【事件の表示】
　特許第３０５３８４８号「アクティブマトリクス基板」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０５３８４８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．出願の経緯・本件発明
　本件特許第３０５３８４８号に係る出願は、平成２年７月９日に出願されたものであって、平成１２年４月７日に設定登録がなされ、その後佐藤勝明より、請求項１に係る発明につき特許異議の申立てがなされたものである。そして平成１３年２月１６日付けで取消理由通知がなされたところ、平成１３年４月１８日付けで特許異議意見書が提出された。
　そして請求項１に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】絶縁性基板と、該基板上に形成されたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆って形成された層間絶縁膜と、該スイッチング素子の出力端子上の該層間絶縁膜の部分に形成されたコンタクトホールと、該層間絶縁膜上に形成され且つ該コンタクトホールを介して該スイッチング素子の該出力端子に接続された絵素電極と、を備えたアクティブマトリクス基板であって、
該層間絶縁膜が有機絶縁膜と該有機絶縁膜上に形成された無機絶縁膜との多層構造を有し、有機系配向膜が該無機絶縁膜上に形成されるアクティブマトリクス基板。」（以下、「本件発明」という。）
　
２．特許異議申立の概要
取消理由１：（平成１３年２月１６日付取消理由通知にて通知済み）
　本件特許の請求項１に係る発明は、下記の刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　　　　　記
刊行物１:特開昭６３−２７９２２８号公報（特許異議申立人佐藤勝明の提出した甲第１号証）
刊行物２:特開昭６３−　４４６２７号公報（同甲第２号証）
刊行物３:特開平　１−１５８７７６号公報（同甲第３号証）
　
取消理由２：
　特許異議申立人は、特許法第３６条に関し、おおよそ以下の理由を述べている。
（ａ）本件特許公報では、第２頁右欄第３行〜第１８行に、従来のようにポリイミドからなる有機絶縁膜上に塗布、露光してなるレジストを形成し、現像液により未硬化のレジスト及び有機絶縁膜をウェットエッチングし、最後にレジストを剥離すると、現像液で有機絶縁膜をエッチングするために現像時間が長くなり、微細な形状にパターニングできないという問題を解消するために、第２頁右欄第４９行〜第３頁左欄第２行に記載のように、スイッチング素子の出力端子と絵素電極とを接続するためのコンタクトホールを備えた層間絶縁膜を、有機絶縁膜及びその上に形成された無機絶縁膜の多層構造としたので、無機絶縁膜をマスクとして有機絶縁膜をエッチングすることにより微細な形状にパターニングすることができるとある。しかしながら、本件特許発明の特許請求の範囲の記載では、層間絶縁膜の有機絶縁膜に設けられたコンタクトホールが、ウェットエッチング以外の手段であって且つより効率的な手段によってエッチングされたことが全く明示されていない。したがって、特許請求の範囲が、記載のように単にコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜を有機絶縁膜とその上の無機絶縁膜からなる多層構造としただけでは、コンタクトホールがウェットエッチング以外の効率よい手段により形成されたかどうかを特定することが全くできないばかりか従来のごとくウェットエッチングすることも含んだ表現になっており、発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載していないために特許を受けようとする発明が不明確であるので特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしているとはいえない。
（ｂ）本件特許公報では、第２頁右欄第３行〜第１８行に、ポリイミド膜等上のレジストをマスクとしてドライエッチングすると、ポリイミド膜とレジストとの選択性が低いので、それを解消するために、第３頁左欄第５０行〜右欄第２行、第２図（ｂ）、（ｃ）に示すごとく、無機絶縁膜１０ｂのみをマスクとして有機絶縁膜１０ａにコンタクトホール１２を形成しているが、特許請求の範囲の記載は、有機絶縁膜に設けられたコンタクトホールが無機絶縁膜をマスクとして形成したかどうか全く不明であるばかりでなく、レジストをマスクとして形成されたものであるものも含まれた表現であり、発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載していないために特許を受けようとする発明が不明確であるので特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしているとはいえない。
（ｃ）層間絶縁膜に設けられたコンタクトホールが、有機絶縁膜に設けられたものか、無機絶縁膜に設けられたものか、或いは有機絶縁膜及び無機絶縁膜に設けられたものかが不明であって、有機絶縁膜及び無機絶縁膜に設けられたものであれば、本件特許発明では無機絶縁膜をマスクとしていることから有機絶縁膜及び無機絶縁膜にそれぞれ設けられたコンタクトホールの位置は一致しているはずであるが、特許請求の範囲にはこれらのいずれも明確に示していないので特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしているとはいえない。
　
３．甲号証の記載事項
　甲第１号証（特開昭６３−２７９２２８号公報）には、次のことが記載されている。
「図中３７で示すものは配向膜であり、画素電極基板２１及び共通電極基板３１の互いの対向面にそれぞれ形成されている。」（２頁右上欄１９行〜同頁左下欄１行）、
「（実施例）以下、第１図及び第２図を参照してこの発明のアクティブマトリクス型の液晶表示装置の実施例につき説明する。」（４頁右上欄３行〜５行）、
「そして、この画素電極は５１は絶縁層に設けられているコンタクトホール５３を介してこの絶縁層下のドレイン電極１７に接続してある。」（４頁左下欄１５行〜１７行）、
「第１図（Ｂ）において、２１は基板としての例えばガラス基板を示す。２３はゲート絶縁膜を、２５はアモルファスＳｉ膜をそれぞれ示す。又、５７はソース電極１１、ゲート電極１３、ＴＦＴ１５及び基板表面で主に構成される凹凸を平坦化するための既に説明した絶縁層を示し、この絶縁層５７のドレイン電極１７上に該当する領域にはコンタクトホール５３を形成してある。」（４頁右下欄１４行〜５頁左上欄１行）、
「次に、ＴＦＴ１５及び両電極１３，１１が形成されたガラス基板２１上に平坦表面を有する絶縁層５７の形成を行なう。この実施例の場合、この絶縁層５７の形成を以下のように行なった。
　ＴＦＴ１５及び両電極１３，１１が形成されたガラス基板２１上に、ポリイミドワニス・・・をスピンコーティング法によって塗布し、これを約１７０℃の温度で約１時間乾燥させた。」（５頁右下欄５行〜１３行）、
　また、第１図（Ｂ）に、ガラス基板２１と、ガラス基板２１上に形成されたＴＦＴ１５と、ＴＦＴ１５を覆う絶縁層５７と、ＴＦＴ１５のドレイン電極１７上の絶縁層５７の部分に形成されたコンタクトホール５３と、絶縁層５７上に形成され且つコンタクトホール５３を介してＴＦＴ１５のドレイン電極１７に接続された画素電極５１ｂを備えたアクティブマトリクス液晶表示装置がみてとれ、第５図には、ＴＦＴ１５及び保護膜２７上に配向膜３７が設けられていることがみてとれる。
　
　甲第２号証（特開昭６３−４４６２７号公報）には、次のことが記載されている。
「本発明の構成はカラー液晶パネルに於て、カラーフィルター上に直接もしくは有機透明膜を介して無機透明膜を形成し該無機透明膜上に透明電極を形成した構造の基板を一方の構成要素とするものである。」（４頁左上欄１４行〜１８行）、
「この有機透明薄膜の上には更に無機透明薄膜や透明導電膜を基板を加熱した状態で形成することになることから、加熱状態での強度も重要である。この意味から、耐熱性の高い樹脂が好ましく、成膜性等を加味した場合には、ポリイミドあるいはポリアミド系の樹脂が最適である。」（４頁左下欄１９行〜同頁右下欄４行）、
「無機透明薄膜５２の上には透明導電膜が更に形成され、これがエッチングによるパターニング工程によって透明電極３１となる」（４頁右下欄１７行〜１９行）、
「更に無機透明薄膜を用いることで、その上に形成する透明電極の微細パターニングが安定してできるようになる。」（５頁右下欄４行〜６行）、
　
　甲第３号証（特開平１−１５８７７６号公報）には、次のことが記載されている。
「本発明は、液晶表示装置等に用いる薄膜素子例えば薄膜トランジスタの製造方法に関する。」（１頁右下欄１８行〜１９行）、
「さらに、半導体層１４、ドレイン電極１７およびソース電極１８上に、たとえばチッ化シリコンをプラズマＣＶＤ法によって厚さ約５０００Åに堆積して保護膜２０をパターン形成する。
　最後に、上部の全面にわたってポリイミドからなる液晶配向膜２１を塗布により形成し、第１の基板体２２を構成する。」（５頁右上欄１行〜７行）
　
４．対比・判断
１）取消理由１について
　本件発明と異議申立人が提出した甲第１号証とを対比すると、両者は、「絶縁性基板と、該基板上に形成されたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆って形成された層間絶縁膜と、該スイッチング素子の出力端子上の該層間絶縁膜の部分に形成されたコンタクトホールと、該層間絶縁膜上に形成され且つ該コンタクトホールを介して該スイッチング素子の該出力端子に接続された絵素電極と、を備えたアクティブマトリクス基板」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　本願発明のものは、「該層間絶縁膜が有機絶縁膜と該有機絶縁膜上に形成された無機絶縁膜との多層構造を有し、有機系配向膜が該無機絶縁膜上に形成される」のに対し、甲第１号証には、層間絶縁膜としてポリイミドワニス等で構成される絶縁層５７が記載されているものの、その上に無機絶縁膜を形成した多層構造であるとの記載がなく、また、該無機絶縁膜上に有機系配向膜を形成する点についても記載がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　刊行物２は、カラーフィルターのコーティングに関するもので、本件発明のようなスイッチング素子を覆って形成された層間絶縁膜とは技術的に相違するばかりでなく、「更に無機透明薄膜を用いることで、その上に形成する透明電極の微細パターニングが安定してできるようになる。」（５頁右下欄４〜６行）と記載されるように、無機薄膜の上に形成される透明電極の微細パターニングを安定させるものであって、無機絶縁膜の下に形成される有機絶縁膜を微細な形状にパターニングすることを目的とした本件発明とは相違する。また、刊行物３は単に有機系配向膜を開示するに過ぎない。
　よって本件発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
２）取消理由２について
　本件発明に係る出願は、平成２年７月９日に出願されたものであるから、請求人の取消理由２における、「発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載していないために特許を受けようとする発明が不明確であるので特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしているとはいえない。」との主張は、『改正前の特許法第３６条第４項第２号「特許を受けようとする発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載した項（以下、「請求項」という。）に区分してあること。」との規定に適合しない。』との主張であるとして以下検討する。
　上記特許法第３６条第４項第２号の趣旨は、“特許請求の範囲には、発明の構成要件のすべてを記載し、構成要件のみを記載する（即ち、過不足なく記載する）”というにあるが、請求人の取消理由は要するに、“発明が実施例以外の部分を含む上位概念で記載されているため、発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載していないことになるから、特許を受けようとする発明が不明確である”というものである。
　しかし、実施例以外の部分を含む上位概念で記載されているからといって、何故、発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載していないあるいは発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載していないことになるのかの理由付けが不明であって、一般的にはそのように断定することはできない。
　個別の理由については、次のとおりである。
　上記（ａ）については、特許明細書に「本実施例では有機絶縁膜のパターンニングをドライエッチッング法によって行ったが、有機絶縁膜がポリイミド樹脂の場合にはアルカリ溶液によるウェットエッチッング法によって行ってもよい。」と記載され、エッチッング法として一つの方法に限らないことが記載されているのであるから、具体的なエッチッング法が限定されていないからといって、請求項に発明の構成に欠くことのできない事項が記載されていないとはいえない。
　また、上記（ｂ）については、本件発明の、有機絶縁膜に設けられたコンタクトホールが、無機絶縁膜をマスクとして形成したかどうか全く不明であるばかりでなく、レジストをマスクとして形成されたものであるものも含まれているからといって、上記１）の相違点の事項が容易といえない以上、これを要件とした発明が、請求項に発明の構成に欠くことのできない事項が記載されていないとはいえない。
　さらに、上記（ｃ）については、本件発明のコンタクトホールは、「スイッチング素子を覆って形成された層間絶縁膜」の部分に形成されていることが、また該「層間絶縁膜」は、「有機絶縁膜と該有機絶縁膜上に形成された無機絶縁膜との多層構造」を有していることが特許請求の範囲に記載されている以上、コンタクトホールと有機絶縁膜、無機絶縁膜の関係が不明とはいえないから、発明の構成に欠くことのできない事項が記載されていないとはいえない。
　
　結局、上記主張は、特許法第３６条第４項第２号の規定とは別の事項を主張するものであって、採用するに足らないものである。
　
５．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月２９日（２００２．８．２９）