【事件の表示】
　特許第３１５２２３５号「電子部品の製造方法」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５２２３５号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１５２２３５号の請求項１ないし７に係る発明についての出願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成６年９月２１日（優先日平成５年９月２１日、特願平５−２３４５２２号）に出願した特願平６−２２６５８４号の一部を平成１１年１２月２８日に新たな特許出願としたものであって、平成１３年１月２６日にその発明について特許権の設定登録がされ、その後平成１３年１０月３日に、その特許について、異議申立人（寺尾幸代）により特許異議の申立てがなされ、平成１３年１２月１４日に取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年２月６日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２．１訂正の内容
　特許権者が求めている、平成１４年２月６日付け訂正請求書に添付された訂正明細書における訂正の内容は以下のとおりである。
２．１．１　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を、「基板上に導体パターンを凹版印刷によって転写形成する電子部品の製造方法であって、
　（ａ）凹版の表面に溝を形成する工程と、
　（ｂ）前記溝に導電性ペーストを充填する工程と、
　（ｃ）前記導電性ペーストが充填された凹版と前記基板とを貼り合わせる工程と、
　（ｄ）前記凹版を前記基板から剥離して前記導体ペーストを前記基板上に転写することにより導体パターンを形成する工程とを有し、
　前記凹版が可とう性を有する樹脂シートからなるとともに、その凹版の表面に紫外線領域の波長を有するエキシマレーザを照射することにより前記溝を形成し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。」と訂正する。
２．１．２　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２、請求項３、及び請求項４を削除する。
２．１．３   訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項５及び請求項６をそれぞれ請求項２及び請求項３として繰り上げる。
２．１．４   訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項７の記載について、「請求項６」とあるのを「請求項３」と訂正するとともに、請求項７を請求項４に繰り上げる。
２．１．５　訂正事項ｅ
　本件明細書【００１４】及び【０１０４】中の「レーザ」及び「溝を形成することを特徴とする」をそれぞれ「エキシマレーザ」及び「溝を形成し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成することを特徴とする」と訂正する。
　
２．２訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２．２．１  訂正事項ａ
　上記訂正事項ａは、「レーザ」を下位概念の「エキシマレーザ」とし、「溝を形成する」工程の後の工程として「前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成する」工程を付加するものである。
　そして「エキシマレーザ」とする点については、訂正前の本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項４に「レーザがエキシマレーザであることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法」と記載されていることに根拠を有する。
　また、「前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成する」点については、訂正前の本件特許明細書の特許請求の範囲の請求項２に「レーザ照射により形成された溝に、充填された導電性ペーストと凹版との剥離を容易にするための剥離層を形成することを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法」と記載されており、同じく請求項３に「剥離層がフッ化炭素系の単分子膜であることを特徴とする請求項２記載の電子部品の製造方法」と記載されていることに根拠を有している。
　したがって、上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
２．２．２　訂正事項ｂ
　訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項２、請求項３、及び請求項４を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当するものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではない。
２．２．３　訂正事項ｃ
　訂正事項ｃは、他の請求項を引用して記載していた請求項５及び請求項６を、請求項２、請求項３、及び請求項４の削除に伴い、それぞれ請求項２及び請求項３として繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　さらに、訂正事項ｃは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．２．４　訂正事項ｄ
　訂正事項ｄは、他の請求項を引用して記載していた請求項７を、請求項２、請求項３、及び請求項４の削除に伴い、引用する従属請求項番号を訂正するとともに請求項を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　さらに、訂正事項ｄは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．２．５　訂正事項ｅ
　訂正事項ｅは、特許請求の範囲の訂正に対応して、これと整合するように発明の詳細な説明の欄を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　さらに、訂正事項ｅは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
２．３　訂正の適否のむすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．　特許異議申立て及びこれについての判断
３．１　申立の理由及び取消理由通知の概要
３．１．１　申立の理由の概要
　特許異議申立人寺尾幸代は、証拠として本件出願前国内において頒布された
　１）甲第１号証（特開平４−２４０７９２号公報）、
　２）甲第２号証（特開平２−２４３３７９号公報）、
　３）甲第３号証（著者宮崎俊行等、”レーザ加工技術”、産業図書株式会社発行、１９９１年５月３１日初版、第１９〜２２頁）
　４）甲第４号証（特開昭５９−６９９３１号公報）
を提出し、本件請求項１ないし７に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証、甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明を行うことができたものであるから、本件特許は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、特許法第１１３条第２号により取り消すべきものである旨主張している。
　
３．１．２　取消理由通知の概要
　当審で通知した取消理由の概要は、以下の通りである。
　「１．本件の請求項１、４、５に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物２、３、４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。よって、請求項１、４、５に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　２．本件の請求項２、３に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１、２、３、４、５に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。よって、請求項２、３に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　３．本件の請求項６、７に係る発明は、その出願前日本国内において頒布された下記の刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものである。よって、請求項６、７に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
    　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　刊行物１：特開平０４−２４０７９２号公報（申立人の提出した甲第１号証）
　　刊行物２：特開平０２−２４３３７９号公報（申立人の提出した甲第２号証）
　　刊行物３：著者宮崎俊行等、”レーザ加工技術”、産業図書株式会社発行、１９９１年（平成３年）５月３１日初版、第１９〜２２頁（申立人の提出した甲第３号証）
　　刊行物４：特開昭５９−０６９９３１号公報（申立人の提出した甲第４号証）
　　刊行物５：特開平０４−２４６５９４号公報　」
　
３．２　本件請求項１ないし４に係る発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１ないし４に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】基板上に導体パターンを凹版印刷によって転写形成する電子部品の製造方法であって、
　（ａ）凹版の表面に溝を形成する工程と、
　（ｂ）前記溝に導電性ペーストを充填する工程と、
　（ｃ）前記導電性ペーストが充填された凹版と前記基板とを貼り合わせる工程と、
　（ｄ）前記凹版を前記基板から剥離して前記導体ペーストを前記基板上に転写することにより導体パターンを形成する工程とを有し、
　前記凹版が可とう性を有する樹脂シートからなるとともに、その凹版の表面に紫外線領域の波長を有するエキシマレーザを照射することにより前記溝を形成し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。
　【請求項２】樹脂シートがポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
　【請求項３】溝が形成される前の凹版の表面に、レーザ照射による溝の開口部の変形を防止するための保護層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
　【請求項４】保護層がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリカーボネート（ＰＣ）のいずれかからなることを特徴とする請求項３記載の電子部品の製造方法。」
　
３．３　取消理由通知で引用した刊行物に記載された発明
３．３．１　刊行物１：特開平４−２４０７９２号公報（申立人の提出した甲第１号証）
　刊行物１は、「回路基板の製造方法」（発明の名称）に関するものであって、「以下に回路基板の製造方法を示す。凹版としては単結晶のシリコンウエハーをフォトリソと反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ）で１５μｍ程度エッチングし、１０μｍから５０μｍ線幅のストライプパターンを形成したものを凹版１１として用いた。・・・」（第３頁右欄段落【００２２】）、「次に、この凹版上にフッ素系カップリング剤（パーフルオロデシルトリエトキシシラン）をディッピング法で塗布し、焼き付けを行い、離型層１２を形成した。」（第３頁右欄段落【００２３】）と記載されている。
　
３．３．２　刊行物２：特開平２−２４３３７９号公報（申立人の提出した甲第２号証）
　刊行物２は、「透明凹版印刷法」（発明の名称）に関するものであって、「本発明の透明凹版印刷法は、第１図に示すような透明凹版１を使用するものであり、この透明凹版１は透明性を有し且つ柔軟性（可撓性）のある樹脂板２を基材とし、この樹脂板２の片面に印刷により形成される画像のパターンをなす凹部３を設けて製版したものである。・・・。上記樹脂板２は・・・合成樹脂・・・にて構成される。・・・合成樹脂としては・・・ポリイミド等が挙げられる。・・・。透明凹版１の製版、即ち凹部２の形成は、・・・光学的切削法・・・にて行われる。・・・。更に上記光学的切削法としては、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等による照射切削等の方法にて行うものが挙げられ・・・。透明凹版１の凹部３に・・・ペースト状物質４を公知のスキージング等の手段により充填させ、しかる後、透明凹版１と被印刷物５とを該凹版の凹部３面側が接触するように重ね合わせる。・・・またペースト状物質としては・・・金、銀、白金、半田、銅等の金属の一種またはこれらの複数からなる組合せのペースト・・・が挙げられる。・・・凹版又は被印刷物の反面側から加圧ローラー等の方法にて加圧した後、両者を離すことにより、第３図に示すように凹版１の凹部３内にある充填物（即ち、インキ又はペースト状物質４）を被印刷物５に転移させて印刷が行われる。・・・。本発明の印刷法を適用することができる被印刷物５としては、例えば、厚膜ＩＣ、プリント配線板・・・等が挙げられる」（第２頁左下欄第１９行〜第４頁左上欄１４行）と記載されている。　
　
３．３．３　刊行物３：著者宮崎俊行等、”レーザ加工技術”、産業図書株式会社発行、１９９１年（平成３年）５月３１日初版、第１９〜２２頁（申立人の提出した甲第３号証）
　刊行物３は、「レーザ加工技術」（書籍の名称）に関するものであって、「エキシマレーザーはＹＡＧレーザやＣＯ２レーザと比べて波長が短く・・・紫外線に対する吸収率が高いポリマー（高分子化合物）に照射した場合は、この部分を化学的に原子群、多原子分子からポリマーの小さな断片（フラグメント）にいたる種々の成分に分解し、瞬間的に噴出させる。」（第１９頁下から第１行〜第２０頁第６行）と記載されており、第２１頁の表１．１はレーザの種類と加工分野に関するものであり、エキシマレーザを製版の加工に適用することが記載されている。
　
３．３．４　刊行物４：特開昭５９−０６９９３１号公報（申立人の提出した甲第４号証）
　刊行物４は、「ポリイミドを遠紫外線で食刻する方法」（発明の名称）に関するものであって、「特に、ポリイミド・フィルムを高分解能でパターン化できるプロセスを確立することが望ましい。本発明はこのようなプロセス技術に関するものであり、ポリイミドの光分解を可能にする２２０ｎｍよりも短い波長の遠紫外線で、ポリイミドを、制御良くフォトエッチして、パターンを形成するものである。」（第２頁左上欄第１６行〜右上欄第２行）、「ポリイミドを食刻するために、２２０ｎｍよりも短い波長の遠紫外線をポリイミドに照射する。このような波長範囲の紫外線を放射する装置ならどれでも使用できる。例えば、ＡｒＦエクサイマー・レーザ（λ＝１９３ｎｍ）・・・が、市販されており利用できる。パルス動作する装置又は連続動作する装置のいずれも、使用することができる。」（第４頁左上欄第８〜１５行）と記載されている。
　
３．３．５　刊行物５：特開平０４−２４６５９４号公報
　刊行物５は、「撥水撥油性凹版およびその製造方法」（発明の名称）に関するものであって、「本発明は・・・ファインパターンの要求される電子部品において、・・・電導体（配線、抵抗体）・・・の形成を凹版印刷によって行う際に使用する撥水撥油性凹版およびその製造方法に関するものである」（第２頁左欄段落【０００１】）、「・・・上記凹版１はガラス製の凹版１に・・・部分的にエッチングすることで表面に凹版パターン２を設け、さらに表面に化学吸着単分子膜６を形成することにより撥水撥油性処理をして構成されたものである。」（第３頁右欄段落【００１１】）、「・・・フッ素を含む化学吸着単分子膜６が凹版１の表面と化学結合した状態でおよそ１５オングストロームの膜厚で形成することができた。なお、化学吸着単分子膜６はきわめて強固に化学結合しているので全く剥離することがなかった。・・・」（第３頁右欄段落【００１４】）と記載されている。また、「・・・凹版１全面に形成された化学吸着単分子膜６のうち、凹版パターン２（溝）内部の化学吸着単分子膜６は除去してもよい。・・・」（第４頁左欄段落【００２１】）、「・・・凹版１の全面に形成された化学吸着単分子膜６のうち、凹版パターン２（溝）内部の化学吸着単分子膜６は除去してもよい。この場合、水性インキ等を用いた場合でも、インキ３が凹版パターン２内ではじかれる（撥水撥油される）こともなく、安定した印刷ができる。・・・」（第６頁左欄段落【００３９】）とも記載されている。
　
３．４　本件発明と刊行物記載の発明との対比・判断
３．４．１　本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１〜５に記載の発明とを対比すると、上記刊行物１〜５には、本件請求項１に係る発明の構成要件である「凹版の表面に紫外線領域の波長を有するエキシマレーザを照射することにより前記溝を形成し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成すること」について記載も示唆もない。
　すなわち、上記刊行物１には、ＲＩＥで溝部を形成した単結晶のシリコンウエハーからなる凹版上にフッ素系カップリング剤（パーフルオロデシルトリエトキシシラン）をディッピング法で塗布し、焼き付けを行い、離型層１２を形成することが記載されており、上記刊行物２には、ポリイミド等の合成樹脂にて構成される樹脂板を凹版の基材とし、凹版の凹部の形成を炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等による照射切削の方法にて行うことが記載されており、上記刊行物３には、ＹＡＧレーザやＣＯ２レーザと比べて波長が短いエキシマレーザによって製版の加工を行うことが記載されており、上記刊行物４には、ポリイミドを食刻するためにＡｒＦエクサイマー・レーザを利用することが記載されており、また、上記刊行物５には、エッチングによって凹版パターンを設けた凹版の表面にフッ素を含む化学吸着単分子膜６を形成することにより撥水撥油性凹版を製造することが記載されてはいるが、上記刊行物１〜５には、「凹版の表面に紫外線領域の波長を有するエキシマレーザを照射することにより前記溝を形成し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成すること」については、記載も示唆もない。
　そして、本件請求項１に係る発明は、上記構成要件により「・・・凹版２０を構成するポリイミドフィルム１５のうち、エキシマレーザによる加工で溝２１及びピット２２が形成された部分は、化学的に活性な状態にある。結果として、上記のフッ化炭素系単分子膜の剥離層２３は、剥離時に大きな剥離力が必要とされる溝２１及びピット２２の内部に、より多く結合して形成される。また、剥離層２３と凹版２０、すなわち上記の単分子膜とポリイミドフィルム１５との結合は共有結合であるので、両者は非常に強力に結合しており、剥離効果の耐久性がある。・・・」（本件特許明細書段落【００３１】）ので「・・・転写によって導体パターンを絶縁基板上に形成する凹版印刷において、よりライン幅が細く、より導電膜の厚さが厚い高精度で微細なパターンを、低コストかつ高信頼性で形成することができる。」（本件特許明細書段落【０１０４】）という明細書記載の顕著な作用効果を奏するものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物１〜５に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．４．２　本件請求項２、３に係る発明について
  本件請求項２、３に係る発明は、本件請求項１に係る発明を引用してさらにその構成要件を限定したものであるから、上記限定の内容について刊行物１〜５に記載の発明と更なる対比・判断をするまでもなく、上記３．４．１と同様の理由により、上記刊行物１〜５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．４．３　本件請求項４に係る発明ついて
  本件請求項４に係る発明は、本件請求項３に係る発明を引用してさらにその構成要件を限定したものであるから、上記限定の内容について刊行物１〜５に記載の発明と更なる対比・判断をするまでもなく、上記３．４．１と同様の理由により、上記刊行物１〜５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
３．５　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び取消理由によっては本件請求項１〜４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１〜４に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものではない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１３日（２００２．６．１３）
【訂正の要旨】
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１を、
「基板上に導体パターンを凹版印刷によって転写形成する電子部品の製造方法であって、
　（ａ）凹版の表面に溝を形成する工程と、
　（ｂ）前記溝に導電性ペーストを充填する工程と、
　（ｃ）前記導電性ペーストが充填された凹版と前記基板とを貼り合わせる工程と、
　（ｄ）前記凹版を前記基板から剥離して前記導体ペーストを前記基板上に転写することにより導体パターンを形成する工程とを有し、
　前記凹版が可とう性を有する樹脂シートからなるとともに、その凹版の表面に紫外線領域の波長を有するエキシマレーザを照射することにより前記溝を形成し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成することを特徴とする電子部品の製造方法。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項２、請求項３、及び請求項４を削除する。
（３）訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項５及び請求項６をそれぞれ請求項２及び請求項３として繰り上げる。
（４）訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項７において、「請求項６」を「請求項３」と訂正するとともに、請求項７を請求項４に繰り上げる。
（５）訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、本件明細書【００１４】及び【０１０４】中の「レーザ」及び「溝を形成することを特徴とする」をそれぞれ「エキシマレーザ」及び「溝を形成し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成することを特徴とする」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
電子部品の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に導体パターンを凹版印刷によって転写形成する電子部品の製造方法であって、
　（ａ）凹版の表面に溝を形成する工程と、
　（ｂ）前記溝に導電性ペーストを充填する工程と、
　（ｃ）前記導電性ペーストが充填された凹版と前記基板とを貼り合わせる工程と、
　（ｄ）前記凹版を前記基板から剥離して前記導体ペーストを前記基板上に転写することにより導体パターンを形成する工程とを有し、
　前記凹版が可とう性を有する樹脂シートからなるとともに、その凹版の表面に紫外線領域の波長を有する
エキシマ
し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成
　【請求項２】　樹脂シートがポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）のいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
　【請求項３】　溝が形成される前の凹版の表面に、レーザ照射による溝の開口部の変形を防止するための保護層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
　【請求項４】　保護層がポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）、ポリカーボネート（ＰＣ）のいずれかからなることを特徴とする請求項３記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、各種電子機器に用いる電子部品の製造方法に関し、特に、凹版印刷によって製造される電子部品の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、電子機器の小型化が進んでおり、それに伴って電子機器内で使用される電子部品の小型化が進んでいる。このような状況の下で、電子部品の導体パターンに対しても、パターンを構成する導体ライン（以下、単にラインと称する）の微細化、ライン抵抗を下げることを目的とした導体パターンを構成する導電膜の厚さの増加、さらに小型化のための積層構造化が要求されている。
　【０００３】
　従来の電子部品の導体パターンは、スクリーン印刷や凹版印刷などの印刷法で銀ペーストや銅ペーストなどの導電性ペーストのパターンを被形成物（基板）上に印刷して、これを焼成して形成されてきた。例えば、凹版印刷法の応用としては、特開平４−２４０７９２号公報に開示されているように、形成すべき導体パターンに対応した凹版内に導電ペースト（有機金属インク）を充填し、その導電ペーストを乾燥・硬化させてから、被形成物である基板上に硬化性樹脂を介してそのパターンを転写することによって、所望の導体パターンを形成する印刷方法が知られている。
　【０００４】
　さらに、ハイブリッドＩＣ回路、サーマルヘッド、あるいは透明電極などでは、導体パターンにおける各ラインの幅、及びラインの間隔が微細になることから、薄膜形成とエッチングとを利用した方法が用いられていることがある。この方法では、被形成物である基板上に、蒸着またはスパッタリングで金、アルミニウム、ＩＴＯなどの導電材料の薄膜を形成して、感光性樹脂を用いたフォトリソグラフィー技術によって所望の導体パターンに対応したマスクパターンを形成し、次にエッチング液及びマスクパターンを用いたエッチングを行って導電材料の薄膜をエッチングし、最後に感光性樹脂を除去して導体パターンを形成する。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述の従来の方法は、以下のような問題点を有している。
　【０００６】
　従来のスクリーン印刷は比較的安価な設備で実行することができ、また必要な工程数は少ない。しかし、形成すべき導体パターンのラインの幅が７０μｍ以下であるような微細導体パターンを、スクリーン印刷で形成することは困難である。また、ラインピッチを１５０μｍ以下に低減することは困難である。また、スクリーン印刷では導体パターンは一様に印刷されるので、設計上の要求に合わせてパターン中に高低差（ラインの高さの差）を設けることはできない。
　【０００７】
　従来の凹版印刷では、ラインの幅が５０μｍ程度でラインピッチ１００μｍ程度の微細導体パターンを形成することが可能であるが、５μｍ以上の厚さを有する導体膜を形成することが困難であって、導体抵抗の低減に限界がある。
　【０００８】
　一方、電子部品の所望の高密度化を達成するためには、各層の導体パターンの微細化だけでは十分ではないことがあり、したがって積層構造の形成が必要になる。そのような積層構造では、下層導体パターン、絶縁層、上層導体パターンというサンドイッチ構造が幾重も重なって形成される。この場合、上下層の導体パターンを接続するビアホールを形成する必要があるが、導体パターンの微細化に伴ってそれらビアホールの微細化も必要になってきている。しかし、上述の特開平４−２４０７９２号公報に開示されている方法も含めて、従来の印刷方法では、直径１００μｍ以下であるような微細なビアホールの形成は困難である。
　【０００９】
　さらに、上下層の導体パターン間の確実な電気的接続を得るためには、ビアホールの内部に上下層を接続する電極（以下、ビアホール電極と称する）を形成する必要がある。しかし、従来の方法では、もし直径１００μｍ以下の微細なビアホールが形成できたとしても、そのような寸法のビアホール内部に電極を形成することは困難である。
　【００１０】
　また、従来の凹版印刷では、一般にガラスやシリコンウエハなどの剛体材料で形成された凹版を使用する。その場合、硬化性樹脂を介してセラミックやガラス基板などの被形成物上に導体パターンを転写する工程において、接着している凹版と被形成物とを剥離しようとしても、凹版の変形がほとんど生じない。その結果、面同士で接着している凹版と被形成物とを剥離しなければならず、強い剥離力が必要になる。
　【００１１】
　また、凹版として金属材料を用いると、凹版のパターン形状の加工（溝の形成）はウエットエッチングで行われる。このエッチングは等方性エッチングになるために、ラインの幅に対して導体膜が厚い（すなわちラインが高い）ような導体パターンを形成するために必要になるアスペクト比の高い凹版形状の加工ができない。
　【００１２】
　一方、フォトリソグラフィー技術を利用した導体パターンの形成は、半導体技術でよくあるように、ラインの幅が数μｍ以下で小面積のパターンを形成する場合には有効である。しかし、電子部品で用いられる導体パターンの形成では、一般に比較的大きな面積のパターンを形成することが必要とされる。そのような場合には、導電膜の蒸着、レジストの塗布、露光、現像、エッチング及びレジスト除去などの一連の工程を、大型装置を用いて行わなければならない。その結果、使用する設備が高価であることから、製造コストが増加しがちである。
　【００１３】
　本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、導体パターンのライン幅をより細く、また導電膜の厚さをより厚くすることが可能な電子部品の製造方法を、低コストかつ高信頼性で提供することを目的とする。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明の電子部品の製造方法は、基板上に導体パターンを凹版印刷によって転写形成する電子部品の製造方法であって、（ａ）凹版の表面に溝を形成する工程と、（ｂ）前記溝に導電性ペーストを充填する工程と、（ｃ）前記導電性ペーストが充填された凹版と前記基板とを貼り合わせる工程と、（ｄ）前記凹版を前記基板から剥離して前記導体ペーストを前記基板上に転写することにより導体パターンを形成する工程とを有し、前記凹版が可とう性を有する樹脂シートからなるとともに、その凹版の表面に紫外線領域の波長を有する
エキシマ
し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成
　【００１５】
　【発明の実施の形態】
　以下に、本発明の電子部品の製造方法の実施の形態を、図面を参照して説明する。
　【００１６】
　（実施の形態１）
　本発明の電子部品の製造方法の第１の実施の形態を、高周波用チップインダクタ１の製造方法を例にとって、図１〜図１０を参照して以下に説明する。なお、以下の図面で、同じ構成要素には同じ参照番号をつけている。
　【００１７】
　図１（ａ）には本実施の形態のチップインダクタ１の平面図、図１（ｂ）には図１（ａ）の１Ｂ−１Ｂ′線におけるチップインダクタ１の断面図を、それぞれ示す。
　【００１８】
　チップインダクタ１は２×１．２５ｍｍの絶縁基板２の中央部付近の表面に形成されたスパイラル状のコイル導体（ライン）３、及び絶縁基板２の両縁部に形成された端子電極４ａ及び４ｂを有している。コイル導体３の外端３ａは、一方の端子電極４ａに接続されている。コイル導体３の内端３ｂは、リード電極６及びビアホール電極７を介してもう一方の端子電極４ｂに接続されている。このリード電極６は、コイル導体３の形成後にそれを覆うように絶縁基板２の表面に形成される絶縁層５の最表面に、さらに設けられている。また、ビアホール電極７は、絶縁層５の最表面に存在するリード電極６と、絶縁層５の最下面に存在するコイル導体３とを接続している。
　【００１９】
　チップインダクタ１は、凹版印刷によって製造される。以下、その製造方法を順に説明する。以下の説明に現れる各工程２１０〜３１０は、図２のブロック図に示されている。
　【００２０】
　まず、図３を参照して、使用される凹版２０の製造工程２１０を説明する。凹版２０は、ＸＹステージ１６上に固定された厚さ１２５μｍのポリイミドフィルム１５上に形成される。エキシマレーザ装置１１から出射された紫外領域の波長２４８ｎｍのレーザビームは、形成されるべきコイルのスパイラルパターン及び端子電極のパターンに対応するマスクパターンを有するマスク１２を照射する。マスク１２通過後のレーザビームは、ミラー１３で反射され、イメージングレンズ１４で縮小されて、ポリイミドフィルム１５上を照射する。ポリイミドフィルム１５のうち、レーザビームで照射された部分は光化学反応で分解されて、導体パターンのラインに相当する溝２１（図４参照）が形成される。これによって、所望のパターンに対応した凹版２０が形成される。ＸＹステージ１６を移動させながら上記の照射動作を繰り返すことによって、典型的には、１００ｍｍ×１００ｍｍのポリイミドフィルム１５上に、サイズ２×１．２５ｍｍの凹版２０が計４０００個形成される。
　【００２１】
　エキシマレーザによる加工は、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザによる加工が赤外波長領域のレーザビームによる熱分解加工であるのに対して、ピークパワーが数１０ＭＷに達する紫外波長領域のレーザビームによる光分解加工である。また、レーザビームのパルス幅が短いために、加工領域以外の周囲への熱的影響が少ない。その結果、エキシマレーザによる加工では、パターンのライン幅が１０μｍ以下の微細な加工を行うことができる。
　【００２２】
　また、レーザビームが照射された部分のポリイミドフィルム１５の表面は、フィルムを構成する分子の結合が切断されていて、化学的に非常に活性化された状態にある。したがって、その部分では化学結合が起こりやすい。この特徴は、後述する剥離層の形成に有利である。
　【００２３】
　図４は、上記の方法で形成された凹版２０の溝２１の典型的な断面形状を示す。レンズの焦点深度などレーザ加工工程で使用される光学系の特性を適切に調整することによって、溝２１は、その側面が２〜６０°のテーパ角を有する台形状の断面形状を有するように形成される。これによって、後の工程で、溝２１の内部に充填される導電ペーストの被形成物上への転写が、容易に実施できるようになる。なお、使用されるレーザビームの形状は、典型的には、エキシマレーザ装置１１からの出射時で８×２４ｍｍの長方形で、ポリイミドフィルム１５への照射時で３．２×９．６ｍｍの長方形である。
　【００２４】
　また、凹版２０の材料になるポリイミドフィルム１５の加工表面に適切な保護層を設けることによって、溝２１の形成時に発生するプラズマとの相互作用から凹版２０の加工面を保護することができる。これによって、凹版２０の表面の溝２１の開口部の変形を防ぐことができる。なお、上記目的の保護層の材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリサルフォン（ＰＳＦ）が使用できる。
　【００２５】
　次に、マスク１２をビアホール電極７の形成用のマスクに交換してレーザビームをさらに照射して、先の工程で形成された導体パターンの溝２１の所定の位置に、ビアホール電極７に相当する円筒形のピット２２（図５参照）を形成する。ピット２２の形成にあたっても、溝２１の形成時と同様に微細加工が可能であり、また充填された導電ペーストの転写が容易なように、ピット２２がテーパ形状を有するように形成することができる。なお、円筒形以外の形状を有するピット２２を形成することも可能である。
　【００２６】
　以上の方法によって、幅１０μｍ〜５０μｍのラインに相当する深さ２０μｍの溝２１、及び直径４５μｍのビアホール電極に相当する直径６０μｍのピット２２を含む、形成されるべき導体パターンに対応する凹版２０が形成される。溝２１やピット２２の深さは、レーザビームの照射時間だけを変化させることによって、ラインの幅（溝２１の幅）を変えることなく任意に０．２μｍ単位で変更でき、最適な値にすることができる。また、溝２１の幅やピット２２の直径はマスクの寸法を変更することで、容易に調整することができる。これによって、本実施の形態の方法によれば、導体パターンのライン幅を１０μｍ以下にしたり、ビアホールの寸法をそのような微細なラインに対応して小さくしたりすることも可能である。
　【００２７】
　なお、上述のように凹版２０の材料としてポリイミドフィルム１５を用いることによって、可とう性（フレキシブル性）を凹版２０に持たせることができる。そのことによって得られる効果は、後述する。
　【００２８】
　上記の方法で形成した凹版２０を用いて、導体パターンを被形成物の表面に転写する。しかしながら、凹版２０の材料として使用しているポリイミドフィルム１５では、溝２１及びピット２２の中に充填されて転写される導電ペーストとフィルム１５との剥離性が十分ではない。そのため、転写工程において、溝２１及びピット２２の内部に導電ペーストが残存しやすい。特に、ビアホール電極７に相当するピット２２では、その深さが深いために導電ペーストの残存が特に顕著に発生する。その結果、凹版２０の形状が十分に転写されない結果になる。したがって、実質的に完全な凹版形状の転写を実現するためには、凹版２０の表面、特に溝２１及びピット２２の表面における剥離層の形成工程２２０が必要である。
　【００２９】
　発明者らは、上記問題点を解決するために、ポリイミドフィルム１５に対する剥離処理を、特に導電ペーストに対する剥離力、及び処理層の寿命の点から鋭意検討した。その結果、以下の方法でフッ化炭素系単分子膜の剥離層を形成することが効果的であることを確認した。
　【００３０】
　まず、Ｏ２アッシャーで酸素プラズマを凹版２０の表面に照射して、凹版２０の表面に存在する酸素の密度を多くする。一方、ｎ−ヘキサデカン（あるいは、トルエン、キシレン、ジシクロヘキシルでもよい）８０％、四塩化炭素１０％及びクロロホルム８％の混合溶液中に、フッ化炭素基及びクロロシラン基を含む物質を混ぜた非水性の溶媒、例えばＣＦ３（ＣＦ２）７（ＣＨ２）２ＳｉＣｌ３を、約１％の濃度で溶かした溶液を調製する。この溶液中に、上記のように酸素処理された凹版２０を浸漬して、凹版２０の表面に酸化膜を形成する。この酸化膜の表面には水酸基が多数含まれており、フッ化炭素基及びクロロシラン基を含む物質のＳｉＣｌ基と反応して、脱塩素反応が生じる。この結果、凹版２０の表面に共有結合によって化学吸着したフッ化炭素系単分子膜が、凹版２０の表面全体にわたって形成される。この単分子膜が、剥離層２３（図５参照）として効果的に機能する。
　【００３１】
　剥離時に大きな剥離力を必要とする箇所は主に溝２１及びピット２２の部分であり、剥離層２３は主としてそのような部分に形成されることが望ましい。一方、先に述べたように、凹版２０を構成するポリイミドフィルム１５のうち、エキシマレーザによる加工で溝２１及びピット２２が形成された部分は、化学的に活性な状態にある。結果として、上記のフッ化炭素系単分子膜の剥離層２３は、剥離時に大きな剥離力が必要とされる溝２１及びピット２２の内部に、より多く結合して形成される。また、剥離層２３と凹版２０、すなわち上記の単分子膜とポリイミドフィルム１５との結合は共有結合であるので、両者は非常に強力に結合しており、剥離効果の耐久性がある。さらに、剥離層２３の厚さは１００〜１０００オングストロームと薄いために、凹版２０の形状精度に影響を与えず、凹版２０内部に多くの導電ペーストを充填することができる。
　【００３２】
　このように、工程２２０で凹版２０の表面に形成される剥離層２３は、非常に優れた特性を有するものである。
　【００３３】
　次に、工程２３０として、以上のように表面に剥離層２３が形成された凹版２０の表面に、導電ペーストとしてＡｇペースト２４を塗布する。そして、塗布後の凹版２０表面をスキージ２５で掻くことによって、凹版２０表面の余分なＡｇペースト２４を除去するとともに、溝２１及びピット２２の中にＡｇペースト２４を十分に充填する（図５参照）。
　【００３４】
　ここで、発明者らによって行われた使用するスキージ２５の材質に関する検討によれば、本実施の形態では、以下の理由によりセラミック製のスキージ２５の使用が望ましいことが明らかになった。すなわち、樹脂製またはスチール製のスキージは、Ａｇペースト２４中に含まれる異物や凹版２０の表面に存在するほこりなどによって傷つきやすい。そのため、そのようなスキージ表面のきずによって、凹版２０表面が傷つきやすくなって、凹版２０の寿命が低減する。それに対して、セラミック製のスキージ２５は硬いために、異物やほこりによる先端部の損傷が少ない。さらに、２０００番以上の細かい研磨材でセラミック製スキージ２５の先端部を滑らかにすれば、長時間の摩耗による消耗も防ぐことができる。この結果、セラミック製のスキージ２５は、凹版２０の表面を傷つけることが少ない。
　【００３５】
　次に、Ａｇペースト２４を充填した凹版２０を循環式熱風乾燥機を用いて乾燥させて、Ａｇペースト２４中の有機溶剤を蒸発させる（工程２４０）。これによって、凹版２０の溝２１及びピット２２に充填されたＡｇペースト２４を、溝２１及びピット２２の形状によりフィットさせて、よりシャープな形状を得ることができる。なお、乾燥手段は、上記に限られるものではない。
　【００３６】
　本実施の形態で扱っている凹版２０の表面には比較的深い溝２１及びピット２２が形成されており、特に、ピット２２は最大深度が６０μｍと深い。そのため、この乾燥工程２４０において１００℃以上の温度で凹版２０を急速に乾燥させると、溝２１及びピット２２の内部に充填されているＡｇペースト２４に直径５〜４０μｍのピンホールが発生しやすい。ライン幅が５０μｍ以下であるような微細な導体パターンでは、このようなピンホールはパターン焼成後のオープン不良の原因になり、良質な導体パターンの形成を妨げる。
　【００３７】
　そこで、本実施の形態の乾燥工程２４０では、以下のように２段階に凹版２０の乾燥を行う。すなわち、まず１００℃以下の温度で５分間の予備乾燥を行い、続いて温度１５０℃で５分間の乾燥を行う。それによって、上記のようなピンホールの発生を防ぐことができ、焼成後のオープン不良の発生がない導体パターンの形成が可能になる。
　【００３８】
　上記の予備乾燥の実施に換えて、室温から１５０℃までの昇温を１５℃／分以下の緩やかな温度勾配で行うことによっても、上記と同様のピンホール発生の抑制という効果を得ることができる。
　【００３９】
　なお、溝２１やピット２２の内部のＡｇペースト２４を上記の工程２４０で乾燥させると、その柔軟性が失われやすい。その結果、微細なライン幅（例えば１００μｍ以下）を有する導体パターンを転写する場合には、転写時に発生するストレスによってＡｇペースト２４にクラックが発生して、焼成後のオープン不良の原因になることがある。このような不都合を防ぐため、本実施の形態ではＡｇペースト２４中に０．１〜１０ｗｔ％の可塑剤を添加する。これによって、Ａｇペースト２４が乾燥後にも適度な柔軟性を有するようにして、転写工程でのクラックの発生を防ぐことができる。可塑剤としては、フタル酸エステル系の可塑剤、例えば、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、あるいはフタル酸ジオクチルを使用することができる。
　【００４０】
　以上のような乾燥工程２４０を行うと、有機溶剤の蒸発分に相当するだけ、溝２１やピット２２の内部に充填されているＡｇペースト２４の体積が減少する。そこで、この減少分を補うために、Ａｇペースト２４の充填工程及び乾燥工程をもう一度繰り返す。先の乾燥工程２４０で有機溶剤が蒸発することによって一度乾燥状態となったＡｇペースト２４は、この再充填で再び軟化する。この再充填工程２５０及び再乾燥工程２６０によって、充填されているＡｇペースト２４の形状をさらに良好なものに整えるとともに、Ａｇペースト２４の厚さを凹版２０の溝２１及びピット２２の深さと同等にすることができる。
　【００４１】
　凹版２０の非パターン部、特にそれぞれの溝２１の間の部分にＡｇペースト２４が残存していると、導体パターンのライン間の短絡不良の原因になり得る。このようなＡｇペースト２４の残存は、Ａｇペースト２４が粘性を有していて糸をひきやすいために、スキージ２５による不要ペーストのかき取り中に糸ひき現象が発生して、除去されるべき部分にＡｇペースト２４が残存してしまうことによる。しかし、上記のように、再充填工程２５０において、溝２１及びピット２２の内部に乾燥状態のＡｇペースト２４が存在する状態で再充填を行うと、非パターン部に新規に塗布されたＡｇペースト２４の溶剤が溝２１やピット２２の内部の乾燥状態のペーストに吸収されて、非パターン部に残存していたＡｇペースト２４の粘度が増加する。この結果、非パターン部のＡｇペースト２４をスキージで除去する場合に糸ひき現象が発生せず、この部分の残存ペーストが容易に除去される。そのため、ライン間の短絡不良が生じない導体パターンの形成を行うことができる。
　【００４２】
　なお、本実施の形態の説明では、再充填工程２５０及び再乾燥工程２６０はそれぞれ１回ずつ繰り返されるが、必要に応じてそれらを２回以上繰り返すことも可能である。
　【００４３】
　次に、絶縁基板２上に熱可塑性樹脂層２８を形成して、導体パターンが転写される被形成物を得る。この樹脂層２８は、転写時の接着層として機能する。そして、図６に模式的に示されているように、Ａｇペースト２４が充填された溝２１及びピット２２を有する側の凹版２０表面と熱可塑性樹脂２８とを対向させて、凹版２０と絶縁基板２とをラミネートする（工程２７０）。
　【００４４】
　後述するように、熱可塑性樹脂層２８の厚さが極端に厚くなると、焼成時に樹脂層２８自身の燃焼ガスが多量に発生して、導体パターンがうまく形成されないという問題点が発生する。発明者による検討の結果、樹脂層２８の厚さは２０μｍ以下が適当であることが確認されている。
　【００４５】
　ラミネート工程２７０の温度は、使用する樹脂層２８のガラス転移温度より３０℃低い温度から、１００℃高い温度の範囲内に設定することが望ましい。ラミネート温度が上記上限値より高いと、樹脂層２８の流動性が大きくなりすぎて、ラミネート時の圧力によって樹脂層２８が薄くなり、凹版２０の溝２１及びピット２２からのＡｇペースト２４の転写が良好に行われなくなる。一方、ラミネート温度が上記下限値より低い場合には樹脂層２８の流動性が十分でなく、Ａｇペースト２４と樹脂層２８との密着性が悪くなって、やはり転写が良好に行われない。
　【００４６】
　さらに、ラミネート時の圧力は、１ｋｇ／ｃｍ２から絶縁基板２の割れが発生する限界圧力値までの範囲に設定することが望ましい。圧力値が上記下限値より小さいと、絶縁基板２の表面にうねりがある場合に、ラミネート時の凹版２０と絶縁基板２との間が完全に密着せず両者の間に気泡が混入することがある。そのような現象は、やはり転写不良につながることがある。
　【００４７】
　上記の検討結果を考慮して、本実施の形態では、ラミネート工程２７０を以下の条件で行う。
　【００４８】
　まず、熱可塑性樹脂であるポリビニールブチラール樹脂（以下、ＰＶＢと略記する）を溶解したブチルカルビトールアセテートの溶液を、１００ｍｍ角のアルミナ製の絶縁基板２の表面に塗布して乾燥する。これによって、絶縁基板２の表面全体に厚さ１０μｍのＰＶＢ層２８を形成する。次に、このようにＰＶＢ層２８を形成した絶縁基板２と、Ａｇペースト２４を充填してある凹版２０とを、図６に示すように熱ローラ２６及び２７を用いて、温度１００℃、圧力２０ｋｇ／ｃｍ２及び速度５ｃｍ／秒の条件下でラミネートする。なお、ＰＶＢ層２８は、ディップ法、スピンナー法、あるいはロールコースタを用いるコーティング法を用いて塗布すればよい。本実施の形態では絶縁基板２の片面にのみＰＶＢ層２８を形成したが、両面に形成しても良い。
　【００４９】
　通常、絶縁基板２の表面には、図７（ａ）または図７（ｂ）に模式的に示すように、最大幅３０μｍ程度のうねりが存在する。従来のようにガラス製の凹版２９を使用する場合には、図７（ｂ）に示すように、ガラス凹版２９の剛性が強すぎるために、凹版２９が絶縁基板２のうねり形状に十分に追従できない。そのため、ＰＶＢ層２８′の厚さを１０〜５０μｍ程度に不均一にしてうねりを吸収して、ラミネートを行わねばならない。このため、先に述べた好ましい厚さの範囲内（２０μｍ以下）におさまるように、ＰＶＢ層２８′を形成することができない。
　【００５０】
　しかし、本実施の形態のようにフレキシブル性に富んだ樹脂製の凹版２０を使用する構成によれば、図７（ａ）に示すように、凹版２０が絶縁基板２のうねり形状に十分に追従できる。したがって、絶縁基板２のうねり形状には無関係に、厚さ１０μｍ以下のＰＶＢ層２８を絶縁基板２上に形成することができる。
　【００５１】
　次に、転写工程２８０として、ラミネートされた凹版２０と絶縁基板２との温度を室温にまで下げてから凹版２０を絶縁基板２から剥離させて、導体パターンに応じてパターン化されたＡｇペースト２４の転写を行う。
　【００５２】
　このとき、本実施の形態の構成では、凹版２０がフレキシブル性に富んでいるために、図８に示されるように凹版２０を９０°以上の角度に曲げることが可能である。その結果、絶縁基板２からの凹版２０の剥離は面と線との剥離になる。このため、必要な剥離力が低減されて、凹版２０を容易に剥離することができる。一方、従来の剛性が強いガラス製凹版２９（図７（ｂ）参照）を用いる場合には、図８に示すような角度まで凹版２９を曲げることができず面と面との剥離になるので、大きな剥離力が必要である。また、凹版２９の曲げ角度を大きくし過ぎると、凹版２９または絶縁基板２にクラックが容易に発生する。したがって、両者の剥離には多大の注意が必要であって、作業性が良くなく、作業コストや作業時間の増加を生じていた。
　【００５３】
　本実施の形態によれば、例えば溝の幅１５μｍ、深さ２０μｍのパターンを有する凹版２０を用いても、溝２１の内部でのＡｇペースト２４の残存がなく、上記の溝２１の幅と実質的に同じ幅及び溝２１の深さと実質的に同じ高さを有する導体パターンを転写・形成することができる。また、ビアホール電極部分に関しては、凹版２０のピット２２の直径が４５μｍで深さが６０μｍの場合に、溝２１の場合と同様に実質的に完全に対応する寸法の導体パターンを転写・形成することができる。また、導体ラインとビアホール電極とは、同一工程で一体的に同時に形成されるので、両者の間の電気的接続が確実に確保される。
　【００５４】
　さらに、本実施の形態の高周波用チップインダクタ１のように高周波数領域で使用される電子部品では、表皮抵抗を小さくして電気的動作特性を向上させるために、導体パターンの表面形状をできるだけシャープにする必要がある。しかし、従来の銅板やガラス製の凹版の形成に用いられていた湿式エッチングは等方性のエッチングになってしまうので、アスペクト比の高い加工ができない。そのため、パターンが微細になって形成すべきライン幅が細くなるにつれて、深い溝を形成することができなくなる。また、溝のエッジ部が鋭利にならずに円みを帯びてしまう。それに対して、本実施の形態のようにエキシマレーザによって凹版２０を加工すれば、鋭角的なエッジを有するパターンを形成することができる。さらに、すでに説明してきたように、転写時に溝２１やピット２２の内部にＡｇペースト２４が残存しないので、鋭角的な凹版２０の形状と同様の鋭利な形状を有するパターンが転写される。したがって、本実施の形態にしたがって形成された導体パターンは、高周波用導体として優れた特性を有するものになる。
　【００５５】
　次に、上記のように導体パターンが転写された絶縁基板２を、図９に示すようなピーク温度８５０℃の温度パターンの下で焼成する工程２９０を行う。本実施の形態で焼成の対象になる絶縁基板２は、ＰＶＢ層（樹脂層）２８を介して導体パターンが形成されている構造になるので、焼成条件の設定によってはＰＶＢ層２８から燃焼ガスが発生して、導体パターンの不良につながる剥離や変形が生じることがある。そのような不都合の発生を防ぐためには、ＰＶＢ層２８の燃焼が開始されてから終了するまでの温度に相当する２００℃〜５００℃の間の昇温時の温度勾配を２００℃／時間以下にすることが望ましい。
　【００５６】
　ラミネート工程２７０の説明に関連してすでに若干説明したが、このような条件で焼成工程２９０を実施する場合におけるＰＶＢ層２８の厚さと形成された導体パターンの性能との関係を、（表１）に示す。
　【００５７】
　【表１】
　【００５８】
　（表１）より、ＰＶＢ層２８の厚さが２０μｍ以下であれば、形状の劣化や剥離が生じることなく所望の導体パターンを焼成することができる。しかし、ＰＶＢ層２８の厚さが３０μｍ以上になると、焼成時にパターンの形状不良や剥離が発生することがわかる。したがって、ＰＶＢ層２８の厚さは薄い方が特性的に有利である。これより、先に図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照して比較した本実施の形態のポリイミド凹版２０と従来のガラス凹版２９とでは、ＰＶＢ層２８の厚さを上記の望ましい範囲内におさめることができる本実施の形態のポリイミド凹版２０の方が、品質的に優れた導体パターンを形成できることになる。
　【００５９】
　また、上記のような本実施の形態の方法によれば、導体パターン中のライン３とビアホール電極７とが、一体的に同時に形成される。これによって、ライン３とビアホール電極７との間の確実な電気的接続が得られる。
　【００６０】
　次に、以上の工程で表面にＡｇペースト２４による導体パターンを形成した絶縁基板２の表面に、絶縁層５を形成するために、ガラスペーストのパターンを印刷して形成する（工程３００）。このとき、図１０に示すようにビアホール電極７の部分は、マスク径１５０μｍのスクリーン版を使用して、粘度２０万ｃｐｓの結晶化ガラスによって印刷する。これより、ビアホール電極７の部分には印刷の「にじみ」が発生して、ビアホール電極７の周囲を覆うガラスペーストの厚さが他の部分よりも薄くなる。この結果、ビアホール電極７の周囲に、ビアホール形状が形成される。
　【００６１】
　形成されるビアホールの径はビアホール電極の形状によって規定されるので、これまでは形成が困難であった直径４０μｍ程度の微少なビアホールであっても、本実施の形態によれば、簡単に印刷形成することができる。また、このように微少なビアホールを形成できるので、その分だけスパイラル状のコイルパターンのターン数を増加させることができる。これによって、得られるインダクタンス値を大きくすることができる。
　【００６２】
　上記のように印刷されたガラスペーストのパターンを、ピーク温度８２０℃に１０分間保持して焼成し、絶縁層５を形成する。このとき、結晶化ガラスを使用しているので、焼成中の流動が少なく、印刷されたパターン形状が良好に保たれる。
　【００６３】
　従来の方法では、多層構造基板の上下層導体パターンを相互に接続するために、絶縁層にスクリーン印刷によるパターニングまたはエッチングなどによって開口部を設けてビアホールとし、さらにそこに電極材料を埋め込んでビアホール電極を形成していた。しかし、この方法では、電極の埋め込み工程における不良によって、上層または／及び下層の導体パターンとビアホール電極との電気的接続が十分でないことによる下層の導体パターンと上層の導体パターンとの間の接続不良が発生することがあった。しかし、本実施の形態による方法では、すでに述べたように、ビアホール電極７の形成は下層の導体パターンの形成と一体的に同時に行われるので、上記のような接続不良は発生しない。
　【００６４】
　さらに、ビアホール電極７の形状・厚さを任意に設定できるので、絶縁層５の表面からビアホール電極７を数μｍ突き出させるような形状にすることによって、上層導体パターンとビアホール電極７との接続を確実に行うことができる。また、ビアホール電極７の基板２表面に垂直な方向の断面形状を台形状にすることによって、寸法的に微細なビアホール電極７であっても、後工程で必要とされるだけの接続強度が十分に得られる構造になっている。
　【００６５】
　最後に、絶縁層５上にリード電極６を形成する工程３１０を行う。これは、Ａｇペーストでリード電極６のパターンを絶縁層５表面にスクリーン印刷して、ピーク温度８１０℃に１０分間保持して焼成を行うことによって、形成される。これによって、本実施の形態のチップインダクタ１が製造される。
　【００６６】
　上記の説明では、チップインダクタ１を例にとって本実施の形態の電子部品の製造方法を説明してきたが、製造できるのはチップインダクタ１に限られるわけではないのはもちろんである。例えば、本実施の形態に従って、チップビーズ、ＥＭＩフィルタ、コンデンサなどの他の電子部品、あるいは積層構造を有する他の電子部品の電極部分を製造することができる。
　【００６７】
　また、上記の説明では、工程２１０〜２９０によって導体パターンを転写して形成した後に工程３００及び３１０で絶縁層５及びリード電極６の形成を行っている。あるいは、このような構造が不要な導体パターンを形成する場合には、工程２１０〜２９０までを行えば所望の導体パターンが得られるのであって、工程３００及び３１０を行う必要がない。
　【００６８】
　また、導体パターンを形成するために使用する導電ペーストの材料としてＡｇペーストを使用したが、これに限定されるものではない。例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｌ，Ａｕなどの他の金属ペースト、またはレジネートペーストを使用することができる。また、有機溶剤を含む導電ペースト以外にも、紫外線硬化性樹脂または熱硬化性樹脂で硬化後に適当なフレキシブル性を有する樹脂を含有する導電ペーストを使用することもできる。
　【００６９】
　凹版２０の材料としては、適度の可とう性（フレキシブル性）を有するものであれば、上述のポリイミドフィルム１５の他に、ＰＥＴ、ＰＳＦ、ＰＣ、ＰＥＩ（ポリエーテルイミド）、ＰＡＲ（ポリアクリレート）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルケトン）などの樹脂シートを使用することができる。また、絶縁基板２上に形成する樹脂層２８の材料には、エチルセルロース系の熱可塑性樹脂、あるいはエポキシやアクリル系の熱硬化性樹脂を使用することができる。
　【００７０】
　さらに、以上の説明では、凹版２０と絶縁基板２とのラミネート工程において、熱ローラ２６及び２７を用いて圧力をかけながら熱的に貼り合わせる装置を使用したが、少なくとも片面に熱板を備えたプレス装置を使用してもよい。
　【００７１】
　導体パターンを転写して形成するための被形成物を構成する絶縁基板２の材料は、特定のものに制限されるものではなく、セラミックなど一般的に使用されている材料を用いることができる。あるいは、チタン酸バリウムを主体とする誘電体であってもよい。
　【００７２】
　特に、インダクタンス部品を形成する場合には、絶縁基板２及び絶縁層５の少なくとも一方を、フェライトなどの磁性体材料で形成することが望ましい。これは、これらの磁性体材料の透磁率によって、形成される電子部品のインダクタンス値を向上できるからである。
　【００７３】
　あるいは、被形成物をグリーンシートによって形成することができる。グリーンシートは加熱によって軟化する性質を有しているので、グリーンシートを用いて被形成物を形成する場合には、工程２７０において、転写時の接着層として機能する樹脂層２８の形成を省略することができる。
　【００７４】
　凹版２０の形成にはエキシマレーザ装置１１を使用したが、波長が紫外線領域のレーザビームを発することができるものであれば、色素レーザや自由電子レーザなど他のレーザ源を使用することができる。さらに、上記波長領域でこれらのレーザと同等の必要なレベルのエネルギー密度を有するビームを発することができる光源であれば、レーザ源以外の他のものを使用することも可能である。
　【００７５】
　（実施の形態２）
　本発明の電子部品の製造方法の第２の実施の形態を、導体パターンの積層構造を有するハイブリッドＩＣ（以下、ＨＩＣと略記する）基板の製造方法を例にとって、図１１〜図１４を参照して説明する。なお、図１１〜図１４において、同じ構成要素には同じ参照符号をつけている。
　【００７６】
　図１１（ａ）はＨＩＣ基板３０の平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の１１Ｂ−１１Ｂ′線におけるＨＩＣ基板３０の切断面である。なお、図１１（ａ）の右半分は上層の導体パターンが形成されている部分、左半分は下層の導体パターンが形成されている部分を示している。また、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）はＨＩＣ基板３０の構成を簡略化して模式的に示すものであるので、図面中の導体パターンは以下に記す寸法の値を正確に反映していない。
　【００７７】
　ＨＩＣ基板３０は、絶縁基板３１上に形成された下層導体パターン３２、下層導体パターン３２を覆うように形成された絶縁層３３、及び絶縁層３３の上に形成された上層導体パターン３４からなる２層配線構造を有している。下層導体パターン３２は、図１１（ｂ）からわかるように、スパイラル状のコイル導体部３２ａ、及びそれ以外の導体部３２ｂを含んでいる。下層導体パターン３２と上層導体パターン３４とは、ビアホール電極３５によって接続される。また、上層導体パターン３４の一部には、ＩＣチップをフェースダウン実装するための実装部３６が設けられている。
　【００７８】
　下層導体パターン３２のうちでコイル導体部３２ａに相当する部分には、電気的特性の観点から、例えばピッチ６０μｍ（すなわち、各ラインの幅３０μｍ、ラインの間隔３０μｍ）で高さ（すなわち、導体膜の厚さ）３５μｍの導体パターンが形成される。また、ビアホール電極３５は、絶縁層３３の表面から先端が飛び出して上下層の導体パターン３２及び３４の間が確実に接続されるように、高さ（すなわち、導体膜の厚さ）５０μｍに形成されている。一方、上層導体パターン３４のフェースダウン実装部３６は、例えば、ピッチ１５０μｍ（すなわち、各ラインの幅７５μｍ、ラインの間隔７５μｍ）で形成される。
　【００７９】
　さらに、このフェースダウン実装部３６は、ＩＣチップをフェースダウン実装する際の実装条件の制約から、表面の長さ５ｍｍあたりのうねりが３μｍ以下であるような平坦度が必要である。この場合、下層導体パターン３２のうちでフェースダウン実装部３６の下に位置する導体部３２ｂの高さ（導体膜の厚さ）が５μｍ以上あると、絶縁層３３の表面のうねりが大きくなってフェースダウン実装が困難になる。そのために、導体部３２ｂの高さは、５μｍ以下に抑えられている。
　【００８０】
　以上のように、本発明の第２の実施の形態では、形成される導体パターンのうちで任意の場所の導体膜の厚さ（ラインの高さ）を所望のレベルに変えて、パターン内に高低差を有する導体パターンが形成される。これによって、最表面の上層導体パターン３４の所定の位置へのＩＣチップのフェースダウン実装を可能にしたＨＩＣ基板３０が形成される。
　【００８１】
　以下に、本実施の形態のＨＩＣ基板３０の製造方法を説明する。なお、以下の説明における凹版の製造などの個々の工程は、形成対象である導体パターンの形状が異なるだけで第１の実施の形態に対応する各工程と実質的に等価である。したがって、その特徴などに関する詳細な説明は省略する。
　【００８２】
　まず、下層導体パターン３２を形成するための凹版を、第１の実施の形態の工程２１０と同様に、下層導体パターン３２のコイル導体部３２ａ作成用及びその他の導体部３２ｂ作成用、ならびにビアホール電極３５作成用の計３種類のマスクを使用して、エキシマレーザを用いてポリイミドフィルム上に以下の順序で形成する。まず、コイル導体部３２ａのパターンに対応するマスクを用いて、深さ４５μｍの溝からなるコイル導体部３２ａに相当するパターンを形成する。次に、ビアホール電極３５のパターンに対応するマスクを用いて、深さ６５μｍの溝からなるビアホール電極に相当するパターンを形成する。最後に、導体部３２ｂのパターンに対応するマスクを用いて、深さ１０μｍの溝からなる導体部３２ｂに相当するパターンを形成する。上記の各工程で形成されるそれぞれのパターンの相対的位置を５μｍ以内の精度で位置合わせすることによって、下層導体パターン３２を形成するための凹版が形成される。
　【００８３】
　このように形成された凹版上に、第１の実施の形態の工程２２０と同様にフッ化炭素系単分子膜からなる剥離層を形成する。次に、第１の実施の形態の工程２３０と同様に、セラミック製スキージを用いて、Ａｇペーストを凹版のそれぞれの溝に充填する。その後に、工程２４０と同様に、循環熱風式乾燥機によってＡｇペーストを乾燥して内部に含まれる有機溶剤を蒸発させて、凹版の溝の内部のペーストを蒸発量に相当する体積分だけ減少させる。さらに、工程２５０及び２６０と同様に、Ａｇペーストを再充填した後に２段階の乾燥を行う。このように、第１の実施の形態と同様にペーストの充填及び乾燥工程を繰り返すことによって、Ａｇペーストの膜の厚さをそれぞれの溝の深さと実質的に等しくすることができる。
　【００８４】
　次に、工程２７０と同様に、厚さ１０μｍの熱可塑性樹脂層を絶縁基板３１表面に形成して、凹版と絶縁基板３１とを圧力２５ｋｇ／ｃｍ２、基板温度１３０℃で貼り合わせる。その後、工程２８０と同様に、基板温度を室温まで下げて凹版を剥離して、導体パターンを絶縁基板３１上に転写する。さらに、工程２９０と同様に、導体パターンを転写した絶縁基板３１をピーク温度８５０℃まで２００℃／時間の温度勾配で昇温して、焼成処理を行う。
　【００８５】
　以上の一連の工程によって、第１の実施の形態の場合と同様に、下層導体パターン３２及びビアホール電極３５が一体的に同時に形成される。
　【００８６】
　次に、工程３００と同様に、ガラスペーストのスクリーン印刷によって、絶縁基板３１の上に絶縁層３３のパターンを形成する。そして、温度８４０℃で焼成して、絶縁層３３を形成する。このとき、第１の実施の形態と同様に結晶化ガラスを使用することによって、焼成中のガラスペーストの流動が少なく、スクリーン印刷で形成した形状が比較的良好に保たれている。
　【００８７】
　次に、絶縁層３３の形成後に、上層導体パターン３４に相当するパターンをＡｇペーストのスクリーン印刷によって形成する。そして、ピーク温度８１０℃に１０分間保持する焼成処理によって、上層導体パターン３４を形成する。
　【００８８】
　上記のようにして、導体パターンのうちで、スパイラル状のコイル導体３２ａに相当する部分のラインの高さ（導体膜の厚さ）を大きくすることで、第１の実施の形態と同様の電気的特性に優れたコイルが形成される。また、ビアホール電極３５の基板表面に垂直な方向での断面を台形状にすることによって、上層導体パターン３４と下層導体パターン３２との電気的接続を確実に行うことができる。また、下層導体パターン３２の厚さを任意の所定の箇所で選択的に薄くすることによって、絶縁層３３の表面の平坦化が必要な箇所における所望の平坦化を実現できる。これによって、ＩＣチップのフェースダウン実装が可能なＨＩＣ基板３０が製造される。
　【００８９】
　ビアホール電極３５の形状は、図１１（ｂ）に示す形状に限られるものではない。例えば、図１２に示すＨＩＣ基板４０のように、ビアホールの一部分のみを埋めるような形状の電極３５′を形成することもできる。あるいは、絶縁層３３の形成時にビアホールを設けて下層導体パターン３２が絶縁層によって完全に覆われないようにして、下層導体パターン３２及び上層導体パターン３４を接続する電極を、下層導体パターン３２の形成工程とは別の工程でビアホール内に設けてもよい。
　【００９０】
　さらに、上記の説明では、２層配線基板を例にとって説明を行ったが、さらに多層化を図ることも可能である。例えば図１３に示すＨＩＣ基板５０では、それぞれが図１１（ｂ）あるいは図１２に示したＨＩＣ基板３０及び４０の一層のパターンに相当する導体パターン５１，５２及び５３が、絶縁基板３１の上に３層積層されている。
　【００９１】
　さらに、本実施の形態によれば、導体パターンのラインに高低差を設けられるので、図１４に示すような絶縁層３３の表面形状を有するＨＩＣ基板６０を形成することもできる。ＨＩＣ基板６０では、下層導体パターンのうち、絶縁層３３の表面のうねり形状の制御が不要な部分に相当する導体部３２ａを、比較的高いライン（厚い導体膜）によって形成している。一方、ＩＣチップ６１をフェースダウン実装する部分のように絶縁層３３の表面を平坦にする必要がある部分に相当する導体部３２ｂを、比較的低いライン（薄い導体膜）によって形成している。導体部３２ｂの高さが低くなると導体抵抗が増加するが、必要に応じて導体部３２ｂのラインの幅を大きくすることによって、電気的特性に対する悪影響をおさえることができる。
　【００９２】
　このように、本実施の形態によれば、絶縁層３３の表面形状に対する要求と導体パターンの電気的特性に対する要求とのトレードオフを考慮して、導体パターンの最適な形状を得ることができる。
　【００９３】
　以上のように、本実施の形態の電子部品の製造方法によれば、フレキシブル性に富んだ樹脂シートの表面に、形成されるべき導体パターンに対応した溝パターンをエキシマレーザの照射によって形成して、凹版を製造する。凹版の溝部パターンに充填される導電ペーストは、被形成物である基板上に実質的に完全に転写される。また、凹版に形成する溝の形状を鋭利にすることができるので、転写後の焼成によって形成される導体パターンの形状も、所望の鋭利な矩形状になる。これによって、形成される導体パターンの電気的特性が改善される。
　【００９４】
　サイズの面では、導体パターンのラインの幅が１０μｍ以下で、導体膜の厚さが５μｍ以上であるような、微細かつ厚膜の導体パターンの形成が可能である。また、任意の所定の箇所についてのみ導体膜の厚さを厚くする、すなわち導体パターンのラインを高くすることができる。これらの点を応用することによって、本実施の形態の電子部品の製造方法によれば、微細な導体パターンのサイズと実質的に同等な程度に幅が微少なビアホールの形成が可能である。したがって、従来の印刷方法では実現が困難であった小型の積層構造を有する電子部品を、低コストで製造することができる。
　【００９５】
　なお、以上の第１及び第２の実施の形態の説明では、導体パターンの中に導体膜の厚い部分を作成することが必要とされるタイプの電子部品を例にとって、本発明を説明してきた。しかし、それ以外の電子部品、すなわち、特に導体膜の厚さを部分的に異ならせる、あるいは厚くすることが必要でないような電子部品に対しても、本発明の電子部品の製造方法を適用できることは明らかである。そのような場合であっても、フレキシブルな樹脂シートから形成された凹版の使用によって転写工程での剥離が容易かつ確実に行えること、また、エキシマレーザによる凹版上のパターン形成により鋭利な矩形状のパターンが形成できることは、製造される電子部品の特性にとっては十分に有効な改善手段になる。
　【００９６】
　以上に説明してきたことをまとめると、本実施の形態１および実施の形態２によれば、可とう性に富んだ樹脂からなる凹版を用いることによって、基板の損傷や導体パターンにおけるクラックやピンホールの発生を招くことなく、凹版の剥離・導体パターンの転写が行われる。また、基板表面にうねりがあっても、凹版がそのうねり形状に追従して変形できるので、基板と凹版とが密着して、導電ペーストの転写が良好に行われる。また、導電ペーストの転写が完全に行えるので、導体パターン中のライン幅が細く、かつ導体膜の厚さが厚いパターンであっても、良好な形状で形成する。さらに、凹版への導電ペーストの充填及び乾燥を複数回行うことによって、乾燥によって導電ペーストの体積が減少しても、充填される導電ペーストの形状を溝の形状によりフィットさせることが可能になる。また、凹版と基板とのラミネートを熱的に行うことによって、不透明な基板上にも導体パターンの転写を行える。
　【００９７】
　さらに、導体パターンの多層構造化も、容易に実現される。また、導体パターンの任意の箇所の導電膜の厚さを容易に制御することが可能であるので、電気特性や絶縁層表面の形状などの最適化を図ることができる。例えば、導体パターン中で高く形成された部分を、多層構造の各導体パターンを接続する電極として使用することができる。これによって、導体パターンと電極とが一体的に同時に形成されるので、両者の間の接続不良などの欠陥の発生が防がれる。あるいは、導体パターンを低く形成することによって、その部分に対応する絶縁層表面の平坦度が向上する。これによって、ＩＣチップのフェースダウン実装に必要な平坦部を得ることができる。
　【００９８】
　凹版表面の溝の形成を紫外波長領域の発振周波数を有するレーザ、好ましくはエキシマレーザで行うことによって、凹版上に微細パターンが容易にかつ高精度に形成される。また、溝の深さの変更は、レーザの照射時間の変更によって容易に行われる。さらに、凹版に形成する溝の形状を鋭利にすることができるので、転写後の焼成によって形成される導体パターンの形状も、所望の鋭利な矩形状になる。これによって、形成される導体パターンの電気的特性が改善される。
　【００９９】
　フッ化炭素系単分子膜の剥離層は、凹版の表面に容易に形成される。この剥離層は、凹版表面に共有結合によって結合しているために耐久性があり、その結果が持続する。また、単分子層であるために剥離層は薄く、凹版の形状に影響を与えない。
　【０１００】
　導体ペーストに可塑剤を添加して可とう性をもたせることによって、凹版がフレキシブルに屈曲しても追従することが可能になる。さらに、乾燥工程後であっても適度な可とう性を有することができるので、転写時のストレスに十分に対抗でき、導電ペーストにおける欠陥の発生が防がれる。
　【０１０１】
　凹版にテーパをもたせることによって、充填された導電ペーストの剥離・転写をさらに容易にすることが可能になり、良好な形状の導体パターンが形成される。
　【０１０２】
　基板として表面に樹脂層を設けた絶縁基板を用いる場合、その樹脂層を導電ペーストパターン転写時の接着層として使用することができるが、特に樹脂層の厚さを２０μｍ以下にすることによって、熱的なラミネート時に樹脂層自身から発生する燃焼ガスの影響による導体パターンの欠陥の発生が抑制される。絶縁材料として誘電材料や磁性材料を使用すれば、形成される電子部品に所望の特性を付与することが可能になる。また、基板をグリーンシートによって形成すれば、ラミネート時に加えられる熱によってグリーンシートが軟化する性質を利用することができ、接着層として機能する樹脂層の形成を省略することが可能になる。
　【０１０３】
　さらに、本実施の形態によって形成される電子部品では、高精度で微細な導体パターンが容易に形成されるとともに、多層構造化も容易に行われる。また、各層の導体パターン間を接続する電極を導体パターンと一括して形成することができ、確実な電気的接続を得ることができる。
　【０１０４】
　【発明の効果】
　以上のように、本発明の電子部品の製造方法は、凹版が可とう性を有する樹脂シートからなるとともに、その凹版の表面に紫外線領域の波長を有する
エキシマ
し、前記エキシマレーザの照射により形成された溝に、前記充填された導電性ペーストと前記凹版との剥離を容易にするためのフッ化炭素系の単分子膜からなる剥離層を形成
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　（ａ）本発明の第１の実施の形態におけるチップインダクタの模式的な平面図
　（ｂ）（ａ）の１Ｂ−１Ｂ′線における断面図
　【図２】
　同電子部品の製造方法の工程の流れを示すブロック図
　【図３】
　同要部である凹版の製造工程を模式的に示す概略図
　【図４】
　同要部である凹版表面の溝の形状を模式的に示す断面図
　【図５】
　同要部である凹版への導体ペーストの充填工程を模式的に示す概略図
　【図６】
　同要部であるラミネート工程を模式的に示す概略図
　【図７】
　（ａ）同要部であるポリイミド凹版と絶縁基板とのラミネート状態を模式的に示す断面図
　（ｂ）従来のガラス凹版と絶縁基板とのラミネート状態を模式的に示す断面図
　【図８】
　同要部である剥離工程を模式的に示す概略図
　【図９】
　同要部である焼成工程の焼成温度条件を示す図
　【図１０】
　同要部であるビアホールの形状を模式的に示す断面図
　【図１１】
　（ａ）本発明の第２の実施の形態におけるハイブリッドＩＣ基板の模式的な平面図
　（ｂ）（ａ）の１１Ｂ−１１Ｂ′線における断面図
　【図１２】
　本発明によって製造される他のハイブリッドＩＣ基板の模式的な断面図
　【図１３】
　本発明によって製造されるさらに他のハイブリッドＩＣ基板の模式的な断面図
　【図１４】
　本発明によって製造されるさらに他のハイブリッドＩＣ基板の模式的な断面図
　【符号の説明】
　１　チップインダクタ
　２　絶縁基板
　３　コイル導体
　４ａ，４ｂ　端子電極
　５　絶縁層
　６　リード電極
　７　ビアホール電極
　１１　エキシマレーザ装置
　１２　マスク
　１３　ミラー
　１４　イメージングレンズ
　１５　ポリイミドフィルム
　１６　ＸＹステージ
　２０　ポリイミド凹版
　２１　溝
　２２　ピット
　２３　剥離層
　２４　Ａｇペースト
　２５　スキージ
　２６，２７　熱ローラ
　２８，２８′　樹脂層（ＰＶＢ層）
　２９　ガラス凹版
　３０，４０，５０　ハイブリッドＩＣ基板
　３１　絶縁基板
　３２　下層導体パターン
　３３　絶縁層
　３４　上層導体パターン
　３５，３５′　ビアホール電極
　３６　フェースダウン実装部
　５１，５２，５３　導体パターン
　６１　ＩＣチップ