【事件の表示】
　特許第３１７４３９７号「半導体製造方法及び半導体製造装置」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１７４３９７号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件特許第３１７４３９７号は、平成４年５月１４日の出願であって、平成１３年３月３０日にその特許権の設定登録がなされ、その後、高橋学より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年５月２８日に意見書の提出と共に訂正請求がされたものである。
　
２．本件特許に対し異議申立人高橋学は、甲第１号証として特開平４−１５７７１８号公報を、及び甲第２号証として特開昭６０−１０１９３５号公報を提示し、
　本件特許の請求項１ないし６に係る発明は、甲第２号証に記載された周知技術を考慮すれば、本件特許の出願前に出願され、本件特許の出願後に公開された甲第１号証に係る出願の明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、当該発明に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反して特許されたものである
旨主張する。
　
３．上記取消理由は、異議申立人の提示した甲第１号証を引用し、
　本件特許の請求項１ないし６に係る発明は、本件特許に係る出願の日前の特許出願であって、本件特許に係る出願後に出願公開された甲第１号証に係る出願の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願のときにおいて、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、当該発明に係る特許は、特許法第２９条の２第１項の規定に違反して特許されたものである
から取り消すべきというものである。
　
４．上記訂正請求によって訂正された明細書の請求項１ないし６に係る発明は、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
 「【請求項１】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ウェーハに熱影響を与えない区間と、熱影響を与える行程を含む区間とに区分し、前記熱影響を与えない区間は、前記熱影響を与える行程を含む区間よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ボートが上昇し反応炉に装入開始されるまでの区間（Ａ〜Ｂ区間）、又はボートが下降し反応炉から取出された後の区間（Ｂ〜Ａ区間）は、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍を除く区間（Ｂ〜Ｃ区間）よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍の区間（Ｃ〜Ｄ区間）では、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍を除く区間（Ｂ〜Ｃ区間）よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ウェーハに熱影響を与えない区間と、熱影響を与える行程を含む区間とに区分し、前記熱影響を与えない区間は、前記熱影響を与える行程を含む区間よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部とを備えた半導体製造装置に於いて、前記操作部により昇降速度、速度変更位置を設定してボートの昇降動作をさせることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項５】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ボートが上昇し反応炉に装入開始されるまでの区間（Ａ〜Ｂ区間）、又はボートが下降し反応炉から取出された後の区間（Ｂ〜Ａ区間）は、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍を除く区間（Ｂ〜Ｃ区間）よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部とを備えた半導体製造装置に於いて、前記操作部により昇降速度、速度変更位置を設定してボートの昇降動作をさせることを特徴とする半導体製造方法。
【請求項６】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍の区間（Ｃ〜Ｄ区間）では、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍を除く区間（Ｂ〜Ｃ区間）よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部とを備えた半導体製造装置に於いて、前記操作部により昇降速度、速度変更位置を設定してボートの昇降動作をさせることを特徴とする半導体製造方法。」
　
５．上記訂正請求の適否について判断する。
（１）上記訂正は、願書に添付された明細書（以下、「特許明細書」という。）を、以下のａ〜ｂのとおり訂正するものである。
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１〜６項について、それぞれ、「ボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部」を、「作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部」と訂正する。
ｂ．発明の詳細な説明について、
　平成１３年１月１２付け手続補正書で補正がされた、段落【０００７】７−８行目、１４−１５行目、２１−２２行目、２９−３０行目、３８−３９行目または４６−４７行目の、「ボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部」を、それぞれ、「作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部」と訂正する。
　
（２）上記訂正のうち、
　訂正事項ａについてみると、この訂正は、操作部について、作動条件の指示、作動の開始等を指示するものであること、及び昇降速度、又は速度変更位置の設定が処理の違いに対応して行うものであることを限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　ｂの訂正についてみると、この訂正は、特許請求の範囲の減縮に伴って、発明の詳細な説明の【課題を解決するための手段】を、これと整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　そして、上記訂正事項ａは、特許明細書の段落【００１１】６−７行目に、「主制御装置９には作動条件の指示、作動の開始等を指示するための操作部１０が接続されている。」と記載され、また、段落【００２０】４−５行目に「区間の長さ、速度については、処理の違いにより最適な条件を設定すればよい。」と記載されていることから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものと認められる。
　そして、これらの訂正によって、発明の目的が変更されるものでもないから、前記訂正事項は、いずれも、実質上特許請求の範囲を拡張するものでもなく、また、変更するものでもない。
　
（３）以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項ただし書き並びに同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
６．次に、特許異議の申立てについて判断する。
（１）本件特許の請求項１ないし６に係る発明は、訂正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであって、上記４で認定したとおりのものである。
　
（２）前記先願明細書には、
　半導体ウエハを加熱処理するための縦型反応炉を備えた半導体製造装置に関し、「第４図は、例えば特開昭６３−２３９９３８号公報に開示された種類の表面処理を行なうシステムを示したもので、１０は縦型の反応炉、１１は炉のシャッター、１２はボートエレベータであって、反応炉１０は第５図に示す如く炉体１３、ヒータ１４、石英管１５、支持フランジ１６を備え、この石英管１５内に処理流体（水素ガスと窒素ガスの混合体）が供給される。１７はＣＶＤ処理される半導体ウエハＷＰとダミーウエハＷＤ及びフィラーウエハＷＦの多数枚を段々に保持するボートであって、移載装置１８によりボートエレベータ１２の昇降台１２Ａ上のボート支持台１２Ｂに載置される。半導体ウエハＷＰは、第６図に示す如きウエハカセット２１に収納されてステージ２０上へ搬送され、このステージ２０上のウエハカセット２１から１枚づつ取り出されて、ボート１７に移載される。耐用期間が経過すると交換されるダミーウエハＷＤ及びフィラーウエハＷＦも同様である。以下、半導体ウエハＷＰとダミーウエハＷＤ及びフィラーウエハＷＦを総称してウエハＷという。このボート１７は、第７図および第８図に示す如く、上板１７Ａと下板１７Ｂの間に、４本の棚柱２２〜２５を立てた構成を有し、各棚柱２２〜２５にはウエハの周部を載せる凹部２６が上下方向に一定間隔を隔てて形成されている。各ウエハは５軸の移載ロボット１９に取りつけたロボットフィンガー（へら状の真空吸着ペン１９Ａ）でカセット２１から１枚づつ取り出されて第７図の矢印の方向（ウエハ搬入方向）からボート１７に搬入されて同一高さにある４個の凹部（１枚のウエハＷに対して１つのウエハ載置棚となる）２６上へ移載される。移載ロボット１９はそのロボット制御装置がシステム全体を制御する図示しないシーケンサから指令を受けて動作する。ウエハを移載されたボート１７は、昇降台１２Ａ上のボート支持台１２Ｂ上にセットされたのち、ボートエレベータ１２により持ち上げられ、石英管１５の開口部から、該石英管１５内の所定位置まで送り込まれ、半導体ウエハＷＰとダミーウエハＷＤ及びフィラーウエハＷＦはシャッター１１で密閉された高温の処理雰囲気中に曝されることとなり、半導体ウエハＷＰのＣＶＤ処理が行われる。」（第２頁左上欄４行目−左下欄７行目）及び「第１図において、３０は指令器（シーケンサ）、３１はサーボ回路、３２はボートエレベータ駆動用モータ、３３は駆動用モータ３２に軸結されたエンコーダである。指令器３０にはボートエレベータ１２の昇降台１２Ａの最下降位置ＳＤ、最上昇位置ＳＵの他、中間位置Ｓ１〜Ｓ４が速度指令切替位置として設定されている。第２図はボートエレベータ昇降時の反応炉１０とボートエレベータ１２の位置関係を示す図、第３図はボートエレベータ１２の速度パターンを第２図の各位置（ａ）〜（ｆ）を横軸にとって示した図である。この構成において、移載装置１８がボート１７を搭載して第４図に実線で示す位置から破線で示すボート授受位置Ｓ２へ移動すると、ボートエレベータ１２は指令器３０から上昇指令（このときの速度指令Ｖ＊の値はＶＭとする）を受けて最下降位置ＳＤから上昇し、移載装置１８上のボート１７をピックアップして反応炉１０に向かう。指令器３０はエンコーダ３３の出力パルスを取り込んで、ボートエレベータ１２の位置（昇降台１２Ａの位置）Ｓを演算し、演算した位置Ｓが設定中間位置Ｓ１に等しくなると、速度指令信号Ｖ＊をＶＬ（＜ＶＭ）に切り換える。この設定中間位置Ｓ１はボートエレベータ１２のボート支持台１２Ｂの上面がボート授受位置Ｓ２達し、移載装置１８からボート１７を受取る位置であり（第２図（ｂ））、ボート支持台１２Ｂがこの位置を通過すると、移載装置１８が第４図に実線で示す位置への退避回動を開始し、移載装置１８が昇降台１２Ａの上昇の邪魔にならない位置まで退避したのちに、即ち、指令器３０による演算位置Ｓが設定中間位置Ｓ２に等しくなると（第２図（ｃ））、指令器３０は速度指令信号ＶをＶＭに切り換える。ボートエレベータ１２が、更に、上昇し、指令器３０による演算位置Ｓが設定中間位置Ｓ３に等しくなると（第２図（ｄ））、速度信号Ｖ＊をＶＬに切り換える。この設定中間位置Ｓ３はボート１７の上端面が反応炉１０の開口部に臨む位置である。ボートエレベータ１２が、反応炉１０内に進入して、更に、上昇し、指令器３０による演算位置Ｓが設定中間位置Ｓ４に等しくなると（第２図（ｄ））、速度指令信号Ｖ＊をＶＭに切り換える。この設定中間位置Ｓ４はボート１７の下端面が反応炉１０の開口部に臨む位置である（第２図（ｅ））。ボートエレベータ１２が、更に、上昇し、指令器３０による演算位置Ｓが最上昇位置ＳＵに等しくなると、指令器３０は停止指令を送出する（第２図（ｆ））。ＣＶＤ処理が終わると、ボートエレベータ１２は指令器３０から下降指令（このときの速度指令Ｖ＊の値はＶＭとする）を受けて、最上昇位置ＳＵから下降する。この下降時は、ボートエレベータ１２は上昇時と同じ速度パターンで下降する。このように本実施例では、ボート１７の上端が反応炉１０の開口部に到達してからボート１７が完全に反応炉１０内に収まるまでは、また、ボート１７の上端が反応炉１０の開口部に到達してからボート１７が完全に反応炉外に出るまでは、ボート１７は、低速度ＶＬで昇降されるが、ボート１７の上端が反応炉の開口部に上昇到達するまで、また、ボート１７の上端が反応炉１０の開口部に下降到達するまでは、移載装置１８が退避するのに要する退避区間を除いて高速で駆動されるから、ボートエレベータ１２が最下降位置ＳＤからボート１７が石英管１３内の所定位置に達する最上昇位置ＳＵの全範囲に亘って、一定の低速度ＶＬで駆動される従来の場合に比し、ボート１７をボート授受位置Ｓ２から反応炉１０に出し入れする時間を短縮することができる。なお、上記実施例では、ボートエレベータ１２の最下降位置ＳＤがボート授受位置Ｓ２より下にあるが、この最下降位置ＳＤとボート授受位置Ｓ２とがほぼ同じ位置にあるようなシステムでは第３図に破線で示すような速度パターンで駆動すればよい。また、本実施例では、区間Ｓ３〜Ｓ４と区間Ｓ１〜Ｓ２の速度を同じにしてあるが、これは異なる速度にしてもよい。区間ＳＤ〜Ｓ１と区間Ｓ４〜ＳＵについても同じである。」（第３頁右上欄１０行目−第４頁右上欄１１行目）と記載されている。
　
（３）本件特許出願前に周知の事項が記載されているとして提示された甲第２号証には、
　室温から熱処理温度まで昇温する過程、または／および熱処理温度から室温へ降温する過程において、結晶欠陥等の発生を防止するようにした半導体熱処理装置に関し、「６は通常用いられる環状の抵抗加熱炉で炉内の各点Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの温度分布は第２図に示す分布に保たれている。」（第１頁右下欄１４−１７行目）、「以上の過程において、シリコンウエハ１は室温から高温（〜１１００℃）の熱サイクルが加えられるため種々の結晶欠陥が生ずる場合がある。例えば、多数枚のシリコンウエハを一度に挿入すると挿入物体の熱容量が大きいためシリコンウエハ間や、面内の熱伝達が不均一となる。その結果、シリコンウエハ１は面内温度不均一を生じたまま昇降温され、シリコンウエハの面内に熱応力転位が発生してしまう。このような問題を防ぐ方法として、高温領域（Ｂ−Ｃ間）へのシリコンウエハの出し入れを非常にゆっくり（例えば約５０ｍｍ／分位の速度で）行う方法がある。」（第２頁左上欄９−２０行目）及び「反応容器の開口部４側の領域Ａ−Ｂ間では室温から反応温度までの温度勾配を有しているが、Ｂ−Ｃ間の領域は均一加熱ゾーンとなっている。」（第２頁右下欄１４−１７行目）と記載されている。
　
（４）本件請求項１に係る発明と、先願明細書に記載されたものとを対比する。先願明細書には、操作部についての直接の記載はないが、請求項１に係る発明の制御装置に対応する指令器に対して最下降位置ＳＤ、最上昇位置ＳＵ及び中間位置Ｓ１〜Ｓ４が設定されるようになっており、当然に設定器を備えているものと認められる。しかしながら、このような技術分野の設定器が、必ず作動条件の指示、作動の開始等を指示するものであるということはできないから、甲第２号証に記載された周知事項を考慮しても、「作動条件の指示、作動の開始等を指示するとともに処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度又は速度変更位置を設定する設定部」を必須の構成とする請求項１に係る発明が、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（５）本件請求項２ないし６に係る発明は、いずれも請求項１に係る発明と同様、「作動条件の指示、作動の開始等を指示するとともに処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度又は速度変更位置を設定する設定部」を必須の構成とするものであるから、請求項１に係る発明と同様、請求項２ないし６に係る発明も、先願明細書に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
７．したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許の請求項１ないし６に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件特許の請求項１ないし６に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１１日（２００２．６．１１）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
ａ．特許請求の範囲について、
　特許請求の範囲第１〜６項について、それぞれ、「ボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部」を、「作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部」と、特許請求の範囲の減縮を目的とした訂正をする。
ｂ．発明の詳細な説明について、
　平成１３年１月１２付け手続補正書で補正がされた、段落【０００７】７−８行目、１４−１５行目、２１−２２行目、２９−３０行目、３８−３９行目または４６−４７行目の、「ボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部」を、それぞれ、「作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応してボートを反応炉へ装入或は取出しする際の昇降速度、又は速度変更位置を設定する操作部」と、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正をする。
（５４）【発明の名称】
半導体製造方法及び半導体製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ウェーハに熱影響を与えない区間と、熱影響を与える行程を含む区間とに区分し、前記熱影響を与えない区間は、前記熱影響を与える行程を含む区間よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
　【請求項２】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ボートが上昇し反応炉に装入開始されるまでの区間（Ａ〜Ｂ区間）、又はボートが下降し反応炉から取出された後の区間（Ｂ〜Ａ区間）は、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍を除く区間（Ｂ〜Ｃ区間）よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
　【請求項３】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍の区間（Ｃ〜Ｄ区間）では、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍を除く区間（Ｂ〜Ｃ区間）よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
　【請求項４】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ウェーハに熱影響を与えない区間と、熱影響を与える行程を含む区間とに区分し、前記熱影響を与えない区間は、前記熱影響を与える行程を含む区間よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
　【請求項５】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ボートが上昇し反応炉に装入開始されるまでの区間（Ａ〜Ｂ区間）、又はボートが下降し反応炉から取出された後の区間（Ｂ〜Ａ区間）は、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍を除く区間（Ｂ〜Ｃ区間）よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
　【請求項６】　ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍の区間（Ｃ〜Ｄ区間）では、ボートが反応炉内にあり且つ上死点近傍を除く区間（Ｂ〜Ｃ区間）よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体製造装置の１つである縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを縦型拡散・ＣＶＤ装置の反応炉内に装入、取出しを行う場合のウェーハへの熱影響及びスループットを改善した半導体製造方法及び半導体製造装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　縦型拡散・ＣＶＤ装置はシリコン基板であるウェーハの表面に不純物の拡散、或は化学気相蒸着（ＣＶＤ）を行うもので、気密な反応炉の内部にボートを介して水平多段に保持したウェーハを、反応ガスを供給しつつ加熱するものである。
　【０００３】
　斯かる縦型拡散・ＣＶＤ装置に於いて、加熱状態にある反応炉内にボートを装入、取出しを行う際、ウェーハに急激な熱変化を与えると発生する熱歪みの為結晶間に辷りを生じ、品質の劣化を生ずることがある。この為、従来よりボートの反応炉内への装入、取出しはウェーハへ急激な熱変化を与えない様、全行程に亘ってゆっくりとした速度で行っていた。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述した様に、従来のボート装入、取出しは、全行程に亘って同一速度でゆっくりと行っているので、ボートの待機位置から炉口近傍迄等の様に、ウェーハが熱影響を受けない範囲についても同様にゆっくりした速度で昇降している。
　【０００５】
　この為、ウェーハの装入、取出しに不要な時間を要することになり、スループットを低下させる要因となっていた。
　【０００６】
　本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの装入、取出しの無駄な時間を可及的に短縮させ縦型拡散・ＣＶＤ装置のスループットを向上させようとするものである。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ウェーハに熱影響を与えない区間と、熱影響を与える行程を含む区間とに区分し、前記熱影響を与えない区間は、前記熱影響を与える行程を含む区間よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
　又本発明は、ウェーハを水平姿勢で多段に保持するボートを装入して熱処理する反応炉と、ボートを昇降して反応炉への装入・取出しを行うボート装入装置と、ボートを反応炉に対して装入、又は取出す際の行程を、ウェーハに熱影響を与えない区間と、熱影響を与える行程を含む区間とに区分し、前記熱影響を与えない区間は、前記熱影響を与える行程を含む区間よりも高速でボートを装入・取出しする様制御する制御装置と、
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
作動条件の指示、作動の開始等を指示すると共に処理の違いに対応して
　【０００８】
　【作用】
　ウェーハに熱影響を与えない区間についてボートを高速で昇降させウェーハの装入、取出しを高速で行うことで、作動に於ける無駄な時間を極力省いて、スループットを向上させる。
　【０００９】
　【実施例】
　以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
　【００１０】
　図１中、１は反応炉であり、該反応炉１の下方にボート装入装置２が設けられている。
　【００１１】
　垂直姿勢で回転自在に設けられたスクリューロッド３にボート受台４が螺合しており、該ボート受台４にボート５が載置されている。前記スクリューロッド３はモータ６により回転され、該モータ６の回転はエンコーダ７によって検出される様になっている。前記モータ６はモータ制御器８により駆動され、該モータ制御器８には主制御装置９より予め設定されたシーケンスに従って指令信号が発せられる。又、該主制御装置９には作動条件の指示、作動の開始等を指示する為の操作部１０が接続されている。図中、１１はウェーハである。
　【００１２】
　以下、作動を説明する。
　【００１３】
　本実施例では、ボート５の昇降動作の内、ウェーハへの熱影響の無い部分は早く動作させ、熱影響を受ける部分は、遅く動作させようとするものであり、実施するに当り準備として、全行程Ａ〜Ｄの内、熱影響の無い部分、下死点近傍のＡ〜Ｂ区間、上死点近傍のＣ〜Ｄ区間を実験等を繰返して発見し、更に前記Ａ〜Ｂ区間を高速で昇降させ、Ｂ〜Ｃ区間を低速で昇降させ、又Ｃ〜Ｄ区間を高速で昇降させる為の最適昇降速度を求める。
　【００１４】
　前記実験等により求めた各区間より、速度変更位置Ｂ、速度変更位置Ｃ、及び各区間の最適昇降速度を前記操作部１０より前記主制御装置９に入力する。
　【００１５】
　前記操作部１０より作動開始の指令が発せられることにより、或は予め設定されたシーケンスの指令により作動が開始する。先ず、装入動作、即ち上昇動作について説明する。
　【００１６】
　前記主制御装置９より前記モータ制御器８に駆動指令が発せられモータ６が駆動される。該モータ６の駆動によって前記スクリューロッド３が回転され、前記ボート受台４が下死点位置より上昇を開始する。この上昇初期の前記Ａ〜Ｂ区間は前記モータ６が高速で回転され、ボート５は高速で上昇する。
　【００１７】
　前記モータ６の回転量は、前記エンコーダ７によって検出され前記モータ制御器８にフィードバックされる。前記ボート５の位置が速度変更位置Ｂに達したことが検出されると、前記モータ６の駆動速度が変更され、前記ボート５が速度変更位置Ｃに達する迄低速で上昇する。速度変更位置Ｃに達したかどうかは、前記エンコーダ７の検出結果から判断され、速度変更位置Ｃに達すると、Ｃ〜Ｄ区間は高速で駆動される。
　【００１８】
　取出し動作、即ち下降動作も上述した上昇動作と同様に行われる。
　【００１９】
　而して、熱影響のあるＢ〜Ｃ区間はウェーハ１１の急激な温度変化が避けられる様に低速で前記ボート５が昇降し、熱影響の無いＡ〜Ｂ区間、Ｃ〜Ｄ区間は高速で昇降される。従って、ウェーハの品質低下を招くことなく無駄な時間が大幅に減少する。
　【００２０】
　尚、上記実施例では３区間に分けて、速度を変更したが、４区間以上に分けて、速度を順次高速に、或は順次低速にしてもよく、上記実施例の区分でも速度設定によりＡ〜Ｂ区間を高速に、又Ｂ〜Ｃ区間、Ｃ〜Ｄ区間を低速にしてもよい。更に、区間の長さ、速度については、処理の違いにより、最適な条件を設定すればよい。
　【００２１】
　【発明の効果】
　以上述べた如く本発明によれば、処理品質を低下させることなく、スループットを向上させ得、縦型拡散・ＣＶＤ装置の実質稼働率の向上、生産性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例を示す説明図である。
　【符号の説明】
　１　　　　　反応炉
　２　　　　　ボート装入装置
　５　　　　　ボート
　６　　　　　モータ
　１１　　　　ウェーハ