【事件の表示】
　特許第３１８０７１０号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１８０７１０号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　特許第３１８０７１０号の請求項１に係る発明についての出願は、平成３年１２月２４日に出願した特願平３−３５７０４６号（以下、「原出願」という。）の一部を、平成７年１１月２９日に新たな出願とし、さらにそれを平成８年１２月１７日に実用新案出願に変更し、さらにそれを平成８年１２月１８日に特許出願に変更し、さらにその一部を平成９年３月３１日に新たな出願としたものであって、平成１３年４月２０日にその発明についての特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人河村匡俊及び黒岩保親により特許異議の申立てがなされたものであり、その発明は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「気相成長法により、基板上に、少なくともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層とを成長させた後、成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体を、実質的に水素を含まない雰囲気中、４００℃以上でアニーリングすることにより、前記マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出して、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．異議の申立て
２−１．申立人河村匡俊による異議申立て
(1) 申立て理由の概要
　申立人河村匡俊の主張は、以下の通りである。
　本件発明は、甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明の特許は、取り消されるべきものである。
　
(2) 刊行物記載の発明
　申立人河村匡俊が提出した甲第１号証である「応用物理」第６０巻第２号第１６３〜１６６頁には、サファイヤ基板上にＡｌＮ緩衝層を堆積した後、ｎ型ＧａＮを育成し、さらに、ＧａＮ：Ｍｇを育成した後、表面から電子線照射処理する点が記載されている。
　同じく甲第２号証であるInst. Phys. Conf. Ser. No 106:Chapter8,Paper presented at Int.Symp.GaAs and Related Compounds,Karuizawa,Japan,1989 pp575-580には、InGaAlP系半導体において、ｐ型不純物(Zn)を含む層をＭＯＣＶＤにより成長させた後、実質的に水素を含まない雰囲気中、アニーリングすることにより、InGaAlP系半導体から水素を出して、ｐ型不純物を活性化する点が記載されている。
　同じく甲第３号証であるPHYSICAL REVIEW LETTERS,Volume51,Number24 pp2224-2225には、ＢをドープしたＳｉ半導体において、Ｂを含む層を500℃でアニーリングすることにより、Ｓｉ半導体から水素を出して低抵抗化する点が記載されている。
　
(3) 対比・判断
　本件発明と甲第１号証乃至甲第４号証記載の発明とを比較すると、本件発明は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体を、実質的に水素を含まない雰囲気中、４００℃以上でアニーリングすることにより、前記マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出しているのに対し、各甲第１号証乃至甲第４号証記載の発明は、この点を備えていない。
　即ち、甲第２号証記載の発明及び甲第３号証記載の発明は、それぞれInGaAlP系半導体及びＳｉ半導体を対象とする技術であって、すでにｐ型になっているものにおいて、そのｐ型中における変動が記載されているにすぎず、窒化ガリウム系化合物半導体のように、ｐ型不純物をドープしてもｉ型であるもの、あるいは高抵抗なｐ型であるものについて水素のパッシベート及びその除去が容易に考えられたとは認められないので、これらの発明を甲第１号証記載の発明に適用することは、当業者が容易になしえたことではない。
　さらに、甲第４号証には、水素パッシベート技術がIII−Ｖ族化合物半導体にも適用できることが示唆されているものの、このIII−Ｖ族化合物半導体が、具体的に、ｐ型不純物をドープしてもｉ型であるか、あるいは高抵抗なｐ型である窒化ガリウム系化合物半導体を示唆しているとは言えない。
　よって、本件発明は、申立人河村匡俊が提出した甲第１号証乃至甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に違反しているとはいえない。
　
２−２．申立人黒岩保親による異議申立て
(1) 申立て理由の概要
　申立人黒岩保親の主張は、概ね以下の通りである。
　本件発明は、原出願の願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の発明ではなく、本件特許出願は適法な分割出願ではない。したがって、本件発明は、原出願の公開公報である甲第１１号証に記載された発明と実質的に同一である。また、本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、甲第１号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。さらに、本件発明は、甲第１号証および甲第６号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。また、本件発明は、甲第８号証に記載された発明であるか、甲第８号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本件発明は、特許法第２９条第１項及び第２項の規定により特許を受けることができないものである
　また、本件出願の明細書は、特許法第３６条第４項並びに同条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないので、本件発明は、特許を受けることができないものである。
　よって、本件発明の特許は、取り消されるべきものである。
　
(2) 分割要件違反について
　申立人黒岩保親が本件を分割要件違反であるとする理由は、概ね以下(イ)乃至(ニ)の通りである。
(イ) 原出願の請求項１記載の特許発明と本件発明は、実質的に同一発明である。
(ロ) 本件発明の「成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体を、」との記載中、「全体」という語は新規事項の追加である。
(ハ) 本件発明の「実質的に水素を含まない雰囲気中」は、新規事項の追加である。
(ニ) 本件明細書には「必ずしも水素が全て除去されるのではなく、一部の水素が除去されることも、本発明の範囲内である」という新規事項が追加されている。
　
　以下、これらの点について、検討する。
　なお、申立人黒岩保親は、上記(ロ)乃至(ニ)の点について、新規事項の追加である旨言及しているが、本件は、出願日が平成３年１２月２４日に遡及するものとして特許されているので、これらの点については、原出願の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、「原明細書」という。）に記載されたものであるか否かを検討する。
　
(イ) の点について
　原出願の請求項１に係る発明は、次の通りである。
「気相成長法により、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体を成長させた後、実質的に水素を含まない雰囲気中、４００℃以上の温度でアニーリングを行い、上記ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出すことを特徴とするｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。」（以下、「原発明」という。）
　ここで、本件発明と原発明とを比較すると、ａ．窒化ガリウム系化合物半導体層を、本件発明は、基板上に成長させているのに対し、原発明は、何に成長させるのか特定されていない点、ｂ．本件発明は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層とを成長させているのに対し、原発明は、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系化合物半導体を成長させている点、ｃ．本件発明は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体をアニーリングしているのに対し、原発明は、何を対象にアニーリングするのか特定されていない点、ｄ．アニーリングにより水素を出す窒化ガリウム系化合物半導体層が、本件発明は、マグネシウムを含む層であるのに対し、原発明は、ｐ型不純物がドープされた層である点、ｅ．本件発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法であるのに対し、原発明は、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法である点で相違する。
　本件発明と原発明とは、これらａ乃至ｅの点で、明らかに相違するものであり、この点は表現上の差異とも、任意に設計しうる事項ともいえないから、両者は実質的に同一発明であるということはできない。
　
(ロ) の点について
　原明細書には、
「【００３３】［実施例５］実施例１において、ＭｇドープＧａＮ層を成長させた後、引き続き、Ｃｐ2Ｍｇガスを止め、新たにＴＭＡガスを６×１０-6モル／分とＳｉＨ4（モノシラン）ガスを２．２×１０-10モル／分を２０分間流して、Ｓｉがドープされたｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層を０．８μｍの厚さで成長させる。
【００３４】ＴＭＧガス、ＴＭＡガス、ＳｉＨ4ガスを止め、水素ガスとアンモニアガスを流しながら、室温まで冷却した後、ウエハーを取りだして、アニーリング装置に入れ、窒素雰囲気中で７００℃で２０分間保持してアニーリングを行う。」（段落番号【００３３】欄及び【００３４】欄）と記載されている。
　ここで、上記の記載中、「ＭｇドープＧａＮ層」及び「ｎ型Ｇａ0.9Ａｌ0.1Ｎ層」は、本件発明の「マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層」及び「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」に相当することは明らかである。
　そして、段落番号【００３４】欄には、「ウエハーを取りだして、アニーリング装置に入れ」ることが記載されているので、この記載から、成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体がアニーリング装置に入れられアニーリングされることは、明らかである。
　よって、本件発明の「成長されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体を、」との記載中の「全体」は、原明細書に記載されたに等しい事項である。
　
(ハ) の点について
　原出願の出願当初の明細書には、
「【００２２】即ち、窒化ガリウム系化合物半導体層の成長において、Ｎ源として、一般にＮＨ3が用いられており、成長中にこのＮＨ3が分解して原子状水素ができると考えられる。この原子状水素がアクセプター不純物としてドープされたＭｇ、Ｚｎ等と結合することにより、Ｍｇ、Ｚｎ等のｐ型不純物がアクセプターとして働くのを妨げていると考えられる。このため、反応後のｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体は高抵抗を示す。
【００２３】ところが、成長後アニーリングを行うことにより、Ｍｇ−Ｈ、Ｚｎ−Ｈ等の形で結合している水素が熱的に解離されて、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層から出て行き、正常にｐ型不純物がアクセプターとして働くようになるため、低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られるのである。従って、アニーリング雰囲気中にＮＨ3、Ｈ2等の水素原子を含むガスを使用することは好ましくない。」（段落番号【００２２】欄及び【００２３】欄）と記載されている。
　この記載から、本件発明における「実質的に水素を含まない雰囲気中」とは、明らかに原明細書に記載されたに等しい事項である。
　
(ニ) の点について
　原出願の出願当初の明細書には、
「成長後アニーリングを行うことにより、Ｍｇ−Ｈ、Ｚｎ−Ｈ等の形で結合している水素が熱的に解離されて、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層から出て行き、正常にｐ型不純物がアクセプターとして働くようになるため、低抵抗なｐ型窒化ガリウム系化合物半導体が得られるのである。」（段落番号【００２３】欄）と記載されており、図１には、窒素雰囲気中で１０分間アニーリングを行った後の、抵抗率とアニーリング温度が示されており、本件発明のアニーリングの温度、すなわち４００℃以上では、抵抗率が１０５Ω・ｃｍから２Ω・ｃｍあたりに変化している。
　ここで、上記【００２３】欄の記載から、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層から水素が出る量により、アクセプターとして働くｐ型不純物の量が決まり、引いてはこれが抵抗率を左右すると理解できるので、これを図１に照らし合わせると、図１の抵抗率が１０５Ω・ｃｍから２Ω・ｃｍあたりに変化していることは、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層から水素が出る量が変化していることを示していることに他ならず、この点は「必ずしも水素が全て除去されるのではなく、一部の水素が除去されることも」ありうることを意味している。
　また、原出願の出願当初の明細書には、アニーリングにより水素が全て除去されることまで、特に明示されておらず、水素が一部しか除去されなくとも、本件発明の効果を奏することは明らかである。
　よって、「必ずしも水素が全て除去されるのではなく、一部の水素が除去されることも、本発明の範囲内である」点は、原明細書に記載されたに等しい事項である。
　
　(イ)〜(ニ)の点は、以上のとおりであるから、本件は、特許法第４４条第１項の規定により、適法に分割出願されたものであるから、原出願の公開公報である甲第１１号証は、本件の出願遡及日において公知の文献ではないので、特許法第２９条第１項第３号に掲げられた刊行物には該当しない。
　
(3) 新規性・進歩性について
(イ) 刊行物記載の発明
　申立人黒岩保親が提出した甲第１号証である特開平３−２１８６２５号公報には、サファイア基板上にＭｇを添加した(Ga１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ)（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を成長させ、その上に、不純物を添加していないｎ型(Ga１−ｘＡｌｘ）１−ｙＩｎｙＮ)（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を成長させた後、低速電子線照射処理を行った窒化ガリウム系化合物半導体単結晶の作成方法が記載されている。
　同じく甲第６号証には、気相エピタキシャル成長を用いて、サファイヤ基板上に、順にｎ型窒化ガリウム、Ｚｎを含むｉ型窒化ガリウム、Ｍｇを含むｉ型窒化ガリウム、ｎ型窒化ガリウムを成長させ、その後、Ｉｎ電極をＮ２気流中で４００〜４５０℃で約３０分間焼き付けを行う発光ダイオードの製造方法が記載されている。
　同じく甲第８号証には、水素を含む２種のドーパントを半導体に導入し、これを熱処理することにより、水素を外へ拡散させて、低抵抗な半導体層を形成する技術が記載されている。
　
(ロ) 対比・判断
　本件発明と甲第１号証記載の発明とを比較すると、甲第１号証記載の発明は、本件発明の構成要件である４００℃以上でアニーリングする点を備えていない。すなわち、甲第１号証記載の発明は、低速電子線照射処理を行っているが、このときの試料温度を室温に保っており（表１「低速電子線照射処理条件」参照。）、該処理はアニーリングであるということはできないし、それを示唆する記載も見当たらない。
　よって、本件発明は、甲第１号証記載の発明ではないし、甲第１号証記載の発明に基づいて、当業者が容易になしえたものではない。
　また、甲第６号証記載の発明における電極の焼き付け技術は、単にＩｎ電極をＧａＮ層に焼き付けるためのものであり、マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出すための技術ではないし、上述の通り、低速電子線照射処理はアニーリングであるということはできないので、甲第１号証記載の発明において、その低速電子線照射処理に代えて、上記焼き付け技術を採用することは、当業者が容易になしえたこととは言えない。
　さらに、甲第８号証の７頁２１〜２２行及び８頁１６行には、甲第８号証記載の発明を適用できる半導体の種類が列挙されており、かつ、手書きで何らかの追記がなされているが、これから、「ＧａＮ」との記載を判読することはできない。（この点は、特許庁に提出された優先権証明書により確認済。）仮に、上記箇所の薄い手書きの記載が、「ＧａＮ」と判読できたとしても、甲第８号証記載の発明は、本件発明の構成要件である「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体を、実質的に水素を含まない雰囲気中、４００℃以上でアニーリングすることにより、前記マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出して、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする」点が、記載も示唆もされていない。
　よって、本件発明は、甲第８号証記載の発明ではないし、甲第８号証記載の発明に基づいて、当業者が容易になしえたものではない。
　
(4) 記載不備について
　申立人黒岩保親が、本件特許明細書を記載不備であると主張する理由は、概ね以下の通りである。
(イ) 本件特許明細書段落番号【００１６】欄には、図１の説明として、「アニーリング時間を１０分に設定すると、４００℃を越えるあたりから急激にＭｇをドープしたＧａＮ層の抵抗率が減少」する旨記載されており、４００℃の温度では効果は得られないこととなるにもかかわらず、本件発明は、４００℃以上でアニーリングすることが構成要件となっている。
(ロ) 本件特許明細書には、アニーリング装置、アニーリング温度及びアニーリング時間の詳細が開示されていない。
(ハ) 本件出願時の周知事項を考慮すると、アニーリング温度４００〜６００℃の範囲では、本件発明の効果が裏付けられていない。
　以下、これら(イ)乃至(ハ)の点について、検討する。
(イ) の点について
　本件特許明細書段落番号【００１６】欄の「アニーリング時間を１０分に設定すると、４００℃を越えるあたりから急激にＭｇをドープしたＧａＮ層の抵抗率が減少」する旨の記載は、４００℃を超えるあたりからの抵抗率の減少が、急激であることを示しているに過ぎず、図１の記載を見ると、急激か否かは別として、４００℃においても抵抗率の減少が確認できるので、アニーリング温度４００℃以上としたことが記載不備であるとはいえない。
(ロ) の点について
　アニーリング装置の説明として、本件特許明細書段落番号【００１０】欄には、「アニーリング（Ａｎｎｅａｌｉｎｇ：焼きなまし、熱処理）は、ｐ型不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体層を成長した後、反応容器内で行ってもよいし、ウエハーを反応容器から取り出してアニーリング専用の装置を用いて行ってもよい。」と記載されている。そして、「反応容器」、「アニーリング専用の装置」なる用語から、本件出願時に当業者であれば、普通にその装置を想定することができる。
　また、「４００℃以上」なるアニーリング温度についても、当業者であれば、これが雰囲気温度であるのか、試料温度であるのかを、容易に理解できる。
　さらに、本件発明には、アニーリング温度の上限が特定されていないが、本件発明の目的、構成、効果を考慮すると、おのずと上限が特定されるものであることは明らかであるから、必ずしも上限の記載が必要とはいえない。
　また、本件発明には、アニーリング時間が特定されていないが、本件発明は、「マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出」す点が構成要件となっているものであるから、そのような効果を達成するような時間を設定することは、当業者が製造にあたって任意設計しうる程度のことであるから、これをもって開示不足とはいえない。
　よって、本件特許明細書は、アニーリング装置、アニーリング温度及びアニーリング時間を詳細にに開示していないからといって、本件特許明細書が記載不備とはいえない。
(ハ) の点について
　申立人黒岩保親は異議申立書において、本件の図１に示された抵抗率と甲第１、５、７号証に記載されたｐ型ＧａＮ系化合物半導体の抵抗率とを比較して、本件発明は効果を有しない部分を含んでいると主張している。
　しかしながら、甲第１、５、７号証記載の発明における抵抗率は、いずれも低抵抗化処理後のものであるから、本件の図１に示された抵抗率と比較したところで、本件発明が、効果を有しない部分を含んでいる根拠とはならない。
　
２−３．２つの異議申立ての証拠文献の組み合わせについて
　申立人河村匡俊が提出した甲第１号証乃至甲第４号証並びに申立人黒岩保親が提出した甲第１号証、甲第６号証及び甲第８号証には、本件発明の構成要件である「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とマグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層の全体を、実質的に水素を含まない雰囲気中、４００℃以上でアニーリングすることにより、前記マグネシウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体層から水素を出して、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とする」点が、記載も示唆もされておらず、上記の何れの刊行物を組み合わせたところで、上記点を導き出すことはできない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月２８日（２００２．３．２８）