【事件の表示】
　特許第３０６１７１８号「吸引式スピンチャック」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６１７１８号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．本件特許第３０６１７１８号は、平成６年１月１３日の出願であって、平成１２年４月２８日にその特許権の設定登録がなされ、その後、安井哲也より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年６月１４日に訂正請求がなされたものである。
　
２．本件特許に対し異議申立人安井哲也は、甲第１号証として特開平６−９１４６３号公報を、甲第２号証として特開平１−２８７９４０号公報を、及び甲第３号証として特開平５−２１１２２７号公報を提示し、本件特許の請求項１に係る発明は、本件特許の出願前に出願され、その出願後に出願公開された甲第１号証に係る出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反して特許されたものであり、また、本件特許の請求項１に係る発明は、本件特許の出願前に国内において頒布された甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである旨主張する。
　
３．上記取消理由は、異議申立人の提示した甲第１号証〜甲第３号証を引用し、異議申立人の主張するとおりの理由で、本件特許は取り消すべきであるというものである。
　
４．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、以下のａ〜ｈのとおり訂正するものである。
ａ．特許請求の範囲について、
　「ポリ・エーテル・エーテル・ケトン」を「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトン」と訂正する。
ｂ．発明の詳細な説明について、
　段落【０００５】４行目の「ポリ・エーテル・エーテル・ケトン」を「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトン」と訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明について
　段落【０００６】３行目の「ポリ・エーテル・エーテル・ケトン」を「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトン」と訂正する。
ｄ．発明の詳細な説明について
　段落【００１１】９−１０行目の「例えばカーボン等の導電性微粉をピーク材に混合するようにしてもよい。」を「例えばカーボン等の導電性微粉をピーク材に混合している。」と訂正する。
ｅ．発明の詳細な説明について、
　段落【００１６】４−７行目の「なお、測定結果中の実施例１は、本実施例に示したピーク材によるものであり、実施例２は、ピーク材の絶縁性を下げるためにカーボンの微粉を混合したものである。また、従来例および実施例２の吸引式スピンチャックは、本実施例と同一形状に形成したものを使用した。」を「なお、測定結果中の参考例は、ピーク材によるものであり、実施例は、ピーク材の絶縁性を下げるためにカーボンの微粉を混合したものである。また、従来例参考例、および実施例の吸引式スピンチャックは、同一形状に形成したものを使用した。」と訂正する。
ｆ．発明の詳細な説明について、
　段落【００１９】の「処理後のパーティクルの増加数の測定結果」の表中、「実施例１」を「参考例」と、「実施例２」を「実施例」と、それぞれ訂正する。
ｇ．発明の詳細な説明について
　段落【００２３】５−８行目の「従来例と実施例２はともに空回転のみの場合に比較して、付着パーティクルの数は増加しているが、従来例に比較して実施例２の吸引式スピンチャックでは、基板へ付着するパーティクル数が激減していることがわかる。」を「従来例と実施例はともに空回転のみの場合に比較して、付着パーティクルの数は増加しているが、従来例に比較して実施例の吸引式スピンチャックでは、基板へ付着するパーティクル数が激減していることがわかる。」と訂正する。
ｈ．発明の詳細な説明について、
　段落【００２５】２−３行目の「ポリ・エーテル・エーテル・ケトン」を「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトン」と訂正する。
　
（２）上記訂正のうち、
　ａの訂正事項についてみると、この訂正は、ポリ・エーテル・エーテル・ケトンを耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　ｂ、ｃ、ｈ訂正事項についてみると、この訂正は、請求項１の訂正に伴い、発明の詳細な説明の欄の「課題を解決するための手段」の項、「作用」の項及び「発明の効果」の項の記載をこれに整合するよう訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　ｄ、ｅ、ｆ及びｇの訂正事項についてみると、この訂正は、請求項１の訂正に伴い、発明の実施例ではなくなったものを「参考例」と訂正し、他の実施例の表記を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記ａの訂正事項は、特許明細書の段落【００２２】に、実施例として、「吸着式スピンチャック１の絶縁性を下げるために、例えばカーボン等の導電性微粉をピーク剤に混合するようにしてもよい。」と記載され、また、段落【００１７】に「本実施例では、ピーク材の絶縁性を下げるためにカーボン微粉を混合したが、吸引式スピンチャックの耐腐食性を低下させないものであれば、種々の導電性微粉を混合することができる。例えば、ニッケル、クロム、銅などがある。」と記載されていることから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものと認められる。
　そして、これらの訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、上記訂正事項は、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
　
（３）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
５．異議の申立ての理由について判断する。
（１）本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件特許発明」という。）は、訂正された明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　載置された基板の下面を真空吸引することによって基板を保持する吸引式スピンチャックにおいて、
　耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトンによって成形したことを特徴とする吸引式スピンチャック。」
　
（２）異議申立人が提示した甲第２号証及び甲第３号証には、以下の事項が記載されている。
　甲第２号証；「半導体製造装置例えばスピン方式のレジスト塗布・現像装置では、一般に、第５図（ａ）に示すように真空吸引口（１）を有する回転保持体例えばスピンチャック（２）により半導体ウエハ（３）を吸着保持し、上記スピンチャック（２）をモータ（４）等により回転することが行われている。」（第１頁左下欄１４−１９行目）及び「上記スピンチャック（２）と半導体ウエハ（３）裏面間で接触圧が高い状態の摩擦を生じる。この摩擦によりダストが発生し、このダストが連続する処理工程において半導体ウエハ（３）のパターン形成面に付着してパターン欠陥を発生したり、また半導体ウエハ（３）の裏面に異物として付着し例えば露光工程での焦点ずれを発生したりして、半導体素子の製造工程において歩留まりを下げる原因の一つとなっていた。上記点を解決する方法として、・・・スピンチャック（２）の静電気を除去して発生したダストの付着を防止する方法等が試みられている」、（第２頁左上欄３−１８行目）と記載され、第５図には、半導体ウエハ３を上面に載置するスピンチャック２が示されている。そうすると、甲第２号証には、従来技術として、「真空吸引口（１）により、載置された半導体ウエハ（３）の下面を吸着保持するスピンチャック」の発明が記載されていると認められ、また、このようなスピンチャックにおいて、静電気を除去してダストの付着を防止する方法が記載されていると認められる。
　甲第３号証；「【発明が解決しようとする課題】・・・製造過程では、しばしばウエハーに静電気が帯電してしまうことがある。帯電したウエハーは、それと反対の電荷を帯びた製造現場内の粒子を吸引してしまう。・・・したがって、ウエハー上に形成された回路にダメージを与えることなく、静電気を放電させることが可能な真空装置用チップの必要性がある。」（第２頁右欄１０−２５行目）、「図１に示されるように、チップは、カーボンまたはシリコンカーバイドからなる導伝性繊維を含有したポリ−エーテル−エーテル−ケトン（ＰＥＥＫ）、ポリ−エーテル−ケトン（ＰＥＫ）あるいは同種の特性を有する他の熱可塑性材料で構成される。より好ましい実施例では、チップは、カーボン繊維を含有するＰＥＫで構成される。ＰＥＫに対するカーボン繊維の比率は、５パーセントから１２パーセントの範囲であるが、好ましい実施例では、８パーセントのカーボン繊維を含有する。チップ領域全体は、カーボン繊維を含有したＰＥＫ部からの粒子およびイオンの汚染を防止するために、セラミックコーティングでコーティングされている。カーボン繊維を含有したＰＥＫ部は、Ｎａ，Ｋ，ＭｇおよびＰｂのような元素を含むので、チップは取り扱われるウエハーにとって、化学的汚染の大きな汚染源となる。コーティングはＳｉＣ，ＳｉＯ２およびＳｉを有し、しかも低温プラズマ化学蒸着法か反応スパッタリング法のいずれかを用いて形成される。好ましい実施例では、チップを被覆するために反応スパッタリング技術が用いられている。数ミクロンの層がチップ上に形成される。好ましい実施例では、層の厚さは約１０ミクロン程度である。他の実施例として、コーティングに所定の電気伝導度を設定し、チップに設けられたインピーダンス（後述する）をそれで変えるようにしてもよい。また、コーティングは、チップを形成する基体の材料よりも導伝性が低いものであってもよい。この種のコーティングがなされた場合、コーティングを通してチップの基体の材料に静電気が放電される。加えて、コーティングは、ウエハーをすり減らす可能性を減少させるきわめて小さな摩擦係数を有している。さらに、チップは抵抗器４と連結部２を有している。」（第３頁左欄２−３２行目）、「図４に示すように、本発明の特殊な材料と抵抗を組み込んだチップが、帯電したウエハーを吸着するために使用されると、個々の静電気放電は、一連の小さな別々の電撃となる。それぞれは充分に小さいのでウエハーにダメージを与えることはない。」（第３頁右欄１５−１９行目）及び「１　吸着部（チップ部）」（第３頁右欄３３行目）と記載されていることから、甲第３号証には、「静電気が帯電したウエハーから、ウエハー状に形成された回路にダメージを与えることなく静電気を放電させるために、カーボンからなる導伝性繊維を含有したポリ−エーテル−エーテル−ケトンで構成され、吸着部であるチップを供えた、半導体ウエハーを取り扱うために用いられる真空装置。」の発明が記載されていると認められる。
　
（３）本件特許発明と、甲第２号証に記載された発明とを対比すると、甲第２号証に記載された発明の「半導体ウエハ（３）」は、本件特許発明の「基板」に相当するから、両者は、「載置された基板の下面を真空吸引することによって基板を保持する吸引式スピンチャック」である点で一致し、本件特許発明が、スピンチャックを、「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトンによって成形した」のに対し、甲第２号証に記載された発明は、スピンチャックの材質が特定されていない点で両者は相違する。
　
（４）前記相違点について判断する。
　甲第２号証には、スピンチャックが、静電気で帯電すること、ダストの付着を防止するために、この静電気を除去することが必要であることが記載されていることからすれば、甲第２号証に、帯電した静電気の除去を目的とする甲第３号証の技術を適用することに困難性はない。
　本件特許発明のチャックの構成材料は、耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトンであるのに対し、甲第３号証に記載されたものは、カーボンからなる導伝性繊維を含有したポリ−エーテル−エーテル−ケトンであるが、本件特許の明細書の発明の実施例には、耐腐食性を低下させない導電性材料として、カーボンが挙げられており、また、「微粉」については、これがどの程度の大きさ、形状のものであるかを定義付けるものもなく、また、「微粉」の実施例として具体的な記載もない。
　そうすると、本件発明の「耐腐食性を低下させない導電性微粉」と、甲第３号証に記載されたものの「カーボンからなる導伝性繊維」は、構成上実質的に異なるものではないから、甲第２号証に記載された発明に甲第３号証に記載された技術を適用して本件特許発明のごとく構成することに困難性は認められない。
　
（５）また、本件特許発明の「微粉」が甲第３号証の「導伝性繊維」と構成上実質的な差異が見いだせない以上、効果についてみても、本件特許発明が、甲第１号証及び甲第２号証に記載されたものから予想し得ない格別の効果を奏するものとも認められない。
　
６．したがって、本件特許発明は、甲第２号証及び甲第３号証に記載されたものに基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月２４日（２００１．７．２４）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲について、
　「ポリ・エーテル・エーテル・ケトン」を「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトン」と、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正をする。
ｂ．発明の詳細な説明について、
　段落【０００５】４行目の「ポリ・エーテル・エーテル・ケトン」を「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトン」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
ｃ．発明の詳細な説明について
　段落【０００６】３行目の「ポリ・エーテル・エーテル・ケトン」を「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトン」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
ｄ．発明の詳細な説明について
　段落【００１１】９−１０行目の「例えばカーボン等の導電性微粉をピーク材に混合するようにしてもよい。」を「例えばカーボン等の導電性微粉をピーク材に混合している。」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
ｅ．発明の詳細な説明について、
　段落【００１６】４−７行目の「なお、測定結果中の実施例１は、本実施例に示したピーク材によるものであり、実施例２は、ピーク材の絶縁性を下げるためにカーボンの微粉を混合したものである。また、従来例および実施例２の吸引式スピンチャックは、本実施例と同一形状に形成したものを使用した。」を「なお、測定結果中の参考例は、ピーク材によるものであり、実施例は、ピーク材の絶縁性を下げるためにカーボンの微粉を混合したものである。また、従来例参考例、および実施例の吸引式スピンチャックは、同一形状に形成したものを使用した。」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
ｆ．発明の詳細な説明について、
　段落【００１９】の「処理後のパーティクルの増加数の測定結果」の表中、「実施例１」を「参考例」と、「実施例２」を「実施例」と、それぞれ、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
ｇ．発明の詳細な説明について、
　段落【００２３】５−８行目の「従来例と実施例２はともに空回転のみの場合に比較して、付着パーティクルの数は増加しているが、従来例に比較して実施例２の吸引式スピンチャックでは、基板へ付着するパーティクル数が激減していることがわかる。」を「従来例と実施例はともに空回転のみの場合に比較して、付着パーティクルの数は増加しているが、従来例に比較して実施例の吸引式スピンチャックでは、基板へ付着するパーティクル数が激減していることがわかる。」と訂正する。
ｈ．発明の詳細な説明について
　段落【００２５】２−３行目の「ポリ・エーテル・エーテル・ケトン」を「耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合したポリ・エーテル・エーテル・ケトン」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
（５４）【発明の名称】
吸引式スピンチャック
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　載置された基板の下面を真空吸引することによって基板を保持する吸引式スピンチャックにおいて、
　
耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合した
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体ウェハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板などを回転させつつ所望の処理を行なう基板回転処理装置に係り、特に載置された基板の下面を真空吸引することによって基板を保持する吸引式スピンチャックに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の吸引式スピンチャックとして、例えば、３フッ化エチレンを含む耐腐食材料であるフッ化樹脂によって成形された吸引式スピンチャックがある。このような吸引式スピンチャックは、その上面に吸引孔を有し、例えば、回転式基板洗浄装置に備えられたモータに中空回転軸を介して取り付けられている。中空回転軸は、真空ポンプなどの吸引手段に接続されており、この吸引手段が作動することにより、吸引式スピンチャックの上面に載置された基板を吸着保持する。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
　すなわち、吸引式スピンチャックを構成している耐腐食材料であるフッ化樹脂は絶縁性であるので、静電気を発生して帯電する。したがって、フッ化樹脂製の吸引式スピンチャックはその周囲の空気中のパーティクルを吸引するほか、処理を行う基板の下面を吸着保持する際にその基板に付着していたパーティクルによっても汚染される。そして、パーティクルが付着した吸引式スピンチャックの上面に新たな基板の下面が接触するので、基板を汚染するという問題点がある。
　【０００４】
　本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、静電気の帯電に起因する基板の汚染を低減することができる吸引式スピンチャックを提供することを目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
　すなわち、本発明は、載置された基板の下面を真空吸引することによって基板を保持する吸引式スピンチャックにおいて、
耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合した
　【０００６】
　【作用】
　本発明の作用は次のとおりである。
　すなわち、吸引式スピンチャックは、
耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合した
　【０００７】
　【実施例】
　以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
　図１は、基板を回転させつつ洗浄処理を行う回転式基板洗浄装置の要部を示す一部縦断面図である。
　【０００８】
　図中、符号１は、真空吸引によって基板Ｗの下面を吸着して保持する吸引式スピンチャックである。この吸引式スピンチャック１は、図示しないモータの中空回転軸１０を介して、真空ポンプなどの吸引手段に連通しており、真空ポンプを作動させることにより基板Ｗを吸着する。また、吸引式スピンチャック１は、中空回転軸１０を介して接地されている。吸引式スピンチャック１の周囲には、処理液等の飛散を防止するための飛散防止カップ２０が配設されている。この飛散防止カップ２０は、その内側上部に上カップ２１を備えている。この上カップ２１は、その周壁が基板Ｗの回転による洗浄液等の飛沫を下方へ案内するように傾斜面２１ａを有している。また、飛散防止カップ２０の底部にあたる底壁２４には、複数の排液口２５が形成されている。
　【０００９】
　飛散防止カップ２０の周囲外方には、支柱３０が配備され、この支柱３０の下部には、図示しない昇降駆動機構に搭載されたロータリアクチュエータ等の回転駆動機構が配備されており、昇降駆動機構を駆動することにより支柱３０は、昇降するようになっている。支柱３０の上部には、アーム３１の基端側が取り付けられ、このアーム３１が、前記回転駆動機構の回転によって水平揺動するようになっている。アーム３１の先端側には、回転駆動手段が配備されており、その下端にモヘア等の繊維からなるブラシを備えた洗浄ブラシ３２が取り付けられている。洗浄ブラシ３２は、アーム３１の先端側に配備されている回転駆動手段を駆動することにより、回転する。
　【００１０】
　次に、図２の平面図および図３の縦断面図を参照して吸引式スピンチャック１について説明する。
　【００１１】
　吸引式スピンチャック１は、高分子化合物であるポリ・エーテル・エーテル・ケトン（Ｐｏｌｙ　Ｅｔｈｅｒ　Ｅｔｈｅｒ　Ｋｅｔｏｎｅ：ＰＥＥＫ）、いわゆるピーク材によって平面視で略円形に成形されている。また、吸引式スピンチャック１の直径は、基板Ｗの直径よりも小さく成形されており、本実施例では、一例として６インチサイズの基板Ｗに対して直径は約７０ｍｍに成形されている。このように吸引式スピンチャック１は、ピーク材によって成形され、さらに中空回転軸１０を介して接地されている。したがって、この吸引式スピンチャック１は、静電気の帯電量を減少できるので、パーティクルが付着しにくい。なお、吸引式スピンチャック１の絶縁性を下げるために、例えばカーボン等の導電性微粉をピーク材に混合
している
　【００１２】
　吸引式スピンチャック１は、基板Ｗを支持する基板支持部２と中空回転軸１０の上端が挿入されて接続される接続部３とによって構成されている。接続部３は、その下端に中空回転軸１０の外径と略同じ内径を有する嵌入穴３ａが形成されており、ここに中空回転軸１０の上部が挿入される。嵌入穴３ａの内側には、ここに挿入された中空回転軸１０と一体回転するようにするために、中空回転軸１０の上部外周に形成されている突起が入り込む切欠部３ｂが形成されている。
　【００１３】
　基板支持部２の上面には、外周縁全周にわたって突条部２ａが張り出し形成され、その内方に前記突条部２ａと略同じ高さであって、上部の面積が種々の大きさをもつ多数の微小突起２ｂが形成されている。なお、これらの突条部２ａと微小突起２ｂとは基板Ｗの下面に接触するので、その上部の合計面積はできるだけ小さい方が好ましい。この実施例における突条部２ａと微小突起２ｂの上部の合計面積は、基板支持部２の平面視における全面積の約７％である。
　【００１４】
　基板支持部２には、吸引のための４つの吸引通路４が形成されている。この吸引通路４は、平面視にて回転中心部でそれぞれが直交するように構成されている。各吸引通路４は、その外周部に蓋部材４ａが嵌入されており、さらに基板支持部２の上面に貫通する吸引孔４ｂが形成されている。また、各吸引通路４は、基板支持部２の回転中心部に形成された連通穴５によって嵌入穴３ａと連通している。
　【００１５】
　このように構成された吸引式スピンチャック１は、吸引手段が作動することにより、中空回転軸１０の中空部と、嵌入穴３ａと、連通穴５と、吸引通路４と、吸引孔４ｂと、基板Ｗの下面と基板支持部２の突条部２ａおよび微小突起２ｂとによって閉空間を形成し、これにより基板支持部２の上面に載置されている基板Ｗを真空吸引によって保持する。
　【００１６】
　次に、従来例に係るフッ化樹脂製の吸引式スピンチャックと本実施例に係る吸引式スピンチャックとによる基板Ｗの汚染の度合いを比較した実験結果について説明する。基板Ｗに付着したパーティクル数の測定結果は、次のとおりであった。なお、測定結果中の
参考例は、
実施例
参考例、
実施例
は、同
　【００１７】
　なお、本実施例では、ピーク材の絶縁性を下げるためにカーボン微粉を混合したが、吸引式スピンチャックの耐腐食性を低下させないものであれば種々の導電性微粉を混合することができる。例えば、ニッケル，クロム，銅などがある。
　【００１８】
　使用する吸引式スピンチャックは、イソプロピルアルコールによる洗浄・乾拭きと、中性洗剤による洗浄・乾拭きと、純水洗浄・乾拭きとを順に行い、予め清浄な状態とした。そして、基板Ｗ（６インチ径のシリコン基板）の表面を下向きに載置して吸引および吸引解除を数十回行い、吸引式スピンチャックに付着している洗浄液の水滴等を取り除く。その後、測定用に使用する基板Ｗの表面に付着している０．２μｍ以上の大きさのパーティクル数、すなわち、初期値としてのパーティクル数をパーティクルカウンタによって測定した。そして基板Ｗの表面を下向きに吸引式スピンチャックに載置して、後述する処理を行い、処理後のパーティクルの増加数の測定を行った。なお、その測定には、パーティクルカウンタＨＬＤ−８００Ｂ（日立電子製）を使用し、基板の周辺部から３５ｍｍの部分のものは計数の対象から除外するように指定して測定を行った。これは吸引式スピンチャックの直径が約７０ｍｍのものを使用しているので（（基板の直径１５２．４ｍｍ−チャックの直径７０ｍｍ）／２：＝４１．２ｍｍ）、吸引式スピンチャックから付着したパーティクルだけをできるだけ正確に計数するためである。
　【００１９】
　【００２０】
　＜空回転のみ＞
　まず、上記の洗浄を行った吸引式スピンチャック１を図１に示すような回転式基板洗浄装置の中空回転軸１０に取り付け、その上面に基板Ｗを載置する。吸引手段で基板Ｗを吸着保持させ、図示しないモータを約３０００ｒｐｍで５秒間だけ回転駆動する。そして、吸引を解除して吸引式スピンチャック１と接触していた基板Ｗの表面のパーティクル数を測定し、予め測定しておいた初期値を差し引くことにより、付着したパーティクル数を求めた。なお、試料としては基板を３枚使用し、その平均値を求めた。これが測定結果中の空回転のみの場合を示している。
　【００２１】
　＜ブラシ洗浄＞
　基板Ｗを回転させながら、洗浄ブラシ３２を基板Ｗの上面に当接させ、さらにその状態から約２ｍｍだけ押し込んだ状態で５秒間の洗浄を行った。なお、この時、基板Ｗの上面には毎分０．５リットルの純水を供給している。これが測定結果中のブラシ洗浄の場合を示している。
　【００２２】
　＜ブラシ洗浄および超音波洗浄＞
　上記のブラシ洗浄において、供給する純水に出力電流８００ｍＡの超音波振動を加えて毎分０．８リットルで供給しながら洗浄を行った。これが測定結果中のブラシ洗浄及び超音波洗浄の場合を示している。
　【００２３】
　測定結果から明らかなように、従来例に係るフッ化樹脂製のものに比較して、ピーク材を使用すれば、カーボン微粉を混合するしないにかかわらず、基板へ付着するパーティクル数が激減していることがわかる。また、ブラシ洗浄とブラシ洗浄及び超音波洗浄とは、洗浄処理によって発生する純水の霧状のミストによってパーティクルが付着するので、従来例と
実施例
実施例
　【００２４】
　なお、本実施例では、吸引式スピンチャックの基板支持部の平面視における形状は略円形としたが、本発明はこれに限定されることなく種々の変形実施が可能である。例えば、液晶表示装置用のガラス基板やフォトマスク用のガラス基板では、吸引式スピンチャックの基板支持部を角形に形成してもよい。
　【００２５】
　【発明の効果】
　以上の説明から明らかなように、本発明によれば、
耐腐食性を低下させない導電性微粉を混合した
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　実施例に係る回転式基板洗浄装置の要部を示す一部縦断面図である。
　【図２】
　吸引式スピンチャックの平面図である。
　【図３】
　吸引式スピンチャックの縦断面図である。
　【符号の説明】
　Ｗ　…　基板
　１　…　吸引式スピンチャック
　２　…　基板支持部
　２ａ　…　突条部
　２ｂ　…　微小突起
　３　…　接続部
　４　…　吸引通路
　４ａ　…　蓋部材
　４ｂ　…　吸引孔