【事件の表示】
　特許第３０１９６０４号「液晶表示装置の製造方法」の請求項１〜４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１９６０４号の請求項１〜４に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３０１９６０４号（平成４年５月２５日出願、平成１２年１月７日設定登録）は、異議申立人佐藤光男により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年７月１９日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１、２を、
　「【請求項１】第１の領域とそれを囲む第２の領域を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記第１の領域に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記第２の領域にも形成し、その後前記第１の領域と第２の領域の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記第１の領域と第２の領域の両方で前記ホトレジストをパターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記第２の領域によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記第１の領域で前記導電膜に通じるテーパー状のコンタクトホールを形成するようにした液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域とそれを囲む周辺部を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記表示領域に導電膜を形成し、前記導電膜をバターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記周辺部にも形成し、その後前記表示領域と周辺部の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記表示領域と周辺部の両方で前記ホトレジストをパターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記周辺部によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記表示領域で前記導電膜に通じるコンタクトホールを形成するようにした液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【０００９】を、
　「【課題を解決するための手段】この発明に係わる液晶表示装置の製造方法は、第１の領域とそれを囲む第２の領域を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記第１の領域に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記第２の領域にも形成し、その後前記第１の領域と第２の領域の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記第１の領域と第２の領域の両方で前記ホトレジストをパターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記第２の領域によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記第１の領域で前記導電膜に通じるテーパー状のコンタクトホールを形成するようにした方法である。
　さらに、この発明に係わる他の液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域とそれを囲む周辺部を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記表示領域に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記周辺部にも形成し、その後前記表示領域と周辺部の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記表示領域と周辺部の両方で前記ホトレジストをパターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記周辺部によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記表示領域で前記導電膜に通じるコンタクトホールを形成するようにした方法である。
　また、上記液晶表示装置の製造方法において、ドライエッチングを、酸素ガスを含む混合ガスをエッチングガスとして行う、またはドライエッチングの終点を、前記誘電体膜のエッチング生成物のプラズマ発光強度の変化により検出する方法である。」と訂正する。
　
（１−３）訂正事項ｃ
　特許明細書の段落【００１０】を、
　「【作用】この発明における窒化珪素からなる誘電体膜のドライエッチングにおいて、導電膜を形成する第１の領域と、それを囲む第２の領域とを設け、第２の領域では誘電体膜が充分露出している領域を有するので、上記第１の領域の導電膜に設けた誘電体膜をホトレジストを介してエッチングする際に、上記第２の領域の誘電体膜によりエッチング面積が拡大して、窒化珪素膜のエッチングレートを小さくし、下地の導電膜が酸化されることなしに、ホトレジストの窒化珪素膜に対するエッチングレート比を大きくして、コンタクトホール等極めて小さいホールでもエッチング形状を十分テーパーにすることができる。
　さらに、この発明における窒化珪素からなる誘電体膜のドライエッチングにおいて、薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域と、それを囲む周辺部とを設け、周辺部では誘電体膜が充分露出している領域を有するので、上記表示領域に設けた誘電体膜をホトレジストを介してエッチングする際に、上記周辺部の誘電体膜によりエッチング面積が拡大して、窒化珪素膜のエッチングレートを小さくし、下地の導電膜が酸化されることなしに、ホトレジストの窒化珪素膜に対するエッチングレート比を大きくして、コンタクトホール等極めて小さいホールでもエッチング形状を十分テーパーにすることができる。また、エッチング面積を拡大することによって、エッチング生成物を多くして、生成物の発光強度を大きくし、窒化珪素からなる誘電体膜のドライエッチング終点を感度良く検出できる。」と訂正する。
　
（１−４）訂正事項ｄ
　特許明細書の段落【００１９】を、
　「【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板上の窒化珪素からなる誘電体膜をドライエッチングする際に、誘電体膜の除去を要する所定エッチング部分とともに上記誘電体膜を形成した基板の所定エッチング部分外のホトレジストを除去し、上記所定エッチング部分とともに、一緒にエッチングするようにしたので、前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させることができ、例えば下地の保持容量電極等の導電膜を酸化しないで、窒化珪素からなる誘電体膜に断面形状が十分テーパー状のコンタクトホール等の極めて小さなホールを設けることができ、またエッチング終点を感度良く検出でき、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の製造において断線やコンタクト不良によるトランジスタの不良を少なくすることができ、欠陥が少ない薄膜トランジスタアレイを用いた液晶表示装置を高歩留まりで得ることができる効果がある。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａの請求項１の訂正において、「それを囲む」にする訂正については、特許明細書の段落【００１０】及び図１の記載に基づくものであって、第１の領域と第２の領域の関係を限定したものであり、「導電膜」にする訂正については、段落【０００８】の記載に基づくものであって、「導体膜」を限定したものであり、「第２の領域によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させて」にする訂正については、同段落【００１０】の記載に基づくものであって、コンタクトホールをテーパー状に形成する手段を限定したものであり、「テーパー状のコンタクトホール」にする訂正については、同段落【００１４】の記載に基づくものであって、コンタクトホールの形状を限定したものであり、さらに、「少なくとも」を削除する訂正については、同段落【０００８】、【００１０】〜【００１３】、及び図７、８の記載に基づくものであって、コンタクトホールを形成する位置を第１の領域に限定したものであり、それぞれ特許請求の範囲の減縮に該当する。
　訂正事項ａの請求項２の訂正において、「導電膜」にする訂正については、特許明細書の段落【０００８】の記載に基づくものであって、「導体膜」を限定したものであり、「周辺部によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させて」にする訂正については、同段落【００１０】の記載に基づくものであって、コンタクトホールを形成する手段を限定したものであり、さらに、「少なくとも」を削除する訂正については、同段落【０００８】、【００１０】〜【００１３】、及び図７、８の記載に基づくものであって、コンタクトホールを形成する位置を表示領域に限定したものであり、それぞれ特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−２）訂正事項ｂ〜ｄについて
　訂正事項ｂ〜ｄについては、それぞれ特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るためのものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項ａ〜ｄについては、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ〜ｄは、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての概要
　異議申立人佐藤光男は、証拠として、
　甲第１号証：特開昭６４−７６０３６号公報
　甲第２号証：特開昭６３−９２９２９号公報
　甲第３号証：特開昭５８−２６０１３号公報
を提出して、本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、上記請求項１〜４に係る発明についての特許は、同法第１１３条第１項の規定によりを取り消すべき旨主張している。
　
（２）本件発明
　訂正明細書の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１〜４」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された以下のとおりのものである。
　
　「【請求項１】第１の領域とそれを囲む第２の領域を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記第１の領域に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記第２の領域にも形成し、その後前記第１の領域と第２の領域の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記第１の領域と第２の領域の両方で前記ホトレジストをパターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記第２の領域によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記第１の領域で前記導電膜に通じるテーパー状のコンタクトホールを形成するようにした液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域とそれを囲む周辺部を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記表示領域に導電膜を形成し、前記導電膜をバターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記周辺部にも形成し、その後前記表示領域と周辺部の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記表示領域と周辺部の両方で前記ホトレジストをパターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記周辺部によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記表示領域で前記導電膜に通じるコンタクトホールを形成するようにした液晶表示装置の製造方法。
　【請求項３】ドライエッチングを、酸素ガスを含む混合ガスをエッチングガスとして行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】ドライエッチングの終点を、前記誘電体膜のエッチング生成物のプラズマ発光強度の変化により検出することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。」
　
（３）甲各号証の記載事項
（３−１）甲第１号証
　甲第１号証の特開昭６４−７６０３６号公報には、薄膜トランジスタが複数マトリクス状に配列され、アクテイブマトリクス型のデイスプレイ等に使用される薄膜トランジスタのパネルに関する発明が、第２、３、５、６図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　本発明のＴＦＴパネルの電気的接続を示す回路図について
　「第３図に示す如く、信号線３と走査線４の交差部分に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６がマトリクス状に配置され、それぞれ薄膜トランジスタ６のドレイン電極１２及びゲート電極１４が信号線３及び走査線４に接続され、かつソース電極１３が透明電極５に共通接続されている。信号線３及び走査線４の端部にはドレイン端子３ａ及びゲート端子４ａが形成されている。なお、破線で示す部分は、・・・透明画素電極５ａ・・・である。」（３頁左下欄１５行〜右下欄５行）、
　
　本発明の一実施例に係るＴＦＴパネルの製造工程について
　「第２図（ｄ）に示す如く、・・・ゲート電極１４の両端部の上方にドレイン電極１２及びソース電極１３を形成する。この際、ドレイン線１２から延びた信号線（ドレイン線、・・・）３をも同時に形成する。・・・ドレイン電極とソース電極１３との間の半導体層１６にチャンネル部１７を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６が絶縁基板２上に形成される。この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）６は、信号線３及び走査線４の交差部分に多数形成される。
　次に、第２図（ｅ）に示す如く、上記薄膜トランジスタ６、信号線（ドレイン線）３及び絶縁層１１上を覆って、表面の平坦化された透明絶縁層１８を・・・形成する。・・・続いて、透明絶縁層１８の上面からソース電極１３にかけてコンタクトホール１９を形成する。
　次に、第２図（ｆ）に示す如く、透明絶縁層１８上及びコンタクトホール１９内に、・・・透明電極５を形成する。」（４頁左上欄１９行〜左下欄１２行）、
　
　本発明の他の実施例に係るＴＦＴパネルの製造工程について
　「第５図（ｅ）に示す如く、絶縁基板２上に形成された薄膜トランジスタ６、信号線（ドレイン線）３及び絶縁層１１上を覆って、・・・窒化シリコン（ＳｉＮ）等を堆積し、絶縁層２２を形成する。
　次に、第５図（ｆ）及び第６図に示す如く、ドレイン端子３ａ及びゲート端子４ａ部分のドレイン電極開孔部３ｂとゲート電極開孔部４ｂ及びソース電極１３部分を除去し、ドレイン線３、ドレイン電極１２、チャンネル部１７を残して、・・・窒化シリコン等の絶縁層２２をパターニングする。」（６頁左上欄４〜１６行）
　
　本発明の効果について
　「本発明は、・・・薄膜トランジスタの少なくともドレイン線・・・とチャンネル部を絶縁膜で覆い、その上にソース電極に接続された透明電極が形成され、このような構造によれば、ソース電極を共通接続した透明電極を全面に堆積することができ、」（６頁左下欄１４〜末行）
　
　そして、信号線３（ドレイン線）、走査線４（ゲート線）が導電膜をパターニングして得られることは、半導体基板上の配線の形成方法からみて明らかであり、また、窒化珪素から成る絶縁膜２２を形成する際に、薄膜トランジスタ６、信号線（ドレイン線）３及び絶縁膜１１上を覆うことからみて、絶縁膜２２は走査線（ゲート線）４及び透明電極５上も覆うことは明らかである。
　
　してみると、甲第１号証には、第３、６図を参照すると、「透明電極５とそれを囲む領域を有する液晶装置の製造方法であって、少なくとも前記透明電極５に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングした後（すなわち、信号線（ドレイン線）３、走査線（ゲート線）４等を形成した後）、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる絶縁層２２を形成する際に、前記絶縁層２２を前記透明電極５を囲む領域にも形成し、その後前記透明電極５とそれを囲む領域の両方で前記ホトレジストをパターニングし前記絶縁層２２を露出させ、この状態で、ドライエッチングを行い前記透明電極５を囲む領域で前記信号線（ドレイン線）３、走査線（ゲート線）４に通じるドレイン電極開孔部３ｂ、ゲート電極開孔部４ｂを形成するようにした液晶表示装置の製造方法。」が示されている。
　
（３−２）甲第２号証
　甲第２号証の特開昭６３−９２９２９号公報には、有機樹脂、ガラス等の絶縁基板に設けられた薄膜トランジスタを有する液晶表示パネルの製造方法に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　第１図の説明として
　「第１図（ａ）に示すように、ガラス基板１０１上に、ゲート１０２及びゲート１０２を連結するゲートバス１０３が形成され、同時にゲートバス１０３の終端は各ゲートバスを短絡するゲートシャントバス１０４及びゲートシャントバス１０４の延長上に全ゲート・ドレインを短絡するゲート・ドレインシャント端子１０６が形成され、更に同時に後にシャントバス及びシャント端子を切断除去するための切断マーカ１０５が全てＣｒを用いて形成される。次に第１図（ｂ）に示すように、この上にプラズマＣＶＤを用いて窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のゲート絶縁膜１０７を２０００Å、及びａ−Ｓｉ膜を１５００Åとリンをドープしたｎ＋ａ−Ｓｉ膜を２００Åとからなる半導体膜１０８を、ゲート端子となる部分及びシャント端子１０６を被覆しない、表示部よりやや広い領域に形成される。」（３頁左上欄１３行〜右上欄９行）
　
（３−３）甲第３号証
　甲第３号証の特開昭５８−２６０１３号公報には、窒化シリコン膜のエッチング終点を検出する方法に関する発明が第３〜５図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　第３〜５図の説明として
　「第４図は被エッチング材の断面図であり、・・・
　・・・ガスプラズマにより、レジスト９で覆われていない部位の窒化シリコン膜８をエッチングする。・・・第３図のプラズマエッチング装置では、プラズマの発光のうち前記ＣＮの波長３８８ｎｍのスペクトルの発光強度を光センサ２で観測し、信号処理系３によりエッチングの終了点を測定し、高周波電源４を切り放電を停止する。
　第５図は、被エッチング材を・・・混合ガスプラズマによりエッチングした時のＣＮの波長３８８ｎｍの発光強度の経時変化を示すもので、横軸は時間、縦軸は発光強度を示す。発光強度は、プラズマの発生と同時に増加する一方、エッチング終了Ｅとともに減少し、」（２頁右上欄８行〜左下欄１０行）
　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証に記載された「透明電極５」、「ドレイン端子３ａとゲート端子４ａが配設された領域（以下、「端子領域」という。）」、「絶縁層２２」、「信号線（ドレイン線）３、走査線（ゲート線）４」、及び「ドレイン電極開孔部３ｂ、ゲート電極開孔部４ｂ」は、本件発明１の「第２の領域」、「第１の領域」、「誘電体膜」、「パターニングした導電膜」、及び「コンタクトホール」に相当する。
　してみると、両者は、本件発明１の構成に沿って記載すると、「第１の領域と第２の領域を有する液晶装置の製造方法であって、少なくとも前記第１の領域に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記第２の領域にも形成し、この状態で、前記第１の領域で前記導電膜に通じるコンタクトホールを形成するようにした液晶表示装置の製造方法。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
（１）本件発明１は、第２の領域が第１の領域を囲んでいるのに対し、甲第１号証に記載されたものは、端子領域が透明電極５を囲んでいる点。
（２）本件発明１は、導電膜を覆うように形成した誘電体膜を第２の領域にも形成した状態で、第２の領域によって誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い、第１の領域で導電膜に通じるコンタクトホールをテーパー状に形成するのに対し、甲第１号証に記載されたものは、端子領域で信号線（ドレイン線）３、走査線（ゲート線）４に通じるドレイン電極開孔部３ｂ、ゲート電極開孔部４ｂの形状は明らかではない点。
　
　そこで、上記相違点（２）について以下検討する。
　甲第１号証に記載されたドレイン電極開孔部３ｂ、ゲート電極開孔部４ｂ（コンタクトホール）は、端子領域（第１の領域）において、パターニングされたホトレジストにより絶縁層２２（誘電体膜）をエッチングするとともに、透明電極５（第２の領域）のソース電極１３部分においても絶縁層２２をエッチングしている（第５図（ｅ）、（ｆ）、第６図参照）。
　しかしながら、甲第１号証に記載されたものは、薄膜トランジスタの断線やコンタクト不良を少なくすることを課題とするものではないし、しかも、甲第１号証には、透明電極５のソース電極１３部分に形成された絶縁膜２２をエッチングして除去する記載はあるにしても、この絶縁膜２２を除去する理由は、ソース電極１３と透明電極５とを接続するためであって、本件発明１のように、透明電極５のソース電極１３部分に形成された絶縁膜２２をエッチングする際に、このエッチング面積をさらに拡大して、ドレイン電極開孔部３ｂ、ゲート電極開孔部４ｂをテーパー状に形成することについては何も記載はないし、そのような示唆もない。
　してみると、甲第１号証に記載されたものにおいて、透明電極５のソース電極１３部分に形成された絶縁膜２２をエッチングする際に、このエッチング面積をさらに拡大して、ドレイン電極開孔部３ｂ、ゲート電極開孔部４ｂをテーパー状に形成するようなことは容易になし得ないものである。
　したがって、相違点（１）については検討するまでもなく、本件発明１は甲第１号証に記載されたものから容易に想到することはできない。
　
（４−２）本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の「第１の領域」と「第２の領域」を、それぞれ「薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域」と「それを囲む周辺部」に限定するとともに、本件発明１の「テーパー状のコンタクトホール」を「コンタクトホール」としたものである。
　一方、甲第１号証に記載された端子領域は、「第１領域」を限定した本件発明２の「薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域」に相当することにはならないし、また、透明電極５も、「第２領域」を限定した本件発明２の「それを囲む周辺部」に相当することにはならない。
　また、甲第２号証には、ガラス基板１０１上に形成したゲート１０２、ゲートバス１０３上にゲート絶縁膜１０７、半導体膜１０８を被覆し、ゲートシャントバス１０４、ゲートドレインシャント端子１０６上には、このゲート絶縁膜１０７、半導体膜１０８を被覆しない表示面よりやや広い領域を形成することが記載されているものの、表示面の領域外のゲート絶縁膜１０７をどのような手段で被覆しないようにしたのかは明らかではないし、しかも、本件発明２のように、誘電体膜を周辺部にも形成した状態で、周辺部によって誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い、表示領域で導電膜に通じるコンタクトホールを形成する構成に相当する記載はないし、そのような示唆もない。
　してみると、本件発明２は、甲第１、２号証に記載されたものから容易に想到することはできない。
　
（４−３）本件発明３について
　甲第３号証には、窒化シリコン膜のドライエッチング方法として、酸素ガスを含むフレオン系のガスをエッチングガスとして使用することが開示されているにしても、本件発明３は、本件発明１または２を引用するものであるから、本件発明３は、本件発明１または２と同様に、甲第１〜３号証に記載されたものから容易に想到することはできない。
　
（４−４）本件発明４について
　甲第３号証には、窒化シリコン膜のドライエッチングの終点を、エッチングにより発生する窒化炭素のプラズマ発光強度の変化により検出することが開示されているにしても、本件発明４は、本件発明１〜３のいずれかを引用するものであるから、本件発明１〜３のいずれかと同様に、甲第１〜３号証に記載されたものから容易に想到することはできない。
　
　さらに、本件発明１〜４は、甲第１〜３号証に記載されたものを如何に組み合わせてみても容易に想到することはできない。
　
　そして、本件発明１〜４は、窒化珪素からなる誘電体膜にテーパ状のコンタクトホールを設けることができ、薄膜トランジスタアレイの断線やコンタクト不良を少なくし、さらにエッチング終点の感度のよい検出を可能とするという顕著な効果を奏するものである。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜４についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１〜４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１〜４についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月２７日（２００１．８．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１、２を、
　「【請求項１】第１の領域とそれを囲む第２の領域を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記第１の領域に導電膜を形成し、前記導電膜をバターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記第２の領域にも形成し、その後前記第１の領域と第２の領域の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記第１の領域と第２の領域の両方で前記ホトレジストをパターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記第２の領域によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記第１の領域で前記導電膜に通じるテーバー状のコンタクトホールを形成するようにした液晶表示装置の製造方法。
　【請求項２】薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域とそれを囲む周辺部を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記表示領域に導電膜を形成し、前記導電膜をバターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記周辺部にも形成し、その後前記表示領域と周辺部の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記表示領域と周辺部の両方で前記ホトレジストをバターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記周辺部によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記表示領域で前記導電膜に通じるコンタクトホールを形成するようにした液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【０００９】を、
　「【課題を解決するための手段】この発明に係わる液晶表示装置の製造方法は、第１の領域とそれを囲む第２の領域を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記第１の領域に導電膜を形成し、前記導電膜をバターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記第２の領域にも形成し、その後前記第１の領域と第２の領域の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記第１の領域と第２の領域の両方で前記ホトレジストをバターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記第２の領域によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記第１の領域で前記導電膜に通じるテーパー状のコンタクトホールを形成するようにした方法である。
　さらに、この発明に係わる他の液晶表示装置のく製造方法は、薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域とそれを囲む周辺部を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記表示領域に導電膜を形成し、前記導電膜をパターニングした後、前記導電膜を覆うように窒化珪素からなる誘電体膜を形成する際に、前記誘電体膜を前記周辺部にも形成し、その後前記表示領域と周辺部の両方で前記誘電体膜上にホトレジストを形成し、前記表示領域と周辺部の両方で前記ホトレジストをバターニングし前記誘電体膜を露出させ、この状態で、前記周辺部によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させてドライエッチングを行い前記表示領域で前記導電膜に通じるコンタクトホールを形成するようにした方法である。
　また、上記液晶表示装置の製造方法において、ドライエッチングを、酸素ガスを含む混合ガスをエッチングガスとして行う、またはドライエッチングの終点を、前記誘電体膜のエッチング生成物のプラズマ発光強度の変化により検出する方法である。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１０】を、
　「【作用】この発明における室化珪素からなる誘電体膜のドライエッチングにおいて、導電膜を形成する第１の領域と、それを囲む第２の領域とを設け、第２の領域では誘電体膜が充分露出している領域を有するので、上記第１の領域の導電膜に設けた誘電体膜をホトレジストを介してエッチングする際に、上記第２の領域の誘電体膜によりエッチング面積が拡大して、窒化珪素膜のエッチングレートを小さくし、下地の導電膜が酸化されることなしに、ホトレジストの窒化珪素膜に対するエッチングレート比を大きくして、コンタクトホール等極めて小さいホールでもエッチング形状を十分テーパーにすることができる。さらに、この発明における窒化珪素からなる誘電体膜のドライエッチングにおいて、薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域と、それを囲む周辺部とを設け、周辺部では誘電体膜が充分露出している領域を有するので、上記表示領域に設けた誘電体膜をホトレジストを介してエッチングする際に、上記周辺部の誘電体膜によりエッチング面積が拡大して、窒化珪素膜のエッチングレートを小さくし、下地の導電膜が酸化されることなしに、ホトレジストの室化珪素膜に対するエッチングレート比を大きくして、コンタクトホール等極めて小さいホールでもエッチング形状を十分テーパーにすることができる。また、エッチング面積を拡大することによって、エッチング生成物を多くして、生成物の発光強度を大きくし、窒化珪素からなる誘電体膜のドライエッチング終点を感度良く検出できる。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【００１９】を、
　「【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板上の窒化珪素からなる誘電体膜をドライエッチングする際に、誘電体膜の除去を要する所定エッチング部分とともに上記誘電体膜を形成した基板の所定エッチング部分外のホトレジストを除去し、上記所定エッチング部分とともに、一緒にエッチングするようにしたので、前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させることができ、例えば下地の保持容量電極等の導電膜を酸化しないで、窒化珪素からなる誘電体膜に断面形状が十分テーパー状のコンタクトホール等の極めて小さなホールを設けることができ、またエッチング終点を感度良く検出でき、薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置の製造において断線やコンタクト不良によるトランジスタの不良を少なくすることができ、欠陥が少ない薄膜トランジスタアレイを用いた液晶表示装置を高歩留まりで得ることができる効果がある。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　第１の領域
とそれを囲む
導電
前記第２の領域によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させて
行い前記
テーパー状の
　【請求項２】　薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域とそれを囲む周辺部を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記表示領域に
導電
前記周辺部によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させて
行い前記
　【請求項３】　ドライエッチングを、酸素ガスを含む混合ガスをエッチングガスとして行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
　【請求項４】　ドライエッチングの終点を、前記誘電体膜のエッチング生成物のプラズマ発光強度の変化により検出することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、液晶表示装置の製造方法に関するものであり、特に窒化珪素からなる誘電体膜のドライエッチング方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図６は液晶表示装置等に用いる薄膜トランジスタアレイを示す断面構成図で、図７は薄膜トランジスタアレイを形成する一工程の誘電体膜をドライエッチングする前の状態を示す断面構成図である。図において、５はガラス基板、６は保持容量電極、７は誘電体膜、８は画素電極、９はゲート電極、１０はゲート絶縁膜、１１はノンドープの非晶質シリコン膜、１２はチャネル保護膜、１３はＰをドープした非晶質シリコン膜、１４はソース電極、１５はドレイン電極、１６は保護膜である。
　【０００３】
　薄膜トランジスタアレイの形成方法について説明する。ガラス基板５上に保持容量電極６、誘電体膜７、画素電極８、ゲート電極９を順番にパターン形成し、ゲート電極９上にゲート絶縁膜１０、ノンドープの非晶質シリコン膜１１、チャネル保護膜１２を連続形成する。その後、チャネル保護膜１２をパターニングし、チャネル保護膜１２上にＰをドープした非晶質シリコン膜１３を形成した後に、ソース電極１４、ドレイン電極１５がコンタクト形成するためのホールを形成し、Ｐをドープした非晶質シリコン膜１３上に、ソース電極１４、ドレイン電極１５をパターン形成し、非晶質シリコン膜１１、１３をパターニングする。最後に、保護膜１６をパターン形成する。
　【０００４】
　次にドライエッチング方法について説明する。図５は薄膜をドライエッチングするときに用いる平行平板型のドライエッチング装置を示す構成図で、１は被エッチング基板、２は上部電極、３は下部電極、４は高周波発振器である。図７において、誘電体膜の窒化珪素膜７を図５に示す平行平板型のドライエッチング装置でエッチングガスにＣＦ４とＯ２の混合ガスを用いてドライエッチングする。なお、この技術分野については、例えば特公平１−４２４９４号公報に記載されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　極めて小さなコンタクトホール等のパターンをエッチングするときに、エッチング断面形状が十分テーパーになっていない場合には、その上に成膜する工程において、カバレッジ不良が生じる。これは、例えば、液晶表示装置等において、薄膜トランジスタアレイの断線やコンタクト不良による表示欠陥の原因となる。
　【０００６】
　図４はエッチングガスにＣＦ４および０２の混合ガスを用いて、窒化珪素膜をテーパーエッチングしたときのエッチング特性を示す特性図であり、下方にテーパー角（θ）の説明図を示す。○−○の特性曲線はＯ２のガス流量と窒化珪素膜に対するホトレジストのエッチングレート比を、△−△の特性曲線はＯ２のガス流量と窒化珪素膜のテーパー角の関係を示している。テーパー角は窒化珪素膜に対するホトレジストのエッチングレート比に依存し、混合ガス中のＯ２の流量が大きくなるほど、窒化珪素膜に対するホトレジストのエッチングレート比は大きくなり、エッチング断面形状はよりテーパーになる。エッチング断面のエッチング形状を十分テーパーにするために、エッチングガス中のＯ２の流量を大きくすると導電膜の保持容量電極６が酸化されて、保持容量電極６の上にゲート電極９をパターン形成するときに保持容量電極とゲート電極がコンタクト不良になるという問題点が生じた。
　【０００７】
　また、窒化珪素膜のドライエッチングにおいて終点検出方法は、エッチング生成物のＮ２の３３７ｎｍの発光強度の変化で検知する方法を用いているが、コンタクトホール等のエッチングのときのようにエッチング面積が小さい場合、Ｏ２の流量が大きすぎると、ホトレジストがエッチングされて生じた生成物の発光に隠れて、終点検出が困難になる。そのため、ホトレジストをエッチングしすぎてホトレジストの下地の誘電体膜７をエッチングして、トランジスタの保持容量が十分取れなくなるという問題点があった。
　【０００８】
　この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、例えば下地の保持容量電極等の導電膜を酸化しないで、窒化珪素からなる誘電体膜に断面形状が十分テーパー状のコンタクトホール等の極めて小さなホールを設けることができ、またエッチング終点の感度の良い検出を可能とする液晶表示装置の製造方法を得ることを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　この発明に係わる液晶表示装置の製造方法は、第１の領域
とそれを囲む
導電
前記第２の領域によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させて
行い前記
テーパー状の
　さらに、この発明に係わる他の液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域とそれを囲む周辺部を有する液晶表示装置の製造方法であって、少なくとも前記表示領域に
導電
前記周辺部によって前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させて
行い前記
　また、上記液晶表示装置の製造方法において、ドライエッチングを、酸素ガスを含む混合ガスをエッチングガスとして行う、またはドライエッチングの終点を、前記誘電体膜のエッチング生成物のプラズマ発光強度の変化により検出する方法である。
　【００１０】
　【作用】
　この発明における窒化珪素からなる誘電体膜のドライエッチングにおいて、導電膜を形成する第１の領域
と、それを囲む第２の領域とを
導電
　さらに、この発明における窒化珪素からなる誘電体膜のドライエッチングにおいて、薄膜トランジスタアレイを形成した表示領域と、それを囲む周辺部とを設け、周辺部では誘電体膜が充分露出している領域を有するので、上記表示領域に設けた誘電体膜をホトレジストを介してエッチングする際に、上記周辺部の誘電体膜によりエッチング面積が拡大して、窒化珪素膜のエッチングレートを小さくし、下地の導電膜が酸化されることなしに、ホトレジストの窒化珪素膜に対するエッチングレート比を大きくして、コンタクトホール等極めて小さいホールでもエッチング形状を十分テーパーにすることができる。
　【００１１】
　【実施例】
実施例１．
　以下、この発明の一実施例を説明する。図６は液晶表示装置等に用いる薄膜トランジスタアレイの断面構成図で、図７は液晶表示装置等に用いる薄膜トランジスタアレイを形成するにあたり、誘電体膜の窒化珪素膜をドライエッチングする前の断面構成図で、図８は誘電体膜の窒化珪素膜をドライエッチングした後の断面構成図で、図１はこの発明によるドライエッチング方法において基板周辺部のホトレジストを除去する部分を示す模式平面図である。
　【００１２】
　薄膜トランジスタアレイの形成方法について説明する。形成方法は、従来法について説明した通りで、ガラス基板５上に保持容量電極６、誘電体膜７、画素電極８、ゲート電極９を順番にパターン形成し、ゲート電極９上にゲート絶縁膜１０、ノンドープの非晶質シリコン膜１１、チャネル保護膜１２を連続形成する。その後、チャネル保護膜１２をパターニングし、チャネル保護膜１２上にＰをドープした非晶質シリコン膜１３を形成した後に、ソース電極１４、ドレイン電極１５がコンタクト形成するためのホールを形成し、Ｐをドープした非晶質シリコン膜１３上に、ソース電極１４、ドレイン電極１５をパターン形成し、非晶質シリコン膜１１、１３をパターニングする。最後に、保護膜１６をパターン形成する。
　【００１３】
　次にドライエッチング方法について説明する。図７に示すように、ガラス基板５上に保持容量電極６をパターン形成し、この後、誘電体膜の窒化珪素膜７を形成する。その上に、ホトレジスト１７を形成し、図１に示すように、薄膜トランジスタアレイを形成する領域１９のホトレジストをパターニングすると同時に、基板面積の１０±５％にあたる基板周辺部１８のホトレジストを除去する。この後、図５に示す平行平板型のドライエッチング装置で、被エッチング基板１を下部電極３上に置き、上部電極２を接地し、下部電極３に高周波電力を印加し、エッチングガスとして例えばＣＦ４とＯ２等の混合ガスを使用して誘電体膜の窒化珪素膜７をドライエッチングする。
　【００１４】
　図２はエッチングガスにＣＦ４およびＯ２の混合ガスを用いて窒化珪素膜をテーパーエッチングしたときのエッチング特性を示す特性図であり、実線の特性曲線は窒化珪素膜のエッチング面積とエッチングレートの関係を、破線の特性曲線は窒化珪素膜に対するホトレジストのエッチングレート比の関係を示す。窒化珪素膜のエッチングレートは面積依存性があり、エッチング条件が同一である場合には、エッチング面積が大きいほどエッチングレートは小さくなる。エッチング面積が極めて小さいときは、エッチング前に基板周辺部のホトレジストを除去することによって、エッチング面積が相対的に大きく増加し、エッチングレートは小さくなる。これに対して、除去した基板周辺部のホトレジストの面積は基板面積の１０±５％であるため、ホトレジストがエッチングされる面積は相対的に大きく変化せず、ホトレジストのエッチングレートはほとんど変化しない。そのため、基板周辺部のホトレジストを除去してエッチングすることによって、Ｏ２の流量を変えずに、窒化珪素膜のエッチングレートに対するホトレジストのエッチングレート比を大きくして、エッチング形状を十分テーパーにすることができる。
　【００１５】
　また、窒化珪素膜のドライエッチング方法において、終点検出方法はエッチング生成物のＮ２の３３７ｎｍの発光強度の変化で検知しており、図３の波形図はドライエッチングしているときの、エッチング生成物のＮ２の３３７ｎｍの発光強度の変化を示している。実線の波形はこの発明の一実施例の発光強度変化を、破線の波形は従来法の発光強度変化を示している。この発明では基板周辺部のホトレジストをあらかじめ除去してエッチングしているため、エッチング面積が増加して、エッチング生成物のＮ２の３３７ｎｍの発光強度が大きくなり、エッチング終点における発光強度の変化が大きくなり、終点が明瞭になる。
　【００１６】
　なお、上記実施例では、ガラス基板５を用いた場合について説明したが、これに限るものではなく、例えばシリコン等他のものであっても良い。
　【００１７】
　また、上記実施例では、ＣＦ４とＯ２の混合ガスを使用してエッチングした場合について説明したが、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、ＮＦ３等とＯ２の混合ガスであっても良い。
　【００１８】
　【００１９】
　【発明の効果】
　以上のように、この発明によれば、基板上の窒化珪素からなる誘電体膜をドライエッチングする際に、誘電体膜の除去を要する所定エッチング部分とともに上記誘電体膜を形成した基板の所定エッチング部分
外の
前記誘電体膜のエッチング面積を拡大させることができ、
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の一実施例の薄膜トランジスタアレイにおける窒化珪素膜のドライエッチング方法を説明するための模式平面図である。
　【図２】
　この発明の一実施例による窒化珪素膜のドライエッチング特性、窒化珪素膜のエッチング面積とエッチングレートおよび窒化珪素膜に対するホトレジストのエッチングレート比の関係を示す特性図である。
　【図３】
　この発明の一実施例による窒化珪素膜のドライエッチングの終点検出波形を従来法とともに示す波形図である。
　【図４】
　この発明の一実施例に係わる窒化珪素膜のドライエッチング特性、Ｏ２のガス流量と窒化珪素膜に対するホトレジストのエッチングレート比および窒化珪素膜のテーパー角の関係を示すを示す特性図である。
　【図５】
　この発明に係わる平行平板型ドライエッチング装置の構成図である。
　【図６】
　この発明に係わる一般的な薄膜トランジスタアレイの断面構成図である。
　【図７】
　この発明に係わる薄膜トランジスタアレイにおける窒化珪素膜のドライエッチング方法を説明するための断面構成図である。
　【図８】
　この発明に係わる薄膜トランジスタアレイにおける窒化珪素膜のドライエッチング方法を説明するための断面構成図である。
　【符号の説明】
　　１　被エッチング基板
　１８　ホトレジストを除去する基板周辺部
　１９　薄膜トランジスタアレイを形成する領域