【事件の表示】
　特許第２９２３３８６号「半導体装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９２３３８６号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２９２３３８６号（以下「本件特許」という。）は、平成３年１１月８日に特許出願され、特許権の設定の登録がなされた後、平成１２年１月２４日に有広巌より、及び平成１２年１月２１日に後藤昭雄より、それぞれ請求項１及び２に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、平成１２年４月２１日付けで審判官合議体より取消理由の通知がなされ、これに対して、特許権者より特許異議意見書の提出がなされたものである。
　
II．本件発明
　本件特許の請求項１及び２に係る発明（以下「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、願書に添付した明細書及び図面（以下「特許明細書」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたとおりの下記のものと認める。
「【請求項１】下記の(A)〜(C)成分を含み、(C)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の６０〜９０重量％に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。
(A)下記の一般式(1)で表されるビフエニル型エポキシ樹脂。
〔上記式(1)において、Ｒは水素原子またはメチル基である。また、ｎは０または正の整数である。〕
(B)硬化剤。
(C)粒子径１４９μｍ以上のものが０．５重量％以下、粒子径４４μｍ以下のものが６０重量％以上、粒子径５μｍ以下のものが２０〜４５重量％であつて、かつメジアン径が５μｍを超え２５μｍ以下である粒度分布を有するシリカ粉末。
【請求項２】下記の(A)〜(C)成分を含み、(C)成分の含有量がエポキシ樹脂組成物全体の６０〜９０重量％に設定されている半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)下記の一般式(1)で表されるビフエニル型エポキシ樹脂。
〔上記式(1)において、Ｒは水素原子またはメチル基である。また、ｎは０または正の整数である。〕
(B)硬化剤。
(C)粒子径１４９μｍ以上のものが０．５重量％以下、粒子径４４μｍ以下のものが６０重量％以上、粒子径５μｍ以下のものが２０〜４５重量％であつて、かつメジアン径が５μｍを超え２５μｍ以下である粒度分布を有するシリカ粉末。」
　　
III．取消理由
　一方、上記通知した取消理由の概要は、証拠として、引用例１；特開昭６４−８７６１６号公報（特許異議申立人有広巌の甲第１号証）、引用例２；特開平３−２２０２２６号公報（同、有広巌の甲第２号証）、引用例３；特開平３−２０７７１４号公報（同、有広巌の甲第３号証）、引用例４；特開昭５７−２１２２２５号公報（同、有広巌の甲第４号証、特許異議申立人後藤昭雄の甲第１号証）、引用例５；特開昭６２−１０１５９号公報（同、有広巌の甲第５号証）、引用例６；特開昭６３−１０８０２１号公報（同、有広巌の甲第６号証）、引用例７；「日経ニューマテリアル 第25号」1987年3月30日（日経マグロウヒル社）第25〜38頁（同、有広巌の甲第７号証）、引用例８；特開平１−１０８２５６号公報（同、後藤昭雄の甲第２号証）、引用例９；特開平２−９９５１４号公報（同、後藤昭雄の甲第３号証）、及び引用例１０；特開平２−９９５５２号公報（同、後藤昭雄の同第４号証）を、本件特許の出願前に頒布された刊行物として提示するとともに、各特許異議申立人の主張を引用して、
Ｉ）本件特許の請求項１及び２に係る発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものであり（理由Ｉ）、また、
II）本件特許の請求項１及び２に係る発明は、引用例１〜１０に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである（理由II）、というものである。
　　
IV．引用例の記載事項
　上記引用例の内、引用例１、２及び４には、以下の事項の記載がある。
引用例１（特開昭６４−８７６１６号公報）
(1-1)「エポキシ樹脂(A)、硬化剤(B)および粉末状充填剤(C)を主成分とする半導体封止用樹脂組成物において前記エポキシ樹脂(A)が下記式(I)
(ただし、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、Ｃ１〜Ｃ４の低級アルキル基またはハロゲン原子を示す。）で表わされる骨格を有するエポキシ樹脂(a)を必須成分として含有し、かつ前記粉末状充填剤(C)が粒子径１４μ以下の微粉末粒子を５０重量％以上含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。」（特許請求の範囲）
(1-2)「本発明は半導体装置を封止するための樹脂組成物に関する。さらに詳しくは、樹脂封止型半導体装置を実装する際、ハンダ付け工程において封止樹脂にクラックが発生するのを防止した半導体封止用樹脂組成物に関する。」（第１頁右下欄第３〜７行）
(1-3)「ハンダ付け工程におけるクラックの発生は、後硬化してから実装工程の間までに吸湿された水分がハンダ付け加熱時に爆発的に水蒸気化、膨脹することに起因するといわれており」（第２頁右上欄第１〜４行）
(1-4)「ハンダ付け加熱時のクラック発生を防止した十分満足できる封止用樹脂は得られておらず、表面実装化技術の進展に対応したハンダ耐熱性が優れた封止用樹脂の開発が望まれているのが現状である。本発明の目的は、かかるハンダ付け工程で生じるクラックの問題を解消した改良された封止用樹脂を提供することにあり、表面実装ができる樹脂封止半導体装置を可能にすることにある。」（第２頁左下欄第１６行〜右下欄第４行）
(1-5)「上記式(I)において、Ｒ１〜Ｒ８ の好ましい具体例としては、水素原子、メチル基・・・・などが挙げられる。本発明におけるエポキシ樹脂(a)の好ましい具体例としては、4,4'−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)ビフェニル、4,4'−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3',5,5'−テトラメチルビフェニル・・・・などが挙げられる。本発明におけるエポキシ樹脂(A)は上記のエポキシ樹脂(a)とともに該エポキシ樹脂(a)以外の他のエポキシ樹脂をも併用して含有することができる。」（第３頁左上欄第下から第２行〜左下欄第１行）
(1-6)「粉末状充填剤(C)の材質に関しては特に制限がないが、通常は溶融シリカ、結晶シリカ・・・・などが用いられる。」（第４頁右上欄第３〜７行）
(1-7)「本発明の樹脂組成物において、粉末状充填剤(C)の配合量は・・・好ましくは65〜80重量％である。」（第４頁右上欄第１９行〜左下欄第１行）
(1-8)実施例及び比較例において、式(I)の骨格を有するエポキシ樹脂(A)に該当する「エポキシ樹脂Ａ」として4,4'−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3',5,5'−テトラメチルビフェニル、他の構造を有する比較用ないし付加成分用エポキシ樹脂として「エポキシ樹脂Ｂ」（エポキシ当量２００のオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、硬化剤としてフェノールノボラック樹脂を用い、粉末状充填剤である「充填剤Ｃ」として、粒径分布（累積重量％）が６μ（３６％）、８μ（４２％）、１０μ（４９％）、１２μ（５３％）、１４μ（５８％）、１６μ（６４％）、及び２０μ（６８％）の破砕状溶融シリカ粉末を用いたことが記載されている。また、「実施例３」では、エポキシ樹脂Ａ　１３．２重量部、硬化剤　７．９重量部及び充填剤Ｃ　７４．０重量部を含有し、その「ハンダ耐熱性」は「１９」であり、また、「実施例１０」では、エポキシ樹脂Ａ　２．６重量部、硬化剤　８．０重量部及び充填剤Ｃ　７４．０重量部を含有し、その「ハンダ耐熱性」は「１５」であって、いずれも相対的に優れた結果を示すことが記載されている。他方、「比較例３」では、エポキシ樹脂Ａを含まず、エポキシ樹脂Ｂ　１１．９重量部、硬化剤７．２重量部及び充填剤Ｃ　７４．０重量部を含有したものであり、その「ハンダ耐熱性」は「２」であって相対的に劣った結果であったことが示されている。（第４頁右下欄第１１行〜第７頁右下欄第３行）
　　
引用例２（特開平３−２２０２２６号公報）
(2-1)「１．(A)下記式で表されるビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂
（式中、Ｒは水素原子・・・・を、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、メチル基・・・・より選ばれた同一もしくは異なる基を示す。またｎは０〜５の整数を示す。）
(B)２核体が５重量％以下であるノボラック型硬化剤
(C)無機質充填剤
以上の３成分を主成分とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項）
(2-2)「本発明は電子部品等の封止、特に半導体、ＩＣ、ＬＳＩ等の封止に好適なエポキシ樹脂組成物に関するものである。」（第２頁右上欄第２〜４行）」
(2-3)「これらのノボラック型硬化剤・・・軟化点は・・・好ましくは６０℃以上のものである。」（第５頁左上欄第７〜１０行）
(2-4)「充填剤の配合量は・・・好ましくは７２重量％以上、９０重量％以下である。」（第５頁左下欄第１〜３行）
(2-5)「無機質充填剤としては、結晶シリカ、溶融シリカ・・・・などの粉末・・・などが挙げられ、これらの１種または２種以上が用いられる。これらのうちではシリカ、特に溶融シリカが高純度及び低い熱膨張率を有することから好ましいが、目的に応じて使い分ければよい。・・・・無機質充填剤全体の平均粒径は20μｍ以下、好ましくは13μｍ以下、更に好ましくは10μｍ以下である。20μｍより大きいと半田耐熱性が劣るためである。また大きい粒径の無機質充填剤はIC表面のガラス質の保護膜(例えばPSGや窒化珪素膜)を傷つけるので、150μｍ以上の粒径のものは0.1重量％以下とすることが必要で、好ましくは104μｍ以上の粒径のものが0.1重量％以下である。」（第５頁右上欄第１〜２０行）
(2-6)比較用樹脂として「エポキシ樹脂Ｃ」（クレゾールノボラックエポキシ樹脂　軟化点７０℃）（第７頁表１）を用いた比較例１、及びその物性試験結果。当該物性試験結果（第８頁　表３）においては、「エポキシ樹脂Ａ」（4,4'−ビス(2,3−エポキシプロポキシ)−3,3',5,5'−テトラメチルビフェニル）を用いた各実施例は、比較用の「エポキシ樹脂Ｃ」（クレゾールノボラックエポキシ樹脂）を用いた比較例１よりも、ハンダ耐熱性等の点で優れたものであることが示されている。（第６頁左下欄第３行〜第８頁末行）
　　
引用例４（特開昭５７−２１２２２５号公報）
(4-1)「(1)下記の三成分；
a)エポキシ当量250以下で軟化点が60〜120℃のノボラック型エポキシ樹脂、
b)軟化点60〜130℃のノボラック樹脂、
c)全組成物中60〜80重量％を占め、粒子経149μ以上のものが０．５重量％以下、４４μ以下のものが６０重量％以上および５μ以下のものが２０〜５５重量％であってかつメジアン径が4〜30μである粒度分布を有する結晶性シリカ粉末および／または溶融シリカ粉末、
を含有することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。」（特許請求の範囲第１項。なお、原文の「粘度分布」は、当該引用例の記載内容からみて、上記のとおり「粒度分布」の誤記と認定した。）
(4-2)「この発明は樹脂封止型ＬＳＩ、ＩＣ、トランジスタなどの半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関する。」（第１頁右下欄第６〜８行）
(4-3)「粒子経149μ以上のものが0.5重量％を超えてしまうと、金型ゲート部の目づまりをおこす結果未充てん部を生じて完全な樹脂封止が困難となる。また、44μ以下のものが60重量％に満たない場合、5μ以下のものが20重量％より少なくなるかあるいは55重量％より多くなる場合、さらにメジアン径が4〜30μの範囲を逸脱する場合、いずれもスパイラルフロー値が低くなり、またバリ特性も悪くなる。」（第３頁右上欄第１０〜１８行）
　　
Ｖ．対比・判断
（Ａ）理由Ｉ（特許法第２９条第１項関係）について
(A-1)請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明(以下、「本件発明１」という。)と引用例１に記載された発明とを対比すると、両者は共にエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に係る発明であり（摘記1-1、1-2、1-4）、そして、本件発明１において一般式(1)で示される(A)成分のビフェニル型エポキシ樹脂は、引用例１にに記載された「エポキシ樹脂Ａ」（摘記1-1、1-5、1-8）と一致し、本件発明(1)における(B)成分の「硬化剤」は、引用例１における「硬化剤(B)」（摘記1-1）と一致している。また、本件発明１におけるシリカ粉末（(C)成分）についてみると、引用例１には粉末状充填剤(C)として溶融シリカ、及び結晶シリカが該当すること（摘記1-6）、及びその配合量については「好ましくは６５〜８０重量％」（摘記1-7）であることが記載されているので、充填剤を構成する物質成分及びその配合量の点においては、両者で一致している。
　しかし、充填剤の粒度分布についてみると、(ア)本件発明１では、当該シリカ粉末の粒度分布につき、「粒子径１４９μｍ以上のものが０．５重量％以下、粒子径４４μｍ以下のものが６０重量％以上、粒子径５μｍ以下のものが２０〜４５重量％であつて、かつメジアン径が５μｍを超え２５μｍ以下」と規定されているのに対して、引用例１の記載においては、当該規定のとおりの粒度分布の記載は見当たらず、したがって、この粒度分布の点で、両者の発明は少なくとも形式上相違していると認めることができる。
　　
　そこで、この相違点(ア)について検討する。
　引用例１には、その実施例及び比較例で用いられた粉末状シリカの「充填剤Ｃ」について、その粒径分布（累積重量％）が６μ（３６％）、８μ（４２％）、１０μ（４９％）、１２μ（５３％）、１４μ（５８％）、１６μ（６４％）、及び２０μ（６８％）であることが記載されている（摘記1-8）。これを本件発明１における粒度分布と対比すると、引用例１の充填剤Ｃでは、２０μｍまでの累積重量％が６８％であることからすると、本件発明１における「粒子径４４μｍ以下のものが６０重量％以上」という条件は既に充足されている。また引用例１の充填剤Ｃでは、６μｍまでの累積重量％が３６％であって、これを粒径分布曲線にしたがって外挿すると、５μｍにおける累積重量％は、本件発明１と同様の２０〜４５重量％の範囲に入ると判断される。また、引用例１の充填剤Ｃのメジアン系は、その粒径分布曲線からみて、約１１．５μｍとなり、本件発明１に規定する「５μｍを越え２６μｍ以下」の範囲内である。
　ただ、引用例１の記載からは、本件発明１における「粒子径１４９μｍ以上のものが０．５重量％以下」とする点の構成については直接導くことはできない。そこで、この点について検討すると、引用例１に記載の発明で用いられている充填剤は、半導体封止用樹脂組成物を構成する成分であって、そして、半導体封止用樹脂組成物を構成する充填剤については、本件発明１におけるように、１４９μｍを越えるような大きな粒径のものの含有量を０．５重量％以下の如く極少量に制限することは、本件出願前より当技術分野における常套手段であると認められる。（要すれば、引用例２の摘記2-5、引用例４の摘記4-3、引用例５（特開昭６２−１０１５９号公報）の特許請求の範囲、及び第２頁左上欄第１８行〜左下欄第１４行、引用例６（特開昭６３−１０８０２号公報）の第６頁第１図、引用例７（「日経ニューマテリアル 第25号」1987年3月30日（日経マグロウヒル社）第25〜38頁）の第３１頁右欄第３〜１２行を参照されたい。）そして、引用例１に記載された上記充填剤Ｃが、大粒径のものをこれより多量に含有するものと判断すべき特段の理由もない。してみれば、上記の充填剤Ｃについても、本件発明１におけるシリカ粉末と同様、「粒子径１４９μｍ以上のものが０．５重量％以下」と判断するのが妥当であり、したがって、この粒子径及びその量の点で、両者は相違するとすることはできない。
　以上のとおりであるから、上記(ア)の点において、両者の発明は実質的に相違するとすることはできず、したがって、本件発明１は実質的に引用例１に記載された発明である。
　　
(A-2)請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明(以下、「本件発明２」という。)は、半導体装置に係る本件発明１において用いられるエポキシ樹脂組成物自体の発明であるので、前記(A-1)項で本件発明１について記載したと同様、本件発明２は、実質的に引用例１に記載された発明である。
　　
（Ｂ）理由II（特許法第２９条第２項関係）について
(B-1)本件発明１について
　本件発明１と引用例２に記載された発明とを対比すると、両者は共にエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置に係る発明であり（摘記2-1、2-2）、そして、本件発明１において一般式(1)で示される(A)成分のビフェニル型エポキシ樹脂は、引用例２に記載された「ビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂」（摘記2-1、2-5）と一致し、また、本件発明(1)における(B)成分の「硬化剤」は、引用例２における(B)の硬化剤（摘記2-1、2-3）に一致する。また、本件発明１におけるシリカ粉末（(C)成分）についてみると、引用例２には充填剤として結晶シリカ及び溶融シリカが該当し（摘記2-5）、その配合量は「好ましくは７２重量％以上、９０重量％以下」（摘記2-4）であることが記載されているので、充填剤を構成する物質成分及びその配合量の点においては、両者で一致している。
　しかし、充填剤の粒度分布についてみると、(イ)本件発明１では、上記シリカ粉末の粒度分布につき、「粒子径１４９μｍ以上のものが０．５重量％以下、粒子径４４μｍ以下のものが６０重量％以上、粒子径５μｍ以下のものが２０〜４５重量％であつて、かつメジアン径が５μｍを超え２５μｍ以下」と規定されているのに対して、引用例２の記載においては、当該粒度分布の記載がなされておらず、この粒度分布の点で、両者の発明は相違していると認めることができる。
　　
　そこで、この相違点(イ)について検討する。
　引用例４には、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に係る発明が記載されており、そして、そのエポキシ樹脂組成物に配合する充填剤である結晶性シリカ粉末および／または溶融シリカ粉末について、粒子経１４９μｍ以上のものが０．５重量％以下、４４μｍ以下のものが６０重量％以上および５μｍ以下のものが２０〜５５重量％であってかつメジアン径が４〜３０μｍと、本件発明１のものと重複・一致する粒度分布であることが記載されており（摘記4-1）、併せて、その特定理由として、粒子経１４９μｍ以上のものが0.5重量％を超えてしまうと、金型ゲート部の目づまりをおこす結果、未充填部を生じて完全な樹脂封止が困難となり、また、４４μｍ以下のものが60重量％に満たない場合、５μｍ以下のものが20重量％より少なくなるかあるいは55重量％より多くなる場合、さらに、メジアン径が４〜３０μｍの範囲を逸脱する場合は、いずれもスパイラルフロー値が低くなり、またバリ特性も悪くなる旨が説明され（摘記4-3）、当該粒径分布を有する充填剤が、半導体封止用エポキシ樹脂組成物に好適であることが記載されている。
　してみれば、引用例２に記載された半導体封止用エポキシ樹脂組成物における充填剤として、引用例４に記載された上記粒径分布を有する充填剤を適用することに格別の困難性があるとは言えず、なおかつ、引用例２には、引用例４で用いられているようなノボラック型エポキシ樹脂を用いた場合に比して、引用例２（及び本件発明１）で用いられているビスヒドロキシビフェニル系エポキシ樹脂を用いた場合には、スパイラルフロー、バリ、半田耐熱性等の点で、半導体封止用樹脂組成物として好適な物性を示すことが記載されていることからすると（第７頁表１、第８頁表２及び３参照。）、本件発明１の効果については、当業者が予期し得なかったほど格別に顕著であると言うことはできない。
　したがって、本件発明１は、引用例２及び引用例４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
(B-2)本件発明２について
　本件発明２は、半導体装置に係る本件発明１において用いられるエポキシ樹脂組成物自体の発明であるので、前記(B-1)項で本件発明１について記載したと同様、本件発明２は、引用例２及び引用例４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明である。
　　
VI．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１及び２は、引用例１に記載された発明であり、また、引用例２及び４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であって、特許法第２９条第１項、及び同条第２項の規定に違反して特許を受けたものであるから、本件発明１及び２に係る特許は、特許法第４９条第１項第２号の規定により拒絶をすべき旨の査定をしなければならない特許出願についてなされたものである。
　したがって、本件発明１及び２に係る特許は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定により委任する、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定に基き、特許法第１１４条第２項の取消決定をすべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月１８日（２００１．１０．１８）