【事件の表示】
　特許第３１４２２０６号「張り合わせ半導体基板の製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４２２０６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１４２２０６号の請求項１、２に係る発明は、平成６年５月２６日に特許出願され、平成１２年１２月２２日にその特許権の設定登録がなされ、その後、渡部賢一より特許異議の申立がなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１月２５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　ア．訂正事項ａ
　　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
　イ．訂正事項ｂ
　　特許請求の範囲の請求項２に記載の「 上記２枚の半導体基板は、その主面を洗浄した後、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気に保持し、その後、上記雰囲気で張り合わせる請求項１に記載の張り合わせ半導体基板の製造方法。」を「 ２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、
　上記２枚の半導体基板は、その主面を洗浄した後、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気に保持し、その後、この炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気で張り合わせる張り合わせ半導体基板の製造方法。」と訂正し、請求項１に繰り上げる。
　ウ．訂正事項ｃ
　　明細書第７段落の「【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明は、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記張り合わせを炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気にて行う張り合わせ半導体基板の製造方法である。」を「【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明は、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記２枚の半導体基板は、その主面を洗浄した後、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気に保持し、その後、この炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気で張り合わせる張り合わせ半導体基板の製造方法である。」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　　明細書第８段落を削除するとともに、それ以降の段落を繰り上げる。　　
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、明細書に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂの「２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、」を付加すること、および、「上記雰囲気」を「この炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気」と訂正することは、請求項２で引用する請求項１の事項を記載して、新たな請求項１とする訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、明細書に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｃ、ｄは、上記訂正事項ａ、ｂと整合を図るものであるから明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、明細書に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　申立人渡部賢一は、以下のように主張している。本件請求項１及び２に係る特許発明は、甲第１号証に実質的に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、又は少なくとも、甲第１号証〜甲第３号証の記載に基づいて推考容易な発明であって、特許法第２９条第２項の規定に違反し、特許を受けることができないものである。また、本件の請求項１に係る特許発明は、発明の詳細な説明に記載されていないことから、特許法第３６条第６項第１号に違反し、また、本件の請求項２に係る特許発明は、特許を受けようとする発明が明確でないことから、特許法第３６条第６項第２号に違反し、さらに、本件特許公報の発明の詳細な説明の記載には不備があり、本件の請求項１及び２に係る発明の特許は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
　
（２）本件請求項に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　
（３）刊行物等
　特許異議申立人が証拠として提出した刊行物には、それぞれ、以下のような発明が記載されている。
刊行物１：特開平４−８４４３１号公報（甲第１号証）
　刊行物１には、「（２）２枚の鏡面ウェーハの鏡面同士を直接接合して構成される半導体素子形成用基板の製造にあたり、前記鏡面ウェーハを、鏡面研磨して洗浄後接合するまでの間、有機物質が実質的に含まれない清浄な雰囲気下で保管することを特徴とするウェーハの保管方法。」（特許請求の範囲　請求項２）、
「クリーンルーム雰囲気中のＴＨＣが０．０１ｐｐｍ以下で管理されていれば、ウェーハ保管には何ら支障は生じない。」（第３頁右下欄第１４行〜第１６行）が、第１図ないし第３図とともに記載されている。
刊行物２：電子材料，Ｖｏｌ．３１、Ｎｏ．８（１９９２年）、ｐｐ４３〜５０（甲第２号証）
　刊行物２には、「筆者らは、これらのボイドの原因が水ではなく、ウェハ表面に吸着している有機物起因のガスが原因と考え、ウェハ表面の有機物汚染量を増減して、ボイド発生との相関を示した。その説によれば、表面に吸着した有機物や水素ガスがウェハ昇温により脱着し、その内圧が十分に高くなって結合界面にボイドができる。」（第４８頁左欄第３０行〜第３５行）が記載されている。
刊行物３：化学辞典、第１版第６刷（１９８７年１０月２５日）、森北出版（株）ｐｐ１２８3〜１２８４（甲第３号証）
　刊行物３には、「有機化合物・・・炭素の酸化物や金属の炭酸塩など簡単な少数のものを除いたすべての炭素化合物の総称．」が記載されている。
　
（４）対比・判断
ア．特許法第３６条について
訂正前の請求項１について
　訂正前の請求項１は削除されたので、訂正前の請求項１に対する異議申立の理由はなくなった。
新たな請求項１について
　「保持時間」の記載がなく、記載が不明りょうであるとする特許法第３６条に基づく異議申立の理由について、明細書には、保持時間についての明確な記載はないが、張り合わせ半導体基板の製造が実施可能な程度には記載されており、明細書の記載は明りょうである。
イ．特許法第２９条について
　次に、本件請求項１に係る発明と、上記刊行物１、２、３に記載の発明とを対比すると、刊行物１、２、３に記載の発明には、本件請求項１に記載の発明を特定する「炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気」が記載されておらず、また、当該請求項１に係る発明は、第２図において、ボイドの発生率が、１００ｐｐｔを越えたあたりから急激に増加しており、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気とすることに顕著な効果が認められる。よって、本件請求項１に係る発明が上記刊行物１に記載された発明であるとも、刊行物１〜３に記載のものから容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１に係る発明を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月１日（２００２．４．１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１を削除する。
　イ．訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項２に記載の「上記２枚の半導体基板は、その主面を洗浄した後、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気に保持し、その後、上記雰囲気で張り合わせる請求項１に記載の張り合わせ半導体基板の製造方法。」を「２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、
　上記２枚の半導体基板は、その主面を洗浄した後、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気に保持し、その後、この炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気で張り合わせる張り合わせ半導体基板の製造方法。」と訂正し、請求項１に繰り上げる。
　ウ．訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第７段落の「【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明は、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記張り合わせを炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気にて行う張り合わせ半導体基板の製造方法である。」を「【課題を解決するための手段】請求項１に記載した発明は、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、上記２枚の半導体基板は、その主面を洗浄した後、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気に保持し、その後、この炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気で張り合わせる張り合わせ半導体基板の製造方法である。」と訂正する。
　エ．訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書第８段落を削除するとともに、それ以降の段落を繰り上げる。
（５４）【発明の名称】
張り合わせ半導体基板の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、
　
上記２枚の半導体基板は、その主面を洗浄した後、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気に保持し、その後、この炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気で張り合わせる
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は例えば２枚のシリコンウェーハを直接張り合わせて一体化する張り合わせ半導体基板の製造方法、特にその張り合わせ雰囲気中の炭素濃度に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より、シリコンウェーハ同士を直接張り合わせて接合する技術は、例えば特開昭６１−１４５８３９号公報、特開昭６２−７１２１５号公報等に列挙されている。このウェーハの張り合わせ接合技術は、基本的には以下の工程により構成されている。▲１▼室温で２枚のウェーハを張り合わせる。▲２▼８００℃以上の温度領域でこれをアニールし、結合強度を高める。▲１▼、▲２▼の各工程では張り合わせ界面は一様に結合され、ボイド等の非結合部分がないこと、また、後工程で剥離しない程度に結合強度が高いことが要求される。
　【０００３】
　そして、張り合わせ技術としては、従来より、例えば特開平２−４６７２２号公報、特開平２−２４８０３２号公報、特開平３−１９６６１０号公報、特開平４−４７４０号公報等に示す装置および方法が提案されているが、いずれの技術についても未だ実用上の難点が存在している。すなわち、いずれの張り合わせ方法を採用したとしても、張り合わせ作業において、張り合わせ不良のウェーハがかなりの率で発生することとなる。
　【０００４】
　例えばこれらの張り合わせは、初めにウェーハを洗浄し、乾燥させた後、室温大気中でその鏡面同士を張り合わせる。この張り合わせ作業はクリーンルームで行われるが、シリコンウェーハの洗浄後に長い時間がかかるとボイド発生率が高くなっていた。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　そこで、その原因を究明したところ、洗浄後シリコンウェーハ表面の炭素濃度が時間の経過とともに増大することが判明した。すなわち、張り合わせ雰囲気での炭素濃度が高いとボイド発生率が高くなり、熱処理後のデバイス工程等で剥がれ等が発生し易くなるという課題を生じていた。
　【０００６】
　そこで、本発明は、剥がれ等の不具合の発生をなくした張り合わせ半導体基板の製造方法を提供することを、その目的としている。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に記載した発明は、２枚の半導体基板の主面同士を重ね合わせて１枚の張り合わせ半導体基板を製造する張り合わせ半導体基板の製造方法において、
上記２枚の半導体基板は、その主面を洗浄した後、炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気に保持し、その後、この炭素濃度が１００ｐｐｔ以下の雰囲気で張り合わせる
　【０００８】
　【作用】
　本発明に係る製造方法によれば、張り合わせ雰囲気を制御しているため、特に張り合わせ時の主面の炭素濃度を管理しているため、張り合わせ熱処理後にあっても接合強度が高く、剥がれが生じることがない張り合わせ半導体基板を得ることができる。この場合、張り合わせに使用する半導体基板としては、シリコンウェーハの主面を鏡面研磨したもの同士であってもよく、または、一方の重ね合わせ面に酸化膜（ＳｉＯ２膜）、ＣＶＤ膜、エピタキシャル膜等を被着したものであってもよい。また、洗浄後のウェーハ主面を炭素濃度が一定値以下の雰囲気に保持しておけばよいため、張り合わせ用のウェーハを良好な状態で保管、管理することができる。例えばクリーンルーム内の炭素濃度を管理して保管したり、炭素濃度を管理したウェーハケース（ポリカーボネイト製ケース等）内に保管する。
　【０００９】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図１は一実施例に係る張り合わせ半導体基板を製造する際に用いる半導体基板の張り合わせ欠陥検査装置を示すブロック図である。図２は一実施例に係る張り合わせ半導体基板の熱処理後のボイド発生率と、その炭素濃度との関係を説明するためのグラフである。
　【００１０】
　図１において示すように、この装置では、接着治具１１はクリーンブース１６内に配設されている。クリーンブース１６の内部はその炭素濃度が１００ｐｐｔ以下にコントロール可能になっている（炭素濃度はＸＰＳで１００ｐｐｔ以下である）。例えばフィルタ等により雰囲気が制御されている。接着治具１１の直上には所定間隔だけ離れてＩＲカメラ１２がセットしてある。また、接着治具１１に対して斜め上方から所定角度をなして赤外線ＩＲを照射可能に赤外光源（半導体レーザ等）１３が配設されている。照射された赤外線ＩＲは、接着治具１１で反射し、ＩＲカメラ１２に入射する構成である。ＩＲカメラ１２の出力信号は画像処理装置１４に送られ、さらに、モニタ１５に表示される。すなわち、接着治具１１での２枚のウェーハＡ，Ｂの張り合わせ時の重ね合わせ面の状態は、光源１３から照射した赤外線ＩＲがこのウェーハＡ，Ｂを透過し、または反射した赤外線ＩＲをＩＲカメラ１２で撮影することにより記録される。この重ね合わせ面の状態は、所定の信号処理（光電変換、フィルタリング等）により画像としてモニタ１５に表示される。したがって、作業者はモニタ１５を目視してボイド等を容易に発見、認識することができる。
　【００１１】
　本実施例における張り合わせウェーハの製造工程を説明する。まず、鏡面研磨したシリコンウェーハＡおよび同じく鏡面研磨したこれに張り合わせられるシリコンウェーハＢを準備する。これらのウェーハはいずれも所定の条件（８０℃のＳＣ１洗浄液で２０分）で洗浄を行い、炭素濃度が一定量以下の雰囲気中に保管する。そして、これらのウェーハを上記接着治具１１を使用して一定の条件の下に張り合わせる。この張り合わせ雰囲気（クリーンブース１６内部）での炭素濃度は１００ｐｐｔ以下である。このとき、一方のウェーハを略半球状に湾曲させてその湾曲面の中心から周縁に向かって所定の速度で張り合わせるものとする。また、このとき、赤外線を照射し重ね合わせ面の状態を撮影している。図２は炭素濃度とボイド発生率との関係を示すグラフである。これは、活性炭カラムを用いて大気成分を吸引し、有機物をカラムに吸着させてＣの分析を行ったものである。
　【００１２】
　そして、張り合わせ不良が生じた場合は、モニタ１５で確認した後、再生用のウェーハとして処理する。張り合わせが正常である場合は、張り合わせ後のウェーハには例えば１１００℃，２時間，酸素雰囲気での熱処理（アニール）が施され、さらに、超音波探傷法によるボイド等の欠陥検査を行う。良品は次工程で研磨等が施され、デバイス工程に供される。
　【００１３】
　【発明の効果】
　本発明によれば、張り合わせでの良品率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例に係る製法に使用する張り合わせ欠陥検査装置を示すブロック図である。
　【図２】
　本発明の一実施例に係る張り合わせ半導体基板の製造方法を説明するための雰囲気中のＣ濃度とボイド発生率との関係を示すグラフである。