【事件の表示】
　特許第３１９９６３７号「多層配線基板の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１９９６３７号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
一．［手続の経緯］
　本件特許第３１９９６３７号（以下、「本件特許」という）は、平成８年７月１１日に出願された特願平８−１８１９２５号に係り、平成１３年６月１５日に設定登録されたが（請求項の数３）、本件特許に対して、表記特許異議申立人より全請求項に係る特許異議の申立があったので、当審において当該申立の理由を検討の上、特許取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内の平成１４年７月１６日に、特許権者より特許異議意見書と共に訂正請求書が提出された。
　
二．［訂正請求について］
　１．訂正の要旨
　上記平成１４年７月１６日付の訂正請求における訂正の要旨は、次のイ〜ハのとおりである。
　イ　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）における、特許請求の範囲の請求項１において、
　「前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去し絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程と、」という記載を、
　「前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去して、半硬化状態の絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程と、」という記載に訂正する。
　ロ　特許明細書の「発明の詳細な説明」において、上記イの訂正事項に対応する箇所（【００１１】段落、【課題を解決するための手段】）について上記イの訂正事項と同趣旨の訂正をする。
　ハ　同じく【００２１】段落中の、
　「針侵入深さが１０μｍ以上、好ましくは３０μｍ以上、最適には５０μｍ以上の柔らかさであることが好ましく、前記針浸入深さが１０μｍ未満であると導体回路２を絶縁層３中に十分に埋入させることが困難となる。」という記載を、
　「針侵入深さが３０μｍ以上、最適には５０μｍ以上の柔らかさを有するものであって、前記針浸入深さが３０μｍ未満であると導体回路２を絶縁層３中に十分に埋入させることが困難となる。」という記載に訂正する。
　
　２．訂正請求の適否の検討
　（１）訂正の目的
　上記イの訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。また、上記ロの訂正事項は、上記イの訂正事項に随伴して生じる、明細書の前後における齟齬を解消しようとするもので、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。そして、上記ハの訂正事項も特許請求の範囲の記載内容との整合を図ろうとするもので、やはり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められる。
　（２）新規事項の有無
　上記イ〜ハの訂正事項は、登録時の特許明細書に記載された事項の範囲内において、訂正しようとするものと認められる。
　（３）特許請求の範囲の拡張、変更の有無
　上記イ〜ハの各訂正事項の内容は、その訂正の趣旨からみて、特許明細書に記載されている発明の目的の範囲を逸脱するところはなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものではない。
　
　３．訂正事項の適法性と訂正請求の認容
　以上検討したところによれば、上記の各訂正事項は、特許法第１２０条の４第２項第１号又は同第３号に掲げる事項を目的とするものであって、特許法第１２０条の４第３項で準用される特許法第１２６条第２項及び同第３項の規定に適合しているので、上記訂正の請求は認容される。
　
三．［特許異議申立ての理由について］
　１．本件特許発明
　上記二．のとおり、訂正請求が認容されるので、特許異議申立てに係る本件特許発明は、本件特許明細書（上記平成１４年７月８日付の訂正請求書に添付された訂正明細書）の特許請求の範囲における、請求項１〜３に記載された事項によって特定される次のとおりのものと認める。　
【請求項１】表面に金属から成る導体回路が形成された転写シートと、少なくとも熱硬化性有機樹脂を含み、先端が半球状で直径３００μｍの針を１００ｇｆの力で侵入させたときの針侵入深さが室温で３０μｍ以上である半硬化状態の絶縁層とを準備する工程と、前記転写シートに形成された導体回路と半硬化状態の絶縁層とを３０〜１３０℃の温度にて、１０ｋｇｆ／ｃｍ２以上で圧接して導体回路を絶縁層に転写埋入させる工程と、前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去して、半硬化状態の絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程と、前記回路基板を複数枚積層した後、加熱して完全に硬化する工程とを具備することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】前記絶縁層が無機質フィラーを含有することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】前記導体回路が、銅、アルミニウム、金、銀のうちから選ばれる少なくとも１種以上からなる請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
　
　２．特許異議申立ての理由と提出された証拠
　これに対して、特許異議申立理由の概要と関連する証拠は、次の（１）及び（２）のとおりである。
　（１）本件各請求項の発明は、いずれも、本件特許に係る出願前に頒布された下記の各甲号証（刊行物）に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、当該請求項に係る本件特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたことになる。
　甲第１号証：特開平５−５５７５２号公報
　甲第２号証：特開平３−２７００９４号公報
　甲第３号証：特開平８−７３６２１号公報
　甲第４号証：特開平７−２９７５２２号公報
　甲第５号証：特開平６−６１０９０号公報
　（２）本件特許明細書における、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明の記載には不備があり、本件特許は、特許法第３６条第４項及び６項の規定を満たしていない特許出願に対してされたことになる。　
　
　３．当審の判断
　３−１．［特許法第２９条第２項の規定に違反する旨の主張について］
（１）上記の甲各号証における、本件各請求項の発明と関連する記載事項の概要は次のとおりである。
　＜甲第１号証の記載事項＞
　「図１（ａ）に示すように、内層用の導体パターン１３ａを上下面に有する内層材１３を熱プレス機にステンレス板などで挟んでセットし、温度１２０〜１５０℃で加熱し」、「同時に圧力を加えることにより、導体パターン１３ａを絶縁基板１３ｂの樹脂中に埋設させた後、冷却・固化させ、熱プレス機より取り出し、導体パターン１３ａが埋設した内層材１３を得る。」
（【００１７】参照）
　「その後、図１（ｂ）に示すように、導体パターン１３ａが埋設した内層材１３と、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させ、樹脂部分を半硬化状態にしたプリプレグ１２と、外層の導体パターンを形成するための銅はく１１を重ね合わせ」、「加熱・加圧して導体パターン１３ａが埋設した内層材１３とプリプレグ１２と銅はく１１を溶融・冷却・固化して、図１（ｃ）に示すような内部に導体パターン１３ａを有する多層銅張積層板１６を得る。」
（【００１８】参照）
　＜甲第２号証の記載事項＞
　「あらかじめ導体回路３を形成した２枚のキャリアフィルム２で、絶縁材４であるプリプレグ（エポキシ樹脂含浸ガラス布）を２枚挟み、導体回路３が互いに向かい合うように配置した状態（第１図（ａ）参照）で、プレス機に設置し、１７０〜２００℃の温度、１０〜４０ｋｇ／ｃｍ２の圧力下で１５〜６０分間成形した（第１図（ｂ）参照）。さらに、表面のキャリアフィルム２を除去して表面が略同一平面であるプリント配線用材１を得た（第１図（ｃ）参照）。」（第２頁左下欄第５〜１４行）
　「同様な工程により製造された２枚のプリント配線用材１、２枚の金属箔、プリプレグを第２図（ａ）のように配置し、プレス機に設置し、積層形成を行い６層板を得た（第２図（ｂ）参照）。」（同第１５〜１８行）
　＜甲第３号証の記載事項＞
　「半導体封止用として好適な樹脂シート」に関して、「フィラーを含有するエポキシ樹脂組成物からなる樹脂シート」とすること。（【００１１】及び【請求項１】参照）
　＜甲第４号証の記載事項＞
　「例えば図１に示すように」、「フッ素樹脂コートステンレス板を転写板１１として用い、この表面層（フッ素樹脂コート層１２）の上に導電ペーストによる配線パターン１３を印刷する。」「上記導電ペーストを所要の硬化条件で硬化後、この転写板１１に樹脂シート等の絶縁基材を重ね」、「加熱加圧プレスを用いて圧着した後」、「転写板１１を取り除くと、配線パターン１３が基材１４中に埋め込まれパターン表面が露出された樹脂製の配線板１７Ａが得られる。」（【０００７】〜【０００９】参照）
　「転写板１１を準備し、この上に」「所要のパターン状にスクリーン印刷を行って配線パターン１２を形成した。」「ガラスエポキシ樹脂板（絶縁基材１４）を置き」、「１７０℃、１時間加熱加圧プレスしたところ所定の配線パターンが形成された片面配線のガラスエポキシ配線板１６（１４）が得られた。」（【００２３】）
　「当て板１５を準備し、他方２５μｍ厚さのポリフェニレンサルファイド樹脂フィルム（絶縁基材１４）を２枚と、その間に５０μｍ厚さのガラスクロス１９を介在し、これらを１セットしたものを転写板１１の配線パターン１３の表面に重ね、これを３００℃まで加熱し、昇温したところで樹脂圧が４ＭＰａになるように加圧した。冷却後試料を取り出したところ、ガラスクロスで強化されたポリフェニレンサルファイド樹脂配線板ができる。」「更に同様の方法により異なるパターンを有する片面配線板を６枚準備した。」「これを位置合わせして、積層した後、前記転写板と同様の材料からなる当て板１５を上下に当て、加熱プレスした。加熱は最高温度３００℃、加圧は樹脂圧が４ＭＰａであった。プレス状態のまま、冷却して試料を取り出したところ、６層の配線板１７Ｄが得られた。」（【００２６】〜【００２７】参照）
　＜甲第５号証の記載事項＞
　「本発明の積層セラミックコンデンサの製造方法は、まず、薄膜形成方法を用いてベースフィルム上に所定のパターンを有する金属膜を形成し、その後この金属膜を覆うようにベースフィルム上にセラミック誘電体層を形成してグリーンシートを複数枚作製する。次に、圧着後ベースフィルムを剥離したグリーンシート上にもう一枚のグリーンシートをベースフィルムごと重ねて圧着し、その後ベースフィルムを剥離する。このグリーンシート一枚毎の積層、圧着、剥離を繰り返して金属膜とセラミック誘電体層とが交互に積層された積層体を作製し、さらにチップに切断して焼成した後外部電極を形成するものである。」（【００１３】）
　
　（２）　＜発明の対比＞
　本件請求項１の発明（以下、「本件発明」という）に係る構成事項と甲第１号証の記載事項とを対比すると、甲第１号証にも、本件発明の「表面が略同一平面であるプリント配線用材」に相当する「導体パターン１３ａが埋設した内層材」の記載はあるが、本件発明でいう「転写シート」を用いることの言及がなく、「導体回路を絶縁層に転写埋入させる」手法において、本件発明とは基本的に相違している。
　そこで、本件発明の構成事項と甲第２号証の記載事項とを対比すると、甲第２号証記載の「あらかじめ導体回路３を形成した」「キャリアフィルム」は、本件発明における「表面に金属から成る導体回路が形成された転写シート」に相当する。また、甲第２号証では、「絶縁材４であるプリプレグ（エポキシ樹脂含浸ガラス布）」を「圧力下」で成形して、「表面が略同一平面であるプリント配線用材１を得た」とされているから、上記の圧力下で成形する前の「絶縁材」（エポキシ樹脂含浸ガラス布）は、本件発明でいう「熱硬化性有機樹脂を含」む「半硬化状態の絶縁層」に相当する。
　次に、製造工程の対応関係についてみると、甲第２号証記載の「導体回路３を形成した２枚のキャリアフィルム２」で、「絶縁材」を挟み、「１７０〜２００℃の温度、１０〜４０ｋｇ／ｃｍ２の圧力下」で「成形」する工程を経て、両面回路基板である「プリント配線用材」を得たことは、本件発明でいう、「転写シートに形成された導体回路と半硬化状態の絶縁層」を「１０kgｆ／ｃｍ２以上で圧接して導体回路を絶縁層に転写埋入させる工程」を経て、多層配線基板を得たことに相当するものとみることができる。また、甲第２号証記載の、「キャリアフィルム２を除去」し「表面が略同一平面であるプリント配線用材１を得」る工程は、本件発明の「前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去し絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程」に相当するといえる。
　そうすると、本件発明と甲第２号証記載の発明との一致点及び相違点を次のとおりに認定できる。
　＜本件発明と甲第２号証記載の発明との一致点＞　
　「表面に金属から成る導体回路が形成された転写シートと、少なくとも熱硬化性有機樹脂を含む半硬化状態の絶縁層とを準備する工程と、前記転写シートに形成された導体回路と半硬化状態の絶縁層とを１０kgｆ／ｃｍ２以上で圧接して導体回路を絶縁層に転写埋入させる工程と、前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去し絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程」とを具備する多層配線基板の製造方法である点。
　＜本件発明と甲第２号証記載の発明との相違点１＞
　本件発明では、「先端が半球状で直径３００μｍの針を１００ｇｆの力で侵入させたときの針侵入深さが室温で３０μｍ以上」という「半硬化状態」に関しての条件、「転写埋入」時における「３０〜１３０℃」という温度条件の開示があるのに対し、甲第２号証にはそのような明示がない点。
　＜本件発明と甲第２号証記載の発明との相違点２＞
　本件発明における「前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去して、半硬化状態の絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程と、前記回路基板を複数枚積層した後、加熱して完全に硬化する工程」について、甲第２号証には言及がない点。
　
　（３）＜相違点の検討、評価＞
　先ず、上記の＜相違点１＞についてみると、上記で＜一致点＞として認定したように、甲第２号証記載のものも、導体回路を半硬化状態の絶縁層に所定圧力で圧接することにより転写埋入させる点では、本件発明と変わるところがなく、当該「半硬化」の状態や、転写埋入時の温度を具体的にどの程度にするかは、絶縁層の素材や回路の幅等に対応して、当業者が適宜設定すればよいことは明らかである。
　そして、本件発明で規定される「先端が半球状で直径３００μｍの針を１００ｇｆの力で侵入させたときの針侵入深さが室温で３０μｍ以上」、「３０〜１３０℃の温度」という条件も、甲第２号証で示唆される技術的意義を超えた、格別の意味をもつものではなく、本件発明における上記のような数値限定は、当業者が実験等の通常の手段によって、容易に設定できるものと認められるから、上記＜相違点１＞は格別のものとはいえない。
　しかし、上記の＜相違点２＞について、他の甲号証をみても、甲第１号証及び甲第３号証には、「回路基板」を「複数枚積層」することについて実質上の言及がなく、また、甲第５号証記載の積層工程は「グリーンシート一枚毎の積層、圧着」を「繰り返」して「積層体を作製」するというもので、本件発明における、「熱硬化樹脂」を含む回路基板を「複数枚積層した後」、「加熱して完全に硬化する工程」とは大きく相違している。
　更に、甲第４号証の「１７０℃、１時間加熱加圧プレスしたところ所定の配線パターンが形成された片面配線のガラスエポキシ配線板１６（１４）が得られた」（【００２３】）という記載や、「３００℃まで加熱し」「４ＭＰａになるように加圧」して「ガラスクロスで強化されたポリフェニレンサルファイド樹脂配線板ができる。」「異なるパターンを有する片面配線板を６枚準備し」、「積層した後」、「加熱プレスした。加熱は最高温度３００℃、加圧は樹脂圧が４ＭＰａであった。プレス状態のまま、冷却して試料を取り出したところ、６層の配線板１７Ｄが得られた」（【００２６】〜【００２７】）という記載から明らかなように、甲第４号証にも「半硬化状態」の「表面に導体回路が埋入された回路基板」を得る工程と、当該回路基板を積層し「加熱して完全に硬化する工程」についての開示や示唆はない。
　そうすると、上記＜相違点２＞で指摘した本件発明の構成については、いずれの甲号証にも開示があるとはいえないし、また、当該構成についての示唆も存在していない。
　そして、本件発明では、上記＜相違点２＞で指摘した構成を採用することによって、「絶縁層３の変形が大きく」なることを防止すると共に、「導体回路２上を樹脂が被覆」して「バイアホール内に充填される導電性インクとの接続信頼性が低下する」という不都合が回避できる（【００２３】参照）という一応の作用効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明は、上記甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
　（４）＜請求項２以下の発明について＞
　本件請求項２以下の発明は、本件発明（請求項１の発明）を引用して、これを更に限定する構成事項を備える発明であるから、本件発明と同様に、上記各甲号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　３−２．［特許法第３６条の規定を満たしていない旨の主張について］
　特許法第３６条に係る特許異議申立人の主張の概要は、本件発明における「直径３００μｍの針を１００ｇｆの力で侵入させたときの針侵入深さが室温で３０μｍ以上」という「半硬化状態」に関する数値条件は、温度に依存して変化するから、明確なものとはいえず、このような記載では、当業者が容易に発明の実施をすることができないというものである。
　しかし、上記の数値条件は、導体回路を絶縁層に圧接して転写埋入させるのに差し支えのない状態を示すという他には、格別の技術的意義をもつものではなく、上記３−１．における、＜相違点１＞についての検討、評価に関して指摘したように、「絶縁層の素材や回路の幅等に対応して、当業者が適宜設定すればよい」ものである。
　したがって、特許異議申立人が主張するように、上記数値条件が必ずしも明確なものとはいえないとしても、当業者が容易に発明の実施をすることができないとまではいえない。
　
四．［むすび］
　以上のとおりであるから、特許異議申立に係る請求項１〜３の本件特許は特許異議申立人の主張する理由およびその提出した証拠によっては、取り消すことはできないし、また、他に取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月１２日（２００２．８．１２）
【訂正の要旨】
　イ　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）における、特許請求の範囲の請求項１において、
　「前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去し絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程と、」という記載を、
　「前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去して、半硬化状態の絶縁層の表面に導体回路が埋入された回路基板を得る工程と、」という記載に訂正する。
　ロ　特許明細書の「発明の詳細な説明」において、上記イの訂正事項に対応する箇所（【００１１】段落、【課題を解決するための手段】）について上記イの訂正事項と同趣旨の訂正をする。
　ハ　同じく【００２１】段落中の、
　「針侵入深さが１０μｍ以上、好ましくは３０μｍ以上、最適には５０μｍ以上の柔らかさであることが好ましく、前記針浸入深さが１０μｍ未満であると導体回路２を絶縁層３中に十分に埋入させることが困難となる。」という記載を、
　「針侵入深さが３０μｍ以上、最適には５０μｍ以上の柔らかさを有するものであって、前記針浸入深さが３０μｍ未満であると導体回路２を絶縁層３中に十分に埋入させることが困難となる。」という記載に訂正する。
（５４）【発明の名称】
多層配線基板の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】表面に金属から成る導体回路が形成された転写シートと、少なくとも熱硬化性有機樹脂を含み、先端が半球状で直径３００μｍの針を１００ｇｆの力で侵入させたときの針侵入深さが室温で３０μｍ以上である半硬化状態の絶縁層とを準備する工程と、前記転写シートに形成された導体回路と半硬化状態の絶縁層とを３０〜１３０℃の温度にて、１０ｋｇｆ／ｃｍ２以上で圧接して導体回路を絶縁層に転写埋入させる工程と、前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去し
て、半硬化状態の
　【請求項２】前記絶縁層が無機質フィラーを含有することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
　【請求項３】前記導体回路が、銅、アルミニウム、金、銀のうちから選ばれる少なくとも１種以上からなる請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、多層配線基板及び半導体素子収納用パッケージなどに適した多層配線基板の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】従来より、配線基板、例えば、半導体素子を収納するパッケージに使用される多層配線基板として、比較的高密度の配線が可能な多層セラミック配線基板が多用されている。この多層セラミック配線基板は、アルミナなどの絶縁基板と、その表面に形成されたＷやＭｏ等の高融点金属からなる配線導体とから構成されるもので、この絶縁基板の一部にキャビティが形成され、このキャビティ内に半導体素子が収納され、蓋体によってキャビティを気密に封止されるものである。
　【０００３】ところが、このようなセラミック多層配線基板を構成するセラミックスは、硬くて脆い性質を有することから、製造工程または搬送工程において、セラミックスの欠けや割れ等が発生しやすく、半導体素子の気密封止性が損なわれることがあるために歩留りが低い等の問題があった。また、焼結前のグリーンシートにメタライズインクを印刷して、印刷後のシートを積層して焼結させて製造されるが、その製造工程において、高温での焼成により焼成収縮が生じるために、得られる基板に反り等の変形や寸法のばらつき等が発生しやすいという問題があり、回路基板の超高密度化やフリップチップ等のような基板の平坦度の厳しい要求に対して、十分に対応できないという問題があった。
　【０００４】そこで、最近では、有機樹脂を含む絶縁性基板表面に銅箔を接着した後、これをエッチングして微細な導体回路を形成し、しかる後、この基板を複数枚積層圧着して多層化した多層プリント配線基板が提案されている。また、このような多層配線プリント基板においては、その強度を高めるために、有機樹脂に対して、球状あるいは繊維状の無機質フィラーを分散させた基板も提案されており、これらの複合材料からなる絶縁基板上に多数の半導体素子を搭載したマルチチップモジュール（ＭＣＭ）等への適用も検討されている。
　【０００５】上記多層プリント配線基板の製造方法によれば、有機樹脂を含む絶縁性基板の表面には、銅箔の厚みに相当する厚みの導体回路が形成されるために、この絶縁性基板を複数枚積層して多層プリント配線基板となした場合、該多層プリント回路基板は、導体回路形成部と非形成部とで厚みが異なるものとなりその表面は凹凸な状態となる。そこで、前記有機樹脂を含む絶縁性基板自体に若干の可塑性を持たせ、複数の絶縁性基板を積層圧着して多層プリント配線基板とする際に、絶縁性基板の導体回路に当接する部位を該導体回路の厚みに対応して塑性変形させることにより導体回路を絶縁性基板中に埋入させ、多層プリント配線基板の表面に凹凸が形成されないようにしている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】最近では従来よりも更に精細な導体回路を有する多層配線基板が求められるようになっているが、このような超精細回路導体を有する配線基板を上記のような従来法で作製すると、図２に示すように、絶縁性基板１１の表面に形成された所定厚みの導体回路１２の回路間に存在する凹部は、その上に積層された若干の可塑性を有する絶縁性基板１１の積層圧着時の塑性変形のみでは完全に埋めることができず、最終的に得られる多層プリント配線基板において導体回路１２の周辺で空隙１３が形成され、該空隙１３に水分等が浸入すると、導体回路２２間の絶縁性が劣化して回路に短絡が発生したり、導体回路１２が腐食してしまったりする。しかも、絶縁性基板が積層圧着時に導体回路の厚みに対応して十分に塑性変形できない場合、上層に形成された回路も変形するために、下層の導体回路と上層の導体回路が平面的にみて交差するような場合には、上層の導体回路の変形が大きくなり、回路の断線を引き起こすこともある。
　【０００７】そのために、多層プリント配線基板を作製する時に、各絶縁性基板の厚みを十分に大きくして下層の導体回路による影響が上層の導体回路に及ばないようにするか、または導体回路が交差しないようにするなどの対策が講じられているが、導体回路の配線密度が低下し、多層プリント配線基板全体の容積が増える等の問題が生じている。
　【０００８】また、各絶縁性基板の可塑性を極めて大きなものとなし、これにより各絶縁性基板を加圧積層する際に各絶縁性基板を導体回路の厚みに対して十分に塑性変形可能とし、各絶縁性基板間に空隙が形成されることを防止するとともに多層プリント配線基板の表面が凹凸となることを防止することも考えられるが、この場合、可塑性を大きなものとすると絶縁性基板を形成する有機樹脂同士の結合が極めて弱いものとなり、該絶縁性基板に接着させた銅箔をエッチングして導体回路を形成する際に、エッチング液により絶縁性基板が大きく侵されてしまい、所定の多層プリント配線基板を得ることができないという不都合が誘発される。
　【０００９】尚、シリコンチップの配線基板への実装方法がワイヤーボンディング法からフリップチップ法に変わってくるにつれ基板表面の平坦度の要求値が厳しくなっている。この場合、導体回路による凹凸は時に致命的な欠陥となり、シリコンチップの実装さえ不可能になる場合がある。このような回路の超精細はさらに進むと考えられ、それらの要求に応えうる超精細の多層配線基板の製造技術の完成が待たれている。
　【００１０】従って、本発明は、叙上のような回路の超精細化の要求に対応してなされたもので、多層配線基板を構成するの各基板に形成された導体回路によって生じる凹凸をなくすとともに各基板間に空隙の発生することのない多層配線基板の製造方法を提供するものである。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】本発明の配線基板の製造方法は、表面に金属から成る導体回路が形成された転写シートと、少なくとも熱硬化性有機樹脂を含み、先端が半球状で直径３００μｍの針を１００ｇｆの力で侵入させたときの針侵入深さが室温で３０μｍ以上である半硬化状態の絶縁層とを準備する工程と、前記転写シートに形成された導体回路と半硬化状態の絶縁層とを３０〜１３０℃の温度にて、１０ｋｇｆ／ｃｍ２以上で圧接して導体回路を絶縁層に転写埋入させる工程と、前記導体回路が転写埋入された絶縁層から転写シートを除去し
て、半硬化状態の
　【００１２】
　【発明の実施の形態】以下、本発明を図１をもとに説明する。図１は、本発明の多層配線基板の製造方法を説明するための工程毎の断面図である。
　【００１３】本発明の多層配線基板の製造方法によれば、図１（ａ）に示すように、まず、表面に導体回路２が形成された転写シート１と、少なくとも有機樹脂を含む半硬化状態の絶縁層３を準備する。
　【００１４】前記転写シート１表面に形成された導体回路２は、例えば銅、アルミニウム、金、銀の群から選ばれる少なくとも１種、または２種以上の合金からなることが望ましく、特に、銅、または銅を含む合金が最も望ましい。場合によっては、回路の抵抗調整のためにＮｉ−Ｃｒ合金などの高抵抗の金属を混合または合金化してもよい。
　【００１５】この導体回路２は、所望の金属箔をエッチング法またはレーザー加工して形成したり、メッキ法によっても形成できる。例えば、エッチング法では、前記転写シート１の表面に上記導体回路形成金属からなる金属箔を一面に接着した後、前記金属箔上にフォトレジスト、スクリーン印刷等の方法で導体回路状にレジストを形成し、不要な部分をエッチング除去することで所望の導体回路２を得る。
　【００１６】この時、上記レジストは、一般には、金属箔の不要部分をエッチング除去した後にレジスト除去液等により取り除き、洗浄する工程が必要であるが、上記レジストを後述する絶縁層３と同一材料で、有機樹脂を含む、例えば有機樹脂と無機質フィラーからなる絶縁性材料から構成すれば、レジストの除去等を行う必要がないため、工程の簡略化を図ることができる上で有利である。
　【００１７】一方、前記絶縁層３は、少なくとも有機樹脂を含む絶縁材料からなるもので、半硬化状態のものであり、有機樹脂としては例えば、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂等の樹脂が望ましく、とりわけ原料として室温で液体の熱硬化性樹脂であることが望ましい。
　【００１８】また、絶縁層３中には、絶縁層３あるいは配線基板全体としての強度を高めるために、有機樹脂に対して無機質フィラーを複合化させることが望ましい。有機樹脂と複合化される無機質フィラーとしては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ゼオライト、ＣａＴｉＯ３、ほう酸アルミニウム等の公知の材料が使用できる。フィラーの形状は平均粒径が２０μｍ以下、特に１０μｍ以下、最適には７μｍ以下の略球形状の粉末の他、平均アスペクト比が２以上、特に５以上の繊維状のものや、織布物も使用できる。
　【００１９】なお、有機樹脂と無機質フィラーとの複合材料においては、有機樹脂：無機質フィラーとは、体積比率で１５：８５〜５０：５０の比率で複合化されるのが適当である。
　【００２０】次に、図１（ｂ）に示すように、前記上面に導体回路２が形成された転写シート１と絶縁層３とを重ねるとともにこれらを従来周知のプレス装置を用いて上下から圧接し、導体回路２を絶縁層３中に転写埋入させる。
　【００２１】このとき、絶縁層３は、先端が半球状で直径３００μｍの針を１００ｇｆの力で侵入させたときの針侵入深さが
３０
３０
　【００２２】尚、前記絶縁層３を前記針侵入深さが１０μｍ以上の柔らかさとするには、絶縁層３中に溶剤や可塑剤を適量含有させる方法や、絶縁層３を加熱軟化させる方法が採用され得る。
　【００２３】更にこのときの圧接圧力は１０ｋｇｆ／ｃｍ２以上であることが必要である。前記圧接圧力が１０ｋｇｆ／ｃｍ２未満の場合には、回路導体２を絶縁層３中に十分に埋入させることが困難となる。また、圧接する時の温度は３０〜１３０℃が良い。この温度が３０℃より低いと絶縁層３の硬度が高く、導体回路２が十分に埋入できない場合があり、１３０℃より高いと絶縁層３の変形が大きくなり、導体回路２上を樹脂が被覆し、後述する回路基板に設けたバイアホール内に充填される導電性インクとの接続信頼性が低下する場合がある。
　【００２４】上記のようにして絶縁層３中に導体回路２を埋め込んだ後に、絶縁層３から転写シート１を剥がすことにより、図１（ｃ）に示すように、導体回路２の表面と絶縁層３の表面とが同一平面上に存在する平滑性に優れた単層の回路基板４を作製することができる。
　【００２５】そして、図１（ａ）〜（ｃ）のようにして複数の回路基板を作製し、所望により打ち抜き法やレーザーを用いた方法でバイアホールを形成し、導電性樹脂や金属フィラーを含有する導電性インク等をバイアホール内に充填する。そして、得られた回路基板４を図１（ｄ）に示すように、所望の枚数を所定位置に積層し加圧もしくは加熱して密着し一体化して多層配線基板を作製することができる。
　【００２６】かかる態様においては、転写シート１表面に形成された導体回路２の表面は、絶縁層３との界面となるもので、導体回路２の絶縁層３への密着性を決定する要因である。かかる観点から、導体回路２の絶縁層３との密着強度を高める上で、転写シート１表面に形成される金属箔、言い換えれば導体回路２の表面粗さは、０．１μｍ以上、特に０．３μｍ〜３μｍ、最適には０．３〜１．５μｍであるのがよい。
　【００２７】このように、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、１層毎の回路基板において導体回路の表面と絶縁層との表面が同一平面に存在するか、または導体回路が絶縁性基板内に何ら空隙の発生なく完全に埋め込まれているために、従来のような導体回路による凹凸の発生がなく、従来、回路基板の積層時に生じていた空隙による回路の断線や変形による精度の劣化を防止することができる。これにより、今後の半導体の主要な実装形式と考えられているフリップチップ方式の実装に適した高精度な表面平坦度を有する高密度多層配線基板が得られる。
　【００２８】
　【実施例】ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂からなる転写シートの表面に接着剤を塗布して粘着性をもたせ、厚さ１２μｍ、表面粗さ０．８μｍの銅箔を一面に接着した。その後、該導体箔上面に後述する絶縁層と同一組成のスラリーからなるレジストを導体回路に対応したパターンに形成した後、これを塩化第二鉄溶液中に浸漬して導体箔の非パターン部をエッチング除去して導体配線を有する転写シートを得た。なお、作製した回路は、導体回路の線幅が１００μｍ、配線と配線との間隔が１００μｍ以下の微細なパターンである。
　【００２９】一方、絶縁性スラリーとして、ポリイミド樹脂３５体積％と、無機質フィラーとして球状シリカを６５体積％の割合で混合し、この混合物にメチルエチルケトンからなる溶媒を加えてミキサーによって十分に混合して粘度２０００ポイズのスラリーを調製した。
　【００３０】そして、このスラリーをキャリアシート上に、ドクターブレード法により１２５μｍの厚みで流し込んだ後、１１０℃−１０分加熱処理してスラリー中の溶媒を一部除去して半硬化させ、しかる後、これをキャリアシートから剥離して半硬化状態の絶縁層を得た。このとき、絶縁層は、先端が半球状で直径３００μｍの針を１００ｇｆの力で侵入させたときの針侵入深さが５０μｍであり、またこれに含有される溶媒の量は、１．８重量％であった。
　【００３１】次に前記半硬化状態の絶縁層を導体回路が形成された転写シート上に重ね、これを真空積層装置により３０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力、５０℃の温度で転写シート上の導体回路を半硬化状態の絶縁層中に転写埋入させ、しかる後、前記絶縁層から転写シートを剥離して表面に導体回路を有する絶縁基板を得た。このとき、導体回路は絶縁層中にほぼ完全に埋入され、導体回路の表面と絶縁層の表面とは実質的に同一平面上となった。
　【００３２】同様にして厚さ１２５μｍの８枚の配線基板を作製した後、レーザーによりバイアホールを形成しそのホール内にＣｕ−Ａｇ合金粉末を含む銅ペーストを充填し、そしてこれらを位置合わせして積層し５０ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力、５０℃の温度で圧着して２００℃−５時間加熱処理して完全硬化させて多層配線基板を作製した。
　【００３３】得られた多層配線基板に対して、断面における配線回路形成付近を観察した結果、空隙は全く認められず、また、各配線の導通テストを行った結果、何ら配線の断線は認められなかった。
　【００３４】
　【発明の効果】以上詳述したとおり、本発明の多層配線基板の製造方法によれば、一層の回路基板において導体回路による凹凸が全くないために、従来、回路基板の積層時に生じていた空隙による回路の断線や変形による精度の劣化を防止することができる。これにより、今後の半導体の主要な実装形式と考えられているフリップチップ方式の実装に適した高精度な表面平坦度を有する高密度多層配線基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の製造方法の第１の態様の工程を説明するための図である。
　【図２】従来の方法による多層配線基板の構造を説明するための図である。
　【符号の説明】
　１・・転写シート
　２・・導体回路
　３・・絶縁層
　４・・回路基板