【事件の表示】
　特許第３０８６０８６号「回路端子へのリードピンの接合方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０８６０８６号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０８６０８６号の手続の経緯は次のとおりである。
　　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　平成　４年１０月１９日
　　特許権設定登録　　　　　　　　　　　　　平成１２年　７月　７日
　　掲載公報発行　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　９月１１日
　　特許異議申立（異議申立人住友金属鉱山株式会社）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　１月２２日
　　特許異議申立（異議申立人吉岡英樹）　　　平成１３年　３月１２日
　　取消理由通知　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　５月３０日付
　　　　　　　　　　　　　　　　　　（発送　平成１３年　６月１２日）
　　訂正請求　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　８月１０日
　　特許異議意見書　　　　　　　　　　　　　平成１３年　８月１０日
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
（１）訂正事項ａ        
　明細書の特許請求の範囲の請求項１，２を、
「【請求項１】　ろう材によりリードピンを回路端子へ接合する方法において、前記ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるものを用い、ろう材を前記リードピンの接合面に円弧状に取付けて接合する回路端子へのリードピンの接合方法。
【請求項２】　ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９重量％以下、残部Ｓｎよりなるものを用い、更に、リードピン又は回路端子の少なくともいずれかに金メッキを施した後接合する請求項１記載の回路端子へのリードピンの接合方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　明細書の発明の詳細な説明の「％」を、「重量％」と訂正する。
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、請求項１，２の「％」を「重量％」と訂正するものである。願書に添付された明細書の段落【０００６】には、「上記成分組成の本発明のリードピン用ろう材は、殆どＡｕ、Ｓｎの共晶組織で、」と記載されるように、本件発明におけるろう材は凝固時には殆どＡｕ、Ｓｎの共晶組織となるものであるが、Ａｕ、Ｓｎの共晶組織となるＡｕ−Ｓｎ２元系共晶合金は、重量％基準ではＡｕ８０％であり、原子％基準ではＡｕ７１％であることは周知であって（必要ならば例えば、Max　Hansen，「CONSTITUTION　OF　BINARY　ALLOYS」（１９５８）McGRAW-HILL　BOOK　COMPANY,　INC.　「Ａｕ−Ｓｎ」の項参照）、ろう材が凝固時にＡｕ、Ｓｎの共晶組織となる本件請求項１，２に記載の数値範囲を共晶組成のそれと併せ考慮すれば、請求項１，２の「％」は、「重量％」であることは明らかであるから、訂正事項ａは明瞭でない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、上記いずれの訂正も新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
２−３．むすび
　したがって、上記訂正は、特許法１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
３−１．特許異議申立のの概要
（１）特許異議申立人住友金属鉱山株式会社は、下記の甲第１〜７号証を提出し、請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また、特許法第３６条に規定される要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから取り消されるべき旨、
甲第１号証：特開昭６０−１９８８９３号公報（刊行物１）
甲第２号証：特開平３−２１４６５５号公報（刊行物２）
甲第３号証：特開平１−３２１０９２号公報（刊行物３）
甲第４号証：特開昭６４−１８２４５号公報（刊行物４）
甲第５号証：特開平２−１５８９７号公報（刊行物５）
甲第６号証：特開昭６２−２２７５９２号公報（刊行物６）
甲第７号証：特開昭５３−１３８７５号公報（刊行物ａ）
（２）特許異議申立人吉岡英樹は、下記の甲第１、２号証を提出し、請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、また、特許法第３６条に規定される要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、取り消されるべき旨、それぞれ主張している。
甲第１号証：特開昭６４−１８２４５号公報（刊行物４）
甲第２号証：特開昭６３−１１０７６４号公報（刊行物７）
　
３−２．本件発明
　上記２で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりのものである。（上記２．２−１．（１）訂正事項ａ参照）
　
３−３．引用刊行物に記載された発明
　当審が平成１３年５月２８日に通知した取消理由において引用した刊行物１〜７にはそれぞれ次のとおりの発明が記載されている。
（イ）刊行物１：特開昭６０−１９８８９３号公報
　「本発明はパッケージ基板における入出力電気接続ピンを取り付ける多層セラミック基板の製造方法に関する。」（第１頁右下欄第２〜４行）
　「・・・ろう剤としてＡｕ−Ｓｎ又は・・・等が検討された具体的な一例を第３図・・・に示す。第３図においては、セラミック基板１１の表面にモリブデン層１２を付着させ、該モリブデン層上にメッキ法等の手段によりニッケルの被膜１３を形成する。次に該ニッケル被膜上に金ペーストにより金の被膜１４を形成し熱処理により金・ニッケル固溶体を形成している。続いて金メッキ１７を施した接続ピン１６をＡｕ−Ｓｎろう材１５により結合している。」（第２頁左下欄第２〜１２行）
　「・・・金属パッド部を有する多層セラミック基板を金８０％・錫２０％の重量比の合金ろう材３８がそれぞれ１〜３ｍｇ程度取付けられた複数の・・・入出力電気接続用ピン３９上に置き、銀−パラジウムの表面上に接合させる。金属製ピン３９の表面にはメッキ等により形成した金の被膜層４０が予めコートしてある。」（第４頁右上欄第１〜８行）
　第３図には、セラミック基板１１に形成された導体パッド層１２上に、ニッケル層１３、金被膜１４が順次形成された金属パッド部に、金被覆層１７を形成したピン１６を、金−錫ろうにより接合した構造が示されている。
（ロ）刊行物２：特開平３−２１４６５５号公報
　「本件発明は、電子デバイス搭載用基板に鑞付けするリードピンに関し、特に、・・・セラミック配線基板に、金属を鑞材として鑞付けするリードピンに用いて好適な技術に関するものである。」（第１頁右下欄第１６〜２０行）
　「第１図、第２図、第３図、第４図、・・・は、それぞれ本発明の一実施例にかかるリードピンを示す断面図および正面図である。・・・このリードピン３は、鑞付け性と対コネクタ接触性能を保証するため、適切な厚さの下地にニッケルめっき、仕上げ金めっき、および、適切な熱処理を施して、表面処理が行われている。ヘッド部３２の端面には、金−ゲルマニウム鑞材（共晶組成１２wt％Ｇｅ−Ａｕ　融点３５６℃）３３が、適当量だけ迎え鑞として、鑞付けされている。」（第３頁右上欄第１０行〜左下欄第２行）
　「以上に説明した実施例において、・・・鑞材も金−ゲルマニウムに限らず、他のものを用いてもよい。例えば、金−スズ系の鑞材（共晶組成２０wt％Ｓｎ−Ａｕ　融点温度２８０℃）を用いてもよい。」（第４頁右上欄第１４行〜左上欄第１行）
　第１〜４図には、リードピンの接合面に、鑞材を円弧状に取付けたものが示されている。
（ハ）刊行物３：特開平１−３２１０９２号公報
　「・・・表面に金メッキ１１を施すことによって共晶型ロウ材５０は、本来の共晶型ロウ材５０よりも金の配分率が大きくなるために、その共晶性が失われ、（１）溶融温度が共晶型ロウ材５０の溶融温度である２８０℃よりも高くなる、（２）ロウ付け性が劣化する。といった二次的な障害を生じる。このような障害は、実装密度が著しく高くなった最近のプリント板に対しては致命的な欠点となる。」（第２頁左上欄第下から第３行〜右上欄第５行）
　「本発明による金配合型ロウ材は、金配合型ロウ材中に含有される金の配分量を、後工程において実施される金メッキによる金の量を差し引いた配分量にした点に特徴を有する。（作用）このように金の配分量調整を行った金配合型ロウ材は、部品実装時において金の配分率が共晶型ロウ材と等しくなるため、その共晶性が失われるようなことはなく、従ってロウ付け性は完全に保証される。」（第２頁右上欄第９〜末行）
　「第１図に示すように、本発明による金配分量調整型ロウ材１０は、下記第２表・・・に示すような金の配分量、即ち後工程において施される金メッキ１１によって付着する金の量を差し引いた配分量になっている。
　　　　　　　　　　　　　第２表
ロウ材の種類　　　　　　　　　　金配分量　　　　　　　錫配分量
共晶型ロウ材５０　　　　　　　　８０　wt％　　　　　　残　wt％
金配分量調整型ロウ材１０　　　　７９．７　wt％　　　　残　wt％
　従ってこの金配分量調整型ロウ材１０に金メッキ１１を施した本発明のロウ材を用いて部品実装を行うと、共晶ロウ材と全く同様に、信頼性の高いロウ付け結果が得られる。第２図（ａ）と（ｂ）は本発明の一応用例を示す側断面図であって、・・・金メッキ１１が施されたＩ／０ピン５に金配合量調整型ロウ材１０をロウ付けし、さらにその上から第２層目の金メッキ１２を施したもので、この時の金配分量調整型ロウ材１０の金配分量は、第２層金メッキ１２の量を差し引いた量となるように調整される。」（第２頁左下欄第７行〜右下欄第１１行）
（ニ）刊行物４：特開昭６４−１８２４５号公報
　「本発明は、セラミック基板あるいはプリント基板等の配線基板に信号入出力用端子として用いるピンの接続に好適な高強度でかつ耐熱性に優れる金属ピンを有するセラミック基板とその製造方法に関する。」（第１頁右下欄第１６〜２０行）
　「第３実施例　多層セラミック基板は第１実施例と同じで、相手のピン材にコバールを用い、その上に・・・Ａｕメッキを施してある。またろう材にＡｕ−２０Ｓｎ箔を用い、第２実施例と同様な接合過程を経て本接合を終える。」（第３頁右下欄第１１〜１６行）
　第１表には、ろう材Ａｕ−Ｓｎとして、成分範囲（wt％）がＡｕ−２０〜２３Ｓｎ、液相温度範囲（℃）が２８０〜３１０のものが記載されている。
（ホ）刊行物５：特開平２−１５８９７号公報
　「Ａｕ−Ｓｎろうにおいて、Ｓｎを１２〜３７wt％の範囲の組成からなる線状および任意の質量の粒状であることを特徴とするＡｕ−Ｓｎろう。」（特許請求の範囲の請求項１）
　「本発明は、半導体ＩＣパッケージ、ハーメチックシール用またはリードピンのろう付け用等に使用される低融点のＡｕ−Ｓｎろうおよびそのろう材の製造方法に関する。」（第１頁右上欄第１〜４行）
（ヘ）刊行物６：特開昭６２−２２７５９２号公報
　「全線径が１００ミクロン以下で錫の重量比率が１８〜２２重量％金の比率が８２〜７８重量に成る様に錫で被覆してなる金線或は金で被覆して成る錫線であることを特徴とする金属細線。」（特許請求の範囲）
　「本発明は半導体デバイスをフレームに載置する時に使用するろう付け材料に関する。」（第１頁左下欄第１１〜１２行）
（ト）刊行物７：特開昭６３−１１０７６４号公報
　「コバールと呼ばれる鉄−ニッケル−コバルト合金製で・・・下地に３μ厚のニッケルメッキを施し、表面に２μ厚の金メッキ加工したピン２を・・・治具に収納し、ピン２の頂部２ａの上方の窪みに・・・材質は金８０％、錫２０％合金のろー材６を載置し、・・・加熱した。・・・リードピンにろー材を溶着した結果第２図のような適正な形状にろー材を溶着することができ」（第２頁右上欄第１１行〜左下欄第３行）
　第２図には、ろー材をリードピンの平板状の頂部に円弧状に取付けた構造が示されている。
　
３−４．対比・判断
３−４−１．本件発明１について
　本件発明１と刊行物２記載の発明を対比すると、刊行物２記載の発明における金−スズ系のろう材（共晶組成２０wt％Ｓｎ−Ａｕ　融点温度２８０℃）は、Ａｕ８０重量％、残部Ｓｎよりなるものであるから、両者は、ろう材によりリードピンを回路端子へ接合する方法において、前記ろう材としてＡｕ−Ｓｎよりなるものを用い、ろう材を前記リードピンの接合面に円弧状に取付けて接合する回路端子へのリードピンの接合方法である点で一致するが、前者が、リードピンに金メッキを施さないのに対し、後者が、リードピンに金メッキを施す点（以下、「第１相違点」という。）、及び、前者が、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるものを用いるのに対し、後者が、ろう材としてＡｕ８０重量％、残部Ｓｎよりなるものを用いる点（以下、「第２相違点」という。）で、両者は相違する。
　以下、第１，２相違点について検討する。
　第１相違点について
　刊行物２記載の発明は、リードピンに金メッキを施すものであって、その目的は、ろう付け性と対コネクタ接触性能を保証するためであることが記載されているが、リードピンに金メッキを施すか、施さないかは、当業者が適宜なし得る設計的事項であり、第１相違点に格別な技術的意義は存在しない。
　第２相違点について
　本件発明１は、ろう付け後リードピンの高さに不揃いが生じるのは、セラミック基板の回路端子とリードピンとの間のろう材中にＡｕリッチ晶が表れることが原因であることを見出し、特定組成のろう材を用いて接合することにより、凝固時のろう材の組織を殆どＡｕ、Ｓｎの共晶組織として、接合されるリードピンの高さの不揃いの要因となるＡｕリッチ晶を生じさせることがないので、接合後のリードピンの高さを揃えることが可能となったものである。この場合、僅かにＳｎリッチ晶が現出するが、このＳｎリッチ晶は微細であるため、リードピンのろう付け時高さが不揃いとなることがない。（本件明細書の段落【０００５】〜【０００７】参照）
　刊行物１には、Ａｕ８０重量％、残部Ｓｎよりなるろう材（Ａｕ８０％・錫２０％の重量比の合金ろう材）が記載されているが、本件発明１のろう材組成のものではない。　
　刊行物７には、Ａｕ８０％、残部Ｓｎよりなるろう材（金８０％、錫２０％合金のろー材）が記載されており、％は、重量％であるのか、原子％であるのか明記されていないのであるが、Ａｕ８０重量％、残部Ｓｎとしても、
Ａｕ８０原子％、残部Ｓｎ（Ａｕ８６．９重量％、残部Ｓｎに相当）としても、本件発明１のろう材とは組成が異なっている。
　刊行物３には、金メッキ層からろう材中に拡散するＡｕの量を差し引いて、ろう材中に含有されるＡｕの配分量を調整することにより、部品実装時におけるＡｕの配分量を共晶型ろう材（Ａｕ８０重量％、残部Ｓｎ）と等しくすることが記載されており、第２表には、金配分量調整型ろう材としてＡｕ７９．７重量％、残部Ｓｎよりなるものを用いて、部品実装時には共晶型ろう材（Ａｕ８０重量％、残部Ｓｎ）と等しくすることが開示されているが、部品実装時に、Ａｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎと等しくして、Ａｕリッチ晶を生じさせることなく殆どＡｕ，Ｓｎ共晶組織とすることは、記載も示唆もされていないから、刊行物２記載の発明において、金メッキを施さない場合に、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるものを用いることは、刊行物３、或いは、刊行物３と刊行物１、７の記載を勘案しても導かれ得ることではない。
　刊行物４〜６には、それぞれ、Ａｕ７７重量％以上８０重量％以下、残部Ｓｎ（Ａｕ−２０〜２３Ｓｎwt％）よりなるろう材、Ａｕ６３重量％以上８８重量％以下、残部Ｓｎよりなるろう材（Ｓｎが１２〜３７wt％の範囲の組成からなるＡｕ−Ｓｎろう）、及び、Ａｕ７８重量％以上８２重量以下、残部Ｓｎよりなるろう材が記載されているが、刊行物４〜６には、ろう材組成とＡｕリッチ晶の関係や、接合後のリードピンの高さの不揃いの関係については記載も示唆もされておらず、また、刊行物３に記載される金メッキのろう材への拡散を考慮したとしても、刊行物２記載の発明において、リードピンに金メッキを施さない場合に、Ａｕリッチ晶を生じさせないで接合後のリードピンの高さの不揃いを防止することを目的として、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるものを用いることは、刊行物４〜６記載の発明から当業者が容易になし得ることではない。
　さらに、特許異議申立人住友金属鉱山株式会社が証拠として提出した刊行物ａの第１図には、Ｓｎの含有量（重量％）の変化に対応したＡｕ−Ｓｎの組織の状態が図示されており、Ｓｎ２０重量％において、融点２８０℃の共晶点が存在することが認識されるものの、Ａｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるろう材は、Ａｕリッチ晶を生じることがなく殆どＡｕ，Ｓｎ共晶組織となることや、リードピンの高さ不揃いが防止できることについては、記載も示唆もされていない。
３−４−２．本件発明２について　
　本件発明２は、請求項１記載の発明において、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９重量％以下、残部Ｓｎよりなるものを用い、更に、リードピン又は回路端子の少なくともいずれかに金メッキを施すことを限定したものであるが、本件発明２と刊行物２記載の発明を対比すると、前者が、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９重量％以下、残部Ｓｎよりなるものを用いるのに対し、後者が、ろう材としてＡｕ８０重量％、残部Ｓｎよりなるものを用いる点（以下、「第３相違点」という。）で、両者は相違する。
　以下、第３相違点について検討する。
　本件発明２は、ろう流れを良好とし、基板の信頼性を向上させるために基板（回路端子）又はリードピンに金メッキを施すものであるが、ろう材の組成をＡｕ７８重量％以上７９重量％以下とすることで僅かに生じるＳｎリッチ晶に、Ａｕメッキ層中のＡｕを拡散させることにより、ろう材の組織をＡｕＳｎ共晶組織として、Ａｕリッチ晶を生じさせることがないので、凝固後のリードピンの高さを揃えることができるものである。（本件明細書の段落【０００５】〜【０００９】参照）
　本件発明２は、リードピン又は回路端子に施した金メッキ層中のＡｕがろう材中に拡散する量を、ろう材のＡｕ量から差し引いた組成のろう材を用いることにより、ろう付け工程で金メッキ層中のＡｕを拡散させ、ろう材の組成を本件発明１記載のＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎとするものであるが、上記「３−４−１．本件発明１について」で検討したように、リードピン又は回路端子に金メッキを施さない場合に、Ａｕリッチ晶を生じさせないで接合後のリードピンの高さの不揃いを防止することを目的として、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるものを用いることは、刊行物１〜７及び刊行物ａには、記載も示唆もされていないのであるから、刊行物３記載の金メッキの量をろう材から差し引く技術手段を組み合わせても、刊行物２記載の発明において、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９重量％以下、残部Ｓｎよりなるものを用いることは、当業者が容易になし得ることではない。
　したがって、本件発明１，２は、特許異議申立人が証拠として提出したいずれの刊行物に記載された発明に基づいても当業者が容易に発明をすることができたものではないので、本件発明１，２の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものではない。
　
３−５．明細書の記載不備について
　特許異議申立人住友金属鉱山株式会社は、以下の点で、本件明細書には、記載不備があると主張する。
（１）刊行物ａの第１図に示されたＡｕ−Ｓｎ状態図（Ａｕ８０重量％、Ｓｎ２０重量％に共晶点を有することが示されている。）からみて、従来のろう材（Ａｕ７９．５〜８０．０重量％、残部Ｓｎ）を用いた場合、外部からＡｕの供給がないにもかかわらず、溶融、凝固後のろう材中にＡｕリッチ晶が生じる理由について不明であり、かつ、これを立証するデータも明細書には何ら記載されていない。よって、本件発明１において、何故、Ａｕ−Ｓｎろう材として「Ａｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎ」なる組成のろう材を適用するかが技術的に不明であるから、請求項１は記載不備である。
（２）１００本中５本が不良品であったとする従来例は、その記載からリードピンに金メッキが施されていたのかどうか不明であり、また、金メッキが施されていないリードピンを用いる第１実施形態で用いているろう材は、請求項２に記載されるろう材に含まれるものであるから、それぞれ上記立証データとして不十分である。
　また、特許異議申立人吉岡英樹は、以下の点で、本件明細書には、記載不備があると主張する。
（３）請求項１，２の「％」は、重量％であるのか、何を基準にするものであるのか不明確である。
（４）Ａｕ−Ｓｎろう材の共晶組成は重量比Ａｕ８０％の一点のみであるため、Ａｕリッチ晶が生じるのはＡｕ組成重量比が８０％を超えた場合であり、また、リードピンや回路端子表面のＡｕがＡｕ−Ｓｎろう材中に拡散または溶出することから、当該Ａｕ−Ｓｎろう材の％を規定しただけでは、Ａｕリッチ晶の発生を抑えることは理論的に不可能である。従って、回路端子やリードピン表面のＡｕ量を特定することは、本件発明を実施し、発明効果を得る上で必須な構成であるが、本件明細書及び図面にはこれが欠如している。
（５）本件明細書の段落【０００５】に、ピン高さ不揃いの原因はＡｕリッチ晶が生じるためとあり、段落【０００７】には、Ｓｎリッチ晶は微細なため影響がないと記載されているが、本件発明のピン高さ不揃い防止には被接合部の間隙体積変化を抑える必要がある。従って、Ａｕリッチ晶が当該間隙体積変化の主原因としても、Ｓｎリッチ晶も微細であろうが、当該間隙体積変化に影響することは物理的に明らかであるから、Ｓｎリッチ晶が本件発明のリードピン高さ不揃い防止効果に影響しないとするなら、その根拠データは本件発明を実施するために必須なものであるが、本件明細書にはそれが欠如している。
　特許異議申立人の上記主張（１）〜（５）について検討する。
　主張（１）について
　共晶組成であるＡｕ８０重量％−Ｓｎ２０重量％のろう材（合金）は平衡状態図上では共晶組織を呈するが、Ａｕ７９．５〜８０重量％、残部Ｓｎよりなるろう材を用いた場合に、Ａｕリッチ晶が生じることは、実験結果により確認された事実である。平衡状態図とは、あくまで平衡状態における合金系の相律を規定したものであるが、ろう付け工程において、ろう材を溶解し凝固させる際の冷却速度は、平衡状態が得られる冷却速度よりも速いのが通常であるから、平衡状態図から得られる組織とは異なる組織が得られることは当業者には明らかである。よって、Ａｕ７９．５〜８０．０重量％、残部Ｓｎよりなる従来のろう材を用い、外部からろう材の補給がない場合に、Ａｕリッチ晶が生じることのデータが本件明細書に記載されていないことをもって、請求項１記載の発明が不明確となるものではない。
　主張（２）について
　第１実施形態は、図１に示されるように金メッキを施さないリードピンを、基板７上のＡｕ／Ｎｉ／Ｍｏの回路端子８に、Ａｕ７９．０重量％残部Ｓｎよりなるろう材で接合する方法であって（本件明細書の段落【００１２】参照）、これは回路端子に金メッキを施したものであるから、請求項２の実施例に該当する。よって、第１，２実施形態は共に、請求項２の実施例に該当する。
　図２の実施例２のリードピンの斜線部が金メッキ６を示すものであり、それがない図３の従来例のリードピンには、金メッキがなされていないことは明らかであり、また、本件明細書の段落【００１４】の従来例の記載において、「第１、第２実施形態と同様に回路に接合した。」とは、段落【００１２】の第１実施形態の「基板７上のＡｕ／Ｎｉ／Ｍｏの回路端子８にろう付けで接合した。」ことを指すのであって、これは、最外層（リードピン側）がＡｕであるＡｕ／Ｎｉ／Ｍｏの３層メッキがなされた回路端子にリードピンを接合していることを意味するから、従来例は、金メッキを施していないリードピンを金メッキを施した回路端子に、Ａｕ８０重量％、残部Ｓｎよりなるろう材を用いて接合する方法であることは、本件明細書の記載から充分理解できる。
  よって、本件明細書には、リードピン及び回路端子の何れにも金メッキがなく外部からＡｕの補給がない場合の実施例及び従来例は記載されていないのであるが、上記「主張（１）について」で述べたように、ろう材の溶解、凝固に際しては、平衡状態図から得られる組織とは異なる組織が得られることは当業者には明らかであるから、それにより請求項１記載の発明が不明確となるものではない。
　主張（３）について
　上記「２−１．（１）訂正事項ａ」の訂正により、請求項１，２の「％」は、「重量％」であることが明確となった。
　主張（４）について
  Ａｕリッチ晶が生じるのは、Ａｕ組成重量比が８０％を超えた場合のみでなく、Ａｕ７９．５〜８０重量％、残部Ｓｎよりなる従来のろう材においても、Ａｕリッチ晶が生じることは、実験結果により確認された事実である。リードピンや回路端子表面のＡｕがＡｕ−Ｓｎろう材中に拡散又は溶出するため、拡散又は溶出するＡｕ量を考慮する必要があるが、該量は具体的に限定する必要はないのであって、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９重量％以下、残部Ｓｎよりなるものを用いることにより、Ａｕリッチ晶の発生が防止できることは、以下に述べるとおりである。
  本件発明は、リードピンが基板に密着するまでの間にＡｕリッチ晶が発生しないようにさせているものであるが、リードピンの接合工程において、ろう材を溶融させ、これを基板に固定する間の時間は、加工機械そのものが規格化されていることから、本件発明においても従来のものにおいても一定であるといえる。本件発明において重要なのは、溶融したろう材中で押圧されるピンの頭部と基板とがこれ以上密着できないという高さまで接近するまでの時間であって、密着が達成された後のろう材が溶融状態にある時間や凝固するまでの時間は問題ではない。そして、このピンと基板との密着が達成されるまでの時間も、一瞬のことではあるが一定であり、金属の拡散係数の単位がｍ２／ｓｅｃとなっていることからも明らかなとおり、金属の拡散量は時間に比例するから、リードピンの接合において、ピンと基板との密着までの時間が共通していることを考えれば、当該時間内にＡｕが拡散する量はほぼ一定であり、金メッキ量（厚さ）は拡散量には影響しない。（特許異議意見書第２０頁第２行〜第２１頁第２２行参照）
　主張（５）について
  Ａｕリッチ晶がリードピン高さの不揃いを生じさせるのは体積変化ではなく、Ａｕリッチ晶の融点が高く液相中も固体状態で存在するために、ピンと基板との密着を阻害する点にあるのである。Ａｕリッチ晶、Ｓｎリッチ晶いずれの体積変化も、リードピンの高さ不揃いとは無関係である。（特許異議意見書第１８頁第９〜２４行参照）
　以上に検討したように、本件明細書の記載不備に関する特許異議申立人の主張はいずれも採用できない。
　
３−６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１，２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１，２を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月２１日（２００１．９．２１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（ａ）明瞭でない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項１及び請求項２を
「【請求項１】　ろう材によりリードピンを回路端子へ接合する方法において、前記ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるものを用い、ろう材を前記リードピンの接合面に円弧状に取付けて接合する回路端子へのリードピンの接合方法。
　【請求項２】　ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９重量％以下、残部Ｓｎよりなるものを用い、更に、リードピン又は回路端子の少なくともいずれかに金メッキを施した後接合する請求項１記載の回路端子へのリードピンの接合方法。」と訂正する。
（ｂ）明瞭でない記載の釈明を目的として、発明の詳細な説明の「％」を、「重量％」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
回路端子へのリードピンの接合方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ろう材によりリードピンを回路端子へ接合する方法において、
　前記ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるものを用い、ろう材を前記リードピンの接合面に円弧状に取付けて接合する回路端子へのリードピンの接合方法。
　【請求項２】　ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９重量％以下、残部Ｓｎよりなるものを用い、更に、リードピン又は回路端子の少なくともいずれかに金メッキを施した後接合する請求項１記載の回路端子へのリードピンの接合方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、電子部品組立時において回路端子へリードピンを接合する際の接合方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　電子部品の回路端子へのリードピンの接合は、一般に、ろう付け法により行われているが、このろう付け法においては、Ａｕ−Ｓｎ系のろう材を使用するものが用いられており、特に、Ａｕが７９．５〜８０．０重量％、残部Ｓｎのろう材（融点約２８０℃）を用いた接合方法が用いられている。
　【０００３】
　しかしながら、この従来の接合法においては、例えば図５に示すように、接合後のリードピンの高さに不揃いが生じることがある。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　そこで本発明は、回路端子に接合時のリードピンの高さに不揃いが生じないような接合方法を提供することを目的とする。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、リードピンの高さに不揃いが生じる原因について、検討を行った。その結果、この原因が従来のろう材による接合方法においては、溶融、凝固後のろう材中にＡｕリッチ晶が生じる点にあることを見出した。つまり、上記図５の場合においては、セラミックス基板７の回路端子８とリードピン１との間のろう材２中にＡｕリッチ晶３が表れるために、ろう付け後リードピン１の高さに不揃いが生じるのである。
　【０００６】
　本発明者らは、鋭意研究の結果、特定の組成のろう材を用いて接合することでこのＡｕリッチ晶を生じさせることなく、高さを揃えてリードピンを接合できることを見出した。即ち、本願請求項１記載の発明は、ろう材によりリードピンを回路端子へ接合する方法において、前記ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９．５重量％未満、残部Ｓｎよりなるものを用い、ろう材を前記リードピンの接合面に円弧状に取付けて接合する回路端子へのリードピンの接合方法である。
　【０００７】
　本発明のように、使用するろう材について、Ａｕの組成を７８重量％以上７９．５重量％未満と狭い範囲に限定するのは、７９．５重量％以上とするとＡｕリッチ晶が多く生じるからであり、７８重量％未満ではＳｎリッチ晶の影響が出ることによる。そして、本発明によれば、凝固時のろう材の組織を殆どＡｕ、Ｓｎの共晶組織とすることができ、接合されるリードピンの高さの不揃いの要因となるＡｕリッチ晶を生じさせることがないため、接合後のリードピンの高さをそろえることが可能となる。この場合、僅かにＳｎリッチ晶が現出するが、このＳｎリッチ晶は微細である為、リードピンのろう付け時高さが不揃いとなることがない。
　【０００８】
　一方、請求項２記載の発明は、リードピン又は回路基板の少なくともいずれかに金メッキを施し、ろう材としてＡｕ７８重量％以上７９重量％以下、残部Ｓｎよりなるろう材を用いて接合する請求項１記載の回路端子へのリードピンの接合方法である。
　【０００９】
　このように基板又はリードピンにＡｕメッキを施し、ろう材の組成を更に限定することの意義は、基板又はリードピンにＡｕメッキを施すことで、ろう流れを良好とし、基板の信頼性を向上させることができるというところにある。そして、ろう材の組成をＡｕ７８重量％以上７９重量％以下とすることで、僅かに生じるＳｎリッチ晶にこのメッキ層中のＡｕを拡散させてろう材の組織をＡｕＳｎ共晶組織としリードピンの高さを揃えることができる。
　【００１０】
　従って、請求項２記載の発明によれば、リードピン接合時のろう流れを良好にすると共に、リードピンの高さを揃えた状態で接合することができる。
　【００１１】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施形態を図面と共に説明する。
　【００１２】
第１実施形態
　【００１３】
第２実施形態
　【００１４】
従来例
　【００１５】
　以上の第１、第２実施形態、及び、従来例によりリードピンを接合した回路端子につき、リードピンの高さを測定し、品質の確認を行った。この検討は、公差リードピン１の高さ±０．１ｍｍの範囲内であれば良品とし、それ以外を不良品として判断している。
　【００１６】
　その結果、第１、第２実施形態においては全て良品であったが、従来例に於いては接合した１００本中５本が不良品であると判断された。
　【００１７】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明によれば、リードピンのろう付け時Ａｕリッチ晶が殆んど表れず、Ａｕ−Ｓｎ共晶となり、僅かにＳｎリッチ晶が表れてもこのＳｎリッチ晶は微細である為、リードピンは高さが不揃いとなることがなく、均一な高さで接合することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】第１実施形態のリードピンの接合方法におけるリードピンを示す図である。
　【図２】第２実施形態のリードピンの接合方法における金メッキを施したリードピンを示す図である。
　【図３】従来の方法により接合されるリードピンの状態を示す図である。
　【図４】第１、第２実施形態の方法でリードピンをセラミックス基板の回路端子にろう付けした状態を示す図である。
　【図５】従来の方法でリードピンをセラミックス基板の回路端子へろう付けした場合を示す図である。
　【符号の説明】
　１　リードピン
　４　頭部
　５、５′　　ろう材
　６　Ａｕメッキ
　７　セラミックス基板
　８　回路端子
【図面】