【事件の表示】
　特許第３０９８２８４号「液晶素子」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０９８２８４号の特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は、平成３年７月１０日に出願され、特許第３０９８２８４号として特許権の設定登録がなされたが、セイコーエプソン株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年８月２８日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
（１）訂正事項
　訂正の内容は、特許請求の範囲の請求項１を削除するとともに、請求項２を請求項１とするものである。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　請求項１を削除する訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、請求項２を請求項１とする訂正は、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであり、これらの訂正は、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定並びに同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．訂正後の請求項に係る発明について
（１）本件発明
　訂正明細書の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲に記載された次の事項により特定されるものである。
「画素電極を有する主基板と対向電極を有する対向基板との間隙に液晶材料が挟持された液晶素子において、
　前記主基板上の画素電極下部に絶縁層を介して形成された導電性遮光部は画素電極周縁部全面に重畳し且つ前記導電性遮光部が薄膜トランジスタの電極を形成するいずれかの導電性遮光層をもって形成され、前記対向基板上の画素電極境界部に相当する位置に遮光部を設けたことを特徴とする液晶素子。」
（２）引用刊行物
　当審が通知した取消理由に刊行物２として引用した特開平３−３７６２５号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、次のように記載されている。
「本発明を実施例について以下に説明する。第１図に本発明の表示装置を構成するアクテイブマトリクス基板の一実施例の平面図を示す。第１図のIII−III線に沿った断面図を第３図に示す。」（第３頁右上欄第５〜８行）
「ＴＦＴ１５のソース電極３０及びドレイン電極３１は、ソースバスライン１３と同時に形成される。ドレイン電極３１には絵素電極１２が接続されている。更に、ドレイン電極３１に接して、液晶配向の乱れが発生した領域の遮光を行うための、遮光膜３３が形成されている。」（第３頁右上欄第１６行〜左下欄第１行）
「コンタクト層２９上には、上述のソース電極３０及びドレイン電極３１が形成されている。ドレイン電極３１の形成時に、前述の遮光膜３３が同時にパターン形成される。本実施例では遮光膜３３は、ドレイン電極３１に電気的に接続された状態で形成される。遮光膜３３上には、ゲート絶縁膜２７上に形成された絵素電極１２の一部が重畳されている。」（第３頁左下欄第１６行〜右下欄第３行）
「アクテイブマトリクス基板１０に対向する対向基板２０では、透明基板２１上にブラックマスク２５及びカラーフィルタ２２が形成され、更に、対向電極２３及び配向膜２４が全面に形成されている。アクテイブマトリクス基板１０と対向基板２０との間には、液晶３５が封入され、本実施例のアクテイブマトリクス表示装置が得られる。」（第３頁右下欄第８〜１４行）
「遮光膜３３は、通常、絵素電極１２の端部から２〜１０μｍの領域に形成される。本実施例のように遮光膜３３を設けることにより、表示不良の問題のない良好な表示装置が得られることが確認された。」（第４頁左上欄第７〜１１行）
　また、引用刊行物の第４〜第６図には、他の実施例に係る遮光膜３３の形状が示され、その第６図には、遮光膜３３が絵素電極１２の周縁部全面に重畳して設けられたものが示されている。
　上記記載によれば、引用刊行物には
「絵素電極１２を有するアクテイブマトリクス基板１０と対向電極２３を有する対向基板２０との間隙に液晶３５が封入され、アクテイブマトリクス基板１０上の絵素電極１２の下部には遮光膜３３が形成され、この遮光膜３３は第６図に示されるように絵素電極１２の周縁部全面に重畳してドレイン電極３１の形成時にパターン形成されたものであり、また、対向基板２０にはブラックマスク２５が設けられたアクテイブマトリクス表示装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
（３）対比
　本件発明と引用発明を比較する。
　引用発明の「遮光膜３３」は、ドレイン電極３１の形成時にパターン形成されたものであるから、薄膜トランジスタの電極を形成するいずれかの導電性遮光層をもって形成された導電性遮光部であることが明らかである。
　また、引用刊行物では引用発明の「ブラックマスク２５」についての直接的な説明はされていないが、これが画素電極境界部に相当する位置に設けられる遮光部であることは当業者に周知である。（この点について必要ならば、引用刊行物第２頁右上欄第１８〜１９行の「絵素部分以外の部分を通過する光を遮断するためのブラックマスク」との記載及び第２頁右下欄第３〜１１行の「ブラックマスクを対向基板側に設けた場合」についての記載、また、当審での取消理由に刊行物１として引用した特開平１−２１６３２０号公報の第７図ないし第９図に示される対向基板６０にカラーフィルタ６５とともに設けられた遮光マスク６４についての同公報第２頁左下欄第１６〜２０行の「アクテイブマトリックス基板１０側の画素電極膜３１の相互間の隙間は走査電極膜３２を含めて画像表示上貢献しないので、基板６０側のこの隙間に対応する位置には遮光マスク６４を設けて隙間を図の上下方向に通過する光を遮断する。」との記載を参照されたい。）
　そして、引用発明の「絵素電極１２」、「アクテイブマトリクス基板１０」、「対向電極２３」、「対向基板２０」及び「液晶３５」が、それぞれ、本件発明の「画素電極」、「主基板」、「対向電極」、「対向基板」及び「液晶材料」に相当していることが明らかであり、また、引用発明の「遮光膜３３」及び「ブラックマスク２５」については上述のとおりであるから、両者は、ともに
「画素電極を有する主基板と対向電極を有する対向基板との間隙に液晶材料が挟持された液晶素子において、
　前記主基板上の画素電極下部に形成された導電性遮光部は画素電極周縁部全面に重畳し且つ前記導電性遮光部が薄膜トランジスタの電極を形成するいずれかの導電性遮光層をもって形成され、前記対向基板上の画素電極境界部に相当する位置に遮光部を設けた液晶素子。」の発明である点で一致する。
　一方、本件発明では、導電性遮光部が画素電極下部に絶縁層を介して形成されているのに対し、引用発明では導電性遮光部が絶縁層を介することなく直接画素電極に接続されている点で相違する。
（４）相違点についての検討
　上記相違点について検討するに、引用発明では、遮光膜３３がドレイン電極３１の形成時にパターン形成されたものであるから、これが直接画素電極に接続されているが、引用刊行物の第４頁左上欄第１８行〜右上欄第４行には、「本実施例では遮光膜３３をソース電極３０及びドレイン電極３１と同じ材料で形成したが、ゲート電極と同じ材料で形成してもよい。その場合には、遮光膜３３はゲート電極３４及びゲートバスライン１４と同時に形成され、ゲート電極３４及びゲートバスライン１４からは電気的に孤立して設けられるのが好ましい。」と記載されており、遮光膜３３をゲート電極と同じ材料で、ゲート電極３４及びゲートバスライン１４と同時に形成することが示唆されている。
　そして、このように遮光膜３３をゲート電極３４及びゲートバスラインと同時に形成するならば、絵素電極１２と遮光膜３３との間にゲート絶縁膜２７が介在することになることは当業者に明らかである。
　なお、この場合、遮光膜３３はゲート電極３４と同時に形成されるのだから、これが薄膜トランジスタの電極を形成する導電性遮光層をもって形成されることになることも明白である。
　したがって、本件発明は、引用刊行物の第３図に示される構造であって、遮光膜３３の形状については第６図に示される実施例のものにおいて、その遮光膜を、引用刊行物の第４頁左上欄第１８行〜右上欄第４行に記載されるように、ゲート電極と同じ材料で形成するようになすことにより、当業者が容易に発明できたものと認められる。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定により拒絶の査定をしなければならない出願に対してされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月１０日（２００１．９．１０）
【訂正の要旨】
訂正要旨　２００１−７１１７８（特許第３０９８２８４号）
　特許請求の範囲の請求項１を削除するとともに、請求項２を請求項１とする。
（５４）【発明の名称】
液晶素子
（５７）【特許請求の範囲】
　
【請求項１】
前記主基板上の画素電極下部に絶縁層を介して形成された導電性遮光部は画素電極周縁部全面に重畳し且つ前記導電性遮光部が薄膜トランジスタの電極を形成するいずれかの導電性遮光層をもって形成され、前記対向基板上の画素電極境界部に相当する位置に遮光部を設けたことを特徴とする液晶素子。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、液晶を用いた表示素子及び光変調素子に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】液晶素子は表示素子もしくは光変調素子として精力的な研究開発が行われており、現在これを用いた直視型表示装置が広く用いられているほか、投射型表示装置や電子写真方式のプリンタヘッドなどに適用されている。
　【０００３】液晶素子は一般に相対する２枚の電極板とこれに狭持された液晶材を基本構成要素として持つが、複数の画素を持つ液晶素子の場合双方の電極の大きさが異なることが多い。特にＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などの能動素子を持つ液晶素子では一方の基板（主基板）に能動素子とこれに接続された画素電極が設けられ、他方の基板（対向基板）に一面の共通電極が設けられることが多い。ここではこれらを一般的に呼称するため、図示した際に実効幅の狭い方の電極を画素電極と称し、実効幅の広い方の電極を対向電極と称する。
　【０００４】図３のごとく透明な画素電極３０２及び対向電極３０３が形成され、その上に配向膜３０４が塗布された２枚の基板３００，３０１の間に液晶材料３０５が狭持された素子では画素電極の隙間（境界部３０６）には電圧をかけられないため透過光を制御できない。また画素電極の周縁部では電場の方向が電極に対して垂直でなくなると液晶層３０５に配向異常部位３０７が発生し、やはり透過光を十分に制御できなくなる。液晶素子を電圧無印加の状態で光が透過する状態（ノーマリホワイトモード）にて使用する場合、境界部付近で光が透過すると素子全体の遮光能が低下するため明暗比低下の原因となり、電圧印加時に配向異常が発生すると画像の焼き付けや残像といった表示不良を生じ、表示品位の劣化を招く。
　【０００５】通常このような問題の発生する液晶素子では画素境界領域に何らかの遮光層が設けられる。例えばＴＦＴを用いた液晶表示素子では主基板上に画素電極，能動素子及び配線以外の付加物を設けることが電気特性的，製造プロセス的に必ずしも好ましくはないため、図４のごとく対向基板上に遮光層４１０を画素電極端部、特に配向異常の現れ易い部位を大きく覆う形で設け、境界部４０６及びその近傍の配向異常４０７を画素開口部より隠ぺいすることにより、好ましからざる光透過を抑えることが行われている（特開平１−２６６５１２号公報参照）。
　【０００６】対向基板上に画素境界部遮光層を設けた場合、基板張り合わせ時の位置合わせ精度は、ＴＦＴ等の大きさに対して一般に余り精度が高くないうえ、視野角に相当する張り出し部分が必要なため、それらを考慮して遮光面積を広く取る必要があり画素開口率の低下を免れない。また素子の小型化高密度化が要求される場合には、遮光層と境界部の相対位置を高精度で一致させる必要があるため、図５のごとく他の電極と絶縁された導電性遮光層５０８を画素電極５０２と同じ基板上の画素境界部５０６に設ける方式も考案されている（特開平１−２１７３２３号公報参照）。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】既に述べたように図４のように対向基板上に遮光部を設ける構造では視野角分を見込んで覆われる部分を余分に取る必要があり、また基板張り合わせ時のずれに対処して予め境界遮光部の実効幅を遮光の必要な部分に比較してかなり大きくせざるを得ないため、画素開口率の低下を招くことになる。光利用効率を上げるためには高い開口率を実現しなければならないが、このため基板張り合わせ時に高い位置合わせ精度が要求され、更に液晶表示素子を小型化，高密度化する際には位置合わせ精度をより厳密にする必要があり、製作が困難となる。
　【０００８】これに対し図５のように主基板上に遮光部を設け対向基板上には遮光部を設けないような構造では、電極形成プロセス（フォトリソグラフィ）のみで画素電極と遮光部の相対位置を決められるため位置合わせ精度は高くできるものの、遮光層端部と画素電極の間に生じる電界により画素開口部内に配向異常部位５０７が発生し、遮光層としての効果が減じてしまう。また能動素子を持った液晶素子の場合、主基板上に余分の導電層を設けることは能動素子の電気的特性に影響をもたらし、製造プロセスにおける制約、歩留まり低下につながるため、必ずしも好ましいとは言えない。
　【０００９】本発明は、上述の問題点を解決し、画素境界部の光もれを防ぐと同時に画素開口部を必要以上に狭めることなく画素電極端部付近に発生する液晶の配向異常（液晶欠陥）を隠ぺいすることを目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】画素電極を有する主基板と対向電極を有する対向基板との間隙に液晶材料が挟持された液晶素子において、前記主基板上の画素電極下部及び境界部に絶縁層を介して形成された導電性遮光部は画素電極周縁部全面に重畳し且つ、前記画素電極と前記配線との間隙を覆うように形成され、なおかつ前記導電性遮光部が薄膜トランジスタの電極を形成するいずれかの導電性遮光層をもって形成されることを特徴とする液晶素子である。
　【００１１】また画素電極を有する主基板と対向電極を有する対向基板との間隙に液晶材料が挟持された液晶素子において、前記主基板上の画素電極下部に絶縁層を介して形成された導電性遮光部は画素電極周縁部全面に重畳し且つ前記導電性遮光部が薄膜トランジスタの電極を形成するいずれかの導電性遮光層をもって形成され、前記対向基板上の画素電極境界部に相当する位置に遮光部を設けたことを特徴とする液晶素子である。
　【００１２】
　【作用】画素電極周縁部に発生する配向異常部位１０７は横方向電界を発生する電極端部近傍に現れるため、図１のごとく主基板上画素電極１０２の下部及び境界部１０６に、これと絶縁した導電性遮光層１０８を設けることにより、配向異常部位１０７を画素電極間の隙間と同時に隠ぺい，遮光することができる。導電性遮光層１０８の端部は画素電極の下にあるため、この部分に生じる横方向電界が表示に影響を及ぼすことはなく、遮光層は有効に機能する。導電性遮光層１０８は画素電極形成プロセスで形成されるため、画素電極に対し高い位置合わせ精度が実現でき、視野角の見込みや基板張り合わせ時のずれを考慮して開口面積を狭める必要がないため、高い開口率で高品質な表示を実現できる。更に対向基板に遮光層を持たないため基板張り合わせ時の位置合わせをする必要もないため、製造時に要求される位置合わせ精度は従来方法よりも緩やかで済ませることができる。
　【００１３】また能動素子を主基板上に持つ液晶素子などは、能動素子や配線等に他の導電層を近接させることが好ましくない、もしくは近接させることができないといった場合が考えられ、必ずしも主基板上のみに遮光層を設けることが適当でない場合がある。こうした素子においては図２のごとく、対向側遮光層２１０に加えて主基板上画素電極２０２の下部及び境界部２０６にこれと絶縁した画素側遮光層２０８を設けることにより、画素電極周縁部に発生する配向異常部位２０７を画素開口部から隠ぺいすることができる。対向側遮光部２１０はガラス基板２００上では塞ぐことができない間隙を塞ぐことができ、製造時の位置合わせ精度もさほど高くする必要がない。画素電極周縁部に発生する配向異常については、高い位置精度が出せる画素側遮光層２０８を設けることにより隠ぺいすることができると同時に、視野角の見込みも必要がないため、高開口率で高品質な表示を実現することができる。
　【００１４】
　【実施例】
（実施例１）図１は本発明を適用した液晶素子の一実施例を示す断面図である。一方のガラス基板１００に、アルミニウムからなる幅４０μｍの導電性遮光層１０８と、層間を絶縁する酸化珪素からなる絶縁層１０９と、透明導電体ＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる画素電極１０２とを、間隔２０μｍで（画素電極１０２との重なりは１０μｍ）それぞれ形成し、他方のガラス基板１０１にＩＴＯ対向電極１０３を形成し、いずれの基板の表面にもラビング処理を行ったポリイミドの配向膜１０４を設けた後、双方の基板を５μｍの間隙を持って張り合わせ、ＴＮ（ツイスト・ネマチック）液晶材料１０５を注入、封止した。
　【００１５】このような液晶素子に対し、対向電極１０３と導電性遮光層１０８を共に接地して画素電極１０２に±５Ｖ、周波数３０Ｈｚの矩形波電圧を与えて駆動し、ノーマリホワイトモードにて観察したところ、画素周辺部の光漏れは観察されなかった。また導電性遮光部１０８に−６Ｖの直流電圧を与えた上で液晶画素を駆動した場合にも同様に画素周辺部に光もれは観察されなかった。すなわち導電性遮光部は必ずしも専用のものを形成する必要はなく、既存の配線１１１の一部を利用しても同様の効果が得られる。比較のため導電性遮光層が画素電極境界部１０６のみに形成され、画素電極との重なりがない液晶素子について同様な実験を行い、配向異常を観察したところ画素電極端より約８μｍの範囲に現れることが確認でき、遮光層１０８と画素電極１０２の重なりが約１０μｍで十分であることが確かめられた。
　【００１６】なお絶縁層１０９は画素電極と遮光層を絶縁してさえいれば必ずしも全面を覆う必要はなく、いかなる形状でもかまわず、画素電極の下に形成される全ての遮光性導電層を利用できる。
（実施例２）図２は本発明を適用した液晶素子の他の実施例を示す断面図である。一方のガラス基板２００に、アルミニウムからなる幅４０μｍの画素側遮光層２０８と、層間を絶縁する酸化珪素からなる絶縁層２０９と、透明導電体ＩＴＯ（酸化インジウム錫）からなる画素電極２０２とを、間隔２０μｍで（画素電極１０２との重なりは１０μｍ）それぞれ形成し、他方のガラス基板２０１に、ＩＴＯ対向電極２０３と、アルミニウムからなる対向側遮光層２１１とを形成し、いずれの基板の表面にもラビング処理を行ったポリイミドの配向膜２０６を注入、封止した。
　【００１７】このような液晶素子に対し、対向電極２０３と導電性遮光層２０８を共に接地して画素電極２０２に±５Ｖ、周波数３０Ｈｚの矩形波電圧を与えて駆動し、ノーマリホワイトモードにて観察したところ、画素周辺部の光漏れは観察されなかった。ガラス基板の目合わせ状態を調べたところ約３μｍずれていたものの、これにより画素部が狭められることもなく、設計通りの開口面積が得られたことから、この構造が有効であることが確かめられた。
　【００１８】なおこの構造においても、絶縁層２０９は画素電極と遮光層を絶縁してさえいれば必ずしも全面を覆う必要はなく、いかなる形状でもかまわず、画素電極の下に形成される全ての遮光性導電層を利用できる。
（実施例３）図６は本発明を適用したＴＦＴアクティブマトリクス液晶表示素子の実施例である。主ガラス基板に、能動素子ＴＦＴ６１６及びこれに接続されたＩＴＯからなる画素電極６０２、更にＴＦＴに電圧を与えるマトリクス状のゲート配線６１２、並びに信号配線６１３が設けられており、画素電極の外縁より１０μｍの範囲について遮光性のクロムからなる蓄積容量配線６１４が画素側遮光部を兼ねて配された構造となっている。また対向基板には、ＩＴＯからなる一面の対向電極と、クロムからなる対向側遮光部６１０とが設けられるが、この対向側遮光部は、双方のガラス基板を貼り合わせたときにその開口部内縁が画素電極外縁より５μｍの位置、すなわち画素外周部における画素遮光部の中心にくるよう設計されている。各々の基板にラビング処理を行ったポリイミド配向膜を設け、約５μｍの間隙を設けて貼り合わせた後、ＴＮ液晶材料２０５を注入、封止した。
　【００１９】基板貼り合わせ時の位置合わせ精度を顕微鏡にて確認したところ、約３μｍのずれが認められたものの、これにより開口部が狭められることはなく、開口率５０％と優れた結果が得られた。このような液晶素子について信号線並びにゲート線に外部より駆動回路を接続して映像信号を与え画像の表示を行ったところ、コントラスト比１００：１以上が得られ、映像の焼き付きや残像といった表示不良も観察されなかった。
　【００２０】なおここでは画素遮光部の幅を一律１０μｍとしたが、配向異常の発生する箇所はラビングの方向に依存し、画素の辺に対して４５°にラビングした場合はラビングの始まる側の画素電極隅部にほぼ決まって発生するためその箇所について遮光部の幅を広くすることにより更に効果を高めることができる。またこの例では画素側遮光部を蓄積容量線と共用する構造を採用したが、隣接するゲート線を蓄積容量線として用いた場合にも、同様に本発明を適用することが可能である。更にＴＦＴの電気的特性、製造プロセス上の制約に対して支障がなければ信号線やＴＦＴの一部を画素側遮光部として流用することも可能である。
　【００２１】以上の例はＴＮ液晶を用いた素子についてのものであるが、本発明はこれに限ることなく、ＳＴＮ（スーパー・ツイスト・ネマチック）モード、スーパー・ホメオトロピックモード、補償ホモジニアスモード等に代表される他の表示モードに対しても適用可能である。また本発明は特に能動素子を主基板上に持つアクティブマトリクス液晶素子に有効であるが、一般に画素電極と対向電極、境界遮光部を有する液晶素子であれば、単純マトリクス液晶素子など他の形状の素子についても実施することができる。
　【００２２】
　【発明の効果】以上説明した通り、本発明を適用すれば、液晶素子において画素境界部の光ももれを防ぎ、且つ画素電極端部付近に発生する液晶の配向異常（液晶欠陥）を隠ぺいすることが、画素開口部を必要以上に狭めることなく高い位置合わせ精度で可能となる。これにより素子の光利用効率を下げることなく高品位の表示が実現でき、これは特に能動素子を持つ液晶表示素子を小型化高密度化する際に大きな利点となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】第１の実施例を示す断面図である。
　【図２】第２の実施例を示す断面図である。
　【図３】従来の液晶素子の例を示す断面図である。
　【図４】従来の液晶素子の例を示す断面図である。
　【図５】従来の液晶素子の例を示す断面図である。
　【図６】第３の実施例を示す平面図である。