【事件の表示】
　特許第３１０９９４６号「露光装置及びデバイス製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０９９４６号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３１０９９４６号は、平成５年６月２９日に特許出願され、平成１２年９月１４日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人株式会社ニコンから特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１０月９日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人株式会社ニコンは、甲第１号証（特開平４−１９６５１３号公報）、甲第２号証（特開平３−１２６０５号公報）、甲第３号証（特開昭６３−１０３０号公報）及び甲第４号証（特願平５−１４４８２号（特開平６−２３２０３０号公報））を提出し、以下の主張をしている。
　本件請求項１及び２に係る発明は、上記甲第１号証に記載された発明であるから、本件請求項１及び２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項１及び２に係る発明は、上記甲第１号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、本件請求項１及び２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　本件請求項１及び２に係る発明は、上記甲第４号証に記載された発明であるから、本件請求項１及び２に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
　従って、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべきである。
１．２　異議申立人株式会社ニコンが提出した甲第１号証の記載内容
　甲第1号証の図1には、第4頁左上欄第20行〜第5頁右上欄第17行を参照すると、水銀ランプ2からの光を、フライアイレンズ系14、レチクルブラインド機構20の開口AP、レンズ24、光路折り曲げミラー26およびレンズ28を介してレチクルRへ照明し、レチクルRとウエハWとを矢印方向に沿って移動させながら、その照明されたレチクルRのパターン像を投影レンズPLによってウエハW上に投影する走査型露光装置が開示されている。
　甲第1号証の図2を参照すると、甲第1号証の第4頁右上欄第16行〜同頁右下欄第6行には、レチクルブラインド機構20の開口APは、Y方向に比べてX方向の長さが短い長方形状を有し、レンズによってレチクルR上には、約2倍に拡大された長方形状の照明領域が形成される旨記載されている。　
１．３　異議申立人株式会社ニコンが提出した甲第２号証の記載内容
　甲第2号証の第2頁左上欄第8行〜第3頁左上欄第2行を参照すると、図６及び図７には、水銀ランプ等の光源が発するi線(365nm)の光を反射させるフォトリソグラフィー用の多層膜のミラーの分光特性図、およびKrFエキシマレーザーから発振する249nmの光を反射させるフォトリソグラフィー用の多層膜のミラーの分光特性図がそれぞれ開示されている。
１．４　異議申立人株式会社ニコンが提出した甲第３号証の記載内容
　甲第3号証の第1図には、甲第3号証の第3頁左上欄第9行〜同欄第13行を参照すると、オプティカルインテグレーター2からレチクル5へ至る光路中に多層膜を備えた光路折り曲げミラー4を配置する旨開示されている。
１．５　異議申立人株式会社ニコンが提出した甲第４号証の記載内容
　甲第4号証図1には、甲第4号証の【0014】〜【0023】段落を参照すると、エキシマレーザー等の光源1からの光を、フライアイレンズ4、視野絞り7、レンズ8、光路折り曲げミラー9およびレンズ10を介してレチクルRへ照明し、レチクルRとウエハWとを矢印方向に沿って移動させながら、その照明されたレチクルRのパターン像を投影光学系16によってウエハW上に投影する旨開示されている。
　甲第4号証の図2には、ウエハW上においてY方向に比べてX方向の長さが短いスリット形状の露光領域26Pが形成されることが開示されている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第３１０９９４６号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　本件特許明細書の請求項1を、「オプティカルインテグレーターからの光で第1物体のパターンを照明することにより該第1物体のパターンを第2物体上に投影する露光装置において、前記オプティカルインテグレーターから前記第2物体に至る光路中に、反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜を備えた光路折り曲げミラーを有し、前記光路折り曲げミラーの光束入射側の光軸と光束反射側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直交する方向に比べ狭く露光領域を設定することを特徴とする露光装置。」と訂正する。
訂正事項ｂ
　本件特許明細書の【0007】を、「本発明の露光装置は、上目的を達成する為に、オプティカルインテグレーターからの光で第1物体のパターンを照明することにより該第1物体のパターンを第2物体上に投影する露光装置において、前記オプティカルインテグレーターから前記第2物体に至る光路中に、反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜を備えた光路折り曲げミラーを有し、前記光路折り曲げミラーの光束入射側の光軸と光束反射(出射)側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直交する方向に比べ狭く露光領域を設定することを特徴としている。」と訂正する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
請求項１
「オプティカルインテグレーターからの光で第1物体のパターンを照明することにより該第1物体のパターンを第2物体上に投影する露光装置において、前記オプティカルインテグレーターから前記第2物体に至る光路中に、反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜を備えた光路折り曲げミラーを有し、前記光路折り曲げミラーの光束入射側の光軸と光束反射側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直交する方向に比べ狭く露光領域を設定することを特徴とする露光装置。」
請求項2
「請求項1の露光装置により、マスクのデバイスパターンを基板上に転写する段階を有することを特徴とするデバイス製造方法。」
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａについては、特許明細書の請求項１の「多層膜」を、下位概念である「反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜」は、特許明細書の【００１６】段落に記載されているものであるから、上記訂正事項aは、特許の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａの特許請求の範囲の訂正による、明細書の発明の詳細な説明の記載と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。
　従って、訂正事項ｂについては、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｂは、特許明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．３　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ及びｂは、上記３．１、３．２のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１及び２に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１及び２に係る発明と異議申立人株式会社ニコンが提出した甲１号証〜甲第４号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜を備えた光路折り曲げミラーを有し、前記光路折り曲げミラーの光束入射側の光軸と光束反射側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直交する方向に比べ狭く露光領域を設定する」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人株式会社ニコンが提出した甲１号証〜甲第４号証のいずれにも、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の構成を有することにより、「折り曲げミラーの反射率の不均一性は露光領域での露光むらになる」（特許明細書【０００５】）という問題を解決するという、上記異議申立人株式会社ニコンが提出した甲１号証〜甲第４号証記載のいずれの発明にもない効果を有する。
　付言すると、甲第１号証には、誘電体多層膜の記載がなく、かつ、誘電体多層膜を用いたことによる課題が示唆されていない。
　また、甲第２号証には、誘電体多層膜の記載はあるが、誘電体多層膜を用いたことによる課題が示唆されていない。
　さらに、甲第３号証は、誘電体膜が単層のものが記載されているにすぎず、「反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜」の構成は示唆されていない。かつ、甲第３号証記載の「９９％以上の反射率」について検討すると、甲第３号証の平面状ミラーの上記構成を考慮すると、「９９％以上の反射率」とは、単に光反射率を強調した程度のものであって、「反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜」が示唆されている根拠とは認められない。
　甲第４号証についても、誘電体多層膜の記載がなく、かつ、誘電体多層膜を用いたことによる課題が示唆されていない。
　そうすると、甲第２及び３号証の記載から、甲第１号証のミラー２６又は甲第４号証の折り曲げミラー９が、「反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜」である必然性は導き出すことができない。
　また、甲第１号証のミラー２６又は甲第４号証の折り曲げミラー９を、「反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜」とし、「光路折り曲げミラーの光束入射側の光軸と光束反射側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直交する方向に比べ狭く露光領域を設定する」動機付けが、甲第２及び３号証の記載から認められるとはいえない。
　従って、本件請求項１に係る発明は、異議申立人株式会社ニコンが提出した甲第１号証記載の発明に記載された発明ではなく、また、甲１号証〜甲第３号証に基づいて当業者が容易に発明できたものでもなく、さらに、甲第４号証と同一でもない。
　本件請求項１に係る発明を引用する本件請求項２に係る発明も、本件請求項１に係る発明と同様に、異議申立人株式会社ニコンが提出した甲第１号証記載の発明に記載された発明ではなく、また、甲１号証〜甲第３号証に基づいて当業者が容易に発明できたものでもなく、さらに、甲第４号証と同一でもない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１及び２に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月２１日（２００２．８．２１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ｂは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ
　本件特許明細書の請求項１を、「オプティカルインテグレーターからの光で第１物体のパターンを照明することにより該第１物体のパターンを第２物体上に投影する露光装置において、前記オプティカルインチグレータから前記第２物体に至る光路中に、反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜を備えた光路折り曲げミラーを有し、前記光路折り曲げミラーの光束入射側の光軸と光束反射側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直交する方向に比べ狭く露光領域を設定することを特徴とする露光装置。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
露光装置及びデバイス製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　オプティカルインテグレーターからの光で第１物体のパターンを照明することにより該第１物体のパターンを第２物体上に投影する露光装置において、前記オプティカルインテグレーターから前記第２物体に至る光路中に
、反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜
　【請求項２】　請求項１の露光装置により、マスクのデバイスパターンを基板上に転写する段階を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は露光装置、特にＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを製造するために使用される投影露光装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　デバイスパターンを等倍または縮小倍率で投影露光する走査型投影露光装置は、画面サイズを大きくするため、図２（Ａ）や図２（Ｂ）に示す通り、走査方向と平行な方向が狭く、走査方向と直交する方向が広い露光領域を設定している。また、ステッパーと呼ばれる縮小投影露光装置は、図３（Ａ）に示す円形の露光領域をとらず、図３（Ｂ）に示す形状の有効露光領域を決め、図３（Ｃ）に示す正方形の領域、図３（Ｄ）に示す長方形の領域を、露光領域としている。
　【０００３】
　従って、殆どの露光装置は、ほぼ長方形状（図２（Ａ）や図３（Ｂ）の形状を含む。）の露光領域を備える。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　この露光装置は小型化のために光源から半導体基板までの光路を一直線にせず、折り曲げミラーにより折り曲げている。この折り曲げミラーは、通常多層膜により構成されているので、入射角度の差が大きな光線間で反射率を一定に保つことは困難である。また、そのような多層膜が設計値上できたとしても、広い範囲で一様に膜を付けることは困難であり、例えばミラーの周辺部は中心部とは反射率が違ってしまう。
　【０００５】
　この折り曲げミラーの反射率の不均一性は、露光領域での露光むらになる。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の目的は露光むらを小さくできる露光装置を提供することにある。
　【０００７】
　本発明の露光装置は、上記目的を達成する為に、オプティカルインテグレーターからの光で第１物体のパターンを照明することにより該第１物体のパターンを第２物体上に投影する露光装置において、前記オプティカルインテグレーターから前記第２物体に至る光路中に
、反射率に入射角度依存性がある誘電体多層膜
　【０００８】
　本発明の露光装置を用いれば、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを正確に製造することができる。
　【０００９】
　【実施例】
　図１は本発明の一実施例である半導体素子製造用縮小投影露光装置を示す。
　【００１０】
　図１において、エキシマレーザや水銀ランプ等の露光光源１からの光束はビーム整形光学系２により所望の形状に整形され、ハエノ目レンズ等のオプティカルインチグレータ３の光入射面に指向される。ハエノ目レンズは複数の微小なレンズの集まりから成るものであり、その光射出面近傍に複数の２次光源が形成される。４はコンデンサーレンズであり、コンデンサーレンズ４によりオプティカルインテグレータ３の２次光源からの光束で視野絞り５をケーラー照明している。視野絞り５は、コンデンサーレンズ６、折り曲げミラー７、コリメータレンズ８によってレチクル９と光学的に共役となっている。従って、視野絞り５の開口の形状を変化させることによりレチクル９面上の照明領域（露光領域）の形、寸法を変更できる。
　【００１１】
　１０は投影光学系であり、レチクル９に描かれた回路パターンを半導体基板１１に縮小投影している。本実施例においては装置の大型化を避けるため照明系内に折り曲げミラーを配置しており、折り曲げミラーの反射面に対して入射する光束側の光軸と反射する光束側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直交する方向に比べ狭くなるよう露光領域を設定している。この露光装置は、２次光源を形成するオプティカルインテグレータ３と半導体基板１１の間の光路中では、光軸に垂直な任意の平面について、光の入射角度、光軸と入射位置間の距離はレチクル９面上の照明位置に依存し、レチクル９面上の照明位置の光軸からの距離に比例して入射角度、光軸と入射位置間の距離が大きくなる。任意の平面がレチクルまたはその共役面に近い時には主に光軸と入射位置間の距離が大きくなり、任意の平面がレチクルまたはその共役面に遠い時には主に入射角度が大きくなる。
　【００１２】
　まず、レチクル９面上の照明位置に依存して光軸と入射位置間の距離が大きくなるレチクルまたはその共役面に近い平面に折り曲げミラーを配置した場合について説明する。
　【００１３】
　任意の平面に入射する光束に対し、折り曲げミラーに入射する光束は折り曲げる方向に対して折り曲げ角度に相当する分だけ大きくなる（入射光軸とミラー面が４５。の場合はルート２倍）。折り曲げミラーの反射面に対して入射する光束側の光軸と反射する光束側の光軸とがなす平面と平行な方向を前記平面と直交する方向に比べ狭くなる露光領域を設定した場合と、逆に広くなる露光領域を設定した場合を考えると、広くした場合のほうが反射面の形状がより長円形状になり、反射面中心から反射を保証する位置までの距離の最大値がより大きくなる。従って、ミラーのコーティングを行なう際、より大きな範囲を保証しなくてはならなず製造上難しくなる。
　【００１４】
　次にレチクル面上の照明位置に依存して入射角度が大きくなるレチクルまたはその共役面に遠い平面に折り曲げミラーを配置した場合について説明する。
　【００１５】
　図４に示すように折り曲げミラーの反射面に対して入射する光束側の光軸と反射する光束側の光軸とが成す平面と平行な方向をＨ方向とし、前記平行な方向（前記平面）と直交する方向をＶ方向とすると、折り曲げミラーに入射するする角度とレチクル面上での照明位置（パターン）との関係は、図５に示すように、光軸からの距離が同じであるＨ方向に位置するのパターンはＶ方向のそれに比べ反射面に入射する角度変化が大きい（Ｖ方向はこの構成ではほとんど４５度である。）。
　【００１６】
　折り曲げミラーは吸収が少ない誘電体多層膜が用いられるが、誘電体多層膜は反射率の入射角度依存性がある。その一例を図６に示す。
　【００１７】
　図５と図６より、レチクル面上でのパターンの位置の違いによる半導体基板（ウエハー）に到達する光の強度分布が変わる。その様子を図７に示す。図７における光強度分布は露光むら（照度むら）と同じであり、被露光領域内の線幅の均一性を劣化させる。図７から理解できる通り、折り曲げミラーの反射面を光軸に対し傾斜させているため、Ｖ方向に比べＨ方向の方が、光軸からの距離に応じた範囲が広がるほど線幅の不均一性が大きくなる。
　【００１８】
　本実施例においては、折り曲げミラーを照明系内に配置しているが、投影光学系内に配置してもいい。
　【００１９】
　また本実施例においては、折り曲げミラーを一個配置しているが、複数の折り曲げミラーを配置してもいい。
　【００２０】
　次に図１の投影露光装置を利用した半導体素子の製造方法の実施例を説明する。図８は半導体装置（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネルやＣＣＤ）の製造フローを示す。ステップ１（回路設計）では半導体装置の回路設計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル３０４）を製作する。一方、ステップ３（ウエハー製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハー（ウエハー３０６）を製造する。ステップ４（ウエハープロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハーとを用いて、リソグラフィー技術によってウエハー上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４よって作成されたウエハーを用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作成された半導体装置の動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。
こうした工程を経て半導体装置が完成し、これが出荷（ステップ７）される。
　【００２１】
　図９は上記ウエハープロセスの詳細なフローを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハー（ウエハー３０６）の表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハーの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハー上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウエハーにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハーにレジスト（感材）を塗布する。ステップ１６（露光）では上記投影露光装置によってマスク（レチクル３０４）の回路パターンの像でウエハーを露光する。ステップ１７（現像）では露光したウエハーを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像したレジスト以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウエハー上に回路パターンが形成される。
　【００２２】
　本実施例の製造方法を用いれば、従来は難しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能になる。
　【００２３】
　【発明の効果】
　以上、本発明によれば、露光むらを小さくできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例を示す図である。
　【図２】
　走査型投影露光装置の露光領域（照明範囲）を説明するための図である。
　【図３】
　ステッパーの露光領域（照明範囲）を説明するための図である。
　【図４】
　露光領域（照明範囲）とＨ、Ｖ方向の関係を説明するための図である。
　【図５】
　照明位置（パターン位置）とミラーへの入射角の関係を示す説明図である。
　【図６】
　誘電体多層膜の反射率の角度依存性を示す説明図である。
　【図７】
　パターンの位置による強度分布と位相変化を示す説明図である。
　【図８】
　半導体素子の製造工程を示すフローチャート図である。
　【図９】
　図８の工程中のウエハープロセスの詳細を示すフローチャート図である。
　【符号の説明】
　２　ビーム整形光学系
　３　オプティカルインテグレータ
　４　コンデンサーレンズ
　５　視野絞り
　６　コンデンサーレンズ
　７　折り曲げミラー
　８　コリメータレンズ
　９　レチクル
　１０　投影レンズ
　１１　半導体基板