【事件の表示】
　特許第２９８９６５４号「ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９８９６５４号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第2989654号の請求項1に係る発明は、平成2年9月27日に特許出願され、平成11年10月8日にその特許権の設定登録がなされ、その後、大西浩之（以下、「申立人」という）より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成12年11月6日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（1）訂正の内容
ア．訂正事項ａ
  特許請求の範囲の請求項1の「ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法」を、「2インチ以上の大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
  明細書第5頁第19〜20行の「特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法である。」（本件特許公報第４欄第３行乃至第４行）とあるのを、「特徴とする2インチ以上の大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法である。」と訂正する。
（2）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
上記訂正事項ａは、請求項１の「ビスマス置換希土類鉄ガーネット」を「2インチ以上の大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜」に訂正するものであるから特許請求の範囲の減縮に該当する。また「2インチ以上の大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜」については、本件特許明細書の実施例1に「2インチ径」と、実施例2にも「3インチ径」と記載されているから、特許明細書に記載した事項の範囲内でなされたものであり新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、この訂正事項も特許明細書に記載した事項の範囲内でなされたものであり新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
（3）むすび
したがって、上記訂正は、平成6年改正法附則第6条第1項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第120条の4第3項において準用する平成6年改正法による改正前の特許法第126条第1項ただし書、第2項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについての判断
（1）申立ての理由の概要
　異議申立人は、証拠方法として、甲第1号証（特開昭62-143893号公報）及び甲第2号証（特開昭57-160105号公報）を提出して、請求項1に係る発明は、これら証拠に記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項１に係る発明の特許を取り消すべきであると主張している。
（2）本件訂正発明
　本件訂正後の請求項1に係る発明（以下、「本件訂正発明」という）は、上記２．で示したように上記訂正が認められるから、訂正後の特許請求の範囲の請求項1に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（3）刊行物の記載
　異議申立人が証拠として提出した上記刊行物1及び刊行物2には、それぞれ以下の事項が記載されている。
刊行物1：特開昭62-143893号公報
ア．「成長温度を、溶液の組成変化に伴って、結晶の格子定数が基板の格子定数と等しくなる様に変化させながら、液相エピタキシャル法によって成長させるようにした磁気光学結晶の成長方法。」（第1頁左下欄第5〜8行）
イ．「従って、成長し始めた時の結晶と基板の格子整合をとって成長を行っても、約数100μｍの成長後の結晶の格子定数が基板と異なっているため、クラックが入り、結晶がはがれ落ちることがしばしば起こった。」（第2頁左上欄第7〜11行）
ウ．「本発明は上記した、約数100μｍの膜厚成長時に生じる格子不整合によるクラックや結晶のはがれ落ちを防ぐために、成長温度を溶液の組成変化に伴って、結晶の格子定数が基板の格子定数と等しくなる様に変化させながら液相エピタキシャル成長するものである。」（第2頁左上欄第19行〜同頁右上欄第4行）
エ．「本発明の第1の実施例として、・・・Ｃａ−Ｍｇ−Ｚｒ置換型Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12基板（格子定数ａ＝12.49Å）上に（ＢｉＧｄＬｕ）3Ｆｅ5Ｏ12を片面約100μｍの厚さで両面液相エピタキシャル成長した場合を示す。第1図は成長温度に対する格子定数の変化を、片面約100μｍの厚さで両面厚膜液相エピタキシャル成長する前ａと後ｂで比較したものである。図中の一点鎖線は基板の格子定数12.49Åを示す。厚膜成長前ａつまり厚膜成長開始直後は基板と格子整合のとれる成長温度は、786℃であったが、厚膜成長後は786℃で成長しつづけていれば、基板との格子定数差が0.32Åとなり、クラックが発生し、逆に基板との格子整合のとれる成長温度は756℃になった。・・・成長温度を最初786℃とし、その後、2時間で30℃温度降下しながら、液相エピタキシャル成長を行ったところ、片面100μｍの鏡面厚膜が基板の両面に得られた。Ｘ線回折装置により基板との格子定数差を測定したところ、格子不整合は10-4以下であった。」（第2頁右上欄第12行〜同頁右下欄第3行）
オ．「第2の実施例として、・・・Ｃａ−Ｍｇ−Ｚｒ置換型Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12基板（格子定数ａ＝12.49Å）上に（ＢｉＧｄＬｕ）3Ｆｅ5Ｏ12を片面約250μｍの厚さで両面厚膜液相エピタキシャル成長した場合を述べる。成長温度を752℃から734℃まで線形に変化させて、8時間成長を行ったところ、クラックのない鏡面厚膜を得ることができ、」（第2頁右下欄第6〜14行）
　なお、この実施例の融液温度の降下速度は（752℃−734℃）／8時間＝2.25℃／時間である。
カ．「第3の実施例として、・・・Ｃａ−Ｍｇ−Ｚｒ置換型Ｇｄ3Ｇａ5Ｏ12基板上に（ＢｉＧｄＬｕ）3Ｆｅ5Ｏ12を片面約110μｍの厚さで両面厚膜液相エピタキシャル成長した場合を述べる。成長温度を755℃から732℃まで変化させて4時間成長を行ったところ、クラックのない鏡面厚膜を得ることができ、」（第2頁右下欄第16行〜第3頁左上欄第3行）
　なお、この実施例の融液温度の降下速度は（755℃−732℃）／4時間＝5.75℃／時間である。
刊行物2：特開昭57-160105号公報
ア．「液相エピタキシャル法により非磁性ガーネット基板上に厚さが30μｍ以上の磁性ガーネット膜が育成されてなる磁気光学素子用磁性ガーネット材料において、前記基板と前記磁性ガーネット膜との格子定数差Δａ＝ａｓ−ａｆが│Δａ│≦0.001Åであることを特徴とする磁気光学素子用磁性ガーネット材料。」（第1頁左下欄第4〜10行）
（4）対比・判断
　上記刊行物1には、「磁気光学結晶の成長方法」に関し、「成長温度を、溶液の組成変化に伴って、結晶の格子定数が基板の格子定数と等しくなる様に変化させながら、液相エピタキシャル法によって成長させるようにした磁気光学結晶の成長方法。」（上記ア．参照）が記載されている。そしてこの「成長方法」の具体例をみると、「磁気光学結晶」は、「ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜」であり、しかもこの単結晶膜を「Ｂｉ２Ｏ３−ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３」をフラックスとしたＬＰＥ法により育成していることは明らかであるから、刊行物1には、
「Ｂｉ２Ｏ３−ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３をフラックスとしたＬＰＥ法により、成長温度を溶液の組成変化に伴って結晶の格子定数が基板の格子定数と等しくなる様に変化させながら、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を成長させるようにしたビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法。」の発明（以下、「刊行物1発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件訂正発明と上記刊行物1発明とを対比すると、両者は、共に「ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法」に係り、その単結晶膜の成長方向の格子定数の変動を抑制するために融液温度を変化させながら単結晶膜を育成する点では一致し、具体的には次の点で相違していると云える。
（ａ）本件訂正発明は、「2インチ以上の大口径単結晶膜」に係るのに対し、刊行物1発明は、その口径が明らかでない点
（ｂ）本件訂正発明は、「単結晶膜の成長方向の格子定数の変動を育成開始時の格子定数を基準として±0.002オングストローム以下に制御するために、融液温度を0.3℃／Ｈ以下の速度で降下させる」のに対し、刊行物１発明は、「成長温度を溶液の組成変化に伴って結晶の格子定数が基板の格子定数と等しくなる様に変化させる」点
　次に、これら相違点について検討する。
上記（ａ）については、上記刊行物1の具体例をみても、口径が2インチ以上の大口径の成長厚膜については記載はなく、またそのような大口径の成長厚膜の製造を意図しているとも読み取れない。
　また、上記（ｂ）の特に刊行物1発明の「成長温度の変化速度」や「格子定数差」について、上記刊行物1に記載の具体例を検討すると、上記刊行物1の上記エ．に記載の具体例では、基板と成長厚膜の格子整合・不整合を確認する前提となる格子定数が12.49Åという小数点以下2桁の数値を示しており、また、クラックの発生原因となる基板との格子定数差も0.32Åという小数点以下1桁の比較的大きな数値を示している。また、これらの格子定数差を抑制するための融液温度をみても、融液温度の降下速度は30℃／2時間＝15℃／時間であり、本件訂正発明の「0.3℃／Ｈ」と比べてかなり大きな数値を示している。さらに、その他の具体例をみても、その融液温度の降下速度は若干低いものの、本件訂正発明と比べればかなり大きな値を示していることも明らかである。
　してみると、刊行物1の具体例等をみても、刊行物1には、「2インチ以上の大口径単結晶膜の成長方向の格子定数の変動を±0.002オングストローム以下に制御する」という技術思想や、その具体的な解決手段である「融液温度を0.3℃／Ｈ以下の速度で降下させる」という点については何ら示唆されていないことは明らかである。
　また、上記刊行物2を検討しても、この刊行物2には、基板とガーネット膜との格子定数差を一定値以下にすることは記載されているものの、膜の成長方向の格子定数の変動やこれを一定値以下にすること、またそのための具体的な手段等については何ら記載されていない。
　そうすると、上記刊行物1及び刊行物2には、上記相違点（ａ）及び（ｂ）について何ら示唆されていないから、本件訂正発明は、上記刊行物1及び2に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件訂正後の請求項1に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月１７日（２００１．１０．１７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件訂正の要旨は、本件特許第２９８９６５４号発明の特許明細書を平成１２年１１月６日付け訂正請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、次の訂正事項ａ及びｂのとおりに訂正するものである。
訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法」を、「２インチ以上の大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法」と訂正する。
訂正事項ｂ
　明細書第５頁第１９〜２０行の「特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法である。」とあるのを、「特徴とする２インチ以上の大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
１．酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）−酸化鉛（ＰｂＯ）−酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）をフラックスとしたＬＰＥ法によりビスマス置換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭＹＯ１２で示した時、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．０、但し、ＲはＮｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕで示される元素のうち少なくとも１種、ＭはＡｌ、Ｇａで示される元素のうち少なくとも１種）の単結晶膜を、該単結晶膜の成長方向の格子定数の変動を、育成開始時の格子定数を基準として±０．００２オングストローム以下に制御するよう、融液温度を０．３℃／Ｈ以下の速度で降下させながら育成することを特徴とする
２インチ以上の大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜
【発明の詳細な説明】
イ．発明の目的
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、ファラデー素子用ビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
　光通信の光源となる半導体レーザに、自身から出射された光の一部が帰還するとノイズの原因となる。この光の帰還を防止するためにファラデー素子（磁界中で非相反旋光能を示す素子）を使用した光アイソレータが既に実用化されている。ファラデー素子の高品質、低価格がそのまま光アイソレータの高品質、低価格に結びつくため、高品質、低価格を目的としてファラデー素子の製造技術の開発が活発である。このファラデー素子のうち、高品質、低価格を両立するものとして、光通信に使用される波長１．３μｍ〜１．５５μｍの光に対して、ＬＰＥ（リキッド・フェイズ・エピタキシャル）法によるビスマス置換希土類鉄単結晶（希土類鉄ガーネット単結晶中の希土類を一部ビスマスで置換したもの）の厚さが数百μｍの厚膜が提案されている。このＬＰＥ法はＧＧＧ（ガドリニウム・ガリウム・ガーネット）等の非磁性ガーネット単結晶基板をビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶の成分を含む高温の融液に浸漬し、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を一定温度でエピタキシャル成長させる方法であり、非磁性ガーネット単結晶基板と同じサイズのビスマス置換希土類ガーネット単結晶が得られる。即ち大口径の基板を用いればさらなる低価格が可能となる。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、ＬＰＥ法によリ数百μｍの厚さまで割れの発生なしで育成出来るビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜の寸法はたかだか１．５インチ径までであり、さらに大きな寸法のものを育成しようとすると割れが発生するという問題があった。
　これは、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を育成する際に使用される融液のビスマスと希土類の濃度比が、育成されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶中のビスマスと希土類の濃度比と大きく異なる偏析を生ずるため、育成した厚膜が成長方向で組成が変化し、格子定数の変動が生じ、それが原因となって発生する応力に耐えきれないためである。例えば１インチ径といった小さな寸法においては、この格子定数の変動は極めて小さく応力も小さいため割れは発生しないが、さらに大径口のものを育成する際には格字定数変動が甚だしく大きくなり、応力もそれに従い大きくなるため、割れが発生する。これを防止するためには所望の寸法に見合っただけの育成の規模を拡大する、即ち大型の育成装置で多量の融液を用いるようにすればよいが、この方法は、低価格化をはかる点では効果があまり見られない。
　本発明は、単結晶育成の規模を拡大せずに、割れのない大口径のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜をＬＰＥ法によリ育成し、高性能で、しかも極めて低価格のファラデー素子を提供することにある。
ロ．発明の構成
〔課題を解決するための手段〕
　本発明は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成中に、育成温度を徐々に降下させることで成長方向での格子定数変動及びそれに伴う応力の発生を抑制し、割れのない大口径の厚さが数百μｍのビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を得るものである。
　即ち本発明は、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）−酸化鉛（ＰｂＯ）−酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）をフラックスとしたＬＰＥ法によりビスマス置換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭＹＯ１２で示した時、０．２≦Ｘ≦２．５、０≦Ｙ≦２．０、但し、ＲはＮｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕで示される元素のうち少なくとも１種、ＭはＡｌ、Ｇａで示される元素のうち少なくとも１種）の単結晶膜を、該単結晶膜の成長方向の格子定数の変動を、育成開始時の格子定数を基準として±０．００２オングストローム以下に制御するよう、融液温度を０．３℃／Ｈ以下の速度で降下させながら育成することを
特徴とする２インチ以上の大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の製造方法である。
〔作用〕
　一般にビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶をＬＰＥ法によリ育成する際の融液は、希土類酸化物（Ｒ２Ｏ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）を酸化鉛（ＰｂＯ）等の適当なフラックス（融剤）に溶かしたものを用いる。その際酸化ビスマスの量は、モル比において、希土類酸化物の量の１００倍程度と圧倒的に大きい。これはビスマス結晶中に極めて混入しにくい、即ち希土類に対するビスマスの偏析が極めて小さいためである。そのため、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成が継続していくうちに、融液中の希土類の濃度が極端に小さくなり、融液の組成が育成開始時と異なってくる。
　本発明者は、このような融液中の希土類濃度が時間に伴い減少する状態で育成開始の融液温度を保ってビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成を続けると、単結晶膜中の希土類濃度は増加し、ビスマス濃度は減少し、格子定数の値が小さくなって行くことを実験的に見いだした。即ち融液中の希土類元素の濃度は減少しているのにもかかわらず結晶中の希土類濃度が増加するのは、ビスマスの偏析が融液の組成に依存しているためである。この場合、ビスマスのイオン半径が希土類のそれに比べて大きいために、膜の成長方向で格子定数が小さくなっていく。
　ところで、ＬＰＥ法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成におけるビスマスの偏析は育成温度に依存し、育成温度が低い程ビスマスの混入量が大きくなることが知られている。
　これらの事実をふまえて、本発明者はＬＰＥ法によるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の育成において、育成中に融液温度を降下させて単結晶膜の格子定数の変動を抑制し、単結晶膜の割れの発生を防止することを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネットの製造方法を完成するにいたったのである。
〔実施例〕
　以下に実施例と比較例を用いて本発明を説明する。
（実施例１）
　酸化テルビウム（Ｔｂ２Ｏ３）を１モル％、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）を９モル％、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）を２５モル％、酸化鉛（ＰｂＯ）を５０モル％、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）を１５モル％をそれぞれの比で総重量５Ｋｇを溶解混合した融液（この融液と同じ組成、同量の融液を以下の実施例２、比較例１、比較例２でも使用した）を用い、方位が｛１１１｝方向の非磁性のカルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２の２インチ径単結晶基板に、ＬＰＥ法によリビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶厚膜を５０時間にわたリ育成した。育成開始時の融液の温度は基板の格子定数（１２．４９６Ａ）と膜の格子定数が一致した８００℃であり、育成中０．１℃／Ｈの降温速度で降温し、育成終了時は７９５℃であった。その結果５００μｍの厚さの割れのない（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜が得られた。この（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜の成長方向での格子定数を調査したところ、第１表に示すような結果が得られた。即ち格子定数は、育成開始から育成終了まで１２．４９６±０．００２オングストロームの範囲であった。
（実施例２）
　実施例１で用いた融液と、同組成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向の非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２の３インチ径単結晶基板に、ＬＰＥ法によりビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始時の融液の温度は基板格子定数（１２．４９６Ａ）と膜の格子定数が一致した８００℃であり、育成中０．３℃／Ｈの降温速度で降温し、育成終了時は７８５℃であった。その結果５００μｍの厚さの、割れのない（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜が得られた。この（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜の成長方向での格子定数を調査したところ、第１表に示すような結果が得られた。即ち格子定数は、育成開始から育成終了まで１２．４９６±０．００２オングストロームの範囲であった。
（比較例１）
　実施例１で用いた融液と同組成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向の非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２の２インチ径単結晶基板に、ＬＰＥ法によリビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始時の融液の温度は基板格子定数（１２．４９６Ａ）と膜の格子定数が一致した８００℃であり、育成中も温度を変化させることなく８００℃を保った。その結果５００μｍの厚さの、（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜が得られたが、膜に割れが生じた。この（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜の成長方向での格子定数を調査したところ第１表に示すような結果が得られた。即ち格子定数は育成開始から育成終了まで次第に小さくなり、育成終了時では１２．４８４オングストロームであった。
（比較例２）
　実施例１で用いた融液と同組成、同量の融液を用い、方位が｛１１１｝方向の非磁性カルシウム・マグネシウム・ジルコニウム置換ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＣａ）３（ＧａＭｇＺｒ）５Ｏ１２の３インチ径単結晶基板にＬＰＥ法によリビスマス置換テルビウム鉄ガーネット（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶厚膜を５０時間にわたり育成した。育成開始時の融液の温度は基板格子定数（１２．４９６Ａ）と膜の格子定数が一致した８００℃であり、育成中も温度を変化させることなく８００℃に保った。その結果５００μｍの厚さの、（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜が得られたが膜に割れが生じた。この（ＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２単結晶膜の成長方向での格子定数を調査したところ、第１表に示すような結果が得られた。即ち格子定数は育成開始から育成終了まで次第に小さくなり、育成終了時では１２．４７２オングストロームであった。
　本発明における実施例、比較例について説明したが、本発明はその原理により上記実施例のみならず、ＬＰＥ法によるビスマス（Ｂｉ）置換希土類鉄ガーネット（化学式Ｒ３−ＸＢｉＸＦｅ５−ＹＭＹＯ１２で示される。但し、ＲはＮｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌｕで示される元素のうち少なくとも１種類、ＭはＡｌ，Ｇａで示される元素のうち少なくとも１種、Ｘ及びＹは０．２≦Ｘ≦２．５，０≦Ｙ≦２．０）単結晶膜の育成全般に適用されるものである。
ハ．発明の効果
〔発明の効果〕
　以上説明したように、本発明によれば、ＬＰＥ法による単結晶育成時に一定範囲の割合で降温しながら育成することにより、育成の規模を拡大することなく、割れのない大口径ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を得ることができ、高性能でしかも極めて低価格のファラデー素子を提供することが出来るようになった。