【事件の表示】
　特許第３１１７４２７号「超小型電子回路基板の改良された洗浄方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１７４２７号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３１１７４２７号の請求項１ないし７に係る発明についての出願は、平成１０年１月２８日（パリ条約による優先権主張１９９７年２月１８日、米国）に出願され、平成１２年１０月６日にその特許の設定登録がされ、その後、稲川満智子により特許異議の申立てがなされ、取消し理由が通知され、その指定期間内である平成１４年４月３０日に訂正請求がなされた（後日取り下げ）後、再度取消し理由が通知され、その指定期間内である平成１４年７月１１日に訂正請求がなされたものである。
第２　訂正の適否
１　訂正請求の内容
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１ないし３を削除する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項４を、独立項として書き改め、新たな請求項１として、
「　【請求項１】
　メガソニック支援洗浄方法において、
　ガスを含む洗浄水を用意するステップと、
　前記洗浄水を真空脱気するステップと、
　前記脱気した洗浄水を再ガス化して、ガス飽和洗浄水を得るステップと、
　前記ガス飽和洗浄水と前記脱気した洗浄水と洗浄剤とを混合して、所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップと、
　前記洗浄溶液中で、被洗浄物を洗浄するステップと
を含む、方法。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　もとの請求項５ないし７を、項数を繰り上げ、訂正後の請求項１に係る従属項として、新たな請求項２ないし４とする。
（４）訂正事項ｄ
　明細書の段落【００３４】の第１行における「非現実的な実施例」を、「試験」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書の段落【００３５】の第１行における「【実施例】」を、削除する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書の段落【００３９】の第１行における「実施例」を、「試験」と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
（１）訂正事項ａについて
　この訂正は、明らかに特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（２）訂正事項ｂについて
　この訂正は、請求項１ないし３の削除に伴い、請求項３の従属形式で記載されていた請求項４を独立形式の記載とし、請求項を繰上げたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
（３）訂正事項ｃについて
　請求項２の従属項であった請求項５ないし７は、訂正後の請求項１の従属項として新たな請求項２ないし４とし、また、訂正後の請求項１は、もとの請求項４に相当する。しかし、訂正後の請求項１は、もとの請求項２における「所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップ」をさらに限定するものであるから、新たな請求項２ないし４についても、もとの請求項５ないし７において、同様の限定を加えたものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、訂正事項ａ、ｂ、ｃは、願書に添付された明細書の特許請求の範囲に係る発明にさらに新たな構成を限定するものではないから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
（４）訂正事項ｄ、ｅについて
　これらの訂正は、訂正事項ａ、ｂ、及びｃによる特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載をこれに整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。そして、これらの訂正事項は、特許明細書の段落【００３７】の【表１】中の「試験」と、段落【００３８】の第１行目の「試験１」との記載に基づくものであるから、特許明細書に記載された事項の範囲内のものであって、かつ、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
３　むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書並びに特許法第１２０条の４第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議の申立ての理由の概要
　特許異議申立人稲川満智子は、甲第１号証として特開平９−１０７１３号公報（以下、「刊行物１」という。）を、甲第２号証として特開平５−４１３６９号公報（以下、「刊行物２」という。）を、甲第３号証として特開平１０−７１３７５号公報、甲第４号証として特開平１０−６４８６７号公報を、甲第５号証として特開平１０−１０９０７２号公報を提出し、本件請求項１、２、６及び７に係る発明は、刊行物１をもとに特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し特許を受けることができないものであり、又は、本件請求項１、２、３及び４に係る発明は、刊行物１、２をもとに容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、
　また、本件請求項１、２、６及び７に係る発明は、本件特許の出願前に出願され、本件特許の出願後に公開された甲第３号証に係る出願の明細書又は図面に記載された発明と同一であり、又、本件請求項１、２、６及び７に係る発明は、本件特許の出願前に出願され、本件特許の出願後に公開された甲第４号証に係る出願の明細書又は図面に記載された発明と同一であり、又、本件請求項１、７に係る発明は、本件特許の出願前に出願され、本件特許の出願後に公開された甲第５号証に係る出願の明細書又は図面に記載された発明と同一であるから、本件請求項１、２、６、及び７に係る発明の特許は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、
　さらに、本件請求項１ないし５に係る発明は、特許法第３６条第４項又は第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから特許を取り消すべきものである旨主張している。
２　本件発明
　本件特許第３１１７４２７号の請求項１ないし４に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明４」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「　【請求項１】
　メガソニック支援洗浄方法において、
　ガスを含む洗浄水を用意するステップと、
　前記洗浄水を真空脱気するステップと、
　前記脱気した洗浄水を再ガス化して、ガス飽和洗浄水を得るステップと、
　前記ガス飽和洗浄水と前記脱気した洗浄水と洗浄剤とを混合して、所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップと、
　前記洗浄溶液中で、被洗浄物を洗浄するステップと
を含む、方法。　
　　【請求項２】
　前記洗浄溶液中のガス濃度は、飽和の６０％−９８％の範囲である、請求項１に記載の方法。
　　【請求項３】
　前記洗浄溶液は、過酸化水素、水酸化アンモニウム、塩酸、フッ化水素及び硫酸からなる群から選択される洗浄剤を含む、請求項１に記載の方法。
　　【請求項４】
　前記再ガス化するガスは、非反応性ガスである、請求項１に記載の方法。」
３　特許法第２９条第１、２項違反について
（１）各刊行物に記載された発明
ア．刊行物１：
ａ．「半導体基板、ガラス基板、電子部品およびこれらの製造装置部品等の被処理物を、水中に水素又は水素と微量の希ガスを含有する超純水で処理する方法であって、これに２０ｋＨｚ以上の超音波を照射しながら被処理物をウェット処理することを特徴とするウェット処理方法。」（請求項１）
ｂ．「超純水中に水素又は水素と希ガスを溶解する手段が、水素ガス又は水素と希ガスを系外からガス透過膜を介して注入して水素又は水素と希ガスを溶存せしめる手段によるものであることを特徴とする請求項（１），（３）〜（５）記載のウェット処理方法。」（請求項６）
ｃ．「前記溶存水素又は水素と希ガス水の原水が、希ガス以外の溶存ガスを少なくとも１０ｐｐｍ以下とするように脱ガスされた水であることを特徴とする請求項（１），（３）〜（８）記載のウェット処理方法。」（請求項９）
ｄ．「前記溶存水素又は水素と希ガス水の原水中の、希ガス以外の溶存ガスを脱ガスする方法が、ガス透過膜を介して真空脱ガスする方法であることを特徴とする請求項（１），（３）〜（９）記載のウェット処理方法。」（請求項１０）
ｅ．２０kHz以上の超音波にメガソニックと呼ばれる周波数の超音波が含まれること。（段落【０００４】、【０００９】及び【００１０】参照）
ｆ．「一方、水素ターミネート技術としては、例えば次の技術が知られている。丸１ＨＦ洗浄→温超純水洗浄　丸２ＨＦ洗浄→水洗→乾燥」（段落【０００５】の第１−４行）
ｇ．「【発明が解決しようとする課題】本発明は、薬品及び超純水の使用量が少なく、高温プロセスを経ることなく、・・・ウエット処理方法・・・を提供することを目的とする。」（段落【０００６】）
ｈ．「事前の脱ガスで水素ラジカル発生抑制作用のある酸素、窒素、炭酸ガスが除去され、更に適正な水素又は水素と希ガスの濃度制御により、超音波のガス性キャビテーションの発生を極小にするため超音波のエネルギーロス防止が可能である。」（段落【００１２】の第５−９行）
　以上のことから、刊行物１には次の発明が記載されていると認める。
　メガソニック支援洗浄方法において、ガスを含む洗浄水を用意するステップと、前記洗浄水を真空脱ガスするステップと、前記脱ガスした洗浄水に水素ガス又は水素ガスと希ガスを溶解せしめて、所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップと、前記洗浄溶液中で、被処理物を洗浄するステップとを含む、方法。
　イ．刊行物２：
ａ．「複数個の半導体ウエハを洗浄槽に収容する工程と、超純水を超純水供給ラインを通じてミキサーに供給すると共に、半導体ウエハ表面の洗浄作用または改質作用のある少なくとも１種以上のガス状物質を耐圧容器から上記ミキサーに供給して所定濃度の薬液を調製する工程と、上記薬液を上記洗浄槽に供給して上記半導体ウエハを洗浄処理する工程とを具備することを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。」（特許請求の範囲請求項１）
ｂ．「図１において、１１ａ、１１ｂおよび１１ｃはフッ化水素（沸点１９．５℃）、塩酸およびアンモニアをそれぞれ収容した耐圧容器、１２はマスフローコントローラ、１３は吸着式フィルタ又はガス精製器であって、１１ａ〜１３は洗浄装置１０内に納められている。１４は超純水の供給ラインであり、超純水供給ライン１４には、ミキサー１５が設けられる。ミキサー１５は、フッ化水素ガスを透過し超純水を透過させない、フッ素樹脂製の多数の中空糸によって構成されており、耐圧容器１１ａから供給され、予め定められた圧力に保持されたフッ化水素ガスは該中空糸を通過した超純水に溶解して所定の濃度のフッ化水素酸を生成し、ミキサー１５の洗浄槽側の供給ライン１４ａに流出する。フッ化水素酸の濃度は、超純水の流量とフッ化水素ガスの流量とによってのみ決まるから、濃度の制御性は極めて高く、」（段落【００１７】の第１−１５行）
ｃ．「図３は本発明の第２実施例を示す。即ち、１４ｂは超純水ライン１４とは別の超純水ラインであって、このライン１４ｂはライン１４の洗浄槽側ライン１４ａに結ばれてミキサー１５のガス溶解条件を変えることなく薬液の濃度変更を簡便にすることができる。また、半導体ウエハの洗浄後、簡単にリンスすることができる。」（段落【００２２】）
ｄ．「処理槽中に攪拌装置のような可動部材を設けることは望ましくない。」（段落【００１１】の第３−５行）
ｅ．「【発明の効果】本発明によれば、ミキサーを洗浄槽と別個に配置し、該ミキサーにより半導体ウエハ表面の洗浄作用または改質作用のあるガス状物質と超純水とを混合して薬液を生成し、該薬液を洗浄槽に供給しているので、ウエハ表面上への微粒子の付着および洗浄液からの不所望な不純物による汚染が防止されると共に、薬液の交換が容易になされ、薬液による洗浄−リンスが連続的に行われ、超ＬＳＩの製造に好適な洗浄方法及び洗浄装置が得られる。」（段落【００２９】）
（２）対比・判断
ア．本件発明１について
　本件発明１と刊行物１、２に記載された発明とを対比すると、
　刊行物１には、メガソニック支援洗浄方法において、ガスを含む洗浄水を用意するステップと、前記洗浄水を真空脱ガスするステップと、前記脱ガスした洗浄水に水素ガス又は水素ガスと希ガスを溶解せしめて、所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップと、前記洗浄溶液中で、被処理物を洗浄するステップとを含む方法が記載され、また、前記記載事項ｇ、ｈより洗浄溶液に洗浄剤を混合することが示唆されているものの、脱ガスした洗浄水に水素ガス又は水素ガスと希ガスを溶解せしめて、所定のガス濃度に調整するための具体的手段については記載されていない。
　また、刊行物２について、異議申立人は、上記記載事項ａ及びｃから半導体洗浄用の薬液を超純水から調整する場合に、超純水と所定濃度の薬液を混合して所定濃度の洗浄用の薬液を調整することは明かであり、また、この場合の混合されるべき薬液がガスの飽和溶液である場合を含むことは当然である旨主張している。
　しかしながら、刊行物２に記載されたものは、所定濃度の調整が容易な薬液に関するものであって、薬液を飽和濃度で使用するとの開示もないから、これが、所定のガス濃度の洗浄水を得る際に飽和洗浄水を使用することを示唆するものとはいえない。
　したがって、刊行物１、２に記載された発明は本件発明１と一部共通する事項が認められるものの、いずれも、本件発明１を、特定する事項である、「脱気した洗浄水を再ガス化して、ガス飽和洗浄水を得るステップと、前記ガス飽和洗浄水と前記脱気した洗浄水と洗浄剤とを混合して、所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップ」を備えておらず、当該事項により、本件発明１は、メガソニック支援洗浄用の洗浄溶液中のガス濃度を正しい範囲に容易に保つことができるという効果を奏するものであり、本件発明１が刊行物１に記載された発明であるとすることはできないばかりか、刊行物１ないし２に記載されたものから容易に発明することができたものとすることもできない。
イ．本件発明２ないし４について
　本件発明２ないし４は、本件発明１を更に限定したものであるから、前記本件発明１についての判断と同様の理由により、上記甲第１、及び２号証に記載された発明から容易に発明をすることができたものとすることはできない。
４　特許法第２９条の２違反について
（１）甲各号証に記載された発明について
ア．甲第３号証：
ａ．「脱気処理した純水に窒素を溶解させて洗浄液を調製し、この洗浄液に超音波振動を付与して被洗浄物を洗浄することを特徴とする洗浄方法。」（請求項５、及び段落【０００８】）
ｂ．「脱気処理した純水に水素を溶解させて洗浄液を調製し、この洗浄液に超音波振動を付与して被洗浄物を洗浄する方法であって、前記水素は、水の電解によって生成されたものであることを特徴とする洗浄方法。」（請求項８、及び段落【０００９】）
ｃ．「前記洗浄液は、前記水素の溶解前後にさらにアルカリ剤が添加されてｐＨ調整されることを特徴とする請求項８記載の洗浄方法。」（請求項９）
ｄ． 前記アルカリ剤は、アンモニウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドおよびコリンから選ばれる少なくとも１つであること。（請求項１０、及び段落【００３２】参照）
ｅ．「前記洗浄液に付与する超音波は、２０ｋＨｚ以上であることが好ましい。」（段落【００１７】の第１−２行）
ｆ．実施例では１ＭＨｚ、１．５ＭＨｚ又は１．６ＭＨｚの所謂メガソニックと呼ばれる周波数範囲の超音波が洗浄液に付与されたものであること。（段落【００４１】、段落【００４３】、段落【００４５】、段落【００４６】、段落【００４８】、段落【００５０】、段落【００５２】、段落【００５５】、段落【００５８】参照）
イ．甲第４号証：
ａ．「電子部品部材類を、超純水に水素ガスを溶解してなり、負の酸化還元電位を有する洗浄液により洗浄することを特徴とする電子部品部材類の洗浄方法。」（請求項１）
ｂ．「洗浄液は、溶存ガス濃度が１０ｐｐｍ未満となるように脱ガスされた超純水を用いるものである請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品部材類の洗浄方法。」（請求項４）
ｃ．「超音波を照射しながら洗浄することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品部材類の洗浄方法。」（請求項５）
ｄ．「洗浄液のｐＨを調整するためのｐＨ調整手段を有することを特徴とする請求項８に記載の電子部品部材類の洗浄装置。」（請求項９）
ｅ．ｐＨを調整するためには、アンモニア水やアンモニアガス等が用いられること。（段落【００２２】参照）
ｆ．超音波としては３０ｋＨｚ以上の周波数のものが好ましいこと。（段落【００２５】参照）
ｇ．メガソニック範囲の周波数９５０ｋＨｚのものが使用されること。（段落【００２９】参照）
ウ．甲第５号証：
ａ．「被洗浄物に対して洗浄を施す洗浄液が収容された洗浄槽と、前記洗浄液に高周波音波を付与する高周波音波付与手段とを具備した高周波洗浄装置において、溶存ガス濃度が制御された洗浄液を生成する洗浄液生成手段を前記洗浄槽に連結することを特徴とする高周波洗浄装置。」（請求項１）
ｂ．「前記洗浄液生成手段は、窒素、アルゴン、ヘリウムおよびネオンから選ばれる少なくとも１種のガスを脱気した純水に溶存させる機能を有することを特徴とする請求項１記載の高周波洗浄装置。」（請求項２）
ｃ．「【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ガラス基板、半導体ウエハや磁気ディスク等の被洗浄物を高周波洗浄するための装置に関する。」（段落【０００１】）
ｄ．洗浄液３に例えば０．７〜５ＭＨｚの高周波音波を放射すること。（段落【００１４参照）
（２）本件発明１と甲第３号証ないし甲第５号証に係る先願明細書に記載された発明とを対比すると、いづれの先願明細書にも本件発明１を特定する事項である「脱気した洗浄水を再ガス化して、ガス飽和洗浄水を得るステップと、前記ガス飽和洗浄水と前記脱気した洗浄水と洗浄剤とを混合して、所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップ」を備えてなく、本件発明１と前記各先願明細書に記載された発明とを同一とすることはできない。
（３）本件発明２、６、７は、いずれも本件発明１と同様、上記本件発明を特定する事項を必須の構成とするものであるから、甲第３号証ないし甲第５号証に係る先願明細書に記載された発明とを同一とすることはできない。
５　特許法第３６条違反について
　異議申立人の主張は、
（１）本件発明は、請求項１および２の記載から、洗浄溶液を真空脱気するステップと、この脱気した洗浄溶液を再ガス化するステップの、二つのステップを必須構成要件するものであるが、段落【００３５】の実施例の記載において、再ガス化するステップについての記載はない。
（２）本件特許明細書の特許請求の範囲請求項１及び２には、「洗浄溶液を再ガス化し（または再ガス化する）」なる文言があり、これを文言通りに解する場合には、洗浄溶液はガス化されるものであり、これによって「洗浄溶液を得る」ことは不可能であることから、本件発明は実施不能の発明ということになること、また請求項３および４の「再ガス化した洗浄溶液」なる文言も同様に意味不明である。
（３）本件特許の請求項１および２には、洗浄溶液に含ませるガスの量について、単に「所定のガス濃度」という表現を用いるのみで、この所定のガス濃度の具体的な値や濃度範囲を明確にしていない。
（４）本件特許の請求項５には、「洗浄溶液中のガス濃度は飽和の60〜98％の範囲である」と述べられているが、この濃度範囲が臨界的な意味を持つことについては明細書中に実施例の記載を含めて一切されていない。
というものである。
　しかしながら、（１）については、平成１４年７月１１付けの訂正事項ｃにおいて、「実施例」を「試験」と訂正して、段落【００３５】〜段落【００３８】の記載が本件発明の洗浄のメカニズムを説明する「試験」であることを明りょうにすることにより、記載不備は解消された。
　また、（２）については、本件特許明細書の段落【００２２】の「図は、本発明によるウエハ洗浄溶液の制御されたガス化技術を適用できるメガソニックウエハ洗浄システムのブロック図である。脱イオン水源１０１はウエハ洗浄溶液用の水供給源を示す。水供給源は脱気していない。水源１０１から引かれた水は真空脱気装置１０２に導かれる。真空脱気装置は、膜装置あるいはタワー真空チャンバのいずれでもよく、どちらも流入水源中に溶解しているガスを除去するように設計されている。脱気した水は次いでガス化装置１０３に導かれる。ガス化装置１０３は通常は、膜装置であり、その中で所望の溶解ガス（例えば窒素）が水中に再投入され溶解ガスが飽和に近くなる。流量制御装置１０４および１０５または一方制御混合弁１０６など他の調合計量弁を用いて、脱気水流とガス飽和水流がメガソニック出力装置を備えるウエハ洗浄容器１０７に供給される水の所望の溶解ガス・レベルに相当する比率で再混合される。例えば、真空脱気水のガス含有量が飽和の５％で、ガス化装置１０３から出てきた再ガス化水のガス濃度が飽和の９５％である場合、脱気水と再ガス化水を２０％／８０％の混合比で混合して得られる混合物は、飽和の７７％のガス含有量を有する混合水流を生じるはずである。流量制御装置１０４が開いているときは、流れのラインの分岐１０８が脱気水にガス化装置１０３をバイパスさせる。」の記載、図１の記載、及び段落【００１７】の「ガス濃度は、全プラント・レベルでもまた好ましくは使用地点でも制御することができる。後者の場合、２つの水供給入力が提供され、１つは真空脱気水であり、他の１つは元のガス化水供給源または再ガス化水から導かれたガス飽和水である。ウエハ洗浄に使用される所望のガス濃度のプロセス水は、脱気された供給源とガス化された供給源の２つの供給源からの水を適当な割合で混合することによって得られる。」の記載から、「（洗浄水を）再ガス化」することは、脱気した洗浄水に所望の溶解ガスが再投入されることであって、洗浄水がガス状になることでないことは明かであり、前記の請求項１、２（訂正後の請求項１）の記載が不明確であるとすることはできない。さらに（３）、（４）については、特許請求の範囲の請求項１、２（訂正後の請求項１）の「所定のガス濃度」、及び請求項５（訂正後の請求項２）の「洗浄溶液中のガス濃度は、飽和の６０％−９８％の範囲である」の記載は、その具体的な数値や濃度範囲の臨海的意義がなければ、本件発明１ないし２が成り立たないというものでなく、単に本願本件発明１ないし２を実施するにあたってのより適当な範囲を示す補足的な事項にすぎないものであって、必ずしも具体的な数値や濃度範囲の臨界的意義を必要とするものでもない。
　したがって、特許異議申立人の上記主張はいずれも採用することができない。
　なお、特許異議申立ての理由以外の取消理由であって、当審が通知した第２回目の取消理由は、本件請求項１に係る発明が、脱気した洗浄水と再ガス化した洗浄水とを混合することにより、なぜ所定のガス濃度の洗浄溶液を容易に得ることができるのか不明瞭であるというものであるが、この点については、平成１４年７月１日付け訂正請求により、特許請求の範囲が訂正されたので記載不備は解消された。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件の請求項１ないし４に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１ないし４係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月２４日（２００２．７．２４）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第３１１７４２７号発明の明細書（以下「特許明細書」という。）を、訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、次の各訂正事項ａ〜ｆのとおり訂正する。
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１ないし３を、特許請求の範囲の減縮を目的として、削除する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項４を、明りょうでない記載の釈明を目的として、独立項として書き改め、新たな請求項１として、
「　【請求項１】
　メガソニック支援洗浄方法において、
　ガスを含む洗浄水を用意するステップと、
　前記洗浄水を真空脱気するステップと、
　前記脱気した洗浄水を再ガス化して、ガス飽和洗浄水を得るステップと、
　前記ガス飽和洗浄水と前記脱気した洗浄水と洗浄剤とを混合して、所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップと、
　前記洗浄溶液中で、被洗浄物を洗浄するステップと
を含む、方法。」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　もとの請求項５ないし７を、特許請求の範囲の減縮を目的として、訂正後の請求項１に係る従属項として、新たな請求項２ないし４とする。
（４）訂正事項ｄ
　明細書の段落【００３４】の第１行における「非現実的な実施例」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「試験」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明細書の段落【００３５】の第１行における「【実施例】」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、削除する。
（６）訂正事項ｆ
　明細書の段落【００３９】の第１行における「実施例」を、明りょうでない記載の釈明を目的として、「試験」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
超小型電子回路基板の改良された洗浄方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　メガソニック支援洗浄方法において、
　ガスを含む洗浄水を用意するステップと、
　前記洗浄水を真空脱気するステップと、
　前記脱気した洗浄水を再ガス化して、ガス飽和洗浄水を得るステップと、
　前記ガス飽和洗浄水と前記脱気した洗浄水と洗浄剤とを混合して、所定のガス濃度を有する洗浄溶液を得るステップと、
　前記洗浄溶液中で、被洗浄物を洗浄するステップと
を含む、方法。
　【請求項２】
　前記洗浄溶液中のガス濃度は、飽和の６０％−９８％の範囲である、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
　前記洗浄溶液は、過酸化水素、水酸化アンモニウム、塩酸、フッ化水素及び硫酸からなる群から選択される洗浄剤を含む、請求項１に記載の方法。
　【請求項４】
　前記再ガス化するガスは、非反応性ガスである、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は一般に半導体ウエハおよび超小型電子回路基板の音波洗浄に関し、より詳細にはメガソニック洗浄の応用分野におけるウエハ洗浄液の制御されたガス化に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体ウエハ表面からの粒子や他の汚染物質の除去は、集積回路（ＩＣ）チップ製造における多くの加エスチップの後で不可欠である。通常の洗浄装置では、加工ステップの後で、ホルダによって複数のウエハを槽内に装入し、その槽内に有効な量の脱イオン水と反応性洗浄液を供給してウエハ表面を浸し洗浄することによって半導体ウエハを洗浄する。反応性洗浄液は液体または気体の形で洗浄組成物に導入することができる。洗浄後、ウエハは高速スピニングまたは表面水をイソプロピルアルコ−ルで置換するなどの方法によって乾燥し、次の加工工程まで清浄な環境中で貯蔵する。
　【０００３】
　洗浄工程を推進するための各種の技術が周知である。それには、例えば不活性ガス（例えば窒素）を洗浄槽液中に気泡として注入することにより洗浄漕溶液を急速攪拌する、洗浄槽中で磁気攪拌器を用いる、加工液中のウエハに音波エネルギーを当てる、およびこれらの技術の組み合わせが含まれる。
　【０００４】
　そのような湿式洗浄プロセスにおいてウエハ表面から粒子を除去する能力は、プロセス温度、ウエハの前処理と疎水性、洗浄溶液の化学組成、音波エネルギー使用する場合の出力強度などの攪拌パラメータのような多くのファクタに依存することが知られている。
　【０００５】
　一般的なウエハの湿式洗浄プロセスはいわゆる「ＲＣＡ洗浄法」である。通常のＲＣＡ洗浄法は、水、濃過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）および濃水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）の体積比５：１：１の第１洗浄液（ＳＣ−１）と、水、濃過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）および濃塩酸（ＨＣｌ）の体積比５：１：１の第２洗浄液（ＳＣ−２）を使用する。ＲＣＡ洗浄工程は、ＳＣ−１洗浄、それに続いて水洗、ＳＣ洗浄、水洗、最終水洗（通常別のタンクで）および乾燥の各ステップを含む。ＲＣＡ洗浄は、メガソニック・トランスデューサが広く使用される以前に導入され、洗浄に高濃度の化学薬品を利用していた。その後、ＳＣ−１洗浄時メガソニックを加えることによって、粒子の除去が、より低い化学薬品濃度、およびやはり腐蝕されるシリコンの名目量を減らすことになるより低い温度でも実施できることが判明した。したがって、より安価でより優れた性能の洗浄法である。さらに過酸化水素などある種の化学薬品は脱イオン水よりも本来的に汚染されやすい傾向があり、これが、業界をしてウエハ洗浄浴内の化学濃度を薄くすることに目を向けさせる動機になった。アンモニアなどの反応性気体を洗浄溶液中に直接注入し、薄いＳＣ−１洗浄溶液を調製することが、希薄な超洗浄浴を作る方法として提案された。しかし、反応性ガスの注入はシリコン工業、特に濃い化学薬品浴の作成においては一般的に行われていない。
　【０００６】
　洗浄溶液の主成分である水は洗浄剤の媒質として働く。過酸化水素は、フォトレジストの不完全な除去と空気中の物質および物理的取り扱いのためにウエハ表面に残存する有機汚染物質をすべて酸化する働きをする。アンモニアはカドミウム、コバルト、銅、水銀、ニッケル、銀などの重金属をこれらの金属とアミノ錯体を形成することによって除去するのに有効である。ＨＣｌはアンモニア、マグネシウム、鉄、アルカリ金属のイオンを除去し、溶液からの置換再めっきを防止するのに有効である。
　【０００７】
　ＲＣＡ洗浄はまた、通常音波エネルギーと不活性（非反応性）気泡注入技術を使用する急速攪拌の条件下で行われる。例えば、超音波トランスデューサを洗浄槽の硬壁の外側に取り付け、音波エネルギーを壁とＲＣＡ洗浄溶液を通してウエハに送る。音波エネルギーには様々な作用があるが、とりわけ洗浄溶液中での気泡形成を促進する。一方、窒素ガスは、ＲＣＡ洗浄プロセスで見られる条件下で不活性（非反応性）ガスとして外部の供給源から供給され、洗浄槽内に含まれるエッチャントを通してバブルされ、別の形の攪拌を行う。本願では、「不活性」ガスとは、洗浄条件下で洗浄されるウエハ材料と反応しないガスを意味する。同じガスが、特定の材料と洗浄条件に応じて反応性とも不活性とも分類されることがある。
　【０００８】
　本発明以前は、ウエハの湿式洗浄プロセスに対するガスの効果は僅かしか理解されていなかった。
　【０００９】
　通常、ＲＣＡプロセス洗浄浴中に溶解するガスは数種類ある。例えばＳＣ−１浴は、分解した過酸化水素からの酸素または脱イオン（ＤＩ）水中の他のガスを溶解する。希釈ＳＣ−１浴中では、脱イオン水のガス含有量が浴中の全ガス濃度の大きな部分を占める。溶液中に溶解しているそれぞれのガスの量を合計すると、溶液中に溶解しているそれぞれのガスの量によって決まるガスの全飽和度となる。例えば、水が空気と平衡であり、空気が７９％の窒素と２１％の酸素だけから構成されている場合、水中の全ガス飽和度は１００％で、酸素飽和度は２１％，　窒素は７９％である。酸素は水中で窒素の約２倍も溶解するので、溶解窒素のモル濃度が酸素の僅か約２倍にしかならない。温度と圧力も溶液中に溶解し得るガスの量に影響する。高温または低圧になると、溶解し得るガスの量が減り、したがって、ガスが飽和した水を加熱すると溶解しているガスの一部が気泡となって逐い出される。
　【００１０】
　２つの実験上の観察で、ウエハ洗浄溶液中のガスをあまり多くすることによって危険が生じる可能性が指摘されている。まず第一に、熱い脱イオン水（温度による飽和のため）中で形成される気泡は、シリコン表面に欠陥を引き起こす傾向がある。第二に、脱イオン水中に酸素が存在すると、末端水素をもつシリコン表面の表面腐蝕とそれに続く粗面化が生じることが観察された。つまり酸素ガスは洗浄される酸化物ウエハ表面に対しては不活性であるが、末端水素をもつシリコン表面に対しては反応性であることが観察された。いずれにせよ、この２つの問題から、いくつかのウエハ加工工程で、プラント全体（即ち脱イオン水が貯蔵され、扱われ、最終的にウエハ洗浄に使用されるすべての場所）で、または使用場所（即ち、洗浄槽自体中）で脱イオン水に脱気装置を使用することになった。
　【００１１】
　しかし、脱イオン水を「脱気」するために使用される方法は選択性がなく、水を脱酸素化するだけでなく、窒素ガス含量を枯渇させる傾向もあるという反対の問題が生じている。このような形で見られる窒素ガスの枯渇は重要である。全ガス含有量が完全飽和の小部分を構成するに過ぎないこの場合、液体は「真空脱気」されていると考えられる。
　【００１２】
　しかし、この問題は、過酸化水素とアンモニアの洗浄液濃度が比較的高い上記のＲＣＡ洗浄プロセス組成物を使用したとき偶然に回避された。すなわち、過酸化水素が分解して酸素を発生し、またＳＣ−１の場合、水酸化アンモニウム（アンモニアの水溶液）が揮発性でアンモニア・ガス（ＮＨ３）を放出するために、かなりの量のガスが本来的に利用できる。洗浄液の濃度が比較的高くて洗浄中にガスを発生するために、脱気水の使用に伴う上記の欠点は、洗浄組成物の他のガス発生成分からのガスが利用できることによって大きく覆い隠された。
　【００１３】
　しかし、最近従来の５：１：１のＨ２Ｏ／Ｈ２Ｏ２／ＮＨ４ＯＨ「ＲＣＡ」洗浄よりもはるかに薄い洗浄組成物の使用に関心が増している。「希薄化学」法は化学的要件と消費量を大幅に削減するという利点をもたらすと同時に、ウエハに対する攻撃性が少ない。しかし、「希薄化学」洗浄は、わずかな欠陥しか除去されず、場合によっては欠陥が増加するために失敗する可能性がある。本発明以前には、希薄ウエハ洗浄化学法に伴うこのような失敗の原因は解決されていなかった。ガス含有量の管理によるプロセスの最適化についての従来の試みは、プロセス液中に溶解しているガスの量および種類の制御に成功していなかった。実際、本発明以前には、酸素含有量の制御だけしか研究されていなかった。
　【００１４】
　【発明が解決しようとする課題】
　従って本発明の目的は、より低い音波出力レベル、より低い温度、およびはるかに低い化学薬品濃度で超小型電子回路デバイスの効率的洗浄方法を提供することである。
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明によれば、所与のプロセス温度において洗浄溶液がガスで部分的にのみ飽和されるようにして洗浄溶液中のガス濃度レベルを確立することによって、超小型電子回路デバイスのメガソニック支援洗浄の有効性を制御する方法を提供される。好ましい実施形態では、洗浄溶液のガス濃度レベルは全体として、洗浄溶液の水成分のガス含有量を管理することによって制御される。
　【００１６】
　１つの実施形態では、プロセス温度において溶液がガスで部分的に飽和されるようにして洗浄溶液中のガス濃度レベルを提供するステップを含む、超小型電子回路デバイスのメガソニック支援洗浄の有効性を制御する方法が提供される。部分飽和は飽和の約６０％から約９０％の範囲であることが好ましい。本願では、ガス濃度レベル（即ち、飽和度）は、溶液中に溶解している各種類のガスの、溶液上方の周囲大気が純粋にそのガスである場合の平衡（すなわち飽和ガス）濃度に対する相対濃度の和である。問題のガスは相互作用せず、したがって「飽和」の物理的性質に対するその作用は相加的であると仮定する。この仮定は、理想気体の法則に基づくもので、洗浄ウエハで見られる通常の加工温度および圧力によく当てはまる。
　【００１７】
　ガス濃度は、全プラント・レベルでもまた好ましくは使用地点でも制御することができる。後者の場合、２つの水供給入力が提供され、１つは真空脱気水であり、他の１つは元のガス化水供給源または再ガス化水から導かれたガス飽和水である。ウエハ洗浄に使用される所望のガス濃度のプロセス水は、脱気された供給源とガス化された供給源の２つの供給源からの水を適当な割合で混合することによって得られる。
　【００１８】
　本発明は、洗浄効率を高めるために、洗浄溶液中で使用される脱イオン水などの洗浄液中のガス濃度制御とともに、非反応性ガスを使用する。
　【００１９】
　本発明は、より低いレベルのメガソニック出力、温度および化学薬品濃度で効率的なウエハ洗浄を達成することを可能にし、それによってウエハの損傷の可能性を最小限に抑えながら、プロセスを経済的により有利にする。
　【００２０】
　【発明の実施の形態】
　本発明は、非反応性ガスを使用してウエハ洗浄溶液の制御されたガス化を提供することに基づく。本発明者らは、半導体ウエハ上で行われるメガソニック湿式洗浄操作における失敗の原因が洗浄溶液を作る際に真空脱気水を使用することに関連することを発見した。さらに、本発明者らは洗浄組成物の水成分中に溶解しているガスが過剰である場合のみならず、過小の場合も有害であることを発見した。「希薄化学」法の場合、水の真空脱気は、洗浄反応中にガスを放出するいずれかの洗浄液成分から利用できるガスの量が非常に低いために失敗に終わると本発明者らは考える。重要な派生的結果として、異なるガスは異なる溶解度をもち、それは異なる温度依存性を持つというだけでも、水に含まれているガスの特定が重要になる。加えて、溶解ガスの選択は洗浄に他の形でも影響を及ぼす可能性がある。
　【００２１】
　高いウエハ洗浄効果を得るため、全ガス濃度をプロセス温度における洗浄溶液の飽和レベルに近くあるいはさらに低く保ち、かつ洗浄溶液中で比較的高い溶解度を有する非反応性ガスを使用することによって達成できることが判明した。洗浄溶液中で達成されるガスの部分飽和レベルは、所与の温度と圧力の条件下で完全（１００％）飽和の約６０％から９８％の範囲にあることが好ましい。この方法の主な利点は、より低いメガソニック出力レベル、低い温度、およびより低い化学薬品濃度で効率的な洗浄を達成でき、したがってプロセスをより経済的にしながら、ウエハの損傷を最小限に抑えることにある。
　【００２２】
　図は、本発明によるウエハ洗浄溶液の制御されたガス化技術を適用できるメガソニックウエハ洗浄システムのブロック図である。脱イオン水源１０１はウエハ洗浄溶液用の水供給源を示す。水供給源は脱気していない。水源１０１から引かれた水は真空脱気装置１０２に導かれる。真空脱気装置は、膜装置あるいはタワー真空チャンバのいずれでもよく、どちらも流入水源中に溶解しているガスを除去するように設計されている。脱気した水は次いでガス化装置１０３に導かれる。ガス化装置１０３は通常は、膜装置であり、その中で所望の溶解ガス（例えば窒素）が水中に再投入され溶解ガスが飽和に近くなる。流量制御装置１０４および１０５または一方制御混合弁１０６など他の調合計量弁を用いて、脱気水流とガス飽和水流がメガソニック出力装置を備えるウエハ洗浄容器１０７に供給される水の所望の溶解ガス・レベルに相当する比率で再混合される。例えば、真空脱気水のガス含有量が飽和の５％で、ガス化装置１０３から出てきた再ガス化水のガス濃度が飽和の９５％である場合、脱気水と再ガス化水を２０％／８０％の混合比で混合して得られる混合物は、飽和の７７％のガス含有量を有する混合水流を生じるはずである。流量制御装置１０４が開いているときは、流れのラインの分岐１０８が脱気水にガス化装置１０３をバイパスさせる。
　【００２３】
　メガソニック出力と「希薄化学」法を用いる試験ウエハからの粒子の除去の効果は、全ガス含有量および供給される脱イオン水中の相対ガス飽和度に強く依存することが判明した。使用の時点で脱イオン水が真空脱気されるとき、粒子除去効率（標準化された試験ウエハからの）は通常の９７％から約５０％に低下することが判明した。脱気システムの効率は、温度、プロセス時間あるいはメガソニック出力レベルを上げても、正常値に回復しなかった。唯一の有効な矯正手順は、脱気装置を無効にすることであった。明らかに十分な溶解ガス濃度が、効率的なメガソニック支援洗浄に不可欠である。
　【００２４】
　シリコン業界で洗浄システムの効率を判断するために用いられる一般的試験基準は、事前に故意に窒化シリコン粒子で汚染させたウエハを洗浄することである。通常の手順はＴＥＮＣＯＲ６２００など市販の計器を用いて洗浄の前後の粒子数を数えることである。洗浄の良好度は、除去された粒子数を最初に試験ウエハ上に置いた全粒子数で割った比として定義される除去効率（ＲＥ％）によって定量化できる。ＳＣ−１洗浄浴でシリコン・ウエハから粒子（即ち、欠陥）を除去する能力は、温度、化学薬品濃度、ウエハの浸浸時間などのプロセス・パラメータに依存する。通常、浴の攻撃性が強いほど（高温でまたはｐＨを付与する化学組成を用いて、あるいはその両方による）、ＲＥ％は高くなるが、通常はそのウエハの粗面度が増大する。洗浄効率はまた、洗浄装置の設計にも本来的に依存し、その際に浴に配給可能なメガソニック出力が非常に重要である。
　【００２５】
　本発明において、一般にガス濃度の制御とともに、他の非反応性ガスを使用すると、洗浄効率が高まることが判明した。「非反応性ガス」とは典型的な洗浄条件下で洗浄される材料と反応しないガスを意味する。したがって、同じ気体材料が、その使用状況に応じて、反応性にも非反応性にも分類されることがある。例えば、酸素は末端水素をもつシリコン表面と接触するときは反応性ガスであるが、大抵の酸化物表面と接触するときは非反応性として分類される。
　【００２６】
　有用な非反応性ガスには、窒素、アルゴン、クリプトンおよびキセノン、二酸化炭素および窒素酸化物（弱酸性ｐＨおよび若干の酸化活性は問題でない）、低分子量炭化水素（例えばＣＨ４，Ｃ２Ｈ６）、低分子量完全フッ素化炭化水素（例えばＣＦ４）、低分子量エーテル（例えばＣＨ３ＯＣＨ３）、および低分子量フッ素化エーテル類が含まれる。
　【００２７】
　本発明の実施において見られる音波処理された溶液中に溶解した各種のガスの洗浄効率は、いくつかのファクタに依存する。
（ｉ）各音波サイクルでの気泡の発生と成長
（ｉｉ）生成した気泡の数と大きさ
（ｉｉｉ）液／気遷移表面における表面張力の低下またはｐＨ変化あるいはその両方の顕著な局所効果の可能性
　【００２８】
　気泡の形成（キャビテーションおよび整流拡散として知られているプロセスによる）は、液体中で音波によって誘導される周期的圧力変化によって支配される。局所圧力が水圧以下に低下すると、ガスの溶解性はそれとともに低下する。核形成部位、例えば小さい粒子が存在する場合、気泡の形成によって局所的過飽和は軽減される。この気泡は、音波サイクルの後出の間に液体によって（部または全部）再吸収される可能性がある。したがって、気泡形成の可能性はメガソニック装置によって生じる圧力変動の振幅に、したがってメガソニック出力に依存する。より重要なことであるが、気泡の形成はまた、いわゆるキャビテーションおよび整流拡散の閾値を決める液体の諸特性にも依存する。この点に関して重要な液体の特性には以下のものが含まれる。
（ｉ）溶解ガスの相対飽和度（飽和よりも非常に低い場合、気泡の形成は困難で、形成された気泡はより激しく破裂し損傷を生じ易い）
（ｉｉ）ガスの絶対溶解度（溶解度が低いと、飽和に近くても利用できるガス容積が小さいため、少しの気泡が発生しない。気泡サイズは、比較的大きな粒子を追い出す際に重要となり得るが、溶解ガスが溶けやすいときにも、多分より大きくなる。）
（ｉｉｉ）温度（高温ほど気泡が形成しやすい。）
（ｉｖ）表面張力（表面張力が高いほど気泡が形成しやすい）
（ｖ）固体汚染物質（溶液がきれいなほど気泡は形成しにくい。ウエハ洗浄に用いられる溶液は通常はマイクロフィルタで濾過されていることに留意されたい）
　【００２９】
　ガスの飽和度と溶解度が不十分であっても、メガソニック出力をより多く使用することで、ある程度は補償できる。しかし、超音波洗浄の実験によれば、一定の出力限界を越えると、ウエハ表面の損傷が発生し始める。このような訳で、本発明者らの理論付けによれば、溶解ガスの組成は、音ルミネッセンス（ウエハ表面を損傷すると考えられるのと同じ空洞崩壊機構によって発生する）の形で放出されるエネルギーの量に関係し、したがって所与のシステムに対するメガソニック出力の許容限界に影響を与える可能性がある。
　【００３０】
　高溶解性ガスを使用する際のもう一つ考慮点は、気泡の界面での媒体の物理的特性の局所変動である。例えば、アンモニアやジメチルエーテルなどの溶質は、気泡が再吸収されるとき局所的に大きな表面張力の低下を引き起こす。これが粒子を追い出すのを助けると考えられる。同様の効果は、アンモニアまたはジメチルエーテルよりも溶解し難いが酸素や窒素よりもはるかに溶解しやすいＣＯ２やＮ２Ｏなどのガスでも重要である。また洗浄溶液のｐＨは塩基性（アンモニア、メチルアミン等）および酸性（ＣＯ２等）のガスを使用して調整することができる。経済的および環境上の理由によって、上述のガスのうち大部分のものは周囲大気との接触を最小限に抑え、大部分のガスの再循環を可能にする密閉系または準密閉系にで使用するのが最適であるが、ＣＯ２や稀ガス（例えばアルゴン）は望むならば再循環せずに使用することもできる。
　【００３１】
　ガス化は大量供給システムでまたは使用地点で実施できる。後者の場合、共通の供給源からの精製水を用いて、異なるガスを、あるいは同じガスを異なる濃度で、異なるプロセスまたはプロセス・スデップに使用できるという利点がある。水または洗浄溶液に溶解しているガスの量は、損傷の発生を最小限に抑えながらメガソニック洗浄を最適にするように制御しなければならない。特に、ガス濃度は、プロセス温度（あるいはそれ以下）で溶液が飽和されないような値にすべきである。
　【００３２】
　大部分の非反応性ガスについて、簡単なオンライン溶解度監視装置はないので、ガス濃度を正しい範囲に保つ容易な一方法は、２つの供給源からの水を混合することである。一方の水供給ラインは真空脱気水を供給し、他方はガスで飽和した水を供給する。２つの供給水は使用地点で混合される。水を脱気するのに必要な装置は水にガスを飽和させるのに必要な装置よりも複雑なので、中央供給水を真空脱気し、使用地点で一定量の脱気水をガス飽和させるのが好ましい手順である。こうすると２つの供給水を使用地点で任意の割合で混合でき、２つの値の間のどんなガス濃度にすることもできる。
　【００３３】
　所望の量の溶解ガスを含む水を得るためのもう一つの方法は、部分脱気または真空脱気に続いて制御された再ガス化を行うことである。これはガス濃度の連続監視が容易なとき、例えばＣＯ２や酸素のなどのガスの場合に選択できる方法である。
　【００３４】
　本発明は次の試験を参照すればよりよく理解できる。
　【００３５】
　洗浄浴が周囲環境にほとんど曝されないＣＦＭ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ製の「密閉」槽ウエハ洗浄装置中で実験を案施した。濃過酸化水素、濃水酸化アンモニウムおよび脱イオン水を下表１に示した割合で混合してＳＣ−１洗浄浴を用意した。混合前に脱イオン水をまずＷ．Ｌ．Ｇｏｒｅ＆Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ，Ｉｎｃ．製の脱気装置に通した。この脱気装置は基本的にガス透過性膜であり、脱イオン水を真空あるいは約１気圧の窒素雰囲気から分離した。真空にした場合、脱イオン水中の溶解ガスの量は飽和の約５０％と推定され、その代わりに脱気装置に窒素雰囲気を与えたときに飽和値は１００％であった。
　【００３６】
　ＳＣ−１洗浄に続いて脱イオン水による洗浄および乾燥ステップを実施した。これらの研究のために行ったすべての実験で、ＳＣ−１浴へのウエハの浸浸時間は一定に保った。ＳＣ−１プロセス・パラメータと脱気装置からの推定飽和度を試験ウエハからの窒化シリコン粒子のＲＥ％と並べて表示した。表示したＲＥ％値の範囲は、この試験で行った何回かの実験で観察された範囲を示す。
　【００３７】
　【表１】
　【００３８】
　試験１のＲＥ％を試験２のそれと比較することによって、メガソニック洗浄に十分な溶解ガスがないとき、欠陥を除去する能力が著しく妨げられることが判る。試験３と４はさらに、より高い洗浄温度を使用してより攻撃性の強い化学薬品による洗浄を実施したものであるが、この結果を実証している。これに対して。実験２のように十分な溶解ガスがある、より「攻撃性の低い」化学洗浄は「より攻撃的な」化学洗浄を用いた試験３よりも成績が悪かった。試験５と６は、洗浄溶液の温度を著しく下げ、化学薬品濃度を大幅に希釈しても、溶解ガスのレベルがメガソニック洗浄に十分ならば洗浄効率は許容レベルに保ち得ることを示す。
　【００３９】
　本発明の上記の試験は、溶液の主要な成分である脱イオン水の処理に焦点を置いた薄い洗浄水溶液に焦点を合わせたものであるが、例えばＨＦ−グリセロール、硫酸―過酸化物混合物など、水が主成分でないときでも同様の考察が適用できることを理解されたい。
　【００４０】
　これまでの議論は主にシリコン・ウエハの洗浄を対象とするものであったが、本発明の有用性はこの特定の応用例に限定されるものではない。精密な部品、例えば電荷結合デバイス、液晶デスプレイ、光学系および光学電子系の洗浄が必要な多くの他の製造分野では、粒子除去と洗浄化学に同様の関心がある。
　【００４１】
　まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
　【００４２】
（１）ガスを含む洗浄溶液を提供するステップと、
　プロセス温度で前記洗浄溶液中で基板を洗浄するステップとを含み、前記洗浄溶液が前記ガスで部分的に飽和されていることを特徴とする、超小型電子回路デバイスのメガソニック支援洗浄の有効性を制御する方法。
（２）前記部分飽和が飽和の６０％−９８％の範囲であることを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（３）前記洗浄溶液が水を含み、前記洗浄溶液中のガス濃度がウエハ洗浄に先立って前記水中のガス濃度を変えることによって制御されることを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（４）前記ガス濃度の制御が、
　水供給源から得られた水を真空脱気するステップと、
　前記部分飽和に影響を与えるようにウエハ洗浄に先立って適量のガスを前記真空脱気水に加えるステップとを含むことを特徴とする、上記（３）に記載の方法。
（５）前記ガス濃度制御が、ウエハ洗浄に先立って、第１および第２の水供給入力を提供するステップを含み、前記第１供給入力が真空脱気水の供給源となり、前記第２の水供給入力が少なくとも部分的にガスで飽和した水の供給源となり、さらに前記プロセス温度において前記洗浄溶液中で使用される前記ガス濃度レベルを有する水を得るのに有効な比率で前記第１と第２の２つの供給入力からの水を混合するステップを含むことを特徴とする、上記（３）に記載の方法。
（６）前記第２の供給ユニットから得られた前記ガス飽和水が、前記真空脱気水のうちの、ガス含有量を増加させるのに有効な再ガス化を受ける部分を含むことを特徴とする、上記（５）に記載の方法。
（７）前記洗浄溶液が体積比でそれぞれ１０：１：１から１，０００：２：１の脱イオンＨ２Ｏ／Ｈ２Ｏ２／ＮＨ４ＯＨを含むことを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（８）前記洗浄溶液が体積比でそれぞれ１０：０：１から１，０００：１：１の脱イオンＨ２Ｏ／Ｈ２Ｏ２／ＨＣｌを含むことを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
（９）前記基板が半導体ウエハを含むことを特徴とする、上記（１）に記載の方法。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　ウエハ洗浄溶液のガス含有量を制御する手段を有するウエハ洗浄システムのブロック図である。
　【符号の説明】
　１０１　脱イオン水供給源
　１０２　真空脱気装置
　１０３　ガス化装置
　１０４　流量制御装置
　１０５　流量制御装置
　１０７　メガソニック支援水洗浄槽