【事件の表示】
　特許第３１２６８５９号「基板の表面処理装置」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２６８５９号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理　由】
　【１】　手続きの経緯 
　特許出願　　　　　　平成５年１０月２９日
　特許権設定登録      平成１２年１１月２日
　特許異議の申立て    平成１３年７月１９日
　取消理由通知　　　　平成１３年１０月３日
　訂正請求　　　　　　平成１３年１２月１４日
　【２】　訂正の適否について
　［１］　訂正事項
　１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３における「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段とを備え」を「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを備え」に訂正する。
　２　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４、請求項５、請求項７及び請求項８を削除し、　請求項４及び請求項５の削除に伴い、請求項６及び請求項９を新たに請求項４及び請求項５に訂正する。
　３　新たな請求項４における「請求項５に記載の基板の表面処理装置」を「請求項１ないし３に記載の表面処理装置」に訂正する。
　４　明細書の段落【０００７】の第１６行ないし第１７行、第３６行ないし第３７行及び第５３行ないし第５４行にそれぞれ記載された「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を備え」をそれぞれ「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを備え」に訂正する。
　５　明細書の段落【０００７】の第５８行ないし第６３行に記載された「請求項４に記載の発明は……基板の表面処理装置である。」とあるのを削除する。
　６　明細書の段落【０００７】の第６４行に記載された「請求項６に記載の発明は請求項５に記載の基板の表面処理装置において、」を「請求項４に記載の発明は請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、」に訂正する。
　７　明細書の段落【０００７】の第６８行ないし第７４行に「請求項７に記載の発明は……基板の表面処理装置である。」とあるのを削除する。
　８　明細書の段落【０００７】の第７５行に記載された「請求項９に記載の発明は」を「請求項５に記載の発明は」に訂正する。
　８　明細書の段落【０００７】の第７５行に記載された「請求項１ないし１０」を「請求項１ないし５」に訂正する。
　９　明細書の段落【０００８】の第１行に記載された「請求項１ないし９」を「請求項１ないし５」に訂正する。
　１０　明細書の段落【００１９】の第２行ないし第３行に記載された「請求項１ないし９」を「請求項１ないし５」に訂正する。
　［２］　訂正の目的の適正、新規事項の有無及び拡張、変更の存否    
　１　訂正事項１による訂正について
　密閉チャンバ内の状態に影響を及ぼす手段として、蒸気供給手段以外に、さらに基板が引上げられた後に作用する排気手段を設けなければならないものと限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　２　訂正事項２による訂正について
　請求項の削除をするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　３　訂正事項３ないし訂正事項１０による訂正について
　訂正事項１及び訂正事項２による訂正に伴って生じる明細書の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　そして、訂正事項は、願書に添付した明細書の特許請求の範囲の請求項５の記載に基づくものであるから、訂正事項１ないし訂正事項１０による訂正は、明らかに新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　［３］　むすび
　以上のとおりであるから、前記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　【３】　特許異議の申立てについて
　［１］　本件特許の請求項１ないし請求項５に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし請求項５に記載されたとおりのものと認める。
　【請求項１】　所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを備え、前記蒸気供給手段は基板昇降手段がリンス槽内の純水から基板を引上げるとき、前記密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気を存在させる、一体のリンス・乾燥処理装置により構成したことを特徴とする基板の表面処理装置。     
　【請求項２】　所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、前記基板昇降手段がリンス槽内の純水から基板を露出させ終るまで、密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを備えた一体のリンス・乾燥処理装置により構成したことを特徴とする基板の表面処理装置。
　【請求項３】 　所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを備え、前記基板昇降手段は密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気が存在する状態で、かつ、リンス槽内で上昇液流が形成されている状態で前記基板をリンス槽内の純水から露出させる、一体のリンス・乾燥処理装置により構成したことを特徴とする基板の表面処理装置。
　【請求項４】　請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒素ガス供給手段が設けられ、該窒素ガス供給手段は、排気手段が密閉チャンバ内を排気して減圧した後、密閉チャンバ内に窒素ガスを供給する基板の表面処理装置。
　【請求項５】　請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、基板を収容したカセットから前記基板搬送ロボットに対して基板を受け渡す基板受け渡し装置を更に設け、前記基板昇降手段は基板搬送ロボットから基板を受け渡され
る基板の表面処理装置。」
　［２］　平成１３年１０月３日付け取消理由通知において、引用した本件特許に係る出願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である各引用例には、それぞれ次の発明記載されている。
　１　特開昭６２−１９８１２６号公報（以下、第１引用例という）
　半導体ウエハを最終的に水洗処理する最終水洗処理部と、この最終水洗処理部で最終的に水洗処理された半導体ウエハの表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる半導体ウエハの表面処理装置において、前記最終水洗処理部と乾燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に半導体ウエハが浸漬されるようにする水洗槽と、この水洗槽内へ前記吸水管を通して純水を供給する純水供給手段と、前記水洗槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む筒状容器の下部と、この筒状容器の下部から純水を排出する排水手段と、前記水洗槽の上方位置と水洗槽内部位置との間で半導体ウエハを昇降移動させるウエハ上下動機構と、有機溶剤の蒸気を供給するための遮蔽板を有し、前記水洗槽及び前記溢れ出た純水が流れ込む筒状容器の下部の上方空間を閉鎖的に包囲する筒状容器と、水洗処理が終了した段階で半導体ウエハがウエハ上下動機構により水洗槽内の純水中から徐々に露出すると同時にこの筒状容器内内へ蒸気遮蔽板を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段とを具備し、ウエハ上下動機構が水洗槽内の純水から半導体ウエハを引上げるとき、純水から露出する時点において有機溶剤の蒸気を筒状容器内に有機溶剤の蒸気を存在させ、最終的にリンスが終わってから乾燥処理が終了するまで、処理基板が大気が触れることがないごとく構成した一体の水洗・乾燥処理装置によりなる半導体ウエハの表面処理装置。  
　そして、第１引用例に記載された発明における半導体ウエハは、本件のそれぞれの請求項に係る発明における基板に、以下同じく、リンスは、水洗に、純水を供給するための吸水管は、純水を供給するための純水供給口に、越流部より溢れ出た純水が流れ込む筒状容器の下部は、溢流水受け部に、ウエハ上下動機構は、基板昇降手段に、筒状容器は、密閉チャンバは、筒状容器に、それぞれ相当するものと認める。
　２　実願平３−９３６３５号（実開平４−９９２６９号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフイルム（平成４年８月２７日特許庁発行、以下、第２引用例という）
　（１）　第４実施例として図１０及び明細書のその説明の部分に記載された発明
　洗浄用薬液及び純水を供給するための給液口を底部に有するとともに洗浄用薬液及び純水をオーバーフローさせるためのオーバーフロー部を上部に有し、洗浄用薬液及び純水を置換可能に収容し、その薬液又は純水中に基板がそれぞれ浸漬されることにより洗浄処理及び最終リンス処理が行なわれる、少なくとも１つの基板処理槽と、この基板処理槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記基板処理槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置において、前記基板処理槽の少なくとも上方空間を閉鎖的に密閉可能なチャンバーによって包囲し、その密閉可能なチャンバーの内部に、前記基板処理槽の上方位置と基板処理槽内部位置との間で基板を昇降自在に設けられた基板保持具を設けるとともに、基板保持具によってオーバーフローする基板処理槽内の液中から基板が引上げられた後、前記密閉可能なチャンバ内を排気して減圧する強制排気手段とを設けた基板の表面処理装置。
　そして、第２引用例の（１）の発明におけるオーバーフローは、本件のそれぞれの請求項に係る発明における越流に、以下同じく、基板処理槽は、洗浄槽に、密閉可能なチャンバーは、密閉チャンバに、昇降自在に設けられた基板保持具は、昇降移動させる基板昇降手段に、強制排気手段は、排気手段に、それぞれ相当するものと認める。
　（２）　図８及び図９並びに明細書のその説明の部分に記載された発明
　少なくとも１つの基板処理槽と、この基板処理槽内へ前記給液口を通して洗浄用薬液及び純水を択一的に供給する給液手段と、前記基板処理槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置において、さらに、装置内での基板の搬送を行ないう基板搬送ロボットと、オーバーフローする基板処理槽内の液中から基板を引上げ、かつ、前記基板搬送ロボットから基板を受け渡されにごとく構成した昇降自在に設けられた基板保持具と、基板を収容したカセットから基板搬送ロボットに対して基板を受け渡すローダ・アンローダ装置を備えた基板の表面処理装置。
　そして、第２引用例の（２）の発明におけるオーバーフローは、本件のそれぞれの請求項に係る発明における越流に、以下同じく、昇降自在に設けられた基板保持具は、昇降移動させる基板昇降手段に、基板を収容したカセットから基板搬送ロボットに対して基板を受け渡すローダ・アンローダ装置は、基板を収容したカセットから前記基板搬送ロボットに対して基板を受け渡す基板受け渡し装置に、それぞれ相当するものと認める。
　３　特開平４−８０９２４号公報（以下、第３引用例という）
　洗浄槽で洗浄処理され最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させるにあたり、有機溶剤の蒸気を供給し、次いで該有機溶剤の蒸気を供給を停止した後、窒素ガスの供給を開始するごとく構成した基板の表面処理装置。
　［３］　１　本件請求項１に係る発明について検討する。
　本件請求項１に係る発明と第１引用例に記載された発明とを比較すると、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置において、前記最終リンス処理部と乾燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、リンス処理が終了した段階で基板が基板昇降機構によりリンス槽内の純水中から徐々に露出すると同時にこの密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段とを具備し、基板昇降手段がリンス槽内の純水から基板を引上げるとき、純水から露出する時点において有機溶剤の蒸気を密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気を存在させ、最終的にリンスが終わってから乾燥処理が終了するまで、処理基板が大気が触れることがないごとく構成した一体のリンス・乾燥処理装置によりなる基板の表面処理装置ある点で一致し、次の点においてのみ相違する。
　相違点１：最終リンス処理が終わってから乾燥処理が終了するまでの間、リンス槽の上方空間を閉鎖的に密閉チャンバ によって包囲するごとく構成するものにおいて、本件請求項１に係る発明においては、純水から引上げた後、密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段を設けたのに対して、第１引用例に記載された発明には、この点について記載がない点。
　相違点２：本件請求項１に係る発明が、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットを具備しているのに対して、第１引用例に記載された発明には、この点について記載がない点。
　相違点３：本件請求項１に係る発明が、所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう薬液洗浄槽を具備しているのに対して、第１引用例に記載された発明には、この点について記載がない点。
　そこで、相違点１について検討する。
　本件請求項１に係る発明における密閉チャンバ内に存在する有機溶剤の蒸気は、純水から引上げた後、密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段が設けられたことにより、減圧下のものとなり、この状態において基板表面上の純水と置換された有機溶剤を蒸発させて乾燥させることになる。
　しかし、基板の表面を乾燥させるにあたり、第２引用例の（１）の発明における液中から基板を引上げられた後、密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段をを適用することにより、この相違点において掲げた本件請求項１に係る発明における構成のごとくすることは、第１引用例に記載された発明及び第２引用例の（１）の発明が基板の表面処理装置として共通するものであるから、当業者が容易に想到することができたものである。
　つぎに、相違点２について検討する。
　第1引用例に記載された発明及び第２引用例の（２）の発明は、最終リンス処理ができる部分と最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置として共通するものであるから、第２引用例の（２）の発明における装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットを第１引用例に記載された発明に具備させることにより、この相違点において掲げた本件請求項１に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　さらに、相違点３について検討する。
　基板の表面処理装置において、最終リンス処理部とは別の手段として、最終リンス処理工程の前工程を行う手段として、 洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう薬液洗浄槽をさらに設けることは、本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術であり、このようなものを第１引用例に記載された発明に具備させることにより、この相違点において掲げた本件請求項１に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　そして、本件請求項１に係る発明を全体としてみても、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明及び第２引用例の（２）の発明、並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明及び第２引用例の（２）の発明、並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　２　本件請求項２に係る発明について検討する。
　本件請求項２に係る発明と第１引用例に記載された発明とを比較すると、前記相違点１、相違点２、相違点３及び次の相違点４において相違する。
　相違点４：本件請求項２に係る発明が、有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段について、基板昇降手段が洗浄槽内の液中から基板を露出させ終わるまで供給するものとしたのに対して、第１引用例に記載された発明には、基板昇降手段が洗浄槽内の液中から基板を徐々に露出させると同時に供給を開始した有機溶剤の蒸気の供給を停止する時点については記載がない点。
　そこで、相違点４について検討する。
　第１引用例に記載された発明は、基板表面の純水を有機溶剤で置換することにより乾燥するものであるから、基板露出終了まで蒸気を供給することは当然の事項であるので、第１引用例に記載された発明における有機溶剤の蒸気の供給を停止する時点を、基板の露出終了時点とすることにより、この相違点において掲げた本件請求項２に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　そして、本件請求項２に係る発明を全体としてみても、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明及び第２引用例の（２）の発明、並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明及び第２引用例の（２）の発明、並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　３　本件請求項３に係る発明について検討する。
　本件請求項３に係る発明と第１引用例に記載された発明とを比較すると、前記相違点１、相違点２、相違点３及び次の相違点５において相違する。
　相違点５：基板昇降手段について、本件請求項３に係る発明においては、リンス槽内で上昇液流が形成されている状態で基板をリンス槽内の純水から露出させるごとく構成しているのに対して、第１引用例にはこの点が記載されていない点。
　そこで、相違点５について検討する。
　第２引用例の（２）の発明には、越流する基板処理槽内の液中から基板が引上げることについても記載されている。
　このことは、第２引用例の（２）の発明においても、洗浄槽内で上昇液流が形成されている状態で前記基板を洗浄槽内の液中から露出させるものであるとすることができる。
　そして、第1引用例及び第２引用例の（２）の発明は、最終リンス処理ができる部分と最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置として共通するものであるから、第１引用例に記載された発明における基板昇降手段に換えて第２引用例の（２）の発明における基板昇降手段を備させることにより、この相違点において掲げた本件請求項１に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　そして、本件請求項３に係る発明を全体としてみても、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明及び第２引用例の（２）の発明、並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明及び第２引用例の（２）の発明、並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　４　本件請求項４に係る発明について検討する。
　本件請求項４に係る発明と第１引用例に記載された発明とを比較すると、前記相違点１、相違点２、相違点３及び次の相違点６において相違する。
　相違点６：本件請求項４に係る発明が、窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒素ガス供給手段が設けられ、該窒素ガス供給手段は、排気手段が密閉チャンバ内を排気して減圧した後、密閉チャンバ内に窒素ガスを供給するものであるのに対して、第１引用例に記載された発明には、この点について記載がない点。
　そこで、相違点６について検討する。
　第３引用例に記載された発明は、有機溶剤の蒸気の供給を停止した後、窒素ガスの供給を開始するごとく構成したもの、すなわち、窒素ガスの供給が最後に行われるものであるから、該窒素ガスは、パージをする効果があるものとすることができる。
　したがって、このようなものを第１引用例に記載された発明に適用することにより、この相違点において掲げた本件請求項１に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　そして、本件請求項４に係る発明を全体としてみても、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第３引用例に記載された発明並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件請求項４に係る発明は、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第３引用例に記載された発明並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　５　本件請求項５に係る発明について検討する。
　本件請求項５に係る発明と第１引用例に記載された発明とを比較すると、前記相違点１、相違点２、相違点３及び次の相違点７において相違する。
　相違点７：本件請求項１に係る発明が、基板を収容したカセットから前記基板搬送ロボットに対して基板を受け渡す基板受け渡し装置をさらに設け、前記基板昇降手段は基板搬送ロボットから基板を受け渡されるごとく構成したのに対して、第１引用例に記載された発明には、この点について記載がない点。
　そこで、相違点７について検討する。
　　第1引用例に記載された発明及び第２引用例の（２）の発明は、最終リンス処理ができる部分と最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部とを備えてなる基板の表面処理装置として共通するものであるから、第２引用例の（２）の発明における基板を収容したカセットから前記基板搬送ロボットに対して基板を受け渡す基板受け渡し装置をさらに設け、前記基板昇降手段は基板搬送ロボットから基板を受け渡されごとく構成したものを第１引用例に記載された発明に具備させることにより、この相違点において掲げた本件請求項１に係る発明における構成のごとくすることは、当業者が容易に想到することができたものである。
　そして、本件請求項５に係る発明を全体としてみても、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第３引用例に記載された発明並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術の有する効果の総和以上の効果を奏するものとも認めることができない。
　以上のとおりであるから、本件請求項５に係る発明は、第１引用例に記載された発明、第２引用例の（１）の発明、第２引用例の（２）の発明及び第３引用例に記載された発明並びに本件特許に係る出願の出願前において周知慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　【４】　むすび 
　以上のとおりであるから、本件請求項１ないし請求項５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取消すべきである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２２日（２００２．２．２２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　【１】　訂正事項
　１　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１ないし請求項３における「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段とを備え」を「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを備え」に訂正する。
　２　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４、請求項５、請求項７及び請求項８を削除し、請求項４及び請求項５の削除に伴い、請求項６及び請求項９を新たに請求項４及び請求項５に訂正する。
　３　新たな請求項４における「請求項５に記載の基板の表面処理装置」を「請求項１ないし３に記載の表面処理装置」に訂正する。
　４　明細書の段落【０００７】の第１６行ないし第１７行、第３６行ないし第３７行及び第５３行ないし第５４行にそれぞれ記載された「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段を備え」をそれぞれ「有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段とを備え」に訂正する。
　５　明細書の段落【０００７】の第５８行ないし第６３行に記載された「請求項４に記載の発明は……基板の表面処理装置である。」とあるのを削除する。
　６　明細書の段落【０００７】の第６４行に記載された「請求項６に記載の発明は請求項５に記載の基板の表面処理装置において、」を「請求項４に記載の発明は請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、」に訂正する。
　７　明細書の段落【０００７】の第６８行ないし第７４行に「請求項７に記載の発明は……基板の表面処理装置である。」とあるのを削除する。
　８　明細書の段落【０００７】の第７５行に記載された「請求項９に記載の発明は」を「請求項５に記載の発明は」
　８　明細書の段落【０００７】の第７５行に記載された「請求項１ないし１０」を「請求項１ないし５」に訂正する。
　９　明細書の段落【０００８】の第１行に記載された「請求項１ないし９」を「請求項１ないし５」に訂正する。
　１０　明細書の段落【００１９】の第２行ないし第３行に記載された「請求項１ないし９」を「請求項１ないし５」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
基板の表面処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、
　この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、
　この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、
　装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、
　前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、
　純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、
　このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、
　前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、
　この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、
　前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、
　有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、
　この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と
、
　前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　前記蒸気供給手段は基板昇降手段がリンス槽内の純水から基板を引上げるとき、前記密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気を存在させる、一体のリンス・乾燥処理装置により構成したことを特徴とする基板の表面処理装置。
　【請求項２】　所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、
　この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、
　この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、
　装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、
　前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、
　純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、
　このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、
　前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、
　この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、
　前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、
　有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、
　前記基板昇降手段がリンス槽内の純水から基板を露出させ終るまで、密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と
、
　前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　【請求項３】　所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、
　この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、
　この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、
　装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、
　前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、
　純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、
　このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、
　前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、
　この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、
　前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、
　有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、
　この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と
、
　前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　前記基板昇降手段は密閉チャンバ内に有機溶剤の蒸気が存在する状態で、かつ、リンス槽内で上昇液流が形成されている状態で前記基板をリンス槽内の純水から露出させる、一体のリンス・乾燥処理装置により構成したことを特徴とする基板の表面処理装置。
　【請求項４】　請求項１ないし３に記載の基板の表面処理装置において、
窒素ガスを密閉チャンバに送り込む窒素ガス供給手段が設けられ、該窒素ガス供給手段は、排気手段が密閉チャンバ内を排気して減圧した後、密閉チャンバ内に窒素ガスを供給する
　【請求項５】　
請求項１ないし３
基板を収容したカセットから前記基板搬送ロボットに対して基板を受け渡す基板受け渡し装置を更に設け、前記基板昇降手段は基板搬送ロボットから基板を受け渡される
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、半導体デバイス製造プロセス、液晶ディスプレイ製造プロセス、電子部品関連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、ガラス基板、電子部品等の各種基板を薬液及び純水で洗浄処理し、その後に基板表面を乾燥処理するのに使用される基板の表面処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　基板、例えばシリコンウエハを薬液及び純水を用いて洗浄し、その後にウエハ表面を乾燥処理する装置として、従来、例えば図４に概略平面レイアウト図を示すような構成のものが使用されている。この装置は、所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより基板に対し所要の洗浄処理を施す１つ又は複数、図示例のものは３つの薬液洗浄槽１、２、３、純水を収容し、その純水中に基板を浸漬させて基板を純水で洗浄する１つ又は複数、図示例のものは３つの純水洗浄槽１、２、３、純水を用いて最終的に基板をリンス処理する最終リンス槽、及び、最終リンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部を連設し、薬液洗浄槽１に隣接して、洗浄前の基板を複数枚収容して搬入されてきたカセットを載置しておくローダを設けるとともに、乾燥処理部に隣接して、洗浄及び乾燥処理を終えた基板を収容したカセットを載置しそのカセットの搬出が行なわれるアンローダを設け、ローダ、薬液洗浄槽、純水洗浄槽、最終リンス槽、乾燥処理部及びアンローダの各間での基板の搬送を行なう基板搬送ロボット、及び、空のカセットをローダからアンローダへ移送するためのカセットトラックなどを備えて構成されている。それぞれの薬液洗浄槽には、例えば、薬液洗浄槽１にはアンモニア水及び過酸化水素水の混合溶液が、薬液洗浄槽２にはフッ酸が、薬液洗浄槽３には塩酸及び過酸化水素水の混合溶液が入っている。また、乾燥処理部に設置される基板の乾燥処理装置としては、遠心力によって基板の表面から純水を振り切って乾燥させるスピンドライヤや、基板の表面に付着した純水をイソプロピルアルコール等の有機溶剤の蒸気で置換することによって乾燥させる有機溶剤蒸気乾燥装置が使用される。
　【０００３】
　図５は、最終リンス処理部に有機溶剤蒸気乾燥処理部が隣接して配設された洗浄装置の一部を示す概略断面図である。最終リンス処理部１には、リンス槽３が設けられ、リンス槽３の底部に純水供給口が形設されており、リンス槽３の上部外周に溢流水受け部４が設けられている。そして、純水供給口を通し連続してリンス槽３内に純水５を供給し、リンス槽３上部の越流部から純水５を溢れ出させることにより、リンス槽３の内部において純水５の上昇水流が形成されるようになっており、その純水５の上昇水流中に基板Ｗを置くことにより基板Ｗのリンス処理が行なわれる。最終的なリンス処理が行なわれた基板Ｗは、乾燥処理部２へ搬送される。乾燥処理部２には、乾燥処理槽６が設けられており、乾燥処理槽６の内部に有機溶剤、例えばイソプロピルアルコール７が入っている。そして、乾燥処理槽６内には、アルコール蒸気が充満しており、そのアルコール蒸気中に基板Ｗを置き図示しないリフタで基板Ｗを昇降させることにより、基板Ｗの表面に付着した純水がアルコールと置換し、そのアルコールが速やかに基板Ｗの表面から蒸発することによって基板Ｗの乾燥が行なわれるようになっている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記した従来の基板の表面処理装置では、最終リンス処理部から乾燥処理部への基板の搬送は、大気中を通って行なわれる。また、乾燥処理部での基板の乾燥処理自体も、大気圧下において行なわれている。このように、従来の洗浄装置では、最終リンス処理が終わった基板を乾燥し終えるまでの間、基板は大気に曝されることになる。
　【０００５】
　ところが、最終リンス処理された基板の表面が濡れた状態で大気に曝されると、基板表面にパーティクルが付着し易くなり、また炭酸ガス、酸素等のガスが吸着し易くなる。また、乾燥処理中においても、従来の洗浄装置では、完全に大気を遮断することができず基板は大気に曝された状態になるので、同様のパーティクル付着やガス吸着が起こる。この結果、カーボンや重金属等による膜汚染が起こり、半導体デバイス等の歩留りが低下するといった問題点がある。
　【０００６】
　この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、最終リンス処理が終わってから乾燥処理が終了するまでの間、基板が大気に触れないようにして、基板表面へのパーティクル付着やガス吸着を無くし、膜汚染による歩留りの低下を防ぐことができる基板の表面処理装置を提供することを目的とする。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に記載の発明は所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と
、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　請求項２に記載の発明は所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、前記基板昇降手段がリンス槽内の純水から基板を露出させ終るまで、密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と
、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
　請求項３に記載の発明は所要の洗浄用薬液を収容し、その薬液中に基板を浸漬させることにより所要の洗浄処理を行なう、少なくとも１つの薬液洗浄槽と、この薬液洗浄槽で洗浄処理され必要に応じて純水で洗浄処理された基板の表面に純水を供給し、基板を最終的にリンス処理する最終リンス処理部と、この最終リンス処理部で最終的にリンス処理された基板の表面を乾燥させる乾燥処理部と、装置内での基板の搬送を行なう基板搬送ロボットとを備えてなる基板の表面処理装置において、前記最終リンス処理部と前記乾燥処理部とを、純水を供給するための純水供給口を底部に有するとともに純水を越流させるための越流部を上部に有し、内部に純水を収容してその純水中に基板が浸漬されるようにするリンス槽と、このリンス槽内へ前記純水供給口を通して純水を供給する純水供給手段と、前記リンス槽の前記越流部より溢れ出た純水が流れ込む溢流水受け部と、この溢流水受け部から純水を排出する排水手段と、前記リンス槽の上方位置とリンス槽内部位置との間で基板を昇降移動させる基板昇降手段と、有機溶剤の蒸気を供給するための蒸気供給口を有し、前記リンス槽及び前記溢流水受け部の上方空間を閉鎖的に包囲する密閉チャンバと、この密閉チャンバ内へ蒸気供給口を通して有機溶剤の蒸気を供給する蒸気供給手段と
、前記基板昇降手段によってリンス槽内の純水から基板が引上げられた後、前記密閉チャンバ内を排気して減圧する排気手段と
。
　請求項４
請求項１ないし３
。
　請求項５
　【０００８】
　【作用】
　上記した構成の請求項１ないし
５
　【０００９】
　【実施例】
　以下、この発明の好適な実施例について図面を参照しながら説明する。
　【００１０】
　図１は、この発明の１実施例に係る基板の洗浄装置の概略構成を示す正面断面図であり、図２は、この洗浄装置の構成の概略平面レイアウト図である。この洗浄装置は、ローダ１０、洗浄・乾燥処理部１２、アンローダ１４、基板搬送ロボット１６及びカセットトラック（図１には図示せず）を備えて構成されている。洗浄・乾燥処理部１２は、３つの薬液洗浄槽１８、２０、２２、３つの純水洗浄槽２４、２６、２８及びリンス・乾燥処理装置３０を、各薬液洗浄槽１８、２０、２２の後方に隣接して各純水洗浄槽２４、２６、２８がそれぞれ配置され第３番目の純水洗浄槽２８に隣接してリンス・乾燥処理装置３０が配置されるように、一列に連設して構成されている。そして、例えば、第１番目の薬液洗浄槽１８にはアンモニア水及び過酸化水素水の混合溶液が収容され、第２番目の薬液洗浄槽２０にはフッ酸が収容され、第３番目の薬液洗浄槽２２には塩酸及び過酸化水素水の混合溶液が収容されており、また、各純水洗浄槽２４、２６、２８には純水がそれぞれ収容されている。また、ローダ１０には、カセットＣに収容されて搬入されてきた洗浄前の複数枚の基板Ｗを、ローダ１０に載置されたカセットＣから基板搬送ロボット１６へ受け渡す基板受渡し装置３２が設けられており、アンローダ１４には、洗浄・乾燥処理部１２での処理を終えた複数枚の基板Ｗを基板搬送ロボット１６から空のカセットＣへ受け渡す基板受渡し装置３４が設けられている。
　【００１１】
　リンス・乾燥処理装置３０は、リンス槽３６及びこのリンス槽３６の上部外周に設けられた溢流水受け部３８を有しており、それらの上方空間を閉鎖的に包囲するように、密閉可能な開閉蓋４２を有する密閉チャンバ４０を備えている。リンス槽３６には、その底部に純水供給口が形設されており、純水供給源からその純水供給口を通して常時リンス槽３６内へ純水４４が供給され、一方、リンス槽３６の上部は越流部となっており、その越流部より溢れ出た純水が溢流水受け部３８に常時流れ込むようになっていて、リンス槽３６の内部において純水４４の上昇水流が形成される。溢流水受け部３８に流れ込んだ純水は、溢流水受け部３８に形設された純水排出口を通して排水される。また、密閉チャンバ４０には、有機溶剤の蒸気、例えばイソプロピルアルコールの蒸気を密閉チャンバ４０内へ供給するための蒸気供給口が形設されており、蒸気供給口は蒸気供給用管路を介してアルコール蒸気供給源に流路接続されている。尚、図示していないが、蒸気供給用管路は窒素供給源に流路接続されており、窒素ガスをキャリヤガスとしてアルコール蒸気が密閉チャンバ４０内へ送給されるとともに、流路の切換えにより蒸気供給用管路を通して窒素ガスだけを密閉チャンバ４０内へ送り込んで密閉チャンバ４０の内部をパージすることができる構成となっている。さらに、密閉チャンバ４０には、排気口が形設されており、排気口は排気手段、例えば水封式真空ポンプに流路接続されていて、その排気口を通して密閉チャンバ４０内を真空ポンプで排気することにより、密閉チャンバ４０内を減圧することができる。また、図示を省略しているが、密閉チャンバ４０の内部には、基板Ｗを昇降させる基板昇降機構が設けられており、この基板昇降機構により、基板をリンス槽３６の上方位置とリンス槽３６内部位置との間で昇降移動させることができるようになっている。
　【００１２】
　次に、上記した構成の基板の洗浄装置を使用して基板の洗浄及び乾燥処理を行なう一連の工程について説明する。
　【００１３】
　洗浄前の複数枚の基板Ｗを収容したカセットＣがローダ１０に搬入されて載置されると、基板受渡し装置３２によりカセットＣから基板搬送ロボット１６へ複数枚の基板Ｗが一括して受け渡され、次いで、基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して第１番目の薬液洗浄槽１８内へ送入されて、薬液洗浄槽１８内部の基板保持具に保持される。薬液洗浄槽１８内には所要の薬液が連続して供給されるとともに、薬液洗浄槽１８からオーバーフローした薬液は循環使用されるようになっており、薬液洗浄槽１８内の薬液中に基板Ｗが浸漬されることにより、基板Ｗに対し所要の洗浄処理が行なわれる。薬液洗浄槽１８で洗浄処理された複数枚の基板Ｗは、再び基板搬送ロボット１６へ受け渡され、基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗが一括して第１番目の純水洗浄槽２４内へ送入されて、純水洗浄槽２４内部の基板保持具に保持される。純水洗浄槽２４内には純水が連続して供給されるとともに、純水洗浄槽２４の上部から純水がオーバーフローしており、純水洗浄槽２４内の純水の上昇水流中に基板Ｗが置かれることにより、基板Ｗの表面が水洗される。同様にして、基板搬送ロボット１６により複数枚の基板Ｗを一括して第２番目の薬液洗浄槽２０、第２番目の純水洗浄槽２６、第３番目の薬液洗浄槽２２、第３番目の純水洗浄槽２８へと順次搬送しながら、薬液による洗浄及び純水による水洗を繰り返す。そして、第３番目の純水洗浄槽２８での水洗が終わった複数枚の基板Ｗは、基板搬送ロボット１６により一括してリンス・乾燥処理装置３０へ搬送される。
　【００１４】
　リンス・乾燥処理装置３０の密閉チャンバ４０内に複数枚の基板Ｗが一括して搬入され、基板昇降機構によって昇降自在に支持された基板保持具へ複数枚の基板Ｗが一括して受け渡されると、開閉蓋４２が閉塞されて密閉チャンバ４０内が密閉される。このとき、リンス槽３６内には、その底部の純水供給口を通して純水供給源から純水４４が連続して供給され、リンス槽３６内部を満たした純水４４は、その上部の越流部から溢れ出て溢流水受け部３８内へ流入し、溢流水受け部３８から純水排出口を通して排水されており、リンス槽３６の内部に純水４４の上昇水流が形成されている。複数枚の基板Ｗが一括して基板保持具に保持されると、基板昇降機構を作動させて、基板Ｗを下降させ、リンス槽３６内の純水４４中に基板Ｗを浸漬させ、純水４４の上昇水流中に基板Ｗを所定時間置くことにより基板Ｗを最終的にリンス処理する。これにより、基板Ｗの表面が完全に清浄化される。基板Ｗの最終リンス処理が終了すると、基板昇降機構を作動させて、基板保持具に保持された基板Ｗを上昇させ、基板Ｗをリンス槽３６内の純水４４中から引き上げる。そして、純水４４中から基板Ｗを引き上げ始めるのと同時に、蒸気供給用管路を通して密閉チャンバ４０内へ蒸気供給口からアルコール蒸気を送り込んで、純水４４中から引き上げられている途中の基板Ｗの周囲ヘアルコール蒸気を供給する。このアルコール蒸気の供給は、少なくとも純水４４中からの基板Ｗの引上げが完全に終了するまで行なう。純水４４中からの基板Ｗの引上げが終了すると、リンス槽３６への純水の供給を停止させ、同時に、リンス槽３６内の純水を排出する。また、リンス槽３６から純水を排出し始めるのと同時に、水封式真空ポンプを作動させて密閉チャンバ４０内を真空排気し、密閉チャンバ４０内を減圧状態にすることにより、基板Ｗの表面に凝縮して純水と置換したアルコールを蒸発させて基板Ｗを乾燥させる。
　【００１５】
　基板Ｗの乾燥処理が終了すると、密閉チャンバ４０内が窒素ガスによってパージされ、真空ポンプを停止させて密閉チャンバ４０内が減圧下から大気圧下へ戻された後、開閉蓋４２が開放され、最終リンス処理及び乾燥処理が終了した基板Ｗは、一括して基板保持具から再び基板搬送ロボット１６へ受け渡され、基板搬送ロボット１６により密閉チャンバ４０外へ取り出される。そして、洗浄・乾燥処理を終えた複数枚の基板Ｗは、基板受渡し装置３４により基板搬送ロボット１６から空のカセットＣへ受け渡され、カセットＣに収容されてアンローダ１４から搬出される。
　【００１６】
　以上のように、図１に示した基板の洗浄装置では、薬液洗浄及び水洗された基板Ｗを最終的にリンス処理してから乾燥処理が終了するまでの間、基板Ｗは、密閉された密閉チャンバ４０内において処理され、大気に全く触れることがないので、その間に基板Ｗの表面にパーティクルが付着したり炭酸ガス、酸素等のガスが吸着したりすることがない。
　【００１７】
　図１に示したような構成のリンス・乾燥処理装置３０に代えて、図３に示すような構成のリンス・乾燥処理装置を設置して基板の洗浄装置を構成してもよい。図３に示したリンス・乾燥処理装置４６は、図１に示したリンス・乾燥処理装置３０と同様に、リンス槽４８、溢流水受け部５０、密閉可能な開閉蓋５４を有する密閉チャンバ５２、及び、基板Ｗを昇降させる基板昇降機構（図示せず）を備えている。そして、このリンス・乾燥処理装置４６では、密閉チャンバ５２の一側面に、過熱蒸気６０を均一に分散させてリンス槽４８の上方空間へ水平方向に吹き出す過熱蒸気吹出し部５６が配設されているとともに、密閉チャンバ５２の、過熱蒸気吹出し部５６と対向する側面に、過熱蒸気吹出し部５６から吹き出された過熱蒸気６０を吸引する過熱蒸気吸引部５８が配設されている。過熱蒸気吹出し部５６は、過熱蒸気供給源に流路接続されており、過熱蒸気供給源から過熱蒸気吹出し部５６へ過熱蒸気が送給され、過熱蒸気吹出し部５６から、例えば１３５〜１５０℃程度の温度の過熱蒸気６０が吹き出すようになっている。尚、過熱蒸気吸引部５８の排気口に真空ポンプを流路接続し、過熱蒸気吸引部５８を通して密閉チャンバ５２内を真空排気して減圧することができるようにしてもよい。
　【００１８】
　図３に示したようなリンス・乾燥処理装置４６では、リンス槽４８内の純水４４中から引き上げられた基板Ｗに対して過熱蒸気６０が供給されると、基板Ｗの表面温度が次第に上昇するとともに、基板Ｗの表面で過熱蒸気６０が冷却されて結露し、基板Ｗの表面全体が水で覆われた状態になる。そして、基板Ｗの表面温度が、過熱蒸気６０の温度付近まで上昇し基板Ｗ表面上での水分凝縮が少なくなる程度にまで昇温した時に、基板Ｗ表面への過熱蒸気６０の供給を停止すると、基板Ｗの表面は加熱されて高い温度になっているため、基板Ｗの表面全体から付着水分が速やかに蒸発してしまう。このように、基板Ｗの表面全体が濡れたままの状態で基板Ｗの温度を高くし、基板Ｗの表面温度が高くなった時点で、一気に付着水分を蒸発させることにより、基板Ｗの表面が乾燥させられることになる。そして、図３に示したリンス・乾燥処理装置４６を備えた基板の洗浄装置においても、薬液洗浄及び水洗された基板Ｗは、最終的にリンス処理されてから乾燥が完了するまでの間、密閉された密閉チャンバ５２内において処理され、大気に全く触れることがないので、その間に基板Ｗの表面へのパーティクル付着やガス吸着が起こったりすることがない。
　【００１９】
　【発明の効果】
　この発明は以上説明したように構成されかつ作用するので、請求項１ないし
請求項５
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の１実施例に係る基板の洗浄装置の概略構成を示す正面断面図である。
　【図２】
　図１に示した基板の洗浄装置の構成の概略平面レイアウト図である。
　【図３】
　この発明に係る基板の洗浄装置に設置されるリンス・乾燥処理装置の別の構成例を示す正面断面図である。
　【図４】
　従来の基板の洗浄装置の構成の１例を示す概略平面レイアウト図である。
　【図５】
　最終リンス処理部に有機溶剤蒸気乾燥処理部が隣接して配設された従来の洗浄装置の一部を示す概略断面図である。
　【符号の説明】
　１０　ローダ
　１２　洗浄・乾燥処理部
　１４　アンローダ
　１６　基板搬送ロボット
　１８、２０、２２　薬液洗浄槽
　２４、２６、２８　純水洗浄槽
　３０、４６　リンス・乾燥処理装置
　３６、４８　リンス槽
　３８、５０　溢流水受け部
　４０、５２　密閉チャンバ
　４２、５４　開閉蓋
　４４　純水