【事件の表示】
　特許第３０５９９１５号「表示装置および表示装置の製造方法」の請求項１ないし２０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０５９９１５号の請求項１ないし１８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０５９９１５号の請求項１〜２０に係る発明についての出願は、平成７年８月１日（優先権主張平成６年９月２９日）に特許出願され、平成１２年４月２１日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人鈴木玉緒より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、それに対して意見書が提出された後、再度取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１０月１７日に訂正請求がされたものである。
２．訂正の適否の判断
ア．訂正の内容
ａ．明細書の特許請求の範囲の請求項９及び１７を削除し、請求項１０〜１６、１８〜２０をそれぞれ繰り上げて新たな請求項９〜１８とする。
ｂ．特許請求の範囲の訂正に対応して、明細書の発明の詳細な説明の欄の段落【０００７】、【０００８】、【００１２】、【００１７】、【００２０】、【００３１】、【００４８】〜【００６４】、【０１４７】〜【０１５６】、【０１５８】、図面の簡単な説明の欄の【図１５】〜【図２０】の記載を訂正し、図面のうち【図１５】を削除し、【図１６】〜【図２０】をそれぞれ新たな【図１５】〜【図１９】とする。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、一部の請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、訂正事項ａとの整合を図るために、特許明細書に記載された事項の範囲内において発明の詳細な説明、図面の簡単な説明及び図面の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．結論
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定及び同条第３項において準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて  
ア．本件発明
　本件特許の請求項１〜１８に係る発明は、平成１３年１０月１７日付けで提出された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１８に各々記載された次のとおりのものと認められる。
　「【請求項１】　液晶セルの表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを備えた表示装置。
【請求項２】　基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子とを備え、表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを設けた表示装置。
【請求項３】　相対向する基板と、各基板間に配置された液晶層と、一方の基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子とを備え、表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを備えた表示装置
【請求項４】　画素部と周辺駆動回路部とが同一基板上に形成されたドライバ一体型の表示装置において、
　画素部は液晶セルの表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを備え、
　周辺駆動回路部は基板上に形成された素子を備えた表示装置
【請求項５】　請求項４に記載の表示装置において、周辺駆動回路部は、素子上に平坦化膜を介すことなく形成された液晶層を備えた表示装置。
【請求項６】　請求項２又は３に記載の表示装置において、表示電極に接続される補助容量を備えた表示装置。
【請求項７】　請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置において、平坦化膜はＳＯＧ膜である表示装置。
【請求項８】　請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置において、平坦化膜の下にも絶縁膜を備えた表示装置。
【請求項９】　請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置において、絶縁膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜からなるグループ選択された一つの膜である表示装置。
【請求項１０】　請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置において、絶縁膜はプラズマＴＥＯＳ膜、プラズマ酸化膜、ＥＣＲ酸化膜からなるグループから選択された一つの膜である表示装置。
【請求項１１】　請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示装置において、着色された平坦化膜を備えた表示装置。
【請求項１２】　基板上に画素駆動素子を形成する工程と、
　画素駆動素子を含む基板の全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　第１の絶縁膜上に水分や水酸基を含む平坦化膜を形成する工程と、
　平坦化膜上に実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない第２の絶縁膜を形成する工程と、
　第２の絶縁膜上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成する工程とを備えた表示装置の製造方法。
【請求項１３】　画素部と周辺駆動回路部とが同一基板上に形成されたドライバ一体型の表示装置の製造方法において、
　画素部に対応する基板上に画素駆動素子を形成し、周辺駆動回路部に対応する基板上に素子を形成する工程と、
　画素駆動素子および素子を含む基板の全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　第１の絶縁膜上に水分や水酸基を含む平坦化膜を形成する工程と、
　画素部に対応する平坦化膜だけを残し、周辺駆動回路部に対応する平坦化膜を除去して第１の絶縁膜上を露出させる工程と、
　平坦化膜および第１の絶縁膜の上に実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない第２の絶縁膜を形成する工程と、
　画素部に対応する第２の絶縁膜上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成する工程とを備えた表示装置の製造方法。
【請求項１４】　請求項１２または請求項１３に記載の表示装置の製造方法において、画素駆動素子の形成と同時に補助容量を形成する工程を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１５】　請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、平坦化膜はＳＯＧ膜である表示装置の製造方法。
【請求項１６】　請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、第１および第２の絶縁膜はプラズマＴＥＯＳ膜またはプラズマ酸化膜からなり、その絶縁膜の表面にイオンを注入する工程を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１７】　請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、第１及び第２の絶縁膜はプラズマＴＥＯＳ膜またはプラズマ酸化膜からなり、その絶縁膜の表面に水素プラズマ処理を施す工程を備えた表示装置の製造方法。
【請求項１８】　請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法において、平坦化膜を着色する工程を備えた表示装置の製造方法。」
イ．申立ての理由の概要
　特許異議申立人鈴木玉緒は、刊行物１〜５を提出して、本件特許の請求項１、２、３及び１３（訂正明細書における請求項１、２、３及び１２）に係る発明は、その発明についての出願前の特許出願であって、その発明についての出願後に刊行物１として出願公開された特許出願（以下、先願という）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下、先願明細書という）に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない旨、また、本件特許の請求項１〜２０（訂正明細書における請求項１〜１８）に係る発明は、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである旨主張する。
ウ．各刊行物に記載の発明
刊行物１（特開平７−８６５９８号公報（特願平５−２５２６２４号））：
　「絶縁基板上に成膜された半導体薄膜を素子領域とする薄膜トランジスタと、該素子領域を被覆する層間絶縁膜とを含む薄膜半導体装置において、前記層間絶縁膜は表面積の増大化した荒れた表面を有しており、水分吸着を容易にして該素子領域に対して効率的な水素拡散源となる事を特徴とする薄膜半導体装置。」（特許請求の範囲請求項１）
　「絶縁基板上に半導体薄膜を形成する薄膜工程と、該半導体薄膜を素子領域として薄膜トランジスタを形成するトランジスタ工程と、該素子領域を被覆する様に層間絶縁膜を形成する絶縁工程と、該層間絶縁膜の表面を荒らし水分吸着面積を増大化する表面工程と、該層間絶縁膜の上側に少なくとも該素子領域を覆う様に水素拡散遮断膜を形成する遮断工程と、アニールにより該層間絶縁膜に含まれる水素を該素子領域に拡散するアニール工程とを含む薄膜半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項６）
　「【作用】本発明によれば、薄膜トランジスタの上に堆積される層間絶縁膜を水素拡散源として利用するものである。即ち、この層間絶縁膜の上に水素拡散遮断膜を成膜した後、吸湿性を有する該層間絶縁膜に捕捉された水分を分解して水素を発生させ素子領域を構成する半導体薄膜に導入する。・・・・」（段落０００６）
　「・・・・図１は本発明にかかる薄膜半導体装置の具体的な構成例を示す模式的な部分断面図である。図示する様に、石英（Ｑｕａｒｔｚ）等からなる絶縁基板１の上には多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）からなる半導体薄膜２が所定の形状にパタニング形成されており、素子領域を構成する。この素子領域には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３が形成されている。・・・・かかる構成を有するＴＦＴ３の表面は第１層間絶縁膜４により被覆されている。この第１層間絶縁膜４は表面積の増大化した荒れた表面５を有しており、水分吸着を容易にして半導体薄膜２に対して効率的な水素拡散源となる様にしている。又、この第１層間絶縁膜４自体が所望の吸湿性を有しており、内部にも水分をある程度蓄積できる。・・・・第１層間絶縁膜４の上には所定の形状にパタニングされた配線電極６が設けられており、第１層間絶縁膜４に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴ３のソース領域Ｓに接続している。この配線電極６の上には第２層間絶縁膜が成膜されている。この第２層間絶縁膜６も第１層間絶縁膜４と同様に吸湿性を有しており、且つ荒れた表面７を備えている。・・・・第２層間絶縁膜６の上には水素拡散遮断膜８が成膜されており、水素の外部拡散を防止する。加えて該第２層間絶縁膜６の上側には画素電極が形成されており、コンタクトホールを介してＴＦＴ３のドレイン領域Ｄに接続している。かかる構成を有する薄膜半導体装置は例えばアクティブマトリクス型液晶表示素子の駆動基板として用いる事ができる。・・・・次に図２を参照して、図１に示した構造を有する薄膜半導体装置の水素化処理装置を説明する。例えば水素拡散遮断膜を形成した以降の段階でアニールを行う事により、第１層間絶縁膜４及び第２層間絶縁膜６に含まれた水素が素子領域を構成する半導体薄膜２に拡散し所望の水素化処理が行われる。」（段落０００７〜００１１）
　「・・・・次に図８に示す工程で、ＴＦＴを保護し絶縁する為第１層間絶縁膜（ＳｉＯ２）を約５００ｎｍの厚みで成膜する。この第１層間絶縁膜を構成するＳｉＯ２に必要ならば燐、ひ素、鉛、アンチモン、ほう素等を含有させる。・・・・」（段落００１７）
　「・・・・図９に示す工程で、・・・・配線電極を得る。その後、この配線電極を絶縁隔離する為ＳｉＯ２系の第２層間絶縁膜を約５００ｎｍの厚みで形成する。この第２層間絶縁膜には、必要ならば燐、ひ素、鉛、アンチモン、ほう素等の不純物を含有させる。・・・・」（段落００１８）
　「・・・・図１０に示す工程で、水素の外部拡散防止用として、例えばＰ−ＳｉＮ，Ｐ−ＳｉＯ２，Ｐ−ＳｉＯＮ等のプラズマ膜、あるいはＡｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の金属膜を成膜する。」（段落００１９）
　「・・・・図１８参照して、・・・・アクティブマトリクス液晶表示素子の一例を説明する。図示するように、本液晶表示素子は一対の基板５１，５２を互いに対向配置させ、その間隙に液晶層５３を保持した構成となっている。一方の基板５１は本発明に従って製造されたものであり、マトリクス状に配置された信号線５４と走査線５５及びこれらの交点に配置されたＴＦＴ５６と画素電極５７が形成されている。このＴＦＴ５６は本発明に従って水素化処理を施されたものである。・・・・」（段落００２７）
　「・・・・薄膜トランジスタの特性を向上させる為水素化処理を効率的に行うには水素源の確保が重要である。本発明では、水素源の効率的な確保手段として、層間絶縁膜に水素源である水分を吸着させる様にしている。・・・・さらに、水分を吸着吸収した層間絶縁膜より表面側に水素の外部拡散防止用としてＰ−ＳｉＮ，Ｐ−ＳｉＯ２，Ｐ−ＳｉＯＮ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等を成膜する事により、水素化アニール時効率良くデバイス側に水素を供給する事ができる。・・・・」（段落００２８）
　また、図１及び図１８にそれぞれ薄膜半導体装置の構成及びそれを駆動基板として組み立てられたアクティブマトリクス液晶表示素子の例が示されている。
　以上の記載からすれば、刊行物１には、「画素電極と絶縁基板との間に吸湿性を有していて内部に水分をある程度蓄積できる第１及び第２の層間絶縁膜が形成され、また画素電極で被覆されない第２層間絶縁膜上に水素拡散遮断膜が形成された薄膜半導体装置及びそれを用いたアクティブマトリクス液晶表示素子」（以下、先願発明Ａという）と、「絶縁基板上にＴＦＴを形成する工程と、ＴＦＴを含む基板の全面に吸湿性を有する第１層間絶縁膜を形成する工程と、第１層間絶縁膜上に吸湿性を有する第２層間絶縁膜を形成する工程と、第２層間絶縁膜上に少なくともＴＦＴの形成される領域を覆うように水素拡散遮断膜を形成する工程と、第２層間絶縁膜上にＴＦＴと接続される画素電極を形成する工程とからなるアクティブマトリクス液晶表示素子の製造方法」（以下、先願発明Ｂという）とが記載されているものと認められる。
刊行物２（特開平６−２４２４３３号公報）：
　「・・・・図１は、本発明にかかるアクティブマトリクス基板の基本的な構成を示す断面図である。図示する様に、アクティブマトリクス基板１は石英ガラス等からなる絶縁基板２を用いて構成されており、その表面には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）３が集積的に形成されている。ＴＦＴ３は島状にパタニングされた半導体薄膜４を素子領域として利用している。・・・・ＴＦＴ３のソース領域Ｓには第１層間絶縁膜５に設けられた第一コンタクトホール６を通じ金属配線パタン７が電気接続している。第一層間絶縁膜５は例えば燐がドーピングされたガラスからなり以下１ＰＳＧと称する。・・・・一方、ＴＦＴ３のドレイン領域Ｄには第一層間絶縁膜５及び第二層間絶縁膜８を介して設けられた第二コンタクトホール９を通じ、画素電極１０が電気接続している。この第二層間絶縁膜８は・・・・同じく燐をドーピングしたガラス等からなり、以下２ＰＳＧと称する。・・・・第二層間絶縁膜８と画素電極１０との間に平坦化層１１が介在している。この平坦化層１１はＴＦＴ３や金属配線パタン７の凹凸を埋め平坦化する為に充分な厚みを有している。平坦化層１１の表面は略完全な平面状態にあり、その上に画素電極１０がパタニング形成される。・・・・平坦化層１１は一般に無色透明である事が要求される。又、・・・・を要求される。かかる要求特性を満たす為、有機材料や無機材料が選択される。有機材料としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂が挙げられる。・・・・無機材料としては、例えば二酸化珪素を主成分とする無機ガラスが挙げられる。・・・・」（段落０００８〜０００９）
　また、図１にはアクティブマトリクス基板の構成について、図２及び３にはその製造工程について示されている。
　以上の記載からすれば、刊行物２には、「アクティブマトリクス基板と対向基板との間に液晶層が配置されて構成される液晶表示装置において、アクティブマトリクス基板の画素電極と絶縁基板との間に、燐がドーピングされたガラス等からなる第一層間絶縁膜、第二層間絶縁膜が形成され、さらに第二層間絶縁膜と画素電極との間にアクリル樹脂等の有機材料あるいは無機ガラス等の無機材料からなる平坦化層が形成されている液晶表示装置」（以下、刊行物２記載の発明Ｃという）と、「絶縁基板上にＴＦＴを形成し、その上側に燐がドーピングされたガラス等からなる第一層間絶縁膜、第二層間絶縁膜を形成し、その上にアクリル樹脂等の有機材料あるいは無機ガラス等の無機材料からなる平坦化層を形成し、その上にＴＦＴと接続される画素電極を形成するようにした液晶表示装置の製造方法」（以下、刊行物２記載の発明Ｄという）が記載されているものと認められる。
刊行物３（特開平５−３２６５０９号公報）：
　「・・・・ＳＯＧ法は半導体基板の平坦性の向上に対しては著しい効果をもたらすが、反面４００°Ｃ程度の温度で架橋反応を起こさせて得られたＳｉＯ２膜は、多孔質で吸湿性が大きいという問題があった。そこで、上記ＳｉＯ２膜を形成した後、その上に、ＳｉＨ４をベースにしたＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法で形成した緻密なＳｉＯ２膜を被覆して吸湿を防止する方法が一般に用いられている。図３に、ＳＯＧ法を用いた従来の絶縁膜の形成例を示す。図３（ａ）に示すように、第１配線上に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯ２膜２を形成する。続いて、Ｐ成分を含有するＳＯＧ膜（Ｐ−ＳＯＧ膜）３を公知の塗布法および熱処理法により形成し、段差の緩和を行う〔図３（ｂ）〕。最後に、図３（ｃ）に示すごとく、Ｐ−ＳＯＧ膜上にプラズマＣＶＤ法でＳｉＯ２膜４を形成し絶縁膜５を得る。平坦な絶縁膜５上に第２配線６を形成して多層配線とする。〔図３（ｄ）〕。・・・・」（段落０００２）」
刊行物４（特開平１−１３８５９０号公報）：
　「第４図は、本発明になる液晶画像表示装置を用いてテレビジョン受像機を構成した場合の全体図を示すブロック図である。図中、５−１はアンテナより入力される受信電波より所定のチャンネルの周波数を選択するチューナー部である。５−２は中間周波増幅器から検波に至る回路、・・・・５−３は本発明に係る映像増幅回路ブロックで、後段のマトリクス表示部データ信号ラッチ回路５−８に、液晶表示画像信号を出力する。５−９はデータ線駆動回路である。５−６、５−７は同期信号分離回路５−５の出力を受けてそれぞれ５−８にデータラッチ信号を、５−１０にマトリクス表示部クロック線（横線）駆動用のタイミング信号を供給する。５−１１は電源で、共通電極５−１３（一点鎖線）に対しては後述の共通電極電圧を供給する。５−１２はマトリクス型の液晶表示パネルを表わし、その詳細は第５図の如くなる。６−１はゲート駆動回路、６−２はドレイン駆動回路で、マトリクス表示部の各画素６−３毎に画素電極に画像信号を選択的に供給するトランジスタが供給されている。・・・・」（第３頁右上欄第７行〜左下欄第９行）
刊行物５（特開平２−２３４１３４号公報）：
　「絶縁性基板上に、マトリクス状に形成された薄膜半導体アクティブ素子、該アクティブ素子を通じ信号を制御、印加するためのマトリクス配線、前記アクティブ素子および前記マトリクス配線を覆い前記絶縁性基板上に形成された透明の絶縁性平坦化膜、該絶縁性平坦化膜上に形成された表示電極とから少なくとも構成された事を特徴とする液晶表示装置用アクティブマトリク基板。」（特許請求の範囲）
　「・・・・第１図において、例えば保持基板として安価な透明ガラス基板１０１を用い、この上に接着層１０２を介してｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴからなるマトリクス状に配列されたアクティブ素子を有する薄膜のデバイス層が設置されている構造は前に述べた従来例と同様である。・・・・」（第３頁右上欄第７〜１２行）
　「・・・・その後、少なくともマトリクス状に配列されたｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴを含む前記マトリクス配線で囲まれた領域全面に、例えば二酸化シリコン系塗膜材料・・・・あるいはアクリル系樹脂塗膜材料・・・・等を１μｍ〜２μｍ程度スピンコート等で塗布し焼成する事により透明の絶縁性平坦化膜１１０を形成する。・・・・」（第３頁右下欄第１〜９行）
エ．対比、判断
第２９条の２の理由について：
　本件特許の請求項１に係る発明（以下、本件発明１という）と、先願発明Ａとを対比すると、先願発明Ａにおける「画素電極」、「絶縁基板」、「アクティブマトリクス液晶表示装置」は、それぞれ本件発明１における「液晶セルの表示電極」、「基板」、「表示装置」に相当するので、本件発明１と先願発明Ａとは、いずれも「液晶セルの表示電極と基板とを備える表示装置」である点において共通するが、本件発明１において、表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを設けているのに対して、先願発明Ａにおいては、画素電極と絶縁基板との間に吸湿性を有していて内部に水分をある程度蓄積できる第１及び第２の層間絶縁膜が形成され、画素電極で被覆されない第２層間絶縁膜上に水素拡散遮断膜が形成されている点において相違する。
　ところで、先願発明Ａにおける水素拡散遮断膜は、薄膜トランジスタの水素化効率を高めるために、薄膜トランジスタの上方に成膜された第２層間絶縁膜上に形成されるものであって、画素電極と第２層間絶縁膜との間には形成されないものである。一方、本件発明１における絶縁膜は、平坦化膜に含まれている水分及び水酸基がＴＦＴ及び配線に悪影響を与えるのを防止するために表示電極と基板との間で、平坦化膜の上に、すなわち表示電極と平坦化膜との間に形成されるものであるから、先願発明Ａにおける第１層間絶縁膜または第２層間絶縁膜が本件発明１における平坦化膜に対応するものであるとしても、先願発明Ａにおける水素拡散遮断膜は、本件発明１における絶縁膜とは、その配置位置が異なるのみならず、作用も異なるものである。そして、本件発明１の表示装置は、先願発明のアクティブマトリクス液晶表示装置には備えられないこの絶縁膜を有することによって、明細書に記載の格別な作用効果を奏するものであるから、先願発明Ａと同一であるとすることはできない。
　また、本件特許の請求項２に係る発明（以下、本件発明２という）は、本件発明１の表示装置を特定する事項に加えて、基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子を備えるものであるから、先願発明Ａと同一ではない。
　さらに、本件特許の請求項３に係る発明（以下、本件発明３という）は、本件発明１を特定する事項に加えて、相対向する基板と、各基板間に配置された液晶層と、一方の基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子とを備えるものであるから、先願発明Ａと同一ではない。
　次に、本件特許の請求項１２に係る発明（以下、本件発明１２という）と、先願発明Ｂとを対比すると、本件発明１２において、平坦化膜上に実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない第２絶縁膜を形成する工程と、第２の絶縁膜上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成する工程とを備えるのに対して、先願発明Ｂにおいは、第１層間絶縁膜上に吸湿性を有する第２層間絶縁膜を形成する工程と、第２層間絶縁膜上に少なくともＴＦＴの形成される領域を覆うように水素拡散遮断膜を形成する工程とを備える点において相違し、この水素遮断膜は第２層間絶縁膜と画素電極との間には形成されないものである。そして、本件発明１２においては、平坦化膜上に第２絶縁膜を形成し、その上に表示電極を形成することによって、明細書に記載の格別な作用効果を奏するものであるから、先願発明Ｂと同一であるとすることはできない。
第２９条第２項の理由について：
　本件発明１と刊行物２記載の発明Ｃとを対比すると、刊行物２記載の発明Ｃにおける「アクティブマトリクス基板の画素電極」、「絶縁基板」、「平坦化層」、「液晶表示装置」は、それぞれ本件発明１における「液晶セルの表示電極」、「基板」、「平坦化膜」、「表示装置」に相当するので、本件発明１と刊行物２記載の発明Ｃとは、「液晶セルの表示電極と基板との間に平坦化膜を備えた表示装置」である点において共通するが、
ａ．本件発明１における平坦化膜が水分や水酸基を含むものであるのに対し、刊行物２記載の発明Ｃにおける平坦化層はアクリル樹脂等の有機材料あるいは無機ガラス等の無機材料からなるものであるが、水分や水酸基を含むことについては明記されていない点
ｂ．本件発明１においては、平坦化膜の上に実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜を備えるのに対し、刊行物２記載の発明Ｃにおいては、このような絶縁膜を備えていない点
において相違する。
　ところで、この相違点ｂにおける本件発明１の絶縁膜は表示電極と基板との間で平坦化膜上に備えられるものであるが、このような絶縁膜を備えることは刊行物２〜５のいずれにも記載されていず、また、示唆されないものである。
　刊行物３に記載のものにおいては、ＳＯＧ法で形成された多孔質で吸湿性の大きいＳｉＯ２膜上にＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法で緻密なＳｉＯ２膜を被覆して吸湿を防止することが記載されているが、これは、半導体装置が外部からの水分を吸収するのを防止するものであり、水分を含有するものからの水分の移動を防止することを意図してはいないので、本件発明１において表示電極と平坦化膜との間に絶縁膜を備えることは、刊行物３に記載のものからは示唆されない。また、このような絶縁膜を備えることは、刊行物４および５に各々記載のものにおいてもやはり示唆するところはない。
　しかるに、本件発明１は、このような絶縁膜を表示電極と平坦化膜との間に備えることにより、明細書に記載のような格別な作用効果を奏するものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件発明２は、本件発明１の表示装置を特定する事項に加えて、基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子を備えるものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件発明３は、本件発明１を特定する事項に加えて、相対向する基板と、各基板間に配置された液晶層と、一方の基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子とを備えるものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項４に係る発明（以下、本件発明４という）は、本件発明１を特定する事項に加えて、表示装置が画素部と周辺駆動回路部とが同一基板上に形成されたドライバ一体型であり、周辺駆動回路部は基板上に形成された素子を備えるようにしたものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項５に係る発明（以下、本件発明５という）は、本件発明４を特定する事項に加えて、周辺駆動回路部が素子上に平坦化膜を介すことなく形成された液晶層を備えるようにしたものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項６に係る発明（以下、本件発明６という）は、本件発明２または３を特定する事項に加えて、表示電極に接続される補助容量を備えるようにしたものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものではない。
　本件特許の請求項７に係る発明（以下、本件発明７という）は、本件発明１〜６のいずれかを特定する事項に加えて、平坦化膜がＳＯＧ膜であるようにしたものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項８に係る発明（以下、本件発明８という）は、本件発明１〜７のいずれかを特定する事項に加えて、平坦化膜の下にも絶縁膜を備えるようにしたものであるから、刊行物２〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項９に係る発明（以下、本件発明９という）は、本件発明１〜８のいずれかを特定する事項に加えて、絶縁膜がシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜からなるグループから選択された一つの膜であるようにしたものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項１０に係る発明（以下、本件発明１０という）は、本件発明１〜８のいずれかを特定する事項に加えて、絶縁膜がプラズマＴＥＯＳ膜、プラズマ酸化膜、ＥＣＲ酸化膜からなるグループから選択された一つの膜であるようにしたものであるから、刊行物２〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項１１に係る発明（以下、本件発明１１という）は、本件発明１〜１０のいずれかを特定する事項にく加えて、着色された平坦化膜を備えるようにしたものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件発明１２と、刊行物２記載の発明Ｄとを対比すると、本件発明１２において、平坦化膜上に実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない第２の絶縁膜を形成する工程と、第２の絶縁膜上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成する工程とを備えるのに対して、刊行物２記載の発明Ｄにおいては、このような第２の絶縁膜を平坦化膜の上に形成していない点において相違する。
　ところで、本件発明１２において、このような第２の絶縁膜が平坦化膜の上に形成され、その上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成しているが、これは、刊行物２〜５のいずれにも記載されていず、また、示唆されないものである。
  刊行物３に記載のものにおいては、ＳＯＧ法で形成された多孔質で吸湿性の大きいＳｉＯ２膜上にＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法で緻密なＳｉＯ２膜を被覆して吸湿を防止することが記載されているが、これは、半導体装置が外部からの水分を吸収するのを防止するものであり、水分を含有するものからの水分の移動を防止することを意図してはいないので、本件発明１２において平坦化膜の上に第２の絶縁膜を形成し、その上に表示電極を形成することは、刊行物３に記載のものからは示唆されない。また、このような第２の絶縁膜を形成することは刊行物４および５に各々記載のものにおいてもやはり示唆するところはない。
　しかるに、本件発明１２は、このような第２の絶縁膜を平坦化膜の上に形成し、その上に表示電極を形成することにより、明細書に記載のような格別な作用効果を奏するものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項１３に係る発明（以下、本件発明１３という）と、刊行物２記載の発明Ｄとを対比すると、本件発明１３において、平坦化膜および第１の絶縁膜の上に実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない第２の絶縁膜を形成する工程と、画素部に対応する第２の絶縁膜上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成する工程とを備えるのに対して、刊行物２記載の発明Ｄにおいては、このような第２の絶縁膜を平坦化膜の上に形成していない点において相違する。
　ところで、本件発明１３において、このような第２の絶縁膜を平坦化膜および第１の絶縁膜の上に形成し、その上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成しているが、これは、刊行物２〜５のいずれにも記載されていず、また、示唆されないものである。
  刊行物３に記載のものにおいては、ＳＯＧ法で形成された多孔質で吸湿性の大きいＳｉＯ２膜上にＣＶＤ法あるいはプラズマＣＶＤ法で緻密なＳｉＯ２膜を被覆して吸湿を防止することが記載されているが、これは、半導体装置が外部からの水分を吸収するのを防止するものであり、水分を含有するものからの水分の移動を防止することを意図してはいないので、本件発明１３において平坦化膜および第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を形成し、その上に表示電極を形成することは、刊行物３に記載のものからは示唆されない。また、このような第２の絶縁膜を形成することは刊行物４および５に各々記載のものにおいてもやはり示唆するところはない。
　しかるに、本件発明１３は、このような第２の絶縁膜を平坦化膜および第１の絶縁膜の上に形成し、その上に表示電極を形成することにより、明細書に記載のような格別な作用効果を奏するものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項１４に係る発明（以下、本件発明１４という）は、本件発明１２または１３のいずれかを特定する事項に加えて、画素駆動素子の形成と同時に補助容量を形成する工程を備えるものであるから、刊行物２〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項１５に係る発明（以下、本件発明１５という）は、本件発明１２〜１４のいずれかを特定する事項に加えて、平坦化膜がＳＯＧ膜であるようにしたものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項１６に係る発明（以下、本件発明１６という）は、本件発明１２〜１５のいずれかを特定する事項に加えて、第１および第２の絶縁膜がプラズマＴＥＯＳ膜またはプラズマ酸化膜からなり、その絶縁膜の表面にイオンを注入する工程を備えるものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項１７に係る発明（以下、本件発明１７という）は、本件発明１２〜１５のいずれかを特定する事項に加えて、第１および第２の絶縁膜がプラズマＴＥＯＳ膜またはプラズマ酸化膜からなり、その絶縁膜の表面に水素プラズマ処理を施す工程を備えるものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件特許の請求項１８に係る発明（以下、本件発明１８という）は、本件発明１２〜１５のいずれかを特定する事項に加えて、平坦化膜を着色する工程を備えるものであるから、刊行物２〜５に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件発明１〜１８についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜１８についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月２４日（２００１．１０．２４）
【訂正の要旨】
　（３）訂正事項
　ａ．特許第３０５９９１５号発明の明細書中の特許請求の範囲の請求項１−２０において、特許請求の範囲の減縮を目的として、元の請求項９，１７を削除し、以下項数を繰り上げて訂正する（クレーム対応表参照）。
　ｂ．また、元の請求項９，１７の削除に伴い、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載、図面の簡単な説明の記載および図面との整合をとるため、明瞭でない記載の釈明を目的として、特許公報の明細書および図面を、以下の対応表（発明の詳細な説明の記載）、対応表（図面の簡単な説明）および対応表（図面）に従って訂正する。
（５４）【発明の名称】
表示装置および表示装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　液晶セルの表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを備えた表示装置。
　【請求項２】　基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子とを備え、表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを設けた表示装置。
　【請求項３】　相対向する基板と、各基板間に配置された液晶層と、一方の基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子とを備え、表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを設けた表示装置。
　【請求項４】　画素部と周辺駆動回路部とが同一基板上に形成されたドライバー体型の表示装置において、
　画素部は液晶セルの表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを備え、
　周辺駆動回路部は基板上に形成された素子を備えた表示装置。
　【請求項５】　請求項４に記載の表示装置において、周辺駆動回路部は、素子上に平坦化膜を介すことなく形成された液晶層を備えた表示装置。
　【請求項６】　請求項２又は３に記載の表示装置において、表示電極に接続される補助容量を備えた表示装置。
　【請求項７】　請求項１〜６のいずれか１項に記載の表示装置において、平坦化膜はＳＯＧ膜である表示装置。
　【請求項８】　請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置において、平坦化膜の下にも絶縁膜を備えた表示装置。
　【請求項９】　
請求項１〜８
　【請求項１０】　
請求項１〜８
　【請求項１１】　
請求項１〜１０
　【請求項１２】　基板上に画素駆動素子を形成する工程と、
　画素駆動素子を含む基板の全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　第１の絶縁膜上に水分や水酸基を含む平坦化膜を形成する工程と、
　平坦化膜上に実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない第２の絶縁膜を形成する工程と、
　第２の絶縁膜上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成する工程とを備えた表示装置の製造方法。
　【請求項１３】　画素部と周辺駆動回路部とが同一基板上に形成されたドライバ一体型の表示装置の製造方法において、
　画素部に対応する基板上に画素駆動素子を形成し、周辺駆動回路部に対応する基板上に素子を形成する工程と、
　画素駆動素子および素子を含む基板の全面に第１の絶縁膜を形成する工程と、
　第１の絶縁膜上に水分や水酸基を含む平坦化膜を形成する工程と、
　画素部に対応する平坦化膜だけを残し、周辺駆動回路部に対応する平坦化膜を除去して第１の絶縁膜を露出させる工程と、
　平坦化膜および第１の絶縁膜の上に実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない第２の絶縁膜を形成する工程と、
　画素部に対応する第２の絶縁膜上に画素駆動素子と接続される表示電極を形成する工程とを備えた表示装置の製造方法。
　【請求項１４】　
請求項１２または請求項１３
　【請求項１５】　
請求項１２〜１４
　【請求項１６】　
請求項１２〜１５
　【請求項１７】　
請求項１２〜１５
　【請求項１８】　
請求項１２〜１５
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は表示装置および表示装置の製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を用いたアクティブマトリックス方式の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｄｉｓｐｌａｙ）が高画質な表示装置として注目されている。
　【０００３】
　マトリックスに配置された点（ドット）で表示を行うドットマトリックスＬＣＤには、単純マトリックス方式とアクティブマトリックス方式とがある。単純マトリックス方式は、マトリックスに配置された各画素の液晶を走査信号に同期して外部から直接駆動する方式であり、電極と液晶だけでＬＣＤの表示部である画素部（液晶パネル）が構成されている。そのため、走査線数が増大すると１つの画素に割り当てられる駆動時間（デューティ）が少なくなり、コントラストが低下するという欠点がある。
　【０００４】
　一方、アクティブマトリックス方式は、マトリックスに配置された各画素に画素駆動素子（アクティブエレメント）と信号蓄積素子（画素容量）とを集積し、各画素に一種の記憶動作を行わせて液晶を準スタティックに駆動する方式である。すなわち、画素駆動素子は、走査信号によってオン・オフ状態が切り換わるスイッチとして機能する。そして、オン状態にある画素駆動素子を介してデータ信号（表示信号）が画素に伝達され、液晶の駆動が行われる。その後、画素駆動素子がオフ状態になると、画素に印加されたデータ信号は電荷の状態で信号蓄積素子に蓄えられ、次に画素駆動素子がオン状態になるまで引き続き液晶の駆動が行われる。そのため、走査線数が増大して１つの画素に割り当てられる駆動時間が少なくなっても、液晶の駆動が影響を受けることはなく、コントラストが低下することもない。従って、アクティブマトリックス方式によれば、単純マトリックス方式に比べてはるかに高画質な表示が可能になる。
　【０００５】
　アクティブマトリックス方式は画素駆動素子の違いにより、トランジスタ型（３端子型）とダイオード型（２端子型）とに大別される。トランジスタ型は、ダイオード型に比べて製造が困難である反面、コントラストや解像度を高くするのが容易でＣＲＴに匹敵する高品位なＬＣＤを実現することができるという特徴がある。
　【０００６】
　トランジスタ型の画素駆動素子としては、一般にＴＦＴが用いられる。ＴＦＴでは、絶縁基板上に形成された半導体薄膜が能動層として使われる。能動層として、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）やテルル（Ｔｅ）などを用いる研究もなされてはいるが、一般的なのは非晶質シリコン膜および多結晶シリコン膜である。能動層として非晶質シリコン膜を用いたＴＦＴは非晶質シリコンＴＦＴと呼ばれ、多結晶シリコン膜を用いたＴＦＴは多結晶シリコンＴＦＴと呼ばれる。多結晶シリコンＴＦＴは非晶質シリコンＴＦＴに比べ、移動度が大きく駆動能力が高いという利点がある。そのため、多結晶シリコンＴＦＴは、画素駆動素子としてだけでなく論理回路を構成する素子としても使用することができる。従って、多結晶シリコンＴＦＴを用いれば、画素部だけでなく、その周辺に配置されている周辺駆動回路部までを同一基板上に一体にして形成することができる。すなわち、画素部に配置された画素駆動素子としての多結晶シリコンＴＦＴと、周辺駆動回路部を構成する多結晶シリコンＴＦＴとを同一工程で形成するわけである。
　【０００７】
　
図１５
　【０００８】
　
図１６
　【０００９】
　このように構成された画素６０において、ゲート配線Ｇｎを正電圧にしてＴＦＴ６１のゲートに正電圧を印加すると、ＴＦＴ６１がオンとなる。すると、ドレイン配線Ｄｎに印加されたデータ信号で、液晶セルＬＣの静電容量と補助容量ＣＳとが充電される。反対に、ゲート配線Ｇｎを負電圧にしてＴＦＴ６１のゲートに負電圧を印加すると、ＴＦＴ６１がオフとなり、その時点でドレイン配線Ｄｎに印加されていた電圧が、液晶セルＬＣの静電容量と補助容量ＣＳとによって保持される。このように、画素６０へ書き込みたいデータ信号をドレイン配線に与えてゲート配線の電圧を制御することにより、画素６０に任意のデータ信号を保持させておくことができる。その画素６０の保持しているデータ信号に応じて液晶セルＬＣの透過率が変化し、画像が表示される。
　【００１０】
　ここで、画素６０の特性として重要なものに、書き込み特性と保持特性とがある。書き込み特性に対して要求されるのは、画素部５０の仕様から定められた単位時間内に、信号蓄積素子（液晶セルＬＣおよび補助容量ＣＳ）に対して所望のビデオ信号電圧を十分に書き込むことができるかどうかという点である。また、保持特性に対して要求されるのは、信号蓄積素子に一旦書き込んだビデオ信号電圧を必要な時間だけ保持することができるかどうかという点である。
　【００１１】
　補助容量ＣＳが設けられているのは、信号蓄積素子の静電容量を増大させて書き込み特性および保持特性を向上させるためである。すなわち、液晶セルＬＣはその構造上、静電容量の増大には限界がある。そこで、補助容量ＣＳによって液晶セルＬＣの静電容量の不足分を補うわけである。
　【００１２】
　
図１７
　【００１３】
　透明絶縁基板１における液晶層３側の表面には、ＴＦＴ６１の能動層となる多結晶シリコン膜６が形成されている。多結晶シリコン膜６上にはゲート絶縁膜７が形成されている。ゲート絶縁膜７上には、ゲート配線Ｇｎを構成するゲート電極８が形成されている。多結晶シリコン膜６にはドレイン領域９およびソース領域１０が形成されてＴＦＴ６１が構成される。尚、ＴＦＴ６１はＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ　Ｄｏｐｅｄ　Ｄｒａｉｎ）構造をとり、ドレイン領域９およびソース領域１０はそれぞれ、低濃度領域９ａ，１０ａおよび高濃度領域９ｂ，１０ｂから構成される。
　【００１４】
　透明絶縁基板１においてＴＦＴ６１と隣接する部分には、ＴＦＴ６１の作成と同時に同一工程にて補助容量ＣＳが形成されている。補助容量ＣＳの蓄積電極１１は多結晶シリコン膜６に形成され、ＴＦＴ６１のソース領域１０と接続されている。蓄積電極１１上には誘電体膜１２が形成され、誘電体膜１２上には補助容量ＣＳの対向電極２２が形成されている。尚、誘電体膜１２はゲート絶縁膜７の延長上にあり、ゲート絶縁膜７と同一構成で同一工程にて形成される。また、対向電極２２はゲート電極８と同一構成で同一工程にて形成される。対向電極２２およびゲート電極８の側壁には絶縁膜１３が形成され、対向電極２２およびゲート電極８の上には絶縁膜１４が形成されている。
　【００１５】
　ＴＦＴ６１および補助容量ＣＳの全面には層間絶縁膜１５が形成されている。ソース領域１０を構成する高濃度領域１０ｂとドレイン領域９を構成する高濃度領域９ｂとはそれぞれ、層間絶縁膜１５に形成された各コンタクトホール１７，１６を介して、ソース電極１９とドレイン配線Ｄｎを構成するドレイン電極１８とに接続されている。ドレイン電極１８およびソース電極１９を含むデバイスの全面には絶縁膜２０が形成されている。ソース電極１９は絶縁膜２０に形成されたコンタクトホール２１を介して表示電極４と接続されている。尚、ドレイン電極１８およびソース電極１９の材質としては一般にアルミ合金が用いられ、表示電極４の材質としては一般にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。また、各電極４，１８，１９の形成には一般にスパッタ法が用いられる。
　【００１６】
　このように、ソース領域１０と表示電極４とがソース電極１９を介して接続されているのは、ソース領域１０と表示電極４とのオーミックコンタクトをとるためである。すなわち、ソース電極１９を省くと、多結晶シリコン膜６から成るソース領域１０とＩＴＯから成る表示電極４とが直接接続される。その結果、ソース領域１０と表示電極４とのヘテロ接合によってバンドギャップ差によるエネルギーギャップが生じ、良好なオーミックコンタクトを得られなくなる。ソース領域１０と表示電極４とのオーミックコンタクトがとれていないと、ドレイン配線Ｄｎに印加されたデータ信号が画素６０へ正確に書き込まれなくなり、ＬＣＤの画質が低下することになる。
　【００１７】
　
図１８
図１７は図１８
図１８
　【００１８】
　【発明が解決しようとする課題】
　
図１７
　【００１９】
　液晶層３中の液晶分子の配向が均一でなくなると、液晶層３の光透過および光遮断を表示電極４によって制御できなくなり、常に光透過の状態になってしまう。すなわち、段差部Ｂでは常に光透過の状態になってコントラストが低下することになる。
　【００２０】
　
図１８
　【００２１】
　また、段差部Ｂでは表示電極４の膜厚が薄くなるため、表示電極４の抵抗値が増大したり断線などの問題も起こりやすくなる。そこで、表示電極４の表面を平坦化するため、表示電極４と層間絶縁膜１５との間に平坦化膜を設ける構成が提案されている。
　【００２２】
　例えば、特開平２−２３４１３４号公報（Ｇ０２Ｆ１／１３６，Ｇ０９Ｆ９／３０）には、平坦化膜としてＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）膜またはアクリル系樹脂塗膜などを用いる構成が開示されている。また、特開平４−３１８２６号公報（Ｇ０２Ｆ１／１３３３，Ｇ０２Ｆ１／１３６）にも、平坦化膜としてＳＯＧ膜を用いる構成が開示されている。
　【００２３】
　ＳＯＧとは、シリコン化合物を有機溶剤に溶解した溶液、および、その溶液から形成される二酸化シリコンを主成分とする膜の総称である。ＳＯＧ膜の塗布にはスピンコート法が用いられる。すなわち、シリコン化合物を有機溶剤に溶解した溶液を基板上に滴下して基板を回転させる。すると、当該溶液の被膜は、配線によって形成される基板上の段差に対じて、その凹部には厚く、その凸部には薄く、段差を緩和するように形成される。その結果、当該溶液の被膜の表面は平坦化される。次に、熱処理が施されると、有機溶剤が蒸発すると共に重合反応が進行して、表面が平坦なＳＯＧ膜が形成される。
　【００２４】
　ＳＯＧ膜には、一般式（１）で表されるように、シリコン化合物中に有機成分を含まない無機ＳＯＧ膜と、一般式（２）で表されるように、シリコン化合物中に有機成分を含む有機ＳＯＧ膜とがある。
　【００２５】
〔ＳｉＯ２〕ｎ　　　……（１）
〔ＲＸＳｉＯＹ〕ｎ　……（２）
（ｎ，Ｘ，Ｙ；整数、Ｒ；アルキル基またはアリール基）
　無機ＳＯＧ膜は、水分および水酸基を多量に含んでいる上に吸湿性が高く、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって形成されたシリコン酸化膜に比べて脆弱であり、膜厚を０．５μｍ以上にすると熱処理時にクラックが発生し易いという欠点がある。
　【００２６】
　一方、有機ＳＯＧ膜は、分子構造上、アルキル基またはアリール基で結合が閉じている部分があるため、熱処理時におけるクラックの発生が抑制され、膜厚を０．５〜１μｍ程度にすることができる。従って、有機ＳＯＧ膜を用いれば、膜厚の大きな層間絶縁膜を得ることができ、基板上の大きな段差に対しても十分な平坦化が可能になる。しかし、無機ＳＯＧ膜に比べれば少ないものの、有機ＳＯＧ膜にも水分および水酸基が含まれている上に、吸湿性も高い。
　【００２７】
　このように、ＳＯＧ膜には水分および水酸基が含まれている上に吸湿性が高いという性質がある。また、ＳＯＧ膜の絶縁性および機械的強度は、ＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜に比べて低い。
　【００２８】
　従って、表示電極４と層間絶縁膜１５との間に平坦化膜としてＳＯＧ膜を設けた場合、ＳＯＧ膜に含まれている水分および水酸基が補助容量ＣＳ，ＴＦＴ６１，液晶層３，各配線１８，１９に悪影響を与える恐れがある。例えば、補助容量ＣＳおよびＴＦＴ６１については、水分および水酸基によってホットキャリア耐性が劣化する。また、各配線１８，１９については、水分および水酸基によって配線が酸化し、抵抗値が増大したり断線する恐れがある。さらに、液晶層３に含まれている水分をＳＯＧ膜が吸収し、ＳＯＧ膜に含まれる水分がさらに増加する恐れもある。加えて、ＳＯＧ膜の機械的強度が低いために、画素部５０全体の機械的強度が低下する恐れもある。
　【００２９】
　ちなみに、特開平４−３１８２６号公報には、逆スタガ型のＴＦＴ上に保護膜を形成し、その保護膜上にＳＯＧ膜を形成してもよい旨が記載されている。また、保護膜としてはシリコン窒化膜やシリコン酸化膜を用い、その形成にはＣＶＤ法を用いる旨も記載されている。但し、同公報には、保護膜を設ける必要や得られる効果については何らの記載もない。このような保護膜を設ければ、ＳＯＧ膜に含まれている水分および水酸基がＴＦＴおよび配線に悪影響を与えるのを防止することができる。しかし、ＳＯＧ膜に含まれている水分および水酸基が液晶層に悪影響を与えるのを防止することはできない。また、液晶層に含まれている水分をＳＯＧ膜が吸収し、ＳＯＧ膜に含まれる水分がさらに増加するのを防止することもできない。
　【００３０】
　ところで、ＬＣＤにおいてカラー画像を表示するには、３原色である赤，緑，青（ＲＧＢ；Ｒｅｄ　Ｇｒｅｅｎ　Ｂｌｕｅ）の各色のカラーフィルタを設ける必要がある。例えば、１枚の画素部（液晶パネル）５０を使用する単板式の液晶プロジェクタ用ＬＣＤや直視用ＬＣＤでは、各画素６０にＲＧＢの各色が１対１で対応するように各色のカラーフィルタを設ける。また、ＲＧＢの各色に対応した３枚の画素部５０を使用し、各画素部５０から投影された画像を１つに合成する３板式の液晶プロジェクタ用ＬＣＤでは、各画素部５０にＲＧＢの各色が１対１で対応するように各色のカラーフィルタを設ける。
　【００３１】
　
図１９に、図１７
　【００３２】
　このように、カラー用のＬＣＤを製造する場合には、透明絶縁基板２上にカラーフィルタ６２を形成する工程の分だけ、モノクロ用のＬＣＤを製造する場合に比べて製造工程が複雑化するという問題がある。
　【００３３】
　本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、以下の目的を有するものである。
　１〕画素部に悪影響を与えることなくコントラストの低下を防止することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
　【００３４】
　２〕画素部に悪影響を与えることなくコントラストの低下を防止することが可能な表示装置の製造方法に係り、カラーフィルタを容易に製造することが可能な製造方法を提供する。
　【００３５】
　３〕画素部および周辺駆動回路部に悪影響を与えることなくコントラストの低下を防止することが可能なドライバー体型の表示装置およびその製造方法を提供する。
　【００３６】
　４〕画素部および周辺駆動回路部に悪影響を与えることなくコントラストの低下を防止することが可能なドライバー体型の表示装置の製造方法に係り、カラーフィルタを容易に製造することが可能な製造方法を提供する。
　【００３７】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に記載の発明は、液晶セルの表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを備えたことをその要旨とする。
　【００３８】
　このようにすれば、液晶セルの表示電極が平坦であるため、表示電極上の液晶分子の配向が均一になる。その結果、液晶分子の配向が不均一になることによるコントラストの低下を防止することができる。
　【００３９】
　また、表示電極が平坦であるため、表示電極の膜厚を均一にするのが容易になり、膜厚が薄くなることによる抵抗値の増大や断線などの故障を回避することができる。
　【００４０】
　また、絶縁膜により、平坦化膜が液晶層に悪影響を与えたり、逆に液晶層から悪影響を与えられたりするのを防止することができる。
　【００４１】
　請求項２に記載の発明は、基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子とを備え、表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを設けたことをその要旨とする。
　【００４２】
　請求項３に記載の発明は、相対向する基板と、各基板間に配置された液晶層と、一方の基板上に形成された液晶セルの表示電極と、表示電極に接続される画素駆動素子とを備え、表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを設けたことをその要旨とする。
　【００４３】
　このようにすれば、画素駆動素子による段差を平坦な絶縁層で解消することにより、液晶セルの表示電極が平坦になるため、請求項１に記載の発明と同様の作用および効果を得ることができる。
　【００４４】
　請求項４に記載の発明は、画素部と周辺駆動回路部とが同一基板上に形成されたドライバ一体型の表示装置において、画素部は液晶セルの表示電極と基板との間に、水分や水酸基を含む平坦化膜と、この平坦化膜の上に形成され実質的に水分や水酸基を含まずかつ実質的に水分や水酸基を透過しない絶縁膜とを備え、周辺駆動回路部は基板上に形成された素子を備えたことをその要旨とする。
　【００４５】
　このようにすれば、画素部だけに平坦化膜を設け、周辺駆動回路部には平坦化膜を設けないことができる。従って、平坦化膜が周辺駆動回路部の素子に悪影響を与えるのを防止することができる。
　【００４６】
　請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の表示装置において、周辺駆動回路部は、素子上に平坦化膜を介すことなく形成された液晶層を備えたことをその要旨とする。
　【００４７】
　請求項６に記載の発明は、請求項２又は３に記載の表示装置において、表示電極に接続される補助容量を備えたことをその要旨とする。このようにすれば、補助容量による段差を平坦な絶縁層で解消することができる。
　【００４８】
　請求項７に記載の発明は、請求項１〜
６
。
　【００４９】
　
このようにすれば、高性能な平坦化膜を得ることができる。
　【００５０】
　
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれか１項に記載の表示装置において、平坦化膜の下にも絶縁膜を備えたことをその要旨とする。
　【００５１】
　
このようにすれば、平坦化膜が素子に悪影響を与えるのを防止することができる。
　【００５２】
　
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置において、絶縁膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒酸化膜からなるグループから選択された一つの膜であることをその要旨とする。
　【００５３】
　
請求項１０に記載の発明は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置において、絶縁膜はプラズマＴＥＯＳ膜、プラズマ酸化膜、ＥＣＲ酸化膜からなるグループから選択された一つの膜であることをその要旨とする。
　【００５４】
　
請求項１１に記載の発明は、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示装置において、着色された平坦化膜を備えたことをその要旨とする。
　【００５５】
　
このようにすれば、平坦化膜をカラーフィルタとして流用することができる。
　【００５６】
　
請求項１２
　【００５７】
　
請求項１３
　【００５８】
　
請求項１４に記載の発明は、請求項１２または請求項１３
　【００５９】
　
請求項１５に記載の発明は、請求項１２〜１４
。
　【００６０】
　
請求項１６に記載の発明は、請求項１２〜１５
　【００６１】
　このようにすれば、各絶縁膜中のダングリングボンドが多くなり、水分の透過抑制効果を高めることができる。
　
請求項１７に記載の発明は、請求項１２〜１５
　【００６２】このようにすれば、各絶縁膜中のＳｉ−Ｈ結合が多くなり、水分の透過抑制効果を高めることができる。
　
請求項１８に記載の発明は、請求項１２〜１５
　【００６３】
　【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
　以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図６に従って説明する。尚、本実施形態において、
図１５〜図１９
　【００６４】
　図１に、プレーナ型の多結晶シリコンＴＦＴをＴＦＴ６１として用いた透過型構成をとる本実施形態のＬＣＤにおける画素６０の概略断面を示す。本実施形態において、
図１７
　【００６５】
　従って、本実施形態によれば、表示電極４上の液晶層３中の液晶分子の配向が均一になり、段差部Ｂ上の液晶層３中の液晶分子の配向が不均一になることによる画素６０のコントラストの低下を防止することができる。その結果、ＬＣＤの画質を向上させることができる。また、表示電極４の表面が平坦化されるため、後記する製造工程において表示電極４の膜厚を均一にすることが容易になり、膜厚が部分的に薄くなることによる抵抗値の増大や断線などの問題を回避することもできる。
　【００６６】
　ここで、各絶縁膜２０，３１には以下に示すような性質が要求される。
　（１）絶縁性および機械的強度が高いこと。
　（２）水分および水酸基を含まないことに加え、水分および水酸基を透過しない。
　【００６７】
　（３）補助容量ＣＳ，ＴＦＴ６１，液晶層３，各配線１８，１９などに悪影響を与えるような物質を含まないこと。
　（４）光の透過を阻害しないこと。
　【００６８】
　このような性質を有する各絶縁膜２０，３１によってＳＯＧ膜３２が挟まれたサンドウイッチ構造を採用することで、以下に示すような作用および効果を得ることができる。
　【００６９】
　▲１▼各膜２０，３２，３１から成る層間絶縁膜の全体としての絶縁性および機械的強度を高めることができる。その結果、画素部５０全体の機械的強度を向上させることができる。
　【００７０】
　▲２▼ＳＯＧ膜３２の下層に絶縁膜２０を設けることで、ＳＯＧ膜３２に含まれている水分および水酸基が補助容量ＣＳ，ＴＦＴ６１，各配線１８，１９に悪影響を与えるのを防止することができる。
　【００７１】
　▲３▼ＳＯＧ膜３２の上層に絶縁膜３１を設けることで、ＳＯＧ膜３２に含まれている水分および水酸基が液晶層３に悪影響を与えるのを防止すると共に、液晶層３に含まれている水分をＳＯＧ膜３２が吸収するのを防止することができる。
　【００７２】
　次に、本実施形態の製造方法を順次説明する。
　工程１（図２参照）；まず、透明絶縁基板１（石英ガラス，高耐熱ガラス）上にノンドープの多結晶シリコン膜６（膜厚；５００Å）を形成する。
　【００７３】
　多結晶シリコン膜６の形成方法には以下のものがある。
　▲１▼多結晶シリコン膜６を直接形成する方法；ＣＶＤ法またはＰＶＤ（ＰｈｉｓｉｃａｌＶａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いる。ＣＶＤ法には常圧ＣＶＤ法，減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）プラズマＣＶＤ法，光励起ＣＶＤ法などがある。また、ＰＶＤ法には蒸着法，ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｂｅａｍ）蒸着法，ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｂｅａｍ　Ｅｐｉｔａｘｙ）法，スパッタ法などがある。
　【００７４】
　この中では、モノシラン（ＳｉＨ４）またはジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）の熱分解を利用する減圧ＣＶＤ法が一般的であり、最も高品質な多結晶シリコン膜６を形成することができる。減圧ＣＶＤ法では、処理温度が約５５０℃以下では非晶質、約６２０℃以上では多結晶となる。
　【００７５】
　また、プラズマ中でのモノシランまたはジシランの熱分解を利用するプラズマＣＶＤ法も用いられる。プラズマＣＶＤ法の処理温度は３００℃程度で、水素を添加すると反応が促進されて非晶質シリコン膜が形成される。そして、不活性ガス（ヘリウム，ネオン，アルゴン，クリプトン，キセノン，ラドン）を添加するとプラズマが励起され、同一の処理温度でも多結晶シリコン膜が形成される。
　【００７６】
　▲２▼非晶質シリコン膜を形成した後に多結晶化させて多結晶シリコン膜６を形成する方法；固相成長法または溶融再結晶化法を用いる。固相成長法は、非晶質シリコン膜に６００℃前後で２０時間前後の長時間の熱処理を行うことにより、固体のままで多結晶化させて多結晶シリコン膜を得る方法である。
　【００７７】
　溶融再結晶化法は、非晶質シリコン膜の表面だけを溶融させて再結晶化を図りながら基板温度を６００℃以下に保つ方法であり、レーザアニール法やＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ　Ｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）法がある。レーザアニール法は、非晶質シリコン膜の表面にレーザを照射して加熱溶融させる方法である。ＲＴＡ法は、非晶質シリコン膜の表面にランプ光を照射して加熱溶融させる方法である。
　【００７８】
　このように、固相成長法または溶融再結晶化法を用いて基板温度が６００℃以上にならないようにすれば、透明絶縁基板として高耐熱ガラスを用いることができる。石英ガラスは大型化に伴って著しく高価になる上に現在のところ大型化には限りがあるため、基板の寸法が制約を受ける。そのため、コスト的に見合うＬＣＤのパネルサイズは２型以下となり、ビデオカメラのビューファインダ用や液晶プロジェクタ用としては十分に使用できるものの、直視用としてはパネルサイズが小さすぎて使用できない。一方、通常のガラス（高耐熱ガラス）は石英ガラスの約１／１０の価格で寸法にも制限がない。現在、ＬＣＤ用に市販されている高耐熱ガラス（例えば、米国Ｃｏｒｎｉｎｇ　Ｉｎｃ．製の「７０５９」）では６００℃程度の耐熱温度がある。そこで、透明絶縁基板に通常のガラス（高耐熱ガラス）を使えるように、多結晶シリコンＴＦＴを６００℃程度以下の低温の工程（低温プロセスと呼ばれる）を使って形成することが求められている。尚、多結晶シリコンＴＦＴを１０００℃程度の高温の工程で形成する場合は、低温プロセスに対して高温プロセスと呼ばれる。
　【００７９】
　次に、多結晶シリコン膜６上にゲート絶縁膜７および誘電体膜１２（膜厚；１０００Å）を同時に形成する。ゲート絶縁膜７および誘電体膜１２の形成方法には以下のものがある。
　［１］酸化法を用いてシリコン酸化膜を形成する方法；高温酸化法（乾燥酸素を用いるドライ酸化法，湿った酸素を用いるウェット酸化法，水蒸気雰囲気中での酸化法），低温酸化法（高圧水蒸気雰囲気中での酸化法，酸素プラズマ中での酸化法），陽極酸化法などを用いる。
　【００８０】
　［２］被着法を用いてシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン窒酸化膜（ＳｉＯｘ　Ｎｙ）を形成する方法；ＣＶＤ法やＰＶＤ法を用いる。また、各膜を組み合わせて多層構造にする方法もある。
　【００８１】
　ＣＶＤ法によるシリコン酸化膜の形成には、モノシランまたはジシランの熱分解，ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ−Ｅｔｈｙｌ−Ｏｒｔｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ）などの有機オキシシランの熱分解，ハロゲン化珪素の加水分解などを用いる。ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜の形成には、アンモニアおよびジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２），アンモニアおよびモノシラン，窒素およびモノシランなどの熱分解などを用いる。シリコン窒酸化膜は酸化膜と窒化膜の両膜の特性をもつもので、ＣＶＤ法によるシリコン窒化膜の形成の系に酸化窒素（Ｎ２Ｏ）を少量導入することで形成できる。
　【００８２】
　尚、ゲート絶縁膜７および誘電体膜１２の形成方法にも高温プロセスおよび低温プロセスがある。高温プロセスでは、一般に前記した高温酸化法が用いられる。一方、低温プロセスでは、一般に前記した酸素プラズマ中での酸化法や被着法などが用いられ、処理温度が６００℃程度以下に抑えられる。
　【００８３】
　次に、誘電体膜１２を除くゲート絶縁膜７上だけにレジストパターンを形成する。続いて、当該レジストパターンをマスクとして多結晶シリコン膜６に蓄積電極１１を形成する。蓄積電極１１の形成方法にも高温プロセスおよび低温プロセスがある。高温プロセスでは、不純物をイオン注入後に高温の熱処理を行って不純物を活性化させる。低温プロセスでは、ホスフィンガス（ＰＨ３）またはジボランガス（Ｂ２Ｈ６）と水素ガスとの混合ガスによるイオンシャワーを照射することで、特別な熱処理工程を設けることなく不純物の注入と活性化を同時に行う。尚、低温プロセスでは、不純物イオンを注入後に６００℃程度以下の低温で数時間〜数十時間の熱処理を行うことで不純物を活性化させる方法もある。このとき、ゲート絶縁膜７上にはレジストパターンが形成されているため、ゲート絶縁膜７下の多結晶シリコン膜６（ソース領域１０およびドレイン領域９、各領域９，１０間のチャネル領域）に不純物が注入されることはなく、ゲート絶縁膜７下の多結晶シリコン膜６はノンドープのままに保たれる。
　【００８４】
　その後、当該レジストパターンを除去する。次に、ゲート絶縁膜７および誘電体膜１２の上に、それぞれゲート電極８および対向電極２２（膜厚；３０００Å）を同時に形成して所望の形状にパターニングする。ゲート電極８および対向電極２２の材質としては、不純物がドープされた多結晶シリコン（ドープドポリシリコン），金属シリサイド，ポリサイド，高融点金属単体，その他の金属などが用いられ、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。
　【００８５】
　続いて、ゲート電極８および対向電極２２の上に絶縁膜１４を形成する。絶縁膜１４としてはシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン窒酸化膜などが用いられ、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。
　【００８６】
　そして、自己整合技術により、絶縁膜１４およびゲート電極８をマスクとして多結晶シリコン膜６に低濃度領域９ａ，１０ａを形成する。低濃度領域９ａ，１０ａの形成方法は、注入する不純物の濃度が低い点を除けば蓄積電極１１のそれと同じである。
　【００８７】
　ところで、絶縁膜１４を形成するのは、低濃度領域９ａ，１０ａの形成時にゲート電極８および対向電極２２にも不純物が注入されるのを防ぐためである。特に、ゲート電極８および対向電極２２としてドープドポリシリコンを用いた場合には、低濃度領域９ａ，１０ａの形成時に不純物が注入されると抵抗値が増大する恐れがあるため、絶縁膜１４は不可欠である。
　【００８８】
　次に、ゲート電極８および対向電極２２の側壁に絶縁膜１３を形成する。絶縁膜１３の材質および形成方法は絶縁膜１４のそれと同じである。続いて、各絶縁膜１３，１４上にレジストパターンを形成する。
　【００８９】
　そして、当該レジストパターンをマスクとして多結晶シリコン膜６に高濃度領域９ｂ，１０ｂを形成する。高濃度領域９ｂ，１０ｂの形成方法は蓄積電極１１のそれと同じである。
　【００９０】
　その後、当該レジストパターンを除去する。次に、デバイスの全面に層間絶縁膜１５を形成する。層間絶縁膜１５としてはシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン窒酸化膜，シリケートガラスなどが用いられ、その形成にはＣＶＤ法またはＰＶＤ法が用いられる。また、各膜を組み合わせて多層構造とする方法もある。例えば、ノンドープのシリコン酸化膜（以下、ＮＳＧ膜という）でＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ−ｄｏｐｅｄ　Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ　Ｇｌａｓｓ）膜を挟んだ構造（ＮＳＧ／ＢＰＳＧ／ＮＳＧ）で層間絶縁膜１５を構成し、ＢＰＳＧ膜の形成後にリフローを行うことにより、層間絶縁膜１５の段差被覆性を向上させる方法がある。層間絶縁膜１５の段差被覆性を向上させれば、ＳＯＧ膜３２による平坦化と相まって表示電極４の平坦化効果をさらに増すことができる。
　【００９１】
　続いて、異方性エッチングにより、層間絶縁膜１５に各コンタクトホール１６，１７を形成する。そして、デバイスを水素プラズマ中に晒すことにより、多結晶シリコン膜６の水素化処理を行う。水素化処理とは、多結晶シリコンの結晶欠陥部分に水素原子を結合させることにより、欠陥を減らして結晶構造を安定化させ、電界効果移動度を高める方法である。これにより、ＴＦＴ６１の素子特性を向上させることができる。
　【００９２】
　工程２（図３参照）；スパッタ法により、各コンタクトホール１６，１７内を含むデバイスの全面にアルミ合金膜（Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ）を堆積する。次に、当該アルミ合金膜を所望の形状にパターニングすることにより、ドレイン電極１８およびソース電極１９を形成する。
　【００９３】
　尚、アルミ合金膜に１％という過飽和なシリコンを含有させるのは、多結晶シリコン膜６からドレイン電極１８およびソース電極１９の中へシリコンが取り込まれるのを防止するためである。また、アルミ合金膜に銅を添加させるのは、ドレイン電極１８およびソース電極１９のエレクトロマイグレーション耐性およびストレスマイグレーション耐性を向上させるためである。
　【００９４】
　続いて、デバイスの全面に絶縁膜２０を形成する。
　工程３（図４参照）；絶縁膜２０上にＳＯＧ膜３２を形成する。ＳＯＧ膜３２には有機ＳＯＧ膜または無機ＳＯＧ膜を用いる。
　【００９５】
　その塗布にはスピンコート法が用いられる。すなわち、前記式（１）または式（２）に示す組成のシリコン化合物のエタノール溶液を透明絶縁基板１の上に滴下して基板を回転速度；４８００ｒｐｍで２０秒間回転させ、当該溶液の被膜を透明絶縁基板１の上に形成させる。このとき、そのエタノール溶液の被膜は、透明絶縁基板１上の段差に対して、その凹部（すなわち、段差部Ｂ）には厚く、その凸部には薄く、段差を緩和するように形成される。その結果、エタノール溶液の被膜の表面は平坦化される。
　【００９６】
　次に、大気中において、８０℃で１分間、１５０℃で１分間、２００℃で１分間、順次熱処理が施されると、エタノールが蒸発すると共に重合反応が進行して、表面がほぼ平坦なＳＯＧ膜が形成される。
　【００９７】
　このエタノール溶液の被膜の形成および熱処理を複数回（本実施形態では３回）繰り返し、最後に窒素雰囲気中において、３７０℃で３０分間の熱処理を行って、所望の膜厚のＳＯＧ膜３２を形成する。
　【００９８】
　尚、上記の熱処理工程は、窒素雰囲気中において、１００℃で１分間、２００℃で１分間、３００℃で１分間、２２℃で１分間、３００℃で３０分間、順次熱処理を施す方法に置き代えてもよい。
　【００９９】
　工程４（図５参照）；プラズマＣＶＤ法を用いて、ＳＯＧ膜３２の上に絶縁膜３１を形成する。各絶縁膜２０，３１としてはシリコン酸化膜，シリコン窒化膜，シリコン窒酸化膜などが用いられる。その中でも、特に前記（２）の性質（水分および水酸基を含まないことに加え、水分および水酸基を透過しない）を有する膜として、プラズマＣＶＤ法によって形成されたＴＥＯＳ膜（以下、プラズマＴＥＯＳ膜という）、プラズマＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜（以下、プラズマ酸化膜という）、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜（以下、ＥＣＲ酸化膜という）などが用いられる。
　【０１００】
　これらの膜（プラズマＴＥＯＳ膜、プラズマ酸化膜、ＥＣＲ酸化膜）に水分の透過を抑制する性質があるのは、膜中のダングリングボンドが水分を捕獲するためであると考えられている。また、膜中のダングリングボンドだけでは水分の透過抑制効果について十分な説明がつかないことから、膜中のＳｉ−Ｈ結合が水分を捕獲するためであるとも考えられている。
　【０１０１】
　プラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜は、ＥＣＲ酸化膜に比べると、水分の透過を抑制する性能が劣っている。水分の透過を抑制する性能を向上させるには、プラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜の表面に後記する各イオン種を注入し、そのイオン注入領域のダングリングボンドを多くすればよい。
　【０１０２】
　そのイオン注入領域のダングリングボンドが水分を捕獲し、水分の透過を抑制するため、イオン注入領域が設けられたプラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜においては、水分の透過抑制能力が極めて高くなる。
　【０１０３】
　また、イオン注入領域を設けることで、プラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜の膜厚を薄くしても十分な水分の透過抑制効果を得ることができる。従って、各絶縁膜２０，３１の膜厚を薄くすることが可能になり、コンタクトホール２１が高アスペクト比化するのを防止することができる。
　【０１０４】
　ここで、イオン注入領域を形成するために注入するイオンとしては、▲１▼プラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜にダングリングボンドを生成しやすくするため十分に質量が大きく、▲２▼前記（３）の性質（補助容量ＣＳ，ＴＦＴ６１，液晶層３，各配線１８，１９などに悪影響を与えるような物質を含まない）を満足するものがよく、具体的には、シリコンイオン，不活性ガスイオン，ヒ素イオン，リンイオンなどがあげられる。尚、不活性ガスイオンにおいて、水素イオンやヘリウムイオンが質量が小さいため不適当であり、イオン注入の容易さを考慮するとアルゴンイオンが適当である。
　【０１０５】
　また、イオン注入領域を形成するためのイオン注入の条件は、使用するイオン種やプラズマＴＥＯＳ膜またはプラズマ酸化膜の膜厚によっても異なるが、注入エネルギー；１０〜１５０ｅＶ、ドーズ量；１Ｅ１６〜１Ｅ１７ｃｍ−２程度が望ましい。尚、イオン注入によってプラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜に生じるダメージを考慮すると注入エネルギーは小さいほど良いが、注入エネルギーを小さくした場合にはドーズ量を大きくする必要がある。
　【０１０６】
　ところで、プラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜の水分の透過を抑制する性能を向上させるには、膜の表面に水素プラズマ処理を施し、その水素プラズマ処理領域のＳｉ−Ｈ結合を多くすればよい。
　【０１０７】
　その水素プラズマ処理領域のＳｉ−Ｈ結合が水分を捕獲し、水分の透過を抑制するため、水素プラズマ処理領域が設けられたプラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜においては、水分の透過抑制能力が極めて高くなる。
　【０１０８】
　また、水素プラズマ処理領域を設けることで、プラズマＴＥＯＳ膜やプラズマ酸化膜の膜厚を薄くしても十分な水分の透過抑制効果を得ることができる。従って、各絶縁膜２０，３１の膜厚を薄くすることが可能になり、コンタクトホール２１が高アスペクト比化するのを防止することができる。
　【０１０９】
　ところで、プラズマ酸化膜の形成に用いられるガスは、モノシランと亜酸化窒素（ＳｉＨ４＋Ｎ２Ｏ），モノシランと酸素（ＳｉＨ４＋Ｏ２），ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ−ｅｔｈｏｘｙ−ｓｉｌａｎｅ）と酸素（ＴＥＯＳ＋Ｏ２）などであり、成膜温度は３００〜９００℃である。
　【０１１０】
　工程５（図６参照）；異方性エッチングにより、各膜３１，３２，２０にコンタクトホール２１を形成する。次に、スパッタ法により、コンタクトホール２１内を含むデバイスの全面にＩＴＯ膜２３を堆積する。
　【０１１１】
　工程６（図１参照）；ＩＴＯ膜２３を所望の形状にパターニングして表示電極４（膜厚；２０００Å）を形成する。次に、上記の製造工程によってＴＦＴ６１および補助容量ＣＳが作成された透明絶縁基板１と、表面に共通電極５が形成された透明絶縁基板２とを相対向させ、その間に液晶を封入して液晶層３を形成することで、ＬＣＤの画素部５０が完成する。
　【０１１２】
　ところで、透明絶縁基板１に高耐熱ガラスを用いた場合には、多結晶シリコン膜４の形成時だけでなく、表示電極４の形成までの全工程に渡って低温プロセスを用いなければならない。従って、各絶縁膜２０，３１の形成方法としては、処理温度が低いプラズマＣＶＤ法，ＥＣＲプラズマＣＶＤ法，光励起ＣＶＤ法，ＰＶＤ法が適している。
　【０１１３】
　また、ソース領域１０と表示電極４とがソース電極１９を介して接続されているのは、ソース領域１０と表示電極４とのオーミックコンタクトをとるためである。すなわち、ソース電極１９を省くと、多結晶シリコン膜６から成るソース領域１０とＩＴＯから成る表示電極４とが直接接続される。その結果、ソース領域１０と表示電極４とのヘテロ接合によってバンドギャップ差によるエネルギーギャップが生じ、良好なオーミックコンタクトを得られなくなる。ソース領域１０と表示電極４とのオーミックコンタクトがとれていないと、ドレイン配線Ｄｎに印加されたデータ信号が画素６０へ正確に書き込まれなくなり、ＬＣＤの画質が低下することになる。
　【０１１４】
　このように、本実施形態の製造方法は一般的な技術を用いたものであり、その実施は簡単かつ容易である。
（第２実施形態）
　次に、本発明を具体化した第２実施形態を説明する。
　【０１１５】
　本実施例形態において、第１実施形態と異なるのは、ＳＯＧ膜３２が着色されてカラーフィルタとしての機能をも合わせもつ点だけである。ＳＯＧ膜３２を着色するには以下に示す方法がある。
　【０１１６】
　▲１▼ＳＯＧ膜３２の形成後に染料を用いて染色する。
　▲２▼前記式（１）または式（２）に示す組成のシリコン化合物のエタノール溶液中に染料または顔料を分散させておき、そのエタノール溶液をスピンコート法で塗布する。その後で前記と同様の熱処理を行う。
　【０１１７】
　▲３▼ＳＯＧ膜３２の形成後、その表面に顔料が分散されたインキを印刷する。このように、ＳＯＧ膜３２を着色する工程はごく簡単なものであるため、第１実施形態で説明したＳＯＧ膜３２の形成工程が複雑化することはない。
　【０１１８】
　ここで、本実施形態を単板式の液晶プロジェクタ用ＬＣＤや直視用ＬＣＤに適用する場合は、各画素６０にＲＧＢの各色が１対１で対応するように各色のカラーフィルタを設ける。また、本実施形態を３板式の液晶プロジェクタ用ＬＣＤに適用する場合は、各画素部５０にＲＧＢの各色が１対１で対応するように各色のカラーフィルタを設ける。
　【０１１９】
　このように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。そして、第１実施形態の製造方法にＳＯＧ膜３２を着色する工程を加えるだけで、ＳＯＧ膜３２をカラーフィルタとして流用することができる。従って、製造工程を複雑化することなく、カラーフィルタを容易に製造することができる。
　【０１２０】
　（第３実施形態）
　次に、本発明を具体化した第３実施形態を図７〜図１２に従って説明する。尚、本実施形態において、第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくしてその詳細な説明を省略する。
　【０１２１】
　図７に、ドライバ一体型で透過型構成をとる本実施形態のＬＣＤの概略断面を示す。図７（ａ）に画素６０の概略断面を示し、図７（ｂ）に画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分の概略断面を示し、図７（ｃ）に周辺駆動回路部５３の概略断面を示す。
　【０１２２】
　本実施形態において、図７（ａ）に示す画素６０の概略断面は図１に示す第１実施形態のそれと同じである。図７（ｂ）に示すように、絶縁膜１５上にはゲート配線Ｇｎまたはドレイン配線Ｄｎが形成され、その配線Ｇｎ，Ｄｎを含むデバイスの全面には各絶縁膜２０，３１が形成されている。
　【０１２３】
　図７（ｃ）に示すように、透明絶縁基板１における液晶層３側の表面には、周辺駆動回路部５３を構成するプレーナ型の多結晶シリコンＴＦＴ（以下、ＴＦＴと略す）４１が形成され、そのＴＦＴ４１を含むデバイスの全面には各絶縁膜２０，３１が形成されている。尚、ＴＦＴ４１はＬＤＤ構造をとる。
　【０１２４】
　このように、本実施形態において、画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分および周辺駆動回路部５３にはＳＯＧ膜３２が形成されていない。ＳＯＧ膜３２は、表示電極４の表面を平坦化するために必要なものであって、画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分および周辺駆動回路部５３においては必要ではない。むしろ、画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分および周辺駆動回路部５３にＳＯＧ膜３２を形成した場合、ＳＯＧ膜３２に含まれている水分および水酸基が各配線Ｇｎ，ＤｎおよびＴＦＴ４１に悪影響を与える恐れがある。例えば、ＴＦＴ４１については、水分および水酸基によってホットキャリア耐性が劣化する。また、各配線Ｇｎ，Ｄｎについては、水分および水酸基によって配線が酸化し、抵抗値が増大したり断線する恐れがある。
　【０１２５】
　ＬＣＤの画質を向上させるには周辺駆動回路部５３の動作速度を速くする必要がある。従って、周辺駆動回路部５３を構成するＴＦＴ４１に要求されるホットキャリア耐性は、画素６０を構成するＴＦＴ６１のそれよりも高い。つまり、ＳＯＧ膜３２に含まれている水分および水酸基による悪影響は、ＴＦＴ６１よりもＴＦＴ４１において特に顕著に表れることになる。
　【０１２６】
　従って、周辺駆動回路部５３にＳＯＧ膜３２が形成されていない場合、ＳＯＧ膜３２に含まれている水分および水酸基によってＴＦＴ４１のホットキャリア耐性が劣化することはなく、周辺駆動回路部５３の動作速度を速くすることができる。
　【０１２７】
　ところで、前記各公報（特開平２−２３４１３４号公報、特開平４−３１８２６号公報）には、ドライバー体型ＬＣＤについての記載はなく、画素部と周辺駆動回路部との間の配線部分および周辺駆動回路部に平坦化膜を設けるか否かについての記載もない。
　【０１２８】
　このように、本実施形態によれば、第１実施形態と同様の作用および効果を得ることができる。また、周辺駆動回路部５３の動作速度を速くすることができる。つまり、周辺駆動回路部５３の電気的特性を損ねることなく、画素部５０の光学的特性を高めることができる。すなわち、周辺駆動回路部５３に悪影響を与えることなく、ドライバ一体型ＬＣＤの画質を向上させることができる。
　【０１２９】
　次に、本実施形態の製造方法を図８〜図１２に従って順次説明する。尚、図８〜図１２において、各図の（ａ）（ｂ）（ｃ）はそれぞれ図７の（ａ）（ｂ）（ｃ）に対応する。
【０１３０】
（第１の製造方法）
　以下、本実施形態の第１の製造方法を図２，図３，図８〜図１０に従って順次説明する。
　【０１３１】
　工程１（図２参照）；画素６０の製造方法については、第１実施形態の製造方法の工程１と同じである。また、ゲート配線Ｇｎはゲート電極８と同様の方法で形成する。そして、ＴＦＴ４１はＴＦＴ６１と同様の方法で形成する。
　【０１３２】
　工程２（図３参照）；画素６０の製造方法については、第１実施形態の製造方法の工程２と同じである。また、ドレイン配線Ｄｎはドレイン電極１８と同様の方法で形成する。そして、画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分および周辺駆動回路部５３を含むデバイス全面に絶縁膜２０を形成する。
　【０１３３】
　工程３（図８参照）；デバイス全面の絶縁部２０上にＳＯＧ膜３２を形成する。ＳＯＧ膜３２の形成方法は第１実施形態と同じである。
　工程４（図９参照）；画素部５０（画素６０）に対応するＳＯＧ膜３２上だけにレジストパターン４２を形成する。
　【０１３４】
　工程５（図１０参照）；レジストパターン４２をエッチング用マスクとしてＳＯＧ膜３２をエッチングする。その結果、画素部５０（画素６０）にだけＳＯＧ膜３２が形成され、画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分および周辺駆動回路部５３にはＳＯＧ膜３２が形成されていない状態になる。次に、デバイスの全面に絶縁膜３１を形成する。
　【０１３５】
　この後の工程は第１実施例と同じである。
（第２の製造方法）
　次に、本実施形態の第２の製造方法を図１１および図１２に従って順次説明する。
　【０１３６】
　工程１；第１の製造方法の工程１と同じである。
　工程２；第１の製造方法の工程２と同じである。
　工程３（図１１参照）；スピンコート法を用いて、デバイス全面の絶縁膜２０上に、前記式（１）または式（２）に示す組成のシリコン化合物のエタノール溶液４３を塗布する。
　【０１３７】
　次に、大気中において、画素部５０（画素６０）に対応する部分に塗布されたシリコン化合物のエタノール溶液４３だけに、８０℃で１分間、１５０℃で１分間、２００℃で１分間、順次熱処理を施し、最後に窒素雰囲気中において、３７０℃で３０分間の熱処理を行う。すると、エタノールが蒸発すると共に重合反応が進行して、画素部５０（画素６０）に対応する部分だけに表面がほぼ平坦なＳＯＧ膜３２が形成される。このとき、画素部５０以外の部分（画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分、周辺駆動回路部５３）に塗布されたシリコン化合物のエタノール溶液４３には熱処理を施さない。そのため、画素部５０以外の部分のエタノール溶液４３は硬化せずＳＯＧ膜３２は形成されない。ここで、画素部５０（画素６０）に対応する部分だけに熱処理を施すにはＲＴＡ法を用いればよい。
　【０１３８】
　このエタノール溶液の被膜の形成および熱処理を複数回繰り返す。
　工程４（図１２参照）；画素部５０以外の部分に残っているエタノール溶液４３をリンス液（エタノールなど）を用いて除去する。その結果、画素部５０（画素６０）にだけＳＯＧ膜３２が形成され、画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分および周辺駆動回路部５３にはＳＯＧ膜３２が形成されていない状態になる。
　【０１３９】
　この後の工程は第１の製造方法と同じである。尚、上記の熱処理工程は、窒素雰囲気中において、１００℃で１分間、２００℃で１分間、３００℃で１分間、２２℃で１分間、３００℃で３０分間、順次熱処理を施す方法に置き代えてもよい。
　【０１４０】
　このように、本実施形態の第１および第２の製造方法は一般的な技術を用いたものであり、その実施は簡単かつ容易である。尚、上記各実施形態は以下のように変更してもよく、その場合でも同様の作用および効果を得ることができる。
　【０１４１】
　〔１〕ＳＯＧ膜３２として有機ＳＯＧ膜を用いた場合、ＳＯＧ膜３２に酸素プラズマ処理を施す。その結果、有機ＳＯＧ膜中のＣ−Ｓｉ結合がＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合に変化し、有機ＳＯＧ膜に含まれる有機成分が分解されて膜質を改善することができる。有機ＳＯＧ膜には有機成分が含まれているため、コンタクトホール２１を開口する際のエッチング時に、ＳＯＧ膜３２中に含まれる水分や絶縁膜２０からの酸素供給により、各絶縁膜２０，３１に比べてＳＯＧ膜３２が余分にエッチングされる。また、エッチングマスクとして用いるフォトレジストを除去する際のアッシング処理時に、ＳＯＧ膜３２に含まれる有機成分も分解するため、ＳＯＧ膜３２が収縮・後退してリセスが発生してしまう。リセスが発生すると、ＩＴＯ膜２３を形成する際に、コンタクトホール２１内にＩＴＯ膜２３を十分に埋め込むことができなくなり、良好なコンタクトが得られなくなる。
　【０１４２】
　但し、上記各実施形態では段差部Ｂの段差が大きく、その段差部Ｂを埋め込むＳＯＧ膜３２の膜厚が厚いため、コンタクトホール２１内に露出するＳＯＧ膜３２の膜厚は必然的に薄くなる。そのため、ＳＯＧ膜３２に酸素プラズマ処理を施さなくてもリセスが生じる恐れはあまりなく、高度な信頼性を要求される場合以外には特に必要ないといえる。
　【０１４３】
　〔２〕ＳＯＧ膜３２の形成後にエッチバックを行う。
ＳＯＧ膜３２に含まれる水分および水酸基が増大するとポイズンドビアなどの不良が起こる。ポイズンドビアとは、配線に金属を用いた場合、ビアホール部に露出しているＳＯＧ膜に含まれる水分により、ビアホール部の配線（上記実施形態ではコンタクトホール２１内の表示電極４）が腐食される現象である。これを防止するには、図１３に示すように、各絶縁膜２０，３１でＳＯＧ膜３２を挟むと共に、絶縁膜３１を形成する前にＳＯＧ膜３２をエッチバックすることで、コンタクトホール２１の断面が各絶縁膜２０，３１だけで形成されるようにして、コンタクトホール２１内にＳＯＧ膜３２が露出されないようにすればよい。
　【０１４４】
　但し、ＳＯＧ膜３２のエッチバックについても、上記した酸素プラズマ処理の場合と同様な理由により、高度な信頼性を要求される場合以外には特に必要ないといえる。
　【０１４５】
　〔３〕ＳＯＧ膜３２を感光性樹脂絶縁膜４４に置き代える。
例えば、ポジ型の感光性樹脂絶縁膜４４を用いた場合には、図１４に示すように、デバイスの全面に感光性樹脂絶縁膜４４を塗布後に、画素部５０（画素６０）上だけをマスク４５で覆って露光を行う。すると、画素部５０（画素６０）に塗布された感光性樹脂絶縁膜４４だけが感光して硬化し、画素部５０以外の部分（画素部５０と周辺駆動回路部５３との間の配線部分、周辺駆動回路部５３）に塗布された感光性樹脂絶縁膜４４は感光せず硬化しない。そこで、硬化していない感光性樹脂絶縁膜４４をリンス液を用いて除去すれば、画素部５０（画素６０）にだけ感光性樹脂絶縁膜４４が形成される。
　【０１４６】
　ネガ型の感光性樹脂絶縁膜４４を用いた場合には、デバイスの全面に感光性樹脂絶縁膜４４を塗布後に、画素部５０以外の部分上だけをマスク４５で覆って露光を行う。
　【０１４７】
　〔４〕ＳＯＧ膜３２を他の塗布絶縁膜（ポリイミド系樹脂膜、アクリル系樹脂膜、エポキシ系樹脂膜など）に置き代える
。
　【０１４８】
　
〔５〕
　【０１４９】
　
〔６〕
　【０１５０】
　
〔７〕
　【０１５１】
　
〔８〕
　
〔９〕
　【０１５２】
　
〔１０〕
　
〔１１〕
　【０１５３】
　
〔１２〕
　【０１５４】
　
〔１３〕
　
〔１４〕
　【０１５５】
　
〔１５〕
　【０１５６】
　以上、各実施形態について説明したが、各実施形態から把握できる請求項以外の技術的思想について、以下にそれらの効果と共に記載する。
　（イ）
請求項１２〜１８
　【０１５７】
　このようにすれば、半導体層にシリコン膜を用いた場合、その結晶欠陥部分に水素原子が結合することにより、欠陥が減って結晶構造が安定化し、電界効果移動度を高めることができる。
　【０１５８】
　（ロ）
請求項１２〜１８
　【０１５９】
　このようにすれば、画素駆動素子としてトランジスタを用いた場合、その閾値電圧を制御することができる。ちなみに、本明細書において、発明の構成に係る部材は以下のように定義されるものとする。
　【０１６０】
　ａ）基板としては、石英基板や高耐熱ガラス基板だけでなく、高耐熱樹脂などのあらゆる絶縁材料による基板を含むだけでなく、表面に絶縁層を設けた金属基板などをも含む。
　【０１６１】
　ｂ）表示電極としては、ＩＴＯ膜だけでなく酸化スズ膜をも含む。
　ｃ）平坦化膜としては、ＳＯＧ膜だけでなく感光性樹脂絶縁膜、その他の塗布絶縁膜（ポリイミド系樹脂膜、アクリル系樹脂膜、エポキシ系樹脂膜など）をも含む。
　【０１６２】
　【発明の効果】
　１〕画素部に悪影響を与えることなくコントラストの低下を防止することが可能な表示装置およびその製造方法を提供することができる。
　【０１６３】
　２〕画素部に悪影響を与えることなくコントラストの低下を防止することが可能な表示装置の製造方法に係り、カラーフィルタを容易に製造することが可能な製造方法を提供することができる。
　【０１６４】
　３〕画素部および周辺駆動回路部に悪影響を与えることなくコントラストの低下を防止することが可能なドライバ一体型の表示装置およびその製造方法を提供することができる。
　【０１６５】
　４〕画素部および周辺駆動回路部に悪影響を与えることなくコントラストの低下を防止することが可能なドライバ一体型の表示装置の製造方法に係り、カラーフィルタを容易に製造することが可能な製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　第１，２実施形態の画素の概略断面図。
　【図２】　第１，２実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図３】　第１，２実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図４】　第１，２実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図５】　第１，２実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図６】　第１，２実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図７】　第３実施形態のＬＣＤの概略断面図。
　【図８】　第３実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図９】　第３実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図１０】　第３実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図１１】　第３実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図１２】　第３実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　【図１３】　別の実施形態の画素の概略断面図。
　【図１４】　別の実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
　
【図１５】
　
【図１６】
　
【図１７】
　
【図１８】
　
【図１９】
　【符号の説明】
１，２…透明絶縁基板
３…液晶層
４…表示電極
２０，３１…絶縁膜
３２…平坦化膜としてのＳＯＧ膜
４１…素子としてのＴＦＴ
４４…平坦化膜としての感光性樹脂絶縁膜
５０…画素部
５３…周辺駆動回路部
６１…画素駆動素子としてのＴＦＴ
ＬＣ…液晶セル
ＣＳ…補助容量
【図面】