【事件の表示】
　特許第３２２１７９７号「試料作成方法及びその装置」の請求項１ないし１９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２２１７９７号の請求項１ないし１９に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第3221797号の請求項１−１９に係る発明についての出願は平成６年６月１４日に特許出願されたもので、平成１３年８月１７日にその発明について特許の設定登録がなされた後、その特許について特許異議申立人今井　文より特許異議の申立てがなされたものである。
［２］本件発明
　本件請求項１−１９に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１−１９に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１は次のとおりである。（以下、請求項１に係る発明を本件発明１という。）
「集束イオンビーム加工により薄膜試料を作成するに際し、被加工物に集束イオンビームの位置ドリフト測定用マークを設け、所定の頻度で前記マークを走査２次荷電粒子像として観察をすることによりイオンビームの位置ドリフトを補正しながら前記被加工物を加工する方法であって、前記マークを、予め定められた所定の厚さに加工される薄膜部よりも外側に設け、前記集束イオンビームによる加工領域と観察領域の一辺が共に加工中の薄膜の加工面に接するか、もしくは前記観察領域の一辺が加工面に接触することなくその反対方向に離れた位置関係となるように設定して前記薄膜部を形成する工程を有して成る試料作成方法。」
　
［３］異議申立理由の概要
　異議申立人今井　文の異議申立理由の概要は、特許第3221797号の請求項１−１９に係る発明は、甲第１号証〜甲第６号証に記載された発明から当業者が容易に想到しうるものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 
　
［４］甲第１〜６号証の記載内容
（１）甲第１号証（特開昭62-174765号公報）
　甲第１号証は、「マスクの白色欠陥部に・・・マスクリペア装置において、マスク上の任意の部分を参照パタンとして指定し、参照パタンにイオンビームを走査しながら照射して２次荷電粒子を検出し参照パタンの画像情報を記憶するとともに、所定回数のイオンビーム走査毎に、参照パタンのイオンビーム走査を行い得られた参照パタンの画像情報と先の参照パタンの画像情報を比較し、参照パタンの画像の移動量を算出し、該移動量に基づいてメモリ上の補修範囲の補正をすることを特徴とするマスクリペア装置。」（特許請求の範囲）
に関するものであり、
「この参照パタン指定範囲１０内でイオンビームを走査し、参照パタン１１から生じる２次荷電粒子を検出して、参照パタン１１の画像情報をメモリに記憶する」（２頁左下欄８〜１１行）
「そして先のパタン画像情報１１と後のパタン画像情報１１’を比較し、・・・イオンビームスポット位置の変動を補償し常に現実の補修範囲を固定させる。」（２頁右下欄５〜１０行）
との記載がある。
　そして、第２図には、白色欠陥部を有するパタンと参照パタンとの関係が図示されている。
　
（２）甲第２号証（特開昭63-305358号公報）
　甲第２号証は、「イオンを発生するイオン源と、・・・試料の表面から集束イオンにより放出される２次荷電粒子を検出する２次荷電粒子検出器と、前記２次荷電粒子検出器により検出された２次荷電粒子検出強度と基づいて、前記試料表面と形成されているパターンを表示する画像表示装置よりなるパターン膜加工装置において、前記基板上に形成されているパターン膜に、前記集束イオンビームを点状に照射して前記パターン膜をイオンエッチングし参照パターンを形成し、前記参照パターンを、前記集束イオンビームを走査しながら、前記２次荷電粒子検出器により２次荷電粒子を検出し、前記画像表示装置に表示するとともに前記参照パターン位置の画像位置を記憶するとともに、前記集束イオンビームの走査範囲を限定して、・・・、参照位置の移動量を算出し、前記移動量に基づいて、前記所定位置を補正することを特徴とするパターン膜加工方法。」（特許請求の範囲）
に関するものであり、第１，３図には、欠陥部を有するパターン膜と参照パターンを設けた図が示されている。
　
（３）甲第３号証（特開平2-132345号公報）
　甲第３号証は、「微細イオンビームを作るためのイオン銃およびイオン光学系と、前記微細イオンビームを試料面上で走査する機構とを有する集束イオンビームエッチング手段を用い、前記試料の目標とする観察箇所の周囲をエッチングして薄膜化する薄膜試料の作製方法」（特許請求の範囲）と記載されるとおり、電子顕微鏡観察などに用いる薄膜試料の作製方法に関するものであり、また、その薄膜試料の加工に集束イオンビームを用いることが記載されている。
　
（４）甲第４号証（特開昭58-202038号公報）
　甲第４号証は、「イオンビーム加工装置の改良に関し、特にこの種の装置に装着して有効な加工終点検出手段に関する」（２頁左上欄１２〜１４行）ものであり、加工点検手段の一例として、「この装置は真空槽２３外からレーザー光２２を入射し、・・・その反射光２１、または、透過光２２をモニターし、加工の終点検出を行なうものである。」（３頁右上欄２０行〜３頁左下欄４行）との記載、及び「・・・加工終点検出手段としては、上述した荷電粒子、光のモニタリング手段の他に、荷電粒子と光との両方をモニタリングする手段、被加工物特有の光をモニタリングする手段、二次イオンと二次電子との両方をモニタリングする手段などが考えられる。」（４頁左欄３〜８行）との記載がある。
　
（５）甲第５号証（特開平4-76437号公報）
　甲第５号証は、「集束荷電ビーム加工装置を用い、被加工試料の薄壁を作成する加工方法」（１頁右欄最下行〜２頁左上欄１行）に関するものであり、４頁３図（ｄ）には、試料を所定角度傾けた状態で加工している状態が示されており、また、その説明として「このとき・・・傾けることにより、エッチング壁の傾きを補正し・・・ 」（３頁左下欄１〜４行）との記載がある。
　
（６）甲第６号証（特開平3-233848号公報）
　甲第６号証は、集束イオンビーム装置に関するものであり、「・・・試料断面に対して電子ビーム照射可能な位置に備えることによって、試料をイオンビームで加工しながら、試料断面の二次電子像を観察することが可能となり、・・・」（２頁左上欄１〜４行）との記載、及び「イオンビームで加工した試料断面に、電子ビーム照射可能とした。・・・試料を加工しながら、試料断面の二次電子像を観察できることが確認できた。」（第２頁右上欄６行〜９行）との記載がある。
　
［５］本件発明１について
（１）甲第１、２号証に記載された発明は、半導体素子製造用のパタン欠損部（白色欠陥部）に有機化合物蒸気を吹き付け、同時にイオンビームを走査して繰り返し照射し、白色欠陥を補修し、又、パターン余剰部にイオンビームを繰り返し照射し、スパッタエッチングにより黒色欠陥部を補修するものであって、また、甲第４、５、６号証に記載された発明は、一般的な集束イオンビーム加工装置あるいは加工方法に関するものであって、被加工物から予め所定の厚さに加工される薄膜部を作成する本件発明１と加工対象あるいは加工後の完成物が異なり、本件発明１の、「前記マークを、予め定められた所定の厚さに加工される薄膜部よりも外側に設け、前記集束イオンビームによる加工領域と観察領域の一辺が共に加工中の薄膜の加工面に接するか、もしくは前記観察領域の一辺が加工面に接触することなくその反対方向に離れた位置関係となるように設定して」との構成（以下、構成Ａという。）が記載されていない。
　
　一方、甲第３号証に記載された発明は、本件発明１と同じく集束イオンビームを使用して被加工物から薄膜試料を作成する方法であるが、位置ドリフト測定用マークおよび構成Ａについては記載されていない。　
　
（２）異議申立人は、甲第１号証に記載された発明と本件発明１を対比して、「甲第１号証に記載の「マスク上の任意の部分を参照パタンとして指定し、」という点は、参照パタンがその画像情報からイオンビームスポット位置の変化を補正するものであることが記載されているため、本件発明１の「被加工物に集束イオンビームの位置ドリフト測定用マークを設け」に実質的に対応している。」と主張するが、
　本件発明１の上記構成Ａは、加工して得ようとする「予め定められた所定の厚さに加工される薄膜部」との関係でマークの位置を規定しているのに対し、甲第１号証に記載されたマスク（半導体素子製造用のホオトマスクやレチクル）やマスクの欠陥は、本件発明１の試料や薄膜部と異なるものであるばかりでなく、甲第１号証においてはマスク上の任意の部分に指定される参照パタンは白色欠陥や黒色欠陥との位置関係を意識していない。
　したがって、甲第１号証の参照パタンが本件発明１のマークに実質的に対応しているとの主張は採用することができない。
　この点は、甲第２号証に記載された「基板上に形成されているパターン膜の一部を点状にエッチング除去したパターン」、あるいは、その除去により作成された「参照マーク」についても同じである。
　異議申立人は、「甲第１号証には本件発明１の「イオンビームによる加工領域と観察領域の一辺が共に加工中の薄膜の加工面に接する」点が記載されていない点で相違する（相違点３）」とし、その相違点３について、「甲第１号証に記載の技術と甲第３号証に記載の技術とを組み合わせることは、当業者であれば通常行うことであり、また、薄膜（薄膜部）をイオンビームで観察すると多少でも加工されるという問題意識を持った場合に、加工領域外で観察することを適用することは、当業者であれば当然容易である。」とも主張しているが、甲第１号証、甲第３号証、さらには、他の甲号証のいずれにも、そのような問題意識について記載されておらず、本件出願前に公知の問題意識であったと認めるべき根拠はない。
　これに対し、本件発明１は、集束イオンビーム加工により薄膜試料を作成するに際して、そのような問題意識を新たに課題として認識し、その課題を解決するために構成Ａを採用したものであり、また、その構成により、明細書記載の作用効果を奏するものであるから、本件発明１は、甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである、と認めることはできない。
　
［６］本件請求項２〜１２に係る発明について
　これらの発明は、いずれも本件発明１をさらに技術的に減縮した発明であり、前示したところによれば、本件請求項２〜１２に係る発明についても、甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである、と認めることはできない。
　
［７］本件請求項１３に係る発明について
　この発明は、本件発明１を装置化した発明であり、構成Ａに対応する「イオンビーム走査による観察領域と加工領域とを切り換えたとき、観察と加工の領域のそれぞれ指定した一辺が一致するか、もしくは観察領域の一辺が加工領域の一辺から試料加工面の反対方向に後退した位置関係となるように切り換える手段」を具備しているから、前示の理由と同様の理由から、本件請求項１３に係る発明についても、甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである、と認めることはできない。　
［８］請求項１４〜１９に係る発明について
　これらの発明は、いずれも本件請求項１３に係る発明をさらに技術的に減縮した発明であり、前示したところによれば、本件請求項１４〜１９に係る発明についても、甲第１〜６号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである、と認めることはできない。
　
［９］結論
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１〜１９に係る発明についての特許を取り消すことはできない。また、他に本件請求項１〜１９に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１〜１９に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月２日（２００２．１０．２）