【事件の表示】
　特許第３１２３３３１号「研磨装置と半導体装置の製造方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２３３３１号の請求項１ないし３，５に係る特許を取り消す。
　同請求項４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件特許第３１２３３３１号は、平成６年２月１８日の出願であって、平成１２年１０月２７日にその特許権の設定登録がなされ、その後、松原いづみより特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１月８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．本件特許に対し異議申立人松原いづみは、甲第１号証として特開平６−２５２１１０号公報を、甲第２号証として特開平７−１３５１９２号公報を、甲第３号証として特開平３−６４４７７号公報を、及び甲第４号証として特開平６−５６８８号公報を提示し、さらに、審理の参考のために研磨室とその外部にある研磨後の基板の洗浄機が開示された特開平４−３３４０２５号公報を甲第５号証として提示し、
ａ．本件特許の請求項１、２、３及び５に係る発明は、本件特許の出願前に出願され、その出願後に出願公開された甲第１号証又は甲第２号証に係る出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反して特許されたものであり、
ｂ．本件特許の請求項１ないし５に係る発明は、本件特許の出願前に国内において頒布された甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである旨主張する。
　
３．上記取消理由は、異議申立人の提示した甲第１号証〜甲第４号証を引用し、
（１）本件特許の請求項１ないし３及び５に係る発明は、本件特許の出願前に出願され、その出願後に出願公開された特願平５−３９０４９号（甲第１号証に係る出願）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書１」という。）に記載された発明と同一であるから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反して特許されたものであり、
（２）本件特許の請求項１ないし５に係る発明は、本件特許の出願前に出願され、その出願後に出願公開された特願平５−２７９３８４号（甲第２号証に係る出願）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、先願明細書２」という。）に記載された発明と同一であるから、当該請求項に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反して特許されたものであり、
（３）本件特許の請求項１ないし５に係る発明は、本件特許の出願前に国内において頒布された甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、
（４）本件特許の請求項１ないし５に係る発明は、本件特許の出願前に国内において頒布された甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである
から取り消すべきというものである。
　
４．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、以下のａ〜ｆのとおり訂正するものである。
ａ．特許請求の範囲について、
　請求項１の「該研磨部（２）ならびに該搬送部（３）に接続可能なるクリーンユニット部（４）」を「汚染雰囲気を排出するための排気口を備え、該研磨部（２）ならびに該搬送部（３）に接続可能になるクリーンユニット部（４）」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲について、
　請求項５の「クリーンユニット部（４）を介して、該搬送部（３）に搬送する」を「クリーンユニット部（４）を介して、該搬送部（３）に搬送するに際し、該クリーンユニット部（４）において、該クリーンユニット部（４）内の汚染雰囲気を排出する」と訂正する。
ｃ．発明の詳細な説明について、
　段落【００１８】４−５行目の「該研磨部２ならびに該搬送部３に接続可能になるクリーンユニット部４」を「汚染雰囲気を排出するための排気口を備え、該研磨部２ならびに該搬送部３に接続可能になるクリーンユニット部４」と訂正し、１５−１６行目の「クリーンユニット部を介して、該搬送部３に搬送する」を「クリーンユニット部を介して、該搬送部３に搬送するに際し、該クリーンユニット部４において、該クリーンユニット部４内の汚染雰囲気を排出する」と訂正する。
ｄ．発明の詳細な説明について
　段落【００１１】５行目の「漏れだしてしまいう問題があった。」を「漏れだしてしまう問題があった。」と訂正する。
ｅ．発明の詳細な説明について
　段落【００２０】２−３行目の「寄与するところが大きい。くなり、」を「寄与するところが大きくなり、」と訂正する。
ｆ．発明の詳細な説明について、
　段落【００２１】２行目の「同時に行ってしまうかめ」を「同時に行ってしまうため」と訂正する。
　
（２）上記訂正のうち、
　ａの訂正事項についてみると、この訂正は、クリーンユニット部について、汚染雰囲気を排出するための排気口を備えたものに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　ｂの訂正事項についてみると、この訂正は、被処理基板の搬送の際に、クリーンユニット部における動作を、クリーンユニット部内の汚染雰囲気を排出すると限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　ｃの訂正事項についてみると、この訂正は、請求項１及び請求項５の訂正に伴い、発明の詳細な説明の欄の「課題を解決するための手段」の項の記載をこれに整合するよう訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　ｄ、ｅ及びｆの訂正事項についてみると、この訂正は、明らかに誤記の訂正に相当する。
　そして、上記ａ及びｂの訂正事項は、特許明細書の段落【００２５】に、実施例として、「各クリーンユニット４では図１（ｂ）で示したように、汚染領域側との境界にあるシャッタ７ａとクリーン領域側にあるシャッタ７ｂによって密閉されており、排気口10によって一定の差圧状態に管理されている。研磨処理で汚染された被処理基板１がシャッタ７ａを経由して、本発明のクリーンユニット部４に搬送される際に、汚染領域側の研磨部２の雰囲気が流入する。ここで、シャッタ７ａの開動作中は排気口10の動作は停止している。シャッタ７ａの閉動作によって再び密閉状態が形成されると、高清浄度エアフィルタ（ＨＥＰＡ）８を有した強制排気口10によってクリーンユニット４内の汚染雰囲気を排出する。」と記載され、また、段落【００２６】に「汚染雰囲気の除去後、排気口10の動作を止め、吸気口９を作動し、シャッタ７ｂを開動作させ、被処理基板１を搬出させる。」と記載されていることから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものと認められる。
　そして、これらの訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、前記訂正事項は、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
　
（３）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
４．本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件特許発明」という。）は、訂正された明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】高清浄度エアフィルタを用いて空調されたクリーンルーム内の研磨装置であって、
　被処理基板の研磨部と、該被処理基板を該研磨部或いは外部に搬送する搬送部との間に、汚染雰囲気を排出するための排気口を備え、該研磨部ならびに該搬送部に接続可能なるクリーンユニット部を設けてなることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】前記研磨部が化学機械研磨をするものであることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
【請求項３】前記クリーンユニット部は前記研磨装置のクリーン領域と汚染領域との通路境界に、封止部材を用いて気密保持可能なシャッタを具備し、高清浄度エアフィルタを用いて外気を吸気する吸気口と該クリーンユニット部から外部へ室内雰囲気を排気する排気口とを備えてなることを特徴とする請求項１または２記載の研磨装置。
【請求項４】前記クリーンユニット部が連接して複数個設けてなることを特徴とする請求項１、２または３記載の研磨装置。
【請求項５】　高清浄度エアフィルタを用いて空調されたクリーンルーム内において、
　研磨された被処理基板を研磨装置の研磨部から、該研磨部ならびに搬送部に接続可能なるクリーンユニット部を介して、該搬送部に搬送するに際し、該クリーンユニット部において、該クリーンユニット部内の汚染雰囲気を排出することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
５．異議申立人が提示し、取消理由通知に引用された甲第１号証〜甲第４号証には、以下の事項が記載されている。
　甲第１号証；「【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイス製造装置に関し、更に詳細には、半導体基板に形成される半導体デバイスの加工において、加工の進歩に伴って生ずる該半導体基板の表面凹凸を平滑に或は平坦にする半導体デバイス製造装置を低発塵化する新規な構造を提案／実現したものであり、従来、困難とされた低塵雰囲気に管理されたクリーンルーム内の直接装置配置を可能とし、その結果、サブミクロンルールのＬＳＩの歩留りが向上するだけでなく、前後の工程を処理する装置の真近におくことで作業の効率化が達成される半導体デバイス製造装置に関するものである。」（第１欄２９−３９行目）、「これに対して、半導体基板１の表面を均一に加工するいわゆるメカノケミカルポリシング（以下、ＭＣＰと記す）又は、メカノケミカルラッピング（以下、ＭＣＬと記す。）技術を、層間膜の平坦化加工に用いる手法が提案されている。」（第３欄３８−４２行目）、「（請求項１記載の発明の手段）この発明の半導体デバイス製造装置は、半導体デバイスが形成されつつある半導体基板に対して、（メカノケミカル）ポリシングまたは（メカノケミカル）ラッピングによる加工を施すことができ、該半導体基板の加工が行われる隔壁で隔てられた第一の空間は、装置周辺の圧力に比して異なった圧力雰囲気を保つことが可能な圧力制御機構を有することを特徴とする。【００１９】また、前記圧力制御機構は、隔壁で周辺と隔てられた加工の為の空間に低塵性の雰囲気を送り込む手段と、該空間の圧力をモニターする手段と、該空間の圧力が装置周辺の雰囲気圧力より所定の圧力差となるべく該空間の雰囲気を排気する手段、とを少なくとも備えたとしてもよい。（請求項３記載の発明の手段）この発明の半導体デバイス製造装置は前記発明において、前記被加工半導体基板が複数枚保持された第一のカセットを装具するための隔壁で隔てられた第二の空間と、（メカノケミカル）ポリシングまたは（メカノケミカル）ラッピングによる加工が施された半導体基板を収納する第二のカセットを装具するための隔壁で隔てられた第三の空間とを有し、さらに、該第二及び第三の空間の圧力を制御する機構を有することを特徴とする。【００２０】また、第二の空間と第三の空間、さらに、第一のカセットと第二カセットを兼ねることとしてもよい。」（第５欄３５行目−第６欄１０行目）及び「従来の装置が持つ根本的な問題を新規な構成の提案で解消した。以下、具体的な事例を図１に示した模式図を基に説明する。本発明の最も大きな特徴は、ウェハに施すＭＣＰ又はＭＣＬの空間を、隔壁２０で他の空間から隔離してカプセル化することにある。この隔離された第一の空間と隣接させて、ウェハを該加工空間に送り込む（以下、ロードと表記）ための第二の空間２１、いわゆる前室、及びウェハを該加工空間から回収する（以下、アンロードと表記）ための第三の空間２２を形成する。【００２３】第二の空間２１、いわゆる前室を設けることは以下に述べるように大きな効果がある。尚、当然であるが、第二の空間２１と第三の空間２２の双方とも隔壁２０及び外のクリーンルームと隔てる為の隔壁を有し、これらの隔壁は、ウェハのロード時やアンロード時には隔壁２０との隔壁が、また被加工ウェハを納めたカセット２３を装置に装具したり回収する時はクリーンルームとの隔壁がそれぞれ開閉される。装置内部で第二の空間２１からウェハを取り出して加工テーブル２４に載せたり、加工済ウェハをテーブルから取り上げて第三の空間２２に回収する機構部（例えば自動装填ロボット）２５が組み込まれていることは、発塵性の被加工室と清浄なクリーンルームを完全に隔てることとなり、本発明の効果を一層増すものである。【００２４】さて、このようにカプセル化された空間でウェハのＭＣＰ或いはＭＣＬ加工を行うのであるが、隔壁２０と、隔壁２０で囲まれた第二の空間２１、第三の空間２２の三者とも目的に応じた雰囲気圧力制御が必要である。このため、隔壁２０と、隔壁２０で囲まれた第二の空間２１、第三の空間２２の三者ともクラスを著しく向上させた清浄雰囲気或いはフィルタ等で除塵されたＮ2ガスなどの不活性雰囲気を送り出す機構（図示せず）、これら三空間の雰囲気を排気する機構（一部の排気２６のみ図示）、これら三空間の雰囲気圧力をモニターとして所定の圧力に保つ機構がそれぞれ具備される。」（第６欄３１行目−第７欄１５行目）と記載されており、装置から回収された被加工ウエハを納めたカセットは、回収された場所から他の半導体デバイス製造装置に送り出されるから、装置からカセットを回収する場所は、半導体基板を他の半導体デバイス製造装置へ送り出す搬送部ということができる。そうすると、先願明細書１には、「低塵雰囲気に管理されたクリーンルーム内に配置された半導体デバイス製造装置であって、メカノケミカルラッピングを施すことができる隔壁で隔てられた第一の空間、ラッピングにより加工が施されまたは加工前の半導体基板を収納するカセットを装具するための隔壁で隔てられた第三の空間及び半導体基板を第二の空間を介して第一空間に搬送或いは他の半導体デバイス製造装置へ送り出す搬送部を設け、第二の空間には、クラスを著しく向上させた或はフィルタ等で除塵された不活性雰囲気を送り出す機構と雰囲気を排気する機構を備え、第二の空間は、第一の空間との間の隔壁及びクリーンルームとの間の隔壁がそれぞれ開閉される研磨装置。」の発明（先願発明１）及び「低塵雰囲気に管理されたクリーンルーム内において、ラッピングにより加工が施された半導体基板を、メカノケミカルラッピングを施すことができる隔壁で隔てられた第１の空間から、この空間及び搬送部との間で開閉する隔壁を介して連なる第二の空間を通って搬送するに際し、第二の空間部において、雰囲気を排気する研磨装置。」の発明（以下、「先願発明２」という。）の発明が記載されていると認める。
　甲第２号証；半導体装置の研磨平坦化を行った後のパーティクル・レベルを低減させることが可能な基板の研磨後処理技術に関し、「さらに、従来は研磨処理と後処理とがそれぞれ別の装置で行われているが、これによるクリーン・ルーム内での装置占有面積の増大や、装置間でウェハを搬送することに伴うスルー・プットの低下や新たな汚染の虞れ等が懸念される。そこで本発明は、研磨処理、特に化学機械研磨処理を行った後にパーティクル汚染を有効に防止することが可能な基板の研磨後処理方法、およびこれに用いる研磨装置を提供することを目的とする。」（第３欄２１−２９行目）、「　実施例　本実施例では、上述の実験結果を踏まえ、化学機械研磨→物理洗浄→薬液洗浄→リンスの一連の工程を連続的かつウェハを乾燥させずに行う研磨装置を構成した。まず、上記研磨装置全体の概略を図４に示す。この装置は、作業の流れ順にしたがって、ローダ・ユニットＩ、研磨ユニットII、洗浄ユニットIII 、リンス／乾燥ユニットＩＶ、アンローダ・ユニットＶの５つの主要ユニットが直列に配列された構成を有する。これら各ユニットは並列な２本の処理ラインを有しており、２枚のウェハについて同時処理が可能とされている。【００３３】上記各ユニットは、それぞれ達成されるべき清浄度が異なるため、互いに隔壁２７，１３，２２，２５により分離され、各ユニット毎の清浄度の維持が図られている。また、研磨ユニットIIは最も大量のパーティクルを発生するユニットであるため、その内部雰囲気は前段のローダ・ユニットＩおよび後段の洗浄ユニットIII よりも減圧とされ、パーティクルの拡散を防止するようになされている。【００３４】また、研磨ユニットIIからリンス／乾燥ユニットＩＶに至る間の隔壁１３，２２には、ゲート・バルブと湿潤搬送の機能を兼ねたユニット間湿潤搬送機構１２，２１が組み込まれており、これを通じてウェハが湿潤下に搬送されるようになされている。なお、リンス／乾燥ユニットＩＶとアンローダ・ユニットＶの間のユニット間搬送機構２４は、湿潤環境を与えるものではない。」（第２頁左上欄３−１９行目）及び「図４に戻り、次のリンス／乾燥ユニットＩＶについて説明する。このリンス／乾燥ユニットＩＶは、脱イオン水によるウェハＷのリンスとスピン乾燥を行うためのリンス／乾燥装置２３を有する。スピン乾燥時には、装置上部のエア・フィルターを通じてウェハＷ面に乾燥用の清浄な空気が供給されるようになされている。【００５０】最後のアンローダ・ユニットＶは、２個のウェハ・カセット２６を収容している。個々のウェハ・カセット２６には、乾燥されたウェハが順次、被研磨面を上側に向けた（フェイス・アップ）状態で納められる。」（第１０欄２６−３７行目）と記載されている。
　甲第３号証；本発明は半導体装置の製造工程で用いられる常圧処理装置に関し、「装置は、作業室１００（主としてクリーンルーム）と機械室を区切るパーテイション１０１にはめ込む形で設置され、作業室１００（クリーンルーム側）に作業面を設けている。第１図において常圧気相成長装置は、被処理物であるウェハーが収納されたウェハーカセット１２１を装着するためのカセットステージ１０７が設けられかつ前室部ドア１０６を有する前室部隔壁１２０により作業面が区切られた前室部２００と、前室部２００に隣接し反応室部ドア１０８を有する反応室部隔壁１１９により前室部２００と区切られた処理室部３００と、前室部２００と処理室部３００とにそれぞれ独立して設けられたクリーンフィルタ１０３，１１６と空調ファン１１８，１１５等からなる空調器１０２，１１７と、前室部２００と処理室部３００とにそれぞれ独立して設けられ排気管１０９，１１１と排気調節バルブ１１２，１１３と排気口１１４からなる排気ダクトと、空調ファン１１５，１１８の出力と排気ダクトの排気量とを調節して前室部２００と処理室部３００との圧力を制御するためのマイクロコンピュータ等からなる圧力制御部１２２とから主に構成されている。」（第３頁右上欄３行目−左下欄６行目）、「作業者１０４が前室部ドア１０６を開けてウエハーカセット１２１を前室部２００のカセットステージ１０７上に装着する」（第３頁左下欄８−１０行目）、「反応室部隔壁１１９に設けられた反応室部ドア１０８が開けられ、カセットステージ１０７からウェハーが搬送装置（図示せず）により反応室１１０に搬送されて、酸化シリコン系膜が堆積される。」（第３頁右下欄１３−１７行目）、「処理されたウエハーは、第１図の状態を経て作業者１０４によって取り出される。」（第４頁左上欄８−１０行目）、「本実施例では、酸化シリコン系膜を形成する反応室を有する気相成長装置の場合を用いて説明したが、酸化シリコン系以外の膜を形成する気相成長装置、熱処理装置、拡散装置、塗布装置、研削装置、常圧エッチング装置または洗浄装置等を含む常圧処理装置であってもよく、同様の効果が得られることは言うまでもない。」（第４頁左上欄１１−１７行目）及び「本発明の常圧処理装置は、装置を前室部と処理室部に分け、その間に開閉可能なドアをもつ隔壁を設け、前室部と処理室部の圧力をそれぞれ独立に制御することにより、被処理物を前室部の装着台に装着する時には、前室部の圧力を作業室の圧力より高くする事により作業者から発生する塵埃による被処理物汚染を防止し、被処理物を処理室内で処理する時には、処理室部の圧力を装置外部の圧力に比べて低くする事により、ガスの漏洩を防止する事ができる。」（第４頁左上欄１９行目−右上欄８行目）と記載されている。
甲第４号証；半導体装置の製造プロセスに用いられるマルチチャンバプロセス装置に関し、「先ず、本実施例のマルチチャンバ装置は、図１（Ａ）に示すように、ウエハ搬送アーム１１を備えられた搬送用アーム１２に、夫々ゲートバルブ１３を介してエッチングチャンバ１４，スパッタチャンバ１５，１６，１７及びロードロックチャンバ１８を並列に接続して大略構成されている。」（第２欄４４−４９行目）と記載されている。
　
６．異議の申立ての理由及び前記取消理由で通知された理由について判断する。
（１）本件請求項１ないし３及び５に係る発明が、先願明細書１に記載された発明と同一であるか否かについて判断する。
ａ．本件請求項１に係る発明と、前記先願発明１とを対比すると、先願発明１の「半導体デバイス製造装置及び搬送部」、「半導体基板」、及び「第三の空間」は、請求項１に係る発明の「研磨装置」、「被処理基板」及び「クリーンユニット部」に相当し、「第一の空間」は、この中で半導体基板にメカノケミカルラッピングが施されるから、請求項１に係る発明の「研磨部」に相当する。そうすると、両者は、「クリーンルーム内の研磨装置 であって、被処理基板 の研磨部 と、該被処理基板を第一の空間或いは外部に搬送する搬送部 との間に、雰囲気を排出する、該研磨部 ならびに該搬送部に接続可能なるクリーンユニット部を設けた研磨装置。」である点で一致し、請求項１に係る発明が、クリーンルームが「高清浄度エアフィルタ(8) を用いて空調された」ものであるのに対し、先願発明１は、低塵雰囲気に管理する手段が特定されていない点（以下、相違点１」という。）、及び請求項１に係る発明が「汚染雰囲気を排出するための排気口を備え」るものであるのに対し、先願発明１においては、排出される雰囲気が汚染されたものであるか、排気口を備えているかが明らかにされていない点（以下、「相違点２」という。）で両者は相違する。
　なお、請求項１に係る発明の「被処理基板を該研磨部或は外部に搬送する搬送部」は、搬送部と研磨部との間にクリーンユニット部があるので、直接研磨部に被処理基板を搬送することを意味するものと限定的に解することはできず、クリーンユニット部を介して研磨部に被処理基板を搬送するものも含むと介すべきであるので、一致点を上記のとおり認定した。
　前記相違点について判断する。
　クリーンルーム内を低塵雰囲気に管理する手段として、高清浄度エアフィルタを用いて空調することは、最も普通に用いられるものであるから、上記相違点１は、実質的な相違ではない。
　先願発明１において、第二の空間内の雰囲気は、第一の空間との間の隔壁の開閉によって汚染されるから、第二の空間の雰囲気を排気することは、汚染雰囲気の排出に異ならず、また、雰囲気の排出のためには、当然に排気口を備えているから、第２の相違点も実質的な相違ではない。
　したがって、請求項１に係る発明は、先願発明１と同一である。
　
ｂ．本件請求項２に係る発明と、前記先願発明１とを対比すると、前記先願発明１の「メカノケミカルラッピング」は、本件請求項２に係る発明の「化学機械研磨」に相当するから、両者は、前記相違点１及び前記相違点２においてのみ相違するから、前記ａ．と同様の理由で、請求項２に係る発明は、先願発明１と同一である。
　
ｃ．本件請求項３に係る発明と、前記先願発明１とを対比すると、先願発明１とを対比すると、両者は、前記相違点１及び相違点２に加え、さらに、請求項３に係る発明においては、クリーンユニット部が、研磨装置のクリーン領域と汚染領域との通路境界に封止部材を用いて機密保持可能なシャッタを具備しているのに対し、先願発明１が、第二の空間は、第一の空間との間の隔壁及びクリーンルームとの間の隔壁がそれぞれ開閉されるものである点（以下、「相違点３」という。）及び請求項３に係る発明が、「高清浄度エアフィルタを用いて外気を吸気する吸気口を備えているのに対し、先願発明１が、フィルタ等で除塵された不活性雰囲気を送り出す機構を備えている点（以下、「相違点４」という。）において相違する。
　前記相違点について判断する。
　先願発明１においても、隔壁が開閉されるものであること、また、第１の空間及び第２の空間は、いずれも、他の空間に対して機密状態に保持されなければならないことからすると、前記相違点３は、単なる表現上の相違であって、実質的な相違ではない。
　また、先願発明１は、クラスを著しく向上させた不活性雰囲気の代替として、フィルタ等で除塵された不活性雰囲気を用いるものであるから、このフィルタは、当然に高清浄度のフィルタであると認められるから、前記相違点４も実質的な相違ではない。
　したがって、請求項３に係る発明は先願発明１と同一である。
　
ｄ．本件請求項５に係る発明と、先願発明２とを対比すると、先願発明２の「半導体デバイス製造装置及び搬送部」、「半導体基板」、及び「第三の空間」は、請求項５に係る発明の「研磨装置」、「被処理基板」及び「クリーンユニット部」に相当し、「第一の空間」は、この中で半導体基板にメカノケミカルラッピングが施されるから、請求項５に係る発明の「研磨部」に相当する。そうすると、両者は、「クリーンルーム内において、研磨された被処理基板を研磨装置の研磨部から、該研磨部並びに搬送部に接続可能なるクリーンユニット部を介して、該搬送部に搬送するに際し、該クリーンユニット部内の雰囲気を排出する半導体の製造方法」の点で一致し、請求項５に係る発明が、クリーンルームが「高清浄度エアフィルタ(8) を用いて空調された」ものであるのに対し、先願発明２は、低塵雰囲気に管理する手段が特定されていない点（以下、「相違点５」という。）、及び請求項１に係る発明が「汚染雰囲気を排出するための排気口を備え」るものであるのに対し、先願発明１においては、排出される雰囲気が汚染されたものであるか、及び排気口を備えているかが明らかにされていない点（以下、「相違点６」という。）で両者は相違する。
　前記相違点について判断する。
　クリーンルーム内を低塵雰囲気に管理する手段として、高清浄度エアフィルタを用いて空調することは、最も普通に用いられるものであるから、上記相違点５は、実質的な相違ではない。
　先願発明２において、第二の空間内の雰囲気は、第一の空間との間の隔壁の開閉によって汚染されるから、第二の空間の雰囲気を排気することは、汚染雰囲気の排出に異ならず、また、雰囲気の排出のためには、当然に排気口を備えているから、第６の相違点も実質的な相違ではない。
　したがって、請求項５に係る発明は、先願発明２と同一である。
　
（２）本件請求項４に係る発明が、先願明細書２に記載された発明と同一であるか否かについて判断する。
　先願明細書２の研磨ユニットと、アンローダユニットとの間に介在する洗浄ユニットIIIと、乾燥ユニットIVのうち、洗浄ユニットIIIが排気口を備えていることについては記載がないから、請求項４に係る発明の「クリーンユニット部」に相当しない。したがって、「乾燥ユニット部IV」が請求項４に係る発明の「クリーンユニット部」に相当するとしても、先願明細書２には、本件請求項４に係る発明の必須の構成である「汚染雰囲気を排出するための排気口を備えたクリーンユニット部を連接して複数設けた」構成が記載されていない。
　そして、洗浄ユニットにおいて、排気口を備えることが、普通に行われているとは認められないから、請求項４に係る発明は、先願明細書２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（３）本件特許の請求項４に係る発明が、甲第２号証〜甲第４号証に記載されている発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるか否かについて検討する。
　甲第３号証に記載された前室は、クリーンルームとの間で、作業者が、ウエハーカセットを直接装着、取り出しを行うことを前提とするものであるから、前室を連接すると前室部間でのウエハーカセットの受け渡しができないこととなるから、前室部を連接することが容易であるとはいえない。また、甲第４号証の搬送用チャンバは、ロードロックチャンバと複数の処理チャンバとの間を１つのアームでウエハの搬送をすることを前提とするものであるから、搬送用チャンバを連接することはできない。
　したがって、甲第３号証及び甲第４号証には、いずれにも、請求項４に係る発明の必須の構成である「研磨部と搬送部との間にクリーンユニット部を連接して複数個設ける」構成が記載されておらず、かつ該構成を当業者が容易に想到することができるものでもない。
　
５．したがって、本件特許の請求項１ないし３及び５に係る発明は、本件特許に係る出願の日前に出願され、その出願後に出願公開された、甲第１号証に係る出願の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者が本件特許に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願のときにおいて、その出願人が上記特許に係る出願の出願人と同一でもないから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである。
　また、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件特許の請求項４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月２６日（２００２．６．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲について、
　請求項１の「該研磨部（２）ならびに該搬送部（３）に接続可能なるクリーンユニット部（４）」を「汚染雰囲気を排出するための排気口を備え、該研磨部（２）ならびに該搬送部（３）に接続可能になるクリーンユニット部（４）」とと、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正をする。
ｂ．特許請求の範囲について、
　請求項５の「クリーンユニット部（４）を介して、該搬送部（３）に搬送する」を「クリーンユニット部を介して、該搬送部（３）に搬送するに際し、該クリーンユニット部（４）において、該クリーンユニット部（４）内の汚染雰囲気を排出する」と、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正をする。
ｃ．発明の詳細な説明について、
　段落【００１８】４−５行目の「該研磨部（２）ならびに該搬送部（３）に接続可能になるクリーンユニット部（４）」を「汚染雰囲気を排出するための排気口を備え、該研磨部（２）ならびに該搬送部（３）に接続可能になるクリーンユニット部（４）」と訂正し、１５−１６行目の「クリーンユニット部を介して、該搬送部（３）に搬送する」を「クリーンユニット部を介して、該搬送部（３）に搬送するに際し、該クリーンユニット部（４）において、該クリーンユニット部（４）内の汚染雰囲気を排出する」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
ｄ．発明の詳細な説明について
　段落【００１１】５行目の「漏れだしてしまいう問題があった。」を「漏れだしてしまう問題があった。」と誤記の訂正を目的とする訂正をする。
ｅ．発明の詳細な説明について
　段落【００２０】２−３行目の「寄与するところが大きい。くなり、」を「寄与するところが大きくなり、」と、誤記の訂正を目的とする訂正をする。
ｆ．発明の詳細な説明について、
　段落【００２１】２行目の「同時に行ってしまうかめ」を「同時に行ってしまうため」と、誤記の訂正を目的とする訂正をする。
（５４）【発明の名称】
研磨装置と半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　高清浄度エアフィルタ（８）を用いて空調されたクリーンルーム（１１）内の研磨装置（５）であって、
　被処理基板（１）の研磨部（２）と、該被処理基板（１）を該研磨部（２）或いは外部に搬送する搬送部（３）との間に、
汚染雰囲気を排出するための排気口を備え、
　【請求項２】　前記研磨部（２）が化学機械研磨をするものであることを特徴とする請求項１記載の研磨装置。
　【請求項３】　前記クリーンユニット部（４）は前記研磨装置（５）のクリーン領域と汚染領域との通路境界に、封止部材（６）を用いて気密保持可能なシャッタ（７）を具備し、高清浄度エアフィルタ（８）を用いて外気を吸気する吸気口（９）と該クリーンユニット部（４）から外部へ室内雰囲気を排気する排気口（１０）とを備えてなることを特徴とする請求項１または２記載の研磨装置。
　【請求項４】　前記クリーンユニット部（４）が連接して複数個設けてなることを特徴とする請求項１、２または３記載の研磨装置。
　【請求項５】　高清浄度エアフィルタ（８）を用いて空調されたクリーンルーム（１１）内において、
　研磨された被処理基板（１）を研磨装置（５）の研磨部（２）から、該研磨部（２）ならびに搬送部（３）に接続可能なるクリーンユニット部（４）を介して、該搬送部（３）に搬送する
に際し、該クリーンユニット部（４）において　該クリーンユニット部（４）内の汚染雰囲気を排出する
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体基板の研磨に用いる研磨装置をクリーンルームに導入するためのクリーンユニットに関する。
　【０００２】
　特に、微細加工を特徴とするウエハプロセスの分野において、高清浄度雰囲気での化学研磨液を用いた半導体基板の精密化学機械的研磨の高精度化、防塵化が要求されている。
　【０００３】
　そのため、研磨装置から発生する発塵物質の飛散範囲である汚染領域と半導体基板を前後の工程で処理する清浄領域とを厳格に区別するためのクリーンユニットが必要とされる。
　【０００４】
　【従来の技術】
　図５は従来例の説明図である。
　図において、１は被処理基板、２は研磨部、３は搬送部、５は研磨装置、１１はクリーンルーム、１２は定盤、１３は受渡ロボット、１４は搬送ロボット、１５は洗浄槽である。
　【０００５】
　従来、半導体デバイスに求められる性能が高くなるにつれて、高集積化・超微細化が進められている。更に製品の小型化意識が高まり、半導体製造処理技術は複雑化している。このため、完成度を充足しきれないまま、既存技術で顧客の満足を得ようと苦労している。
　【０００６】
　こうした背景の中で、半導体デバイス側の要求は、多層による立体積層配線を設計するために、各々の薄膜自身の完全平坦度と滑らかさを最も必要としている。
　【０００７】
　半導体デバイスを構成する薄膜は、大きく配線層と絶縁層に分けられる。現在では、薄膜を形成する成膜時において平坦度を追求した研究や報告が行われているのが主流である。それら一つ一つの技術を複合させて、各薄膜層の平坦度を満足させ、次世代の装置開発がおこなわれているのが従来の技術である。
　【０００８】
　積層配線構造を考えた場合、パターニングされた配線を各層に配列させる絶縁層の平坦性が重要となる。従来の技術では、一プロセスの成膜で完全な平坦が得られず、複雑かつ多工程で平坦化を行っている。
　【０００９】
　絶縁薄膜層の形成には、主にＣＶＤや回転コーティング法が用いられているが、各々に特殊技術があり、それらの複合成膜となると、時間とコストが累積されていく。また、絶縁層以外でも配線層の凹凸がそのまま絶縁層の膜厚や複合プロセスに影響を与える。
　【００１０】
　配線薄膜層の形成には、ＣＶＤやＰＶＤ（Ｐｈｉｓｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等が用いられているが、微小な穴への埋め込みと膜厚確保を同時に行い電気的特性の優れた金属薄膜の形成は非常に難しい。
　【００１１】
　こうした技術的諸問題を解決するために、化学機械研磨技術を応用した半導体基板の研磨装置５が考えられているが、図５（ｂ）に示すような、クリーンルーム１１内に設けた研磨装置５における研磨作業で、研磨粉等発塵の問題が大きく、図５（ａ）に示すように、汚染領域の雰囲気が搬送部３を通して、クリーンルーム１１内のクリーン領域に漏れだしてしま
う
　【００１２】
　【発明が解決しようとする課題】
　半導体デバイスの超精密化・微細化が進と、比例して工程数は増加する。制御が複雑な工程が複合することで技術的に困難となり、時間とコストが工程の増加に伴って累積し増加していく。
　【００１３】
　しかし、こうした複合技術に依存しない限り、ユーザーの求める製品を供給することはできない。
　従って、本発明は半導体基板製造プロセスの工程数を減少させ、平坦で良質な薄膜層を形成させることを目的として、化学機械研磨技術を応用した研磨装置を、クリーンルームに適応化させるクリーンユニットの開発を行った。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　図１、図２は本発明の原理説明図である。
　図において、１は被処理基板、２は研磨部、３は搬送部、４はクリーンユニット部、４ａはリンス室、４ｂはオーブン室、５は研磨装置、６は封止部材、７はシャッタ、８は高清浄度エアフィルタ、９は吸気口、１０は排気口、１１はクリーンルーム、１２は定盤である。
　【００１５】
　上記の配線層と絶縁層において、複雑化する形成技術問題を解決する方法の中で、最も有効な技術に化学研磨法がある。この技術は機械研磨の要素と化学反応を組み合わせて完全平坦度を得るものである。本平坦技術に用いる化学機械研磨装置は、設備の要素が大きく影響し、本発明もこの研磨技術を向上させ高精度の研磨を完成させるためには必要不可決な要素である。
　【００１６】
　この研磨技術を装置化させる際に発生する一番の障害が、研磨砥粒や化学研磨により発生する汚染物質であり、研磨処理による雰囲気汚染や半導体基板あるいは装置・治具に付着してしまう汚染物によって、クリーンルーム内全体や次工程に汚染・発塵等の悪影響を与えてしまう恐れがある。
　【００１７】
　この問題を解決させる為には、研磨による作業を目的とした設備や装置内で汚染領域とクリーン領域とを明確に区別することを考え、この区別を明確化した雰囲気の設置や汚染物質の排出方法を得る。
　【００１８】
　即ち、本発明の目的は、高清浄度エアフィルタ８を用いて空調されたクリーンルーム１１内に設けた研磨装置５であって、
　図１（ａ）に示すように、被処理基板１の研磨部２と、被処理基板１を研磨部２、或いは外部に搬送する搬送部３との間に、
汚染雰囲気を排出するための排気口を備え、
　そして、研磨部２は化学機械研磨を行うことにより、
　また、図１（ｂ）に示すように、前記クリーンユニット部４は前記研磨装置５のクリーン領域と汚染領域との通路境界に、封止部材６を用いて気密保持可能なシャッタ７を具備し、高清浄度エアフィルタ８を用いて吸気する吸気口９と、クリーンユニット部４から排気する排気口１０とを備えてなることにより、
　更に、前記クリーンユニット部４が図２に示すように、連接して複数個設けてなることにより、
　そして、図１（ａ）に示すように、高清浄度エアフィルタ８を用いて空調されたクリーンルーム１１内において、研磨された被処理基板１を研磨装置５の研磨部２から、研磨部２ならびに搬送部３に接続可能なるクリーンユニット部４を介して、搬送部３に搬送する
に際し、該クリーンユニット部（４）において、該クリーンユニット部（４）内の汚染雰囲気を排出する
　【００１９】
　【作用】
　上記のように、本発明によれば、クリーンルーム内の研磨作業に対応する化学機械研磨装置を現状のクリーンルームに低コストで導入することができる。
　【００２０】
　そしてこの設備導入により、超精密加工ができるため半導体基板の平坦化、ひいては高集積、微細化された半導体デバイスの開発に寄与するところが
大きく
　【００２１】
　すなわち、本発明では廃液回収という操作がなくなり、一つの洗浄装置内で、再生処理も同時に行ってしまう
た
　【００２２】
　【実施例】
　図３、図４は本発明の一実施例の説明図である。
　図において、１は被処理基板、２は研磨部、３は搬送部、４はクリーンユニット部、４ａはリンス室、４ｂはオーブン室、４ｃは排気室、５は研磨装置、８は高清浄度エアフィルタ、１２は定盤、１３は受渡ロボット、１４は搬送ロボット、１５は洗浄槽、１６はフィルタ、１７はハンドリングチャック、１８はリンス液、１９は噴霧ノズルである。
　【００２３】
　本発明の一実施例を図３、図４により説明する。
　一般的に化学機械研磨を行う研磨部２には、被処理基板１である半導体ウエハを保持する固定部に対して、研磨布を取り付けた定盤１２がある。この定盤１２が回転し、その上を固定部側に保持された被処理基板１が圧力を受けながら自転する。
　【００２４】
　広い定盤１２上を、任意な軌跡を描きながら移動して、砥粒を含む化学薬液を介して研磨を行う。研磨処理が終わった被処理基板１は研磨砥粒で汚染されているため、被処理基板１を保持した固定部は定盤１２から離れ受渡ロボット１３まで移動し、そこから搬送ロボット１４にリレーし、本発明のリンス室４ａ、オーブン室４ｂ、排気室４ｃ等のユニット集合体からなるクリーンユニット部４に入る。
　【００２５】
　このクリーンユニット４は、被処理基板１の搬出入用のシャッター７の動作や汚染雰囲気の排気手順の基本動作は各々以下の内容で共通している。
　各クリーンユニット４では図１（ｂ）で示したように、汚染領域側との境界にあるシャッタ７ａとクリーン領域側にあるシャッタ７ｂによって密閉されており、排気口１０によって一定の差圧状態に管理されている。研磨処理で汚染された被処理基板１がシャッタ７ａを経由して、本発明のクリーンユニット部４に搬送される際に、汚染領域側の研磨部２の雰囲気が流入する。ここで、シャッタ７ａの開動作中は排気口１０の動作は停止している。シャッタ７ａの閉動作によって再び密閉状態が形成されると、高清浄度エアフィルタ（ＨＥＰＡ）８を有した強制排気口１０によってクリーンユニット４内の汚染雰囲気を排出する。
　【００２６】
　汚染雰囲気の除去後、排気口１０の動作を止め、吸気口９を作動し、シャッタ７ｂを開動作させ、被処理基板１を搬出させる。
　また、シャッタ７ａ、７ｂには、被処理基板の搬送方向に対して入口／出口で独立したＯ　リングシール板からなる封止部材６を設ける。被処理基板１の搬出入時の搬送手順／排気方法はクリーンユニット部４の動作と同様である。
　【００２７】
　ここで、下記仕様により半導体基板として４　８インチのＳｉウエハ、或いはＬＣＤ用のセラミック基板を用いて研磨を行った。
　研磨条件は０．２μｍの粒径の乳状シリカを用い３００ｍｍの底盤上で１００ｒｐｍで研磨する。ポリッシング圧は７　１５Ｐａ、研磨布は厚さ１．５ｍｍ、ポリウレタン製で各被処理基板１とも３０分のポリシングを行った。
　【００２８】
　その後リンス室４ａに被処理基板１を搬送し、回転数を３０ｒｐｍから３，０００ｒｐｍまで５段階に上げながら、純水、薬液、純水の順で吐出してスクラバ洗浄を行う。その他の洗浄方法として、図４に示したような洗浄層のリンス液１８を循環し、図４（ａ）に示す浸漬方式、あるいは図４（ｂ）に示す噴霧方式で高周波洗浄や超音波洗浄を応用した洗浄方法も用いられる。
　【００２９】
　そのあと、連接したオーブン室４ｂで、スピン乾燥、赤外線乾燥或いは熱風乾燥してから、被処理基板１を研磨装置５のクリーンユニット部４より搬送部３を経て、クリーンルーム１１のクリーン領域に搬出する。
　【００３０】
　【発明の効果】
　以上の機能を有したクリーンユニット部と搬出入用のシャッタの集合体を汚染領域とクリーン領域の間に設置し、前述の排気方法と洗浄方法を行うことで、研磨領域の汚染物質がクリーン領域へ流出することを防ぐことができる。
　【００３１】
　以上説明したように、本発明を適用すれば、被処理基板の十分なクリーン効果が得られ、クリーンルームに導入が困難とされていた製造技術を、クリーンルーム対応とすることが可能となり、今まで、苦労を重ねて開発していた飽和状態にある加工技術へ新風を吹き込むことを可能とし、工程短縮による製造工程のコストダウンや製品の低価格化へ大きく貢献／寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の原理説明図（その１）
　【図２】　本発明の原理説明図（その２）
　【図３】　本発明の一実施例の説明図（その１）
　【図４】　本発明の一実施例の説明図（その２）
　【図５】　従来例の説明図
　【符号の説明】
　１　被処理基板
　２　研磨部
　３　搬送部
　４　クリーンユニット部
　４ａ　リンス室
　４ｂ　オーブン室
　４ｃ　排気室
　５　研磨装置
　６　封止部材
　７　シャッタ
　８　高清浄度エアフィルタ
　９　吸気口
　１０　排気口
　１１　クリーンルーム
　１２　定盤
　１３　受渡ロボット
　１４　搬送ロボット
　１５　洗浄槽
　１６　フィルタ
　１７　ハンドリングチャック
　１８　リンス液
　１９　噴霧ノズル