【事件の表示】
　特許第３１１５２５４号「セラミックヒータ」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１１５２５４号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１１５２５４号の発明についての出願は、平成９年３月２７日に出願され、平成１２年９月２９日にその発明について特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人　京セラ株式会社により特許異議申立がなされたものである。
　
　
２．本件発明
　この特許第３１１５２５４号の請求項１ないし６に係る発明（以下「請求項１に係る発明」ないし「請求項６に係る発明」という。）は、特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定される下記のとおりのものである。
「　　　【請求項１】セラミック基体中に、セラミック導電材料からなる抵抗発熱体を埋設したセラミックヒータにおいて、前記セラミック導電材料は、該セラミック導電材料の一断面において、マトリックスセラミック相中に導電性セラミック相粒子が分散した構造を有し、かつ該導電性セラミック相を３０〜８０重量％の範囲で含有するとともに、前記セラミック導電材料の一断面において、ある半径で仮想的な円を描き、該円内における前記導電性セラミック相粒子の面積比率が６０％以上となっている場合に、該円で囲まれた領域を前記導電性セラミック相粒子の偏在部として定義し、その偏在部の最大径が５μｍを超えないことを特徴とするセラミックヒータ。
　　　　【請求項２】前記導電性セラミック相は、Ｗ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒの各珪化物、炭化物、ホウ化物及び窒化物のなかから選ばれる１種又は２種以上を主成分とするものである請求項１記載のセラミックヒータ。
　　　　【請求項３】前記導電性セラミック相は、Ｗ炭化物及びＭｏ珪化物の少なくともいずれかを主成分とするものである請求項２記載のセラミックヒータ。
　　　　【請求項４】前記導電性セラミック相はＭｏ珪化物を含有し、かつ該Ｍｏ珪化物はＭｏＳｉ２相とＭｏ５Ｓｉ３相との少なくともいずれかを主体とするものである請求項３記載のセラミックヒータ。
　　　　【請求項５】前記導電性セラミック相の前記抵抗発熱体中での含有率は、３０〜８０重量％の範囲で調整されている請求項３又は４に記載のセラミックヒータ。
　　　　【請求項６】前記セラミック基体は、Ｓｉ３Ｎ４又はＡｌＮのいずれかを主成分とするものである請求項１ないし５のいずれかに記載のセラミックヒータ。」
　
　
３．特許異議申立て理由の概要
（１）特許法第２９条第１項に関する申立て理由
　特許異議申立人は、
甲第１号証：特開平７−２８２９５９号公報
甲第２号証：特公平５−４６６７４号公報
を引用して、本件の請求項１ないし６に係る発明は、これらの甲第１号証及び甲第２号証に記載された各発明と同一であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものである。したがって、本件の請求項１ないし６に係る発明の特許は特許法第１１３条第１項第２号の規定に該当し、取り消されるべきものである旨主張している。
　
（２）特許法第３６条に関する申立て理由
　特許異議申立人は、次の旨の申立てをしている。
イ．平成１２年６月１４日付けで出願人が提出した意見書第２ページ１３〜１８行では「本願発明の、セラミック導電材料粒子の孤立した偏在部を周囲部分が取り囲むような分散形態の組織」と記載されているが、本件請求項１では「（マトリックスセラミック相中に）導電性セラミック相粒子が分散した構造」と記載されているだけであり、両者は一致しない。このように、請求項１には発明の構成に欠くことのできない要件が記載されておらず、同項の記載は不備である。
　
ロ．仮に請求項１における「（マトリックスセラミック相中に）導電性セラミック相粒子が分散した構造」が、上記意見書で述べられている「セラミック導電材料粒子の孤立した偏在部を周囲部分が取り囲むような分散形態」を意味しているものとすると、このようなセラミック導電材料粒子が孤立した分散形態では、各導電材料粒子がつながらないために導電性がなくなる。つまり、発熱体に通電されなくなり、セラミックヒータとして機能しなくなって実施不能となることから、この点で明細書の記載は不備である。
　
ハ．本件特許発明では、請求項１にて「偏在部の最大径が５μｍを超えない」と記載されているが、その偏在部の最大径の測定方法が不明である。
　この点に関し、本件特許明細書の記載では、段落【００４２】にて「抵抗発熱体部分の断面を研磨後、走査電子顕微鏡を用いてその研磨面におけるＷＣ系粒子の凝集状況を確認するとともに、ＷＣ系粒子が、面積率において６０％以上存在している領域を本発明でいう偏在部とみなした」と記載されている。
　しかし、この断面はある任意の一つの断面のみ見れば良いのか、何ヵ所かの断面を見るのか、各断面の全ての領域を見るのか、ある一定領域のみ見るのか、面積率６０％以上かどうかをどのように判断するのか、偏在部の大きさをどのように測定するのか、というようなことが一切記載されていない。
　このように、偏在部の最大径の測定方法が記載されていない以上、本件特許明細書は当業者が容易に実施可能な程度に記載されていない。
　したがって、本件特許明細書は、特許法第３６条の規定に違反しており、本件発明に係る特許は特許法第１１３条第１項第４号の規定に該当し、取り消されるべきものである。
　
　
４．特許異議申立人の引用した甲第１，２号証に記載された発明
（１）甲第１号証に記載された発明
　特許異議申立人の引用した甲第１号証には、次のａ〜ｉの記載がある。
ａ．「【請求項１】大粒径の電気絶縁性セラミック粒体からなる絶縁性大粒部と、前記絶縁性大粒部よりも粒径が小さくかつ線膨張率が大きい導電性粒体からなるとともに前記絶縁性大粒部の間に介在して導電経路を構成する導電性粒部と、前記絶縁性大粒部よりも小粒径の電気絶縁性セラミック粒体からなるとともに前記導電経路の間に介在して前記導電経路の電気抵抗を増大させる絶縁性小粒部とを含む焼結体からなることを特徴とする発熱体。」（第１欄２〜９行）
　
ｂ．「【請求項６】前記導電性粒部及び前記絶縁性小粒部と同一素材の導電性粒部及び絶縁性粒部からなる基体と、前記基体に埋設される請求項１〜５のいずれかに記載の前記発熱体と、前記基体に埋設されるとともに前記発熱体の端部に接続される高融点金属部材からなる電極線とを備えるセラミックヒータ。」（第１欄２１〜２６行）
　
ｃ．「【従来の技術】・・・【０００３】例えば、本出願人の出願になる特開昭６３ー９６８８３号公報は、・・・すなわち、発熱体は大粒径の絶縁性粒部と小粒径の導電性粒部とから構成される。このようにすると、絶縁性粒部のまわりを導電性粒部が包むようにして導電性粒部が連続する組織となり、所望の抵抗率が得られる。」（第１欄３３〜４８行）
　
ｄ．「【発明が解決しようとする課題】しかしながら、発熱体の特性は抵抗値と抵抗温度係数（常温時の抵抗値と高温時の抵抗値の比）で決まるが、上記した特開昭６３ー９６８８３号公報の構成では、図５に示すように、導電性粒部の混合比が多いと低抵抗値、高抵抗温度係数となり、導電性粒部の混合比が少ないと高抵抗値、低抵抗温度係数となり、実現可能な発熱体の特性の範囲が限定されるという問題があった。」（第２欄１２〜１９行）
　
ｅ．「【００１０】本発明は上記問題点を鑑みたものであり、発熱体の抵抗値及び抵抗温度係数の設定が容易なセラミックヒータを提供することを、その目的としている。」（第３欄２〜４行）
　
ｆ．「【００１６】特に本発明では、絶縁性大粒部より小粒径の絶縁性小粒部が導電性粒部間すなわち導電経路に分散される。このようにすれば、導電性粒部に対する絶縁性小粒部の相対的な増加により電気経路の電気抵抗値を大幅に変化させることができる。一方、絶縁性小粒部は小粒径であり、この絶縁性小粒部に対してそれに隣接する導電性粒部に引っ張り応力を付与して絶縁性大粒部と同様に導電経路の抵抗温度係数を負方向にシフトさせるものの、その影響の度合いは電気経路の電気抵抗値の変化の度合いに比べて格段に小さい。
【００１７】結局、導電性粒部を基準として絶縁性大粒部の増減により抵抗温度係数の調整を実施し、更に絶縁性小粒部の増減により抵抗値の調整を実施することができ、発熱体の抵抗温度係数及び抵抗値の調整の自由度が従来より格段に増大する。図５にこの発熱体のモデル図を示す。１１３は導電性粒部、１１４は絶縁性大粒部、１１５は絶縁性小粒部である。」（第３欄４８行〜４欄１４行）
　
ｇ．「【００２４】
【実施例】以下、本発明を具体的実施例により説明する。図１は本発明のセラミックヒータ１の実施例を示した断面図であり、図２はその要部の拡大図を示す。この
セラミックヒータ１は
【００２５】
基体３は、Ｓｉ
３
Ｎ
４
からなる絶縁性セラミック粉末に、ＭｏＳｉ
２
 からなる導電体セラミック粉末を少量分散させた断面円形の絶縁性セラミック焼結体からなる
発熱体２は、ＭｏＳｉ
２
からなる導電体セラミック粉末と、Ｓｉ
３
Ｎ
４
からなる絶縁性セラミック粉末とを含む断面円形の導電性セラミック焼結体である。
　
ｈ．「【００３１】発熱体２の拡大模式断面図（モデル図）を図５に示す。発熱体２は、導電性粒部１１３としての平均粒径１μｍのＭｏＳｉ２と第１の絶縁性粒部（本発明でいう絶縁性大粒部）１１４としての平均粒径１７μｍのＳｉ３Ｎ４と第２の絶縁性粒部（本発明でいう絶縁性小粒部）１１５としての平均粒径１μｍのＳｉ３Ｎ４との混合粉末に、添加物としてのＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３をＭｏＳｉ２とＳｉ３Ｎ４ の総質量に対して各々３質量％、５質量％添加した混合物の焼結体であり、第２の絶縁性粒部１１５が導電性粒部１１３により囲包され、第１の絶縁性粒部１１４が第２の絶縁性粒部１１５及び導電性粒部１１３により囲包された構造となっている。」（第６欄１６〜２７行）
　
ｉ．「【００３３】次に、本実施例の発熱体２について説明する。材料は図５のモデル図に示したもので、
導電性粒部１１３（ＭｏＳｉ
２
 ）の配合量を４０ｗｔ％一定とし、
　
　
（２）甲第２号証に記載された発明
　特許異議申立人の引用した甲第２号証には、次のａ〜ｅの記載がある。
ａ．「特許請求の範囲
１　電気絶縁性のセラミック焼結体よりなる支持部材と、支持部材の先端外周に形成した導電性のセラミック焼結体よりなるヒータと、ヒータに通電する通電手段と、支持部材を収納保持するハウジングを備え、支持部材とヒータは配合割合を共通とした珪化モリブデンと窒化珪素の混合粉末の焼結体であって両者は一体焼結せしめてあり、支持部材は珪化モリブデン粒子がこれを包む窒化珪素粒子により互に分断された組織を有し、ヒータは窒化珪素粒子を包む珪化モリブデン粒子が互に連続する組織を有するセラミックヒータ。
２　上記支持部材およびヒータにおける珪化モリブデンと窒化珪素の重量比はいずれも１０〜４０：９０〜６０である特許請求の範囲第１項記載のセラミックヒータ。」（第１欄１〜１６行）
　
ｂ．「〔従来技術〕　デイーゼル機関には低温時の始動用部品としてグロープラグが用いられており、・・・このグロープラグではヒータが直接に燃焼室を加熱するので速熱性にすぐれている。・・・ところで、このヒータでは、ヒータ自体の耐熱衝撃性は非常にすぐれているが、ヒータを支持する絶縁性セラミック部材とそのまわりに形成したヒータの接合部では両者の膨脹係数、熱伝導率等の諸特性の相異により熱応力が生じ、耐熱衝撃性を低下させるという問題がある。」（第２欄１０〜第３欄１３行）
　
ｃ．「〔本発明が解決しようとする問題点〕　そこで本発明は、絶縁性セラミック焼結体よりなる支持部材の先端外周に通電性のセラミック焼結体よりなるヒータを一体焼結にて形成したセラミックヒータにおいて、支持部材とヒータの結合強度にすぐれ・・・るセラミックヒータを提供し、もって上記従来の問題点を解決することを目的とする。」（第３欄３５〜４３行）
　
ｄ．「〔問題点を解決するための手段〕　本発明のセラミックヒータは、支持部材およびヒータともにＭｏＳｉ２とＳｉ３Ｎ４よりなり、かつ両成分の配合比は支持部材およびヒータともに同一としてあり、支持部材とヒータは一体せしめてある。ＭｏＳｉ２とＳｉ３Ｎ４の配合重量割合は１０〜４０：６０〜９０程度の範囲とする。」（第４欄３〜９行）
　
ｅ．「上記ＭｏＳｉ２粉末の平均粒径は支持部材２およぴヒータ１ともに０．９μｍで、Ｓｉ３Ｎ４粉末の平均粒径は支持部材２においては０．６μｍ、ヒータ１においては１３μｍである。」（第５欄２４〜２７行）
　
　
５．特許法第２９条第１及び２項に関する検討
（１）請求項１に係る発明について
イ．対比
　請求項１に係る発明を、甲第１号証に記載された発明と対比する。
　請求項１に係る発明の
・セラミック基体、
・セラミック導電材料からなる抵抗発熱体、
・導電性セラミック相を３０〜８０重量％の範囲で含有する、
・セラミックヒータ　
は、甲第１号証に記載された発明における
・「Ｓｉ３Ｎ４からなる絶縁性セラミック粉末に、ＭｏＳｉ２ から
　なる導電体セラミック粉末を少量分散させた断面円形の絶縁性
　セラミック焼結体からなる」基体３、
・「ＭｏＳｉ２からなる導電体セラミック粉末と、Ｓｉ３Ｎ４からな
　る絶縁性セラミック粉末とを含む断面円形の導電性セラミック
　焼結体である」発熱体２、
・導電性粒部１１３（ＭｏＳｉ２ ）の配合量を４０ｗｔ％一定とし、
・セラミックヒータ１
にそれぞれ相当すると認められる。
　
ロ．一致点
　したがって、両発明は、
「セラミック基体中に、セラミック導電材料からなる抵抗発熱体を埋設したセラミックヒータであり、該導電性セラミック相を３０〜８０重量％の範囲で含有するセラミックヒータ。」で一致し、下記の点で相違する。
　
ハ．相違点
　請求項１に係る発明では、「セラミック導電材料は、該セラミック導電材料の一断面において、マトリックスセラミック相中に導電性セラミック相粒子が分散した構造を有し、該セラミック導電材料の一断面において、ある半径で仮想的な円を描き、該円内における前記導電性セラミック相粒子の面積比率が６０％以上となっている場合に、該円で囲まれた領域を前記導電性セラミック相粒子の偏在部として定義し、その偏在部の最大径が５μｍを超えない」とされている。これに対し、甲第１号証の「発熱体２」の導電性セラミック焼結体」は、このような構成になっていない。両発明は、この点で相違している。
　
ニ．相違点についての検討
　請求項１に係る発明では、上記「ハ．相違点」で述べたように「一断面において、マトリックスセラミック相中に導電性セラミック相粒子が分散した構造を有し」ているセラミック導電材料において、「（導電性セラミック相粒子の）偏在部の最大径が５μｍを超えない」とすることにより、本件明細書の段落【０００４】に記載されたような「本発明の課題は、加熱・冷却のサイクルを繰り返しても、抵抗発熱体の耐久性に問題が生じにくいセラミックヒータを提供することにある。」という課題を解決することができる。
　このような課題を解決できる以上、請求項１に係る発明が、甲第１号証に記載された発明と同一のものということはできない。
　上記のような、請求項１に係る発明の課題及びその解決手段に対して、甲第１号証に記載された発明では、「発熱体の抵抗値及び抵抗温度係数の設定が、それらの実現可能な範囲が限定されず、設定の容易なセラミックヒータを提供する」(上記引用箇所４．(１）ｅ．）ことを課題にしており、「導電性粒部を基準として絶縁性大粒部の増減により抵抗温度係数の調整を実施し、更に絶縁性小粒部の増減により抵抗値の調整を実施」(上記引用箇所４．(１）ｆ．段落【００１７】）という課題の解決手段を採用している。
　このように、両発明の課題及びその解決手段は異なっており、課題が異なっている以上、請求項１に係る発明の課題を解決する手段である「（導電性セラミック相粒子の）偏在部の最大径が５μｍを超えない」が、甲第１号証の記載事項より容易に推測されたと認めることはできない。
　しかも、甲第１号証の引用箇所４．(１）ｈ．には「導電性粒部１１３としての平均粒径１μｍのＭｏＳｉ２」という記載はあるが、上記の「（導電性セラミック相粒子の）偏在部の最大径が５μｍを超えない」は、本件明細書段落【００３５】に記載されたように、粉砕前の配合原料における粒径範囲，平均粒径に合わせたきめ細かい粉砕条件を設定することにより、これらの配合原料を混合・粉砕し、実現するものであり、単に「導電性粒部１１３としての平均粒径１μｍのＭｏＳｉ２」というだけの刊行物１の記載から、到底、容易に想到できるものではない。
　また、上記のような、請求項１に係る発明の課題を解決する手段は、甲第２号証にも記載されておらず、また同号証の記載から容易に推測されたものと認めることもできない。
　
　なお、特許異議申立人は、特許異議申立書第８ページ１〜１１行において
「甲第１号証の第５図に示された発熱体２のモデル図によれば、導電性セラミック相粒子（導電性粒部１１３）はほぼ均一に分散され、特に凝集しているような部分はなく、仮に凝集しているとしてもせいぜい３個程度の導電性セラミック相粒子（導電性粒部１１３）が集まっているだけであります。・・・つまり、甲第１号証には偏在部の大きさは具体的に示されていないものの、そのモデル図の記載からすれば明らかに偏在部の大きさが５μｍを超えないものであって、」
と述べている。
　しかし、甲第１号証の引用箇所４．(１）ｈ．後半の「第２の絶縁性粒部１１５が導電性粒部１１３により囲包され、」という記載を参考にすれば、甲第１号証の第５図において、導電性粒部１１３中で第２の絶縁性粒部１１５が凝集していることはあっても、逆に（異議申立人がいうように）、導電性粒部１１３が凝集していると認めることはできない。そうすると当然ながら、「（導電性粒部１１３は）凝集しているとしてもせいぜい３個程度の導電性セラミック相粒子（導電性粒部１１３）が集まっているだけであります。・・・つまり、甲第１号証には偏在部の大きさは具体的に示されていないものの、そのモデル図の記載からすれば明らかに偏在部の大きさが５μｍを越えないものであって、」といった異議申立人の主張は採用できない。
　また、特許異議申立人は、特許異議申立書第８ページ２３行〜第９頁６行においても、甲第２号証の第３図について同様な主張をしているが、上記と同様な理由で、このような主張はやはり採用できない。
　
ホ．まとめ
　以上のように、請求項１に係る発明は甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明ではなく、また、これらの甲号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　
（２）請求項２ないし６に係る発明について
　請求項２ないし６に係る発明を、甲第１号証に記載された発明と対比すると、請求項２ないし６はいずれも、直接または間接的に請求項１を引用して記載されているので、これらの請求項に係る発明は、上記「（１）請求項１に係る発明について」における「ハ．相違点」の項に記載した相違点で、少なくとも相違している。
　したがって、他の相違点については検討するまでもなく、請求項２ないし６に係る発明はいずれも、上記（１）のニ．及びホ．の項で述べたと同様に、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明ではなく、また、これらの甲号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
　
６．特許法第３６条に関する検討
（１）特許異議申立人は、特許異議申立書第１０ページ２〜７行において、
「仮に請求項１における「導電性セラミック相粒子が分散した構造」との表現が「セラミック導電材料粒子の孤立した偏在部を周囲部分が取り囲むような分散形態」を意味しているものとすると、このようなセラミック導電材料粒子が孤立した分散形態では、各導電材料粒子がつながらないために導電性がなくなります。つまり、発熱体に通電されなくなり、セラミックヒータとして機能しなくなって実施不能となることから、この点でも記載不備であります。」
と、述べている。（上記３．（２）ロ．参照。）
　しかし、請求項１に記載された「マトリックスセラミック相中に導電性セラミック相粒子が分散した構造」のものに、導電性がある場合もあることは、周知の事項であり、特許異議申立人が述べている上記のような記載不備はない。（周知文献が必要であれば、特開昭６０−３３２６５号公報第１頁右下欄１７行〜第２頁右上欄９行，第３頁右上欄１〜１９行，及び第３頁右下欄７〜１８行参照。）
　すなわち、この周知文献には、
「〔発明の概要〕
　すなわち本発明の特徴は導電性が良好ではあるが、焼結しにくく耐酸化性に劣るIVa、Va、VIa族遷移元素の窒化物、炭化物の微細な粒子を、絶縁体ではあるが機械的強度が大きく耐酸化性が良好な窒化ケイ素(Ｓｉ３Ｎ４)中に分散混合し緻密に焼結することにより両者の特徴を兼ねそなえた導電性セラミックスを得ることにある。
　本発明において導電材として用いられるIVa、Va、VIa族遷移元素の炭化物、窒化物は、難融性で高硬度であり、また金属伝導性を示し、抵抗率は〜10ー５Ωcmと低く正の抵抗温度係数をもつため導電材として好適である。
導電材として窒化物、炭化物
窒化物、炭化物の原料粉末はＳｉ
３
Ｎ
４
中に均一に分散し
絶縁体中に導電性粒子を分散させる
マトリックスである絶縁体粒子が導電性粒子を強固に保持する
　
マトリックス相としてＳｉ
３
Ｎ
４
を選んだ
「実施例２
　実施例１と同じ肋剤量を添加した
Ｓｉ
３
Ｎ
４
粉末にＴｉＮ，及びＴｉＣを混合率を変えて調合し、
化合物量が10容積部程度まではマトリックスの抵抗率とほぼ同等である。これはほとんどすべての導電性粒子がマトリックス中で互に孤立しており導電性に寄与しないためと考えられる。化合物混合率が増加し一部の粒子が接触し始める20容積部前後になると、抵抗率は急減する。
「〔発明の効果〕
　以上、本発明によるＳｉ３Ｎ４系導電性セラミックスは、・・・ヒータ材としたときの通電耐久性もあることが確かめられた。
　したがって、このような特徴を持つＳｉ３Ｎ４系導電性セラミックスは、グロープラグ用ヒータをはじめとして・・・各種センサーとして使用されることが期待できる。」（第３頁右下欄７〜１８行）
と記載されている。
　
　このように、これらの記載中には、「マトリックス相であるＳｉ３Ｎ４の絶縁体粒子中に導電性粒子を分散させた導電性セラミックス」（第１頁右下欄１７行〜第２頁右上欄９行）、では、「導電性の化合物量が少ない時は導電性粒子はマトリックス中で互いに孤立しているが、導電性化合物量が増加すると一部の導電性粒子が接触し始め抵抗率は急減する」（第３頁右上欄１〜１９行）旨が開示されており、請求項１に記載された「マトリックスセラミック相中に導電性セラミック相粒子が分散した構造」のものに、導電性がある場合もあることは明らかであり、特許異議申立人が述べている上記のような記載不備はない。
　
　また、上記３．（２）イ．に記載したように、特許異議申立人は、平成１２年６月１４日付け意見書第２ページ１３〜１８行中で出願人が述べている「本願発明の、セラミック導電材料粒子の孤立した偏在部を周囲部分が取り囲むような分散形態の組織」と、本件請求項１に記載された「（マトリックスセラミック相中に）導電性セラミック相粒子が分散した構造」は一致せず、請求項１には発明の構成に欠くことのできない要件が記載されていないので、同項の記載は不備である旨を述べている。
　しかし、本件の出願日は、平成９年３月２７日であり、本件出願に適用される特許法第３６条第５項には「・・・特許請求の範囲には、請求項に区分して、各請求項ごとに特許出願人が特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項のすべてを記載しなければならない。・・・」と規定されており、特許異議申立人が述べているような「・・・発明の構成に欠くことのできない事項のみを記載・・・」という旧特許法の条文は本願には適用されない。
　そこで、上記の特許法第３６条第５項に規定された「特許出願人が特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項」が、本件請求項１に記載されているかどうかについて検討すると、上記の平成１２年６月１４日付け意見書第２ページ１６，１７行に記載された「本願発明の、セラミック導電材料粒子の孤立した偏在部を周囲部分が取り囲むような分散形態の組織」とは、上記周知文献第３頁右上欄１〜１９行の「実施例２」の項に記載されているような、マトリックス中で導電性粒子の一部は孤立しているが一部は接触しているセラミックスについて述べているのであると認められ、この意見書の記載は、請求項１の「マトリックスセラミック相中に導電性セラミック相粒子が分散した構造」という記載と、格別に矛盾しているわけではない。したがって、請求項１には、特許出願人が特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項が記載されていると認められ、同請求項の記載が特許法第３６条第５項に規定に違反してなされているとはいえない。
　
　
（２）特許異議申立人は、特許異議申立書第１０ページ８〜２１行において
「仮に請求項１における「偏在部の最大径が５μｍを超えない」と記載されているが、本件明細書には、偏在部の最大径の測定をどの断面で行うのか、任意の断面で行うのか、それとも全ての断面で行うのか記載されておらず、偏在部の最大径の測定方法が不明である。」旨を述べている。（上記３．（２）ハ．参照）
　しかし、発明の実施にあたり、請求項に記載されている事項が実現されているかどうかを検証するのは当然のことであり、そのために必要な測定はすべてなされるべきことも当然である。走査電子顕微鏡等を用いて、抵抗発熱体部分の全ての断面において、偏在部の最大径を測定することは実質的に不可能であるにしても、いくつかの箇所で測定し統計的手法により全体を推論することは一般的に行われていることであり、同様な手法により、抵抗発熱体部分の全体で偏在部の最大径を調べることは容易であると認められる。
　したがって、偏在部の最大径を測定するに際し、格別の困難性があるとは認められない。
　
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件の請求項１ないし６に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし６に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１４年８月１９日（２００２．８．１９）