【事件の表示】
　特願２０１４−１１６０１１「高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材及び高純度銅スパッタリングターゲット」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　２月１９日出願公開、特開２０１５−　３４３３７、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２６年　６月　４日（優先権主張　平成２５年　７月１１日）の出願であって、平成３０年　５月２１日付けで拒絶理由が通知され、同年　７月　４日付けで意見書、手続補正書が提出され、同年１１月　１日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成３１年　１月１６日付けで拒絶査定不服審判の請求がされたものである。
  
第２　本願発明 
　本願の請求項１〜６に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明６」とい、これらを総称して「本願発明」という。）は、平成３０年　７月　４日付けの手続補正書で補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。なお、下線は補正箇所を示している。
  
「【請求項１】
　Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上
９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下
０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下
　　【請求項２】
　Ｃｌの含有量が
０．０１ｍａｓｓｐｐｍ以上
請求項１に記載
　　【請求項３】
　Ｏの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｈの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満、Ｎの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ未満とされていることを特徴とする
請求項１又は請求項２に記載
　　【請求項４】
　Ｃの含有量が１ｍａｓｓｐｐｍ以下とされていることを特徴とする
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載
　　【請求項５】
　
Ａｕ，Ｐｄ，Ｐｂ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｇｅ、Ｐｔ，Ｂｅ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔｈ、Ｕの含有量がそれぞれ０．０５ｍａｓｓｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。
　　【請求項６】
　請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材を用いて製造されたことを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット。」
  
第３　原査定の概要
　原査定（平成３０年１１月　１日付け拒絶査定）における拒絶理由の概要は次のとおりである。
　理由２．この出願の請求項１〜６に係る発明は、その出願前に日本国内において、頒布された下記の引用文献１〜４に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  
＜引用文献等一覧＞
１．特開２００６−２８６４２号公報
２．特開２００５−３３０５９１号公報
３．特開平１０−６０６３２号公報
４．特許第４５１９７７５号公報
第４　引用文献、引用発明 
１．引用文献１ 
１−１．引用文献１の記載
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２００６−２８６４２号公報）には、「半導体内部配線」（発明の名称）に関して、次の記載がある（なお、「…」によって記載の省略を表す。また、下線は当審が付した。以下同様。）。
  
　１ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
純度９９．９９９９ｗｔ％以上の単結晶銅からなるスパッタリングターゲット
　
　１イ　「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は、信頼性を高めた半導体素子配線膜形成用ターゲット
に関する
　
　１ウ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　上述のように超ＬＳＩ配線に使用される銅配線材料には、極めて高い純度が要求される。特に、不純物として、ナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属が配線中に存在すると、酸化膜耐圧劣化の原因となり素子の信頼性を著しく低下させることとなる。こうした観点から、電解精製やゾーン精製法を用いて製造された
高純度銅を原料とするスパッタリングターゲットが製造され
てきた。しかし、加工工程における汚染を完全に排除することができないばかりでなく、加工組織である結晶粒界に酸化物、硫化物、不純物が濃縮蓄積される問題が残されていた
【０００７】
　
こうした不純物は、ＬＳＩのパッケージの外部より侵入してくる水分等との反応により腐食の原因となる
成膜中に放出される微量な酸素は、膜を酸化させ抵抗率を上昇させるとともに、酸化による腐食発生の起源となる。また、粒界を起点として、発生する異常放電により、パーティクルが発生し配線間を短絡させる原因となっていた
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、スパッタリング法によって、高純度銅をターゲットとして配線を形成する場合、耐ＥＭ性、耐ＳＭ性、耐酸化性および耐腐食性に優れた、銅薄膜配線を提供するものである
　
　１エ　「【課題を解決するための手段】
【０００８】
　
本発明者らはかかる課題を解決するために鋭意研究したところ、純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を基体金属として、酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下の雰囲気にて溶解凝固させて得た高純度銅単結晶体を用いることによって、これらの課題が解決できることを見出し本発明を達成することができた
上記単結晶銅の酸素が０．０５ｐｐｍ以下、水素が０．２ｐｐｍ以下、窒素が０．５ｐｐｍ以下、炭素が０．０１ｐｐｍ以下で、純度が９９．９９９９ｗｔ％以上であることを特徴とする上記第１のスパッタリングターゲット
【発明の効果】
【０００９】
　
本発明は新規な高純度銅単結晶体を加工して得られたスパッタリングターゲット
であり従来品に比較して初期断線率や断線不良率の低い超ＬＳＩ向け銅配線を得ることができる
　
　１オ　「【００１３】
　［実施例１］
　
図１に示す製造装置を用いて高純度銅単結晶体を得た。先ず出発原料として銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅１０ｋｇを原料るつぼ５内に入れ、炉内真空度を４×１０-4Ｔｏｒｒとし、温度１１５０℃一定でるつぼ内の原料を溶解した。溶解された銅は、るつぼ底部に設けられた溶解滴下孔４から下方の単結晶鋳型６に滴下するが下部ヒーター１２を１０００℃までは０．５℃／分の割合で、１０００℃からは１５℃／分の割合で温度を下げて、４インチ口径の単結晶体１０ｋｇを得た。次いで得られた単結晶体を、Ｘ線カット面検査装置で（１１１）方向に切断した後鏡面研磨を行い直径６インチ、厚さ５ｍｍのターゲットを作製した
不純物金属成分は原料の分析値と同一であるが、ガス不純物の分析値は表に示す通りであった
【００１４】
【表１】
　この場合ガス成分中炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）の分析は住友重機製サイクロトロンＣＹＰＲＩＳ３７０を用いて荷電粒子放射化分析で行い、窒素（Ｎ）はＬＥＣＯ社製ＲＨ−ＩＥで、また水素（Ｈ）は、ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４８６を用いて燃焼熱伝導度法で求めた。
このようにして得られた、６Ｎ−銅単結晶ターゲットを希硝酸を用いて、エッチングをおこなったが、結晶粒界は観察されず、加工を経ても単結晶が維持されたままであることが確認された
　
　１カ　「【００２０】
　［実施例２］
　
出発原料として７Ｎ高純度銅を用いたほかは、実施例１と同一の条件で４インチ口径の７Ｎ高純度銅単結晶体を得、Ｘ線カット面検査装置を用いて（１１１）方向に切断した後、鏡面研磨を行い直径６インチ、厚さ５ｍｍのターゲットを作製した
不純物金属成分は、原料の分析値と同一であるが、ガス不純物の分析値は、表４に示す通りであった
【００２１】
【表４】
　この様にして得られた
７Ｎ−単結晶ターゲット
単結晶が維持されたままであることが確認された
【００２２】
　次いで、このターゲットを用いて、ＲＦスパッター法によりＡｒガス圧力３×１０-3Ｔｏｒｒ、放電電力２５０Ｗ、５００Ｗとして放電試験を行ない、異常放電回数およびパーティクルの発生状況を調べた。その結果、実施例１に記載した表２および表３と同様の結果となった。また、プラズマ分光の結果、ターゲットよりの放出ガスと思われるものは検出されなかった。」
　１キ「図１
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
１−２．引用文献１に記載された発明 
　ア　引用文献１の発明が解決しようとする課題（以下、単に「課題」という。）とは、上記１ウによれば、スパッタリングターゲットの結晶粒界に酸化物、硫化物、不純物が濃縮蓄積され、これら不純物は水分と反応して腐食の原因となるとともに、スパッタリングターゲットから成膜中に放出される微量な酸素が、膜を酸化させ抵抗率を上昇させ、酸化による腐食発生の起源となっていた。また、スパッタリングターゲットの粒界を起点として発生する異常放電により、パーティクルが発生し配線間を短絡させる原因となっていたという事情に鑑み、高純度銅をターゲットとして配線を形成する際に、耐ＥＭ（エレクトロマイグレーション）性、耐ＳＭ（ストレスマイグレーション）性、耐酸化性および耐腐食性に優れた銅薄膜配線を提供することである。　　
　イ　上記アの課題を解決するために用いられる高純度銅ターゲットとは、上記１エによれば、酸素が０．０５ｐｐｍ以下、水素が０．２ｐｐｍ以下、窒素が０．５ｐｐｍ以下、炭素が０．０１ｐｐｍ以下で、純度が９９．９９９９ｗｔ％以上であることを特徴とするものであって、銅の純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を基体金属として、酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下の雰囲気にて溶解凝固させて得た高純度銅単結晶体を加工することにより得られるものである。
　なお、上記酸素、水素等は高純度銅ターゲットに含まれるガス不純物である（１オの【００１３】、【表１】）。
　ウ　実施例１として得られた高純度銅ターゲットは、上記１オによれば、上記１キの図１に示す製造装置を用いて作製された６Ｎ−銅単結晶ターゲットであり、具体的には、銀と硫黄の合計含有量が０．１ｐｐｍ以下である純度９９．９９９９ｗｔ％以上の高純度銅を出発原料として原料るつぼ５内に入れ、炉内真空度を４×１０-4Ｔｏｒｒとし、温度１１５０℃一定で溶解し、溶解された銅をるつぼ下方の単結晶鋳型６に滴下し所定速度で降温することによって得られた単結晶体を、（１１１）方向に切断した後鏡面研磨を行って作製したものである（【００１３】）。
　そして、実施例１の高純度銅単結晶銅ターゲットを不純物分析した結果、不純物金属成分は原料の分析値と同一であるが、ガス不純物の分析値は表１に示す通りであった（【００１３】）。また、上記加工、すなわち切断や研磨を行った後においても、単結晶が維持されていた（【００１４】）。
　エ　実施例２として得られた高純度銅ターゲットは、上記１カによれば、出発原料として７Ｎ高純度銅を用いたほかは、実施例１と同一の条件で作製した７Ｎ−銅単結晶ターゲットであり、実施例２の高純度単結晶銅ターゲットを不純物分析した結果、不純物金属成分は原料の分析値と同一であるが、ガス不純物の分析値は表４に示す通りであった（【００２０】）。
　オ　そこで、上記実施例１の６Ｎ−銅単結晶ターゲットについて行われた、表１のガス不純物の分析結果に注目すると、Ｃの含有量は０．２４ｐｐｍ、Ｏの含有量は０．０３ｐｐｍ、Ｎの含有量は１ｐｐｍ未満、Ｈの含有量は０．２ｐｐｍ未満、Ｓの含有量が０．０５ｐｐｍ、Ｃｌの含有量が０．０１ｐｐｍ未満、Ｓｉの含有量が０．０１ｐｐｍ未満である。
　また、上記実施例２の７Ｎ−銅単結晶ターゲットについて表１（表４）のガス不純物の分析結果に注目すると、Ｃの含有量は０．２４ｐｐｍ、Ｏの含有量は０．００５ｐｐｍ未満、Ｎの含有量は１ｐｐｍ未満、Ｈの含有量は０．２ｐｐｍ未満、Ｓの含有量が０．０１ｐｐｍ、Ｃｌの含有量が０．０１ｐｐｍ未満、Ｓｉの含有量が０．０１ｐｐｍ未満である。
　なお、上記含有量の単位の「ｐｐｍ」は、段落【００１３】で高純度銅をＫｇ単位で測定し、その純度を「ｗｔ％」で表示していることから、同様に重量基準である「ｗｔｐｐｍ」を意味しているものと認められる。
　カ　ここで、上記ウ、エで検討したように、上記実施例１の６Ｎ−銅単結晶ターゲットと上記実施例２の７Ｎ−銅単結晶ターゲットの不純物金属成分が、上記ウの方法によって低減されるガス不純物を除いて、原料の分析値と同一であったことから、実施例１、２の６Ｎ、７Ｎ−銅単結晶ターゲットの銅の純度は、それぞれ、原料の銅の純度と同じ６Ｎ、７Ｎであって、ガス不純物を除く純度を意味しているものと解される。また、実施例１に使用されている原料である高純度銅の純度「９９．９９９９ｗｔ％以上」のことを６Ｎと記載していることから、実施例１の６Ｎ−銅単結晶ターゲットは、ガス不純物を除いて、銅の純度が６Ｎ、すなわち９９．９９９９０ｗｔ％以上９９．９９９９９ｗｔ％未満であることを意味しており、実施例２の７Ｎ−銅単結晶ターゲットは、ガス不純物を除いて、銅の純度が７Ｎ、すなわち９９．９９９９９０ｗｔ％以上９９．９９９９９９ｗｔ％未満であることを意味していると解される。　
　
　キ　また、実施例１及び実施例２の高純度単結晶銅ターゲットは、ガス不純物濃度が低減されているが、不純物金属成分が原料の分析値と同一であったということは、上記１キの図１に示す製造装置を用いてターゲットを製造する上記ウの製造方法は、当該製造装置を用いて、炉内真空度を４×１０-4Ｔｏｒｒとして溶解し降温する工程、すなわち、酸素濃度が０．１ｐｐｍ以下の雰囲気にて溶解凝固させる工程によって、Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈを含むガス不純物の含有量を低減するとともに単結晶化させて結晶粒界をなくした高純度単結晶銅ターゲットを得ることを意図するものであって、原料内の不純物金属成分の含有量を減少させて銅の純度を高めることを意図するものではないといえる。
　ク　上記１ア〜１キの記載及び上記ア〜キの検討によれば、引用文献１には、実施例１に注目すると、次の発明が記載されていると認められ、
「Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈを含むガス不純物を除くＣｕの純度が９９．９９９９０ｗｔ％以上９９．９９９９９ｗｔ％未満であり、Ｃの含有量が０．２４ｗｔｐｐｍ、Ｏの含有量が０．０３ｗｔｐｐｍ、Ｎの含有量が１ｗｔｐｐｍ未満、Ｈの含有量が０．２ｗｔｐｐｍ未満、Ｓの含有量が０．０５ｗｔｐｐｍ、Ｃｌの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ未満、Ｓｉの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ未満である、高純度単結晶銅ターゲット。」
（以下、「引用１発明１」という。）
実施例２に注目すると、次の発明が記載されていると認められる。
「Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈを含むガス不純物を除くＣｕの純度が９９．９９９９９０ｗｔ％以上９９．９９９９９９ｗｔ％未満であり、Ｃの含有量が０．２４ｗｔｐｐｍ、Ｏの含有量が０．００５ｗｔｐｐｍ未満、Ｎの含有量が１ｗｔｐｐｍ未満、Ｈの含有量が０．２ｗｔｐｐｍ未満、Ｓの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ、Ｃｌの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ未満、Ｓｉの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ未満である、高純度単結晶銅ターゲット。」
（以下、「引用１発明２」という。）
２．引用文献２ 
２−１．引用文献２の記載 
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００５−３３０５９１号公報）には、「スパッタリングターゲット」（発明の名称）に関して、次の記載がある。
  
　２ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
  ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いた純度９９．９９９９ｗｔ％以上の銅材を真空中、または不活性ガス中で溶解し、鋳造した多結晶銅からなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
  前記多結晶銅の結晶粒径が、１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
  請求項１または２記載のスパッタリングターゲットであって、
  当該スパッタリングターゲットに含まれるガス成分は、酸素（Ｏ）が０．００１重量ｐｐｍ以上０．０３重量ｐｐｍ以下、硫黄（Ｓ）が０．００１重量ｐｐｍ以上０．０５重量ｐｐｍ以下、水素が１重量ｐｐｍ未満であることを特徴とするスパッタリングターゲット。」
　
　２イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
　
成膜配線の銅中に
酸素、水素、硫黄等のガス成分元素が存在した場合
外部より侵入してくる水分等との反応により、腐食の原因となる
また成膜中に放出される微量な酸素は、膜を酸化させ抵抗率を上昇させると共に、酸化による腐食発生の原因となる
【００１０】
　
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、スパッタリング法によって銅をスパッタリングターゲットとして配線を形成する場合、耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れたスパッタリングターゲット
を提供することを目的とする
　
　２ウ　「【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
　発明者らの研究により、
ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅を基体金属として酸素濃度を０．０１容量ｐｐｍ以下の雰囲気で溶解、鋳造された鋳塊からスパッタリングターゲットを作成することで
ガス成分は、酸素（Ｏ）が０．００１重量ｐｐｍ以上０．０３重量ｐｐｍ以下、硫黄（Ｓ）が０．００１重量ｐｐｍ以上０．０５重量ｐｐｍ以下、水素が１重量ｐｐｍ未満となる
このスパッタリングターゲットにより成膜された銅配線を用いることで、耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた銅薄膜配線を得ることができた
　
　２エ　「【００３２】
（
実施例１
　本実施例は、ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いた純度９９．９９９９重量％の銅からバッチ式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲットを作成したときの例を示すものである。
【００３３】
　図１は、本実施例に係るスパッタリングターゲットの製造方法の処理の流れを示したフローチャートである。
【００３４】
　また、
図３は、本実施例に用いたバッチ式鋳造炉の概略断面図である
【００３５】
　図３の高純度カーボン製るつぼ４１の中に、
ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％の銅４２を約１０Ｋｇ充填した
【００３６】
　
溶解室の真空排気及び高純度アルゴンガス置換を数回繰り返し、溶解室の酸素濃度が０．１容量ｐｐｍ以下になったのを確認した後、昇温・溶解を開始した。そして、原料の銅４２が完全に溶解してから、るつぼ４１の底部から徐冷して凝固させた
鋳塊は単結晶に近いものであった。これを原料として鍛造により厚さ３ｃｍに加工した。この鍛造によって、鋳塊の組織が微細化してスパッタリングターゲットに適した微細多結晶になった
【００３７】
　次に硝酸により鋳塊の表面の汚染層を除去した後、
高純度アルゴン雰囲気中で１３５゜Ｃで３０分間焼鈍して加工歪を除去した
【００３８】
　
次にクロス圧延をおこなって厚さ７ｍｍの板に加工した。得られた圧延板の表面研削及び外形加工を行って、直径６インチ、厚さ５ｍｍの円盤にした。次に有機溶剤による円盤の洗浄後、希硝酸を用いて円盤にエッチングを行いスパッタリングターゲットとした
【００３９】
　
スパッタリングターゲットの不純物分析はグロー放電質量分析法により行った。その結果不純物金属成分は原料の分析値と同じであり、その分析結果を図２の表に示した。また、このときのガス不純物の分析結果も図２の表に併せて示した
【００４０】
　以上のようにして得られたスパッタリングターゲットを用いてＲＦスパッタ法により幅０．３μｍ、厚さ０．８μｍの銅配線を形成した。このときの成膜条件はアルゴンガス圧力３×１０−３Ｔｏｒｒ、放電電力５００Ｗとして、Ｓｉ基板上に堆積させた。
【００４１】
　次に保護膜としてＣＶＤ法により厚さ０．８μｍのＳｉＮ膜を堆積させた。この試料について電流密度１×１０６Ａ／ｃｍ２、雰囲気温度２００゜Ｃで２０００時間の加速試験を行い断線不良率を測定した。その結果試料の断線不良率は１．０％であり、その結果を図２の表に併せて示した。」
　
　２オ　「【００４２】
（実施例２）
　本実施例は、ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いた純度９９．９９９９９重量％の銅からバッチ式鋳造炉を用いてスパッタリングターゲットを作成したときの例を示すものである。
【００４３】
　純度９９．９９９９９重量％の銅を用いたこと以外は実施例１に記載の方法と同様に行った。スパッタリングターゲットの作成方法は、実施例１と同じであるので省略する。
【００４４】
　スパッタリングターゲットの不純物分析はグロー放電質量分析法により行った。その結果不純物金属成分は原料の分析値と同じであり、その分析結果を図２の表に併せて示した。また、このときのガス不純物の分析結果も図２の表に併せて示した。」
　
　２カ　「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　２キ　「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
２−２．引用文献２に記載された発明 
　ア　引用文献２の発明が解決しようとする課題（以下、単に「課題」という。）とは、上記２イによれば、成膜配線の銅中に酸素、水素、硫黄等のガス成分元素が存在すると、外部より侵入してくる水分等と反応して腐食の原因となり、また、成膜中に放出される微量な酸素が、膜を酸化させ抵抗率を上昇させると共に、酸化による腐食発生の原因になるという問題点を解決して、耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れた配線を形成することのできるスパッタリングターゲットを提供することである。
　イ　上記アの課題を解決するために用いられる高純度銅ターゲットは、上記２ウによれば、ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いた純度９９．９９９９重量％以上の銅を基体金属として酸素濃度を０．０１容量ｐｐｍ以下の雰囲気で溶解、鋳造された鋳塊から作成されたスパッタリングターゲットであって、当該スパッタリングターゲットに含有されるガス成分は、酸素（Ｏ）が０．００１重量ｐｐｍ以上０．０３重量ｐｐｍ以下、硫黄（Ｓ）が０．００１重量ｐｐｍ以上０．０５重量ｐｐｍ以下、水素が１重量ｐｐｍ未満となっているものである。
　ウ　実施例１として得られたスパッタリングターゲットは、上記２エによれば、上記２キ図３のバッチ式鋳造炉を用いて製造されたものであり、ガス成分を除いた純度９９．９９９９重量％の銅４２をカラ焼きしたるつぼ４１の中に充填し（【００３５】）、溶解室の酸素濃度が０．１容量ｐｐｍ以下になったのを確認した後、昇温・溶解し、るつぼ４１の底部から徐冷して凝固させることによって単結晶に近い鋳塊を得、この鋳塊を鍛造して微細多結晶としたものを、クロス圧延し、表面研削し、外形加工し、洗浄、エッチングを行うことによって作成されたものである（【００３６】〜【００３８】）。
　そして、実施例１のスパッタリングターゲットの不純物分析を行った結果、不純物金属成分は原料の分析値と同じであり、ガス不純物の分析結果は図２の表に示されたものとなった（【００３９】）。
　エ　実施例２として得られたスパッタリングターゲットは、上記２オによれば、ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いた純度９９．９９９９９重量％の銅を用いたこと以外は実施例１の方法と同様にして作成されたものであり（【００４２】、【００４３】）、実施例２のスパッタリングターゲットの不純物分析を行った結果、不純物金属成分は原料の分析値と同じであり、ガス不純物の分析結果は図２の表に示されたものとなった（【００４４】）。　
　オ　そこで、純度９９．９９９９重量％の銅を用いた上記実施例１のスパッタリングターゲットについて図２の表の不純物の分析結果に注目すると、Ｓｉが０．２ｐｐｍ、Ｏは０．０３ｐｐｍ未満、Ｈは１ｐｐｍ未満、Ｓが０．０５ｐｐｍである。
　また、純度９９．９９９９９重量％の銅を用いた上記実施例２のスパッタリングターゲットについて図２の表の不純物の分析結果に注目すると、Ｓｉが０．０４ｐｐｍ、Ｏは０．００５ｐｐｍ未満、Ｈは０．２ｐｐｍ未満、Ｓが０．０１ｐｐｍである。
　なお、純度の単位ｐｐｍは、段落【００３５】で銅をＫｇ単位で測定し、その純度を「重量％」で表示していることから、同様に重量基準である「重量ｐｐｍ」を意味しているものと認められる。
　カ　ここで、実施例１と実施例２のスパッタリングターゲットの不純物金属成分の含有量が原料の分析値と同一であったということは、ガス成分を除いて、実施例１と実施例２のスパッタリングターゲットの銅の純度は、それぞれの原料の銅の純度と同じであることを意味するものと解されるから、実施例１のスパッタリングターゲットは、ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いて、銅の純度が９９．９９９９ｗｔ％であり、実施例２のスパッタリングターゲットは、ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いて、銅の純度が９９．９９９９９ｗｔ％であるといえる。
　キ　また、実施例１及び実施例２のスパッタリングターゲットは、Ｏ、Ｈ、Ｓのガス不純物の濃度が低減されていることが確認されているので、不純物金属成分の含有量が原料の分析値と同一であったということは、図３のバッチ式鋳造炉を用いた引用文献２の製造方法は、当該バッチ式鋳造炉の溶解室の酸素濃度を０．１容量ｐｐｍ以下とすることによって、Ｏ、Ｈ、Ｓのガス不純物の含有量を低減したスパッタリングターゲットを得ることを意図するものであって、原料内の不純物金属成分の含有量を減少させて銅の純度を高めることを意図するものではないといえる。
　ク　上記２ア〜２カの記載及び上記ア〜カの検討によれば、引用文献２には、実施例１に注目すると、次の発明が記載されていると認められ、
  
「ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いたＣｕの純度が９９．９９９９重量％であり、Ｓｉの含有量が０．２重量ｐｐｍ、Ｓの含有量が０．０５重量ｐｐｍ、Ｏの含有量が０．０３重量ｐｐｍ、Ｈの含有量が１重量ｐｐｍ未満である、スパッタリングターゲット。」（以下、「引用２発明１」という。）　
実施例２に注目すると、次の発明が記載されていると認められる。
「ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いたＣｕの純度が９９．９９９９９重量％であり、Ｓｉの含有量が０．０４重量ｐｐｍ、Ｓの含有量が０．０１重量ｐｐｍ、Ｏの含有量が０．００５重量ｐｐｍ未満、Ｈの含有量が０．２重量ｐｐｍ未満である、スパッタリングターゲット。」（以下、「引用２発明２」という。）　
３．引用文献３ 
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開平１０−０６０６３２号公報）には、「スパッタリングターゲット」（発明の名称）に関して記載されているところ、引用文献３に係る出願の分割出願が引用文献２に係る出願であり、引用文献３と引用文献２の明細書及び図面には同一事項が記載されている。
　したがって、引用文献３には、引用文献２と同様に、上記引用２発明１と引用２発明２が記載されている。
４．引用文献４
４−１．引用文献４の記載
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特許第４５１９７７５号公報）には、「超高純度銅及びその製造方法」（発明の名称）に関して、次の事項が記載されている。
　４ア　「【技術分野】
【０００１】
　
この発明は
８Ｎ（９９．９９９９９９ｗｔ％）以上の超高純度銅
に関する
【０００２】
　高純度銅の特徴は、再結晶温度が低く軟らかいこと、中間温度域での脆性も殆んどなく加工性が良いこと、極低温において電気抵抗が小さく熱伝導性が高いことであり、極微量の元素添加による特性の改良や、不純物汚染がもたらす特性の影響が極端に大きいことも特徴の一つである。  高純度銅のこれらの特徴を利用して、各種の電子部品材料、半導体装置材料として広範囲に使用されているが、特に
スパッタリングターゲットを使用して高純度銅薄膜を形成する場合、成膜特性や成膜条件の安定性は、ターゲットの純度に大きく依存しているため、ターゲット材料の高純度化が強く要請されている
　
　４イ　「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　
本発明は、不純物が多く含有される銅原料から、銅含有溶液を用いて電解することにより、純度８Ｎ（９９．９９９９９９ｗｔ％）以上の超高純度銅を効率的に製造する技術及びそれによって得られた超高純度銅を提供することを目的としたものである
　
　４ウ　「【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　
市販の２Ｎ〜４Ｎレベルの銅原料をアノードとし、カソードを使用して電解を行う
　
前記アノードとカソードはイオン交換膜で仕切り、アノライトを間歇的又は連続的に抜き出す。カソライトは、イオン交換膜を介して外側の液（アノライト）と分離している。イオン交換膜はＣｕイオンをあまり通過させない膜ならば、特に制限がなく適用できる
【００１１】
　
抜き出したアノライトに活性炭を添加し攪拌する。液中の不純物は活性炭に吸着され、これを濾過することにより液中から除去される
不純物を除去して高純度化された銅電解液は、カソード側に間歇的又は連続的に導入し、カソライトとして使用して電解採取を行う
【００１２】
　以上によって、純度８Ｎの電析銅（カソードに析出）が得られる。すなわち、
ガス成分を除き８Ｎ（９９．９９９９９９ｗｔ％）以上であり、不純物として金属成分の全てを０．０１ｗｔｐｐｍ以下とすることができる
　
　４エ　「【００１４】
（実施例１）
  ４Ｎレベルの塊状の銅原料５０ｋｇをアノードとし、カソードに銅板を使用して電解を行った。原料の不純物の含有量を表１に示す。なお、同表には、従来の６Ｎ銅の不純物量も合わせて示す。
  銅原料には、主としてセレン、銀、炭素、硫黄、塩素等が多く含有されている。例えば表１に示すように、Ｓ：３．１ｗｔｐｐｍ、Ａｇ：７．８ｗｔｐｐｍ、Ｃｌ：７．６ｗｔｐｐｍ、Ｓｅ：３．２ｗｔｐｐｍが含有されている。
  浴温３０°Ｃ、硝酸系電解液を使用し、ｐＨ１．３、電流密度１Ａ／ｄｍ２で実施した。電解当初、アノード側のＣｕ濃度は１ｇ／Ｌ以下である。電解後、Ｃｕ濃度１００ｇ／Ｌとして１００Ｌ抜き出した。
【００１５】
【表１】
【００１６】
　抜き出したアノライトを活性炭処理槽へ導入し、塩化銅を１３ｍｇ添加した。その後、活性炭を３０ｇ／Ｌ添加して不純物を除去した。
　この液をカソード側に入れて電解採取を行った。カソード側に約８ｋｇのＣｕが得られた。これを１０−３Ｐａで真空溶解してインゴットを得た。これより３ｍｍ角×１００ｍｍの棒を切り出し、Ｈ２雰囲気中、６００°Ｃ、２時間焼鈍した。
　この棒を４端子法により、残留抵抗比を測定した。２９３Ｋでは１７μΩｍ、４．２Ｋでは４．２５×１０−４μΩ・ｍとなり、残留抵抗比４０，０００の値を示した。
本実施例で得られた超高純度銅の不純物量を表１に示す
４オ　「【００２１】
　また、スパッタリングターゲットを使用して高純度銅薄膜を形成する場合に、成膜特性や成膜条件の安定性は、ターゲットの純度に大きく依存している。この点に鑑み、上記実施例１で得られた超高純度を使用してターゲットを作製し、また同様に従来の４Ｎ銅ターゲット及び
６Ｎ高純度銅ターゲットを作製し、これらを使用してスパッタリングし
　この結果、４Ｎ銅ターゲット材はパーティクル発生量が多く観察されたが、６Ｎ高純度銅ターゲットはそれが少なかった。さらに本実施例１のターゲット材は、さらに極少であった。これより、超高純度銅ターゲットは、成膜特性に優れていることが分かった。」
　
４−２．引用文献４の記載事項と引用文献４に記載された従来発明
　ア　上記４ア、４イによれば、スパッタリングターゲットを使用して高純度銅薄膜を形成する場合、成膜特性や成膜条件の安定性はターゲットの純度に大きく依存しているため、ターゲット材料の高純度化が強く要請されているという事情を踏まえて、引用文献４は、不純物が多く含有される銅原料から、電解することにより、純度８Ｎ（９９．９９９９９９ｗｔ％）以上の超高純度銅を提供することを目的としている。
　イ　上記４ウによれば、引用文献４には、市販の２Ｎ〜４Ｎレベルの銅原料をアノードとし、カソードを使用して電解を行う方法が記載されており、具体的には、Ｃｕイオンをあまり透過させないイオン交換膜でアノードとカソードを仕切り、アノードから電解液中に銅が溶解したアノライトを抜き出し、当該アノライト中の不純物を活性炭に吸着させ濾過した銅電解液をカソード側に導入してカソライトとし、電解採取を行う方法によって、銅の純度がガス成分を除き８Ｎ（９９．９９９９９９ｗｔ％）以上であり、不純物として金属成分の全てを０．０１ｗｔｐｐｍ以下とした電析銅を得ることができる。
　ウ　上記４エには、実施例１として、純度が４Ｎの塊状の銅原料をアノードに用いて上記イの電解方法によって得られた、純度８〜９Ｎの超高純度銅が記載されている。
　エ　また、上記４エの表１には、実施例１の８〜９Ｎ銅と対比して、原料の４Ｎ銅の不純物量と、従来の６Ｎ銅の不純物量も記載されており、表１における４Ｎ銅の不純物量の単位が「ｗｔｐｐｍ」であるから（【００１４】）、上記６Ｎ銅及び上記８〜９Ｎ銅の不純物量の単位も同様に「ｗｔｐｐｍ」であるものと認められる。
したがって、上記６Ｎ銅の不純物量は、Ａｌが０．００４ｗｔｐｐｍ、Ｓｉが０．０５ｗｔｐｐｍ、Ｓが０．００５ｗｔｐｐｍ未満であり、実施例１の８〜９Ｎ銅は、ＡｌやＳｉ等のいずれの金属不純物もその含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ未満となっているものと認められる。
　オ　上記４ア〜４エの記載及び上記ア〜エの検討によれば、引用文献４には、従来の６Ｎ銅に注目すると、次の発明が記載されていると認められる。
  
「Ｃｕの純度が６Ｎであり、Ａｌが０．００４ｗｔｐｐｍ、Ｓｉが０．０５ｗｔｐｐｍ、Ｓが０．００５ｗｔｐｐｍ未満である、高純度銅。」（以下、「引用４従来発明」という。）
第５　当審の判断
１．引用１発明１を主たる発明とした場合の判断 
（１）本願発明１と引用１発明１との対比
　ア　引用１発明１の「Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈを含むガス不純物を除くＣｕの純度が９９．９９９９０ｗｔ％以上９９．９９９９９ｗｔ％未満」であることと、本願発明１の「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内」であることは、「ｗｔ％」と「ｍａｓｓ％」は表現が異なるだけで同じ単位であることを踏まえると、いずれも、「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９ｍａｓｓ％未満の範囲内」である点で共通する。　　
　イ　引用１発明１の「Ｓｉの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ未満」、「Ｓの含有量が０．０５ｗｔｐｐｍ」であることと、本願発明１の「Ｓｉの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であることは、数値範囲に重なるところはないが、いずれも、ＳｉとＳを不純物として含有している点で共通する。　
　ウ　引用１発明１の「高純度単結晶銅ターゲット」は、スパッタリングターゲットに使用される高純度銅素材であるといえるから、本願発明１の「高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材」に相当する。
　エ　したがって、本願発明１と引用１発明１は、次の点で一致し、相違する。 
  
（一致点） 
「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９ｍａｓｓ％未満の範囲内とされ、ＳｉとＳを不純物として含有していることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。」
  
（相違点１） 
　「Ａｌの含有量」が、本願発明１では「０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用１発明１ではＡｌの含有量が測定されておらず不明である点。
（相違点２）
　「Ｓｉの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用１発明１では「０．０１ｗｔｐｐｍ未満」であり、数値範囲に重なりがない点。
（相違点３）
　「Ｓの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用１発明１では「０．０５ｗｔｐｐｍ」であり、数値範囲に重なりがない点。
（２）相違点１〜３についての判断 
　ア　引用文献１では、引用１発明１の認定の基礎となった実施例１では、６Ｎ高純度銅を原料に用いて６Ｎ−銅単結晶ターゲットを作成しているところ、これら両者は不純物金属成分の濃度が同一であるから、原料のＡｌ濃度がわかれば、６Ｎ−銅単結晶ターゲットのＡｌ濃度が判明すると考えられるが、当該原料のＡｌ濃度は記載されておらず、不明である。
　
　イ　引用文献２（及び同内容の引用文献３）の実施例１では純度９９．９９９９重量％、すなわち６Ｎの銅を原料としてスパッタリングターゲットを製造しているが、上記原料のＡｌ含有量は不明である。
　ウ　引用文献４の表１には、従来の６Ｎ銅について記載されており、Ａｌ不純物量が０．００４ｗｔｐｐｍであることが記載されている。
　そこで、仮に、引用１発明１において、原料の６Ｎ高純度銅として、引用文献４の６Ｎ銅を採用すれば、当該原料から作成される６Ｎ−銅単結晶ターゲットの金属不純物濃度は原料と同じとなるから、Ａｌの不純物量は０．００４ｗｔｐｐｍ、すなわち、０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることはできるが、Ｓｉの不純物量が引用文献４の６Ｎ銅のＳｉ不純物量と同じ０．０５ｗｔｐｐｍとなってしまうため、Ａｌ不純物量の条件は満たしたとしても、Ｓｉ含有量の条件を満たさないものとなってしまう。
　エ　なお、平成３０年９月６日付け刊行物等提出書に添付して提出された刊行物２（発明協会公開技報２００２−５０２４３９）には、純度６Ｎの１２枚の高純度銅ターゲットについて以下のとおり記載されており、表１にはＡｌの不純物量が、０．００１ｗｔｐｐｍ未満であるか、０．００２ｗｔｐｐｍであることが記載されている。
　そこで、仮に、引用１発明１において、原料の６Ｎ高純度銅として、上記刊行物２の純度６Ｎの高純度銅を採用すれば、当該原料から作成される６Ｎ−銅単結晶ターゲットの金属不純物濃度は原料と同じとなるから、Ａｌの不純物量は０．００１ｗｔｐｐｍ未満であるか、０．００２ｗｔｐｐｍ、すなわち、０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることはできるが、Ｓの不純物量も上記刊行物２の純度６Ｎの高純度銅のＳ不純物量と同じ０．００５ｗｔｐｐｍ未満となってしまうため、Ａｌ不純物量の条件は満たしたとしても、Ｓ含有量の条件を満たさないものとなってしまう。
　オ　よって、引用１発明１において、「Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」とするとともに、ＳｉとＳの含有量を本願発明１のものとすること、すなわち、相違点１〜相違点３に係る本願発明１の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　カ　そして、本願発明は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内という、３回以上の精製処理工程を必要とする８Ｎ銅ほど純度が高くはないものでありながら、酸化物、炭化物、窒化物等の異物を形成しやすい元素であるＡｌとＳｉに注目してこれらを所定濃度に低減することによって、比較的低コストで、成膜時の異常放電の発生を抑制し、異物が膜内に混入することのない、高品質の高純度銅膜を成膜することができるという格別の効果を奏するものである。
（３）小活
　以上から、引用１発明１において、上記相違点１〜相違点３について、それぞれ、当該相違点１〜相違点３に係る本願発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえないから、本願発明１は、引用文献１に記載された発明と、引用文献２〜４の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　また、本願発明１を引用することによって、本願発明１の特定事項の全てを備える本願発明２〜６についても、同様の理由によって、引用文献１に記載された発明と、引用文献２〜４の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
２．引用１発明２を主たる発明とした場合の判断
（１）本願発明１と引用１発明２との対比
　ア　引用１発明２の「Ｃ、Ｏ、Ｎ、Ｈを含むガス不純物を除くＣｕの純度が９９．９９９９９ｗｔ％以上９９．９９９９９９ｗｔ％未満」であることと、本願発明１の「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内」であることは、「ｗｔ％」と「ｍａｓｓ％」は表現が異なるだけで同じ単位であることを踏まえると、いずれも、「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９９０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内」である点で共通する。　　
　イ　引用１発明２の「Ｓｉの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ未満」、「Ｓの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ」であることと、本願発明１の「Ｓｉの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であることは、数値範囲に重なるところはないが、いずれも、ＳｉとＳを不純物として含有している点で共通する。
　ウ　引用１発明２の「高純度単結晶銅ターゲット」は、スパッタリングターゲットに使用される高純度銅素材であるといえるから、本願発明１の「高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材」に相当する。
　エ　したがって、本願発明１と引用１発明２は、次の点で一致し、相違する。 
  
（一致点） 
「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９９０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、ＳｉとＳを不純物として含有していることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。」
  
（相違点４） 
　「Ａｌの含有量」が、本願発明１では「０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用１発明２ではＡｌの含有量が測定されておらず不明である点。
（相違点５）
　「Ｓｉの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用１発明２では「０．０１ｗｔｐｐｍ未満」であり、数値範囲に重なりがない点。
（相違点６）
　「Ｓの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用１発明２では「０．０１ｗｔｐｐｍ」であり、数値範囲に重なりがない点。
（２）相違点４についての判断 
　ア　引用文献１では、引用１発明２の認定の基礎となった実施例２では、７Ｎ高純度銅を原料に用いて７Ｎ−銅単結晶ターゲットを作成しているところ、これら両者は不純物金属成分の濃度が同一であるから、原料のＡｌ濃度がわかれば、７Ｎ−銅単結晶ターゲットのＡｌ濃度が判明すると考えられるが、当該原料のＡｌ濃度は不明である。
　イ　引用文献２（及び同内容の引用文献３）の実施例２では７Ｎ銅を原料としてスパッタリングターゲットを製造しているが、上記原料のＡｌ含有量は不明である。
　ウ　引用文献４には、７Ｎ銅についての記載がない。
　エ　なお、平成３０年９月６日付け刊行物等提出書に添付して提出された刊行物２（発明協会公開技報２００２−５０２４３９）にも、７Ｎ銅についての記載がない。
　オ　したがって、引用１発明２において、「Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」とすることを動機付ける証拠はないので、相違点４に係る本願発明１の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
（３）相違点５についての判断
　ア　引用文献１には、その表１にＳｉの含有量が記載されているものの、引用文献１の課題を解決するにあたり、Ｓｉの含有量に注目しているわけではなく、Ｓｉの含有量が多い方が好ましいとする記載や示唆がないし、原料として使用される７Ｎ高純度銅においてＳｉの含有量が０．０１１〜０．０３ｗｔｐｐｍが通常のことであることを示す文献も見つかっていない。
　イ　したがって、引用１発明２において、０．０１ｗｔｐｐｍ未満であるＳｉの含有量を、０．０１１〜０．０３ｗｔｐｐｍに増加することを動機付ける証拠がないので、相違点５に係る本願発明１の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　ウ　そして、本願発明は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内という、３回以上の精製処理工程を必要とする８Ｎ銅ほど純度が高くはないものでありながら、酸化物、炭化物、窒化物等の異物を形成しやすい元素であるＡｌとＳｉに注目してこれらを所定濃度に低減することによって、比較的低コストで、成膜時の異常放電の発生を抑制し、異物が膜内に混入することのない、高品質の高純度銅膜を成膜することができるという格別の効果を奏するものである。
（４）小活
　以上から、引用１発明２において、少なくとも、上記相違点４及び相違点５について、それぞれ、当該相違点４及び相違点５に係る本願発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえないから、上記相違点６について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　また、本願発明１を引用することによって、本願発明１の特定事項の全てを備える本願発明２〜６についても、同様の理由によって、引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
３．引用２発明１を主たる発明とした場合の判断 
（１）本願発明１と引用２発明１との対比
　ア　引用２発明１の「ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いたＣｕの純度が９９．９９９９重量％」であることと、本願発明１の「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内」であることは、「ｗｔ％」と「ｍａｓｓ％」は表現が異なるだけで同じ単位であることと、「純度が９９．９９９９重量％」とは「純度が９９．９９９９０ｗｔ％以上９９．９９９９９ｗｔ％未満」であることを意味していると認められることを踏まえると、いずれも、「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９ｍａｓｓ％未満の範囲内」である点で共通する。　　　
　イ　引用２発明１の「Ｓｉの含有量が０．２重量ｐｐｍ、Ｓの含有量が０．０５重量ｐｐｍ」であることと、本願発明１の「Ｓｉの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であることは、数値範囲に重なるところはないが、いずれも、ＳｉとＳを不純物として含有している点で共通する。　　
　ウ　引用２発明１の「スパッタリングターゲット」は、スパッタリングターゲットに使用される高純度銅素材であるといえるから、本願発明１の「高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材」に相当する。
　エ　したがって、本願発明１と引用２発明１は、次の点で一致し、相違する。 
  
（一致点） 
「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９ｍａｓｓ％未満の範囲内とされ、ＳｉとＳを不純物として含有していることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。」
  
（相違点７） 
　「Ａｌの含有量」が、本願発明１では「０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用２発明１ではＡｌの含有量が測定されておらず不明である点。
（相違点８）
　「Ｓｉの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用２発明１では「０．２重量ｐｐｍ」である点。
（相違点９）
　「Ｓの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用２発明１では「０．０５重量ｐｐｍ」である点。
  
（２）相違点７〜９についての判断
　ア　引用文献２では、引用２発明１の認定の基礎となった実施例１では、純度が９９．９９９９重量％の銅を原料に用いてスパッタリングターゲットを作成しているところ、これら両者は不純物金属成分の濃度が同一であるから、原料のＡｌ濃度がわかれば、スパッタリングターゲットのＡｌ濃度が判明すると考えられるが、当該原料のＡｌ濃度は不明である。　
　
　イ　引用文献１の実施例１では６Ｎ銅を原料としてスパッタリングターゲットを製造しているが、上記原料のＡｌ含有量は不明である。
　ウ　引用文献４の表１には、６Ｎ銅について記載されており、Ａｌ不純物量が０．００４ｗｔｐｐｍであることが記載されている。
　そこで、仮に、引用２発明１において、原料の純度が９９．９９９９重量％の銅として、引用文献４の６Ｎ銅を採用すれば、当該原料から作成されるスパッタリングターゲットの金属不純物濃度は原料と同じとなるから、Ａｌの不純物量は０．００４ｗｔｐｐｍ、すなわち、０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることはできるが、Ｓｉの不純物量が引用文献４の６Ｎ銅のＳｉ不純物量と同じ０．０５ｗｔｐｐｍとなってしまうため、Ａｌ不純物量の条件は満たしたとしても、Ｓｉ含有量の条件を満たさないものとなってしまう。
　エ　なお、平成３０年９月６日付け刊行物等提出書に添付して提出された刊行物２（発明協会公開技報２００２−５０２４３９）には、純度６Ｎの高純度銅ターゲットについて記載されており、その表１にはＡｌの不純物量が、０．００１ｗｔｐｐｍ未満であるか、０．００２ｗｔｐｐｍであることが記載されている。
　そこで、仮に、引用２発明１において、原料の純度が９９．９９９９重量％の銅として、上記刊行物２の純度６Ｎの高純度銅を採用すれば、当該原料から作成されるスパッタリングターゲットの金属不純物濃度は原料と同じとなるから、Ａｌの不純物量は０．００１ｗｔｐｐｍ未満であるか、０．００２ｗｔｐｐｍ、すなわち、０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることはできるが、Ｓの不純物量が上記刊行物２の純度６Ｎの高純度銅のＳ不純物量と同じ０．００５ｗｔｐｐｍ未満となってしまうため、Ａｌ不純物量の条件は満たしたとしても、Ｓ不純物量の条件を満たさないものとなってしまう。　　
　オ　よって、引用２発明１において、「Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」とするとともに、ＳｉとＳの含有量を本願発明１のものとすること、すなわち、相違点７〜相違点９に係る本願発明１の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　カ　そして、本願発明は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内という、３回以上の精製処理工程を必要とする８Ｎ銅ほど純度が高くはないものでありながら、酸化物、炭化物、窒化物等の異物を形成しやすい元素であるＡｌとＳｉに注目してこれらを所定濃度に低減することによって、比較的低コストで、成膜時の異常放電の発生を抑制し、異物が膜内に混入することのない、高品質の高純度銅膜を成膜することができるという格別の効果を奏するものである。
（３）小活
　以上から、引用２発明１において、上記相違点７〜相違点９について、それぞれ、当該相違点７〜相違点９に係る本願発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえないから、本願発明１は、引用文献２に記載された発明と、引用文献１、３〜４の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　また、本願発明１を引用することによって、本願発明２の特定事項の全てを備える本願発明２〜６についても、同様の理由によって、引用文献２に記載された発明と、引用文献１、３〜４の記載に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
４．引用２発明２を主たる発明とした場合の判断 
（１）本願発明１と引用２発明２との対比
　ア　引用２発明２の「ガス成分（Ｏ，Ｎ，Ｃ，Ｈ）を除いたＣｕの純度が９９．９９９９９重量％」であることと、本願発明１の「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内」であることは、「ｗｔ％」と「ｍａｓｓ％」は表現が異なるだけで同じ単位であることと、「純度が９９．９９９９９重量％」とは「純度が９９．９９９９９０ｗｔ％以上９９．９９９９９９ｗｔ％未満」であることを意味していると認められることを踏まえると、いずれも、「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９９０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内」である点で共通する。　　　
　イ　引用２発明２の「Ｓｉの含有量が０．０４重量ｐｐｍ、Ｓの含有量が０．０１ｗｔｐｐｍ」であることと、本願発明１の「Ｓｉの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であることは、数値範囲に重なるところはないが、いずれも、ＳｉとＳを不純物として含有している点で共通する。
　ウ　引用２発明２の「スパッタリングターゲット」は、スパッタリングターゲットに使用される高純度銅素材であるといえるから、本願発明１の「高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材」に相当する。
　エ　したがって、本願発明１と引用２発明２は、次の点で一致し、相違する。 
  
（一致点） 
「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９９０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、ＳｉとＳを不純物として含有していることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。」
  
（相違点１０） 
　「Ａｌの含有量」が、本願発明１では「０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用２発明２ではＡｌの含有量が測定されておらず不明である点。
（相違点１１）
　「Ｓｉの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用２発明２では「０．０４重量ｐｐｍ」である点。
（相違点１２）
　「Ｓの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用２発明２では「０．０１重量ｐｐｍ」である点。
（２）相違点１０についての判断 
　ア　引用文献２では、引用２発明２の認定の基礎となった実施例２として、純度が９９．９９９９９重量％の銅を原料に用いてスパッタリングターゲットを作成しているところ、これら両者は不純物金属成分の濃度が同一であるから、原料のＡｌ濃度がわかれば、スパッタリングターゲットのＡｌ濃度が判明すると考えられるが、当該原料のＡｌ濃度は不明である。
　イ　引用文献１の実施例２では７Ｎ銅を原料としてスパッタリングターゲットを製造しているが、上記原料のＡｌ含有量は不明である。
　ウ　引用文献４には、７Ｎ銅についての記載がない。
　エ　なお、平成３０年９月６日付け刊行物等提出書に添付して提出された刊行物２（発明協会公開技報２００２−５０２４３９）にも、７Ｎ銅についての記載がない。
　オ　したがって、引用文献２の実施例２で原料として使用された、純度が９９．９９９９９重量％の銅のＡｌ濃度が不明であり、また、引用２発明２のＡｌ含有量を０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下とすることを動機付ける文献もない。　
　カ　よって、引用２発明２において、「Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」とする動機付けがないから、相違点４に係る本願発明１の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
（３）相違点１２についての判断
　ア　引用文献２には、その図２においてＳの含有量が記載されているものの、引用文献２の課題を解決するにあたり、Ｓの含有量に注目しているわけではなく、Ｓの含有量が多い方が好ましいとする記載や示唆がないし、原料として使用される７Ｎ高純度銅においてＳの含有量が０．０１１〜０．０３ｗｔｐｐｍが通常のことであることを示す文献も見つかっていない。
　イ　したがって、引用２発明２において、０．０１重量ｐｐｍであるＳの含有量を、０．０１１〜０．０３ｗｔｐｐｍに増加させる動機付けがないから、相違点１２に係る本願発明１の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　ウ　そして、本願発明は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内という、３回以上の精製処理工程を必要とする８Ｎ銅ほど純度が高くはないものでありながら、酸化物、炭化物、窒化物等の異物を形成しやすい元素であるＡｌとＳｉに注目してこれらを所定濃度に低減することによって、比較的低コストで、成膜時の異常放電の発生を抑制し、異物が膜内に混入することのない、高品質の高純度銅膜を成膜することができるという格別の効果を奏するものである。
（４）小活
　以上から、引用２発明２において、少なくとも、上記相違点１０及び相違点１２について、当該相違点１０及び相違点１２に係る本願発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえないから、上記相違点１１について検討するまでもなく、本願発明１は、引用文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　また、本願発明１を引用することによって、本願発明１の特定事項の全てを備える本願発明２〜６についても、同様の理由によって、引用文献２に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
５．引用４従来発明を主たる発明とした場合の判断
（１）本願発明１と引用４従来発明との対比 
　ア　引用４従来発明の「Ｃｕの純度が６Ｎ」は、Ｃｕの純度が９９．９９９９０ｗｔ％以上９９．９９９９９ｗｔ％未満であることを意味していると解されるから、本願発明１の「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内」であることと、「Ｃｕの純度が９９．９９９９８ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９ｍａｓｓ％未満の範囲内」である点で共通する。
　イ　引用４従来発明の「Ａｌが０．００４ｗｔｐｐｍ」であることは、本願発明１の「Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下」であることに相当する。
　ウ　引用４従来発明の「Ｓｉが０．０５ｗｔｐｐｍ、Ｓが０．００５ｗｔｐｐｍ未満である」ことと、本願発明１の「Ｓｉの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下、Ｓの含有量が０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であることは、数値範囲に重なるところはないが、いずれも、ＳｉとＳを不純物として含有している点で共通する。　
　エ　引用４従来発明の認定の基礎となった「６Ｎ高純度銅」は、上記４オの段落【００２１】に、スパッタリングターゲットとして使用することが記載されていることから、スパッタリングターゲット用の高純度銅素材であるといえるので、本願発明１の「高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材」に相当する。
　オ　したがって、本願発明１と引用４従来発明は、次の点で一致し、相違する。 
  
（一致点） 
「Ｃｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内とされ、Ａｌの含有量が０．００５ｍａｓｓｐｐｍ以下とされており、ＳｉとＳを不純物として含有していることを特徴とする高純度銅スパッタリングターゲット用銅素材。」
  
（相違点１３） 
　「Ｃｕの純度」が、本願発明１では「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いた」純度であるのに対して、引用４従来発明では「Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いた」純度であるか不明である点。
（相違点１４）
「Ｓｉの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３２ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用４従来発明では「０．０５ｗｔｐｐｍ」であり、数値範囲に重なりがない点。
（相違点１５）
　「Ｓの含有量」が、本願発明１では「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上０．０３ｍａｓｓｐｐｍ以下」であるのに対して、引用４従来発明では「０．００５ｗｔｐｐｍ未満」であり、数値範囲に重なりがない点。
  
（２）相違点１４、１５についての判断
　ア　引用文献４には、上記４アの段落【０００２】に「スパッタリングターゲットを使用して高純度銅薄膜を形成する場合、成膜特性や成膜条件の安定性は、ターゲットの純度に大きく依存しているため、ターゲット材料の高純度化が強く要請されている」と記載されているように、スパッタリング銅ターゲット用銅素材から、その不純物の含有量を低減して高純度銅とすることを課題としている。
　イ　そして、引用文献４は、上記課題に対して、上記第４の４．４−２．イに記載した、市販の２Ｎ〜４Ｎレベルの銅原料をアノードとして電解を行う方法により、超高純度銅を提供するものであるところ、Ｃｕの純度が６Ｎである引用４従来発明についても、不純物であるＳｉの含有量が高ければ、当該Ｓｉを低減するために上記電解を行う方法を適用することは可能であり、仮に当該方法を適用すれば、Ｓｉは０．０１ｗｔｐｐｍ以下に低減することとなるので、本願発明１のＳｉの下限値「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ」よりもさらに低い値となってしまうとともに、Ｃｕの純度は８〜９Ｎに上昇して本願発明１のＣｕの濃度「９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲」外となってしまい、また、Ｓの濃度を「０．０１１ｍａｓｓｐｐｍ以上」に増加させることもできない。
　ウ　したがって、引用４従来発明において、相違点１３について検討するまでもなく、Ｃｕの純度を維持したままで、ＳｉとＳの含有量を本願発明１のものとすること、すなわち、相違点１４〜１５に係る本願発明１の特定事項とすることは、当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　エ　そして、本願発明は、Ｏ、Ｈ、Ｎ、Ｃを除いたＣｕの純度が９９．９９９９８０ｍａｓｓ％以上９９．９９９９９３ｍａｓｓ％以下の範囲内という、３回以上の精製処理工程を必要とする８Ｎ銅ほど純度が高くはないものでありながら、酸化物、炭化物、窒化物等の異物を形成しやすい元素であるＡｌとＳｉに注目してこれらを所定濃度に低減することによって、比較的低コストで、成膜時の異常放電の発生を抑制し、異物が膜内に混入することのない、高品質の高純度銅膜を成膜することができるという格別の効果を奏するものである。
（３）小活
　以上から、引用４従来発明において、上記相違点１３〜相違点１５について、それぞれ、当該相違点１３〜相違点１５に係る本願発明１の特定事項とすることが、当業者にとって容易になし得ることであるとはいえないから、本願発明１は、引用文献４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　また、本願発明１を引用することによって、本願発明１の特定事項の全てを備える本願発明２〜６についても、同様の理由によって、引用文献４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
  
第６　むすび 
　以上のとおり、本願発明１〜６はいずれも、引用文献１〜４に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。