【事件の表示】
　特許第３１２７２４５号「多層型電子材料、その製造方法、それを用いたセンサー及び記憶デバイス」の請求項１〜９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２７２４５号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１２７２４５号の請求項１〜９に係る発明についての出願は、平成１１年９月３日に特許出願され、平成１２年１１月１０日にその発明について特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人木村和夫により特許異議の申立がなされ、取消理由の通知（平成１３年１１月１６日付け）がなされ、その指定期間内である平成１４年１月２９日に訂正請求がなされたものである。
　　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ        
　特許請求の範囲の請求項１〜９の
「【請求項１】　非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料から成る基板上に、ペロブスカイト系導電体層を介して形成されたペロブスカイト系誘電体配向層を有する多層型電子材料。
【請求項２】　基板がセラミックス多結晶体から成る請求項１記載の多層型電子材料。
【請求項３】　ペロブスカイト系導電体がＬａＮｉＯ３である請求項１又は２記載の多層型電子材料。
【請求項４】　ペロブスカイト系誘電体配向層が、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分としてなる請求項１、２又は３記載の多層型電子材料。
【請求項５】　非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料から成る基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させ、次いでその上にペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層することを特徴とする多層型電子材料の製造方法。
【請求項６】　ガラス基板上に、水溶性ランタン塩及び水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中で焼成して、ＬａＮｉＯ３系導電体層を形成させ、次いでその導電体層上にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分とする誘電体をスパッタリングしたのち、０．１Ｐａ〜０．１ＭＰａのアルゴン雰囲気中、３００〜８００℃の温度において熱処理してＰＺＴ系誘電体配向層を形成させる請求項５記載の多層型電子材料の製造方法。
【請求項７】　ＬａＮｉＯ３系導電体層の形成とＰＺＴ系誘電体層の形成を繰り返し行う請求項５又は６記載の多層型電子材料の製造方法。
【請求項８】　請求項１ないし４のいずれかに記載の多層型電子材料で構成されたクラック発生及びその進展状態を診断するためのセンサー。
【請求項９】　請求項１ないし４のいずれかに記載の多層型電子材料で構成
された記憶デバイス。」を
　「【請求項１】　非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料からなる基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させ、次いでその上にペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層することを特徴とする多層型電子材料の製造方法。
【請求項２】　ガラス基板上に、水溶性ランタン塩及び水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中で焼成して、ＬａＮｉＯ３系導電体層を形成させ、次いでその導電体層上にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分とする誘電体をスパッタリングしたのち、０．１Ｐａ〜０．１ＭＰａのアルゴン雰囲気中、３００〜８００℃の温度において熱処理してＰＺＴ系誘電体配向層を形成させる請求項１記載の多層型電子材料の製造方法。
【請求項３】　ＬａＮｉＯ３系導電体層の形成とＰＺＴ系誘電体層の形成を繰り返し行う請求項２記載の多層型電子材料の製造方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書発明の名称の欄の「多層型電子材料、その製造方法、それを用いたセンサー及び記憶デバイス」を
　「多層型電子材料の製造方法」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　明細書段落【０００１】の第３〜４行（特許公報第３欄第１２〜１３行）の「多層型電子材料及びその製造方法」を
　「多層型電子材料の製造方法」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　明細書段落【０００３】の第３〜４行（特許公報第３欄第３２行）の「配向膜を提供することを」を
　「配向膜を得るための方法を提供することを」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書段落【０００４】の第４〜５行（特許公報第３欄第３８〜３９行）の「先ずペロブスカイト系導電体膜を設け、その上にペロブスカイト系誘電体膜を」を
　「先ず原料成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布後、熱処理してペロブスカイト系導電体膜を設け、その上にスパッタリングによりペロブスカイト系誘電体膜を」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書段落【０００５】の第１〜５行（特許公報第３欄第４４〜５０行）の「非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料から成る基板上に、ペロブスカイト系導電体層を介して形成されたペロブスカイト系誘電体配向層を有する多層型電子材料、及び非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料から成る基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む塗布液を」を
　「非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料からなる基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　明細書段落【０００６】の第２行（特許公報第４欄第７行）の「本発明電子材料における」を
　「本発明方法で用いる」と訂正する。
（８）訂正事項ｈ
　明細書段落【０００７】の第１行（特許公報第４欄第１４〜１５行）の「本発明電子材料においては、このような基板上に」を
　「本発明方法においては、このような基板上に、原料成分を含む水溶液からなる塗布液を用いて」と訂正する。
（９）訂正事項ｉ
　明細書段落【０００８】の第１〜２行（特許公報第４欄第２２〜２４行）の「必要な成分を含む塗布液、例えば水溶性ランタン塩や水溶性ニッケル塩を含む水溶液」を
　「必要な成分を含む水溶液からなる塗布液、例えば水溶性ランタン塩や水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液」と訂正する。
（１０）訂正事項ｊ
　明細書段落【０００９】の第１行（特許公報第４欄第３６行）の「本発明においては、」を
　「本発明方法においては、」と
同第５〜６行（特許公報第４欄第４１〜４３行）の「例えば・・・適している。」を
　「スパッタリング法を用いて形成されるが、」と
同第１０〜１１行（特許公報第４欄第４７〜４８行）の「例えば、スパッタリング法を用いて」を
　「例えば、」と、それぞれ訂正する。
（１１）訂正事項ｋ
　明細書段落【００１０】の第１行（特許公報第５欄第４行）の「本発明においては、」を
　「本発明方法においては、」と
同第４行（特許公報第５欄第７行）の「本発明の電子材料においては、」を
　「本発明においては、」と、それぞれ訂正する。
（１２）訂正事項ｌ
　明細書段落【００１３】の第１行（特許公報第５欄第２９行）の「実施例１」を
　「実施例」と訂正する。
（１３）訂正事項ｍ
　明細書段落【００１５】の第１行（特許公報第６欄第１７行）の「実施例２」を
　「参考例１」と
同第２行及び第６行（特許公報第６欄第１８行及び第２３行）の「実施例１」を
　「実施例」と、それぞれ訂正する。
（１４）訂正事項ｎ
　明細書段落【００１６】の第１行（特許公報第６欄第４１行）の「実施例３」を
　「参考例２」と
同第２行（特許公報第６欄第４２行）の「実施例１」を
　「実施例」と、それぞれ訂正する。
（１５）訂正事項ｏ
　明細書段落【００１７】の第１行（特許公報第７欄第２行）の「実施例４」を
　「参考例３」と
同第２行（特許公報第７欄第３行）の「実施例１」を
　「実施例」と、それぞれ訂正する。
（１６）訂正事項ｐ　
　明細書段落【００１８】の第１行（特許公報第７欄第１０行）の「実施例５」を
　「参考例４」と
同第２行（特許公報第７欄第１１行）の「実施例１」を
　「実施例」と、それぞれ訂正する。
（１７）訂正事項ｑ
　明細書段落【００１９】の第４〜５行（特許公報第７欄第２３〜２４行）の「電子材料を提供するとともに、応力状態の検知ができるセンサーを提供する。」を
　「電子材料が提供され、このものは例えば、応力状態の検知ができるセンサーとして有用である。」と訂正する。
（１８）訂正事項ｒ
　明細書図面の簡単な説明中、【図１】の欄第１行、【図２】の欄第１行、【図３】の欄第１行、【図４】の欄第１行、【図５】の欄第１行、【図６】の欄第１行及び【図７】の欄第１行（特許公報第８欄第２行、第４行、第６行、第８行、第１０行、第１２行及び第１４行）の「本発明電子材料」を
　「本発明方法により得られた電子材料」と、それぞれ訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、訂正前の請求項１〜４、８，９を削除し、訂正前の請求項６の「水溶性ランタン塩及び水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液」、並びに明細書の段落【０００８】の記載「このペロブスカイト系導電体層を形成するには、先ずこれを生成するのに必要な成分を含む塗布液、例えば水溶性ランタン塩や水溶性ニッケル塩を含む水溶液を基板上に塗布する。・・・」に基づいて、訂正前の請求項５の「ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む塗布液」を「ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液」に限定し、訂正前の請求項７において引用する請求項を、「請求項５又は６」から「請求項６」のみとするとともに、訂正前の請求項５〜７の請求項の項番号を１〜３とし、それに伴って、引用する請求項の項番号を整合させるものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　訂正事項ｂ〜ｑは、上記訂正事項ａと整合を図るためのものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、上記訂正事項ａ〜ｑのいずれの訂正も願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内のものであって新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
２−３．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
３−１．申立て理由及び取消理由の概要
　特許異議申立人木村和夫は、下記の甲第１〜５号証を提出し、請求項１、７に係る発明は甲第２〜４号証に記載された発明、請求項２、３、５、６、８、９に係る発明は甲第２〜５号証に記載された発明、請求項４に係る発明は甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１〜９に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものである、と主張している。
　平成１３年１１月１６日付けの取消理由は、上記特許異議申立て理由と同趣旨の取消理由以外に、請求項１〜９に係る特許は、明細書の記載が不備のため特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである、というものである。
　甲第１号証：米国特許第５１８５６８９号明細書
　甲第２号証：特開平５−２３４８０９号公報
　甲第３号証：Appl．Phys．Lett．68.(10),1996　pp.1430-1432
　甲第４号証：Jpn．J．Appl．Phys．36（1997）(6A)，pp.L690−L692　
　甲第５号証：特開平１０−２４５２９８号公報　
３−２．本件発明
　上記訂正が認められて、訂正前の請求項１〜４、８、９は削除され、訂正前の請求項５〜７は訂正後の請求項１〜３に対応するから、本件特許３１２７２４５号の請求項１〜３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、請求項１〜３に係る発明を「本件発明１〜３」という。）。
　「【請求項１】　非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料からなる基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させ、次いでその上にペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層することを特徴とする多層型電子材料の製造方法。
【請求項２】　ガラス基板上に、水溶性ランタン塩及び水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中で焼成して、ＬａＮｉＯ３系導電体層を形成させ、次いでその導電体層上にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分とする誘電体をスパッタリングしたのち、０．１Ｐａ〜０．１ＭＰａのアルゴン雰囲気中、３００〜８００℃の温度において熱処理してＰＺＴ系誘電体配向層を形成させる請求項１記載の多層型電子材料の製造方法。
【請求項３】　ＬａＮｉＯ３系導電体層の形成とＰＺＴ系誘電体層の形成を繰り返し行う請求項２記載の多層型電子材料の製造方法。」
３−３．各甲号証に記載された発明
　甲第２〜５号証には、それぞれ次のとおりの発明が記載されている。
甲第２号証：特開平５−２３４８０９号明細書
　「【請求項１】　電極と、Ｐbを組成に含むペロブスカイト型強誘電体膜とで構成されるキャパシタであって、上記電極は、導電性を有するペロブスカイト型酸化物からなることを特徴とするキャパシタ。」（特許請求の範囲の請求項１）
　「・・・この発明の目的は、電極とＰbを組成に含むペロブスカイト型強誘電体膜とで構成されるキャパシタであって、電極とＳi系材料とが反応せず、かつ、密着性が良く、しかも、上記強誘電体膜の組成を化学量論的組成比に保って良好な特性を示すことができるキャパシタを提供することにある。」（段落【０００４】）
  「【実施例】・・・Ｓi系材料１上に、スパッタリング法により、電極２と、Ｐbを組成に含むペロブスカイト型強誘電体膜３とを設けてキャパシタを構成した。上記電極２の材料として、導電性を有するペロブスカイト型酸化物、すなわち、・・・ＬaＮiＯ3・・・ＳｒＲｕＯ3・・・ＢａＰｂＯ3，ＢａＰｂ1-xＯ3・・・を個々に採用した。強誘電体膜３は、ＰＺＴ(ＰbＺrxＴi1-xＯ3)膜またはＰＬＺＴ((Ｐb1-xＬax)(ＺryＴi1-y)1-x/4Ｏ3)膜を採用した。なお、電極２のスパッタリング条件はＡr:Ｏ2＝８:２、圧力１０〜２０mmＴorrとし、膜厚は３０００Åとした。また、ＰＺＴ膜,ＰＬＺＴ膜３のスパッタリング条件は、Ａr:Ｏ2＝８:２、圧力１０〜１００mmＴorrとし、膜厚は３０００〜５０００Åとした。」（段落【０００８】〜【０００９】）
甲第３号証：Appl．Phys．Lett．68.(10),1996　pp.1430-1432
　「ＰｔとＬａＮｉＯ３（ＬＮＯ）の電極の組み合わせを変えて、Ｐｔ／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＬＮＯ／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＬＮＯ／ＰＺＴ／ＬＮＯ／Ｐｔ／Ｓｉ，及び、Ｐｔ／ＰＺＴ／ＬＮＯ／Ｐｔ／Ｓｉの４タイプのキャパシタを作製し、ゾル−ゲル法により形成されたＰｂ（Ｚｒ０．５３Ｔｉ０．４７）Ｏ３（ＰＺＴ）強誘電体薄膜の耐疲労性とヒステリシス特性について研究した。それらの中で、(100)-及び(001)-配向ＰＺＴ膜は、(100)-配向ＬＮＯ電極上に成長し、不規則に配向した膜は、Ｐｔ電極上に得られた。」（第１４３０頁上欄第７〜１１行）
　「Ｐｔ／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＬＮＯ／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｓｉ，Ｐｔ／ＬＮＯ／ＰＺＴ／ＬＮＯ／Ｐｔ／Ｓｉ，及び、Ｐｔ／ＰＺＴ／ＬＮＯ／Ｐｔ／Ｓｉの４タイプのキャパシタが作製された。それらは、すべて酸化されたシリコンウエハ上に成長させたが、ＰｔとＳｉＯ２／Ｓｉとの間の密着性向上のために、薄いＴｉ層を介在させた。高度に(100)-配向したＬＮＯ膜が、rfマグネトロンスパッタリングにより堆積された。・・・ＬＮＯ膜の電気伝導度は、電極として作用するのに充分高かった。・・・Ｚｒ／Ｔｉの割合が５３／４７で、Ｐｂが５mol％過剰であるＰＺＴ薄膜が、基板上にゾル−ゲル法によりスピンコート法で適用された後、６５０度で３０分間、空気中で熱処理されて形成された。」（第１４３０頁第２６〜４０行）
甲第４号証：Jpn．J．Appl．Phys．36（1997）(6A)，pp.L690−L692　
　「導電性ペロブスカイト酸化物である多結晶ＳｒＲｕＯ3の薄膜が、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3キャパシタの新しい電極候補物質を探す観点から研究された。」（Ｌ６９０頁左欄第８〜１１行）
　「膜厚２００nmの多結晶ＳｒＲｕＯ３膜が熱酸化されたＳｉウエハ上に、６００℃、０．５５Ｐａ、Ｏ２／Ａｒ比が２／８において、rf反応性スパッタリングにより堆積された。厚さ３００nmのＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３膜がＳｒＲｕＯ３／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板上に、ゾル−ゲル法による沈積、空気中での６５０℃、１０分間の最終熱処理により形成された。」（Ｌ６９０頁左欄第１９〜２５行）
甲第５号証：特開平１０−２４５２９８号公報
　「【請求項２】  等方状ペロブスカイト型化合物多結晶または層状ペロブスカイト型化合物多結晶よりなる結晶配向セラミックス基板と，該結晶配向セラミックス基板上に等方状ペロブスカイト型化合物多結晶または層状ペロブスカイト型化合物多結晶よりなる機能性薄膜を設けた構造を含むデバイスであって，上記結晶配向セラミックス基板は，これを構成する多結晶の少なくとも一つの結晶面が優先配向した状態にあり，かつ該基板の配向度はロットゲーリング（Ｌｏｔｇｅｒｉｎｇ）法で２０％以上あることを特徴とするデバイス。」（特許請求の範囲の請求項２）
　「本発明は，強誘電体不揮発性メモリーデバイス，ＤＲＡＭデバイス，焦電センサ，トランジスタ，加速度センサ，磁気センサ，ＳＱＵＩＤ等の各種デバイス作製用の基板となる結晶配向セラミックス基板及びこれを用いたデバイスに関する。」（段落【０００１】）
  「・・・実施形態例１　・・・本例の結晶配向セラミックス基板はＢｉ0.5Ｎａ0.5ＴｉＯ3の多結晶よりなると共に，該多結晶における擬立方晶の｛１００｝面が優先配向した結晶配向セラミックス基板である。・・・上記結晶配向セラミックス基板の製造方法につき説明する。・・・擬立方晶｛１００｝面の配向度が９５％のＢｉ0.5Ｎａ0.5ＴｉＯ3（「Ｂｉ0.5Ｎａ0.5Ｔｉ」は、「Ｂｉ0.5Ｎａ0.5ＴｉＯ3」の誤記と認められる。）焼結体を得た。この焼結体を表面研磨したところ，上記配向度は９０％となった。以上により，本例にかかる結晶配向セラミックス基板であるＢＮＴ基板を得た。 上記ＢＮＴ基板上にレーザー蒸着法（またはゾルゲル法）を利用して，厚さ３００ｎｍのＬａＮｉＯ3 のエピタキシャル薄膜を作製した。 次に，上記エピタキシャル薄膜に対し，Ｐｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ3 よりなる機能性薄膜をゾルゲル法により作製した。その後，上記機能性薄膜を温度６５０℃，５分で加熱した。 上記機能性薄膜の配向度は約９０％であり，擬立方晶の｛１００｝面が配向した状態にあった。そして，上記機能性薄膜は３５μＣ／ｃｍ2 の自発分極量を示し，不発揮メモリーデバイスの素子として利用可能であることが分かった。」（段落【００４６】〜【００５０】）
　「・・・本例にかかる結晶配向セラミックス基板は，各結晶粒が配向した状態にある多結晶の基板である。・・・」（段落【００５１】）
３−４．対比・判断
３−４−１．本件発明１について
　各種センサーや記憶デバイスなどとしての利用がはかられているＰｂ、Ｚｒ及びＴｉの酸化物を主成分とするペロブスカイト系材料は、通常、特定の単結晶基板上に白金電極を付着させたのち、それを生成するのに必要な成分をスパッタリングして形成されているが、必要な成分が多い上に、結晶構造が立方晶に近い擬立方晶で、ａ軸とｃ軸の長さが近いため、配向膜を形成することが困難であり、しかも主成分の１つであるＰｂは昇華性と腐食性があるため、記憶デバイスとして利用する場合、金属電極と反応しやすく長期安定性に欠けるという欠点があったところ、本件発明１は、単結晶以外の材料、例えば多結晶、アモルファスのいずれのものを用いた場合においても、ペロブスカイト構造の導電体層を介して、簡単に長期安定性の良好なペロブスカイト構造の配向膜を提供することができるものである（段落【０００２】〜【０００３】、【００１９】参照）。
  これに対し、甲第２号証には、Ｓｉ系材料上に、スパッタリングにより、電極として導電性を有するペロブスカイト型酸化物膜を形成し、該電極上に、Ｐｂを組成に含むペロブスカイト型強誘電体膜を、同じくスパッタリングにより形成してキャパシタを製造することが記載されており、電極とＳｉ系材料とが反応せず、かつ、密着性が良く、しかも、強誘電体膜の組成を化学量論的組成比に保って良好な特性を示すことができるキャパシタを提供することができるものである。
　本件発明１と甲第２号証記載の発明を対比すると、甲第２号証に記載されるキャパシタは本件発明１の多層型電子材料に相当するから、両者は、「基板上に、ペロブスカイト系導電体層を形成させ、次いでその上にペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより積層する多層型電子材料の製造方法」である点で一致し、前者は、「非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料からなる」基板上に、「ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理して」ペロブスカイト系導電体層を形成させるのに対し、後者は、Ｓｉ系材料からなる基板上に、スパッタリングによりペロブスカイト系導電体層を形成させるものであり、Ｓｉ系材料の結晶性は不明である点（以下、「相違点１」という。）、及び、前者は、ペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより「配向させながら」積層するのに対し、後者は、配向については記載がない点（以下、「相違点２」という。）で、両者は相違する。
　相違点１、２について検討する。
　甲第３号証には、Ｐｔ／Ｓｉ上に、スパッタリングにより配向したＬａＮｉＯ3（ＬＮＯ）電極層を形成し、該電極層上に、配向したＰｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ3（ＰＺＴ）強誘電体層をゾル−ゲル法により形成する工程を経て、Ｐｔ／ＬＮＯ／ＰＺＴ／ＬＮＯ／Ｐｔ／Ｓｉ，及び、Ｐｔ／ＰＺＴ／ＬＮＯ／Ｐｔ／Ｓｉのタイプのキャパシタを作製することが記載され、ＬａＮｉＯ3（ＬＮＯ）は、ペロブスカイト系構造の導電体であり、Ｐｔは、Ｓｉウエハ（単結晶）上に形成された多結晶体（特許異議申立書第７頁第８行参照）であり、Ｐｔ／Ｓｉは、ＬａＮｉＯ3（ＬＮＯ）導電層及びＰｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ3（ＰＺＴ）強誘電体層に対して、金属多結晶基板として作用するとしても、甲第３号証には、金属多結晶基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させること、及び、そのようにして形成されたペロブスカイト系導電体層上には、ペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層できることは記載されていない。
　甲第４号証には、熱酸化されたＳｉウエハ（単結晶）上に、ｒｆ反応性スパッタリングにより多結晶ＳｒＲｕＯ3電極層を形成し、該ＳｒＲｕＯ3電極層上に、ゾル−ゲル法によりＰｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３層を形成させてキャパシタを作製することが記載されており、ＳｒＲｕＯ3電極層はペロブスカイト系導電体層であり、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３層はペロブスカイト構造の誘電体層であり、熱酸化されたＳｉウエハは、表面に非晶質ＳｉＯ2層（特許異議申立書第７頁第１５行参照）を有し非晶質材料からなる基板として作用するとしても、甲第４号証には、非晶質材料からなる基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させること、及び、そのようにして形成されたペロブスカイト系導電体層上には、ペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層できることは記載されていない。
　甲第５号証には、Ｂｉ0.5Ｎａ0.5ＴｉＯ3の多結晶よりなる結晶配向セラミックス基板上に、レーザー蒸着法又はゾルゲル法によりＬａＮｉＯ3のエピタキシャル層を作製し、該ＬａＮｉＯ3のエピタキシャル層上に、Ｐｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ3 よりなる機能性薄層をゾルゲル法により作製した後、６５０℃、５分加熱して、不発揮メモリーデバイスの素子として利用可能である材料を製造することが記載されており、基板はセラミックス多結晶体であり、ＬａＮｉＯ3層はペロブスカイト系導電体層であり、Ｐｂ（Ｚｒ0.53Ｔｉ0.47）Ｏ3 よりなる層はペロブスカイト構造の誘電体層であり、不発揮メモリーデバイスの素子は多層型電子材料に相当するが、ＬａＮｉＯ3層形成のために用いるゾルゲル法による塗布液は水溶液からなる塗布液ではないから、甲第５号証には、セラミックス多結晶体からなる基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させること、及び、そのようにして形成されたペロブスカイト系導電体層上には、ペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層できることは記載されていない。
　以上のとおり、甲第３〜５号証には、本件発明１と結晶性が一致する基板上にペロブスカイト系導電体層を形成することが記載されているが、それ以外の上記相違点１及び２に示した本件発明１の構成は記載されていないから、甲第２号証記載の発明において、その上にペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層するためのペロブスカイト系導電体層を、非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料からなる基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理して形成することは、甲第３〜５号証に記載された事項から当業者が容易に想到し得たとはいえない。
　したがって、本件発明１は、甲第２〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　そして、本件発明１は、単結晶以外の材料、例えば多結晶、アモルファスのいずれのものを用いた場合においても、スパッタリングにより簡単に長期安定性の良好なペロブスカイト構造の誘電体配向膜を提供することができるという特許明細書に記載される優れた効果を奏するものである。
３−４−２．本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１において、基板をガラス基板に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液を、水溶性ランタン塩及び水溶性ニッケル塩を含む水溶液に、ペロブスカイト系導電体層をＬａＮｉＯ３系導電体層に、ペロブスカイト構造の誘電体を、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分とする誘電体に、それぞれ限定するとともに、誘電体をスパッタリングしたのち、０．１Ｐａ〜０．１ＭＰａのアルゴン雰囲気中、３００〜８００℃の温度において熱処理してＰＺＴ系誘電体配向層を形成させるという事項によってさらに特定するものであるから、「３−４−１．本件発明１について」で述べた理由により、甲第２〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。　　　
３−４−３．本件発明３について
　本件発明３は、本件発明２を、ＬａＮｉＯ３系導電体層の形成とＰＺＴ系誘電体層の形成を繰り返し行うという事項によってさらに特定するものであるから、「３−４−１．本件発明１について」で述べた理由のうち、甲第２〜４号証に係る理由により、甲第２〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３−５．明細書の記載不備について　　
　上記取消理由で、導電体層がペロブスカイトでありさえすれば、この導電体層上にスパッタリング法によってペロブスカイト系誘電体層を積層すると、この誘電体層は必ず配向することが、発明の詳細な説明には明りょうに説明されていないと指摘した点については、平成１４年１月２９日付けの特許異議意見書において、本件発明のペロブスカイト導電体層は非晶体であることを述べるとともに、参考図１〜５により、ペロブスカイト導電体層を設けることなく基板上に直接ペロブスカイト系誘電体層を積層した場合には、配向したペロブスカイト構造の誘電体層が形成されず特性が悪いのに対し、本件の製造方法による場合は、配向したペロブスカイト構造の誘電体層が形成され特性に優れることが示されたので、上記記載不備に関する取消理由は解消した。
３−６．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜３に係る特許は、特許異議申立ての理由及び証拠によっては取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月１０日（２００２．７．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１〜９の
「【請求項１】　非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料から成る基板上に、ペロブスカイト系導電体層を介して形成されたペロブスカイト系誘電体配向層を有する多層型電子材料。
　【請求項２】　基板がセラミックス多結晶体から成る請求項１記載の多層型電子材料。
　【請求項３】　ペロブスカイト系導電体がＬａＮｉＯ３である請求項１又は２記載の多層型電子材料。
　【請求項４】　ペロブスカイト系誘電体配向層が、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分としてなる請求項１、２又は３記載の多層型電子材料。
　【請求項５】　非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料から成る基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させ、次いでその上にペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層することを特徴とする多層型電子材料の製造方法。
　【請求項６】　ガラス基板上に、水溶性ランタン塩及び水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中で焼成して、ＬａＮｉＯ３系導電体層を形成させ、次いでその導電体層上にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分とする誘電体をスパッタリングしたのち、０．１Ｐａ〜０．１ＭＰａのアルゴン雰囲気中、３００〜８００℃の温度において熱処理してＰＺＴ系誘電体配向層を形成させる請求項５記載の多層型電子材料の製造方法。
　【請求項７】　ＬａＮｉＯ３系導電体層の形成とＰＺＴ系誘電体層の形成を繰り返し行う請求項５又は６記載の多層型電子材料の製造方法。
　【請求項８】　請求項１ないし４のいずれかに記載の多層型電子材料で構成されたクラック発生及びその進展状態を診断するためのセンサー。
　【請求項９】　請求項１ないし４のいずれかに記載の多層型電子材料で構成された記憶デバイス。」を
　「【請求項１】　非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料からなる基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させ、次いでその上にペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層することを特徴とする多層型電子材料の製造方法。
　【請求項２】　ガラス基板上に、水溶性ランタン塩及び水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中で焼成して、ＬａＮｉＯ３系導電体層を形成させ、次いでその導電体層上にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分とする誘電体をスパッタリングしたのち、０．１Ｐａ〜０．１ＭＰａのアルゴン雰囲気中、３００〜８００℃の温度において熱処理してＰＺＴ系誘電体配向層を形成させる請求項１記載の多層型電子材料の製造方法。
　【請求項３】　ＬａＮｉＯ３系導電体層の形成とＰＺＴ系誘電体層の形成を繰り返し行う請求項２記載の多層型電子材料の製造方法。」と訂正する。
　以下の（２）〜（１８）の訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（２）明細書発明の名称の欄の「多層型電子材料、その製造方法、それを用いたセンサー及び記憶デバイス」を
　「多層型電子材料の製造方法」と訂正する。
（３）明細書段落【０００１】の第３〜４行（特許公報第３欄第１２〜１３行）の「多層型電子材料及びその製造方法」を
　「多層型電子材料の製造方法」と訂正する。
（４）明細書段落【０００３】の第３〜４行（特許公報第３欄第３２行）の「配向膜を提供することを」を
　「配向膜を得るための方法を提供することを」と訂正する。
（５）明細書段落【０００４】の第４〜５行（特許公報第３欄第３８〜３９行）の「先ずペロブスカイト系導電体膜を設け、その上にペロブスカイト系誘電体膜を」を
　「先ず原料成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布後、熱処理してペロブスカイト系導電体膜を設け、その上にスパッタリングによりペロブスカイト系誘電体膜を」と訂正する。
（６）明細書段落【０００５】の第１〜５行（特許公報第３欄第４４〜５０行）の「非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料から成る基板上に、ペロブスカイト系導電体層を介して形成されたペロブスカイト系誘電体配向層を有する多層型電子材料、及び非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料から成る基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む塗布液を」を
　「非晶体、金属及びセラミックス多結晶体の中から選ばれた材料からなる基板上に、ペロブスカイト構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を」と訂正する。
（７）明細書段落【０００６】の第２行（特許公報第４欄第７行）の「本発明電子材料における」を
　「本発明方法で用いる」と訂正する。
（８）明細書段落【０００７】の第１行（特許公報第４欄第１４〜１５行）の「本発明電子材料においては、このような基板上に」を
　「本発明方法においては、このような基板上に、原料成分を含む水溶液からなる塗布液を用いて」と訂正する。
（９）明細書段落【０００８】の第１〜２行（特許公報第４欄第２２〜２４行）の「必要な成分を含む塗布液、例えば水溶性ランタン塩や水溶性ニッケル塩を含む水溶液」を
　「必要な成分を含む水溶液からなる塗布液、例えば水溶性ランタン塩や水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液」と訂正する。
（１０）明細書段落【０００９】の第１行（特許公報第４欄第３６行）の「本発明においては、」を
　「本発明方法においては、」と
同第５〜６行（特許公報第４欄第４１〜４３行）の「例えば・・・適している。」を
　「スパッタリング法を用いて形成されるが、」と
同第１０〜１１行（特許公報第４欄第４７〜４８行）の「例えば、スパッタリング法を用いて」を
　「例えば、」と、それぞれ訂正する。
（１１）明細書段落【００１０】の第１行（特許公報第５欄第４行）の「本発明においては、」を
　「本発明方法においては、」と
同第４行（特許公報第５欄第７行）の「本発明の電子材料においては、」を
　「本発明においては、」と、それぞれ訂正する。
（１２）明細書段落【００１３】の第１行（特許公報第５欄第２９行）の「実施例１」を
　「実施例」と訂正する。
（１３）明細書段落【００１５】の第１行（特許公報第６欄第１７行）の「実施例２」を
　「参考例１」と
同第２行及び第６行（特許公報第６欄第１８行及び第２３行）の「実施例１」を
　「実施例」と、それぞれ訂正する。
（１４）明細書段落【００１６】の第１行（特許公報第６欄第４１行）の「実施例３」を
　「参考例２」と
同第２行（特許公報第６欄第４２行）の「実施例１」を
　「実施例」と、それぞれ訂正する。
（１５）明細書段落【００１７】の第１行（特許公報第７欄第２行）の「実施例４」を
　「参考例３」と
同第２行（特許公報第７欄第３行）の「実施例１」を
　「実施例」と、それぞれ訂正する。
（１６）明細書段落【００１８】の第１行（特許公報第７欄第１０行）の「実施例５」を
　「参考例４」と
同第２行（特許公報第７欄第１１行）の「実施例１」を
　「実施例」と、それぞれ訂正する。
（１７）明細書段落【００１９】の第４〜５行（特許公報第７欄第２３〜２４行）の「電子材料を提供するとともに、応力状態の検知ができるセンサーを提供する。」を
　「電子材料が提供され、このものは例えば、応力状態の検知ができるセンサーとして有用である。」と訂正する。
（１８）明細書図面の簡単な説明中、【図１】の欄第１行、【図２】の欄第１行、【図３】の欄第１行、【図４】の欄第１行、【図５】の欄第１行、【図６】の欄第１行及び【図７】の欄第１行（特許公報第８欄第２行、第４行、第６行、第８行、第１０行、第１２行及び第１４行）の「本発明電子材料」を
　「本発明方法により得られた電子材料」と、それぞれ訂正する。
（５４）【発明の名称】
多層型電子材料
の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項
１
な
構造の導電体を生成するのに必要な成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中において熱処理してペロブスカイト系導電体層を形成させ、次いでその上にペロブスカイト構造の誘電体をスパッタリングにより配向させながら積層することを特徴とする
の製造方法
　【請求項
２
ガラス基板上に、水溶性ランタン塩及び水溶性ニッケル塩を含む水溶液からなる塗布液を塗布したのち、酸素雰囲気中で焼成して、ＬａＮｉＯ３系導電体層を形成させ、次いでその導電体層上にＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉ及びＯを主成分とする誘電体をスパッタリングしたのち、０．１Ｐａ〜０．１ＭＰａのアルゴン雰囲気中、３００〜８００℃の温度において熱処理してＰＺＴ系誘電体配向層を形成させる請求項１記載の
の製造方法
　【請求項
３
ＬａＮｉＯ３系導電体層の形成とＰＺＴ系誘電体層の形成を繰り返し行う請求項２記載の
の製造方法
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、単結晶以外の材料から成る基板上にペロブスカイト構造の導電体層を介してペロブスカイト構造の誘電体層を形成させた多層型電子材料
の
　【０００２】
　【従来の技術】
　Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉの酸化物を主成分とするペロブスカイト系材料は、強誘電体であり、配向すると優れた圧電性や誘電性を示すので、各種センサーや記憶デバイスなどとしての利用がはかられている。
　このようなペロブスカイト系材料は、通常、特定の単結晶基板上に白金電極を付着させたのち、それを生成するのに必要な成分をスパッタリングして形成されているが、必要な成分が多い上に、結晶構造が立方晶に近い擬立方晶で、ａ軸とｃ軸の長さが近いため、配向膜を形成することが困難であり、しかも主成分の１つであるＰｂは昇華性と腐食性があるため、記憶デバイスとして利用する場合、金属電極と反応しやすく長期安定性に欠けるという欠点があった。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、単結晶以外の材料、例えば多結晶、アモルファスのいずれのものを用いた場合においても、簡単に長期安定性の良好なペロブスカイト構造の配向膜を
得るための方法を
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、単結晶以外の材料から成る基板上に形成させたペロブスカイト系誘電体の配向膜をもつ多層型電子材料を得るために鋭意研究を重ねた結果、基板上に先ず
原料成分を含む水溶液からなる塗布液を塗布後、熱処理して
スパッタリングにより
　【０００５】
　すなわち、本発明は
、
な
水溶液からなる
　【０００６】
　【発明の実施の形態】
　本発明
方法で用いる
　【０００７】
　次に、本発明
方法
原料成分を含む水溶液からなる塗布液を用いて
　【０００８】
　このペロブスカイト系導電体層を形成するには、先ずこれを生成するのに必要な成分を含む
水溶液からなる
からなる塗布液
　この塗布液中には、ポリビニルアルコールのような高分子ポリマーを添加して結合性を高めるのが好ましい。この塗布液の濃度としては、その中に含まれる各成分から生成するペロブスカイト系導電体組成、例えばＬａＮｉＯ３に換算して、０．０１〜１．０モル％の範囲で選ぶのが好ましい。この塗布液を例えばスピンコーティング法など慣用されている方法を用いて基板上に塗布し、次いで酸素雰囲気中で焼成する。焼成温度としては４００〜８００℃の範囲内で選ばれる。通常１回の塗布で１０〜１００ｎｍの厚さの導電体層が形成され、必要に応じこの塗布を数回繰り返して、所望の厚さとする。
　【０００９】
　本発明
方法
　このペロブスカイト系誘電体層は
、
を
、
　この際の最適形成条件は、基板材料によって変わることがある。例えば
、
　【００１０】
　本発明
方法
　本発明
に
　【００１１】
　また、ＰＺＴ誘電体層に配向性をもたせたことにより圧電性を示し、ＬａＮｉＯ３導電体層を電極として用いれば、圧電信号を測定することによって、材料に掛けられた機械的な作用力を検知することができる。これによって、材料にかかる応力状態を材料自身で検出できるようになり、応力状態の自己診断ができるので、センサーとして用いることができる。このようにして、本発明の多層型電子材料は、インテリジェント材料を始め、その他の広い分野で利用することができる。
　【００１２】
　【実施例】
　次に、実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
　【００１３】
実施例
　化学量論的な割合の酢酸ランタンと硝酸ニッケルとをそれぞれ別々に純水に溶かして水溶液としたのち、両水溶液を混合し、さらに全水溶液の重量に基づき、０．５重量％のポリビニルアルコールを添加し、さらに水を加えて生成したＬａＮｉＯ３の濃度を０．５モル％に調整することにより、ペロブスカイト系導電体層形成用塗布液を得た。
　次に、基板材料として、結晶化ガラス、ＳｉＣ、多結晶質Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、光学ガラス、石英ガラス及びステンレス鋼を用い、それぞれの材料上に、前記の塗布液を、回転数２０００ｒｐｍでスピンコーティングしたのち、酸素雰囲気中、５００℃において焼成した。この１回のコーティングで形成されたＬａＮｉＯ３の層厚は５０ｎｍであった。
　膜厚１５０ｎｍのＬａＮｉＯ３層が得られるまで、コーティングと焼成を繰り返し、各基板上にペロブスカイト系導電体層を形成させた。
　次に、このようにして得たペロブスカイト系導電体層の上に、所望のＰＺＴ系材料における組成よりもＰｂを０．１５モル％過剰に含むターゲットを用い、基板温度を６００℃に保ちながらｒｆマグネトロンスパッタリング法により厚さ１μｍの層を形成させたのち、１Ｐａのアルゴン雰囲気中、６００℃で３時間熱処理し、ペロブスカイト系誘電体層を形成した。
　このようにして、組成ＬａＮｉＯ３のペロブスカイト構造をもつ導電体層上にペロブスカイト構造をもつＰＺＴ層が積層した配向性の良好な電子材料が得られた。この中で基板として多結晶質Ａｌ２Ｏ３を用いたものは特に優れた配向性を示した。
　【００１４】
比較例
　基板としてＬａＮｉＯ３膜を設けないＳｉＣ、多結晶質Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＩＴＯガラス、石英ガラス及びステンレス鋼を用い、その表面に実施例と同様にして、厚さ１μｍのペロブスカイト構造をもつＰＺＴ層を形成させた。
　このＰＺＴ層について、その結晶の配向性について調べたところ、ＳｉＣ基板及びＳｉ３Ｎ４基板の場合は、わずかに配向が認められたが、多結晶質Ａｌ２Ｏ３基板、ＩＴＯガラス、石英ガラス基板及びステンレス鋼基板の場合は全く配向が認められなかった。
　【００１５】
参考例１
　
実施例
　図１はＳｉＣ基板、図２はガラス基板についてのものである。
　別に、
実施例
　図３はＳｉ３Ｎ４基板、図４はＳｉＣ基板についてのものである。
　図１及び図３から分かるように、印加された機械的外力が、基板材料の弾性領域内であれば、圧電信号は外力の増大とともに直線的に増大するが、図２及び図４から分かるように、さらに外力を増大させると、圧電信号が減少しはじめる点に到達する。このことは基板材料にクラックを生じたことを意味する。その後、さらに外力を増大すると、圧電信号が徐々に増大し、破壊時に再び極大値を示す。この１回目の極大値と２回目の極大値との間は、クラックが進行する過程を意味する。このように、圧電信号を測定することによって、基板材料のクラックの発生、進行過程及び破壊を診断するセンサーとして用いることができる。
　【００１６】
参考例２
　
実施例
　また、比較のために、従来のＩＴＯガラス基板上にＰＺＴ層を積層した電子材料について同様にして誘電率及び誘電損失を測定し、この結果を図５に破線で示した。
　この図５から分かるように、従来のＩＴＯガラスを基板とした電子材料に比べ、本発明の電子材料は、非常に優れた強誘電性を示す。
　【００１７】
参考例３
　
実施例
　この図から分かるように、従来のＩＴＯガラスを基板とした電子材料に比べ、本発明の電子材料は優れた強誘電性を示し、電場によって良好なスイッチ特性を示すので、このものは記憶デバイスとして好適である。
　【００１８】
参考例４
　
実施例
　【００１９】
　【発明の効果】
　本発明によれば、ペロブスカイト構造の導電体層を介して、単結晶以外の種々の基板材料上に、配向性ペロブスカイト構造の誘電体層を形成させることができ、優れた物性の電子材料
が
され、このものは例えば
として有用である
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明
方法により得られた
　【図２】　本発明
方法により得られた
　【図３】　本発明
方法により得られた
　【図４】　本発明
方法により得られた
　【図５】　本発明
方法により得られた
　【図６】　本発明
方法により得られた
　【図７】　本発明
方法により得られた