【事件の表示】
　特願２０１５−　５４０８８「基板処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月２４日出願公開、特開２０１５−２１１２１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は平成２７年３月１８日（パリ条約による優先権主張２０１４年４月２９日、米国）の出願であって、平成３０年６月２０日付けで拒絶理由通知が通知され、同年７月３０日に意見書及び手続補正書が提出されたところ、同年１０月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成３１年２月８日に拒絶査定不服審判が請求されたものであり、本願の請求項に係る発明は、平成３０年７月３０日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　基板の搬送に用いる複数のアームと、
　基板を処理する複数の処理部と、
　前記複数のアームのなかで使用可能なユーザブルアーム、前記複数の処理部のなかで使用可能なユーザブル処理部、及び前記ユーザブル処理部での処理条件を規定するレシピを複数格納したレシピ記憶部と、
　前記レシピに基づいて、前記ユーザブルアームで基板を搬送し、前記ユーザブル処理部で前記処理条件のとおり基板を処理するように、前記複数のアームと前記複数の処理部を制御する制御ユニットと、を備え、
　複数の前記レシピは処理条件毎に異なる前記ユーザブルアームと異なる前記ユーザブル処理部を規定することを特徴とする基板処理装置。」
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明（本願発明）は、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１〜３に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用例１：特開２００５−１０１３２０号公報
引用例２：特開２００３−２６４２１８号公報（周知技術を示す文献）
引用例３：特開２００４−１１９６３５号公報（周知技術を示す文献）
３　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１：特開２００５−１０１３２０号公報
ア　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００５−１０１３２０号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の記載がある（下線は、当審による。以下、同じ。）。
「【請求項１】
　
基板を保持して搬送するための複数のハンドを有する搬送ロボットと、
　所定部に対して基板を搬入および搬出する際に用いるべき上記搬送ロボットのハンドをそれぞれ指定して入力するためのハンド指定入力手段と、
　このハンド指定入力手段からの入力に基づいて、基板の搬送手順ならびに上記所定部に対する基板の搬入および搬出にそれぞれ用いるべきハンドを規定したレシピを作成するレシピ作成手段と、
　このレシピ作成手段によって作成されたレシピを記憶しておくためのレシピ記憶手段と、
　このレシピ記憶手段に記憶されているレシピに従って、上記搬送ロボットの動作を制御する動作制御手段と
を含む
基板処理装置。
「【技術分野】
【０００１】
　この発明は、基板を処理するための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。」
「【０００３】
　このような洗浄処理が行われる場合、汚染物質が付着した基板（以下「汚染基板」という。）を保持したハンドで汚染物質が除去された後の清浄な基板（以下「清浄基板」という。）を保持すると、
汚染基板からハンドに転移した汚染物質が清浄基板に転移して、清浄基板を再汚染する、いわゆるクロスコンタミネーションが発生する。そこで、従来の基板処理装置では、搬送ロボットが一対のハンドを有していて、汚染基板と汚染物質が除去された後の清浄基板とが別々のハンドによって搬送されるようになっている。
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　処理対象の基板が清浄になったと判断される基準は、基板処理装置のユーザ（半導体装置や液晶表示装置の製造メーカ）によって異なる。たとえば、或る処理チャンバでの処理が終わった時点で基板が清浄になったと判断するユーザもいれば、その次の処理チャンバでの処理が終わった時点で基板が清浄になったと判断するユーザもいる。また、
処理の種類によっては、クロスコンタミネーションの問題よりもスループットの向上を重視
【０００５】
　ところが、従来の基板処理装置では、各処理チャンバに対する基板の搬送に用いるハンドはプログラム上で規定されており、ユーザが自らの要求に応じて各処理チャンバに対する基板の搬送に用いるべきハンドを自由に指定するといったことはできなかった。
　そこで、この発明の目的は、ユーザが処理チャンバなどの所定部に対する基板の搬送に用いるべきハンドを指定可能な基板処理装置を提供することである。」
「【課題を解決するための手段】
【０００６】
　上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、
基板（Ｗ）を保持して搬送するための複数のハンド（ＵＨ，ＬＨ）を有する搬送ロボット（ＣＲ，ＴＲ）と、所定部に対して基板を搬入および搬出する際に用いるべき上記搬送ロボットのハンドをそれぞれ指定して入力するためのハンド指定入力手段（６）と、このハンド指定入力手段からの入力に基づいて、基板の搬送手順ならびに上記所定部に対する基板の搬入および搬出にそれぞれ用いるべきハンドを規定したレシピを作成するレシピ作成手段（４）と、このレシピ作成手段によって作成されたレシピを記憶しておくためのレシピ記憶手段（５）と、このレシピ記憶手段に記憶されているレシピに従って、上記搬送ロボットの動作を制御する動作制御手段（４）とを含む
基板処理装置
「【００１２】
　以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
　図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この
基板処理装置は、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗ
基板処理部１と、この基板処理部１に結合されたインデクサ部２とを備えている
【００１３】
　
基板処理部１には、平面視における中央部にセンタロボットＣＲが配置されていて、このセンタロボットＣＲの周囲を取り囲むように、それぞれウエハＷに所定の処理を施すための４つの処理チャンバＭＰＣ１，ＭＰＣ２，ＭＰＣ３，ＭＰＣ４が区画形成されている
センタロボットＣＲは、各処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４にアクセスして、各処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４に対してウエハＷを搬入および搬出することができる
【００１４】
　なお、
処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４で行われる処理は、ウエハＷに対するどのような処理でもよく
【００１５】
　
インデクサ部２には、カセットＣとセンタロボットＣＲとの間でウエハＷを搬送するためのトランスファロボットＴＲが備えられている
【００１６】
　図２は、この基板処理装置の電気的構成を説明するためのブロック図である。この
基板処理装置は、マイクロコンピュータで構成される制御部４を備えている
制御部４には、各処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の内部機構
が制御対象
【００１７】
　また、
制御部４には、
レシピ記憶部５が接続されており、このレシピ記憶部５には、ＣＣレシピおよびプロセスレシピが記憶されている。ＣＣレシピは、処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４で行われるウエハＷの処理の条件（たとえば、処理に使用する薬液名など）を規定したもの
プロセスレシピは、ウエハＷを搬送する手順、具体的には、４つの処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうちのどの処理チャンバ（１または複数の処理チャンバ）にどのような順序でウエハＷを経由させるかを規定している
プロセスレシピは、ウエハＷが経由する各処理チャンバでの処理に採用するＣＣレシピの番号も規定している
【００１８】
　
制御部４は
ウエハＷが搬入される処理チャンバの内部機構を制御する
「【００３０】
　さらには、
ユーザがクロスコンタミネーションの問題よりもスループットの向上を重視する場合
　さらにまた、
センタロボットＣＲおよびトランスファロボットＴＲのハンド動作がプログラム上で規定されている従来装置では、たとえば、互いに異なるハンド動作を規定した複数のプログラムをインストールしておいて、カセットステージ３に載置されるカセットＣごとにプログラムを切り換えることによって異なるハンド動作を実現しようとする
ウエハＷの処理のスループット（単位時間あたりのウエハＷの処理枚数）が低下する
　図１〜２は、以下のとおりである。
【図１】
【図２】
イ　引用発明
　上記アの請求項１及び段落【０００６】に記載された「動作制御手段（４）」と「レシピ記憶手段（５）」は、それぞれ、段落【００１６】〜【００１８】に記載の「制御部４」と「レシピ記憶部５」が対応することは明らかである。
　したがって、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板（Ｗ）を保持して搬送するための複数のハンド（ＵＨ，ＬＨ）を有する搬送ロボット（ＣＲ，ＴＲ）と、
　所定部に対して基板を搬入および搬出する際に用いるべき上記搬送ロボットのハンドをそれぞれ指定して入力するためのハンド指定入力手段（６）と、
　このハンド指定入力手段からの入力に基づいて、基板の搬送手順ならびに上記所定部に対する基板の搬入および搬出にそれぞれ用いるべきハンドを規定したレシピを作成するレシピ作成手段（４）と、
　このレシピ作成手段によって作成されたレシピを記憶しておくためのレシピ記憶手段（５）と、
　このレシピ記憶手段に記憶されているレシピに従って、上記搬送ロボットの動作を制御する動作制御手段（４）と
を含む基板処理装置であって、
　基板処理部１と、この基板処理部１に結合されたインデクサ部２とを備えており、
　　基板処理部１には、平面視における中央部にセンタロボットＣＲが配置されていて、このセンタロボットＣＲの周囲を取り囲むように、それぞれウエハＷに所定の処理を施すための４つの処理チャンバＭＰＣ１，ＭＰＣ２，ＭＰＣ３，ＭＰＣ４が区画形成されており、センタロボットＣＲは、各処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４にアクセスして、各処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４に対してウエハＷを搬入および搬出することができ、
　　インデクサ部２には、カセットＣとセンタロボットＣＲとの間でウエハＷを搬送するためのトランスファロボットＴＲが備えられており、
　前記動作制御手段（４）である制御部４は、各処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の内部機構を制御し、
　　制御部４には、前記レシピ記憶手段（５）であるレシピ記憶部５が接続されており、このレシピ記憶部５には、ＣＣレシピおよびプロセスレシピが記憶されており、
　　ＣＣレシピは、処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４で行われるウエハＷの処理の条件（たとえば、処理に使用する薬液名など）を規定したものであり、
　　プロセスレシピは、ウエハＷを搬送する手順、具体的には、４つの処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうちのどの処理チャンバ（１または複数の処理チャンバ）にどのような順序でウエハＷを経由させるかを規定しており、プロセスレシピは、ウエハＷが経由する各処理チャンバでの処理に採用するＣＣレシピの番号も規定している、基板処理装置。」
（２）引用例２
　同じく原査定に引用され、本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、特開２００３−２６４２１８号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【請求項１】　
基板に対してそれぞれ異なる処理を行う複数の処理室と、該各処理室に連通する搬送室内に設けられ、各処理室間で基板を搬送する搬送ロボットと、該搬送ロボットに取付けられ、基板搬送時に基板を保持するアームとを有する基板処理装置において、
　前記アームは、前記複数の処理室のいずれかに対応して交換可能に複数備えられると共に、前記アームを交換するアーム交換手段が備えられている
基板処理装置
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異なる処理を行う複数の処理室にアームを用いて基板を搬送する際に、各処理室毎に対応した異なるアームに交換して基板を搬送するようにした基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。」
「【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面を用いて説明する。
実施の形態１．図１は本発明の第１の実施の形態における基板処理装置を示す図である。図２は交換ステージにおけるアームの交換の様子を示す図である。実施の形態の基板処理装置は、例えば
シリコン基板などの基板１０（図２参照）に対してそれぞれ異なる処理を行う２つの処理室１２，１４
各処理室１２，１４に連通する搬送室１６内には、基板１０を搬送するための真空搬送ロボット１８が設けられている
真空搬送ロボット１８には、基板１０の搬送時に基板１０を保持する２つのアーム２０、２２が取付けられている
アーム２０は処理室１２に対して基板１０の搬入出を行う前処理専用のアームであり、アーム２２は処理室１４に対して基板１０の搬入出を行う後処理専用のアームである
【００１１】処理室１２と処理室１４の間には、これら処理室１２，１４に隣接して、交換ステージ２４が設けられている。…（略）…
【００１３】真空搬送ロボット１８が設けられる搬送室１６には、ロードロック２６、２８が連通しており、ロードロック２６、２８を介して搬送室１６に対して基板１０が搬入出される。ロードロック２６，２８と隣設して、これらロードロック２６，２８に基板１０を搬入出する大気搬送ロボット３０が設けられており、大気搬送ロボット３０にはアーム３２，３４が取付けられている。アーム３２は処理が施されていない基板１０を搬送するための前処理専用のアームであり、アーム３４は処理が施された基板を搬送するための後処理専用のアームである。大気搬送ロボット３０と隣り合って、基板が収納されている３つのウエハカセット３６と、大気搬送ロボット３０によって３つのウエハカセット３６のいずれか一つから取り出された基板１０を載置可能なアライナ３８が設けられている。
【００１４】次に、本実施の形態の動作について説明する。
１）大気搬送ロボット３０によりアーム３２を用いて、３つのウエハカセット３６のいずれか一つから基板１０を取出す。
２）大気搬送ロボット３０によりアーム３２からアライナ３８に基板１０を移載し、アライナ３８上で基板１０のノッチの方向をそろえる。
３）大気搬送ロボット３０によりアーム３２を用いてアライナ３８から基板１０を取り出す。
【００１５】４）ロードロック２６を大気圧にする。
５）大気搬送ロボット３０によりアーム３２を用いて、基板１０をロードロック２６内に置く。
６）ロードロック２６内を真空に引く。
７）真空搬送ロボット１８により
アーム２０を用いて、ロードロック２６内から基板１０を取出し、処理室１２に移動する
８）
処理室１２内では
下層膜の成膜などの前処理
具体的には、
下層膜の成膜としては
基板表面を酸化したり
基板表面を窒化したりする
【００１６】９）真空搬送ロボット１８により
アーム２０を用いて処理室１２から基板１０を取り出す
１０）交換ステージ２４上で基板１０を保持するアームをアーム２０からアーム２２に後述する手順に従って交換する。
１１）真空搬送ロボット１８により
アーム２２を用いて処理室１４に基板１０を移動する
１２）
処理室１４内では
処理室１２内で処理された処理基板又は処理膜上に積層して成膜する材料を堆積する
具体的には
金属
などを成膜する
【００１７】１３）処理室１４での成膜後、真空搬送ロボット１８により
アーム２２を用いて、処理室１４から基板１０を取出し、ロードロック２８に基板１０を移動する
１４）ロードロック２８を大気にする。
１５）大気搬送ロボット３０によりアーム３４を用いて、ロードロック２８から基板１０を取出し、最初に基板を取出したウエハカセット３６に基板１０を戻す。ここで、アームをアーム３２を使わずアーム３４を用いることで、前処理の基板１０への汚染を防いでいる。
…（略）…
【００２１】なお、アームの交換方法は、第１及び第２の実施の形態に示される方法に限定されるものではない。また、第１及び第２の実施の形態では、２個のアーム２０，２２を使用したものについて説明したが、アームは２個に限らず複数使用することができる。また、真空搬送ロボット１８上で基板１０を持ち変える方法は、第２の実施の形態の方法に限定されるものではない。また、基板１０は、交換ステージ２４上や真空搬送ロボット１８上のみで持ち変えられる方法に限定されるものではない。
さらには、各処理室毎に対応してアームを交換したが、これに限るものではなく、例えば、汚染の影響を及ぼし合う処理単位毎にアームを交換してもよい
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、各処理室毎に対応したアームを設け、各処理室に対応したアームに交換するアーム交換手段を設けたことにより、
汚染されたアームや汚染されたアームから基板に付着した物質などが別の工程の処理室に挿入されることが無くなるので、処理室の汚染を防止することができるという効果を奏する
　上記記載から、引用例２には、以下の技術が記載されていると認められる。
「シリコン基板などの基板に対してそれぞれ異なる処理を行う複数の処理室と、該各処理室に連通する搬送室内に設けられ、各処理室間で基板を搬送する搬送ロボットと、該搬送ロボットに取付けられ、基板搬送時に基板を保持するアームとを有する基板処理装置において、
　前記アームは、前記複数の処理室のいずれかに対応して交換可能に複数備えられると共に、前記アームを交換するアーム交換手段が備えられており、
　前記搬送ロボットである真空搬送ロボット１８には、基板１０の搬送時に基板１０を保持する２つのアーム２０、２２が取付けられており、アーム２０は処理室１２に対して基板１０の搬入出を行う前処理専用のアームであり、アーム２２は処理室１４に対して基板１０の搬入出を行う後処理専用のアームであり、
　処理室１２内で、下層膜の成膜などの前処理を行い、具体的には、基板表面を酸化したり、基板表面を窒化したりし、
　処理室１４内で、処理室１２内で処理された処理基板又は処理膜上に積層して成膜する材料を堆積し、具体的には、金属などを成膜する、
　あるいは、各処理室毎に対応してアームを交換するものではなく、例えば、汚染の影響を及ぼし合う処理単位毎にアームを交換してもよい、基板処理装置。」
（３）引用例３
　同じく原査定に引用され、本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、特開２００４−１１９６３５号公報（以下「引用例３」という。）には、図面とともに次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
半導体ウエハ等の被処理体に対して所定の処理を施す処理システム
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
　ところで、上記処理室４Ａ〜４Ｄにおける各処理の中では、半導体ウエハＷに対して汚染の生じ易い処理を行う場合がある。例えばＣｕ膜、Ｔｉ膜、Ｗ（タングステン）膜のような金属薄膜を成膜する処理室がある場合、この種の
金属のパーティクルがウエハ表面に付着していると
不都合を生じてしまう
【０００９】
このような状況下において、例えば
処理室４Ｃにおいて上記した金属薄膜の成膜処理を行うものと仮定すると
いわゆる汚染の伝播が生じてしまう
【００１０】
本発明は、
上記したクロスコンタミネーションの問題
被処理体を保持する複数のピックを区別して用いることにより、スループットを犠牲にしてでもクロスコンタミネーション（汚染の伝播）の発生を抑制することが可能な被処理体の搬送方法を提供すること
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、被処理体に対して所定の処理を連続的に施すために、２つのピックを有する搬送機構によって前記被処理体に対して汚染の生じ易い処理を行う特定処理室を含む複数の処理室間に渡って前記被処理体を順次渡り歩くように搬送するようにした被処理体の搬送方法において、
前記特定処理室へ前記被処理体を搬入する直前までの搬送は、前記２つのピックの内の一方のピックを用いて行い、前記特定処理室への前記被処理体の搬入及びそれ以降の搬送は他方のピックを用いて行うようにした
このように、クロスコンタミネーション等の汚染の伝播が生じ易い特定処理室に被処理体を搬入する直前までは一方のピックを用い、特定処理室への被処理体の搬入及びそれ以降の搬送は他方のピックを用いるようにしたので、被処理体に対してクロスコンタミネーション（汚染の伝播）が発生することを極力抑制することが可能となる。」
「【００１８】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る被処理体の搬送方法の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る搬送方法を実施するための処理システムの一例を示す概略構成図、図２はバッファ機構の一例を示す斜視図である。尚、図７に示す構成と同一構成部分については同一符号を付して説明する。
図１に示すように、まずこの
処理システム３０は
共通搬送室２の周囲に
処理室４Ａ〜４Ｄを
連結してなる真空処理装置を有している
各処理室４Ａ〜４Ｄ
それぞれ半導体ウエハＷに対して所定の処理を施し得るようになっている
【００１９】
上記ロードロック室８Ａ、８Ｂと共通搬送室２及び搬入側搬送室１０との連結部にはそれぞれゲートバルブ６が介在されている。また、上記搬入側搬送室１０には、半導体ウエハを複数枚収容できるカセットを載置する例えば３つの導入ポート１２及び半導体ウエハＷを回転してこの偏心量を光学的に求めて位置合わせを行うオリエンタ１４が連結されている。
そして、上記搬入側搬送室１０内には、半導体ウエハＷを保持する２つのピック１６Ａ、１６Ｂを有して屈伸、旋回、昇降及び直線移動可能になされた搬入側搬送機構１６が設けられている。また、
上記共通搬送室２内には、半導体ウエハＷを保持する２つのピック１８Ａ、１８Ｂを有して屈伸及び旋回可能になされた搬送機構１８が設けられている
【００２０】
ここで、上記共通搬送室２と２つのロードロック室の内のいずれか一方、例えばロードロック室８Ａとの連結部の搬送口３４は半導体ウエハを共通搬送室２内へ専用に搬入する搬入口として用いられ、他方のロードロック室８Ｂとの連結部の搬送口３６は半導体ウエハを共通搬送室２から外へ専用に搬出する搬出口として用いられる。
そして、上記共通搬送室２内の片隅には、半導体ウエハＷを一時的に保持するためのバッファ機構３８が設けられている。このバッファ機構３８は、図２にも示すように、上下動する昇降ロッド４０の上端に板状のバッファベース４２を設け、このバッファベース４２上に例えば３本の支持ピン４４を突出させて設け、この３本の支持ピン４４の上端でウエハＷの裏面を支持できるようになっている。
【００２１】
次に、以上のように構成された処理システム３０における被処理体の搬送方法について説明する。
ここでは、
処理室４Ｃにおいて半導体ウエハＷに対して汚染が生じ易い処理として、例えば
金属薄膜を堆積する処理を行うものと仮定し
処理室４Ｃが特定処理室となる
金属薄膜の成膜処理がなされた半導体ウエハＷを搬送する際には、
一方のピックをコンタミ用ピックとして専用に用い、上記特定処理室４ＣへウエハＷを搬入する直前までは、他方のピックをクリーン用ピックとして専用に用いる
ウエハをこの特定処理室４Ｃ内へ搬入する際にも、コンタミ用ピックを用いる
【００２２】
さて、上記した条件を確認した上で、ここでは半導体ウエハＷに対しては、各処理室４Ａ〜４Ｄにおける処理の順序が上記した順序で行われるものと仮定すると、半導体ウエハＷの搬送経路は、矢印で示されたように行われる。ここでは一例として３つの導入ポート１２の内の中央の導入ポート１２に設置したカセット（キャリアも含む）からウエハが取り出されるものとし、また、２つのロードロック室８Ａ、８Ｂの内のいずれか一方のロードロック室、例えばロードロック室８Ａが特定処理室４Ｃで処理前のウエハＷの搬入用に用い、他方のロードロック室８Ｂが特定処理室４Ｃで処理後のウエハＷの搬出用に用いる。
【００２３】
また、ここでは各搬送機構１６、１８の２つのピックの内のいずれか一方のピック、例えばピック１６Ａ、１８Ａがクリーン用ピックとして用いられ、他方のピック１６Ｂ、１８Ｂがコンタミ用ピックとして用いられる。図示例の搬送経路の矢印は、クリーン用ピックを用いる場合が黒色の矢印として表され、コンタミ用ピックを用いる場合が白抜きの矢印として表されている。
今、各処理室４Ａ〜４Ｄ内にはそれぞれウエハＷが収容されてそれぞれの処理が終了しているか、略終了しかけているものとする。
【００２４】
＜搬入側搬送室１０内の搬送操作＞
…（略）…
【００２５】
＜共通搬送室２内の搬送操作＞
次に、共通搬送室２内でのウエハの搬送操作について説明する。
１．まず、搬送機構１８のコンタミ用ピック１８Ｂを用いて処理室４Ｄにて処理済みのウエハＷを取りに行き、搬送経路Ｙ１に示すようにこれを空き状態のコンタミ用のロードロック室８Ｂ内に置く。
２．次に、
コンタミ用ピック１８Ｂを用いて特定処理室４Ｃ内の処理済みのウエハＷを取りに行き、搬送経路Ｙ２に示す
３．次に、バッファ機構３８上には、予め処理室４Ｂにて処理済みのウエハＷが保持されているので、
コンタミ用ピック１８Ｂで
搬送経路Ｙ３に示すようにこれを空き状態のコンタミ用処理室４Ｃ内に搬入して置き、この特定処理室４Ｃ内での処理を開始する
【００２６】
４．次に、
処理室４Ｂ内の処理済みのウエハＷをクリーン用ピック１８Ａで取りに行き
搬送経路Ｙ４に示す
５．次に、
処理室４Ａ内の処理済みのウエハＷをクリーン用ピック１８Ａで取りに行き、搬送経路Ｙ５に示すようにこれを上記空き状態の処理室４Ｂ内へ搬送して置き、この処理室４Ｂ内での処理を開始する
【００２７】
６．次に、クリーン用ロードロック室８Ａ内で待機していた未処理のウエハＷをクリーン用ピック１８Ａで取りに行き、搬送経路Ｙ６に示すようにこれを上記空き状態の処理室４Ａ内へ搬入して置き、この処理室４Ａ内での処理を開始する。尚、半導体ウエハＷの搬出入の際には、それに対応するゲートバルブ６を開閉操作するのは勿論である。
そして、各処理室４Ａ〜４Ｄにて半導体ウエハＷの処理が完了する毎に上記した操作が繰り返し行われることになる。
このように、金属薄膜が形成されて金属汚染の生ずる恐れのウエハを搬送する工程、および特定処理室４Ｃ内へウエハＷを搬送する工程では、必ずコンタミ用ピック１６Ｂ、１８Ｂを用い、逆に、それより以前のウエハＷの搬送工程ではクリーン用ピック１６Ａ、１８Ａを用いるようにして
ピックを区別して使用しているので、クロスコンタミネーション（汚染の伝播）が発生することを極力抑制することが可能となる
【００２８】
尚、上記各処理室４Ａ〜４Ｄ間における搬送順序は単に一例を示したに過ぎず、これに限定されないのは勿論である。どのような搬送経路の場合でも、ウエハに対して汚染の生じ易い処理を行なう処理室にウエハを搬入する直前に、前工程の処理室で処理済みのウエハを一旦バッファ機構３８で保持させ、ここでクリーン用ピック１８Ａとコンタミ用ピック１８Ｂとの間でウエハの持ち換え操作を行うようにする。これにより、上述したように、クリーン用ピック１８Ａが汚染されることを防止し、その結果、特定処理室４Ｃにて処理を行う前のウエハＷに対する汚染も防止することが可能となる。」
　上記の段落【００１１】に記載された「一方のピック」と「他方のピック」は、それぞれ、「特定処理室へ被処理体を搬入する直前までの搬送」に用いられるピックと、「特定処理室への被処理体の搬入及びそれ以降の搬送」に用いるピックであるので、処理システム３０においては、段落【００２１】に記載の「クリーン用ピックとして専用に用いるピック」と「コンタミ用ピックとして専用に用いるピック」とが、それぞれ対応するピックであるといえる。
　したがって、引用例３には、以下の技術が記載されていると認められる。
「半導体ウエハ等の被処理体に対して所定の処理を施す処理システムであって、
　共通搬送室２の周囲に処理室４Ａ〜４Ｄを連結してなる真空処理装置を有しており、
　各処理室４Ａ〜４Ｄは、それぞれ半導体ウエハＷに対して所定の処理を施し得るようになっており、
　共通搬送室２内には、半導体ウエハＷを保持する２つのピック１８Ａ、１８Ｂを有して屈伸及び旋回可能になされた搬送機構１８が設けられており、
　特定処理室となる、処理室４Ｃにおいて半導体ウエハＷに対して汚染が生じ易い処理として、金属薄膜を堆積する処理を行うものであり、
　前記特定処理室へ前記被処理体を搬入する直前までの搬送は、前記２つのピックの内の一方のピックである、クリーン用ピックとして専用に用いるピックを用いて行い、前記特定処理室への前記被処理体の搬入及びそれ以降の搬送は、他方のピックである、コンタミ用ピックとして専用に用いるピックを用いて行うようにした、処理システム。」
４　引用発明との対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「基板（Ｗ）（ウエハＷ）］、「ハンド（ＵＨ，ＬＨ）」、「処理チャンバＭＰＣ１，ＭＰＣ２，ＭＰＣ３，ＭＰＣ４」、「動作制御手段（４）」、「レシピ（ＣＣレシピおよびプロセスレシピ）」、「レシピ記憶手段（５）」は、それぞれ本願発明の「基板」、「アーム」、「処理部」、「制御ユニット」、「レシピ」、「レシピ記憶部」に相当する。
（２）本願発明の「前記複数のアームのなかで使用可能なユーザブルアーム、前記複数の処理部のなかで使用可能なユーザブル処理部、及び前記ユーザブル処理部での処理条件を規定するレシピを複数格納したレシピ記憶部」と、引用発明の「このレシピ作成手段によって作成されたレシピを記憶しておくためのレシピ記憶手段（５）」とを対比する。
　また、本願発明の「複数の前記レシピは処理条件毎に異なる前記ユーザブルアームと異なる前記ユーザブル処理部を規定する」と、引用発明の「このハンド指定入力手段からの入力に基づいて、基板の搬送手順ならびに上記所定部に対する基板の搬入および搬出にそれぞれ用いるべきハンドを規定したレシピ」、「プロセスレシピは、ウエハＷを搬送する手順、具体的には、４つの処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうちのどの処理チャンバ（１または複数の処理チャンバ）にどのような順序でウエハＷを経由させるかを規定しており、プロセスレシピは、ウエハＷが経由する各処理チャンバでの処理に採用するＣＣレシピの番号も規定している」とを対比する。
ア　引用発明において、「レシピ」は、「所定部に対して基板を搬入および搬出する際に用いるべき上記搬送ロボットのハンドをそれぞれ指定して入力するためのハンド指定入力手段（６）」からの「入力に基づいて、基板の搬送手順ならびに上記所定部に対する基板の搬入および搬出にそれぞれ用いるべきハンドを規定した」ものであるから、本願発明における「レシピ」と引用発明における「レシピ」とは、「複数のアームのなかで使用可能なユーザブルアーム」を規定するものであり、「異なる前記ユーザブルアーム」を規定するものである点で一致する。
イ　引用発明は、「ＣＣレシピは、処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４で行われるウエハＷの処理の条件（たとえば、処理に使用する薬液名など）を規定したもの」であり、「プロセスレシピは、ウエハＷを搬送する手順、具体的には、４つの処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうちのどの処理チャンバ（１または複数の処理チャンバ）にどのような順序でウエハＷを経由させるかを規定しており、プロセスレシピは、ウエハＷが経由する各処理チャンバでの処理に採用するＣＣレシピの番号も規定している」ものであるところ、「ＣＣレシピおよびプロセスレシピ」は、「ウエハＷの処理の条件」や「４つの処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうちのどの処理チャンバ（１または複数の処理チャンバ）にどのような順序でウエハＷを経由させるか」を規定したものであるといえるから、複数の処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のなかで使用可能な処理チャンバでの「処理条件」を規定するものであるといえる。
　したがって、本願発明における「レシピ」と、引用発明における「レシピ（ＣＣレシピおよびプロセスレシピ）」とは、「前記複数の処理部のなかで使用可能なユーザブル処理部、及び前記ユーザブル処理部での処理条件」を規定するものであり、「異なる前記ユーザブル処理部」を規定するものである点で一致する。
ウ　そして、引用発明の「レシピ記憶手段（５）」は、レシピを作成するレシピ作成手段によって作成されたレシピを記憶しておくためのものであるから、そうすると、上記ア、イから、本願発明と引用発明とは、「前記複数のアームのなかで使用可能なユーザブルアーム、前記複数の処理部のなかで使用可能なユーザブル処理部、及び前記ユーザブル処理部での処理条件を規定するレシピを格納したレシピ記憶部」を備え、「前記レシピは異なる前記ユーザブルアームと異なる前記ユーザブル処理部を規定する」点で一致する。
（３）本願発明の「前記レシピに基づいて、前記ユーザブルアームで基板を搬送し、前記ユーザブル処理部で前記処理条件のとおり基板を処理するように、前記複数のアームと前記複数の処理部を制御する制御ユニット」と、引用発明の「このレシピ記憶手段に記憶されているレシピに従って、上記搬送ロボットの動作を制御する動作制御手段（４）」とを対比する。
ア　引用発明において、「動作制御手段（４）」は、「所定部に対して、基板を搬入および搬出する際に用いるべき上記搬送ロボットのハンドをそれぞれ指定して入力するためのハンド指定入力手段（６）」からの「入力に基づいて」、「上記所定部に対する基板の搬入および搬出にそれぞれ用いるべきハンドを規定したレシピ」に従って、「上記搬送ロボットの動作を制御する動作制御手段（４）」であるといえるから、「複数のハンド（ＵＨ，ＬＨ）」のなかで使用可能なハンドで「基板（Ｗ）を搬送」するように、「複数のハンド（ＵＨ，ＬＨ）」を制御するものであるといえる。
イ　また、引用発明は、「制御部４は、各処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の内部機構を制御し、制御部４には、レシピ記憶部５が接続されており、このレシピ記憶部５には、ＣＣレシピおよびプロセスレシピが記憶されており、ＣＣレシピは、処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４で行われるウエハＷの処理の条件（たとえば、処理に使用する薬液名など）を規定し、プロセスレシピは、ウエハＷを搬送する手順、具体的には、４つの処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうちのどの処理チャンバ（１または複数の処理チャンバ）にどのような順序でウエハＷを経由させるかを規定しており、プロセスレシピは、ウエハＷが経由する各処理チャンバでの処理に採用するＣＣレシピの番号も規定している」ものであるところ、プロセスレシピは、複数の処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のなかで使用可能な処理チャンバでの「処理条件」を規定するものであるといえるから、「動作制御手段（４）（制御部４）」は、「複数の処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４」のなかで使用可能な処理チャンバで「処理条件のとおり基板を処理する」ように、「複数の処理チャンバーＭＰＣ１〜ＭＰＣ４」を制御するものであるといえる。
ウ　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記レシピに基づいて、前記ユーザブルアームで基板を搬送し、前記ユーザブル処理部で前記処理条件のとおり基板を処理するように、前記複数のアームと前記複数の処理部を制御する制御ユニット」を備える点で一致する。
（４）以上のことから、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「基板の搬送に用いる複数のアームと、
　基板を処理する複数の処理部と、
　前記複数のアームのなかで使用可能なユーザブルアーム、前記複数の処理部のなかで使用可能なユーザブル処理部、及び前記ユーザブル処理部での処理条件を規定するレシピを格納したレシピ記憶部と、
　前記レシピに基づいて、前記ユーザブルアームで基板を搬送し、前記ユーザブル処理部で前記処理条件のとおり基板を処理するように、前記複数のアームと前記複数の処理部を制御する制御ユニットと、を備え、
　前記レシピは異なる前記ユーザブルアームと異なる前記ユーザブル処理部を規定する基板処理装置。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　本願発明では、「レシピ記憶部」は、レシピを「複数」格納するものであり、「複数」の前記レシピは「処理条件毎」に異なる前記ユーザブルアームと異なる前記ユーザブル処理部を規定するのに対し、引用発明では、レシピ記憶手段（５）に記憶されているレシピが「複数」であるか否か不明であり、また、レシピにおける、ハンド（ＵＨ，ＬＨ）と処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の規定について、本願発明の上記のような特定はなされていない点。
５　判断
（１）以下、上記相違点について検討する。
ア　上記３（２）に摘記の引用例２の段落【００２２】には、「汚染されたアームや汚染されたアームから基板に付着した物質などが別の工程の処理室に挿入されることが無くなるので、処理室の汚染を防止することができるという効果を奏する。」と記載されている。
　また、引用例２に記載の技術は、複数のアームと、シリコン基板などの基板に対してそれぞれ異なる処理を行う複数の処理室とを有する基板処理装置であって、処理室１２内で、「下層膜の成膜などの前処理を行い、具体的には、基板表面を酸化したり、基板表面を窒化したりし」、処理室１４内で、「処理室１２内で処理された処理基板又は処理膜上に積層して成膜する材料を堆積し、具体的には、金属などを成膜する」ものであり、アームを、「汚染の影響を及ぼし合う処理単位毎」に交換してもよいものであるところ、金属の成膜に用いるアームと処理室を、前処理を行うために用いるアームと処理室とは異なるものとしているから、「処理条件毎」に、複数のアームのなかの異なるアームを用い、複数の処理部のなかの異なる処理部を用いるものであるといえる。
　
イ　上記３（３）に摘記の引用例３の段落【００１０】には、「被処理体を保持する複数のピックを区別して用いることにより、
スループットを犠牲にしてでもクロスコンタミネーション（汚染の伝播）の発生を抑制することが可能な被処理体の搬送方法
　また、引用例３に記載の技術は、２つのピック１８Ａ、１８Ｂと、処理室４Ａ〜４Ｄとを有する処理システムであって、「各処理室４Ａ〜４Ｄは、それぞれ半導体ウエハＷに対して所定の処理を施し得るようになっており」、「特定処理室となる、処理室４Ｃにおいて半導体ウエハＷに対して汚染が生じ易い処理として、金属薄膜を堆積する処理を行うものであり」、「前記特定処理室へ前記被処理体を搬入する直前までの搬送は、前記２つのピックの内の一方のピックである、クリーン用ピックとして専用に用いるピックを用いて行い、前記特定処理室への前記被処理体の搬入及びそれ以降の搬送は、他方のピックである、コンタミ用ピックとして専用に用いるピックを用いて行うようにした」ものであるところ、金属薄膜を堆積する処理を行うために用いるピックと処理室（４Ｃ）を、他の処理を行うために用いるピックと処理室と異なるものとしているから、「処理条件毎」に、複数のアームのなかの異なるアームを用い、複数の処理部のなかの異なる処理部を用いるものであるといえる。
ウ　そうすると、シリコン基板などの基板や半導体ウエハの搬送に用いる複数のアームと、シリコン基板などの基板や半導体ウエハを処理する複数の処理部とを備える基板処理装置において、スループットを犠牲にしてでもクロスコンタミネーションの発生を抑制するためには、処理条件毎に、複数のアームのなかの異なるアームと、複数の処理部のなかの異なる処理部とを用いることは、引用例２、３に記載されているように、周知技術であると認められる。
エ　上記３（１）アに摘記の引用例１の段落【０００３】には、「汚染基板からハンドに転移した汚染物質が清浄基板に転移して、清浄基板を再汚染する、いわゆるクロスコンタミネーションが発生する。そこで、従来の基板処理装置では、搬送ロボットが一対のハンドを有していて、汚染基板と汚染物質が除去された後の清浄基板とが別々のハンドによって搬送されるようになっている。」と記載されている。また、同段落【００１４】には、「処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４で行われる処理は、ウエハＷに対するどのような処理でもよく」と記載されている。
オ　引用発明と引用例２、３に記載の技術とは、複数のアームと、シリコン基板などの基板や半導体ウエハを処理する複数の処理部とを有する基板処理装置であって、条件に応じて、複数のアームのなかの異なるアームを用い、複数の処理部のなかの異なる処理部を用いるものである点で一致し、しかも、クロスコンタミネーションの発生の抑制に関する技術である点でも一致する。
カ　引用例１の段落【０００４】、【００３０】の記載や引用例３の段落【００１０】の記載を参照すると、上記のような複数の処理部を有する基板処理装置において、クロスコンタミネーションの問題とスループットの向上のどちらを重視するかは、ユーザや被処理体の処理の目的（どのような処理を行うかなど）に応じることと認められる。
　そして、引用発明において、処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４で行われるウエハＷに対する処理として、例えば、引用例２、３に記載のような下層膜の成膜と金属の成膜とを選択した場合において、スループットを犠牲にしてでもクロスコンタミネーションの発生の抑制を可能としたいのであれば、引用例２、３に記載の技術のように、下層膜等の成膜や金属の成膜のそれぞれにおいて、異なるアーム及び異なる処理チャンバを用いるものとすること、すなわち、「処理条件毎に、異なるアーム及び異なる処理チャンバを用いる」ものを採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
　そして、引用発明において、レシピは、「基板の搬送手順ならびに上記所定部に対する基板の搬入および搬出にそれぞれ用いるべきハンドを規定した」ものであり、プロセスレシピは、「４つの処理チャンバＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうちのどの処理チャンバ（１または複数の処理チャンバ）にどのような順序でウエハＷを経由させるかを規定して」いるものであるから、レシピ記憶手段（５）に記憶されるレシピを「複数」とし、当該複数のレシピを、「処理条件毎に、異なるアーム及び異なる処理チャンバを用いる」ものとすることも、当業者であれば当然なし得たことである。
　したがって、引用発明において、引用例２、３に記載の技術に基づき、相違点１に係る本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
キ　なお、審判請求人は、審判請求書において、引用文献２は「各処理室毎に対応したアームを設け」るものであり、「処理条件毎に異なる前記ユーザブルアームと異なる前記ユーザブル処理部を」用いるものではない旨、引用例３に記載の技術も、「
処理条件毎に
（２）判断についてのまとめ
　よって、本願発明は、引用発明及び引用例２、３に記載の技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。