【事件の表示】
　特許第３２２４２５３号「電気的消去可能型相転移メモリ」の請求項１ないし２７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２２４２５３号の請求項１ないし２７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３２２４２５３号（平成４年１月１７日出願（パリ条約による優先権主張１９９１年１月１８日、米国）、平成１３年８月２４日設定登録。）の請求項１〜２７に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１〜２７に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】　電気的消去可能型相転移メモリであって、
（ａ）少なくとも２つの電気的に検出可能な状態の間で可逆的に電気的に切換られることが可能であって、かつ前記少なくとも２つの検出可能な状態の第１の状態は、前記少なくとも２つの検出可能な状態の第２の状態と比較して、検出上でより不規則な局所的原子規則性を有する、相転移材料の少なくとも１つの凹部と、
（ｂ）前記凹部の少なくとも２つの部分と接点との間に前記凹部を通る電気経路を形成するために、前記凹部の少なくとも２つの部分との電気接触を生じさせる電気接点手段と、
（ｃ）前記凹部内の前記電気経路内の相転移材料の少なくとも１つの体積部分における前記第１の検出可能な状態が前記第２の検出可能な状態と比較してより低い電気伝導性によって特徴付けられる、前記少なくとも２つの検出可能な状態間で、前記少なくとも１つの体積部分において可逆的に相転移を引き起こすため、前記電気接点手段に電気信号を印加する手段と、
（ｄ）前記第１の検出可能な状態において複数の元素が前記相転移材料内に分布し、かつ、前記少なくとも一つの体積部分において、前記の複数の構成元素が、前記第１の検出可能な状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第2の検出可能な状態に変換されるよう、組成的かつ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記相転移材料とを具備している、前記の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１発明という。）
　　【請求項２】　前記第１の検出可能な状態において前記相転移材料内に分布させられた前記複数の元素が、前記第２の検出可能な状態にある前記体積部分内で１つ以上の結晶質相の中に実質的に完全に吸収されている請求項１に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第２発明という。）
　　【請求項３】　前記相転移材料がその主成分としてＴｅとＧｅとＳｂを含み、ＴｅとＧｅとＳｂが概ねＴｅaＧｅbＳｂ100-(a+b)の比率で非晶質状態内に分布させられ、前記組成式の添下記号が合計で１００％になる前記構成元素の原子百分率であり、ａが７０％以下であり、ｂが１５％から約５０％の間である請求項１に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第３発明という。）
　　【請求項４】　ａが６０％以下であり、ｂが１７％から４４％の間である請求項３に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第４発明という。）
　　【請求項５】　前記第２の検出可能な状態にある前記相転移材料のバンドギャップが前記第１の検出可能な状態にある前記相転移材料のバンドギャップよりも小さい、請求項１に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第５発明という。）
　　【請求項６】　前記１つ以上の結晶質相が少なくとも１つの多元素結晶質相を含む請求項２に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第６発明という。）
　　【請求項７】　前記１つ以上の結晶質相が複数の多元素結晶質相を含む請求項２に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第７発明という。）
　　【請求項８】　前記１つ以上の結晶質相が複数の結晶質相を有する請求項２に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第８発明という。）
　　【請求項９】　前記結晶相間の結晶化温度差が１００℃以内である、請求項８に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第９発明という。）
　　【請求項１０】　前記多元素結晶質相中の微結晶が１，０００オングストローム以下の固有寸法を有する請求項２に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１０発明という。）
　　【請求項１１】　集積回路の電気的消去可能型相転移メモリであって、単結晶半導体基板と、
　前記基板上において、相互に直角に配置され且つ互いに直列に電気に接続されている相転移材料の凹部と集積回路ダイオードとをその各々のメモリ素子が有する、前記基板上に形成された複数の電気的消去可能型相転移メモリ素子と、
　前記第１の実質的に非晶質の状態において複数の元素が前記相転移材料内に分布させられ、且つ、前記凹部の少なくとも１つの体積部分内で、前記の複数の構成元素が、前記の実質的に非晶質の状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の実質的に結晶質の状態に変換されるよう、組成的且つ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記の相転移材料と、
　前記メモリ素子の上部と下部各々において前記基板を横断して延び、前記各々のメモリ素子の一方側において前記相転移材料の前記凹部との電気的接触を形成し、前記各々のメモリ素子の他方側において前記ダイオードとの電気的接触を形成し、もって選択的に且つ独立に前記メモリ素子を電気的にセットし、消去し、読出す手段を与える集積電気接点手段とを含む、前記の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１１発明という。）
　　【請求項１２】　セットパルスと消去パルスと読出しパルスとを発生させ前記メモリ素子にこれらのパルスを選択的に印加するための、前記接点手段に電気的に接続された信号発生手段を更に含む、請求項１１に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１２発明という。）
　　【請求項１３】　前記信号発生手段が、パルス幅が１００ナノセカンド以下であるセットパルスを発生させ印加する手段を含む、請求項１２に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１３発明という。）
　　【請求項１４】　前記ダイオードが半導体接合を有する、請求項１１に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１４発明という。）
　　【請求項１５】　前記半導体接合部が前記基板の表面に実質的に平行に延びる表面に形成されている、請求項１４に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１５発明という。）
　　【請求項１６】　前記半導体接合部がショットキバリヤを有する、請求項１４に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１６発明という。）
　　【請求項１７】　前記半導体接合部がｐ−ｎ接合部を有する、請求項１４に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１７発明という。）
　　【請求項１８】　前記ｐ−ｎ接合部が前記基板の表面に実質的に平行に延びる表面に形成されている、請求項１７に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１８発明という。）
　　【請求項１９】　前記ショットキバリヤが前記基板の表面に実質的に平行に延びる表面に形成されている、請求項１６に記載の集積回路電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第１９発明という。）
　　【請求項２０】　前記集積接点手段との電気的接触を形成する前記メモリ素子各々の前記一方の側及び前記他方の側が、互いに対して垂直的関係で配置されている、請求項１５に記載の集積回路電気的消去可能型相転移メモリ（以下、本件第２０発明という。）。
　　【請求項２１】　前記集積接点手段との電気的接触を形成する前記メモリ素子各々の前記一方の側及び前記他方の側が、相互に且つ前記基板表面に対して実質的に平行に広がる接点表面を含む、請求項２０に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第２１発明という。）
　　【請求項２２】　前記相転移材料がその主成分としてＴｅとＧｅとＳｂを含み、ＴｅとＧｅとＳｂが概ねＴｅaＧｅbＳｂ100-(a+b)の比率で非晶質状態に分布させられ、前記組成式の添下記号が合計で１００％になる前記構成成分の原子百分率であり、ａが７０％以下であり、ｂが１５％から約５０％の間である、請求項１１に記載の集積回路電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第２２発明という。）
　　【請求項２３】　ａが６０％以下であり、ｂが１７％から４４％の間である、請求項２２に記載の集積回路電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第２３発明という。）
　　【請求項２４】　外部環境の影響に対抗して前記メモリ素子を覆って広がり且つカプセル封じをし且つシールするカプセル封止材料層を更に含む、請求項１１に記載の集積回路の電気的消去可能型層転移メモリ。（以下、本件第２４発明という。）
　　【請求項２５】　前記相転移材料凹部の直径が１マイクロメートル以下である、請求項１１に記載の集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第２５発明という。）
　　【請求項２６】　前記凹部の直径が１マイクロメートル以下である、請求項１に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第２６発明という。）
　　【請求項２７】　前記凹部の直径が１マイクロメートル以下である、請求項２に記載の電気的消去可能型相転移メモリ。（以下、本件第２７発明という。）」
　
２．申立ての理由の概要
　申立人中石幸明は、証拠として甲第１号証（特公昭４７−２６８９７号公報）、甲第２号証（特開昭６３−２２５９３４号公報）、甲第３号証−１（フォトニクスシリーズ１２、寺尾元康他３名著「光メモリの基礎」、３０〜３３頁、７０〜９０頁、１９９０年１１月１０日、株式会社コロナ社発行）、甲第３号証−２（特開昭６０−３４８９７号公報）、甲第４号証（特公昭５７−５８７８６号公報）、甲第５号証（米国特許第４２０３１２３号明細書）、甲第６号証（菊地誠監修「アモルファス半導体の基礎」４８〜５１頁、９０〜９３頁、昭和５７年５月２５日、株式会社オーム社発行）、及び甲第７号証（米国特許第４８４５５３３号明細書）を提出し、請求項１〜４、請求項６〜２３、請求項２５〜２７に係る発明は甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項５に係る発明は甲第１号証〜甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、請求項２４に係る発明は甲第１号証〜甲第５号証及び甲第７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないのものであるから、請求項１〜２７に係る発明についての特許は特許法第１１３条第２号に該当するので、取り消されるべきものである旨主張している。
　
３．申立人が提出した甲各号証記載の発明
　ア．甲第１号証（特公昭４７−２６８９７号公報）は、情報を製作、記憶及び再生する為の方法及び装置（発明の名称）に関するもので、
「２．安定な高抵抗状態を与える状態と安定な低抵抗状態を与える状態との間を可逆的に変化する局所的配列及び／あるいは局所化結合の不連続部分をもちかつ正常ではこれらの状態の一方にある記憶半導体物質の層と、この層中に情報を作りそして記憶するようにこの層を１つの正常状態から他の状態に変化させるためにエネルギーをこの層の所望の不連続部分に選択的に加える装置と、この層中に製作及び記憶された情報を再生するためにこの層の残りの１つの正常状態に関してこの層の所望の不連続部分の状態を検出する装置と、から成る情報を製作、記憶及び再生する装置。」（特許請求の範囲第２項）、
　「簡単に言うとこの発明では安定な高抵抗すなわち絶縁状態と安定な低抵抗すなわち導電状態との間を可逆的に所望通りに変化する不連続な部分を持つ記憶半導体物質の沈積膜あるいは層・・・を利用している。」（第３欄第４４行〜第４欄第５行）こと、
　「安定な高抵抗すなわち絶縁状態ではこの記憶半導体物質・・・は原子の局所的配列および／または局所化結合をもつ本質的には不規則な配列をしており、一般には非結晶構造をしている。原子構造の変化を作っている局所的配列および／または局所化結合の変化すなわち構造変化は、敏感な性質を持っており半導体物質の電気的特性例えば抵抗、・・・及びその他光の屈折率、表面反射率、光の吸収率、光の透過率、・・・等々の性質に非常に大きな変化を与える。これら様々な性質の変化は半導体物質の層や膜に記憶された情報を読み出したり再生するため、所望の不連続部分の構造を層や膜の残りの部分と比較決定するために直ちに利用され得る。
　局所的配列及び／あるいは局所化結合の変化は、半導体物質中に構造変化をもたらすものであるが、不規則配列からさらに配列した状態例えばさらに配列化した結晶様状態への変化である。この変化はそれ自身は本質的に狭区域内でおこりいぜんとして本質的には不規則配列そして一般には非結晶性状態を含んでいる。あるいはこの変化は結晶状または凝結晶状態を与える様な狭区域配列から広区域配列への変化でありこれらの構造変化はすべて少なくとも局所的配列及び／あるいは局所化結合の変化を含み、希望に応じて可逆的に変化できる。この変化量はエネルギーの大きさを選択して加えることにより希望に応じて変えられる。」（第５欄第３行〜第３０行）こと、
　「安定な低抵抗状態を形成する局所的配列及び／または局所化結合内のこの変化は、より規則的に配列した状態例えば低抵抗を与えるより規則的に配列化した結晶様状態への状態を与える。」（第６欄第１０〜１４行）こと、
　「記憶半導体物質１０は安定な高抵抗絶縁状態と安定な低抵抗導電状態との間を可逆的に変化する不連続部分を持つことが出来る。膜あるいは層状の記憶半導体物質は安定状態ではこの２つのいずれの状態をもとることが出来る重合物質であることが多いが、多くの異なった組成物が利用され得る。・・・またこれ以外の組成物はＧｅ１５、Ｔｅ８１、Ｓ２とＰ２あるいはＳｂ２・・・から成る。」（第７欄第４１行〜第８欄第９行）こと、
　「１３Ｃに示されている様に膜や層の所望の不連続部分で膜や層１０Ａの安定な高抵抗状態を低抵抗状態に変えるためには、第１図に示されている様に膜や層１０に電気エネルギーを加える。ここで電極１２は導線１５を通じて電圧源１４によって電圧を供給され、電極１２と基盤１１間の層１０Ａに電圧を給与する。ある閾電圧値以上の電圧を加えると低抵抗のフィラメントあるいは通路が電極１２と基盤１１との間に確立され、この低抵抗の通路が作られるとそこを通して流れる電流によって熱がこの通路に発生し半導体物質の温度を少なくとも遷移温度まで上昇させる。特に温度がある時間の間遷移温度以上に上昇すると、この通路の中の半導体物質の局所的配列及び／あるいは局所化結合に変化が生じて、さらに規則正しく配列した状態へと変化させる。この効果を生じさせ安定化させるため、その時間の間遷移温度以上に温度を保っておくためには、十分長い時間、例えばミリ秒程度の間、この通路中に十分なエネルギーすなわち十分な電流を流さなければならない。この様にすると低抵抗状態は凍結し、電流が断たれ、導電性の通路が冷却された後も１３Ｃに示される様に凍結したままになる。この電圧を加えるための電源１４は１６に示される様な所望の形と十分な幅をもつ電圧パルスを作るための制御されたパルス源であるかあるいは多少連続な電圧を作る電源である。」（第８欄第２９行〜第９欄第１１行）こと、
「第３図では導電性の基盤１１上の半導体層１０が初めに低抵抗状態にある１０Ｃに示されている。ここでは導線１５によって電流源２２に接続された電極１２が初めに低抵抗状態にある層１０Ｃの選ばれた所望の不連続部分１３Ａを高抵抗状態に変えるために使われている。・・・電流パルスが・・・電極１２に加えられ電極１２と基盤１１との間の物質を短時間高温に熱して１３Ａで高抵抗状態を与える。・・・この様にして第３図の装置は第１図の装置と本質的に反対になっている。」（第９欄第４１行〜第１０欄第１５行）こと、及び、
「記憶半導体物質の層１０に記憶された情報は様々な方法により再生される。第５図は再生の一方法を表している。これは半導体層１０に密接し導線３０によってメーター等３１に結合している電極２９の様な性質感知装置から成っている。メーター３１と性質感知装置２９は層の電気抵抗、誘電率あるいはその他、層中で変化する性質（光の反射率や光の散乱性質の様な性質）を感知するために働らく。この様にしてもし性質感知装置２９が層の一部に接する電極であり、メーターが電極２９と基盤１１間の電流を測るならばこのメーターは電極２９が層の高抵抗部分１０Ａに接しているときはほとんどあるいは全然電流を示さないし、また電極２９が層の低抵抗部１３Ｃに接しているときは大電流を示すであろう。従って層１０を走査することによってメーター３１は層中に作られ記憶された情報を読み出しそして再生するであろう。」（第１５欄第５行〜第２２行）ことが記載されている。
　以上まとめると、甲第１号証には「情報を製作、記憶及び再生する装置であって、
（ａ）少なくとも２つの電気的に検出可能な状態である、安定な高抵抗すなわち絶縁状態及び安定な低抵抗すなわち導電状態の間で可逆的に電気的に切換られることが可能であって、かつ前記少なくとも２つの検出可能な状態のうち安定な高抵抗すなわち絶縁状態は、前記少なくとも２つの検出可能な状態のうち安定な低抵抗すなわち導電状態と比較して、検出上でより不規則な局所的原子規則性を有する、記憶半導体物質の膜あるいは層１０の少なくとも１つの不連続部分と、
（ｂ）前記不連続部分の少なくとも２つの部分と接点との間に前記不連続部分を通るフィラメントあるいは通路を形成するために、前記不連続部分の少なくとも２つの部分との電気接触を生じさせる基盤１１及び電極１２と、
（ｃ）前記不連続部分内の前記フィラメントあるいは通路内の記憶半導体物質の少なくとも１つの体積部分における前記安定な高抵抗すなわち絶縁状態が前記安定な低抵抗すなわち導電状態と比較してより低い電気伝導性によって特徴付けられる、前記少なくとも２つの検出可能な状態間で、前記少なくとも１つの体積部分において可逆的に変化を引き起こすため、前記基盤１１及び電極１２に電気信号を印加する導線１５と、
（ｄ）前記安定な高抵抗すなわち絶縁状態複数において複数の元素から成る、前記記憶半導体物質とを具備している、前記の情報を製作、記憶及び再生する装置」が記載されているものと認められる。
　
　イ．甲第２号証（特開昭６３−２２５９３４号公報）は、光学的情報記録媒体（発明の名称）に関するもので、
　「発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は従来の系に比べて、はるかに高速に記録、消去をおこなおうとするものである。」（第２頁左下欄第１２〜１４行）こと、
　「問題点を解決するための手段
　記録層にＴｅ，Ｇｅ，Ｓｂの３元系薄膜を採用し、とりわけその組成範囲を全体の組成が化学量論的な化合物組成または、それに準ずる単一相組成となるように選ぶ。
　作用
　Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの三元系においては、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３のあいだにＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５，ＧｅＳｂ２Ｔｅ４，ＧｅＳｂ４Ｔｅ７といった三元の量論化合物組成が存在する。安定な化学量論的化合物組成においては液体状態（同様にアモルファス状態）と結晶状態との間の自由エネルギーの差が大きく、結晶化のための駆動力を大きくとることができる。また、結晶相が安定な単一相であることから記録、消去の繰り返しによっても相が別れることなく特性が変化するといった問題がない。さらに、この三元系は融点が比較的低くアモルファス相が形成しやすい、結晶化温度が高いことから十分安定なアモルファス相が得られる等、光学記録媒体として優れた特徴を発揮することができる。」（第３頁左上欄第９行〜右上欄第８行）こと、
　「そこで本発明者等はＴｅを含む三元系の化合物を検討しＧｅＳｂＴｅの三元化合物が記録薄膜として以下の点で優れていることを見出した。この系は以下に述べるようにこの系に特異的でかつ重要ないくつかの特性１−５を備えている。
　まず第一は、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３のあいだには複数の化学量論組成の化合物、すなわちＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５，ＧｅＳｂ２Ｔｅ４，ＧｅＳｂ４Ｔｅ７のように両端の二元化合物相の間の三元化合物相が存在することである。第三図にＮ．Ｋｈ．アブリコソフ等によるＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元相図を示す。前述のように量論化合物相においては結晶状態における自由エネルギーが低くアモルファス相とのエネルギー準位の差が大きいことから速い結晶化速度が得られる。
　　第二は上記各化合物相が互いによく似た結晶構造を有し結晶化速度、融点等においても、それぞれ非常に近い値を示すということである。このことは次の効果、即ち、たとえ記録膜組成が厳密に上記化学量論組成相の一つに一致していなくとも、全体としては三つの相間の混合物と見なすことができ、広い組成範囲にわたって特性が変化しないという利点をあたえる。特にＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３の線上では上記、三つの量論化合物組成と全く変わらない特性が得られた。
　第四のポイントは上記結晶化温度が十分高く、従って安定なアモルファス相が得られるということである。実施例１中の第４図ａ，ｂ，ｃにＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３ のライン上の組成を含むＧｅ−Ｓｂ−Ｔ三元系薄膜の結晶化温度の測定例と、その組成依存性を調べた結果を等高線図として示す。これによってＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系においては広い領域にわたって室温よりも十分に高い結晶化温度が確保できることがわかる。
　第五のポイントは、結晶化課程のなかで見出された。すなわち、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系においては、その室温における安定な結晶相は六方晶であるが、結晶化の初相として、まず、Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅの三元から成る単一な面心立方型の準安定相が現れることが分かった。液体状態あるいはアモルファス状態における原子構造は結晶状態における原子構造よりも遙かに等方的であり、従って生じる結晶形ができるだけ等方的であることが結晶化時における原子の拡散距離を短くし結晶化時間を短縮するうえで有利であると考えられる。面心立方格子は結晶系のなかでも最も等方的なものの一つであることが知られている。準安定相はレーザー照射のように比較的急速に加熱冷却を行う場合に生じやすい。」（第３頁右下欄第１３行〜第４頁左下欄第１行）ことが記載されている。
　
　ウ．甲第３号証−１（フォトニクスシリーズ１２、寺尾元康他３名著「光メモリの基礎」、３０〜３３頁、７０〜９０頁、１９９０年１１月１０日、株式会社コロナ社発行）には、
「Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系には，図４．３８に状態図を示したように，ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上に３つの３元化合物があり，図４．３９に示したように，この線上では結晶化速度が速く，線上から離れると結晶化速度が遅くなっている。
　上記の３元化合物は，ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を整数比で混合した組成となっており，その原子配列は図４．４０に示したようになっている。ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上から離れると結晶化速度が遅くなるのは，・・・均一な非晶質から過剰のＳｂまたはＴｅが析出するのに長距離の原子拡散を必要とし，時間がかかるためである。一方，結晶化温度は，ＧｅＴｅの組成に近付くほど高くなる。」（第８４頁第１６行〜第８５頁第６行）と記載されている。
　
　エ．甲第３号証−２（特開昭６０−３４８９７号公報）は、書替可能光記録媒体（発明の名称）に関するもので、
「一方、相転移を利用する光記録媒体としては、結晶質−非晶質の相転移を利用するＡｓＳｅＴｅなどのカルコゲナイトガラスを用いたものや・・・が知られている。しかし、カルコゲナイトガラスを用いた記録媒体では、結晶化によって生ずる結晶粒の大きさが１００ｎｍ程度と大きくなりやすく、結晶質−非晶質の転移を数回繰返すと、ノイズが大きくなり、しかも転移によって生ずる内部歪が大きいために膜に亀裂が入るなどの劣化が起こりやすい。」（第２頁左上欄第１６行〜右上欄第６行）こと、及び、
「・・・本発明では、プラズマ重合膜中にＴｅあるいはＴｅとＧｅ、・・・、Ｓｂのうちの１つ以上との合金を微粒状態に分散させることによりＴｅまたはＴｅ合金の結晶化に伴う結晶粒が微細のままであるようにする。」（第２頁右上欄第２０行〜左下欄第５行）ことが記載されている。
　
　オ．甲第４号証（特公昭５７−５８７８６号公報）は、フィラメント型記憶半導体デバイス及びその製造方法（発明の名称）に関するもので、第６図とともに、
「第６図は、シリコンチップ基板２′上に集積された記憶デバイス１′の全体を示す。・・・。記憶デバイス１′は・・・ｘ−ｙ記憶マトリクスの部分を形成することができ、かかる場合ｘ又はｙ軸導体は、シリコンチップ基板２′の本体に形成される。これらｘ又はｙ軸導体の１つは、基板２′中のｎプラス領域２６によって示され、このｎプラス領域は、ｎ領域２８の真下即ちｐ領域３０の真下にある。シリコンチップ基板２′のｐ−ｎ領域３０及び２８は、記憶デバイス１′と共に、ｘ−ｙマトリクスの交叉点間に接続される整流器を形成する。かかる整流器は、記憶デバイス１の外側電極８′が正電極であるような電流の流れを必要とする。
　シリコンチップ基板２′は、一般に二酸化ケイ素のような絶縁材のフィルム２ａ′を有している。この二酸化ケイ素のフィルムには開口２４が設けられており、各開口は記憶デバイス１′がおかれるべき位置上にシリコンチップの半導体材料を露出する。適当な電極層４′は、各シリコンチップの露出部に選択的に付着され、この層はケイ化パラジウム又は他の適当な電極形成材でよい。各記憶デバイス１′の記憶半導体層６′は、絶縁フィルム２ａ′の全体にわたってスパッタ付着されるのが好ましく、次いでフォトレジストマスクを介してエッチングして除去し、絶縁フィルム中の開口２４に中心を有する分離領域を残し、記憶半導体材料は開口２４中に延長している。」（第１４欄３４行〜第１５欄第１９行）ことが記載されている。
　
　カ．甲第５号証（米国特許第４２０３１２３号明細書）には、
「１．基板上の薄膜メモリデバイスであって、次のものを含む；
複数の並列な第１の導電体を形成する複数の第１の導電性の層；
該第１の導電体に垂直な複数の並列の第２の導電体を形成する複数の第２の導電性の層；
第１の電極として機能する前記第１の導電性の層；
第１と第２の導電体のそれぞれの交差において第１の電極との電気的に接触する状態で積層される複数のメモリ材料構造であり、該構造は、第１、第２、第３の領域からなる；・・・
前記第１の導電性の層と直接、電気的に接触する前記第３領域；前記第２の領域は第３の領域に接触し、前記第１の領域は、第２の領域に接している、複数のＮ−タイプアモルファス半導体材料層であって、その各層はメモリ材料構造の対応する１つが対応する第１の領域と直接、電気的接触状態にあり、Ｎ−タイプアモルファス半導体材料の各層と整流接触する材料層であって、Ｎ−タイプアモルファス半導体材料層と整流接触する材料の層と直接の電気的接触状態で第２の電極体として機能する各々の第２の導電性の層。
　２．Ｎ−タイプアモルファス半導体材料の各層と整流接触する材料層が、Ｐ−タイプアモルファス半導体材料であるクレーム１のメモリー配列。
　３．Ｎ−タイプアモルファス半導体材料の層と整流接触する材料層が、第２の電極として機能する第２の導電性層の対応する箇所にあり、該第２の導電性層がＮ−タイプアモルファス半導体材料の層とショットキーバリアを形成する金属からなるクレーム１のメモリー配列。」（第６欄第２０行〜第８欄第３行）と訳される文章が記載されており、アモルファス半導体材料として「Ｇｅ１５Ｔｅ８１Ｓｂ２Ｓ２、Ｇｅ２４Ｔｅ７２Ｓｂ２Ｓ２」が例示されており（第２欄第６５行〜第６６行）、第３Ａ図とともに、「この発明の実施例は、実施例が使用する図３Ａの中で例証される。メモリーセル用の分離デバイスとしてのショットキー・ダイオードを利用する。メモリーデバイスは、・・適切な絶縁性基板２２上に形成される。その後、マイナスコンダクタ２４はモリブデンのような導電性材料からその上に形成される。絶縁層２７（好ましくは二酸化ケイ素）には、メモリデバイスを受け取るための開口２５が形成される。それぞれの開口２５は、メモリ配列を構築する直交するコンダクタのポイントクロス位置にマークする。層２８は開口２５の中に置かれ、それは２５〜４５パーセントのゲルマニウムを含有するゲルマニウム−テルルの構成である。」（第４欄第２５行〜第３９行）と訳される文章が記載されており、また、第４Ａ図について、「この発明の別な態様は、分離ダイオードとしてのＰＮ接合を用いる実施例の図４Ａの中で例証される。」（第４欄第６４行〜第６６行）と訳される文章が記載されている。
　
　キ．甲第６号証（菊地誠監修「アモルファス半導体の基礎」４８〜５１頁、９０〜９３頁、昭和５７年５月２５日、株式会社オーム社発行）には、
「不規則性の程度あるいは乱れの程度Γ／│Ｖ│が，ゼロ（規則系に相当する）から増加するにつれて，バンド幅は図３・２０に示すようにしだいにすそが延びて広くなる．同時に、縦の線で表された局在状態もしだいにひろくなり、Γ／│Ｖ│がある臨界値Γｃ／│Ｖ│に達するとすべての状態が局在することが，Ａｎｄｅｒｓｏｎによって予言された．」（第５１頁第１６行〜第２４行）ことが記載され、また、バンド間遷移に関して、表５．１には、ＳｉとＳｉＨ０．２６について、それぞれのＥｏ（光学ギャップ）が１．２６ｅＶと１．８２ｅＶであることが記載されている。
　
　ク．甲第７号証（米国特許第４８４５５３３号明細書）には「素子１４６の中央活性部分は、絶縁材料からなる防湿層１４８により完全にカプセル封止される。」（第１６欄第２０行〜第２２行）と訳される文章が記載されている。
　
４．対比・判断
（１）本件第１発明について 
　甲第１号証に記載の発明と本件第１発明とを対比する。
　甲第１号証に記載された「情報を製作、記憶及び再生する装置」とは記憶半導体物質に「電気エネルギー等の形でエネルギーを加え」（第１欄２７行、３５行）、「安定な高抵抗状態を与える状態と安定な低抵抗状態を与える状態との間を可逆的に変化」（特許請求の範囲第２項）させることによって情報を製作・記憶・再生する装置のことであり、電気エネルギーを加えることにより抵抗状態を可逆的に変化させることができるということは本件第１発明の「電気的消去可能」であることに相当しており、上記「変化」とは実質的に本件第１発明の「相転移」に相当するものであるから、上記「情報を製作、記憶及び再生する装置」は本件第１発明の「電気的消去可能型相転移メモリ」に相当している。
  また、甲第１号証に記載された「安定な高抵抗すなわち絶縁状態」及び「安定な低抵抗すなわち導電状態」の二つの状態をとる「記憶半導体物質」については、「安定な高抵抗すなわち絶縁状態ではこの記憶半導体物質は・・・一般には非結晶構造をして」（第５欄第３〜７行）おり、「安定な低抵抗状態を形成する・・・この変化は・・・より規則的に配列化した結晶様状態への状態を与える」（第６欄第１０〜１４行）ものであり、この二つの状態は電気エネルギーを加えることにより可逆的に変化するものであり、この二つの状態は抵抗を測定することにより検出可能（第１５欄第５〜２２行）であるので、甲第１号証に記載された「安定な高抵抗すなわち絶縁状態」、「安定な低抵抗すなわち導電状態」及び「記憶半導体物質」は、それぞれ本件第１発明の「「第２の状態と比較して、検出上でより不規則な局所的原子規則性を有する」、「少なくとも２つの電気的に検出可能な状態の間で可逆的に電気的に切換られることが可能であって、かつ前記少なくとも２つの検出可能な状態の第１の状態」」、「少なくとも２つの検出可能な状態の第２の状態」及び「相転移材料」に相当するものである。
　また、甲第１号証に記載された「フィラメントあるいは通路」は、電気エネルギーを加えることにより抵抗が減少した記憶半導体物質の部分であるから、本件第１発明の「電気経路」に相当するものである。
　また、甲第１号証に記載された「基盤１１及び電極１２」は、第１図及び第３図に示されるように、記憶半導体物質の膜あるいは層の不連続部分に電気的に接触しており、「ある閾電圧以上の電圧を加えると低抵抗のフィラメントあるいは通路が電極１２と基板１１との間に確立され」（第８欄第３５〜３７行）るものであるので、本件第１発明の「電気接点手段」に相当するものである。
　また、甲第１号証に記載された「導線１５」は、「１３Ｃに示されている様に膜や層の所望の不連続部分で膜や層１０Ａの安定な高抵抗状態を低抵抗状態に変えるためには、第１図に示されている様に膜や層１０に電気エネルギーを加える。ここで電極１２は導線１５を通じて電圧源１４によって電圧を供給され、電極１２と基盤１１間の層１０Ａに電圧を供給する。」（第８欄第２９〜３５行）及び「ここでは導線１５によって電流源２２に接続された電極１２が初めに低抵抗状態にある層１０Ｃの選ばれた所望の不連続部分１３Ａを高抵抗状態に変えるために使われている。」（第９欄第４３行〜第１０欄第２行）との記載から、本件第１発明の「前記電気接点手段に電気信号を印加する手段」に相当するものである。
　そして、甲第１号証に記載された「記憶半導体物質」は、安定な高抵抗絶縁状態と安定な低抵抗導電状態との間を可逆的に変化する不連続部分を持つことが出来る物質であり、具体的にはＧｅ、Ｔｅ、Ｓ、Ｓｂ等の複数の元素からなる（第７欄第４１行〜第８欄第９行）ものであるので、本件第１発明の「第１の検出可能な状態において複数の元素が前記相転移材料内に分布し」ている点については甲第１号証に記載された「記憶半導体物質」についても同様である。なお、甲第１号証に記載された「記憶半導体物質」は、電気エネルギーを加えたときの状態として「ある閾電圧以上の電圧を加えると低抵抗のフィラメントあるいは通路が電極１２と基板１１との間に確立され、この低抵抗の通路が作られるとそこを通して流れる電流によって熱がこの通路に発生し半導体物質の温度を少なくとも遷移温度まで上昇させる。特に温度がある時間の間遷移状態以上に上昇すると、この通路の中の半導体物質の局所的配列及び／あるいは局所的係合に変化が生じて、さらに規則正しく配列した状態へと変化させる」（第８欄第３５〜４４行）等と記載されているが、電気エネルギーを加えることによって記憶半導体物質が高抵抗状態と低抵抗状態との間で変化する前後の状態において、前記複数の元素が本件第１発明に言うところの「実質的に同一の平均局所分布密度」となるかどうかについては記載がない。
　したがって、甲第１号証に記載の発明と本件第１発明とは、
「電気的消去可能型相転移メモリであって、
（ａ）少なくとも２つの電気的に検出可能な状態の間で可逆的に電気的に切換られることが可能であって、かつ前記少なくとも２つの検出可能な状態の第１の状態は、前記少なくとも２つの検出可能な状態の第２の状態と比較して、検出上でより不規則な局所的原子規則性を有する、相転移材料の少なくとも１つの箇所と、
（ｂ）前記箇所の少なくとも２つの部分と接点との間に前記箇所を通る電気経路を形成するために、前記箇所の少なくとも２つの部分との電気接触を生じさせる電気接点手段と、
（ｃ）前記箇所内の前記電気経路内の相転移材料の少なくとも１つの体積部分における前記第１の検出可能な状態が前記第２の検出可能な状態と比較してより低い電気伝導性によって特徴付けられる、前記少なくとも２つの検出可能な状態間で、前記少なくとも１つの体積部分において可逆的に相転移を引き起こすため、前記電気接点手段に電気信号を印加する手段と、
（ｄ）前記第１の検出可能な状態において複数の元素が前記相転移材料内に分布している、前記相転移材料とを具備している、前記の電気的消去可能型相転移メモリ。」、
の点で一致しているが、
イ）甲第１号証に記載の発明は、記憶半導体物質の膜あるいは層が少なくとも１つの不連続部分を有するものであるのに対して、本件第１発明は、相転移材料が少なくとも１つの凹部を有する点（以下、第１の相違点という）、
ロ）甲第１号証に記載の発明は、記憶半導体物質を構成する複数の元素が、安定な高抵抗すなわち絶縁状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、安定な低抵抗すなわち導電状態に変換されるよう、組成的かつ化学量論的に配置されているかどうかについては、記載がなく、不明である点（以下、第２の相違点という）、
で相違している。
　次に、上記相違点について検討する。
　最初に第２の相違点について検討する。
　本件第１発明の構成要件である「複数の構成元素が、前記第１の検出可能な状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の検出可能な状態に変換されるよう、組成的かつ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記相転移材料」の点について、申立人は「本件特許発明における相転移材料は、甲第２号証、甲第３号証−１に記載される「ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上に存在する組成」に相当するものであり、本出願前周知の相転移記録材料にすぎない。」（特許異議申立書第１９頁最終行〜第２０頁第３行）と主張している。
　この点に関連して、甲第２号証には、「Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅの三元系においてはＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３のあいだにＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５，ＧｅＳｂ２Ｔｅ４，ＧｅＳｂ４Ｔｅ７といった三元の量論化合物組成が存在する。安定な化学量論的化合物組成においては液体状態（同様にアモルファス状態）と結晶状態との間の自由エネルギーの差が大きく、結晶化のための駆動力を大きくとることができる。また、結晶相が安定な単一相であることから記録、消去の繰り返しによっても相が分かれることなく特性が変化するといった問題がない。」（第３頁左上欄第１５行〜右上欄第４行）及び「すなわち、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系においては、その室温における安定な結晶相は六方晶であるが、結晶化の初相として、まず、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅの三元から成る単一な面心立方型の準安定相が現れることが分かった。液体状態あるいはアモルファス状態における原子構造は結晶状態の原子構造よりも遥かに等方的であり、従って生じる結晶形ができるだけ等方的であることが結晶化時における原子の拡散距離を短くし結晶化時間を短縮するうえで有利であると考えられる。面心立方格子は結晶系のなかでも最も等方的なものの一つであることが知られている。」（第４頁右上欄第８〜１９行）と記載されており、また、甲第３号証−１には、「ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上から離れると結晶化速度が遅くなるのは、・・・、均一な非晶質から過剰のＳｂまたはＴｅが析出するのに長距離の原子拡散を必要とし、時間がかかるためである。」（第８４頁最終行〜第８５頁第５行）と記載されている。
　しかしながら、上記「ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上に存在する組成」がアモルファス状態と結晶状態においていかなる平均局所分布密度を有するか明記されていないので、上記「ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上に存在する組成」が本件第１発明の「複数の構成元素が、前記第１の検出可能な状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の検出可能な状態に変換されるよう、組成的かつ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記相転移材料」に相当するものであることを示す十分な根拠が示されているとは言えず、また、自明のこととも認められない。
　また、甲第２号証及び甲第３号証−１に記載された上記「ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上に存在する組成」の相転移材料はいずれも光学的情報記録媒体もしくは光メモリとして利用されるものであり、電気的消去可能型相転移メモリとして利用することは記載も示唆もされていないので、上記「ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を結ぶ線上に存在する組成」の相転移材料を電気的消去可能型相転移メモリに転用することは当業者が容易になし得たことであるとも言えない。なお、この点について、申立人は特許異議申立書の第２０頁第４〜１６行において、甲第２号証は甲第１号証を引用しその改良を目的とするものであることが記載されているので、甲第２号証に記載の相転移材料を甲第１号証に記載されるメモリに転用することは当業者にとって容易である旨主張しているが、甲第２号証には「ただしＴｅ単独では結晶化温度（Ｔｘ）が低く室温では安定なアモルファス相をうることができない。そこでＴｅに様々な添加物元素を加えて、安定なアモルファス相を得る試み、あるいは結晶化の速度をコントロールする試みがなされてきた。例えばＧｅ１５Ｔｅ８１Ｓｂ２Ｓ２（特公昭４７−２６８９７号公報）・・・等がある。」（第２頁右上欄第１４行〜左下欄第４行）と記載されており、甲第１号証（特公昭４７−２６８９７号公報）は安定なアモルファス相が得られるように添加物元素を加えたＴｅについて記載された文献として引用されているにすぎず、電気的消去可能型相転移メモリについて引用しているわけではないので、申立人の上記主張は採用できない。
　そして、本件第１発明の構成要件である「複数の構成元素が、前記第１の検出可能な状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の検出可能な状態に変換されるよう、組成的かつ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記相転移材料」を電気的消去可能型相転移メモリに利用する点については、甲第３号証−２〜甲第７号証のいずれにも記載も示唆もされていない。
　以上から、いずれの甲号証にも、「電気的消去可能型相転移メモリ」において、相転移材料として、「複数の構成元素が、前記第１の検出可能な状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の検出可能な状態に変換されるよう、組成的かつ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記相転移材料」を利用する点については記載も示唆もされていない。
　そして、本件第１発明の電気的消去可能型相転移メモリは「複数の構成元素が、前記第１の検出可能な状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の検出可能な状態に変換されるよう、組成的かつ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記相転移材料」を備えることにより、本件特許明細書段落【００２６】に記載された「このようにして、その材料は単位体積毎に完全に結晶化され、その構成成分の局所原子密度は、非晶質状態と結晶質状態との間の遷移によっては最少限度だけしか攪乱されない。従って、相遷移の間のその材料内での原子移動は最少限度にされ、電気的切換え速度と切換えエネルギは、従来技術の電気的消去可能型相転移メモリを数桁下回るまで著しく低減させられる」という格別の効果を奏するものである。
　よって、第１の相違点について検討するまでもなく、たとえ当業者といえども本件第１発明は、甲第１号証乃至甲第７号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（２）本件第２乃至第１０発明、第２６発明及び第２７発明について
　本件第２乃至第１０発明、第２６発明及び第２７発明は、本件第１発明を直接または間接に引用してさらにその構成要件を限定したものであるから、上記限定の内容について甲第１号証乃至甲第７号証に記載の発明と更なる対比・判断をするまでもなく、甲第１号証乃至甲第７号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（３）本件第１１発明について
　本件第１１発明は、その構成要件として「前記第１の実質的に非晶質の状態において複数の元素が前記相転移材料内に分布させられ、且つ、前記凹部の少なくとも１つの体積部分内で、前記の複数の構成元素が、前記の実質的に非晶質の状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の実質的に結晶質の状態に変換されるよう、組成的且つ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記の相転移材料」を具備した集積回路の電気的消去可能型相転移メモリであって、上記構成要件については、「第１の検出可能な状態」及び「第２の検出可能な状態」をそれぞれ「第１の実質的に非晶質の状態」及び「第２の実質的に結晶質の状態」と明示的に限定した点においてのみ本件第１発明の構成（ｄ）と相違しているにすぎない。
　したがって、上記「（１）本件第１発明について」において本件第１発明の（ｄ）に係る構成について検討したのと同様の理由によって、いずれの甲号証にも、「集積回路の電気的消去可能型相転移メモリ」において、相転移材料として「前記第１の実質的に非晶質の状態において複数の元素が前記相転移材料内に分布させられ、且つ、前記凹部の少なくとも１つの体積部分内で、前記の複数の構成元素が、前記の実質的に非晶質の状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の実質的に結晶質の状態に変換されるよう、組成的且つ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記の相転移材料」を利用する点については記載も示唆もされていない。
　そして、本件第１１発明の電気的消去可能型相転移メモリは「前記第１の実質的に非晶質の状態において複数の元素が前記相転移材料内に分布させられ、且つ、前記凹部の少なくとも１つの体積部分内で、前記の複数の構成元素が、前記の実質的に非晶質の状態で存在するのと実質的に同一の平均局所分布密度で、前記第２の実質的に結晶質の状態に変換されるよう、組成的且つ化学量論的に配置された、前記複数の元素から成る、前記の相転移材料」を備えることにより、本件特許明細書記載の効果を奏するものである。
　よって、本件第１１発明の引用した上記構成要件以外の構成要件について甲第１号証乃至甲第７号証に記載の発明と対比・判断をするまでもなく、たとえ当業者といえども本件第１１発明は、甲第１号証乃至甲第７号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（４）本件第１２乃至第２５発明について
  本件第１２乃至第２５発明は本件第１１発明を直接または間接に引用してさらにその構成要件を限定したものであるから、上記限定の内容について甲第１号証乃至甲第７号証に記載の発明と更なる対比・判断をするまでもなく、甲第１号証乃至甲第７号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
５．むすび　
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件第１発明乃至本件第２７発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件第１発明乃至本件第２７発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件第１発明乃至本件第２７発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月２６日（２００２．６．２６）