【事件の表示】
　特許第３００９３８３号「圧延銅箔およびその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００９３８３号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３００９３８３号の請求項１及び２に係る発明は、平成１０年３月３１日に特許出願され、平成１１年１２月３日にその特許権の設定登録がなされ、その後、田中文裕から特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知されたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　本件訂正請求は、次のＡ及びＢの訂正事項をその内容とするものである。
Ａ．訂正事項【特許請求の範囲】の記載について
（訂正事項ａ−１）
「【請求項１】 ２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ0)に対し、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔。」とあるのを
「【請求項１】 ２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、１５％以上の伸びを有し且つ圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ0)に対し、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔。」と訂正する。
　
（訂正事項ａ−２）
「【請求項２】 タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする請求項１の圧延銅箔の製造方法。」とあるのを
「【請求項２】 タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする、２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ0)に対し、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔の製造方法。」と訂正する。
　
Ｂ．訂正事項【発明の詳細な説明】の記載について
　明細書の段落【００１１】（本件特許公報第２頁第４欄第１６〜２９行）の記載について、以下のとおり訂正する。
「【００１１】この知見に基づいて、本発明は、（１）２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ0)に対し、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔、及び（２）タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする（１）の圧延銅箔の製造方法を提供する。」とあるのを、
「【００１１】この知見に基づいて、本発明は、（１）２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、１５％以上の伸びを有し且つ圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ0)に対し、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔、及び（２）タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする、２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ0)に対し、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔の製造方法。」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無及び拡張・変更の存否
Ａ．訂正事項【特許請求の範囲】の記載について
（訂正事項ａ−１）
　訂正前の請求項１の記載は、伸び値に関する特定事項を有さず、再結晶組織に調質した状態において、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することのみを特定事項としていたところ、段落【００２１】（本件特許公報第５頁第９欄第１２〜２３行）の記載「【００２１】表１に評価した試料の加工履歴と特性を示す。本発明に関わる圧延銅箔は、Ｉ／Ｉ0 が２０以上の値を示しており、３万回以上の優れた屈曲寿命を有している。また、１５％以上の十分な伸び値も有している。一方、比較例のＮｏ．１、３、４、７は、中間焼鈍で得られた結晶粒径が５μｍよりも小さいため、伸びが１０％以下の低い値になっている。」を根拠として、再結晶組織に調質した状態における伸び値をも特定事項とすることにより、実施例により有意な効果が確認された範囲に限定的に減縮するものである。
　したがって、（訂正事項ａ−１）は、特許法第１２０条の４第２項第１号の規定における特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（訂正事項ａ−２）
　訂正前の請求項２は、その末尾が「・・・請求項１の圧延銅箔の製造方法」と請求項１を引用する形式で記載されていたところ、当該請求項１が、上記（訂正事項ａ−１）のとおり限定的減縮を目的として訂正されるため、請求項２の記載を、請求項１を引用する形式から、他の請求項を引用しない独立した形式に書き替えるべく、訂正前の請求項１の記載を具体的に書き込んだ形式としたものである。
　したがって、（訂正事項ａ−２）は、特許法第１２０条の４第２項第３号の規定における明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
Ｂ．訂正事項【発明の詳細な説明】の記載について
　上記訂正事項Ｂ．は、上記（訂正事項ａ−１）の特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正と整合するように発明の詳細な説明の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項Ｂ．は、特許法第１２０条の４第２項第３号の規定における明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　特許異議申立人田中文裕（以下、「異議申立人」という。）は、本件の請求項１に係る発明は、甲第１号証ないし甲第７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、本件特許は取り消されるべきものと主張し、また、請求項２に係る発明は、甲第１号証ないし甲第９号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるから、本件特許は取り消されるべきものと主張するとともに、本件の請求項１に係る発明は明確ではなく、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対して特許されたものであるから、本件特許は取り消されるべきものと主張する。
　
（２）本件の請求項１および２に係る発明
　本件の請求項１及び２に係る発明は、前記２．のとおりの訂正が認められるから、本件訂正明細書の【特許請求の範囲】【請求項１】及び【請求項２】に記載された事項により特定されるとおりのものである。（以下、「本件発明１」及び「本件発明２」という。）
　
（３）引用刊行物の記載事項
　当審が平成１３年５月３０日付けで通知した取消しの理由に引用した刊行物１ないし９には、各々、以下のような事項が記載されている。
　
刊行物１：伸銅技術研究会誌（１９９２）３１巻，第６５〜７１頁（特許異議申立人の提出した甲第１号証）
　
摘示１−１　：　「ハードディスクドライブなどの機器では運送する部分への配線材としてＦＰＣを用いている。このような用途では運動部の動きに追従して曲げ伸ばしの変形を受けるため、ＦＰＣの材料となる銅箔には屈曲変形による金属疲労をおこしにくい性質が要求される。」（第６５頁左下欄下から８行〜同下から３行）
　
摘示１−２　：　「・・・ＬＴＴ−ＯＦＣ（低温軟化無酸素銅）・・・」（第６６頁左欄第２１行）
　
摘示１−３　：　「最終冷間圧延の加工度は、銅箔の軟化温度および再結晶後の集合組織の形成に大きな影響を及ぼす。・・・そこで、最終冷間圧延の加工度が銅箔の耐屈曲性に及ぼす影響を調べた。　ＬＴＴ−ＯＦＣを用いて最終冷間圧延の加工度が異なる銅箔資料（厚さ３５μｍ）を製造し、２５０℃で１時間加熱して軟化させた後、高サイクル試験で屈曲疲労寿命を測定した。加工度と屈曲疲労寿命の関係をＦｉｇ．３に示す。ここで加工度はＩ→ＩＩ→ＩＩＩ→ＩＶの順に高くなっている。この結果から、加工度が高くなるにつれて軟化後の疲労寿命が長くなる傾向がみられる。・・・（１００）結晶面が圧延面と平行で［０１０］方向が圧延方向を向いた再結晶組織が多く現れる。・・・加工度が高くなると分布のバラツキが少なくなり、より発達した集合組織が形成されることがわかる。・・・屈曲疲労強度についても集合組織によって異方差が生じており、再結晶集合組織が形成された場合、圧延方向およびその垂直方向に屈曲が加わるようにすると高い疲労寿命を示すようになる。耐屈曲性が必要なＦＰＣでは銅箔の異方差を考え、なるべく圧延方向に屈曲が加わるように設計されているが、その場合、加工度を高くして発達した再結晶集合組織を形成すれば、耐屈曲性を向上させることができるといえる。」（第６７頁左欄下から３行〜第６８頁右欄第８行）
　
摘示１−４　：　「前述のように、ＦＰＣ用の銅箔は屈曲変形に対する耐久性が要求される。この耐屈曲性の検討に際して、まず評価試験の方法について検討した。・・・ＦＰＣが受ける曲げ変形は、同図（ｂ）に示す高サイクル屈曲試験を用いることにした。この試験は平行な平板の間に試料を１８０度曲げてセットし、平板をずらすことによって曲げ変形を加えて破断するまでの曲げ回数を測定する。・・・今回の耐屈曲性評価は高サイクル屈曲試験で行うことにした。」（第６６頁右欄第３行〜第６７頁左欄第１９行）
　
　以上から、刊行物１には、「最終冷間圧延の加工度を高くすることによって、（１００）面が圧延面と平行な再結晶集合組織を発達させた、耐屈曲性が向上した圧延銅箔」が記載されていると認められる。
　
刊行物２：「金属塑性加工の進歩」昭和５３年５月２５日（株）コロナ社発行，第３７６〜３８７頁（特許異議申立人の提出した甲第２号証）
　
摘示２−１　：　「銅の再結晶は無方向性と立方体方位であるが、これは再結晶前の冷間圧延率が・・・、高圧延率になるにつれ立方体方位の（１００）［００１］が次第に増大し、圧延率９７％以上では全く（１００）［００１］方位だけになってしまう・・・」（第３７６頁下から７行〜同下から４行）
　
摘示２−２　：　「厚さ１１ｍｍのタフピッチ銅の熱延板を素材とし、・・・９２％の冷間圧延を施し、すべての板の最終厚さが０．９ｍｍになるようにした。次いでこれら圧延板を４５０℃×１時間の焼なましを行ったものを試料とした。・・・再結晶方位が焼なましの前の圧延率でどう変化するかを知るため、試料板面に存在する結晶方位の量を無方向性試料の倍数で示したのが図６・４８である。これから、焼なましの前の圧延率の増加に伴って、（１００）方位で示した（１００）［００１］の立方体方位は漸増し、圧延率が７０％以上では急増し、圧延率９２％ではほとんど立方体方位だけになっている。」（第３７７頁第１７行〜第３７８頁第７行）
　
摘示２−３　：　図６・４８から、「試料板面に存在する結晶方位の量を無方向性試料の倍数（Ｉ／Ｉ0）で示すと、（Ｉ／Ｉ0）の値は「焼なましの前の圧延率の増加に伴って漸増し、圧延率が７０％以上では４から急増し、圧延率９２％のときに２８であること」が看取される。（第３７７頁左下）
　
刊行物３：日本金属学会誌，１９９６，第３０巻第６号，第５９１〜５９６頁（特許異議申立人の提出した甲第３号証）
　
摘示３−１　：　「ＩＩ．実験　１．試料　市販の２Ｓアルミニウムおよびタフピッチ銅（純度９９．９７％）を、いずれも厚さ約１１ｍｍまで熱間圧延したものを素材とした。・・・　２．実験方法　・・・最終焼鈍前の冷間圧延率による変化を見るために、・・・銅の場合にはそれぞれ・・・８５，９２％の冷間圧延をほどこして、すべての板の最終厚さを０．９ｍｍにそろえた。つぎに、これらの板に対して・・・銅の場合には、４５０℃、１ｈｒの焼鈍を行った。・・・　ＩＩＩ．実験結果　・・・（２００）極点図から得られた情報を基礎にして、板の圧延面に平行な断面で板面に平行に存在する低指数結晶面のうち、とくに以上のような極点図の変化と対応すると思われる方位のものからＸ線反射強度を測定した結果をＦｉｇ．８に示す。・・・銅の場合は、圧延率の上昇に伴って、板面に平行な（１００）が大きく増加しており、とくに圧延率８０〜９０％での上昇が著しい。・・・」（第５９１頁右欄下から９行〜第５９２頁右欄末行）
　
摘示３−２　：　Ｆｉｇ．８から、「板の圧延面に平行な断面で板面に平行に存在する低指数結晶面のＸ線ピーク強度と焼鈍前の冷間圧延率との関係として、銅の場合は、圧延率の上昇に伴って、板面に平行な（２００）が大きく増加し、圧延率が７０％以上では４から急増し、圧延率９２％のときに２８であること」が看取される。（第５９４頁左上）
　
刊行物４：特開昭５５−１４５１５９号公報（特許異議申立人の提出した甲第４号証）
　
摘示４−１　：　「可撓性の優れたプリント配線板用銅箔の製造方法を見い出したもので最終冷間圧延加工を加工率９０％以上施した後１００℃以上の温度で加熱処理することを特徴とする。」（第１頁右欄第１５〜１８行）
　
摘示４−２　：　「タフピッチ銅及び無酸素銅の熱間押出板（厚さ１０ｍｍ）を用い第１図に示す圧延工程で最終冷間加工率がそれぞれ５０％，７０％，９０％，９９％の最終板厚０．１ｍｍの板を製造した。この板から加工したままの板と５０℃、１００℃、１５０℃。、２００℃、及び２５０℃でそれぞれ３０分間加熱処理した板から試験片を切り出し・・・ＪＩＳに準拠して折り曲げ試験を行った。」（第２頁右上欄第６〜１２行）
　
摘示４−３　：　第１表から「タフピッチ銅及び無酸素銅の最終加工後の加熱温度が室温、５０℃、１００℃，１５０℃，２００℃，２５０℃でそれぞれ３０分間加熱処理した板から切り出された試験片に対し破断までの折り曲げ試験を行った結果、５０〜９９％と最終加工率が増大するに従って、各試験片の破断までの折り曲げ回数が増加すること」が看取される。（第２頁左下欄）
　
刊行物５：特開平４−２２８５５３号公報（特許異議申立人の提出した甲第５号証）
　
摘示５−１　：　「【請求項１】銅の原料素材に所定の圧延と必要な焼鈍を施して得た焼鈍済み中間素材に対して最終冷間圧延を施してなる圧延銅箔であって、当該最終冷間圧延の加工度が少なくとも９０％以上であることを特徴とする耐屈曲性圧延銅箔。・・・【請求項３】銅の原料素材としてタフピッチ銅を用いたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の耐屈曲性圧延銅箔。【請求項４】銅の原料素材として無酸素銅を用いたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の耐屈曲性圧延銅箔。」（第２頁第１欄第２〜１４行）
　
摘示５−２　：　「・・・全体を１３０℃〜１７０℃の温度で１〜２４時間加熱して接着剤を硬化させた後、・・・」（第２頁第１欄第３９〜４１行）
　
摘示５−３　：　「銅箔の焼鈍処理は、樹脂接着剤を加熱硬化させるための熱を利用して行うのが普通である。」（第２頁第２欄第１１〜１３行）
　
摘示５−４　：「銅箔は、例えばタフピッチ銅や無酸素銅の原料素材（鋳塊）を予め熱間で圧延した後、冷間圧延と中間焼鈍を繰り返すことによって製造するのであるが、タフピッチ銅、無酸素銅のいずれの場合も、最終冷間加工度が大きければ大きいほど、焼鈍後の銅箔の屈曲強度が向上する。」（第３頁第３欄第２〜７行）
　
摘示５−５　：　「良好な耐屈曲性と所望の軟化温度を圧延銅箔に持たせるには、少なくとも９０％以上の最終冷間加工度をもって圧延することがどうしても必要であり、更に良好な耐屈曲性を圧延銅箔に持たせるには、９３％以上の最終冷間加工度をもって圧延することが望ましい。」（第３頁第３欄１５〜２０行）
　
摘示５−６　：　「圧延銅箔の厚さは、多くとも１００μｍ（０．１ｍｍ）以下とすることが望ましく、通常の使用形態を想定した圧延銅箔の好ましい厚さは、例えば０．０３５ｍｍ、０．０７ｍｍ又は０．０１８ｍｍである。」（第３頁第３欄４３〜４７行）
　
摘示５−７　：　「これらの試料銅箔を１６０℃の温度で１時間焼鈍した後、・・・」（第４頁第５欄第１３〜１４行）
　
刊行物６：特開平９−５３１６２号公報（特許異議申立人の提出した甲第６号証）
　
摘示６−１　：　「【従来の技術】従来の・・・タフピッチ銅や無酸素銅は、冷間圧延による加工度を大きくすることができるため、最終の中間焼鈍後の冷間加工度が９０％以上に圧延され、後に再結晶完了温度（平板状で加熱保持時間を３０分とした時の再結晶が完了する温度）以上、一般には再結晶完了温度より１０〜５０℃高い温度で焼鈍を行って軟質銅箔としている。」（第２頁第１欄第１７〜２８行）
　
摘示６−２　：　「【発明の実施の形態】本発明に係る軟質銅箔の製造方法を詳しく説明すれば次の通りである。銅鋳塊は、溶解・鋳造して得た厚さ約３０〜３００ｍｍの普通のタフピッチ銅又は無酸素銅を使用することができる。この銅鋳塊を熱間圧延及び粗圧延により厚さ約１．０〜２．０ｍｍ前後の銅板とし、冷間圧延と中間焼鈍を複数回繰り返して徐々に薄くして厚さ約０．１〜０．５ｍｍの銅板とする。　【０００７】最終の中間焼鈍を除く中間焼鈍は、従来公知の方法で行えば良いが、最終の中間焼鈍後における銅板の再結晶粒の平均結晶粒径を５０μｍ以上とするために、最終の中間焼鈍は、連続焼鈍法又はバッチ式焼鈍で行い、物温を３５０ ℃以上、特に、４００℃以上の条件で行えばより好ましい。そして、連続焼鈍法の場合は、加熱保持時間が短いため、物温は高いほうがよく、バッチ式焼鈍の場合は、通常コイル表面温度が目標温度に到達後、２〜３時間の保持を行うが、加熱保持時間を１０時間以上に延長することで物温３５０℃でも、再結晶粒の平均結晶粒径５０μｍ以上のものを得ることができる。再結晶粒の平均結晶粒径が５０μｍ以下では、仕上焼鈍後に再結晶集合組織である立方体方位が発達し、引張強さ・伸びが小さくなり、好ましくない。」（同第２欄第１２〜３２行）
　
摘示６−３　：　「仕上焼鈍は、一般に採用されるバッチ式焼鈍によればよく、１７０〜２５０℃の温度で焼鈍を行えばよい。」（同第２欄第４２〜４４行）
　
摘示６−４　：　「最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温２００℃×２時間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。」（第３頁第３欄第３３〜３５行）
　
摘示６−５　：　「実施例８．溶解・鋳造して、厚さ３０ｍｍ×巾２００ｍｍ×長さ３００ｍｍとした無酸素銅鋳塊を熱間圧延及び粗圧延により厚さ１．２ｍｍの銅板とし、中間焼鈍と冷間圧延を繰り返し行って徐々に薄くして厚さ０．４ｍｍとし、・・・」（第４頁第５欄第５から８行）
　
摘示６−６　：　「比較例６．実施例８と同様にして得た厚さ０．４ｍｍの銅板を、連続焼鈍法において窒素雰囲気下で、物温３００℃の最終の中間焼鈍を行った。最終の中間焼鈍後の平均結晶粒径を前記伸銅品結晶粒度試験方法により測定したところ２０μｍであった。続いて、この銅板に対して１パスあたり５〜５０％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が９７．８％となり、厚さが９μｍの銅箔を得た。最後にこの銅箔に、バッチ式焼鈍において窒素雰囲気下で、物温２００℃×２時間保持の仕上焼鈍を行い、軟質銅箔とした。この軟質銅箔の引張強さ及び伸びを測定したところ、引張強さ１４１ Ｎ／ｍｍ２、伸び４．２％であった。」（同第６欄第３９〜５０行）
　
刊行物７：特開昭５５−５４５５４号公報（特許異議申立人の提出した甲第７号証）
　
摘示７−１　：　「８５％以上の加工率で加工した銅を５００℃以下の温度で焼鈍し、圧延面［１００］・圧延方向［００１］からなる立方体集合組織としたフレキシブルケーブル用導体。」（第１頁左欄第５〜８行（特許請求の範囲））
　
摘示７−２　：　「電気銅を９６％の圧延にて仕上り板厚０．５ｍｍの板材に加工し、２５０℃の温度で１時間焼鈍したのち、・・・」（第１頁右欄第１３〜１５行）
　
刊行物８：「金属熱処理技術便覧」（昭和３６年日刊工業新聞社発行）ｐ．１３２〜１３５（特許異議申立人の提出した甲第８号証）
　
摘示８−１　：　「例えば銅のような面心立方晶金属では焼なましにより再結晶集合組織として立方体方位と呼ばれる（１００）［００１］方位が発生するが、この再結晶集合組織が分散の少ない、鮮鋭なものとなる条件は次の如くである。１）原子半径の異なる固溶元素の含有量はなるべく少ないこと。２）冷間圧延率ができるだけ高いこと。３）冷間圧延前の結晶粒の大きさができるだけ小さいこと。したがって、・・・」（第１３５頁下から９行〜末行）
刊行物９：特開平２−１７０９５１号公報（特許異議申立人の提出した甲第９号証）
　
摘示９−１　：　「第１表に示される各種銅又は銅合金のインゴットを高周波溶解炉で溶解鋳造した。これを９００℃で熱間圧延して厚さ８ｍｍの板とした後、冷間圧延で厚さ１．５ｍｍとした。これを７５０℃にて２０分間焼鈍したのち冷間圧延で厚さ０．３ｍｍとし、さらに第１表に示す条件にて焼鈍したのち、冷間圧延で厚さ０．０３５ｍｍとした。」（第３頁左上欄第１６行〜同右上欄第３行）
　
摘示９−２　：　摘示９−１を踏まえれば、表１から「比較例１１は、合金Ｎｏ．１と同様に有意な添加元素成分を有しない銅であって、インゴットを溶解鋳造し、９００℃で熱延し厚さ８ｍｍの板とし、冷延で厚さ１．５ｍｍとし、７５０℃で２０分間焼鈍し、冷延により厚さ０．３ｍｍとした後、７５０℃で、０．２５分間すなわち１５秒間の焼鈍を行い、結晶粒径０．０１０ｍｍすなわち１０μｍとしたものを冷間圧延にて厚さ０．０３５ｍｍすなわち３５μｍとしたものである」ことが記載されていると認められる。
　
（４）対比・判断
（イ）本件発明１及び２（前記２．（１）Ａ、３．（２）参照。）と刊行物に記載された事項とを対比・判断する前提として、まず、本件発明１の記載に関し検討する。
　異議申立人は、「本件特許の請求項１の記載が不明確である。何故なら請求項１の圧延銅箔が、２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質する前の圧延銅箔であるのか２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した後の圧延銅箔であるのか不明確であるからである。」と主張するが、本件明細書の【発明の詳細な説明】【００１２】【発明の実施の形態】には「本発明が対象とする圧延銅箔は、主として、タフピッチ銅または無酸素銅である。圧延銅泊は、基本的にタフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍を繰り返し、最後に最終冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げることにより製造される。」（本件特許公報第２頁第４欄第３１〜３６行）と記載されていることから、最後に冷間圧延されたものであることは明らかである。そして、同段落【０００６】には「銅箔の屈曲性は、再結晶焼鈍を行うことにより、圧延上がりよりも著しく向上する。そこで銅箔は焼鈍状態でＦＰＣの構成部材として使用されるが、この焼鈍は粗化めっきして裁断した後に加熱処理を行うか、樹脂基板と接着する際の加熱と兼ねて行われている。この焼鈍は、１３０〜２５０℃で１５分〜２４時間、代表的に２００℃で３０分間加熱して行われ、銅箔は、再結晶組織に調質した状態となる。」（同第３欄第２７〜３４行）と記載され、【実施例】の段落【００２０】（２）屈曲性の項には「試料を２００℃で３０分間加熱して再結晶させた後、・・・屈曲疲労寿命の測定を行った。」（同第４頁第８欄第２〜４行）と記載され、銅箔は２００℃で３０分間の熱処理が施された後に評価されていることから、本件発明１に係る「２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において」とは、製品としての「調質前の圧延銅箔」を、想定される実際の使用時の代表的な熱処理条件で処理した場合の再結晶組織で規定するものであることは明らかである。したがって、本件発明１が再結晶組織に調質する前の圧延銅箔であることは明確であるといえる。
　よって、本件の請求項１に係る発明は明確ではなく、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対して特許されたものであるから、本件特許は取り消されるべきものとする異議申立人の主張を採用することはできない。
　
（ロ）次に、上記（イ）のとおり記載が明確であることが確認された本件発明１を刊行物１に記載されたものと対比する。
　先に認定したとおり、刊行物１には「最終冷間圧延の加工度を高くすることによって、（１００）面が圧延面と平行な再結晶集合組織を発達させた、耐屈曲性が向上した圧延銅箔」が記載されているところ、「耐屈曲性が向上した」は「優れた屈曲性」に相当し、また、「純銅を再結晶焼鈍すると立方体集合組織（（１００）面、＜００１＞方向、（１００）面と（２００）面は等価）が発達する。焼鈍前の圧延加工度が高いほど、立方体集合組織の発達が著しくなることは広く知られた現象である」（本件特許公報第２頁第４欄第４６〜５０行）ことを踏まえれば、本件発明１と刊行物１に記載されたものとは、「再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔」である点で一致し、次の点で相違する。すなわち、
（相違点１）再結晶集合組織に調質する条件に関し、前者は２００℃で３０分間加熱した状態を規定するのに対し、後者は２５０℃で１時間加熱する例が記載されている点、
（相違点２）集合組織に関し、前者は圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０であることを規定するのに対し、後者はかかる規定がない点、
（相違点３）再結晶集合組織に調質した状態における伸びに関し、前者は１５％以上の伸びを有するのに対し、後者はかかる規定がない点。
　そこで、これらの相違点について以下に検討する。
（相違点１について）
（ハ）上記（イ）で述べたとおり、本件明細書の段落【０００６】には「銅箔の屈曲性は、再結晶焼鈍を行うことにより、圧延上がりよりも著しく向上する。・・・この焼鈍は、１３０〜２５０℃で１５分〜２４時間、代表的に２００℃で３０分間加熟して行われ、銅箔は、再結晶組織に調質した状態となる。」（本件特許公報第２頁第３欄第２７〜３４行）と記載され、本件発明１に係る「２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において」とは、製品としての「調質前の圧延銅箔」を、想定される実際の使用時の代表的な熱処理条件で処理した場合の再結晶組織で規定するものであることは明らかであるから、所望の再結晶集合組織を形成するに十分な条件であればよく、圧延加工度、エネルギー効率なども考慮して当業者が適宜決定し得る事項であるといえる。
　
（相違点２及び３について）
（ニ）刊行物２には、タフピッチ銅の熱延板を素材とし、冷間圧延を施し、板の最終厚さが０．９ｍｍになるようにし、４５０℃×１時間の焼なましを行ったものを試料として、再結晶方位が焼なましの前の圧延率でどう変化するかを調べ、試料板面に存在する結晶方位の量を無方向性試料の倍数で表示した図６・４８が開示されている。これから、試料板面に存在する結晶方位の量を無方向性試料の倍数（Ｉ／Ｉ0）で示すと、（Ｉ／Ｉ0）の値は「焼なましの前の圧延率の増加に伴って漸増し、圧延率が７０％以上では４から急増し、圧延率９２％のときに２８であることが看取される（摘示事項２−１〜２−３）。
　同様に、刊行物３にも、冷間圧延をほどこして、板の最終厚さを０．９ｍｍにした銅板に４５０℃、１ｈｒの焼鈍を行ったものは、圧延率の上昇に伴って、板面に平行な（２００）が大きく増加することが記載され、Ｆｉｇ．８から、Ｘ線回折のピーク強度比は、圧延率が７０％以上では４から急増し、圧延率９２％のときに２８であることが看取される（摘示事項３−１〜３−２）。
　しかしながら、刊行物２及び３に記載の銅板は、いずれも、０．９ｍｍという厚さのものであるから、銅箔ではなく、Ｉ／Ｉ０＞２０の立方体集合組織が示されているものの、Ｉ／Ｉ０＞２０のとき屈曲性がどの程度となるのかについては何ら示唆されていない。
　また、刊行物４及び５には、圧延銅箔について、最終冷間圧延の加工度が大きければ大きいほど、焼鈍後の屈曲強度が向上し、最終冷間圧延の加工度を９０％以上とすれば、良好な耐屈曲性が得られることが示され、刊行物６及び９には、再結晶粒の平均粒径が２０μｍ以下になる条件で焼鈍し、その後、加工度９０％以上の冷間圧延を行い、圧延銅箔を得ることが示され、刊行物７には、加工度９６％で冷間圧延した０．５ｍｍの銅板（銅箔とはいえない）が立方体集合組織となることが示され、刊行物８には、銅の再結晶立方体集合組織を分散の少ない、鮮鋭なものとするための条件として、冷間圧延率をできるだけ高く、冷間圧延前の結晶粒の大きさをできるだけ小さくすることが示されているが、いずれの刊行物にも、圧延銅箔の立方体集合組織と屈曲性との関係については示されていない。
（ホ）他方、権利者である日立金属株式会社が平成１３年１１月９日付けで提出した意見書に添付された参考資料２（軽金属，第４９巻第１２号（１９９１），第５８９〜５９４頁）には、銅ではなくアルミニウムを試料としたものであるが、「立方体集合組織は、・・・再結晶集合組織の形成理論を検討する立場からも、多くの研究が行われてきた。しかし、１００μｍあるいはそれ以下の厚さの箔のように、核生成にせん断歪みの影響が大きく、再結晶粒径がたちまちその厚さを越えてしまうような場合における立方体集合組織の発達機構については、いまだ十分研究されてはいない。」旨記載され（第５８９頁左欄第１〜８行）、「箔厚が１００μｍあるいはそれ以下になると純度９９．９９％のアルミニウムであっても、強冷延および高温焼きなましの組み合わせだけでは、立方体方位の体積分率を８０％以上に高くすることが難しい」（同第１１〜１４行）との認識の下で、純度９９．９９％および９９．９８％のアルミニウムを用い、種々の工程で１１０μｍおよひ７０μｍまで加工したときの立方体方位の形成挙動を比較検討した結果が報告されているところ、立方体集合組織の発達度は材料の厚みの影響を強く受け、材料が薄い箔になると、板の場合と異なり、立方体集合組織の発達は阻害されることがある点が示されている。すなわち、Ｔａｂｌｅ１（第５９０頁右欄）から、６〜８ｍｍ厚さの熱延銅板を、本件発明１の銅箔と同様に冷間圧延と焼鈍とを繰り返したもの（Ｐ１）について、１１０μｍ材は加工度が小さいにもかかわらず、７０μｍ材よりも立方体方位の体積分率が小さくないことが看取される。また、厚い板であれば鮮鋭な立方体集合組織が発達するであろう３Ｎ材においては、強冷延と高温焼なましの工程だけでは、１１０μｍ材、７０μｍ材とも立方体方位の体積分率が１０％以下と低く、４Ｎ材においても、箔の厚さが１１０μｍから７０μｍになると、この値が７６％から３３％まで低下するとの知見が記載されている（第５９２頁左欄第１２〜１６行）。
（ヘ）翻って、本件発明１は、前述のとおり「純銅を再結晶焼鈍すると立方体集合組織（（１００）面、＜００１＞方向、（１００）面と（２００）面は等価）が発達する。焼鈍前の圧延加工度が高いほど、立方体集合組織の発達が著しくなることは広く知られた現象である」（本件特許公報第２頁第４欄第４６〜５０行）ことを認識した上で、「最終圧延加工度を９０〜９７％とした銅箔を製造し、その屈曲性を評価したが、必ずしも満足できる屈曲性が安定して得られなかった」（本件公報第２頁第３欄第４６〜４９行、第４頁第１表の比較例２，５，６）ためになされた研究の成果であって、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０なる指標を満たす圧延銅箔として定量的に立方体集合組織と屈曲性の関係を特定したものである。
（ト）そして、この指標自体は、前述のとおり、銅板に形成される圧延集合組織の形成度合いを標記するものとして知られたものであるが、銅箔においてその値が２０より大きいことを規定することが、屈曲疲労寿命で３万回以上の優れた屈曲性を示すという格別の意義を有することになる点は刊行物２ないし９には記載されておらず示唆されるところもない新たな知見である。
（チ）しかも、「本発明の目的は、従来の圧延銅箔の屈曲性を、伸び等のその他の特性を低下させることなく、改善することである」旨が明記されており（本件公報第２頁第３欄第３９〜４１行）、伸び特性に関しては、Ｉ／Ｉ０＞２０を満足してもなお伸びの値が小さいものが排除されるよう、１５％以上の十分な伸び値をも有するものに限定されていることから、各刊行物からは予測できない効果を奏するものに限定されているといえる。
　以上のとおり、従来の圧延銅箔の屈曲性を、伸び等のその他の特性を低下させることなく、改善するために、「２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、１５％以上の伸びを有し且つ圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ0)に対し、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔」なる構成を採用することは、刊行物２〜９には記載ないし示唆されていないから、上記相違点２及び３に示した本件発明１の構成を当業者が容易に想到し得たとはいえない。
　したがって、本件発明１は、上記刊行物１ないし９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
　次に、本件発明２を刊行物６に記載されたものと対比する。
　本件発明２に関し、前記２．のとおりの訂正が認められるところ、刊行物６には比較例６として「実施例８と同様にして得た厚さ０．４ｍｍの銅板（すなわち溶解・鋳造して、・・・無酸素銅鋳塊を熱間圧延及び粗圧延により・・・銅板とし、中間焼鈍と冷間圧延を繰り返し行って徐々に薄くして厚さ０．４ｍｍとした銅板）を、連続焼鈍法において窒素雰囲気下で、物温３００℃の最終の中間焼鈍を行った。最終の中間焼鈍後の平均結晶粒径を前記伸銅品結晶粒度試験方法により測定したところ２０μｍであった。続いて、この銅板に対して１パスあたり５〜５０％の範囲内で繰り返し冷間圧延を行い合計の冷間加工度が９７．８％となり、厚さが９μm の銅箔を得た。」という製造過程に関する記載がある（摘示６−５及び６−６）ことから、本件発明２と刊行物６に記載されたものとは、「無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で一定の厚さに仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が２０μｍになる条件下で行い、次に最終冷間圧延する」圧延銅箔の製造方法である点で一致し、圧延銅箔の厚さ、最終冷間圧延での圧延加工度も重複するが、次の点で相違する。すなわち、
（相違点４）前者は、「２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ0)に対し、Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する」圧延銅箔であるのに対し、後者はかかる規定がない点。
　そこで、この相違点について検討するに、「指標Ｉ／Ｉ0 ＞２０である立方体集合組織を有すること」については、刊行物１に記載がなく、圧延銅箔の立方体集合組織の形成と屈曲性向上の定量的な関係に関しては、前記（ニ）、（ホ）、（ヘ）、（ト）と同様の理由が成り立つから、前記相違点４に示した本件発明２の構成を刊行物１〜５、７〜９の記載から当業者が容易に想到し得たとはいえない。
　したがって、本件発明２は前記刊物１ないし９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２７日（２００２．２．２７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件訂正請求は、次のＡ及びＢの訂正事項をその内容とする。
Ａ．訂正事項【特許請求の範囲】の記載について
（訂正事項ａ−１）
　限定的減縮を目的として、
「【請求項１】　２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔。」とあるのを
「【請求項１】　２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、１５％以上の伸びを有し且つ圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔。」と訂正する。
（訂正事項ａ−２）
　請求項１が限定的減縮を目的として訂正されることに伴って、請求項１を引用する形式の請求項２を、訂正前の請求項１の記載を具体的に書き込んだ形式として独立した形式に書き替え明りょうでない記載を釈明することを目的として、
「【請求項２】　タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする請求項１の圧延銅箔の製造方法。」とあるのを
「【請求項２】　タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする、２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔の製造方法。」と訂正する。
Ｂ．訂正事項【発明の詳細な説明】の記載について
　上記訂正事項Ａ．の訂正と整合するように発明の詳細な説明の記載を訂正すべく、明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【００１１】（本件特許公報第２頁第４欄第１６〜２９行）の記載について、
「【００１１】この知見に基づいて、本発明は、（１）２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔、及び（２）タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする（１）の圧延銅箔の製造方法を提供する。」とあるのを、
「【００１１】この知見に基づいて、本発明は、（１）２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、１５％以上の伸びを有し且つ圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔、及び（２）タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする、２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する圧延銅箔の製造方法。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
圧延銅箔およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、
１５％以上の伸びを有し且つ
　【請求項２】　タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする
、２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）等の可撓性配線部材の用途として好適な優れた屈曲性を有する圧延銅箔及びその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　有機物を基材としたプリント配線基板は、ガラスエポキシおよび紙フェノール基板を構成材料とする硬質銅張積層板（リジット）と、ポリイミドおよびポリエステル基板を構成材料とする可撓性銅張積層板（フレキシブル）とに大別され、プリント配線基板の導電材としては主として銅箔が使用されている。銅箔はその製造方法の違いにより電解銅箔と圧延銅箔に分類される。
　【０００３】
　上記プリント配線基板のうち、フレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）は、樹脂基板に銅箔をラミネートし、接着剤あるいは加熱加圧により一体化して形成される。近年では、高密度実装の有効な手段として、ビルドアップ基板と呼ばれる多層配線基板が多く用いられている。このＦＰＣの構成部材となる銅箔には、主に圧延銅箔が用いられている。
　【０００４】
　ＦＰＣは、プリンターのヘッド部やハードディスク内の駆動部等の可動部分への配線が必要とされる場所に広く使用され、１万回以上の屈曲が繰り返される。このため、その素材となる圧延銅箔には高い屈曲性が要求され、近年の装置の小型化や高水準化に伴い、この屈曲性への要求はより高度化している。
　【０００５】
　ＦＰＣに使用される銅箔の素材には、タフピッチ銅または無酸素銅が用いられ、これらのインゴットを熱間圧延した後、所定の厚さまで冷間圧延と焼鈍とを繰り返して製造する。その後、樹脂基板との接着性を向上させるため、圧延銅箔には表面に粗化めっきが施される。粗化めっき後の銅箔は、裁断された後、樹脂基板と貼り合わせる。銅箔と樹脂との貼り合わせには、例えばエポキシ等の熱硬化性樹脂からなる接着剤が用いられ、そして貼り合わせ後、１３０〜１７０℃の温度で１〜２４時間加熱して硬化させる。つぎに、銅箔をエッチングして種々の配線パターンを形成する。その後、装置との接点部において、ＦＰＣに組み込まれた銅箔に、折り曲げ加工等が行われる場合もある。
　【０００６】
　銅箔の屈曲性は、再結晶焼鈍を行うことにより、圧延上がりよりも著しく向上する。そこで銅箔は焼鈍状態でＦＰＣの構成部材として使用されるが、この焼鈍は粗化めっきして裁断した後に加熱処理を行うか、樹脂基板と接着する際の加熱と兼ねて行われている。
　この焼鈍は、１３０〜２５０℃で１５分〜２４時間、代表的に２００℃で３０分間加熱して行われ、銅箔は、再結晶組織に調質した状態となる。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　上述した通り、ＦＰＣ素材となる圧延銅箔には高い屈曲性が要求され、近年の装置の小型化や高水準化に伴い、この屈曲性への要求はより高度化している。
　本発明の目的は、従来の圧延銅箔の屈曲性を、伸び等のその他の特性を低下させることなく、改善することである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　圧延銅箔の屈曲性を改善する方策として、最終圧延加工度を大きくする製造工程が提案されている（特開平４−２２８５５３）。
　本発明者らは、この発明の効果を検証する目的で、最終圧延加工度を９０〜９７％とした銅箔を製造し、その屈曲性を評価したが、必ずしも満足できる屈曲性が安定して得られなかった。
　【０００９】
　そこで、本発明者らは、優れた屈曲性を有する圧延銅箔を安定して得るための方法について鋭意研究を行い、その結果、最終冷間圧延加工度だけではなく、最終冷間圧延前の焼鈍条件を調整する、すなわちこの焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行ない、その後９０％以上の圧延加工度最終冷間圧延を行うことが重要であるとの知見を得た。
　【００１０】
　こうして製造された銅箔は、安定して優れた屈曲性を示し、２００℃で３０分間加熱してＦＰＣとして使用されるときの再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の積分強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の積分強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有するものとして定義しうることが判明した。本圧延銅箔は、後述する屈曲性試験に於て屈曲疲労寿命が３万回以上の、優れた屈曲性を有している。
　【００１１】
　この知見に基づいて、本発明は、
（１）２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、
１５％以上の伸びを有し且つ
（２）タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げる圧延銅箔の製造方法において、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とすることを特徴とする
、２００℃で３０分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０である立方体集合組織を有することを特徴とする優れた屈曲性を有する
を提供する。
　【００１２】
　【発明の実施の形態】
　本発明が対象とする圧延銅箔は、主として、タフピッチ銅または無酸素銅である。圧延銅箔は、基本的に、タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延で厚さを５０μｍ以下に仕上げることにより製造される。本発明に従えば、最終冷間圧延の直前の焼鈍を、この焼鈍で得られる再結晶粒の平均粒径が５〜２０μｍになる条件下で行い、次の最終冷間圧延での圧延加工度を９０％以上とされる。
　例えば、焼鈍条件は、焼鈍を連続焼鈍炉で行う場合、５００〜８００℃の温度で、当該温度に依存して５〜６００秒加熱することにより実施され、焼鈍をバッチで行う場合は、１３０〜５００℃の温度で１〜２４時間加熱することにより実施される。
　【００１３】
　中間焼鈍条件が屈曲性に顕著な影響を及ぼす理由について以下に説明する。
　純銅を再結晶焼鈍すると立方体集合組織（（１００）面、＜００１＞方向、（１００）面と（２００）面は等価）が発達する。焼鈍前の圧延加工度が高いほど、立方体集合組織の発達が著しくなることは広く知られた現象であるが、本発明では、圧延前の結晶粒径も立方体集合組織の生成に顕著な影響を及ぼし、粒径が小さいほど立方体集合組織がより発達し、そして、この立方体集合組織が発達するほど、屈曲性が向上するとの新たに知見を基礎としている。この理由は、特開昭５５−５４５５４号において立方体集合組織の発達とともに銅の疲労特性が向上した理由としても述べられているように、変形方向のヤング率が小さくなることによる効果であると推測される。
　【００１４】
　以上のように、優れた屈曲性を安定して得るためには、圧延加工度を高くするだけでは不十分であり、その前の焼鈍条件を最適化する必要がある。具体的には、再結晶粒の平均が２０μｍ以下になる条件で焼鈍をした後、加工度９０％以上の最終冷間圧延で銅箔を製造すれば、高い屈曲性が安定して得られ、このときの立方体集合組織の強度は、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ）が、微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）に対し、Ｉ／Ｉ０＞２０で与えられる。
　微粉末銅のＸ線回折で求めた（２００）面の強度（Ｉ０）は、結晶が無秩序に配向した状態（（２００）面が発達していない状態）の基準値として選択した。
　【００１５】
　上記のように銅箔の再結晶集合組織およびこれを得るための製造方法を規定した理由を、以下に整理する。
　▲１▼２００℃で３０分間加熱した後の圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面の強度をＩ／Ｉ０＞２０で規定した理由は、立方体集合組織の発達度合い（Ｉ／Ｉ０）が、２０以上であれば満足できる屈曲性が得られるためである。
　▲２▼再結晶粒の平均粒径を５〜２０μｍと規定した理由は、粒径が２０μｍ以下になると、Ｉ／Ｉ０＞２０となって良好な屈曲性が得られるためである。一方、結晶粒径が５μｍ未満になると、伸びが低下し、これに伴って折り曲げ加工の際にクラックが発生する等の問題が生じる。したがって、結晶粒径は５μｍ以上に調整することが必要である。
　▲３▼加工度を９０％以上とした理由は、加工度が９０％に満たないと、その前の焼鈍条件を調整しても、Ｉ／Ｉ０＞２０が得られず、良好な屈曲性が得られないためである。
　【００１６】
　こうして得られた圧延銅箔は、後述する屈曲性試験に於て屈曲疲労寿命が３万回以上の、優れた屈曲性を有しており、特にＦＰＣに使用される銅箔として有用である。
　【００１７】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例及び比較例により詳しく説明する。
　厚さ２００ｍｍ、幅６００ｍｍのタフピッチ銅（酸素含有量：２５０ｐｐｍ）および無酸素銅（酸素含有量：２ｐｐｍ）インゴットを製造し、熱間圧延により１０ｍｍまで圧延した。つぎに、焼鈍と冷間圧延を繰り返し、圧延上がりの所定の厚さの板（厚さｔ　ｍｍ）を得た。この板を、表１に示すように、３００〜９００℃の種々の温度に保持した加熱炉中で所定の時間焼鈍し、酸化スケールを除去した後、０．０３５ｍｍまで冷間圧延した。ここで、最後の冷間圧延での加工度Ｒは、
　【数１】
　Ｒ＝（ｔ−０．０３５）／ｔ×１００（％）
で与えられる。また、最後の中間焼鈍では、焼鈍後の結晶粒径を圧延方向に直角な断面においてＪＩＳ・Ｇ・０５５１に従う切断法で測定した。
　【００１８】
　【表１】
　【００１９】
　このように種々の中間焼鈍条件および最終圧延加工度で製造した銅箔試料について以下の特性を評価した。
　【００２０】
（１）立方体集合組織
　試料を２００℃で３０分間加熱した後、圧延面のＸ線回折で求めた（２００）面強度の積分値（Ｉ）を求めた。この値をあらかじめ測定しておいた微粉末銅（３２５ｍｅｓｈ，水素気流中で３００℃で１時間加熱してから使用）の（２００）面強度の積分値（Ｉ０）で割り、Ｉ／Ｉ０値を計算した。
（２）屈曲性
　試料を２００℃で３０分間加熱して再結晶させた後、図１に示す屈曲試験装置により、屈曲疲労寿命の測定を行った。この装置は、発振駆動体４に振動伝達部材３を結合した構造になっており、被試験銅箔１は、矢印で示したねじ２の部分と３の先端部の計４点で装置に固定される。振動部３が上下に駆動すると、銅箔１の中間部は、所定の曲率半径ｒでヘアピン状に屈曲される。本試験では、以下の条件下で屈曲を繰り返した時の破断までの回数を求めた。
　なお、試験条件は次の通りである：試験片幅：１２．７ｍｍ、試験片長さ：２００ｍｍ、試験片採取方向：試験片の長さ方向が圧延方向と平行になるように採取、曲率半径ｒ：２．５ｍｍ、振動ストローク：２５ｍｍ、振動速度：１５００回／分。
　なお、屈曲疲労寿命が３万回以上の場合に、優れた屈曲性を有していると判断した。
（３）伸び
　試料を２００℃で３０分間加熱して再結晶させた後、引張方向が圧延方向と平行になるように引張試験を行なった。試料の形状は、幅１２．７ｍｍ、長さ１５０ｍｍとし、標点間距離を５０ｍｍとして伸びを測定した。
　【００２１】
　表１に評価した試料の加工履歴と特性を示す。本発明に関わる圧延銅箔は、Ｉ／Ｉ０が２０以上の値を示しており、３万回以上の優れた屈曲寿命を有している。また、１５％以上の十分な伸び値も有している。
　一方、比較例のＮｏ．１、３、４、７は、中間焼鈍で得られた結晶粒径が５μｍよりも小さいため、伸びが１０％以下の低い値になっている。次に、比較例のＮｏ．２は中間焼鈍で得られた結晶粒径が２０μｍよりも大きいため、また、比較例のＮｏ．５および６は最終圧延加工度が９０％より低いため、中間圧延後２００℃で３０分間加熱した後の（２００）集合組織の発達が不十分であり、屈曲寿命が２万回以下の低い値である。
　【００２２】
　表１のデータを用い、最終圧延加工度および最終圧延前の焼鈍による結晶粒径とＩ／Ｉ０との関係を求めた結果を図２に示す。加工度が大きくなり、結晶粒径が小さくなることにより、明らかに、再結晶集合組織が発達している。また、図３に、Ｉ／Ｉ０と疲労寿命（屈曲回数）との関係を示す。最終圧延前の焼鈍条件および圧延加工度が異なるデータが一つ関係で整理でき、再結晶集合組織の発達に伴い、屈曲性が向上することがわかる。
　【００２３】
　なお、素材がタフピッチ銅の場合と無酸素銅の場合とを比較すると、無酸素銅の方が若干高い屈曲寿命を示しているが、これはタフピッチ銅中にはかなりの量のＣｕ２Ｏ介在物が存在し、この介在物がクラックの発生と伝播を促進するのに対し、無酸素銅はＣｕ２Ｏ介在物をほとんど含有しないためである。
　【００２４】
　【発明の効果】
　本発明は、優れた屈曲性を有し、フレキシブルプリント回路基板等の可撓性配線部材として最適な圧延銅箔およびその有効な製造方法を提供するものである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　屈曲疲労寿命の測定を行うために使用した屈曲試験装置の説明図である。
　【図２】
　圧延加工度および最終圧延前の結晶粒径とＩ／Ｉ０との関係を示すグラフである。
　【図３】
　Ｉ／Ｉ０と疲労寿命（屈曲回数）との関係を示すグラフである。
　【符号の説明】
　１　銅箔
　２　ねじ
　３　振動伝達部材
　４　発振駆動体