【事件の表示】
　特許第３１８６０１８号「高周波用配線基板」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１８６０１８号の請求項１ないし５に係る特許を取り消す。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本件特許第３１８６０１８号は、平成７年７月２７日に出願され、平成１３年５月１１日に設定登録され、その後、京セラ株式会社から請求項１〜６に係る発明について、雨山範子から請求項１〜３に係る発明について、それぞれ特許異議の申立てがなされたものであり、平成１４年４月１２日付け取消理由通知の指定期間内の平成１４年６月２４日付けで特許異議意見書及び明細書についての訂正請求書が提出されたものである。
【２】明細書の訂正について
１．訂正の要旨
　上記訂正請求は、願書に添付した明細書を訂正請求書に添付した訂正明細書のとおり訂正することを求めるものと認められるところ、その要旨は、次の訂正事項ａ〜ｆのとおりのものと認める。
　〈訂正事項ａ〉
　特許請求の範囲の請求項１の、「・・距離Ｌを、前記信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零に形成し・・」を、「・・距離Ｌを、零に形成し・・」と訂正する。
　〈訂正事項ｂ〉
　特許請求の範囲の請求項２を、削除する。
　〈訂正事項ｃ〉
　特許請求の範囲の請求項３を、請求項２に繰り上げると共に、その繰り上げた請求項２の、「・・請求項１又は２記載の高周波用配線基板。」を、「・・請求項１記載の高周波用配線基板。」と訂正する。
　〈訂正事項ｄ〉
　特許請求の範囲の請求項４を、請求項３に繰り上げると共に、その繰り上げた請求項３の、「・・請求項１又は２記載の高周波用配線基板。」を、「・・請求項１記載の高周波用配線基板。」と訂正する。
　〈訂正事項ｅ〉
　特許請求の範囲の請求項５を、請求項４に繰り上げると共に、その繰り上げた請求項４の、「・・請求項１又は２記載の高周波用配線基板。」を、「・・請求項１記載の高周波用配線基板。」と訂正する。
　〈訂正事項ｆ〉
　特許請求の範囲の請求項６を、請求項５に繰り上げると共に、その繰り上げた請求項５の、「・・請求項１、２、３、４又は５記載の高周波用配線基板。」を、「・・請求項１、２、３又は４記載の高周波用配線基板。」と訂正する。
２．訂正の適否
　(1)訂正の目的
　上記訂正事項ａは、「距離Ｌ」について、「前記信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零」を「零」とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、訂正事項ｂは、請求項を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　訂正事項ｃ〜ｆは、訂正事項ｂにより削除された請求項の引用を削除し、訂正事項ａにより訂正された請求項を引用するように訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　(2)新規事項、特許請求の範囲の拡張又は変更の有無
　「距離Ｌ」を「零」とする点は、願書に添付した明細書の請求項１の「距離Ｌを、前記信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零に形成した」との記載の範囲内のものと認められ、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　したがって、訂正事項ａ〜ｆは、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内における訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　(3)よって、上記訂正請求による明細書の訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項において準用する特許法第１２６条第２項から第４項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
【３】本件特許発明
　明細書についての上記訂正が認められるから、本件特許発明は、上記訂正明細書の特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
　〈請求項１に係る発明〉
　「絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板において、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部より内方に位置させて、前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、零に形成したことを特徴する高周波用配線基板。」
　〈請求項２に係る発明〉
　「グランドパターンが、信号線路をコプレナー線路に形成するためのグランド線路である請求項１記載の高周波用配線基板。」
　〈請求項３に係る発明〉
　「グランドパターンが、信号線路を擬似矩形同軸線路に形成するためのグランド層である請求項１記載の高周波用配線基板。」
　〈請求項４に係る発明〉
　「グランドパターンが、信号線路の一部分の特性インピーダンスを所定値にマッチングさせるための局部グランドパターンである請求項１記載の高周波用配線基板。」
　〈請求項５に係る発明〉
　「グランドを、信号線路とグランドパターンとに対向させて、絶縁基板に幅広く層状に備えた請求項１、２、３又は４記載の高周波用配線基板。」
【４】特許異議申立てについての当審の判断
１．引用刊行物に記載された事項
　平成１４年４月１２日付け取消理由通知において引用した刊行物特開昭６３−１０８７５６号公報（以下「刊行物Ａ」という。）、１９９５年電子情報通信学会総合大会講演論文集「Ｃ−４４６、ＧＣ多層配線板の電気特性」１９９５年３月１０日発行（以下、「刊行物Ｂ」という。）には、それぞれ以下の事項が記載されているものと認める。
　(1)刊行物Ａ
　「３ＧＨｚ〜５０ＧＨｚのいわゆる超高周波の動作周波数で作動させる半導体素子等の素子を収容する超高周波素子用パッケージ」（第１頁左欄１２行〜１４行参照）に関し、
　（あ）「入出力用の伝送線路を備えた絶縁層を有する超高周波素子用パッケージにおいて、前記伝送線路の周囲の前記絶縁層内に、伝送線路の特性インピーダンスを調整する調整物体を介在させたことを特徴とする超高周波素子用パッケージ。」（特許請求の範囲参照）
　（い）「第３図および第４図は本発明の超高周波素子用パッケージの他の一例を示し、第３図は該パッケージ中の伝送線路の平面図、第４図は該パッケージの縦断面図を示す。図中のパッケージ１０は、中間絶縁層６ｂおよび最上絶縁層６ｃに誘電率８．０のアルミナセラミックを用い、その中間絶縁層６ｂ上面に沿って備える伝送線路７０のパターンピッチを０．６５mmとすると共に、該伝送線路７０のパターン長さを２mmとした。また、中間絶縁層６ｂの長さを０．４mmとすると共に、最上絶縁層６ｃの厚さを０．４mmとした。さらに、伝送線路のインナーリード部７０ａのパターン幅Ａを、該伝送線路７０の特性インピーダンスを５０オームにマッチングさせながら、アウターリード部７０ｂと同一幅の０．５mmから０．１２mmに縮小するために、伝送線路中のインナーリード部７０ａ直下の該インナーリード部から０．１１mm下がった中間絶縁層６ｂ中に水平にメタライズ層からなる伝送線路７０の特性インピーダンス調整用の調整物体層１５を介在させると共に、該調整物体層１５からその下方にかけての中間絶縁層６ｂ中に、その内部にメタライズ層を充填した接地層１３に導通するヴィアホール１４を複数個設けた。また、伝送線路中のインナーリード部７０ａ直下の一部とシール部７０ｃ直下の一部にかけての中間絶縁層６ｂ内の中途部と、シール部７０ｃを覆う最上絶縁層６ｃ内の中途部に、それぞれ水平にメタライズ層からなる伝送線路７０の特性インピーダンス調整用の調整物体層１５をその上下の各調整物体層１５間に０．６mmの間隔をあけて設けると共に、該各調整物体層１５からその下方とその上方にかけての中間絶縁層６ｂ中と最上絶縁層６ｃ中に、その内部に導体を充填した１個ないし複数個の接地層１３に導通するヴィアホール１４を設けた。また、伝送線路中のシール部７０ｃおよびアウターリード７０ｂ部の一部のパターン幅Ｂを０．１６mmに縮小形成するために、伝送線路中のアウターリード部７０ｂ直下の該アウタリード部から０．１４mm下がった中間絶縁層６ｂ中に水平にメタライズ層からなる伝送線路７０の特性インピーダンス調整用の調整物体層１５を介在させると共に、該調整物体層１５からその下方にかけての中間絶縁層６ｂ内に、その内部に導体を充填した接地層１３に導通するヴィアホール１４を複数個設けた。図中のパッケージ１０は以上のように構成したものである。」（第３頁左下欄５行〜第４頁左上欄１０行参照）
　（う）「本発明の超高周波素子用パッケージにおいては、伝送線路周囲のパッケージを構成する絶縁層内に介在させる伝送線路の特性インピーダンスを調整する調整物体の絶縁層内における介在位置、その介在させる量や密度、およびその調整物体の材質等を適宜選択することにより、調整物体を介在させた絶縁層部分の誘電率を、他の絶縁層部分に比べて、局部的に自在に増大またはは減少させることができる。従って、調整物体を介在させた絶縁層部分直上の絶縁層上面等に沿って形成するメタライズ層等からなる伝送線路の一部のインナーリード部やアウターリード部等のパターン幅を、伝送線路の特性インピーダンスのマッチングを図りながら、他の伝送線路のパターン幅に規制されずに、パッケージ内部に収容する高集積度の超高周波用の半導体素子等の素子の接続パターンピッチやリ一ド線等の幅に合わせて自在に小幅または大幅に形成できる。」（第５頁左下欄１５行〜右下欄１２行参照）
等の記載があり、また、図面第４図を参照すると、
　（え）“アウターリード部７０ｂ直下の調整物体層１５の端部が中間絶縁層６ｂの端部より内方に位置している”点が示されている。
　(2)刊行物Ｂ
  「ＧＣ多層配線板の電気特性」に関し、
　（お）「高帯域を必要とする機器の小型化には多層伝送配線基板が必要とされる。伝送線路の配線層を複数層に渡って多層化するには、その層間に複数のグランド層が必要となる。このグランド層間の接続には、通常Ｖｉａにより任意に、本グランドから接続されている。
　今回、このグランド接続用のＶｉａをグランド層の電気的均一性の為に格子状に設け、その間に信号線を擬似同軸配線したガラスセラミック（ＧＣ）基板（図１）を試作し各信号間の電気特性を調査したので報告する。」（「１．はじめに」の欄参照）
　（か）「同一層間における電気特性を見るために図２の様な試料を作製した。試料はＧＣ（εｒ＝５．６）を用いて特性インピーダンスを５０Ωに設計した。クロストーク特性は、配線が十分長いことと、測定の簡便さから遠端クロストークを、中央ラインを誘導ライン、片方のサイドラインを被誘導ラインとしてそれぞれ終端整合して調べた。ただし、もう一本のサイドラインとスルー特性測定時の両サイドラインの両端は解放とした。又、Ｖｉａなしのサンプルは上下のグランドを側面の一部に導通ラインを設けて接続した。」（「２．試料及び評価」の欄参照）
　（き）「・線ピッチ０．４ｍｍについては、約１０ＧＨｚ以下においては、クロストーク特性の改善が見られる。（図３）
・線ピッチ０．８ｍｍについては、２０ＧＨｚ以下においてクロストーク特性の改善がみられる。（図４）
・線ピッチ０．４ｍｍ、Ｖｉａピッチ０．４ｍｍのＳ２１特性は隣接する信号線の影響による劣化が見られる。（図５）
・線ピッチ０．４ｍｍ、Ｖｉａピッチ０．４ｍｍでは、Ｓ２１≦−ｌｄＢ帯域が５ＧＨｚであり、その時のクロストークは−２０ｄＢである。
・線ピッチ０．８ｍｍ、Ｖｉａピッチ０．８ｍｍの時は、同様に６ＧＨｚを示し、クロストークは−３０ｄＢである。」（「３．測定結果」）
等の記載があり、また、「ガラスセラミック（ＧＣ）基板（図１）」として前出の図１を参照すると、
　（く）“ＧＣ基板の上層グランド層、中間グランド層及び下層グランド層の端部をＶｉａで接続する”点が示されている。
２．対比・判断
　（１）請求項１に係る発明について
　(1-1)請求項１に係る発明と上記刊行物Ａに記載された発明とを対比すると、後者の伝送線路７０が前者の「信号線路」に相当し、また、同様に後者のアウターリード部７０ｂ直下の調整物体層１５が前者の「グランドパターン」に、後者のヴィアホール１４が前者の「導体ビア」に、後者の接地層１３が前者の「グランド」に相当する。さらに、上記刊行物Ａに記載された「超高周波素子用パッケージ」も、内部に配線を備え、その上部に電子部品が取り付けられるものであるから、「高周波用配線基板」ということができる。
　したがって、両者は、
  「絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板において、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部より内方に位置させた高周波用配線基板」である点で一致し、次の相違点１で相違する。
　〈相違点１〉　
　請求項１に係る発明は、「前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、零に形成した」のに対して、刊行物Ａに記載されたものでは、前記距離を零に形成したものでない点
　(1-2)そこで、上記相違点１について検討する。
　高帯域を必要とする機器の多層伝送配線基板の、配線層の層間に複数のグランド層を形成し、グランド接続用のＶｉａを格子状に設けて、信号線を擬似同軸配線したガラスセラミック（ＧＣ）基板において、各グランド層の端部をＶｉａで接続する構成が、上記刊行物Ｂに記載されており、この構成は、グランド層の端部と該端部に最も近いＶｉａに電気的に接続されたグランド層部分との間の距離を零に形成したものであり、刊行物Ｂに記載されたガラスセラミック（ＧＣ）基板も高周波用の基板であるから、上記相違点１の本件請求項１に係る発明の構成「前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、零に形成した」点は、上記刊行物Ｂに記載されたものに基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　(1-3)したがって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物Ａ，Ｂにそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　（２）請求項２に係る発明について
　(2-1)請求項２に係る発明と上記刊行物Ａに記載された発明とを対比すると、両者は、
　「絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板において、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部より内方に位置させた高周波用配線基板」である点において一致し、次の相違点１´及び相違点２において相違する。
　〈相違点１´〉
　請求項２に係る発明は、「前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、零に形成した」のに対して、刊行物Ａに記載されたものでは、前記距離を零に形成したものでない点
　〈相違点２〉
　前記グランドパターンが、請求項２に係る発明では、「信号線路をコプレナー線路に形成するためのグランド線路である」のに対して、刊行物Ａに記載された発明では、信号線路の下方に所定距離離れて配置されたものである点
　(2-2)そこで、上記各相違点について検討する。
　(2-2-1)相違点１´について
　相違点１´における本件請求項２に係る発明の構成は、上記相違点１について説示の理由と同様の理由により、当業者が容易に想到し得たものである。
　(2-2-1)相違点２について
　高周波用配線基板において、信号線路をコプレナー線路に形成するようにグランドパターンを形成することは本件特許の出願前に周知の事項と認められる（特開平６−３０３０１０号公報、特開平５−３７２０７号公報、特開平２−８７７０１号公報、特開平３−１３９８９５号公報、特開平６−２２４６０４号公報等参照）から、上記刊行物Ａに記載されたものにおいて、グランドパターン（調整物体層１５）を、信号線路をコプレナー線路に形成するように変更することは、当業者が容易に想到し得ることである。
　(2-3)したがって、本件請求項２に係る発明は、上記刊行物Ａ，Ｂにそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　（３）請求項３に係る発明について
　(3-1)請求項３に係る発明と上記刊行物Ａに記載された発明とを対比すると、両者は、
　「絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板において、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部より内方に位置させた高周波用配線基板」である点において一致し、次の相違点３において相違する。
　〈相違点３〉
　本件請求項３に係る発明では、グランドパターンが、「前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、零に形成した」ものであって、また「信号線路を擬似矩形同軸線路に形成するためのグランド層である」のに対して、刊行物Ａに記載されたものでは、前記距離を零に形成したものでなく、また、信号線路を擬似矩形同軸線路に形成するための構成でない点
　(3-2)そこで上記相違点３について検討する。
　多層伝送配線基板の、配線層の層間に複数のグランド層を形成し、グランド接続用のＶｉａを格子状に設けて、信号線を擬似同軸配線したガラスセラミック（ＧＣ）基板において、各グランド層の端部をＶｉａで接続する構成が、上記刊行物Ｂに記載されており、この構成は、前記グランド層が信号線を擬似矩形同軸線路に形成すると共に、グランド層の端部と該端部に最も近いＶｉａに電気的に接続されたグランド層部分との間の距離を零に形成したものであり、刊行物Ｂに記載されたガラスセラミック（ＧＣ）基板も高周波用の基板であるから、上記相違点３の本件請求項３に係る発明の構成、即ち、「前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、零に形成した」点、及び「グランドパターンが信号線路を擬似矩形同軸線路に形成するためのグランド層である」点は、上記刊行物Ｂに記載されたものに基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　(3-3)したがって、本件請求項３に係る発明は、上記刊行物Ａ，Ｂにそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　（４）請求項４に係る発明について
　(4-1)上記刊行物Ａに記載されたものにおけるアウターリード部７０ｂ直下の調整物体層１５は、アウターリード部７０ｂの特性インピーダンスを所定値にマッチングさせるものであるから、請求項４に係る発明と上記刊行物Ａに記載された発明とを対比すると、
　両者は、
  「絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板において、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部より内方に位置させた高周波用配線基板」である点で一致し、次の相違点１´´で相違する。
　〈相違点１´´〉　
　請求項４に係る発明は、「前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、零に形成した」のに対して、刊行物Ａに記載されたものでは、前記距離を零に形成したものでない点
　(4-2)そこで、上記相違点１´´について検討するに、相違点１´´における本件請求項４に係る発明の構成は、上記相違点１について説示の理由と同様の理由により、当業者が容易に想到し得たものである。
　(4-3)したがって、本件請求項４に係る発明は、上記刊行物Ａ，Ｂにそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　（５）請求項５に係る発明について
　(5-1)上記刊行物Ａに記載されたものにおける「接地層１３」は、「伝送線路７０」及び「調整物体層１５」に対向させて、絶縁層６に幅広く層状に備えられているものと認められるから、請求項１を引用する本件請求項５に係る発明と上記刊行物Ａに記載された発明とを対比すると、
　両者は、
  「絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板において、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部より内方に位置させた高周波用配線基板」である点で一致し、次の相違点１´´´で相違
する。
　〈相違点１´´´〉　
　請求項１を引用する本件請求項５に係る発明は、「前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、零に形成した」のに対して、刊行物Ａに記載されたものでは、前記距離を零に形成したものでない点
　(5-2)そこで、上記相違点１´´´について検討するに、相違点１´´´
における請求項１を引用する本件請求項５に係る発明の構成は、上記相違点１について説示の理由と同様の理由により、当業者が容易に想到し得たものである。
　(5-3)したがって、請求項１を引用する本件請求項５に係る発明は、上記刊行物Ａ，Ｂにそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項５に係る発明は、上記刊行物Ａ，Ｂにそれぞれ記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１〜５に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１〜５に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月９日（２００２．７．９）
【訂正の要旨】
〈訂正事項ａ〉
　特許請求の範囲の請求項１の、「・・距離Ｌを、前記信号線路に伝える高周波信号の波長入の１／４未満ないし零に形成し・・」を、「・・距離Ｌを、零に形成し・・」と訂正する。
　〈訂正事項ｂ〉
　特許請求の範囲の請求項２を、削除する。
　〈訂正事項ｃ〉
　特許請求の範囲の請求項３を、請求項２に繰り上げると共に、その繰り上げた請求項２の、「・・請求項Ｌ又は２記載の高周波用配線基板。」を、「・・請求項１記載の高周波用配線基板。」と訂正する。
　〈訂正事項ｄ〉
　特許請求の範囲の請求項４を、請求項３に繰り上げると共に、その繰り上げた請求項３の、「・・請求項Ｌ又は２記載の高周波用配線基板。」を、「・・請求項１記載の高周波用配線基板。」と訂正する。
　〈訂正事項ｅ〉
　特許請求の範囲の請求項５を、請求項４に繰り上げると共に、その繰り上げた請求項４の、「・・請求項Ｌ又は２記載の高周波用配線基板。」を、「・・請求項１記載の高周波用配線基板。」と訂正する。
　〈訂正事項ｆ〉
　特許請求の範囲の請求項６を、請求項５に繰り上げると共に、その繰り上げた請求項５の、「・・請求項１、２、３、４又は５記載の高周波用配線基板。」を、「・・請求項１、２、３又は４記載の高周波用配線基板。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
高周波用配線基板
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板において、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部より内方に位置させて、前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを
、零
　【請求項２】　グランドパターンが、信号線路をコプレナー線路に形成するためのグランド線路である請求項
１記
　【請求項３】　グランドパターンが、信号線路を擬似矩形同軸線路に形成するためのグランド層である請求項
１記
　【請求項４】　グランドパターンが、信号線路の一部分の特性インピーダンスを所定値にマッチングさせるための局部グランド
パターン
１記
　【請求項５】　グランドを、信号線路とグランドパターンとに対向させて、絶縁基板に幅広く層状に備えた請求項１、２、
３又
４
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝える信号線路を持つ高周波用配線基板に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近時の半導体チップの動作速度の高速化、高周波化に伴い、高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝える信号線路を持つ半導体チップ実装用の高周波用配線基板が求められている。
　【０００３】
　この高周波用配線基板に用いる信号線路として、グランド付きコプレナー線路構造をした信号線路、擬似矩形同軸線路構造をした信号線路が知られている。
　【０００４】
　グランド付きコプレナー線路構造をした信号線路は、図１３に示したように、セラミック又はプラスチック等で形成した絶縁基板１０に備えた信号線路２０の両側に、帯状のグランドパターン３０を信号線路２０と所定間隔あけて並べて備えている。
　【０００５】
　グランドパターン３０は、信号線路２０とグランドパターン３０との上方又はその下方の絶縁基板１０部分（図では、絶縁基板１０の下面としている）に信号線路２０やグランドパターン３０と平行に幅広く層状に並べて備えたグランド５０に複数本の柱状の導体ビア４０を介して電気的に接続している。具体的には、グランドパターンの端部３０ｂより内方のグランドパターン３０部分をグランド５０に、複数本の導体ビア４０を介して電気的に接続している。導体ビア４０は、グランドパターン３０直下の絶縁基板１０部分に、絶縁基板１０を上下に貫通させて複数本小ピッチで横に並べて備えている。そして、信号線路２０をグランド付きコプレナー線路に形成している。
　【０００６】
　擬似矩形同軸線路構造をした信号線路は、図１４に示したように、セラミック又はプラスチック等で形成した絶縁基板１０に備えた信号線路２０の上方とその下方の絶縁基板１０部分（図では、絶縁基板１０の上面とその下面としている）に、グランドパターン３０を信号線路２０と平行に幅広く層状に並べて備えている。そして、信号線路２０の上下をグランドパターン３０で囲んでいる。
　【０００７】
　信号線路２０の上方とその下方に備えたグランドパターン３０は、信号線路２０の下方とその上方に備えたグランドを構成するグランドパターン３０に、複数本の導体ビア４０を介して、電気的に接続している。言い換えれば、信号線路２０の上方とその下方に備えたグランドパターン３０を、信号線路２０の両側に横に並べて備えた複数本の柱状の導体ビア４０を介して互いに電気的に接続している。具体的には、グランドパターンの端部３０ｂより内方の上下のグランドパターン３０部分を複数本の導体ビア４０を介して互いに電気的に接続している。導体ビア４０は、上下のグランドパターン３０に挟まれた絶縁基板１０部分に、絶縁基板１０を上下に貫通させて複数本小ピッチで横に並べて備えている。そして、信号線路２０の両側を複数本の導体ビア４０で囲んでいる。そして、信号線路２０を、擬似矩形同軸線路に形成している。
　【０００８】
　これらのグランド付きコプレナー線路構造又は擬似矩形同軸線路構造をした信号線路２０においては、信号線路２０の側部の絶縁基板１０部分に小ピッチで横に並べて備えたグランドに電気的に接続された複数本の導体ビア４０が、信号線路２０を伝わる高周波信号が、その信号線路２０の側部の隣合う導体ビア４０の間を通り抜けて、他の信号線路２０に混入するのを防ぐ働きをする。
　【０００９】
　ここで、信号線路２０を伝わる高周波信号が信号線路２０の側部の隣合う導体ビア４０の間を通り抜けて他の信号線路２０に混入するのを防ぐためには、特公平５−８６８５９号公報に記載されたように、信号線路２０の側部の絶縁基板１０部分に横に並べて備える複数本の導体ビア４０のピッチを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λよりも短くすれば良いことが知られている。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、グランド付きコプレナー線路構造又は擬似矩形同軸線路構造をした信号線路を持つ配線基板において、上記のようにして、信号線路２０の側部の絶縁基板１０に横に並べて備える複数本の導体ビア４０のピッチを信号線路２０に伝える高周波信号の波長λよりも短くした場合においても、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を未だ充分に伝送損失少なく効率良く伝えることができなかった。
　【００１１】
　その原因を追求したところ、上記信号線路２０においては、図１３又は図１４に示したように、グランドパターン３０の端部より内方のグランドパターン部分３０ａをグランドを構成する導体ビア４０に電気的に接続していて、導体ビア４０に電気的に接続されたグランドパターン部分３０ａの外側に、グランドに直接に電気的に接続されていないスタブ（ｓｔｕｂ）６０と呼ばれるグランドパターンの端部３０ｂが存在し、該スタブ６０が信号線路２０の最低共振周波数値を低下させるからであることが判明した。そして、該スタブ６０が信号線路２０に高周波信号を伝送損失少なく伝えるのを妨害するからであることが判明した。
　【００１２】
　その理由は、上記スタブ６０がグランドパターンの端部３０ｂに存在すると、信号線路２０に伝わる高周波信号が、スタブ６０に漏れ出し、該スタブ６０を通して信号線路２０に再び混入してしまうからであると推測される。
　【００１３】
　これと同様なことは、図１５に示したような、セラミック又はプラスチック等で形成した絶縁基板１０に備えた信号線路２０の一部分の下方又はその上方（図では、下方としている）の絶縁基板１０部分に、グランドパターン３０を信号線路２０に対して局部的に横に並べて備えて、信号線路２０の一部の特性インピーダンスを所定値にマッチングさせた配線基板においても言えることが判明した。
　【００１４】
　この配線基板においては、グランドパターン３０を、信号線路２０と反対側に位置する絶縁基板１０部分（図では、絶縁基板１０の下面としている）にグランドパターン３０と平行に幅広く層状に並べて備えたグランド５０に、複数本の柱状の導体ビア４０を介して電気的に接続している。具体的には、グランドパターンの端部３０ｂより内方のグランドパターン３０部分をグランド５０に複数本の導体ビア４０を介して電気的に接続している。導体ビア４０は、グランドパターン３０直下の絶縁基板１０部分に、上下に向けて複数本横に並べて備えている。そして、信号線路２０の一部分の特性インピーダンスを所定値の５０Ω等にマッチングさせている。
　【００１５】
　即ち、このような配線基板においても、グランド
パターン
　【００１６】
　なお、従来より、グランドパターンの端部３０ｂをグランド５０に直接に電気的に接続して、グランドパターンの端部３０ｂからスタブ６０を排除した配線基板が知られている。
　【００１７】
　この配線基板においては、図１６に示したように、絶縁基板１０の端面にメタライズ等からなる線路７０を備えて、該線路７０を介してグランドパターンの端部３０ｂをグランド５０又はグランドを構成するグランドパターン３０に電気的に接続している。又は、図１７に示したように、絶縁基板１０の端部にメタライズ等からなる柱状の導体ビアを縦に分断してなるハーフ導体ビア８０を備えて、該ハーフ導体ビア８０を介してグランドパターンの端部３０ｂをグランド５０又はグランドを構成するグランドパターン３０に電気的に接続している。
　【００１８】
　しかしながら、この配線基板においては、絶縁基板１０の端面にメタライズ等からなる線路７０を側面プリント法等により形成したり、絶縁基板１０の端部にメタライズ等からなるハーフ導体ビア８０を形成したりする作業に多大な手数と時間を要した。
　【００１９】
　また、近時の半導体装置の小型化、高密度化に伴い、上記線路７０を絶縁基板１０の端面に極小幅や極小ピッチで横に並べて形成したり、上記ハーフ導体ビア８０を絶縁基板１０の端部に極小径や極小ピッチで横に並べて形成したりする必要があって、上記線路７０やハーフ導体ビア８０を形成する作業に多大な手数と熟練を要したり、上記線路７０やハーフ導体ビア８０がそれに隣合う他の線路７０やハーフ導体ビア８０に電気的に短絡してしまう虞があったりした。
　【００２０】
　そこで、本発明者らは、種々の試験研究を重ねた結果、上記の各配線基板において、グランドパターンの端部３０ｂに存在するスタブ６０の長さＬを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λの１／４未満に短く形成すれば、グランドパターンの端部３０ｂに存在するスタブ６０の悪影響を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができることを発見した。
　【００２１】
　そして、該発見に基づき、グランドパターンの端部３０ｂに存在するスタブ６０が信号線路２０に伝える高周波信号に悪影響を与える虞のない配線基板を開発した。
　【００２２】
　それと同時に、信号線路２０に伝える高周波信号に悪影響を与える虞のあるスタブ６０をグランドパターンの端部３０ｂから排除した配線基板であって、製造容易な配線基板を開発した。
　【００２３】
　即ち、本発明は、グランドパターンの端部に存在するスタブが信号線路に伝える高周波信号に悪影響を与える虞のない高周波用配線基板（以下、配線基板という）を提供することを目的としている。
　【００２４】
　また、信号線路に伝える高周波信号に悪影響を与える虞のあるスタブをグランドパターンの端部から排除した配線基板であって、製造容易な配線基板を提供することをもう一つの目的としている。
　【００２５】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明の第１の配線基板は、絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板において、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部より内方に位置させて、前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、前記信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零に形成したことを特徴としている。
　【００２６】
　そして、グランドパターンの端部と該端部に最も近い導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌ、即ちスタブの長さＬを信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４より短く形成して、スタブが信号線路に伝える高周波信号に与える悪影響を排除している。又は、グランドパターンの端部からスタブを排除している。そして、信号線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるようにしている。
　【００２７】
　本発明の第２の配線基板は、絶縁基板に信号線路と並べて備えたグランドパターンを、前記絶縁基板に備えた複数本の導体ビアを介して、グランドに電気的に接続した配線基板であって、前記グランドパターンの端部を前記絶縁基板の端部まで延設した配線基板において、前記グランドパターンの端部と該端部に最も近い前記導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌを、前記信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４未満であって、零より大きく形成したことを特徴としている。
　【００２８】
　そして、グランドパターンの端部と該端部に最も近い導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌ、即ちスタブの長さＬを信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４より短く形成して、スタブが信号線路に伝える高周波信号に与える悪影響を排除している。そして、信号線路に高周波信号を伝送損失少なく伝えることができるようにしている。
　【００２９】
　本発明の第１又は第２の配線基板においては、グランドパターンが、信号線路をコプレナー線路に形成するためのグランド線路、
　又は、グランドパターンが、信号線路を擬似矩形同軸線路に形成するためのグランド層、
　又は、グランドパターンが、信号線路の一部分の特性インピーダンスを所定値にマッチングさせるための局部グランド
パターン
　【００３０】
　また、グランドを、信号線路とグランドパターンとに対向させて、絶縁基板に幅広く層状に備えた構造とすることを好適としている。
　【００３１】
　そして、信号線路に伝える高周波信号がグランドの外方に漏れ出すのを幅広い層状のグランドで防ぐことができるようにすることを好適としている。また、グランドパターンをそれに対向する幅広い層状のグランドに複数本の導体ビアを介して距離短く接地電位差少なく電気的に接続できるようにすることを好適としている。
　【００３２】
　【発明の実施の形態】
　次に、本発明の実施の形態を図面に従い説明する。
　図１は本発明の第１の配線基板の好適な実施の形態を示し、詳しくはその一部斜視図である。以下に、この第１の配線基板を説明する。
　【００３３】
　図の第１の配線基板では、信号線路２０の両側に備えた帯状のグランドパターン３０であって、信号線路２０をグランド付きコプレナー線路構造に形成するためのグランドパターンの端部３０ｂを、絶縁基板の端部１０ａより内方に位置させている。そして、グランドパターンの端部３０ｂと該端部に最も近い導体ビア４０に電気的に接続されたグランドパターン部分３０ａとの間の距離Ｌ、即ちスタブ６０の長さＬを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零の範囲内の例えば１／８λに形成している。
　【００３４】
　その他は、前述図１３に示したグランド付きコプレナー線路構造をした信号線路を持つ配線基板と同様に構成していて、この第１の配線基板においては、グランドパターンの端部３０ｂに存在するスタブ６０が信号線路２０に伝える高周波信号に与える悪影響を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。又は、グランドパターンの端部３０ｂに存在するスタブ６０の長さＬを零として、即ちグランドパターンの端部３０ｂからスタブ６０を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
　【００３５】
　図２は本発明の第２の配線基板の好適な実施の形態を示し、詳しくはその一部斜視図である。以下に、この第２の配線基板を説明する。
　【００３６】
　図の配線基板では、信号線路２０の両側に備えた帯状のグランドパターン３０であって、信号線路２０をグランド付きコプレナー線路構造に形成するためのグランドパターンの端部３０ｂを、絶縁基板の端部１０ａまで延設している。そして、グランドパターンの端部３０ｂと該端部に最も近い導体ビア４０に電気的に接続されたグランドパターン部分３０ａとの間の距離Ｌ、即ちスタブ６０の長さＬを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λの１／４未満であって、零より大きい範囲内の例えば１／８λに形成している。
　【００３７】
　その他は、前述図１３に示したコプレナー線路構造をした信号線路を持つ配線基板と同様に構成していて、この第２の配線基板においては、グランドパターンの端部３０ｂに存在するスタブ６０が信号線路２０に伝える高周波信号に与える悪影響を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
　【００３８】
　図３は本発明の第１の配線基板の他の好適な実施の形態を示し、詳しくはその一部斜視図である。以下に、この第１の配線基板を説明する。
　【００３９】
　図の第１の配線基板では、信号線路２０の上方とその下方とに備えたグランドパターン３０であって、信号線路２０を擬似矩形同軸線路構造に形成するためのグランドパターンの端部３０ｂを、絶縁基板の端部１０ａより内方に位置させている。そして、グランドパターンの端部３０ｂと該端部に最も近い導体ビア４０に電気的に接続されたグランドパターン部分３０ａとの間の距離Ｌ、即ちスタブ６０の長さＬを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零の範囲内の例えば１／８λに形成している。
　【００４０】
　その他は、前述図１４に示した擬似矩形同軸線路構造をした信号線路を持つ配線基板と同様に構成していて、この第１の配線基板においては、グランドパターンの端部３０ｂに存在するスタブ６０が信号線路２０に伝える高周波信号に与える悪影響を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。又は、グランドパターンの端部３０ｂからスタブ６０を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
　【００４１】
　図４は本発明の第２の配線基板の他の好適な実施の形態を示し、詳しくはその一部斜視図である。以下に、この第２の配線基板を説明する。
　【００４２】
　図の配線基板では、信号線路２０の上方とその下方とに備えたグランドパターン３０であって、信号線路２０を擬似矩形同軸線路構造に形成するためのグランドパターンの端部３０ｂを、絶縁基板の端部１０ａまで延設している。そして、グランドパターンの端部３０ｂと該端部に最も近い導体ビア４０に電気的に接続されたグランドパターン部分３０ａとの間の距離Ｌ、即ちスタブ６０の長さＬを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λの１／４未満であって、零より大きい範囲内の例えば１／８λに形成している。
　【００４３】
　その他は、前述図１４に示した擬似矩形同軸線路構造をした信号線路を持つ配線基板と同様に構成していて、この第２の配線基板においては、グランドパターンの端部３０ｂに存在するスタブ６０が信号線路２０に伝える高周波信号に与える悪影響を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
　【００４４】
　図５は本発明の第１の配線基板のもう一つの好適な実施の形態を示し、詳しくはその一部側面断面図である。以下に、この第１の配線基板を説明する。
　【００４５】
　図の第１の配線基板では、信号線路２０の一部分の下方又はその上方（図では、下方としている）の絶縁基板１０部分に信号線路２０に対して局部的に横に並べて備えたグランドパターン３０であって、信号線路２０の一部分の特性インピーダンスを所定値にマッチングさせるためのグランドパターンの外側の端部３０ｂを、絶縁基板の端部１０ａより内方に位置させている。そして、グランドパターンの外側の端部３０ｂと該端部に最も近い導体ビア４０に電気的に接続されたグランドパターン部分３０ａとの間の距離Ｌ、即ちグランドパターンの外側の端部３０ｂに存在するスタブ６０の長さＬを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零の範囲内の例えば１／８λに形成している。
　【００４６】
　また、グランドパターンの内側の端部３０ｂを、グランドパターン３０の内方に後退させている。そして、グランドパターンの内側の端部３０ｂと該端部に最も近い導体ビア４０に電気的に接続されたグランドパターン部分３０ａとの間の距離Ｌ、即ちグランドパターンの内側の端部３０ｂに存在するスタブ６０の長さＬを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零の範囲内の例えば１／８λに形成している。
　【００４７】
　その他は、前述図１５に示した信号線路２０の一部分の下方又はその上方にグランドパターン３０を局部的に備えて、信号線路２０の一部分の特性インピーダンスを所定値にマッチングさせた配線基板と同様に構成していて、この第１の配線基板においては、グランドパターンの外側とその内側の端部３０ｂに存在するスタブ６０が信号線路２０に伝える高周波信号に与える悪影響を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。又は、グランドパターンの外側又はその内側の端部３０ｂからスタブ６０を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
　【００４８】
　図６は本発明の第２の配線基板のもう一つの好適な実施の形態を示し、詳しくはその一部側面断面図である。以下に、この第２の配線基板を説明する。
　【００４９】
　図の第２の配線基板では、信号線路２０の一部分の下方又はその上方（図では、下方としている）の絶縁基板１０部分に信号線路２０に対して局部的に横に並べて備えたグランドパターン３０であって、信号線路２０の一部分の特性インピーダンスを所定値にマッチングさせるためのグランドパターンの外側の端部３０ｂを、絶縁基板の端部１０ａまで延設している。そして、グランドパターンの外側の端部３０ｂと該端部に最も近い導体ビア４０に電気的に接続されたグランドパターン部分３０ａとの間の距離Ｌ、即ちグランドパターンの外側の端部３０ｂに存在するスタブ６０の長さＬを、信号線路２０に伝える高周波信号の波長λの１／４未満であって、零より大きな範囲内の例えば１／８λに形成している。
　【００５０】
　その他は、前述図５に示した第１の配線基板と同様に構成していて、この配線基板においては、グランドパターンの外側とその内側の端部３０ｂに存在するスタブ６０が信号線路２０に伝える高周波信号に与える悪影響を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。又は、グランドパターンの内側の端部３０ｂからスタブ６０を排除して、信号線路２０に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく伝えることができる。
　【００５１】
　なお、本発明は、信号線路の上方又はその下方にグランドパターンを備えて、信号線路をマイクロストリップ線路構造に形成した配線基板であって、マイクロストリップ線路形成用のグランドパターンの端部より内方のグランドパターン部分をグランドに複数本の導体ビアを介して電気的に接続してなる配線基板にも利用可能である。
　【００５２】
　即ち、このような配線基板においては、信号線路の上方又はその下方に備えたマイクロストリップ線路形成用のグランドパターンの端部を絶縁基板の端部より内方に位置させて、グランドパターンの端部と該端部に最も近い導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌ、即ちグランドパターンの端部に存在するスタブの長さＬを、信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４未満ないし零に形成すれば良い。又は、信号線路の上方又はその下方に備えたマイクロストリップ線路形成用のグランドパターンであって、絶縁基板の端部まで延設したグランドパターンの端部と該端部に最も近い導体ビアに電気的に接続されたグランドパターン部分との間の距離Ｌ、即ちグランドパターンの端部に存在するスタブの長さＬを、信号線路に伝える高周波信号の波長λの１／４未満であって、零より大きく形成すれば良い。そして、グランドパターンの端部に存在するスタブが信号線路に伝える高周波信号に与える悪影響を排除したり、グランドパターンの端部からスタブを排除したりすると良い。
　【００５３】
　また、グランド５０は、信号線路２０とグランドパターン３０とに対向させて、絶縁基板１０に幅広く層状に備えるのが良い。そして、信号線路２０に伝える高周波信号がグランド５０の外方に漏れ出すのを幅広い層状のグランド５０で的確に防ぐことができるようにすると良い。また、グランドパターン３０をそれに対向する幅広い層状のグランド５０に複数本の導体ビア４０を介して距離短く接地電位差少なく電気的に接続できるようにすると良い。そして、グランドパターン３０を接地電位に的確に近づけることができるようにすると良い。
　【００５４】
　【実験例】
　図８ないし図１２は、コプレナー線路構造をした信号線路を持つ本発明の第１の配線基板と従来の配線基板とにおける信号線路の高周波信号の伝送特性の実測比較データを示している。
　【００５５】
　これらの比較データを得るために用いた配線基板では、図７に示したように、全長４０ｍｍのアルミナからなる絶縁基板（ε　ｅｆｆ＝６）１０の上面に備えた幅が０．２ｍｍのメタライズからなる帯状の信号線路２０の両側に、幅が０．２ｍｍのメタライズからなる帯状のグランドパターン３０を、該グランドパターン３０の内側縁とそれに対向する信号線路２０の側縁との間の距離を０．２ｍｍあけて平行に並べて備えた。グランドパターン３０は、絶縁基板１０の下面にグランドパターン３０と平行に幅広く層状に並べて備えたメタライズからなるグランド５０に絶縁基板１０に上下に向けて横に並べて備えたメタライズからなる複数本の導体ビア４０を介して電気的に接続した。そして、信号線路２０をマイクロストリップ線路に見做して、そのインピーダンス設計を行った。そして、その信号線路２０の特性インピーダンスを５０Ωにマッチングさせた。
　【００５６】
　図８に示したものは、グランドパターン３０をグランド５０に絶縁基板１０に５ｍｍピッチで上下に向けて横に並べて備えた複数本の導体ビア４０を介して電気的に接続した信号線路２０であって、グランドパターン３０の両端にスタブ６０を持たない、即ちスタブ６０の長さＬが零の信号線路２０の伝送特性の実測データを示している。この信号線路２０では、その最低共振周波数値が１２ＧＨｚ付近となることが判る。
　【００５７】
　それに対して、図９に示したものは、グランドパターン３０をグランド５０に絶縁基板１０に５ｍｍピッチで上下に向けて横に並べて備えた複数本の導体ビア４０を介して電気的に接続した信号線路２０であって、グランドパターン３０の両端に５ｍｍのスタブ６０を持つ信号線路２０の伝送特性の実測データを示している。この信号線路２０では、その最低共振周波数値が６ＧＨｚ付近まで降下してしまうことが判る。
　【００５８】
　図１０に示したものは、グランドパターン３０をグランド５０に絶縁基板１０に１０ｍｍピッチで上下に向けて横に並べて備えた複数本の導体ビア４０を介して電気的に接続した信号線路２０であって、グランドパターン３０の両端にスタブ６０を持たない信号線路２０の伝送特性の実測データを示している。この信号線路２０では、その最低共振周波数値が６ＧＨｚ付近となることが判る。
　【００５９】
　それに対して、図１１に示したものは、グランドパターン３０をグランド５０に絶縁基板１０に５ｍｍピッチで上下に向けて横に並べて備えた複数本の導体ビア４０を介して電気的に接続した信号線路２０であって、グランドパターン３０の両端に１０ｍｍのスタブ６０を持つ信号線路２０の伝送特性の実測データを示している。この信号線路２０では、その最低共振周波数値が３ＧＨｚ付近まで降下してしまうことが判る。
　【００６０】
　図１２は、図７に示した配線基板における、スタブ６０の長さ（グランド接続引き下がり）Ｌに対する信号線路２０の最低共振周波数値の関係、セラミック基板１０に上下に向けて横に並べて備える複数本の導体ビア４０のビアピッチＰに対する信号線路２０の最低共振周波数値の関係を示している。この図によれば、スタブ６０の長さＬを短く形成すれば、信号線路２０の最低共振周波数値が高まることが判る。
　【００６１】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の第１の配線基板によれば、グランドパターンの端部に存在するスタブが信号線路に伝える高周波信号に与える悪影響を排除して、信号線路に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができる。又は、グランドパターンの端部からスタブを排除して、信号線路に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができる。
　【００６２】
　本発明の第１の配線基板によれば、グランドパターンの端部を絶縁基板の端部より内方に位置させたため、その製造に際して、絶縁基板形成用のセラミックグリーンシートを裁断する際に、セラミックグリーンシート表面に形成されたグランドパターン形成用のメタライズパターンを同時にカットする必要を無くすことができる。そして、セラミックグリーンシートとグランドパターン形成用のメタライズパターンとを同時にカットしたために、メタライズパターンの一部がセラミックグリーンシートのカット面にだれ込んでしまうのを防止できる。
　【００６３】
　本発明の第２の配線基板によれば、グランドパターンの端部に存在するスタブが信号線路に伝える高周波信号に与える悪影響を排除して、信号線路に５〜１０ＧＨｚ以上等の高周波信号を伝送損失少なく効率良く伝えることができる。
　【００６４】
　本発明の第１又は第２の配線基板によれば、信号線路の高周波特性を向上させるために、グランドパターンの端部をグランドに電気的に接続するための線路やハーフ導体ビアを絶縁基板の端面や絶縁基板の端部に備える必要がなくなって、高周波特性の良い信号線路を持つ配線基板を手数をかけずに容易に製造できる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の配線基板の一部斜視図である。
　【図２】
　本発明の第２の配線基板の一部斜視図である。
　【図３】
　本発明の第１の配線基板の一部斜視図である。
　【図４】
　本発明の第２の配線基板の一部斜視図である。
　【図５】
　本発明の第１の配線基板の一部側面断面図である。
　【図６】
　本発明の第２の配線基板の一部側面断面図である。
　【図７】
　配線基板の平面図である。
　【図８】
　図７の配線基板の伝送特性データ図である。
　【図９】
　図７の配線基板の伝送特性データ図である。
　【図１０】
　図７の配線基板の伝送特性データ図である。
　【図１１】
　図７の配線基板の伝送特性データ図である。
　【図１２】
　図７の配線基板の信号線路の最低共振周波数値のデータ図である。
　【図１３】
　従来の配線基板の一部斜視図である。
　【図１４】
　従来の配線基板の一部斜視図である。
　【図１５】
　従来の配線基板の一部側面断面図である。
　【図１６】
　従来の配線基板の一部斜視図である。
　【図１７】
　従来の配線基板の一部斜視図である。
　【符号の説明】
　１０　絶縁基板
　２０　信号線路
　３０　グランドパターン
　３０ａ　グランドパターン部分
　３０ｂ　グランドパターンの端部
　４０　導体ビア
　５０　グランド
　６０　スタブ
　７０　線路
　８０　ハーフ導体ビア