(57)【要約】  半導体ウェーハ（Ｗ）を製造するウェーハ製造工場（ＷＦ）と、半導体デバイスを製造するデバイス製造工場（ＤＦ，ＡＦ）とを、クリーンルームからなる搬送ゾーン（Ｚ１）を介して隣接して設け、搬送用容器に収納することなく搬送装置（Ｖ）によりウェーハ（Ｗ）を保持してウェーハ製造工場（ＷＦ）からデバイス製造工場（ＤＦ，ＡＦ）へ搬送する。
2010038612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを製造するウェーハ製造工場と、
クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して前記ウェーハ製造工場に隣接して設けられ、前記半導体ウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス製造工場と、
前記搬送ゾーンに設けられ、前記ウェーハ製造工場で製造された半導体ウェーハを、搬送用容器に収納することなく保持して前記デバイス製造工場へ搬送する搬送装置と、を備えることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造工場において、
前記半導体ウェーハが４５０ｍｍウェーハであることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体製造工場において、
前記ウェーハ製造工場と前記デバイス製造工場は異なる建物であることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体製造工場において、
前記搬送装置は、前記半導体ウェーハのエッジ部のみを保持することを特徴とする半導体製造工場。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体製造工場において、
前記ウェーハ製造工場の最終工程又は前記デバイス製造工場の最初の工程の少なくともいずれかに、前記半導体ウェーハを一時的に保管する保管庫を備えることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体製造工場において、
前記デバイス製造工場は、前記半導体ウェーハに半導体素子を造り込む素子形成工場と、前記半導体素子が造り込まれたウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス組立工場とが、クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して隣接して設けられていることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体製造工場において、
前記搬送装置は、生産管理装置からの指示に従って、前記半導体ウェーハを自動搬送するとともに、前記保管庫に自動保管することを特徴とする半導体製造工場。
【請求項８】
半導体ウェーハを製造するウェーハ製造工場であって、
前記半導体ウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス製造工場に、クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して隣接して設けられ、
前記搬送ゾーンに設けられ、前記ウェーハ製造工場で製造された半導体ウェーハを、搬送用容器に収納することなく保持して前記デバイス製造工場へ搬送する搬送装置を備えることを特徴とするウェーハ製造工場。
【請求項９】
請求項８に記載のウェーハ製造工場において、
前記搬送装置は、生産管理装置からの指示に従って、前記半導体ウェーハを自動搬送することを特徴とするウェーハ製造工場。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体インゴットを育成して半導体ウェーハを製造するとともに、このウェーハから半導体デバイスを製造する半導体製造工場に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体ウェーハ製造工場と半導体デバイス製造工場は、互いに離れた場所に建設されている。そして、半導体ウェーハの製造工場で製造されたウェーハは、搬送用容器に収納された荷姿で、輸送車両などの手段を用いて半導体デバイス製造工場に搬送され（特許文献１）、半導体デバイス工場において搬送用容器からウェーハが取り出され、各種処理が施されることにより半導体デバイスが製造される。【０００３】
【特許文献１】特開２００５−８５９１３号公報
【発明の概要】
【０００４】
しかしながら、直径で３００ｍｍを超え、例えば４５０ｍｍウェーハのような大口径ウェーハは、従来の２００ｍｍ，３００ｍｍウェーハ等と比べて重量があり反りも大きいためハンドリング操作が難しい。このため、ウェーハを搬送用容器に収納したり取り出したりする際や、搬送用容器に収納した荷姿で輸送する際に、ウェーハに欠け、割れ又は変形などの損傷を与えるおそれがある。
【０００５】
発明が解決しようとする課題は、大口径ウェーハであっても損傷を防止できる半導体製造工場を提供することである。
【０００６】
この発明は、半導体ウェーハを製造するウェーハ製造工場と、半導体デバイスを製造するデバイス製造工場とを、クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して隣接して設け、搬送用容器に収納することなく搬送装置によりウェーハを保持してウェーハ製造工場からデバイス製造工場へ搬送することにより上記課題を解決する。
【０００７】
また、半導体ウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス製造工場に、クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して隣接して設けられ、前記搬送ゾーンに設けられ、前記ウェーハ製造工場で製造された半導体ウェーハを、搬送用容器に収納することなく保持してデバイス製造工場へ搬送する搬送装置を備えるウェーハ製造工場によっても上記課題を解決することができる。
【０００８】
上記発明において、ウェーハ製造工場で製造される半導体ウェーハの口径は、特に限定はされないが、たとえば４５０ｍｍウェーハのような大口径ウェーハを製造することができる。
【０００９】
また上記発明において、ウェーハ製造工場とデバイス製造工場は一つの建物とすることもできるし、異なる建物とすることもできる。
【００１０】
また上記発明において、搬送装置は、半導体ウェーハのエッジ部のみを保持するように構成することができる。
【００１１】
また上記発明において、ウェーハ製造工場の最終工程又はデバイス製造工場の最初の工程の少なくともいずれかに、半導体ウェーハを一時的に保管する保管庫を備えるように構成することができる。
【００１２】
また上記発明において、デバイス製造工場は、半導体ウェーハに半導体素子を造り込む素子形成工場と、半導体素子が造り込まれたウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス組立工場とが、クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して隣接して設けられた構成とすることができる。
【００１３】
上記発明によれば、大口径のウェーハであっても欠け、割れ、変形などの損傷を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】発明の実施形態に係る半導体製造工場を示す正面図である。
【図２】図１の半導体製造工場を示す平面図である。
【図３】図２のIII-III線に沿う断面図である。
【図４Ａ】図２の搬送装置のチャックを示す平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの側面図である。
【図４Ｃ】図２の搬送装置のハンドリング操作を説明する側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、上記発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態に係る半導体製造工場を示す正面図、図２は同じく平面図、図３は、図２のIII-III線に沿う断面図である。
【００１６】
本例の半導体製造工場は、半導体ウェーハを製造するウェーハ製造工場ＷＦと、半導体デバイスを製造するデバイス製造工場ＤＦ，ＡＦとを備え、これらウェーハ製造工場の建物とデバイス製造工場ＤＦ，ＡＦの建物とが互いに隣接して建造されている。そして、ウェーハ製造工場ＷＦとデバイス製造工場ＤＦ，ＡＦとは、クリーンルームからなる搬送ゾーンＺ１を介して接続されている。
【００１７】
また、デバイス製造工場は、半導体ウェーハに半導体素子を造り込む素子形成工場ＤＦと、半導体素子が造り込まれたウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス組立工場ＡＦとを備え、これら素子形成工場ＤＦの建物とデバイス組立工場ＡＦの建物とが互いに隣接して建造されている。そして、素子形成工場ＤＦとデバイス組立工場ＡＦとは、クリーンルームからなる搬送ゾーンＺ２を介して接続されている。
【００１８】
なお、素子形成工場ＤＦとデバイス組立工場ＡＦは一つの建物としても構成することができる。また、ウェーハ製造工場ＷＦと素子形成工場ＤＦとデバイス組立工場ＡＦとを一つの建物の中に構築することもできる。
【００１９】
また、ウェーハ製造工場ＷＦの建物と素子形成工場ＤＦの建物とを独立した建物で構成した場合に、その間隔は特に限定されないが、好ましくは２０ｍ以下、より好ましくは１０ｍ以下とすることが好ましい。同様に、素子形成工場ＤＦの建物とデバイス組立工場ＡＦの建物とを独立した建物で構成した場合に、その間隔は特に限定されないが、好ましくは２０ｍ以下、より好ましくは１０ｍ以下とすることが好ましい。本例の建物の間隔が広すぎるとクリーンルームからなる搬送ゾーンＺ１，Ｚ２が必然的に長くなり、クリーンルームを稼動するためのランニングコストの点から好ましくない。
【００２０】
次に、図２を参照して各工場ＷＦ，ＤＦ，ＡＦの構成例を説明する。ただし、図２の例は代表的なものであってこれに限定する趣旨ではなく、適宜追加又は省略等することができる。
【００２１】
図２に示すように、ウェーハ製造工場ＷＦには、ＣＺ法引上げ装置ＷＦ１と、外形研削装置ＷＦ２と、スライシング装置ＷＦ３とが設置されている。
【００２２】
ＣＺ法引上げ装置ＷＦ１は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により多結晶シリコン原料からシリコン単結晶のインゴットを育成する。本例で育成されるシリコン単結晶は、特に限定はされないが大口径のものが好ましく、直径で３００ｍｍを超える、たとえば４５０ｍｍウェーハに適用することがより好ましい。
【００２３】
また、外形研削装置ＷＦ２は、育成されたシリコン単結晶インゴットを円筒状にして直径を均一にするためにその外形を研削する。また、スライシング装置ＷＦ３は、外形が研削されたシリコン単結晶インゴットを、所望される抵抗率の範囲で所望の厚さにスライスするものであり、内周刃切断機又はワイヤーソーからなる。なお、外形研削装置ＷＦ２による加工処理の後に、結晶方位を測定してオリエンテーションフラット又はノッチを刻み込む加工装置を設けてもよい。
【００２４】
これらＣＺ法引上げ装置ＷＦ１と外形研削装置ＷＦ２との間、および外形研削装置ＷＦ２とスライシング装置ＷＦ３との間においては、シリコン単結晶インゴットが所定の搬送装置によって搬送される。これに対し、スライシング装置ＷＦ３によるスライス処理を終えるとウェーハ状態となり、これ以降は後述する搬送装置Ｖによって１枚又は複数枚のウェーハが保持され、各装置間を搬送される。
【００２５】
スライシング装置ＷＦ３の後に、ベベリング装置ＷＦ４と、ラッピング装置ＷＦ５と、エッチング装置ＷＦ６と、熱処理装置ＷＦ７と、ポリッシング装置ＷＦ８と、洗浄装置ＷＦ９と、検査装置ＷＦ１０が設置されている。
【００２６】
ベベリング装置ＷＦ４は、シリコンウェーハは硬くて脆いため、割れや欠けを防止するためにウェーハの外周面を面取り加工する。ラッピング装置ＷＦ５は、ウェーハの両面を粗研磨する装置であって、ウェーハを定盤に挟み込み、砥粒を含む研削液を流しながら擦り合わせることでウェーハ表面の凹凸を除去する。
【００２７】
エッチング装置ＷＦ６は、上述したラッピング装置による加工処理の機械的ダメージを除去するために、酸性又はアルカリ性エッチャントを用いてウェーハの両面を化学的に処理する。熱処理装置ＷＦ７は、シリコン単結晶の育成時に単結晶引上げ装置ＷＦ１の石英るつぼから溶け込んだ酸素が結合してドナーとして働き、ドーパントで制御された抵抗値からずれるため、この酸素ドナーを分解するための熱処理を行うものである。加工応力の緩和や結晶欠陥の低減等も兼ねている。
【００２８】
ポリッシング装置ＷＦ８は、ウェーハ表面の凹凸を除去し、平坦度の高い鏡面仕上げを行うため、コロイダルシリカ液を用いてメカノケミカル研磨（ＣＭＰ）を行う。洗浄装置ＷＦ９は、上記の各工程で付着した汚れを除去するものであり、検査装置ＷＦ１０は、平坦度測定装置やパーティクル測定装置からなる。
【００２９】
ウェーハ製造工場ＷＦの最終工程には、検査装置ＷＦ１０による検査を合格したウェーハが生産調整のために一時的に保管されるストッカＷＦ１１が設置されている。
【００３０】
以上のウェーハ製造工場ＷＦの断面構造を図３に示す。なお、素子形成工場ＤＦおよびデバイス組立工場ＡＦの断面構造も基本的に同じである。
【００３１】
ウェーハ製造工場ＷＦの建物は、上述した各装置ＷＦ１〜ＷＦ１１が設置されるとともに搬送装置Ｖが移動する作業ゾーンＺ１０と、この作業ゾーンＺ１０の床面Ｚ１１の下部に形成され動力供給設備や環境保全設備など（不図示）が設置されたユーティリティゾーンＺ２０と、作業ゾーンＺ１０の天井Ｚ１２の上部に形成され外気を温度調節して給気する空調機Ｚ３１が設置されたチャンバゾーンＺ３０とを備える。
【００３２】
作業ゾーンＺ１０の床面Ｚ１１は、通気可能なグレーチングパネルなどから構成され、天井面Ｚ１２にはＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィルタなどの各種フィルタＺ３２が全面に設けられている。
【００３３】
なお、同図に示すように、作業ゾーンＺ１０内などで発生した不純物を化学的に除去するケミカル除去装置ＣＭを設けることもできる。
【００３４】
以上のようなクリーンルーム構造により、屋外からの外気は、空調機Ｚ３１によって温度・湿度が調節された状態でフィルタＺ３２を介して作業ゾーンＺ１０に導入され、当該作業ゾーンＺ１０を上から下へ流れたのち、ユーティリティゾーンＺ２０から排気される。こうしたクリーンルームによる清浄空気は、ウェーハ製造工場ＷＦと素子形成工場ＤＦとを接続する搬送ゾーンＺ１および、素子形成工場ＤＦとデバイス組立工場ＡＦとを接続する搬送ゾーンＺ２にも流れ込み、これら搬送ゾーンＺ１，Ｚ２の清浄性が確保されている。なお、搬送ゾーンＺ１，Ｚ２が大きい場合などには、当該搬送ゾーンＺ１，Ｚ２自体をクリーンルーム構造（すなわち、空調機Ｚ３１などを設置する）とすることもできる。
【００３５】
次に、スライシング装置ＷＦ３によりスライスされたウェーハを、ベベリング装置ＷＦ４→ラッピング装置ＷＦ５→エッチング装置ＷＦ６→熱処理装置ＷＦ７→ポリッシング装置ＷＦ８→洗浄装置ＷＦ９→検査装置ＷＦ１０と順次搬送するための搬送装置について説明する。
【００３６】
図４Ａは、図２の搬送装置Ｖのチャックを示す平面図、図４Ｂは図４Ａの側面図、図４Ｃは、当該チャックのハンドリング操作を説明する側面図である。
【００３７】
本例の搬送装置Ｖは、ウェーハ製造工場ＷＦのスライシング装置ＷＦ３が設置されたゾーンから、ストッカＷＦ１１が設置されたゾーンを介して、後述するデバイス組立工場ＡＦの梱包装置ＡＦ６が設置されたゾーンまで連続して設けられたレールＲに沿って移動する。搬送装置ＶのレールＲは、各工場ＷＦ，ＤＦ，ＡＦの天井に設けることもできるし、床面に設けることもできる。レールＲを天井に設ける場合は、レールＲの上を走行するリニアモータを利用した搬送装置ＶやレールＲに吊下された搬送装置Ｖを適用することができる。また、レールＲを床面に設ける場合は自立型移動ロボットなどからなる搬送装置Ｖを適用することができる。いずれにおいても、図示しない生産管理装置からの指令に従って自動的に移動するものである。
【００３８】
本例の搬送装置Ｖは、ウェーハを、従来の搬送用容器（いわゆるカセット）に収納することなく、チャックにて保持し、各工程の間を搬送するものである。
【００３９】
本例のチャックＣは、少なくとも上下動自在、進退自在及び回転自在のハンド部材Ｃ１を備え、このハンド部材Ｃ１には、下方に垂下した状態で爪部材Ｃ２が４個（少なくとも３個）設けられている。この爪部材Ｃ２は、垂下軸Ｃ３及びこの垂下軸Ｃ３の下端に設けられたフランジ部Ｃ４を有し、フランジ部Ｃ４の上面部分はテーパ面Ｃ５とされている。また、爪部材Ｃ２が互いに接近及び離間移動が行えるように、ハンド部材Ｃ１にシリンダＣ６が設けられている。
【００４０】
こうしたチャックＣによりウェーハＷを保持又は解放するには、ウェーハ乗台１の上面に載置されたウェーハＷの上方にハンド部材Ｃ１を移動させ、次に爪部材Ｃ２を開いた状態、すなわちウェーハＷの径の外方に位置するように互いに離間させた状態でハンド部材Ｃ１を下降させ、各爪部材Ｃ２がウェーハＷの側方に位置した状態で下降を停止する。図４Ｃはこの状態を示す。
【００４１】
次いで、各爪部材Ｃ２を閉じる、すなわちウェーハＷの外周部に爪部材Ｃ２が接触するように互いに近接させる。このとき、ウェーハＷは爪部材Ｃ２の垂下軸Ｃ３と接触することはなく、フランジ部Ｃ４のテーパ面Ｃ５上に載置された状態で爪部材Ｃ２によって保持される。この状態で爪部材Ｃ２を上昇させることによってウェーハＷがチャックＣに保持される。なお、ウェーハＷを解放する場合は、以上の操作の逆を行えばよい。
【００４２】
本例のチャックＣに保持された状態では、ウェーハＷのエッジ部のみを保持し、ポリッシングされた主面や素子が形成された主面を保持しないので、ウェーハＷの清浄性を担保することができる。また、ウェーハＷ自体には爪部材Ｃ２からの力は加わらないので、ウェーハＷが４５０ｍｍウェーハのような重量物であっても何らの変形も生じず又割れや欠けることもない。したがって、大口径ウェーハＷであっても極めて安定したハンドリングを行うことができる。
【００４３】
以上のチャックＣは搬送装置Ｖに複数設けられ、一つの搬送装置Ｖにて複数のウェーハを保持して各工程を搬送する。
【００４４】
図２に戻り、本例の素子形成工場ＤＦには、ポリッシングされたウェーハに、集積回路を構成する素子を作り込む各種装置が設置されている。代表的な素子形成工程として、素子分離工程、不純物拡散工程、ゲート形成工程、層間膜・配線工程、検査工程を例示することができる。
【００４５】
このための各種装置、すなわち洗浄装置ＤＦ８、酸化拡散装置ＤＦ９、イオン注入装置ＤＦ１０、フォトリソグラフィ装置ＤＦ１１、エッチング装置ＤＦ１２、成膜装置ＤＦ１３および検査装置ＤＦ１４が設置されている。
【００４６】
そして、ウェーハ製造工場ＷＦの最終工程に設置されたストッカＷＦ１１から搬送装置Ｖによって保持され搬送されてきたウェーハは、当該素子形成工場ＤＦの最初の工程に設置されたストッカＤＦ１に搬送され、一時的に保管される。このストッカＤＦ１は素子形成工場ＤＦの生産調整を行うバッファ工程としても機能する。
【００４７】
ストッカＤＦ１に保管されたウェーハは、生産管理装置からの指示に従って搬送装置Ｖにより保持され、各装置ＤＦ８〜ＤＦ１４に対応して設置された複数のストッカＤＦ２〜ＤＦ７に一時保管されつつ、各装置ＤＦ８〜ＤＦ１４の処理が行われる。なお、検査装置ＤＦ１４は、造り込まれた素子をウェーハ状態で動作テストするための装置である。
【００４８】
検査装置ＤＦ１４による検査に合格したウェーハは、搬送装置Ｖに保持され、搬送ゾーンＺ２を介してデバイス組立工場ＡＦに搬送され、ストッカＡＦ１に一時的に保管される。
【００４９】
デバイス組立工場ＡＦには、素子が造り込まれたウェーハをグライディングするグライディング装置ＡＦ２と、ダイシングするダイシング装置ＡＦ３と、パッケージングするパッケージング装置ＡＦ４と、最終検査を行うための検査装置ＡＦ５及び出荷するための梱包を行う梱包装置ＡＦ６が設置されている。
【００５０】
なお、ダイシング装置ＡＦ３に搬入するまではウェーハの状態であるため、搬送装置Ｖに図４Ａ〜図４Ｃに示すチャックＣが設けられているが、ダイシング装置ＡＦ３のダイシング処理が終了したらチップの状態になるため、たとえばダイシングされたチップを搭載するトレイなどを搬送装置Ｖに設けることができる。
【００５１】
以上のように、本例の半導体製造工場によれば、ウェーハ製造工場ＷＦと素子形成工場ＤＦとが隣接して建設されているので、製造されたウェーハを即座に素子形成工場に搬送することができ、輸送時間を著しく短縮することができる。
【００５２】
また、ウェーハの搬送を、従来のカセットに収納して行うのではなく、搬送装置Ｖに一枚又は複数枚直接保持した状態で行うので、直径で３００ｍｍを超える、たとえば４５０ｍｍウェーハのような重量があるウェーハであっても、割れや欠けを生じさせることなく搬送することができる。
【００５３】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【００５４】
ＷＦ…ウェーハ製造工場
ＤＦ…素子形成工場
ＡＦ…デバイス組立工場
Ｚ１，Ｚ２…搬送ゾーン
Ｖ…搬送装置
【図１】
2010038612.tif 000003
【図２】
2010038612.tif 000004
【図３】
2010038612.tif 000005
【図４Ａ】
2010038612.tif 000006
【図４Ｂ】
2010038612.tif 000007
【図４Ｃ】
2010038612.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成23年2月1日(2011.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを製造するウェーハ製造工場と、
クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して前記ウェーハ製造工場に隣接して設けられ、前記半導体ウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス製造工場と、
前記搬送ゾーンに設けられ、前記ウェーハ製造工場で製造された半導体ウェーハを、搬送用容器に収納することなく保持して前記デバイス製造工場へ搬送する搬送装置と、を備えることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造工場において、
前記ウェーハ製造工場と前記デバイス製造工場は異なる建物であることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体製造工場において、
前記搬送装置は、前記半導体ウェーハのエッジ部のみを保持することを特徴とする半導体製造工場。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体製造工場において、
前記ウェーハ製造工場の最終工程又は前記デバイス製造工場の最初の工程の少なくともいずれかに、前記半導体ウェーハを一時的に保管する保管庫を備えることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体製造工場において、
前記搬送装置は、生産管理装置からの指示に従って、前記半導体ウェーハを自動搬送するとともに、前記保管庫に自動保管することを特徴とする半導体製造工場。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体製造工場において、
前記デバイス製造工場は、前記半導体ウェーハに半導体素子を造り込む素子形成工場と、前記半導体素子が造り込まれたウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス組立工場とが、クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して隣接して設けられていることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体製造工場において、
前記半導体ウェーハが４５０ｍｍウェーハであることを特徴とする半導体製造工場。
【請求項８】
半導体ウェーハを製造するウェーハ製造工場であって、
前記半導体ウェーハから半導体デバイスを製造するデバイス製造工場に、クリーンルームからなる搬送ゾーンを介して隣接して設けられ、
前記搬送ゾーンに設けられ、前記ウェーハ製造工場で製造された半導体ウェーハを、搬送用容器に収納することなく保持して前記デバイス製造工場へ搬送する搬送装置を備えることを特徴とするウェーハ製造工場。
【請求項９】
請求項８に記載のウェーハ製造工場において、
前記搬送装置は、生産管理装置からの指示に従って、前記半導体ウェーハを自動搬送することを特徴とするウェーハ製造工場。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の半導体製造工場において、
前記半導体ウェーハが４５０ｍｍウェーハであることを特徴とするウェーハ製造工場。
【国際調査報告】
2010038612.tif 000009
2010038612.tif 000010
2010038612.tif 000011
2010038612.tif 000012
2010038612.tif 000013
2010038612.tif 000014