(57)【要約】  本発明は、細線再現性と導電性配線との密着性に優れる基材を提供し、更には該基材を用いた導電性パターン形成方法、及び該基材を用いた有機薄膜トランジスタを提供することであり、該基材は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物と増感色素を有することを特徴とする。    一般式（Ｉ）：（Ｒ）ｎ−Ｓｉ（Ａ）３−ｎ−（Ｂ）（式中、Ｒは炭素原子数８以下のアルキル基であり、Ａはアルコキシ基またはハロゲン原子を、ＢはＳＨ基を含む置換基を表し、ｎは０〜２の整数を表す。）【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される化合物と増感色素を有することを特徴とする基材。
一般式（Ｉ）：（Ｒ）ｎ−Ｓｉ（Ａ）３−ｎ−（Ｂ）
（式中、Ｒは炭素原子数８以下のアルキル基であり、Ａはアルコキシ基またはハロゲン原子を、ＢはＳＨ基を含む置換基を表し、ｎは０〜２の整数を表す。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物がトリアジン環を有することを特徴とする請求項１に記載の基材。
【請求項３】
前記増感色素の極大吸収波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の基材。
【請求項４】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する層と前記増感色素を含有する層とを有していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の基材。
【請求項５】
前記増感色素を含有する層に更に重合開始剤を有していることを特徴とする請求項４に記載の基材。
【請求項６】
前記増感色素を含有する層にバインダーポリマーを有していることを特徴とする請求項４または５に記載の基材。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の基材を用いて、露光工程とめっき処理工程を有することを特徴とする導電性パターン形成方法。
【請求項８】
前記露光工程の光の主波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の導電性パターン形成方法。
【請求項９】
前記露光工程に高圧水銀ランプを用いることを特徴とする請求項７または８に記載の導電性パターン形成方法。
【請求項１０】
前記めっき処理工程が触媒担持工程と無電解めっき処理工程を有していることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の導電性パターン形成方法。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の基材を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
請求項７〜１０のいずれか１項に記載の導電性パターン形成方法を用いて導電性パターンが形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
前記導電性パターンがソース電極またはドレイン電極であることを特徴とする請求項１２に記載の有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な基材、該基材を用いた導電性パターン形成方法、及び有機薄膜トランジスタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、微細な導電性パターンを有する電子回路等を作製するには、導電層が形成された基材にレジスト層を積層し、所望のパターンを有するフォトマスクを介して光照射し、次いで現像した後、不要なレジスト層を除去するフォトリソグラフによる方法が行われていた。しかしながら、このフォトリソグラフによる方法は、多数の工程が必要であるため煩雑である上にコスト的にも問題があり、更には除去したレジスト層の廃棄は環境に負荷を与えるという問題もあった。【０００３】
このような問題を解決するために、基材に長鎖アルキル系シランカップリング剤からなる単分子膜を形成した後に、Ｘｅエキシマランプでパターン状に露光し、上述の単分子膜の一部を分解し、単分子膜が残っている領域と単分子膜が分解された領域の金属に対する密着性の差を利用するによって、導電性パターンを形成する方法が検討されていた（例えば、特許文献１参照）。【０００４】
本発明者は上記技術を鋭意検討した結果、特許文献１に提案されている方法は真空プロセスを用いない点ではメリットがあるが、単分子膜の分解に３００ｎｍ未満の波長を持つランプを用いる必要があるため装置の制約が多く、また本来必要な材料への悪影響も多く、密着性の低下や望ましくない特性変動が起こるという欠点を有していることがわかった。【０００５】
近年、次世代の高品質、低価格のフラットパネルディスプレイデバイスあるいは電子ペーパーの画素駆動のためのスイッチング素子として、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＯＴＦＴ）が注目されている。本発明の基材及び形成方法の応用例との１つとして有機薄膜トランジスタが挙げられる。【０００６】
有機薄膜トランジスタは、シリコン薄膜トランジスタと構造的にはほぼ同じ形態を有するが、半導体活性層領域にシリコンの代りに有機物を使用するという相違点がある。有機薄膜トランジスタは、製作工程の面において、真空装置を使用せず、インクジェット法、印刷法等により作製できるため、シリコンＴＦＴに比べて簡単、且つ低コストであり、衝撃により割れず、曲げたり折り畳むことが可能である電子回路基板に適しているという長所がある。特に広い面積上に素子を製作する必要がある時、低い工程温度を必要とする場合、曲げる製品に対して有効であることから大型ディスプレイ用のマトリクス駆動素子、有機ＥＬや電子ペーパーの駆動素子として期待され、各社で開発が進められている。【０００７】
有機薄膜トランジスタの動作原理は、電圧で抵抗を制御することであり、ゲート電圧を制御し、絶縁層の作用により、有機半導体と絶縁層の接触表面のキャリアに累積層（ａｃｃｕｍｕｌａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）を発生させることで２つのオームコンタクト間の導通電流を制御する。【０００８】
有機薄膜トランジスタのソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、コンタクト電極及び画素電極は、従来、スパッタ法等の真空プロセス形成していたため、プロセスに掛かるコストが高かった。真空プロセスを用いない電極構成方法としては、インクジェット法（例えば、特許文献２参照）やスクリーン印刷法（例えば、特許文献３参照）が検討されていた。【０００９】
しかしながら、上記特許文献に開示されている技術を詳細に検討した結果、インクと基板の親和性を制御することによりソース電極及びドレイン電極をインクジェット法で形成する特許文献２に記載の方法では、インク中に含まれる添加剤が電極中に残留するために、トランジスタ性能に望ましくない影響を与えていることがわかった。【００１０】
また、スクリーン印刷法で銀ペーストを用いて、ソース電極及びドレイン電極を形成する特許文献３に記載の方法では、ソース電極及びドレイン電極の解像度を高くすることができず、トランジスタの高速化と消費電力化には適さないことがわかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００５−２１６９０７号公報
【特許文献２】特開２００３−３１８１９０号公報
【特許文献３】特開２００５−７２１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、細線再現性と導電性配線との密着性に優れる基材を提供し、更には該基材を用いた導電性パターン形成方法、及び該基材を用いた有機薄膜トランジスタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成される。【００１４】
１．下記一般式（Ｉ）で表される化合物と増感色素を有することを特徴とする基材。【００１５】
一般式（Ｉ）：（Ｒ）ｎ−Ｓｉ（Ａ）３−ｎ−（Ｂ）
（式中、Ｒは炭素原子数８以下のアルキル基であり、Ａはアルコキシ基またはハロゲン原子を、ＢはＳＨ基を含む置換基を表し、ｎは０〜２の整数を表す。）
２．前記一般式（Ｉ）で表される化合物がトリアジン環を有することを特徴とする前記１に記載の基材。【００１６】
３．前記増感色素の極大吸収波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることを特徴とする前記１または２に記載の基材。【００１７】
４．前記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する層と前記増感色素を含有する層とを有していることを特徴とする前記１〜３のいずれか１項に記載の基材。【００１８】
５．前記増感色素を含有する層に更に重合開始剤を有していることを特徴とする前記４に記載の基材。【００１９】
６．前記増感色素を含有する層にバインダーポリマーを有していることを特徴とする前記４または５に記載の基材。【００２０】
７．前記１〜６のいずれか１項に記載の基材を用いて、露光工程とめっき処理工程を有することを特徴とする導電性パターン形成方法。【００２１】
８．前記露光工程の光の主波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることを特徴とする前記７に記載の導電性パターン形成方法。【００２２】
９．前記露光工程に高圧水銀ランプを用いることを特徴とする前記７または８に記載の導電性パターン形成方法。【００２３】
１０．前記めっき処理工程が触媒担持工程と無電解めっき処理工程を有していることを特徴とする前記７〜９のいずれか１項に記載の導電性パターン形成方法。【００２４】
１１．前記１〜６のいずれか１項に記載の基材を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。【００２５】
１２．前記７〜１０のいずれか１項に記載の導電性パターン形成方法を用いて導電性パターンが形成されていることを特徴とする前記１１に記載の有機薄膜トランジスタ。【００２６】
１３．前記導電性パターンがソース電極またはドレイン電極であることを特徴とする前記１２に記載の有機薄膜トランジスタ。
【発明の効果】
【００２７】
本発明により、細線再現性と導電性配線との密着性に優れる基材を提供し、更には該基材を用いた導電性パターン形成方法、及び該基材を用いた有機薄膜トランジスタを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の有機薄膜トランジスタの構成の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の詳細について説明する。
【００３０】
本発明の基材は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物と増感色素を有することを特徴とする。また、本発明の基材を用いることによって、簡単なプロセスで導電性パターンを形成することができる。
【００３１】
〔導電性パターン〕
本発明の導電性パターンは、一般式（Ｉ）で表される化合物及び増感色素を含んだ基材を用いて形成されていることを特徴とする。
【００３２】
本発明の基材は、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する層と増感色素を含有する層を有しており、それぞれの層は隣接していることが好ましい。また、層の耐久性や露光エネルギー低減の観点から、必要に応じてバインダーや重合開始剤を添加してもよい。
【００３３】
本発明の導電性パターンの形成方法においては、被形成部材に一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液を接触させて、該一般式（Ｉ）で表される化合物をシロキサン結合を介して、該被形成部材に結合させることを特徴とする。
【００３４】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液の溶媒としては、水、水系溶媒、有機溶媒等、一般式（Ｉ）で表される化合物が溶解する溶媒であればいかなる溶媒種であってもよいが、ハンドリング性、乾燥性からアルコール系溶媒の使用が好ましく、更に好ましくはエタノール、イソプロパノールである。
【００３５】
また、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液を接触させる被形成部材の前処理としては、アルコール洗浄、酸またはアルカリ液洗浄、界面活性剤液洗浄、大気圧プラズマ処理、ＵＶオゾン処理等、公知の処理法を用いることができる。これらの内、アルカリ液洗浄後にＵＶオゾン処理を行うことが好ましい。
【００３６】
本発明の導電性パターンの形成方法においては、一般式（Ｉ）で表される化合物をシロキサン結合を介して、該被形成部材に結合させた後に増感色素を含有する層を形成することを特徴とする。増感色素を含有する層の形成方法としては、増感色素を含んだ液を用いて、インクジェット法、印刷法、ディップ法、スピンコート法等が挙げられる。増感色素を含んだ液には必要に応じて、バインダーや重合開始剤を添加することができる。なお、膜厚としては１〜１００ｎｍであることが好ましい。
【００３７】
本発明の導電性パターンの形成方法においては、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物と増感色素を含む層に極大波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下である光照射を行って、金属結合ができる領域と金属結合ができない領域とを分離させることが好ましく、また光照射を行った後の膜に金属を含む溶液を接触させ、金属が結合できる領域に金属を結合させることが好ましく、また光照射を行った後の膜に金属を含む溶液を接触させ、次いでめっき処理を施して、光照射領域に選択的にめっき膜を形成させることが好ましい態様である。
【００３８】
光照射部と光未照射部の区別はフォトマスクを介しての露光でもよいし、走査型のレーザー光を用いたパターン化でもよい。
【００３９】
本発明の導電性パターンの形成方法では、前記光照射後の基板に金属を含む溶液を接触させ、金属が結合できる領域に金属を結合させることを特徴とする。金属を含む溶液は、金属イオンが溶解している溶液であればいかなる溶液であってもよいが、金、銀、銅、クロム、パラジウムを含む水溶液であることが好ましい。
【００４０】
本発明の導電性パターンの形成方法では、前記金属が結合できる領域に金属を結合させた基板に対してめっき処理を行い、光照射領域に選択的にめっき膜を形成させることが好ましい態様の１つである。この様なめっき処理を施すことにより、光露光により選択的に領域分離された位置にめっき処理を行うことができ、パターン化めっきに必要なフォトリソグラフィー等の煩雑な処理を省略し、簡便、且つ短時間でめっきパターンを得ることができる。また、アンカー部は−Ｏ−Ｓｉ基で結合されているので、良好な膜付き強度を有するめっき膜を得ることができる。
【００４１】
これにより、所望のパターンからなる金属電極をめっきにより得ることができる。
【００４２】
〔一般式（Ｉ）で表される化合物〕
一般式（Ｉ）において、Ｒは炭素原子数８以下のアルキル基であり、好ましくは炭素原子数１〜４の低級アルキル基であり、ｎは０〜２の整数を表す。Ａはアルコキシ基またはハロゲン原子であり、アルコキシ基は、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等の低級アルコキシ基（炭素原子数１〜４）であり、特に好ましいのはメトキシ、エトキシ基である。ハロゲン原子中好ましいのは塩素原子である。ＢはＳＨ基を含む置換基を表す。Ｂは特に限定されず、メルカプト基をその構造中のいずれかに少なくとも１つ、好ましくは２つ以上含有する、脂肪族あるいは（ヘテロ）芳香族基であればよい。
【００４３】
これらの例としては、以下のものが挙げられる。
【００４４】
（Ａ−１）トリエトキシシリル−プロピルアミノ−トリアジン−ジチオール
（Ａ−２）γ−メルカプトプロピル−トリメトキシシラン
（Ａ−３）γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
（Ａ−４）メルカプトプロピルトリエトキシシラン
（Ａ−５）γ−メルカプトプロピル−トリクロルシラン
上記一般式（Ｉ）で表される化合物の内、トリアジン環を有する化合物が特に好ましく、例えば、（Ａ−１）トリエトキシシリル−プロピルアミノ−トリアジン−ジチオールは、γ−プロピルトリエトキシシランと対応するメルカプトアミン類、この場合１−アミノ−３，５−ジメルカプトトリアジン（特開２００１−３１６８７２号公報等に記載）を縮合反応させることで容易に得られる。
【００４５】
〔増感色素〕
本発明に係る増感色素は、一般式（Ｉ）で表される化合物の分光感度を長波長側にシフトする化合物であれば何でもよく、例えば、フタレイン色素、シアニン色素、ヘミシアニン色素、スチリル色素、メロシアニン色素、トリフェニルメタン色素、キサンテン色素、オキソノール色素、クマリン色素、アクドリン色素等が挙げられる。本発明に係る増感色素としては、クマリン色素、アクドリン色素が好ましい。
【００４６】
以下に、本発明に係る増感色素の代表的な具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。
【００４７】
【化１】
2010010851.tif 000002
【００４８】
【化２】
2010010851.tif 000003
【００４９】
【化３】
2010010851.tif 000004
【００５０】
【化４】
2010010851.tif 000005
【００５１】
【化５】
2010010851.tif 000006
【００５２】
【化６】
2010010851.tif 000007
【００５３】
【化７】
2010010851.tif 000008
【００５４】
【化８】
2010010851.tif 000009
【００５５】
【化９】
2010010851.tif 000010
【００５６】
【化１０】
2010010851.tif 000011
【００５７】
本発明に係る増感色素は、極大吸収波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下であることが好ましい。上記化合物の極大吸収波長はアセトニトリル中に増感色素を１ｍｍｏｌ／Ｌとなるように溶かし、吸収スペクトルから極大となる波長から求めた。
【００５８】
なお、極大吸収波長は当該化合物を溶媒に溶解した状態で測定する。当該化合物が溶解する溶媒であれば特に制限なく用いることができるが、水溶性化合物の場合、水や水とエタノールの混合溶媒、油溶性化合物の場合、アセトニトリル、トルエン、それらの混合溶媒などが広く用いられている。化合物の溶解濃度は、吸収極大波長が確認できる程度あれば、特に制限されない。吸収の大きな化合物であれば少量の溶解で十分である。
【００５９】
〔基板〕
本発明の基材で用いることのできる基板としては、例えば、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレフィン類、ポリカーボネート類、セルロースアセテート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンジナフタレンジカルボキシラート、ポリエチレンナフタレート類、ポリ塩化ビニル、ポリイミド、ポリビニルアセタール類、ポリスチレン等の合成プラスチックフィルムも好ましく使用できる。
【００６０】
また、シンジオタクチック構造ポリスチレン類も好ましい。これらは、例えば、特開昭６２−１１７７０８号、特開平１−４６９１２号、同１−１７８５０５号の各公報に記載されている方法により得ることができる。更に、ステンレス等の金属製基盤やバライタ紙、及びレジンコート紙等の紙支持体ならびに上記プラスチックフィルムに反射層を設けた支持体、特開昭６２−２５３１９５号（２９〜３１頁）に支持体として記載されたものが挙げられる。ＲＤＮｏ．１７６４３の２８頁、同Ｎｏ．１８７１６の６４７頁右欄から６４８頁左欄及び同Ｎｏ．３０７１０５の８７９頁に記載されたものも好ましく使用できる。これらの支持体には、米国特許第４，１４１，７３５号明細書のようにＴｇ以下の熱処理を施すことで、巻き癖をつきにくくしたものを用いることができる。
【００６１】
また、これらの支持体表面を支持体と他の構成層との接着の向上を目的に表面処理を行ってもよい。本発明では、グロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理を表面処理として用いることができる。更に公知技術第５号（１９９１年３月２２日アズテック有限会社発行）の４４〜１４９頁に記載の支持体を用いることもできる。更にＲＤＮｏ．３０８１１９の１００９頁やプロダクト・ライセシング・インデックス、第９２巻Ｐ１０８の「Ｓｕｐｐｏｒｔｓ」の項に記載されているものが挙げられる。その他に、ガラス基板やガラスを練りこんだエポキシ樹脂を用いることができる。
【００６２】
〔重合開始剤〕
本発明に係る重合開始剤は、増感色素で励起された電子が重合開始剤を介して、一般式（Ｉ）で表される化合物に移動することによって、露光エネルギーの低減がなされる。重合開始剤はラジカルを発生する化合物であれば何でもよく、例えば、ビスイミダゾール系化合物やチタノセン系化合物が挙げられる。
【００６３】
〔バインダーポリマー〕
本発明においては、増感色素を有する層のバインダーポリマーとしては、ゼラチン、ゼラチン誘導体等の蛋白質またはセルロース誘導体、澱粉、アラビアゴム、デキストラン、プルラン、カラギーナン等の多糖類のような天然化合物や、ポリビニールアルコール、ポリビニルピロリドン、アクリルアミド重合体やそれらの誘導体等の合成高分子化合物が挙げられる。ゼラチン誘導体としては、アセチル化ゼラチン、フタル化ゼラチン、ポリビニルアルコール誘導体としては、末端アルキル基変性ポリビニルアルコール、末端メルカプト基変性ポリビニルアルコール、セルロース誘導体としては、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、カルボキシメチルセルロース等が挙げられる。更に、リサーチ・ディスクロージャー及び特開昭６４−１３５４６号公報の（７１）頁〜（７５）頁に記載されたもの、また、米国特許第４，９６０，６８１号明細書、特開昭６２−２４５２６０号公報等に記載の高吸水性ポリマー、即ち−ＣＯＯＭまたは−ＳＯ３Ｍ（Ｍは水素原子またはアルカリ金属）を有するビニルモノマーの単独重合体またはこのビニルモノマー同士、もしくは他のビニルモノマー（例えば、メタクリル酸ナトリウム、メタクリル酸アンモニウム、アクリル酸カリウム等）との共重合体も使用される。これらのバインダーポリマーは、２種以上組み合わせて用いることもできる。
【００６４】
〔露光工程〕
本発明に係る露光工程でパターン状の光を照射することによって、光照射された領域の一般式（Ｉ）で表される化合物のみが選択的に酸化もしくは分解され、露光領域と非露光領域とで金属化合物との結合力の差ができることで、金属配線パターンが形成されるため、高精細、且つ高密着性の導電性パターンを作製することができる。
【００６５】
本発明に係る露光工程は、クロム等の金属パターンが配置された石英ガラス基板を密着させて露光する方法や、レンズやミラー等を利用して縮小投影して露光する方法や、電子線等で直接描画する方法が挙げられる。
【００６６】
本発明に係る露光工程は、照射光の主波長が３００ｎｍ未満である光源を用いると基板の劣化による導電性パターンの低下や他の機能性材料の望ましくない特性変動が起こるため、主波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下である光源で露光することを特徴とする。極大吸収波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下である光源としては、高圧水銀ランプが挙げられる。
【００６７】
〔めっき処理工程〕
本発明においては従来公知のめっき法を適用できるが、その中でも低抵抗の導電性パターンを煩雑な工程なしに簡便、低コストでめっき処理することができる観点から、無電解めっき法を適用することが好ましい。
【００６８】
無電解めっき法によるめっき処理は、めっき触媒として作用する金属微粒子を含有する導電性パターンにめっき剤を接触させる方法である。めっき触媒である金属微粒子とめっき剤とが接触し、導電性パターン部に無電解めっきが施されて、より優れた導電性を得ることができる。
【００６９】
本発明に係るめっき処理で使用できるめっき剤としては、例えば、めっき材料として析出させる金属イオンが均一溶解された溶液が用いられ、金属塩とともに還元剤が含有される。ここで、通常は溶液が用いられるが、無電解めっきを生じさせるものであれば、これに限らずガス状や粉体のめっき剤を適用することも可能である。
【００７０】
具体的にこの金属塩としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅから選択される少なくとも１種の金属のハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩、燐酸塩、ホウ酸塩、酢酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩などが適用可能である。還元剤としては、ヒドラジン、ヒドラジン塩、ボロハライド塩、次亜燐酸塩、次亜硫酸塩、アルコール、アルデヒド、カルボン酸、カルボン酸塩などが適用可能である。これらの還元剤に含有されるボロン、燐、窒素などの元素が、析出する電極に含有されていてもよい。あるいは、これらの金属塩の混合物を用いて合金が形成されていてもよい。
【００７１】
めっき剤は、上記金属塩と還元剤とが混合されたものを適用するようにしてもよいし、あるいは金属塩と還元剤とを別個に適用するようにしてもよい。ここで、導電性パターンをより鮮明に形成するためには、金属塩と還元剤とが混合されたものを適用することが好ましい。また、金属塩と還元剤とを別個に適用する場合には、導電性パターン部にまず金属塩を配した後、還元剤を配することでより安定した電極パターンを形成することができる。
【００７２】
めっき剤には、必要があればｐＨ調整のための緩衝剤、界面活性剤などの添加物を含有させることができる。また、溶液に用いる溶媒としては、水以外にアルコール、ケトン、エステルなどの有機溶剤を添加するようにしてもよい。
【００７３】
めっき剤の組成は、析出させる金属の金属塩、還元剤、及び必要に応じて添加物、有機溶媒を添加した組成で構成されるが、析出速度に応じて濃度や組成を調整することができる。また、めっき剤の温度を調節して析出速度を調整することもできる。この温度調整の方法としては、めっき剤の温度を調整する方法、また、例えば、めっき剤中に浸漬する場合、浸漬前に基板を加熱、冷却して温度調節する方法などが挙げられる。更に、めっき剤に浸漬する時間で析出する金属薄膜の膜厚を調整することもできる。
【００７４】
〔有機薄膜トランジスタ〕
本発明の有機薄膜トランジスタは、一般式（Ｉ）で表される化合物及び増感色素を含んだ基材を用いて形成されていることを特徴とする。
【００７５】
本発明においては、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する層と増感色素を含有する層と金属から構成される層とで、画素電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、コンタクト電極から選ばれる少なくとも１つの電極を形成することが好ましい。
【００７６】
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法においては、被形成部材に一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する液を接触させて、該一般式（Ｉ）で表される化合物をシロキサン結合を介して、該被形成部材に結合させることを特徴とする。
【００７７】
一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液の溶媒としては、水、水系溶媒、有機溶媒等、一般式（Ｉ）で表される化合物が溶解する溶媒であれば、いかなる溶媒種であってもよいが、ハンドリング性、乾燥性からアルコール系溶媒の使用が好ましく、更に好ましくはエタノール、イソプロパノールである。
【００７８】
また、一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液を接触させる電極の前処理としては、アルコール洗浄、酸またはアルカリ液洗浄、界面活性剤液洗浄、大気圧プラズマ処理、ＵＶオゾン処理等、公知の処理法を用いることができる。これらの内、アルカリ液洗浄後に、ＵＶオゾン処理を行うことが好ましい。
【００７９】
本発明の有機薄膜トランジスタの形成方法においては、一般式（Ｉ）で表される化合物をシロキサン結合を介して、該被形成部材に結合させた後に、増感色素を含有する層を形成することを特徴とする。増感色素を含有する層の形成方法としては、増感色素を含んだ液を用いて、インクジェット法、印刷法、ディップ法、スピンコート法等が挙げられる。増感色素を含んだ液には必要に応じて、バインダーや重合開始剤を添加することができる。
【００８０】
本発明の有機薄膜トランジスタの形成方法においては、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物を含有する層と増感色素を含有する層に極大波長が３００ｎｍ以上、６００ｎｍ以下である光照射を行って、金属結合ができる領域と金属結合ができない領域とを分離させることが好ましく、また光照射を行った後の膜に金属を含む溶液を接触させ、金属が結合できる領域に金属を結合させることが好ましく、また光照射を行った後の膜に金属を含む溶液を接触させ、次いでめっき処理を施して、光照射領域に選択的にめっき膜を形成させることが好ましい態様である。
【００８１】
即ち、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法においては、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物を結合させた被形成部材（基材）に光照射を行い、金属が結合できる領域と、金属が結合できない領域とを分離させることが好ましい。
【００８２】
ここでいう被形成部材（基材）とは、アルコキシシラン類と反応性があり、これとシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）を介して結合するような、例えば、ヒドロキシ基等の基を表面に有する被形成部材（基材）であれば選ばない。例えば、表面にヒドロキシ基等の前記アルコキシラン等と反応性を有する基が存在す層を有する被形成部材（基材）基板、また基板自身の表面がそのようなものであれば構わない。例えば、金属酸化物（例えば、酸化珪素等の金属酸化物）から構成される膜を有する電極等の被形成部材（基材）が挙げられる。
【００８３】
光照射部と光未照射部の区別は、フォトマスクを介しての露光でもよいし、走査型のレーザー光を用いたパターン化でもよい。
【００８４】
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法では、前記光照射後の基材に金属を含む溶液を接触させ、金属が結合できる領域に金属を結合させることを特徴とする。金属を含む溶液は、金属イオンが溶解している溶液であればいかなる溶液であってもよいが、金、銀、銅、クロム、パラジウムを含む水溶液であることが好ましい。
【００８５】
本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法では、前記金属が結合できる領域に金属を結合させた基材に対してめっき処理を行い、光照射領域に選択的にめっき膜を形成させることが好ましい態様の１つである。このようなめっき処理を施すことにより、光露光により選択的に領域分離された位置にめっき処理を行うことができ、パターン化めっきに必要なフォトリソグラフィー等の煩雑な処理を省略し、簡便、且つ短時間でめっきパターンを得ることができる。また、アンカー部は−Ｏ−Ｓｉ基で結合されているので、良好な膜付き強度を有するめっき膜を得ることができる。これにより、所望のパターンからなる金属電極をめっきにより得ることができる。
【００８６】
〔有機薄膜トランジスタの構成〕
以下、本発明の有機薄膜トランジスタの各構成要素について、詳細な説明をする。
【００８７】
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの構成の一例を示す概略断面図である。
【００８８】
図１において、有機薄膜トランジスタＴＦＴは、基板１、ゲート電極２、コンタクト電極３、ソース電極５、ドレイン電極６、有機半導体層７から構成されている。基板１上にはゲート電極２が設けられ、ゲート電極２を覆うようにゲート絶縁膜４が設けられている。ゲート絶縁膜４の上に、有機半導体層７によるチャネル形成部となる空間を設けてソース電極５及びドレイン電極６を設けてある。このソース電極５とドレイン電極６との間の空間に有機半導体７を設けることでこれらを連結している。
【００８９】
次いで、有機薄膜トランジスタの各部材の構成、材質、プロセスについて説明する。
【００９０】
基板１は特に限定されることはなく、例えば、ガラスやフレキシブルなプラスチックフィルム等の樹脂製シートを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、具体的には、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このようなプラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板に用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めるとともに衝撃に対する耐性を向上させることができる。
【００９１】
次に、ゲート電極２及びコンタクト電極３は導電性材料であれば特に限定されず、導電性が十分確保できる金属材料が好ましい。例えば、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｍｏやこれらにドーピングを加えた材料等を挙げることができる。
【００９２】
ゲート電極２及びコンタクト電極３を形成するためには、まず基板１の上に導電性薄膜を設ける必要がある。この導電性薄膜の形成方法としては、上述の材料を原料として公知の蒸着やスパッタリング等の方法を用いることができる。この後、公知のフォトグラフィー処理（レジストの塗布、露光、現像）及びエッチング処理を用いてゲート電極２を形成することができる。
【００９３】
また、ゲート電極２及びコンタクト電極３の形成方法として、流動性電極材料を用い、凸版、凹版、平板、スクリーン印刷などの印刷法、インクジェット法等によって形成することができる。
【００９４】
導電性微粒子の分散液としては、例えば、金属等からなる導電性微粒子を、好ましくは有機材料からなる分散安定剤を用いて、水や有機溶媒またはその混合物である分散媒中に分散させたペーストあるいはインク等の導電性微粒子分散液が挙げられる。導電性薄膜は有機半導体上に形成させることから、特に水を主体とする分散媒として用いた上述の分散液とするのが好ましい。
【００９５】
導電性微粒子の金属材料（金属微粒子）としては、白金、金、銀、コバルト、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン、鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛等を用いることができるが、特に仕事関数が４．５ｅＶ以上の白金、金、銀、銅、コバルト、クロム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、モリブデン、タングステンが好ましい。
【００９６】
また、導電性ポリマーとしては、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸の錯体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などが好適に用いられる。中でも、半導体層との接触面において電気抵抗の少ないものが好ましい。
【００９７】
ゲート電極２及びコンタクト電極３の好ましい形成方法は、本発明に係る一般式（Ｉ）で表される化合物を用いためっき処理方法である。ソース電極５、ドレイン電極６及び画素電極は、上記で説明したゲート電極と同じとして設けることができる。
【００９８】
有機半導体層７を構成する材料としては、特に限定されることはなく、種々の縮合多環芳香族化合物や共役系化合物が適用できる。縮合多環芳香族化合物としては、例えば、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、フタロシアニン、ポルフィリンなどの化合物及びこれらの誘導体が挙げられる。
【００９９】
共役化合物としては、例えば、ポリチオフェン及びそのオリゴマー、ポリピロール及びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）及びそのオリゴマー、ポリエチレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、テトラチアフルバレン化合物、キノン化合物、テトラシアノキノジメタンなどのシアノ化合物、フラーレン及びこれらの誘導体あるいは混合物を挙げることができる。
【０１００】
本発明の有機薄層トランジスタにおいては、特に有機半導体層７を構成する有機半導体材料として、平均分子量５０００以下の分子量を有するオリゴマーが好ましい化合物であり、本発明において好ましく用いることのできるオリゴマーとしては、チオフェンオリゴマーが挙げられる。
【０１０１】
本発明において好ましく用いられるチオフェンオリゴマーとしては、置換基を有するチオフェン環繰り返し単位と、無置換のチオフェン環繰り返し単位が、各々少なくとも２つ以上連続している部分構造を有するチオフェンオリゴマーを含み、且つ該チオフェンオリゴマーに含まれるチオフェン環の環数が８〜４０であるものである。前記チオフェン環の環数としては、８〜２０の範囲が好ましい。
【０１０２】
本発明においては、特にチオフェンオリゴマーが下記一般式（Ａ）で表される部分構造を有する化合物であることが好ましい。
【０１０３】
【化１１】
2010010851.tif 000012
【０１０４】
式中、Ｒは置換基を表す。
【０１０５】
一般式（Ａ）において、Ｒで表される置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、キナゾリル基、フタラジル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシル基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられる。
【０１０６】
これらの置換基は上記の置換基によって更に置換されていても、複数が互いに結合して環を形成していてもよい。中でも好ましい置換基はアルキル基であり、更に好ましくは炭素原子数が２〜２０のアルキル基であり、特に好ましくは炭素原子数６〜１２のアルキル基である。
【０１０７】
本発明に用いられるチオフェンオリゴマーの末端基は、チエニル基を持たないことが好ましく、また前記末端基として好ましい基としては、アリール基（例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）等が挙げられる。
【０１０８】
本発明に係る一般式（Ａ）で表される部分構造を有する有機半導体材料の具体例としては、特開２００６−２１６６５４号公報に記載の例示化合物〈１〉〜〈２２〉を挙げることができる。
【０１０９】
また、有機半導体層７には、例えば、アクリル酸、アセトアミド、ジメチルアミノ基、シアノ基、カルボキシル基、ニトロ基などの官能基を有する材料や、ベンゾキノン誘導体、テトラシアノエチレン及びテトラシアノキノジメタンやそれらの誘導体などのように電子を受容するアクセプターとなる材料や、例えば、アミノ基、トリフェニル基、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、フェニル基などの官能基を有する材料、フェニレンジアミンなどの置換アミン類、アントラセン、ベンゾアントラセン、置換ベンゾアントラセン類、ピレン、置換ピレン、カルバゾール及びその誘導体、テトラチアフルバレンとその誘導体などのように電子の供与体であるドナーとなるような材料を含有させ、所謂ドーピング処理をしてもよい。
【０１１０】
ドーピングとは、電子授与性分子（アクセプター）または電子供与性分子（ドナー）をドーパントとして上述の有機半導体の薄膜に導入することを意味する。従って、ドーピングされた薄膜は、上述の縮合多環芳香族化合物とドーパントを含有する薄膜である。ここで用いられるドーパントとしては公知のものを採用することができる。
【０１１１】
有機半導体７を形成する方法は公知の方法で形成することができ、例えば、真空蒸着、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、レーザー蒸着、電子ビーム蒸着、スピンコート、ディップコート、バーコート法、ダイコート法、及びスプレーコート法等、またスクリーン印刷、インクジェット印刷、ブレード塗布などの方法を挙げることができる。
【０１１２】
また、有機半導体のパターニングは、蒸着の場合はマスク蒸着、全面成膜後のフォトリソグラフィー処理によるパターニング、インクジェット印刷等のダイレクトパターニングを挙げることができる。
【０１１３】
有機半導体７の膜厚としては特に制限はないが、得られたトランジスタの特性は有機半導体膜の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は用いる有機半導体材料により異なるが、一般に１μｍ以下、特に１０〜３００ｎｍが好ましい。
【０１１４】
パッシベーション層８、９は有機層のみから構成されていても、無機層のみから構成されていてもよいが、好ましい構成は有機層と無機層の積層構成である。有機層は有機半導体７に悪影響を与えない材料を用いることが好ましい。好ましい材料としては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ＨＥＭＡ、アクリル酸、アクリルアミドなどの成分からなるホモポリマー、コポリマーが挙げられる。
【０１１５】
上述の材料を含んだ水溶液をスプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法等の塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法で形成することができる。
【０１１６】
無機層は二酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン等の無機酸化物や無機窒化物等を大気圧プラズマ法、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法等の塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法で形成することができる。
【実施例】
【０１１７】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。【０１１８】
実施例１
《試料１−１の作製》
（基材１−１の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％のオクタデシルトリエトキシシラン（ＯＤＳ）水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−１を得た。【０１１９】
（導電性パターンの形成）
基材１−１の表面にＬ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍの配線パターンを有するＣｒ石英ガラスのフォトマスクを密着させ、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光した。得られた基材をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥させて、試料１−１を得た。【０１２０】
《試料１−２の作製》
（導電性パターンの形成）
試料１−１で作製した基材１−１の表面に、Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍの配線パターンを有するＣｒ石英ガラスのフォトマスクを密着させ、極大吸収波長が２５４ｎｍである低圧水銀ランプを用いて１０分間露光した。得られた基材をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥させて試料１−２を得た。【０１２１】
《試料１−３の作製》
（基材１−３の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％のオクタデシルトリエトキシシラン水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−３ｂを得た。【０１２２】
基材１−３ｂの表面に、５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−３を得た。【０１２３】
（導電性パターンの形成）
基材１−３を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−３を得た。【０１２４】
《試料１−４の作製》
（基材１−４の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−４を得た。【０１２５】
（導電性パターンの形成）
基材１−４を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−４を得た。【０１２６】
《試料１−５の作製》
（基材１−５の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−５ｂを得た。【０１２７】
基材１−５ｂの表面に、５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−５を得た。【０１２８】
（導電性パターンの形成）
基材１−５を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−５を得た。【０１２９】
《試料１−６の作製》
（基材１−６の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−６ｂを得た。【０１３０】
基材１−６ｂの表面に５質量％の増感色素（３４）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−６を得た。【０１３１】
（導電性パターンの形成）
基材１−６を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−６を得た。【０１３２】
《試料１−７の作製》
（基材１−７の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−７ｂを得た。【０１３３】
基材１−７ｂの表面に、５質量％の増感色素（７７）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−７を得た。【０１３４】
（導電性パターンの形成）
基材１−７を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−７を得た。【０１３５】
《試料１−８の作製》
（基材１−８の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−８ｂを得た。【０１３６】
基材１−８ｂの表面に、５質量％の増感色素（８３）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−８を得た。【０１３７】
（導電性パターンの形成）
基材１−８を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−８を得た。【０１３８】
《試料１−９の作製》
（基材１−９の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−２水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−９ｂを得た。【０１３９】
基材１−９ｂの表面に、５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−９を得た。【０１４０】
（導電性パターンの形成）
基材１−９を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−９を得た。【０１４１】
《試料１−１０の作製》
（基材１−１０の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−３水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−１０ｂを得た。【０１４２】
基材１−１０ｂの表面に、５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−１０を得た。【０１４３】
（導電性パターンの形成）
基材１−１０を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−１０を得た。【０１４４】
《試料１−１１の作製》
（基材１−１１の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−２水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−１１ｂを得た。【０１４５】
基材１−１１ｂの表面に、５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールと１質量％の化合物Ｂ−１（ビス−２−（２−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール）を溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−１１を得た。【０１４６】
（導電性パターンの形成）
基材１−１１を用いて、試料１と同様な方法で試料１−１１を得た。【０１４７】
《試料１−１２の作製》
（基材１−１２の作製）
ＰＥＴ基板にコロナ放電処理を行った後に、２質量％の化合物Ａ−２水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させて基材１−１２ｂを得た。【０１４８】
基材１−１２ｂの表面に、５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールと１質量％の化合物Ｂ−２（Ｉｒｇａｃｕｒｅ７８４）を溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させて基材１−１２を得た。【０１４９】
（導電性パターンの形成）
基材１−１２を用いて、試料１−１と同様な方法で試料１−１２を得た。【０１５０】
《試料の評価》
（密着性の評価）
指の腹で試料表面にセロハンテープ（「ＣＴ２４」ニチバン（株）製）を密着させた後にセロハンテープを一気に剥離して、剥離された導電性のパターンの面積比率を求め、下記の基準に従って、密着性を評価した。【０１５１】
◎：導電性パターンの剥離が全くない（試験結果分類０相当）
○：導電性パターンの剥離面積が０％より大きく、１．０％以下
△：導電性パターンの剥離面積が１．０％より大きく、５．０％以下
×：導電性パターンの剥離面積が５．０％より大きい。【０１５２】
（細線再現性の評価）
キーエンス社製マイクロスコープＶＨＸ−６００で試料表面を観察して、下記の基準に従って、細線再現性を評価した。【０１５３】
◎：線幅及び線の間隔が±１０％以内の精度で再現されている
○：線幅及び線の間隔が±２０％以内の精度で再現されている
△：線幅及び線の間隔が±５０％以内の精度で再現されている
×：線幅及び線の間隔の再現精度が±５０％を超える。【０１５４】
以上により得られた各試料の構成及び評価結果を表１に示す。【０１５５】
【表１】
2010010851.tif 000013
【０１５６】
表１より、本発明の試料は、密着性、細線再現性いずれの評価においても、比較試料よりも優れていることがわかる。【０１５７】
実施例２
《試料２−１の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１５８】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％のオクタデシルトリエトキシシラン水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１５９】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−１を得た。【０１６０】
《試料２−２の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１６１】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％のオクタデシルトリエトキシシラン水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１６２】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が２５４ｎｍである低圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−２を得た。【０１６３】
《試料２−３の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１６４】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％のオクタデシルトリエトキシシラン水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１６５】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０１６６】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−３を得た。【０１６７】
《試料２−４の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１６８】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１６９】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−４を得た。【０１７０】
《試料２−５の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１７１】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１７２】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０１７３】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−５を得た。【０１７４】
《試料２−６の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１７５】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１７６】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（３４）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０１７７】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−６を得た。【０１７８】
《試料２−７の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１７９】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１８０】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（７７）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０１８１】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−７を得た。【０１８２】
《試料２−８の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１８３】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−１水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１８４】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（８３）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０１８５】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−８を得た。【０１８６】
《試料２−９の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１８７】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−２水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１８８】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０１８９】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−９を得た。【０１９０】
《試料２−１０の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１９１】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−３水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１９２】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールを溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０１９３】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−１０を得た。【０１９４】
《試料２−１１の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１９５】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−２水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０１９６】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールと１質量％の化合物Ｂ−１を溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０１９７】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−１１を得た。【０１９８】
《試料２−１２の作製》
ガラス基板１に、アルミニウム系合金であるアルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）膜を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて成膜した。このＡｌＮｄ膜に対し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い、ゲート電極２とコンタクト電極３を形成した。次に、ＳｉＯ２膜を厚み３００ｎｍとしてプラズマＣＶＤ法を用いて成膜して、ゲート絶縁膜４を得た。【０１９９】
次に、ゲート絶縁膜４の表面をＵＶオゾン処理した後に、基板全体を２質量％の化合物Ａ−２水溶液に室温で１０分間浸漬し、１２０℃で３０分間乾燥させた。【０２００】
次に、基材の表面に５質量％の増感色素（２５）と１質量％のポリビニルアルコールと１質量％の化合物Ｂ−２を溶かしたイソプロピルアルコール／トルエン混合溶液をスピンコート法で乾燥膜厚が１０ｎｍになるように塗布し、８０℃で溶媒を乾燥させた。【０２０１】
次に、ソース電極とドレイン電極を形成する領域が開口したＣｒ石英ガラスのフォトマスクを介して、極大吸収波長が３６５ｎｍである高圧水銀ランプを用いて１０分間露光し、この基板をＰｄ触媒溶液に浸漬後乾燥し、更に無電解銅めっき液に浸漬後乾燥し、更に無電解金めっき液に浸漬後乾燥させて、ソース電極５とドレイン電極６が形成された試料２−１２を得た。【０２０２】
《試料の評価》
（密着性の評価）
指の腹で試料表面にセロハンテープ（「ＣＴ２４」ニチバン（株）製）を密着させた後にセロハンテープを一気に剥離して、剥離されたソース電極とドレイン電極の面積比率を求め、下記の基準に従って、密着性を評価した。【０２０３】
◎：導電性パターンの剥離が全くない（試験結果分類０相当）
○：導電性パターンの剥離面積が０％より大きく、１．０％以下
△：導電性パターンの剥離面積が１．０％より大きく、５．０％以下
×：導電性パターンの剥離面積が５．０％より大きい。【０２０４】
（細線再現性の評価）
キーエンス社製マイクロスコープＶＨＸ−６００で試料表面を観察して、下記の基準に従って、細線再現性を評価した。【０２０５】
◎：線幅及び線の間隔が±１０％以内の精度で再現されている
○：線幅及び線の間隔が±２０％以内の精度で再現されている
△：線幅及び線の間隔が±５０％以内の精度で再現されている
×：線幅及び線の間隔の再現精度が±５０％を超える。【０２０６】
以上により得られた各試料の構成及び評価結果を表２に示す。【０２０７】
（素子特性の評価）
上記で作製した試料２−１〜２−１２を用いて、下記に記載の方法で有機薄膜トランジスタを作製した。【０２０８】
有機半導体材料溶液として６，１３−ビストリイソプロピルシリルエチニルペンタセン（以下、ペンタセンと称する。）溶液をインクジェット法を用いて、試料２−１〜２−１２の各々のソース電極５とドレイン電極６のほぼ中央に有機半導体材料溶液を滴下して、ドレイン電極及びソース電極を覆うように有機半導体層７を形成した。この時、滴下したペンタセン溶液の量は、溶媒が揮発して有機半導体層７を形成した時に厚みが約５０ｎｍとなるように予め実験により求めておいた滴下量とした。【０２０９】
次にパッシベーション層８として、ＰＶＡ１２４Ｃ（商品名、株式会社クラレ：非感光性ポリビニルアルコール樹脂）をスピンコート法を用いて厚み約２μｍ形成し、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行い不要部を除去し、パッシベーション層８を得た。【０２１０】
次に、大気圧プラズマ法を用いて、厚み５０ｎｍのＳｉＯ２からなるパッシベーション層９を形成した。【０２１１】
次に、パッシベーション層９に重ねて感光性絶縁膜１０としてＰＣ４０３（商品名、ＪＳＲ日本合成ゴム社）を厚み１μｍ塗布した。この後、ＰＣ４０３をレジストとしてフォトリソグラフィー処理（露光、現像）を行うことで、ドレイン電極６と後述の画素電極１１とを接続するためのコンタクトホールを形成した。具体的には、マスク露光及び現像処理にてコンタクトホール部の感光性絶縁膜１０であるＰＣ４０３を除き、その後水洗することで、露出した個所のパッシベーション膜であるＰＶＡ１２４Ｃを除去することでドレイン電極の一部を露出させた。【０２１２】
次に、画素電極１１を形成するために、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を厚み１５０ｎｍとしてスパッタ法を用いて、成膜した後、フォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行うことでコンタクト電極３及び画素電極（図示しない）を形成することで、有機薄膜トランジスタを完成した。【０２１３】
本実施例で作製した有機薄膜トランジスタを動作させたところ、スイッチング特性が良好な動作をすることを確認した。【０２１４】
◎：ＯＮ／ＯＦＦ比が１０５以上
○：ＯＮ／ＯＦＦ比が１０３以上、１０５未満
△：ＯＮ／ＯＦＦ比が１０３未満
×：動作せず。【０２１５】
以上により得られた各試料の構成及び評価結果を表２に示す。【０２１６】
【表２】
2010010851.tif 000014
【０２１７】
表２より、本発明の試料は、密着性、細線再現性いずれの評価においても、比較試料よりも優れており、更に素子特性においても優れていることが明らかである。
【符号の説明】
【０２１８】
ＴＦＴ  有機薄膜トランジスタ
１  基板
２  ゲート電極
３  コンタクト電極
４  ゲート絶縁膜
５  ソース電極
６  ドレイン電極
７  有機半導体層
８、９  パッシベーション層
１０  感光性絶縁膜
【図１】
2010010851.tif 000015
【国際調査報告】
2010010851.tif 000016
2010010851.tif 000017