(57)【要約】  有機エレクトロルミネッセンス材料及び溶媒を含み、前記有機エレクトロルミネッセンス材料がナフタセン誘導体であり、前記溶媒が下記式（１）で表される溶媒である有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。2010032453.tif 000038
2010032453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセンス材料及び溶媒を含み、
前記有機エレクトロルミネッセンス材料がナフタセン誘導体であり、
前記溶媒が下記式（１）で表される溶媒である有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化２５】
2010032453.tif 000030
（式中、環Ａは、炭素数４〜８の脂肪族環、炭素数４〜８の芳香族環、炭素数４〜８の含窒素脂肪族環、炭素数４〜８の含酸素脂肪族環及び炭素数４〜８の含硫黄脂肪族環からなる群のいずれか１つであり、
Ｒ１は環Ａの置換基であって、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。
ｍは１〜６の整数であり、ｍが２以上の整数の場合、複数のＲ１はそれぞれ同一でも異なってもよい。
Ｒ２及びＲ３は，環Ａの隣接する炭素に結合する置換基であって、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基であり、
Ｒ２及びＲ３は互いに連結して環を形成してもよい。）
【請求項２】
前記環Ａが炭素数６の炭化水素環である請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【請求項３】
前記式（１）で表される溶媒のＲ２及びＲ３が互いに連結して環を形成し、
前記Ｒ２及びＲ３が互いに連結して形成する置換基が、置換もしくは無置換の炭素数４〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数４〜１０のシクロアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロオキシアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロチオアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロチオアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアザアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアザアルケニレン基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数４〜１０のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数４〜１０のチオアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数３〜１０のアザアリーレン基のいずれか１つである請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【請求項４】
前記ナフタセン誘導体の分子量が４０００以下である請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【請求項５】
前記ナフタセン誘導体が下記式（２）で表される化合物である請求項１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化２６】
2010032453.tif 000031
（式中、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥは、それぞれ水素原子、炭素数６〜２０の置換又は無置換の芳香族基、又は炭素数１０〜２０の置換又は無置換の縮合芳香族基である。）
【請求項６】
前記式（２）で表される化合物のＢ、Ｃ、Ｄ及びＥの少なくとも１つが下記式（３）で表される置換基である請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化２７】
2010032453.tif 000032
（式中Ａｒは、置換基又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、又は置換又は無置換のビフェニル基である。
ｎは１〜４の整数であり、ｎが２以上の整数の場合、複数のＡｒは同一でも異なってもよい。
Ｈは水素原子である）
【請求項７】
さらに１種以上のドーパントを含む請求項１〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【請求項８】
前記ドーパントが下記式（４）で表されるインデノペリレン誘導体である請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化２８】
2010032453.tif 000033
（式中、Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０は、それぞれ水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、芳香環含有アルキル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香環含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香族複素環基、芳香環オキシ基、芳香環チオ基、芳香環アルケニル基、アルケニル芳香環基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ１’（Ｒ１’は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。）、−ＣＯＲ２’（Ｒ２’は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基、芳香環基又はアミノ基である。）、又は−ＯＣＯＲ３’（Ｒ３’はアルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。）である。
Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０は、互いに隣接する置換基同士で結合して環を形成していてもよい。
但し、Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０の全てが水素である場合を含まない。）
【請求項９】
前記式（４）で表されるインデノペリレン誘導体が、下記式（５）で表されるインデノペリレン誘導体である請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化２９】
2010032453.tif 000034
（式中、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ１１及びＸ１４は、式（４）と同様である。）
【請求項１０】
前記ドーパントが、下記式（６）で表されるピロメテン骨格を有する化合物、又はホウ素、ベリリウム、マグネシウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛及び白金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属と前記式（６）で表される化合物の金属錯体である請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化３０】
2010032453.tif 000035
（式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は、それぞれ水素、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０のシクロアルケニル基、炭素数１〜２０のアルキニル基、水酸基、炭素数１〜２０のメルカプト基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜２０のアリールエーテル基、炭素数１〜２０のアリールチオエーテル基、炭素数１〜２０のアリール基、炭素数１〜２０の複素環基、ハロゲン、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルケニル基、炭素数１〜２０のハロアルキニル基、シアノ基、炭素数１〜２０のアルデヒド基、炭素数１〜２０のカルボニル基、炭素数１〜２０のカルボキシル基、炭素数１〜２０のエステル基、炭素数１〜２０のカルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基又はシロキサニル基であり、Ｒ１０〜Ｒ１６は隣接置換基と互いに結合して縮合環又は脂肪族環を形成してもよい。
但し、Ｒ１０〜Ｒ１６のうち少なくとも１つは芳香環を含む又は隣接置換基と縮合環を形成する。
Ｘは、炭素又は窒素である。但し、Ｘが窒素である場合、Ｒ１６は存在しない。）
【請求項１１】
前記金属錯体が下記式（７）又は（８）で表されるホウ素錯体である請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化３１】
2010032453.tif 000036
（式中、Ｒ２０〜Ｒ２６及びＸは、式（６）のＲ１０〜Ｒ１６及びＸと同様である。
Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ、ハロゲン原子、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基、アラルキル基、炭素環式アリール基、又は複素環式アリール基である。）
【化３２】
2010032453.tif 000037
（式中、Ｒ３０〜Ｒ３２及びＲ３４〜Ｒ３８は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキル基、炭素環式アリール基、アルケニルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルアルコキシカルボニル基、ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基又はアルケニル基である。
Ｒ３３は、水素原子、シアノ基、アルキル基、アラルキル基、炭素環式アリール基、複素環式アリール基又はアルケニル基である。
Ｒ３９及びＲ４０は、それぞれフッ素、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、炭素環式アリール基又は複素環式アリール基であり、Ｒ３９及びＲ４０の少なくとも一方はフッ素又はアルコキシ基である。）
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物を基体上に塗布し、前記基体上の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物から溶媒を取り除いて有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を成膜する有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜の形成方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物を用いて得られる有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜。
【請求項１４】
請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス材料を含有する組成物（塗布液）に関する。特に有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を塗布法により成膜するにあたって、好適に用いることができる有機エレクトロルミネッセンス材料組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下エレクトロルミネッセンスをＥＬと略記することがある）は、電界を印可することにより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。【０００３】
上記有機ＥＬ素子の発光材料としては、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウム錯体等のキレート錯体、クマリン錯体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ビススチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体等の低分子有機ＥＬ材料が知られている。
上記低分子有機ＥＬ材料を用いることで青色から赤色までの可視領域の発光が得られることが報告されており、これら材料を用いたカラー表示素子の実現が期待されている。【０００４】
有機ＥＬ材料の成膜には蒸着法が適用されてきたが、成膜工程の煩雑さ、低い材料利用効率等の問題から，近年では有機ＥＬ材料の成膜には塗布法が用いられるようになった。
塗布法は、一般に高分子有機ＥＬ材料の成膜に用いられており、溶媒に溶解させた有機ＥＬ材料を使用して、有機ＥＬ材料の薄膜を形成する（例えば、特許文献１）。塗布法は、有機ＥＬ材料の薄膜を簡易かつ低コストに成膜することができ、色の区分も容易になるという利点がある。【０００５】
しかしながら、高分子有機ＥＬ材料は、通常、合成経路が複雑で高純度精製も困難であることから、発光効率、寿命、色純度等に優れた高分子有機ＥＬ材料は、未だ知られていない。特に、青色発光の高分子有機ＥＬ材料は、青色発光の低分子有機ＥＬ材料と比較して性能が低かった。【０００６】
上述の理由から低分子有機ＥＬ材料を塗布法で成膜する試みがなされている。
塗布法にて有機ＥＬ材料の薄膜を成膜するにあたって、有機ＥＬ材料を溶媒に溶解させる必要があるが、高分子有機ＥＬ材料に用いることができるトルエン、キシレン、テトラリン等の溶媒（例えば、特許文献２）に対して、低分子有機ＥＬ材料は、通常、溶解度が低く、高濃度の塗布液を調製することは不可能であった。【０００７】
特許文献３及び４には、有機ＥＬ材料を成膜する場合において、シクロヘキシルベンゼン、イソプロピルビフェニル、２，３−ジヒドロベンゾフラン等が高分子有機ＥＬ材料の溶媒として適用できると開示されている。しかしながら、上記溶媒はインクジェット法によるパターン塗布に適したものである。【０００８】
特許文献５には、低分子有機ＥＬ材料を用いた塗布法が開示されているが、低分子有機ＥＬ材料の溶解度は不十分であり、得られる有機ＥＬ素子の素子性能（発光効率、寿命、色純度等）も不十分であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２２９２５６号公報
【特許文献２】国際公開第００／０５９２６７号パンフレット
【特許文献３】特開２００２−３７１１９６号公報
【特許文献４】特開２００４−１７９１４４号公報
【特許文献５】特開２００６−１９０７５９号公報
【発明の概要】
【００１０】
本発明は、簡易かつ低コストで薄膜形成が可能な塗布法によって有機ＥＬ薄膜を成膜することができ、優れた長期保存安定性及び均質な塗布膜が形成可能な有機ＥＬ材料組成物を提供することを目的とする。
【００１１】
有機ＥＬ材料組成物において、環状構造を主骨格として有する溶媒であって、その１位及び２位の位置、又は環状骨格中の隣接する２元素に、それぞれ置換基が導入された構造を有する溶媒に対して、ナフタセン誘導体が所望の濃度で溶解可能であることを見出した。また、上記溶媒及びナフタセン誘導体を含む有機ＥＬ材料組成物を用いて得られる薄膜の均質性が高いことを見出した。
本発明によれば、以下の有機ＥＬ材料組成物等が提供される。
１．有機エレクトロルミネッセンス材料及び溶媒を含み、
前記有機エレクトロルミネッセンス材料がナフタセン誘導体であり、
前記溶媒が下記式（１）で表される溶媒である有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化１】
2010032453.tif 000003
（式中、環Ａは、炭素数４〜８の脂肪族環、炭素数４〜８の芳香族環、炭素数４〜８の含窒素脂肪族環、炭素数４〜８の含酸素脂肪族環及び炭素数４〜８の含硫黄脂肪族環からなる群のいずれか１つであり、
Ｒ１は環Ａの置換基であって、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。
ｍは１〜６の整数であり、ｍが２以上の整数の場合、複数のＲ１はそれぞれ同一でも異なってもよい。
Ｒ２及びＲ３は，環Ａの隣接する炭素に結合する置換基であって、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基であり、
Ｒ２及びＲ３は連結して環を形成してもよい。）
２．前記環Ａが炭素数６の炭化水素環である１に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
３．前記式（１）で表される溶媒のＲ２及びＲ３が互いに連結して環を形成し、
前記Ｒ２及びＲ３が互いに連結して形成する置換基が、置換もしくは無置換の炭素数４〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数４〜１０のシクロアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロオキシアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロチオアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロチオアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアザアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアザアルケニレン基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数４〜１０のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数４〜１０のチオアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数３〜１０のアザアリーレン基のいずれか１つである１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
４．前記ナフタセン誘導体の分子量が４０００以下である１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
５．前記ナフタセン誘導体が下記式（２）で表される化合物である１〜４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化２】
2010032453.tif 000004
（式中、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥは、それぞれ水素原子、炭素数６〜２０の置換又は無置換の芳香族基、又は炭素数１０〜２０の置換又は無置換の縮合芳香族基である。）
６．前記式（２）で表される化合物のＢ、Ｃ、Ｄ及びＥの少なくとも１つが下記式（３）で表される置換基である５に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化３】
2010032453.tif 000005
（式中Ａｒは、置換基又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、又は置換又は無置換のビフェニル基である。
ｎは１〜４の整数であり、ｎが２以上の整数の場合、複数のＡｒは同一でも異なってもよい。
Ｈは水素原子である）
７．さらに１種以上のドーパントを含む１〜６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
８．前記ドーパントが下記式（４）で表されるインデノペリレン誘導体である７に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化４】
2010032453.tif 000006
（式中、Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０は、それぞれ水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、芳香環含有アルキル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香環含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香族複素環基、芳香環オキシ基、芳香環チオ基、芳香環アルケニル基、アルケニル芳香環基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ１’（Ｒ１’は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。）、−ＣＯＲ２’（Ｒ２’は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基、芳香環基又はアミノ基である。）、又は−ＯＣＯＲ３’（Ｒ３’はアルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。）である。
Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０は、互いに隣接する置換基同士で結合して環を形成していてもよい。
但し、Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０の全てが水素である場合を含まない。）
９．前記式（４）で表されるインデノペリレン誘導体が、下記式（５）で表されるインデノペリレン誘導体である８に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化５】
2010032453.tif 000007
（式中、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ１１及びＸ１４は、式（４）と同様である。）
１０．前記ドーパントが、下記式（６）で表されるピロメテン骨格を有する化合物、又はホウ素、ベリリウム、マグネシウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛及び白金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属と前記式（６）で表される化合物の金属錯体である７に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化６】
2010032453.tif 000008
（式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は、それぞれ水素、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０のシクロアルケニル基、炭素数１〜２０のアルキニル基、水酸基、炭素数１〜２０のメルカプト基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、炭素数１〜２０のアリールエーテル基、炭素数１〜２０のアリールチオエーテル基、炭素数１〜２０のアリール基、炭素数１〜２０の複素環基、ハロゲン、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルケニル基、炭素数１〜２０のハロアルキニル基、シアノ基、炭素数１〜２０のアルデヒド基、炭素数１〜２０のカルボニル基、炭素数１〜２０のカルボキシル基、炭素数１〜２０のエステル基、炭素数１〜２０のカルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基又はシロキサニル基であり、Ｒ１０〜Ｒ１６は隣接置換基と互いに結合して縮合環又は脂肪族環を形成してもよい。
但し、Ｒ１０〜Ｒ１６のうち少なくとも１つは芳香環を含む又は隣接置換基と縮合環を形成する。
Ｘは、炭素又は窒素である。但し、Ｘが窒素である場合、Ｒ１６は存在しない。）
１１．前記金属錯体が下記式（７）又は（８）で表されるホウ素錯体である１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物。
【化７】
2010032453.tif 000009
（式中、Ｒ２０〜Ｒ２６及びＸは、式（６）のＲ１０〜Ｒ１６及びＸと同様である。
Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ、ハロゲン原子、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基、アラルキル基、炭素環式アリール基、又は複素環式アリール基である。）
【化８】
2010032453.tif 000010
（式中、Ｒ３０〜Ｒ３２及びＲ３４〜Ｒ３８は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキル基、炭素環式アリール基、アルケニルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルアルコキシカルボニル基、ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基又はアルケニル基である。
Ｒ３３は、水素原子、シアノ基、アルキル基、アラルキル基、炭素環式アリール基、複素環式アリール基又はアルケニル基である。
Ｒ３９及びＲ４０は、それぞれフッ素、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、炭素環式アリール基又は複素環式アリール基であり、Ｒ３９及びＲ４０の少なくとも一方はフッ素又はアルコキシ基である。）
１２．１〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物を基体上に塗布し、前記基体上の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物から溶媒を取り除いて有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を成膜する有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜の形成方法。
１３．１〜１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス材料組成物を用いて得られる有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜。
１４．１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス材料薄膜を含んでなる有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１２】
本発明によれば、簡易かつ低コストで薄膜形成が可能な塗布法によって有機ＥＬ薄膜を成膜することができ、優れた長期保存安定性及び所望の濃度を有する有機ＥＬ材料組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、均質で平坦性の高い有機ＥＬ材料薄膜を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の有機ＥＬ材料組成物は、有機エレクトロルミネッセンス材料及び溶媒を含み、有機エレクトロルミネッセンス材料がナフタセン誘導体であり、溶媒が下記式（１）で表される溶媒である。
【化９】
2010032453.tif 000011
（式中、環Ａは、炭素数４〜８の脂肪族環、炭素数４〜８の芳香族環、炭素数４〜８の含窒素脂肪族環、炭素数４〜８の含酸素脂肪族環及び炭素数４〜８の含硫黄脂肪族環からなる群のいずれか１つであり、
Ｒ１は環Ａの置換基であって、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。
ｍは１〜６の整数であり、ｍが２以上の整数の場合、複数のＲ１はそれぞれ同一でも異なってもよい。
Ｒ２及びＲ３は，環Ａの隣接する炭素に結合する置換基であって、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基であり、
Ｒ２及びＲ３は連結して環を形成してもよい。）
【００１４】
式（１）において、環Ａは、炭素数４〜８の脂肪族環、炭素数４〜８の芳香族環、炭素数４〜８の含窒素脂肪族環、炭素数４〜８の含酸素脂肪族環及び炭素数４〜８の含硫黄脂肪族環からなる群のいずれか１つである。
環Ａは、好ましくは炭素数６の炭化水素環（脂肪族六員環、芳香族六員環）であり、具体的にはベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、シクロヘキサジエンが挙げられる。
【００１５】
式（１）において、Ｒ１は環Ａの置換基である。
Ｒ１は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。
Ｒ１が環Ａに複数置換している場合（ｍが２以上の場合）、複数のＲ１はそれぞれ同一でも異なってもよい。
【００１６】
炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｔ−ブチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基が挙げられる。
【００１７】
シクロアルキル基としては、例えばシクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
【００１８】
炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等が挙げられる。
【００１９】
炭素数６〜１０のアラルキル基としては、例えばベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、インデニルメチル基、インダニルメチル基、ナフチルメチル基等が好ましい。
【００２０】
置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基としては、好ましくはフェノキシ基、ベンジルオキシ基、メチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、トリメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、テトラメチルフェノキシ基、ジエチルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、オキシナフチル基、オキシインダニル基、オキシインデニル基等である。
【００２１】
置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基としては、好ましくはチオフェニル基、チオベンジル基、チオメチルフェニル基、チオジメチルフェニル基、チオエチルフェニル基、チオトリメチルフェニル基、チオプロピルフェニル基、チオテトラメチルフェニル基、チオジエチルフェニル基、チオブチルフェニル基、チオナフチル基、チオインデニル基、チオインダニル基等である。
【００２２】
置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基としては、好ましくはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基等である。
【００２３】
置換もしくは無置換のシリル基としては、好ましくはトリメチルシリル基、トリメトキシシリル基、トリエチルシリル基、トリエトキシシリル基、クロロジメチルシリル基、トリ−ｉｓｏ−プロピルシリル基、トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル基等である。
【００２４】
上記の基が置換基を有する場合、当該置換基としては、上述した置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数６〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数６〜１０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基が挙げられる。
【００２５】
式（１）において、Ｒ２及びＲ３は，環Ａの隣接する炭素に結合する置換基であって、それぞれ置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルケニル基、置換もしくは無置換のシクロアルキル基、置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数５〜２０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基である。
【００２６】
炭素数１〜１０のアルケニル基としては、好ましくはエテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ペンタジエニル基、ヘキセニル基、ヘキサジエニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、オクタジエニル基、２−エチルヘキセニル基、デセニル基等である。
シクロアルケニル基としては、好ましくはシクロブテニル基、シクロペンテニル基、シクロペンタジエニル基、シクロヘキセニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロヘプテニル基、シクロオクテニル基、シクロオクタジエニル基等である。
その他のＲ２及びＲ３、並びにこれらの置換基はＲ１の例と同様である。
【００２７】
Ｒ２及びＲ３は連結して環を形成してもよい。Ｒ２及びＲ３が連結して形成する環としては、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数４〜１０の炭化水素環、又は置換もしくは無置換の炭素数２〜１０の複素環である。
【００２８】
Ｒ２及びＲ３が互いに連結して形成する置換基の具体例としては、置換もしくは無置換の炭素数４〜１０のシクロアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数４〜１０のシクロアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロオキシアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロオキシアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロチオアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロチオアルケニレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアザアルキレン基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のシクロアザアルケニレン基、置換もしくは無置換の核原子数５〜１０のアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数４〜１０のオキシアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数４〜１０のチオアリーレン基、置換もしくは無置換の核原子数３〜１０のアザアリーレン基である。
上記Ｒ２とＲ３が互いに連結して形成する置換基と、Ｒ２とＲ３が置換している環Ａの２つの炭素とで環を形成する。
【００２９】
式（１）で表される溶媒の具体例としては、インデン、インダン、２−メチルアニソール、３ａ，４，７，７ａ−テトラヒドロインデン、２−エチルトルエン、１，２−メチレンジオキシベンゼン、ｏ−キシレン、２，３−ジヒドロベンゾフラン、１，２，４−トリメチルベンゼン、１，２，３−トリメチルベンゼン、２−エチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、２，３−ジヒドロ−２−メチルベンゾフラン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２−ジヒドロナフタレン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、トリシクロ［６．２．１．０（２，７）］ウンデカ−４−エン、４−ｔｅｒｔ−ブチル−ｏ−キシレン、１，４−ジヒドロナフタレン、２，５−ジメトキシトルエン、１−アセチル−１，２，３，４−テトラヒドロキノリン、Ｎ−メチルインドール、1-メチルナフタレン、２−イソプロピルナフタレン、フタル酸ジメチル、２，６−ジメチルアニソール、酢酸２−エチルフェニル、酢酸ｏ−トリル、３，４−ジヒドロ−１Ｈ−２−ベンゾピラン、６−メトキシ−１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、５，６，７，８−テトラヒドロイソキノリン、１，２−エポキシシクロオクタン、１，２−エポキシシクロヘキサン、１，２−エポキシシクロペンタン、２−メチルシクロヘキサノール、テトラヒドロジシクロペンタジエン、２，３−ジメチルチオフェン、２，３−ジメチルフラン等が挙げられる。
【００３０】
本発明の有機ＥＬ材料組成物の溶媒（以下、単に本発明の溶媒という場合がある）は、基本骨格として炭素数４〜８の環状骨格を有し、その１位及び２位の位置、又は環状骨格中の隣接する２元素にそれぞれ置換基を有する。上記の構造を有することにより、本発明の溶媒のナフタセン誘導体に対する溶解度を高めることができ、所望の濃度の有機ＥＬ材料組成物を得ることができる。
【００３１】
本発明の有機ＥＬ材料組成物のナフタセン誘導体（以下、単に本発明のナフタセン誘導体という場合がある）は、有機ＥＬ材料として使用できる化合物であれば特に限定されず、好ましくは分子量が４０００以下である。
【００３２】
本発明のナフタセン誘導体は、好ましくは発光層のホスト材料として機能する下記式（２）で表される化合物である。
【化１０】
2010032453.tif 000012
（式中、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥは、それぞれ水素原子、炭素数６〜２０の置換又は無置換の芳香族基、炭素数１０〜２０の置換又は無置換の縮合芳香族基、置換又は無置換の核原子数５〜２０のヘテロアリール基である。）
【００３３】
式（２）で表される化合物は、好ましくはＢ、Ｃ、Ｄ及びＥの少なくとも１つが下記式（３）で表される置換基である。
【化１１】
2010032453.tif 000013
（式中Ａｒは、置換基又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、又は置換又は無置換のビフェニル基である。
ｎは１〜４の整数であり、ｎが２以上の整数の場合、複数のＡｒは同一でも異なってもよい。
Ｈは水素原子である）
【００３４】
以下に本発明のナフタセン誘導体の具体例を示す。
【化１２】
2010032453.tif 000014
【００３５】
式（２）で表されるナフタセン誘導体は、赤色発光有機ＥＬ材料として優れた性能を有する。従って、本発明の有機ＥＬ材料組成物を塗布法を用いて成膜した有機ＥＬ薄膜は、発光効率、寿命、色純度等の点で優れた性能を有する。
【００３６】
本発明の有機ＥＬ材料組成物において、ナフタセン誘導体の含有量は、有機ＥＬ材料組成物全量に対して好ましくは０．０１ｗｔ％以上であり、より好ましくは０．０５ｗｔ％以上である。ナフタセン誘導体の含有量を０．０５ｗｔ％以上とすることで、膜厚が５０ｎｍ以上の有機ＥＬ材料薄膜の成膜が可能となる。一方、ナフタセン誘導体の含有量が０．０１ｗｔ％未満の場合、均一な膜厚を有する有機ＥＬ材料薄膜の成膜が困難となるおそれがある。
【００３７】
本発明の有機ＥＬ材料組成物において、本発明の溶媒は、１種単独でも２種以上の混合溶媒でもよい。さらに、本発明の有機ＥＬ材料組成物は、本発明の溶媒以外の溶媒（その他の溶媒）を含んでもよい。本発明の溶媒とその他の溶媒の混合溶媒の場合、本発明の溶媒の混合溶媒全量に対する含有量は、２０ｗｔ％以上でもよく、５０ｗｔ％以上でもよく、７５ｗｔ％以上でもよい。本発明の溶媒の効果を活かす観点から、本発明の溶媒の含有量が５０ｗｔ％以上であると好ましい。
【００３８】
有機ＥＬ材料組成物の評価項目の１つとして，「ポットライフ」がある。ポットライフは、調製直後に均一溶液である組成物中に、析出物が発生するまでの経過日数を測定することにより、組成物の使用可能日数を評価する。長期保存安定性の観点から、ポットライフは長いほうが好ましい。本発明の有機ＥＬ材料組成物のポットライフは、好ましくは２週間以上であり、より好ましくは１ヶ月以上である。
本発明の有機ＥＬ材料組成物はポットライフが長く、かつ物性の経時変化が極めて小さいので、有機ＥＬ素子の安定製造を可能とし、また得られる有機ＥＬ素子の性能ブレを小さくすることができる。
【００３９】
本発明の有機ＥＬ材料組成物は、好ましくはさらにドーパントを含む。
本発明の有機ＥＬ材料組成物が含むドーパント（以下、単に本発明のドーパントという場合がある）としては、好ましくは下記式（４）で表されるインデノペリレン誘導体が挙げられる。
【化１３】
2010032453.tif 000015
（式中、Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０は、それぞれ水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルケニル基、アルケニルオキシ基、アルケニルチオ基、芳香環含有アルキル基、芳香環含有アルキルオキシ基、芳香環含有アルキルチオ基、芳香環基、芳香族複素環基、芳香環オキシ基、芳香環チオ基、芳香環アルケニル基、アルケニル芳香環基、アミノ基、カルバゾリル基、シアノ基、水酸基、−ＣＯＯＲ１’（Ｒ１’は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。）、−ＣＯＲ２’（Ｒ２’は水素、アルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基、芳香環基又はアミノ基である。）、又は−ＯＣＯＲ３’（Ｒ３’はアルキル基、アルケニル基、芳香環含有アルキル基又は芳香環基である。）である。
Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０は、互いに隣接する置換基同士で結合して環を形成していてもよい。
但し、Ｘ１〜Ｘ６、Ｘ９、Ｘ１０、Ｘ１１〜Ｘ１６、Ｘ１９及びＸ２０の全てが水素である場合を含まない。）
【００４０】
式（４）で表されるインデノペリレン誘導体は、好ましくは下記式（５）で表されるインデノペリレン誘導体である。
【化１４】
2010032453.tif 000016
（式中、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ１１及びＸ１４は、式（４）と同様である。）
【００４１】
式（５）で表されるインデノペリレン誘導体において、Ｘ１、Ｘ４、Ｘ１１及びＸ１４は好ましくは芳香環基である。芳香環基は、好ましくはフェニル基、オルトビフェニル基、メタビフェニル基、ナフチル基であり、さらに好ましくはフェニル基、オルトビフェニル基である。
【００４２】
式（４）で表されるインデノペリレン誘導体としては、好ましくはジベンゾテトラフェニルペリフランテン誘導体等である。
【００４３】
本発明のドーパントとしては、好ましくは下記式（６）で表されるピロメテン骨格を有する化合物、又はホウ素、ベリリウム、マグネシウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛及び白金からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属と式（６）で表される化合物の金属錯体が挙げられる。
【化１５】
2010032453.tif 000017
（式中、Ｒ１０〜Ｒ１６は、それぞれ水素、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のシクロアルキル基、炭素数１〜２０のアラルキル基、炭素数１〜２０のアルケニル基、炭素数１〜２０のシクロアルケニル基、炭素数１〜２０のアルキニル基、水酸基、炭素数１〜２０のメルカプト基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルキルチオ基、核炭素数１〜２０のアリールエーテル基、核炭素数１〜２０のアリールチオエーテル基、炭素数１〜２０のアリール基、炭素数１〜２０の複素環基、ハロゲン、炭素数１〜２０のハロアルキル基、炭素数１〜２０のハロアルケニル基、炭素数１〜２０のハロアルキニル基、シアノ基、炭素数１〜２０のアルデヒド基、炭素数１〜２０のカルボニル基、炭素数１〜２０のカルボキシル基、炭素数１〜２０のエステル基、炭素数１〜２０のカルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基又はシロキサニル基であり、Ｒ１０〜Ｒ１６は隣接置換基と互いに結合して縮合環又は脂肪族環を形成してもよい。
但し、Ｒ１０〜Ｒ１６のうち少なくとも１つは芳香環を含む、又は隣接置換基との間に縮合環を形成する。
Ｘは、炭素又は窒素である。但し、Ｘが窒素である場合、Ｒ１６は存在しない。）
【００４４】
金属と式（６）で表される化合物の金属錯体は、好ましくは下記式（７）又は（８）で表されるホウ素錯体である。
【化１６】
2010032453.tif 000018
（式中、Ｒ２０〜Ｒ２６及びＸは、式（６）のＲ１０〜Ｒ１６及びＸと同様である。
Ｒ２７及びＲ２８は、それぞれ、ハロゲン原子、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基、アラルキル基、炭素環式アリール基、又は複素環式アリール基である。）
【００４５】
【化１７】
2010032453.tif 000019
（式中、Ｒ３０〜Ｒ３２及びＲ３４〜Ｒ３８は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシ基、アルコキシアルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノカルボニル基、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基、アリールアミノカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキル基、炭素環式アリール基、アルケニルオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボニル基、アルコキシカルボニルアルコキシカルボニル基、アルキルカルボニルアルコキシカルボニル基、ジ（アルコキシアルキル）アミノカルボニル基又はアルケニル基である。
Ｒ３３は、水素原子、シアノ基、アルキル基、アラルキル基、炭素環式アリール基、複素環式アリール基又はアルケニル基である。
Ｒ３９及びＲ４０は、それぞれフッ素、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、炭素環式アリール基又は複素環式アリール基であり、Ｒ３９及びＲ４０の少なくとも一方はフッ素又はアルコキシ基である。）
【００４６】
式（６）で表されるピロメテン骨格を有する化合物、又は式（６）で表される化合物の金属錯体の具体例としては、以下が挙げられる。
【化１８】
2010032453.tif 000020
【００４７】
【化１９】
2010032453.tif 000021
【００４８】
【化２０】
2010032453.tif 000022
【００４９】
【化２１】
2010032453.tif 000023
【００５０】
【化２２】
2010032453.tif 000024
【００５１】
本発明の有機ＥＬ材料組成物がドーパントを含む場合、ドーパントの含有量は、好ましくはホスト材料の０．０１〜２０ｗｔ％である。
【００５２】
本発明の有機ＥＬ材料組成物は、本発明のナフタセン誘導体、本発明の溶媒、及び任意に本発明のドーパントから実質的になっていてもよく、また、これらの成分のみからなっていてもよい。「実質的になる」とは、上記組成物が本発明のナフタセン誘導体、本発明の溶媒、及び任意に本発明のドーパントのみからなり、これら成分の他に以下の添加剤を含みうることである。
【００５３】
本発明の有機ＥＬ材料組成物には、必要に応じて、粘度調整剤、酸化防止剤、光安定剤、重合禁止剤、表面張力調整剤、フィラー、界面活性剤、消泡剤、レベリング剤、帯電防止剤等を添加することもできる。
粘度調整液としては、例えばアルコール系溶液、ケトン系溶液、パラフィン系溶液及びアルキル置換芳香族系溶液等が挙げられ、好ましくはアルコール系溶液、アルキル置換芳香族系溶液である。
【００５４】
アルコール系溶液としては、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、オクタノール、ノナノール、デカノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール、プロパンジオール、ブタンジオール、ベンジルアルコール等が挙げられる。これらアルコールは直鎖でもよく、分岐構造を有してもよい。
【００５５】
アルキル置換芳香族系溶液としては、直鎖又は分岐のブチルベンゼン、ドデシルベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、１，１−ビス（３，４−ジメチルフェニル）エタン等が挙げられる。
【００５６】
酸化防止剤としては、Ｌ−アスコルビン酸（ビタミンＣ）、エリソルビン酸（イソアスコルビン酸）、カテキン、トコフェロール（ビタミンＥ）、ＢＨＴ（ジブチルヒドロキシトルエン）、ＢＨＡ（ブチルヒドロキシアニソール）、亜硫酸ナトリウム、二酸化硫黄等が挙げられる。
酸化防止剤は、好ましくはフェノール基、アルデヒド基、ホスフィノ基、ホスファイト基、チオール基、ジチオ基、アミノ基及びイミノ基からなる群から選ばれる官能基を有する。
【００５７】
光安定剤（ＨＡＬＳ）としては、例えば光エネルギーを熱エネルギーに変換する機能を有する光安定剤、又はラジカル捕捉機能を有する光安定剤があるが、いずれも蛍光量子収率低下の抑止作用及び色度の安定性を向上させる作用効果を有する。これら光安定剤の中でも、ラジカル捕捉機能を有する光安定剤が上記改善効果に優れる。具体的にはヒンダードアミン系光安定剤が好ましく、このヒンダードアミン系光安定剤の中でも、アルコキシアミン系又はアセチル化アミン系のヒンダードアミン系光安定剤がより好ましい。
【００５８】
これら添加剤（粘度調整剤，酸化防止剤，光安定剤，重合禁止剤，表面張力調整剤，フィラー、界面活性剤、消泡剤、レベリング剤、帯電防止剤等）は単独で使用してもよく、機能の異なる添加剤を複数種混合しても、あるいは同一機能を有する添加剤を複数種混合して添加してもよい。
【００５９】
尚、本発明の有機ＥＬ材料組成物は、好ましくは組成物中に０．５μｍ以上、より好ましくは０．２μｍ以上の固体又は粉末状物質を含まない。
【００６０】
本発明の有機ＥＬ材料組成物の調製方法は特に限定されず、上述の組成物の構成材料を混合し、溶媒に溶解・分散できればよい。
有機ＥＬ材料組成物の調製方法としては、好ましくは加熱法、加熱還流法、加圧法、撹拌法、超音波照射法、電磁波照射法、ビーズミル分散法、ジェットミル分散法、振動法、又はこれら２種以上を組み合わせて調製する。
【００６１】
次に、本発明の薄膜形成方法について説明する。
本発明の薄膜形成方法は、本発明の有機ＥＬ材料組成物を、基体上に塗布して成膜した後、溶媒を取り除くことにより薄膜を形成する。
有機ＥＬ材料組成物を塗布する基体としては、例えば有機ＥＬ素子基板、正孔注入層等の有機薄膜層、電極等が挙げられる。
【００６２】
有機ＥＬ材料組成物の塗布・成膜方法は特に限定されず、例えばディッピング法、スピンコート法、キャスティング法、グラビアコート法、バーコート法、スリットコート法、ロールコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、ノズルジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【００６３】
尚、上述の塗布法を用いて有機ＥＬ材料組成物を塗布する場合、有機ＥＬ材料組成物の粘度が数ｃＰ以上であると好ましい。特にインクジェット法に用いて有機ＥＬ材料を塗布する場合、有機ＥＬ材料組成物の粘度は、より好ましくは６ｃＰ以上であり、さらに好ましくは７ｃＰ以上である。一方、スリットコート法等を用いて有機ＥＬ材料を塗布する場合、有機ＥＬ材料組成物の粘度は、好ましくは数ｃＰ以下、より好ましくは３ｃＰ以下である。
本発明の有機ＥＬ材料組成物は、厚さ数１０ｎｍの薄膜を成膜する場合があるので、粘度の上限値としては例えば１００ｃＰ程度である。
【００６４】
溶媒除去方法としては、自然乾燥、加熱乾燥、加圧若しくは減圧乾燥、ガスフロー乾燥、又はこれら除去方法の組合せにより溶媒除去を行うと好ましい。
【００６５】
本発明の有機ＥＬ材料組成物を用いて得られる有機ＥＬ素子は、例えば正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層等の各機能を有する有機薄膜層の積層体である。有機ＥＬ素子の発光層は、通常、ホスト材料及びドーパント材料とで構成され、ホスト材料からドーパント材料にエネルギー移動等が生じ、ドーパント材料が発光機能を担う。
【００６６】
発光層において、ホスト材料にドーパント材料が添加（ドープ）されており、ホスト材料は、例えば３０ｎｍ〜１００ｎｍの発光層の大部分（例えば８０％以上）を構成することになる。従って、塗布法を用いて発光層を成膜する場合、有機ＥＬ材料組成物に所定量のホスト材料が溶解している必要がある。本発明の有機ＥＬ組成物の溶媒は、ホスト材料であるナフタセン誘導体を所望の濃度で溶解できるので、塗布法を用いて発光層を成膜することができる。
【００６７】
有機ＥＬ素子の各有機薄膜層の厚さは特に制限されないが、通常１０〜１００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以上である。有機薄膜層の厚さが５０ｎｍ以上であれば、発光性能の低下や大幅な色調ズレを防ぐことができる。有機薄膜層の厚さが１０ｎｍ未満だと、ピンホール等の欠陥が生じ易くなるおそれがある。一方、例えば有機薄膜層の厚さが１μｍ超の場合、高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるおそれがある。
【実施例】
【００６８】
以下、本発明を実施例を基に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。【００６９】
以下に実施例及び比較例で使用したホスト、ドーパント及びポリマーを示す。
【化２３】
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【００７０】
【化２４】
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【００７１】
実施例１
（１）有機ＥＬ材料組成物の調製
ガラス瓶に化合物Ｈ１を０．１ｇ及びインデン１０ｇを投入し、攪拌した。その後、ガラス瓶を目視で観察したところ、化合物Ｈ１はインデンに完全に溶解しており、不溶物がないことを確認した。
上記化合物Ｈ１のインデン溶液にさらに化合物Ｄ１を投入して、化合物Ｈ１及び化合物Ｄ１（化合物Ｈ１：化合物Ｄ１＝１００：１（ｗｔ／ｗｔ））の１ｗｔ％インデン溶液である有機ＥＬ材料塗布液を調製した。【００７２】
（２）塗布膜の形成
調製した上記インクを用い、ベーカー式アプリケーターで１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に塗布した後、真空乾燥を行った。形成された塗布膜の表面を観察した結果、膜厚ムラがなく、均質な膜が形成されていることがわかった。【００７３】
（２）有機ＥＬ素子の作製
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間行なった。
基板の上に、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）をベーカー式アプリケーターで成膜し、膜厚１００ｎｍの正孔注入層を積層した。
次いで、ポリマー１（Ｍｗ：１４５０００）のトルエン溶液（０．６ｗｔ％）をベーカー式アプリケーターで成膜し、さらに１７０℃で３０分間乾燥して、膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を積層した。次いで、上述の有機ＥＬ材料塗布液を用いて膜厚５０ｎｍの発光層をベーカー式アプリケーターで成膜した。発光層上に膜厚１０ｎｍのトリス（８−キノリノール）アルミニウム膜（以下「Ａｌｑ膜」と略記する。）を成膜した。このＡｌｑ膜は、電子輸送層として機能する。この後、還元性ドーパントであるＬｉ（Ｌｉ源：サエスゲッター社製）とＡｌｑを二元蒸着させ、電子注入層（陰極）としてＡｌｑ：Ｌｉ膜を形成した。
最後に、Ａｌｑ：Ｌｉ膜上に金属Ａｌを蒸着させて金属陰極を形成し、有機ＥＬ発光素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子は赤色発光し、発光面は均一であった。【００７４】
また、表１中の「インク性状」とは、調製した塗布液を室温（２０℃付近）で２週間保存した後、不溶物が無いかを目視で確認した結果であり、不溶物の無い透明な塗布液を「良好」とし、不溶物のある塗布液を「不良」とした。【００７５】
比較例１
有機ＥＬ材料塗布液の溶媒として、インデンの代わりに３−エチルトルエンを用いた以外は実施例１と同様に塗布膜及び有機ＥＬ素子を作製した。その結果、塗布膜の表面にムラが生じ、外観は不良であった。また、ＥＬ素子の発光面も不均一であった。結果を表3に示す。【００７６】
実施例２〜６０及び比較例２〜１２
表１〜３に示すホスト、ドーパント及び溶媒を用いた他は実施例１と同様にして、有機ＥＬ材料塗布液を調製して塗布膜を作製し、評価した。結果を表１〜３に示す。
尚、実施例４、実施例３９〜４９の溶媒はインデンとシクロヘキサノンを９０：１０の重量比で混合した混合溶媒である。【００７７】
ドデシルベンゼンを溶媒に用いた場合は、ホストが溶解せずインク調製ができなかったため、インク性状を「不溶」とした。
３−エチルトルエンを溶媒に用いた場合、インク調製は可能であったが、３−エチルトルエンは塗布成膜するための十分な溶解度を有さず、成膜過程で析出物が観察されたため、塗布膜性状を「不良」とした。
４−エチルトルエンを溶媒に用いた場合、調製したインクの保存中に不溶物が観察されたため、インク性状を「不良」とした。【００７８】
【表１】
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【表２】
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【表３】
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【００７９】
表１〜３から、特定の構造を有する溶媒は赤色発光材料となるナフタセン誘導体、インデノペリレン誘導体及びピロメテン誘導体に対して十分な溶解度を有していることが分かった。また、本発明の有機ＥＬ材料組成物は、インク安定性及び該インクを用いて得られる薄膜が平坦性、均質性に優れ、有機ＥＬ素子の性能も良好であることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明の有機ＥＬ材料組成物は、有機ＥＬ素子の有機薄膜層、特に発光層の形成に用いる塗布液として好適に使用できる。
本発明の有機ＥＬ素子は、各種ディスプレイ、平面発光体、ディスプレイのバックライト等の光源、携帯電話、ＰＤＡ、カーナビゲーション、車のインパネ等の表示部、照明等に好適に使用できる。
この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。
【国際調査報告】
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