【事件の表示】
　特許第３０５０４０１号「加熱装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０５０４０１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件手続の経緯
　本件特許第３０５０４０１号は、平成２年１１月１９日に出願され、平成１２年３月３１日にその特許の設定登録がされたものである。
　これに対し、泉和武から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年５月１日付けで特許異議意見書と訂正請求書が提出されたものである。
２．訂正の適否
２−１．訂正事項
  平成１３年５月１日付け訂正請求は、特許請求の範囲の減縮、この減縮に伴う明りょうでない記載の釈明を目的として、訂正請求書に添附した全文訂正明細書のとおり、すなわち次の訂正事項（１）乃至訂正事項（５）のとおり訂正するものである。
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の「最大の電流値となるように制御し」を、「最大の固定電流値となるように制御し」と訂正する。
（２）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の「加熱装置」を、「半導体製造用加熱装置」と訂正する。
（３）明瞭でない記載の釈明を目的として、本件明細書の（本件特許公報第３欄４５行）の「請求項１に記載の発明に係る加熱装置は」を、「請求項１に記載の発明に係る半導体製造用加熱装置は」と訂正する。
（４）明瞭でない記載の釈明を目的として、本件明細書（本件特許公報第４欄１〜２行）の「最大の電流値となるように制御し」を、「最大の固定電流値となるように制御し」と訂正する。
（５）明瞭でない記載の釈明を目的として、本件明細書（本件特許公報第４欄２３〜２４行）の「電流値の最大値以上が流れないようにする。」を、「固定電流値の最大値以上が流れないようにする。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項（１）は、請求項１の「最大の電流値」を「最大の固定電流値」と訂正するものであり、上記訂正事項（２）は、請求項１の「加熱装置」を「半導体製造用加熱装置」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また上記訂正事項（３）乃至（４）は、特許請求の範囲の減縮に伴って、発明の詳細な説明中の記載を訂正された請求項１の内容と整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、上記訂正事項（１）乃至（５）は、いずれも特許明細書に記載した事項の範囲内でなされたものであるから新規事項の追加に該当せず、また当該訂正によって実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
２−３．まとめ
　したがって、上記訂正は、平成６年改正法附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．本件訂正発明
　上記訂正は、これを認容することができるから、本件訂正後の請求項１乃至４に係る発明（以下、それぞれ「本件訂正発明１乃至４」という）は、平成１３年５月１日付け訂正請求書に添付した全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】被処理体を収容する容器と、この容器内の温度を検出する温度検知器と、前記容器を加熱する常温時に比べ所定の高温時に抵抗値が少なくとも３倍以上高くなる発熱体と、この発熱体に電流を供給する電源と、この電源から前記発熱体に供給される電流を、前記容器内の温度が所定値よりも低いときは予め設定された最大の固定電流値となるように制御し、前記容器内の温度が所定値よりも高いときは前記温度検知器によって検出された前記容器内の温度が設定温度となるように電流値を制御する制御器と、を具備することを特徴とする半導体製造用加熱装置。
【請求項２】請求項（１）において、前記制御器は、サイリスタによる位相制御にて前記電流値の制御を行うことを特徴とする加熱装置。
【請求項３】請求項（１）又は（２）において、前記発熱体は、二ケイ化モリブデン線にて形成されることを特徴とする加熱装置。
【請求項４】請求項（１）〜（３）のいずれかにおいて、前記発熱体は、前記容器の軸方向に沿って複数にゾーン分割された各ゾーンに各々配設され、前記制御器は、各ゾーン毎に各々独立に制御されることを特徴とする加熱装置。」
４．特許異議申立てについて
（４−１）異議申立ての理由
　特許異議申立人は、甲第１号証乃至甲第４号証を提出して、本件請求項１乃至４に係る発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると主張している。
（４−２）証拠の記載内容
　甲第１号証乃至甲第４号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
（１）甲第１号証：特開平２−６９８０７号公報
（イ）「ヒータの温度を制御する電力調整器の出力電圧を必要に応じて制限するヒータ温度制御出力の制限方法であって、前記ヒータの目標温度を設定する工程と、上昇するヒータ温度に対する前記電力調整器の出力電圧の最適条件を設定する工程と、ヒータの現在の温度を検出する工程と、電力調整器の出力電圧を制御する基本制御出力値をヒータの現在の温度および目標温度に基づいて決定する工程と、基本制御出力値が上記最適条件に適合するか否かを判別した後、その判別結果に基づいて該基本制御出力値あるいは該最適条件に適合するよう制限した制限制御出力値のうちどちらか一方に対応する出力電圧を電力調整器が出力するように制御する工程と、からなるヒータ温度制御出力の制限方法。」（第１頁左欄特許請求の範囲）
（ロ）「一般に、紡糸延伸加熱ローラ装置等のヒータ温度制御設備においては、その設備に流れる電流の大きさにより規模の大小が左右されることから、設備の規模を小さくするために電流値を小さく抑える必要がある。このため、出力制限設定器を別設し、電流値が大きくなるヒータの起動時等にヒータの温度を制御する電力調整器の出力電圧を制限するようにしている。」（第１頁右欄第８行乃至第１５行）
（ハ）「一方、電力調整器５には可変抵抗器等を用いた出力制限設定器８が取り付けられている。出力制限設定器８は、ヒータ１が一定の印加電圧に対して第１３図に示すような電流特性（ヒータ１の温度が低いほど大きな電流が流れる）を有することから、第１４、１５図に示すような例えば３０％の出力電圧制限を行ってヒータコイル３に流れる電流を制限している。」（第２頁左上欄第７行乃至第１４行）
（ニ）「しかしながら、このような従来のヒータ温度制御出力の制限方法にあっては、・・・コストが高くなっていた。しかも・・・例えばヒータ１の温度を上昇させる昇温時間が長くなったり、逆にヒータシェル２に流れる電流が過大になったりするという問題があった。すなわち、従来のヒータ温度制御出力の制限方法は、ヒータの実際の温度変化に対応した最適な出力制限を行うものではなく、昇温時間の延長や設備のコスト高を招来するか設備の保護を不確実にするものであった。」（第２頁右上欄第２行乃至第１６行）
（ホ）「そこで本発明は、ヒータの温度を制御する電力調整器の出力電圧をヒータの温度変化に応じた最適な値に変化させることにより、小規模な設備でヒータの昇温時間を短縮するとともに、出力制限設定器を別設することなく設備を確実に保護して設備コストを低減させることを目的としている。」（第２頁右上欄第１８行乃至左下欄第３行）
（ヘ）「まず、構成を説明する。第１図において、２１は紡糸延伸加熱ローラ装置のヒータであり、ヒータ２１は発熱体であるヒータシェル２２およびこのヒータシェル２２を発熱させる誘導加熱ヒータコイル２３を有する。ヒータコイル２３は商用電源２４からサイリスタ等の電力調整器２５を介して出力電圧が出力され、電力調整器２５はマイクロコンピュータ２６からの制御指令出力に応じてヒータコイル２３への出力電圧を調整する。この制御指令出力はヒータシェル２２あるいはその近傍に装着され温度センサ２７からの温度信号に基づいてマイクロコンピュータ２６により決定される。」（第２頁右下欄第２０行乃至第３頁左上欄第１１行）
（ト）「具体的には、ＣＰＵ３１は最適条件データからヒータ２１の現在温度に対する電力調整器２５の最大電圧値を設定した後に、基本制御出力値に対応する出力電圧が該最大電圧値を超えるか否かを判別し、電力調整器２５の出力電圧が該最大電圧値を超えないように、基本制御出力値あるいは該最大電圧値まで電圧値を制御するようにした制限制御出力値のうちどちらか一方を制御出力値として決定する。そして、ＣＰＵ３１により決定された制御出力値に対応して出力インタフェース３５から電力調整器２５に制御指令出力が出力され、電力調整器２５が制御出力値に対応する出力電圧を出力するよう制御されるようになっている。」（第３頁左下欄第１行乃至第１４行）
（チ）「まず、温度センサ２７によりヒータ２１の温度を検出する工程が継続して行われる状態において、Ｐ１でヒータ２１の現在の温度信号が入力され、Ｐ２でヒータ２１の現在の温度および目標温度に基づいて基本制御出力値が演算される。次いで、Ｐ３に進み、Ｐ３でこの基本制御出力値が電力調整器２５の出力電圧の最適条件に適合するか否かが判別される。Ｐ３で基本制御出力値が最適条件に適合しないと判別されると、Ｐ４で最適条件データからヒータ２１の現在の温度に応じた制御割合が演算され、Ｐ５で該制限割合だけ電圧値を制限した制限制御出力値が演算された後に、Ｐ６で該制限制御出力値に対応する制御出力値が出力インタフェース３５に出力される。一方、Ｐ３において、基本制御出力値が最適条件に適合する（ヒータ２１の現在の温度に対する最大電圧値以下の出力電圧を促す）と判別されると、Ｐ６でこの基本制御出力値に対応する制御出力値がインタフェース３５に出力される。すなわち、Ｐ３〜Ｐ６は、基本制御出力値が電力調整器２５の出力電圧の最適条件に適合するか否かを判別した後、その判別結果に基づいて該基本制御出力値あるいは該最適条件に適合するよう制限した制限制御出力値のうちどちらか一方に対応する出力電圧を電力調整器２５が出力するように制御する工程である。
このように本実施例においては、最適条件データからヒータ２１の温度が低く出力制限が必要であるとき、ヒータ２１の温度に応じた制限割合の制御出力値が決定され、この制御出力値に基づいて電力調整器２５の出力電圧が制限される。」（第３頁右下欄第５行乃至第４頁左上欄第１４行）
（２）甲第２号証：特開昭５１−１３７９３６号公報
　この証拠には、「電気炉における複数の温度ゾーンの温度を制御するための装置と方法」において、サイリスタ装置による位相制御によって電力量を制御することが記載されている。
（３）甲第３号証：特開昭５２−８５７２９号公報
　この証拠には、「二珪化モリブデン系ヒータ線」が発熱体として耐熱性に優れていることが記載されている。
（４）甲第４号証：特開平１−２３６６１５号公報
「非熱処理物を収容するプロセスチューブと、このプロセスチューブ側壁の両端部および中央部に配列された少なくとも三つのヒータを含む複数の独立したヒータであって、各ヒータは処理チューブの周囲を取囲み、また各ヒータ温度は夫々任意に設定可能であることを特徴とする熱処理装置。」（第１頁左欄特許請求の範囲第１項）
（４−３）当審の判断
（１）本件訂正発明１について
　上記甲第１号証には、紡糸延伸加熱ローラ装置に好適な「ヒータ温度制御出力の制限方法」に関し、ヒータの温度を制御する電力調整器の出力電圧を必要に応じて制御するヒータ温度制御出力の制限方法が記載されている。具体的には、「最適条件データからヒータ２１の現在温度に対する電力調整器２５の最大電圧値を設定した後に、基本制御出力値に対応する出力電圧が該最大電圧値を超えるか否かを判別し、電力調整器２５の出力電圧が該最大電圧値を超えないように、基本制御出力値あるいは該最大電圧値まで電圧値を制御するようにした制限制御出力値のうちどちらか一方を制御出力値として決定する」（上記（ト）参照）と記載されているから、甲第１号証には、「ヒータの現在温度に対する電力調整器の最大電圧値を設定した後に、基本制御出力値に対応する出力電圧が該最大電圧値を超えるか否かを判別し、電力調整器の出力電圧が該最大電圧値を超えないように、基本制御出力値あるいは該最大電圧値まで電圧値を制御する制御器を具備する加熱装置」の発明（以下、「甲１発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明１と甲１発明とを対比すると、本件訂正発明１は、「半導体製造用加熱装置」であって、具体的にはプロセスチューブの周囲を巻装したヒータ線などからなる加熱装置であるのに対し、甲１発明は、紡糸延伸加熱ローラ装置に好適な加熱装置であるから、両者は、その基本的な技術分野を異にする他に、その制御器における具体的な制御の仕方の点が大きく相違するものである。
　すなわち、本件訂正発明１では、発熱体に供給される電流を「容器内の温度が所定値よりも低いときは予め設定された最大の固定電流値となるように制御」するのに対し、甲１発明では、「電力調整器の出力電圧が該最大電圧値を超えないように、基本制御出力値あるいは該最大電圧値まで電圧値を制御」するものであるから、両者は、先ずその制御する対象が「電流」か「電圧」かで相違していると云える。また、本件訂正発明１では、容器内の温度が所定値よりも低い場合には、所定値になるまで「最大の固定電流値」で電流を流す、すなわち一定の最大の電流値を流し続けるのに対し、甲１発明では、「最大電圧値まで電圧値を制御する」というものであるから、一定の最大の電圧値を出力し続けるものではない。そして、甲第１号証のその余の記載にも、所定値の温度になるまで「最大の固定電流値」で電流を流し続けるという制御の考え方は何ら示唆されていないと云える。
　次に、甲第２号証乃至甲第４号証を検討すると、これら証拠も、本件訂正発明１の上記「制御器」における具体的な制御の仕方について何ら示唆するものではない。
　してみると、本件訂正発明１は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　なお、特許異議申立人は、本件訂正発明１の上記「最大の固定電流値を流す」点について、甲第１号証の第１５図には、出力電圧を一定（３０％）とすることが図示されているから、一定の電流値を流す考え方は示唆されていると主張している。
　しかしながら、甲第１号証の第１５図の記載内容は、従来技術に関するものであり、しかもその従来技術における３０％の出力電圧の制限とは、上記（ロ）及び（ハ）の記載によれば、ヒータの起動時等にヒータコイルに流れる電流を小さく制限するためのものであるから、本件訂正発明１のように可能な限り最大の固定電流値を流し続けることとその技術思想を異にしていると云うべきである。
　したがって、特許異議申立人の上記主張は採用することができない。
（２）本件訂正発明２乃至４について　
　これら発明は、請求項１を引用するものであるから、本件発明１と同様、上記甲第１号証乃至甲第４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件訂正発明１乃至４についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件訂正発明１乃至４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１１日（２００２．６．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件訂正の要旨は、本件特許第３０５０４０１号発明の特許明細書を平成１３年５月１日付け訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、次の訂正事項（１）乃至（５）のとおりに訂正するものである。
（１）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の「最大の電流値となるように制御し」を、「最大の固定電流値となるように制御し」と訂正する。
（２）特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１の「加熱装置」を、「半導体製造用加熱装置」と訂正する。
（３）明瞭でない記載の釈明を目的として、本件明細書の（本件特許公報第３欄４５行）の「請求項１に記載の発明に係る加熱装置は」を、「請求項１に記載の発明に係る半導体製造用加熱装置は」と訂正する。
（４）明瞭でない記載の釈明を目的として、本件明細書（本件特許公報第４欄１〜２行）の「最大の電流値となるように制御し」を、「最大の固定電流値となるように制御し」と訂正する。
（５）明瞭でない記載の釈明を目的として、本件明細書（本件特許公報第４欄２３〜２４行）の「電流値の最大値以上が流れないようにする。」を、「固定電流値の最大値以上が流れないようにする。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
加熱装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　被処理体を収容する容器と、
この容器内の温度を検出する温度検知器と、
前記容器を加熱する常温時に比べ所定の高温時に抵抗値が少なくとも３倍以上高くなる発熱体と、
この発熱体に電流を供給する電源と、
この電源から前記発熱体に供給される電流を、前記容器内の温度が所定値よりも低いときは予め設定された最大の
固定
を具備することを特徴とする
半導体製造用
　【請求項２】　請求項（１）において、
前記制御器は、サイリスタによる位相制御にて前記電流値の制御を行うことを特徴とする加熱装置。
　【請求項３】　請求項（１）又は（２）において、
前記発熱体は、二ケイ化モリブデン線にて形成されることを特徴とする加熱装置。
　【請求項４】　請求項（１）〜（３）のいずれかにおいて、
前記発熱体は、前記容器の軸方向に沿って複数にゾーン分割された各ゾーンに各々配設され、
前記制御器は、各ゾーン毎に各々独立に制御されることを特徴とする加熱装置。
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
　本発明は、加熱装置に関し、特に、被処理体の高温処理を行なうための加熱装置に関する。
（従来の技術）
　加熱装置としては、例えば、半導体ウエハの製造工程において使用される、ＣＶＤ装置或いはエピタキシャル成長装置等の各種薄膜形成装置や、熱拡散装置等のドーピング装置などに使用されているものが知られている。
　従来、この種の加熱装置では、例えば、被処理体を収容する容器としてのプロセスチューブの周囲を発熱体としてのヒータ線で巻装して熱処理炉を構成し、このヒータ線を流れる電流により生じるジュール熱でプロセスチューブを加熱することによって、このプロセスチューブ内に収容された被処理体としての半導体ウエハの高温処理を行なっている。
（発明が解決しようとする課題）
　半導体ウエハの製造工程において、薄膜形成や熱拡散処理等の高温処理を行なう場合、プロセスチューブ内が設定温度に達しなければ処理を開始することができない。したがって、生産効率を向上させるためには、プロセスチューブ内の温度を、なるべく短時間で設定温度まで上昇させる必要がある。
　プロセスチューブを所望の温度にまで加熱するために要する時間（加熱時間）を短くするためには、ヒータ線に流す電流値を大きくして、このヒータ線の発熱量を大きくする方法が考えられる。しかし、あまりに過大な電流を流しヒータ線の許容電流以上を流すと、ヒータ線の温度が上昇し過ぎて断線する恐れがある。また、このヒータ線を形成する材料として抵抗値が温度の上昇にしたがって増加する材料を使用したとき、高温時に所定の電流が流れるような電圧を印加すると、加熱の開始時に常温で許容される電流値の最大値以上が流れてしまい、ヒータ線が断線する可能性があるという問題点を有していた。
　特に、近年、この種の加熱装置においては、半導体ウエハの大口径化等によってプロセスチューブの大型化が進んでいること等の理由により、このプロセスチューブの熱容量が増大する傾向にある。このため、加熱時間は逆に長時間化しており、加熱時間の短い加熱装置が嘱望されている。
　本発明は、温度によって抵抗値が大幅に変化するヒータを用いた場合のこのような従来技術の課題に鑑みて試されたものであり、容器内を短い加熱時間で設定温度まで上昇させることのできる加熱装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
　請求項１に記載の発明に係る
半導体製造用
固定
　請求項２に記載の発明に係る加熱装置は、請求項１において、前記制御器は、サイリスタによる位相制御にて前記電流値の制御を行うことを特徴とする。
　請求項３に記載の発明に係る加熱装置は、請求項１又は２において、前記発熱体は、二ケイ化モリブデン線にて形成されることを特徴とする。
　請求項４に記載の発明に係る加熱装置は、請求項１〜３のいずれかにおいて、前記発熱体は、前記容器の軸方向に沿って複数にゾーン分割された各ゾーンに各々配設され、前記制御器は、各ゾーン毎に各々独立に制御されることを特徴とする。
（作　用）
　請求項１に記載の発明によれば、低温時抵抗値が低く温度上昇と共に高くなるヒータ線を用いたヒータにより加熱するに際し、容器内が所定の温度に達するまでの初期期間は、電源から発熱体に供給される電流が予め設定された電流値となるように制御することにより、発熱体の抵抗値が変化しても、この発熱体に常に許容される
固定
　請求項２に記載の発明によれば、サイリスタは、アノードがカソードに対して正電位である時に適当なゲート電流を流すとアノードカソード間が導通し、一度導通するとゲート電流が零になってもアノード電位が零になる間でオフにならないという特徴を有する。このため、アノード電圧の位相から一定量ずらしてゲートトリガ（電流パルス）を与えることで、出力電流を制御できる。
　また、過電流による不都合が生じないような電流値のうち許容される最大値を選択できるので、容器内の温度が所定値に達するまでの時間を最大限に短縮することができる。
　請求項３に記載の発明によれば、二ケイ化モリブデン線にて形成することで、従来用いていた例えばＦｅＣｒＡｌ線で形成されたヒータに比べて、発熱量を格段に増加させることができる。また、ヒータを電流で発生するジュール熱で加熱することができ、この電流にて温度を制御できる。
　請求項４に記載の発明によれば、容器内の温度を各ゾーンで各々独立に制御ができる。
（実施例）
　以下、本発明の一実施例として、本発明に係わる加熱装置をＣＶＤ装置に適用した場合を例にとって説明する。
　第１図は、本実施例のＣＶＤ装置に使用される熱処理炉の構成を概略的に示す断面図である。
　図において、１０は例えば石英等の耐熱材料で形成されたプロセスチューブであり、例えばステンレススチールからなるベースプレート１２上に縦方向に立設支持されている。また、このプロセスチューブ１０内には、保温筒１８と、この保温筒１８に載置されたボート２０が設けられている。ボート２０は、例えば石英等の耐熱材料で形成されており、多数枚（例えば１５０枚）の半導体ウエハ２２を水平方向に等間隔で配列支持するための溝部（図示せず）を有している。ボート２０に配列支持された半導体ウエハ２２には、図示していない処理ガス供給源よりプロセスチューブ１０内に供給される処理ガスによって、気相成長処理が行なわれる。なお、保温筒１８はフランジキャップ２４上に搭載されており、さらに、このフランジキャップ２４は図示しないエレベータアームに取り付けられている。このため、このエレベータアームの昇降により保温筒１８およびボート２０を上下に移動させることができ、この移動によって、保温筒１８およびボート２０の、プロセスチューブ１０からの着脱を行っている。エレベータアームが上昇し、保温筒１８およびボート２０がプロセスチューブ１０内に挿入されたときは、このプロセスチューブ１０のボート挿入口２６とフランジキャップ２４とにより、プロセスチューブ１０内が密閉される。また、ボート２０に配列支持された半導体ウエハ２２列を交換するときは、エレベータアームを下降させ、ボート２０をプロセスチューブ１０外へ抜き出せばよい。
　プロセスチューブ１０の外側には、低温時抵抗値が低く温度上昇により高くなる第３図の如く特性のヒータ線、例えば二ケイ化モリブデンＭｏＳｉ２線によって形成されたヒータ３０が配置され、このヒータ３０がプロセスチューブ１０を囲繞している。かかる構成によれば、このヒータ３０に流れる電流で発生するジュール熱により、プロセスチューブ１０内を加熱することができる。また、ジュール熱の熱量は電流値の二乗に比例するので（ジュールの法則）、このヒータ３０に流れる電流値により、プロセスチューブ１０内の温度を制御することができる。
　なお、本実施例では、このヒータ３０を、プロセスチューブ１０の例えば上部、中央部、下部の３ゾーンに分割して、それぞれ独立させて設け、各部をそれぞれ別々に加熱できるように構成している。これにより、プロセスチューブ１０の内部の温度を、５００〜１２００℃の範囲で、それぞれ独立に温度制御することができる。また、ヒータ３０の外側は断熱材３４で覆われており、これによって、ヒータ３０から発生した熱が熱処理炉の外に伝わることを防止している。さらに、この断熱材３４は、シェル３６で覆われている。
　また、本実施例ではヒータ３０をＭｏＳｉ２線によって形成したので、従来用いられている例えばＦｅＣｒＡｌ線で形成されたヒータと比べて、発熱量を格段に増加させることができる。例えば、１２００℃での最大表面負荷はＦｅＣｒＡｌ線で形成されたヒータでは２Ｗ／ｃｍ２であるのに対してＭｏＳｉ２線で形成されたヒータでは２０Ｗ／ｃｍ２であり、これにより、得られる温度上昇はＦｅＣｒＡｌ線で形成されたヒータでは１０℃／分であるのに対しＭｏＳｉ２線で形成されたヒータでは１００℃／分となる。
　第２図は、本実施例に係わるＣＶＤ装置の電気回路系を概略的に示すブロック図である。プロセスチューブ１０内の温度制御は、ヒータ３０に流れる電流値を、この電気回路系で制御することによって行われる。
　図において、電源４０から出力された交流電力は、変圧器４２で変圧された後、電力制御器４４に入力される。電力制御器４４は、あらかじめ設定された電流値ＩＭＡＸ（ここでは２００［Ａ］とする）と温度コントローラ４６から入力される制御信号とにしたがって、出力電流、すなわちヒータ３０に流れる電流を制御する。
　なお、温度コントローラ４６が出力する制御信号の信号値は、温度センサ４８によって測定されるプロセスチューブ１０内の温度に応じて変化する。本実施例では、この制御信号の信号値は、０［Ｖ］〜１０［Ｖ］の範囲で変化するものとし、温度コントローラ４６が電力制御器４４に出力電力を０％とするように要求するとき（すなわち、出力を行わないよう要求するとき）は制御信号の信号値が０［Ｖ］となり、出力電力を１００％とするように要求するとき（すなわち、入力した電力をすべて出力するように要求するとき）は制御信号の信号値が１０［Ｖ］となることとする。
　温度センサ４８としては、例えば熱電対が使用可能である。
　また、電力制御器４４としては、例えば、サイリスタ（ＳＣＲ）を用いて位相制御により出力電流値の制御を行なう形式のものが使用可能である。
　電力制御器４４では、プロセスチューブ１０内の温度が、ある所定温度（以下、制御切換温度）よりも高い場合と低い場合とで、異なる方法で制御を行なう。
　プロセスチューブ１０内の温度が制御切換温度に達するまでは、温度コントローラ４６が出力する制御信号の信号値は１０［Ｖ］となる。すなわち、温度コントローラ４６は、電力制御器４４に、入力した電力を１００％出力するように指示する。このとき電力制御器４４は、ヒータ３０を流れる電流値ＩＭＡＸとなるように、出力電力を制御する。すなわち電力制御器４４は、ヒータ３０の抵抗値が変化しても、常にこのヒータ３０に電流値ＩＭＡＸの電流が流れるように制御を行なう。電流を制御する方法としては、例えば、上述したように、サイリスタを用いて位相制御を行なう方法がある。サイリスタは、アノードがカソードに対して正電位であるときに適当なゲート電流を流すとアノード・カソード間が導通し、一度導通するとゲート電流が零になってもアノード電圧が零になる間でオフにならないという特徴を有している。したがって、アノード電圧の位相から一定量ずらしてゲートトリガ（電流パルス）をあたえることにより、出力電流（すなわち、第４図の如くヒータ３０を流れる平均電流ＩＭＡＸ）を制御することができる。この電流値ＩＭＡＸとして、過電流による不都合（例えばヒータ３０の断線等）が生じないような電流値のうち許容される最大値を選択することにより、プロセスチューブ１０内の温度が制御切換温度に達するまでの時間を最大限に短縮することができる。
　また、プロセスチューブ１０内の温度が上述の制御切換温度を越えると、温度コントローラ４６は、温度センサ４８によって測定されたプロセスチューブ１０内の温度に基づいて、例えばＰＩＤ（ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ　ｐｌｕｓ　ｉｎｔｅｇｒａｌ　ｐｌｕｓ　ｄｅｒｉｖａｔｉｖｅ）動作等により、出力する制御信号の信号値を逐次変更する。この制御信号にしたがって電力制御部４４がヒータ３０に流れる電流を制御することにより、プロセスチューブ１０内の温度を設定温度で安定させることができる。
　このように、本実施例では、プロセスチューブ１０内の温度が制御切換温度に達するまでは常にヒータ３０に電流値ＩＭＡＸの電流が流れるように制御を行ない、プロセスチューブ１０内の温度が制御切換温度を越えるとＰＩＤ等による温度制御を行なうので、プロセスチューブ１０内の温度を短い加熱時間で設定温度まで上昇させることができ、且つ、設定温度まで上昇した後は正確な温度制御をすることができる。
　なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々変形実施が可能である。例えば、本実施例では、本発明の加熱装置をＣＶＤ装置に適用した場合を例にとって説明したが、他の薄膜形成装置やドーピング装置等、被処理体の高温処理を行なう装置であれば、他の装置にも同様に適用できる。また、発熱体も、上記実施例に用いたＭｏＳｉ２以外のものであっても、少なくとも低温度時抵抗値が低く温度が高くなるにしたがって高く変化するものであれば同様に本発明を利用することができる。
［発明の効果］
　請求項１の発明によれば、容器内を短い加熱時間で設定温度まで上昇させることができる。特に、本発明の加熱装置を、半導体ウエハの製造工程において高温処理を行なうために使用される各種装置に適用した場合には、半導体ウエハの生産効率を向上させることができ、したがって、半導体ウエハを安価に製造することが可能となる。
　請求項２の発明によれば、アノード電圧の位相から一定量ずらして電流パルスを与えることで、出力電流を制御できる。また、容器内の温度が所定値に達するまでの時間を最大限に短縮できる。
　請求項３の発明によれば、二ケイ化モリブデン線にて形成することで、従来ヒータに比べて、発熱量を格段に増加させることができる。
　請求項４の発明によれば、各ゾーンで各々独立に温度制御ができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図から第４図は本発明の一実施例に係わる加熱装置を説明するための図であり、第１図は熱処理炉の構成を概略的に示す断面図、第２図は電気回路系を概略的に示すブロック図、第３図は第１図に使用したヒータの温度対固有抵抗特性図、第４図は第２図の電力制御器で位相制御された電流波形図である。
１０　プロセスチューブ
１２　ベースプレート
１８　保温筒
２０　ボート
２２　半導体ウエハ
２４　フランジキャップ
３０　ヒータ
３４　断熱材
３６　シェル
４０　電源
４２　変圧器
４４　電力制御器
４６　温度コントローラ
４８　温度センサ