【事件の表示】
　特許第３１４４２６９号「単結晶材料の切断方法」の請求項１及び請求項２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４４２６９号の請求項１及び請求項２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３１４４２６９号については、平成７年７月７日に特許出願され、同１３年１月５日に設定の登録がされ、その後、同１３年９月１２日に岸　聡子より本件の請求項１及び請求項２に係る特許について特許異議の申立てがされ、同１３年１２月２０日付で取消しの理由の通知がされ、その指定期間内である同１４年３月１２日に明細書について訂正の請求がされた。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　特許権者は、本件登録時の明細書（以下「登録明細書」という。）を訂正請求書に添付された明細書（以下「訂正明細書」という。）記載のとおり以下のように訂正しようとするものである。
(1) 訂正事項ａ
　登録明細書における特許請求の範囲に係る記載
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
イ）円柱状に形成された単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
ロ）前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に所定角度回転させるとともに、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に所定角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出し、
ハ）前記固定部に結晶方位を出した前記単結晶材料を位置決め固定し、
ニ）前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。
【請求項２】
ホ）円柱状に形成された単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
へ）前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に所定角度回転させるとともに、前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記固定部に固定し、
ト）前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記固定部を所定角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出した後、
チ）前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。」を、
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
イ′）円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
リ′）切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
ロ′）前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させるとともに、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出し、
ヌ′）前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、
ハ′）前記固定部に結晶方位を出した前記単結晶材料を前記ワークブロックを介して位置決め固定し、
ニ）前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。
【請求項２】
ホ′）円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
ル′）切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
ヘ′）前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させ、
オ′）前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、
ワ′）前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記ワークブロックを介して前記固定部に固定し、
ト′）前記単結晶材料を固定部に固定した後に、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記固定部を前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出した後、
チ）前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。」と訂正する。
(2) 訂正事項ｂ
【課題を解決する為の手段】に係る記載
　登録明細書段落【０００５】の「本発明は前記目的を達成するために、・・・特徴とする。」を、
「本発明は前記目的を達成するために、円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させるとともに、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出し、前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、前記固定部に結晶方位を出した前記単結晶材料を前記ワークブロックを介して位置決め固定し、前記単結晶材料を切断することを特徴とする。」と訂正する。
　また、登録明細書段落【０００６】の「また、前記目的を達成するために、・・・特徴とする。」を、
「また、前記目的を達成するために、円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させ、前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記ワークブロックを介して前記固定部に固定し、前記単結晶材料を固定部に固定した後に、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記固定部を前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出した後、前記単結晶材料を切断することを特徴とする。」と訂正する。
(3) 訂正事項ｃ
　登録明細書段落【００１５】の「・・・半導体インゴット５４の垂直、水平方位に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度・・・」を、
「・・・半導体インゴット５４の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度・・・」と訂正する。       
２　訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び拡張・変更の存否
(1) 訂正事項ａについて
　訂正事項である構成要件イ′）及びホ′）の「円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料」については、登録明細書の段落【００２４】の「・・・半導体インゴット５４に形成されたオリフラ面・・・」との記載、及び【図２】、【図３】、【図４】から一義的に導き出せる、より平易な表現で単結晶材料を減縮したものである。
　訂正事項である構成要件リ′）及びル′）の「切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、」は、登録明細書の段落【００１４】の「切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するようにするためには、・・・結晶方位合わせを行えばよい。」との記載、及び同段落【００１５】の「切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように半導体インゴット５４を軸芯を中心として円周方向に回転させる角度をθ、半導体インゴツト５４を半導体インゴット５４の軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度をλとする。・・・半導体インゴット５４の垂直、水平基準（訂正事項ｃにより方位から基準に誤記訂正）に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度をそれぞれα、βとすると、・・・」と記載され、登録明細書の段落【００１５】、【００１６】にθ、及びλの算出式が記載されており、更に、登録明細書の段落【００１９】の「・・・算出したθ、λから・・・」と記載された内容に基づき特許請求の範囲を減縮したものである。
　訂正事項である構成要件ロ′）、へ′）及びト′）の「前記算出した角度」は、登録明細書の段落【００１５】、【００１６】、【００１９】の記載に基づき訂正前の「所定角度」をより具体的に減縮したものである。
　訂正事項である構成要件ヌ′）及びオ′）の「前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、」は、登録明細書の段落【００２７】の「・・・ワークブロック５６を降ろし、スライスベース５８を挟んで接着する・・・」との記載、及び【図３】（ｂ）、【図４】（ｂ）の記載に基づき、特許請求の範囲を減縮したものである
　訂正事項である構成要件ハ′）及びワ′）の「前記ワークブロックを介して」は、登録明細書の段落【００１１】の「・・・半導体インゴット５４がワークブロック５６とスライスベース５８を介してワーク送りテーブル４８に支持される。・・・」との記載によるもので固定方法を明示したものである。
　訂正事項である構成要件ワ′）の「前記単結晶材料を」は、構成要件オ′）を挿入したことにより主語が不明りょうになることを防ぐために、主語を明示したものである。
　訂正事項である構成要件ト′）の「前記単結晶材料を固定部に固定した後に、」は、特許明細書の段落【００１９】に記載されている内容をより明りょうにするためものである。
　上述のように、訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第２項第１号に規定する特許請求の範囲の減縮及び同第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当するものである。また、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡
張し又は変更するものでもない。
(2) 訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、上述した特許請求の範囲の訂正に伴い、登録明細書の【課題を解決するための手段】の欄を特許請求の範囲の記載と整合させたものであり、特許法第１２０条の４第２項第３号に規定する明りょうでない記載の釈明に相当するものである。
　また、この訂正事項ｂは、上述した訂正事項ａと同様に、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
(3) 訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、特許明細書の段落【００１２】、【００１５】、【００１６】及び【図２】等の記載から、「垂直、水平方位」が、「垂直、水平基準」の誤記であることが明らかであり、特許法第１２０条の４第２項第２号に規定する誤記の訂正に相当するものである。
　また、この訂正事項ｃは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件の訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同第３項において準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについての判断　
１　特許異議申立ての理由の概要　
  特許異議申立人は、証拠として特願平８−１２２８３０号（パリ条約による優先権主張　１９９５（平成７）年４月２２日、スイス国）の公開公報である甲第１号証（特開平８−２９４９１４号公報）、本件特許の出願前に日本国内において頒布された刊行物である甲第２号証（特表平３−５０３２６６号公報）及び甲第３号証（特開平６−２５８２６２号公報）を提出して、おおよそ以下のように主張している。
(1) 本件の請求項１及び請求項２に係る発明は、甲第１号証に係る出願（特願平８−１２２８３０号、以下「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、本件特許に係る出願の出願人及び発明者と先願の出願人及び発明者と同一でないので、本件の請求項１及び請求項２に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反して特許されたものであり、取り消されるべきものである。
(2) 本件の請求項１及び請求項２に係る発明は、甲第２号証及び甲第３号証記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１及び請求項２に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反して特許されたものであり、取り消されるべきものである。
　なお、当審で通知した上記取消しの理由は、特許異議申立ての理由と同旨である。
２　特許異議申立人の主張の検討
(1) 本件発明
　本件については第２の３に示すように訂正が認められており、本件特許の請求項１及び請求項２に係る発明（以下それぞれ「本件発明１」及び「本件発明２」という。）は、訂正明細書及び登録時の図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された第２の１(1)に示す訂正されたとおりの「単結晶材料の切断方法」であると認める。
(2)  甲各号証の記載内容
甲第１号証：
　先願の願書に最初に添付した明細書又は図面の内容を示す甲第１号証には、「裁断機械内の裁断のための単結晶の配向のための方法とその方法を実施するための装置」に関連して以下の事項が記載されていると認める。
ア　【特許請求の範囲】
「【請求項１】所定の切断面（ｙ''、ｚ''）に沿った裁断機械（１７）内の裁断のための単結晶（２）の配向のための方法において、
　裁断の支え（３）に対して所定の方向に裁断機械の外で位置決め装置（１）によって単結晶（２）を向け、機械の裁断面（ｙ'''、ｚ'''）に対して裁断機械（１７）内の設置が幾何的に定義された裁断支え（３）の上に前記所定の方向に従って単結晶（２）を固定し、裁断機械内で単結晶（２）の前記所定の配向を得るために定義した前記幾何的配置に従って裁断機械（１７）内に単結晶を固定した後に裁断支え（３）を配置することを特徴とする方法。」
イ　段落【００４４】〜段落【００６０】
「【００４４】図１は、ｘ軸を主軸として、幾何的軸ｘ、ｙ、ｚを有する円筒状の幾何的形状を備えた裁断する単結晶２の実例を示している。この単結晶の結晶網構造の軸ｘ'、ｙ'、ｚ'は、幾何的軸に平行ではない。軸ｙ'、ｙとｚ'、ｚの間の角度ａとｆは、光学的またはＸ線測定によって求められ、一般的に単結晶の製造誤差を示している。図１は、さらに単結晶の選択された、または課された裁断面１６も示し、その軸ｙ''とｚ''は結晶網構造の軸ｙ'、ｚ'に対して角度値ｐとｔだけ傾き、法線ｘ''は裁断面に対して垂直である。角度値ｐとｔは、一般的に裁断した単結晶のその後の使用の必要に応じて定義される。もちろん、これらの角度ｐとｔは、面（１００）に対して平行に裁断された珪素板を得ようとする場合、ゼロに等しくすることができる。
【００４５】図２中、２Ａと２Ｂは、幾何的軸ｙとｚの周囲の回転によって単結晶の配向を実施して本発明の前に周知で一般的に使用された方法によって得られた単結晶２の位置を側面と平面で示している。単結晶２は、このとき、裁断手段に糸鋸を使用した場合は糸の層１７の面に平行ではない。裁断機械の機械面ｘ'''、ｙ'''は、単結晶１の幾何的軸ｘに平行ではない。糸の層１７のｚ'''に沿った前進方向は、単結晶に対して垂直ではなく、それは裁断の品質を損なうものである。
【００４６】図３中、３Ａと３Ｂは、幾何的軸ｘとｚ'''の周囲に回転させて単結晶の配向を実施して本発明による方法で得られた単結晶の配向を示している。裁断機械として使用された鋸の糸の層１７は、面ｘ'''ｙ'''内にあり、単結晶の幾何的軸ｘはこの面ｘ'''、ｙ'''に平行である。従って、単結晶は、裁断手段に対して至適位置に置かれ、極めて正確に裁断できる。
【００４７】位置決めに使用した様々な座標系のベクトル図は、図４に示され、単結晶の幾何的形状に結び付けられた座標系ｘ、ｙ、ｚ、単結晶の結晶網構造に結び付けられた座標系ｘ'、ｙ'、ｚ'、単結晶の裁断面に対応する座標系ｘ''、ｙ''、ｚ''、および位置決め装置と裁断機械に使用される座標系ｘ'''、ｙ'''、ｚ'''が含まれている。
【００４８】裁断面は、面ｙ''、ｚ''に対応し、その法線は方向ｘ''に対応する。単結晶２の幾何的形状と結晶網構造の整列不良は角度ｙ'ｙとｚ'ｚに対応する角度ａとｆによって決定される。角度ｙ''ｙ'とｚ''ｚ'に対応する角度ｐとｔは結晶網構造の座標系に対して選択した裁断面の配向を決定する。裁断面ｙ''ｚ''に対する法線ｘ''は幾何的軸ｘと角度ｇをつくるベクトルＸ''（ｘ、ｙ、ｚ）を定義し、面ｙ、ｚ上のベクトルＸ''（ｘ、ｙ、ｚ）の投影はｙと角度ｄをつくる。
【００４９】角度ｄは、従って、裁断面ｙ''、ｚ''の法線ｘ''を機械の作業面ｘ'''、ｙ'''に対応する基準面内に位置づけるための幾何的軸ｘを中心とする回転角度に対応する。
【００５０】角度ｇは、所望の裁断面を裁断機械の裁断面に一致させるために裁断面の法線ｘ''が機械の裁断面ｙ'''ｚ'''の法線ｘ'''に対応する基準方向に沿って向けられるように垂直軸ｚ'''を中心とする回転角度に対応する。
【００５１】角度ｄとｇは計算できる、そしてその数学的解は次の形で表される：
【００５２】Ｘ'＝Ｍ（ａ，ｆ）Ｘ
【００５３】ここで、Ｍ（ａ，ｆ）は、角度ａ，ｆの回転行列である。
【００５４】Ｘ''＝Ｍ（ｔ、ｐ）Ｘ'
【００５５】また、Ｍ（ｔ、ｐ）は、角度ｐ、ｔの回転行列である。
【００５６】ここから導かれるように、ｘとｚ'''に沿って幾何的単結晶につける２つの角度ｄとｇは、基準ｘ'''、ｙ'''、ｚ'''内のＸ''（ｘ、ｙ、ｚ）の成分Ｘ''ｘ、Ｘ''ｙ、Ｘ''ｚによって得られる。ここで、Ｘ''は、機械の基準座標系内の面ｙ''、ｚ''に対して垂直なベクトルである。
【００５７】ｄ＝ａｒｃｔａｎｇ（Ｘ''ｚ／Ｘ''ｙ）
【００５８】ｇ＝ａｒｃｔａｎｇ（（ｓｑｒｔ（Ｘ''ｙ＊＊２＋Ｘ''ｚ＊＊２））／Ｘ''ｘ）
【００５９】図３中の３Ａと３Ｂに示した至適配向を得るための位置決め方法を、３つの連続する位置を示す図５中の５Ａ、５Ｂと５Ｃを参照してもっと正確に説明する。図５中の５Ａにおいて、単結晶は位置決め装置の上に置かれ、その幾何的軸ｘ、ｙ、ｚは心出し装置と裁断機械の軸ｘ'''、ｙ'''、ｚ'''と心出しされている。
【００６０】次に、角度値ｄだけ幾何的軸Ｘ'''またはｘを中心に回転してベクトルＸ''を面ｘ'''、ｙ'''内に位置づける（図５中の５Ｂ）。軸ｚ'''に沿って幾何的単結晶を角度ｇだけ回転してベクトルＸ''を軸ｘ'''と共線位置に置く（図５中の５Ｃ）。この２つの回転の後、幾何的単結晶ｘ、ｙ、ｚは、裁断面の法線Ｘ'''に対する角度ｇを次工程の必要性に合わせて、面ｘ'''、ｙ'''に平行に向けられる。その結果、裁断で結晶学軸ｙ'とｚ'に対する角度ｔとｐが得られる。もちろん、第２の回転も、図６に示した実施態様と同じように単結晶を動かさずに、裁断支えを角度−ｇだけ回転させても実現できる。」
　上記記載事項から、甲第１号証には次の発明が記載されていると認める。  円柱状の単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
　切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
　前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させるとともに、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出し、
　前記固定部に結晶方位を出した前記単結晶材料を位置決め固定し、
　前記単結晶材料を切断する単結晶材料の切断方法。
甲第２号証：
　甲第２号証には、「摩滅型分離装置」に関連して以下の事項が記載されていると認める。
ア　公報第２頁左下欄第３〜１４行
「本発明は、硬質材からなるインゴットを切断分離するための摩滅型分離装置に関する。詳しくは、インゴット状のシリコン、ゲルマニウム及びガラスを多数の薄いウエファに切断するために用いる、電気及び光電セル工業用の切断機に関するものである。
　この種の機械は、通常、ワイヤガイドと呼ばれる少なくとも２種のドラムを備えている。これらドラムの表面には、切断幅に合わせて一連の溝が形成されている。これらのワイヤガイドは、所定の垂直面を起点とする水平面内に配設されている。互いに平行な一連のスチールワイヤストランドを形成する、少なくとも一組の水平な切断ワイヤを得るために、金属製のワイヤがワイヤガイドに巻き付けられている。」
イ　同第５頁左上欄第１〜７行
「この装置の制御動作は以下のものを含んでいる。
　１．Ｚ軸に沿った上下動作、
　２．ワイヤガイドに平行なＸ軸に沿った長手方向の動き、
　３．Ｘ軸に平行で、Ｘ軸より更に下部に位置する軸回りの回転振動、
　４．ワイヤガイドのＸ軸に対し、切断されるべきインゴットの軸を向けるためのＺ軸回りの回転。」
ウ　同第５頁右上欄第２０行〜同左下欄下から第４行
「第３図は、ワイヤガイドのＸ軸と平行な縦方向に動く装置を示している。この装置は，水平部１８に形成された溝に摺動自在に嵌合したプレート２６を備えている。プレート２６の摺動機構は、プレート２６とブラケット１９の間に挿入されたローラで構成されると好ましい。そして，減速モータ２７及びボールべアリング及びナット装置（アクチュエータ）２９により合成運動が発生する。このＸ軸に沿う運動は、小さな振幅であり、第一に、必要な場合には、インゴットの縦方向の位置を調整し、第二に、切断の終了時に、切断されたインゴットを支持構造から離すため径方向の切断を可能にする。勿論、減速モータ２７によって生じるこのような運動は、インゴット毎の特別な手順に基づき、データ処理装置で制御される。
　上記プレート２６には、一組の切断ワイヤに垂直な中間面内で、インゴットを水平軸回りに回転させる振動装置が取り付けられている。この装置は、上部が凸円筒状に湾曲した第１のプレート３０、及び、下部が前記第１のプレートに沿うように湾曲した凹状の第２のプレートを備えている。第２のプレート３１は、減速モ−タ４２により、円筒継ぎ手の弧に沿って後方に回転可能である。この装置は、インゴットを所定の振幅及び周波数で、前後に振動可能である。この動作により、インゴットとワイヤは円弧状に接触し、同時にウエファの切断面を正確に修正する。これは、振動中でも、ワイヤが縦引運動をしていることによる。
　更に、第３図には、これ迄に記載された装置に加え、インゴットの軸方向の方向付けをする装置が示されている。この装置は、ワイヤガイドの軸に対してインゴットを方向付けするために、インゴットをＺ軸回りに、多少大きな回転角で、回転させるものである。この装置は、ベース板３２と回転板３３とを有し、べース板３２は、回転板３３に形成された開口部に貫通する中心ピボットを有している。さらに、この装置には、固定板３３をベース３２上の新しい所定の位置に固定する装置と、回転板３３の回転角を計測する手段とが設けられている。この装置により、インゴットの結晶軸と切断ワイヤの切断垂直面とを同一平面内に置くことができる。」
甲第３号証：
　甲第３号証には、「単結晶インゴットの方位決め方法及び装置」に関連して以下の事項が記載されていると認める。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、単結晶インゴットの結晶格子面の方位が一定方向を向くように位置決めするための方位決め方法及びそのための装置に関する。特に、その方位決め作業をＸ線を用いて行うものに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、シリコン（Ｓｉ）、フェライト、その他種々の単結晶材料が産業界で広く用いられている。この単結晶材料は、一般に、まず図５に示すような円柱形状のインゴット１として製造され、そのインゴットを薄くカットすることによって厚さ数ｍｍ〜数十ｍｍの円盤状に形成された状態で使用される。このような薄い円盤状材料は、通常、ウェーハと呼ばれている。
【０００３】図６は、図５における矢印ＶＩに従って単結晶インゴット１を側方から見た状態を示している。図示のように、単結晶インゴット１の内部では、結晶格子面Ｑが所定の格子面間隔ｄで規則正しく平行に配列している。インゴットをカットしてウェーハを作製する際には、Ａ−Ａ線で示すように、結晶格子面Ｑと平行にインゴットをカットする必要がある。従って、カット作業を行うに際しては、結晶格子面Ｑの方位が常に一定方向となるように単結晶インゴット１を位置決めしなくてはならない。
【０００４】従来、単結晶インゴットを結晶格子面に関して位置決めする方法として、図７に示すようにＸ線を用いた方法が知られている。この方法は、次のようにして行われる。まず、単結晶インゴット１を所定の位置に置き、Ｘ線源２から放射されたＸ線をその単結晶インゴット１の端面１ａに照射する。そして、単結晶インゴット１の中心軸線Ｌ１と直交する軸線Ｌ２を中心として単結晶インゴット１を回転、いわゆるω回転させ、Ｘ線カウンタ３によって検出される回折Ｘ線の強度が最大となる角度位置でω回転を停止する。そしてさらに、単結晶インゴット１を中心軸線Ｌ１を中心として回転、いわゆるφ回転させ、Ｘ線カウンタ３によって検出されるＸ線強度が最大となる角度位置でそのφ回転を停止する。以上のω回転によるＸ線回折測定及びφ回転によるＸ線回折測定により、単結晶インゴット１内の結晶格子面Ｑの方位を常に一定の方向に向ける。この後、そのように位置決めされた単結晶インゴット１に対して図６にＡ−Ａ線で示すようなカット処理が施される。」                   
(3)  対比・判断
ア　先ず、特許異議申立ての理由の(1)について検討する。
　本件発明１と甲第１証記載の発明とを対比すると、甲第１号証記載の発明は、本件発明１と部分的に共通する構成を有するものの、本件発明１では、「円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料」を切断対象とし、前記単結晶材料の結晶方位を出した後に、「前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し」ている（以下「工程Ａ」という。）のに対して、甲第１号証記載の発明ではその様になっていない。
　また、本件発明２と甲第１証記載の発明とを対比すると、甲第１号証記載の発明は、本件発明２とも部分的に共通する構成を有するものの、本件発明２では、本件発明１と同様「円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料」を切断対象とし、前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に回転させた後に、工程Ａを行い、その後「前記単結晶材料を固定部に固定した後に、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記固定部を前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出し」ている（以下「工程Ｂ」という。）のに対して、甲第１号証記載の発明ではその様になっていない。
　したがって、本件発明１及び本件発明２は、いずれも甲第１号証載の発明と同一であるということはできない。
イ　次に、特許異議申ての理由の(2)について検討する。
　本件発明１と甲第２証及び甲第３号証記載の発明とを対比すると、甲第２証及び甲第３号証記載の発明も、本件発明１と部分的に共通する構成を有するものの、甲第２証及び甲第３号証記載の発明は、本件発明１の工程Ａだけでなく、「切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し」という工程（以下「工程Ｃ」という。）を備えていない。
　また、本件発明２と甲第２証及び甲第３号証記載の発明とを対比すると、甲第２号証及び甲第３号証記載の発明は、本件発明２とも部分的に共通する構成を有するものの、甲第２証及び甲第３号証記載の発明は、本件発明２の本件発明１と共通する工程Ａ及び工程Ｃだけでなく工程Ｂも備えていない。
　したがって、甲第２証記載の発明と甲第３号証記載の発明とをどの様に組み合わせてみても本件発明１及び本件発明２の構成を得ることはできず、本件発明１及び本件発明２は、甲第２号証及び甲３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたとすることもできない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人の主張する特許異議申立ての理由及び提出した証拠によっては、本件の請求項１及び請求項２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１及び請求項２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件の請求項１及び請求項２に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものではない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月２６日（２００２．３．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３１４４２６９号の登録時の明細書（以下「登録明細書」という。）を、本件に係る訂正請求書に添付された明細書のとおり、すなわち、次の訂正事項ａ乃至訂正事項ｃのとおりに訂正する。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、
　登録明細書における特許請求の範囲に係る下記の記載
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　円柱状に形成された単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
　前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に所定角度回転させるとともに、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に所定角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出し、
　前記固定部に結晶方位を出した前記単結晶材料を位置決め固定し、
　前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。
　【請求項２】
　円柱状に形成された単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
　前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に所定角度回転させるとともに、前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記固定部に固定し、
　前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記固定部を所定角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出した後、
　前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。」を、
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
　切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
　前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させるとともに、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出し、
　前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、
　前記固定部に結晶方位を出した前記単結晶材料を前記ワークブロックを介して位置決め固定し、
　前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。
　【請求項２】
　円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、
　切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
　前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させ、
　前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、
　前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記ワークブロックを介して前記固定部に固定し、
　前記単結晶材料を固定部に固定した後に、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記固定部を前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出した後、
　前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の訂正に伴い明りょうでない記載の釈明を目的として、
　登録明細書段落【０００５】の「本発明は前記目的を達成するために、・・・特徴とする。」を、
「本発明は前記目的を達成するために、円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させるとともに、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出し、前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、前記固定部に結晶方位を出した前記単結晶材料を前記ワークブロックを介して位置決め固定し、前記単結晶材料を切断することを特徴とする。」と訂正し、また、
　登録明細書段落【０００６】の「また、前記目的を達成するために、・・・特徴とする。」を、
「また、前記目的を達成するために、円柱状で円柱側面に形成された平坦面を有する単結晶材料を固定部に固定して走行するワイヤ列に押し付けることにより、多数のウェーハに切断する単結晶材料の切断方法において、切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に前記算出した角度回転させ、前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記ワークブロックを介して前記固定部に固定し、前記単結晶材料を固定部に固定した後に、前記単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に前記固定部を前記算出した角度回転させて前記単結晶材料の結晶方位を出した後、前記単結晶材料を切断することを特徴とする。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　誤記の訂正を目的として、
　登録明細書段落【００１５】の「・・・半導体インゴット５４の垂直、水平方位に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度・・・」を、
「・・・半導体インゴット５４の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度・・・」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
単結晶材料の切断方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　円柱状
で円柱側面に
平坦面を有する
　
切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
　前記単結晶材料を前記ワイヤ列に対して平行な状態で前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に
前記算出した
前記算出した
　
前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、
　前記固定部に結晶方位を出した前記単結晶材料を
前記ワークブロックを介して
　前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。
　【請求項２】　円柱状
で円柱側面に
平坦面を有する
　
切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
　前記単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に
前記算出した
、
　
前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、
　
前記単結晶材料を
前記ワークブロックを介して
　
前記単結晶材料を固定部に固定した後に、
前記算出した
　前記単結晶材料を切断することを特徴とする単結晶材料の切断方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は単結晶材料の切断方法に係り、特に円柱状に形成された半導体インゴットをワイヤソーで多数の薄板状のウェーハに切断する際の単結晶材料の切断方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体インゴット等の単結晶材料をワイヤソーで切断する場合、その単結晶材料は、切断面が所定の結晶方位になるように、結晶方位合わせを行なってから切断する必要がある。
　ワイヤソーにおける単結晶材料の結晶方位合わせは、単結晶材料の水平、垂直基準をワイヤ列の水平、垂直基準に合わせてワーク固定部に取り付けたのち、ワイヤソーのワーク固定部に設けられたチルチング機構により、前記単結晶材料を水平方位及び垂直方位に所定角度傾斜させて結晶方位合わせを行なっている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、前記のごとく単結晶材料をワイヤ列に対して垂直、水平方位に傾斜させて切断をおこなうと、前記単結晶材料は、図７に示すように、いずれか一方端から先に切り込まれることになり、ワイヤ列を構成する溝付ローラに片寄った熱分布を生じさせ、切断精度を低下させるという欠点がある。
　【０００４】
　本発明は、このような事情を鑑みてなされたもので、溝付ローラに片寄った熱分布を生じさせることなく単結晶材料を切断することができる単結晶材料の切断方法を提供することを目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決する為の手段】
　本発明は前記目的を達成するために、円柱状
で円柱側面に
平坦面を有する
切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
前記算出した
前記算出した
前記平担面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、
前記ワークブロックを介して
　【０００６】
　また、前記目的を達成するために、円柱状
で円柱側面に
平坦面を有する
切断されたウエーハの切断面が所定の結晶面を有するように前記単結晶材料の結晶方位合わせを行うために、前記単結晶材料の垂直、水平基準に対する垂直方位及び水平方位の傾斜角度から、前記単結晶材料をその軸芯を中心とした円周方向に回転させる角度と、前記単結晶材料をその軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度とを算出し、
前記算出した
、前記平坦面を有する結晶材料を前記平坦面が形成されていない部位でスライスベースを挟んでワークブロックに接着し、前記単結晶材料を
前記ワークブロックを介して
前記単結晶材料を固定部に固定した後に、
前記算出した
　【０００７】
　請求項１記載の発明によれば、単結晶材料をワイヤ列に対して平行な状態で軸芯を中心に円周方向に所定角度回転させるとともに、その軸芯と直交する軸線を中心に所定角度回転させることにより結晶方位を出し、その後固定部に位置決め固定してワイヤ列で切断する。これにより、単結晶材料はワイヤ列に対して平行な状態で切断される。したがって、単結晶材料をワイヤ列に対して傾斜させて切断する方法に比べ、ワイヤ列を形成する溝付ローラに片寄った熱分布を生じさせることがないので、精度の高い切断を行なうことができる。
　【０００８】
　請求項２記載の発明によれば、単結晶材料を軸芯を中心に円周方向に所定角度回転させるとともに、ワイヤ列に対して平行な状態で固定部に固定し、その固定部を単結晶材料の軸芯と直交する軸線を中心に所定角度回転させることにより結晶方位を出し、その後ワイヤ列で切断する。これにより、単結晶材料は、ワイヤ列に対して平行な状態で切断される。したがって、単結晶材料をワイヤ列に対して傾斜させて切断する方法に比べ、ワイヤ列を形成する溝付ローラに片寄った熱分布を生じさせることがないので、精度の高い切断を行なうことができる。
　【０００９】
　【発明の実施の形態】
　以下添付図面に従って本発明に係る単結晶材料の切断方法の好ましい実施の形態について詳説する。
　図１は、単結晶材料を切断するワイヤソー１０の全体構成図である。一方のワイヤリール１２に巻回されたワイヤ１４は、ワイヤ案内装置１６、複数の固定ガイドローラ１８、１８、ダンサローラ２０を経由して３本の溝付きローラ２２、２２、２２に順次巻き掛けられてワイヤ列２４を形成した後、複数の固定ガイドローラ１８、１８、ダンサローラ２０、ワイヤ案内装置１６を経て他方のワイヤリール２６に巻き取られる。
　【００１０】
　前記ダンサローラ２０には所定重量の錘４４が吊設され、走行するワイヤ１４に常に所要の張力が付与される。
　前記ワイヤ走行路の途中にはワイヤ洗浄装置４６が設けられ、このワイヤ洗浄装置４６によってワイヤ１４に付着した加工液４０が除去される。
　前記ワイヤリール１２、２６及び３本のうちの１本の溝付きローラ２２には、それぞれ正逆回転可能な駆動モータ２８、３０、３２が連結され、この駆動モータ２８、３０、３２に駆動されて、ワイヤ１４は一対のワイヤリール１２、２６間を往復走行する。
　【００１１】
　前記ワイヤ列２４には、砥液貯留タンク３８に貯留された砥粒（通常、ＧＣ＃６００〜＃１０００程度のものが使用される）を含む加工液４０が砥液供給ノズル４２から供給される。
　前記ワイヤ列２４の下方には、単結晶材料の被加工物である半導体インゴット５４がワークブロック５６とスライスベース５８を介してワーク送りテーブル４８に支持される。ワーク送りテーブル４８はモータ５０で回動するボールネジ５２により上下方位に移動自在に設けられ、前記半導体インゴット５４は、このワーク送りテーブル４８を上方に移動させることにより高速走行するワイヤ列２４に押し当てられ、多数の薄板状のウェーハに切断される。
　【００１２】
　ところで、単結晶材料である半導体インゴット５４は、その切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面を有するように、ワイヤ列２４に対して垂直、水平方位に所定角度傾斜させて切断を行なう必要がある。
　従来、この半導体インゴット５４のワイヤ列２４に対する結晶方位合わせは、まず、半導体インゴット５４の垂直、水平基準をワイヤ列２４の垂直、水平基準に合わせてワーク送りテーブル４８に位置決め固定し、その後、ワーク送りテーブル４８に備えつけられたチルチング機構により、半導体インゴット５４を垂直、水平方向に所定角度傾斜させて結晶方位合わせを行なっている。この場合、図２に示すように、半導体インゴット５４のＸ軸又はＹ軸とワイヤ列２４Ａ又はワイヤ列２４Ｂが直行する。
　【００１３】
　一方、本発明に係る単結晶材料の切断方法では、半導体インゴット５４のＸＹ軸がワイヤ列２４Ｃに対して平行な状態で切断されるとともに、その切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面を有するように半導体インゴット５４をスライスベース５８及びワークブロック５６に予め位置決め固定したのち、そのワークブロック５６をワーク送りテーブル４８に固定する。ここで、前記半導体インゴット５４のスライスベース５８及びワークブロック５６への位置決め固定は、次のようにして行なう。
　【００１４】
　半導体インゴット５４がワイヤ列２４に対して平行な状態で切断されるためには、半導体インゴット５４がワイヤ列２４に対して平行な状態を維持していなければならない。この状態で、且つ切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面を有するようにするためには、半導体インゴット５４を軸芯ａを中心として円周方向に所定角度回転させること、及び半導体インゴット５４をワイヤ列２４に対して平行に半導体インゴット５４の軸芯と直交する軸線を中心として所定角度回転させることにより結晶方位合わせを行なえばよい。
　【００１５】
　ここで、半導体インゴット５４の垂直、水平基準がワイヤ列２４の垂直、水平基準と平行状態にあると仮定して、半導体インゴット５４がワイヤ列２４に対して平行な状態で切断されるように、且つその切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面を有するように半導体インゴット５４を軸芯を中心として円周方向に回転させる角度をθ、半導体インゴット５４を半導体インゴット５４の軸芯と直交する軸線を中心として回転させる角度をλとする。一方、前記従来の結晶方位合わせ方法において、半導体インゴット５４の垂直、水平
基準
　θ＝ｔａｎ−１（ｔａｎβ／ｔａｎα）
更に、λとα、θとの間には、次式の関係が成り立つ。
　【００１６】
　λ＝ｔａｎ−１（ｔａｎα／ｃｏｓθ）
　したがって、半導体インゴット５４がワイヤ列２４に対して平行な状態で切断され、且つその切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面を有するようにするためには、半導体インゴット５４の垂直、水平基準がワイヤ列２４の垂直、水平基準と平行状態にあると仮定した状態で、予め半導体インゴット５４を軸芯を中心に円周方向にθ回転させるとともに、半導体インゴット５４の軸芯と直交し、ワイヤ列２４により形成される平面に直行する軸線を中心としてワイヤ列２４と平行にλ回転させてスライスベース５８及びワークブロック５６に位置決め固定し、その位置決め固定した半導体インゴット５４をワーク送りテーブル４８に固定すればよい。
　【００１７】
　図３（ａ）及び（ｂ）には、前記のようにして求めたθ、λから、半導体インゴット５４の垂直、水平基準がワイヤ列２４の垂直、水平基準と平行状態にあると仮定した状態から、軸芯を中心にθ回転させるとともに、ワイヤ列２４に対して平行にλ回転させた半導体インゴット５４をスライスベース５８及びワークブロック５６に固定し、更にワーク送りテーブル（図示せず）に固定した状態が示されている。
　【００１８】
　この状態で半導体インゴット５４の切断を行なうことにより、半導体インゴット５４は、ワイヤ列２４に対して平行な状態で切断され、且つ切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面となる。したがって、半導体インゴット５４をワイヤ列２４に対して垂直方位にも傾斜させて切断する従来の方法に比べ、ワイヤ列２４を形成する溝付ローラ２２、２２、２２に片寄った熱分布を生じさせることがないので、精度の高い切断を行なうことができる。また、予め位置決め固定したのち、ワーク送りテーブル４８に半導体インゴット５４を固定するため、従来のように、ワーク送りテーブル４８にチルチング機構を設ける必要がないので、ワイヤソー本体１０を簡素化することが出来る。
　【００１９】
　図４（ａ）及び（ｂ）には、算出したθ、λから、軸芯を中心にθ回転させたのみの半導体インゴット５４をスライスベース５８及びワークブロック５６に固定してワーク送りテーブル（図示せず）に固定し、ワイヤ列２４に対して平行な方位の回転λは、ワーク送りテーブルに備えた水平方位に揺動するチルチング機構により回転させた状態が示されている。
　【００２０】
　この状態で半導体インゴット５４の切断を行なうことにより、前記同様半導体インゴット５４は、ワイヤ列２４に対して平行な状態で切断され、且つその切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面となる。
　図５には、半導体インゴット５４をスライスベース５８及びワークブロック５６に取り付けるための接着治具の側面図が示され、図６は、その正面図が示されている。図５及び図６に示すように、前記接着治具６０は、主としてワーク受け部６２、ガイド部６４、昇降部６６及び位置決め部６８とから構成される。
　【００２１】
　前記ワーク受け部６２は、ベースプレート７０上に設けられた回転盤７１と、その回転盤７１上にブラケット７２、７２、…を介して円弧状に配設されたワーク受けローラ７４、７４、…とから構成される。前記ベースプレート７０は矩形状に形成され、水平基準と垂直基準とを有している。前記回転盤７１は、前記ベースプレート７０上を回動し、ワーク受けローラ７４、７４、…で支持した半導体インゴット５４をベースプレート７０に介して平行に回動させる。また、その時の回転角度は、回転盤７１に設けられた針７３でベースプレート７０上に形成された回転目盛（図示せず）を読み取ることにより設定する。前記ワーク受けローラ７４、７４、…は、ベースプレート６８に沿って配設されており、半導体インゴット５４は、このワーク受けローラ７４、７４、…上に載置される。また、このワーク受けローラ７４、７４、…に載置された半導体インゴット５４は、ベースプレート７０に対して平行に載置される。
　【００２２】
　前記ガイド部６４は、前記ベースプレート７０に垂直に設けられた支持プレート７６と、その支持プレート７６の両側部に形成されたガイドレール７８、７８とから構成される。
　前記昇降部６６は、前記支持プレート７６に形成されたガイドレール７８、７８上をスライド移動する昇降ブロック８０と、前記支持プレート７６に設けられ、昇降ブロック８０を昇降移動させる昇降機構８４とから構成される。前記昇降ブロック８０は水平部８０Ａと垂直部８０Ｂを有する断面Ｌ字状に形成され、両側部にワークブロック５６を支持する支持アーム８２、８２が設けられている。また、この昇降ブロック８０には水平方向基準、支持アーム８２には垂直基準がそれぞれ設けられており、支持したワークブロック５６の側面を基準駒８６、８６に、また、下面を支持アーム８２の基準に当接させることにより、位置決めされて支持される。また、前記昇降ブロック８０の背面部には、ナット部８８が形成されており、該ナット部８８は、前記支持プレート７６に沿って設置されたボールネジ９０に螺合されている。このボールネジ９０は、上端部に連結された昇降ハンドル９２を回動させるとこにより回動し、その回動分だけ昇降ブロック８０をガイドレール７８、７８に沿って昇降移動させる。
　【００２３】
　前記位置決め部６８は、支持台９４に基準盤９６が固定されるとともに、その基準盤９６と同軸上に回転目盛盤９８が回動自在に支持されて構成される。前記支持台９４は、前記ワーク受けローラ７４、７４上に載置され、前記基準盤９６と半導体インゴット５４が同軸上に位置するように設置される。前記基準盤９６は、円盤状に形成され、その周縁部に後述する回転目盛盤９８に形成された回転目盛１０２を読み取るための基準目盛１０４が形成されている。前記回転目盛盤９８は、円盤状に形成され、その周縁部の４箇所に後述する半導体インゴット５４の端面に引いたケガキ線（半導体インゴット５４の結晶方位合わせ基準を示す）を合わせるためのケガキ合わせ目盛１００Ｖ、１００Ｈが所定の間隔で形成されている。また、回転目盛盤９８には、半導体インゴット５４の回転角度を設定するための回転目盛１０２が形成されている。この回転目盛１０２は、中央位置を基準点としてその両側に角度が目盛られており、回転目盛盤９８は、前記基準目盛１０４でこの回転目盛１０２を読み取りながら回転させることで、回転角度の設定を行なう。また、前記ケガキ合わせ目盛１００Ｖ、１００Ｈは、前記回転目盛１０２の基準点の延長線上に垂直基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｖが形成され、この垂直基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｖと直交するように水平基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｈが形成される。すなわち、基準盤９６の基準目盛１０４が回転目盛１０２の基準点を指している場合は、垂直基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｖは、前記ベースプレート７０に対して垂直状態となり、水平基準となるケガキ合わせ目盛１００Ｈは、ベースプレートに対して平行となっている。したがって、この状態で、半導体インゴット５４の端面に引いた水平ケガキ線１０４Ｈ及び垂直ケガキ線１０４Ｖをそれぞれケガキ合わせ目盛の水平基準１００Ｈ及び垂直基準１００Ｖに合わせることにより、半導体インゴット５４は、その垂直、水平基準がベースプレート７０の垂直、水平と一致する。
　【００２４】
　前記のごとく構成される接着治具６０を用いた、半導体インゴット５４のスライスベース５８及びワークブロック５６への接着は次のようにして行なう。
　まず、半導体インゴット５４の一方側の端面に半導体インゴット５４の水平、垂直基準となるケガキ線１０４Ｈ、１０４Ｖを予め引く。この際、ケガキ線１０４Ｖは、半導体インゴット５４に形成されたオリフラ面の中心と半導体インゴット５４の軸芯を通る直線を引き、また、ケガキ線１０４Ｈは、前記ケガキ線１０４Ｖと直交し、かつ半導体インゴット５４の軸芯を通る直線を引く。
　【００２５】
　次に、ワークブロック５６を昇降ブロック８０の支持アーム８２、８２に支持させる。
　一方、半導体インゴット５４をワーク受けローラ７４、７４、…上に載置するとともに、基準目盛１０４を基準位置にセットする。そして、半導体インゴット５４を円周方向に回転させて、その端面に引いたケガキ線１０４Ｈ、１０４Ｖをケガキ合わせ目盛１００Ｈ、１００Ｖに一致するように合わせる。この状態で、半導体インゴット５４は、その垂直、水平基準がベースプレート７０の垂直、水平基準に一致する。このことは、半導体インゴット５４の水平、垂直基準がワイヤ列２４の水平、垂直基準と一致しているとみなすことができる。
　【００２６】
　次に、計算により求めた半導体インゴット５４の軸芯を中心とした回転角度θ分だけ、回転目盛盤９８を回転させる。そして、その回転により変更したケガキ合わせ目盛１００Ｈ、１００Ｖの位置にケガキ線１０４Ｈ、１０４Ｖが一致するように半導体インゴット５４を円周方向に回転させる。これにより、半導体インゴット５４は、垂直基準が一致した状態からθ分だけ円周方向に回転したことになる。
　【００２７】
　次に、計算により求めた半導体インゴット５４のワイヤ列２４と平行な方位の回転角度λ分だけ、回転盤７１を回転させる。これにより、半導体インゴット５４は、水平基準が一致した状態からλ分だけ回転したことになり、ワイヤ列２４に対して平行にλ傾いたことになる。
　前記操作により、半導体インゴット５４は、走行するワイヤ列２４に対して平行な状態で切断され、且つその切断されたウェーハの切断面が所定の結晶面を有するように位置決めされるので、ワークブロック５６を降ろし、スライスベース５８を挟んで接着することにより、半導体インゴット５４のスライスベース５８及びワークブロック５６への取付けは終了する。
　【００２８】
　このように、前記接着治具６０を使用することにより、簡便に半導体インゴット５４のスライスベース５８及びワークブロック５８への取付けを行なうことができる。
　なお、前記接着治具６０は、半導体インゴット５４を軸芯を中心にθ円周方向に回転させてスライスベース５８及びワークブロック５６に固定する場合にも適用できる。この場合、水平方位の回転は不要であるので、接着治具６０は回転盤７１を省いてもよい。
　【００２９】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、単結晶材料はワイヤ列に対して平行な状態でワイヤ列に切断される。これにより、単結晶材料をワイヤ列に対して傾斜させて切断する方法に比べ、ワイヤ列を形成する溝付ローラに片寄った熱分布を生じさせることがないので、精度の高い切断を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　ワイヤソーの全体構成図
　【図２】
　半導体インゴットのワイヤ列に対する傾斜状態の説明図
　【図３】
　本発明に係る単結晶材料の切断方法の実施例の説明図
　【図４】
　本発明に係る単結晶材料の切断方法の実施例の説明図
　【図５】
　接着治具の側面図
　【図６】
　接着治具の正面図
　【図７】
　従来の単結晶材料の切断方法の実施例の説明図
　【符号の説明】
　１０…ワイヤソー
　１２、２６…ワイヤリール
　１４…ワイヤ
　２２…溝付ローラ
　２４…ワイヤ列
　４８…ワーク送りテーブル
　５４…半導体インゴット
　５６…ワークブロック
　５８…スライスベース