【事件の表示】
　特許第３２３１３１３号「磁気ヘッド」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２３１３１３号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１　経緯
特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成　２年　８月２２日
拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　３月２７日
審判請求　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　５月　８日
設定登録（特許第３２３１３１３号）　平成１３年　９月１４日
異議申立（中嶋進）　　　　　　　　　平成１４年　５月２０日
                        　
２　本願特許発明
　本願の請求項に係る発明は、補正された明細書及び図面の記載から見て、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりの次のものであると認める。
「【請求項１】第１の非磁性金属層と、該第１の非磁性金属層上に形成された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上に形成された第２の非磁性金属層とを備えた磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜が第１の磁性層と、該第１の磁性層上に形成された絶縁材料からなる中間層と、該中間層上に形成された第２の磁性層と、該第２の磁性層上に形成された反強磁性層とを有し、前記中間層を通って前記第１の磁性層及び第２の磁性層間にトンネル電流が流れ、外部磁界が印加されると上記第１の磁性層の磁化方向は変化することを特徴とする磁気ヘッド。
　
【請求項２】前記中間層を通って前記第１の磁性層及び第２の磁性層間にトンネル電流が流れるとき、前記第１の磁性層及び第２の磁性層の磁化の向きが平行の時より前記第１の磁性層及び第２の磁性層の磁化の向きが反平行の時の方が、前記磁気抵抗効果膜の電気抵抗率が高いことを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
　
【請求項３】前記反強磁性層は前記第２の磁性層へバイアス磁界を印加することを特徴とする請求項１または２記載の磁気ヘッド。
　
【請求項４】トラック幅方向における前記磁気抵抗効果膜を構成する磁性層の幅は前記第１の非磁性金属層及び第２の非磁性金属層の幅より小さいことを特徴とする請求項１乃至３記載の磁気ヘッド。
　
【請求項５】前記中間層は酸化アルミニウムを含む絶縁材料からなることを特徴とする請求項１乃至４記載の磁気ヘッド。」
　
３　異議申立の理由
　異議申立人中嶋進は、証拠として、甲第１号証（特開昭６３−５５７１４号公報）、甲第２号証（固体物理　１９８０年３月　第１５巻第３号）、甲第３号証（特開平１−２１３８１９号公報）を提出し、請求項１〜５に係る特許発明は、甲第１号証〜甲第３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというものである。
　
４　証拠記載の発明
（１）甲第１号証
ａ　第４頁右下欄第６行目〜第１８行目
「第２図において、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等の磁性基板（１）の上に、この基板（１）が導電性を有する場合は、ＳｉＯ２等の非磁性絶縁層を形成し、これの上に非磁性の導電層（２ｃｃ）を形成し、この導電層（２ｃｃ）の上に、絶縁層を介して、ＭＲ感磁素子（２）を、磁気記録媒体との対接ないしは対向面（６）に一端が臨むように形成する。ＭＲ感磁素子（２）の上に、更に絶縁層を介して、導電層（２ｄｄ）を形成する。これらの導電層（２ｃｃ）及び（２ｄｄ）は、絶縁層に適宜設けられた窓を通してＭＲ感磁素子（２）の下側磁性層（４）の後端（４ｂ）及び上側磁性層（５）の前端（５ｆ）にそれぞれ接続される。」
ｂ　第５頁左上欄第９行目〜第１１行目
「また非磁性中間層（３）としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ、Ｍｏ等の非磁性膜によって構成し得る」
ｃ　第５頁左上欄第１７行目〜右上欄第４行目
「第１図に示すように、センス電流ＩＭＲが前側のリード（２ｄｄ）から感磁素子（２）に流入すると共に、バイアス電流ＩＢが、このリード（２ｄｄ）内のセンス電流ＩＭＲと同じ向きに、バイアス導線（１０）に通電される。
　これにより、第２図に示すように、バイアス導線（１０）を繞って、反時計方向のバイアス磁界ＨＢが発生する。」
　
（２）甲第２号証
ａ　第１７４頁左欄第７行目〜第２９行目
「さて、このような準備の後、強磁性トンネル接合に移る。第７図はＮｉ／ＮｉＯ／Ｃｏトンネル接合の４．２Ｋ，印加電圧Ｖ＝０での電気抵抗（Ｒ≡Ｇ−１≡（ｄＶ／ｄＩ）Ｖ→０）の磁場変化の結果である．このようにＲは磁場に対してヒステリシスを示す：磁場を負の値から正の値へ次第に増加させる時，Ｒは約１０Ｏｅのあたりで急に増加する．さらに磁場の値を増すとＲは山を作って減少し，元の値に戻る．今度は磁場を正の値から減少させる時，−１０ＯｅのあたりでＲが急に増加して山を作る．このＲの山の値は比抵抗（ΔＲ／Ｒ）にして約２．５％である．この（ΔＲ／Ｒ）の山は低温の方が大きいが，７７Ｋでも観測できる．
　第８図は室温でのこのトンネル接合のＢ−Ｈ曲線（磁化曲線）であり，約±１０Ｏｅの所が階段状になっている．この階段の所ではＮｉの磁化が磁場に平行であり、Ｃｏの磁化と反平行になっている．したがって，ＮｉとＣｏの磁化が反平行の時に電気抵抗が増加することがわかる．いま，（６）式とＴｅｄｒｏｗ−Ｍｅｓｅｒｖｅｙ５）により得られたＮｉおよびＣｏの状態密度の値を使う時，約７．５％の比抵抗の変化が期待される．したがって，第７図にみられる約２．５％という値は十分満足すべき値である．」
ｂ　第１７５頁右欄第３行目〜第９行目
「強磁性トンネル接合に現われた磁気抵抗効果は接合部分の磁化の変化による．接合部分は十分小さくできる（＜１μｍ２）１０）．したがって，そのような微小領域での磁場の変化を検出する素子として利用できるかもしれない．ＩＢＭのＳｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉ１７）はバブル磁区の読み出しに利用できないか，と考えている．」
　
（３）甲第３号証
ａ　第３頁左上欄第４行目〜第９行目
「非磁性スペーサ層１６が、柔磁性層１２をニッケル鉄（ＮｉＦｅ）の如き強磁性体から構成されるＭＲ材料の層１８から離している。柔磁性層１２は、ＭＲ層１８の磁界に記録媒体に平行ではない方向のバイアスをかけるように意図された磁界を与える。」
ｂ　第３頁左上欄第１７行目〜右上欄第４行目
「第２のバイアスフィールド即ち縦のバイアスフィールドは、強磁性ＭＲ層１８とこのＭＲ材料の層１８に近接した層２０に蒸着された反強磁性体との交換結合によって生じる。当該縦バイアスは、ＭＲ層１８に単一定義域状態を造りだし、また単一定義域状態は、複数磁性定義域状態を示すＭＲ材料と結びつくバルクハルゼン・ノイズを押えるのに必須のものである。」
　
５　本願発明と証拠との対比
（１）請求項１について
　請求項１の特許発明と甲第１号証とを対比すると、
（一致点）
「第１の非磁性金属層と、該第１の非磁性金属層上に形成された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上に形成された第２の非磁性金属層とを備えた磁気ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜が第１の磁性層と、該第１の磁性層上に形成された絶縁材料からなる中間層と、該中間層上に形成された第２の磁性層とを有し、外部磁界が印加されると上記第１の磁性層の磁化方向は変化することを特徴とする磁気ヘッド」で一致し、
（相違点）
　請求項１の特許発明は、「該第２の磁性層上に形成された反強磁性層とを有し、」「前記中間層を通って前記第１の磁性層及び第２の磁性層間にトンネル電流が流れ」るのに対して、甲第１号証のものは反強磁性層及びトンネル電流については明示されていない点で相違している。
（相違点の検討）
　なるほど、甲第２号証には、強磁性トンネル接合について記載され、「そのような微小領域での磁場の変化を検出する素子として利用できるかもしれない．ＩＢＭのＳｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉ１７）はバブル磁区の読み出しに利用できないか，と考えている．」との示唆もあるが、この原理を適用した素子を、甲第１号証記載の素子の構造とする動機付けは何ら示されていない。
　従って、甲第１号証と甲第２号証を結びつけることはできない。この相違点は甲第１号証及び甲第２号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（２）請求項２〜５について
　請求項２〜５に係る特許発明は、請求項１を引用した従属形式の特許発明であり、請求項１が容易に発明できたものでない以上、請求項２〜５に係る特許発明も、容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
６　まとめ
　本件特許については、異議申立理由を検討してもその理由及び証拠によって取り消すべきものとすることはできない。
　また、他に取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月１０日（２００２．１０．１０）