【事件の表示】
　特許第３１７６２５１号「半導体素子収納用パッケージ」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１７６２５１号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３１７６２５１号の請求項１に係る発明は、平成７年５月１９日に特許出願され、平成１３年４月６日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人  渡邊真一（以下、「申立人」という。）により平成１３年１２月１１日に特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．特許異議申立てについて
（１）本件発明
 本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次の事項により特定されるものである。 
「【請求項１】　セラミックス焼結体から成り、上面に半導体素子が載置される載置部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の半導体素子が載置される載置部周辺から下面にかけて導出されるタングステンもしくはモリブデンから成る複数個のメタライズ配線層と、前記絶縁基体の下面に形成され、前記メタライズ配線層が電気的に接続される複数個の接続パッドと、半田から成り、前記接続パッドに取着されるボール状端子とから成る半導体素子収納用パッケージであって、前記ボール状端子の取着される接続パッド表面に厚みが０．５μｍ乃至３μｍである、タングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層を被着させたことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。」　　
　
（２）申立ての理由の概要
　申立人は、
　甲第１号証として特開平４−２４９９２号公報を、甲第２号証として特開平６−２６０７５１号公報を、甲第３号証として特開昭６０−１４２５４７号公報を甲第４号証として特開昭６４−７３０６７号公報を、甲第５号証として特開昭６４−７３０６７号公報をそれぞれ提示して、以下の（２−１）〜（２−３）の旨を主張している。
（２−１）本件発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものである旨。
（２−２）本件発明は、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨。
（２−３）本件明細書は、接続パッド表面に形成するタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層を０．５〜３μｍとした根拠やその形成に際しての温度以外の条件が不明であるから、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易にその実施をすることができる程度に記載されているといえず、特許法第３６条第４〜６項に規定する要件を満たしていない旨。
　
（３）甲各号証の記載について
（３−１）甲第１号証の記載事項
（a）第１頁左欄１６〜１８行には、
「本発明は、配線基板に関し、特に、電子部品の実装に用いられるセラミックス配線基板などに適用して有効な技術に関する。」が記載されている。
（ｂ）第２頁左上欄８〜１５行には、　
「タングステンパターンの上からはみ出したニッケルメッキ層が、当該タングステンパターンの外縁部において下地のセラミックス基板から浮き上がった状態となり楔形の間隙が形成されるため、メタライズ層の外縁部における応力集中によって、下地のセラミックス基板や、メタライズ層の破壊を生じやすいという問題がある。」が記載されている。
（ｃ）第３頁右上欄９行〜第３頁右下欄１２行には、
「まず、…中略…セラミックス基板１の上に、タングステンペースト２ａを印刷などの方法によって所望の配線パターンに転写し、さらに、焼成処理によってタングステンパターン２を形成する（第１の工程）。次に、…中略…タングステンパターン２の上に、たとえば電気メッキなどの方法によって、たとえば５〜１０μｍ程度の厚さのニッケルメッキ層６を形成し、さらにこのニッケルメッキ層６の上に、ＳｎーＰｂ系の半田に対する濡れ性を向上させるべく、金メッキ層７を形成する（第２の工程）。さらに、…中略…たとえば、７５０℃で１０分間程度の加熱処理を施すことにより、タングステンパターン２と、ニッケルメッキ層６との界面に、ＮｉーＷ拡散層８を形成する（第３の工程）。この状態におけるタングステンパターン２の外縁部を拡大して模式的に示したものが第６図であり、同図に示されるように、ニッケルメッキ層６の外縁部は下地のセラミックス基板１から浮き上がった突起６ａをなしており、当該セラミックス基板１との間には楔状の間隙６ｂが形成されている。…中略…次に、…中略…メタライズパターンを、…中略…半田浴２００に浸漬することにより、ニッケルメッキ層６および金メッキ層７を、完全に当該半田浴２００の中に拡散させ、前述のようなニッケルメッキ層６の突起６ａを消失させる。この結果、メタライズパターンＭの外縁部における応力集中などの懸念がなくなり当該メタライズパターンＭや下地のセラミックス基板１などにおける強度が確実に向上する」が記載されている。   
（ｄ）第３頁右下欄８〜１３行には、
「さらに、この処理によって、タングステンパターン２と、ニッケルメッキ層６との界面に形成されていたＮｉ‐Ｗ拡散層８中のＮｉは、半田浴２００中のＳｎ成分によって置換され、タングステンパターン２の表面には、前述のようなＳｎ‐Ｗ反応相４が形成されている。」が記載されている。
（ｅ）第１図には、セラミックス基板１、タングステンパターン２とＳｎーＷ反応層４からなるメタライズパターンＭ、半田３、リード５が下から順に積層されたものが記載されている。
　
（３−２）甲第２号証の記載事項
（ａ）第２欄の【０００１】の産業上の利用分野の項には、
「本発明は薄膜で構成された配線回路基板に係り、特にマイクロソルダリングと呼ばれる微小電極のはんだ付けに好適な接続電極を備えた薄膜配線回路基板及びその製造方法に関する。」が記載されている。
（ｂ）第３欄の【０００５】には、　
「厚い膜厚の形成は、これが原因となって接続端子自身の割れや、熱膨張の違いに基く応力によって基板の破壊などが生じ易い。また材料コストの問題、厚い膜厚を精度良く加工するパターン化の点でも困難となり、これより薄い膜厚ではリペア時にはんだ濡れ不良による接続不良を生じてしまう。」が記載されている。
（ｃ）第５欄の【００１３】には、　
「ＮｉーＷ合金を主金属として、さらにこれら主金属の酸化物（ＮｉＯ、ＷＯなど）を混在させた合金膜をはんだ接続電極の拡散防止用金属として適用することが特に有効であるという知見を得た。」が記載されている。
（ｄ）第８欄の【００３１】には、
「このはんだ接続電極３の構造は、図２に詳しく示すように下層からポリイミド膜などとの接着性を保証するための接着用金属３１としてＣｒ膜、はんだの拡散防止用金属３２としてＮｉ?Ｗ?Ｏ合金膜（Ｎｉ，Ｗおよびこれらの酸化物で構成された合金膜を略記したもの、以下同じ）、最上層にはんだの濡れ性改善、酸化防止用金属３３としてＡｕを積層した構造である。この時、それぞれの膜厚は
、Ｃｒ膜３１＝０．１μｍ、Ｎｉ?Ｗ?Ｏ合金膜３２＝１．０μｍ、Ａｕ膜３３＝０．０５μｍである。」が記載されている。
　
（３−３）甲第３号証の記載事項
（ａ）第１頁左欄１３行〜１８行には、
「本発明は無電解メッキによるＩＣパッケージの製造法に係り、さらに詳しくは無電解Ｎｉメッキの皮膜厚さ寸法とシンター温度の規定による耐熱性とボンディング性及び耐半田性の品質安定化を計った無電解メッキによるＩＣパッケージの製造方法に関するものである。」が記載されている。
（ｂ）第１頁右欄４行〜８行には、
「これらのＮｉメッキやＡｕメッキの被膜厚さが規定されておらず、またＮｉメッキ被膜後のシンター温度が規定されていなかったために、耐熱変色が起きたり、ボンディング性や耐半田性での接着強度の問題が発生した。」が記載されている。
（ｃ）第１頁左欄の特許請求の範囲には、　
「導体回路をもつ焼結したＩＣセラミックパッケージまたは多層配線基板に無電解Ｎｉメッキを施して製作するＩＣパッケージの製造法において、該無電解Ｎｉメッキ厚さを１．５〜８．０μｍの範囲内で施し、これを温度７００〜９００℃範囲内の還元雰囲気中でシンターすることを特徴とする無電解メッキによるＩＣパッケージの製造法。」が記載されている。
（ｄ）第１頁右下欄１９行〜第２頁左上欄１６行には、
「ＷまたはＷーＭｏ系のメタライズ導体回路に無電解Ｎｉメッキの下地被覆を行い、その上面に無電解Ａｕメッキを施してＩＣパッケージや多層配線基板を制作する際の問題点は、メタライズ面とＡｕ被膜の中間層である無電解Ｎｉメッキが、メタライズ面と無電解Ａｕメッキの両者に、確実に強固に密着することにあると云っても過言ではない。…中略…無電解Ｎｉメッキ厚さを１．５〜８．０μｍの範囲内に限定した理由は、１．５μｍ以下では４５０℃の耐熱性において変色の劣化があり、耐半田性では半田の濡れ性が悪かった。また、８μｍ以上ではアルミ線のボンディング性で接着が充分に満足できなかった。」が記載されている。
（ｅ）第２頁右上欄１９行〜左下欄１０行には、
「Ｗ粉末を調整したペーストにてＡｌ２Ｏ３９２％のグリーンシート状に配線回路を印刷したものを…中略…焼結してＩＣパッケージを制作した。これを…中略…無電解Ｎｉメッキ中に浸漬してメッキ被膜厚さ…中略…８種類で…中略…制作した。これをシンター温度…中略…に分けてシンターした。これらに無電解Ａｕメッキにて２μｍ厚さに被膜した。」が記載されている。
　
（３−４）甲第４号証の記載事項
（ａ）第１頁右欄７行〜１３行には、
「一般に、ＭｏまたはＷを電子部品構成材料とする場合、半導体や絶縁板との接合媒体にはんだを使用する。しかし、ＭｏまたはＷに直接はんだを付けることは不可能であり、電子部品を組み立てる前に、ＭｏまたはＷ表面にはんだ付可能な金属を被覆する必要がある。」が記載されている。
（ｂ）第２頁右上欄１４行〜左下欄３行には、　
「ＭｏまたはＷ母材にＮｉを被覆する方法において、ＭｏまたはＷ母材に５０００Å以下のＮｉを被覆する第１工程と、該ＭｏまたはＷ母材を無酸化雰囲気中で加熱し、ＭｏまたはＷ母材表面に、ＮｉーＭｏもしくはＮｉーＷ金属間化合物を形成する第２工程と、該ＭｏまたはＷ母材にＮｉめつきを施す第３工程と、該ＭｏまたはＷ母材を６００〜９００℃の無酸化雰囲気中で加熱する第４工程とよりなるＭｏまたはＷ母材へのＮｉ被覆方法である。」が記載されている。
（ｃ）第２頁左下欄１７行〜右下欄１３行には、
「第３工程は、ＭｏまたはＷ母材にはんだ付け機能をもたせる工程であり、さらに第４工程ははんだ耐久性を向上させる。従って、第３工程のめっき厚は最大１０μｍ程度で十分であり、数μｍの厚さのＮｉ中に適度に母材金属を導くには、第４工程を６００〜９００℃とするのが適当である。ここで、第２工程を無酸化雰囲気中としたのは該金属間化合物の表面の酸化が該金属間化合物と第３工程で形成される形成されるＮｉ層の密着性に悪影響を及ぼすためであり、水素、窒素、アルゴン、ヘリウム等またはこれらの混合雰囲気もしくは真空中でなされる。同様に、第４工程も無酸化雰囲気中で行われる。これは、Ｎｉめっき表面の酸化がはんだ付けに著しく有害なためであり、第４工程を大気中で行えばはんだ付け可能な表面処理という本来の製品機能を失ってしまう。」が記載されている。
（ｄ）第３頁左上欄８行〜左下欄７行には、
「本発明の実施例を次に説明する。長さ５０ｍｍ×幅３０ｍｍ×厚さ１．５ｍｍの純度９９．９％のＭｏ片とＷ片を各４枚ずつエッチングし、各２枚ずつ無電解Ｎｉめっきと電気Ｎｉめっきを施した無電解ＮｉめっきはＰ１％を含有する市販のめっき液を使用し、電気Ｎｉめっきは通常のワット浴で、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で行った。こうして、２種の母材、２種の第１工程を経た各４枚のＭｏ母材とＷ母材とを得た。無電解Ｎｉめっき厚は３０００Å、電気Ｎｉめっき厚は１μｍであった。次に、これらのＭｏまたはＷ母材を９００℃の真空熱処理炉で３０分加熱した。次に、電気Ｎｉめっきを１Ａ／ｄｍ２で５μｍ施した。こうして、第３工程まで経た１条件各２枚のＭｏまたはＷ母材は、１枚は第４工程を施し、１枚は第４工程を省略して、はんだ付けに供した。第４工程は、ピーク温度８００℃、６００℃以上の保持時間１０分に設定されたベルト炉に該ＭｏまたはＷ母材を通過させた。…中略…さらに前記はんだ付け条件下で４回リフローを施し、合計８枚のＭｏまたはＷ母材のはんだ接合強度を引っ張り試験で評価した。その結果、第４工程を省略したものの接合強度は第４工程を施したものに比べて３０％しかなくＳｎーＮｉ金属間化合物間で破断していた。一方、第４工程を施したものは、はんだ内で破断しており、高温環境下でもＳｎーＮｉ金属間化合物が成長しないことが予想された。そこで、これらのＭｏまたはＷ母材の断面をＥＰＭＡで分析した。第１図、第２図に示すように、第４工程の有無により、母材金属がＮｉ中に導かれ、ＳｎのＮｉ中への侵入を阻止していることが判明した。」が記載されている。
（ｅ）第３頁左下欄９行〜１３行には、
「第１図は、本発明の実施例で得られたＮｉを被覆したＭｏ母材の深さ方向の濃度分布である。第２図は、実施例で比較用に作製した前記第４工程を省略したＭｏ母材の深さ方向の濃度分布である。」が記載され、同頁右下欄にはそれぞれ第１図および、第２図が記載されている。
（３−５）甲第５号証の記載事項
（ａ）第１頁左欄「発明の属する技術分野」の項には、
「本発明はモリブデン（Ｍｏ）やタングステン（Ｗ）などのような高融点で酸化に対して活性な金属をろう付けする際に施す下地ニッケル（Ｎｉ）めつき層の形成方法に関する。」が記載されている。
（ｂ）第２頁左上欄１９行〜右上欄７行には、　
「またこのめつき方法で得られる厚さ５〜１０μｍのＮｉめつき層は密着強度が十分でないこと、Ｎｉめつき層にガスが吸蔵され、この吸蔵ガスが、ろう付けの際放出されてろう付け性を損なうこと、および熱膨張係数がそれぞれＭｏ５．２×１０‐６／℃、Ｗ４．４×１０‐６／℃に対して、Ｎｉｌ２．８×１０‐６／℃であり、この熱膨張係数の差によってめつき層に剥離を生ずるなどの欠点があった。」が記載されている。
（ｃ）第２頁左下欄１行〜第３頁左上欄１行には、
「実験１．
　直径５ｍｍφ ，長サ４０ｍｍのＭｏ棒を試験片とし、ＨＦ：ＨＮＯ３ の容積比が９０：１０の混酸を用いて１５〜３０秒間酸処理を行った後、１次Ｎｉめつきとして電解Ｎｉめつき液のワット浴を用い０．３〜４．０μｍの範囲でめっき範囲でめっき厚さを変えてＮｉめつきを施し、これをＨ２：Ｎ２＝３：１のガス雰囲気の炉中で４００〜１４００℃の範囲で６段階の温度を設定して熱処理し一次めつき厚さと熱処理温度との関係が一次Ｎｉめつき層に及ぼす影響を観察した。その結果を第１表に示す。第１表から、１次Ｎｉめつき層としては０．３〜１．０μｍ厚の範囲では全温度領域にわたって剥離することなく良好な密着状態を示すが２．０μｍでは４００℃からやや剥離が見られ１０００℃以上になると完全に剥離を起こす。これに対して１次Ｎｉめつき層の厚さが４．０μｍに対しては全温度領域にわたって剥離してしまう。したがって１次Ｎｉめつき層の好ましい厚さの範囲は０．３〜１．０μｍであることがわかる。なおこの厚さが０．３μｍ以下では、均一なＮｉめつき層が得られないことと熱処理によってＭｏ側へ拡散し、めつき層が剥離する原因となることが別途実験により確かめられている。また１次めつき後に熱処理を施すのは、ＭｏとＮｉめつき層との間に相互拡散による拡散層を形成せしめ両者の結合力を大きくし、めつき層の密着性を高めるためであるが、十分な拡散を進行させるには熱処理温度範囲は８００〜１２００℃がよく、あまりに高すぎるとＮｉめつき層の拡散が進行しすぎて１次めつき層の厚さが減少して後述する２次Ｎｉめつき層との付着性が悪くなるからである。」が記載されている。
（ｄ）第３頁右上欄２行〜１５行には、
「第１図は１次めつき後の熱処理温度と、さらに二次めつきを施してつき合わせろう接したＭｏ棒の引張強さとの関係を表わした線図であり引張強さは各熟処理温度につき１次Ｎｉめつき厚０．３、０．５、１．０μｍの試験片各１本とした３本の平均値をプロットして第１図からわかるように、４００〜６００℃で熱処理したものの引張強度は低く、この温度では試験片の接合界面で破断しＭｏと１次Ｎｉめつき層の密着性が十分でないのに対し、熱処理温度８００〜１２００℃のものは接合部内で破断し、高い引張強度が得られており、この温度領域ではＭｏと１次Ｎｉめつき層との相互拡散が進行し、合金層を形成することにより強固な密着性が得られることを示している。」が記載され、第５頁には、第１図が記載されている。
（ｅ）ろう材に関して、第３頁左上欄１３行には「銀ろう材ＢＡｇー８箔」が、第３頁右下欄末行には「ＢＡｕー１の金ろう」が、第４頁左上欄１行には「ＢＮｉー４のニッケルろう」が、それぞれ記載されている。
　
（４）．対比・判断
（４−１）前記理由（２−１）および（２−２）について
　本件発明は、前述のとおりのものであるから、これを２つの要件に分けると、次の要件Ａと要件Ｂとからなるものである。
要件Ａ：「セラミックス焼結体から成り、上面に半導体素子が載置される載置部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の半導体素子が載置される載置部周辺から下面にかけて導出されるタングステンもしくはモリブデンから成る複数個のメタライズ配線層と、前記絶縁基体の下面に形成され、前記メタライズ配線層が電気的に接続される複数個の接続パッドと、半田から成り、前記接続パッドに取着されるボール状端子とから成る半導体素子収納用パッケージ」
要件Ｂ：「前記ボール状端子の取着される接続パッド表面に厚みが０．５μｍ乃至３μｍである、タングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層を被着させたことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ」
　これに対し、甲第１号証には、その前記（ａ）〜（ｅ）の内容からみて、
　第１の工程で、セラミックス基板１の上に、タングステンペースト２ａを所望の配線パターンに転写し、その後、焼成処理によってタングステンパターン２を形成し、第２の工程で、前記タングステンパターンの上に、たとえば５〜１０μｍ程度の厚さのニッケルメッキ層６を形成し、さらに、このニッケルメッキ層６の上に、Ｓｎ−Ｐｂ系の半田に対する濡れ性を向上させるべく、金メッキ層７を形成する。第３の工程で加熱処理を施すことにより、タングステンパターン２と、ニッケルメッキ層６との界面に、Ｎｉ−Ｗ拡散層８を形成し、こうして得られた、いわゆるメタライズパターンを、次の第４の工程で、半田浴２００に浸漬することにより、ニッケルメッキ層６および金メッキ層７を、完全に当該半田浴２００の中に拡散させ、タングステンパターン２の表面に、Ｓｎ‐Ｗ反応相４を形成することにより製造される、電子部品の実装等に用いられるセラミックス配線基板に適用する材料であって、セラミックス基板１、タングステンパターン２とＳｎ−Ｗ反応層４からなるメタライズパターンＭ、半田３、リード５が下から順に積層されたものに係る発明、
　すなわち、電子部品の実装等に用いられるセラミックス配線基板に適用する材料であり、セラミックスにタングステン層及び５〜１０μｍ程度のニッケルメッキ層を施し、熱処理により、ニッケルメッキ層の界面にＮｉ−Ｗ拡散層を形成することにより得られ、半田を積層したときの層構造が、セラミックス基板１、タングステンパターン２とＳｎ−Ｗ反応層４からなるメタライズパターンＭ、半田３の順となる発明（以下、甲第１号証発明という。）が記載されているといえる。
　そこで本件発明と、甲第１号証発明とを対比すると、以下の（１）、（２）の点で相違する。
（１）本件発明は、セラミックス配線基板と異なる半導体収納用パッケージに係るものである（要件Ａ参照）のに対して、甲第１号証発明はセラミックス配線基板に適用する材料である点、
（２）本件発明は、半田とタングステンの界面に存在する層がタングステン−ニッケル合金層もしくはモリブデン−ニッケル合金層であり、かつ、その厚みが０．５μｍ乃至３μｍである（要件Ｂ参照）のに対して、甲第１号証発明においては、Ｓｎ−Ｗ層である点。
　そして、甲第１号証には、（１）に係る材料について、半導体収納用パッケージに適用することを示唆する記載はなく、また、（２）に係る層を本件発明におけるようなタングステン−ニッケル合金層やモリブデン−ニッケル合金層層に変えること、さらには、その厚みを０．５μｍ乃至３μｍとすることについては、記載も示唆もない。
　したがって、本件発明が、甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　
　また、上記（１）、（２）の相違点について検討するに、
　甲第２号証には、配線回路基板が記載され、当該基板として、高抵抗基板１、ＣｕまたはＡｌ薄膜または厚膜４、ポリイミド膜などの有機材料４からなる絶縁層、該絶縁層との（スルーホールを設けてコンタクトを取る際の）接着性を保証するためのＣｒ膜３１、はんだ拡散防止するためのＮｉーＷ合金膜３２からなる基板を用いることが記載され、ハンダが接触する面をＮｉーＷ合金膜とすることが記載されているものの、当該基板は半導体収納用パッケージに適用するものでなく、セラミックス焼結体を絶縁層とするものでなく、さらに、ＮｉーＷ合金膜の厚さを０．５μｍ乃至３μｍとするものでない点で、本件発明の要件Ａ、Ｂを示唆するものでなく、（１）、（２）の相違点に係る本件発明の特定事項を示唆するものでもない。
　甲第３号証には、ＩＣパッケージの導体回路について、それがＷまたはＷーＭｏ系のメタライズ層、ＷまたはＷーＭｏとＮｉの合金層、Ｎｉ層、Ａｕ層からなり、Ｎｉ層の厚みが１．５〜８．０μｍの範囲内であることが記載され、半導体収納用パッケージについて記載されているといえるものの、当該記載は、ＷまたはＷーＭｏとＮｉの合金層の上に、さらにＮｉ層が存在する点で、本件発明の要件Ｂを示唆するものでなく、（２）の相違点に係る本件発明の特定事項を示唆するものでもない。
　また、甲第４号証には、ＭｏまたはＷ母材にＮｉを被覆した後、加熱し、さらに、Ｎｉめっきを施した後、再度加熱して、ＮｉーＭｏもしくはＮｉーＷ金属間化合物を形成し、その表面層をＮｉ層とすることが記載されているものの、当該記載は、半導体素子収納用パッケージについて記載するものでなく、セラミック焼結体についても、さらには、ボール状端子の取着される接続パッド表面を、厚みが０．５μｍ乃至３μｍのタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層とすることについても示唆するところがないから、本件発明の要件Ａ、Ｂを示唆するものでなく、（１）、（２）の相違点に係る本件発明の特定事項を示唆するものでもない。
　甲第５号証には、ニッケルメッキ層の形成方に際して、その層構成を、ＭｏやＷにＮｉを相互拡散させた層、Ｎｉ層、ろう（銀ろう材ＢＡｇー８、ＢＡｕー１の金ろう、ＢＮｉー４のニッケルろう）とすることが記載されているものの、半導体素子収納用パッケージやセラミック焼結体のメッキについて、さらには、半田の使用や、接続パッド表面をは、Ｎｉ単独層である。しかも、厚みが０．５μｍ乃至３μｍのタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層とすることを示唆するところがないから、本件発明の要件Ａ、Ｂを示唆するものでなく、（１）、（２）の相違点に係る本件発明の特定事項を示唆するものでもない。
　したがって、甲第１〜５号証を総合しても、本件の（２）に係る要件を示唆するところはなく、本件発明の要件Ｂが当業者に容易に想到できるものであるとすることはできない。
　そして、本件発明は、前記要件を備えることにより、明細書に記載されたとおりの、以下の効果を奏するものである。
「半導体素子収納用パッケージとして、ボール状端子が取着される接続パッド表面にタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層を被着させたことから接続パッドとタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層、及びタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層とボール状端子の接合強度が強固となり、接続パッド及びボール状端子に半導体素子収納用パッケージの絶縁基体と外部電気回路基板の熱膨張係数の相違に起因する大きな熱応力が作用してボール状端子が接続パッドより剥離することはなく、その結果、半導体素子収納用パッケージの内部に収容する半導体集積回路素子の各電極を長期間にわたり所定の外部電気回路に正確に電気的接続させることが可能となる。また、接続パッド表面のタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層の厚みを０．５μｍ 乃至３μｍとすると接続パッドとタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層、及びタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層とボール状端子の接合がより強固となり、半導体集積回路素子の外部電気回路への接続がより高信頼性のものとなる。」（段落番号【００２４】、【００２５】参照）。
　してみると、本件発明が、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　付言するに、申立人は、「甲第４号証において、（ａ）第１図には、（メッキーシンターメッキーシンターによる）Ｍｏ〜Ｍｏ−Ｎｉ（０〜１０μｍ程度）〜Ｓｎ（はんだ）が開示され、（ｂ）第２図（メッキーシンターーメッキ）においてはＭｏーＮｉ合金層はおよそ２．０〜２．５μｍが開示されている。」と主張しているが、この点については、「（３−４）（２）」で認定したとおり、Ｍｏ母材上にＭｏ−Ｎｉ合金層を形成し、当該Ｍｏ−Ｎｉ合金層の上にＮｉ層を設け、これをはんだ付けに供したものであるから、当該第１、２図は、本件発明を記載するものでも示唆するものでもない。　
　
（４−１）前記理由（２−３）について
　接続パッド表面に形成したタングステンーニッケル合金層もしくはモリブデンーニッケル合金層を０．５〜３μｍとした理由は、段落番号【００１９】に記載されており、当該記載から、その技術的な意義は当業者が容易に理解することができる。
　また、温度範囲８５０℃〜１０００℃に加熱することにより所望厚みに被膜が形成されることは、明細書の段落番号【００１８】に記載されているところであり、温度条件のみを変化させて実験する等、当該記載に基づき、当業者が容易に所望の被膜の厚さを得ることが可能と解される。
　したがって、本件明細書の記載が、具体的な根拠や条件の開示を欠くという理由のみで、特許法第３６条第４項〜第６項に規定する要件を満足しないとすることはできない。
　
３．むすび
　前記のとおりであるから、本件発明の特許は、特許異議の申立ての理由および証拠方法によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月６日（２００２．３．６）