【事件の表示】
　特許第３００２０６４号「薄膜トランジスタ」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００２０６４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３００２０６４号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成４年１１月１２日に特許出願され、平成１１年１１月１２日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人佐藤勝明及び佐藤光男により特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年２月６日に訂正請求（後日取り下げ）がなされた後、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年７月１９日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１３年７月１９日付けの訂正請求書に添付した訂正明細書における訂正の内容は、以下のとおりである。
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項２を削除する。
イ．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１に記載される「前記保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とドレイン電極にそれぞれ１つのコーナー部がオーバーラップし残り２つのコーナー部はオーバーラップしないまたはドレイン電極に２つのコーナー部がオーバーラップし残り２つのコーナー部はオーバーラップしない」を「前記保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とドレイン電極にそれぞれ一対角線上の１つのコーナー部がオーバーラップし他の対角線上の残り２つのコーナー部はオーバーラップしない」に訂正する。
ウ．訂正事項ｃ
　【発明の詳細な説明】中の、段落【００１０】の記載を「上記問題点を解決するために本発明の薄膜トランジスタは、長方形のパターン形状をした保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極およびドレイン電極とオーバーラップしないコーナーが対角線上に２つあることを特徴とする。」に、段落【００１２】の記載を「以下に本発明の一実施例の薄膜トランジスタについて、図面を参照しながら説明する。（図１）は本発明の実施例と参考例における薄膜トランジスタの保護絶縁膜とソース電極、ドレイン電極との関係を示した平面図である。」に、段落【００１４】の記載を「（図１）のａ，ｂは参考例であり、保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極およびドレイン電極とオーバーラップしないコーナーが３つの薄膜トランジスタの場合である。また（図１）のｃも参考例であり、オーバーラップしないコーナーは２つであるが、それが対角線上にない場合である。（図１）のｄ、ｅが本発明の実施例であり、オーバーラップするコーナーが２つ、オーバーラップしないコーナーが２つで、それぞれが対角線上にあることを特徴とする。」に、段落【００１６】の記載を「また（図１）に示した以外にオーバーラップしないコーナーが２つの薄膜トランジスタ（参考例）として（図５）の場合がある。この場合、ソース電極７とドレイン電極８との間の保護絶縁膜９の側壁で、一方は２つのコーナーを有するが、他方はコーナーを有さない。このため（図１）に示した構造の薄膜トランジスタほどｏｆｆ特性は良好ではないが、（図４）に示した構造の場合よりはｏｆｆ電流が低い。」に、段落【００１８】の記載を「以上のように本発明の薄膜トランジスタは、長方形のパターン形状をした保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極およびドレイン電極とオーバーラップするコーナーが対角線上に２つあり、オーバーラップしないコーナーが他の対角線上に２つあることによって、ソース電極とドレイン電極との間には保護絶縁膜のコーナー部が存在し、このコーナー部で電気的な接続が絶縁され、ｏｆｆ電流を十分小さくすることができる。」に訂正し、【図面の簡単な説明】中の【図１】の説明部分を「本発明の実施例の薄膜トランジスタと参考例の薄膜トランジスタの保護絶縁膜とソース電極、ドレイン電極との関係を示した平面図」に訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、上記訂正事項ｂは、請求項１に記載の「ソース電極とドレイン電極にそれぞれ１つのコーナー部がオーバーラップし残り２つのコーナー部はオーバーラップしない」部分を減縮しようとするもので、「ソース電極とドレイン電極にそれぞれ一対角線上の１つのコーナー部がオーバーラップし他の対角線上の残り２つのコーナー部はオーバーラップしない」ことは、特許第３００２０６４号の図１（ｄ）、（ｅ）に記載されているものである。
　したがって、この訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、特許請求の範囲の請求項１の記載をさらに限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　さらに、上記訂正事項ｃは、訂正された特許請求の範囲の記載との整合を図るためのものであり、明瞭でない記載の釈明に相当するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　そして、上記いずれの訂正も実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）申立ての理由の概要
ア．特許異議申立人佐藤勝明は、甲第１号証（特開平１−１２５８６７号公報）及び甲第２号証（特開平４−６６９１８号公報）を提示し、請求項１、２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき旨、
イ．特許異議申立人佐藤光男は、甲第１号証（「高精細化にらむエッチング技術，将来はドライが主流に」フラットパネル・ディスプレイ１９９２、（１９９１年１１月１９日）日経ＢＰ社、ｐ．１７０−１７５）を提示し、請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、請求項２に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、また、発明の詳細な説明は、特許法第３６条第４項の規定をみたしていないものであるから、請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき旨、それぞれ主張している。
（２）本件発明
　特許第３００２０６４号の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、平成１３年７月１９日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「半導体層のチャンネル部上に保護絶縁膜を有する逆スタガード構造の薄膜トランジスタであって、前記保護絶縁膜は長方形のパターン形状で、前記保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とドレイン電極にそれぞれ一対角線上の１つのコーナー部がオーバーラップし他の対角線上の残り２つのコーナー部はオーバーラップしないことを特徴とする薄膜トランジスタ。」
（３）特許法第３６条についての判断
ア．平成１２年１１月９日付け取消理由通知における、「何故従来例の場合ソース・ドレイン間にリーク電流が流れるのに、本件発明の場合ソース・ドレイン間にリーク電流が流れないのか不明である。」とする点については、段落【０００８】には、（図４）の構造では、ソース電極、ドレイン電極の形状のエッチングの際、保護絶縁膜の側壁のエッチングが十分でなくこの側壁のエッチング残り物を介してソース電極とドレイン電極間に電流が流れる旨の記載があり、段落【００１１】には、本発明は、ソース電極とドレイン電極との間には保護絶縁膜のコーナー部が存在する。コーナー部は、側壁と比べエッチングが容易に進行し、たとえ側壁にエッチング残りがあったとしても必ずコーナー部で電気的な接続が絶縁される旨の記載があり、明瞭である。
イ．申立人佐藤光男の主張する点については、まず、図３に記載の従来例は、段落【０００７】に記載のように、薄膜トランジスタのサイズ、すなわち開口率の低下を課題とする従来例であり、薄膜トランジスタのｏｆｆ電流を課題とする従来例として記載されているものではないから、この従来例にｏｆｆ電流についての記載がないからといって、明細書の記載が不明瞭であるとすることはできない。
　また、本件発明は、段落【０００１】に記載のように、液晶表示デバイスにおける各表示画素の表示スイッチングに用いられている薄膜トランジスタの構造に関するものであり、液晶表示デバイスにおける各表示画素は、例外なく、光の透過が可能な開口を有するものである。開口は、光を透過しない薄膜トランジスタや配線があると小さくなってしまう。したがって、薄膜トランジスタの占める面積を小さくすることが、高開口率化につながる。図３に記載の薄膜トランジスタは、段落【０００７】に記載のように、薄膜トランジスタのサイズが大きく、開口率が低下するものである。本件発明は、段落【０００９】に記載のように、高開口率を達せられる薄膜トランジスタの構造を提供するものであるので、図３の薄膜トランジスタよりも開口率は高いものであり、明細書の記載は、明瞭である。
　してみると、本件発明は、明細書及び図面の記載が不備ではない。
（４）引用刊行物
　当審が平成１２年１１月９日付けで通知した取消しの理由に引用した刊行物の内、本件発明（請求項１に係る発明）についての刊行物は、次のとおりである。
刊行物１．特開平１−１２５８６７号公報（申立人佐藤勝明の提出した甲第１号証）
刊行物３．「高精細化にらむエッチング技術，将来はドライが主流に」フラットパネル・ディスプレイ１９９２、（１９９１年１１月１９日）日経ＢＰ社、ｐ．１７０−１７５（申立人佐藤光男の提出した甲第１号証）
（５）刊行物に記載された発明
　刊行物１には、「上記の様なアクティブマトリクス基板の一構成要素であるＴＦＴの構成を第４図を用いて以下に説明する。第４図（ａ）は一個の逆スタガ構造を有するＴＦＴの平面図であり、第４図（ｂ）はＴＦＴのＡ−Ｂ間の断面図である。６は透光性基板であるガラス基板であり、７はゲート電極である。８，９，１０はそれぞれゲート絶縁体層，半導体層，パッシベイション層である。１１および１２は、それぞれドレイン電極およびソース電極であり、二層構成となっている。１３は半導体層９とソース，ドレイン電極１２，１１とオーミック接触をとるためのｎ＋半導体層である。１４はドレイン電極１１と共通接続された透明電極であり、液晶層に電圧を印加する絵素電極となっている。」（第２頁右上欄第２〜１５行）ことが第４図と共に記載されており、第４図（ａ）には、パッシベイション層１０の４つの隅の内、ソース電極に２つの隅が重なり、ドレイン電極には隅が重なっていない構成が認められる。
　刊行物３には、「チャネル保護膜方式におけるエッチング工程のプロセス・フローを図２に示す。エッチング工程は７工程ある（１）ゲート・メタルＭｏＴａ，（２）チャネル保護膜ＳｉＮｘ，アモーファスＳｉ，（４）画素電極ＩＴＯ（indium tin oxide）（５）電極部のＳｉＯｘ，（６）電極，信号配線Ａｌとｎ＋型アモーファスＳｉ（高濃度にＰ元素を添加したアモーファスＳｉ），（７）パシベーション膜ＳｉＮｘを順次エッチングする。」（第１７０頁右欄第２〜１２行）こと、「図５に，ｎ＋型アモーファスＳｉのエッチング後のＴＦＴ領域のＳＥＭ写真を示す。エッチングが不足の場合，下地のチャネル保護膜ＳｉＮｘ上，さらにその段差周辺部にエッチング残りが生じやすく，電極間の短絡不良の原因になる。また、このエッチング工程はＴＦＴ素子特性に影響を与える可能性がある。」（第１７２頁右欄第１４〜２２行）こと、「図５　ＴＦＴ領域のＳＥＭ写真　ｎ＋型アモーファスＳｉエッチング後の状態であり、チャネル保護膜の下にアモーファスＳｉ−ＴＦＴが２箇所形成されている。」（第１７４頁図５の説明）ことが記載されており、図５には、２つあるアモーファスＳｉ−ＴＦＴは、それぞれ、チャネル保護膜の４つの隅の内、ソース電極及びドレイン電極と重ならない隅が３つあるという構成が認められる。
（６）対比・判断
　本件発明と刊行物１に記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載のパッシベイション層は本件発明の保護絶縁膜に相当し、その形状は長方形であり、本件発明のコーナー部に相当する隅を有しているので、両者は、「半導体層のチャンネル部上に保護絶縁膜を有する逆スタガード構造の薄膜トランジスタであって、前記保護絶縁膜は長方形のパターン形状で、前記保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とオーバーラップするものがあることを特徴とする薄膜トランジスタ。」である点で一致するが、刊行物１に記載の発明は、本件発明の構成要件である、保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とドレイン電極にそれぞれ一対角線上の１つのコーナー部がオーバーラップし他の対角線上の残り２つのコーナー部はオーバーラップしないことについて記載されていない点で相違している。
　また、刊行物３に記載の発明は、チャネル保護膜（保護絶縁膜に相当）の４つの隅（コーナー部）の内、ソース電極及びドレイン電極とオーバーラップしない隅（コーナー部）が３つあるという構成であり、本件発明の上記構成要件である、保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とドレイン電極にそれぞれ一対角線上の１つのコーナー部がオーバーラップし他の対角線上の残り２つのコーナー部はオーバーラップしないことについては、記載されていないばかりか示唆もない。
　そして、本件発明は、上記構成要件により、良好なトランジスタ特性を維持し、かつ高開口率を達せられるという明細書記載の作用効果を奏するものである。
　してみると、本件発明は、刊行物１及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（７）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月２７日（２００１．７．２７）
【訂正の要旨】
　特許第３００２０６４号発明の明細書を、本件の平成１３年７月１９日付け訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち特許請求の範囲の減縮を目的として下記（１）及び（２）のとおりに、また、明瞭でない記載の釈明を目的として下記（３）のとおりに訂正する。
（１）特許請求の範囲の請求項２を削除する。
（２）特許請求の範囲の請求項１の「前記保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とドレイン電極にそれぞれ１つのコーナー部がオーバーラップし残り２つのコーナー部はオーバーラップしないまたはドレイン電極に２つのコーナー部がオーバーラップし残り２つのコーナー部はオーバーラップしない」を「前記保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とドレイン電極にそれぞれ一対角線上の１つのコーナー部がオーバーラップし他の対角線上の残り２つのコーナー部はオーバーラップしない」に訂正する。
（３）【発明の詳細な説明】中の、段落【００１０】の記載を「上記問題点を解決するために本発明の薄膜トランジスタは、長方形のパターン形状をした保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極およびドレイン電極とオーバーラップしないコーナーが対角線上に２つあることを特徴とする。」に、段落【００１２】の記載を「以下に本発明の一実施例の薄膜トランジスタについて、図面を参照しながら説明する。（図１）は本発明の実施例と参考例における薄膜トランジスタの保護絶縁膜とソース電極、ドレイン電極との関係を示した平面図である。」に、段落【００１４】の記載を「（図１）のａ，ｂは参考図であり、保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極およびドレイン電極とオーバーラップしないコーナーが３つの薄膜トランジスタの場合である。また（図１）のｃも参考例であり、オーバーラップしないコーナーは２つであるが、それが対角線上にない場合である。（図１）のｄ、ｅが本発明の実施例であり、オーバーラップするコーナーが２つ、オーバーラップしないコーナーが２つで、それぞれが対角線上にあることを特徴とする。」に、段落【００１６】の記載を「また（図１）に示した以外にオーバーラップしないコーナーが２つの薄膜トランジスタ（参考例）として（図５）の場合がある。この場合、ソース電極７とドレイン電極８との間の保護絶縁膜９の側壁で、一方は２つのコーナーを有するが、他方はコーナーを有さない。このため（図１）に示した構造の薄膜トランジスタほどｏｆｆ特性は良好ではないが、（図４）に示した構造の場合よりはｏｆｆ電流が低い。」に、段落【００１８】の記載を「以上のように本発明の薄膜トランジスタは、長方形のパターン形状をした保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極およびドレイン電極とオーバーラップするコーナーが対角線上に２つあり、オーバーラップしないコーナーが他の対角線上に２つあることによって、ソース電極とドレイン電極との間には保護絶縁膜のコーナー部が存在し、このコーナー部で電気的な接続が絶縁され、ｏｆｆ電流を十分小さくすることができる。」に訂正し、【図面の簡単な説明】中の【図１】の説明部分を「本発明の実施例の薄膜トランジスタと参考例の薄膜トランジスタの保護絶縁膜とソース電極、ドレイン電極との関係を示した平面図」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
薄膜トランジスタ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　半導体層のチャンネル部上に保護絶縁膜を有する逆スタガード構造の薄膜トランジスタであって、前記保護絶縁膜は長方形のパターン形状で、前記保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極とドレイン電極にそれぞれ
一対角線上の
他の対角線上の
しないこと
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、液晶表示デバイスにおける各表示画素の表示スイッチングに用いられている薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構造に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、ＴＦＴの製造方法は、鮮明な液晶表示画像を得るためのアクティブマトリクス型液晶表示デバイスの歩留りを向上させるために、改善改良が進められている。
　【０００３】
　以下図面を参照しながら、上述した従来の薄膜トランジスタの一例について説明する。（図２）は従来の薄膜トランジスタの断面図、（図３）は（図２）に示した薄膜トランジスタの保護絶縁膜とソース電極、ドレイン電極との関係を示した平面図である。（図２）および（図３）において、１は絶縁基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁層、４は半導体層、５は透明電極、６は不純物イオンを含む半導体層、７はソース電極、８はドレイン電極、９は半導体層のＴＦＴのチャンネル部分を保護している保護絶縁層である。
　【０００４】
　特に半導体層４には、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）あるいは多結晶シリコンを、不純物イオンを含む半導体層６には、リン原子あるいはボロン（Ｂ）原子をドーピングした非晶質シリコン、マイクロクリスタルシリコンあるいは多結晶シリコンを使用している場合が多い。
　【０００５】
　以上のように構成されたＴＦＴについて、以下その製造プロセスについて説明する。（図２）の構造の場合、ゲート電極２が形成されている絶縁基板１上に、プラズマＣＶＤ法等により、ゲート絶縁層３、半導体層４そして保護絶縁層９を成膜した後、その保護絶縁層９の所定のパターンにパターニングを行い不純物イオンを含む半導体層６を成膜し、所定のパターンにて半導体層４と不純物イオンを含む半導体層６をエッチングする。この際、先に、パターニングした保護絶縁層９は、不純物イオンを含む半導体層６と選択エッチングが可能なため、活性層の半導体層４にダメージを与えることなく、不純物イオンを含む半導体層６を形成できる。またこの時のエッチングには通常フッ酸−硝酸混合液あるいは水酸化ナトリウム水溶液などの強い酸あるいはアルカリ液を用いたウエットエッチングを用いる。
　【０００６】
　さらに透明電極５を成膜、パターニングし、さらに不透明な金属を成膜、パターニングしてソース電極７およびドレイン電極８を形成し、ＴＦＴを作成する。この時ソース電極、ドレイン電極用の金属には通常チタニウム、アルミニウム、モリブデン、クロミウムなどが用いられる。またそのエッチングには従来からのウエットエッチング法に加え、最近では微細加工の要求からドライエッチング法が用いられるようになった。〔例えばプロシーディングズ　オブ　ザ　シックスインターナショナル　リサーチ　コンファレンス　ジャパン　ディスプレイ’８６，ｐ２０４（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　６ｔｈ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　Ｊａｐａｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ’８６，ｐ２０４）〕。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記のような構造では、薄膜トランジスタのサイズが大きく近年の大容量化の要求を実現するには開口率の低下という問題点を有している。
　【０００８】
　また高開口率化だけを考えると、（図４）に示した保護絶縁膜９とソース電極７、ドレイン電極８との位置関係が最も有利であるが、この構造で薄膜トランジスタを試作したところトランジスタのｏｆｆ特性が悪かった。これはソース電極、ドレイン電極の形成のエッチングの際、保護絶縁膜の側壁のエッチングが十分でなくこの側壁のエッチング残り物を介してソース電極とドレイン電極間に電流が流れる。またこれはチャンネル長が短くなればなるほど顕著になる。この時エッチング残り物は、ソース電極、ドレイン電極用の金属である場合と不純物イオンを含む半導体層である場合の２通りがある。
　【０００９】
　本発明は、上記問題点を鑑み、良好なトランジスタ特性を維持し、かつ高開口率を達せられる薄膜トランジスタの構造を提供するものである。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　上記問題点を解決するために本発明の薄膜トランジスタは、長方形のパターン形状をした保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極およびドレイン電極とオーバーラップしないコーナーが
対角線上に２つ
　【００１１】
　【作用】
　本発明は上記した構造によって、ソース電極とドレイン電極との間には保護絶縁膜のコーナー部が存在する。コーナー部は、側壁と比べエッチングが容易に進行し、たとえ側壁にエッチング残りがあったとしても必ずコーナー部で電気的な接続が絶縁される。その結果、この構造を有する薄膜トランジスタはｏｆｆ電流を十分小さくすることができる。
　【００１２】
　【実施例】
　以下に本発明の一実施例の薄膜トランジスタについて、図面を参照しながら説明する。（図１）は本発明の実施例
と参考例
　【００１３】
　７はソース電極、８はドレイン電極、９は半導体層のＴＦＴのチャンネル部分を保護している保護絶縁層である。
　【００１４】
　（図１）のａ，ｂは
参考例であり、
である。また（図１）のｃも参考例であり、オーバーラップしないコーナーは２つであるが、それが対角線上にない場合である。（図１）のｄ、ｅが本発明の実施例であり、オーバーラップするコーナーが２つ、オーバーラップしないコーナーが２つで、それぞれが対角線上にあることを特徴とする。
　【００１５】
　（図１）に示す構造の薄膜トランジスタを試作したところ、ｏｎ／ｏｆｆ比が５桁以上の良好なトランジスタ特性を示した。
　【００１６】
　また（図１）に示した以外にオーバーラップしないコーナーが２つの薄膜トランジスタ
（参考例）
　【００１７】
　なお、前記実施例では、保護絶縁層のコーナー部が直角であるように示したが、直角である必要はなく、丸みを帯びていたり角取りがされた形状であってもかまわない。
　【００１８】
　【発明の効果】
　以上のように本発明の薄膜トランジスタは、長方形のパターン形状をした保護絶縁膜の４つのコーナー部の内、ソース電極およびドレイン電極と
オーバーラップするコーナーが一対角線上に２つあり、
他の対角線上に２つある
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の実施例の薄膜トランジスタ
と参考例の薄膜トランジスタの
　【図２】
　従来の薄膜トランジスタの断面図
　【図３】
　従来の薄膜トランジスタの保護絶縁膜とソース電極、ドレイン電極との関係を示した平面図
　【図４】
　オーバーラップしないコーナーが一つもない場合の薄膜トランジスタの保護絶縁膜とソース電極、ドレイン電極との関係を示した平面図
　【図５】
　オーバーラップしないコーナーが２つで、（図１）以外の場合の薄膜トランジスタの保護絶縁膜とソース電極、ドレイン電極との関係を示した平面図
　【符号の説明】
　１　絶縁基板
　２　ゲート電極
　３　ゲート絶縁層
　４　半導体層
　５　透明電極
　６　不純物イオンを含む半導体層
　７　ソース電極
　８　ドレイン電極
　９　保護絶縁層