【事件の表示】
　特願２０１４−　３２４６４「電流の生成及び収集機能を向上させたソーラーセル構造」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　９月２５日出願公開、特開２０１４−１７９６００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年２月２４日（パリ条約による優先権主張２０１３年３月１４日、米国）の出願であって、その後の主な手続の経緯は、以下のとおりである。　
　平成２８年１２月１３日　　：出願審査請求書の提出
　平成２９年１１月２９日付け：拒絶理由通知（同年１２月５日発送）
　平成３０年　３月　５日　　：期間延長請求書（２ヶ月）の提出
　　　　同年　５月　２日　　：手続補正書・意見書の提出　
　　　　同年　８月　３日付け；拒絶査定（同年８月１４日送達。
　　　　　　　　　　　　　　　以下「原査定」という。）
　　　　同年１２月１４日　　：審判請求書・手続補正書の提出
　　令和元年　５月２９日　　：上申書の提出
　　令和元年１２月１８日付け：審尋（同年１２月２４日発送）
　　令和２年　３月２４日　　：回答書の提出　
第２　平成３０年１２月１４日付け手続補正についての補正却下の決定  
　［補正却下の決定の結論］  
　平成３０年１２月１４日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 　  
 　
［補正却下の決定の理由］
１　補正内容 　  
　本件補正は、特許請求の範囲についてするものであり、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１（平成３０年５月２日付け手続補正後のもの）に、  
　「【請求項１】
　光起電力セルを含むオプトエレクトロニクス素子であって、前記光起電力セルは、
　空間電荷領域と、
　準中性領域と、
　少なくとも部分的に前記セルの前記準中性領域に位置付けされる低
バンドギャップ吸収領域（ＬＢＡＲ）層、又は改善されたトランスポート（ＩＴ）層
　
前記ＬＢＡＲ層又は前記ＩＴ層は
   　　　　
　本件補正後の請求項１の　　　　  
　「【請求項１】
　光起電力セルを含むオプトエレクトロニクス素子であって、前記光起電力セルは、
　空間電荷領域と、
　準中性領域と、
　複数の主要光生成層と、
　少数キャリアの寿命時間、少数キャリアの可動性、少数キャリアの拡散距離、多数キャリアの可動性、多数キャリアの伝導率、電場における電荷キャリア飽和速度、及び／又は
収集光生成電流密度が前記主要光生成層よりも高く、少なくとも部分的に前記セルの前記準中性領域に位置付けされる改善されたトランスポート（ＩＴ）層
を含み、
　
前記ＩＴ層は
 　　　　 　  　　 
２　補正目的  
（１）上記「１」の補正内容は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な「光起電力セル」について、
　ア　「複数の主要光生成層」を含むことを特定し、
　イ　「低バンドギャップ吸収領域（ＬＢＡＲ）層、又は改善されたトランスポート（ＩＴ）層とを含み」と択一的に記載されていたものを「改善されたトランスポート（ＩＴ）層」に特定し、
　ウ　「改善されたトランスポート（ＩＴ）層」が「少数キャリアの寿命時間、少数キャリアの可動性、少数キャリアの拡散距離、多数キャリアの可動性、多数キャリアの伝導率、電場における電荷キャリア飽和速度、及び／又は収集光生成電流密度が前記主要光生成層よりも高（い）」ことを特定するものであって、
　その補正前後で、発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であることから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
　　
（２）よって、本件補正後の請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものと認められることから、本件補正後の
請求項１
 　　　　　　　　　　　  
３　独立特許要件  
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、上記「第２　１」に、本件補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　  
（２）明確性要件
　ア　本件補正後の請求項１の「光起電力セル」は、「空間電荷領域」、「準中性領域」、「複数の主要光生成層」及び「準中性領域に位置付けされる改善されたトランスポート（ＩＴ）層」を含ものである。
　イ　本願明細書には、上記「複数の主要光生成層」に関して、以下の記載がある。
　「【００１５】  
　別の態様では、ある実装態様において、ソーラーセル又は光検知器などの半導体素子の一又は複数の準中性領域（一又は複数の非空間電荷領域）に部分的に又は全体的に一又は複数の改善されたトランスポート（ＩＴ）層が位置付けされているため、高い電流密度、電圧、充填率、及び／又はエネルギー変換効率の半導体素子を実現する半導体構造が開示されている。本明細書での参照において、
トランスポート（ＩＴ）層は
収集光生成電流密度が、主要な光生成層、一又は複数の隣接する光生成層、一又は複数の隣接する光生成層と同じ組成を有する置換層、半導体素子のほかの多数の半導体層よりも高い層でありうる
　「【００５９】  
　別の態様では、改善されたトランスポート（ＩＴ）層は、ソーラーセルのベース又はエミッタ内の又はソーラーセルのベース又はエミッタ全体の層などの、ソーラーセル内の他の層と同じ又は他の層よりも高い一又は複数のバンドギャップを有する。このような
ソーラーセルのＩＴ層以外の他の層は、ソーラーセルの主要な光生成層を形成する
　ウ　上記記載からして、
　「主要な光生成層」は、ベース層又はエミッタ層において、ＩＴ層以外の半導体層（光吸収層）であるものと解される。
　しかし、「光起電力セル」を構成するベース層又はエミッタ層において、「『複数の』『主要な光生成層』」が含まれるとは、どのような構成であるのか理解できない。
　エ　以上のことから、本件補正後の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反するものである。
　オ　なお、上記の点について、請求人に対して、令和元年１２月１８日付けで審尋したものの、「複数の主要光生成層」について何ら回答がなかった。
　
（３）進歩性要件
　なお、上記（２）で指摘するように、本件補正後の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反する。
　そこで、下記のように解釈することとする。
　解釈その１：
　「ｐ−ｎ接合（面）」の両側には、それぞれ、「空間電荷領域」及び「準中性領域」が存在することから、片側（又は両側）の「準中性領域」に「ＩＴ層」が形成されたとしても、「（一つの）光起電力セル」は、少なくとも、二つの「空間電荷領域」、つまり、「複数の主要光生成層」を含むことになる。
　解釈その２：
　「オプトエレクトロニクス素子」は、「多接合型光起電力素子」であって、本件補正後の請求項１の「光起電力セル」は、該「多接合型光起電力素子」が有する複数のセルのうちの、少なくとも一つであり、「多接合型光起電力素子」全体としては、「複数の主要光生成層」を含むことになる。
　　
　　
　
　以下、上記解釈を前提にして進歩性要件について検討する。
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１２／１２８８４８号（以下引用文献」という。）には、図面とともに、以下の記載がある。 
 　 
　ア　「
」
（訳：
１．　ベース層と、  
　前記ベース層と電気的に接続するエミッタ層であって、前記エミッタ層と共に光起電力セルまたは他の光電子デバイスのｐ−ｎ接合を形成するエミッタ層と、  
　前記ベース層および前記エミッタ層のうちの一方または両方に配置される低バンドギャップ吸収領域とを備える半導体デバイス。
２．　前記低バンドギャップ吸収領域が、前記光起電力セルまたは前記光電子デバイスの前記ｐ−ｎ接合の
片側の空間電荷領域
３．　前記低バンドギャップ吸収領域が、前記光起電力セルまたは前記光電子デバイスの前記ｐ−ｎ接合の
片側の準中性領域
４．　前記低バンドギャップ吸収領域が、前記光起電力セルまたは前記光電子デバイスの前記ｐ−ｎ接合の
片側の空間電荷領域および準中性領域
５．　前記低バンドギャップ吸収領域が、前記光起電力セルまたは前記光電子デバイスの前記ｐ−ｎ接合の
両側の空間電荷領域
６．　前記低バンドギャップ吸収領域が、前記光起電力セルまたは前記光電子デバイスの前記
ｐ−ｎ接合の両側の空間電荷領域および準中性領域に組み込まれている
７．…（省略）…　
　…（省略）…　
１６．　前記低バンドギャップ吸収領域が１つ以上の低バンドギャップ吸収領域を含んでいる、請求項１に記載の半導体デバイス。
１７．　前記
光起電力セルが１つ以上の小格子定数歪み補償領域を更に含んでいる
１８．　格子不整合形態を有している、請求項１ないし請求項１７のいずれか１項に記載の半導体デバイス。）
　イ　「
」
（訳：
［００３７］　本開示は、
高い光生成電流密度を有する半導体デバイス構造について説明する。デバイス構造は、光生成電流密度を高めるために低バンドギャップ吸収領域（ＬＢＡＲ）を半導体材料中に組み込む
［００３８］　本開示は、例えば地上集光型光起電力（ＣＰＶ）電気生成システムまたは宇宙で用いる衛星と共に使用されてもよいＧａＩｎＰ／Ｇａ（Ｉｎ）Ａｓ／Ｇｅセルなどを含むがこれに限定されない
高効率多接合（ＭＪ）光起電力（ＰＶ）セル
ＭＪ  ＰＶセルは、光生成電流密度を高めるために
［００３９］　ＬＢＡＲは、ｐ−ｎ接合部付近の空間電荷領域に、同じドーピングタイプを有するが異なるキャリア濃度および／または異なる半導体組成を有する材料から形成されるイソタイプ接合（ヘテロ接合）付近の空間電荷領域に、
太陽電池のベースの準中性領域に、および／または、太陽電池のエミッタの準中性領域に組み込まれてもよい
［００４０］　
ＬＢＡＲは、それらの低いバンドギャップのおかげにより、周囲の半導体層よりも高い光生成を有し
小さい格子定数と大きい格子定数とが交互に入れ替わるこれらの領域を形成できることにより、結晶格子中に更なる不完全性または転位をもたらすことなくＬＢＡＲの光学的厚さおよび電流生成能力を増大させるために−例えば複数の疑似格子整合伸張バリアおよび圧縮ウェルの−歪み釣り合わせ構造
　ウ　「
」
（訳：
［００１０２」　他の実施形態において、
ＬＢＡＲ１００は、ＬＢＡＲ間に歪み釣り合い層またはバリア層として示される層によって歪みが釣り合わされてもよい
ＬＢＡＲおよび歪み釣り合い層の厚さおよび組成は、歪まされた層が疑似格子整合を保つようになっている。すなわち、ＬＢＡＲおよび歪み釣り合い層における結晶格子は、弛緩しておらず、転位を形成しない
　エ　「  　
」
（訳：
［００１１６］　図２は、本開示に係る、変成サブセル２００、トンネル接合部２７、および、変成バッファ５２の他の実施形態を示している。サブセル２００は、基板（図示せず）から離れる方向で成長されてしまっている。図２において分かるように、サブセル２００の基本的な構造は
図１の中央セル４０
ＬＢＡＲは、ベース４４よりも高いＩｎ濃度を有するＧａＩｎＡｓから形成されてもよく、それにより、ベース４４よりも低いバンドギャップおよび高い格子定数がもたらされる
ＳＣＲ２２０は、ＬＢＡＲ２１０よりも小さい格子定数を有する材料から形成される。
［００１１７］　図２は、サブセル２００の格子定数およびバンドギャップのそれぞれの間の一般的な関係を更に示している。バンドギャップは、一般に、図２における変成グレーデッドバッファ５２では、新たな格子定数で多接合太陽電池におけるサブセルの成長を可能にするために、層組成が変化されるにつれて、また、格子定数が増大されるにつれて、低くなる。この新たな格子定数では、裏面電界（ＢＳＦ）層４５および窓層４１が変成太陽電池ベース４４よりも高い格子定数を有する。図２に示されるように、ＬＢＡＲ２１０は、ベース４４よりも低いバンドギャップを有してもよく、また、歪み層またはバリア層は、ベース４４よりも高いバンドギャップを有してもよい。ＬＢＡＲ２１０のバンドギャップを小さくすればするほど、電子正孔対の光生成が増大するとともに、入射光スペクトルにおける長い波長において、変成太陽電池ベース、エミッタ、および、他の吸収層だけで達成されるよりも大きい光生成電流密度がもたらされる。
低バンドギャップＬＢＡＲ２１０における歪みは、歪み釣り合い層またはバリア層とも呼ばれる小格子定数歪み補償領域（ＳＣＲ）２２０による反対方向の歪みによって釣り合わせることができる
［００１１８］　一般に、ＬＢＡＲ２１０の低いバンドギャップをもたらす半導体組成により、ＬＢＡＲ２１０がベース４４よりも大きい材料格子定数を有するようにもなる。この場合、材料格子定数は、結晶材料が歪まされていない場合に有する格子定数として規定される。太陽電池において、ＬＢＡＲ２１０は、それらの面内格子定数が各ＬＢＡＲ２１０の上下の層と同じであり且つ変成ベース４４の格子定数とほぼ同じであるように疑似格子整合的に歪まされてもよい。ＬＢＡＲ２１０の材料格子定数がベース４４の材料格子定数よりも大きいため、図２のＬＢＡＲ２１０は圧縮歪み状態にあり、また、この歪みに起因してＬＢＡＲの面内格子定数（半導体表面および成長面に対して平行な面内における格子定数）はベース４４のそれとほぼ同じであるが、半導体表面および成長面に対して平行な面内における格子定数はベース４４のそれよりも大きい。）
　オ　「
」
（訳：
［００１２３］　図４は、本開示に係る、変成サブセル４００、トンネル接合部２７、および、変成バッファ５２の他の実施形態を示している。サブセル４００は、基板から離れる方向で成長されてしまっている。図４において分かるように、サブセル４００の基本的な構造は図１の中央セル４０と同じであり、同様の部分に同じ数字および標示が付されている。一実施形態では、サブセル４００が３接合太陽電池の中央セル４０であってもよい。図４において分かるように、ＬＢＡＲ４１０およびＳＣＲ４２０が、位置Ｃ（図１）に対応するベース４４の準中性領域中へ組み込まれてしまっている。ＬＢＡＲ４１０およびＳＣＲ４２０は、空間電荷領域４４０中へ組み込まれてしまっていない。ＬＢＡＲ４１０およびＳＣＲ４２０は、図２に関連して前述した特徴と同じ特徴を有する。
［００１２４］　図４は、ＬＢＡＲ４１０およびＳＣＲ４２０の配列がｐ−ｎ接合部の両側の準中性領域のうちの１つ内に位置づけられるケースを示している。例えば、図４は、ｐ型ベースの完全に準中性領域内のＬＢＡＲ４１０の配列を示している。前述したように、
準中性領域でのドリフトによるキャリア収集を支援するための強力な電界は存在しないが、ＬＢＡＲ４１０で光生成されたキャリアは、熱エスケープによってＬＢＡＲ４１０から依然として抜け出ることができるとともに、拡散によって収集ｐ−ｎ接合部へと依然として輸送され得る
　カ　「
」
（訳：　
[００１３３] 　ＬＢＡＲは幅広い範囲の空間的広がりを有してもよい。すなわち、ＬＢＡＲは、０．１ミクロン〜約１ミクロン以上の幅を伴って非常に幅広くてもよく、ＬＢＡＲは、約１００Ａ〜約１０００Ａの幅を伴う中間の範囲内であってもよく、あるいは、ＬＢＡＲは、０よりも大きく約１００Ａまでの範囲で非常に幅狭くてもよく、その場合には、ＬＢＡＲ内のキャリアのエネルギーレベルで量子閉じ込めの強力な効果がある。
ＬＢＡＲおよびＳＣＲの幅は、主に、層が互いからおよび太陽電池ベースからどのくらい格子不整合であるかという制約、および、各層が、疑似格子
合（pseudomorphic）を保持している間に、すなわち、結晶格子が弛緩して転位を来す前に、どのくらい厚くなることができるのかという制約によって決定される。）
　　
　キ　Ｆｉｇ．１は、以下のものである。
　　
　ク　ＦＩＧ．４は、以下のものである（Ｆｉｇ．１の中央部のセルに相当する。）。
２７…トンネル接合部
４２…エミッタ層
４４…ベース層
５２…変成バッファ層
４００…サブセル
４１０…低バンドギャップ吸収領域（ＬＢＡＲ）
４２０…小格子定数歪み補償領域（ＳＣＲ）　
４４０…空間電荷領域
４５０…準中性領域
　　 　　
（４）引用文献に記載された発明 
　ア　上記（２）アの記載から、
（ア）引用文献には、
　「ベース層と、
　前記ベース層と共に光起電力セルのｐ−ｎ接合を形成するエミッタ層と、
　前記ベース層及び前記エミッタ層のうちの一方または両方に配置される
低バンドギャップ吸収領域
　
小格子定数歪み補償領域
（イ）また、上記アの「低バンドギャップ吸収領域」は、「ｐ−ｎ接合」の片側（又は両側）に位置する、「空間電荷領域」や「準中性領域」に組込むことができること（請求項２ないし６）。
　イ　上記（２）イの記載から、以下のことが理解できる。
（ア）上記アの「半導体デバイス」は、光生成電流密度を高めるために「低バンドギャップ吸収領域」を組込んだものであること。
（イ）上記アの「低バンドギャップ吸収領域」は、周囲の半導体層よりも光生成電流密度を高めるものであること。
　
　※　以下、「低バンドギャップ吸収領域」を、「ＬＢＡＲ」等と表記することがある。
（ウ）上記アの「低バンドギャップ吸収領域」の光学的厚さ及び電流生成能力を増大させるために、「小さい格子定数と大きい格子定数とが交互に入れ替わる領域」を形成すること（複数の
疑似格子整合
（エ）上記アの「半導体デバイス」は、
太陽電池
　　　
　ウ　上記（２）ウ及びエの記載を踏まえて、図１及び図４を見ると、以下のことが理解できる。
（ア）「ＬＢＡＲ」及び「歪み釣り合い層」の厚さおよび組成は、歪まされた層が疑似格子整合（pseudomorphic）を保つようになっていること、すなわち、ＬＢＡＲおよび歪み釣り合い層における結晶格子は、弛緩しておらず、かつ、転位を形成しないこと。
　※　「小格子定数歪み補償領域」及び「歪み釣り合い層」を、「ＳＣＲ」と表記することがある。
　
（イ）「低バンドギャップ吸収領域（ＬＢＡＲ）」は、ベース層よりも低いバンドギャップ（以下「第１バンドギャップ」という。）とベース層よりも大きな格子定数を有すること。
（ウ）「小格子定数歪み補償領域（ＳＣＲ）」は、第１バンドギャップよりも高いバンドギャップ（以下「第２バンドギャップ」という。）とベース層よりも小さな格子定数を有すること。
（エ）「低バンドギャップ吸収領域（ＬＢＡＲ）」の歪みは、「小格子定数歪み補償領域」による反対方向の歪みによって釣り合っていること。
（オ）図４に示された「サブセル４００」は、図１に示された多接合太陽電池における「中央セル４０」に相当すること。
（カ）図４は、「ｐ−ｎ接合」の、ｐ側の配置を示すものであって、ｎ側にも、同様の構造が存在してもよいこと。
（キ）図４に示された「サブセル４００」においては、「低バンドギャップ吸収領域」と「小格子定数歪み補償領域」は、
準中性領域において交互配置されていること
　
　エ　上記（２）オの記載を踏まえて、図４を見ると、以下のことが理解できる。
　準中性領域には、空間電荷領域のような強力な電界は存在しないが、低バンドギャップ吸収領域で光生成されたキャリアは、拡散によって輸送されること。
　
　オ　上記（２）カの記載から、以下のことが理解できる。　
　ＬＢＡＲおよびＳＣＲの幅は、
　層が互いから及び太陽電池ベースからどのくらい格子不整合であるかという制約、及び、
　各層が、
疑似格子整合
　カ　上記アないしオからして、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「光起電力セルを含む太陽電池であって、
　前記光起電力セルは、
　ベース層と、
　前記ベース層と共に光起電力セルのｐ−ｎ接合を形成するエミッタ層と、
　空間電荷領域と、
　準中性領域と、
を備え、
　前記
ｐ−ｎ接合の前記準中性領域
　前記低バンドギャップ吸収領域は、周囲の半導体層よりも光生成電流密度を高めるものであって、ベース層よりも低い第１バンドギャップとベース層よりも大きな格子定数を有し、
　前記小格子定数歪み補償領域は、前記第１バンドギャップよりも高い第２バンドギャップとベース層よりも小さな格子定数を有し、
　前記低バンドギャップ吸収領域の歪みは、前記小格子定数歪み補償領域による反対方向の歪みによって釣り合っており、
　前記低バンドギャップ吸収領域及び小格子定数歪み補償領域における結晶格子は、弛緩しておらず、かつ、転位を形成しておらず、
　前記低バンドギャップ吸収領域及び小格子定数歪み補償領域の幅は、層が互いから及びベース層からどのくらい格子不整合であるかという制約、各層が、
疑似格子整合（pseudomorphic）を保持している間
　前記準中性領域には、空間電荷領域のような強力な電界は存在しないが、前記低バンドギャップ吸収領域で光生成されたキャリアは、拡散によって輸送される、太陽電池。」
     　　　
（５）対比 
　ア　本願補正発明と引用発明とを対比すると、以下のことがいえる。
（ア）引用発明の「光起電力セル」は、本願補正発明の「光起電力セル」に相当する。
　以下、同様に、
　「太陽電池」は、「オプトエレクトロニクス素子」に、
　「空間電荷領域」は、「空間電荷領域」に、
　「準中性領域」は、「準中性領域」に、それぞれ、相当する。
（イ）引用発明の「光起電力セル」が「光生成層」を備えていることは、明らかである。
（ウ）上記（ア）及び（イ）を整理すると、
　本願補正発明と引用発明とは、
　「光起電力セルを含むオプトエレクトロニクス素子であって、
　前記光起電力セルは、
　空間電荷領域と、
　準中性領域と、
　
光生成層
（エ）ａ　引用発明の「低バンドギャップ吸収領域」は、「ベース層よりも低い第１バンドギャップとベース層よりも大きな格子定数」を有することから、
　本願補正発明の「第１バンドギャップと、光起電力セルの平均格子定数に対し第１の歪み量とを有する第１層型の一又は複数の層」に相当する。
　ｂ　引用発明の「小格子定数歪み補償領域」は、「第１バンドギャップよりも高い第２バンドギャップとベース層よりも小さな格子定数」を有することから、
　本願補正発明の「第１バンドギャップよりも大きい第２バンドギャップと、第２の歪み量とを有する第２層型の一又は複数の層」に相当する。
　ｃ　また、引用発明の「低バンドギャップ吸収領域の歪み」は、「小格子定数歪み補償領域による反対方向の歪み」によって釣り合っているから、両者の歪はバランスがとれているといえる。    　
　ｄ　引用発明の「低バンドギャップ吸収領域」は、「準中性領域」に配置され、「周囲の半導体層よりも光生成電流密度を高めるもの」であるところ、該「周囲の半導体層」に「光生成層」が含まれることは、明らかである。
　ｅ　してみると、本願補正発明と引用発明とは、
　「収集光生成電流密度が
光生成層
　ｆ　よって、本願補正発明と引用発明とは、
　「収集光生成電流密度が
光生成層
　を含み、
　前記ＩＴ層は、第１バンドギャップと、光起電力セルの平均格子定数に対し第１の歪み量とを有する第１層型の一又は複数の層を含み、さらに、前記第１バンドギャップよりも大きい第２バンドギャップと、第２の歪み量とを有する第２層型の一又は複数の層を含み、前記第２層型の前記層が前記第１層型の前記層に対し引張歪み状態にあり、前記第１層型の前記層の歪みと、前記第２層型の前記層の歪みとはバランスがとれている」点で一致する。
（オ）ａ　引用発明の「低バンドギャップ吸収領域及び小格子定数歪み補償領域における結晶格子は、弛緩しておらず、かつ、転位を形成しておらず」、さらに、「低バンドギャップ吸収領域及び小格子定数歪み補償領域」の幅は、「層が互いから及びベース層からどのくらい格子不整合であるかという制約」、「各層が、疑似格子整合（pseudomorphic）を保持している間に、すなわち、結晶格子が弛緩して転位を来す前に、どのくらい厚くなることができるのかという制約」を考慮して決定されるものである。
　
　ｂ　つまり、「低バンドギャップ吸収領域」及び「小格子定数歪み補償領域」においては、擬似格子整合（pseudomorphic）が保持されていると認められる。
　そして、当該「低バンドギャップ吸収領域」及び「小格子定数歪み補償領域」は、成長基板上に成長させた、「『成長基板とコヒーレント格子構造が保持され』た『半導体層』」であることは、明らかである。
　
　ｃ　してみると、本願補正発明と引用発明とは、「いずれの型の層もシュードモルフィックのままであり、当該層が成長する成長基板とコヒーレント格子構造が保持され、いずれの型の前記層も
所定の結晶欠陥面密度
　イ　以上のことから、本願補正発明と引用発明とは、以下の点で一致する。
　＜一致点＞ 
　「光起電力セルを含むオプトエレクトロニクス素子であって、前記光起電力セルは、
　空間電荷領域と、
　準中性領域と、
　
光生成層
　収集光生成電流密度が
前記光生成層
を含み、
　前記ＩＴ層は、第１バンドギャップと、前記光起電力セルの平均格子定数に対し第１の歪み量とを有する第１層型の一又は複数の層を含み、さらに、前記第１バンドギャップよりも大きい第２バンドギャップと、第２の歪み量とを有する第２層型の一又は複数の層を含み、前記第２層型の前記層が前記第１層型の前記層に対し引張歪み状態にあり、前記第１層型の前記層の歪みと、前記第２層型の前記層の歪みとはバランスがとれているため、いずれの型の前記層もシュードモルフィックのままであり、当該層が成長する成長基板とコヒーレント格子構造が保持され、いずれの型の前記層も
所定の結晶欠陥面密度
　ウ　一方、両者は、以下の点で相違する。 
　＜相違点１＞ 
　光生成層に関して、
　本願補正発明は、「複数の主光生成層」であるのに対して、
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
　＜相違点２＞
　所定の結晶欠陥面密度に関して、
　本願補正発明は、「１０６ｃｍ−２よりも低い」のに対して、
　引用発明は、不明である点。 
 　 　 　　　 　 
（６）判断 
　ア　上記＜相違点１＞について検討する。 
（ア）解釈その１
　ａ　引用発明の「『低バンドギャップ吸収領域と小格子定数歪み補償領域を交互配置』した領域」以外に、「ｐ−ｎ接合」付近には、少なくとも「（ｐ側及びｎ側の）空間電荷領域」が配置されている。
　　
　ｂ　そして、該「（ｐ側及びｎ側の）空間電荷領域」は、光生成が生じる領域であるから、引用発明は「複数の主要な光生成層」を備えているといえる。　　　
　ｃ　よって、上記＜相違点１＞は、実質的な相違点ではない。
（イ）解釈その２
　仮に、上記＜相違点１＞が実質的な相違点であるとしても、引用発明の「光起電力セル」を、引用文献の図１に示された「中央セル」として利用し、引用発明の「太陽電池」を多接合型にすることは、当業者が容易になし得たことである。
　イ　上記＜相違点２＞について検討する。
（ア）半導体層を成長させる際に、結晶欠陥面密度が小さいほど好ましいことは、当業者にとって明らかであり、その密度を「１０６ｃｍ−２よりも低」くすることに何ら困難性は認められない。
　
　必要ならば、下記の文献を参照。　
　特開平１１−１９１６３７号公報（【要約】）
　特開平３−１６９９６号公報（第１図）
　特開昭５９−１３２１１９号公報（第２頁右上欄）
（イ）以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　 　　　 　　       　
　ウ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　エ　効果
　本願補正発明の効果は、引用発明の奏する効果から予測し得る範囲内のものである。
　　　 　　　 
（７）上申書における主張について
　上申書において、以下のように主張していることから、この点について検討する。　
      　
　「本願発明では
歪みバランス層
低バンドギャップ材料を提供する
　ア　しかしながら、本願補正発明（及び補正案の発明）は、ある一つの層の歪みに対して、その歪みを相殺する層（歪み補償層）を利用するものであるから、歪みバランス層を利用したものであるといえる。
　イ　よって、請求人の上記主張は、上記「（６）ウ」の判断を左右するものではない。
　　　　　 
（８）審判請求書における主張について
　審判請求書において、以下のように主張していることから、この点について検討する。　
　「新請求項１の発明では、改善されたトランスポート（ＩＴ）層により、半導体素子の電流密度、電圧、フィルファクタ、及び／又はエネルギー変換効率をより高めることができるようになっています（段落［０１１４］）。
　一方で、引用文献１に記載の発明は、上述のような発明特定事項を開示していませんし、本願の新請求項１に記載の発明が有する作用効果を奏するものではありません。」（第４頁後段）
　当審注：上記引用文献１は、審決で引用する引用文献である。
　ア　しかしながら、本願明細書の【０２１０】に「…セル構造に改善されたトランスポート（ＩＴ）及び／又はＬＢＡＲ層を有する、本明細書に開示されたすべての実施例に、
ＬＢＡＲ及び歪み補償領域の組み合わせ
　「トランスポート（ＩＴ）層」は、「ＬＢＡＲ層と歪み補償領域の組み合わせ」に変更できるものである。
　イ　つまり、「トランスポート（ＩＴ）層」の奏する効果は、「ＬＢＡＲ層と歪み補償領域の組み合わせ」の奏する効果と同質のものであるから、本願補正発明の奏する効果と引用発明の奏する効果も、同質のものであると認められる。
　ウ　よって、請求人の上記主張は、上記「（６）ウ」の判断を左右するものではない。
　　　　　 
（９）令和２年３月２４日提出の回答書における主張
　回答書において、以下のように主張していることから、この点について検討する。
　「引用文献ではシュードモルフィックバッファ層上の成長ではありません。従来の格子整合デバイスでは、上部セルに過剰な電流が存在しており、上部セルにさらに電流を追加するように考えることはありません。本願発明では、デバイス内、特に上部デバイスへの電流をより多くすることがその目的としています。」
　ア　しかしながら、引用文献の［００１３３］には「The width of the LBARs and the SCRs is primarily determined by the constraints of how lattice-mismatched the layers are from each other and the solar cell base, and how thick each layer can become 
while remaining pseudomorphic
疑似格子整合（pseudomorphic）を保持している間
　引用発明の「低バンドギャップ吸収領域」及び「小格子定数歪み補償領域」は、シュードモルフィックであると解される。
　イ　よって、請求人の上記主張は、上記「（６）ウ」の判断を左右するものではない。　
（１０）独立特許要件についてのまとめ 　  
　以上のとおりであるから、本件補正後の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第２号の規定に違反する。
　また、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。    　
　
４　補正却下の決定の理由のむすび 　  
　上記「３」のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反する。  
　したがって、本件補正は、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 　  
第３　本願発明  
１　本願発明  
　本件補正は、上記のとおり却下されたため、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２　１」にて、本件補正前の請求項１に係る発明として記載したとおりのものである。
　念のため、本願発明を再掲すると、以下のとおりのものである。
           　
　「光起電力セルを含むオプトエレクトロニクス素子であって、前記光起電力セルは、
　空間電荷領域と、
　準中性領域と、
　少なくとも部分的に前記セルの前記準中性領域に位置付けされる低バンドギャップ吸収領域（ＬＢＡＲ）層、又は
改善されたトランスポート（ＩＴ）層
　
前記ＬＢＡＲ層又は前記ＩＴ層は
　       　　
２　引用文献  
　引用文献の記載事項及び引用発明は、上記「第２　３（３）及び（４）」に記載したとおりである。
　　
３　対比・判断　
（１）対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、以下の点で一致する。
　＜一致点＞
　「光起電力セルを含むオプトエレクトロニクス素子であって、前記光起電力セルは、
　空間電荷領域と、
　準中性領域と、
　少なくとも部分的に前記セルの前記準中性領域に位置付けされる改善されたトランスポート（ＩＴ）層とを含み、
　前記ＩＴ層は、第１バンドギャップと、前記光起電力セルの平均格子定数に対し第１の歪み量とを有する第１層型の一又は複数の層を含み、さらに、前記第１バンドギャップよりも大きい第２バンドギャップと、第２の歪み量とを有する第２層型の一又は複数の層を含み、前記第２層型の前記層が前記第１層型の前記層に対し引張歪み状態にあり、前記第１層型の前記層の歪みと、前記第２層型の前記層の歪みとはバランスがとれているため、いずれの型の前記層もシュードモルフィックのままであり、当該層が成長する成長基板とコヒーレント格子構造が保持され、いずれの型の前記層も
所定の結晶欠陥面密度
（２）一方、両者は、以下の点で相違する。 
　＜相違点Ａ＞ 
　所定の結晶欠陥面密度に関して、
　本願発明は、「１０６ｃｍ−２よりも低い」のに対して、
　引用発明は、不明である点。 
（３）判断
　上記＜相違点Ａ＞は、上記＜相違点２＞と実施的に同じである。
　そうすると、上記「第２　３（５）及び（６）」で対比・判断したとおり、本願発明も、同様の理由により、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
４　まとめ
　よって、本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 　　　　　 　  
第４　むすび  
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本件出願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。