【事件の表示】
　特許第３１５７３２５号「液晶表示装置の製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５７３２５号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１５７３２５号の発明は、平成５年２月２４日の出願であって、平成１３年２月９日にその特許の設定の登録がなされ、その後、佐藤勝明により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１４年３月１９日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　　訂正事項ａ
　特許明細書の特許請求の範囲
「【請求項１】透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニングした後、直ちに全面に渡り陽極酸化する工程と、
この上にゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、このゲート絶縁膜上に設けられる導電ラインと前記構成部とのコンタクト部に対応する位置にコンタクト孔を形成する工程と、
このコンタクト孔を介して前記構成部の陽極酸化膜を除去する工程とを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。」を
「【請求項１】透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニングした後、レジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず直ちに全面に渡り陽極酸化する工程と、
この上にゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、このゲート絶縁膜上に設けられる端子と前記構成部とのコンタクト部に対応する位置にコンタクト孔を形成する工程と、
このコンタクト孔を介して前記構成部の陽極酸化膜を除去する工程とを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。」
と訂正する。
　　訂正事項ｂ
  特許明細書第４頁第１０段落【課題を解決するための手段】の項を上記請求項１の訂正に整合するために、訂正請求書第３頁２２行〜４頁１０行のとおりに訂正する。
　　訂正事項ｃ
　特許明細書第８頁第２６段落の「続いて図４のように、コンタクト（６５）を形成するために、ゲート絶縁膜（５６）をエッチングする工程がある。図４では、ゲートラインのみが示されているが、補助容量端子手前でやはりコンタクトが開けられている。また図６で示したコンタクトも同時に開口されている。最後に図５に示すように、全面に電極材料を被着し、ソース電極（６２）、ドレイン電極（６３）と一体のドレインライン、およびコンタクトホール（６５）を埋めた電極（Ｍｏの接続電極（６６）、Ａｌよりなる被覆電極（６７））がパターン化される。」を
「続いて図４のように、コンタクト（６５）を形成するために、ゲート絶縁膜（５６）及び酸化アルミニウム（５５）をエッチングする工程がある。図４では、ゲートラインのみが示されているが、補助容量端子手前でやはりコンタクトが開けられている。また図６で示したコンタクトも同時に開口されている。最後に図５に示すように、全面に電極材料を被着し、ソース電極（６２）、ドレイン電極（６３）と一体のドレインライン、およびコンタクトホール（６５）を埋めた電極（Ｍｏの接続電極（６６）、Ａｌよりなる被覆電極（６７））がパターン化される。」と訂正する。
　
２−３．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、「Ａｌより成る構成部をパターニングした後、直ちに全面に渡り陽極酸化する」は、特許明細書の【００１０】、【００２２】及び【００２３】の記載に基づいて、「Ａｌより成る構成部をパターニングした後、Ａｌより成る構成部にはレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化する」の意味であることを明確にするために、「レジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず」の文言を付加したもので明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。また、「導電ライン」を、特許明細書の【００１４】の記載に基づいて「端子」と限定することは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｂは、上記訂正事項ａの特許請求の範囲の訂正に基づいて、それとの整合を図るために、発明の詳細な説明の【課題を解決するための手段】の記載を訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　訂正事項ｃは、特許請求の範囲の請求項１及び２に「コンタクト孔を介して前記構成部の陽極酸化膜を除去する工程」に対応する記載として、該請求項１及び２の記載、【００２１】および図４の記載に基づいて、「コンタクト（６５）を形成するために、ゲート絶縁膜（５６）及び酸化アルミニウム（５５）をエッチングする工程」と訂正したもので、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、これらの訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
２−４．訂正の適否に対するむすび
　以上のとおり、本件訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
３−１．特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人佐藤勝明は、
（１）証拠として甲第１号証及び甲第２号証を提出し、本件の請求項１及び２に係る発明は、甲第１及び２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、
（２）請求項１及び２は、コンタクト孔を介して構成部の陽極酸化膜を除去する工程を要件とするが、この点は発明の詳細な説明に記載されていないから、特許法第３６条第６項第１号に適合しない、
　旨主張している。
　
３−２．本件発明
　本件の請求項１及び２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニングした後、レジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず直ちに全面に渡り陽極酸化する工程と、
　この上にゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、このゲート絶縁膜上に設けられる端子と前記構成部とのコンタクト部に対応する位置にコンタクト孔を形成する工程と、
　このコンタクト孔を介して前記構成部の陽極酸化膜を除去する工程とを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】透明な絶縁性基板上にＡｌより成るゲート、これと一体のゲートライン、補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよび前記ゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインを形成する工程と、
　前記絶縁性基板上のＡｌより成る構成部にはレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化する工程と、
　前記絶縁性基板全面に、ゲート絶縁膜、ノンドープの非単結晶シリコン膜および高濃度にドープされた非単結晶シリコン膜を形成し、前記ゲートを一構成とするトランジスタに対応する領域をエッチングにより形成する工程と、
　前記補助容量ラインを並列接続する第１の接続ラインと前記補助容量ラインのコンタクト部に対応する前記ゲート絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、
　このコンタクト孔を介して露出している補助容量ラインの陽極酸化膜を除去する工程とを有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。」
　
３−３．甲各号証記載の発明
　異議申立人佐藤勝明の提出した甲第１号証刊行物；特開平２−２５２１号公報には、
「Ｔａ製のゲートバスライン９には、ソースバスライン８との交差部以外で、本線１１に対してバイパスライン１２が設けられている。・・・ゲートバスライン９上に層設されているＴａ２Ｏ５膜およびＳｉＮＸ層の上に、ソースバスライン材料のＴｉの膜がソースバスライン８の形成時に積層され、二重配線されている。このＴｉ膜はＴａ２Ｏ５膜およびＳｉＮＸ層に穿設されたスルーホール１３を介してゲートバスライン９に接続されている。」（３頁左上欄２〜１６行）、
「本実施例のアクティブマトリクス基板の・・・製造プロセスを説明する。
（１）第８図に示すように、透明な絶縁性ガラス基板２０上にＴａ膜２１を・・・蒸着する。
（２）ホトリソグラフィ法によってＴａ膜２１を加工し、第２図及び第９図に示すように、ゲートバスライン９，ＴＦＴ接続用リードゲートライン１０，及びソースバスラインの二重配線部分２２を形成する。ＴＦＴ接続用リードゲートライン１０の一部は２個のゲート電極２３，２４とされている。
（３）第１０図に示すように、ゲートバスライン材料Ｔａの表面を陽極酸化法によって酸化し、Ｔａ２Ｏ５膜２５を形成する。ただし二重配線部分２２はゲートバスライン９とは分離しているため酸化されない。Ｔａ２Ｏ５膜２５の膜厚は３０００Åである。
（４）プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮＸ層２６，ａ−Ｓｉ（ｉ）層２７，及びＳｉＮＸ層２８を順次成長させる（第１１図）。・・・
（５）・・・ホトリソグラフィ法によって、ＳｉＮＸ層２８を加工し、ゲート電極２３，２４上のエッチングストッパ層２９及び後に形成されるソースバスラインとゲートバスライン９との交差部のエッチングストッパ層１６を形成する。
（６）・・・ａ−Ｓｉ（ｎ＋）層３０を・・・成長させる。
（７）・・・ホトリソグラフィ法により・・・ゲート電極２３，２４上の部分３１及びゲートバスライン９とソースバスラインとの交差部分１５以外を除去する。
（８）第５図及び第１５図に示すように、二重配線を行った時に上下の配線の接続をとるために、スルーホール１３，１７をＳｉＮＸ層２６及びＴａ２Ｏ５膜２５に穿設する。・・・
（９）ソースバスライン材料であるＴｉをスパッタリング法によって堆積させＴｉ膜３２を形成する（第１６図）。Ｔｉ膜３２はスルーホール１３，１７を介してＴａの膜に接続されている。
（１０）第６図及び第１７図に示すように、ホトリソグラフィ法によってＴｉ膜３２を加工し、ソースバスライン８，・・・ドレイン電極４，５及びゲートバスラインの二重配線部分３３を形成する。この時、ＴＦＴの部分におけるＴｉ膜３２下のａ−Ｓｉ（ｎ＋）層３１もエッチングによって加工され、ソース電極側とドレイン電極側に分割される。・・・
（１１）第１８図に示すように、絵素電極材料であるＩＴＯをスパッタリングによって全面に堆積させ、・・・
（１２）・・・ＩＴＯ膜３４のパターニングを行って絵素電極１を形成する。」（３頁左下欄１４行〜４頁右上欄１３行）と記載されている。
　上記によれば、引用例１には、
「透明な絶縁性ガラス基板２０上に蒸着されたＴａ膜２１をホトリソグラフィ法によってゲートバスライン９，ＴＦＴ接続用リードゲートライン１０，及び前記ゲートバスライン９とは分離してソースバスラインの二重配線部分２２を形成し、前記ゲートバスライン材料Ｔａの表面を陽極酸化法によって酸化して、Ｔａ２Ｏ５膜２５を形成し、ＳｉＮＸ層２６，ａ−Ｓｉ（ｉ）層２７，及びａ−Ｓｉ（ｎ＋）層３０を形成し、ホトリソグラフィ法によってＴｉ膜３２を加工し、ソースバスライン８，ドレイン電極４，５及びゲートバスラインの二重配線部分（バイパスライン）３３を形成し、この時、ＴＦＴの部分におけるＴｉ膜３２下のａ−Ｓｉ（ｎ＋）層３１もエッチングによって加工され、さらに二重配線を行ったときに上下の配線の接続をとるために、スルーホール１３，１７をＳｉＮＸ層２６及びＴａ２Ｏ５膜２５に穿設するアクティブマトリクス基板の製造方法。」が記載されている。
　
　同じく、甲第２号証；特開平２−１３７８２６号公報には、
「第１図は本発明のアクティブマトリクス基板の一実施例を示す図であり、・・・Ｔａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ等の金属薄膜が・・・形成される。これをパターニングしてゲートバスライン（ゲート電極）２，及び付加容量電極１３が形成される。次に、ゲートバスライン（ゲート電極）２，及び付加容量電極１３の表面が陽極酸化され、・・・陽極酸化膜３が形成される。次に、プラズマＣＶＤによりＳｉＮＸからなる絶縁膜が全面に形成される。・・・引続いてａ−Ｓｉ半導体膜、ＳｉＮＸ絶縁膜が連続形成され、・・・ｎ＋−ａ−Ｓｉ半導体膜が形成され、フォトリソグラフ法によりａ−Ｓｉ半導体膜５、及びｎ＋−ａ−Ｓｉ半導体膜７が形成される。・・・ＴＦＴ１５の形成される領域以外の前記ＳｉＮＸ絶縁膜が除かれ、ゲート絶縁膜４が形成される。・・・ソース電極８，ソースバスライン９，及びドレイン電極１０が形成される。その後、・・・保護絶縁膜１４が形成され・・・コンタクトホール１１が保護絶縁膜１４に開けられ・・・絵素電極１２は、コンタクトホール１１を通じてドレイン電極１０に接続される。」（２頁左下欄３行〜３頁左上欄５行）と記載されている。                       
　
３−４．当審の判断
（１）特許法第２９条違反について
［請求項１に対して］
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と甲第１号証記載の発明（以下、「引用発明１」という。）とを対比する。
　引用発明１の「絶縁性ガラス基板」、「ホトリソグラフィ法によって形成」、「ＳｉＮＸ層２６」、「スルーホール」は、本件発明１の「絶縁性基板」、「パターニング」、「ゲート絶縁膜」、「コンタクト孔」に相当し、引用発明１の「アクティブマトリクス基板」は、「液晶表示装置」を構成するものであり、また、Ａｌ，Ｔａは金属であり、ゲートバスラインの二重配線部分（バイパスライン）及び端子は「導電部材」と言い換えられるから、両者は、
「透明な絶縁性基板に設けられた金属より成る構成部をパターニングした後、陽極酸化する工程と、この上にゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、このゲート絶縁膜上に設けられる導電部材と前記構成部とのコンタクト部に対応する位置にコンタクト孔を形成する工程と、このコンタクト孔を介して前記構成部の陽極酸化膜を除去する工程とを少なくとも有する液晶表示装置の製造方法。」
で一致し、下記の点で相違する。
　相違点１；本件発明１は、Ａｌより成る構成部をパターニングした後、レジストのパターニング及びこのレジストの除去工程を経ず直ちに全面に渡り陽極酸化する工程を有するのに対し、引用発明１は、パターニングされる材料がＴａであり、陽極酸化されるのは、ソースバスラインの二重配線部分を除く、ゲートバスライン材料の表面のみであり、レジストのパターニング及びこのレジストの除去工程を経ず直ちに全面に渡り陽極酸化するとの記載がない点、
　相違点２；本件発明１は、ゲート絶縁膜上に設けられる端子と前記構成部とのコンタクト部に対応する位置にコンタクト孔を形成する工程を有するのに対し、引用発明１は、ゲートバスラインの二重配線部分（バイパスライン）とゲートバスラインとのコンタクトホールを形成するものであり、ゲート絶縁膜上に端子を設けることについては何も記載がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用例２には、ゲートバスライン（ゲート電極）及び付加容量電極をＴａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ等の金属薄膜をパターニングして形成し、次に、ゲートバスライン（ゲート電極）及び付加容量電極の表面が陽極酸化され、陽極酸化膜が形成されることが記載されているが、パターニングした後、直ちに全面に渡り陽極酸化するとの明瞭な記載はない。また、Ａｌよりなる構成要素（ゲート電極、付加容量等）を有するものにおいては、酸化膜の必要のない部分にレジストを設けて、選択的に陽極酸化するのが一般であると認められるところ、これを覆すに足りる証拠は提出されていない。したがって、構成部をＡｌとすることは容易であるが、Ａｌより成る構成部をパターニングした後、レジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず直ちに全面に渡り陽極酸化することが容易であるとはいえない。
　また、上記相違点２の本件発明１の構成は、引用例２に記載も示唆もない。
　しかも、本件発明は、上記相違点の構成を具備することにより、透明な絶縁性基板にＡｌより成るゲートラインおよび補助容量ラインと同一材料で、且つ同一工程でパターン化される構成要素全てを、レジストの付着工程（ＡｌやＡｌ２Ｏ３を腐食する薬液を使用する工程）無しに、陽極酸化し、また陽極酸化した後も、従来ではレジストの剥離工程が存在するが、この工程無しにゲート絶縁膜被着工程に移るために、ＡｌやＡｌ２Ｏ３が腐食されず、ピンホールの形成、陽極酸化後のこのピンホール内に形成されたＡｌ２Ｏ３による光透過、耐圧劣化等および断線を防止でき、また従来の陽極酸化防止のためのレジスト膜形成、つまりレジスト塗布、露光およびレジストエッチング工程の長い時間を要する工程が省略できるため、全体の工程に要する時間を短縮することもできるという、明細書の【００２８】及び【００２９】に記載された効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
［請求項２について］
　本件の請求項２に係る発明（以下、「本件発明２」という。）と甲第１号証記載の発明（以下、「引用発明１」という。）とを対比する。　引用発明１の「絶縁性ガラス基板」、「ホトリソグラフィ法によって形成」、「ＳｉＮＸ層２６」、「ａ−Ｓｉ（ｉ）層２７」、「ａ−Ｓｉ（ｎ＋）層３０」、「スルーホール」、は、本件発明２の「絶縁性基板」、「パターニング」、「ゲート絶縁膜」、「ノンドープの非単結晶シリコン膜」、「高濃度にドープされた非単結晶シリコン膜」、「コンタクト孔」に相当し、引用発明１の「アクティブマトリクス基板」、「ＴＦＴの部分におけるＴｉ膜３２下のａ−Ｓｉ（ｎ＋）層３１もエッチングによって加工」は、「液晶表示装置」、「ゲートを一構成とするトランジスタに対応する領域をエッチングにより形成する工程」をそれぞれ構成するものである。また、Ａｌ，Ｔａは「金属」、ゲートバスラインの二重配線部分（バイパスライン）及び補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよびゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインは「導電部材」と言い換えられるから、両者は、
「透明な絶縁性基板上に金属より成るゲート、これと一体のゲートラインおよび導電部材を形成する工程と、前記絶縁性基板上の金属より成る構成部を陽極酸化する工程と、前記絶縁性基板全面に、ゲート絶縁膜、ノンドープの非単結晶シリコン膜および高濃度にドープされた非単結晶シリコン膜を形成し、前記ゲートを一構成とするトランジスタに対応する領域をエッチングにより形成する工程と、前記ゲート絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、このコンタクト孔を介して露出している陽極酸化膜を除去する工程とを有する液晶表示装置の製造方法。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点１；本件発明２は、絶縁性基板上にＡｌより成るゲート、これと一体のゲートライン、補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよび前記ゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインを形成する工程及び前記絶縁性基板上のＡｌより成る構成部をレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化する工程を有するのに対し、引用発明１は、ゲート金属がＴａであり、補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよび前記ゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインについては記載がなく、陽極酸化されるのは、ソースバスラインの二重配線部分を除く、ゲートバスライン材料の表面である点、
　相違点２；本件発明２は、補助容量ラインを並列接続する第１の接続ラインと前記補助容量ラインのコンタクト部に対応する前記ゲート絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程を有するのに対し、引用発明１は、この構成を有しない点。
　
　上記相違点に付き検討する。
　引用例２には、ゲートバスライン（ゲート電極）及び付加容量電極をＴａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｃｒ等の金属薄膜をパターニングして形成し、次に、ゲートバスライン（ゲート電極）及び付加容量電極の表面が陽極酸化され、陽極酸化膜が形成されることが記載されているが、Ａｌより成る構成部にレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化するとの明瞭な記載はない。また、本件発明２のようなＡｌより成る構成部を有するものにおいては、酸化膜の必要のない部分にレジストを設けて、選択的に陽極酸化するのが一般であると認められるところ、これを覆すに足りる証拠は提出されていない。したがって、ゲート電極、補助容量電極、これらと一体のライン等の構成部をＡｌとすることは容易であるが、Ａｌより成る構成部にレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化することが容易であるとはいえない。
　また、上記相違点２の本件発明２の構成は、引用例２に記載も示唆もない。
　そして、本件発明２は、上記相違点の構成を有することにより、明細書に記載された格別の効果を奏するものである。
　したがって、本件発明２は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（２）特許法第３６条違反について
　平成１４年３月１９日付け訂正請求により、特許明細書の【００２６】の「続いて図４のように、コンタクト（６５）を形成するために、ゲート絶縁膜（５６）をエッチングする工程がある。・・・」は、「続いて図４のように、コンタクト（６５）を形成するために、ゲート絶縁膜（５６）及び酸化アルミニウム（５５）をエッチングする工程がある。・・・」と訂正され、特許請求の範囲の請求項１及び２の「コンタクト孔を介して構成部の陽極酸化膜を除去する工程」及び「コンタクト孔を介して露出している補助容量ラインの陽極酸化膜を除去する工程」に対応する説明が挿入され、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものとなった。したがって、本件特許は特許法第３６条第５項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものではない。
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議の申立の理由及び証拠によっては、本件の請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月１８日（２００２．４．１８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　▲１▼訂正事項ａ
　特許第３１５７３２５号発明の特許請求の範囲の記載、
　「【請求項１】　透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニングした後、直ちに全面に渡り陽極酸化する工程と、
　この上にゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、このゲート絶縁膜上に設けられる導電ラインと前記構成部とのコンタクト部に対応する位置にコンタクト孔を形成する工程と、
　このコンタクト孔を介して前記構成部の陽極酸化膜を除去する工程とを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　透明な絶縁性基板上にＡｌより成るゲート、これと一体のゲートライン、補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよび前記ゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインを形成する工程と、
　前記絶縁性基板上のＡｌより成る構成部にはレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化する工程と、
　前記絶縁性基板全面に、ゲート絶縁膜、ノンドープの非単結晶シリコン膜および高濃度にドープされた非単結晶シリコン膜を形成し、前記ゲートを一構成とするトランジスタに対応する領域をエッチングにより形成する工程と、
　前記補助容量ラインを並列接続する第１の接続ラインと前記補助容量ラインのコンタクト部に対応する前記ゲート絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、
　このコンタクト孔を介して露出している補助容量ラインの陽極酸化膜を除去する工程とを有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。」を、
特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、
　「【請求項１】　透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニングした後、
レジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず
　この上にゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、このゲート絶縁膜上に設けられる
端子
　このコンタクト孔を介して前記構成部の陽極酸化膜を除去する工程とを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　透明な絶縁性基板上にＡｌより成るゲート、これと一体のゲートライン、補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよび前記ゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインを形成する工程と、
　前記絶縁性基板上のＡｌより成る構成部にはレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化する工程と、
　前記絶縁性基板全面に、ゲート絶縁膜、ノンドープの非単結晶シリコン膜および高濃度にドープされた非単結晶シリコン膜を形成し、前記ゲートを一構成とするトランジスタに対応する領域をエッチングにより形成する工程と、
　前記補助容量ラインを並列接続する第１の接続ラインと前記補助容量ラインのコンタクト部に対応する前記ゲート絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、
　このコンタクト孔を介して露出している補助容量ラインの陽極酸化膜を除去する工程とを有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
　これに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明の記載との整合をとるために、
　（ｉ）特許明細書第４頁第１０段落（特許公報第２頁第１０段落）の「【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に鑑みて成され、まず第１に、透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニング後、直ちに全面に渡り陽極酸化することで解決するものである。第２に、透明な絶縁性基板上にＡｌより成るゲート、これと一体のゲートライン、補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよび前記ゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインを形成する工程と、前記絶縁性基板上のＡｌより成る構成部にはレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化することで解決するものである。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に鑑みて成され、まず第１に、透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニング後、
レジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず
　（ｉｉ）また、特許明細書第８頁第２６段落第１行（特許公報第２頁第１２段落第１行〜第２行）の「　続いて図４のように、コンタクト（６５）を形成するために、ゲート絶縁膜（５６）をエッチングする工程がある。図４では、ゲートラインのみが示されているが、補助容量端子手前でやはりコンタクトが開けられている。また図６で示したコンタクトも同時に開口されている。最後に図５に示すように、全面に電極材料を被着し、ソース電極（６２）、ドレイン電極（６３）と一体のドレインライン、およびコンタクトホール（６５）を埋めた電極（Ｍｏの接続電極（６６）、Ａｌよりなる被覆電極（６７））がパターン化される。」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「続いて図４のように、コンタクト（６５）を形成するために、ゲート絶縁膜（５６）
及び酸化アルミニウム（５５）
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニングした後、
レジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず
　この上にゲート絶縁膜、半導体層を形成した後、このゲート絶縁膜上に設けられる
端子
　このコンタクト孔を介して前記構成部の陽極酸化膜を除去する工程とを少なくとも有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】　透明な絶縁性基板上にＡｌより成るゲート、これと一体のゲートライン、補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよび前記ゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインを形成する工程と、
　前記絶縁性基板上のＡｌより成る構成部にはレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化する工程と、
　前記絶縁性基板全面に、ゲート絶縁膜、ノンドープの非単結晶シリコン膜および高濃度にドープされた非単結晶シリコン膜を形成し、前記ゲートを一構成とするトランジスタに対応する領域をエッチングにより形成する工程と、
　前記補助容量ラインを並列接続する第１の接続ラインと前記補助容量ラインのコンタクト部に対応する前記ゲート絶縁膜にコンタクト孔を形成する工程と、
　このコンタクト孔を介して露出している補助容量ラインの陽極酸化膜を除去する工程とを有することを特徴とした液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特にＡｌの陽極酸化に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般にａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）やｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）のＴＦＴを用いた液晶表示装置は、低コスト化を達成することが重要な課題の１つである。
　一方、ゲート材料としては、Ｃｒ、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｌ等が色々と採用または実験されている。しかし今後パネルが大画面になることを考えると、抵抗の大きいＣｒは好ましくなく、また安定性を考えるとＡｌ２Ｏ３を表面に残すＡｌやＡｕしか残らなくなる。特にＡｌはＡｕに比べて非常に低価格であるので、今後Ａｌをゲートに採用した液晶表示装置が研究されるであろう。
　【０００３】
　しかも好ましくはＴＦＴの必須構成要素、例えばゲート用のＡｌ、ゲート絶縁膜用のＳｉＮＸまたは／およびＳｉＯ２、ａ−Ｓｉ、表示電極の透明電極およびソース（ドレイン）電極のＡｌのみで全て（端子やその他の構成要素）を構成すべきである。
　また液晶装置は、図６のように形成されている。中央のマトリックス状に形成されている小さな四角形は、ＴＦＴおよびこのＴＦＴ周囲に形成される表示電極、ゲートライン（１００）、ドレインライン（１０１）、補助容量電極および補助容量ライン（１０２）を一組としたセルを示したものであり、左右にはドレインライン（１０１）が伸び、ドレイン端子（１０３）に接続されている。一方、上下にはゲートライン（１００）及び補助容量ライン（１０２）が伸び、ゲートライン（１００）はゲート端子（１０５）と接続され、補助容量ライン（１０２）は、ゲートライン（１００）を横切るように第１の接続ライン（１０６）で並行に接続されている。
　【０００４】
　また、ゲートライン（１００）は、補助容量ライン（１０２）と同一層で形成され、第１の接続ライン（１０６）は、ゲート絶縁膜上の第２層目に設けられる。そのために、黒点で示した第１のコンタクトホールＣ１を介して補助容量ラインが並列に接続されている。また第２の接続ライン（１０７）は、ドレインライン（１０１）と電気的に接続されている。このライン（１０７）上には対向基板とを貼り合わせるシールが塗布されるため、このシールとライン（１０７）が接触しないように、ゲート絶縁膜上から延在してきたドレインライン（１０１）が第２のコンタクトホールＣ２を介して透明な絶縁性基板上にもぐり、第３のコンタクトホールＣ３から再度ゲート絶縁膜上に延在され、ゲート絶縁膜上に設けられたＩＴＯ等よりなるドレイン端子（１０３）とコンタクトしている。
　【０００５】
　以上述べたように、第１および第２の接続ラインがあるためにクロスオーバーを設ける必要があり、コンタクトホールＣ１〜Ｃ３をカウントすると非常な数になってしまう。
　一方、図７は、陽極酸化したＡｌゲートを採用する液晶表示装置の１工程図であり、補助容量ライン（１０２）とゲートライン（１００）は、例えば陽極酸化端子を介して陽極酸化され、コンタクト部分Ｃ１〜Ｃ３は、レジスト（１１１）を覆い、Ａｌ２Ｏ３の形成を防止している。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　前述したように、補助容量ライン（１０２）の並列接続のために、コンタクトＣ１、ドレインライン（１０１）を下層に潜り込ませるために、コンタクトＣ２、Ｃ３が設けられている。
　一般にコンタクト孔の形成は、ドライエッチングが主流であるが、レジストのアッシングの時に、Ｏ２プラズマ中に晒されるので、表面にＡｌ２Ｏ３が形成される問題があり、この問題やコスト等を考慮すると湿式のほうが好ましい。
　【０００７】
　そのため、湿式のエッチングにおいて、前述したＡｌよりなる構成要素は、表面が陽極酸化されるため、例えば図７のように、レジスト（１１１）等の耐酸化膜が設けられ、この表面に酸化膜が形成されないように対処され、コンタクトの開口の際、つまりゲート絶縁膜のエッチング時に、直接Ａｌが露出し、Ａｌ２Ｏ３のエッチング工程を省略している。
　【０００８】
　しかし、このレジスト（１１１）の現像液やレジストの剥離液は、アルカリ性であったり、アルカリ性をおびたりし、表面のＡｌ２Ｏ３が侵され、ピンホール形成や断線等の問題を生じる問題があった。
　例えば、現像液は、ＴＭＡＨ（テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド）と呼ばれる強い有機アルカリ液で、陽極酸化前にはＡｌ表面を侵し、ピンホールを形成する。このピンホールは陽極酸化の時に埋まるが、Ａｌ２Ｏ３自身光を透過するので、ゲートライン等の遮光性を悪化させオフ電流の増加等の問題を発生させる問題があった。
　【０００９】
　また、レジスト剥離液は、アミン系の有機溶媒で、このアミンが水洗時に使用される水と加水分解し、陽極酸化前はＡｌを、陽極酸化後はＡｌ２Ｏ３を侵し、耐圧の劣化を引き起こす問題を有していた。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、前述の課題に鑑みて成され、まず第１に、透明な絶縁性基板に設けられたＡｌより成る構成部をパターニングした後、
レジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず
　第２に、透明な絶縁性基板上にＡｌより成るゲート、これと一体のゲートライン、補助容量電極、これと一体の補助容量ラインおよび前記ゲートラインと前記補助容量ラインを一体化する接続ラインを形成する工程と、
　前記絶縁性基板上のＡｌより成る構成部にはレジストのパターニングおよびこのレジストの除去工程を経ず、全面を陽極酸化することで解決するものである。
　【００１１】
　【作用】
　前述したように、レジスト（１１１）を設けることは、レジストの現像液や剥離液を用いることになるので、Ａｌよりなる構成部をパターニングした後、全くレジストを用いることなく全面を陽極酸化し、続けて全面にゲート絶縁膜を設ければ、特にゲートラインや補助容量ラインは、剥離液や現像液に浸されることが無いので、前述したピンホールの形成や耐圧劣化の防止を達成できる。
　【００１２】
　【実施例】
　まず図５に本液晶表示装置の構成を示す。図１から図４も含め、波線で破断された左側は、ＴＦＴの部分を示した断面図であり、右側は、ゲート端子の部分を示した断面図である。また補助容量端子の部分も右側と基本的には同一であるので、ここでは特に図示しなかった。
　【００１３】
　まずガラス基板（５１）があり、この上にはＡｌを使ったゲート（５２）、これと一体のゲートライン（５３）、補助容量電極（５４）、これと一体の補助容量ラインがある。
　また必要によりゲートラインと補助容量ラインを一度に陽極酸化するために、一体化手段が同一材料でなり、また陽極酸化端子も同一材料より成っている。
　【００１４】
　また図６で説明した、シール部の存在のために、ゲート絶縁膜上に延在されたドレインラインをこの部分で下層に潜り込ませるためのライン（１０７）も同一材料で設けられている。更には、図５ではゲート端子およびドレイン端子がゲート絶縁膜上に設けられているが、メタルマスク等で端子領域のゲート絶縁膜被着を省略し、Ａｌのゲートライン及び／またはドレインラインをそのまま延在させて端子としてもよい。この場合、予め端子をガラス基板（５１）上にＡｌで設けてもよい。
　【００１５】
　またこれらのＡｌ電極、ラインや接続手段電極等は、陽極酸化法により表面に酸化アルミニウムよる成る絶縁層（５５）が設けられている。
　また、これらを含むガラス基板（５１）全面には、ゲート絶縁膜であるシリコン窒化膜（５６）が約２０００Å〜約３０００Åの厚さで設けられる。前記補助容量電極（５４）と一部が重畳し、ゲートライン（５３）および後述するドレインラインで囲まれた領域には、透明電極材料、例えばＩＴＯよりなる表示電極（５７）があり、この表示電極の近傍にＴＦＴ（５８）が設けられている。
　【００１６】
　ＴＦＴは、ゲート（５２）を一構成とし、活性層域に対応するシリコン窒化膜（５６）の上には、ノンドープのａ−Ｓｉ（５９）およびＮ＋型にドープされたａ−Ｓｉ（６０）が設けられる。このａ−Ｓｉは、島状にエッチングされており、Ｎ＋型ａ−Ｓｉ（６０）は、チャンネル領域がエッチングされソース領域とドレイン領域に分離されている。またソートとドレインの間には、チャンネルに対応するａ−ＳｉのエッチングストッパーとしてＳｉＮＸ膜よりなる半導体保護膜（６１）が設けられていてもよい。またソース領域に対応するＮ＋型ａ−Ｓｉ（６０）と表示電極（５７）をコンタクトするソース電極（６２）、ドレイン領域に対応するＮ＋型ａ−Ｓｉ（６０）からドレインラインに延在するドレイン電極（６３）およびドレインラインが設けられている。
　【００１７】
　ここでゲート端子（６４）の手前には、陽極酸化されたＡｌによりなるゲートライン（５３）が延在されており、ゲート端子（６４）とゲートライン（５３）を接続するためにコンタクトホール（６５）が開けられている。このホール（６５）は、Ａｌが露出されており、この露出部からゲート端子が形成される領域まで、Ｍｏよりなる接続電極（６６）が設けられ、更にこの上にＡｌよりなる被覆電極（６７）が設けられている。ここでゲート端子（６４）は、ＩＴＯより成っている。
　【００１８】
　また図面では省略をしたが、全面にはパシベーション膜が必要によっては設けられ、この上に配向膜が設けられている。
　一方、このガラス基板との間に液晶を注入するために、対向基板が設けられ、カラーフィルター、遮光膜、対向電極および配向膜が設けられる。また両基板を所定間隔に設定するためにスペーサが設けられ、中には液晶が注入されている。
　【００１９】
　ここで、前記ゲート端子（６４）のＩＴＯは、酸化等の影響を受けず安定した膜を維持できるので、変質のないゲート端子を構成できる。しかしＩＴＯとＡｌは、電池作用により、この境界部において電蝕不良を発生するので、ゲート端子手前でゲートライン（５３）を終端させ、このライン（５３）と端子（６４）をＭｏで接続して、この電蝕を防止している。ここで接続電極（６６）は、Ｍｏ以外のものでもよく、電蝕を防止できる高融点金属Ｔａ等でもよい。しかしａ−ＳｉとＡｌ電極（６２）、（６３）の接続のためにＭｏを使用しているので、敢えてＭｏ以外のものを使用することもなく、かえってこれによって成膜工程が共用できるためプロセス数を減少できるメリットを有する。
　【００２０】
　次に図１乃至図５を用いて第１の製造方法を説明してゆく。
　まず図１のように、ガラス基板（５１）を用意し、ゲート（５２）、このゲートと一体のゲートライン（５３）、補助容量電極（５４）、この補助容量電極と一体の補助容量ライン、ゲートラインと補助容量ラインを一度に陽極酸化するための一体化手段、陽極酸化端子、ドレインラインをシール部の下層に潜り込ませるためのライン（１０７）、図５ではゲート端子およびドレイン端子がゲート絶縁膜上に設けられているが、Ａｌのゲートライン及び／またはドレインラインをそのまま延在させて端子とする場合は、これらの端子、その他必要により設けられる電極やラインがＡｌにより形成される。
　【００２１】
　ここでは、一例としてゲートラインおよび補助容量ラインは、図５からも判るように、ガラス基板の周辺に形成されるゲート端子および補助容量端子の手前まで延在される。
　次に前述したＡｌより成る構成要素全てを陽極酸化し、ラインの表面に酸化アルミニウム（５５）を形成する。
　【００２２】
　方法としては、陽極酸化端子と水溶液内に入ったＰｔ電極間に直流電圧を印加し、水溶液としては、酒石酸、アンモニウムおよびエチレングリコールが混ぜ合わされているものが使われる。この酸化アルミニウムの膜厚は、１４００Å程度形成される。また膜質の改善のために２００Å程度で熱処理してもよい。
　本工程は、本発明の特徴とするところであり、ガラス基板にパターン化されたＡｌより成る構成要素全てを、レジストを設けず陽極酸化することにある。発明が解決する課題の欄で説明したように、現像液やレジスト剥離液は、アルカリ性を有したり、または水の存在によりアルカリ性を帯びたりするため、本願はレジストを全く用いないことに特徴を有する。更に付け加えれば、パーターン化された後は、ＡｌやＡｌ２Ｏ３を腐食するような薬液を用いず次のゲート絶縁膜被着工程に移ることに特徴を有するのである。
　【００２３】
　また従来から陽極酸化技術は存在するが、従来は、ラインを陽極酸化するとは開示している。しかし、本願は、ガラス基板に形成されたＡｌより成る全ての構成要素をレジストの被着（ＡｌやＡｌ２Ｏ３の腐食する薬液の使用）無しに陽極酸化することに最大の特徴を有するものである。また続けて次工程のゲート絶縁膜を被着することで、Ａｌは腐食性液体や噴霧等にさらされないので、更にこの効果を大きくすることが可能となる。
　【００２４】
　次に図２のように、全面に絶縁膜（５６）のシリコン窒化膜（５６）、ノンドープａ−Ｓｉ（５９）および半導体保護膜（６１）となるシリコン窒化膜をプラズマＣＶＤ法で連続して形成し、半導体保護膜をパターニングする工程がある。
　ここでゲート絶縁膜は、約３０００Å程度、ａ−Ｓｉは、１０００Å程度および半導体保護膜は、約２０００Å程度である。
　【００２５】
　続いて、図３のように、Ｎ＋型にドープされたａ−Ｓｉ（６０）をプラズマＣＶＤ法で形成し、その後に、ＴＦＴ（５８）の活性領域周囲およびチャンネル領域に対応する部分を同時にエッチングし、このあとでＩＴＯを被着しパターニングする工程がある。
　ここでは、ＩＴＯは、表示電極（５７）、ゲート端子（６４）および補助容量端子を形成する。
　【００２６】
　続いて図４のように、コンタクト（６５）を形成するために、ゲート絶縁膜（５６）
及び酸化アルミニウム（５５）
　最後に図５に示すように、全面に電極材料を被着し、ソース電極（６２）、ドレイン電極（６３）と一体のドレインライン、およびコンタクトホール（６５）を埋めた電極（Ｍｏの接続電極（６６）、Ａｌよりなる被覆電極（６７））がパターン化される。
　【００２７】
　以下の工程の詳細な説明は、特に特徴がないため簡略するが、全面にパシベーション膜が必要により設けられ、配向膜が設けられる。また対向基板には、カラーフィルター、遮光膜、対向電極および配向膜が形成される。対向基板に形成されるこれらの積層順は、特にないが、配向膜は一番外側である。
　ここで、ゲート端子（６４）を表示電極と同一材料のＩＴＯで構成し、ゲートライン（５３）とゲート端子（６４）とのコンタクトを、ソース電極やドレイン電極と同一工程、同一材料で形成することは、従来のように端子にＣｒを用いるのと異なり、工程数を減少できる特徴を有する。
　【００２８】
　【発明の効果】
　以上の説明からも明らかなように、透明な絶縁性基板にＡｌより成るゲートラインおよび補助容量ラインと同一材料で、且つ同一工程でパターン化される構成要素全てを、レジストの付着工程（ＡｌやＡｌ２Ｏ３を腐食する薬液を使用する工程）無しに、陽極酸化し、また陽極酸化した後も、従来ではレジストの剥離工程が存在するが、この工程無しにゲート絶縁膜被着工程に移るために、ＡｌやＡｌ２Ｏ３が腐食されず、ピンホールの形成、陽極酸化後のこのピンホール内に形成されたＡｌ２Ｏ３による光透過、耐圧劣化等および断線を防止できる。
　【００２９】
　またエッチングは、湿式でバッチ処理であるため短時間ですみ、また従来の陽極酸化防止のためのレジスト膜形成、つまりレジスト塗布、露光およびレジストエッチング工程の長い時間を要する工程が省略できるため、全体の工程に要する時間を短縮することもできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の製造方法を説明する断面図である。
　【図２】
　本発明の製造方法を説明する断面図である。
　【図３】
　本発明の製造方法を説明する断面図である。
　【図４】
　本発明の製造方法を説明する断面図である。
　【図５】
　本発明の液晶表示装置の断面図である。
　【図６】
　液晶表示装置の構成を説明する平面図である。
　【図７】
　従来の製造方法を説明する断面図である。
　【符号の説明】
　５１　　　ガラス基板
　５２　　　ゲート
　５３　　　ゲートライン
　５５　　　陽極酸化膜
　５６　　　ゲート絶縁膜
　５７　　　表示電極
　５９　　　ノンドープのａ−Ｓｉ
　６０　　　Ｎ＋型のａ−Ｓｉ
　６２　　　ソース電極
　６３　　　ドレイン電極
　６５　　　コンタクトホール
　１０７　　ライン
　Ｃ１〜Ｃ３　コンタクト