【事件の表示】
　特許第３１２３２５０号「液晶表示パネル」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２３２５０号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１２３２５０号の請求項１に係る発明についての出願は、平成４年９月１７日（優先日平成４年８月６日）に出願され、平成１２年１０月２７日にその発明について設定登録され、その後、特許異議申立人大井弘美及び特許異議申立人中側徹より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１１月１３日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否について
ア．訂正の内容
ａ．特許請求の範囲の請求項１の「液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体層によって被覆されてなる」を「液晶より誘電率の低い材料からなり、画素電極を露出する開口部を有する誘電体層によって被覆され、誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成されてなる」と訂正する。
ｂ．明細書の段落番号【００１３】の「【課題を解決するための手段】上記の問題点は、以下に示す液晶表示パネルにより解決される。すなわち、図１に示すように、複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスラインが、液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体層によって被覆されてなる。」を「【課題を解決するための手段】上記の問題点は、以下に示す液晶表示パネルにより解決される。すなわち、図１に示すように、複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスラインが、液晶より誘電率の低い材料からなり、画素電極を露出する開口部を有する該誘電体層によって被覆され、誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成されてなる」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、明細書の段落【００２２】、【００２３】及び【図１】の記載に基づいて、請求項１の記載における誘電体層に対し、「画素電極を露出する開口部を有する」という限定を付与し、さらに「誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成されてなる」という限定を付与するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、訂正事項ａによる訂正との整合を図るために、明細書の発明の詳細な説明の欄の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．結論
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第２項の規定及び第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
ア．本件発明
　　本件特許の請求項１に係る発明（以下、本件発明という）は、平成１３年１１月１３日付けで提出された訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものである。
　「複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板及び第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、
　薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスラインが、液晶より誘電率の低い材料からなり、画素電極を露出する開口部を有する誘電体層によって被覆され、誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成されてなることを特徴とする液晶表示パネル。」
イ．引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取消しの理由で刊行物５（特許異議申立人大井弘美が提出した甲第３号証）として引用され、本件発明についての出願前に頒布された刊行物である特開平３−１０３８３０号公報（以下、引用例という）には、次のように記載されている。
　「本発明の目的は、画素電極とソース配線、データバスラインと画素電極との間隙の容量を減少させ、ソース配線上の信号電圧変化やデータバスライン上の信号電圧の変化による画素電極の電圧変動の防止をすることにある。
  〔課題を解決するための手段〕
  本発明は、透明絶縁性基板１上に薄膜トランジスタ２及び画素電極３をマトリクスアレイ状に配置し、前記画素電極の列方向にソース配線４を、また行方向にゲート配線５を配置し、前記透明絶縁性基板１と対向透明電極基板７で液晶層８を挟んだ液晶表示装置において、前記ソース配線と、画素電極とソース配線の間隙の上に低誘電率絶縁層を形成した構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置、及び透明絶縁性基板１上に２端子素子（ＭＩＭ等のダイオードやバリスタ等）１０及び画素電極３をマトリクスアレイ状に配置し、前記画素電極の列方向にデータバスライン９を配置し、前記透明絶縁性基板１と対向透明電極基板７で液晶層８を挟んだ液晶表示装置において、前記データバスライン９と画素電極とデータバスラインの間隙の上に低誘電率絶縁層６を形成した構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置、・・・・である。
　〔作用〕
　上記低誘電率絶縁層６を形成すれば、誘電率の大きな液晶を画素電極、ソース電極間や画素電極、データバスライン間から除くことができる。低誘電率絶縁層６の材料としてＳｉＯ２を用いるとすると比誘電率は４程度である。一方液晶の比誘電率は、１０〜１５程度で約３倍程度である。従って液晶を低誘電率の材料で置き換えることにより画素３とソース配線４間の容量や画素３とデータバスライン９間の容量は、置き換える前の約１／３に減少する。そのため画素電極３の電圧は、ソース配線電圧やデータバスライン電圧の影響を受けにくくなり、電圧の変動は小さくなる。」（第２頁左下欄第１６行〜第３頁左上欄第１４行）
　また、第１図には、ソース配線と、画素電極とソース配線の間隙の上に低誘電率絶縁層を形成した構造のアクテイブマトリクス型液晶表示装置が示され、第２図には、データバスラインと、画素電極とデータバスラインの間隙の上に低誘電率絶縁層が形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置が示されており、これらの構造において、画素電極上には実質的に低誘電率絶縁層が形成されないようになっている。
　以上の記載からすれば、引用例には、「薄膜トランジスタ及び画素電極をマトリクスアレイ状に配置し、画素電極の列方向にソース配線を配置した透明絶縁性基板と対向透明電極基板で液晶層を挟んだ液晶表示装置において、ソース配線と、画素電極とソース配線の間隙の上に液晶より誘電率の低い材料からなる低誘電率絶縁層を形成し、低誘電率絶縁層は実質的に画素電極上には形成されないようにしたアクティブマトリクス型液晶表示装置」が記載されているものと認められる。
ウ．対比、判断
　そこで、本件発明と、引用例に記載のものとを対比する。
　引用例に記載のものにおける「マトリクスアレイ状」、「透明絶縁性基板」、「対向透明電極基板」、「低誘電率絶縁層」、「アクティブマトリクス型液晶表示装置」は、それぞれ本件発明における「マトリクス状」、「第１基板」、「第２の基板」、「誘電体層」、「アクティブマトリクス方式の液晶表示パネル」に相当し、引用例に記載のものにおいて、対向せしめた２枚の基板の間に液晶を封入しているのは明らかであるから、本件発明と引用例に記載のものとは、「複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板及び第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネル」である点において共通するが、次の点において相違する。
ａ．本件発明において、薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスラインが、液晶より誘電率の低い材料からなり、画素電極を露出する開口部を有する誘電体層によって被覆されているのに対して、引用例に記載のものにおいては、ソース配線と、画素電極とソース配線の間隙の上に液晶より誘電率の低い材料からなる低誘電率絶縁層が形成されている点。
ｂ．本件発明において、誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成されているのに対して、引用例においては、配向膜を形成することについて特に明記されていない点。
　上記相違点ａについて検討すると、引用例に記載のものにおいて、ソース配線が薄膜トランジスタに接続され、低誘電率絶縁層がソース配線を被覆していることは明らかであり、また、低誘電率絶縁層は実質的に画素電極を露出するものであって、画素電極を露出する開口部を有するのと実質的に同等であるから、上記相違点ａは、液晶より誘電率の低い材料で被覆されるものが、本件発明ではゲートバスラインであるのに対して、引用例に記載のものではソース配線である、ということになる。
　そして、本件発明においてゲートバスラインを液晶より誘電率の低い材料で被覆しているのは、誘電体層によりゲートバスラインに印加される電圧の影響を減少させ、画素電極の周縁部における電位の傾斜を小さくしてディスクリネーションの発生を防止するためであるが、引用例に記載のものにおけるソース配線を被覆する低誘電率絶縁層も、それらに印加される電圧の影響を減少させることにおいては同様であって、それにより画素電極の周縁部における電位の傾斜を小さくしてディスクリネーションの発生を防止し得る作用効果が引用例に記載のものにおいても同様に奏されることは明らかである。また、ソース配線よりゲートバスラインの方が印加される電圧が高いことは周知の事項であり、被覆による電圧の影響の減少もそれに応じて大きくなることも当然予測し得る程度のことであるから、本件発明においてゲートバスラインを誘電体層で被覆することによって格別な技術的特徴が与えられることはない。それゆえ、引用例に記載のものにおいてソース配線を低誘電率絶縁層で被覆しているのに代えて、ゲートバスラインを被覆することは容易に想到し得るところである。
　次に、相違点ｂについて検討する。
　引用例においては、特に配向膜に関して記載されていないが、これは単に記載を省略したにすぎず、本来液晶表示装置において、液晶に接する位置において基板側を全面的に被覆する配向膜が形成されるのは当然のことである。引用例に記載のものにおいては、画素電極と低誘電率絶縁層とが液晶に接した形で示されているが、配向膜は画素電極と低誘電率絶縁層とを被覆するように形成すべきであるのは明らかである。それゆえ、上記相違点ｂは、実質的な差異ではない。
　また、相違点ａ及びｂを含む本件発明の奏する作用効果は引用例に記載のものから予測し得る程度のものである。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、引用例に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許をうけることができない。
　したがって、本件発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月２２日（２００１．１１．２２）
【訂正の要旨】
　訂正事項
▲１▼　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、訂正前の特許請求の範囲の請求項１の「液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体層によって被覆されてなる」を「液晶より誘電率の低い材料からなり、画素電極を露出する開口部を有する誘電体層によって被覆され、誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成されてなる」と訂正する。
▲２▼　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ａの特許請求の範囲の訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るため、明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号【００１３】の「【課題を解決するための手段】上記の問題点は、以下に示す液晶表示パネルにより解決される。すなわち、図１に示すように、複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスラインが、液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体層によって被覆されてなる。」を「【課題を解決するための手段】上記の問題点は、以下に示す液晶表示パネルにより解決される。すなわち、図１に示すように、複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスラインが、液晶より誘電率の低い材料からなり、画素電極を露出する開口部を有する誘電体層によって被覆され、誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成されてなる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示パネル
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、
　薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスラインが、液晶より誘電率の低い材料からな
り、画素電極を露出する開口部を有する
、誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成され
　【請求項２】　複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板および対向電極を具えた第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、
　第１の基板に形成されたゲートバスラインと対向し、対向電極から独立した任意の電圧を印加可能な補助電極が第２の基板上に形成されてなることを特徴とする液晶表示パネル。
　【請求項３】　複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、
　データバスラインから導出された延長部が、絶縁膜を介してゲートバスラインの幅方向全体を覆うように配設されてなることを特徴とする液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、画素毎に薄膜トランジスタ等の能動素子を具えてなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルに係り、特に画素周辺部に発生し表示品質を低下させる要因となるディスクリネーション（ｄｉｓｃｌｉｎａｔｉｏｎ）の成長を防止する手段に関する。
　近年、高性能化が進み液晶ディスプレイ装置は各種電子機器に広く用いられるようになってきている。
　特にＴＦＴ（ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＩＭ（ｍｅｔａｌ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ　ｍｅｔａｌ）等の能動素子が、画素毎に形成されてなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルは表示品質が優れており、近い将来、ＯＡ装置等におけるディスプレイとして広く利用されるようになると考えられている。
　しかし、アクティブマトリクス方式の液晶表示パネルは単純マトリクス方式の液晶表示パネルと異なり、能動素子に印加される駆動電圧の電圧値が比較的高いため画素の周辺部において電界の乱れが生じやすく、液晶分子のチルト角が変化して表示品質が低下する所謂ディスクリネーションと称する現象が発生する。
　そこでディスクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルの開発が要望されている。
　【従来の技術】
　図７は従来の液晶表示パネルの主要部を示す斜視図、図８は従来の液晶表示パネルにおける電位分布を示す模式図である。
　従来のアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルは図７に示す如く少なくとも第１の基板１と第２の基板２を有し、所定の間隔を介して対向せしめた第１の基板１と第２の基板２の間に液晶分子を含有してなる液晶３が封入されている。
　第１の基板１はガラス基板１１上に複数の画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマトリクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の他に直交するように形成されたゲートバスライン１４とデータバスライン１５が接続されている。
　第１の基板１の液晶３に面した側は厚さが約１０００Åのポリイミド樹脂等からなる配向膜１６によって覆われており、配向膜１６には液晶３に含有されている液晶分子が同一方向を指すようにラビング等の手段によって配向処理が施されている。
　一方、第２の基板２はガラス基板２１上に対向電極２２を形成すると共に共通電極２２を覆うように配向膜２３が形成されており、配向膜１６と同様に配向膜２３には液晶分子が同一方向を指すようにラビング等の手段によって配向処理が施されている。
　画像表示に際してゲートバスライン１４には順次走査電圧が印加されデータバスライン１５には信号電圧が印加される。
　即ち、走査電圧を印加することによってそのゲートバスライン１４に接続されてなる能動素子１３は一斉にオン状態となる。
　そのときデータバスライン１５に信号電圧が印加されていなければ画素電極１２と対向電極２２の電位差はしきい値以下で、液晶３に含有されている液晶分子は画素電極１２や対向電極２２とほぼ平行でかつ同一方向を指した状態が維持されている。
　反対にそのときデータバスライン１５に信号電圧が印加されると画素電極１２と対向電極２２の電位差はしきい値を超え、液晶３に含有されている液晶分子は画素電極１２や対向電極２２に対してほぼ垂直になるよう一斉に方向が反転する。
　このように液晶分子が画素電極１２や対向電極２２に対してほぼ平行な状態からほぼ垂直な状態に反転するに際して、液晶分子が画素電極１２や対向電極２２と完全に平行であるよりいずれか一方の先端が予め持ち上がっている方が応答が速い。
　そこでラビング等の配向処理を施すことによって配向膜１６と配向膜２３には液晶分子の向きを同一方向に揃える機能と、液晶分子の何れか一方を持ち上げ液晶分子との間にチルト角と称する所定の傾斜角を形成する機能を付与している。
　かかる液晶表示パネルは通常対向電極２２の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電圧ＶＤが印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶＧＯＮが、ゲートオフ時に−１５Ｖ程度の電圧ＶＧＯＦＦが印加される。
　その結果、例えばゲートオフ時に画素電極１２の電圧ＶＤが＋になると液晶表示パネル内の電位は図８（ａ）の如く分布し、画素電極１２に印加される電圧ＶＤが−に反転すると液晶表示パネル内の電位は図８（ｂ）の如く分布すると考えられる。
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、以上述べたような従来の液晶表示パネルでは以下のような問題が生じる。
　液晶分子と配向膜との間にチルト角を介在せしめる機能は予め配向処理を施すことによって配向膜に付与される。
　しかし、チルト角が所定の角度になるのは電位の分布曲線が画素電極１２および対向電極２２に対してほぼ平行な領域である。
　しかるに、従来の液晶表示パネル内部の電位の分布は図８に示す如く画素電極１２の周縁部において大きく傾斜し、かつ、ゲートバスライン１４の電位に関係なく画素電極１２に印加される電圧ＶＤの極性反転に伴って傾斜方向が反転している。
　その結果、画素電極１２の周縁部においてチルト角が所定の角度からはずれ信号電圧に応答しない液晶分子が発生する。
　かかる現象をディスクリネーションと称し表示画像中に微小な欠陥を生じて表示品質を低下させるという問題があった。
　本発明の目的はディスクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを提供することにある。
　【課題を解決するための手段】
　上記の問題点は、以下に示す液晶表示パネルにより解決される。
　すなわち、図１に示すように、複数の画素電極と薄膜トランジスタがマトリクス状に配設された第１の基板および第２の基板を有し、対向せしめた２枚の該基板の間に液晶を封入してなるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルにおいて、薄膜トランジスタに接続されてなるゲートバスラインが、液晶より誘電率の低い材料からな
り、画素電極を露出する開口部を有する
、誘電体層及び画素電極に接するように配向膜が形成され
　また、他の態様として、図３に示すように、第１の基板に形成されたゲートバスラインと対向し、対向電極から独立した任意の電圧を印加可能な補助電極を第２の基板上に形成する。
　さらに別の態様として、図５に示すように、データバスラインから導出された延長部を、絶縁膜を介してゲートバスラインの幅方向全体を覆うように配設する。
　【作用】
　本発明によれば、能動素子に接続されてなるゲートバスラインとデータバスラインのいずれか一方若しくは両方を、液晶より誘電率の低い材料からなる誘電体層で被覆する場合には、誘電体層によってバスラインに印加される電圧の影響が減少し、画素電極の周縁部における電位の傾斜を小さくする。
　また、対向電極から独立した補助電極をゲートバスラインに対向させて形成する場合には、補助電極に任意の直流バイアス電圧を印加することによってバスラインに印加される電圧の影響が減少し、画素電極の周縁部における電位の傾斜を小さくする。
　さらに、ゲートバスライン上に絶縁膜を介してデータバスラインから導出された延長部を配設する場合には、延長部がシールド電極としてはたらくためバスラインに印加される電圧の影響が減少し、画素電極の周縁部における電位の傾斜を小さくする。
　したがって、本発明によれば画素電極の周縁部における電位の傾斜が小さくなってディスクリネーションの発生が軽減される。
　即ち、ディスクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現できる。
　【実施例】
　以下添付図により本発明の実施例について説明する。
　なお、実施例を説明するための図において、同一機能を有するものには同一符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
　図１は本発明になる液晶表示パネルの第１の実施例における主要部を示す斜視図である。
　同図において、２は第２の基板、３は液晶、４は第１の基板、１１および２１はガラス基板、１２は画素電極、１３は能動素子、１４はゲートバスライン、１５はデータバスライン、１６および２３は配向膜、１７は誘電体層、２２は対向電極である。
　この図１に示す本発明の第１の実施例であるアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルは、第１の基板４と第２の基板２を具えており、所定の間隔を介して対向せしめた第１の基板４と第２の基板２の間に液晶分子を含有してなる液晶３が封入されている。
　第１の基板４はガラス基板１１上に複数の画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマトリクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の他に直交するように形成されたゲートバスライン１４とデータバスライン１５が接続されている。
　本実施例の液晶表示パネルは従来の液晶表示パネルとは異なり、能動素子１３に接続されてなるゲートバスライン１４とデータバスライン１５のいずれか一方、若しくは両方が液晶３より誘電率の低い材料、例えばポリイミド等からなる誘電体層１７によって被覆されている。
　因みに、液晶３の誘電率は方向性を有し短軸方向において３〜５程度であり長軸方向において８〜１０程度であるが、液晶分子はガラス基板１１と平行で画素電極１２とゲートバスライン１４間は横方向に電界がかかることから長軸方向に相当する。
　したがって、液晶３の誘電率は８〜１０程度と推定され誘電体層１７を形成する誘電率が液晶３より低い材料として、誘電率が３〜４のポリイミド、誘電率が２．５〜２．７のポリスチレン、誘電率が２．２〜２．４のポリエチレン等が挙げられる。
　即ち、ガラス基板１１上に画素電極１２および能動素子１３とゲートバスライン１４およびデータバスライン１５を形成した後、その上に厚さが２μｍになるようにポリイミド樹脂をスピンコートし塗布された樹脂を加熱によってイミド化している。
　しかし、画素電極１２上に誘電率の低い材料からなる厚い膜が介在すると液晶３に十分な電圧を印加することができない。
　そこで通常用いられるポジ型フォトレジストとアルカリ系現像液によって画素電極１２上のポリイミド樹脂を除去する。
　その後、第１の基板４の液晶３に面した側を厚さが約１０００Åのポリイミド樹脂等からなる配向膜１６によって覆い、液晶３に含有されている液晶分子が同一方向を指すようラビング等の手段によって配向膜１６に配向処理が施される。
　一方、第２の基板２はガラス基板２１上に対向電極２２を形成すると共に共通電極２２を覆うように配向膜２３が形成されており、配向膜１６と同様に配向膜２３には液晶分子が同一方向を指すようラビング等の手段によって配向処理が施されている。
　かかる液晶表示パネルは通常対向電極２２の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電圧ＶＤが印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶＧＯＮが、ゲートオフ時に−１５Ｖ程度の電圧ＶＧＯＦＦが印加される。
　図２は本発明の第１の実施例における電位分布を示す模式図である。
　同図に示すように、本発明になる液晶表示パネルの第１の実施例において、ゲートオフ時に、画素電極１２に印加される電圧ＶＤが＋になると液晶表示パネル内の電位は図２（ａ）の如く分布し、画素電極１２に印加される電圧ＶＤが−に反転すると液晶表示パネル内の電位は図２（ｂ）の如く分布すると考えられる。
　このように能動素子１３に接続されてなるゲートバスライン１４とデータバスライン１５のいずれか一方若しくは両方を、液晶３より誘電率の低い材料からなる誘電体層１７で被覆することによってバスラインに印加される電圧の影響が減少する。
　その結果、画素電極の周縁部における電位の傾斜が小さくなってディスクリネーションの発生が軽減される。
　即ち、ディスクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現することができる。
　図３は本発明になる液晶表示パネルの第２の実施例における主要部を示す斜視図である。
　同図において、１は第１の基板、５は第２の基板、２４は補助電極である。
　この図３に示す本発明の第２の実施例である液晶表示パネルは前記実施例とは異なり、第１の基板１と第２の基板５を有し、所定の間隔を介して対向させた第１の基板１と第２の基板５の間に液晶分子を含有してなる液晶３が封入されている。
　第１の基板１はガラス基板１１上に複数の画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマトリクス状に配設され、能動素子１２には画素電極１３の他に直交するように形成されたゲートバスライン１４とデータバスライン１５が接続されている。
　第１の基板１の液晶３に面した側は厚さが約１０００Åのポリイミド樹脂等からなる配向膜１６によって覆われており、配向膜１６には液晶３に含有されている液晶分子が同一方向を指すようラビング等の手段によって配向処理が施されている。
　一方、第２の基板５はガラス基板２１上に対向電極２２と任意の直流バイアス電圧を印加可能な補助電極２４が形成され、第１の基板１のゲートバスライン１４と対向する補助電極２４にゲートオフ電圧ＶＧＯＦＦと逆極性の電圧−ＶＧＯＦＦが印加される。
　かかる液晶表示パネルは通常対向電極２２の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電圧ＶＤが印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶＧＯＮが、ゲートオフ時に−１５Ｖ程度の電圧ＶＧＯＦＦが印加される。
　図４は本発明の第２の実施例における電位分布を示す模式図である。
　同図に示すように、本発明になる液晶表示パネルの第２の実施例において、ゲートオフ時に、画素電極１２に印加される電圧ＶＤが＋になると液晶表示パネル内の電位は図４（ａ）の如く分布し、画素電極１２に印加される電圧ＶＤが−に反転すると液晶表示パネル内の電位は図４（ｂ）の如く分布すると考えられる。
　このように対向電極から独立し任意の直流バイアス電圧を印加可能な補助電極を第２の基板上に形成すると共に、補助電極を第１の基板が有するゲートバスラインと対向させることによってバスラインに印加される電圧の影響が減少する。
　その結果、画素電極の周縁部における電位の傾斜が小さくなってディスクリネーションの発生が軽減される。
　即ち、ディスクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現することができる。
　図５は本発明になる液晶表示パネルの第３の実施例における主要部を示す斜視図である。
　同図において、２は第２の基板、６は第１の基板、１８は絶縁膜、１９は延長部である。
　この図５に示す本発明の第３の実施例である液晶表示パネルは前記２つの実施例とは異なり、第１の基板６と第２の基板２を有し、所定の間隔を介して対向させた第１の基板６と第２の基板２の間に液晶分子を含有してなる液晶３が封入されている。
　第１の基板６はガラス基板１１上に複数の画素電極１２とＴＦＴやＭＩＭ等の能動素子１３がマトリクス状に配設され、能動素子１３には画素電極１２の他に直交するように形成されたゲートバスライン１４とデータバスライン１５が接続されている。
　ここで、能動素子１３に接続されてなるデータバスライン１５は絶縁膜１８を介して能動素子１３に接続されてなるゲートバスライン１４上に形成されており、データバスライン１５から導出された延長部１９がゲートバスライン１４上で絶縁膜１８を介してゲートバスライン１４を覆うように形成されている。
　さらに、第１の基板６の液晶３に面した側は厚さが約１０００Åのポリイミド樹脂等からなる配向膜１６によって覆われており、配向膜１６には液晶３に含有されている液晶分子が同一方向を指すようラビング等の手段によって配向処理が施されている。
　一方、第２の基板２はガラス基板２１上に対向電極２２を形成すると共に対向電極２２を覆うように配向膜２３が形成されており、配向膜１６と同様に配向膜２３には液晶分子が同一方向を指すようラビング等の手段によって配向処理が施されている。
　かかる液晶表示パネルは通常対向電極２２の電位を基準として画素電極１２に±１〜５Ｖ程度の電圧ＶＤが印加され、ゲートバスライン１４にはゲートオン時に＋１５Ｖ程度の電圧ＶＧＯＮが、ゲートオフ時に−１５Ｖ程度の電圧ＶＧＯＦＦが印加される。
　このように能動素子１３に接続されてなるデータバスライン１５を絶縁膜１８を介してゲートバスライン１４上に形成し、データバスライン１５から導出された延長部１９をゲートバスライン１４上に覆うように形成することによって、延長部１９がシールド電極として作用する。
　したがって画素電極には、延長部１９が形成されている部分ではゲートバスライン１４に印加されている電圧の影響はほとんど無視でき、データバスライン１５に印加されている電圧のみが影響する。
　データバスライン１５および延長部１９には、画素電極１２に印加されるべき±１〜５Ｖ程度の電圧が印加されており、ゲートバスライン１４に印加されている−１５Ｖ程度のゲートオフ電圧ＶＧＯＦＦに比べると大幅に小さいものである。
　その結果、画素電極の周縁部における電位の傾斜が小さくなってディスクリネーションの発生が軽減される。
　即ち、ディスクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現することができる。
　図６は本発明の第３の実施例における変形例を示す平面図である。
　同図に示す変形例においては導出される延長部１９の形状は異なるが、いずれの延長部１９も画素電極１２に隣接するゲートバスライン１４を覆うように形成されている。
　したがって、図６に示される変形例においても図５に示される第３の実施例と同様にゲートバスライン１４に印加される電圧の影響が減少し、ディスクリネーションの発生を軽減することができる。
　【発明の効果】
　上述の如く本発明によれば、液晶の配向異常の原因となる電界の乱れを抑えることができ、ディスクリネーションの発生を防止可能なアクティブマトリクス方式の液晶表示パネルを実現することができる。
　とくに、第１の実施例においては必要に応じてゲートバスラインのみではなく、ゲートバスラインおよびデータバスラインの両方を誘電体層によって被覆することによって、より効果をあげることができる。
　また、第３の実施例においてはシールド電極として作用する延長部を、データバスラインと同じ工程で形成できるので工程数を少なくできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明になる液晶表示パネルの第１の実施例における主要部を示す斜視図である。
　【図２】本発明の第１の実施例における電位分布を示す模式図である。
　【図３】本発明になる液晶表示パネルの第２の実施例における主要部を示す斜視図である。
　【図４】本発明の第２の実施例における電位分布を示す模式図である。
　【図５】本発明になる液晶表示パネルの第３の実施例における主要部を示す斜視図である。
　【図６】本発明の第３の実施例における変形例を示す平面図である。
　【図７】従来の液晶表示パネルの主要部を示す斜視図である。
　【図８】従来の液晶表示パネルにおける電位分布を示す模式図である。
　【符号の説明】
　１、４、６…第１の基板
　２、５…第２の基板
　３…液晶
　１１…ガラス基板
　１２…画素電極
　１３…能動素子
　１４…ゲートバスライン
　１５…データバスライン
　１６…配向膜
　１７…誘電体層
　１８…絶縁膜
　１９…延長部
　２１…ガラス基板
　２２…対向電極
　２３…配向膜
　２４…補助電極