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　特願２０１５−５５３０４３「構造化された基板を搬送する収容装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月２４日国際公開、ＷＯ２０１４／１１１２８８、平成２８年　３月２２日国内公表、特表２０１６−５０８６６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２０１４年（平成２６年）１月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１３年（平成２５年）１月２１日　独国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　８月１８日　　　　　翻訳文及び３４条補正翻訳文の提出
平成３０年　１月２５日付け　　　拒絶理由通知書
平成３０年　４月２６日　　　　　意見書及び手続補正書の提出
平成３０年　９月１２日付け　　　拒絶査定
平成３１年　１月１１日　　　　　審判請求書の提出
２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下，「本願発明」という。）は，平成３０年４月２６日に提出された手続補正書における特許請求の範囲の請求項１に記載された，次のとおりのものである。 
「　【請求項１】
　構造化部（３）が構造化された基板（１）を搬送する収容装置であって，
　前記構造化された基板（１）を収容面（５ｏ）に収容する軟性の材料層（５）を備え，
　前記構造化された基板（１）の構造化部（３）は，少なくとも部分的に，前記材料層（５）内へ収容可能である，
収容装置において，
　前記構造化された基板（１）を固定する固定手段が，前記収容面に設けられており，
　前記材料層（５）は，１００ＧＰａ未満の弾性率を有しており，
　前記材料層（５）は，ポリマーから形成されており，
　前記構造化部（３）の周囲の前記材料層（５）の完全な変形によって，前記構造化部（３）は，前記材料層（５）内へ収容される，
３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１，５に係る発明は，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１〜２に記載された発明に基づいて，請求項２〜４，６〜８に係る発明は，本願の優先権主張日前に日本国内又は外国において頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１〜４に記載された発明に基づいて，その優先権主張日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
引用例１．特開２０００−１５８３３４号公報
引用例２．特開２００７−２５０７８９号公報
引用例３．米国特許出願公開第２０１１／０１９８８１７号明細書
引用例４．特開２０１２−０６４７１０号公報
４　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００―１５８３３４号公報（引用例１）には，図１〜５とともに，次の記載がある（下線は当審で付加。以下同じ。）。
　
「【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として，半導体ウェーハの研削時に用いる作業用トレー及びそれを用いた研削方法について説明する。
【００１３】図１は，本発明に係る作業用トレー１０を示しており，この
作業用トレー１０は，硬質基台１１と弾性パッド１２とが一体となった構成
【００１４】硬質基台１１は，図２に示すように，例えばアルミニウム，プラスチック等の硬質部材からなり，数ｍｍ程度の厚みを有して撓むことがないよう構成され，表面に開口する複数のエアー供給孔１３を備えている。なお，図１の例においては硬質基台１１は円形に形成されているが，被加工物の形状に合わせた形状とするのが望ましい。
【００１５】一方，
弾性パッド１２
無数の気孔１４が少なくとも表面１５に形成され，合成樹脂等の弾性のある部材により硬質基台１１の形状に対応した形状に形成されている
【００１６】このように硬質基台１１と弾性パッド１２とが一体となった作業用トレー１０に半導体ウェーハを保持させて，例えば裏面の研削を行うときは，図４に示すように，弾性パッド１２の上に裏面側２１を上にして半導体ウェーハ２０を載置して上方から押圧する。すると，図３に示した気孔１４がつぶれ，押圧を解除すると，弾性パッド１２が有する弾性による復元力と密着性とによって
気孔１４に負圧が生じ，この負圧が吸引力となって表面１５において半導体ウェーハ２０の表面を吸引し
弾性パッド１２と半導体ウェーハ２０とが一体となる。
【００１７】このとき，両者は密着していて吸着力は安定しており，時間が経過しても弱まることがなく，半導体ウェーハ２０の裏面２１を研削する際も両者の一体性は維持される。このように，弾性パッド１２に半導体ウェーハ２０の表面を押圧するだけで容易かつ強固に半導体ウェーハ２０を保持することができる。
【００１８】こうして
作業用トレー１０に保持された半導体ウェーハ２０は，例えば，図６に示す研削装置２２に搬送されて
「【００２７】なお，
研削される半導体ウェーハ２０が，ＣＳＰ（Chip ScalePackage）等に対応したものである場合は，その表面にバンプと呼ばれる突起が形成されており
本発明のように弾性パッド１２を用いて半導体ウェーハ２０を保持した場合には，弾性パッド１２にバンプが埋没するため，半導体ウェーハ２０が割れることがない
（２）引用例１の記載事項の整理
　以上の摘記を整理すると，引用例１には次の事項が記載されていると理解できる。
ア　段落［００２７］から，引用例１には，「表面にバンプが形成された半導体ウェーハ２０」を研削することが記載されている。
イ　段落［００１３］，［００１８］から，引用例１には，「弾性パッド１２」を備える「作業用トレー１０」が記載され，当該「作業用トレー１０」に保持された「半導体ウェーハ２０」を研削装置２２に「搬送」することが記載されている。
　ここで，上記アから，「表面にバンプが形成された半導体ウェーハ２０」も研削装置に搬送されるものと理解できるから，引用例１には，「表面にバンプが形成された半導体ウェーハ２０を搬送する作業用トレー１０」が記載されているといえる。
ウ　段落［００１５］から，引用例１の「弾性パッド１２」の「表面１５」に無数の気孔が形成されていること，段落［００１６］から，当該気孔に生じた「負圧が吸引力となって」，「弾性パッド１２」の「表面１５において半導体ウェーハ２０の表面を吸引」し，「弾性パッド１２と半導体ウェーハ２０とが一体」となることが記載されている。
　当該記載及び上記イから，「弾性パッド１２」は「表面にバンプが形成された半導体ウェーハ２０」を「表面１５」に保持するものであると理解できる。また，「表面にバンプが形成された半導体ウェーハ２０」が，「弾性パッド１２の表面１５の負圧により」保持されることが理解できる。
エ　段落［００２７］の「弾性パッド１２を用いて半導体ウェーハ２０を保持した場合には，弾性パッド１２にバンプが埋没する」との記載から，引用例１には，「バンプを弾性パッド１２に埋没可能である」こと，及び，「バンプは，弾性パッド１２へ埋没される」ことが記載されているといえる。
オ　段落［００１５］から，引用例１には，「弾性パッド１２」が「合成樹脂」から形成されていることが記載されている。
（３）引用例１に記載された発明
　上記（２）によれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「表面にバンプが形成された半導体ウェーハ２０を搬送する作業用トレー１０であって，
　前記バンプが形成された半導体ウェーハ２０を表面１５に保持する弾性パッド１２を備え，
　前記バンプは，前記弾性パッド１２に埋没可能である，
作業用トレー１０であって，
　前記バンプが形成された半導体ウェーハ２０は，弾性パッド１２の表面１５の負圧により，前記弾性パッド１２の表面１５に保持されており，
　前記弾性パッド１２は，合成樹脂から形成されており，
　前記バンプは，前記弾性パッド１２に埋没される，
作業用トレー１０。」
（４）引用例２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７―２５０７８９号公報（引用例２）には，次の記載がある。
「【００５０】
　粘着剤層２２の厚さは，その材質にもよるが，通常は３〜１００μｍ程度であり，好ましくは１０〜５０μｍ程度である。
　粘着剤層２２は，２３℃における弾性率が，
好ましくは５．０×１０4〜１．０×１０8Ｐａ，より好ましくは７．０×１０4〜８．０×１０7Ｐａ，特に好ましくは８．０×１０4〜５．０×１０7Ｐａの範囲にある。
【００５１】
　粘着剤層２２の２３℃における弾性率が５．０×１０4Ｐａより低いと粘着シートの端部より粘着剤がしみだしたり，凝集力の不足により，研削による力に対し剪断変形しやすくなり，研削後のウエハの厚さのバラツキが大きくなってしまう。また，半導体ウエハの回路面に形成されるバンプの凹部にもぐりこんだ粘着剤に剪断力が加わると，ウエハ面に粘着剤が残留するおそれが高くなる。反対に
粘着剤層２２の２３℃における弾性率が１．０×１０8Ｐａよりも高くなると，粘着剤層が硬くなり，バンプの凹凸に追従しにくくなり
５　対比
（１）本願発明と引用発明の対比
　本願発明と，引用発明とを対比する。
ア　引用発明における「バンプ」及び「表面にバンプが形成された半導体ウェーハ２０」が，本願発明における「構造化部（３）」及び「構造化部（３）が構造化された基板（１）」に相当する。
イ　引用発明における「作業用トレー１０」，「表面１５」及び「弾性パッド１２」が，本願発明における「収容装置」，「収容面（５ｏ）」及び「軟性の材料層（５）」に相当する。
ウ　引用発明における「バンプ」が「弾性パッド１２に埋没可能」であることは，本願発明における「構造化部（３）」が「少なくとも部分的に，前記材料層（５）内へ収容可能である」ことに相当する。
　そうすると，本願発明と引用発明は，「前記構造化された基板（１）の構造化部（３）は，少なくとも部分的に，前記材料層（５）内へ収容可能である」点で一致する。
エ　本願発明における「前記収容面に設けられて」いる「固定手段」について本願明細書では，段落［００１５］〜［００１６］において「体積流」による吸引が，段落［００１８］において「静電固定」が例示されている。このように，本願「固定手段」が「体積流」及び「静電固定」という機構の異なる手段を含むものであることから，本願「固定手段」は，収容面に設けられており，かつ，基板を固定することが可能な，任意の手段を含み得るものと理解できる。
　一方，引用発明における「負圧」は，「弾性パッド１２の表面１５」に生じるものであり，この「負圧」が吸引力となって「表面１５」において「半導体ウェーハ２０」の表面を吸引し，「表面にバンプが形成された半導体ウェーハ２０」を「表面１５」に「保持」するものであるから（４．（２）ウ），当該「負圧」は本願発明における「固定手段」に相当するものと認められる。
　そうすると，本願発明と引用発明は，「前記構造化された基板（１）を固定する固定手段が，前記収容面に設けられており」との点で一致する。
オ　「合成樹脂」が「ポリマー」を主成分とすることは技術常識であるから，本願発明と引用発明は，「前記材料層（５）は，ポリマーから形成されており」との点で一致する。
カ　引用発明の「前記バンプは，前記弾性パッド１２に埋没される」ことは，本願発明における「前記構造化部（３）は，前記材料層（５）内へ収容される」ことに相当する。
（２）一致点及び相違点
　上記ア〜カによれば，本願発明と引用発明の一致点及び相違点は，次のとおりとなる。
　
＜一致点＞
「構造化部（３）が構造化された基板（１）を搬送する収容装置であって，
　前記構造化された基板（１）を収容面（５ｏ）に収容する軟性の材料層（５）を備え，
　前記構造化された基板（１）の構造化部（３）は，少なくとも部分的に，前記材料層（５）内へ収容可能である，
収容装置において，
　前記構造化された基板（１）を固定する固定手段が，前記収容面に設けられており，
　前記材料層（５）は，ポリマーから形成されており，
前記構造化部（３）は，前記材料層（５）内へ収容される，
ことを特徴とする収容装置。」
である点。
＜相違点１＞
　本願発明では，「前記材料層（５）は，１００ＧＰａ未満の弾性率を有して」いるのに対し，引用発明では，弾性パッド１２の弾性率が特定されていない点。
＜相違点２＞
　本願発明では，「前記構造化部（３）は，前記材料層（５）内へ収容される」のが，「前記構造化部（３）の周囲の前記材料層（５）の完全な変形によって」収容されるのに対し，引用発明では，「バンプが弾性パッド１２に埋没される」際の弾性パッドの変形について，特定されていない点。
６　相違点についての判断
（１）相違点１について
　上記引用例１の段落［００２７］の記載から，引用発明の弾性パッド１２は，バンプが埋没する程度の弾性率を有するものと理解できる。
　一方，上記引用例２の段落［００５１］には，合成樹脂材料である粘着層について，バンプの凹凸に追従可能な弾性率の上限値が１．０×１０8Ｐａ（０．１ＧＰａ）であることが示されている。また，下記の周知例１には，段落［００１７］に記載されたいずれかの合成樹脂からなるゲルシートについて，バンプ付き基板のバンプがゲルシート内に埋設されるような弾性率の範囲として，１〜７Ｋｇｆ／ｃｍ２（９８〜６８６ｋＰａ）が示されている（段落［００１２］）。
　引用例２及び周知例１に示された上記の記載事項によれば，バンプを埋没させることができる合成樹脂の弾性率として，１００ＧＰａ未満のものが周知であったと認められる。
　そうすると，引用発明の弾性パッド１２を１００ＧＰａ未満の弾性率を有するものとすることは，上記周知の事項に照らし当業者が容易になし得たことであるといえる。
・周知例１
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０１１−２２２８７７号公報には，次の記載がある。
「【００１２】
　ゲルシートのショア硬度Ａ（ＪＩＳ  Ｋ７３１２）を０〜５０，粘着強度（ＪＩＳ  Ｚ０２３７）を０．０１〜１００ｇｆ／２５ｍｍ幅としたことにより吸着パッドの減圧度９０ＫＰａ以上でバンプ付き基板裏面を吸着パッドで吸着してチャックのゲルシート面から剥離し次工程へ移送することができる。この際，バンプへのゲル屑の付着がない。
ゲルシートの圧縮弾性率（ＪＩＳ  Ｋ７３１２）が１〜７Ｋｇｆ／ｃｍ２であるので，バンプ付き基板裏面をゴムローラやゲルローラで押圧しながら基板とゲルシート間の空気溜まりをチャック外へ排気することができるとともに，バンプ付き基板のバンプ電極がゲルシート厚み内に埋設される。
「【００１７】
　前記ゲルシート２の素材は，オルガノポリシロキサン系ゲル，ウレタン樹脂ゲル，架橋ポリビニールアルコールゲル，鹸化エチレン・酢酸ビニル共重合体ゲル，エチレン・プロピレン・ブタジエン共重合体ゴムに極性基（アルコキシ基，アミノ基，カルボキシル基など）を有するビニルシリコン化合物をグラフト重合させて得たゴムを更に鹸化することにより得たポリオレフィン系ゲル，エチレン・プロピレン・エチリデンノルボルネン共重合体ゴムに極性基（アルコキシ基，アミノ基，カルボキシル基など）を有するビニルシリコン化合物をグラフト重合させて得たゴムを更に鹸化することにより得たポリオレフィン系ゲル，スチレン・イソプレン・スチレンブロック共重合体の水素添加物ゲル，シリコン架橋アクリル酸アルキルエステル樹脂系ゲルなどが利用できる。ゲルシート２の針入度（ＪＩＳ  Ｋ２２０７）は，一般に２０〜２００，アスカＣ硬度が３〜２０度である。ゲルは，シリカやゴム成分（シリコンゴム，アクリルエラストマー，ＥＰＴ，ＥＰＤＭ，ＳＢＲなど）を５〜３５重量％含有していてもよい。また，エチレン・アクリル酸共重合体，エチレン・メタクリル酸共重合体，アビエチン酸ロジン，テルペン・フェノール共重合体，マレイン化ミルセン，石油樹脂，アロオシメン・テルペン・フェノール共重合体などの粘着剤を０．５〜１重量％含有していてもよい。」
（２）相違点２について
　引用発明の弾性パッド１２は，研削時に研削手段３１，３５から押圧力を印加しても，半導体ウェーハ２０が割れることがない（段落［００２７］）ように，弾性パッド１２にバンプを埋没させて，半導体ウェーハ２０を保持するものである。そうすると，引用発明において半導体ウェーハ２０を保持する際，弾性パッド１２のバンプ周囲の部分は，弾性パッド内にバンプを完全に埋没させるように変形するものと認められる。
　また，引用発明の弾性パッド１２は，「弾性のある部材」（段落［００１５］）により構成され，「半導体ウェーハ２０が離脱した後の弾性パッド１２は，気孔１４が元の形状に戻っていて吸着力も低下しないため，何回でも再利用することができる。」（段落［００２８］）ものであるから，引用発明における，「バンプが弾性パッド１２に埋没される」際の弾性パッドの変形は，弾性パッドを構成する「弾性のある部材」の完全な弾性変形によるものと認められる。
　以上を総合すると，引用発明におけるバンプの弾性パッド１２への埋没は，バンプの周囲の弾性パッド１２を構成する材料の「完全な変形によって」行われるといえるから，上記相違点２は実質的なものではない。
（３）小括
　したがって，本願発明は，引用例２及び周知例１に示される周知の事項に照らし，引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
（４）請求人の主張について
ア　審判請求書において請求人は，引用例１との差異について次のように主張している。
「引例１の段落００１６には，「図４に示すように，弾性パッド１２の上に裏面側２１を上にして半導体ウェーハ２０を載置して上方から押圧する。すると，図３に示した気孔１４がつぶれ，押圧を解除すると，弾性パッド１２が有する弾性による復元力と密着性とによって気孔１４に負圧が生じ，この負圧が吸引力となって表面１５において半導体ウェーハ２０の表面を吸引し，図５に示すように，弾性パッド１２と半導体ウェーハ２０とが一体となる。」と記載されています。この記載によれば，
半導体ウェーハ２０は，弾性パッド１２内に収容されているわけではありません。すなわち，半導体ウェーハ２０の下側面（裏面側２１と反対側の面）は，弾性パッド１２の上側面より弾性パッド１２の内部に収容されることはなく，半導体ウェーハ２０の下側面は，弾性パッド１２の上側面と同一面上に存在します。
　引例１の段落０００４には，「半導体ウェーハ４１の厚さが例えば数十μｍと薄くなると，紙のようにペラペラの状態になって保持テープ４６の剛性では半導体ウェーハ４１を安定的に保持することができず，全体に撓みが生じて不安定な状態となり，研削及びその後の搬送に支障が生じるという問題がある。」と記載されているように，引例１では，数十μｍの薄さの半導体ウェーハ２０を想定しています。このような薄さの半導体ウェーハ２０を，弾性パッド１２の表面において支持するのではなく，弾性パッド１２の内部に収容すると，半導体ウェーハ２０の裏面側２１を研磨する際に，半導体ウェーハ２０の周囲の弾性パッド１２が邪魔になると考えられます。それゆえ，
引例１では，半導体ウェーハ２０を弾性パッド１２の内部に収容するという構成に変更するとは考えられません
イ　しかしながら，本願の請求項１において特定されているのは，「前記構造化された基板（１）の構造化部（３）」が「前記材料層（５）内へ収容可能である」こと，及び，「前記構造化部（３）は，前記材料層（５）内へ収容される」ことであって，「構造化部（３）が構造化された基板（１）」全体を材料層（５）内へ収容することは特定されていない。
　そして，上記３（２）ウで検討したとおり，引用例１には「バンプ」（構造化部（３））を弾性パッド１２（材料層（５））に埋没（収容）させることが開示されている。
　したがって，上記請求人の主張は請求項の記載に基づかない主張であるから，採用できない。
７　結言
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶をすべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。