【事件の表示】
　特願２０１４−　２１７６３「透明導電性支持体、タッチセンサ、及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　８月２０日出願公開、特開２０１５−１４８９６６、請求項の数（３）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年２月６日の出願であって、その手続の経緯は、以下の通りである。
　平成２９年　８月２８日付け　　拒絶理由通知書
　平成２９年１０月２４日　　　　意見書、手続補正書の提出
　平成３０年　１月３０日付け　　拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書
　平成３０年　３月２９日　　　　意見書、手続補正書の提出
　平成３０年　４月２６日付け　　平成３０年３月２９日の手続補正につい
　　　　　　　　　　　　　　　　ての補正の却下の決定、拒絶査定
　平成３０年　８月　３日　　　　審判請求書、手続補正書の提出
　令和　元年　９月２４日付け　　拒絶理由通知書
　令和　元年１１月２８日　　　　意見書、手続補正書の提出
　令和　２年　３月２３日付け　　拒絶理由通知書
　令和　２年　５月１２日　　　　意見書、手続補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（平成３０年４月２６日付け拒絶査定）の概要は、平成３０年１月３０日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきというものであり、当該理由は次のとおりである。
　本願請求項１ないし３に係る発明は、以下の引用文献１ないし５に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献一覧
１．特開平５−１８３２５９号公報
２．特開２０１３−１９７０４５号公報
３．特開平９−２７０５７３号公報
４．特開２０１３−２５４４６９号公報
５．特開２０１３−２４６７２３号公報
第３　当審拒絶理由の概要
１　令和元年９月２４日付け拒絶理由の概要は次のとおりである。
　本願請求項１及び２に係る発明は、以下の引用文献１ないし６に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献一覧
１．特開平５−１８３２５９号公報
２．特開２０１３−１９７０４５号公報
３．特開平９−２７０５７３号公報
４．特開２０１３−２５４４６９号公報
５．特開２０１３−２４６７２３号公報
６．吉村俊之　他４名、ナノメータリソグラフィーにおけるレジスト高分子のサイズ効果、応用物理、第６３巻第１１号、１９９４年、ｐ．１１３１−１１３４　
２　令和２年３月２３日付け拒絶理由の概要は次のとおりである。
（１）本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
（２）本願の特許請求の範囲の請求項１ないし３の記載が、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
第４　本願発明
　本願請求項１ないし３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明３」という。）は、令和２年５月１２日にされた手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される発明であり、本願発明は１ないし３は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　表面に触媒膜層が形成された透明支持体の前記触媒膜層上に、または触媒を含有させた透明支持体上に、銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層と、平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層とが並列して形成され、前記無電解メッキ膜層の上部にのみニッケル、スズ、ロジウム、パラジウム、銅−スズ−亜鉛の合金のいずれかからなるメッキ膜が形成された、導電性支持体。
　　【請求項２】
　前記無電解メッキ膜層は、線幅が０．５〜１０μｍで線間が前記線幅の１０〜１０００倍のメッシュ状またはハニカム状の微細な線状パターンからなる透明導電膜である、請求項１に記載の導電性支持体。
　　【請求項３】
　表面に触媒膜層が形成された透明支持体の前記触媒膜層上に、または触媒を含有させた透明支持体上に、銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層と、平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層とを並列して形成した後、前記レジスト層を剥離せず残したままで前記無電解メッキ膜層の上部にのみ、ニッケル、スズ、ロジウム、パラジウム、銅−スズ−亜鉛の合金のいずれかからなるメッキ膜を形成する、導電性支持体の製造方法。」
第５　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
　平成３０年１月３０日付け及び令和元年９月２４日付けの拒絶理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，高密度でファインな導体回路パターンを有する，
高密度プリント配線板の製造方法
「【０００９】
【課題の解決手段】本発明は，絶縁基板に形成された導体回路パターンに対して，該導体回路パターンの表面に化学メッキを施すに際して，上記導体回路パターンの表面を覆うようにめっきレジストを被覆し，その後化学メッキを施すべき導体回路パターンの付近のめっきレジストを除去して導体回路パターンを露出させ，かつ露出部分における導体回路パターンとめっきレジストの高さをほぼ同一面となし，その後化学メッキを施すことを特徴とする高密度プリント配線板の製造方法にある。
【００１０】本発明において最も注目すべきことは，上記導体回路パターンの表面をめっきレジストにより被覆し，その後化学メッキを施すべき部分のめっきレジストを除去して導体回路パターンを露出させ，該導体回路パターンとめっきレジストの高さをほぼ同一面とし，その後化学メッキを施すことにある。上記めっきレジストとしては，例えばドライフィルムを用いる。また，該めっきレジストを除去する方法としては，例えばサンドペーパーを用いる研磨加工法がある。
【００１１】上記導体回路パターンは，例えば化学メッキによるＣｕメッキ膜，半田剥離法による半田を用いたパターンメッキ膜により形成する。また，上記絶縁基板としては，例えばガラス繊維により強化したガラスエポキシ基板，銅箔積層基板を用いる。また，上記導体回路パターン形成のために，化学メッキによるＣｕメッキ膜を，ガラスエポキシ基板の表面に形成するに当たっては，例えばアディティブ法を用いる。このアディティブ法は，例えばガラスエポキシ基板等の絶縁基板の表面に，耐熱性及び電気絶縁性に優れたエポキシ樹脂接着剤を塗布することにより行う。その後，アンカーを形成するために，上記エポキシ樹脂接着剤の粗化を行う。そして，粗化後は，触媒をその表面に付与する。その後，上記のごとく，めっきレジストを上記のごとく施し，導体回路パターンの上面に，Ｃｕメッキ膜，Ｎｉメッキ膜，Ａｕメッキ膜などの化学メッキを形成する。
【００１２】
【作用及び効果】本発明においては，隣接する導体回路パターン間には，導体回路パターンと高さがほぼ同一面のめっきレジストが被覆してある（図３参照）。そのため，導体回路上に化学メッキを施した際に，隣接する導体回路パターン間に，メッキ落ち，メッキ拡がりを生ずることがなく，またアンダーカットを生ずることがない（図６参照）。上記メッキ落ち及びメッキ拡がりを生じない理由は，導体回路パターンの間に，該導体回路パターンとほぼ同一面までめっきレジストが形成してあるため，化学メッキが横方向に拡がらないからである。
【００１３】また，アンダーカットを生じない理由は，導体回路パターン間にこれと同一面上までめっきレジストが形成してあるため，化学メッキを施さない部分に被覆するソルダーレジストの厚みを均一にすることができることによる（図４，５参照）。また，これらにより，高密度で信頼性に優れた導体回路パターンを形成することができる。以上のごとく，本発明によれば，メッキ落ち，メッキ拡がり，アンダーカットを生ずることがなく，高密度で信頼性に優れた，高密度プリント配線板の製造方法を提供することができる。
【００１４】
【実施例】本発明の実施例にかかる高密度プリント配線板の製造方法につき，図１〜図６を用いて説明する。
本例は，まず図１に示すごとく，絶縁基板９に形成された導体回路パターン２に対して，該導体回路パターン２の表面に化学メッキを施すことにより，高密度でファインな，プリント配線板を製造するものである。
【００１５】そして，図４，図５に示すごとく，化学メッキを施すべき導体回路パターン２以外の部分をソルダーレジスト３により被覆し，その後Ｎｉメッキ膜２２，Ａｕメッキ膜２３の化学メッキを施す。このようにして，上記図１に示した高密度プリント配線板を得る。ここで，まず注目すべきことは，導体回路パターン２の線間距離は，約５０〜６０μｍで，高密度でファインなことである。
【００１６】上記導体回路パターン２は，図１に示すごとく化学メッキにより形成した，Ｃｕメッキ膜２１と，Ｎｉメッキ膜２２と，Ａｕメッキ膜２３とよりなる。上記Ｃｕメッキ膜２１は，膜厚みが約３０μｍである。また，上記Ｎｉメッキ膜２２は，膜厚みが約５μｍである。また，上記Ａｕメッキ膜２３は，膜厚みが約０．５μｍである。
【００１７】次に，上記高密度プリント配線板の製造方法につき，図１〜図６を用いて具体的に説明する。先ず，
絶縁基板９上に，図２に示すごとく，アディティブ法により，上記Ｃｕメッキ膜２１を形成する。即ち，上記アディティブ法は，銅箔を表面に有しない，ガラスエポキシ基板からなる絶縁基板９を用いる。そして，上記絶縁基板９の表面には，先ず耐熱性及び電気絶縁性に優れたエポキシ樹脂接着剤（図示略）を塗布する。そして，これを加熱し，硬化させる。
【００１８】
次に，上記エポキシ樹脂接着剤をアンカー形成のために粗化する。次いで，粗化した該エポキシ樹脂接着剤の表面に，塩酸系パラジウム溶液を用いて活性化処理（図示略）を行う。その後，図２に示すごとく，絶縁基板９上に，化学メッキにより導体回路パターン２の基礎となる上記Ｃｕメッキ膜２１を形成する。次に，上記Ｃｕメッキ膜２１を含めて回路パターン２の表面を覆うように，めっきレジスト１を被覆する。
【００１９】上記めっきレジスト１は，永久レジスト型のドライフィルムを用いる。該めっきレジスト１は，厚みが約４０μｍで，柔軟性を有する。
次いで，図４に示すごとく，化学メッキを施すべき導体回路パターン２の付近のめっきレジスト１を除去して導体回路パターン２の表面を露出させる。そして，該露出部分における該導体回路パターン２とめっきレジスト１の高さを，ほぼ同一面となす。
【００２０】上記導体回路パターン１を露出させる手段としては，まずサンドペーパーを用いた研磨加工を用いる。次いで，導体回路パターン２とめっきレジスト１との高さを，ほぼ同一面となす手段としては，ポリッシャ加工を用いる。次に，図４に示すごとく，化学メッキを施すべき導体回路パターン２以外の部分を，ソルダーレジスト３により被覆する。該ソルダーレジスト３は，写真現像型の光硬化性樹脂よりなる。そのため，該ソルダーレジスト３は，露光現像して硬化させる。
【００２１】
その後，図５に示すごとく，化学メッキを施す部分の上記Ｃｕメッキ膜２１の表面に，まず化学メッキによりＮｉメッキ膜２２を施す。
次いで，上記Ｎｉメッキ膜２２上には，Ａｕメッキ膜２３を化学メッキにより施す。
　上記記載から、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「絶縁基板９上にアディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２と、
　導体回路パターン２の表面を覆うように、めっきレジスト１を被覆した後、化学メッキを施すべき導体回路パターン２の付近のめっきレジスト１を除去し、導体回路パターン２の表面を露出させ、導体回路パターン２とほぼ同一面をなすめっきレジスト１と、
　Ｃｕメッキ膜２１の表面に化学メッキにより形成されたＮｉメッキ膜２２と、その上に化学メッキにより形成されたＡｕメッキ膜２３を備える、
　高密度プリント配線基板。」
　また、上記記載から、引用文献１には次の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「絶縁基板９上にアディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２と、
　導体回路パターン２の表面を覆うように、めっきレジスト１を被覆した後、化学メッキを施すべき導体回路パターン２の付近のめっきレジスト１を除去し、導体回路パターン２の表面を露出させ、導体回路パターン２とほぼ同一面をなすめっきレジスト１とを形成した後、
　めっきレジスト１とを剥離せず残したままでＣｕメッキ膜２１の表面に化学メッキにより形成されたＮｉメッキ膜２２と、その上に化学メッキにより形成されたＡｕメッキ膜２３を形成する、
　高密度プリント配線基板の製造方法。」
２　引用文献２について
　平成３０年１月３０日付け及び令和元年９月２４日付けの拒絶理由に引用された引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】 
　本発明は、導電性ペーストおよびこれを用いた導電膜付き基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来から、電子部品やプリント配線基板等の配線導体の形成に、導電性の高い金属粒子を含有する導電性ペーストを用いる方法が知られている。このうち、プリント配線基板の製造は、絶縁基材上に導電性ペーストを所望のパターン形状に塗布し硬化して、配線パターンをなす導電膜を形成して行われている。
【０００３】
　導電性ペーストとしては、金属粒子として銀粒子を含有する銀ペーストが従来主流であったが（特許文献１）、マイグレーションの点で問題があった。この点、金属粒子として銅粒子を含有する銅ペーストは、マイグレーション現象が生じにくいため、電気回路の接続信頼性を高めることができる。
【０００４】
　プリント配線基板等の配線導体には様々な特性が要求されるが、配線パターンの絶縁基材への密着性は、電気回路の接続信頼性に重要な影響を及ぼすため、最も重要な特性の一つである。
【０００５】
　プリント配線基板に用いられる基材としては、従来からガラス、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）等が使用されているが、近年、タッチパネル等の用途を中心に、ガラスやＰＥＴ等の絶縁基材の上に、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）膜などの透明導電膜が形成された透明導電膜付き基材が用いられている。プリント配線基板として、このような透明導電膜付き基材を用いる場合、透明導電膜上に導電性ペーストを塗布して導電膜を形成することになる（例えば、特許文献２参照。）。」
「【発明を実施するための形態】
【００２５】
　以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明は、以下の説明に限定して解釈されるものではない。
【００２６】
＜導電性ペースト＞
　本発明の導電性ペーストは、（Ａ）平均粒子径が１０ｎｍ〜２０μｍの銅粒子と、（Ｂ）リン酸基を有する有機重合体のアミン塩と、（Ｃ）ホルムアルデヒドを一成分とする熱硬化性樹脂からなるバインダ樹脂と、を含有し、前記（Ａ）成分の銅粒子１００質量部に対し前記（Ｃ）成分のバインダ樹脂を５〜４０質量部含有し、前記（Ｃ）成分のバインダ樹脂１００質量部に対し前記（Ｂ）成分の有機重合体の塩を０．１〜１００質量部含有することを特徴とする。以下、導電性ペーストを構成する各成分について、詳細に説明する。」
３　引用文献３について
　平成３０年１月３０日付け及び令和元年９月２４日付けの拒絶理由に引用された引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【要約】
【課題】　配線用基板を透明にすることにより、複数の配線用基板を立体配置しても配線用基板に実装した発光素子の発光状況を外部から明確に視認できる。
【解決手段】　透明な耐熱性材料からなるガラス板１の少なくとも一方の面に接着剤２を介して配線パターン用の圧延加工された銅箔３を加熱圧着し、この銅箔３上にエッチングレジストで配線パターンを形成した後、エッチングにより配線パターン部分以外の銅箔３を除去してプリント配線板５を形成する。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板及びその製造方法に関し、更に詳しくは、透光性を有するプリント配線板及びその製造方法に関するものである。」
「【００１２】このような第１の実施の形態によるプリント配線板によれば、その絶縁基板を透明なガラス板１で構成することにより、複数のプリント配線板を立体配置してもプリント配線板に実装した発光素子の発光状況を外部から明確に視認することができるとともに、透明なガラス板１を用いることにより、銅箔３の加熱圧着処理時及び半田付け時の温度に対しても熱変形することのない安定したプリント配線板を提供できる。また、銅箔を圧延により成形することにより、銅箔３と接着剤２との界面を平滑にできるため、エッチング後に残った接着剤層表面も平滑になり、接着剤層表面の光の乱反射及び散乱がなくなり、接着剤層の透明度を生かすことでプリント配線板の透明度が低下するのをなくすことができ、しかも接着剤を除去する必要がなくなり、プリント配線板の低コスト化が可能になる。」
４　引用文献４について
　平成３０年１月３０日付け及び令和元年９月２４日付けの拒絶理由に引用された引用文献４には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】 
　本発明は、タッチセンサ及びその製造方法に関する。」
「【００４５】
　図１及び図２を参照すると、タッチ電極１４０、１６０は、樹脂層１３０、１５０の一面である基材凹凸部１３１、１５１に形成される。この際、図１における樹脂層１３０、１５０の一面は、樹脂層１３０、１５０の上面を示すが、本発明の樹脂層１３０、１５０の一面の位置は、樹脂層１３０、１５０の上面に限定されるものではなく、樹脂層１３０、１５０の一面は、樹脂層１３０、１５０の下面になることもできることは言うまでもない。
【００４６】
　また、タッチ電極１４０、１６０は、基材凹凸部１３１、１５１の一面にスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）またはメッキなどの方法を用いて金属を蒸着することにより形成することができる。
【００４７】
　さらに、タッチ電極１４０、１６０は、タッチを感知する電極パターン１４１、１６１及び電極配線１４２、１６２を含む。
【００４８】
　また、電極パターン１４１、１６１は、第１電極パターン１４１及び第２電極パターン１６１からなり、電極配線１４２、１６２は、第１電極配線１４２及び第２電極配線１６２からなることが好ましい。
【００４９】
　この際、第１電極パターン１４１の縁には、第１電極パターン１４１から電気的信号の伝達を受ける第１電極配線１４２が形成され、第２電極パターン１６１の縁には、第２電極パターン１６１から電気的信号の伝達を受ける第２電極配線１６２が形成される。
【００５０】
　さらに、電極パターン１４１、１６１は、金属メッシュからなることが好ましい。ここで、金属メッシュは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）またはこれらの組み合わせを用いてメッシュパターン（Ｍｅｓｈ　Ｐａｔｔｅｒｎ）に形成されることが好ましい。
【００５１】
　一方、電極パターン１４１、１６１を銅（Ｃｕ）で形成する場合、基材凹凸部１３１、１５１により光の反射が防止され、電極パターン１４１、１６１の表面に光が反射することを防止するための別の黒化処理工程を省略することができる。
【００５２】
　また、電極パターン１４１、１６１は、線幅を７μｍ以下に形成し、ピッチを９００μｍ以下に形成することにより、視認性を改善することができる。しかし、本発明の一実施例による電極パターン１４１、１６１の線幅及びピッチは、これに限定されるものではない。
【００５３】
　なお、電極パターン１４１、１６１は、前記金属の他にも銀塩乳剤層を露光／現像して形成された金属銀で形成することができる。」
５　引用文献５について
　平成３０年１月３０日付け及び令和元年９月２４日付けの拒絶理由に引用された引用文献５には、図面とともに次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】 
　本発明は、静電容量型タッチパネル用光透過性電極に関するものであり、好ましくは投影型静電容量タッチパネルに好適な静電容量型タッチパネル用光透過性電極に関する。」
「【００１５】
＜網目状導電部＞
　図１における列電極１２と列電極１３は網目状導電部からなり、網目状導電部は単位格子を網目状に配置した金属メッシュからなることが好ましい。単位格子の形状としては、例えば正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形、星形などを組み合わせた形状が挙げられ、またこれらの形状の単独の繰り返し、あるいは２種類以上の複数の形状の組み合わせが挙げられる。中でも単位格子の形状としては正方形もしくは菱形であることが好ましい。
【００１６】
　上記した列電極１２と１３は金属、特に金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、およびこれらの複合材により形成されることが好ましい。網目状導電部１１を形成する方法としては、銀塩感光材料を用いる方法、同方法を用いさらに得られた銀画像に無電解めっきや電解めっきを施す方法、スクリーン印刷法を用いて銀ペーストなどの導電性インキを印刷する方法、銀インクなどの導電性インクをインクジェット法で印刷する方法、無電解めっき等で銅などの金属からなる導電性層を形成する方法、あるいは蒸着やスパッタなどで導電性層を形成し、その上にレジスト膜を形成し、露光、現像、エッチング、レジスト層除去することで得る方法、銅箔などの金属箔を貼り、さらにその上にレジスト膜を形成し、露光、現像、エッチング、レジスト層除去することで得る方法など、公知の方法を用いることができる。中でも網目状導電部１１を構成する単位格子の線の厚みが薄くでき、さらに単位格子の線幅を微細にすることが容易な銀塩拡散転写法を用いることが好ましい。銀塩拡散転写法としては例えば特開２００３-７７３５０号公報や特開２００５-２５０１６９号公報に記載されている。これらの手法で作製した網目状導電部１１を構成する単位格子の細線厚みは薄すぎるとタッチパネルとして必要な導電性を確保し難くなる。よって、その厚みは０．０５〜５μｍが好ましく、より好ましくは０．０７〜１μｍである。
【００１７】
　単位格子の細線幅は２０μｍ以下が好ましく、１〜１０μｍがさらに好ましい。また単位格子の繰り返し間隔は５００μｍ以下が好ましく、３５０μｍ以下がさらに好ましい。さらに単位格子から構成される網目状導電部１１の開口率は８５％以上が好ましく、８８〜９９％がさらに好ましい。」
６　引用文献６について
　令和元年９月２４日付けの拒絶理由に引用された引用文献６には、図面とともに次の事項が記載されている。
「このレジストを極微細加工に適用し，ナノメータレベルの孤立ラインパターンを形成したところ，図１（ａ）にみられるように，レジストパターンに１０ｎｍレベルの微少な表面凹凸が認められた。このレジストパターンの微少表面凹凸を，われわれは「ナノエッジラフネス」と呼ぶ。」（第１１３１頁右欄５行乃至１０行）
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明１を対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明１における「高密度プリント配線基板」は、本願発明１における「導電性支持体」に相当する。
イ　引用発明１の「アディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２」が形成された「絶縁基板９」と、本願発明１の「表面に触媒膜層が形成された透明支持体」または「触媒を含有させた透明支持体」は、支持体である点で共通する。
ウ　引用発明１の「絶縁基板９上にアディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２」と、本願発明１の「触媒層上」または「触媒を含有させた透明支持体上」に形成された「銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層」は、支持体上に形成された「無電解メッキ膜層」である点で共通する。
エ　引用発明１の「めっきレジスト１」と、本願発明１の「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」は、「レジスト層」である点で共通する。
オ　そして、引用発明１の「絶縁基板９上にアディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２」と、「導体回路パターン２の表面を覆うように、めっきレジスト１を被覆した後、化学メッキを施すべき導体回路パターン２の付近のめっきレジスト１を除去し、導体回路パターン２の表面を露出させ、導体回路パターン２とほぼ同一面をなすめっきレジスト１」の配置は、「めっきレジスト１」が「導体回路パターン２の表面を覆うように、めっきレジスト１を被覆した後、化学メッキを施すべき導体回路パターン２の付近のめっきレジスト１を除去し、導体回路パターン２の表面を露出させ」ていることから、「導体回路パターン２」と「めっきレジスト１」とは「絶縁基板９」上に並列に配置されているといえる。
　そうすると、この配置と、本願発明１の「表面に触媒膜層が形成された透明支持体の前記触媒膜層上に、または触媒を含有させた透明支持体上に、銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層と、平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層とが並列して形成され」ることは、支持体上に形成された「無電解メッキ膜層」と、「レジスト層」とが並列して形成されている点で共通する。
カ　引用発明１の「Ｃｕメッキ膜２１の表面に化学メッキにより形成されたＮｉメッキ膜２２と、その上に化学メッキにより形成されたＡｕメッキ膜２３」と、本願発明１の「前記無電解メッキ膜層の上部にのみ」形成された、「ニッケル、スズ、ロジウム、パラジウム、銅−スズ−亜鉛の合金のいずれかからなるメッキ膜」とは、「前記無電解メッキ膜層の上部にのみ」形成された「メッキ膜」である点で共通する。
キ　そうすると、本願発明１と引用発明１との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
［一致点］
「支持体上に、無電解メッキ膜層と、レジスト層とが並列して形成され、前記無電解メッキ膜層の上部にのみメッキ膜が形成された、導電性支持体。」
［相違点１］
　「支持体」について、本願発明１が「表面に触媒膜層が形成された透明支持体」または「触媒を含有させた透明支持」であるのに対して、引用発明１は、アディティブ法によりＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２が形成される「絶縁基板９」である点。
［相違点２］
　「無電解メッキ膜層」について、本願発明１は、「触媒層上」または「触媒を含有させた透明支持体上」に形成された「銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層」であるのに対して、引用発明１は、「絶縁基板９上にアディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１」である点。
［相違点３］
　「レジスト層」について、本願発明１が「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」であるのに対して、引用発明１の「めっきレジスト１」は対応する限定がない点。
［相違点４］
　「前記無電解メッキ膜層の上部にのみ形成されたメッキ膜」について、本願発明１が「前記無電解メッキ膜層の上部にのみニッケル、スズ、ロジウム、パラジウム、「銅−スズ−亜鉛の合金のいずれかからなるメッキ膜」であるのに対して、引用発明１は、「Ｃｕメッキ膜２１の表面に化学メッキにより形成されたＮｉメッキ膜２２と、その上に化学メッキにより形成されたＡｕメッキ膜２３」である点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、［相違点３］について先に検討すると、［相違点３］に係る本願発明１の「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」という構成は、上記引用文献１ないし６には記載されておらず、本願出願前において周知技術であるともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明１は、引用発明１及び引用文献２ないし６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２について
　本願発明２も、本願発明１の「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」と同一の構成を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１及び引用文献２ないし６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
３　本願発明３について
（１）対比
　本願発明３と引用発明２を対比すると、次のことがいえる。
ア　引用発明２における「高密度プリント配線基板」は、本願発明３における「導電性支持体」に相当する。
イ　引用発明２の「アディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２」が形成された「絶縁基板９」と、本願発明３の「表面に触媒膜層が形成された透明支持体」または「触媒を含有させた透明支持体」は、支持体である点で共通する。
ウ　引用発明２の「絶縁基板９上にアディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２」と、本願発明３の「触媒層上」または「触媒を含有させた透明支持体上」に形成された「銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層」は、支持体上に形成された「無電解メッキ膜層」である点で共通する。
エ　引用発明２の「めっきレジスト１」と、本願発明３の「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」は、「レジスト層」である点で共通する。
オ　そして、引用発明２の「絶縁基板９上にアディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２」と、「導体回路パターン２の表面を覆うように、めっきレジスト１を被覆した後、化学メッキを施すべき導体回路パターン２の付近のめっきレジスト１を除去し、導体回路パターン２の表面を露出させ、導体回路パターン２とほぼ同一面をなすめっきレジスト１」の配置は、「めっきレジスト１」が「導体回路パターン２の表面を覆うように、めっきレジスト１を被覆した後、化学メッキを施すべき導体回路パターン２の付近のめっきレジスト１を除去し、導体回路パターン２の表面を露出させ」ていることから、「導体回路パターン２」と「めっきレジスト１」とは「絶縁基板９」上に並列に配置されているといえる。
　そうすると、この配置と、本願発明３の「表面に触媒膜層が形成された透明支持体の前記触媒膜層上に、または触媒を含有させた透明支持体上に、銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層と、平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層とが並列して形成され」ることは、支持体上に形成された「無電解メッキ膜層」と、「レジスト層」とが並列して形成されている点で共通する。
カ　引用発明２の「めっきレジスト１とを剥離せず残したままでＣｕメッキ膜２１の表面に化学メッキにより形成されたＮｉメッキ膜２２と、その上に化学メッキにより形成されたＡｕメッキ膜２３を形成する」ことと、本願発明３の「前記レジスト層を剥離せず残したままで前記無電解メッキ膜層の上部にのみ、ニッケル、スズ、ロジウム、パラジウム、銅−スズ−亜鉛の合金のいずれかからなるメッキ膜を形成する」こととは、「前記レジスト層を剥離せず残したままで前記無電解メッキ膜層の上部にのみ」「メッキ膜を形成する」点で共通する。
キ　そうすると、本願発明３と引用発明２との間には、次の一致点、相違点があるといえる。
［一致点］
「支持体上に、無電解メッキ膜層と、レジスト層とが並列して形成した後、前記レジスト層を剥離せず残したままで前記無電解メッキ膜層の上部にのみメッキ膜を形成する、導電性支持体の製造方法。」
［相違点５］
　「支持体」について、本願発明３が「表面に触媒膜層が形成された透明支持体」または「触媒を含有させた透明支持」であるのに対して、引用発明２は、アディティブ法によりＣｕメッキ膜２１からなる導体回路パターン２が形成される「絶縁基板９」である点。
［相違点６］
　「無電解メッキ膜層」について、本願発明３は、「触媒層上」または「触媒を含有させた透明支持体上」に形成された「銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層」であるのに対して、引用発明２は、「絶縁基板９上にアディティブ法により形成されたＣｕメッキ膜２１」である点。
［相違点７］
　「レジスト層」について、本願発明３が「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」であるのに対して、引用発明２の「めっきレジスト１」は対応する限定がない点。
［相違点８］
　「前記無電解メッキ膜層の上部にのみ形成」された「メッキ膜」について、本願発３１が「前記無電解メッキ膜層の上部にのみニッケル、スズ、ロジウム、パラジウム、「銅−スズ−亜鉛の合金のいずれかからなるメッキ膜」であるのに対して、引用発明２は、「Ｃｕメッキ膜２１の表面に化学メッキにより形成されたＮｉメッキ膜２２と、その上に化学メッキにより形成されたＡｕメッキ膜２３」である点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて、［相違点７］について先に検討すると、［相違点７］に係る本願発明３の「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」という構成は、上記引用文献１ないし６には記載されておらず、本願出願前において周知技術であるともいえない。
　したがって、他の相違点について判断するまでもなく、本願発明３は、引用発明２及び引用文献２ないし６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
第７　原査定についての判断
　令和２年５月１２日付けの補正により、補正後の請求項１ないし３は、「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」という技術的事項を有するものとなった。当該「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」は、原査定における引用文献１ないし５には記載されておらず、本願出願前における周知技術でもないので、本願発明１ないし３は、当業者であっても、原査定における引用文献１ないし５に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定を維持することはできない。
第８　当審拒絶理由について
１　特許法第２９条第２項について
　令和２年５月１２日付けの補正により、補正後の請求項１ないし３は、「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」という技術的事項を有するものとなった。当該「平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層」は、令和元年９月２４日付け拒絶理由で示した引用文献１ないし６には記載されておらず、本願出願前における周知技術でもないので、本願発明１ないし３は、当業者であっても、令和元年９月２４日付け拒絶理由で示した引用文献１ないし６に基づいて容易に発明できたものではない。
２　特許法第３６条第６項第１号について
　令和２年３月２３日付けの拒絶理由では、請求項１及び３の「透明支持体上に無電解メッキ膜層と、微粒子を含み、側面全体が微細な凹凸形状であるレジスト層とが並列して形成」するという点は、発明の詳細な説明において発明の課題が解決できることを当業者が認識できるように記載された範囲を超えるものであり、発明の詳細な説明に記載されたものであるとはいえないとの拒絶の理由を通知しているが、令和２年５月１２日付けの補正において、請求項１及び３をそれぞれ「表面に触媒膜層が形成された透明支持体の前記触媒膜層上に、または触媒を含有させた透明支持体上に、銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層と、平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層とが並列して形成」すると補正された結果、この拒絶の理由は解消した。
３　特許法第３６条第６項第２号について
　令和２年３月２３日付けの拒絶理由では、請求項１及び３の「微粒子」、「微細な凹凸形状」及び「耐食性に優れたメッキ膜」という記載の意味が不明確であるとの拒絶の理由を通知しているが、令和２年５月１２日付けの補正において、請求項１及び３がそれぞれ「表面に触媒膜層が形成された透明支持体の前記触媒膜層上に、または触媒を含有させた透明支持体上に、銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層と、平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層とが並列して形成され、前記無電解メッキ膜層の上部にのみニッケル、スズ、ロジウム、パラジウム、銅−スズ−亜鉛の合金のいずれかからなるメッキ膜」及び「表面に触媒膜層が形成された透明支持体の前記触媒膜層上に、または触媒を含有させた透明支持体上に、銅、銀、アルミニウムのいずれかからなる無電解メッキ膜層と、平均粒子径０．１〜５μｍの微粒子を含み、側面全体が算術平均粗さＲａ０．３〜２μｍの微細な凹凸形状であるレジスト層とを並列して形成した後、前記レジスト層を剥離せず残したままで前記無電解メッキ膜層の上部にのみ、ニッケル、スズ、ロジウム、パラジウム、銅−スズ−亜鉛の合金のいずれかからなるメッキ膜」と補正された結果、この拒絶の理由は解消した。
第９　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によって、本願を拒絶することはできない。
　他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。