【事件の表示】
　特許第３０２８６４８号「ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０２８６４８号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０２８６４８号に関する手続きの経緯の概要は以下のとおりである。
平成３年７月１７日　　　特許出願
平成１２年２月４日　　　特許の設定登録
平成１２年４月４日　　　特許掲載公報の発行
平成１２年１０月４日　　特許異議の申立て（東京応化工業株式会社）
平成１３年１月２２日付　取消理由通知
平成１３年４月２日　　　意見書及び訂正請求
平成１３年７月１２日付　審尋（特許異議申立人宛）
平成１３年９月２５日　　回答書
平成１３年１２月５日付　取消理由通知
平成１４年２月５日　　　意見書及び訂正請求
平成１４年２月５日　　　平成１３年４月２日付訂正請求の取下げ
　
２．訂正の適否
２−１．訂正事項
　平成１４年２月５日付訂正請求による訂正事項は、次のとおりである。
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１に、「（ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンを除く）」とあるのを、「（ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、下記式
ここで、Ｒ１ 〜Ｒ６ は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７ とＲ８ は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物、下記式
で表される化合物および下記式
で表される化合物を除く）」と訂正する。
　
訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項４に、「分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物」とあるのを、「分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物（ただし、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび下記式
ここで、Ｒ１ 〜Ｒ６ は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基、あたはアルコキシ基であり、Ｒ７ とＲ８ は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物を除く）」と訂正する。
　
訂正事項ｃ
　段落【０００６】に、「・・・チル］ベンゼンを除く）」とあるのを、「・・・チル］ベンゼン、下記式
ここで、Ｒ１ 〜Ｒ６ は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７ とＲ８ は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物、下記式
で表される化合物および下記式
で表される化合物を除く）」と訂正する。
　
訂正事項ｄ
　段落【０００８】に、「・・・フェノール性化合物」とあるのを、「・・・フェノール性化合物（ただし、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび下記式
ここで、Ｒ１ 〜Ｒ６ は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７ とＲ８ は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物を除く）」と訂正する。
　
訂正事項ｅ
段落【００１９】に、「ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−・・・−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンは包含されない。」とあるのを、「ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、下記式
ここで、Ｒ１ 〜Ｒ６ は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７ とＲ８ は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物および下記式
で表される化合物を除く。」と訂正する。
　
訂正事項ｆ
　段落【００１９】末尾に「挙げることができる。」とあるのを、「挙げることができる。ただし、本願請求項４のポジ型レジスト組成物にあっては、フェノール性化合物から、さらに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンが除かれる。」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項追加の有無、及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否
　訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１に記載された「（ｂ）分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物」に包含される化合物の中から、後に詳述するとおり、取消理由通知に引用された先願明細書に記載された発明に記載された化合物を除外するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。そして、「・・・を除く」という記載は、願書に添付された明細書に当該化合物を除外する根拠が明記されていなくても、先行技術との重複を回避するためであれば例外的に認められているところであるから、該訂正は、願書に添付された明細書に記載された事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　さらに、訂正事項ｂ〜ｆは、いずれも訂正事項ａによる特許請求の範囲の訂正と、発明の詳細な説明の記載との整合性をとるために訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、また、いずれも願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内の訂正であり、しかも特許請求の範囲を実質的に拡張し又は変更するものでもない。
　
２−３．訂正の適否に対する結論
　以上のとおり、本件訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
３−１．本件発明
　本件の請求項１乃至４に係る発明は、前記訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】（ａ）標準ポリスチレン換算重量平均分子量が４，０００〜２０，０００の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部、（ｂ）分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物（ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、下記式
ここで、Ｒ１ 〜Ｒ６ は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７ とＲ８ は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、で表される化合物、下記式
で表される化合物および下記式
で表される化合物を除く）５〜１００重量部および（ｃ）下記式（１）
【化１】
ここでＲ１ 〜Ｒ１９は同一もしくは異なり、水素原子、水酸基、Ｃ１ 〜Ｃ６ のアルキル基、Ｃ６ 〜Ｃ１４のアリール基またはＣ７ 〜Ｃ１８のアラルキル基であり（ただし、Ｒ１ 〜Ｒ５ の少なくとも１つ、Ｒ６ 〜Ｒ１０の少なくとも１つおよびＲ１５〜Ｒ１９の少なくとも１つは水酸基であるものとする）、Ｒａ 、Ｒｂ およびＲｃ は同一もしくは異なり、水素原子又はＣ１ 〜Ｃ６ のアルキル基である、で表されるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル１〜８５重量部を含有してなるポジ型レジスト組成物の感放射線性層に所定のマスクパターンを介して放射線を照射し、加熱を行い、次いで現像することを特徴とするパターン形成法。
【請求項２】分子量が１００〜１，０００の範囲に有るフェノール性化合物が下記式
【化２】
　
  
     
ここで、ａ、ｂおよびｃはそれぞれ０〜３であり（ただし、全てが０であることはない）、ｘ、ｙおよびｚは０〜３の数である、で表される請求項１に記載のパターン形成法。
【請求項３】加熱の温度が９０〜１４０℃である請求項１に記載のパターン形成法。
【請求項４】（ａ）標準ポリスチレン換算重量平均分子量が４，０００〜２０，０００の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部、（ｂ）下記式
【化３】
  
   
  
ここで、ａ、ｂおよびｃは、それぞれ０〜３であり（ただし、全てが０であることはない）、ｘ、ｙおよびｚは０〜３の数である、で表される分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物（ただし、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび下記式
ここで、Ｒ１ 〜Ｒ６ は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基、あたはアルコキシ基であり、Ｒ７ とＲ８ は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、で表される化合物を除く）５〜１００重量部および（ｃ）下記式（１）
【化４】
　
ここでＲ１ 〜Ｒ１９は同一もしくは異なり、水素原子、水酸基、Ｃ１ 〜Ｃ６ のアルキル基、Ｃ６ 〜Ｃ１４のアリール基またはＣ７ 〜Ｃ１８のアラルキル基であり（ただし、Ｒ１ 〜Ｒ５ の少なくとも１つ、Ｒ６ 〜Ｒ１０の少なくとも１つおよびＲ１５〜Ｒ１９の少なくとも１つは水酸基であるものとする）、Ｒａ 、Ｒ ｂおよびＲｃ は同一もしくは異なり、水素原子又はＣ１ 〜Ｃ６ のアルキル基である、で表されるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル１〜８５重量部、
を含有してなることを特徴とする、ポジ型レジスト組成物」
　
３−２．特許異議申立の理由の概要
特許異議申立人は、
甲第１号証　特願平１−３４２１９１号出願の願書に最初に添付した明細書　　　　　　及び図面（特開平３−２００２５１号公報をもって代える）
甲第２号証  「ファインケミカル」第１７巻第１０号、１９８８年６月１５　　　　　　日、（株）シーエムシー発行、三井石油化学広告欄
甲第３号証  １９９３〜９４年版「ケミカルスガイド」平成５年３月１日、　　　　　　化学工業時報社発行、第７８０頁
甲第４号証  東京応化工業株式会社開発本部先端材料開発一部主任　宮城賢　　　　　　作成の平成１２年９月２９日付実験成績証明書
甲第５号証　特開昭６２−２８０７３７号公報
甲第６号証　特許第２９２１５１８号掲載公報
を提出して、
(１)本件の訂正前の請求項１ないし４に係る発明は、甲第２号証ないし甲第４号証の記載事項を参酌すれば、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができないものであり、
(２)本件の訂正前の請求項４に係る発明は、甲第６号証出願の発明と同一であるから、特許法第３９条第１項の規定により特許を受けることができないものであるから、
訂正前の特許請求の範囲請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すべき旨主張する。
　
３−３．甲号各証に記載された発明
(１)甲第１号証
(1a)「アルカリ可溶性フェノール樹脂、キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤および一般式（Ｉ）で示される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（Ｉ）　
Ｒ１〜Ｒ６：同一又は異なって、水素、ハロゲン、アルキル基又はアルコキ
　　　　　　シ基
Ｒ７，Ｒ８：同一又は異なって、水素、アルキル基又はヒドロキシアルキ
　　　　　ル基
ｎ＝１，２，３又は４」（特許請求の範囲）に関し、
一般式（Ｉ）で示される化合物の具体例として
(1b)「（２０）
 」（第４頁右下欄）及び
(1c)「（２４）
」（第５頁左上欄）、
が記載され、実施例として
(1d)「実施例９　ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールをモル比で７：３の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００重量部、トリスフェノールＰＡ（三井石油化学製）の９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物３５重量部、（２０）式に示す増感剤７重量部をエチルセロソルブアセテート３５０重量部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。上記レジスト溶液を、シリコンウエハー上にコーターで塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハーをｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６Ａ（ニコン社製，ＮＡ＝０．４５）とテスト用レクチルを用いて露光を行った。次にこのウエハーを１１０℃で６０秒間ＰＥＢした後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、１分間パドル法により現像してポジ型パターンを得た。」（第８頁右上欄第９行〜左下欄第８行）、
(1e)「実施例１１　ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールをモル比で５：５の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合してえたノボラック樹脂１００重量部、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンの９５％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物１４重量部、トリスフェノールＰＡ（三井石油化学製）の９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物１８重量部、（２４）式に示す増感剤１０重量部を乳酸エチル３８０重量部に溶解して０．１μｍのテフロンフィルターで濾過しレジスト溶液を調製した。上記レジスト溶液をシリコンウエハー上にコーターで塗布した後、１００℃で９０秒間ベークし、厚さ１．１７μｍのレジスト膜を形成した。このウエハーをｉ線ステッパーＮＳＲ−１５０５ｉ６とテスト用レクチルを用いて露光を行った。次にものウエハーを１１０℃で６０秒間ＰＥＢした後、２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃で、１分間、パドル法により現像してポジ型パターンを得た。」（第８頁右下欄第１９行〜第９頁右上欄第１行）
と記載されている。
　
(２)甲第２号証
　「Ｔｒｉｓ−ＰＡ
」（第１２番目の化合物）
が記載されている。
　
(３)甲第３号証
　「トリスフェノールＰＡ⇒４−｛４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］−α，α−ジメチルベンジルフェノール」（右欄第１６番目の項）
と記載されている。
　
(４)甲第４号証
(4a)甲第１号証の実施例９及び１１に記載されたノボラック樹脂を追試製造して標準ポリスチレン換算重量平均分子量を測定したこと（１．実験の目的）、
(4b)アルカリ可溶性ノボラック樹脂の合成のための操作条件は、甲第５号証に記載の方法を参照して行ったこと（同上）、
(4c)ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比７：３の割合で混合したもの１００ｇに、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６６ｍｌを加え、シュウ酸触媒０．０４ｇを用いて常法により縮合して得たノボラック樹脂について標準ポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ４６６９であったこと（２．実験の操作　実験１）、
(4d)ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとをモル比５：５の割合で混合したもの１００ｇに、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６６ｍｌ及びシュウ酸０．０４ｇを添加し、常法により縮合して得たノボラック樹脂について標準ポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ５７８８であったこと（同実験２）、
が示されている。
　
(５)甲第５号証
　「（２）５００ｍｌフラスコに、ｍ−クレゾール５０ｇ及びｐ−クレゾール５０ｇを仕込んだ後、３７重量％ホルムアルデヒド水溶液６６ｍｌおよび蓚酸０．０４ｇを添加し、これを撹拌しながらフラスコを油浴中に浸し、反応温度を１００℃に保持して、６時間重縮合させることによりノボラック樹脂を得た。反応後、系内を３０ｍｍＨｇに減圧して水を除去し、さらに内温を１３０℃に上昇させて未反応物を留去した。次いで溶融したノボラック樹脂を室温に戻して回収した。」（第７頁右上欄第１０〜１９行）、
と記載されている。
　
(６)甲第６号証
　「【請求項１】（Ａ）アルカリ可溶性ノボラック樹脂、
（Ｂ）一般式（１）：
式中、Ｄは水素原子または１，２−キノンジアジド基を有する有機基であり、但しＤの一部又は全部は１，２−キノンジアジド基を有する有機基である〕で表される１，２−キノンジアジド化合物、および
（Ｃ）１，１−ビス（４−ヒドロキシフエニル）−１−フェニルエタン、１、１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、３，５−ジメチル−４，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビスフェノールＡ、３，５−ジメチル−２’，４−ジヒドロキシジフェニルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルシクロヘキサン、及びポリスチレン換算重量平均分子量（Ｍｗ）が２０００以下のアルカリ可溶性ノボラック樹脂から選ばれる少なくとも１種の溶解促進剤を含有してなる感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】請求項１に記載の組成物であって、前記（Ａ）成分のアルカリ可溶性ノボラック樹脂が、フェノール類とアルデヒド類とを、フェノール類１モルに対してアルデヒド類０．７〜３モルの量で重縮合させて得られたものである感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】請求項１又は２に記載の組成物からなり、ｉ線露光用である感放射線性組成物。」（特許請求の範囲）、
と記載されている。
　
３．対比・判断
３．１　特許法第２９条の２違反について
　甲第１号証には、上記摘示事項のとおり、アルカリ可溶性フェノール樹脂、キノンジアジドスルホン酸エステル系感光剤および一般式（Ｉ）で示される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物に関する発明が記載され、それを用いて形成した感放射線性層に所定のマスクパターンを介して放射線を照射し、加熱を行い、次いで現像するパターン形成法が記載されている。そして、そのポジ型レジスト組成物の構成のうち、アルカリ可溶性フェノール樹脂については、甲第４号証による実施例９の追試結果より、本件請求項１で規定する「標準ポリスチレン換算重量平均分子量が４，０００〜２０，０００の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック樹脂」すなわち（ａ）成分に該当するものと認められる。また、甲第２号証及び甲第３号証の記載から明らかなように、甲第１号証の実施例９、１０及び１１で使用されている「トリスフェノールＰＡ」の１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステルは、本件請求項１で規定する（ｃ）成分のフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステルに該当する。
　しかしながら、甲第１号証のポジ型レジスト組成物における一般式（Ｉ）で示される化合物については、上記訂正によって（ｂ）のフェノール性化合物から除かれた。
　よって、本件請求項１に係る発明が、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　また、本件の請求項２〜３に係る発明は、請求項１の発明の構成を全て引用し、更に、分子量が１００〜１，０００の範囲に有るフェノール性化合物について限定し（請求項２）、また、加熱温度について限定する（請求項３）ものであるから、請求項１に係る発明が、甲第１号証に記載された発明と同一でない以上、請求項２乃至３に係る発明も甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　さらに、請求項１のパターン形成法において使用するポジ型レジスト組成物そのものが、甲第１号証に記載されていないため、請求項１のポジ型レジスト組成物にさらにフェノール性化合物についての限定を加える請求項４のポジ型レジスト組成物の発明も、甲第１号証に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　したがって、本件の請求項１ないし４に係る発明は、特許法第２９条の２第１項の規定により特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　なお、平成１３年１２月５日付取消理由に引用された特開平３−２００２５２号公報（申立人が提出した回答書に添付された参考資料）には、「アルカリ可溶性フェノール樹脂、キノンジアジドスルホン酸系感光剤、および一般式（Ｉ）及び／又は一般式（ＩＩ）で示される化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。」（特許請求の範囲：一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）の構造式は省略する）に関する発明が記載され、実施例９には、ノボラック樹脂１００重量部、（１２）式に示す増感剤７重量部及びトリスフェノールＰＡの９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物３５重量部を含有してなるポジ型レジスト組成物が記載されており、該実施例９における「ノボラック樹脂」、「（１２）式に示す増感剤」及び「トリスフェノールＰＡの９０％が１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸のエステルであるキノンジアジド化合物」は、それぞれ本件請求項１に係る発明の「（ａ）成分」、「（ｂ）成分」及び「（ｃ）成分」に該当するものである。しかしながら、（１２）式に示す化合物は、上記訂正によって（ｂ）のフェノール性化合物から除かれたので、本件請求項１に係る発明は、上記参考資料に記載された発明と重複するところはなく、また同様に、本件請求項２乃至４に係る発明も、上記参考資料に記載された発明と重複しないから、上記参考資料をもってしても、本件請求項１ないし４に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　
３．２　特許法第３９条第１項違反について
　訂正後の本件請求項４に係る発明と、甲第６号証の発明とを対比すると、作用的に、甲第６号証の発明に係るポジ型レジスト組成物の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分は、それぞれ本件請求項４に記載されたポジ型レジスト組成物における（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）成分に対応する。
　しかしながら、甲第６号証における（Ｃ）成分は、上記訂正により、本件請求項４に係る発明の（ｃ）成分から削除されたため、本件請求項４に係る発明は、甲第６号証に記載された発明と重複するところはない。
　したがって、本件発明は、特許法第３９条第１項の規定により特許を受けることができないものであるとすることはできない。
　
４．むすび
  以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に本件請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月１５日（２００２．４．１５）
【訂正の要旨】
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、許請求の範囲の請求項１に、「（ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンを除く）」とあるのを、「（ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物、下記式
で表される化合物および下記式
で表される化合物を除く）」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項４に、「分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物」とあるのを、「分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物（ただし、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基、あたはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物を除く）」と訂正する。
訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、段落【０００６】に、「・・・チル］ベンゼンを除く）」とあるのを、「・・・チル］ベンゼン、下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物、下記式
で表される化合物および下記式
で表される化合物を除く）」と訂正する。
訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、段落【０００８】に、「・・・フェノール性化合物」とあるのを、「・・・フェノール性化合物（ただし、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物を除く）」と訂正する。
訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、段落【００１９】に、「ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−・・・−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼンは包含されない。」とあるのを、「ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物および下記式
で表される化合物を除く。」と訂正する。
訂正事項ｆ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、段落【００１９】末尾に「挙げることができる。」とあるのを、「挙げることができる。ただし、本願請求項４のポジ型レジスト組成物にあっては、フェノール性化合物から、さらに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン）、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンが除かれる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ポジ型レジスト組成物およびパターン形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　（ａ）標準ポリスチレン換算重量平均分子量が４，０００〜２０，０００の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部、（ｂ）分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物（ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン
、下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物、下記式
で表される化合物および下記式
で表される化合物
　【化１】
ここで、Ｒ１〜Ｒ１９は同一もしくは異なり、水素原子、水酸基、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、Ｃ６〜Ｃ１４のアリール基またはＣ７〜Ｃ１８のアラルキル基であり（ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つ、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つおよびＲ１５〜Ｒ１９の少なくとも１つは水酸基であるものとする）、Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは同一もしくは異なり、水素原子はＣ１〜Ｃ６のアルキル基である、
で表されるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル１〜８５重量部を含有してなるポジ型レジスト組成物の感放射線性層に所定のマスクパターンを介して放射線を照射し、加熱を行い、次いで現像することを特徴とするパターン形成法。
　【請求項２】　分子量が１００〜１，０００の範囲に有るフェノール性化合物が下記式
　【化２】
ここで、ａ、ｂおよびｃは、それぞれ０〜３であり（ただし、全てが０であることはない）、ｘ、ｙおよびｚは０〜３の数である、
で表される請求項１に記載のパターン形成法。
　【請求項３】　加熱の温度が９０〜１４０℃である請求項１に記載のパターン形成法。
　【請求項４】　（ａ）標準ポリスチレン換算重量平均分子量が４，０００〜２０，０００の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部、（ｂ）下記式
　【化３】
ここで、ａ、ｂおよびｃは、それぞれ０〜３であり（ただし、全てが０であることはない）、ｘ、ｙおよびｚは０〜３の数である、
で表される分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物
（ただし、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である。
で表される化合物を除く）
　【化４】
ここで、Ｒ１〜Ｒ１９は同一もしくは異なり、水素原子、水酸基、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、Ｃ６〜Ｃ１４のアリール基またはＣ７〜Ｃ１８のアラルキル基であり（ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つ、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つおよびＲ１５〜Ｒ１９の少なくとも１つは水酸基であるものとする）、Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは同一もしくは異なり、水素原子はＣ１〜Ｃ６のアルキル基である、
で表されるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル１〜８５重量部、
を含有してなることを特徴とする、ポジ型レジスト組成物。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ポジ型レジスト組成物およびパターン形成法に関する。さらに詳しくは、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビ−ム等の放射線に感応する高集積回路作成用レジストとして好適なポジ型レジスト組成物およびパターン形成法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ポジ型レジストは、高解像度のレジストパターンを与えるので、集積回路の製造において多く用いられているが、近年における集積回路の高集積化に伴って、より解像度の向上したレジストパターンを形成できるポジ型レジストが望まれている。すなわち、ポジ型レジストによって微細なレジストパターンを形成する場合、放射線照射により形成される潜像をアルカリ性水溶液からなる現像液で現像する際に、放射線照射部がウェーハと接している部分（パターンの裾）まで速やかに現像されることが必要である。
　【０００３】
　また、解像度、パターン形状等を改善する目的で、放射線照射後、現像液で現像する前にレジストを加熱する操作（ＰＥＢ；Ｐｏｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ　Ｂａｋｅ）が、近年行われるようになった。そのため、十分にＰＥＢの効果が発現するレジストが必要とされている。
　しかしながら、従来のポジ型レジストの場合、形成すべきレジストパターンの間隔が０．８μｍ以下になると、ＰＥＢの効果が十分に発現されず微細なパターンでの解像度およびパターン形状が不十分であった。
　【０００４】
　また、集積回路の製造工程においては、レジストパターン形成後、レジストに覆われていないウェーハ表面をエッチングし、その後、レジストを剥離するが、近年では、レジストの剥離方法が剥離液を用いるウェット剥離からプロセスが簡便なプラズマを用いるドライ剥離へと移行している。しかし、ドライ剥離の際、レジストが速やかに剥離される必要があるが、従来のポジ型レジストでは剥離残りを生じさせないために過酷な剥離条件が必要であった。
　【０００５】
　【発明が解決すべき課題】
　本発明の目的は、ポジ型レジスト組成物のパターン形成法を提供することにある。
　本発明の他の目的は、ＰＥＢの効果を十分に引き出すことができ、高感度で、解像度およびパターン形状に優れ、特にドライ剥離性の優れたポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成法を提供することにある。
　本発明のさらに他の目的は、上記の如き特性を備えたポジ型組成物を提供することにある。
　本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明らかとなろう。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第１に、
（ａ）標準ポリスチレン換算重量平均分子量が４，０００〜２０，０００の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部、（ｂ）分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物（ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン
、下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物、下記式
で表される化合物および下記式
で表される化合物
　【化５】
ここで、Ｒ１〜Ｒ１９は同一もしくは異なり、水素原子、水酸基、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、Ｃ６〜Ｃ１４のアリール基またはＣ７〜Ｃ１８のアラルキル基であり（ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つ、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つおよびＲ１５〜Ｒ１９の少なくとも１つは水酸基であるものとする）、Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは同一もしくは異なり、水素原子はＣ１〜Ｃ６のアルキル基である、
で表されるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル１〜８５重量部を含有してなるポジ型レジスト組成物の感放射線性層に所定のマスクパターンを介して放射線を照射し、加熱を行い、次いで現像することを特徴とするパターン形成法によって達成される。
　【０００７】
　本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第２に、
（ａ）標準ポリスチレン換算重量平均分子量が４，０００〜２０，０００の範囲にあるアルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部、（ｂ）下記式
　【０００８】
　【化６】
ここで、ａ、ｂおよびｃは、それぞれ０〜３であり（ただし、全てが０であることはない）、ｘ、ｙおよびｚは０〜３の数である、
で表される分子量が１００〜１，０００の範囲にあるフェノール性化合物
（ただし、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンおよび下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物を除く）
　【０００９】
　
【化７】
ここで、Ｒ１〜Ｒ１９は同一もしくは異なり、水素原子、水酸基、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、Ｃ６〜Ｃ１４のアリール基またはＣ７〜Ｃ１８のアラルキル基であり（ただし、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも１つ、Ｒ６〜Ｒ１０の少なくとも１つおよびＲ１５〜Ｒ１９の少なくとも１つは水酸基であるものとする）、Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは同一もしくは異なり、水素原子はＣ１〜Ｃ６のアルキル基である、
で表されるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル１〜８５重量部、
を含有してなることを特徴とする、ポジ型レジスト組成物によって達成される。
　【００１０】
　本発明において用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂（以下、「樹脂（Ａ）」と称する）としては、（ポリ）メチル置換フェノール類をアルデヒド類を用いて重縮合して得られたノボラック樹脂を好適なものとして挙げることができる。（ポリ）メチル置換フェノール類としては、例えばオルソクレゾール、メタクレゾール、パラクレゾール、２，３−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、２，６−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−トリメチルフェノール等を挙げることができる。これらのうち好ましくは、メタクレゾール、パラクレゾール、２，３−キシレノール、２，５−キシレノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３，５−トリメチルフェノール等を挙げることができる。これらの（ポリ）メチル置換フェノール類は、単独または２種以上一緒にしてアルデヒド類との重縮合に供することができる。
　【００１１】
　また、ここで用いられるアルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、トリオキサン、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、フルフラール等を挙げることができる。これらのうち、ホルムアルデヒドを好適に用いることができる。これらのアルデヒド類も単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　【００１２】
　上記アルデヒド類の使用量は、（ポリ）メチル置換フェノールの合計量１モルに対し、０．７〜３モルが好ましく、より好ましくは０．８〜１．５モルである。
　【００１３】
　（ポリ）メチル置換フェノールとアルデヒド類との重縮合に用いられる触媒としては、塩酸、硝酸、硫酸、ギ酸、シュウ酸、酢酸等の酸性触媒を挙げることができる。これらの酸性触媒の使用量は、通常、（ポリ）メチル置換フェノールの合計量１モルに対し、１×１０−５〜５×１０−１モルである。
　【００１４】
　重縮合においては、通常、反応媒質として水が用いられるが、重縮合に用いられる（ポリ）メチル置換フェノ−ルがアルデヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一になる場合は、反応媒質として親水性溶媒を使用することもできる。これらの親水性溶媒としては、例えばメタノ−ル、エタノ−ル、プロパノ−ル、ブタノ−ル等のアルコ−ル類、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エ−テル類が挙げられる。これらの反応媒質の使用量は、通常、反応原料１００重量部当り、２０〜１，０００重量部である。
　【００１５】
　重縮合の温度は、反応原料の反応性に応じて、適宜調整することができるが、通常、１０〜２００℃である。
　重縮合の方法としては、（ポリ）メチル置換フェノール類、アルデヒド類、酸性触媒等を一括して仕込む方法、および酸性触媒の存在下に（ポリ）メチル置換フェノール類、アルデヒド類等を反応の進行とともに加えていく方法を採用することができる。
　【００１６】
　重縮合終了後、系内に存在する未反応原料、酸性触媒、反応媒質等を除去するために、一般的には、反応系の温度を１３０℃〜２３０℃に上昇させ、減圧下、例えば２０〜５０ｍｍＨｇ程度で揮発分を留去し、得られた樹脂（Ａ）を回収する。
　【００１７】
　また本発明において用いる樹脂（Ａ）は、標準ポリスチレン換算重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」と称する）が４，０００〜２０，０００の範囲にあることを必要とする。Ｍｗが２０，０００を超えると、本発明の組成物をウェーハに均一に塗布しにくくなり、さらに現像性および感度が低下し、またＭｗが４，０００未満であると、レジスト性能が低下する。
　【００１８】
　なお、Ｍｗの高い樹脂（Ａ）を得るためには、例えば重縮合終了後に回収した樹脂（Ａ）を、エチルセロソルブアセテート、ジオキサン、メタノール、酢酸エチル等の良溶媒に溶解したのち、水、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の貧溶媒を混合し、次いで析出する樹脂溶液層を分離し、高分子量の樹脂（Ａ）を回収すればよい。
　【００１９】
　本発明において用いられるフェノール性化合物（Ｂ）は分子量が１００〜１，０００の範囲にある。ただし、１−［１−（４−ヒドロキシフェニル）イソプロピル］−４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、
下記式
ここで、Ｒ１〜Ｒ６は同一もしくは異なり、水素、ハロゲン、アルキル基またはアルコキシ基であり、Ｒ７とＲ８は同一もしくは異なり、水素、アルキル基またはヒドロキシアルキル基でありそしてｎは１、２、３または４である、
で表される化合物、下記式
で表される化合物および下記式
で表される化合物
　このフェノール性化合物（Ｂ）としては、ベンゼン環数が２〜６程度のフェノール化合物が好適であり、下記式で表される化合物を特に好ましい化合物として挙げることができる。
ただし、本願請求項４のポジ型レジスト組成物にあっては、フェノール性化合物（Ｂ）から、さらに、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタンおよび１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンが除かれる。
　【００２０】
　【化８】
　【００２１】
　ここで、ａ、ｂおよびｃは、それぞれ０〜３の数であり（ただし、全てが０であることはない）、ｘ、ｙおよびｚは０〜３の数である。
　【００２２】
　これらのフェノール性化合物（Ｃ）は、単独または２種以上混合して用いることができる。
　かかるフェノール性化合物は、樹脂（Ａ）１００重量部当り５〜１００重量部、好ましくは１０〜７０重量部の割合で用いられる。フェノール性化合物（Ｂ）が１００重量部を超える場合には、製膜性が悪くウェーハ上にレジスト膜が作れない場合があり、フェノール性化合物（Ｂ）の割合が５重量部未満の場合には、本発明の効果であるＰＥＢの効果的発現が妨げられる。
　【００２３】
　フェノール性化合物（Ｂ）は、本発明の組成物を調製する際に、予め樹脂（Ａ）と混合しておいてもあるいは別個の成分として用いてもよい。
　本発明で用いられる１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）としては、上記式（１）で表わされるフェノール性化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステルが用いられる。
　【００２４】
　式（１）において、Ｒ１〜Ｒ１９は、同一もしくは異なり、水素原子、水酸基、Ｃ１〜Ｃ６のアルキル基、Ｃ６〜Ｃ１４のアリール基またはＣ７〜Ｃ１８のアラルキル基のいずれかを示す。但し、Ｒ１〜Ｒ５、Ｒ６〜Ｒ１０およびＲ１５〜Ｒ１９のそれぞれの組み合わせにおいて、少なくとも１つは水酸基である。かかるＣ１〜Ｃ６のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、シクロヘキシル基等を挙げることができる。その中でもメチル基、エチル等基が好ましい。Ｃ６〜Ｃ１４のアリール基の例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、４−ヒドロキシフェニル基、４−メトキシフェニル基等を挙げることができる。その中でもフェニル基が好ましい。Ｃ７〜Ｃ１８のアラルキル基の例としては、ベンジル基、フェネチル基等を挙げることができる。その中でもベンジル基が好ましい。Ｒａ、ＲｂおよびＲｃは同一もしくは異なり、水素原子またはＣ１〜Ｃ６のアルキル基を示し、上記のＲ１〜Ｒ１９のアルキル基の例示に示されたものを挙げることができる。
　【００２５】
　かかる式（１）で表わされるフェノール化合物の具体例としては、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−［１−｛４−ヒドロキシフェニル｝エチル］フェニルメタン、
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニルメタン、
ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−［１−｛２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル｝エチル］フェニルメタン、
ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−｛１−（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニルメタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）エチル｝フェニル］エタン、
１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタン　および
１，１−ビス（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−｛１−（２，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタンを挙げることができる。
　【００２６】
　上記式（１）のフェノール性化合物は、例えば置換もしくは非置換フェノール類とオレフィン置換芳香族カルボニル化合物とを酸性触媒の存在下、反応させることによリ得られる。
　【００２７】
　本発明における上記式（１）で表わされるフェノール化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）としては、例えば上記式（１）のフェノール化合物の１，２−ベンゾキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−６−スルホン酸エステル、２，１−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、２，１−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等を挙げることができる。中でも好ましいものは、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル等である。
　【００２８】
　該１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）は、例えば前述のフェノール化合物と１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロリド、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド等の１，２−キノンジアジドスルホニルハライドとのエステル化反応により得ることができる。
　【００２９】
　エステル化反応では、フェノール化合物と１，２−キノンジアジドスルホニルハライドとの反応割合は、フェノール化合物の水酸基１グラム当量に対し１，２−キノンジアジドスルホニルハライドが、好ましくは０．２〜１モル、特に好ましくは０．３〜０．９５モルであり、これらを塩基性触媒の存在下に反応させることにより得られる。
　【００３０】
　ここで、塩基性触媒としては、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ピリジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等のアミン類および水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等の無機アルカリ類が用いられる。これらの塩基性触媒の使用量は、使用する１，２−キノンジアジドスルホニルハライド１モルに対して、通常、０．８〜２モル、好ましくは１〜１．５モルである。エステル化反応は、通常、溶媒の存在下において行われる。この際用いられる溶媒としては、例えばジオキサン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、γ−ブチルラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、炭酸エチレン、炭酸プロピレン等が挙げられる。これらの溶媒の使用量は、通常、反応原料１００重量部に対して１００〜１，０００重量部である。
　【００３１】
　エステル化反応の温度は、使用する溶媒により異なるが、通常、−３０〜６０℃、好ましくは０〜４０℃である。
　【００３２】
　エステル化反応後の精製法としては、副生した塩酸塩を濾過するか、または水を添加して塩酸塩を溶解させた後、大量の希塩酸水溶液のような酸性水で再沈澱精製した後、乾燥する方法を例示することができる。
　【００３３】
　これらの１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）は、１種単独でも２種以上組み合わせても用いることができる。
　本発明において用いられる組成物中における１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）の含有割合は、樹脂（Ａ）１００重量部当たり、１〜８５重量部、好ましくは５〜５０重量部の割合で用いられる。
　【００３４】
　１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）が８５重量部を超える場合には、感度および現像性が悪化し、５重量部未満の場合には、解像度が悪化する。
　【００３５】
　また、本発明の効果を損なわない範囲において、１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）以外の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステルを配合してもよい。このような１，２−キノンジアジドスルホン酸エステルとしては、例えば２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４’−トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、３’−メトキシ−２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，５，５’−テトラメチル−２”，４，４’−トリヒドロキシトリフェニルメタン、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４’−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］−１−フェニルエタンおよび２，４，４−トリメチル−２’，４’，７−トリヒドロキシ−２−フェニルフラバンの１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル等を挙げることができる。
　【００３６】
　本発明において用いられる組成物には、その他必要に応じ、増感剤、界面活性剤等の各種配合剤を配合することができる。
　増感剤は、レジストの感度を向上させるために配合されるものであり、このような増感剤としては、例えば２Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）−１，４−オキサジン−３（４Ｈ）−オン類、１０Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）−（１，４）−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダントイン類、パルビツール酸類、グリシン無水物類、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイミド類等が挙げられる。これらの増感剤の配合量は、アルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）の合計１００重量部に対し、通常、５０重量部以下である。
　【００３７】
　また界面活性剤は、組成物の塗布性や現像性を改良するために配合されるものであり、このような界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、エフトップ　ＥＦ３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（商品名、新秋田化成社製）、メガファックスＦ１７１，Ｆ１７２，Ｆ１７３（商品名、大日本インキ社製）、フロラード　ＦＣ４３０，ＦＣ４３１（商品名、住友スリーエム社製）、アサヒガード　ＡＧ７１０，サーフロン　Ｓ−３８２，ＳＣ−１０１，ＳＣ−１０２，ＳＣ−１０３，ＳＣ−１０４，ＳＣ−１０５，ＳＣ−１０６（商品名、旭硝子社製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（商品名、信越化学工業社製）、アクリル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９５（商品名、共栄社油脂化学工業社製）が挙げられる。
　これらの界面活性剤の配合量は、組成物の固形分１００重量部当たり、通常、２重量部以下である。
　【００３８】
　さらに本発明において用いられる組成物には、放射線照射部の潜像を可視化させ、放射線照射時のハレーションの影響を少なくするために、染料や顔料を配合することができ、また接着性を改善するために、接着助剤を配合することもできる。さらに必要に応じて保存安定剤、消泡剤等も配合することができる。
　【００３９】
　本発明において用いられる組成物は、前述したアルカリ可溶性ノボラック樹脂（Ａ）とフェノール化合物（Ｂ）および１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）ならびに必要に応じて各種の配合剤を、例えば固形分濃度が２０〜４０重量％となるように溶剤に溶解させ、孔径０．２μｍ程度のフィルターで濾過することによって調製することができる。
　【００４０】
　この際に用いられる溶剤としては、例えばエチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、エチレングリコ−ルモノエチルエ−テル、メチルセロソルブアセテ−ト、エチルセロソルブアセテ−ト、ジエチレングリコ−ルモノメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルモノエチルエ−テル、プロピレングリコ−ルメチルエ−テルアセテ−ト、プロピレングリコ−ルプロピルエ−テルアセテ−ト、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、または２種以上の組み合せで使用される。
　【００４１】
　さらに、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアニリド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテ−ト等の高沸点溶剤を添加することもできる。
　【００４２】
　本発明方法によれば、本発明において用いられる組成物は、これを回転塗布、流し塗布、ロ−ル塗布等によって、例えばシリコンウェーハまたはアルミニウムが被覆されたウェーハに塗布することにより感放射線性層を形成し、所定のマスクパターンを介して該感放射線性層に放射線を照射し、加熱（ＰＥＢ）を行い、次いで現像液で現像することによりパターンの形成が行われる。
　【００４３】
　また本発明のパターン形成法は、ウェーハ等の上に該組成物を塗布し、プレベークおよび放射線照射を行った後、７０〜１４０℃でＰＥＢを行い、その後に現像することが望ましい。
　【００４４】
　本発明において用いられる現像液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロ−ル、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−（４．３．０）−５−ノナン等のアルカリ性化合物を、濃度が、例えば１〜１０重量％となるように溶解してなるアルカリ性水溶液が使用される。
　【００４５】
　また該現像液には、水溶性有機溶媒、例えばメタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル類や界面活性剤を適量添加して使用することもできる。
　なお、このようなアルカリ性水溶液からなる現像液を用いて現像を行った場合は、一般には引き続き水でリンスを行う。
　【００４６】
　以上の様にして形成されたレジストパターンは、レジストに覆われていないウェーハ表面をエッチング等により加工した後剥離される。このレジストパターンのウェーハからの剥離をプラズマを用いるドライ剥離により行うことができる。このドライ剥離のプラズマに用いられるガスとしては、通常、酸素が用いられるが、場合によっては、四フッ化メタン、三フッ化メタン、六フッ化メタンのようなフルオロカーボンをウェーハに損傷を与えない程度に酸素に混合して使用することもできる。
　【００４７】
　【実施例】
　以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって、なんら制約されるものではない。
　なお、実施例中のＭｗの測定およびレジストの評価は、以下の方法により行ったものである。
　【００４８】
Ｍｗ：
　東ソー社製ＧＰＣカラム（Ｇ２０００Ｈ６　２本、Ｇ３０００Ｈ６　１本、Ｇ４０００Ｈ６　１本）を用い、流量１．５ｍｌ／分、溶出溶媒テトラヒドロフラン、カラム温度４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフ法により測定した。
　【００４９】
解像度：
　ニコン社製ＮＳＲ−１７５５Ｇ７Ａ縮小投影露光機（レンズの開口数；０．５４）で露光時間を変化させ、波長４３６ｎｍのｇ線を用いて露光を行うか、または、ニコン社製ＮＳＲ−１７５５ｉ７Ａ縮小投影露光機（レンズ開口数；０．５０）で露光時間を変化させ、波長３６５ｎｍのｉ線を用いて露光を行い、必要に応じて１１０℃で１２０秒間ＰＥＢを行い、ついでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．４重量％水溶液を現像液として用い、２５℃で６０秒間現像し、水でリンスし、乾燥してウェーハ上にレジストパターンを形成させ、０．６μｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対１の幅に形成する露光時間で露光した時に解像されている最小のレジストパターンの寸法を測定した。
　【００５０】
現像性：
　スカムや現像残りの程度を走査型電子顕微鏡を用い調べた。
パターン形状：
　走査型電子顕微鏡を用い、０．６μｍのレジストパターンの現像後のパターン形状を調べた。
　【００５１】
剥離性：
　レジストパターンの現像後、ウェーハを１２０℃で３分間ポストベークを行った後、ＢＲＡＮＳＯＮ／ＩＰＣ社製Ｓ２００５Ｔ−１１０２０ＳＣＡドライエッチング装置を用い酸素プラズマによりドライ剥離を行い（ドライ剥離条件；酸素流量：３００ｍｌ／ｍｉｎ、チャンバー内圧力：０．１Ｔｏｒｒ、出力：５００Ｗ、時間：１時間）、ウェーハの残渣の有無を５０〜４００倍の光学顕微鏡で観察することにより調べた。
　【００５２】
＜樹脂（Ａ）の合成＞
合成例１
　撹拌機、冷却管および温度計を装着したフラスコに、
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　８６．５ｇ（０．８０モル）
　パラクレゾール　　　　　　　　　　　　６４．９ｇ（０．６０モル）
　２，３−キシレノール　　　　　　　　　９．７７ｇ（０．０８モル）
　３７重量％ホルムアルデヒド水溶液　　　１５０ｇ
　（ホルムアルデヒド：１．８５モル）
および
　シュウ酸２水和物　　　　　　　　　　　１．２６ｇ（０．０１モル）
を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持して撹拌しながら４０分間重縮合を行ったのちに、
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　２１．６ｇ（０．２０モル）
および
　２，３−キシレノール　　　　　　　　　３９．１ｇ（０．３２モル）
を加えてさらに１２０分間重縮合を行った。
　【００５３】
　次いで油浴温度を１８０℃まで上昇させ、同時にフラスコ内の圧力を３０〜５０ｍｍＨｇまで減圧し、水、シュウ酸、未反応のホルムアルデヒド、メタクレゾール、パラクレゾール、２，３−キシレノール等を除去した。次いで溶融した樹脂を室温に戻して回収した。この樹脂をエチルセロソルブアセテートに固形分が３０重量％になるように溶解したのち、この樹脂溶液の重量に対し、０．３倍のメタノールおよび０．７５倍の水を加えて撹拌し、放置した。放置することにより２層に分離したのち、樹脂溶液層（下層）を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂（Ａ１）という。
　【００５４】
合成例２
　オートクレーブに
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　１１０．０ｇ（１．０２モル）
　２，３−キシレノール　　　　　　　　　６２．３ｇ（０．５１モル）
　２，３，５−トリメチルフェノール　　　２３．２ｇ（０．１７モル）
　３７重量％ホルムアルデヒド水溶液　　　１５０ｇ
　（ホルムアルデヒド：１．７０モル）
　シュウ酸２水和物　　　　　　　　　　　４．２８ｇ（０．０３４モル）
　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　５９．７ｇ
および
　ジオキサン　　　　　　　　　　　　　　４４０ｇ
を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を１３０℃に保持して撹拌しながら８時間重縮合を行い、反応後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出した。このビーカー中で２層に分離したのち、下層を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂（Ａ２）という。
　【００５５】
合成例３
　合成例１で用いたのと同様なフラスコに、
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　１３．０ｇ（０．１２モル）
　パラクレゾール　　　　　　　　　　　　３２．４ｇ（０．３０モル）
　３，５−キシレノール　　　　　　　　　３９．０ｇ（０．３２モル）
　３７重量％ホルムアルデヒド水溶液　　　５６．９ｇ
　（ホルムアルデヒド：０．７０モル）
および
　シュウ酸２水和物　　　　　　　　　　　０．０８３ｇ（６．６×１０−４モル）
を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持して撹拌しながら３０分間重縮合を行ったのちに、
　【００５６】
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　５１．９ｇ（０．４８モル）
および
　３，５−キシレノール　　　　　　　　　９．７７ｇ（０．０８モル）
を加えてさらに４５分間重縮合を行った。その後、合成例１と同様に樹脂を回収した。この樹脂をエチルセロソルブアセテートに固形分が２０重量％になるように溶解したのち、この樹脂溶液の重量に対し、１．５倍のメタノールと０．７５倍の水を加えて撹拌し、放置した。放置することにより２層に分離したのち、樹脂溶液層（下層）を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂（Ａ３）という。
　【００５７】
合成例４
　オートクレーブに
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　８６．５ｇ（０．８モル）
　２，３，５−トリメチルフェノール　　　２７．２ｇ（０．２モル）
　３７重量％ホルムアルデヒド水溶液　　　７５．１ｇ
　（ホルムアルデヒド：０．９２５モル）
　シュウ酸２水和物　　　　　　　　　　　６．３０ｇ（０．０５モル）
　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　６６．４ｇ
および
　ジオキサン　　　　　　　　　　　　　　３４１．１ｇ
を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を１３０℃に保持して撹拌しながら７時間重縮合を行い、反応後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出した。このビーカー中で２層に分離したのち、下層を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を樹脂（Ａ４）という。
　【００５８】
合成例５
　合成例１で用いたのと同様なフラスコに、
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　１０３．８ｇ（０．９６モル）
　パラクレゾール　　　　　　　　　　　　４３．３ｇ（０．４０モル）
　２，３，５−トリメチルフェノール　　　１０．９ｇ（０．０８モル）
　３７重量％ホルムアルデヒド水溶液　　　１３８ｇ
　（ホルムアルデヒド：１．７０モル）
および
　シュウ酸２水和物　　　　　　　　　　　１．２６ｇ（０．０１モル）
を仕込み、フラスコを油浴に浸し、内温を１００℃に保持して撹拌しながら３０分間重縮合を行ったのちに、
　【００５９】
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　２６．０ｇ（０．２４モル）
および
　２，３，５−トリメチルフェノール　　　４３．６９ｇ（０．３２モル）
を加えてさらに４０分間重縮合を行った。その後、合成例１と同様に樹脂を回収した。この樹脂を酢酸エチルに固形分が３０重量％になるように溶解したのち、この樹脂溶液の重量に対し、等量のメタノールと０．７５倍の水を加えて撹拌し、放置した。放置することにより２層に分離したのち、樹脂溶液層（下層）を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂（Ａ５）という。
　【００６０】
合成例６
　オートクレーブに
　メタクレゾール　　　　　　　　　　　　９７．３ｇ（０．９０モル）
　２，３−キシレノール　　　　　　　　　３６．７ｇ（０．３０モル）
　３，４−キシレノール　　　　　　　　　３６．７ｇ（０．３０モル）
　３７重量％ホルムアルデヒド水溶液　　　１１３ｇ
　（ホルムアルデヒド：１．３９モル）
　シュウ酸２水和物　　　　　　　　　　　９．４５ｇ（０．０７５モル）
　水　　　　　　　　　　　　　　　　　　１２１ｇ
および
　ジオキサン　　　　　　　　　　　　　　５７６ｇ
を仕込み、オートクレーブを油浴に浸し、内温を１３０℃に保持して撹拌しながら８時間重縮合を行い、反応後、室温まで戻し、内容物をビーカーに取り出した。このビーカー中で２層に分離したのち、下層を取り出し、濃縮し、脱水し、乾燥して樹脂を回収した。この樹脂を、樹脂（Ａ６）という。
　【００６１】
＜フェノール化合物（Ｂ）の略称＞
　以下において、フェノール化合物（Ｂ）である、
　１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサンをフェノール化合物（Ｂ１）、
　１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタンをフェノール化合物（Ｂ２）、
　α，α，α’，α’−テトラ（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−キシレンをフェノール化合物（Ｂ３）、
　ビス（４−ヒドロキシフェニル）酢酸ベンジルエステルをフェノール化合物（Ｂ４）、
と略称する。
　【００６２】
＜式（１）のフェノール化合物の略称＞
　以下において、式（１）のフェノール化合物である、
　１，１，−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−［４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニル］エタンをフェノール化合物（Ｐ１）、
　ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−｛１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル｝フェニルメタンをフェノール化合物（Ｐ２）、
と略称する。
　【００６３】
＜式（１）で表わされるフェノール化合物の１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）の合成＞
合成例７
　遮光下で、撹拌機、滴下ロートおよび温度計を装着したフラスコに、
　フェノール化合物（Ｐ１）　　　　　４２．５ｇ（０．１モル）
　１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸クロリド
　　　　　　　　　　　　　　　　　　５３．７ｇ（０．２モル）
および
　ジオキサン　　　　　　　　　　　　１００ｇ
を仕込み、撹拌しながら溶解させた。
　次いで、フラスコを３０℃に保持した水浴中に浸し、内温が３０℃一定となった時点で、この溶液に
　トリエチルアミン　　　　　　　　　２２．３ｇ（０．２２モル）
を、内温が３５℃を超えないように滴下ロートを用いてゆっくり滴下した。
　【００６４】
　その後、析出したトリエチルアミン塩酸塩を濾過により取り除き、濾液を大量の希塩酸中に注ぎ込んで析出させ、次いで、析出物を濾取し、４０℃に保った真空乾燥機で一昼夜乾燥して１，２−キノンジアジド化合物を得た。この１，２−キノンジアジド化合物をＮＱＤ１という。
　【００６５】
合成例８
　フェノール化合物（Ｐ１）　　　　　４２．５ｇ（０．１モル）
　１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド
　　　　　　　　　　　　　　　　　　６７．２ｇ（０．２５モル）
　ジオキサン　　　　　　　　　　　　１００ｇ
および
　トリエチルアミン　　　　　　　　　２７．８ｇ（０．２７５モル）
を使用した他は、合成例７と同様にして１，２−キノンジアジド化合物を得た。この１，２−キノンジアジド化合物をＮＱＤ２という。
　【００６６】
合成例９
　フェノール化合物（Ｐ２）　　　　　４１．０ｇ（０．１モル）
　１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド
　　　　　　　　　　　　　　　　　　５３．７ｇ（０．２モル）
　ジオキサン　　　　　　　　　　　　１００ｇ
および
　トリエチルアミン　　　　　　　　　２２．３ｇ（０．２２モル）
を使用した他は、合成例７と同様にして１，２−キノンジアジド化合物を得た。この１，２−キノンジアジド化合物をＮＱＤ３という。
　【００６７】
実施例１〜８、比較例１〜５
　アルカリ可溶性樹脂、フェノール化合物（Ｂ）、１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）、溶剤および必要に応じて前記１，２−キノンジアジドスルホン酸エステル（Ｃ）以外のキノンジアジドスルホン酸エステルを混合し、均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過し、組成物の溶液を調製した。得られた溶液を、シリコン酸化膜を有するシリコンウェハー上にスピンナーを用いて塗布したのち、ホットプレート上で９０℃にて１．５分間プレベークして、厚さ１．２μｍのレジスト膜を形成し、レチクルを介して、前記のように波長４３６μｍ（ｇ線）または波長３６５μｍ（ｉ線）を用いて露光、現像し、リンスし、乾燥したのち、必要に応じて１１０℃で１２０秒間、ＰＥＢを行い、該レジストの性能を調べた。評価結果を表１に示す。なお、表１中各実施例において、ＰＥＢなしのデータは比較例に該当する。
　【００６８】
　また、パターン形状の評価結果における符号のモデルに関しては、図１にその形状をまとめた。
　【００６９】
　【表１】
　【００７０】
（注１）添加量は重量部で示した。
（注２）樹脂種類におけるＸおよびＹは、次のものである。
　Ｘ：メタクレゾール／パラクレゾール＝６／４、クレゾール／ホルマリン＝１／１（モル比）の割合のモノマーをシュウ酸触媒を用い、実施例２と同様の方法で得られたＭｗが２２，０００のノボラック樹脂。
　Ｙ：ビニルフェノールとスチレンの共重合体（モル比６：４）、
　　　分子量Ｍｗ：２５、０００
　【００７１】
（注３）（Ｃ）以外のキノンジアジドスルホン酸エステル、ＩおよびＩＩは、次のものである。
　　Ｉ：２，３，４−トリヒドロキシベンゾフェノン　１．０モルと、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド２．６モルとの縮合物。
　ＩＩ：２，３，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン　１．０モルと、１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロリド４．０モル
　との縮合物。
　【００７２】
（注４）溶剤の種類は、次のものである。
　Ｓ１：エチルセロソルブアセテート
　Ｓ２：２−ヒドロキシプロピオン酸エチル
　Ｓ３：３−メトキシプロピオン酸メチル
（注５）現像性に関しては、以下の基準による。
　○…スカムや現像残りがみられない。
　△…スカムや現像残りが若干みられる。
　×…スカムや現像残りが明らかにみられる。
　【００７３】
（注６）剥離性に関しては、以下の基準による。
　○…剥離残りがみられない。
　△…剥離残りが若干みられる。
　×…剥離残りが明らかにみられる。
（注７）実施例１〜４、比較例１および４は、ｇ線で露光し、実施例５〜８、比較例２、３および５は、ｉ線で露光した。
　【００７４】
　【発明の効果】
　本発明で用いられるポジ型レジスト組成物は、ＰＥＢの効果を十分に引き出すことができ、高感度で、解像度およびパターン形状に優れ、特にドライ剥離性の優れたポジ型レジストとして好適に使用できる。本発明方法はこのような性能を持つポジ型レジスト組成物からパターンを形成する方法である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　レジストパターン形状の模式図である。
　【符号の説明】
（Ａ）　良好なパターン形状
（Ｂ）　不良なパターン形状
（Ｃ）　不良なパターン形状
（Ｄ）　不良なパターン形状
（Ｅ）　不良なパターン形状
（Ｆ）　不良なパターン形状