電極パッケージ２０が、モールド金型（下型）に装着され（【００２３】）、モールド金型内には、エポキシ樹脂がモールド金型（上型）に形成されたキャビティ（図示せず）により注入され、このモールド金型では、電極パッケージ２０が下型としての機能を果たし、この工程により、半導体素子３２が樹脂３５（樹脂パッケージ）内に封止され、半導体素子３３、導電パターン層２１、電極層２２が樹脂封止された樹脂封止体３６が形成され、この樹脂封止体３６の底面から露出している電極層２２上に半田などの導電材を付着して、ボール状の導電端子１２を設けるすること（【００２４】）が記載されている。
　そうすると、引用発明において、「導電パターン層２１」は「金属基板３０の表面」に形成され、その後、「金属基板３０」を剥離しているので、「半導体素子３３の電極パッドを電気的に接続する」ための内部端子面となる「導電パターン層２１」の「Ａｇ薄膜層」の表面に、高低差が存在しないことは明らかである。
　また、モールド金型では、電極パッケージ２０が下型としての機能を果たして、樹脂封止体３６の底面から「電極層２２」が露出するのであるから、引用文献１に「導電端子１２を設けるためのレジスト膜１０を形成する必要もなくなる」（【００２６】）と記載されているように、外部端子面全体を覆う樹脂を形成し、「電極層２２」のみが露出する開口部を形成する工程は必要ない。
　したがって、請求人が主張する上記本願発明の課題は、引用発明において解決しており、上記主張を採用することができない。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。