【事件の表示】
　特許第２９４１４４６号「耐食性を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９４１４４６号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
　同請求項３に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】手続きの経緯
　本件特許第２９４１４４６号「耐食性を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石」の発明は、平成３年１月２９日に特許出願されたものであって、平成１１年６月１８日にその特許（請求項の数３）の設定登録がなされ、平成１１年８月２５日に特許公報が発行され、その後その特許（全請求項［請求項１〜３］）について平成１２年２月２４日に信越化学工業株式会社より特許異議の申立がなされ、その全請求項について平成１３年１月１５日付で取消理由通知がなされ、平成１３年３月２７日に異議意見書が提出されたものである。
【２】本件特許発明
　本件特許査定時の特許請求の範囲の請求項１乃至３に係る発明は、次のとおりのものである。
「【請求項１】　重量比でＲ（ここでＲは、Ｙを含む希土類元素の１種又は２種以上の組合わせ）5〜40％、ＴＭ（ここでＴＭは、Ｆｅ、Ｃｏを中心とする遷移金属であって、一部を他の金属元素又は非金属元素で置換してよい。）50〜90％、Ｂ（硼素）0.2〜8％からなるＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石において、該永久磁石体の表面に、0.001〜0.01wt％のＳを含有するＮｉめっき層を下層として設け、その上に自然電位が前記Ｎｉめっき層よりも卑である金属めっき層を上層として設けることを特徴とする耐食性を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石。
　【請求項２】　前記上層の金属めっき層がＳを0.011〜1.0wt％含有するＮｉめっき層であることを特徴とする請求項１に記載の耐食性を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石。
　【請求項３】　重量比でＲ（ここでＲは、Ｙを含む希土類元素の１種又は２種以上の組合わせ）5〜40％、ＴＭ（ここでＴＭは、Ｆｅ、Ｃｏを中心とする遷移金属であって、一部を他の金属元素又は非金属元素で置換してよい。）50〜90％、Ｂ（硼素）0.2〜8％からなるＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石において、該永久磁石の表面に、0.001〜0.01wt％のＳを含有するＮｉめっき層を下層として設け、その上に0.011〜1.0wt％のＳを含有するＮｉめっき層を上層として設け、当該上層のＮｉめっきは前記下層のＮｉめっき層よりも0.01wt％以上多くＳを含有することを特徴とする耐食性を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石。」
　なお、請求項３中に記載された「……、その上に0.001〜1.0wt％……」は、明細書全般の記載等からみて「……、その上に0.011〜1.0wt％……」の明らかな誤記と認め（特許権者も異議意見書において自認する。）、上記のように認定した。
【３】本件特許異議の申立て及び取消理由通知について
（１）異議申立の理由の概要
　特許異議申立人信越化学工業株式会社は、証拠方法として甲第１号証（特開平２ー２３６０３号公報）、甲第２号証（「めっき技術便覧」昭和46年7月25日発行、日刊工業新聞社、第187〜208頁）、甲第３号証（「金属表面技術便覧」昭和51年11月30日発行、日刊工業新聞社、第284〜291頁）及び甲第４号証（「表面技術Vol．41，No．2，1990」表面技術協会、第7〜14頁）を提出し、
「本件請求項１〜３の発明は、甲第１号証に実質的に記載されたものであり、少なくとも甲第１〜４号証の記載から当業者が容易に発明し得たものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に該当する。また、明細書が記載不備で、同法第３６条第４、５項（３、４項は誤記）違反である。
　よって、特許法第１１３条第１項第２号及び第４号の規定により取り消されるべきものである。」としている。
（なお、本件特許及び特許異議申立てに係る手続きの経緯は、前記【１】記載のとおりである。）
（２）取消理由通知の概要
　当審における取消理由は、全請求項（請求項１乃至３）に係る発明について以下の刊行物を引用し、概要以下のとおり通知したものである。
「１．本件特許の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものと認める。（なお、上記請求項３中に記載された「……、その上に0.001〜1.0wt％……」は「……、その上に0.011〜1.0wt％……」の誤記と認められる。）
　２．引用例
　　刊行物１：特開平２ー２３６０３号公報
　　刊行物２：「めっき技術便覧」昭和46年7月25日発行、日刊工業新聞社、第187〜208頁
　　刊行物３：「金属表面技術便覧」昭和51年11月30日発行、日刊工業新聞社、第284〜291頁
　　刊行物４：「表面技術Vol．41，No．2，1990」表面技術協会、第7〜14頁
　　刊行物５（参考資料）：「めっき教本」1986年9月20日初版１刷発行［1992年11月25日初版７刷発行］日刊工業新聞社、第86〜89頁
　本件発明は、その出願前に国内に頒布された上記刊行物１に記載された発明と実質的に同一であり、もしくは上記刊行物１〜４に記載された事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであると認められるので、本件発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号もしくは同条第２項の規定に違反してなされたものである。」
【４】当審の判断
（１）本件特許発明
　本件特許査定時の特許請求の範囲の請求項１乃至３に係る発明は、前記【２】記載のとおりのものである。
（２）特許法第３６条第４、５項違反について
　異議申立人信越化学工業株式会社は、本件明細書について記載不備を取消理由として主張するので、まずこの点について検討する。
(2-1)異議申立人信越化学工業株式会社は、記載不備の理由として、概要「本件明細書の実施例には、ワット浴により表1に示したNiめっき層を形成したことが記載され、表1には、Niめっき層中のS含有量が示されているが、どのような添加剤をどのような量でワット浴に添加したのかについて記載がなく(ワット浴だけでは表1のS含有量、特に上層のS含有量は達成されない)、まためっき条件についても記載がなく、当業者にとっても容易に実施できない。」としている。
　しかしながら、異議申立人も本件明細書に記載が認められるとする、ワット浴により表１に示したＮｉめっき層を形成したことが記載され、この表１には、Ｎｉめっき層中のいおうＳ含有量が示されており、また異議申立人が提出した前記甲第２乃至４号証（前記取消理由で引用した刊行物２乃至４）にも所望のイオウＳ含有量とすることができる「Ｎｉめっき層」の形成方法が開示（特に、甲第３号証の第286頁）されているように、所望のイオウＳ含有量とするＮｉめっき層の形成は当業者に自明の技術的事項であると認められることから、異議申立人が主張するような記載不備があるものとは認められない。
　したがって、特許法第３６条第４、５項違反についての取消理由は、理由があるものとすることはできない。
（３）特許法第２９条第２項違反について
　なお、特許法第２９条第１項第３号違反についての検討は、以下に検討する特許法第２９条第２項違反の検討内容を援用することとし、該請求項１乃至３に係る発明はいずれも前記引用刊行物１乃至５とは相違点を有することから特許法第２９条第１項第３号に違反するものとは認められない。
(3-1)引用刊行物
・前記取消理由で引用した刊行物１（特開平２ー２３６０３号公報）には、その実施例及び図面を参酌すると、以下のとおりの記載が認められる。
(i)「(1)R(ただし、RはYを含む希土類元素の1種以上)、FeおよびBを含有し、実質的に正方晶系の主相を有する永久磁石体表面に保護層を有する永久磁石であって、前記保護層が、前記永久磁石体表面に直接接して設層された第1保護層と、この第1保護層上に設層された第2保護層とから構成され、前記第1保護層がNiまたはNiを含有する合金から構成され、前記第2保護層がNiおよびSを含有する合金から構成されることを特徴とする永久磁石。
　(2)前記第2保護層中のSの含有量が0.02〜1.0wt%である請求項(1)に記載の永久磁石。
　(3)前記保護相が液相めっきにより設層される請求項(1)または(2)に記載の永久磁石。」（第１頁下段「特許請求の範囲」）
(ii)「上記した組成の永久磁石体表面に設層される保護層は、永久磁石体に耐食性を付与する機能を有する。
　本発明の永久磁石が表面に有する保護層は、永久磁石体表面に直接接して設層された第1保護層と、この第1保護層上に設層された第2保護層とから構成される。
　第1保護層はNiまたはNiを含有する合金から構成され、第2保護層はNiおよびSを含有する合金から構成される。
　第1保護層は、生産性が高いことからNiで構成されることが好ましいが、硬度、耐久性、耐食性等の点から、必要に応じ、Fe、Co、Cu、Zn、P、B、Mn、Sn、Wから選択される元素とNiとの合金を用いてもよい。
　第2保護層も、生産性が高いことからNiとSとの合金で構成されることが好ましいが、硬度、耐久性、耐食性等の点から、必要に応じ、Fe、Co、Cu、Zn、P、B、Mn、Sn、Wから選択される元素と、NiおよびSとの合金を用いてもよい。
　第1保護層は、第2保護層と永久磁石体との間の酸化電位差を小さくするはたらきを有し、NiおよびSを含有する第2保護層は、液相めっきにより設層される場合、後述するようにその表面にピンホール、スルーホールが生じ難いため、これら第1および第2保護層の組み合わせにより、本発明の永久磁石は、きわめて高い耐食性を有する。
　第2保護層中のSの含有量は、好ましくは0.02〜1.0wt%、さらに好ましくは0.2〜0.8wt%である。そして、残部が実質的にNiとされる。」（第2頁右下欄第10行〜第3頁右上欄第2行）
(iii)「第1保護層の設層に用いるめっき浴は、ワット浴、スルファミン酸浴等のいずれであってもよい。
　第2保護層の設層に用いるめっき浴は、ワット浴、スルファミン酸浴等が挙げられ、これらのうち特に、ワット浴を用いることが好ましい。
　好ましいめっき浴の組成を、下記に示す。
　NiSO46H2O 200〜500g/l　NiCl2 10〜100g/l　H3BO4 10〜500g/l
　第2保護層の設層には、このようなめっき浴にＳ系活性剤を適量添加して用いる。」（第3頁左下欄第10行〜同頁右下欄第2行）
(iv)「上記のようにして保護層が表面に設層される永久磁石体は、R(ただし、RはYを含む希土類元素の1種以上)、FeおよびBを含有するものである。
　R、FeおよびBの含有量は、
　5.5at%≦R≦30at%　42at%≦Fe≦90at%　2at%≦B≦28at%
であることが好ましい。」（第4頁左上欄第15行〜同頁右上欄第3行）
・同刊行物２（「めっき技術便覧」昭和46年7月25日発行、日刊工業新聞社、第187〜208頁）には、以下のようなニッケルめっきに係わる技術的事項が開示されている。
(i)「電着した純粋なニッケルは柱状構造をもち,結晶粒子はめっき厚さが増加すると増大する。粒子の大きくなる原因はpHの低下,温度の上昇,塩化物の減少である。また光沢剤を添加した光沢ニッケルは一般に結晶粒子が小さく,粒径が100〜1000Åであり,添加剤の種類により構造が変化するものである。」（第201頁末4〜末行）
(ii)「(i)二層ニッケルめっき
　二層ニッケルめっきは,いおうを含まない半光沢ニッケルの上にいおう(0.05%)を含む光沢ニッケルめっきを行なうもので,その模型図を図4.32に示してある。
　この種のめっきは腐食環境においていおうを含む光沢めっきが半光沢めっきに対してアノードとして作用し,腐食は光沢めっきで止まるため耐食性がよい。」（第203頁末4行〜第204頁第2行）
・同刊行物３（「金属表面技術便覧」昭和51年11月30日発行、日刊工業新聞社、第284〜291頁）には、以下のようなニッケルめっきに係わる技術的事項が開示されている。
(i)「無光沢ニッケル(バフ研摩)-クロムメッキのものに比べて光沢ニッケル-クロムメッキしたものの耐食性が劣る原因は,光沢ニッケルの皮膜中にイオウが比較的多量に含まれているためというのが定説になっている。
　ワット浴からの電着中にはイオウが0.01%あるいはそれ以下の量が共析している。
　イオウを含まない有機添加剤を使用した場合の電着ニッケル中のイオウはワット浴の場合と同じか,ときにはそれ以下のこともある。
　これに対してイオウを含む有機添加剤(主として第一光沢剤)を使用した場合の電着ニッケル中のイオウは0.03〜0.08%を示し,例外的な場合には0.3〜0.4%のこともある。」（第285頁末2行〜第286頁第7行）
(ii)「(2)多層ニッケルメッキ
　自食作用をする犠牲メッキには光沢ニッケルの層か,特別にイオウ含有量の多いメッキ層をあてる。
　(a)二層ニッケルメッキ
　上層の光沢メッキが犠牲メッキ層となる。下層にはイオウを含まない無光沢メッキ(ワット浴のまま),あるいは半光沢メッキをする。下層メッキにレべリングを要求する場合には,半光沢メッキが採用され,添加剤には主としてイオウを含まない第二光沢剤すなわち,1,4-ブチンジオール,プロパギルアルコール,ホルマリン,抱水クロラール,フクシン,クマリンなどが使われる。」（第288頁第4〜12行）
・同刊行物４（「表面技術Vol．41，No．2，1990」表面技術協会、第7〜14頁）には、以下のようなニッケルめっきに係わる技術的事項が開示されている。
(i)「硫黄含有量100ppm以下のものには表1に示すスルファミン酸浴を用いた。インコの研究所ではスルファミン酸浴で低応力厚肉電鋳品を得るのに不溶性補助電極を用いる方法が以前研究されたことがあった。白金補助陽極からの電流密度をコントロールすることによりほとんど応力ゼロのめっきが得られた。
　続いてコバルトやレベリング剤を添加し,補助陽極の電流量を全体の2%にして応力ゼロの製品が得られることがわかった。この場合の析出ニッケル中の硫黄分は100ppmである。これらは不溶性陽極でスルファミン酸イオンが酸化されてできる応力低下剤のアゾジスルフォン酸の効果によるものである。」（第7頁右欄末3行〜第8頁左欄第11行）
(ii)「ダブルニッケルめっきに通常のクロムめっきを施した腐食試験結果をASTMレイティングで表したのが表4である。光沢ニッケルめっき中の硫黄含有量の低いものが最低の結果を示し,逆に高いものが最も良い結果を示している。
　光沢めっき中の硫黄含有量が100ppmと600ppmのものは,耐食性は中程度で前記二者の中間に評価される。表4と表3に示す結果を比較すると,ダブルニッケルめっきはシングルめっきよりも良好な結果を示すが,低硫黄(10ppm)は例外でありシングルめっきもダブルめっきも同様な結果を示している。これは光沢めっき中の硫黄含有量が半光沢めっき中の硫黄含有量とほぼ同程度であるため,光沢めっき層が犠牲となって半光沢層を保護する作用がないからである。」（第11頁右欄末7行〜第12頁左欄第9行）
・同刊行物５（「めっき教本」1986年9月20日初版１刷発行［1992年11月25日初版７刷］日刊工業新聞社、第86〜89頁）には、以下のようなニッケルめっきに係わる技術的事項が開示されている。
(i)「3.2.4アノード材料
　可溶性アノードとしては、…（略）…,現在は次の2種類が主として使われる。
　(i)電解ニッケル
　　品位は　　Ni+CO　　　Fe　　　Cu　　　Pb　　　　Ｓ
　　　　　　＞99.98% ＜0.005% ＜0.005% ＜0.0015% ＜0.001%
　(ii)S含有ニッケル
　　S含量0.01〜0.02% その他は(i)と同じ　」（第86頁第3〜13行）
(3-2)対比・判断
(3-2-1)本件特許査定時の請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明と前記刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は以下のとおりの一致点及び相違点を有するものと認められる。
（一致点）
「重量比でＲ（ここでＲは、Ｙを含む希土類元素の１種又は２種以上の組合わせ）5〜40％、ＴＭ（ここでＴＭは、Ｆｅ、Ｃｏを中心とする遷移金属であって、一部を他の金属元素又は非金属元素で置換してよい。）50〜90％、Ｂ（硼素）0.2〜8％からなるＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石において、該永久磁石体の表面に、Ｎｉめっき層を下層として設け、その上に自然電位が前記Ｎｉめっき層よりも卑である金属めっき層を上層として設ける耐食性を改善したＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石。」
（相違点）
　請求項１に係る発明にあっては、下層のＮｉめっき層を0.001〜0.01wt％のＳを含有するＮｉめっき層としているのに対して、前記刊行物１に記載された発明にあっては、これらのように構成することが明示されていない点。
（判断）
　そこで、上記相違点について検討する。
　請求項１に係る発明において、前記相違点における下層のＮｉめっき層が「0.001〜0.01wt％のＳを含有する」ことの技術的意義は、その明細書の記載（段落番号【0004】、特許公報第４欄第18〜41行）からみて、「表材表面に、少量のＳを含有するＮｉめっき層を下層として設け、その上層として多層のＳを含有するＮｉめっき層を設けると、上層の自然電位は下層に対し卑なものとなる。すなわち上層がアノード化して陽極効果を発生することにより、下層が防食される」「２層めっきの防食作用により、ＲーＴＭーＢ系永久磁石の耐食性を向上する」ものであって、「0.001wt％未満であると、Ｎｉめっき層は柱状晶組織となってしまい、組織の微細化の面で好ましくない。また、0.001wt％未満であると素材との自然電位差が極端に大きくなり、Ｎｉめっき層の素材表面への被覆の際にその界面において電気化学的な局部電池を形成する可能性があることから、下層Ｎｉめっき層中のＳの含有量は0.001wt％未満であってはならない。」というものである。
　しかしながら、上記刊行物１に開示されたＲ−ＴＭ−Ｂ系永久磁石においても、下層のＮｉめっき層の上に自然電位がこのＮｉめっき層よりも卑であるイオウＳ含有のＮｉめっき層を上層として形成することで、耐食性を改善するものであり、また該下層のＮｉめっき層の形成手段は「ワット浴」によるものである。さらに、前記引用例２乃至４（異議甲第２〜４号証）に示されているように、素地(乃至下地層)よりもめっき層(乃至上層)の自然電位が卑であれば、これがまず腐食されるということは周知の技術的事項であって、二層Ｎｉめっきまたは三層Ｎｉめっきにおいては、下層にイオウＳを実質的に含まないＮｉめっき層を形成して上層のイオウＳを多く含むＮｉめっき層を腐食犠牲層として全体の耐食性を向上させることが通常採用される周知の耐食、防錆手法である。
　そして、前記刊行物２（異議甲第２号証）には、電着した純粋なニッケルは柱状構造をもつことが開示されており、また前記刊行物３（異議甲第３号証）には、単なるワット浴(即ち、イオウＳを含む有機添加剤を添加していないワット浴)からの電着中にはイオウＳが0.01%あるいはそれ以下の量で共析していること、さらにイオウＳを含まない有機添加剤を使用した場合の電着ニッケル中のイオウＳはワット浴の場合と同じか、ときにはそれ以下のこともある旨記載（刊行物３第286頁、前掲摘記(i)参照）されており、ワット浴やこれにイオウＳを含まない有機添加剤を添加した半光沢ニッケルめっき液を用いた場合においても、イオウＳが0.01%以下の割合で共析することが開示されている。このイオウＳを含む有機添加剤を添加しないにも拘らず生じるこのようなイオウＳの混入、共析は、めっき作業上避けることができず、通常イオウＳが完全に0%であるものではないこと（アノード(陽極)として用いるニッケルから不可避的に混入(引用例５［異議甲第５号証の参考資料1］参照）する。）から、従来自明の技術的事項として不可避的にイオウＳが含有されたＮｉめっき層を開示するものと認められる。
　したがって、引用例１におけるイオウＳを含有する下層のＮｉめっき層として、該イオウＳの具体的含有量を0.001〜0.01wt％となすことは、前記周知の技術的事項から当業者が適宜に定め得る事項と認められる。
　また、請求項１に係る発明のように構成することにより奏する作用効果も当業者が容易に予測できるものと認められる。
　なお、特許権者は、異議意見書において「甲第1号証の第1保護層(下層)は、第2保護層のNiおよびSを含有する合金と区別してNiまたはNiを含有する合金と記載していること、表1に組成Niは100%と記載していること、第1保護層にSを含有するとの記載がないこと、第1保護層(下層)にSを含有させようとする技術思想でないこと、甲第1号証の出願時点ではめっき層中のS含有量をSフリー(S＜0.001wt%)と特定量の含有にコントロールできるめっき技術レベルにあったこと等を考慮すれば、Sを含有していない甲第1号証の第1保護層(下層)について、甲第3号証の記載事項を引用し、甲第1号証の第1保護層(下層)にSが0.001〜0.01wt%含有されているはずであるとの異議申立人の主張は失当であり、本件発明が甲第1号証に記載された発明と実質的に同一であるとの主張も失当であることは明らかである。」（異議意見書第第6頁第1〜13行）旨主張している。しかしながら、前記刊行物１（異議甲第１号証）の実施例においては、第１保護層の形成にワット浴を用いているものであり、その表１の中にニッケルＮｉが100%である旨記載されているが、上記したように、ワット浴からの電析はニッケルＮｉが完全に100%になるものではなく、イオウＳが混入、共析されるものであるから、前記認定判断したように、引用例１（異議甲第１号証）の第１保護層（下層のＮｉめっき層）はイオウＳを含有するものとして開示されているとするのが妥当であるといえ、また引用例１（異議甲第１号証）には、第１保護層（下層のＮｉめっき層）の形成にニッケルめっき浴としてスルファミン酸浴を用いられることが記載（前掲摘記(i)参照）されおり、前記引用例４（異議甲第４号証）の記載によれば、スルファミン酸浴の場合はイオウＳ分が100ppm、即ち0.01%混入し得ることが記載されており、この点においてもイオウＳを含有するもの、乃至は少なくともイオウＳの含有が許容された技術思想として開示されているものと認められることから、特許権者の当該主張は採用することができない。
　以上のとおり、請求項１に係る発明は、前記刊行物１乃至４に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
(3-2-2)本件特許査定時の請求項２に係る発明について
　請求項２に係る発明は、前記請求項１に係る発明を引用するものであって、上層の金属めっき層について「Ｓを0.011〜1.0wt％含有するＮｉめっき層である」とする構成を付加するものである。
　しかしながら、上記刊行物１には前記したように「第2保護層中のSの含有量は、好ましくは0.02〜1.0wt%、さらに好ましくは0.2〜0.8wt%である。」旨記載（前記摘記(ii)項参照）されており、この付加された構成は刊行物１に記載された発明に開示されている。
　したがって、請求項２に係る発明は、この点の構成によっても上記刊行物１乃至４及び周知の技術的事項に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項２に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
(3-2-3)本件特許査定時の請求項３に係る発明について
　請求項３に係る発明は、前記したとおりのものであって、請求項１に係る発明における「卑である金属めっき層を上層として設ける」ことについて、これを具体的構成として「0.011〜1.0wt％のＳを含有するＮｉめっき層を上層として設け、当該上層のＮｉめっきは前記下層のＮｉめっき層よりも0.01wt％以上多くＳを含有する」ものとなすものであり、当該請求項３に係る発明と前記刊行物１に記載された発明とを対比すると、両者は、前記相違点の「下層のＮｉめっき層を0.001〜0.01wt％のＳを含有する」を有するとともに、さらなる相違点として「上層のＮｉめっきは前記下層のＮｉめっき層よりも0.01wt％以上多くＳを含有する」を有し、その余は一致するものと認められる。
　そこで、このさらなる相違点について検討すると、前記刊行物１乃至５のいずれにも、下層と上層とのＮｉめっき層におけるイオウＳ含有量について、これを相関させた関連構成及び両層間を特定の数値範囲を持つイオウＳ含有量として規定する構成は何ら記載乃至開示されているものとは認められない。そして、この両層間のイオウＳ含有量を特定の数値範囲として0.01wt％以上に選定することが、技術常識を勘案しても単に両層にイオウＳを含有させることから直ちに導き出されることを示唆するものも見当たらないから、これら刊行物１乃至５及び技術常識によっても、このさらなる相違点に係わる構成を当業者が容易になし得るものとは認めることができない。
　また、これにより奏する作用効果も当業者が容易に予測できるものとも認められない。
　なお、この点について、異議申立人は「甲第2〜4号証（注、刊行物2〜4）に記載されているように、下層にイオウを含まない有機添加剤を添加した半光沢ニッケルめっき浴を用いて形成すること(この場合も、甲第3号証から明らかな通り、イオウを含まない添加剤を用いてもイオウは0.01%以下の割合で含有されるものである)は周知であり、甲第1号証（注、刊行物1）の第1保護層の形成にこの種の半光沢ニッケルめっき浴を用いることは当業者が普通に行うことであり、かつこれによりニッケル組織が微細化すると共に、上層のS含有量が下層より0.01%以上多ければ良好な耐食性を与えることも予見し得ることである。」（異議申立書第15頁第24行〜第16頁第2行）旨主張している。しかしながら、仮に、半光沢ニッケルめっき浴を用いることは当業者が普通に行うことであるとしても、上層のＮｉめっきは下層のＮｉめっき層との関連構成である両層間に含有される共通のイオウＳ成分について、その含有量の相関性を考慮する際、上層が「0.01wt％以上多くＳを含有する」ように関連付けて特定含有量となすよう構成することを開示し或いは示唆するものは、前記各刊行物のいずれからも認めることができず、またこの特定含有量に係わる関連構成は、前記したように技術常識を勘案しても当業者が適宜になし得るものとも認められないことから、異議申立人の当該主張は採用することができない。
　したがって、請求項３に係る発明は、この点の構成によって上記刊行物１乃至５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、他に、請求項３に係る発明の特許を取り消すべき理由を見出すことができない。
(3-3)まとめ
　したがって、本件特許査定時の特許請求の範囲の請求項１乃至２に係る発明は、いずれも刊行物１乃至４（異議甲第１乃至４号証）に記載された発明及び周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、また同請求項３に係る発明は、刊行物１乃至５（異議甲第１乃至５号証）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることができない。
【４】まとめ
　以上のとおりであるから、本件特許査定時の特許請求の範囲の請求項１乃至２に係る発明の特許は、いずれも特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　また、同請求項３に係る発明の特許は、これを取り消すべき理由はない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月３０日（２００１．１０．３０）