【事件の表示】
　特願２０１８−１３７３３２「半導体装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１０月１１日出願公開、特開２０１８−１６０７０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１４年１２月２７日を出願日とする出願である特願２００２−３７９２７０号の一部を、平成２０年１０月１７日に新たに特許出願した特願２００８−２６８０８３号の一部を、平成２３年８月５日に新たに特許出願した特願２０１１−１７１７８１号の一部を、平成２５年６月３日に新たに特許出願した特願２０１３−１１７０３０号の一部を、平成２７年１０月１日に新たに特許出願した特願２０１５−１９５６９３号の一部を、平成２８年８月２２日に新たに特許出願した特願２０１６−１６２１４２号の一部を、平成２９年２月１３日に新たに特許出願した特願２０１７−２３７２０号の一部を、平成２９年７月２０日に新たに特許出願した特願２０１７−１４０４１７号の一部を、平成２９年１１月２４日に新たに特許出願した特願２０１７−２２５４９７号の一部を、平成３０年７月２３日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　　平成３０年　８月２１日　　　手続補正書の提出
　　平成３０年１０月　４日付け　拒絶理由通知書
　　平成３１年　２月　６日　　　意見書、及び手続補正書の提出
　　平成３１年　３月１１日付け　刊行物等提出書
　　令和　１年　７月　５日付け　拒絶査定
　　令和　１年１０月　７日　　　拒絶査定不服審判の請求
第２　原査定の拒絶の理由
　令和１年７月５日付け拒絶査定の内容は以下のとおりである。
「　この出願については、平成３０年１０月　４日付け拒絶理由通知書に記載した理由１によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
●理由１(特許法第１７条の２第３項)について
　まず、平成３０年８月２１日付け手続補正書による補正(補正１と略す)により、請求項２、４において、「半導体素子(Ｓ)の電極(Ｌ)が、上記樹脂層(４)の厚みにおける中央部付近に位置していること」を追加している。
　当該補正１は、前記拒絶理由通知書で通知した通り、「この出願の出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面(当初明細書等と略す)において、半導体素子の電極が樹脂層の厚み方向においてどこに位置しているかは記載も示唆もされていない。そして、半導体素子の電極が樹脂層の厚み方向における位置を特定することにより、樹脂層の厚みについて、半導体素子の厚みとアイランド部の厚みを考慮した上で、決定するという新たな技術的事項を導入するもの」である。
　これに対して、出願人は、平成３１年２月６日付け手続補正書による補正（補正２と略す）により、前記補正１における請求項２、４を、それぞれ請求項１、３に繰り上げた上で、「樹脂層（４）の厚みにおける中央付近」という部分を「樹脂層（４）の厚みにおける
中央
　しかしながら、当該補正２後の請求項１、３においても、前記拒絶理由通知書に記載の通り、半導体素子の電極が樹脂層の厚み方向における位置を特定することは、樹脂層の厚みについて、半導体素子の厚みとアイランド部の厚みを考慮した上で、決定するという新たな技術的事項を導入するものである。
　また、前記補正２において追加された請求項２においても、「上記半導体素子（Ｓ）が上記アイランド部（２ａ）上に搭載された状態において、
上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）形成面が、上記樹脂層（４）の厚みにおける中央に位置している
　よって、前記補正２後の請求項１−３の記載は、依然として当初明細書等に記載した事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。
　この点につき、出願人は意見書において、『今回の補正事項である「上記半導体素子(Ｓ)の電極(Ｌ)形成面が、上記樹脂層(４)の厚みにおける中央に位置していること」については、同図面の図３に開示されています』と主張する。
　しかしながら、図３を参酌しても、電極(Ｌ)が樹脂層の厚みの中央に位置するという構成は読み取れず、対応する記載も何らなく、さらに、当初明細書等に記載された発明の課題、目的又は作用効果等からみても、そのような構成を採用していると理解することもできない。
　よって、出願人の主張は採用できない。」
　ここで、平成３０年１０月４日付け拒絶理由通知書に記載された理由１の内容は以下のとおりである。
「１．(新規事項)平成３０年８月２１日付け手続補正書でした補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　記
●理由１(新規事項)について
　上記補正では、請求項２、４において、「半導体素子(Ｓ)の電極(Ｌ)が、上記樹脂層(４)の厚みにおける中央部付近に位置していること」を追加している。　しかしながら、この出願の出願当初の明細書、特許請求の範囲又は図面(当初明細書等と略す)において、半導体素子の電極が樹脂層の厚み方向においてどこに位置しているかは記載も示唆もされていない。
　そして、半導体素子の電極が樹脂層の厚み方向における位置を特定することにより、樹脂層の厚みについて、半導体素子の厚みとアイランド部の厚みを考慮した上で、決定するという新たな技術的事項を導入するものである。
　よって、上記補正は当初明細書等に記載した事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。
　なお、当該補正がなされた請求項２、４に記載した事項は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内にないことが明らかであるから、当該請求項に係る発明については新規性、進歩性等の特許要件についての審査を行っていない。」
第３　補正の概要
　平成３１年２月６日付け手続補正書でした補正（以下、「本件補正」という。）は、請求項１を削除するとともに、平成３０年８月２１日付け手続補正書により特定される請求項２に係る発明を、平成３１年２月６日付け手続補正書により特定される請求項１に記載された、
「　【請求項１】
　半導体素子（Ｓ）と、上記半導体素子（Ｓ）が搭載されるアイランド部（２ａ）と、上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）と電気的に接続される電極部（２ｂ）とが樹脂層（４）にて封止され、上記アイランド部（２ａ）および上記電極部（２ｂ）の裏面が上記樹脂層（４）の底面と同じ側で露出する半導体装置であって、
　上記アイランド部（２ａ）及び上記電極部（２ｂ）はそれぞれ、実装用金属薄膜（１１）の上面にリード層（１２）が積層された少なくとも二層構造からなり、互いに独立しており、
　上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）形成面が、上記樹脂層（４）の厚みにおける中央に位置していることを特徴とする半導体装置。」
という発明（以下、「本件補正発明」という。）に補正することを含むものである。
　すなわち、本件補正の内容は、平成３０年１０月４日付け拒絶理由において、新規事項の追加にあたるとされた「上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）が、上記樹脂層（４）の厚みにおける
中央部付近
中央
第４　当初明細書等の記載
　本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲及び図面（以下、「当初明細書等」という。）には、以下の記載がある。（下線は、当審で付与した。）
ア　「【0002】
　従来、この種樹脂封止型の半導体装置として、母型基板上に半導体素子Ｓ搭載用の金属層と外部導出用の電極層から成る電鋳製のリード材を形成し、リード材上に半導体素子Ｓを搭載の後結線処理を行い、母型基板上で樹脂封止した後母型基板のみを除去し個々に切断して構成することは公知である（特許文献１参照）。特許文献１に係る半導体装置は、上記リード材を構成する半導体素子Ｓが搭載される金属層と外部導出用の電極層の各裏面が樹脂封止体から露出して構成され、ガラスエポキシ基板やセラミック基板等の基板を使用することなく、
半導体装置の高さを低くし
イ　「【0006】
　この発明の目的は、半導体装置の小型、
薄型形状の形態は維持したまま
ウ　「【0011】
　この発明では、半導体素子Ｓが搭載されるアイランド部２ａと、該アイランド部２ａの周りに所定の間隔をおいて配置される１以上の電極部２ｂとを有し、上記アイランド部２ａ上に搭載した半導体素子Ｓと上記電極部２ｂとの間を電気的に接続した後樹脂封止して、アイランド部２ａと電極部２ｂのそれぞれ裏面が樹脂層４の底面と同一平面で露出して構成される小型、
薄型の半導体装置において
薄型の半導体装置を構成できる
エ　「【0017】
　ここで、図１（ａ）において、上記アイランド部２ａおよび電極部２ｂは、上端部周縁をそれぞれ庇状に張り出し形成して構成されており、樹脂封止体としての樹脂層４に対する喰い付き効果によって、アイランド部２ａ、電極部２ｂと樹脂層４との結着力が向上し、樹脂剥れやズレを効果的に防止できる構成となっている。また、アイランド部２ａおよび電極部２ｂは、それぞれ裏面側が金、スズ、ハンダ、パラジウム等の導電性に優れた
実装用金属薄膜１１が０．０５〜１μｍ程度の厚さで形成され
リード層１２の上面に、金、銀等から成るワイヤ３との結線力向上のためのボンディング用金属膜１３が０．３〜０．４μｍ厚程度形成されている
オ　「【0019】
　次いで、基板１の一面側のレジストパターン層６で覆われていない露出面に対し、必要に応じて化学エッチングによる表面酸化被膜除去や薬品による周知の化学処理等の表面活性化処理を行った後、図２（ｄ）に示すごとく
基板１のレジストパターン層６６により規定された露出面に０．０５〜１μｍ厚で金を成長させて、実装用金属薄膜１１を形成する
（中略）
【0020】
　次いで、図２（ｅ）のごとく、ニッケルや銅、ニッケル−コバルト等の合金等から選択される電鋳金属、本実施例の場合はニッケルを上記金属薄膜１１上面に、一体に積層して電着することでリード層１２を形成し、上記金属薄膜１１とリード層１２の二層構造から成る、半導体搭載用のアイランド部２ａと、該アイランド部２ａに対して１以上の独立した電極部２ｂを、各々対として複数組を並列形成する。なお、本実施例においては、本工程で
電着形成されるリード層１２をレジストパターン層６の厚みを越えて（例えば６０〜８０μｍ厚で）形成する
【0021】
　次いで、必要に応じて
各アイランド部２ａおよび電極部２ｂの表面に後述のワイヤボンディング時の結着力向上用の金メッキ等を０．３〜０．４μｍ厚で行い
カ　図１（ａ）として以下の図面が記載されている。
キ　図２（ｅ）、（ｆ）として以下の図面が記載されている。
ク　図３（ｃ）〜（ｅ）として以下の図面が記載されている。
ケ　図４として以下の図面が記載されている。
第５　当審の判断
　本件補正が新規事項の追加に該当するか否かについて検討する。
　本件補正発明には、「上記半導体素子（Ｓ）の電極（Ｌ）形成面が、上記樹脂層（４）の厚みにおける中央に位置していること」との特定（以下、「本件発明特定事項」）がされている。ここで「中央」という語の定義はなされていないから、「中央」という語の一般的な意味を参酌すれば、中央の位置とは、半分の位置、ないし、１／２の位置を意味していると解される。
　一方、上記第４のア〜ウによれば、当初明細書等には薄型の半導体装置を構成することについて記載されており、特に上記第４のアによれば、ガラスエポキシ基板やセラミック基板等の基板を使用しないことにより、薄型に構成することが記載されている。
　しかしながら、半導体素子の電極形成面が樹脂層の厚み方向のどこに位置しているかについては何ら記載されていないから、上記第４のア〜ウの記載は本件発明特定事項を開示するものではない。
　また、上記第４のエ及びオによれば、当初明細書等には、実装用金属薄膜１１を０．０５〜１μｍ程度、リード層１２を６０〜８０μｍ厚、ボンディング用金属膜１３を０．３〜０．４μｍ厚程度とすることについて記載されているものの、半導体素子及び樹脂層の厚さについては何ら記載されておらず、半導体素子の電極形成面が樹脂層の厚み方向のどこに位置しているかは特定されていないから、本件発明特定事項が開示されているということはできない。
　更に、図１（ａ）、図３（ｃ）〜（ｅ）及び図４をみると、半導体素子の電極形成面である半導体素子の上面の位置は、図面上、樹脂層の厚みの半分程度となっていることが見てとれる。しかしながら、一般的に、特許出願の願書に添付される図面は、明細書を補完し、特許を受けようとする発明に係る技術内容を当業者に理解させるための説明図であり、必ずしも現実の寸法を反映するものとは限らないから、明細書の裏付けが無い限りにおいて、当該部分の寸法や比率などがこれによって特定されるものではない。
　そして、本願の当初明細書等には、図２に関して、段落［００１９］に実装用金属薄膜１１の厚みが０．０５μｍ〜１μｍであること、段落［００２０］にリード層１２の厚みが６０μｍ〜８０μｍであることがそれぞれ記載されている。これらの記載に従えば、実装用金属薄膜１１とリード層１２との厚みの比率は１：１６００〜１：６０となるところ、図２（ｅ）及び（ｆ）から読み取れる金属薄膜１１とリード層１２との厚みの比率は、この厚みの比率から大幅に異なっている。したがって、本願の特許出願の願書に添付される図面も、現実の寸法を反映するものと言うことはできない。
　よって、図１（ａ）、図３（ｃ）〜（ｅ）及び図４から、図面上、樹脂層の厚みの半分程度となっていることが見てとれるとしても、本件発明特定事項が開示されているということはできない。
　したがって、本件補正は新たな技術事項である本件発明特定事項を導入するものであり、本件補正は当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではないから、特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　なお、審判請求人は令和１年１０月７日付け審判請求書において、「本願発明は、半導体装置の小型化・薄型化を実現させるものであり、さらに、小型化・薄型化を図った上で、半導体装置の信頼性・量産性の向上も実現させるものであると思料いたします。そして、その実現の一構成として、半導体素子の電極形成面を樹脂層（半導体装置）の厚みの中央に位置させることが開示されている」旨主張をしている。
　しかしながら、本願の当初明細書等には、上述のように本件発明特定事項について記載されておらず、更に、半導体装置の小型化・薄型化、及び信頼性・量産性の向上という本願の作用効果と本件発明特定事項との関連性についても記載されていないから、本願発明の上記作用効果を実現する一構成として本件発明特定事項が開示されているものともいえない。
　したがって、審判請求人の主張は採用できない。
第６　むすび
　以上のとおり、平成３１年２月６日にされた手続補正は、特許法１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないから、本件出願は特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。