【事件の表示】
　特許第３１２１１８５号「ポジ型レジスト用剥離液」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１２１１８５号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　本件特許第３１２１１８５号に係る発明は、平成５年１０月２６日に出願され、平成１２年１０月２０日にその発明について特許の設定の登録がなされ、その後、イーケーシーテクノロジー，インコーポレイティドより特許異議申立がなされたものであり、本件の請求項１〜４に係る発明は、特許明細書の記載からみてその特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】（Ａ）含窒素有機ヒドロキシ化合物、
（Ｂ）一般式【化１】（転記を省略）
（式中のＲ１は水素原子、水酸基又はアミノ基、Ｒ２は水素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル基又はヒドロキシアルキル基である）で表わされる芳香族ヒドロキシ化合物、及び
（Ｃ）トリアゾール化合物
を含有してなるポジ型レジスト用剥離液。
【請求項２】（Ａ）含窒素有機ヒドロキシ化合物、
（Ｂ）一般式【化２】（転記を省略）
（式中のＲ１は、水素原子、水酸基又はアミノ基,Ｒ２は水素原子、水酸基、アミノ基、カルボキシル基、アルキル基又はヒドロキシアルキル基である）で表わされる芳香族ヒドロキシ化合物、
（Ｃ）トリアゾール化合物、及び
（Ｄ）水溶性有機溶剤
を含有してなるポジ型レジスト用剥離液。
【請求項３】トリアゾール化合物が一般式【化３】（転記を省略）
（式中のＲ４及びＲ５はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキシアルキル基又はアルキル基である）で表わされる化合物である請求項１又は２記載のポジ型レジスト用剥離液。
【請求項４】水溶性有機溶剤がＮ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルイミダゾリジノン及び一般式ＨＯ−（Ｃ２Ｈ４０）ｎ−Ｒ３（式中のＲ３は炭素数１〜４のアルキル基、ｎは１〜３の整数である）で表わされるグリコールエーテル系化合物から選択される少なくとも１種である請求項２又は３記載のポジ型レジスト用剥離液。」
２．特許異議申立ての概要
特許異議申立人イーケーシーテクノロジー，インコーポレイティドは、
甲第１号証（特開平５−２５９０６６号公報）、
甲第２号証（米国特許第４３７４７４４号明細書）、
甲第３号証（米国特許第４６８９２０１号明細書）、
甲第４号証（米国特許第３６７３０９９号明細書）、
甲第５号証（特表平５−５０４２０４号公報）
を提出し、本件請求項１に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、また、本件請求項２〜４に係る発明は、それぞれ、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１〜４に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであると主張する。
３．甲号各証の記載
甲第１号証（特開平５−２５９０６６号公報）には、
「【請求項１】芳香環式フェノール化合物および芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物と有機アミンとを含有する水溶液からなることを特徴とするポジ型フォトレジスト用剥離液。
【請求項２】前記芳香環式フェノール化合物がフェノール、クレゾール、レゾルジノールおよび２，３−ピリジンジオールよりなる群から選ばれた化合物である請求項１記載のポジ型フォトレジスト用剥離液。
【請求項３】前記芳香環式カルボン酸化合物が安息、香酸、ｏ−トルイル酸、ｍ−トルイル酸およびｐ−トルイル酸よりなる群より選ばれる化合物である請求項１記載のポジ型フォトレジスト用剥離液。
【請求項４】前記有機アミンがトリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイドおよびテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドよりなる群より選ばれる化合物である請求項１記載のポジ型フォトレジスト用剥離液。
【請求項５】さらに、糖類を含有していることを特徴とする請求項１記載のポジ型フォトレジスト用剥離液。
【請求項６】前記糖類がソルビトール、しょ糖およびでんぷんからなる群より選ばれることを特徴とする請求項１記載のポジ型フォトレジスト用剥離液。」（特許請求の範囲請求項１〜５）、
「…一方、有機アミンと各種有機溶剤とから成る剥離液は代表的なアルカリ性剥離液として知られているが、この剥離液も、上記の酸性剥離液の場合と同様に１００℃以上に加熱しても側壁保護堆積膜の剥離にはかなりの困難を要し、また、これらのアルカリ性剥離液は水溶性であるため剥離後直ちに水洗することができるとはいえ、そのアルカリ性成分により配線材料を腐食するという問題もある。…」（第６段落）、
「本発明者らは、上記の如き、従来のポジ型フォトレジストの剥離液が有する問題を改善すべく鋭意研究を重ねた結果、芳香環式フェノール化合物および芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物と有機アミンを含有する水溶液からなることを特徴とするポジ型フォトレジスト用剥離液が塩素系ガスによるドライエッチングの際に形成せしめたポジ型フォトレジストの側壁保護堆積膜に対する剥離性とアフターコロージョン防止性と配線材料に対する非腐食性と作業の簡便性等を備えた極めて優れた特性を有することを見い出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成するに至ったものである。」（第９段落）、
「以下に本発明を詳細に説明する。本発明に用いられる芳香環式フェノール化合物の例としてはフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、レゾルシノール、２，３−ビリジンジオール、４，６−ジヒドロキシビリミジン、ｍ−ニトロフェノール等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。配線材料に対する腐食防止の面では２，３−ビリジンジオールが良好な結果を与える。」（第１２段落）、
「本発明に用いられる有機アミンの例としてはトリメチルー２−ヒドロキシエチル−アンモニウムハイドロオキサイド、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等が挙げられる。これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。本発明の剥離液においては糖類を含有させることにより、さらに配線材料に対する非腐食性を向上させることができる。その糖類の例としてはソルビトール、ショ糖、でんぷん等が挙げられる。この糖類は単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。含有不純物の少ないソルビトールは、好ましいものの例である。」（第１４段落）、
が記載されている。
甲第２号証（米国特許第４３７４７４４号明細書）には、
「無機酸及び／又は有機酸、
酸化剤、及び、
イオウ原子を含有せず、環構成員として、二重結合ＮＨまたは三重結合Ｎの形で窒素原子を含有する複素環式化合物
よりなることを特徴とする錫または錫合金の剥離液。」（第１claim、第１欄第５８〜６２行）、
「本発明の目的は、錫または錫合金を剥離して銅スルーホールを完成するための剥離液の提供である。」（第１欄第５２〜５４行）、
「本発明の剥離液を使用すると、プリント回路基板の銅金属表面の錫または錫合金メッキ部を、下地の銅面を殆ど溶解することなく効果的に剥離することが出来る。」（第１欄第６６行〜第２欄第１行）、
「種々の複素環式化合物等について、銅の溶解防止及び錫イオンの再付着防止機能を検討したところ、１．ピロールとその誘導体、２．ピラゾールとその誘導体、３．イミダゾールとその誘導体、４．トリアゾールとその誘導体が、優れた効果を奏することがわかった。」（第２欄第５１〜５８行、第３欄４１〜４７行）、
「塩酸（３５％）：１００ｇ、硝酸（６８％）：２００ｇ、過酸化水素（３５％）５０ｇ、ピロール：５０ｇに水を加えて全体を１リットルの剥離液として調製し、錫メッキ付プリント回路基板を液温４０℃で浸漬すると、３分後に、錫は完全に剥離し、プリント回路基板の銅金属表面は腐食されず光沢があった。」（実施例１）
旨が記載されている。
甲第３号証（米国特許第４６８９２０１号明細書）には、
「タンニン、
周期律表第２族金属の水溶性塩、
トリアゾール、
ヒドロキシルアミンと中性アミンを含有し、
金属塩は、金属換算でタンニンに対して０．００２５：１から０．１：１の範囲である腐食防止性水溶液。」（第３５claiｍ）、
「本発明は、水系との接触で金属表面が腐食する問題のある機械設備で、腐食を防止する技術に関する。特に、鉄材や非鉄金属のアルミ材を含む機械設備で、熱水や冷却水を循環使用している場合の金属表面の腐食防止に関する。」（第１欄第５〜１２行）、
「タンニンは、植物由来の種々のポリフェノール系化合物の濃縮物である。本発明では、カテコールベースのタンニンが好適である。」（第１欄第４９〜５４行）、
「銅などの非鉄金属の腐食防止剤として、アゾール類、特にベンゾトリアゾールを添加することもできる。また、酸素や二酸化炭素の補足剤として、ヒドロキシルアミンと中性アミンを含有する。」（第１欄第６０〜６７行）、
「本発明の水溶液は、例えば、自動車やトラックの内燃機関、水冷式航空機エンジン、融雪設備、冷蔵庫、ディーゼルエンジン、自動スプリンクラー、ブレーキ系、ヒーター、空調機器、除水装置などに好適に使用できる。」（第３欄第５３行〜第４欄第２行）、
「含有させるヒドロキシアミンとしては、式『Ｒ１（Ｒ２）Ｎ−ＯＲ３』（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３はそれぞれ、水素、炭素数１〜８のアルキル基、フェニル、トリル等のアリール基、ベンジル等のアラルキル基、それらの水溶性塩）があげられる。」（第２欄第９〜２１行）、
「中性アミンとしては、モルホリン、シクロヘキシルアミン、ジエチルアミノエタノール、ジメチルプロパノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、メトキシプロピルアミン、２−アミノブタノール、ベンジルアミン等があげられる。」（第２欄第３５〜３９行）旨が記載され、さらに、
タンニン：２０００ｍｇ／ｌ、Ｎ，Ｎ’−ジエチルヒドロキシルアミン：２０００ｍｇ／ｌ、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール：２０００ｍｇ／ｌ、カルシウム塩：３６ｍｇ／ｌ、ペンゾトリアゾール：４０ｍｇ／ｌを配合した機械装置循環用水性液体（Example ＮＯ．２０）が例示されている。
甲第４号証（米国特許第３６７３０９９号明細書）には、
「Ｎ−メチル−２−ピロリドンと、
有機ヒドロキシアンモニウム化合物等の強アルカリと、
適宜、エチレングリコールモノエチルエーテル等の有機溶媒を加えた剥離液により、半導体基板上にある、シリコーン樹脂やポリビニルシンナメート樹脂の硬化樹脂を、剥離除去する。」（第１頁要約部）、
「基体上の硬化した樹脂を、基体にダメージや汚染をもたらすことなく、素早く確実に剥離する剥離液が求められている。」（第１欄第３〜３４行）、
「シリコーン樹脂やポリビニルシンナメート樹脂の硬化樹脂を、剥離除去する剥離液組成物。」（第１頁要約部）、
「１．ａ．無機アルカリ化合物、ｂ．グアニジンカルボネート、
ｃ．『（Ｒ）４−Ｘ（Ｒ’）ＸＮ−ＯＨ』（式中、Ｘは０〜４、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、Ｒ’は炭素数１〜４のアルキル置換基をもつアリール基である）から選択される強アルカリの溶質、
２．Ｎ−メチル−２−ピロリジンを含む溶剤、
３．水ないしメタノール
から構成され、基体上の硬化した樹脂を、基体にダメージや汚染をもたらすことなく、素早く確実に剥離する剥離液。」（第６claim）
旨が記載されている。
甲第５号証（特表平５−５０４２０４号公報）には、
「６０〜９０重量％のＮ−アルキル−２−ピロリドンと、
１０〜４０重量％の１，２−プロパンジオールと、
０．１〜０．２２Ｎの溶液を提供するのに十分な量の水酸化テトラアルキルアンモニウムとを含む、
基板からハード・ベークしたフォトレジスト組成物を除去するのに有用な組成物。」（特許請求の範囲請求項１）が記載されている。
４．対比判断
〈本件請求項１に係る発明について〉
　本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、
後者の「テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等から選ばれる有機アミン」、「芳香環式フェノール化合物」は、それぞれ、前者の「含窒素有機ヒドロキシ化合物」、「一般式【化１】で表わされる芳香族ヒドロキシ化合物」に相当するので、両者は、
「（Ａ）含窒素有機ヒドロキシ化合物、
（Ｂ）一般式【化１】で表わされる芳香族ヒドロキシ化合物
を含有してなるポジ型レジスト用剥離液。」で一致するが、
本件請求項１に係る発明が、さらに「（Ｃ）トリアゾール化合物」を含有するのに対し、甲第１号証のものは、それを含有しない点で相違する。（以下、《相違点Ｃ》という。）
上記《相違点Ｃ》について検討する。
　甲第２号証には、銅の腐食防止のためにトリアゾール化合物を配合した剥離液が、記載されている。そして、異議申立人は、甲第２号証で、金属腐食防止の剥離剤配合成分として示される「トリアゾール化合物」を、甲第１号証記載の剥離液に配合して、金属腐食防止性のある、本件発明のような剥離液を調製することは当業者にとって容易である旨主張する。
　しかし、（１）甲第２号証の剥離液は、プリント回路基板の銅表面の錫メッキ部を剥離するためのものであり、甲第１号証記載のレジストを剥離するためのものとは、その用途が全く異なる、
（２）甲第２号証の剥離液は、メッキ剥離のために強酸を主要成分とした強い酸性の液であり、甲第１号証記載のレジスト剥離のためにアミン類を主要成分としたアルカリ性の液とは、その性状が大きく異なる、
（３）甲第１号証の剥離液では、金属の腐食防止のための第３成分としては、特に「糖類」が好適であるとされているので、甲第２号証のような別組成の剥離液において銅腐食防止に有効な「トリアゾール化合物」があるとしても、それを「糖類」に代えてまで配合する契機はない、
との理由から、甲第２号証の「トリアゾール化合物」を甲第１号証の剥離液に結び付けることが容易とは到底いえず、異議申立人の主張は認められない。
　甲第３号証には、機械装置内を循環して熱媒体等として機能する水性液体に、装置の金属の腐食防止のために、トリアゾール化合物を、タンニン、第２族金属水溶性塩等とともに配合することが、記載されている。そして、異議申立人は、甲第３号証で、水性液体用の金属腐食防止用配合成分の一つとして示される「トリアゾール化合物」を、甲第１号証の剥離液に配合して、金属腐食防止性のある、本件発明のような剥離液を調製することは当業者にとって容易である旨主張する。
　しかし、（１）甲第３号証の水性液体は，機械装置内部に閉じこめられて、長期間循環使用されるものであり、甲第１号証記載のレジストを剥離するために操作作業時のみ使用されるものとは、その用途や使用形態が全く異なる、
（２）甲第３号証における「トリアゾール化合物」は、第２族金属水溶性塩など、基板への影響を考慮すると、およそ剥離剤には配合し得ない成分との併用で、金属腐食防止性をもつことが示されるのみであるから、甲第３号証の金属腐食防止配合系の中から、「トリアゾール化合物」のみを選別して、甲第１号証の剥離液に配合する契機はない、
との理由から、甲第３号証の「トリアゾール化合物」を甲第１号証の剥離液に結び付けることが容易とは到底いえず、異議申立人の主張は認められない。
　なお、異議甲立人は、甲第３号証の水性液体について、主成分である「タンニン」が、本件請求項１に係る発明の「一般式【化１】で表される芳香族ヒドロキシ化合物」に相当することを前提に、議論を進めて、本件請求項１に係る発明の剥離液の全ての配合成分系が示されている旨、また、その配合成分系と、甲第１号証に記載の発明とから、本件請求項１に係る発明を構成することは容易である旨主張しているので、この点についても，併せて検討しておく。
　「タンニン」は、植物由来で、多数のフェノール性ＯＨ基、いくつかの様々な芳香環を有する、分子量６００〜２０００ぐらいの複雑な芳香族化合物の総称であり、通常、数種類以上の物質の混合物（共立出版刊、科学大辞典参照）であるからして、本件請求項１に係る発明の「一般式【化１】で表される、芳香族ヒドロキシ化合物」（分子量は概略百未満であり、ベンゼン環を唯一もつ、単一組成の化合物）とは、分子量、化学構造、全体組成のいずれも明確に相違している。
　従って、甲第３号証の水性液体の主成分「タンニン」が、本件請求項１に係る発明の「一般式【化１】で表される芳香族ヒドロキシ化合物」に相当するとはいえず、したがって、甲第３号証に本件請求項１に係る発明の剥離液の配合成分系が示されているとはいえないから、甲第１号証、甲第３号証に記載のものから、本件請求項１に係る発明の構成を導き出すことが容易とはいえない。
　以上検討したように、甲第１〜３号証には、上記相違点に係る本件請求項１に係る発明の構成要件を記載又は示唆するものはない。
　そして本件請求項１に係る発明は、上記相違点に係る構成を採用することにより、レジストの剥離性に優れ、アルミや銅等の金属に対する腐食性が少なく、半導体素子の製造に好適であるとの明細書記載の効果を奏するものであるから、本件請求項１に係る発明が、甲第１〜３号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
〈本件請求項２に係る発明について〉
　本件請求項２に係る発明と甲第１号証に記載の発明とを対比すると、
本件請求項２に係る発明が、「（Ｃ）トリアゾール化合物」を含有するのに対し、甲第１号証のものは、それを含有しない点《相違点Ｃ》、及び、
本件請求項２に係る発明が、「（Ｄ）水溶性有機溶剤」を含有するのに対し、甲第１号証のものは、特にその含有を規定しない点《相違点Ｄ》、
で相違する。
　相違点Ｃについての検討結果は、上述の〈本件請求項１に係る発明において〉で示したとおりであるから、相違点Ｄについて検討するまでもなく、甲第１〜５号証には、上記相違点に係る本件請求項２の発明の構成要件を記載又は示唆するものはない。
　そして本件請求項２の発明は、上記相違点に係る構成を採用することにより、レジストの剥離性に優れ、アルミや銅等の金属に対する腐食性が少なく、半導体素子の製造に好適であるとの明細書記載の効果を奏するものであるから、本件請求項２の発明が、甲第１〜５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
〈本件請求項３及び請求項４に係る発明について〉
　本件請求項３及び請求項４に係る発明は、それぞれ、本件請求項１又は請求項２に係る「ポジ型レジスト用剥離液」の発明の構成をすべて引用し、更に限定した発明であるから、上記本件請求項１乃至請求項２に係る発明についての判断と同様の理由により、甲第１〜５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１乃至４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認められない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により上記の通り決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月９日（２００１．１１．９）