【事件の表示】
　特許第３１３３９６１号「耐蝕性部材、その使用方法およびその製造方法」の請求項１〜１１に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１３３９６１号の請求項１〜１１に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．本件の手続の経緯
　本件特許第３１３３９６１号は、平成３年５月２８日に出願された特願平３−１５０９３２号に基づいて国内優先権を主張して、平成４年２月１３日に出願された特願平４−５８７２７号の一部を特許法第４４条第１項の規定により新たな特許出願として平成９年６月２日に出願されたものであって、その後、平成１２年１１月２４日に設定登録され、これに対し、平成１３年８月１３日に高柳馨から特許異議の申立がなされたものである。
２．本件発明
　本件発明は、設定登録時の本件明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１１に記載された次のものである。
［請求項１］２４１℃以上、１１００℃以下の温度領域で、解離したハロゲン系腐蝕性ガスに対して暴露される耐蝕性部材であって、
窒化アルミニウム焼結体からなる基材と、この基材の表面に生成しているアルミニウムフッ化物膜とを備えていることを特徴とする、耐蝕性部材。
［請求項２］前記アルミニウムフッ化物が三フッ化アルミニウムであることを特徴とする、請求項１記載の耐蝕性部材。
［請求項３］前記耐蝕性部材が、３００℃以上の温度領域で、解離したハロゲン系腐蝕性ガスに対して暴露される耐蝕性部材であることを特徴とする、請求項１または２記載の耐蝕性部材。
［請求項４］前記耐蝕性部材が、２４１℃以上、５９１℃以下の温度領域で、解離したハロゲン系腐蝕性ガスに対して暴露される耐蝕性部材であることを特徴とする、請求項１または２記載の耐蝕性部材。
［請求項５］前記ハロゲン系腐蝕性ガスがフッ素含有腐蝕性ガスのプラズマであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の耐蝕性部材。
［請求項６］前記フッ素含有腐蝕性ガスが、ＣｌＦ３、ＮＦ３およびＷＦ６からなる群より選ばれる一種以上のフッ素含有腐蝕性ガスであることを特徴とする、請求項５記載の耐蝕性部材。
［請求項７］前記ハロゲン系腐蝕性ガスが、塩素含有腐蝕性ガスを含有する成膜用ガスであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一つの請求項に記載の耐蝕性部材。
［請求項８］半導体製造装置内で前記ハロゲン系腐蝕性ガスに暴露される、半導体製造装置用の請求項１〜７のいずれか一つの請求項に記載の耐蝕性部材。
［請求項９］請求項８記載の耐蝕性部材を、前記半導体製造装置内で、前記ハロゲン系腐蝕性ガスに２４１℃以上、１１００℃以下の温度で曝露させることを特徴とする、耐蝕性部材の使用方法。
［請求項１０］前記半導体製造装置が半導体膜を成膜するための化学的気相成長装置であり、前記耐蝕性部材が半導体ウエハーを保持するための耐蝕性部材であり、前記耐蝕性部材および前記半導体ウエハーを前記化学的気相成長装置内で成膜用ガスに２４１℃以上、１１００℃以下の温度で曝露させることによって前記半導体ウエハーに成膜を行った後、前記耐蝕性部材および前記半導体ウエハーを前記ハロゲン系腐蝕性ガスからなるクリーニングガスに対して２４１℃以上、１１００℃以下の温度で曝露することを特徴とする、請求項９記載の耐蝕性部材の使用方法。
［請求項１１］解離したハロゲン系腐蝕性ガスに対して暴露される耐蝕性部材を製造する方法であって、
窒化アルミニウム焼結体からなる基材を、２４１℃以上、１１００℃以下で、解離したフッ素ラジカルを含むフッ素系腐蝕性ガスに対して暴露することによって、前記基材の表面にアルミニウムフッ化物膜を生成させることによって前記耐蝕性部材を得ることを特徴とする、解離したハロゲン系腐蝕性ガスに対する耐蝕性部材の製造方法。
３．特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人高柳馨は、甲第１〜５号証を提出して、次のような主旨の主張をしている。
　「本件請求項１〜１１に係る発明は、本件特許の出願前に頒布された刊行物である甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。」
４．甲第１号証および甲第２号証の記載
　甲第１号証（特開平２−７００６６号公報）には、次の記載がある。
（イ−１）「接地基板電極を構成する金属製均熱板を有し、この金属製均熱板を加熱するための加熱手段を有するサセプタと、このサセプタ上の接地基板電極に対峙する高周波電極とを有するプラズマＣＶＤ装置において、前記サセプタ上の金属製均熱板の周囲は非金属系絶縁材のカバーで包囲されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。」（特許請求の範囲第１項）
（イ−２）「非金属系絶縁材のカバーは炭化ケイ素から構成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。」（特許請求の範囲第２項）
（イ−３）「前記のように、本発明のプラズマＣＶＤ装置においては、均熱板の周囲に配設される絶縁カバーが炭化ケイ素のような非金属絶縁材から構成されている。
　従来のサセプタの絶縁カバーで膜が剥離する原因は未だ正確に解明されていないので推測の域を出ないが、絶縁カバーの表面にフッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）が出来ているためと思われる。
　プラズマエッチングクリーニングに使用されるフロン−１４（ＣＦ４）と絶縁カバーの材質のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とが反応し、ＡｌＦ３が生成され、絶縁カバー全体を薄く覆ってしまうものと思われる。ＡｌＦ３は表面エネルギーが小さいために、この上にプラズマシリコン酸化膜またはプラズマシリコン窒化膜が堆積して膜厚が厚くなっていくと膜剥離が起こるものと考えられる。」（第２頁左下欄第９行〜同頁右下欄第４行）
（イ−４）「従来の金属のアルミナに代えて、非金属の炭化ケイ素（ＳｉＣ）を使用すれば前記のような問題は起こらない。ＳｉＣとＣＦ４とが反応するとＳｉＦ４が生成するが、この物質は常温で気体であり、しかも、反応室内は高真空状態なので絶縁カバー表面に付着していることは不可能である。従って、ＳｉＣ絶縁カバー表面に、表面エネルギーの小さな物質が生成されることはない。
　かくして、従来のような膜剥離による異物増加や膜質の低下は効果的に防止される。その結果、半導体デバイス製造上の歩留り低下を防止することができる。」（第２頁右下欄第５〜１６行）
（イ−５）「サセプタの中心には金属製の均熱板３４があり、その周囲に炭化ケイ素の絶縁カバー３６が配設されている。」（第３頁右上欄第２〜４行）
（イ−６）「絶縁カバーの材質としては、ＣＦ４によるプラズマエッチングクリーニングの際にカバー表面に低表面エネルギーの膜が形成されないものであれば全て使用できる。」（第３頁右上欄第１２〜１５行）
　甲第２号証（特開昭６３−１４００８５号公報）には、以下の記載がある。
（ロ−１）「半導体ウエハー、単結晶サファイアなどの板状体を載置し、該板状体表面に膜を被着する装置であって、上記板状体を載置する台座が２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導係数をもったセラミック材から成ることを特徴とする成膜装置。」（特許請求の範囲第１項）
（ロ−２）「上記セラミック材がアルミナ、炭化珪素系焼結体、窒化アルミ焼結体である特許請求の範囲第１項記載の成膜装置。」（特許請求の範囲第２項）
（ロ−３）「ところで、載置台１は、第１図に示した載置台Ｄと同様の回転テーブル型式の基板電極Ｓ上に載せられた状態にて回転（公転）し、また必要に応じて自転するようにして使用されるが、この際基板電極ＳはヒータＨによって加熱され、載置台１を介して板状体Ｐを加熱する必要があるため、まず、熱伝導率が大きく、耐熱、耐蝕性の大きいことが要求される。」（第２頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第４行）
（ロ−４）「さらに成膜した板状体を載置台１に乗せたまま弗酸による洗浄をくり返したが本発明実施例による窒化アルミニウム、炭化珪素、アルミナの各セラミック材製の載置台１は比較的浸蝕されたり、変色することなくくり返し使用可能であった。」（第２頁右下欄第１３〜１７行）
５．当審の判断
　上記（イ−１）〜（イ−６）の記載を総合する、甲第１号証には、
プラズマＣＶＤ装置のサセプタ上の金属製均熱板の周囲を包囲する非金属系の絶縁カバーが、フロン１４（ＣＦ４）を使用するプラズマエッチングクリーニング処理を受けること、また、非金属系の絶縁カバーは、具体的には、炭化ケイ素で構成されていることが記載されており、そして、ＣＦ４を使用するプラズマエッチングクリーニング処理においては、ハロゲン系腐蝕性ガスの１種であるＣＦ４は、プラズマ状態で解離しており、また、具体的に挙げられている炭化ケイ素の絶縁カバーは、プラズマ状態で解離したハロゲン系腐蝕性ガスの１種であるＣＦ４に対し、実際に使用できるのであるから、実用上耐蝕性のある部材であるといえる。
　そこで、本件請求項１に係る発明の耐蝕性部材と、甲第１号証に記載された炭化ケイ素の絶縁材カバーを比較すると、両者は、解離したハロゲン系腐蝕性ガスに対して暴露される耐蝕性部材である点で一致しているものの、両者は、次の点で相違している。
（１）前者は、２４１℃以上、１１００℃以下の温度領域で、解離したハロゲン系腐食性ガスに対して暴露される耐腐蝕性部材であるのに対し、後者は、ハロゲン系腐食性ガスに対して暴露される際の温度領域が不明である点。
（２）前者は、基材が窒化アルミニウム焼結体であるのに対し、後者は、炭化ケイ素である点。
（３）前者は、基材の表面に生成しているアルミニウムフッ化物膜を備えているのに対し、後者は、上記（イ−４）の「ＳｉＣとＣＦ４とが反応するとＳｉＦ４が生成するが、この物質は常温で気体であり、しかも、反応室内は高真空状態なので絶縁カバー表面に付着していることは不可能である。」という記載から分かるように、ＳｉＦ４と反応しても膜は形成されない点。
　そこで、まず、上記（３）の相違点につき検討する。
　本件明細書（表３の記載等）の記載によれば、本件発明は、耐蝕性部材において、「基材の表面に生成しているアルミニウムフッ化物膜を備えている」ことにより、その余の構成と相俟って、エッチング処理に際しても、耐蝕性に優れ、半導体不良の原因となるパーテクル発生を抑制することができたものである。
　これに対して、甲第２号証には、板状体を載置する台座である載置台１を、窒化アルミ焼結体で構成すること、および、その部材は、耐蝕性が大きいことが要求されることが記載されているから、甲第２号証には、窒化アルミニウム焼結体からなる耐蝕性部材が記載されており、また、そこには、成膜した板状体を載置台１に乗せたまま弗酸による洗浄をくり返した（上記（ロ−４）を参照）ことが記載されているものの、その耐蝕性部材（載置台１）の窒化アルミ焼結体の表面にアルミニウムフッ化物膜が生成することまでは示されない。
　そして、甲第３号証（特開昭６１−１９８６２８号公報）、甲第４号証（特開平１−３０７７６３号公報）および甲第５号証（特開平２−２４０２６７号公報）には、それぞれ、タングステン膜の選択成長方法、支持体ホルダーの処理方法、および、ＣＶＤ装置の残留ガス除去方法に関する発明が記載されているものの、それらには、耐蝕性部材として、窒化アルミニウム焼結体を使用すること、ひいては、窒化アルミニウム焼結体の表面にアルミニウムフッ化物膜を備えることが記載されないし、また、窒化アルミニウム焼結体の表面にアルミニウムフッ化物膜を備えることにより、エッチング処理に際しても、耐蝕性に優れ、半導体不良の原因となるパーテクル発生を抑制できることにつきにつき教示するものはない。
　そうすると、甲第２〜５号証では、上記（３）の相違点に関する構成を甲第１号証に記載のものに適用する根拠が示されないことになる。
　
　なお、特許異議申立人は、特許異議申立書第１３頁４〜２５行で、甲第１号証には、「プラズマＣＶＤ装置」の「絶縁カバー」の材質に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いること、及び、このような材質の「絶縁カバー」がプラズマ化した（解離した）ＣＦ４に晒されるとＡｌＦ３が生成され、「絶縁カバー」全体を薄く覆うことが示されており、甲第１号証におけるＡｌＦ３膜は、「アルミニウムフッ化物膜」に相当するものであり、また、甲第２号証には、成膜装置に関する発明が開示されており、載置台１の材質として、アルミナと窒化アルミニウムの各セラミック材料をともに用いることができる点が開示されているから、甲第１号証に開示された「絶縁カバー」の材質として、アルミナに代えて窒化アルミニウムのセラミック材料（窒化アルミニウム焼結体）を用いることは当業者の適宜なし得ることであるというような趣旨のことを主張している。しかし、上記（イ−３）の「前記のように、本発明のプラズマＣＶＤ装置においては、均熱板の周囲に配設される絶縁カバーが炭化ケイ素のような非金属絶縁材から構成されている。従来のサセプタの絶縁カバーで膜が剥離する原因は未だ正確に解明されていないので推測の域を出ないが、絶縁カバーの表面にフッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）が出来ているためと思われる。プラズマエッチングクリーニングに使用されるフロン−１４（ＣＦ４）と絶縁カバーの材質のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とが反応し、ＡｌＦ３が生成され、絶縁カバー全体を薄く覆ってしまうものと思われる。ＡｌＦ３は表面エネルギーが小さいために、この上にプラズマシリコン酸化膜またはプラズマシリコン窒化膜が堆積して膜厚が厚くなっていくと膜剥離が起こるものと考えられる。」という記載から分かるように、甲第１号証においては、プラズマエッチングクリーニングに使用されるフロン−１４（ＣＦ４）と従来の絶縁カバーの材質のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）とが反応して生成し、絶縁カバー全体を薄く覆ってしまうＡｌＦ３は、表面エネルギーが小さいために、この上にプラズマシリコン酸化膜またはプラズマシリコン窒化膜が堆積して膜厚が厚くなっていくと膜剥離が起こるものと考えられており、このように、そのＡｌＦ４は生成すると障害になると認識されているものである。したがって、甲第１号証のこのような記載から、甲第１号証の従来技術として記載されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を、甲第２号証に記載された窒化アルミニウム焼結体に代えて、その、窒化アルミニウムからなる基材の表面に、障害となるところのアルミニウムフッ化物膜を、敢えて備えようとすることは、当業者であれば、とても想到することができないものである。
　
　以上のとおり、上記（３）の相違点に関する構成を適用することが当業者の容易になしうることではない。
　してみると、上記（１）及び（２）の相違点については判断するまでもなく、本件請求項１に係る発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　また、本件請求項２〜１０に係る発明は、直接または間接的に、本件請求項１を全て引用するものであり、したがって、本件請求項２〜１０に係る発明も、本件請求項１に係る発明で記載した上記理由と同じ理由により、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　更に、本件請求項１１に係る発明では、耐腐蝕性部材が２４１℃以上、１１００℃以下の温度領域で、解離したハロゲン系腐食性ガスに対して暴露され、かつ、窒化アルミニウム焼結体からなる基材の表面にアルミニウムフッ化物膜を生成させて耐蝕性部材とするというものであって、上記（３）の相違点に関する構成を含む本件請求項１に係る発明の構成を、実質上、具備するものであり、したがって、上記する理由と同じ理由により、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
６．結び
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由および証拠によっては、本件請求項１〜１１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件請求項１〜１１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月１３日（２００２．２．１３）