【事件の表示】
　特許第３０６０８０６号「液晶表示装置及びその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６０８０６号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３０６０８０６号の請求項１乃至５に係る発明についての出願は、平成５年１２月１６日に出願され、平成１２年４月２８日にその特許の設定登録がなされ、その後、前田利佳より特許異議の申立てがなされ、平成１３年４月２６日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年７月２３日に訂正請求がなされたものである。
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１乃至２における「実装用電極と電気的に接続され」を、「Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された実装用電極と導電性粒子により電気的に接続され」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項３における「実装用電極と電気的に接続され」を、「Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施されたＴＡＢ電極と導電性粒子により電気的に接続され」と訂正する。
＊訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項１、４における「下層Ｔｉと上層Ａｌの積層膜または下層Ｔｉと上層Ａｌ合金の積層膜のいずれかの積層膜で構成される」を、「下層Ｔｉと上層Ａｌの積層膜または下層Ｔｉと上層Ａｌ合金の積層膜で構成される」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項２、３、５における「下層Ｔｉと中層Ａｌと上層Ｔｉの積層膜または下層Ｔｉと中層Ａｌ合金と上層Ｔｉの積層膜のいずれかの積層膜で構成される」を、「下層Ｔｉと中層Ａｌと上層Ｔｉの積層膜または下層Ｔｉと中層Ａｌ合金と上層Ｔｉの積層膜で構成される」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１乃至２における実装用電極を、Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された実装用電極と限定するとともに実装用電極と導電性粒子により電気的に接続される点を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項３における実装用電極を、下位概念のＴＡＢ電極に限定しかつＡｕめっき、またはＳｎめっきが施された点を限定するとともに、ＴＡＢ電極と導電性粒子により電気的に接続される点を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、当該訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｃ及びｄは、特許請求の範囲の請求項１乃至５において、択一的に選択される積層膜について、「または」及び「いずれか」と重複して記載していたものを、「いずれか（の積層膜）」を削除するもので、明りょうでない記載の釈明を目的としたものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第１項ただし書、第２項乃至第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
（３）特許異議申立てについての判断
ア．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として、甲第１号証（特開平４−１７２３２５号公報）及び甲第２号証（特開平６−１４８６８３号公報）、を提示して次のように主張している。
　本件請求項１乃至３記載の発明は、甲第２号証に係る特願平４−３０３４２４号の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という。）に記載された発明であるから、本件請求項１乃至３記載の発明についての特許は、特許法第２９条の２第１項の規定に違反してなされたものである。
　また本件請求項１記載の発明は、甲第１号証に記載された発明と同一であるか、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたから、本件請求項１記載の発明についての特許は、特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨主張している。
イ．本件発明
　訂正明細書の本件発明は、特許請求の範囲の請求項１乃至３に記載された次のとおりのものである（以下、「本件発明１乃至３」という。）。
【請求項１】薄膜トランジスタアレイを形成する液晶表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極の信号入力用外部引出し電極が直接外部へ引き出されて成り、他の金属膜を介さずに、Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された実装用電極と導電性粒子により電気的に接続され、前記ゲート電極の電極構成が下層Ｔｉと上層Ａｌの積層膜または下層Ｔｉと上層Ａｌ合金の積層膜で構成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】薄膜トランジスタアレイを形成する液晶表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極の信号入力用外部引出し電極が直接外部へ引き出されて成り、他の金属膜を介さずに、Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された実装用電極と導電性粒子により電気的に接続され、前記ゲート電極の電極構成が下層Ｔｉと中層Ａｌと上層Ｔｉの積層膜または下層Ｔｉと中層Ａｌ合金と上層Ｔｉの積層膜で構成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】薄膜トランジスタアレイを形成する液晶表示装置において、薄膜トランジスタのソース電極の信号入力用外部引出し電極が直接外部へ引き出されて成り、Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施されたＴＡＢ電極と導電性粒子により電気的に接続され、前記ソース電極の電極構成が下層Ｔｉと中層Ａ１と上層Ｔｉの積層膜または下層Ｔｉと中層Ａ１合金と上層Ｔｉの積層膜で構成されることを特徴とする液晶表示装置。
ウ．引用例等
　異議申立人が提出した甲第１号証には、アクティブマトリクス型液晶表示パネルが図面とともに開示されている。そして明細書の第２頁左上欄第１３行〜第１６行には、「第３図はアクティブマトリクス型液晶表示パネルの外観を示す・・・透明基板１１の上に薄膜トランジスタ素子アレイが形成され」と記載され、同頁右上欄第１２行〜第１７行には、「第４図は薄膜トランジスタの構成例を示す図で・・・１０は薄膜トランジスタで、スキャン電極４００から張り出したゲート電極１４」と記載され、第３頁左下欄第１７行〜右下欄第５行には、「４はスキャン電極端子列でスキャン信号を図示してない駆動回路から印加するための接続端子で、スキャン電極４００の各端末に形成されており、各スキャン電極端子４０の上に絶縁膜１３を介してそれぞれ酸化物導電膜９を形成し、さらに、酸化物導電膜９とスキャン電極端子４０とを絶縁膜１３を貫通する導通路５によって接続したものである。」と記載されている。更に第４頁左上欄第２行〜第８行には、「データ電極端子５０およびスキャン電極端子４０の両方ともに，たとえば、酸化物系の導電膜であるＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＳｎＯ２）膜で構成されているので、外部駆動回路へ接続する，たとえば、異方性導電フィルムを介してのフレキシブル配線ケーブルの端子との接続強度は高まり，かつ、接続抵抗も著しく低下した。」と記載され、同欄第１７行〜右上欄第５行には、「工程（１）：透明基板１１，たとえば、ガラス基板の上に，たとえば約８０ｎｍのＴｉと約１００ｎｍのＡｌとを順次真空蒸着法により膜形成し、スキャン電極端子列領域にスキャン電極端子４０（Ｔｉ膜からなる４０ａ部分とＡｌ膜からなる４０ｂ部分の２層構造）と薄膜トランジスタ領域にゲート１４（Ｔｉ膜からなる１４ａ部分とＡｌ膜からなる１４ｂ部分の２層構造）とを公知のホトリソグラフィ技術を用いて形成する。」と記載されている。
  異議申立人が提出した甲第２号証に係る先願明細書等には、液晶表示装置の配線構造の発明が記載されており、同先願明細書には次のような事項が記載されている。
　段落０００５には、「【課題を解決するための手段】　本発明の液晶表示装置では、Ｔａ／Ａｌ／Ｔａ，Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ，Ｃｒ／Ａｌ／ＣｒあるいはＭｏ／Ａｌ／ＭｏのようにＡｌをＴａ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｏ等で挟み込んだ３層金属配線構造としている。又、金属配線パターニング後、スルーホール部を除き金属表面あるいは側壁部をシリコン窒化膜より成る表面保護膜あるいはゲート絶縁膜で被覆している。」と記載され、
　段落０００９には、「図２は本発明の一実施例を示す液晶表示装置の逆スタガーＴＦＴ構造ガラス基板の断面図である。（ａ）はＴＦＴ部，（ｂ）は走査信号配線部，（ｃ）は映像信号配線部，（ｄ）はスルーホール部，（ｅ）は走査信号配線部と外部配線との接続部，（ｆ）は映像信号配線部と外部配線との接続部を示す。ガラス基板１０上に蓄積容量電極用透明導電膜６１としてＩＴＯを選択形成する。次にゲート金属配線２４として図１で説明した３層金属配線を選択形成する。次にゲート絶縁膜４１としてシリコン窒化膜，Ｓｉ膜７１，ｎ形Ｓｉ膜７２を連続成長し、ｎ形Ｓｉ膜７２とＳｉ膜７１を選択エッチングする。次にスルーホール部形成のためゲート絶縁膜４１を選択エッチングする。さらにドレイン金属配線２５として３層金属配線を選択形成し、次に画素電極用透明導電膜６２としてＩＴＯを選択形成する。次にＴＦＴ形成のためＴＦＴチャネル部上のｎ形Ｓｉ膜７２を選択エッチングする。さらに表面保護膜４２としてシリコン窒化膜を堆積し、外部配線との接続部，画素部等を選択エッチングする。外部配線と接続部には異方性導電膜９０を介して外部接続端子１００に取付けられる。又、外部接続端子１００は水分浸透防止のため樹脂コート膜１１０が被覆される。かくして（ａ）〜（ｆ）に示す各部での断面構造ができる。」と記載されている。
エ．特許法第２９条の２第１項違反について
　本件発明１乃至３と先願明細書等に記載の発明を対比すると、先願明細書等には本件発明１乃至３の構成要件である、実装用電極或いはＴＡＢ電極が「Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された」点について記載されていない。
　したがって、本件発明１乃至３が先願明細書等に記載された発明であるとすることはできない。
オ．特許法第２９条第１項第３号又は特許法第２９条第２項違反について
　本件発明１と甲第１号証に記載の発明を対比すると、甲第１号証には、本件発明１の必須の構成要件である、薄膜トランジスタのゲート電極の信号入力用外部引出し電極が、「Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された実装用電極と導電性粒子により電気的に接続された」点について記載も示唆もされていない（甲第１号証の酸化物導電膜９は、Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された実装用電極ではない。また異方性導電フィルムを介しての接続は、直ちに本件発明１乃至３の導電性粒子による接続には当たらない。）。
  したがって、本件発明１が甲第１号証に記載された発明と同一であるとも、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であるとも、認めることはできない。
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至３に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月１０日（２００１．１２．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１乃至２における「実装用電極と電気的に接続され」を、「Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された実装用電極と導電性粒子により電気的に接続され」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項３における「実装用電極と電気的に接続され」を、「Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施されたＴＡＢ電極と導電性粒子により電気的に接続され」と訂正する。
＊訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１、４における「下層Ｔｉと上層Ａｌの積層膜または下層Ｔｉと上層Ａｌ合金の積層膜のいずれかの積層膜で構成される」を、「下層Ｔｉと上層Ａｌの積層膜または下層Ｔｉと上層Ａｌ合金の積層膜で構成される」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項２、３、５における「下層Ｔｉと中層Ａｌと上層Ｔｉの積層膜または下層Ｔｉと中層Ａｌ合金と上層Ｔｉの積層膜のいずれかの積層膜で構成される」を、「下層Ｔｉと中層Ａｌと上層Ｔｉの積層膜または下層Ｔｉと中層Ａｌ合金と上層Ｔｉの積層膜で構成される」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】薄膜トランジスタアレイを形成する液晶表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極の信号入力用外部引出し電極が直接外部へ引き出されて成り、他の金属膜を介さずに、
Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された
導電性粒子により
膜で
　【請求項２】薄膜トランジスタアレイを形成する液晶表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極の信号入力用外部引出し電極が直接外部へ引き出されて成り、他の金属膜を介さずに、
Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施された
導電性粒子により
膜で
　【請求項３】薄膜トランジスタアレイを形成する液晶表示装置において、薄膜トランジスタのソース電極の信号入力用外部引出し電極が直接外部へ引き出されて成り、
Ａｕめっき、またはＳｎめっきが施されたＴＡＢ
導電性粒子により
膜で
　【請求項４】薄膜トランジスタアレイを形成する液晶表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極の信号入力用外部引出し電極が直接外部へ引き出されて成り、前記外部引き出し電極が他の金属膜を介さずに、ＴＡＢ電極と導電性粒子により電気的に接続され、前記ゲート電極の電極構成が下層Ｔｉと上層Ａｌの積層膜または下層Ｔｉと上層Ａｌ合金の積層
膜で
　【請求項５】薄膜トランジスタアレイを形成する液晶表示装置において、薄膜トランジスタのゲート電極の信号入力用外部引出し電極が直接外部へ引き出されて成り、前記外部引き出し電極が他の金属膜を介さずに、ＴＡＢ電極と導電性粒子により電気的に接続され、前記ゲート電極の電極構成が下層Ｔｉと中層Ａｌと上層Ｔｉの積層膜または下層Ｔｉと中層Ａｌ合金と上層Ｔｉの積層
膜で
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、液晶表示装置およびその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来のＴＦＴアレイ構成について、図６（ａ）〜（ｄ）を用い以下に説明する。
　【０００３】
　まず第１の工程では絶縁性透明基板としてガラス基板１上にアンダーコート膜としてＳｉＯ２膜２を全面形成する。次に第２の工程では前記基板上にゲート電極３となる第１の金属膜として、例えばＡｌ膜もしくはＡｌ合金膜をパターン形成する。この時信号入力用引出し電極となる、ゲート側のＴＡＢ実装用電極３ａは前記ゲート配線の延長端部に引き出され同ゲート材で配置される（図６（ａ）参照）。
　【０００４】
　次に第３の工程では、ゲート絶縁膜４、シリコン半導体層５、及びチャネル保護膜６を成膜する。第４の工程では、ゲート電極３上のチャネル保護膜６をパターニングする。次に第５の工程では、ｎ＋：シリコン膜（図示せず）を形成し、将来ＴＦＴが形成されるように該ｎ＋：シリコン膜及びシリコン半導体層５をパターニングする（図６ｂ参照）。
　【０００５】
　第６の工程では、画素電極７として透明導電膜ＩＴＯを成膜しパターン形成する（図６（ｃ）参照）。
　【０００６】
　第７の工程ではソース・ドレイン電極８となる第２の金属膜として例えばＴｉ／Ａｌをパターン形成する。この時信号入力用引出し電極として、ソース側のＴＡＢ実装用電極は前記ソース配線の延長端部に引き出され同ソース材で配置される。
　【０００７】
　そして第８の工程では絶縁保護膜９となるＳｉＮｘ膜を形成することで、前記ゲート側のＴＡＢ実装用電極上３ａには層間絶縁膜４及び絶縁保護膜９としてのＳｉＮｘ膜が載置され、ソース側のＴＡＢ実装用電極上には絶縁保護膜９としてのＳｉＮｘ膜が載置される。
　【０００８】
　最後に第９の工程として、該絶縁保護膜９をパターン形成する。この時、前記層間絶縁膜４及び絶縁保護膜９としてのＳｉＮｘ膜は、例えばＳＦ６ガスによるドライエッチングにてエッチ除去されることで個々の電極材が露出され、ＴＦＴアレイ基板１０が完成する（図６（ｄ）参照）。
　【０００９】
　そして、ゲートおよびソースの実装電極部にＴＡＢ実装を施し、信号入力用電極を引き出す。
　【００１０】
　ＴＡＢ実装構成を図７（ａ）および図７（ｂ）に示す。ＴＡＢは有機フィルム１１に印刷されたＴＡＢ電極１２とＴＦＴアレイ基板側の前記実装電極３ａとを接着性異方膜１３中に含有させた導電粒子１４を介して電気的接続をするものである。そしてその後、保護用として例えばシリコン樹脂１５をＴＡＢ実装周囲に塗布、硬化させて完成する。
　【００１１】
　【発明が解決しようとする課題】
　液晶表示装置のアンダーコート膜はガラス基板と以降のプロセスで形成されるトランジスタ層との層間にあって、ガラス基板からトランジスタへの汚染防止膜として多く一般に用いられている。また、液晶表示装置のゲート、ソース引出し電極がＡｌあるいはＡｌの合金膜で直接的に引き出されると、湿中環境試験においてＡｌが腐食されやすいという問題点があった。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　前記問題点を解決するため、ゲート電極およびソース電極が直接外部に引き出されてなる本発明の液晶表示装置は、ゲート電極となる金属膜とソース・ドレイン電極となる金属膜がＴｉとＡｌの積層膜で構成される構成とする。
　【００１３】
　【作用】
　前記本発明の構成によれば、ゲート電極をＴｉ／Ａｌで構成することで、１層目のＴｉによりＡｌとガラスとの密着性を向上させる。また、ゲート電極のＴｉ／Ａｌをドライエッチングで加工し、レジストは専用剥離剤を用いることでゲート電極加工時のガラスのエッチングを回避し、ガラス基板からトランジスタ部への汚染を防止するバッファ層となり得る。ゲート及びソース・ドレイン電極のＴＡＢ実装用引出し電極材をＴｉ／Ａｌ或はＴｉ／Ａｌ合金膜の積層膜で構成することでＴＡＢ側電極材との電位差を確保してＡｌ腐食を制御でき得る等の作用を有する。
　【００１４】
　さらには、ゲート電極およびソース電極の外部引き出しを他の金属膜を介して変換せずに直接外部へ引き出さすことで、コンタクトウィンドウ形成工程を不要とし、工程削減を図ることができる。また、ＴＡＢ実装用電極材をゲート及びソース・ドレイン電極をＴｉ／Ａｌ或はＴｉ／Ａｌ合金膜の積層膜で成ることによりＴＡＢ実装用電極パターンの縮小化、実装抵抗の低減を図ることができる。
　【００１５】
　【実施例】
　本発明の第１の実施例について図１（ａ）〜（ｄ）を用い、以下に説明する。
　【００１６】
　先ず第１の工程として絶縁性透明基板として例えばガラス基板１上に、ゲート電極３となる第１の金属膜としてＴｉ／ＡｌやＴｉ／Ａｌ合金膜もしくはＴｉ／Ａｌ／ＴｉやＴｉ／Ａｌ合金膜／Ｔｉの積層膜を製膜する。この時絶縁性透明基板上にＴｉが既に製膜されたガラス基板を用いて、ゲート電極としてＡｌもしくはＡｌ／Ｔｉを製膜する（図示せず）。
　【００１７】
　次にレジストパターンを形成し、二層膜の場合にはＣｌ２やＢＣｌ３などのガスを用いたドライエッチングにてパターン加工し、三層膜の場合にはＳＦ６とＣｌ２またはＢＣｌ３、ＣＨＣｌ３のガスを用いたドライエッチングによってパターン加工する。その後、レジスト専用剥離剤でレジスト除去する。この時、ゲート側のＴＡＢ実装用電極３ａは前記ゲート配線の延長端部に引き出され同ゲート材で配置される（図１（ａ）参照）。
　【００１８】
　次に第２の工程として、前記従来例同様にゲート絶縁膜４、シリコン半導体層５、及びチャネル保護膜６を製膜する。第３の工程として、ゲート電極３上のチャネル保護膜６をパタ−ニングする。次に第４の工程として、ｎ＋：シリコン膜６を形成し、将来ＴＦＴが形成されるようにｎ＋：シリコン膜６及びシリコン半導体層５をパターニングする（図１（ｂ）参照）。
　【００１９】
　第５の工程として、画素電極７として透明導電膜ＩＴＯを成膜しパタ−ン形成する（図１（ｃ）参照）。
　【００２０】
　第６の工程としてソース・ドレイン電極８となる第２の金属膜としてＴｉ／ＡｌやＴｉ／Ａｌ合金膜もしくはＴｉ／Ａｌ／ＴｉやＴｉ／Ａｌ合金膜／Ｔｉの積層膜を製膜する。次にレジストパターンを形成し、前記同様二層膜の場合にはＣｌ２やＢＣｌ３などのガスを、三層膜の場合にはＳＦ６とＣｌ２またはＢＣｌ３、ＣＨＣｌ３のガスを用いたドライエッチングによってパターン加工する。この時ソース側のＴＡＢ実装用電極８ａは前記ソース配線の延長端部に引き出され同ソース材で配置される。
　【００２１】
　そして第８の工程として絶縁保護膜９としてＳｉＮｘ膜を形成することで、前記ゲート側のＴＡＢ実装用電極上には層間絶縁膜４及び絶縁保護膜９としてのＳｉＮｘ膜が載置され、ソース側のＴＡＢ実装用電極上には絶縁保護膜９としてのＳｉＮｘ膜が載置される。
　【００２２】
　最後に第９の工程として、前記絶縁保護膜９をパターン形成する。この時、前記層間絶縁膜４及び絶縁保護膜９としてのＳｉＮｘ膜は、例えばＳＦ６ガスによるドライエッチングにてエッチ除去されることで個々の電極材が露出され、薄膜トランジスタアレイ基板１０が完成する（図１（ｄ）参照）。
　【００２３】
　このようなＴＦＴアレイのＴＡＢ実装におけるＴＡＢ側メタルとアレイ電極メタルとの相関を電気化学法により評価した。まず、ポテンシオガルバノスタットを用いた評価系を図２に示す。Ａｇ・ＡｇＣｌを参照電極、対極にＰｔ、電解液にＫＣｌ水溶液やＮａ２ＳＯ４水溶液を用いて各種金属膜に電圧を印加し、電極電位を測定した。ＴＡＢ電極のメッキ材であるＡｕ、Ｓｎ、アレイ電極材であるＡｌ、Ｔｉ／Ａｌそれら金属の分極曲線を図３、図４に示す。その結果、Ａｕ、Ｓｎは５０ｍｖ／ｓｅｃでカソード分極すると、ＡｕはＳｎより低電圧印加で還元電流が流れ出す。一方、Ａｌの平衡電位はＡｇに対して−０．６２ｖ程度である。５０ｍｖ／ｓｅｃでアノード分極すると、Ａｌの溶出に伴う酸化電流が流れる。これに対してＴｉ＼Ａｌは、どの電解液でもＡｌよりさらにアノード側で酸化電流が流れ始める。そしてそれは、ＴＡＢメッキ材との相関において電位差を大きく保持しており、酸化電流値も小さく溶解しにくい状況にあることが証明された。
　【００２４】
　本発明の第２の実施例について図５（ａ）〜図５（ｄ）を用い、以下に説明する。
　【００２５】
　前記第１の実施例ではゲート、ソース、ドレイン電極材料にＴｉ／Ａｌの二層構造を用いたが第２の実施例ではＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの三層構造にし、最終工程の絶縁保護膜パターン形成において層間絶縁膜６及び絶縁保護膜９としてのＳｉＮｘ膜とともに、上層Ｔｉ層を例えばＳＦ６ガスによるドライエッチングにてエッチ除去する。これによって個々の電極面にＡｌ材が露出され、薄膜トランジスタアレイ基板１０が完成する（図５（ｄ）参照）。
　【００２６】
　前記三層構造の上層Ｔｉは、ゲート電極の場合熱工程によるＡｌヒロック制御膜として、またソース、ドレイン電極場合には透明電極後付け構成すなわちＩＴＯ／ソース・ドレイン構成におけるフォトプロセスでの現像液による電食防止膜として有効である。なお、前記ＴｉとＡｌの積層膜から成る電極構造は、連続製膜に限らない。
　【００２７】
　さらに、上記第１、第２の実施例では電極構造を二層構造と三層構造に区分しているが、必要に応じてゲート電極とソース、ドレイン電極の構造を選択すればよい。
　【００２８】
　本実施例ではアンダーコート膜形成工程を削除しているが、絶縁性透明基板に予めＳｉＯ２膜が形成されて成るガラス基板を用いても、何等支障のないことは言うまでもない。
　【００２９】
　【発明の効果】
　本発明の構成によれば、ゲート電極を一層目をＴｉで構成することで、ＴｉとＡｌとガラスとの密着性を向上できる。また、ゲート電極のＴｉ・Ａｌの積層膜をドライエッチングで加工し、レジストは専用剥離剤を用いることでゲート電極加工時のガラスのエッチングを回避し、前記Ｔｉはガラス基板からトランジスタ部への汚染を防止するバッファ層となり得る。従って、従来必須となっていたアンダーコート膜が不要となり工程削減が図られる。また、ゲート及びソース・ドレイン電極のＴＡＢ実装用引出し電極材をＴｉ／Ａｌ或はＴｉ／Ａｌ合金膜もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜で構成することで、ＴＡＢ側電極材との電位差を確保してＡｌ腐食を抑制できる。Ａｌ腐食についてはＡｕメッキされたＴＡＢ電極との相関において特に有効であり信頼性の高い液晶表示装置を得ることができる。
　【００３０】
　さらには、ゲート電極およびソース電極の外部引き出しを他の金属膜を介して変換せずに直接外部へ引き出さすことで、コンタクトウィンドウ形成工程を不要とし、さらなる工程削減を図ることができる。また、ＴＡＢ実装用電極材をゲート及びソース・ドレイン電極とも同一の金属膜、Ｔｉ／Ａｌ或はＴｉ／Ａｌ合金膜もしくはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉの積層膜で構成することにより実装抵抗の低減、ＴＡＢ実装用電極パターンの縮小化ができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例第１のアレイ工程断面図
　【図２】
　電気化学評価系
　【図３】
　分極曲線結果
　【図４】
　分極曲線結果
　【図５】
　本発明の実施例第２のアレイ工程断面図
　【図６】
　従来のアレイ工程断面図
　【図７】
　従来アレイのＴＡＢ実装構成断面図
　【符号の説明】
　１　ガラス基板
　２　アンダーコート膜
　３　ゲート電極
　４　ゲート絶縁膜
　７　画素電極
　８　ソース・ドレイン電極
　９　絶縁保護膜