【事件の表示】
　特許第３１３４２９３号「シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法，シリカ系被膜形成用塗布液，シリカ系被膜の製造方法，シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成されたデバイス」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１３４２９３号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３１３４２９３号は、平成２年６月２１日に特許出願され、平成１２年１２月１日に特許権設定の登録がされ、平成１３年２月１３日に特許掲載公報が発行され、その後、平成１３年８月１３日にジェイエスアール株式会社から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知に対し平成１４年１月２９日付けで特許異議意見書が提出されるとともに訂正請求がなされたものである。
２．本件訂正請求
（１）訂正事項
　本件訂正請求は、本件明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正することを求めるものであり、その訂正事項は以下のとおりである。
（ａ）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１〜２を、
「　【請求項１】　一般式（Ｉ）
Ｒ４−ｎＳｉ（ＯＲ′）ｎ　　　（Ｉ）
（式中Ｒは低級アルキル基又はアリール基、Ｒ′は低級アルキル基またはアルコキシル基で置換された低級アルキル基、ｎは２〜４の整数を示し、２〜４個のＲ′は互いに同一である。）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも２種（２種以上のアルコキシシラン化合物においてＲ′は互いの化合物で同一である。）を混合し、混合物を水及び酸触媒の存在下に加水分解縮重合させてシロキサンボリマーを合成する際に、加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒中で反応させることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。
　　【請求項２】溶媒が、単一である請求項１記載のシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。」を
「　【請求項１】　一般式（Ｉ）
Ｒ４−ｎＳｉ（ＯＲ′）ｎ　　　（Ｉ）
（式中Ｒは低級アルキル基又はアリール基、Ｒ′は低級アルキル基またはアルコキシル基で置換された低級アルキル基、ｎは２〜４の整数を示し、２〜４個のＲ′は互いに同一である。ただし、ＲおよびＲ′がともにメチル基の場合を除く）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも２種（２種以上のアルコキシシラン化合物においてＲ′は互いの化合物で同一である。）を混合し、混合物を水及び酸触媒の存在下に加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成する際に、加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒中で反応させることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。
　　【請求項２】溶媒が、単一である請求項１記載のシリ力系被膜形成用塗布液の製造方法。」と訂正する。
（２）訂正の適否の判断
　次に本件訂正請求の適否について検討する。
　訂正事項ａは、請求項１に記載される一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物に「ただし、ＲおよびＲ′がともにメチル基の場合を除く」との限定を加えることにより、取消理由通知で引用した刊行物１（特開昭６１−２５００３２号公報）に記載された「メチルメトキシシラン」を除くものであって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。そして、この訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてするものであり、この訂正により特許請求の範囲が拡張ないし変更されるものでないことも明らかである。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号（以下「平成６年改正法」という。））附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．本件特許異議申立てについての判断
（１）本件訂正前の特許に対する特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人ジェイエスアール株式会社は、証拠として甲第１号証（特開昭６１−２５００３２号公報）を提出し、本件請求項１〜２に係る発明は、本件の出願前頒布された甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、本件請求項１〜２に係る発明の特許は取り消されるべきものであり、また、本件請求項１〜２に係る発明は、当業者が甲第１号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるから、本件請求項１〜２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また、本件請求項１〜２に係る発明の特許は、その明細書が特許法第３６条第４項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、取り消されるべき旨主張している。
（２）本件発明
　本件特許第３１３４２９３号の発明は、上記訂正された特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された事項により特定される次のとおりのもの（以下、順次「本件発明１」、「本件発明２」という。）である。
「　【請求項１】　一般式（Ｉ）
Ｒ４−ｎＳｉ（ＯＲ′）ｎ　　　（Ｉ）
（式中Ｒは低級アルキル基又はアリール基、Ｒ′は低級アルキル基またはアルコキシル基で置換された低級アルキル基、ｎは２〜４の整数を示し、２〜４個のＲ′は互いに同一である。ただし、ＲおよびＲ′がともにメチル基の場合を除く）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも２種（２種以上のアルコキシシラン化合物においてＲ′は互いの化合物で同一である。）を混合し、混合物を水及び酸触媒の存在下に加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成する際に、加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒中で反応させることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。
　　【請求項２】溶媒が、単一である請求項１記載のシリ力系被膜形成用塗布液の製造方法。」
（３）引用刊行物
　刊行物１：特開昭６１−２５００３２号公報（特許異議申立人ジェイエスアール株式会社の提出した甲第１号証）
（４）引用刊行物に記載された発明
　刊行物１には「溶媒の存在下でメチルメトキシシランと水とを触媒を用いて加水分解縮合させる際に、溶媒として、メチルメトキシシランのメトキシ基と反応しない溶媒（ただしメタノールおよびメタノールエステルを含む）を用いることを特徴とするシラノールオリゴマー液の製造法。」（特許請求の範囲第１項）が記載され、さらに「本発明は、シリコン、ガラス、セラミツク、アルミ等の基体表面上に厚いシリカ系被膜を容易に形成可能なシラノールオリゴマー液の製造法に関する。」（第１頁左下欄第１５〜１８行）、「アルコキシシランは……加水分解し，次にシラノール基（≡Ｓｉ−ＯＨ）が縮合して……最終的にはシリカ系重合体となる。溶媒中で加水分解反応を行なつた場合これらの反応は即座に完結するわけではなく，部分的に加水分解されたシラノールオリゴマー液を作製することが可能である。このシラノールオリゴマー液を基体上に塗布し，……焼成すると……シリカ系被膜を形成する」（第２頁左上欄第１９行〜右上欄第１１行）、「この際アルコキシ基が大きい，すなわち炭素数が多いと，アルコキシ基の脱離による収縮歪が大きくなりクラツクが発生する。また，膜中に多量の炭素残渣が残存し，完全なシリカ系被膜とならない。本発明者らの詳細な検討に寄れば，アルコキシ基として使用可能なのはメトキシ基のみである。同様にしてアルキル基についてもメチル基のみが用いられる。」（第２頁右上欄第１２〜１９行）、「次に本発明に用いるメチルメトキシシランの共重合組成としては……Ｓｉ（ＯＣＨ３）４　２０〜４０モル％、ＣＨ３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３　４０〜６０モル％、（ＣＨ３）２Ｓｉ（ＯＣＨ３）２　１０〜２０モル％の範囲のものが好ましい。」（第２頁右上欄第２０行〜左下欄第４行）、「従つて本発明に用いられる溶媒はメトキシシランとこの様な交換反応を生じない溶媒もしくは，交換反応をしても再びメトキシシランを生じるメタノール，メタノールエステルに限定される。」（第２頁右下欄第２〜６行）及び「次に本発明に用いられる反応触媒としては，塩酸，硫酸，リン酸，ホウ酸等の無機酸……等を用いることが可能であるが，……リン酸，ホウ酸等が好ましい。」（第２頁右下欄第１５〜２０行）と記載されている。
（５）対比・判断
（ｉ）特許法第２９条第１項に係る特許異議申立理由について
　本件発明１〜２において「一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物」から「ＲおよびＲ′がともにメチル基の場合」が除かれることにより、刊行物１に記載されているメチルメトキシシランである場合が除外されているので、本件発明１〜２は刊行物１記載の発明とすることはできない。
（ｉｉ）特許法第２９条第２項に係る特許異議申立理由について
　刊行物１には、アルコキシ基が大きいと、アルコキシ基の脱離による収縮歪が大きくなりクラックが発生し、また膜中に多量の炭素残渣が残存して完全なシリカ系被膜とならない旨記載されており、さらに、アルコキシ基として使用可能なのはメトキシ基のみであり、アルキル基についてもメチル基のみが用いられる旨が記載されている。これらの記載によると、通常、メチルメトキシシラン以外の化合物の使用には不都合が生じるものと理解するものであるから、あえて刊行物１に記載されるメチルメトキシシランに代えて、本件発明１〜２における一般式（Ｉ）の化合物を用いることは当業者が容易に想到し得たとすることはできない。
　したがって、本件発明１〜２は当業者が刊行物１に記載された発明に基づき容易に発明できたものとすることはできない。
（ｉｉｉ）特許法第３６条第４項第２号に係る特許異議申立理由について
　特許異議申立人は「本件請求項２は請求項１を引用して記載されている。したがって、請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明の下位概念ないし実施態様に相当すると解釈できる。そして、請求項２記載の発明は、請求項１の発明に係る製造方法で用いる溶媒について「溶媒が、単一である」場合に限定したものと考えられる。」とした上で「反応溶媒として混合溶媒を用いる態様をも包含されるがのごとき請求項１の記載は、不明りょうであり、特許を受けようとする発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載したものとすることはできない。」と主張する。
　請求項１には、一般式（Ｉ）
Ｒ４−ｎＳｉ（ＯＲ′）ｎ　　　（Ｉ）
について、「ｎは２〜４の整数を示し、２〜４個のＲ′は互いに同一である。」との記載があり、しかも「２種以上のアルコキシシラン化合物においてＲ′は互いの化合物で同一である。」との記載もあることから、「加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコール」はＨＯＲ′の一種のみと認められる。
　したがって、請求項１における「加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒」は単一溶媒と認められる。
　そして、特許法第３６条第５項に「前項の規定は、その記載が一の請求項に係る発明と他の請求項に係る発明とが同一である特許請求の範囲の記載となることを妨げない。」と規定されており、異なる請求項に係る発明が同一である記載となってもよいのであるから、請求項２に「溶媒が、単一である請求項１記載の……」と記載されているとしても、請求項１における「加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒」は前記のとおり単一溶媒であるから、この記載を混合溶媒をも包含するものと解すべき必然性はなく、請求項１の記載が不明りょうであって、特許を受けようとする発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載したものでないとすることはできない。
　したがって、本件発明１〜２に係る特許は、その明細書が特許法第３６条第４項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものとすることはできない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明１〜２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月１８日（２００２．７．１８）
【訂正の要旨】
（ａ）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１〜２を、
「　【請求項１】　一般式（Ｉ）
　　Ｒ４−ｎＳｉ（ＯＲ′）ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ）
（式中Ｒは低級アルキル基又はアリール基、Ｒ′は低級アルキル基またはアルコキシル基で置換された低級アルキル基、ｎは２〜４の整数を示し、２〜４個のＲ′は互いに同一である。）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも２種（２種以上のアルコキシシラン化合物においてＲ′は互いの化合物で同一である。）を混合し、混合物を水及び酸触媒の存在下に加水分解縮重合させてシロキサンボリマーを合成する際に、加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒中で反応させることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。
　【請求項２】溶媒が、単一である請求項１記載のシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。」を
「　【請求項１】　一般式（Ｉ）
　　Ｒ４−ｎＳｉ（ＯＲ′）ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ）
（式中Ｒは低級アルキル基又はアリール基、Ｒ′は低級アルキル基またはアルコキシル基で置換された低級アルキル基、ｎは２〜４の整数を示し、２〜４個のＲ′は互いに同一である。ただし、ＲおよびＲ′がともにメチル基の場合を除く）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも２種（２種以上のアルコキシシラン化合物においてＲ′は互いの化合物で同一である。）を混合し、混合物を水及び酸触媒の存在下に加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成する際に、加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒中で反応させることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。
　【請求項２】溶媒が、単一である請求項１記載のシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
シリカ系被膜形成用塗布液の製造方法，シリカ系被膜形成用塗布液，シリカ系被膜の製造方法，シリカ系被膜およびシリカ系被膜の形成されたデバイス
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　一般式（Ｉ）
　　Ｒ４−ｎＳｉ（ＯＲ′）ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ）
（式中Ｒは低級アルキル基又はアリール基、Ｒ′は低級アルキル基またはアルコキシル基で置換された低級アルキル基、ｎは２〜４の整数を示し、２〜４個のＲ′は互いに同一である。
ただし、ＲおよびＲ′がともにメチル基の場合を除く
　【請求項２】溶媒が、単一である請求項１記載のシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法。
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
　本発明はシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法に関する。
（従来の技術）
　近年，超ＬＳＩ製造技術の発展に伴つて，高累積化，高速化及び多機能化による高度の多層配線技術が要求されている。例えば、超ＬＳＩの製造においては，配線上に配線パターンや絶縁膜を形成することが必要であるが，この際，基板上に段差を生じ，この段差を有する基板上に更に配線パターンを形成することが困難なため，段差をなくす平坦化処理が不可欠となつている。
　従来，このような基板上の段差をなくす平坦化技術としては，例えば，シリコンラダー系，ポリイミドやポリイミドシリコーンのような有機系材料を用いる方法が知られている。しかし，得られる被膜が３００〜４５０℃程度の温度で熱分解し易く，耐熱性，耐湿性に劣る欠点がある。
　また基板中に水素，酸素，窒素などの残留ガスを含まないように基板を荷電粒子で軽くたたきながら被膜を形成する，いわゆるバイアススパツタリング法が知られている。この方法は，微細な部分での平坦化に適しているが，膜の累積過程で下地基板に損傷を与える欠点がある。
　一方，シラノール及びアルキルシラノールを有機溶媒中に溶解して塗布液を調整し，この塗布液を用いて段差を埋めるとともに全面を覆うように塗布した後，熱処理によるシリカ系被膜を形成して平坦化する，いわゆるスピンオングラス法（ＳＯＧ塗布法）が一般に実用化されている。しかし，上記塗布液を例えば前述のようなＬＳＩなどの基板上に回転塗布すると，基板の回転中心部から周辺に向かつて放射状の塗布ムラが発生し，形成フイルムの膜厚にバラツキが生じ段差の平坦化を損う欠点があつた。そのため，この様なシリカ系被膜を形成して作製したデバイスは配線の一部が断線しやすいなど信頼性に問題があつた。
（発明が解決しようとする課題）
　本発明の目的は，前記従来技術の問題点を解決し，塗布ムラが生じにくく平坦性の高い絶縁膜を形成することができる新規なシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法，シリカ系被膜形成用塗布液，シリカ系被膜形成方法，シリカ系被膜および該シリカ系被膜を用いることにより信頼性の高いデバイスを提供するものである。
（課題を解決するための手段）
　本発明者らは前記課題に鑑み，鋭意研究を重ねた結果，特定のアルコキシシラン化合物の少なくとも２種を特定の有機溶媒に溶解させ，水と触媒の存在下で加水分解して得られる溶液により前記目的を達成できることを見い出し，本発明に到達した。
　すなわち、本発明は、
　一般式（Ｉ）
　　Ｒ４−ｎＳｉ（ＯＲ′）ｎ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ）
（式中Ｒは低級アルキル基又はアリール基、Ｒ′は低級アルキル基またはアルコキシル基で置換された低級アルキル基、ｎは２〜４の整数を示し、２〜４個のＲ′は互いに同一である。）で表されるアルコキシシラン化合物の少なくとも２種（２種以上のアルコキシシラン化合物においてＲ′は互いの化合物で同一である。）を混合し、混合物を水及び酸触媒の存在下に加水分解縮重合させてシロキサンポリマーを合成する際に、加水分解縮重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒中で反応させることを特徴とするシリカ系被膜形成用塗布液の製造方法に関する。
　本発明に用いられる前記一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物としては一般式
　　Ｓｉ（ＯＲ′）４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ＩＩＩ）
　　ＲＳｉ（ＯＲ′）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ＩＶ）
または
　　Ｒ２Ｓｉ（ＯＲ′）２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｖ）
（式中Ｒ及びＲ′は前記と同じ）で表される化合物が挙げられる。ここでＲとＲ′とがアルキル基である場合は，同一でも異なつてもよい。
　一般式（ＩＩＩ）で表されるテトラアルコキシシラン化合物の具体例としては，テトラメトキシシラン，テトラエトキシシラン，テトラプロポキシシラン，テトライソプロポキシシラン，テトラブトキシシラン，テトライソブトキシシラン，テトラフエノキシシラン，テトラ（２−メトキシエトキシ）シラン，テトラ（２−エトキシエトキシ）シラン，テトラ（２−プロポキシエトキシ）シラン，テトラ（２−ブトキシエトキシ）シラン，テトラ（３−メトキシプロポキシ）シラン，テトラ（３−エトキシプロポキシ）シラン，テトラ（３−プロポキシプロポキシ）シラン，テトラ（３−ブトキシプロポキシ）シラン等が挙げられる。特にテトラプロポキシシラン，テトライソプロポキシシラン，テトラブトキシシラン，テトライソブトキシシランが好適に用いられる。
　一般式（ＩＶ）で表わされるトリアルコキシシラン化合物の具体例としては，メチルトリメトキシシラン，メチルトリエトキシシラン，メチルトリプロポキシシラン，メチルトリイソプロポキシシラン，エチルトリメトキシシラン，エチルトリエトキシシラン，エチルトリプロポキシシラン，エチルトリイソプロポキシシラン，フエニルトリメトキシシラン，フエニルトリエトキシシラン，フエニルトリプロポキシシラン，フエニルトリイソプロポキシシラン，メチルトリ（２−メトキシエトキシ）シラン，メチルトリ（２−エトキシエトキシ）シラン，メチルトリ（２−プロポキシエトキシ）シラン，メチルトリ（２−ブトキシエトキシ）シラン，メチルトリ（３−メトキシプロポキシ）シラン，メチルトリ（３−エトキシプロポキシ）シラン，メチルトリ（３−プロポキシプロポキシ）シラン，メチルトリ（３−ブトキシプロポキシ）シラン等が挙げられる。特にメチルトリプロポキシシラン，メチルトリイソプロポキシシラン，メチルトリブトキシシラン，メチルトリブトキシシランが好適に用いられる。
　一般式（Ｖ）で表されるジアルコキシシラン化合物の具体例としては，ジメチルジメトキシシラン，ジメチルジエトキシシラン，ジメチルジプロポキシシラン，ジメチルジイソプロポキシシラン，ジエチルジメトキシシラン，ジエチルジエトキシシラン，ジエチルジプロポキシシラン，ジエチルジイソプロポキシシラン，ジフエニルジメトキシシラン，ジフエニルジエトキシシラン，ジフエニルジプロポキシシラン，ジフエニルジイソプロポキシシラン，ジメチルジ（２−メトキシエトキシ）シラン，ジメチルジ（２−エトキシエトキシ）シラン，ジメチルジ（２−プロポキシエトキシ）シラン，ジメチルジ（２−ブトキシエトキシ）シラン，ジメチルジ（３−メトキシプロポキシ）シラン，ジメチルジ（３−エトキシプロポキシ）シラン，ジメチルジ（３−プロポキシプロポキシ）シラン，ジメチルジ（３−ブトキシプロポキシ）シラン等が挙げられる。特にジメチルジプロポキシシラン，ジメチルジイソプロポキシシラン，ジメチルジブトキシシラン，ジメチルジイソブトキシシランが好適に用いられる。一般式（ＩＩＩ），（ＩＶ）または（Ｖ）で表されるアルコキシシラン化合物はそれぞれ２種以上を併用してもよい。
　一般式（Ｉ）において，アルキル基の炭素数は，反応性の点から通常１〜４とされる。アルコキシル基で置換されたアルキル基の炭素数は，アルコキシル基とアルキル基の炭素数の総計が反応性の点から通常２〜１０とされる。
　また，加水分解重合反応の過程において生成するアルコールまたは２価アルコールのモノエーテルと同一の溶媒としては，プロパノール，イソプロパノール，ブタノール，イソブタノール等のアルコール類，２価アルコールのモノエーテルなどが用いられる。２価アルコールのモノエーテルとしては，エチレングリコールモノメチルエーテル，エチレングリコールモノエチルエーテル，エチレングリコールモノプロピルエーテル，エチレングリコールモノブチルエーテル，エチレングリコールモノイソブチルエーテル，エチレングリコールモノヘキシルエーテル，エチレングリコールモノフエニルエーテル，プロピレングリコールモノメチルエーテル，プロピレングリコールモノプロピルエーテル，プロピレングリコールモノブチルエーテル，プロピレングリコールモノフエニルエーテル，ジエチレングリコールモノメチルエーテル，ジエチレングリコールモノエチルエーテル，ジエチレングリコールモノブチルエーテル，ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル，ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル，トリエチレングリコールモノメチルエーテル，トリエチレングリコールモノブチルエーテル，ジプロピレングリコールモノメチルエーテル，ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル，ジプロピレングリコールモノブチルエーテル，トリプロピレングリコールモノメチルエーテルなどがある。
　これら溶媒は，一般式（Ｉ）で表されるアルコキシシラン化合物が加水分解重縮合反応の過程において生成するアルコールや２価アルコールのモノエーテルと同一のものが用いられる。
　触媒としては、蟻酸，マレイン酸，フマル酸，酢酸などの有機酸，塩酸，燐酸，硝酸，ほう酸などの無機酸が用いられる。これら触媒は原料となるアルコキシシラン化合物の量に応じて適当量用いられるが、好適にはアルコキシシラン化合物１モルに対し０．００１〜０．５ミルの範囲で用いられる。
　アルコキシシラン化合物の加水分解に用いられる水の量も適宜決められるが，余り少ない場合や多すぎる場合には塗布液の保存安定性が低下するなどの問題がある。そのためシリカ系被膜形成用塗布液として水はアルコキシシラン化合物１モルに対して０．５〜４モルの範囲で用いることが好ましい。
　シリカ系被膜の形成は，シリカ系被膜形成用塗布液を半導体基板等の上にスピナー，ハケ，スプレー等で塗布した後，好ましくは５０〜２５０℃，より好ましくは１００〜２００℃の温度で乾燥後，窒素雰囲気下で２６０〜６００℃、好ましくは３００〜６００℃，より好ましくは４００〜５００℃の温度で加熱硬化させて行われる。
　本発明の塗布液は，デバイス一般に適用することができ，例えばメモリー，ロジツク等の層間絶縁膜，パツシベーシヨン膜等に用いられる。
　例えばアルミニウム等の金属配線を設け，その上にｐ−ＳｉＯ膜（プラズマＣＶＤ法で形成された酸化けい素膜），ＴＥＯＳ膜（テトラエトキシシランから形成された被膜）等を形成した半導体基板上に，本発明のシリカ系被膜形成用塗布液を塗布し，加熱硬化して，この半導体基板上のｐ−ＳｉＯ膜等の上にシリカ系被膜を形成したデバイスとされる。
（実施例）
　以下本発明を実施例により説明するが，本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　なお，最大塗布ムラの測定は次のようにして行つた。
＜最大塗布ムラ＞
　パターンの形成されたウエハ（以下，パターンとする）上の凹凸によつてパターンの周辺方向に向かつてスジ状の塗布ムラが発生するが，パターン周辺の平坦部について，スローン（ＳＬＯＡＮ）社製触針式段差計Ｄｅｋｔａｋ　ＩＩ　Ａを用い，スジ状に生じた塗布ムラに対して垂直に掃引幅を１０ｍｍとして表面の凹凸を測定し，その中で最も大きな凸部の厚さをＭａｘ　ＨＴとした。この測定パターン上の５点について行い，Ｍａｘ　ＨＴの平均ＡＶ．Ｍａｘ　ＨＴを求めた。
　また溶媒の種類によつて形成したシリカ系被膜の膜厚が異なるため，膜厚を０．３μｍとしたときに換算した値を最大塗布ムラとして下式によつて求めた。
実施例１
　一般式（ＩＩＩ），（ＩＶ），（Ｖ）
　　Ｓｉ（ＯＲ′）４　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ＩＩＩ）
　　ＲＳｉ（ＯＲ′）３　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（ＩＶ）
　　Ｒ２Ｓｉ（ＯＲ′）２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｖ）
で表されるアルコキシシラン化合物でＲがメチル基であるものをモル比で一般式（ＩＩＩ）：（ＩＶ）：（Ｖ）が２：２：１の割合で計１モルになるように混合した。このとき，（ＩＩＩ），（ＩＶ），（Ｖ）式はＲ′は同一とし，Ｒ′は−Ｃ２Ｈ５，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３，−ＣＨ（ＣＨ３）２，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＣＨ３または−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３とした。
　溶媒は上記Ｒ′に対応して順次エタノール，プロパノール，イソプロパノール，ブタノール，エチレングリコールモノメチルエーテルまたはプロピレングリコールモノプロピルエーテルを用い上記アルコキシシラン化合物の混合液１モルと溶媒の重さの合計が５００ｇになるように各溶媒に各々溶解した。これにリン酸３ｇを純水４０ｇに溶解させた水溶液を添加して加水分解重縮合を行い，シリカ系被膜形成用塗布液を作製した。リン酸水溶液は３０分かけて滴下した。リン酸水溶液を滴下すると液温は上昇するものとしないものとがあり，液温が上昇しないものは加熱昇温し５０℃，１時間保持した。
　このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液をスピンナーを用いて３０００ｒｐｍでパターン上に回転塗布し，ホツトプレート上に１５０℃で３０秒および２５０℃で３０秒加熱した。さらに４５０℃の硬化炉で３０分間加熱硬化した。パターンは段差１μｍで表面にｐ−ＳｉＯ膜を形成したＴＥＧ（ＴＥＳＴ　ＥＬＥＭＥＮＴ　ＧＲＯＵＰの略）を用いた。
　次にパターンの平坦部において，シリカ系被膜表面の凹凸の測定を行い，上記の測定法に従つて最大塗布ムラを求めた。その結果を第１表に示した。
比較例１
　テトラメトキシシラン，メチルトリメトキシシラン，ジメチルジメトキシシランをモル比で２：２：１の割合で混合し合計が１モルになるようにした。溶媒としてエタノール，プロパノール，イソプロパノール，ブタノール，エチレングリコールモノメチルエーテルまたはプロピレングリコールモノプロピルエーテルを用い上記アルコキシシラン混合液１モルと溶媒の重さの合計が５００ｇになるように各々溶解した。これにリン酸３ｇを純水４０ｇに溶解させた水溶液を添加して加水分解重縮合を行い，シリカ系被膜形成用塗布液を作製した。
　リン酸水溶液は３０分かけて滴下した。リン酸水溶液を滴下すると液温が上昇し，５０℃以上になるときには水冷し，５０℃以下になるようにした。
　このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液を実施例１と同様にスピンナーを用いて３０００ｒｐｍでパターン上に回転塗布し，ホツトプレート上１５０℃で３０秒および２５０℃で３０秒加熱した。さらに４５０℃の硬化炉で３０分間加熱硬化した。パターンは段差１μｍで表面にｐ−ＳｉＯ膜を形成したＴＥＧを用いた。
　次にパターンの平坦部において，シリカ系被膜表面の凹凸の測定を行い，上記の測定法に従つて最大塗布ムラを求めた。その結果を第１表に示した。
　第１表において明らかなように，実施例１と比較例１を比較すると実施例１の最大塗布ムラの値が小さいことが示される。
比較例２
　一般式（ＩＩＩ），（ＩＶ），（Ｖ）で表されるアルコキシシラン化合物でＲがメチル基であるものをモル比で２：２：１の割合で計１モルになるように混合した。このとき，一般式（ＩＩＩ），（ＩＶ），（Ｖ）式のＲ′は同一としＲ′は−Ｃ２Ｈ５，−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３，−ＣＨ（ＣＨ３）２または−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３とした。
　溶媒はプロピレングリコールモノプロピルエーテルを用い上記アルコキシシラン化合物の混合液１モルと溶媒の重さの合計が５００ｇになるように各々溶解した。これにリン酸３ｇを純水４０ｇに溶解させた水溶液を添加して加水分解重縮合を行い，シリカ系被膜形成用塗布液を作製した。リン酸水溶液は３０分かけて滴下した。リン酸水溶液を滴下すると液温が上昇するものとしないものとがあり、液温が上昇しないものは加熱昇温し５０℃，１時間保持した。
　このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液を実施例１及び比較例１と同様にスピンナーを用いて３０００ｒｐｍでパターン上に回転塗布し，ホツトプレート上１５０℃で３０秒および２５０℃で３０秒加熱した。さらに４５０℃の硬化炉で３０分間加熱硬化した。パターンは段差１μｍで表面にｐ−ＳｉＯ膜を形成したＴＥＧを用いた。
　次にパターンの平坦部において，シリカ系被膜表面の凹凸の測定を行い，上記の測定法に従つて最大塗布ムラを求めた。その結果を第２表に示した。
　実施例１においてＲ′が−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３で，溶媒にプロピレングリコールモノプロピルエーテルを用いて作製した塗布液の最大塗布ムラの値と比較例２の塗布液を用いて評価した最大塗布ムラの値とを比較すると比較例２のほうが大きくなつていることが示される。
比較例３
　一般式（ＩＩＩ），（ＩＶ），（Ｖ）で表されるアルコキシシラン化合物でＲがメチル基であるものをモル比で２：２：１の割合で計１モルになるように混合する。このとき，一般式（ＩＩＩ），（ＩＶ），（Ｖ）式のアルコキシ基はメトキシ基を用いた。
　溶媒は２種類の溶媒を重量比が１：１になるように混合し用いた。溶媒の組合せは第３表に示した。アルコキシシラン化合物の混合液１モルと上記混合溶媒の重さの合計が５００ｇになるように各々溶解した。これにリン酸３ｇを純水４０ｇに溶解させた水溶液を添加して加水分解重縮合を行い，シリカ系被膜形成用塗布液を作製した。リン酸水溶液は３０分かけて滴下した。
　このようにして作製したシリカ系被膜形成用塗布液を実施例１，比較例１及び比較例２と同様にスピンナーを用いて３０００ｒｐｍでパターン上に回転塗布し，ホツトプレート上１５０℃で３０秒および２５０℃で３０秒加熱した。さらに４５０℃の硬化炉で３０分間加熱硬化した。パターンは段差１μｍで表面にｐ−ＳｉＯ膜を形成したＴＥＧを用いた。
　次にパターンの平坦部において，シリカ系被膜表面の凹凸の測定を行い，上記の測定法に従つて最大塗布ムラを求めた。その結果を第３表に示した。
　第３表に示した最大塗布ムラの値と，第１表に示した実施例１の個々の溶媒を用いた結果とを比較すると混合溶媒にすると塗布ムラは大きくなつていることが示される。
（発明の効果）
　本発明により，塗布ムラ小さいシリカ系被膜形成用塗布液を作製することが可能となる。このシリカ系被膜形成用塗布液を半導体デバイスの層間絶縁膜やパツシベーシヨン膜等を用いることで平坦化が可能となり信頼性の高いデバイスを製造することができる。