(57)【要約】【課題】分割構造の真空チャンバを有し、真空チャンバに対するシャワープレートの着脱を容易に行うことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置３は、第１及び第２のチャンバブロック１１、１２の接合体からなる分割構造の真空チャンバ１０を有する。シャワープレート６１は、第２のチャンバブロック１２の非接合面側の側面１２２に設けられた取出し部５を介して、内部空間から取り出される。これにより、シャワープレート６１を分割構造とすることなく、チャンバ１０の内部空間に対するシャワープレート６１の着脱作業を容易に行うことが可能となる。【選択図】図２
2010082467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向と交差する第１の開口が形成された第１の側面を有する第１のチャンバブロックと、
前記第１の方向と交差する第２の開口が形成された第２の側面と、前記第１の方向において前記第２の側面に対向する第３の側面とを有し、前記第２の側面が前記第１の側面と接合されることで、前記第１及び第２の開口を含む真空排気可能な内部空間を形成する第２のチャンバブロックと、
前記第１及び第２の開口を貫通するように前記内部空間に配置されたシャワープレートと、
前記第３の側面に設けられ、前記内部空間から前記シャワープレートを前記第１の方向に沿って取り出すための取出し部と
を具備するプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、
前記取出し部は、
前記第３の側面に形成され前記シャワープレートが通過可能な搬送口と、
前記搬送口を開閉自在な蓋部材とを有する
プラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、
前記シャワープレートと一体的に取り付けられた第１の電極プレートと、
前記第１のチャンバブロック又は前記第２のチャンバブロックを貫通し、前記第１の電極プレートに対して着脱自在に連結された軸部材とをさらに具備する
プラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、
前記基板を支持し、前記第１及び第２の開口を貫通するように前記内部空間に配置され、前記第１の方向と直交する第２の方向において前記シャワープレートと対向する第２の電極プレートをさらに具備する
プラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、
前記搬送口は、前記第２の電極プレートが通過可能な大きさに形成されている
プラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置であって、
前記第１のチャンバブロックは、基板搬送用の開口部が形成された第４の側面をさらに有し、
前記第４の側面は、前記第１の側面と前記第１の方向において対向する
プラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、分割構造のチャンバを備えるプラズマＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プラズマＣＶＤ装置が広く用いられている。プラズマＣＶＤ装置は、プラズマの発生源によって平行平板型（容量結合型）、誘導結合型などに分類される。平行平板型のプラズマＣＶＤ装置は、典型的には、真空チャンバと、基板が載置されるステージと、基板と対向するシャワープレート（対向電極）とを有する（例えば、下記特許文献１参照）。成膜の際は、シャワープレートからプロセスガスが導入され、シャワープレートとステージとの間に高周波電場が印加されることで、真空チャンバの内部にプロセスガスのプラズマが形成される。このときの反応生成物が基板上に堆積することで、薄膜が形成される。【０００３】
シャワープレートは、基板と対向するように配置されており、基板の面積よりも大きな面積で形成される。ここで、基板表面に形成される薄膜の均一性を確保するため、シャワープレートには、複数のガス噴出孔が面内において一様に分布するように形成されている。さらに、シャワープレートは、典型的には、シャワープレートと平行な真空チャンバの一主面に形成された開口部を介して、真空チャンバの内部に設置され、あるいは、真空チャンバの内部から取り出される。【０００４】
一方、近年における基板の大型化に伴って、真空チャンバも大型化してきている。例えば、基板の縦及び横の寸法は、第１０世代では、２８５０ｍｍ×３２５０ｍｍ程度であり、第１１世代では、３２００ｍｍ×３７００ｍｍ程度になることが予想されている。真空チャンバの大型化は、製作コスト上の問題、設置作業性の問題、輸送上の問題を招く。【０００５】
そこで、真空チャンバを分割構造にすることで上記問題の解決を図ることが知られている。例えば下記特許文献２には、真空チャンバの本体を複数のチャンバ片で構成し、各チャンバ片の接合面に形成されたフランジ部を相互に接合することで、大型の真空チャンバを製造する方法が記載されている。この真空チャンバは、複数本のボルトによって相互に接合される上記フランジ部の間に装着されたシール部材によって、内部の密閉性が確保される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−２７７５８３号公報
【特許文献２】特開２００６−１３７９９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
分割構造の真空チャンバにおいては、その分割領域のシール性を確保するため、各チャンバ片の接合面の間にシール部材を介在させる必要がある。したがって、シャワープレートの着脱に利用される開口部が分割されると、シール部材が装着されるチャンバ片の接合端部が上記開口部を横切るように位置するため、真空チャンバに対するシャワープレートの着脱に困難を極めることとなる。【０００８】
一方、シャワープレートを分割構造にすることも考えられる。しかしながら、シャワープレートを分割構造とすると、面内における均一なガス噴出機能を確保するのが非常に困難となるため、現実的でない。【０００９】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、分割構造の真空チャンバを有し、真空チャンバに対するシャワープレートの着脱を容易に行うことができるプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一形態に係るプラズマＣＶＤ装置は、第１のチャンバブロックと、第２のチャンバブロックと、シャワープレートと、取出し部とを具備する。
上記第１のチャンバブロックは、第１の側面と、第２の側面とを有する。上記第１の側面は、第１の方向と交差する第１の開口を有する。上記第２の側面は、基板を通過させるための第１の搬送口を有する。
上記第２のチャンバブロックは、第３の側面と、第４の側面とを有する。上記第３の側面は、上記第１の方向と交差する第２の開口を有する。上記第４の側面は、上記第１の方向において上記第３の側面に対向する。上記第２のチャンバブロックは、上記第３の側面が上記第１の側面と接合されることで、上記第１及び第２の開口を含む真空排気可能な内部空間を形成する。
上記シャワープレートは、上記第１のチャンバブロックの上記第１の方向に沿う第１の長さ及び上記第２のチャンバブロックの上記第１の方向に沿う第２の長さよりも大きく、かつ、上記第１の長さと上記第２の長さの和よりも小さい第３の長さを有する。上記シャワープレートは、上記第３の長さ方向を上記第１の方向と平行にして上記内部空間に配置される。
上記取出し部は、上記内部空間から上記シャワープレートを搬出入するためのものであり、上記第４の側面に設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態によるプラズマＣＶＤ装置を含む真空処理装置の要部斜視図である。
【図２】本発明の実施形態によるプラズマＣＶＤ装置の側断面図である。
【図３】本発明の実施形態によるプラズマＣＶＤ装置の断面斜視図である。
【図４】本発明の実施形態によるプラズマＣＶＤ装置を構成する真空チャンバの分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の一実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置は、第１のチャンバブロックと、第２のチャンバブロックと、シャワープレートと、取出し部とを具備する。
上記第１のチャンバブロックは、第１の方向と交差する第１の開口が形成された第１の側面を有する。
上記第２のチャンバブロックは、第２の側面と、第３の側面とを有する。上記第２の側面は、上記第１の方向と交差する第２の開口を有する。上記第３の側面は、上記第１の方向において上記第２の側面に対向する。上記第２のチャンバブロックは、上記第２の側面が上記第１の側面と接合されることで、上記第１及び第２の開口を含む真空排気可能な内部空間を形成する。
上記シャワープレートは、上記第１及び第２の開口を貫通するように上記内部空間に配置される。
上記取出し部は、上記内部空間から上記シャワープレートを上記第１の方向に沿って取り出すためのものであり、上記第３の側面に設けられる。
【００１３】
上記プラズマＣＶＤ装置は、第１及び第２のチャンバブロックの接合体からなる分割構造の真空チャンバを有する。シャワープレートは、第２のチャンバブロックの非接合面側の側面（第３の側面）に設けられた取出し部を介して、内部空間から取り出される。これにより、シャワープレートを分割構造とすることなく、チャンバの内部空間に対するシャワープレートの着脱作業を容易に行うことが可能となる。
【００１４】
ここで、「第１の方向と交差する第１（又は第２）の開口」とは、当該開口の属する平面が上記第１の方向と交差することを意味する。典型的には、上記開口は上記第１の方向と直交関係にあるが、これに限られない。
【００１５】
第１及び第２のチャンバブロックは、多面体形状を有し、例えばステンレス鋼、アルミニウム合金等の金属材料で形成されている。典型的には、第１及び第２のチャンバブロックは、六面体で構成することができる。なお、各チャンバブロックは、単一部品で構成される例に限られず、複数部品の集合体（接合体）で構成されてもよい。
【００１６】
第１のチャンバブロックと第２のチャンバブロックとの接合面は、シール部材によってシールされる。典型的には、シール部材は、各チャンバブロックの接合面に介装される。接合方法は特に限定されず、ボルトなどを用いた締結や、溶接などが採用可能である。
【００１７】
上記取出し部は、上記第１の方向に対向する上記第３の側面に設けられる。したがって、シャワープレートを上記第１の方向に移動させることにより、上記取出し部を介してシャワープレートを容易に搬出入することが可能である。
【００１８】
上記取出し部は、上記第３の側面に形成され上記シャワープレートが通過可能な搬送口と、上記搬送口を開閉自在な蓋部材とを有してもよい。
これにより、取出し部の構成を簡素化でき、蓋部材を開閉するだけでシャワープレートの搬送作業を実行することができる。蓋部材は、機械式あるいは電磁式に開閉するバルブで構成することも可能である。
【００１９】
上記プラズマＣＶＤ装置は、第１の電極プレートと、軸部材とをさらに具備してもよい。上記第１の電極プレートは、上記シャワープレートと一体的に取り付けられる。上記軸部材は、上記第１のチャンバブロック又は上記第２のチャンバブロックを貫通し、上記第１の電極プレートに対して着脱自在に連結される。
この構成により、第１の電極プレートと軸部材との連結操作及びその解除操作によって、内部空間へのシャワープレートの取り付け及び取り外しを行うことが可能となる。
【００２０】
上記プラズマＣＶＤ装置は、第２の電極プレートを具備してもよい。上記第２の電極プレートは、上記基板を支持し、上記第１及び第２の開口を貫通するように上記内部空間に配置され、上記第１の方向と直交する第２の方向において上記シャワープレートと対向する。
第２の電極プレートは、基板を支持するステージとして用いることができる。第２の電極プレートは、基板を所定温度に加熱するヒータを内蔵してもよい。
【００２１】
上記搬送口は、上記第２の電極プレートが通過可能な大きさに形成されてもよい。
これにより、シャワープレートのみならず、第２の電極プレートの取り外し作業も容易に行うことが可能となる。
【００２２】
上記第１のチャンバブロックは、第４の側面をさらに有してもよい。上記第４の側面は、基板搬送用の開口部を有し、上記第１の側面と上記第１の方向において対向する。
これにより、上記開口部を介して真空チャンバの内部空間に基板を搬送することが可能となる。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００２４】
図１は、本発明の実施形態によるプラズマＣＶＤ装置３を備えた真空処理装置１の要部の斜視図である。上記真空処理装置１は、クラスター型の枚葉式真空処理装置として構成されている。すなわち、真空処理装置１は、搬送室２と、搬送室２の周囲に配置された複数の真空処理室とを備えている。
【００２５】
搬送室２は、所定の真空度に維持されており、上記各真空処理室へ基板Ｗ（図２）を搬送するための搬送ロボット（図示略）が設置されている。上記複数の真空処理室は、ロード／アンロード室、熱処理室、スパッタ室、プラズマＣＶＤ室などの適宜の処理室で構成される。本実施形態のプラズマＣＶＤ装置３は、上記複数の真空処理室のひとつとして構成されている。
【００２６】
ここで、基板Ｗは、例えばＦＰＤ（Flat Panel Display）用のガラス基板（マザーガラス）である。基板Ｗの大きさは特に限定されず、例えば、横（図１においてＸ方向）３２５０ｍｍ以上、縦（図１においてＹ方向）２８５０ｍｍ以上の大きさとされる。
【００２７】
図２はプラズマＣＶＤ装置３の側断面図、図３はその断面斜視図である。本実施の形態のプラズマＣＶＤ装置３は、平行平板型（容量結合型）のプラズマＣＶＤ装置として構成され、真空チャンバ１０と、シャワープレート６１を含む電極ユニット６と、基板を支持するためのステージユニット７とを備えている。
【００２８】
真空チャンバ１０は、Ｘ方向に長さ方向、Ｙ方向に幅方向、Ｚ方向に高さ（厚さ）方向をそれぞれ有する。真空チャンバ１０は、第１のチャンバブロック１１と第２のチャンバブロック１２とを有する。第１のチャンバブロック１１と第２のチャンバブロック１２はＹ方向に相互に接合されることで、内部に処理室８（内部空間）を有する真空チャンバ１０を構成する。各チャンバブロック１１、１２は、ステンレス鋼やアルミニウム合金などの金属材料で形成されており、プレス成形や溶接などの加工工程を経て、多面体形状に形成されている。
【００２９】
図４は、真空チャンバ１０の分解斜視図であり、第１及び第２のチャンバブロック１１、１２及びこれらの間に装着されるシール部材１３を示している。
【００３０】
第１のチャンバブロック１１は、Ｘ方向と直交するＹＺ平面内に開口１１ａ（第１の開口）が形成された側面１１１（第１の側面）を有する６面体形状に形成されている。同様に、第２のチャンバブロック１２は、Ｘ方向と直交するＹＺ平面内に開口１２ａ（第２の開口）が形成された側面１２１（第２の側面）を有する６面体形状に形成されている。
【００３１】
シール部材１３としては、例えばＯリングのような環状のシール部品が用いられる。シール部材１３は、上記第１の側面１１１と第２の側面１２１との間に装着されることで、各チャンバブロック１１、１２の接合部のシール性を確保する。
【００３２】
第１のチャンバブロック１１は、Ｘ方向において側面１１１と対向する他の側面１１２（第４の側面）を有している。この側面１１２は、ゲートバルブ４を介して搬送室２と接続されている（図１）。側面１１２には、基板搬送用の開口部１１ｂが形成されている。開口部１１ｂは、基板Ｗが通過可能な大きさに形成されており、この開口部１１ｂを介して、搬送室２と真空チャンバ１０との間において基板Ｗが搬送される。
【００３３】
また、第１のチャンバブロック１１は、その上面１１３に窓部１１ｃが形成されている。この窓部１１ｃは、通常時は、シール部材を介して蓋体２１（図１）によって閉塞されており、電極ユニット６（シャワープレート６１）の設置時あるいは取り外し時に開放される。蓋体２１は、チャンバブロック１１の上面１１３に対して複数本のボルトを介して取り付けられている。
【００３４】
第２のチャンバブロック１２は、Ｘ方向において側面１２１と対向する他の側面１２２（第３の側面）を有している。この側面１２２には、電極ユニット６の取出し部５（図１）が設けられている。
【００３５】
取出し部５は、側面１２２に形成された搬送口１２ｂと、搬送口１２ｂを開閉する蓋部材２３(図１)とを有する。搬送口１２ｂは、電極ユニット６及びステージユニット７をＸ方向に沿って通過させることができる大きさに形成されている。電極ユニット６及びステージユニット７は、この搬送口１２ｂを介して、真空チャンバ１０の内部と外部との間を搬送される。搬送口１２ｂは、通常時は蓋部材２３によって閉塞されており、電極ユニット６の設置時あるいは取り外し時に開放される。蓋部材２３は、側面１２２に対して複数本のボルトを介して着脱自在に取り付けられる。
【００３６】
また、第２のチャンバブロック１２は、その上面１２３に窓部１２ｃが形成されている。この窓部１２ｃは、通常時は、図示しないシール部材を介して蓋体２２（図１）によって閉塞されており、電極ユニット６の設置時あるいは取り外し時に開放される。蓋体２２は、チャンバブロック１２の上面１２３に対して複数本のボルトを介して着脱自在に取り付けられている。
【００３７】
第１のチャンバブロック１１と第２のチャンバブロック１２とは、複数本のボルトＢ１によって接合される。本実施形態では、第１のチャンバブロック１１の接合面の周囲に形成された複数のボルト取付孔１１４を介してボルトＢ１が締結される。これに限られず、第１及び第２のチャンバブロック１１、１２の各々の接合面にフランジ部を形成し、これらフランジ部をボルトで接合するようにしてもよい。あるいは、側面１１１及び側面１２１を溶接によって相互に接合することも可能である。
【００３８】
さらに、第１のチャンバブロック１１には、電極ユニット６を支持するための軸部９が貫通する貫通孔１１５、ステージユニット７を支持するための支持軸１８が貫通する貫通孔１１６、真空チャンバ１０の内部空間を排気する真空排気系統との接続ポート（図示略）などが形成されている。
【００３９】
次に、真空チャンバ１０の内部の構成について説明する。
【００４０】
真空チャンバ１０の処理室８には、電極ユニット６と、ステージユニット７とが設置されている。これら電極ユニット６及びステージユニット７は、真空チャンバ１０に対して取り外し自在に設置されている。
【００４１】
電極ユニット６は、シャワープレート６１と、電極プレート６２（第１の電極プレート）と、分散板６３と、絶縁体６４とを有する。電極ユニット６は、軸部９を介して処理室８の所定位置に設置されている。
【００４２】
シャワープレート６１は、典型的には、平板状の金属プレートで構成されており、ステージユニット７上の基板Ｗと所定の距離をあけて対向している。シャワープレート６１は、電極ユニット６とステージユニット７との間にプロセスガスを所定の流量で噴出するための複数の孔６１ａを有している。これらの孔６１ａは、図では簡素化して示されているが、シャワープレート６１の面内において均一な密度で形成されている。孔６１ａの大きさ、数などは適宜設定可能であり、図示の例に限られない。
【００４３】
シャワープレート６１は、基板Ｗの被成膜面を被覆することができる程度の大きさで形成されている。本実施形態では、シャワープレート６１は、処理室８において、チャンバブロック１１、１２の各々の開口１１ａ、１１ｂを貫通する長さを有している。すなわち、シャワープレート６１のＸ方向に沿った長さは、第１及び第２のチャンバブロック１１、１２の個々の長さ（Ｙ方向の長さ）よりも大きく、各チャンバブロック１１、１２の長さの総和よりも短い。シャワープレート６１は矩形であるが、円形でもよい。
【００４４】
電極プレート６２は、シャワープレート６１と一体的に固定されている。本実施形態においては、電極プレート６２はシャワープレート６１とほぼ同一の形状及び大きさに形成された金属板で構成されている。電極プレート６２とシャワープレート６１との間には所定容積の空間部６２ｂが形成されている。電極プレート６２のほぼ中央部には、空間部６２ｂに連通する貫通孔６２ａが形成されている。
【００４５】
軸部９は、金属材料でなり、第１のチャンバブロック１１の上面に形成された貫通孔１１５を貫通している。軸部９の外周面には電気絶縁性の筒部材９１が装着されており、これによりチャンバブロック１１と軸部９との間の電気的絶縁が確保されている。
【００４６】
軸部９は、電極プレート６２と、高周波電源（図示略）に連絡する制御ユニット２４との間を接続している。軸部９の下端部は、電極プレート６２のほぼ中央部に複数本のボルトＢ２を介して接続されている。軸部９は、例えば、Ｚ方向に移動可能であり、シャワープレート６１とステージユニット７との間の相対距離を調整可能としている。
【００４７】
また、軸部９は、プロセスガスの供給源（図示略）と接続されており、軸部９の中心部にはプロセスガスをシャワープレート６１へ導くためのガス導入通路９２が形成されている。ガス導入通路９２は、電極プレート６２の貫通孔６２ａに整列しており、この貫通孔６２ａを介して上記供給源から供給されたプロセスガスを空間部６２ｂへ導入する。
【００４８】
分散板６３は、空間部６２ｂに配置された単数又は複数枚の板状部品である。分散板６３は、空間部６２ｂへ導入されたプロセスガスをシャワープレート６１の各孔６１ａから均等に流出させるためのものである。分散板の形状、大きさ、設置数などは、空間部６２ｂの容積やシャワープレート６１の孔６１ａの大きさ、形成密度、ガス流量に応じて適宜設定することが可能である。
【００４９】
絶縁体６４は、電極ユニット６と真空チャンバ１０との間の電気的絶縁を確保するためのものであり、電極プレート６２と真空チャンバ１０の上壁内面との間に設けられている。絶縁体６４は、真空チャンバ１０の上壁内面に接触しているが、これに限られず、真空チャンバ１０の上壁内面との間に一定の間隙を介して対向させるようにしてもよい。
【００５０】
一方、ステージユニット７は、Ｚ方向においてシャワープレート６１と対向するステージ７１（第２の電極プレート）と、ステージ７１を所定温度に加熱するヒータ７２とを有する。ステージユニット７は、例えばグラウンド電位に接続された支持軸１８を介して処理室８に設置されている。
【００５１】
ステージ７１は、金属材料で構成されており、基板Ｗの全体を支持できる程度の大きさに形成されている。ステージ７１は支持軸１８に電気的に接続されており、電極プレート６２の対向電極として構成される。ヒータ７２は、ステージ７１の側周部とその底部のほぼ全域を被覆する。ヒータ７２は、典型的には抵抗加熱源を内蔵する。
【００５２】
ステージユニット７と支持軸１８との間は、結合部１９を介して着脱自在に接続される。結合部１９は、機械的または電磁的にステージユニット７と支持軸１８との間を結合するカップリング機構で構成することができる。
【００５３】
本実施形態のプラズマＣＶＤ装置３は以上のように構成される。次に、このプラズマＣＶＤ装置３の組立方法について説明する。
【００５４】
まず、図４に示すように、第１のチャンバブロック１１の開口１１ａを有する側面１１１と、第２のチャンバブロック１２の開口１２ａを有する側面１２１とを相互に対向させる。その後、各チャンバブロック１１、１２の側面１１１、１２１でシール部材１３を挟み、複数のボルトＢ１で第１のチャンバブロック１１と第２のチャンバブロック１２とを相互に接合する。これにより、内部に処理室８が形成された真空チャンバ１０が構成される。
【００５５】
第１のチャンバブロック１１の貫通孔１１５、１１６に対する軸部９及び支持軸１８の取り付けは、チャンバブロック１１、１２の接合前に行ってもよいし、接合後に行ってもよい。
【００５６】
次に、処理室８の内部に電極ユニット６及びステージユニット７をそれぞれ搬入し、設置する。本実施形態において、電極ユニット６及びステージユニット７は、第２のチャンバブロック１２の側面１２２に形成された搬送口１２ｂからＸ方向に沿って搬入される。処理室８に搬入された電極ユニット６は、複数のボルトＢ２を用いて軸部９と結合される。電極ユニット６と軸部９との結合は、作業者により、第１及び第２のチャンバブロック１１、１２のそれぞれの窓部１１ｃ、１２ｃを介して行うことができる。同様にして、処理室８に搬入されたステージユニット７は、結合部１９を介して支持軸１８と結合される。電極ユニット６及びステージユニット７の組み付けの順序は特に限定されない。
【００５７】
本実施形態のプラズマＣＶＤ装置３は、分割構造を有する真空チャンバ１０の非接合面側の側面１２２に取出し部５（搬送口１２ｂ）を設けることで、この搬送口１２ｂを介して、電極ユニット６及びステージユニット７を処理室８の内部に搬入するようにしている。これにより、シャワープレート６１を分割構造とすることなく、処理室８に適正に設置することが可能になる。また、シャワープレートの分割化が回避されるため、大型基板へのプロセスガスの均一な照射が可能となる。
【００５８】
電極ユニット６及びステージユニット７の設置後、真空チャンバ１０の窓部１１ｃ、１１ｄ及び搬送口１２ｂは、それぞれ蓋体２１、２２及び蓋部材２３によって閉塞される。基板搬送用の開口部１１ｂが形成された真空チャンバ１０の側面１１２は、ゲートバルブ４に気密に固定される。以上のようにして、処理室８の密閉構造が確保される。
【００５９】
次に、本実施形態のプラズマＣＶＤ装置３の作用について説明する。プラズマＣＶＤ装置３は、真空処理装置１において、プラズマＣＶＤ装置３は、基板Ｗの表面に、プラズマＣＶＤ法によって薄膜を形成する成膜室として機能する。
【００６０】
成膜時を含む通常時において、各チャンバブロック１１、１２の窓部１１ｃ、１２は、蓋体２１、２２によってそれぞれ密閉される。また、プラズマＣＶＤ装置３の取出し部５に関しても、搬送口１２ｂが蓋部材２３によって密閉される。これにより、真空チャンバ１０の内部空間（処理室８）は、所定の減圧雰囲気に排気又は維持可能とされる。
【００６１】
基板Ｗは、搬送室２内に設置された搬送ロボットによって、ゲートバルブ４及び開口部１１ｂを介して、処理室８に搬入される。処理室８に搬入された基板Ｗは、ステージ７１の上に載置される。基板Ｗがステージ７１に載置された後、ゲートバルブ４が閉止される。成膜時、シャワープレート６１を介して処理室８にプロセスガスが供給される。プロセスガスとしては、各種反応性ガス、原料ガス、不活性ガスあるいはこれらの混合ガスが用いられる。さらに、軸部９を介して電極プレート６２へ所定の高周波電力が印加されることで、対向電極としてのステージ７１との間に、プロセスガスのプラズマを発生させる。このとき生成されたプラズマ活性種あるいはその反応生成物が基板Ｗの表面に堆積し、薄膜が形成される。
【００６２】
成膜後、プロセスガスの供給と高周波電力の印加が停止され、処理室８内の残留ガスが排気される。そして、ゲートバルブ４が開放され、上記搬送ロボットによって、処理室８から搬送室２へ基板Ｗが搬出される。そして、未成膜の基板Ｗが処理室８へ搬入され、上述と同様な成膜処理が行われる。
【００６３】
上述の成膜処理が繰り返されることにより、シャワープレート６１を含む電極ユニット６に反応性生物が付着、堆積する。これらの堆積物は、パーティクルの発生原因となるため、シャワープレート６１を定期的に浄化あるいは交換する必要がある。
【００６４】
本実施形態によれば、シャワープレート６１の浄化あるいは交換に際して、電極ユニット６を真空チャンバ１０から取り出すのに、真空チャンバ１０に設けられた取出し部５を利用することができる。これにより、第１及び第２のチャンバブロック１１、１２を分離することなく、シャワープレート６１を取り出すことができる。また、取出し部５（搬送口１２ｂ）がＸ方向と交差する側面１２２に設けられているため、電極ユニット６をＸ方向に移動させることで、容易にチャンバ外部へ取り出すことが可能である。
【００６５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基いて種々の変形が可能である。
【００６６】
例えば、電極ユニット６の取出し部５を構成する蓋部材２３は、真空チャンバ１０の側面１２２と分離可能に構成される例に限られない。すなわち、蓋部材２３は、側面１２２にスライドあるいは回動可能に取り付けられ、蓋部材２３のスライド動作あるいは回動動作によって搬送口１２ｂを開閉する構成であってもよい。
【００６７】
また、以上の実施形態では、電極ユニット６を支持する軸部９及びステージユニット７を支持する支持軸１８は、それぞれ第１のチャンバブロック１１の上面及び底面を貫通するように構成された。これに代えて、上記軸部９及び支持軸１８は、第２のチャンバブロック１２の上面及び底面を貫通するように構成されてもよい。
【００６８】
また、以上の実施形態では、プラズマＣＶＤ装置３は、基板Ｗを横向きに横臥させた姿勢で成膜する横型のプラズマＣＶＤ装置として構成された。これに代えて、基板Ｗをほぼ垂直方向に直立させた姿勢で成膜する縦型のプラズマＣＶＤ装置として構成されてもよい。この場合、ステージユニット７は、電極ユニット６の対向電極として機能させることができる。
【符号の説明】
【００６９】
１…真空処理装置
２…搬送室
３…プラズマＣＶＤ装置
４…ゲートバルブ
５…取出し部
６…電極ユニット
７…ステージユニット
８…処理室（内部空間）
９…軸部
１０…真空チャンバ
１１…第１のチャンバブロック
１１ａ、１２ａ…開口（第１、第２の開口）
１１ｂ…開口部
１２ｂ…搬送口
１１ｃ、１２ｃ…窓部
１２…第２のチャンバブロック
１３…シール部材
１８…支持軸
１９…結合部
２１、２２…蓋体
２３…蓋部材
６１…シャワープレート
６２…電極プレート
７１…ステージ
７２…ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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