【事件の表示】
　特許第３１４０５５６号「半導体ウエハの洗浄方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１４０５５６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件特許第３１４０５５６号は、平成４年４月２３日の出願であって、平成１２年１２月１５日にその特許権の設定登録がなされ、その後、井上博史より特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．本件特許に対し異議申立人井上博史は、甲第１号証として特開昭５７−１１９３４７号公報を、甲第２号証として特開昭６２−１２５６３２号公報を、甲第３号証として特開昭５６−１１５５３８号公報を、甲第４号証として特開昭５８−７８３１号公報を、及び甲第５号証として特開昭５９−１９５６５２号公報を提示し、
　本件特許の請求項１に係る発明は、本件特許の出願前に国内において頒布された甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明に甲第３号証〜甲第５号証に記載された発明を組み合わせて、当業者が容易に発明することができたものであるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである
旨主張する。
　
３．本件特許の請求項１に係る発明は、願書に添付された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲に記載された以下のとおりのものである。
　「純水とＣＯ２ガスとを混合して得られる洗浄液を半導体ウエハの表面に供給しながら、回転する洗浄ブラシを移動させて前記半導体ウエハの表面をスクラブ洗浄する第１の洗浄工程と、
　前記半導体ウエハの表面に純水とＣＯ２ガスとを混合して得られる洗浄液を噴出させる第２の洗浄工程と、
　前記半導体ウエハの表面に純水を噴出させる第３の洗浄工程とからなることを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。」
　
４．異議申立人が提示した前記甲第１号証〜甲第５号証には、以下の事項が記載されている。
　甲第１号証；「機械的洗浄法、化学的洗浄法、超音波洗浄法およびジェットスプレ法のいずれかを２つ以上組合わせ、それらを同時に用いフォトマスクを洗浄することを特徴とするフォトマスクの洗浄方法。」（特許請求の範囲第１項）、「機械的洗浄法、化学的洗浄法、超音波洗浄法、およびジェットスプレ法のいずれかを２つ以上組合わせ、それらを同時に用いフォトマスクを洗浄し、これに連続して前記各洗浄法の少なくとも２つ以上を連続的に同じ装置内で行い前記フォトマスクを洗浄することを特徴とするフォトマスクの洗浄方法。」（特許請求の範囲第３項）、「まず第１に機械的洗浄方法は、ガーゼあるいはナイロンブラシで洗剤を使用し、こすり洗いするもので手動で行っているものもあるが、マスクスクラバーとして市販されているものもある。」（第２頁左上欄６−９行目）、「第４はジェットスプレによるもので、ノズルより高圧の純水などを噴出し付着しているゴミを除去するものである。」（第２頁左上欄１８−２０行目）、「このように種々の方法が考えられているが、一方法のみで洗浄する方法では完全な洗浄が不可能でエマルジョンマスクのゼラチンが付着していたり、レジストが付着していたりしていた。」（第２頁右上欄１−４行目）、「まず、４つの洗浄方法のうち２つ同時に洗浄可能な組合せについて説明すると以下の通りである。」（第２頁右上欄２０行目−左下欄２行目）、「（３）機械的洗浄法とジェットスプレ　ガーゼあるいはブラシでこすり洗いしつつジェットスプレし洗浄効果を上げる。」（第２頁左下欄１１−１３行目）、「次にこれら４つの洗浄法を連続的に使用する場合の組合せは多数ある。」（第２頁右下欄１８−１９行目）、「さらに上述した同時に洗浄する洗浄法の後、他の洗浄法を連続的に使用する洗浄法も考えられる。」（第３頁左上欄５−７行目）、「以上のように種々の組合せによる洗浄法は多数あるが、これらを同一装置内で行うことによりさらに洗浄効果を増すことができる。」（第３頁左上欄１０−１２行目）「まず第２図のようにブラシでこすり洗いしつつジェットスプレ５を施し、その後第２図（ｂ）のように化学的洗浄（アセトン中に浸漬）７をし、その後第２図（ｃ）のように純水噴出口８からの純水で洗浄後、」（第３頁右上欄６−１０行目）と記載されていることから、甲第１号証には、「フォトマスクの表面に高圧の純水などを噴出させながら回転するブラシ３でフォトマスク表面をこすり洗いする第１の洗浄工程と、前記フォトマスクの表面に高圧の純水などを噴出させる第２の洗浄工程となるフォトマスクの洗浄方法。」の発明が記載されていると認められる。
　甲第２号証；「前記基板に向かって降下する降下ミストを洗い流す純水を前記異物の除去洗浄直後から流し続けておき、」（特許請求の範囲第１項５−７行目）、「基板３には円筒形のナイロンブラシ４の先端が接触されている。」（第２頁右上欄２０行目−左下欄１行目）、「容器５内の洗浄水としての純水６を基板３に向かって流出させるものである。ナイロンブラシ４は揺動又は回転されるもので、基板３はその回転中にナイロンブラシ４によって表面がこすられてその表面に付着している異物の除去がされる。」（第２頁左下欄３−７行目）、「なお、ナイロンブラシ４は、異物除去洗浄後上昇されて基板３から離反される。」（第２頁右下欄６−７行目）及び「この純水６には純度の極めて高いものを使用することが洗浄効果を高める観点から好ましい。」（第２頁右下欄１１−１３行目）と記載されていることから、甲第２号証には、「高純度の純水をガラスウエハー光ディスク基板等の基板表面に供給しながら、揺動又は回転するナイロンブラシで前記基板の表面をこすって洗浄する第１の洗浄工程と、前記基板の表面に純水を流出させる第２の洗浄工程とからなる基板の洗浄方法。」の発明が記載されていると認める。
　甲第３号証；「この発明はパターニングされ又はダイシングされた半導体ウエハ表面から、塵埃等異物を除くための半導体パターニングウエハ処理方法に関する。パターニング工程後に施す表面処理で、特に表面にとどめられた塵埃を除くには、ナイロン等化学繊維ブラシ或いはビロードで形成されたローラが一般に用いられる。ウエハ表面にローラ面を直接接触回転させることによってローラ側に塵埃を附着させて除くのである。この方法はウエハ表面のアルミニウム配線のようにやわらかい部材を損ない、又表面段差の著しいウエハについては実施出来ない。そこで水を加圧してノズルから噴出させるか、又は高圧空気により加速してノズルから霧状にふき出させることにより、水力で塵埃を落す方法が行われるようになった。しかしこの場合にもノズルから噴出する水は純粋で比抵抗が高く、ノズル又は空気との接触により水滴に静電気を発生し、この帯電した水滴が表面にあるためにウエハは電位をもち酸化膜等保護膜の耐圧を超えるときにウエハ内の素子を破壊する。」（第１頁左下欄１０行目−右下欄９行目）、「この発明で導電性流体は・・・例えば炭酸水又は水蒸気炭酸ガスの混合ガス体等であってよい。・・・表面を炭酸水により噴射清掃する。炭酸水は純水に炭酸ガスをバブリングさせ溶解させたもので、」（第１頁右下欄１４行目−第２頁左上欄２行目）、「噴射清掃後はただちに乾燥してよい。又流水で洗浄した後乾燥しても良い。このようなこの発明の半導体パターニングウエハ処理方法によると、素子を破損するようなことがなく、ダイシングされたウエハから塵埃等異物を除くことが出来る。例えば水を噴射する場合の静電気によるウエハ破損は数パーセントから品種によって１０％以上に達するが、この方法によるときＩＣ、ＬＳＩ等ウエハ内素子を殆ど全素子良好に得させ、製造歩留りを向上させる。」（第２頁左上欄１０−１９行目）と記載されており、「ナイロン等化学繊維ブラシ及びビロードで形成されたローラーによる塵埃の除去ができない、パターニングされた半導体ウエハの処理方法に関し、静電気によるウエハ内の素子の破壊を防止するために、純水に炭酸ガスをバブリングさせた炭酸水を加圧してノズルから噴出し、ウエハ表面から塵埃を除去した後流水で洗浄し、乾燥させる方法」の発明が記載されていると認める。
　甲第４号証；「１．高圧水を噴射することによりウエハを洗浄する高圧洗浄方法において、前記高圧水として導電性液を使用することを特徴とする洗浄方法。２．前記導電性液はＣＯ２混入水である特許請求の範囲第１項に記載の洗浄方法。」（特許請求の範囲）、「従来、超ＬＳＩの製造工程においてウエハにフォトレジストを塗布するに先立ち・・・加圧した純水をウエハ上に噴射してウエハ表面を洗浄する高圧洗浄が知られている。このような高圧洗浄は清浄な純水を強い衝撃でウエハ面にたたきつけるため洗浄効果は十分あるが、反面多量の静電気が発生してゲート破壊が起きるという欠点がある。すなわち、噴射される純水とノズル、空気、ウエハとの摩擦やウエハにぶつかりはね返った水しぶきと空気との摩擦によりウエハ表面に１０ＫＶ程度の静電気が発生し、これがゲート酸化膜を破壊してしまうことがある。」（第１頁右下欄１−１３行目）、「本発明者は・・・洗浄液として純水の代わりに導電性液を使用し、これにより高圧水とウエハ、空気、ノズルとの摩擦による静電気を激減させることを想到した。・・・本発明による導電性液としては、静電気を発生しない程度の導電率で足りるが、・・・例えばＣＯ２溶液、ＮＨ３溶液が好ましい。」（第２頁左下欄１４行目−右上欄５行目）、「ＣＯ２バブリングボックス３は、供給管２から供給される純水に供給管１から供給されるＣＯ２をバブリングしてＣＯ２溶液をつくり、ウエハ洗浄時にはこのＣＯ２溶液を洗浄液として噴射ノズル９に供給する。」（第２頁右上欄２０行目−左下欄４行目）及び「そのノズルから高圧のＣＯ２混入水をウエハ４０上に強く噴射し、ウエハ面を洗浄する。」（第３頁左上欄７−８行目）と記載されており、甲第４号証には、「半導体ウエハの処理方法に関し、静電気によるゲート破壊を防止するために、純水にＣＯ２をバブリングさせた炭酸水を加圧してノズルから噴出し、ウエハ表面を洗浄する方法」の発明が記載されていると認める。
　甲第５号証；「光露光方式は遠紫外、紫外線をマスクに照射するため、マスクの透明基板の一主表面上に形成されている遮光用の所要パターンの導電層もしくは半導体層への静電荷蓄積により、マスクの使用前後に浮遊塵埃が表裏面上に吸着される。」（第１頁右欄８−１３行目）、「この発明の洗浄方法は、初めにマスクの表裏面に親水性の電解液を接触することにより、マスク表裏面を充分に濡らして静電気作用を除去し、吸着されている塵埃を洗い流す。次に、この電解液がリンス液で洗い流れる間にブラシ洗浄を行い、粘着物、シミ等を機械的に洗浄する。電解液が親水性であるため、ブラシ洗浄の所要時間に亘りマスク表裏面に電解液が残存して洗浄効果を保つことができる。」（第２頁右上欄６−１４行目）、「第一の洗浄槽２０では、被洗浄マスク１４の表裏面を一対の０．５重量％のアンモニア水のシャワーパイプ２１，２１´により同一の電解槽２２の浸漬前後にシャワー洗浄する。電解液槽２２はアンモニア水を洗浄期間中オーバーフローして表面に浮遊する塵埃を外部に流出する。」（第２頁左下欄９−１４行目）及び「第二の洗浄槽３０で、マスク１３は一対のシャワーパイプ３１，３１´から噴射される純水または薄い炭酸水でその表面がリンスされながら一対の回転ブラシ３２，３２´でスクラブ洗浄され、この槽３０から次工程の槽４０に送出される時にパイプ３１，３１´でシャワー洗浄される。」（第２頁左下欄１８行目−右下欄３行目）と記載されており、甲第５号証には、「親水性の電解液であるアンモニア水でマスク表裏面を洗浄することにより、マスクに蓄積された静電気作用を除去して吸着されている塵埃を洗い流し、その後シャワーパイプから噴射される薄い炭酸水でその表裏面がリンスされながら回転ブラシでスクラブ洗浄され、その後薄い炭酸水でシャワー洗浄する光露光用マスクの洗浄方法」の発明が記載されていると認める。
　
５．そこで、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明に対して、甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明を適用することの容易性について判断する。
　甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明は、いずれも素子が形成された半導体を洗浄するものであって、洗浄中に発生する静電気が、素子を破壊することを防止するために、炭酸水洗浄液を使用するというものである。一方、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明は、露光マスクの洗浄方法であって、甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明とは、洗浄対象が異なり、静電気によって破壊される素子を有するものではない。また、甲第１号証及び甲第２号証のいずれにも、洗浄中の静電気の影響について何も記載されていないし、他に、洗浄中の静電気の発生が塵埃の除去に不都合であることが、当業者において周知であったとする証拠もない。
　そうすると、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明に、何らの効果も期待できない甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明を適用し、洗浄工程を複雑にすることが当業者にとって、容易であったとすることはできない。
　なお、甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明が対象とする素子が形成された半導体は、甲第３号証に記載されているように、ブラシ等によるスクラブ洗浄に適さないから、甲第３号証又は甲第４号証に記載された発明に、甲第１号証又は甲第２号証に記載されたスクラブ洗浄を組み合わせることが容易であるとすることもできない。
　次に、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明に対して、甲第５号証に記載された発明を適用することの容易性について判断する。
　甲第５号証に記載された発明も、スクラブ洗浄の際に、洗浄液として炭酸水を使用するものであるが、洗浄液として炭酸水を使用する理由については、明記されていない。そして、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明は、スクラブ洗浄の前段階で、甲第５号証に記載された発明とは異なり、アンモニア水による洗浄工程を有しない。
　そうすると、甲第１号証又は、甲第２号証に記載された発明に、洗浄効果が異なり、何らの効果も期待できない甲第５号証に記載された発明を適用することが、当業者にとって容易であるとすることはできない。
　なお、甲第５号証には、被洗浄体に蓄積された静電気についての言及はあるが、この静電気は、洗浄前に蓄積されたものであって、洗浄中に発生したものではなく、また、その静電気の除去も、炭酸水の噴射中に行われるものではなく、アンモニア水で濡らすことによって行われるものである。
　したがって、本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
６．以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件特許の請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月１６日（２００２．１．１６）