【事件の表示】
　特許第３０７１４５２号「誘電体磁器組成物」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７１４５２号の訂正後の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
  本件特許第３０７１４５２号の請求項１に係る発明についての出願は、平成２年８月３１日に特許出願され、平成１２年５月２６日にその発明について特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、株式会社村田製作所より特許異議の申立てがなされ、平成１３年４月１１日付け取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年６月２５日付けで訂正請求がなされ、その後再度平成１３年７月３１日付けで取消理由通知がなされたものである。
２．訂正の適否
２−１．訂正の内容
  本件訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに訂正しようとするものである。
（１）訂正事項ａ
　請求項１を、「【請求項１】水熱合成法により生成されたチタン酸バリウムＢａＴｉＯ３１００重量部に対して、Ｎｄ２Ｏ３が０．２〜１．２重量％、ＺｎＯが０．３〜１．５重量％、Ｎｂ２Ｏ５が１．４〜２．８重量％、添加されて成る誘電体磁器組成物。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書第２頁第１７行〜第４頁第１１行の「〔問題点を解決するための具体的な手段〕・・・抗折強度が向上した積層コンデンサが提供できる。」（本件特許掲載公報第１頁第２欄第１５行〜第２頁第３欄第２９行）を、「〔問題点を解決するための具体的な手段〕　本発明が要旨とするところは、水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）１００重量部に対して、酸化ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）が０．２〜１．２重量％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が０．３〜１．５重量％、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）が１．４〜２．８重量％、を添加して成る誘電体磁器組成物である。
　ＢａＴｉＯ３は主成分であり、Ｎｄ２Ｏ３は温度特性を制御するものであり、即ち、Ｎｄ２Ｏ３が０．２重量％未満及び１．２重量％を越えると温度特性が±１５％を越える。
　ＺｎＯは絶縁抵抗、温度特性、誘電損失を制御するものであり、ＺｎＯが０．３重量％未満では、絶縁抵抗が下がり、温度特性が大きくなる。また、ＺｎＯが１．５重量％越えると、絶縁抵抗が下がり、温度特性、誘電損失が大きくなる。
　Ｎｂ２Ｏ５は焼成温度、比誘電率を制御するものであり、Ｎｂ２Ｏ５が１．４重量％未満では、焼成温度が高くなり、また、Ｎｂ２Ｏ５が２．８重量％を越えると比誘電率が低下してしまう。
　誘電体磁器組成物を、水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）１００重量部に対して．酸化ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を、前記範囲内に設定することにより、誘電率を２０００以上、温度変化率が−５５〜１２５℃にわたって±１５％以内、誘電正綾ｔａｎδを１．０未満の誘電体磁器組成物が得られ、厚みが薄く、誘電率が高いグリーンシートで達成できるので、積層数の少ない小型、低背型の積層コンデンサが提供できる。さらに、焼成温度が１２００℃以下となり、積層コンデンサの内部電極材料に比較的安価なＡｇ−Ｐｄ（Ａｇ／Ｐｄ＝６０／４０〜７０／３０）が使用でき、安価な積層コンデンサが提供できる。さらに、上述の従来の誘電体材料に比較して、Ｂｉを排除することができ、内部電極材料のＰｄとの反応が皆無となり、抗折強度が向上した積層コンデンサが提供できる。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張変更の存否
  訂正事項ａは、「チタン酸バリウム」を「水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム」と製造法によりチタン酸バリウムを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして特許明細書中に「出発材料として、水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム」（本件特許掲載公報第２頁第３欄第３２行〜第４欄第１行）と記載されているから、上記訂正事項ａは願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものである。また、上記訂正事項ａは上記訂正によって別個の新たな目的及び効果をもたらすものではないから実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また上記訂正事項ｂは、大別すると（ｂ−１）「チタン酸バリウム」を「水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム」と訂正する、（ｂ−２）「誘電体磁器組成物を、」を「誘電体磁器組成物を、水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）１００重量部に対して、酸化ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を、」と訂正するというものである。（ｂ−１）は、特許請求の範囲の減縮を目的とする上記訂正事項ａの訂正に伴うものであるから、減縮された特許請求の範囲の記載と明細書の記載を整合させるための明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものであり、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　また（ｂ−２）は、誘電体磁器組成物を訂正された特許請求の範囲の記載に合わせて説明したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当するものであり、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−３．まとめ
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６状第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについて
３−１．本件発明
　特許権者が請求した上記訂正は、上述したとおり、認容することができるから、訂正後の本件請求項１に係る発明は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】水熱合成法により生成されたチタン酸バリウムＢａＴｉＯ３１００重量部に対して、Ｎｄ２Ｏ３が０．２〜１．２重量％、ＺｎＯが０．３〜１．５重量％、Ｎｂ２Ｏ５が１．４〜２．８重量％、添加されて成る誘電体磁器組成物。」
３−２．当審の判断
　当審は、平成１３年７月３１日付け取消理由を通知し、期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許権者からは何らの応答もない。
　そして、上記の取消理由は妥当なものであると認められるので、訂正後の本件請求項１に係る特許は、この取消理由によって取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月１２日（２００１．１１．１２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３０７１４５２号発明の明細書を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、
（１）訂正事項ａ
　請求項１を、「【請求項１】水熱合成法により生成されたチタン酸バリウムＢａＴｉＯ３１００重量部に対して、Ｎｄ２Ｏ３が０．２〜１．２重量％、ＺｎＯが０．３〜１．５重量％、Ｎｂ２Ｏ５が１．４〜２．８重量％、添加されて成る誘電体磁器組成物。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書第２頁第１７行〜第４頁第１１行の「〔問題点を解決するための具体的な手段〕・・・抗折強度が向上した積層コンデンサが提供できる。」（本件特許掲載公報第１頁第２欄第１５行〜第２頁第３欄第２９行）を、「〔問題点を解決するための具体的な手段〕
　本発明が要旨とするところは、水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）１００重量部に対して、酸化ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）が０．２〜１．２重量％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）が０．３〜１．５重量％、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）が１．４〜２．８重量％、を添加して成る誘電体磁器組成物である。
　ＢａＴｉＯ３は主成分であり、Ｎｄ２Ｏ３は温度特性を制御するものであり、即ち、Ｎｄ２Ｏ３が０．２重量％未満及び１．２重量％を越えると温度特性が±１５％を越える。
　ＺｎＯは絶縁抵抗、温度特性、誘電損失を制御するものであり、ＺｎＯが０．３重量％未満では、絶縁抵抗が下がり、温度特性が大きくなる。また、ＺｎＯが１．５重量％越えると、絶縁抵抗が下がり、温度特性、誘電損失が大きくなる。
　Ｎｂ２Ｏ５は焼成温度、比誘電率を制御するものであり、Ｎｂ２Ｏ５が１．４重量％未満では、焼成温度が高くなり、また、Ｎｂ２Ｏ５が２．８重量％を越えると比誘電率が低下してしまう。
　誘電体磁器組成物を、水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）１００重量部に対して．酸化ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を、前記範囲内に設定することにより、誘電率を２０００以上、温度変化率が−５５〜１２５℃にわたって±１５％以内、誘電正綾ｔａｎδを１．０未満の誘電体磁器組成物が得られ、厚みが薄く、誘電率が高いグリーンシートで達成できるので、積層数の少ない小型、低背型の積層コンデンサが提供できる。さらに、焼成温度が１２００℃以下となり、積層コンデンサの内部電極材料に比較的安価なＡｇ−Ｐｄ（Ａｇ／Ｐｄ＝６０／４０〜７０／３０）が使用でき、安価な積層コンデンサが提供できる。さらに、上述の従来の誘電体材料に比較して、Ｂｉを排除することができ、内部電極材料のＰｄとの反応が皆無となり、抗折強度が向上した積層コンデンサが提供できる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
誘電体磁器組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
水熱合成法により生成された
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、平坦な温度特性を有し、比誘電率が高く、焼成温度が低い誘電体磁器組成物に関するものである。
〔従来の技術及びその問題点〕
　従来、チタン酸バリウムを主成分とし、温度特性が比較的平坦で、比誘電率が高く、焼成温度が低い誘電体磁器組成物として、Ｎｂ２Ｏ５、酸化チタン、酸化ランタン、酸化鉛、酸化ビスマスが添加されたものが知られている。（特開昭５８−３０００２号）。
　しかし、かかる誘電体磁器組成物は、酸化ビスマスが添加されているので、誘電体磁器組成物を積層コンデンサの誘電体材料として用いるとき、内部電極のＰｄと反応を起こし、抗折強度等が大きく劣化してしまい、積層コンデンサの多層化に制限があった。
　本発明者らは上記問題点に鑑みて、鋭意研究を重ねた結果、チタン酸バリウムに、所定量の酸化ネオジウム（Ｎｄ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を添加することにより、積層コンデンサの内部電極材料のＰｄと反応が皆無で、温度特性が比較的平坦で、比誘電率が高く、焼成温度が低い誘電体磁器組成物が得られることを知見した。
〔問題点を解決するための具体的な手段〕
　本発明が要旨とするところは、
水熱合成法により生成された
　ＢａＴｉＯ３は主成分であり、Ｎｄ２Ｏ３は温度特性を制御するものであり、即ち、Ｎｄ２Ｏ３が０．２重量％未満及び１．２重量％を越えると温度特性が±１５％を越える。
　ＺｎＯは絶縁抵抗、温度特性、誘電損失を制御するものであり、ＺｎＯが０．３重量％未満では、絶縁抵抗が下がり、温度特性が大きくなる。また、ＺｎＯが１．５重量％越えると、絶縁抵抗が下がり、温度特性、誘電損失が大きくなる。
　Ｎｂ２Ｏ５は焼成温度、比誘電率を制御するものであり、Ｎｂ２Ｏ５が１．４重量％未満では、焼成温度が高くなり、また、Ｎｂ２Ｏ５が２．８重量％を越えると比誘電率が低下してしまう。
　誘電体磁器組成物を、
水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）１００重量部に対して、酸化ネオジウム（Ｎｂ２Ｏ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を、
〔実施例〕
　以下、本発明を具体的に説明する。
　出発材料として、水熱合成法により生成されたチタン酸バリウム１００重量部に対してＮｄ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＮｂ２Ｏ５の各粉末を表１に示す配合比になるように秤量し、ボールミルにて２０時間湿式粉砕した後、有機系粘結剤を添加する。しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ２０〜３０μｍのテープに成型した。このテープを４０枚積層して、熱圧着した。このようにして作成された厚み１．０ｍｍの積層体を直径２０ｍｍの円板状に打ち抜き、酸素雰囲気にて１１００〜１２００℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペーストによる電極を焼きつけ試料とした。
　このように形成された試料について、比誘電率ε及び誘電正接ｔａｎδを基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓで測定した。
　その結果を表１に示す。試料番号に＊印を付したものは本発明の範囲外である。そして本発明の範囲の評価として、比誘電率εは２０００以上を良品とした。即ち、比誘電率εが２０００未満では、充分な比誘電率εが得れず、これにより積層コンデンサの小型化が困難となってしまう。
　また、誘電正接ｔａｎδは１．０％未満を良品とした。即ち、誘電正接ｔａｎδが１．０％以上では、積層コンデンサの誘電正接ｔａｎδ不良となり、シート層の薄膜化が困難となる。
　また、温度特性は±１５％以内を良品とした。即ち、温度特性は±１５％以外になると、Ｘ７Ｒ（ＥＩＡ規格）を満足しなくなる。
また、絶縁抵抗が１×１０５ＭΩ以上を良品とした。絶縁抵抗が１×１０５ＭΩ未満では、積層コンデンサを作成したとき、絶縁不良が発生する。
　また、焼成温度は１２００℃以下が望ましい。焼成温度が１２００℃を越えると、内部電極にＰｄの含有率が高い高価な電極材料しか使用できない。
　試料番号１〜９は誘電体材料の主成分となるＢａＴｉＯ３１００重量部に添加するＮｄ２Ｏ３の添加量を検討した。即ち、Ｎｄ２Ｏ３を０．１重量％から１．３重量％まで変化させた。この時、ＺｎＯ及びＮｂ２Ｏ５を夫々０．６重量％、２．０重量％に設定した。これは後述の夫々の添加量で本発明の範囲の中心的な値となるものである。
　試料番号１（Ｎｄ２Ｏ３：０．１重量％）では、比誘電率ε及び誘電正接ｔａｎδが比較的良好な結果となるものの、温度変化率が±１５％を越えて、−１８．０％（−５５℃）となってしまう。
　また、試料番号２〜８（Ｎｄ２Ｏ３：０．２〜１．２重量％）では、比誘電率εが２９５０以上、誘電正接ｔａｎδが０．５％以下、温度変化率が−１２〜１０％、絶縁抵抗が４×１０５ＭΩ以上、焼成温度１１６０℃以下となり、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足する小型の積層コンデンサ用の誘電体磁器組成物が達成できる。
　試料番号９（Ｎｄ２Ｏ３：１．３重量％）では比誘電率ε、誘電正接ｔａｎδ、絶縁抵抗、焼成温度が比較的良好な結果となるものの、温度変化率が±１５％を越えて、−１８．０％（−５５℃）となってしまう。
　従って、本発明のＢａＴｉＯ３に、Ｎｄ２Ｏ３の添加量によって温度変化率が大きくなる。
　結局、Ｎｄ２Ｏ３を０．２〜１．２重量％添加することが重要である。
　試料番号１０〜１６は誘電体系磁組成物の主成分となるＢａＴｉＯ３１００重量部に添加するＺｎＯの添加量を検討した。即ち、ＺｎＯを０．２〜１．６重量％まで変化させた。この時、Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５の添加量を夫々０．６重量％、２．０〜２．７重量％に設定した。
　試料番号１０（ＺｎＯ：０．２重量％）では比誘電率ε、誘電正接ｔａｎδ及び焼成温度が比較的良好な結果となるものの、温度特性が±１５％を越えて−２０％（−５５℃）となり、さらに絶縁抵抗が１×１０４となってしまう。
　試料番号１１〜１５（ＺｎＯ：０．３〜１．５重量％）では比誘電率εが２２００以上、誘電正接ｔａｎδが０．７５％以下、温度特性が−１２〜＋１４％、絶縁抵抗が３×１０５ＭΩ以上、焼成温度１１６０℃以下となり、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足する小型の積層コンデンサ用の誘電体磁器組成物が達成できる。
　試料番号１６（ＺｎＯ：１．６重量％）では比誘電率ε及び焼成温度が良好な結果が得られるものの、誘電正接ｔａｎδが１．０％を越え１．８２％となり、温度変化率が±１５％を越えて−２５％（−５５℃）、絶縁抵抗が５×１０３ＭΩとなってしまう。
　従って、本発明のＢａＴｉＯ３に添加するＺｎＯの添加量が所定範囲外となると絶縁抵抗、温度特性が悪化し、さらにＺｎＯの添加量が増加すれば、誘電正接ｔａｎδが小さくなる傾向があるものの、ある添加量を越えると極度に誘電正接ｔａｎδが悪化する。
　結局、ＺｎＯの添加量は、０．３〜１．５重量％の範囲とした。
　試料番号１７〜２５は誘電体系磁組成物の主成分となるＢａＴｉＯ３１００重量部に添加するＮｂ２Ｏ５の添加量を検討した。即ち、Ｎｂ２Ｏ５を１．３〜２．９重量％まで変化させた。この時、Ｎｄ２Ｏ３、ＺｎＯの添加量を夫々０．６重量％、０．３〜１．１重量％に設定した。
　試料番号１７（Ｎｂ２Ｏ５：１．３重量％）では比誘電率ε、誘電正接ｔａｎδ、温度特性及び絶縁抵抗が比較的良好な結果となるものの、焼成温度が１２５０℃を越えてしまう。
　試料番号１８〜２４（Ｎｂ２Ｏ５：１．４〜２．８重量％）では比誘電率εが２１００以上、誘電正接ｔａｎδが０．６０％以下、温度特性が−１３〜＋１０％、絶縁抵抗が５×１０５ＭΩ、焼成温度１２００℃以下となり、ＥＩＡ規格のＸ７Ｒ特性を満足する小型の積層コンデンサ用の誘電体磁器組成物が達成できる。
　試料番号２５（Ｎｂ２Ｏ５：２．９重量％）ででは誘電正接ｔａｎδ、絶縁抵抗、焼成温度が良好な結果が得られるものの、比誘電率ε１９００、温度変化率が±１５％を越えて−１６％（−５５℃）となってしまう。
　従って、本発明のＢａＴｉＯ３に添加するＮｂ２Ｏ５を減少すると焼成温度が悪化する傾向がある。逆にＮｂ２Ｏ５を増加すると比誘電率εが低下する傾向がある。
　結局、Ｎｂ２Ｏ５の添加量は、１．４〜２．８重量％の範囲とした。
　以上のように、ＢａＴｉＯ３１００重量部に対して、Ｎｄ２Ｏ３が０．２〜１．２重量％、ＺｎＯが０．３〜１．５重量％、Ｎｂ２Ｏ５が１．４〜２．８重量％添加されて成る誘電体磁器組成物では、比誘電率εが２０００以上、誘電正接ｔａｎδが１．０％以下、温度特性が±１５％（−５５〜＋１２５℃）、絶縁抵抗が１×１０５ＭΩ以上、焼成温度が１２００℃以下の誘電体磁器組成物が達成できる。
　この誘電体磁器組成物を用いて、積層コンデンサを作成すると、高い比誘電率で温度特性Ｘ７Ｒ（ＥＩＡ規格）を満足し、小型のコンデンサが達成できる。また、ビスマス（Ｂｉ）を含有していないため、内部電極材料に含まれるＰｄとの反応が発生しない安定かつ抗折強度の高いコンデンサが達成できる。さらには焼成温度が１２００℃以下であるため、内部電極材料にＡｇ−Ｐｄ（Ａｇ／６０／４０〜７０／３０）の安価な材料が使用でき、安価な積層コンデンサが達成される。
　尚、表１の試料番号２６、２７はＮｄ２Ｏ３、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５が全て範囲外のものである。
　試料番号２６はすべての添加量が範囲を満たないもの（Ｎｄ２Ｏ３が０．２重量％、ＺｎＯが０．２重量％、Ｎｂ２Ｏ５が１．３重量％）である。測定の結果、比誘電率ε、誘電正接ｔａｎδ、絶縁抵抗に関して良好な結果が得られるものの、温度特性が−１８〜１２％、焼成温度が１２８０℃となってしまう。
　また、試料番号２７はすべての添加量が範囲を越えたもの（Ｎｄ２Ｏ３が１．３重量％、ＺｎＯが１．６重量％、Ｎｂ２Ｏ５が２．９重量％）である。測定の結果、比誘電率ε、誘電正接ｔａｎδ、絶縁抵抗及び焼成温度に関して良好な結果が得られるものの、温度特性が−２２〜０％となってしまう。
　次に、チタン酸バリウムの生成方法について検討する。一般にチタン酸バリウムの生成方法には、上述の実施例で採用される水熱合成方法の他に固相法、蓚酸法が知られている。上述の実施例で採用した水熱合成法で生成したチタン酸バリウムは粒径が小さく、粒形状が一定化する。このため、焼結温度が他の生成方法で作製したものよりも約１００℃も小さくでき、粒子の異常成長がなく、より緻密な磁器が達成できる。しかし、その他の固相法や蓚酸法で生成したチタン酸バリウムでは粒径や形状が不揃いとなり、安定した特性が得られないことがある。
　例えば、固相法で生成したチタン酸バリウム１００重量部に対して、Ｎｄ２Ｏ３を０．５重量％、ＺｎＯを０．６重量％、Ｎｂ２Ｏ５を２．０重量％添加して、その特性を測定すると、試料の中には、誘電損失ｔａｎδが０．７５％、温度特性が−１５〜＋２７％、及び焼成温度が１３２０℃となり良品の範囲を越えてしまうものがある。
　また、蓚酸法で生成したチタン酸バリウム１００重量部に対して、Ｎｄ２Ｏ３を０．５重量％、ＺｎＯを０．６重量％、Ｎｂ２Ｏ５を２．０重量％添加して、その特性を測定すると、試料の中には、誘電損失ｔａｎδが０．６５％と良品の範囲を越えて、絶縁抵抗が１×１０５ＭΩになるものがある。
　したがって、水熱合成法でチタン酸バリウムを生成する方法が望ましい。これにより、粒径が小さく、粒形状が一定化したチタン酸バリウムが容易に得られ、焼結温度が他の生成方法で作製したものよりも約１００℃も小さくでき、粒子の異常成長がなく、より緻密な磁器が達成できる。したがって、抗折強度に優れ、耐圧特性が向上した磁器となる。
〔発明の効果〕
　以上のように、本発明によれば、比誘電率ε、誘電正接ｔａｎδ、絶縁抵抗に優れ、さらに温度特性がＸ７Ｒに対応した誘電体磁器組成物となる。また、低温焼成が可能で、且つ内部電極と反応が起こらないため、積層コンデンサの内部電極に安価なＡｇ−Ｐｄ材料を用いることができ、安価で且つ抗折強度に優れた誘電体磁器組成物となる。