【事件の表示】
　特願２０１９−　８１０４５「レーザ加工システム」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　９月１９日出願公開、特開２０１９−１６１２３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月１３日に出願された特願２０１１−１３１４９１号（以下「原出願」という。）の一部を平成２７年１０月１３日に新たな特許出願（特願２０１５−２０２０３２号）とし，さらに，その一部を平成２８年７月４日に新たな特許出願（特願２０１６−１３２２６４号）とし，さらに，その一部を平成２９年２月１６日に新たな特許出願（特願２０１７−２６９３９号）とし，さらに，その一部を同年６月２７日に新たな特許出願（特願２０１７−１２５５２６号）とし，さらに，その一部を平成３０年５月２２日に新たな特許出願（特願２０１８−９７８７７号）とし，さらに，その一部を平成３１年１月１８日に新たな特許出願（特願２０１９−７２９９号）とし，さらに，その一部を平成３１年３月１３日に新たな特許出願（特願２０１９−４６０６０号）とし，さらに，その一部を平成３１年４月２２日に新たな特許出願（特願２０１９−８１０４５号）としたものであり，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
　令和　元年　７月１８日：拒絶理由通知（起案日）
　令和　元年１１月１８日：意見書
　令和　元年１１月２５日：拒絶査定（起案日） 
　令和　２年　２月２６日：審判請求，手続補正書
　令和　２年　４月２１日：上申書
第２　令和２年２月２６日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和２年２月２６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおり補正された。（下線部は，補正箇所である。）
「【請求項１】
　チップ強度の向上を図るレーザ加工システムにおいて，
　対物レンズを通してウェハのデバイス面を撮像する撮像手段と，
　前記対物レンズを光軸方向に微動させて前記対物レンズの集光点の位置を調整する対物レンズ微動手段と，
　前記対物レンズを通して，前記デバイス面とは反対側である前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して，前記ウェハの内部の中間位置よりも深く，前記ウェハのデバイス面から所定距離離れた目標位置よりも手前側の位置に前記レーザ光を集光させ，前記レーザ光の集光点を含むレーザ光通過部分に
微小空孔を有する
　前記ウェハの裏面側から，前記レーザ光の集光点までを含むレーザ光通過部分全体を研削除去
するとともに前記改質領域内の前記微小空孔を前記ウェハの厚み方向に進展させて
　を備える，レーザ加工システム。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　チップ強度の向上を図るレーザ加工システムにおいて，
　対物レンズを通してウェハのデバイス面を撮像する撮像手段と，
　前記対物レンズを光軸方向に微動させて前記対物レンズの集光点の位置を調整する対物レンズ微動手段と，
　前記対物レンズを通して，前記デバイス面とは反対側である前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して，前記ウェハの内部の中間位置よりも深く，前記ウェハのデバイス面から所定距離離れた目標位置よりも手前側の位置に前記レーザ光を集光させ，前記レーザ光の集光点を含むレーザ光通過部分に改質領域を形成するレーザ光照射手段と，
　前記ウェハの裏面側から，前記レーザ光の集光点までを含むレーザ光通過部分全体を研削除去し，前記ウェハの厚みを前記目標位置以下とする研削手段と，
　を備える，レーザ加工システム。」
２　補正の適否
　本件補正は，本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「レーザ光照射手段」，及び，「研削手段」について，上記のとおり限定を付加するものであって，補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
　ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，国際公開第０３／７７２９５号（以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
「背景技術 
　
近年の半導体デバイスの小型化に伴い，半導体デバイスの製造工程において，半導体基板が数１０μｍ程度の厚さにまで薄型化されることがある
「また，
基板を研磨する工程は，基板の裏面にケミカルエッチングを施す工程を含むことが好ましい
基板の裏面にケミカルエッチングを施すと
基板を分割することで得られるチップの抗折強度を向上させることができる
「図２３Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
　図２３Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
　図２４Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
　
図２４Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である
　図２５Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
　図２５Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。」（明細書第５ページ第４−２１行）
「図１及び図２に示すように，基板１の表面３には，基板１を切断すべき所望の切断予定ライン５がある。切断予定ライン５は直線状に延びた仮想線である（基板１に実際に線を引いて切断予定ライン５としてもよい）。本実施形態に係るレーザ加工は，多光子吸収が生じる条件で基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを基板１に照射して改質領域７を形成する。なお，集光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。
　レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち矢印Ａ方向に沿って）相対的に移動させることにより，集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより，図３〜図５に示すように改質領域７が切断予定ライン５に沿って基板１の内部にのみ形成され，この改質領域７でもって切断予定部９が形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は，基板１がレーザ光Ｌを吸収することにより基板１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。基板１にレーザ光Ｌを透過させ基板１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって，基板１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので，基板１の表面３が溶融することはない。
　
基板１の切断において，切断する箇所に起点があると基板１はその起点から割れるので，図６に示すように比較的小さな力で基板１を切断することができる
　なお，
切断予定部を起点とした基板の切断には，次の２通りが考えられる。１つは，切断予定部形成後，基板に人為的な力が印加されることにより，切断予定部を起点として基板が割れ，基板が切断される場合である
人為的な力が印加されるとは，例えば，基板の切断予定部に沿って基板に曲げ応力やせん断応力を加えたり，基板に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることである
「[実施例　１]
　
本発明に係る基板の分割方法の実施例１について説明する
実施例１では，基板１をシリコンウェハ (厚さ３５０μｍ，外径４インチ）とし（以下，実施例１では「基板１」を「半導体基板１」という），デバイス製作プロセスにおいて半導体基板１の表面３に複数の機能素子がマトリックス状に形成されたものを対象とする
　まず，半導体基板１の内部に切断起点領域を形成する工程について説明するが，その説明に先立って，
切断起点領域を形成する工程において使用されるレーザ加工装置
　
レーザ加工装置１００は，レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と，レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と，レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイツクミラー１０３と，ダイクロイツクミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と，集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される半導体基板１が載置される載置台１０７と，載置台１０７をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と，載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と，載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と，これら３つのステージ１０９，１１１，１１３の移動を制御するステージ制御部１１５とを備える
　
Ｚ軸方向は半導体基板１の表面３と直交する方向なので，半導体基板１に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となる。よって，Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に移動させることにより，半導体基板１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせることができる
「レーザ加工装置１００はさらに，載置台１０７に載置された半導体基板１を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９とを備える。ビームスプリッタ１１９と集光用レンズ１０５との間にダイクロイツクミラー１０３が配置されている。ビームスプリッタ１１９は，可視光線の約半分を反射し残りの半分を透過する機能を有しかつ可視光線の光軸の向きを９０°変えるように配置されている。観察用光源１１７から発生した可視光線はビームスプリッタ１１９で約半分が反射され，この反射された可視光線がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５を透過し，半導体基板１の切断予定ライン５等を含む表面３を照明する。
　
レーザ加工装置１００はさらに，ビームスプリッタ１１９，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１としては例えばＣＣＤカメラがある。切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反射光は，集光用レンズ１０５，ダイクロイックミラー１０３，ビームスプリッタ１１９を透過し，結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され，撮像データとなる
「続いて，
レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて，レーザ光Ｌを半導体基板１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは半導体基板１の内部に位置しているので，溶融処理領域は半導体基板１の内部にのみ形成される。そして，切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて，切断予定ライン５に沿うよう形成された溶融処理領域でもって切断予定ライン５に沿う切断起点領域を半導体基板１の内部に形成する（Ｓ１１３）。
　以上により切断起点領域を形成する工程が終了し，半導体基板１の内部に切断起点領域が形成される
　
実施例１では，上述した切断起点領域を形成する工程において，半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成され，この切断起点領域を起点として半導体基板１の厚さ方向に割れが発生している
半導体基板１において切断起点領域を起点として発生した割れ１５は，切断予定ラインに沿うよう格子状に形成され，半導体基板１の表面３にのみ到達し，裏面２１には到達していない
　なお，
「半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成される」とは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板１の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面３側に偏倚して形成されることを意味する
　 
次に，半導体基板１を研磨する工程について，図１７〜図２１を参照して説明する。図１７〜２１は，半導体基板を研磨する工程を含む各工程を説明するための図である。なお，実施例１では，半導体基板１が厚さ３５０μｍから厚さ５０μｍに薄型化される
　図１７に示すように，上記切断起点領域形成後の半導体基板１の表面３に保護フィルム２０が貼り付けられる。保護フィルム２０は，半導体基板１の表面３に形成されている機能素子１９を保護すると共に，半導体基板１を保持するためのものである。続いて，図１８に示すように，
半導体基板１の裏面２１が平面研削され，この平面研削後に裏面２１にケミカルエッチングが施されて，半導体基板１が５０μｍに薄型化される。これにより，すなわち半導体基板１の裏面２１の研磨により，切断起点領域を起点として発生した割れ１５に裏面２１が達して，機能素子１９それぞれを有する半導体チップ２５に半導体基板１が分割される
「また，
半導体基板を研磨する工程においては，半導体基板１の裏面２１にケミカルエッチングを施すため
半導体基板１分割することで得られる半導体チップ２５の抗折強度を向上させることができる
　なお，
半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては，図２３Ａ〜図２５Ｂに示すものがある。各図に示す半導体チップ２５には，後述するそれぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができる
図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上する。
図２４Ａ及び
図２４Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効である
図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面の裏面側のエッジ部に残存する半導体チップ２５は，当該エッジ部が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５のエッジ部を面取りした場合と同様に，エッジ部におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することができる。
また，図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａに示すように，
半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合に比べ
図２４Ｂ
に示すように半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合の方が，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップ２５の切断面の直進性がより向上する
ところで，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に到達するか否かは，溶融処理領域１３の表面３からの深さに関係するのは勿論であるが，溶融処理領域１３の大きさにも関係する。すなわち，
溶融処理領域１３の大きさを小さくすれば，溶融処理領域１３の表面３からの深さが浅い場合でも，割れ１５は半導体基板１の表面３に到達しない
「また，
レーザ光Ｌの照射は
裏面２１側から行ってもよい
「
」
「
」
「
」
　
　図２４Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図であって，同図から，
　デバイス面とは反対側であるウェハの裏面側からみて，研磨前のウェハの内部の中間位置よりも深く，かつ，ウェハのデバイス面から所定距離離れた研磨後に裏面となる位置，すなわち目標位置よりも手前側の位置に，レーザ光を集光すること，及び，
　半導体基板を研磨する工程前に割れが半導体基板の表面に達していないことを見て取ることができる。
（イ）上記記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。），及び，技術的事項が記載されていると認められる。
＜引用発明＞
「基板の分割に用いる設備であって，
　基板は，シリコンウェハ (厚さ３５０μｍ，外径４インチ）とし（以下，「基板」を「半導体基板」という），デバイス製作プロセスにおいて半導体基板の表面に複数の機能素子がマトリックス状に形成されたものを対象とするものであり，
　前記設備は，切断起点領域を形成する工程において使用するレーザ加工装置を備え，
　レーザ加工装置は，レーザ光を発生するレーザ光源と，レーザ光の出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源を制御するレーザ光源制御部と，レーザ光の反射機能を有しかつレーザ光の光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイツクミラーと，ダイクロイツクミラーで反射されたレーザ光を集光する集光用レンズと，集光用レンズで集光されたレーザ光が照射される半導体基板が載置される載置台と，載置台をＸ軸方向に移動させるためのＸ軸ステージと，載置台をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージと，載置台をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージと，これら３つのステージの移動を制御するステージ制御部とを備えるものであって，
　Ｚ軸方向は半導体基板の表面と直交する方向なので，半導体基板に入射するレーザ光の焦点深度の方向となり，よって，Ｚ軸ステージをＺ軸方向に移動させることにより，半導体基板の内部にレーザ光の集光点を合わせることができるものであり，
　レーザ加工装置はさらに，ビームスプリッタ，ダイクロイックミラー及び集光用レンズと同じ光軸上に配置された撮像素子及び結像レンズを備え，撮像素子としては例えばＣＣＤカメラがあり，切断予定ライン等を含む表面を照明した可視光線の反射光は，集光用レンズ，ダイクロイックミラー，ビームスプリッタを透過し，結像レンズで結像されて撮像素子で撮像され，撮像データとなるものであり，
　レーザ光源からレーザ光を発生させて，レーザ光を半導体基板の表面の切断予定ラインに照射し，レーザ光の集光点は半導体基板の内部に位置しているので，溶融処理領域は半導体基板の内部にのみ形成され，そして，切断予定ラインに沿うようにＸ軸ステージやＹ軸ステージを移動させて，切断予定ラインに沿うよう形成された溶融処理領域でもって切断予定ラインに沿う切断起点領域を半導体基板の内部に形成し，切断起点領域を形成するものであり，
　上述した切断起点領域を形成する工程において，半導体基板の内部の表面側に近い位置に切断起点領域が形成され，この切断起点領域を起点として半導体基板の厚さ方向に割れが発生し，半導体基板において切断起点領域を起点として発生した割れは，切断予定ラインに沿うよう格子状に形成され，半導体基板の表面にのみ到達し，裏面には到達していないものであり，
　ここで，「半導体基板の内部の表面側に近い位置に切断起点領域が形成される」とは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面側に偏倚して形成されることを意味するものであり，
　前記設備は，更に，半導体基板を研磨する工程で使用する装置を備え，
　半導体基板を研磨する工程では，半導体基板が厚さ３５０μｍから厚さ５０μｍに薄型化されるものであり，
　半導体基板の裏面が平面研削され，この平面研削後に裏面にケミカルエッチングが施されて，半導体基板が５０μｍに薄型化され，これにより，すなわち半導体基板の裏面の研磨により，切断起点領域を起点として発生した割れに裏面が達して，機能素子それぞれを有する半導体チップに半導体基板が分割されるものである，
　基板の分割に用いる設備。」
＜技術的事項＞
・基板を研磨する工程が，基板の裏面にケミカルエッチングを施す工程を含むことで，基板を分割することで得られるチップの抗折強度を向上させることができること。
・基板の切断において，切断する箇所に起点があると基板はその起点から割れるので，比較的小さな力で基板を切断することができるものであり，切断予定部を起点とした基板の切断には，切断予定部形成後，基板に人為的な力が印加されることにより，切断予定部を起点として基板が割れ，基板が切断される場合があり，人為的な力が印加されるとは，例えば，基板の切断予定部に沿って基板に曲げ応力やせん断応力を加えたり，基板に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることであること。
・溶融処理領域が切断面内に残存しない半導体チップは，溶融処理領域が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効であること。
・半導体基板を研磨する工程前に割れが半導体基板の表面に達している場合に比べ，半導体基板を研磨する工程前に割れが半導体基板の表面に達していない場合の方が，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップの切断面の直進性がより向上すること。
・レーザ光の照射は，基板の表面側から行ってもよいし，裏面側から行ってもよいこと。
　
・半導体基板を研磨する工程後の半導体チップと溶融処理領域との関係としては，種々のものがあり，それぞれの関係で，それぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができるところ，引用文献１に記載された実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップと溶融処理領域との関係においては，デバイス面とは反対側であるウェハの裏面側からみて，研磨前のウェハの内部の中間位置よりも深く，かつ，ウェハのデバイス面から所定距離離れた研磨後に裏面となる位置，すなわち目標位置よりも手前側の位置に，レーザ光を集光することで，半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しないようにすることで，溶融処理領域が半導体デバイスに与える悪影響を避けるとともに，半導体基板を研磨する工程前に割れが半導体基板の表面に達していないようにすることで，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップの切断面の直進性をより向上させることができること。
　イ　引用文献２
（ア）原査定に引用され，本願の原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００２−１９２３７０号公報（以下「引用文献２」という。）には，次の記載がある。
「【請求項１】 加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備える，レーザ加工方法。
【請求項２】 
加工対象物の内部に集光点を合わせて
レーザ光を照射し
加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成する工程を備える，レーザ加工方法
　・・・
【請求項６】 前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射するとは，一つのレーザ光源から出射されたレーザ光を集光して前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射する，請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項７】 前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射するとは，複数のレーザ光源から出射された各レーザ光を前記加工対象物の内部に集光点を合わせて異なる方向から照射する，請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項８】 前記複数のレーザ光源から出射された各レーザ光は，前記加工対象物の前記表面から入射する，請求項７記載のレーザ加工方法。
【請求項９】 前記複数の
レーザ光源は
加工対象物の裏面から入射するレーザ光を出射する
【請求項１５】 前記
加工対象物は半導体材料を含む
【請求項１６】 前記加工対象物は照射されたレーザ光の透過性を有する，請求項１〜１５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項１７】 前記
加工対象物の前記表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されている
「【０００６】本発明の目的は，加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供することである。」
「【００１１】本発明に係るレーザ加工方法によれば，加工対象物の内部に集光点を合わせて，集光点におけるピークパワー密度が１×１０8（Ｗ／ｃｍ2）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射している。このため，
加工対象物の内部では多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され，これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される
このクラック領域は上記改質領域の一例である
「【００４４】次に，本実施形態の具体例を説明する。
［第１例］本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法について説明する。図１４はこの方法に使用できるレーザ加工装置１００の概略構成図である。
レーザ加工装置１００は
載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３
【００４５】Ｚ軸方向は加工対象物１の表面３と直交する方向なので，加工対象物１に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となる。よって，Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に移動させることにより，加工対象物１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせることができる。また，この集光点ＰのＸ（Ｙ）軸方向の移動は，加工対象物１をＸ（Ｙ）軸ステージ１０９（１１１）によりＸ（Ｙ）軸方向に移動させることにより行う。Ｘ（Ｙ）軸ステージ１０９（１１１）が移動手段の一例となる。
　・・・
【００４７】第１例では加工対象物１の加工にパルスレーザ光を用いているが，多光子吸収を起こさせることができるなら連続波レーザ光でもよい。なお，本発明においてレーザ光はレーザビームを含む意味である。集光用レンズ１０５は集光手段の一例である。
Ｚ軸ステージ１１３はレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段の一例である。集光用レンズ１０５をＺ軸方向に移動させることによっても，レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができる
「【００６５】［第２例］
次に，本実施形態の第２例について説明する
「【００７６】上述した
所望の切断パターンに沿ってクラック領域９が形成されると（Ｓ２１９），物理的外力印加又は環境変化等により切断対象材料内，特にクラック領域９が形成された部分に応力を生じさせて，切断対象材料の内部（集光点及びその近傍）のみに形成されたクラック領域９を成長させて，切断対象材料をクラック領域９が形成された位置で切断する
「【００８０】圧電デバイスチップ３７が圧電素子ウェハ３１から分離されると吸引チャック３４及び加圧ニードル３６をウェハシート３３から離れる方向に移動させる。吸引チャック３４及び加圧ニードル３６が移動すると，分離された圧電デバイスチップ３７は吸引チャック３４に吸着しているので，図３２に示されるように，ウェハシート３３から離されることになる。このとき，図示しないイオンエアーブロー装置を用いて，イオンエアーを図３２中矢印Ｂ方向に送り，分離されて吸引チャック３４に吸着している圧電デバイスチップ３７と，ウェハシート３３に保持されている圧電素子ウェハ３１（表面）とをイオンエアー洗浄している。なお，イオンエアー洗浄の代わりに，吸引装置を設けて，塵等を吸引することで切断分離された圧電デバイスチップ３７及び圧電素子ウェハ３１の洗浄を行うようにしてもよい。
環境変化により切断対象材料を切断する方法としては，内部のみにクラック領域９が形成された切断対象材料に対して温度変化を与える方法が存在する。このように，切断対象材料に対して温度変化を与えることにより，クラック領域９が形成されている材料部分に熱応力を生じさせて，クラック領域９を成長させて切断対象材料を切断することができる
【００８１】このように，第２例においては，集光用レンズ１０５により，レーザ光源１０１から出射されたレーザ光Ｌを，その集光点が光透過性材料（圧電素子ウェハ３１）の内部に位置するように集光することで，集光点におけるレーザ光Ｌのエネルギー密度が光透過性材料の光学的損傷若しくは光学的絶縁破壊のしきい値を越え，光透過性材料の内部における集光点及びその近傍のみに微小なクラック領域９が形成される。そして，形成されたクラック領域９の位置にて光透過性材料が切断されるので，発塵量が極めて低く，ダイシング傷，チッピングあるいは材料表面でのクラック等が発生する可能性も極めて低くなる。また，光透過性材料は，光透過性材料の光学的損傷若しくは光学的絶縁破壊により形成されたクラック領域９に沿って切断されるので，切断の方向安定性が向上し，切断方向の制御を容易に行うことができる。また，ダイヤモンドカッタによるダイシングに比して，ダイシング幅を小さくすることができ，１つの光透過性材料から切断された光透過性材料の数を増やすことが可能となる。これらの結果，第２例によれば，極めて容易且つ適切に光透過性材料を切断することができる。
【００８２】また，物理的外力印加又は環境変化等により切断対象材料内に応力を生じさせることにより，形成されたクラック領域９を成長させて光透過性材料（圧電素子ウェハ３１）を切断するので，形成されたクラック領域９の位置にて光透過性材料を確実に切断することができる。」
「【００８７】また，第２例においては，改質部（クラック領域９）の形成がレーザ光Ｌによる非接触加工にて実現されるため，ダイヤモンドカッタによるダイシングにおけるブレードの耐久性，交換頻度等の問題が生じることはない。また，第２例においては，上述したように，改質部（クラック領域９）の形成がレーザ光Ｌによる非接触加工にて実現されるため，光透過性材料を完全に切断しない，光透過性材料を切り抜くような切断パターンに沿って，光透過性材料を切断することが可能である。
本発明は，前述した第２例に限定されるものではなく，たとえば，光透過性材料は圧電素子ウェハ３１に限られることなく，半導体ウェハ
であってもよい
【００８８】また，
レーザ加工装置１００において，Ｚ軸ステージ１１３を移動させることによりレーザ光Ｌのフォーカス調整を行うようにしているが，これに限られることなく，集光用レンズ１０５をレーザ光Ｌの光軸方向に移動させることによりフォーカス調整を行うようにしてもよい
（イ）上記記載から，引用文献２には，次の技術が記載されていると認められる。
・半導体材料を含む加工対象物の内部に集光点を合わせて，レーザ光を照射することで，前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成することができること。
・加工対象物の内部では多光子吸収による光学的損傷という現象が発生し，この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され，これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成され，このクラック領域は改質領域の一例であること。
・レーザ加工装置は，載置台をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージを備えるが，Ｚ軸ステージはレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段の一例であり，集光用レンズをＺ軸方向に移動させることによっても，レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができること。
・所望の切断パターンに沿ってクラック領域が形成されると，物理的外力印加又は環境変化等により切断対象材料内，特にクラック領域が形成された部分に応力を生じさせて，切断対象材料の内部（集光点及びその近傍）のみに形成されたクラック領域を成長させて，切断対象材料をクラック領域が形成された位置で切断することができること。
・環境変化により切断対象材料を切断する方法としては，内部のみにクラック領域が形成された切断対象材料に対して温度変化を与える方法が存在し，このように，切断対象材料に対して温度変化を与えることにより，クラック領域が形成されている材料部分に熱応力を生じさせて，クラック領域を成長させて切断対象材料を切断することができること。
　ウ　引用文献３
（ア）原査定に引用され，本願の原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００５−１７５１４７号公報（以下「引用文献３」という。）には，次の記載がある。
「【００１３】
　図１は，本発明に係るレーザーダイシング装置の概略構成図である。ダイシング装置１０では，ウェーハは図４に示すように，一方の面に粘着材を有するダイシングシートＳに貼付され，このダイシングシートＳを介してフレームＦと一体化された状態で搬入され，ダイシング装置１０内を搬送される。
【００１４】
　レーザーダイシング装置１０は，図１に示すように，ウェーハ移動部１１，レーザー光学部２０と観察光学部３０とからなるレーザーヘッド４０，制御部５０等から構成されている。
【００１５】
　ウェーハ移動部１１は，レーザーダイシング装置１０の本体ベース１６に設けられたＸＹＺθテーブル１２，ＸＹＺθテーブル１２に載置されダイシングシートＳを介してフレームＦにマウントされたウェーハＷを吸着保持する吸着ステージ１３等からなっている。このウェーハ移動部１１によって，ウェーハＷが図のＸＹＺθ方向に精密に移動される。
【００１６】
　レーザー光学部２０は，レーザー発振器２１，コリメートレンズ２２，ハーフミラー２３，
コンデンスレンズ（集光レンズ）
【００１７】
　また，観察光学部３０は，観察用光源３１，コリメートレンズ３２，ハーフミラー３３，コンデンスレンズ３４，観察手段としてのＣＣＤカメラ３５，画像処理装置３８，テレビモニタ３６等で構成されている。
【００１８】
　レーザー光学部２０では，レーザー発振器２１から発振されたレーザー光はコリメートレンズ２２，ハーフミラー２３，コンデンスレンズ２４等の光学系を経てウェーハＷの内部に集光される。ここでは，集光点におけるピークパワー密度が１×１０８(Ｗ／ｃｍ２ ）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で，ダイシングシートに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。
集光点のＺ方向位置は，後出のＺ微動手段２７によるコンデンスレンズ２４のＺ方向微動によって調整される
「【００２５】
　図２は，駆動手段２５の細部を説明する概念図である。駆動手段２５は，コンデンスレンズ２４を保持するレンズフレーム２６，レンズフレーム２６の上面に取り付けられレンズフレーム２６を図のＺ方向に微小移動させるＺ微動手段２７，Ｚ微動手段２７を保持する保持フレーム２８，保持フレーム２８をウェーハＷと平行に微小移動させるリニア微動手段であるＰＺ１，ＰＺ２，及び後出のＰＺ３，ＰＺ４，ＰＺ５等からなっている。
【００２６】
　
Ｚ微動手段２７には電圧印加によって伸縮する圧電素子が用いられている。この圧電素子の伸縮によってコンデンスレンズ２４がＺ方向に微小送りされて，レーザー光の集光点のＺ方向位置が精密に位置決めされるようになっている
「【００３８】
　
照射されるレーザー光Ｌの集光点のＺ方向位置は，ＸＹＺθテーブル１２によるウェーハＷのＺ方向位置調整，及びＺ微動手段２７によるコンデンスレンズ２４の位置制御によって，ウェーハ内部の所定位置に正確に設定される
（イ）上記記載から，引用文献３には，次の技術が記載されていると認められる。
・照射されるレーザー光の集光点のＺ方向位置は，ＸＹＺθテーブルによるウェーハＷのＺ方向位置調整，及びＺ微動手段によるコンデンスレンズの位置制御によって，ウェーハ内部の所定位置に正確に設定されること。
　エ　引用文献４
（ア）原査定に引用され，本願の原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００９／７８２３１号（以下「引用文献４」という。）には，次の記載がある。
「［０００２］ダイシング工程におけるチッピングの問題を解決する手段として，従来のダイシングブレードによる切断に替えて，ウェーハの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射し，ウェーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップに分割するレーザーダイシング装置に関する技術が提案されている（例えば，特許文献１参照）。」
「［００２５］レーザー光学部２０では，レーザー発振装置２１から発振されたレーザー光はコリメートレンズ２４，ハーフミラー２２，コンデンスレンズ２６等の光学系を経てウェーハＷの内部に集光される。
集光点のＺ方向位置は，アクチュエータ２７によってコンデンスレンズ２６をＺ方向に微小移動させることにより調節される
［００２６］本実施形態では，アクチュエータ２７として圧電素子を使用している。この圧電素子は中空の円筒形状であり，上端がレーザー光学部２０の本体に固定されており，下端がコンデンスレンズ２６を保持するレンズフレームと接合されている。電圧が印加されると圧電素子は伸縮し，圧電素子の伸縮に応じてコンデンスレンズ２６が光軸方向に微小移動する。
［００２７］ここでレーザー発振装置２１から発振されたレーザー光がウェーハ内部に形成する改質領域について説明する。レーザー発振装置２１から発振されたレーザー光としては，例えば，パルス幅が１μｓ以下のレーザー光であって，集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上となるものを用いることができる。図３Ａ及び３Ｂは，ウェーハ内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図３Ａは，ウェーハＷの内部に入射された加工用のレーザー光Ｌ１が集光点に改質領域Ｐを形成した状態を示し，図３Ｂはパルス状の加工用のレーザー光Ｌ１をウェーハＷの表面に平行に走査して，内部に複数の不連続な改質領域Ｐが並んで形成された状態を模式的に示している。図３Ａに示すように，
レーザー光学部２０からのレーザー光Ｌ１の一部がウェーハＷに入射して，集光点近傍でエネルギーが集中し，多光子吸収によるクラック領域，溶融領域，屈折率変化領域等の改質領域Ｐが形成される
「［００６２］なお，
本実施形態ではレーザーダイシングをウェーハＷの表面側から加工用のレーザー光を入射させて行っているが，これに限らず，ウェーハＷの裏面側から加工用のレーザー光を入射させてもよい
ウェーハＷが表面側を下向きにしてダイシングテープＳに貼付される
この場合，裏面側から赤外光等のウェーハＷを透過する光を用い，ウェーハ表面の回路パターンを観察してアライメントする必要がある
（イ）上記記載から，引用文献４には，次の技術が記載されていると認められる。
・集光点のＺ方向位置は，アクチュエータによってコンデンスレンズをＺ方向に微小移動させることにより調節されること。
・レーザー光学部からのレーザー光の一部がウェーハに入射して，集光点近傍でエネルギーが集中し，多光子吸収によるクラック領域，溶融領域，屈折率変化領域等の改質領域が形成されること。
・レーザーダイシングをウェーハの表面側から加工用のレーザー光を入射させて行うことに限らず，ウェーハの裏面側から加工用のレーザー光を入射させてもよく，この場合，ウェーハＷが表面側を下向きにしてダイシングテープＳに貼付され，裏面側から赤外光等のウェーハＷを透過する光を用い，ウェーハ表面の回路パターンを観察してアライメントする必要があること。
　オ　引用文献５
（ア）原査定に引用され，本願の原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１１−６１０４３号公報（以下「引用文献５」という。）には，次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体ウエーハ等の被加工物を加工する加工方法および半導体デバイスの製造方法に関するものである。」
「【００１５】
（実施の形態１）
　先ず，実施の形態１の加工方法で加工対象とする被加工物について説明する。図１は，実施の形態１の被加工物１の構成例を示す斜視図である。また，図２は，実施の形態１の被加工物１の内部を示す断面図である。図１に示すように，被加工物１は，円板形状を有し，その表面側に第１の分割予定ライン１１と第２の分割予定ライン１３とが格子状に配列され，これら第１の分割予定ライン１１および第２の分割予定ライン１３によって区画された複数の矩形領域に機能素子１５が形成されて構成される。そして，実施の形態１の加工方法では，図１および図２に示すように，伸張可能な合成樹脂シートからなる保護テープ１７３を介して環状フレーム１７１によって支持された状態の被加工物１を扱う。より具体的には，実施の形態１の被加工物１は，環状フレーム１７１の内側開口部を覆うように外周部が装着された保護テープ１７３に対し，表面側を貼着した状態で用意される。なお，以下では，第１の分割予定ライン１１および第２の分割予定ライン１３を包括して適宜「分割予定ライン１１，１３」と記す。
【００１６】
　被加工物１の具体例としては，特に限定されないが，例えばシリコンウエーハ等の半導体ウエーハやセラミック，ガラス，サファイア（Ａｌ2Ｏ3）系の無機材料基板，さらにはミクロンオーダの加工位置精度が要求される各種加工材料が挙げられる。
【００１７】
　次に，この被加工物１に対して施すレーザー加工の加工方法について説明する。図３は，実施の形態１の加工方法の手順を説明するフローチャートである。図３に示すように，本加工方法では，先ず，保護テープ貼着工程を行い，図１等に示して説明したように，環状フレーム１７１の内側開口部を覆うように外周部が装着された保護テープ１７３に対し，被加工物１の表面側を貼着する（ステップＳ１１）。その後，第１の改質領域形成工程を行い，第１の分割予定ライン１１および第２の分割予定ライン１３のそれぞれに沿って第１の改質領域を形成する（ステップＳ１３）。続いて，第２の改質領域形成工程を行い，第１の分割予定ライン１１と第２の分割予定ライン１３との交差点位置付近（交差領域）に第２の改質領域を形成する（ステップＳ１５）。そしてその後，分割工程を行い，表面側に貼着されている保護テープ１７３を伸張することによって被加工物１に外力を加え，第１の改質領域および第２の改質領域が形成されたことで強度が低下した分割予定ライン１１，１３に沿って被加工物１を個々のチップに分割する（ステップＳ１７）。
【００１８】
　ここで，
改質領域とは
クラック領域
等が挙げられ，これらが混在した領域を含む
【００１９】
　以下，ステップＳ１３，Ｓ１５，Ｓ１７の第１の改質領域形成工程，第２の改質領域形成工程および分割工程について順次説明する。先ず，第１の改質領域形成工程および第２の改質領域形成工程について説明する。これらの各工程は，被加工物１にパルス状の加工用レーザービーム（パルスレーザー光線）を照射してレーザー加工を施す加工装置によって実施される。
【００２０】
　ここで，加工装置の構成について説明する。図４は，加工装置２の構成を説明する概略斜視図である。図４に示すように，加工装置２は，保持手段２１と，レーザー加工手段２３と，これら各部の動作を制御する制御手段２５とを含む。
【００２１】
　保持手段２１は，被加工物１に応じた大きさのチャックテーブルを主体とするものであり，ＸＹ座標平面と平行な保持面２１１を有する。なお，図示しないが，保持手段２１は，保持面２１１の周囲に配設されて環状フレーム１７１を固定するクランプ（不図示）を有し，図１等に示したように表面側が保護テープ１７３に貼着されて環状フレーム１７１に支持された被加工物１は，保護テープ１７３を下にし，
裏面側が露出するように保持手段２１に搬入されて保持面２１１上に保持される
【００２２】
　
レーザー加工手段２３は，保持面２１１上に保持された被加工物１をレーザー加工するためのものであり，支持部材２３１と，この支持部材２３１に対して互いの位置関係が固定された状態で取り付けられたレーザー照射ユニット２３３および撮像ユニット２３５とを備える
【００２３】
　
レーザー照射ユニット２３３は，保持面２１１上の被加工物１の裏面側からパルスレーザー光線を照射するためのものであり，その下端部に保持面２１１上の被加工物１の裏面と対向するように配設された集光器２３４を備える
「【００２９】
　ここで，第１の改質領域形成工程に先立ち，不図示の搬入手段によって被加工物１を保持手段２１に搬入し，保持面２１１上で被加工物１を吸引保持させる。そして，保持手段２１をＸＹ座標平面内で移動させて保持面２１１上に保持された被加工物１を撮像ユニット２３５の鉛直下方に位置付け，撮像ユニット２３５によって保持面２１１上の被加工物１を撮像することにより，アライメントを実施する。
具体的には，実施の形態１の撮像ユニット２３５を構成するカメラは赤外線用のカメラで構成されており，先ず，保持面２１１上の被加工物１を透過させて被加工物１の表面側を撮像し，得られた画像データにパターンマッチング等の画像処理を施す
【００３０】
　
そして，このようにして加工対象の第１の分割予定ライン１１のＹ座標方向における中心位置を集光器２３４の鉛直下方に位置付けた後で，加工装置２は，図５に示すように，加工対象の第１の分割予定ライン１１に沿って第１の改質領域１１１を形成する。この第１の改質領域１１１は，被加工物１内部の表面近傍（表面側の機能素子１５の近傍）の所定位置（以下，「第１の形成位置」と呼ぶ。）に形成される
【００３１】
　
ここで，機能素子１５が形成されている被加工物１の表面から第１の改質領域１１１（第１の形成位置）までの距離の具体的な値としては，５μｍ〜３０μｍが好ましく，１０μｍ〜２５μｍがより好ましい
「【００４８】
（実施の形態２）
　
上記した実施の形態１では，加工装置２での加工の際，保持手段２１によって裏面側が露出するように被加工物１を保持し，被加工物１の裏面側からパルスレーザー光線を照射して第１の改質領域および第２の改質領域を形成することとした
これに対し，実施の形態２では，保持手段２１によって表面側が露出するように被加工物１ａを保持し，被加工物１ａの表面側からパルスレーザー光線を照射するようにしている
パルスレーザー光線を照射する側の面は特に限定されるものではなく
「【００７９】
　以上説明したように，実施の形態３では，チップ１０ｂの表面側をガラス基板５１に貼り付けることでガラス基板５１上にチップ１０ｂを実装することとした。ここで，実施の形態１，２で説明したように，分割予定ライン１１，１３に沿って形成される第１の改質領域は，被加工物の表面側に形成される。このため，例えば後述する図２１−１に示すように，個々のチップ１０ｂに分割した際に側面に残る分割予定ライン１１，１３に沿った第１の改質領域１１１ｂは，ガラス基板５１側に配される。これによれば，引っ張り応力が生じる外側に配されるチップ１０ｂの裏面側に
強度を弱める改質領域が存在しないため，例えば落下強度や三点抗折曲げ強度（表面側の１点および裏面側の２点での折曲げ強度）といったチップ１０ｂの強度を向上させることが可能となる
（イ）上記記載から，引用文献５には，次の技術が記載されていると認められる。
・改質領域とは，密度や屈折率，機械的強度，あるいはその他の物理的特性が加工前と異なる状態の領域のことをいう。例えば，溶融処理領域，クラック領域，絶縁破壊領域，屈折率変化領域等が挙げられ，これらが混在した領域を含むこと。
・撮像ユニットを構成するカメラは赤外線用のカメラで構成されており，先ず，保持面上の被加工物を透過させて被加工物の表面側を撮像し，得られた画像データにパターンマッチング等の画像処理を施すこと。
・改質領域は，被加工物内部の表面近傍（表面側の機能素子の近傍）の所定位置に形成されること。
・機能素子が形成されている被加工物の表面から改質領域までの距離の具体的な値としては，５μｍ〜３０μｍが好ましく，１０μｍ〜２５μｍがより好ましいこと。
・加工装置での加工の際，保持手段によって裏面側が露出するように被加工物を保持し，被加工物の裏面側からパルスレーザー光線を照射して改質領域を形成すること。
・パルスレーザー光線を照射する側の面は特に限定されるものではないこと。
・改質領域の存在が強度を弱めること。
　
（３）引用発明との対比
　ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「集光用レンズ」，「『シリコンウェハ』である『基板』（『半導体基板』）」，「『デバイス製作プロセスにおいて』『複数の機能素子がマトリックス状に形成された』『半導体基板の表面』」，及び，「撮像素子」は，それぞれ，本件補正発明の「対物レンズ」，「ウェハ」，「デバイス面」，及び，「撮像手段」に相当する。
（イ）引用発明の「『半導体基板の内部にレーザ光の集光点を合わせる』『載置台をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ』」と，本件補正発明の「前記対物レンズを光軸方向に微動させて前記対物レンズの集光点の位置を調整する対物レンズ微動手段」とは，「集光点の位置を調整する手段」の範囲で一致する。
（ウ）本願明細書の【０１１１】の「微小空孔（以下，クラックという）」との記載から，本件補正発明の「微小空孔」は，「クラック」，すなわち「割れ」を意味しているものと理解されるので，引用発明の「半導体基板の厚さ方向に割れが発生し」た「切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域」は，本件補正発明の「微小空孔を有する改質領域」に相当する。
　また，引用発明の「改質領域」が，レーザ光の集光点に形成されることは明らかである。
　したがって，引用発明の「『レーザ光を半導体基板の表面の切断予定ラインに照射し，レーザ光の集光点は半導体基板の内部に位置しているので，溶融処理領域は半導体基板の内部にのみ形成され，そして，切断予定ラインに沿うようにＸ軸ステージやＹ軸ステージを移動させて，切断予定ラインに沿うよう形成された溶融処理領域でもって切断予定ラインに沿う切断起点領域を半導体基板の内部に形成し，切断起点領域を形成するもの』であって『切断起点領域を形成する工程において，半導体基板の内部の表面側に近い位置に切断起点領域が形成され，この切断起点領域を起点として半導体基板の厚さ方向に割れが発生し』『ここで，「半導体基板の内部の表面側に近い位置に切断起点領域が形成される」とは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面側に偏倚して形成されることを意味するもの』である『レーザ光を発生するレーザ光源』」と，本件補正発明の「前記デバイス面とは反対側である前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して，前記ウェハの内部の中間位置よりも深く，前記ウェハのデバイス面から所定距離離れた目標位置よりも手前側の位置に前記レーザ光を集光させ，前記レーザ光の集光点を含むレーザ光通過部分に微小空孔を有する改質領域を形成するレーザ光照射手段」とは，「レーザ光を照射して，前記レーザ光を集光させ，前記レーザ光の集光点を含むレーザ光通過部分に微小空孔を有する改質領域を形成するレーザ光照射手段」の範囲で一致する。
（エ）引用発明は「シリコンウェハ (厚さ３５０μｍ，外径４インチ）」を「５０μｍに薄型化」するものであるから，半導体基板の表面側から「５０μｍ」離れた位置が，本件補正発明のウェハのデバイス面から所定距離離れた「目標位置」に該当する。
　したがって，引用発明の「『半導体基板を研磨する工程では，半導体基板が厚さ３５０μｍから厚さ５０μｍに薄型化されるものであり，半導体基板の裏面が平面研削され，この平面研削後に裏面にケミカルエッチングが施されて，半導体基板が５０μｍに薄型化され，これにより，すなわち半導体基板の裏面の研磨により，切断起点領域を起点として発生した割れに裏面が達して，機能素子それぞれを有する半導体チップに半導体基板が分割されるものである』『半導体基板を研磨する工程で使用する装置』」と，本件補正発明の「前記ウェハの裏面側から，前記レーザ光の集光点までを含むレーザ光通過部分全体を研削除去するとともに前記改質領域内の前記微小空孔を前記ウェハの厚み方向に進展させて，前記ウェハの厚みを前記目標位置以下とする研削手段」とは，「前記ウェハの裏面側から，研削除去して，前記ウェハの厚みを目標位置以下とする研削手段」である点で一致する。
（オ）引用発明の「基板の分割に用いる設備」は，「レーザ光を半導体基板の表面の切断予定ラインに照射し」「切断起点領域を形成」する「レーザ光源」を備えるから「レーザ加工システム」の範疇に含まれる設備である。
　したがって，本件補正発明の「レーザ加工システム」と，引用発明の「基板の分割に用いる設備」とは，以下の相違点を除き「レーザ加工システム」である点で一致する。
　
　イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
【一致点】
「レーザ加工システムにおいて，
　対物レンズを通してウェハのデバイス面を撮像する撮像手段と，
　集光点の位置を調整する手段と，
　前記対物レンズを通して，レーザ光を照射して，前記レーザ光を集光させ，前記レーザ光の集光点を含むレーザ光通過部分に微小空孔を有する改質領域を形成するレーザ光照射手段と，
　前記ウェハの裏面側から，研削除去して，前記ウェハの厚みを目標位置以下とする研削手段と，
　を備える，レーザ加工システム。」
　
【相違点１】
　「集光点の位置を調整する手段」が，本件補正発明は「前記対物レンズを光軸方向に微動させて前記対物レンズの集光点の位置を調整する対物レンズ微動手段」であるのに対して，引用発明は「『半導体基板の内部にレーザ光の集光点を合わせる』『載置台をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ』」である点。
【相違点２】
　「レーザ光を照射して，前記レーザ光を集光させ，前記レーザ光の集光点を含むレーザ光通過部分に微小空孔を有する改質領域を形成するレーザ光照射手段」が，本件補正発明は「前記デバイス面とは反対側である前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して，前記ウェハの内部の中間位置よりも深く，前記ウェハのデバイス面から所定距離離れた目標位置よりも手前側の位置に前記レーザ光を集光させ，前記レーザ光の集光点を含むレーザ光通過部分に微小空孔を有する改質領域を形成するレーザ光照射手段」であるのに対して，引用発明は「『レーザ光を半導体基板の表面の切断予定ラインに照射し，レーザ光の集光点は半導体基板の内部に位置しているので，溶融処理領域は半導体基板の内部にのみ形成され，そして，切断予定ラインに沿うようにＸ軸ステージやＹ軸ステージを移動させて，切断予定ラインに沿うよう形成された溶融処理領域でもって切断予定ラインに沿う切断起点領域を半導体基板の内部に形成し，切断起点領域を形成するもの』であって『切断起点領域を形成する工程において，半導体基板の内部の表面側に近い位置に切断起点領域が形成され，この切断起点領域を起点として半導体基板の厚さ方向に割れが発生し』『ここで，「半導体基板の内部の表面側に近い位置に切断起点領域が形成される」とは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面側に偏倚して形成されることを意味するもの』である『レーザ光を発生するレーザ光源』」である点。
【相違点３】
　「前記ウェハの裏面側から，研削除去して，前記ウェハの厚みを目標位置以下とする研削手段」が，本件補正発明では「前記ウェハの裏面側から，前記レーザ光の集光点までを含むレーザ光通過部分全体を研削除去するとともに前記改質領域内の前記微小空孔を前記ウェハの厚み方向に進展させて，前記ウェハの厚みを前記目標位置以下とする研削手段」であるのに対して，引用発明では「『半導体基板を研磨する工程では，半導体基板が厚さ３５０μｍから厚さ５０μｍに薄型化されるものであり，半導体基板の裏面が平面研削され，この平面研削後に裏面にケミカルエッチングが施されて，半導体基板が５０μｍに薄型化され，これにより，すなわち半導体基板の裏面の研磨により，切断起点領域を起点として発生した割れに裏面が達して，機能素子それぞれを有する半導体チップに半導体基板が分割されるものである』『半導体基板を研磨する工程で使用する装置』」である点。
【相違点４】
　本件補正発明の「レーザ加工システム」が，「チップ強度の向上を図る」ものであるのに対して，引用発明では，そのような特定がされていない点。
（４）判断
　以下，相違点について検討する。
　ア　相違点１について
　上記（２）イ（イ）のとおり，引用文献２には「レーザ加工装置は，載置台をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージを備えるが，Ｚ軸ステージはレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段の一例であり，集光用レンズをＺ軸方向に移動させることによっても，レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせることができる」とする技術的事項が記載されており，
　上記（２）ウ（イ）のとおり，引用文献３には「照射されるレーザー光の集光点のＺ方向位置は，ＸＹＺθテーブルによるウェーハＷのＺ方向位置調整，及びＺ微動手段によるコンデンスレンズの位置制御によって，ウェーハ内部の所定位置に正確に設定される」とする技術的事項が記載されており，更に，
　上記（２）エ（イ）のとおり，引用文献４には「集光点のＺ方向位置は，アクチュエータによってコンデンスレンズをＺ方向に微小移動させることにより調節される」とする技術的事項が記載されているように，集光点の位置を調整する手段として，対物レンズを光軸方向に微動させて対物レンズの集光点の位置を調整する対物レンズ微動手段を用いることは周知である。
　したがって，引用発明の設備において，集光点の位置を調整するにあたり，引用発明のＺ軸ステージに代えて，あるいは，引用発明のＺ軸ステージと併用して，「前記対物レンズを光軸方向に微動させて前記対物レンズの集光点の位置を調整する対物レンズ微動手段」を用いること，すなわち，相違点１について，本件補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　イ　相違点２について
　上記（２）ア（イ）のとおり，引用文献１には「半導体基板を研磨する工程後の半導体チップと溶融処理領域との関係としては，種々のものがあり，それぞれの関係で，それぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができるところ，引用文献１に記載された実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップと溶融処理領域との関係においては，デバイス面とは反対側であるウェハの裏面側からみて，研磨前のウェハの内部の中間位置よりも深く，かつ，ウェハのデバイス面から所定距離離れた研磨後に裏面となる位置，すなわち目標位置よりも手前側の位置に，レーザ光を集光することで，半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しないようにすることで，溶融処理領域が半導体デバイス与える悪影響を避けるとともに，半導体基板を研磨する工程前に割れが半導体基板の表面に達していないようにすることで，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップの切断面の直進性をより向上させることができる」とする技術的事項が記載されている。
　してみれば，引用発明において，溶融処理領域が半導体デバイスに与える悪影響を避けるとともに，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップの切断面の直進性をより向上させるために，レーザ光を集光する位置を，デバイス面とは反対側であるウェハの裏面側からみて，研磨前のウェハの内部の中間位置よりも深く，かつ，ウェハのデバイス面から所定距離離れた研磨後に裏面となる位置，すなわち目標位置よりも手前側の位置とするとともに，半導体基板を研磨する工程前に割れが半導体基板の表面に達していないようにすることは，引用文献１の記載から当業者が直ちになし得たことである。
　更に，上記（２）エ（イ）のとおり，引用文献４には「レーザーダイシングをウェーハの表面側から加工用のレーザー光を入射させて行うことに限らず，ウェーハの裏面側から加工用のレーザー光を入射させてもよく，この場合，ウェーハＷが表面側を下向きにしてダイシングテープＳに貼付され，裏面側から赤外光等のウェーハＷを透過する光を用い，ウェーハ表面の回路パターンを観察してアライメントする必要がある」とする技術的事項が記載されており，
　上記（２）オ（イ）のとおり，引用文献５には「加工装置での加工の際，保持手段によって裏面側が露出するように被加工物を保持し，被加工物の裏面側からパルスレーザー光線を照射して改質領域を形成する」という技術的事項，及び，「パルスレーザー光線を照射する側の面は特に限定されるものではない」とする技術的事項が記載されていることからも明らかなように，レーザー光線を照射する側の面は特に限定されるものではないとすることが技術常識であるところ，
　上記（２）ア（イ）のとおり，引用文献１には「レーザ光の照射は，基板の表面側から行ってもよいし，裏面側から行ってもよい」とする技術的事項が記載されているのであるから，前記技術常識，及び，引用文献１の前記「レーザ光の照射は，基板の表面側から行ってもよいし，裏面側から行ってもよい」との示唆に基づいて，引用発明において，レーザー光の照射を，デバイス面とは反対側であるウェハの裏面側から行うことは，当業者が適宜なし得たことである。
　したがって，引用発明の「レーザ光を発生するレーザ光源」を，「前記デバイス面とは反対側である前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して，前記ウェハの内部の中間位置よりも深く，前記ウェハのデバイス面から所定距離離れた目標位置よりも手前側の位置に前記レーザ光を集光させ」るものとすること，すなわち，相違点２について，本件補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　ウ　相違点３について
　引用発明の半導体基板を研磨する工程で使用する装置は，半導体基板の裏面を平面研削し，この平面研削後に裏面にケミカルエッチングを施して，半導体基板を５０μｍに薄型化するものである。
　そうすると，引用発明において，溶融処理領域が半導体デバイスに与える悪影響を避けるとともに，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップの切断面の直進性をより向上させるために，レーザ光を集光する位置を，デバイス面とは反対側であるウェハの裏面側からみて，研磨前のウェハの内部の中間位置よりも深く，かつ，ウェハのデバイス面から所定距離離れた研磨後に裏面となる位置とするとともに，半導体基板を研磨する工程前に割れが半導体基板の表面に達していないようにした場合において，前記半導体基板を研磨する工程で使用する装置が，ウェハの裏面側から，レーザ光の集光点までを含むレーザ光通過部分全体を研削除去して，ウェハの厚みを目標位置以下とすることになることは，各々の要素の位置関係からみて自明である。
　しかも，研磨する工程前に割れが表面に達していない半導体基板の裏面を平面研削する場合に，平面研削の際の加圧等による応力，及び，平面研削の際の摩擦熱により生じる，半導体基板の表面と裏面との間の温度差に起因する熱応力により，前記割れ，すなわち微小空孔がウェハの厚み方向に進展することは明らかである。
　したがって，引用発明の「半導体基板を研磨する工程で使用する装置」を，「前記ウェハの裏面側から，前記レーザ光の集光点までを含むレーザ光通過部分全体を研削除去するとともに前記改質領域内の前記微小空孔を前記ウェハの厚み方向に進展させて，前記ウェハの厚みを前記目標位置以下とする」るものとすること，すなわち，相違点３について，本件補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　エ　相違点４について
　上記（２）ア（イ）のとおり，引用文献１には「基板を研磨する工程が，基板の裏面にケミカルエッチングを施す工程を含むことで，基板を分割することで得られるチップの抗折強度を向上させることができる」とする技術的事項が記載されているから，「平面研削後に裏面にケミカルエッチングが施され」る引用発明は，基板を分割することで得られるチップの抗折強度を向上させることができる発明であるといえる。
　したがって，相違点４は，実質的なものではない。
　オ　そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　
　カ　したがって，本件補正発明は，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　３　本件補正についてのむすび
　よって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　令和２年２月２６日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
　２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１に係る発明は，本願の原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし５に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
１．国際公開第０３／７７２９５号
２．特開２００２−１９２３７０号公報
３．特開２００５−１７５１４７号公報
４．国際公開第２００９／７８２３１号
５．特開２０１１−６１０４３号公報
　３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし５及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
　４　対比・判断
　本願発明は，前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から，「レーザ光照射手段」，及び，「研削手段」に係る限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（３），（４）に記載したとおり，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。