【事件の表示】
　特許第３０９４３１２号「サセプター」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０９４３１２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３０９４３１２号（以下「本件特許」という。）は、平成４年４月１日に特許出願され、特許権の設定登録の後、平成１３年３月２８日付けで特許異議申立人森信子より、その請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、平成１３年６月１２日付けで審判官合議体より特許取消理由の通知、平成１３年８月３日付けで特許権者より訂正請求書の提出、平成１３年９月６日付けで審判官合議体より取消理由の通知、次いで、平成１３年１１月８日に特許権者より訂正請求書の提出及び平成１３年８月６日付けの先の訂正請求書の取り下げ、の各手続がなされたものである。
　　
II．訂正（平成１３年１１月８日提出の訂正請求書による）について
（II-1）訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　請求項１を、以下のとおりに訂正する。
「カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面に、原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法によりコーティングされ、かつ表面を研磨された所要厚さの研磨ＳｉＣ膜が２層以上積層されていることを特徴とするサセプター。」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
(b-1)段落【0005】、【0008】、【0010】及び【0013】中の「ＣＶＤ法」を、「原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法」と訂正する。
(b-2)段落【0006】及び【0020】中の「異方性を抑制」を、「異方性が抑制」と訂正する。
(b-3)段落【0006】中の「高めの」を、「高めるための」と訂正する。
　　　
（II-2）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、訂正事項ｂは明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当し、そして、それらの訂正は、願書に添付した明細書及び図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとは認められない。
　したがって、本訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、なお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、及び第２項の規定に適合する。
　　
III．本件発明
　訂正後の請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）は、訂正明細書（以下「明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面に、原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法によりコーティングされ、かつ表面を研磨された所要厚さの研磨ＳｉＣ膜が２層以上積層されていることを特徴とするサセプター。」
　　
IV．特許異議申立について
(IV-1)特許異議申立人の主張
　特許異議申立人森信子は、本件出願前に日本国内において頒布された刊行物として、甲第１号証（特開平１−１４５４００号公報）、甲第２号証（特開昭５８−１０４０７８号公報）、甲第３号証（特開平２−６８９２２号公報）、及び甲第４号証（セラミックス　１６（１９８１）Ｎｏ．３、第１５５〜１６２頁）を提示して、甲第４号証の記載を参酌すれば、本件の請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明であると主張している。
　　
(IV-2)証拠の記載事実
甲第１号証
(1-1)「2100〜2200℃の高温不活性雰囲気下で黒鉛基板表面にＳｉＯガスを供給し、当該炭素とＳｉＯガスの接触反応により、黒鉛表面に中間層としてのＳｉＣを形成し、然る後にＣＶＤ法等によりＳｉＣ被膜を当該中間層ＳｉＣの上に蒸着したことを特徴とするシリコンウェハー加熱用治具。」（特許請求の範囲）
(1-2)「黒鉛表面の炭素とシリコンが結合して中間層ＳｉＣが形成されるため境界面の接合が強固となり、剥離現象が抑制される。」（第２頁左上欄第６〜８行）
(1-3)「黒鉛基板からＣＶＤ法によるＳｉＣ被膜に至る濃度勾配が緩和されているので、マクロな相状態が均一化され、中間層ＳｉＣのクッション効果で境界層における熱膨張率の断裂が解消し、高温雰囲気下の剥離不良が減じられる。」（第２頁左上欄第１９行〜右上欄第３行）
(1-4)「作用および実施例」の欄において、「上面にシリコンウェハー収納孔を設け、目的形状に成形した黒鉛基板表面にＳｉＯを導き・・・高温雰囲気下ＳｉＯ＋２Ｃ→ＳｉＣ＋ＣＯなる反応により・・・中間層ＳｉＣを形成する。・・・・所定の膜厚を保持させたのち、中間層ＳｉＣ表面にＣＶＤ法等を施し、ＳｉＣ被膜を更に・・・形成する。・・・上記方法により製造されたシリコンウェハー加熱用治具は・・・ＣＶＤ法等によるＳｉＣ被膜と黒鉛基板の間に中間層ＳｉＣを挟んだサンドイッチ構造を有する」（第２頁右上欄第１０行〜右下欄第７行）
　　
甲第２号証
(2-1)「コンバージョン法により黒鉛基材の表面をＳｉＣに転化したのち、該ＳｉＣ転化表面にコーティング法によりＳｉＣを蒸着させることを特徴とするＳｉＣ−黒鉛複合材の製造法。」（特許請求の範囲）
(2-2)「近年・・・電子部品製造用治具等に黒鉛の表面にＳｉＣの層を形成させたＳｉＣ−黒鉛複合材が、その耐摩耗性、耐食性、耐熱性等の特長を生かして用いられるようになって来ている。」（第１頁左下欄第１１〜１５行）
(2-3)「黒鉛の表面にＳｉＣ層を形成する方法としては、コーティング法とコンバージョン法との二つの方法が主である。コーティング法はＳｉＨＣｌ３のようなケイ素の塩化物及びＣ６Ｈ６のような炭素化合物又はＣＨ３ＳｉＣｌ３のような塩素を含む有機ケイ素化合物を加熱された黒鉛基材表面に導いて熱分解しＳｉＣとして蒸着させる方法であり、コンバージョン法はＳｉガスまたはＳｉＯガスを加熱された黒鉛基材と反応させて黒鉛基材の表面をＳｉＣに転化する方法である。」（第１頁左下欄第１６行〜右下欄第６行）
(2-4)「製品の平滑さを要求されるＳｉＣ−黒鉛複合材を得るには、コンバージョン法により黒鉛基材の表面をＳｉＣに転化したのち、該表面を研磨加工又はクリーニング等の機械加工により付着しているＳｉＣ結晶粒を除去し、しかるのちＳｉＣコーティングを行なうことが好ましい。即ちコンバージョン法により形成された転化ＳｉＣ層の表面には反応中に生成したＳｉＣ結晶粒子が点在して付着しているので・・・その表面が平滑でない為コーティング後の製品表面も平滑さが不十分である。」（第３頁左上欄第４〜１４行）
(2-5)「実施例１」において、反応室にリング状黒鉛基材をつり下げ、ＳｉＯ２粉末とコークス粉末とを混合した反応原料を入れて加熱処理してＳｉＣ−黒鉛複合材リングを得、ショットブラスト処理し、両端面と外形をダイヤモンドホイールで研磨し、さらに蒸着ＳｉＣ層を形成させたこと、及び、このようにして得られたリングは転化ＳｉＣ層の上に蒸着ＳｉＣ層が形成されたものであったこと。（第３頁左下欄第１８行〜第４頁左上欄第１３行）
　　
甲第３号証
(3-1)「半導体基板載置用凹部を有する気相成長用サセプタにおいて、半導体基板を接触させる前記凹部の表面を鏡面としたことを特長とする気相成長用サセプタ。」（特許請求の範囲）
(3-2)第４図とともに「第４図(a)、(b)は従来のサセプタの構造を示すものである。図に示すように円板状の炭素芯材からなるサセプタ１にはウェハを載置する凹部２，２，２・・・が形成されており、その表面は炭化珪素（以下、ＳｉＣという）１Ａにて被覆されている。」（第１頁左下欄第２０行〜右下欄第５行）
(3-3)「ウェハを載置する球面凹部の底面に研磨加工を施すことにより、ウェハは球面凹部と密着し均一な温度分布にすることができる。・・・・球面凹部の底面を研磨加工を施すことで再現性を向上でき、ウェハと球面凹部との密着性が向上したことでウェハ面内温度分布の均一化により結晶欠陥のスリップ発生率を極力少なくできるという効果を有する。」（第２頁右下欄第１〜１５行）
　　
甲第４号証
(4-1)「表３　セラミックコーティングのＣＶＤ反応と条件」中、「反応類別」の欄に「第三成分添加のもとでの金属ハロゲン化物の水素還元」、「熱分解」及び「基質が原料の一部になる反応（拡散）」の３種が挙げられ、その内、上記の「第三成分添加のもとでの金属ハロゲン化物の水素還元」の析出反応例として、ＣＨ３ＳｉＣｌ３がＨ２存在下でＳｉＣ＋３ＨＣｌとなる例、及び、上記の「基質が原料の一部になる反応（拡散）」の析出反応例として、２Ｃ（黒鉛）＋ＳｉＯがＳｉＣ＋ＣＯとなる例が示されている。（第１５７頁）
　　
(IV-3)対比・判断
　本件発明と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、引用例１には、黒鉛基板によるシリコンウェハー加熱用治具が記載されており（摘記1-1、1-3）、これは本件発明における「カーボンを基材とするサセプター本体」に相当する。また、甲第１号証には、シリコンウェハー収納孔を設けた黒鉛基板表面に、２層からなるＳｉＯ層を設けることが記載されており（摘記1-1、1-4）、これは本件発明において、「カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面」に対して「ＳｉＣ膜が２層以上積層」されていることに相当する。また、甲第１号証に記載の中間層のＳｉＣ層及びＣＶＤ等によるＳｉＣ層が、それぞれ一定の厚さを有することは明らかであることからすると、両者の層は「所要厚さ」の膜である点で一致していると言える。
　してみれば、本件発明は、甲第１号証に記載された発明と、「カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面に、所要厚さのＳｉＣ膜が２層以上積層されていることを特徴とするサセプター」の点で一致し、そして、
（イ）本件発明におけるＳｉＣ膜は、「原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法によりコーティング」されたものであるのに対して、甲第１号証に記載された発明では、上層のＳｉＣはＣＶＤ法等によることが記載されているものの、下層のＳｉＣについては「黒鉛基板表面にＳｉＯガスを供給し、当該炭素とＳｉＯガスの接触反応により、黒鉛表面に中間層としてのＳｉＣを形成」（摘記1-1）したものであって、本件発明における上記「原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法」ではない点、及び、（ロ）本件発明におけるＳｉＣ膜は、「表面を研磨された研磨ＳｉＣ膜」であるのに対して、甲第１号証にはＳｉＣ膜表面を研磨して研磨ＳｉＣ膜とすることの記載がない点、の各点で本件発明は甲第１号証に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、これらの相違点（イ）及び（ロ）について、以下検討する。
相違点（イ）について
　甲第２号証には、コンバージョン法により黒鉛基材の表面をＳｉＣに転化したのち、該転化ＳｉＣ表面にＳｉＣを蒸着させるＳｉＣ−黒鉛複合材の製造法が記載され（摘記2-1）、そして、このコンバージョン法は、甲第４号証の記載における「基質が原料の一部になる反応」（摘記4-1）に該当するので、ＣＶＤ法の一種であるということができる。そこで、これらの点を踏まえて甲第２号証の記載と、上記相違点（イ）に係る構成とを対比すると、甲第２号証に記載された上層の蒸着Ｓｉには、本件発明でいう「原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法」に相当するといえるが、下層の転化ＳｉＣ層については、基材との反応によるものであることからすると、本件発明における「原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法」と言うことはできない。したがって、甲第２号証には、ＳｉＣ膜を２層以上積層する場合の各層について、「原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法」によりコーティングするという、上記相違点（イ）に係る構成の記載は見当たらない。
　一方、甲第３号証には、半導体基板載置用凹部を有する気相成長用サセプタにおいて、半導体基板を接触させる前記凹部の表面を鏡面とした気相成長用サセプタ（摘記3-1）が記載されている。しかし、甲第３号証には、ＳｉＣ膜を２層以上積層するという本件発明の基本的な構成の記載がなく、よって、同号証には、そのような２層以上積層された各ＳｉＯ膜について、「原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法」によりコーティングするという、上記相違点（イ）に係る構成の記載は見当たらない。
　　
相違点（ロ）について
　甲第２号証には、コンバージョン法により黒鉛基材の表面をＳｉＣに転化したのち、該転化ＳｉＣ表面にＳｉＣを蒸着させるＳｉＣ−黒鉛複合材の製造法が記載され（摘記2-1）、併せてＳｉＣの蒸着前に、転化ＳｉＣ層の表面に研磨加工又はクリーニング等の機械加工を行うことが記載されている（摘記2-4、2-5）。しかし、その研磨加工等は、「コンバージョン法により形成された転化ＳｉＣ層の表面には反応中に生成したＳｉＣ結晶粒子が点在して付着しているので・・・その表面が平滑でない為コーティング後の製品表面も平滑さが不十分である」（摘記2-4）との認識のもとに、「付着しているＳｉＣ結晶粒を除去」（摘記2-4）するために行なうものであって、したがって、これをコンバージョン法でない本件発明の場合に対して直ちに適用することの論拠はない。しかも、甲第２号証に記載の発明では、上記の付着粒子の問題の解決のため、下層に対してのみ研磨等の機械加工を施したものであるので、この甲第２号証の記載からは、下層のみならず上層についても表面研磨を施し、もって「研磨ＳｉＯ膜」を２層以上積層するという本件発明の構成が導かれる合理的な理由があると言うこともできない。
　一方、甲第３号証にはＳｉＣ膜を２層以上積層させることの記載はない。この甲第３号証には、半導体基板載置用凹部を有する気相成長用サセプタにおいて、半導体基板を接触させる前記凹部の表面を鏡面とした気相成長用サセプタ（摘記3-1）が記載されているが、この鏡面化は、ウェハを球面凹部と密着させ均一な温度分布にするためのものであるので（摘記3-3）、この甲第３号証の記載からは、本件発明のようにＳｉＣ膜を２層以上積層する場合につき、最上層のみならず、下層に対しても表面研磨し、研磨ＳｉＣ膜を２層以上積層するという本件発明の構成が導かれると言うことはできない。
　　
　そして、本件発明は、上記相違点（イ）及び（ロ）に係る構成要件を含む前記認定のとおりの構成を有することにより、各層のＳｉＣ膜の結晶の成長や異方性が抑制され、ＳｉＣ膜全体の厚さが厚くなっても凹部やマイクロクラック等の欠陥が少なくなるので、半導体ウェーハに欠陥を生じさせることが少なくなり、かつサセプターを長寿命とすることができる（段落【0020】）という、明細書に記載された効果を奏したものと認められる。
　したがって、本件発明は、甲第４号証の記載を参酌しても、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人森信子の主張する理由及び提示した証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月２２日（２００１．１１．２２）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨（特許第３０９４３１２号）
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
　請求項１を、以下のとおりに訂正する。
「カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面に、原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法によりコーティングされ、かつ表面を研磨された所要厚さの研磨ＳｉＣ膜が２層以上積層されていることを特徴とするサセプター。」
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
（ｂ−１）段落【０００５】、【０００８】、【００１０】及び【００１３】中の「ＣＶＤ法」を、「原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成するＣＶＤ法」と訂正する。
（ｂ−２）段落【０００６】及び【００２０】中の「異方性を抑制」を、「異方性が抑制」と訂正する。
（ｂ−３）段落【０００６】中の「高めの」を、「高めるための」と訂正する。
　なお、訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするもの、訂正事項ｂは明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（５４）【発明の名称】
サセプター
（５７）【特許請求の範囲】
　　【請求項１】　カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面に、
原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成する
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、シリコンウェーハ等の半導体ウェーハにＣＶＤ（化学蒸着）法等によりエピタキシャル成長を施す際等に、半導体ウェーハを載置するサセプターに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、この種のサセプターは、黒鉛等のカーボンを基材とするサセプター本体に半導体ウェーハを収容する円形の複数のウェーハ収容凹部を設け、かつサセプター本体の吸蔵ガスがエピタキシャル処理中に放出されて半導体ウェーハに汚染が生ずるのを防止するため、サセプター本体をＣＶＤ法によるＳｉＣ膜でコーティグし、かつ所要個所に研磨を施して構成されている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、従来のサセプターでは、単に１層のＣＶＤコートによって所望の厚さのＳｉＣ膜を得ているため、部分的にＳｉＣ結晶粒の異常成長が起こり、この上面を研磨するとチッピング等により、ＳｉＣ膜に凹部やマイクロクラック等の欠陥が生ずる。そして、このサセプターを半導体ウェーハのエピタキシャル処理や熱酸化処理等に用いた場合、上記凹部あるいはマイクロクラック部分が半導体ウェーハ表面と接触すると、ウェーハ面において部分的な熱膨張差が生じ、半導体ウェーハにスリップが発生するという問題があった。
　【０００４】
　又、平坦度を高めるためにＳｉＣ膜の表面研磨を繰り返して行うと、チッピングにより、サセプター本体が部分的に露出した状態が生ずることもある。そして、このサセプターを半導体ウェーハの表面酸化処理に用いた場合、カーボンよりなるサセプター本体の酸化消耗が起きたり、あるいはサセプター本体からの放出ガスによって半導体ウェーハの汚染が生ずるという問題があった。
　そこで、本発明は、半導体ウェーハに欠陥を生じさせることなく、かつ長寿命のサセプターの提供を目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　前記課題を解決するため、本発明のサセプターは、カーボンを基材とするサセプター本体の少なくともウェーハ収容凹部の表面に、
原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成する
　【０００６】
　【作用】
　上記手段においては、各層のＳｉＣ膜の結晶の成長や異方性
が
　各層のＳｉＣ膜の厚さは、３０〜３００μｍが好ましい。３０μｍ未満であると、平坦度を高め
るため
　【０００７】
　各層の表面粗さＲａは、０．０１〜７．０μｍが好ましい。０．０１μｍ未満であると、加工が困難となる一方、７．０μｍを超えると、スリップの発生率が大きくなる。より好ましくは、Ｒａ＝０．０１〜１．０μｍである。
　【０００８】
　【実施例】
　次に、本発明について図面を参照して説明する。
　図１、図２は本発明の一実施例のサセプターの要部の断面図、そのウェーハ収容凹部の底部の拡大断面図である。
　このサセプターは、黒鉛又は等方性カーボンからなるサセプター本体１の上面に、半導体ウェーハ２を収容する複数の円形のウェーハ収容凹部３を、座ぐり加工によって底部が凹球面状を呈するように設ける一方、全表面に
原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成する
原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成する
　【０００９】
　ここで、ウェーハ収容凹部３の中間層となる研磨ＳｉＣ膜５の表面粗さＲａは、０．１〜５．０μｍが好ましい。０．１μｍ未満であると、加工費がかかってコスト的に採算がとれなくなる一方、５．０μｍを超えると、表面の凹凸がその上に積層されるＳｉＣ膜６の結晶形態に影響を及ぼし、結晶の成長や異方性を抑制できず、上層の研磨後に結晶粒界でのチッピング等による凹部あるいはマイクロクラック等の欠陥の発生率が高くなる。
　【００１０】
　上記構成のサセプターの製造に際しては、先ず、黒鉛材を所要の寸法形状に加工して複数のサセプター本体とし、これらを１２５０℃の温度下でＨＣｌガスを用いて洗浄処理した後、
原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成する
　ＣＶＤ条件は次の通りである。
　　原料ガス：ＳｉＣｌ４　　０．２４　ｌ／ｍｉｎ
　　　　　　　ＣＨ４　　　　０．２４　ｌ／ｍｉｎ
　　　　　　　Ｈ２　　　　１０．０　　ｌ／ｍｉｎ
　　温度：１５００℃
　【００１１】
　次いで、各サセプター本体のウェーハ収容凹部の表面のＳｉＣ膜に、ダイヤモンドペーパー及びダイヤモンドペーストによる研磨を行った。
　表１にこの時の研磨ＳｉＣ膜の厚さと、その表面で観察された凹部あるいはマイクロクラック等の欠陥数との関係を示した。
　【００１２】
　【表１】
　【００１３】
　従って、試料Ｎｏ．２〜４の厚さのものが、欠陥数の点で優れていることがわかった。
　次に、厚さ４５μｍのＳｉＣ膜を上述したＣＶＤ条件でコーティングし、かつ上述した研磨方法でウェーハ収容凹部のＳｉＣ膜を種々の表面粗さ研磨した後、サセプター本体の全表面に
原料ガスのみでＳｉＣ膜を生成する
　【００１４】
　ＣＶＤ条件は、次の通りである。
　　原料ガス：ＭＴＣＳ（トリメチルクロロシラン）　０．２４　ｌ／ｍｉｎ
　　　　　　　Ｈ２　　　　　　　　　　　　　　　　０．７０　ｌ／ｍｉｎ
　　温度：１３００℃
　次いで、各サセプター本体のウェーハ収容凹部の表面の２層目のＳｉＣ膜を上述した研磨方法で研磨し、表面粗さＲａが、１．０μｍの２層目の研磨ＳｉＣ膜とした後、１２５０℃の温度下でＨＣｌガスを用いて洗浄処理し、サセプターを得た。
　各サセプターの研磨ＳｉＣ膜の表面のスリップ発生率を測定したところ、表２の結果を得た。
　【００１５】
　【表２】
　【００１６】
　従って、界面となる１層目の研磨ＳｉＣ膜の表面粗さＲａは、０．１〜５．０μｍが好ましく、より好ましくは０．１〜１．０μｍであることがわかる。
　一方、サセプター本体にコーティングするＳｉＣ膜を１層、２層及び３層とすると共に、それぞれの厚さを９０μｍ、４５μｍ及び３０μｍとし、かつウェーハ収容凹部の表面の表面粗さＲａがいずれも１．０μｍとなるように研磨したサセプターをエピタキシャル装置内に納置し、洗浄ガス（Ｈ２：１０　ｌ／ｍｉｎ＋ＨＣｌ：０．５　ｌ／ｍｉｎ）を流しながら冷熱サイクル（室温→昇温（約２０ｍｉｎ）→１２００℃（１０ｍｉｎ保持）→降温（約６０ｍｉｎ）→室温）を加えたところ、マイクロクラック発生までの回数は、表３に示すようになった。
　【００１７】
　【表３】
　【００１８】
　従って、ＳｉＣ膜を２層以上積層すると共に、各層の厚さを３０〜３００μｍとし、かつウェーハ収容凹部の表面のＳｉＣ膜の表面粗さＲａが０．０１〜７．０μｍとなるように研磨することによって、サセプターの寿命を従来のものの２倍以上にできることがわかる。
　なお、上述した実施例においては、１層目と２層目のＳｉＣ膜をＣＶＤコーティングする際の原料ガス等を異ならせているが、いずれか一方の原料ガスのみを用いてＣＶＤコーティングするようにしてもよい。
　【００１９】
　又、ウェーハ収容凹部の表面のＳｉＣ膜の研磨は、全面に行う場合に限らず、実質的に半導体ウェーハと接触する最外層の底面の外周部のみを、ウェーハ収容凹部径の１０〜２０％程度の幅で研磨するようにしてもよい。このようにすることにより、加工時間及び経費の軽減を図ることができる。
　【００２０】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明のサセプターによれば、各層のＳｉＣ膜の結晶の成長や異方性
が
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例のサセプター要部の断面図である。
　【図２】
　本発明の一実施例のサセプターのウェーハ収容凹部の底部の断面図である。
　【符号の説明】
　１　　サセプター本体
　２　　半導体ウェーハ
　３　　ウェーハ収容凹部
　４　　ＳｉＣ膜
　５　　研磨ＳｉＣ膜
　６　　ＳｉＣ膜
　７　　研磨ＳｉＣ膜
　【表１】
　【表２】
　【表３】