【事件の表示】
　特許第３１００９０５号「半導体基板の研磨方法及びその装置」の請求項１ないし７、１７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１００９０５号の請求項１ないし７、１７に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３１００９０５号発明は、特許法第４１条に基づく優先権を伴う平成８年６月２６日（優先日平成７年８月２４日及び平成７年１２月１４日）の出願であって、平成１２年８月１８日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人傳田正彦より請求項１〜７及び請求項１７に対して特許異議の申し立てがなされた。これに対し、当審より平成１３年８月２３日付で取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１１月２日に特許権者より特許異議意見書及び訂正請求書が提出されたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正事項
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１〜７及び請求項１７に係る記載
　「【請求項１】平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円形状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　　【請求項２】平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円環状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　　【請求項３】前記平面運動は回転運動であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項４】前記パッド加圧部は平滑な押圧面を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項５】前記パッド加圧部は樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項６】前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項７】前記パッド加圧部の押圧面の直径は前記第１の領域の直径よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求頃１７】回転運動をする平坦面を有する定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドの上に研磨剤を供給しつつ、半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に押圧しながら前記半導体基板を研磨すると共に、前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記第２の領域を弾性変形させる研磨工程を備え、
　前記研磨工程は、前記第２の領域が押圧されて弾性変形した後に回復しながら前記半導体基板に達した時の前記研磨パッドの変形量と、前記半導体基板を研磨する際に前記第１の領域が前記半導体基板から押圧されることにより変形する前記研磨パッドの変形量とがほぼ等しくなるような圧力で前記第２の領域を押圧することを特徴とする半導体基板の研磨方法。」を、
　「【請求項１】平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円形状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えており、
　前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、
　前記パッド加圧部の押圧面の直径は前記第１の領域の直径よりも大きいことを
特徴とする半導体基板の研磨装置。
　　【請求項２】平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円環状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えており、
　前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられていること
を特徴とする半導体基板の研磨装置。
　　【請求項３】前記平面運動は回転運動であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項４】前記パッド加圧部は平滑な押圧面を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項５】前記パッド加圧部は樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項６】前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項７】前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置し、
　前記パッド加圧部の押圧面の外径は前記第１の領域の直径よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の半導体基板の研磨装置。
　　【請求項１７】回転運動をする平坦面を有する定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドの上に研磨剤を供給しつつ、基板保持手段に保持された半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に押圧しながら前記半導体基板を研磨すると共に、前記第１の領域の直径よりも大きい外径の円形状又は円環状の押圧面を持つパッド加圧部を有し且つ前記基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段の前記パッド加圧部を前記研磨パッドの第２の領域に押圧して前記第２の領域を弾性変形させる研磨工程を備え、
　前記研磨工程は、前記第２の領域が押圧されて弾性変形した後に回復しながら前記半導体基板に達した時の前記研磨パッドの変形量と、前記半導体基板を研磨する際に前記第１の領域が前記半導体基板から押圧されることにより変形する前記研磨パッドの変形量とがほぼ等しくなるような圧力で前記第２の領域を押圧す
ることを特徴とする半導体基板の研磨方法。」
と訂正する。
　上記請求項１〜７及び請求項１７の訂正個所は、次のとおりである。
（１）　訂正個所１
　特許請求の範囲の滅縮を目的として、特許明細書における特許請求の範囲の請求項１中の「備えている」を、「備えており、前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、前記パッド加圧部の押圧面の直径は前記第１の領域の直径よりも大きい」と訂正する。
（２）　訂正個所２
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書における特許請求の範囲の請求項２中の「備えている」を、「備えており、前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられている」と訂正する。
（３）　訂正個所３
　明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書における特許請求の範囲の請求項６中の「請求項１又は２」を「請求項１」と訂正する。
（４）　訂正個所４
　明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書における特許請求の範囲の請求項７中の「前記パッド加圧部」の前に、「前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置し、」を挿入する。
（５）　訂正個所５
　明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書における特許請求の範囲の請求項７中の「押圧面の直径」を「押圧面の外径」と訂正する。
（６）　訂正個所６
　明瞭でない記載の釈明を目的として、特許明細書における特許請求の範囲の請求項７中の「請求項６」を「請求項２」と訂正する。
（７）　訂正個所７
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書における特許請求の範囲の請求項１７中第２行目の「半導体基板」を「基板保持手段に保持された半導体基板」と訂正する。
（８）　訂正個所８
　特許請求の範囲の滅縮を目的として、特許明細書における特許請求の範囲の請求項１７中の「前記研磨パッドの第２の領域を」を「前記第１の領域の直径よりも大きい外径の円形状又は円環状の押圧面を持つパッド加圧部を有し且つ前記基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段の前記パッド加圧部を前記研磨パッドの第２の領域に」と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項における、訂正個所１〜８ついて検討する。
（１）　訂正個所１
　訂正個所１については、特許明細書の請求項１中に、「前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、前記パッド加圧部の押圧面の直径は第１の領域の直径よりも大きい」を加入するもので、基板保持手段とパッド加圧手段間の関連構成について、パッド加圧部の押圧面と第１の領域の大小関係とともに限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、「基板保持手段とパッド加圧手段とは互いに独立に設けられ」は、願書に最初に添付した明細書（以下「出願時の明細書」という。）の段落００５１及び００５２並びに同じく願書に最初に添付した図面（以下「出願時の図面」という。）の図１に記載されていると共に、「パッド加圧部の押圧面の直径は第１の領域の直径よりも大きい」は出願時の明細書の段落００５９及び出願時の図面の図２（ａ）に記載されている。
（２）　訂正個所２
　訂正個所２については、特許明細書の請求項２中に、「前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ」を加入するもので、基板保持手段とパッド加圧手段間の関連構成について限定したものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、「基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ」は、出願時の明細書の段落００５１及び００５２並びに出願時の図面の図１に記載されている。
（３）　訂正個所３、４及び６
　訂正個所３については、特許明細書の請求項６中の「請求項１又は２」を「請求項１」と訂正するものであり、訂正個所４については、特許明細書の請求項７中の「前記パッド加圧部」の前に、「前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置し、」を挿入するものであり、また、訂正個所６については、請求項７中の「請求項６」を「請求項２」と訂正するものであって、これらの訂正は、特許明細書の請求項７の構成要件を訂正により請求項１に取り込んだことに伴って、特許明細書の請求項７における「請求項６」の記載を「請求項２」に訂正すると共に、特許明細書の請求項６の構成要件を請求項７に取り込む必要が生じたものである。
　そして、これらの訂正は、特許明細書の請求項７の構成要件を訂正により請求項１に取り込むことによる、各請求項６、７の整合をとるものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（４）　訂正個所５
　訂正個所５については、請求項７中の「押圧面の直径」を「押圧面の外径」と訂正するものであって、これは、訂正による請求項７が請求項２の従属項となったことに伴って、特許明細書の請求項２中における「円環状の押圧面を持っており・・・・・パッド加圧部」の記載と整合させるものである。
　そして、この訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
（５）　訂正個所７
　訂正個所７については、特許明細書の請求項１７中第２行目の「半導体基板」を「基板保持手段に保持された半導体基板」と訂正するものであり、「半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に押圧」する際に、半導体基板が「基板保持手段に保持された」ものであることに、減縮するもので、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、「基板保持手段に保持された半導体基板」は出願時の明細書の段落００１８に記載されている。
（６）　訂正個所８
　訂正個所８については、「前記研磨パッドの第２の領域を押圧」するのが、「前記第１の領域の直径よりも大きい外径の円形状又は円環状の押圧面を持つパッド加圧部を有し且つ前記基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段」であると、限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、「第１の領域の直径よりも大きい外径の円形状又は円環状の押圧面を持つパッド加圧部を有するパッド加圧手段」は出願時の明細書の段落００５９及び出願時の図面の図２（ａ）に記載されており、「基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段」は出願時の明細書の段落００５１及び００５２並びに出願時の図面の図１に記載されている。
　以上のように、訂正個所１〜８は、何れも特許請求の範囲の減縮又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、特許法第１２０条の４第２項ただし書き第１号及び第３号の規定を満たしている。
　また、上記訂正個所１〜８は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項、及び同第３項で準用する特許法第１２６条第２〜３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについての判断
１　本件特許発明
　上記のように本件については訂正が認められており、本件特許発明は、第２の１に示す訂正後の請求項１〜７及び請求項１７に記載されたとおりのものである。
　以下、特許時の請求項１〜７及び請求項１７に係る発明を単に、それぞれ「特許発明１〜７及び１７」と言い、訂正請求による請求項１〜７及び請求項１７に係る発明を単に、それぞれ「訂正発明１〜７及び１７」と言う。
２　特許異議申立ての概要
　特許異議申立人傳田正彦は、甲第１号証として特開平７−２９７１５２号公報を、甲第２号証として特開平７−１１２３６０号公報を、甲第３号証として特開平３−８６４６８号公報を、また、甲第４号証として特開昭６３−２８３８５９号公報を提出して、特許発明１〜７及び１７は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、また、特許発明１〜７及び１７は、甲第２〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消すべきものであると主張している。　
３　取消理由及び当審の判断
　当審の平成１３年８月２３日付取消理由は、上記特許異議申立ての理由に沿ったものであり、次に、その特許法第２９条の２の規定に違反しているか、若しくは同第２９条第２項の規定に違反しているとした点について検討する。
（１）特許法第２９条の２の規定違反について
ア　　甲第１号証
　上記取消理由において、引用された、
　甲第１号証　特願平６−８６９９４号（特開平７−２９７１５２号公報参照）
は、ウエーハ鏡面研磨装置を開示している。そして、次の（ア）〜（ス）の事項が記載されている。
（ア）　　「ウェーハ５の外ダレ現象から、鏡面研磨を行っているときの研磨布６の表面状況は、ウェーハ５と接触する時間によって異なることを突き止め、表面状況の異常は、そのほとんどが外周近傍領域で生じていることをつかんだ。そして、研磨布６が有する粘弾性効果を外周近傍領域において抑制すれば、研磨布６の外周近傍領域における表面状況を内周近傍領域の表面状況に一致させることができることに着目して本発明を完成させるに至った。さらに、研磨布６の目詰まり状況を研磨布６の全面に亘って均一にすれば、研磨布の表面状況を一層均一にできることにも着目して本発明を完成させるに至った。」（段落０００９）
（イ）　　「図１に示すように、ウェーハ鏡面研磨装置は、被研磨材としてのシリコンウェーハ５を保持するブロック４を有し、該ブロック４におけるウェーハ５を保持した側には定盤９が配置されている。ブロック４を定盤９に対して加圧する加圧機構として、加圧軸１と、この加圧軸１に調心軸受け２を介して首振り、回転自在に取り付けられる加圧ヘッド３とが設けられている。この加圧ヘッド３の下方位置に、前記ブロック４が装着されており、図２に示すように、複数枚のウェーハ５がブロック４に装着されるようになっている。」（段落００１８）
（ウ）　　「定盤９は、図示しないモータなどが接続された回転軸１６（図４参照）により回転駆動され、ブロック４と相対的に摺動する。モータや回転軸１６などにより、ブロック４と定盤９とを相対的に摺動させる摺動駆動機構が構成されている。定盤９の上面には粘弾性体である研磨布６が貼り付けられており、定盤９にブロック４を加圧し摺動させることにより、ウェーハ５の表面が鏡面研磨される。」（段落００１９）
（エ）　　「前記研磨布６はポリエステル系繊維からなり粘弾性を有しているが、この粘弾性について以下に説明する。
　図５に概念的に示すように、研磨布６に対してその表面から荷重を加えると、表面の位置は初期状態の位置から時間の経過とともに変位し、また、時間ｔで荷重を除くと、表面の位置は時間の経過とともに回復する。荷重を除いてから回復基準時間経過後における表面が回復した変位量を、粘弾性値あるいは回復変位という。」（段落００２０、００２１）
（オ）　　「そこで、本発明に係るウェーハ鏡面研磨装置には、図１に示すように、研磨布６に圧接して当該研磨布６が有する粘弾性効果を抑制するシーズニング手段２０が設けられている。このシーズニング手段２０は、非回転の加圧ブロック２１と、この加圧ブロック２１の下端面に取り付けられると共に研磨布６に圧接する圧接材２２と、加圧ブロック２１を所定圧力で定盤９に向けて押し付ける加圧ロッド２３とを有する。」（段落００２７）
（カ）　　「図２に示すように、シーズニング手段２０は、その圧接材２２が、
ウェーハ移動距離の長い外周近傍領域（図６参照）に配置されるように設けられ
ている。定盤９が回転すると、非回転の圧接材２２は、研磨布６の表面に圧接し、相対的に摺動する。
　圧接材２２の材質としては、被研磨材５の材質と同じものを使用するのが良い。例えば、本実施例のようにシリコンウェーハ５を鏡面研磨する場合には、ウェーハと同じ材質であるシリコン製の圧接材２２を使用する。また、圧接材２２は、研磨布６に対する単位面積当たりの圧接力がウェーハ５の圧接力と同じとなるように、研磨布６の表面に押し付けられている。」（段落００２８、００２９）
（キ）　　「シーズニング手段２０に取り付ける圧接材２２の大きさは、研磨布６の粘弾性値の回復変位の大きい部分をカバーする必要があり、図７から判断できるとおり、定盤半径の１／３〜１／４の大きさのものを定盤外周部に取り付ければ、粘弾性値の高い部分を押え、定盤内周部の粘弾性値に近付けるよう低くすることができる。したがって、圧接材２２の径は、余り小さいものでは効果はなく、図２に示すとおり、被研磨材５とほぼ同等の大きさの径が望ましい。」（段落００３０）
（ク）　　「加圧ヘッド３を回転してウェーハ５を回転すると共に定盤９を回転することにより、ウェーハ５は、研磨布６に対して摺動して遊星軌道を描きつつ移動し、その表面が鏡面研磨される。一方、シーズニング手段２０の非回転の圧接材２２は、研磨布６の外周近傍領域において、ウェーハ５の圧接力と同じ圧接力で研磨布６の表面に圧接し、当該研磨布６に対して相対的に摺動している。
　研磨布６の外周近傍領域においてはウェーハ５が早く進行するために、ウェーハ５と研磨布６との接触時間は、内周近傍領域における両者５、６の接触時間よりも相対的に短くなるが、シーズニシグ手段２０の圧接材２２が研磨布６の外周近傍領域に圧接しているため、研磨布６に対する荷重時間に着目すれば、研磨布６の全面に渡ってほぼ同じとなる。これにより、研磨布６の粘弾性値は、当該研磨布６の全面に渡ってほぼ均一となる。（段落００３３、００３４）
（ケ）　　「このため、図３（１）に示すように、定盤９の外周部では、矢印Ａで示されるウェーハ５の進行方向に沿って前側に位置する研磨布６表面の盛り上がりがそれほど大きくならず、同図（２）に示すように、ウェ−ハ５に作用する圧力が当接面の全面で均一となる。したがって、ウェ一ハ５はその全面に渡って均一に鏡面研磨され、同図（３）に示すように、外ダレなどのウェ−ハ品質異常を防止したウェーハ５を得ることができる。」  （段落００３５）
（コ）　　「また、圧接材２２を非回転とした構成を示したが、圧接材２２自体
を回転自在に構成してもよい。」（段落００３９）
（サ）　　「【発明の効果】以上、説明したように、本発明においては、シーズニング手段の圧接材が研磨布に圧接することにより、研磨布が有する粘弾性効果を当該研磨布全面に渡って均一になるので、研磨布表面の盛り上がりが部分的に大きくならず、被研磨材に作用する圧力が当接面の全面で均一となる。この結果、被研磨材はその全面に渡って均一に鏡面研磨され、被研磨材に外ダレなどの品質異常が生じることがなくなる。さらに、鏡面研磨中に、同時に、研磨布のシーズニングを行うことができるため、研磨布の表面状況の管理や維持に伴うウェーハ鏡面研磨装置の休止時間を大幅に減らすことができ、この休止時間の削減を通じてウェーハ鏡面研磨の作業効率を高めることが可能となる。」（段落００４０）
（シ）　　「また、シーズニング手段の圧接材を、被研磨材の単位面積あたりの圧接力と同じ圧接力で研磨布に当接させ、さらに、被研磨材と圧接材とによる研磨布に対する荷重時間が研磨布の全面に渡ってほぼ同じとなる位置に、圧接材を配置することにより、研磨布が有する粘弾性効果を、当該研磨布の全面に渡って簡単に均一なものとすることができ、上述した被研磨材の全面を均一に鏡面研磨できるという効果を容易に発揮できる。」（段落００４１）
（ス）　　一般的なウェーハ鏡面研磨装置を示す図４に関し、段落０００３に「加圧力によるウェーハ５と研磨布６の上に供給される研磨剤液１７」とある。　
　上記（ア）〜（ス）の記載事項より、甲第１号証には、
　平面運動をする平坦面を有する定盤９と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨布６と、研磨すべきウェーハ５を保持して前記ウェーハ５を前記研磨布６の円形状の第１の領域に回転させながら押圧する加圧軸１，加圧ヘッド３及びブロック４等からなるウェーハ保持手段と、前記研磨布６の上に研磨剤液１７を供給する研磨剤供給手段と、円形状の押圧面を持っており前記研磨布の第２の領域を押圧して前記研磨布６を弾性変形させる圧接材２２及び加圧ブロック２１を有する研磨布加圧手段とを備えており、
　前記ウェーハ保持手段と前記研磨布加圧手段とは互いに独立に設けられ、
　前記圧接材２２の押圧面の直径は前記第１の領域の直径とほぼ同等の大きさであるウェーハの研磨装置。
の発明（「甲第１号証の第１発明」）が記載されていると認める。
　また、上記（ア）〜（ス）の記載事項より、甲第１号証には、
　回転運動をする平坦面を有する定盤９の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨布６の上に研磨剤液１７を供給しつつ、加圧軸１，加圧ヘッド３及びブロック４等からなるウェーハ保持手段に保持されたウェーハ５を前記研磨布６の円形状の第１の領域に押圧しながら前記ウェーハ５を研磨すると共に、前記第１の領域の直径とほぼ同等の大きさの外径の円形状の押圧面を持つ圧接材２２を有し且つ、前記ウェーハ保持手段と独立に設けられた圧接材２２及び加圧ブロック２１を有する研磨布加圧手段の前記圧接材２２を、前記研磨布６の第２の領域に押圧して前記第２の領域を弾性変形させる研磨工程を備え、
　前記研磨工程は、前記第２の領域が押圧されて弾性変形した後に回復しながら前記ウェーハ５に達した時の前記研磨布６の変形量と、前記ウェーハ５を研磨する際に前記第１の領域が前記ウェーハ５から押圧されることにより変形する前記研磨布６の変形量とがほぼ等しくなるような圧力で前記第２の領域を押圧するウェーハの研磨方法。
の発明（「甲第１号証の第２発明」）が記載されていると認める。
イ　対比・判断
（ア）訂正発明１について
　訂正発明１（前者）と甲第１号証の第１発明（後者）を対比すると、後者の研磨布、ウェーハ、圧接材、ウェーハ保持手段、及び研磨布加圧手段が、前者の研磨パッド、半導体基板、パッド加圧部、基板保持手段及びパッド加圧手段にそれぞれ相当しており、両者は、
　平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円形状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えており、
　前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、
　ている半導体基板の研磨装置。
の構成において、一致している。しかし、両者は、前者が「前記パッド加圧部の押圧面の直径は前記第１の領域の直径よりも大きい」のに対し、後者は「前記圧接材２２の押圧面の直径は前記第１の領域の直径とほぼ同等の大きさである」点で相違している。
　そこで、この相違点について検討するに、前者は、「パッド加圧部の押圧面の直径は第１の領域の直径よりも大きいため、半導体基板が研磨パッドに押圧される円形状の第１の領域の直径よりも大きい直径を持つ円形状の第２の領域をパッド加圧部により予め弾性変形させることができます。このため、研磨パッドにおける半導体基板の周縁部に接する領域が半導体基板の中央部に接する領域に比べて、半導体基板により加圧される時間が少なくても、半導体基板により加圧されることによる研磨パッドの変形量が少ないことに起因して研磨パッドに生じる厚さの差を低減できるので、研磨パッドの厚さが異なることによる研磨の不均一を低減することができます。」（特許異議意見書第４頁第３〜１０行）という、後者にはない、格別な作用効果を奏するものと認められるので、両者を同一とすることはできない。
（イ）訂正発明２について
　訂正発明２（前者）と甲第１号証の第１発明（後者）を対比すると、後者の研磨布、ウェーハ、圧接材、ウェーハ保持手段、及び研磨布加圧手段が、前者の研磨パッド、半導体基板、パッド加圧部、基板保持手段及びパッド加圧手段にそれぞれ相当しており、両者は、
　平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えており、
　前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、
　ている半導体基板の研磨装置。
の構成において、一致している。しかし、両者は、前者がパッド加圧手段のパッド加圧部における押圧面の形状が、「円環状」であるのに対し、後者は「円形状」であり、この点で両者は相違している。
　そして、前者のパッド加圧手段のパッド加圧部における押圧面の形状を「円環状」とした点について、訂正明細書の段落００６２を参照すると、
　パッド加圧板８Ｂを円環状とした第２の実施形態に関して、
　「このように第２の実施形態に係るパッド加圧板８Ｂを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３の周辺部と接する領域は半導体基板３の中心部と接する領域よりも多く加圧されるため、研磨パッド２が受けるパッド加圧板８Ｂによる加圧量と半導体基板３による加圧量との合計は研磨パッド２の各領域において大差がなくなり、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になるので、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。」と記載されており、このような作用効果は、後者の円形状のものにはみられないので、両者を同一とすることはできない。
（ウ）訂正発明３〜７について
　訂正発明３〜７は、何れも請求項１若しくは請求項２を引用しており、上記の如く請求項１若しくは請求項２は、甲第１号証の第１発明と同一とすることができないので、同様に甲第１号証の第１発明と同一とすることはできない。
（エ）訂正発明１７について
　訂正発明１７（前者）と甲第１号証の第２発明（後者）を対比すると、後者の研磨布、ウェーハ、圧接材、ウェーハ保持手段、及び研磨布加圧手段が、前者の研磨パッド、半導体基板、パッド加圧部、基板保持手段及びパッド加圧手段にそれぞれ相当しており、両者は、
　回転運動をする平坦面を有する定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドの上に研磨剤を供給しつつ、基板保持手段に保持された半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に押圧しながら前記半導体基板を研磨すると共に、円形状の押圧面を持つパッド加圧部を有し且つ前記基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段の前記パッド加圧部を前記研磨パッドの第２の領域に押圧して前記第２の領域を弾性変形させる研磨工程を備え、
　前記研磨工程は、前記第２の領域が押圧されて弾性変形した後に回復しながら前記半導体基板に達した時の前記研磨パッドの変形量と、前記半導体基板を研磨する際に前記第１の領域が前記半導体基板から押圧されることにより変形する前記研磨パッドの変形量とがほぼ等しくなるような圧力で前記第２の領域を押圧す
る半導体基板の研磨方法。
の構成において、一致している。しかし、両者は、前者が円形状の押圧面を持つパッド加圧部は、「前記第１の領域の直径よりも大きい外径」であるのに対し、後者は「前記第１の領域の直径とほぼ同等の大きさの外径」である点で相違している。
　この相違点については、上記（ア）で検討した如く、前者は、後者にはない格別な作用効果を奏するものと認められ、両者を同一とすることはできない。
ウ　　まとめ
　以上のように、本件訂正発明１〜７、及び訂正発明１７は、何れも甲第１号証の特願平６−８６９９４号（特開平７−２９７１５２号公報参照）に記載された発明と同一とすることはできず、特許法第２９条の２の規定に違反していないものである。
（２）特許法第２９条第２項の規定違反について
ア　　甲第２〜４号証の記載
　同じく、上記取消理由において、引用された、
　甲第２号証　特開平７−１１２３６０号公報
　甲第３号証　特開平３−８６４６８号公報
　甲第４号証　特開昭６３−２８３８５９号公報　
　の各甲号証の記載は、次の如きものである。
（ア）　　甲第２号証
　半導体ウェ一ハの研磨方法を開示しており、次の事項が記載されている。
ａ　　「１は加圧ヘッド、２はマウントプレートで、円形のマウントプレート２の下面には複数枚の半導体ウェーハ３とともに邪魔板４が貼着されている。５は不織布からなる研磨布、６は研磨定盤、７はヘッド回転軸、８は定盤回転軸で、研磨布５はリング状に磨耗し、磨耗部の外縁および内縁に円弧状部分を有するくぼみ９が形成されている。」（段落００１０）
ｂ　　「この邪魔板４は半導体ウェーハ３と同一材質、同一厚さのウェーハ細片で、半導体ウェーハ３と同じくワックスなどの接着剤を用いてマウントプレート２に貼着されている。」（段落００１１）
ｃ　　「半導体ウェーハを研磨する場合、図１に示すように上記半導体ウェ−ハ３と邪魔板４とを貼着したマウントプレート２をヘッド回転軸７を駆動して回転させつつ、定盤回転軸８の駆動により回転する研磨定盤６に押しつけて半導体ウェーハ３の研磨を行う。このとき、研磨布５の磨耗部の外縁および内縁に形成された円弧状部分には邪魔板４が押しつけられ、邪魔板４の外縁は円弧状に研磨される。しかし、半導体ウェーハ３は前記研磨布５の円弧状部分の内側の平坦部分のみに押しつけられるため、全面が平坦に研磨される。」（段落００１２）
ｄ　　「図４は邪魔板の第３実施例を示す平面図で、マウントプレート２の縁部に沿ってリング状の邪魔板４ｂが貼着されている。この邪魔板４ｂの材質、厚さは上記第１実施例と同一である。」（段落００１５）
ｅ　　「【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半導体ウェーハの片面研磨において、前記ウェーハを貼着するマウントプレートの縁部に半導体ウェーハと同じ厚さの邪魔板を貼着し、研磨布のリング状の磨耗部の外縁および内縁に形成された円弧状の部分に前記邪魔板を押し当てることにしたので、半導体ウェーハはその全面が研磨布の磨耗部の平坦な部分のみに接触することになり、厚さのばらつきが小さく平坦度の良好な鏡面研磨ウェーハを得ることができる。また、研磨布のドレッシング間隔の延長が可能となる。」（段落００２０）
（イ）　　甲第３号証
　半導体基板の研磨方法が開示されており、次の事項が記載されている。
　「第１図は研磨装置（１）を示すもので、（２）は定盤（３）に軟質ポリウレタン製の発泡クロス（４）を貼着してなる研磨盤、（５）は研磨されるべき半導体基板例えばシリコンウェハであり、ウエハ（５）は接着剤を介してホルダー（６）に固定される。研磨時、ウェハ（５）は回転する研磨盤（２）の発泡クロス（４）の面に接触し、研磨剤供給手段（７）から研磨剤（８）を供給して行われる。」（第２頁左下欄第８〜１５行）
（ウ）　　甲第４号証
　ウェハ研磨用治具が開示されており、次の事項が記載されている。
ａ　　「研磨圧力の加圧プレート１に弾性膜２が貼り付けてある。弾性膜２に、ウェハ保持とポリシャ修正リングとを一体に構成したウェハ保持・ポリシャ修正リング３が取付けてある。このウェハ保持・ポリシャ修正リング３は、ガラスエポキシ樹脂材料からなり、リング内周部４とリング外周部５が凸形状になっており、リング内周部４とリング外周部５との間は凹形状部６を有している。上記の加圧プレート１と弾性膜２とウェハ保持・ポリシャ修正リング３から構成されたウェハの研磨治具７は、第３図に示すごとくラップ１０に取付けられているポリシャ８上に載置される。ラップ１０は駆動部（図示せず）と連結され回転する機構になっている。また、ウェハ研磨治具７は、揺動機構部（図示せず）によって揺動される構造になっている。」（第２頁右下欄第５〜２０行）
ｂ　　「次に、本実施例におけるウェハ研磨の動作を説明する。ウェハ９は、ウェハ保持・修正リング３のリング内周部４の内側において、弾性膜２に当接し、ポリシャ８上にあり、揺動機構部によって加圧され、かつポリシャ８上の半径方向を往復運動する。この時、研磨剤供給ノズル（図示せず）によって、ポリシャ８の中心部に研磨剤を滴下し、ラップ１０上に取付けられているポリシャ８は、ラップ１０に連結されている駆動部によって回転運動を起こして、ウェハ９の表面は鏡面研磨される。
　このウェハ研磨において、ウェハ保持・修正リング３のリング外周部５は、ポリシャ８を押し付け、ウェハ９によるポリシャ８の摩耗量が少ない部分を摩耗させる効果があり、ポリシャ８は均一に摩耗し修正される。」（第３頁左上欄第１〜１６行）
イ　　対比・判断
（ア）訂正発明１について
　訂正発明１の「前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、」の構成要件は、甲第２〜４号証の何れにも記載されておらず、そして、この構成要件により、「基板保持手段とパッド加圧手段とは互いに独立に設けられているため、パッド加圧手段の高さ方向の位置を基板保持手段と別個に調整することができるので、パッド加圧手段のパッド加圧部の押圧部が摩耗したときには、パッド加圧手段の高さ方向に位置を調整することによって、パッド加圧部が研磨パッドを押圧する力を的確な大きさに制御することができます。」（特許異議意見書第３頁下から４行〜第４頁第２行）と述べられているように、甲第２〜４号証のものにはみられない格別な作用・効果を奏するものであるから、訂正発明１は、甲第２〜４号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたとすることはできない。
（イ）訂正発明２について
　訂正発明２の「前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ」の構成要件は、甲第２〜４号証の何れにも記載されておらず、そして、この構成要件により、上記（ア）の如き甲第２〜４号証のものにはみられない格別な作用・効果を奏するものであるから、訂正発明１は、甲第２〜４号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたとすることはできない。
（ウ）訂正発明３〜７について
　訂正発明３〜７は、何れも請求項１若しくは請求項２を引用しており、上記の如く請求項１若しくは請求項２は、甲第２〜４号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたとすることはできないものであるから、同様に甲第２〜４号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたとすることはできない。
（エ）訂正発明１７について
　訂正発明１７の「前記基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段の前記パッド加圧部」の構成要件は、甲第２〜４号証の何れにも記載されておらず、そして、この構成要件により、上記（ア）の如き甲第２〜４号証のものにはみられない格別な作用・効果を奏するものであるから、訂正発明１７は、甲第２〜４号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたとすることはできない。
ウ　　まとめ
　以上のように、本件訂正発明１〜７、及び訂正発明１７は、何れも甲第２〜４号証に記載の発明に基づいて容易に発明をすることができたとすることはできず、特許法第２９条第２項の規定に違反していないものである。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜７及び請求項１７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に、本件請求項１〜７及び請求項１７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月１１日（２００１．１２．１１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項
　特許明細書の特許請求の範囲請求項１〜７及び請求項１７に係る記載
　「【請求項１】平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円形状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　【請求項２】平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円環状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　【請求項３】前記平面運動は回転運動であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項４】前記パッド加圧部は平滑な押圧面を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項５】前記パッド加圧部は樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項６】前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項７】前記パッド加圧部の押圧面の直径は前記第１の領域の直径よりも大きいことを特徴とする請求項６に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求頃１７】回転運動をする平坦面を有する定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドの上に研磨剤を供給しつつ、半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に押圧しながら前記半導体基板を研磨すると共に、前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記第２の領域を弾性変形させる研磨工程を備え、
　前記研磨工程は、前記第２の領域が押圧されて弾性変形した後に回復しながら前記半導体基板に達した時の前記研磨パッドの変形量と、前記半導体基板を研磨する際に前記第１の領域が前記半導体基板から押圧されることにより変形する前記研磨パッドの変形量とがほぼ等しくなるような圧力で前記第２の領域を押圧することを特徴とする半導体基板の研磨方法。」を、
　「【請求項１】平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円形状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えており、
　前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、
　前記パッド加圧部の押圧面の直径は前記第１の領域の直径よりも大きいことを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　【請求項２】平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円環状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えており、
　前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　【請求項３】前記平面運動は回転運動であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項４】前記パッド加圧部は平滑な押圧面を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項５】前記パッド加圧部は樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項６】前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の画転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置することを特徴とする請求項１に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項７】前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置し、
　前記パッド加圧部の押圧面の外径は前記第１の領域の直径よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項１７】回転運動をする平坦面を有する定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドの上に研磨剤を供給しつつ、基板保持手段に保持された半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に押圧しながら前記半導体基板を研磨すると共に、前記第１の領域の直径よりも大きい外径の円形状又は円環状の押圧面を持つパッド加圧部を有し且つ前記基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段の前記パッド加圧部を前記研磨パッドの第２の領域に押圧して前記第２の領域を弾性変形させる研磨工程を備え、
　前記研磨工程は、前記第２の領域が押圧されて弾性変形した後に回復しながら前記半導体基板に達した時の前記研磨パッドの変形量と、前記半導体基板を研磨する際に前記第１の領域が前記半導体基板から押圧されることにより変形する前記研磨パッドの変形量とがほぼ等しくなるような圧力で前記第２の領域を押圧することを特徴とする半導体基板の研磨方法。」
と訂正する。
　上記請求項１〜７及び請求項１７の訂正個所は、次のとおりである。
ア　訂正個所１
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項１中の「備えている」を、「備えており、前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、前記パッド加圧部の押圧面の直径は前記第１の領域の直径よりも大きい」と訂正する。
イ　訂正個所２
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項２中の「備えている」を、「備えており、前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられている」と訂正する。
ウ　訂正個所３
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項６中の「請求項１又は２」を「請求項１」と訂正する。
エ　訂正個所４
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項７中の「前記パッド加圧部」の前に、「前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置し、」を挿入する。
オ　訂正個所５
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項７中の「押圧面の直径」を「押圧面の外径」と訂正する。
カ　訂正個所６
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項７中の「請求項６」を「請求項２」と訂正する。
キ　訂正個所７
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項１７中第２行目の「半導体基板」を「基板保持手段に保持された半導体基板」と訂正する。
ク　訂正個所８
　特許明細書における特許請求の範囲の請求項１７中の「前記研磨パッドの第２の領域を」を「前記第１の領域の直径よりも大きい外径の円形状又は円環状の押圧面を持つパッド加圧部を有し且つ前記基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段の前記パッド加圧部を前記研磨パッドの第２の領域に」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体基板の研磨方法及びその装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円形状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを
備えており、
　
前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられ、
　
前記パッド加圧部の押圧面の直径は前記第１の領域の直径よりも大きい
　【請求項２】　平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、円環状の押圧面を持っており前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを
備えており、
　
前記基板保持手段と前記パッド加圧手段とは互いに独立に設けられている
　【請求項３】　前記平面運動は回転運動であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項４】　前記パッド加圧部は平滑な押圧面を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項５】　前記パッド加圧部は樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項６】　前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする心円上に位置することを特徴とする
請求項１
　【請求項７】　
前記平面運動は回転運動であり、前記パッド加圧部の押圧面の中心と前記第１の領域の中心とは前記定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置し、
　前記パッド加圧部の
押圧面の外径
請求項２
　【請求項８】　回転運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、前記定盤の回転運動の回転中心から外側へ向かうにつれて広がる台形状の押圧面を持っており、前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　【請求項９】　平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えており、
　前記パッド加圧部の押圧面には、前記研磨剤を前記研磨パッドの研磨面に供給する凹状溝が形成されていることを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　【請求項１０】　平面運動をする平坦面を有する定盤と、前記定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して前記半導体基板を前記研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、前記研磨パッドの第２の領域を押圧して前記研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えており、
　前記パッド加圧部は、前記定盤の前記平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなり、前記研磨パッドの第２の領域に圧接されて前記定盤の運動に伴って回転することを特徴とする半導体基板の研磨装置。
　【請求項１１】　前記平面運動は回転運動であり、前記ローラーは、前記ローラーの横断面の各部位の半径の比が前記研磨パッドにおける前記ローラーの横断面の各部位が接する部位の回転中心からの距離の比に等しい円錐台状であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項１２】　前記ローラーは円筒状であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項１３】　前記平面運動は直線運動であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項１４】　前記ローラーは同軸に配置された複数のローラー部材よりなることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項１５】　前記第２の領域は前記第１の領域よりも広いことを特徴とする請求項１０に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項１６】　前記ローラーは、前記研磨パッドにおける前記研磨パッドと前記半導体基板とが接する時間が相対的に少ない領域の近傍を押圧することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の半導体基板の研磨装置。
　【請求項１７】　回転運動をする平坦面を有する定盤の前記平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドの上に研磨剤を供給しつつ、
基板保持手段に保持された半導体基板
前記第１の領域の直径よりも大きい外径の円形状又は円環状の押圧面を持つパッド加圧部を有し且つ前記基板保持手段と独立に設けられたパッド加圧手段の前記パッド加圧部を前記研磨パッドの第２の領域に
　前記研磨工程は、前記第２の領域が押圧されて弾性変形した後に回復しながら前記半導体基板に達した時の前記研磨パッドの変形量と、前記半導体基板を研磨する際に前記第１の領域が前記半導体基板から押圧されることにより変形する前記研磨パッドの変形量とがほぼ等しくなるような圧力で前記第２の領域を押圧することを特徴とする半導体基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、例えばシリコンよりなる半導体基板の表面を平坦化処理するための化学機械研磨（ＣＭＰ）を行なう半導体基板の研磨方法およびその装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　１９９０年以降、シリコン等よりなる半導体基板に対する化学機械研磨においては、半導体基板の径が１０ｃｍ以上と大型化し、研磨が枚葉処理化の傾向にある。また、半導体基板に形成されるパターンのルールが０．５μｍ以下と非常に微細化しているために、半導体基板の全面に亘って均一な研磨が要求されてきている。
　【０００３】
　以下、図面を参照しながら、第１の従来例に係る半導体基板の研磨方法及び研磨装置について説明する。
　【０００４】
　図８は、第１従来例の半導体基板の研磨装置の概略構成を示しており、図８において、２１は平坦な表面を持つ剛体よりなる基板保持部２１ａと前記基板保持部２１ａの下面から垂直下方に延びる回転軸２１ｂと前記回転軸２１ｂを回転させる図示しない回転手段とを有する定盤であって、定盤２１の基板保持部２１ａの表面には弾性を有する研磨パッド２２が貼着されている。研磨パッド２２の上方には、半導体基板２３を保持して回転する基板保持ヘッド２４が設けられており、半導体基板２３は基板保持ヘッド２４により回転させられながら研磨パッド２２の第１の領域に圧接される。また、２５は研磨剤であって、研磨剤２５は、研磨剤供給管２６から所定量づつ研磨パッド２２上に滴下される。
　【０００５】
　以上のように構成された半導体基板の研磨装置においては、定盤２１を回転して研磨剤２５が供給された研磨パッド２２を回転させながら、基板保持ヘッド２４により半導体基板２３を研磨パッド２２に押しつけると、半導体基板２３の表面は圧力及び相対速度を受けて研磨される。
　【０００６】
　このとき、半導体基板２３の表面に凹凸部があると、半導体基板２３の凸部においては研磨パッド２２との接圧が大きいため研磨速度が速くなる一方、半導体基板２３の凹部においては研磨パッド２２との接触圧力が小さいため研磨速度が遅くなる。よって、半導体基板２３表面の凹凸部が緩和されて半導体基板２３の表面が平坦になるというものである。この研磨技術は、例えば、「１９９４年１月号　月刊Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ」５８〜５９ページや、「Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」Ｊｕｌｙ．１９９２／日本語版　３２〜３７ページなどに紹介されている。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、前記第１の従来例の半導体基板の研磨装置及び研磨方法においては、図９及び図１０を参照しながら説明する以下の問題を有している。
　【０００８】
　図９は、研磨パッド２２の半径方向の位置によって研磨パッド２２が加圧される時間が異なることを説明する研磨装置の概略平面図であり、図１０は、研磨時における定盤２１の直径方向（図９におけるＶＩ−ＶＩ線）の断面構造を示す概略断面図である。
　【０００９】
　研磨パッド２２として一般に広く用いられている不織布系や発泡ウレタン系などの弾性材料を用いると、圧力を受け始めた瞬間（数秒以内）においては、加圧開始からの時間によって弾性変形量が異なり、また、圧力から開放された際には、弾性変形量は時間の経過と共に緩やかに回復する。
　【００１０】
　ところで、図８に示したような第１の従来例の研磨方法によると、研磨パッド２２が半導体基板２３と接している時間（すなわち、研磨パッド２２が圧力を受ける時間）が異なる。つまり、図９に示す半径ｒ１の位置ａと、半径ｒ２の位置ｂと、半径ｒ３の位置。とでは、研磨パッド２２が半導体基板２３に接して圧力を受けている時間が異なっている。また、図９に示す位置ａ，ｂ，ｃでは、加圧されていない時間（弾性回復する時間）も異なる。このため、半導体基板２３に接している研磨パッド２２においては、半導体基板２３のほぼ中心を通る半径ｒ２の位置ｂでは、相対的に加圧時間が長く回復時間が短いために、研磨パッド２２の弾性変形量は大きい一方、半導体基板２３の周辺部と接する半径ｒ１の位置ａや半径ｒ３の位置ｃでは、相対的に加圧時間が短く回復時間が長いために、研磨パッド２２の弾性変形量が小さい。
　【００１１】
　従って、図１０に示すように、半径方向の断面で見たときに、研磨パッド２２の厚さは、研磨パッド２２の半径の中央部付近（位置ｂ）で薄く、研磨パッド２２の半径の内側部分及び外側部分（位置ａ及び位置ｃ）では厚くなってしまう。
　【００１２】
　この状態で研磨パッド２２を用いて平坦な半導体基板２３に対して圧接状態で研磨を行なうと、研磨パッド２２の半径の内側部分及び外側部分では半導体基板２３が研磨パッド２２から受ける圧力が高く、研磨パッド２２の半径の中央部付近では半導体基板２３が研磨パッド２２から受ける圧力は低くなる。この半導体基板２３の面内における圧力差は研磨速度の差となって表れ、研磨パッド２２の半径の中央部付近は、研磨パッド２２の半径の内側部分及び外側部分よりも研磨速度が遅くなるため、半導体基板２３を全面に亘って均一に研磨することはできない。
　【００１３】
　そこで、図１１に示し、「１９９３年８月号　日経マイクロデバイス」８１ぺージに記載されているように、研磨パッド３２の弾性変形に対して半導体基板３３の変形を用いる手法が提案されている。
　【００１４】
　この第２の従来例に係る半導体基板の研磨方法及び研磨装置は次の通りである。すなわち、定盤３１の上には弾性を有する研磨パッド３２が貼着されている。半導体基板３３を保持する基板保持ヘッド３４の下部には、凹部を有するヘッド本体３５と前記ヘッド本体３５の前記凹部内に設けられた弾性変形可能な板状の弾性体３６とにより形成される密封空間３７が設けられており、前記密封空間３７には気体供給路３８から圧力が制御された加圧気体が導入される。このようにして、半導体基板３３を密封空間３７に導入される加圧気体により弾性体３６を介して研磨パッド３２に対して押圧することにより、半導体基板３３を裏面から均一に加圧して均一な研磨をしようとするものである。
　【００１５】
　しかしながら、研磨パッド３２に厚さ及び弾性変形量の差異がある場合には、半導体基板３３が変形して（曲がって）研磨パッド３２の表面の凹凸に追従しなければならない。このため、半導体基板３３の変形に必要な力（圧力）の分だけは圧力差が生じてしまい、やはり、均一な加圧を達成できず、半導体基板３３を均一に加圧できないという問題は解決されていない。
　【００１６】
　前記に鑑み、本発明は、弾性を有する研磨パッドにより半導体基板を半導体基板の面内において均一に研磨できるようにすることを目的とする。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】
　前記の目的を達成するため、本発明に係る半導体基板の研磨装置は、平面運動をする平坦面を有する定盤と、定盤の平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドと、研磨すべき半導体基板を保持して半導体基板を研磨パッドの円形状の第１の領域に回転させながら押圧する基板保持手段と、研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、研磨パッドの第２の領域を押圧して研磨パッドを弾性変形させるパッド加圧部を有するパッド加圧手段とを備えている。
　【００１８】
　本発明の半導体基板の研磨装置によると、研磨時つまり半導体基板が研磨パッドの第１の領域を押圧している時間以外の時間にも、パッド加圧部が研磨パッドを押圧して研磨パッドを弾性変形させることができる。パッド加圧部により弾性変形させられた研磨パッドは緩やかに回復するため、半導体基板に達した際にも完全に回復していないので、研磨時に半導体基板により加圧される際の研磨パッドの変形量は少ない。研磨パッドの第１の領域が円形であり、研磨パッドにおける半導体基板の周縁部に接する領域が半導体基板の中央部に接する領域に比べて、半導体基板により加圧される時間が少なくても、半導体基板により加圧されることによる研磨パッドの変形量が少ないので、研磨パッドに生じる厚さの差を低減できる。
　【００１９】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、平面運動は回転運動であることが好ましい。
　【００２０】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部は平滑な押圧面を有していることが好ましい。
　【００２１】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部は樹脂により形成されていることが好ましい。
　【００２２】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部は円形状の押圧面を有していることが好ましい。
　【００２３】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部は円環状の押圧面を有していることが好ましい。
　【００２４】
　このようにすると、研磨パッドにおける半導体基板の周辺部と接する領域は半導体基板の中心部と接する領域よりもパッド加圧部により多く加圧されるため、研磨パッドが受けるパッド加圧部による加圧量と半導体基板による加圧量との合計は研磨パッドの各領域において大差がなくなる。
　【００２５】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が円形状又は円環状の押圧面を有している場合には、定盤の平面運動は回転運動であり、パッド加圧部の押圧面の中心と第１の領域の中心とは定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置することが好ましい。
　【００２６】
　このようにすると、研磨パッドが半導体基板により押圧される領域は、パッド加圧部により確実に押圧されており、弾性変形からの回復途上にあるので、研磨パッドの平坦性が一層維持される。
　【００２７】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が円形状又は円環状の押圧面を有している場合には、パッド加圧部の押圧面の直径は第１の領域の直径よりも大きいことが好ましい。
　【００２８】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、定盤の平面運動が回転運動である場合には、パッド加圧部は定盤の回転運動の回転中心から外側へ向かうにつれて広がる台形状の押圧面を有していることが好ましい。
　【００２９】
　このようにすると、研磨パッドにおけるパッド加圧部により押圧される領域の内側部分と外側部分との間でパッド加圧部により押圧される時間に大きな差が生じないので、研磨パッドがパッド加圧部により弾性変形される変形量はほぼ均一になる。
　【００３０】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、第２の領域は、研磨パッドの研磨面における第１の領域を除くほぼすべての領域であることが好ましい。
　【００３１】
　このようにすると、研磨パッドは、半導体基板とパッド加圧部とによって全面に亘って常に加圧されているため、研磨パッドの全面が常に一定量の弾性変形を保持している。
　【００３２】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部の押圧面には、研磨剤を研磨パッドの研磨面に供給する凹状溝が形成されていることが好ましい。
　【００３３】
　このようにすると、研磨パッドの研磨面におけるパッド加圧部の押圧面と接している領域にも、新しい研磨剤を供給することができる。
　【００３４】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部は、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなり、研磨パッドの第２の領域に圧接されて定盤の運動に伴って回転することが好ましい。
　【００３５】
　このようにすると、研磨パッドとパッド加圧部との摩擦が低減した状態でパッド加圧部により研磨パッドを押圧することができる。
　【００３６】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなり、研磨パッドの第２の領域に圧接されて定盤の運動に伴って回転する場合には、平面運動は回転運動であり、ローラーは、ローラーの横断面の各部位の半径の比が研磨パッドにおけるローラーの横断面の各部位が接する部位の回転中心からの距離の比に等しい円錐台状であることが好ましい。
　【００３７】
　このようにすると、定盤が回転運動する際に、ローラーは定盤の回転速度と同じ速度の回転運動を行なうことができるので、研磨パッドとローラーとの摩擦をなくすことができる。
　【００３８】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなり、研磨パッドの第２の領域に圧接されて定盤の運動に伴って回転する場合には、ローラーは円筒状であることが好ましい。また、この場合には、定盤の平面運動は直線運動であることが好ましい。
　【００３９】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなる場合には、ローラーは同軸に配置された複数のローラー部材よりなることが好ましい。
　【００４０】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなり、研磨パッドの第２の領域に圧接されて定盤の運動に伴って回転する場合には、第２の領域は第１の領域よりも広いことが好ましい。
　【００４１】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなる場合には、ローラーは研磨パッドにおける研磨パッドと半導体基板とが接する時間が相対的に少ない領域の近傍を押圧することが好ましい。
　【００４２】
　このようにすると、第１の領域における研磨パッドの押圧時間の差を低減できる。
　【００４３】
　本発明に係る半導体基板の研磨方法は、平面運動をする平坦面を有する定盤の平坦面上に載置された弾性を有する研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給工程と、半導体基板を研磨パッドの円形状の第１の領域に押圧しながら半導体基板を研磨する基板研磨工程と、研磨パッドの第２の領域を押圧して第２の領域を弾性変形させるパッド押圧工程とを備えている。
　【００４４】
　本発明の半導体基板の研磨方法によると、パッド加圧部が研磨パッドを押圧して研磨パッドを弾性変形させることができ、パッド加圧部により弾性変形させられた研磨パッドは緩やかに回復するので、研磨時に半導体基板により加圧される際の研磨パッドの変形量は少ない。
　【００４５】
　本発明の半導体基板の研磨方法におけるパッド押圧工程において研磨パッドの第２の領域を押圧する圧力は、基板研磨工程において研磨パッドの第１の領域を押圧する圧力と同等以上であることが好ましい。
　【００４６】
　このようにすると、研磨パッドにおける全領域、特に半導体基板の周辺部と接する領域も十分に加圧されるので、研磨パッドにおける半導体基板と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になる。
　【００４７】
　本発明の半導体基板の研磨方法において、平面運動は回転運動であることが好ましい。
　【００４８】
　【発明の実施の態様】
　以下、本発明の各実施形態に係る半導体基板の研磨装置及び研磨方法について図面を参照しながら説明する。
　【００４９】
　（第１の実施形態）
　図１は本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の研磨装置を説明する概略構成図であって、図１において、１は平坦な表面を持つ剛体よりなる基板保持部１ａと前記基板保持部１ａの下面から垂直下方に延びる回転軸１ｂと前記回転軸１ｂを回転させる図示しない回転手段とを有する定盤であって、前記定盤１の基板保持部１ａの表面には弾性を有する研磨パッド２が貼着されている。定盤１における中心部から周縁部にかける円形状の第１の領域の上方には、半導体基板３を保持して回転する基板保持ヘッド４が設けられており、前記基板保持ヘッド４により半導体基板３は回転しながら定盤１上の研磨パッド２の第１の領域に圧接される。研磨剤５は、研磨剤供給管６から所定量づつ研磨パッド２上に滴下され、研磨パッド２と半導体基板３との間に供給される。
　【００５０】
　第１の実施形態の特徴として、定盤１における中心部から周縁部にかける第２の領域の上方には、研磨パッド２の第２の領域を加圧するパッド加圧手段７が設けられており、前記パッド加圧手段７は、パッド加圧部としての円盤状のパッド加圧板８Ａと前記パッド加圧板８Ａを保持する回転軸９とからなる。
　【００５１】
　以下、第１の実施形態に係る研磨装置の動作について説明する。
　【００５２】
　まず、研磨剤供給管６により砥粒を含む研磨剤５を回転する研磨パッド２上に定量的に滴下する。このようにすると、研磨剤５は定盤１の回転により拡散されて研磨パッド２の全面に広がる。
　【００５３】
　次に、半導体基板３を支持した基板保持ヘッド４、及びパッド加圧手段７をそれぞれ回転しながら下降させて、半導体基板３及びパッド加圧板８Ａをそれぞれ研磨パッド２に圧接する。
　【００５４】
　このようにすると、弾性を有する研磨パッド２の第１の領域はパッド加圧板８Ａに押圧され弾性変形して所定量だけ窪む。定盤１が回転しているので、研磨パッド２における所定量だけ窪んだ第１の領域は次の瞬間には回復しながら半導体基板３に達する。
　【００５５】
　一般的に研磨に用いられる不織布系や発泡ウレタン系の研磨パッド２は、加圧されたときの弾性変形速度に比べて、回復速度は非常に緩やかであるため、ある程度の高速（例えば、３０ｒｐｍ以上）で定盤１を回転させれば、研磨パッド２におけるパッド加圧板８Ａにより圧縮された領域が半導体基板３に達する時点でも、研磨パッド２の弾性変形は余り回復していないので、半導体基板３に接して前記半導体基板３により加圧されても、変形量は殆ど変わらず、研磨パッド２におけるパッド加圧板８Ａにより圧縮された第２の領域は変形した状態で半導体基板３と摺接する。
　【００５６】
　パッド加圧板８Ａにより弾性変形した研磨パッド２が半導体基板３に達した時点で、研磨パッド２の変形量を研磨時の圧力（＝半導体基板３からの圧力）による変形量とほぼ等しくすることにより、研磨パッド２は半導体基板３から圧力を受けても変形量は殆ど変化しない。
　【００５７】
　図２（ａ）は、第１の実施形態におけるパッド加圧板８Ａの平面形状及び研磨パッド２に対する位置を示している。円盤状のパッド加圧板８Ａの中心は半導体基板３の中心と研磨パッド２の同一半径の円上にあり、パッド加圧板８Ａの直径は半導体基板３の直径よりも十分に大きい。
　【００５８】
　第１の実施形態に係るパッド加圧板８Ａを用いて研磨パッド２を加圧すると、研磨パッド２が半導体基板３に到達する時点においては、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域が弾性変形からの回復途上にあり、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域が弾性変形した状態であるので、半導体基板３に対して均一な研磨を行なうことができる。
　【００５９】
　この場合、第１の実施形態に係るパッド加圧板８Ａを用いて半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により研磨パッド２を加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３の周辺部と接する領域も十分に加圧され、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になり、研磨パッド２における半導体基板３の周辺部と接する領域も十分に加圧されるため、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になり、研磨パッド２における半導体基板３に接するの面は平坦になる。このため、研磨パッド２は半導体基板３に対して均一な圧力で研磨するので、半導体基板３を均一性良く研磨することができる。
　【００６０】
　また、第１の実施形態においては、パッド加圧板８Ａを回転させてもよいし、回転させなくてもよい。パッド加圧板８Ａを回転させる場合には、図１に示すように、定盤１（研磨パッド２）と同方向に回転させてもよいし、図２（ａ）に示すように、定盤１（研磨パッド２）と反対方向に回転させてもよい。パッド加圧板８Ａを定盤１と反対方向に回転させると、研磨パッド２の上に供給された研磨剤５は、研磨パッド２の回転に伴う遠心力により研磨パッド２の外側に向かうが、外側に向かう途中においてパッド加圧板８Ａに当たった後、パッド加圧板８Ａの回転に伴って研磨パッド２の中心側に戻され、半導体基板３の研磨に再度利用される。このため、研磨剤５の使用量の低減を図ることができる。
　【００６１】
　（第２の実施形態）
　図２（ｂ）は、第２の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧板８Ｂの形状を示している。第２の実施形態においては、パッド加圧板８Ｂは円環状であって、パッド加圧板８Ｂの中心は半導体基板３の中心と研磨パッド２の同一半径の円上にあり、パッド加圧板８Ｂの内径は半導体基板３の直径よりも若干大きい。
　【００６２】
　このように第２の実施形態に係るパッド加圧板８Ｂを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３の周辺部と接する領域は半導体基板３の中心部と接する領域よりも多く加圧されるため、研磨パッド２が受けるパッド加圧板８Ｂによる加圧量と半導体基板３による加圧量との合計は研磨パッド２の各領域において大差がなくなり、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になるので、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【００６３】
　第２の実施形態においても、パッド加圧板８Ｂを回転させてもよいし、回転させなくてもよい。パッド加圧板８Ｂを回転させる場合には、定盤１（研磨パッド２）と同方向に回転させてもよいし、図２（ｂ）に示すように、定盤１（研磨パッド２）と反対方向に回転させてもよい。パッド加圧板８Ｂを定盤１と反対方向に回転させると、第１の実施形態と同様、研磨パッド２の上に供給された研磨剤５は、研磨パッド２の外側に向かう途中においてパッド加圧板８Ｂに当たって、パッド加圧板８Ｂの回転に伴って研磨パッド２の中心部側に戻され、半導体基板３の研磨に再度利用される。
　【００６４】
　（第３の実施形態）
　図２（ｃ）は、第３の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧板８Ｃの形状を示している。第３の実施形態においては、図２（ｃ）の実線で示すように、パッド加圧板８Ｃは、一点鎖線で示す中心線に対して線対象な扇形状であって、パッド加圧板８Ｃの扇形の中心は研磨パッド２の中心と一致している。
　【００６５】
　このように第３の実施形態に係るパッド加圧板８Ｃを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半径方向の各点を通る各円弧の領域がパッド加圧板８Ｃにより加圧される時間が等しくなるので、研磨パッド２における半径方向の各点を通る各円弧の領域におけるパッド加圧板８Ｃによる変形量は等しくなる。このため、半導体基板３に達したときの研磨パッド２の変形量を半導体基板３による変形量とほぼ等しくできるので、研磨中での研磨パッド２の変形は起こらず、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【００６６】
　パッド加圧板８Ｃの形状については、図２（ｃ）の実線で示すように、一点鎖線で示す中心線に対して線対象でもよいが、扇型の２つの側辺のうち研磨パッド２の回転に伴って研磨剤５が当たる方の側辺を、図２（ｃ）の破線に示すように、扇型の半径方向に対して外側が内側よりも研磨パッド２の回転方向の後方側に位置する形状にしてもよい。このようにすると、研磨パッド２の上に供給された研磨剤５は、研磨パッド２の回転に伴う遠心力により研磨パッド２の外側に向かうが、外側に向かう途中においてパッド加圧板８Ｃの側辺に当たった後、研磨パッド２の中心側に戻され、半導体基板３の研磨に再度利用される。
　【００６７】
　（第４の実施形態）
　図２（ｄ）は、第４の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧板８Ｄの形状を示している。第４の実施形態においては、パッド加圧板８Ｄは第３の実施形態の扇形状から半導体基板３の円形状を切り取った形状である。
　【００６８】
　このように第４の実施形態に係るパッド加圧板８Ｄを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半径方向の各点を通る各円弧の領域が受けるパッド加圧板８Ｄによる加圧量と半導体基板３による加圧量との合計が等しくなるので、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になるので、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【００６９】
　パッド加圧板８Ｄの形状については、図２（ｄ）の実線で示すように、一点鎖線で示す中心線に対して線対象でもよいが、扇型の２つの側辺のうち研磨パッド２の回転に伴って研磨剤５が当たる方の側辺を、図２（ｄ）の破線に示すように、扇型の半径方向に対して外側が内側よりも研磨パッド２の回転方向の後方側に位置する形状にしてもよい。このようにすると、研磨パッド２の上に供給された研磨剤５は、研磨パッド２の回転に伴う遠心力により研磨パッド２の外側に向かうが、外側に向かう途中においてパッド加圧板８Ｄの側辺に当たった後、研磨パッド２の中心側に戻され、半導体基板３の研磨に再度利用される。
　【００７０】
　（第５の実施形態）
　図２（ｅ）は、第５の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧板８Ｅの形状を示している。第５の実施形態においては、パッド加圧板８Ｅは、研磨パッド２よりも若干小さい径の円形から半導体基板３よりも若干大きい径の円形を切り取った形状である。
　【００７１】
　このように第５の実施形態に係るパッド加圧板８Ｅを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等の圧力により加圧すると、研磨パッド２は全面に亘って研磨圧力により加圧されていることになり、研磨パッド２の全面が常に一定の変形を保持した状態であるので、半導体基板３に対してより一層均一な研磨を行なうことができる。
　【００７２】
　（第６の実施形態）
　図３は、本発明の第６の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧手段７の断面構造を示している。
　【００７３】
　図３に示すように、回転軸９の下端部には円形の板状体１０が取り付けられており、板状体１０とパッド加圧板８とは上下方向に容易に変形できるフレキシブル部材１１により連結されている。板状体１０、フレキシブル部材１１及びパッド加圧板８によって形成される密封空間１２内には液体又は気体が充填されている。
　【００７４】
　このようにすることにより、パッド加圧板８の面積が大きくても、パッド加圧板８は研磨パッド２を均一に加圧することができるので、半導体基板３に対して均一に研磨することができる。
　【００７５】
　第６の実施形態の特徴として、パッド加圧板８の下面には多数の凹状溝１３が設けられている。このようにすると、第５の実施形態のように、パッド加圧板８と研磨パッド２との接触面積が大きい場合でも、研磨剤５を凹状溝１３を通って研磨パッド２の表面に供給することにより、研磨パッド２の表面には常に新しい研磨剤５が供給されるため、研磨パッド２の上には常に研磨剤５が存在することになる。これにより、半導体基板３に対する研磨によって劣化した研磨剤５を更新することができ、研磨パッド２の上にパッド加圧板８が設けられていても安定した研磨を達成できる。
　【００７６】
　なお、前記の各実施形態において、パッド加圧板における研磨パッド２に接する面は平坦に形成されており、パッド加圧板が研磨パッド２の表面を荒らすことはない。
　【００７７】
　また、パッド加圧板の材質は特に限定されないが、パッド加圧板を樹脂により形成すると、パッド加圧板が研磨剤により侵されないので、安定した稼働を行なうことができる。
　【００７８】
　また、前記の各実施形態においては、パッド加圧板の面圧力は、半導体基板３の研磨時の圧力と同等又はそれ以上であると説明したが、半導体基板３の研磨時の圧力より小さくても本発明の効果が期待できる。
　【００７９】
　また、前記の各実施形態においては、回転する定盤１を用いる場合について説明を行なったが、定盤１が往復直線運動や円運動等の運動を行う場合でも効果は同じである。
　【００８０】
　（第７の実施形態）
　図４は本発明の第７の実施形態に係る半導体基板の研磨装置を説明する概略斜視図であって、図４において、第１の実施形態とほぼ同様に、１は平坦な表面を持つ剛体よりなる基板保持部１ａと前記基板保持部１ａの下面から垂直下方に延びる回転軸１ｂと前記回転軸１ｂを回転させる図示しない回転手段とを有する定盤であって、前記定盤１の基板保持部１ａの表面には弾性を有する研磨パッド２が貼着されている。定盤１における中心部から周縁部にかける円形状の第１の領域の上方には、半導体基板３を保持して回転する基板保持ヘッド４が設けられており、前記基板保持ヘッド４により半導体基板３は回転しながら定盤１上の研磨パッド２の第１の領域に圧接される。研磨剤５は、研磨剤供給管６から所定量づつ研磨パッド２上に滴下され、研磨パッド２と半導体基板３との間に供給される。
　【００８１】
　第７の実施形態の特徴として、定盤１における中心部から周縁部にかける第２の領域の上方には、研磨パッド２の第２の領域を加圧するパッド加圧手段１４が設けられており、前記パッド加圧手段１４は、パッド加圧部としての円錐台状のパッド加圧ローラー１５Ａと前記パッド加圧ローラー１５Ａを保持する回転軸１６とからなる。
　【００８２】
　さらに、パッド加圧ローラー１５Ａの横断面の各部位における半径の比は、研磨パッド２におけるパッド加圧ローラー１５Ａの横断面の各部位が接する部位の回転中心からの距離の比に等しい。
　【００８３】
　以下、第７の実施形態に係る研磨装置の動作について説明する。
　【００８４】
　まず、研磨剤供給管６により砥粒を含む研磨剤５を回転する研磨パッド２上に定量的に滴下する。このようにすると、研磨剤５は定盤１の回転により拡散されて研磨パッド２の全面に広がる。
　【００８５】
　次に、半導体基板３を支持した基板保持ヘッド４、及びパッド加圧手段１４をそれぞれ回転しながら下降させて、半導体基板３及びパッド加圧ローラー１５Ａをそれぞれ研磨パッド２に圧接する。
　【００８６】
　図７（ａ），（ｂ）は、パッド加圧ローラー１５Ａにより研磨パッド２を押圧し、弾性変形させる様子を説明するための概略断面図である。
　【００８７】
　図７（ａ）に示すように、研磨パッド２においては、半導体基板３の中央部に接する領域の方が多く弾性変形するため凹部２ａが形成される。この状態でパッド加圧ローラー１５Ａにより研磨パッド２を押圧すると、研磨パッド２の凸部２ｂがパッド加圧ローラー１５Ａによって強く圧縮されるため、図７（ｂ）に示すように、研磨パッド２の第１の領域はパッド加圧ローラー１５Ａに押圧されて弾性変形して所定量だけ窪み平坦になる。
　【００８８】
　定盤１が回転しているので、研磨パッド２における所定量だけ窪み平坦になった第１の領域は次の瞬間には回復しながら半導体基板３に達する。
　【００８９】
　一般的に研磨に用いられる不織布系や発泡ウレタン系の研磨パッド２は、加圧されたときの弾性変形速度に比べて、回復速度は非常に緩やかであるため、ある程度の高速（例えば、３０ｒｐｍ以上）で定盤１を回転させれば、研磨パッド２におけるパッド加圧ローラー１５Ａにより圧縮された領域が半導体基板３に達する時点でも、研磨パッド２の弾性変形は余り回復していないので、半導体基板３に接して前記半導体基板３により加圧されても、変形量は殆ど変わらず、研磨パッド２におけるパッド加圧ローラー１５Ａにより圧縮された第２の領域は変形した状態で半導体基板３と摺接する。
　【００９０】
　パッド加圧ローラー１５Ａにより弾性変形した研磨パッド２が半導体基板３に達した時点で、研磨パッド２の変形量を研磨時の圧力（＝半導体基板３からの圧力）による変形量とほぼ等しくすることにより、研磨パッド２は半導体基板３から圧力を受けても変形量は殆ど変化しない。
　【００９１】
　図５（ａ）は、第７の実施形態におけるパッド加圧ローラー１５Ａの研磨パッド２に対する位置を示している。パッド加圧ローラー１５Ａの研磨パッド２と接する領域の長さは半導体基板３の直径よりも十分に大きい。
　【００９２】
　第７の実施形態に係るパッド加圧ローラー１５Ａを用いて研磨パッド２を加圧すると、研磨パッド２が半導体基板３に到達する時点においては、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域が弾性変形からの回復途上にあり、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域が弾性変形した状態であるので、半導体基板３に対して均一な研磨を行なうことができる。
　【００９３】
　この場合、第７の実施形態に係るパッド加圧ローラー１５Ａを用いて半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により研磨パッド２を加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３の周辺部と接する領域も十分に加圧され、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になり、研磨パッド２における半導体基板３の周辺部と接する領域も十分に加圧されるため、研磨パッド２における半導体基板３と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になり、研磨パッド２における半導体基板３に接する第１の領域は平坦になる。このため、研磨パッド２は半導体基板３に対して均一な圧力で研磨するので、半導体基板３を均一性良く研磨することができる。
　【００９４】
　さらに、定盤１が回転運動を行なう場合、パッド加圧ローラー１５Ａを円錐台とし、その断面の各部位における半径の比を、各部位が接する研磨パッド２の回転中心からの距離の比に等しくすることにより、パッド加圧ローラー１５Ａの研磨パッド２との接触面においては、パッド加圧ローラー１５Ａは定盤１の回転速度と一致した回転を得ることができるため、パッド加圧ローラー１５Ａと研磨パッド２との接触面においては摩擦が生じない。よって、パッド加圧ローラー１５Ａを用いることにより、摩擦熱が発生しないと共にパッド加圧ローラー１５Ａが研磨されることがないため、研磨剤の温度上昇及びパッド加圧ローラー１５Ａの変形を回避できるので、安定した研磨を実現することができる。
　【００９５】
　（第８の実施形態）
　図５（ｂ）は、第８の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧ローラー１５Ｂの形状を示すための概略斜視図である。第８の実施形態においては、パッド加圧ローラー１５Ｂは複数個の円錐台状のローラー部材により構成されており、各ローラー部材の半径の比は、研磨パッド２における各ローラー部材が接する部位の回転中心からの距離の比に等しい。
　【００９６】
　第８の実施形態に係るパッド加圧ローラー１５Ｂを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３と接する第１の領域は、ほぼ均一に弾性変形した状態になるので、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【００９７】
　また、各ローラー部材の半径が、研磨パッド２における各ローラー部材が接する部位の回転中心からの半径と多少異なっていても、各ローラー部材が独立して回転するために、各ローラー部材が研磨パッド２と摺接する各位置に適した回転が可能になるので、第７の実施形態に比べて一層摩擦を低減でき、より安定した研磨を実現できる。
　【００９８】
　（第９の実施形態）
　図５（ｃ）は、第９の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧ローラー１５Ｃの形状を示すための概略斜視図である。第９の実施形態においては、パッド加圧口ーラー１５Ｃは複数例えば４つの円錐台状のローラー部材により構成されており、各ローラー部材の半径の比は、研磨パッド２における各ローラ部材が接する部位の回転中心からの距離の比に等しい。また、例えば４つのローラー部材は２つづつ間隔をおいて配置され、研磨パッド２における半導体基板３の周縁部近傍と接する領域の近傍を押圧するような位置に設置されている。
　【００９９】
　第９の実施形態に係るパッド加圧ローラー１５Ｃを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３の周縁部に接する領域のみが加圧される。パッド加圧ローラー１５Ｃの圧力を調整して、半導体基板３に達したときの半導体基板３の周縁部に接する研磨パッド２の領域の変形量が、半導体基板３の中心部付近に接する研磨パッド２の領域の変形量よりも多くなるようにしておくことにより、第１の領域において研磨パッド２の変形によって生じる研磨圧力の差を低減できるので、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【０１００】
　なお、図５（ｃ）においてパッド加圧ローラー１５Ｃは、両端部に２個づつのローラー部材を有しているが、各端部に配置するローラー部材の数は１個でも３個以上でもよい。また、外側のローラー部材と内側のローラー部材との間に間隔を設けているが、間隔を設けなくてもよい。
　【０１０１】
　（第１０の実施形態）
　図６（ａ）は、第１０の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧ローラー１５Ｄの形状を示すための概略斜視図である。第１０の実施形態においては、パッド加圧ローラー１５Ｄは円筒状であって、定盤１が一方向の直線運動を行なう場合を示している。
　【０１０２】
　第１０の実施形態に係るパッド加圧ローラー１５Ｄを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３と接する第１の領域は、ほぼ均一に弾性変形した状態になるので、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【０１０３】
　ところで、前記の各実施形態と同様に定盤１が回転運動をする場合、定盤１の回転中心からの半径によって速度が異なり、外周部で速度が速くて中心部では速度が遅い。一体に形成されたパッド加圧ローラー１５Ｄを用いると、パッド加圧ローラー１５Ｄは一定の回転をするので、研磨パッド２との接触抵抗の差により研磨パッド２とパッド加圧ローラー１５Ｄとの接触面における相対速度が異なるために多少の摩擦が生じてしまう。
　【０１０４】
　しかしながら、図６（ａ）に示すように、定盤１が直線運動をする場合、定盤１とパッド加圧ローラー１５Ｄとの接触面においては相対速度が同じになるため、パッド加圧ローラー１５Ｄを用いることによって、摩擦熱が発生しなくなると共にパッド加圧ローラー１５Ｄが研磨されることがなくなるので、研磨剤の温度上昇及びパッド加圧ローラー１５Ｄの変形を回避でき、これにより、安定した研磨を実現することができる。また、円筒状のパッド加圧ローラー１５Ｄは製作が容易であるという利点もある。
　【０１０５】
　なお、本実施形態においては、定盤１の直線運動は一方向のみの場合について説明したが、定盤１が往復の直線運動をする場合であっても同様の効果が得られる。定盤１が往復の直線運動をする場合には、研磨パッド２における半導体基板３が接する第１の領域の両端部にパッド加圧ローラー１５Ｄを設けることがより好ましい。
　【０１０６】
　（第１１の実施形態）
　図６（ｂ）は、第１１の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧ローラー１５Ｅの形状を示すための概略斜視図である。第１１の実施形態においては、パッド加圧ローラー１５Ｅは同軸に配置された複数の円盤状のローラー部材により構成されている。
　【０１０７】
　第１１の実施形態に係るパッド加圧ローラー１５Ｅを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３と接する第１の領域は、ほぼ均一に弾性変形した状態になるので、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【０１０８】
　また、各ローラー部材の径が多少異なっていても、各ローラー部材が独立して回転するため各ローラー部材に適した回転が可能であるので、第１０の実施形態に比べて摩擦を一層低減でき、これにより、より安定した研磨を実現できる。
　【０１０９】
　さらに、定盤１が回転運動する場合でも、各ローラー部材が独立して回転するため、研磨パッド２の回転中心からの距離が異なっていても、各ローラー部材の回転速度は研磨パッド２における各ローラー部材が接する部位の速度とほぼ同じになるので、第１０の実施形態に比べて、摩擦を低減できるので、安定な研磨を得ることが可能である。
　【０１１０】
　なお、本実施形態においては、定盤１が一方向の直線運動をする場合について説明しているが、定盤１が往復の直線運動をする場合であっても同様の効果が得られる。定盤１が往復の直線運動をする場合には、研磨パッド２における半導体基板３が接する第１の領域の両端にパッド加圧ローラー１５Ｅを設けることがより好ましい。
　【０１１１】
　（第１２の実施形態）
　図６（ｃ）は、第１２の実施形態に係る研磨装置のパッド加圧ローラー１５Ｆの形状を示すための概略斜視図である。第１２の実施形態においては、パッド加圧ローラー１５Ｆは同軸に配置された複数の円盤状のローラー部材により構成されており、複数のローラー部材は、研磨パッド２における半導体基板３の周縁部近傍と接する領域を押圧する位置に設置されている。具体的には、パッド加圧ローラー１５Ｆは両端部に２個づつ配置された４つのローラー部材によって構成されている。
　【０１１２】
　第１２の実施形態に係るパッド加圧ローラー１５Ｆを用いて、研磨パッド２を半導体基板３による研磨圧力と同等又はそれ以上の圧力により加圧すると、研磨パッド２における半導体基板３の周縁部と接する第１の領域のみが加圧される。パッド加圧ローラー１５Ｆの圧力を調整して、研磨パッド２における半導体基板３に達したときの半導体基板３の外周部と接する領域の変形量が、研磨パッド２における半導体基板３の中心部付近と接する領域の変形量よりも多くなるようにしておくと、研磨中における研磨パッド２の変形量の差を低減できるので、半導体基板３に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【０１１３】
　また、定盤１が回転運動をする場合であっても直線運動をする場合であっても、各円盤は各円盤が接する研磨パッド２の速度と等しい回転をすることができるので、摩擦を生じない安定した研磨を達成することができる。
　【０１１４】
　なお、図６（ｃ）においては、パッド加圧ローラー１５Ｆが、両端に２個づつ配置されたローラー部材よりなる構成を示しているが、両端にそれぞれ１個づつ又は３個以上のローラー部材が配置された構成でも同様である。また、両端部のローラー部材同士の間に間隔が設けられているが、間隔が設けられていなくてもよい。さらに、本実施形態においては、定盤１が一方向の直線運動をする場合について説明しているが、定盤１が往復の直線運動をする場合であっても同様の効果が得られる。定盤１が往復の直線運動をする場合には、研磨パッド２における半導体基板３が接する第１の領域の両端にパッド加圧ローラー１５Ｆを設けることがより好ましい。
　【０１１５】
　また、前述した各パッド加圧ローラー１５Ａ〜１５Ｆが研磨パッド２に接する面は平坦であるので、研磨パッド２の表面を荒らすことはない。
　【０１１６】
　また、前述した各パッド加圧ローラー１５Ａ〜１５Ｆを樹脂により形成すると、研磨液によりパッド加圧ローラー１５Ａ〜１５Ｆが侵されることなく安定した稼働を行なうことができる。
　【０１１７】
　また、前述した各パッド加圧ローラー１５Ａ〜１５Ｆの面圧力は、半導体基板３の研磨時の圧力と同等又はそれ以上であると説明したが、研磨時の圧力の１／２以上であれば本発明の効果が期待できる。
　【０１１８】
　【発明の効果】
　本発明の半導体基板の研磨装置によると、パッド加圧部により弾性変形させられた研磨パッドは緩やかに回復するため、半導体基板に達した際にも完全に回復しておらず、研磨時に半導体基板により加圧される際の研磨パッドの弾性変形量が少なく、研磨パッドに生じる厚さの差が少ないので、研磨パッドの平坦性が維持される。このため、研磨時に半導体基板が研磨パッドから受ける圧力が半導体基板の全面に亘ってほぼ均一になるので、均一性に優れた研磨を実現できる。
　【０１１９】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が平滑な押圧面を有していると、研磨パッドがパッド加圧部により押圧されても損傷しないので、半導体基板が研磨パッドにより損傷する事態を回避できる。
　【０１２０】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が樹脂により形成されていると、研磨剤に侵され難いので、安定した稼働を行なうことができる。
　【０１２１】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部の押圧面が円形状であると、パッド加圧部の作成が容易である。
　【０１２２】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部の押圧面が円環状であると、研磨パッドが受けるパッド加圧部による加圧量と半導体基板による加圧量との合計は研磨パッドの各領域において大差がなくなるため、研磨パッドにおける半導体基板と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になるので、半導体基板に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【０１２３】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が円形状又は円環状の押圧面を有しており、定盤の平面運動は回転運動であり、パッド加圧部の押圧面の中心と第１の領域の中心とは定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置していると、研磨パッドの平坦性が一層維持されるため、研磨時に半導体基板が研磨パッドから受ける圧力が基板面の全面に亘ってより均一になるので、一層均一性に優れた研磨を実現できる。
　【０１２４】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が円形状又は円環状の押圧面を有しており、定盤の平面運動は回転運動であり、パッド加圧部の押圧面の中心と第１の領域の中心とは定盤の回転運動の回転中心を中心とする同心円上に位置している場合において、パッド加圧部の押圧面の直径が第１の領域の直径よりも大きいと、研磨パッドが半導体基板により押圧される領域は、パッド加圧部により確実に押圧されているため、半導体基板に対してより一層均一な研磨を行なうことができる。
　【０１２５】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、定盤の平面運動は回転運動であり、パッド加圧部は定盤の回転運動の回転中心から外側へ向かうにつれて広がる台形状の押圧面を有していると、研磨パッドがパッド加圧部により弾性変形される変形量はほぼ均一になるので、半導体基板に対してより均一な研磨を行なうことができる。
　【０１２６】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、第２の領域は、研磨パッドの研磨面における第１の領域を除くほぼすべての領域であると、研磨パッドは、半導体基板とパッド加圧部とによって全面に亘って常に加圧されているため、研磨パッドの全面が常に一定の弾性変形を保持しているので、半導体基板に対してより一層均一な研磨を行なうことができる。
　【０１２７】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部の押圧面に、研磨剤を研磨パッドの研磨面に供給する凹状溝が形成されていると、研磨パッドの研磨面におけるパッド加圧部の押圧面と接している領域にも、凹状溝から新しい研磨剤を供給できるので、研磨パッド上の残っている基板の研磨により劣化した研磨剤を更新することができる。
　【０１２８】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなり、研磨パッドの第２の領域に圧接されて定盤の運動に伴って回転すると、パッド加圧部は定盤の回転に伴って回転しながら研磨パッドを押圧できるため、ローラーが研磨パッドを押圧する際の摩擦を低減できるので、より安定した研磨を行なうことができる。
　【０１２９】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなり、研磨パッドの第２の領域に圧接されて定盤の運動に伴って回転し、定盤の平面運動は回転運動であり、ローラーがローラーの横断面の各部位の半径の比が研磨パッドにおけるローラーの横断面の各部位が接する部位の回転中心からの距離の比に等しい円錐台状であると、定盤の回転とローラーの回転とが一致するため、ローラーが研磨パッドを押圧する際に摩擦が発生しない。
　【０１３０】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有する円筒状のローラーよりなると、パッド加圧部が円筒状であるので、パッド加圧部の製作が容易である。
　【０１３１】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーであり、該ローラーが複数のローラー部材よりなると、研磨パッドにおけるローラーの各部位が接する部分の速度が異なっても、摩擦の発生を低減できるので、より安定した研磨を行なうことができる。
　【０１３２】
　本発明の半導体基板の研磨装置において、パッド加圧部が、定盤の平坦面とほぼ平行な回転軸を有するローラーよりなり、研磨パッドの第２の領域に圧接されて定盤の運動に伴って回転し、第２の領域が第１の領域よりも広いと、研磨パッドにおける弾性変形の変形量が少ない領域を押圧できるので、研磨の均一性を向上することができる。
　【０１３３】
　本発明に係る半導体基板の研磨方法によると、本発明の半導体基板の研磨装置と同様に、研磨パッドの平坦性が維持されため、研磨時に半導体基板が研磨パッドから受ける圧力が半導体基板の全面に亘って均一になるので、均一性に優れた研磨を実現できる。
　【０１３４】
　本発明の半導体基板の研磨方法におけるパッド押圧工程において研磨パッドの第２の領域を押圧する圧力が、基板研磨工程において研磨パッドの第１の領域を押圧する圧力と同等以上であると、研磨パッドにおける半導体基板と接する全領域がほぼ均一に弾性変形した状態になるため、研磨パッドにおける半導体基板に接する面が確実に平坦になり、研磨パッドは半導体基板に対して均一な圧力で研磨するので、より均一な研磨を実現できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施形態に係る半導体基板の研磨装置の概略斜視図である。
　【図２】
　本発明の第１〜第５の実施形態に係る半導体基板の研磨装置におけるパッド加圧部の形状を示す平面図である。
　【図３】
　本発明の第６の実施形態に係る半導体基板の研磨装置におけるパッド加圧手段の概略断面図である。
　【図４】
　本発明の第７の実施形態に係る半導体基板の研磨装置の概略斜視図である。
　【図５】
　本発明の第７〜第９の実施形態に係る半導体基板の研磨装置におけるパッド加圧部の形状を示す概略斜視図である。
　【図６】
　本発明の第１０〜第１２の実施形態に係る半導体基板の研磨装置におけるパッド加圧部の形状を示す概略斜視図である。
　【図７】
　本発明の第７の実施形態に係る半導体基板の研磨装置におけるパッド加圧ローラーにより研磨パッドを押圧して弾性変形させる様子を説明するための概略断面図である。
　【図８】
　第１の従来の半導体基板の研磨装置の概略斜視図である。
　【図９】
　従来の半導体装置の研磨方法及びその装置において、研磨パッドが半導体基板に接して圧力を受けている時間が異なることを説明する平面図である。
　【図１０】
　従来の半導体基板の研磨方法及びその装置の問題点を説明するための研磨パッドの概略断面図である。
　【図１１】
　第２の従来の半導体基板の研磨装置の概略断面図である。
　【符号の説明】
　１　定盤
　１ａ　基板保持部
　１ｂ　回転軸
　２　研磨パッド
　３　半導体基板
　４　基板保持ヘッド
　５　研磨剤
　６　研磨剤供給管
　７　パッド加圧手段
　８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，８Ｄ，８　パッド加圧板
　９　回転軸
１０　板状体
１１　フレキシブル部材
１２　密封空間
１３　凹状溝
１４　パッド加圧手段
１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄ，１５Ｅ，１５Ｆ　パッド加圧ローラー
１６　回転軸
２１　定盤
２１ａ　基板保持部
２１ｂ　回転軸
２２　研磨パッド
２３　半導体基板
２４　基板保持ヘッド
２５　研磨剤
２６　研磨剤供給管
３１　定盤
３２　研磨パッド
３３　半導体基板
３４　基板保持ヘッド
３５　ヘッド本体
３６　弾性体
３７　密封空間
３８　気体供給路