(57)【要約】  スペーサ形成用フィルム１は、半導体ウエハーと透明基板との間に複数の空隙部を形成するためのスペーサを形成するのに用いられ、所定の形状に切り抜いて使用されるスペーサ形成用フィルムであり、シート状の支持基材１１と、支持基材１１上に設けられ、接着性を有するスペーサ形成層１２とを有し、スペーサ形成層１２は、アルカリ可溶性樹脂と熱硬化性樹脂と光重合開始剤とを含む材料で構成され、スペーサ形成層１２は、スペーサ形成層１２の接着面の縁部が切り抜き時の切り抜き線１１１と交わることなく、かつ、切り抜き線１１１よりも内側に形成されていることを特徴とする。
2010103903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハーの片面側に空隙部を形成するためのスペーサを形成するのに用いられ、所定の形状に切り抜いて使用されるスペーサ形成用フィルムであって、
シート状の支持基材と、
前記支持基材上に設けられ、接着性を有するスペーサ形成層とを有し、
前記スペーサ形成層は、アルカリ可溶性樹脂と、熱硬化性樹脂と、光重合開始剤とを含む材料で構成され、
前記スペーサ形成層は、該スペーサ形成層の縁部が、前記切り抜き時の切り抜き線と交わることなく、かつ、前記切り抜き線よりも内側に形成されていることを特徴とするスペーサ形成用フィルム。
【請求項２】
前記スペーサ形成層の平面形状は、直径Ｘとする略円形状をなし、
前記切り抜き線は、直径Ｙで、かつ、前記スペーサ形成層の縁部がなす円と同心的に配置された略円形状をなし、
前記直径Ｘと前記直径Ｙとは、０．８０≦Ｘ／Ｙ＜１．００の関係を満足する請求項１に記載のスペーサ形成用フィルム。
【請求項３】
前記切り抜き線は、略円形状をなし、
前記切り抜き線がなす円の直径をＹ［ｃｍ］、前記スペーサ形成層が接着される前記半導体ウエハーの直径をＺ［ｃｍ］としたとき、０．８５≦Ｙ／Ｚ≦１．１５の関係を満足する請求項１または２に記載のスペーサ形成用フィルム。
【請求項４】
前記スペーサ形成層の平面形状は、直径Ｘとする略円形状をなし、前記スペーサ形成層が接着される前記半導体ウエハーの直径をＺ［ｃｍ］としたとき、０．８０≦Ｘ／Ｚ＜１．００の関係を満足する請求項１ないし３のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルム。
【請求項５】
前記スペーサ形成層の縁部と前記切り抜き線とが最も接近した位置における、前記スペーサ形成層の縁部と前記切り抜き線との距離は、１０〜２００００μｍである請求項１ないし４のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルム。
【請求項６】
前記スペーサ形成層の平均厚さが、１０〜３００μｍである請求項１ないし５のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルム。
【請求項７】
前記スペーサ形成層を構成する材料は、光重合性樹脂を含む請求項１ないし６のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルム。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルムを前記切り抜き線で切り抜いた前記スペーサ形成用フィルムが貼着されたことを特徴とする半導体ウエハー。
【請求項９】
請求項８の半導体ウエハーを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スペーサ形成用フィルム、半導体ウエハーおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳセンサーやＣＣＤセンサー等に代表される半導体装置であって、受光部を備えた半導体基板と、半導体基板上に設けられたスペーサと、該スペーサを介して半導体基板に接合された透明基板とを有する半導体装置が知られている。【０００３】
近年、このような半導体装置の製造において、半導体装置の生産性の向上を目的として、上記のようなスペーサの形成に、感光性フィルム（スペーサ形成用フィルム）を用いる試みが行われている（例えば、特許文献１参照）。この感光性フィルムは、半導体ウエハー等に接着され、露光、現像によりパターンを形成した後、ガラス等の透明基板と圧着できるよう構成されている。【０００４】
このような感光性フィルムは、シート基材と、接着層（スペーサ形成層）とを備えており、通常、シート基材の全面に接着層（スペーサ形成層）が設けられている。半導体装置の製造において、この感光性フィルムは、半導体ウエハー等の大きさと同等の大きさに切り抜かれた後、当該切り抜いた感光性フィルムを半導体ウエハー等に接着して用いられる。【０００５】
しかしながら、従来の感光フィルムは、シート基材の全面に接着層が設けられているため、上記のようにフィルムを切り抜く際に、切り抜きに用いた刃に接着層の一部が付着してしまうといった問題があった。そして、この付着物が次の感光フィルムを切り抜く際に、当該感光フィルムの縁部近傍に付着し、半導体ウエハーと感光体フィルムとをラミネートする際に、感光体フィルムの表面に付着してしまっていた。この表面についた付着物は、接着層を露光する際に露光を阻害する要因となり、その結果、十分な精度でパターンニングできなくなり、半導体装置の生産性が低下してしまうといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３２３０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、露光時のパターンニング性に優れるとともに、切り抜く際の刃にスペーサ形成層の一部が付着しづらく、半導体装置の生産性に優れたスペーサ形成用フィルムを提供すること、半導体装置の生産性に優れた半導体ウエハーおよびそのような半導体ウエハーを用いて製造された半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（９）に記載の本発明により達成される。
（１）  半導体ウエハーの片面側に空隙部を形成するためのスペーサを形成するのに用いられ、所定の形状に切り抜いて使用されるスペーサ形成用フィルムであって、
シート状の支持基材と、
前記支持基材上に設けられ、接着性を有するスペーサ形成層とを有し、
前記スペーサ形成層は、アルカリ可溶性樹脂と、熱硬化性樹脂と、光重合開始剤とを含む材料で構成され、
前記スペーサ形成層は、該スペーサ形成層の縁部が、前記切り抜き時の切り抜き線と交わることなく、かつ、前記切り抜き線よりも内側に形成されていることを特徴とするスペーサ形成用フィルム。【０００９】
（２）  前記スペーサ形成層の平面形状は、直径Ｘとする略円形状をなし、
前記切り抜き線は、直径Ｙで、かつ、前記スペーサ形成層の縁部がなす円と同心的に配置された略円形状をなし
前記直径Ｘと前記直径Ｙとは、０．８０≦Ｘ／Ｙ＜１．００の関係を満足する上記（１）に記載のスペーサ形成用フィルム。【００１０】
（３）  前記切り抜き線は、略円形状をなし、
前記切り抜き線がなす円の直径をＹ［ｃｍ］、前記スペーサ形成層が接着される前記半導体ウエハーの直径をＺ［ｃｍ］としたとき、０．８５≦Ｙ／Ｚ≦１．１５の関係を満足する上記（１）または（２）に記載のスペーサ形成用フィルム。【００１１】
（４）  前記スペーサ形成層の平面形状は、直径Ｘとする略円形状をなし、前記スペーサ形成層が接着される前記半導体ウエハーの直径をＺ［ｃｍ］としたとき、０．８０≦Ｘ／Ｚ＜１．００の関係を満足する上記（１）ないし（３）のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルム。【００１２】
（５）  前記スペーサ形成層の縁部と前記切り抜き線とが最も接近した位置における、前記スペーサ形成層の縁部と前記切り抜き線との距離は、１０〜２００００μｍである上記（１）ないし（４）のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルム。【００１３】
（６）  前記スペーサ形成層の平均厚さが、１０〜３００μｍである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルム。【００１４】
（７）  前記スペーサ形成層を構成する材料は、光重合性樹脂を含む上記（１）ないし（６）のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルム。【００１５】
（８）  上記（１）ないし（７）のいずれかに記載のスペーサ形成用フィルムを前記切り抜き線で切り抜いた前記スペーサ形成用フィルムが貼着されたことを特徴とする半導体ウエハー。【００１６】
（９）  上記（８）の半導体ウエハーを用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のスペーサ形成用フィルムの好適な実施形態を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明のスペーサ形成用フィルムの好適な実施形態を示す平面図である。
【図４】図４は、半導体装置の製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】図５は、半導体装置の製造過程で得られる接合体の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明について詳細に説明する。
＜半導体装置＞
まず、本発明のスペーサ形成用フィルムの説明に先立ち、本発明のスペーサ形成用フィルムを用いて製造される半導体装置について説明する。
【００１９】
図１は、本実施形態に係る半導体装置（受光装置）の一例を示す断面図である。
図１に示すように、半導体装置（受光装置）１００は、ベース基板１０１と、透明基板１０２と、受光素子で構成される受光部１０３と、受光部１０３を取り囲むように形成されたスペーサ１０４とを有する。
【００２０】
ベース基板１０１は、半導体基板であり、このベース基板１０１上には、例えば、マイクロレンズアレイ（図示せず）が形成されている。
【００２１】
透明基板１０２は、ベース基板１０１に対向配置されており、ベース基板１０１の平面寸法と略同じ平面寸法となっている。透明基板１０２は、例えば、アクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ガラス基板等である。
【００２２】
スペーサ１０４は、ベース基板１０１上のマイクロレンズアレイと透明基板１０２上とに直接接着されており、ベース基板１０１および透明基板１０２を接着するものである。そして、このスペーサ１０４は、ベース基板１０１と透明基板１０２との間に空隙部１０５を形成している。
【００２３】
このスペーサ１０４は、ベース基板１０１のマイクロレンズアレイの中心部を取り囲むように配置されており、マイクロレンズアレイのうち、スペーサ１０４に取り囲まれた部分が受光部１０３として機能する。
【００２４】
受光部１０３の下面、すなわち、ベース基板１０１には、図示しない光電変換部が形成されており、受光部１０３で受光した光が電気信号に変換されることとなる。
【００２５】
また、受光部１０３には、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）といった受光素子が形成されている。
【００２６】
なお、本発明のスペーサ形成用フィルムを用いて製造される半導体装置は、上述したような受光装置に限定されず、例えば、圧力センサー、加速度センサー、プリンターヘッド、光スキャナ、流路モジュール等にも適用することができる。
【００２７】
＜スペーサ形成用フィルム＞
次に、本発明のスペーサ形成用フィルムの好適な実施形態について説明する。
本発明のスペーサ形成用フィルムは、上述したような半導体装置の製造において、上記スペーサを形成するのに用いられるものである。また、本発明のスペーサ形成用フィルムは、上述したような半導体装置の製造において、任意の形状に切り抜かれ、その後、半導体ウエハーの片面に貼着されて使用されるものである。
【００２８】
以下、本発明のスペーサ形成用フィルムの好適な実施形態について説明する。
図２は、本発明のスペーサ形成用フィルムの好適な実施形態を示す断面図、図３は、本発明のスペーサ形成用フィルムの好適な実施形態を示す平面図である。
【００２９】
図２に示すように、スペーサ形成用フィルム１は、支持基材１１と、支持基材１１上に設けられたスペーサ形成層１２とを有している。また、スペーサ形成用フィルム１は、図２に示すような切り抜き線１１１で切り抜かれて、上述したような半導体装置１００の製造に供される。
【００３０】
支持基材１１は、シート状の基材で、スペーサ形成層１２を支持する機能を備えている。
この支持基材１１は、光透過性を有する材料で構成されているのが好ましい。このように光透過性を有する材料で構成されていることにより、後述するような半導体装置の製造において、支持基材１１を介してスペーサ形成層１２の露光を行うことができる。これにより、半導体装置の製造において、スペーサ形成層１２に不本意に塵等が付着するのを効果的に防止しつつ、スペーサ形成層１２を確実に露光することができる。また、露光する際に使用するマスクが、スペーサ形成層１２に付着することを防止できる。
【００３１】
このような支持基材１１を構成する材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）等が挙げられる。これらの中でも、光透過性と破断強度のバランスに優れる点で、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いるのが好ましい。
【００３２】
スペーサ形成層１２は、半導体ウエハーや後述する透明基板の表面に対し接着性を有し、半導体ウエハーや後述する透明基板に接着される層である。なお、半導体ウエハーは、一般に、略円形状をなしており、半導体ウエハーの方向性を示すための、オリフラまたはノッチと呼ばれる切り欠きを有している。
【００３３】
本実施形態において、スペーサ形成層１２の平面形状は、図３に示すように、略円形状をなしている。
【００３４】
ところで、従来のスペーサ形成用フィルムでは、支持基材の全面にスペーサ形成層が設けられているため、半導体装置の製造において、フィルムを切り抜く際に、切り抜きに用いる刃にスペーサ形成層の一部が付着してしまっていた。そして、この付着物が次のスペーサ形成用フィルムを切り抜く際に、当該スペーサ形成用フィルムの縁部近傍に付着し、その後、半導体ウエハーとスペーサ形成用フィルムとを貼り合わせる際に、スペーサ形成用フィルムの表面に付着してしまっていた。そして、この付着物が接着層を露光する際に露光を阻害する要因となり、その結果、十分な精度でパターンニングできなくなり、半導体装置の生産性が低下してしまうといった問題があった。
【００３５】
これに対して、本発明のスペーサ形成用フィルムでは、スペーサ形成層の縁部が切り抜く際の切り抜き線と交わることなく、かつ、切り抜き線よりも内側に形成されている。このような構成とすることにより、切り抜き時に、切り抜きに用いる刃にスペーサ形成層の一部が付着するのを防止することができる。その結果、連続して半導体装置を製造する際に、スペーサ形成用フィルムの表面に上記付着物が付着するのを防止することができ、露光時のパターンニング性を優れたものとすることができる。また、半導体装置の生産性を向上させることができる。なお、切り抜き線とは、切り抜き予定線、いわゆる、仮想線であって、閉じた形状に切断すべき切断線のことをいう。
【００３６】
本実施形態では、図３に示すように、切り抜き線１１１が、スペーサ形成層の縁部を取り囲むよう設定されている。言い換えると、切り抜き線１１１は略円形状をなしており、切り抜き線で構成された円と、スペーサ形成層１２の縁部で構成された円とは、同心的に配置されており、スペーサ形成層１２の縁部で構成された円の直径は、切り抜き線で構成された円の直径よりも小さいものとなっている。
【００３７】
スペーサ形成層１２の縁部がなす円と切り抜き線で構成された円とは、具体的には、スペーサ形成層１２の縁部がなす円の直径をＸ［ｃｍ］、切り抜き線１１１で構成された円の直径をＹ［ｃｍ］としたとき、０．８００≦Ｘ／Ｙ＜１．０００の関係を満足するのが好ましく、０．８５０≦Ｘ／Ｙ＜１．０００の関係を満足するのがより好ましい。このような関係を満足することにより、切り抜きに用いる刃にスペーサ形成層１２の一部が付着するのをより確実に防止することができる。その結果、露光時のパターンニング性をより優れたものとすることができ、半導体装置の生産性をより高いものとすることができる。
【００３８】
また、切り抜き線１１１で構成される円の直径をＹ［ｃｍ］、スペーサ形成層１２が接着される半導体ウエハーの直径をＺ［ｃｍ］としたとき、０．８５≦Ｙ／Ｚ≦１．１５の関係を満足するのが好ましく、０．９０≦Ｙ／Ｚ≦１．１０の関係を満足するのがより好ましい。Ｙ／Ｚが前記下限値未満であると、半導体ウエハーに貼着されるスペーサ形成層１２の面積が小さくなり、半導体ウエハーを半導体装置の製造に十分有効に利用することができない場合がある。一方、Ｙ／Ｚが前記上限値を超えると、半導体ウエハーとスペーサ形成用フィルム１とを貼り合わせた際に、半導体ウエハーとスペーサ形成用フィルム１との間から、スペーサ形成層１２がはみ出してしまい、半導体装置の歩留まりが低下する場合がある。
【００３９】
さらに、スペーサ形成層１２の縁部がなす円の直径をＸ［ｃｍ］、スペーサ形成層１２が接着される半導体ウエハーの直径をＺ［ｃｍ］としたとき、０．８０≦Ｘ／Ｚ≦１．００の関係を満足するのが好ましく、０．８５≦Ｘ／Ｚ≦１．００の関係を満足するのがより好ましい。Ｘ／Ｚが前記下限値未満であると、半導体ウエハーに貼着されるスペーサ形成層１２の面積が小さくなり、半導体ウエハーを半導体装置の製造に十分有効に利用することができない場合がある。一方、Ｘ／Ｚが前記上限値を超えると、半導体ウエハーと透明基板を貼り合わせた際に、スペーサ形成層１２が半導体ウエハーあるいは透明基板の貼り合わせた反対側の面に這い上がり、半導体装置（受光装置）の信頼性を低下させる場合がある。
【００４０】
また、スペーサ形成層１２は、水銀ランプで全波長の光を露光し、その積算露光量が、ｉ線（３６５ｎｍ）の光で７００ｍＪ／ｃｍ２になるように露光した後の８０℃おける弾性率が１００ＭＰａ以上であることが好ましく、特に５００〜３００００ＭＰａが好ましい。下限値未満であると、半導体ウエハ（ベース基板）と透明基板とを貼り付ける際の形状保持性が低下してしまう場合がある。また、上限値を超えると、露光・現像後に半導体ウエハ（ベース基板）と透明基板の貼り付けが困難となる場合がある。
【００４１】
また、このようなスペーサ形成層１２は、次の要件を満足することが好ましい。すなわち、下記条件（１）〜（３）で測定したときのスペーサ形成層１２の弾性率が５００Ｐａ以上であることが好ましく１，０００Ｐａ以上であることがより好ましく、５，０００Ｐａ以上であることがさらに好ましい。弾性率が上記範囲内であると、半導体装置のスペーサの形状保持性を特に優れたものとすることができる。前記弾性率の上限は、特に限定されないが、２００,０００Ｐａ以下であることが好ましく、特に１５０,０００Ｐａ以下であることが好ましい。弾性率の上限が前記範囲を超えると応力緩和が十分にされず、半導体装置の信頼性が低下する場合がある。
【００４２】
（１）樹脂スペーサ用フィルムの厚さ：１００μｍ
（２）７００（ｍＪ／ｃｍ２）で紫外線を照射後の樹脂スペーサ用フィルム
（３）測定温度：１３０℃
ここで、前記弾性率は、例えば、動的粘弾性測定装置Ｒｈｅｏ Ｓｔｒｅｓｓ ＲＳ１５０（ＨＡＡＫＥ社製）で評価することができる。具体的には、２５０ｍｍ×２００ｍｍサイズのポリエステルフィルム上に膜厚５０μｍのスペーサ形成層１２を形成した後、３０ｍｍ×３０ｍｍサイズに切断したサンプルを３枚用意する。前記各サンプルに、水銀ランプを用いて光照射して、スペーサ形成層１２を光硬化する。露光量は、波長３６５ｎｍの光で７００ｍＪ／ｃｍ２とする。次に、ポリエステルフィルムから光硬化したスペーサ形成層１２を剥離して、３枚重ねて上述の動的粘弾性測定装置にセットする。ここで、サンプルをセットするコーンプレート間の間隙を１００μｍとした（上述の樹脂層を３枚重ねて、プレート間を押圧して１００μｍとした）。測定条件は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分にて、温度範囲を室温〜２５０℃とした。
【００４３】
ここで、前記弾性率は、透明基板を圧着する温度での弾性率を評価することが好ましく、それは一般に８０〜１８０℃の温度範囲である。そこで、前記温度範囲の平均値である１３０℃で測定した弾性率が前記範囲内であると、樹脂スペーサの形状保持性に優れることを見出した。
【００４４】
また、スペーサ形成層１２の厚さを１００μｍとした理由は、本来であれば用いられるスペーサ形成層１２の厚さと同じ厚さで評価することが好ましいが、スペーサ形成層１２の厚さが薄い場合、弾性率の結果の安定性が不十分となる場合があるため、１００μｍに統一して弾性率を評価した。
【００４５】
なお、実際のスペーサ形成層１２の厚さで得られる弾性率と、上述の１００μｍの厚さとしたスペーサ形成層１２の弾性率とは、実質的に同じになる。
【００４６】
また、７００（ｍＪ／ｃｍ２）で紫外線を照射する理由は、スペーサ形成層１２を十分に光硬化させるためである。なお、スペーサ形成層１２の厚さが変わる場合には、適宜露光量を調整する。
【００４７】
また、スペーサ形成層１２の平均厚さは、１０〜３００μｍであるのが好ましく、１５〜２５０μｍであるのがより好ましい。これにより、半導体ウエハーと透明基板との間の空隙部の大きさを十分なものとしつつ、形成される半導体装置の厚みを十分に薄いものとすることができる。
【００４８】
上述したようなスペーサ形成層１２は、光硬化性、アルカリ現像性および熱硬化性を備えた層であり、アルカリ可溶性樹脂と、熱硬化性樹脂と、光重合開始剤とを含む材料（樹脂組成物）で構成されている。
以下、スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物について詳細に説明する。
【００４９】
（アルカリ可溶性樹脂）
スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物は、アルカリ可溶性樹脂を含んでいる。これにより、スペーサ形成層１２は、アルカリ現像性を有するものとなる。
【００５０】
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル変性ビスＡノボラック樹脂等の（メタ）アクリル変性ノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルフェノール、ポリα−メチルビニルフェノールなどが挙げられ、中でもアルカリ可溶性ノボラック樹脂が好ましく、（メタ）アクリル変性ノボラック樹脂が特に好ましい。これにより、スペーサ形成層１２の現像の際に、現像液に有機溶剤ではなく、環境に対する負荷の少ないアルカリ水溶液を適用できると共に、耐熱性を維持することができる。
【００５１】
アルカリ可溶性樹脂の含有量は、特に限定されないが、スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物全体の５０〜９５重量％が好ましい。アルカリ可溶性樹脂の含有量が前記下限値未満であると、樹脂組成物中の他の樹脂との相溶性が低下してしまう場合がある。また、アルカリ可溶性樹脂の含有量が前記上限値を超えると、現像性または解像性が低下する場合がある。
【００５２】
（熱硬化性樹脂）
スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物は、熱硬化性樹脂を含んでいる。これにより、これにより、スペーサ形成層１２は、露光、現像した後でも接着性を有するものとなる。すなわち、スペーサ形成層１２と半導体ウエハーとを接合して、露光、現像した後、透明基板をスペーサ形成層１２に熱圧着することができる。
【００５３】
熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂等のフェノール樹脂、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂、ユリア（尿素）樹脂、メラミン樹脂等のトリアジン環を有する樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ベンゾオキサジン環を有する樹脂、シアネートエステル樹脂、エポキシ変性シロキサン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、特に、エポキシ樹脂を用いるのが好ましい。これにより、耐熱性および透明基板との密着性をより向上することができる。
【００５４】
また、エポキシ樹脂として、室温で固形のエポキシ樹脂（特にビスフェノール型エポキシ樹脂）と、室温で液状のエポキシ樹脂（特に室温で液状のシリコーン変性エポキシ樹脂）とを併用することが好ましい。これにより、耐熱性を維持しつつ、可撓性と解像性との両方に優れるスペーサ形成層１２とすることができる。
【００５５】
熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されないが、スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物全体の１０〜４０重量％であるのが好ましく、１５〜３５重量％であるのがより好ましい。熱硬化性樹脂の含有量が前記下限値未満であると、耐熱性を向上する効果が低下する場合がある。また、熱硬化性樹脂の含有量が前記上限値を超えると、スペーサ形成層１２の靭性を向上する効果が低下する場合がある。
【００５６】
また、熱硬化性樹脂には、上述したようなエポキシ樹脂の他に、フェノールノボラック樹脂をさらに含んでいるのが好ましい。フェノールノボラック樹脂を添加することにより、現像性を向上させることができる。また、エポキシ樹脂とフェノールノボラック樹脂とを両方含ませることにより、エポキシ樹脂の熱硬化性が向上し、形成されるスペーサの強度をさらに向上させることができる。
【００５７】
（光重合開始剤）
スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物は、光重合開始剤を含んでいる。これにより、光重合によりスペーサ形成層１２を効率良くパターニングすることができる。
【００５８】
光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾインメチルエーテル、ベンジルフィニルサルファイド、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、ベンジルジメチルケタール等が挙げられる。
【００５９】
光重合開始剤の含有量は、特に限定されないが、スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物全体の０．５〜５重量％であるのが好ましく、０．８〜３．０重量％であるのがより好ましい。光重合開始剤の含有量が下限値未満であると、光重合開始する効果が十分に得られない場合がある。また、光重合開始剤の含有量が前記上限値を超えると、反応性が高くなり、保存性や解像性が低下する場合がある。
【００６０】
（その他の成分）
スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物は、上記成分の他、光重合性樹脂を含んでいてもよい。
【００６１】
光重合性樹脂としては、例えば、アクリル系多官能モノマーが用いられる。本明細書中において、多官能モノマーとは、３官能以上を有するモノマーをいい、本発明では、特に３官能または４官能のアクリル酸エステル化合物を好適に用いることができる。２官能以下のモノマーでは、含有量によっては、形成されるスペーサ１０４の強度を十分なものとすることができない場合があり、半導体装置１００の形状を十分に保持することができない場合がある。
【００６２】
具体的には、アクリル系多官能モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、等の三官能（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート等の四官能（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等の六官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの中でも、特に、三官能（メタ）アクリレートまたは四官能（メタ）アクリレートを用いるのが好ましい。これにより、露光後のスペーサ形成層１２の強度をより優れたものとすることができ、半導体ウエハーと透明基板を貼り合せる際の形状保持性をより高いものとすることができる。
【００６３】
スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物がアクリル系多官能モノマーを含む場合、その含有量は、樹脂組成物全体の１〜５０重量％であるのが好ましく、５％〜２５重量％であるのがより好ましい。これにより、露光後のスペーサ形成層１２の強度をより効果的に向上させることができ、半導体ウエハーと透明基板を貼り合せる際の形状保持性をより効果的に向上することができる。
【００６４】
また、光重合性樹脂は、エポキシビニルエステル樹脂を含んでいてもよい。これにより、露光時には、多官能モノマーとラジカル重合するため、形成されるスペーサ１０４の強度をより効果的に高めることができる。また、現像時には、アルカリ現像液に対する溶解性を向上するため、現像後の残渣を低減することができる。
【００６５】
エポキシビニルエステル樹脂としては、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレート、エポライト４０Ｅメタクリル付加物、エポライト７０Ｐアクリル酸付加物、エポライト２００Ｐアクリル酸付加物、エポライト８０ＭＦアクリル酸付加物、エポライト３００２メタクリル酸付加物、エポライト３００２アクリル酸付加物、エポライト１６００アクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルメタクリル酸付加物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、エポライト２００Ｅアクリル酸付加物、エポライト４００Ｅアクリル酸付加物等が挙げられる。
【００６６】
スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物中にエポキシビニルエステル樹脂を含む場合、その含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体の３〜３０重量％であるのが好ましく、５％〜１５重量％であるのがより好ましい。これにより、貼り付け後、半導体ウエハーおよび透明基板の各表面に残存する異物をより効果的に低減させることができる。
【００６７】
なお、スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物中には、無機充填材を含有させてもよいが、樹脂組成物全体の９重量％以下とするのが好ましい。無機充填材の含有量が前記上限値を超えると、現像後に半導体ウエハー上に無機充填材に起因する異物が付着したり、アンダーカットが発生してしまう場合がある。上述したような樹脂成分を含む場合、無機充填材は含んでいなくてもよい。
【００６８】
無機充填材としては、例えば、アルミナ繊維、ガラス繊維等の繊維状充填材、チタン酸カリウム、ウォラストナイト、アルミニウムボレート、針状水酸化マグネシウム、ウィスカー等の針状充填材、タルク、マイカ、セリサイト、ガラスフレーク、鱗片状黒鉛、板状炭酸カルシウム等の板状充填材、炭酸カルシウム、シリカ、溶融シリカ、焼成クレー、未焼成クレー等の球状（粒状）充填材、ゼオライト、シリカゲル等の多孔質充填材等が挙げられる。これらを１種又は２種以上混合して用いることもできる。これらの中でも、多孔質充填材を用いるのが好ましい。
【００６９】
無機充填材の平均粒子径は、特に限定されないが、０．０１〜９０μｍが好ましく、特に０．１〜４０μｍが好ましい。平均粒子径が前記上限値を超えると、スペーサ形成用フィルム１の外観異常や解像性不良となる場合がある。また、平均粒子径が前記下限値未満であると、加熱貼り付け時の接着不良となる場合がある。平均粒子径は、例えばレーザ回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−７０００（（株）島津製作所製）を用いて評価することができる。
【００７０】
無機充填材としては、多孔質充填材を用いてもよい。無機充填材として、多孔質充填材を用いた場合、前記多孔質充填材の平均空孔径は、０．１〜５ｎｍが好ましく、特に０．３〜１ｎｍが好ましい。
【００７１】
スペーサ形成層１２を構成する樹脂組成物は、上述した成分に加え、本発明の目的を損なわない範囲で可塑性樹脂、レベリング剤、消泡剤、カップリング剤等の添加剤を含有することができる。
【００７２】
このようなスペーサ形成用フィルム１は、例えば、支持基材１１上の全面に、上述した樹脂組成物で構成された塗膜を形成し、その後、設定した切り抜き線よりも内側のスペーサ形成層１２となるべき部位を切り抜き、当該部位以外を除去することにより形成してもよいし、支持基材１１の設定した切り抜き線よりも内側に上述した樹脂組成物を塗工することにより形成してもよい。
【００７３】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、上述したような半導体装置の製造方法の好適な実施形態について、添付図を参照しつつ説明する。
【００７４】
図４は、半導体装置の製造方法の一例を示す工程図、図５は、半導体装置の製造過程で得られる接合体の平面図である。
【００７５】
まず、上述したような本発明に係るスペーサ形成用フィルム１を用意し、スペーサ形成用フィルム１を、図３に示すような切り抜き線１１１に沿って、切り抜き用ロールを用いて切り抜く（切り抜き工程）。上述したように、スペーサ形成層１２は、スペーサ形成層１２の縁部が切り抜き線１１１と交わることなく、切り抜き線１１１よりも内側に形成されている。このため、切り抜き用カッターの刃にスペーサ形成層１２の一部が付着することがないので、連続して他のスペーサ形成用フィルム１を切り抜く際に、スペーサ形成用フィルム１の表面にスペーサ形成層１２の一部が付着することはない。
【００７６】
一方、機能面上に複数の受光部１０３およびマイクロレンズアレイ（図示せず）を形成した半導体ウエハー１０１’を用意する（図４（ａ）参照）。
【００７７】
次に、図４（ｂ）に示すように、半導体ウエハー１０１’の機能面と切り抜いたスペーサ形成用フィルム１のスペーサ形成層１２（接着面）とを貼り合わせる（ラミネート工程）。これにより、切り抜き線で切り抜かれたスペーサ形成用フィルム１が貼着された半導体ウエハー１０１’（本発明の半導体ウエハー）が得られる。
【００７８】
次に、スペーサ形成層１２に光（紫外線）を照射し、露光する（露光工程）。
この際、図４（ｃ）に示すように、マスク２０を用いて、スペーサとなるべき部位に選択的に光を照射する。これにより、スペーサ形成層１２のうち、光が照射された部分が光硬化する。
【００７９】
また、スペーサ形成層１２の露光は、図４（ｃ）に示すように、支持基材１１を介して行う。これにより、スペーサ形成層１２に不本意に塵等が付着するのを効果的に防止しつつ、スペーサ形成層１２を確実に露光することができる。また、露光する際にマスク２０が、スペーサ形成層１２に付着することを防止できる。
【００８０】
次に、支持基材１１を除去した後、図４（ｄ）に示すように、スペーサ形成層１２をアルカリ水溶液を用いて現像することにより、スペーサ形成層１２のうち、未硬化の部分が除去され、光硬化した部位がスペーサ１０４’として残存する（現像工程）。言い換えると、半導体ウエハーと透明基板との間の複数の空隙部となる部位１０５’が形成される。
【００８１】
次に、図４（ｅ）に示すように、形成されたスペーサ１０４’の上面と透明基板１０２’とを貼り合わせた後、熱圧着する（熱圧着工程）。これにより、半導体ウエハー１０１’と透明基板１０２’とが接合され、半導体ウエハー１０１’と透明基板１０２’との間に複数の空隙部１０５を備えた接合体１０００が得られる（図５参照）。
【００８２】
熱圧着は、８０〜１８０℃の温度範囲内で行うのが好ましい。これにより、形成されるスペーサ１０４の形状を良好なものとすることができる。
【００８３】
その後、得られた接合体１０００を受光部単位に応じて分割する（ダイシング工程、図４（ｆ）参照）。具体的には、まず、半導体ウエハー１０１’側からダイシングソーにより、切り込み２１を入れる。次に、切り込み２１の内壁面および半導体ウエハー１０１’の透明基板１０２’とは反対側の面を覆うように、スパッタリング等により金属膜（図示せず）を形成する。その後、透明基板１０２’側からもダイシングソーにより切り込み２１を入れ、接合体１０００を受光部単位に応じて分割する。
以上の工程により、図１に示す半導体装置１００を得ることができる。
【００８４】
得られた半導体装置１００は、例えば、配線がパターンニングされた基板上に、当該配線とベース基板１０１の裏面の金属膜（図示せず）とが半田バンプを介して電気的に接続されるように搭載される。
【００８５】
以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８６】
例えば、前述した実施形態では、スペーサ形成用フィルムが、支持基材とスペーサ形成層とを有するものとして説明したが、これに限定されない。例えば、本発明のスペーサ形成用フィルムには、スペーサ形成層の接着面を保護するための保護フィルムを設けてもよい。この保護フィルムとしては、破断強度、可撓性等に優れ、接着面との剥離性が良好な材質であれば何でもよく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）が挙げられる。なお、保護フィルムは、不透明な材質から形成されていてもよい。
【００８７】
また、前述した実施形態では、切り抜き線のなす形状およびスペーサ形成層の接着面の縁部がなす形状が円形のものとして説明したが、本発明は、これに限定されない。このような場合、スペーサ形成層の接着面の縁部と切り抜き線とが最も接近した位置における、スペーサ形成層の接着面の縁部と切り抜き線１１１との距離は、１０〜２００００μｍであるのが好ましく、１００〜１００００μｍであるのがより好ましい。これにより、切り抜きに用いる刃にスペーサ形成層の一部が付着するのをより確実に防止することができる。その結果、半導体装置の生産性をより高いものとすることができる。
【００８８】
また、前述した実施形態では、半導体装置の製造において、支持基材を介して、スペーサ形成層を露光するものとして説明したが、支持基材を除去した後に露光するものであってもよい。
【実施例】
【００８９】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。【００９０】
［１］スペーサ形成用フィルムの製造
（実施例１）
１．アルカリ可溶性樹脂（（メタ）アクリル変性ビスＡノボラック樹脂）の合成
ノボラック型ビスフェノールＡ樹脂（フェノライトＬＦ−４８７１、大日本インキ化学（株）製）の固形分６０％ＭＥＫ（メチルエチルケトン）溶液５００ｇを、２Ｌフラスコ中に投入し、これに触媒としてトリブチルアミン１．５ｇ、および重合禁止剤としてハイドロキノン０．１５ｇを添加し、１００℃に加温した。その中へ、グリシジルメタクリレート１８０．９ｇを３０分間で滴下し、１００℃で５時間攪拌反応させることにより、固形分７４％のメタクリロイル変性ノボラック型ビスフェノールＡ樹脂ＭＰＮ００１（メタクリロイル変性率５０％）を得た。【００９１】
２．スペーサ形成層を構成する樹脂組成物の樹脂ワニスの調製
光重合性樹脂として、トリメチロールプロパントリメタクリレート（共栄社化学（株）製、ライトエステルＴＭＰ）１５重量％、エポキシビニルエステル樹脂（共栄社化学（株）製、エポキシエステル３００２メタクリル酸付加物）５重量％、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂として、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＥＯＣＮ−１０２０−７０）５重量％、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、Ｅｐ−１００１）１０重量％、シリコーンエポキシ樹脂（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製、ＢＹ１６−１１５）５重量％、フェノールノボラック樹脂（住友ベークライト（株）、ＰＲ５３６４７）３重量％、アルカリ可溶性樹脂として上記（メタ）アクリル変性ビスＡノボラック樹脂を固形分として５５重量％、光重合開始剤（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ（株）製、イルガキュア６５１）２重量％を秤量し、ディスパーザーを用い、回転数３０００ｒｐｍで１時間攪拌し、樹脂ワニスを調製した。【００９２】
３．スペーサ形成用フィルムの製造
まず、支持基材ポリエステルフィルム（三菱樹脂社製、ＭＲＸ５０、厚さ５０μｍ）を用意した。【００９３】
次に、支持基材としてのポリエステルフィルム上に、上記で調整した樹脂ワニスをコンマコーター（康井精機社製、型番：ＭＦＧ  Ｎｏ．１９４００１  ｔｙｐｅ３−２９３）で塗布することにより、樹脂ワニスで構成される塗膜を支持基材全面に形成した。【００９４】
次に、支持基材上に、直径を２０ｃｍの円形状をなす切り抜き線を設定し、ダイカットシステム（富士商工（株）社製、型番：ＤＬ−５００Ｗ）で、塗膜の平面視の形状が直径１８ｃｍの円形で、切り抜き線で構成される円と同心的となるようにプリカットした。その後、スペーサ形成層の切り抜き線で構成される円と同心的となるようにカットした内側の部分を残し、外側部分を、プリカットタイプのスペーサ形成層フィルムを得た。得られたスペーサ形成用フィルムは、スペーサ形成層の平均厚さが５０μｍで、スペーサ形成層の接着面の縁部のなす円の直径が１８ｃｍであった。【００９５】
（実施例２〜５）
設定した切り抜き線で構成される円の直径、および、スペーサ形成層の接着面の縁部のなす円の直径が、表１に示す値となるように調整した以外は、前記実施例１と同様にしてスペーサ形成用フィルムを製造した。【００９６】
（実施例６、７）
スペーサ形成層を構成する樹脂組成物の各成分の配合比を表１に示すように変更した以外は、前記実施例５と同様にしてスペーサ形成用フィルムを製造した。【００９７】
（比較例）
プリカットをしなかった以外は、前記実施例１と同様にしてスペーサ形成用フィルムを製造した。【００９８】
各実施例および比較例における、スペーサ形成層の樹脂組成物の成分の種類および配合量、切り抜き線の直径、スペーサ形成層の接着面の縁部のなす円の直径等を表１に示した。なお、表中、メタクリロイル変性ノボラック型ビスフェノールＡ樹脂を「ＭＰＮ」、トリメチロールプロパントリメタクリレートを「ＴＭＰ」、エポキシビニルエステル樹脂を「３００２」、クレゾール型ノボラック型エポキシ樹脂を「ＥＯＣＮ」、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂を「Ｅｐ」、シリコーンエポキシ樹脂を「ＢＹ１６」、フェノールノボラック樹脂を「ＰＲ」と示した。【００９９】
【表１】
2010103903.tif 000003
【０１００】
［２］スペーサ形成用フィルムの評価
［２−１］露光によるパターニング性の評価
各実施例毎に、スペーサ形成用フィルムを、表１に示すサイズの通り連続して切り抜き、プリカット品を５０枚を積層したスペーサ形成用フィルム得た。【０１０１】
次に、各実施例で得られたスペーサ形成用フィルムのプリカット品を用い、８インチ半導体ウエハー（ベース基板）（ＳＵＭＣＯ（株）社製、品番：ＰＷ、直径：２０．３ｃｍ、厚み：７２５μｍ）に、スペーサ形成用フィルムのプリカット品をロールラミネーター（ロール温度：６０℃、速度：０．３ｍ／分、シリンジ圧：２．０ｋｇｆ／ｃｍ２）の条件でラミネートし、スペーサ形成用フィルム付き半導体ウエハーを連続的に５０枚作製した。【０１０２】
また、比較例で得られたスペーサ形成用フィルムを、プリカットおよび半導体ウエハーへのラミネートが連続的に実施できる全自動ドライレジストフィルム貼り機（（株）タカトリ社製、品番：ＴＥＡＭ−１００ＲＦ）を用い、スペーサ形成用フィルム付き半導体ウエハーを連続的に５０枚作製した。【０１０３】
次に、マスクを介して、各実施例および比較例で５０番目にラミネートしたスペーサ形成用フィルム付き８インチ半導体ウエハーに、波長３６５ｎｍの光を７００ｍＪ／ｃｍ２照射して露光し、その後、支持基材を引き剥がした。【０１０４】
次に、２．３８％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）を用いて、現像液圧：０．３ＭＰａ、時間：９０秒現像を行い、スペーサと、５ｍｍ角、幅０．６ｍｍの形状の空隙部となる部位を形成した。【０１０５】
各実施例および比較例で得られたスペーサの形状を電子顕微鏡（×５，０００倍）で観察し、露光によるパターンニング性を以下の評価基準に従い評価した。
◎：スペーサに欠け、厚くなっている部分等が全くなく、高い精度でパターンニングされていた。
○：スペーサにわずかに欠け、厚くなっている部分等が見られるが、実用上問題のないパターンニング性を示した。
△：スペーサに欠け、厚くなっている部分等が多く、十分なパターンニング性を示すものではなかった。
×：スペーサが形成されていない部分があり、パターンニング性の精度が低かった。【０１０６】
［２−２］現像性の評価
上記［２−１］で得られた、スペーサと空隙部となる部位とを備えた半導体ウエハーの、スペーサおよび空隙部となる部位を電子顕微鏡（×５，０００倍）で観察し、残渣の有無を以下の評価基準に従い評価した。
◎：残渣が全く確認されず、実用上全く問題ない。
○：残渣が若干確認できるが、実用上問題ないレベルである。
△：残渣が比較的多く観察され、実用レベルではない。
×：残渣が多数確認され、実用レベルではない。
これらの結果を表２に示した。【０１０７】
［３］半導体装置（受光装置）の製造
上記［２−１］で各実施例および比較例の１枚目に切り抜いたスペーサ形成用フィルムを用いて形成された、スペーサと空隙部となる部位とを備えた半導体ウエハーと、８インチ透明基板とを、サブストレート・ボンダ（ズース・マイクロテック（株）製、ＳＢ８ｅ）にセットし、８インチ半導体ウエハーと８インチ透明基板の圧着を行い、さらに、１５０℃、９０分の条件でポストキュアを行い、半導体ウエハーと透明基板との間に複数の空隙部を有する接合体を得た。得られた接合体を、ダイシングソーを用い、所定の大きさにダイシングし、受光装置を得た。【０１０８】
（受光装置信頼性）
得られた受光装置を、−５５℃で１時間、１２５℃で１時間処理するサイクルを繰り返す温度サイクル試験を１００サイクル行い（ｎ＝１０）、クラックおよび剥離の観察を実施し、以下の評価基準に従い評価した。
◎：全サンプルクラックおよび剥離がなく、実用上全く問題なし。
○：僅かなクラックおよび剥離が２個以下のサンプルで確認されるが、実用上問題なし。
△：３個以上のサンプルでクラックおよび剥離が観察され、実用レベルではない。
×：８個以上のサンプルでクラックおよび剥離が観察され、実用レベルではない。
この結果を、表２に合わせて示した。【０１０９】
【表２】
2010103903.tif 000004
【０１１０】
表２から明らかなように、本発明のスペーサ形成用フィルムでは、パターニング性が低下せず、半導体装置の生産性に優れたものであった。【０１１１】
これに対して、比較例のスペーサ形成用フィルムでは、連続して切り抜いているので切り抜きに用いるカッターの刃にスペーサ形成層の一部が付着してしまい、その付着物が次に切り抜くスペーサ形成層に付着してしまうため、露光によるパターンニング性の精度が十分ではなかった。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明によれば、露光時のパターンニング性に優れ、半導体装置の生産性に優れたスペーサ形成用フィルムを得ることができる。また、半導体装置の生産性に優れた半導体ウエハーおよびそのような半導体ウエハーを用いて製造された半導体装置を提供することができる。従って、産業上の利用可能性を有する。
【図１】
2010103903.tif 000005
【図２】
2010103903.tif 000006
【図３】
2010103903.tif 000007
【図４】
2010103903.tif 000008
【図５】
2010103903.tif 000009
【国際調査報告】
2010103903.tif 000010
2010103903.tif 000011