(57)【要約】  １つの画素領域に、第１トランジスタ（１２ａ）に接続された第１画素電極（１７ａ）と、第２トランジスタ（１２ｂ）に接続された第２画素電極（１７ｂ）と、結合電極（６７ｙ）と、データ信号線（１５）と同層に形成された第１および２容量電極（６７ｘ・６７ｚ）とが設けられ、第２画素電極（１７ｂ）と結合電極（６７ｙ）とが容量を形成するとともに、結合電極（６７ｙ）が第３トランジスタ（１１２）を介して第１画素電極（１７ａ）に接続され、第１容量電極（６７ｘ）は、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線（１８）と重なるとともに第１画素電極（１７ａ）に接続され、第２容量電極（６７ｚ）は、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線（１８）と重なるとともに第２画素電極（１７ｂ）に接続されている。これにより、３トランジスタの容量結合型アクティブマトリクス基板の画素開口率を高める。
2010067648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記データ信号線および走査信号線に接続された第２トランジスタと、上記走査信号線に隣接する走査信号線に接続された第３トランジスタと、保持容量配線とを備え、
１つの画素領域に、上記第１トランジスタに接続された第１画素電極と、第２トランジスタに接続された第２画素電極と、結合電極と、上記データ信号線と同層に形成された第１および２容量電極とが設けられ、
上記第２画素電極と結合電極とが容量を形成するとともに、該結合電極が第３トランジスタを介して第１画素電極に接続され、
上記第１容量電極は、第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なるとともに第１画素電極に接続され、上記第２容量電極は、上記第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なるとともに第２画素電極に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
上記結合電極と第２画素電極とが第２絶縁膜を介して重なり、
第１容量電極と第１画素電極とが上記第２絶縁膜を貫通するコンタクトホールによって接続されるとともに、第２容量電極と第２画素電極とが上記第２絶縁膜を貫通するコンタクトホールによって接続されていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
上記第１容量電極の全体が保持容量配線に重なっているとともに、第２容量電極の全体が保持容量配線に重なっていることを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
上記結合電極と保持容量配線とが第１絶縁膜を介して重なっていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
上記第１容量電極、結合電極および第２容量電極は、この順に行方向に並べられていることを特徴とする１〜４のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
第１絶縁膜はゲート絶縁膜であることを特徴とする１〜５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
第２絶縁膜はトランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜であることを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
上記層間絶縁膜の、結合電極および第２画素電極と重なる部分の少なくとも一部が、周囲よりも薄く形成されていることを特徴とする請求項７記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
上記層間絶縁膜は無機層間絶縁膜と有機層間絶縁膜との積層構造を有し、
上記層間絶縁膜の、結合電極および第２画素電極と重なる部分の少なくとも一部では、有機層間絶縁膜が周囲よりも薄くなっているか、あるいは有機層間絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項８記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記データ信号線および走査信号線に接続された第２トランジスタと、上記走査信号線に隣接する走査信号線に接続された第３トランジスタと、保持容量配線とを備え、
１つの画素領域に、上記第１トランジスタに接続された第１画素電極と、第２トランジスタに接続された第２画素電極と、結合電極とが設けられ、
上記第１および第２画素電極は上記保持容量配線と重なり、
上記第２画素電極と結合電極とが容量を形成するとともに、該結合電極は第３トランジスタを介して第１画素電極に接続され、
保持容量配線の形成層と第１および第２画素電極の形成層との間に設けられた絶縁層は、上記保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とが、周囲よりも薄く形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項１１】
上記絶縁層は、ゲート絶縁膜とトランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜との積層構造を有することを特徴とする請求項１０記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１２】
上記絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とにおいて、層間絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項１１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１３】
上記絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とにおいて、層間絶縁膜が周囲よりも薄く形成されていることを特徴とする請求項１１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１４】
上記層間絶縁膜は無機層間絶縁膜と有機層間絶縁膜との積層構造を有し、
上記層間絶縁膜の、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とでは、有機層間絶縁膜が周囲よりも薄くなっているか、あるいは有機層間絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項１３記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１５】
上記絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極と重なる部分の少なくとも一部とにおいて、ゲート絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項１１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１６】
上記絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とにおいて、ゲート絶縁膜が周囲よりも薄く形成されていることを特徴とする請求項１１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１７】
上記ゲート絶縁膜は有機ゲート絶縁膜と無機ゲート絶縁膜との積層構造を有し、
上記ゲート絶縁膜の、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とでは、有機ゲート絶縁膜が周囲よりも薄くなっているか、あるいは有機ゲート絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項１６記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１８】
上記結合電極と第２画素電極とが層間絶縁膜を介して重なっていることを特徴とする請求項１１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１９】
上記結合電極と保持容量配線とがゲート絶縁膜を介して重なっていることを特徴とする請求項１１記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項２０】
上記層間絶縁膜の、結合電極および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部が、周囲よりも薄く形成されていることを特徴とする請求項１８記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項２１】
上記層間絶縁膜は無機層間絶縁膜と有機層間絶縁膜との積層構造を有し、
上記層間絶縁膜の、結合電極および第２画素電極と重なる部分の少なくとも一部では、有機層間絶縁膜が周囲よりも薄くなっているか、あるいは有機層間絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項２０記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項２２】
上記第１および第２画素電極の間隙が配向規制用構造物として機能することを特徴とする請求項１〜２１のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項２３】
データ信号線と、走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記データ信号線および走査信号線に接続された第２トランジスタと、上記走査信号線に隣接する走査信号線に接続された第３トランジスタと、保持容量配線とを備え、
１つの画素領域に、上記第１トランジスタに接続された第１画素電極と、第２トランジスタに接続された第２画素電極と、上記データ信号線と同層に位置する、第１および２容量電極並びに制御電極とが設けられ、
上記制御電極は第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なり、上記第１容量電極は、第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なるとともに第１画素電極に接続され、上記第２容量電極は、上記第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なるとともに第２画素電極に接続され、
上記制御電極が第３トランジスタを介して第２画素電極に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【請求項２４】
第１および第２トランジスタのチャネルと第１および第２画素電極との間の層に設けられる第２絶縁膜は、有機物を含み、上記第１絶縁膜よりも厚いことを特徴とする請求項２３記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項２５】
上記制御電極は第２絶縁膜を介して第１または第２画素電極と重なっていることを特徴とする請求項２３記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項２６】
請求項１０記載のアクティブマトリクス基板とこれに対向する対向基板を備え、
上記対向基板の表面は、上記絶縁層の薄く形成されている部分に対応する領域が隆起していることを特徴とする液晶パネル。
【請求項２７】
上記保持容量配線は行方向に延伸し、
対向基板表面の隆起している領域を保持容量配線の形成層に投射した場合に、保持容量配線の行方向に沿う２つのエッジ間に収まることを特徴とする請求項２６記載の液晶パネル。
【請求項２８】
請求項１〜２５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする液晶パネル。
【請求項２９】
請求項２６〜２８のいずれか１項に記載の液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする液晶表示ユニット。
【請求項３０】
請求項２９記載の液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３１】
請求項３０記載の液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えることを特徴とするテレビジョン受像機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１画素領域に複数の画素電極を設けるアクティブマトリクス基板およびこれを用いた液晶表示装置（画素分割方式）に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置のγ特性の視野角依存性を向上させる（例えば、画面の白浮き等を抑制する）ため、１画素に設けた複数の副画素を異なる輝度に制御し、これら副画素の面積階調によって中間調を表示する液晶表示装置（画素分割方式、例えば特許文献１参照）が提案されている。【０００３】
特許文献１記載のアクティブマトリクス基板（図３８・図３９参照）は、走査信号線２１５に接続された２つのトランジスタの一方が画素電極１９０ａに接続されるとともに、他方が画素電極１９０ｂに接続され、画素電極１９０ｂと結合電極１７６とが容量を形成し、走査信号線２１５の次に走査される走査信号線２１６に接続されたトランジスタを介して、結合電極１７６と画素電極１９０ａとが接続された構成（いわゆる、３トランジスタの容量結合型アクティブマトリクス基板）であり、画素電極１９０ａと維持電極１３３ａとがゲート絶縁膜１４０および保護膜１１を介して重なる部分に補助容量が形成されるとともに、画素電極１９０ｂと維持電極１３３ｂとがゲート絶縁膜１４０および保護膜１１を介して重なる部分に補助容量が形成されている。【０００４】
このアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置では、画素電極１９０ａに対応する副画素それぞれを暗副画素、画素電極１９０ｂに対応する副画素を明副画素とすることができ、これら暗副画素・明副画素の面積階調によって中間調を表示することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２００５−６２８８２号公報（公開日：２００５年３月１０日）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図３８・３９に示すアクティブマトリクス基板では、補助容量形成部分に厚い保護膜１１が存在するため、補助容量の値を確保するために、維持電極１３３ａおよび画素電極１９０ａの重なり部分と、維持電極１３３ｂおよび画素電極１９０ｂの重なり部分を広くとる必要があり、これが開口率（画素開口率）の低下の要因となっていた。【０００７】
本発明は、３トランジスタの容量結合型アクティブマトリクス基板の画素開口率を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のアクティブマトリクス基板は、データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記データ信号線および走査信号線に接続された第２トランジスタと、上記走査信号線に隣接する走査信号線（例えば、上記走査信号線の次に走査される走査信号線）に接続された第３トランジスタと、保持容量配線とを備え、１つの画素領域に、上記第１トランジスタに接続された第１画素電極と、第２トランジスタに接続された第２画素電極と、結合電極と、上記データ信号線と同層に形成された第１および２容量電極とが設けられ、上記第２画素電極と結合電極とが容量を形成するとともに、該結合電極が第３トランジスタを介して第１画素電極に接続され、上記第１容量電極は、第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なるとともに第１画素電極に接続され、上記第２容量電極は、上記第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なるとともに第２画素電極に接続されていることを特徴とする。【０００９】
本アクティブマトリクス基板では、第１容量電極と保持容量配線とが第１絶縁膜を介して重なる部分に保持容量が形成され、第２容量電極と保持容量配線とが第１絶縁膜を介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、保持容量配線（遮光性）の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。【００１０】
本アクティブマトリクス基板では、上記結合電極と第２画素電極とが第２絶縁膜を介して重なり、第１容量電極と第１画素電極とが上記第２絶縁膜を貫通するコンタクトホールによって接続されるとともに、第２容量電極と第２画素電極とが上記第２絶縁膜を貫通するコンタクトホールによって接続されている構成とすることもできる。【００１１】
本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極の全体が保持容量配線に重なっているとともに、第２容量電極の全体が保持容量配線に重なっている構成とすることもできる。【００１２】
本アクティブマトリクス基板では、上記結合電極と保持容量配線とが第１絶縁膜を介して重なっている構成とすることもできる。【００１３】
本アクティブマトリクス基板では、上記第１容量電極、結合電極および第２容量電極は、この順に行方向に並べられている構成とすることもできる。【００１４】
本アクティブマトリクス基板では、第１絶縁膜はゲート絶縁膜である構成とすることもできる。【００１５】
本アクティブマトリクス基板では、第２絶縁膜はトランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜である構成とすることもできる。【００１６】
本アクティブマトリクス基板では、上記層間絶縁膜の、結合電極および第２画素電極と重なる部分の少なくとも一部が、周囲よりも薄く形成されている構成とすることもできる。【００１７】
本アクティブマトリクス基板では、上記層間絶縁膜は無機層間絶縁膜と有機層間絶縁膜との積層構造を有し、上記層間絶縁膜の、結合電極および第２画素電極と重なる部分の少なくとも一部では、有機層間絶縁膜が周囲よりも薄くなっているか、あるいは有機層間絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。【００１８】
本アクティブマトリクス基板では、データ信号線の延伸方向を列方向とした場合に、行方向に延伸する走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記データ信号線および走査信号線に接続された第２トランジスタと、上記走査信号線に隣接する走査信号線（例えば、上記走査信号線の次に走査される走査信号線）に接続された第３トランジスタと、保持容量配線とを備えたアクティブマトリクス基板であって、１つの画素領域に、上記第１トランジスタに接続された第１画素電極と、第２トランジスタに接続された第２画素電極と、結合電極とが設けられ、上記第１および第２画素電極は上記保持容量配線と重なり、上記第２画素電極と結合電極とが容量を形成するとともに、該結合電極は第３トランジスタを介して第１画素電極に接続され、保持容量配線の形成層と第１および第２画素電極の形成層との間に設けられた絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とが、周囲よりも薄く形成されている構成とすることもできる。【００１９】
本アクティブマトリクス基板では、第１画素電極と保持容量配線とが絶縁層の薄い部分を介して重なる部分に保持容量が形成され、第２画素電極と保持容量配線とが絶縁層の薄い部分を介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、保持容量配線（遮光性）の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。【００２０】
本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁層は、ゲート絶縁膜とトランジスタのチャネルを覆う層間絶縁膜との積層構造を有する構成とすることもできる。【００２１】
本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とにおいて、層間絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。【００２２】
本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とにおいて、層間絶縁膜が周囲よりも薄く形成されている構成とすることもできる。【００２３】
本アクティブマトリクス基板では、上記層間絶縁膜は無機層間絶縁膜と有機層間絶縁膜との積層構造を有し、上記層間絶縁膜の、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とでは、有機層間絶縁膜が周囲よりも薄くなっているか、あるいは有機層間絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。【００２４】
本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極と重なる部分の少なくとも一部とにおいて、ゲート絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。【００２５】
本アクティブマトリクス基板では、上記絶縁層は、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とにおいて、ゲート絶縁膜が周囲よりも薄く形成されている構成とすることもできる。【００２６】
本アクティブマトリクス基板では、上記ゲート絶縁膜は有機ゲート絶縁膜と無機ゲート絶縁膜との積層構造を有し、上記ゲート絶縁膜の、保持容量配線および第１画素電極に重なる部分の少なくとも一部と、保持容量配線および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部とでは、有機ゲート絶縁膜が周囲よりも薄くなっているか、あるいは有機ゲート絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。【００２７】
本アクティブマトリクス基板では、上記結合電極と第２画素電極とが層間絶縁膜を介して重なっている構成とすることもできる。【００２８】
本アクティブマトリクス基板では、上記結合電極と保持容量配線とがゲート絶縁膜を介して重なっている構成とすることもできる。【００２９】
本アクティブマトリクス基板では、上記層間絶縁膜の、結合電極および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部が、周囲よりも薄く形成されている構成とすることもできる。【００３０】
本アクティブマトリクス基板では、上記層間絶縁膜は無機層間絶縁膜と有機層間絶縁膜との積層構造を有し、上記層間絶縁膜の、結合電極および第２画素電極に重なる部分の少なくとも一部では、有機層間絶縁膜が周囲よりも薄くなっているか、あるいは有機層間絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。【００３１】
本アクティブマトリクス基板では、上記第１および第２画素電極の間隙が配向規制用構造物として機能する構成とすることもできる。【００３２】
本液晶パネルは、上記アクティブマトリクス基板とこれに対向する対向基板を備え、上記対向基板の表面は、上記絶縁層の薄く形成されている部分に対応する領域が隆起していることを特徴とする。【００３３】
本液晶パネルは、上記保持容量配線は行方向に延伸し、対向基板表面の隆起している領域を保持容量配線の形成層に投射した場合に、保持容量配線の行方向に沿う２つのエッジ間に収まることを特徴とする。【００３４】
本アクティブマトリクス基板は、データ信号線と、走査信号線と、上記データ信号線および走査信号線に接続された第１トランジスタと、上記データ信号線および走査信号線に接続された第２トランジスタと、上記走査信号線に隣接する走査信号線に接続された第３トランジスタと、保持容量配線とを備え、１つの画素領域に、上記第１トランジスタに接続された第１画素電極と、第２トランジスタに接続された第２画素電極と、上記データ信号線と同層に位置する、第１および２容量電極並びに制御電極とが設けられ、上記制御電極は第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なり、上記第１容量電極は、第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なるとともに第１画素電極に接続され、上記第２容量電極は、上記第１絶縁膜を介して上記保持容量配線と重なるとともに第２画素電極に接続され、上記制御電極が第３トランジスタを介して第２画素電極に接続されていることを特徴とする。【００３５】
この場合、第１および第２トランジスタのチャネルと第１および第２画素電極との間の層に設けられる第２絶縁膜は、有機物を含み、上記第１絶縁膜よりも（例えば、５倍あるいは１０倍以上）厚い構成とすることもできる。また、上記制御電極は第２絶縁膜を介して第１または第２画素電極と重なっている構成とすることもできる。【００３６】
本液晶パネルは、上記アクティブマトリクス基板を備えることを特徴とする。また、本液晶表示ユニットは、上記液晶パネルとドライバとを備えることを特徴とする。また、本液晶表示装置は、上記液晶表示ユニットと光源装置とを備えることを特徴とする。また、テレビジョン受像機は、上記液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナ部とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３７】
以上のように、本アクティブマトリクス基板によれば、保持容量配線（遮光性）の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本液晶パネルの構成例を示す平面図である。
【図２】図１の液晶パネルの矢視断面図である。
【図３】図１の液晶パネルの等価回路図である。
【図４】図１の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
【図５】図１の液晶パネルの修正方法を示す平面図である。
【図６】図１の液晶パネルの変形例を示す平面図である。
【図７】図６の液晶パネルの矢視断面図である。
【図８】図１に示す液晶パネルのさらに他の変形例を示す平面図である。
【図９】図８の液晶パネルの修正方法を示す平面図である。
【図１０】本液晶パネルの他の構成例を示す平面図である。
【図１１】図１０に示す液晶パネルの矢視断面図の一例である。
【図１２】図１０に示す液晶パネルの矢視断面図の他例である。
【図１３】図１０の液晶パネルの変形例を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す液晶パネルの矢視断面図の一例である。
【図１５】図１３の液晶パネルの変形例を示す平面図である。
【図１６】図１５に示す液晶パネルの矢視断面図の一例である。
【図１７】本液晶パネルのさらに他の構成例を示す平面図である。
【図１８】図１７に示す液晶パネルの矢視断面図の一例である。
【図１９】図１７に示す液晶パネルの矢視断面図の他例である。
【図２０】本液晶パネルのさらに他の構成例を示す平面図である。
【図２１】図２０に示す液晶パネルの矢視断面図の一例である。
【図２２】図２０の液晶パネルの変形例を示す平面図である。
【図２３】図２２に示す液晶パネルの矢視断面図の一例である。
【図２４】本液晶パネルのさらに他の構成例を示す平面図である。
【図２５】本液晶パネルのさらに他の構成例を示す平面図である。
【図２６】図２５の液晶パネルの変形例を示す平面図である。
【図２７】図１２の液晶パネルの変形例を示す平面図である。
【図２８】図２７に示す液晶パネルの矢視断面図の一例である。
【図２９】図２７に示す液晶パネルの矢視断面図の他例である。
【図３０】（ａ）は本液晶表示ユニットの構成を示す模式図であり、（ｂ）は本液晶表示装置の構成を示す模式図である。
【図３１】本液晶表示装置の全体構成を説明するブロック図である。
【図３２】本液晶表示装置の機能を説明するブロック図である。
【図３３】本テレビジョン受像機の機能を説明するブロック図である。
【図３４】本テレビジョン受像機の構成を示す分解斜視図である。
【図３５】本液晶パネルの他の等価回路図である。
【図３６】図３５の液晶パネルの一構成例を示す平面図である。
【図３７】図３６に示す液晶パネルの矢視断面図である。
【図３８】従来の液晶パネルの構成を示す平面図である。
【図３９】従来の液晶パネルの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本発明にかかる実施の形態の例を、図１〜３７を用いて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜のため、以下では走査信号線の延伸方向を行方向とする。ただし、本液晶パネル（あるいはこれに用いられるアクティブマトリクス基板）を備えた液晶表示装置の利用（視聴）状態において、その走査信号線が横方向に延伸していても縦方向に延伸していてもよいことはいうまでもない。なお、液晶パネルの各図では配向規制用構造物を適宜省略記載している。
【００４０】
図３は本実施の形態にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図３に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線１５、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線１６・１１６、行および列方向に並べられた画素（１０1〜１０４）、保持容量配線１８、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１０１・１０２が含まれる画素列と、画素１０３・１０４が含まれる画素列とが隣接し、画素１０１・１０３が含まれる画素行と、画素１０２・１０４が含まれる画素行とが隣接している。
【００４１】
本液晶パネルは、いわゆる３トランジスタの容量結合型液晶パネルであり、１つの画素に対応して１本のデータ信号線１５と１本の走査信号線１６と３個のトランジスタと１本の保持容量配線１８とが設けられ、１つの画素に２つの画素電極（１７ａ・１７ｂ）が設けられている。
【００４２】
例えば画素１０１では、画素電極１７ａ（第１画素電極）が、走査信号線１６に接続されたトランジスタ１２ａ（第１トランジスタ）を介してデータ信号線１５に接続され、画素電極１７ｂ（第２画素電極）が、走査信号線１６に接続されたトランジスタ１２ｂ（第２トランジスタ）を介してデータ信号線１５に接続され、結合電極ＣＥ（制御電極）と画素電極１７ｂとの間に結合容量（Ｃｘ）が形成され、結合電極ＣＥが、走査信号線１１６（走査信号線１６の次に走査される走査信号線）に接続されたトランジスタ１１２（第３トランジスタ）を介して画素電極１７ａに接続され、結合電極ＣＥと保持容量配線１８との間に容量（Ｃｙ）が形成され、画素電極１７ａ（電気的接続部分含む）と保持容量配線１８との間に保持容量（Ｃｈ１）が形成され、画素電極１７ｂ（電気的接続部分含む）と保持容量配線１８との間に保持容量（Ｃｈ２）が形成され、画素電極１７ａと共通電極ｃｏｍとの間に液晶容量（Ｃｌ１）が形成され、画素電極１７ｂと共通電極ｃｏｍとの間に液晶容量（Ｃｌ２）が形成されている。
【００４３】
本液晶パネルを用いた液晶表示装置をフレーム反転駆動した場合、トランジスタ１２ａ・１２ｂのＯＮ期間に、画素電極１７ａ・１７ｂに同一の信号電位Ｖｓが書き込まれる。そして例えばＶｓがプラス極性であれば、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦした後の走査信号線１１６の走査によってトランジスタ１１２がＯＮすると、画素電極１７ａと結合電極ＣＥとが電気的に接続されて画素電極１７ａのプラス電荷が結合電極ＣＥに移動する（正電荷放電）。これによって、画素電極１７ａの電位がＶｓから低下する一方、結合電極ＣＥの電位が上昇するのに伴って結合電極ＣＥと結合容量Ｃｘを形成する画素電極１７ｂの電位はＶｓから上昇する。なお、Ｖｓがマイナス極性であれば、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦした後に走査信号線１１６の走査によってトランジスタ１１２がＯＮすると、画素電極１７ａと結合電極ＣＥとが電気的に接続されて画素電極１７ａのマイナス電荷が結合電極ＣＥに移動する（負電荷放電）。これによって、画素電極１７ａの電位がＶｓから上昇する一方、結合電極ＣＥの電位が低下するのに伴って結合電極ＣＥと結合容量Ｃｘを形成する画素電極１７ｂの電位はＶｓから低下する。
【００４４】
したがって、トランジスタ１１２がＯＦＦした後の画素電極１７ａの電位をｖａ、トランジスタ１１２がＯＦＦした後の画素電極１７ｂの電位をｖｂとすれば、|ｖｂ|≧|ｖａ|（なお、例えば|ｖｂ|は、ｖｂとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）となるため、中間調表示時には、画素電極１７ａを含む副画素を暗副画素、画素電極１７ｂを含む副画素を明副画素とし、これら１つの明副画素および１つの暗副画素の面積階調によって表示を行うことができる。これにより、本液晶表示装置の視野角特性を高めることができる。
【００４５】
図３の画素１０１の具体例を図１に示す。図１では、その見易さのために、カラーフィルタ基板（対向基板）側の部材を省略してアクティブマトリクス基板の部材のみ記載している。同図に示されるように、データ信号線１５および走査信号線１６の交差部近傍にトランジスタ１２ａ・１２ｂが配され、データ信号線１５および走査信号線１１６の交差部近傍にトランジスタ１１２が配され、データ信号線１５および走査信号線１６で画される画素領域に、行方向に視て台形形状の画素電極１７ｂとこれと嵌め合うような形状の画素電極１７ａとが行方向に並べられ、さらに、データ信号線と同層に形成された２つの容量電極（６７ｘ・６７ｚ）と、同じくデータ信号線と同層に形成された結合電極６７ｙ（ＣＥ）とが配されている。なお、保持容量配線１８は、画素電極１７ａ・１７ｂそれぞれと重なるように、行方向に延伸している。
【００４６】
すなわち、画素電極１７ｂの外周は、保持容量配線１８と交差し、行方向に対して略９０°をなす第１辺と、第１辺の一端から行方向に対して略４５°をなして延伸する第２辺と、第１辺の他端から行方向に対して略３１５°をなして延伸する第３辺と、第１辺に平行で保持容量配線１８と交差する第４辺とからなり、第１辺が台形の上底、第４辺が台形の下底をなし、第１および第４辺の中点同士を結ぶ線が保持容量配線１８上を通っている。
【００４７】
また、画素電極１７ａの外周には、データ信号線１５に沿う辺、走査信号線１６に沿う辺、および走査信号線１１６に沿う辺に加えて、上記第１〜第３辺に対向する３つの辺が含まれており、画素電極１７ｂの第１辺とこれに対向する画素電極１７ａの外周の一辺との間隙が第１間隙Ｓ１、画素電極１７ｂの第２辺とこれに対向する画素電極１７ａの外周の一辺との間隙が第２間隙Ｓ２、画素電極１７ｂの第３辺とこれに対向する画素電極１７ａの外周の一辺との間隙が第３間隙Ｓ３となっている。
【００４８】
ここで、第１容量電極６７ｘ、結合電極６７ｙ、および第２容量電極６７ｚは、ゲート絶縁膜（図示せず）を介して保持容量配線１８と重なるように、この順に行方向に並べられ、第１容量電極６７ｘが層間絶縁膜（図示せず）を介して画素電極１７ａに重なるとともに、結合電極６７ｙおよび第２容量電極６７ｚそれぞれが、層間絶縁膜（図示せず）を介して画素電極１７ｂと重なっている。すなわち、結合電極６７ｙが画素中央に配され、平面的に視て、隣接する２本のデータ信号線の一方（データ信号線１５）と結合電極６７ｙとの間に第１容量電極６７ｘが配され、他方と結合電極６７ｙとの間に第２容量電極６７ｚが配されている。
【００４９】
また、トランジスタ１２ａ・１２ｂのソース電極８（共通のソース電極）はデータ信号線１５に接続され、トランジスタ１２ａのドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線およびコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、トランジスタ１２ｂのドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７およびコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、トランジスタ１１２のソース電極１０８は画素電極１７ａに接続され、トランジスタ１１２のドレイン電極１０９はドレイン引き出し電極１２７を介して結合電極６７ｙに接続されている。これにより、結合電極６７ｙと画素電極１７ｂとの重なり部分に結合容量Ｃｘ（図３参照）が形成され、結合電極６７ｙと保持容量配線１８との重なり部分に容量Ｃｙ（図３参照）が形成される。
【００５０】
さらに、第１容量電極６７ｘと画素電極１７ａとがコンタクトホール１１ａｘを介して接続されるとともに、第２容量電極６７ｚと画素電極１７ｂとがコンタクトホール１１ｂｚを介して接続されている。これにより、第１容量電極６７ｘと保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ１の多くが形成され、第２容量電極６７ｚと保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ２の多くが形成される。
【００５１】
図２は図１の矢視断面図である。同図に示すように、本液晶パネルは、アクティブマトリクス基板３と、これに対向するカラーフィルタ基板３０と、両基板（３・３０）間に配される液晶層４０とを備える。アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に保持容量配線１８が形成され、これらを覆うようにゲート絶縁膜２２が形成されている。なお断面には含まれないが、ガラス基板３１上には走査信号線１６・１１６が形成されている。ゲート絶縁膜２２の上層には、第１容量電極６７ｘと、結合電極６７ｙと、第２容量電極６７ｚとデータ信号線１５とを含むメタル層が形成されている。なお断面には含まれないが、ゲート絶縁膜２２の上層には、ドレイン引き出し電極２７・１２７と、半導体層（ｉ層およびｎ＋層）と、ｎ＋層に接するソース電極８・１０８およびドレイン電極９ａ・９ｂ・１０９とが形成されている。さらに、このメタル層を覆うように層間絶縁膜５６が形成されている。層間絶縁膜５６上には画素電極１７ａ・１７ｂが形成され、これら画素電極１７ａ・１７ｂを覆うように配向膜９が形成されている。なお、コンタクトホール１１ａｘでは、層間絶縁膜５６が刳り貫かれ、これによって、画素電極１７ａと第１容量電極６７ｘとが接続されている。また、コンタクトホール１１ｂｚでは、層間絶縁膜５６が刳り貫かれ、これによって、画素電極１７ｂと第２容量電極６７ｚとが接続されている。また、結合電極６７ｙは、層間絶縁膜５６を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって、結合容量Ｃｘ（図３参照）が形成される。また、第１容量電極６７ｘはゲート絶縁膜２２を介して保持容量配線１８と重なっており、これによって、保持容量Ｃｈ１（図３参照）の一部が形成される。また、第２容量電極６７ｚはゲート絶縁膜２２を介して保持容量配線１８と重なっており、これによって、保持容量Ｃｈ２（図３参照）が形成される。
【００５２】
一方、カラーフィルタ基板３０では、ガラス基板３２上に着色層（カラーフィルタ層）１４が形成され、その上層に共通電極（ｃｏｍ）２８が形成され、さらにこれを覆うように配向膜１９が形成されている。
【００５３】
図４は図１〜３に示す液晶パネルを備えた本液晶表示装置（ノーマリブラックモードの液晶表示装置）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、ＳｖおよびＳＶはそれぞれ、データ信号線１５およびこれに隣接するデータ信号線に供給される信号電位を示し、ＧｐおよびＧＰはそれぞれ、走査信号線１６・１１６に供給されるゲートオンパルス信号を示し、Ｖａ・Ｖｂはそれぞれ、画素電極１７ａ・１７ｂの電位を示している。
【００５４】
この駆動方法では、図４に示されるように、走査信号線を順次選択し、データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に逆極性の信号電位を供給する。
【００５５】
具体的には、連続するフレームＦ１・Ｆ２において、Ｆ１では、走査信号線を順次選択し、データ信号線１５には、ｎ番目の水平走査期間（走査信号線１６の走査期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、（ｎ＋１）番目の水平走査期間（走査信号線１１６の走査期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、データ信号線１５に隣接するデータ信号線には、ｎ番目の水平走査期間にマイナス極性の信号電位を供給し、（ｎ＋１）番目の水平走査期間にプラス極性の信号電位を供給する。これにより、図４に示すように、（ｎ＋１）番目の水平走査期間終了時に、|Ｖｂ|≧|Ｖａ|となり、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素は暗副画素、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素は明副画素となる。
【００５６】
また、Ｆ２では、走査信号線を順次選択し、データ信号線１５には、ｎ番目の水平走査期間（走査信号線１６の走査期間含む）にマイナス極性の信号電位を供給し、（ｎ＋１）番目の水平走査期間（走査信号線１１６の走査期間含む）にプラス極性の信号電位を供給し、データ信号線１５に隣接するデータ信号線には、ｎ番目の水平走査期間にプラス極性の信号電位を供給し、（ｎ＋１）番目の水平走査期間にマイナス極性の信号電位を供給する。これにより、図４に示すように、（ｎ＋１）番目の水平走査期間終了時に、|Ｖｂ|≧|Ｖａ|となり、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素は暗副画素、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素は明副画素となる。
【００５７】
なお、図１・２ではカラーフィルタ基板の配向規制用構造物の記載を省略しているが、例えばＭＶＡ（マルチドメインバーティカルアライメント）方式の液晶パネルでは、カラーフィルタ基板に配向規制用のリブが設けられ、スリットＳ１〜Ｓ３が配向規制用構造物として機能する。なお、カラーフィルタ基板に上記のようなリブを設けるかわりに、カラーフィルタ基板の共通電極に配向規制用のスリットを設けてもよい。
【００５８】
図１の液晶パネルでは、第１容量電極６７ｘと保持容量配線１８とがゲート絶縁膜２２のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、また、第２容量電極６７ｚと保持容量配線１８とがゲート絶縁膜２２のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、遮光性である保持容量配線１８の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。
【００５９】
また、結合電極６７ｙが画素中央に配されているため、結合電極６７ｙとデータ信号線との短絡発生を抑えることができる。なお、データ信号線１５と第１容量電極６７ｘとが短絡した場合には、図５に示すように、コンタクトホール１１ａｘ内の画素電極をレーザ等によりトリミング除去することで、画素電極１７ａ・１７ｂの電位制御（面積階調による中間調表示を維持すること）が可能となる。第２容量電極６７ｚが隣接するデータ信号線と短絡した場合も同様である。また、結合電極６７ｙと第２容量電極６７ｚとが短絡したり、第１容量電極６７ｘと結合電極６７ｙとが短絡したりしても、画素電極１７ａ・１７ｂが同一電位となるにとどまり、画素電極１７ａ・１７ｂの電位制御が不能となることはない。
【００６０】
次に、本液晶パネルの製造方法について説明する。液晶パネルの製造方法には、アクティブマトリクス基板製造工程と、カラーフィルタ基板製造工程と、両基板を貼り合わせて液晶を充填する組み立て工程とが含まれる。
【００６１】
まず、ガラス、プラスチックなどの基板上に、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの金属膜、それらの合金膜、または、それらの積層膜（厚さ１０００Å〜３０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、フォトリソグラフィー技術（Photo Engraving Process、以下、「ＰＥＰ技術」と称する）によりパターンニングを行い、走査信号線やトランジスタのゲート電極（走査信号線がゲート電極を兼ねる場合もある）および保持容量配線を形成する。
【００６２】
次いで、走査信号線などが形成された基板全体に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機絶縁膜（厚さ３０００Å〜５０００Å程度）を成膜し、ゲート絶縁膜を形成する。
【００６３】
続いて、ゲート絶縁膜上（基板全体）に、ＣＶＤ法により真性アモルファスシリコン膜（厚さ１０００Å〜３０００Å）と、リンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ４００Å〜７００Å）とを連続して成膜し、その後、ＰＥＰ技術によってパターニングを行い、ゲート電極上に、真性アモルファスシリコン層とｎ＋アモルファスシリコン層とからなるシリコン積層体を島状に形成する。
【００６４】
続いて、シリコン積層体が形成された基板全体に、チタン、クロム、アルミニウム、モリブデン、タンタル、タングステン、銅などの金属膜、それらの合金膜、または、それらの積層膜（厚さ１０００Å〜３０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターンニングを行い、データ信号線、トランジスタのソース電極・ドレイン電極、ドレイン引き出し配線、結合容量、および各容量電極を形成する（メタル層の形成）。
【００６５】
さらに、ソース電極およびドレイン電極をマスクとして、シリコン積層体を構成するｎ＋アモルファスシリコン層をエッチング除去し、トランジスタのチャネルを形成する。ここで、半導体層は、上記のようにアモルファスシリコン膜により形成させてもよいが、ポリシリコン膜を成膜させてもよく、また、アモルファスシリコン膜およびポリシリコン膜にレーザアニール処理を行って結晶性を向上させてもよい。これにより、半導体層内の電子の移動速度が速くなり、トランジスタ（ＴＦＴ）の特性を向上させることができる。
【００６６】
次いで、データ信号線などが形成された基板全体に層間絶縁膜を形成する。具体的には、ＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスとＮ２ガスとの混合ガスを用い、基板全面を覆うように、厚さ約３０００ÅのＳｉＮｘからなる無機層間絶縁膜（パッシベーション膜）をＣＶＤにて形成し、さらに必要に応じて、厚さ約３μｍのポジ型感光性アクリル樹脂からなる有機層間絶縁膜をスピンコートやダイコートにて形成する。
【００６７】
その後、ＰＥＰ技術により層間絶縁膜をエッチング除去して、コンタクトホールを形成する。続いて、コンタクトホールが形成された層間絶縁膜上の基板全体に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、酸化亜鉛、酸化スズなどからなる透明導電膜（厚さ１０００Å〜２０００Å）をスパッタリング法により成膜し、その後、ＰＥＰ技術によりパターニングし、各画素電極を形成する。
【００６８】
最後に、画素電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å〜１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。以上のようにして、アクティブマトリクス基板が製造される。
【００６９】
以下に、カラーフィルタ基板製造工程について説明する。
【００７０】
まず、ガラス、プラスチックなどの基板上（基板全体）に、クロム薄膜、または黒色顔料を含有する樹脂を成膜した後にＰＥＰ技術によってパターンニングを行い、ブラックマトリクスを形成する。次いで、ブラックマトリクスの間隙に、顔料分散法などを用いて、赤、緑および青のカラーフィルタ層（厚さ２μｍ程度）をパターン形成する。
【００７１】
続いて、カラーフィルタ層上の基板全体に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化亜鉛、酸化スズなどからなる透明導電膜（厚さ１０００Å程度）を成膜し、共通電極（ｃｏｍ）を形成する。
【００７２】
最後に、共通電極上の基板全体に、ポリイミド樹脂を厚さ５００Å〜１０００Åで印刷し、その後、焼成して、回転布にて１方向にラビング処理を行って、配向膜を形成する。上記のようにして、カラーフィルタ基板を製造することができる。
【００７３】
以下に、組み立て工程について、説明する。
【００７４】
まず、アクティブマトリクス基板およびカラーフィルタ基板の一方に、スクリーン印刷により、熱硬化性エポキシ樹脂などからなるシール材料を液晶注入口の部分を欠いた枠状パターンに塗布し、他方の基板に液晶層の厚さに相当する直径を持ち、プラスチックまたはシリカからなる球状のスペーサーを散布する。
【００７５】
次いで、アクティブマトリクス基板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせ、シール材料を硬化させる。
【００７６】
最後に、アクティブマトリクス基板およびカラーフィルタ基板並びにシール材料で囲まれる空間に、減圧法により液晶材料を注入した後、液晶注入口にＵＶ硬化樹脂を塗布し、ＵＶ照射によって液晶材料を封止することで液晶層を形成する。以上のようにして、液晶パネルが製造される。
【００７７】
図２に戻って、図２の層間絶縁膜（チャネル保護膜）５６を、無機層間絶縁膜２５とこれよりも厚い有機層間絶縁膜２６との積層構造としてもよい（図６・７参照）。こうすれば、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果が得られる。この場合、図６・７に示すように、有機層間絶縁膜２６については、結合電極６７ｙと重なる部分を含む矩形領域Ｊｋｙを刳り貫いておくことが好ましい。こうすれば、結合容量Ｃｘ（図３参照）の容量値を十分に確保しながら、上記の効果を得ることができる。
【００７８】
図７の無機層間絶縁膜２５、有機層間絶縁膜２６およびコンタクトホール１１ａｘ・１１ｂｚは例えば、以下のようにして形成することができる。すなわち、トランジスタやデータ信号線を形成した後、ＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスとＮ２ガスとの混合ガスを用い、基板全面を覆うように、厚さ約３０００ÅのＳｉＮｘからなる無機層間絶縁膜２５（パッシベーション膜）をＣＶＤにて形成する。その後、厚さ約３μｍのポジ型感光性アクリル樹脂からなる有機層間絶縁膜２６をスピンコートやダイコートにて形成する。続いて、フォトリソグラフィーを行って有機層間絶縁膜２６の刳り貫き部分および各種のコンタクト用パターンを形成し、さらに、パターニングされた有機層間絶縁膜２６をマスクとし、ＣＦ４ガスとＯ２ガスとの混合ガスを用いて、無機層間絶縁膜２５をドライエッチングする。具体的には、例えば、有機層間絶縁膜の刳り貫き部分についてはフォトリソグラフィー工程でハーフ露光とすることで現像完了時に有機層間絶縁膜が薄く残膜するようにしておく一方、コンタクトホール部分については上記フォトリソグラフィー工程でフル露光することで現像完了時に有機層間絶縁膜が残らないようにしておく。ここで、ＣＦ４ガスとＯ２ガスとの混合ガスでドライエッチングを行えば、有機層間絶縁膜の刳り貫き部分については（有機層間絶縁膜の）残膜が除去され、コンタクトホール部分については有機層間絶縁膜下の無機層間絶縁膜が除去されることになる。なお、有機層間絶縁膜２６は、例えば、ＳＯＧ（スピンオンガラス）材料からなる絶縁膜であってもよく、また、有機層間絶縁膜２６に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボラック樹脂、およびシロキサン樹脂の少なくとも１つが含まれていてもよい。
【００７９】
図１・２では、保持容量配線１８上に、第１容量電極６７ｘ、結合電極６７ｙ、および第２容量電極６７ｚが、この順に行方向に並べられているがこれに限定されない。例えば、図８に示すように、保持容量配線１８上に、第１容量電極６７ｘ、第２容量電極６７ｚ、および結合電極６７ｙを、この順に並べても、画素開口率向上の効果を得ることができる。なお、図８の構成において結合電極６７ｙとデータ信号線とが短絡した場合には、図９に示すように、ドレイン引き出し電極１２７をレーザ等により切断すればよい。こうすれば、画素電極１７ａ・１７ｂが同一電位となるにとどまり、画素電極１７ａ・１７ｂの電位制御が不能となることはないし、各画素電極１７ａ・１７ｂの保持容量も正常に維持される。
【００８０】
画素１０１（図３参照）の他の具体例を図１０に示し、その矢視断面図を図１１・１２に示す。図１０では、その見易さのために、カラーフィルタ基板（対向基板）側の部材を省略してアクティブマトリクス基板の部材のみ記載している。同図に示されるように、データ信号線１５および走査信号線１６の交差部近傍にトランジスタ１２ａ・１２ｂが配され、データ信号線１５および走査信号線１１６の交差部近傍にトランジスタ１１２が配され、データ信号線１５および走査信号線１６で画される画素領域に、行方向に視て台形形状の画素電極１７ｂとこれと嵌め合うような形状の画素電極１７ａとが行方向に並べられ、さらに、データ信号線と同層に形成された結合電極６７ｙ（ＣＥ）が配されている。なお、保持容量配線１８は、画素電極１７ａ・１７ｂそれぞれと重なるように、行方向に延伸している。
【００８１】
具体的には、画素電極１７ａ・１７ｂの形状は図１と同じであり、結合電極６７ｙが、画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８と重なるように画素中央に配される。また、トランジスタ１２ａ・１２ｂのソース電極８（共通のソース電極）はデータ信号線１５に接続され、トランジスタ１２ａのドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線およびコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、トランジスタ１２ｂのドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７およびコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、トランジスタ１１２のソース電極１０８は画素電極１７ａに接続され、トランジスタ１１２のドレイン電極１０９はドレイン引き出し電極１２７を介して結合電極６７ｙに接続されている。これにより、結合電極６７ｙと画素電極１７ｂとの重なり部分に結合容量Ｃｘ（図３参照）が形成される。
【００８２】
そして、結合電極６７ｙは、チャネル保護膜である層間絶縁膜を介して画素電極１７ｂと重なっており、この層間絶縁膜については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、画素電極１７ａおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｊｋｘが図１１のように刳り貫かれるかあるいは図１２のように周囲よりも薄く形成されるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｊｋｚが図１１のように刳り貫かれるかあるいは図１２のように周囲よりも薄く形成されている。
【００８３】
すなわち、図１１のアクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に保持容量配線１８が形成され、これらを覆うようにゲート絶縁膜２２が形成されている。なお断面には含まれないが、ガラス基板３１上には走査信号線１６・１１６が形成されている。ゲート絶縁膜２２の上層には、結合電極６７ｙとデータ信号線１５とを含むメタル層が形成されている。なお断面には含まれないが、ゲート絶縁膜２２の上層には、ドレイン引き出し電極２７・１２７と、半導体層（ｉ層およびｎ＋層）と、ｎ＋層に接するソース電極８・１０８およびドレイン電極９ａ・９ｂ・１０９とが形成されている。さらに、このメタル層を覆うように層間絶縁膜５６が形成されている。層間絶縁膜５６上には画素電極１７ａ・１７ｂが形成され、これら画素電極１７ａ・１７ｂを覆うように配向膜９が形成されている。そして、結合電極６７ｙは、層間絶縁膜５６を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって、結合容量Ｃｘ（図３参照）が形成される。
【００８４】
ここで、層間絶縁膜５６については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ａと重なる矩形領域Ｊｋｘが刳り貫かれるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ｂと重なる矩形領域Ｊｋｚが刳り貫かれている。これにより、矩形領域Ｊｋｘの上下において保持容量配線１８と画素電極１７ａとがゲート絶縁膜２２のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ１（図３参照）の多くが形成され、矩形領域Ｊｋｚの上下において保持容量配線１８と画素電極１７ｂとがゲート絶縁膜２２のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ２（図３参照）の多くが形成される。
【００８５】
また、図１２のアクティブマトリクス基板３では、上記のメタル層を覆うように、無機層間絶縁膜２５が形成され、その上に無機層間絶縁膜２５よりも厚い有機層間絶縁膜２６が積層され、有機層間絶縁膜２６上に画素電極１７ａ・１７ｂが形成されている。そして、結合電極６７ｙは、無機層間絶縁膜２５および有機層間絶縁膜２６を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって、結合容量Ｃｘ（図３参照）が形成される。ここで、有機層間絶縁膜２６については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ａと重なる矩形領域Ｊｋｘが刳り貫かれるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ｂと重なる矩形領域Ｊｋｚが刳り貫かれている。これにより、矩形領域Ｊｋｘの上下において、保持容量配線１８と画素電極１７ａとがゲート絶縁膜２２および無機層間絶縁膜２５のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ１（図３参照）の多くが形成され、矩形領域Ｊｋｚの上下において、保持容量配線１８と画素電極１７ｂとがゲート絶縁膜２２および無機層間絶縁膜２５のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ２（図３参照）の多くが形成される。
【００８６】
図１０・１１に示す液晶パネルでは、画素電極１７ａと保持容量配線１８とがゲート絶縁膜２２のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、また、画素電極１７ｂと保持容量配線１８とがゲート絶縁膜２２のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、遮光性である保持容量配線１８の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。また、図１０・１２に示す液晶パネルでは、画素電極１７ａと保持容量配線１８とがゲート絶縁膜２２および無機層間絶縁膜２５のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、また、画素電極１７ｂと保持容量配線１８とがゲート絶縁膜２２および無機層間絶縁膜２５のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、遮光性である保持容量配線１８の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。
【００８７】
また、結合電極６７ｙが画素中央に配され、両側のデータ信号線からの距離が保たれるため、結合電極６７ｙとデータ信号線との短絡発生を抑えることができる。
【００８８】
また、図１０・１１に示す液晶パネルでは、図１のような容量電極（保持容量を維持するための電極）を設けなくて済むため、図５に示されるような短絡（データ信号線と容量電極との短絡）を防げるというメリットがある。
【００８９】
図１０・１２に示す液晶パネルの有機層間絶縁膜２６については、図１３・１４に示すように、結合電極６７ｙと重なる部分を含む矩形領域Ｊｋｙも刳り貫いておくことが好ましい。こうすれば、結合容量Ｃｘ（図３参照）の容量値を十分に確保しながら、上記の効果を得ることができる。なお、図１３・１４に示す構成を図１５・１６のように変形することもできる。すなわち、有機層間絶縁膜２６について、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ａと重なる領域と、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ｂと重なる領域と、結合電極６７ｙと重なる部分を含む領域とが繋がる十字形領域Ｊｋｆを刳り貫いてもよい。
【００９０】
画素１０１（図３参照）の他の具体例を図１７に示し、その矢視断面図を図１８・１９に示す。なお、画素電極１７ａ・１７ｂの形状、保持容量配線１８の配置、および各画素電極および各トランジスタの接続関係は図１０と同一であり、結合電極６７ｙが、画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８と重なるように画素中央に配される。
【００９１】
そして、結合電極６７ｙは、チャネル保護膜である層間絶縁膜を介して画素電極１７ｂと重なるとともに、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８に重なっており、このゲート絶縁膜については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、画素電極１７ａおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｓｋｘが図１８のように刳り貫かれるかあるいは図１９のように周囲よりも薄く形成されるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｓｋｚが図１８のように刳り貫かれるかあるいは図１９のように周囲よりも薄く形成されている。
【００９２】
すなわち、図１８のアクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に保持容量配線１８が形成され、これらを覆うようにゲート絶縁膜２２が形成されている。また、結合電極６７ｙおよびデータ信号線１５を含むメタル層を覆うように層間絶縁膜５６が形成され、層間絶縁膜５６上には画素電極１７ａ・１７ｂが形成される。そして、結合電極６７ｙは、層間絶縁膜５６を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって、結合容量Ｃｘ（図３参照）が形成される。ここで、ゲート絶縁膜２２については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ａと重なる矩形領域Ｓｋｘが刳り貫かれるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ｂと重なる矩形領域Ｓｋｚが刳り貫かれている。これにより、矩形領域Ｓｋｘの上下において、保持容量配線１８と画素電極１７ａとが層間絶縁膜５６のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ１（図３参照）の多くが形成され、矩形領域Ｓｋｚの上下において、保持容量配線１８と画素電極１７ｂとが層間絶縁膜５６のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ２（図３参照）の多くが形成される。
【００９３】
また、図１９のアクティブマトリクス基板３では、保持容量配線１８を覆うように、有機ゲート絶縁膜２０が形成され、その上に有機ゲート絶縁膜２０よりも薄い無機ゲート絶縁膜２１が積層され、無機ゲート絶縁膜２１上に、結合電極６７ｙおよびデータ信号線１５を含むメタル層が形成されている。そして、結合電極６７ｙは層間絶縁膜５６を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって、結合容量Ｃｘ（図３参照）が形成される。ここで、有機ゲート絶縁膜２１については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ａと重なる矩形領域Ｓｋｘが刳り貫かれるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ｂと重なる矩形領域Ｓｋｚが刳り貫かれている。これにより、矩形領域Ｓｋｘの上下において、保持容量配線１８と画素電極１７ａとが無機ゲート絶縁膜２１および層間絶縁膜５６のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ１（図３参照）の多くが形成され、矩形領域Ｓｋｚの上下において、保持容量配線１８と画素電極１７ｂとが無機ゲート絶縁膜２１および層間絶縁膜５６のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ２（図３参照）の多くが形成される。
【００９４】
図１７・１８に示す液晶パネルでは、画素電極１７ａと保持容量配線１８とが層間絶縁膜５６のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、また、画素電極１７ｂと保持容量配線１８とが層間絶縁膜５６のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、遮光性である保持容量配線１８の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。また、図１７・１９に示す液晶パネルでは、画素電極１７ａと保持容量配線１８とが無機ゲート絶縁膜２１および層間絶縁膜５６のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、また、画素電極１７ｂと保持容量配線１８とが無機ゲート絶縁膜２１および層間絶縁膜５６のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、遮光性である保持容量配線１８の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。
【００９５】
また、結合電極６７ｙが画素中央に配され、両側のデータ信号線からの距離が保たれるため、結合電極６７ｙとデータ信号線との短絡発生を抑えることができる。
【００９６】
また、図１のような容量電極（保持容量を維持するための電極）を設けなくて済むため、図５に示されるような短絡（データ信号線と容量電極との短絡）を防げるというメリットがある。
【００９７】
画素１０１（図３参照）の他の具体例を図２０に示し、その矢視断面図を図２１に示す。なお、画素電極１７ａ・１７ｂの形状、保持容量配線１８の配置、および各画素電極および各トランジスタの接続関係は図１０と同一であり、結合電極６７ｙが、画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８と重なるように画素中央に配される。そして、結合電極６７ｙは、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８に重なるとともに、層間絶縁膜を介して画素電極１７ｂと重なっている。
【００９８】
ここで、ゲート絶縁膜については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、画素電極１７ａおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｓｋｘが図２１のように周囲よりも薄く形成されるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｓｋｚが図２１のように周囲よりも薄く形成されている。また、層間絶縁膜についても、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、画素電極１７ａおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｊｋｘが図２１のように周囲よりも薄く形成されるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、画素電極１７ｂおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｊｋｚが図２１のように周囲よりも薄く形成されている。
【００９９】
具体的には、図２１のアクティブマトリクス基板３では、保持容量配線１８を覆うように、有機ゲート絶縁膜２０が形成され、その上に有機ゲート絶縁膜２０よりも薄い無機ゲート絶縁膜２１が積層され、無機ゲート絶縁膜２１上に、結合電極６７ｙおよびデータ信号線１５を含むメタル層が形成されている。そして、メタル層を覆うように無機層間絶縁膜２５が形成され、その上に無機層間絶縁膜２５よりも厚い有機層間絶縁膜２６が積層され、有機層間絶縁膜２６上に、画素電極１７ａ・１７ｂが形成されている。すなわち、結合電極６７ｙは無機層間絶縁膜２５および有機層間絶縁膜２６を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって、結合容量Ｃｘ（図３参照）が形成される。
【０１００】
ここで、有機ゲート絶縁膜２１については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ａと重なる矩形領域Ｓｋｘが刳り貫かれるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ｂと重なる矩形領域Ｓｋｚが刳り貫かれている。一方、有機層間絶縁膜２６についても、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ａと重なる矩形領域Ｊｋｘが刳り貫かれるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、保持容量配線１８および画素電極１７ｂと重なる矩形領域Ｊｋｚが刳り貫かれている。これにより、矩形領域Ｊｋｘ・Ｓｋｘの上下において、保持容量配線１８と画素電極１７ａとが無機ゲート絶縁膜２１および無機層間絶縁膜２５のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ１（図３参照）の多くが形成され、矩形領域Ｊｋｚ・Ｓｋｚの上下において、保持容量配線１８と画素電極１７ｂとが無機ゲート絶縁膜２１および無機層間絶縁膜２５のみを介して重なる部分に保持容量Ｃｈ２（図３参照）の多くが形成される。
【０１０１】
図２０・２１に示す液晶パネルでは、画素電極１７ａと保持容量配線１８とが無機ゲート絶縁膜２１および無機層間絶縁膜２５のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、また、画素電極１７ｂと保持容量配線１８とが無機ゲート絶縁膜２１および無機層間絶縁膜２５のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、遮光性である保持容量配線１８の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。
【０１０２】
また、結合電極６７ｙが画素中央に配され、両側のデータ信号線からの距離が保たれるため、結合電極６７ｙとデータ信号線との短絡発生を抑えることができる。
【０１０３】
また、図１のような容量電極（保持容量を維持するための電極）を設けなくて済むため、図５に示されるような短絡（データ信号線と容量電極との短絡）を防げるというメリットがある。
【０１０４】
図２０・２１に示す液晶パネルの有機層間絶縁膜２６については、図２２・２３に示すように、結合電極６７ｙと重なる部分を含む矩形領域Ｊｋｙも刳り貫いておくことが好ましい。こうすれば、結合容量Ｃｘ（図３参照）の容量値を十分に確保しながら、上記の効果を得ることができる。
【０１０５】
本液晶パネルの他の具体例を図２４に示す。同図に示されるように、データ信号線１５および走査信号線１６の交差部近傍にトランジスタ１２ａ・１２ｂが配され、データ信号線１５および走査信号線１１６の交差部近傍にトランジスタ１１２が配され、データ信号線１５および走査信号線１６で画される画素領域に、行方向に視てＺ型形状の画素電極１７ａとこれと嵌め合うような形状の画素電極１７ｂｕ・１７ｂｖが行方向に並べられ、さらに、データ信号線と同層に形成された２つの容量電極（６７ｘ・６７ｚ）と、同じくデータ信号線と同層に形成された結合電極６７ｙ（ＣＥ）とが配されている。なお、保持容量配線１８は、画素電極１７ａおよび画素電極１７ｂｖそれぞれと重なるように、行方向に延伸している。
【０１０６】
トランジスタ１２ａに近接して設けられる画素電極１７ｂｕは、行方向に対して３１５度をなすエッジＥ１と行方向に対して４５度をなすエッジＥ２を脚とし、列方向に沿う底辺を有する等脚台形形状である。画素電極１７ｂｕと同一形状を有する画素電極１７ｂｖは、行方向に対して４５度をなすエッジＥ３と行方向に対して３１５度をなすエッジＥ４を脚とし、列方向に沿う底辺を有する等脚台形形状である。これら画素電極１７ｂｕ・１７ｂｖは、画素電極１７ｂｕを、画素中央を中心として１８０度回転させると画素電極１７ｂｖに一致するように配され、画素電極１７ａは、画素電極１７ｂｕ・１７ｂｖと嵌めあうようなＺ字形状を有している。そして、画素電極１７ｂｕのエッジＥ１とこれに平行な画素電極１７ａのエッジとの間隙、画素電極１７ｂｕのエッジＥ２とこれに平行な画素電極１７ａのエッジとの間隙、画素電極１７ｂｖのエッジＥ３とこれに平行な画素電極１７ａのエッジとの間隙、および画素電極１７ｂｖのエッジＥ４とこれに平行な画素電極１７ａのエッジとの間隙それぞれが、配向規制用のスリットＳ１〜Ｓ４となっている。
【０１０７】
ここで、第１容量電極６７ｘ、結合電極６７ｙ、および第２容量電極６７ｚは、ゲート絶縁膜（図示せず）を介して保持容量配線１８と重なるように、この順に行方向に並べられ、第１容量電極６７ｘが層間絶縁膜（図示せず）を介して画素電極１７ａに重なるとともに、結合電極６７ｙおよび第２容量電極６７ｚそれぞれが、層間絶縁膜（図示せず）を介して画素電極１７ｂｖと重なっている。すなわち、結合電極６７ｙが画素中央に配され、平面的に視て隣接する２本のデータ信号線の一方（データ信号線１５）と結合電極６７ｙとの間に第１容量電極６７ｘが配され、他方と結合電極６７ｙとの間に第２容量電極６７ｚが配されている。
【０１０８】
また、トランジスタ１２ａ・１２ｂのソース電極８（共通のソース電極）はデータ信号線１５に接続され、トランジスタ１２ａのドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線およびコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、トランジスタ１２ｂのドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線およびコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂｕに接続され、画素電極１７ｂｕと画素電極１７ｂｖとが中継配線８７を介して接続され、トランジスタ１１２のソース電極１０８は画素電極１７ａに接続され、トランジスタ１１２のドレイン電極１０９はドレイン引き出し電極１２７を介して結合電極６７ｙに接続されている。これにより、結合電極６７ｙと画素電極１７ｂとの重なり部分に容量（図３の結合容量Ｃｘに対応）が形成される。
【０１０９】
さらに、第１容量電極６７ｘと画素電極１７ａとがコンタクトホール１１ａｘを介して接続されるとともに、第２容量電極６７ｚと画素電極１７ｂｖとがコンタクトホール１１ｂｚを介して接続されている。これにより、第１容量電極６７ｘと保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ１の多くが形成され、第２容量電極６７ｚと保持容量配線１８との重なり部分に保持容量Ｃｈ２の多くが形成される。
【０１１０】
図２４の液晶パネルでは、第１容量電極６７ｘと保持容量配線１８とがゲート絶縁膜のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、また、第２容量電極６７ｚと保持容量配線１８とがゲート絶縁膜のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、遮光性である保持容量配線１８の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。
【０１１１】
また、結合電極６７ｙが画素中央に配されているため、結合電極６７ｙとデータ信号線との短絡発生を抑えることができる。なお、データ信号線１５と第１容量電極６７ｘとが短絡した場合には、コンタクトホール１１ａｘ内の画素電極をレーザ等によりトリミング除去することで、画素電極１７ａ・１７ｂｕ・１７ｂｖの電位制御が可能となる。第２容量電極６７ｚが隣接するデータ信号線と短絡した場合も同様である。また、結合電極６７ｙと第２容量電極６７ｘとが短絡したり、結合電極６７ｙと第１容量電極６７ｚとが短絡したりしても、画素電極１７ａ・１７ｂｕ・１７ｂｖが同一電位となるにとどまり、画素電極１７ａ・１７ｂｕ・１７ｂｖの電位制御が不能となることはない。
【０１１２】
本液晶パネルのさらに他の具体例を図２５に示す。同図に示されるように、画素電極１７ａ・１７ｂｕ・１７ｂｖの形状、保持容量配線１８の配置、および各画素電極および各トランジスタの接続関係は図２４と同一であり、結合電極６７ｙが、画素電極１７ｂｖおよび保持容量配線１８と重なるように画素中央に配される。
【０１１３】
そして、結合電極６７ｙは、チャネル保護膜である層間絶縁膜を介して画素電極１７ｂｖと重なるとともに、ゲート絶縁膜を介して保持容量配線１８に重なっており、結合電極６７ｙと画素電極１７ｂｖとの重なり部分に容量（図３の結合容量Ｃｘに対応）が形成される。
【０１１４】
そして、例えばゲート絶縁膜は均一な厚みとしつつ、層間絶縁膜について、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、画素電極１７ａおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｊｋｘが刳り貫かれるかあるいは周囲よりも薄く形成されるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、画素電極１７ｂｖおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｊｋｚが刳り貫かれるかあるいは周囲よりも薄く形成されている。
【０１１５】
あるいは、例えば層間絶縁膜は均一な厚みとしつつ、ゲート絶縁膜について、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、画素電極１７ａおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｓｋｘが刳り貫かれるかあるいは周囲よりも薄く形成されるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、画素電極１７ｂｖおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｓｋｚが刳り貫かれるかあるいは周囲よりも薄く形成されていてもよい。
【０１１６】
または、層間絶縁膜については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、画素電極１７ａおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｊｋｘが周囲よりも薄く形成されるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、画素電極１７ｂｖおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｊｋｚが周囲よりも薄く形成され、かつ、ゲート絶縁膜については、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５との間に位置し、画素電極１７ａおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｓｋｘが周囲よりも薄く形成されるとともに、平面的に視て結合電極６７ｙとデータ信号線１５に隣接するデータ信号線との間に位置し、画素電極１７ｂｖおよび保持容量配線１８と重なる矩形領域Ｓｋｚが周囲よりも薄く形成されていてもよい。
【０１１７】
こうすれば、画素電極１７ａと保持容量配線１８とが、ゲート絶縁膜のみ、あるいはゲート絶縁膜および層間絶縁膜の薄い部分のみ、あるいは層間絶縁膜のみ、あるいはゲート絶縁膜の薄い部分および層間絶縁膜のみ、あるいはゲート絶縁膜の薄い部分および層間絶縁膜の薄い部分のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、また、画素電極１７ｂｖと保持容量配線１８とが、ゲート絶縁膜のみ、あるいはゲート絶縁膜および層間絶縁膜の薄い部分のみ、あるいは層間絶縁膜のみ、あるいはゲート絶縁膜の薄い部分および層間絶縁膜のみ、あるいはゲート絶縁膜の薄い部分および層間絶縁膜の薄い部分のみを介して重なる部分に保持容量が形成され、各保持容量を構成する絶縁体部分の厚みが従来の構成（図３６参照）よりも小さくなっている。したがって、遮光性である保持容量配線１８の面積を小さくしても（例えば、配線幅を小さくしても）保持容量の値を確保することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。また、結合電極６７ｙが画素中央に配され、両側のデータ信号線からの距離が保たれるため、結合電極６７ｙとデータ信号線との短絡発生を抑えることができる。
【０１１８】
また、図２５に示す液晶パネルでは、図２４のような容量電極（保持容量を維持するための電極）を設けなくて済むため、データ信号線と容量電極との短絡を防げるというメリットがある。
【０１１９】
なお、図２５に示す液晶パネルの層間絶縁膜については、図２６に示すように、結合電極６７ｙと重なる部分を含む矩形領域Ｊｋｙを周囲よりも薄くしておくことが好ましい。こうすれば、結合電極６７ｙおよび画素電極１７ｂｖ間の容量（図３の結合容量Ｃｘに対応）の容量値を十分に確保しながら、上記の効果を得ることができる。
【０１２０】
図１２に示す液晶パネルを図２７〜２９のように構成することもできる。図２７〜２９に示される液晶パネルのカラーフィルタ基板の表面は、アクティブマトリクス基板３の有機層間絶縁膜２６の刳り貫き部Ｊｋｘ・Ｊｋｚに対応する部分Ｑｘ・Ｑｚが隆起している。こうすれば、刳り貫き部Ｊｋｘ・Ｊｋｚによるアクティブマトリクス基板表面の凹みを補い、隆起部Ｑｘ・Ｑｚ下の液晶層の厚みを周囲と同程度とすることができる。これにより、液晶層の厚みを均一化することができ、液晶の使用量を削減することができる。図２８では、対向電極２８上に突起部材ｉを設け、これによってカラーフィルタ基板表面の隆起部Ｑｘ・Ｑｚを形成している。よって刳り貫き部Ｊｋｘ・Ｊｋｚによるアクティブマトリクス基板表面の凹みに導電性異物が落ち込んでも、画素電極１７ａ・１７ｂと対向電極２８との短絡を防ぐことができる。なお、ＭＶＡの液晶パネルであれば、突起部材ｉを配向規制用のリブと同工程で形成することができる。また、図２９では、着色層１４上（対向電極２８下）に突起部材ｊを設け、これによってカラーフィルタ基板表面の隆起部Ｑｘ・Ｑｚを形成している。突起部材ｊを着色層１４とは別色の着色層とし、これら着色層（例えば、Ｒの着色層とＧの着色層）の重ね合わせによって隆起部Ｑｘ・Ｑｚを形成してもよい。こうすれば、突起部材を別途（別材料で）形成しなくてよいというメリットがある。図２９の構成では、隆起部Ｑｘ・Ｑｚを形成しない構成と比較して、隆起部Ｑｘ・Ｑｚ下における画素電極１７ａ・１７ｂおよび対向電極２８間の距離を短くすることができるため、液晶容量を大きくすることができる。
【０１２１】
なお、図２７に示すように、カラーフィルタ基板の隆起部Ｑｘ・Ｑｚによる配向乱れを視認されにくくするため、隆起部Ｑｘ・Ｑｚを保持容量配線１８の形成層に投射した場合に、保持容量配線１８の行方向に沿う２つのエッジ間に収まる構成とすることが望ましい。
【０１２２】
なお、このようにカラーフィルタ基板の表面に隆起を形成する構成は、図１２の液晶パネルに限らず、図７・１１・１４・１６・１８・１９・２１・２３の液晶パネルに適用することができる。
【０１２３】
図３の液晶パネルを図３５に示すように変形することもできる。すなわち、制御電極ＣＥは、保持容量配線１８との間でのみ容量（Ｃｙ）を形成し、制御電極ＣＥが、トランジスタ１１２（走査信号線１６の次に走査される走査信号線１１６に接続されたトランジスタ）を介して画素電極１７ｂに接続されている。なお、画素電極１７ａと保持容量配線１８との間には保持容量Ｃｈ１が形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８との間には保持容量Ｃｈ２が形成されている。
【０１２４】
本液晶パネルを用いた液晶表示装置を駆動した場合、トランジスタ１１２がＯＦＦした後の画素電極１７ａの電位をｖａ、トランジスタ１１２がＯＦＦした後の画素電極１７ｂの電位をｖｂとすれば、|ｖａ|≧|ｖｂ|（なお、例えば|ｖｂ|は、ｖｂとｃｏｍ電位＝Ｖｃｏｍとの電位差を意味する）となるため、中間調表示時には、画素電極１７ａを含む副画素を明副画素、画素電極１７ｂを含む副画素を暗副画素とし、これら１つの明副画素および１つの暗副画素の面積階調によって表示を行うことができる。これにより、本液晶表示装置の視野角特性を高めることができる。
【０１２５】
図３５の画素１０１の具体例を図３６およびその矢視断面図である図３７に示す。図３６ではトランジスタ１１２のソース電極１０８がコンタクトホール１１ｂｙを介して画素電極１７ｂに接続されており、この点以外は図１と同じである。なお、図３７に示すように、トランジスタのチャネル上層に位置する層間絶縁膜には厚い有機物含有層２６が含まれているため、制御電極６７ｙ（ＣＥ）と画素電極１７ｂとの重なり部分には容量は形成されず（無視できる程度であり）、制御電極６７ｙと保持容量配線１８との重なり部分にのみ容量Ｃｙ（図３５参照）が形成されている。
【０１２６】
本実施の形態では、以下のようにして、本液晶表示ユニットおよび液晶表示装置を構成する。すなわち、本液晶パネルの両面に、２枚の偏光板Ａ・Ｂを、偏光板Ａの偏光軸と偏光板Ｂの偏光軸とが互いに直交するように貼り付ける。なお、偏光板には必要に応じて、光学補償シート等を積層してもよい。次に、図３０（ａ）に示すように、ドライバ（ゲートドライバ２０２、ソースドライバ２０１）を接続する。ここでは、一例として、ドライバをＴＣＰ方式による接続について説明する。まず、液晶パネルの端子部にＡＣＦを仮圧着する。ついで、ドライバが乗せられたＴＣＰをキャリアテープから打ち抜き、パネル端子電極に位置合わせし、加熱、本圧着を行う。その後、ドライバＴＣＰ同士を連結するための回路基板２０９（ＰＷＢ）とＴＣＰの入力端子とをＡＣＦで接続する。これにより、液晶表示ユニット２００が完成する。その後、図３０（ｂ）に示すように、液晶表示ユニットの各ドライバ（２０１・２０２）に、回路基板２０３を介して表示制御回路２０９を接続し、照明装置（バックライトユニット）２０４と一体化することで、液晶表示装置２１０となる。
【０１２７】
図３１は、本液晶表示装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、本液晶表示装置は、表示部（液晶パネル）と、ソースドライバ（ＳＤ）と、ゲートドライバ（ＧＤ）と、表示制御回路とを備えている。ソースドライバはデータ信号線を駆動し、ゲートドライバは走査信号線を駆動し、表示制御回路は、ソースドライバおよびゲートドライバを制御する。
【０１２８】
表示制御回路は、外部の信号源（例えばチューナ）から、表示すべき画像を表すデジタルビデオ信号Ｄｖと、当該デジタルビデオ信号Ｄｖに対応する水平同期信号ＨＳＹおよび垂直同期信号ＶＳＹと、表示動作を制御するための制御信号Ｄｃとを受け取る。また、表示制御回路は、受け取ったこれらの信号Ｄｖ，ＨＳＹ，ＶＳＹ，Ｄｃに基づき、そのデジタルビデオ信号Ｄｖの表す画像を表示部に表示させるための信号として、データスタートパルス信号ＳＳＰと、データクロック信号ＳＣＫと、表示すべき画像を表すデジタル画像信号ＤＡ（ビデオ信号Ｄｖに対応する信号）と、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰと、ゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号（走査信号出力制御信号）ＧＯＥとを生成し、これらを出力する。
【０１２９】
より詳しくは、ビデオ信号Ｄｖを内部メモリで必要に応じてタイミング調整等を行った後に、デジタル画像信号ＤＡとして表示制御回路から出力し、そのデジタル画像信号ＤＡの表す画像の各画素に対応するパルスからなる信号としてデータクロック信号ＳＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づき１水平走査期間毎に所定期間だけハイレベル（Ｈレベル）となる信号としてデータスタートパルス信号ＳＳＰを生成し、垂直同期信号ＶＳＹに基づき１フレーム期間（１垂直走査期間）毎に所定期間だけＨレベルとなる信号としてゲートスタートパルス信号ＧＳＰを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づきゲートクロック信号ＧＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹおよび制御信号Ｄｃに基づきゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥを生成する。
【０１３０】
上記のようにして表示制御回路において生成された信号のうち、デジタル画像信号ＤＡ、信号電位（データ信号電位）の極性を制御する極性反転信号ＰＯＬ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、およびデータクロック信号ＳＣＫは、ソースドライバに入力され、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰとゲートクロック信号ＧＣＫとゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとは、ゲートドライバに入力される。
【０１３１】
ソースドライバは、デジタル画像信号ＤＡ、データクロック信号ＳＣＫ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、および極性反転信号ＰＯＬに基づき、デジタル画像信号ＤＡの表す画像の各走査信号線における画素値に相当するアナログ電位（信号電位）を１水平走査期間毎に順次生成し、これらのデータ信号をデータ信号線に出力する。
【０１３２】
ゲートドライバは、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとに基づき、ゲートオンパルス信号を生成し、これらを走査信号線に出力し、これによって走査信号線を選択的に駆動する。
【０１３３】
上記のようにソースドライバおよびゲートドライバにより表示部（液晶パネル）のデータ信号線および走査信号線が駆動されることで、選択された走査信号線に接続されたトランジスタ（ＴＦＴ）を介して、データ信号線から画素電極に信号電位が書き込まれる。これにより各副画素の液晶層に電圧が印加され、これによってバックライトからの光の透過量が制御され、デジタルビデオ信号Ｄｖの示す画像が各副画素に表示される。
【０１３４】
次に、本液晶表示装置をテレビジョン受信機に適用するときの一構成例について説明する。図３２は、テレビジョン受信機用の液晶表示装置８００の構成を示すブロック図である。液晶表示装置８００は、液晶表示ユニット８４と、Ｙ／Ｃ分離回路８０と、ビデオクロマ回路８１と、Ａ／Ｄコンバータ８２と、液晶コントローラ８３と、バックライト駆動回路８５と、バックライト８６と、マイコン（マイクロコンピュータ）８７と、階調回路８８とを備えている。なお、液晶表示ユニット８４は、液晶パネルと、これを駆動するためのソースドライバおよびゲートドライバとで構成される。
【０１３５】
上記構成の液晶表示装置８００では、まず、テレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖが外部からＹ／Ｃ分離回路８０に入力され、そこで輝度信号と色信号に分離される。これらの輝度信号と色信号は、ビデオクロマ回路８１にて光の３原色に対応するアナログＲＧＢ信号に変換され、さらに、このアナログＲＧＢ信号はＡ／Ｄコンバータ８２により、デジタルＲＧＢ信号に変換される。このデジタルＲＧＢ信号は液晶コントローラ８３に入力される。また、Ｙ／Ｃ分離回路８０では、外部から入力された複合カラー映像信号Ｓｃｖから水平および垂直同期信号も取り出され、これらの同期信号もマイコン８７を介して液晶コントローラ８３に入力される。
【０１３６】
液晶表示ユニット８４には、液晶コントローラ８３からデジタルＲＧＢ信号が、上記同期信号に基づくタイミング信号と共に所定のタイミングで入力される。また、階調回路８８では、カラー表示の３原色Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの階調電位が生成され、それらの階調電位も液晶表示ユニット８４に供給される。液晶表示ユニット８４では、これらのＲＧＢ信号、タイミング信号および階調電位に基づき内部のソースドライバやゲートドライバ等により駆動用信号（データ信号＝信号電位、走査信号等）が生成され、それらの駆動用信号に基づき、内部の液晶パネルにカラー画像が表示される。なお、この液晶表示ユニット８４によって画像を表示するには、液晶表示ユニット内の液晶パネルの後方から光を照射する必要があり、この液晶表示装置８００では、マイコン８７の制御の下にバックライト駆動回路８５がバックライト８６を駆動することにより、液晶パネルの裏面に光が照射される。上記の処理を含め、システム全体の制御はマイコン８７が行う。なお、外部から入力される映像信号（複合カラー映像信号）としては、テレビジョン放送に基づく映像信号のみならず、カメラにより撮像された映像信号や、インターネット回線を介して供給される映像信号なども使用可能であり、この液晶表示装置８００では、様々な映像信号に基づいた画像表示が可能である。
【０１３７】
液晶表示装置８００でテレビジョン放送に基づく画像を表示する場合には、図３３に示すように、液晶表示装置８００にチューナ部９０が接続され、これによって本テレビジョン受像機７０１が構成される。このチューナ部９０は、アンテナ（不図示）で受信した受信波（高周波信号）の中から受信すべきチャンネルの信号を抜き出して中間周波信号に変換し、この中間周波数信号を検波することによってテレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖを取り出す。この複合カラー映像信号Ｓｃｖは、既述のように液晶表示装置８００に入力され、この複合カラー映像信号Ｓｃｖに基づく画像が該液晶表示装置８００によって表示される。
【０１３８】
図３４は、本テレビジョン受像機の一構成例を示す分解斜視図である。同図に示すように、本テレビジョン受像機７０１は、その構成要素として、液晶表示装置８００の他に第１筐体８０１および第２筐体８０６を有しており、液晶表示装置８００を第１筐体８０１と第２筐体８０６とで包み込むようにして挟持した構成となっている。第１筐体８０１には、液晶表示装置８００で表示される画像を透過させる開口部８０１ａが形成されている。また、第２筐体８０６は、液晶表示装置８００の背面側を覆うものであり、当該表示装置８００を操作するための操作用回路８０５が設けられると共に、下方に支持用部材８０８が取り付けられている。
【０１３９】
本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態を技術常識に基づいて適宜変更したものやそれらを組み合わせて得られるものも本発明の実施の形態に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４０】
本発明のアクティブマトリクス基板およびこれを備えた液晶パネルは、例えば液晶テレビに好適である。
【符号の説明】
【０１４１】
１０１〜１０４  画素
１２ａ・１２ｂ・１１２  トランジスタ
１５  データ信号線
１６・１１６  走査信号線
１７ａ・１７ｂ  画素電極
１８  保持容量配線
２０  有機ゲート絶縁膜
２１  無機ゲート絶縁膜
２２  ゲート絶縁膜
２５  無機層間絶縁膜
２６  有機層間絶縁膜
５６  層間絶縁膜
６７ｘ・６７ｚ  第１・第２容量電極
６７ｙ  結合電極
７０１  テレビジョン受像機
８００  液晶表示装置
【図１】
2010067648.tif 000003
【図２】
2010067648.tif 000004
【図３】
2010067648.tif 000005
【図４】
2010067648.tif 000006
【図５】
2010067648.tif 000007
【図６】
2010067648.tif 000008
【図７】
2010067648.tif 000009
【図８】
2010067648.tif 000010
【図９】
2010067648.tif 000011
【図１０】
2010067648.tif 000012
【図１１】
2010067648.tif 000013
【図１２】
2010067648.tif 000014
【図１３】
2010067648.tif 000015
【図１４】
2010067648.tif 000016
【図１５】
2010067648.tif 000017
【図１６】
2010067648.tif 000018
【図１７】
2010067648.tif 000019
【図１８】
2010067648.tif 000020
【図１９】
2010067648.tif 000021
【図２０】
2010067648.tif 000022
【図２１】
2010067648.tif 000023
【図２２】
2010067648.tif 000024
【図２３】
2010067648.tif 000025
【図２４】
2010067648.tif 000026
【図２５】
2010067648.tif 000027
【図２６】
2010067648.tif 000028
【図２７】
2010067648.tif 000029
【図２８】
2010067648.tif 000030
【図２９】
2010067648.tif 000031
【図３０】
2010067648.tif 000032
【図３１】
2010067648.tif 000033
【図３２】
2010067648.tif 000034
【図３３】
2010067648.tif 000035
【図３４】
2010067648.tif 000036
【図３５】
2010067648.tif 000037
【図３６】
2010067648.tif 000038
【図３７】
2010067648.tif 000039
【図３８】
2010067648.tif 000040
【図３９】
2010067648.tif 000041
【国際調査報告】
2010067648.tif 000042
2010067648.tif 000043
2010067648.tif 000044