【事件の表示】
　特許第２９９４９１１号「セラミック電子部品のスクリーニング方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９９４９１１号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理　由】
【１】手続きの経緯
　本件特許第２９９４９１１号「セラミック電子部品のスクリーニング方法 」の発明は、平成５年６月２２日に特許出願したものであって、平成１１年１０月２２日にその特許（請求項の数５）の設定登録がなされ、平成１１年１２月２７日に特許公報が発行され、その全請求項（請求項１乃至５）について平成１２年６月２６日に株式会社村田製作所より特許異議の申立てがなされ、その全請求項について平成１２年９月１２日付で取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月２１日に訂正請求がなされ、さらに平成１３年９月７日付で訂正拒絶理由の通知がなされ、これに対して平成１３年１１月１６日付で意見書及び手続補正書が提出されたものである。
【２】訂正の適否について
（１）訂正請求書に対する手続補正について
(1-1)手続補正の内容
　特許権者は、訂正拒絶理由に対して平成１３年１１月１６日付手続補正書により、要旨、以下のとおり訂正請求書を補正するものである。
(i)訂正請求書の第2頁第9行の「特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明瞭でない記載の釈明」とあるのを、訂正事項の一部削除を行い、「誤記の訂正、及び明瞭でない記載の釈明」と補正するものである。
(ii)訂正請求書の第3頁第11行〜第18行の訂正事項ａ、ｂについて、訂正事項の一部削除を行うもので、訂正事項ａについて「特許請求の範囲の減縮および誤記を目的」とするものから「誤記の訂正」を目的とするものに補正し、また訂正事項ｂについて「明瞭でない記載の釈明を目的」とするものでその一部削除により補正するものである。
(iii)訂正請求書の第3頁第4行〜第4頁第17行の請求の原因について、前記訂正事項の一部削除に伴う記載の整合を目的としてその一部削除により補正するものである。
(1-2)手続補正の可否について
　上記補正は、訂正事項の削除とこれに伴う訂正請求書の「請求の原因」に係る記載を整合させるための瑕疵の補正であるから、訂正請求書の要旨を変更するものではなく、特許法第１２０条の４第３項において準用する同法第１３１条第２項の規定に適合するので、これを認める。
(1-3)補正された訂正（以下、「本件訂正」という。）の要旨
　補正された訂正請求書による訂正内容は、以下のとおりである。
(i)訂正事項ａ
　特許第２９９４９１１号発明の明細書の特許請求の範囲において、請求項１に係る記載の「この直流電流印加後の充電過程で放電現象による異常電流が検知されたものを不良品とする」とあるのを、誤記の訂正を目的として、「この直流電圧印加後の充電過程で放電現象による異常電流が検知されたものを不良品とする」と訂正する。
(ii)訂正事項ｂ
　特許第２９９４９１１号発明の明細書の発明の詳細な説明の段落番号【0009】の第４行目〜第６行目の「この直流電流印加後の充電過程で放電現象による異常電流が検知されたものを不良品とするもの」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「この直流電圧印加後の充電過程で放電現象による異常電流が検知されたものを不良品とするセラミック電子部品のスクリーニング方法」と訂正する。
(iii)訂正事項ｃ
　特許第２９９４９１１号発明の明細書に添付した図面の図３を、誤記の訂正を目的として、本訂正請求書に添付した訂正図面の図３の如く訂正する。
（２）本件訂正の適否についての判断
＜訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否についての判断＞
(2-1)訂正の目的等
　本件訂正の要旨は、上記訂正事項ａ乃至ｃのとおりであって、その訂正事項ａ及び訂正事項ｃに係る訂正内容は、誤記の訂正を目的とし、また訂正事項ｂに係る訂正内容は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
(2-2)検討
　以下、各訂正事項について検討する。
　前記訂正事項ａ、ｃについては、本件明細書全般及び図面の記載からみて、「電流」及び「電圧」に係る明らかな誤記であり、また訂正事項ｂについては、特許請求の範囲の記載と整合性を保つために訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明にあたるものである。
　以上のとおりであって、前記訂正事項ａ乃至ｃに係る訂正は、誤記の訂正及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項を追加するものではなく、また請求項を追加するなど実質的に特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとも認められない。
(2-3)まとめ
　以上のとおり、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
【３】本件特許発明
　訂正された特許請求の範囲の請求項１乃至５に係る発明は、以下のとおりである。
「【請求項１】セラミック層を挟んで一対の金属層を形成してなるセラミック電子部品に直流電圧を印加し、この直流
電圧
　【請求項２】充電過程で、所定の大きさの漏洩電流が検知されたものも不良品とする請求項１に記載のセラミック電子部品のスクリーニング方法。
　【請求項３】セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサとする請求項１あるいは請求項２に記載のセラミック電子部品のスクリーニング方法。
　【請求項４】異常電流は、1.0×10‐８A以上でかつ半価幅0.005sec以上とする請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のセラミック電子部品のスクリーニング方法。
　【請求項５】所定の大きさの漏洩電流は、1.0×10‐６A以上とする請求項２から請求項４のいずれか一つに記載のセラミック電子部品のスクリーニング方法。」
【４】取消理由通知
　取消理由の概要
　本件特許発明における全請求項［請求項１乃至５］に係る発明について、特許法第２９条第２項違反として、特許異議申立人株式会社村田製作所が提出した甲第１号証乃至甲第３号証に係る刊行物を引用し、概要、以下のような取消理由を通知した。
『＜引用刊行物＞
　(1)刊行物１　「高電圧現象」1990年3月26日森北出版（株）発行.P138〜143（異議申立人株式会社村田製作所提出の甲第１号証）
　(2)刊行物２　特開昭62-124730号公報（異議申立人株式会社村田製作所提出の甲第２号証）
　(3)刊行物３　特開昭57-182182号公報（異議申立人株式会社村田製作所提出の甲第３号証）
　特許請求の範囲の請求項１乃至５に係る発明は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、当該請求項１乃至５に係る発明の特許は、何れも特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。』
【５】当審の判断
（１）刊行物記載の発明
(1-1)取消理由で引用した刊行物１（「高電圧現象」1990年3月26日森北出版（株）発行.P138〜143）には、図面第3.17図、第3.20〜3.21図とこれに係わる記載等を参酌すると、以下のような技術的事項が開示されている。
(i)「3.1.4　放電を伴う破壊
　固体絶縁物の破壊をひきおこす放電には，i)絶縁物中の部分放電，ii)トリーイング，iii)トラッキングがある．
　(1) 絶縁物中の部分放電　　絶縁物に交流電圧を印加して絶縁耐力試験を行うとき，短時間破壊電圧と長時間破壊電圧との間には大きな違いがあり，長時間破壊電圧は短時間破壊電圧の数分の１に低下することがある．第3.12図は超高圧電力ケーブルの絶縁破壊強度と電圧印加時間との関係を示すもので，長時間破壊強度は時間の経過とともに低下しながら一定の電圧に落ちつく傾向がある．この電圧以下では電圧印加の時間を長くしても一般に破壊は起こらない．破壊電圧ー印加時間特性がこのように時間の経過とともに低下して一定値に落ちつく主なる原因は，絶縁物内部における部分放電（partial breakdown）あるいはコロナ（corona）放電である．」（第138頁第1〜17行）
(ii)「ii）部分放電の定量的取扱い　　導体ではさまれた絶縁物中に第3.17図のようにエアギャップが存在するときの等価回路は第3.18図のように示される．
　Ctの端子電圧がある値Vsに達したとき，Coに火花放電が生じたとすればギャップCoの火花電圧Vpは
　　　　　　Ce
　　Vp=ーーーーーーV3　　　　　　(3.62）
　　　　　Co＋Ce
となる．試料Ctに直列に検出回路（抵抗，または抵抗とコンデンサの並列回路）を付し，Ctの印加電圧をしだいに上昇してVsに達すると，Ctとの充電電流による電圧降下に重なって，数多くの急峻なパルスが検出回路に現れるので，Vsは比較的簡単に求めることができる．このVsは部分放電電圧（partial breakdown voltage）あるいはコロナ開始電圧（corona threshold voltage）と呼ぶ．」（第140頁末3行〜第141頁末9行）
(iii)「iii）部分放電の発生ひん度　絶縁物中の内部放電の発生ひん度は印加電圧の波高値V，ギャップの放電開始電圧Vp，残留電圧Vrがわかれば容易に求めることができる．
　第3.20図はエアギャップにかかる電圧の変化を示したもので，最初エアギャップにかかる電圧がエアギャップの火花電圧Vsに達して放電し，一瞬のうちに残留電圧Vrに低下する．しかし電源電圧は上昇中なので、エアギャップにかかる電圧はVrより再び上昇を続けるので，再び放電電圧に達する．エアギャップの電圧はさらに上昇するが，こんどはVsに達しないうちに波高値を過ぎて低下し始める．そしてエアギャップにかかかる電圧が-Vsに達して負放電を生じる．このとき試料にかかっている電圧はまだ正の電圧である．正放電が生じるか，負放電が生じるかは印加電圧の極性によらず，電圧上昇中か下降中かによって決まる．」（第142頁末6行〜第143頁第10行）
　なお、刊行物１には、絶縁物としてセラミックを用いることの明示はない。
(1-2)取消理由で引用した刊行物２（特開昭６２ー１２４７３０号公報）は、以下のような技術的事項が開示されている。
(i)「コンデンサを漏洩電流値規格によって選別する方法において、被測定コンデンサへの電圧印加開始から一定時間後における回路電流値を測定し該測定値から計算により当該コンデンサの漏洩電流値を求めて当該コンデンサの良否判断を行なう事を特徴とするコンデンサの選別方法。」（第1頁左下欄特許請求の範囲）
(ii)「今、時間t = 0において測定開始スイッチ5が閉じられると回路には第2図に示した電流I(t)が流れ始める事になる。
　まず、時間t = t1において回路に流れる電流I(t1)を電流測定器4により測定する。次に、時間t = t2(t1＜t2とする。)において回路に流れる電流I(t2)を電流測定器4により測定した後、測定開始スイッチ5を開き被測定コンデンサへの電圧印加を終了する。」（第2頁左下欄第2〜10行）
(iii)「次に計算で求めた被測定コンデンサの漏洩電流Ilと漏洩電流規格値ILを比較してIL＞Ilの場合は良品として、それ以外は不良品とする。」（第2頁右下欄第4〜7行）
(1-3)取消理由で引用した刊行物３（特開昭５７ー１８２１８２号公報）は、以下のような技術的事項が開示されている。
(i)「常用温度、常用湿度よりも高い雰囲気中において、その使用定格電圧以下の電圧を断続的に印加することを特徴とする積層磁器コンデンサのスクリーニング法。」（第1頁左下欄特許請求の範囲）
(ii)「本発明は、製造段階において発生する欠陥を内在する積層磁器コンデンサを、短時間で発見除去する、いわゆるスクリーニング法に関する。」（第１頁左下欄第10〜12行）
(iii)「このような不良品の発生について種々検討した結果、次のような原因が認識できた。すなわち積層磁器コンデンサの内部電極と、誘電体中に不可避的に存在する塩素イオンとが、これまた誘電体中に不可避的に存在する空隙やクラックあるいは水分を媒体として有機的に結合されるのである。」（第2頁左上欄第2〜7行）
（２）対比・判断
(2-1)請求項１に係る発明について
（対比）
　請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と前記刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１においても「導体ではさまれた絶縁物」（前掲摘記事項(ii)）というものであるから、本件発明における「絶縁物層を挟んで一対の金属層を形成」するものに相当するものと認められ、両者は、以下のとおりの一致点及び相違点を有するものと認められる。
（一致点）
「絶縁物層を挟んで一対の金属層を形成してなる部品に電圧を印加し、この電圧印加後の充電過程で放電現象による異常電流を検知する方法。」
（相違点）
(i)絶縁物層が、本件発明にあっては、セラミックであるのに対し、刊行物１にあっては、セラミックの明示がない点、
(ii)本件発明にあっては、「直流電圧を印加」しているのに対し、刊行物１にあっては、「交流電圧を印加」している点、
(iii)本件発明にあっては、「セラミック電子部品」であって不良品のスクリーニング方法であるのに対し、刊行物１にあっては、「高圧ケーブル」等であって不良品のスクリーニング方法であるとの明示がない点、
（検討）
　前記相違点(i)〜(iii)について、以下に検討する。
　相違点(i)(iii)について併せて検討すると、電子部品の絶縁物としてセラミックを用いることは本件発明の出願時において当業者に周知の技術的事項であり、例えば上記刊行物３においても、電子部品としてのコンデンサにおいて、絶縁物（誘電体）としてセラミックを用いる「磁器コンデンサ」が開示されている。そして、この刊行物３には、さらに磁器コンデンサにおけるセラミック（絶縁物、誘電体）に係わる不良品のスクリーニング方法が開示されている。
　したがって、相違点(i)(iii)に係る本件発明のように構成することは、刊行物３に記載された技術的事項及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易になし得ることと認められる。
　相違点(ii)について、刊行物１の第3.20図における電圧波形の1/4サイクルの範囲においては、交流電圧ではあっても、直流電圧と同じく充電過程となるような電圧の印加としての挙動を示すことは明らかであり、またコンデンサの不良品を検知するための印加電圧として、直流電圧を用いることによりその充電過程における異常電流を検知することも前記刊行物２乃至３にみられるように周知の技術的事項であるから、この相違点(ii)は刊行物１及び刊行物２乃至３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易になし得ることと認められる。
　また、本件発明による作用効果も、当業者が予測し得るものであって格別のものとは認められない。
（特許権者の主張について）
　異常電流の検知について、特許権者は、異議意見書（平成13年11月16日付）において、『刊行物1においては、「放電現象による異常電流を検知」しているのではなく、「異常電圧」を検知しているものであり、電流を検出するとは一切記述されておりません。電圧と電流とは物理量として明確に区別されるべきものであり、本願発明は異常状態を示す際の「電流」を検知することによって不良品判別をしようというものであって、物理現象としてこのような思想は刊行物1からは決して教示されるものでありません。この事項については、確固たる「相違点」として明確に区別の上、判断されるべき内容であることは明白であります。』（異議意見書第4頁第18〜24）旨主張している（なお、当該主張は明確でないものの、その主旨は、本件発明が異常電流を「電流値」として直接的に検知し、刊行物１のものが異常（電流）を「電圧値」として間接的に検知する点で相違するとの主張と推認される。）。
　しかしながら、本件発明は、その請求項１の記載からも明らかなように、「充電過程で放電現象による異常電流が検知されたもの」と規定し、「異常電流」が検知されるものであればよいのであるから、異常電流を「電流値」として直接的に検知することのみを規定したものではなく、直接的な「電流値」の検知に代えて「電圧値」として間接的に検知する構成（さらに、電圧パターン、電流パターンでの検知など）も包含するものであって、この点における特許権者の当該主張は根拠がなく、採用することができない。
　なお、刊行物１においても、前記摘記事項(ii)に記載のように「Ctの印加電圧をしだいに上昇してVsに達すると，Ctとの充電電流による電圧降下に重なって，数多くの急峻なパルスが検出回路に現れる」というものであるから、放電現象による異常電流が検知されるものであることは明らかであり、本件発明の構成である「放電現象による異常電流が検知されたもの」とする点で一致するものである。また、仮に相違するものとしても、例えば前記刊行物２に開示されているように、異常電流の検知手段として「電流値」を直接的に検知することは、当業者が適宜なし得る設計上の事項に過ぎないものと認められる。（なお、特許権者が主張するような、異常電流を「電流値」により検知する点ににおいて、本件発明として格別の技術的意義をもつものとすると、本件の出願当初の明細書の記載における異常電流の検知に関しての具体的構成は、段落番号【0012】に単に「直流電圧下での充電曲線を観測し、充電過程に発生する異常電流（ボイドでの放電現象）を検知し」と記載するのみであって、異常電流の検知に当たって「電流値」として検知することは出願当初の明細書に何ら開示されていない。唯、「電流値」での検知については、段落番号【0013】に「異常電流を検知した後に、漏洩電流値を測定する」、段落番号【0014】に「漏洩電流値を測定する」、段落番号【0029】に「異常電流を検知し、その後漏洩電流値を検知する」との記載が認められるものの、これは何れも「異常電流」を検知した後の「漏洩電流値」の測定・検知に係るものである。）
(2-2)請求項２乃至３に係る発明について
　請求項２乃至３に係る発明は、何れも請求項１（さらに前項所定の請求項）に係る発明を引用してさらに構成（「漏洩電流の検知」及び「積層セラミックコンデンサ」）を付加するものであるが、請求項２乃至３でさらに付加された構成においても刊行物１及び刊行物２乃至３に記載された「漏洩電流の検知」及び「積層磁器コンデンサ」に係わる技術的事項に基づいて当業者が容易になし得ることと認められる。
(2-3)請求項４乃至５に係る発明について
　請求項４乃至５に係る発明は、請求項１（さらに前項所定の請求項）に係る発明を引用するものであって、異常電流及び漏洩電流を特定の数値範囲（「異常電流は、1.0×10‐８A以上でかつ半価幅0.005sec以上」「漏洩電流は、1.0×10‐６A以上」）とする構成を付加するものであるが、スクリーニングにおいて不良品であるとする閾値は、スクリーニングに係わる当該電子部品において種々適宜に定められる設計上の事項であって、例えば刊行物２においても「漏洩電流値規格」により選別することが開示されており、また請求項４乃至５における当該数値範囲は何れも「以上」、すなわち異常電流が大きければ通常は「不良品」であるとする一般的なスクリーニングの仕方を規定するものであるから、請求項４乃至５に係る数値範囲を選定することに格別の技術的意義を有するものとは認められない。さらに、「セラミック電子部品」、「積層セラミックコンデンサ」における異常電流及び漏洩電流としての数値範囲に適用することも、前記した刊行物２乃至３に記載された異常電流或いは漏洩電流等に係わる技術的事項から当業者が適宜になし得るものと認められる。
　したがって、請求項４乃至５でさらに付加された構成においても、刊行物１及び刊行物２乃至３に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易になし得ることと認められる。
（３）まとめ
　以上のとおり、本件請求項１乃至５に係る発明は、取消理由で引用した前記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
【５】まとめ
　以上のとおりであって、本件特許請求の範囲の請求項１乃至５に係る発明は何れも刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、当該請求項１乃至５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、同法第１１３条第１項第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月１８日（２００１．１２．１８）
【訂正の要旨】
（２）訂正の理由
　
誤記
（３）訂正事項（訂正の要旨）
　▲１▼訂正事項ａ
　特許第２９９４９１１号発明の明細書の特許請求の範囲において、請求項１に係る記載の
「この直流電流印加後の充電過程で放電現象による異常電流が検知されたものを不良品とする」
とある
のを、誤記
「この直流電圧印加
後の充電
異常
　▲２▼訂正事項ｂ
　特許第２９９４９１１号発明の明細書の発明の詳細な説明の段落番号【０００９】の第４行目〜第６行目の「この直流電流印加後の充電過程で放電現象による異常電流が検知されたものを不良品とするもの」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、
「この直流電圧印加
後の充電
異常
　▲３▼訂正事項ｃ
　特許第２９９４９１１号発明の明細書に添付した図面の図３を、誤記の訂正を目的として、本訂正請求書に添付した訂正図面の図３の如く訂正する。
（４）請求の原因
　▲１▼上記訂正事項ａについて
　上記訂正事項ａについては、特許第２９９４９１１号発明の明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「直流電流印加後」を「直流電圧印加後」に誤記訂正しようとする
ものである。
　この「直流電圧印加後」という訂正事項は、特許第２９９４９１１号発明の明細書（願書に最初に添付した明細書）の発明の詳細な説明の段落番号【００１９】の『１００Ｖ、２００Ｖ、３００Ｖ、４００Ｖ、５００Ｖの直流電圧を１秒間印加し、印加直後に発生する充電挙動を』なる記載に基づくものであり、この記載より、「直流電流」が「直流電圧」の誤記であることは明白である。
　したがって、この訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし
書き第
　また、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　さらに、訂正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。すなわち、平成１２年９月２２日付けの取消理由通知で引用された刊行物１〜３のいずれにも、「この直流電圧印加
後の
異常電流
　したがって、本件特許発明は上記刊行物１〜３のいずれかに記載された発明であるとも、また、上記刊行物１〜３に記載された各発明から容易に発明をすることができたものとも認められない。
　したがって、上記訂正事項ａは特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項から第４項の規定に適合するものである。
　▲２▼上記訂正事項ｂについて
　上記訂正事項ｂについては、上記訂正事項ａの如く特許請求の範囲を訂正することにより、課題を解決するための手段を明確化する訂正をしようとするものであるから、特許法第１２０条の４第２項第３号に規定する明瞭でない記載の釈明に相当するものである。
　当該訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、また、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　したがって、上記訂正事項ｂは特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項から第４項の規定に適合するものである。
　▲３▼上記訂正事項ｃについて
　上記訂正事項ｃについては、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落番号【００１９】に記載されている図３に関する説明である「図３（ａ）にみられる正常電流を示すが、電圧によっては図３（ｂ）に示す異常電流がみられる。」なる記載、および図面の簡単な説明の図３に関する説明である「第１の実施例における、充電時にみられる正常電流図と、充電時にみられる異常電流図である。」なる記載から、図３における縦軸が、電圧ではなく電流の誤記であることは明らかである。
　したがって、この訂正は特許法第１２０条の４第２項第２号に規定する誤記の訂正に相当するものである。
　当該訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、また、特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもなく、さらに、訂正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　したがって、上記訂正事項ｃは特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項から第４項の規定に適合するものである。
（５４）【発明の名称】
セラミック電子部品のスクリーニング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】セラミック層を挟んで一対の金属層を形成してなるセラミック電子部品に直流電圧を印加し、この直流電
圧
　【請求項２】充電過程で、所定の大きさの漏洩電流が検知されたものも不良品とする請求項１に記載のセラミック電子部品のスクリーニング方法。
　【請求項３】セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサとする請求項１あるいは請求項２に記載のセラミック電子部品のスクリーニング方法。
　【請求項４】異常電流は、１．０×１０−８Ａ以上でかつ半価幅０．００５ｓｅｃ以上とする請求項１から請求項３のいずれか一つに記載のセラミック電子部品のスクリーニング方法。
　【請求項５】所定の大きさの漏洩電流は、１．０×１０−６Ａ以上とする請求項２から請求項４のいずれか一つに記載のセラミック電子部品のスクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、セラミック電子部品のスクリーニング方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来の技術について、積層セラミックコンデンサのスクリーニング方法を例にとって説明する。
　【０００３】
　昨今、電子機器の小型化、高性能化にともなって積層チップコンデンサは小型化、大容量化への要望がますます増大している。
　【０００４】
　従来、積層セラミックコンデンサの電圧印加状態で絶縁抵抗が劣化する試料のスクリーニングは、次のようなステップで行われている。
　【０００５】
　まず積層セラミックコンデンサをキューリー点以上の温度に保った恒温槽中に保持し、積層セラミックコンデンサの外部電極からフッソ樹脂の外皮を施した導線を介して、恒温槽の外にあるスキャニングスイッチに接続する。次に直流電流計を内蔵したデジタル抵抗計を接続する。その後、積層セラミックコンデンサに直流電圧を印加する。直流電圧は、４Ｖ、８Ｖ、１６Ｖ、３２Ｖ、６４Ｖの５種類印加し、印加してからある測定時間（ｔ）までの絶縁抵抗（ＩＲ）の変化を記録する。測定条件は、
　１）測定時間＝０．１乃至３２秒
　２）測定時間比（測定間隔）＝１．４以上
　３）電界強度＝０．１乃至６Ｖ／μｍ
　４）電界強度比＝１．４以上
である。このようにして測定した結果の各直流電圧についてＬｏｇ　ＩＲ‐Ｌｏｇ　ｔの関係で整理する。このとき、電界が増すに従って、絶縁抵抗の対数の経過時間の対数に対する変化率が変化しない又は増大するロットや、あるいは減少するロットが発生する。前者については、寿命の平均値が著しく短く、後者については長い。このことを利用し、ロット間の信頼性を保証している（特開平４−３２４６０８）。
　【０００６】
　また、個々の積層セラミックコンデンサの信頼性を保証する方法としては、出荷前に個々について絶縁抵抗を測定し、ある設定値以下の絶縁抵抗有するものを取り除くことにより保証している。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記の各方法では、依然積層セラミックコンデンサの信頼性に問題があり、又、スクリーニング時間がかかり、作業効率が悪いばかりでなく、スクリーニング精度も悪いといった課題を有している。
　【０００８】
　そこで本発明は、上記従来の課題を考慮し、個々の積層セラミックコンデンサの信頼性を短時間に、精度よく保証することができるスクリーニング方法を提供することを目的とするものである。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　この目的を達成するために、本発明のセラミック電子部品のスクリーニング方法は、セラミック層を挟んで一対の金属層を形成してなるセラミック電子部品に直流電圧を印加し、この直流電
圧
　【００１０】
　【００１１】
　【作用】
　セラミック電子部品において信頼性が劣化する場合、劣化箇所の多くはセラミック層中に存在するボイドである。したがって、セラミック層中のボイドの存在を予め知ることでセラミック電子部品のスクリーニングは可能である。
　【００１２】
　上記方法によるとセラミック層中にボイドを有するものは、セラミック部品に電圧を印加すると充電過程において放電現象により、サージ電流のような異常電流を発生する。この異常電流を検知したものを不良品とすることにより、上記目的を達成することができる。
　【００１３】
　【００１４】
　【００１５】
　【００１６】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
　【００１７】
　（実施例１）
　本実施例は、積層セラミックコンデンサのスクリーニングについて説明する。図１は、本発明の第１の実施例にかかるスクリーニングに用いる回路図である。ここで、１は積層セラミックコンデンサ、２は導線、３は抵抗、４は直流電源、５はオシロスコープ、６はスイッチを示す。
　【００１８】
　本実施例に用いた積層セラミックコンデンサの斜視図を図２に示す。７はパラジウムからなる内部電極、８はチタン酸バリウムを主成分とするセラミック誘電体、９は銀からなる外部電極である。本実施例では、内部電極層は４層からなり、隣接する内部電極間のセラミック誘電体層の厚みは、異なる３種類の試料を用いている。すなわち、５μｍ、１０μｍ、２０μｍである。
　【００１９】
　次に、図１の回路によって行われるスクリーニング手順について説明する。まず図１に示す回路を作製し、上述の３種類の積層セラミックコンデンサについて１００Ｖ、２００Ｖ、３００Ｖ、４００Ｖ、５００Ｖの直流電圧を１秒間印加し、印加直後に発生する充電挙動をオシロスコープ５を用いて読み取る。その時、多くの試料については図３（ａ）にみられる正常電流を示すが、電圧によっては図３（ｂ）に示す異常電流がみられる。異常電流は、１．０×１０−８Ａ以上かつ半価幅０．００５ｓｅｃ以上であることが多い。
　【００２０】
　次に、本実施例の結果の正しさを確認するため、異常電流を示した試料と正常電流を示した試料のそれぞれについての、次に述べるような信頼性試験を行った。（表１）にその結果を示す。
　【００２１】
　【表１】
　【００２２】
　すなわち、図１に示す回路で、各条件で１０００個のスクリーニングを実施した後、信頼性試験を実施した。信頼性試験条件は、８５℃、８５％Ｒ．Ｈ．の雰囲気で６４Ｖ印加である。また１０００時間の試験後、絶縁抵抗を測定し、試験前の絶縁抵抗と比較して絶縁抵抗が１／１０以下に低下したものを信頼性試験による劣化とみなし、劣化数を数えている。
　【００２３】
　（表１）から明らかなように、異常電流が発生した試料の全部が、信頼性試験において劣化しているのに対して、正常電流を示した試料については高寿命であるといえる。但し、５μｍ品において４００Ｖおよび５００Ｖを印加した場合には、正常電流を示したにも関わらず、信頼性試験での劣化が激しい。そこで、試験後、信頼性試験で劣化した試料の内部構造を観察してみると、異常電流が発生した試料の劣化箇所は、内部電極間のセラミック誘電体層に存在するボイドであり、他方、正常電流が発生した試料の劣化箇所は、セラミック層自身の劣化であることが確認された。
　【００２４】
　したがって、直流高電圧下での充電曲線を測定し、充電過程に発生する異常電流を検知することで、信頼性試験でボイドに起因して劣化する試料を除去することができる。さらに、内部電極間のセラミック層自身の劣化の点については、次の第２実施例で述べる。
　【００２５】
　（実施例２）
　図４は、本発明の第２の実施例にかかるスクリーニングに用いる回路図である。ここで、図１と異なるのは、図１の回路に加えて微小電流計１０が接続されている点である。
　【００２６】
　本実施例には、内部電極間のセラミック層の厚みが５μｍの試料を用いている。上記、正常な電流を示したにも関わらず、劣化があった場合である。印加電圧、印加時間の範囲は、第１の実施例と同様である。（表２）は、図４の回路を用いてスクリーニングを行い、異常電流が発生した試料および正常電流が発生した試料の中で、漏洩電流が１．０×１０−６Ａ以上検出された試料と電流が１．０×１０−６Ａ未満の試料に対する試料の信頼性試験結果を示している。
　【００２７】
　【表２】
　【００２８】
　異常電流が発生した試料および漏洩電流が１．０×１０−６Ａ以上検出された試料のすべてが信頼性試験後劣化しているのに対して、漏洩電流が１．０×１０−６Ａ未満の試料については全く劣化していない。従って、漏洩電流を測定する本実施例による結果と、信頼性試験結果とが全く一致し、本実施例の結果が正しいことがわかる。
　【００２９】
　このように積層セラミックコンデンサに直流電圧印加後、充電過程においてボイドの放電現象による異常電流が検知されなかったものでも、漏洩電流値が所定の値より大きいと、高電圧が印加された場合、セラミック誘電体層自身の劣化により絶縁破壊してしまう。従って、ボイドの放電現象による異常電流が検知されなかったものでも、漏洩電流値が所定の値より大きいものを不良品とすることにより、ボイドだけでなく、セラミック誘電体層自身の劣化により絶縁破壊を発生してしまうものも除去することができる。
　【００３０】
　なお、上記実施例は、積層セラミックコンデンサについて示したが、セラミック層を挟んで一対の金属層を形成してなるすべてのセラミック電子部品について、本発明のスクリーニング方法が適用できることは言うまでもない。
　【００３１】
　また、本実施例では抵抗部の両端の電流変化をオシロスコープを用いて検知しているが、この回路を無抵抗電流計で置き換えても同様の測定ができる。
　【００３２】
　また、漏洩電流検知回路１０を使用せず、オシロスコープ５のみて、抵抗３を流れる漏洩電流を検知することもできる。この場合は、オシロスコープ５が、漏洩電流検知回路を兼ねている場合である。
　【００３３】
　【発明の効果】
　以上、本発明によるとセラミック層中にボイドを有するものは、セラミック部品に電圧を印加すると充電過程において放電現象により、サージ電流のような異常電流を発生する。従って、この異常電流を検知したものを不良品とすることにより、個々のセラミック電子部品について確実に、短時間でスクリーニングでき、セラミック部品の生産性において優れた効果を実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施例にかかるスクリーニングに用いる回路図である。
　【図２】
　積層セラミックコンデンサの斜視図である。
　【図３】
　第１の実施例における、充電時にみられる正常電流図と、充電時にみられる異常電流図である。
　【図４】
　本発明の第２の実施例にかかるスクリーニングに用いる回路図である。
　【符号の説明】
１　セラミック電子部品
２　導線
３　抵抗
４　直流電源
５　オシロスコープ
６　スイッチ
７　微小電流計