【事件の表示】
　特願２０１５−５６０６６４「合成ダイヤモンド光学素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年９月１２日国際公開，ＷＯ２０１４／１３５５４７，平成２８年３月２４日国内公表，特表２０１６−５０９２６５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　事案の概要
　１　手続等の経緯
　特願２０１５−５６０６６４号（以下「本件出願」という。）は，２０１４年（平成２６年）３月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１３年３月６日　米国，同年４月２３日　英国）を国際出願日とする特許出願であって，その手続等の経緯の概要は，以下のとおりである。
平成２７年１１月　４日付け：手続補正書
平成２８年　７月２８日付け：拒絶理由通知書
平成２８年１１月　１日付け：意見書
平成２８年１１月　１日付け：手続補正書
平成２９年　４月２７日付け：拒絶理由通知書
平成２９年　８月２２日付け：意見書
平成３０年　１月３０日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。）
平成３０年　６月　５日付け：審判請求書
　なお，審判請求書は，平成３０年７月１８日付け手続補正書によって補正された。
　
　２　本願発明
　本件出願の請求項１〜請求項１５に係る発明は，平成２８年１１月１日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜請求項１５に記載された事項によって特定されるとおりのものであるところ，その請求項１に係る発明は，次のものである（以下「本願発明」という。）。
「　光学素子であって，
　合成ダイヤモンド材料と，
　前記合成ダイヤモンド材料の少なくとも１つの表面内に直接形成されたゾーンプレート，フレネルレンズ，又は非球面レンズの形態をした扁平化レンズ表面構造体とを有し，
　前記合成ダイヤモンド材料は，室温で測定して１０．６μｍの波長で０．５ｃｍ−１以下の吸収係数を有し，
　前記合成ダイヤモンド材料は，次の特性のうちの一方又は両方を満たすレーザ誘導損傷しきい値を有し，前記特性は，
　前記レーザ誘導損傷しきい値が，パルス持続時間を１００ｎｓ，パルス繰り返し周波数を１〜１０Ｈｚの範囲として波長１０．６μｍのパルスレーザを用いて測定して少なくとも３０Ｊｃｍ−２であるという特性，及び
　前記レーザ誘導損傷しきい値が，波長１０．６μｍの連続波レーザを用いて測定して少なくとも１ＭＷ／ｃｍ２であるという特性である，光学素子。」
　
　３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，概略，本願発明は，その優先権主張の日（以下「本件優先日」という。）前に日本国内又は外国において頒布された刊行物に記載された発明に基づいて，本件優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　引用された文献は，以下のとおりである。
引用文献１：特表２００６−５０７２０４号公報
引用文献２：特開平８−２４０７０５号公報（周知技術を示す文献）
　
第２　当合議体の判断
　１　引用文献の記載及び引用発明
　(1) 引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献１（特表２００６−５０７２０４号公報）は，本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ，そこには，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものであり，引用発明の認定や判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「【請求項１６】
　室温（公称２０℃）で測定するとき，
　ｉ）少なくとも０．４ｍｍの特定の厚さのサンプルについて，少なくとも１．３ｍｍ×１．３ｍｍの特定の面積にわたって本明細書に述べる方法で測定して，波長１．０６４μｍでの前方散乱が，透過したビームから３．５°〜８７．５°の立体角にわたって積分して，０．４％未満であるような低く均一な光散乱，
　ｉｉ）少なくとも０．５ｍｍの特定の厚さのサンプルが，波長１．０６μｍで０．０９ｃｍ−１未満の吸光係数を有するような低く均一な光散乱，
　ｉｉｉ）少なくとも０．５ｍｍの特定の厚さのサンプルが，波長１０．６μｍで０．０４ｃｍ−１未満の吸光係数を有するような低く均一な光散乱
　の特性の少なくとも１つを示すＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料。
…(省略)…
【請求項３３】
　前記所定の特性の３つすべてを示す請求項１６から２２までのいずれか一項に記載のＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料。
…(省略)…
【請求項５６】
　光デバイス若しくは素子に使用するための，又は光デバイス若しくは素子として使用するための請求項１から５５までのいずれか一項に記載のＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料。
…(省略)…
【請求項６２】
　実質上結晶欠陥のない基板を提供するステップと，原料ガスを提供するステップと，原料ガスを解離して，分子状窒素として計算して３００ｐｐｂ〜５ｐｐｍの窒素を含む合成雰囲気を作るステップと，実質上結晶欠陥のない前記表面上にホモエピタキシャルダイヤモンドを成長させるステップとを含む光学用途に適したＣＶＤダイヤモンド材料を製造する方法。
…(省略)…
【請求項７４】
　前記製造されたＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料の特性を，前記ダイヤモンド材料をアニーリングすることによってさらに向上させる請求項６２から７３までのいずれか一項に記載の方法。」
　
　イ　「【技術分野】
【０００１】
　本発明は化学的気相成長（
ＣＶＤ
ダイヤモンド材料
から得られる光デバイス
【背景技術】
【０００２】
　その独特の要求事項の結果，それに使用する材料に高度の要求を行う多くの光デバイスがある。例えば，高強度のビームが乱されることなく，ある形の隔離を与えるために必要とされる窓を通過する必要がある，レーザ窓，及び光反射器，回折格子，及びエタロンなどの他のデバイスが含まれる。
【０００３】
　特定の用途に応じて，適切な材料の選択又は製造に役割を果たす重要な特性には，低く均一な複屈折性，均一で高い屈折率，歪みの関数としての低い誘起複屈折性又は屈折率変動，低く均一な光吸収，低く均一な光散乱，高い光（レーザ）損傷閾値，（光素子内の温度変動を最小にする）高い熱伝導率，高度な平行度及び平坦度を有しながら高度の表面研磨を示す加工性，機械的強度，磨耗抵抗性，化学的不活性，及び用途において信頼性のある材料パラメーターの再現性が含まれる。」
　
　ウ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　多くの材料はこれらの要求事項の１つ又は複数を満足するが，多くの用途は１つ以上を必要とし，選択された材料はたいてい妥協であり，最終的な性能を制限する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明によれば，
ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料は，
…(省略)…
　７）少なくとも０．５ｍｍ，好ましくは少なくとも０．８ｍｍ，さらに好ましくは少なくとも１．２ｍｍの特定の厚さのサンプルが，
波長１０．６μｍで２０℃近くで測定して，０．０４ｃｍ
−１
未満
の吸光係数を有
…(省略)…
　１１）
５０〜１００ｎｓの一次パルススパイクを有し，１００μｍ１／ｅの光点サイズに正規化されたガウスビームプロファイルを用いて，波長１０．６μｍで，損傷を与える最低の入射ピークエネルギー密度と損傷を与えない最大の入射ピークエネルギー密度の平均が１２０Ｊｃｍ
−２
よりも大き
レーザ損傷閾値
…(省略)…
　１３）その天然存在量の炭素同位元素からなる材料について，２０℃で測定するとき，値が
１５００Ｗｍ
−１
Ｋ
−１
より大きく，好ましくは１８００Ｗｍ
−１
Ｋ
−１
より大きく，さらに好ましくは２１００Ｗｍ
−１
Ｋ
−１
より大きく，さらにより好ましくは２３００Ｗｍ
−１
Ｋ
−１
より大きく，さらにより好ましくは２５００Ｗｍ
−１
Ｋ
−１
より大きい，高い熱伝導性
…(省略)…
【００１１】
　用途において，材料はさらに処理することができ，それらの処理は，搭載，メタライゼーション（格子用など），コーティング（反射防止コーティングなど），
特定の表面形態への表面エッチング（回折光学系のためなど）
【００１２】
　本発明の他の態様によれば，光学用途に適したＣＶＤダイヤモンド材料の製造方法は，結晶欠陥の発生を制御するために，制御された低レベルの窒素の存在下で，結晶欠陥密度の低い基板上にＣＶＤ法によって単結晶ダイヤモンドを成長させることを含む。」
　
　エ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
　本発明のＣＶＤダイヤモンド材料は，制御された低レベルの窒素の存在下で，ＣＶＤ法によって製造される。
…(省略)…
【００３１】
　
基板の表面損傷を最小化する具体的な一方法は，ホモエピタキシャルダイヤモンド成長を行う表面を原位置で（ｉｎ  ｓｉｔｕ）プラズマエッチングすることを含む
…(省略)…
【００３２】
　典型的にはエッチングは酸素エッチング，続いて水素エッチングからなり，次いで炭素源ガスの導入によって直接合成に向かう。
…(省略)…
【００４０】
　低レベルの光吸収は熱量測定手段によって最も良好に測定される。…(省略)…典型的には，高い品質の光学級の多結晶ダイヤモンドにおける１０．６μｍでの吸収値は，吸収係数α＝０．０３ｃｍ−１〜０．０７ｃｍ−１の範囲であり，典型的な値は約０．０４８ｃｍ−１である。また，低吸収用に選択された天然ダイヤモンドの測定値は約０．０３６ｃｍ−１を与えることが報告されている。単結晶天然ダイヤモンド及び多結晶ＣＶＤダイヤモンドで見られる同様の下限はこの領域の２個のフォノン吸収のテイル（ｔａｉｌ）に帰属されるものであり，したがって基本的な限界であると考えられる。
【００４１】
　したがって，本発明のダイヤモンドが，０．０２６２ｃｍ−１というより低い吸収係数を有することは驚くべきことであり，低吸収用に選択された天然ダイヤモンドでさえ，１０．６μｍで残る大きな外因的な吸収であって，以前には認識されなかった該吸収があることを示す。
…(省略)…
【００４３】
　これらの独特の材料特性によって性能が可能になる，本発明のＣＶＤダイヤモンド材料から生まれる用途には，
…(省略)…
　・
光学屈折器及びレンズ−光透過要素の１個又は両方の面が少なくとも部分的に意図的には平面又は平行ではないが，高い精度で製造しなければならない。
　・
回折光素子−例えば，ダイヤモンド中又はその上の構造を用いて回折による光ビームの修正を行う。
…(省略)…
【００７１】
　光吸収
　光吸収は，必要な波長のレーザビームがサンプルを通過することから生じるサンプルの温度上昇を測定するために，試験中のサンプルに取り付けた熱電対を備えるレーザ熱量計で測定される。それらの技術は当技術分野で良く知られている。詳細には，ここで使用される方法は国際標準ＩＳＯ１１５５１：１９９７（Ｅ）に従い，１．０６４μｍと１０．６μｍを用いた。
…(省略)…
【００８２】
　レーザ損傷閾値
　レーザ損傷閾値は，レーザのパルスを試験中のサンプルに当て，損傷を起す最低の入射ピークエネルギーと損傷を起さない最高の入射ピークエネルギーの平均として，損傷点を特性付けることによって測定される。
【００８３】
　１０．６μｍの波長で，典型的には全パルスエネルギーの１／３を含む５０〜１００ｎｓ程度のプライマリースパイク（ｐｒｉｍａｒｙ  ｓｐｉｋｅ），及びはるかに低い，２μｓ程度のピーク出力緩和パルスを有するＣＯ２レーザを用いた。得られたデータは１００μｍ  １／ｅの光点サイズに正規化した。この試験は，電子なだれイオン化が，損傷を起す従来モデルの時間域で動作し，したがってピーク出力密度（つまり，ピーク電界）に依存するので，緩和パルスは無視することができる。
…(省略)…
【実施例１】
【００９５】
　本発明の単結晶ＣＶＤダイヤモンドの合成に適した基板は以下のように調製することができる。
…(省略)…
【００９６】
　高温／高圧合成の１ｂ型ダイヤモンドを高圧プレス中で成長させ，基板として基板欠陥を最小にする上述の方法を用いて，すべて｛１００｝面の５ｍｍ×５ｍｍ平方×厚さ５００μｍの研磨した板を形成した。この段階で，表面粗さＲＱは１ｎｍ未満であった。基板は高温ダイヤモンド蝋付けを用いてタングステン基板に取り付けた。これを反応器中に導入し，エッチングと成長サイクルを上述のように開始した。さらに詳細には，
　１）
２．４５ＧＨｚ反応器
　２）
２６３×１０
２
Ｐａ及び基板温度７３０℃で，１５／７５／６００ｓｃｃｍ（秒あたり標準立方センチメートル）のＯ
２
／Ａｒ／Ｈ
２
を用いて，原位置での酸素プラズマエッチングを行った。
　３）
これは，ガス流からＯ
２
を除いた水素エッチング中に，中断することなく，移した。
　４）これは，炭素源（この場合ＣＨ４）及びドーパントガスを添加して成長工程に移した。この例では，ＣＨ４を３６ｓｃｃｍで流し，制御を簡単にするためにＨ２中１００ｐｐｍのＮ２に較正した供給源から提供される１ｐｐｍのＮ２を工程ガス中に存在させた。基板の温度はこの段階で８００℃であった。
　５）成長期間が完了すると，基板を反応器から取り外し，ＣＶＤダイヤモンド層を基板から取り外した。
…(省略)…
【０１７７】
　一連の単結晶ダイヤモンドサンプルを実施例１の一般的な方法に従って調製した。この方法の変形は下の表６に示す。合成の後，これらのサンプルは注意深い表面研磨によって光学板として調製され，得られた寸法になる。比較のため，光学研磨を行った光学級の多結晶ダイヤモンドも後続の測定に含めた。
【０１７８】
【表６】
【０１７９】
　吸収の測定は前に報告したように行った。結果を下の表７に示す。
【表７】
」
　
　(2) 引用発明
　引用文献１には，次の発明が記載されている。なお，用語を統一して記載した。
「　ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料から得られる光デバイスであって，
　ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料は，波長１０．６μｍで２０℃近くで測定して，０．０４ｃｍ−１未満の吸光係数を有し，
　５０〜１００ｎｓの一次パルススパイクを有し，１００μｍ１／ｅの光点サイズに正規化されたガウスビームプロファイルを用いて，波長１０．６μｍで，損傷を与える最低の入射ピークエネルギー密度と損傷を与えない最大の入射ピークエネルギー密度の平均が１２０Ｊｃｍ−２よりも大きいレーザ損傷閾値を有する，
　光デバイス。」
　
　(3) 引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由において引用された引用文献２（特開平８−２４０７０５号公報）は，本件優先日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物であるところ，そこには，以下の記載がある。なお，下線は当合議体が付したものであり，判断等に活用した箇所を示す。
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，光学器械の回折性構成要素(diffractive optics)に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
光学器械の回折性構成要素には，ゾーン・プレート(zone plates) ，回折格子，
　
　イ　「【０００５】
【課題を解決すべき手段】
本発明による回折性光学用構成要素は，第一表面，又は第一表面から一定間隔を置いた第二表面の上又は中に１以上の光回折機構(light-diffracting features)を有するＣＶＤダイヤモンドから成る。
【０００６】
【発明の実施の形態】
…(省略)…
【００１０】本発明の回折性光学用構成要素は，構造的には既知の構成要素と同一である。
…(省略)…
本発明の回折性光学用構成要素を製造するためには種々の方法が可能である。これらの方法には次のものが含まれる。
…(省略)…
【００１２】２．エッチング
従来の半導体写真平版技術（又はｅ−ビーム平版印刷）を使用して，ＣＶＤダイヤモンド層上に適切なマスクをパターン化することができる。次いで，そのパターン化済みダイヤモンド表面は，例えば，
酸素又は水素のプラズマエッチングを使用して，エッチングすることができる。
　
　２　対比及び判断
　(1) 対比
　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりである。
　ア　光学素子，合成ダイヤモンド材料
　引用発明は，「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料から得られる光デバイス」である。
　ここで，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」は，ＣＶＤ（化学的気相成長）によって得られた単結晶のダイヤモンドからなる材料であるから，合成ダイヤモンド材料である。また，引用発明の「光デバイス」は，その文言が意味するとおり，光学素子と理解される。
　そうしてみると，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」及び「光デバイス」は，それぞれ本願発明の「合成ダイヤモンド材料」及び「光学素子」に相当する。
　
　イ　吸収係数
　引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料は，波長１０．６μｍで２０℃近くで測定して，０．０４ｃｍ−１未満の吸光係数を有し」ている。
　ここで，「２０℃近く」は，室温である。
　そうしてみると，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」は，本願発明の「合成ダイヤモンド材料」における「室温で測定して１０．６μｍの波長で０．５ｃｍ−１以下の吸収係数を有し」という要件を満たす。
　
　ウ　レーザ誘導損傷閾値
　引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料は，波長１０．６μｍで２０℃近くで測定して，０．０４ｃｍ−１未満の吸光係数を有し」，「５０〜１００ｎｓの一次パルススパイクを有し，１００μｍ１／ｅの光点サイズに正規化されたガウスビームプロファイルを用いて，波長１０．６μｍで，損傷を与える最低の入射ピークエネルギー密度と損傷を与えない最大の入射ピークエネルギー密度の平均が１２０Ｊｃｍ−２よりも大きいレーザ損傷閾値を有する」。
　引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」の吸光係数は，本願発明のものより１桁以上優れている。また，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」の材質は，その文言が意味するとおり，「単結晶ダイヤモンド」であるから，その熱伝導性は十分に高い（引用文献１の【０００５】の記載，及び本件出願の明細書の【００３８】の記載からみて，本願発明のものと同程度か，より優れたものである。）。
　そうしてみると，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」が，本願発明の「前記レーザ誘導損傷しきい値が，波長１０．６μｍの連続波レーザを用いて測定して少なくとも１ＭＷ／ｃｍ２であるという特性」を満たすことは明らかである。
　また，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」が，上記吸光係数の「単結晶ダイヤモンド」であること，及び上記レーザ損傷閾値を具備することを考慮すると，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」が，本願発明の「前記レーザ誘導損傷しきい値が，パルス持続時間を１００ｎｓ，パルス繰り返し周波数を１〜１０Ｈｚの範囲として波長１０．６μｍのパルスレーザを用いて測定して少なくとも３０Ｊｃｍ−２であるという特性」を満たすことも明らかである。
（当合議体注：パルスレーザを用いた評価は，電子なだれによる損傷を評価したものと解され，また，本願発明のパルス繰り返し周波数が１〜１０Ｈｚと低いことも勘案すると，以上のとおり判断される。仮にこの点を相違点とするとしても，引用文献１の【０００５】には，レーザ損傷閾値を「さらにより好ましくは４２０Ｊｃｍ−２よりも大き」くできることが記載されている（本願発明のものより１桁以上良い。）。引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」を上記の要件を満たすものとすることは，引用文献１の記載が示唆する範囲内の事項にすぎない。）
　
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本願発明と引用発明は，次の構成で一致する。
「　光学素子であって，
　合成ダイヤモンド材料を有し，
　前記合成ダイヤモンド材料は，室温で測定して１０．６μｍの波長で０．５ｃｍ−１以下の吸収係数を有し，
　前記合成ダイヤモンド材料は，次の特性のうちの一方又は両方を満たすレーザ誘導損傷しきい値を有し，前記特性は，
　前記レーザ誘導損傷しきい値が，パルス持続時間を１００ｎｓ，パルス繰り返し周波数を１〜１０Ｈｚの範囲として波長１０．６μｍのパルスレーザを用いて測定して少なくとも３０Ｊｃｍ−２であるという特性，及び
　前記レーザ誘導損傷しきい値が，波長１０．６μｍの連続波レーザを用いて測定して少なくとも１ＭＷ／ｃｍ２であるという特性である，光学素子。」
　
　イ　相違点
　「光学素子」が，本願発明は，「前記合成ダイヤモンド材料の少なくとも１つの表面内に直接形成されたゾーンプレート，フレネルレンズ，又は非球面レンズの形態をした扁平化レンズ表面構造体」を有するのに対して，引用発明は，これが明らかではない点。
　
　(3) 判断
　引用文献１の【００４３】の記載，さらには，引用文献２の【０００２】の記載を勘案すると，ダイヤモンドを材料とする光学素子として，「ゾーンプレート，フレネルレンズ，又は非球面レンズ」は周知であったといえる。
　また，引用文献１の【００１１】，【００３１】，【００３２】及び【００９６】，並びに，引用文献２の【００１２】には，ダイヤモンドのエッチング手段として，反応性イオンエッチングが示唆されている。
　そうしてみると，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」の表面に，反応性イオンエッチングにより「ゾーンプレート，フレネルレンズ，又は非球面レンズの形態をした扁平化レンズ表面構造体」を直接形成し，相違点に係る本願発明の構成を具備したものとすることは，引用文献１の記載及び周知技術が示唆する範囲内の事項である。なお，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」の光学性能が，その表面に表面構造体を形成した後においても，引き続き維持されていることは明らかである。
　
　(4) 発明の効果
　本件出願の明細書には，本願発明の効果について明記がない。
　ただし，本件出願の明細書の【００１９】には，「本発明の実施形態の目的は，合成ダイヤモンド材料の少なくとも１つの表面中に直接形成されるゾーンプレート，フレネルレンズ，又は非球面レンズの形態をした扁平化レンズ表面構造体を有し，高い光学等級合成ダイヤモンド材料で作られると共に僅かな表面及び表面下結晶損傷を有し，かくして電磁スペクトルの赤外領域，可視領域，及び／又は紫外領域において高いレーザ誘導損傷しきい値を示す合成ダイヤモンド光学素子を提供することにある。」と記載されている。
　したがって，本願発明の効果は，この課題を克服できたことと解するのが相当であるところ，このような効果は，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料から得られる光デバイス」として，「ゾーンプレート，フレネルレンズ，又は非球面レンズ」を選択した当業者が期待する効果にすぎない。
　
　(5) 審判請求人の主張について
　審判請求人は，審判請求書（平成３０年７月１８日付け手続補正書によって補正されたものの，（４）ｆ）において，「本願明細書に記載されているように，本件発明者は，あるグループが，量子工学アプリケーション用のダイヤモンドの放射性構造を製造するための，誘導結合プラズマ反応イオンエッチング法を開発したことを知ったのである。本件発明者は，係る誘導結合プラズマ反応イオンエッチング法は，透過光学用に低い表面及び表面下損傷で，非常に正確に規定された構造を得られるよう，ゾーンプレート，フレネルレンズ，又は非球面レンズを合成ダイヤモンド材料の表面に直接製造するために使用できることを見出したのである。これにより，低い吸収係数及び高いレーザ誘導損傷しきい値の両方を兼ね備えた，従来のものから著しく改善された新しいダイヤモンド光学素子が得られたのである。」と主張する。
　しかしながら，前記(3)で述べたとおり，引用文献１及び引用文献２には，ともに反応性イオンエッチングが開示されている（反応性イオンエッチングには，誘導結合プラズマ反応イオンエッチングと容量結合プラズマ反応イオンエッチングがあるが，前者も後者も，当業者に自明な選択肢にすぎない。）。そして，反応性イオンエッチングは，原理的にみて，物理的なエッチングとは異なり，ダイヤモンド表面の損傷を最小限にとどめることができる（引用文献１の【００３１】，【００３２】及び【００９６】には，ＣＶＤ成長前の表面損傷等の除去手段として，反応性イオンエッチングを利用できることも開示されている。）。したがって，引用発明の「ＣＶＤ単結晶ダイヤモンド材料」の光学性能が，その表面に表面構造体を形成した後においても，引き続き維持されていることは明らかである。
　なお，「ゾーンプレート」に関して，本件出願の明細書の【０００４】には振幅型ゾーンプレートが開示されているが，振幅型ゾーンプレートは，原理上，本願発明の吸収係数及びレーザ誘導損傷閾値の要件を満たすことができない。ただし，本件出願の【図１】，【図２】及びその説明からみて，本願発明でいう「ゾーンプレート」は，位相型ゾーンプレートと理解可能である。
　したがって，審判請求人の主張は採用できない。
　
第３　まとめ
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて，本件優先日前に当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本件出願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。