(57)【要約】【課題】ＡＳＥの発振を抑制することのできる光ファイバ増幅器を提供する。【解決手段】希土類元素が添加された第２増幅用ファイバ３０と、第２増幅用ファイバ３０に励起光を供給する第２励起光源２６と、第２増幅用ファイバ３０から発生する信号波長帯とは異なる波長帯のＡＳＥが発振するときの励起光のパワーである発振閾値励起パワーと、第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を記憶する記憶部４０と、記憶部４０に記憶された該関係を参照して、発振閾値励起パワーが第２励起光源２６の出力する励起光のパワーより大きくなるように、第２増幅用ファイバ３０の温度を制御する温度制御部３８とを備える。【選択図】図１
2010079773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希土類元素が添加された増幅用光ファイバと、
前記増幅用光ファイバに励起光を供給する励起光源と、
前記増幅用光ファイバから発生する信号波長帯とは異なる波長帯のＡＳＥが発振するときの励起光のパワーである発振閾値励起パワーと、前記増幅用光ファイバの温度との関係を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された前記関係を参照して、前記発振閾値励起パワーが前記励起光源の出力する励起光のパワーより大きくなるように、前記増幅用光ファイバの温度を制御する温度制御手段と、
を備えることを特徴とする光ファイバ増幅器。
【請求項２】
希土類元素が添加された増幅用光ファイバと、
前記増幅用光ファイバに励起光を供給する励起光源と、
前記増幅用光ファイバから発生する信号波長帯とは異なる波長帯のＡＳＥのパワーを検出する検出手段と、
前記ＡＳＥが発振するときのＡＳＥのパワーである発振閾値ＡＳＥパワーと、前記検出手段によって検出されたＡＳＥのパワーと前記増幅用光ファイバの温度との関係とを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された発振閾値ＡＳＥパワーと前記関係とを参照して、前記検出手段によって検出されたＡＳＥのパワーが前記発振閾値ＡＳＥパワー以下となるように、前記増幅用光ファイバの温度を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする光ファイバ増幅器。
【請求項３】
前記増幅用光ファイバは、Ｅｒ、Ｎｄ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、ＹｂおよびＥｕからなる群から選ばれるいずれか２つが共添加されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバ増幅器。
【請求項４】
前記増幅用光ファイバは、ダブルクラッド光ファイバであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光ファイバ増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、希土類元素が添加された増幅用光ファイバを用いた光ファイバ増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｅｒ（エルビウム）などの希土類元素が添加された増幅用光ファイバを用いた光ファイバ増幅器は、高い利得が期待できる一方で、ＡＳＥ（Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ  Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ：増幅された自然放出光）の発生量も多くなり、光の反射や散乱（レイリー散乱）によりＡＳＥが発振してしまうことがある。このときの発振は不安定であり、発振が生じてしまうと瞬間的な強い光により、励起光源や光学部品が破壊される可能性がある。また、発振を避けるには、励起光のパワーを発振時より小さくしなければならないため、出力信号光のパワーが制限されてしまい、所望の出力パワーを満たせないことも懸念される。そのため、発振を抑制した光ファイバ増幅器が求められている。【０００３】
従来の発振の抑制を考慮した光増幅器は、アイソレータを用いたものが一般的であり、たとえば特許文献１では、広い温度範囲に渡って反射による発振を防止し、また、フィルタを用いて励起光源での端面反射による発振を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１６７１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年では、増幅用光ファイバとして、ＥｒとともにＹｂ（イッテルビウム）を共添加したＥｒ，Ｙｂ共添加ファイバ（ＥＹＤＦ）が検討されている。ＥＹＤＦは、Ｙｂの励起準位からのエネルギー伝達現象を利用してＥｒの準位間で反転分布を形成し、そこからの誘導放出により信号光を増幅するものである。【０００６】
このようなＥＹＤＦを用いた光ファイバ増幅器では、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥが発生する。この１０６０ｎｍ帯のＡＳＥの発振を抑制するためには、励起光のパワーを小さく設定しなければならず、所望の出力パワーを得られない可能性がある。【０００７】
また、１０６０ｎｍ帯のＡＳＥの発振を抑制するために、１０６０ｎｍ帯のアイソレータを用いて光増幅器を構成する方法も考えられる。この場合、１０６０ｎｍ帯のアイソレータとして、ダブルクラッドファイバに対応し、耐パワー性が十分であり、且つ励起波長（たとえば９１５ｎｍ）を十分透過するものが求められるが、このような１０６０ｎｍ帯のアイソレータを作製することは現状では非常に困難であり、たとえ実現できたとしても非常に高コストになってしまう。従って、１０６０ｎｍ帯のアイソレータを用いて光増幅器を構成する方法は実用的ではない。【０００８】
本発明はこうした状況に鑑みてなされたものであり、その目的は、好適にＡＳＥの発振を抑制することのできる光ファイバ増幅器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のある態様の光ファイバ増幅器は、希土類元素が添加された増幅用光ファイバと、前記増幅用光ファイバに励起光を供給する励起光源と、前記増幅用光ファイバから発生する信号波長帯とは異なる波長帯のＡＳＥが発振するときの励起光のパワーである発振閾値励起パワーと、前記増幅用光ファイバの温度との関係を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記関係を参照して、前記発振閾値励起パワーが前記励起光源の出力する励起光のパワーより大きくなるように、前記増幅用光ファイバの温度を制御する温度制御手段とを備える。【００１０】
この態様によると、発振閾値励起パワーが励起光源の出力する励起光のパワーより大きくなるように、増幅用光ファイバの温度を制御することにより、信号波長帯とは異なる波長帯のＡＳＥの発振を抑制できる。これにより、励起光のパワーを高く設定することができるので、出力信号光のパワーを高めることが可能となる。【００１１】
本発明の別の態様もまた、光ファイバ増幅器である。この光ファイバ増幅器は、希土類元素が添加された増幅用光ファイバと、前記増幅用光ファイバに励起光を供給する励起光源と、前記増幅用光ファイバから発生する信号波長帯とは異なる波長帯のＡＳＥのパワーを検出する検出手段と、前記ＡＳＥが発振するときのＡＳＥのパワーである発振閾値ＡＳＥパワーと、前記検出手段によって検出されたＡＳＥのパワーと前記増幅用光ファイバの温度との関係とを記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された発振閾値ＡＳＥパワーと前記関係とを参照して、前記検出手段によって検出されたＡＳＥのパワーが前記発振閾値ＡＳＥパワー以下となるように、前記増幅用光ファイバの温度を制御する制御手段とを備える。【００１２】
この態様によると、検出手段によって検出されたＡＳＥのパワーが発振閾値ＡＳＥパワー以下となるように、増幅用光ファイバの温度を制御することにより、信号波長帯とは異なる波長帯のＡＳＥの発振を抑制できる。これにより、励起光のパワーを高く設定することができるので、出力信号光のパワーを高めることが可能となる。【００１３】
前記増幅用光ファイバは、Ｅｒ、Ｎｄ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｐｒ、ＹｂおよびＥｕからなる群から選ばれるいずれか２つが共添加されたものであってもよい。増幅用光ファイバは、ダブルクラッド光ファイバであってもよい。本発明は、このような増幅用光ファイバを用いた光ファイバ増幅器に特に有効である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、好適にＡＳＥの発振を抑制することのできる光ファイバ増幅器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光ファイバ増幅器を示す図である。
【図２】１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥのスペクトルを示す図である。
【図３】発振閾値励起パワーと第２増幅用ファイバの温度との関係を示す図である。
【図４】第２励起光のパワーが発振閾値励起パワーのときの光ファイバ増幅器の出力信号光のパワーと、第２増幅用ファイバの温度との関係を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る光ファイバ増幅器を示す図である。
【図６】発振閾値励起パワーとＡＳＥのパワーとの関係を示す図である。
【図７】ＡＳＥモニタ部によって検出されたＡＳＥのパワーと第２増幅用ファイバの温度との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光ファイバ増幅器１０を示す図である。図１に示すように、光ファイバ増幅器１０は、第１増幅部１２と、第２増幅部１４とを備える。
【００１７】
第１増幅部１２は、Ｅｒ（エルビウム）が添加されたシングルクラッドの第１増幅用ファイバ２２と、第１増幅用ファイバ２２に第１励起光を供給する第１励起光源１８と、入力信号光と第１励起光とを合波するための合波器２０と、反射によってレーザ発振するのを防止するための第１アイソレータ１６および第２アイソレータ２４とを備える。本実施の形態では、入力信号光の波長は１５５０ｎｍ、第１励起光源１８から出力される第１励起光の波長は９８０ｎｍである。また、第１アイソレータ１６および第２アイソレータ２４は、１５５０ｎｍ帯の光に対して最適なアイソレーションが達成されるように構成されたアイソレータである。ここで、アイソレーションとは、所定の波長の光に対して入射側から出射側へは透過させ、逆に出射側から入射側へは透過させないことをいう。第１アイソレータ１６、第２アイソレータ２４は、たとえば偏光面を４５度回転するファラデー回転子を透過軸が互いに４５度ずれた２つの偏光子で挟んだ光学系である。
【００１８】
第１増幅部１２において、入力信号光は、第１アイソレータ１６を介して合波器２０に入力される。信号光は、合波器２０により第１励起光と合波され、第１増幅用ファイバ２２に入力される。第１増幅用ファイバ２２は、第１励起光により励起され、誘導放出により信号光を増幅する。第１増幅部１２においては、第１増幅用ファイバ２２内において１５５０ｎｍの波長帯のＡＳＥが発生するが、第１アイソレータ１６、第２アイソレータ２４により、該ＡＳＥの発振が抑制される。
【００１９】
第２増幅部１４は、第２増幅用ファイバ３０と、第２励起光源２６と、ポンプコンバイナ２８と、第３アイソレータ３２と、発振抑制部４２とを備える。
【００２０】
第２増幅用ファイバ３０は、Ｅｒ（エルビウム）とＹｂ（イッテルビウム）が共添加されたダブルクラッドファイバである。第２増幅用ファイバ３０は、信号光が伝搬するコアと、該コアの周囲を覆い、励起光をマルチモード伝搬する第１クラッドと、該第１クラッドの周囲を覆う第２クラッドとを有する。
【００２１】
第２励起光源２６は、６つのマルチモード励起光源素子２５から構成されており、各励起光源素子２５から出力されたマルチモード光は、ポンプコンバイナ２８により結合され、高出力の第２励起光とされる。本実施の形態において、第２励起光源２６の出力する第２励起光の波長は９１５ｎｍである。また、第３アイソレータ３２は、１５５０ｎｍ帯の光に対して最適なアイソレーションが達成されるように構成されたアイソレータである。
【００２２】
第２増幅部１４において、第１増幅部１２の第２アイソレータ２４から出力された信号光は、ポンプコンバイナ２８によって第２励起光と結合され、第２増幅用ファイバ３０に入力される。第２増幅用ファイバ３０の第１クラッドに入射した第２励起光は、第１クラッド中をマルチモード伝搬し、その過程でコアを通過するモードがコアにドープされた希土類元素を励起させる。そして、コアを伝搬する信号光が誘導放出により増幅される。第２増幅用ファイバ３０で増幅された信号光は、第３アイソレータ３２を通り、出力信号光として光ファイバ増幅器１０から出射される。第２増幅部１４では、マルチモードの光源を励起光源として利用できるため、高出力の光増幅器を構成できる。
【００２３】
ここで、第２増幅部１４においては、第２増幅用ファイバ３０としてＥｒ、Ｙｂが共添加されたダブルクラッドファイバを用いているため、信号波長帯である１５５０ｎｍの波長帯と、信号波長帯とは異なる波長帯である１０６０ｎｍの波長帯とにＡＳＥが発生する。１５５０ｎｍの波長帯のＡＳＥについては、第２アイソレータ２４と第３アイソレータ３２により発振を抑制できる。しかしながら、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥについては、１５５０ｎｍ帯のアイソレータである第２アイソレータ２４と第３アイソレータ３２では発振を抑制できず、ＡＳＥの利得が最大になる波長付近で発振してしまい、各励起光源素子２５に瞬間的な強い光が入射され、各励起光源素子２５を破壊してしまうおそれがある。そのため、第２励起光源２６の出力する第２励起光のパワーを発振時の値より小さい値に設定せざるを得なく、所望の信号出力を満たせない可能性がある。
【００２４】
また、ポンプコンバイナ２８と第２増幅用ファイバ３０との間、または励起光源素子２５とポンプコンバイナ２８との間に、１０６０ｎｍ帯のアイソレータを挿入すれば励起光源素子２５を保護することも可能であるが、上述したように１０６０ｎｍ帯のアイソレータを作製することは現状では非常に困難であり、たとえ実現できたとしても非常に高コストになってしまうため、１０６０ｎｍ帯のアイソレータを用いることは実用的ではない。
【００２５】
そこで、本発明者は、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥの発振を抑制するために鋭意研究を重ねた結果、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥに温度依存性があることを見出した。図２は、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥのスペクトルを示す。図２には、第２増幅用ファイバ３０の温度が１００℃、１１５℃、１４０℃のときのスペクトルが示されている。図２から、第２増幅用ファイバ３０の温度を高くすると、ＡＳＥのパワーが低下することが分かる。本発明者は、図２に示すように１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥにおける温度依存性をＡＳＥの発振の抑制に利用できること見出し、本発明を想到するに至った。
【００２６】
以下、本実施の形態におけるＡＳＥを抑制するための構成について説明する。本実施の形態においては、発振抑制部４２を設け、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥの発振を好適に抑制する。発振抑制部４２は、温度検出部３４と、温度変化部３６と、温度制御部３８と、記憶部４０とを備える。なお、図１に示す温度制御部３８、記憶部４０などの機能ブロックは、ハードウェア的には、コンピュータのＣＰＵやメモリをはじめとする素子や機械装置で実現でき、ソフトウェア的にはコンピュータプログラム等によって実現されるが、ここでは、それらの連携によって実現される機能ブロックとして描いている。したがって、これらの機能ブロックはハードウェア、ソフトウェアの組合せによっていろいろな形で実現できることは、当業者には理解されるところである。
【００２７】
温度検出部３４は、第２増幅用ファイバ３０の温度を直接または間接的に検出する。温度検出部３４は、第２増幅用ファイバ３０に直接接触して温度を検出するサーミスタや熱電対などであってよい。あるいは、第２増幅用ファイバ３０に直接接触しなくても、第２増幅用ファイバ３０の周囲の部品または第２増幅用ファイバ３０が収容されている筐体内の環境温度から第２増幅用ファイバ３０の温度を推定してもよい。温度検出部３４により検出された第２増幅用ファイバ３０の温度情報は、温度制御部３８に送られる。
【００２８】
温度変化部３６は、温度制御部３８からの制御信号に基づいて、第２増幅用ファイバ３０を加熱することにより、第２増幅用ファイバ３０の温度を変化させる。温度変化部３６としては、たとえば、コイル状に巻かれた第２増幅用ファイバ３０をポリイミドヒータにより挟むことにより構成することができる。
【００２９】
記憶部４０には、第２増幅用ファイバ３０から発生する１０６０ｎｍのＡＳＥが発振するときの励起光のパワー（以下、発振閾値励起パワーと称する）と、第２増幅用ファイバ３０の温度との関係が予め記憶させてある。図３は、発振閾値励起パワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を示す図である。図３において、横軸は第２増幅用ファイバ３０の温度であり、縦軸は発振閾値励起パワーである。図３に示すように、第２増幅用ファイバ３０の温度が高くなるにつれ、発振閾値励起パワーも高くなる。すなわち、第２増幅用ファイバ３０の温度を変化させることにより、発振閾値励起パワーを変化させることができる。所望の励起光のパワーに応じて第２増幅用ファイバ３０の温度を制御することで、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥの発振を抑制できる。
【００３０】
この発振閾値励起パワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係は、光ファイバ増幅器１０ごとに予め測定しておくことが望ましい。この場合、正確に発振閾値励起パワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を設定することができる。また、この関係は、第２増幅用ファイバ３０のファイバ長に依存するため、たとえば基準となる複数の長さのファイバの測定データに基づいて、実際に用いる長さのファイバの前記関係を算出し、予め記憶部４０に記憶させることもできる。この場合は、測定工程を削減できるので、製造コストを低減することができる。
【００３１】
温度制御部３８は、温度検出部３４からの温度情報を取得し、記憶部４０に記憶された発振閾値励起パワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を参照して、発振閾値励起パワーが第２励起光源２６の出力する第２励起光のパワーより高くなるように、第２増幅用ファイバ３０の温度を制御する。たとえば、設定したい第２励起光のパワーが１０Ｗのときに第２増幅用ファイバ３０の温度が１００℃である場合には、温度制御部３８は、図３に示した発振閾値励起パワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を参照して、第２増幅用ファイバ３０温度が約１０８℃より大きくなるように制御する。これにより、発振閾値励起パワーが所望の第２励起光のパワーである１０Ｗよりも大きくなるので、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥの発振を抑制することができる。
【００３２】
図４は、第２励起光のパワーが発振閾値励起パワーのときの光ファイバ増幅器１０の出力信号光のパワーと、第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を示す。第２増幅用ファイバ３０の温度を高めるほど発振閾値励起パワーが上昇するため、第２励起光のパワーを高く設定することができ、より高い出力信号光パワーを得ることができる。
【００３３】
本実施の形態では、第２増幅用ファイバ３０の温度を高めるほど発振閾値励起パワーを高くすることができるが、発振閾値励起パワーが所望の第２励起光のパワーよりも大きい場合に、それ以上第２増幅用ファイバ３０の温度を高くすることは、温度変化部３６のヒータのエネルギーの無駄が大きくなる。従って、発振閾値励起パワーが所望の第２励起光のパワーよりもある程度大きくなった場合には、それ以上第２増幅用ファイバ３０の温度は上昇させないことが好ましい。この場合、発振閾値励起パワーと温度上昇を停止する第２励起光のパワーとのマージンについては、温度変化部３６の応答速度、第２増幅用ファイバ３０の放熱速度などを考慮して適宜設定すればよい。
【００３４】
以上説明したように、第１の実施の形態に係る光ファイバ増幅器１０によれば、第２増幅用ファイバ３０の温度を制御することにより、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥの発振を抑制することができる。なお、信号光の波長帯である１５５０ｎｍの波長帯のＡＳＥは、第１アイソレータ１６、第２アイソレータ２４および第３アイソレータ３２により抑制される。これにより、第２励起光源２６の出力する第２励起光のパワーを高く設定することができるので、出力信号光のパワーを高めることが可能となる。
【００３５】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る光ファイバ増幅器１００を示す図である。なお、図５に示す光ファイバ増幅器１００においては、図１に示す光ファイバ増幅器１０と同一または対応する構成要素については同一の符号を付すとともに、詳細な説明を適宜省略する。
【００３６】
第２の実施の形態に係る光ファイバ増幅器１００は、第２増幅部１４における発振抑制部４２の構成が第１の実施の形態に係る光ファイバ増幅器１０と異なる。本実施の形態における発振抑制部４２は、温度変化部３６と、温度制御部３８と、記憶部４０と、分波器４４と、ＡＳＥモニタ部４６とを備える。
【００３７】
本実施の形態に係る光ファイバ増幅器１００は、上述したように１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥが温度依存性を有することに着目して、出力信号光から１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥのパワーを検出し、検出したＡＳＥのパワーが発振時のＡＳＥのパワー（以下、発振閾値ＡＳＥパワーと称する）以下となるように第２増幅用ファイバ３０の温度を制御するものである。
【００３８】
分波器４４は、第２増幅用ファイバ３０の出力端側に設けられており、出力信号光から１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥを分波する。本実施の形態では、分波器４４は第３アイソレータ３２の後段に設けられているが、第３アイソレータ３２の前段に設けられてもよい。ＡＳＥモニタ部４６は、分波器４４により分波した１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥを受光し、該ＡＳＥのパワーを検出する。
【００３９】
本実施の形態の記憶部４０は、この第２増幅用ファイバ３０の発振閾値ＡＳＥパワーと、ＡＳＥモニタ部４６によって検出されたＡＳＥのパワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係とを記憶している。
【００４０】
図６は、発振閾値励起パワーとＡＳＥのパワーとの関係を示す図である。図６の縦軸は、ＡＳＥモニタ部４６によって検出されたパワーを表し、横軸は、発振閾値励起パワーを表す。図６では、１００℃、１１５℃、１４０℃の３種類の温度における該関係を図示している。図６に示すように、第２増幅用ファイバ３０の温度が高くなるにつれ、発振閾値励起パワーも高くなるが、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥのパワーは略一定（略０ｄＢｍ）である。記憶部４０は、この略一定であるＡＳＥのパワーを、発振閾値ＡＳＥパワーとして記憶する。
【００４１】
図７は、ＡＳＥモニタ部４６によって検出されたＡＳＥのパワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を示す。図７の縦軸は、ＡＳＥモニタ部４６によって検出されたＡＳＥのパワーを表し、横軸は、第２増幅用ファイバ３０の温度を表す。図７では、出力信号光のパワーが３３ｄＢｍのときのＡＳＥのパワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を示している。記憶部４０は、出力信号光のパワーごとに、図７に示すようなＡＳＥのパワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係を記憶している。
【００４２】
温度制御部３８は、ＡＳＥモニタ部４６からＡＳＥのパワーの情報を取得し、記憶部４０に記憶された発振閾値ＡＳＥパワー（本実施の形態では０ｄＢｍ）と、ＡＳＥのパワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係とを参照して、ＡＳＥモニタ部４６によって検出されたＡＳＥのパワーが発振閾値ＡＳＥパワー以下となるように、第２増幅用ファイバ３０の温度を制御する。たとえば、出力信号光のパワーが３３ｄＢｍの場合には、図７に示された関係を参照して、第２増幅用ファイバ３０の温度が約１１２℃以上となるように温度変化部３６を制御する。これにより、ＡＳＥのパワーが発振閾値ＡＳＥパワーである０ｄＢｍ以下となるので、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥの発振を抑制できる。
【００４３】
発振閾値ＡＳＥパワーおよびＡＳＥモニタ部４６によって検出されたＡＳＥのパワーと第２増幅用ファイバ３０の温度との関係は、光ファイバ増幅器１００ごとに予め測定しておくことが望ましい。この場合、正確に発振閾値ＡＳＥパワーおよび該関係を設定することができる。また、発振閾値ＡＳＥパワーおよび該関係は、第２増幅用ファイバ３０のファイバ長に依存するため、推定することも可能である。この場合は、測定工程を削減できるので、製造コストを低減することができる。
【００４４】
本実施の形態では、第２増幅用ファイバ３０の温度を高めるほど１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥのパワーを低下することができるが、ＡＳＥのパワーが発振閾値ＡＳＥパワー以下である場合に、それ以上第２増幅用ファイバ３０の温度を高くすることは、温度変化部３６のヒータのエネルギーの無駄が大きくなる。従って、ＡＳＥのパワーが発振閾値ＡＳＥパワーよりもある程度小さくなった場合には、それ以上第２増幅用ファイバ３０の温度は上昇させないことが好ましい。この場合、発振閾値ＡＳＥパワーと温度上昇を停止するＡＳＥのパワーとのマージンについては、温度変化部３６の応答速度、第２増幅用ファイバ３０の放熱速度などを考慮して適宜設定すればよい。
【００４５】
以上説明したように、第２の実施の形態に係る光ファイバ増幅器１００によれば、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥのパワーを検出し、検出したＡＳＥのパワーが発振閾値ＡＳＥパワー以下となるように第２増幅用ファイバ３０の温度を制御することにより、１０６０ｎｍの波長帯のＡＳＥの発振を抑制することができる。これにより、第２励起光源２６の出力する第２励起光のパワーを高く設定することができるので、出力信号光のパワーを高めることが可能となる。
【００４６】
以上、本発明を実施の形態をもとに説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００４７】
上述の実施の形態では、ＥｒとＹｂが共添加されたダブルクラッドファイバを増幅用光ファイバとして用いたが、増幅用光ファイバは、Ｅｒ、Ｎｄ（ネオジム）、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｔｍ（ツリウム）、Ｐｒ（プラセオジム）、ＹｂおよびＥｕ（ユウロピウム）からなる群から選ばれるいずれか２つが共添加されたものであってもよい。
【００４８】
また、本発明は、増幅用光ファイバとしてダブルクラッドファイバを用いた場合に限られず、シングルクラッドファイバを用いた光ファイバ増幅器の場合であっても、信号波長帯とは異なる波長帯のＡＳＥが発振する事態を抑制することが可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０、１００・・・光ファイバ増幅器
１２・・・第１増幅部
１４・・・第２増幅部
１６・・・第１アイソレータ
１８・・・第１励起光源
２０・・・合波器
２２・・・第１増幅用ファイバ
２４・・・第２アイソレータ
２６・・・第２励起光源
２８・・・ポンプコンバイナ
３０・・・第２増幅用ファイバ
３２・・・第３アイソレータ
３４・・・温度検出部
３６・・・温度変化部
３８・・・温度制御部
４０・・・記憶部
４２・・・発振抑制部
４４・・・分波器
４６・・・ＡＳＥモニタ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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