【事件の表示】
　特願２０１６−　７６８１１「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１０月１２日出願公開、特開２０１７−１８８５９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２８年４月６日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
平成３０年　２月　２日付け：拒絶理由通知（同年同月６日発送）
平成３０年　４月　３日　　：手続補正、意見書の提出
　　　同年　６月　５日　　：拒絶査定（同年同月１２日謄本送達）
　　　同年　９月１１日　　：審判請求
令和　元年１０月１１日付け：拒絶理由通知（同年同月１５日発送）
　　　同年１２月１１日　　：意見書の提出
第２　本願発明
　平成３０年４月３日の手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　青色発光する発光素子と、
　前記発光素子に接合された第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面と、を有する透光性部材と、を備え、
　前記透光性部材が、透光性の母材と、前記母材中に含有され前記発光素子の光を吸収して発光する波長変換物質と、を有し、
　前記波長変換物質が、前記母材中において前記第１主面側に偏在しており、且つ、
　赤色発光する第２蛍光体と、前記第２蛍光体より前記第１主面側に偏在した緑色乃至黄色発光する第１蛍光体と、を含み、
　前記第２蛍光体が、マンガン賦活フッ化物蛍光体である発光装置。」
第３　拒絶の理由
　令和元年１０月１１日付けで当審が通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）は、次のとおりのものである。
　この出願の請求項１〜１４に係る発明は、引用例１〜５に記載された事項を参酌して、引用文献６または７に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献
１．特開２０１５−１９８１４６号公報
２．国際公開第２０１４／１２２８８１号
３．米国特許出願公開第２０１６／００８１１４２号明細書
４．特開２０１１−２０２１４８号公報
５．特表２０１３−５３３３６３号公報
６．特開２０１０−２５１６２１号公報
７．米国特許出願公開第２０１５／０３６４６５９号明細書
第４　刊行物の記載及び引用発明
１　引用例６：特開２０１０−２５１６２１号公報
（１）引用例６の記載
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０１０−２５１６２１号公報（以下「引用例６」という。）には、図とともに、以下の記載がある(下線は当審で付加。以下同様。)。
ア「【０００１】
　本発明は、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子、ＬＤ（レーザダイオード）素子などの半導体発光素子と、波長変換手段である蛍光体とを組み合わせて構成した、多色発光する半導体発光装置に関するものであり、とりわけ、少なくとも２種類の蛍光体を用いることによって少なくとも２色の成分光を含む多色光を発生させる半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　・・・（中略）・・・
【０００４】
　三原色光を含む白色光を発生させる半導体発光装置の設計上の制約のひとつとして、青色光や近紫外光で励起可能な高効率の赤色蛍光体の種類が比較的限られていることが挙げられる。
　かかる状況の下、半導体発光装置に適した高効率赤色蛍光体として期待されるのが、Ｍｎ４＋で付活されたフルオロ錯体蛍光体である。この蛍光体は比較的古くから知られているが（特許文献２）、青色波長領域（４３０ｎｍ〜４８０ｎｍ）に励起スペクトルのピークを有するという性質から、青色ＬＥＤ素子を励起光源とする半導体発光装置に好適な赤色蛍光体として再び注目され始めている（特許文献３）。
【先行技術文献】
　・・・（中略）・・・
【０００６】
　ところで、フルオロ錯体蛍光体はフッ素を多く含む化学構造に起因して、蛍光体の中では最も低い屈折率を有する部類に属する。
　・・・（中略）・・・
　本明細書においては、このような１．４０未満の屈折率を有するフルオロ錯体蛍光体を、「低屈折率フルオロ錯体蛍光体」と定義することにする。
【０００７】
　一方、フルオロ錯体蛍光体以外の蛍光体は、
　・・・（中略）・・・
などを母体としている。そのため、その殆ど全てが１．６０よりも高い屈折率を有しているといってよい（例えば、特許文献４、特許文献５）。プラスチックの屈折率（ｎＤ）がだいたい１．４〜１．６の範囲内であることからすると、フルオロ錯体蛍光体以外の蛍光体の殆どは、封止材用の樹脂よりも高い屈折率を有しているといえる。
【０００８】
　上記のように、異常ともいえる低屈折率を有するフルオロ錯体系の低屈折率蛍光体と、それ以外の通常の蛍光体とを組み合わせて用いる場合、従来一般に行われているように、これらを混合して封止材中に分散させたのでは、高演色性かつ高輝度の半導体発光装置を得ることができない。
　なぜなら、まず、屈折率が通常の蛍光体に近い封止材を用いた場合には、低屈折率蛍光体と封止材との屈折率差が大きくなるために、封止材側から低屈折率蛍光体の表面に入射する励起光が該表面で強く反射される。よって、低屈折率蛍光体を十分に励起させることができないため、各蛍光体から生じる光のバランスが取れた演色性の高い発光装置が得られない。
　また、その反対に、屈折率が低屈折率蛍光体に近い封止材を用いた場合には、通常の蛍光体と封止材との屈折率差が大きくなるために、通常の蛍光体において生じる光が当該蛍光体粒子中に強くトラップされ、その結果、発光装置の演色性や輝度が低下する。また、低屈折率蛍光体を励起させるための光も、通常の蛍光体の粒子内部にトラップされるので、低屈折率蛍光体の励起も不十分となる。
【０００９】
　そこで、本発明は、低屈折率フルオロ錯体蛍光体と、それ以外の通常の蛍光体とを組み合わせて、高演色性かつ高輝度の半導体発光装置を構成するための方法を提供することを、目的とする。」
イ「【００１０】
　上記課題を解決する手段として、本発明の一実施形態に係る次の半導体発光装置を提供する：
　
低屈折率フルオロ錯体蛍光体である第１蛍光体を第１透明封止材で封止してなる第１発光組成物と、前記第１透明封止材よりも高い屈折率を有する第２蛍光体を、前記第１封止材よりも高屈折率かつ前記第２蛍光体と同等以下の屈折率を有する第２透明封止材で封止してなる第２発光組成物と、前記第１蛍光体および第２蛍光体を直接的または間接的に励起するための光源である半導体発光素子と、を少なくとも備える半導体発光装置
【００１１】
　本発明に係る上記半導体発光装置においては、第１蛍光体を封止する第１透明封止材の屈折率と、第１蛍光体よりも高屈折率の第２蛍光体の屈折率と、その第２蛍光体を封止する第２透明封止材の屈折率との関係を、〔第１透明封止材の屈折率〕＜〔第２透明封止材
の屈折率〕＜〔第２蛍光体の屈折率〕とすることにより、第１発光組成物と第２発光組成物のそれぞれにおいて、蛍光体と透明封止材との屈折率差の低減を図っている。その結果、第１発光組成物においては、第１蛍光体の表面における励起光の反射が抑制されるので、第１蛍光体の励起不十分に起因する演色性低下の問題が改善される。また、第２発光組成物においては、第２蛍光体粒子中に光が強くトラップされる傾向が抑制されるので、発光装置の輝度や演色性が改善されることになる。
【００１２】
　・・・（中略）・・・
【００１７】
　本発明に係る上記半導体発光装置において、好ましくは、
第２蛍光体から放出される光が第１発光組成物を通して発光装置外に取り出されるように、第１発光組成物および第２発光組成物を配置することができる。そうすることによって、第２蛍光体が配置された部位から外部に向かって、光の伝播経路を構成する封止材の屈折率が段階的に低くなる屈折率傾斜構造が形成されるために、第２蛍光体から放出される光の外部取出し効率が高くなる
　より好ましくは、第１発光組成物と第２発光組成物との間に、第１透明封止材と第２透明封止材の中間の屈折率を有する透明材料からなる光伝播層を介在させると、この効果が更に増強される。」
ウ「【００１９】
（実施形態１）
　図１に、本発明の実施形態１に係る半導体発光装置の断面を模式的に示す。この図に示す
半導体発光装置１０は、パッケージ１１に設けられた凹部の底面上に固定された青色ＬＥＤ素子１２と、その上に空間１３を介して配置された、緑色発光組成物からなる緑色発光層１４と、その上に積層された、赤色発光組成物からなる赤色発光層１５とを備えている
【００２０】
　・・・（中略）・・・
【００２１】
　
空間１３は空洞とすることもできるが、
好ましくは、その全部を透光性の充填材で充填する
【００２２】
　
緑色発光層１４は、緑色蛍光体の粉末を封止材中に分散させてなる緑色発光組成物からなる層状構造体である
　　・・・（中略）・・・
【００２４】
　
緑色発光層１４において緑色蛍光体を封止する封止材には、赤色発光層１５に用いる赤色蛍光体用の封止材よりも高屈折率の透明材料を用いる
　・・・（中略）・・・
【００２５】
　
赤色発光層１５は、赤色蛍光体の粉末を封止材中に分散させてなる赤色発光組成物からなる層状構造体である
【００２６】
　
赤色発光層１５に分散させる赤色蛍光体は、Ｍｎで付活された低屈折率フルオロ錯体蛍光体であり、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎである。
　・・・（中略）・・・
【００２８】
　
赤色発光層１５において赤色蛍光体を封止する封止材は、緑色発光層１４で用いられる封止材より低屈折率のものであればよい
【００２９】
　・・・（中略）・・・
【００３１】
　緑色発光層１４と赤色発光層１５の積層の順序は限定されるものではないが、
半導体発光装置１０のように、青色ＬＥＤ素子１２側に緑色発光層１４を配置すると、緑色発光層１４で生じる緑色光が赤色発光層１５を通して外部に取り出される構成となるため、この緑色光の外部取出し効率が良好なものとなる
　半導体発光装置１０においては、緑色光だけではなく、青色ＬＥＤ素子１２から放出され、いずれの層でも吸収されずに発光装置外に取り出される青色光についても、同様の理由で外部取出し効率が良好なものとなる。
」
エ　図１は以下のものである。
オ　ここで、前記ウにおける、「赤色発光層１５において赤色蛍光体を封止する封止材」が、「緑色発光層１４において緑色蛍光体を封止する封止材」と同様に、透明材料であることは明らかである。
（２）引用発明６
　以上から、引用例６には次の発明（以下「引用発明６」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体発光装置１０であって、
パッケージ１１に設けられた凹部の底面上に固定された青色ＬＥＤ素子１２と、その上に空間１３を介して配置された、緑色発光組成物からなる緑色発光層１４と、その上に積層された、赤色発光組成物からなる赤色発光層１５とを備えており、
空間１３は、その全部を透光性の充填材で充填され、
緑色発光層１４は、緑色蛍光体の粉末を封止材中に分散させてなる緑色発光組成物からなる層状構造体であって、緑色発光層１４において緑色蛍光体を封止する封止材には、赤色発光層１５に用いる赤色蛍光体用の封止材よりも高屈折率の透明材料が用いられ、
赤色発光層１５は、赤色蛍光体の粉末を封止材中に分散させてなる赤色発光組成物からなる層状構造体であって、赤色発光層１５に分散させる赤色蛍光体は、Ｍｎで付活された低屈折率フルオロ錯体蛍光体であり、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎであり、赤色発光層１５において赤色蛍光体を封止する封止材は、緑色発光層１４で用いられる封止材より低屈折率の透明材料であればよく、
青色ＬＥＤ素子１２側に緑色発光層１４を配置することで、緑色発光層１４で生じる緑色光が赤色発光層１５を通して外部に取り出される構成となるため、この緑色光の外部取出し効率が良好なものである、
半導体発光装置１０。」
２　引用例７：米国特許出願公開第２０１５／０３６４６５９号明細書
（１）引用例７の記載
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に外国において頒布された刊行物である、米国特許出願公開第２０１５／０３６４６５９号明細書（以下「引用例７」という。）には、図とともに、以下の記載がある（日本語訳は引用例７のファミリー文献である特表２０１７−５２０９１７号公報を参考に当審で作成した。以下同様。）。
ア「[0001] Red-emitting phosphors based on complex fluoride materials activated by Mn4+、 such as those described in U.S. Pat. No. 7、358、542、 U.S. Pat. No. 7、497、973、 and U.S. Pat. No. 7、648、649、 can be utilized in combination with yellow/green emitting phosphors such as YAG:Ce or other garnet compositions to achieve warm white light (CCTs＜5000 K on the blackbody locus、 color rendering index (CRI)＞80) from a blue LED、 equivalent to that produced by current fluorescent、 incandescent and halogen lamps. These materials absorb blue light strongly and efficiently emit between about 610-635 nm with little deep red/NIR emission. Therefore、 luminous efficacy is maximized compared to red phosphors that have significant emission in the deeper red where eye sensitivity is poor. Quantum efficiency can exceed 85% under blue (440-460 nm) excitation.
[0002] While the efficacy and CRI of lighting systems using Mn4+ doped fluoride hosts can be quite high、 one potential limitation is their susceptibility to degradation under use conditions. It is possible to reduce this degradation using post-synthesis processing steps、 as described in U.S. Pat. No. 8、252、613. However、 development of alternative methods for improving stability of the materials is desirable.
[0003] Briefly、 in one aspect、 the present invention relates to a process for fabricating a LED lighting apparatus including disposing a composite coating on a surface of a LED chip. The composite coating includes first composite layer having a manganese doped phosphor of formula I and a first binder、 and a second composite layer having a second phosphor composition and a second binder. The first binder、 the second binder or both comprise a poly(meth)acrylate.
Ax[MFy]:Mn4+　　　　　(I)
[0004] Wherein
[0005] A is Li、 Na、 K、 Rb、 Cs、 or a combination thereof;
[0006] M is Si、 Ge、 Sn、 Ti、 Zr、 Al、 Ga、 In、 Sc、 Hf、 Y、 La、 Nb、 Ta、 Bi、 Gd、 or a combination thereof;
[0007] x is the absolute value of the charge of the [MFy] ion;
[0008] y is 5、 6 or 7. 
[0009] In another aspect、 a LED lighting apparatus according to the present invention includes a composite coating disposed on a LED chip. The composite coating includes first composite layer having a manganese doped phosphor of formula I and a first binder、 and a second composite layer having a second phosphor composition and a second binder. The first binder、 the second binder or both comprise a poly(meth)acrylate.」
（日本語訳：
【０００１】
　Ｍｎ4+で賦活した錯フッ化物材料に基づく赤色発光蛍光体（例えば、米国特許第７３５８５４２号明細書、米国特許第７４９７９７３号明細書及び米国特許第７６４８６４９号明細書に記載のもの）を、黄色／緑色発光蛍光体（例えば、ＹＡＧ：Ｃｅ又は他のガーネット組成物）と組合せて使用することにより、現在の蛍光灯、白熱電球及びハロゲンランプによってつくられるものと同等の温白色光（黒体軌跡においてＣＣＴ＜５０００Ｋ、演色評価数（ＣＲＩ）＞８０）を、青色ＬＥＤから実現することが可能である。これらの材料は青色光を強く吸収するとともに、約６１０〜６３５ｎｍにおいて効率的に発光し、深紅ないし近赤外線（ＮＩＲ）をほとんど放射しない。したがって、視覚によって知覚されにくい深紅寄りの赤色を多く放射する赤色蛍光体に比べ、視感度効率が最大化される。量子効率は青色光（４４０〜４６０ｎｍ）励起下で８５％を超えることが可能である。
【０００２】
　Ｍｎ4+ドープフッ化物ホスト材料を用いた照明システムは効率及びＣＲＩをかなり高くできるが、ひとつの限界は、使用条件下において劣化しやすいことである。この劣化は、米国特許第８２５２６１３号明細書に記載されるような合成後の処理工程を用いて低減することが可能である。しかし、材料の安定性を向上させる代替的な方法の開発が望まれている。
【０００３】
　簡潔に言えば、一態様では、本発明はＬＥＤチップの表面に複合皮膜を堆積する工程を含む、ＬＥＤ照明装置の製造方法に関する。
複合皮膜は、式Ｉのマンガンドープ蛍光体と第１のバインダとを有する第１の複合層と、第２の蛍光体組成物と第２のバインダとを有する第２の複合層とを含む。第１のバインダと第２のバインダの一方又は両方は、ポリ（メタ）アクリレートを含む。
Ａx［ＭＦy］：Ｍｎ4+　　（Ｉ）
【０００４】
式中、
【０００５】
ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ又はそれらの組合せであり、
【０００６】
ＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ又はそれらの組合せであり、
【０００７】
ｘは［ＭＦy］イオンの電荷の絶対値であり、
【０００８】
ｙは５、６又は７である。
【０００９】
　別の態様では、
本発明に係るＬＥＤ照明装置は、ＬＥＤチップ上に設けられた複合皮膜を含む。複合皮膜は、式Ｉのマンガンドープ蛍光体と第１のバインダとを有する第１の複合層と、第２の蛍光体組成物と第２のバインダとを有する第２の複合層とを含む。第１のバインダと第２のバインダの一方又は両方は、ポリ（メタ）アクリレートを含む
イ「[0019]A cross sectional view of a lighting apparatus or light emitting assembly or lamp  10  according to one embodiment of the present invention is shown in  FIG. 1 . Lighting apparatus  10  includes a semiconductor radiation source、 shown as light emitting diode (LED) chip  12 、 and leads  14  electrically attached to the LED chip. The leads  14  may be thin wires supported by a thicker lead frame(s)  16  or the leads may be self-supported electrodes and the lead frame may be omitted. The leads  14  provide current to the LED chip  12  and thus cause it to emit radiation.
[0020]The lamp may include any semiconductor blue or UV light source that is capable of producing white light when its emitted radiation is directed onto the phosphor. In one embodiment、 the semiconductor light source is a blue emitting LED doped with various impurities. In one embodiment、 the LED may contain at least one semiconductor layer comprising GaN、 ZnSe、 or SiC. In particular、 the semiconductor light source may be a blue emitting LED semiconductor diode based on a nitride compound semiconductor of formula IniGajAlkN (where 0≦i; 0≦j; 0≦k; and i+j+k=1) having an emission wavelength greater than about 250 nm and less than about 550 nm. More particularly、 the LED chip  12  ( FIG. 1 ) may be a near-UV or blue emitting LED having a peak emission wavelength from about 400 to about 500 nm. Such LED semiconductors are known in the art. The radiation source is described herein as a LED for convenience. However、 as used herein、 the term is meant to encompass all semiconductor radiation sources including、 e.g.、 semiconductor laser diodes. Further、 although the general discussion of the exemplary structures of the invention discussed herein is directed toward inorganic LED based light sources、 it should be understood that the LED chip may be replaced by another radiation source unless otherwise noted and that any reference to semiconductor、 semiconductor LED、 or LED chip is merely representative of any appropriate radiation source、 including、 but not limited to、 organic light emitting diodes.
[0021]In lighting apparatus  10 、 a composite coating  22  is disposed on a surface of LED chip  12 . The composite coating  22  includes a first composite layer and a second composite layer、 each composite layer having at least one phosphor composition. In one instance、 the phosphor compositions are radiationally coupled to the LED chip  12 . Radiationally coupled means that the elements are associated with each other so that the radiation from one is transmitted to the other. For example、 the composite coating  22  is disposed on the LED chip  12  such as a radiation from LED chip  12  is transmitted to the phosphors、 and the phosphors emit radiation of different wavelengths.
[0022]In a particular embodiment、 the LED chip  12  is a blue LED、 and the first composite layer includes the red line emitting phosphor of formula I and the second composite layer includes a yellow-green phosphor such as a cerium-doped yttrium aluminum garnet、 Ce:YAG. The blue light emitted by the LED chip  12  mixes with the red and yellow-green light emitted respectively by the phosphors of the first composite layer and the second composite layer、 and the resulting emission (indicated by arrow  24 ) appears as white light.
[0023]LED chip  12  may be enclosed by an encapsulant material  20 . The encapsulant material  20  may be a low temperature glass、 or a thermoplastic or thermoset polymer or resin as is known in the art、 for example、 a silicone or epoxy resin. LED chip  12  and encapsulant material  20  may be encapsulated within a shell  18 . Both the shell  18  and the encapsulant  20  should be transparent to allow white light  24  to be transmitted through those elements. In some embodiments、 the encapsulant material may form the shell  18 . In addition、 scattering particles may be embedded in the encapsulant material. The scattering particles may be、 for example、 alumina or titania. The scattering particles effectively scatter the directional light emitted from the LED chip、 preferably with a negligible amount of absorption.
[0024]In an alternate embodiment、 the lamp  10  may only include an encapsulant material without an outer shell  18 . The LED chip  1  may be supported、 for example、 by the lead frame  16 、 by the self-supporting electrodes、 the bottom of shell  18  or by a pedestal (not shown) mounted to shell  18  or to the lead frame.
[0025]The manganese (Mn4+)-doped phosphor of formula I is a red line emitting manganese (Mn4+)-doped complex fluoride phosphor. In the context of the present invention、 the term complex fluoride material or phosphor、 means a coordination compound、 containing at least one coordination center、 surrounded by fluoride ions acting as ligands、 and charge-compensated by counter ions as necessary. In one example、 K2SiF6:Mn4+、 the coordination center is Si and the counterion is K. Complex fluorides are occasionally written down as a combination of simple、 binary fluorides but such a representation does not indicate the coordination number for the ligands around the coordination center. The square brackets (occasionally omitted for simplicity) indicate that the complex ion they encompass is a new chemical species、 different from the simple fluoride ion. The activator ion (Mn4+) also acts as a coordination center、 substituting part of the centers of the host lattice、 for example、 Si. The host lattice (including the counter ions) may further modify the excitation and emission properties of the activator ion.」
（日本語訳：
【００１９】
　本発明の一実施形態に係る照明装置又は発光アセンブリ又はランプ１０の断面図を図１に示す。
照明装置１０は、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１２として示されている半導体放射源と、ＬＥＤチップ１２に電気的に取り付けられたリード線１４とを備えている
【００２０】
　ランプ１０は、発せられた放射が蛍光体に向けられたときに白色光を生成できる任意の青色もしくはＵＶ半導体光源を含みうる。一実施形態では、半導体光源はさまざまな不純物をドープした青色発光ＬＥＤである。一実施形態では、ＬＥＤは、ＧａＮ、ＺｎＳｅ又はＳｉＣを含有する１以上の半導体層を含みうる。特に、半導体光源は、式ＩｎiＧａjＡｌkＮ（０≦ｉ；０≦ｊ；０≦ｋ、かつｉ＋ｊ＋ｋ＝１である）の窒化物化合物半導体をベースとし、約２５０ｎｍ超かつ約５５０ｎｍ未満の発光波長を有する、青色発光ＬＥＤ半導体ダイオードでありうる。
さらに具体的には、ＬＥＤチップ１２（図１）は、約４００〜約５００ｎｍのピーク発光波長を有する近ＵＶもしくは青色発光ＬＥＤでありうる
【００２１】
　
照明装置１０において、ＬＥＤチップ１２の表面に複合皮膜２２が設けられている。複合皮膜２２は第１の複合層と第２の複合層とを備え
【００２２】
　ある特定の実施形態では、
ＬＥＤチップ１２は青色ＬＥＤであり、第１の複合層は赤線を発する式Ｉの蛍光体を含有し、第２の複合層は黄緑色蛍光体（例えば、セリウムドープイットリウムアルミニウムガーネット、Ｃｅ：ＹＡＧ）を含有する。ＬＥＤチップ１２によって発せられた青色光は、第１の複合層及び第２の複合層の蛍光体によってそれぞれ発せられた赤色光及び黄緑色の光と混合され、得られる放射光（矢印２４で示す）は白色光に見える
【００２３】
　ＬＥＤチップ１２は封止材２０によって包囲されうる。封止材２０は、当該技術分野で知られている低温ガラス又は熱可塑性もしくは熱硬化性のポリマー又は樹脂（例えば、シリコーン又はエポキシ樹脂）でありうる。ＬＥＤチップ１２及び封止材２０はシェル１８内に封止されうる。シェル１８及び封止材２０は、白色光２４がこれらの要素を透過できるよう、ともに透明とするべきである。いくつかの実施形態では、封止材２０はシェル１８を形成しうる。また、封止材には散乱用粒子を埋め込んでもよい。散乱用粒子は、例えば、アルミナ又はチタニアでありうる。散乱用粒子はＬＥＤチップから発せられた指向性の光を、好ましくは無視できる吸収量で効果的に散乱する。
【００２４】
　代替的な実施形態では、ランプ１０は外側のシェル１８を含まずに封止材２０のみを含みうる。ＬＥＤチップ１２は、例えば、リードフレーム１６によって、自己支持型の電極によって、シェル１８の底面によって又はシェル１８もしくはリードフレーム１６に装架される台座（図示せず）によって支持されうる。
【００２５】
　マンガン（Ｍｎ4+）ドープ式Ｉの蛍光体は、赤線を発するマンガン（Ｍｎ4+）ドープ錯フッ化物蛍光体である。本発明の文脈において、「錯フッ化物材料又は蛍光体」の語は、１以上の配位中心を含み、それが配位子として働くフッ化物イオンに包囲され、かつ必要に応じて対イオンによって電荷補償される配位化合物を意味する。一例として、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ4+は配位中心がＳｉ、対イオンがＫである。錯フッ化物は単純な二元フッ化物の組合せとして書かれることもあるが、かかる表現は配位中心を取り囲む配位子の配位数を示さない。角括弧（簡単のために省略されることもある）は、括弧内の錯イオンが上記単純なフッ化物イオンとは別の新たな化学種であることを示す。賦活剤イオン（Ｍｎ4+）も配位中心として作用し、ホスト格子の中心（例えば、Ｓｉ）の一部と置き換わる。ホスト格子（対イオンを含む）は、さらに賦活剤イオンの励起及び発光特性を変更しうる。）
ウ「[0038]FIG. 2  is a cross section view of a composite coating  22  (also referred to as laminate) showing that composite coating  22  is composed of at least two layer; a first composite layer  34  and the second composite layer  36 . The first composite layer  34  includes a manganese doped phosphor of formula I and a first binder. The second composite layer  36  includes a second phosphor (an additional phosphor) and a second binder. The second phosphor is a phosphor composition that emits a radiation which produces white light in combination with the emissions of the first composite layer  34  and the LED chip  12  ( FIG. 1 )、 which are described in detail below.
[0039]In one embodiment、 a phosphor composition is interspersed in a binder material within a composite layer. The phosphor composition may be mixed with a binder material (or a binder) to form a composite phosphor material、 which can be subsequently pressed to form a composite layer or film. The composite phosphor material may include the phosphor composition in the form of powder、 and the binder material as a matrix. The matrix or the binder material may be an encapsulant material. Suitable examples of the binder materials may be a low temperature glass、 or a thermoplastic or thermoset polymer or a resin as is known in the art、 for example、 a silicone or epoxy resin.
[0040]In one embodiment、 the phosphor of formula I is mixed with a first binder and the mixture is heated and pressed to form the first composite layer  34 . In one embodiment、 the second phosphor is mixed with a second binder; and then heated and pressed to form the second composite layer  36 . Both the first binder and the second binder should be transparent to the light emitted from the LED and the phosphors.
（後略）」
（日本語訳：
【００３８】
　図２は複合皮膜２２（「積層体」ともいう）の断面図であり、
複合皮膜２２が２以上の層（すなわち、第１の複合層３４及び第２の複合層３６）で構成されることを示している。第１の複合層３４は、式Ｉのマンガンドープ蛍光体と、第１のバインダとを含む。第２の複合層３６は、第２の蛍光体（追加的な蛍光体）と第２のバインダとを含む
【００３９】
　一実施形態では、
蛍光体組成物は複合層内のバインダ材料中に散在する。蛍光体組成物はバインダ材料（又はバインダ）と混合されて複合蛍光体材料を形成しうる。これを後にプレスすることによって複合層又はフィルムを形成することができる。複合蛍光体材料は、粉末形態の蛍光体組成物とマトリックスとしてのバインダ材料とを含みうる。マトリックスないしバインダ材料は封止材でありうる。バインダ材料の好適な例として、当該技術分野で知られている低温ガラス又は熱可塑性もしくは熱硬化性のポリマー又は樹脂（例えば、シリコーン又はエポキシ樹脂）が挙げられうる
【００４０】
　一実施形態では、式Ｉの蛍光体を第１のバインダと混合し、加熱及びプレスして第１の複合層３４を形成する。一実施形態では、第２の蛍光体を第２のバインダと混合した後、加熱及びプレスして第２の複合層３６を形成する。第１のバインダ及び第２のバインダはともに、ＬＥＤ及び蛍光体から発せられる光に対して透明とするべきである。）
エ「[0048]In addition、 the light emission can further be tuned by controlling the location (closer or farther from the LED chip  12 ) of the first phosphor and the second phosphor.  FIGS. 3A and 3B  show cross sectional views through LED chip  12  having the composite coating  22  disposed on the chip  12 、 depicting two configurations. In  FIG. 3A 、 the composite coating  22  is disposed on the LED chip  12  such as to place the first composite layer  34  containing manganese doped phosphor of formula I、 close (adjacent) to the LED chip  12 . That is、 in this configuration、 the composite coating  22  is disposed on the LED chip  12  with the first composite layer  34  side disposed on the chip. In  FIG. 3B 、 the composite coating  22  is disposed on the LED chip  12  with the second composite layer  36  disposed adjacent (down) to the LED chip  12 、 and the first composite layer  34  side (containing PFS) farther from the LED chip  12 . For example、  FIG. 4  and Table 1 show spectral characteristics of the two LED-based lamps、 one having PFS-containing layer side disposed on the chip (PFS down) and another having YAG-containing layer side disposed on the chip (YAG down). These exemplary lamps and corresponding results are described in detail below in the example section.」
（日本語訳：
【００４８】
　また、
第１の蛍光体及び第２の蛍光体の位置（どちらがＬＥＤチップ１２により近いか又は遠いか）を制御することによっても発光の調節が行える
図３Ａでは、複合皮膜２２は、式Ｉのマンガンドープ蛍光体を含有する第１の複合層３４がＬＥＤチップ１２の近くに（隣接して）あるようにＬＥＤチップ１２上に設けられている。すなわち、この構成において、第１の複合層３４の側がＬＥＤチップ１２上に配置されるように複合皮膜２２がＬＥＤチップ１２上に設けられる
図３Ｂでは、複合皮膜２２は、第２の複合層３６がＬＥＤチップ１２に隣接して（下側に）配置され、第１の複合層３４の側（ＰＦＳを含有）がＬＥＤチップ１２から離れて配置されるように、ＬＥＤチップ１２上に設けられている
オ　ここで、図３は次のものである。
（２）引用発明７
以上から、引用例７には、図３Ｂに記載されたものに注目すると、次の発明（以下「引用発明７」という。）が記載されているものと認められる。
「照明装置１０であって、
発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ１２と、ＬＥＤチップ１２に電気的に取り付けられたリード線１４とを備えており、ＬＥＤチップ１２の表面に複合皮膜２２が設けられており、
ＬＥＤチップ１２は青色ＬＥＤであり、
複合皮膜２２は第１の複合層と第２の複合層とを備え、
第１の複合層は、赤線を発する、Ａx［ＭＦy］：Ｍｎ4+　　（Ｉ）
（式中、
ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ又はそれらの組合せであり、
ＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ又はそれらの組合せであり、
ｘは［ＭＦy］イオンの電荷の絶対値であり、
ｙは５、６又は７である。）
の蛍光体を含有し、当該蛍光体は第１の複合層内の第１のバインダ材料中に散在し、
第２の複合層は、黄緑色蛍光体（例えば、セリウムドープイットリウムアルミニウムガーネット、Ｃｅ：ＹＡＧ）を含有し、当該蛍光体は第２の複合層内の第２のバインダ材料中に散在し、
ＬＥＤチップ１２によって発せられた青色光は、第１の複合層及び第２の複合層の蛍光体によってそれぞれ発せられた赤色光及び黄緑色の光と混合され、得られる放射光は白色光に見えるものであり、
バインダ材料は、低温ガラス又は熱可塑性もしくは熱硬化性のポリマー又は樹脂（例えば、シリコーン又はエポキシ樹脂）であり、
複合皮膜２２は、第２の複合層がＬＥＤチップ１２に隣接して（下側に）配置され、第１の複合層３４の側（式Ｉのマンガンドープ蛍光体を含有）がＬＥＤチップ１２から離れて配置されるように、ＬＥＤチップ１２上に設けられているところ、
第１の蛍光体及び第２の蛍光体の位置（どちらがＬＥＤチップ１２により近いか又は遠いか）を制御することによって発光の調節が行えるものである、
照明装置１０。」
３　引用例５：特表２０１３−５３３３６３号公報
（１）引用例５の記載
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特表２０１３−５３３３６３号公報（以下「引用例５」という。）には、図とともに、以下の記載がある。
ア「【０００７】
　多数の白色光用途では、線発光スペクトルを有する蛍光体（例えばＹ2Ｏ3：Ｅｕ3+）は、対象となる相関色温度（ＣＣＴ）域（例えば３０００〜６５００Ｋ）で、許容できる演色評価数（ＣＲＩ）値（例えば８０〜８６）で発光効率（ＬＥＲ）を最大にするので、赤色成分として好まれる。これらのＥｕ3+をドープした赤色蛍光灯蛍光体は、蛍光体による散乱のために、近紫外（３７０〜４２０ｎｍ）光をほとんど吸収せず、許容されない光損失をもたらすので、紫外　ＬＥＤランプで正常に使用することはできない。現在、
マンガン（Ｍｎ4+）をドープした複合フッ化物系のある等級の蛍光体は、３００ｎｍ〜５２０ｎｍの波長範囲に主要放射ピークを有することにより、ＬＥＤランプで使用することができる
【０００８】
　しかし、
これらのフッ化物蛍光体は湿気の影響を受けやすく、高温（約６０℃超）高湿条件下で劣化する。
イ「【００２１】
　本発明の一実施形態では、湿気防止を有する蛍光体材料が提供される。
マンガンドープフッ化物蛍光体の個別粒子は、湿気により誘発される劣化に対する耐性を向上させるために、マンガンを含まないフッ化物蛍光体材料の層によってカプセル封入される
ウ「【００３１】
　上記で説明したように、
マンガンドープフッ化物蛍光体、典型的には、湿気の影響を非常に受けやすく、高温高湿条件下で劣化する。
（２）引用例５に記載された事項
　上記（１）の各記載から、引用例５には、次の事項が記載されているといえる。
ア　マンガン（Ｍｎ4+）をドープした複合フッ化物系の蛍光体は、湿気の影響を受けやすく、高温（約６０℃超）高湿条件下で劣化すること。
イ　湿気により誘発される劣化に対する耐性を向上させるために、マンガンドープフッ化物蛍光体の個別粒子を、マンガンを含まないフッ化物蛍光体材料の層によってカプセル封入すること。
４　引用例３：米国特許出願公開第２０１６／００８１１４２号明細書
（１）引用例３の記載
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、米国特許出願公開第２０１６／００８１１４２号明細書（以下「引用例３」という。）には、図とともに、以下の記載がある（日本語訳は引用例３のファミリー文献である特開２０１６−５８６１４号公報を参考に当審で作成した。）。
ア　「[0005]A semiconductor light emitting element、 such as a light emitting diode (LED)、 is widely utilized as a highly efficient、 space-saving light source in various lighting apparatuses for lighting applications、 display applications、 etc.
[0006]A COB (chip on board) light emitting apparatus (a light emitting module) in which an LED mounted on a substrate is sealed with a phosphor-containing resin、 and a light emitting apparatus using a packaged SMD (surface mount device) light emitting element are also known (see Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2011-146640、 for example).
SUMMARY OF THE INVENTION 
[0007]In such a light emitting apparatus as described above、 phosphor degrades in use、 ending up with shifting the chromaticity of the light emitting apparatus.」
（日本語訳：
【０００５】
　発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の半導体発光素子は、高効率で省スペースな光源として照明用途またはディスプレイ用途等の各種の照明装置に広く利用されている。
【０００６】
　また、基板に実装されたＬＥＤを蛍光体含有樹脂で封止したＣＯＢ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）型の発光装置（発光モジュール）や、パッケージ化されたＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｍｏｕｎｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）型の発光素子を用いた発光装置が知られている（例えば、特開２０１１−１４６６４０号公報参照）。
　発明の概要
【０００７】
　
上記のような発光装置では、使用によって蛍光体が劣化し、色度がシフトしてしまうことが課題である
イ　「[0045]Light emitting apparatus  10  includes sealing member  13  having a three-layer structure. Sealing member  13 、 specifically、 includes first sealing layer  13 a、 second sealing layer  13 b、 and phosphor layer  13 c.
 　・・・(中略)・・・
[0048]First sealing layer  13 a seals bonding wires  17 、 in addition to LED chips  12 . In other words、 first sealing layer  13 a serves to protect LED chips  12  and bonding wires  17  from refuse、 moisture、 external force、 etc. First sealing layer  13 a serves to reduce effects of heat、 generated by LED chips  12  emitting light、 on phosphor layer  13 c.」
（日本語訳：
【００４５】
　発光装置１０は、封止部材１３が３層構造であることが特徴である。封止部材１３は、具体的には、第一封止層１３ａと、第二封止層１３ｂと、蛍光体層１３ｃとを備える。
　・・・（中略）・・・
【００４８】
　第一封止層１３ａは、ＬＥＤチップ１２に加えて、ボンディングワイヤ１７を封止している。つまり、第一封止層１３ａは、ＬＥＤチップ１２及びボンディングワイヤ１７を塵芥、水分、外力等から保護する機能を有する。また、
第一封止層１３ａは、ＬＥＤチップ１２が発光することにより生じる熱の、蛍光体層１３ｃへの影響を低減する機能を有する
ウ　ここで、図４は次のものである。
（２）引用例３に記載された事項
　上記（１）の各記載から、引用例３には、次の事項が記載されているといえる。
ア　ＬＥＤを蛍光体含有樹脂で封止した発光装置においては、使用によって蛍光体が劣化し、色度がシフトしてしまうことが課題であり、これに対して、ＬＥＤチップ１２が発光することにより生じる熱の、蛍光体層１３ｃへの影響を低減させること。
第５　対比・判断
１　引用発明６との対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用発明６とを対比する。
ア　引用発明６の「青色ＬＥＤ素子１２」は、本願発明の「青色発光する発光素子」に相当する。
イ　引用発明６における、「青色ＬＥＤ素子１２」「の上に空間１３を介して配置された、緑色発光組成物からなる緑色発光層１４と、その上に積層された、赤色発光組成物からなる赤色発光層１５」は、それぞれ「層状構造体」であるから、これらを合わせたものが、「青色ＬＥＤ素子１２」側の面（すなわち、本願発明の「第１主面」）とその反対側の面（すなわち、本願発明の「第２主面」）を有し、また、「緑色発光層１４」及び「赤色発光層１５」が、いずれも「透明材料」である「封止材」からなることから、透光性であることも明らかである。よって、引用発明６の「緑色発光組成物からなる緑色発光層１４と、その上に積層された、赤色発光組成物からなる赤色発光層１５」は、本願発明の「第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面と、を有する透光性部材」に相当する。さらに、引用発明６においては、「空間１３は、その全部を透光性の充填材で充填され」ることから、「青色ＬＥＤ素子１２」「の上に空間１３を介して配置された、緑色発光組成物からなる緑色発光層１４と、その上に積層された、赤色発光組成物からなる赤色発光層１５」は、本願発明の「前記発光素子に接合された第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面と、を有する透光性部材」に相当する。
ウ　引用発明６の「緑色蛍光体」及び「赤色蛍光体」は、それぞれ、本願発明の「第１蛍光体」及び「第２蛍光体」に相当する。
エ　引用発明６においては、「緑色蛍光体」及び「赤色蛍光体」が、「青色ＬＥＤ素子１２」の光を吸収して波長変換した光を発することは明らかであるから、引用発明６の、「緑色発光層１４は、緑色蛍光体の粉末を封止材中に分散させてなる緑色発光組成物からな」り、「赤色発光層１５は、赤色蛍光体の粉末を封止材中に分散させてなる赤色発光組成物からな」り、また各「封止材」が「透明材料」である構成は、本願発明の「前記透光性部材が、透光性の母材と、前記母材中に含有され前記発光素子の光を吸収して発光する波長変換物質と、を有」することに相当する。
オ　引用発明６は、「青色ＬＥＤ素子１２」「の上に空間１３を介して配置された、緑色発光組成物からなる緑色発光層１４と、その上に積層された、赤色発光組成物からなる赤色発光層１５とを備えて」いるから、赤色蛍光体より「青色ＬＥＤ素子１２」側に、緑色蛍光体が偏在していることは明らかである。よって、引用発明６の当該構成は、本願発明の「赤色発光する第２蛍光体と、前記第２蛍光体より前記第１主面側に偏在した緑色乃至黄色発光する第１蛍光体と、を含」むことに相当する。
カ　引用発明６の「赤色発光層１５に分散させる赤色蛍光体は、Ｍｎで付活された低屈折率フルオロ錯体蛍光体であり、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎであ」ることは、本願発明の「前記第２蛍光体が、マンガン賦活フッ化物蛍光体である」ことに相当する。
キ　引用発明６の「半導体発光装置１０」は、本願発明の「発光装置」に相当する。
ク　したがって、本願発明と引用発明６は、次の点で一致する。
「青色発光する発光素子と、
　前記発光素子に接合された第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面と、を有する透光性部材と、を備え、
　前記透光性部材が、透光性の母材と、前記母材中に含有され前記発光素子の光を吸収して発光する波長変換物質と、を有し、
　赤色発光する第２蛍光体と、前記第２蛍光体より前記第１主面側に偏在した緑色乃至黄色発光する第１蛍光体と、を含み、
　前記第２蛍光体が、マンガン賦活フッ化物蛍光体である発光装置。」
ケ　一方、両者は次の点で相違する。
≪相違点１≫
　本願発明は「前記波長変換物質が、前記母材中において前記第１主面側に偏在して」いるとの構成を備えるのに対し、引用発明６は当該構成を備えない点。
（２）判断
　上記相違点１について検討する。
ア　前記第４　３（２）アのとおり、引用例５には、マンガン（Ｍｎ4+）をドープした複合フッ化物系の蛍光体は、湿気の影響を受けやすく、高温（約６０℃超）高湿条件下で劣化することが記載されており、当該記載事項に照らせば、引用発明６の「青色ＬＥＤ素子１２と、その上に空間１３を介して配置された、緑色発光組成物からなる緑色発光層１４と、その上に積層された、赤色発光組成物からなる赤色発光層１５」との構成においては、「赤色発光層１５」が「青色ＬＥＤ素子１２」とは反対側の外部環境に面することから、「赤色発光層１５」に分散された「Ｍｎで付活された低屈折率フルオロ錯体蛍光体であり、例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ」が、湿気の影響により劣化する恐れがあることは明らかである。
イ　一方、蛍光体層表面に樹脂層が配置されるような構成は、次の（ア）〜（ウ）に示す引用例１、３及び４に記載されているように周知であり、当該構成により、蛍光体が外部の湿気から保護されることは、引用例１、３及び４の各記載からも明らかである。
　よって、引用発明６において、マンガン賦活フッ化珪酸カリウム蛍光体の外部環境からの隔離のため、前記周知構成を採用して、相違点１にかかる構成を備えることは当業者が適宜になし得たことである。
　したがって、本願発明は、引用例１、３〜５に記載された事項を参酌して、引用発明６に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。
（ア）引用例１：特開２０１５−１９８１４６号公報
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０１５−１９８１４６号公報には、図とともに、以下の記載がある。
「【０００５】
　このため近年では、第２の手法に代わる第３の手法として、蛍光体含有樹脂を樹脂シートで挟み込んだものや、蛍光体含有樹脂をシート形状に加工した蛍光体含有シートを用いて、青色ＬＥＤにより色変換する手法が注目を集めている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００６】
　蛍光体は、酸素や水蒸気に対して脆弱なものもある。例えば、ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｅｕ、ＣａＳ：Ｅｕ、ＳｒＳ：Ｅｕ等の硫化物蛍光体は、シャープな発光スペクトルを有するために広色域な色再現が可能な優れた蛍光体材料であり、（Ｂａ、Ｓｒ）3ＳｉＯ5：Ｅｕは、
高輝度な橙色発光蛍光体材料であるが、高温高湿環境下においては水蒸気により劣化し易い
【０００７】
　
これらの蛍光体を使用する場合は、水蒸気を遮蔽する為の何らかの手段が必要となる
蛍光層を水蒸気バリア層で覆う等により対策をとることが可能である。例として、蛍光体含有樹脂上に珪素化合物等の保護層を設ける手法（特許文献３参照）や、蛍光体含有樹脂の表面に水蒸気バリア層を形成する手法（特許文献４、５参照）が提案されている
【０００８】
　また、端部からの水分侵入防止策としては、図１０に示すようなパウチ構造の蛍光体シート１０５が挙げられる。
　この蛍光体シート１０５では、蛍光層１２３を第１の支持層１０１と第２の支持層１０２とで挟持し、さらに、第１の支持層１０１と第２の支持層１０２との外側を、それぞれ第１の水蒸気バリア層１２１と第２の水蒸気バリア層１２２とで挟持し、封止樹脂１０３で封止するものであり、層数が多く作製が容易ではない。
【０００９】
　また、図１１に示すようなパウチ構造の蛍光体シート１０６もある。
　この蛍光体シート１０６では、蛍光層１２３を第１の水蒸気バリア層１２１と第２の水蒸気バリア層１２２とで挟持し、第１の水蒸気バリア層１２１と第２の水蒸気バリア層１２２との外側に、第１、第２の封止層１３１、１３２との縁を、蛍光層１２３を挟持した第１、第２の水蒸気バリア層１２１、１２２の外側に位置させ、第１、第２の封止層１３１、１３２を、第１、第２の水蒸気バリア層１２１、１２２に貼付すると共に、第１、第２の水蒸気バリア層１２１、１２２の外側で、第１の封止層１３１と第２の封止層１３２とを貼付している。
【００１０】
　この蛍光体シート１０６では、第１の封止層１３１と第２の封止層１３２によって閉塞された空間内に蛍光層１２３と、蛍光層１２３を挟持した第１、第２の水蒸気バリア層１２１、１２２とを配置するものであり、作製が容易である。
【００１１】
　上記封止層としては、透明なアルミ蒸着テープが有力であり、他にシリカ蒸着されたＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）などの水蒸気透過率が１ｇ／ｍ2／ｄａｙ（４０℃／９０％ＲＨ）以下のもの等が挙げられる。」
（イ）引用例３：米国特許出願公開第２０１６／００８１１４２号明細書
前記第４　４　で示した引用例３には、さらに以下の記載がある。
「[0049]Next、 second sealing layer  13 b is described. Second sealing layer  13 b is disposed above first sealing layer  13 a. Second sealing layer  13 b comprises a translucent resin material and very little yellow phosphor  14 . Second sealing layer  13 b is free of filler  18 . Second sealing layer  13 b included in sealing member  13  is in contact with the atmosphere、 serving to reduce effects of moisture、 contained in the atmosphere、 on phosphor layer  13 c.
　・・・(中略)・・・
[0053][Effects]
[0054]It is contemplated that the primary reasons for the degradation of yellow phosphor  14  as described above in connection with conventional technology are the heat generated by LED chips  12  emitting light、 and moisture in the atmosphere.
[0055]Here、 as described above、 phosphor layer  13 c in which yellow phosphor particles  14  are closely packed is disposed between first sealing layer  13 a and second sealing layer  13 b in light emitting apparatus  10 . In other words、 phosphor layer  13 c is disposed distant from LED chips  12  and the atmosphere. Thus、 in light emitting apparatus  10 、 first sealing layer  13 a reduces the effects of the heat、 generated by LED chips  12  emitting light、 on phosphor layer  13 c、 and second sealing layer  13 b reduces the effects of moisture in the atmosphere on phosphor layer  13 c. 
[0056]In other words、 light emitting apparatus  10  suppresses degradation yellow phosphor  14  included in phosphor layer  13 c、 i.e.、 suppresses shifting of chromaticity of yellow phosphor  14  due to use (energization).」
（日本語訳：
　次に、第二封止層１３ｂについて説明する。第二封止層１３ｂは、第一封止層１３ａの上方に設けられた封止層である。
第二封止層１３ｂは、透光性樹脂材料からなり、黄色蛍光体１４は、ほとんど存在しない。また、第二封止層１３ｂは、フィラー１８を含有しない。第二封止層１３ｂは、封止部材１３のうち大気に接触する部分であり、大気に含まれる湿気の、蛍光体層１３ｃへの影響を低減する機能を有する
　・・・（中略）・・・
　［効果等］
　背景技術で述べた黄色蛍光体１４の劣化は、ＬＥＤチップ１２が発光することにより生じる熱、及び、大気中に含まれる湿気の２つが主要因であると考えられる。
　ここで、発光装置１０においては、上述のように、黄色蛍光体１４が密集した蛍光体層１３ｃが、第一封止層１３ａと第二封止層１３ｂとに挟まれている。言い換えれば
、蛍光体層１３ｃは、ＬＥＤチップ１２及び大気から離れたところに配置されている
第二封止層１３ｂによって大気に含まれる湿気の蛍光体層１３ｃへの影響を低減することができる
　つまり、発光装置１０においては、蛍光体層１３ｃに含まれる黄色蛍光体１４の劣化、すなわち、使用（通電）による色度のシフトが抑制される。）
（ウ）引用例４：特開２０１１−２０２１４８号公報
当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０１１−２０２１４８号公報には、図とともに、以下の記載がある。
「【００５４】
　図２および図３に示すように、波長変換部材１０Ａは、光透過性部材１３と、半導体微粒子蛍光体１４とを主として備えている。半導体微粒子蛍光体１４は、波長変換部材１０Ａの内部に導入された励起光１００を吸収してこれを波長変換することで異なる波長の光を発光するものであり、主として半導体微結晶粒子からなる部材である。当該半導体微粒子蛍光体１４は、波長変換部材１０Ａの内部において分散して位置している。一方、光透過性部材１３は、半導体微粒子蛍光体１４を分散配置させた状態で封止するためのものであり、波長変換部材１０Ａに導入された励起光１００および半導体微粒子蛍光体１４から発せされる光を吸収しない部材からなる。
【００５５】
　より詳細には、
光透過性部材１３としては、好ましくは、水分や酸素を透過しない材料にて構成されていることが好ましい。このように構成すれば、光透過性部材１３によって波長変換部材１０Ａの内部への水分や酸素の進入が防止できるため、半導体微粒子蛍光体１４が水分や酸素により影響を受けることを緩和することができ、半導体微粒子蛍光体１４の耐久性を向上させることができる
２　引用発明７との対比・判断
（１）対比
　本願発明と引用発明７とを対比する。
ア　引用発明７において、「ＬＥＤチップ１２は青色ＬＥＤであ」るから、当該「ＬＥＤチップ１２」は、本願発明の「青色発光する発光素子」に相当する。
イ　引用発明７においては、「ＬＥＤチップ１２の表面に複合皮膜２２が設けられ」ているところ、「複合皮膜２２は第１の複合層と第２の複合層とを備え、」「第１の複合層は、赤線を発する、（・・・（中略）・・・）蛍光体を含有し、当該蛍光体は第１の複合層内の第１のバインダ材料中に散在し、」「第２の複合層は、黄緑色蛍光体（・・・（中略）・・・）を含有し、当該蛍光体は第２の複合層内の第２のバインダ材料中に散在し、」さらに「バインダ材料は、低温ガラス又は熱可塑性もしくは熱硬化性のポリマー又は樹脂（例えば、シリコーン又はエポキシ樹脂）であ」るところ、「第１のバインダ材料」および「第２のバインダ材料」のいずれもが、光取り出しのために透光性であることは明らかである。それゆえ、透光性のバインダ材料からなる「複合被膜２２」は透光性であるといえ、また、ＬＥＤチップ１２の表面に設けられた「複合被膜２２」が、ＬＥＤチップ１２に接合する面と、その反対側の面を備えることも明らかであるから、引用発明７における「ＬＥＤチップ１２の表面に複合皮膜２２」は、本願発明の「前記発光素子に接合された第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面と、を有する透光性部材」に相当する。
ウ　引用発明７の、「複合皮膜２２は第１の複合層と第２の複合層とを備え、」「第１の複合層は、赤線を発する、（・・・（中略）・・・）蛍光体を含有し、当該蛍光体は第１の複合層内の第１のバインダ材料中に散在し、」「第２の複合層は、黄緑色蛍光体（・・・（中略）・・・）を含有し、当該蛍光体は第２の複合層内の第２のバインダ材料中に散在し」ている構成は、本願発明の「前記透光性部材が、透光性の母材と、前記母材中に含有され前記発光素子の光を吸収して発光する波長変換物質と、を有」することに相当する。
エ　引用発明７における、「式Ｉのマンガンドープ蛍光体」は「赤線を発する」蛍光体であるから、本願発明の「赤色発光する第１蛍光体」に相当する。また、引用発明７の「黄緑色蛍光体」は、本願発明の「緑色乃至黄色発光する第１蛍光体」に相当する。そして、引用発明７の「複合皮膜２２は、第２の複合層がＬＥＤチップ１２に隣接して（下側に）配置され、第１の複合層３４の側（式Ｉのマンガンドープ蛍光体を含有）がＬＥＤチップ１２から離れて配置されるように、ＬＥＤチップ１２上に設けられている」構成は、本願発明の「赤色発光する第２蛍光体と、前記第２蛍光体より前記第１主面側に偏在した緑色乃至黄色発光する第１蛍光体」との構成に相当する。
オ　引用発明７の、
「赤線を発する、Ａx［ＭＦy］：Ｍｎ4+　　（Ｉ）
（式中、
ＡはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ又はそれらの組合せであり、
ＭはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｈｆ、Ｙ、Ｌａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｂｉ、Ｇｄ又はそれらの組合せであり、
ｘは［ＭＦy］イオンの電荷の絶対値であり、
ｙは５、６又は７である。）
の蛍光体」は、
本願発明の「マンガン賦活フッ化物蛍光体」に相当する。
カ　引用発明７の「照明装置１０」は、本願発明の「発光装置」に相当する。
キ　したがって、本願発明と引用発明７は、次の点で一致する。
「青色発光する発光素子と、
　前記発光素子に接合された第１主面と、前記第１主面の反対側の第２主面と、を有する透光性部材と、を備え、
　前記透光性部材が、透光性の母材と、前記母材中に含有され前記発光素子の光を吸収して発光する波長変換物質と、を有し、
　赤色発光する第２蛍光体と、前記第２蛍光体より前記第１主面側に偏在した緑色乃至黄色発光する第１蛍光体と、を含み、
　前記第２蛍光体が、マンガン賦活フッ化物蛍光体である発光装置。」
ク　一方、両者は次の点で相違する。
≪相違点２≫
　本願発明は「前記波長変換物質が、前記母材中において前記第１主面側に偏在して」いるとの構成を備えるのに対し、引用発明７は当該構成を備えない点。
（２）判断
　上記相違点２について検討する。
ア　相違点２は、相違点１と同じく、「前記波長変換物質が、前記母材中において前記第１主面側に偏在して」いるとの構成を備えないということである。
イ　そして、引用発明７においては、「複合皮膜２２は、第２の複合層がＬＥＤチップ１２に隣接して（下側に）配置され、第１の複合層３４の側（式Ｉのマンガンドープ蛍光体を含有）がＬＥＤチップ１２から離れて配置されるように、ＬＥＤチップ１２上に設けられている」から、引用発明６と同じく、第１の複合層３４が外部環境に面することになる。
　それゆえ、引用発明６と同様に、第１の複合層３４に含まれる式Ｉのマンガンドープ蛍光体が、湿気の影響により劣化する恐れがあることは明らかである。
ウ　したがって、前記１（２）イに記載した理由と同様の理由により、引用発明７において、「式Ｉのマンガンドープ蛍光体」の外部環境からの隔離のため、蛍光体層表面に樹脂層が配置されるような前記周知の構成を採用して、相違点２にかかる構成を備えることは当業者が適宜になし得たことである。
オ　よって、本願発明は、引用例１、３〜５に記載された事項を参酌して、引用発明７に基づいて、当業者が容易に発明することができたものである。
３　請求人の主張について
ア　請求人は、令和元年１２月１１日に提出した意見書において、概ね以下の（ア）〜（ウ）を主張する。
（ア）本願明細書においては、マンガン賦活フッ化物蛍光体への過度の光照射を抑制することが、マンガン賦活フッ化物蛍光体の劣化を抑制する、と説明しているが、この点については、いずれの引用例にも示唆がない。
（イ）第２蛍光体（マンガン賦活フッ化物蛍光体）を第１蛍光体（緑色乃至黄色蛍光体）よりも発光素子の第１主面側に偏在させた参考例１は、第１蛍光体と第２蛍光体とを均一に分散させた比較例１よりも、大きな色度変化を示しており、単に実施例１と参考例１とを比較した場合、実施例１が優れているというだけではなく、参考例１は、比較例１よりも悪くなっている。
（ウ）実施例１も参考例１も、母材からなる第３シートが最も外側に位置しているため、引用例５の教示によれば、これら２つの試料にこのような効果の差異が生じることは予期できず、この予期せぬような特性の劣化を招き得る第１蛍光体および第２蛍光体の配置を除外することを、引用例１−７は教示していないから、マンガン賦活フッ化物蛍光体である第２蛍光体より緑色乃至黄色発光する第１蛍光体を、発光素子に接合された第１主面側に偏在させる請求項１に係る発明は、引用例１−７に対して進歩性を有している。
イ
（ア）しかし、前記前記１（２）及び前記２（２）のとおり、当業者は、各引用発明において、蛍光体の劣化を防ぐために、各相違点にかかる構成を備えることは容易になしえたものであり、ここで、前記蛍光体の劣化が防がれたことに伴い、色度の変化が抑えられることは当然に予測できることである。そして、当該色度の変化の抑制の程度は、上記アで主張される効果と変わるものではない。すなわち、引用発明６および引用発明７のいずれもが、本願発明の「前記波長変換物質が」「赤色発光する第２蛍光体と、前記第２蛍光体より前記第１主面側に偏在した緑色乃至黄色発光する第１蛍光体と、を含み」との構成に相当する構成を備えるからである。
（イ）さらに、上記ア（イ）の主張における、「参考例１は、比較例１よりも悪くなっている」ということは、本願明細書に記載されておらず、本願明細書の記載から明らかなことともいえない。
（ウ）よって、前記アの主張は採用できない。
ウ　なお、以下の（ア）および（イ）の点からみても、前記アの主張は採用できない。
（ア）本願明細書の段落【００１４】に記載された、赤色蛍光体であるＫ２ＳｉＦ６：Ｍｎを、ＬＥＤに対して比較的離れた位置に配置することで、輝度飽和を抑制する技術は、次の刊行物Ａに示すとおり、本願の出願時にすでに公知となっていた技術であり、格別なものとはいえない。
　刊行物Ａ：特開２０１２−１９９５３９号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である、特開２０１２−１９９５３９号公報には、図とともに、以下の記載がある。
「【００６７】
＜第１実施例＞
（発光装置の全体構成）
　図１は、本実施例に係る発光装置１の概略構成を示す斜視図であり、図２は発光装置１を模式的に示す平面図である。また、
図３は図２中のIII−III線に沿う発光装置１の概略断面図
　・・・(中略)・・・
【０１５０】
（第１０変形例）
　第１０変形例としては、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４に近紫外ＬＥＤチップを用い、第１蛍光体１４に帯域幅が広い赤色光を発する赤色蛍光体である第１の赤色蛍光体を用い、第２蛍光体１６に緑色蛍光体及び青色蛍光体を混合したものを用い、共通蛍光体２２に青色蛍光体及び帯域幅が狭い赤色光を発する赤色蛍光体である第２の赤色蛍光体を混合したものを用いる。
　・・・(中略)・・・
【０１５２】
　ここで、
発する赤色光の帯域幅が狭い第２の赤色蛍光体は、発する赤色光の帯域幅が広い第１の赤色蛍光体に比べて、一般に発光効率が高い。本実施例では、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４と共通蛍光部材２１との間の距離は、第１蛍光部材１２や第２蛍光部材１３との間の距離よりも遠い。従って、第１ＬＥＤチップ３及び第２ＬＥＤチップ４によって発せられて、共通蛍光部材２１に入射する光の密度は低下するので、第２の赤色蛍光体における輝度飽和の発生を良好に抑制することができる。
　・・・(中略)・・・
【０１５５】
　そして、（　・・・(中略)・・・　）また、
「帯域幅が狭い赤色光」を発する赤色蛍光体は、例えば、
Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ
（イ）引用発明６は、「青色ＬＥＤ素子１２側に緑色発光層１４を配置することで、緑色発光層１４で生じる緑色光が赤色発光層１５を通して外部に取り出される構成となるため、この緑色光の外部取出し効率が良好なものである」構成を備えるものであり、青色ＬＥＤ素子１２側に赤色発光層１５を配置する構成は、引用例６には記載されていない。すなわち、引用例６については、「青色ＬＥＤ素子１２側に赤色発光層１５を配置する」構成は除外されているといえるから、前記ア（ウ）の該当主張は当たらない。
４　小括
　よって、本願発明は、引用例１、３〜５に記載された事項を参酌して、引用発明６または引用発明７に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。