【事件の表示】
　特願２０１７−２３６９７５「複合基板」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　６月１４日出願公開、特開２０１８−　９３４９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１３年１２月２５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１２年１２月２６日，米国）を国際出願日とする特願２０１４−５５４４９４号の一部を，平成２９年１２月１１日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年１０月３０日付け：　拒絶理由通知書
　平成３０年１２月２１日：　　　意見書の提出
　平成３１年　３月２６日付け：　拒絶査定
　令和　元年　６月２５日：　　　拒絶査定不服審判の請求
　令和　２年　２月２７日付け：　拒絶理由通知書
　令和　２年　４月１０日：　　　意見書，手続補正書の提出
第２　本願発明
　令和２年４月１０日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりのものである。
　「支持基板と，
　前記支持基板に接合された圧電基板と，
　前記圧電基板の表面に形成されたダメージ層と，を備えた直径４インチの複合基板であって，
　前記圧電基板の厚みは，３μｍ以下で，その厚みの最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下であり，
　前記圧電基板は，Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示し，
　前記ダメージ層の厚みは，３〜１０ｎｍである，
　複合基板。」
第３　拒絶の理由
　１　当審が通知した令和２年２月２７日付けの拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）のうちの理由１の概要は，次のとおりである。
　（進歩性）請求項１−４に係る発明は，本願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献１：特開平９−２０８３９９号公報
　２　また，当審拒絶理由のうちの理由４の概要は，次のとおりである。
　（実施可能要件）この出願は，発明の詳細な説明の記載が，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　請求項１には，「前記圧電基板の厚みは，３μｍ以下で，その厚みの最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下であり」と記載されており，請求項３にも同様の記載がある。
　しかしながら，発明の詳細な説明は，上記のように特定される数値の厚みを有する「圧電基板」を実施することができる程度に記載されているとは認められない。
第４　引用文献の記載，引用発明
　１　引用文献１の記載
（１）当審拒絶理由で引用された引用文献１（特開平９−２０８３９９号公報）には，図面とともに，以下の記載がある（下線は当審による。以下同様。）。
　ア　「【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の圧電基体は，基板となる非圧電性単結晶や圧電性単結晶の単結晶基板上へ所望の圧電性単結晶板を積層する工程において，従来のように圧電性単結晶薄膜を気相や液相状態から基板の単結晶上で結晶成長せしめることにより成膜し，積層するのではなく，固相反応を利用する工程，すなわち，例えば超精密研磨加工により接合面を光学研磨仕上げを施した後に，単結晶基板と圧電性単結晶板とを貼り合わせ高温下で接合せしめるものである。そして，積層した圧電性単結晶板に対して無歪み超精密平坦化加工を行い，薄膜化することで，積層型の高品質な単結晶の圧電基体を得ることができる。
【００１５】本発明によれば，単結晶基板に圧電性単結晶板をバルク状態で固相反応を利用して接合するので，互いの接合面はその平坦度が平均線粗さでλ／１０以下とするような超精密研磨加工を施しているため，完全に近いオプティカル・コンタクトが実現される。
【００１６】したがって，これを加熱処理を行うことで理想的な接合が得られる。また，接合する圧電性単結晶の熱膨張率や格子サイズを接合面の欠陥密度を最小限に抑制でき，これにより高品質な積層が可能となる。さらに，
接合後，所定の厚さまで圧電性単結晶の薄膜化を行うが，この場合，約10μmまでは高精度平面研削，その後約３μmまではＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing)によりミクロ平坦化を行い，さらに薄膜化が必要な場合は，ＰＡＣＥ(Plasma Assisted ChemicalPolishing)によるサブミクロン平坦化を行うことで，極めて加工変質層の少ない薄膜加工が可能なため，バージン結晶の結晶品質がほとんど損なわれることなく，高品質な圧電膜が得られる。
【００１７】
そして，このような圧電基体に弾性表面波を励振させる電極を形成した弾性表面波装置によれば，従来の弾性表面波装置より温度係数，伝搬速度，電気機械結合係数などの特性の優れたものを得ることができる。
　イ　「【００１８】
【実施例】以下に本発明に係る具体的な実施例について説明する。
〔
実施例１
【００１９】その後，
ＬｉＮｂＯ３単結晶の表面を高精度平面研削盤で厚さが約10μmになるまで研削した。そして，さらにＣＭＰ装置を用いて平均線粗さが約5μmになるまで平坦化し，ＬｉＮｂＯ３の薄膜化を行って圧電基体Ｓ１を完成させた。
【００２０】
得られたＬｉＮｂＯ３薄膜２の結晶性を調べるために，Ｘ線ロッキングカーブを測定した結果，この膜はバルクのＬｉＮｂＯ３単結晶ウエハと同じ7arc secであり，結晶性も良好であった。
　ウ　「【００２４】〔
実施例３
水晶基板４を実施例１と同様な薄膜化を行い，最終的に厚み約３μmとして圧電基体Ｓ２を完成させた。
　エ　「【００２６】
〔実施例４〕図３に示すように，10mmサイズで厚み約450μm，で平均線粗さが10ｎｍのＳＴカットの水晶基板５と128°回転ＹカットのＬｉＮｂＯ3単結晶基板を用意した。これを室温下で貼り合わせた後，実施例３と同様にＬｉＮｂＯ3単結晶基板の薄膜化を行い，最終的にはＰＡＣＥ装置にて0.5μmまで超薄膜化を行った。
【００２７】
このようにして得られた圧電基体Ｓ３のＬｉＮｂＯ3薄膜６の表面に，弾性表面波を励振させる通常のすだれ状電極を形成し弾性表面波装置を作製した
（２）上記（１）の記載について，以下のことがいえる。
　ア　段落【００２６】，【００２７】に記載されている「実施例４」は，１０ｍｍサイズで平均線粗さが１０ｎｍの水晶基板と，ＬｉＮｂＯ３単結晶基板とを貼り合わせた後，「実施例３」と同様にＬｉＮｂＯ３単結晶基板の薄膜化を行い，最終的にＰＡＣＥ装置にて０．５μｍまで超薄膜化を行って得られる圧電基体であるところ，段落【００１６】の記載によれば，ＰＡＣＥ装置にて超薄膜化を行うことはＰＡＣＥによるサブミクロン平坦化を行うことであり，その結果，極めて加工変質層が少なく，バージン結晶の結晶品質がほとんど損なわれることがない圧電基体が得られるものである。
　イ　「実施例３」について段落【００２４】に「水晶基板４を実施例１と同様な薄膜化を行い」と記載されていることから，「実施例４」における「実施例３」と同様のＬｉＮｂＯ３単結晶基板の薄膜化は，「実施例１」について段落【００１９】に記載されているとおり，「高精度平面研削盤」により「研削」し，さらに「ＣＭＰ装置」を用いて「平坦化」することにより行われるものである。
　２　引用発明
　上記１（１）及び（２）の「実施例４」に着目すると，引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「１０ｍｍサイズで平均線粗さが１０ｎｍの水晶基板と，ＬｉＮｂＯ３単結晶基板とを貼り合わせた後，ＬｉＮｂＯ３単結晶基板を，高精度平面研削盤により研削し，さらにＣＭＰ装置を用いて平坦化することにより薄膜化を行い，最終的にＰＡＣＥ装置にて０．５μｍまで超薄膜化を行って得られる，ＰＡＣＥによるサブミクロン平坦化を行うことで，極めて加工変質層が少なく，バージン結晶の結晶品質がほとんど損なわれることがない，圧電基体。」
第５　当審の判断
　１　本願発明の進歩性（当審拒絶理由の理由１）について
（１）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　ア　引用発明の「水晶基板」，「貼り合わせ」ること，「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」，「圧電基体」，は，それぞれ本願発明の「支持基板」，「接合された」こと，「圧電基板」，「複合基板」に相当する。
　イ　引用発明において，ＬｉＮｂＯ３単結晶基板の薄膜化の工程でその表面にダメージが生じ得ることは，技術上必然のことであって，引用発明の「加工変質層」は本願発明の「ダメージ層」に相当する。
　ウ　引用発明の「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」の「超薄膜化」を「０．５μｍまで」行うことは，その厚みが「０．５μｍ」であることであって，本願発明の「圧電基板の厚み」が「３μｍ以下」であることに含まれる。
　エ　以上のことから，本願発明と引用発明とは，
　「支持基板と，
　前記支持基板に接合された圧電基板と，
　前記圧電基板の表面に形成されたダメージ層と，を備えた複合基板であって，
　前記圧電基板の厚みは，３μｍ以下である，
複合基板。」
である点で一致する。
　オ　また，両者は以下の点で相違する。
　（相違点１）「複合基板」が，本願発明は「直径４インチ」のものであるのに対し，引用発明は「水晶基板」に関して「１０ｍｍサイズ」であるものの，「圧電基体」のサイズの特定はない点。
　（相違点２）本願発明では，「前記圧電基体の厚み」の「最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下」であるのに対し，引用発明では，「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」の厚みがどの程度均一であるかの特定がない点。
　（相違点３）本願発明では，「圧電基体」の「結晶性」が「Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下」であるのに対し，引用発明では，「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」の結晶性の程度についての特定がない点。
　（相違点４）本願発明では，「ダメージ層の厚み」が「３〜１０ｎｍ」であるのに対し，引用発明の「加工変質層」の厚みの特定がない点。
（２）判断
　各相違点について，以下，検討する。
　審査基準第III部第２章第４節「6.2 進歩性の判断」によれば，「実験的に数値範囲を最適化又は好適化することは，通常，当業者の通常の創作能力の発揮といえる」ため，「請求項に数値限定を用いて発明を特定しようとする記載がある場合において，主引用発明との相違点がその数値限定のみにあるときは，通常，その請求項に係る発明は進歩性を有していない」とされているが，限定された数値の範囲内において，引用発明と比較して，当業者が予測できない際だって優れた効果が生じている場合，すなわち有利な効果が顕著性を有している場合には進歩性を有していると判断される。つまり，「請求項に係る発明と主引用発明との相違が数値限定の有無のみで，課題が共通する場合は，いわゆる数値限定の臨界的意義として，有利な効果の顕著性が認められるためには，その数値限定の内と外のそれぞれの効果について，量的に顕著な差異がなければならない」とされている。
　ア　相違点１
　
　本願発明において，「複合基板」が「直径４インチの複合基板」であるとは，複合基板のサイズを数値で表したものである。
　相違点１は，複合基板のサイズの数値限定の有無のみの相違であるから，上記（２）の冒頭に記載した審査基準第III部第２章第４節「6.2 進歩性の判断」に基づいて検討を行う。
　本願明細書において，複合基板のサイズを４インチと異なるサイズとした場合については記載されていないため，「基板のサイズ」を「４インチ」とするか，「４インチでないサイズ」とするかで，得られる効果に顕著な差異が生じると理解することができないから，本願発明の上記数値範囲には臨界的意義がない。
　本願発明は引用発明における「圧電基体のサイズ」を好適化したにすぎず，具体的に，４インチの圧電基体とすることは，当業者が適宜になし得たものである。
　イ　相違点２
　本願発明において，「前記圧電基板の厚み」の「最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下」であるとは，圧電基板の厚みの均一性を数値範囲で表したものである。
　相違点２は，圧電基板の厚みの数値限定の有無のみの相違であるから，上記（２）の冒頭に記載した審査基準第III部第２章第４節「6.2 進歩性の判断」に基づいて検討を行う。
（ア）本願明細書には，以下の記載がある（下線は当審による。以下同様。）。
　「【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＣＶＤ，スマートカットの両者とも非常に均一な厚みを持つ薄膜を得られるが，それぞれ次のような問題点がある。
１）ＣＶＤ
・結晶性が非常に悪い。
・結晶軸の方向が限定される。
２）スマートカット
・イオン注入によるダメージが十分に回復できず，結晶欠陥が残る。
【０００５】
上記二つの手法のほかに，圧電膜を薄く削る方法も試してみたが，研磨途中で割れが生じたり，膜厚が均一にならないなどの問題点があった。
【０００６】
本発明はこのような問題を鑑みてなされたもので，結晶性が高く，任意の結晶軸を持つ，均一な厚みの圧電単結晶薄膜を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の複合基板の製法は，
（ａ）圧電基板と支持基板とを接合してなる直径４インチ以上の貼り合わせ基板の圧電基板側を，前記圧電基板の厚みが３μｍ以下になるまで鏡面研磨する工程と，
（ｂ）前記鏡面研磨した圧電基板の厚み分布のデータを作成する工程と，
（ｃ）前記厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で加工を行うことにより，前記圧電基板の厚みが３μｍ以下，その厚みの最大値と最小値の差が全平面で６０ｎｍ以下，Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示す複合基板を得る工程と，
を含むものである。
【０００８】
この製法によれば，ＣＶＤやスマートカットの問題点が解消され，結晶性が高く，任意の結晶軸を持つ，均一な厚みの圧電単結晶薄膜を得ることができる。
　上記記載によれば，本願発明の解決しようとする課題には，均一な厚みの圧電単結晶薄膜を得ることが含まれており，「厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で加工を行う」等の工程を含む特定の製法によって上記課題が解決されて，「圧電基板の厚みが３μｍ以下，その厚みの最大値と最小値の差が全平面で６０ｎｍ以下」が達成されることが理解できる。
　したがって，本願発明において「前記圧電基板の厚み」の「最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下」であるとは，均一な厚みの圧電単結晶薄膜を得るとの課題に対応する，達成すべき圧電基板の厚みの均一性を数値範囲で表したものである。
　一方，本願明細書には，圧電基板の厚みに関する具体的なデータは記載されておらず，「前記圧電基板の厚み」の「前記圧電基板の全平面」での「最大値と最小値の差」の境界値「６０ｎｍ」の内と外で，得られる効果に顕著な差異が生じると理解することができないから，本願発明の上記数値範囲には臨界的意義がない。
（イ）引用発明は，「１０ｍｍサイズで平均線粗さが１０ｎｍの水晶基板」に「貼り合わせた」，「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」を，「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板を高精度平面研削盤により研削した後にＣＭＰ装置を用いて平坦化することにより薄膜化を行い，最終的にＰＡＣＥ装置にて０．５μｍまで超薄膜化を行って得られる」ものであって，「ＰＡＣＥによるサブミクロン平坦化を行う」ものであるから，表面粗さが極めて小さく平坦度が高い「水晶基板」上において，「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」を「サブミクロン平坦化」したものである。
　ここで，「水晶基板」の平坦度が高くても，「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」の厚みが均一でなければ「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」は平坦化できないことから，引用発明は「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」の厚みを均一化すべき課題を有するものであり，当該課題は本願発明の上記（ア）の課題と共通しているといえる。
（ウ）上記（ア），（イ）によれば，相違点２に係る本願発明の数値範囲に関して，本願発明と引用発明とは圧電基板の厚みを均一化すべきとの課題が共通している一方，当該数値範囲には臨界的意義がないから，本願発明は引用発明における「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」の厚みの均一性を好適化したにすぎず，具体的に，ＬｉＮｂＯ３単結晶基板の厚みを，最大値と最小値の差が前記基板の全平面で６０ｎｍ以下とすることは，当業者が適宜になし得たものである。
　ウ　相違点３
　本願発明において，「前記圧電基板は，Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示」すとは，圧電基板が示す結晶性を数値範囲で表したものである。
　相違点３は，圧電基板が示す結晶性の数値限定の有無のみの相違であるから，上記（２）の冒頭に記載した審査基準第III部第２章第４節「6.2 進歩性の判断」に基づいて検討を行う。
（ア）本願明細書の上記イ（ア）の記載によれば，本願発明の解決しようとする課題には，結晶性が高い圧電単結晶薄膜を得ることが含まれており，「厚み分布のデータに基づいてイオンビーム加工機で加工を行う」等の工程を含む特定の製法によって上記課題が解決されて，「Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性」が達成されることが理解できる。
　したがって，本願発明において「前記圧電基板は，Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下の結晶性を示」すとは，結晶性が高い圧電単結晶薄膜を得るとの課題に対応する，達成すべき結晶性を数値範囲で表したものである。
　一方，本願明細書には，圧電基板の結晶性に関する具体的なデータは記載されておらず，「前記圧電基板」が示す「Ｘ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅」の境界値「１００ａｒｃｓｅｃ」の内と外で，得られる効果に顕著な差異が生じると理解することができないから，本願発明の上記数値範囲には臨界的意義がない。
（イ）上記第４の１（２）イのとおり，引用文献１に記載されている「実施例４」のＬｉＮｂＯ３単結晶基板の薄膜化は，「実施例１」と同様に高精度平面研削盤により研削し，さらにＣＭＰ装置を用いて平坦化するものであるところ，引用文献１には，「実施例１」について，「得られたＬｉＮｂＯ３薄膜２の結晶性を調べるために，Ｘ線ロッキングカーブを測定した結果，この膜はバルクのＬｉＮｂＯ３単結晶ウエハと同じ7arc secであり，結晶性も良好であった。」（段落【００１９】）と記載されているから，引用発明は「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」の結晶性を良好なものとすべき課題を有するものであり，「バージン結晶の結晶品質がほとんど損なわれることがない」ことは当該課題に対応していることが明らかであって，本願発明の上記（ア）の課題と共通しているといえる。
（ウ）上記（ア），（イ）によれば，相違点３に係る本願発明の数値範囲に関して，本願発明と引用発明とは圧電基板の結晶性を良好なものとすべきとの課題が共通している一方，当該数値範囲には臨界的意義がないから，当該数値範囲は結晶性の程度を好適化したにすぎず，具体的に，ＬｉＮｂＯ３単結晶基板の結晶性がＸ線回折により得られるロッキングカーブの半値幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下とすることは，当業者が適宜になし得たものである。
　エ　相違点４
　本願発明における，「ダメージ層の厚みは，３〜１０ｎｍである」とは，ダメージ層の厚みについて数値範囲で表したものである。
　相違点４は，ダメージ層の厚みの数値限定の有無のみの相違であるから，上記（２）の冒頭に記載した審査基準第III部第２章第４節「6.2 進歩性の判断」に基づいて検討を行う。
（ア）本願明細書には，以下の記載がある。
　「【００３２】
実施例１と実施例２の圧電基板の表面付近の断面をＴＥＭで観察したところ，それぞれの表面にダメージ層が見受けられた。図１は実施例１の断面写真，図２は実施例２の断面写真である。
実施例１のダメージ層（表面の黒い層）の厚みは１０ｎｍ，実施例２のダメージ層の厚みは３ｎｍであった。このことから，ＤＣ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機の方が，プラズマ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機に比べて，表面へのダメージが少ないことが分かった。
【００３３】
ダメージ層の素子特性への影響を推し量るため，実施例１，２の複合基板の圧電基板上にＳＡＷ共振器の電極を作成した。電極ピッチは４μｍとした。約９３０ＭＨｚの中心周波数を持つ共振器特性は，通常の圧電基板上に作成された共振器との間で差異は見られなかった。すなわち，厚み１０ｎｍ程度のダメージ層は特性に影響を与えないことが分かった。」
　本願明細書の上記記載によれば，本願発明の解決しようとする課題には，圧電基板のダメージ層の厚みを，ＳＡＷ共振器の特性に影響しない程度に小さくすることが含まれており，ダメージ層の厚みが，ＤＣ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機による加工工程を経た「実施例１」では「３ｎｍ」である一方，プラズマ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機による加工工程を経た「実施例２」では「１０ｎｍ」であるものの，その程度ではＳＡＷ共振器の特性に影響がなく，「実施例１」，「実施例２」のいずれにおいても上記課題が解決されることが理解できる。
　したがって，本願発明において「ダメージ層の厚みは，３〜１０ｎｍである」とは，圧電基板のダメージ層の厚みを，ＳＡＷ共振器の特性に影響しない程度に小さくするとの課題に対応する，許容される圧電基板のダメージ層の厚みを数値範囲で表したものである。
　一方，本願明細書には，ダメージ層の厚みとＳＡＷ共振器の特性との関係についての詳細なデータは記載されておらず，「ダメージ層の厚み」が「３〜１０ｎｍ」の範囲内であるか否かで，得られる効果に顕著な差異が生じると理解することができないから，本願発明の上記数値範囲には臨界的意義がない。
（イ）引用発明は，「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」が「極めて加工変質層が少なく」された「圧電基体」であるところ，引用文献１には，「このような圧電基体に弾性表面波を励振させる電極を形成した弾性表面波装置によれば，従来の弾性表面波装置より温度係数，伝搬速度，電気機械結合係数などの特性の優れたものを得ることができる」（段落【００１７】）と記載されているから，引用発明は，「加工変質層」すなわちダメージ層を特性の優れた弾性表面波装置が得られる程度に小さくすべき課題を有するものである。
　そして，ＳＡＷ共振器は弾性表面波装置の一種であるから，上記課題は本願発明の上記（ア）の課題と共通しているといえる。
（ウ）上記（ア），（イ）によれば，相違点４に係る本願発明の数値範囲に関して，本願発明と引用発明とは，特性の優れたＳＡＷ共振器等の弾性表面波装置が得られる範囲で，圧電基板のダメージ層を小さくすべきとの課題が共通している一方，当該数値範囲には臨界的意義がないから，当該数値範囲は，許容されるダメージ層の厚みを好適化したにすぎず，加工変質層の厚みを３〜１０ｎｍとすることは，当業者が適宜になし得たものである。
（３）そして，本願発明の作用効果は，引用発明から当業者が予測できる程度のものである。
（４）請求人の主張について
　請求人は，意見書において，「被加工物を平坦化加工する場合，被加工物が大判化するに従って平坦化が困難になること（平坦度を示す指標が悪化し易くなること）」という技術常識に基づけば，引用文献１記載の発明は１０ｍｍサイズであるため，それを直径４インチ（１０１．６ｍｍ）サイズに大判化した場合，ＰＡＣＥによってサブミクロン平坦化を行おうとしても，１０ｍｍサイズと同様の平坦化が困難であることは，当業者にとって自明であるから，引用文献１記載の発明の１０ｍｍサイズを直径４インチサイズに大判化して１０ｍｍサイズと同様の平坦化を得ることは，当業者といえども容易に想到し得ないことである旨，主張する。
　引用発明の「圧電基体」のサイズを直径４インチとした場合，「圧電基体」を「水晶基板」と同じ「１０ｍｍサイズ」とする場合よりも平坦化が困難になると考えられることは，請求人の指摘するとおりであるが，本願発明は「困難な平坦化」を克服するための製造方法の工夫については記載されておらず，「圧電基板がどの程度平坦であるか」という数値範囲の好適化にすぎない。
　上記（２）イ（イ）のとおり，引用発明は「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」の厚みを均一化すべき課題を有するものであるから，所望の程度まで均一化するためにＰＡＣＥ等による平坦化の加工精度を確保して，「最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下」の「ＬｉＮｂＯ３単結晶基板」を得ることは，審査基準第III部第２章第２節「3.1.2 動機付け以外に進歩性が否定される方向に働く要素」の「(1) 設計変更等」に「(ii)一定の課題を解決するための数値範囲の最適化又は好適化」が例示されているように，当業者が適宜なし得ることである。
　よって，請求人の上記主張は採用できない。
　２　実施可能要件（当審拒絶理由の理由４）について
（１）上記第２のとおり，請求項１には「前記圧電基板の厚みは，３μｍ以下で，その厚みの最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下であり」と記載されているところ，発明の詳細な説明は，上記のように特定される数値の厚みを有する「圧電基板」を実施することができる程度に記載されているか，検討する。
（２）発明の詳細な説明には，「厚みの最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下である」圧電基板を得る加工工程に関して，以下の記載がある。
　ア　「レーザーの干渉を用いた光学式膜厚測定器で圧電基板の厚みを測定したところ，その厚みは０．８μｍを中心として圧電基板の全面で±０．１μｍの範囲に収まっていた。測定点は，圧電基板の面取りがされた端部を除く全平面で合計８０点とした。」（段落【００２５】）
　イ　「このようにして得られた貼り合わせ基板を，プラズマ励起型Ａｒビーム源を備えたイオンビーム加工機にセットした。次いで，前述した光学式膜厚測定器で測定した圧電基板の厚みデータをイオンビーム加工機にインポートして，圧電基板の各測定点における加工量，ここではＡｒビームの照射時間を決定した。ビームの照射時間は，貼り合わせ基板の送り速度によって調整した。そして，貼り合わせ基板の送り速度を変化させながら，圧電基板の全面に出力一定のＡｒビームを照射した。」（段落【００２６】）
　ウ　「加工後の貼り合わせ基板（本実施例の複合基板）の圧電基板の厚みを再度測定したところ，中心膜厚が０．７６μｍで厚みの最大値と最小値の差は全面で２４ｎｍであった。」（段落【００２７】）
（３）上記（２）の記載によれば，「レーザーの干渉を用いた光学式膜厚測定器」による「圧電基板の面取りがされた端部を除く全平面で合計８０点」の測定値が，「イオンビーム加工機」による加工前に，「０．８μｍを中心として圧電基板の全面で±０．１μｍの範囲に収まっていた」ところ，加工後において，「圧電基板の厚みを再度測定」した測定値が「中心膜厚が０．７６μｍで厚みの最大値と最小値の差は全面で２４ｎｍ」となったことが理解できる。
（４）ここで，「圧電基板の面取りがされた端部を除く全平面で合計８０点」の「測定点」に関して「０．８μｍを中心として圧電基板の全面で±０．１μｍの範囲に収まっていた」とは，「８０点」存在する圧電基板の厚みの測定値の「中心」すなわち中央値が０．８μｍであって，数値が最大の測定点が０．８μｍより０．１μｍ大きい０．９μｍであり，最小の測定点が０．８μｍより０．１μｍ小さい０．７μｍであり，他の測定点がそれらの間にあることを意味するというべきである。
（５）一方，加工後における「圧電基板の厚みを再度測定」した測定値が「中心膜厚が０．７６μｍで厚みの最大値と最小値の差は全面で２４ｎｍ」であるとは，測定値の中央値が０．７６μｍ，最小の測定値が０．７４８μｍであることを意味する。
（６）そうすると，膜厚を減少させることができるだけであって増加させることはできないイオンビーム加工を行ったにもかかわらず，加工後において圧電基板の厚みの最小の測定値が０．７μｍから０．７４８μｍに増加しているから，当該測定値を有する圧電基板を如何にして得るのか不明である。
　したがって，発明の詳細な説明は，「厚みの最大値と最小値の差は前記圧電基板の全平面で６０ｎｍ以下」の「圧電基板」を実施することができる程度に記載されているとは認められない。
（７）請求人は，令和２年４月１０日提出の意見書において，「０．８μｍを中心として圧電基板の全面で±０．１μｍの範囲に収まっていた」との記載は，圧電基板の厚みの測定値が最も薄い箇所で０．７μｍ，最も厚い箇所で０．９μｍだったことを意味するわけではない旨主張し，その理由として，圧電基板の厚みの測定値が最も薄い箇所で０．７５μｍ，最も厚い箇所で０．８２μｍだった場合や，最も薄い箇所で０．７８μｍ，最も厚い箇所で０．８８μｍだった場合も，０．８μｍを中心として±０．１μｍの範囲に収まっていることを挙げている。
　しかしながら，「０．８μｍを中心として圧電基板の全面で±０．１μｍの範囲に収まっていた」との記載は上記（４）のとおりに解するのが通常である。
　複数回の実験を行うことが一般的であることを考慮すれば，個々の実験結果として「０．７５〜０．８２μｍ」や「０．７８〜０．８８μｍ」であった場合が含まれる可能性があることは否定しないものの，複数回の実験全体として加工前の厚みが「０．７〜０．９μｍ」であると解される。
　同様に，複数回の実験全体として加工後の厚みが「０．７４８〜０．７８４μｍ」であると理解される。
　したがって，複数回の実験全体として，最も薄い加工前の厚みが０．７μｍであった基板が，加工後の厚みは少なくとも０．７４８μｍとなっていると解されるから，イオンビーム加工前より基板の厚みが増加しているといわざるを得ず，請求人の上記主張は採用できない。
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　また，本願は，発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから，拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。