【事件の表示】
　特許第３０７７８１０号「液晶表示装置の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７７８１０号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０７７８１０号の請求項１に係る発明は、平成１年１１月２５日に特許出願されたものであって、平成１２年６月１６日にその特許の設定の登録がなされ、その後、前田利佳により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年７月６日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正事項
　　ａ．特許請求の範囲の請求項１に係る記載「絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、これら透明電極のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタを含む全面に膜中に水素を含むパッシベーション膜を形成する工程と、前記膜中に水素を含むパッシベーション膜をパターニングして前記薄膜トランジスタ上に前記膜中に水素を含むパッシベーション膜を残す工程と、この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜した後、エッチングによってパターニングを行い、次いでパターニングされた前記透明導電膜を遷移温度以上の温度でアニール処理を行って透明電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」を 「絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、これら透明電極のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタを含む全面に層間絶縁膜と、膜中に水素を含むパッシベーション膜とをこの順に形成する工程と、前記膜中に水素を含むパッシベーション膜をパターニングして前記薄膜トランジスタ上に前記膜中に水素を含むパッシベーション膜を残す工程と、前記層間絶縁膜を等方性エッチングして前記水素を含むパッシベーション膜の側端部をオーバーハング形状とする工程と、この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜するとともに前記オーバーハング形状部分で前記透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成する工程と、薄膜トランジスタ上の前記水素を含むパッシベーション膜上に残された前記透明導電膜をエッチングによってパターニングし、前記透明導電膜を完全に分離する工程と、次いで前記透明電極に対し遷移温度以上の温度でアニール処理を行う工程とを備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」と訂正する。
　　ｂ．特許明細書（特許公報）第１頁右欄第７行〜第２頁左欄第６行「本発明は、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、・・・実現できるようにしたものである。」を「本発明は、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、これら透明電極のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタを含む全面に層間絶縁膜と膜中に水素を含むパッシベーション膜とを形成し、前記膜中に水素を含むパッシベーション膜をパターニングして前記薄膜トランジスタ上に前記膜中に水素を含むパッシベーション膜を残し、層間絶縁膜を等方性エッチングしてパッシベーション膜の側端部をオーハーハング形状として、この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜するとともに前記オーバーハング形状部分で前記透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成し、薄膜トランジスタ上の前記水素を含むパッシベーション膜上に残された前記透明導電膜をエッチングによってパターニングして前記透明導電膜を完全に分離し、次いで前記透明電極に対し遷移温度以上の温度でアニール処理を行うことにより、薄膜トランジスタの特性の向上、透明導電膜のパターニング性の向上、透明電極の光透過率の向上並びにシート抵抗の低減化を図って、液晶表示装置の高品質化を実現できるようにしたものである。」と訂正する。
　ｃ．特許明細書（特許公報）第２頁右欄第４１行〜第３頁左欄第４行「本発明の液晶表示装置の製造方法は、絵素に対応して…形成する工程とを備える。」を「本発明の液晶表示装置の製造方法は、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極（１２）と、これら透明電極（１２）のそれぞれにスイッチング用のトランジスタ（Ｑ）が接続されてなる液晶表示装置（Ａ）の製造方法であって、前記薄膜トランジスタ（Ｑ）を含む全面に層間絶縁膜（８）と、膜中に水素を含むパッシベーション膜（９）とをこの順に形成する工程と、前記膜中に水素を含むパッシベーション膜（９）をパターニングして前記薄膜トランジスタ（Ｑ）上に前記膜中に水素を含むパッシベーション膜（９）を残す工程と、前記層間絶縁膜（８）を等方性エッチングして前記水素を含むパッシベーション膜（９）の側端部（９ａ）をオーバーハング形状とする工程と、この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜（１１）を成膜するとともに前記オーバーハング形状部分（９ａ）で前記透明導電膜（１１）を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極（１２）を形成する工程と、薄膜トランジスタ（Ｑ）上の前記水素を含むパッシベーション膜（９）上に残された前記透明導電膜（１１）をエッチングによってパターニングし、前記透明導電膜（１１）を完全に分離する工程と、次いで前記透明電極（１２）に対し遷移温度以上の温度でアニール処理を行う工程とを備える。」と訂正する。
　ｄ．特許明細書（特許公報）第３頁左欄第１０行〜第１４行「透明導電膜（１１）が遷移温度以上になるようにアニール処理を行なうようにしたので透明導電膜（１１）の光透過率が向上し、そのシート抵抗も下がって膜質が向上するため、液晶表示装置（Ａ）の高品質化を図ることができる。」を「透明電極（１２）に対し遷移温度以上になるようにアニール処理を行なうようにしたので透明電極（１２）の光透過率が向上し、そのシート抵抗も下がって膜質が向上するため、液晶表示装置（Ａ）の高品質化を図ることができる。」と訂正する。
　ｅ．特許明細書（特許公報）第３頁左欄第１６行、第１７行、第１８行、第１９行「パッシベーション膜（５）」をいずれも「パッシベーション膜（９）」と訂正する。
　ｆ．特許明細書（特許公報）第３頁左欄第２ ５行「つながるものである。」の後に改行して「また、層間絶縁膜（８）とパッシベーション膜（９）とをこの順に形成し、パッシベーション膜（９）をパターニングして、さらに層間絶縁膜（８）を等方性エッチングしてパッシベーション膜（９）の側端部（９ａ）をオーバーハング形状とすることにより、その後透明導電膜（１１）を成膜したときに、このオーバーハング形状の側端部（９ａ）で透明導電膜（１１）が切断されて各絵素毎に分離される。」を加入する。
　ｇ．特許明細書（特許公報）第６頁右欄第２ ４行〜第３ ６行「本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、・・・高品質化を実現させることができる。」を「本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタを含む全面に層間絶縁膜と膜中に水素を含むパッシベーション膜とを形成する工程と、膜中に水素を含むパッシベーション膜をパターニングして薄膜トランジスタ上に膜中に水素を含むパッシベーション膜を残す工程と、層間絶縁膜を等方性エッチングしてパッシベーション膜の側端部をオーハーハング形状とする工程と、この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜するとともにオーハーハング形状部分で透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成する工程と、薄膜トランジスタ上の水素を含むパッシベーション膜上に残された透明導電膜をエッチングによってパターニングして透明導電膜を完全に分離する工程と、次いで透明電極に対し遷移温度以上の温度でアニール処理を行う工程とを備えたことにより、薄膜トランジスタ特性の向上、透明導電膜のパターニング性の向上、透明電極の光透過率の向上並びにそのシート抵抗の低減化を図ることができ、液晶表示装置の高品質化を実現させることができる。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　イ．上記訂正事項ａは、まず、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の「前記薄膜トランジスタを含む全面に膜中に水素を含むパッシベーション膜を形成する工程と、」にさらにパッシベーション膜の形成工程の前に層間絶縁膜を形成する工程を加えて「前記薄膜トランジスタを含む全面に層間絶縁膜と、膜中に水素を含むパッシベーション膜とをこの順に形成する工程と」と限定している。当該層間絶縁膜を形成する工程は、特許明細書（特許公報）の第３頁右欄第４ ８行〜第４頁左欄第２行に記載されていたものである。
　また、「前記層間絶縁膜を等方性エッチングして前記水素を含むパッシべーション膜の側端部をオーバーハング形状とする工程と、」を加えて限定している。当該工程は、特許明細書（特許公報）の第４頁左欄第７行〜第１６行及び第１図Ｆに記載されていたものである。
　また、「この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜した後、エッチングによってパターニングを行い、次いでパターニングされた前記透明導電膜を遷移温度以上の温度でア二ール処理を行なって透明電極を形成する工程」を「この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜するとともに前記オーバーハング形状部分で前記透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成する工程と、薄膜トランジスタ上の前記水素を含むパッシベーション膜上に残された前記透明導電膜をエッチングによってパターニングし、前記透明導電膜を完全に分離する工程と、次いで前記透明電極に対し遷移温度以上の温度でアニール処理を行う工程」と訂正して、工程を１つ１つに分けて明りょうにしている。これら一連の工程は、特許明細書（特許公報）第４頁左欄第１７行〜同頁左欄第３ ８行及び第１図Ｇ、第１図Ｈに記載されていたものである。
　従って、この訂正は、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。また、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　ロ．　上記訂正事項ｂについては、上述の訂正事項ａに整合するように発明の詳細な説明の発明の概要の項を訂正したものであり、不明りょうな記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　ハ．　上記訂正事項ｃについては、上述の訂正事項ａに整合するように発明の詳細な説明の課題を解決する手段の項を訂正したものであり、不明りょうな記載の釈明に該当する。また、「パッシベーション膜（５）」を「パッシベーション膜（９）」と訂正することは、特許明細書の実施例（特許公報３頁右欄下から３行〜４頁左欄２行）の記載からみて、明らかな誤記の訂正に該当し、願書に最初に添付した明細書第１２頁１〜３行「該層間絶縁膜（８）上にパッシベーション用のプラズマ窒化膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）（９）を例えばＣＶＤ法で形成する。」に記載された事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　二．　上記訂正事項ｄについては、上述の訂正事項ａに整合するように発明の詳細な説明の作用の項の一部の表現を訂正したものであり、不明りょうな記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　ホ．　上記訂正事項ｅについては、発明の詳細な説明の作用の項中の「パッシベーション膜（５）」の誤記を「パッシベーション膜（９）」と訂正したものであり、上記ハ．と同様である。
　ヘ．　上記訂正事項ｆについては、上述の訂正事項ａに整合するように発明の詳細な説明の作用の項において、限定した要件の作用の説明即ち「また、層間絶縁膜（８）とパッシベーション膜（９）とをこの順に形成し、パッシベーション膜（９）をパターニングして、さらに層間絶縁膜（８）を等方性エッチングしてパッシベーション膜（９）の側端部（９ａ）をオーバーハング形状とすることにより、その後透明導電膜（１１）を成膜したときに、このオーバーハング形状の側端部（９ａ）で透明導電膜（１１）が切断されて各絵素毎に分離される。」を加入するように訂正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　卜．　上記訂正事項ｇについては、上述の訂正事項ａに整合するように発明の詳細な説明の発明の効果の項を訂正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。　
（３）訂正の適否のむすび
　以上のとおり、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立に対する判断
（１）特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人前田利佳は、甲第１号証；特開平１−２２３４３０号公報、甲第２号証；「窒化シリコン膜による多結晶シリコン薄膜トランジスタの水素化」、応用物理、第５６巻第１０号（１９８７）第１３７１頁〜第１３７８頁、甲第３号証；特開昭６３−１０４０２６号公報及び甲第４号証；特開昭６２−３９８２１号公報を提出し、請求項１に係る発明は甲第１号証ないし甲第４号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、取り消されるべき旨主張している。
（２）本件発明
　本件の請求項１に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
（３）甲各号証記載の発明
　特許異議申立人の提出した本件出願前に頒布された刊行物である
甲第１号証には、
「従来、超薄膜トランジスタのスイッチング素子の駆動により表示電極に表示を行わせる液晶表示装置は、例えば第４図に示すように構成される。即ち、石英基板（１）上の超薄膜トランジスタを形成・・・。次にプラズマＳｉＮ膜（１０）を形成して後、窓あけ工程を経て電極（９）に接続する表示電極となる透明電極（１１）がＩＴＯ膜或いはＳｎＯ２膜にて形成される。さらにその上にパッシベーション膜としてのプラズマＳｉＮ膜（１０）を形成する。しかる後、ＩＴＯ膜或いはＳｎＯ２膜からなる対向電極（１２）がその一面に形成されたガラス板（１３）をプラズマＳｉＮ膜（１０）に対向させ、その間に液晶（１４）を封入して液晶表示装置（１５）が構成される。なお、かかる液晶表示装置においては、ゲート絶縁膜（３）、ゲート電極（４）、ソース領域（６）及びドレイン領域（７）等から成る薄膜トランジスタが駆動用トランジスタを構成し、この駆動用トランジスタのスイッチング動作により、透明電極（１１）と対向電極（１２）との間に印加する電圧、従って液晶（１４）に印加する電圧を制御するようになっている。」（１頁右下欄６行〜２頁左上欄１５行）と記載されている。
　
　同じく、甲第２号証には、フラットパネルディスプレイのスイッチング素子等に応用されるＴＦＴの特性を改善する方法に関し、
「窒化シリコン膜からの水素拡散法とは、ＴＦＴの保護膜としての窒化シリコン膜（ＳｉＮ）を堆積後、熱処理することによって、膜中に存在する水素を多結晶シリコン中に拡散させる方法である。」（１３７２頁左欄２４〜２８行）と記載されている。
　
　同じく、甲第３号証には、第４図に、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明な表示電極７と、そのそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置が開示されている。
　
　同じく、甲第４号証には、
「次に第４図に示す様に、絶縁層（３）の上に低温スパッタリング法により全面に上部画素電極用ＩＴＯ膜（６）を成膜する。低温スパッタ法とは、成膜時の基材温度を１５０℃以下に保持してスパッタリング成膜を行う方法を示し、この方法で得られた上部画素電極用ＩＴＯ膜（６）はエッチング性良好な、即ち、下部透明電極（２）に比較して化学エッチングされ易い特性を有する。・・・第６図はフォトレジスト（７）パターンを除去後の二層配線基板であり、パターン化された上部画素用電極（５）の化学的安定性向上は、この基板を２５０℃以上の温度で加熱処理することにより、従来のＩＴＯ膜と何ら遜色のない性能が得られる。」（３頁左上欄２行〜右上欄１２行）と記載されている。
　　                                       
（４）当審の判断                  
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と上記甲第１号証ないし甲第４号証記載のものとを対比する。
　甲第１号証には、薄膜トランジスタの上方にプラズマＳｉＮ膜を形成し（スイッチング特性を向上させることが可能な構成となっている）、その上にＩＴＯ膜の透明電極を形成して、さらにその上にパッシベーション膜を成膜する液晶表示装置の製造方法が、甲第２号証には、ＴＦＴの保護膜としての窒化シリコン膜を堆積後、熱処理することによって、膜中に存在する水素を多結晶シリコン中に拡散させることが、甲第３号証には、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明な表示電極と、そのそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置が、又、甲第４号証には、画素電極用ＩＴＯ膜を１５０℃以下（遷移温度以下）で成膜し、パターン化された画素用電極を２５０℃以上の温度（遷移温度以上）で加熱処理することが、それぞれ記載されている。
　しかし、甲各号証にはいずれも、本件発明の構成である「層間絶縁膜を等方性エッチングして前記水素を含むパッシベーション膜の側端部をオーバーハング形状とする工程と、この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜するとともに前記オーバーハング形状部分で前記透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成する工程」が備わっていない。
　そして、上記本件発明の構成が従来周知であるとも認められない。
　したがって、本件発明は、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月２３日（２００１．７．２３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲の請求項１に係る記載「絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、これら透明電極のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタを含む全面に膜中に水素を含むパッシベーション膜を形成する工程と、前記膜中に水素を含むパッシベーション膜をパターニングして前記薄膜トランジスタ上に前記膜中に水素を含むパッシベーション膜を残す工程と、この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜した後、エッチングによってパターニングを行い、次いでパターニングされた前記透明導電膜を遷移温度以上の温度でアニール処理を行って透明電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」を「絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、これら透明電極のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置の製造方法であって、前記薄膜トランジスタを含む全面に
層間絶縁膜と、
とをこの順に
前記層間絶縁膜を等方性エッチングして前記水素を含むパッシベーション膜の側端部をオーバーハング形状とする工程と、
するとともに前記オーバーハング形状部分で前記透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成する工程と、薄膜トランジスタ上の前記水素を含むパッシベーション膜上に残された前記透明導電膜を
し、前記透明導電膜を完全に分離する工程と、
前記透明電極に対し
行う工程
ｂ．特許明細書（特許公報）第１頁右欄第７行〜第２頁左欄第６行「本発明は、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、・・・実現できるようにしたものである。」を「本発明は、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、これら透明電極のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタを含む全面に
層間絶縁膜と
とを
層間絶縁膜を等方性エッチングしてパッシベーション膜の側端部をオーバーハング形状として、
するとともに前記オーバーハング形状部分で前記透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成し
薄膜トランジスタ上の前記水素を含むパッシベーション膜上に残された前記透明導電膜を
して前記透明導電膜を完全に分離し
前記透明電極に対し
行う
ｃ．特許明細書（特許公報）第２頁右欄第４１行〜第３頁左欄第４行「本発明の液晶表示装置の製造方法は、絵素に対応して・・・形成する工程とを備える。」を「本発明の液晶表示装置の製造方法は、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極（１２）と、これら透明電極（１２）のそれぞれにスイッチング用のトランジスタ（Ｑ）が接続されてなる液晶表示装置（Ａ）の製造方法であって、前記薄膜トランジスタ（Ｑ）を含む全面に
層間絶縁膜（８）と、
（９）
とをこの順に
（９）
（９）
前記層間絶縁膜（８）を等方性エッチングして前記水素を含むパッシベーション膜（９）の側端部（９ａ）をオーバーハング形状とする工程と、
するとともに前記オーバーハング形状部分（９ａ）で前記透明導電膜（１１）を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極（１２）を形成する工程と、薄膜トランジスタ（Ｑ）上の前記水素を含むパッシベーション膜（９）上に残された前記透明導電膜（１１）を
し、前記透明導電膜（１１）を完全に分離する工程と、
前記透明電極（１２）に対し
行う工程
ｄ．特許明細書（特許公報）第３頁左欄第１０行〜第１４行「透明導電膜（１１）が遷移温度以上になるようにアニール処理を行なうようにしたので透明導電膜（１１）の光透過率が向上し、そのシート抵抗も下がって膜質が向上するため、液晶表示装置（Ａ）の高品質化を図ることができる。」を「
透明電極（１２）に対し
透明電極（１２）
ｅ．特許明細書（特許公報）第３頁左欄第１６行、第１７行、第１８行、第１９行「パッシベーション膜（５）」をいずれも「パッシベーション膜
（９）
ｆ．特許明細書（特許公報）第３頁左欄第２５行「つながるものである。」の後に改行して「
また、層間絶縁膜（８）とパッシベーション膜（９）とをこの順に形成し、パッシベーション膜（９）をパターニングして、さらに層間絶縁膜（８）
を等方性エッチングしてパッシベーション膜（９）の側端部（９ａ）をオーバーハング形状とすることにより、その後透明導電膜（１１）を成膜したときに、このオーバーハング形状の側端部（９ａ）で透明導電膜（１１）が切断されて各絵素毎に分離される。
ｇ．特許明細書（特許公報）第６頁右欄第２４行〜第３６行「本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、・・・高品質化を実現させることができる。」を「本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタを含む全面に
層間絶縁膜と
とを
層間絶縁膜を等方性エッチングしてパッシベーション膜の側端部をオーバーハング形状とする工程と、
するとともにオーバーハング形状部分で透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成する工程と
薄膜トランジスタ上の水素を含むパッシベーション膜上に残された透明導電膜を
して透明導電膜を完全に分離する工程と
透明電極に対し
行う
（５４）【発明の名称】
液晶表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、これら透明電極のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置の製造方法であって、
　前記薄膜トランジスタを含む全面に
層間絶縁膜と、
とをこの順に
　前記膜中に水素を含むパッシベーション膜をパターニングして前記薄膜トランジスタ上に前記膜中に水素を含むパッシベーション膜を残す工程と、
　
前記層間絶縁膜を等方性エッチングして前記水素を含むパッシベーション膜の側端部をオーバーハング形状とする工程と、
　この後に遷移温度以下の温度で透明導電膜を成膜
するとともに前記オーバーハング形状部分で前記透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成する工程と、
　
薄膜トランジスタ上の前記水素を含むパッシベーション膜上に残された前記透明導電膜を
し、前記透明導電膜を完全に分離する工程と、
　次いで
前記透明電極に対し
行う工程
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は液晶表示装置の製造方法、特に絵素に対応してマトリクス配列された透明電極を形成する方法に関する。
〔発明の概要〕
　本発明は、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極と、これら透明電極のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタが接続されてなる液晶表示装置において、前記薄膜トランジスタを含む全面に
層間絶縁膜と
とを
層間絶縁膜を等方性エッチングしてパッシベーション膜の側端部をオーバーハング形状として、
するとともに前記オーバーハング形状部分で前記透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成し
薄膜トランジスタ上の前記水素を含むパッシベーション膜上に残された前記透明導電膜を
して前記透明導電膜を完全に分離し
前記透明電極に対し
行う
〔従来の技術〕
　従来から液晶表示装置に使用されるスイッチング素子（ＴＦＴ）のパッシベーション膜としてＰＳＧ（ｐｈｏｓｐｈｏ−ｓｉｌｉｃａｔｅ　ｇｌａｓｓ）又はプラズマ窒化膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）が用いられている。特にＰ−ＳｉＮ膜をパッシベーション膜として用いた場合、その機械的強度が高いため、スイッチング素子をキズから守ることができると共に、スイッチング素子への水分の侵入を防止することができる。また、水素（Ｈ２）を多く含むため、水素（Ｈ２）がスイッチング素子のチャンネル領域に供給され、特性の向上につながるという利点を有する。
　次に、パッシベーション膜としてＰ−ＳｉＮ膜を用いた従来の液晶表示装置の製造方法を第１４図に基いて説明する。
　まず、第１４図Ａに示すように、ガラス等からなる絶縁性基板（４１）上の所要箇所にゲートセルアライン型ＴＦＴによるスイッチング素子（Ｑ）を形成する。ここで、（４２）は活性層、（４３）はゲート絶縁膜、（４４）はゲート電極（選択線）である。その後、スイッチング素子（Ｑ）を含む全面に層間絶縁膜（例えばＰＳＧ）（４５）を形成する。
　次に、第１４図Ｂに示すように、層間絶縁膜（４５）における活性層（４２）のソース領域（４２ｓ）及びドレイン領域（４２ｄ）と対応する箇所に窓（４６ｓ）及び（４６ｄ）を形成する。
　次に、第１４図Ｃに示すように、全面にＡ１層を形成したのち、パターニングして信号線（４７）を形成する。この信号線（４７）は、窓（４６ｄ）を介してドレイン領域（４２ｄ）と電気的に接続される。
　次に、第１４図Ｄに示すように、全面にバッファ用の層間絶縁膜（例えばＰＳＧ）（４８）を形成したのち、該層間絶縁膜（４８）の上面にパッシベーション用のプラズマ窒化膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）（４９）を形成する。
　次に、第１４図Ｅに示すように、ソース領域（４２ｓ）と対応する箇所に、Ｐ−ＳｉＮ膜（４９）、層間絶縁膜（４８）及び（４５）を夫々貫通する窓（５０）を形成したのち、全面に透明導電膜（５１）を形成する。その後、該透明導電膜（５１）をパターニングして透明電極（５２）を形成する。このとき、透明電極（５２）はパターニングによって各絵素毎に分離されたかたちとなる。
　次に、第１４図Ｆに示すように、もう一方の絶縁性基板（５３）上に、該基板（５３）と上記基板（４１）を対向させたとき、配線部分（選択線（４４）、信号線（４７）等が存在する部分）及びスイッチング素子（Ｑ）と対応する箇所に光遮蔽層（５４）を形成する。その後、光遮蔽層（５４）を含む全面に対向電極（５５）を形成する。尚、基板（４１）上の透明電極（５２）及び基板（５３）上の対向電極（５５）に対し分子配向処理が施される。
　次に、第１４図Ｇに示すように、基板（４１）と基板（５３）とを夫々透明電極（５２）及び対向電極（５５）を対向させ、かつ図示しないスペーサを介して封着し、更に基板（４１）と基板（５３）間に液晶層（５６）を注入したのちその注入口を封止して従来例に係る液晶表示装置（Ｂ）を得る。
〔発明が解決しようとする課題〕
　一般に、基板上に形成される透明導電膜は、スパッタ蒸着で形成される。この際、蒸着時の基板温度により透明導電膜の膜質が大きく変化する。即ち、基板温度を上げて透明導電膜を蒸着すると、その膜質として光透過率が高く、シート抵抗の低いものが得られるが、その後のパターニング処理、即ちＨＣｌ溶液等によるエッチング処理が困難になるという欠点がある。一方、基板温度を下げて透明導電膜を蒸着すると、その後のパターニング処理が容易になるが光透過率が劣化し、そのシート抵抗も高くなるという欠点がある。その結果、従来ではパターニング性を重視して後者の方法、即ち基板温度を下げて透明導電膜（５１）を蒸着し、その後、パターニング処理して透明電極（５２）を形成するようにしている。そのため、上述の如く、膜質の悪いものを透明電極（５２）として使わざるを得ないのが現状である。
　尚、膜質を重視して前者の方法、即ち基板温度を上げて透明導電膜（５１）を形成した場合は、パターニング処理が困難になることから、強酸を使用してパターニングすることも考えられるが、パッシベーション膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）（４９）にクラックが生じている場合、強酸が浸み込んでＡ１配線（信号線（４７）等）をエッチングしてしまうという不都合があり、採用することはできない。
　本発明は、このような点に鑑み成されたもので、その目的とするところは、透明導電膜のパターニング性の向上、透明電極の光透過率の向上並びにそのシート抵抗の低減化を図ることができ、液晶表示装置の高品質化を実現することができる液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明の液晶表示装置の製造方法は、絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極（１２）と、これら透明電極（１２）のそれぞれにスイッチング用の薄膜トランジスタ（Ｑ）が接続されてなる液晶表示装置（Ａ）の製造方法であって、前記薄膜トランジスタ（Ｑ）を含む全面に
層間絶縁膜（８）と、
（９）
とをこの順に
（９）
（９）
前記層間絶縁膜（８）を等方性エッチングして前記水素を含むパッシベーション膜（９）の側端部（９ａ）をオーバーハング形状とする工程と、
するとともに前記オーバーハング形状部分（９ａ）で前記透明導電膜（１１）を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極（１２）を形成する工程と、薄膜トランジスタ（Ｑ）上の前記水素を含むパッシベーション膜（９）上に残された前記透明導電膜（１１）を
し、前記透明導電膜（１１）を完全に分離する工程と、
前記透明電極（１２）に対し
行う工程
〔作用〕
　上述の本発明の製造方法によれば、遷移温度以下の温度で透明導電膜（１１）を成膜した後、エッチングによってパターニングを行なうようにしたので、透明導電膜（１１）へのパターニングが容易になり、工数削減を図ることができる。また、その後、
透明電極（１２）に対し
透明電極（１２）
（９）
（９）
（９）
（９）
　
また、層間絶縁膜（８）とパッシベーション膜（９）とをこの順に形成し、パッシベーション膜（９）をパターニングして、さらに層間絶縁膜（８）を等方性エッチングしてパッシベーション膜（９）の側端部（９ａ）をオーバーハング形状とすることにより、その後透明導電膜（１１）を成膜したときに、このオーバーハング形状の側端部（９ａ）で透明導電膜（１１）が切断されて各絵素毎に分離される。
〔実施例〕
　以下、第１図〜第１３図を参照しながら本発明の実施例を説明する。
　第１図は、本実施例に係るアクティブマトリクス駆動方式における液晶表示装置の製造方法を示す工程図である。以下、順にその工程を説明する。
　まず、第１図Ａに示すように、ガラス等からなる透明の絶縁性基板（１）上の所要箇所にゲートセルアライン型ＴＦＴによるスイッチング素子（Ｑ）を形成する。ここで、（２）は多結晶シリコン薄膜からなる活性層、（３）はＳｉＯ２等からなるゲート絶縁膜、（４）はＮ型の不純物がドープされた多結晶シリコン層からなるゲート電極（選択線）である。その後、スイッチング素子（Ｑ）を含む全面に層間絶縁膜（例えばＰＳＧ）（５）を形成する。
　上記活性層（２）の形成方法としてＣＶＤ（化学気相成長）法があるが、この方法の場合、グレインサイズが不均一でしかも表面が凹凸になるという不都合がある。そのため、本例では、まず基板（１）上の膜厚が約８００Åの非晶質シリコン薄膜（多結晶シリコン薄膜を形成したのち、Ｓｉイオンを打込んで非晶質化する）に熱処理（例えば７００℃，５〜１０分）を施して１０８ケ／ｃｍ３・ｓｅｃ以上の密度で核（多結晶シリコンを成長させるための核、所謂種結晶、マイクログレイン）を発生させたのち、１０６ケ／ｃｍ３・ｓｅｃ以下の密度で核が発生する速度に相当する温度で熱処理（例えば６００℃，５〜１０時間）を行って固相成長させてグレインサイズが均一な多結晶シリコン薄膜（２）にする。通常は、非晶質シリコン薄膜に対して１回の熱処理（例えば６００℃，３０時間）を施して非晶質シリコン薄膜中のグレインを成長させて多結晶シリコン薄膜（２）にするが、この場合、第２図に示すように、核の発生に時間依存性があり、最初は少しだけの核しか発生しないが、時間とともに急激に増加してくる。このため、最初に発生した核のグレイン成長がそれよりも後に発生した核よりも、その時間差分だけ大きく成長し、第３図の曲線Ｉに示すように、多結晶シリコン薄膜（２）中のグレインの大きさに大きなばらつきが生じる。この薄膜（２）をスイッチング素子（Ｑ）の活性層として用いると、１個のグレインでチャンネルができてしまったり、何個かのグレインでチャンネルができてしまったりして特性にばらつきが生じてしまう。そこで、本例では、上述の如く熱処理を２段階に分けて行ない、最初の比較的高温の熱処理で均等に核を発生させ、次の低温熱処理で徐々にグレイン成長させることによって、第３図の曲線ＩＩに示すように、ほぼ中位のサイズを有するグレインが薄膜（２）全体にわたって均一に存するようになる。従って、本例においては、スイッチング素子（Ｑ）の特性にばらつきが生じなくなる。また、熱処理時間を見てもわかるとおり、通常は３０時間であったところ、本例では長くても１０時間程度で終了させることができる。尚、非晶質シリコン薄膜の膜厚が８００Åよりも厚い場合、核の発生率が高くなるため、１回目の熱処理時間を短縮させることが可能となる。また、この熱処理でレーザアニールを用いてもよい。この場合、更に熱処理の時間を短縮できる。また、最終的なグレインサイズとしては、チャンネル長よりも小さい例えば５μｍ以下にするを可とする。また、２回目の熱処理後、粒界のトラップ密度を低減化させるために、多結晶シリコン薄膜（２）が溶融しない程度のエネルギをもって短波長を可とするレーザ（例えばエキシマレーザ）を照射するようにしてもよい。この場合、１０００℃以上でシリコンの融点以下の温度で行なう。このレーザアニールでは、粒界のトラップ密度が減少するだけでグレインの粒径は変化しないでそのままの状態で保持される。
　次に、第１図Ｂに示すように、層間絶縁膜（５）における活性層（２）のソース領域（２ｓ）及びドレイン領域（２ｄ）と対応する箇所に窓（６ｓ）及び（６ｄ）を形成する。
　次に、第１図Ｃに示すように、全面にＡ１層を蒸着したのち、パターニングして信号線（７）を形成する。この信号線（７）は、窓（６ｄ）を介してドレイン領域（２ｄ）に電気的に接続される。
　次に、第１図Ｄに示すように、全面にバッファ用の層間絶縁膜（例えばＰＳＧ）（８）を例えばＣＶＤ法等で形成したのち、該層間絶縁膜（８）上にパッシベーション用のプラズマ窒化膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）（９）を例えばＣＶＤ法等で形成する。
　次に、第１図Ｅに示すように、通常、後に形成される透明電極（１２）を分離すべき部分にフォトレジスト（１０）を形成したのち、第１図Ｆに示すように、該フォトレジスト（１０）をマスクとしてＰ−ＳｉＮ膜（９）と層間絶縁膜（８）をエッチング除去する。即ち、Ｐ−ＳｉＮ膜（９）をプラズマエッチング（ＣＦ４ガス）によりエッチング除去したのち、層間絶縁膜（８）を希フッ酸によるウェットエッチングでエッチング除去する。このとき、Ｐ−ＳｉＮ膜（９）は、希フッ酸ではエッチング除去されないことと、層間絶縁膜（８）がウエットエッチング特有の等方性エッチングによって除去されることから、残存するＰ−ＳｉＮ膜（９）の側端部下方に存する層間絶縁膜（８）が除去され、Ｐ−ＳｉＮ膜（９）の側端部（９ａ）が所謂オーバーハング形状となる。
　次に、第１図Ｇに示すように、全面に透明導電膜（本例ではＩＴＯ膜を使用）（１１）をスパッタ蒸着により形成する。このとき、透明導電膜（１１）は窓（６ｓ）を介してソース領域（２ｓ）に電気的に接続される。また、透明導電膜（１１）は、Ｐ−ＳｉＮ膜（９）のオーバーハング部（９ａ）で切断されるため、蒸着と同時に各絵素毎に分離されたかたちとなり、膜（１１）中、ソース領域（２ｓ）に接続した部分が透明電極（１２）となる。このときの基板温度は、透明導電膜（１１）の遷移温度以下に設定してある。透明導電膜（ＩＴＯ膜）（１１）の遷移温度が１９０℃〜２００℃であるため、本例では上記基板温度を１９０℃以下に設定（アニール処理）して透明導電膜（１１）の蒸着を行なう。
　次に、第１図Ｈに示すように、透明導電膜（１１）をパターニング処理して各絵素毎の完全なる分離を図る。即ち透明導電膜（１１）中、信号線（７）上に形成されている一部分をＨＣｌ溶液等によるウエットエッチングでエッチング除去する。このとき、上述の如く、基板温度を透明導電膜（１１）の遷移温度以下に設定して該透明導電膜（１１）を蒸着するようにしているため、透明導電膜（１１）は、第４図ＡのＸ線回折強度特性からもわかるとおり、結晶性を示すピークがないことから、膜（１１）自体がアモルファス状となっており、この状態でのエッチング特性は、下表に示すように、エッチングレートが高い（エッチング液としてＨＣｌ２５％水溶液を使用）。
　従って、透明導電膜（１１）に対するパターニング処理を容易に行なうことができる。
　表：エッチングレートのアニール温度依存性
　しかし、透明導電膜（１１）の光透過率は、第５図の分光透過特性の曲線Ｉ及びＩＩからわかるとおり、遷移温度以上でアニール処理したもの（曲線ＩＩＩ，ＩＶ）と比して劣化すると共に、そのシート抵抗も第６図のシート抵抗特性からわかるとおり劣化する（高くなる）。そこで本例では透明導電膜（１１）のパターニング処理後、透明導電膜（１１）がその遷移温度以上（即ち、２００℃以上）になるまでアニール処理する。このアニール処理によって、透明導電膜（１１）の光透過率は、第５図の曲線ＩＩＩ及びＩＶで示すレベルまで向上し、シート抵抗も第６図に示すように低下して膜質が向上する。これは第４図ＢのＸ線回折強度特性からもわかるとおり、透明導電膜（１１）の結晶化を示すピーク（Ｐ１），（Ｐ２）及び（Ｐ３）が存在しており、基板温度を始めから遷移温度以上（ここでは２００℃）に設定して透明導電膜（１１）を蒸着したときの特性（第４図Ｃ参照）と同じ結晶化状態を示しているからである。但し、基板温度を始めから遷移温度以上にして透明導電膜（１１）を形成した場合、確かに膜質は向上するが、その後のパターニング特性が悪くなる。尚、パターニング後のアニール処理の温度としては、２００℃〜４５０℃が好ましい。これは、４５０℃以上の場合、スイッチング素子（Ｑ）に影響を与えるおそれがあるからである。
　次に、第１図Ｉに示すように、もう一方の絶縁性基板（１３）上の所要箇所に光遮蔽層（１４）を形成する。この光遮蔽層（１４）は、この基板（１３）と上記基板（１）とを対向させたとき、配線部分（選択線（４）、信号線（７）等の部分）及びスイッチング素子（Ｑ）の部分と対応する箇所に形成される（第１図Ｊ参照）。その後、光遮蔽層（１４）を含む全面に対向電極（１５）を形成する。尚、基板（１）上の透明電極（１２）及び基板（１３）上の対向電極（１５）に対し分子配向処理が施される。
　次に第１図Ｊに示すように、基板（１）と基板（１３）とを夫々透明電極（１２）と対向電極（１５）を対向させ、かつ図示しないスペーサを介して基板（１）と基板（１３）間に液晶層（１６）を封入して本例に係る液晶表示装置（Ａ）を得る。
　上述の如く、本例によれば、透明導電膜（１１）の形成において、まず基板温度を、後に透明電極（１２）となる透明導電膜（１１）の遷移温度以下に設定して透明導電膜（１１）を蒸着するようにしたので、そのパターニング特性が向上し、その後のパターニング処理が容易になり、工数削減を図ることができる。また、透明導電膜（１１）へのパターニング処理後、透明導電膜（１１）がその遷移温度以上になるように熱処理を施すようにしたので、透明導電膜（１１）、即ち、透明電極（１２）の光透過率が向上し、そのシート抵抗も良好（低減化）となって膜質が向上し、液晶表示装置（Ａ）の高品質化を図ることができる。尚、本例は、通常の場合、即ち第１４図Ｅに示すように、ソース領域（４２ｓ）上にＰ−ＳｉＮ膜（４９）、層間絶縁膜（４８）及び（４５）を貫通する窓（５０）を形成したのち、透明導電膜（５１）をパターニング形成する過程においても適用することができる。
　また、スイッチング素子（Ｑ）、特にその活性層（２）の形成において、非晶質シリコン薄膜に対し２段階の熱処理、即ち１回目は比較的高温、２回目はそれよりも低温で行なうようにしたので、グレインサイズがほぼ均等化した多結晶シリコン薄膜（２）となり、グレインサイズのばらつきによる特性のばらつきを防止することができると共に、熱処理時間を大幅に短縮させることができる。
　また、パッシベーション用のＰ−ＳｉＮ膜（９）及びバッファ用の層間絶縁膜（８）を配線部分を残してエッチング除去することによって、Ｐ−ＳｉＮ膜（９）の側端部（９ａ）をオーバーハング形状にし、更にその上面に透明導電膜（１１）を形成して該透明導電膜（１１）をオーバーハング部（９ａ）で分離するようにしたので、配線、特にスイッチング素子（Ｑ）上にＰ−ＳｉＮ膜（９）を残すことができ、Ｐ−ＳｉＮ膜（９）中の水素（Ｈ２）をスイッチング素子（Ｑ）に供給することができる。従って、スイッチング素子（Ｑ）のスイッチング特性を向上させることができ、液晶表示装置（Ａ）の高品質化を図ることができる。また、本例では、ソース領域（２ｓ）から透明電極（１２）が形成される領域にかけて層間絶縁層（８）とＰ−ＳｉＮ膜（９）を除去するため、ソース領域（２ｓ）上の段差が低くなってステップカバレージが良好となる。従って、透明導電膜（１１）を形成したとき、ソース領域（２ｓ）上での断切れは生じなくなり、液晶表示装置（Ａ）の高信頼性を図ることができる。また第１図Ｆにおいて残存するＰ−ＳｉＮ膜（９）の側端部をオーバーハング形状としたため、その後の透明導電膜（１１）の蒸着時、その蒸着と同時に透明導電膜（１１）を各絵素毎に分離することができる。
　上記実施例は、マトリクス状に多数の絵素を配列し、各絵素を外部からの信号で制御して、即ち各絵素毎に分離されて形成された透明電極（１２）と該透明電極（１２）と対向して形成された対向電極（１５）とで液晶をＯＮ／ＯＦＦして画像を表示する。ところで、透明電極（１２）は、上述の如く、各絵素毎に区切られており、必ず透明電極（１２）のない部分が存在する。この部分は常に光が透過するため、コントラストの低下を引起こす。そこで本例では、透明電極（１２）のない部分に対応して基板（１３）内面に光遮蔽層（１４）を形成している（第１図Ｊ参照）。特に、本例は、アクティブマトリクス駆動方式であるため、スイッチング素子（Ｑ）を各絵素毎に形成して構成している。そのため、スイッチング素子（Ｑ）と対応する箇所にも光遮蔽層（１４）を形成するようにしている。ところが、この光遮蔽層（１４）は、光を透過しないので、透明電極（１２）側に到達する光量が下がってしまう。特に、光遮蔽層（１４）のない部分の面積の割合（開口率）は５０％前後でしかないため、光利用率が悪くなる。そこで、本例では、以下に示す手段により光の利用率を向上させる。
　即ち、第７図に示すように、光入射側の基板（１３）上に透明材（例えばフォトレジスト等）（２１）を形成したのち、透明材（２１）の所要箇所に溝（２２）を形成する。この溝（２２）は、２つの対向するテーパ部（曲面も含む）（２２ａ）で構成され、基板（１３）内面に形成された光遮蔽層（１４）と対応する箇所に連続的に形成されてなる。この溝（２２）を設けることによって、基板（１３）の光遮蔽層（１４）と対応する箇所に入射した光は、溝（２２）のテーパ部（２２ａ）によって屈折されて透明電極（１２）側に入射することとなる。従って、上記溝（２２）は光を屈折させる所謂レンズの機能を果たし、基板（１３）に入射した光を全て透明電極（１２）側に供給するため、光の利用率が向上する。
　具体的な例として、例えば第８図に示すように、厚さＴ＝１．１ｍｍのガラス基板（１３）内面に幅ｄ＝１０μｍの光遮蔽層（１４）が形成されている場合、その基板（１３）の上面に厚さｔ＝１〜５μｍの透明材（２１）を形成したのち、該透明材（２１）のちょうど光遮蔽層（１４）と対応する位置に溝（２２）を形成する。ここで、基板（１３）の上方から完全なる平行光が入射した場合を考えると、この溝（２２）のテーパ部（２２ａ）で光を屈折させるべき角度θは０．２６°で十分であり、溝（２２）を設けることによって生じる光の散乱は無視できるものと考えてよい。従って、上記手段（溝（２２）を設けること）によって、透明電極（１２）側に到達する光量の損失を低減化でき、開口率を見かけ上、向上させることができる。しかも本例に係る液晶表示装置（Ａ）において、溝（２２）が形成されている面を常に光源側に向けることによって、画像のぼけも全く生じなくなる。また、高解像度化も可能となる。
　次に、上記溝（２２）の形成方法の例を第９図〜第１１図に基いて説明する。
　まず１つの例は、第９図Ａに示すように、基板（１３）上に可視光を透過するフォトレジスト（２１Ａ）を形成したのち、第９図Ｂに示すように、後に光遮蔽層が形成される部分に対応する箇所をフォトマスク等を使用してパターニング除去（露光、現像）する。このとき、開口側端部（２１Ａａ）間の距離ｍが後に形成される光遮蔽層（１４）の幅（二点鎖線で示す）よりも小さくなるようにパターニングする。次いで、第９図Ｃに示すように、１５０℃〜２００℃で熱処理する。このとき、レジスト（２１Ａ）の開口側端部（２１Ａａ）が熱溶融による変形によって図示の如くほぼテーパ状又は曲面状となって溝（２２）が形成される。尚、テーパ部（２２ａ）間の距離が広くなってしまった場合は、第１０図に示すように、更にＳｉＯ２膜（２３）をＣＶＤ法又はスパッタ法で形成すれば、ＳｉＯ２膜（２３）上に形成された溝（２４）のテーパ部（２４ａ）間の距離を狭めることができる。
　次に、溝（２２）の形成方法の他の例は第１１図Ａに示すように、予め内面に光遮蔽層（１４）を形成した基板（１３）の上面にネガレジスト（２１Ｂ）を形成したのち、基板（１３）の内面側（光遮蔽層（１４）が形成されている面）から光を照射してネガレジスト（２１Ｂ）を感光させる。このとき、光遮蔽層（１４）に対応する部分にも光の回折現象によって、弱い光が照射され、結果的に、第１１図Ｂに示すように、レジスト（２１Ｂ）の光遮蔽層（１４）と対応する箇所がテーパあるいは曲面をもつ凹状に現像されて溝（２２）が形成される。この場合、光の回折効果を利用するため、非常に幅の狭い溝（２２）を得ることができる。
　上記２つの方法において、レジスト（２１Ａ）又は（２１Ｂ）と基板（１３）とのエッチングレートを同じにしてスパッタエッチングすれば、即ちレジスト（２１Ａ）又は（２１Ｂ）がなくなるまでエッチバックすれば、基板（１３）上面がレジスト（２１Ａ）又は（２１Ｂ）の形状を踏襲するため、基板（１３）自体に溝（２２）を形成することが可能となる。尚、レジスト（２１Ａ）又は（２１Ｂ）としては、可視光領域を透過する例えば透明のＤｅｅｐ　ＵＶ用レジストが好ましい。また、第９図の第１の方法において、レジスト（２１Ａ）の代わりに低融点軟化材を使用し、該低融点軟化材をフォトレジスト法でパターニングしたのち、上記低融点軟化材上のフォトレジストを剥離し、更に該低融点軟化材を軟化させて溝（２２）を形成するようにしてもよい。
　上記の例では、基板（１３）上に溝（２２）を形成して光の利用率を向上させるようにしたが、その他、第１２図に示すように、基板（１３）上に両側にテーパ部（３１ａ）を有する突起（３１）を設けるようにしてもよい。この場合、図面上、左側に存するテーパ部（３１ａｌ）に入射した光ｌ１は、右方向に屈折されて、光遮蔽層（１４）を隔てた右側の透明電極（１２ｒ）側に入射し、反対に右側に存するテーパ部（３１ａｒ）に入射した光ｌ２は、左側の透明電極（１２ｌ）に入射するため、上記第７図で示す溝（２２）の例と同様に光の利用率が向上する。
　この突起（３１）の形成方法の一例としては、まず第１３図Ａに示すように、基板（１３）上に該基板（１３）のエッチングレートとそのレートが異なる例えばＰ−ＳｉＮ膜（３２）を形成したのち、Ｐ−ＳｉＮ膜（３２）の光遮蔽層（１４）（第１３図では図示せず）と対応する箇所にフォトレジスト（３３）を形成する。その後、フォトレジスト（３３）をマスクとしてＰ−ＳｉＮ膜（３２）に対しプラズマエッチングを行なう。このとき、Ｐ−ＳｉＮ膜（３２）の方が基板（１３）よりもエッチングレートが高いため、早くエッチングされ、基板（１３）へのエッチングが開始されたと同時にフォトレジスト（３３）下方に存する部分にもエッチングが進み、最終的に第１３図Ｂに示すように、基板（１３）上に両面がテーパ状となされた突起（３１）が形成される。尚、この突起（３１）の大きさは非常に小さく、例えば高さｈが約０．３μｍ、横幅Ｄが約１０μｍのレベルである。
　そして、第１２図に示すように、上記突起（３１）と共に光遮蔽層（１４）上に頂角ψがやや鋭角となされた断面ほぼ一等辺三角形状の光反射層（３４）を設ければ、突起（３１）近傍から斜め方向に入射した光ｌ３を透明電極（１２）側に反射させることができ、光の利用率をより向上させることができる。
　尚、上記実施例は透明電極膜（１１）として、ＩＴＯ膜を使用したがその他、ＳｎＯ２膜（ネサ膜）、ＺｎＯ膜を利用することも可能である。
〔発明の効果〕
　本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、薄膜トランジスタを含む全面に
層間絶縁膜と
とを
層間絶縁膜を等方性エッチングしてパッシベーション膜の側端部をオーバーハング形状とする工程と、
するとともにオーバーハング形状部分で透明導電膜を分離して絵素に対応してマトリクス配列された複数の透明電極を形成する工程と
薄膜トランジスタ上の水素を含むパッシベーション膜上に残された透明導電膜を
して透明導電膜を完全に分離する工程と
透明電極に対し
行う
【図面の簡単な説明】
　第１図は本実施例に係る液晶表示装置の製造方法を示す工程図、第２図はグレイン発生速度のアニール時間依存性を示す特性図、第３図はサイズ毎における単位面積当たりのグレインの個数を示す特性図、第４図は透明導電膜の結晶状態をＸ線回折により示す特性図であり、同図Ａは基板温度を遷移温度以下に設定して透明導電膜を蒸着した場合、同図Ｂは蒸着後遷移温度以上でアニール処理した場合、同図Ｃは基板温度を遷移温度以上に設定して透明導電膜を蒸着した場合を示す。第５図は透明導電膜の分光透過特性を示す特性図、第６図はシート抵抗のアニール温度依存性を示す特性図、第７図は光の利用率を向上させた一つの例を示す構成図、第８図はその要部を示す拡大図、第９図は溝の形成方法を示す工程図、第１０図はテーパ部間の距離を狭める方法の一例を示す構成図、第１１図は溝の形成方法の他の例を示す工程図、第１２図は光の利用率を向上させた他の例を示す構成図、第１３図は突起の形成方法の一例を示す工程図、第１４図は従来例を示す工程図である。
（Ａ）は液晶表示装置、（１），（１３）は絶縁性基板、（Ｑ）はスイッチング素子、（２）は活性層、（２ｓ）はソース領域、（２ｄ）はドレイン領域、（３）はゲート絶縁膜、（４）はゲート電極、（５），（８）は層間絶縁膜、（７）は信号線、（９）はＰ−ＳｉＮ膜、（１１）は透明導電膜、（１２）は透明電極、（１４）は光遮蔽層、（１５）は対向電極、（１６）は液晶層、（２１）は透明材、（２２）は溝、（３１）は突起である。