【事件の表示】
　特許第２６４６０７９号「半導体デバイスの製造方法及び製造装置」の特許請求の範囲第１項ないし第３項、第４項ないし第５項（発明の数２）に記載された発明についての特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６４６０７９号の特許請求の範囲第１項ないし第３項、第４項ないし第５項に記載された発明についての特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　昭和６１年８月１日
　特許権設定登録　　　　　　　　平成９年５月９日
　特許異議の申立　　　　　　　　平成１０年２月２５日
　（申立人：吉川喜一郎）
　特許異議の申立　　　　　　　　平成１０年２月２５日
　（申立人：山枡幸文）
　取消理由通知　　　　　　　　　平成１１年３月２５日
　第１回訂正請求　　　　　　　　平成１１年６月２２日
　（後日取り下げ）
　意見書　　　　　　　　　　　　平成１１年６月２２日
　訂正拒絶理由通知　　　　　　　平成１１年９月１６日
　意見書　　　　　　　　　　　　平成１１年１２月９日
　取消理由通知　　　　　　　　　平成１２年５月３０日
　第２回訂正請求　　　　　　　　平成１２年８月１０日
　意見書　　　　　　　　　　　　平成１２年８月１０日
　訂正拒絶理由通知　　　　　　　平成１２年１１月１日
　意見書　　　　　　　　　　　　平成１３年１月２７日
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
ア．訂正事項ａ
　特許請求の範囲の第１項において、「ヒ−タ−による」を「炉体の内側に設けられたヒ−タ−による」に訂正し、「反応ガスを反応容器内にその側部から導入する」を「反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入する」に訂正する。
イ．訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の第４項において、「反応ガス導入口」を「反応ガスの横方向導入口」に訂正し、「ヒ−タ−」を「炉体の内側に設けられたヒ−タ−」に訂正する。
ウ．訂正事項ｃ
　明細書の発明の詳細な説明、平成５年７月１４日付け手続補正書に添付した全文補正明細書第５頁第１３行〜第６頁第１７行（特許公報第４欄第１９行〜第５欄第４行）の
「［問題点を解決するための手段］
　前記目的を達成するための本発明の半導体デバイスの製造ほうほうは、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリ−ブ状内管と、それを覆う排気用外管とで構成される反応容器の前記スリ−ブ状内管内にウェ−ハを配置してなる該反応容器において：前記反応ガス導入口から反応ガスを上向きに流し、前記スリ−ブ状内管内にて前記ウェ−ハと前記反応ガスを接触せしめ、前記反応ガスを、さらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめ、次に前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を経てスリ−ブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙に流し、反応容器の下部に設けられた排出口より排気する諸処理を行う半導体デバイスの製造方法において、
　（イ）前記スリ−ブ状内管内にて前記ウェ−ハと前記反応ガスを接触せしめる処理、（ロ）前記反応ガスをさらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめる処理、（ハ）前記反応ガスを前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理、及び（ニ）前記スリ−ブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙により形成される排気通路のほぼ全長における排気処理のそれぞれ（イ）〜（ニ）を、ヒ−タ−による。均熱空間内で行うことを特徴とする。
　また、本発明に係る半導体デバイスの製造装置は、反応容器が、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリ−ブ状内管とそれを覆う排気用外管で構成され、該スリ−ブ状内管と排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部との間に間隙が形成されかつ反応容器の下部に反応ガス排出口が設けられている半導体デバイスの製造装置において、
　前記排気用外管の閉じられた上端部を含みかつ前記反応ガス導入口及び反応ガス排出口を除く反応容器の実質的に全体がヒ−タ−による均熱空間を形成していることを特徴とする。」を
「［問題点を解決するための手段］
　前記目的を達成するための本発明の半導体デバイスの製造ほうほうは、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリ−ブ状内管と、それを覆う排気用外管とで構成される反応容器の前記スリ−ブ状内管内にウェ−ハを配置してなる該反応容器において：前記反応ガス導入口から反応ガスを上向きに流し、前記スリ−ブ状内管内にて前記ウェ−ハと前記反応ガスを接触せしめ、前記反応ガスを、さらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめ、次に前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を経てスリ−ブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙に流し、反応容器の下部に設けられた排出口より排気する諸処理を行う半導体デバイスの製造方法において、
（イ）前記スリ−ブ状内管内にて前記ウェ−ハと前記反応ガスを接触せしめる処理、（ロ）前記反応ガスをさらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめる処理、（ハ）前記反応ガスを前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理、及び（ニ）前記スリ−ブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙により形成される排気通路のほぼ全長における排気処理のそれぞれ（イ）〜（ニ）を、炉体の内側に設けられたヒ−タ−による均熱空間内で行い、かつ前記反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入することを特徴とする。
　また、本発明に係る半導体デバイスの製造装置は、反応容器が、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリ−ブ状内管とそれを覆う排気用外管で構成され、該スリ−ブ状内管と排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部との間に間隙が形成されかつ反応容器の下部に反応ガス排出口が設けられている半導体デバイスの製造装置において、
　前記反応容器の側部に前記反応ガスの横方向導入口を設け、前記排気用外管の閉じられた上端部を含みかつ前記反応ガスの横方向導入口、反応ガス排出口及び反応管下部を除く反応容器の実質的に全体が、炉体の内側に設けられたヒ−タ−による均熱空間を形成していることを特徴とする。」に訂正する。
エ．訂正事項ｄ
　明細書の発明の詳細な説明、平成５年７月１４日付け手続補正書に添付した全文補正明細書第９頁第７行（特許公報第６欄第７行）の「からなる」を「からなり、炉体１Ａの内側に設けられた」に訂正する。
オ．訂正事項ｅ
　明細書の発明の詳細な説明、平成５年７月１４日付け手続補正書に添付した全文補正明細書第９頁第１６行（特許公報第６欄第１５行〜第１６行）の「気密封止されている。９は反応容器」を「気密封止されている。８は反応容器内に反応ガスを横方向に導入する導入口である。９は反応容器」に訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の第１項において、「ヒ−タ−による」を「炉体の内側に設けられたヒ−タ−による」と限定し、「反応ガスを反応容器内にその側部から導入する」を「反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入する」と限定するものであり、炉体の内側にヒーターが設けられていること及び反応ガス導入方向については、図面の第１図及び第２図に記載されているので、第１図及び第２図の記載を根拠にした、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の第４項において、「反応ガス導入口」を「反応ガスの横方向導入口」と限定し、「ヒ−タ−」を「炉体の内側に設けられたヒ−タ−」と限定するものであり、反応ガス導入口及び炉体の内側にヒーターが設けられていることについては、図面の第１図及び第２図に記載されているので、第１図及び第２図の記載を根拠にした、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当しない。
　また、上記訂正事項ｃ〜ｅは、訂正された特許請求の範囲の記載との整合を図るためのものであり、明瞭でない記載の釈明に相当するものであり、新規事項の追加に該当しない。
　そして、上記いずれの訂正も、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内であり、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）独立特許要件
ア．訂正明細書に記載の発明
　訂正明細書の特許請求の範囲第１項に記載された発明及び第４項に記載された発明は、その特許請求の範囲に記載された以下のとおりのものであると認める。（なお、本件特許請求の範囲第２項、第３項は、本件特許請求の範囲第１項に記載された発明の実施態様項であり、本件特許請求の範囲第５項は、本件特許請求の範囲第４項に記載された発明の実施態様項である。）
　「【請求項１】反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリ−ブ状内管と、それを覆う排気用外管とで構成される反応容器の前記スリ−ブ状内管内にウェ−ハを配置してなる該反応容器において：前記反応ガス導入口から反応ガスを上向きに流し、前記スリ−ブ状内管内にて前記ウェ−ハと前記反応ガスを接触せしめ、前記反応ガスを、さらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめ、次に前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を経てスリ−ブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙に流し、反応容器の下部に設けられた排出口より排気する諸処理を行う半導体デバイスの製造方法において、
　下記（イ）〜（ニ）：
（イ）前記スリ−ブ状内管内にて前記ウェ−ハと前記反応ガスを接触せしめる処理、（ロ）前記反応ガスをさらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめる処理、（ハ）前記反応ガスを前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理、及び（ニ）前記スリ−ブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙により形成される排気通路のほぼ全長における排気処理を、炉体の内側に設けられたヒ−タ−による均熱空間内で行い、かつ前記反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」（以下、「本件第１発明」という。）
　「【請求項４】反応容器が、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリ−ブ状内管とそれを覆う排気用外管で構成され、該スリ−ブ状内管と排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、前記排気用外管の内壁面と前記スリ−ブ状内管の上端部との間に間隙が形成されかつ反応容器の下部に反応ガス排出口が設けられている半導体デバイスの製造装置において、
　前記反応容器の側部に前記反応ガスの横方向導入口を設け、前記排気用外管の閉じられた上端部を含みかつ前記反応ガスの横方向導入口、反応ガス排出口及び反応管下部を除く反応容器の実質的に全体が、炉体の内側に設けられたヒ−タ−による均熱空間を形成していることを特徴とする半導体デバイスの製造装置。」（以下、「本件第２発明」という。）
イ．刊行物記載の発明
　本件第１発明及び第２発明に対して、平成１２年１１月１日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された、刊行物１（「電子材料」、１９８６年３月号、９８頁〜１０２頁、昭和６１年（１９８６）３月１日、工業調査会発行（特許異議申立人吉川喜一郎が提出した甲第１号証））には、「１．炉体、ヒ−タ
　炉体は断熱効率を高めかつ熱容量が小さくなるよう設計されているため、昇降温特性が大幅に改善されている。これは温度分布が横形に比べると炉長に対して均熱区域が約７０％になるため、炉口付近の温度傾斜によるウェハの熱歪みを考慮してランピング処理ができるようになっている。
　ヒ−タは石英プロセスチュ−ブ全面に対向する形で配置され加熱効率を高め、かつ外部に熱放散が少なくなるよう２重構造による空気断熱、反射断熱構造になっている。
　またヒ−タ構造は細線を使用し石英管軸に平行に配置されているため温度均一性は従来炉に比べて大幅に改善されている。」（第９９頁左欄第４〜１６行）こと、及び「縦形炉における反応管構造については、いくつかの方法があり、要求プロセスによって使い分ける必要がある。図１にその一例をあげる。本構造の特徴は、２重管方式であり、反応ガスは炉体下部のマニホルドからインナチュ−ブの内側に導入される。インナチュ−ブの上部にはガスの排気孔が設けられて、ウェハを通過した反応ガスはこの排気孔からインナとアウタチュ−ブの間隔を通って下部マニホルドの排気ポ−トから真空排気系に排気される。ウェハボ−トは下部フランジに設けられた回転テ−ブルの上に置かれてボ−トのロ−ディング、アンロ−ディング時にはフランジとともに炉側面に設けられたエレベ−タで上下される。各マニホルドおよびフランジは水冷Ｏリングにより真空シ−ルされており、また回転部にはＯリング、または磁気流体シ−ルが用いられている。反応管内に付着する生成物の多くは真空排気系への接続口付近に多く、構造上保守点検がやり易い構造になっているとともにウェハボ−トの出し入れ時にはインナチュ−ブで隔離されているので、ウェハに付着することはない。」（第９９頁左欄第２２行〜右欄第１１行）ことが図１と共に記載されている。
　上記記載事項と図１を参照すると、刊行物１には、反応ガスを導入する部分を設けかつ上部に排気孔を設けたインナチュ−ブと、それを覆うアウタチュ−ブとで構成される反応管構造の前記インナチュ−ブ内にウェハを配置してなる該反応管構造において、前記反応ガスを導入する部分から反応ガスを上向きに流し、前記インナチュ−ブ内にて前記ウェハと前記反応ガスを接触せしめ、前記反応ガスを、さらにインナ−チュ−ブに設けた排気孔を通して流して前記アウタチュ−ブの内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめ、次にアウタチュ−ブの内壁面とインナチュ−ブの上端面の間に形成された間隙を経てインナチュ−ブとアウタチュ−ブの間隔に流し、反応管構造の下部に設けられた排気ポ−トより排気する処理を行う半導体デバイスの製造方法において、前記インナチュ−ブ内にて前記ウェハと前記反応ガスを接触せしめる処理、前記反応ガスをさらにインナ−チュ−ブに設けた排気孔を通して流して前記アウタチュ−ブの内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめる処理、前記反応ガスを前記アウタチュ−ブの内壁面と前記インナチュ−ブの上端面の間に形成された間隙を通過させる処理、及び前記インナチュ−ブとアウタチュ−ブの間隔により形成される排気通路のほぼ全長における排気処理を、炉体の内側に設けられたヒ−タによる均熱空間内で行い、かつ前記反応ガスを反応管構造内にその側部から上向きに導入することを特徴とする半導体デバイスの製造方法、及び反応管構造が、反応ガスを導入する部分を設けかつ上部に排気孔を設けたインナチュ−ブとそれを覆うアウタチュ−ブで構成され、該インナチュ−ブとアウタチュ−ブとを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、前記アウタチュ−ブの内壁面と前記インナチュ−ブの上端面との間に間隙が形成されかつ反応管構造の下部に反応ガス排気ポ−トが設けられている半導体デバイスの製造装置において、前記反応管構造の側部に前記反応ガスの上向き方向に導入する部分を設け、前記アウタチュ−ブの閉じられた上端部を含みかつ前記反応ガスの上向き方向に導入する部分、反応ガス排気ポ−ト及び反応管下部を除く反応管構造の実質的に全体が、炉体の内側に設けられたヒ−タによる均熱空間を形成していることを特徴とする半導体デバイスの製造装置が開示されている。
　同じく、刊行物２（特開昭５０−８７８２号公報（特許異議申立人吉川喜一郎が提出した甲第２号証））には、「この発明を図面に基づいて説明する。第２図にド−プトオキサイド生成装置を示す。ベルジャ−（２）はベルジャ−（２）の温度が反応ガスのソ−ス温度よりも高い温度になるようにシ−ズヒ−タ−（１４）により制御されている、またベルジャ−（２）の内壁には円筒形の隔壁（１６）が鈎（１５）により保持されていてベルジャ−（２）にはガス排出管（５）が設けられている。隔壁（１６）の下方はガスの流出がないように加熱ヒ−タ−（６）を固定している耐火物（７）上に密着されている。サセプタ−（８）はサセプタ−支持軸（９）の回転と共に加熱ヒ−タ−（６）上面との間に微小な間隙を保ちながら回転する。反応成分が適当な割合で混合された反応ガスはソ−ス温度よりも高い温度に保たれているガス配管系（１０）を通ってガス配管系（１０）と接続されているガス導入管（１１）に導かれる。ガス導入管（１１）はサセプタ−支持軸（９）の内側を通りベルジャ−（２）内に固定されている。ガス導入管（１１）に導入された反応ガスはサセプタ−（８）上面に噴射されるように曲げられているガス噴射器（１２）から噴射されたのち試料基板（１３）が置かれ適当な反応温度まで加熱されているサセプタ−上で酸化され試料基板（１３）上にド−プトオキサイド膜が生成される。反応により生じたガス成分と未反応ガス成分あるいは不完全反応によるガス成分は隔壁（１６）の上方に移動して後隔壁（１６）とベルジャ−（２）との間隙を通りベルジャ−（２）下方に設けられているガス排出管（５）より外部に排出される。」（第２頁左下欄第１行〜右下欄第７行）ことが第２図と共に記載されている。
　同じく、刊行物３（実願昭６０−４１２５号（実開昭６１−１２１７３４号）のマイクロフィルム（特許異議申立人山枡幸文が提出した甲第１号証））には、「本考案の実施例を図面を参照して説明する。第１図において、第２図の装置と同一部分には同符号を付してその説明を省略する。第１図の１０はヒ−タ２の内側に間隙を隔てて配設された外部石英管で、この石英管の上端側は閉鎖され、下端部は開放されている。１１はこの下端部と炉体１の下端部とを連結する連結部材である。１２は外部石英管１０よりも小径で、下端側が開放され上端側に複数のガス排出孔１２ａを備えて外部石英管１０の内側に配設された内部石英管である。１３は両石英管１０、１２の管壁間に形成されて、ガス排出孔１２ａからの排出ガスを流下させるガス通路である。１４は内部石英管１２の下端側外周部に取付けられた結合部材で、この結合部材は前記の連結部材１１に当接して取付けられている。１５はこの結合部材１４を貫通して内部石英管１２内に連通するように設けられたガス供給口、１６はガス通路１３の下側から結合部材１４を貫通させて設けられたガス吸出口である。このガス吸出口は、図示しない吸気装置に連結される。
　以上の構成になる本実施例の気相成長処理装置では、支持軸６を駆動して、半導体ウエハＷを載置したボ−ト８を内部石英管１２内に挿入した図示位置において、ガス供給口１５より反応ガスを内部石英管１２内に供給しヒ−タ２により加熱して、半導体ウエハＷに気相成長処理を施す。この処理中、ガス吸出口１６に連結された図示しない吸気装置による吸気により、内部石英管１２内の廃ガスはガス排出口１２ａから排出されてガス通路１３を流下し、ガス吸出口１６より外部に吸出される。この課程で、廃ガス中に含まれる反応生成物の一部は内部石英管１２の上部側内壁に付着するが、この上部側内壁は対流により比較的高温度になっているので、付着物は比較的安定なはがれ難い状態で付着する。従って、この部分の付着物が脱落して半導体ウエハＷが汚染されるおそれはない。更に、廃ガス中の反応生成物は、ガス通路１３の両側壁の特にガス吸出口１６に近い部分に多く付着する。この部分は比較的温度が低く不安定な付着になるが、この部分の付着物はたとえ脱落しても、内部石英管１２で被われる半導体ウエハＷを汚染するおそれは全くない。」（第６頁第１０行〜第８頁第１１行）ことが第１図と共に記載されている。
ウ．対比・判断
ａ．本件第１発明と刊行物１記載の発明を対比すると、刊行物１記載の発明の「反応ガスを導入する部分」、「インナチュ−ブ」、「アウタチュ−ブ」、「反応管構造」、「インナチュ−ブとアウタチュ−ブの間隔」及び「排気ポ−ト」は、それぞれ本件第１発明の「反応ガス導入口」、「内管」、「排気用外管」、「反応容器」、「内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙」及び「排出口」に相当するから、両者は、「反応ガス導入口を設けた内管と、それを覆う排気用外管とで構成される反応容器の前記内管内にウェ−ハを配置してなる該反応容器において：前記反応ガス導入口から反応ガスを上向きに流し、前記内管内にて前記ウェ−ハと前記反応ガスを接触せしめ、前記反応ガスを、さらに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめ、内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙に流し、反応容器の下部に設けられた排出口より排気する諸処理を行う半導体デバイスの製造方法において、
下記（イ）、（ロ）及び（ニ）：
（イ）前記内管内にて前記ウェ−ハと前記反応ガスを接触せしめる処理、（ロ）前記反応ガスをさらに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめる処理、及び（ニ）前記内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙により形成される排気通路のほぼ全長における排気処理を、炉体の内側に設けられたヒ−タ−による均熱空間内で行い、かつ前記反応ガスを反応容器内にその側部から導入することを特徴とする半導体デバイスの製造方法」の点で一致しているが、本件第１発明では、内管が上端側が開放されたスリ−ブ状であって、ウェ−ハと接触した反応ガスをさらに上方に流す処理及び反応ガスを排気用外管の内壁面とスリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理を炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間内で行っているのに対し、刊行物１記載の発明では、内管が上部に排気孔を設けた形状であって、ウェ−ハと接触した反応ガスを内管に設けた排気孔を通して流す処理及び反応ガスを排気用外管の内壁面と内管の上端面の間に形成された間隙を通過させる処理を炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間内で行っている点（以下、「相違点１」という。）、及び、反応ガスを、本件第１発明では横方向に導入しているのに対し、刊行物１記載の発明では上向きに導入している点（以下、「相違点２」という。）で相違している。
　そこでまず、上記相違点２について検討すると、刊行物３には、その第１図を参照すると、ガス供給口１５より反応ガスを内部石英管１２内に供給するにあたり、反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入することが記載されている。そして、刊行物３の反応容器は、ヒータ２により均熱空間に相当する部分を有している刊行物１に記載と同様な反応容器であるので、刊行物１に記載の反応ガスを反応容器内に上向きに導入することに換えて、刊行物３に記載の反応ガスを反応容器内に横方向に導入するようになすことは、当業者が適宜なし得た程度のことであり、上記相違点２は、格別なものではない。
　次に、上記相違点１について検討すると、刊行物２には、ド−プトオキサイド生成装置が記載されており、温度がシーズヒーターにより制御されているベルジャ−と円筒形の隔壁とから構成された２重管構造を有し、上記円筒形の隔壁は上端側が開放されたスリ−ブ状内管となっていて、噴射されてウェハと接触した反応ガスは上方に移動した後、円筒形の隔壁とベルジャ−の間隙を通り、ベルジャ−の下方に設けられたガス排出管より外に排出されるようになっている。しかしながら、該ベルジャ−は、温度がシーズヒーターにより制御されているものの、このシーズヒーターはベルジャー内の温度を反応ガスのソース液化温度よりも高い温度に保つものであり、反応容器に均熱空間を形成するものではなく、また、反応ガスが上方に移動した後、円筒形の隔壁とベルジャ−の間隙を通るとはいえ、排気のコンダクタンスを任意に設定できるという作用効果を有しているとは記載も示唆もないため、刊行物１に記載の上部に排気孔を設けた内管に換えて、刊行物２に記載の上端側が開放されたスリ−ブ状内管を採用しても、依然として、内管が上端側が開放されたスリ−ブ状であって、ウェ−ハと接触した反応ガスをさらに上方に流す処理及び反応ガスを排気用外管の内壁面とスリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理を炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間内で行うという構成要件の点で、相違している。
　本件第１発明は、上記構成要件により、排気のコンダクタンスを任意に設定できるという明細書に記載の作用効果を有している。
　してみると、本件第１発明は、刊行物１，２及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
ｂ．本件第２発明と刊行物１記載の発明を対比すると、刊行物１記載の発明の「反応管構造」、「反応ガスを導入する部分」、「インナチュ−ブ」、「アウタチュ−ブ」及び「排気ポ−ト」は、それぞれ本件第２発明の「反応容器」、「反応ガス導入口」、「内管」、「排気用外管」及び「反応ガス排出口」に相当するから、両者は、「反応容器が、反応ガス導入口を設けた内管とそれを覆う排気用外管で構成され、該内管と排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、反応容器の下部に反応ガス排出口が設けられている半導体デバイスの製造装置において、
　前記反応容器の側部に前記反応ガスの導入口を設け、前記排気用外管の閉じられた上端部を含みかつ前記反応ガスの導入口、反応ガス排出口及び反応管下部を除く反応容器の実質的に全体が、炉体の内側に設けられたヒ−タ−による均熱空間を形成していることを特徴とする半導体デバイスの製造装置」の点で一致しているが、本件第２発明では、内管が上端側が開放されたスリ−ブ状であって、排気用外管の内壁面とスリ−ブ状内管の上端部との間に間隙が形成されており、反応容器の実質的に全体が炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間を形成しているのに対し、刊行物１記載の発明では、内管が上部に排気孔を設けた形状であって、排気用外管の内壁面と内管の上端面の間に間隙が形成されており、反応容器の実質的に全体がヒーターによる均熱空間を形成している点（以下、「相違点３」という。）、及び、反応ガスの導入口が、本件第２発明では横方向であるのに対し、刊行物１記載の発明では上向きである点（以下、「相違点４」という。）で相違している。
　そこでまず、上記相違点４について検討すると、刊行物３には、その第１図を参照すると、ガス供給口１５より反応ガスを内部石英管１２内に供給するにあたり、反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入することが記載されている。そして、刊行物３の反応容器は、ヒータ２により均熱空間に相当する部分を有している刊行物１に記載と同様な反応容器であるので、刊行物１に記載の反応ガスを反応容器内に上向きに導入することに換えて、刊行物３に記載の反応ガスを反応容器内に横方向に導入するようになすことは、当業者が適宜なし得た程度のことであり、上記相違点４は、格別なものではない。
　次に、上記相違点３について検討すると、刊行物２には、ド−プトオキサイド生成装置が記載されており、温度がシーズヒーターにより制御されているベルジャ−と円筒形の隔壁とから構成された２重管構造を有し、上記円筒形の隔壁は上端側が開放されたスリ−ブ状内管となっていて、噴射されてウェハと接触した反応ガスは上方に移動した後、円筒形の隔壁とベルジャ−の間隙を通り、ベルジャ−の下方に設けられたガス排出管より外に排出されるようになっている。しかしながら、該ベルジャ−は、温度がシーズヒーターにより制御されているものの、このシーズヒーターはベルジャー内の温度を反応ガスのソース液化温度よりも高い温度に保つものであり、反応容器に均熱空間を形成するものではなく、また、反応ガスが上方に移動した後、円筒形の隔壁とベルジャ−の間隙を通るとはいえ、排気のコンダクタンスを任意に設定できるという作用効果を有しているとは記載も示唆もないため、刊行物１に記載の上部に排気孔を設けた内管に換えて、刊行物２に記載の上端側が開放されたスリ−ブ状内管を採用しても、依然として、内管が上端側が開放されたスリ−ブ状であって、排気用外管の内壁面とスリ−ブ状内管の上端部の間に間隙が形成されており、反応容器の実質的に全体が炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間を形成しているという構成要件の点で、相違している。
　本件第２発明は、上記構成要件により、排気のコンダクタンスを任意に設定できるという明細書に記載の作用効果を有している。
　してみると、本件第２発明は、刊行物１，２及び３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではなく、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
エ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号、以下「平成６年改正法という。」）附則第６条第１項によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
（１）異議申立ての理由の概要
ア．異議申立人吉川喜一郎は、甲第１号証（「電子材料」、１９８６年３月号、９８頁〜１０２頁、昭和６１年（１９８６）３月１日、工業調査会発行；平成１２年１１月１日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された刊行物１）、甲第２号証（特開昭５０−８７８２号公報；平成１２年１１月１日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された刊行物２）、甲第３号証（特開昭５９−１９４４２８号公報）を提出し、本件請求項１から請求項５に係る各特許発明は、甲第１号証、甲第２号証及び甲第３号証に記載された各発明と実質的に同一か、あるいはこれらの発明を寄せ集めることにより、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号及び同条第２項の規定により特許を受けることができないものである。よって、本件特許発明は、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべきであると主張している。
イ．異議申立人山枡幸文は、甲第１号証（実願昭６０−４１２５号（実開昭６１−１２１７３４号）のマイクロフィルム；平成１２年１１月１日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された刊行物３）、甲第２号証（特開昭６０−１０６１８号公報）及び甲第３号証（特願昭６０−１８０６６５号（特開昭６２−４０７２０号公報参照））を提出し、請求項１乃至５は、甲第１、２号証に基づいて当業者が容易に発明をすることができたので、それぞれ特許法第２９条第２項に該当する。請求項１、４は先願の甲第３号証と同一であり、特許法第２９条の２第１項に該当すると主張している。
（２）各証拠に記載の発明
　異議申立人吉川喜一郎が提出した甲第１号証（「電子材料」、１９８６年３月号、９８頁〜１０２頁、昭和６１年（１９８６）３月１日、工業調査会発行；平成１２年１１月１日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された刊行物１）、同甲第２号証（特開昭５０−８７８２号公報；平成１２年１１月１日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された刊行物２）、異議申立人山枡幸文が提出した甲第１号証（実願昭６０−４１２５号（実開昭６１−１２１７３４号）のマイクロフィルム；平成１２年１１月１日付けで通知した訂正拒絶理由に引用された刊行物３）に記載の発明は、上記２．（３）イ．刊行物記載の発明の項に記載されている。
　異議申立人吉川喜一郎が提出した甲第３号証（特開昭５９−１９４４２８号公報）には、「第２図は本発明の一実施例になるプロセスチューブの断面図である。同図において、２１は石英製の内管である。該内管２２は処理さるべき半導体ウェハーを石英ボートに載置して収容するようになっている。この内管２１の外側には同じく石英製の外管２２が鞘状に設けられており、該外管２２はその開口端を前記内管２１の開口端よりも外側に張り出して設けられている。そして、外管２２の開口端には石英製のキャップ２３が着脱自在に嵌着されている。このキャップ２３には従来品における小孔は設けられていない。
　上記実施例のプロセスチューブにおいて、内管２１内のドーピングガスを排出する際には、内管２１と外管２２との間の空隙を排気通路として用い、図中矢印で示すようにして排気を行なう。」（第２頁左下欄第９行〜同頁右下欄第５行）ことが、第２図と共に、記載されている。
　異議申立人山枡幸文が提出した甲第２号証（特開昭６０−１０６１８号公報）には、「第１図は、円筒形の基体３上にａ−Ｓｉ層を成膜するプラズマＣＶＤ装置として、単一の真空槽１及び１０から成る典型的な所謂バッチ式プラズマＣＶＤ装置の側面断面図である。真空槽本体１０底部中央にはモータＭにより駆動される回転機構５が配置され、回転機構５上には円筒形の基体３が載置、固定され、基体３は、その内部に配置されるヒータ４により加熱される。この加熱は、基体３上に安定したａ−Ｓｉ槽を成膜するために、基体３を高温度（例えば２５０℃）に維持するのに必要である。基体３の回りには、高周波電源７に接続された円筒型のカソード電極２が配置され、更に電極２の回りには、プラズマを閉じ込めるための円筒形のシールド６が配置されている。反応室内に原料ガス（シランガス）を導入するためのガス導入系８は、そのガス導入口をシールド６の底部に配置され、反応炉を真空にするための排気系９は、その排気口が真空槽本体１０の底部に配置されている。この装置において、基体３が加熱され、原料ガスが反応炉内（シールド６内）において下方から上方向に導入されると、カソード電極２に電源７より高周波電力が印加され、電極２とアノード電極である基体３との間にプラズマ放電が発生し、シランガスが分解し、従って基体３の表面にａ−Ｓｉ膜が形成される。反応後の残ガスは、シールド６の上方に形成された孔６ａから排出され、シールド６の外壁と真空槽本体１０の内壁との間を下降し、排気系９により装置の外へ排気される。」（第１頁右下欄第４行〜第２頁左上欄第１２行）ことが、第１図と共に、記載されている。
　異議申立人山枡幸文が提出した甲第３号証（特願昭６０−１８０６６５号（特開昭６２−４０７２０号公報参照））には、「第２図は別の実施例の縦断面図である。反応管は７の外管と８の内管の２重管構造になっており、内管の側壁が円錐状に約２度の傾きがつけられている。内管は第１図の実施例とは逆に、上方ほど細くなっている。これはガスが９のガス送入口を通して内管の下方から送入され、上方に流れていくためである。内管を通過したガスは外管と内管の間隙を通って下方に流れて、１０の排気口から真空ポンプを通して排気される。本実施例による成長実験は、実施例１の場合とほぼ同じ条件で行ない、同様の結果を得ることができた。本実施例は実施例１と較べて２重管構造になっているため、減圧でのエピタキシャル成長の場合円錐状の内管の肉厚がうすくても破損の心配がなく、内管を軽量にできるために、管洗浄などの装置保守が容易である。またガスの排気が外管と内管の間隙を通して行なわれるため、高温に加熱された外管を通して、入りこむ各種不純物によるウェーハの汚染を未然に防ぐことができる。
　本実施例の２重管構造変形として、原料ガスを反応管の上方から下方に流れるようにする流し方も可能であるがその場合は円錐状の内管は実施例１の場合のように下方を狭める必要がある。」（参照公報第２頁右下欄第５行〜第３頁左上欄第７行）ことが、第２図と共に、記載されている。
（３）対比・判断
　本件第１発明及び第２発明は、上記２．（３）で示したように、先の訂正拒絶理由通知で示した刊行物１，２及び３（異議申立人吉川喜一郎が提出した甲第１号証、同甲第２号証、及び異議申立人山枡幸文が提出した甲第１号証）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできないし、刊行物１または２に記載の発明と同一でもない。
　また、本件第１発明及び第２発明と、異議申立人吉川喜一郎が提出した甲第３号証（特開昭５９−１９４４２８号公報）、異議申立人山枡幸文が提出した甲第２号証（特開昭６０−１０６１８号公報）、異議申立人山枡幸文が提出した甲第３号証（特願昭６０−１８０６６５号（特開昭６２−４０７２０号公報参照））に記載の発明とを対比すると、これらの証拠には、本件第１発明の構成要件である「内管が上端側が開放されたスリ−ブ状であって、ウェ−ハと接触した反応ガスをさらに上方に流す処理及び反応ガスを排気用外管の内壁面とスリ−ブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理を炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間内で行う」点、本件第２発明の構成要件である「内管が上端側が開放されたスリ−ブ状であって、排気用外管の内壁面とスリ−ブ状内管の上端部の間に間隙が形成されており、反応容器の実質的に全体が炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間を形成している」点について、記載も示唆もない。
　そして、本件第１発明及び第２発明は、上記構成要件により、排気のコンダクタンスを任意に設定できるという明細書に記載の作用効果を有している。
　してみると、本件第１発明及び第２発明は、異議申立人吉川喜一郎が提出した甲第３号証、異議申立人山枡幸文が提出した甲第３号証に記載された各発明と同一ではなく、また、異議申立人吉川喜一郎が提出した甲第３号証、異議申立人山枡幸文が提出した甲第２号証及び上記刊行物１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　また、他に本件第１発明及び第２発明を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、本件特許請求の範囲第２項、第３項は本件第１発明（本件特許請求の範囲第１項に記載された発明）の実施態様、本件特許請求の範囲第５項は本件第２発明（本件特許請求の範囲第４項に記載された発明）の実施態様であり、これら特許請求の範囲第２項、第３項、第５項に記載のものは、本件第１発明、本件第２発明の内容をさらに限定したものであるから、本件特許請求の範囲第１項ないし第３項に記載された発明及び本件特許請求の範囲第４項ないし第５項に記載された発明は、取り消すべき理由を発見しない。
（４）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件特許請求の範囲第１項ないし第３項に記載された発明及び本件特許請求の範囲第４項ないし第５項に記載された発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許請求の範囲第１項ないし第３項に記載された発明及び本件特許請求の範囲第４項ないし第５項に記載された発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月４日（２００２．２．４）
【訂正の要旨】
　特許第２６４６０７９号発明の明細書を、本件の平成１２年８月１０日付け訂正請求書に添付された訂正明細書のとおりに、すなわち特許請求の範囲の減縮を目的として下記（１）、（２）のとおりに、また、明瞭でない記載の釈明を目的として下記（３）〜（５）のとおりに訂正する。
（１）特許請求の範囲の第１項において、「ヒーターによる」を「炉体の内側に設けられたヒーターによる」に訂正し、「反応ガスを反応容器内にその側部から導入する」を「反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入する」に訂正する。
（２）特許請求の範囲の第４項において、「反応ガス導入口」を「反応ガスの横方向導入口」に訂正し、「ヒーター」を「炉体の内側に設けられたヒーター」に訂正する。
（３）明細書の発明の詳細な説明、平成５年７月１４日付け手続補正書に添付した全文補正明細書第５頁第１３行〜第６頁第１７行（特許公報第４欄第１９行〜第５欄第４行）を
「［問題点を解決するための手段］
　前記目的を達成するための本発明の半導体デバイスの製造ほうほうは、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管と、それを覆う排気用外管とで構成される反応容器の前記スリーブ状内管内にウェーハを配置してなる該反応容器において：前記反応ガス導入口から反応ガスを上向きに流し、前記スリーブ状内管内にて前記ウェーハと前記反応ガスを接触せしめ、前記反応ガスを、さらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめ、次に前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部の間に形成された間隙を経てスリーブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙に流し、反応容器の下部に設けられた排出口より排気する諸処理を行う半導体デバイスの製造方法において、
（イ）前記スリーブ状内管内にて前記ウェーハと前記反応ガスを接触せしめる処理、（ロ）前記反応ガスをさらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめる処理、（ハ）前記反応ガスを前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理、及び（ニ）前記スリーブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙により形成される排気通路のほぼ全長における排気処理のそれぞれ（イ）〜（ニ）を、炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間内で行い、かつ前記反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入することを特徴とする。
　また、本発明に係る半導体デバイスの製造装置は、反応容器が、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管とそれを覆う排気用外管で構成され、該スリーブ状内管と排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部との間に間隙が形成されかつ反応容器の下部に反応ガス排出口が設けられている半導体デバイスの製造装置において、
　前記反応容器の側部に前記反応ガスの横方向導入口を設け、前記排気用外管の閉じられた上端部を含みかつ前記反応ガスの横方向導入口、反応ガス排出口及び反応管下部を除く反応容器の実質的に全体が、炉体の内側に設けられたヒーターによる均熱空間を形成していることを特徴とする。」に訂正する。
（４）明細書の発明の詳細な説明、平成５年７月１４日付け手続補正書に添付した全文補正明細書第９頁第７行（特許公報第６欄第７行）の「からなる」を「からなり、炉体１Ａの内側に設けられた」に訂正する。
（５）明細書の発明の詳細な説明、平成５年７月１４日付け手続補正書に添付した全文補正明細書第９頁第１６行（特許公報第６欄第１５行〜第１６行）の「気密封止されている。９は反応容器」を「気密封止されている。８は反応容器内に反応ガスを横方向に導入する導入口である。９は反応容器」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体デバイスの製造方法及び製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管と、それを覆う排気用外管とで構成される反応容器の前記スリーブ状内管内にウェーハを配置してなる該反応容器において：前記反応ガス導入口から反応ガスを上向きに流し、前記スリーブ状内管内にて前記ウェーハと前記反応ガスを接触せしめ、前記反応ガスを、さらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめ、次に前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部の間に形成された間隙を経てスリーブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙に流し、反応容器の下部に設けられた排出口より排気する諸処理を行う半導体デバイスの製造方法において、
　下記（イ）〜（ニ）：
（イ）前記スリーブ状内管内にて前記ウェーハと前記反応ガスを接触せしめる処理、（ロ）前記反応ガスをさらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめる処理、（ハ）前記反応ガスを前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理、及び（ニ）前記スリーブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙により形成される排気通路のほぼ全長における排気処理を、
炉体の内側に設けられた
横方向に
　【請求項２】　前記スリーブ状内管がストレート管である特許請求の範囲第１項記載の半導体デバイスの製造方法。
　【請求項３】　前記スリーブ状内管の上端部に外側に開いた屈曲部を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体デバイスの製造方法。
　【請求項４】　反応容器が、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管とそれを覆う排気用外管で構成され、該スリーブ状内管と排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部との間に間隙が形成されかつ反応容器の下部に反応ガス排出口が設けられている半導体デバイスの製造装置において、
　前記反応容器の側部に前記反応ガス
の横方向
の横方向
、炉体の内側に設けられた
　【請求項５】　前記スリーブ状内管の下端部に、前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部との間に形成された間隙の大きさを調整するスペーサを設けたことを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の半導体デバイスの製造装置。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体デバイスの製造方法及び製造装置に関するものである。
　【従来の技術】
　ＬＳＩなどの半導体デバイスの製造過程における半導体素子の酸化、拡散或はＣＶＤ（気相成長）などの処理工程においては、一般に石英ガラス製反応管内に窒素、酸素、シラン、アンモニア、ホスフィン、亜酸化窒素等の反応ガスを導入して加熱処理を行う。
　前記した半導体素子の各処理工程の状態及び膜質は温度、反応ガスの種類、混合比の他に該反応ガスの濃度及び圧力に大きく依存する。
　従来の半導体デバイスの製造装置の多くは一重の反応管であり、縦型炉の場合はほとんどの場合上端から反応ガスを排出する型式のものであった（特開昭５５−１１８６３１号、５６−９１４１７号、５８−１１００３４号、実開昭６１−１００１４１号など）。
　二重管型で反応ガスを反応室内に上向きに流す半導体製造装置も公知であり（実開昭６１−１２１７３４号）、この半導体製造装置では反応ガスの濃度及び圧力のコントロールは、通常のように排気ポンプ、バルブの操作などにより行われるが、この通常の操作では対応できない範囲の圧力などのコントロールは、反応管（内管）の閉じられた端部に複数個の孔を開けこの孔の大きさ及び個数を変えることによって行われる。しかし、これは面倒でありまた一旦決めて反応管を製作すると、容易に孔の大きさ、個数を変更できない。さらに穴の位置でガス流断面積が激減するから、ガスの流れがスムーズでないという欠点があった。
　また二重管型半導体デバイス製造装置として特開昭６１−１１４５２２号に記載されたものは、外管の下部から反応管頂部に達するガス通路を形成し、ガス通路の下部に設けた吸気口から導かれたガスがガス通路を上昇し、ウェーハと接触することなく反応管頂部に達した後反応用内管内に下降して流れ、反応用内管下面の排気口から外部に排出する形式のものである。しかしながらこの装置では、反応ガスが反応管内で空間反応を起こし、温度が急激に降下する反応管下部にて反応生成物が多量に析出する。ここで析出した反応生成物は処理後のウェーハを反応管内外に出し入れするときに、ウェーハの表面に付着し汚染する。
　【発明が解決しようとする問題点】
　本発明は上述した従来の欠点を除去し、反応容器内におけるガスの流れをスムースにし、空間反応によるパーティクルやウェーハの出入れ部に生じるパーティクルによる汚染を防止し、かつ排気のコンダクタンスを任意に設定できる半導体デバイスの製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
　【問題点を解決するための手段】
　前記目的を達成するための本発明の半導体デバイスの製造方法は、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管と、それを覆う排気用外管とで構成される反応容器の前記スリーブ状内管内にウェーハを配置してなる該反応容器において：前記反応ガス導入口から反応ガスを上向きに流し、前記スリーブ状内管内にて前記ウェーハと前記反応ガスを接触せしめ、前記反応ガスをさらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめ、次に前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部の間に形成された間隙を経てスリーブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙に流し、反応容器の下部に設けられた排出口より排気する諸処理を行う半導体デバイスの製造方法において、
　（イ）前記スリーブ状内管内にて前記ウェーハと前記反応ガスを接触せしめる処理、（ロ）前記反応ガスをさらに上向きに流して前記排気用外管の内壁面の頂部にて下向きに方向転換せしめる処理、（ハ）前記反応ガスを前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部の間に形成された間隙を通過させる処理、及び（ニ）前記スリーブ状内管と排気用外管の間に形成された環状排気間隙により形成される排気通路のほぼ全長における排気処理のそれぞれ（イ）〜（ニ）を、
炉体の内側に設けられた
る均
行い、かつ前記反応ガスを反応容器内にその側部から横方向に導入する
　また、本発明に係る半導体デバイスの製造装置は、反応容器が、反応ガス導入口を設けかつ上端側が開放されたスリーブ状内管とそれを覆う排気用外管で構成され、該スリーブ状内管と排気用外管とを隔てる空間が反応ガスの排気通路を形成し、前記排気用外管の内壁面と前記スリーブ状内管の上端部との間に間隙が形成されかつ反応容器の下部に反応ガス排出口が設けられている半導体デバイスの製造装置において、
　
前記反応容器の側部に前記反応ガスの横方向導入口を設け、
の横方向
炉体の内側に設けられた
　この装置では、内管が上端が開放されたスリーブ状であるために、内管出口におけるガス流路の断面積が大きく、その結果ガスの流れがスムースになる。さらに上記間隙は連続した環状空間であるためガスの流れがスムースになることにより、ウェーハ面上、ウェーハ周縁部の流線が一様になり、反応ガスの導入側と排出側との圧力バランスの保持及び調節が容易になる。
　上記間隙の大きさは装置の使用状況を勘案して最適な値に設計する。又装置使用後は、排気ポンプ及び排気側バルブを操作する通常の手段で排気コンダクタンスを調節するが、処理条件を大幅に変える場合は上記間隙の大きさを再調節することにより最適な排気コンダクタンスを得ることができる。再調節のためにはスリーブ状内管の下端にスペーサーを配置しておくことが好ましい。
　また、内管と外管の間の間隙は反応ガス排出部とすることにより、反応生成物を含む反応ガスをウェーハがない該間隙を通すとともに、急激な温度変化によるパーティクルの発生が避けられない排気口を反応容器の下部に位置させて、パーティクルによるウェーハの汚染の問題を少なくした。反応室内を上向きに流れるガス流は排気用外管の内壁の頂点及びその周囲に当たって、下向きに方向転換するためにガスの流れが対称的になる。このように、スリーブ状内管の上端だけで反応ガスの流れを変えることにより、複数の孔のそれぞれでガスの流れが変わる従来の装置（実開昭６１−１２１７３４号）よりも反応ガスの流線分布を等しくして孔の周りにおけるＣＶＤ膜の付着を少なくし、もってパーティクルの発生も少なくすることができる。
　本発明の方法においては、上記（イ）、（ロ）、（ハ）及び（ニ）の処理を上端が閉じられたヒーターによる均熱空間で行うことにより、反応生成物生成の温度条件を一定にし、管内壁に付着する膜の膜質相違に起因するパーティクル発生を防止するものである。これに加えて、反応用内管の排気側端部に屈曲部を設けると、該屈曲部により排気側
に
　【実施例】
　以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
　第１図及び第２図に本発明を縦型炉に適用した実施例を示す。第１図は反応用内管の排気側端部が中心軸に対し垂直に切断されているストレート管を示し、第２図は該端部を外部に開いた屈曲部を有する末広がりとした場合を示す。いずれの場合も反応用内管はスリーブ形状を有し、かつ反応用内管の排気側端部と排気用外管の間には連続したリング状空間が形成されている。
　第１図及び第２図に於て、１Ａは管状の加熱炉１の炉体、１Ｂは適宣な抵抗体からなり、
炉体１Ａの内側に設けられた
８は反応容器内に反応ガスを横方向に導入する導入口である。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明を縦型炉に適用した一実施例の概要を示す縦断面図である。
１‥‥‥‥‥加熱炉
１Ａ‥‥‥‥炉体
１Ｂ‥‥‥‥ヒーター
２‥‥‥‥‥反応容器
３‥‥‥‥‥排気用外管
４‥‥‥‥‥反応用内管
４Ａ‥‥‥‥反応用内管の屈曲部
４Ｂ‥‥‥‥反応ガス排気通路のコンダクタンスを決める反応用内管の上端部と排気用外管の内壁との間隙
５‥‥‥‥反応ガスの排気通路
６，７‥‥フランジ
８‥‥‥‥反応ガス導入口
９‥‥‥‥反応ガス排出口
１０‥‥‥スペーサー（リング）
１４‥‥‥ガイドリング
ｇ‥‥‥…反応ガス
ＯＲ‥‥‥‥Ｏリング