【事件の表示】
　特許第３１０８８５６号「樹脂パッケージ型半導体装置およびこれを実装した電子回路基板」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０８８５６号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１０８８５６号は、平成７年１２月２８日に出願され、平成１２年９月１４日に、その請求項１、２に係る発明について特許権の設定登録がなされたところ、尾島浩敬より特許異議の申立てがあり、当審より取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１月７日に訂正請求がなされたものである。
　
II．訂正について
１．特許権者が求める訂正は、本件特許に係る願書に添付した明細書及び図面（以下、それぞれ「特許明細書」及び「特許図面」という。）を、平成１４年１月７日付訂正請求書に添付した訂正明細書および訂正図面のとおり訂正することを求めるものであり、その訂正の内容は以下のとおりである。
（１）訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】樹脂パッケージの内部に半導体チップを収容するとともに、上記半導体チップと導通するリード、および上記半導体チップの熱を放熱するための、上記リードよりも広幅の放熱プレートがそれぞれ上記樹脂パッケージの側面から延出させられており、上記リードの先端部に形成した水平部が回路基板上の配線パターンに、上記放熱プレートの先端部に形成した水平部が回路基板上の放熱パターンに、それぞれハンダ付けされるように構成された樹脂パッケージ型半導体装置であって、上記放熱プレートは、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、上記水平部の両側縁を、その基端付近から先端にかけて次第に幅方向内方に退避する非平行部としたことを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２を、「【請求項２】所定の配線パターンと所定の放熱パターンとを有する回路基板上に、請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体装置を、上記リードの水平部を上記配線パターンに、上記放熱プレートの水平部を上記放熱パターンに、それぞれハンダリフローの手法によりハンダ付けすることにより、実装したことを特徴とする、電子回路基板。」と訂正する。
（３）訂正事項c
　特許明細書の段落【0003】の「図10」を「図９」に、同段落【0007】の「図10」、「図11」をそれぞれ「図9」、「図10」に、同段落【0008】の「図11」を「図10」に、同段落【0016】の「図1ないし図9」を「図1ないし図8」に、および「図10および図11」を「図9ないし図10」に、同段落【0030】の「図7ないし図9は、」を「図7および図8は」に、それぞれ訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許明細書の段落【0032】を繰り上げて【0031】とするとともに、同段落中、「図9」とあるのを「図8」に訂正し、段落【0033】を繰り上げて段落【0032】とする。
（５）訂正事項ｅ
　特許明細書の段落【0011】中、「上記放熱プレートにおける上記水平部の両側縁を、」を、「上記放熱プレートは、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、上記水平部の両側縁を、」に訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　特許明細書の段落【0012】を「従来におけるこの種の樹脂パッケージ型半導体装置においては、放熱プレートの先端方が単純な矩形をしていたのに対し、上記構成の樹脂パッケージ型半導体装置においては、放熱プレートにおける水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、水平部の両側縁を、基端付近から先端にかけて次第に幅方向内方に退避する非平行部となるようにしている。」に訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　特許明細書の図面の簡単な説明中、【図9】、【図10】、【図11】の説明を、【図8】、【図9】、【図10】の説明に繰り上げる。
（８）訂正事項ｈ
　特許図面中、図８を削除して、図９ないし図１１の図面番号を、それぞれ図８ないし図１０と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の請求項１に「上記放熱プレートにおける上記水平部の両側縁を、」とあるのを、「上記放熱プレートは、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、上記水平部の両側縁を、」と訂正するものであって、これは放熱プレートにおける水平部以外の部分が一定幅のままであると限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。そして、特許図面図２〜図４等に放熱プレートの形状が明確に記載されていることから、訂正事項ａは、特許明細書又は特許図面に記載された事項の範囲内のものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、特許明細書の請求項２に、「それぞれハンダ付けすることにより、」とあるのを、「それぞれハンダリフローの手法によりハンダ付けすることにより、」と訂正するものであって、これはハンダ付けの手法を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。そして、訂正事項ｂは、特許明細書の段落【0014】に、「本願発明の第２の側面によれば、上述した各樹脂パッケージ型半導体装置をハンダリフローによって実装した電子回路基板が提供される。」と記載されていることから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）訂正事項ｃ、ｄ、ｇ、ｈについて
　訂正事項ｃ、ｄ、ｇ、ｈは、特許図面図８を削除したことに伴う、特許明細書及び特許図面の記載事項の整合を図るための訂正であって、明りょうでない記載の釈明に該当し、特許明細書又は特許図面に記載された事項の範囲内のものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項ｅ、ｆについて
　訂正事項ｅ、ｆは、訂正事項ａに伴う、特許明細書の記載事項の整合を図るための訂正であって、明りょうでない記載の釈明に該当し、特許明細書に記載された事項の範囲内のものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
３．まとめ
　よって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び同第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
III．異議申立について
１．本件発明　
　本件の請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、平成１４年１月７日付訂正請求書に添付した訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】樹脂パッケージの内部に半導体チップを収容するとともに、上記半導体チップと導通するリード、および上記半導体チップの熱を放熱するための、上記リードよりも広幅の放熱プレートがそれぞれ上記樹脂パッケージの側面から延出させられており、上記リードの先端部に形成した水平部が回路基板上の配線パターンに、上記放熱プレートの先端部に形成した水平部が回路基板上の放熱パターンに、それぞれハンダ付けされるように構成された樹脂パッケージ型半導体装置であって、上記放熱プレートは、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、上記水平部の両側縁を、その基端付近から先端にかけて次第に幅方向内方に退避する非平行部としたことを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置。
【請求項２】所定の配線パターンと所定の放熱パターンとを有する回路基板上に、請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体装置を、上記リードの水平部を上記配線パターンに、上記放熱プレートの水平部を上記放熱パターンに、それぞれハンダリフローの手法によりハンダ付けすることにより、実装したことを特徴とする、電子回路基板。」
　
２．異議申立の概要
　異議申立人は、甲第１号証（特開平２−２８４４５６号公報）、甲第２号証（実願平２−９１０４９号（実開平４−４８６４１号）のマイクロフィルム）を提出し、本件発明１、本件発明２は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１、本件発明２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであって、取り消されるべきである旨主張する。
　
３．甲第１、２号証の記載事項
（１）甲第１号証；
「（１）単位リードパターンが少なくとも一列複数並んで配設されたリードフレームであって、前記単位リードパターンは枠片が辺Ａと辺Ｂとからなる矩形状の枠体と、前記枠体の中央に位置するとともに対面する一対の枠片の辺Ａの近傍にまで両端が延在しかつ中央部分がタブとなり両端部分が放熱フィンとなる幅広片と、前記枠片の辺Ａの近傍に外端を臨ませるとともに外端部分は前記枠片の辺Ｂに平行に延在しかつ内端は前記タブ近傍に延在する複数のリードと、前記一対の枠片の辺Ｂ間に亘って設けられるとともに前記リードの外端部分及び放熱フィン部分を貫くように連結するダムと、前記幅広片の両端部分と前記枠片の辺Ａを連結する細い接続部とを有することを特徴とするリードフレーム。」（特許請求の範囲）、「このようなリードフレーム１は、前記幅広片９の中央のタブ１３にＩＣチップ２２が固定されるとともに、このＩＣチップ２２の電極と対応するリード１０のインナーリード２１部分はワイヤ２３で電気的に接続され、かつトランスファモールドによってモールドされて二点鎖線で示されるようなパッケージ２４が形成される。」（第３頁左上欄１〜７行）、「この半導体装置３３，すなわちＳＯＰパッケージは、第３図に示されるように、配線基板３４に面付け法にて実装される。各リード１０は一部図示する配線層３５に図示しない半田で接続される。また、放熱フィン１４の先端も放熱を兼ねる配線層３５に図示しない半田を介して接続される。」（第５頁右上欄２０行〜左下欄５行）と記載されている。
（２）甲第２号証：
「電子部品の端縁から導出された多数のクランク状リード端子を備えた電子部品において、該リード端子先端の溶着部の幅を先端部へ向かうほど狭くなる様にしたことを特徴とする電子部品のリード端子形状。」（実用新案登録請求の範囲）、「このようにリード端子の先端部の形状を先端部に向かうほど細くしているため、先端部１２ａが第１図のＢに示す様に多少横方向（プリント基板とほぼ平衡な方向）に屈曲したとしてもパッド１３からはみ出ることがない。その結果、ハンダブリッジの発生率を大幅に低減することができる。」（第４頁第１７行〜第５頁第３行目）と記載されている。　
　
４．対比・判断
（１）本件発明１について、
　甲第１号証の記載からみれば、甲第１号証には、パッケージの内部にＩＣチップを収容するとともに、上記ＩＣチップと導通するリード、および上記ＩＣチップの熱を放熱するための、上記リードよりも広幅の放熱フィンがそれぞれ上記パッケージの側面から延出させられており、上記リードの先端部に形成した水平部が配線基板上の配線層に、上記放熱フィンの先端部に形成した水平部が配線基板上の配線層に、それぞれハンダ付けされるように構成された半導体装置の発明が記載されているものと認められる。
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証に記載のパッケージ、ＩＣチップ、リード、放熱フィン、配線基板、配線層及び放熱を兼ねる配線層は、本件発明１の樹脂パッケージ、半導体チップ、リード、放熱プレート、回路基板、配線パターン及び放熱パターンに相当するものであるから、両者は、「樹脂パッケージの内部に半導体チップを収容するとともに、上記半導体チップと導通するリード、および上記半導体チップの熱を放熱するための、上記リードよりも広幅の放熱プレートがそれぞれ上記樹脂パッケージの側面から延出させられており、上記リードの先端部に形成した水平部が回路基板上の配線パターンに、上記放熱プレートの先端部に形成した水平部が回路基板上の放熱パターンに、それぞれハンダ付けされるように構成された樹脂パッケージ型半導体装置」である点で一致し、本件発明１は、放熱プレートの形状を、「上記放熱プレートは、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、上記水平部の両側縁を、その基端付近から先端にかけて次第に幅方向内方に退避する非平行部とした」と定めているのに対し、甲第１号証には、放熱プレートをかかる形状とすることが記載されていない点で相違する。
  上記相違点について検討すると、甲第２号証には、電子部品の端縁から導出された多数のクランク状リード端子を備えた電子部品において、リード端子の先端部の幅を先端へ向かうほど小さくしているので、先端部が横方向へ曲がっていたとしてもパッドからはみ出すことが少なくなり、その結果隣接するパッドとの間にハンダブリッジが生じることを防止できること、即ち、細いリード端子の曲りによって生じるパッド間でのハンダブリッジ生成を防止するために、リード端子の形状を先細形状とすることが記載されているのみであって、リードより広幅とされる放熱プレートの形状については何らの開示も示唆もない。
　したがって、甲第２号証の記載から、上記相違点を当業者が容易に想到し得るとすることはできない。
　そして、本件発明１は、上記相違点を発明特定事項として備えることにより、本件明細書中の「ハンダリフローによる実装時、放熱プレートの水平部の周囲から溶融ハンダがはみ出したとしても、このはみ出した溶融ハンダを放熱パターン上に滞留させておくことができる。」（【００１３】参照）、「この放熱プレート３は、・・・半導体チップが発する熱を効率的に回路基板に形成した放熱パターン６に逃がすためのものであり、条件がゆるす限りにおいてできるだけ広幅として、放熱容量が高められる。」（【００１８】参照）、「ハンダリフローによる実装時に放熱プレートの水平部の側縁からはみ出す溶融ハンダによって放熱プレートないしは放熱パターンと、リードないしは配線パターンとの間が短絡不良を起こすとという問題が、効果的に回避される。」（【００２３】参照）との記載からも明らかなように、放熱プレートの放熱効果を低下させることなく、放熱プレート周囲からはみ出した溶融ハンダを放熱パターン上に滞留させ、放熱プレートないしは放熱パターンと、リードないしは配線パターンとの間のはみ出したハンダにより生じる短絡不良を回避できるという顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
（２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の発明特定事項全てを備え、更に他の発明特定事項を付加したものに相当するから、本件発明１についての対比・判断で説示したと同様の理由により、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
IV．むすび
　以上のとおり、特許異議の申立ての理由によっては本件発明１及び本件発明２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１及び本件発明２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１及び本件発明２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願についてされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月８日（２００２．３．８）
【訂正の要旨】
訂正事項（１）；
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１を、
「【請求項１】樹脂パッケージの内部に半導体チップを収容するとともに、上記半導体チップと導通するリード、および上記半導体チップの熱を放熱するための、上記リードよりも広幅の放熱プレートがそれぞれ上記樹脂パッケージの側面から延出させられており、上記リードの先端部に形成した水平部が回路基板上の配線パターンに、上記放熱プレートの先端部に形成した水平部が回路基板上の放熱パターンに、それぞれハンダ付けされるように構成された樹脂パッケージ型半導体装置であって、上記放熱プレートは、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、上記水平部の両側縁を、その基端付近から先端にかけて次第に幅方向内方に退避する非平行部としたことを特徴とする、樹脂パッケージ型半導体装置。」と訂正する。
訂正事項（２）；
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２を、
「【請求項２】所定の配線パターンと所定の放熱パターンとを有する回路基板上に、請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体装置を、上記リードの水平部を上記配線パターンに、上記放熱プレートの水平部を上記放熱パターンに、それぞれハンダリフローの手法によりハンダ付けすることにより、実装したことを特徴とする、電子回路基板。」と訂正する。
訂正事項（３）；
　特許明細書の段落【０００３】の「図１０」を「図９」に、同段落【０００７】の「図１０」、「図１１」をそれぞれ「図９」、「図１０」に、同段落【０００８】の「図１１」を「図１０」に、同段落【００１６】の「図１ないし図９」を「図１ないし図８」に、および「図１０および図１１」を「図９ないし図１０」に、同段落【００３０】の「図７ないし図９は、」を「図７および図８は」に、それぞれ訂正する。
訂正事項（４）；
　特許明細書の段落【００３２】を繰り上げて【００３１】とするとともに、同段落中、「図９」とあるのを「図８」に訂正し、段落【００３３】を繰り上げて段落【００３２】とする。
訂正事項（５）；
　特許明細書の段落【００１１】中、「上記放熱プレートにおける上記水平部の両側縁を、」を、「上記放熱プレートは、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、上記水平部の両側縁を、」に訂正する。
訂正事項（６）；
　特許明細書の段落【００１２】を「従来におけるこの種の樹脂パッケージ型半導体装置においては、放熱プレートの先端方が単純な矩形をしていたのに対し、上記構成の樹脂パッケージ型半導体装置においては、放熱プレートにおける水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、水平部の両側縁を、基端付近から先端にかけて次第に幅方向内方に退避する非平行部となるようにしている。」に訂正する。
訂正事項（７）；
　特許明細書の図面の簡単な説明中、【図９】、【図１０】、【図１１】の説明を、【図８】、【図９】、【図１０】の説明に繰り上げる。
訂正事項（８）；
　願書に添付した図面中、図８を削除して、図９ないし図１１の図面番号を、それぞれ図８ないし図１０と訂正する。
（５４）【発明の名称】
樹脂パッケージ型半導体装置およびこれを実装した電子回路基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　樹脂パッケージの内部に半導体チップを収容するとともに、上記半導体チップと導通するリード、および上記半導体チップの熱を放熱するための、上記リードよりも広幅の放熱プレートがそれぞれ上記樹脂パッケージの側面から延出させられており、上記リードの先端部に形成した水平部が回路基板上の配線パターンに、上記放熱プレートの先端部に形成した水平部が回路基板上の放熱パターンに、それぞれハンダ付けされるように構成された樹脂パッケージ型半導体装置であって、
　上記放熱プレート
は、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、
　【請求項２】　所定の配線パターンと所定の放熱パターンとを有する回路基板上に、請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体装置を、上記リードの水平部を上記配線パターンに、上記放熱プレートの水平部を上記放熱パターンに、それぞれ
ハンダリフローの手法により
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する分野】
　本願発明は、放熱プレートを有する樹脂パッケージ型半導体装置およびこれを実装した電子回路基板に対する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　たとえばパワーＩＣ等、動作時の発熱量の多い半導体チップを内蔵する樹脂パッケージ型半導体装置においては、上記半導体チップが発する熱を効率的に外部に逃がすための放熱プレートを設けたものがある。
　【０００３】
　図
９
　【０００４】
　一方、回路基板上には、上記各リード２と対応する配線パターン５、および上記放熱プレート３と対応する放熱パターン６が、たとえば銅箔にパターンエッチングを施すなどすることにより形成されている。
　【０００５】
　従来、上記放熱プレート３は、基端から先端にいたるまで一定幅をもつようにして、単純な矩形の端部を有するように形成されていた。また、この放熱プレート３と対応する上記放熱パターン６もまた、上記放熱プレート３の幅寸法と対応する単純な一定幅を有する帯状パターンに形成されていた。すなわち、上記放熱プレート３の側縁３２と、上記放熱パターン６の側縁６２とは、平面視において互いに平行となっていたのであり、それであるがゆえに、上記樹脂パッケージ型半導体装置をいわゆるハンダリフローの手法によって上記回路基板上に実装するに際して、次のような問題が頻発していた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　すなわち、面実装型の電子部品をハンダリフローの手法によって回路基板上に実装する場合、まず、回路基板上の配線の選択された部位に、クリームハンダを印刷によって塗布する。そうして、電子部品を位置決め状態において回路基板上に載置し、その状態において回路基板を加熱炉に導入する。そうすると、クリームハンダ内の溶剤が蒸発するとともにハンダ成分が溶融し、この溶融ハンダによって電子部品のリードと回路基板上の配線パターン等が電気的に導通させられ、かつこの溶融ハンダが固化することにより、リードと配線パターン間の機械的連結が図られる。
　【０００７】
　これを図
９
１０
１０
　【０００８】
　たとえば、上記放熱パターン６に印刷塗布されたクリームハンダ３Ａの横幅寸法Ｌ２を、たとえば配線パターン５に印刷塗布されたクリームハンダ２Ａの横幅の４倍であると仮定する。すなわち、放熱パターン６上には、配線パターン５上のクリームハンダの４倍の量のクリームハンダが印刷塗布される。しかしながら、放熱パターン６上のクリームハンダ３Ａの周囲長さは、配線パターン５上のクリームハンダ２Ａの周囲長さの４倍とはならず、図
１０
　【０００９】
　すなわち、クリームハンダが印刷塗布された状態において回路基板上に半導体装置Ｄを載置し、これを加熱炉に投入してクリームハンダのハンダ成分が溶融するとき、半導体装置の重みに起因して、各ハンダ層の上に載るリードおよび放熱プレートの各水平部２１，３１が、上記溶融ハンダを上方から押圧する。この押圧力によって、リード２および放熱プレート３の各水平部２１，３１と配線パターン５および放熱パターン６との間にそれぞれ介在する溶融ハンダは、リードの水平部２１および放熱プレートの水平部３１の周囲からはみ出そうとする。このとき、ハンダ塗布面の周囲延長長さに対して塗布されているハンダの量がリード接合部に対して放熱プレート接合部の方が多いため、放熱プレート３の水平部３１の周囲からはみ出そうとする溶融ハンダ量が相対的に多くなる。これによって、放熱パターン６とこれに隣接する配線パターン５との間が上記のようにはみ出した溶融ハンダによって短絡してしまうことがある。このような傾向は、リード２のファインピッチ化が進むほど顕著となる。
　【００１０】
　本願発明は、上記のような事情のもとで考え出されたものであって、放熱プレートを有する面実装型の樹脂パッケージ型半導体装置をハンダリフローの手法によって回路基板に実装する場合において、放熱プレートとリードとの間の電気的短絡不良の発生を、簡単な構成により回避することをその課題としている。
　【００１１】
　【発明の開示】
　本願発明の第１の側面による樹脂パッケージ型半導体装置は、樹脂パッケージの内部に半導体チップを収容するとともに、上記半導体チップと導通するリード、および上記半導体チップの熱を放熱するための、上記リードよりも広幅の放熱プレートがそれぞれ上記樹脂パッケージの側面から延出させられており、上記リードの先端部に形成した水平部が回路基板上の配線パターンに、上記放熱プレートの先端部に形成した水平部が回路基板上の放熱パターンに、それぞれハンダ付けされるように構成された樹脂パッケージ型半導体装置であって、
　上記放熱プレート
は、上記水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、
　【００１２】
　従来におけるこの種の樹脂パッケージ型半導体装置においては、放熱プレートの先端方が単純な矩形をしていた
の
においては、放熱プレートにおける水平部を除く部位を、両側縁が互いに平行な一定幅とする一方、
　【００１３】
　放熱プレートにおける上記水平部の両側縁に形成される非平行部は、放熱パターンの側縁に対してその幅方向内方に退避した恰好となる。したがって、ハンダリフローによる実装時、放熱プレートの水平部の周囲から溶融ハンダがはみ出したとしても、このはみ出した溶融ハンダを放熱パターン上に滞留させておくことができる。これにより、溶融ハンダによる放熱プレートとリードとの間の短絡不良の発生を有効に回避することができる。
　【００１４】
　本願発明の第２の側面によれば、上述した各樹脂パッケージ型半導体装置をハンダリフローによって実装した電子回路基板が提供される。この電子回路基板において、放熱プレートの水平部とリードとの間の短絡不良の発生が効果的に抑制されることは、上述したことから明らかであろう。
　【００１５】
　本願発明のその他の特徴および利点は、図面を参照して以下に行う詳細な説明から、より明らかとなろう。
　【００１６】
　【発明の実施形態】
　以下、本願発明の好ましい実施形態を、図１ないし図８を参照して具体的に説明する。なお、これらの図において、すでに図９および図１０を参照して説明した従来例と同様の部材また部分には、同一の符号を付してある。
　【００１７】
　図１は、本願発明の第１の実施形態にかかる樹脂パッケージ型半導体装置Ｄを回路基板上に実装した状態を示す斜視図、図２は、同半導体装置Ｄの平面図である。
　【００１８】
　図１に示すように、この樹脂パッケージ型半導体装置Ｄは、いわゆるデュアルインライン型であって、面実装型に構成してある。平面視略長矩形状をしていて所定厚みを有する樹脂パッケージ１の両側面には、複数本のリード２および放熱プレート３が延出させられている。各リード２および放熱プレート３は、クランク状に折り曲げられており、それぞれ、回路基板における配線パターン５および放熱パターン６にハンダ接合するための水平部２１，３１が形成されている。各リード２は、樹脂パッケージ１の内部において、半導体チップＣの所定のパッドに対してワイヤボンディングによって結線されている。上記放熱プレート３は、樹脂パッケージ１の内部において、半導体チップＣに接触させられている。この放熱プレート３は、たとえばパワーＩＣ等、動作時に発熱量の多い半導体チップを内蔵する半導体装置において、上記半導体チップが発する熱を効率的に回路基板に形成した放熱パターン６に逃がすためのものであり、条件がゆるす限りにおいてできるだけ広幅として、放熱容量が高められる。一方、各リード２は、ファインピッチ化が進むにしたがい、細幅化ないし狭ピッチ化が進められる。
　【００１９】
　本願発明は、上記放熱プレート３の特に水平部３１の形態に特徴づけられる。図１および図２に示す第１の実施形態においては、上記放熱プレート３の水平部３１の平面視形態を台形状としている。すなわち、この水平部３１の両側縁は、その基端から先端方に向かうにつれて互いに幅狭となるように傾斜させられている。
　【００２０】
　一方、回路基板上の放熱パターン６は、放熱プレート３の最大幅と対応させた一定幅を有する帯状に形成されている。また、回路基板には、上述したように、上記放熱プレート３の水平部３１に対して接続される放熱パターン６の他、各リード２の水平部２１に接続される配線パターン５が、いわゆるプリント配線基板の作製の手法によって形成されている。すなわち、ガラスエポキシ等の基板材料の表面に銅等からなる導体金属箔を形成した後、パターンエッングによって不要部分を除去することにより、上記各配線パターン５ないし放熱パターン６が形成される。なお、この放熱パターン６は、グランドを兼ねることがある。
　【００２１】
　上記構成を有する樹脂パッケージ型半導体装置Ｄの回路基板への実装は、いわゆるハンダリフローによる手法によって行われる。すなわち、各配線パターン５および放熱パターン６の先端部に、クリームハンダが印刷塗布された状態において、上記半導体装置Ｄを、その各リード２および放熱プレート３の水平部２１，３１が上記のようにしてクリームハンダが塗布された各パターン５，６上に載るようにして回路基板上に載置され、この状態において回路基板全体を加熱炉に所定時間投入するとともに、冷却する。
　【００２２】
　クリームハンダは、加熱によってその溶剤成分が蒸発するとともにハンダ成分が溶融し、この溶融ハンダが各リード２の水平部２１と配線パターン５との間に行きわたり、かつ放熱プレート３の水平部３１と放熱パターン６との間に行きわたる。この際、半導体装置Ｄの重みによって、溶融ハンダが各リード２の水平部２１からはみ出そうとし、かつ放熱プレート３の水平部３１の周縁からはみ出そうとする。従来技術の項で説明したように、放熱プレート３の幅がリード２の幅よりも広いことから、上記のようにして水平部の周縁からはみ出そうとする溶融ハンダの量がリードの場合よりも多くなるが、図１および図２に示すように、上記放熱プレート３の水平部３１の形態を非矩形の先細状としておくと、図３に詳示するように、上記水平部３１の傾斜側縁３２，３２に沿うようにして上記のようにはみ出そうとする溶融ハンダを放熱パターン６上に滞留させることができる。
　【００２３】
　したがって、従来のように、ハンダリフローによる実装時に放熱プレートの水平部の側縁からはみ出す溶融ハンダによって放熱プレートないしは放熱パターンと、リードないしは配線パターンとの間が短絡不良を起こすとという問題が、効果的に回避される。
　【００２４】
　次に、図４ないし図６を参照し、上記構成をもつ樹脂パッケージ型半導体装置Ｄの製造方法を説明する。
　【００２５】
　この樹脂パッケージ型半導体装置Ｄは、通常のこの種の半導体装置と同様、リードフレームと呼ばれる製造用フレーム１０を用いて製造される。図４に示すように、左右のサイドフレーム１１，１２間を掛けわたすようにして、長手方向に所定間隔を開けてクロスフレーム１３が形成され、隣合うクロスフレーム１３，１３と左右のサイドフレーム１１，１２とで囲まれる領域を一区画として、その内部にダイパッドを兼ねた放熱プレート３と、複数のリード２とが形成されている。各リード２を外部リード２ａと内部リード２ｂとに区画する部位は、タイバー１４によってつながれており、このタイバー１４はまた、上記ダイパッドを兼ねた放熱プレート３の中間部にも連結されている。
　【００２６】
　上記のような製造用フレームを長手方向にピッチ送りしながら、上記ダイパッド３上に所定の半導体チップＣをボンディングし、かつこの半導体チップＣの上面パッドと各内部リードとの間がワイヤボンディングによって結線される。
　【００２７】
　次に図５に示すように、左右のサイドフレーム１１，１２の内側縁と、タイバー１４，１４の内側縁とで囲まれる矩形領域が、所定のキャビティ形状をもつ金型装置によって樹脂モールドされ、樹脂パッケージ１の外形ができあがる。
　【００２８】
　次に、図６に示すように、タイバー１４の不要部分がたとえば打ち抜きによって切除されて各リード２および放熱プレート３が分離され、そうして、図６に仮想線で示す切断線に沿って、各外部リード２ａおよび放熱プレート３が切断される。そうして、各外部リード２ａおよび放熱プレート３がクンラク状に折り曲げられ図１に示すような樹脂パッケージ型半導体装置Ｄができあがる。
　【００２９】
　本願発明の樹脂パッケージ型半導体装置Ｄは、放熱プレート３の特に水平部２１の形態に特徴づけられるが、かかる放熱プレート３の形態は、図４ないし図６からわかるように、製造用フレームの段階において、形成しておくことができる。このことは、本願発明は、放熱プレート３をもつ樹脂パッケージ型半導体装置を製造するための製造用フレーム１０を形成するための金型に若干の改変を施すことによって容易に実施することができることを意味する。
　【００３０】
　図７
および図８
　【００３１】
　図
８
　【００３２】
　もちろん、本願発明の範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲各項に記載した技術的事項の意味する範囲内で、種々設計変更が可能である。各実施形態においては、樹脂パッケージの両側面から放熱プレートが延出させられているが、一方からのみ放熱プレートを延出する場合についても同様に本願発明を適用することができる。また、放熱プレート３の水平部３１の平面形態もまた、図面に示した形態のほか、種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本願発明の一実施形態に係る樹脂パッケージ型半導体装置を回路基板に実装した状態で示す斜視図である。
　【図２】
　図１に示される樹脂パッケージ型半導体装置の平面図である。
　【図３】
　図１に示される樹脂パッケージ型半導体装置の放熱プレートと回路基板上の放熱パターンとの接続状態を示す拡大詳細図である。
　【図４】
　図１に示される樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法の説明図であり、製造用フレーム上にチップボンディングおよびワイヤボンディングをした状態を示す。
　【図５】
　図１に示した樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法の説明図であり、リードフレームに対して樹脂パッケージを形成するための樹脂モールド工程を終えた状態を示す。
　【図６】
　図１に示される樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法の説明図であり、タイバーカット工程を終えた状態を示す。
　【図７】
　放熱プレートの他の実施形態を示す部分平面図である。
　【図８】
　放熱プレートのさらに他の実施形態を示す部分平面図である。
　【図９】
　従来例の説明図である。
　【図１０】
　従来例の問題点の説明図である。
　【符号の説明】
　Ｄ　樹脂パッケージ型半導体装置
　１　樹脂パッケージ
　２　リード
　２１　（リードの）水平部
　３　放熱プレート
　３１　（放熱プレートの）水平部
　５　配線パターン
　６　放熱パターン
【図面】