【事件の表示】
　特許第３０９４００４号「半導体ウェーハ上へのタングステン層のＣＶＤ蒸着方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０９４００４号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０９４００４号発明は、原出願の特願平２−２１１４５５号（平成２年８月９日、優先日平成１年８月２５日米国）の一部が平成１０年３月２５日に分割出願され、平成１２年７月２８日に設定の登録がなされたものである。
２．本件発明
　本件の請求項１乃至６に係る発明（以下、「本件発明１乃至６」という）は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された事項により特定されるとおりのものである。
３．特許異議申立ての理由の概要
（申立ての理由）
　特許異議申立人は、証拠方法として、甲第１号証乃至甲第５号証を提出して、本件発明１乃至６は、甲第１号証乃至甲第５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１乃至６についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
（証拠の記載内容）
　特許異議申立人が提出した甲第１号証乃至甲第５号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
甲第１号証：特開昭５９−１２３７６５号公報
（ａ）「この発明は、被蒸着物にタングステン蒸着層を形成するための化学蒸着法に関するものである。」（第１頁左欄第１８行乃至第１９行）
（ｂ）「被蒸着物３は、テーブル４上にあって加熱炉２によって所定の加熱温度に加熱され、水素ガス（Ｈ２）、窒素ガス（Ｎ２）および六フッ化タングステン（ＷＦ６）の混合ガスにさらされる。これにより、被蒸着物３の表面にタングステンを主成分とする蒸着層が形成されるのである。蒸着中における被蒸着物３の加熱温度は４００〜７００℃とするのが好ましく、４５０〜６００℃とするのがより好ましい。・・・このようにして得られる蒸着層は、従来の蒸着法によって得られるタングステン蒸着層に較べてはるかに硬度が高く、しかも緻密で平滑な表面をそなえているのが普通てある。」（第２頁上段左欄第１３行乃至上段右欄第１３行）
（ｃ）「［実施例１］第１図に示すような装置を用い、板状の被蒸着物（表面にニッケルメッキを施した鉄板）の表面に次の条件で化学蒸着を行った。
被蒸着物の温度：４５０℃
ＷＦ６流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ
Ｈ２流量：８００ｃｃ／ｍｉｎ
Ｎ２流量：１００〜３０００ｃｃ／ｍｉｎ
蒸着時間３０分で２０μｍ（ミクロン）の厚みのタングステン蒸着層が得られた。」（第２頁下段左欄第２行乃至第１１行）
（ｄ）「第１表からわかるように、窒素ガスのかわりにアルゴンガスを添加した場合は蒸着層の硬さも表面粗さも全く改良されない。」（第２頁下段左欄第２０行乃至下段右欄第３行）
甲第２号証：特開昭６２−１０９９７３号公報
（ａ）「本発明は基体上に薄いタングステン膜を形成する技術に関するものであって、更に詳しく言えば、二酸化シリコンや窒化シリコンのごとき誘電体表面上に密着性のタングステン膜を形成するための方法に関する。」（第２頁上段左欄第６行乃至第１０行）
（ｂ）「化学蒸着法を実施するのに適した条件としては、約３００乃至７００℃の範囲内の温度および約０．１トル（Ｔｏｒｒ）乃至約１気圧の範囲内の圧力を用いる。なお、好適な温度範囲は約４００乃至５００℃であり、また好適な圧力範囲は約１乃至２トルである。水素と六フッ化タングステンとの比は、約３：１乃至１０００：１の範囲内にあればよい。なお、好適な比の範囲は５：１乃至２０：１であり、また２０：１付近の比が最も好適である。」（第６頁上段左欄第１６行乃至上段右欄第４行）
甲第３号証：「Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」１９８５年１２月、第５１頁乃至第５９頁
「低圧ＣＶＤによる選択的タングステン処理」と題して、タングステン膜をＣＶＤによって形成する技術が説明されており、その第５４頁の図６には、「図６−低圧から大気圧によるタングステンデポジシヨンレートの温度依存性、ＷＦ６−Ｈ２システム」が記載されている。
甲第４号証：特開昭６３−２７２０４９号公報
「まず、第４図（ａ）に示す如く、比抵抗６Ωｃｍのｐ型（１００）Ｓｉ基板４１の表面にヒ素（Ａｓ）ドープによるｎ＋層４２を形成し、この上に約１．３μｍのＳｉＯ２膜４３をＬＰ−ＣＶＤ法で形成する。続いて、ＲＩＥによりＳｉＯ２膜４３の所望位置に直径０．５μｍの開口部４４を設ける。
　次いで、６５０℃のＬＰ−ＣＶＤ法により分圧０．１ＴｏｒｒでＨ２を、分圧０．０５ＴｏｒｒでＴｉＣｌ４を、分圧０．０６ＴｏｒｒでＮＨ３を導入し、第４図（ｂ）に示す如く全面に約５００ÅのＴｉＮ膜（金属窒化物層）４５を被着する。続いて、基板温度を４００℃とし、分圧０．１７３ＴｏｒｒでＨ２を、分圧０．０１３ＴｏｒｒでＳｉＨ４を、分圧０．０６５ＴｏｒｒでＷＦ６を導入し、ＴｉＮ膜４５上に約３００ÅのＷ膜（金属膜）４６を堆積する。
　次いで、分圧０．２７２ＴｏｒｒのＨ２と分圧０．０３ＴｏｒｒのＷＦ６を導入して第４図（ｃ）に示す如く約２０００ÅのＷ膜４７を堆積する。このとき、Ｗ膜４７は下地がＷ膜４６であることから、ＳｉＨ４の添加なしで再現性良く形成される。」（第４頁上段右欄第１１行乃至下段左欄第１０行）
甲第５号証：特開昭６１−１９８６２８号公報
（ａ）「本発明は半導体装置の製造工程で用いられているタングステン膜の選択成長方法に関する。」（第１頁左欄第１３行乃至第１４行）
（ｂ）「図において、１０はシリコンウエハー、２０はウエハーホルダー、２１は反応ガスの流入口、２２は真空排気口、２３は石英容器、２４はヒータで、流入口２１から窒素（Ｎ２）ガスを混合したＨ２とＷＦ６とからなる反応ガスを流入して、容器内を０．３Ｔｏｒｒの減圧度に保ち、温度３５０℃に加熱して、成長させる。」（第２頁下段左欄第９行乃至第１５行）
（当審の判断）
（１）本件発明１について
　甲第１号証には、「被蒸着物にタングステン蒸着層を形成するための化学蒸着法」に関し、具体例として「被蒸着物の温度：４５０℃、ＷＦ６流量：１００ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈ２流量：８００ｃｃ／ｍｉｎ、Ｎ２流量：１００〜３０００ｃｃ／ｍｉｎ」の条件の化学蒸着法が記載されているから、この証拠には、本件発明１に即して整理すると、「被蒸着物にタングステン層を付着させる方法であって、被蒸着物を、反応室内を流れる
（ａ）１００ｃｃ／ｍｉｎのＷＦ６（ｃ）１００〜３０００ｃｃ／ｍｉｎのＮ２及び
（ｄ）８００ｃｃ／ｍｉｎのＨ２を含むガス混合物と接触させることにより、被蒸着物上にタングステンを付着させ、被蒸着物の温度を４５０℃とすることを含む方法」の発明（以下、「甲１発明」という）が記載されていると云える。
　そこで、本件発明１と甲１発明とを対比すると、両者は、少なくとも次の（イ）乃至（ハ）の点で相違していると云える。
相違点（イ）：本件発明１は、半導体ウェーハ上の酸化シリコン層の上に形成されている中間層上へタングステン層を付着させるのに対し、甲１発明は、被蒸着物が半導体ウェーハでない点
相違点（ロ）：本件発明１は、タングステン付着を真空室内で行い、その真空室内の圧力を２０〜７６０Ｔｏｒｒに維持するのに対し、甲１発明は、反応室が真空でない点
相違点（ハ）：本件発明１は、ガス混合物に１００〜５０００ｓｃｃｍのＡｒを含むのに対し、甲１発明は、Ａｒを含まない点
　次に、これら相違点のうち、特に相違点（ハ）について検討すると、このＡｒガスの混合については、上記甲第２号証乃至甲第５号証には、何ら示唆されていない。甲第１号証には、「窒素ガスのかわりにアルゴンガスを添加した場合」と記載されているが、この場合は、上記（ｄ）の記載によれば「蒸着層の硬さも表面粗さも全く改良されない。」という結果であるから、この証拠もＷＦ６ガスやＮ２ガスとＡｒガスとの混合の可能性を何ら示唆するものではない。
　また、上記混合ガスにＡｒガスを含有させることが周知の事項であるとする証拠も見当たらない。
　してみると、少なくとも上記相違点（ハ）については、上記甲第１号証乃至甲第５号証のいずれにも示唆されていないから、本件発明１は、上記甲第１号証乃至甲第５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
（２）本件発明２乃至６について
　本件発明２乃至５は、少なくとも請求項１を引用してなるものであり、また本件発明６も、請求項１に記載の内容を構成要件として含むものであるから、本件発明１についてと同様の理由により、これら発明の特許を取り消すことはできない。
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件発明１乃至６についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月１２日（２００１．１０．１２）