【事件の表示】
　特許第３０７４３７５号「集束イオンビーム加工装置および集束イオンビーム加工方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０７４３７５号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
　同請求項５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３０７４３７５号の請求項１ないし５に係る発明についての出願は、平成８年８月８日に特許出願され、平成１２年６月９日にその発明について特許の設定登録がなされた後、平成１３年２月７日付けで特許異議申立人株式会社日立製作所より請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てがなされ、平成１３年５月１６日付けで請求項１ないし５に係る特許に対する取消理由通知がなされ、平成１３年７月３０日付けで訂正請求がなされたが、平成１３年９月２８日付けで訂正拒絶理由通知がなされ、平成１３年１２月１４日付けで訂正請求は取り下げられた。また、平成１３年１２月１４日付けで上申書が提出された。
　
２．特許異議申立てについての判断
２−１　本件発明
　特許第３０７４３７５号の請求項１ないし５に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
【請求項１】 集束イオンビームを用いた試料加工において、ある所定の深さを加工するためのイオンビーム照射回数を決定するにあたり、あらかじめある特定材質の加工試料に対して、ある特定電圧での、イオンビーム電流、イオンビーム走査速さ、加工体積、イオンビーム照射回数の関係式を求めておき、次に前記特定材質の実際に加工する試料に対し、この時のイオンビーム電流、イオンビーム走査速さ、加工体積から前記計算式に基づいてイオンビーム照射回数を求め、該照射回数にて試料を加工することにより所定の深さをエッチング除去することを特徴とする集束イオンビーム加工方法。
【請求項２】 前記試料が半導体素子である請求項１記載の集束イオンビーム加工方法。
【請求項３】 前記試料が薄膜磁気ヘッド素子である請求項１記載の集束イオンビーム加工方法。
【請求項４】 集束イオンビームを試料上に照射、走査し、発生する二次粒子を画像データとして取り込む手段と、前記画像データ上で加工領域を指定する手段と、ある特定材質の試料に対して前記加工領域内で所定の深さ加工する時の、加工条件と加工フレーム数の関係式を求める手段と、前記関係式に基づき、前記特定材質の実際の試料に対して所望の加工深さに対する加工フレーム数を設定する手段とよりなり、前記加工フレーム数だけ集束イオンビームを照射しエッチング加工することを特徴とする集束イオンビーム加工装置。
【請求項５】 集束イオンビームを用いた試料加工方法において、
集束イオンビームを試料に照射した時に試料表面から放出される二次荷電粒子
にの（「の」の誤記と認められるので、以下「の」と訂正する。）
前記加工した時の加工フレーム数を計測し、前記イオンビーム電流、画素間隔、イオンビーム走査速さ、加工フレーム数、加工深さとの関係を加工定数として求める工程と、
前記特定材質の実際の試料を加工する際の、イオンビーム電流、画素間隔、イオンビーム走査速さ、所望の加工深さと前記求めた加工定数により、加工フレーム数を求める工程と、
前記加工フレーム数だけ集束イオンビームを照射してエッチング加工する工程と、
よりなる所望の深さをエッチング除去する集束イオンビーム試料加工方法。
　
２−２　引用刊行物に記載された発明
（ア）当審が平成１３年５月１６日付けで通知した取消しの理由で引用した引用刊行物
刊行物１：特開平０７−１１１１４２号公報
刊行物２：「電子材料　１９９１年別冊」［集束イオンビーム装置］ｐ８７−９１
刊行物３：「ＮＩＫＫＥＩ　ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ」（１９９１−９−３０）　ｐ９６−１０６
刊行物４：特開昭６３−２４１９５３号公報
刊行物５：特開平０５−１９８２８２号公報
刊行物６：特開平０５−２８９３１０号公報
　
（イ）引用刊行物に記載の事項
  上記刊行物１には、
（１）「【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は、細く絞ったイオンビームを被加工材料上で走査し、被加工材料の加工を行うようにした集束イオンビームによる加工方法に関する。
【０００２】
　【従来の技術】集束イオンビームを用いた加工では、イオン源からのイオンビームを集束レンズによって被加工材料上に細く集束すると共に、加工部分でイオンビームをステップ状に２次元走査させている。この時、イオンビームをステップ動作により偏向走査して、イオンビーム照射を行うに当たり、所望ドーズ量を与えるステップ送り周波数（加工周波数）と走査の繰り返し数（フレーム数）を定め、この周波数でのステップ動作による偏向走査（フレーム走査）を繰り返し行うことで、イオンビームによる加工を行っている。通常は、この加工周波数は固定であり、希にオフラインで非連続的に設定されることがある。」（第２頁左欄第２１行〜同第３７行）
（２）「【０００６】
　【作用】最初に、イオンビームによる矩形エッチング加工を例として加工周波数の説明を行う。集束イオンビーム装置における加工周波数ｆとは、被加工材料上の一点にイオンビームを照射する時間（１／ｆ）の逆数であり、加工時のイオンビームの走査スピードを定義している。今、加工幅ｘ、奥行きｙの加工をこの加工領域（ｘ×ｙ）全体に集束スポットイオンビームの照射をｓ間隔ごとに実行することによって行う場合を想定する。この場合、加工領域全域に１回イオンビームの照射を行う時間ｔｆ（１フレームの加工時間）は、次のように表される。
【０００７】ｔｆ＝ｘ・ｙ／（ｓ２・ｆ）
この１フレームのイオンビーム照射で深さｄまで加工されたとする。フレーム照射の繰り返し数をｎとするとき、トータルの加工時間ｔＴと加工深度Ｄは次のようになる。
【０００８】Ｄ＝ｎ・ｄ　
ｔＴ＝ｎ・ｔｆ
上式から実験的にエッチングレートεが求められる。
【０００９】ε＝ｘ・ｙ・Ｄ／（ｔＴ・Ｉｐ）
上式でＩｐはイオンビームのプローブ電流である。良く知られているように、実験的にはエッチングレートεは加工される物質Ｍの関数であり、プローブ電流による依存性は、ある電流密度の範囲では少ない。従って、ある物質の加工を行う場合、今までの集束イオンビーム装置の場合、常に一定のεを考慮して、加工周波数ｆをある値に固定し、他の加工パラメータであるプローブ電流Ｉｐ、繰り返し走査回数ｎ、１フレームの加工時間ｔｆなどを適宜選択していた。」
（第２頁右欄第１２行〜同第４１行）
（３）「【００１１】すなわち、コンピュータの中に加工したい材料のエッチングレートのデータを入力しておく。次に、加工したい立体面の式または数値入力を端末を用いて行う。コンピュータなどで加工領域についての各点ごとに相当するドーズ量を与えるための加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）とフレーム数ｎを、入力されているエッチングレートやプローブ電流などの値を用いて計算させて、これを出力させて各点ごとにそれぞれ相当するビーム照射時間（加工周波数）を適用させることで、加工速度を各点ごとにそれぞれ定義させる。これをフレーム数ｎだけ繰り返すことによって、自由な形の立体成形加工が可能となる。次に、どのようにｆ（ｘ，ｙ）を計算するかについて、簡単な例を用いてより詳細に説明する。
【００１２】ここで、図１に示すように、材料Ｍに関数ｚ＝Ｚ（ｘ，ｙ）＜０で表すことができる自由曲線を、電流Ｉｐ、フレーム数ｎで、加工する場合のｆ（ｘ，ｙ）の値を近似計算で示す。なお、この座標系のｚの原点は、加工前の材料の表面とする。また、ここでは、計算の簡略化のため、スポットビームの照射間隔ｓとして、ビーム電流はｓ２の正方形の中だけに均等に分布しているとする。更に、エッチングレートεは、周波数によらないでε０と仮定すると、前記した式により、加工深さＤは、次のように表すことができる。
【００１３】
　Ｄ＝ε０・Ｉｐ・ｎ／［ｓ２・ｆ（ｘ，ｙ）］
この結果、次の式が成り立つ。
Ｚ（ｘ，ｙ）＝−ε０・Ｉｐ・ｎ／［ｓ２・ｆ（ｘ，ｙ）］
したがって、ｆ（ｘ，ｙ）は次のようになる。
【００１４】
　ｆ（ｘ，ｙ）＝−ε０・Ｉｐ・ｎ／［ｓ２・Ｚ（ｘ，ｙ）］ …（１）
上記の計算は、エッチングレートが加工周波数によらないとした場合である。理論的には、エッチングレートは、イオンの質量数、加速エネルギー、電流密度、材料の材質（化学組成、化学結合エネルギーなど）や温度などによって左右されると考えられる。ここでは、イオンビームの条件と材料を固定して、エッチングレートと材料温度との関係を考える。材料温度を上げれば、エッチングレートは、結合エネルギーの減少により、上がると考えられるため、全体の加工時間ｔＴを一定にして、エッチングレートεの加工周波数依存性の実験を、非常に広い周波数範囲で実行した。加工周波数が低ければ、加工点での局所的な到達温度は、加工周波数が高いときに比べて、高くすることかできると考えられるからである。この結果を図２に示す。
【００１５】この図２から明らかなように、エッチングレートは、加工周波数がある値以下になると、大きな周波数依存性を示す。これは、今まで物質によってほぼ一定値として扱ってきたエッチングレートεがかなりの広い範囲で変えることができることを示すものである。
今、エッチングレートεの加工周波数依存性をε（ｆ）で表すと、式（１）は、次のように書き表すことができる。
【００１６】
　ｆ（ｘ，ｙ）＝−ε（ｆ）・Ｉｐ・ｎ／［ｓ２・Ｚ（ｘ，ｙ）］…（２）
（第２頁右欄第４７行〜第３頁第２７行）
（４）「【００１８】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。図３は本発明を実施するためのイオンビーム加工装置の一例を示しており、１はイオン銃である。イオン銃１から発生し加速されたイオンビームＩＢは、集束レンズ２、対物レンズ３によって被加工材料４上に細く集束される。更に、イオンビームは、偏向器５により偏向される。イオン銃１はイオン銃制御回路６によって制御され、また、集束レンズ２，対物レンズ３は、レンズ制御回路７によってレンズ強度などが制御される。イオン銃制御回路６とレンズ制御回路７とはプロー電流設定回路８に接続されいる。
【００１９】偏向器５には、偏向制御回路９から走査信号が供給されるが、偏向制御回路９内にはフレーム数設定回路１０、加工領域設定回路１１、加工周波数設定回路１２等が含まれている。このフレーム数設定回路１０、加工領域設定回路１１、加工周波数設定回路１２、プローブ電流設定回路８は、コンピュータシステム１３内の制御用コンピュータ１４によって制御されるように構成されている。コンピュータシステム１３内には演算回路１５が設けられているが、この演算回路１５は、入力端末１６からのデータに基づいて演算を行い、その値をメモリ１７に記憶させる。このような構成の動作を次に説明する。
【００２０】被加工材料４の加工は、イオン源１からのイオンビームを集束レンズ２，対物レンズ３によって材料４上に細く集束すると共に、イオンビームを偏向器５によって偏向し、材料４上でイオンビームを走査することによって行う。ここで、材料４上に照射されるイオンビームＩＢのプローブ電流値は、プローブ電流設定回路８に設定される。プローブ電流設定回路８は、設定されたプローブ電流値に応じて、イオン制御回路６を制御して、イオン銃１におけるイオンの引出電圧を調整したり、レンズ制御回路７を制御して各レンズの強度を調整し、材料４に所望の電流値Ｉｐのイオンビームが照射されるようにする。また、フレーム数ｎは、フレーム数設定回路１０に設定され、加工領域（ｘ，ｙ）は、加工領域設定回路１１に設定される。
【００２１】ここで、コンピュータ１４中には、加工したい材料４のエッチングレートのデータが予め入力される。次に、被加工材料４に対して、加工したい立体面の式または数値の入力が入力端末１６から行われる。コンピュータシステム１３内の演算回路１５は、各入力された数値に基づいて、前記した式（２）の演算や式（３）の演算を加工領域内の各点ごとに行う。そして、演算の結果をメモリー１７に記憶させる。
【００２２】さて、実際の加工時には、コンピュータ１４は加工領域（ｘ，ｙ）内の各加工点ごとにメモリー１７に記憶されている各加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）のデータを読みだし、偏向制御回路９内の加工周波数設定回路１２内に転送する。偏向制御回路９は偏向器５に、設定されたフレーム数、加工領域、加工周波数に応じた偏向信号を供給する。その結果、より深く加工すべき材料部分では、加工周波数が低くされ、イオンビームが比較的長い時間内一か所に止まることから、被加工材料４の表面は、所望の曲面に加工される。
【００２３】図４は本発明の他の実施例を示している。この実施例では、図３の実施例に加えて、検出器２０が設けられている。この検出器２０は、材料４へのイオンビームの照射に基づいて発生した２次電子，Ｘ線，２次イオンなどを検出するもので、この検出器２０の出力信号は、画像データ処理回路２１に供給される。この画像データ処理回路２１ではイオンビームが照射された材料部分の組成を判別し、判別した組成情報は、コンピュータシステム１３内のメモリー２２に供給されて記憶される。
【００２４】さて、このような構成で被加工材料４の加工領域内に局所的に２つの組成Ａ，Ｂ部分が存在している場合の２種の加工、すなわち、非選択エッチングと選択エッチングについて説明する。なお、このＡ，Ｂの物質のエッチングレートの周波数依存性は、図５に示されている。」（第３頁左欄第３８行−第４頁左欄第４２行）
が第１，２，３、４及び５図とともに記載されている。
　
　この記載事項によれば、上記刊行物１には、
（１）「 集束イオンビームを用いた材料Ｍ（試料に相当。）加工において、自由曲線Ｚ（ｘ，ｙ）（ある所定の深さに相当。）を加工するための加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）とフレーム数ｎ（イオンビーム照射回数に相当。）を決定するにあたり、あらかじめある特定材質の材料Ｍ（加工試料に相当。）に対して、ある特定加速エネルギー（電圧に相当。）での、プローブ電流Ｉｐ（イオンビーム電流に相当。）、イオンビームを照射する時間（１／ｆ）（イオンビーム走査速さに相当。）、スポットビームの照射間隔ｓの自乗と自由曲線Ｚ（ｘ，ｙ）との積（加工体積に相当。）、フレーム数ｎの関係式　
　ｆ（ｘ，ｙ）＝−ε（ｆ）・Ｉｐ・ｎ／［ｓ２・Ｚ（ｘ，ｙ）］…（２）
を求めておき、次に前記特定材質の被加工材料４（実際に加工する試料に相当。）に対し、この時のイオンビームＩＢのプローブ電流値Ｉｐ（イオンビーム電流に相当。）、フレーム数ｎ（イオンビーム照射回数に相当。）、加工したい立体面の式または数値（実際の加工においては、スポットビームの照射間隔ｓの自乗を考慮する必要があるから、加工体積に相当。）から前記計算式（２）に基づいて加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）（イオンビーム走査速さの逆数であるから、実質、イオンビーム走査速さに相当。）を求め、該フレーム数ｎにて被加工材料４を加工することにより所定の深さをエッチング除去することを特徴とする集束イオンビーム加工方法。」（以下、「引用発明１」という。）、
　
（２）「集束イオンビ−ムを材料４（試料に相当。）上に照射、走査し、発生する２次電子，Ｘ線，２次イオン（二次粒子に相当。）を画像データとして取り込む検出器２０（手段に相当。）と、ある特定材質の加工したい材料４（試料に相当。）に対して所定の深さ加工する時の、イオンビームＩＢのプローブ電流値Ｉｐ、加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）及び加工したい立体面の式または数値（加工条件に相当。）とフレーム数ｎ（加工フレーム数に相当。）の関係式（２）（関係式に相当。）を求める演算回路１５（手段に相当。）と、前記関係式（２）に基づき、前記特定材質の被加工材料４（実際の試料に相当。）に対して所望の曲面（加工深さに相当。）に対するフレーム数ｎを設定するフレーム数設定回路１０（手段に相当。）とよりなり、前記フレーム数ｎだけ集束イオンビームを照射しエッチング加工することを特徴とする集束イオンビーム加工装置。」（以下、「引用発明２」という。）、
　
（３）「集束イオンビームを用いた材料（試料に相当。）加工方法において、
集束イオンビームを材料４（試料に相当。）に照射した時に材料４表面から発生する（放出されるに相当。）２次電子、Ｘ線、２次イオン（二次荷電粒子に相当。）の検出により材料４の組成がわかり、かつ、ある特定材質の材料（加工試料に相当。）を用いて、ある特定の加速エネルギー（電圧に相当。）で、ある電流密度（イオンビーム電流に相当。）、スポットビーム照射間隔ｓ（画素間隔に相当。）、イオンビームを照射する時間（１／ｆ）（イオンビーム走査速さに相当。）で、自由曲線Ｚ（ｘ，ｙ）（加工深さに相当。）に集束イオンビームにてエッチング加工する工程と、
前記加工した時の加工時間ｔＴを一定にして、前記電流密度（イオンビーム電流に相当。）、スポットビームの照射間隔ｓ（画素間隔に相当。）、イオンビームを照射する時間（１／ｆ）（イオンビーム走査速さに相当。）、フレーム数ｎ（加工フレーム数に相当。）、加工深度Ｄ（加工深さに相当。）との関係をエッチングレートε（ｆ）（加工定数の逆数であるから、実質、加工定数に相当。）として求める工程と、
前記特定材質の被加工材料４（実際の試料に相当。）を加工する際の、イオンビームＩＢのプローブ電流値Ｉｐ（イオンビーム電流に相当。）、スポットビームの照射間隔ｓ（画素間隔に相当。）、加工したい立体面の式または数値（所望の加工深さに相当。）と前記求めたエッチングレートε（ｆ）（加工定数に相当。）より、加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）（イオンビーム走査速さの逆数であるから、実質、イオンビーム走査速さに相当。）を求める工程と、
前記フレーム数ｎ（加工フレーム数に相当。）だけ集束イオンビームを照射してエッチング加工する工程と、
よりなる所望の深さをエッチング除去する集束イオンビーム試料加工方法。」（以下、「引用発明３」という。）
が記載されている。
　
　上記刊行物２には、
「ＦＩＢのもうひとつの大きな特徴として、微細加工機能があげられる。ＦＩＢによる微細加工は、スパッタリングによる物質の除去とデポジションによる物質の付加の両方が可能であるため、たとえばＬＳＩの配線変更では、切断と接続の両方がひとつの装置内で可能となる。」（第８８頁左欄第８行−同第１２行）
　
この記載事項によれば、上記刊行物２には、
「試料がＬＳＩ（半導体素子に相当。）であるＦＩＢ加工方法（集束イオンビーム加工方法に相当。）」
が記載されている。
　
　上記刊行物３には、
（１）「記録用の薄膜ヘッド磁性膜には、飽和磁束密度が２Ｔと高い鉄系多層膜を用いた。」（第１０２頁中央欄第５行−同第７行）
（２）「今回は、集束イオン・ビームで記録ヘッドを加工することで、この問題を解決した。」（第１０２頁中央欄第１２行−同第１４行）
が記載されている。
　
　この記載事項によれば、上記刊行物３には、
「試料が薄膜ヘッド磁性膜よりなる記録ヘッド（薄膜磁気ヘッド素子に相当。）である集束イオン・ビーム加工方法（集束イオンビーム加工方法に相当）。」
が記載されている。
　
　上記刊行物４には、
（１）「イオン源から発するイオンビームを集束レンズ系で集光し…特徴とするイオンビーム加工装置。」（第１頁左欄第５行−同第１３行）
（２）「本発明はイオンビームを走査して照射しながら、試料表面の微細加工を行うイオンビーム加工装置に関する。」（第１頁左欄第１６行−同第１８行）
（３）「イオンビームスポットを試料上でラスタスキャンし例えば半導体デバイスの補修加工を行う。」（第２頁左下欄第１４行−同第１５行）
（４）「前記試料９表面から放出される二次荷電粒子は二次荷電粒子検出器１０によって検出され、信号増幅処理部１１により増幅および処理され輝度信号となり、走査制御部１３からの走査信号と共にディスプレイ１２に入力されて二次荷電粒子像が表示される。この二次荷電粒子像によって試料９上の金属パターン膜を形成すべき位置を探し出し、走査方向回転信号発生部１５で前記二次荷電粒子像を回転移動させ、走査範囲設定部１４で前記金属パターン膜を形成すべき領域を設定し膜付加工を行なう。」（第２頁左下欄第２０行−同右下欄第１０行）
が第１図とともに記載されている。
　
　この記載事項によれば、上記刊行物４には、
「 集束イオンビームを試料９上に照射、走査し、放出される二次荷電粒子を二次荷電粒子像として取り込む二次荷電粒子検出器１０（発生する二次粒子を画像データとして取り込む手段に相当。）と、前記二次荷電粒子像上で金属パターン膜を形成すべき領域を設定する走査範囲設定部１４（画像データ上で加工領域を指定する手段に相当。）とよりなり、集束イオンビームを照射し微細加工することを特徴とする集束イオンビーム加工装置。」
が記載されている。
　
　上記刊行物５には、
（１）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子などの微細素子を集束ビームを用いてマスクレスでエッチングや堆積などを行う加工プロセスにおける加工領域の高精度位置決め方法に関するものである。特に、集束イオンビームによるエッチングを利用したものにデバイスの断面加工があり、デバイスの製造プロセス管理や不良解析に利用されている。
【０００２】
【従来の技術】集束イオンビーム(FocusedIon Beam, 略してＦＩＢ)を用いたデバイスのマスクレスプロセスである断面加工の従来技術は、例えば公知例（１）のプロシーディング、１９８９年のＩＥＥＥ／ＩＲＰＳ、第４３頁から５２頁にK.Nikawaらによって述べられている。そこには、断面加工のためのＦＩＢの走査領域の位置決めが、ＦＩＢ照射による試料からの放出二次電子を利用した走査イオン顕微鏡(Scanning Ion Microscope, 略してＳＩＭ）像を用いて行われることが示されている。」（第２頁左欄第２６行−同第４４行）
（２）「【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。断面加工試料は図４と同じデバイスで、連続したコンタクト穴４個の断面加工を目的としたものである。加工すべき領域は図４のＳＩＭ像上に表示した破線枠７内と同じである。加工領域の位置決め手順を下記（１）〜（３）に示す。
【０００８】まず、（１）長方形の加工領域を含む大きめの領域全体８０μｍ角（図４の一点鎖線枠内１０）をＦＩＢでデジタル走査し、その高分解能ＳＩＭ像を画像メモリー（２０４８×２０４８ pixels）に取り込む。次に、（２）この画像メモリーデータを用いて、マルチ・ウインドウ化したディスプレイ装置画面１（図１参照）に倍率の大小異なる３枚のＳＩＭ像２，３，４を同時表示する。」（第２頁右欄第３３６行−同第４７行）
（３）【０００９】（３）加工領域７は大きさは約１０×７５μｍ2 の長方形である。観察したい加工断面は縦に並んだコンタクト穴４個であり、該長方形の左辺が全てのコンタクト穴の中心を通る様に位置精度良く設定することが必要である。ここでは、加工領域（長方形）７の左辺を最上部と最下部のコンタクト穴部の高倍率ＳＩＭ像３，４を用いて両者の穴中心に合わせば、全ての穴に合わせられると考えた。加工領域（長方形）の枠はＳＩＭ像２，３，４のいずれの像からも、その上に書き込み、移動，拡大，修正ができ、その枠表示は、全てのＳＩＭ像上で連動している。これらの加工領域位置設定作業は、ディスプレイ装置画面は計算機（図示せず）により制御されており、マウス入力により行った。仕上加工用としてビーム径０.１μｍ のＦＩＢを用いた場合、低倍率ＳＩＭ像２および高倍率ＳＩＭ像３，４での加工位置設定精度は、それぞれ約０.４μｍおよび０.１μｍであり、本実施例の穴断面加工では高倍率像３，４が必要であった。」（第３頁左欄第９行−同第２６行）
（４）「また、上記実施例では加工領域設定の画像に走査ＦＩＢ照射試料から放出される二次粒子の内の二次電子を用いたＳＩＭ像を用いたが、二次粒子として二次イオンを用いることもできる。」（第３頁左欄第４０行−同第４３行）
が第１図及び第４図とともに記載されている。
　
　この記載事項によれば、上記刊行物５には、
「集束イオンビームを試料上に照射、走査し、放出される二次粒子を画像メモリデータとして取り込む走査イオン顕微鏡（発生する二次粒子を画像データとして取り込む手段に相当。）と、前記画像メモリデータ上で加工領域７を設定するマウス及び図示されていない計算機（画像データ上で加工領域を指定する手段に相当。）とよりなり、集束イオンビームを照射しエッチング加工することを特徴とする集束イオンビーム加工装置。」
が記載されている。
　
　上記刊行物６には、
（１）「【００１９】図１において、ＦＩＢを用いたパターン修正装置はチャンバ１１内にフォトマスク１２を上面に載置するステージ１３が設けられており、ステージ１３の上方には、上部内面にイオン源１４を有し、下部内面にイオン源１４から放出されたＦＩＢ１５を偏向する偏向系１６を有する鏡筒１７が設けられている。またパターン修正装置には、ＦＩＢ１５が投射されることによって、フォトマスク１２の面から放出された２次イオンを検出する２次イオン検出器１８が設けられている。
【００２０】そして、２次イオン検出器１８からの信号が画像認識部１９に入力され、フォトマスク１２の上面のパターンの画像が認識され、認識結果を修正領域入力・判定部２０へ出力するようになっている。修正領域入力・判定部２０では、入力された認識画像をモニタ２１で監視すると共にパターンの欠落欠陥部の周囲にこれを含む修正領域が指定され決定される。
【００２１】次いで、修正領域入力・判定部２０で決定された修正領域が外周加工領域判定部２２に入力され、ここで修正領域のうち、加工を施す必要ある領域が予め設定され記憶された加工定数に基づき決定され、その加工領域に対して平面上の各位置に対する深さ方向のエッチングによる加工量が決定される。
【００２２】この外周加工領域判定部２２で決定された加工領域と加工量が、次のビーム走査制御部２３に入力され、ここで加工領域に対応してＦＩＢ１５を走査する制御信号を形成し、さらにこの制御信号をブランキング部２４に入力し、これを制御する。」
が図１とともに記載されている。
　
　この記載事項によれば、上記刊行物６には、
「ＦＩＢ１５（集束イオンビームに相当。）をフォトマスク１２（試料に相当。）上に投射（照射に相当。）、走査し、放出される２次イオンを画像認識部１９の入力として取り込む２次イオン検出器１８（発生する二次粒子を画像データとして取り込む手段に相当。）と、認識画像上で加工領域を決定（設定に相当。）する外周加工領域判定部２２（画像データ上で加工領域を指定する手段に相当。）とよりなり、ある特定材質のフォトマスク１２に対して前記加工領域内で所定の深さ加工する時、集束イオンビームを照射しエッチング加工することを特徴とする集束イオンビーム加工装置。」
が記載されている。
　
２−３　対比・判断
（請求項１に係る発明について）　
　請求項１に係る発明と上記刊行物１に記載された引用発明１とを対比すると、両者は、
【一致点】
「 集束イオンビームを用いた試料加工において、ある所定の深さを加工するためのイオンビーム照射回数を決定するにあたり、あらかじめある特定材質の加工試料に対して、ある特定電圧での、イオンビーム電流、イオンビーム走査速さ、加工体積、イオンビーム照射回数の関係式を求めておき、次に前記特定材質の実際に加工する試料に対し、この時のイオンビーム電流、
　
加工に必要な量
で一致し、
【相違点１】
　請求項１に係る発明では、実際の加工においては、イオンビーム電流、加工体積に加えて、イオンビーム走査速さを与えて、加工に必要な量であるイオンビーム照射回数を求めているのに対して、上記刊行物１に記載された引用発明１では、フレーム数ｎ（イオンビーム照射回数に相当。）を与えて、加工に必要な量である加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）（イオンビーム走査速さに相当。）を求めている点
で相違する。
　【相違点１】について検討すると、上記刊行物１に記載の関係式（２）によれば、フレーム数ｎと加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）とは、フレーム数ｎを与えれば加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）が求まり、逆に、加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）を与えればフレーム数ｎが求まるという関係にあるし、加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）を優先的に与えたからといって、フレーム数ｎを求めることが困難になるという特段の事情も存在しない。
　したがって、実際の加工において、フレーム数ｎと加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）のどちらを与えどちらを加工に必要な量として求めるかは、当業者が適宜選択しうることである。
　そして、請求項１には、「イオンビーム走査速さ」なる記載はあるものの上申書において主張されている「加工に最適化されたイオンビーム走査速さ」なる記載はなく、「イオンビーム走査速さ」を優先させることによる効果は、格別なものとは認められない。
　
（請求項２に係る発明について）
　請求項２に係る発明と上記刊行物１に記載された引用発明１とを対比すると、両者は、上記
【相違点１】及び
【相違点２】
　請求項２に係る発明では、試料が半導体素子であるのに対して、上記刊行物１に記載された引用発明１では、試料が半導体素子であるとの記載がない点
で相違する。
【相違点１】については、（請求項１に係る発明について）で検討したとおりである。
【相違点２】について検討すると、上記刊行物２には、試料がＬＳＩであることが記載されており、上記刊行物１に記載された引用発明１である集束イオンビーム加工方法において、試料を半導体素子とすることは、当業者が必要に応じて決定しうることである。
　なお、試料が半導体素子であることは、上記刊行物４（半導体デバイス）、上記刊行物５（半導体素子）にも記載されている。
　
（請求項３に係る発明について）
　請求項３に係る発明と上記刊行物１に記載された引用発明１とを対比すると、両者は、上記
【相違点１】及び
【相違点３】
　請求項２に係る発明では、試料が薄膜磁気ヘッド素子であるのに対して、上記刊行物１に記載された引用発明１では、試料が薄膜磁気ヘッド素子であるとの記載がない点
で相違する。
【相違点１】については、（請求項１に係る発明について）で検討したとおりである。
【相違点３】について検討すると、上記刊行物３には、試料が薄膜ヘッド磁性膜よりなる記録ヘッドであることが記載されており、上記刊行物１に記載された引用発明１である集束イオンビーム加工方法において、試料を薄膜磁気ヘッド素子とすることは、当業者が必要に応じて決定しうることである。
　
（請求項４に係る発明について）
　請求項４に係る発明と上記刊行物１に記載された引用発明２とを対比すると、両者は、
【一致点】
「集束イオンビームを試料上に照射、走査し、発生する二次粒子を画像データとして取り込む手段と、
　
　
で一致し、
【相違点４】
　請求項４に係る発明では、集束イオンビーム加工装置が、画像データ上で加工領域を指定する手段を有し、かかる加工領域内で所定の深さ加工するのに対して、上記刊行物１に記載された引用発明２では、かかる記載がない点
で相違する。
　【相違点４】について検討すると、上記刊行物４、５及び６には、集束イオンビーム加工装置が、それぞれ、二次荷電粒子像上で金属パターン膜を形成すべき領域を設定する走査範囲設定部１４、画像メモリデータ上で加工領域７を設定するマウス及び図示されていない計算機、及び、認識画像上で加工領域を決定する外周加工領域判定部２２を有し、かかる加工領域内で所定の深さ加工することが記載されており、上記刊行物１に記載された引用発明２である集束イオンビーム加工装置に、上記刊行物４、５、あるいは、６に記載された、走査範囲設定部１４、加工領域７を設定するマウス及び図示されていない計算機、あるいは、外周加工領域判定部２２を設け、加工領域内で所定の深さ加工するように構成することは、当業者が容易になしうることである。
　
（請求項５に係る発明について）
　請求項５に係る発明と上記刊行物１に記載された引用発明３とを対比すると、両者は、
【一致点】
「集束イオンビームを用いた試料加工方法において、
集束イオンビームを試料に照射した時に試料表面から放出される二次荷電粒子の検出
される、
　　　
前記加工した時の
　　　
前記特定材質の実際の試料を加工する際の、イオンビーム電流、画素間隔、イオンビーム走査速さ、所望の加工深さと前記求めた加工定数により、
加工に必要な量
前記加工フレーム数だけ集束
イオンビーム
よりなる所望の深さをエッチング除去する集束イオンビーム試料加工方法。」
で一致し、
【相違点５】
　請求項５に係る発明では、ある特定材質の加工試料が、集束イオンビームを試料に照射した時に試料表面から放出される二次荷電粒子の検出により加工終点がわかり、かつ、膜厚が既知のものを用い、膜圧に相当する加工深さに加工した時の加工フレーム数を計測して、加工定数を求め、実際の加工においては、加工に必要な量として、加工フレーム数を求めているに対して、
　上記刊行物１に記載された引用発明３では、ある特定材質の加工試料が、集束イオンビームを試料に照射した時に試料表面から放出される二次荷電粒子の検出により加工終点がわかるかどうか、かつ、膜厚が既知のものかどうかについての記載のないものを用い、加工時間ｔＴが一定という条件で、エッチングレート（加工定数に相当。）を求め、実際の加工においては、加工に必要な量として、加工周波数ｆ（ｘ，ｙ）（イオンビーム走査速さに相当。）を求めている点
で相違する。
　【相違点５】について検討すると、ある特定材質の加工試料が、集束イオンビームを試料に照射した時に試料表面から放出される二次荷電粒子の検出により加工終点がわかり、かつ、膜厚が既知のものを用い、膜圧に相当する加工深さに加工した時の加工フレーム数を計測して、加工定数を求め、実際の加工においては、加工に必要な量として、加工フレーム数を求めることについては、引用刊行物２〜６のいずれにも、記載も示唆もされておらず、当業者が容易になし得ることとは認められない。
　そして、請求項５に係る発明は、その技術的事項により明細書記載の効果を奏するものと認められる。
　
２−４　むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、刊行物１に記載された発明に基づいて、本件請求項２に係る発明は、刊行物１，２に記載された発明に基づいて、本件請求項３に係る発明は、刊行物１，３に記載された発明に基づいて、本件請求項４に係る発明は、刊行物１と刊行物４，５あるいは６に記載された発明に基づいて、それぞれ、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１から４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、同法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　そして、請求項５に係る発明の特許については、刊行物１〜６から容易に発明をすることができとものであるとはいえない。また、他に取り消しの理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月１２日（２００２．３．１２）