(57)【要約】【課題】  特に、平面視にて磁気センサが電極パターン上に重ねて設置される形態において、従来に比べて磁気センサに対するＮｉメッキ層からの磁気の影響を小さくできる磁気検出装置を提供することを目的としている。【解決手段】  磁気センサ２１は、基板１１上に形成されたグランド電極パターン１２上に絶縁膜２０を介して設置されている。また、前記絶縁膜２０は前記磁気センサ２１の周囲に広がる大きさで形成されている。前記グランド電極パターン１２には前記絶縁膜２０に覆われずに電極パターン表面にＮｉメッキ層２２を介してＡｕメッキ層２３が形成された露出部１２ｃが設けられている。そして、前記磁気センサ２１は、前記磁気センサ２１から前記絶縁膜２０を介して離れた前記露出部１２ｃとワイヤボンディングにより接続されている。【選択図】図１
2010090075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気センサを有する磁気検出装置において、
前記磁気センサは、基板上に形成された電極パターン上に絶縁膜を介して設置され、前記絶縁膜は前記磁気センサの周囲に広がる大きさで形成されており、
前記電極パターンには前記絶縁膜に覆われずに電極パターン表面にＮｉメッキ層を介して接続表面層が形成された露出部が設けられており、
前記磁気センサは、前記磁気センサから前記絶縁膜を介して離れた前記露出部とワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項２】
前記絶縁膜には、前記磁気センサから離れた位置に前記電極パターンにまで通じる開口部が形成されており、前記磁気センサは、開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されている請求項１記載の磁気検出装置。
【請求項３】
前記磁気センサは、グランド電極パターン上に前記絶縁膜を介して設置されており、入力電極パターン及び出力電極パターンは、前記絶縁膜から離れた位置に設けられており、入力電極パターン及び出力電極パターンのパターン表面にはＮｉメッキ層を介して接続表面層が形成されており、
前記磁気センサは、前記グランド電極パターンの前記露出部、前記入力電極パターン及び出力電極パターンと夫々、ワイヤボンディングにより接続されている請求項１又は２に記載の磁気検出装置。
【請求項４】
前記グランド電極パターンは、幅細部と幅広部を有し、平面視にて前記磁気センサは前記幅広部内に設置される請求項３記載の磁気検出装置。
【請求項５】
複数の前記磁気センサが、グランド電極パターン上に絶縁膜を介して設置され、前記絶縁膜には各磁気センサから離れた位置に前記グランド電極パターンにまで通じる共通開口部が形成されており、各磁気センサが、前記共通開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されている請求項３又は４に記載の磁気検出装置。
【請求項６】
各磁気センサは、前記共通開口部を囲むようにして配置されて、前記共通開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されているとともに、各磁気センサの電極パッドから絶縁膜の外側にワイヤが引き出されて、入力電極パターン及び出力電極パターンと接続されている請求項５記載の磁気検出装置。
【請求項７】
前記磁気センサ及びＩＣが、同じ前記グランド電極パターン上に前記絶縁膜を介して設置されており、
前記ＩＣは前記磁気センサと共に、前記グランド電極パターンの前記露出部とワイヤボンディングにより接続されている請求項３ないし６のいずれか１項に記載の磁気検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサと、パターン表面にＮｉメッキ層を介して接続表面層が形成された電極パターン間をワイヤボンディングにて接続した磁気検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５（ａ）に従来構造の磁気検出装置の平面図を示す。
図５（ａ）に示す磁気検出装置１は、基板２上にグランド電極パターン３、入力電極パターン４、及び出力電極パターン５，６が形成され、前記グランド電極パターン３上に磁気センサ７が設置されている。そして、磁気センサ７と各電極パターン３〜６間がワイヤボンディングにより接続されている。【０００３】
例えば、図示しない磁石が磁気センサと高さ方向にて対向配置されている。そして磁石の動きに伴う磁場変化を前記磁気センサにて検出し、これにより磁石の動きを検出することが出来る。【０００４】
ところで、例えば電極パターン３〜６は、図５（ｂ）に示すように銅箔８にてパターンが形成され、前記銅箔８の表面全域にＮｉメッキ層９ａを介してＡｕメッキ層９ｂが形成されている。このようにＡｕメッキ層９ｂの下地としてＮｉメッキ層９ａを設けることで、銅箔８とＡｕメッキ層９ｂ間の密着性を向上させることができる。前記Ｎｉメッキ層９ａ及びＡｕメッキ層９ｂは電解メッキ法にて形成されている。【０００５】
そのため、図５（ａ）に示す従来の構造では、磁気センサ７の直下にＮｉメッキ層９ａが存在した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−３００８６９号公報
【特許文献２】特開２００６−２７６９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら従来の構造では、磁石からの磁場や外乱磁場を受けてＮｉメッキ層９ａが帯磁し、帯磁したＮｉメッキ層９ａからの磁気の影響を磁気センサ７が受けることで、高精度な磁気検出を行うことが出来ない問題があった。【０００８】
例えば特許文献１には電極に設けられたＡｕメッキの下地としてのＮｉメッキが磁気を帯びやすく、そのため磁気センサを前記電極から１４ｍｍ以上離した位置に設けることが記載されている（特許文献１の［００１３］欄）。【０００９】
しかしながら、特許文献１には図５（ａ）のように平面視にて磁気センサ７がグランド電極パターン３上に重ねて設置される形態において、帯磁したＮｉメッキ層９ａからの磁気の影響を如何に抑制するかその解決手段が示されていない。例えば特許文献１にしたがって、全ての電極パターン３〜６を磁気センサ７の設置位置から遠く離せば、磁気センサ７に対し、Ｎｉメッキ層９ａからの磁気の影響は小さくできるが、磁気検出装置の小型化を促進できないことが明らかであり採用できない。【００１０】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、平面視にて磁気センサが電極パターン上に重ねて設置される形態において、従来に比べて磁気センサに対するＮｉメッキ層からの磁気の影響を小さくできる磁気検出装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、磁気センサを有する磁気検出装置において、
前記磁気センサは、基板上に形成された電極パターン上に絶縁膜を介して設置され、前記絶縁膜は前記磁気センサの周囲に広がる大きさで形成されており、
前記電極パターンには前記絶縁膜に覆われずに電極パターン表面にＮｉメッキ層を介して接続表面層が形成された露出部が設けられており、
前記磁気センサは、前記磁気センサから前記絶縁膜を介して離れた前記露出部とワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とするものである。【００１２】
本発明では、磁気センサと電極パターン間に絶縁膜が介在しており、前記絶縁膜に覆われていない前記電極パターンの露出部だけにＮｉメッキ層を介して接続表面層を形成している。そして、前記磁気センサから前記絶縁膜を介して離れた前記露出部と前記磁気センサとの間をワイヤボンディングにより接続している。【００１３】
よって、本発明では従来と違って磁気センサの下にＮｉメッキ層が無く、Ｎｉメッキ層は磁気センサから離れた位置（露出部の位置）に設けられる。よって、平面視にて磁気センサが電極パターン上に重ねられた形態においても、磁気センサに対するＮｉメッキ層からの磁気の影響を抑制でき、小型化とともに高精度な磁気検出を行うことが可能である。【００１４】
本発明では、前記絶縁膜には、前記磁気センサから離れた位置に前記電極パターンにまで通じる開口部が形成されており、前記磁気センサは、開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されていることが好ましい。【００１５】
これにより、前記開口部を除く電極パターンの大部分を前記絶縁膜で覆うことができ、Ｎｉメッキ層の形成領域を十分に小さくできる。また、磁気センサから離れた位置に設けられた他の電極パターンとのワイヤボンディング位置を考慮して、前記開口部の形成位置を自由に設定でき、ワイヤボンディングを適切且つ安定して行うことが出来る。【００１６】
また本発明では、前記磁気センサは、グランド電極パターン上に前記絶縁膜を介して設置されており、入力電極パターン及び出力電極パターンは、前記絶縁膜から離れた位置に設けられており、入力電極パターン及び出力電極パターンのパターン表面にはＮｉメッキ層を介して接続表面層が形成されており、
前記磁気センサは、前記グランド電極パターンの前記露出部、前記入力電極パターン及び出力電極パターンと夫々、ワイヤボンディングにより接続されていることが好ましい。【００１７】
前記グランド電極パターンのシールド効果により電解ノイズを効果的に抑制できる。
また本発明では、前記グランド電極パターンは、幅細部と幅広部を有し、平面視にて前記磁気センサは前記幅広部内に設置されることが好ましい。これにより、上記したシールド効果の向上とともに、グランド電極パターン自体の抵抗を小さくでき、より効果的にノイズ低減を図ることが出来る。【００１８】
また本発明では、複数の前記磁気センサが、グランド電極パターン上に絶縁膜を介して設置され、前記絶縁膜には各磁気センサから離れた位置に前記グランド電極パターンにまで通じる共通開口部が形成されており、各磁気センサが、前記共通開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されていることが好ましい。複数の磁気センサを設けた形態において、共通の開口部を絶縁膜に設けることで、個々別々に、開口部を設けてワイヤボンディングしたり、絶縁膜の外側の位置にまでワイヤを引き出してグランド電極パターンと接続する場合に比べて、磁気検出装置の小型化を促進できる。【００１９】
特に上記において、各磁気センサは、前記共通開口部を囲むようにして配置されて、前記共通開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されているとともに、各磁気センサの電極パッドから絶縁膜の外側にワイヤが引き出されて、入力電極パターン及び出力電極パターンと接続されていることがより好ましい。これにより、磁気センサとグランド電極パターンとの間を接続するワイヤと、磁気センサと入力電極パターン及び出力電極パターンとの間を接続するワイヤとの互いの干渉を考慮する必要がなく、ワイヤボンディングをより適切且つ安定して行うことが出来る。【００２０】
また本発明では、前記磁気センサ及びＩＣが、同じ前記グランド電極パターン上に前記絶縁膜を介して設置されており、
前記ＩＣは前記磁気センサと共に、前記グランド電極パターンの前記露出部とワイヤボンディングにより接続されていることが好ましい。【００２１】
共通の前記グランド電極パターン上に磁気センサ及びＩＣを設置し、前記磁気センサとグランド電極パターンの露出部間、及びＩＣとグランド電極パターンの露出部間でワイヤボンディングを施すことで、磁気センサ及びＩＣに対して夫々別々に、グランド電極パターンを引き回すことが必要なくなる。また上記した絶縁膜に開口部を形成する形態では、共通の開口部にて磁気センサ及びＩＣに対するワイヤボンディングを行うことも可能である。そして本発明によれば、磁気検出装置の小型化を効果的に促進できる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、磁気センサの下にＮｉメッキ層が無く、Ｎｉメッキ層は磁気センサから離れた位置（露出部の位置）に設けられる。よって、平面視にて磁気センサが電極パターン上に重ねられた形態においても、磁気センサに対するＮｉメッキ層からの磁気の影響を抑制でき、小型化とともに高精度な磁気検出を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態における磁気検出装置の説明図であり、（ａ）は磁気検出装置の平面図、（ｂ）は、電極パターンの露出部の部分拡大断面図、（ｃ）は、（ａ）の磁気検出装置をＡ−Ａ線に沿って厚さ方向に切断したときの断面図、
【図２】第２実施形態における磁気検出装置の平面図、
【図３】第３実施形態における磁気検出装置の平面図、
【図４】第４実施形態における磁気検出装置の平面図、
【図５】（ａ）は、従来における磁気検出装置の平面図、（ｂ）は電極パターンの部分拡大断面図、
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図１は、第１実施形態における磁気検出装置の説明図であり、（ａ）は磁気検出装置の平面図、（ｂ）は、電極パターンの露出部の部分拡大断面図、（ｃ）は、（ａ）の磁気検出装置をＡ−Ａ線に沿って厚さ方向に切断したときの断面図、である。
【００２５】
図１に示す磁気検出装置１０は、基板１１と、基板表面に形成されたグランド電極パターン１２、入力電極パターン１３、及び出力電極パターン１４，１５と、絶縁膜２０と、磁気センサ２１とを有して構成される。基板１１はガラスエポキシ基板やフレキシブルプリント基板等である。
【００２６】
図１（ａ）に示すようにグランド電極パターン１２は、幅広部１２ａと幅細部１２ｂを有して形成されている。
【００２７】
図１（ａ）（ｃ）に示すように、前記グランド電極パターン１２の幅広部１２ａ上には絶縁膜２０が形成されている。前記絶縁膜２０は例えばレジストである。前記絶縁膜２０を無機絶縁材料で形成してもよいが、有機絶縁材料で形成したほうが、簡単に厚膜で絶縁膜２０を形成でき、前記幅広部１２ａを前記絶縁膜２０にて確実に覆うことができる。
【００２８】
図１（ａ）に示すようにグランド電極パターン１２の幅広部１２ａの上面全体が前記絶縁膜２０により覆われている。そして磁気センサ２１が前記絶縁膜２０の上に接着剤等を介して設置されている。図１（ａ）の形態では、磁気センサ２１は前記幅広部１２ａの略中央位置に配置されている。図１（ａ）に示すように絶縁膜２０は、磁気センサ２１の周囲に広がる大きさで形成されている。
【００２９】
磁気センサ２１には、磁気検出素子（図示しない）が内蔵されている。磁気検出素子は、ＧＭＲ素子、ＡＭＲ素子、ＴＭＲ素子、ホール素子等である。磁気センサ２１の内部では、磁気検出素子がセンサ表面の電極パッド２１ａ〜２１ｄと電気的に接続されている。
【００３０】
前記グランド電極パターン１２、入力電極パターン１３及び出力電極パターン１４，１５を例えば銅箔で形成した状態で、前記グランド電極パターン１２の幅広部１２ａの表面を絶縁膜２０で覆った後、グランド電極パターン１２の露出した銅箔表面（図１（ａ）では幅細部１２ｂの部分）や、入力電極パターン１３、出力電極パターン１４，１５の銅箔表面にＮｉメッキ層２２を電解メッキ法にてメッキ形成し、さらにＮｉメッキ層２２の表面に例えばＡｕメッキ層（接続表面層）２３を電解メッキ法にてメッキ形成する。よって各電極パターン１２〜１５は絶縁膜２０で覆われた幅広部１２ａを除いて図１（ｂ）に示す積層構造となっている。また接続表面層２３としてはＡｕの他にＡｌＣｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等を使用することが出来る。
【００３１】
すなわち図１（ｃ）に示すように、絶縁膜２０で覆われたグランド電極パターン１２の幅広部１２ａにはＮｉメッキ層２２及びＡｕメッキ層２３が形成されず、例えば銅箔で形成された幅広部１２ａがむき出しの状態のまま絶縁膜２０を介して磁気センサ２１と対向している。よって、磁気センサ２１の直下にＮｉメッキ層２２は存在していない。
【００３２】
そして図１（ａ）（ｃ）に示すように、磁気センサ２１の電極パッド２１ａとグランド電極パターン１２の露出部１２ｃ間がワイヤボンディングにより導通接続されている。前記露出部１２ｃでは、銅箔表面にＮｉメッキ層２２を介してＡｕメッキ層２３が形成されているので、密着性良くＡｕメッキ層２３を形成でき、高い信頼性を確保できる。また、図１（ａ）に示すように、磁気センサ２１の電極パッド２１ｂ，２１ｃ，２１ｄがいずれも入力電極パターン１３、及び出力電極パターン１４，１５の表面との間でワイヤボンディングにより接続されている。
【００３３】
以上のように本実施形態では、磁気センサ２１とグランド電極パターン１２間に絶縁膜２０が介在しており、前記絶縁膜２０に覆われていないグランド電極パターン１２の露出部１２ｃにのみＮｉメッキ層２２を介してＡｕメッキ層２３が形成されている。そして、磁気センサ２１から絶縁膜２０を介して離れた露出部１２ｃと磁気センサ２１との間をワイヤボンディングにて接続している。
【００３４】
よって、本実施形態では磁気センサ２１の下には帯磁可能なＮｉメッキ層２２が無く、前記Ｎｉメッキ層２２は磁気センサ２１から離れた位置（露出部１２ｃの位置）に設けられる。したがって図１（ａ）に示すように、平面視にて磁気センサ２１がグランド電極パターン１２上に重ねられた形態においても、磁気センサ２１に対するＮｉメッキ層２２からの磁気の影響を抑制でき、小型化とともに高精度な磁気検出を行うことが可能である。
【００３５】
図１に示す実施形態では、グランド電極パターン１２の上に絶縁膜２０を介して磁気センサ２１が設置されている。しかも、前記グランド電極パターン１２は、幅広部１２ａを有し、図１（ａ）に示す平面視にて、磁気センサ２１は前記幅広部１２ａ内に設置されている。これにより、グランド電極パターン１２のシールド効果をより適切に発揮させることができ、またグランド電極パターン１２自体の抵抗を十分に小さくできることで、より効果的に電界ノイズの低減を図ることができる。
【００３６】
図２は第２実施形態の磁気検出装置の平面図である。図２に示す実施形態は図１に示す磁気検出装置の一部を変更した形態である。すなわち図２に示す実施形態では、絶縁膜２０にグランド電極パターン１２にまで通じる開口部２０ａが設けられ、前記開口部２０ａに露出した前記グランド電極パターン１２は、銅箔表面にＮｉメッキ層２２を介してＡｕメッキ層２３が形成された露出部１２ｄとなっている。そして、磁気センサ２１の電極パッド２１ａが、開口部２０ａ内の露出部１２ｄとの間でワイヤボンディングにより接続されている。
【００３７】
この実施形態でも、グランド電極パターン１２は、幅細部１２ｂや開口部２０ａの露出部１２ｄを除いて絶縁膜２０で覆われており、磁気センサ２１の下にＮｉメッキ層２２が存在しない。また図２に示すように開口部２０ａは磁気センサ２１から離れた位置に設けられており、開口部２０ａに設けられたＮｉメッキ層２２の磁気センサ２１に対する磁気的影響を十分に抑制でき、高精度な磁気検出を行うことが可能である。
【００３８】
図２に示すように、絶縁膜２０に開口部２０ａを設けた形態にすることで、グランド電極パターン１２の大部分を絶縁膜２０で覆うことが可能になる。すなわち図２に示すグランド電極パターン１２の幅細部１２ｂの部分をさらに絶縁膜２０で覆うこともできる。これにより、グランド電極パターン１２におけるＮｉメッキ層２２の形成領域を極力小さくすることが出来る。また開口部２０ａの位置を自由に設定できる。すなわち開口部２０ａを設けない図１（ａ）の形態では絶縁膜２０の外側に露出するパターン部分との間でワイヤボンディングしないといけないが、開口部２０ａを設けた形態では、その下側にグランド電極パターン１２がある位置であれば、入力電極パターン１３及び出力電極パターン１４，１５との間のワイヤボンディング位置を考慮する等して、前記開口部２０ａの形成位置を自由に設定でき、したがって電極パターンの引き回し形態に関わらず、ワイヤボンディングを適切かつ安定して行うことが出来る。なお図２に示すようにグランド電極パターン１２に磁気センサ２１の面積より十分に広い幅広部１２ａを形成し、その上に絶縁膜２０を介して前記磁気センサ２１を設置した形態にすることで、より開口部２０ａの形成位置の自由度を高めることができる。
【００３９】
ただし、開口部２０ａは、磁気センサ２１と０．２ｍｍ以上離れる位置に設けることが必要である。前記開口部２０ａが前記磁気センサ２１に近づきすぎると、磁気センサ２１が、Ｎｉメッキ層２２からの磁気の影響を受け検出精度が低下しやすくなるためである。なお、前記の距離は、図１のように絶縁膜２０に開口部２０ａを設けない形態においても同様に設定される。
【００４０】
次に図３は第３実施形態の磁気検出装置の平面図である。
図３に示す磁気検出装置３０では、絶縁膜３１上に４つの磁気センサ３２〜３５が設置されている。図３に示すように絶縁膜３１の略中央には１つの開口部３１ａが形成され、前記開口部３１ａ内には、銅箔表面にＮｉメッキ層２２を介してＡｕメッキ層２３が形成されたグランド電極パターン３６の露出部３６ｂが形成されている。この形態でも、開口部３１ａ以外の幅広部３６ａは、銅箔のみで形成され、各磁気センサ３２〜３５の下にＮｉメッキ膜２２が形成されていない。図３に示すように、磁気センサ３２，３４は、開口部３１ａを介してＹ方向に所定間隔を空けて対向配置され、磁気センサ３３，３５は、開口部３１ａを介してＸ方向に所定間隔を空けて対向配置される。
【００４１】
図３に示すように各磁気センサ３２〜３５には２つずつ磁気検出素子Ｂ，Ｃが内蔵されている。そして各磁気センサ３２〜３５の表面には４つの電極パッドが設けられ、各電極パッドと磁気検出素子との間が電気的に接続されている。磁気センサ３２と磁気センサ３４とでブリッジ回路が構成され、磁気センサ３３と磁気センサ３５とでブリッジ回路が構成される。
【００４２】
図３に示す磁気検出装置３０は例えばポインティングデバイス用として用いられ、磁石（図示しない）のＸ方向あるいはＹ方向の移動を検知可能となっている。
【００４３】
図３に示すグランド電極パターン３６には幅広部３６ａが設けられる。前記幅広部３６ａは、平面視にて、各磁気センサ３２〜３５及び開口部３１ａが収まる十分な大きさで形成される。そして図３に示すように、各磁気センサ３２〜３５が前記幅広部３６ａ上に絶縁膜３１を介して各設置される。図３では、磁気センサ３２〜３５は、前記開口部３１ａの周囲を囲むように配置されている。そして開口部３１ａ内に形成されたグランド電極パターン３６の前記露出部３６ｂと、各磁気センサ３２〜３５のグランド電極となる電極パッドが、ワイヤボンディングにより接続されている。図３に示すように、各磁気センサ３２〜３５と入力電極パターン、及び各出力電極パターンとの間もワイヤボンディングにより接続されている。
【００４４】
図３に示す実施形態では、図１や図２と異なって磁気センサ３２〜３５が複数設けられている。そして、一つの開口部３１ａが絶縁膜３１に形成され、各磁気センサ３２〜３５が、前記開口部３１ａ内に形成されたグランド電極パターン３６の露出部３６ｂとワイヤボンディングにより接続されている。このように共通の開口部３１ａを絶縁膜３１に設けることで、個々別々に、開口部を設けてワイヤボンディングしたり、絶縁膜３１の外側に露出したグランド電極パターン３６の位置にまでワイヤを引き出して接続したりする場合に比べて、磁気検出装置の小型化を促進できる。
【００４５】
特に、図３に示す実施形態では、絶縁膜３１の略中央に形成された開口部３１ａの周囲を囲むように複数の磁気センサ３２〜３５が配置され、各磁気センサ３２〜３５は、絶縁膜３１の内側方向にワイヤが引き出されて、前記開口部３１ａ内に形成されたグランド電極パターン３６の露出部３６ｂと電気的に接続されるとともに、ワイヤが絶縁膜３１の外側に引き出されて、前記絶縁膜３１の外側に設けられた入力電極パターン及び出力電極パターンと電気的に接続されている。これにより、磁気センサ３２〜３５とグランド電極パターン３６との間を接続するワイヤと、磁気センサ３２〜３５と入力電極パターン及び出力電極パターンとの間を接続するワイヤとの互いの干渉を考慮する必要がなく、ワイヤボンディングをより適切且つ安定して行うことが出来る。
【００４６】
図４に示す第４実施形態は、図３の一部を変更したものである。図４には入力電極パターンや出力電極パターン、及び、それらパターンとの間でボンディング接続されるワイヤは図面から省略した。
【００４７】
図４に示す実施形態では、グランド電極パターン４０の幅広部４０ａ上に絶縁膜４１を介して、磁気センサ４２〜４５とＩＣ４６が設置されている。
【００４８】
図４に示すように、絶縁膜４１には、例えば、２つの開口部４１ａ，４１ｂが設けられ、これら開口部４１ａ，４１ｂ内では、電極パターンを構成する銅箔表面にＮｉメッキ層を介してＡｕメッキ層が形成されたグランド電極パターン４０の露出部４０ｂ，４０ｃが形成されている。なお本実施形態でも、前記開口部４１ａ，４１ｂの位置を除くグランド電極パターン４０の幅広部４０ａは、Ｎｉメッキ層及びＡｕメッキ層が形成されておらず銅箔のみで構成される。
【００４９】
図４の実施形態では、磁気センサ４２，４３，４５が第１開口部４１ａ内に形成されたグランド電極パターン４０の露出部４０ｂとの間でワイヤボンディングにより接続され、また磁気センサ４４とＩＣ４６が、第２開口部４１ｂ内に形成されたグランド電極パターン４０の露出部４０ｃとの間でワイヤボンディングにより接続されている。
【００５０】
このように、共通のグランド電極パターン４０上に絶縁膜４１を介して磁気センサ４２〜４５及びＩＣ４６を設置し、且つ、前記磁気センサ４２〜４５とグランド電極パターン４０の露出部４０ｂ間、及びＩＣ４６とグランド電極パターン４０の露出部４０ｃ間でワイヤボンディングを施すことで、磁気センサ４２〜４５及びＩＣ４６に対して夫々別々に、グランド電極パターン４０を引き回すことが必要なくなる。また図４のように絶縁膜４１に開口部４１ａ，４１ｂを形成し、共通の開口部４１ｂにて磁気センサ４４及びＩＣ４６に対するワイヤボンディングを行うことが出来る。このように、磁気センサ４２〜４５及びＩＣ４６の共通のグランド電極パターン４０を形成し、前記グランド電極パターン４０上に形成される絶縁膜４１に磁気センサやＩＣのワイヤボンディングに対する共通の開口部を形成することで、ワイヤボンディングを適切且つ安定して行うことが出来るとともに、磁気検出装置の小型化をより効果的に促進できる。
【符号の説明】
【００５１】
１０、３０  磁気検出装置
１１  基板
１２、３６、４０  グランド電極パターン
１２ａ、３６ａ、４０ａ  幅広部
１２ｃ、１２ｄ、３６ｂ、４０ｂ、４０ｃ  露出部
１３  入力電極パターン
１４、１５  出力電極パターン
２０、３１、４１  絶縁膜
２０ａ、３１ａ、４１ａ、４１ｂ  開口部
２１、３２〜３５、４２〜４５  磁気センサ
２２  Ｎｉメッキ層
２３  Ａｕメッキ層（接続表面層）
【図１】
2010090075.tif 000003
【図２】
2010090075.tif 000004
【図３】
2010090075.tif 000005
【図４】
2010090075.tif 000006
【図５】
2010090075.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成22年6月3日(2010.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気センサを有する磁気検出装置において、
前記磁気センサは、基板上に形成された電極パターン上に絶縁膜を介して設置され、前記絶縁膜は前記磁気センサの周囲に広がる大きさで形成されており、
前記電極パターンには前記絶縁膜に覆われずに電極パターン表面にＮｉメッキ層を介して接続表面層が形成された露出部が設けられており、
前記磁気センサは、前記磁気センサから前記絶縁膜を介して離れた前記露出部とワイヤボンディングにより接続されており、
前記磁気センサは、グランド電極パターン上に前記絶縁膜を介して設置されており、入力電極パターン及び出力電極パターンは、前記絶縁膜から離れた位置に設けられており、入力電極パターン及び出力電極パターンのパターン表面にはＮｉメッキ層を介して接続表面層が形成されており、
前記磁気センサは、前記グランド電極パターンの前記露出部、前記入力電極パターン及び出力電極パターンと夫々、ワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする磁気検出装置。
【請求項２】
前記絶縁膜には、前記磁気センサから離れた位置に前記電極パターンにまで通じる開口部が形成されており、前記磁気センサは、開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されている請求項１記載の磁気検出装置。
【請求項３】
前記グランド電極パターンは、幅細部と幅広部を有し、平面視にて前記磁気センサは前記幅広部内に設置される請求項１又は２に記載の磁気検出装置。
【請求項４】
複数の前記磁気センサが、グランド電極パターン上に絶縁膜を介して設置され、前記絶縁膜には各磁気センサから離れた位置に前記グランド電極パターンにまで通じる共通開口部が形成されており、各磁気センサが、前記共通開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されている請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気検出装置。
【請求項５】
各磁気センサは、前記共通開口部を囲むようにして配置されて、前記共通開口部内に形成された前記露出部とワイヤボンディングにより接続されているとともに、各磁気センサの電極パッドから絶縁膜の外側にワイヤが引き出されて、入力電極パターン及び出力電極パターンと接続されている請求項４記載の磁気検出装置。
【請求項６】
前記磁気センサ及びＩＣが、同じ前記グランド電極パターン上に前記絶縁膜を介して設置されており、
前記ＩＣは前記磁気センサと共に、前記グランド電極パターンの前記露出部とワイヤボンディングにより接続されている請求項１ないし５のいずれか１項に記載の磁気検出装置。
【請求項７】
磁気センサを有する磁気検出装置において、
前記磁気センサは、基板上に形成された電極パターン上に絶縁膜を介して設置され、前記絶縁膜は前記磁気センサの周囲に広がる大きさで形成されており、
前記電極パターンには、前記磁気センサと高さ方向にて対向し前記絶縁層に覆われた領域と、前記領域と電気的に接続され、前記絶縁膜に覆われずに電極パターン表面にＮｉメッキ層を介して接続表面層が形成された露出部とが設けられており、
前記磁気センサは、前記磁気センサから前記絶縁膜を介して離れた前記露出部とワイヤボンディングにより接続されていることを特徴とする磁気検出装置。
【国際調査報告】
2010090075.tif 000008
2010090075.tif 000009
2010090075.tif 000010
2010090075.tif 000011