【事件の表示】
　特許第３１６３９４３号「光記録媒体」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６３９４３号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　　特許第３１６３９４３号の請求項１乃至８に係る発明についての出願は、平成７年４月２８日に特許出願（優先権主張平成６年４月２８日）され、平成１３年３月２日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人　松田珠希より特許異議の申し立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１４年４月１５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　ア．訂正事項ａ
　　　　特許請求の範囲の請求項１〜８の記載について、
　［訂正前］
　「【請求項１】  基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とする光記録媒体。
    【請求項２】第１誘電体層の厚さｄ１が５０ｎｍ≦ｄ１≦４００ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。
    【請求項３】第１誘電体層の厚さｄ１が、該誘電体層の屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用いる光の波長λに対して
  ０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１
である請求項１記載の光記録媒体。
    【請求項４】第２誘電体層の厚さｄ２が３０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。
    【請求項５】第１誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ2 を含む混合膜である請求項１記載の光記録媒体。
    【請求項６】第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ2 とＣを構成材料として含む混合膜である請求項１記載の光記録媒体。
　　【請求項７】基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ2 とＣを構成材料として含む混合膜であり、かつＺｎＳとＳｉＯ2 のモル比がＺｎＳ／ＳｉＯ2 ＝８５／１５〜６５／３５、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2 ）／Ｃ＝９５／５〜８０／２０であり、さらに第２誘電体層の屈折率の虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とする光記録媒体。
　　【請求項８】記録層が、構成元素として少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素を含む合金で構成される請求項１記載の光記録媒体。」を、
　［訂正後］
　「【請求項１】  基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０
５
であり、第２誘電体層の厚さｄ２が１０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍ
　　【請求項２】第１誘電体層の厚さｄ１が５０ｎｍ≦ｄ１≦４００ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。
　　【請求項３】第１誘電体層の厚さｄ１が、該誘電体層の屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用いる光の波長λに対して
  ０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１
である請求項１記載の光記録媒体。
　　【請求項
４
　　【請求項
５
　　【請求項
６
　　【請求項
７
　イ．訂正事項ｂ
　段落【００１１】の記載を特許請求の範囲の記載と整合をとるために
　　「【課題を解決するための手段】
　本発明は、基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０
５
であり、第２誘電体層の厚さｄ２が１０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍ
基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ2とＣを構成材料として含む混合膜であり、第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とする光記録媒体である、さらに、
　ウ．訂正事項ｃ
　段落【００１８】および【００３６】の記載における誤記を訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　　上記訂正事項ａのうち、訂正後の請求項１乃至４および７について、発明を特定する事項である「屈折率の虚部ｋ」の範囲については、記録層の冷却を防ぎ感度を向上させるために従来のものより大きくしたことを明りょうにするために「０．０５以上」に変更するものであり、しかも、この範囲は、特許明細書の段落【００４０】〜【００４７】に実施例として記載された事項である。そして、「第２誘電体層の厚み」に関する限定は、訂正前の請求項４に係る構成であるから、これらの補正は、請求項１の削除および特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、訂正後の請求項５乃至６については、請求項１の削除に伴い項番を繰り上げ、引用形式であった訂正前の請求項１の構成を記載したものであって実質的な訂正ではない。
　また、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、訂正事項ｃは誤記の訂正に該当する。
　そして、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申し立てについての判断
（１）申立の理由の概要
　　　　申立人　松田珠希は、請求項１乃至８に係る発明は、甲第１号証（第５回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集Ｐ６３〜Ｐ６８　（H05.11.25））、甲第２号証（特開平６−１５０３７５号公報）、甲第３号証（特開平８−１１１０３５号公報）、甲第４号証（物理学辞典６３４頁（１９９２．５．２０培風館））、および甲第５号証（特開平５−１５９３６９号公報）のうち、甲第１号証に記載された発明および甲第２号証の特許出願と同一発明であるか、または、甲第１号証乃至甲第５号証の何れかに記載された発明と同一あるいはそれらに基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号、同法第２９条の２あるいは同法第２９条第２項の規定により、また、明細書の記載が不備であるから特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていないので特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきと主張している。
　
（２）本件の請求項１乃至７に係る発明
　　　　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１乃至７に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
（３）刊行物等
　　　　特許異議申立人が証拠として提出した刊行物には、それぞれ、以下のような発明が記載されている。
　甲第１号証（第５回相変化記録研究会シンポジウム講演予稿集Ｐ６３〜Ｐ６８　（H05.11.25）（以下「刊行物１）という。）には、
「検討に用いたディスクの層構成を第１図に示す。記録材料としてはＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を、誘電体材料としては（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、反射層にはＡｌ合金を用いた。」（「１　はじめに」の欄の第６〜７行目）と記載され、第６５頁の第１図には、基板上に誘電体層２、ＧｅＳｂＴｅ記録層、誘電体層１、反射層、硬化保護層、をこの順に積層した構造、およびＺｎＳ：ＳｉＯ２層の屈折率の実部が２．１２、虚部が−０．０１であること、また、誘電体層の厚さをそれぞれ１５，２０，３０ｎｍとしたときの消去特性を評価した図表が記載されている。
　甲第２号証（特開平６−１５０３７５号公報、以下「刊行物２」という。）には、
　「基板上に、第１の誘電体層、相変化記録層、第２の誘電体層および反射層を順次有する光学的情報記録用媒体において、相変化記録層の膜厚が２００Åから４００Å、第２の誘電体層の膜厚が１４００Åから２４００Åの範囲であることを特徴とする光学的記録用媒体。」（請求項１），
　「相変化記録方式に用いられる記録層材料としては、カルコゲン系合金薄膜を用いることが多い。例えば、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ系合金薄膜等が挙げられる。」（段落【０００２】），
　「誘電体層の材質は、レーザー光に対して光学的に透明であること、融点・軟化点・分解温度が高いこと、形成が容易であること、適度な熱伝導性を有するなどの観点から選定される。」（段落【０００４】），
　「第１及び第２の誘電体層には、硫化亜鉛と二酸化ケイ素の混合物等の、透明で光学定数ｎが１．９から２．３、ｋが０から０．０５であり、熱膨張係数が１.０×１０-5以下
の誘電体を用いることが好ましい。誘電体層の膜厚は第２の誘電体層は１４００Åから２１００Åであり、第１の誘電体層は好ましくは５００Åから２５００Åである。」（段落【０００８】），
　「ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）（80）（ＳｉＯ2）（20）（数字は成分割合で有り、単位はmol％、以下同じ）の組成の第１の誘電体膜を１０００Å、Ｇｅ（2）Ｓｂ（2）Ｔｅ（5）記録膜を３００Å、（ＺｎＳ）（80）（ＳｉＯ２）（20）の組成の第２の誘電体膜を１７００Å、Ａｌ合金反射膜を２０００Å、スパッタリング法により順に形成した。さらに反射層の上部に紫外線硬化樹脂層を設けた。」（段落【００１３】），および
　「ポリカーボネート樹脂基板上に（ＺｎＳ）（80）（ＳｉＯ2）（20）第１の誘電体膜を１０００Å、Ｇｅ（2）Ｓｂ（2）Ｔｅ（5）記録膜を３００Å、（ＺｎＳ）（80）（ＳｉＯ2）（20）第２の誘電体膜を３００Å、Ａｌ合金反射膜を２０００Å、スパッタリング法により順に形成した。さらに反射層の上部に紫外線硬化樹脂層を設けた。」（段落【００１５】）
が記載されている。
　甲第３号証（特開平８−１１１０３５号公報、以下「刊行物３」という。）には、
　「誘電体層よりなる下地層もしくは干渉層の少なくとも一つを有する光ディスク媒体であって、前記誘電体の２０℃における再生光の波長に対する消衰係数ｋが、０．０１≦ｋ≦０．１の範囲内であることを特徴とする光ディスク媒体。」（請求項１），
　「０≦ｋ＜０．０１では、温度が上昇した場合もｋの値は変化せず使用できない。また、ｋ≧０．１では干渉層の光学吸収が大きすぎ反射率もしくはカー回転角が低下するため、再生出力が低下し適当でない。現在光ディスクの再生に用いられている６００nm以上の波長の光では、この光学条件を満足する材料として窒素欠損窒化シリコン膜、窒素欠損窒化アルミ膜、炭化珪素膜、水素添加炭化珪素膜、酸素欠損酸化シリコン膜がある。また、これらの誘電体膜の光吸収端は、組成比を変えることにより変化させることが可能であり、再生光の波長が変わる場合も対応できる。」（段落【００１０】），
　「窒素欠損窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）は、シリコンターゲットを用いたｒｆスパッタにより成膜した。スパッタガス圧は、０．２Ｐａアルゴンガス流量５０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量１３ｓｃｃｍ、投入パワー８００Ｗである。」（段落【００１２】），
　「２０℃における消衰係数ｋの値は、ＳｉＮｘ膜は０．０２、ＳｉＮ膜は０．０である。」（段落【００１２】），
　「次に相変化記録媒体に窒素欠損窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）を利用した実施例について説明する。プラスチック基板上に、窒素欠損窒化シリコン下地層を１００nmの厚さに、ＧｅＳｂＴｅ記録層を２０nm、窒素欠損窒化シリコン干渉層を１５nmの厚さに、アルミ反射層を４０nmの厚さに順次成膜し作製した。窒素欠損窒化シリコン膜（ＳｉＮｘ）は、シリコンターゲットを用いたｒｆスパッタにより成膜した。スパッタガス圧は、０．２Ｐａ、アルゴンガス流量５０ｓｃｃｍ、窒素ガス流量１３ｓｃｃｍ、投入パワー８００Ｗである。ＧｅＳｂＴｅ膜は、複合ターゲットを用いたdcマグネトロンスパッタにより成膜した。スパッタガス圧は、０．０８Ｐａ、アルゴンガス流量５０ｓｃｃｍ、投入パワー１００Ｗである。」（段落【００２５】）と記載されている。
　甲第４号証（物理学辞典６３４頁（１９９２．５．２０培風館）以下「刊行物４」という。）には、「光学定数」の項に、吸収体では複素屈折率ｎ’をその媒質の光学定数という。……ｎ’＝ｎ−ｉｋで表される。ｋは……消衰係数とよばれ……、と記載されている。
　甲第５号証（特開平５−１５９３６９号公報、以下「刊行物５」という。）には、
　「【請求項１】　基板上に記録層と誘電体層を備えた光記録媒体において、該誘電体層が少なくともカルコゲン化合物と酸化物と炭素（Ｃ）を含む複合物からなることを特徴する光記録媒体。
　　【請求項２】　カルコゲン化合物がＺｎＳ、ＺｎＳｅおよびＺｎＴｅの群から選ばれた少なくとも一種であり、酸化物がＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、ＴａおよびＺｒからなる酸化物の群から選ばれた少なくとも一種である請求項１記載の光記録媒体。」（特許請求の範囲），
　「特に耐熱性が高く、記録消去動作時に繰り返し加熱されても十分な機械特性有し破壊することがないことから記録繰り返し性が優れており、さらに吸湿性が少なく、酸素、水分などの遮断性が優れているために記録層の保護特性が優れており、光記録媒体の長期信頼性が得られることから、カルコゲン化合物としてはＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅが好ましく、酸化物としてはＳｉＯ2 、ＳｉＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｒＯ2 などが好ましい。」（段落【００１５】）と記載されている。
　
（４）対比・判断
　本件発明と上記刊行物１〜５に記載の発明とを対比すると、これら刊行物に記載の発明は、光記録媒体の構成および誘電体層の屈折率について記載されているものの、いずれも、本願発明の構成を特定する事項の一部である、厚さｄ２が１０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍである第２誘電体層の屈折率の虚部が０．０５≦ｋ≦０．３であること、または、少なくともＺｎＳとＳｉＯ2とＣを構成材料として含む混合膜である第２誘電体層の屈折率の虚部を０．０１≦ｋ≦０．３とすることを記載も示唆もしていない。
　そして本願発明は、上記構成を有することにより明細書記載の効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明が上記刊行物１乃至５に記載されたものであるとも、または、これらのものから容易に発明をすることができたものともいえない。
　また、記載不備の点は、訂正により解消されている。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至７に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１乃至７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月１日（２００２．５．１）
【訂正の要旨】
（３）訂正事項
　ａ．特許請求の範囲の請求項１ないし８
　「【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とする光記録媒体。
　【請求項２】第１誘電体層の厚さｄ１が５０ｎｍ≦ｄ１≦４００ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項３】第１誘電体層の厚さｄ１が、該誘電体層の屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用いる光の波長λに対して
　０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１
である請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項４】第２誘電体層の厚さｄ２が３０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項５】第１誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ２を含む混合膜である請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項６】第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ２とＣを構成材料として含む混合膜である請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項７】基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ２とＣを構成材料として含む混合膜であり、かつＺｎＳとＳｉＯ２のモル比がＺｎＳ／ＳｉＯ２＝８５／１５〜６５／３５、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ２）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ２）／Ｃ＝９５／５〜８０／２０であり、さらに第２誘電体層の屈折率の虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とする光記録媒体。
　【請求項８】記録層が、構成元素として少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素を含む合金で構成される請求項１記載の光記録媒体。」
　を、
　「【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０
５
であり、第２誘電体層の厚さｄ２が１０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍ
　【請求項２】第１誘電体層の厚さｄ１が５０ｎｍ≦ｄ１≦４００ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項３】第１誘電体層の厚さｄ１が、該誘電体層の屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用いる光の波長λに対して
　０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１
である請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項
４
　【請求項
５
基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、
り、第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とす
　【請求項
６
　【請求項
７
　これに伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるため、特許第３１６３９４３号公報第４欄第３１行目「ｋが０．０１≦ｋ≦０．３」を「ｋが０．０
５
であり、第２誘電体層の厚さｄ２が１０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍ
基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ２とＣを構成材料として含む混合膜であり、第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とする光記録媒体である、さらに、
ｂ．特許第３１６３９４３号公報の段落【００３６】に「１ス雰囲気中で、ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％添加した」とあるのを「ＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％添加した」と、段落【００１８】「として含む混合膜でありことが好ましく」とあるのを「として含む混合膜であ
る
（５４）【発明の名称】
光記録媒体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０
５
であり、第２誘電体層の厚さｄ２が１０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍ
　【請求項２】第１誘電体層の厚さｄ１が５０ｎｍ≦ｄ１≦４００ｎｍである請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項３】第１誘電体層の厚さｄ１が、該誘電体層の屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用いる光の波長λに対して
　０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１
である請求項１記載の光記録媒体。
　【請求項
４
　【請求項
５
基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、
り、第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とす
　【請求項
６
　【請求項
７
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、光の照射により、情報の記録、消去、再生が可能である光情報記録媒体に関するものである。特に、本発明は、記録情報の消去、書換機能を有し、情報信号を高速かつ、高密度に記録可能な光ディスクなどの書換可能相変化型光記録媒体に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】従来の書換可能相変化型光記録媒体の技術は、以下のごときものである。これれらの光記録媒体は、テルルなどを主成分とする記録層を有し、記録時は、結晶状態の記録層に集束したレーザー光パルスを短時間照射し、記録層を部分的に溶融する。溶融した部分は熱拡散により急冷され、固化し、アモルファス状態の記録マークが形成される。この記録マークの光線反射率は、結晶状態より低く、光学的に記録信号として再生可能である。
　【０００３】また、消去時には、記録マーク部分にレーザー光を照射し、記録層の融点以下、結晶化温度以上の温度に加熱することによって、アモルファス状態の記録マークを結晶化し、もとの未記録状態にもどす。
　【０００４】これらの書換型相変化光記録媒体の記録層の材料としては、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５などの合金（Ｎ．Ｙａｍａｄａ　ｅｔ　ａｌ，Ｐｒｏｃ．Ｉｎｔ．Ｓｙｍｐ．ｏｎ　Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｍｅｍｏｒｙ　１９８７　ｐ６１−６６）が知られている。
　【０００５】これらＴｅ合金を記録層とした光記録媒体では、結晶化速度が速く、照射パワーを変調するだけで、円形の１ビームによる高速のオーバーライトが可能である。これらの記録層を使用した光記録媒体では、通常、記録層の両面に耐熱性と透光性を有する誘電体層を設け、記録時に記録層に変形、開口が発生することを防いでいる。さらに、光ビーム入射方向と反対側の誘電体層に、光反射性のＡｌなどの金属反射層を設け、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善すると共に、冷却効果により、非晶状態の記録マークの形成を容易にし、かつ消去特性、繰り返し特性を改善する技術が知られている。特に、記録層及び記録層と反射層の間の誘電体層を各々２０ｎｍ程度に薄く構成した「急冷構造」では、誘電体層を２００ｎｍ程度に厚くした「徐冷構造」に比べ、書換の繰返しによる記録特性の劣化が少なく、また消去パワーのパワー・マージンが広い点で優れている（Ｔ．Ｏｈｏｔａ　ｅｔ　ａｌ．，ＳＰＩＥ　Ｐｒｏｃ．Ｖｏｌ．１３１６（１９９０）ｐｐ３６７−３７３）。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】前述の従来の急冷構造の書換可能相変化型光記録媒体における課題は、以下のようなものである。
　【０００７】従来のディスク構造では、記録マークの形成に大きなレーザーパワーを必要とする。このため、記録再生用のドライブに大きなパワーを発振できるレーザーを搭載する必要があり、コスト高となる。
　【０００８】本発明の目的は、前述の従来の光記録媒体の課題を解決し、高感度な光記録媒体を提供することにある。
　【０００９】また、本発明の別の目的は、保存安定性にすぐれ、長寿命の光記録媒体を提供することにある。
　【００１０】本発明のさらに別の目的は、オーバーライトの繰返し耐久性に優れた光記録媒体を提供することにある。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録および消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、該第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０
５
であり、第２誘電体層の厚さｄ２が１０ｎｍ≦ｄ２≦６０ｎｍ
基板上に形成された記録層に光を照射することによって、情報の記録、消去、再生が可能であり、情報の記録及び消去が、非晶相と結晶相の間の相変化により行われる光記録媒体において、前記光記録媒体が透明基板上に、少なくとも第１誘電体層、記録層、第２誘電体層および反射層をこの順に積層した構造を有し、第２誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ２とＣを構成材料として含む混合膜であり、第２誘電体層の屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることを特徴とする光記録媒体である、さらに、
　【００１２】本発明の第１及び第２誘電体層には、記録時に基板、記録層などが熱によって変形し記録特性が劣化することを防止するなど、基板、記録層を熱から保護する効果、光学的な干渉効果により、再生時の信号コントラストを改善する効果がある。
　【００１３】第１誘電体層の厚さｄ１は、基板や記録層から剥離し難く、クラックなどの欠陥が生じ難いことから、通常５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。記録再生信号の高コントラスト化による高キャリア対ノイズ比（Ｃ／Ｎ）化を図るためには、さらに好ましくは、ｄ１は該誘電体層の屈折率の実部ｎ１および記録、再生に用いる光の波長λに対して０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１である。
　【００１４】本発明において、第２誘電体層は、少なくともＺｎＳとＳｉＯ２とＣを構成材料として含む混合膜であり、かつＺｎＳとＳｉＯ２のモル比がＺｎＳ／ＳｉＯ２＝８５／１５〜６５／３５、（ＺｎＳ＋ＳｉＯ２）とＣのモル比が（ＺｎＳ＋ＳｉＯ２）／Ｃ＝９５／５〜８０／２０であり、さらに第２誘電体層の屈折率の虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であること、または、屈折率の実部をｎ２とするとき、ｎ２が２≦ｎ２≦２．５であり、虚部をｋとするとき、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３であることが、低パワーでの記録、消去を可能にするために重要である。低パワー記録と、記録再生信号の高コントラスト化による高Ｃ／Ｎの両立から、ｋが０．０１≦ｋ≦０．３である。
　【００１５】前述の従来の急冷構造の書換可能相変化型光記録媒体では、例えば、２０ｎｍの厚さの第二誘電体層を有しており、良好な記録を行なうためには、１６ｍＷ以上のレーザーパワーを必要とする。これに対し、本発明では、第二誘電体層を透明でなくすることにより、この層に光吸収性を付与し、記録層の冷却を防ぐことにより、感度を向上させ、同様の構成で、１５ｍＷ以下のより小さなレーザーパワーで良好な記録が可能である。通常用いられている光記録媒体の第二誘電体層の屈折率はｋ＝０のものであり、ｋを０．０１以上とすることは透明性を阻害するため、記録特性に障害となると従来考えられていた。本発明は、従来の常識を破って、第二誘電体層の屈折率の虚部ｋを０．０１≦ｋ≦０．３とすることによって、かえって、感度をあげることができ、小パワーで良好に記録できることを見出だしたのである。
　【００１６】また、さらには、第二誘電体層の厚さを３０ｎｍ以上とすることにより、より低いパワーでの記録が可能となる。
　【００１７】第一誘電体層としては、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜がある。特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ，などの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の混合物の膜が、耐熱性が高いことから好ましい。また、これらに炭素や、ＭｇＦ２などのフッ化物を混合したものも、膜の残留応力が小さいことから好ましい。特にＺｎＳとＳｉＯ２の混合膜あるいは、ＺｎＳとＳｉＯ２と炭素の混合膜は、記録、消去の繰り返しによっても、記録感度、Ｃ／Ｎ、消去率などの劣化が起きにくいことから好ましく特にＺｎＳとＳｉＯ２と炭素の混合膜が好ましい。
　【００１８】本発明における第２誘電体層は、例えば、ｋが０．０１未満であるＺｎＳ、ＳｉＯ２、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機薄膜、特にＺｎＳの薄膜、Ｓｉ、Ｇｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａなどの金属の酸化物の薄膜、Ｓｉ、Ａｌなどの窒化物の薄膜、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆなどの炭化物の薄膜及びこれらの化合物の混合物の膜と、ｋが０．１以上である化合物との混合が好ましい。ｋが０．１以上である化合物としては、炭素やＧｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｒｈ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどの単体物質やｋが０．５以上の酸化物や硫化物などの化合物が挙げられる。これらの中でも誘電体層が少なくともＺｎＳとＳｉＯ２と炭素を構成材料として含む混合膜であ
る
　【００１９】特に、記録感度が高く、高速でワンビーム・オーバーライトが可能であり、かつ消去率が大きく消去特性が良好であることから、次のごとく、光記録媒体の主要部を構成することが好ましい。
　【００２０】反射層の材質としては、光反射性を有するＡｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とし、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆなどの添加元素を含む合金及びＡｌ、Ａｕなどの金属にＡｌ、Ｓｉなどの金属窒化物、金属酸化物、金属カルコゲン化物などの金属化合物を混合したものなどがあげられる。Ａｌ、Ａｕなどの金属、及びこれらを主成分とする合金は、光反射性が高く、かつ熱伝導率を高くできることから好ましい。前述の合金の例として、ＡｌにＳｉ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｎなどの少なくとも１種の元素を合計で５原子％以下、１原子％以上加えたもの、あるいは、ＡｕにＣｒ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉなどの少なくとも１種の元素を合計で２０原子％以下１原子％以上加えたものなどがある。特に、材料の価格が安くできることから、Ａｌを主成分とする合金が好ましく、とりわけ、耐腐食性が良好なことから、ＡｌにＴｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｎ、Ｐｄから選ばれる少なくとも１種以上の金属を合計で５原子％以下０．５原子％以上添加した合金が好ましい。とりわけ、耐腐食性が良好でかつヒロックなどの発生が起こりにくいことから、反射層を添加元素を合計で０．５原子％以上３原子％未満含む、Ａｌ−Ｈｆ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｔｉ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｈｆ合金、Ａｌ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｔａ合金、Ａｌ−Ｔｉ−Ｃｒ合金、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｎ合金のいずれかのＡｌを主成分とする合金で構成することが好ましい。
　【００２１】記録層としては、構成元素として少なくともＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅの３元素を含む合金を用いることが高速でオーバーライトが可能である点から好ましい。さらに、その組成は次式で表される範囲にあることが熱安定性と繰返し安定性に優れている点から好ましい。
Ｍｚ（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）１−ｙ−ｚ（Ｇｅ０．５Ｔｅ０．５）ｙ
０．３５≦ｘ≦０．５
０．２≦ｙ≦０．５
０．０００５≦ｚ≦０．０１
ここで、Ｍはパラジウム，ニオブ、白金、銀、金、コバルトから選ばれる少なくとも一種の金属、Ｓｂはアンチモン、Ｔｅはテルル、Ｇｅはゲルマニウムを表す。また、ｘ，ｙ，ｚ、及び数字は、各元素の原子の数（各元素のモル数）を表す。特に、パラジウム，ニオブの少なくとも一種の前述の効果に優れることから好ましい。
　【００２２】また、本発明においては、記録、再生に用いる光の波長をλ、第１誘電体層の厚さをｄ１、屈折率（実部）をｎ１，記録層の厚さをｄｒ、第二誘電体層の厚さをｄ２、屈折率（実部）をｎ２、反射層の厚さをｄｆとするとき、次式
０．２５λ／ｎ１≦ｄ１≦０．７０λ／ｎ１
１０≦ｄｒ≦４０（単位ｎｍ）
１０≦ｄ２≦６０（単位ｎｍ）
４０≦ｄｆ≦２００
２≦ｎ１≦２．５
２≦ｎ２≦２．５
を満足するように、層厚さが設定されることが好ましい。
　【００２３】本発明の基板の材料としては、透明な各種の合成樹脂、透明ガラスなどが使用できる。ほこり、基板の傷などの影響をさけるために、透明基板を用い、集束した光ビームで基板側から記録を行なうことが好ましく、この様な透明基板材料としては、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチル・メタクリレート、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などがあげられる。特に、光学的複屈折が小さく、吸湿性が小さく、成形が容易であることからポリカーボネート樹脂、アモルファス・ポリオレフィン樹脂が好ましい。
　【００２４】基板の厚さは特に限定するものではないが、０．０１ｍｍ〜５ｍｍが実用的である。０．０１ｍｍ未満では、基板側から集束した光ビームで記録する場合でも、ごみの影響を受け易くなり、５ｍｍ以上では、対物レンズの開口数を大きくすることが困難になり、照射光ビームスポットサイズが大きくなるため、記録密度をあげることが困難になる。基板はフレキシブルなものであっても良いし、リジッドなものであっても良い。フレキシブルな基板は、テープ状、シート状、カード状で使用する。リジッドな基板は、カード状、あるいはディスク状で使用する。また、これらの基板は、記録層などを形成した後、２枚の基板を用いて、エアーサンドイッチ構造、エアーインシデント構造、密着張合せ構造としてもよい。
　【００２５】本発明の光記録媒体の記録に用いる光源としては、レーザー光、ストロボ光のごとき高強度の光源であり、特に半導体レーザー光は、光源が小型化できること、消費電力が小さいこと、変調が容易であることから好ましい。
　【００２６】記録は結晶状態の記録層にレーザー光パルスなどを照射してアモルファスの記録マークを形成して行う。また、反対に非晶状態の記録層に結晶状態の記録マークを形成してもよい。消去はレーザー光照射によって、アモルファスの記録マークを結晶化するか、もしくは、結晶状態の記録マークをアモルファス化して行うことができる。記録速度を高速化でき、かつ記録層の変形が発生しにくいことから記録時はアモルファスの記録マークを形成し、消去時は結晶化を行う方法が好ましい。
　【００２７】また、記録マーク形成時は光強度を高く、消去時はやや弱くし、１回の光ビームの照射により書換を行う１ビーム・オーバーライトは、書換の所要時間が短くなることから好ましい。
　【００２８】次に、本発明の光記録媒体の製造方法について述べる。
　【００２９】反射層、記録層などを基板上に形成する方法としては、公知の真空中での薄膜形成法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などがあげられる。特に組成、膜厚のコントロールが容易であることから、スパッタリング法が好ましい。
　【００３０】形成する記録層などの厚さの制御は、水晶振動子膜厚計などで、堆積状態をモニタリングすることで、容易に行える。
　【００３１】記録層などの形成は、基板を固定したまま、あるいは移動、回転した状態のどちらでもよい。膜厚の面内の均一性に優れることから、基板を自転させることが好ましく、さらに公転を組合わせることが、より好ましい。
　【００３２】また、本発明の効果を著しく損なわない範囲において、反射層などを形成した後、傷、変形の防止などのため、ＺｎＳ、ＳｉＯ２などの誘電体層あるいは紫外線硬化樹脂などの樹脂保護層などを必要に応じて設けてもよい。また、反射層などを形成した後、あるいはさらに前述の樹脂保護層を形成した後、２枚の基板を対向して、接着材で張り合わせてもよい。
　【００３３】記録層は、実際に記録を行う前に、予めレーザー光、キセノンフラッシュランプなどの光を照射し予め結晶化させておくことが好ましい。
　【００３４】
　【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
（分析，測定方法）
反射層、記録層の組成は、ＩＣＰ発光分析（セイコー電子工業（株）製）により確認した。またキャリア対ノイズ比および消去率（記録後と消去後の再生キャリア信号強度の差）は、スペクトラムアナライザにより測定した。
　【００３５】記録層、誘電体層、反射層の形成中の膜厚は、水晶振動子膜厚計によりモニターした。また各層の厚さは、走査型あるいは透過型電子顕微鏡で断面を観察することにより測定した。
　【００３６】実施例１
厚さ１．２ｍｍ、直径１３ｃｍ、１．２μｍピッチのスパイラルグルーブ付きポリカーボネート製基板を毎分３０回転で回転させながら、高周波マグネトロンスパッタ法により、記録層、誘電体層、反射層を形成した
。Ｓ
　【００３７】このディスクを真空容器より取り出した後、この反射層上にアクリル系紫外線硬化樹脂（大日本インキ（株）製ＳＤ−１０１）をスピンコートし、紫外線照射により硬化させて膜厚１０μｍの樹脂層を形成し本発明の光記録媒体を得た。
　【００３８】この光記録媒体に波長８２０ｎｍの半導体レーザーのビームを照射して、ディスク全面の記録層を結晶化し、初期化した。
　【００３９】その後、線速度１２ｍ／秒の条件で、対物レンズの開口数０．５、半導体レーザーの波長７８０ｎｍの光学ヘッドを使用して、周波数８．６５ＭＨｚ（デュティ３７％）、ピークパワー８〜１７ｍＷ、ボトムパワー４〜９ｍＷの各条件に変調した半導体レーザー光で１００回オーバーライト記録した後、再生パワー１．０ｍＷの半導体レーザ光を照射してバンド幅３０ｋＨｚの条件でＣ／Ｎを測定した。さらにこの部分を３．２４ＭＨｚ（デュティ１９％）で、先と同様に変調した半導体レーザ光を照射し、ワンビーム・オーバーライトし、この時の８．６５ＭＨｚの前記録信号の消去率と記録マークの再生信号の終端部のエッジのジッタを測定した。ピークパワー１０ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率が得られた。
　【００４０】さらにピーク・パワー１２ｍＷ、ボトムパワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加もほとんどみられなかった。また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られなかった。
　【００４１】この光記録媒体の一部を記録層と第２誘電体層の界面で剥離し、分光エリプソメトリーで、第２誘電体層のｋの値を測定したところ、０．０５であった。
　【００４２】また、さらにこの光記録媒体の断面の一部を透過型電子顕微鏡により観察したころ、第１誘電体層、記録層、第２誘電体層、反射層の厚みは上記の設定通りになっていた。
実施例２
実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ２とＣのモル混合比が、８：２：１．２となるように作製したほかは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られた。
　【００４３】さらにピーク・パワー１２ｍＷ、ボトムパワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加もほとんどみられなかった。
　【００４４】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られなかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。
　【００４５】実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、０．０６であった。
実施例３
実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ２を２０モル％添加したＺｎＳとＣの同時スパッタで、ＺｎＳとＳｉＯ２とＣのモル混合比が８：２：２．５となるように作製したほかは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー９．２ｍＷで実用上十分な５０ｄＢのＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢの消去率が得られた。さらにピークパワー１１ｍＷ、ボトムパワー５．６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビーム・オーバーライトの繰返しを１万回行なった後、同様の測定を行なったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加もほとんどみられなかった。
　【００４６】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度８０％の環境に１０００時間おいた後、その後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がなかった。さらに再度、記録、消去を行ないＣ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化がみられなかった。ほとんど同じ良好な記録、特性が得られた。
　【００４７】実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの値は０．２５であった。
実施例４
実施例１の第２誘電体層の厚みを２０ｎｍとしたほかは、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１４ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー６〜９ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られた。
　【００４８】さらにピーク・パワー１６ｍＷ、ボトムパワー８ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加もほとんどみられなかった。
　【００４９】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られなかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。
実施例５
実施例１の第２誘電体層をＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳとＣの同時スパッタで、行なう代わりにＺｎＳとＳｉＯ２とＣのモル混合比が、７２：１８：１０の一体ターゲットを用いて行なった以外は、実施例１と同様にディスクを作製した。実施例１と同様に記録特性を測定した結果、ピークパワー１０ｍＷ以上で実用上十分な５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られ、かつボトムパワー４〜７ｍＷで実用上十分な２０ｄＢ以上の消去率が得られた。
　【００５０】さらにピーク・パワー１２ｍＷ、ボトムパワー６ｍＷ、周波数８．６５ＭＨｚの条件で、ワンビーム・オーバーライトの繰り返しを１万回行った後、同様の測定を行ったが、Ｃ／Ｎ、消去率の変化は、いずれも２ｄＢ以内でほとんど劣化が認められず、ジッタの増加もほとんどみられなかった。
　【００５１】また、この光記録媒体を８０℃、相対湿度８０％の環境に１０００時間置いた後、その後記録部分を再生したが、Ｃ／Ｎの変化は２ｄＢ未満でほとんど変化がなかった。さらに再度、記録、消去を行いＣ／Ｎ、消去率を測定したところ、同様にほとんど変化が見られなかった。殆ど同じ良好な記録、消去特性が得られた。
　【００５２】実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの値は０．０６であった。
比較例１
実施例１の光記録媒体の第２誘電体層をＳｉＯ２を２０ｍｏｌ％添加したＺｎＳをスパッタして作製し、厚さを２０ｎｍにし、反射層の厚みを１５０ｎｍとしたほかは、実施例１と同様に構成し、従来の急冷構造のディスクを作製した。
　【００５３】実施例１と同様に測定したところ、ピークパワー１５ｍＷ未満では、Ｃ／Ｎが５０ｄＢに達せず、１６ｍＷ以上で、５０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られた。消去率が２０ｄＢで以上となるボトムパワーは、７〜１０ｍＷで、実施例より感度が低い光記録媒体となっていた。
　【００５４】実施例１と同様にして、ｋの値を測定したところ、ｋの値は０であった。
　【００５５】
　【発明の効果】本発明は、光記録媒体の記録層の組成を特定の組成としたので、以下の効果が得られた。
（１）低パワーで記録消去ができる。
（２）多数回の記録消去を繰り返しても、動作が安定しており、特性の劣化、欠陥の発生がほとんどない。
（３）耐湿熱性、耐酸化性に優れ、長寿命である。
（４）スパッタ法により容易に作製できる。