【事件の表示】
　特許第３０７６６３８号「整流用半導体装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７６６３８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０７６６３８号の請求項１に係る発明の手続きの経緯は、以下のとおりである。
　出願　　　　　　　　　　平成３年９月３日
　設定登録　　　　　　　　平成１２年６月９日
　特許異議の申立て　　　　平成１３年２月１４日
　　（吉田春男）
　取消理由通知　　　　　　平成１３年６月１日
　意見書、訂正請求書　　　平成１３年８月３日
　訂正拒絶理由通知    　　平成１３年１０月２日
　手続補正書（訂正請求書）平成１３年１０月１０日
　取消理由通知    　　　　平成１３年１１月７日
　平成１３年８月３日付け訂正請求取下書　　平成１３年１１月１６日
　訂正請求書　　　　　　　平成１３年１１月１６日
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１３年１１月１６日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載について、「空乏層がつながらないように構成した」とあるのを、「空乏層がつながらないようにしてチャネルを構成し、かつ前記逆導電型半導体領域が前記側壁部より横方向に張り出すようにして前記凸部側壁部絶縁層のチャネル幅よりも狭くした」と訂正する。
イ．訂正事項ｂ
　明細書の段落【０００６】の記載について、「零電圧バイアス時に形成する最高ポテンシアルを高電圧下でも保持しようとする深さＤを極めて深くする必要がある。」とあるのを、「零電圧バイアス時に形成する最高ポテンシアルを高電圧下でも保持しようとするためには深さＤを極めて深くする必要がある。」と訂正する。
ウ．訂正事項ｃ
　明細書の段落【０００３】中の「（２）」、段落【０００６】中の「（３）」、段落【００１０】中の「（４）」、段落【００１２】中の「（５）」、段落【００１５】中の「（６）」、及び【符号の説明】の欄中の「（７）」の記載を削除する。
エ．訂正事項ｄ
　明細書の段落【０００２】中の「Ｐ＋」と記載されたすべての個所を「Ｐ＋」と訂正し、「Ｎ＋」と記載されたすべての個所を「Ｎ＋」と訂正する。
オ．訂正事項ｅ
　明細書の段落【００１０】中の「ドーズ　１×１０15原子」という記載を、「ドーズ　１×１０１５原子」と訂正する。
カ．訂正事項ｆ
　明細書の段落【００１０】中の「表面濃度　５〜１０×１０18原子／ｃｍ3のＰ＋」という記載を、「表面濃度　５〜１０×１０１８原子／ｃｍ３のＰ＋」と訂正する。
キ．訂正事項ｇ
　明細書の段落【００１０】中の「ＳｉＯ2」と記載されたすべての個所を、「ＳｉＯ２」と訂正する。
ク．訂正事項ｈ
　明細書の段落【００１０】中の「Ｏ2ガス」という記載を、「Ｏ２ガス」と訂正する。
ケ．訂正事項ｉ
　明細書の段落【００１２】中の「Ｐ＋」と記載されたすべての個所を、「Ｐ＋」と訂正する。
コ．訂正事項ｊ
　明細書の段落【００１３】中の「Ｐ＋」と記載されたすべての個所を、「Ｐ＋」と訂正する。
サ．訂正事項ｋ
　明細書の【符号の説明】中の「Ｐ＋」と記載されたすべての個所を「Ｐ＋」と訂正し、「Ｎ＋」と記載されたすべての個所を「Ｎ＋」と訂正する。
シ．訂正事項ｌ
　明細書の段落【０００４】中の「１／２｝」という記載を、「１／２｝」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書の段落番号【００１０】の「高抵抗Ｎ型シリコン２に３Ωｃｍ　６μｍエピタキシアルウエハを使用し、トレンチ溝８、深さ３μｍ、幅１μｍのほぼ垂直溝形状を形成した凸部の幅は１.８μｍとした。公知のイオン注入法にてボロン原子を加速電圧４０ｋｅＶ、ドーズ　１×１０１５原子で垂直に打込み、その後、９５０℃で活性化熱処理することにより、約０．５〜０．８μｍ深さ、表面濃度　５〜１０×１０１８原子／ｃｍ３のＰ＋領域５をトレンチ溝８底部に形成した。」部分の記載、及び、図３の記載を根拠にした、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項ｂは、明細書の誤記の訂正を目的とした訂正に該当し、上記訂正事項ｃは、明細書中の記載としては不要である、頁番号として記載されていた数字を削除するものであり、明細書の誤記の訂正を目的とした訂正に該当し、上記訂正事項ｄ〜ｌは、上付き文字、下付き文字に関する訂正であり、明細書の誤記の訂正を目的とした訂正に該当する。
する。
　そして、いずれも、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）申立の理由の概要
　特許異議申立人は、本件訂正前明細書の請求項１に係る発明は、甲第１号証（米国特許第４９８２２６０号明細書）に記載された発明であるので、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、また、甲第１号証（米国特許第４９８２２６０号明細書）及び甲第２号証（特開昭６０−７４５８２号公報）に記載された発明に基づき容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件訂正前明細書の請求項１に係る発明の特許は取り消されるべき旨主張している。
（２）本件請求項１に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】複数のトレンチ溝を設けた一導電型半導体表面の凸部上面にショットキ接触をする金属層を形成し、凹部底部に逆導電型半導体領域を形成した整流用半導体装置において、凸部側壁部に絶縁物層を形成し、かつ、逆導電型半導体領域と凸部上面の金属層を同電位に電気接続し、該金属層をアノード、前記一導電型半導体をカソードとした少なくとも零電圧バイアス時に、前記一導電型半導体側にのびる前記逆導電型半導体領域からの空乏層と前記凸部上面のショットキ接触からの空乏層がつながらないようにしてチャネルを構成し、かつ前記逆導電型半導体領域が前記側壁部より横方向に張り出すようにして前記凸部側壁部絶縁層のチャネル幅よりも狭くしたことを特徴とする整流用半導体装置。」
（３）引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消しの理由で引用した刊行物１（米国特許第４９８２２６０号明細書（申立人の提出した甲第１号証））には、以下のような事項が記載されている。
「図１４Ａ−Ｂには、さらに他の整流素子７００Ａ−Ｂが記載されており、それぞれ本発明である。整流素子７００Ａ−Ｂは第１半導体基板層７０２とカソード７０４を含む。第２半導体層７０６は基板層７０２を覆い、表面７０８で終わる。トレンチ７１０Ａ−Ｆは前記表面７０８に沿って互いに距離を開けられ、メサ領域７１２Ａ−Ｅを形成する。・・・整流素子７００Ｂにおいては、ショットキバリア領域７１８Ａ−Ｅはメサの表面にそれぞれ形成され、ショットキ接触はアノードとドリフト領域との間で形成される。Ｐ＋層７２０Ａ−Ｆはそれぞれのトレンチの底部表面のドリフト領域７０６に配置される。アノード７１６はトレンチ及びメサそれぞれの形状に一致させその上に形成する。酸化層７２２Ａ−Ｊは例えば二酸化シリコンからなり、アノードとトレンチの側壁との間に形成される。」（第８欄第３３〜５４行）こと、「整流素子７００Ａと７００Ｂに逆バイアスを印加すると、絶縁層とＰ＋層から形成される空乏領域は逆電流を流さないようにつながる。整流素子はこれにより、低電圧、高電圧及び高速動作の条件において低い漏れ電流を示す。」（第９欄第１〜６行）ことが記載されている。
（４）対比及び判断
　本件請求項１に係る発明と前記刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１のトレンチ７１０Ａ−Ｆ、第２半導体層７０６、ショットキバリア領域７１８Ａ−Ｅとアノード７１６、Ｐ＋層７２０Ａ−Ｆ、整流素子７００Ｂ、酸化層７２２Ａ−Ｊは、それぞれ本件請求項１に係る発明の複数のトレンチ溝、一導電型半導体、ショットキ接触をする金属層、凹部底部の逆導電型半導体領域、整流用半導体装置、凸部側壁部の絶縁物層に相当するので、両者は、「複数のトレンチ溝を設けた一導電型半導体表面の凸部上面にショットキ接触をする金属層を形成し、凹部底部に逆導電型半導体領域を形成した整流用半導体装置において、凸部側壁部に絶縁物層を形成し、かつ、逆導電型半導体領域と凸部上面の金属層を同電位に電気接続し、該金属層をアノード、前記一導電型半導体をカソードとした少なくとも零電圧バイアス時に、前記一導電型半導体側にのびる前記逆導電型半導体領域からの空乏層と前記凸部上面のショットキ接触からの空乏層がつながらないようにしてチャネルを構成したことを特徴とする整流用半導体装置。」である点で一致しているが、本件請求項１に係る発明が、逆導電型半導体領域が側壁部より横方向に張り出すようにして凸部側壁部絶縁層のチャネル幅よりも狭くしたのに対して、前記刊行物１に記載の発明は、逆導電型半導体領域が側壁部より横方向に張り出しているとは記載されていない点で相違している。
　そして、かかる相違点により、本件請求項１に係る発明は、順方向において、チャネルシリーズ抵抗を増加させることなく、逆方向において電子ポテンシャルを高く保持し、かつ、逆漏れ電流の電圧依存性をなくして、高効率、高速の整流用半導体装置を得ることができるという明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、前記刊行物１に記載の発明であるとはいえず、また、前記刊行物１に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　なお、上記相違点について、特許異議申立ての証拠である、甲第２号証（特開昭６０−７４５８２号公報）に記載の発明を検討すると、甲第２号証には、上記相違点に関する記載も示唆もない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことができない。
　そして、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月２２日（２００１．１１．２２）
【訂正の要旨】
　特許第３０７６６３８号発明の明細書を、本件の平成１３年１１月１６日付け訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち特許請求の範囲の減縮を目的として下記（１）のとおりに、また、誤記の訂正を目的として下記（２）〜（８）のとおりに訂正する。
（１）特許請求の範囲の請求項１に記載の「空乏層がつながらないように構成した」を、「空乏層がつながらないようにしてチャネルを構成し、かつ前記逆導電型半導体領域が前記側壁部より横方向に張り出すようにして前記凸部側壁部絶縁層のチャネル幅よりも狭くした」と訂正する。
（２）明細書の段落【０００６】に記載の「零電圧バイアス時に形成する最高ポテンシアルを高電圧下でも保持しようとする深さＤを極めて深くする必要がある。」を、「零電圧バイアス時に形成する最高ポテンシアルを高電圧下でも保持しようとするためには深さＤを極めて深くする必要がある。」と訂正する。
（３）明細書の段落【０００３】中の「（２）」、段落【０００６】中の「（３）」、段落【００１０】中の「（４）」、段落【００１２】中の「（５）」、段落【００１５】中の「（６）」、及び【符号の説明】の欄中の「（７）」の記載を削除する。
（４）明細書の段落【０００２】中の「Ｐ＋」と記載されたすべての個所を「Ｐ＋」と訂正し、「Ｎ＋」と記載されたすべての個所を「Ｎ＋」と訂正する。
（５）明細書の段落【００１０】中の「ドーズ　１×１０１５原子」という記載を「ドーズ　１×１０１５原子」と訂正し、「表面濃度　５〜１０×１０１８原子／ｃｍ３のＰ＋」という記載を「表面濃度　５〜１０×１０１８原子／ｃｍ３のＰ＋」と訂正し、「ＳｉＯ２」と記載されたすべての個所を「ＳｉＯ２」と訂正し、「Ｏ２ガス」という記載を「Ｏ２ガス」と訂正する。
（６）明細書の段落【００１２】及び段落【００１３】中の「Ｐ＋」と記載されたすべての個所を、「Ｐ＋」と訂正する。
（７）明細書の【符号の説明】中の「Ｐ＋」と記載されたすべての個所を「Ｐ＋」と訂正し、「Ｎ＋」と記載されたすべての個所を「Ｎ＋」と訂正する。
（８）明細書の段落【０００４】中の「１／２｝」という記載を、「１／２｝」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
整流用半導体装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　複数のトレンチ溝を設けた一導電型半導体表面の凸部上面にショットキ接触をする金属層を形成し、凹部底部に逆導電型半導体領域を形成した整流用半導体装置において、凸部側壁部に絶縁物層を形成し、かつ、逆導電型半導体領域と凸部上面の金属層を同電位に電気接続し、該金属層をアノ−ド、前記一導電型半導体をカソ−ドとした少なくとも零電圧バイアス時に、前記一導電型半導体側にのびる前記逆導電型半導体領域からの空乏層と前記凸部上面のショットキ接触からの空乏層がつながらないようにして
チャネルを構成し、かつ前記逆導電型半導体領域が前記側壁部より横方向に張り出すようにして前記凸部側壁部絶縁層のチャネル幅よりも狭くした
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、整流用半導体装置の構造に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】従来、高効率の整流用半導体装置として、例えば、本発明者等による特願平３−１１５３４１「ショットキバリア半導体装置」がある。それは図１の断面構造図に示すものであり、１は低抵抗の一導電型半導体（例えば、
Ｎ＋
Ｐ＋
Ｐ＋
　【０００３】　図１の整流用半導体装置の順方向特性について説明する。Ａをアノ−ド、Ｃをカソ−ドとして、零電圧バイアスにすると、相対面する逆導電型半導体５の距離ＷＮ、深さＤ、角度θ（零電圧バイアス時に延びる空乏層の深さＷｂｉの位置における逆導電型半導体５と一導電型半導体２の境界での接線が接触面ｅとの間に形成する角度）を適切に選ぶことにより、チャネル９内に電子エネルギ−ポテンシアルの丘を形成する。このポテンシアルの丘の最大高さが、金属層６によるショットキ接触バリアの高さよりも低い内は順方向特性はそのバリア高さ（φＢ）で決定されるが、高くなると順方向電圧降下はその金属ショットキバリア高さで決まるＶＦ値より大きなＶＦ値となる。
　【０００４】一方、ショットキ接触バリアの逆漏れ電流ＪＲの公知の式は
　ＪＲ＝ＪＳ・ｅｘｐ｛（ｑ／ｋＴ）（ｑＥ／４πＥ）
１／２｝
で示され、電界強度Ｅ＝０のときＪＲ＝ＪＳとなり、最小となる。又、逆方向電圧を大きくしても電界強度Ｅが変化しなければＪＲはほぼ一定の値となる。ただし、ＪＳは飽和電流である。しかして、図２（ａ）は従来構造の電子ポテンシアル分布図であり、チャネル９の中央部におけるアノ−ドＡ、カソ−ドＣ間の電子ポテンシアル分布を示している。即ち、ショットキ接触バリア付近のポテンシアル勾配は大きく、逆方向電圧の増加につれて少しづつポテンシアルを下げる。特に、逆導電型半導体５の深さＤが浅く、チャネル幅ＷＮが広く、角度θが大であるとこの傾向は強まる。
　【０００５】従って、図４のＪＲ−ＶＲ（逆漏れ電流−逆方向電圧）特性の「従来構造」の曲線で示すように、逆漏れ電流は電圧に依存して少しづつ増加する。
　【０００６】本発明者等は、逆方向に高い電圧印加があっても、高いポテンシアルを維持し、逆漏れ電流の電圧依存性を最小とする構造として、平成３年７月１８日、特許出願「整流用半導体装置」を発明した。しかして、前記せる特願平３−１１５３４１を含めて、従来提案した構造では、零電圧バイアス時に形成する最高ポテンシアルを高電圧下でも保持しようとする
ためには
　【０００７】
　【発明の目的】複数のトレンチ溝を設けた一導電型半導体表面の凸部上面にショットキ接触をする金属層を形成した整流用半導体装置において、順方向特性のチャネルシリ−ズ抵抗を増加させることなく、かつ、逆方向特性における電子ポテンシアルを高く保持し、逆漏れ電流の電圧依存性をなくして、高効率、高速の整流用半導体装置を得ることを目的とする。
　【０００８】
　【実施例】図３は、本発明装置の１実施例の断面構造図であって、同一符号は同一部分をあらわす。又、１０は絶縁物層、１２は一導電型半導体２側にのびるショットキ接触面ｅからの第１の空乏層、１３は２側にのびる逆導電型半導体領域５からの第２の空乏層である。なお、１２、１３は、アノ−ドＡ、カソ−ドＣを零電圧バイアスとした時の空乏層である。
　【０００９】本発明の特徴とする構造は、トレンチ溝８を設けた一導電型半導体２表面の凸部上面にショットキ接触面ｅを形成し、凹部底部に逆導電型半導体５を形成し、又、凸部側壁部に絶縁物層１０を形成するように構成し、５とショットキ接触面ｅを形成する金属層６を同電位に電気接続し、更に、第１の空乏層１２と第２の空乏層１３が少なくとも零電圧バイアス時にはつながらないように構成することである。
　【００１０】次に、図３の本発明装置の具体的な製作例を述べる。高抵抗Ｎ型シリコン２に３Ωｃｍ　６μｍエピタキシアルウエハを使用し、トレンチ溝８、深さ３μｍ、幅１μｍのほぼ垂直溝形状を形成した凸部の幅は１．８μｍとした。公知のイオン注入法にてボロン原子を加速電圧４０ｋｅＶ、
ド−ズ　１×１０１５原子
表面濃度　５〜１０×１０１８原子／ｃｍ３のＰ＋
ＳｉＯ２
Ｏ２
ＳｉＯ２
ＳｉＯ２
Ｐ＋
　【００１１】以上により得られた本発明装置は電子ポテンシアル分布図を図２（ｂ）に示し、又、電気特性としてＪＲ−ＶＲ（逆漏れ電流−逆方向電圧）特性図４及びＪＦ−ＶＦ（順方向電流−順方向電圧）特性図５「本発明構造」と図示するように改善されている。
　【００１２】更に、図１の従来構造と図３の本発明構造を空乏層領域の対比により説明する。図１の従来構造では零電圧バイアス時において、ショットキ接触面ｅと
Ｐ＋
Ｐ＋
Ｐ＋
Ｐ＋
Ｐ＋
Ｐ＋
Ｐ＋
　【００１３】一方、図３の本発明構造では、ショットキ接触接合からの空乏層１２と、
Ｐ＋
Ｐ＋
　【００１４】又、図３の本発明構造では、凸部側壁部に絶縁物層１０を形成しているので、絶縁物層１０ではさまれたチャネル９には空乏層が発達しない。従って、順電圧バイアス時のチャネル電流は、従来構造のように順方向空乏層での電流路制限がなく、幅広い電流路を確保できるため、順方向電圧に対するチャネルシリ−ズ抵抗が小となり順方向特性においても大幅な改善を達成した。
　【００１５】前記せる本発明の実施例については、本発明の要旨の範囲で種々の変形、付加、変換等の変更をなし得るものである。例えば、凸部の機械的破損を防止するため、凹部を適当な固体材料層で充填することも可能である。
　【００１６】
　【発明の効果】以上説明したように本発明により、順方向において、チャネルシリ−ズ抵抗を増加させることなく、逆方向において電子ポテンシアルを高く保持し、かつ、逆漏れ電流の電圧依存性をなくして、高効率、高速の整流用半導体装置を得ることが可能となり、電源機器をはじめ、広い範囲に利用でき、産業上の効果、極めて大なるものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】従来の整流用半導体装置の断面構造図である。
　【図２】電子ポテンシアル分布図で、（ａ）は従来構造のもの、（ｂ）は本発明構造のものである。
　【図３】本発明の１実施例の断面構造図である。
　【図４】ＪＲ−ＶＲ（逆漏れ電流−逆方向電圧）特性図である。
　【図５】ＪＦ−ＶＦ（順方向電流−順方向電圧）特性図である。
　【符号の説明】
１　　　低抵抗の一導電型半導体（例えば
Ｎ＋
２　　　一導電型半導体（例えば、Ｎ）
３　　　ガ−ドリング領域
４　　　絶縁膜
５　　　逆導電型半導体（例えば
Ｐ＋
６　　　金属層
７　　　オ−ミック電極
８　　　トレンチ溝の凹部
９　　　チャネル
１０　　絶縁物層
１１　　空乏層領域
１２　　第１の空乏層
１３　　第２の空乏層
Ａ　　　アノ−ド
Ｃ　　　カソ−ド
ｅ　　　ショットキ接触面
θ　　　角度