【事件の表示】
　特許第３０９２１６７号「窒化ケイ素焼結体」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０９２１６７号の訂正後の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
 １．手続の経緯
  本件特許第３０９２１６７号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成２年１２月１９日に特許出願したものであって、平成１２年７月２８日にその発明について特許の設定登録がなされたものである。
　これに対して、関口和江（以下、「申立人」という）から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年８月６日付けで訂正請求がなされ、その後申立人に審尋がなされ、その指定期間内の平成１３年１２月２５日付けで回答書（以下、「回答書１」という）が提出され、その後特許権者に審尋がなされ、その指定期間内に平成１４年３月２６日付けで回答書（以下、「回答書２」という）が提出されたものである。
２．訂正の適否
２−１．訂正の内容
　本件訂正の内容は、本件特許明細書を訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち次のとおり訂正するものである。
（１）訂正事項ａ
　請求項１に請求項２の要件を追加して請求項１を下記のとおり訂正するとともに、請求項２を削除する。
「【請求項１】９０重量％以上のＳi３Ｎ４と、３.５重量％以下のＡｌ原子と、３．５重量％以下のＯ原子と、０．０１〜１０重量％のＴi、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含み、密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。」
（２）訂正事項ｂ
　明細書段落【０００８】の「金属元素とを含み、密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が４０Ｗ／ｍＫ以上であって、遮光性を有することを特徴とする。」（本件特許掲載公報第２頁第３欄第３１〜３３行）を、「金属元素とを含み、密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であることを特徴とする。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ　
　明細書段落【００１３】の「酸化物、有機金属化合物等の化合物として添加するこが好ましい。」を、「酸化物、有機金属化合物等の化合物として添加することが好ましい。」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項２を削除し、「遮光性」をさらに「波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上である」と限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。
　また上記限定事項は訂正前の請求項２に記載されていることであるから、上記訂正事項ａは願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　次に訂正事項ｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とする上記訂正事項ａの訂正に伴うものであり、減縮された特許請求の範囲の記載と明細書の記載を整合させるために明りょうでない記載の釈明を行うことを目的とする訂正に該当するものであり、しかも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　次に訂正事項ｃは「こが」を「ことが」と訂正する、誤記の訂正を目的とする訂正に該当するものであり、しかも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　なお、訂正事項ａ〜ｃ以外にも、明細書段落【０００８】の「本発明が提供する」（本件特許掲載公報第２頁第３欄第２６行）を、「本発明の」と訂正したり、段落【００１７】の「その他の陽イオン」（本件特許掲載公報第３頁第６欄第３行）を「その他陽イオン」と訂正しているが、これら訂正事項は、明りょうでない記載の釈明を行うことを目的とする訂正に該当するものであり、しかも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
２−３．まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、上記訂正を認める。
３．本件訂正発明
  特許権者が請求した上記訂正は、上述したとおり、認容することができるから、訂正後の本件請求項１に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記２−１．（１）のとおりのものである（以下、「本件訂正発明」という）。
４．特許異議申立てについて
４−１．特許異議申立ての理由の概要
　申立人は、証拠方法として甲第１〜５号証を提出して、（ｉ）請求項１、２に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明と同一であるから、請求項１、２に係る発明の特許は特許法第２９条の２の規定に違反したものであり取り消されるべきものである旨、（ｉｉ）請求項１、２に係る発明は、甲第４号証に記載された発明であるか又は甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１、２に係る発明の特許は特許法第２９条第１項第３号、第２項の規定に違反したものであり取り消されるべきものである旨主張している。
４−２．甲号各証の記載内容
（１）甲第１号証：特願平２−１１７８０号（特開平３−２１８９７５号公報）の願書に最初に添付した明細書
（ａ）「窒化珪素体中のＡｌ量がＡｌ２Ｏ３に換算して０．３重量％以下である・・・窒化珪素体 」（請求項２）
（ｂ）「熱伝導率が０．１５ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ．℃以上である・・・窒化珪素体」（請求項４）
（ｃ）「不純物Ａｌ量が０．０１重量％以下の窒化珪素原料粉末に、同じく不純物Ａｌ量が０．０１重量％以下のＹ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３、ＳiＣ、ＭｇＯ、ＺｒＯ２原料粉末を助剤として第１表に示す割合で添加調合し、・・・成形体を作製し、第１表に示す温度、時間、圧力で窒素雰囲気中で焼成し、実施例Ｎｏ．１〜１１、比較例Ｎｏ．１２〜１４の焼結体を得た。得られた各焼結体に対し、・・・熱伝導率・・・を測定した。結果をあわせて第１表に示す。 」（第２頁左下欄第８行〜右下欄第４行）
（ｄ）第３頁の第１表の実施例９には、助剤としてＹ２Ｏ３　５ｗｔ％、ＭｇＯ　３ｗｔ％、ＺｒＯ２　０.３ｗｔ％を添加したものを１８００℃で、５気圧の圧力下３時間で焼成して製造された焼結体の熱伝導率が０．１６ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ．℃であることが示されている。
（ｅ）「さらに好ましくは窒化珪素体中のＡｌ量をＡｌ２Ｏ３に換算して０．３重量％以下とすることにより、例えば０．１５ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ．℃以上の高熱伝導率を有する窒化珪素体を得ることができる。 」（第５頁右上欄第１８行〜左下欄第１行）
（２）甲第２号証：特願平２−２４６０２３号（特開平４−１２５９５２号公報）の願書に最初に添付した明細書及び図面
（ａ）「前記窒化珪素からなる放熱基板が、アルミナ換算でアルミニウムを０．３重量％以下含む・・・ セラミックパッケージ」（請求項３）
（ｂ）「パッケージ用セラミックに特有の添加物としてモリブデンやタングステン金属、もしくはこれらの酸化物や化合物が着色用に添加される場合もある。 」（第３頁右上欄第１４〜１７行）
（ｃ）「本発明に使用する窒化珪素焼結体は、熱伝導率が４０Ｗ／ｍｋ以上、代表的には１００Ｗ／ｍｋと・・・充分に大きいので熱放散性の良いパッケージが得られる。アルミナ換算でアルミニウムを０．３重量％を越える窒化珪素焼結体を使用するとセラミックの熱伝導率が劣化し・・・ 」（第３頁左下欄第３〜８行）
（ｄ）「Ａｌ２Ｏ３含有量の異なる窒化珪素粉末に焼結助剤として表１に示す希士類酸化物を添加し、水を加えて窒化珪素玉石と樹脂製ポットを用いて湿式混合した。・・・成形体を９．５気圧の窒素雰囲気下で表１に示すように、１７５０〜１９５０℃、１〜１０時間焼成した。・・・得られた焼結体について、熱伝導率をレーザーフラッシュ法により測定した 。」（第３頁右下欄第１４行〜第４頁左上欄第３行）
（ｅ）第４頁の表１のＮｏ．４には、４．８ｍｏｌ％のＹ２Ｏ３を添加したものを１９００℃で２時間焼成して製造された焼結体の熱伝導率が６９Ｗ／ｍＫであることが示されている。
（３）甲第３号証：特願平２−３３０５９９号（特開平３−２９０３６９号公報）の願書に最初に添付した明細書及び図面
（ａ）「Ｓi３Ｎ４を主成分とし、残部が希土類元素化合物とＳiＣとＷ化合物および／またはＭｏ化合物から実質的になる焼結体であって・・・」（請求項１）
（ｂ）「Ｗ化合物やＭｏ化合物の添加は、Ｓi３Ｎ４焼結体にありがちな希土類元素特有の着色を低減する効果がある。さらに、希土類元素による着色は酸素を含む雰囲気にさらされると色が変化する場合があり好ましくないが、前述の効果によりＳi３Ｎ４焼結体は異色化していることから色の変化が無視できる効果がある。」（第２頁左下欄第１９行〜右下欄第５行）
（ｃ）「純度９７重量％、不純物陽イオン元素Ａｌ，Ｆｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｎａ，Ｋの合計が０．１重量％以下、酸素含有量２．２重量％、・・・の窒化珪素原料粉末と、純度９９重量％、・・・の第１表記載の希土類酸化物と、・・・ＳiＣと、・・・Ｗ化合物または・・・Ｍｏ２Ｃを第１表記載の割合で調合、粉砕した。・・・成形体を作製し、第１表記載の焼成条件で焼成し、本発明の窒化珪素焼結体Ｎｏ．１〜２０を得た。」（第３頁左下欄第８行〜右下欄第２行）
（ｄ）第４頁下欄の第１表の比較例Ｎｏ.２９には、希土類酸化物（ｗｔ％）がＹ２Ｏ３：Ｅｒ２Ｏ３＝２：３でモル量６．６（ｍｏｌ％）であり、ＷＳｉ２　１（ｗｔ％、外配）であり、残部がＳｉ３Ｎ４粉末からなるものを１９５０℃、５０気圧の圧力下、２時間焼成で製造された相対密度９９％の窒化珪素焼結体が示されている。
（４）甲第４号証：特開昭６１−２６６３５９号公報
（ａ）「焼結助剤と、粒界相の結晶化制御剤としてＣｒ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｎｉ，ＮｂおよびＭｏの化合物の中の一種または二種以上とを含み、粒界相が実質的に結晶化していることを特徴とする窒化珪素焼結体。」（特許請求の範囲第１項）
（ｂ）「純度９７.１％・・・の窒化珪素原料粉末と純度９８−９９％・・・のＹ２Ｏ３、ＭｇＯおよびＣｅＯ２の各原料粉末と純度９８−９９.９％・・・のＣｒ２Ｏ３、ＭｎＯ、ＣｏＯ、ＮiＯ，Ｎｂ２Ｏ３あるいはＭｏＯ３とを第２表記載の割合で調合し、実施例１と同じ方法で粉砕混合し成形用粉末とした。・・・成形体を作製し、第１表記載の焼成温度で各３０分間窒素雰囲気下で無加圧焼結し・・・本発明の窒化珪素焼結体Ｎｏ．９〜２４を得た。」（第７頁右下欄第１５行〜第８頁左上欄第８行）
（ｃ）第８頁下欄の第２表のＮｏ．９には、「Ｓi３Ｎ４　９３．９ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３　２ｗｔ％、ＭｇＯ　３ｗｔ％、ＣｅＯ２　１ｗｔ％、Ｎｂ２Ｏ３　０．１ｗｔ％から調合された原料粉末を１８００℃焼成で製造された、嵩密度３．２ｇ／ｃｍ３の窒化珪素焼結体」が示されている。
甲第５号証：「セラミックデータブック’９０」工業製品技術協会　第３５２頁　（平成２年８月２０日）
（ａ）表には、窒化けい素微粉末のグレードＳＮ−９ＦＷのものは化学成分（％）で、Ｓｉ　５９．７、Ｎ　３８．８、Ｆｅ　０．０４、Ａｌ　０．２、Ｃａ　０．１、Ｍｇ　０．００５、Ｏ　０．９であることが示されている。
５．当審の判断
５−１．上記４−１．（ｉ）の主張について
（１）甲第１号証に記載された発明との対比・判断
　甲第１号証には、上記（１）（ａ）、（ｃ）、（ｄ）から「助剤としてＹ２Ｏ３粉末が５ｗｔ％、ＭｇＯ粉末が３ｗｔ％、ＺｒＯ２粉末が０．３ｗｔ％であり、残部の窒化珪素原料粉末が９１．７ｗｔ％の原料粉末から得られた熱伝導率が０．１６ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ．℃である窒化珪素焼結体。」が記載されていると云える。
　この場合、熱伝導率は換算すると６７Ｗ／ｍ・Ｋである。また上記窒化珪素焼結体は、上記（１）（ａ）から、Ａｌ量はＡｌ２Ｏ３に換算して０．３重量％以下である。
  これら事項を本件訂正発明の記載に則って整理すると、甲第１号証には
「窒化珪素原料粉末９１．７重量％、Ｙ２Ｏ３粉末５重量％、ＭｇＯ粉末３重量％、ＺｒＯ２粉末０．３重量％から製造された窒化珪素焼結体であって、Ａｌ量がＡｌ２Ｏ３に換算して０．３重量％以下であり、熱伝導率が６７Ｗ／ｍ・Ｋである窒化珪素焼結体。」という発明（以下、「先願明細書１発明」という）が記載されていると云える。
　次に本件訂正発明と先願明細書１発明とを対比すると、本件特許明細書においても焼結助剤としてＹ２Ｏ３が用いられている（本件特許掲載公報第２頁第４欄第３４〜３５行）から、焼結体中のＹ成分は本件訂正発明と先願明細書１発明との間の相違点とはならない。
　したがって、両者は「Ｓｉ３Ｎ４とＡｌ原子とＯ原子とＺｒ元素とを含む窒化ケイ素焼結体。」で一致し、かつ両者の窒化ケイ素焼結体のＡｌ原子の含有量と熱伝導率の数値範囲が重複するから、両者は次の点で相違している。
相違点（イ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体が、９０重量％以上のＳi３Ｎ４と、３．５重量％以下のＯ原子と、０．０１〜１０重量％のＴi、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含んでいるのに対して、先願明細書１発明では、窒化ケイ素焼結体が窒化珪素原料粉末９１．７重量％、Ｙ２Ｏ３粉末５重量％、ＭｇＯ粉末３重量％、ＺｒＯ２粉末０．３重量％から製造されたものである点
相違点（ロ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体の密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上であるのに対して、先願明細書１発明では、その点が不明である点
相違点（ハ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体が波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であるのに対して、先願明細書１発明では、その点が不明である点
   そこで、先ず相違点（イ）について検討する。
　一般に、焼結体を製造する技術において、原料粉末の純度、混合粉砕、焼結条件による酸素の増量、原料の蒸発等を勘案すると、原料粉末の組成比率が、そのまま焼結体の組成比率になるわけではない。
  したがって、先願明細書１発明に、焼結体の組成比率が記載されていない以上、先願明細書１発明の窒化ケイ素焼結体には本件訂正発明のそれと同じ元素が含まれているということは云えても、組成比率が同一であるとまで云うことはできない。
　なお、申立人は、窒化ケイ素粉末としてグレードが甲第５号証記載のＳＮ−９ＦＷを使用し、かつ回答書１添付参考文献１（「Ｊ．Ａｍ．Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．」７２（１２）２３５９〜６０（１９８９））の記述に基づいて混合粉砕による酸素増量率、焼成による酸素減量率を求め、この係数を勘案することにより先願明細書１発明における窒化ケイ素焼結体のＳｉ３Ｎ４が９０重量％以上であることを主張しているが、先ず先願明細書１発明において、窒化ケイ素粉末としてＳＮ−９ＦＷを採用するということが記載されているわけではない。さらに、上記（１）（ｄ）から先願明細書１発明の焼結体が１８００℃、５気圧の圧力下で３時間焼成しているのに対して、上記参考文献１では１９００℃、１０ＭＰａ（約１００気圧）の圧力下で４時間焼結しているというように両者の焼結条件は相違しているので、上記係数をそのまま先願明細書１発明に適用できるとは云えない。加えて、特許権者の提出した回答書２添付参考文献２（「秩父小野田研究報告」第４７巻　第１冊　第１３０号　第７４〜８１頁（１９９６））には、Ａｌの少ないものを原料とした場合は焼成によって酸素がそれほど減量しないことが記載されているところからみて、どのような焼成条件においても一般的に上記係数が採用できるとは云えないことが裏付けられる。
  してみると、先願明細書１発明の窒化ケイ素焼結体のＳｉ３Ｎ４が９０重量％以上であるとの申立人の主張は採用することができない。
　したがって、上記相違点（ロ）、（ハ）を検討するまでもなく、本件訂正発明は先願明細書１発明と同一であるとすることはできない。
（２）甲第２号証に記載された発明との対比
  甲第２号証には、上記（２）（ｅ）から「Ｙ２Ｏ３　４．８ｍｏｌ％、残部がＳｉ３Ｎ４の原料粉末から製造された熱伝導率が６９Ｗ／ｍ・Ｋである窒化珪素焼結体」が記載されていると云える。
　ここでｍｏｌ％を重量％に換算すると、Ｓｉ３Ｎ４　９３．８ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３　７．２ｗｔ％である。また、上記（２）（ａ）、（ｃ）から窒化珪素焼結体はアルミナ換算でアルミニウムを０．３重量％以下含む。また、上記（２）（ｂ）には「添加物としてモリブデンやタングステン金属、もしくはこれらの酸化物や化合物が着色用に添加される場合もある。」と記載されている。
　これら事項を本件訂正発明の記載に則って整理すると、甲第２号証には
「Ｓｉ３Ｎ４粉末９３．８重量％、Ｙ２Ｏ３粉末７．２重量％及びモリブデンやタングステン金属、もしくはこれらの酸化物や化合物が着色用に添加され、製造された窒化珪素焼結体であって、アルミナ換算でアルミニウムを０．３重量％以下含む、熱伝導率が６９Ｗ／ｍ・Ｋである窒化珪素焼結体。」という発明（以下、「先願明細書２発明」という）が記載されていると云える。
　ここでＹ２Ｏ３は本件訂正発明と先願明細書２発明とでは共通に用いられている。
　したがって、両者は「Ｓｉ３Ｏ４とＡｌ原子とＯ原子とＭｏ、Ｗ元素とを含む窒化ケイ素焼結体。」で一致し、かつ両者の窒化ケイ素焼結体のＡｌ原子の含有量と熱伝導率の数値範囲が重複するから、両者は次の点で相違している。
相違点（イ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体が、９０重量％以上のＳi３Ｎ４と、３．５重量％以下のＯ原子と、０．０１〜１０重量％のＴi、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含んでいるのに対して、先願明細書２発明では、Ｓｉ３Ｎ４粉末９３．８重量％、Ｙ２Ｏ３粉末７．２重量％、モリブデンやタングステン金属、もしくはこれらの酸化物や化合物が添加された原料粉末から製造された窒化ケイ素焼結体である点
相違点（ロ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体の密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上であるのに対して、先願明細書２発明では、その点が不明である点
相違点（ハ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体が波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であるのに対して、先願明細書２発明では、着色されている点
   そこで、先ず相違点（イ）について検討する。
　上記（１）で述べたとおり、原料粉末の組成比率がそのまま焼結体の組成比率となるわけでないから、先願明細書２発明の原料粉末の組成比率が本件訂正発明の焼結体の組成比率と同一であるとまで云うことはできない。
　なお、申立人は、上記（１）で述べたと同じように、甲第５号証、参考文献１により先願明細書２発明における窒化ケイ素焼結体のＳｉ３Ｎ４が９０重量％以上であることを主張しているが、先願明細書２発明においても、窒化ケイ素粉末として甲第５号証のＳＮ−９ＦＷを採用するということが記載されているわけではない。さらに、先願明細書２発明の焼結体の焼成条件は上記（２）（ｄ）、（ｅ）から１９００℃、９気圧、２時間であり、上記参考文献１のそれと相違しているから上記（１）で述べたとおり、上記参考文献１の上記係数は採用することはできず、申立人の主張は採用することができない。
　したがって、上記相違点（ロ）、（ハ）を検討するまでもなく、本件訂正発明は先願明細書２発明と同一であるとすることはできない。
（３）甲第３号証に記載された発明との対比・判断
  甲第３号証には、上記（３）（ｃ）、（ｄ）から「純度９７ｗｔ％であり不純物Ａｌ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋの合計が０．１ｗｔ％以下の窒化珪素原料粉末９３．４ｍｏｌ％、Ｙ２Ｏ３とＥｒ２Ｏ３がｗｔ％比で２：３で６．６ｍｏｌ％、外配でＷＳｉ２が１ｗｔ％から製造された相対密度９９％の窒化珪素焼結体」が記載されていると云える。
  ここで、ｍｏｌ％をｗｔ％に換算し、外配を勘案すると、原料粉末の組成比率は窒化珪素原料粉末８６．４ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３　５．０ｗｔ％、Ｅｒ２Ｏ３　７．５ｗｔ％、ＷＳｉ２　１ｗｔ％となる。
　これら事項を本件訂正発明の記載に則って整理すると、甲第３号証には「純度９７ｗｔ％であり、不純物Ａｌ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋの合計が０．１ｗｔ％以下の窒化珪素原料粉末８６．４ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３　５．０ｗｔ％、Ｅｒ２Ｏ３　７．５ｗｔ％、ＷＳｉ２　１ｗｔ％から製造された相対密度９９％の窒化珪素焼結体。」という発明（以下、「先願明細書３発明」という）が記載されていると云える。
　ここでＹ２Ｏ３は本件訂正発明と先願明細書３発明とで共通に用いられている。
　したがって、両者は「Ｓｉ３Ｎ４とＡｌ原子とＯ原子とＦｅ元素とを含む窒化ケイ素焼結体。」で一致し、次の点で相違している。
相違点（イ）：本件訂正発明１では、窒化ケイ素焼結体が、９０重量％以上のＳi３Ｎ４と、３．５重量％以下のＡｌ原子と、３．５重量％以下のＯ原子と、０．０１〜１０重量％のＴi、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含んでいるのに対して、先願明細書３発明では、純度９７ｗｔ％であり不純物Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋの合計が０．１ｗｔ％以下の窒化珪素原料粉末８６．４ｗｔ％、Ｙ２Ｏ３　５．０ｗｔ％、Ｅｒ２Ｏ３　７．５ｗｔ％、ＷＳｉ２　１ｗｔ％の原料粉末から製造された窒化ケイ素焼結体である点
相違点（ロ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体の密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上であるのに対して、先願明細書３発明では、相対密度９９％である点
相違点（ハ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体の熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるのに対して、先願明細書３発明ではその点が不明である点
相違点（ニ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体が波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であるのに対して、先願明細書３発明では、その点が不明である点
   そこで、先ず相違点（イ）について検討する。
　上記（１）で述べたとおり、原料粉末の組成比率がそのまま焼結体の組成比率となるわけでないから、先願明細書３発明の焼結体の組成比率が本件訂正発明のそれの組成比率と同一であるとまで云うことはできない。
　なお、申立人は、上記（１）で述べたと同じに、参考文献１により先願明細書３発明における窒化ケイ素焼結体のＳｉ３Ｎ４が９０重量％以上であることを主張しているが、先願明細書３発明において、原料粉末中のＳｉ３Ｎ４粉末の含有量でさえ９０ｗｔ％以下であるし、加えて先願明細書３発明の焼結体の焼成条件は上記（３）（ｄ）から１９５０℃、５０気圧の圧力下で２時間であり、上記参考文献１のそれと相違しているから、上記（１）で述べたとおり、上記参考文献１の上記係数をそのまま採用することはできず、申立人の主張は採用することができない。
　したがって、上記相違点（ロ）、（ハ）、（ニ）を検討するまでもなく、本件訂正発明は先願明細書３発明と同一であるとすることはできない。
５−２．上記４−１．（ｉｉ）の主張について
　甲第４号証には、上記（４）（ｂ）、（ｃ）から「純度９７．１％のＳｉ３Ｎ４　９３．９ｗｔ％、純度９８〜９９％のＹ２Ｏ３　２ｗｔ％、純度９８〜９９％のＭｇＯ　３ｗｔ％、純度９８〜９９％のＣｅＯ２　１ｗｔ％、純度９８〜９９．９％のＮｂ２Ｏ３　０．１ｗｔ％の原料粉末から得られた 嵩密度３．２ｇ／ｃｍ３である窒化珪素焼結体。」という発明（以下、「甲４発明」という）が記載されていると云える。
  ここでＹ２Ｏ３は本件訂正発明と甲４発明とは共通の成分である。
　したがって、両者は「Ｓｉ３Ｎ４とＯ原子とＮｂ元素とを含む窒化ケイ素焼結体。」で一致し、甲４発明の「嵩密度」は粉末でなく窒化ケイ素焼結体の「嵩密度」であるから本件訂正発明の「密度」と同じ概念であり、かつ甲４発明の嵩密度の数値は本件訂正発明の密度の数値範囲と重複するから、両者に密度の点で相違はない。したがって、両者は次の点で相違している。
相違点（イ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体が、９０重量％以上のＳi３Ｎ４と、３．５重量％以下のＡｌ原子と、３．５重量％以下のＯ原子と、０．０１〜１０重量％のＴi、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含んでいるのに対して、甲４発明では、純度９７．１％のＳｉ３Ｎ４　９３．９ｗｔ％、純度９８〜９９％のＭｇＯ　３ｗｔ％、純度９８〜９９％のＣｅＯ２　１ｗｔ％、純度９８〜９９．９％のＮｂ２Ｏ３　０．１ｗｔ％の原料粉末から製造された窒化ケイ素焼結体である点
相違点（ロ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体の熱伝導率が６７Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるのに対して、甲４発明ではその点が不明である点
相違点（ハ）：本件訂正発明では、窒化ケイ素焼結体が波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であるのに対して、甲４発明では、その点が不明である点
   そこで、先ず相違点（イ）について検討する。
　上記（１）で述べたとおり、原料粉末の組成比率がそのまま焼結体の組成比率となるわけではないから、甲４発明の窒化ケイ素焼結体組成比率が本件訂正発明の焼結体の組成比率と同一であるとまで云うことはできない。
　また甲第４号証では上記相違点（ロ）、（ハ）について何も示唆されていない。
　なお、申立人は、上記（１）で述べたと同じに、甲第５号証、参考文献１により甲４発明における窒化ケイ素焼結体のＳｉ３Ｎ４が９０重量％以上であることを主張しているが、甲４発明の焼結体の焼成条件は上記（４）（ｂ）、（ｃ）から１８００℃、無加圧下で３０分間であり、上記参考文献１のそれと相違しているから上記（１）で述べたとおり、上記参考文献１の上記係数をそのまま採用することはできず申立人の主張は採用することができない。
　そして本件訂正発明の窒化ケイ素焼結体は「従来に比較して著しく高い熱伝導率と適度な遮光性を有する」という効果を奏する（本件特許掲載公報第３頁第６欄第８〜９行）。
　したがって、本件訂正発明は、甲第４号証に記載された発明であるとも、甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとも云えない。
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、訂正後の本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはことはできない。
　また、他に訂正後の本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、訂正後の本件請求項１に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月２日（２００２．５．２）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３０９２１６７号発明の明細書を、本件訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、
（１）訂正事項ａ
　請求項１に請求項２の要件を追加し、請求項２を削除する。
「【請求項１】９０重量％以上のＳｉ３Ｎ４と、３．５重量％以下のＡｌ原子と、３．５重量％以下のＯ原子と、０．０１〜１０重量％のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含み、密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。」
（２）訂正事項ｂ
　明細書段落【０００８】の「金属元素とを含み、密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が４０Ｗ／ｍＫ以上であって、遮光性を有することを特徴とする。」（本件特許掲載公報第２頁第３欄第３１〜３３行）を、「金属元素とを含み、密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であることを特徴とする。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書段落【００１３】の「酸化物、有機金属化合物等の化合物として添加するこが好ましい。」を、「酸化物、有機金属化合物等の化合物として添加することか好ましい。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
窒化ケイ素焼結体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　９０重量％以上のＳｉ３Ｎ４と、３．５重量％以下のＡｌ原子と、３．５重量％以下のＯ原子と、０．０１〜１０重量％のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含み、密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、電子回路用基板材料などとして好適な高熱伝導率の窒化ケイ素焼結体に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）焼結体は、耐食性及び耐熱性に優れ、且つ高い強度を有するので各種高温材料として使用され、又高い絶縁性と化学的安定性を利用してＩＣ等の電子回路用絶縁基板材料等としても使用されている。
　【０００３】
　特に最近では、半導体の高集積化や大容量化に伴い高熱伝導率の絶縁基板材料を得る試みが盛んに行われ、ＢｅＯ焼結体に続いて、ＡｌＮ焼結体やＳｉＣ焼結体についても高熱伝導率のものが開発されている。
　【０００４】
　しかし、ＡｌＮ焼結体は高温蒸気中で水酸化物が形成され、絶縁性が低下する欠点がある。又、ＳｉＣ焼結体には誘電率が高いという本質的な問題がある。これらの欠点のため、ＡｌＮ及びＳｉＣいずれの焼結体も限られた用途にしか使用されていない現状である。
　【０００５】
　一方、Ｓｉ３Ｎ４焼結体は高強度ではあるが、熱伝導率の高いものを得ることが難しかった。即ち、一般にＳｉ３Ｎ４は緻密化が難しく、又高温の焼結ではＳｉ３Ｎ４の分解昇華の問題もあるため、従来から焼結助剤を添加した液相焼結が行われてきた。液相焼結においても、高温での強度や耐酸化性を重視する立場から、焼結助剤としてＡｌ２Ｏ３系を使用してサイアロン化合物とすることが行われており、研究の主流は高純度化を目指す方向にはなかった。又、高純度なＳｉ３Ｎ４原料粉末の合成も困難であった。従って、従来のＳｉ３Ｎ４焼結体では、焼結助剤や原料粉末に含まれるＡｌやＯ等の異種原子が混入し、粒界層として残ったり又はＳｉ３Ｎ４格子に固溶するためＳｉ３Ｎ４本来の特性を十分に発揮した物性が得られず、報告されている熱伝導率も高々１５Ｗ／ｍ・Ｋ程度のものが通常であった。
　【０００６】
　そのため、Ｓｉ３Ｎ４焼結体を電子回路用基板に用いることは特開昭６２−３０６６３号公報により提案されているが、実用化には至っていない。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明はかかる従来の事情に鑑み、特にＩＣパッケージ用などの電子回路用基板材料として有用な、高熱伝導率のＳｉ３Ｎ４焼結体を提供することを目的とする。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため、本発明の窒化ケイ素焼結体は、９０重量％以上のＳｉ３Ｎ４と、３．５重量％以下のＡｌ原子と、３．５重量％以下のＯ原子と、０．０１〜１０重量％のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素とを含み、密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上、熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上であることを特徴とする。
　【０００９】
　【作用】
　本発明者等は、従来のＳｉ３Ｎ４焼結体の熱伝導率が低い理由は、焼結体の緻密度が低いため内部に存在するポアによりフォノン散乱が起こったり、固溶し又は粒界に残った異種イオン特に酸素やアルミニウムによりフォノン散乱が起こるためと考え、高純度化並びに緻密化を図り、特に酸素とアルミニウムの固溶量を低減させることにより、高熱伝導率のＳｉ３Ｎ４焼結体を得るに至ったものである。
　【００１０】
　即ち、Ｓｉ３Ｎ４が９０重量％以上であって、含有される異種原子のうちＡｌ原子とＯ原子が共に３．５重量％以下であり、且つ密度が３．１５ｇ／ｃｍ３以上の条件を同時に満たすことによって、Ｓｉ３Ｎ４焼結体の熱伝導率が４０Ｗ／ｍ・Ｋ以上という高い値になることが判った。
　【００１１】
　この様に高純度化及び高密度化したＳｉ３Ｎ４焼結体は、上記のごとく高熱伝導率であると同時に、透光性を示すことが判った。しかし、光の透過をきらうＩＣパッケージ等の用途においては、透光性は好ましくない性質である。
　【００１２】
　そこで本発明のＳｉ３Ｎ４焼結体においては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種の金属元素を添加することにより、熱伝導率を低下させずに光の透過を防ぎ、波長４μｍの光に対する吸収係数が６０ｃｍ−１以上というＩＣパッケージ等の用途に対して十分な遮光性を与えている。これらの金属元素は、焼結体中で窒化物あるいは格子欠陥を含む化合物等の形となって光を吸収又は散乱すると考えられ、その含有量が０．０１重量％未満では光の吸収散乱による遮光が不十分であり、逆に１０重量％を超えると焼結体の熱伝導率が低下する。又、上記以外の金属元素では焼結体の熱伝導率が低下し、或いは光の吸収散乱が不十分で好ましい遮光性が得られない。
　【００１３】
　本発明のＳｉ３Ｎ４焼結体の製造においては、原料とするＳｉ３Ｎ４粉末の粒径や純度を厳しく管理する必要がある。具体的には、Ｓｉ３Ｎ４粉末の平均粒径を２μｍ以下、好ましくは０．１〜１．０μｍの範囲とする。又、Ｓｉ３Ｎ４粉末中の酸素含有量は１．５重量％以下、及び固溶しているＡｌ、Ｏ、Ｃ等の陽イオンや陰イオンの不純物の量を合計で１．０重量％以下とすべきである。かかる高純度で微細なＳｉ３Ｎ４粉末は、ＳｉＯ２粉末の還元窒化法、金属Ｓｉの窒化法、有機Ｓｉ化合物の窒化法、あるいは気相合成法などを利用して合成でき、特にＳｉのイミド化合物若しくはシラン化合物の窒化法により合成することが好ましい。又、遮光のために添加するＴｉ等の上記金属元素は、酸化物、有機金属化合物等の化合物として添加することが好ましい。
　【００１４】
　上記Ｓｉ３Ｎ４粉末を遮光のための金属化合物の粉末と混合した後焼結するが、焼結方法は３．１５ｇ／ｃｍ３以上の焼結体密度が得られれば特に限定されず、焼結助剤を用いても用いなくても良いし、常圧焼結でも加圧焼結でも良い。但し、焼結助剤を用いる場合には、ＡｌやＯを固溶させるＡｌ２Ｏ３などは避け、Ｙ２Ｏ３等を用いる。又、焼結温度は１５００〜２２００℃が必要であり、Ｓｉ３Ｎ４の分解を抑制するためＮ２を含む非酸化性ガス雰囲気中で焼結する。
　【００１５】
　【実施例】
　ＳｉＯ２粉末の還元窒化法を利用し、不純物の混入を厳重に制御することにより、酸素含有量が１．２重量％及び固溶不純物量が１００ｐｐｍ以下であり、比表面積（ＢＥＴ値）５．０ｍ２／ｇ（平均粒径約０．３μｍ）のβ型Ｓｉ３Ｎ４粉末を合成した。このＳｉ３Ｎ４粉末にＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＨｆＯ２、Ｖ２Ｏ５、ＮｂＯ、ＴａＯ、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｏ、Ｗ、ＭｎＯ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉから選ばれた少なくとも１種を金属元素換算で０．５重量％、焼結助剤としてＹ２Ｏ３を０．５重量％、及びフェノール樹脂２．０重量％を添加混合した。次に、各混合粉末をＢＮ粉末を塗布したカーボン型に充填し、Ｎ２ガスを流しながら高周波誘導炉で２００ｋｇ／ｃｍ２の加圧下に２０００℃の温度で２０時間焼結し、直径１５ｍｍｘ厚さ５ｍｍのＳｉ３Ｎ４焼結体をそれぞれ製造した。
　【００１６】
　得られた各Ｓｉ３Ｎ４焼結体は密度３．１５ｇ／ｃｍ３以上であり、外観は黒色を呈していた。これらのＳｉ３Ｎ４焼結体を厚さ０．３ｍｍに研削した後、表裏面をラップ加工し、更に微粒ダイヤモンド砥粒でポリッシングして厚さ０．２ｍｍの試料とした。各試料は半透明であって波長４μｍの光に対する吸収係数は１００ｃｍ−１以上（直線透過率で１２％以下）であった。
　【００１７】
　又、上記各Ｓｉ３Ｎ４焼結体を分析したところ、いずれの焼結体も酸素が０．１重量％以下及びＡｌが１０ｐｐｍ以下、その他陽イオン及び陰イオン不純物はすべて１０ｐｐｍ未満であった。更に、各焼結体を厚さ３ｍｍのペレットとし熱伝導率を測定したところ、いずれも５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であった。
　【００１８】
　【発明の効果】
　本発明によれば、従来に比較して著しく高い熱伝導率と適度な遮光性を有し、特に光の透過をきらうＩＣパッケージ等の電子回路用基板材料用として好適なＳｉ３Ｎ４焼結体を提供することができる。