【事件の表示】
　特許第３０１０３４３号「超小形冷却装置及びその製造方法」の請求項１ないし９、１１ないし１５、１９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１０３４３号の請求項１、３に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３０１０３４３号（平成８年４月１９日（パリ条約による優先権主張１９９５年４月２０日、ドイツ）出願、平成１１年１２月１０日設定登録）は、異議申立人住友電気工業株式会社により、その請求項１〜９、１１〜１５、及び１９に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年６月２０日に訂正請求がなされ、さらに取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年５月８日に上記の訂正請求を取り下げるとともに、新たな訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項（１）
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１〜８、１１、１３〜１７、及び１９を削除するとともに、特許明細書の請求項９、１０、１２、及び１８を、請求項１〜４に項数を繰り上げるとともに、新しい請求項１〜３、及び４を独立請求項として、以下のとおり訂正した。
　
　「【請求項１】　電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、
　凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、
　被覆層（１１）を設ける前において基板（１４）にある凹所（１３）の深さと被覆層（１１）を設ける前における同じ凹所（１３）の幅との比が１より大きいことを特徴とする、
超小形冷却装置。
　【請求項２】　電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷煤用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、
　凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、
　基板（２４，３４）が両側を被覆層（２１，２２，３１，３２）で覆われ、基板（２４，３４）が両方の被覆層（２１，２２，３１，３２）の間に設けられてこれらの被覆層（２１，２２，３１，３２）の間隔を確保する桟状突起（２５）又はドーム（３５）のみから形成され、
　桟状突起（２５）又はドーム（３５）の間に形成される凹所（２３，３３）の深さと幅との比が１より大きい
ことを特徴とする、超小形冷却装置。
　【請求項３】　超小形冷却装置の各通路組織が冷媒用の流入通路（１６，２６，３６）及び流出通路（１７，２７，３７）を持ち、流入通路（１６，２６，３６）が超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１３，２３，３３）の流入側に接続され、流出通路（１７，２７，３７）が超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１３，２３，３３）の流出側に接続され、流入通路（１６，２６，３６）が通路組織に関して超小形冷却装置の流出通路（１７，２７，３７）の反対側に設けられているものにおいて、
　流入通路（１６，２６，３６）が冷媒の流れ方向（Ａ）に縮小する流通断面を持ち、流出通路（１７，２７，３７）が冷媒の流れ方向（Ａ）に拡大する流通断面を持っていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の超小形冷却装置。
　【請求項４】　基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側で密に接する被覆層により凹所を覆って冷媒の通る通路組織を形成する、超小形冷却装置の製造方法であって、第１の被覆層（２１，３１）を設ける前に、凹所（２３，３３）を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所（２３，３３）の範囲で第１の被覆層（２１，３１）を気相から析出させて通路組織を形成し、第１の被覆層（２１，３１）用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次元に成長しかつ第１の被覆層（２１，３１）として析出せしめられた状態において電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ製造方法において、
　基板（２４，３４）の一方の板面に第１の被覆層（２１，３１）を設ける前に、第２の被覆層（２２，３２）を設けた後基板（２４，３４）に凹所（２３，３３）を形成し、凹所（２３，３３）により、これらの凹所（２３，３３）の範囲で第２の被覆層（２２，３２）を露出させ、基板（２４，３４）の自由板面（２）に気相から第１の被覆層（２１，３１）を析出させ、その際凹所（２３，３３）の範囲で第１の被覆層（２１，３１）の析出を行って、通路組織を形成することを特徴とする、超小型冷却装置の冷却方法。」
　
（１−２）訂正事項（２）
　特許明細書の段落【０００１】に記載された「本発明・・・製造方法に関する。」を、
　「本発明は、電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小型冷却装置が、超小型冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料からなり、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられる、超小型電子部品用超小型冷却装置、及び基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側で密に接する被覆層により凹所を覆って冷媒の通る通路組織を形成する、超小型冷却装置の製造方法であって、被覆層を設ける前に、凹所を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所の範囲で被覆層を気相から析出させて通路組織を形成し、被覆層用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次元に成長しかつ被覆層として析出せしめられた状態において電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ、超小型冷却装置の製造方法に関する。」に訂正する。
　
（１−３）訂正事項（３）
　特許明細書の段落【０００６】に記載された「この課題・・・選ぶ。」を、
　「この課題を解決するため超小型冷却装置に関して本発明によれば、被覆層を設ける前において基板にある凹所の深さと被覆層を設ける前における同じ凹所の幅との比が１より大きい。
　また製造方法に関して本発明によれば、基板の両方の板面に被覆層を設ける。」に訂正する。
　
（１−４）訂正事項（４）
　特許明細書の段落【０００７】に記載された「【発明の効果】」を削除する。
　
（１−５）訂正事項（５）
　特許明細書の段落【０００７】に記載された「真性自己伝導」を「真性（固有）伝導」に訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項（１）について
　訂正事項（１）は、特許明細書の請求項１〜８、１１、１３〜１７、及び１９を削除するとともに、特許明細書の請求項９、１０、１２、及び１８を、請求項１〜４と訂正し、訂正した請求項１、２、及び４を独立請求項に訂正したものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−２）訂正事項（２）について
　訂正事項（２）は、特許請求の範囲の減縮に該当する訂正にともない、段落【０００１】の【産業上の利用分野】の項の記載を特許請求の範囲の請求項１、４の記載に整合させたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−３）訂正事項（３）について
　訂正事項（３）は、特許請求の範囲の減縮に該当する訂正にともない、段落【０００６】の【課題を解決するための手段】の項の記載を特許請求の範囲の請求項１、４の記載に整合させたものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−４）訂正事項（４）について
　訂正事項（４）は、特許請求の範囲の減縮に該当する訂正にともない、段落【０００７】に記載された【発明の効果】の項の記載が、訂正後の請求項１、４に係る発明の効果を表すものではなくなったために、「【発明の効果】」の記載を削除したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−５）訂正事項（５）について
　訂正事項（５）は、「自己」の記載は不適切であって、「固有」とすべきであり、「真性伝導」と「固有伝導」とは同義であるから、「真性自己伝導」を「真性（固有）伝導」に訂正したものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項（１）〜（５）については、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）独立特許要件
　上記請求項２、４に係る訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮に該当するから、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２、４に係る発明（以下「本件発明２、４」という。）の独立特許要件について検討する。
　
（３−１）本件発明２について
＜本件発明２＞
　本件発明２は、訂正明細書の請求項２に記載された事項により特定された、次のとおりのものである。
　「【請求項２】　電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷煤用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、
　凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、
　基板（２４，３４）が両側を被覆層（２１，２２，３１，３２）で覆われ、基板（２４，３４）が両方の被覆層（２１，２２，３１，３２）の間に設けられてこれらの被覆層（２１，２２，３１，３２）の間隔を確保する桟状突起（２５）又はドーム（３５）のみから形成され、
　桟状突起（２５）又はドーム（３５）の間に形成される凹所（２３，３３）の深さと幅との比が１より大きい
ことを特徴とする、超小形冷却装置。」
　
＜甲第１〜３号証＞
　異議申立人の提出した甲第１〜３号証に記載された事項は、下記［３］（３）に示すとおりのものである。
　
＜対比・判断＞
　本件発明２と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証に記載されたシリコン基板の下面に堆積されたシリコン窒化物と、シリコン基板の上面に積層したダイヤモンド層とは、本件発明２の被覆層に相当する
　してみると、両者は、本件請求項２に記載された事項に沿って記載すると、「電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあつて冷煤を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆つて通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、基板が両側を被覆層で覆われ、基板が両方の被覆層の間に設けられて」いる点で一致するものの、次の点で相違する。
　本件発明２が、「凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、基板が被覆層の間隔を確保する桟状突起又はドームのみから形成され、桟状突起又はドームの間に形成される凹所の深さと幅との比が１より大きい」のに対し、甲第１号証に記載されたものは、そのような構成を有していることが明らかではない点。
　そこで、上記相違点について検討すると、本件発明２の「基板が被覆層の間隔を確保する桟状突起又はドームのみから形成され」る点については、甲第１号証には何も記載されていないし示唆もされていない。また、「凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、桟状突起又はドームの間に形成される凹所の深さと幅との比が１より大きい」点についても、下記［３］（４−１）において説示したとおり、甲第１号証に記載されたマイクロチャンネルは、その深さが３０〜５０μｍに対して幅は約９０μｍであるから、深さと幅の比はほぼ０．３３〜０．５６となり、本件発明２の凹所の深さと幅との比が１より大きいものとは相違する。さらに、甲第２、３号証にも、上記相違点についての記載や示唆するような記載は何もないから、本件発明２は、異議申立人が提出した甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。
　また、他に本件発明２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　したがって、本件発明２は、出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
（３−２）本件発明４について
＜本件発明４＞
　本件発明４は、訂正明細書の請求項４に記載された事項により特定された次のとおりのものである。
　「【請求項４】　基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側で密に接する被覆層により凹所を覆って冷媒の通る通路組織を形成する、超小形冷却装置の製造方法であって、第１の被覆層（２１，３１）を設ける前に、凹所（２３，３３）を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所（２３，３３）の範囲で第１の被覆層（２１，３１）を気相から析出させて通路組織を形成し、第１の被覆層（２１，３１）用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次元に成長しかつ第１の被覆層（２１，３１）として析出せしめられた状態において電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ製造方法において、
　基板（２４，３４）の一方の板面に第１の被覆層（２１，３１）を設ける前に、第２の被覆層（２２，３２）を設けた後基板（２４，３４）に凹所（２３，３３）を形成し、凹所（２３，３３）により、これらの凹所（２３，３３）の範囲で第２の被覆層（２２，３２）を露出させ、基板（２４，３４）の自由板面（２）に気相から第１の被覆層（２１，３１）を析出させ、その際凹所（２３，３３）の範囲で第１の被覆層（２１，３１）の析出を行って、通路組織を形成することを特徴とする、超小型冷却装置の冷却方法。」
　
＜甲第１〜３号証＞
　異議申立人の提出した甲第１〜３号証に記載された事項は、下記［３］（３）に示すとおりのものである。
　
＜対比・判断＞
　本件発明４と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証に記載されたマイクロチャンネルの深さと幅の比はほぼ０．３３〜０．５６となるから、本件発明４の凹所を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成したものに相当する。また、甲第１号証の、マイクロプラズマＣＶＤを使用して成長させた、すなわち気相から析出させた多結晶合成ダイヤモンドは、電気絶縁性で熱伝導性の材料の一つである。
　してみると、両者は、「基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側で密に接する被覆層により凹所を覆って冷媒の通る通路組織を形成する、超小形冷却装置の製造方法であって、被覆層を設ける前に、凹所を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所の範囲で被覆層を気相から析出させて通路組織を形成し、被覆層用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次元に成長しかつ被覆層として析出せしめられた状態において電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ、超小型冷却装置の製造方法」の点で一致するものの、次の点で相違する。
　本件発明４が、「基板（２４，３４）に凹所（２３，３３）を形成し、凹所（２３，３３）により、これらの凹所（２３，３３）の範囲で第２の被覆層（２２，３２）を露出させ」るのに対し、甲第１号証に記載されたマイクロチャンネルの範囲では、シリコン部分の下面に形成されたシリコンナイトライド層（「第２の被覆層」に相当する。）は露出していない点で相違する。
　そこで、上記相違点について検討すると、甲第２、３号証を参照してみても、第２の被覆層に相当する記載も示唆するような記載もない。そして、甲第１号証に記載されたシリコンナイトライド層を、マイクロチャンネルの範囲で露出することが単なる設計的事項であるとすることもできないから、本件発明４は、異議申立人が提出した甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。
　また、他に本件発明４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　したがって、本件発明４は、出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項（１）〜（５）に係る訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び第３項において準用する同法第１２６条第２〜４項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立ての理由の概要
　異議申立人住友電気工業株式会社は、証拠として、以下に示す甲第１〜３号証を提出して、本件特許の訂正前の請求項１〜９、１１〜１５、及び１９に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記請求項１〜９、１１〜１５、及び１９に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張している。
　
　甲第１号証：Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１３８，Ｎｏ．６，Ｊｕｎｅ１９９１（第１７０６〜１７０９頁）
　甲第２号証：米国特許第４２６８８５０号明細書
　甲第３号証：「ＮＥＷ　ＤＩＡＭＯＮＤ」　Ｖｏｌ．１１　Ｎｏ．１　１９９５．１．２５　（株）オーム社（ｐｐ９〜１４）
　
（２）本件発明
　上記［２］において示したように、上記訂正は認められるから、異議申立人が申し立てた本件特許の訂正前の請求項１〜９、１１〜１５、及び１９の内、請求項１〜８、１１、１３〜１５、及び１９については削除され、請求項９、１２については請求項１、３に項数を繰り上げるとともに、新しい請求項１を独立請求項としたものであって、訂正後の請求項１、３に係る発明（以下、「本件発明１、３」という。）は、訂正明細書の請求項１、３に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
　「【請求項１】　電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、
　凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、
　被覆層（１１）を設ける前において基板（１４）にある凹所（１３）の深さと被覆層（１１）を設ける前における同じ凹所（１３）の幅との比が１より大きいことを特徴とする、
超小形冷却装置。
　【請求項３】　超小形冷却装置の各通路組織が冷媒用の流入通路（１６，２６，３６）及び流出通路（１７，２７，３７）を持ち、流入通路（１６，２６，３６）が超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１３，２３，３３）の流入側に接続され、流出通路（１７，２７，３７）が超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１３，２３，３３）の流出側に接続され、流入通路（１６，２６，３６）が通路組織に関して超小形冷却装置の流出通路（１７，２７，３７）の反対側に設けられているものにおいて、
　流入通路（１６，２６，３６）が冷媒の流れ方向（Ａ）に縮小する流通断面を持ち、流出通路（１７，２７，３７）が冷媒の流れ方向（Ａ）に拡大する流通断面を持っていることを特徴とする、請求項１に記載の超小形冷却装置。」
　
（３）甲第１〜３号証に記載された事項
（３−１）甲第１号証
　甲第１号証のＪ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｖｏｌ．１３８，Ｎｏ．６，Ｊｕｎｅ１９９１（第１７０６〜１７０９頁）には、ヒートシンク用合成多結晶ダイヤモンド膜を用いたマイクロチャンネルの製造に関する発明がＦｉｇ．１、３、４〜６とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「着手する基板は、・・・ｎ形シリコンウェファーであった。・・・パターン化された窒化物とともに、その露出したシリコン部は・・・エッチングされ、シリコン中に３０−５０μｍ深さのマイクロチャンネルが形成された。・・・
　選択的なダイヤモンド積層と、多結晶ダイヤモンド中にマイクロチャンネルを形成する過程の記述を補足するために、Ｆｉｇ．３に工程の流れを示す。Ｆｉｇ．３ａのステップＶＩＩＩの拡大図をＦｉｇ．３ｂに示す。ダイヤモンドの横方向の成長は、Ｆｉｇ．３ｂの点線による断面図のように予想された。点線で囲まれたダイヤモンド層の幅と厚さはダイヤモンド積層時間に比例する。積層中にある時間を越えると、隣り合うダイヤモンド層はお互いにつながり、シリコン基板上に連続したダイヤモント表面になる。
　われわれの実験では、市販のマイクロプラズマＣＶＤシステムを使用して、多結晶ダイヤモンド薄膜を成長させた。」（１７０７頁左欄８行〜１７０８頁左欄３４行）
　「Ｆｉｇ４ａはシリコン基板上に選択的に積層されたダイヤモンド（積層時間は２４時間）のＳＥＭである。Ｆｉｇ．４ｂはマイクロチャンネル部の拡大ＳＥＭ観察である。きれいな面を有するダイヤモンドと所望のパターンからの横方向の成長がこの顕微鏡写真から全く明瞭に見られる。Ｆｉｇ．４ｃは、全ての選択的に積層された多結晶ダイヤモンド部が突き当たった後のダイヤモンド薄膜の頂面の形態である。多結晶ダイヤモンド膜の厚さはほぼ８０−１００μｍである。連続したダイヤモンド表面を得るための全積層時間は、チャンネルの幅による。Ｆｉｇ．４では、チャンネルの幅は約９０μｍで、その間隔は約１５０μｍである。
　Ｆｉｇ．３で予想されたように、ダイヤモンド層の間隔は、ダイヤモンド積層時間と相関関係をもって減少する。結局、それらはダイヤモンド薄膜の頂部で突き当たり、下方では空間が残り、選択的に積層されたダイヤモンド部分の間に意図的にエッチングされたシリコン部分の助けでマイクロチャンネルを形成する。
　実験では、狭いマイクロチャンネルの幅（１７±１μｍ）から始めた。Ｆｉｇ．５は、多結晶ダイヤモンドの積層時間を変数としたマイクロチャンネルの幅の測定値を示す。この線は、横方向の成長が最初は非常に早いが、漸近的にほとんと零に減少することを明確に示している。
　Ｆｉｇ．６ａは、シリコン基板上のダイヤモンド中のマイクロチャンネルの断面のＳＥＭである。そのチャンネルは二つの選択的に積層されたダイヤモンド部の間のダイヤモンドの下の空間である。Ｆｉｇ．６ｂは、二つのマイクロチャンネルの拡大写真である。チャンネル内に成長したダイヤモンドの輪郭線は、予想された輪郭線とよく類似している。Ｆｉｇ．３ｂの点線は、ダイヤモンドの成長を理解するために目に見えるようになっている。」（１７０８頁左欄４６行〜右欄２０行）
　そして、Ｆｉｇ．１、３には、シリコン基板にマイクロチャンネルを形成し、このシリコン基板とマイクロチャンネルを多結晶合成ダイヤモンド膜で覆い、さらに、この多結晶合成ダイヤモンド膜に大出力電子部品を接着した、大出力電子部品用ヒートシンク及びその製造方法が記載され、さらに、Ｆｉｇ．１には、マイクロチャンネルの両側にクーラントインとクーラントアウトが記載されている。
　
（３−２）甲第２号証
　甲第２号証の米国特許第４２６８８５０号明細書には、複数の液体通路と各液体通路に通じた流入通路及び流出通路からなる大出力半導体デバイスを冷却するヒートシンクに関する発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「液体で冷却されるヒートシンクは大出力半導体デバイスを冷却することに使用するために用意されている。そのヒートシンクは熱伝導性材料で形成された基体で構成されている。複数の液体通路がその基体内に用意されている。多岐にわたる手段がその通路に通じており、多岐にわたる手段と連携する方法が、その基体内で様々な流体の流れの形態を提供するためにその通路を相互に連結する。」（１欄６７行〜２欄７行）
　そして、ＦＩＧ４には、複数の液体通路と、各液体通路に通じた流入通路及び流出通路が形成されたヒートシンクが記載されている。
　
（３−３）甲第３号証
　甲第３号証の「ＮＥＷ　ＤＩＡＭＯＮＤ」Ｖｏｌ．１１　Ｎｏ．１　１９９５．１には、マイクロプラズマシステムによるダイヤモンドの核発生におけるバイアスの影響に関する発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　
　「これまでの教訓や種々の報告はダイヤモンドの核発生やへテロエピタキシーにイオン利用が有利であることを示唆している。また新日本無線のマイクロ波プラズマ装置（無機材研方式）が使いやすいこともわれわれの研究の発端となっている。装置の概要とバイアス印加時のプラズマ及びポテンシャルの模様を図１に示す。
　基板温度７５０〜９００℃、反応圧力２０００〜３０００Ｐａ、ＣＨ４−Ｈ２濃度１〜４０％、バイアス＋１００〜−２００Ｖで最適処理条件を探した。メタン濃度が２．５〜５％、バイアスが−６０〜−７０Ｖ間で核密度は急激に増加する。」（１０頁左欄２行〜右欄３行）
　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証のＦＩＧ．１に記載されたマイクロチャネルの一方の側にあるクーラントインには、冷媒が流入するものと認められ、また、他方の側にあるクーラントアウトには、冷却媒体が流出するものと認められる。さらに、甲第１号証のヒートシンクにおいて、クーラントイン、クーラントアウト、及びマイクロチャンネルが、冷媒が流入、流出するための冷媒を通す通路組織を構成していることは明らかである。
　してみると、甲第１号証に記載された「ヒートシンク」、「マイクロチャンネル」、「クーラントイン」、「クーラントアウト」、及び「多結晶合成ダイヤモンド膜」は、本件発明１の「超小型冷却装置」、「凹所」、「流入通路」、「流出通路」、及び「被覆層」に相当する。
　そうすると、両者は、本件請求項１に記載された事項に沿って記載すると、「電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあつて冷煤を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆つて通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ」ている点で一致するものの、次の点で相違する。
　本件発明１が、「凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、被覆層（１１）を設ける前において基板（１４）にある凹所（１３）の深さと被覆層（１１）を設ける前における同じ凹所（１３）の幅との比が１より大きい」ものであるのに対し、甲第１号証に記載されたものはそのような構成を有していることが明らかではない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　甲第１号証には、シリコン基板をエッチングすることにより３０〜５０μｍの深さのマイクロチャンネルが形成され、さらに、Ｆｉｇ．４の場合、マイクロチャンネルの幅が約９０μｍであることが記載されているものの、他にはマクロチャンネルの深さと幅については何も記載されていない。
　また、甲第１号証に記載されたマイクロチャンネルは多結晶合成ダイヤモンド膜を形成する前に形成されるものであって、その幅はマイクロチャンネルの最大内のり幅がとられているか否か明らかではないが、仮に最大内のり幅がとられているとしても、マイクロチャンネルの深さ３０〜５０μｍに対して幅は約９０μｍであるから、深さと幅の比はほぼ０．３３〜０．５６となり、本件発明１の被覆層を設ける前における凹所の深さと幅との比が１より大きいものとは相違する。
　しかも、甲第１号証には、ダイヤモンドの析出によりマイクロチャンネルをふさぐことがないように、その深さと幅との比が１より大きいものとすることについては何も示唆されていない。
　してみると、甲第２号証に、複数の液体通路と、各液体通路に通じた流入通路及び流出通路が形成されたヒートシンクが記載され、甲第３号証に、ダイヤモンドの成長にマイクロ波プラズマ装置を使用することが記載されているとしても、甲第２、３号証には、ダイヤモンドの析出によりマイクロチャンネルをふさぐことがないように、その深さと幅との比が１より大きいものとすることについては何も示唆されていないことからみて、甲第１号証に記載されたヒートシンクに、甲第２、３号証に記載されたものを適用しても、本件発明１の上記相違点を容易に想到することはできない。
　
（４−２）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１の通路組織について、凹所と流入通路、流出通路の構成を限定したものであるが、本件発明１を引用するものであるから、本件発明１と同様に、甲第１号証に記載されたものから容易に想到することはできない。
　
　そして、本件発明１、３は、凹所の深さと幅の比を１より大きいものとすることにより、ダイヤモンドの析出が行われる際に、通路組織を完全にふさぐことはないという、明細書に記載された顕著な作用効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１、３は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１、３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、３についての特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月３日（２００２．６．３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項（１）
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１〜８、１１、１３〜１７、及び１９を削除するとともに、特許明細書の請求項９、１０、１２、及び１８を、請求項１〜４に項数を繰り上げるとともに、新しい請求項１、２、及び４を独立請求項として、以下のとおり訂正した。
　「【請求項１】　電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、
　凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、
　被覆層（１１）を設ける前において基板（１４）にある凹所（１３）の深さと被覆層（１１）を設ける前における同じ凹所（１３）の幅との比が１より大きいことを特徴とする、
超小形冷却装置。
　【請求項２】　電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷煤用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、
　凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、
　基板（２４，３４）が両側を被覆層（２１，２２，３１，３２）で覆われ、基板（２４，３４）が両方の被覆層（２１，２２，３１，３２）の間に設けられてこれらの被覆層（２１，２２，３１，３２）の間隔を確保する桟状突起（２５）又はドーム（３５）のみから形成され、
　桟状突起（２５）又はドーム（３５）の間に形成される凹所（２３，３３）の深さと幅との比が１より大きい
ことを特徴とする、超小形冷却装置。
　【請求項３】　超小形冷却装置の各通路組織が冷媒用の流入通路（１６，２６，３６）及び流出通路（１７，２７，３７）を持ち、流入通路（１６，２６，３６）が超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１３，２３，３３）の流入側に接続され、流出通路（１７，２７，３７）が超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１３，２３，３３）の流出側に接続され、流入通路（１６，２６，３６）が通路組織に関して超小形冷却装置の流出通路（１７，２７，３７）の反対側に設けられているものにおいて、
　流入通路（１６，２６，３６）が冷媒の流れ方向（Ａ）に縮小する流通断面を持ち、流出通路（１７，２７，３７）が冷媒の流れ方向（Ａ）に拡大する流通断面を持っていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の超小形冷却装置。
　【請求項４】　基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側で密に接する被覆層により凹所を覆って冷媒の通る通路組織を形成する、超小形冷却装置の製造方法であって、第１の被覆層（２１，３１）を設ける前に、凹所（２３，３３）を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所（２３，３３）の範囲で第１の被覆層（２１，３１）を気相から析出させて通路組織を形成し、第１の被覆層（２１，３１）用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次元に成長しかつ第１の被覆層（２１，３１）として析出せしめられた状態において電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ製造方法において、
　基板（２４，３４）の一方の板面に第１の被覆層（２１，３１）を設ける前に、第２の被覆層（２２，３２）を設けた後基板（２４，３４）に凹所（２３，３３）を形成し、凹所（２３，３３）により、これらの凹所（２３，３３）の範囲で第２の被覆層（２２，３２）を露出させ、基板（２４，３４）の自由板面（２）に気相から第１の被覆層（２１，３１）を析出させ、その際凹所（２３，３３）の範囲で第１の被覆層（２１，３１）の析出を行って、通路組織を形成することを特徴とする、超小型冷却装置の冷却方法。」
（２）訂正事項（２）
　特許明細書の段落【０００１】に記載された「本発明・・・製造方法に関する。」を、
　「本発明は、電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小型冷却装置が、超小型冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料からなり、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられる、超小型電子部品用超小型冷却装置、及び基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側で密に接する被覆層により凹所を覆って冷媒の通る通路組織を形成する、超小型冷却装置の製造方法であって、被覆層を設ける前に、凹所を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所の範囲で被覆層を気相から析出させて通路組織を形成し、被覆層用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次元に成長しかつ被覆層として析出せしめられた状態において電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ、超小型冷却装置の製造方法に関する。」に訂正する。
（３）訂正事項（３）
　特許明細書の段落【０００６】に記載された「この課題・・・選ぶ。」を、
　「この課題を解決するため超小型冷却装置に関して本発明によれば、被覆層を設ける前において基板にある凹所の深さと被覆層を設ける前における同じ凹所の幅との比が１より大きい。
　また製造方法に関して本発明によれば、基板の両方の板面に被覆層を設ける。」に訂正する。
（４）訂正事項（４）
　特許明細書の段落【０００７】に記載された「【発明の効果】」を削除する。
（５）訂正事項（５）
　特許明細書の段落【０００７】に記載された「真性自己伝導」を「真性（固有）伝導」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
超小形冷却装置及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあつて冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、
　凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、
　被覆層（１１）を設ける前において基板（１４）にある凹所（１３）の深さと被覆層（１１）を設ける前における同じ凹所（１３）の幅との比が１より大きいことを特徴とする、
超小形冷却装置。
　【請求項２】　電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあって冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆って通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、
　凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられるものにおいて、
　基板（２４，３４）が両側を被覆層（２１，２２，３１，３２）で覆われ、基板（２４，３４）が両方の被覆層（２１，２２，３１，３２）の間に設けられてこれらの被覆層（２１，２２，３１，３２）の間隔を確保する桟状突起（２５）又はドーム（３５）のみから形成され、
　桟状突起（２５）又はドーム（３５）の間に形成される凹所（２３，３３）の深さと幅との比が１より大きい
ことを特徴とする、超小形冷却装置。
　【請求項３】　超小形冷却装置の各通路組織が冷媒用の流入通路（１６，２６，３６）及び流出通路（１７，２７，３７）を持ち、流入通路（１６，２６，３６）が超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１３，２３，３３）の流入側に接続され、流出通路（１７，２７，３７）が超小形冷却装置の通路組織のすべての通路状凹所（１３，２３，３３）の流出側に接続され、流入通路（１６，２６，３６）が通路組織に関して超小形冷却装置の流出通路（１７，２７，３７）の反対側に設けられているものにおいて、
　流入通路（１６，２６，３６）が冷媒の流れ方向（Ａ）に縮小する流通断面を持ち、流出通路（１７，２７，３７）が冷媒の流れ方向（Ａ）に拡大する流通断面を持つていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の超小形冷却装置。
　【請求項４】　基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側で密に接する被覆層により凹所を覆つて冷媒の通る通路組織を形成する、超小形冷却装置の製造方法であって、被覆層（２１，３１）を設ける前に、凹所（２３，３３）を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所（２３，３３）の範囲で被覆層（２１，３１）を気相から析出させて通路組織を形成し、被覆層（２１，３１）用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次元に成長しかつ被覆層（２１，３１）として析出せしめられた状態において電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ製造方法において、
　基板（２４，３４）の一方の板面に第１の被覆層（２１，３１）を設ける前に、第２の被覆層（２２，３２）を設けた後基板（２４，３４）に凹所（２３，３３）を形成し、凹所（２３，３３）により、これらの凹所（２３，３３）の範囲で第２の被覆層（２２，３２）を露出させ、基板（２４，３４）の自由板面（２）に気相から第１の被覆層（２１，３１）を析出させ、その際凹所（２３，３３）の範囲で第１の被覆層（２１，３１）の析出を行つて、通路組織を形成することを特徴とする、超小形冷却装置の冷却方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、電子部品を外側に熱伝導するように支持する超小形冷却装置が、超小形冷却装置の内部にあつて冷媒を通す通路組織と、通路組織に接続される冷媒用の流入通路及び流出通路と、凹所を持つ基板と、凹所を外部に対して覆つて通路組織を形成する被覆層とを備えており、被覆層が電気絶縁性で熱伝導性の材料から成り、被覆層が電子部品を直接装着するために設けられ、凹所の幅として凹所の最大内のり幅がとられる、超小形電子部品用超小形冷却装置、及び基板に通路状凹所を形成し、基板の板面の側で密に接する被覆層により凹所を覆つて冷媒の通る通路組織を形成する、超小形冷却装置の製造方法であって、被覆層を設ける前に、凹所を少なくともその半分の幅に相当する深さで形成し、凹所の範囲で被覆層を気相から析出させて通路組織を形成し、被覆層用の材料として、気相からの析出の際優先的に三次元に成長しかつ被覆層として析出せしめられた状態において電気絶縁性で熱伝導性の材料を選ぶ、超小形冷却装置の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ドイツ連邦共和国特許出願公開第４３１１８３９号明細書は、電子部品の冷却用超小形冷却装置を開示している。この超小形冷却装置は一方の板面を構造化された基板と、この構造化された板面に設けられる被覆層とを持つている。超小形冷却装置上に電子部品を設けることができるようにするため、これらの電子部品と超小形冷却装置の材料との間に絶縁層を設けねばならない。ここで電子部品は、半導体、容量及び誘導素子、抵抗、超伝導体、これらの素子から形成される回路等を意味する。ドーピングされない真性シリコンから有利に形成される基板の被覆層で覆われる板面に、基板が凹所を持ち、凹所を持つ構造化された板面上に被覆層を密に設けた後、これらの凹所がなるべく液状の冷媒の通る通路組織を形成する。
　【０００３】
　通路組織を製造するため、例えば選択的エツチングにより、凹所がウエーハ状に構成される基板に形成される。凹所は板面側を被覆層で密に覆われて、冷媒の通る通路組織を形成する。被覆層は、基板の材料から形成されて凹所の形成後基板の中に残つている桟状突起に密に結合されている。
　【０００４】
　個々又は群の電子部品は、超小形冷却装置上に設けられる絶縁層上に例えばろう付け又は接着により設けられているので、電子部品の作動の際生ずる廃熱は、絶縁層の材料及び超小形冷却装置の材料を通つて冷媒へ導かれる。冷媒、特に氷点を低くする物質と混合されている水は、廃熱を吸収して、通路組織を形成する凹所を通つてこの廃熱を外部へ運ぶ。基板にはなるべくドーピングされないシリコンが使用されるので、絶縁層なしのこのような超小形冷却装置は、低い温度にしかも一部には限られた程度にしか適していない。なぜならば特定の温度からシリコンが自己伝導するからである。従つて基板のできるだけ効果的な冷却が望まれる。冷媒の大きい体積流量とそれによりできるだけ良好な冷却効果を得るために、通路組織は比較的大きい内のり断面を持つている。この大きい断面は、特に公知の超小形冷却装置が大きく重いことによる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明の課題は、最初にあげた種類の超小形冷却装置を改良して、廃熱をできるだけ速くかつ効果的に運び出し、できるだけ高い作動温度でも超小形冷却装置を使用できるようにすることである。更に本発明の課題は、この超小形冷却装置の製造方法を開発することである。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　この課題を解決するため超小形冷却装置に関して本発明によれば、被覆層を設ける前において基板にある凹所の深さと被覆層を設ける前における同じ凹所の幅との比が１より大きい。
　また製造方法に関して本発明によれば、基板の両方の板面に被覆層を設ける。
　【０００７】
　よく熱伝導し特に高い温度でも電気絶縁性の材料成るべくダイヤモンドから成る被覆層を使用することによつて、有利に薄い層厚で設けられる被覆層上に電子部品を設けることができる。それにより絶縁材料が不要になり、放熱流の経路が短くなり、単位時間当りの放熱量が増大する。更に基板の材料の可能な真性（固有）伝導の影響も僅かになるので、小さい直径を持つ冷却通路及び超小形冷却装置を更に小さく軽く作ることができ、同じ大きさで電子部品を一層密に装着することができる。
　【０００８】
　本発明の合目的な構成は従属請求項からわかる。更に図示されている実施例に基いて本発明が以下に説明される。
　【０００９】
　【実施例】
　図１には、超小形冷却装置１０の基板１４の構造化された板面２が斜視で示されている。超小形冷却装置１０は超小形電子回路、半導体、抵抗等のような電子部品１を装着するために設けられている。基板１４の構造化された板面２は上方へ突出する複数の桟状突起１５を備えている。これらの桟状突起１５は、後で通路組織を形成するために設けられている凹所１３の縁を形成している。
　【００１０】
　所望の通路組織を形成するため、図２に断面図で示すように、基板１４の構造化された板面２の互いに平行にかつ等間隔で設けられる凹所１３が、ダイヤモンドなるべく多結晶ダイヤモンドから成る被覆層１１で覆われている。ドーピングされないダイヤモンドは電気絶縁体でありかつ良好な熱伝導体であり、従つて後で設けるべき電子部品１を被覆層１１上に直接設けることができるので、ダイヤモンドから成る被覆層１１は有利である。この場合５０μｍないし数１００μｍの層厚を持つ被覆層１１を設けるのが有意義である。これらの寸法は凹所１３の寸法の大きさ範囲にある。ダイヤモンドから成る被覆層１１は更に特に５０μｍないし２００μｍの層厚で設けられるため、電子部品１から通路組織従つて冷媒の方へ流れる熱流は短い行程を持つているので、熱の良好な運び出しが保証される。良好な放熱により、本発明による超小形冷却装置１０を小さく構成することができる。更に超小形冷却装置１０に高い配列密度の電子部品１を設けることができる。
　【００１１】
　内側の桟上突起１５従つて桟状突起１５の間に設けられる凹所１３は、互いに平行にかつ等間隔に設けられ、桟状突起１５の高さ従つて凹所１３の深さは、２つの隣接する桟状突起１５の間隔従つて凹所１３の幅にほぼ等しい。凹所１３の深さと幅との比はほぼ１に等しい。互いに平行な凹所１３は、被覆層１１を設けた後、本来の通路組織を形成する。このような桟状突起１５又は凹所１３の構成は、簡単に公知のように湿式化学的方法で、従つて安価な技術で可能である。
　【００１２】
　凹所１３の範囲おける端面開口は、構造化された板面２上に被覆層１１を密に設けた後、冷媒に対して通路組織の流入開口及び流出開口となる。凹所１３の両端面には、平行な凹所１３に対して直角に延びる横凹所１８がそれぞれ設けられている。これらの横凹所１８は変化する幅を持ち、通路組織を形成する平行な凹所１３に流体接続されている。
　【００１３】
　横凹所１８は、板面側に密に設けられる被覆層１１と共同作用して、通路組織を通りかつ超小形冷却装置１０上に設けられる電子部品１を冷却するために使用される冷媒用の流入通路１６及び流出通路１７を構成している。特に氷点を低下する物質を混合される水を冷媒として使用するのがよい。
　【００１４】
　流入通路１６は冷媒の流れ方向Ａに減少する断面を持つている。流入通路１６の流通断面の減少は、互いに平行に延びる凹所１３へ入つて行く冷媒の体積に合わされているのがよい。
　【００１５】
　流出通路１７は、互いに平行に設けられて固有の通路組織を構成する凹所１３を介して、流入通路１６に流体接続され、流れ方向Ａにおいて流入通路１６の反対側に設けられている。
　【００１６】
　冷媒を流入通路１６へ流入させるための流入通路１６の入口は、冷媒を流出通路１７から流出させるための流出通路１７の出口に対して対角線上に設けられているのがよい。
　【００１７】
　流出通路１７は冷媒の流れ方向Ａに拡大する断面を持ち、流通断面の拡大は、凹所１３から流出通路１７へ出て行く冷媒の体積に合わされているのがよい。
　【００１８】
　流入通路１６及び流出通路１７用の横凹所１８は、公知のマスク技術で湿式化学的に選択的エツチングにより設けることができる。流入通路１６及び流出通路１７もダイヤモンドから成る被覆層１１により覆われているので、これらの範囲にも電子部品１を設けて冷却することができる。
　【００１９】
　被覆層１１として、まず独立した被覆層１１でなく、気相反応（ＣＶＤ）法により気相から析出せしめられかつ優先的に三次元に成長するダイヤモンドから成る被覆層１１が、基板１４の構造化された板面２上に設けられる場合、注意すべきことは、通路従つて平行な凹所１３及び横凹所１８の最大幅をこれら通路の深さの２倍より大きくしないことである。平行な凹所１３及び横凹所１８に対し、深さと幅との比を１より大きく、特に２より大きく選ぶのがよい。気相から析出せしめられるダイヤモンドから成る被覆層１１が凹所１３の上にのみ設けられている場合、これらの凹所１３においてのみ適当な寸法設定に注意すればよい。
　【００２０】
　特に統計的な方位の格子面を持つよい熱伝導性の多結晶ダイヤモンドから成る被覆層１１を、平行な凹所１３及び横凹所１８上へ、気相から簡単に析出させるために、基板１４の板面に対して平行に測つた横凹所１８の幅を一定にし、深さを流れ方向Ａに変化することによつて、横凹所１８の断面の変化が有利に行われる。これは、流入通路１６に対しては流れ方向Ａに横凹所１８の深さが減少し、流出通路１７に対しては流れ方向Ａに横凹所１８の深さが増大することを意味している。
　【００２１】
　図３には超小形冷却装置用の別の基板２４が示されている。図１による実施例におけるように、この基板２４も互いに平行に配列される凹所２３を備えている。これらの平行な凹所２３は、ＩＶ−ＩＶ線に沿う断面で示す多結晶ダイヤモンド被覆層２１即ち第１の被覆層と共同作用して、この超小形冷却装置の通路組織を構成している。更に図３による基板２４は、平行な凹所２３の自由端面の開口に設けられて図１又は２のように流入通路２６及び流出通路２７を形成する横凹所２８をそれぞれ持つている。
　【００２２】
　しかし図１及び２による実施例とは異なり、図３及び４による基板２４は第２の被覆層２２を持ち、この第２の被覆層上に桟状突起２５が設けられている。これらの桟状突起２５は平行な凹所２３を互いに隔離し、超小形冷却装置の付加的な縁区画壁を形成している。更に桟状突起２５は、電子部品１を支持する超小形冷却装置２０の両方の板面に対して、間隔片の機能も持つている。
　【００２３】
　凹所２３により上にダイヤモンドから成る第１の被覆層２１をＣＶＤ法により設け特に析出させた後、図３による基板２４を持つ図４の超小形冷却装置は、図１による基板１４を持つ図２の超小形冷却装置と同じような冷却面、ただし２倍の大きさの冷却面を持つている。それにより図４による超小形冷却装置には、著しく密に即ち両方の板面に、直接電子部品１を装着することができる。
　【００２４】
　この場合図２による超小形冷却装置におけるように、超小形冷却装置の１つの板面で電子部品の廃熱の放熱が行われるだけでなく、両方の板面で放熱が行われるという利点がある。従つて図３による基板２４を持つ図４の超小形冷却装置では、板面に対して直角をなしかつ僅かな程度でのみ超小形冷却装置の周面に算入される縁面を除いて、殆どすべての外面が、電気絶縁性でよい熱伝導性の冷却面として利用可能である。
　【００２５】
　図５には超小形冷却装置の基板３４の第３の実施例が示されている。大部分が図３による基板２４と同じように構成されている図５の基板３４は、図３による基板２４では互いに平行に配列されている桟状突起２５が、その長さに沿つて中断されて、今やドーム３５を形成し、これらのドームがダイヤモンドから成る第２の被覆層３２から突出しているという点でのみ、相違している。ドーム３５は、基盤目状又は柱状に第２の被覆層３２上に設けられて、ダイヤモンドから成る第１の被覆層３１と第２の被覆層３２との間の間隔片を同時に形成している。
　【００２６】
　この構造により、図５による基板３４を持つ超小形冷却装置は、すべての実施例のうちで、ダイヤモンドから成る両方の被覆層と冷媒との間に最も大きい接触面積を持つている。
　【００２７】
　本発明による方法を、図４による超小形冷却装置２０の製造の例について、凹所２３なしの基板２４から始まつて、図６に基いて説明する。
　【００２８】
　製造の始めに、基板２４が洗浄される。続いて、洗浄された基板２４のなるべく平らな板面に、特にダイヤモンドから成る第２の被覆層２２が設けられる。第２の被覆層２２は、公知のＣＶＤ法により、なるべく気相からの析出によつて行われる。しかし若干の場合基板２４の板面に、まず独立した被覆層２２をなるべくろう付けすることによつて、第２の被覆層２２を設けるのが有効なこともある。
　【００２９】
　第２の被覆層２２を設けた後、基板２４の自由板面に感光性樹脂膜（図示せず）が塗布され、通路組織を形成する凹所２３の所望の形状に応じてエツチング用マスクを構成するため、この感光性樹脂膜が露光され、また場合によつては流入通路２６及び流出通路２７を形成する横凹所２８も露光され、凹所２３及び２８が公知のように選択的エツチングされる。
　【００３０】
　この場合選択的エツチングの際注意すべきことは、第２の被覆層２２を除いてエツチングが行われ、凹所２３及び横凹所２８が、その深さと幅との常に１より大きい比を持つていることである。この場合凹所２３及び横２８の深さは、後で形成される第１被覆２１と第２の被覆層２２との間隔に等しい。
　【００３１】
　選択的エツチング後に、基板２４の第２の被覆層２２とは反対側の構造化された板面に、公知のＣＶＤ法により気相からダイヤモンドの第１の被覆層２１が析出せしめられ、その際少なくとも核形成中に、気相に対して負の電位が基板２４に印加せしめられ、その際少なくとも核形成中に、気相に対して負の電位が基板２４に印加されるのがよい。
　【００３２】
　この場合第２の被覆相２２上即ち桟状突起２５を持つ板面にも、ダイヤモンドの析出が行われるが、凹所２３及び横凹所２８の深さと幅との前述した比のため、通路組織を完全にふさぐことはない。
　【００３３】
　放熱を改善するため、多くの場合、電子部品１を設ける前に、第１の被覆層２１の層厚又は第２の被覆層２２の層厚を例えばエツチングにより減少するのが有意義であり、それにより電子部品を装着すべき両板面の間隔が減少せしめられ、放熱が改善される。
　【００３４】
　層厚の減少、特に電子部品側板面と冷却通路との間隔の減少は、被覆層１１のみを持つ図２の超小形冷却装置においても行うことができる。この場合被覆層１１とは反対側の板面からも基板１４の一部を除去するのが特に合目的である。なぜならばこの場合も、冷却通路又は凹所１３の底からの一層小さくなる間隔のため、この板面上に設けられる電子部品に対して、同様に改善された放熱が行われるからである。
　【００３５】
　第１の被覆層２１により通路組織が板面側で密閉され後、超小形冷却装置の被覆層２１及び２２は電子部品１を装着される。超小形冷却装置の第２の被覆層２２は通路組織の範囲に一層大きい層厚を持つているので、この場合超小形冷却装置への装着の際この板面に、例えば僅かな電力損失のため運び出すべき僅かな廃熱しか持たない電子部品１を設けるのが有効である。
　【００３６】
　流入通路２６及び流出通路２７のため２つの横凹所２８を超小形冷却装置２０の基板２４へエツチングにより形成する代りに、流入通路２６及び流出通路２７を、既に完成して例えば上述した通路組織の１つを持つ超小形冷却装置に、後でも設けることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　準備された流入通路及び流出通路を持つ超小形冷却装置の基板の構造化された板面の斜視図である。
　【図２】
　基板とこの基板上に設けられるダイヤモンド層とを持つ図１による超小形冷却装置のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
　【図３】
　１つの板面に密に設けられる閉じたダイヤモンド層を持ちかつ大体において桟状突起から成る超小形冷却装置の基板の斜視図である。
　【図４】
　基板とこの基板の残つている板面上に設けられる別のダイヤモンド層とを持つ図３による超小形冷却装置のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
　【図５】
　準備された流入通路及び流出通路を持つ超小形冷却装置の基板にドームを持つ構造化された表面の斜視図である。
　【図６】
　凹所なしの基板から始まつて図４による超小形冷却装置を製造する方法の流れ図である。
　【符号の説明】
　１　　　　　　　　　電子部品
　１０，２０　　　　　超小形冷却装置
　１１，２１，２２　　被覆層
　１３，２３，３３　　凹所
　１４，２４，３４　　基板
　１５，２５，３５　　桟状突起