(57)【要約】  たとえば車載用のような高温環境下で使用される積層セラミックコンデンサにおいて用いるのに適した誘電体セラミック組成物を提供する。  組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｇＯ＋ｂＶ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲ2Ｏ3（ただし、ＲはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄはモル比を表わす。）で表わされ、かつ、０．０３≦ｘ≦０．２０、０．９９≦ｍ≦１．０３、０．１０≦ａ≦５．０、０．０２５≦ｂ≦２．５、０．２０≦ｃ≦８．０、および２．５≦ｄ＜３．５の各条件を満たす、誘電体セラミック組成物。この誘電体セラミック組成物の焼結体によって、積層セラミックコンデンサ（１）の誘電体セラミック層（３）を構成する。
2010035663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｇＯ＋ｂＶ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲ2Ｏ3（ただし、ＲはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄはモル比を表わす。）で表わされ、かつ、
０．０３≦ｘ≦０．２０、
０．９９≦ｍ≦１．０３、
０．１０≦ａ≦５．０、
０．０２５≦ｂ≦２．５、
０．２０≦ｃ≦８．０、および
２．５≦ｄ＜３．５
の各条件を満たす、誘電体セラミック組成物。
【請求項２】
前記（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3で表わされる化合物１００モル部に対して、ＭｎＯを０．００５〜５．０モル部さらに含む、請求項１に記載の誘電体セラミック組成物。
【請求項３】
積層された複数の誘電体セラミック層、および前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極をもって構成される、コンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体の外表面上の互いに異なる位置に形成され、かつ前記内部電極の特定のものに電気的に接続される、複数の外部電極と
を備え、
前記誘電体セラミック層が請求項１または２に記載の誘電体セラミック組成物の焼結体からなる、積層セラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記内部電極を構成する導電性材料は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕおよびＣｕ合金の中から選ばれる少なくとも１種を主成分とする、請求項３に記載の積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、たとえば車載用のような高温環境下で使用される積層セラミックコンデンサにおいて用いるのに適した誘電体セラミック組成物、およびそれを用いて構成された積層セラミックコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極を構成する導電性材料として、ＮｉまたはＮｉ合金のような卑金属を使用可能とするため、誘電体セラミック層を構成する誘電体セラミック組成物として、低酸素分圧下で焼成しても半導体化しないものが要望される。さらに、誘電体セラミック組成物として、比誘電率の温度特性が平坦なものが要望される。そして、これらの要望を満たし得る誘電体セラミック組成物が種々提案されている。【０００３】
この発明にとって興味ある誘電体セラミック組成物として、たとえば特開２００５−１９４１３８号公報（特許文献１）に記載されたものがある。特許文献１では、組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｎＯ＋ｂＶ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲｅ2Ｏ3（ただし、ＲｅはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄはモル比を表わす。）で表わされ、かつ、
０．０３０≦ｘ≦０．２０、
０．９９０≦ｍ≦１．０３０、
０．０１０≦ａ≦５．０、
０．０５０≦ｂ≦２．５、
０．２０≦ｃ≦８．０、および
０．０５０≦ｄ≦２．５
の各条件を満たす、誘電体セラミック組成物が記載されている。【０００４】
一方、積層セラミックコンデンサには、一般的な民生機器用の他、たとえば車載用といった用途がある。積層セラミックコンデンサに対し要求される特性は、一般民生機器用の場合と車載用の場合とは必ずしも同じではない。【０００５】
たとえば、静電容量温度特性については、一般民生機器用の場合には、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性（２５℃を基準として、−５５℃〜１２５℃の範囲内における静電容量の温度変化率が±１５％以内）を満たすことが要求されるのに対し、車載用の場合には、同規格のＸ８Ｒ特性（２５℃を基準として、−５５℃〜１５０℃の範囲内における静電容量の温度変化率が±１５％以内）を満たすことが要求される。【０００６】
また、高温負荷信頼性については、一般民生機器用の場合には、１５０℃の温度条件下で評価されるが、車載用の場合には、１７５℃の温度条件下で評価される。なお、負荷電圧は、製品としての積層セラミックコンデンサが向けられる用途に応じて決定される。【０００７】
このような背景の下、前述した特許文献１に記載の誘電体セラミック組成物は、車載用の積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層を構成するために用いるのに必ずしも適していない。【０００８】
すなわち、特許文献１に記載の誘電体セラミック組成物は、１５０℃で電界強度１０Ｖ／μｍの直流電圧が印加された際の高温負荷信頼性については、平均故障時間で１００時間以上と優れることが確認されているが、１７５℃で電界強度１０Ｖ／μｍの直流電圧が印加された際の高温負荷信頼性については、特許文献１に記載されていない。【０００９】
特許文献１に記載の誘電体セラミック組成物において、信頼性を向上させるためにＲｅ添加量を多くした場合、比誘電率の温度変化率が劣化することになり、したがって、高い信頼性と比誘電率の平坦な温度変化率との両立が不可能である。【００１０】
また、特許文献１に記載の誘電体セラミック組成物は、比誘電率の温度変化率について、−５５℃〜１２５℃の範囲で絶対値１５％以内を満足できたが、−５５℃〜１５０℃の範囲では１５％以内を満足できないことがわかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００５−１９４１３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る誘電体セラミック組成物、すなわち、たとえば車載用のような高温環境下で使用される積層セラミックコンデンサにおいて用いるのに適した誘電体セラミック組成物を提供しようとすることである。【００１３】
この発明の他の目的は、上述した誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述した技術的課題を解決するため、この発明に係る誘電体セラミック組成物は、組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｇＯ＋ｂＶ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲ2Ｏ3（ただし、ＲはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄはモル比を表わす。）で表わされ、かつ、
０．０３≦ｘ≦０．２０、
０．９９≦ｍ≦１．０３、
０．１０≦ａ≦５．０、
０．０２５≦ｂ≦２．５、
０．２０≦ｃ≦８．０、および
２．５≦ｄ＜３．５
の各条件を満たすことを特徴としている。【００１５】
この発明に係る誘電体セラミック組成物において、上記（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3で表わされる化合物１００モル部に対して、ＭｎＯを０．００５〜５．０モル部さらに含むことが好ましい。【００１６】
この発明は、また、積層された複数の誘電体セラミック層、および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極をもって構成される、コンデンサ本体と、コンデンサ本体の外表面上の互いに異なる位置に形成され、かつ内部電極の特定のものに電気的に接続される、複数の外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサにも向けられる。この発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層が上述のこの発明に係る誘電体セラミック組成物の焼結体からなることを特徴としている。【００１７】
この発明に係る積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極を構成する導電性材料は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕおよびＣｕ合金の中から選ばれる少なくとも１種を主成分とすることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
この発明に係る誘電体セラミック組成物によれば、Ｍｇが添加されているので、Ｒ添加量の増加に伴って、高温における信頼性を高くすることができ、かつ、１５０℃までの比誘電率の温度変化率を小さくすることができる。【００１９】
より具体的には、この発明によれば、比誘電率が１５００以上でありながら、比誘電率の温度特性が、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足するよう平坦であり、絶縁抵抗が、２５℃での抵抗率で１０１１Ω・ｍ以上と高く、また、高温負荷信頼性が、１７５℃で電界強度１０Ｖ／μｍの直流電圧が印加された際の平均故障寿命で２００時間以上と高い、誘電体セラミック組成物を得ることができる。【００２０】
したがって、この発明に係る誘電体セラミック組成物を積層セラミックコンデンサに適用することにより、電子機器の高機能化および高集積化によって、厳しくなっている使用条件に対しても、優れた高温負荷信頼性を確保することができる。したがって、積層セラミックコンデンサを車載用に適したものとすることができる。【００２１】
また、この発明に係る誘電体セラミック組成物は、低酸素分圧下で焼成しても半導体化しないので、積層セラミックコンデンサにおいて、内部電極を構成する導電性材料として、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕおよびＣｕ合金の中から選ばれる少なくとも１種といった卑金属を主成分とするものを有利に用いることができる。【００２２】
この発明に係る誘電体セラミック組成物において、Ｍｎが添加されると、さらに高い信頼性が得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明に係る誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、この発明に係る誘電体セラミック組成物を用いて構成される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。
【００２５】
積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ本体２を備えている。コンデンサ本体２は、積層される複数の誘電体セラミック層３と、複数の誘電体セラミック層３の間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される複数の内部電極４および５とをもって構成される。内部電極４および５は、コンデンサ本体２の外表面にまで到達するように形成されるが、コンデンサ本体２の一方の端面６にまで引き出される内部電極４と、他方の端面７にまで引き出される内部電極５とが、コンデンサ本体２の内部において交互に配置されている。
【００２６】
コンデンサ本体２の外表面上であって、端面６および７上には、外部電極８および９がそれぞれ形成されている。また、必要に応じて、外部電極８および９上には、Ｎｉ、Ｃｕ等からなる第１のめっき層１０および１１がそれぞれ形成され、さらにその上には、はんだ、Ｓｎ等からなる第２のめっき層１２および１３がそれぞれ形成されている。
【００２７】
次に、上述のような積層セラミックコンデンサ１の製造方法について、製造工程順に説明する。
【００２８】
まず、誘電体セラミック組成物のための原料粉末を用意し、これをスラリー化し、このスラリーをシート状に成形して、誘電体セラミック層３のためのグリーンシートを得る。ここで、誘電体セラミック原料粉末として、後に詳細に説明するように、この発明に係る誘電体セラミック組成物のための原料粉末が用いられる。
【００２９】
次に、グリーンシートの特定のものの各一方主面に、内部電極４および５を形成する。内部電極４および５を構成する導電性材料は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、およびＣｕ合金の中から選ばれる少なくとも１種を主成分とするが、特にＮｉまたはＮｉ合金を主成分とすることが好ましい。これら内部電極４および５は、通常、上述のような導電性材料を含む導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷法や転写法により形成されるが、これらに限らず、どのような方法によって形成されてもよい。
【００３０】
次に、内部電極４または５を形成した誘電体セラミック層３のためのグリーンシートを必要数積層するとともに、これらグリーンシートを、内部電極が形成されない適当数のグリーンシートによって挟んだ状態とし、これを熱圧着することによって、生のコンデンサ本体を得る。
【００３１】
次に、この生のコンデンサ本体を、所定の還元性雰囲気中で所定の温度にて焼成し、それによって、図１に示すような焼結後のコンデンサ本体２を得る。
【００３２】
その後、コンデンサ本体２の両端面６および７上に、内部電極４および５とそれぞれ電気的に接続されるように、外部電極８および９を形成する。これら外部電極８および９の材料としては、Ｎｉ、Ｎｉ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、ＡｇまたはＡｇ合金等を用いることができる。外部電極８および９は、通常、金属粉末にガラスフリットを添加して得られた導電性ペーストを、コンデンサ本体２の両端面６および７上に塗布し、これを焼き付けることによって形成される。
【００３３】
なお、外部電極８および９となるべき導電性ペーストは、通常、上述のように、焼結後のコンデンサ本体２に塗布され、焼き付けられるが、焼成前の生のコンデンサ本体に塗布しておき、コンデンサ本体２を得るための焼成と同時に焼き付けられてもよい。
【００３４】
次に、外部電極８および９上に、Ｎｉ、Ｃｕ等のめっきを施し、第１のめっき層１０および１１を形成する。最後に、これら第１のめっき層１０および１１上に、はんだ、Ｓｎ等のめっきを施し、第２のめっき層１２および１３を形成し、積層セラミックコンデンサ１を完成させる。
【００３５】
このような積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層３は、組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｇＯ＋ｂＶ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲ2Ｏ3（ただし、ＲはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素であり、ａ、ｂ、ｃおよびｄはモル比を表わす。）で表わされる、誘電体セラミック組成物の焼結体から構成される。
【００３６】
ただし、上記の組成式において、ｘ、ｍ、ａ、ｂ、ｃおよびｄは、それぞれ、
０．０３≦ｘ≦０．２０、
０．９９≦ｍ≦１．０３、
０．１０≦ａ≦５．０、
０．０２５≦ｂ≦２．５、
０．２０≦ｃ≦８．０、および
２．５≦ｄ＜３．５
の各条件を満たす。
【００３７】
この誘電体セラミック組成物は、還元性雰囲気のような低酸素分圧下で焼成しても、半導体化することなく、焼結させることができる。
【００３８】
また、この誘電体セラミック組成物を用いて、積層セラミックコンデンサ１における誘電体セラミック層３を構成するようにすれば、比誘電率が１５００以上でありながら、比誘電率の温度特性を、ＥＩＡ規格のＸ８Ｒ特性を満足するよう平坦とし、絶縁抵抗を、２５℃での抵抗率で１０11Ω・ｍ以上と高く、また、高温負荷信頼性を、１７５℃で電界強度１０Ｖ／μｍの直流電圧が印加された際の平均故障寿命で２００時間以上と高くすることができる。
【００３９】
このような誘電体セラミック組成物の出発原料は、（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3で表わされる化合物、Ｍｇ化合物、Ｖ化合物、Ｓｉ化合物およびＲ化合物（ただし、Ｒは、Ｙ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中から選ばれる少なくとも１種の金属元素）を含むものであるが、誘電体セラミック組成物の原料粉末の製造方法としては、（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3で表わされる化合物を実現し得るものであればどのような方法を用いてもよい。
【００４０】
たとえば、（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3で表わされる化合物を主成分、それ以外の成分を副成分と呼ぶ場合、ＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3およびＴｉＯ2を混合する工程と、主成分を合成するためにこの混合物を熱処理する工程と、得られた主成分に副成分を加えて混合する工程とを備える製造方法によって、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得ることができる。
【００４１】
また、水熱合成法、加水分解法、あるいはゾル−ゲル法等の湿式合成法によって主成分を合成する工程と、得られた主成分に副成分を加えて混合する工程とを備える製造方法によっても、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得ることができる。
【００４２】
また、副成分であるＭｇ化合物、Ｖ化合物、Ｓｉ化合物およびＲ化合物としては、誘電体セラミック組成物を構成できるものであれば、酸化物粉末に限らず、アルコキシドや有機金属等の溶液を用いてもよく、これら用いられる副成分の形態によって、得られた誘電体セラミック組成物の特性が損なわれることはない。
【００４３】
また、上述したような誘電体セラミック組成物は、焼成されて、図１に示した積層セラミックコンデンサ１の誘電体セラミック層３となるが、このような焼成工程において、内部電極４および５に含まれるＮｉ、Ｎｉ合金、ＣｕまたはＣｕ合金のような金属は、誘電体セラミック層３中に拡散する場合もあるが、上記の誘電体セラミック組成物によれば、このような金属成分が拡散しても、その電気的特性に実質的な影響がないことを確認している。
【００４４】
次に、この発明を実験例に基づいてより具体的に説明する。この実験例は、この発明に係る誘電体セラミック組成物の組成範囲の限定の根拠を与えるためのものでもある。
【００４５】
この実験例において、試料として、図１に示すような積層セラミックコンデンサを作製した。
【００４６】
まず、主成分である（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3の出発原料として、高純度のＢａＣＯ3、ＣａＣＯ3およびＴｉＯ2の各粉末を準備し、表１に示すＣａの含有量、すなわち「Ｃａ変性量：ｘ」、および「（Ｂａ、Ｃａ）／Ｔｉ比：ｍ」が得られるように、これら出発原料粉末を調合した。
【００４７】
次に、この調合原料粉末をボールミルを用いて湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して調整粉末を得た。
【００４８】
次に、得られた調整粉末を１０００℃から１２００℃の温度で仮焼し、平均粒径０．２０μｍで、表１に示すｘおよびｍである主成分粉末を得た。なお、平均粒径は、走査型電子顕微鏡によって粉末を観察し、３００個の粒子の粒子径を測長して求めた。
【００４９】
また、副成分の出発原料として、ＭｇＣＯ3、Ｖ2Ｏ5、ＳｉＯ2およびＲ2Ｏ3（ただし、ＲはＹ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、ＴｍおよびＹｂの中のいずれか）の各粉末を準備し、表１に示すｘ、ｍ、ａ、ｂ、ｃおよびｄにそれぞれ選ばれた、組成式：１００（Ｂａ1-xＣａx）mＴｉＯ3＋ａＭｇＯ＋ｂＶ2Ｏ5＋ｃＳｉＯ2＋ｄＲ2Ｏ3で表わされる組成が得られるように、上記主成分粉末と各副成分の出発原料粉末とを調合した。
【００５０】
【表１】
2010035663.tif 000003
【００５１】
次に、この調合粉末を、ボールミルを用いて湿式混合し、均一に分散させた後、乾燥処理を施して、誘電体セラミック組成物の原料粉末を得た。
【００５２】
次に、この誘電体セラミック原料粉末にポリビニルブチラール系のバインダ、可塑剤およびエタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルにより湿式混合して、誘電体セラミック組成物を含むスラリーを得た。
【００５３】
次に、このスラリーを、ポリエチレンテレフタレートからなるキャリアフィルム上にシート状に成形して、誘電体セラミック組成物を含むグリーンシートを得た。得られたグリーンシートの厚みは１．４μｍであった。
【００５４】
次に、得られたグリーンシート上に、Ｎｉを主成分とする導電性ペーストを用いて内部電極パターンを印刷した後、互いに対向して複数の静電容量を構成するように６層積み重ね、さらにその上下面に内部電極パターンが形成されないセラミックグリーンシートを適当数積み重ねて熱圧着し、生のコンデンサ本体を得た。
【００５５】
次に、この生のコンデンサ本体を、Ｎ2雰囲気中において、３５０℃の温度で３時間保持して脱バインダし、その後、Ｎ2−Ｈ2−Ｈ2Ｏの混合ガスを用いて、内部電極に含まれるＮｉが酸化しない酸素分圧１０-12〜１０-9ＭＰａに設定された還元性雰囲気中で、表２に示す温度でそれぞれ２時間保持して焼成し、焼結したコンデンサ本体を得た。
【００５６】
次に、得られたコンデンサ本体の両端面に、Ａｇを主成分とし、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラスフリットを含有する導電性ペーストを塗布し、Ｎ2雰囲気中において６００℃の温度で焼き付けることにより、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
【００５７】
次に、外部電極上に、公知の方法にてＮｉめっき処理を施して第１のめっき層を形成し、その上にＳｎめっき処理を施して第２のめっき層を形成した。
【００５８】
このようにして得られた各試料に係る積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅が５．０ｍｍ、長さが５．７ｍｍ、および厚さが２．４ｍｍであった。また、有効な誘電体セラミック層の数は５であり、１層当たりの対向電極面積は１６．３ｍｍ2であり、誘電体セラミック層の厚さは１．０μｍであった。
【００５９】
これら得られた各試料にかかる積層セラミックコンデンサについて、静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）を、自動ブリッジ式測定器を用い、２５℃において１Ｖrms、１ｋＨｚの交流電圧を印加して測定し、得られたＣと内部電極面積および誘電体セラミック層の厚さとから比誘電率（εr）を算出した。
【００６０】
また、−５５℃から１５０℃の範囲内で、温度を変化させながら静電容量を測定し、２５℃での静電容量（Ｃ２５）を基準として、変化の絶対値が最大となった静電容量（ＣＴＣ）についての温度変化率（ΔＣＴＣ）を、ΔＣＴＣ＝｛（ＣＴＣ−Ｃ２５）／Ｃ２５｝の式に基づいて算出した。
【００６１】
また、絶縁抵抗（ＩＲ）を、絶縁抵抗計を用い、２５℃において２５Ｖの直流電圧を１２０秒間印加して測定し、得られたＩＲと積層セラミックコンデンサの構造に基づき抵抗率（ρ）を算出した。
【００６２】
また、高温負荷信頼性試験として、温度１７５℃において１０Ｖの直流電圧を印加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定し、各試料の絶縁抵抗値が１０５Ω以下になった時点を故障とし、それらの平均故障時間（ＭＴＴＦ）を求めた。
【００６３】
以上の電気的特性の評価結果を表２に示す。
【００６４】
【表２】
2010035663.tif 000004
【００６５】
表２に示した各電気的特性についての好ましい範囲は、εrについては、１５００以上であり、ｔａｎδについては、７．５％以下であり、ΔＣＴＣについては、その絶対値が１５％以下であり、ρについては、これをｌｏｇρ（ρの単位：Ω・ｍ）で表わした場合に、１１以上であり、ＭＴＴＦについては、２００時間以上である。
【００６６】
表１および表２において、試料番号に＊を付したものは、この発明に係る組成範囲から外れた試料である。
【００６７】
以下に、この発明において、前述したような組成範囲に限定した理由について説明する。
【００６８】
まず、ｘ＜０．０３の場合、試料１のように、ΔＣＴＣの絶対値が１５％を超え、ＭＴＴＦが２００時間未満となる。他方、ｘ＞０．２０の場合、試料２のように、εｒが１５００未満となり、ｔａｎδが７．５％を超え、ＭＴＴＦが２００時間未満となる。
【００６９】
次に、ｍ＜０．９９の場合は、試料３のように、ｌｏｇρが１１未満となり、またＭＴＴＦが著しく短くなる。他方、ｍ＞１．０３の場合は、試料４のように、εｒが１５００未満となり、ｌｏｇρが１１未満となる。
【００７０】
次に、ａ＜０．１０の場合は、試料５のように、ｌｏｇρが１１未満となり、ΔＣＴＣについては、その絶対値が１５％以下となる。他方、ａ＞５．０の場合は、試料６のように、ｌｏｇρが１１未満となり、ＭＴＴＦが２００時間未満となる。
【００７１】
また、ｂ＜０．０２５の場合は、試料７のように、ΔＣＴＣの絶対値が１５％を超え、ＭＴＴＦが２００時間未満となる。他方、ｂ＞２．５の場合は、試料８のように、εｒが１５００未満となり、ｌｏｇρが１１未満となる。
【００７２】
また、c＜０．２０の場合は、試料９のように、εｒが１５００未満となり、ｌｏｇρが１１未満となり、ＭＴＴＦが２００時間未満となる。他方、ｃ＞８．０の場合は、試料１０のように、ΔＣＴＣの絶対値が１５％を超え、ｌｏｇρが１１未満となる。
【００７３】
また、ｄ＜２．５の場合は、試料１１のように、ΔＣＴＣの絶対値が１５％を超え、ＭＴＴＦが２００時間未満となる。他方、ｄ≧３．５の場合は、試料１２のように、εｒが１５００未満となり、ｌｏｇρが１１未満となり、ＭＴＴＦが２００時間未満となる。
【００７４】
これらに対して、この発明の範囲内にある試料１３〜５０によれば、εｒを１５００以上と大きく、ｔａｎδを５％以下と小さく、ΔＣＴＣについては、その絶対値を１５％以下と小さく、ｌｏｇρについては、これを１１以上と高く、さらに、ＭＴＴＦについては、これを２００時間以上と長くすることができる。
【００７５】
また、この発明の範囲内にある試料１３〜５０のうち、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ｍＴｉＯ３で表わされる化合物１００モル部に対して、ＭｎＯが０．００５〜５．０モル部の含有量の範囲にある試料３４〜５０に関しては、ＭＴＴＦを３００時間以上とさらに長くすることができる。
【符号の説明】
【００７６】
１  積層セラミックコンデンサ
２  コンデンサ本体
３  誘電体セラミック層
４，５  内部電極
８，９  外部電極
【図１】
2010035663.tif 000005
【国際調査報告】
2010035663.tif 000006
2010035663.tif 000007