【事件の表示】
　特許第３００１９０９号「記録・消去方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００１９０９号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
　　　　　　　　
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３００１９０９号に係る手続きの経緯の概要は、以下のとおりである。
平成１年９月２９日　　　　特許出願
平成１１年１１月１２日　　特許権の設定登録
平成１２年７月１７日　　　谷川祥子の特許異議の申立て
平成１２年７月２１日　　　斉藤秀和の特許異議の申立て
平成１２年９月２８日　　　取消理由通知
平成１２年１２月１９日　　訂正請求書及び意見書
平成１３年１月３０日　　　３者への審尋
平成１３年４月１０日　　　特許権者よりの回答書
平成１３年４月２７日　　　斉藤秀和よりの回答書
II．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　平成１２年１２月１９日付訂正請求における訂正の内容は、以下のとおりである。
訂正事項ａ．明細書第１０頁第３〜４行（特許公報第３頁右欄第９〜１０行）の「消去部分は非晶質を示すハローが現れていた。」を「記録部分は非晶質を示すハローが現れていた。」に訂正する。
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
  上記訂正事項ａ、即ち、「消去部分は非晶質を示すハローが現れていた。」を「記録部分は非晶質を示すハローが現れていた。」とする訂正は、明細書「（実施例）欄」中の「消去部分が結晶で記録マークが非晶質」（特許公報第３頁左欄第４〜５行）の情報記録媒体の電子線回折パターンに係るもので、同欄の説明によれば、非晶質を示すハローが現れるのは、「消去部分」ではなく「記録部分」であることが明白であるから、当該訂正は、明らかな誤記の訂正であり、特許法第１２０条の４第２項但し書き第２号に規定する誤記の訂正に該当するものであって、願書に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２〜３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
III．特許異議の申立てについて
１．本件発明
　平成１２年１２月１９日付訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載される以下のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に形成された記録層に光ビームを照射して、その照射部分に、非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相との間での変化を主体とする相変化を生じさせることを特徴とする情報記録媒体の記録・消去方法。」
２．特許異議申立の概要
　異議申立人谷川祥子は、
甲第１号証（Proc. Int. Symp. on Optical Memory,1987,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.26(1987) Supplement 26-4,pp.61-66  Noboru YAMADA et al.,[High Speed Overwritable Phase Change Optical Disc Material])（日本応用物理学会の１９８７年国際光記録媒体シンポジウム論文集第６１〜６６頁に所載のヤマダノボルらの「高速オーバーライト可能な相変化型光ディスク材料」の英語研究報文：当審訳注）（以下「刊行物１」という）を提出して、
〔理由１〕本件発明は、刊行物１に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであるから、
特許を取り消すべきと主張している。
　異議申立人斉藤秀和は、
甲第１号証（光メモリシンポジウム’８８論文集第１１〜１２頁に所載の田村礼仁らの「Ｓｅ系及びＴｅ系相変化型光記録材料の非晶質状態の安定性及び消去比の検討」の研究報文）（以下「刊行物２」という）、
甲第２号証（特開昭６２−２４１１４５号公報）（以下「刊行物３」という）、
甲第３号証（特開昭６０−１７７４４６号公報）（以下「刊行物４」という）を提出して、
〔理由２〕本件発明は、刊行物２に記載された発明と同一であり、或いは、
〔理由３〕本件発明は、刊行物４を参酌すれば、刊行物３に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであるから、
〔理由４〕本件発明は、刊行物２〜３に記載された発明から容易に想到しえたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、また、
〔理由５〕本件発明は、発明の詳細な説明欄に、当業者が容易に実施できる程度に発明の構成が記載されておらず、特許法第３６条第３項の規定に違反して特許されたものであるから、
特許を取り消すべきと主張している。
３．甲号各証（刊行物１〜４）に記載された発明
（１）刊行物１に記載された発明
　刊行物１には、「高速オーバーライト可能な相変化型光ディスク材料」について、
〈１〉「要約」欄
「ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３ 擬二元非晶質合金フィルムが、レーザー照射に対して驚くほど迅速なスイッチング特性を示した。静的レーザー照射試験において、化学量論的組成のＧｅＳｂ２Ｔｅ４薄膜が、出力８ｍＷ、パルス幅５０ｎｓで結晶化され、一方、出力２０ｍＷ、パルス幅５０ｎｓで非晶質化された。単一のレーザー光線を用いた直接オーバーライトサイクル試験を、回転するディスクに対して１０万回行った。線速度２２ｍ／ｓ、記録周波数５及び７ＭＨｚ において、搬送波雑音比（ＣＮＲ）は５０ｄＢより大きく、消去率は−２２ｄＢであった。レーザー出力は、記録時が２２ｍＷ、消去時が１０ｍＷであった。これらの材料は、高速度の直接オーバーライト可能なディスク媒体として適用可能であろう。」、
〈２〉「２．実験」欄の「２．１試験試料調製」の項
「Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金の光学活性層は・・・真空蒸着法で調製された。ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３ 擬二元系を始めとして、種々の三元系合金の非晶質層の試験用試料が調製された。」、
〈３〉「２．実験」欄の「２．２熱的及び光学的特性」実験の項
「直径８ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのガラス基板上に１００ｎｍ厚の活性層を形成した試験片を使用して、熱的及び光学的特性を試験、評価した。・・・結晶化温度、融点はＤＳＣにより測定した。・・・Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金活性層をアルゴン中で３０分間、種々の加熱温度でアニールして結晶化し、その結晶構造をＸ線回折で解析した。」、
〈４〉「２．実験」欄の「２．３静的特性」実験の項
「ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート樹脂）の基板上に１００ｎｍ厚の活性層を形成した試験片、６０ｎｍ厚の活性層を形成した試験片の２種類を用意して、・・・結晶化速度と非晶質化感度について、静的レーザー照射テスターにより試験、評価した。・・・試験では、レーザー照射強度は０．５〜３０ｍＷ、パルス幅は１０〜１００００ｎｓであった。」、
〈５〉「２．実験」欄の「２．４動的特性」実験の項
「予め溝が形成されたポリカーボネート製５．２５インチディスクについて、単一レーザー光線によるオーバーライト特性を測定した。回転数は ３６００ ｒｐｍまでであった。・・・オーバーライト試験は、２２ｍ／ｓの場合には７ＭＨｚと５ＭＨｚ、１１ ｍ／ｓの場合には３．５ＭＨｚと２．５ＭＨｚの異なる２つの種類の周波数の間で交互に行った。最大値２４ｍＷのレーザー光線源を、非晶質化のためのピークレベルと、結晶化のためのバイアスレベルとの間で変調した。」、
〈６〉「３．結果」欄の「３．２熱的及び構造解析」の項
「図５に組成Ｂ（ＧｅＳｂ２Ｔｅ４）のＸ線回折結果を示す。３つの曲線はそれぞれアニール温度１５０℃、２００℃、５００℃に対応する。図からわかるように、１５０℃でアニールした試料から検出されるピークは５００℃でアニールしたサンプルには見られず、別の新しいピークが現れる。１５０℃でアニールした試料に見られる回折ピークはｆｃｃ（面心立方晶構造）に同定され、より高温でアニールした試料に見られる新しいピークはＧｅＳｂ２Ｔｅ４の化学量論的３元組成の六方晶構造に同定される。この相転移はＤＳＣ測定での約２００℃の第２発熱ピークに対応する。組成Ａ（Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５）と組成Ｃ（ＧｅＳｂ４Ｔｅ７）に対しても同じプロセスが認められた。準安定結晶ｆｃｃ相が結晶化の第１段階で現れること、化学量論比組成では、顕著な相分離が起きないことがわかった。」、
〈７〉「４．討議」欄の「４．２急速な相変化の機構」の項
「Ｘ線回折及びＤＳＣ試験により、準安定なｆｃｃ構造が結晶化行程の第１段階で現れたことが見出された。・・・別の研究報文３）によれば、光ディスク材料でも、同様に、結晶化行程の第１段階で準安定相が現れることが報告されている。準安定結晶相の光学的定数は安定相のそれとほとんど同じであり、非晶質相のそれと比べれば十分大きい。それ故、相変化は、光学的には準安定相の形成に対応する結晶化行程の第一段階で終わる。」
〈８〉「５．結論」欄
「ＧｅＴｅ‐Ｓｂ２Ｔｅ３合金からなる相変化型光メモリー材料は、５０ｎｓ未満という迅速なスイッチング特性を示した。典型的なＧｅＳｂ２Ｔｅ４の組成は、単一のレーザー光線による高速な直接オーバーライト性が可能であることを示した。記録／消去サイクル試験は、線速度２２ｍ／ｓ、ＣＮＲ：５０ｄＢ、消去率−２０ｄＢで１０万回行われた。構造解析では、単一の準安定な結晶相の出現により迅速な結晶化が引き起こされることがわかった。」、
と記載されている。
（２）刊行物２に記載された発明
　刊行物２には、「Ｓｅ系及びＴｅ系相変化型光記録材料の非晶質状態の安定性及び消去比の検討」について、
〈１〉「１．提言」欄
「カルコゲナイド（Ｔｅ、Ｓｅ、またはＳを含有する材料）薄膜の結晶−非晶質相変化を利用した書き換え可能な相変化型光ディスクの研究開発は、現在国内外で盛んに行われている。近年、単一ビームオーバーライトが可能なＩｎ−Ｓｅ −Ｔｌ−Ｃｏ系、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系などの材料が見出され．実用化へ向けて、研究が加速しつつある。これらの材料を分類すると、Ｔｅ系材料、Ｓｅ系材料及び合金系に分けられる。ここでは、Ｓｅ系材料とＴｅ系材料の比較のため、Ｓｅを用いてもＴｅを用いても優れた記録・消去特性が得られる、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｘ（Ｘ：ＳｅまたはＴｅ）について、諸特性を検討したので報告する。」、
〈２〉「２．実験方法」欄の「ディスクでの書き換え特性」の実験に関して
「ディスク基板として直径５．２５インチの化学強化ガラスを用いた。Ｆｉｇ．１に示したように、まず基板上にトラッキング用の溝を転写した紫外線硬化樹脂層を形成した。・・・記録膜は、抵抗加熱型真空蒸着法で、また、Ａｕ反射層は電子ビーム蒸着法で形成した。各層の濃厚は、記録膜が約８０ｎｍ、・・・ディスクにおける書き換え特性の実験では、ディスクを１８００ｒｐｍで回転させ、非品質化パワーレベルと結晶化パワーレベルとの間でパワー変調したレーザ波形を用いて、３ＭＨｚと２ＭＨｚの信号を交互に単一ビームオーバーライトすることにより行った。」、
〈３〉「２．実験方法」欄の「非晶質状態の安定性」の実験に関して
「非晶質状態の安定性は、静止状態での消去速度（ｖｘ）の温度（Ｔ）依存性を調べ、アレニウスプロット（ｌｎ（ｖｘ）ｖｓ．１／Ｔ）を行うことにより評価した。」、
〈４〉「３．実験結果」欄の「３．１非品質状態の安定性」の項
「各記録材料のアレニウスプロット曲線をＦｉｇ．２に示す。Ｓｎ３５Ｓｂ１０Ｓｅ５５（以下「Ｓｅ系」と略記）膜は、結晶化の活性化エネルギーＥａ＝１．２ｅＶであり．アレニウスプロット曲線を外挿して求めた６０℃での推定記録保持時間は約１年となった。Ｓｎ１５Ｓｂ３５Ｔｅ５０（以下「Ｔｅ系」と略記）膜は、活性化エネルギーＥａが高温（約２５０℃以上）では０．１ｅＶ、低温（約２５０℃以下）では１．３ｅＶと大きく異なり、高速消去可能な程度領域が広いのが特徴である。そのため、低温での活性化エネルギーはＳｅ系膜とほぼ同じであるにもかかわらずアレニウスプロット曲線を外挿して求めた６０℃での推定記録保持時間は１０分以下と著しく短い。」、
〈５〉「３．実験結果」欄の「３．２ディスクでの書き換え特性」の項
「Ｓｅ系記録膜及びＴｅ系記録膜を用いたディスクの書き換え特性について次に述べる。Ｓｅ系膜、Ｔｅ系膜ともに記録パワーが低いと書き換えの繰り返しにより信号レベルが低下し消去比も低下した。例えば、Ｓｅ系膜では、ディスク線速７．０ｍ／ｓ、記録パワー１８ｍＷ／８ｍＷ（上の数字がピークパワー、下の数字が中間パワー）のとき、初期Ｃ／Ｎが４５ｄＢ、消去比２２ｄＢであって、１０００回の書き換えにより、Ｃ／Ｎが３７ｄＢ、消去比１５ｄＢとなった。記録パワーを高くしたとき、Ｔｅ系では書き換えの繰り返しによりノイズレベルの増加が見られたが、Ｓｅ系では信号レベル及び消去比はほとんど低下しなかった。なお、Ｔｅ系膜のディスクでは、初期Ｃ／Ｎは３７ｄＢと低いものの、消去比は２６ｄＢと大きかった。」、
〈６〉「４．結果の考察」欄
「アレニウスプロットを外挿して求めた推定記録保持時間より、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系はＳｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系より、非品質状態が安定であることがわかった。これはＳｅがＴｅに比べて共有結合が安定であることと関係があると考えられる。そのため、Ｓｅ系では構成元素の拡散が起こりにくく、結晶化しにくい。即ち、非晶質状態が安定に存在し得る。それに対し、Ｔｅ系では構成元素の拡散が起こりやすいので、高温で生じる安定結晶相と低温で生じる安定結晶相とが異なり、高温側と低温例で活性化エネルギーが大きく異なるため、非晶質状態が不安定となる。しかし一方では、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系は．高温側の活性化エネルギーの小さな領域が広い、即ち高速消去可能な温度領域が広いため、トラックの中央部より温度の低い周辺部でも消去速度が速く、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系より消去比が大きいものと考えられる。」、
〈７〉「５．まとめ」欄
「Ｓｅ系材料とＴｅ系材料の代表例として．Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系材料とＳｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料の比較検討を行い、消去比は、Ｓｎ−Ｓｂ −Ｔｅ系が優れているが、非晶質状態の安定性は、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系が優れていることがわかった。Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系材料は耐酸化性及び繰り返し書き換え特性も優れており、有望な相変化型光記録材料である。」、と記載されている。
（３）刊行物３に記載された発明
　刊行物３には、
〈１〉特許請求の範囲第１項
「１．基板と該基板に設けられた結晶性記録材料から成る記録層とを具えるディスク状記録素子を回転させ、ディスクの上方を径方向に移動すると共に前記記録層上に集束され且つ記録すべき情報に従って変調されたレーザ光ビームから生ず記録光スポットに露光させ、記録層の露光区域に、弱いレーザ光で読取り得ると共に記録層上に集束したレーザ光ビームから生ずる消去スポットにより消去し得る非結晶性の情報ビットを形成して情報を光学的に記録及び消去するに当たり、ＱをIn又はGaとし、ｘ＝３４〜４４原子％とし、ｙ＝５１〜６２原子％とし、ｚ＝２〜９原子％とした場合に式ＱｘSbｙTeｚを満足する組成の記録材料を用い、前記結晶質記録材料中に記録されている非晶質情報ビットを、記録素子が１回転する間に前記消去スポットによってリアルタイムで消去すると共に初期結晶状態に戻すことを特徴とする光学式情報消去方法。」、
〈２〉発明の詳細な説明欄の「従来技術のπ相・混合相間記録」の説明
（第３頁左上欄第４行〜同頁右上欄第９行）
「特開昭６０−１７７４４６号（当審注：斉藤秀和の提出した甲第３号証、即ち、刊行物４に対応する）に光記録媒体が開示されており、・・・情報の記録時に、この記録材料はレーザ光で露光される。露光領域では冷却の程度に応じてπ相と称される半安定状態か或いはInSbとSbの混合相が形成される。π相は加熱により混合相に変化させることができる。これがため、混合相とπ相との間でスイッチング−即ち記録及び消去処理−が起こる。これは、混合相をπ相に変換するとき、２つの成分が関連するという欠点を有する。・・・これは安定度の問題であり、実際の使用に対し許容し得ない。更に、混合相をπ相に変換する速度が制限される。・・・他の重要な欠点は情報の信号対雑音比が低く、ビデオ記録は不可能である点にある。」、
〈３〉発明の詳細な説明欄の「原子％の限界範囲」の説明
（第３頁左下欄第２０行〜第４頁左上欄第２行）
「本発明方法によれば、極めて短い消去時間（例えば１００ｎｓ又はそれより短い消去時間）を実現することができる。本発明方法で使用する記録材料は非結晶区域を結晶性にするのに必要な消去時間を、まず第１に上記規定の限界範囲内のTeの選択量に依存し、調整することができる。比較的少量のTe、例えば５原子％以下のTeの場合に極めて短かい消去時間が得られる。・・・従って記録素子をオーディオ記録用、ビデオ記録用及びデータ記録用に使用するのに従って、種々の記録素子速度において、消去スポットの大きさを適合させないで記録相のTe含有量の調整により消去時間を適合させることができる。Te含有量の限界範囲は２〜９原子％である。２原子％より小さいTe含有量では結晶化速度が高くなりすぎて結晶−非結晶変化が最早不可能になって記録処理が不可能になる。９原子％以上のTe含有量では結晶化速度が低くなりすぎてリアルタイムの消去を最早適正に行なうことができなくなる。」、
〈４〉発明の詳細な説明欄の「具体例」の説明
（第５頁右下欄第９行〜第６頁左下欄末行）
「以下図面に基き本発明を詳細に説明する。第１図において符号１はガラス基板を示す。・・・In４０Sb５４Te６から成る記録層４・・・用いたレーザは記録層４上で５ｍＷのパワーを有している。・・・このパルス状レーザ光ビーム９は結晶性のトラック８の区域で記録層４上に光スポット（記録スポット）を形成する。この光スポットは円形で２μｍの径を有している。パルス時間は１００ｎ秒である。レーザ光の単位パルス当りのエネルギーは０．６ｎジュールである。・・・消去は５ｍ／秒の線速度のディスク速度でリアルタイムで行なわれる。非晶質区域当りの消去時間は４００ｎ秒である。」、と記載されている。
（４）刊行物４に記載された発明
　刊行物４には、
〈１〉特許請求の範囲第１項
「（１）一般式　　（In１−ＸSbＸ）１−ＹＭＹで表される組成の合金膜を記録層に有することを特徴とする光ディスク記録媒体。
ただし一般式におけるＸ、Ｙはそれぞれ
５５重量％≦Ｘ≦８０重量％、０重量％≦Ｙ≦２０重量％
であり、ＭはAu、Ag、Cu、Pd、Pt、Al、Si、Ge、Ga、Sn、Te、Se及びBiのうちから選んだ少くとも一種を表す。」、
〈２〉発明の効果欄
「以上の説明から明らかなように、本発明による光ディスク記録媒体は、(1)Te、TeOxなど従来の光ディスク記録媒体の相転移温度が１０℃〜６０℃と低いため、光ディスクの使用中の温度上昇や、使用停止中の周囲温度上昇があっても書き込み情報が消去されてしまうが、本発明の光ディスク記録媒体においては１２０℃〜１６０℃になってはじめてπ相、混相間の相転移がおこるにすぎない。したがって、書き込み情報の安定性が高い。・・・(2)GaAs半導体レーザ（他のレーザであってもよい）の８〜１３ｍＷの光出力で情報の書き込みが可能であり、得られる再生信号のＣ／Ｎ比は５５％程度であり、従来のTe、TeOxを使用した光ディスク記録媒体のＣ／Ｎ比が６０％程度であるのに比べて必ずしも高いとは云い得ないが、書き込んだ情報の安定性が高く、繰り返し再生できる。」、と記載されている。
４．検討・判断
（１）特許法第２９条第１項第３号違反について
〔理由１〕について
　刊行物１は、概略、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ３元素からなる種々の合金について、高速オーバーライトできる相変化光ディスクの記録層材料としての研究開発の可能性を検討したところ、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系合金が最も有望で可能性が大きいことを示す研究報告文であり、
先ず、ポリカーボネート樹脂基板上に合金記録層を設けたディスクを回転させて、実際にレーザー光線を照射して、情報の記録・消去を行う動的特性試験を行う一方（前掲摘示事項〈５〉参照）、別途、ガラス基板やポリメチルメタクリレート樹脂基板の上に合金の活性層を設けた試験片を調製して、該試験片に、静止状態で、レーザー照射テスターにより種々の強度、パルス幅のレーザー光線を照射して、結晶状態を色々に変化させ、ＤＳＣによる熱的特性やＸ線回折による結晶構造等を調べ（前掲摘示事項〈３〉、〈４〉参照）、情報記録試験を行った合金記録ディスクとは別異の合金活性層付試験片の結晶構造等の解析結果を得て（前掲摘示事項〈６〉参照）、続く「討議」欄で、それら結晶構造等の解析結果を、前段の合金記録ディスクでの情報記録特性等と結びつけて考察しているものであり、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ３元素からなる種々の合金のうち、ＧｅＴｅ−Ｓｂ２Ｔｅ３擬二元系合金が、高速オーバーライトできる相変化光ディスクの記録層材料として、最も有望で可能性が大きいことは明確に示されているものの、
情報記録試験を行った合金記録ディスク自体の結晶化した部位の結晶構造がいかなるものであったかは記載されておらず、
該部位の結晶構造が、後段の「討議」欄で「結晶化行程の第一段階」とされる「準安定結晶相」になり、止まっていたのか否か、「安定結晶相」までなっていたのか否か、或いは、それら単一の結晶相であったのか否か等は全く不明であり、
まして、該部位の結晶構造が、本件発明でいう「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」であったのかどうかについては、何らの記載も示唆もない。
　
　そこで、本件発明と、刊行物１に記載された発明を対比すると、
両者は、「基板上に形成された記録層に光ビームを照射して、その照射部分に、非晶質相と結晶相との間での変化を主体とする相変化を生じさせることを特徴とする情報記録媒体の記録・消去方法。」で一致するが、
該結晶相について、前者では、「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」と規定しているのに対して、後者では、そのような規定がない点で、明確に相違している。
　したがって、本件発明が、刊行物１に記載された発明であるとはいえず、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであるとはいえない。
〔理由２〕について
　刊行物２は、概略、カルコゲナイト系材料の結晶−非晶質相変化を利用した書き換え可能な光ディスクの研究開発にむけて、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系材料とＳｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料につき、情報記録ディスクでの書き換え特性の実験、及び、静止状態での非晶質状態の安定性の実験を行い、両者の比較検討を行ったところ、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系材料は、非晶質状態の安定性、情報記録の繰り返し書き換え特性共に優れており、相変化型光記録材料として有望であることを伝える研究報文であり、
先ず、両材料の情報記録ディスクを回転させて、実際にレーザー光線を照射して、情報記録の書き換え実験を行い（前掲摘示事項〈２〉参照）、両材料からなる情報記録層の各々の搬送波雑音比（Ｃ／Ｎ）、消去比等の情報記録書き換え特性に係る実験結果を得るとともに（前掲摘示事項〈５〉参照）、
別途、静止状態で、両材料各々を様々な温度ｋに加熱して高温アニールして、非晶質が結晶に変わるのに要する時間ｖｘを計測し、非晶質状態の安定性に係る実験結果を得て（前掲摘示事項〈３〉〈４〉参照）、
続く「結果の考察」欄で、前段の情報記録書き換え特性の実験結果と、後段の高温アニールによる非晶質状態の安定性の実験結果とを結び付けて考察しているものであり、
前段の情報記録書き換え実験を行ったディスク上のＳｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料そのものの結晶化した部位の結晶構造がいかなるものであったかは記載されておらず、
該部位の結晶構造が、後段の「考察」欄でいう「高温で生じる安定結晶相」であったのか否かは全く不明であり、
まして、該部位の結晶構造が、本件発明でいう「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」であったのかどうかについては、何らの記載も示唆もない。
　
　そこで、本件発明と、刊行物２に記載された発明を対比すると、
両者は、「基板上に形成された記録層に光ビームを照射して、その照射部分に、非晶質相と結晶相との間での変化を主体とする相変化を生じさせることを特徴とする情報記録媒体の記録・消去方法。」で一致するが、
該結晶相について、前者では、「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」と規定しているのに対して、後者では、そのような規定がない点で、明確に相違している。
　したがって、本件発明が、刊行物１に記載された発明であるとはいえず、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであるとはいえない。
〔理由３〕について
　本件発明と、刊行物３に記載された発明を対比すると、
両者は、「基板上に形成された記録層に光ビームを照射して、その照射部分に、非晶質相と結晶相との間での変化を主体とする相変化を生じさせることを特徴とする情報記録媒体の記録・消去方法。」で一致するが、
結晶相について、前者では、「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」と規定しているのに対して、後者では、そのような規定がない点で、相違している。
　該相違点について、異議申立人は、
〈ア〉刊行物３の具体例では、本件発明の実施例と同じ構成原子からなる合金記録層をもつ光ディスクについて、本件発明の実施例と同程度の５ｍＷのエネルギーのレーザー光照射で記録消去が行われているから、消去後に発現している結晶相は、本件発明の実施例のものと同様の特性の結晶相、即ち、「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」であり、刊行物３の情報の記録・消去に係る結晶相は、実質的に、本件発明のものと同じであり、相違点は解消される旨、及び、
〈イ〉刊行物３では、光ディスクでの情報記録消去の際の結晶相につき、直接どのような特性のものか記載されないが、刊行物４を引用しつつ、従来技術の「半安定π相」と、「混合相」とについて検討し、InSb相とSb相との複数相からなる「混合相」に難有りと指摘しているから、刊行物３の発明の結晶相は、難有りとされていない「半安定π相」に相当すると推察される、そして、「半安定π相」は「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」に相当するので、刊行物３の情報の記録・消去に係る結晶相は、実質的に、本件発明のものと同じであり、相違点は解消される旨、主張しているので、以下に検討する。
〈ア〉について
　単位スポット当たりの消去エネルギーが同程度であるとしても、非晶質記録部位の結晶化に係る諸条件（非晶質部位の加熱速度・加熱温度・加熱時間や冷却速度・冷却時間等）がすべて同じであるとは到底いえないから、刊行物３のもので、本件発明と同様の特性の「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」が発現しているとの見解は、合理的根拠に欠けるといわざるをえない。
〈イ〉について
　刊行物３では、刊行物４の従来技術の「混合相」にのみ難有りとしているのではなく、「半安定π相・混合相間の情報記録方式」全般に難有りとしているから（前掲摘示事項〈２〉参照）、刊行物３の発明の情報記録ディスクの結晶相が、否定される記録方式に係る「半安定π相」に結び付くものとは考えられない。
　また、刊行物３の発明では、結晶−非結晶変化による情報記録を可能とするTe含有量は「２〜９原子％」に限定されており（前掲摘示事項〈３〉参照）、その制約下で発現する刊行物３の「結晶相」が、該限定を外れて発現する従来技術の「半安定π相」（前掲刊行物４に係る摘示事項〈１〉参照）と同じであるとはいえない。
まして、刊行物３の発明の結晶相が、「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」に相当するとはいえない。
　結局、刊行物４を参酌しつつ、詳細に検討しても、刊行物３の情報の記録・消去に係る結晶相が、実質的に、本件発明のものと同じであるとはいえず、相違点は解消されない。
　したがって、本件発明が、刊行物３に記載された発明であるとはいえず、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであるとはいえない。
（２）特許法第２９条第２項違反について
　本件発明と、各刊行物に記載の発明とを対比しての相違点は、上記４．（１）での検討結果のとおりであり、いずれの刊行物にも、非晶相−結晶相の相変化で情報記録を行うにあたり、結晶相を「非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相」とする点につき、何らの記載も示唆もない。
　一方、本件発明では、該相違点に係る構成により、「非晶質の結晶化を高速化できるので、高速での消去が可能で、単一ビームオーバーライトに適した情報記録媒体の記録・消去方法を提供することができる」との明細書（発明の効果欄）記載の効果をもつものであり、それらの顕著な効果は、各刊行物に記載のものからは予期することができないものである。
　従って、本件発明は、各刊行物の記載に基づいて、当業者が容易に発明し得たものとはいえず、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものとはいえない。
（３）特許法第３６条第３項違反について
  異議申立人が、明細書の記載不備と指摘する具体的理由は、「実際にどのような条件で記録・消去を行えば、平衡結晶相と非晶質相間の相変化ではなく、非平衡結晶相と非晶質相間の相変化をおこすことができるかが、当業者が理解できるほどに記載されていない」というものである。
　そこで、検討するに、
実施例欄には、情報記録媒体の積層構成を示す断面図、単一ビームオーバーライトの際の光ビームの照射態様を示すチャート図とともに、「基板１をポリカーボネート樹脂、保護層３、４をアルミナ、記録層２をInSbTe、反射層をAu、保護層６を紫外線硬化樹脂で夫各形成した直径１３０ｍｍの光ディスクを製造した。このディスクを１８００ｒｐｍで回転させて、記録パワー１６ｍＷ、消去パワー８ｍＷ、記録周波数２ＭＨｚ、記録パルスデューティ５０％の条件でオーバーライトを行った。」と記載され、当業者であれば、発明の実施の概要が把握できる程度の開示があり、
更に、実験結果の消去部分の電子線回折パターン解析から、結晶構造を特定し、非平衡結晶相の発現を確認したことが、第１表（電子線回折パターン解析結果）、第２表（結晶相の原子面間隔、面指数）とともに記載され、当業者であれば、非平衡結晶相を確認する方法が具体的に把握できる程度の開示がある。
　してみると、異議申立人の指摘箇所について、当業者が理解・追試不可能であり第３６条の規定に違反するという程の記載不備があるとは認められない。
　結局、本件発明が、特許法第３６条第３項の規定に違反して特許されたものであるとはいえない。
５．むすび
　以上のとおりであり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
 また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月１７日（２００１．８．１７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３００１９０９号発明の特許明細書を　下記のとおり訂正する。
ａ．誤記の訂正を目的として、明細書第１０頁第３〜４行（特許公報第３頁右欄第９〜１０行）の「消去部分は非晶質を示すハローが現れていた。」を「記録部分は非晶質を示すハローが現れていた。」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
記録・消去方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）基板上に形成された記録層に光ビームを照射して、その照射部分に、非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相との間での変化を主体とする相変化を生じさせることを特徴とする情報記録媒体の記録・消去方法。
【発明の詳細な説明】
　［発明の目的］
　（産業上の利用分野）
　この発明は、レーザービーム等の光ビームを記録層に照射し、その照射条件によって照射部分に相変化を誘起させて情報を記録・消去し、この相変化に伴う反射率、透過率等の光学特性の変化を検出することにより情報を再生する情報記録媒体の記録・消去方法に関する。このような情報記録媒体としては、光ディスク、光カード、光テープ、及び光ドラム等がある。
　（従来の技術及び発明が解決しようとする課題）
　従来、所謂イレーサブル光ディスク等の情報の消去が可能な情報記録媒体として、相変化型のものが広く知られている。この相変化型情報記録媒体は、例えば、ガラス又はプラスチック（ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂等）からなる基板と、この基板上に形成された記録層とを備えている。この記録層を形成する材料としては、例えばＧｅＴｅ等のカルコゲナイド系合金が知られており、これらは異なる条件の光ビーム（例えばレーザビーム）を照射することにより、例えば結晶と非晶質との間で可逆的に相変化するので、この相変化を利用して情報を記録及び消去し、これらの相変化に伴う反射率又は透過率等の光学的特性の変化を利用して情報を読取ることができる。
　ところで、近時、相変化型の情報記録媒体においても従前の情報を消去しながら新しい情報を記録するオーバーライト技術が注目されている。
　しかしながら、従来の結晶−非晶質間の相変化により情報を記録・消去する場合には、通常非晶質の結晶化速度が遅いため、高速で消去し、かつ単一ビームオーバーライトを実現するのには問題があった。
　この発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、高速消去が可能で、単一ビームオーバーライトに適した情報記録媒体の記録・消去方法を提供することを目的とする。
　［発明の構成］
　（課題を解決するための手段）
　この発明に係る情報記録媒体の記録・消去方法は、基板上に形成された記録層に光ビームを照射して、その照射部分に、非晶質相と前記非晶質相と平衡結晶相との間の中間相である非平衡結晶相との間での変化を主体とする相変化を生じさせることを特徴とする。
　（作用）
　この発明においては、記録層の光ビーム照射部分に非晶質と非平衡結晶相との間の変化を主体とする相変化を生じさせて記録・消去を行う。非平衡相は非晶質と平衡結晶相との間の中間相として出現する相であるので、非晶質との間の相変化を高速で生じさせることができる。従って、情報の消去を高速化することができ、単一ビームオーバーライトを実現することができる。
　（実施例）
　以下、添付図面を参照してこの発明について具体的に説明する。ここでは、情報記録媒体の例として光ディスクが示されている。第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体（光ディスク）を示す断面図である。この発明に係る情報記録媒体は、第１図に示すように、この技術分野において通常用いられる層構成をとることができる。基板１はポリオレフィン、エポキシ、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のプラスチック、又はガラス等、この技術分野で通常用いられる材料で形成されている。この基板１の上に、保護層３、記録層２、保護層４、反射層５及び保護層６がこの順に形成されている。
　保護層３及び保護層４は、記録層２を挟むように配設されており、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＳ、ＡｌＮ等の透明誘電体で形成することができる。これら保護層３，４は記録・消去の際にレーザビーム等の光ビームにより記録層２の照射部分が飛散したり穴が形成されてしまうことを防止する作用を有している。
　反射層５は再生信号を増大させるために設けられるものであり、記録層２、保護層３，４の厚みを適当に調節することにより大きなエンハンス効果を得ることができる。この反射層５としては、金、アルミニウム、ニクロム合金等、通常この分野で用いられる材料を用いることができる。
　保護層６はディスク取扱い上の傷等を防止するためのもので、紫外線硬化樹脂等を用いることができる。
　なお、保護層３、４、６及び反射層５は設けることが好ましいが必須なものではない。
　記録層２は、光ビームの照射条件によって、ビーム照射部分が非晶質と非平衡結晶相との間の変化を主体とする相変化を生じ、これらの相間で光学的性質が異なる材料で形成されている。非平衡結晶相は、例えば高温相を急冷することにより得られるもので、平衡状態図上常温では存在し得ない相が常温に持ち来されたものである。非晶質と非平衡結晶相との間で相変化し得る材料としては、ＩｎＳｂＴｅ合金がある。その他、高温相を急冷して非平衡相が得られるものてしては、Ｎｉ−Ｔｉ、Ｃｕ−Ａｌ、Ｃｕ−Ｚｕ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｚｎ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｎｉ、Ｔｉ−Ｎｂ、Ｔｉ−Ｍｎ、Ｔｉ−Ｍｏ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｍｎ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｇａ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｇａ、Ｃｕ−Ｉｎ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｉｎ、Ｃｕ−Ｇｅ、Ｃｕ−Ａｌ−Ｇｅ、Ｃｕ−Ｓｎ、ＣＵ−Ａｌ−Ｓｎ、Ａｇ−Ａｌ−Ｃｕ、Ａｇ−Ａｌ−Ａｕ−Ｃｕ、Ａｇ−Ａｌ−Ｃｄ、Ａｇ−Ｚｎ、Ｓｂ−Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｔｌ、Ｃｏ−Ｍｎ、Ａｕ−Ｃｄ、Ｍｎ−Ｃｕ、Ｕ−Ｍｏ、Ｆｅ−Ｍｎ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｉ等がある。
　記録層２、保護層３、４、及び反射層５は、スパッタリング、真空蒸着等の通常この分野で使用される薄膜形成技術で形成することができる。各層の厚みは、光学特性を考慮して上記２つの層間の光学的変化量が最適となるように設定され、通常は数ｎｍ乃至数μｍの範囲である。
　保護層６は、通常、紫外線硬化樹脂をスピンコート法等で塗布し、紫外線を照射して硬化させることにより形成される。保護層６の厚みは、通常数μｍ乃至数百μｍである。
　このように構成される光ディスクは、以下のようにして初期化、記録（オーバーライト）及び情報の再生が行われる。
初期化
　記録層２は成膜直後に通常非晶質であるが、非晶質の記録部位（記録マーク）を形成する場合には、結晶である必要があるので、レーザビーム等の光ビームを記録層２に全面照射して、記録層２を非平衡結晶化する。
記録（オーバーライト）
　ディスクを回転させながら高出力でパルス幅が短い光ビームを記録層２に照射し、照射部分を加熱急冷して非晶質に相変化させ、記録マークを形成する。単一ビームオーバーライトを行う場合には、第２図に示すように、パワー変調したレーザビームを記録層に照射する。すなわち、消去レベルのパワーのレーザビームに、記録信号に応じて、記録レベルのパワーのパルスを重畳させたレーザビームを照射する。
　オーバーライトの場合には、消去レベルのレーザビームにより従前の情報を消去しながら新しい情報を重ね書きすることができるので、消去待ち時間なく情報を記録することができる。
　オーバーライトを行うためには、光ビームが記録マークを通過する間に記録マークを消去しなければならないので、消去速度の速いことが要求される。消去部分が結晶で記録マークが非晶質の場合には、非晶質を結晶化することにより情報が消去されるので、オーバーライトを可能にするためには結晶化速度の速いことが要求される。この発明においては、非晶質と平衡結晶相との間の中間相として出現する相である非平衡相と、非晶質と間で相変化し得る材料で記録層が形成されているので、相変化を高速で生じさせることができる。従って、情報の消去を高速化することができ、単一ビームオーバーライトが可能となる。
再生
　情報を記録した記録層２に比較的弱い光ビームを照射し、記録マーク部と非記録部との間の光学的特性、例えば反射率の差を検出して情報を読取る。
　次に、実際に本発明に従って光ディスクを製造し、オーバーライトを試験した結果について説明する。
　基板１をポリカーボネート樹脂、保護層３、４をアルミナ、記録層２をＩｎＳｂＴｅ、反射層をＡｕ、保護層６を紫外線硬化樹脂で夫々形成した直径１３０ｍｍの光ディスクを製造した。
　このディスクを１８００ｒｐｍで回転させて、記録パワー１
６ｍ
記録部分
　次いで、消去部分の電子線回折パターンから結晶の原子画間隔を求めた。その結果を第１表に示す。第１表中「パターン」の欄におけるｄｓは強いドットを示し、ｄは通常のドットを示す。また原子面間隔ｄは以下の式により求めた。
　ｄ＝Ｌλ／Ｒ
　ただし、Ｌはカメラ長（この試験では８２ｃｍ）、λは電子線の波長（この試験では０．０２５１Å）、Ｒは回折パターンの半径である。
　このようにして求めた原子面間隔から、消去部分の結晶構造はＩｎＳｂＴｅ系の高温相として知られるＩｎ３ＳｂＴｅ２の結晶構造に極めて近いことが確認された。Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の原子面間隔及び面指数を第２表に示す。
　Ｉｎ３ＳｂＴｅ２３元金属間化合物は、平衡状態図では４２０℃から５６８℃の温度範囲において存在する高温相である。従って、平衡状態では室温で存在し得ない。このような高温相が室温で存在する場合に、その相を一般に非平衡相と呼んでいる。Ｉｎ３ＳｂＴｅ２の結晶構造は立方格子であり、非晶質からの結晶化が極めて容易な結晶構造である。
　熱力学的なヒエラルキーからは、非晶質状態から非平衡結晶相、安定平衡相へと相変化することが知られており、記録層が光ビームの照射により非平衡結晶相を取り得る材料で形成されている限り、消去用の光ビームの照射による加熱・冷却の際に適度に急冷されることにより非平衡結晶相が出現すると考えられる。従って、消去部分において、非平衡結晶相であるＩｎ３ＳｂＴｅ２に近い結晶構造が得られるのである。
　このように、非平衡相は非晶質と安定平衡相との間の中間相であるから、非晶質と非平衡結晶相との間で相変化したほうが、非晶質と安定平衡相との間で相変化するよりも相変化時間が短く、高速消去に適している。従って、非晶質と非平衡結晶相との間の相変化を生じる材料で記録層を形成することにより、単一ビームオーバーライトを実現し易くなる。
　なお、Ｉｎ３ＳｂＴｅ２のような高温相が室温において出現するためには、冷却時にその結晶構造が凍結されなければならないので、この発明の情報記録媒体を用いてオーバーライトを実現するためには、消去部分（すなわち非記録部分）もある程度急冷する必要がある。従って、低速回転の光ディスクよりも高速回転の光ディスクに適している。
　［発明の効果］
　この発明によれば、従来の非晶質−平衡結晶相の相変化よりも非晶質の結晶化を高速化することができるので、高速での消去が可能で、単一ビームオーバーライトに適した情報記録媒体の記録・消去方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図はこの発明の実施例に係る情報記録媒体を示す断面図、第２図は単一ビームオーバーライトの際の光ビームの照射態様を示す図である。
　１；基板、２；記録層、３，４，６；保護層、５；反射層。