【事件の表示】
　特許第２９４７５３５号「薄膜半導体装置及び受光素子及び光センサ」の請求項１ないし９、１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９４７５３５号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成　３年　３月２７日
　特許登録（特許第２９４７５３５号）　　　　　平成１１年　７月　２日
　特許異議申立（佐藤光男）　　　　　　　　　　平成１２年　３月１０日
　（請求項　１〜９，１２に対し）
　取消理由通知（請求項　１〜９，１２に対し）　平成１２年　６月１４日
  特許異議意見書・訂正請求書１　　　　　　　　平成１２年　９月　５日
　取消理由通知（訂正拒絶理由兼用　新請求項４，６，８，９，１２に対し）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　平成１３年　８月１３日
  特許異議意見書・訂正請求書２　　　　　　　　平成１３年１０月２３日
  訂正請求取下書（訂正請求１に対して）　　　　平成１３年１０月２３日
　
２　訂正について
（１）　訂正事項
　上記平成１３年１０月２３日付け訂正請求の訂正事項は次のとおりである。
訂正事項ａ
　特許された【特許請求の範囲】
「　【請求項１】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜半導体装置において、
　前記半導体層と金属電極上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。
　　【請求項２】　前記薄膜半導体装置は、同一基板上に、コンデンサとマトリクス配線とともに配置され、前記薄膜半導体装置と前記コンデンサと前記マトリクス配線とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　　【請求項３】　アクティブマトリクス型表示装置に用いられることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　　【請求項４】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、
　前記半導体層と金属電極上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする受光素子。
　　【請求項５】　前記受光素子は、コンデンサとマトリクス配線とともに同一基板上に配置され、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、光入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする請求項４記載の受光素子。
　　【請求項６】　同一絶縁基板上に配置された、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置と、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する受光素子と、を具備した光センサにおいて、
　窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子の両方の表面が連続して覆われていることを特徴とする光センサ。
　　【請求項７】　同一の前記絶縁基板上に、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、コンデンサと、マトリクス配線と、基板裏面に設置された光源の光を表面に通過させるための入射窓と、が配置され、
　前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、前記入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする請求項６記載の光センサ。
　　【請求項８】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
　前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
　　【請求項９】　前記窒化シリコン膜の形成工程において、前記珪素原子に対する窒素原子の比が０．４以上となるように形成することを特徴とする請求項８に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
　　【請求項１０】　前記絶縁膜の窒化シリコン膜の形成方法は、珪素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと水素ガスを用いた堆積工程と、水素ガスを含むプラズマ処理工程とが、交互に複数回繰り返されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
　　【請求項１１】　前記プラズマ処理工程は、１工程で１０〜５０オングストロームの前記窒化シリコン膜を処理することを特徴とする請求項１０記載の薄膜半導体装置の製造方法。
　　【請求項１２】　前記薄膜半導体装置は、受光素子であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項記載の薄膜半導体装置の製造方法。」を、
特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　【請求項１】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された配線部とが、並置されている薄膜半導体装置において、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に、窒化シリコン膜を有し、
　該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。
　　【請求項２】　前記薄膜半導体装置は、前記絶縁基板上に、コンデンサと前記配線部としてのマトリクス配線とともに前記薄膜トランジスタが配置され、前記薄膜トランジスタと前記コンデンサと前記マトリクス配線とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　　【請求項３】　アクティブマトリクス型表示装置に用いられることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　　【請求項４】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、
　前記受光素子は、該受光素子に接続された配線部とともに前記絶縁基板上に並置され、
　前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であり、
　前記受光素子は、コンデンサと前記配線としてのマトリクス配線とともに前記絶縁基板上に配置され、
　前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、光入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする受光素子。
　　【請求項５】　同一の絶縁基板上に並置された、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置と、前記薄膜半導体装置に接続され、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する受光素子と、前記薄膜半導体装置に接続された配線部と、を具備する光センサにおいて、
　窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子と前記配線部の３者の表面が連続して覆われており、
　同一の前記絶縁基板上に、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、コンデンサと、前記配線部としてのマトリクス配線と、基板裏面に設置された光源の光を表面に通過させるための入射窓と、が配置され、
　前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、前記入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする光センサ。
　　【請求項６】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
　前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように、該窒化シリコン膜を形成し、　前記窒化シリコン膜の形成工程において、珪素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと水素ガスを用いた堆積工程と、水素ガスを含むプラズマ処理工程とが、交互に複数回繰り返されることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
　　【請求項７】　前記プラズマ処理工程は、１工程で１０〜５０オングストロームの前記窒化シリコン膜を処理することを特徴とする請求項６記載の薄膜半導体装置の製造方法。」と訂正する。（以下、それぞれの請求項に係る発明を訂正発明１〜７という。）
　
訂正事項ｂ
　ｉ） 明細書の段落番号（００１０）の内容
「【課題を解決するための手段及び作用】　本発明は、前述した課題を解決するための手段として、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体層と金属電極上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置を提供するものである。」を、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【課題を解決するための手段及び作用】　本発明は、前述した課題を解決するための手段として、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された配線部とが、並置されている薄膜半導体装置において、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に、窒化シリコン膜を有し、
　該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置を提供するものである。　」と訂正する。
　ｉｉ） 明細書の段落番号（００１１）の内容
「また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、前記半導体層と金属電極上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする受光素子を、上記手段とするものである。」を、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、
　前記受光素子は、該受光素子に接続された配線部とともに前記絶縁基板上に並置され、
　前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であり、
　前記受光素子は、コンデンサと前記配線としてのマトリクス配線とともに前記絶縁基板上に配置され、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、光入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする受光素子を、上記手段とするものである。」と訂正する。
　ｉｉｉ） 明細書の段落番号（００１２）の内容を、
「また、同一絶縁基板上に配置された、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置と、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する受光素子と、を具備した光センサにおいて、窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子の両方の表面が連続して覆われていることを特徴とする光センサを、上記手段とするものである。」を、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　また、同一の絶縁基板上に並置された、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置と、前記薄膜半導体装置に接続され、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する受光素子と、前記薄膜半導体装置に接続された配線部と、を具備する光センサにおいて、
　窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子と前記配線部の３者の表面が連続して覆われており、
　同一の前記絶縁基板上に、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、コンデンサと、前記配線部としてのマトリクス配線と、基板裏面に設置された光源の光を表面に通過させるための入射窓と、が配置され、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、前記入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする光センサを、上記手段とするものである。」と訂正する。
　ｖｉ） 明細書の段落番号（００１３）の内容を、
「また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法を、上記手段とするものである。」を、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
　前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように、該窒化シリコン膜を形成し、
　前記窒化シリコン膜の形成工程において、珪素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと水素ガスを用いた堆積工程と、水素ガスを含むプラズマ処理工程とが、交互に複数回繰り返されることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法を、上記手段とするものである。」と訂正する。
　
訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の発明の名称を「薄膜半導体装置、受光素子、光センサ及び薄膜半導体装置の製造方法」に訂正する。
　
（２）訂正目的制限事項、新規性違反、変更・拡張違反の検討
訂正事項ａについて
１）　請求項１の訂正は、訂正前の請求項１に記載の薄膜半導体装置において、「薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された配線部とが、並置されている」こと、及び「薄膜トランジスタの前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に、」窒化シリコン膜を有することの限定を加えて、特許請求の範囲の減縮を行なったものである。
　上記限定事項については、本件図面の図１０の画像読み取り装置の平面図には、転送用スイッチ２３ａとこの転送用スイッチ２３ａに引き出し線２５が接続されていること及び放電用スイッチ２３ｂが配線部２０に接続されていることが示され、本件明細書の段落番号（００２９）には「２３ａは本発明による薄膜トランジスタを用いた転送用スイッチ、２３ｂは電荷蓄積部２２の電荷をリセットする本発明による薄膜トランジスタを用いた放電用スイッチ」との記載がある。また、本件図面の図９の画像読み取り装置の断面図には、転送リセットを行うＴＦＴ（薄膜トランジスタ）の半導体層，金属電極上とマトリクス配線上とに窒化シリコン膜が設けられていることが示されている（この層構成は図１、２との対応関係から明らかである。）。
　
２）　請求項２の訂正は請求項１の訂正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　
３）　請求項４の訂正は、訂正前の請求項４に記載の受光素子において、「前記受光素子は、該受光素子に接続された配線部とともに前記絶縁基板上に並置され」ていること、及び「前記配線部の配線上に」窒化シリコン膜を有することの限定を加え、更に、訂正前の請求項５に記載の技術事項を加入し、特許請求の範囲の減縮を行なったものである。
　上記限定事項については、本件図面の図１０の画像読み取り装置の平面図には、光センサ部２１と配線部２０とが接続されていること、本件明細書の段落番号（００２９）には「２０はマトリクスに形成された配線部、２１は本発明による薄膜トランジスタ型光センサを用いた光センサ部」との記載がある。また、本件図面の図９の画像読み取り装置の断面図には、絶縁基板上の、センサ上とマトリクス配線上とに窒化シリコン膜が設けられていることが示されている（この層構成は図１、２との対応関係から明らかである。）。
　
４）　訂正前の請求項５は削除した。
　
５）　請求項５の訂正は訂正前の請求項６に記載の光センサにおいて、「前記薄膜半導体装置に接続された配線部」を有すること、及び「前記薄膜半導体装置と前記受光素子と前記配線部の３者の表面」が連続して窒化シリコン膜で覆われていることの限定を加え、更に、訂正前の請求項７に記載の技術事項を加入し、特許請求の範囲の減縮を行なったものである。
　上記限定事項については、本件図面の図１０の画像読み取り装置の平面図には、薄膜半導体装置となる転送用スイッチ２３ａ及び放電用スイッチ２３ｂが引き出し線２５及び配線部２０にそれぞれ接続されていることが示され、本件明細書の段落番号（００２９）には「２３ａは本発明による薄膜トランジスタを用いた転送用スイッチ、２３ｂは電荷蓄積部２２の電荷をリセットする本発明による薄膜トランジスタを用いた放電用スイッチ」との記載がある。また、本件図面の図９の画像読み取り装置の断面図には、転送リセットを行うＴＦＴ（薄膜半導体装置）、センサ、マトリクス配線の３者の表面上に連続して窒化シリコン膜が設けられていることが示されている。
　
６）　訂正前の請求項７、８、９は削除した。
　
７）　請求項６の訂正は訂正前の請求項１０を独立形式の請求項に変更する形式的な訂正を行ったものであり、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　
８）　請求項７の訂正は訂正前の請求項１１の引用項の変更、請求項の番号の変更を行ったものであり、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　
９）　訂正前の請求項１２は削除した。
　
１０）　したがって、上記訂正事項ａは、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法改正前の第１２６条第１項ただし書きに規定するものに該当する。
　また、上記訂正事項ａは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
１１）　上記訂正事項ｂは特許請求の範囲の減縮に伴って、明細書中の特許請求の範囲の対応部を訂正したものであり、明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　したがって、上記訂正事項ｂは、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法改正前の第１２６条第１項ただし書きに規定するものに該当する。
　また、上記訂正事項ｂは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
１２）　上記訂正事項ｃは特許請求の範囲の記載に一致するように、発明の名称を明りょうでない記載の釈明を目的としたものである。
　したがって、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年法改正前の第１２６条第１項ただし書きに規定するものに該当する。
　また、上記訂正事項ｃは、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
（３）　訂正請求のまとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項および第３項の規定に適合するので、当該平成１３年１０月２３日付け訂正請求を認める。
　
３　異議申立理由、取消理由について
（１）　概要
　異議申立人佐藤光男は、甲第１号証（特開昭６４−１４９２８号公報）、甲第２号証（特開昭６３−２８０４５６号公報）、甲第３号証（特開平２−４４３１７号公報）、甲第４号証（特開昭６１−１０５９８０号公報）、甲第５号証（特開平２−２１０８８２号公報）、甲第６号証（実願平１−４５２１８号（実開平２−１３６３４２号）のマイクロフィルム）、甲第７号証（特開昭５８−１４７０６９号公報）、参考例（特開昭６２−５１２６４号公報）を提出し、本件特許の請求項１〜９、および１２は上記証拠に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、取り消すべきものであると主張する。
　取消理由通知１は、同趣旨である。
　取消理由通知２は、新請求項　４、６、８、９、１２は、引用例＝甲第１号証（特開昭６４−１４９２８号公報）と同一であるから、取り消されるべきものであり、かつ訂正が認められないというものである。
　
（２）　取消理由２について
　上記平成１３年１０月２３日付け訂正請求が認められた。この訂正は、訂正請求１の新請求項　４、６、８、９、１２を削除したものに相当しているので、取消理由２は解消した。
　
（３）　取消理由１および異議申立理由について
１）　甲第１号証（特開昭６４−１４９２８号公報）記載の発明
　甲第１号証の特許請求の範囲に、
「（１）非晶質半導体層の表面を、水素濃度が１％以下となるように制御して形成した窒化シリコン薄膜で被覆したことを特徴とする非晶質半導体素子。」と記載され、
　第１頁右下欄第７行〜第２頁左上欄第４行に、
「［従来の技術］
　従来、シリコンに代表される非晶質半導体素子は、表面がプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｕｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって形成された水素を数％〜数１０％以上含む窒化シリコン膜のパシペーション膜によって被覆されたいる。…」と記載され、
　第２頁右上欄第２行〜第１７行に、
「問題点を解決するための手段
　本発明者等は基板表面にシリコンを供給し、窒素イオンを基板表面に同時に照射しつつ窒化シリコン膜を形成すると、プラズマＣＶＤ法による場合と同等またはそれ以下の温度（室温）で、膜中の水素濃度が１％以下の緻密で高安定な窒化シリコン膜が形成可能であることを発見しこの発見をもとに、この窒化シリコン膜を非晶質半導体層の表面に形成することにより、高安定な非晶質半導体素子及びその製造方法を発明した。
　作用
　本発明によれば、水素濃度が１％以下の極めて安定で緻密な窒化シリコン膜を形成するため、水や酸等に対して強力なバッシべーション膜として作用するとともに、非晶質半導体層に含まれる水素の離脱も防ぐことが可能となる。」と記載され、
　第２頁右下欄第１１行〜第３頁右上欄第２行に、「　実施例１
　本発明の第１の実施例を第４図を用いて説明する。第４図に概略を示したイオンビームスパッタ装置を用いて、シリコンのターゲット８をアルゴンと窒素の混合イオンビーム９を用いてスパッタした。電圧発生層を形成した基板１０をイオンビーム９に浅い角度であたる場所に設置した。この基板位置により電圧発生層の表面にシリコンターゲット８からスパッタされたシリコン粒子（矢印Ａで示す）が供給され、かつ窒素イオンが矢印Ｂのごとく同時に照射されつつ膜形成される。この場合、イオンビームスバッタ装置の真空度は１０−４Ｔｏｒｒ程度でアルゴンと窒素の混合比を１：４としたガスをカウフマン型のイオンガン１１に導入し、１２００ｅＶ，６０ｍＡのイオンビーム９を発生させた。イオンビーム９はイオンガン１ｌの出口でφ２．５ｃｍであった。このようにして形成された窒化シリコン薄膜は原料として水素を用いないために水素濃度を１％以下に保って形成可能である。また、非晶質半導体層１は第１図のごとくステンレス金属基板１上に従来と同様にプラズマＣＶＤ法によりシランガス等を用いて形成されたｐｉｎ構造アモルファスシリコンでその表面にスパッタ法によりＩＴＯ膜を形成したものであった。このようにして形成された大陽電池は、第３図に示したごとく１００ｍＶ／ｃｍ２の光照射下で、従来のアモルファスシリコン太陽電池に比べて安定性が高いことが確認された。ここではアモルファスシリコンのｐｉｎ型太陽電池について示したが、他の例えばアモルファスシリコンＴＦＴや光センサー等の非晶質半導体素子に対しても有効であることを本発明者等は確認した。」と記載されている。
　即ち、甲第１号証には、表面がプラズマＣＶＤによって形成された水素を数％〜数１０％以上含む窒化シリコン膜のパシペーション膜によって非晶質半導体膜及び電極が被覆された非晶質半導体素子（太陽電池、ＴＦＴ、光センサ）が示されている。
　
２）　甲第２号証（特開昭６３−２８０４５６号公報）記載の発明
　甲第２号証の第２頁左下欄第２０行〜右下欄第２０行に、
「　第１図はａ−ＳｉＴＦＴの構造の例であるが、第１図を用いて説明する。
　ガラス基板８に電子ビーム蒸着によりＣｒを蒸着し、その後ゲート電極７を形成し、この上にプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン絶縁膜６、アモルファスシリコン半導体層５、ｎ＋アモルファスシリコン層４を３層連続で積層し、その後電子ビーム蒸着によりＣｒを蒸着し、第１金属層３を形成する。さらにプラズマＣＶＤ法を用いて、原料ガスとしてＳｉＨ４，ＮＨ３，Ｈ２の混合ガスを用い、反応圧力を０．５ 〜３．０Ｔｏｒｒとし、基板加熱温度１８０℃で保護層（パッシべーション層）２である非晶質シリコン窒化膜を作成した。そして、パッシべーション層２にスルホールを作成し、真空蒸着によりＡｌを蒸着しパターニングして、第２金属配線層１とし、配線を外部へ引き出した。
このように作成したａ−ＳｉＴＦＴは電気的特性が保護層を高温で作製したＴＦＴに比較して表−１のように良好な結果が得られた。又１８０℃で作製した保護層である、非晶質シリコン窒化膜は良好な絶縁性を示し、リークの発生はなかった。」と記載されている。
　
３）　甲第３号証（特開平２−４４３１７号公報）記載の発明
  甲第３号証の第２頁右上欄第１２行〜左下欄第１７行に、
「　第１図は本発明によるアクライブ（アクティブの誤記）マトリクスの部分構成を示す。信号線１、走査線２の交点にスイッチング素子３が設けられており、ソース側には液晶セル４、補助容量５が並列に接続されている。液晶セル４は対向基板共通電極６とで構成されている。補助容量５は、ソース側が２個の電極が並列された形で配置されており、他方の共通電極は補助導体７で構成され、電位が固定されている。
　第２図はスイッチング素子３及び補助容量５の部分の断面図を示す。ガラス基板８に多結晶シリコン９を形成する。この後、補助容量５を形成する部分にはリンをドープしておく。次にゲート絶縁膜１１、ゲート電極１２を形成する。この仮定で、補助容量５には、補助容量用透明電極１０、補助容量用絶縁膜１３、補助容量用共通電極１４が形成され、ここで、１つの容量が形成される。次に層間絶縁膜１５を形成し、コンタクト窓を開けて、画素用透明電極１７を形成する。同一材料で信号電極１（ドレイン電極）、ソース電極１６、補助容量用の補助導体７が形成される。この仮定で、第２の容量が形成され、下に埋め込まれた容量と並列に接続される。このプロセスで特に必要とされるのは、補助容量用透明電極１０にドーピングするプロセスのみであり、他はスイッチング素子と同一のプロセスのみで構成できる。」と記載されている。
　
４）　甲第４号証（特開昭６１−１０５９８０号公報）記載の発明
　甲第４号証の第１頁右下欄第７行〜第２頁左上欄第１０行に、
「［従来の技術］
　従来、薄膜トランジスタによって構成されたドライバー回路及び光センサーを集積した固体撮像装置は第１６図（回の誤記）固体素子及び材料コンファレンスの予稿集Ｐ５５９−５６２の様に光入射結像光を透明基板を通さず行う構造となっていた。
［発明が解決しようとする問題点］
　しかし、前述の従来構造では以下の欠点を有する。
　第２図（１）〜（４）の渋滞の固体撮像装置の薄膜トランジスタ形成以降のパターニング工程（フォト工程）を簡略化して示す。２１は絶縁基板、２２は多結晶シリコン・チャンネル部、２３はゲート酸化膜、２４はゲート電極、２５は層間絶縁膜、２６はソース電極、ドレイン電極及び光センサー下部電極で、アルミニウム−シリコン−銅等のアルミニウム合金より成る。２７，２８，２９はそれぞれｎ型又はノンドープの非晶質シリコンカーバイドを示す。該非晶質層２７，２８，２９により、光センサーは構成されている。又、２１０は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等の透明電極、２１１は保護膜である。」と記載されている。
　
５）　甲第５号証（特開平２−２１０８８２号公報）記載の発明
　甲第５号証の第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第１８行に、
「［実施例］
　以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
　まず、製造プロセスはつぎの通りである。基板１上にプラズマＣＶＤ法により、半導体対としてのａ−Ｓｉ（水素化非晶質シリコン）層２、ゲート絶縁膜の窒化シリコン膜３をそれぞれ５００ｎｍ、３００ｎｍの厚さに堆積する。堆積後
ホトリソグラフイ法により窒化シリコン３をパターニングし、この上にオーミックコンタクト層であるｎ＋のａ−Ｓｉ層４およびゲート電極となるＣｒ膜をそれぞれプラズマＣＶＤ法およびスパッタ法にて堆積する。膜厚はそれぞれ３０ｎｍ、２００ｎｍである。
　Ｃｒ膜をパターニングしてゲート電極６を形成した後、ＩＴＯをスパッタ法により堆積し、パターニングを行ってソース電極５，ドレイン電極７を形成する。これらの電極５，６，７をマスクにして、ｎ＋層４を除去する。これによりホトトランジスタが完成し、最後に保護膜として窒化シリコン８を堆積し、コンタクトホールを形成して全プロセスが完了する。」と記載されている。
　
６）　甲第６号証（実願平１−４５２１８号（実開平２−１３６３４２号）のマイクロフィルム）記載の発明
　甲第６号証の明細書第７頁第８行〜第８頁第２０行に、
「〔光センサ素子の製造例〕
製造例１
　パイレックス基板８上にＣｒ膜を蒸着法あるいはスパッタリング法によって１，５００Å厚で形成し、次いでホトリソエッチングを行なって照明窓９を形成する。この上にＳｉＨ４ガスをＲＦグロー放電分解して０．８μｍ厚の水素化アモルファスシリコン膜６を形成し、続いて透明上部電極としてＩＴＯ４をスパッタリング法によって７５０Å形成し、さらにその上に１，５００Å厚のＣｒ膜３を形成した。次にホトリソエッチングを行なってＣｒ膜、ＩＴＯ膜、水素化アモルファスシリコン膜の順に加工し、８０μ□の半導体部として残る受光素子部を形成した。続いて、層間絶縁膜として、ＳｉＨ４，Ｎ２，ＮＨ３ガスをＲＦグロー放電分解して０．５μｍ厚のＳｉＮＨ膜５を形成した。これをホトリソエッチング加工し、更にＡｌ金属２を全面被覆し、ホトリソエッチングによって電極配線を形成した。続いて保護膜としてＳｉＨ４，Ｎ２，ＮＨ３ガスをＲＦグロー放電分解して１μｍ厚のＳｉＮＨ膜１を形成した。そして、ホトリソエッチングにより照明窓９上のＳｉＮＨ膜を除去した。更に、有機系接着樹脂１０にて透明薄板ガラス１１を接着した。
　製造例２
　照明窓部に絶縁膜としてのＳｉＯＮ膜を残し、層間絶縁膜としてのＳｉＮＨ膜を除去する点をのぞき、製造例１に準じて第３図に示す光センサ素子を得た。
　なお、第４図は、透明保護膜を全面に覆った従来型の光センサ兼子であり、個々の符号は前述のものと同様である。」と記載されている。
　
７）　甲第７号証（特開昭５８−１４７０６９号公報）記載の発明
  甲第７号証の第２頁左下欄第１１行〜右下欄第１５行に、
「　第２図は本発明の１実施例を示すＴＦＴの構成断面図である。
　ガラス基板１０上にＴａ膜を堆積した後、これを酒石酸アンモニウム水溶液に浸漬し、化成処理する。６．５Ｖの定電圧化成で約１０００Å のＴａ２Ｏ５膜が作製され、この結果Ｔａから成るゲート電極膜２０とＴａ表面の薄い酸化膜から成る第１の絶縁膜３０が形成される。　第１の絶縁膜３０上にはＣＶＤ法又はスパッタリング法等で厚さ１０００ÅのＳｉ３Ｎ４膜が第２の絶縁膜３１として積層される。第２の絶縁膜３１はＳｉ３Ｎ４以外にＳｉＯ，ＳｉＯ２，Ｙ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＦ２等が実施に供され、陽極酸化されたＴａＯ２膜即ち第１の絶縁膜を保護する機能を有する。この第１の絶縁膜３０と第２の絶縁膜３１でゲート絶縁膜が構成される。次に半導体層４０としてグロー放電によりアモルファスシリコン層を３０００Å積層し、次にソース電極５０及びドレイン電極６０として３０００ÅのＡｌを蒸着すると本実施例のＴＦＴが作製される。このＴＦＴは保護膜７０としてＣＶＤ法によりＳｉ３Ｎ４が３００ｇÅ積層され、半導体層４０がコートされる。この保護膜４０はアモルファスシリコン層の保護のみならず半導体層４０表面を空乏化し、オフ状態のリ−ク電流を減少させ、ＴＦＴの特性を大きく向上させる。」と記載されている。
　
８）　参考例（特開昭６２−５１２６４号公報）記載の発明
　参考例の第２頁右上欄第９行〜右下欄第６行には、
「　このＴＦＴの特性は、半導体層の移動度、局在準位（トラップを含む）、ゲート絶縁膜の局在準位（トラップを含む）、および半導体層とゲート絶縁膜間の界面状態に大きく依存する。ゲート絶縁膜を構成するシリコン窒化膜の不完全さは、シリコンを主成分とする半導体層との間の界面状態を劣化させる。従って、ゲート絶縁膜と構成するシリコン窒化膜と、シリコンを主成分とする半導体層の接する部分を改質することによって界面状態を改善でき、界面状態の不安定さに基づくしきい値電圧の変動を抑えることができる筈である。本発明者は、この考えに従ってシリコン窒化膜のプラズマ処理を検討した結果、シリコンに対して窒化作用のあるガスを用いることによって良好な結果を得た。すなわち、本発明ではシリコン窒化膜を、（ａ）窒素ガスと水素ガスからなる混合ガス、（ｂ）水素ガス、不活性ガス及びアンモニアからなる混合ガス、もしくは（ｃ）アンモニア、不活性ガスからなる混合ガスを用いたプラズマ処理を施してから半導体層を積層することによってＴＦＴのしきい値電圧の変動幅を小さく抑えることができた。なお上記の不活性ガスとは窒素ガスのほかに、アルゴンガス、ヘリウムガス、キセノンガス、水素等である。これらの不活性ガスは単独または二種類以上混合して用いる。
　…」と記載されている。
　即ち、参考例には、窒化シリコン膜を水素を含むガスでプラズマ処理する工程が示されている。
　
９）　訂正発明１と引用例との対比
　甲第１号証のものは、ＴＦＴでもよいのであるから、薄膜半導体装置である。してみると、訂正発明と甲第１号証とは、
「非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜トランジスタである、薄膜半導体装置において、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体層と前記金属電極上に、窒化シリコン膜を有することを特徴とする薄膜半導体装置である点で一致する。
　そして、
ａ）訂正発明１は、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタであるのに、甲第１号証は明記されていない点、
ｂ）訂正発明１は、前記薄膜トランジスタに接続された配線部とが、並置されている薄膜半導体装置であるのに対して、甲第１号証は明記されていない。
ｃ）訂正発明１は、前記配線部の配線上にも窒化シリコン膜を有するの対して、甲第１号証は明記されていない。
ｄ）訂正発明１は、窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であるのに対して、甲第１号証のものは水素を数％〜数１０％以上含む窒化シリコン膜である点
でそれぞれ相違している。
　相違点ａ）は薄膜トランジスタであれは周知の構成であり、格別のものではない。
　相違点ｂ）、ｃ）について、被申立人（権利者）は該構成とすることで、薄膜トランジスタ及び配線部の金属電極／配線の腐敗を防止する効果を奏すると主張する（平成１２年９月５日付け特許異議意見書）。しかしながら、特許された明細書及び訂正された明細書のいずれにも、配線部の金属電極／配線の腐敗を防止することは明示されておらず、自明な効果であると認められ、この点が格別のことであるとは認められない。
　相違点ｄ）について検討する。
　特許明細書には、窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜で保護することで、薄膜半導体装置の保護膜としての十分な耐湿性を得ることができる（【００３５】）効果があると記載され、第７図に高温高湿放置５００時間の配線腐蝕発生率を示す図面及び【００２３】での説明で、３５％以下に意義があることが示されている。
　異議申立人は、甲第１号証が水素濃度１％以下の窒化シリコン膜でＩＴＯ膜を覆っていることが、水素濃度が３５％以下の窒化シリコン膜で覆うことに相当すると主張しているが、甲第１号証の記載からは、水素原子の数の百分率が、３５％以下であるとする意義が示されていない。甲第２号証〜甲第７号証、参考例にも、水素原子の数の百分率が、３５％以下であるとすることが示されていない。
　してみると、この相違点ｄは格別なものである。
　従って、訂正発明１は、甲各号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
１０）　訂正発明２、３について
　訂正発明２，３は、訂正発明１を引用する従属形式の発明であり、訂正発明１が容易に発明をすることができないので、訂正発明２，３も容易に発明をすることはできない。
　
１１）　訂正発明４について
　訂正発明４は、受光素子の発明であり、訂正発明４の基本的な構成は訂正発明１と同様である。
　従って上記９）、１０）の検討と同様に訂正発明４も容易に発明をすることができたものではない。
　
１２）　訂正発明５について
　訂正発明５は、光センサの発明であり、訂正発明７の基本的な構成は訂正発明１と同様である。
　従って上記９）、１０）の検討と同様に訂正発明５も容易に発明をすることができたものではない。
　
１３）　訂正発明６、７について
　訂正発明６は、薄膜半導体装置の製造方法の発明であり、訂正発明７は訂正発明６を引用する従属形式の発明である。そして、訂正発明６の基本的な構成は訂正発明１と同様である。
　従って上記９）、１０）の検討と同様に訂正発明６、７も容易に発明をすることができたものではない。
　
１４）　取消理由１及び異議申立のまとめ
　訂正発明１〜７は、甲第１号証〜甲第７号証、参考例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであることはできない。
　
４　まとめ
　また、他に特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月６日（２００１．１２．６）
【訂正の要旨】
訂正事項ａ
　特許された【特許請求の範囲】
「　【請求項１】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜半導体装置において、
　前記半導体層と金属電極上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。
　【請求項２】　前記薄膜半導体装置は、同一基板上に、コンデンサとマトリクス配線とともに配置され、前記薄膜半導体装置と前記コンデンサと前記マトリクス配線とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　【請求項３】　アクティブマトリクス型表示装置に用いられることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　【請求項４】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、
　前記半導体層と金属電極上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする受光素子。
　【請求項５】　前記受光素子は、コンデンサとマトリクス配線とともに同一基板上に配置され、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、光入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする請求項４記載の受光素子。
　【請求項６】　同一絶縁基板上に配置された、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置と、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する受光素子と、を具備した光センサにおいて、
　窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子の両方の表面が連続して覆われていることを特徴とする光センサ。
　【請求項７】　同一の前記絶縁基板上に、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、コンデンサと、マトリクス配線と、基板裏面に設置された光源の光を表面に通過させるための入射窓と、が配置され、
　前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、前記入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする請求項６記載の光センサ。
　【請求項８】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
　前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
　【請求項９】　前記窒化シリコン膜の形成工程において、前記珪素原子に対する窒素原子の比が０．４以上となるように形成することを特徴とする請求項８に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
　【請求項１０】　前記絶縁膜の窒化シリコン膜の形成方法は、珪素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと水素ガスを用いた堆積工程と、水素ガスを含むプラズマ処理工程とが、交互に複数回繰り返されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
　【請求項１１】　前記プラズマ処理工程は、１工程で１０〜５０オングストロームの前記窒化シリコン膜を処理することを特徴とする請求項１０記載の薄膜半導体装置の製造方法。
　【請求項１２】　前記薄膜半導体装置は、受光素子であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項記載の薄膜半導体装置の製造方法。」を、
特許請求の範囲の減縮および明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　【請求項１】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された配線部とが、並置されている薄膜半導体装置において、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に、窒化シリコン膜を有し、
　該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。
　【請求項２】　前記薄膜半導体装置は、前記絶縁基板上に、コンデンサと前記配線部としてのマトリクス配線とともに前記薄膜トランジスタが配置され、前記薄膜トランジスタと前記コンデンサと前記マトリクス配線とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　【請求項３】　アクティブマトリクス型表示装置に用いられることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　【請求項４】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、
　前記受光素子は、該受光素子に接続された配線部とともに前記絶縁基板上に並置され、
　前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であり、
　前記受光素子は、コンデンサと前記配線としてのマトリクス配線とともに前記絶縁基板上に配置され、
　前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、光入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする受光素子。
　【請求項５】　同一の絶縁基板上に並置された、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置と、前記薄膜半導体装置に接続され、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する受光素子と、前記薄膜半導体装置に接続された配線部と、を具備する光センサにおいて、
　窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子と前記配線部の３者の表面が連続して覆われており、
　同一の前記絶縁基板上に、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、コンデンサと、前記配線部としてのマトリクス配線と、基板裏面に設置された光源の光を表面に通過させるための入射窓と、が配置され、
　前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、前記入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする光センサ。
　【請求項６】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
　前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように、該窒化シリコン膜を形成し、　前記窒化シリコン膜の形成工程において、珪素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと水素ガスを用いた堆積工程と、水素ガスを含むプラズマ処理工程とが、交互に複数回繰り返されることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
　【請求項７】　前記プラズマ処理工程は、１工程で１０〜５０オングストロームの前記窒化シリコン膜を処理することを特徴とする請求項６記載の薄膜半導体装置の製造方法。」と訂正する。（以下、それぞれの請求項に係る発明を訂正発明１〜７という。）
訂正事項ｂ
　ｉ）　明細書の段落番号（００１０）の内容
「【課題を解決するための手段及び作用】　本発明は、前述した課題を解決するための手段として、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体層と金属電極上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置を提供するものである。」を、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【課題を解決するための手段及び作用】　本発明は、前述した課題を解決するための手段として、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された配線部とが、並置されている薄膜半導体装置において、
　前記薄膜トランジスタの前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に、窒化シリコン膜を有し、
　該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置を提供するものである。　」と訂正する。
　ｉｉ）　明細書の段落番号（００１１）の内容
「また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、前記半導体層と金属電極上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする受光素子を、上記手段とするものである。」を、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、
　前記受光素子は、該受光素子に接続された配線部とともに前記絶縁基板上に並置され、
　前記半導体層と前記金属電極上及び前記配線部の配線上に窒化シリコン膜を有し、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であり、
　前記受光素子は、コンデンサと前記配線としてのマトリクス配線とともに前記絶縁基板上に配置され、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、光入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする受光素子を、上記手段とするものである。」と訂正する。
　ｉｉｉ）明細書の段落番号（００１２）の内容を、
「また、同一絶縁基板上に配置された、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置と、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する受光素子と、を具備した光センサにおいて、窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子の両方の表面が連続して覆われていることを特徴とする光センサを、上記手段とするものである。」を、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　また、同一の絶縁基板上に並置された、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置と、前記薄膜半導体装置に接続され、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する受光素子と、前記薄膜半導体装置に接続された配線部と、を具備する光センサにおいて、
　窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子と前記配線部の３者の表面が連続して覆われており、
　同一の前記絶縁基板上に、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、コンデンサと、前記配線部としてのマトリクス配線と、基板裏面に設置された光源の光を表面に通過させるための入射窓と、が配置され、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、前記入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする光センサを、上記手段とするものである。」と訂正する。
　ｖｉ）明細書の段落番号（００１３）の内容を、
「また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法を、上記手段とするものである。」を、
明りょうでない記載の釈明を目的として、
「　また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
　前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように、該窒化シリコン膜を形成し、
　前記窒化シリコン膜の形成工程において、珪素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと水素ガスを用いた堆積工程と、水素ガスを含むプラズマ処理工程とが、交互に複数回繰り返されることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法を、上記手段とするものである。」と訂正する。
訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の発明の名称を「薄膜半導体装置、受光素子、光センサ及び薄膜半導体装置の製造方法」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
薄膜半導体装置
、
、
及び薄膜半導体装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された配線部とが、並置されている
　前記
薄膜トランジスタの前記
前記
及び前記配線部の配線上に、
　該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置。
　【請求項２】　前記薄膜半導体装置は、
前記絶縁基板
前記配線部としての
前記薄膜トランジスタが
トランジスタ
　【請求項３】　アクティブマトリクス型表示装置に用いられることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
　【請求項４】　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、
　
前記受光素子は、該受光素子に接続された配線部とともに前記絶縁基板上に並置され、
　前記半導体層と
前記
及び前記配線部の配線上
であり、
　
前記受光素子は、コンデンサと前記配線としてのマトリクス配線とともに前記絶縁基板上に配置され、
　前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、光入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする受光素子。
　
【請求項５】
並置
前記薄膜半導体装置に接続され、
前記薄膜半導体装置に接続された配線部と、
　窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子
と前記配線部の３者の
おり、
　
同一の前記絶縁基板上に、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、コンデンサと、前記配線部としてのマトリクス配線と、基板裏面に設置された光源の光を表面に通過させるための入射窓と、が配置され、
　前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、前記入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする光センサ。
　
【請求項６】
絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
　
前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように、該窒化シリコン膜を形成し、
　
前記窒化シリコン膜の形成工程において、
特徴とする
　
【請求項７】
６
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ディスプレー、イメージスキャナなどに用いられる薄膜半導体装置及び受光素子及び光センサに関し、特に薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ型光センサなどの薄膜半導体装置の電気特性の信頼性、安定性に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、オフィスオートメイションにともない、ディスプレー、イメージスキャナー等の入出力デバイスは、ワードプロセッサー、パーソナルコンピューター、ファクシミリ等のＯＡ機器のマンマシーンインターフェイスとして、重要視され、計量、薄型、低価格が要望されている。
　【０００３】
　このような観点より、薄膜半導体、例えば、水素化アモルファスシリコン、ポリシリコン等を、大面積の絶縁基板上に形成し、薄膜トランジスタを構成したアクティブマトリクス方式の液晶ディスプレイや、光センサーを構成した光電変換装置等の開発が進められている。
　【０００４】
　図３は、従来の薄膜トランジスター（以下ＴＦＴ）の構造の１例を示す。絶縁性の基板３１に、ゲート電極３２が形成され、その上にゲート絶縁膜３３を堆積し、更にチャネル形成のできる薄膜半導体３４として、例えば、水素化アモルファスシリコンなどを形成する。更にソース・ドレイン電極３６，３７の金属電極の間に、ｎ＋層３５が、設けられており、電子に対してオーミック性、正孔に対してブロッキング性となる接合を形成することで、ｎチャンネルトランジスターとして動作する。
　【０００５】
　なお、図３のＴＦＴはソース、ドレイン電極３６，３７の間に光を照射して半導体層で発生するフォトキャリアの分布をゲート電極により制御して安定な光電流を得るような、薄膜トランジスタ型の光センサーとしても応用できる。
　また、これらの薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタ型センサなどの薄膜半導体装置をソース、ドレイン電極やゲート電極を介して複数個接続して構成された新たな機能を有する薄膜半導体装置としても応用できる。
　【０００６】
　【発明が解決しようとしている課題】
　図３に示されたような薄膜トランジスタなどの薄膜半導体装置を実際に液晶ディスプレイや、ファクシミリの画像読み取り装置として用いる場合、この薄膜半導体装置の表面が、外部の雰囲気の影響を非常に受けやすいため、酸素ガスや水蒸気が直接これらの表面に、吸着、あるいは、拡散すれば、半導体薄膜が、非常に薄いため、電気的特性が大きく変動する。このため従来素子の表面を窒化シリコン膜等の保護膜で被覆されているが、保護膜の窒化シリコン膜のＮ／Ｓｉ組成比に応じても、電気的特性は変化する。一般に窒化シリコン膜のＮ／Ｓｉ組成比が小さくなると、薄膜半導体層のアモルファスシリコンとの界面にトラップ準位が多くなり、ＯＮ／ＯＦＦ比の低下、応答性の悪化等望ましくない特性が表われるため、、Ｎ／Ｓｉ組成比はある程度大きい必要性がある。さらに、このアモルファスシリコンを用いた薄膜半導体装置は２００℃程度の低温で形成されているため、保護膜の形成温度もそれ以下の低温にしなければならない。しかし、通常プラズマＣＶＤ法などで２００℃以下の低温で、Ｎ／Ｓｉ組成比の大きい窒化シリコン膜を形成した場合膜の構造の緻密性が失われ、保護膜としての耐湿性が悪くなる。
　【０００７】
　しかしながら、この低温製膜の窒化シリコン膜の構造の緻密性や保護膜としての耐湿性についてのメカニズムが不明であり、Ｎ／Ｓｉ組成比の大きい膜で緻密性が失われる原因はわかっていなかった。このため窒化シリコン膜を保護膜として用いる場合、製膜条件の設定が非常に困難となっていた。
　【０００８】
　また窒化シリコン膜ではなく熱処理により重合させたポリイミド樹脂膜等を保護膜として用いる場合もあるが、窒化シリコン膜に比べて、アモルファスシリコン半導体層に与える影響は少ないが、これらの有機材料の場合耐湿性が期待できない。このため、これらの有機材料を保護膜として用いる場合は、さらに窒化シリコン膜等の無機材料による最終保護膜が必要とされ、工程を複雑になる。
　【０００９】
　このように、従来の薄膜トランジスター、薄膜トランジスター型光センサー等の薄膜半導体装置を実際に製品として応用する場合に、これらの薄膜半導体装置の保護膜の耐湿性が重大な問題となっていた。この保護膜の耐湿性が不十分だと、高温高湿の放置試験において、アクテブマトリックス型のディスプレーでは、ＴＦＴのＯＮ／ＯＦＦ比が低下して見えが大きく変わり、またセンサーにおいては、その基本特性である光電流、暗電流が、経時的に変化して読み取り画像の大きな劣化を引き起こす。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段及び作用】
　本発明は、前述した課題を解決するための手段として、
　絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する
薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに接続された配線部とが、並置されている
　前記
薄膜トランジスタの前記
前記
及び前記配線部の配線上に、
　該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下であることを特徴とする薄膜半導体装置を提供するものである。
　【００１１】
　また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極とを有する受光素子において、
　
前記受光素子は、該受光素子に接続された配線部とともに前記絶縁基板上に並置され、
　前記半導体層と
前記
及び前記配線部の配線上
であり、
　
前記受光素子は、コンデンサと前記配線としてのマトリクス配線とともに前記絶縁基板上に配置され、
　前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と、光入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする
　【００１２】
　また、同一の絶縁基板上に
並置
前記薄膜半導体装置に接続され、
前記薄膜半導体装置に接続された配線部と、
　窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下である窒化シリコン膜により、前記薄膜半導体装置と前記受光素子
と前記配線部の３者の
おり、
　
同一の前記絶縁基板上に、前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、コンデンサと、前記配線部としてのマトリクス配線と、基板裏面に設置された光源の光を表面に通過させるための入射窓と、が配置され、
　前記薄膜半導体装置と、前記受光素子と、前記コンデンサと、前記マトリクス配線と前記入射窓とが、連続する前記窒化シリコン膜によって覆われていることを特徴とする
　【００１３】
　
また、絶縁基板上に、非単結晶シリコンからなる半導体層と金属電極を有する薄膜半導体装置の製造方法において、
　
前記半導体層と金属電極上の絶縁層膜として用いる窒化シリコン膜の形成工程において、該窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する前記水素原子の数の百分率が、３５％以下になるように、該窒化シリコン膜を形成し、
　
前記窒化シリコン膜の形成工程において、珪素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと水素ガスを用いた堆積工程と、水素ガスを含むプラズマ処理工程とが、交互に複数回繰り返されることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法を、上記手段とするものである。
　【００１４】
　本発明は、前記薄膜トランジスタ，薄膜トランジスタ型光センサーなどの薄膜半導体装置の保護膜に用いる窒化シリコン膜において、窒化シリコン膜中の窒素原子とシリコン原子にそれぞれに結合した水素密度の和が、膜の構造の緻密性、耐湿性を支配していることを解明して、保護膜として適当な結合水素密度を与え、窒化シリコン膜の製膜条件の設定を容易にすることができるものである。
　【００１５】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例にもとづき説明する。
　（実施例１）
　図１は、本発明の薄膜トランジスタ型光センサの断面図である。
　【００１６】
　図２は、本発明の薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタ型光センサの作成方法を示す。
　図２（ａ）において、１は、ガラス基板、２はゲート電極となるＣｒである。ゲート電極２のＣｒはスパッタ法等で前面に堆積し、感光性レジストを用いたフォトリソグラフィ工程により、パターニング形成される。その後、ゲート絶縁膜となる水素化アモルファスシリコン窒化膜３（ａ−ＳｉＮｘ：Ｈ以下窒化シリコン膜）を３０００Å、半導体層４となるアモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉ：Ｈ）を５０００Å、オーミックコンタクト層のｎ＋層５を１０００Åを順次連続にプラズマＣＶＤ法で全面に堆積する。
　【００１７】
　図２（ｂ）は、上部電極となるアルミニウムをスパッタ法等で全面に１００００Å堆積して、感光性レジスト８を用いたフォトリソグラフィ工程により、パターニングしてソース、ドレイン電極６，７を形成したところを示す。このとき、電極の上には感光性レジスト８がある。
　【００１８】
　図２（ｃ）は、この感光性樹脂８をマスクにして、ｎ＋層５を所定の深さにＲＩＥ等のエッチングによりエッチングした後、感光性レジスト８を剥離する。図２（ｄ）は、フォトリソグラフィ工程により、ＲＩＥなどのエッチングにより、ＴＦＴを素子間分離し、窒化シリコン膜の保護層１０を全面に５０００Å堆積して、図１のＴＦＴが作成される。
　【００１９】
　窒化シリコン膜は、ＳｉＨ４とＮ２とＨ２の混合ガスを基板温度１５０℃でプラズマＣＶＤ法により堆積させた。製膜時の放電電力のＲＦパワーを５０Ｗ〜３００Ｗまで変化させることで、Ｎ／Ｓｉ組成比を０．４〜１．３に設定することができる。
　【００２０】
　窒化シリコン膜中の結合水素密度は、製膜の原料ガスの種類や製膜法により変化させることができる。図４に製膜の原料ガスとして、ＳｉＨ４とＮ２とＨ２の混合ガスを用いた場合において、Ｎ／Ｓｉ組成比に対する結合水素の百分率を示した。ここで結合水素の百分率は、窒化シリコン膜の構成元素である窒素原子と珪素原子と水素原子の総数に対する水素原子の数の百分率を表わす。
　【００２１】
　窒化シリコン膜中に含まれる結合水素の百分率は、製膜時の水素希釈率を大きくすることで、減少させることができる。これはアモルファスシリコンの製膜において水素希釈により、堆積表面をＨ原子で被覆することで、製膜に寄与するＳｉＨ３ラジカルの安定なサイトへの拡散を促し、緻密な膜構造が得られるといわれているが、窒化シリコン膜においても同様な水素希釈効果が生じていると考えられる。またプラズマによって生じた水素ラジカルにより堆積膜表面の結合水素を引き抜く効果も考えられる（この効果をさらに推進させる方法として製膜と水素プラズマ処理を交互に行なう方法がある。この時、水素プラズマ処理される膜は、水素ラジカルが効果的に結合水素を引き抜くことができる程度の膜厚（１０〜５０Å）にすれば、結合水素の引き抜かれた膜のみが積層されることになる。）。図４にはこのような方法により得られた、異なる結合水素の百分率を有する窒化シリコン膜を示した。
　【００２２】
　また、これらの方法により得られた、異なる結合水素の百分率をもつ窒化シリコン膜において、緩衝フッ酸溶液（以下ＢＨＦ溶液）に対するエッチング速度を示したものである。同図によれば、ＢＨＦエッチング速度は、Ｎ／Ｓｉ組成比に関係なく結合水素の百分率に依存して変化していることがわかる。すなわち、等しい窒素原子とシリコン原子が存在する窒化シリコン膜においても結合水素により構造の緻密性が変わることを示している。従来、Ｎ／Ｓｉ組成比が大きくなると膜の緻密性が失われたのはＮ／Ｓｉ組成比に伴って窒素原子が増加して、窒素に結合した水素（Ｎ−Ｈ結合）が増加したためである。この様にＢＨＦエッチング速度の総結合密度による変化から、構造の緻密性は結合水素の百分率により決定されることが分かる。
　【００２３】
　また、この窒化シリコン膜を薄膜トランジスタなどの薄膜半導体装置の保護膜に用いた場合の耐湿性について、この薄膜半導体装置を高温高湿（６０℃、９０％）に放置した時間に対する１７２８ビットの配線腐食発生率を図６に示す。同図において、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は結合水素の百分率がそれぞれ３７原子％、３０原子％、２４原子％の同じＮ／Ｓｉ組成比を持つ窒化シリコン膜を保護膜として用いた場合を表わす。同図によれば、結合水素の百分率が大きくなると、配線腐食発生率は急激に大きくなる。さらに、いろいろな膜について、高温高湿（６０℃、９０％）に５００時間放置した時の配線腐食発生率を図７に示した。これによれば、これらの窒化シリコン膜の保護膜としての耐湿性はＮ／Ｓｉ組成比に関係なく、結合水素の百分率に依存していることがわかる。また、窒化シリコン膜の結合水素の百分率が３５原子％以上になると急激に配線腐食発生率が大きくなり、耐湿性が悪化することがわかる。なお、実際の密着型画像読み取り装置にこの薄膜半導体装置を用いた場合、この高温高湿試験により腐食発生率が２０％以下であれば製品のスペックとして問題ないことは確認されている。これより、結合水素の百分率が３５原子％以下の窒化シリコン膜を保護膜として用いれば、良好な耐湿性が得られることがわかる。
　【００２４】
　さらに図８は窒化シリコン膜の構造について、次式で表されるような、平均の最隣接の配位数ｍをいろいろなＮ／Ｓｉ組成比について示したものである。
　【００２５】
　【数１】
　ｍ＝４ｘ＋３ｙ＋１ｚ　　（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）・・・（１）
　ここで、ｘ，ｙ，ｚはそれぞれＳｉ，Ｎ，Ｈ原子の組成比を表し、最隣接配位数が短距離において保存されていることが仮定されている。アモルファス状態とガラス状態においてこれらのランダムネットワークを考える時、原子ごとの拘束数ＮＣＯ（ｍ）は、
　【００２６】
　【数２】
　ＮＣＯ（ｍ）＝ｍ／２＋ｍ（ｍ−１）／２＝ｍ２／２　・・・（２）
で与えられる。ここで、第１項はボンドの伸び縮みの自由度の数、第２項はボンドの曲がりに対する自由度の数である。この拘束数を空間の３次元的な自由度として、ＮＣＯ＝３ととると、ｍＣ＝６０．５＝２．４５の時、最も都合の良いつながり方となり、２＜ｍ＜３の時、ガラス形成能が高くなる。ここで最隣接配位数ｍがｍＣに比べて大きい時は各原子の拘束力が大きなアモルファス状態となり、ｍがｍＣに比べて小さい時は各原子の拘束力が小さなアモルファス状態になり、これらはガラス状態に比べると自由エネルギーの高い準安定状態を取っているといわれている。窒化シリコン膜ではガラスを形成することはないため、最隣接配位数ｍが小さくなると、各原子の拘束数が減少して、ｍＣ２．４５までは膜構造の３次元的な自由度が大きくなると思われる。しかし、ｍＣ＝２．４５以下になると、さらに自由度が大きくなりすぎて、自由エネルギーの比較的高い状態でも準安定状態をとることが可能となり、構造的に不安定な膜、すなわち緻密性に乏しい膜となる。図８によれば、いろいろなＮ／Ｓｉ組成比の時についても、ｍＣ＝２．４５に対応する膜中の結合水素の百分率は約４０〜４５原子％となっている。すなわち、最隣接配位数ｍがｍＣ＝２．４５付近では、Ｎ／Ｓｉ組成比よりも、膜中の結合水素の百分率に依存していることがわかる。この理論では膜中の結合水素の百分率が４０〜４５原子％以下の時に膜構造が疎になり、緻密性が失われることになったが、実際の窒化シリコン膜では膜中の結合水素の百分率が３５原子％以下で緻密性が失われる。この差は、Ｎ原子とＳｉ原子は水素原子と共有結合半径や、電気陰性度の差があるためにそれぞれの結合エネルギーが異なり、水素原子との結合のしやすさが変化したために生じたと思われる。しかし膜構造の緻密性がＮ／Ｓｉ組成比よりも、膜中の結合水素の百分率に依存していることはこの理論により定性的に理解される。
　【００２７】
　本実施例では窒化シリコン膜は、ＳｉＨ４とＮ２とＨ２の混合ガスを用いた場合について述べたが、ＳｉＨ４やＳｉ２Ｈ６とＮＨ３やＮ２Ｏなどのシリコン原子と窒素原子を含むガスであれば、同様にして、Ｈ２の希釈率を変えたり、製膜とＨ２プラズマを交互に行なう方法などで、結合水素の百分率を変えることができる。
　【００２８】
　本発明の実施例の薄膜半導体装置をファクシミリ等の画像読み取り装置に応用した場合の断面図を図９に示す。光源７１からの入射光は原稿６９で反射して、図２の工程で作成された薄膜トランジスタ型光センサにより光電変換され、同一工程から成る電荷蓄積コンデンサにより発生した電荷蓄積される。さらに同一工程から成る薄膜トランジスタによりこれらの電荷の転送リセットが行なわれる。
　【００２９】
　図１０に本発明の薄膜トランジスタ型光センサ及び薄膜トランジスタなどの薄膜半導体装置で構成した完全密着型センサの回路の平面図の一例を示す。
　同図において、２０はマトリクスに形成された配線部、２１は本発明による薄膜トランジスタ型光センサを用いた光センサ部、２２は電荷蓄積部、２３ａは本発明による薄膜トランジスタを用いた転送用スイッチ、２３ｂは電荷蓄積部２２の電荷をリセットする本発明による薄膜トランジスタを用いた放電用スイッチ、２５は転送用スイッチの信号出力を信号処理ＩＣに接続する引き出し線である。本実施例では光センサ部２１、転送用スイッチ２３ａ及び放電用スイッチ２３ｂを構成する光導電性半導体層としてａ−Ｓｉ：Ｈ膜が用いられ、絶縁層としてプラズマＣＶＤによる窒化シリコン膜が用いられている。
　【００３０】
　尚、図１０においては、煩雑さを避けるために、上下２層の電極配線のみ示し、上記光導電性半導体層及び絶縁層は図示していない。さらに上層電極配線と半導体層との界面にはｎ＋層が形成され、オーミック接合が取られている。
　図１１に本発明の薄膜トランジスタ型光センサ及び薄膜トランジスタなどの薄膜半導体装置で構成した完全コンタクト型センサの回路の等価回路を示す。同図において、Ｓｉ，１，Ｓｉ，２，Ｓｉ，３，・・・・Ｓｉ，ｎ，は、図１０の光センサ部２１を構成している光センサであり、ｉはブロックの番号、１〜ｎはブロック内のビット数である。（以下Ｓｉ，ｎと記す。）また同図において、Ｃｉ，ｎは電荷蓄積部２２のコンデンサで、光センサＳｉ，ｎに対応してそれぞれの光電流を蓄積する。また、蓄積コンデンサＣｉ，ｎの電荷を負荷コンデンサＣＸｎに転送するための転送用スイッチ２３ａのトランジスタＳＴｉ，ｎ，電荷をリセットする放電用スイッチ２３ｂのトランジスタＳＲｉ，ｎも同様に対応している。
　【００３１】
　これらの、光センサＳｉ，ｎ，蓄積コンデンサＣｉ，ｎ，転送用スイッチトランジスタＳＴｉ，ｎ，および放電用スイッチトランジスタＳＲｉ，ｎは、それぞれ一列にアレイ状に配置され、ｎ個で１ブロックを構成し、全体としてｍ個のブロックに分けられている。たとえば、センサが１７２８個で構成されているとすれば、ｎ＝３２，ｍ＝５４とすることができる。アレイ状に設けられた転送用スイッチＳＴｉ，ｎ，放電用スイッチＳＲｉ，ｎのゲート電極は、ゲート配線部に接続される。転送用スイッチＳＴｉ，ｎのゲート電極は１番目のブロック内で共通に接続され、放電用スイッチＳＲｉ，ｎのゲート電極は次の順位のブロックの転送用スイッチのゲート電極に接続される。
　【００３２】
　マトリクス配線部２１０の共通線（ゲート駆動線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・Ｇｍ）はゲート駆動部２４６によりドライブされる。一方信号出力は、マトリクス構成になっている引き出し線２３０（信号出力線Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３・・・Ｄｎ）を介して信号処理部２４７（ブロック単位で）接続される。また、光センサＳｉ，ｎのゲート電極は駆動部２５０に接続されて、負のバイアスが加えられる。
　【００３３】
　かかる構成において、ゲート駆動線Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，・・・Ｇｍにはゲート駆動部２４６から順次選択パルス（ＶＧ１，ＶＧ２，ＶＧ３・・・ＶＧｍ）が供給される。まず、ゲート駆動線にＧ１選択されると、転送用スイッチＳＴ１，１〜ＳＴ１，ｎがＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ１，１〜Ｃ１，ｎに蓄積された電荷が負荷コンデンサＣＸ１〜ＣＸｎに転送される。次に、ゲート駆動線Ｇ２が選択されると、転送用スイッチＳＴ２，１〜ＳＴ２，ｎがＯＮ状態となり、蓄積コンデンサＣ２，１〜Ｃ２，ｎに蓄積された電荷が負荷コンデンサＣＸ１〜ＣＸｎに転送され、同時に放電用スイッチＳＲ１，１〜ＳＲ１，ｎより蓄積コンデンサＣ１，１〜Ｃ１，ｎの電荷がリセットされる。以下同様にして、ゲート駆動線Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５，・・・Ｇｍについても選択されて、読み取り動作が行なわれる。これらの動作は各ブロックごとに行われ、各ブロックの信号出力ＶＸ１，ＶＸ２，ＶＸ３・・・ＶＸｎは信号処理部２４７の入力Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３・・・Ｄｎに送られ、シリアル信号に変換されて出力される。
　【００３４】
　本発明の薄膜半導体装置の応用例として、ここでは図９に示すように、光センサの上部に耐摩耗層７０を形成してセンサの裏面から光源７１により照明し、原稿６９を読み取るレンズレスの完全密着型画像読み取り装置についてのみ述べたが、さらに、等倍結像レンズ（たとえば、日本板硝子のセルフォックレンズなど）を用いた完全密着型画像読み取り装置にも応用できる。あるいは密着型画像読み取り装置だけではなく、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイにも応用できることはいうまでもない。
　【００３５】
　【発明の効果】
　本発明により、薄膜トランジスタや薄膜トランジスタ型光センサなどの薄膜半導体装置の保護膜として用いる窒化シリコン膜において、膜の構成元素である窒素原子と珪素原子のそれぞれに結合する水素原子が、膜の構造の緻密性、耐湿性を支配していることが解明され、窒化シリコン膜中の結合水素の百分率が、３５原子％以下の範囲においてのみ、薄膜半導体装置の保護膜としての十分な耐湿性が得られることがわかった。
　以上によりこれらの薄膜半導体装置の保護膜の条件を選ぶ場合に、結合水素の百分率が前記最適化範囲の中にあれば、製膜の原料ガスや製膜法によらず、自由度を持って選ぶことができ、十分な耐久性、安定性を有する薄膜半導体装置が容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明による薄膜半導体装置の断面図
　【図２】
　本発明による薄膜半導体装置の作成方法を示す工程図
　【図３】
　従来の薄膜半導体装置の断面図
　【図４】
　製膜のガス種を変えた窒化シリコン膜の結合水素の百分率の、Ｎ／Ｓｉ組成比依存性を示す図
　【図５】
　窒化シリコン膜のＢＨＦエッチング速度と、結合水素の百分率の関係を示す図
　【図６】
　高温高湿放置時間に対する配線腐食を示す図
　【図７】
　高温高湿放置５００時間の配線腐食発生率を示す図
　【図８】
　窒化シリコン膜の構造について、２次元のネットワークモデルを示した図
　【図９】
　本発明による薄膜半導体装置を用いた画像読み取り装置の断面図
　【図１０】
　本発明による薄膜半導体装置を用いた画像読み取り装置の平面図
　【図１１】
　本発明による薄膜半導体装置を用いた画像読み取り装置の等価回路
　【符号の説明】
１，３１，６１　　ガラス基板
２，３２，６２　　ゲート電極
３，３３，６３　　ゲート絶縁膜
４，３４，６４　　光導電性半導体膜
５，３５，６５　　ｎ＋層（オーミックコンタクト層）
６，３６，６６　　ソース電極層（上部電極層）
７，３７，６７　　ドレイン電極層（上部電極層）
８　　　　　　　　感光性レジスト
１０　　　　　　　保護層
６９　　　　　　　原稿
７０　　　　　　　耐摩耗層
７１　　　　　　　光源
２０，２１０　　　マトリクス形成されたゲート配線部
２１　　　　　　　光センサ部
２２　　　　　　　電荷蓄積部
２３ａ　　　　　　転送用スイッチ
２３ｂ　　　　　　放電用スイッチ
２５，２３０　　　信号出力の引き出し線
２６　　　　　　　光入射窓
２４６　　　　　　ゲート駆動部
２４７　　　　　　信号処理部
２５０　　　　　　センサゲート駆動部
Ｓｉ，ｎ　　　　　光センサ
Ｃｉ，ｎ　　　　　蓄積コンデンサ
ＣＸｎ　　　　　　負荷コンデンサ
ＳＴｉ，ｎ　　　　転送用スイッチングトランジスタ
ＳＲｉ，ｎ　　　　リセット用スイッチングトランジスタ