【事件の表示】
　特許第３０１４５０３号「集積回路用パッケージ」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１４５０３号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
　
Ｉ．手続の経緯
　
　本件特許第３０１４５０３号は、平成３年８月５日に出願され、平成１１年１２月１７日にその特許の設定登録がなされ、その後、本件請求項１、２に係る特許に対し、特許異議の申立が京セラ株式会社よりなされ、当審より取消理由が通知され、その通知書で指定した期間内の平成１３年７月３０日付で訂正請求がなされたものである。
　
　
II．訂正の適否
　
１．訂正の内容
　(ｉ) 特許請求の範囲の請求項１の「複数の」を「８個の」に訂正し、また、請求項２の「前記グランド導体柱」の前に「隣接する８個の」を挿入する。
　(ii) 明細書【０００５】【課題を解決するための手段】の記載につき、
　　(ａ)上記(ｉ)と同様の語句の訂正を行う。
　　(ｂ)「請求項１の」及び「請求項２の」を、それぞれ、「請求項１に記載の」及び「請求項２に記載の」に訂正する。
　(iii) 明細書の【００２０】の「に行う」を「により行う」に訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記(ｉ)の訂正は、特許請求の範囲の減縮に該当することは明らかであるし、又、(ii)(ａ)の訂正は、(ｉ)の訂正に伴う明細書の記載の整合化であるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。又、(ii)(ｂ)の訂正は、表現をより的確にしたに過ぎないから明りょうでないでない記載の釈明に該当する。又、(iii)の訂正は、意味不明の記載を、前後の文脈からみて自然な、意味の通じる記載にしたものであるから、誤記の訂正に該当する。
　そして、いずれの訂正も、願書に添付した明細書又は図面の記載事項の範囲内のものであるとともに、特許請求の範囲を実質上拡張ないし変更するものではない。
　
３．むすび
　よって、上記訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項により準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
　
III．特許異議申立てについての判断
　
１．本件発明
　上記IIで述べたように訂正が認められるから、訂正後の本件請求項１、２に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】絶縁材料よりなる板状の絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数の導体柱とを備え、前記導体柱のうち、信号を伝達する少なくとも１つの信号導体柱は、前記信号導体柱の周囲に格子状に配された隣接する８個の導体柱のいずれもが、アース接地されたグランド導体柱であることを特徴とする集積回路用パッケージ。
　【請求項２】絶縁材料よりなる板状の絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数の信号導体柱と、前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数のグランド導体柱とを備え、前記信号導体柱が隣接する８個の前記グランド導体柱の形成する格子の略面心に位置することを特徴とする集積回路用パッケージ。」
　
２．引用刊行物に記載された事項
　当審が通知した取消理由に引用した刊行物１〜３には、次のことが記載されている。
〈刊行物１〉（＝甲第１号証（特開平２−２０５０５４号公報））
　ア．「第１図乃至第４図には本発明に係る半導体装置の第１実施例が示されている。その概要を説明すれば次のとおりである。
　第４図は光通信、コンピュータ用に使用される超高速半導体装置の縦断面図である。
　同図において、…（中略）…
　このように、本実施例においては、伝送路（インナーリード）１１の上下左右方向に基準電位部位（グランド線１５、基準電位層１３）を離間配置しているので、伝送路（インナーリード）１１同士を近接させた場合におけるインピーダンス整合の設計が非常に簡易にできる。
　また、このように、伝送路（インナーリード）１１の上下左右方向に配置される基準電位部位によりシールドするようにしているので、伝送路１１同士を近接させても伝送路１１間のクロストークノイズを抑えることができる。すなわち、アイソレーション特性を劣化させることなく伝送路を近接配置できる。因に、上述の如く構成すると、第９図で説明した伝送路周囲を完全に基準電位部分で囲む場合と略同様な機能を発揮することができる。」（３頁右上欄１行〜４頁左上欄９行）
　イ．「第６図には本発明に係る半導体装置の第３実施例の要部が示されている。
　この半導体装置は、ピン（アウターリード）３６がＩＣベース３１の底面から多数突出する所謂ピングリッドアレイタイプのものであり、伝送路（インナーリード）４１も同様にＩＣベース３１の底面に向かって延びているものである。第６図は、このＩＣベース３１の底面に向かって延在する伝送路（インナーリード）４１の横断面図（ＩＣベース３１の底面に並行な面で切断した図）であり、伝送路（インナーリード）４１及びグランド線４３は、製造しやすいように誘電体（アルミナ）４２を円形にくり抜いた中に充填されている。
　このように構成されても、マイクロ波信号を伝送する伝送路（インナーリード）４１の上下左右方向に基準電位部分が離間配置されることには変わりないので、第１実施例と同様な効果が発揮されるというのはいうまでもない。」（５頁左上欄１〜１９行）
　ウ．第６図（注．該図には、伝送路（インナーリード）４１とグランド線４３のいずれも多数が、全体として碁盤格子状に配された配置が示され、該図によれば、前者４１の各個は、それに隣接した周囲が、後者４３の４個ずつで囲繞されている。）　
　
〈刊行物２〉（＝甲第２号証（特開平４−１４４２９９号公報））　
　エ．「従来．セラミック多層配線基板におけるスルーホールの構造は、第２図に示したように単一の大きさのスルーホール．即ち電源・接地スルーホール２１と信号スルーホール２２を有している構造であった．
　例えば基板の大きさを１５０×１５０ｍｍとすると、シート全体のスルーホール数は計約２０００個であり、このうち各種の論理回路信号用の約１０００本と残りの電源及び接地用の約１０００本はスルーホールの直径が０．２５ｍｍで同一の大きさである．これらが第２図のように２．５５ｍｍの千鳥状格子に乗った設計になっている。」（１頁右欄７〜１８行）
　オ．第２図（注．該図には、信号スルーホール２２と電源・接地スルーホール２１のいずれも多数が、全体として碁盤格子状に配された配置が示され、該図によれば、前者２２の各個は、それに隣接した周囲が、後者２１の４個ずつで囲繞されている。）
　
〈刊行物３〉（＝特開平１−１６８０９３号公報）
　カ．「第１図及び第２図は、本発明の一実施例を説明する図で、第１図は回路基板の要部斜視図、第２図は第１図のＢ〜Ｂ′断面図で、第６図と同等の部分については同一符号を付している。
　図において、セラミック等からなる回路基板１に形成した信号用スルーホール２の周辺に、該信号用スルーホール２の直径及び回路基板１の材料の誘電率から求められ、第１図に示す如く信号用スルーホール２を中心とする位置に、アース層を形成するための馬蹄形孔をグリーンシート状態で設け、該信号用スルーホール２及び馬蹄形孔を形成した回路基板１に厚膜法やメッキ法等により導体層を形成して馬蹄形アース層５が形成された回路基板１の両面に、信号用スルーホール２に接続されるストリップライン等の信号パターン３を形成し、該信号パターン３及び信号用スルーホール２の周辺並びに回路基板１の裏面にアースパターン４を形成し、前記馬蹄形アース層５がアースパターン４に接続され、信号用スルーホール２が同軸構造となる。
　第３図は、本発明の他の実施例を説明する要部斜視図で、第１図と同等の部分については同一符号を付している．
　セラミック等からなる回路基板１に形成した信号用スルーホール２の周辺に、該信号用スルーホール２の直径及び回路基板１の材料の誘電率から求められ、図に示す如く信号用スルーホール２を中心とする位置に、アース層を形成するための複数の孔をグリーンシート状態で設け、該信号用スルーホール２及び馬蹄形孔を形成した回路基板１には厚膜法やメッキ法等により導体層を形成して馬蹄形配列アース層６が形成された回路基板１の表面に、信号用スルーホール２に接統されるストリップライン等の信号バタ−ン３を形成し、該信号パタ−ン３及び信号用スルーホール２の周辺並びに回路基板１の裏面にアースパターン４を形成し、前記馬蹄形配列アース層５がアースパターン４に接続され、信号用スルーホール２が同軸構造となる。
　第４図及び第５図は、本発明の他の実施例を説明する図で、第４図は多層基板の要部斜視図，第５図は第４図のＣ〜Ｃ′断面図で、第１図と同等の部分については同一符号を付している．
　第４図は、グリーンシートを複数枚の積層して多層基板７の信号用バイアホール２′の周辺に、第１図で説明したと同じ位置に第５図に示す如く複数層（図面では３層を示す）にグリーンシート状態で複数の孔を円状に配列して設け、該信号用バイアホール２′及び該信号用バイアホール２′の周辺に形成した複数の孔を設けた回路基板７に厚膜法やメッキ法により導体層を形成すれば、信号用スルーホール２′の周辺に円状アース層８が形成される．この多層基板７の表面に、信号用スルーホール２に接続されるストリップライン等の信号パターン３を形成し、該信号パターン３及び信号用バイアホール２′の周辺並びに多層基板７の裏面にアースパターン４を形成し、前記円状アース層８がアースパターン４に接続され、信号用バイアホール２′が同軸構造となる．
　このようにすることによって、信号用スルーホール２並びに信号用バイアホール２′は同軸構造となり、信号用スルーホール２並びに信号用バイアホール２′部におけるインピーダンスのミスマッチングが解消できる。」（２頁右上欄１１行〜３頁左上欄１７行）
　キ．第１〜５図（注．該図には、信号用スルーホール２の周囲に馬蹄形アース層５を形成し（第１、２図）、或いは、信号用スルーホール２ないし信号用バイアホール２′の周囲に馬蹄形配列アース層６ないし円状アース層８を多数個形成すること（第３〜５図）が示されている。なお、第３図では、馬蹄形配列アース層６は７個が記載され、又、第４図では、円状アース層８は１０ないし１１個が記載されている。）
　
３．対比・判断
　本件発明１と刊行物１、２に記載のもの（上記２．ア〜オ参照）とを対比すると、後二者における「誘電体（アルミナ）４２」（刊行物１）ないし「セラミック…基板」（刊行物２）は、前者における「絶縁材料よりなる板状の絶縁基板」に相当し、又、後二者における「伝送路（インナーリード）４１」（刊行物１）ないし「信号スルーホール２２」（刊行物２）は、前者における「前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数の導体柱」のうちの「信号導体柱」に相当し、又、後二者における「基準電位部分」たる「グランド線４３」（刊行物１）ないし「電源・接地スルーホール２１」（刊行物２）は、前者における「前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数の導体柱」のうちの「前記信号導体柱の周囲に格子状に配された隣接する複数の」「アース接地されたグランド導体柱」に相当するから、結局、前者と後二者は、
　“絶縁材料よりなる板状の絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数の導体柱とを備え、前記導体柱のうち、信号を伝達する少なくとも１つの信号導体柱は、前記信号導体柱の周囲に格子状に配された隣接する複数の導体柱が、アース接地されたグランド導体柱であることを特徴とする集積回路用パッケージ”
である点で一致し、次の点で相違する。
　信号導体柱の周囲に隣接して格子状に配される複数のグランド導体柱が、本件発明１では「８個」であるのに対し、刊行物１、２に記載のものでは「４個」である点。
　
　そこで、この相違点について検討するに、刊行物３にみるように（上記２．カ、キ参照）、信号導体柱を、グランド導体壁で完全同軸状に囲繞するか、或いはこれに代えて、多数（図示の例では、（刊行物１、２の４個を超え）７〜１１個）のグランド導体柱で同軸構造的に囲繞することにより、高周波信号の伝送特性を向上させることは公知である。また、かかるグランド導体柱による囲繞は、その数が多いほど、完全同軸構造に近づけ得るものであることは明らかである。一方また、刊行物１、２における如き碁盤格子状の配置においては、１個の格子点（導体柱）に隣接してこれを囲繞する格子点（導体柱）の数は、最多では８個であることは自明である。してみれば、本件発明１の如く、信号導体柱の周囲に配するグランド導体柱を８個にすることは、刊行物１、２に記載の発明に対し、刊行物３に記載の如き多数のグランド導体柱による同軸構造的囲繞の技術を取り入れて、高周波信号の伝送特性の向上を図るに当たり、該多数のグランド導体柱の数として、碁盤状格子配置における（上記の如き）最多の隣接囲繞格子点の数として自明の８個を選んだものに過ぎず、かかることは、囲繞するグランド導体柱の数をできるだけ多くして完全同軸構造に近似させるという見地から、当業者が何ら格別な困難なく構成し得た程度のことと認められる。
　
　なお、この点に関し、権利者は、平成１３年７月３０日付け特許異議意見書において、刊行物３に記載の技術は完全同軸構造であるから取消理由の論理には飛躍がある旨主張しているが、刊行物３には、（権利者がいう「完全同軸構造」のものに当たる第１図の例だけでなく、）その第３、４図に、信号導体柱を多数のグランド導体柱で同軸構造的にいわば密に囲繞する例が記載されている（上記２．カ、キ参照）から、権利者の上記主張には理由がない。
　
　次に、本件発明２についてみるに、本件発明２は、本件発明１における信号導体柱とその周囲の各８個づつのグランド導体柱からなる単位を、碁盤状格子内において「多数」存在させたものといえるが、刊行物１、２に記載のもの自体、信号導体柱とその周囲のグランド導体柱からなる単位を多数有するものであるから、本件発明２は、かかる多数の単位を有する刊行物１、２に記載の発明に、上記の如く刊行物３の技術を取り入れることにより、当業者がやはり何ら格別な困難なく構成し得た程度のものと認められる。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件発明１、２は、刊行物１〜３に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１、２に係る特許は、特許法第29条第２項の規定に違反してされたものである。
　したがって、本件発明１、２に係る特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、同法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月１５日（２００２．１．１５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３０１４５０３号の明細書を、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明及び誤記の訂正を目的として、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに訂正する。
　即ち、
　訂正（ｉ）
　特許請求の範囲の請求項１に「複数の」とあるを、特許請求の範囲の減縮を目的として、「８個の」に訂正し、また、請求項２に「前記グランド導体柱」とある前に、特許請求の範囲の減縮を目的として、「隣接する８個の」を挿入する。
　訂正（ｉｉ）
　明細書【０００５】【課題を解決するための手段】の記載につき、
　（ａ）明りょうでない記載の釈明を目的として、上記（ｉ）と同様の語句の訂正を行う。
　（ｂ）「請求項１の」及び「請求項２の」とあるを、明りょうでない記載の釈明を目的として、それぞれ、「請求項１に記載の」及び「請求項２に記載の」に訂正する。
　訂正（ｉｉｉ）
　明細書【００２０】に「に行う」とあるを、誤記の訂正を目的として、「により行う」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
集積回路用パッケージ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁材料よりなる板状の絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数の導体柱とを備え、前記導体柱のうち、信号を伝達する少なくとも１つの信号導体柱は、前記信号導体柱の周囲に格子状に配された隣接する
８個の
　【請求項２】　絶縁材料よりなる板状の絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数の信号導体柱と、前記絶縁基板を貫通する格子状に配された多数のグランド導体柱とを備え、前記信号導体柱が
隣接する８個の
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、搭載される集積回路と電気的に接続される導体柱を備えた集積回路用パッケージに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、集積回路用パッケージの絶縁基板は、搭載される集積回路の高速高密度化および小型化などにより、各導体柱のピッチを狭くする要求がある。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　そして、導体柱のピッチを狭くすると、隣あう導体柱間でクロストークノイズが発生するため、導体柱の高密度化が困難であった。また、各導体柱のインピーダンスがばらついてしまうため、信号の反射ノイズが発生し、信号の伝送特性が悪くなる問題点を有していた。
　【０００４】
　【発明の目的】
　本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、その目的は、導体柱を高密度化し、かつ導体柱間のクロストークノイズを低減でき、インピーダンスの整合が可能な集積回路用パッケージの提供にある。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の請求項１
に記載の
８個の
　また、請求項２
に記載
隣接する８個の
　なお、ここでアース接地とは、ＡＣ接地という意味であり、グランド導体柱はグランド層と電源層のどちらに接続されても良い。また、絶縁基板は、単層でも多層でも良く、内部に導体層を含んでいても良い。
　【０００６】
　【発明の作用】
　上記構成よりなる集積回路用パッケージは、グランド導体柱によって囲まれた信号導体柱が、周囲のグランド導体柱によってシールドされる。
　【０００７】
　【発明の効果】
　本発明の集積回路用パッケージは、信号導体柱の周囲をグランド導体柱で取り囲み、同軸構造に近くなり、信号導体柱が周囲のグランド導体柱によってシールドされた構造となるため、導体柱の間隔を狭めて導体柱を高密度化しても、従来技術に比較してクロストークノイズを低減することができる。また、各導体柱の特性インピーダンスの整合が図れるため、信号の反射ノイズが低減でき、信号の伝達特性を良くすることができる。さらに、導体柱を高密度化することにより、信号導体柱の周囲のグランド導体柱の間隔が狭まり、シールド効果をより高くすることができる。
　【０００８】
　【実施例】
　次に、本発明の集積回路用パッケージを、図に示す一実施例に基づき説明する。
〔実施例の構成〕
　図１は集積回路用パッケージの要部平面図を示し、図２は集積回路用パッケージの概略断面図を示す。集積回路用パッケージ１は、セラミック製の絶縁基板２を備える。この絶縁基板２は、この絶縁基板２を貫通する多数の導体柱３とを備える。この多数の導体柱３は、絶縁基板２の縦方向と横方向とにそれぞれ等間隔（例えばビアピッチ１００〜８００μｍ）に列を成した格子状に設けられている。
　また、集積回路用パッケージ１の一方の面には、内部に信号引回し用の配線が形成されたポリイミド製の絶縁層４が形成されている。そして、この絶縁層４の表面に集積回路であるフリップチップ５が搭載される。フリップチップ５が搭載された後は、絶縁基板２の周縁に封止キャップ（図示しない）を固着し、フリップチップ５を封止するものである。なお、絶縁層４は、ポリイミドの他、セラミックなど他の材料によって設けても良い。
　【０００９】
　絶縁基板２は、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ムライト、ガラスセラミック、結晶化ガラス、Ｓｉ３Ｎ４等の未焼結セラミックを単層あるいは複数積層して焼結したもので、厚さが例えば０．５〜４ｍｍ程に設けられている。
　【００１０】
　導体柱３は、図１に示すように、絶縁層４の信号引回し用の配線を介して集積回路と電気的に接続される信号導体柱３Ｓ（図１のハッチングの無い導体柱）と、この信号導体柱３Ｓの周囲で、かつ各信号導体柱３Ｓに最も近く隣接するアース接地されるグランド導体柱３Ｇ（図１のハッチングを記した導体柱）とからなる。なお、各グランド導体柱３Ｇは、図示しない部分で電気的に接続されて、集積回路用パッケージが搭載されるマザーボードに設けられたグランド電極もしくは電源電極、あるいは集積回路のグランド電極もしくは電源電極と接続されるものである。また、各信号導体柱３Ｓの端部には、マザーボードの電極に電気的に接続されるバンプ６が形成されている。
　【００１１】
　次に、絶縁基板２の製造方法を、簡単に説明する。例えば、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ムライト等によって薄板状のグリーンシートを形成し、炉によって焼結してセラミック焼結体（絶縁基板２）を得る。次に、焼結体に導体柱３が配される貫通した穴（内径１００〜２００μｍ程）を、レーザ加工技術等によって格子状に並べて形成する。続いて、形成された各穴の内部にスパッタリングとメッキ技術とにより、あるいは溶融メタル注入技術によって、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇなどを充填し、導体柱３を形成する。その後、導体柱３の端部にバンプ６を形成する。
　【００１２】
　次に、導体柱３のピッチと、クロストークノイズとの関係を、図３のグラフに示す。実験に用いた絶縁基板２の材質は９２％アルミナで、導体柱３の径は１００μｍである。そして、導体柱３のピッチを２００〜５００μｍの間で変化させて、図１の第１信号導体柱３Ｓ１と、この第１信号導体柱３Ｓ１に一番近い第２信号導体柱３Ｓ２との間のクロストークを実線Ａに示し、第１信号導体柱３Ｓ１と、この第１信号導体柱３Ｓ１とグランド導体柱３Ｇを介する第３信号導体柱３Ｓ３との間のクロストークを実線Ｂに示す。比較のために、グランド導体柱３Ｇをアース接地しない状態での第１信号導体柱３Ｓ１と第２信号導体柱３Ｓ２との間のクロストークを破線Ｃに示し、第１信号導体柱３Ｓ１と第３信号導体柱３Ｓ３との間のクロストークを破線Ｄに示す。なお、この測定は、ＴＲＤ法によって直接測定したものである。
　【００１３】
　次に、導体柱３のピッチと、導体柱３の特性インピーダンスとの関係を、図４のグラフに示す。実験に用いた絶縁基板２の材質は、上記同様、９２％アルミナで、導体柱３の径は１００μｍである。そして、導体柱３のピッチを２００〜５００μｍの間で変化させた場合の信号導体柱３Ｓの特性インピーダンスの測定結果を実線Ｅに示す。なお、この測定も、ＴＲＤ法によって直接測定したものである。
　【００１４】
〔実施例の効果〕
　図３のグラフに示されるように、本実施例の集積回路用パッケージ１は、信号導体柱３Ｓの周囲に、アース接地されたグランド導体柱３Ｇを設けることにより、クロストークを大幅に低減することができる。そして、信号導体柱３Ｓのピッチが小さくなるほど、信号導体柱３Ｓの周囲がグランド導体柱３Ｇに密に囲まれ、同軸構造に近くなるため、クロストークを小さくすることができ、導体柱３の高密度化に大変有利となる。
　【００１５】
　また、導体柱３のピッチに応じて、信号導体柱３Ｓのインピーダンスが設定できるため、信号の反射ノイズが低減でき、信号の伝達特性に優れた集積回路用パッケージ１を得ることができる。
　【００１６】
〔変形例〕
　本実施例では、既存の集積回路用パッケージの導体柱（信号導体柱）の各間に、グランド導体柱を設けた例を示したが、搭載される集積回路や、ポリイミド層に、グランド導体柱に対応した電極を設けても良い。
　【００１７】
　本実施例では、信号導体柱３Ｓに最も近い導体柱をグランド導体柱３Ｇとした例を示したが、図５に示すように、信号導体柱３Ｓの周囲を全てグランド導体柱３Ｇで囲むように設けても良い。
　【００１８】
　隣接する導体柱を結ぶと方形を呈する格子状とした例を示したが、隣接する導体柱を結ぶと三角形や五角形など他形状を呈する格子状の集積回路用パッケージに本発明を適用しても良い。
　【００１９】
　本発明をセラミック製の絶縁基板に適用した例を示したが、ポリイミドなど他の絶縁材料による絶縁基板に適用しても良い。
　【００２０】
　絶縁基板の穴開けをレーザ技術に
より
　【００２１】
　絶縁基板にバンプを設けた例を示したが、ピンを接合したＰＧＡパッケージに本発明を適用しても良い。
　【００２２】
　搭載される集積回路の一例としてフリップチップを例に示したが、ＴＡＢ、ワイヤボンディングで結線される集積回路を搭載する集積回路用パッケージに本発明を適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　絶縁基板の要部平面図である。
　【図２】
　集積回路用パッケージの概略断面図である。
　【図３】
　導体柱のピッチとクロストークノイズとの関係を示したグラフである。
　【図４】
　導体柱のピッチと特性インピーダンスとの関係を示したグラフである。
　【図５】
　変形例を示す絶縁基板の要部平面図である。
　【符号の説明】
　１　集積回路用パッケージ
　２　絶縁基板
　３　導体柱
３Ｓ　信号導体柱
３Ｇ　グランド導体柱