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　特願２０１５−５３９２５４「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月　２日国際公開，ＷＯ２０１５／０４６２３５，請求項の数（４）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，２０１４年（平成２６年）９月２４日（優先権主張　平成２５年９月２５日）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯の概要は，以下のとおりである。 
　平成２８年　３月２３日：国内書面
　平成３０年　８月１６日：拒絶理由通知（起案日）
　平成３０年１０月２２日：意見書
　平成３０年１０月２２日：手続補正書
　平成３０年１１月２６日：拒絶査定（起案日）（以下，「原査定」という。）
　平成３１年　２月２７日：審判請求
　平成３１年　２月２７日：手続補正書
　令和　２年　３月　３日：拒絶理由通知（起案日）（以下，「当審拒絶理由通知」という。）
　令和　２年　３月　６日：意見書
　令和　２年　３月　６日：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　本願発明
　本願請求項１−４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明４」という。）は，本件補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−４に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　処理物を浸漬させる処理液を貯留する処理槽と，
　前記処理槽とは離隔した場所に設けられ，前記処理物の加熱を行う温度制御部と，
　前記温度制御部で加熱された状態の前記処理物を前記温度制御部から前記処理槽に搬送する搬送部と，
　を備え，
　前記処理物は，
　　デバイス基板と，支持基板と，前記デバイス基板と前記支持基板との間に設けられた接着剤と，を有する貼合基板，
　　接着剤が付着したデバイス基板，および，
　　接着剤が付着した支持基板，の少なくともいずれかであり，
　前記温度制御部による前記処理物の加熱温度は，前記処理槽に貯留される前記処理液の温度より高く，
　前記温度制御部によって加熱された前記処理物が前記処理槽に貯留される前記処理液に浸漬されることによって冷却され，前記デバイス基板と前記接着剤との界面，および前記支持基板と前記接着剤との界面の少なくともいずれかにおいて，前記デバイス基板と前記接着剤との界面では前記デバイス基板と前記接着剤との線膨張率の差に基づく熱応力，前記支持基板と前記接着剤との界面では前記支持基板と前記接着剤との線膨張率の差に基づく熱応力，によって剥がれおよび亀裂の少なくともいずれかを発生させ，
　前記剥がれが発生した部分および前記亀裂が発生した部分の少なくともいずれかから前記処理液を侵入させることで，前記貼合基板の剥離，あるいは前記接着剤の除去を行うことを特徴とする基板処理装置。」
　なお，本願発明２−４は，本願発明１を減縮した発明である。
第３　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１２−７９８７１号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付した。以下同じ。）
「【請求項１】
　
接合部を介して基板と貼り合わされる支持基板であって
　
前記支持基板は，基部と，前記基部の周端面に設けられた透過部と
　
を備え
　
前記透過部のレーザ光に対する屈折率は，前記基部のレーザ光に対する屈折率とは異なることを特徴とする支持基板
「【請求項１２】
　
請求項７〜１０のいずれか１つに記載の基板積層体を載置する載置部と
　
前記基板積層体にレーザ光を照射する照射部と
　
前記基板積層体に設けられた基板と支持基板との間に剥離液を供給する剥離液供給部と
　
を備えたことを特徴とする剥離装置
「【０００１】
　本発明は，
支持基板，基板積層体
剥離装置
「【００１６】
　以下，図面を参照しつつ，実施の形態について例示をする。
　なお，各図面中，同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。また，一例として，レーザ光を照射して剥離を行う場合を例示するが，
レーザ光の照射に限らず，熱線やレーザ光以外の高エネルギー線を照射して剥離を行う場合にも適用させることができる
【００１７】
　[第１の実施形態]
　図１は，第１の実施形態に係る支持基板，基板積層体を例示するための模式図である。
図１に示すように，基板積層体１には，支持基板２，基板（製品基板）３，第１の接合部４ａ，第２の接合部４ｂが設けられている
　
また，支持基板２には，基部５２ａ，透過部５２ｂが設けられている
　
基部５２ａは，基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与する
　
透過部５２ｂは，入射したレーザ光Ｌの進行方向を制御する
　支持基板２の大きさは特に限定されるわけではなく，基板３の大きさと略同一とすることができる。この場合，支持基板２の大きさが基板３の大きさよりも若干大きくなるようにすることができる。例えば，支持基板２の大きさが基板３の大きさよりも０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度大きくなるようにすることができる。」
「【００２２】
　
基板３としては特に限定されるわけではなく，例えば，図１に示すように，表面にパターン３ａ（例えば，回路パターン）が形成されたウェーハとすることができる
　基板３の材料としては特に限定されるわけではなく，例えば，基板３がウェーハである場合には，シリコンなどの半導体材料から形成されたものとすることができる。また，基板３の表面には酸化物や窒化物からなる層が形成されたものとすることもできる。
【００２３】
　
第１の接合部４ａ，第２の接合部４ｂは，支持基板２と基板３とを貼り合わせるために設けられている
　第１の接合部４ａ、第２の接合部４ｂは、接着剤を塗布し、これを硬化させることで形成されたものとすることができる。」
「【００２６】
　ここで、支持基板２と基板３とを貼り合わせた状態で基板３の厚み寸法を薄く加工する際には、ウェットエッチング法、研磨法、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法などが用いられる。この場合、これらの方法において用いられるエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板３の表面に形成されているパターン３ａに接触するとパターン３ａに損傷が発生するおそれがある。
　そのため、本実施の形態においては、基板３のパターン３ａが形成された側の主面の周縁（以下においては、単に基板３の周縁と称する）に沿って設けられた第１の接合部４ａと、第１の接合部４ａよりも基板３の中心側に設けられた第２の接合部４ｂと、を備えるようにしている。すなわち、第１の接合部４ａは、パターン３ａが形成された領域を囲うように閉ループ状に設けられている。そして、第１の接合部４ａは、第２の接合部４ｂよりも耐薬品性が高いものとなっている。この場合、第１の接合部４ａは、エッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などにより分解されにくいものとすることができる。また、第２の接合部４ｂは、第１の接合部４ａよりも容易に剥離させることができるものとすることができる。
　
第１の接合部４ａは、例えば、ＡＳ(アクリロニトリル・スチレン）系樹脂を含む接着剤により形成されたものとすることができる。
　
また、第２の接合部４ｂは、例えば、水性接着剤により形成されたものとすることができる。
【００２７】
　この様にすれば、第１の接合部４ａによりエッチング液、研磨液、ＣＭＰ液などが基板積層体１の内部に侵入することを抑制することができる。
　また、
基板３から支持基板２、第２の接合部４ｂを剥離する際には、水などを供給するなどして第２の接合部４ｂを容易に剥離することができる。なお、後述するように、第１の接合部４ａにはレーザ光Ｌが照射されるので、第１の接合部４ａはレーザ光Ｌにより分解された状態となる。そのため、第１の接合部４ａを容易に剥離することができる
「【００６２】
次に，本実施の形態に係る剥離装置について例示をする。
　[第８の実施形態]  
　図８は，本実施の形態に係る剥離装置を例示するための模式図である。
　
図８に示すように，剥離装置３０には，照射部３２，剥離液供給部３４が設けられている
　
照射部３２は，載置台２２に載置された基体Ｗに向けてレーザ光Ｌを照射する。基体Ｗは，前述した基板積層体とすることができる
　
照射部３２は，基体Ｗに設けられた第１の接合部４ａにレーザ光Ｌを照射する。この際，前述した透過部５２ｂ，透過部５２ｄを介して第１の接合部４ａにレーザ光Ｌを照射する
【００６３】
　照射部３２には，レーザ部２５，アーム部２６，駆動部２７，載置台２２が設けられている。
　アーム部２６は，レーザ部２５の出射面２５ａを載置台２２の載置面２２ａに向けるようにしてレーザ部２５を保持する。また，アーム部２６の一端は駆動部２７に接続されている。
【００６４】
　駆動部２７は，例えば，サーボモータなどの制御モータなどから構成され，アーム部２６を介してレーザ部２５の位置を変化させる。すなわち，レーザ光Ｌの照射位置を変化させる。この場合，駆動部２７は，例えば，揺動方向および水平方向の少なくともいずれかの方向にアーム部２６を移動させるものとすることができる。また，アーム部２６をさらに鉛直方向に移動させるものとすることもできる。なお，レーザ部２５によりレーザ光Ｌの走査が可能な場合には，駆動部２７を省略することもできる。
【００６５】
　載置台２２は基体Ｗを載置，保持する。また，載置，保持された基体Ｗの位置を変化させる。載置台２２は，例えば，ＸＹθテーブルなどとすることができる。
　載置台２２は，一方の主面が基体Ｗを載置する載置面２２ａとなっている。載置台２２にはバキュームチャックなどの図示しない保持部を設けるようにすることができる。
　なお，レーザ部２５と載置台２２とのいずれか一方を移動させるようにすることもできる。
【００６６】
　
剥離液供給部３４は，基体Ｗに設けられた基板３と支持基板との間に剥離液を供給する
　
剥離液供給部３４には，処理槽２４，タンク１７，送液配管１８，送液部１９，送液透過部２０，ノズル２１，排出液配管３８，タンク３９，排出弁４０が設けられている
　
処理槽２４は，上面が開放されている。処理槽２４の底板には，排出口２４ｂが設けられており，排出口２４ｂには排出液配管３８の一端が接続されている
【００６７】
　
タンク１７は，剥離液を収納する。剥離液は，前述した接合部を剥離することができるものとすることができる。ここで，第１の接合部４ａは耐薬品性が高いものとなっているが，剥離時においては第１の接合部４ａがレーザ光Ｌにより分解された状態となるので，分解された状態の第１の接合部４ａを剥離することができる剥離液であればよい
【００６８】
　送液配管１８の一端はノズル２１に接続され，送液配管１８の他端はタンク１７内の剥離液に浸漬する位置に設けられている。
　送液部１９は，送液配管１８に設けられ，タンク１７内に収納された剥離液を剥離液ノズル２１に供給する。送液部１９は，例えば，剥離液に対する耐性を有するポンプなどとすることができる。
　送液制御部２０は，送液配管１８に設けられ，送液部１９により送液される剥離液の供給と停止とを制御する。また，送液部１９により送液される剥離液の流量を制御するようにすることもできる。
　剥離液ノズル２１の開口端は処理槽２４の内部に向けて設けられており，処理槽２４の内部に剥離液を供給することができるようになっている。剥離液ノズル２１の開口端とは反対側の端部には送液配管１８が接続されている。
【００６９】
　タンク３９は，使用済みの剥離液を収納する。
　排出液配管３８は，一端が処理槽２４の排出口２４ｂに接続され，他端がタンク３９に接続されている。
　排出弁４０は，排出液配管３８に設けられ，タンク３９に向けて排出される使用済みの剥離液の排出と停止とを制御する。
【００７０】
　
次に，剥離装置３０の作用について例示をする
　
まず，図示しない搬送手段により基体Ｗが載置台２２の載置面２２ａに載置される。載置面２２ａに載置された基体Ｗは，バキュームチャックなどの図示しない保持部により保持される
　なお，基体Ｗを載置する際には，基板積層体の基板３側を載置面２２ａに載置するようにする。
【００７１】
　
次に，レーザ部２５からレーザ光Ｌを出射させて，第１の接合部４ａにレーザ光Ｌを照射する。この際，基体Ｗの位置を載置台２２により変化させることで所望の位置にレーザ光Ｌが照射されるようにすることができる。レーザ光Ｌが照射された第１の接合部４ａは，分解，剥離される
　基板積層体が非円形状（例えば矩形状など）の場合においても同様である。
【００７２】
　
次に，支持基板，第２の接合部４ｂを剥離する
　
図示しない搬送装置により載置台２２から基体Ｗを受け取り，処理槽２４に貯留されている剥離液中に基体Ｗを浸漬させる
　
レーザ光Ｌが照射されることで第１の接合部４ａが剥離されているので，第２の接合部４ｂに剥離液を供給することができる
　使用済みの剥離液は，排出液配管３８を介してタンク３９に排出される。この際，使用済みの剥離液の排出と停止とが排出弁４０により制御される。
　また，処理槽２４内の剥離液の量が略一定となるようにタンク１７から送液部１９，送液制御部２０，送液配管１８，ノズル２１を介して処理槽２４内に剥離液が補充される。処理槽２４内の剥離液の量は図示しない液面計などにより制御するようにすることができる。
　
本実施の形態に係る剥離装置によれば，前述した基板積層体の剥離を効率よく行うことができる
「【図１】
」
「【図８】
」
（２）上記（１）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「照射部３２と，剥離液供給部３４と，搬送装置とが設けられた剥離装置３０であって，
　照射部３２は，基板積層体１に向けてレーザ光Ｌを照射し，
　基板積層体１には，
　　表面にパターン３ａ（例えば，回路パターン）が形成された基板３と，
　　基板３の厚み寸法を薄く加工する際に必要となる強度を付与する基部５２ａと，入射したレーザ光Ｌの進行方向を制御する透過部５２ｂが設けられている支持基板２と，
　　支持基板２と基板３とを貼り合わせるために設けられ，ＡＳ(アクリロニトリル・スチレン）系樹脂を含む接着剤により形成された第１の接合部４ａと，水性接着剤により形成された第２の接合部４ｂと，
　が設けられ，
　第１の接合部４ａを，レーザ光Ｌの照射により，分解，剥離し，
　搬送装置により載置台２２から基板積層体１を受け取り，処理槽２４に貯留されている剥離液中に基板積層体１を浸漬させ，
　レーザ光Ｌが照射されることで第１の接合部４ａが剥離されているので，第２の接合部４ｂに剥離液を供給することができ，それによって第２の接合部４ｂを基板積層体１から剥離し，
　レーザ光の照射に限らず，熱線やレーザ光以外の高エネルギー線を照射して剥離を行う場合にも適用させることができる
　剥離装置３０。」
第４　対比・判断
１　本願発明１について
（１）　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　本願の明細書の段落【０００３】には，「パターンが形成された基板（以下、デバイス基板と称する）」と記載されているところ，引用発明における「表面にパターン３ａ（例えば，回路パターン）が形成された基板３」は，回路パターンが形成された基板であるから，本願発明１の「デバイス基板」に相当する。
イ　引用発明における「支持基板２」は，本願発明１の「支持基板」に相当する。
ウ　引用発明の「第１の接合部４ａおよび第２の接合部４ｂ」は，「支持基板２と基板３とを貼り合わせるために設けられている」から，「支持基板２」と「基板３」の間に設けられるといえる。また，「第１の接合部４ａおよび第２の接合部４ｂ」は，それぞれ「ＡＳ(アクリロニトリル・スチレン）系樹脂を含む接着剤」と「水性接着剤」により形成されるから，「接着剤」であるといえる。したがって，引用発明の「支持基板２と基板３とを貼り合わせるために設けられている」，「第１の接合部４ａおよび第２の接合部４ｂ」は，本願発明１の「前記デバイス基板と前記支持基板との間に設けられた接着剤」に相当する。
エ　引用発明の「基板積層体１」は，「基板３」と「支持基板２」と「第１の接合部４ａおよび第２の接合部４ｂ」が設けられたものであるから，本願発明１の「前記処理物は，デバイス基板と，支持基板と，前記デバイス基板と前記支持基板との間に設けられた接着剤と，を有する貼合基板，接着剤が付着したデバイス基板，および，接着剤が付着した支持基板，の少なくともいずれか」における「デバイス基板と，支持基板と，前記デバイス基板と前記支持基板との間に設けられた接着剤と」を有する「貼合基板」に相当する。
オ　引用発明では，「処理槽２４に貯留されている剥離液中に基板積層体１を浸漬させ」るものであるから，引用発明の「基板積層体１」，「剥離液」，「処理槽２４」は，それぞれ本願発明１の「処理物」，「処理液」，「処理槽」に相当する。したがって，本願発明１と引用発明とは，「処理物を浸漬させる処理液を貯留する処理槽」を備える点で一致する。
カ　引用発明の「搬送装置」は「載置台２２から基板積層体１を受け取り，処理槽２４に貯留されている剥離液中に基板積層体１を浸漬させ」るものであるから，本願発明１の「搬送部」と後記相違点２で相違するものの，「処理物」を「処理槽に搬送する」点で一致する。
キ　引用発明は「第２の接合部４ｂに剥離液を供給することができ，それによって第２の接合部４ｂを基板積層体１から剥離する」から，本願発明１と後記相違点５で相違するものの，「前記貼合基板の剥離，あるいは前記接着剤の除去を行うことを特徴とする」における「前記接着剤の除去を行うことを特徴とする」点で一致する。
ク　引用発明の「剥離装置３０」は，「処理槽２４」と，「搬送装置」とを備え，「第２の接合部４ｂを基板積層体１から剥離する」から，本願発明１の「基板処理装置」と，後記相違点１−５で相違するものの，「処理槽」と，「搬送部」とを備え，「接着剤の除去を行う」点で一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 
＜一致点＞ 
「処理物を浸漬させる処理液を貯留する処理槽と，
　前記処理物を前記処理槽に搬送する搬送部と，
　を備え，
　前記処理物は，
　　デバイス基板と，支持基板と，前記デバイス基板と前記支持基板との間に設けられた接着剤と，を有する貼合基板，
　　接着剤が付着したデバイス基板，および，
　　接着剤が付着した支持基板，の少なくともいずれかであり，
　前記貼合基板の剥離，あるいは前記接着剤の除去を行うことを特徴とする基板処理装置。」
＜相違点＞
（相違点１）
　本願発明１の「基板処理装置」は，「前記処理槽とは離隔した場所に設けられ，前記処理物の加熱を行う温度制御部」を備えるのに対して，引用発明の「剥離装置３０」は，そのような構成について特定していない点。
　そのため，本願発明１の「搬送部」は，「前記温度制御部で加熱された状態の前記処理物を前記温度制御部から前記処理槽に搬送する」のに対して，引用発明の「搬送装置」は，そのような構成について特定していない点。
　更に，本願発明１の「温度制御部」は，「温度制御部による前記処理物の加熱温度は，前記処理槽に貯留される前記処理液の温度より高」いのに対して，引用発明は，そのような構成について特定していない点。
（相違点２）
　本願発明１の「基板処理装置」は，「前記温度制御部によって加熱された前記処理物が前記処理槽に貯留される前記処理液に浸漬されることによって冷却され，前記デバイス基板と前記接着剤との界面，および前記支持基板と前記接着剤との界面の少なくともいずれかにおいて，前記デバイス基板と前記接着剤との界面では前記デバイス基板と前記接着剤との線膨張率の差に基づく熱応力，前記支持基板と前記接着剤との界面では前記支持基板と前記接着剤との線膨張率の差に基づく熱応力，によって剥がれおよび亀裂の少なくともいずれかを発生させ」るのに対して，引用発明の「剥離装置３０」は，そのような構成について特定していない点。
（相違点３）
　本願発明１の「基板処理装置」は，「前記剥がれが発生した部分および前記亀裂が発生した部分の少なくともいずれかから前記処理液を侵入させることで，前記貼合基板の剥離，あるいは前記接着剤の除去を行う」のに対して，引用発明の「剥離装置３０」は，そのような構成について特定していない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み，まず，上記相違点２，３について検討する。
　相違点２，３に係る本願発明１の「前記温度制御部によって加熱された前記処理物が前記処理槽に貯留される前記処理液に浸漬されることによって冷却され，前記デバイス基板と前記接着剤との界面，および前記支持基板と前記接着剤との界面の少なくともいずれかにおいて，前記デバイス基板と前記接着剤との界面では前記デバイス基板と前記接着剤との線膨張率の差に基づく熱応力，前記支持基板と前記接着剤との界面では前記支持基板と前記接着剤との線膨張率の差に基づく熱応力，によって剥がれおよび亀裂の少なくともいずれかを発生させ」，「前記剥がれが発生した部分および前記亀裂が発生した部分の少なくともいずれかから前記処理液を侵入させることで，前記貼合基板の剥離，あるいは前記接着剤の除去を行う」構成は，当該技術分野における周知技術であるとは認められない。
（３）小括
　上記（１），（２）のとおりであるから，本願発明１は，引用文献１に記載された発明ではない。また，本願発明１は，引用文献１に記載された発明に基づいて容易になし得たものではない。
２　本願発明２−４について 
　本願発明２−４は，本願発明１の発明特定事項を全て含み，さらに限定したものであるから，本願発明１は，引用文献１に記載された発明ではない。したがって，本願発明２−４も，引用文献１に記載された発明ではない。
　また，本願発明１が，引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえないことから，本願発明２−４も，本願発明１と同じ理由により，引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
１　原査定の理由の一は，本願請求項１−４に係る発明は，以下の引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないというものである。
　引用文献１：特開２０１２−７９８７１号公報
　しかしながら，上記第４の１で指摘したとおり，本件補正により，本願発明１−４は，上記相違点１−５に係る構成を有するものとなったから，本願発明１−４は引用文献１に記載された発明ではない。したがって，原査定の上記理由を維持することはできない。
２　また，原査定の理由の一は，本願請求項５−７に係る発明は，以下の引用文献２に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないというものである。
　引用文献２：特開２０１０−２８７７２３号公報
　しかしながら，平成３１年２月２７日付け手続補正により，補正前の請求項５−７は削除されたため，原査定の上記理由は，解消された。
３　また，原査定の理由の一は，本願請求項９−１１に係る発明は，以下の引用文献３に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないというものである。
　引用文献３：特開２０１３−１１０３９１号公報
　しかしながら，平成３１年２月２７日付け手続補正により，補正前の請求項９−１１は削除されたため，原査定の上記理由は，解消された。
４　また，原査定の理由の一は，本願請求項１−４に係る発明は，上記引用文献１に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，上記第４の１で指摘したとおり，本件補正により，本願発明１−４は，上記相違点１−５に係る構成を有するものとなったから，当業者であっても，引用文献１に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の上記理由を維持することはできない。
５　また，原査定の理由の一は，本願請求項５−７に係る発明は，上記引用文献２に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，平成３１年２月２７日付け手続補正により，補正前の請求項５−７は削除されたため，原査定の上記理由は，解消された。
６　また，原査定の理由の一は，本願請求項９−１１に係る発明は，上記引用文献３に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
　しかしながら，平成３１年２月２７日付け手続補正により，補正前の請求項９−１１は削除されたため，原査定の上記理由は，解消された。
７　また，原査定の理由の一は，本願請求項１，３，５，７に係る発明は，その出願の日前の特許出願であって，その出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた下記の特許出願（以下，「特許出願１」という。）の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり，しかも，この出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく，またこの出願の時において，その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができないというものである。
　特許出願１：特願２０１４−１５２８６３号（特開２０１６−３１９７４号）
　一方，平成３１年２月２７日付け手続補正により，本願請求項１における「温度制御部」は，「処理物の加熱を行う」ものと補正された。そして，この補正の内容は，本願の基礎出願（特願２０１３−１９８３４０号）の段落【００１３】等に記載されているため，上記基礎出願を基礎とする国内優先権主張の効果を認め，本願は基礎出願の時である平成２５年９月２５日にされたものとみなすこととする。
　他方，上記特許出願１の出願日は平成２６年７月２８日であって，基礎出願の出願日である平成２５年９月２５日よりも後であり，また，本件補正により，本願発明１，３は上記相違点１−５に係る構成を有するものとなったことから，基礎出願の時よりも後に出願された上記特許出願１によっては，本願請求項１および本願請求項１を引用する本願請求項３について，原査定の上記理由を維持することはできない。
　また，平成３１年２月２７日付け手続補正により，補正前の請求項５，７は削除されたため，本願請求項５，７について，原査定の上記理由は，解消された。
　以上のことから，本願請求項１，３，５，７に係る発明について，原査定の上記理由を維持することはできない。
８　また，原査定の理由の一は，本願請求項５−１２に係る発明は不明確であり，本願は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないというものである。
　しかしながら，平成３１年２月２７日付け手続補正により，補正前の請求項５−１２は削除されたため，原査定の上記理由は，解消された。
第６　当審拒絶理由について
　当審では，請求項１の，「前記処理槽に貯留される前記処理液の温度は，…（省略）…剥がれおよび亀裂の少なくともいずれかを発生させる温度に設定され，」という記載が，どのような方法を用いて処理液の温度を設定するのかが明確でないとの拒絶の理由を通知しているが，本件補正によって，処理液の温度を設定する記載が削除されたため，この拒絶の理由は解消した。
第７　むすび
　上記第５のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。