【事件の表示】
　特許第３１７０４４６号「アクティブマトリクス基板及び液晶表示装置」の請求項１、２、４ないし６、８、１３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１７０４４６号の請求項１、２、４ないし６、８、１３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　特許第３１７０４４６号の請求項１、２、４〜６，８，１３に係る発明についての出願は、平成８年２月２７日に特許出願され、平成１３年３月１６日にその発明についての特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人佐々実千代により特許異議の申立てがなされたものであり、その発明は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　絶縁性基板と、該絶縁性基板上にマトリクス状に配置された複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を制御する信号を該スイッチング素子に与える第１の信号配線と、該第１の配線に交差するように配置され、該スイッチング素子にデータ信号を与える第２の信号配線と、該スイッチング素子及び該第１及び第２の信号配線を覆うように形成され、コンタクトホールを有する層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成され、該コンタクトホールを通して該スイッチング素子に電気的に接続された絵素電極と、該層間絶縁膜上に形成された対向電極と、を有するアクティブマトリクス基板であって、該対向電極は、該第２の信号配線に沿って、該第２の信号配線に該層間絶縁膜を介して対向するように配置され、該絵素電極は該対向電極と同一の方向に沿って配置され、且つ該絵素電極及び該対向電極は、該絵素電極及び該対向電極が実質的に等間隔になるように交互に配置されている、アクティブマトリクス基板。
【請求項２】　各スイッチング素子に対応する１つの絵素領域は、少なくとも１つの絵素電極を含み、各絵素電極は２本の前記対向電極によって挟まれている、請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】　前記対向電極の幅は前記第２の信号配線の幅よりも広く、且つ該対向電極の配線幅が該第２の信号配線を完全に覆うように形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】　前記対向電極は、前記層間絶縁膜を介し、全ての前記第２の信号配線上に形成されている、請求項１〜４に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】　前記第２の信号配線上以外にも、前記絵素電極の間に配置された対向電極を更に有する、請求項５に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】　前記絵素電極と交差するように配置され、該絵素電極との間に補助容量を形成する共通電極を有しており、前記対向電極は、該共通電極に電気的に接続されている、請求項７に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１３】　請求項１〜８のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、対向基板と、該アクティブマトリクス基板及び対向基板との間に挟持された液晶層と、を備えた液晶表示装置。」（このうち、請求項１に係る発明を、以下、「本件発明」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　異議申立人が提出した甲第１号証である特開平７−３６０５８号公報（以下、「刊行物１」という。）には、
「〔実施例１〕
　図１〜図４は本発明の第１の実施例の動作原理を示す単位画素の断面図及び平面図である。ガラス基板１上にＣｒよりなるゲート電極１０およびコモン電極（共通電極）１６を形成し、これらの電極を覆うように窒化シリコン（ＳｉＮ）膜からなるゲート絶縁膜２０を形成した。ゲート電極１０上にゲート絶縁膜２０上を介して非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜３０を形成しトランジスタの能動層とする。前記ａ−Ｓｉ膜３０のパターンの一部に重畳するようにＭｏよりなるドレイン電極１４，ソース電極１５を形成し、これらすべてを被覆するようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜２３を形成した。以上よりなる単位画素をマトリックス状に配置したアクティブマトリックス基板の表面にポリイミドよりなる配向膜ORI1，ＯＲＩ２を形成し、表面にラビング処理を施した。同じくラビング処理を施した配向膜ＯＲＩ１，ＯＲＩ２を表面に形成した対向基板５０８と、前記アクティブマトリックス基板の間に棒状の液晶分子５１３を含む液晶組成物を封入し、二枚の基板の外表面に偏光板５０５を配置した。・・・ここで、ＴＦＴのゲート電極１０に電圧を印加してＴＦＴをオンとするとソース電極１５に電圧が印加し、ソース電極１５−コモン電極１６間に電界Ｅ１を誘起させると、図３および図４に示すように電界方向に液晶分子が向きを変える。」（段落番号【００１６】）、及び、
「〔実施例９〕
　図１３は本発明の第９の実施例の単位画素の平面図を示す。図１４は図１３中Ｃ−Ｃ′における断面図を示す。本実施例ではコモン電極の引出配線１６０は、前記第７の実施例と同様にゲート電極１０と同一の電極材料で構成し、コモン側駆動電極１６１は保護絶縁膜２３上に設けた新たな電極によって構成し、これらをスルーホールによって接続した。」（段落番号【００２７】）と記載され、
また、図１及び図２には、液晶表示装置の平面図及び断面図が、図１４には、基板上に設けられたコモン電極の引き出し配線１６０から、コンタクトホールを介してコモン側駆動電極に接続された液晶表示装置が、それぞれ示されている。
　同じく甲第２号証である特開平６−２０２１２７号公報（以下、「刊行物２」という。）には、
「本実施例の画素の構成を図９に示す。また、図１０に図９のＢ線における断面図を示す。ここで、信号配線２を共通電極５と電気的に接続された導電体５ｂで覆い、信号配線２と画素電極３または共通電極５との間にかかる電界をシールドする。信号配線２を覆う導電体５ｂは、走査配線１と同一材料で、走査配線と同時にパターニングしたものである。共通電極５とコンタクトをとるためにゲート絶縁膜である窒化シリコンにスルーホール８ａを開け、共通電極５とコンタクトを取った。また、画素電極３も、導電体５ｂと同層の走査配線１と同一材料で、走査配線と同時にパターニングした導電体３ｂとコンタクトを取った。したがって、液晶には導電体３ｂの導電体５ｂ間の電界が印加される。共通電極５の電位は一定電位であるので、画素電極３または共通電極５との間にかかる電界をふらつかせることはない。これにより、映像信号により変化する信号配線２の電位の変化による画素電極３または共通電極５との間にかかる電界のふらつきがなくなり、安定した表示を得ることができる。」（段落番号【００３２】）と記載され、
また、図９及び図１０には、導電体５ｂが共通電極５から信号配線２上に伸びている画素構成が示されている。
　同じく甲第３号証である特開平７−１２８６８３号公報（以下、「刊行物３」という。）には、
「図２(a)は本発明の第２の実施例の薄膜トランジスター集積装置の１画素部の構造を示す平面模式図、(b)は図中Ａ−Ｂで示す線での断面模式図、(c)はその電気的等価回路である。図２に示すゲートライン１，信号ライン２，ドレインライン３，対向電極ライン４，蓄積容量部５，蓄積容量６，液晶７，ＴＦＴ８，ゲート絶縁膜９，基板10，コンタクトホール11が主要構成要素である。これは、ソース・ドレインレベルの対向電極ライン４とゲートレベルの対向電極ライン４をゲートレベルの対向電極ライン４の上のゲート絶縁膜９に開口したコンタクトホール11を介して電気的に直接接続した構成をとり、各電極が平坦となっている。」（段落番号【００１６】）、及び、
「図２(a)に示すように、ドレインライン３と対向電極ライン４で形成される櫛形電極の電極間距離ａ1，ａ2，ａ3，ａ4はすべて12.5μmとし、ドレインライン３と対向電極ライン４の幅はすべて３μmとした。蓄積容量部５(図２(c)の蓄積容量６)は対向電極ライン４とドレインライン３との交差部に設けた。」（段落番号【００２０】）と記載され、
また、図２には、３本のドレインラインの間にそれぞれ２本の対向電極ラインを配置した画素が示されている。
　
３．対比・判断
３−１．請求項１に係る発明について
　刊行物１記載の発明におけるガラス基板、ＴＦＴ、ゲート電極、ドレイン電極及び保護絶縁膜が、本件発明における絶縁性基板、スイッチング素子、第１の信号配線、第２の信号配線及び層間絶縁膜に、それぞれ相当することは明らかである。
　また、本件発明では、液晶分子に電界をかける電極のうち、スイッチング素子と接続されているものが絵素電極、接続されていないものが対向電極であり、刊行物１には、「ＴＦＴのゲート電極１０に電圧を印加してＴＦＴをオンとするとソース電極１５に電圧が印加し、ソース電極１５−コモン電極１６間に電界Ｅ１を誘起させると、図３および図４に示すように電界方向に液晶分子が向きを変える。」（段落番号【００１６】）と記載されているから、刊行物１記載の発明におけるソース電極及びコモン電極が、それぞれ本件発明における絵素電極及び対向電極に相当する。
　これらを踏まえて、本件発明と刊行物１記載の発明とを比較すると、両者は下記（１）乃至（３）の点で相違し、その余の点では一致する。
　
（相違点）
（１）対向電極が、本件発明は、第２の信号配線に沿って、第２の信号配線に層間絶縁膜を介して対向するように配置されているのに対し、刊行物１記載の発明では、第２の信号配線に沿って配置されているものの、第２の信号配線に層間絶縁膜を介して対向するようには配置されていない点
（２）本件発明は、絵素電極及び対向電極が、実質的に等間隔になるように交互に配置されているのに対し、刊行物１には、絵素電極及び対向電極の間隔について、特に明記されていない点
（３）絵素電極が、本件発明では、層間絶縁膜上に形成され、コンタクトホールを通してスイッチング素子に電気的に接続されているのに対し、刊行物１記載の発明では、層間絶縁膜の下に形成され、コンタクトホールを通さずにスイッチング素子に電気的に接続されている点
　以下、これらの相違点について、検討する。
（１）の点について
　刊行物２には、「液晶には導電体３ｂの導電体５ｂ間の電界が印加される。」（段落番号【００３２】）と記載されており、また、その図９から、導電体３ｂにスイッチング素子が接続されていることが読みとれるから、刊行物２記載の発明における導電体３ｂ及び導電体５ｂは、それぞれ本件発明における絵素電極及び対向電極に相当する。
　そして、刊行物２の図９及び図１０に記載された画素は、共通電極５と接続された導電体５ｂが、信号配線２をシールドするために、ゲート絶縁膜７を介して信号配線２（本件発明における「第２の信号配線」に相当。）を覆うように伸びているので、刊行物２記載の発明は、本件発明のように、対向電極が信号配線に沿って第２の信号配線に層間絶縁膜を介して対向するように配置されているものではないし、刊行物２記載の発明から、この点を当業者が容易に想定できたとの根拠も見当たらない。さらに、本件発明は、この点により、特許明細書記載の「ソース信号線８の配線幅が余分に開口部を占領することなく開口部の面積を大きくすることができる。」（特許明細書段落番号【００５９】）という効果を奏するものである。
　また、刊行物１及び３記載の発明からも、上記点を当業者が容易に想定できたとの根拠が見当たらない。
（２）の点について
　刊行物３には、ドレインライン（本件発明における「絵素電極」に相当。）及び対向電極ライン（本件発明における「対向電極」に相当。）の間隔を等間隔とする技術が開示されている。
　しかしながら、刊行物３の図２から、刊行物３記載された発明は、１画素中に、ドレインラインが３本、対向電極ラインが２本配置されていると読みとれるから、該発明は、画素の両端のドレインラインと隣の画素との間隔における電界まで、ドレインラインと対向電極ラインとの間の電界と実質的に等しくできるものではない。
　一方、本件発明は、全ての画素で絵素電極及び対向電極を実質的に等間隔になるように交互に配置したことにより、画素内の全ての部分で電界を実質的に等しくすることができ、画素領域内の視覚の違いや表示ムラを減少することができる。
　よって、絵素電極及び対向電極が、実質的に等間隔になるように交互に配置されている点は、刊行物３記載の発明から、当業者が容易に想定し得たものではなく、かつ、刊行物１及び２記載の発明からも、この点を当業者が容易に想定できたとの根拠が見当たらない。
　相違点（１）、（２）の点については以上のとおりであり、相違点（３）を検討するまでもなく、本件発明は、申立人が提出した刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に違反しているとはいえない。
　
３−２．請求項２、４〜６，８，１３に係る発明について
　請求項２、４〜６，８，１３に係る発明は、請求項１に係る発明の構成要件を全て含んでいるから、３−１で述べた理由により、申立人が提出した刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に違反しているとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２７日（２００２．２．２７）