【事件の表示】
　特許第３１０４５５０号「圧電アクチュエータおよびその製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０４５５０号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３１０４５５０号の請求項１〜４に係る発明についての出願は、平成６年１０月１７日に特許出願され、平成１２年９月１日にその発明について特許の設定登録がされ、その後、その請求項１〜３に係る発明の特許について、異議申立人株式会社村田製作所により特許異議の申立がなされ、取り消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年９月２５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のａ〜ｃである。
　ア．訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の請求項１〜３について、「圧電体の積層構造」を「圧電体を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い積層構造」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　　特許請求の範囲の請求項４を、請求項１〜３を引用する従属形式から、４，５，６項の独立請求項に訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　　段落０００８中の「積層構造」を「圧電体であり、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い積層構造」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　　段落００１３中の「圧電体」を「圧電体を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い積層構造を有する圧電体薄膜」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　　上記訂正事項ａに関連する記載として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の図４には、「圧電体薄膜として、第１層と第２層の厚みの関係について、第１層が第２層よりも厚みが薄い」ものが記載されている。そうすると、上記訂正は、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、「圧電体の積層構造」を「圧電体を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い積層構造」と訂正することを求めるものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするもので、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、取消理由を通知されていない訂正前の請求項４を独立形式に書き改めようとするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするもので、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　上記訂正事項ｃ、ｄは、訂正事項ａと同様に図４に「圧電体薄膜として、第１層と第２層の厚みの関係について、第１層が第２層よりも厚みが薄い」ものが記載されており、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
　
（３）独立特許要件
　上記請求項４〜６に係る訂正は、特許異議の申立がされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたのに該当するから、訂正明細書の請求項４〜６に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項４〜６に記載された事項により特定されたとおりのものである（上記訂正事項ｂ参照）。
　そして、当該請求項は、申立人が提出した刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものではないので、訂正明細書の請求項４〜６に係る発明は、申立人が提出した全刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものではない。
　したがって、訂正明細書の請求項４〜６に係る発明は、出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
（４）むすび
　　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
（１）申立てについての概要
　　申立人株式会社村田製作所は、下記の甲第１〜３号証により、請求項１〜３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨の主張をしている。
　甲第１号証：特開平４−５８７４号公報
　甲第２号証：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３３（１９９４）（平成６年９月発行）第５１６７〜５１７１頁
　甲第３号証：特開平２−２２２５８４号公報
　また、「第１層の圧電体のＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）が０．２以下」とした技術的根拠が不明であるので、請求項１〜３に係る発明の特許は特許法第３６条第６項の規定に適合していない出願に対してなされたものであり、取り消されるべき旨主張している。
　
（２）請求項１〜３に係る発明
　本件特許３１０４５５０号の請求項１〜３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものである（上記、２．（１）訂正の内容参照。）。
　
（３）刊行物に記載の発明
　当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物１（甲第１号証）には、その特許請求の範囲請求項１、２の記載よりみて、「Ｓｉあるいは石英基板と、前記基板上に設けたＰｔ電極上に形成された、電極面に垂直に［００１］軸が配向したＰｂＴｉ１−ＸＺｒＸＯ３［Ｘ＝０．０１〜０．５０］あるいは、前記電極面に垂直に［１１１］軸が配向したＰｂＴｉ１−ＸＺｒＸＯ３［Ｘ＝０．５０〜０．９０］からなる強誘電体薄膜」（以下「引用発明１」という）が記載されていると認められる。
　また、同じく刊行物２（甲第２号証）の５１６７頁右欄６行〜１３行目には、「電極とＰＺＴ薄膜との界面にＺｒの酸化物（ＺｒＯ２）が形成されるのを防ぐためにＰｂＴｉＯ３をバッファ層として形成する」旨の記載、及び５１６９頁左欄第３〜８行には、「鉛、ジルコニウム、とチタンを主成分とする誘電体で、白金上の第１層としてＰｂＴｉＯ３、第１層の上に第２層としてＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．７であるＰＺＴ」が記載されている。
　これらの記載よりみて、刊行物２には、「電極とＰＺＴ薄膜との界面にＺｒの酸化物が形成されるのを防ぐためにＰｂＴｉＯ３のバッファ層を形成した上にＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上のＰＺＴを形成すること」が記載されていると認められる。
　また、同じく刊行物３（甲第３号証）の 特許請求の範囲の記載よりみて、第１の圧電材料、第２の圧電材料重ねて一体焼成して形成されるバイモルフアクチュエータ」が記載されていると認められる。
　
（４）対比・判断
請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という）と引用発明１とを対比すると、引用発明１の「強誘電体薄膜」は、本件発明１の「圧電体」に相当するから、両者は、「Ｐｔ電極上にＰｂＴｉ１−ＸＺｒＸＯ３を形成した圧電体薄膜」である点において一致し、前者が圧電体薄膜が２層であり、第１層はＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）が０．２以下で、第２層は、Ｚｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）が０．２以上であって、第１層に比べて厚いものであるのに対して、後者は、圧電体が１層である点において相違する。
そして、刊行物２〜３の記載を参酌しても、メモリ用の誘電体膜としてＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）が０．２以下の材料と０．２以上の材料を電極上に積層すること（刊行物２）、圧電材料を２層としたバイモルフアクチュエータ（刊行物３）は、公知であると認められるものの、刊行物２には誘電体を積層したものの厚みについては何ら記載されておらず、また、上記誘電体をアクチュエータに適用可能であるとする示唆もない。
　しかも、本件発明１において、圧電体を２層の積層とすることにより、「特性の良い圧電アクチュエータを形成でき、良好な変位が得られる」といった顕著な作用効果を奏するものと認められる。
　してみると、本件発明１は、刊行物１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものではない。
　請求項２，３に係る発明は、本件発明１を、その圧電体薄膜を２つ合わせたバイモルフ構造とさらに限定したものであり、本件発明１が刊行物１〜３に記載された発明に基いて容易に発明できたものでない以上、請求項２，３に係る発明も上記刊行物に記載の発明に基いて容易に発明できたものでない。
　したがって、請求項１〜３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　次に、記載不備について検討するに、「第１層および第２層の構成比が０．２の場合における構成・効果」については、第１層、第２層を異なる厚さで別に形成しているもので、構成比が０．２の１層の圧電体とは構造が異なることは明らかである。また、「第１層および第２層の構成比の根拠、効果」については、「アクチュエータを構成する圧電体薄膜をＰＺＴとしその組成を図４に示すように白金電極１以上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上とすることにより圧電体形成時に白金電極１との界面に圧電性を示さないＺｒの酸化物を形成させることなく圧電体薄膜を形成することができ、特性の良いアクチュエータを形成できた。」という記載より一応、技術的検討のもとに値を特定しており、それによる効果も記載されいる。
　よって、本件特許は、特許法第３６条第６項に規定する要件を満たさない特許出願に対してなされたものではない。
　
（５）むすび
　以上の通りであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月７日（２００２．１．７）
【訂正の要旨】
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の厳縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１〜３について、「圧電体の積層構造」を「圧電体を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い積層構造」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の厳縮を目的として、特許請求の範囲の請求項４を、請求項１〜３を引用する従属形式から、４，５，６項の独立請求項に訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　段落０００８中の「積層構造」を「圧電体であり、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い積層構造」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　段落００１３中の「圧電体」を「圧電体を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い積層構造を有する圧電体薄膜」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
圧電アクチュエータおよびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　圧電性を有する膜の対向する面に電極を形成した構成で、電極の少なくとも一方を白金またはパラジウムとし、
　圧電性を有する膜として鉛、ジルコニウムとチタンを主成分とする誘電体で、電極上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下の圧電体、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上の圧電体
を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い
　【請求項２】　白金もしくはパラジウムの電極上に鉛を主成分とする圧電体薄膜、その上に白金もしくはパラジウムの電極を形成し、その上に鉛を主成分とする圧電体薄膜を形成し、更にその上の電極からなる構造であり、各電極上に形成した圧電性を有する膜として鉛、ジルコニウムとチタンを主成分とする誘電体で、電極上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下の圧電体、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上の圧電体
を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い
　【請求項３】　白金もしくはパラジウムの電極上に鉛を主成分とする圧電体薄膜、その上に白金もしくはパラジウムの電極を形成し、その上に鉛を主成分とする圧電体薄膜を形成し、更にその上の電極からなる構造であり、各電極上に形成した圧電性を有する膜として鉛、ジルコニウムとチタンを主成分とする誘電体で、電極上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下の圧電体、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上の圧電体
を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い
　【請求項４】
圧電性を有する膜の対向する面に電極を形成した構成で、電極の少なくとも一方を白金またはパラジウムとし、圧電性を有する膜として鉛、ジルコニウムとチタンを主成分とする誘電体で、電極上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下の圧電体、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上の圧電体の積層構造を有する圧電体薄膜からなる圧電アクチュエータの製造方法であって、
　ＭｇＯ基板上に白金もしくはパラジウムを蒸着し、その上に鉛を主成分とする圧電体をスパッタ蒸着することにより圧電性を有する膜を形成し、最後にＭｇＯ基板を除去することを特徴とす
る圧
　【請求項５】
白金もしくはパラジウムの電極上に鉛を主成分とする圧電体薄膜、その上に白金もしくはパラジウムの電極を形成し、その上に鉛を主成分とする圧電体薄膜を形成し、更にその上の電極からなる構造であり、各電極上に形成した圧電性を有する膜として鉛、ジルコニウムとチタンを主成分とする誘電体で、電極上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下の圧電体、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上の圧電体の積層構造を有する圧電体薄膜であり、各々の圧電体薄膜の分極軸方向が対向する方向の構成のバイモルフ構造を有する圧電アクチュエータの製造方法であって、
　ＭｇＯ基板上に白金もしくはパラジウムを蒸着し、その上に鉛を主成分とする圧電体をスパッタ蒸着することにより圧電性を有する膜を形成し、最後にＭｇＯ基板を除去することを特徴とす
る圧
　【請求項６】
白金もしくはパラジウムの電極上に鉛を主成分とする圧電体薄膜、その上に白金もしくはパラジウムの電極を形成し、その上に鉛を主成分とする圧電体薄膜を形成し、更にその上の電極からなる構造であり、各電極上に形成した圧電性を有する膜として鉛、ジルコニウムとチタンを主成分とする誘電体で、電極上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下の圧電体、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上の圧電体の積層構造を有する圧電体薄膜であり、各々の圧電体薄膜の分極軸方向が同方向の構成のバイモルフ構造を有する圧電アクチュエータの製造方法であって、
　ＭｇＯ基板上に白金もしくはパラジウムを蒸着し、その上に鉛を主成分とする圧電体をスパッタ蒸着することにより圧電性を有する膜を形成し、最後にＭｇＯ基板を除去することを特徴とす
る圧
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、圧電アクチュエータに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】現在一般に使用されている圧電アクチュエータとしては電界に対して大きな歪が発生する鉛系の誘電体、特にＰＺＴと呼ばれるＰｂ（Ｚｒ１−ｘ，Ｔｉｘ）Ｏ３のペロブスカイト型強誘電体が広く用いられている。これらの圧電体はセラミックス材料を切削、研磨などの工程により短冊状に加工し、対向する位置に形成した電極に電圧を加えて変位変位を発生させる。発生する変位が電界と垂直方向のものを利用した屈曲変位の場合、電界方向に得られるものよりも大きな変位を得られ、短冊状のセラミックスの圧電体の単板を用いたモノモルフ素子や、２枚の圧電体の間に電極を挿入したバイモルフ素子の圧電アクチュエータが広く用いられている。近年これらの圧電アクチュエータをより小型化し、マイクロマシンなどへの利用が考えられており、それによってこれまで不可能とされていた様々な分野への応用が可能になると期待されている。そのため精密な動作をする圧電材料の開発と共にその加工技術の研究が行われている。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながらこれまでのように圧電セラミックスを切削などの機械的な方法により加工した場合、素子の小型化において限界があり、その形状も限られたものとなってくる。一方、圧電体を薄膜化した圧電体薄膜では小型化および任意の形状に加工することが可能となる。しかしアクチュエータとして十分な特性を有する圧電薄膜は、その化学組成および薄膜化にともなう内部応力などが原因でこれまで困難であり、実用に耐え得る圧電アクチュエータの実現には至っていない。
　【０００４】本発明は前記従来の課題を解決するもので、圧電アクチュエータとしての機能を有する圧電体薄膜の構造およびその作製方法を提供することを目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため、本発明にかかる圧電アクチュエータは、圧電性を有する膜の対向する面に電極を形成した構成で、電極の少なくとも一方を白金またはパラジウムとし、圧電性の膜として鉛を含有した圧電体からなる構造で、対向する電極間に電圧を加えることにより膜の水平面に対して垂直な変位を発生させることを特徴とする圧電アクチュエータであることが好ましい。
　【０００６】また白金もしくはパラジウムの電極上に鉛を主成分をする圧電体薄膜、その上に白金もしくはパラジウムの電極を形成し、その上に鉛を主成分とする圧電体薄膜を形成し、更にその上の電極からなる構造で、各々の圧電体薄膜の分極軸方向が対向する方向の構成のバイモルフ構造とすることが好ましい。
　【０００７】このほか、白金もしくはパラジウムの電極上に鉛を主成分をする圧電体薄膜、その上に白金もしくはパラジウムの電極を形成し、その上に鉛を主成分とする圧電体薄膜を形成し、更にその上の電極からなる構造で、各々の圧電体薄膜の分極軸方向が同方向の構成のバイモルフ構造であることが好ましい。
　【０００８】このうち圧電性を有する膜として鉛、ジルコニウムとチタンを主成分とする誘電体で、電極上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下の圧電体、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上の
圧電体であり、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い
　【００１０】
　【作用】前記本発明の構成によって、圧電アクチュエータを小型化でき任意の形状に加工することが容易になる。すなわち圧電性を有する膜をはさむ電極の少なくとも一方を白金またはパラジウム、圧電性の膜として鉛を含有した圧電体であれば、圧電性の薄膜を結晶性良く配向させて形成することが容易となり、また白金またはパラジウム電極と圧電性薄膜との付着力も強いため、この電極の変位を抑えることで、膜厚が薄い圧電体であっても大きな変位が発生し、また良好な圧電特性を得ることができる。
　【００１１】また前記本発明の白金もしくはパラジウムの電極上に鉛を主成分をする圧電体、その上に白金もしくはパラジウムの電極を形成し、その上に鉛を主成分とする圧電体を形成し、更にその上の電極からなるバイモルフ構造の圧電アクチュエータでは、圧電体薄膜の自発分極の方向を２枚の圧電体薄膜を互いに接着剤で貼り合わせる等の方法により自発分極の方法を対向させることにより、より大きな変位を発生させることが可能となる。
　【００１２】次に前記本発明の白金もしくはパラジウムの電極上に鉛を主成分をする圧電体、その上に白金もしくはパラジウムの電極を形成し、その上に鉛を主成分とする圧電体を形成し、更にその上の電極からなるバイモルフ構造の圧電アクチュエータでは、容易に圧電体薄膜の自発分極の方向を同方向とすることができ、容易に大きな変位を発生させるアクチュエータとすることができる。
　【００１３】また前記本発明の圧電アクチュエータのうち圧電性を有する膜として鉛、ジルコニウムとチタンを主成分とする誘電体で、電極上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下の圧電体、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上の圧電体
を有し、前記第１層は前記第２層よりも厚みが薄い積層構造を有する圧電体薄膜
　【００１４】次に前記本発明の圧電アクチュエータの製造方法において、ＭｇＯ基板上に白金もしくはパラジウムを蒸着し、その上に鉛を主成分とする圧電体をスパッタ蒸着することにより圧電性を有する膜を形成し、最後にＭｇＯ基板を除去する好ましい製造方法により、電極および圧電体を結晶性良く作製することが可能であり、またこの時の圧電体薄膜の分極方向は上向きに向いており、分極方向を揃える処理が不要であり良好な圧電特性を有する圧電アクチュエータが実現できる。
　【００１５】
　【実施例】以下本発明の一実施例における圧電アクチュエータおよびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
　【００１６】図１に本発明にかかる圧電アクチュエータの一実施例を示す。下部電極上たとえば（１００）面に配向した白金電極１上に鉛を含有した圧電性を有する膜、たとえばペロブスカイト型ＰＺＴ薄膜２から構成する。この構成によりペロブスカイト型ＰＺＴ薄膜を結晶性良くまた（００１）面に配向させて成長させることができる。圧電性薄膜を結晶性良く配向させることにより、電圧の印加に対して大きな変位量及び応力を発生させることができる。形成したアクチュエータの形状は薄膜化したことにより、従来行われていた焼結体を切り出して加工した場合よりも小型にできる。片持ち梁の大きさが５０ｘ１０ｘ０．０５ｍｍの図１に示したユニモルフタイプの圧電アクチュエータを形成し、電極間に１５Ｖの電圧を印加した場合、素子先端の変位は約０．５ｍｍの大きな値を得た。
　【００１７】図２に前記ユニモルフタイプの圧電アクチュエータを互いに貼り合わせたバイモルフ構造の圧電アクチュエータの一実施例を示す。前記（１００）面に配向した白金電極１上に鉛を含有した圧電性を有する膜、たとえばペロブスカイト型Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）薄膜２から構成する薄膜で、これらを接着剤、例えばエポキシ樹脂３により接着した。一般に２枚のＰＺＴ薄膜２の分極軸方向を連続した薄膜作製方法により対向させることは困難であるが、これらを接着することにより分極方向を容易に対向させる構成とすることができる。また一般に圧電体の厚さを薄くしていくと、おもに薄膜作製中に蓄積された内部応力のためはじめから反り返った様な変形がしばしば起こり、アクチュエータの設計および作製を困難にしていた。しかしユニモルフタイプの圧電体薄膜を互いに貼り合わせることによって、薄膜内部の応力を打ち消しあうことができる。また白金電極１上にＰＺＴ等のペロブスカイト型強誘電体をスパッタ法などで薄膜化した場合、後述するように自発分極方向が揃うことが知られており、このことより本構成のバイモルフアクチュエータの分極方向は容易に対向させることができ、図に示した方向の電圧を印加することにより変位が発生する。前記ユニモルフタイプのアクチュエータを貼り合わせ大きさ、５０ｘ１００ｘ０．１ｍｍのバイモルフタイプ圧電アクチュエータに１５Ｖの電圧を印加した場合、１ｍｍ程度の大きな変位が得られた。
　【００１８】次に本発明にかかるバイモルフタイプの圧電アクチュエータの一実施例を図３に示す。まず白金電極１上に圧電性薄膜であるＰＺＴ薄膜２を形成し、その上に内部電極として白金電極１、その上にＰＺＴ薄膜２を形成し、外部電極として白金電極１から構成する。この時のＰＺＴ薄膜２の膜厚は１０μｍとし、白金電極１の厚みは１μｍ以下とした。ＰＺＴ等のペロブスカイト型誘電体は前述のように白金などの上に結晶性の良い配向膜を形成することが可能で、このような構成の圧電アクチュエータを一貫して形成することにより、繰り返しの変位によりしばしば起こる内部電極と圧電薄膜の剥離を防止することができた。また白金電極１上にＰＺＴ等のペロブスカイト型強誘電体をスパッタ法などで薄膜化した場合、自発分極方向が揃い図３に示した好ましい構成によれば、ともに同じ分極方向を持つバイモルフを形成できる。このバイモルフ型圧電アクチュエータを大きさ５ｘ０．５ｘ０．０２ｍｍに成形し、図３に示す方向の電圧を１５Ｖ印加した場合、非常に小型であるにもかかわらず約０．１ｍｍ程度の変位が安定して得られた。
　【００１９】図４に本発明にかかる圧電体薄膜の構造を示す。圧電体薄膜としてその変位量の大きさなどからこれまでＺｒとＴｉの構成比が約５０／５０のＰＺＴが良く用いられている。しかしこの組成のＰＺＴを白金などの金属電極上に形成する場合、その界面に圧電性をしめさないＺｒの酸化物などの相が析出し、アクチュエータとしての特性に悪影響を与えていた。しかしアクチュエータを構成する圧電体薄膜をＰＺＴとし、その組成を図４に示すように白金電極１上の第１層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以下、第２層としてジルコニウムとチタンの構成比がＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．２以上とすることにより、圧電体形成時に白金電極１との界面に圧電性を示さないＺｒの酸化物を形成させることなく圧電体薄膜を形成することができ、特性の良いアクチュエータを形成できた。この好ましい圧電薄膜の構造で、まず第１層としてＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０のＰｂＴｉＯ３薄膜、第２層としてＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）＝０．５のＰＺＴ薄膜とし、図１に示した物と同様の圧電アクチュエータを作製したところ、約２倍近くの変位量が得ることができた。
　【００２０】次に上述の圧電アクチュエータを製造する方法の一実施例を以下に説明する。まず（１００）ＭｇＯ基板上に（１００）面に配向した白金電極をスパッタ法で蒸着した。その上に鉛を主成分とする圧電体であるＰＺＴ薄膜をスパッタ蒸着することにより圧電性を有する膜を形成した。スパッタ法を用いてＰＺＴ薄膜を作製することによりｃ軸配向したＰＺＴを安定的に作製することができ、かつ自発分極軸が上向きであった。自発分極の向きが揃う理由については不明なところが多いが、焼結体で必要な分極処理が不要になり、アクチュエータ作製における工程が簡素化できた。またＭｇＯ基板は硝酸溶液などにより容易に溶かすことができ、モノモルフまたはバイモルフの形状への加工が容易に行うことができた。
　【００２１】
　【発明の効果】以上説明したように本発明に係る圧電アクチュエータ及びその製造方法においては、小型化および微細加工に適した圧電体薄膜を用いることにより伴う圧電特性の劣化を防ぐ構成を提供し、またその作製法により良好な動作を行う圧電アクチュエータが実現できた。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例における圧電アクチュエータの構成を示す図
　【図２】本発明の一実施例における圧電アクチュエータの構成を示す図
　【図３】本発明の一実施例における圧電アクチュエータの構成を示す図
　【図４】本発明の一実施例における圧電薄膜の構造を示す図
　【符号の説明】
１　白金電極
２　ＰＺＴ薄膜
３　エポキシ樹脂