【事件の表示】
特許第３２０１９７０号「半導体成膜方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
特許第３２０１９７０号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
【１】本件特許発明
特許第３２０１９７０号（平成９年３月２８日出願、平成１３年６月２２日設定登録。）の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの、
「【請求項１】枚葉式により所定数の半導体基板に対して半導体薄膜をそれぞれ成膜する半導体成膜方法であって、
反応室の内部に設けられたサセプタの１つの面の温度を測定し、前記サセプタの基板保持面に保持される半導体基板の温度を制御しながら、
前記所定数の半導体基板のうちの１枚に半導体薄膜を成膜する成膜工程と、成膜した後にエッチングにより前記サセプタに付着した反応生成物を除去する第１のエッチング除去工程と、
前記所定数の半導体基板の残りの１枚ずつに、前記成膜工程と、前記サセプタに付着した反応生成物を除去し、前記所定数の半導体基板のそれぞれに成膜される半導体薄膜の膜厚が均一となるように前記第１のエッチング除去工程とを行なった後、エッチングにより前記反応室の壁面に付着した反応生成物を除去する第２のエッチング除去工程とを備えていることを特徴とする半導体成膜方法。」である。
【２】申立ての理由の概要
特許異議申立人「加治川　久敏」は、甲第１号証および甲第２号証ならびに参考資料を提示し、本件発明は、その出願前公知の甲第１号証に記載された発明および甲第２号証に記載された示唆に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。よって、本件請求項１に係る特許は取り消されるべきである旨を主張している。
【３】特許異議申立人が提示した証拠方法について
【３-1】特許異議申立人が甲第１号証として提示した特開平７−７４１６１号公報（以下、「刊行物１」という。）の記載事項およびその開示内容；
段落【0002】に、
(刊1a)「従来の枚葉処理式プラズマＣＶＤ装置においては、１回のデポジションを行うと、その直後にチャンバプラズマクリーニングを１回行っていた。即ち図２に示すように、１回デポジションＩaを行った場合、その後１回のクリーニングIIaを行って、その後次のデポジションＩbを行い、そのデポジションＩbの直後にもクリーニングIIbを行うようにしていた。」と記載され、
段落【0003】に、
(刊1b)「デポジション時に電極にもＣＶＤ膜が形成されるため、連続して次のデポジションを行うと電極間の電界の強さが前回のデポジション時に対して低下し、ＣＶＤ膜厚並びにＣＶＤ膜質（エッチングレート、膜応力等）の不均一を招くため、このように１回のデポジションを行ったら直後にチャンバプラズマクリーニングを１回行い、電極に形成されたＣＶＤ膜の除去を行うようにしていたものである。しかし従来技術にあっては、このクリーニングシーケンスに要する時間がトータルの処理時間を長くしてしまい、装置の処理能力を低下させてしまうという問題を有していた。」と記載され、
【特許請求の範囲】に、
(刊1c)「【請求項１】枚葉処理式プラズマ堆積方法において、
複数回のデポジションに１回の割合でチャンバプラズマクリーニングを行うことを特徴とするプラズマ堆積方法。
【請求項２】各デポジション毎に電極間の電界の強さを変化させることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ堆積方法。」と記載されている。
以上の(刊1a)〜(刊1c)の記載から、刊行物１には、
(刊1d)「従来の１回のデポジション毎にチャンバプラズマクリーニングすることに換えて、枚葉処理式プラズマ堆積方法において、
各デポジション毎に電極間の電界の強さを変化させることにより、
複数回のデポジションに１回の割合でチャンバプラズマクリーニングを行うようにしたプラズマ堆積方法」の発明（以下、「引用発明１」という。）が開示されている。
【３-2】特許異議申立人が甲第２号証として提示した特開平８−２８８２２３号公報（以下、「刊行物２」という。）の記載事項およびその開示内容；
段落【0007】に、
(刊2a)「たとえば、フッ素系クリーニングガスの流量を増やして反応炉の圧力を上げて電極間距離を広くすることで、反応炉の中央部のエッチング速度を上げることができる。しかし、クリーニングガスが多流量で反応炉内が高圧の条件では反応炉の周辺部でのエッチング速度が中央部に比べ遅くなるので、反応炉の中央部に堆積した不要な被膜は除去されても、反応炉周辺部、特にサセプタの側壁やマスク裏面に堆積した不要被膜を除去できない。したがって、この条件で薄膜の堆積とプラズマクリーニングとを繰り返すと、プラズマクリーニングで取り切れない不要な被膜が次第に堆積し、一定の処理数を越えたところで大量の膜はがれによるパーティクルが発生し、製品の歩留まり低下を招いてしまう。」と記載され、
段落【0008】に、
(刊2b)「反対に、クリーニングガス流量を減らして反応炉の圧力を下げて電極間距離を狭めることで反応炉の周辺部の不要の被膜をエッチングできる。しかし、反応炉の中央部でのエッチング速度が落ちるので、反応炉の中央部をクリーニングする時間が増大し、生産性が低下してしまう。」と記載され、
段落【0051】〜【0054】に、
(刊2c)「まず、ガス導入電極36およびサセプタ41の電極間距離を４０ｍｍに設定し、クリーニングガス供給系４から、バルブ25を開き三フッ化窒素タンク21から８００ｓｃｃｍの流量の三フッ化窒素（ＮＦ3 ）と、バルブ22を開きアルゴンタンク24から１００ｓｃｃｍの流量のアルゴン（Ａｒ）とをクリーニングガス供給管23を介して導入孔34から吹出孔37により反応炉31内に導入し、反応炉31の圧力を０．２０Ｔｏｒｒとする。
そして、電源系６からガス導入電極36に１６００Ｗの高周波電圧を供給し、８分間清浄して、反応炉31の内壁、ガス導入電極36、サセプタ41の表面およびマスク43の表面の不要な被膜をプラズマ・クリーニングにより除去する。
続いて、放電を継続しながらガス導入電極36およびサセプタ41の電極間距離を１３ｍｍにし、バルブ25を開き三フッ化窒素タンク21から４００ｓｃｃｍの流量の三フッ化窒素（ＮＦ3 ）と、バルブ22を開きアルゴンタンク24から４０ｓｃｃｍの流量のアルゴン（Ａｒ）とをクリーニングガス供給管23を介して導入孔34から吹出孔37により反応炉31内に導入し、反応炉31内の圧力を０．１５Ｔｏｒｒとする。
そして、電源系６からガス導入電極36に１６００Ｗの高周波電圧を供給し、３分間清浄して、反応炉31の内壁、ガス導入電極36、サセプタ41の側壁およびマスク43の裏面の不要な被膜をプラズマ・クリーニングにより除去する。」と記載されている。
以上の(刊2a)〜(刊2c)の記載から、刊行物２には、
(刊2d)「反応空間に接する領域での不要な被膜の膜厚が増大した際に、反応炉内をクリーニングする場合、このクリーニングをその条件の異なる２つの段階である連続した２ステップで行う方法」の発明（以下、「引用発明２」という。）が開示されている。
【４】本件発明と引用発明１，２との関係および判断
引用発明１は、「１回のデポジション毎にチャンバプラズマクリーニングすることに換えて、複数回のデポジションに１回の割合でチャンバプラズマクリーニングを行うようにした」点にその要点があり、また、引用発明２は、「反応炉内をクリーニングする場合、このクリーニングをその条件の異なる２つの段階である連続した２ステップで行う」点にその要点がある。
一方、本件発明を特定する事項は、(本1a)「所定数の半導体基板のうちの１枚に半導体薄膜を成膜する成膜工程と、成膜した後にエッチングにより（前記）サセプタに付着した反応生成物を除去する第１のエッチング除去工程と、前記所定数の半導体基板の残りの１枚ずつに、前記成膜工程と、前記サセプタに付着した反応生成物を除去し、前記所定数の半導体基板のそれぞれに成膜される半導体薄膜の膜厚が均一となるように前記第１のエッチング除去工程とを行なった後、エッチングにより（前記）反応室の壁面に付着した反応生成物を除去する第２のエッチング除去工程とを備えている」点にある。
したがって、引用発明１および２は、前記の本件発明を特定する事項の(本1a)を開示ないし示唆するものでないことは明らかである。
また、刊行物２の(刊2a)，(刊2b)の記載事項は、引用発明２に至る【課題】そのものの記載であるから、これらの記載・示唆に基づいて、刊行物１の(刊1c)の特に【請求項１】の記載と、その【従来の技術】である(刊1a)の記載事項とを結びつけるという因果関係または動機付けは存在しない。
したがって、「成膜工程を、反応室の内部に設けられたサセプタの１つの面の温度を測定し、サセプタの基板保持面に保持される半導体基板の温度を制御しながら行う」ことを開示した参考資料（特許第２５４４７９４号公報）の存在の如何を問わず、本件発明が、「甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された示唆に基づいて、当業者が容易になし得た発明である」とする特許異議申立人の主張は正鵠を射たものとはいえない。
さらに、前記(本1a)に摘記した事項により本件発明は、その明細書記載の、「１サイクル分の半導体基板にポリシリコン膜を成膜した後、工程ＳＴ３に示す反応室内壁面のエッチング除去を行なうため、工程ＳＴ２ｂに示す、スループットを決定する要因となるサセプタに対するエッチング除去を必要最低限の時間で行なうことができる」（段落【0034】参照）から、「従来の成膜方法によるスループットは１１．５枚／ｈｒであり、本実施形態を用いた場合のスループットは１２．７枚／ｈｒである。従って、本実施形態の方が成膜のスループットが向上する」（段落【0036】参照）と共に、「所定枚数の半導体薄膜を成膜した後に、第２のエッチング除去工程において、反応室の壁面に付着した反応生成物のエッチング除去を行なうため、半導体薄膜の成膜ごとに行なうエッチング除去に必要な時間を短縮することができるので、生産性の低下を招くことはない」（段落【0043】参照）という作用効果を奏するものである。
【５】むすび
以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
また、他に本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１１日（２００２．６．１１）