【事件の表示】
　特許第３１３４３３２号「固体撮像素子」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１３４３３２号の請求項１及び２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３１３４３３２号（平成３年４月１５日出願、平成１２年１２月１日設定登録。）の請求項１、２に 係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。
　「請求項１　マトリックス状に配置された複数の受光素子と、該受光素子の各列に対応して設けられたシフトレジスタからなる撮像部とを備え、上記各シフトレジスタ上に該シフトレジスタの転送電極に接続されるシャント兼遮光用の配線が形成されてなる固体撮像素子において、上記シャント兼遮光用の配線が高融点金属層とその上の低融点金属層の２層構造からなり、上記高融点金属層と上記低融点金属層との間に層間絶縁膜が介在し、上記層間絶縁膜に形成された開口を通じて、上記高融点金属層と上記低融点金属層とが接続されて成ることを特徴とする固体撮像素子。（以下、本件第１発明という。）
　請求項２　マトリックス状に配置された複数の受光素子と、該受光素子の各列に対応して設けられたシフトレジスタからなる撮像部とを備え、上記各シフトレジスタ上に該シフトレジスタの転送電極に接続されるシャント兼遮光用の配線が形成されてなる固体撮像素子において、上記シャント兼遮光用の配線がＷ，Ｍｏ及びＴｉの何れかを含む第１の層とその上の低融点金属からなる第２の層の２層構造からなり、上記第１の層と上記第２の層との間に層間絶縁膜が介在し、上記層間絶縁膜に形成された開口を通じて、上記第１の層と上記第２の層とが接続されて成ることを特徴とする固体撮像素子。（以下、本件第２発明という。）」
　
２．申立ての理由の概要
　申立人大木宗一郎は、証拠として甲第１号証（IEEE発行「1990 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE　 DIGEST of TECHNICAL PAPERS」第２１４〜２１５頁）、甲第２号証(日経ＢＰ社「日経マイクロデバイス１９８９年１１月号」第１２８乃至１３１頁)を提出し、請求項１、２に係る発明は甲第１号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するから、また、請求項１、２に係る発明は甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項１、２に係る発明についての特許は特許法第１１３条第２号に該当すると認められるので、取り消されるべきものである旨主張している。
　
３．申立人が提出した甲各号証記載の発明
　ア．甲第１号証（IEEE発行「1990 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE　 DIGEST of TECHNICAL PAPERS」第２１４〜２１５頁）には、ＨＤＴＶカメラシステムのための２００万画素ＦＩＴ−ＣＣＤ画像センサに関するもので、図１にはＣＣＤ画像センサ（CCD image sensor）の概要図であって、画像領域（Image area）に１９２０×１０３６個の画素（pixels）があり、該画像領域内に配置されたフォトダイオード(photodiode)の縦方向の列に沿って垂直シフトレジスタ（Ｖ−ＣＣＤ）を有するものが記載されている。また、図３には単位セル(unit cell)の断面図であって、垂直シフトレジスタ（Ｖ−ＣＣＤ）の領域にはp-well#1内にp-well#2とn領域が形成された基板上に下から順番にポリシリコン転送ゲート(Poly-Si transfer gate)、ポリシリコン層(Poly-Si layer)、及びアルミ配線(Al-wire)を有するものが記載されている。該ポリシリコン転送ゲート、該ポリシリコン層及び該アルミ配線の各層間には白抜きで示された箇所があり（該箇所には層間絶縁膜が形成されているものと認められる。）、該アルミ配線と該ポリシリコン層との間に介在する該層間絶縁膜に形成された開口を通じて該アルミ配線と該ポリシリコン層とが接続されている。この接続については、図２の単位セルの俯瞰図にもアルミ接続(Al-contact)として記載されている。また、甲第１号証の第２１４頁左欄の第１７〜２６行には、「ポリシリコン転送ゲートに沿って垂直シフトレジスタ（Ｖ−ＣＣＤ）の駆動パルスの電圧が降下するのを減らすために、アルミ配線がポリシリコン転送ゲートの上に配置され、それらが相互接続されて、配線抵抗を減らしている。このアルミ配線は遮光膜としての役割も果たす。これらの層に加えて別のポリシリコン層がアルミ配線と転送ゲートとの間に配置されている。この層はポリシリコン層とアルミ配線とのアルミ接続から転送ゲートとポリシリコン層とのポリシリコン接続を遠ざけることで電位変動が生じるのを防いでいる。図２及び図３に単位セルの俯瞰図及び断面図を示す。」と記載されている。
　以上まとめると、甲第１号証には「マトリックス状に配置された複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードの各列に対応して設けられた垂直シフトレジスタ（Ｖ−ＣＣＤ）からなる画像領域とを備え、上記各垂直シフトレジスタ上にポリシリコン層を介して該垂直シフトレジスタの転送電極に接続されるアルミ配線が形成されてなるＣＣＤ画像センサにおいて、上記ポリシリコン層と上記アルミ配線との間に層間絶縁膜が介在し、上記層間絶縁膜に形成された開口を通じて、上記ポリシリコン層と上記アルミ配線とが接続されて成ることを特徴とするＣＣＤ画像センサ」が記載されているものと認められる。
　イ．甲第２号証 (日経ＢＰ社「日経マイクロデバイス１９８９年１１月号」第１２８乃至１３１頁)の表２の配線技術の欄には、多層配線を構成する配線材料として、ポリＳｉと、Ｗシリサイド、Ｗポリサイド、Ｍｏポリサイド、Ｔｉ／ＴｉＮ等の高融点金属を同等に用いることが記載されている。
　
４．対比・判断
（１）本件第１発明について
　甲第１号証記載の発明と本件第１発明とを対比すると、甲第１号証に記載された、「ＣＣＤ画像センサ」、「フォトダイオード」、「画像領域」、「垂直シフトレジスタ」はそれぞれ本件第１発明の「固体撮像素子」、「受光素子」、「撮像部」、「シフトレジスタ」に相当している。また、アルミは低融点金属であり、上記アルミ配線は「ポリシリコン転送ゲートに沿って垂直シフトレジスタ（Ｖ−ＣＣＤ）の駆動パルスの電圧が降下するのを減らすために、ポリシリコン転送ゲートの上に配置され、それら（アルミ配線とポリシリコン転送ゲート）が相互接続されて、配線抵抗を減らしている」ものであり、「遮光膜としての役割も果たす」ものであるから、本件第１発明の「シャント兼遮光用の配線」に相当する。
　したがって、甲第１号証に記載の発明と本件第１発明とは、「マトリックス状に配置された複数の受光素子と、該受光素子の各列に対応して設けられたシフトレジスタからなる撮像部とを備え、上記各シフトレジスタ上にシャント兼遮光用の配線が形成されてなる個体撮像装置において、上記シャント兼遮光用の配線が少なくとも低融点金属層を含み、上記低融点金属層と転送電極の間に低融点金属以外の材質からなる導電層が存在し、該導電層と上記低融点金属層との間に層間絶縁膜が介在し、上記層間絶縁膜に形成された開口を通じて、上記導電層と上記低融点金属層とが接続されて成ることを特徴とする個体撮像素子」の点で一致しているが、上記導電層が本件第１発明では高融点金属層であり、甲第１号証に記載の発明ではポリシリコン層である点で相違している。
　したがって、本件第１発明は甲第１号証に記載の発明と構成の点で相違しており、同一の発明ではない。
　次に、上記相違点について検討する。
　本件第１発明は、シャント兼遮光用配線である低融点金属層の下層の導電層を高融点金属層としたので、該高融点金属層の下の絶縁膜を薄く形成することが可能となり、そのため、シャント兼遮光用の配線の受光素子上へまたがる延長部の長さを小さくすることができ、受光素子の開口率が上がると共に、スミア防止も可能となる。また、高融点金属層と低融点金属層の２層構造としたことによりシャント配線としてのシート抵抗も十分に低減でき、また、高融点金属層と低融点金属層とが層間絶縁膜を介して形成されているため、低融点金属の拡散等による突き抜けが防止される。
　一方、甲第１号証に記載されたシャント兼遮光用アルミ配線の下層の導電層である上記ポリシリコン層は、第２１４頁左欄の第２２〜２６行に「この層（ポリシリコン層）はポリシリコン層とアルミ配線とのアルミ接続から転送ゲートとポリシリコン層とのポリシリコン接続を遠ざけることで電位変動が生じるのを防いでいる」と記載されているように、電位変動（potential shift）を生じることを防ぐために設けられたものである。
　つまり、本件第１発明における上記高融点金属層と甲第１号証記載の発明における上記ポリシリコン層は、シャント兼遮光用低融点金属配線の下層の導電層として形成されている点では共通しているが、本件第１発明はシャント兼遮光用低融点金属層の下層の導電層を高融点金属層とすることにより、開口率が上がり、スミア防止が可能となり、シート抵抗が低減でき、突き抜けが防止できるという甲第１号証に記載されたポリシリコン層とは異質で格別な効果を奏するものである。
　そして、たとえ甲第２号証に記載されているように、ポリシリコン層及び高融点金属層がともに量産中の半導体装置の配線として周知のものであったとしても、本件第１発明は高融点金属層をシャント兼遮光用低融点金属配線の下層の導電層として形成したことにより上記のような異質で格別な効果を奏するものである以上、甲第１号証に記載の発明においてシャント兼遮光用低融点金属配線の下層の導電層としてポリシリコン層に代えて高融点金属層とすることが当業者にとって容易になし得たこととはいえない。したがって、本件第１発明は甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
（２）本件第２発明について
　本件第２発明は、本件第１発明において、高融点金属層として具体的な材料であるＷ、Ｍｏ及びＴｉのいずれかを含む第１の層とし、低融点金属層として低融点金属からなる第２の層としたものであり、その余の構成は全て一致している。よって、本件第１発明と同様の理由により、本件第２発明は甲第１号証に記載の発明ではなく、また、甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
５．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１、２に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１、２に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月３１日（２００１．１０．３１）