【事件の表示】
　特許第３１５２１０８号「ＩＴＯスパッタリングターゲット」の請求項１〜５に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１５２１０８号の請求項１〜５に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
I．手続の経緯、本件発明
　本件特許第３１５２１０８号は、平成７年６月１２日に特許出願（特許法第４１条による優先権主張：平成６年６月１３日）され、平成１３年１月２６日に特許の設定登録がなされ、その後、株式会社日鉱マテリアルズ及び金子しのより、それぞれ、特許異議の申立がなされたものであって、本件請求項１〜５に係る発明は、本件明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】実質的に酸化インジウムおよび酸化スズからなる密度６．４ｇ／ｃｍ３以上のＩＴＯスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの被スパッタリング面の表面の中心線平均粗さ（以下Ｒａと略記）が０．８μｍ以下で、かつ、以下の（１）〜（７）の少なくとも一つの条件を満たすことを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
（１）最大高さ（以下Ｒｍａｘと略記）が７．０μｍ以下、
（２）十点平均粗さ（以下Ｒｚと略記）が６．０μｍ以下、
（３）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された粗さ曲線を中心線に平行な２直線で挟んだ時に得られる２直線間の間隔として表される最大粗さ（以下Ｒｔと略記）が６．５μｍ以下、
（４）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された断面曲線中の最大の高さを持つ山と平均線までの距離で表される平均線深さ（以下Ｒｐと略記）が２．０μｍ以下、
（５）基準長さ２．５ｍｍの粗さ曲線における凹凸の平均傾斜角（以下θａと略記）が１０．０°以下、
（６）基準長さ２．５ｍｍにおいて、ｔｐ（０−１０％）におけるカッテイング深さ（以下ＣＶと略記）が０．５μｍ以下、
（但し、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶとは、基準長さ区間内の断面曲線を平均線に平行なレベルの直線で断面曲線の山側より順次切断したとき、その直線を断面曲線が切り取る線分の長さの総和の基準長さに対する比が０％のレベル（断面曲線の最高山頂）と１０％となるレベルの間の距離を示す）
（７）基準長さ２．５ｍｍにおいて、
　Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２５
　（但し、Ｐｃ（＋１．０μｍ）とは、粗さ曲線の中心線に対し上側に１．０ミクロンの位置に、中心線に対して平行な１本のピークカウントレベルを設けたとき、中心線と粗さ曲線が交差する２点間において、ピークカウントレベルと粗さ１線が交差する点が１回以上存在する場合一山とし、基準長さにおける山の合計数を表す）
【請求項２】　被スパッタリング面の表面のＲａとＲｍａｘとが、Ｒａ×Ｒｍａｘ≦３．０μｍ２なる関係を満足することを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項３】　被スパッタリング面の表面のＲａとＲｚとが、Ｒａ×Ｒｚ≦３．０μｍ２なる関係を満足することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項４】　被スパッタリング面の表面のＲａとＲｔとが、Ｒａ×Ｒｔ≦３．０μｍ２なる関係を満足することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット。
【請求項５】　被スパッタリング面の表面のＲｐとＲｍａｘとが、Ｒｐ／Ｒｍａｘ≦０．２であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット。
　なお、上記請求項１の記載中、「粗さ１線」（同請求項本文の後ろから２行目）は、「粗さ曲線」の誤りであることは明白であり、以下、当該記載を、粗さ曲線と解して対比、判断することとする。
　
II．特許異議申立の概要
　特許異議申立人〈株式会社日鉱マテリアルズ〉は、証拠として、
甲第１号証：特開平５−１４８６３５号公報（以下、適宜、「引用例」と
　　　　　　いう）
甲第２号証：平成１３年９月２７日、株式会社日鉱マテリアルズ磯原工場
　　　　　　新素材開発センターの熊原吉一作成による確認試験報告書
　　　　　　（以下、「試験報告書」という）、
資料１：特許第３１５２１０８号公報（本件特許公報）
　を提示し、本件請求項１〜５に係る発明は、必要に応じて甲第２号証の記載を参照すれば、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、それらの特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであって、取り消されるべきである旨主張する。
　特許異議申立人〈金子しの〉は、証拠として、
甲第１号証：特開平５−１４８６３５号公報（上記したとおり、適宜、
　　　　　　「引用例」という）
　を提示し、本件請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、あるいは、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり、それらの特許は、特許法第２９条第１項第３号あるいは同法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであって、取り消されるべきである旨主張する。
　
III．証拠の記載
　引用例には、以下のことが記載されている。
（Ａ−１）「【請求項２】　酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法により製造されたＩＴＯスパッタリングターゲットであって、表面粗さＲａが ０．５μｍ以下で、かつ密度Ｄ(ｇ/ｃｍ３）とバルク抵抗値ρ(ｍΩｃｍ）が下記２つの式を同時に満たして成るＩＴＯスパッタリングターゲット。
　　a)　 ６．２０ ≦　Ｄ　≦ ７．２３，
　　b)　−０．０６７６Ｄ＋０．８８７ ≧　ρ　≧　−０．０７６１Ｄ
　　　　＋０．６６６ 。」（特許請求の範囲第２項）
（Ａ−２）「このようなことから、本発明が目的としたのは、従来材に指摘された上記問題点が解消されたところの、スパッタリング時に異常放電やノジュールを発生することが殆どない上にガスの吸着も極力少なく、そのため良好な成膜作業下で品質の高いＩＴＯ膜を安定して得ることのできるＩＴＯ焼結ターゲットを実現することであった。」（段落０００６）
（Ａ−３）〔本発明者等は、上記目的を達成すべく様々な観点に立って実験・研究を重ねたところ、「ＩＴＯ焼結ターゲットの特性に影響を及ぼす要因は多岐にわたって存在するものの、中でも“表面粗さ”がターゲットの異常放電，ノジュールの発生並びにガス吸着量に及ぼす影響は非常に大きく、この表面粗さを低い範囲に収めることができればＩＴＯ焼結ターゲットに指摘された前記問題点は顕著に改善される」との結論を得るに至った。〕（段落０００７）
（Ａ−４）「ａ)ＩＴＯ焼結ターゲットの製造に当って“圧縮成形した酸化物粉末混合体の焼結”を１気圧以上の高い酸素分圧雰囲気中で実施し、これを常法に従って機械加工に付すと、前記酸化物粉末混合体の圧縮成形にコールドプレス法を適用した場合であっても、表面粗さＲａが ０．５μｍ以下の“ＩＴＯ焼結ターゲット”を安定して得ることができるようになり、スパッタリング時の異常放電、ノジュール、ガス吸着等の発生が極力抑えられる。」（段落０００９の後段）
（Ａ−５）「本発明品１：金型に充填した原料混合粉を油圧プレスにて８００ｋｇ/ｃｍ２の圧力で加圧してからこれを８０℃に加熱してバインダー中の水分を蒸発させて乾燥し、次いで加圧焼結炉により１気圧（絶対圧）の純酸素ガス雰囲気中にて１６５０℃で１０時間焼結する。次に、得られた焼結体の表面を平面研削盤で削り、更に側辺をダイヤモンドカッターで切断してターゲット製品とした。得られたＩＴＯ焼結ターゲット製品の表面粗さＲａは０．４０μｍ，密度は６．６０ｇ/ｃｍ３ ，バルク抵抗値は０．１５ｍΩｃｍであった。」（段落００１８）
（Ａ−６）「本発明品２：金型に充填した原料混合粉を油圧プレスにて９５０ｋｇ/ｃｍ２の圧力で加圧してからこれを８０℃に加熱してバインダー中の水分を蒸発させて乾燥し、次いで加圧焼結炉により４気圧（絶対圧）の純酸素ガス雰囲気中にて１６５０℃で１０時間焼結する。次に、得られた焼結体の表面を平面研削盤で削り、更に側辺をダイヤモンドカッターで切断してターゲット製品とした。得られたＩＴＯ焼結ターゲット製品の表面粗さＲａは０．２７μｍ，密度は７．２３ｇ/ｃｍ３ ，バルク抵抗値は０．１２ｍΩｃｍであった。」（段落００１９）
　
　試験報告書には、以下のことが記載されている。
（Ｂ−１）特開平５−１４８６３５号公報の技術により得たＩＴＯスパッタリングターゲットの下記の特性値を測定した。
　密度（ｇ/ｃｍ３）、中心線平均粗さＲａ（μｍ）、最大高さＲｍａｘ（μｍ）、十点平均粗さＲｚ（μｍ）、最大粗さＲｔ（μｍ）、平均線深さＲｐ（μｍ）、Ｐｃ（＋１．０μｍ）、Ｒａ×Ｒｍａｘ（μｍ２）、Ｒａ×Ｒｔ（μｍ２）、Ｒｐ/Ｒｍａｘ（第２頁第２〜１４行）
（Ｂ−２）「（製造工程）
　サンプル粒子径
　　酸化インジウム粉平均粒子径：１．６３０μｍ、１．５９０μｍ
　　酸化錫平均粒径：１．９１０μｍ
　金型
　　３９４Ｗ×１０３２Ｌ　　
　油圧プレス圧力
　　７８５ｋｇ/ｃｍ２　　
　焼結炉
　　雰囲気焼結炉を使用し１気圧（絶対圧）の純酸素雰囲気下で焼結
　焼結温度及び時間
　　１５７０℃、１０時間焼結
　表面加工
　　焼結体を＃４００の砥石を用いて平面研削盤により研削」（第２頁下から第２行〜第３頁第１３行）
（Ｂ−３）本試験によって得た特性値の測定結果は、平均値で表すと、
　密度（ｇ/ｃｍ３）７．１１、中心線平均粗さＲａ（μｍ）０．４９、
　最大高さＲｍａｘ（μｍ）３．５３、十点平均粗さＲｚ（μｍ）２．
　５４、最大粗さＲｔ（μｍ）５．３２、平均線深さＲｐ（μｍ）１．
　３８、Ｐｃ（＋１．０μｍ）３．２１、Ｒａ×Ｒｍａｘ（μｍ２）１．
　７２、Ｒａ×Ｒｚ（μｍ２）１．７２、Ｒａ×Ｒｔ（μｍ２）２．５９、
　Ｒｐ/Ｒｍａｘ０．３９である。（第３頁末行〜第４頁下から第９行）
　
IV．対比、検討
　特許異議申立人〈株式会社日鉱マテリアルズ〉と同〈金子しの〉の主張を併合して検討する。
IV−１．請求項１について
　引用例には、前記（Ａ−１）により、
「酸化インジウムと酸化錫を主成分とした原料から粉末冶金法により製造されたＩＴＯスパッタリングターゲットであって、表面粗さＲａが ０．５μｍ以下で、かつ密度Ｄ(ｇ/ｃｍ３）が６．２０ 〜 ７．２３であるＩＴＯスパッタリングターゲット」に関する発明が記載されているものと認められる。
　そこで、本件請求項１に係る発明（以下、適宜、「本件発明」という）と、引用例に記載される発明とを対比する。
　引用例に記載のターゲットは、本件発明と同様、酸化インジウムおよび酸化スズからなるものである。そして、引用例に記載のターゲットの密度の数値範囲である６．２０ 〜 ７．２３ｇ/ｃｍ３は、本件発明のものの数値範囲である６．４ｇ／ｃｍ３以上と重複する。また、引用例に記載のターゲット表面の「平均粗さＲａ」は本件発明の「中心線平均粗さＲａ」に相当し、当該表面粗さＲａの数値範囲の０．５μｍ以下は、本件発明のものの数値範囲である０．８μｍ以下に含まれる。
　よって、両者は、
「実質的に酸化インジウムおよび酸化スズからなる密度６．４ｇ／ｃｍ３以上のＩＴＯスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲットの被スパッタリング面の表面の中心線平均粗さ（以下Ｒａと略記）が０．８μｍ以下であるＩＴＯスパッタリングターゲット」である点で、共通する。
　しかし、被スパッタリング面の表面につき、本件発明は、更に、
「（１）最大高さ（以下Ｒｍａｘと略記）が７．０μｍ以下、
（２）十点平均粗さ（以下Ｒｚと略記）が６．０μｍ以下、
（３）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された粗さ曲線を中心線に平行な２直線で挟んだ時に得られる２直線間の間隔として表される最大粗さ（以下Ｒｔと略記）が６．５μｍ以下、
（４）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された断面曲線中の最大の高さを持つ山と平均線までの距離で表される平均線深さ（以下Ｒｐと略記）が２．０μｍ以下、
（５）基準長さ２．５ｍｍの粗さ曲線における凹凸の平均傾斜角（以下θａと略記）が１０．０°以下、
（６）基準長さ２．５ｍｍにおいて、ｔｐ（０−１０％）におけるカッテイング深さ（以下ＣＶと略記）が０．５μｍ以下、
（但し、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶとは、基準長さ区間内の断面曲線を平均線に平行なレベルの直線で断面曲線の山側より順次切断したとき、その直線を断面曲線が切り取る線分の長さの総和の基準長さに対する比が０％のレベル（断面曲線の最高山頂）と１０％となるレベルの間の距離を示す）
（７）基準長さ２．５ｍｍにおいて、
　Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２５
　（但し、Ｐｃ（＋１．０μｍ）とは、粗さ曲線の中心線に対し上側に１．０ミクロンの位置に、中心線に対して平行な１本のピークカウントレベルを設けたとき、中心線と粗さ曲線が交差する２点間において、ピークカウントレベルと粗さ曲線が交差する点が１回以上存在する場合一山とし、基準長さにおける山の合計数を表す）」の当該（１）〜（７）の少なくとも一つの条件を満たすという構成を具備するのに対し、引用例に記載のものでは、このことが記載されない。
　
（異議申立人の主張に対して−その１−）
　当該（１）〜（４）及び（７）の構成要件に関し、特許異議申立人〈株式会社日鉱マテリアルズ〉は、試験報告書を引用する。
　そして、試験報告書では、引用例の技術によりＩＴＯスパッタリングターゲットを得てその特性値を得たとしており、前記（Ｂ−３）により、Ｒｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、及びＰｃ（＋１．０μｍ）の各数値が本件発明の数値に含まれるものが報告される。
　しかし、当該試験報告書では、試験により、上記特性値と同時に、ＩＴＯスパッタリングターゲットの中心線平均粗さＲａが０．４９μｍで密度が７．１１ｇ／ｃｍ３のものを得ているが、これは、引用例の具体例のもの、すなわち、前記（Ａ−５）及び（Ａ−６）により、Ｒａが０．４０μｍで密度が６．６０ｇ/ｃｍ３のもの（本発明品１）及びＲａが０．２７μｍで密度が７．２３ｇ/ｃｍ３のもの（本発明品２）とは一致しないものであって、当該試験報告書の試験では引用例に記載の何れの具体例につき試験したか明らかではない。
　そのうえ、試験条件を詳細にみてみると、当該試験報告書の試験で採用した、サンプル粒子径、金型サイズ、油圧プレス圧力、焼成温度、及び表面加工条件は、その全てにおいて引用例の具体例である本発明品１及び２のものと一致しないものである。とりわけ、表面加工条件として＃４００の砥石を用いた点は引用例の本発明品１及び２においてはもとより、引用例の何れの箇所でも示されないものである。そして、その試験条件が引用例のものと異なることが、製造されたＩＴＯスパッタリングターゲットの表面状態に対し影響を及ぼさないとまではいえず、少なくとも、表面加工条件の砥石の選択は、Ｒｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、及びＰｃ（＋１．０μｍ）の各数値に及ぼす影響が小さいとはいえない。
　なお、本件発明は、後述するとおり、表面加工条件として特別な工程を経ることにより、所定の表面状態を得ることができたというものである。
　そうすると、当該試験報告書の試験は引用例に記載の発明を試験したものということができない。
　してみれば、そのような試験報告書において、試験により得られたＩＴＯスパッタリングターゲットのＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、及びＰｃ（＋１．０μｍ）の数値が本件発明の数値範囲を満たすとしても、試験報告書の試験が引用例に記載のものを実施したといえないものであり、したがって、引用例には、本件発明の構成要件のＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、及びＰｃ（＋１．０μｍ）の数値範囲を満たすＩＴＯスパッタリングターゲットが記載されていると認めることはできない。
（異議申立人の主張に対して−その２−）
　次に、当該（１）〜（７）の構成要件に関し、特許異議申立人〈金子しの〉は、引用例の具体例「本発明品１及び２」の製造条件は本件発明のものと極めて類似し、また、引用例とその作用効果も同様であり、引用例で得られたＩＴＯスパッタリングターゲットと本件発明で得られたＩＴＯスパッタリングターゲットとの間に本質的違いがない旨、更に、主張する。
　しかし、引用例の発明は、前記（Ａ−４）により、１気圧以上の高い酸素分圧雰囲気という特殊な焼成雰囲気を採用することによりＩＴＯスパッタリングターゲットの表面粗さを改善したものであるが、本件発明のものを製造する方法ではそのような特殊な焼成雰囲気を採用するものではなく、一方、本件発明のものを製造する方法においては、研削加工後の研磨条件に関し少なくとも最終段階の研磨に平均粒径３１μｍ以下の砥粒が塗布された研磨紙を用いることにより本件発明の表面状態が得られるというものである（本件特許公報００３８等を参照）が、引用例には、研削後の研磨につき記載されず、当然のこととして、本件発明のものの製造方法のような特定砥粒の研磨紙を用いることにつき何も記載されないものである。このように、ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法において、本件発明のものと引用例のものとは、ＩＴＯスパッタリングターゲットの表面状態に直接関与するとされる製造条件が、互いに、基本的に、異なるものである。
　また、作用、効果については、ノジュールの発生がないという点では同じであるが、そのノジュールの発生程度についてまでは引用例のものは具体的に記載されず、その実施例の箇所においてはノジュールが何時間発生しなかったかということまでは示されない。これに対して、本件明細書の実施例及び比較例では、ＩＴＯスパッタリングターゲットにつき、スパッタリングの放電開始後７．５時間、同２０時間、同２５時間、同３０時間までノジュールが実質上発生しなかった等と詳細に示されるものである。そして、本件発明に属する実施例のものでは、放電開始後少なくとも２５時間ノジュールが発生していないものであり、一方、本件明細書の比較例２のものは、その密度及び中心線平均粗さＲａ（表面粗さＲａ）の数値について引用例の発明の要件を満たすものであるが、そのものは、「ノジュールは放電開始後２０時間の時点で発生し、スパッタリング時間の増加と共に急激に増加した」（本件特許公報段落００６５の抜粋）というものであり、これらのことからみるとは、ＩＴＯスパッタリングターゲットの密度と中心線平均粗さＲａを引用例の発明のように限定するとノジュールの発生をかなりの程度抑制することができるものであるが、それに加え、本件発明のＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、及びＰｃ（＋１．０μｍ）等の要件を付加することにより、さらに長時間にわたりノジュールが抑制できるものであると解すことができるものである。してみると、両者の作用、効果が同程度であるということもできない。
　このように、両者の製造条件及び作用、効果が同様であるとはいえず、したがって、引用例で得られたＩＴＯスパッタリングターゲットと本件発明で得られたＩＴＯスパッタリングターゲットとの間に本質的違いはないとする特許異議申立人の主張は成り立たない。
（異議申立人の主張に対して−その３−）
　次いで、当該（１）〜（７）の構成要件に関し、特許異議申立人〈金子しの〉は、本件明細書に記載される実施例と比較例の中心線平均粗さＲａとＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐとの関係をそれぞれ作図して、同図に、引用例の実施例である発明品１及び２の表面粗さＲａ（中心線平均粗さＲａ）の数値を外挿して、引用例の発明品のＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ及びＲｐを求めると本件発明の数値範囲に含まれる旨、更に、主張する。
　しかし、上記（異議申立人の主張に対して−その２−）において説示したとおり、本件発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法と引用例のものの製造方法とは、その表面表面状態に直接関与するとされる製造条件が、互いに、基本的に、異なるものである。
　このように、本件発明と引用例の両者のターゲットの製造方法が基本的に異なるのであるから、本件発明のＩＴＯスパッタリングターゲットの中心線平均粗さＲａとそのＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ及びＲｐとの関係が、引用例の発明品１及び２で、そのまま当てはまると解することができず、他に、同様な関係が成立すると解するに足る事実も示されない。
　したがって、引用例の発明品１及び２の表面粗さＲａの数値を、本件発明の数値から作成された上記図に外挿しても、そこから求めた数値が、引用例の発明品１及び２のＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ及びＲｐに該当すると断定できるものではない。
　そうすると、Ｒｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ及びＲｐにつき、引用例に記載の発明のものが本件発明の数値範囲に含まれるということができない。
（異議申立人の主張に対して−その４−）
　次いで、当該（１）〜（７）の構成要件に関し、特許異議申立人〈金子しの〉は、引用例に記載の発明品２は、本件発明の構成要件であるＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ及びＲｐの数値範囲を満たさないことを示す必要がある旨、更に主張する。
　しかし、そもそも、引用例に記載の発明においては、焼成雰囲気を除いて、その製造条件が具体的に示されないものであって、引用例に記載の発明品２自体がどのようなものか特定できないものである。
　してみれば、該発明品２が、本件発明の構成要件であるＲｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ及びＲｐの数値範囲を満たさないことを証明すること自体、相当困難なものであり、特許異議申立人のこの主張も合理的なものとはいえない。
　
　以上のとおりであり、本件発明は、
「（１）最大高さ（以下Ｒｍａｘと略記）が７．０μｍ以下、
（２）十点平均粗さ（以下Ｒｚと略記）が６．０μｍ以下、
（３）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された粗さ曲線を中心線に平行な２直線で挟んだ時に得られる２直線間の間隔として表される最大粗さ（以下Ｒｔと略記）が６．５μｍ以下、
（４）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された断面曲線中の最大の高さを持つ山と平均線までの距離で表される平均線深さ（以下Ｒｐと略記）が２．０μｍ以下、
（５）基準長さ２．５ｍｍの粗さ曲線における凹凸の平均傾斜角（以下θａと略記）が１０．０°以下、
（６）基準長さ２．５ｍｍにおいて、ｔｐ（０−１０％）におけるカッテイング深さ（以下ＣＶと略記）が０．５μｍ以下、
（但し、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶとは、基準長さ区間内の断面曲線を平均線に平行なレベルの直線で断面曲線の山側より順次切断したとき、その直線を断面曲線が切り取る線分の長さの総和の基準長さに対する比が０％のレベル（断面曲線の最高山頂）と１０％となるレベルの間の距離を示す）
（７）基準長さ２．５ｍｍにおいて、
　Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２５
　（但し、Ｐｃ（＋１．０μｍ）とは、粗さ曲線の中心線に対し上側に１．０ミクロンの位置に、中心線に対して平行な１本のピークカウントレベルを設けたとき、中心線と粗さ曲線が交差する２点間において、ピークカウントレベルと粗さ曲線が交差する点が１回以上存在する場合一山とし、基準長さにおける山の合計数を表す）」の当該（１）〜（７）の少なくとも一つの条件を満たすという構成を具備するするのに対し、引用例に記載のものでは、そのような構成が示唆されず、この点で両者は相違する。
　したがって、本件発明は、係る構成を具備することにより、引用例に記載の発明に対して別異の発明をなすものであって、引用例に記載された発明であるということはできない。
　
　次に、上記相違点に関する構成につき、当業者が容易に想到できるか否かにつき検討する。
　前記したとおり、引用例に記載の発明においては、ＩＴＯスパッタリングターゲットの表面の粗さに関して表面粗さＲａが示されるだけであり、上記相違点に関するところの最大高さＲｍａｘ、十点平均粗さＲｚ、最大粗さＲｔ、平均線深さＲｐ、平均傾斜角θａ、カッテイング深さＣＶ、又は、Ｐｃ（＋１．０μｍ）については何も示唆ないしは教示されるところがなく、そもそも、そのような構成を導き出す動機付けがないものである。そして、本件発明は、本件明細書の実施例のＩＴＯスパッタリングターゲット及び比較例のＩＴＯスパッタリングターゲットにつき、その性能を比較することにより明らかなように、当該構成を採択することにより、その余の構成と相俟って、スパッタリングの放電開始後のノジュールの発生を、高度に、抑制する等、引用例の記載から予測することができない顕著な効果を奏したものである。してみれば、当該構成を具備することにより、本件発明は引用例に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができない。
　
IV−２．請求項２〜５について
　請求項２〜５に係る発明は、請求項１を引用し、これにその他の構成を付加するものであって、請求項１に係る発明の構成の全てを具備するものである。
　したがって、請求項１に関し説示した上記IV−１．の理由と同じ理由により、本件請求項２〜５に係る発明は、引用例に記載された発明であるということができず、また、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたということができない。
　
IV.　まとめ
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１〜５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月２３日（２００２．４．２３）