【事件の表示】
　特許第３０５６８８９号「セラミックス回路基板」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０５６８８９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本件特許第３０５６８８９号（以下、「本件特許」という。）は、平成４年７月１７日付けの特許出願に係り、平成１２年４月１４日にその請求項１に係る発明について特許権の設定登録がなされたものであり、その後、平成１２年１２月２２日に特許異議申立人・徳田久実代より、また、平成１２年１２月２６日に特許異議申立人・高柳馨より特許異議の申立てがあったので、当審において当該申立ての理由を検討の上、平成１３年４月２５日付けで特許取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内である平成１３年６月２５日に特許異議意見書と共に訂正請求書が提出されたが、その後、当審よりあらためて平成１３年８月２日付けで明細書の記載不備を指摘する特許取消理由を通知したところ、その通知書で指定した期間内である平成１３年９月１０日に、先の平成１３年６月２５日付けの訂正請求書を取り下げると共に、特許異議意見書と共に新たに訂正請求書が提出されたものである。
　
【２】訂正の適否について
１．訂正の要旨
　上記平成１３年９月１０日付けの訂正請求は、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものであるが、その訂正の要旨は、次の訂正事項ａないしｄのとおりのものと認める。
《訂正事項ａ》
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載について、
「しかも金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であること」とあるのを、
「しかも金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではないこと」と訂正する。
《訂正事項ｂ》
　特許明細書の発明の詳細な説明の段落番号【００１０】の記載について、
「しかも金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であること」とあるのを、
「しかも金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではないこと」と訂正する。
《訂正事項ｃ》
　特許明細書の発明の詳細な説明の段落番号【００１２】の記載について、
「セラミックス回路基板の断面において、」とあるのを、
「金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、」と訂正する。
《訂正事項ｄ》
　特許明細書の発明の詳細な説明の段落番号【００１５】の記載について、
「パターン率２０％以上にする位置は、金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全ての断面においてであるが、」とあるのを、
「パターン率２０％以上にする位置は、金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面においてであるが、」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否
　上記訂正事項ａのうちの「しかも金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、」とする訂正は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載の「しかも金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全ての断面において、」という明りょうでない記載を明りょうなものとするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、上記訂正事項ａのうちの「かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではない」とする訂正は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載の「金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上」を、セラミックス回路基板の中心部については特別な限定をしようとするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　　更に、上記訂正事項ｂないしｄは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　
３．新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａのうちの「しかも金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、」とする訂正は、特許明細書の段落番号【００１２】、【００１５】及び【図１】の記載に基づいている。
　また、上記訂正事項ａのうちの「かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではない」とする訂正は、特許明細書の段落番号【００１５】、【表１】及び【図１】の記載に基づいている。
　よって、上記訂正事項ａ及びｂないしｄは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張、又は変更するものでもない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
【３】特許異議の申立てについて
１．申立ての理由の概要
１−１．特許法第３６条違反について
　特許異議申立人・徳田久実代は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載の「金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であること」については、特許明細書の発明の詳細な説明に、当業者が容易にその実施をすることができる程度に記載されておらず、また、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項が明りょうでないものであるので、特許明細書の記載は平成２年改正特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしておらず、請求項１に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであり、取り消すべき旨主張している。
１−２．特許法第２９条第２項違反について
　異議申立人・高柳馨は、甲第１号証（特開平４−５１５８３号公報）及び甲第２号証（特開平３−１０１１５３号公報）を証拠として提出して、請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、当該発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定により、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるから、取り消すべき旨主張している。
１−３．特許法第２９条の２違反について
　異議申立人・徳田久実代は、甲第１号証（特開平５−１５２４６１号公報）を証拠として提出して、請求項１に係る発明は、当該発明に係る出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平３−３１０９７９号（特開平５−１５２４６１号公報（甲第１号証））の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願１の当初明細書等」という。）に記載された発明と同一であると認められ、しかも、当該発明の発明者が上記先願１の当初明細書等に記載された発明の発明者と同一であるとも、当該発明に係る出願の時において、その出願人が上記先願１の出願人と同一であるとも認めらず、当該発明についての特許は、特許法第２９条の２第１項の規定により、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるから、取り消すべき旨主張している。
　また同様に、異議申立人・徳田久実代は、甲第２号証（特開平５−５１２７１号公報）を証拠として提出して、請求項１に係る発明は、当該発明に係る出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平３−２３１０９１号（特開平５−５１２７１号公報（甲第２号証））の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願２の当初明細書等」という。）に記載された発明と同一であると認められ、しかも、当該発明の発明者が上記先願２の当初明細書等に記載された発明の発明者と同一であるとも、当該発明に係る出願の時において、その出願人が上記先願２の出願人と同一であるとも認めらず、当該発明についての特許は、特許法第２９条の２第１項の規定により、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるから、取り消すべき旨主張している。
　
２．本件特許明細書・本件発明
　上記【２】で示したように上記訂正が認められるから、上記平成１３年９月１０日付けの訂正請求書に添付した訂正明細書を本件特許明細書として、本件特許の請求項１に係る発明は、上記本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
　「【請求項１】　セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属板がそれぞれ活性金属法で接合されてなるセラミックス回路基板であって、金属回路の厚みが０．１〜０．３ｍｍ、金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比（裏面金属板体積／金属回路体積）が０．５０〜１．０であり、しかも金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではないことを特徴とするセラミックス回路基板。」（以下、「本件発明」という。）
　
３．当審の判断
３−１．特許法第３６条違反について
　本件特許明細書の記載は、上記【２】で示したように訂正事項ａないしｄの訂正により明りょうなものとなったから、本件特許明細書の記載が平成２年改正特許法第３６条第４項及び第５項に規定する要件を満たしていないとはいえず、本件発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　
３−２．特許法第２９条第２項違反について
３−２−１．引用刊行物とその記載事項
　当審が上記平成１３年４月２５日付け特許取消理由通知において引用した刊行物とその記載事項の概要は、次のとおりである。
　
　刊行物１：特開平４−５１５８３号公報
　　　　　　（特許異議申立人・高柳馨が提出した甲第１号証）
　刊行物２：特開平３−１０１１５３号公報
　　　　　　（特許異議申立人・高柳馨が提出した甲第２号証）
　
　刊行物１には、大電流を使用する電子部品搭載用基板として用いられる、耐熱サイクル性に優れた金属板接合セラミックス基板に関して、図面第１図及び第２図と共に、次の事項が記載されている。
　ア）「セラミックス基板の一方の面に電子部品搭載側金属板を、他方の面に放熱側金属板を、活性金属を含む合金のろう材によりそれぞれ接合した基板において、ろう材の厚さが２５μｍ以下、放熱側ろう材の面積が電子部品搭載側ろう材の面積の５０〜１５０％、かつ放熱側金属板の厚さが電子部品搭載側金属板の厚さの８０％以下であることを特徴とする金属板接合セラミックス基板。」（特許請求の範囲）
　イ）「放熱側ろう材の面積を電子部品搭載側ろう材の面積の５０〜１５０％に抑えることによりセラミックス基板の拘束が弱まり、熱応力が軽減されて耐熱サイクル性が向上する。
　放熱側ろう材の面積が多いと熱応力は軽減されないが、反対に、少な過ぎると放熱性が悪くなるとともに信頼性のある接合強度が得られない。従って、放熱側ろう材の面積は．電子部品搭載側ろう材の面積の５０〜１５０％にする必要がある。放熱側ろう材の上記割合が小さいときは基板の縦断面模式図は第２図に示したようになる。
　放熱側銅板の厚さを電子部品搭載側銅板の８０％以下にすることにより熱応力を軽減して、耐熱サイクルを向上させる。
　放熱側金属板の厚さが、電子部品搭載側金属板の厚さの８０％を越えると電子部品搭載側と放熱側に発生する熱応力のバランスが悪いので、セラミックス基板に発生する熱応力が大きくなり、耐熱サイクル回数が少なく、放熱側金属板の厚さは、電子部品搭載側金属板の厚さの８０％以下にする必要がある。」（第２頁左下欄第４行〜右下欄第４行）
　ウ）「［実施例］
　５４ｍｍ×３６ｍｍ、厚さ０．６３５±０．０５ｍｍのＡｌＮ又はＳｉ３Ｎ４基板の両面にＴｉ−Ａｇ−Ｃｕろう材を介在させた後、下記の各実施例における条件下で、真空中（１０−６Ｔｏｒｒ）約８５０°Ｃで４０分焼成して、電子部品搭載側銅板と放熱側銅板をセラミックス基板に接合後、接合体に−６５〜＋１５０°Ｃの熱サイクル（１サイクル６０分）を与えて、目視によりＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４基板に亀裂が発生するまでの回数（耐熱サイクル回数）を測定した。」（第２頁右下欄第１２行〜第３頁左上欄第２行）
　エ）「実施例２
　セラミックス基板：材質　ＡｌＮ
　電子部品搭載側銅板：厚さ　０．３ｍｍ
　電子部品搭載側ろう材：面積　１２ｃｍ２　　
　　　　　　　　　　　　厚さ　２０μｍ
　放熱側銅板：５０×３２ｍｍ
　　　　　　　厚さ　０．１０、０．１５、
　　　　　　　　　　０．２０、０．２４、
　　　　　　　　　　０．３０、０．４０ｍｍ
　放熱側ろう材：面積　１８ｃｍ２　　
　　　　　　　　厚さ　２０μｍ」（第３頁左下欄第１２行〜右下欄第２行）
　オ）第３頁右下欄の第３表には、実施例２の耐熱サイクル試験結果が示されており、「放熱側銅板の厚さが０．１５ｍｍのときに耐熱サイクル回数が３００〜４００回、０．２０ｍｍのときに耐熱サイクル回数が１００〜２５０回」であることが示されている。
　
　刊行物２には、銅回路を有する窒化アルミニウム基板の製法に関して、図面第１図ないし第５図と共に、次の事項が記載されている。
　カ）「次の（ａ），（ｂ）及び（ｃ）の工程からなることを特徴とする銅回路を有する窒化アルミニウム基板の製法。
（ａ）　窒化アルミニウム基板上に、活性金属ろう材ペーストを所望の接合パターンに塗布する工程
（ｂ）　上記塗布ペースト上に、接合パターンを覆うに十分な広さの銅板を接合する工程
（ｃ）　……」（特許請求の範囲）
　キ）「実施例１
　銀粉末７２重量部、銅粉末２８重量部、水素化チタン４重量部、テレピネオール１５重量部を混合してペーストを調整した。このペーストを６０ｍｍ×３０ｍｍ×０．６５ｍｍｔの窒化アルミニウム基板１の両面にスクリーン印刷した後乾燥した。……
　次いで、６０ｍｍ×３０ｍｍ×０．３ｍｍｔの表銅板３を表面に、また、６０ｍｍ×３０ｍｍ×０．２０ｍｍｔの裏銅板４を裏面に接触配置した後、スペーサーを介して２４０ｇの重しをのせ、８×１０−５Ｔｏｒｒの真空中、最高温度８５０°Ｃで３０分間加熱処理してから冷却速度５°Ｃ／分として冷却し窒化アルミニウム基板と銅板の接合体を製造した。」（第４頁左上欄第１４行〜右上欄第１１行）
　ク）「実施例１６
　エツチングレジスト７の塗布パターンを第４図に示すものにしたこと以外は実施例１と全く同様な操作を行って回路基板を製造した（第５図参照）。この回路基板は、回路パターンと接合パターンとが異なるために、非接合部９を有する銅回路８をもつものであるが、エツチング処理によっても非接合部がうすくなるようなことはなかった。また、ペーストのはみ出しもなく、ピール強度も１４ｋｇ・ｆ／ｃｍと十分に高かった。」（第５頁左上欄第１行〜第１０行）
３−２−２．対比・判断
　本件発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると次のとおりである。
　刊行物１記載の金属板接合セラミックス基板において、「電子部品搭載側金属板」が本件発明の「金属回路」に相当し、同様に、「放熱側金属板」が「裏面金属板」に相当することは明らかである。また、刊行物１の実施例２（上記摘記事項エ、参照）では、「厚さ０．３ｍｍの電子部品搭載側銅板」が使用されており、本件発明の「金属回路の厚みが０．１〜０．３ｍｍ」という構成要件を満たしている。
　更に、刊行物１記載の実施例２（上記摘記事項エ、参照）では、「放熱側銅板：５０×３２ｍｍ、厚さ０．１０、０．１５、０．２０、０．２４、０．３０、０．４０ｍｍ」が使用されている。このうち、「厚さ０．１５ｍｍ、０．２０ｍｍ」の放熱側銅板の体積は、「５０ｍｍ×３２ｍｍ×０．１５ｍｍ＝２４０ｍｍ３、５０ｍｍ×３２ｍｍ×０．２０ｍｍ＝３２０ｍｍ３」である。一方、電子部品搭載側銅板の厚さは「０．３ｍｍ」であり、かつ電子部品搭載側ろう材の面積は「１２ｃｍ２（＝１２００ｍｍ２）」である。刊行物１の図面第１図及び第２図に示されているように、「電子部品搭載側ろう材２の上には電子部品搭載側金属板１（電子部品搭載側銅板）が存在している」ことが明らかであるため、電子部品搭載側銅板の体積は「１２００ｍｍ２×０．３ｍｍ＝３６０ｍｍ３」となる。
　よって、刊行物１記載の実施例２（上記摘記事項エ、参照）において、「厚さが０．１５ｍｍ、０．２０ｍｍ」の放熱側銅板を使用した金属板接合セラミックス基板は、「放熱側銅板体積／電子部品搭載側銅板体積（裏面金属板体積／金属回路体積）＝２４０ｍｍ３／３６０ｍｍ３＝０．６７，３２０ｍｍ３／３６０ｍｍ３＝０．８９」であり、本件発明の「金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比（裏面金属板体積／金属回路体積）が０．５０〜１．０」という構成要件を満たしている。
　以上のことから、本件発明と刊行物１に記載された発明とは、「セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属板がそれぞれ活性金属法で接合されてなるセラミックス回路基板であって、金属回路の厚みが０．１〜０．３ｍｍ、金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比（裏面金属板体積／金属回路体積）が０．５０〜１．０である、セラミックス回路基板」である点で一致している。
　しかしながら、金属回路を形成する部分に関して、本件発明では、「金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではない」ものであるのに対して、刊行物１には上記事項は記載されておらず、この点で本件発明と刊行物１記載の発明とは相違している。
　上記相違点について検討すると、一般的に、金属回路の接合面積を大きくすればその補強効果により抗折強度が高くなること、及び、刊行物２の図面第３図及び第５図の記載を斟酌すれば、上記相違点の事項のうちの「金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上」という事項は、単に補強を意図する範囲において、当業者であれば容易に想到できたものといえるとしても、本件発明は、パターン率を２０％以上とするとともに、曲げ応力が集中しやすい「セラミックス回路基板の中心部における該率（パターン率）が最小値ではない」ようにして、中心部の抗折強度を高くしたものであり、当該事項までも、当業者が容易に想到できたとすることはできない。
３−２−３．むすび
　したがって、本件発明は、刊行物１及び２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえず、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定により、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　
３−３．特許法第２９の２違反について
３−３−１．先願１の当初明細書等記載の発明について
　本件発明に係る出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平３−３１０９７９号（特開平５−１５２４６１号公報（特許異議申立人・徳田久実代が提出した甲第１号証））の願書に最初に添付した明細書及び図面（先願１の当初明細書等）には、セラミックス回路基板に関して、図１ないし図９と共に、次の事項が記載されている。
　サ）「【０００１】
【産業上の利用分野】　本発明は、例えばパワートランジスタモジュール等の半導体実装用基板として好適なセラミックス回路基板に係り、特にセラミックス基板上に活性な金属の接合層を介して銅回路板を接合したものにおいて、使用時の熱サイクルに対する信頼性向上等を図ったセラミックス回路基板に関する。」
　シ）「【０００３】　このセラミックス回路基板は、例えば図８および図９に示すように、セラミックス基板１の一側面に銅回路板２を活性な金属、例えばチタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）等を主体とする接合層を介して一体的に接合したものである。
【０００４】　なお、図８および図９の例ではセラミックス基板１の他側面に同じく活性な金属の接合層を介して熱変形防止用の銅板３が接合されている。」
　ス）「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】　ところで、このような活性金属層を介して接合されたセラミックス回路基板をモジュールに組込んで、電源スイッチのオン・オフを繰返した場合、図８に示すように、セラミックス基板１にクラック４が発生する現象が見られる。」
　セ）「【００１２】
【課題を解決するための手段および作用】　発明者において、セラミックス基板のクラック発生原因を検討した結果、次のような点が明らかとなった。
【００１３】　すなわち、モジュールは長時間の使用により１００℃以上に温度上昇し、この温度上昇によって、セラミックス回路基板全体は熱膨張する。銅回路板はセラミックス基板よりも熱膨脹が大きいので、セラミックス基板の一側面に銅回路板を接合しただけの構造では反りが生じ易い。そこで、この反りを防止するために、前記のようにセラミックス基板の他側面に熱変形防止用の銅板を接合する等の手段が講じられる。
【００１４】　しかし、このような手段を講じて反りを防止した場合でも、電源スイッチのオン・オフにより生じる温度差（ΔＴ）によって、銅回路板とセラミックス基板との間には熱膨張差（α差）が発生し、これに基づく熱サイクルによりセラミックス基板に圧縮応力が残留する。
【００１５】　この圧縮応力は、セラミックス基板に対する銅回路板の接触面と非接触面との境界部分、つまり銅回路板の端縁に接触する部位で最も大きい。
【００１６】　その結果、図８に示すように、セラミックス基板の銅回路板端縁部との接触部位でクラックが生じ、この部分からセラミックス基板が破壊等して、モジュールに悪影響が生じていたものである。
【００１７】　なお、クラックの発生頻度および大きさ等は、銅回路板が厚肉な場合に顕著であることから、接合面に沿う方向の力は、銅回路板の厚みに相乗的に影響されるものと考えられる。
【００１８】　したがって、この応力を緩和すればクラックの発生を抑止できるものと考えられ、その手段として銅回路板の薄肉化が想起されるが、パワートランジスタモジュール用回路基板やスイッチング電源モジュール用回路基板のように、大電流が使用されるものでは、銅回路板全体の過度の薄肉化は困難である。
【００１９】　以上の知見に基づき、一の発明は、セラミックス基板に活性金属により接合される銅回路板の端縁を段部を介して薄肉としたことを特徴とするものである。
【００２０】　このように、銅回路板の端縁のみを薄肉とする本発明の構成によれば、銅回路板の主体部分の肉厚を十分に保持しつつ、薄肉化された端部からセラミックス基板に作用する熱膨張差による圧縮歪の発生量は少なくなり、この結果セラミックス基板に対する銅回路板の接触面と非接触面との境界部分へのクラック発生を抑止することが可能となる。」
　ソ）「【００３７】　図１および図２に示すように、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるセラミックス基板１１の一側面に銅回路板１２を活性金属法による接合層１３を介して接合するとともに、そのセラミックス基板１１の他側面に同法による接合層１３を介して補助用の銅板３を接合した。
【００３８】　すなわち、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕの各粉末をＴｉ３％、Ａｇ３７％、Ｃ６０％の割合で、有機化合物等のバインダおよび溶媒を用いて混合してなるペーストを、セラミックス基板１１上にパターン印刷し、そのセラミックス基板１１の上に銅回路板１２をパターンに沿って配置して、Ａｒガス雰囲気で加熱し、接合層１３を介して接合した（銅板１３についても略同様である）。
【００３９】　このような構成のセラミックス回路基板において、銅回路板１２は、厚さａが０．３ｍｍの素材に対し、非接合面側の全端縁部つまり周辺部をエッチング加工し、これにより周辺部が段部１４を介して薄肉となる薄肉部分１５を形成した。
【００４０】　この薄肉部分１５の厚さｂは、素材厚さａの１／３〜１／１までの範囲で種々変更した。
【００４１】　図３は、冷熱衝撃試験（ＴＣＴ）後のマイクロクラックの発生状況を示したものである。すなわち、縦軸にクラック発生までの加熱および冷却のサイクル数（回）を表し、横軸に肉薄部分１５の肉厚（ｍｍ）を表している。
　タ）「【００４５】　この図３に示すように、銅回路板１２の端縁部に形成する肉薄部分１５の厚さｂが、その銅回路板１２の厚肉部分の２／３を越える値では、セラミックス基板１１のクラック発生防止が必ずしも確実に図れないことが認められる。
【００４６】　すなわち、銅回路板１２の端縁部に形成される肉薄部分１５の厚さは、銅回路板の厚肉部分の厚さａの２／３以下に設定することが好ましい。」
　チ）「【００５３】　図５および図６に示すように、本実施例が前記の実施例１と異なる点は、銅回路板１２に斜面１６を介して薄肉部１５を形成した点である。
【００５４】　その他の構成は実施例１と略同様であるから、図５および図６の対応部分について、図１および図２と同一符号を付して説明を省略する。」
　
　上記記載事項及び図面の記載を総合すると、先願１の当初明細書等には、次の発明が記載されているものと認められる。
　「セラミックス基板１１の表面に銅回路板１２、裏面に銅板１３がそれぞれ活性金属法で接合されてなるセラミックス回路基板であって、銅回路板１２の厚みが０．３ｍｍであり、しかも銅回路板１２が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、銅回路板１２とセラミックス基板１１との接合部分の長さの合計がセラミックス基板１１の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではない、セラミックス回路基板」（以下、「先願１の発明」という。）
　
　本件発明と先願１の発明とを対比すると、先願１の発明の「銅回路板１２」、「銅板１３」は、それぞれ、本件発明の「金属回路」、「金属板」に相当するから、両者は、「セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属板がそれぞれ活性金属法で接合されてなるセラミックス回路基板であって、金属回路の厚みが０．１〜０．３ｍｍであり、しかも金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではない、セラミックス回路基板」である点で、一致している。
　しかしながら、先願１の当初明細書等には、銅回路板１２及び銅板１３の体積に関しては何ら記載されておらず、その図面の記載を斟酌しても、本件発明の「金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比（裏面金属板体積／金属回路体積）が０．５０〜１．０」であるという事項が記載されているとはいえず、この点で、本件発明は、先願１の発明とは相違しており、先願１の発明と同一であるとはいえない。
　
３−３−２．先願２の当初明細書等記載の発明について
　当審が上記平成１３年４月２５日付け特許取消理由通知において引用した、本件発明に係る出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平３−２３１０９１号（特開平５−５１２７１号公報（特許異議申立人・徳田久実代が提出した甲第２号証））の願書に最初に添付した明細書及び図面（先願２の当初明細書等）には、金属板とセラミックス基板とからなる接合体に関して、図１ないし図４と共に、次の事項が記載されている。
　ナ）「【０００１】
【産業上の利用分野】　本発明は、金属板とセラミックス基板とからなる接合体に関し、さらに詳しくは、耐ヒートサイクル性に優れた接合体に関する。」
　ニ）「【０００４】　即ち、……またＴｉ，Ｚｒのような活性金属と低融点合金を作るＡｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ 等の金属を混合又は合金としたろう材をセラミックス板と金属板の間に介在させて不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気下で加熱圧着する方法（活性金属方法）、……等多くの提案がなされているが、接合体を加熱し、次いで冷却することを繰返して行うこと（この操作を以後、「ヒートサイクル」ということがある）により接合強度が低下したり、または接合体にクラックもしくは破壊が生じる問題点が未だに解決されていない。」
　ヌ）「【０００６】
【課題を解決するための手段】　本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたものであり、少くとも、セラミックス基板の片面に、回路パターンを有する金属板とセラミックス基板とからなる接合体において、前記回路パターンを構成する個々の回路線が縁取加工処理されていることを特徴とする金属板とセラミックス基とからなる接合体を提供するものである。」
　ネ）「【０００８】　本発明でいう「セラミックス」とは、特に制限はないが酸化物系セラミックス及び非酸化物系セラミックスである。酸化物系セラミックスは、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、マグネシヤ（ＭｇＯ）及びジリコニヤ（ＺｒＯ２）等が挙げられるが、中でもアルミナが好ましい。非酸化物系セラミックスは、例えば窒化アルミ（ＡｌＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）及び窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等が挙げられるが、中でも窒化アルミ、炭化珪素が好ましい。
【０００９】　また、セラミックス板の板厚は、……一般的には０．２〜１．０ｍ／ｍ、好ましくは０．３〜０．８ｍ／ｍである。
【００１０】　本発明でいう「金属」とは、特に制限はないが、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、クローム（Ｃｒ）、コバルト、アルミニウム（Ａｌ）及びこれらの合金等が挙げられるが、中でも銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）が好ましく、特に銅及び銅金属を主体とした合金が好ましい。銅金属としては、……中でも無酸素銅（合金番号Ｃ１０２０）が好ましい。
【００１１】　また本発明で使用する金属板のうち、後工程でエッチング等により、回路基板として使用される金属板（以後、この金属板を「表面金属板（Ｘ）」という）の板厚は、セラミックス基板を介して裏面に接合される金属板（以後この金属板を「裏面金属板（Ｙ）」という）の板厚と同等もしくは厚くすることができる。
【００１２】　ＸおよびＹの板厚は特に制限されるものではなく、いづれの板厚でも良いが、Ｘは一般的に０．０５〜０．７ｍ／ｍ、好ましくは０．１〜０．５ｍ／ｍ、さらに好ましくは０．１５〜０．３ｍ／ｍであり、Ｙは一般的には０．０３〜０．６５ｍ／ｍ、好ましくは０．１〜０．５ｍ／ｍ、さらに好ましくは０．１５〜０．３ｍ／ｍである。またＸとＹの板厚の関係は０．１Ｘ≦Ｙ＜１．０Ｘ、好ましくは０．２Ｘ≦Ｙ＜１．０Ｘ、さらに好ましくは０．３Ｘ≦Ｙ＜１．０Ｘであることが望ましい。」
　ノ）「【００１４】　またＴｉ，Ｚｒのような活性金属と低融点合金を作るＡｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｎ等の金属を混合又は合金としたろう材をセラミックス板と金属板の間に介在させて不活性ガス雰囲気又は真空雰囲気下で加熱圧着する方法（活性金属方法）、……特に活性金属方法が好適である。」
　ハ）「【００１６】　また活性金属方法とは、例えばセラミックス板と金属板との接合面に活性金ろう材を箔状、粉末状、又粉末をバインダーと均一に混練しペーストとし、これをスクリーン印刷した後、この接合体を加熱炉に入れ、不活性雰囲気又は真空度５０〜１×１０−６Ｔｏｒｒの雰囲気で最高加熱温度７００〜９５０°Ｃ以内の温度で加熱時間３分〜６０分間加熱した後、冷却して接合体を得る方法である。
【００１７】　活性金属ろう材としては特に制限はないが、比較的低温加熱で接合させることができる、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）又は水素化チタン（ＴｉＨ）の混合物系、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）又は水素化チタン（ＴｉＨ）の混合物系、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、錫（Ｓｎ）、チタン又は水素化チタン（ＴｉＨ）の混合物系、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン又は水素化チタンの混合物系及び銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ジルコニヤ（Ｚｒ）又は水素化ジルコニヤの混合物系が挙げられるが、中でも銀、銅、チタン又は水素化チタンの混合物系、銀、銅、ニッケル、チタン又は水素化チタンの混合物系が好ましい。」
　ヒ）「【００２１】　……このようにして得られた金属板とセラミックス板との接合体は、製造時および加工時もしくは使用時に受けるヒートサイクルに対しても接合強度が低下することなく、またセラミックス基板にはクラックもしくは破壊等の損傷が生じることが無い極めて有用な接合体であり、業界に寄与する所、極めて大である。」
　フ）「【００２３】　実施例Ａ（接合体の調製）
比較例１
　ＪＩＳ　Ｈ３１００、金属番号Ｃ１０２０で規定する無酸素銅板（板厚０．３ｍ／ｍと０．３ｍ／ｍ、寸法４５×３０ｍ／ｍ）をそれぞれ用意した。セラミックス基板としてアルミナ基板（板厚０．６３５ｍ／ｍ、寸法４５×３０ｍ／ｍ）を用意し、両面に活性金属粉混合ペースト（Ａｇ−Ｃｕ−Ｔｉ：７１．５−２７．５−１）をスクリーンで３０μｍの厚さに印刷し、上記の銅板をアルミナ基板の表及び裏面にそれぞれ載置し、１Ｋｇ／ｃｍ２の加圧の後、１０−５Ｔｏｒｒの真空条件下、８５０°Ｃ×１０分間加熱した。その後冷却して、接合体を得た。
【００２４】　次いで、接合体の表面の銅板の表面を研磨し、パターニング用レジストを表面銅板の接着面積と裏面のそれの比が０．７となるようにスクリーン印刷を行い、熱硬化後、塩化第二銅水溶液に浸漬エッチングし、苛性ソーダ水溶液によりレジストを剥離し、パターンを形成した接合体を得、さらにこの複合体の銅板部を過硫酸アンモニウム水溶液に浸蝕させ、後に水洗して、パターン処理した接合体を得た（以後この接合体を「接合体Ｎｏ．１」という）。」
　ヘ）「【００３８】【発明の効果】　本発明によれば、製造時及び使用時に繰返し発生する熱により、セラミックス基板にしばしば生じていた、クラックがほとんど生じることがない、金属板とセラミックス基板とからなる接合体を得ることができる。」
　
　上記記載事項及び図面の記載を総合すると、先願２の当初明細書等には、次の発明が記載されているものと認められる。
　「セラミックス基板１の表面に回路線２・表面金属板１０、裏面に裏面金属板１１がそれぞれ活性金属法で接合されてなる接合体であって、回路線２・表面金属板１０の厚みが好ましくは０．１〜０．５ｍ／ｍ、さらに好ましくは０．１５〜０．３ｍ／ｍである、接合体」（以下、「先願２の発明」という。）
　
　本件発明と先願２の発明とを対比すると、先願２の発明の「回路線２・表面金属板１０」、「裏面金属板１１」、「接合体」は、それぞれ、本件発明の「金属回路」、「金属板」、「セラミックス回路基板」に相当するから、両者は、「セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属板がそれぞれ活性金属法で接合されてなるセラミックス回路基板であって、金属回路の厚みが０．１〜０．３ｍｍである、セラミックス回路基板」である点で、一致している。
　しかしながら、先願２の当初明細書等には、表面金属板１０及び裏面金属板１１の板厚に関して、表面金属板（Ｘ）の板厚は、裏面金属板（Ｙ）の板厚と同等もしくは厚くすることができる旨（上記摘記事項ネの【００１１】、参照）記載され、また、ＸとＹの板厚の関係は０．１Ｘ≦Ｙ＜１．０Ｘ、好ましくは０．２Ｘ≦Ｙ＜１．０Ｘ、さらに好ましくは０．３Ｘ≦Ｙ＜１．０Ｘであることが望ましい旨（上記摘記事項ネの【００１２】、参照）記載されているが、表面金属板１０及び裏面金属板１１の体積に関しては記載されていない。また、上記摘記事項フの実施例Ａでは、上記Ｘ値、Ｙ値がいずれも０．３ｍ／ｍの無酸素銅板を用いて、パターニング用レジストを表面銅板の接着面積と裏面のそれの比が０．７となるようにスクリーン印刷を行うものであるから、裏面金属板体積／表面金属板体積の値が「１．０超」となることは明らかである。
　よって、先願２の当初明細書等には、その図面の記載を斟酌しても、本件発明の「金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比（裏面金属板体積／金属回路体積）が０．５０〜１．０」であるという事項が、記載されているとはいえない。
　更に、先願２の当初明細書等の図１をみると、回路線２が形成されている部分を、セラミックス基板１の短辺に対して平行に切断したとき、回路線２とセラミックス基板１との接合部分の長さの合計がセラミックス基板１の長さに対して２０％以下の箇所があることは明らかであり、先願２の当初明細書等には、本件発明の「金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではないこと」という事項も、記載されているとはいえない。
　
　よって、本件発明は、先願２の発明とは上記２点で相違しており、先願２の発明と同一であるとはいえない。
　
３−３−３．むすび
　したがって、本件発明は、先願１、２の当初明細書等に記載された発明と同一であるとはいえず、本件発明についての特許は、特許法第２９条の２第１項の規定により、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　
【４】むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人・徳田久実代、高柳馨の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月１３日（２００１．１１．１３）
【訂正の要旨】
（訂正の要旨）
《訂正事項ａ》
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載について、
「しかも金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であること」とあるのを、
「しかも金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではないこと」と訂正する。
《訂正事項ｂ》
　特許明細書の発明の詳細な説明の段落番号【００１０】の記載について、
「しかも金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であること」とあるのを、
「しかも金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、金属回路とセラミックス基板との接合部分の長さの合計がセラミックス基板の長さに対して２０％以上であり、かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではないこと」と訂正する。
《訂正事項ｃ》
　特許明細書の発明の詳細な説明の段落番号【００１２】の記載について、
「セラミックス回路基板の断面において、」とあるのを、
「金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面において、」と訂正する。
《訂正事項ｄ》
　特許明細書の発明の詳細な説明の段落番号【００１５】の記載について、
「パターン率２０％以上にする位置は、金属回路が形成されているセラミックス回路基板の全ての断面においてであるが、」とあるのを、
「パターン率２０％以上にする位置は、金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その全ての断面においてであるが、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
セラミックス回路基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属板がそれぞれ活性金属法で接合されてなるセラミックス回路基板であって、金属回路の厚みが０．１〜０．３ｍｍ、金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比（裏面金属板体積／金属回路体積）が０．５０〜１．０であり、しかも
金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その
かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではない
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、セラミックス回路基板、詳しくはパワー半導体モジュール等に使用されるセラミックス回路基板に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、ロボットやモーター等の産業機器の高性能化に伴い、大電力・高能率インバーターなど大電力モジュールの変遷が進んでおり、半導体素子から発生する熱も増加の一途をたどっている。この熱を効率よく放散するため、大電力モジュール基板では従来より様々な方法がとられてきた。特に最近、良好な熱伝導率を有するセラミックス基板の出現により、基板上に半導体素子を搭載する構造も採用されている。
　【０００３】
　従来より、金属とセラミックスを接合する方法には様々な方法があるが、特に回路基板の構造という点からは、Ｍｏ−Ｍｎ法、活性金属メタライズ法（以下、単に活性金属法という）、硫化銅法、ＤＢＣ法、銅メタライズ法があげられる。これらの中で大電力モジュール基板の製造では、現在、金属として銅を用い、セラミックスとの接合方法として活性金属法又はＤＢＣ法を用いることが主流となっており、更に、高熱伝導を有する窒化アルミニウムを絶縁基板として使用することが普及しつつある。
　【０００４】
　従来の銅板と窒化アルミニウム基板を接合する方法としては、銅板を窒化アルミニウム基板との間に活性金属を含むろう材を介在させ、加熱処理し接合体を形成する活性金属法（例えば、特開昭６０ー１７７６３４号公報）や、銅板と表面を酸化処理してなる窒化アルミニウム基板とを銅の融点以下、Ｃｕ２Ｏ−Ｏの共晶温度以上で加熱接合するＤＢＣ法（例えば、特開昭５６ー１６３０９３号公報）などが知られている。
　【０００５】
　活性金属法はＤＢＣ法に比べて、
（１）接合処理温度が低いので、ＡｌＮ−Ｃｕの熱膨張差によって生じる残留応力が小さい。
（２）接合層が延性金属であるので、ヒートショックやヒートサイクルに対して耐久性が良好である。
などの利点があるが、絶縁基板にセラミックスを使用するため、曲げ応力に弱く、クラックが生じ易いという問題があった。
　【０００６】
　これは、パワーモジュール組立工程の中でセラミックス回路基板を厚さ数ｍｍのベース銅板へ半田付けする際、半田の融点、例えばＰｂ：Ｓｎ＝３７：６３共晶半田の場合には、２３０℃以上に加熱する必要があるので、この時の熱履歴によりベース銅板が反りセラミックス回路基板に曲げ応力が加わってクラックが生じたり、また、組み立てられたパワーモジュールを放熱フィンにボルト締めする際、機械的な曲げ応力により、クラックが生じ絶縁不良となる問題があった。このクラックは歩留りを低下させるだけでなく、高い信頼性が要求されるパワーモジュールの分野では致命的な欠陥となる。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明者らは、セラミックス回路基板に曲げ応力が加わった場合、金属回路のパターンの端部に沿ってクラックが発生していることに着目した。セラミックスと金属板の接合面において、熱膨張率の差によって生じる引張応力は、　Ｗｉｔｔｍｅｒらによる”Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｌｉｑｕｉｄ−Ｐｈａｓｅ−Ｂｏｎｄｅｄ　Ｃｏｐｐｅｒ−Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ”　（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｅｒａｍｉｃ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　Ｍａｒｃｈ１９８２，ｖｏｌ．６５，Ｎｏ．３，ｐ１４９−１５３）には、金属板の厚みに支配されることが記載されている。
　【０００８】
　しかしながら、その接合面は金属板により補強されているため、曲げ応力が集中しにくい。一方、金属回路のパターン端部は、熱膨張率の差から生じる金属回路板の引張応力が加わっている上に、金属板の補強効果もないため、曲げ応力が集中しやすく、クラックが生じる。
　【０００９】
　本発明者らは、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、例えば、セラミックス回路基板の中心部のように、曲げ応力が集中し易い部分の金属回路のパターン形状を金属板の補強効果が得られるように設計し、しかも金属回路の厚みを薄くすれば、金属回路のパターン端部にかかる引張応力が小さくなることによってセラミックス回路基板の抗折強度が大きくなり、クラックの発生を抑制できることを見いだし、本発明を完成したものである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　すなわち、本発明は、セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属板がそれぞれ活性金属法で接合されてなるセラミックス回路基板であって、金属回路の厚みが０．１〜０．３ｍｍ、金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比（裏面金属板体積／金属回路体積）が０．５０〜１．０であり、しかも
金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その
かつセラミックス回路基板の中心部における該率が最小値ではない
　【００１１】
　以下、さらに詳しく本発明について説明すると、本発明の最大の特徴は、従来用いられている材料や工程をほとんど変更することなしに、セラミックス回路基板の抗折強度を高め、クラックの抑制に大きな効果をあげたことである。
　【００１２】
　金属回路とセラミックスが接合している部分は、金属回路の補強効果により、曲げ応力が集中しないためにクラックが生じにくい。従って、本発明では、金属回路の補強効果を示す指標として、
金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その
　【００１３】
　なお、金属回路が形成されていてもセラミックス基板と接合していない部分すなわち非接合部は、金属回路からの引張応力はなく曲げ応力は集中しないが、金属回路の補強効果がないので、パターン率の算出にあたっては、金属回路とセラミックス基板とは接合していないものとして扱う。
　【００１４】
　本発明においては、パターン率は２０％以上が必要であり、３０％以上特に４０％以上が好ましい。パターン率が２０％未満では、補強効果が小さくセラミックス回路基板のクラック防止効果が十分でなくなる。
　【００１５】
　本発明において、パターン率２０％以上にする位置は、
金属回路が形成されている部分を、セラミックス回路基板の短辺に対して平行に切断したとき、その
　【００１６】
　金属回路を形成するのに使用される金属板の材質については、特に制限はなく、通常は、銅、ニッケル、銅合金、ニッケル合金が用いられる。金属回路の厚みは、０．１〜０．３ｍｍとする。０．１ｍｍ未満では、パターン率を２０％以上にしても十分な補強効果が得られず、また、０．３ｍｍをこえると、セラミックス基板と金属回路の熱膨張率の差により、接合・冷却時に発生する金属回路の引張応力が大きくなって耐ヒートサイクル性が低下する。
　【００１７】
　一方、セラミックス基板の裏面に設けられる金属板の材質についても上記したものが用いられる。また、その厚みは、セラミックス基板の回路面に形成させた金属回路部分の体積に応じて決定することが望ましい。すなわち、本発明では、金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比（裏面金属板体積／金属回路体積）を０．５０〜１．０とすることが望ましい。これによって、セラミックス回路基板の反りがなくなるか、又は反りが生じたとしてもその方向は回路面が凹になるので耐ヒートサイクル性が向上し、そのように反ったものをベース銅板に半田付けしても、セラミックス回路基板とベース銅板との間にはボイドが発生しないので、熱伝導性は低下しない。
　【００１８】
　これに対して、裏面の金属板の体積が金属回路の体積をこえると、すなわち上記体積の比が１．０をこえると、裏面の金属板の引張応力が大きくなるので、耐ヒートサイクル性が劣るようになり（後記の比較例７参照）、それをベース銅板に半田付けすると、セラミックス回路基板は回路面が凸の方向に反ってしまい、セラミックス回路基板とベース銅板との間にボイドが発生して熱伝導性が低下する。また、上記体積の比が０．５０よりも小さくなると、セラミックス回路基板の抗折強度が小さくなり、高信頼性が損なわれてくる（後記の比較例６参照）。
　【００１９】
　本発明で使用されるセラミックス基板の材質については、特に制限はなく、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ムライト等から選ばれた少なくとも一種又は二種以上を主成分とするものがあげられ、中でも熱伝導率が大きい窒化アルミニウムが好ましい。
　【００２０】
　金属板とセラミックス基板との接合体を製造する際の接合方法としては、ＤＢＣ法や活性金属法を用いることができるが、本発明においては、上記利点を有する活性金属法を採用する。
　【００２１】
　【実施例】
　以下、実施例と比較例をあげて更に具体的に説明する。
　【００２２】
　実施例１　比較例１〜７
　市販の窒化アルミニウム基板（６０ｍｍ×４０ｍｍ×０．５ｍｍ）に、Ｚｒ−Ａｇ−Ｃｕ系の活性金属ろう材を図１及び図２に示すように、金属回路のａ値とｂ値を変えて種々の回路パターンをスクリーン印刷し、この回路パターンと同じ形状に打ち抜いた表１に示す厚みを有する無酸素銅板を接合し、接合体を製造した。接合条件は、温度９００℃、真空度１．０×１０−６ｔｏｒｒとし、得られた接合体はいずれも無電解Ｎｉ−Ｐメッキを５μｍ施した。
　【００２３】
　得られた接合体について、以下に従う抗折強度と耐ヒートサイクル性を測定した。また、セラミックス回路基板の全ての断面における最小のパターン率と、図１のＡ部におけるパターン率を算出した。更には、金属回路の体積、裏面金属板の体積及び裏面金属板体積／金属回路体積の比を算出した。それらの結果を表１に示す。
　【００２４】
（１）抗折強度
　測定機器：島津製作所製「オートグラフＡＧ−２０００Ａ型」ロードセル；５０ｋｇ
　測定条件：スパン；３０ｍｍ、３点曲げ、クロスヘッド速度；０．５ｍｍ／ｍｉｎ
　　　　　　図２に示すセラミックス回路基板のＢの位置にクロスヘッドをあて、ＪＩＳ　Ｒ１６０１に準拠して測定した。
　【００２５】
（２）耐ヒートサイクル性
　測定機器：八島製作所製　ロータリー熱衝撃試験機　ＴＳＥＲ−２２５２−Ａ
　測定条件：気中にて、−４０℃×３０分、２５℃×１０分、１２５℃×３０分、２５℃×１０分を１サイクルとし、５００サイクル実施した。
　評　価　：Ａ；電極剥離なし　Ｂ；僅かに電極剥離発生　Ｃ；電極剥離発生
　【００２６】
　【表１】
　【００２７】
　【発明の効果】
　本発明のように、金属回路のパターン率を大きくし、しかも金属回路の厚みと金属回路の体積に対する裏面金属板の体積の比とを適正化することによって、セラミックス回路基板の抗折強度を増大させることができ、その結果、曲げ応力に対するクラックの発生を著しく抑えることができ、耐ヒートサイクル性に優れたセラミックス回路基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　セラミックス回路基板の一例を示す上面図である。
　【図２】　図１の裏面図である。
　【符号の説明】
１　セラミックス基板
２　金属回路
３　裏面金属板
Ａ　パターン率測定位置
Ｂ　抗折強度測定位置