【事件の表示】
　特許第２９７２２０９号「金めっきされた電子装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９７２２０９号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２９７２２０９号（以下、「本件特許」という。）は、昭和６３年４月２０日に特許の出願がなされ、平成１１年８月２７日に請求項１〜６に係る発明につき特許権の設定の登録がなさたものである。その後、平成１２年４月２７日に小野節子より全請求項、同年５月８日に山浦智生より全請求項、及び、同年５月８日に前田安昭より請求項１〜３に係る特許について特許異議の申立がなされ、平成１３年４月２０日付けで審判官合議体より特許取消理由の通知がなされ、これに対して平成１３年７月６日付けで、特許権者よりその指定期間内に訂正請求書及び特許異議意見書が提出され、平成１４年２月７日付けで、審判官合議体より特許取消理由の通知がなされ、これに対して平成１４年４月１日付けで、特許権者よりその指定期間内に訂正請求書及び特許異議意見書が提出されると共に、先の平成１３年７月６日付の訂正請求書による訂正請求を取り下げる旨の訂正請求取下書が提出されたものである。
　　
II．訂正の適否について
　上記した平成１４年４月１日付けの訂正請求書による訂正は、以下のとおりである。
(II-1)訂正の内容
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
「【請求項１】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液を用い、間隔が２００μｍ以下の配線に金めっきを施したことを特徴とする電子装置。
【請求項２】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液であって、上記還元剤がヒドロキノンあるいはその誘導体である無電解金めっき液を用い、間隔が２００μｍ以下の配線に金めっきを施したことを特徴とする電子装置。
【請求項３】上記配線に施された金めっき膜の厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子装置。
【請求項４】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液により、間隔が２００μｍ以下のＸ線吸収パターンに金めっきを施したことを特徴とするＸ線露光用マスク。
【請求項５】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液であって、上記還元剤がヒドロキノンあるいはその誘導体である無電解金めっき液により、間隔が２００μｍ以下のＸ線吸収パターンに金めっきを施したことを特徴とするＸ線露光用マスク。
【請求項６】上記Ｘ線吸収パターンに施された金めっき膜の厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項４又は５記載の電子装置。」を、次のとおりに訂正する。
「【請求項１】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液であって、上記還元剤がヒドロキノンあるいはその誘導体である無電解金めっき液を用い、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の配線に、該配線間に配線短絡を生じさせないように金めっきを施したことを特徴とする電子装置。
【請求項２】上記配線に施された金めっき膜の厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。」
　　
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
(b-1)平成９年７月１８日付けの手続補正書の「補正の内容」第５項による明細書の補正箇所（明細書第１０頁第８行〜第１１頁第１３行；特許掲載公報第４欄第３２〜３６行）の「めっき液成分に・・・・提供することにある。」を、「めっき液成分にシアン化物イオンを全く含まず、還元剤使用量が少ない金めっき液を用いて、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された微小な配線間隔を有する配線上に配線短絡を生じさせることなく金めっきを施した電子装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された微小な配線間隔を有する配線上に配線短絡を生じさせることなく、所定の膜厚の金めっきを施した電子装置を提供することにある。」と訂正する。
(b-2)同上手続補正書の「補正の内容」第６項による明細書の補正箇所（明細書第１１頁第１５行〜第１２頁第６行；特許掲載公報第４欄第４４〜４５行）の「間隔が２００μｍ以下の配線に金めっきを施すことにより達成できる。」を、「セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の配線に、該配線間の配線短絡を生じさせないように金めっきを施すことにより達成できる。」と訂正する。
　　
（II-2）訂正の目的、範囲、及び実質上の拡張又は変更について
　上記訂正事項ａは特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また、訂正事項ｂは、上記訂正事項ａに伴う明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。そして、それらの訂正は、願書に添付した明細書及び図面の記載からみて、当該明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正と認められ、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものとは認められない。
　以上のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定により、その施行前にした特許出願の明細書の訂正についてはなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、及び同条第２項の規定に適合するので、本訂正を認める。
　　
III．本件発明
　訂正後の請求項１、２に係る発明（以下「訂正発明１」、「訂正発明２」という。）は、訂正後の明細書（以下単に「明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１、２項に記載されたとおりの、次のものと認める。
「【請求項１】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液であって、上記還元剤がヒドロキノンあるいはその誘導体である無電解金めっき液を用い、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の配線に、該配線間に配線短絡を生じさせないように金めっきを施したことを特徴とする電子装置。
【請求項２】上記配線に施された金めっき膜の厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。」
　　  
IV．特許異議申立について
（Ａ）特許異議申立人　小野節子の特許異議申立について
（１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　小野節子は、甲第１号証（特公平７−３５５８３号公報；平成７年４月１９日公告）、甲第２号証（東ドイツ国特許第１５０７６２号明細書；１９８１年９月１６日発行）、及び甲第３号証（「最新無電解めっき技術」株式会社総合技術センター（昭和６１年１１月３０日）第２５０〜２５２頁）を提示して、特許権設定登録時の本件の請求項１〜６に係る発明は、甲第１号証〜甲第３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明である、と主張している。
　　
（２）証拠の記載事実
（Ａ１）甲第１号証（特公平７−３５５８３号公報）
(A1-1)「【請求項２】水、金錯塩としてのチオ硫酸金（Ｉ）ナトリウム、もしくは塩化金（III）ナトリウムとチオ硫酸ナトリウムの混合物、錯化剤としてのチオ硫酸ナトリウム、還元剤としてのチオ尿素、PH調整剤よりなることをことを特徴とする無電解金めっき液。」（請求項２）
　　
（Ａ２）甲第２号証（東ドイツ国特許第１５０７６２号明細書）
(A2-1)「１．金塩として、一般式　Ｍｅ3Ａｕ（ＳＯ3）2（Ｍｅはカリウムまたはナトリウムを意味する。）で表わされるアルカリ亜硫酸金を含むことを特徴とするシアン化物フリー無電解金メッキ浴。
２．金濃度を０．１〜１０ｇ／ｌに維持することを特徴とする請求項１に記載の無電解金めっき浴。
３．還元剤として次亜リン酸ナトリウム、ホルムアルデヒドおよびヒドラジンを０．５〜５００mmol/lの濃度で含有することを特徴とする請求項１または２記載の無電解金めっき浴。
４．ジ−もしくはトリ−アミノアルキル、ジ−もしくはトリ−アミノアリール及び／またはジ−もしくはトリ−アミノアラルキル化合物からなる安定剤を０．１〜１０ｇ／ｌ含有することを特徴とする請求項１〜３に記載の無電解めっき浴。
５．亜硫酸ナトリウム１〜１００ｇ／ｌ、臭化カリウム０〜１０ｇ／ｌおよびキレート形成剤０〜５０ｇ／ｌをさらに含有することを特徴とする請求項１〜４に記載の無電解金めっき浴。
６．溶液のｐＨ値が３〜１４の範囲であることを特徴とする請求項１〜５に記載の無電解金めっき浴。」（第７頁「Erfindugsanspruch」の欄）
(A2-2)「実施例２　
亜硫酸金ナトリウム　Ｎａ3Ａｕ（ＳＯ3）2としての金　３ｇ／ｌ
亜硫酸ナトリウム　Ｎａ2ＳＯ3　１５ｇ／ｌ
1,2−ジアミノエタン　Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＮＨ2　１ｇ／ｌ
臭化カリウム　ＫＢｒ　１ｇ／ｌ
エチレンジアミン四酢酸４Ｎａ塩　１ｇ／ｌ
５０％溶液としてのヒドラジン　Ｈ2ＮＮＨ2　２ｇ／ｌ
チオ尿素　（ＮＨ2）2ＣＳ　０．２mg/l
水酸化ナトリウムでｐＨ値１１に調整した。金属析出溶液の処理温度は３５３Ｋとした。活性化されていない、無電解ニッケル被覆したセラミック材の金属化の結果、１．５mg/cm2のマット状の金皮膜が得られた。」（第５頁第２２〜３５行）
　　
（Ａ３）甲第３号証（「最新無電解めっき技術」）
(A3-1)無電解金めっきについて、「１９７０年代になって、ベル研究所のY.Okinaka氏がホウ水素化カリウムを還元剤とする金の化学還元めっきを開発し、３μｍ程度の膜厚をめっきできるようになった。図２４にY.Okinaka氏の開発した無電解金めっきのめっき時間と析出速度との関係を示す。この図を見て明らかなように、実用化するには、前述した無電解銀めっきと同様の検討が必要である。この無電解金めっきの応用について検討した報文を図２５〜２７に示す。主に、半導体の製造への応用が考えられている。」（第２５１頁左欄本文第４行〜末行）
(A3-2)第２４図には、ＫＡｕ(ＣＮ)２（シアン化金カリウム）、ＫＣＮ（シアン化カリウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）およびＫＢＨ４（ホウ水素化カリウム）からなる無電解金めっき液のめっき時間と析出速度、析出厚さの関係を示すグラフが記載されている。
(A3-3)図２５〜図２７には、半導体装置に無電解金めっきを応用した例が写真で示され、その図２５（「ビームリードパターンへの無電解金めっきの応用」）には、２μｍ厚金めっきの解像能力を示すものとして、幅および間隔が数μｍのビームリードパターンへ無電解金めっきを応用した例が、図２６（「ＲＡＭへの無電解金めっきの例」）には、ＲＡＭのビームリードに無電解金めっきを応用した例が、また、図２７（「金めっきしたトランジスタ」）には、無電解金めっきされたトランジスタの例が、それぞれ示されている。
　　
（３）対比・判断
(3-1)訂正発明１について
　特許異議申立人は、甲第１号証として特公平７−３５５８３号公報を提示している。しかし、この甲第１号証に係る刊行物の頒布日は、平成７年４月１９日であって、本件出願前ではない。したがって、甲第１号証は、特許法第２９条第２項の規定に係る書証として採用しない。
　そこで、訂正発明１と、甲第２及び３号証に記載されたものとを対比すると、甲第２及び３号証のいずれにも、無電解金めっき液の還元剤として、「ヒドロキノンあるいはその誘導体」を用いるという、訂正発明１の構成要件に係る記載は見あたらない。そして、訂正発明１は、当該構成要件を含む、前記認定のとおりの構成を具備することにより、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の微小な配線間隔を有する配線上に、配線短絡を生じさせることなく、金めっきを施した電子装置が得られるという、明細書に記載された作用効果を奏したものと認める。
　以上のとおりであるから、訂正発明１は、甲第２及び３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　 
(3-2)訂正発明２について
　訂正発明２は、金めっき膜の厚さを特定することにより、訂正発明１をさらに限定した発明であるから、上記の「(3-1)訂正発明１について」の欄で訂正発明１について説示したと同様、訂正発明２は、甲第２及び３号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
（Ｂ）特許異議申立人　山浦智生の特許異議申立について
（１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　山浦智生は、甲第１号証（特開昭６２−８６１７１号公報；昭和６２年４月２０日公開）、甲第２号証（東ドイツ国特許第１５０７６２号明細書（なお申立書の「西ドイツ」は「東ドイツ」の誤記と認める。）；１９８１年９月１６日発行）、甲第３号証（JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,VOL.121,NO.1（１９７４年１月）第５６〜６２頁）、甲第４号証（JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY,VOL.121,NO.1（１９７４年１月）第６２〜６６頁）、甲第５号証（特開昭５８−１０４１６９号公報；昭和５８年６月２１日公開）、及び甲第６号証（National Technical Report,Vol.31,No.3（１９８５年１月）第３３９〜３４６頁）を提示して、特許権設定登録時の本件の請求項１〜６に係る発明は、甲第１号証〜甲第６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明である、と主張している。
　　
（２）証拠の記載事実
（Ｂ１）甲第１号証（特開昭６２−８６１７１号公報）
(B1-1)「１．水、金錯塩としてのチオ硫酸金(I)ナトリウム、もしくは塩化金(III)ナトリウムとチオ硫酸ナトリウムの混合物、錯化剤としてのチオ硫酸ナトリウム、還元剤としてのチオ尿素、ｐＨ調整剤よりなることを特徴とする無電解金めっき液。
２．水、金錯塩としてのチオ硫酸金(I)ナトリウム、もしくは塩化金(III)ナトリウムとチオ硫酸ナトリウムの混合物、錯化剤としてのチオ硫酸ナトリウム、還元剤としてのチオ尿素、ｐＨ調整剤、チオ硫酸イオン分解防止剤としての亜硫酸ナトリウムよりなることを特徴とする無電解金めっき液。」（特許請求の範囲１、２）
　　
（Ｂ２）甲第２号証（東ドイツ国特許第１５０７６２号明細書）
　小野節子による特許異議申立の甲第２号証と同一の刊行物であり、上記（Ａ２）項に摘記のとおり。
　　
（Ｂ３）甲第３号証（JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY）
(B3-1)「無電解金めっきについての若干の実際的見解」と題する報文であり、「表II．線分解能」（第６１頁）には、「最も小さい分解能をもつバーの幅と間隔」として、12.6μｍ、6.3μｍ及び2.5μｍが記載されており、また、図１０（第６１頁）には、「２５分のめっき後の線分解能を示す走査型電子顕微鏡写真」が示されている。
　　
（Ｂ４）甲第４号証（JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY）
(B4-1)「無電解金ビームリードめっき」と題する報文であり、図６（第６５頁）には、「ランダムアクセス記憶チップ上の無電解金ビームリードの顕微鏡写真」が示されている。
　　
（Ｂ５）甲第５号証（特開昭５８−１０４１６９号公報）
(B5-1)「金属またはプラスチックに水溶性バインダー、金属塩または金属錯塩および還元剤を含有するメッキ液をコーティングした後加熱することを特徴とする、無電解メッキ方法。」（特許請求の範囲）
(B5-2)「金属塩または金属錯塩としては、還元剤の作用によってニッケル、金、銀、コバルト、スズ、鉛、亜鉛などの金属イオンを析出するものであり、従来の無電解メッキのメッキ浴に使用されているものであればどれでもよく、例えば硝酸銀、シアン化銀カリウム、次亜燐酸ニッケル、シアン化金カリウム、銀アンミン錯体、銀シアン錯体、金塩または金シアン錯体などを使用することができる。」（第２頁左上欄末行〜右上欄第９行）
(B5-3)「還元剤としては例えばホルマリン、酒石酸、酒石酸塩、還元糖、無水亜燐酸塩、次亜燐酸塩、水素化硼素ナトリウム、ジメチルアミンボラン、ヒドロキノンなどを使用できる。」（第２頁右上欄第９〜１２行）
　　
（Ｂ６）甲第６号証（National Technical Report）
(B6-1)「高密度プリント配線板」（第３３９頁標題）について、「第２表　プリント配線板の品質・性能」（第３４１頁）の「導体間隔」欄には、「昭和５８年度（基準年度実績）」が０．３０ｍｍ、「昭和６４年度末（目標年度末）」が０．１８ｍｍと記載されており、また、「3.3　無電解金めっき両面スルーホールプリント配線板」の欄における「第４表　ＩＣピン間の配線数と設計仕様」（第３４４頁）には、「最小導体間隔」として、「Ａ（ピン間２本）」の場合について０．１５ｍｍ、「Ｂ（ピン間１本）」の場合について０．２５mmと記載されている。
　　
（３）対比・判断
(3-1)訂正発明１について
　 訂正発明１と、甲第１〜６号証に記載されたものとを対比すると、甲第１〜４、６号証については、そのいずれにも、無電解金めっき液の還元剤として、「ヒドロキノンあるいはその誘導体」を用いるという、訂正発明１の構成要件に係る記載は見あたらない。また、甲第５号証には、還元剤の一つとしてヒドロキノンが例示されているものの、甲第５号証に記載された発明は、水溶性バインダーをも含む特定のメッキ液を用いてメッキし、その後加熱処理を行う特定のメッキ方法に係るものであって、訂正発明１における、１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤を金メッキ液中に含有すること、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の配線に対して金めっきを施すこと、及び電子装置に適用することの記載はない。
　そして、訂正発明１は、前記認定のとおりの構成を具備することにより、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の微小な配線間隔を有する配線上に、配線短絡を生じさせることなく、金めっきを施した電子装置が得られるという、明細書に記載された作用効果を奏したものと認める。
　以上のとおりであるから、訂正発明１は、甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　 
(3-2)訂正発明２について
　訂正発明２は、金めっき膜の厚さを特定することにより、訂正発明１をさらに限定した発明であるから、上記の「(3-1)訂正発明１について」の欄で訂正発明１について説示したと同様、訂正発明２は、甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
（Ｃ）特許異議申立人　前田安昭の特許異議申立について
（１）特許異議申立人の主張
　特許異議申立人　前田安昭は、甲第１号証（特開昭６２−２４７０８１号公報；昭和６２年１０月２８日公開）、甲第２号証（「電子技術　１９８７年６月別冊目次　実装技術シリーズNo.5」第２〜９頁）、甲第３号証（特開昭５７−５４２６４号公報；昭和５７年３月３１日公開）、及び甲第４号証（特開昭５７−９８９３号公報；昭和５７年１月１９日公開）を提示して、特許権設定登録時の本件の請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証〜甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない発明である、と主張している。
　　
（２）証拠の記載事実
（Ｃ１）甲第１号証（特開昭６２−２４７０８１号公報）
(C1-1)「１．チオスルファト金(I)錯体を、金源として含むことを特徴とする無電解金めっき液。
２．前記チオスルファト金(I)錯体が、無電解めっき液中でハロゲン化金(III)酸塩とチオ硫酸塩とを混合して反応させて得たものであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の無電解金めっき液。」（特許請求の範囲）
(C1-2)「還元剤は・・・例えばチオ尿素である。錯化剤は金イオンと結合して錯体を形成するもの、例えば上述のチオ硫酸塩である。」（第２頁右上欄第５〜９行）
　　
（Ｃ２）甲第２号証（「電子技術　１９８７年６月別冊目次　実装技術シリーズNo.5」）
(C2-1)「両面プリント配線板においても配線の細線化と狭間隔化が進んでいる。最近では０．２０〜０．３０mmのファインパターンが導入されるとともに」（第６頁左欄「主要な技術開発」の欄）
　　
（Ｃ３）甲第３号証（特開昭５７−５４２６４号公報）
(C3-1)「金及び金より卑なる金属上並びにこれら金属の合金上に金を無電解析出させるためのジシアノ金(I)−錯体、錯形成剤、還元剤及び常用の添加剤を含有する安定化水性酸性金浴において、還元剤としてヒドロキシルアミンの塩又はヒドロキシルアミン誘導体の塩及び安定化剤として弗化物又は弗化水素を含有することを特徴とする金の無電解析出用安定化水酸性金浴。」（特許請求の範囲１）
　　
（Ｃ４）甲第４号証（特開昭５７−９８９３号公報；昭和５７年１月１９日）
(C4-1)「(1)金合金の電着に適した水性浴において、シアン化金カリウムとして添加した・・・金と、・・・第一スズイオンあるいは、周期律表の・・・の金属および・・・の非金属よりなる群の少なくとも１種類の金属または非金属イオン・・・と第一スズイオン・・・、および上記の金属又は非金属をわずかでも錯化する少なくとも一種類の化合物・・・を含むことを特徴とする金合金メッキ浴。」（特許請求の範囲(1)）
(C4-2)「錯化合物としては・・・リンゴ酸、クエン酸、グルコン酸、マロン酸、マレイン酸などの有機カルボン酸がより好ましい。」（第２頁右下欄第５〜８行）
(C4-3)「第二スズイオンは析出に寄与しないばかりでなく均一電着性に悪影響をおよぼすためメッキ浴に酸化防止剤を添加することが実用上有効な手段である。酸化防止剤としては、硫酸ヒドラジン、硫酸ヒドロキシルアミン、Ｌ−アスコルビン酸、Ｐ−クレゾールスルホン酸、レゾルシン、ホルマリン、ハイドロキノン、ソルビン酸ソーダまたはブドウ糖が有効である。」（第３頁右上欄第３〜１０行）
(C4-4)「優れた耐摩耗性、耐食性、導電性を利用した電気接点材料として用いることができる。」（第６頁左上欄第６〜７行）
　　
（３）対比・判断
(3-1)訂正発明１について
　 訂正発明１と、甲第１〜４号証に記載されたものとを対比すると、甲第１〜３号証については、そのいずれにも、無電解金めっき液の還元剤として、「ヒドロキノンあるいはその誘導体」を用いるという、訂正発明１の構成要件に係る記載は見あたらない。また、甲第４号証には、ハイドロキノン（ヒドロキノン）をメッキ液に添加することが記載されているが、これは、第一スズが第二スズに酸化されるのを防止する酸化防止剤として添加するものであって、本件訂正発明１のような、金の還元剤として用いることを開示するものではない。なおかつ、甲第４号証には、訂正発明１における、１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤を金メッキ液中に含有すること、及び、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の配線に対して金めっきを施すことの記載はない。
　そして、訂正発明１は、前記認定のとおりの構成を具備することにより、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の微小な配線間隔を有する配線上に、配線短絡を生じさせることなく、金めっきを施した電子装置が得られるという、明細書に記載された作用効果を奏したものと認める。
　以上のとおりであるから、訂正発明１は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　 
(3-2)訂正発明２について
　訂正発明２は、金めっき膜の厚さを特定することにより、訂正発明１をさらに限定した発明であるから、上記の「(3-1)訂正発明１について」の欄で訂正発明１について説示したと同様、訂正発明２は、甲第１〜４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、各特許異議申立人の主張する理由及び提示した証拠によっては、訂正発明１及び２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に訂正発明１及び２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月１８日（２００２．４．１８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨（異議２０００−７１７５０）
訂正事項ａ（特許請求の範囲の訂正）
「【請求項１】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液を用い、間隔が２００μｍ以下の配線に金めっきを施したことを特徴とする電子装置。
　【請求項２】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液であって、上記還元剤がヒドロキノンあるいはその誘導体である無電解金めっき液を用い、間隔が２００μｍ以下の配線に金めっきを施したことを特徴とする電子装置。
　【請求項３】上記配線に施された金めっき膜の厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は２記載の電子装置。
　【請求項４】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液により、間隔が２００μｍ以下のＸ線吸収パターンに金めっきを施したことを特徴とするＸ線露光用マスク。
　【請求項５】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液であって、上記還元剤がヒドロキノンあるいはその誘導体である無電解金めっき液により、間隔が２００μｍ以下のＸ線吸収パターンに金めっきを施したことを特徴とするＸ線露光用マスク。
　【請求項６】上記Ｘ線吸収パターンに施された金めっき膜の厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項４又は５記載の電子装置。」を、次のとおりに訂正する。
「【請求項１】１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液であって、上記還元剤がヒドロキノンあるいはその誘導体である無電解金めっき液を用い、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の配線に、該配線間に配線短絡を生じさせないように金めっきを施したことを特徴とする電子装置。
　【請求項２】上記配線に施された金めっき膜の厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。」
訂正事項ｂ（特許請求の範囲以外の訂正）
（ｂ−１）平成９年７月１８日付けの手続補正書の「補正の内容」第５項による明細書の補正箇所（明細書第１０頁第８行〜第１１頁第１３行；特許掲載公報第４欄第３２〜３６行）の「めっき液成分に・・・・提供することにある。」を、「めっき液成分にシアン化物イオンを全く含まず、還元剤使用量が少ない金めっき液を用いて、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された微小な配線間隔を有する配線上に配線短絡を生じさせることなく金めっきを施した電子装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、セラミック基板またはプリント基板の上に形成された微小な配線間隔を有する配線上に配線短絡を生じさせることなく、所定の膜厚の金めっきを施した電子装置を提供することにある。」と訂正する。
（ｂ−２）同上手続補正書の「補正の内容」第６項による明細書の補正箇所（明細書第１１頁第１５行〜第１２頁第６行；特許掲載公報第４欄第４４〜４５行）の「間隔が２００μｍ以下の配線に金めっきを施すことにより達成できる。」を、「セラミック基板またはプリント基板の上に形成された間隔が２００μｍ以下の配線に、該配線間の配線短絡を生じさせないように金めっきを施すことにより達成できる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
金めっきされた電子装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液であって、上記還元剤がヒドロキノンあるいはその誘導体である無電解金めっき液を用い、
セラミック基板またはプリント基板の上に形成された
、該配線間に配線短絡を生じさせないように
　【請求項２】
　上記配線に施された金めっき膜の厚さが０．５μｍ以上であることを特徴とする
請求項１
【発明の詳細な説明】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、間隔の小さな配線をもつ配線基板に金めっきを施した電子装置、また、間隔の小さな配線をもつ配線基板に所定の膜厚の金めっきを施した電子装置に関し、詳しくは、金めっきする配線の間隔を２００μｍ以下、金めっきの膜厚を０．５μｍ以上となした電子装置に関する。
　【従来の技術】
　従来の無電解金めっき液はＰｌａｔｉｎｇ，ｖｏｌ．５７（１９７０），ｐ９１４〜ｐ９２０に示されているように、シアン化金（Ｉ）カリウム、シアン化カリウム、ボラン系化合物を主成分とするものが知られている。この方法によれば１μｍ／ｈのめっき速度をもつめっき液が得られる。
　また、シアン化物イオンを全く含まない無電解金めっき液としては、塩化金（ＩＩＩ）酸塩とヒドラジンを主成分とするものが米国特許第３３００３２８号に開示され、さらに塩化金（ＩＩＩ）酸カリウム塩とボラン系化合物を主成分とするものが特公昭５６−２０３５３号に開示されている。
　次に、金めっきと電子装置との関係について述べる。この関係が最も顕著にあらわれる典型的な例として電子計算機があげられる。電子計算機においてはサイエンス、ｖｏｌ．１３（１９８３）ｐ１３〜ｐ２５に示されているように、半導体チップを配線基板上に高密度に実装することにより配線基板による電気信号の遅延を減少させることが可能で、その結果として電子計算機の計算速度を向上させることができる。
　【発明が解決しようとする課題】
　上述したシアン化金（Ｉ）カリウム、シアン化カリウム、ボラン系化合物を主成分とする無電解金めっき液を、配線間隔の小さい表面配線をもつ配線基板に適用した場合、配線間の絶縁体表面にまで金が析出する現象が起こり易い。しかも、この無電解金めっき液はシアン化物イオンを含み、作業時および廃液処理時の安全性に問題がある。
　米国特許第３３００３２８号および特公昭５６−２０３５３号に開示された無電解金めっき液はシアン化物を全く含まない無電解金めっき液ではあるが、いずれの液も金錯塩中の金イオンは３価であるため、シアン化金（Ｉ）カリウムを用いる場合に比べると多量の還元剤が必要であるという問題がある。また、米国特許第３３００３２８号に開示された無電解金めっき液は不安定で、２時間ほどでめっき液に沈殿が生じてめっきが続けられなくなる問題がある。
　次に、電子装置においては、上述したように半導体チップの実装密度を増加させる必要があるが、そのためには配線基板の表面配線の密度を高めることが必要である。
　他方半導体チップとのはんだ接続を行うため、およびワイヤボンディングによる配線変更などの技術変更を行うため、配線基板の表面配線は最上層が金からなる複数種類の金属皮膜層によって覆う必要がある。特にワイヤボンディングをする表面配線の部分の金皮膜の厚さは、ワイヤボンディングの接続信頼性を保証するために０．５μｍ以上でなければならない。したがって配線基板表面の高密度で複雑な形状の配線上に厚さ０．５μｍ以上の金皮膜を形成する方法が、半導体チップの実装密度向上すなわちより高速な電子計算機を実現するのに必要不可欠である。
　従来膜厚０．５μｍ以上の金皮膜をめっきにより導体上に形成するには電気めっきがひろく行われてきた。しかし上記配線基板の金めっきを電気めっきで行う場合は、上記配線基板上に多数存在する電気的に孤立した配線についてそれらの間に導通用配線を形成し、めっき後それを切断する必要がある。そのため、実際に部品を搭載できる配線の間隔は４００μｍより小さくできない。したがって電気金めっきを用いると導通用配線のための半導体チップ接続用の配線密度が減少し、半導体チップ実装密度の向上が制限されるという問題が生じる。またシアン化物イオンをふくむ上記無電解金めっき液を用いると、上記電気めっきの問題は解決されるものの、すでに述べたように配線間隔の小さい部分で配線間の絶縁体上にも金が析出し配線が短絡する現象がおこりやすい。特に、配線間隔２００μｍ以下の表面配線をもつ配線基板でその現象が著しくおこる。したがってシアン化物イオンを含む上記無電解金めっき液を、配線間隔２００μｍ以下の表面配線をもつ配線基板の製造に適用すると歩留が悪い。シアン化物イオンを全く含まない上記無電解金めっき液も不安定でシアン化物イオンを含む上記無電解金めっき液と同様の理由から、配線間隔２００μｍ以下の表面配線をもつ配線基板の量産に適用することは不可能である。
　本発明の目的は、めっき液成分にシアン化物イオンを全く含まず、還元剤使用量が少ない金めっき液を用いて、
セラミック基板またはプリント基板の上に形成された
　また、本発明の他の目的は、
セラミック基板またはプリント基板の上に形成された
　【課題を解決するための手段】
　上記目的は、１価の金イオン、該１価の金イオンに対し水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤、および還元剤を含む水溶液からなる無電解金めっき液を用い、
セラミック基板またはプリント基板の上に形成された
、該配線間の配線短絡を生じさせないように
　【作用】
　無電解金めっき液の組成を上記のようにしたのは以下の理由に基づいている。従来の無電解金めっき液でシアン化物イオンを多量に用いるのは、金錯体がめっき液中の水酸化物イオンと反応し分解して水酸化金あるいは酸化金の沈殿が生じるのを、シアン化物イオンが錯化剤として１価の金イオンと結合し安定な金錯体をつくる能力によって防ぐためである。しかし、シアン化物イオンを用いる従来の無電解金めっき液でも本来金が析出するはずのない絶縁体の表面に金が析出することがあり、十分に安定というわけではなく実用的でなかった。これはシアン化物イオンは１価の金イオンとの結合力が相当に大きいけれども十分ではなく、水酸化物イオンと１価の金イオンとの結合力に比べるとやや弱いためではないかと本願の発明者等は考えた。
　すなわち水酸化物イオンがシアン化物イオンより強く１価の金イオンと結合するため、水酸化金の沈殿あるいはそれが変化した酸化金の沈殿が生じると考えられる。さらにその沈殿が絶縁体表面に付着し沈殿上に金が析出すれば絶縁体表面にも金皮膜が形成される。またシアン化物イオンを全く含まない従来の無電解金めっき液についても、そこで用いられている錯化剤は水酸化物イオンに比べ１価の金イオンとの結合エネルギーが弱いと考えられ、やはり絶縁体表面にも金皮膜が形成されやすく実用的でない。実用的な無電解金めっき液をつくるには、１価の金イオンとの結合力が水酸化物イオンを上回る錯化剤を見出さねばならないが、無数の化合物の中から好ましい錯化剤を探すことは非常にむずかしい。そこで発明者らは量子化学における分子軌道法を用いて化学結合力を理論的に求め、これによって優れた錯化剤を探索することにした。計算方法として現在もっとも精度の高いａｂ　ｉｎｉｔｉｏ　ＳＣＦ法を採用した。
　まず、従来最も強いと考えられてきた１価の金イオンとシアン化物イオンとの結合について、その強さの原因を検討した。その結果金イオンとシアン化物イオンとの相互作用は、シアン化物イオンから金イオンへのσ電子移動だけで、π電子移動はほとんどないことが明らかになった。したがって発明者らはシアン化物イオンにかわりうる配位子としてσ電子供与性の強い配位子が好ましいと判断した。
　次に、経験的にσ電子供与性が強いと考えられているシアン化物イオンを含む表１に示す１３種類の錯化剤について１価の金イオンとの結合エネルギーを検討したところ、表１に示す順番が得られた。
　ここでは、１価の金イオンと錯化剤の結合生成前後のエネルギー差を計算して結合エネルギーとした。もし真空中の金イオンと錯化剤に関する上記のエネルギー差が実験的に求められれば、それを結合エネルギーとして、採用してもよい。上記計算方法の精度から考えて、実験値と計算値で結合エネルギーの大きさの順番は変わらないと考えられる。水酸化物イオンがシアン化物イオンより結合エネルギーが大きいという計算結果は、シアン化物イオンを用いる従来の無電解金めっき液が不安定であることの裏付けになっており、この計算の妥当性を示している。
　上述した結合エネルギーには水和効果は考慮していないが、上述した理由からして、現実の系の本質は、上記した結合エネルギーを用いて考えられる可能性が高い。
　１価の金イオンに対して水酸化物イオンより大きい結合エネルギーをもつ錯化剤は、１２種類の錯化剤中チオ硫酸イオンと亜硫酸イオンだけであった。そこでチオ硫酸イオンあるいは亜硫酸イオンが、無電解金めっき液で用いる錯化剤として最も好ましいと発明者らは考えた。
　さらに発明者らは、還元剤として公知のものの中からチオ硫酸イオンあるいは亜硫酸イオンを錯化剤として用いた場合に好ましいものを実験的に選択した。その結果、チオ尿素あるいはその誘導体たとえばメチルチオ尿素、Ｎ−メチルチオ尿素、Ｎ−エチルチオ尿素など、またはヒドロキノンあるいはその誘導体たとえばメチルヒドロキノン、エチルヒドロキノンなどを還元剤として用いた場合に、１価の金イオンとチオ硫酸イオンを含んだ水溶液あるいは１価の金イオンと亜硫酸イオンを含んだ水溶液が安定な無電解金めっき液になることを見出した。上記本発明の無電解金めっき液は、このような発見に基づいて得られたものである。
　ここで１価の金イオンはシアン化金（Ｉ）錯塩以外の金（Ｉ）錯塩、たとえばチオ硫酸金（Ｉ）錯塩を金源とすることによりめっき液中に導入できる。チオ硫酸金（Ｉ）錯塩は、金を中心原子として１分子中に少なくとも１つのチオ硫酸イオンを含む錯塩である。たとえばジチオ硫酸金（Ｉ）塩があげられ、その分子式はＭ３［Ａｕ（Ｓ２Ｏ３）２］である。ただし式中のＭはＮａ，Ｋなどのアルカリ金属を表わす。また１価の金イオンはハロゲン化金（ＩＩＩ）酸塩とチオン硫酸塩を混合した水溶液中に生成するので、それを用いることもできる。ここでハロゲン化金（ＩＩＩ）酸塩の分子式はＭＡｕＸ４であり、式中のＭはＮａ，Ｋなどのアルカリ金属を表わしＸはＦ，Ｃ１，などのハロゲン原子を表わす。その例としてはテトラクロロ金（ＩＩＩ）酸塩があげられる。またチオ硫酸塩はたとえばＭ２Ｓ２Ｏ３で表わされるものである。ただし式中のＭはＮａ，Ｋなどのアルカリ金属を表わす。また上記チオ硫酸イオンあるいは亜硫酸イオンはチオ硫酸塩あるいは亜硫酸塩の水溶液中に生じるので、チオ硫酸塩あるいは亜硫酸塩を錯化剤とみなしてもよい。
　本発明に使用される無電解金めっき液は、上述のような特徴を有するが、当該無電解金めっき液を用いて電子装置、モジュール、配線基板、リードレスチップキャリア、テープキャリア、Ｘ線露光マスクに金めっき膜を形成することにより、従来の金めっきからは予測し得ない優れた効果をも有するのである。
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明を実施例により詳細に説明する。
実施例１
　大きさ２．５ｃｍ×２．５ｃｍ、厚さ０．３ｍｍの銅板に図２に示したプロセスによりまず厚さ２μｍのニッケル皮膜を通常の電気ニッケルめっき液を用いて形成し、次に厚さ１μｍの金皮膜を通常の電気金めっき液を用いて形成して試料とした。試料を脱脂液、次に希塩酸で洗浄後よく水洗した。窒素ブローで乾燥してから試料の重量を秤量した。この試料を以下に示すめっき液成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に２時間浸した。ここでチオ硫酸イオンの分解を防ぐ安定剤である亜硫酸塩として亜硫酸ナトリウムを添加した。またｐＨを所望の値に維持するｐＨ調整剤として塩化アンモニウムあるいはホウ砂も添加した。
（めっき液成分配合量およびめっき条件）
（ａ）ジチオ硫酸金（Ｉ）ナトリウム　　　０．０２ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　０．２ｍｏｌ／１
チオ尿素　　　　　　　　　　　　０．２ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　０．２ｍｏｌ／１
塩化アンモニウム　　　　　　　　０．２ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　６０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７．０
（ｂ）ジチオ硫酸金（Ｉ）ナトリウム　　　０．０２ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　０．２５ｍｏｌ／１
チオ尿素　　　　　　　　　　　　　　　　０．１　ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　０．２　ｍｏｌ／１
塩化アンモニウム　　　　　　　　　　　　０．２　ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８．５
（ｃ）ジチオ硫酸金（Ｉ）ナトリウム　　　０．０５ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　０．５　ｍｏｌ／１
Ｎ−メチルチオ尿素　　　　　　　　　　　０．１　ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　　１．０　ｍｏｌ／１
ホウ砂　　　　　　　　　　　　　　　　　０．１　ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８．０
（ｄ）塩化金（ＩＩＩ）酸ナトリウム　　０．０２５ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　０．２５　ｍｏｌ／１
ヒドロキノン　　　　　　　　　　　　　０．０４　ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　０．３　　ｍｏｌ／１
ホウ砂　　　　　　　　　　　　　　　　０．１　　ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　９．０
（ｅ）塩化金（ＩＩＩ）酸ナトリウム　　０．０２５ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　０．１　　ｍｏｌ／１
メチルヒドロキノン　　　　　　　　　　０．０５　ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　０．４　　ｍｏｌ／１
ホウ砂　　　　　　　　　　　　　　　　０．２　　ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１０．０
　上記各めっき液を強制かくはんし、３０分ごとに試料を取り出し金膜厚を重量法により測定した。その結果を上記（ａ）〜（ｅ）に対応して図１の曲線１〜５に示した。いずれのめっき液を用いた場合も析出した金皮膜は無光沢の明黄色で液中に観測されなかった。
　上記以外のめっき液成分配合量およびめっき条件においてめっき速度およびめっき液中の沈殿の有無を調べ、めっき液成分配合量およびめっき条件について以下に示す好ましい範囲を得た。
１．チオ硫酸金（Ｉ）錯塩の配合量は０．００１〜０．２ｍｏｌ／１が良く、好ましくは０．００６〜０．０４ｍｏｌ／１であり、特に好ましくは０．０１〜０．０３ｍｏｌ／１である。０．００１ｍｏｌ／１より少ないとめっき反応が遅くなり、０．２ｍｏｌ／１より多いとめっき液中に金の沈殿が生じた。
２．ハロゲン化金（ＩＩＩ）酸塩とチオ硫酸塩の混合物を金源として用いる場合、ハロゲン化金（ＩＩＩ）酸塩の配合量は０．００１〜０．２ｍｏｌ／１が良く、好ましくは０．００６〜０．０５ｍｏｌ／１、特に好ましくは０．０１〜０．０３ｍｏｌ／１である。０．００１ｍｏｌ／１より少ないとめっき反応が遅くなり、０．２ｍｏｌ／１より多いとめっき液中に金の沈殿が生じた。
３．還元剤の配合量は０．００１〜１．０ｍｏｌ／１が良く、好ましくは０．０１〜０．５ｍｏｌ／１であり、特に好ましくは０．０２〜０．３ｍｏｌ／１である。０．００１ｍｏｌ／１より少ないとめっき反応は遅くなり、１．０ｍｏｌ／１より多いとめっき反応に特別の効果がなく、それ以上還元剤を添加しても還元剤が無駄となった。
４．チオ硫酸塩の配合量は０．００１〜０．９ｍｏｌ／１が良くチオ硫酸金（Ｉ）錯塩を金源とする場合には好ましくは０．０１〜０．４ｍｏｌ／１であり、特に好ましくは０．０５〜０．１ｍｏｌ／１である。またハロゲン化金（ＩＩＩ）酸塩を金源とする場合には好ましくは０．０３〜０．５ｍｏｌ／１であり、特に好ましくは０．０４〜０．２ｍｏｌ／１である。０．００１ｍｏｌ／１より少ないとめっき液中に金の沈殿が生じやすく、０．９ｍｏｌ／１より多いとイオウの沈殿が生じた。
５．安定剤としての亜硫酸塩の配合量は０．０１〜０．８ｍｏｌ／１が良く、好ましくは０．０８〜０．７ｍｏｌ／１であり、特に好ましくは０．１５〜０．５ｍｏｌ／１である。０．０１ｍｏｌ／１より少ないとめっき液中にイオウの沈殿が生じやすく、０．８ｍｏｌ／１より多いとめっき反応は遅くなった。
６．ｐＨ調整剤の配合量は、０．０９〜１．０ｍｏｌ／１が良く、好ましくは０．４〜１．０ｍｏｌ／１であり、特に好ましくは０．４〜０．８ｍｏｌ／１である。０．０９ｍｏｌ／１より少ないと、めっき反応開始後めっき反応は遅くなり、１．０ｍｏｌ／１より多いとめっき反応に特別の効果がなく、ｐＨ調整剤が無駄となる。
７．液温は６０〜９０℃、好ましくは６５〜８５℃、特に好ましくは７０〜８０℃である。６０℃より低いとめっき反応は遅くなり、９０℃より高いとめっき液中に沈殿が生じた。
８．めっき液中のｐＨは７．０〜１１．０が良く、好ましくは７．５〜１０．０、特に好ましくは８．０〜９．０である。７．０より低いとめっき反応は遅くなり、１１．０より高いとめっき液中に沈殿が生じた。
実施例２
　上記実施例１と同様にして準備した試料を以下に示すめっき液成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に２時間浸した。ここでは錯化剤として亜硫酸ナトリウムを用いた。
（めっき液成分配合量およびめっき条件）
ジチオ硫酸金（Ｉ）ナトリウム　　　　０．０２ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　０．５　ｍｏｌ／１
チオ尿素　　　　　　　　　　　　　　０．２　ｍｏｌ／１
ホウ砂　　　　　　　　　　　　　　　０．０８ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　９０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８．０
　上記めっき液を強制かくはんし、２時間後の金膜厚を重量法によって測定した。その結果金膜厚は２．１μｍであった。析出した金皮膜は無光沢の明黄色で液中に沈殿は観測されなかった。錯化剤としての亜硫酸ナトリウムの配合量は、０．００５〜０．５ｍｏｌ／１が良く、好ましくは０．０３〜０．４ｍｏｌ／１であり、特に好ましくは０．０５〜０．３ｍｏｌ／１である。０．００５ｍｏｌ／１より少なくても、また０．５ｍｏｌ／１より多くてもめっき液中に金の沈殿が生じやすい。
実施例３
　大きさ２．５ｃｍ×２．５ｃｍ、厚さ０．３ｍｍの銅板に図３に示したプロセスによりまず厚さ２μｍのニッケル皮膜、次に厚さ１μｍの金皮膜を形成して試料とした。試料を実施例１と同様に前処理した後、実施例１の（ａ）に示した成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に浸した。めっき液を強制かくはんし、２時間後の金膜厚を重量法によって測定した。その結果金膜厚は１．２μｍであった。析出した金皮膜はやや光沢のある明黄色で液中に沈殿は観測されなかった。
実施例４
　大きさ２．５ｃｍ×２．５ｃｍ、厚さ０．３ｍｍの銅板に図４に示したプロセスにより通常のスパッタ装置を用いて厚さ２０００Åの金皮膜を形成して試料とした。試料を実施例１と同様に前処理した後、実施例１の（ａ）に示した成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に浸した。めっき液を強制かくはんし、２時間後の金膜厚を重量法によって測定した。その結果金膜厚は１．３μｍであった。析出した金皮膜は無光沢の明黄色で液中に沈殿は観測されなかった。
実施例５
　大きさ２．５ｃｍ×２．５ｃｍ、厚さ０．３ｍｍの銅板に図５に示したプロセスにより通常の蒸着装置を用いて厚さ１０００Åの金皮膜を形成して試料とした。試料を実施例１と同様に前処理した後、実施例１の（ｂ）に示した成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に浸した。めっき液を強制かくはんし、２時間後の金膜厚を重量法によって測定した。その結果金膜厚は１．５μｍであった。析出した金皮膜は無光沢の明黄色で液中に沈殿は観測されなかった。
実施例６
　本発明の無電解金めっき液を用いて金めっきしたアルミナセラミック基板６を図１０にその断面図を図１１に示す。タングステン製ダイボンディングパッド７、タングステン製ワイヤボンディングパッド８、Ｋｏｖｅｒ製リード９の各導体の表面を図６に示すめっきプロセスによってめっきした。まず通常のパラジウム活性化液で各導体を活性化後、その上に厚さ３μｍのニッケル皮膜を通常の無電解ニッケルめっき液で、次に厚さ０．３μｍの金皮膜を通常の置換金めっき液で形成した。この基板を脱脂液でついで希塩酸で洗浄後よく水洗し、窒素ブローで乾燥した。その基板を上記実施例１の（ａ）に示した成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に３時間浸し、めっき液を強制かくはんした。析出した金皮膜の厚さは１．８μｍであった。
　このようにして作成した２０個のセラミック基板を試料として、それらの金めっき部分の接続特性を以下に示す方法で評価した。
１．ダイボンディング性
　窒素雰囲気中、４３０℃でダイボンディングパッド７とシリコンチップのダイボンディングを通常の方法により行ったあと、ヒートショック試験（０℃⇔２００℃、各１０秒ずつ５サイクル）を行い、シリコンチップが剥がれないものを良品とした。
２．ワイヤボンディング性
　２５μｍφの金ワイヤを約１５０℃に加熱した試料のワイヤボンディングパッド８上に圧接したあと、ワイヤに６ｇの荷重を加えて引っ張り、ワイヤがワイヤボンディングパッド８から剥がれないものを良品とした。
３．はんだ付け性
　空気中、４６０℃で１５分間加熱した試料のリード９にはんだディップを行い、リード面積の９５％以上がはんだで覆れているものを良品とした。
　以上の評価の結果、２０個の試料すべてが良品と判定された。したがって本発明の無電解金めっき液を用いれば、タングステンで配線を形成した接続特性の優れたセラミック配線基板を安全な作業環境のもとで得ることができる。
実施例７
　上記実施例６に示したものと同様のアルミナセラミック基板６で、ただしダイボンディングパッド７およびワイヤボンディングパッド８がモリブデン製である基板に、本発明の無電解金めっき液を適用して図７に示すめっきプロセスを適用した。実施例６と同様に活性化、ニッケルめっき、および置換金めっきを行い、上記実施例１の（ａ）に示した成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に３時間浸し、めっき液を強制かくはんした。析出した金皮膜の厚さは１．７μｍであった。このようにして作成した２０個のセラミック基板を試料として、それらの金めっき部分の接続特性を実施例６と同様にして評価した。その結果２０個の試料すべてが良品と判定された。したがって本発明の無電解金めっき液を用いれば、モリブデンで配線を形成した接続特性の優れたセラミック配線基板を安全な作業環境のもとで得ることができる。
実施例８
　図１２に示す形状の配線パターン１０をタングステン導体でアルミナセラミック１１上に形成したセラミック配線基板で、配線間隔が３００μｍ、２００μｍ、１００μｍ、３０μｍの４種類であるものをそれぞれ２０枚ずつ作成した。それらの基板を図６に示すめっきプロセスでめっきした。配線パターン１０を形成しているタングステン表面を通常のパラジウム活性化液を用いて活性化後、膜厚５μｍのニッケル皮膜を通常の無電解ニッケルめっき液を用いて形成し、その上に通常の置換金めっき液を用いて置換金めっきを行った。この金皮膜の厚さは、蛍光Ｘ線膜厚計ではかったところすべての基板について０．２〜０．４μｍであった。配線間隔が異なる上記４種類の基板をそれぞれ１０枚ずつ、以下に示す成分配合量およびめっき条件の無電解金めっき液を用いて金めっきした。
（めっき液成分配合量およびめっき条件）
塩化金（ＩＩＩ）酸ナトリウム　　　　０．０１ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　　　０．０８ｍｏｌ／１
尿素　　　　　　　　　　　　　　　　０．０５ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　０．４　ｍｏｌ／１
ホウ砂　　　　　　　　　　　　　　　０．１　ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　９．０
　残りの基板は、比較のためにシアン化物イオンを含む通常の無電解金めっき液を用いて金めっきした。どちらのめっき液でも２時間金めっきを行った。めっき後皮膜の厚さをはかったところ、上記組成の無電解金めっき液を用いた場合では１．９〜２．３μｍ、通常の無電解金めっき液を用いた場合では１．８〜２．１μｍであった。このようにして作成したセラミック配線基板についてその表面を光学顕微鏡で観察し、配線パターン１０の間に金が析出し配線が短絡している基板が、１０枚中２枚以上の場合を不良、０〜１枚の場合を良として評価した。その結果を表２に示した。
　したがって、本発明の無電解金めっき液を用いれば、セラミック配線基板の配線間隔が２００μｍ以下の表面配線上に厚さ０．５μｍ以上の金皮膜をめっきにより形成でき、しかも基板の絶縁体表面に金が析出することによる配線短絡は全く起こらない。
実施例９
　図１２に示す形状の配線パターン１０を銅張り積層板（エポキシ樹脂上に銅膜厚３５μｍ）１１上に形成したプリント配線基板で、配線間隔が３００μｍ、２００μｍ、１００μｍ、３０μｍの４種類であるものをそれぞれ２０枚ずつ作成した。それらの基板を図９に示すめっきプロセスでめっきした。まず配線パターン１０を形成している銅表面を以下に示す組成のパラジウム活性化液に室温で２分間浸して活性化した。
（パラジウム活性化液の組成）
水　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
塩化パラジウム　　　　　　０．２ｇ／１
塩酸　　　　　　　　　　　５０ｍｌ／１
　その後膜厚５μｍのニッケル皮膜を通常の無電解ニッケルめっき液を用いて形成し、その上に通常の置換金めっき液を用いて置換金めっきを行った。この金皮膜の厚さは、蛍光Ｘ線膜厚計ではかったところすべての基板について０．２〜０．３μｍであった。配線間隔が異なる上記４種類の基板をそれぞれ１０枚ずつ、以下に示す組成の無電解金めっき液を用いて金めっきした。
（めっき液成分の配合量およびめっき条件）
ジチオ硫酸金（Ｉ）ナトリウム　　　　　０．０２ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　０．２　ｍｏｌ／１
チオ尿素　　　　　　　　　　　　　　　０．１５ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　　　０．２　ｍｏｌ／１
塩化アンモニウム　　　　　　　　　　　０．１　ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８．０
　残りの基板は、比較のために実施例１２と同様にシアン化物イオンを含む通常の無電解金めっき液を用いて金めっきした。どちらのめっき液でも２時間金めっきを行った。めっき後金皮膜の厚さをはかったところ、上記組成のめっき液を用いた場合では１．７〜２．０μｍ、シアン化物イオンを含む通常のめっき液を用いた場合では１．６〜１．８μｍであった。このようにして作成したプリント配線基板についてその表面を光学顕微鏡で観察し、配線パターン１０の間に金が析出し配線が短絡している基板が、１０枚中２枚以上の場合を不良、０〜１枚の場合を良として評価した。その結果を表３に示した。
　したがって本発明の無電解金めっき液を用いれば、プリント配線基板の配線間隔が２００μｍ以下の表面配線上に厚さ０．５μｍ以上の金皮膜をめっきにより形成できるので、部品の高密度な搭載の可能なプリント配線基板を製造することができる。しかも基板の絶縁体表面に金が析出することによる配線短絡は全く起こらない。
実施例１０
　図１３に示すモジュールの多層セラミック配線基板１２の金めっきに、本発明の無電解金めっき液を適用した例について述べる。この多層セラミック配線基板１２は図１４に示す構造をもち、セラミックス製絶縁体１６とタングステン製配線１７とからなる。基板の第１主面上に半導体チップ１３がはんだにより接続されるチップ接続パッド１８、配線変更のためのワイヤボンディングがされる補修パッド１９、冷媒を通す気密封止用キャップ１５がはんだ付けされる封止パッド２０があり、第２主面上にＩ／Ｏピン１４がろう付けされるピン付けパッド２１がある。これらのタングステン製表面配線ははんだ付け、ワイヤボンディング、ろう付けなどの接続を行うために、図１５のようにタングステン２２はまずニッケル皮膜２３、次に金皮膜２４でおおわれる。
　ここでは図１６に示すチップ接続パッド１８の間隔Ａが、１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、および４００μｍの５種類である多層セラミック配線基板を作成した。上記５種類の配線間隔それぞれについて、アルミナを主成分とする１０枚の多層セラミック基板とムライトを主成分とする１０枚の多層セラミック基板を作成した。基板の表面配線を形成しているタングステンを通常のパラジウム活性化液を用いて活性化後、その上に厚さ５μｍのニッケル皮膜を通常の無電解ニッケルのめっき液を用いて形成し、さらにその上に通常の置換金めっき液を用いて金めっきした。この金皮膜の厚さは蛍光Ｘ線膜厚計ではかったころ、アルミナを主成分とするものおよびムライトを主成分とするものどちらの配線基板についても０．１〜０．３μｍであった。これらの基板を以下に示すめっき液成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液を用いて金めっきした。
（めっき液成分配合量およびめっき条件）
塩化金（ＩＩＩ）酸ナトリウム　　　０．０１５ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　　０．１　　ｍｏｌ／１
尿素　　　　　　　　　　　　　　　０．０４　ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　０．３　　ｍｏｌ／１
ホウ砂　　　　　　　　　　　　　　０．１　　ｍｏｌ／１
水　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
液温　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８０℃
ｐＨ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　９．０
　上記めっき液を強制かくはんし、２時間めっきした後析出した金皮膜の厚さをはかったところ、アルミナを主成分とするものおよびムライトを主成分とするものどちらの配線基板についても２．０〜２．３μｍであった。比較のために上記と全く同様にして、ただし無電解金めっき液としてシアン化物イオンを含む通常の無電解金めっき液を用いて２時間めっきした多層セラミック配線基板を作成した。この場合に析出した金皮膜の厚さをはかったところ、アルミナを主成分とするものおよびムライトを主成分とするものどちらの配線基板についても１．８〜２．０μｍであった。こうして作成した多層セラミック配線基板の表面を、光学顕微鏡で観察し絶縁体表面に析出した金による配線短絡の有無を調べた。一定の配線間隔をもつ１０枚のアルミナを主成分とする多層セラミック配線基板および１０枚のムライトを主成分とする多層セラミック配線基板に関して、配線短絡の見出された基板の枚数を表４に示す。本発明の無電解金めっき液を用いて金めっきしたすべての配線基板について、配線短絡は見出されなかった。
　次に、配線短絡の観察されなかった配線基板を用いて図１３のモジュールを組み立てた。半導体チップ１３をはんだ接続し、補修パッド１９にワイヤボンデイングを行い、気密封止用キャップ１５をはんだ接続した。またＩ／Ｏピン１４を金−ゲルマニウムロウ材を用いて接続した。
　組み立てたモジュールの接続部分の検査を以下のように行った。まず半導体チップのはんだ接続、ワイヤボンディング、およびＩ／Ｏピンのろう付けについては、すべての接続部分に電気信号を流す電気的な検査を行った。また封止部のはんだ接続についてはヘリウムガスをモジュール内部に充填し気密状態にしてから、モジュール全体を減圧した容器にいれてヘリウムガスのリークの有無を調べた。その結果、作成したすべてのモジュールについて半導体チップ接続およびワイヤボンデイングに接続不良が全くないこと、また封止部のヘリウムリークがなく封止部の接続不良のないことが確認できた。
　さらに、作成したすべてのモジュールについて電気信号の基板による遅延特性を測定した。その結果、本発明の無電解金めっき液により得られる配線間隔５０μｍをもつ配線基板を用いたモジュールは、通常の無電解金めっき液により作成可能な最小の配線間隔２００μｍをもつ配線基板を用いたモジュールと比較して、基板による信号遅延は約１／４であった。
　したがって本発明の無電解金めっき液を用いてモジュールの基板を金めっきすることにより、高密度に部品を搭載できてしかもそれらの部品との接続信頼性の高い基板を高歩留に製造することができる。その結果、基板による電気信号遅延の少ないモジュールを製造することができる。特に本発明の無電解金めっき液を電子計算機用モジュールの基板の金めっきに適用すれば、通常の無電解金めっき液を適用した場合より基板上へのより高密度な部品搭載が可能となり、基板による電気信号遅延の少ないモジュールを高歩留に製造することができるので、高速な電子計算機の量産に効果がある。
実施例１１
　図１７に示す半導体素子をプリント配線基板上に、パッケージを介せず直接搭載するチップ・オン・ボード（ＣＯＢ基板）用プリント配線基板を銅張り積層板２５（基盤はガラスエポキシ樹脂）を用い、通常の回路形成法（サブトラクト法）により導体回路を形成した。次いで２６のワイヤボンディングパッド部位外をドライフィルムレジストを用いて選択的にマスキングした後、基板をパラジウム活性化液（Ｐｄｃｌ２：０．２ｇ／ｌ，ＨＣｌ：５０ｍｌ／ｌ）に浸漬、導体表面を活性化した。次いで基板を無電解ニッケルめっき液、置換金めっき液および以下に示す組成および条件の無電解Ａｕめっき液を用いてボンディングパッド２６上（銅上）にニッケル：１μｍ（３２）、金：３μｍ（３３）を形成せしめ（めっき後、レジストは除去）図１８に示すメタライズ構成からなるボンディングパッドを有するプリント配線基板を作成した。
（無電解金めっき液組成）
塩化金酸ナトリウム　　　　　　０．０１ｍｏｌ／１
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　０．１　ｍｏｌ／１
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　０．４　ｍｏｌ／１
ほう砂　　　　　　　　　　　　０．１　ｍｏｌ／１
チオ尿素　　　　　　　　　　　０．０５ｍｏｌ／１
（条件）
ｐＨ：９．０
温度：８０℃
　上記基板のダイポンドパッド２７上に導電エポキシ系接着剤（Ａｇ入り）を用いて半導体素子２９（チップ）を接合した。次いでサーモソニックボンディング装置により（ボンディング圧力：１００ｇ）３０μｍφの金線を半導体素子２９のボンディングパッドおよび基板上のボンディングパッド２６上に接合した。接合性（金線の引張り試験）を評価した結果、いずれも金線の破断モードであり良好なボンディング性を示すことを確認した。
実施例１２
　図１９および図２０に示すようにアルミナセラミック基板３４上にタングステン製配線（ダイボンディングパッド３５、ワイヤボンディングパッド３６、はんだ付けパッド３８、スルーホール部３７）を通常の方法により形成したリードレスチップキャリアを、図６のめっきプロセスにしたがってめっきした。まず通常のパラジウム活性化液を用いてタングステンを活性化し、通常の無電解ニッケルめっき液を用いて厚さ４μｍのニッケル皮膜を形成し、さらに通常の置換金めっき液を用いて厚さ０．１μｍの金皮膜を形成した。こうして作成した２０個のリードレスチップキャリアを実施例１０にあげためっき成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に浸して、厚さ２μｍの金皮膜を形成した。
　従来のめっきは電気めっき液を用いて行われており、比較のために電気めっきも行った。この場合、図２１に示すように同一のアルミナセラミック基板上に複数のリードレスチップキャリア３９の配線およびそれらの配線間に電気的導通をとるための導通用配線４０を形成し電気めっきする。その後導通用敗戦を割って採り、単独のリードレスチップキャリアとする。電気めっきは次のように行った。タングステン製配線上に通常の電気ニッケルめっき液を用いて厚さ４μｍのニッケル皮膜を形成し、さらに通常の電気金めっき液を用いて厚さ２μｍの金皮膜を形成した。めっき終了後基板を割って単独のリードレスチップキャリアを取り出した。
　こうして作成した無電解めっきされたリードレスチップキャリアと電気めっきされたものを、以下に示すスチームエージングにより評価した。すなわち２ｌビーカ中に純水約１ｌを沸騰させ、水面上約３．８ｍｍにリードレスチップキャリアを設置し、ビーカ開口部を７／８おおい１時間放置した。その後はんだ付けパッド３８の変色がなくかつはんだ付けパッドにはんだディップを行いはんだ付けパッドの面積の９５％以上がはんだで濡れるものを良品と判断した。その結果本発明の無電解金めっき液を用いて作成した２０個のリードレスチップキャリアすべてが良品と判断されたが、従来の電気めっきプロセスで作成したリードレスチップキャリアは２０個中３個しか良品と判断されえなかった。
　この結果は次の理由による。本発明の無電解金めっき液を適用した場合は配線表面がすべてピンホールのない金皮膜によっておおわれる。それに対し電気めっきプロセスにより作成した場合は、導通用配線を割り取ることにより図２２に示すようなスルーホール部３７の破断面が生じ、金皮膜４１の下のニッケル４２およびタングステン４３が露出する。これらの金属が上記スチームエージングにより酸化物を生じ、それがはんだ付けパッド３８にまで広がりはんだ濡れ不良の原因となる。また従来の無電解金めっき液を用いると上記電気めっきの問題は生じないもののリードレスチップキャリアの基板のセラミック上にも金が析出しやすく歩留が悪い。したがって本発明の無電解金めっき液をリードレスチップキャリアの金めっきに適用すれば、接続信頼性の高いリードレスチップキャリアを高歩留りで製造することができる。
実施例１３
　アルミナセラミック基板３４上にタングステン製配線を通常の方法により形成した。図１９および図２０に示すリードレスチップキャリアを図８に示すめっきプロセスにしたがってめっきした。まず通常のパラジウム活性化液を用いてタングステンを活性化し、通常の無電解コバルトめっき液を用いて厚さ４μｍのコバルト皮膜を形成し、さらに通常の置換金めっき液を用いて厚さ０．１μｍの金皮膜を形成した。こうして作成した２０個のリードレスチップキャリアを実施例１０にあげためっき液成分配合量およびめっき条件の本発明の無電解金めっき液に浸して、厚さ２μｍの金皮膜を形成した。実施例１２と同様比較のための電気めっきも行った。用いた基板は実施例１２で用いた図２１に示す電気めっき用のもので、通常の電気コバルトめっき液で厚さ４μｍのコバルト皮膜、さらに電気金めっき液で厚さ２μｍの金皮膜を形成した。この基板を割ってリードレスチップキャリア２０個を作成した。
　これらの無電解めっきされたリードレスチップキャリアと電気めっきされたものを、実施例１２と同様にしてスチームエージング後のはんだ付けパッド３８のはんだ濡れ性で評価した。その結果本発明の無電解金めっき液を用いて作成した２０個のリードレスチップキャリアすべてが良品と判断されたのに対し、電気めっきで作成したものは２０個中４個しか良品と判断されなかった。この原因は実施例１２と全く同じであった。また従来の無電解金めっき液を用いた場合は基板のセラミック上に金が析出しやすく、歩留りが悪かった。したがって本発明の無電解金めっき液を用いためっきプロセスによれば、接続信頼性の高いリードレスチップキャリアを高歩留りで製造することができる。
実施例１４
　図２３に示すテープキャリアを以下の工程により形成した。即ち、厚さ３５μｍを銅箔を接着したポリアミド等の絶縁フィルム４４に、テープ送り用のスプロケット孔４５をあける。次に通常のホトプロセスにより所定のレジストパターンを形成した後、過硫酸アンモニウム等のエッチング液を用いて銅箔をエッチングし、所定の銅配線４６を形成する。その後、塩化パラジウムと塩酸からなる活性化液により銅配線表面の活性化処理を行ない、続いて、硫酸ニッケルを主成分とし、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて、銅配線に厚さ３μｍのニッケルめっき膜４７を形成する。次に、シアン化金カリウムを主成分とする置換型金めっき液により、上記のニッケルめっき膜上に厚さ約０．１μｍの金めっき膜を形成する。この金めっき膜を触媒として、前記の本発明の無電解金めっき液により厚さ約１μｍの金めっき膜４８を形成した。図２４に上記銅配線上に形成されためっき膜の層構造を示す。図２５に示すように、この様にして形成したテープキャリアの銅配線の先端部４９と半導体素子５０に形成した金の突起電極５１とを熱圧着により接合した。その接合強度を測定した結果、１個の突起電極当り５０ｇ以上の引張破断力が得た。これは置換型金めっきのみの場合、すなわちＡｕ厚約０．１μｍのときの引張破断力約２０ｇの２倍以上の強度である。
　一方金厚を約１μｍ形成する方法にはシアン系無電解金めっき液、および電気めっきの適用がある。しかしシアン系無電解金めっきでは、液温９０℃、ｐＨ１３であるため、ポリイミド等のベースフィルムおよび銅配線とベースフィルムを接着している接着が溶解するため適用できない。また電気めっき法では通電パターンを形成しなければならずベースフィルムの利用効率が低下し、コスト高となる。
実施例１５
　以下、本発明のＸ線露光用マスクおよびその製造方法について説明する。
　図２６は本発明のＸ線露光用マスクの構成を断面図で示したものである。マスク基体５２、例えばシリコン単結晶の基体上に、Ｘ線透過支持体５３が形成されている。Ｘ線透過支持体は厚さ０．５〜５μｍ程度のポリイミド、ポリイミドアミド等の耐熱性樹脂、チタン、ボロン、窒化ケイ素、酸化ケイ素などＸ線透過率の大きい金属、無機化合物の被膜により形成されている。Ｘ線透過支持体上に前記本発明の無電解金めっき液を用いて形成した所定形状のＸ線吸収パターン５４が形成されている。Ｘ線吸収パターンとＸ線透過支持体との接着性を向上させる目的でニッケル、銅等の下地膜５５、さらに接着剤層５６を形成してもよい。
　本発明のＸ線露光用マスクの製造工程を図２７により説明する。（ａ）シリコンウェハ等のマスク基体５２の上にポリイミドワニスを塗布、ベークして厚さ約２μｍのポリイミド支持体５３を形成する。（ｂ）次に、合成ゴム系の接着剤をポリイミド支持体上に塗布、乾燥した後、クロム酸と硫酸を主成分とするエッチング液に浸漬して接着剤層５６の表面を粗化して接着力を向上させる。
（ｃ）次に、塩化パラジウム、塩化第一スズを主成分とする酸性活性化液により接着剤層５６の表面を活性化処理するその後通常のホトプロセスによりホトレジストを塗布、べークし所定のパターンを焼付けた後、現像して、所定のＸ線吸収パターン５７を形成する。（ｄ）次に、硫酸ニッケルを主成分とし、次亜リン酸ナトリウムを還元剤とする無電解ニッケルめっき液を用いて、前記の活性化処理をした接着剤層表面の露出しているＸ線吸収パターン部分にニッケル下地膜５５を約０．５μｍの厚さに析出させる。（ｅ）次いで、シアン化金ナトリウムを主成分とする置換型金めっき液を用いて、ニッケルと金とを置換反応せしめ、ニッケル上に約０．１μｍ厚の金５８を析出させる。その後、前記の本発明の無電解金めっきを用いて、置換金５８を触媒として金５４を約０．６μｍの厚さに還元析出させる。（ｆ）また、シリコン基体５２は裏面にエッチングマスクを形成して、水酸化ナトリウムを主成分とするエッチング液により窓５９あけを行なう。最後にホトレジスト、エッチングマスクを除去する。
実施例１６
　図１２に示す形状の配線パターン１０をタングステン導体でアルミナセラミック１１上に形成したセラミック配線基板で、配線パターン間隔が３０μｍのものを４０枚作製した。以下実施例８と同様にして活性化、ニッケルめっき、置換金めっきまで行い、金めっき膜の厚さを測ったところ４０枚すべての基板について０．１〜０．２μｍであった。これらの基板を１０枚ずつまとめてａ，ｂ，ｃ，ｄ４つのグループに分けてａグループの１０枚を３０分、ｂグループの１０枚を４時間、ｃグループの１０枚を７時間、ｄグループの１０枚を１１時間だけそれぞれ実施例８に示したのと同じ組成およびめっき条件の無電解金めっき液に浸した。めっき後金皮膜の膜厚を測ったところ上記めっき時間に対応して各グループの金皮膜の厚さはａグループで０．６μｍ、ｂグループで３．１μｍ、ｃグループで４．９μｍ、ｄグループで７．２μｍであった。このようにして作製したセラミック配線基板についてその表面を光学顕微鏡で観察し配線パターン１０の間に金が析出して配線が短絡している基板の有無を調べた。その結果ａ〜ｄのどのグループの基板についても配線短絡は全く観察されなかった。このように本実施例で示した方法によれば、配線導体の表面に所望の厚さの金めっき膜を形成することができ、しかもきわめて微小な間隔の配線においても、配線間の絶縁体表面に金が析出して配線が短絡する現象はおこらない。
　実施例１７
　図１０および図１１に示すセラミックチップキャリアを試料として用いた。ワイヤボンディングパッド８とダイボンディングパッド７の各導体の表面に厚さ３μｍのニッケル皮膜を無電解ニッケルめっきで、次に厚さ０．２μｍの金皮膜を置換めっきでつけた。このキャリアを脱脂液、次に希塩酸で洗浄後よく水洗し窒素ブローで乾燥した。このようにして作成したキャリア７０枚を１０枚ずつａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇの７つのグループに分けて、ａグループの１０枚はそのまま試料とした。ｂグループの１０枚を１０分、ｃグループの１０枚を２０分、ｄグループの１０枚を３０分、ｅグループの１０枚を１時間、ｆグループの１０枚を２時間、ｇグループの１０枚を５時間、それぞれ以下に示す組成の無電解金めっき液に液温８０℃、ｐＨ９．０の条件で浸した。めっき後皮膜の厚さを測ったところ、上記めっき時間に対応して各グループの金皮膜の厚さは、ａグループで０．２μｍ、ｂグループで０．４μｍ、ｃグループで０．５μｍ、ｄグループで０．６μｍ、ｅグループで１．１μｍ、ｆグループで２．０μｍ、ｇグループで４．１μｍであった。
（無電解金めっき液の組成）
水　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
チオ硫酸金（Ｉ）ナトリウム　　０．０２５ｍモル／ｌ
チオ尿素　　　　　　　　　　　０．１５　　モル／ｌ
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　０．２　　　モル／ｌ
ホウ砂　　　　　　　　　　　　０．１　　　モル／ｌ
　このように作製した７０枚のセラミックチップキャリアを試料として、それらの金めっきされた導体部分の接続特性を以下に示す方法で評価した。
１．ワイヤボンディング性
　２５μφの金ワイヤを約１５０℃に加熱した試料のワイヤボンディングパッド上に圧接した後、ワイヤに６ｇの荷重を加えて引っ張り、ワイヤがワイヤボンディングパッドからはがれないものを良品とした。
２．ダイボンディング性
　窒素雰囲気中４３０℃で、ダイボンディングパッドとシリコンチップのダイボンディングを行った後、ヒートショック試験（０℃⇔２００℃、各１０秒ずつ５サイクル）を行い、シリコンチップがはがれないものを良品とした。
　以上の評価の結果を表５に示す。
　また図１０および図１１に示したものと同じ形状のプリント配線基板について、上記の方法によりめっきしその接続特性を評価したところ、上記と同様の結果を得た。
　また上記と全く同様にして金皮膜の厚さが異なる７種類の試料ａ〜ｇの各グループ１０枚ずつを作成し、ニッケル皮膜の密着性を向上させるために通常行われる加熱処理を施した。これは還元雰囲気下７５０℃で１０分間加熱するものである。この処理後、上記と同様にして試料のワイヤボンディング性およびダイボンディング性を評価した。その結果を表６に示す。
　比較のため上記の方法のうち無電解金めっき液として、上記組成の無電解金めっき液のかわりに市販の無電解めっき液を用いて、上記ａ〜ｇグループと同じ７種類の厚さの金皮膜をもつ試料を２０枚ずつ計１４０枚作成した。この試料をａ〜ｇの各グループについて１０枚ずつ２組に分け上記と同様に加熱処理前後のワイヤボンディング性およびダイボンディング性を評価した。その結果を表７に示す。
　加熱処理後のｅグループの不良品の表面を調べたところ、市販の無電解金めっき液の還元剤から発生する水素ガスがめっき物表面に付着して生じたピンホール部を通じて、下地のニッケルが表面にまで拡散したため、接続不良のおこったことがわかった。
　したがって、本発明の方法によって製造した配線基板は金皮膜の厚さ０．５μｍ以上ですぐれた接続信頼性を示す。さらに加熱処理を施す場合、本発明の方法によれば金皮膜の厚さを好ましくは１．０μｍ以上、特に好ましくは２．０μｍ以上とすることにより、すぐれた接続信頼性をもつ配線基板が得られる。従来の市販の無電解金めっき液を用いた方法では、加熱処理を施す場合金皮膜の厚さを２．０μｍ以上にしなければすぐれた接続信頼性は得られず、本発明の方法に比べ約２倍の厚さの金皮膜が必要である。すなわち市販の無電解金めっき液を用いた方法では、経済的に不利である。
実施例１８
　図２８に示す鉄−ニッケル−コバルト合金製リードフレーム６０を試料として用いた。リードフレームの表面に厚さ５μｍのニッケル皮膜を無電解めっきで、次に厚さ０．２μｍの金皮膜を置換めっきでつけた。このリードフレームを脱脂液、次に希塩酸で洗浄後よく水洗し、窒素ブローで乾燥した。このようにして作成したリードフレーム１４０枚を２０枚ずつａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆ，ｇの７つのグループに分けて、ａグループの２０枚はそのまま試料とした。ｂグループの２０枚を１０分、ｃグループの２０枚を２０分、ｄグループの２０枚を３０分、ｅグループの２０枚を１時間、ｆグループの２０枚を２時間、ｇグループの２０枚を５時間、それぞれ以下に示す組成の無電解金めっき液に液温８０℃、ｐＨ５．０として浸した。
（無電解金めっき液の組成）
水　　　　　　　　　　　　　　　　１ｌ
塩化金（ＩＩＩ）酸ナトリウム　　　０．０２５モル／ｌ
チオ硫酸ナトリウム　　　　　　　　０．２５　モル／ｌ
チオ尿素　　　　　　　　　　　　　０．１０　　モル／ｌ
亜硫酸ナトリウム　　　　　　　　　０．２０　　モル／ｌ
塩化アンモニウム　　　　　　　　　０．２０　　モル／ｌ
　めっき後金皮膜の厚さを測ったところ、上記のめっき時間に対応して各グループの金皮膜の厚さはａグループで０．２μｍ、ｂグループで０．３μｍ、ｃグループで０．５μｍ、ｄグループで０．７μｍ、ｅグループで１．０μｍ、ｆグループで１．８μｍ、ｇグループで３．９μｍであった。
　また上記リードフレームの製造方法のうち、最後の無電解金めっきにおいて上記組成のめっき液のかわりに市販の無電解金めっき液を用いて、上記と同じａ〜ｇの７種類の金皮膜の厚さをもつ試料を２０枚ずつ計１４０枚作成した。
　このようにして作成した試料を用い、長期保存の影響を調べるための加速試験としてスチームエージングを行い、長期保存前後のはんだ濡れ性を評価した。スチームエージングは以下に示すように行なった。すなわち２ｌビーカ中に純水約１ｌを沸騰させ、水面上約３．８ｍｍにリードフレームを設置し、ビーカ開口部を７／８おおい１時間放置した。リードフレームのはんだ濡れ性は、リードフレームのはんだディップを行い、リード面積の９５％維持用がはんだで濡れているものを良品とすることにより評価した。
　本発明の方法で製造した試料をａ〜ｇの各グループで１０枚ずつ２組に分け、片方をそのままではんだ濡れ性について評価し、一方を上記スチームエージングにかけた後それらのはんだ濡れ性を評価した。市販の無電解金めっき液を用いて製造した試料についても、同様にスチームエージング前後のはんだ濡れ性を評価した。本発明のめっき液を用いた場合の結果を表８に、市販のめっき液を用いた場合の結果を表９に示す。
　市販の無電解金めっき液によって金めっきされたリードフレームのうち、スチームエージング後のはんだ濡れ性評価で不良と判定されたｆグループのリードフレームについて、その不良の原因を調べたところ、実施例１７で述べたのと同様、市販の無電解金めっき液で発生する水素ガスによりピンホールが生じ、そこからニッケルの酸化がおこるためであった。
　したがって、本発明の製造方法で１．０μｍ以上の厚さの金皮膜をつけた電子部品は、長期保存後のはんだ濡れ性がすぐれている。一方、市販の無電解金めっき液を用いる方法では、長期保存後のはんだ濡れ性を保つのに４．０μｍ以上の厚さの金皮膜が必要である。すなわち、本発明によれば従来の方法より薄い金皮膜によって、長期保存後でもはんだ濡れ性のすぐれたリードフレームなどの電子部品が得られるので、金の節約が可能で経済的に有利である。
　【発明の効果】
　以上のように本発明によれば、シアン化物イオンを全く含まず、しかも還元剤使用量が少なく、かつ微小な配線間隔を有する配線上に配線短絡を生じさせることなく金めっきをすることのできる無電解金めっき液を得ることができる効果がある。
　また、作業時および廃液処理時において、安全性に問題のない無電解金めっき方法を得ることができる効果がある。
　また、高密度に部品を搭載でき、部品との接続信頼性の高い電子装置、モジュール及び配線基板を得ることができる効果がある。
　また、はんだ付け性が優れ、かつ微細なパッド形状を有するリードレスチップキャリアを得ることができる効果がある。
　また、電子素子とテープ上の配線との接続強度が高く、テープのベースフィルムの利用効率の高いテープキャリアを得ることができる効果がある。
　また、寸法精度の高いＸ線露光用マスクを得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の無電解金めっき液を用いて、金を析出させたときの金膜厚（μｍ）とめっき時間（ｈ）との関係を示す。
　【図２】
　銅板上に無電解金めっきを施すプロセスの一例を示すフローチャートであり、電気ニッケルめっき膜、電気金めっき膜、無電解金めっき膜を順次積層するめっき方法を示す。
　【図３】
　銅板上に無電解金めっきを施すプロセスの一例を示すフローチャートであり、無電解ニッケルめっき膜、無電解金めっき膜を順次積層するめっき方法を示す。
　【図４】
　銅板上に無電解金めっきを施すプロセスの一例を示すフローチャートであり、スパッタリングにより形成した金膜、無電解金めっき膜を順次積層するめっき方法を示す。
　【図５】
　銅板上に無電解金めっきを施すプロセスの一例を示すフローチャートであり、蒸着により形成した金膜、無電解金めっき膜を順次積層するめっき方法を示す。
　【図６】
　タングステン配線上に、無電解金めっきを施すプロセスの一例を示すフローチャートであり、タングステン配線表面上をパラジウム活性化液により活性化し、その活性化された表面上に無電解ニッケルめっき膜、置換金めっき膜、無電解金めっき膜を順次積層するめっき方法を示す。
　【図７】
　モリブデン配線上に、無電解金めっきを施すプロセスの一例を示すフローチャートであり、モリブデン配線表面上をパラジウム活性化液により活性化し、その活性化された表面上に無電解ニッケルめっき膜、置換金めっき膜、無電解金めっき膜を順次積層するめっき方法を示す。
　【図８】
　タングステン配線上に、無電解金めっきを施すプロセスの一例を示すフローチャートであり、タングステン配線表面上をパラジウム活性化液により活性化し、その活性化された表面上に無電解コバルトめっき膜、置換金めっき膜、無電解金めっき膜を順次積層するめっき方法を示す。
　【図９】
　銅配線上に、無電解金めっきを施すプロセスの一例を示すフローチャートであり、銅配線表面上をパラジウム活性化液により活性化し、その活性化された表面上に無電解ニッケルめっき膜、置換金めっき膜、無電解金めっき膜を順次積層するめっき方法を示す。
　【図１０】
　本発明に係る無電解金めっき液を用いて金めっきを施したセラミック配線基板の斜視図。
　【図１１】
　図１０におけるＡ−Ａ断面図である。
　【図１２】
　（ａ）は本発明の無電解金めっき液を用いて金めっきしたセラミック配線基板およびプリント配線基板の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
　【図１３】
　本発明の無電解金めっき液を用いて金めっきをした配線基板を有する。モジュールの断面斜視図である。
　【図１４】
　図１３のモジュールにおける、多層セラミック配線基板を中心とした断面図である。
　【図１５】
　図１３のモジュールにおける、多層セラミック配線基板の表面配線の一部を拡大した断面図である。
　【図１６】
　上記多層セラミック配線基板の第１主面の一部の平面図。
　【図１７】
　電子素子をプリント配線基板上に直接搭載した電子装置に、本発明に係る無電解金めっきを適用したときの電子装置の一部断面図である。
　【図１８】
　図１７におけるプリント配線基板の表面配線の断面図である。
　【図１９】
　（ａ）は、本発明に係る無電解金めっき液を用いて金めっきを施したリードレスチップキャリアの斜視図（ｂ）はそのＢ−Ｂ断面図である。
　【図２０】
　（ａ）は、図１９のリードレスチップキャリアの平面図、（ｂ）は図１９のリードレスチップキャリアの裏面図である。
　【図２１】
　複数のリードレスチップキャリアとそれらの電気めっき用の導通配線とを一緒に形成したセラミック配線基板の平面図である。
　【図２２】
　上記リードレスチップキャリアのスルーホール部の拡大図である。
　【図２３】
　本発明の無電解金めっき液を用いて金めっきしたテープキャリアの平面図である。
　【図２４】
　上記テープキャリアの銅配線上のめっき膜の層構造を示す図である。
　【図２５】
　図２３のテープキャリアの断面図である。
　【図２６】
　本発明の無電解金めっき液を用いて金めっきしたＸ線露光用マスクの断面図である。
　【図２７】
　上記Ｘ線露光用マスクの製造工程を示す。
　【図２８】
　鉄−ニッケル−コバルト合金製リードフレームの斜視図を示す。