【事件の表示】
　特許第２８７７６５７号「ステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８７７６５７号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２８７７６５７号に係る発明は、平成５年３月２３日に出願され、平成１１年１月２２日にその特許権の設定登録がなされ、石黒きよし、ジェイエスアール株式会社、及びクラリアント　インターナショナル　リミテッドよりそれぞれ特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１２年３月１４日に訂正請求がなされ、その後、訂正拒絶理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年８月１０日に訂正請求書に対する手続補正書が提出され、その後、再び取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年９月２８日に新たな訂正請求がなされると共に、先の訂正請求が取下げられたものである。
　
２．訂正の適否について　
２．１　訂正の内容　
（１）訂正事項Ａ
　特許請求の範囲の請求項１中の「（ロ）酢酸ブチル４０〜１０重量％からなる」の記載を、「（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル４０〜１０重量％との」と、また「混合溶剤に溶解したこと」の記載を、「混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であること」と、
　特許請求の範囲の請求項２中の「（ロ）酢酸ブチル３０〜５重量％」の記載を、「（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル３０〜５重量％」と、また「（ハ）キシレン１０〜５重量％からなる混合溶剤に溶解したこと」の記載を、「（ハ）キシレン１０〜５重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であること」と訂正する。
（２）訂正事項Ｂ
　明細書段落【０００７】中の「（ロ）酢酸ブチル」（２箇所）の記載を、「（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」と、また「（ハ）キシレン１０〜５重量％からなる混合溶剤に溶解したこと」の記載を、「（ハ）キシレン１０〜５重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であること」と訂正する。
（３）訂正事項Ｃ
　明細書段落【００２０】中の「極めて高い塗膜を」の記載を、「極めて高い均一性を有する塗膜を」と訂正する。
（４）訂正事項Ｄ
　明細書段落【００２１】中の「酢酸ブチル」の記載を、「酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」と、また「スッテップカバレッジ性」の記載を、「ステップカバレッジ性」と訂正する。
（５）訂正事項Ｅ
　明細書段落【００２５】中の「０．１１〜０．２０」の記載を、「０．１１〜０．２０μｍ」と訂正する。
（６）訂正事項Ｆ
　明細書段落【００１２】中の「（ロ）酢酸ブチル」の記載を、「（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」と訂正する。
（７）訂正事項Ｇ
　明細書段落【００１３】中の「特に酢酸ブチル」の記載を、「特に酢酸ｎ−ブチル」と訂正する。
（８）訂正事項Ｈ
　明細書段落【００１４】中の「この酢酸ブチル」の記載を、「この酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」と訂正する。
（９）訂正事項Ｉ
　明細書段落【００２６】中の「酢酸ブチルｌ０ｇ」の記載を、「酢酸ｎ−ブチルｌ０ｇ」と訂正する。
（10）訂正事項Ｊ
　明細書段落【００２７】中の「実施例２〜７、比較例１〜２」の記載を、「実施例２〜４、比較例１〜４」と訂正する。
（11）訂正事項Ｋ
　明細書段落【００２８】【表１】の記載中、「実施例５」を削除し、「実施例６」、「実施例７」を、「比較例１」、「比較例２」と訂正し、また「比較例１」、「比較例２」を、「比較例３」、「比較例４」と訂正する。
（12）訂正事項Ｌ
　明細書段落【００２９】中の「実施例８」の記載を、「実施例５」と、また「酢酸ブチル５ｇ」の記載を、「酢酸ｎ−ブチル５ｇ」と訂正する。
 
２．２　訂正の目的の適否、新規事項追加の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項Ａは、特許請求の範囲の請求項１、２に記載された「酢酸ブチル」を、「酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」に訂正するとともに、ステップカバレッジ性について、「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下である」と訂正するものである。　
　このうち、前者は、酢酸ブチルの４種類の異性体のうち、酢酸ｎ−ブチルおよび酢酸イソブチルのみに限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当する。また、後者は、ステップカバレッジ性の意味をさらに具体化するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。そして、両者は、願書に添付した明細書の段落【００１３】、【００２６】に記載されていた事項であるから、新規事項の追加ではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項Ｂ、Ｆ〜Ｈは、訂正事項Ａによって特許請求の範囲の請求項１、２が訂正された結果、特許請求の範囲の記載と、発明の詳細な説明の記載とが整合しなくなった記載の整合を図るものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
（３）訂正事項Ｃは、字句の脱落により意味不明瞭な文を訂正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
（４）訂正事項Ｄにおける、「酢酸ブチル」を「酢酸ｎ‐ブチル又は酢酸イソブチル」としたのは、特許請求の範囲の訂正の結果、不整合となった用語を整合するように訂正したもので、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当し、「スッテップカバレッジ性」を「ステップカバレッジ性」としたのは、誤記した用語を正しい用語に訂正するものであり、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
（５）訂正事項Ｅは、ステップカバレッジ性の△の評価基準「０．１１〜０．２０」について、単位が欠落して記載されていたものに単位を加えて正確に表示したものであり、誤記の訂正を目的とする訂正に該当する。
（６）訂正事項Ｉ、Ｌは、酢酸ｎ−ブチルに対して慣用されている「酢酸ブチル」の語が、上位概念の「酢酸ブチル」と混同され、不明確になるおそれがあるのを、正確な化合物名の「酢酸ｎ‐ブチル」に訂正するもので、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。
（７）訂正事項Ｊ、Ｋは、本来特許請求の範囲に包含されない実施例５を削除し、また特許請求の範囲が減縮された結果、実施例ではなくなった実施例６、７を比較例に変更する、本件特許発明の技術的範囲が不明確になるのを避けるための訂正であり、明りょうでない記載の釈明を目的とする訂正に該当する。また、「酢酸ブチル」を「酢酸ｎ‐ブチル」と訂正したのは、訂正事項Ｉ、Ｌと同じ理由である。
（８）そして、訂正事項Ｂ〜Ｌは、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
２．３　独立特許要件
（１）平成１２年１月１４日付の取消理由は、本件請求項１に係る発明は、
刊行物１（特開平４−３６２６４５号公報）又は、
刊行物２（特開昭６２−１２３４４４号公報）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して、
　あるいは、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであるというものである。
　
（２）刊行物１、２の記載事項
刊行物１；
（２−１）「【請求項１】キノンジアジド系化合物、アルカリ可溶性樹脂および酢酸ｎ−ブチルを１００とした重量法で求めた蒸発速度が、１〜２４である有機溶剤（Ａ）と同蒸発速度が２５〜１５０である有機溶剤（Ｂ）とを含む混合有機溶媒を含有するポジ型レジスト組成物。
【請求項２】有機溶剤（Ａ）の全溶媒量に対する重量比率が２％から８０％の間にある請求項１記載のポジ型レジスト組成物。」（特許請求の範囲）
（２−２）発明の目的として、「耐熱性、解像度、感度、塗布性等の諸性能を維持したまま、γ値が高く、プロファイルに優れたポジ型レジスト組成物を提供しようとするものである。」こと（段落【０００５】）、
（２−３）有機溶剤（Ａ）として、「γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノール、ジアセトンアルコール、ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸ブチルなどがあげられる。」こと（段落【００１５】）、（ここで、「乳酸エチル」は「２−オキシプロピオン酸エチル」のことである）
　また上記有機溶剤（Ｂ）として、「シクロヘキサノン、乳酸メチル、メチルジアセトンアルコール、２−ヘプタノン、乳酸ｎ−アミル、ジイソプロピルケトン、酢酸ｎ−ブチルなどがあげられる。」こと（段落【００１６】）、「全溶媒量に対する有機溶剤（Ａ）の重量比率は、２％から８０％の範囲が好ましく、特に５％から７５％の範囲がγ値、プロファイル及び塗布性の面から好ましい。」こと（段落【００１８】）、
　塗布性の評価には、「膜厚が２μｍの時の膜の不均一さを評価した」こと（段落【００２２】）、
（２−４）実施例１１には、ノボラツク樹脂１５重量部、キノンジアジド系化合物３重量部を、乳酸エチル３０重量％と酢酸ｎ−ブチル７０重量％との混合溶媒４５重量部に溶解したポジ型レジスト組成物が、
　また、実施例１２には、ノボラツク樹脂１５重量部、キノンジアジド系化合物３重量部を、乳酸エチル７０重量％と酢酸ｎ−ブチル３０重量％との混合溶媒４５重量部に溶解したポジ型レジスト組成物が記載され、ともにレジスト組成物として良好な塗布性を示したこと（段落【００２１】、表１）、が記載されている。
　
刊行物２；
（２−５）「アルカリ可溶性樹脂とおよび感放射線性化合物をモノオキシモノカルボン酸エステル類を含有する溶剤に溶解してなることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。」（特許請求の範囲）、
　発明の目的として、「本発明は上記問題点を解決し、微粒子の発生の極めて少ないレジスト組成物として好適な感放射線性樹脂組成物を提供することを目的とするものである。」こと（第２頁左上欄第１４〜１７行）、
（２−６）「モノオキシモノカルボン酸エステル類の具体例としては、オキシ酢酸メチル、オキシ酢酸エチル・・・・等のオキシ酢酸アルキル類、・・・・等のアルコキシ酢酸アルキル類、・・・・等の３−アルコキシプロピオン酸アルキル類、２−オキシプロピオン酸メチル、２−オキシプロピオン酸エチル、２−オキシプロピオン酸プロピル等の２−オキシプロピオン酸アルキル類、・・・・をが挙げることができる。」こと（第２頁右上欄第１１行〜右下欄第２行）、「本発明においては、モノオキシモノカルボン酸エステル類に他の溶剤全量の例えば７０重量％未満程度、好ましくは５０重量％未満、特に好ましくは３０重量％未満の範囲で混合することができる。ここで他の溶剤としては、エチレングリコール、・・・・などのエーテル類、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸ベンジル・・・・などのエステル類、・・・・およびトルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類などを例示することができる。」こと（第２頁右下欄第３行〜第３頁左上欄第４行）、
（２−７）実施例１、１４には、溶媒として２−オキシプロピオン酸エチルを用いてレジスト組成物を調製したこと、及びこのレジスト組成物は微粒子の発生が極めて少なく、かつ４０℃で１ケ月間保存しても微粒子は殆ど増加しなかったこと、すなわち保存安定性に優れていること、が記載されている。
　
（３）刊行物１に記載された発明との対比・判断
　両者は、「アルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド基含有化合物とを、２−オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と、酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル４０〜１０重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物」である点で一致し、
　請求項１に係る発明が、「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であるステップカバレッジ性組成物」とするのに対して、刊行物１には、この点の記載がない点で相違する。
　すなわち、刊行物１に記載されたポジ型レジスト組成物は、半導体ウエハーの平坦面に塗布して塗膜とするレジストのみの適用しか認識しておらず、請求項１に係る発明が特に意図するステップを有する基体表面へ適用すること、それによって「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下」となるステップカバレッジ性組成物であるという、請求項１に係る発明が必須とする構成要件を欠くものである。したがって、請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明ではない。
　　
（４）刊行物２に記載された発明との対比・判断
　両者は、「アルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド基含有化合物とを、２−オキシプロピオン酸エチルに溶解してなるポジ型レジスト組成物」である点で一致し、
ａ）請求項１に係る発明が、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物を溶解するために用いる溶剤を、「２−オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と、酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル４０〜１０重量％との混合溶剤」とするのに対して、刊行物２では、２−オキシプロピオン酸エチルに他の溶剤として酢酸ブチルを混合しても良いこと、他の溶剤の混合比は、溶剤全量の７０重量％未満程度の範囲で混合することができるとしている点、および、
ｂ）請求項１に係る発明が、「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であるステップカバレッジ性組成物」とするのに対して、刊行物２には、この点の記載がない点で相違する。
　相違点ｂ）について検討すると、刊行物２に記載されたポジ型レジスト組成物は、半導体ウエハーの平坦面に塗布して塗膜とするレジストへの適用しか認識しておらず、請求項１に係る発明が特に意図するステップを有する基体表面へ適用すること、及びそれによって「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下」となるステップカバレッジ性組成物であるという、請求項１に係る発明が必須とする構成を欠くものである。
　したがって、相違点ａ）について検討するまでもなく、請求項１に係る発明は、刊行物２に記載された発明ではない。
　
（５）刊行物１、２には、いずれも請求項１に係る発明で規定する「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下」となるステップカバレッジ性組成物についての記載、ないしこの点を示唆する記載がないのであるから、請求項１に係る発明は、刊行物１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
（６）以上により、訂正明細書の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号および同条第２項に規定する発明に該当しない。その他、下記「３．特許異議申立てについて」で述べるとおり、訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、特許異議申立人が提出した各刊行物に記載された発明でもなく、これらに記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　そのため、訂正明細書の請求項１、２に係る発明は、出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
２．４　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下、「平成６年改正法という。」）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。　　
　
３．特許異議申立について　
３．１　本件発明　
　本件請求項１、２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのものである。　
「【請求項１】　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物とを、（Ｃ）（イ）２−オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル４０〜１０重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペ−ス部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であることを特徴とするステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物。
【請求項２】　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物とを、（Ｃ）（イ）２−オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル３０〜５重量％と（ハ）キシレン１０〜５重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペ−ス部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であることを特徴とするステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物。」（以下、請求項１に係る発明を「本件発明１」、請求項２に係る発明を「本件発明２」という）
　
３．２特許異議申立の概要
（１）特許異議申立人石黒きよしは、
甲第１号証　特開昭６２−１２３４４４号公報（刊行物２に同じ）、
甲第２号証　特開昭６３−２２０１３９号公報（以下、「刊行物３」という）を提出して、
　本件発明１は、甲第１、２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１は、特許法第２９条第２項に規定する発明に該当すること、および、本件特許明細書には、記載上の不備が存在するから、特許法第３６条の規定に違反して特許されたものであると主張する。
（２）特許異議申立人ジェイエスア−ル株式会社は、
甲第１号証　特開平４−３６２６４５号公報（刊行物１に同じ）、
甲第２号証　ジェイエスアール株式会社精密電子研究所半導体材料開発室佐野公康作成になる平成１１年９月２２日付実験報告書（以下、「実験報告書」という）を提出して、
　本件発明１は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当すると主張する。
（３）特許異議申立人クラリアント　インタ−ナショナル　リミテッドは、
甲第１号証　特公平３−２２６１９号公報（以下、「刊行物４」という）、
甲第２号証　米国特許第５１６４２７９号明細書（以下、「刊行物５」という）を提出して、
　本件発明１、２は、甲第１、２号証に記載された発明であるから特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当する、
あるいは、本件発明１、２は、甲第１、２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する発明に該当すると主張する。
　
３．３　刊行物、実験報告書の記載事項　
（１）刊行物１、２の記載事項は、上記「２．３　独立特許要件」に摘示したとおりである。
（２）刊行物３の記載事項
（２−１）「フォトレジスト方法及びこの方法に用いる組成物」と題する発明が記載され、組成物として「（Ａ）少なくとも１種の可溶性樹脂、（Ｂ）・・・・より成る少なくとも１種のＰＡＣ、（Ｃ）アニソール、乳酸エチル、乳酸メチル・・・・より成る群の中から選ばれた溶媒より成る組成物。」（特許請求の範囲第１７項）、「前記溶媒混合物が乳酸エチル、アニソール及びそれらの混合物より成る群の中から選ばれた化合物を酢酸アミル、酢酸ｎ−ブチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、クロロベンゼン及びイソ酢酸イソブチル及びそれらの混合物より成る群の中から選ばれた化合物とともに含有する特許請求の範囲第１５項又は第１７項記載の組成物。」（特許請求の範囲第２０項）
（２−２）発明の目的として、「この発明は、増大したコントラスト及び解像力、に加えて現像後残存する収率向上未露光膜厚、近紫外化学線域における非漂白吸収の減少、実際的可視透明性並びに改良されたフォトレジストの安全性及び安定性を与えうる改良フォトレジスト方法及び組成物を提供する。この発明の組成物は、新しい改良樹脂及びＰＡＣを必要な溶解力と安全性特性を与えるための新規溶媒と組み合わせて利用する。」こと（第９頁左下欄第８〜１６行）、
（２−３）「ＰＡＣとは、レジスト組成物の光活性部分（photoactive component） をいう。」こと（第８頁右上欄第４〜６行）、「この発明の溶媒は、（１）いっそう良い感度（photosensitivity）、（２）いっそう低い毒性、（３）伝統的溶媒におけるより低い百分率の固体分の配合物からの均一なキャストフィルム厚さ、並びに（４）いっそう良好な溶解性及び溶液安定性を含む若干の新しい利点を与える。」こと（第１３頁左下欄第４〜９行）、が記載され、表２には、本発明に適する溶解パラメーターを有する溶媒に対するＰＡＣ溶解度が示されており、その中には、乳酸エチルすなわち２−オキシプロピオン酸エチル、及び酢酸ｎ−ブチルが記載されている。
（３）刊行物４は、特許異議申立人石黒きよしの提出した甲第１号証（特開昭６３−１２３４４４号公報；刊行物２に同じ）に対応する公告公報であり、その摘示すべき内容は刊行物２と同一であるから、記載事項の摘示は省略する。
（４）刊行物５の記載事項
（４−１）「波長３６５乃至４３６ｎｍの光で照射後、現像可能な光活性組成物を形成するに十分な量の水性アルカリ溶液に可溶の樹脂および有機感光性酸を含有し、さらに、該照射中に基板表面からの反射光を吸収するに十分な量の、４，６−ビス（アゾフェニル）レゾルシノール染料を含有するポジ型フォトレジスト組成物。」（特許請求の範囲第１項）
（４−２）「本発明における最も好ましい溶媒は、乳酸エチル、または、乳酸エチルと助溶媒であるアニソール及び酢酸アミルとの混合物からなる溶媒である。これらの溶媒は、必要照射量の低減、良溶解性、低毒性及び好ましい揮発性という有用性を兼ね備える。」こと（第６欄第５〜９行）、
（４−３）実施例９、１０には、ノボラック樹脂と、ナフトキノンジアジド化合物とを、乳酸エチル（すなわち２−オキシプロピオン酸エチル）４４．６３ｇ、アニソール２２．３２ｇ及び酢酸アミル７．４４ｇからなる混合溶媒に溶解させたレジスト組成物が、
　また、実施例１１、１２には、同じく乳酸エチル２２．４４ｇ、アニソール１１．２２ｇ及び酢酸アミル３．７４ｇからなる混合溶媒に溶解させたレジスト組成物、が記載されている。
（５）実験報告書には、刊行物１の実施例１２に記載されているポジ型レジスト組成物、ならびに本件特許発明の実施例１、比較例１に記載されているポジ型レジスト組成物を追試調製して、本件特許明細書に記載された評価基準に則ってそのステップカバレッジ性を評価したところ、いずれも「×」の結果となったこと、が記載されている。
　
３．４　対比・判断　
（１）本件発明１と、刊行物１、２との対比・判断については、上記「２．３　独立特許要件」で述べたとおりである。又、刊行物４は、刊行物２の公告公報であるから、本件発明１と刊行物４との対比・判断も、上記「２．３　独立特許要件」で述べたとおりである。
　ところで、特許異議申立人クラリアント　インターナショナル　リミテッドは、刊行物４には、混合溶媒として、２−オキシプロピオン酸エチルと混合できる溶媒として酢酸ブチル、キシレンの例示はあるものの、具体的に実施例として開示していない点に関して、ａ．溶質を考慮し混合溶媒を用いることは、本件特許の出願時きわめて周知の技術常識であり、ｂ．レジスト組成物にあって、保存性が悪く、微粒子が発生した組成物を塗布しようとすれば、塗布欠陥が発生して塗布性が悪くなり、ステップカバレッジ性が悪くなることは当業者にとって容易に認識できる事項であり、係る点を勘案して、良好なステップカバレッジ性を与える混合溶媒を用いることは、刊行物４に記載されているに等しい旨主張する。
　しかし、ａ．については、一般論としては言えることであっても、特定の溶媒の組合せによる特定の効果についてまで予測できるものではなく、また、ｂ．については、それが容易に認識できる事項であるとしても、刊行物４には、そもそもステップカバレッジ性について何の認識もないのであるから、刊行物４の記載が、良好なステップカバレッジ性を与えるのに当該混合溶媒の組合せを用いることまでを意味しているとは到底いえない。
　また、特許異議申立人ジェイエスア−ル株式会社は、実験報告書によれば、刊行物１の実施例１２に記載のポジ型レジスト組成物、本件発明の実施例１、比較例１記載のポジ型レジスト組成物を追試調整し、本件明細書記載の「ステップカバレージ性」の評価基準に則って評価したところ、３つの組成物とも評価は「×」であったから、本件発明１は刊行物１記載の実施例１２記載の組成物とほぼ同程度の「ステップカバレージ性」を示すにすぎず、本件発明１は刊行物１記載の発明である旨主張している。
　しかし、実験報告書の内容を検討すると、本件発明の実施例１記載のポジ型レジスト組成物に対して、本件明細書では評価が「○」であるのに、実験報告書では評価が「×」と評価が異なる理由について、レジスト組成物の調整、塗布液の調整、塗布膜の調整のいづれによるものかは明らかではないが、実験報告書では、本件明細書で示す塗布液のステップカバレージ性以外の他の物性、即ち均一性、保存安定性（析出物有無）について、評価していないものであるから、適切な追試であるとはいえず実験報告書の結果は採用することはできない。
　よって、本件発明１の効果が刊行物１記載の組成物とほぼ同程度のものであることを前提とする、上記主張は意味のないものである。
　
（２）次に、本件発明１と、刊行物３に記載された発明とを対比すると、両者は、「アルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド基含有化合物とを、２−オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と酢酸ｎ−ブチル４０〜１０重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物」である点で一致し、本件発明１が、「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であるステップカバレッジ性組成物」とするのに対して、刊行物３の記載は、この点の記載がない点で相違する。
　相違点について検討すると、本件発明１は、アルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド化合物に対して、特定組成の混合溶媒を用いることによる、「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下」となるステップカバレッジ性組成物が必須の構成要件であるのに対して、刊行物２、３に記載されたポジ型レジスト組成物は、ステップカバレッジ性について全く記載していない。したがって、刊行物２、３の記載からは、上記相違点を導き出すことはできず、本件発明１は、刊行物２、３に記載された発明に基いて容易に発明することができたものといえない。
　特許異議申立人石黒きよしは、刊行物３について、「第１３頁右上欄には、甲第２号証（刊行物３）のレジスト組成物を段差がある基板に適用した場合の利点が述べられているが、これは結局、本件特許発明にいうステップカバレッジ性が良好であるということと同義である。」と主張する。
　しかし、該箇所の記載は、露光量域が現像処理により溶解除去されるのに対して、非露光部は、現像時に現像液により溶解される量が極めて少ないために、スピンコートによる塗布の際に薄くなりがちなエッジ部のレジストにも、レジストの抜けが起きにくいことを記述したものであって、ステップカバレッジ性について言及するものではないし、ステップカバレッジ性が良好であることを意味するものでもなく、上記主張は意味のないものである。
　
（３）本件発明１と、刊行物５に記載された発明とを対比すると、両者は、
「アルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド基含有化合物とを、２−オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と酢酸アルキル４０〜１０重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物」である点で一致し、
ａ．本件発明１が、２−オキシプロピオン酸エチルに混合する溶剤として、「酢酸ｎ−ブチルまたは酢酸イソブチル」を使用するのに対して、刊行物５の記載では、酢酸アミルを使用している点、
ｂ．本件発明１が、「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であるステップカバレッジ性組成物」とするのに対して、刊行物５の記載では、この点の記載がない点で相違する。
　相違点ｂ．について検討すると、本件発明１は、アルカリ可溶性樹脂と、キノンジアジド化合物に対して、特定組成の混合溶媒を用いることによる、「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下」となるステップカバレッジ性組成物が必須の構成要件であるのに対して、刊行物５に記載されたポジ型レジスト組成物は、ステップカバレッジ性について全く認識ないものである。したがって、上記相違点ａ．について検討するまでもなく、本件発明１は、刊行物５に記載された発明とはいえない。
　特許異議申立人クラリアント　インターナショナル　リミテッドは、刊行物４には、キノンジアジド基含有化合物とアルカリ可溶性樹脂とを２−オキシプロピオン酸エチルに溶解したボジ型感放射線性組成物に、酢酸ブチルを添加できることが開示されているから、この記載を参酌すれば、刊行物５に記載のレジスト組成物において、酢酸アミルに代えて酢酸ブチルを用いるとの発想に思い至ることは当業者の通常の創作行為の範囲にあると言え、さらに、酢酸ブチルと酢酸アミルとはその構造がきわめて類似していることから、その効果においてもほほ同程度のものが当然に予想される旨主張する。
　しかし、本件明細書に記載された実施例に見られるように、２−オキシプロピオン酸エチルと、酢酸ｎ−ブチルの量比が本件発明１の規定する範囲を外れただけで、均一性ならびにステップカバレッジが「△」の範囲になってしまうことからすれば、酢酸ｎ−ブチルおよび酢酸イソブチルとは、溶解性が異なると考えられる酢酸アミルに代えて、酢酸ｎ−ブチルおよび酢酸イソブチルを用いることが、容易に想到するものとは到底いえない。
　
（４）また、刊行物１〜５には、いずれも本件発明１で規定する「２．０μｍ幅のラインアンドスぺース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下」となるステップカバレッジ性組成物についての記載、ないしこの点を示唆する記載がないのであるから、これらの各刊行物の記載をいかに組み合わせても、本件発明１の構成を当業者が容易に想到することはできない。
　
（５）本件発明２は、本件発明１の混合溶媒に対して、さらに第３の成分としてキシレンを添加するものであるから、上記と同じ理由により、本件発明２は、刊行物１〜５に記載された発明であるとも、刊行物１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものともすることはできない。
　
（６）最後に、特許異議申立人石黒きよしが、本件特許明細書に対して、特許法第３６条違反を申立てる理由は、「酢酸ブチル」の語は、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、及び酢酸ｔｅｒｔ−ブチルの４種類を包含するものであるにもかかわらず、酢酸ｎ−ブチルおよび酢酸イソブチル以外は、発明の効果が確認されていないというものである。
　しかし、訂正後の本件発明１、２において、「酢酸ブチル」は、「酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」に限定されたので、申立理由は解消した。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては請求項１、２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
  また、他に請求項１、２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１、２に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して付与されたものと認めないから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月４日（２００１．１０．４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項Ａ
　特許請求の範囲の記載を、特許請求の範囲の減縮、および明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【請求項１】　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物とを、（Ｃ）（イ）２−オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル４０〜１０重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であることを特徴とするステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物。
　【請求項２】　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物とを、（Ｃ）（イ）２−オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル３０〜５重量％と（ハ）キシレン１０〜５重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であることを特徴とするステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物。」と訂正する。
（２）訂正事項Ｂ
　明細書段落【０００７】中の「（ロ）酢酸ブチル」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」と、また「（ハ）キシレン１０〜５重量％からなる混合溶剤に溶解したこと」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（ハ）キシレン１０〜５重量％との混合溶剤に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下であること」と訂正する。
（３）訂正事項Ｃ
　明細書段落【００２０】中の「極めて高い塗膜を」の記載を、誤記の訂正を目的として、「極めて高い均一性を有する塗膜を」と訂正する。
（４）訂正事項Ｄ
　明細書段落【００２１】中の「酢酸ブチル」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」と、また「スッテップカバレッジ性」の記載を、誤記の訂正を目的として、「ステップカバレッジ性」と訂正する。
（５）訂正事項Ｅ
　明細書段落【００２５】中の「０．１１〜０．２０」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「０．１１〜０．２０μｍ」と訂正する。
（６）訂正事項Ｆ
　明細書段落【００１２】中の「（ロ）酢酸ブチル」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（ロ）酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」と訂正する。
（７）訂正事項Ｇ
　明細書段落【００１３】中の「特に酢酸ブチル」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「特に酢酸ｎ−ブチル」と訂正する。
（８）訂正事項Ｈ
　明細書段落【００１４】中の「この酢酸ブチル」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「この酢酸ｎ−ブチル又は酢酸イソブチル」と訂正する。
（９）訂正事項Ｉ
　明細書段落【００２６】中の「酢酸ブチル１０ｇ」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「酢酸ｎ−ブチル１０ｇ」と訂正する。
（１０）訂正事項Ｊ
　明細書段落【００２７】中の「実施例２〜７、比較例１〜２」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「実施例２〜４、比較例１〜４」と訂正する。
（１１）訂正事項Ｋ
　明細書段落【００２８】【表１】の記載中、明りょうでない記載の釈明を目的として、「実施例５」を削除し、「実施例６」、「実施例７」を、「比較例１」、「比較例２」と訂正し、また「比較例１」、「比較例２」を、「比較例３」、「比較例４」と訂正する。
（１２）訂正事項Ｌ
　明細書段落【００２９】中の「実施例８」の記載を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「実施例５」と、また「酢酸ブチル５ｇ」の記載を、「酢酸ｎ−ブチル５ｇ」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物とを、（Ｃ）（イ）２‐オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と（ロ）
酢酸ｎ‐ブチル又は酢酸イソブチル
との
てなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下である
　【請求項２】　（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物とを、（Ｃ）（イ）２‐オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と（ロ）
酢酸ｎ‐ブチル又は酢酸イソブチル
との
てなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下である
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、新規なポジ型レジスト組成物、さらに詳しくは、電子部品材料製造などにおいて好適に用いられる塗膜性、保存安定性に優れ、かつ安全性に優れたステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体素子や液晶表示素子などの電子部品材料の製造においては、基板上にパターンを形成させる方法としてホトリソグラフィーによるパターン転写方法が用いられている。このホトリソグラフィーはシリコンウエハーなどの基板上にレジストをスピンナーを用いて塗布、乾燥し、次いでマスクを介して活性光線を照射し、現像することでマスクパターンを基板上に転写したのち、エッチングする方法である。このエッチング用のマスクとして用いられるレジストには、初期はネガ型が用いられてきたが、ネガ型レジストは現像液中での膨張による解像限界及びコンタクト露光におけるマスク損傷の問題から、現在は解像性に優れたポジ型レジストが多く用いられている。
　【０００３】
　ところで、近年シリコンウエハーやガラス基板が大型化しており、レジストを基板上に塗布するに当って、塗膜の均一性が優れたものが望まれ、また表面に凹凸を有する基板上に塗膜を形成する場合に凹部上に形成される塗膜の膜厚と凸部上に形成される塗膜の膜厚との膜厚差が小さいほど、解像性の優れたレジストパターンが形成できるため、塗膜の膜厚差の小さい、すなわちステップカバレッジ性に優れたものが要求され、また化学品の環境や人体に対する影響力が大きな問題となっており、環境に悪影響を与えず、健康に対して害を与えないレジストが強く要望され、レジストの溶剤について種々の検討が行われている。
　【０００４】
　従来、ポジ型レジストの溶剤としては多くのものが知られており、例えばエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、シクロペンタノン（特開昭５９−１５５８３８号公報）、モノオキシモノカルボン酸エステル類（特開昭６２−１２３４４４号公報）、環状ケトンとアルコールとの混合溶剤（米国特許第４５２６８５６号明細書）、プロピレングリコールアルキルエーテル（特開昭６１−７８３７号公報）など知られているが、いずれの溶剤も均一性や塗膜性が劣り、しかもステップカバレッジ性を有していなかった。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は、このような従来の溶剤を用いたポジ型レジスト組成物が有する問題点を解決し、塗膜性、保存安定性、かつ安全性に優れたステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物を提供することを目的としてなされたものである。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明者らは、ステップカバレッジ性をもつポジ型レジスト組成物を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物とを、特定の化合物を所定の割合で混合して得られた有機溶剤に溶解させた場合にその目的に達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
　【０００７】
　すなわち、本発明は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物とを、（Ｃ）（イ）２‐オキシプロピオン酸エチル６０〜９０重量％と（ロ）
酢酸ｎ‐ブチル又は酢酸イソブチル
酢酸ｎ‐ブチル又は酢酸イソブチル
との
てなるポジ型レジスト組成物であって、２．０μｍ幅のラインアンドスペース、厚さ０．５μｍのパターンを有する基板上に、乾燥膜厚１．５μｍになる条件下で塗布したときに、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚とスペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差が０．１０μｍ以下である
　【０００８】
　本発明組成物において、（Ａ）成分として用いられるアルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルフェノール、ポリα‐メチルビニルフェノールなどが挙げられ、中でも特にアルカリ可溶性ノボラック樹脂が好ましい。このアルカリ可溶性ノボラック樹脂については特に制限はなく、従来ポジ型ホトレジスト組成物において被膜形成用物質として慣用されているもの、例えばフェノール、クレゾール、キシレノールなどの芳香族ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒドなどのアルデヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させたものなどが用いられる。このアルカリ可溶性ノボラック樹脂としては、低分子領域をカットした重量平均分子量が２０００〜２００００、好ましくは５０００〜１５０００の範囲のものが好適である。
　【０００９】
　本発明組成物においては、（Ｂ）成分の感光性成分として、キノンジアジド基含有化合物が用いられる。このキノンジアジド基含有化合物としては、例えばオルトベンゾキノンジアジド、オルトナフトキノンジアジド、オルトアントラキノンジアジドなどのキノンジアジド類のスルホン酸と、フェノール性水酸基又はアミノ基を有する化合物とを部分若しくは完全エステル化、あるいは部分若しくは完全アミド化したものなどが挙げられる。フェノール性水酸基又はアミノ基を有する化合物としては、例えば２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノンなどのポリヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸アルキル、没食子酸アリール、フェノール、フェノール樹脂、ｐ‐メトキシフェノール、ジメチルフェノール、ヒドロキノン、ポリヒドロキシジフェニルアルカン、ポリヒドロキシジフェニルアルケン、ビスフェノールＡ、α，α′，α″‐トリス（４‐ヒドロキシフェニル）‐１，３，５‐トリイソプロピルベンゼン、１‐［１‐（４‐ヒドロキシジフェニル）イソプロピル］‐４‐［１，１‐ビス（４‐ヒドロキシジフェニル）エチル］ベンゼン、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン又はそのメチル置換体、ナフトール、ピロカテコール、ピロガロール、ピロガロールモノメチルエーテル、ピロガロール１，３‐ジメチルエーテル、没食子酸、水酸基を一部残してエステル化又はエーテル化された没食子酸、アニリン、ｐ‐アミノジフェニルアミンなどが挙げられる。特に好ましいキノンジアジド基含有化合物は、ポリヒドロキシベンゾフェノンとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホン酸又はナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐スルホン酸との完全エステル化物や部分エステル化物であり、特に平均エステル化度が７０モル％以上のものが好ましい。
　【００１０】
　本発明組成物においては、該感光性成分として、前記のキノンジアジド基含有化合物を単独で含有してもよいし、２種以上含有してもよい。
　【００１１】
　このキノンジアジド基含有化合物は、例えば前記ポリヒドロキシベンゾフェノンを、ナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド又はナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐４‐スルホニルクロリドとをジオキサンなどの適当な溶媒中において、トリエタノールアミン、炭酸アルカリや炭酸水素アルカリなどのアルカリの存在下に縮合させ、完全エステル化又は部分エステル化することにより製造することができる。
　【００１２】
　本発明組成物において、（Ｃ）成分として用いられる有機溶剤としては、（イ）２‐オキシプロピオン酸エチルと（ロ）
酢酸ｎ‐ブチル又は酢酸イソブチル
　【００１３】
　該（ロ）成分
は
ｎ‐
　【００１４】
　この
酢酸ｎ‐ブチル又は酢酸イソブチル
　【００１５】
　本発明においては、前記（イ）成分と（ロ）成分との混合溶剤に、場合により、さらに（ハ）成分としてキシレンを配合することができる。これによって、アルカリ可溶性樹脂やキノンジアジド基含有化合物の溶解性を向上でき、保存安定性の良好なポジ型レジスト組成物を調製することができる。
　【００１６】
　本発明組成物において（Ｃ）成分として用いられる混合有機溶剤における各成分の含有割合については、該（イ）成分と（ロ）成分の２成分を含有する場合は、（イ）成分６０〜９０重量％及び（ロ）成分４０〜１０重量％の割合であり、（イ）成分と（ロ）成分と（ハ）成分の３成分を含有する場合には、（イ）成分６０〜９０重量％、（ロ）成分３０〜５重量％及び（ハ）成分１０〜５重量％の割合である。各成分の含有割合が前記範囲を逸脱すると、本発明の目的である塗膜性、保存安定性、安全性が改善されたステップカバレッジ性ポジ型レジスト組成物を得ることができない。
　【００１７】
　本発明組成物は、さらに必要に応じて相容性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像して得られるパターンをより一層可視的にするための着色料、またより増感効果を向上させるための増感剤、コントラスト向上剤などの慣用されているものを添加配合させることができる。
　【００１８】
　本発明組成物は前記した混合有機溶剤に、前記のアルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物及び必要に応じて配合される添加成分をそれぞれ必要量溶解し、溶液の形で用いるのが有利である。
　【００１９】
　本発明組成物の好適な使用方法について１例を示すと、まずシリコンウエハーのような基板上に、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物とを前記した混合有機溶剤に溶解して得た溶液をスピンナー、ロールコーターなどで塗布し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外線を発光する光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、アーク灯、キセノンランプなどを用い所要のマスクパターンを介して露光するか、縮小投影露光装置により露光するか、マスクパターンを介してエキシマレーザーやＸ線を照射するか、あるいは電子線を走査しながら照射する。次に、これを現像液、例えば１〜１０重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液のようなアルカリ性水溶液に浸漬すると、露光によって可溶化した部分が選択的に溶解除去されて、マスクパターンに忠実な画像を得ることができる。
　【００２０】
　このようなパターンは半導体加工にかぎらず、リソグラフィーを用いて加工する分野、例えばＬＣＤ、ＴＡＢ、ＰＣＢ、ケミカルミーリング、印刷などにも同様に優れた効果が得られる。特に本発明組成物は従来の有機溶剤では均一性に優れた塗膜が得られなかった、大型基板や角型基板への塗布において、極めて高い
均一性を有する
　【００２１】
　【発明の効果】
　本発明のポジ型レジスト組成物は、その調製溶剤として、２‐オキシプロピオン酸エチルと
酢酸ｎ‐ブチル又は酢酸イソブチル
ステ
　【００２２】
　【実施例】
　次に、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら制限されるものではない。
　【００２３】
　なお、各例における物性は次の方法によって求められたものである。
（１）均一性
　ポジ型レジスト組成物の塗布液を６インチシリコンウエハー上に３０００ｒｐｍ、２０秒間塗布し、９０℃で９０秒間ホットプレート上にて乾燥することで塗布膜を形成し、その塗布膜の膜厚をウエハー全面にわたって測定し、ウエハー上での膜厚のバラツキが±２０Å以下のものを○、±２１〜４０ÅのものをΔ、±４１Å以上のものを×として評価した。
　【００２４】
（２）保存安定性
　調製されたポジ型レジスト組成物の塗布液を０．２μｍのメンブランフィルターを通してろ過したのち４０℃において３か月静置した後の溶液中の析出物の有無を観察し、析出物がないものを無、析出物があるものを有と評価した。
　【００２５】
（３）ステップカバレッジ性
　ポジ型レジスト組成物の塗布液を、２．０μｍ幅のラインアンドスペースで、膜厚０．５μｍの酸化シリコン膜パターンが形成された６インチシリコンウエハー上に、酸化シリコン膜パターンのないフラットな面での乾燥膜厚が１．５μｍになるようにスピンナーで塗布し、乾燥することでウエハー全面に塗布膜を形成し、ライン部分上に形成された塗布膜の膜厚と、スペース部分上に形成された塗布膜の膜厚との差を測定し、その差が０．１０μｍ以下のものを○、０．１１〜０．２０
μｍ
　【００２６】
実施例１
　２，３，４，４′‐テトラヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロリド３モルとのエステル化反応生成物２ｇとクレゾールノボラック樹脂８ｇとを、２‐オキシプロピオン酸エチル４０ｇと酢酸
ｎ‐
　【００２７】
実施例２〜
４
４
　表１に示すような混合溶剤を用いた以外は、実施例１と同様にしてポジ型レジスト組成物の塗布液を調製した。この塗布液について物性を調べ、その結果を表１に示す。
　【００２８】
　【表１】
　【００２９】
実施例
５
　２‐オキシプロピオン酸エチル４０ｇと酢酸
ｎ‐