(57)【要約】  物体の露光に際して、雰囲気の温度揺らぎの影響等を低減して、その物体を移動する移動体の位置及びその物体の面位置を高精度に計測することを課題とする。投影系（ＰＬ）を介してウエハステージ（ＷＳＡ）上のウエハ（Ｗ１）上にパターンを露光する露光装置は、投影系（ＰＬ）に対して静止状態で支持され、スケール板（２６Ｂ，２６Ｃ）が固定されたフレーム（２４）と、ウエハステージ（ＷＳＡ）に配置されスケール板（２６Ｂ，２６Ｃ）のスケールの位置を検出する検出ヘッド（２８Ａ，３０Ａ）と、フレーム（２４）に形成された基準面（３４）を基準としてウエハ（Ｗ１）の面位置を計測する斜入射方式のＡＦ系ユニット（３６）とを備える。
2010143652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影系を介して物体上にパターンを露光する露光装置において、
前記物体を保持して前記投影系に対して移動するステージと、
前記投影系に対して静止状態で支持され、前記ステージに対向するように回折格子状のスケールが形成されたフレーム部材と、
前記ステージに配置され、それぞれ前記スケールに検出光を照射して、前記ステージと前記フレーム部材との相対位置情報を検出する複数の検出ヘッドと、
前記フレーム部材に形成された基準面と、
前記基準面に第１光束を照射し、前記物体の表面に第２光束を照射して、前記基準面を基準として、前記物体の表面の前記投影系の光軸に沿った方向の位置情報を計測する面位置検出装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
投影系を介して物体上にパターンを露光する露光装置において、
前記物体を保持して前記投影系に対して移動するとともに、前記投影系に対向する側に回折格子状のスケールが形成されたステージと、
前記投影系に対して静止状態で支持されたフレーム部材と、
前記フレーム部材に前記ステージに対向するように配置され、それぞれ前記スケールに検出光を照射して、前記ステージと前記フレーム部材との相対位置情報を検出する複数の検出ヘッドと、
前記フレーム部材に形成された基準面と、
前記基準面に第１光束を照射し、前記物体の表面に第２光束を照射して、前記基準面を基準として、前記物体の表面の前記投影系の光軸に沿った方向の位置情報を計測する面位置検出装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項３】
前記複数の検出ヘッドのうち少なくとも一つは、前記ステージと前記フレーム部材との前記光軸方向の相対位置情報を検出することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記基準面側が長い台形型の断面形状を持ち、前記基準面側の面が前記基準面に固定されたプリズム部材を備え、
前記プリズム部材の前記基準面に対向する表面に、前記検出ヘッドが前記ステージと前記フレーム部材との前記光軸方向の相対位置情報を検出するときの位置基準となる反射面が形成されたことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記面位置検出装置は、前記第１光束を前記基準面に向けて偏向する第１偏向部材と、前記基準面で反射された前記第１光束を偏向する第２偏向部材とを有し、
前記第１及び第２偏向部材の少なくとも一方が前記フレーム部材に支持されることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記基準面は、前記フレーム部材の前記ステージに対して凹部に形成されたことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記物体の位置合わせ用マークを検出するマーク検出系を備え、
前記ステージは、それぞれ露光対象の物体を保持して独立に移動する第１ステージ及び第２ステージを有し、
前記面位置検出装置の光学系は、前記投影系と前記マーク検出系との間に配置されることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記フレーム部材に形成されたマーク検出系用基準面と、
前記マーク検出系用基準面に第３光束を照射し、前記物体の表面に第４光束を照射して、前記基準面を基準として、前記物体の表面の前記マーク検出系の光軸に沿った方向の位置情報を計測するマーク検出系用面位置検出装置と、
を備えることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板にパターンを露光することと、
前記パターンが露光された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１０】
投影系を介して物体上にパターンを露光する露光方法において、
前記投影系に対して移動するステージに前記物体を保持し、
前記投影系に対して静止状態で支持されたフレーム部材に前記ステージと対向するように形成された回折格子状のスケールに対し、前記ステージから検出光を照射して、前記ステージと前記フレーム部材との相対位置情報を検出し、
前記フレーム部材に形成された基準面に第１光束を照射し、前記物体の表面に第２光束を照射して、前記基準面を基準として、前記物体の表面の前記投影系の光軸に沿った方向の位置情報を計測する、
ことを特徴とする露光方法。
【請求項１１】
投影系を介して物体上にパターンを露光する露光方法において、
前記投影系に対して移動するとともに回折格子状のスケールが形成されたステージに前記物体を保持し、
前記投影系に対して静止状態で支持されたフレーム部材から前記スケールに検出光を照射して、前記ステージと前記フレーム部材との相対位置情報を検出し、
前記フレーム部材に形成された基準面に第１光束を照射し、前記物体の表面に第２光束を照射して、前記基準面を基準として、前記物体の表面の前記投影系の光軸に沿った方向の位置情報を計測する、
ことを特徴とする露光方法。
【請求項１２】
前記相対位置情報は、前記ステージと前記フレーム部材との前記光軸方向の相対位置情報を含むことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記基準面側が長い台形型の断面形状を持ち、その裏面が前記基準面に固定されたプリズム部材を使用し、
前記プリズム部材の前記基準面に対向する表面に形成された反射面を前記光軸方向の相対位置情報の位置基準とすることを特徴とする請求項１２に記載の露光方法。
【請求項１４】
前記ステージは、それぞれ前記物体の位置合わせ用マークが設けられて独立に移動する第１ステージ及び第２ステージを有し、
前記第１及び前記第２ステージの一方のステージ上の前記位置合わせ用マークを検出した後、
前記基準面を基準として、前記一方のステージが保持する前記物体の表面の前記光軸に沿った方向の位置情報を計測し、
該計測結果に基づいて、前記一方のステージ上の前記物体に前記パターンを露光する際に、前記物体の前記光軸方向の位置を制御する
ことを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１５】
請求項１０から１４のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板にパターンを露光することと、
前記パターンが露光された前記基板を処理することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、投影系を介して物体上にパターンを露光する露光技術、及びこの露光技術を用いてデバイスを製造するデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子又は液晶表示素子等のマイクロデバイス（電子デバイス）を生産するためのフォトリソグラフィ工程で用いられる、いわゆるステッパー又はスキャニングステッパーなどの露光装置においては、投影光学系の焦点深度が狭いとともに、露光対象の基板の表面に段差（凹凸）があるため、オートフォーカスセンサ（以下、ＡＦ系という）によって基板表面の高さ（面位置）を計測し、この計測結果に基づいて基板表面が投影光学系の像面に合わせ込まれる（合焦される）ように、基板を保持するステージの制御を行っている。従来のＡＦ系としては、例えば外乱による光学部材の僅かな位置変動又は検出光の光路上の雰囲気の温度揺らぎによる光路の変動等の影響を抑制するために、被検面で反射された検出光と例えば所定のプリズムの一面に形成された基準面で反射された基準光とを受光し、その基準面を基準としてその被検面の面位置を検出する斜入射方式のＡＦ系が使用されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
また、基板を移動するステージの位置計測は従来はレーザ干渉計によって行われていたが、レーザ干渉計では、計測用ビームの光路上の雰囲気の温度揺らぎに起因する計測値の短期的な変動が無視できなくなりつつある。そこで、レーザ干渉計に比べて計測値の短期的安定性に優れるとともに、レーザ干渉計に近い分解能を持ちつつある計測装置として、回折格子状のスケールに検出ヘッドから検出光を照射し、そのスケールからの回折光を検出して、そのスケールの周期方向の位置を検出するエンコーダ方式の計測装置が提案されている（例えば、特許文献２及びこれに対応する米国特許第５，６１０，７１５号明細書参照）。また、そのスケールを用いてそのスケールの法線方向の位置を検出する計測装置も提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０４２１８３号公報
【特許文献２】特開平７−２７０１２２号公報
【特許文献３】特開２００９−０５４７３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の如く、例えばプリズムに形成された基準面を用いるＡＦ系及びエンコーダ方式の計測装置を用いることによって、雰囲気の温度揺らぎの影響等を低減できる。しかしながら、そのＡＦ系において、例えば外乱等によってそのプリズム、ひいては基準面の高さが僅かに変動すると、それに応じて被検面の面位置の計測結果が変化するため、合焦精度が低下する恐れがある。【０００６】
そのような基準面の高さの僅かな変動の影響を低減する方法の一つは、例えばテストプリント等によるＡＦ系の計測値のキャリブレーションの頻度を高めることであるが、この場合には露光工程のスループットが低下する。
本発明の態様は、このような事情に鑑み、物体の露光に際して、雰囲気の温度揺らぎの影響等を低減して、その物体を移動する移動体の位置及びその物体の面位置を高精度に計測することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様による露光装置は、投影系を介して物体上にパターンを露光する露光装置において、その物体を保持してその投影系に対して移動するステージと、その投影系に対して静止状態で支持され、そのステージに対向するように回折格子状のスケールが形成されたフレーム部材と、そのステージに配置され、それぞれそのスケールに検出光を照射して、そのステージとそのフレーム部材との相対位置情報を検出する複数の検出ヘッドと、そのフレーム部材に形成された基準面と、その基準面に第１光束を照射し、その物体の表面に第２光束を照射して、その基準面を基準として、その物体の表面のその投影系の光軸に沿った方向の位置情報を計測する面位置検出装置と、を備えるものである。【０００８】
また、本発明の第２の態様による露光装置は、投影系を介して物体上にパターンを露光する露光装置において、その物体を保持してその投影系に対して移動するとともに、その投影系に対向する側に回折格子状のスケールが形成されたステージと、その投影系に対して静止状態で支持されたフレーム部材と、そのフレーム部材にそのステージに対向するように配置され、それぞれそのスケールに検出光を照射して、そのステージとそのフレーム部材との相対位置情報を検出する複数の検出ヘッドと、そのフレーム部材に形成された基準面と、その基準面に第１光束を照射し、その物体の表面に第２光束を照射して、その基準面を基準として、その物体の表面のその投影系の光軸に沿った方向の位置情報を計測する面位置検出装置と、を備えるものである。【０００９】
また、本発明の第３の態様による露光方法は、投影系を介して物体上にパターンを露光する露光方法において、その投影系に対して移動するステージにその物体を保持し、その投影系に対して静止状態で支持されたフレーム部材に、そのステージと対向するように形成された回折格子状のスケールに対し、そのステージから検出光を照射して、そのステージとそのフレーム部材との相対位置情報を検出し、そのフレーム部材に形成された基準面に第１光束を照射し、その物体の表面に第２光束を照射して、その基準面を基準として、その物体の表面のその投影系の光軸に沿った方向の位置情報を計測するものである。【００１０】
また、本発明の第４の態様による露光方法は、投影系を介して物体上にパターンを露光する露光方法において、その投影系に対して移動するとともに回折格子状のスケールが形成されたステージにその物体を保持し、その投影系に対して静止状態で支持されたフレーム部材からそのスケールに検出光を照射して、そのステージとそのフレーム部材との相対位置情報を検出し、そのフレーム部材に形成された基準面に第１光束を照射し、その物体の表面に第２光束を照射して、その基準面を基準として、その物体の表面のその投影系の光軸に沿った方向の位置情報を計測するものである。【００１１】
また、本発明の第５の態様によるデバイス製造方法は、本発明の第１の態様若しくは第２の態様の露光装置、又は本発明の第３の態様若しくは第４の態様の露光方法を用いて基板にパターンを露光することと、そのパターンが露光された前記基板を処理することと、を含むものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の態様によれば、スケール又は検出ヘッドが設けられたフレーム部材に形成された基準面を基準として物体表面の面位置（投影系の光軸方向の位置）が計測される。また、物体を保持するステージの位置情報が、フレーム部材を介してエンコーダ方式で計測される。このように共通にフレーム部材を基準として計測を行っているため、例えば両者の計測値の差分を用いることによって、そのフレーム部材の位置が変動しても、そのステージに対する物体の面位置を高精度に計測できる。従って、物体の露光に際して、雰囲気の温度揺らぎの影響等を低減して、そのステージの位置及びその物体の面位置を高精度に計測することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す一部を切り欠いた図である。
【図２】図１中のスケール板固定用のフレーム２４を示す底面図である。
【図３】図２の計測ビーム及び基準ビームの光路に沿った断面図である。
【図４】（Ａ）は図１中のウエハアライメント系ＡＬＧの下方のフレーム２４を示す底面図、（Ｂ）は図４（Ａ）のＢＢ線に沿う断面図、（Ｃ）は図１中のウエハステージＷＳＢを示す平面図である。
【図５】実施形態の露光動作の一例を示すフローチャートである。
【図６】第１変形例のＡＦ系ユニットの要部を示す断面図である。
【図７】（Ａ）は、第２変形例に係るＡＦ系ユニットの要部を示す断面図、（Ｂ）は図７（Ａ）の状態からウエハステージＷＳＡをＹ方向に移動した状態を示す断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す一部を切り欠いた図である。
【図９】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１の実施形態］
以下、本発明の第１の実施形態につき図１〜図５を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係る露光装置１０の概略構成を示す。露光装置１０は、スキャニングステッパー（スキャナー）よりなる走査型露光装置であり、かつ２台のウエハステージＷＳＡ，ＷＳＢを備えたツイン・ウエハステージ型である。露光装置１０は、温度制御されるとともに高度に防塵された気体（例えばドライエアー）がダウンフロー方式で供給されている箱状のチャンバー（不図示）内に設置されている。本実施形態では、投影系（投影光学系）ＰＬが設けられている。以下、投影系ＰＬの光軸ＡＸと平行にＺ軸を取り、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される方向（図１の紙面に平行な方向）にＸ軸を取り、Ｚ軸及びＸ軸に直交する方向（図１の紙面に垂直な方向）にＹ軸を取り、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。本実施形態では、ＸＹ面はほぼ水平面に平行である。
【００１５】
図１において、露光装置１０は、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されているものと同様の照明系ＩＬＳ、この照明系ＩＬＳからの例えばＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、又は放電ランプの輝線等の露光用の照明光（露光光）ＩＬにより照明されるレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲから射出された照明光ＩＬをウエハＷ１（又はＷ２）上に投射する投影系ＰＬ、ウエハＷ１を保持して移動する第１のウエハステージＷＳＡ、ウエハＷ２を保持して移動する第２のウエハステージＷＳＢ、ウエハステージＷＳＡ，ＷＳＢの位置計測システム、ウエハステージＷＳＡ，ＷＳＢの駆動機構（不図示）、ウエハステージＷＳＡの動作を制御する第１制御系６Ａ（図３参照）、ウエハステージＷＳＢの動作を制御する第２制御系６Ｂ、及び装置全体の動作を統括的に制御する主制御系４（図３参照）等を備えている。さらに、露光装置１０は、投影系ＰＬからＸ方向に所定間隔だけ離れて配置された例えば画像処理型のＦＩＡ（Field Image Alignment）系よりなるウエハアライメント系ＡＬＧ、及び投影系ＰＬとウエハアライメント系ＡＬＧとの間に配置され、ウエハステージＷＳＡ，ＷＳＢ上のウエハＷ１，Ｗ２の表面の投影系ＰＬの光軸ＡＸに平行な方向の位置（面位置）であるフォーカス位置又はＺ位置を計測するＡＦ系ユニット３６を含むＡＦ系（オートフォーカスセンサ）を備えている。
【００１６】
図１のレチクルステージＲＳＴ上には、回路パターンなどがそのパターン面（下面）に形成されたレチクルＲが、例えば真空吸着により固定されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む駆動系（不図示）によって、ＸＹ面内で微少駆動可能であるとともに、走査方向（Ｘ方向）に指定された走査速度で駆動可能となっている。レチクルステージＲＳＴの移動面内のＸ方向、Ｙ方向の位置及びθｚ方向の回転角を含む位置情報は、レーザ干渉計（不図示）によって例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。主制御系（不図示）に接続されたレチクルステージ制御系（不図示）がその位置情報に基づいてその駆動系を介してレチクルステージＲＳＴの動作を制御する。
【００１７】
なお、本実施形態の投影系ＰＬの投影倍率βは例えば１／４，１／５等の縮小倍率であり、レチクルステージＲＳＴの位置情報の計測誤差は投影系ＰＬの像面側では投影倍率βで縮小されるため、その影響は低減される。ただし、レチクルステージＲＳＴの位置情報も後述のエンコーダ方式の計測装置で計測してもよい。
図１において、レチクルステージＲＳＴの下方にＸＹ面に平行に厚い平板状の光学系フレーム１８が配置され、光学系フレーム１８はその上方の本体コラム１１に、それぞれチェーン２１を防塵ベローズ２２で覆って形成されている複数の吊り下げ機構２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ等を介して吊り下げて支持されている。この構成によって、光学系フレーム１８は外乱の影響を殆ど受けることなく安定に支持される。光学系フレーム１８にはＸ方向に所定間隔で第１開口及び第２開口が形成され、これらの第１開口及び第２開口内にそれぞれ投影系ＰＬ及びウエハアライメント系ＡＬＧが設置され、投影系ＰＬ及びウエハアライメント系ＡＬＧのフランジ部が光学系フレーム１８の上面に固定されている。
【００１８】
また、光学系フレーム１８の底面に複数のリンク機構３２を介して、平板状で投影系ＰＬ及びウエハアライメント系ＡＬＧを通す開口が形成されたスケール板固定用のフレーム２４が安定に支持されている。従って、フレーム２４は、投影系ＰＬ及びウエハアライメント系ＡＬＧに対して相対的に静止状態で支持されている。光学系フレーム１８、リンク機構３２、及びフレーム２４はそれぞれ線膨張係数の極めて小さい材料（例えばインバー）から形成されている。なお、フレーム２４については、さらに線膨張率が小さい低膨張ガラス、低膨張ガラスセラミックス（例えばショット社のゼロデュア（ZERODUR）（商品名））、低膨張セラミックス、又はスーパーインバーなどから形成することも可能である。
【００１９】
フレーム２４の底面の光軸ＡＸから＋Ｘ方向側の領域に、Ｘ方向に所定ピッチを持つ反射型の回折格子状のＸスケールとＹ方向に所定ピッチを持つ反射型の回折格子状のＹスケールとが所定配列で形成されたスケール板２６Ａが固定され、フレーム２４の底面の投影系ＰＬとウエハアライメント系ＡＬＧとの間のほぼ中間位置にＹ軸に沿ってＸ方向に所定幅でスリット状の凹部２４ａが形成されている。フレーム２４の底面の光軸ＡＸと凹部２４ａとの間の領域、凹部２４ａとウエハアライメント系ＡＬＧの光軸との間の領域、及びウエハアライメント系ＡＬＧの光軸から−Ｘ方向側の領域に、それぞれスケール板２６Ａと同様のＸスケール及びＹスケールが形成されたスケール板２６Ｂ，２６Ｃ，２６Ｄが固定されている。
【００２０】
スケール板２６Ａ〜２６Ｄは例えば薄い平板状のガラス板であり、その表面に形成されているＸスケール及びＹスケールのピッチ（周期）は、例えば１３８ｎｍ〜４μｍの範囲で、例えば１μｍ程度である。これらのスケール板２６Ａ〜２６ＤとウエハステージＷＳＡ，ＷＳＢ上の検出ヘッド２８Ａ，２８Ｂ等とから、ウエハステージＷＳＡ，ＷＳＢの位置情報を計測するエンコーダ方式の計測装置（以下、エンコーダシステムという。詳細後述）が構成される。
【００２１】
また、図１中のスケール板２６Ｂ及び２６Ｃは、図１のフレーム２４の一部の底面図である図２に示すように、それぞれＹ方向に対称な形状の２つのスケール板２６Ｂ１，２６Ｂ２、及び２つのスケール板２６Ｃ１，２６Ｃ２に分かれている。同様に、図１の他のスケール板２６Ａ及び２６ＤもＹ方向に対称な形状の２つのスケール板に分かれている。なお、各スケール板２６Ａ〜２６Ｄの分割数は任意であり、スケール板２６Ａ〜２６Ｄをそれぞれ１枚のスケール板から形成してもよい。また、図２では、ウエハアライメント系ＡＬＧの検出領域ＡＬＷが示されているが、ウエハアライメント系ＡＬＧの周辺の機構は簡略化して示されている。
【００２２】
図１の投影系ＰＬとしては、例えば光軸ＡＸに沿って配列される複数のレンズエレメントを含む両側テレセントリックの屈折光学系が用いられている。照明系ＩＬＳからの照明光ＩＬによってレチクルＲの照明領域が照明されると、レチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影系ＰＬを介してその照明領域内の回路パターンの像が、ウエハＷ１（又はＷ２）上のＹ方向に細長い露光領域ＩＬＷ（照明領域に共役な領域）（図２参照）に形成される。ウエハＷ１，Ｗ２は、シリコン又はＳＯＩ(silicon on insulator)等の直径が例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍの円板状の基材の表面にフォトレジスト（感光剤）を塗布したものである。なお、投影系ＰＬとしては反射屈折系も使用できる。
【００２３】
なお、露光装置１０が液浸法を適用して露光を行う場合には、局所液浸機構（不図示）によって投影系ＰＬとウエハＷ１，Ｗ２との間に照明光ＩＬを透過する液体（純水等）が供給される。その局所液浸機構としては、例えば米国特許出願公開第２００７／２４２２４７号明細書、又は欧州特許出願公開第１４２０２９８号明細書等に開示されている液浸機構を使用できる。なお、露光装置１０がドライ型である場合には、その局所液浸機構を設ける必要はない。
【００２４】
また、ウエハステージＷＳＡ及びＷＳＢは、それぞれベース部材１２のＸＹ面に平行な上面に例えば真空予圧型空気静圧軸受を構成するエアパッドを介して数μｍ程度のクリアランスを介して非接触で支持されているＸＹステージ１６Ａ及び１６Ｂ上に、ウエハＷ１及びＷ２をウエハホルダ（不図示）を介して真空吸着等で保持するウエハテーブル１４Ａ及び１４Ｂを積み重ねて構成されている。ウエハテーブル１４Ａ，１４Ｂを上方から見た形状はほぼ正方形である。ＸＹステージ１６Ａ，１６Ｂは、一例として平面モータ４４Ａ等（図３参照）によってベース部材１２上をＸ方向、Ｙ方向、及びθｚ方向に駆動される。また、ウエハテーブル１４Ａ，１４Ｂは、それぞれウエハＷ１，Ｗ２のＺ位置とθｘ方向及びθｙ方向の傾斜角とを制御するフォーカスレベリング機構４６Ａ等（図３参照）を備えている。さらに、ウエハテーブル１４Ａ，１４ＢにはレチクルＲのアライメントマーク又は評価用のラインアンドスペースパターン等の像を所定のスリットパターンを介して検出する空間像計測系（不図示）が備えられている。
【００２５】
また、図４（Ｃ）に示すように、ウエハステージＷＳＢのウエハテーブル１４Ｂ上の例えば３箇所に基準マーク（不図示）が形成された基準マーク板４８Ｂ１，４８Ｂ２，４８Ｂ３が固定されている。同様にウエハステージＷＳＡのウエハテーブル１４Ａ上にも３つの基準マーク板（不図示）が固定されている。それらの基準マークはウエハアライメント系ＡＬＧで検出されるとともに、それらの基準マークと対応する空間像計測系のスリットパターンとの関係は主制御系４の記憶装置に記憶されている。
【００２６】
また、図１において、ウエハテーブル１４Ａ上の４箇所の角部にスケール板２６Ａ〜２６Ｄのスケール及びスケール形成面を検出する検出ヘッド２８Ａ，２９Ａ，３０Ａ，３１Ａが固定されている。同様に、ウエハテーブル１４Ｂ上の４箇所の角部にスケール板２６Ａ〜２６Ｄのスケール及びスケール形成面を検出する検出ヘッド２８Ｂ，２９Ｂ，３０Ｂ，３１Ｂ（図４（Ｃ）参照）が固定されている。検出ヘッド２８Ａ及び２８Ｂは、それぞれスケール板２６Ａ〜２６Ｄ中のＸスケールのＸ方向の位置を検出するＸヘッド２８ＡＸ及び２８ＢＸと、スケール板２６Ａ〜２６Ｄ中のＹスケールのＹ方向の位置を検出するＹヘッド２８ＡＹ及び２８ＢＹと、スケール板２６Ａ〜２６Ｄのスケール形成面のＺ方向の位置（Ｚ位置）を検出するＺヘッド２８ＡＺ及び２８ＢＺとから構成されている。同様にウエハテーブル１４Ａ及び１４Ｂ上の他の３つの検出ヘッド２９Ａ〜３１Ａ及び２９Ｂ〜３１ＢもそれぞれＸヘッド、Ｙヘッド、及びＺヘッドを備えている。なお、図１では、検出ヘッド３０Ａ，２８Ｂ，３０Ｂ中のＺヘッド３０ＡＺ，２８ＢＺ，３０ＢＺのみが示されている。
【００２７】
この場合、Ｘヘッド２８ＡＸ及びＹヘッド２８ＡＹは、それぞれスケール板２６Ａ〜２６Ｄ中のＸスケール及びＹスケールにレーザ光よりなる検出光を照射し、対応するスケールで発生する回折光による干渉光を検出して、当該スケールのＸ方向及びＹ方向の相対変位（相対位置）であるウエハテーブル１４Ａ（ウエハステージＷＳＡ）のＸ方向及びＹ方向の位置を例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で検出する。Ｘヘッド２８ＡＸ及びＹヘッド２８ＡＹの詳細な構成は、例えば米国特許第５，６１０，７１５号明細書（及びこれに対応する特開平７−２７０１２２号公報）に開示されている。
【００２８】
さらに、ウエハステージＷＳＡ（又はＷＳＢ）上の検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａ（又は２８Ｂ〜３１Ｂ）のうち、少なくとも２つのＸヘッド及び２つのＹヘッドはスケール板２６Ａ〜２６Ｄのいずれかに検出光を照射して、ウエハステージＷＳＡ（ＷＳＢ）のＸ方向及びＹ方向の位置を計測している。従って、その２箇所のＸ方向又はＹ方向の位置からウエハステージＷＳＡ（ＷＳＢ）のθｚ方向の回転角を求めることができる。
【００２９】
また、Ｚヘッド２８ＡＺは、一例として光学式ピックアップと同様に、スケール板２６Ａ〜２６Ｄのスケール形成面に検出光を照射し、反射光を検出することによって、そのスケール形成面の相対的なＺ位置（ひいてはウエハテーブル１４ＡのＺ位置）を例えば０．１μｍ程度の分解能で検出する。Ｚヘッド２８ＡＺの詳細な構成は、例えば特開２００９−５４７３４号公報に開示されている。
【００３０】
さらに、ウエハステージＷＳＡ（又はＷＳＢ）上の検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａ（又は２８Ｂ〜３１Ｂ）の全部のＺヘッドが、常時スケール板２６Ａ〜２６Ｄのいずれかに検出光を照射して、ウエハステージＷＳＡ（ＷＳＢ）のＺ位置を計測している。従って、その４箇所のＺ位置からウエハテーブル１４Ａ（１４Ｂ）のθｘ方向及びθｙ方向の回転角をも求めることができる。
【００３１】
従って、スケール板２６Ａ〜２６Ｄ及び検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａを含むエンコーダシステムによって、第１のウエハステージＷＳＡ（ウエハテーブル１４Ａ）のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置、及びθｘ方向、θｙ方向、θｚ方向の回転角よりなる６自由度の位置情報を計測することができる。同様に、スケール板２６Ａ〜２６Ｄ及び検出ヘッド２８Ｂ〜３１Ｂを含むエンコーダシステムによって、第２のウエハステージＷＳＢ（ウエハテーブル１４Ｂ）の６自由度の位置情報を計測することができる。
【００３２】
また、ウエハステージＷＳＡ上の検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａの検出信号（Ｘヘッドの検出信号であるＸ計測信号ＳＸ、Ｙヘッドの検出信号であるＹ計測信号ＳＹ、Ｚヘッドの検出信号であるＺ計測信号ＳＺ）は図３のステージ制御系４０Ａに供給され、ステージ制御系４０Ａは、上記のウエハステージＷＳＡの６自由度の位置情報を求め、これらの位置情報及び制御系６Ａからの制御情報に基づいて平面モータ４４Ａ及びフォーカスレベリング機構４６Ａの動作を制御する。ウエハステージＷＳＢの検出ヘッド２８Ｂ〜３１Ｂの検出信号も同様のステージ制御系（不図示）によって処理されている。
【００３３】
次に、ＡＦ系ユニット３６を含むＡＦ系につき説明する。先ず、図１において、フレーム２４の凹部２４ａの表面に、例えば高反射率の金属膜よりなるＡＦ系の基準面３４が形成されている。図２に示すように、基準面３４はフレーム２４の凹部２４ａのＹ方向の中央部に形成されている。また、基準面３４に基準ビームＤＬＲを照射し、基準面３４に対向する被検面に計測ビームＤＬを照射するＡＦ送光系３６Ａと、基準面３４及び被検面からの基準ビームＤＬＲ及び計測ビームＤＬを受光するＡＦ受光系３６ＢとからＡＦ系ユニット３６が構成されている。
【００３４】
図３は、図２のフレーム２４の基準面３４に沿った断面図であり、かつＡＦ系によってウエハステージＷＳＡ（ウエハテーブル１４Ａ）上のウエハＷ１の表面Ｗ１ａ（被検面）のＺ位置を計測している状態を示す。図３において、ＡＦ送光系３６Ａは、例えばウエハＷ１上のフォトレジストを感光させない波長域の基準ビームＤＬＲ及び計測ビームＤＬを発生するビーム発生部（不図示）と、その基準ビームＤＬＲ及び計測ビームＤＬを集光する送光レンズ３６Ａａと、基準ビームＤＬＲ及び計測ビームＤＬの光路を−Ｚ方向にシフトする第１の菱形プリズム(rhomboid prism)３６Ａｂとを有する。ＡＦ送光系３６Ａから斜め下方に投射される計測ビームＤＬは、ウエハＷ１の表面Ｗ１ａにＹ方向に所定間隔で配列される複数の計測点にそれぞれ例えばスリット像を形成し、表面Ｗ１ａで反射された計測ビームＤＬはＡＦ受光系３６Ｂに向かう。また、ＡＦ送光系３６Ａから斜め上方に投射される基準ビームＤＬＲは、基準面３４上に例えばスリット像を形成し、基準面３４で反射された基準ビームＤＬＲはＡＦ受光系３６Ｂに向かう。ＡＦ送光系３６Ａには、それらのスリット像をＹ方向に所定範囲内で振動させる振動ミラー（不図示）と、それらのスリット像の位置を調整するハービング（不図示）とが設けられている。
【００３５】
ＡＦ受光系３６Ｂは、表面Ｗ１ａで反射された基準ビームＤＬＲ及び計測ビームＤＬの光路を＋Ｚ方向にシフトする第２の菱形プリズム３６Ｂｂと、基準ビームＤＬＲ及び計測ビームＤＬを集光してそれぞれスリット像を再形成する受光レンズ３６Ｂａと、それらのスリット像を検出する光電センサ３６Ｂｃとを有する。光電センサ３６Ｂｃの受光面と基準面３４及び表面Ｗ１ａとはほぼ共役である。光電センサ３６Ｂｃとしては、それらのスリット像の光量を所定の開口を介して検出する複数の受光素子のアレイが使用できる。光電センサ３６Ｂｃの複数の検出信号は信号処理部３６Ｃに供給される。
【００３６】
信号処理部３６Ｃは、一例としてＡＦ送光系３６Ａ内の振動ミラー（不図示）の駆動信号を用いてそれらの複数の検出信号を同期整流することにより、それらのスリット像のＺ位置に対応する計測信号を生成する。さらに、信号処理部３６Ｃは、表面Ｗ１ａの複数の計測点に投射される複数のスリット像のＺ位置に対応する計測信号から基準面３４のスリット像のＺ位置に対応する計測信号を差し引いて、基準面３４のＺ位置を基準として表面Ｗ１ａの複数の計測点のＺ位置Ｚ１ｊ（ｊ＝１〜Ｊ：Ｊは２以上の整数）を示す被検面のＺ位置計測信号ＡＦＷを生成する。なお、実際に計測されるＺ位置Ｚ１ｊは、例えば基準面３４と被検面とのＺ方向の間隔から所定のオフセットを差し引いた値である。このように基準面３４を基準としているため、外乱又は雰囲気の温度揺らぎ等で計測ビームＤＬ及び基準ビームＤＬＲの光路が同じように変化した場合には、計測値のドリフトはなく、被検面のＺ位置を高精度に計測できる。Ｚ位置計測信号ＡＦＷは演算部３８Ａ及び記憶部４２Ａに供給される。
【００３７】
斜入射方式のＡＦ系ユニット３６及び信号処理部３６Ｃを含んでＡＦ系が構成されている。ＡＦ系ユニット３６のより詳細な構成は、例えば特開２００８−０４２１８３号公報に開示されている。
また、ウエハステージＷＳＡをＸ方向、Ｙ方向に駆動して、計測ビームＤＬにより複数のスリット像が投射される計測領域に対して、ウエハＷ１の表面Ｗ１ａを走査することで、表面Ｗ１ａ上にＸ方向、Ｙ方向に所定間隔で格子状に配置される多数の評価点において、それぞれＡＦ系によってＺ位置Ｚ１ｉ（ｉ＝１〜Ｉ：Ｉは２×Ｊ以上の整数）が計測される。
【００３８】
さらに、図３において、ウエハステージＷＳＡ（ウエハテーブル１４Ａ）の検出ヘッド３１Ａがスケール板２６Ｃ２に検出光を照射しており、検出ヘッド３１Ａ中のＸヘッド及びＹヘッドからスケール板２６Ｃ２に対するウエハテーブル１４ＡのＸ方向及びＹ方向の位置を示すＸ計測信号ＳＸ及びＹ計測信号ＳＹがステージ制御系４０Ａに供給されている。また、検出ヘッド３１Ａ中のＺヘッド３１ＡＺからスケール板２６Ｃ２に対するウエハテーブル１４ＡのＺ位置を示すＺ計測信号ＳＺが演算部３８Ａ及びステージ制御系４０Ａに供給されている。同様に、ウエハステージＷＳＡ上の他の検出ヘッド２８Ａ〜３０ＡからもそれぞれＸ計測信号及びＹ計測信号がステージ制御系４０Ａに供給され、Ｚ計測信号が演算部３８Ａ及びステージ制御系４０Ａに供給されている。
【００３９】
この場合、検出ヘッド２８Ａ〜３１ＡのＺセンサで計測されるＺ位置を通る平均的な面（以下、ウエハテーブル１４Ａのステージ面という。）上で、表面Ｗ１ａ上のｉ番目の評価点に対応する点のＺ位置をＺ２ｉ、フレーム２４のスケール板２６Ａ〜２６Ｄの表面と基準面３４とのＺ位置の既知のオフセットをＺＡｏｆとすると、演算部３８Ａは、一例として次の差分演算を含む演算によって、ウエハテーブル１４Ａのステージ面に対する表面Ｗ１ａ上のｉ番目の評価点におけるＺ位置ΔＺＳＷｉを計算する。表面Ｗ１ａ上の全部の評価点におけるＺ位置ΔＺＳＷｉの計算結果は記憶部４２Ａに記憶される。なお、オフセットＺＡｏｆは、例えば実測値を使用してもよい。
【００４０】
ΔＺＳＷｉ＝Ｚ１ｉ−（Ｚ２ｉ＋ＺＡｏｆ）  …（１）
この式（１）から分かるように、ＡＦ系はフレーム２４の基準面３４を基準として表面Ｗ１ａのＺ位置を計測し、検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａ（Ｚヘッド）もフレーム２４に設けたスケール板２６Ａ〜２６Ｄに対するウエハテーブル１４ＡのＺ位置を計測しているため、仮に外乱等でフレーム２４のＺ位置が僅かに変動しても、ウエハテーブル１４Ａのステージ面に対する表面Ｗ１ａのＺ位置の計測値は変化しない。従って、常にウエハテーブル１４Ａに対する表面Ｗ１ａの相対的なＺ位置（ΔＺＳＷｉ）を高精度に計測できる。
【００４１】
その後の露光時には、図１において、検出ヘッド２８Ａ〜３１ＡのＺヘッド２８ＡＺ等によってスケール板２６Ａ〜２６Ｄを基準としてウエハテーブル１４ＡのＺ位置Ｚ３ｉ（ウエハＷ１上のｉ番目の評価点に対応する位置でのＺ位置）が計測され、計測結果はステージ制御系４０Ａに供給される。ステージ制御系４０Ａには、記憶部４２ＡからウエハＷ１上の全部の評価点について計測された式（１）のＺ位置ΔＺＳＷｉも供給される。さらに、ステージ制御系４０Ａには、スケール板２６Ａ〜２６Ｄを基準とした投影系ＰＬの像面のＺ位置ＺＰＬの情報が制御系６Ａから予め供給されている。ステージ制御系４０Ａは、次のようにエンコーダシステムで計測されたＺ位置Ｚ３ｉとウエハＷ１上の評価点のＺ位置ΔＺＳＷｉとの和から像面のＺ位置ＺＰＬを差し引くことで、ウエハＷ１上の評価点のＺ位置の像面からのデフォーカス量ΔＦｉを求める。
【００４２】
ΔＦｉ＝（Ｚ３ｉ＋ΔＺＳＷｉ）−ＺＰＬ  …（２）
なお、式（２）における投影系ＰＬの像面のＺ位置ＺＰＬは、実際には例えばウエハステージＷＳＡ内の空間像計測系（不図示）で計測される所定の評価用パターンの像のコントラストが最大になるときのウエハテーブル１４Ａのステージ面のＺ位置（検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａで計測されるＺ位置）Ｚ３０から求めることができる。
【００４３】
そして、ステージ制御系４０Ａは、投影系ＰＬの露光領域内のウエハＷ１上の各評価点のデフォーカス量ΔＦｉが全体として最小になるようにウエハテーブル１４Ａ内のフォーカスレベリング機構４６Ａを駆動する。これによって、走査露光中のウエハＷ１の表面が投影系ＰＬの像面に正確に合焦され、レチクルＲのパターンの像が高精度にウエハＷ１の各ショット領域に露光される。
【００４４】
なお、以上のＡＦ系によるウエハＷ１の表面のＺ位置の計測、及び露光時に検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａの計測結果に基づいてウエハＷ１の表面を投影系ＰＬの像面に合焦させる動作は、第２のウエハステージＷＳＢ上のウエハＷ２にも同様に適用できる。
また、図４（Ａ）は図１のウエハアライメント系ＡＬＧを示す底面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）のＢＢ線に沿う断面図、図４（Ｃ）は図１のウエハステージＷＳＢを示す平面図である。
【００４５】
図４（Ａ）において、ウエハアライメント系ＡＬＧをＸ軸に４５°で交差する方向に挟むように、フレーム２４の底面に１対の細長い凹部２４ｂ及び凹部２４ｃが形成され、凹部２４ｂ，２４ｃの中央部に高反射率の金属膜よりなる基準面３４Ａ１，３４Ａ２が形成されている。また、凹部２４ｂ，２４ｃ内の基準面３４Ａ１，３４Ａ２を挟むように形成されたフレーム２４のそれぞれ１対の貫通穴に送光用及び受光用の菱形プリズム５０Ａｂ，５０Ａｃ及び５０Ｂｂ，５０Ｂｃが固定されている。
【００４６】
図４（Ｂ）に示すように、送光レンズ等を含む光学系５０Ａａ、菱形プリズム５０Ａｂ、菱形プリズム５０Ａｃ、及び受光レンズ等を含む光学系５０Ａｄから、図３のＡＦ系ユニット３６と同様の第１の斜入射方式のＡＦ系ユニット５０Ａが構成されている。ＡＦ系ユニット５０Ａの菱形プリズム５０Ａｂから投射される基準ビームＤＬＲＡ及び計測ビームＤＬＡはそれぞれフレーム２４の基準面３４Ａ１及びウエハＷ２の表面（基準面３４Ａ１に対向する領域）にスリット像を形成し、基準面３４Ａ１及びウエハＷ２の表面からの反射光が菱形プリズム５０Ａｃを介して受光される。そして、光学系５０Ａｄから出力される検出信号を図３の信号処理部３６Ｃと同様の信号処理部（不図示）で処理することによって、基準面３４Ａ１を基準としてウエハＷ２の表面のＺ位置を斜入射方式で計測できる。
【００４７】
同様に、菱形プリズム５０Ｂｂ及び５０Ｂｃを含んで、ＡＦ系ユニット５０Ａと同様の第２の斜入射方式のＡＦ系ユニット５０Ｂが構成されている。ＡＦ系ユニット５０Ｂは、フレーム２４の基準面３４Ａ２及びこれに対応するウエハＷ２の表面に基準ビーム及び計測ビームを投射して、基準面３４Ａ２を基準としてウエハＷ２の表面のＺ位置を斜入射方式で計測する。ＡＦ系ユニット５０Ａ，５０Ｂ及び信号処理部（不図示）を含んでウエハアライメント系ＡＬＧ用の２つのＡＦ系が構成されている。基準面３４Ａ１，３４Ａ２に対応する２箇所の位置で求められるＺ位置を例えば平均化することで、ウエハアライメント系ＡＬＧの検出領域ＡＬＷの中心（光軸）上でのＺ位置ＺＡＬ１を求めることができる。
【００４８】
この場合にも、図４（Ｃ）の検出ヘッド２８Ｂ〜３１ＢのＺヘッド２８ＢＺ等は、ウエハアライメント系ＡＬＧの周囲のフレーム２４の底面のスケール板２６Ｃ，２６Ｄに検出光を照射して、スケール板２６Ｃ，２６Ｄを基準としてウエハステージＷＳＢ（ウエハテーブル１４Ｂ）のＺ位置を計測している。これらのＺ位置を通る平均的な面をウエハテーブル１４Ｂのステージ面と呼ぶ。従って、図３の演算部３８Ａと同様の演算部（不図示）によって、式（１）と同様に、そのＡＦ系ユニット５０Ａ，５０Ｂによって求められるＺ位置ＺＡＬ１から、検出ヘッド２８Ｂ〜３１Ｂの計測値で定められる面上の検出領域ＡＬＷの中心でのＺ位置ＺＡＬ２とスケール板２６Ｃ，２６Ｄから基準面３４Ａ１，３４Ａ２までのＺ位置の段差との和を差し引くことで、検出領域ＡＬＷの中心におけるウエハテーブル１４Ｂのステージ面に対するウエハＷ２の表面のＺ位置ΔＺＢを求めることができる。そのＺ位置ΔＺＢも、仮にフレーム２４のＺ位置が変動しても同じ値に維持されるため、常に高精度にそのステージ面に対するウエハＷ２の表面のＺ位置を表している。
【００４９】
従って、予めウエハテーブル１４Ｂのステージ面がウエハアライメント系ＡＬＧのベストフォーカス位置（例えばウエハアライメント系ＡＬＧで撮像されるマークの像のコントラストが最大になる位置）に合致するときのＺ位置ＺＡＬ２の値ＺＡＬ２’を求めておき、そのＺ位置ΔＺＢとそのＺ位置ＺＬＡ２との和からその値ＺＡＬ２’を差し引くことによって、ウエハＷ２の表面のウエハアライメント系ＡＬＧに対するデフォーカス量が求められる。このデフォーカス量が０になるようにウエハテーブル１４Ｂのフォーカスレベリング機構を駆動することで、常にベストフォーカス状態でウエハアライメント系ＡＬＧによってウエハＷ２上の計測対象のアライメントマーク（以下、ウエハマークという）の位置を計測できる。従って、この計測結果から主制御系４内のアライメント制御系（不図示）は、例えばＥＧＡ方式で、ウエハテーブル１４Ｂ上の基準マーク板４８Ｂ１〜４８Ｂ３の基準マークで定まる座標系上でのウエハＷ２上の各ショット領域の配列座標を求めることができる。このようなアライメントは、ウエハステージＷＳＡ上のウエハＷ１に対しても同様に行うことができる。
【００５０】
次に本実施形態の露光装置１０の露光動作の一例につき図５のフローチャートを参照して説明する。この露光動作は主制御系４によって制御される。先ず、図５のステップ１０２において、第１のウエハステージＷＳＡを図１の−Ｘ方向のローディング位置に移動し、ウエハステージＷＳＡ上にウエハ（Ｗ１とする）をロードし、ウエハステージＷＳＡのエンコーダシステムの検出ヘッド２８Ａ〜３１ＡのＸヘッド、Ｙヘッドで継続してウエハステージＷＳＡのＸ方向、Ｙ方向の位置を計測する。この際に、第２のウエハステージＷＳＢは例えば＋Ｙ方向に待避している。さらに、ウエハステージＷＳＡをＸ方向及びＹ方向に駆動して、ウエハテーブル１４Ａ上の基準マーク板（図４（Ｃ）の基準マーク板４８Ｂ１〜４８Ｂ３に対応する部材）上の所定の基準マークの位置をウエハアライメント系ＡＬＧで計測し、この計測結果に基づいて、ウエハテーブル１４Ａのθｚ方向の回転角をリセットし、その上の座標系の原点を設定する。
【００５１】
次のステップ１０４において、ウエハステージＷＳＡをＸ方向及びＹ方向に駆動し、ウエハＷ１上の１番目の計測対象のウエハマークをウエハアライメント系ＡＬＧの検出領域内に移動し、図４（Ａ）のＡＦ系ユニット５０Ａ，５０Ｂを含むアライメント用ＡＦ系によって、ウエハステージＷＳＡ上のウエハＷ１のＺ位置（フォーカス位置）をフレーム２４に設けたＡＦ系の基準面３４Ａ１，３４Ａ２を基準として計測する。この際に、検出ヘッド２８Ａ〜３１ＡのＺヘッドでもスケール板２６Ｃ，２６Ｄを基準としてＺ位置を計測し、それらのＺ位置の差分に基づいてウエハテーブル１４Ａのステージ面に対するウエハＷ１のＺ位置を求める。
【００５２】
次のステップ１０６において、ステップ１０４で求めたＺ位置とウエハアライメント系ＡＬＧのベストフォーカス位置との差分（デフォーカス量）が０になるように、ウエハテーブル１４Ａを介してウエハアライメント系ＡＬＧに対してウエハＷ１の表面をオートフォーカス方式で合焦し、ウエハＷ１のウエハマークをウエハアライメント系ＡＬＧで検出する。実際には、ウエハＷ１上の計測対象のウエハマーク毎にステップ１０４及び１０６が実行される。そして、計測された全部のウエハマークの位置に基づいてウエハＷ１の全部のショット領域の配列座標の算出（ウエハＷ１のアライメント）が行われる。
【００５３】
次のステップ１０８において、ウエハステージＷＳＡを＋Ｘ方向に移動し、その途中でＡＦ系ユニット３６を含むＡＦ系によって、フレーム２４のＡＦ系の基準面３４を基準としてウエハＷ１の表面のＺ位置（フォーカス位置）の分布を計測する。この動作と並行してウエハステージＷＳＡのエンコーダシステムの検出ヘッド２８Ａ〜３１ＡのＺヘッドでスケール板２６Ｂ，２６Ｃに対するウエハテーブル１４Ａ（ウエハステージＷＳＡ）のＺ位置を計測し、式（１）からウエハテーブル１４Ａのステージ面に対するウエハＷ１の表面上の全部の評価点におけるＺ位置ΔＺＳＷｉを計算する。計算結果は記憶部４２Ａに記憶される。
【００５４】
次のステップ１１０において、ウエハステージＷＳＡを投影系ＰＬの下方に移動する。次のステップ１１２において、ウエハＷ１のアライメント結果に基づいてウエハステージＷＳＡをＸ方向、Ｙ方向にステップ移動し、ウエハＷ１上の一つのショット領域を走査開始位置に移動する。この後は、検出ヘッド２８Ａ〜３１ＡのＺヘッドによるスケール板２６Ａ，２６Ｂに対するＺ位置の計測を継続して行いつつ、ステージ制御系４０Ａは、そのＺ位置の計測値及びステップ１０８で記憶したウエハＷ１の表面の多数の評価点のＺ位置（フォーカス位置）を用いて式（２）から投影系ＰＬの露光領域内でのウエハＷ１の表面の像面からのデフォーカス量ΔＦｉを求める。さらに、ステージ制御系４０Ａは、そのデフォーカス量ΔＦｉに応じてフォーカスレベリング機構４６Ａを駆動して、ウエハＷ１のショット領域の表面を像面に合焦させる。
【００５５】
そして、ステップ１１２において、そのようにウエハＷ１のショット領域を合焦した状態で、レチクルＲのパターンの一部の投影系ＰＬによる像で当該ショット領域を露光しつつ、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＡとを投影系ＰＬに対して同期してＹ方向に走査することで、当該ショット領域にレチクルＲのパターンの像が走査露光される。その後、ウエハＷ１上の露光対象のショット領域毎に、ステップ１１２及び１１４の動作がステップ・アンド・スキャン方式で繰り返される。ウエハＷ１上の全部のショット領域の露光が終わったときに、動作はステップ１１６に移行し、ウエハステージＷＳＡは＋Ｘ方向のアンローディング位置に移動して、ウエハＷ１のアンロードが行われる。
【００５６】
次のステップ１１８において、露光対象のウエハが残っている場合には、動作はステップ１０２に戻り、ウエハステージＷＳＡにおいてステップ１０２〜１１６が繰り返されて、次のウエハに対するアライメント及び露光が行われる。また、第１のウエハステージＷＳＡのステップ１１０〜１１６までの動作とほぼ並列に、第２のウエハステージＷＳＢ側では、ステップ１０２〜１０８の動作と同様のステップ１０２Ｂ（ウエハＷ２のロード）、ステップ１０４Ｂ（アライメント用のＡＦ系によるウエハＷ２のＺ位置の計測等）、ステップ１０６Ｂ（ウエハＷ２をウエハアライメント系ＡＬＧに合焦させながら、ウエハＷ２のアライメントを行うこと）、及びステップ１０８Ｂ（ＡＦ系及び検出ヘッド２８Ｂ〜３１ＢのＺヘッドによるウエハＷ２上の多数の評価点のＺ位置の計測及び記憶）の動作が実行される。
【００５７】
さらに、第１のウエハステージＷＳＡ側のステップ１０２〜１０８の動作とほぼ並列に、第２のウエハステージＷＳＢ側では、ステップ１１０〜１１６の動作と同様のステップ１１０Ｂ（ウエハステージＷＳＢの投影系ＰＬ側への移動）、ステップ１１２Ｂ（ウエハＷ２のＺ位置の計測及びショット領域の合焦）、ステップ１１４Ｂ（当該ショット領域の走査露光）、及びステップ１１６Ｂ（ウエハＷ２のアンロード）の動作が実行される。次のステップ１１８Ｂで露光対象のウエハが残っている場合には、ウエハステージＷＳＢ側ではステップ１０２Ｂ〜１１６Ｂまでの動作が繰り返される。このようにツイン・ウエハステージ方式でウエハアライメント系ＡＬＧによるアライメント（ステップ１０６又は１０６Ｂ）と投影系ＰＬによる露光（ステップ１１４Ｂ又は１１４）とをほぼ並列に実行することで、例えば１ロットのウエハを高いスループットで露光できる。
【００５８】
本実施形態の作用効果等は以下の通りである。
（１）本実施形態の露光装置１０は、投影系ＰＬを介してウエハＷ１上にレチクルＲのパターンの像を露光する露光装置において、ウエハＷ１を保持して投影系ＰＬに対して移動するウエハステージＷＳＡと、投影系ＰＬに対して静止状態で支持され、ウエハステージＷＳＡに対向するように回折格子状のスケールが形成されたスケール板２６Ａ〜２６Ｄが固定されたフレーム２４と、ウエハステージＷＳＡに配置され、そのスケールに検出光を照射して、ウエハステージＷＳＡとフレーム２４との相対位置情報を検出する複数の検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａと、フレーム２４に形成された基準面３４と、基準面３４に基準ビームＤＬＲ（第１光束）を照射し、ウエハＷ１の表面に計測ビームＤＬ（第２光束）を照射し、基準面３４を基準としてウエハＷ１の表面の投影系ＰＬの光軸に沿った方向の位置（面位置又はＺ位置）を計測するＡＦ系ユニット３６を含むＡＦ系（面位置検出装置）と、を備えている。
【００５９】
また、露光装置１０による露光方法は、投影系ＰＬに対して移動するウエハステージＷＳＡにウエハＷ１を保持し（ステップ１０２）、投影系ＰＬに対して静止状態で支持されたフレーム２４に固定されたスケール板２６Ａ〜２６ＤにウエハステージＷＳＡに対向するように形成された回折格子状のスケールに、ウエハステージＷＳＡの検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａから検出光を照射して、ウエハステージＷＳＡとフレーム２４との相対位置情報を検出し（ステップ１０２、ステップ１０８の一部、及びステップ１１２）、ＡＦ系によってフレーム２４に形成された基準面３４に基準ビームＤＬＲを照射し、ウエハＷ１の表面に計測ビームＤＬを照射して、基準面３４を基準として、ウエハＷ１の表面の面位置（Ｚ位置）を計測するものである（ステップ１０８の一部）。
【００６０】
本実施形態によれば、ＡＦ系は、スケールが設けられたフレーム２４に形成された基準面３４を基準としてウエハＷ１の面位置（Ｚ位置）を計測する。また、検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａを含むエンコーダシステムが、フレーム２４のスケール板２６Ａ〜２６Ｄ（スケール形成面）を基準としてウエハステージＷＳＡ（ウエハテーブル１４Ａ）のＸ方向、Ｙ方向の位置、及びＺ位置を計測する。このようにＡＦ系及びエンコーダシステムが共通にフレーム２４を基準として位置計測を行っているため、例えば両者の計測値の差分を用いることによって、フレーム２４のＺ位置が変動しても、ウエハステージＷＳＡに対するウエハＷ１の面位置を高精度に計測できる。従って、ウエハＷ１の露光に際して、露光装置１０の雰囲気の温度揺らぎの影響等を低減して、ウエハステージＷＳＡの位置及びウエハＷ１の面位置を高精度に計測することができる。従って、その計測値に基づいて、ウエハＷ１の表面を投影系ＰＬの像面に高精度に合焦させることが可能となる。
【００６１】
（２）また、検出ヘッド２８Ａ〜３１ＡはそれぞれＺヘッド２８ＡＺ，３０ＡＺ等を有し、Ｚヘッド２８ＡＺ等は、ウエハテーブル１４Ａとフレーム２４のスケール形成面との光軸ＡＸ方向の相対位置であるウエハテーブル１４Ａ（ウエハステージＷＳＡ）のＺ位置を計測する。従って、ステップ１０８において、ＡＦ系によってフレーム２４の基準面３４を基準としてウエハＷ１のＺ位置を計測するときに、並行してＺヘッド２８ＡＺ等でフレーム２４のスケール面を基準としてウエハテーブル１４ＡのＺ位置を計測し、その２つのＺ位置の差分を求めることによって、基準面３４のＺ位置が変化しても、ウエハテーブル１４Ａに対するウエハＷ１の表面のＺ位置を高精度に計測できる。
【００６２】
なお、検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａの個数は、それらのうちの少なくとも一つのＸヘッド２８ＡＸ等及び少なくとも２つのＹヘッド２８ＡＹ等、又は少なくとも２つのＸヘッド及び少なくとも一つのＹヘッドがそれぞれスケール板２６Ａ〜２６Ｄの対応するスケールを検出できる範囲で任意である。
また、検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａ中のＺヘッド２８ＡＺ等の個数は少なくとも３つであることが好ましい。これによって、ウエハテーブル１４ＡのＺ位置、及びθｘ方向、θｙ方向の傾斜角を計測できる。なお、そのＺヘッドは少なくとも一つでもよい。
【００６３】
（３）また、基準面３４は、フレーム２４のウエハステージＷＳＡに対して凹部となる凹部２４ａの表面に形成されている。従って、基準面３４に基準ビームＤＬＲを投射するＡＦ系ユニット３６の光学系を容易に配置できる。
なお、フレーム２４の底面とウエハステージＷＳＡとの間のスペースに余裕がある場合には、フレーム２４の底面（スケール板２６Ａ〜２６Ｄと同じ面）又はフレーム２４の底面に設けた凸部に基準面３４を形成してもよい。
【００６４】
（４）また、露光装置１０は、ウエハＷ１，Ｗ２上のウエハマークの位置を検出するウエハアライメント系ＡＬＧ（マーク検出系）と、それぞれ露光対象のウエハＷ１，Ｗ２を保持して独立に移動する第１のウエハステージＷＳＡ及び第２のウエハステージＷＳＢとを備え、そのＡＦ系のＡＦ系ユニット３６（光学系）は、投影系ＰＬとウエハアライメント系ＡＬＧとの間に配置されている。また、ウエハステージＷＳＢもフレーム２４に設けられたスケール板２６Ａ〜２６Ｄを用いてウエハステージＷＳＢ（ウエハテーブル１４Ｂ）の位置を計測する検出ヘッド２８Ｂ〜３１Ｂを備えている。
【００６５】
従って、投影系ＰＬを介してウエハステージＷＳＡ上のウエハＷ１を露光中に、ウエハアライメント系ＡＬＧでウエハステージＷＳＢ上のウエハＷ２のウエハマークの位置を計測することができる。これによって露光工程のスループットを向上できる。さらに、ウエハステージＷＳＢをウエハアライメント系ＡＬＧの下方から投影系ＰＬの下方に移動する途中で、ＡＦ系によってウエハステージＷＳＢ上のウエハＷ２の面位置分布を計測できるため、スループットを低下させることなく、ウエハＷ２（ウエハＷ１も同様）の面位置分布を計測できる。
【００６６】
（５）また、露光装置１０は、フレーム２４に形成されたウエハアライメント系ＡＬＧ用の基準面３４Ａ１と、基準面３４Ａ１に基準ビームＤＬＲＡ（第３光束）を照射し、ウエハＷ２の表面に計測ビームＤＬＡ（第４光束）を照射して、基準面３４Ａ１を基準として、ウエハＷ２の表面のウエハアライメント系ＡＬＧの光軸に沿った方向の位置（Ｚ位置）を計測するアライメント用ＡＦ系ユニット５０Ａを含むＡＦ系（マーク検出系用面位置検出装置）と、を備えている。従って、そのそのＡＦ系の計測結果を用いてウエハアライメント系ＡＬＧに対するウエハＷ２の合焦を高精度に行うことができる。
【００６７】
なお、上記の実施形態では以下のような変形が可能である。
（１）上記の実施形態では、ＡＦ系ユニット３６からの基準ビームＤＬＲはフレーム２４の基準面３４に直接投射されている。これに対して第１変形例として、図６に示すように、フレーム２４の凹部２４ａに形成された基準面３４に、この基準面側が長い台形型の断面形状を持ち、その基準面側の面が基準面３４に固定されたプリズム５２を設けてもよい。図６において、さらにＡＦ送光系３６Ａ内の菱形プリズム３６Ａｂ（第１偏向部材）及びＡＦ受光系３６Ｂ内の菱形プリズム３６Ｂｂ（第２偏向部材）はそれぞれフレーム２４に設けられた貫通穴内に固定されている。
【００６８】
この第１変形例において、菱形プリズム３６Ａｂから射出される基準ビームＤＬＲは、プリズム５２の第１の斜面を介して基準面３４に投射され、基準面３４で反射された基準ビームＤＬＲは、プリズム５２の第２の斜面を介して菱形プリズム３６Ｂｂに入射する。この他の構成及び動作は図３の実施形態と同様である。
この第１変形例によれば、菱形プリズム３６Ａｂから射出され、菱形プリズム３６Ｂｂに入射する基準ビームＤＬＲのＹ軸に対する角度を小さくできるため、ＡＦ系ユニット３６の光学系の構成が容易である。
【００６９】
（２）また、菱形プリズム３６Ａｂ，３６Ｂｂがフレーム２４に支持されているため、ＡＦ系ユニット３６の光学系の配置が容易である。なお、菱形プリズム３６Ａｂ，３６Ｂｂの一方をフレーム２４に支持してもよい。また、菱形プリズム３６Ａｂ，３６Ｂｂを用いることなくＡＦ系ユニット３６を構成してもよい。
（３）また、図７（Ａ）の第２変形例で示すように、基準面３４を覆うように固定されたプリズム５２の基準面３４に対向する表面に反射面５２Ｒを形成してもよい。図７（Ａ）において、ＡＦ系ユニット３６を用いて基準面３４に対するウエハＷ１の表面のＺ位置を計測しているときに、例えばウエハステージＷＳＡのウエハテーブル１４Ａに設けられた検出ヘッド２８ＡのＺヘッド２８ＡＺは、スケール板２６Ｂ１に検出光ＤＡを照射して、スケール板２６Ｂ１に対するウエハテーブル１４ＡのＺ位置を計測している。これに続いて、図７（Ｂ）に示すように、ウエハステージＷＳＡを＋Ｙ方向に移動して、Ｚヘッド２８ＡＺの検出光ＤＡをプリズム５２の反射面５２Ｒに照射し、Ｚヘッド２８ＡＺでＺ位置を計測するとともに、ＡＦ系でＺヘッド２８ＡＺの上面のＺ位置を計測してもよい。この場合、反射面５２Ｒと基準面３４とのＺ方向の間隔Ｚ７Ｂは高精度に計測できるため、Ｚヘッド２８ＡＺで計測されるＺ位置とＡＦ系で計測されるＺ位置との差がその間隔Ｚ７Ｂとなるように、例えばＺヘッド２８ＡＺの計測値のオフセットを調整することで、Ｚヘッド２８ＡＺのキャリブレーションを容易に行うことができる。
【００７０】
（４）また、上記の実施形態のＡＦ系の信号処理部３６Ｃは同期整流を行っている。その代わりに、ＡＦ送光系３６Ａ内に振動ミラーを設けることなく、光電センサ３６Ｂｃとして例えばラインセンサを用いて、このラインセンサ上に形成されるスリット像の位置から各計測点のＺ位置を求めるようにしてもよい。
（５）なお、スケール板２６Ａ〜２６Ｄを用いるエンコーダシステムとしては、極性が反転する発磁体を微小ピッチで形成した周期的な磁気スケールと、この磁気スケールを読み取る磁気ヘッドとを含む磁気式のリニアエンコーダ等を使用することも可能である。
【００７１】
（６）また、検出ヘッド２８Ａ〜３１Ａを含むエンコーダシステムと並列にウエハステージＷＳＡ，ＷＳＢの位置を計測するレーザ干渉計を設けてもよい。
（７）上記の実施形態は、ツイン・ウエハステージ方式の露光装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、１つのウエハステージのみを備える露光装置にも同様に適用可能である。この場合には、ウエハ用のＡＦ系は、例えば投影系ＰＬの近傍に配置してもよい。この際に、ＡＦ系用の基準面３４は、投影系ＰＬの近傍のフレーム２４の底面に形成してもよい。
【００７２】
［第２の実施形態］
以下、本発明の第２の実施形態につき図８を参照して説明する。本実施形態は、フレーム側に検出ヘッドを設け、ウエハステージＷＳＡ，ＷＳＢ側にスケールを設けたものであし、図８において、図１に対応する部分には同一又は類似の符号を付してその詳細な説明を省略又は簡略化する。
【００７３】
図８は、本実施形態の露光装置１０Ａを示す。図８において、投影系ＰＬを支持する光学系フレーム１８の底面に複数のリンク機構３２を介して、平板状のフレーム５４が安定に支持されている。光学系フレーム１８は、一例として防振機構（不図示）を介してベース部材１２上に支持されている。また、フレーム５４に投影系ＰＬをＸ方向に挟むように図１の検出ヘッド２８Ａと同様の複数の検出ヘッド２８Ｃ及び３０Ｃが固定され、投影系ＰＬをＹ方向に挟むように検出ヘッド２８Ｃと同様の複数の検出ヘッド（不図示）が固定されている。さらに、フレーム５４にウエハアライメント系ＡＬＧをＸ方向に挟むように検出ヘッド２８Ｃと同様の複数の検出ヘッド２８Ｄ及び３０Ｄが固定され、ウエハアライメント系ＡＬＧをＹ方向に挟むように検出ヘッド２８Ｃと同様の複数の検出ヘッド（不図示）が固定されている。さらに、投影系ＰＬとウエハアライメント系ＡＬＧとの間のフレーム５４の底面の凹部に基準面３４が形成され、この基準面をＹ方向に挟むようにＡＦ系ユニット３６が配置され、ＡＦ系ユニット３６を含んでＡＦ系が構成されている。
【００７４】
また、第１のウエハステージＷＳＡのウエハテーブル１４Ａ上にウエハＷ１を囲むように、図１のスケール板２６Ａ，２６Ｂと同様に表面にＸスケール及びＹスケールが形成されたスケール板２６Ｅ１，２６Ｅ２等が固定され、第２のウエハステージＷＳＢのウエハテーブル１４Ｂ上にウエハＷ２を囲むように、図１のスケール板２６Ｃ，２６Ｄと同様に表面にＸスケール及びＹスケールが形成されたスケール板２６Ｇ１，２６Ｇ２等が固定されている。この他の構成は第１の実施形態と同様である。
【００７５】
この実施形態による露光方法は、投影系ＰＬを介してウエハＷ１上にパターンを露光する露光方法において、投影系ＰＬに対して移動するとともに回折格子状のスケールが形成されたウエハステージＷＳＡにウエハＷ１を保持し、投影系ＰＬに対して静止状態で支持されたフレーム５４の検出ヘッド２８Ｃ〜３０ＤからウエハステージＷＳＡのスケールに検出光を照射して、ウエハステージＷＳＡとフレーム２４とのＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の相対位置情報を検出し、ＡＦ系によってフレーム２４に形成された基準面３４に第１光束を照射し、ウエハＷ１の表面に第２光束を照射して、基準面３４を基準としてウエハＷ１の表面の投影系ＰＬの光軸に沿った方向の位置（面位置）を計測する。ここで、ウエハステージＷＳＡにスケールが形成されるとは、一例として、そのスケールが形成されたスケール板２６Ｅ１，２６Ｅ２がウエハステージＷＳＡに固定されることを含んでいる。
【００７６】
この実施態様によれば、検出ヘッド２８Ｃ等が設けられたフレーム５４に形成された基準面３４を基準としてウエハＷ１の面位置（Ｚ位置）が計測される。また、ウエハＷ１を保持するウエハステージＷＳＡの位置情報が、検出ヘッド２８Ｃ等がフレーム５４に設けられた状態でエンコーダ方式で計測される。このように共通にフレーム５４を基準として計測を行っているため、例えば両者の計測値の差分を用いることによって、フレーム５４のＺ位置が変動しても、ウエハステージＷＳＡ（ウエハテーブル１４Ａ）に対するウエハＷ１の面位置を高精度に計測できる。従って、ウエハＷ１の露光に際して、雰囲気の温度揺らぎの影響等を低減して、ウエハステージＷＳＡの位置及びウエハＷ１の面位置を高精度に計測することができる。従って、その計測結果に基づいて、ウエハＷ１の表面を投影系ＰＬの像面に高精度に合焦させることが可能となる。
【００７７】
なお、上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図９に示すように、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２２３、前述した実施形態の露光装置１０，１０Ａによりレチクルのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
【００７８】
言い換えると、このデバイスの製造方法は、上記の実施形態の露光装置（又は露光方法）を用いて基板にパターンを露光することと、そのパターンが露光された基板を処理することと、を含んでいる。この際に、その露光装置又は露光方法では、基板の投影系ＰＬに対する合焦精度を向上できるため、デバイスを高精度に製造できる。ここで、基板を処理することには、パターンが露光された基板を現像すること、加熱すること、エッチングすること、ダイシングすること、ボンディングすること等が含まれる。
なお、本発明は、上述のステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の露光装置（スキャナ）の他に、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパー等）にも適用できる。
【００７９】
また、本発明は、半導体デバイス製造用の露光装置に限らず、液晶表示素子やプラズマディスプレイなどを含むディスプレイの製造に用いられる、デバイスパターンをガラスプレート上に転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるデバイスパターンをセラミックスウエハ上に転写する露光装置、並びに撮像素子（ＣＣＤなど）、有機ＥＬ、マイクロマシーン、ＭＥＭＳ(Microelectromechanical Systems)、及びＤＮＡチップなどの製造に用いられる露光装置などにも適用することができる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置及びＥＵＶ露光装置などで使用されるマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。
【００８０】
また、上記の実施形態の照明光学系及び投影光学系を露光装置本体に組み込み光学調整をすると共に、多数の機械部品からなるレチクルステージやウエハステージを露光装置本体に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調整（電気調整、動作確認等）をすることにより上記の実施形態の露光装置（投影露光装置）を製造することができる。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
なお、本願に記載した上記公報、各国際公開パンフレット、米国特許及び米国特許出願公開明細書における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。また、明細書、特許請求の範囲、要約書、及び図面を含む２００９年６月１０日付け提出の日本国特許出願第２００９−１３９６８７の全ての開示内容はそっくりそのまま引用して本願に組み込まれている。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【符号の説明】
【００８１】
Ｒ…レチクル、ＰＬ…投影系、Ｗ１，Ｗ２…ウエハ、ＷＳＡ，ＷＳＢ…ウエハステージ、ＡＬＧ…ウエハアライメント系、１０，１０Ａ…露光装置、１８…光学系フレーム、２４…スケール板固定用のフレーム、２６Ａ〜２６Ｄ…スケール板、２８Ａ，２８Ｂ，３０Ａ，３０Ｂ…検出ヘッド、２８ＡＺ，２８ＢＺ，３０ＡＺ，３０ＢＺ…Ｚヘッド、３４…ＡＦ系の基準面、３６…ＡＦ系ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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