【事件の表示】
　特許第３１４３５９１号「表示装置」の請求項１ないし４、１３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４３５９１号の請求項１３、１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第3143591号の特許請求の範囲の請求項1〜4及び13に係る発明は、平成8年9月12日（国内優先権主張平成7年9月14日）に特許出願され、平成12年12月22日に設定登録がなされ、佐藤光男より特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成14年1月28日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
　ア．訂正の内容
　訂正事項ａ
　（イ）特許明細書の特許請求の範囲の請求項1に係る下記の記載
「【請求項１】　複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、
　前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする表示装置。」
を
「【請求項１】　複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、
　前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極表面がケミカルメカニカルポリッシング処理され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする表示装置。」
と訂正する。
　（ロ）特許明細書の特許請求の範囲の請求項3に係る下記の記載
「【請求項３】　前記反射電極と前記遮光層は、材料が異なる請求項１に記載の表示装置。」
を
「【請求項３】　前記反射電極と前記遮光層は、材料が異なり、ｐｅａｋ ｔｏ ｖａｌｌｅｙによる評価において、反射電極の表面粗さが１０００Å以下、遮光層の表面粗さが１５００Å以上である請求項１に記載の表示装置。」
と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【０００６】の
「【課題を解決するための手段】
　以上の問題を解決するために、本発明者らが鋭意努力した結果、以下の発明を得た。すなわち、本発明の表示装置は、複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする。さらに、前記反射電極が照明光を反射させ、前記反射電極が主に照明光を反射させる方向と別の方向に前記照明光を反射させる遮光層を、前記複数の反射電極の間に設けることができ、遮光層は、反射電極の表面と異なる角度の面を有するのが望ましい。また、反射電極の表面と遮光層の表面のなす角をθ、液晶材料の屈折率をｎ、投影光学系のＦ数をＦとすると、θが」
を
「【課題を解決するための手段】
　以上の問題を解決するために、本発明者らが鋭意努力した結果、以下の発明を得た。すなわち、本発明の表示装置は、複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極表面がケミカルメカニカルポリッシング処理され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする。さらに、前記反射電極が照明光を反射させ、前記反射電極が主に照明光を反射させる方向と別の方向に前記照明光を反射させる遮光層を、前記複数の反射電極の間に設けることができ、遮光層は、反射電極の表面と異なる角度の面を有するのが望ましい。また、反射電極の表面と遮光層の表面のなす角をθ、液晶材料の屈折率をｎ、投影光学系のＦ数をＦとすると、θが」
と訂正する。
　訂正事項ｃ
　特許明細書の段落【００１０】中の
「Ｍｅｃｈｅｕｉｃａｌ」を「Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　特許明細書の段落【００１２】の「遮光槽の表面粗さについては、」を「遮光層の表面粗さについては、」と訂正し、「遮光層の表面粗さとし１５００Å以上」を「遮光層の表面粗さとして１５００Å以上」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の追加及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項ａ（イ）について
　請求項１において「反射電極表面がケミカルメカニカルポリッシング処理される」ことに限定することは、請求項１に係る発明を減縮するものであり、明細書の段落【００１０】、【００１８】、【００４７】の記載から直接的かつ一義的に導き出せる事項であるから、新規事項を追加するものでなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ａ（ロ）について
　請求項３において「反射電極の表面粗さを１０００Å以下に、遮光層の表面粗さを１５００Å以上」に限定することは、請求項３に係る発明の減縮に該当し、特許明細書の段落【００１２】の記載から直接的かつ一義的に導き出せる事項であるから、新規事項を追加するものでなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｂについて
　この訂正事項ｂは、上記訂正事項ａ（イ）に整合するように特許明細書の段落【０００６】の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項を追加するものでなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｃについて
　この訂正事項ｃは、「Ｍｅｃｈｅｕｌｃａｌ」の誤記「ｕ」を「ｎ」と訂正するものであるから、誤記の訂正に該当し、新規事項を追加するものでなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　訂正事項ｄについて
　この訂正事項ｄは、誤記「遮光槽」を「遮光層」に、そして、誤記「さとし」を「さとして」に、それぞれ訂正するものであるから、誤記の訂正に該当し、新規事項を追加するものでなく、特許請求の範囲を実質的に拡張又は変更するものでもない。
　ウ．むすび
　以上のとおり、上記訂正請求は、特許法第120条の4第2項及び同条第3項で準用する第126条第2項及び第3項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立について
　ア．本件発明1〜4及び13
　訂正後の特許明細書の特許請求の範囲の請求項1〜4及び13に係る発明（以下、本件発明1〜4及び13という。）は次のとおりである。
「【請求項１】　複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、
　前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極表面がケミカルメカニカルポリッシング処理され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする表示装置。
　【請求項２】　前記反射電極と前記遮光層と、両者の間の絶縁層で保持容量を形成する請求項１に記載の表示装置。
　【請求項３】　前記反射電極と前記遮光層は、材料が異なり、ｐｅａｋ ｔｏ ｖａｌｌｅｙによる評価において、反射電極の表面粗さが１０００Å以下、遮光層の表面粗さが１５００Å以上である請求項１に記載の表示装置。
　【請求項４】　前記反射電極は、主にＡｌからなり、前記遮光層は、主に、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，Ｍｏから選ばれる材料からなる請求項３に記載の表示装置。
　【請求項１３】　前記一方に基板は、複数の走査配線と、複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線の交差部に配された画素スイッチを有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。」
　イ．異議申立の理由の概要
　異議申立人 佐藤光男は、証拠として甲第1号証〜甲第4号証を提出し、本件発明1〜4及び13は特許法第29条第2項の規定、若しくは、同法同条の2の規定に違反して特許されたものであるから、それらの特許は取り消されるべき旨主張している。
　ウ．証拠に記載の発明
　取消理由通知に引用した刊行物1（異議申立人 佐藤光男が証拠として提出した甲第１号証（特開平１−１５６７２５号公報）の第２頁右上欄第１４行乃至第２頁右下欄第８行、第３頁右上欄第１７行乃至同第１９行、及び第１図には、電気光学材料として液晶を用い、データ配線２と走査線３、およびこれらの交点に能動素子としてＴＦＴ４と画素電極１とを設けた表示装置であって、画素電極１，４８が形成された絶縁基板４０と、前記絶縁基板４０に対向し透明導電膜からなる対向電極５１を有するもう一つの絶縁基板５０と、前記２つの絶縁基板４０，５０の間に液晶４９を備える表示装置が、そして、前記画素電極１，４８どうしの間隙がデータ配線と走査線上にくるようにすることにより、これらの配線が遮光層として働き、高コントラストの画像が得られることが、また、前記画素電極４８にアルミニウム、金、プラチナ等の金属を用いることにより反射型の表示装置が得られることが、それぞれ記載されている。
　取消理由通知に引用した刊行物2（異議申立人 佐藤光男が証拠として提出した甲第２号証（特開昭５７−２０７７８号公報）の第３頁左下欄第３行乃至同頁右下欄第１行、第４頁左下欄第７行乃至第５頁左上欄第５行、および第５図には、半導体基板上にトランジスタが２次元マトリックスに配置され、その上に絶縁膜２０、２１を介して金属反射電極１９が形成され、絶縁膜２０、２１の層間に前記金属反射電極１９の間を光シールドするための金属層２４を形成した画像装置が、更に、その第２頁左下欄第９行、および第４頁左下欄第７行乃至第１９行には、前記金属反射電極１９がアルミニウム電極であることが、そして更に、その第４頁左下欄第２０行乃至右下欄第４行には、光シールド用の前記金属層２４がＭo等の反射率の低い材質で形成されることが、そして更に、金属層２４をシリコン基板１０の電位と同じくすることにより、蓄積用コンデンサ２の容量を増大させることができることが、それぞれ記載されている。
　取消理由通知に引用した刊行物3（異議申立人 佐藤光男が証拠として提出した甲第３号証（特開平６−１９４６８７号公報））の段落【００１８】、【００２５】、【００２６】、及び図１、図２には、主基板と対向基板及び液晶材からなるＴＦＴを用いた液晶表示装置において、前記主基板となるガラス基板１０１にクロムからなる画素間遮光層を兼ねた蓄積容量電極１０７が形成され、また絶縁層１０４を介してそれぞれ、クロムからなる走査配線１０２、信号配線１０３、ＴＦＴ素子１０５、画素電極１０６を形成し、また対向基板となるガラス基板１０８に対向電極１０９が設けられることが記載されている。
　取消理由通知に引用した刊行物4（異議申立人 佐藤光男が証拠として提出した甲第４号証（特願平６−３０６５５８号の願書に最初に添付された明細書及び図面（特開平８−１６０４６３号公報）））の第４頁右欄段落【００２１】乃至【００２２】には、
「【００２１】
　ゲート絶縁層（１２）上には、活性層（１１）と同様に減圧ＣＶＤにより３０００Å程度のｐ−Ｓｉ（１３Ｐ）を成膜し、ＰＯＣｌ3（三塩化ホスホリル）を拡散源とした減圧ＣＶＤによりＮ＋型にドープし、この上に、スパッタリングによりタングステン（Ｗ）あるいはモリブデン（Ｍo）のシリサイド（１３Ｓ）を形成して、ポリサイド構造と成し、これをフォトエッチによりパターニングすることにより、ゲートライン（１３）、ゲート電極（１３Ｇ）及び第２の補助容量電極（１３Ｃ）のパターンに形成され、更に、９００℃程度の活性化アニールを行って整膜している。第２の補助容量電極（１３Ｃ）はゲートライン（１３）方向に沿って画素間で接続され、共通電極電圧が印加される。第２の補助容量電極（１３Ｃ）は、ソース電圧が印加される第１の補助容量電極（１１Ｃ）とゲート絶縁層（１２）を挟んで重畳され、電荷保持用の補助容量を構成している。活性層（１１）には、ゲート電極（１３Ｇ）をマスクとして燐などのＮ型不純物のイオン注入を行うことにより、ソース・ドレイン領域（１１ｓ，１１ｄ）が形成されるとともに、ノンドープのチャンネル領域（１１ｎ）が形成されている。
　【００２２】
　ゲートライン（１３）、ゲート電極（１３Ｇ）及び第２の補助容量電極（１３Ｃ）を覆う全面には熱ＣＶＤによりＳｉＯ2が積層され、第１の層間絶縁層（１４）とされている。ドレイン領域（１１ｄ）上のゲート絶縁層（１２）及び第１の層間絶縁層（１４）にコンタクトホール（ＣＴ１）を開口したあと、スパッタリングなどによりＡｌを６０００〜７０００Åの厚さに積層し、フォトエッチによりドレインライン（１５）のメインライン（１５Ｍ）が形成され、コンタクトホール（ＣＴ１）を介してドレイン領域（１１ｄ）に接続されている。更に、スパッタリングによりＣｒあるいはＴｉ、Ｍoなど、耐熱性の高いメタルを１５００Å程度の厚さに積層し、フォトエッチによりメインライン（１５Ｍ）よりも大きなパターンでメインライン（１５Ｍ）覆い、ＢＭを兼ねたサブライン（１５Ｓ）が形成されている。」と記載されている。
　更に、その第５頁右欄段落【００２７】には、
「【００２７】
　ソース領域（１１ｓ）上のゲート絶縁層（１２）、第１の層間絶縁層（１４）及び第２の層間絶縁層（１６）にコンタクトホール（ＣＴ２）を開口したあと、Ａｌのスパッタリングとフォトエッチを行うことにより反射層を兼ねた画素電極（１７）が形成され、コンタクトホール（ＣＴ２）を介して、ソース領域（１１ｓ）にも接続されている。画素電極（１７）は、平坦化された第２の層間絶縁層（１６）上に形成されているため、高い平坦性が得られている。」と記載されている。
　エ．当審の対比・判断
（１）特許法第29条第2項の規定の違反について
　本件発明1〜4及び13の「反射電極表面をケミカルメカニカルポリッシング処理する」ことは甲第1号証〜甲第3号証のいずれにも記載も示唆もされておらず、周知又は自明の事項でもない。
　そして、本件発明1〜4及び13は、「反射電極表面をケミカルメカニカルポリッシング処理する」ことにより、反射電極と遮光層の表面粗さに違いを持たせることができ、コントラストの高い画像表示を観ることができるという作用効果を呈するものである。
　したがって、本件発明1〜4及び13は、上記甲第1号証〜甲第3号証に記載された発明及び技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができないものである。
（１）特許法第29条の2の規定の違反について
　本件発明1、3、4及び13は「反射電極表面をケミカルメカニカルポリッシング処理する」ことにより反射電極表面を平坦にしているのに対して、刊行物4（特願平６−３０６５５８号の願書に最初に添付された明細書及び図面（特開平８−１６０４６３号公報））に記載の発明は、第２層間絶縁膜表面を化学的機械的研磨することにより、その上に形成される反射画素電極の表面を平坦にしているから、本件発明1、3、4及び13は刊行物4に記載された発明と同一であるとすることができない。
　オ．むすび
  以上のとおり、異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明1〜4及び13についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明1〜4及び13についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月１９日（２００２．２．１９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
▲１▼訂正事項ａ
　特許請求の範囲に係る記載
「　【請求項１】　複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする表示装置。
　【請求項２】　前記反射電極と前記遮光層と、両者の間の絶縁層で保持容量を形成する請求項１に記載の表示装置。
　【請求項３】　前記反射電極と前記遮光層は、材料が異なる請求項１に記載の表示装置。
　【請求項４】　前記反射電極は、主にＡｌからなり、前記遮光層は、主に、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，Ｍｏから選ばれる材料からなる請求項３に記載の表示装置。
　【請求項５】　前記反射電極と前記遮光層が、光を反射させる方向が異なる請求項１に記載の表示装置。
　【請求項６】　前記遮光層は、前記反射電極の表面と異なる角度の面を有する請求項５に記載の表示装置。
　【請求項７】　前記反射電極の表面と前記遮光層の表面のなす角をθ、前記液晶材料の屈折率をｎ、投影光学系のＦ数をＦとすると、θが
　【外１】
を満たす請求項６に記載の表示装置。
　【請求項８】　前記θは、１０〜３０°である請求項７に記載の表示装置。
　【請求項９】　前記反射電極の下部に厚い絶縁層、前記反射電極間の境界部に薄い絶縁層を有する請求項５〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１０】　複数の信号線と同一層の配線層の間隔が、前記反射電極の間の下部で、前記反射電極の下部よりも広い請求項５〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１１】　隣合う前記反射電極の端部が、画素の境界平面に対して非対称である請求項５〜１０のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１２】　前記反射電極と前記透明電極の角度が異なる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１３】　前記一方に基板は、複数の走査配線と、複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線の交差部に配された画素スイッチを有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。」
を、
「　【請求項１】　複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極表面がケミカルメカニカルポリッシング処理され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする表示装置。
　【請求項２】　前記反射電極と前記遮光層と、両者の間の絶縁層で保持容量を形成する請求項１に記載の表示装置。
　【請求項３】　前記反射電極と前記遮光層は、材料が異なり、ｐｅａｋ　ｔｏ　ｖａｌｌｅｙによる表面粗さの評価において、反射電極の表面粗さが１０００Å以下、遮光層の表面粗さが１５００Å以上である請求項１に記載の表示装置。
　【請求項４】　前記反射電極は、主にＡｌからなり、前記遮光層は、主に、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，Ｍｏから選ばれる材料からなる請求項３に記載の表示装置。
　【請求項５】　前記反射電極と前記遮光層が、光を反射させる方向が異なる請求項１に記載の表示装置。
　【請求項６】　前記遮光層は、前記反射電極の表面と異なる角度の面を有する請求項５に記載の表示装置。
　【請求項７】　前記反射電極の表面と前記遮光層の表面のなす角をθ、前記液晶材料の屈折率をｎ、投影光学系のＦ数をＦとすると、θが
　【外１】
を満たす請求項６に記載の表示装置。
　【請求項８】　前記θは、１０〜３０°である請求項７に記載の表示装置。
　【請求項９】　前記反射電極の下部に厚い絶縁層、前記反射電極間の境界部に薄い絶縁層を有する請求項５〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１０】　複数の信号線と同一層の配線層の間隔が、前記反射電極の間の下部で、前記反射電極の下部よりも広い請求項５〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１１】　隣合う前記反射電極の端部が、画素の境界平面に対して非対称である請求項５〜１０のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１２】　前記反射電極と前記透明電極の角度が異なる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１３】　前記一方に基板は、複数の走査配線と、複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線の交差部に配された画素スイッチを有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。」
と訂正する。
▲２▼訂正事項ｂ
　明細書の段落【０００６】の
「　【課題を解決するための手段】
　以上の問題を解決するために、本発明者らが鋭意努力した結果、以下の発明を得た。すなわち、本発明の表示装置は、複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする。さらに、前記反射電極が照明光を反射させ、前記反射電極が主に照明光を反射させる方向と別の方向に前記照明光を反射させる遮光層を、前記複数の反射電極の間に設けることができ、遮光層は、反射電極の表面と異なる角度の面を有するのが望ましい。また、反射電極の表面と遮光層の表面のなす角をθ、液晶材料の屈折率をｎ、投影光学系のＦ数をＦとすると、θが」
を
「　【課題を解決するための手段】
　以上の問題を解決するために、本発明者らが鋭意努力した結果、以下の発明を得た。すなわち、本発明の表示装置は、複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、前記反射電極表面がケミカルメカニカルポリッシング処理され、前記反射電極と前記遮光層との表面粗さが異なることで、両者の反射特性を異ならせたことを特徴とする。さらに、前記反射電極が照明光を反射させ、前記反射電極が主に照明光を反射させる方向と別の方向に前記照明光を反射させる遮光層を、前記複数の反射電極の間に設けることができ、遮光層は、反射電極の表面と異なる角度の面を有するのが望ましい。また、反射電極の表面と遮光層の表面のなす角をθ、液晶材料の屈折率をｎ、投影光学系のＦ数をＦとすると、θが」
と訂正する。
▲３▼訂正事項ｃ
　明細書の段落【００１０】中の
　「Ｍｅｃｈｅｕｉｃａｌ」を「Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ」と訂正する。
▲４▼訂正事項ｄ
　明細書の段落【００１２】の
　「遮光槽の表面粗さについては、を「遮光層の表面粗さについては、」と訂正し、「遮光層の表面粗さとし１５００Å以上」を「遮光層の表面粗さとして１５００Å以上」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
表示装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、
前記反射電極表面がケミカルメカニカルポリッシング処理され、
　【請求項２】　前記反射電極と前記遮光層と、両者の間の絶縁層で保持容量を形成する請求項１に記載の表示装置。
　【請求項３】　前記反射電極と前記遮光層は、材料が
異なり、ｐｅａｋ　ｔｏ　ｖａｌｌｅｙによる表面粗さの評価において、反射電極の表面粗さが１０００Å以下、遮光層の表面粗さが１５００Å以上である
　【請求項４】　前記反射電極は、主にＡｌからなり、前記遮光層は、主に、Ｔｉ，ＴｉＮ，Ｗ，Ｍｏから選ばれる材料からなる請求項３に記載の表示装置。
　【請求項５】　前記反射電極と前記遮光層が、光を反射させる方向が異なる請求項１に記載の表示装置。
　【請求項６】　前記遮光層は、前記反射電極の表面と異なる角度の面を有する請求項５に記載の表示装置。
　【請求項７】　前記反射電極の表面と前記遮光層の表面のなす角をθ、前記液晶材料の屈折率をｎ、投影光学系のＦ数をＦとすると、θが
　【外１】
を満たす請求項６に記載の表示装置。
　【請求項８】　前記θは、１０〜３０°である請求項７に記載の表示装置。
　【請求項９】　前記反射電極の下部に厚い絶縁層、前記反射電極間の境界部に薄い絶縁層を有する請求項５〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１０】　複数の信号線と同一層の配線層の間隔が、前記反射電極の間の下部で、前記反射電極の下部よりも広い請求項５〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１１】　隣合う前記反射電極の端部が、画素の境界平面に対して非対称である請求項５〜１０のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１２】　前記反射電極と前記透明電極の角度が異なる請求項１〜１１のいずれか１項に記載の表示装置。
　【請求項１３】　前記一方に基板は、複数の走査配線と、複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線の交差部に配された画素スイッチを有する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、画像・文字などを表示する装置、特に液晶パネルを使った表示装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　今日、世の中はマルチメディア時代の到来により、画像情報を簡単、感覚的に受信、発信を実現するマンマシンインタフェイスとしての表示装置の開発が望まれている。なかでも、液晶表示装置は、薄型で消費電力が小さく、高解像のものが得られるため、注目を集めている。
　【０００３】
　現在、液晶表示装置は、主に１０インチサイズのノートパソコンに使用されている。その方式の主流は、透過型である。これは、簡単な構造で高コントラストな表示が実現できるからである。しかし、開口率が３０〜５０％と小さく、明るい表示のためには、バックライトのパワーが必要であり、消費電力が小さい液晶表示装置の本来の特質が失われてしまう。一方、反射型は、明るい外光を照明光として利用できるため、照明光などのパワーが不要になるなど透過型よりも、技術的ポテンシャルが高い。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、現実的には反射型はあまり実用化されていない。反射型の場合、反射電極からの信号光以外に、あらゆる箇所から表示信号と無関係の反射光が使用者の目に入ってしまい、なかなかコントラストの高い表示ができないからである。なお、透過型の場合、不要な光は、遮光層などで遮られるので使用者の目に入らない。
　【０００５】
　そこで、本発明は、反射型の表示装置を実用化するために、ノイズとなる表示信号と無関係の反射光成分を取り除き高コントラストの表示を実現することを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　以上の問題を解決するために、本発明者らが鋭意努力した結果、以下の発明を得た。すなわち、本発明の表示装置は、複数の反射電極を有する一方の基板と、前記基板に対向し透明電極を有する他方の基板と、前記双方の基板の間に液晶材料を備える表示装置において、前記反射電極の間もしくは、前記反射電極からなる表示部の周辺領域の少なくとも一部に遮光層が配され、
前記反射電極表面がケミカルメカニカルポリッシング処理され、
　【０００７】
　【外２】
を満たすのが望ましい。このなかでもθは、１０〜３０°であるとよい。反射電極の下部に厚い絶縁層、反射電極間の境界部に薄い絶縁層を有することでこの構造が作製できる。反射電極と反射電極の下部の遮光層と、両者の間の絶縁層で保持容量を形成することもできる。複数の信号線と同一層の配線層の間隔が、反射電極の間の下部で、反射電極の下部よりも広くても、本発明の構造を作製できる。隣合う前記反射電極の端部が、画素の境界平面に対して非対称であってもよい。反射電極と他方の基板の透明電極の角度が異なるとさらに効果がある。一方の基板は、複数の走査配線と、複数の信号配線と、前記走査配線と前記信号配線の交差部に配された画素スイッチを有するアクティブマトリックス基板であるとよい。
　【０００８】
　また、遮光層で反射する光の方向と反射電極で反射させる光の方向を、反射させる以外にも、反射電極と遮光層の反射特性を変えるために、それぞれが反射する光の方向を変えないで、材料を変えることができる。このとき、反射電極の材料が主にＡｌで、遮光層の材料が主にＴｉ，ＴｉＮ，Ｗ，Ｍｏから選ばれる材料であるのが望ましい。
　【０００９】
　ここで、主にＡｌであるというのは、材料がＡｌ，ＡｌＳｉ，ＡｌＳｉＣｕ，ＡｌＣｕ，ＡｌＧｅ，ＡｌＧｅＣｕを含む。また、本発明の遮光層は、反射電極の下層にあるとよい。
　【００１０】
　反射電極の反射率としては、望ましくは、８０％以上であり、さらに望ましくは９０％以上が良い。これらの高反射率は、Ａｌ表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈ
ａｎ
　【００１１】
　本発明の反射電極と遮光層の反射率を変える形態により、反射電極と遮光層との反射率が、ほぼ同等の時に比べて、反射電極の反射率が８０％、遮光層の反射率が７０％の時、コントラストは、１０％向上する。また反射電極の反射率が９０％に向上し、一方遮光層の反射率が、６０％さらに４０％に低下すると、さらにコントラストは、３０％、５０％向上する。
　【００１２】
　一方、反射電極表面粗さと遮光層の表面粗さとの違いをつけ、反射特性を変える事によっても、高コントラストを達成することが可能になる。反射電極の表面粗さをｐｅａｋ　ｔｏ　ｖａｌｌｅｙで評価した時、望ましくは１０００Å以下であり、さらには５００Å以下になっていることが好適である。一方、遮光
層
て
　【００１３】
　上記表面粗さを実現するためには、反射電極の形成時に、反射電極の下地絶縁層の表面平坦性を向上し、高真空のスパッタ装置でＡｌ系の成膜をすることにより１０００Å下が実現できる。さらにその表面をＣＭＰ処理を施し、表面に付着したスラリーを洗浄し、とり除くことにより５００Å以下が実現できる。
　【００１４】
　一方、遮光層の表面粗さに関しては、たとえば、Ｗ材料を用いて、ＣＶＤ装置により成膜することにより１５００Å以上の表面粗さとなる。さらに、表面粗さを増加されるためには、遮光層膜厚を増加させることにより制御可能である。
　【００１５】
　【発明の実施の形態】
　以下に、本発明の実施の形態を５つ液晶パネルを挙げて記述するが、それぞれの形態に限定されるものではない。相互の形態の技術を組み合わせることによって効果が増大することはいうまでもない。また、液晶パネルの構造は、半導体基板を用いたもので記述しているが、必ずしも半導体基板に限定されるものではなく、通常の透明基板上に以下に記述する構造体を形成してもいい。また、以下に記述する液晶パネルは、すべてＴＦＴ型であるが、ＭＩＭ型や単純マトリックス型であってもいい。さらに、以下に記述する液晶パネルは、家庭用テレビはもちろん、プロジェクタ、ヘッドマウントディスプレイ、３次元映像ゲーム機器、ラップトップコンピュータ、電子手帳、テレビ会議システム、カーナビゲーション、飛行機のパネルなどの表示装置として有効である。
　【００１６】
　（実施形態１）
　本発明の実施形態１は、画素反射電極のすき間に画素反射電極と異なる角度を有する遮光層を設けるため、各画素反射電極のすき間と画像表示領域の外周部にフィールド酸化膜のくびれ部を形成し、その段差を上層の遮光金属層の形状に反映させる。また、画素反射電極の周辺領域の遮光層も同様に角度を異ならせる。画素反射電極は、入力される信号に応じて液晶材料の透過率を変え、照明光を変調する。変調された反射光は、画素反射電極の表面で正反射し、使用者の目に届く。一方、画素反射電極のすき間または周辺領域の遮光層の角度は、画素反射電極の角度と異なるために、遮光層の表面からの正反射光は、画素反射電極に変調された反射光とは、別の方向に反射され、使用者の目に届かない。このため、画素反射電極の正反射光のみ通過させる光学系を介して、変調された信号を取り出せば、反射液晶パネルの問題であるコントラスト低下が解消できる。
　【００１７】
　図１は、実施形態１を使った反射型ＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶表示パネルの平面図（ａ）と、平面図（ａ）のＸ１−Ｘ’１での断面図（ｂ）を表す。図中、１は半導体基板、２はフィールド酸化膜、３，４，５はパネルの駆動用周辺回路を構成するＭＯＳＦＥＴのソース・ドレイン・ゲートである。６，７，８は表示領域における画素スイッチになる薄膜トランジスタのソース・ドレイン・ゲート、９はデータ配線、１０は金属電極、１１は画素反射電極、１２は遮光金属層、１３は絶縁層である。１４は液晶材料、１５は対向透明基板、１６は共通透明電極、１７はスルーホール、１８は各画素の境界部、１９はフィールド酸化膜のくびれ部、２０は表示領域周辺の駆動回路である。
　【００１８】
　図１の場合、半導体基板１はｐ型基板、パネルの駆動用周辺回路を構成するＭＯＳＦＥＴはｎチャンネルであるが、基板がｎ型で、ＭＯＳＦＥＴがｐチャンネルであってもいい。表示領域周辺の駆動回路２０は低消費電力特性のために、ｐチャンネルＭＯＳＦＥＴを組み込んだＣＭＯＳで構成するのがよい。このとき、ＣＭＯＳで構成するだけでなく、ｎｐｎ、ｐｎｐバイポーラも設け、液晶駆動用回路にビデオ回路を組み込むこともできる。薄膜トランジスタ６，７，８は、ソース６を垂直方向に配置した信号線９と、ドレイン７をスルーホール１７に形成した金属電極１０を介して画素反射電極１１と、ゲート８を水平方向に配置した駆動線と接続する。画素反射電極１１の下部には、共通透明電極１６と同電位にした遮光金属層１２があり、絶縁層１３を画素反射電極１１と遮光金属層１２とで挟むことで保持容量として機能する。このとき、絶縁層１３に高誘電率の材料を用いると保持容量が大きくなり、映像信号の保持効果が大きくなる。このため、絶縁層１３に、通常のＳｉＯ２を使う以外に、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＴＡ２Ｏ５、ＢＳＴなどが適している。また、画素反射電極１１の下部と遮光金属層１２の上部に、ヒロックを防止できるＴｉ、ＴｉＮ、ＴｉＷなどと設けるといい。画素反射電極１１の表面はケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）法で平坦化するのが望ましい。液晶材料１４には、ゲストホストタイプ型やＦＬＣなどの偏光型や、高分子分散型液晶などの散乱型を用いることができる。共通透明電極１６は、透明基板１５の液晶材料側の面に設ける。
　【００１９】
　くびれ部のあるフィールド酸化膜２は、半導体基板１上に、選択酸化法（ＬＯＣＯＳ）によって形成する。つぎに、フィールド酸化膜２の厚い部分に、よく知られた工程によってＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を作製し、それぞれを分離する絶縁層を形成する。この絶縁層は、フィールド酸化膜２のくびれ部の形を保っている。そして、遮光金属層１２をくびれ部の形を保った絶縁層の上に積層させると、図１のように遮光金属層１２は画素反射電極１１のすき間でくびれ部の形を保ったものになる。
　【００２０】
　つぎに、照明系からの入射光がすき間の遮光金属層１２に反射されたノイズ光が、投射光学系へ入らないようにするには、すき間の遮光金属層１２の角度をどのくらいにすればいいかについて考える。図６は、照明系からの射出光が液晶パネル（ＬＣＤ）で映像によって変調され、反射されて投射光学系へ入射される様子を表す。照明系射出瞳と投射光学系の入射瞳が共役な光学系の場合、照明系の射出瞳から発生された光のうち液晶パネルの画素反射電極上の反射面で反射された光はすべて投射光学系へ入射される。液晶パネルの画素反射電極で反射された光は、光線▲１▼→▲４▼，▲２▼→▲５▼，▲３▼→▲６▼の経路をたどる。そこで、照明系から射出され、すき間の遮光金属層１２で反射したノイズ光は、必ず投射光学系の入射瞳の外側に導いてやらねばならない。例えば、入射瞳の端の光線▲１▼がすき間の遮光金属層１２で１回反射されたとき、その反射光が投射光学系の入射瞳に入らないようにするには、本来、画素反射電極１２で反射されて進む光線▲４▼より２α以上時計回り傾いて進む必要がある。ここでαは、投射光学系のＦ数をＦとすると、α＝ｔａｎ−１（１／２Ｆ）で表せる。
　【００２１】
　図２（ａ）〜（ｅ）は、画素反射電極１１のすき間にある遮光金属層１２の角度による反射光の方向を表す図である。（ａ）は入射光が液晶パネルに垂直に入ってきて遮光金属層１２で１回反射して射出される場合、（ｂ）は２回反射して射出される場合、（ｃ）は３回反射して射出される場合、（ｄ）は４回反射して射出される場合、（ｅ）は５回反射して射出される場合の反射光の方向を表している。ここで、まず、１回反射する場合の（ａ）について考える。すき間の遮光金属層１２と画素反射電極１１のなす角度をθとする。画素反射電極１２で反射光の方向は、液晶パネルにほぼ垂直な方向なので、すき間の遮光金属層１２で反射されて、射出されるノイズ光の方向は、液晶パネルの法線２α以上の角度がなければならない。液晶材料の屈折率をｎ、液晶材料内でのすき間の遮光金属層１２の反射光と法線のなす角を２βとすると、２β＝２ｎαとなる。また１回反射の場合、θ＝βなので、θ＞α／ｎ＝｛ｔａｎ−１（１／２Ｆ）｝／ｎとすればいい。実際の液晶材料の屈折率ｎは約１．５であり、Ｆとして４，２．８，２．０を当てはめたのが表１である。
　【００２２】
　【表１】
例えば投射光学系のＦ数が２．８なら、θは６．７５°以上が適当ということになる。
　【００２３】
　しかし、θがあまりに大きすぎると（ｂ）のようにすき間の遮光金属層１２で２回反射することになる。（ｂ）のようなすき間で２回反射するとき、θ＝４５°±θ２とすると、２β＝４ｎθとなる。このとき、すき間からのノイズ光が、２α以上の角度になるためには、２β＝２ｎαより、θが表２の４５°±θ２の範囲以外であればいい。すなわち、θは４５°±｛ｔａｎ−１（１／２Ｆ）｝／２ｎ）の範囲以外がいい。
　【００２４】
　【表２】
　【００２５】
　また、（ｃ）のように３回反射する場合は、θ＝６０°±θ３とすると２β＝６ｎθとなる。このとき、θは表３の６０°±θ３の範囲以外であればいい。すなわち、θは６０°±｛ｔａｎ−１（１／２Ｆ）｝／（３ｎ）の範囲以外がいい。
　【００２６】
　【表３】
　【００２７】
　また、（ｄ）のように４回反射する場合は、θ＝７２°±θ４とすると２β＝８ｎθとなる。このとき、θは表４の７２°±θ４の範囲以外であればいい。すなわち、θは６７．５°±｛ｔａｎ−１（１／２Ｆ）｝／（４ｎ）の範囲以外がいい。
　【００２８】
　【表４】
　【００２９】
　また、（ｅ）のように５回反射する場合は、θ＝７２°±θ５とすると２β＝１０ｎθとなる。このとき、θは表４の７２°±θ５の範囲以外であればいい。すなわち、θは７２°±｛ｔａｎ−１（１／２Ｆ）｝／（５ｎ）の範囲以外がいい。
　【００３０】
　【表５】
　【００３１】
　以上のような考察から、画素反射電極１１のすき間の遮光金属層１２の角度θとして最適なのは、
　【００３２】
　【外３】
となる。図８は、照明系の射出光がすき間部の遮光金属層１２で複数回反射する場合を考慮し、すき間部の遮光金属層１２の適切な角度θを、投影光学系のＦ数を縦軸にして当てはめたグラフである。ここで、斜線はすき間部の遮光金属層１２がとってはいけない角度を表し、白は可能な領域を表す。ここで、角度θが９０°に近いところを可能な領域としているのは、反射回数が多ければ、実質的にノイズ光が外部に出ないからである。また、θの値に少し余裕を持たせれば、θは１０〜３０°が望ましい。
　【００３３】
　（実施形態２）
　本発明の実施形態２は、画素反射電極のすき間と表示部の周辺領域に画素反射電極と異なる角度を有する遮光層を設けるため、配線層を用いて、各画素反射電極のすき間と周辺領域に段差形状を作り、その段差を上層の遮光金属層の形状に反映させる。つまり、各画素反射電極のすき間には、配線層を設けず、画素反射電極の下部には、配線として機能しなくても平坦性を実現するダミー配線を設ける。これは、配線の間隔が所望のものよりも狭くなると配線上部の相関絶縁膜は平坦に、一方、広くすると段差が生じる特性を利用している。
　【００３４】
　図３は、実施形態２を使った反射型ＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶表示パネルの断面図を表す。２２はウェル領域、２３はウェル電位固定用高濃度不純物層、２４は反射防止膜、２６はダミー配線、２７は配線層のすき間の大きいところ、２８は配線層のすき間の小さいところである。図１と同じ部品については説明を省略する。
　【００３５】
　半導体基板１は図３のようにｎ型であっても、ｐ型であってもいい。ウェル領域２２は半導体基板１と逆導電型になる。図３は、周辺回路３，４，５と画素スイッチ６，７，８をｎチャンネルＭＯＳＦＥＴで構成することを表しているが、走査回路を含む周辺回路をＣＭＯＳで構成し、画素スイッチをｎチャンネルとｐチャンネルのＭＯＳＦＥＴからなるトランスミッションゲート構成にする方が望ましい。ウェル電位固定用高濃度不純物層２３は図３ではｐ＋であるがｎ＋であってもいい。
　【００３６】
　対向透明基板１５と共通透明電極１６は、ノイズ反射光が同一方向に射出されることを防止するために、図３の２５のように表面の角度を画素反射電極１１と異なるように山型の形状にしている。この山型の周期は、１画素につき１山の半分作るのが最もよいが、１画素につき複数山でも、複数画素につき１山でも大きな効果がある。もちろんこの間の周期でも効果があることはいうまでもない。また、山の周期と画素の周期が合っていなくてもよい。また、２５の表面の角度は１〜２５°が望ましいが、投射光学系のＦ数が２〜４程度の場合、４〜１２°だとさらに望ましい。
　【００３７】
　実施形態２では、配線層９，１０，２６を用いて、画素反射電極１１のすき間あるいは外周部に段差形状を作り、すき間あるいは外周部の遮光金属層１２の表面角度と画素反射電極１１の角度を変える。このとき、図３の２６のように、配線として機能しなくても、平坦性を実現するダミー配線を設ける。つまり、配線の間隔がある程度狭くなると、配線上部の層間絶縁層３０は平坦に、一方、広くすると層間絶縁膜２９に段差が生じる特性を利用している。この段差を生じさせる配線の間隔は、１．５μｍ以上が望ましい。これらの層間絶縁膜の材料として望ましいのは、プラズマＣＶＤで形成したＳｉＯ２、ｐ−ＳｉＯ／Ｏ３−ＴＥＯＳ／ｐ−ＳｉＯの３層構造などステップカバレッジの良好な絶縁層成膜技術で積層した絶縁層が適している。ここでｐ−ＳｉＯは、プラズマＣＶＤで形成したＳｉＯ膜を表す。これは、３層構造にすることにより、ＴＥＯＳの水分吸収の防止などにより、層間絶縁膜の安定化が図れるからである。したがって、図３の２７，２８に表すように、画素反射電極１１間における配線層間隔は、それ以外の表示領域よりも広くなっている。
　【００３８】
　また、表示部の周辺領域に同一構造の領域（ダミー領域）５２を設けるといい。周期構造が急になくなるとその境界部から回折反射光が入る。このダミー領域５２は、回折反射光を防止でき、高コントラストが実現できる。さらに、表示部の周辺領域の配線とダミー配線に、表示部の画素反射電極１１のすき間と同じような間隔をあけて、遮光金属層１２表面に凹凸をつけとおくといい。これによって、画素反射電極１１のすき間同様、周辺領域からの反射光も画素反射電極１１からの反射光と異なる方向に進むのでさらに高コントラストが実現できる。
　【００３９】
　実施形態２は、画素スイッチに単結晶ＭＯＳＦＥＴを用いているので、高速に駆動できるだけでなく、素子の特性ばらつきはなく、安定性、信頼性も高くなり歩留まりも向上する。
　【００４０】
　（実施形態３）
　本発明の実施形態３は、画素反射電極のすき間に画素反射電極と異なる角度を有する遮光層を設けるため、多結晶Ｓｉ上に遮光層を設けて多結晶Ｓｉの粒径に対応した凹凸を形成する。つまり、粒径に対応した凹凸をよって光が散乱し、ノイズ光が使用者の目に入るのが防げる。
　【００４１】
　図４は、表示部の隣接する画素部の断面構造を表す図である。図中、３１は画素スイッチ用ＴＦＴのチャンネル、３２は多結晶Ｓｉ、３３は画素反射電極のすき間にある段差付きの光散乱層である。図１と図３と同じ部品については説明を省略する。
　【００４２】
　半導体基板１とウェル領域２２は、図４でそれぞれｎ型、ｐ型になっているが、それぞれが入れ替わってもいい。また、選択酸化法で形成することで、フィールド酸化膜２の画素と画素との境界部３４に、フィールド酸化膜２のない領域が形成できる。画素スイッチのゲート部８は、下層３２に多結晶Ｓｉ、上層３３にタングステンシリサイド（ＷＳｉ）もしくはタングステン（Ｗ）の２層構造となる。このとき、上層３３は多結晶Ｓｉの粒径に対応した凹凸が形成される。この凹凸は、下層３２の多結晶Ｓｉを成膜した後、酸化処理とＨＦによる酸化膜剥離をおこなうことによって形成できる。この表面にＷを成膜し、熱処理することによって、以上のような構造が実現できる。このとき、画素スイッチのゲート部８と同時に、画素反射電極１１のすき間部の下部に多結晶ＳｉとＷの２層構造７７を作っておく。
　【００４３】
　実施形態３は、信号配線などの配線層１０と走査配線などの配線層８やそれと同じ層にあるダミー配線３３を使って、遮光をおこなっている。つまり、配線層１０が覆えない部分は、配線層１０の下部の多結晶ＳｉとＷの２層構造８，３３に覆われている。このため、実施形態３は、実施形態１や２のような遮光金属層を使わずに、画素スイッチヘの光を遮光することができる。よって製造コストが省ける。また、多結晶Ｓｉの配線層３２，３３の表面にＷを積層させているので、光の反射率が小さくなって遮光の効果がおおきいばかりでなく、配線層３２，３３の抵抗が下がり高品位パネルでの高速駆動に有利である。
　【００４４】
　（実施形態４）
　本発明の実施形態４は、画素反射電極のすき間に使用者の目に入る光の散乱を防止する遮光層を設けるため、隣接する画素反射電極の端部の形を異ならせる。これにより、ノイズ光を使用者の目に入る方向とは別の方向に進ませることができ、液晶パネルの光コントラストが実現できる。
　【００４５】
　図５は、表示部の隣接する画素部の断面構造を表す図である。図中、４０は画素反射電極１１のすき間にある遮光層、４１は画素反射電極１１のすき間のちょうど真ん中を表す。図４までと同じ符号は、図４までと同じ部分を表すので説明を省略する。実施形態４は、フィールド酸化膜２のない領域と、配線層の間隔の広い領域の中心位置４１に対して、隣接する画素反射電極１１の位置関係を非対称にする。つまり、画素反射電極１１のすき間に入った光は、遮光金属層１２の画素反射電極１１の主面と違う角度をもった部分４０によって、使用者の目に入らない方向に反射される。このため、遮光金属層の４０付近からの反射光は、使用者の目には入らず高コントラストを実現できる。
　【００４６】
　（実施形態５）
　実施形態５は、画素反射電極と各画素反射電極の間の遮光層とを平行なままに保ち、それぞれの材料を変えることにより、反射特性を変える。また、表示領域内に、一部フィールド酸化膜のない領域（ＡＣＴ領域：通常はトランジスタを形成するアクティブ領域）を設け、その部分にウェル領域２２あるいは基板電位を固定する高濃度不純物領域を設ける。図９は、実施形態５を使った反射型ＴＦＴ型アクティブマトリックス液晶表示パネルの断面図を表す。１２は照射光が半導体基板１上の素子や回路に当たらないようにする遮光金属層、２１は絶縁層、１８は電源の接続する配線である。以前と同じ符号は以前と同じ部品を表すので、説明を省略する。表示領域の半導体基板１とウェル領域２２の電位は、フィールド酸化膜２の間に設けたｐ型の高濃度不純物領域２３によって表示部の周辺部の電源電位に固定される。この高濃度不純物領域２３は、周辺駆動回路にあるｐチャンネルＭＯＳＦＥＴ３，４，５や表示領域にあるｐチャンネルの薄膜トランジスタ６，７，８のソース・ドレインといったｐ＋領域と一緒に形成できるので、製造工程が簡単でまた、濃度の濃い領域を形成することができる。よって、さらに低コストでパネルを構成でき、高濃度不純物領域の抵抗が小さくなり、基板電位の安定化ができる。
　【００４７】
　ここで、スパッタ装置で画素反射電極１１となるＡｌＳｉ（Ｓｉは１％）の成膜をｐ−ＳｉＯ上に形成した時の表面反射率は８５％、一方、遮光層のＴｉも同様の装置にて成膜した時の表面反射率は５８％であった。このときＴｉの表面凹凸（粗さ）は、成膜の厚さが１７５０Åの時、最大最小で１９０Åであった。また、画素反射電極１１となるＡｌＳｉをＣＭＰで研磨すると、表面反射率は、９５％以上になる。このため、遮光金属層１２で反射したノイズ光を大きく低減することができ、高コントラストな表示ができる。
　【００４８】
　また、実施形態５では、遮光金属層１２と画素反射電極１１と、その間にある絶縁層１３により、映像信号の保持容量を形成している。このとき、遮光金属層１２の電位は透明共通電極１６と同じ電位に保っておくとよい。遮光金属層１２の上部または下部にＴｉ、ＴｉＮなどを設けることによりヒロックなどで容量不良となることを防ぐことができる。絶縁層１３に、通常のＳｉＯ２以外、ＳｉＮ、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯＮを用いると、小さい面積で大きな容量を形成できる。これらにより、さらに小さい画素サイズが実現でき、高精細、高コントラストな表示が実現できる。
　【００４９】
　【実施例】
　（実施例１）
　実施例１は、前述した実施形態１を適用した反射型液晶パネルでプロジェクタを作製した例である。本例の具体的な構造は図１に表す。まず、ｐ型のＳｉ基板１を用意して、周辺の駆動回路を作製する。そして、１００℃で２時間、Ｗｅｔ熱酸化して、フィールド酸化膜を形成する。つぎに、ＴＦＴを作製して、それぞれをＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ　Ｐｈｏｓｐｈｉｎｅ　ｄｏｐｅｄ　Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）などの絶縁層で絶縁分離する。絶縁層の上にＴｉ，ＴｉＮで遮光金属層１２を堆積させる。そして、遮光金属層１２の上にｐ−ＳｉＮ，ｐ−ＳｉＯで絶縁層１３を堆積させ、絶縁層１３の上にｐ−ＳｉＮ，ｐ−ＳｉＯで画素反射電極１１を形成する。これで、ＴＦＴなどを組み込んだデバイス基板が完成する。つぎに、このデバイス基板と共通透明電極１６を有する対向基板１５を貼り合わせて、液晶材料１４としてＴＮ液晶を注入して、図１の液晶パネルが完成する。
　【００５０】
　つぎに、完成した液晶パネルを使って、反射型の光学系を作製する。図６は、この光学系の斜視図である。図中、１０１は液晶パネルの駆動と光源コントロール用ボード、１０２は光学ユニット、１０３は光源、１０４は非球面ミラー、１０５は色分解用プリズム、１０６は前述した液晶パネル、１０７はマイクロミラー、１０８はアパチャー、１０９は自由曲面プリズム光学系、１１０はスクリーン、１１８はテレセントリック系のレンズである。１１１，１１２，１１３，１１４，１１５，１１６は光を表す。
　【００５１】
　光源１０３から射出した光束１１１は、非球面ミラー１０４で集光しマイクロミラー１０７に結像する。マイクロミラー１０７かの反射光１１３は色分解プリズム１０５で、赤、緑、青に分解され、液晶パネル１０６に平行光で入射する。液晶パネル１０６は、変調信号に応じて赤、緑、青に分解された光を変調し、変調された反射光１１５はレンズ１１８に再び入射し、暗表示光のみアパチャー１０８を通り抜け、自由曲面プリズム１０９に入射する。この自由曲面プリズム光学系を用いることにより、従来より薄型で収差の少ない像をスクリーン１１０に結像できる。これにより、リア型、フロント型プロジェクション表示装置を高解像度、高輝度、低コスト、小型、高コントラストに作製できた。
　【００５２】
　（実施例２）
　実施例２は、前述した実施形態２を適用した反射型液晶パネルで実施例１と同じくプロジェクション表示装置を作製した例である。本例の具体的な構造は図３に表す。まず、ｎ型のＳｉ基板１を用意して、ｐ型ウェル２２を作製する。そして、選択酸化法によってゲート酸化膜とフィールド酸化膜２を形成し、ゲート電極用の多結晶Ｓｉを成膜する。そしてパターニングして、ゲート電極５，８を作製する。その後、Ｂイオンを注入して、ソース３，６とドレイン４，７を形成して、周辺の駆動回路と画素用のＭＯＳＦＥＴを作製する。それぞれをＰＳＧ，ｐ−ＳｉＯ２，ｐ−ＳｉＮで絶縁分離する。そして、配線層９，１０を作製して、その上にｐ−ＳｉＯ／Ｏ３−ＴＥＯＳ／ｐ−ＳｉＯで絶縁層を堆積させ、絶縁層の上にＴｉ，ＴｉＮ，Ｗで遮光金属膜を形成する。そして、絶縁層を堆積させたあと、画素反射電極１２を形成する。これで、デバイス基板が完成する。あとは、実施例１と同様である。
　【００５３】
　【発明の効果】
　本発明によれば、画素反射電極の間もしくは、前記画素反射電極からなる表示部の周辺領域の下層に少なくとも一部に遮光層があり、前記画素反射電極と前記遮光層が異なる反射特性を有するので、使用者の目に周辺領域または画素反射電極のすき間からのノイズ光が入らない。このため、使用者はコントラストの大きい画像表示を見ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施形態１を表す図
　【図２】
　画素反射電極のすき間のノイズ光の反射を表す図（ａ）〜（ｅ）
　【図３】
　本発明の実施形態２を表す図
　【図４】
　本発明の実施形態３を表す図
　【図５】
　本発明の実施形態４を表す図
　【図６】
　実施例１のプロジェクション表示装置を表す図
　【図７】
　照明系から射出光が液晶パネルで反射する光路図
　【図８】
　画素反射電極のすき間の遮光金属膜がとりうる角度を表すグラフ
　【図９】
　本発明の実施形態５の液晶パネルの断面図
　【符号の説明】
　１　半導体基板
　２　フィールド酸化膜
　３　ＭＯＳＦＥＴのソース
　４　ＭＯＳＦＥＴのドレイン
　５　ＭＯＳＦＥＴのゲート
　６　画素トランジスタのソース
　７　画素トランジスタのドレイン
　８　画素トランジスタのゲート
　９　データ配線
　１０　金属電極
　１１　画素反射電極
　１２　遮光金属層
　１３　絶縁層
　１４　液晶材料
　１５　対向透明基板
　１６　共通透明電極
　１７　スルーホール
　１８　画素の境界部
　１９　フィールド酸化膜のくびれ
　２０　表示領域周辺の駆動回路
　２１　層間絶縁膜
　２２　ウェル領域
　２３　ウェル領域固定用高濃度不純物層
　２４　反射防止膜
　２６　ダミー配線
　２７　配線層のすき間の大きいところ
　２８　配線層のすき間の小さいところ
　３１　薄膜トランジスタのチャンネル