【事件の表示】
　特許第３１４３１０２号「ＭＩＳ型トランジスタ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１４３１０２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３１４３１０２号の請求項１に係る発明についての特許は、昭和６３年９月９日に特許出願がなされ、平成１２年１２月２２日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議の申立てがなされたものである。
（２）本件発明
　本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「絶縁基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタであって、前記ＭＩＳ型トランジスタが、多結晶薄膜中に不純物が導入されて形成されているソース領域およびドレイン領域と、これらソース領域およびドレイン領域の間に形成されるチャネル領域と、少なくとも前記ドレイン領域と前記チャネル領域の間に形成され、不純物濃度が５×１０１6ｃｍ-３〜５×１０１９ｃｍ-３、シート抵抗が２０ｋΩ／□以下の範囲でバンドギャップが減少せず、縮退していない低不純物濃度領域を有することを特徴とするＭＩＳ型トランジスタ。（以下「本件発明」という）」
（３）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人佐藤光男は、証拠として甲第１号証（特開６３−２０４７６９号公報、以下引用例１という）、甲第２号証（特開昭５８−１０５５７４号公報、以下引用例２という）、甲第３号証（特開昭５７−１３３６６１号公報、以下引用例３という）及び参考文献（特開昭５４−７４３８７号公報）を提出し、本件発明は、甲第１乃至３号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許を受けることができないものであると主張している。
　また特許異議申立人中川徹は、証拠として甲第１号証（特開５９−１３２１６８号公報、以下引用例４という）、甲第２号証（特開昭５８−２０４５７０号公報、以下引用例５という）、参考資料１（特開昭６２−１１３４７４号公報）及び参考資料２（特開昭６３−１２１６８号公報）を提出し、本件発明は、甲第１又は２号証に記載された発明であるか、甲第１乃至２号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、本件発明は、特許法第２９条第１項３号或いは特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許を受けることができないものであると主張している。
（４）甲各号証等記載の発明
　引用例１には、薄膜トランジスタが図面とともに開示されている。そして同公報３頁左上欄１７行〜右上欄１８行には、「この実施例の多結晶シリコン薄膜トランジスタは、絶縁基板１上に多結晶シリコン膜２を形成し、この多結晶シリコン膜２中に高濃度の不純物を含むソース電極６およびドレイン電極７を形成すると共に、該多結晶シリコン膜２に積層したゲート絶縁膜３を介してゲート電極４を形成している点は、第３図に示す従来例のものと同様であるが、前記ゲート電極４の直下の多結晶シリコン膜２とソース電極６およびドレイン電極７との間に、それらソース，ドレイン電極よりも不純物濃度の低い領域５を設けたものである。・・・。このため、ドレイン接合部の電界強度が弱まり、そのドレイン接合付近の結晶粒界中のトラツプを介して移動するキャリアが少なくなる。従って、ゲート電圧，ドレイン電圧を印加してもリーク電流は増大しない。」と記載され、同公報３頁左下欄１７行〜１９行には、「不純物濃度が低い領域５の幅を７００Å、キャリア濃度を１×１０１7ｃｍ-３としても実施できることが判明した。」と記載されている。
　引用例２には、薄膜トランジスタが図面とともに開示されている。そして同公報４頁左上欄１２行〜２０行には、「チャネル抵抗よりもオフセットゲート領域の抵抗が充分小さければ（約１００ｋΩ以下）、ＯＮ電流はほとんど低下しない。オフセットゲート領域の抵抗をさらに高くすると、ＯＦＦ電流をさらに減少させることが可能となるが、一方、ＯＮ電流も低下するようになるため、・・・。」と記載されている。
　引用例３には、多結晶半導体の熱処理方法が図面とともに開示されている。そして同公報２頁右下欄１０行〜１５行には、「こうして形成されたポリシリコン抵抗層７の抵抗値の結果を第３図に示す。第３図は、横軸にＮ２中で３０分熱処理を行った温度を、縦軸にはシート抵抗値を示しており、５×１０１２〜５×１０１４ｃｍ-２イオン注入を行なった場合のシート抵抗をそれぞれア〜オまで示した。」と記載されている。更に第３図から、５×１０１２ｃｍ-２ア（１×１０１7ｃｍ-３）の場合のシート抵抗値が２５ｋΩ／□程度以上であることが読み取れる。
　特許異議申立人佐藤光男の提出した参考文献には、（シリコン基板に形成された）拡散層６の濃度を１０１９個／ｃｍ３以上にすれば縮退状態になる旨記載されている（同公報２頁右下欄８行〜９行）。
　引用例４には、薄膜トランジスタが図面とともに開示されている。そして同公報３頁右上欄９行〜１５行には、「第４図（ｂ）のように、イオン打込み法により適当な不純物を半導体薄膜２８中に導入し、ソース領域３１及びドレイン領域３２を形成する。ただし、・・・、本発明では１０１４ｃｍ-２程度の低濃度に設定することが可能となる。」と記載され、３頁左下欄１９行〜右下欄１行には、「このため、ソース・ドレイン領域の抵抗が数十ｋΩ以下であれば、薄膜トランジスタの特性に悪影響を及ぼすことはない。」と記載されている。
　引用例５には、薄膜ＭＯＳ電界効果トランジスタが図面とともに開示されている。そして同公報２頁右上欄１７行〜左下欄１６行には、「第３図〜第５図に例を挙げ、以下に本発明について説明する。（中略）そして、第５図（「第１５図」は第５図の誤記と認定）に示すように、レジスト１５を剥離して、ゲート電極１４をマスクに５×１０１２／ｃｍ２〜５×１０１４／ｃｍ２と比較的低濃度の打込みをして、ソース・ドレイン拡散層１７を形成する。以上のような方法によるとＰ型多結晶基板と接合を形成するのは比較的低濃度のＮ型のソース・ドレイン拡散層であり、リークは少なくてすむ。」と記載されている。
　特許異議申立人中川徹の提出した参考資料１には、ＬＤＤ構造の不純物濃度を１０１6ｃｍ-３〜１０２０ｃｍ-３とすることが、また参考資料２には、ＬＤＤ構造のドーズ量を５×１０１２ｃｍ-２程度、不純物濃度を４．５×１０１７ｃｍ-３程度とすることが記載されている。
（５）対比・判断
（特許法第２９条第１項３号違反について）
　本件発明と引用例１記載の発明とを対比すると、引用例１には、「絶縁基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタであって、前記ＭＩＳ型トランジスタが、多結晶薄膜中に不純物が導入されて形成されているソース領域およびドレイン領域と、これらソース領域およびドレイン領域の間に形成されるチャネル領域と、少なくとも前記ドレイン領域と前記チャネル領域の間に形成され、不純物濃度が１×１０１７ｃｍ-３の低濃度不純物領域を有することを特徴とするＭＩＳ型トランジスタ。」は記載されているが、「シート抵抗が２０ｋΩ／□以下の範囲でバンドギャップが減少せず、縮退していない低濃度不純物領域を有する」点については記載されていない。
　（１×１０１７ｃｍ-３の不純物濃度に対応するシート抵抗値は、引用例３によれば２５ｋΩ／□程度以上であるから、本件発明の２０ｋΩ／□以下の範囲外である。また異議申立人佐藤光男は、引用例１のものの不純物濃度１×１０１７ｃｍ-３が本件発明の不純物濃度５×１０１6ｃｍ-３〜５×１０１９ｃｍ-３の範囲内である点を根拠に引用例１のものもバンドギャップが減少せず、縮退していない低濃度不純物領域であるとしているが、多結晶膜の特性は、結晶の状態、不純物の種類・ドープ量等によって大きく異なるものであるから、単に不純物濃度がその範囲内にあるからとの理由のみでバンドギャップが減少せず、縮退していないとすることはできない。更に異議申立人は、参考文献を引用して縮退について説明しているが、参考文献のものは単結晶の例であって、本件発明のような多結晶のものにそのまま当てはまるかどうかは不明である。）
　次本件発明と引用例４、５記載の発明とを対比する。
　引用例４、５には、「絶縁基板上に形成されたＭＩＳ型トランジスタであって、前記ＭＩＳ型トランジスタが、多結晶薄膜中に不純物が導入されて形成されているソース領域およびドレイン領域と、これらソース領域およびドレイン領域の間に形成されるチャネル領域と、少なくとも前記ドレイン領域と前記チャネル領域の間に形成され、ドーズ量が１０１４ｃｍ-２程度（引用例４）或いは５×１０１２／ｃｍ２〜５×１０１４／ｃｍ２（引用例５）の低濃度に設定された低濃度不純物領域を有することを特徴とするＭＩＳ型トランジスタ。」は記載されているが、「シート抵抗が２０ｋΩ／□以下の範囲でバンドギャップが減少せず、縮退していない低濃度不純物領域を有する」点については記載されていない。
（異議申立人中川徹は、申立書７頁２乃至４行で「甲第１号証の・・・、シート抵抗は数十ｋΩ以下（文中「以」とあるは以下の誤記と認定）とされている。」と主張しているが、引用例４（甲第１号証）には「このため、ソース・ドレイン領域の抵抗が数十ｋΩ以下であれば、薄膜トランジスタの特性に悪影響を及ぼすことはない。」と記載されているのみで、シート抵抗が数十ｋΩ以下である点は何ら記載されていない。更に異議申立人中川徹は、引用例４のドーズ量１０１４ｃｍ−２程度或いは引用例５のドーズ量５×１０１２／ｃｍ２〜５×１０１４／ｃｍ２が本件特許明細書記載のドーズ量２．５×１０１１ｃｍ−２〜２．５×１０１４ｃｍ−２の範囲と重なることを根拠に、引用例４、５のものもバンドギャップが減少せず、縮退していないと主張しているが、多結晶膜の特性は、結晶の状態、不純物の種類・ドープ量等によって大きく異なるものであるから、単にドーズ量がその範囲と重なるからとの理由のみでバンドギャップが減少せず、縮退していないとすることはできない。）
　よって、本件発明が引用例１、４又は５に記載された発明であるとすることはできない。
（特許法第２９条第２項違反について）
　本件発明と引用例１乃至５記載の発明とを対比すると、引用例１乃至５には、本件発明の必須の構成要件である、「シート抵抗が２０ｋΩ／□以下の範囲でバンドギャップが減少せず、縮退していない低濃度不純物領域を有する」点について記載も示唆もされていない。
　そして本件発明は、上記の点により明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件発明が引用例１乃至５に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　なお異議申立人佐藤光男の提出した参考文献及び異議申立人中川徹の提出した参考資料１乃至２を参酌しても、上記の結論は変わらない。
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月２９日（２００１．１１．２９）