(57)【要約】【課題】従来の小型基板のみならず、大型の基板に対しても各部での噴出量が均一化され、かつ均熱性の担保された材料ガスを噴出し、均一な薄膜を成膜させることができる蒸着ヘッドおよび該蒸着ヘッドを備える成膜装置を提供する。【解決手段】基板に薄膜を成膜する蒸着処理装置内に設けられ、基板に向けて材料ガスを噴出させる蒸着ヘッドであって、外側ケーシングと、前記外側ケーシング内に配置され、材料ガスが導入される内側ケーシングとを備え、前記内側ケーシングには、基板に向けて材料ガスを噴出させる開口部が形成され、前記外側ケーシングの外面または前記外側ケーシングと前記内側ケーシング間に材料ガスを加熱するヒータが配設される、蒸着ヘッドが提供される。
2010114118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に薄膜を成膜する蒸着処理装置内に設けられ、基板に向けて材料ガスを噴出させる蒸着ヘッドであって、
外側ケーシングと、前記外側ケーシング内に配置され、材料ガスが導入される内側ケーシングとを備え、
前記内側ケーシングには、基板に向けて材料ガスを噴出させる開口部が形成され、
前記外側ケーシングの外面または前記外側ケーシングと前記内側ケーシングの間に材料ガスを加熱するヒータが配設される、蒸着ヘッド。
【請求項２】
前記ヒータが前記外側ケーシングと前記内側ケーシング間に配置される板部材に固定される、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項３】
前記ヒータが前記外側ケーシングまたは前記内側ケーシングの側面において周辺部に沿って配置される、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項４】
前記ヒータはシースヒータまたはカートリッジヒータである、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項５】
前記外側ケーシングと前記内側ケーシングの少なくとも一方には、前記外側ケーシング内面と前記内側ケーシング外面とを部分的に接触させるスペーサー部材が形成される、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項６】
前記外側ケーシングと前記内側ケーシングの間には密閉空間が形成され、
前記ヒータは前記密閉空間内に設けられ、
前記密閉空間には揮発性の液体が封入されている、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項７】
前記外側ケーシングの熱伝導が、前記内側ケーシングの熱伝導と同等か、それよりも高い、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項８】
前記スペーサー部材が前記外側ケーシングおよび前記内側ケーシングの一方または両方に形成され、前記外側ケーシングに形成される前記スペーサー部材と、前記内側ケーシングに形成される前記スペーサー部材は別部材で構成される、請求項５に記載の蒸着ヘッド。
【請求項９】
前記スペーサー部材は、プレス成形により形成される複数の突起部、または充填材である、請求項５に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１０】
前記プレス成形はエンボス加工または溶接加工である、請求項９に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１１】
前記外側ケーシングの材質はステンレス鋼または銅からである、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１２】
前記内側ケーシングの材質はステンレス鋼である、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１３】
前記内側ケーシングの少なくとも一部の板厚が３ｍｍ以下である、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１４】
前記内側ケーシングの内部にガス分散板を備える、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１５】
前記ガス分散板はメッシュ状のバッフル板またはパンチングメタルである、請求項１４に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１６】
前記内側ケーシングおよび前記外側ケーシングの一方または両方に熱伝導性被膜が施されている、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１７】
前記熱伝導性被膜は少なくとも前記内側ケーシングの外面に施されている、請求項１６に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１８】
前記開口部には、材料ガスを均一に噴射させる噴射板が設置されている、請求項１に記載の蒸着ヘッド。
【請求項１９】
前記噴射板には、材料ガスを噴出するスリットが設けられている、請求項１８に記載の蒸着ヘッド。
【請求項２０】
前記噴射板には、材料ガスを噴出する噴射孔が設けられている、請求項１８に記載の蒸着ヘッド。
【請求項２１】
前記噴射板はステンレス鋼板、ステンレスブロック、銅板または銅ブロックである、請求項１８に記載の蒸着ヘッド。
【請求項２２】
基板に有機薄膜を成膜する蒸着処理装置であって、
基板を収納する処理容器と、
前記処理容器の内部において、基板に向けて材料ガスを噴出させる開口部を有する、請求項１に記載の蒸着ヘッドを備える、蒸着処理装置。
【請求項２３】
材料ガスを輸送するキャリアーガスを供給するキャリアーガス供給部を備える、請求項２２に記載の蒸着処理装置。
【請求項２４】
前記処理容器の内部が減圧される、請求項２２に記載の蒸着処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬ素子の製造において有機膜を蒸着するのに用いられる蒸着ヘッドおよび該蒸着ヘッドを備える蒸着処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した有機ＥＬ素子が開発されている。有機ＥＬ素子は、ブラウン管等に比べて消費電力が小さく、また、自発光なので、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）等に比べて視野角に優れている等の利点があり、今後の発展が期待されている。【０００３】
この有機ＥＬ素子の最も基本的な構造は、ガラス基板上にアノード（陽極）層、発光層およびカソード（陰極）層を重ねて形成したサンドイッチ構造である。発光層の光を外に取り出すために、ガラス基板上のアノード層には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極が用いられる。かかる有機ＥＬ素子は、表面にＩＴＯ層（アノード層）が予め形成されたガラス基板上に、発光層とカソード層を順に成膜し、更に封止膜層を成膜することによって製造されるのが一般的である。【０００４】
以上のような有機ＥＬ素子の製造は、一般的に、発光層や、カソード層、封止膜層等を成膜させる種々の成膜処理装置や、エッチング装置等を備える処理システムによって行われる。【０００５】
例えば上記発光層を成膜させる方法として、材料ガスを材料ガス供給源から蒸着ヘッドに供給し、蒸着ヘッドからガラス基板に向けて材料ガスを噴出させ、蒸着させる方法が一般的に知られている。【０００６】
そこで、特許文献１には、図２に示す、多数個の貫通孔４０を分散配置した１枚の分散板４１を内部に設けた蒸着ヘッド２０と、図３に示す、材料ガス投入口４３から連通するガス流路が分岐し、内部に複数の分岐流路４４が構成される蒸着ヘッド２０が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−７９９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、図２に示した、分散板を用いた蒸着ヘッドを用いて有機膜の成膜を行う場合、蒸着ヘッド内に材料ガスの供給が行われる供給口からの距離によって、分散板の貫通孔を通過する材料ガスの量は異なるものとなってしまう。また、材料ガスの均熱性については考慮されていないため、供給口からの距離によって材料ガスの温度にばらつきが生じてしまい、基板において十分に均一な成膜が行われないという問題点があった。【０００８】
また、図３に示した、分岐流路が内部に構成される蒸着ヘッドを用いた有機膜の成膜は、２０インチ程度の小型ディスプレイに対応する小型基板を対象としており、近年生産が求められている例えば従来の４．６倍の大きさである大型ディスプレイ等に用いる大型ガラス基板への成膜の際には、蒸着ヘッドも相応に大型のものが必要となる。大型の蒸着ヘッドにおいて、内部に分岐流路を設けようとすると、流路の分岐数が極めて多いものとなり、蒸着ヘッドの製作期間が長期化するとともに、製作コストが増大してしまうという問題点があった。さらに、分岐流路の分岐数が多くなると、流路内を通過する材料ガスの温度分布に大きなばらつきが生まれ、低温となった材料ガスが流路内に析出してしまう等の可能性があった。【０００９】
そこで、本発明の目的は、従来の小型基板のみならず、大型の基板に対しても各部での流出量が均一化され、かつ均熱性の担保された材料ガスを噴出し、均一な薄膜を成膜させることができる蒸着ヘッドおよび該蒸着ヘッドを備える蒸着処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によれば、基板に薄膜を成膜する蒸着処理装置内に設けられ、基板に向けて材料ガスを噴出させる蒸着ヘッドであって、外側ケーシングと、前記外側ケーシング内に配置され、材料ガスが導入される内側ケーシングとを備え、前記内側ケーシングには、基板に向けて材料ガスを噴出させる開口部が形成され、前記外側ケーシングの外面または前記外側ケーシングと前記内側ケーシング間に材料ガスを加熱するヒータが配設される、蒸着ヘッドが提供される。【００１１】
また、前記ヒータが前記外側ケーシングと前記内側ケーシング間に配置される板部材に固定されていてもよく、前記ヒータが前記外側ケーシングまたは前記内側ケーシングの側面において周辺部に沿って配置されていてもよい。また、前記ヒータは、例えばシースヒータまたはカートリッジヒータであってもよい。また、前記外側ケーシングと前記内側ケーシングの少なくとも一方には、前記外側ケーシング内面と前記内側ケーシング外面とを部分的に接触させるスペーサー部材が形成されていてもよい。さらには、前記外側ケーシングと前記内側ケーシングの間には密閉空間が形成され、前記ヒータは前記密閉空間内に設けられ、前記密閉空間には揮発性の液体が封入されていてもよい。【００１２】
また、前記外側ケーシングの熱伝導が、前記内側ケーシングの熱伝導と同等か、それよりも高くてもよい。かかる蒸着ヘッドにあっては、外側ケーシングの熱伝導が高いため、ヒータの熱が外側ケーシング全体に速やかに伝導し、外側ケーシング全体が均一に加熱される。そして、外側ケーシング内面と内側ケーシング外面と部分的に接触させているスペーサー部材を介して、外側ケーシングから内側ケーシングに熱が伝導し、内側ケーシングが加熱される。この場合、外側ケーシング内面と内側ケーシング外面とを接触させているスペーサー部材が外側ケーシングもしくは内側ケーシングの全体に分布して形成されているので、内側ケーシング全体にほぼ均一に熱が伝導し、内側ケーシング全体が均一に加熱される。これにより、内側ケーシング内に導入された材料ガスが同様の条件で加熱され、内側ケーシング内における材料ガスの温度が均一となる。こうして均一な温度となった材料ガスが開口部から基板に向けて噴出され、均一な成膜が行われる。【００１３】
また、前記スペーサー部材が前記外側ケーシングおよび前記内側ケーシングの一方または両方に形成され、前記外側ケーシングに形成される前記スペーサー部材と、前記内側ケーシングに形成される前記スペーサー部材は別部材で構成されてもよい。また、前記スペーサー部材は、プレス成形により形成される複数の突起部、または充填材であってもよい。【００１４】
前記プレス成形は、例えばエンボス加工または溶接加工である。また、前記外側ケーシングの材質は、例えばステンレス鋼または銅であり、前記内側ケーシングの材質は、例えばステンレス鋼である。また、前記内側ケーシングの少なくとも一部の板厚は３ｍｍ以下が好ましい。また、前記内側ケーシングの内部にガス分散板を備えていても良い。その場合、前記ガス分散板は、例えばメッシュ状のバッフル板またはパンチングメタルである。【００１５】
また、前記内側ケーシングおよび前記外側ケーシングの一方または両方に熱伝導性被膜が施されていてもよく、前記熱伝導性被膜は少なくとも前記内側ケーシングの外面に施されていてもよい。さらにまた、前記開口部には、材料ガスを均一に噴射させる噴射板が設置されていてもよい。ここで、前記噴射板には、材料ガスを噴出するスリットが設けられていてもよく、また、材料ガスを噴出する噴射孔が設けられていてもよい。なお、前記噴射板はステンレス鋼板、ステンレスブロック、銅板または銅ブロックであることが好ましい。【００１６】
また、別の観点からの本発明によれば、基板に有機薄膜を成膜する蒸着処理装置であって、基板を収納する処理容器と、前記処理容器の内部において、基板に向けて材料ガスを噴出させる開口部を有する、上記蒸着ヘッドを備える、蒸着処理装置が提供される。ここで、前記蒸着処理装置は材料ガスを輸送する例えば不活性ガス等のキャリアーガスを供給するキャリアーガス供給部を備えていてもよく、前記処理容器の内部が減圧されても良い。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、従来の小型基板のみならず、大型の基板に対しても各部での流出量が均一化され、かつ均熱性の担保された材料ガスを噴出し、均一な成膜を行える蒸着ヘッドおよび該蒸着ヘッドを備える蒸着処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】蒸着を用いた成膜装置１の概略図である。
【図２】多数個の貫通孔４０を分散配置した１枚の分散板４１を内部に設けた蒸着ヘッド２０の説明図である。
【図３】材料ガス投入口４３から連通するガス流路が分岐し、内部に複数の分岐流路４４が構成される蒸着ヘッド２０の説明図である。
【図４】有機ＥＬ素子Ａの製造工程の説明図である。
【図５】蒸着処理装置６０の概略的な説明図である。
【図６】（ａ）は、蒸着ヘッド６６を斜め下方から見た斜視図である。（ｂ）は、蒸着ヘッド６６の下面図である。
【図７】外側ケーシング７０の斜視図である。
【図８】内側ケーシング７１の斜視図である。
【図９】ヒータ７７の設置についての説明図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態におけるヒータ７７の設置の一例を示す蒸着ヘッド６６ａの概略断面図である。
【図１１】ヒータ７７の設置形状の一例を示す蒸着ヘッド６６の側面図である。
【図１２】本発明の第２の他の実施の形態におけるヒータ７７の設置の一例を示す蒸着ヘッド６６ｂの概略断面図である。
【図１３】（ａ）は、スリット９６が設けられた噴射版９５ａを取り付けた蒸着ヘッド６６の概略図である。         （ｂ）は、噴射孔９７が設けられた噴射版９５ａを取り付けた蒸着ヘッド６６の概略図である。
【図１４】（ａ）密閉空間１００が形成された蒸着ヘッド６６の概略正面図である。（ｂ）密閉空間１００が形成された蒸着ヘッド６６の概略側面図である。
【図１５】実施例の結果を示す図である。
【図１６】実施例２の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００１９】
１…成膜装置
１０…チャンバ
１１…基板保持室
１２、５４…保持台
１３…真空ポンプ
１４…排気口
２０、６６、６６ａ、６６ｂ…蒸着ヘッド
３０…材料供給器
４０…貫通孔
４１…分散板
４３…材料ガス投入口
４４…分岐流路
５０…アノード層
５１…発光層
５２…カソード層
５３…封止膜層
６０…蒸着処理装置
６１…処理容器
６２…ゲートバルブ
６３…排気ライン
６５…レール
６７…材料供給源
６８…材料供給管
７０…外側ケーシング（第１のケーシング）
７１…内側ケーシング（第２のケーシング）
７２、７３…開口面
７７、７８…ヒータ
８０…溝
８１…ヒータブロック
８２…材料ガス流入口
８３…バッフル板
８５…突起部
９０…板部材
９５…噴射板
９６…スリット
９７…噴射孔
１００…密閉空間
Ｇ…基板
Ｌ…液体
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。【００２１】
図１は、蒸着を用いた成膜装置１の概略図である。図１に示すように、成膜装置１はチャンバ１０とチャンバ１０の下方に設けられる基板保持室１１を備えており、チャンバ１０と基板保持室１１を跨ぐように蒸着ヘッド２０が設置されている。蒸着ヘッド２０は、基板保持室１１内において、材料ガスを噴出させる開口部２１を下方に向けて配置されている。また、基板保持室１１には、基板Ｇを水平に保持する保持台１２が設けられ、基板Ｇは成膜が行われる面を上にした状態（フェースアップ）で保持台１２に載置される。これにより、蒸着ヘッド２０の開口部２１が、基板Ｇの上面に対向するよう配置される。【００２２】
また、チャンバ１０には真空ポンプ１３により排気を行う排気口１４が設けられており、成膜時にはチャンバ１０および基板保持室１１の内部は真空状態にされる。蒸着ヘッド２０は、チャンバ１０の外部に設置される材料供給器３０と材料供給管３１を介して連通しており、材料供給管３１には材料ガスの供給を制御するバルブ３２が設けられている。材料供給管３１からは、バルブ３２を閉じた際のガスを退避させるための、真空ポンプ１３に連通するガス退避管３３が設けられ、ガス退避管３３にはバルブ３４が設けられる。また、蒸着ヘッド２０には、成膜終了後に蒸着ヘッド２０内に残留した材料ガスを回収するための、真空ポンプ１３に連通するガス出流れ管３５が設けられ、ガス出流れ管３５にはバルブ３６が設けられる。【００２３】
以上のように構成される成膜装置１の内部に設けられる蒸着ヘッド２０においては、基板Ｇに成膜される薄膜を均一なものとするために、材料供給器３０から供給された材料ガスを開口部２１から基板Ｇに向けて、できる限り流出量が均等で、かつ均熱性が担保された状態で噴出させることが求められる。【００２４】
また、図４は、本発明の実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６を用いた蒸着処理装置６０を含む種々の成膜装置によって製造される有機ＥＬ素子Ａの製造工程の説明図である。図４（ａ）に示すように、上面にアノード（陽極）層５０が成膜された基板Ｇが用意される。基板Ｇは、例えばガラス等よりなる透明な材料からなる。また、アノード層５０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明な導電性材料よりなる。なお、アノード層５０は、例えばスパッタリング法などにより基板Ｇの上面に形成される。【００２５】
先ず、図４（ａ）に示すように、アノード層５０の上に、発光層（有機層）５１が蒸着法によって成膜される。なお、発光層５１は、例えば、ホール輸送層、非発光層（電子ブロック層）、青発光層、赤発光層、緑発光層、電子輸送層を積層した多層構成などからなる。【００２６】
次に、図４（ｂ）に示すように、発光層５１の上に、例えばＡｇ、Ａｌ等からなるカソード（陰極）層５２が、例えばマスクを用いたスパッタリングにより形成される。【００２７】
次に、図４（ｃ）に示すように、カソード層５２をマスクにして、発光層５１を例えばドライエッチングすることにより、発光層５１がパターニングされる。【００２８】
次に、図４（ｄ）に示すように、発光層５１およびカソード層５２の周囲と、アノード層５０の露出部を覆うように、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる絶縁性の封止膜層５３が成膜される。この封止膜層５３の形成は、例えば、μ波プラズマＣＶＤ法によって行われる。【００２９】
このようにして、製造された有機ＥＬ素子Ａは、アノード層５０とカソード層５２の間に電圧を加えることによって、発光層５１を発光させることができる。かかる有機ＥＬ素子Ａは、表示装置や面発光素子（照明・光源等）に適用することができ、その他、種々の電子機器に用いることが可能である。【００３０】
次に、図４（ａ）に示した発光層５１を成膜する蒸着処理装置６０について図面を参照して説明する。なお、図４に示した図４（ａ）以外の成膜工程であるスパッタリング処理、エッチング処理、プラズマＣＶＤ処理については一般的な装置および方法を用いるため、それらの説明は省略する。【００３１】
図５は、本発明の実施の形態にかかる蒸着処理装置６０の概略的な説明図である。図５に示す蒸着処理装置６０は、蒸着によって図４（ａ）に示した発光層５１を含む有機層を成膜するものである。【００３２】
蒸着処理装置６０は、密閉された処理容器６１を有している。処理容器６１は、長手方向が基板Ｇの搬送方向とされる直方体形状であり、処理容器６１の前後面は、ゲートバルブ６２を介して、他の成膜処理装置等に接続されている。【００３３】
処理容器６１の底面には、真空ポンプ（図示せず）を有する排気ライン６３が接続され、処理容器６１の内部は減圧されるようになっている。また、処置容器６１の内部には、基板Ｇを水平に保持する保持台６４を有する。基板Ｇは、アノード層５０が形成された上面を上に向けたフェースアップの状態で、保持台６４に載置される。保持台６４は、基板Ｇの搬送方向に沿って配置されたレール６５上を走行し、基板Ｇを搬送するようになっている。【００３４】
処理容器６１の天井面には、複数（図５においては６つ）の蒸着ヘッド６６が基板Ｇの搬送方向にそって配置されている。各蒸着ヘッド６６には、発光層５１を成膜させる成膜材料の蒸気（材料ガス）を供給する複数の材料供給源６７が、材料供給管６８を介してそれぞれ接続されている。これら材料供給源６７から供給された成膜材料の蒸気を各蒸着ヘッド６６から噴出させながら、保持台６４上に保持した基板Ｇを搬送させることにより、基板Ｇの上面にホール輸送層、非発光層、青発光層、赤発光層、緑発光層、電子輸送層等が順次成膜されて、基板Ｇの上面に発光層５１が形成される。【００３５】
図６は蒸着ヘッド６６の概略的な説明図である。図６（ａ）は蒸着ヘッド６６を斜め下方から見た斜視図であり、図６（ｂ）は蒸着ヘッド６６の下面図である。図７は、蒸着ヘッド６６を構成する外側ケーシング７０の斜視図であり、図８は、内側ケーシング７１の斜視図である。なお、図５では、蒸着ヘッド６６が複数記載されているが、各蒸着ヘッド６６の構造は同様である。また、上述のように処理容器６１の内部において、保持台６４上にフェースアップの状態で水平に保持された基板Ｇの上面に、蒸着ヘッド６６の下面が対向している。ここで、本明細書において以下の説明では、外側ケーシング７０を第１のケーシング７０とし、内側ケーシング７１を第２のケーシング７１とする。【００３６】
第１のケーシング７０と第２のケーシング７１はいずれも直方体形状に形成されており、第１のケーシング７０は、第２のケーシング７１よりも僅かに大きく、蒸着ヘッド６６は、第１のケーシング７０の内部に第２のケーシング７１を配置した構成である。第１のケーシング７０の下面と第２のケーシング７１の下面は、開口面７２，７３になっており、第１のケーシング７０の下開口面７２から、第２のケーシング７１を挿入し、両者の開口面７２，７３を一致させた状態になっている。【００３７】
第１のケーシング７０は、第２のケーシング７１よりも熱伝導率の高い材料で構成されていてもよく、例えば銅からなる。第１のケーシング７０の上面（開口面７２と対向する側面）には、図５に示す材料供給源６７に連通する材料供給管６８が接続されている。【００３８】
第１のケーシング７０の側面７５，７６のうち、側面７６よりも面積の広い側面７５では、溝８０にヒータ７７が埋め込まれた状態になっている。ここで、ヒータ７７は四角形状の側面７５の周辺部に沿って配置されている。溝８０にヒータ７７を埋め込むことにより、第１のケーシング７０の側面７５とヒータ７７の接触面積を大きくし、熱伝導効率を上げている。【００３９】
なお、図示の例では、第１のケーシング７０の上面に接続された材料供給管６８の側面にも、溝８０を延長して、ヒータ７７を埋め込んだ構成になっている。【００４０】
ここで、溝８０に対するヒータ７７の埋め込み方法は、図９（ａ）のように、溝８０内にヒータ７７をはめ込むのみでもよいが、好ましくは、図９（ｂ）に示すように、ヒータ７７を溝８０内にはめ込んだ後に、溝８０の上方からプレスを行い、第１のケーシング７０の側面７５とヒータ７７を確実に接触させるとともに接触面積を大きくし、熱伝導効率を上げることが望ましい。【００４１】
一方、第１のケーシング７０の側面７５，７６のうち、側面７５よりも面積の狭い側面７６には、ヒータ７８を内蔵するヒータブロック８１が取り付けられている。ヒータブロック８１は、熱伝導に優れた材料で構成され、例えば銅からなる。ヒータブロック８１は、第１のケーシング７０の側面７６に面接触させられており、ヒータ７８からヒータブロック８１に伝導した熱が、第１のケーシング７０の側面７６全体に速やかに伝導するようになっている。【００４２】
内側ケーシング７１は、第１のケーシング７０よりも熱伝導率の低い材料で構成されていてもよく、例えばステンレス鋼からなる。内側ケーシング７１の上面（開口面７３と対向する側面）には、材料供給管６８から材料ガスが導入される材料ガス流入口８２が設けられている。【００４３】
また、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、第２のケーシング７１の内部において、開口面７３と材料ガス流入口８２の間を仕切るように、ガス分散板であるバッフル板８３が設けられている。バッフル板８３は、開口面７３から離れた位置において、第２のケーシング７１内に開口面７３に平行に配置されている。バッフル板８３は例えばメッシュ状であり、バッフル板８３の全体に、多数の孔８４が形成されている。なお、第２のケーシング７１内に配置されるバッフル板８３の枚数は、１枚又は複数枚の何れでも良く、その配置についても、第２のケーシング７１内の任意の位置でよい。バッフル板８３の配置・設置枚数等は、第２のケーシング７１内に材料ガスがより均一に拡散するように、材料ガスの流速や流量等により適宜変更しても良い。また、バッフル板８３は材料ガスを分散させることができる形状であればよく、メッシュ状以外の例えばパンチングメタル形状等であってもよい。【００４４】
図８に示すように、第２のケーシング７１には、スペーサー部材としての複数の突起部８５が全体に分布して形成されている。これら複数の突起部８５は、例えばエンボス加工などのプレス成形によって形成され、各突起部８５の高さはほぼ均一であり、第２のケーシング７１の外面全体に、複数の突起部８５が均一に分布して配置されている。上述のように、第１のケーシング７０の内部に第２のケーシング７１を挿入することにより、第１のケーシング７０の内面と第２のケーシング７１の外面とが、突起部８５の位置において部分的に接触した状態になっている。なお、本実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６においては、図８に示し、上述してきたように第２のケーシング７１にスペーサー部材としての突起部８５が形成されている場合を説明している。しかし、スペーサー部材（突起部８５）を設けずに、第１のケーシング７０から第２のケーシング７１への熱伝導が速やかに行われることが確認できる場合には、必ずしも第２のケーシング７１にスペーサー部材（突起部８５）を設ける必要はない。【００４５】
以上説明したように構成される、図５に示す蒸着ヘッド６６を備える蒸着処理装置６０の処置容器６１の内部において、図４に示すアノード層５０が形成された上面を上に向けたフェースアップの状態で、図５のように基板Ｇが保持台６４に載置され、レール６５上を搬送されていく。また一方、材料供給源６７から材料供給管６８を介して第２のケーシング７１内に成膜材料の蒸気（材料ガス）が導入される。そして、図６に示す材料ガス流入口８２から第２のケーシング７１内に導入された材料ガスが、バッフル板８３を通過する際に拡散され、ほぼ均一な状態で蒸着ヘッド６６の下面（開口面７２，７３）から図５のように基板Ｇの上面に対して噴出される。【００４６】
また一方、図６に示す蒸着ヘッド６６では、シースヒータまたはカートリッジヒータなどのヒータ７７、７８により、第１のケーシング７０の加熱が行われる。この場合、第１のケーシング７０は熱伝導の高い材料で構成されているため、ヒータ７７、７８の熱が第１のケーシング７０全体に速やかに伝導し、第１のケーシング７０全体が均一に加熱される。そして、第１のケーシング７０の内面と第２のケーシング７１の外面とを部分的に接触させている複数の突起部８５を介して、第１のケーシング７０から第２のケーシング７１に熱が伝導し、第２のケーシング７１が加熱される。この場合、第１のケーシング７０の内面と第２のケーシング７１の外面とを接触させている複数の突起部８５が第２のケーシング７１の全体に分布して形成されているので、第２のケーシング７１の全体にほぼ均一に熱が伝導し、第２のケーシング７１全体が均一に加熱される。これにより、第２のケーシング７１内に導入された材料ガスが、第２のケーシング７１内において同様の条件で加熱され、第２のケーシング７１内における材料ガスの温度が均一となる。こうして均一な温度となった材料ガスが図５に示すように蒸着ヘッド６６の下面（開口面７２，７３）から基板Ｇの上面に対して噴出される。【００４７】
即ち、本実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６によれば、図４に示すように、ガス流量の面およびガス温度の面の双方において、基板Ｇに対する噴出が均一（均熱）に行われ、基板Ｇには均一性の高い有機薄膜（発光層５１）が成膜される。また、従来の分岐流路を内部に設ける蒸着ヘッドと比較すると、本実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６は内部の均熱性が担保され、温度の低い部分における材料ガスの析出が防止される。【００４８】
一方、近年需要が増加している大型ディスプレイ等に用いる大型基板に対する材料ガスの噴出を行う場合、鋼材に削りだし等を施した板金構造とすることにより、分岐流路を内部に設ける蒸着ヘッドと比べ、本実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６は製作コストを大きく削減させることが可能となる。また、従来の小型ディスプレイのための小型基板に対する材料ガスの噴出を行う蒸着ヘッドにおいては高コストである面状ヒータ（マイカヒータ）を用いていたが、大型基板に適用する大型蒸着ヘッドにおいては、面状ヒータを用いるとその面積が大きいため、コスト面で問題がある。そこで、本実施の形態に示したシースヒータまたはカートリッジヒータなどのパイプ型のヒータ７７、７８を併用することにより、コストを抑えると共に、蒸着ヘッド内の均熱性を担保することができる。【００４９】
以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。【００５０】
例えば、上記実施の形態においては、有機ＥＬ素子Ａを製造する場合についての蒸着処理装置６０を例として説明したが、各種電子デバイス等の処理において、例えばＬｉ蒸着等、蒸着法によって成膜が行われる場合には、本発明を適用することが可能である。また、処理対象である基板Ｇは主にガラス基板が例示されるが、シリコン基板、角形基板、丸形基板等でも良く、また基板以外の被処理体についても本発明は適用できる。【００５１】
なお、本実施の形態では蒸着ヘッド６６の側面７５、７６の双方にヒータ７７（溝８０）、７８（ヒータブロック８１）が設けられているとしたが、本発明はこれに限らず、１つの面のみにヒータ７７（７８）を設けてもよい。つまり、側面７５、７６におけるヒータ７７、７８の一方を省略してもよい。さらに、ヒータ７７、７８の形状や数、配置箇所についても、蒸着ヘッド６６の加熱時温度分布を測定することで、好適に変更することが望ましく、必ずしも図６に示す配置等に限られない。【００５２】
例えば、図１０には本発明の他の実施の形態にかかる、ヒータ７７の設置を変更した蒸着ヘッド６６ａの概略断面図を示す。図１０に示すように、蒸着ヘッド６６ａにおいては、相互に接触しない第１のケーシング７０と第２のケーシング７１との間の空間に板部材９０を介してヒータ７７が設置されている。このとき、ヒータ７７は、第２のケーシング７１に固着されないことが望ましく、ヒータ７７は熱逃げを最小限に留めるように部分的に第１のケーシング７０に固定されていることが望ましい。また、上記板部材９０に代わる別部材に固定され、第２のケーシング７１と第１のケーシング７０の間に配設されていてもよい。これにより、より効率的に蒸着ヘッド６６の内部均熱性が担保されることとなる。なお、図１０において、第１のケーシング７０と第２のケーシング７１の下端部（図１０中の開口面７２、７３周縁部）において第１のケーシング７０と第２のケーシング７１は接続していない場合を図示したが、本発明はこれに限られるものではなく、第１のケーシング７０と第２のケーシング７１は開口面７２、７３の周縁部において接続し、ヒータ７７（板部材９０）が第１のケーシング７０と第２のケーシング７１の間に密閉される構成となっていてもよい。【００５３】
また、上記実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６では、図６に示すように、側面７５に円環状に溝８０を設け、その溝８０にヒータ７７を設置したが、このヒータ７７の形状は円環状に限られるものではない。図１１（ａ）、（ｂ）は、ヒータ７７の設置形状の例を示す蒸着ヘッド６６の側面図である。ヒータ７７の設置形状は適宜変更可能であり、図１１（ａ）に示すように側面７５において外周近傍と中心部近傍の双方を加熱できるような形状にヒータ７７を設けることが可能である。図１１（ａ）に示す、側面７５の周辺部に加え中央部にもヒータ７７が配置される配置形状によれば、蒸着ヘッド６６の外周近傍と中心部近傍の温度がほぼ均一に保持され、蒸着ヘッド６６内部の断面内温度差が小さくなり、蒸着ヘッド６６内部での材料ガスの均熱性が高精度で担保される。【００５４】
また、側面７５において、その熱伝導率が十分に担保されている場合には、ヒータ７７の設置を減らしても蒸着ヘッド６６内部の均熱性が十分に確保されるため、図１１（ｂ）に示すようにヒータ７７の設置密度を上記図１１（ａ）の場合に比べ減らすことも可能である。なお、ヒータ７７の設置密度は適宜変更可能であり、蒸着ヘッド６６の内部の断面内温度差を測定して適宜定めればよい。ここで、蒸着ヘッド６６内部は真空状態であるため、特にその中心部近傍は外周近傍に比べ放熱しにくくなっており、その放熱状況によっては、中心部近傍より外周近傍を、よりヒータ７７によって加熱・均熱するようなヒータ配置形状とすることが好ましい。【００５５】
なお、図１１に示したヒータ７７の配置形状は、蒸着ヘッド６６の側面７５、即ち外側ケーシング７０の外面に設けられる場合のみに適用されるものではない。例えば、上記図１０に示した本発明の他の実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６ａにおいて設置されるヒータ７７についても適用可能である。【００５６】
また、上記実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６においては、第１のケーシング７０は銅からなり、第２のケーシング７１はステンレス鋼からなり、第１のケーシング７０の外面にヒータ７７が設置されるとしたが、本発明はこれに限られるものではない。蒸着ヘッド６６の内部の均熱性を担保するためには必ずしも第１のケーシング７０の外面にヒータ７７が設置されている必要はない。そこで以下には本発明の第２の他の実施の形態としてヒータ７７の設置箇所、各ケーシングの材質が異なる場合について説明する。【００５７】
例えば、本発明の第２の他の実施の形態として、第１のケーシング７０、第２のケーシング７１がともにステンレス鋼で構成され、熱伝導率を第１のケーシング７０よりも第２のケーシング７１が高くなるように例えば第２のケーシング７１にのみ例えば厚さ３０ミクロン以上の銅めっき等の熱伝導性被膜を施工することが考えられる。このときヒータ７７の設置箇所は上記実施の形態とは異なる第１のケーシング７０と第２のケーシング７１の間であることが好ましい。なお、蒸着ヘッド６６内の断面内温度差を測定し、そのばらつきを小さくするために、第２のケーシング７１に加え、適宜第１のケーシング７０に熱伝導性被膜を施すこともできる。即ち、第１のケーシング７０および第２のケーシング７１の一方または双方に熱伝導性被膜を施すかどうかは、蒸着ヘッド６６内の断面内温度差を測定し、適宜判断すればよい。また、各ケーシングの片面のみに熱伝導性被膜を施すことも可能であるが、通常例えば銅めっきを行う場合には、ステンレス鋼板を銅めっき槽へ浸漬させる工程によって行うため、銅めっきはステンレス鋼板の両面に施されることとなる。【００５８】
ここで、図１２には、第２のケーシング７１にのみ例えば銅めっき等の熱伝導性被膜が施されている場合の蒸着ヘッド６６ｂの概略断面図を示す。なお、図１２には熱伝導性被膜については図示していない。図１２に示す蒸着ヘッド６６ｂは、第２のケーシング７１の外面に熱伝導性被膜が施工されており、相互に接触しない第１のケーシング７０と第２のケーシング７１との間の空間において、第２のケーシング７１の外面にヒータ７７が設置されている。ここで、第２のケーシング７１の外面には熱伝導性被膜が施されているため、第２のケーシング７１の外面全面にヒータ７７を設置しなくても十分な加熱・均熱が行われる。そのため、ヒータ７７設置コスト等に鑑み、第２のケーシング７１の外面に設置するヒータ７７の配置形状は、上記図１１（ｂ）に示すようなヒータ設置密度の低い配置形状で十分である。【００５９】
上述したように、ステンレス鋼からなる各ケーシング（特に第２のケーシング７１）に銅めっき等の熱伝導性被膜を施すことで、ケーシングの熱変形に対する剛性が担保されるとともに、その熱伝導率が上がり蒸着ヘッド６６内部の各部分での温度のばらつきを抑えることができる。さらに、各ケーシング（特に第２のケーシング７１）における熱伝導率が上昇するため、図１１（ｂ）に例示したように、取り付けるヒータ７７の数量を削減することができ、コストの面でも有効である。なお、このとき第１のケーシング７０および第２のケーシング７１の片方の面にのみ銅めっきを行うか、あるいは両面に行うかについては蒸着ヘッド６６の温度分布を測定し適宜判断すればよい。【００６０】
即ち、第１のケーシング７０および第２のケーシング７１をともにステンレス鋼で構成することにより、銅でケーシングを構成する場合と比べ大幅なコストダウンおよび強度の上昇が図られる。さらに、ステンレス鋼に熱伝導性被膜を施工することで、蒸着ヘッド６６内の均熱性も担保される。また、熱伝導に優れた銅板でケーシングを構成する場合に心配される銅の熱による変形の可能性が回避される。なお、ここでは、ステンレス鋼の熱伝導率を上昇させるための熱伝導性被膜として銅めっきを例示したが、必ずしも銅めっきである必要はなく、母材（ケーシングの素材）よりも熱伝導率が高い被膜であればよい。例えば、金めっきや銀めっきなどの熱伝導率が上昇する材料を用いるめっきを施工することが可能である。また、金箔・銀箔等の箔の張り合わせによる施工や、ブラスト処理、拡散接合等の方法によって熱伝導性被膜を施工することも考えられる。ただし、コストの面からは銅めっきを施工することが好ましい。【００６１】
また、上記実施の形態にかかる蒸着ヘッド６６においては、開口面７２（７３）の形状は長方形であるケーシングの側面のうちの１つが開口している形状である。蒸着ヘッド６６内部のガス分散板（バッフル板８３）の効果により、蒸着ヘッド６６内の材料ガスは分散させられ、開口面７２（７３）から基板Ｇへ噴射される。しかしながら、ガス分散板の効果のみでは、蒸着ヘッド６６内の材料ガスが十分に分散せず、その結果開口面７２（７３）から基板Ｇに噴射される材料ガスが均一ではなく、成膜が均一に行われない恐れがある場合も考えられる。このような場合には、上記実施の形態で示した蒸着ヘッド６６において、開口面７２（７３）に材料ガスの噴射を均一にする例えば銅板等からなる噴射板を設けることが好ましい。【００６２】
図１３は、蒸着ヘッド６６に噴射板９５（９５ａ、９５ｂ）を取り付けた場合の概略図である。図１３（ａ）はスリット９６が設けられた噴射版９５ａを取り付けた蒸着ヘッド６６、図１３（ｂ）は噴射孔９７が設けられた噴射板９５ｂを取り付けた蒸着ヘッド６６をそれぞれ示している。上記スリット９６の開口幅は例えば１ｍｍである。また、材料ガスを蒸着ヘッド６６から均一に噴射するという観点から、噴射孔９７は複数設けられることが望ましく、均一に材料ガスが噴射されるような配置や数であることが好ましい。図１３に示した噴射板９５（９５ａ、９５ｂ）を蒸着ヘッド６６の開口面７２（７３）に取り付けることにより、基板Ｇへの材料ガスの噴射がより均一に行われ、その結果、均一性の高い薄膜が成膜されることとなる。但し、スリット９６が設けられた噴射板９５ａにおいては、昇温時、熱によってスリット９６の幅が変動し、材料ガスの分布が異なる恐れがあるため、特に温度の高い材料ガスを用いる場合には、噴射孔９７を設けた噴射板９５ｂを用いることが好ましい。例えば、上記噴射孔９７の孔径は１．５ｍｍ〜３．５ｍｍ、噴射孔９７のピッチは５ｍｍであり、図１３（ｂ）に示すように一列に配置することに限られず、二列以上に配置しても良い。【００６３】
また、上記実施の形態では、図６に示すように、ヒータ７７、７８として例えばシースヒータやカートリッジヒータ等のヒータを第１のケーシング７０の外面に設けられた溝８０に埋め込む構成を説明し、その変形例（他の実施の形態）では、図１０に示すように、第１のケーシング７０と第２のケーシング７１との間の空間に板部材９０を介してヒータ７７が設置されている構成について説明したが、蒸着ヘッド６６に設けられるヒータの構成はこれに限られるものではない。例えば、第１のケーシング７０と第２のケーシング７１との間に密閉空間１００を設け、その密閉空間１００に揮発性の液体Ｌと温度制御可能なパイプ形状のヒータ７７を配置する構成としてもよい。【００６４】
そこで、以下には密閉空間１００が形成された蒸着ヘッド６６を本発明の第３の他の実施の形態として図面を参照して説明する。図１４は、密閉空間１００の形成された蒸着ヘッド６６の概略正面図（図１４（ａ））および概略側面図（図１４（ｂ））である。なお、密閉空間１００の内部を説明するために、一部密閉空間１００についてはその断面を記載している。密閉空間１００はヒータ７７と液体Ｌが内部に封入された構成となっており、液体Ｌは例えば水やナフタレン等の所定の温度下で気化するものが例示される。また、ヒータ７７としては、例えばカートリッジヒータ、シースヒータ等が挙げられる。【００６５】
図１４に示されるように、密閉空間１００は、蒸着ヘッド６６の開口面７２（図１４中の蒸着ヘッド６６の下面）を除く全側面（上記実施の形態における側面７５、７６の双方）に形成されている。図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、側面７５（側面７６より広い側面）には、その側面７５を長手方向にほぼ３分割した部分に対応して３つの密閉空間１００が形成され、側面７６には、その全面を覆う密閉空間１００が１つ形成されている。さらには、蒸着ヘッド６６の内部に材料ガスを供給する材料供給管６８の外面を覆うように密閉空間１００が形成されている。【００６６】
密閉空間１００の内部は密閉構造となっており、その内部には液体Ｌとヒータ７７が配置されている。液体Ｌは密閉空間１００内に充填されるほど多い量ではなく、液体Ｌの量は密閉空間１００内の底部に貯留する程度である。また、本形態ではヒータ７７が密閉空間１００内に貯留された液体Ｌに浸漬するように配置されているものとする。また、ヒータ７７は密閉空間１００の底面に貯留する液体Ｌを十分に加熱することが可能な程度の大きさ・長さを有しており、その大きさ・長さは適宜定めることが可能である。【００６７】
また、密閉空間１００においては、密閉空間１００内に貯留された液体Ｌがヒータ７７の加熱によって蒸発し、蒸発した蒸気が密閉空間１００の内部側面全面に接触することで密閉空間１００全体が加熱される。即ち、密閉空間１００は、いわゆるヒートパイプと呼ばれる構成・作動原理を有するものである。このとき、密閉空間１００の内部側面に接触した液体Ｌの蒸気は、その内部側面との熱交換により冷却され、再度液体（液体Ｌ）に戻り、密閉空間１００内に貯留された液体Ｌに戻ることとなる。即ち、密閉空間１００内で液体Ｌが蒸発と液化を繰り返しながら循環する。なお、本形態では、密閉空間１００の内部側面の形状は特に限定しておらず、通常の平面形状でも良いが、密閉空間１００の内部側面で液化した液体Ｌがより効率的に密閉空間１００の底部に貯留された液体Ｌに還流するためには、内部側面の表面積が大きく、さらには毛細管現象を誘発させやすい形状であるほうが好ましく、例えばメッシュ状や溝形状に表面加工されていてもよい。【００６８】
以上説明した周囲に密閉空間１００が形成された蒸着ヘッド６６においては、材料供給を行う際に、密閉空間１００内において液体Ｌがヒータ７７によって加熱され蒸気となり、密閉空間１００内がほぼ一定の温度の蒸気によって充満される。これにより、その側面全面が密閉空間１００に覆われた構成である蒸着ヘッド６６の側面はそれぞれの密閉空間１００によって所定の温度に均熱される。従って、材料供給管６８から供給された材料ガスの温度が蒸着ヘッド６６内において均一な温度に加熱される。密閉空間１００が蒸着ヘッド６６の側面全面に形成されていることにより、蒸着ヘッド６６の側面は極めて精度よく均熱され、均熱化された蒸着ヘッド６６の側面からの輻射熱によって内部の材料ガスも精度良く均熱・加熱される。【００６９】
さらに、各密閉空間１００内に配置されるヒータ７７の温度は制御可能であるため、複数設けられた各密閉空間１００のそれぞれについて内部の温度制御が可能となる。蒸着ヘッド６６内部の温度分布を計測して、適宜各密閉空間１００内の温度を制御し、蒸着ヘッド６６を所望の温度に精度よく均熱・加熱することができる。即ち、蒸着ヘッド６６内の一部のみが他の部分と比べ低温となってしまった場合でも、その低温部分に対応する密閉空間１００の温度調整を適宜行うことで、蒸着ヘッド６６の内部全体を素早く均熱化することが可能となる。【００７０】
なお、本形態（第３の他の実施の形態）では、蒸着ヘッド６６の側面７５を長手方向に３分割し、そのそれぞれに対応する密閉空間１００を３箇所形成するものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、蒸着ヘッド６６の側面に形成される密閉空間１００の数や形成する位置等については、蒸着ヘッド６６内部が効率的に均熱化されるように適宜変更可能である。【００７１】
また、上記実施の形態では、蒸着ヘッド６６を第１のケーシング７０および第２のケーシング７１によって構成することとしたが、本発明は必ずしも、蒸着ヘッド６６を構成するのにケーシングを用いる必要はなく、例えば、板状の部材をケーシング状に配置した構成でも構わない。【００７２】
更にまた、上記実施の形態では、第２のケーシング７１の外面には、第１のケーシング７０内面と第２のケーシング外面７１とを部分的に接触させるスペーサー部材としての複数の突起部８５が全体に分布して形成されているとしたが、本発明はこれに限られることはなく、第１のケーシング７０の内面に突起部８５が形成されていてもよく、また、第１のケーシング７０の内面および第２のケーシング７１の外面の双方に別部材からなる突起部８５が形成されていてもよい。さらに、スペーサー部材として例えば金だわし等の充填材を用いてもよい。
【実施例】
【００７３】
本発明にかかる実施例１として、図６に示す構造を持つ蒸着ヘッドを、実際に蒸着処理装置に設置した。外側ケーシングの材料として銅、内側ケーシングの材料としてステンレス鋼を用い、内側ケーシングには、均一にエンボス加工を施した。また、パイプ型のヒータを図６に示した各位置に実際に設置した。そして、各ヒータによって、蒸着ヘッドを加熱し、材料ガスを開口面から噴出させた。そして、その時の蒸着ヘッドの表面温度および開口面近傍の温度を解析（シミュレーション）した。図１５には、その解析結果を示したものである。なお、図１５（ａ）に蒸着ヘッドの表面温度、図１５（ｂ）に蒸着ヘッドの開口面近傍の温度を測定した結果を示した。【００７４】
蒸着ヘッドの表面温度および開口面近傍の温度は、図１５（ａ）に示す外壁中心部と外壁周囲部の温度差、図１５（ｂ）に示す開口面中央と開口面端部の温度差が共に１℃以内となっており、均熱性が精度良く担保されていることがわかった。【００７５】
また、本発明にかかる実施例２として、ヒータの配置形状の違いおよび熱伝導性被膜としての銅めっきの有無による蒸着ヘッドの断面内温度分布の変化を測定した。図１６はその蒸着ヘッドでの測定箇所とその温度分布を示したグラフである。ここで、図１５では、縦軸を温度（℃）、横軸を蒸着ヘッドの幅方向中心からの距離（ｍｍ）として測定結果を記載した。但し、図１６に示す測定は何れもヒータを内側ケーシングの外面に設置する形態をとる蒸着ヘッドで行った。【００７６】
図１６（ａ）は、図１１（ａ）に示したヒータ設置密度の高い場合の蒸着ヘッドの断面内温度差を測定したグラフである。また、図１６（ｂ）は、図１１（ｂ）に示したヒータ設置密度の低い場合の蒸着ヘッドの断面内温度差を測定したグラフであり、図１６（ｃ）は、図１１ｂに示したヒータ設置密度の低い場合の蒸着ヘッドの内側ケーシング外面に銅めっきを施工した蒸着ヘッドの断面内温度差を測定したグラフである。【００７７】
図１６（ａ）に示すように、ヒータの設置密度が高い場合の蒸着ヘッド内の断面内温度差は、所望の内部温度４５０℃に対して最大で±３５℃程度であった。また、図１６（ｂ）に示すように、ヒータの設置密度が低い場合の蒸着ヘッド内の断面内温度差は、所望の内部温度４５０℃に対して最大で±２０℃程度であった。一方図１６（ｃ）に示すようにヒータの設置密度が低い状態で、ヒータ設置面に銅めっきを施工した場合、蒸着ヘッド内の断面内温度差は、所望の内部温度４５０℃に対して最大で±４．５℃程度であった。【００７８】
以上の実施例２の結果から、ヒータの設置密度を低く抑え、ヒータ設置面に銅めっき（熱伝導性被膜）を施工することで、蒸着ヘッド内の断面内温度差を低減させ、十分な均熱性を担保させることが可能であることが分かった。即ち、ヒータ設置面に熱伝導性被膜を施工することでヒータの設置量を低減しながら均熱性を担保し、コストダウンを図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、例えば有機ＥＬ素子の製造において有機膜を蒸着するのに用いられる蒸着ヘッドおよび該蒸着ヘッドを備える蒸着処理装置に適用できる。
【図１】
2010114118.tif 000003
【図２】
2010114118.tif 000004
【図３】
2010114118.tif 000005
【図４】
2010114118.tif 000006
【図５】
2010114118.tif 000007
【図６】
2010114118.tif 000008
【図７】
2010114118.tif 000009
【図８】
2010114118.tif 000010
【図９】
2010114118.tif 000011
【図１０】
2010114118.tif 000012
【図１１】
2010114118.tif 000013
【図１２】
2010114118.tif 000014
【図１３】
2010114118.tif 000015
【図１４】
2010114118.tif 000016
【図１５】
2010114118.tif 000017
【図１６】
2010114118.tif 000018
【国際調査報告】
2010114118.tif 000019
2010114118.tif 000020
2010114118.tif 000021
2010114118.tif 000022