【事件の表示】
　特許第３１０１０００号「接合用バンプ形成方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０１０００号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１０１０００号（平成３年６月１７日出願、平成１２年８月１８日設定登録）は、特許異議申立人　足立　信幸より、請求項１に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１２月２７日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１を「半導体素子上に、複数のバンプ用孔部を有するレジストを形成し、前記レジストの前記バンプ用孔部にめっきを施して前記半導体素子に複数の接合用バンプを形成する接合用バンプ形成方法において、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状として、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くしてなることを特徴とする接合用バンプ形成方法。」と訂正する。
　　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の段落【０００９】の「前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状としてなることを特徴とする。」を、「前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状として、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くしてなることを特徴とする。」と訂正する。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の請求項１中の「前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状として」という構成要件に、「それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くしてなる」という構成要件を直列的に付加して、より下位概念に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、上記「それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くしてなる」ことは、訂正前の特許明細書の段落【００１０】に「バンプ用孔部間の狭いレジスト部の縦長方向が、バンプ用孔部を長方形とした時に比べて短くなり、めっき付着性が優れている。」と記載され、この「バンプ用孔部間の狭いレジスト部の縦長方向」は、図１から「隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さ」であることが明らかであるから、当該訂正事項は、願書に添付した明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、訂正事項ａの請求項１の訂正に対応して、これに関連する発明の詳細な説明の中の請求項１に対応する記載事項を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、当該訂正は、訂正事項ａと同じく願書に添付した明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ、ｂは、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについて
（１）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人　足立　信幸は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証及び甲第２号証を提示して、本件特許の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、または、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記請求項１に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきである旨主張している。
　　
（２）本件発明
　上述したように、本件訂正は適法なものであるから、本件特許の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
「半導体素子上に、複数のバンプ用孔部を有するレジストを形成し、前記レジストの前記バンプ用孔部にめっきを施して前記半導体素子に複数の接合用バンプを形成する接合用バンプ形成方法において、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状として、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くしてなることを特徴とする接合用バンプ形成方法。」
　　
（３）甲各号証の記載事項
（３−１）甲第１号証（特公昭５９−３５１７８号公報）
　甲第１号証には、半導体基板上の電極部に半田バンプを形成する方法に関して、
「メタルマスクを使用し半田を真空蒸着後溶融して半導体基板上の電極部に半田バンプを形成する方法において、前記メタルマスクの穴形状を前記電極部に最も近く隣接する電極部には接近しない方向に伸長させた形状とすることを特徴とする半導体基板上の電極部に半田バンプを形成する方法。」（特許請求の範囲第１項）、
「半田の供給法として真空蒸着法を用いる場合には、…………電極部のＣｒ−Ｃｕ−Ａｕ蒸着膜の径より大きな穴径をもつメタルマスクにより半田を蒸着し、その後溶融させ、表面張力によりＣｒ−Ｃｕ−Ａｕ蒸着膜上に半田が引きよせられる性質を利用して必要な半田量を得ている。」（公報第１頁第２欄１７〜２５行）、
「半導体はＩＣ，ＬＳＩと高密度となり、歩留り向上の点からも電極部相互間の間隙は、小さくなる傾向にあり従来の円形の穴形状をもつメタルマスクでは必要な半田量が得られなくなってきた。そこで、本発明はメタルマスクの穴形状を円形でなく隣接電極にじゃまにならない方向に伸長し長円形もしくは楕円等の穴形状とすることにある。」（公報第１頁第２欄３５行〜第２頁５行）、
「第４図ｃは本発明によるメタルマスクを用いる場合の図であり、隣接する電極に接近しない方向に伸長した長円形の穴形状としたものである。」（公報第２頁第３欄１９〜２１行）と記載され、
そして、第４図（ｃ）には、メタルマスクの穴を、隣接する電極に接近しない方向に伸長した長円形もしくは楕円形の穴形状としたものが図示されている。
　　
（３−２）甲第２号証（特開昭６１−１８７２５４号公報）
　甲第２号証には、電気化学めっき法によって半導体素子表面にボンディング用パッド等を形成する方法に関して、
「本発明者は、従来方法によって形成した正方形又は長方形の金属薄膜の四隅が特に厚くなるのは、これら四隅が直角またはこれに近い角度で交わる直線によって囲まれた領域であるため、これら領域のめっき時に電流密度が他の部分より大きくなりめっき厚が局所的に増大するためであると考え、試しに四角形の四隅の角の形状を十分に緩やかな円形状にしためっき用パターンを使用して第４図の符号３に示すような形状の金属薄膜を電気化学めっき法で形成し、その膜厚を測定してみた。そうしたところ、金属薄膜３の四隅３ａの膜厚と四隅を除く周辺部３ｂの膜厚との差は従来のように角を直角として金属薄膜の場合よりずっと少なくなった。」（公報第２頁左上欄５〜１８行）、
「第２図（ａ）〜（ｃ）の工程説明図に基づき本発明実施例方法を説明する。
［第２図（ａ）参照］
半導体素子１０の必要な部分にレジスト１１を塗布し、パターニングすることにより、その一面に、一辺４７０μｍの正方形の四隅を半径５０μｍの緩やかな曲線にした形状のめっき用パターン１２を形成した。」（公報第２頁右上欄９〜１６行）、
「なお、めっき用パターンとして各種形状のものを試してみたところ、第１図に示すような形状の場合、周辺部の膜厚がほぼ均一になった。………同図（ｂ）は円形形状としたもの、………同図（ｄ）は楕円形状としたものであり、………」（公報第２頁右下欄３〜１０行）と記載されているとともに、第１〜５図が示されている。
　　
（４）対比・判断
　（３−１）に列記した事項を総合すると、甲第１号証には、メタルマスクを使用し半田を真空蒸着後溶融して半導体基板上の複数の電極部に各々半田バンプを形成する方法において、前記メタルマスクの半田バンプ形成用の穴を、隣接する電極に接近しない方向に伸長した長円形もしくは楕円形の穴形状としてなる方法の発明が記載されているといえる。
　そこで、本件発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、後者における「半導体基板」、「半田バンプ」、「穴」、「穴形状」、「真空蒸着」はそれぞれ、前者における「半導体素子」、「接合用バンプ」、「バンプ用孔部」、「バンプ用孔部の全体の平面形状」、「めっき」に相当し、両者は、「半導体素子上に、複数のバンプ用孔部を有するマスクを設け、前記マスクの前記バンプ用孔部にめっきを施して前記半導体素子に複数の接合用バンプを形成する接合用バンプ形成方法において、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を長円形または楕円形としてなる接合用バンプ形成方法。」の点で一致するが、以下の点で相違する。
（イ）本件発明が、複数のバンプ用孔部を有するレジストを半導体素子上に形成し、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い形状で設け、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合うバンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くし、前記バンプ用孔部にめっきしているのに対して、甲第１号証に記載された発明では、隣接する電極に接近しない方向に伸長した複数のバンプ用孔部を有するメタルマスクを半導体素子上に載置し、前記バンプ用孔部にめっきしている点。
（ロ）本件発明が、バンプ用孔部の全体の平面形状として、「長円形」以外の「長方形の４隅を凸状の４分円とした形状」を含むのに対して、甲第１号証記載の発明では、そのようなバンプ用孔部全体の平面形状とすることは明示されていない点。
　　
　そこで、相違点（イ）について検討する。
　本件発明は、複数のバンプ用孔部を有するレジストを介して半導体素子上にめっきを施し、複数のバンプを配列方向に直交する方向に長い形状で形成する場合に、前記レジストのバンプ用孔部のめっき付着を均一にするという課題を解決するために、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形等の形状として、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くしたものである。
　これに対して、甲第１号証に記載された発明では、長円形または楕円形の形状の複数の孔部を有するメタルマスクを介して該孔部の半導体素子上にめっきを施してはいるものの、該孔部へのめっき付着を均一にするという課題はなく、また、該各孔部を配列方向に直交する方向に長い形状となるように設けることについては記載されておらず、示唆するところもないので、甲第１号証には、前記メタルマスクの各孔部を、配列方向に直交する方向に長い形状で設ける動機付けとなるものはない。
　そうであれば、相違点（イ）に係る本件発明の構成を想到することは、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者にとって容易であるとすることはできない。
　一方、甲第２号証には、半導体素子上にレジストを塗布して四隅が円形状のめっき用パターンとし、該パターンに金属薄膜をめっきすることが記載されてはいるものの、レジストのめっき用パターンによって複数のバンプを配列方向に形成すること、或いは、複数のバンプを形成するためのレジストのめっき用パターンの形状、配列については記載されておらず、示唆するところもないので、甲第１、２号証に記載された発明を組み合わせてみても、相違点（イ）に係る本件発明の構成を想到することは、当業者にとって容易であるとすることはできない。
  そして、本件発明は、相違点（イ）に係る構成を採用することにより、めっき付着が均一になり、洗浄工程を簡素化でき、より高密度の接続を実現でき、また、バンプ幅を狭くしても接合面積の減少は防止でき接合強度を確保できるという、訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　してみると、本件発明は、相違点（ロ）について検討するまでもなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて、または、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月９日（２００２．７．９）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許特許請求の範囲の減縮を目的として、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲を以下のとおり訂正する。
「半導体素子上に、複数のバンプ用孔部を有するレジストを形成し、前記レジストの前記バンプ用孔部にめっきを施して前記半導体素子に複数の接合用バンプを形成する接合用バンプ形成方法において、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状として、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くしてなることを特徴とする接合用バンプ形成方法。」
（２）訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落【０００９】の「前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状としてなることを特徴とする。」を、「前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状として、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くしてなることを特徴とする。」
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
接合用バンプ形成方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　半導体素子上に、複数のバンプ用孔部を有するレジストを形成し、前記レジストの前記バンプ用孔部にめっきを施して前記半導体素子に複数の接合用バンプを形成する接合用バンプ形成方法において、
　前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状として
、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くして
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、接合用バンプの形成方法に関し、特にフリップチップボンディングによるプリント基板、セラミック配線板等と半導体素子との接合に使用される半導体素子の接合用バンプの形成方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　図５は従来の半導体素子の接合用バンプ（以下、単にバンプと記す）の平面図である。
　【０００３】
　図５に示すように、プリント配線板、ハイブリッド基板等に対してフェイスダウンで半導体素子を実装し、素子の端子と基板の端子を直接半田、または導電性接着剤等により接合するフリップチップ実装方法において、基板との接合のために半導体素子１に設けるバンプ２の平面形状は正方形、長方形または円形である。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、半導体素子１をフリップチップ実装方法により基板に接合する場合において、半導体素子１個あたりの出力信号数を従来より増加させる場合、また入出力信号数は従来と同数でも半導体素子の大きさを小さくする場合には素子上のバンプ２の配列ピッチを小さくすることが必要となる。
　【０００５】
　ところが、バンプ２の形成方法は、半導体素子１上にめっきレジストマスクを形成しバンプ部分の開口部を設け、その後めっきによって該開口部位置にバンプ２を形成するものであり、この方法でバンプ２の配列ピッチを小さくしようとすると次の様な不都合を生ずる。
　【０００６】
　例えば円形バンプを形成する場合、バンプピッチの縮小のためバンプの直径をそのまま縮小するとバンプ面積も小さくなり、パターンとの接続面積が減少するため接続強度が減少し、信頼性が低下するという問題があった。
　【０００７】
　また長方形のバンプの場合、配列方向に直交する方向にバンプの形状を拡大することにより接続面積が減少することは防止できるが、各々のバンプを形成するためのレジストマスクのバンプ用孔部間も狭く細長くなるため、めっき工程においては、レジストマスクを介したバンプ部のめっき付着性が他の部分に比べて悪く、めっき形状が不均一になるという問題があった。
　【０００８】
　そこで本発明の目的は、半導体素子１個あたりの入出力信号数を増やすため、バンプを細長く形成しようとする場合でも、めっきがバンプ部に確実に付着する接合用バンプの形成方法を提供することにある。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　前記目的を達成するための本発明は、半導体素子上に、複数のバンプ用孔部を有するレジストを形成し、前記レジストの前記バンプ用孔部にめっきを施して前記半導体素子に複数の接合用バンプを形成する接合用バンプ形成方法において、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状として
、それらの形状と長手方向で長さが等しい長方形とした時に比べて、隣り合う前記バンプ用孔部間の間隔の最も狭い部分の、前記バンプ用孔部の長手方向における長さを短くして
　【００１０】
　【作用】
　半導体素子上に、複数のバンプ用孔部を有するレジストを形成し、前記レジストの前記バンプ用孔部にめっきを施して前記半導体素子に複数の接合用バンプを形成する接合用バンプ形成方法において、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状としているので、バンプ用孔部間の狭いレジスト部の縦長方向が、バンプ用孔部を長方形とした時に比べて短くなり、めっき付着性が優れている。
　【００１１】
　また、この方法によって形成されるバンプは縦長形状であるので、集積化のためにバンプ幅を狭くしても接合面積の減少は防止でき、接合強度を従来と同様に確保できる。
　【００１２】
　【実施例】
　本発明の一実施例について、図１及び図２を参照して説明する。図１は本実施例によるバンプ形成用マスクのバンプ用孔部拡大平面図、図２は図１のバンプ形成用レジストマスク（以下、単にレジストマスクと記す）によりバンプを形成した半導体素子の平面図である。
　【００１３】
　図１に示すように、本実施例においては半導体素子１に塗布するレジストマスク３のバンプ用孔部４を、後述するように半導体素子１に形成されるバンプ５の平面形状がバンプ５の配列方向に直交する方向に長い長円形となるような形状に形成している。
　【００１４】
　以上のような形状とすることにより、半導体素子１に形成されるバンプ５は、図２に示すようにバンプピッチの縮小により配列方向のバンプ幅が減少しても接合面積の減少が防止でき、接合強度を従来と同様に確保できる。
　【００１５】
　また、バンプ用孔部４を長円形に形成しているので隅部が曲面であり、バンプ用孔部４，４間のレジストマスク３の狭い部分Ａ部の縦長方向が、バンプ用孔部４の形状が長方形の時に比べて短くなる。
　【００１６】
　従って、バンプ用孔部４，４間のレジストマスク３が狭いことによりバンプ用孔部４内にめっきが付着しにくく、めっきが不均一となるという問題を解消でき、洗浄工程を簡素化することが可能になり、より高密度の接続を実現できる。
　【００１７】
　図３及び図４はそれぞれ本発明の他の実施例によるバンプ形成用マスクのバンプ用孔部拡大平面図である。
　【００１８】
　図３及び図４に示すように、レジストマスク３のバンプ用孔部４は、バンプ用孔部４，４間のレジストマスク３の狭い部分を短くする形状であれば、図３に示す楕円形や或は図４に示す長方形の４隅を４分円にした形状でも良い。
　【００１９】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明によれば、半導体素子上に、複数のバンプ用孔部を有するレジストを形成し、前記レジストの前記バンプ用孔部にめっきを施して前記半導体素子に複数の接合用バンプを形成する接合用バンプ形成方法において、前記バンプ用孔部の全体の平面形状を、複数のバンプ用孔部の配列方向に直交する方向に長い長円形または楕円形または長方形の４隅を凸状の４分円とした形状としてなるので、バンプ用孔部間の狭いレジスト部の縦長方向がバンプ用孔部を長方形とした時に比べて短くなり、めっき付着性が優れている。このため、めっき付着が均一になり、洗浄工程を簡素化でき、より高密度の接続を実現できる。
　【００２０】
　また、この方法によって形成されるバンプは縦長形状であるので、集積化のためにバンプ幅を狭くしても接合面積の減少は防止でき接合強度を従来と同様に確保できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例によるバンプ形成用マスクのバンプ用孔部拡大平面図である。
　【図２】
　本発明の一実施例によりバンプを形成した半導体素子の平面図である。
　【図３】
　本発明の他の実施例によるバンプ形成用マスクのバンプ用孔部拡大平面図である。
　【図４】
　本発明のさらに他の実施例によるバンプ形成用マスクのバンプ用孔部拡大平面図である。
　【図５】
　従来例による半導体素子の平面図である。
　【符号の説明】
　１　半導体素子
　３　レジスト
　４　バンプ用孔部
　５　接合用バンプ