【事件の表示】
　特許第３０６６１９２号「反射型アクティブマトリクス基板の製造方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６６１９２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０６６１９２号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成４年７月１０日に特許出願され、平成１２年５月１２日にその発明についての特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、セイコーエプソン株式会社及び工藤美智子により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年６月８日付けで訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　ａ）特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の４〜５行目に記載された「該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を形成する工程と、」という記載を
「該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を形成する工程と、」
という記載に訂正する。
　ｂ）特許明細書の特許請求の範囲の請求項２の４〜７行目に記載された「該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を高分子樹脂を用いて形成する工程と、該凸部を形成した基板に加熱処理を施し、該凸部を形成する高分子樹脂を軟化し、該凸部の角部を丸くする工程と、」という記載を
「該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して高さを異ならせた凸部を光感光性樹脂を用いて形成する工程と、該凸部を形成した基板に加熱処理を施し、該凸部を形成する光感光性樹脂を軟化し、該凸部の角部を丸くする工程と、」
という記載に訂正する。
　ｃ）特許明細書の特許請求の範囲の請求項３の４〜６行目に記載された 「該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２以上の直径を異ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用いて、少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を光学的に形成する工程と、」 という記載を
「該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２種類の直径を異ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該円形の種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を光学的に形成する工程と、」
という記載に訂正する。
　ｄ）上記訂正事項ａ）〜ｃ）との整合を図るために特許明細書の段落００１０【課題を解決するための手段】の記載を訂正明細書のとおりに訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ）〜ｃ）は、特許明細書の段落００２８の「・・・ガラス基板１１の上に、光感光性樹脂からなるレジスト膜１２をスピンコート方式により形成する。・・・」、段落００２９の「次に、レジスト膜１２が形成されたガラス基板１１を、例えば９０℃で３０分プリベークする。続いて、図４に示すように、例えば板体１３ｃに２種類の円形のパターン孔１３ａ，１３ｂが形成されているフォトマスク１３を使用し、・・・本実施例のフォトマスク１３は、直径５μｍの円形をしたパターン孔１３ａと、直径３μｍの円形をしたパターン孔１３ｂとがランダムに配置されており、・・・」、段落００３０の「本実施例では、直径５μｍのパターン孔１３ａによって高さ２．４８μｍの凸部１４ａが形成され、直径３μｍのパターン孔１３ｂによって高さ１．６４μｍの凸部１４ｂが形成された。これらの凸部１４ａ′、１４ｂ′の高さは、パターン孔１３ａ、１３ｂの大きさ、露光時間、現像時間によって変化させることが可能であり、パターン孔１３ａ、１３ｂの大きさとしても、上述のサイズに限定されない。」、段落００３９の「なお、フォトマスク１３のパターン孔１３ａ，１３ｂの形状は、本実施例では円形としているが、他の形でもよく、例えば長方形、楕円、ストライプ等任意の形状であってもよい。」、段落００４０の「上記実施例では２つの高さが異なる凸部１４ａと１４ｂとを形成しているが、本発明ではこれに限らず、３つ以上で高さが異なる凸部を形成してもよい。」との記載に基づいて、「２以上の高さを異ならせた凸部」の材料又は製法を限定するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許明細書に記載された事項の範囲内のものであり、新規事項に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｄ）は、上記訂正事項ａ）〜ｃ）による特許請求の範囲の訂正に伴い、それとの整合を図るために発明の詳細な説明の【課題を解決するための手段】を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立人の主張の概要
（１）特許異議申立人セイコーエプソン株式会社は、
甲第１号証；特開昭５９−７１０８１号公報、甲第２号証；特開昭５７−８５７８号公報及び参考資料１；特開昭５７−６６４７３号公報を提出し、本件の請求項１に係る発明は甲第１号証又は甲第１号証と甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件の請求項１に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定により取りすべきである、旨主張している。
（２）特許異議申立人工藤美智子は、概ね下記の主張をしている。
　ア）甲第１号証；特開昭５８−１２５０８４号公報、甲第２号証；「２インチ画像表示用　２２０×１８０　画素ＭＯＳ−ＬＣＤ」、笠原幸一他、テレビジョン学会誌　vol．３８，No.４（１９８４），３５７〜３６１頁、甲第３号証；特開昭５８−１３６０８５号公報、甲第４号証；特開昭５８−２８２１号公報を提出し、本件の請求項１，２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第３号証の記載に基づいて、又、請求項３に係る発明は、甲第１号証乃至甲第４号証の記載に基づいて容易に発明できたものであるから、本件の請求項１ないし３に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定違反してなされたものである。
　イ）本件の請求項３には、特許を受けようとする発明が明確に記載されておらず、又、発明の詳細な説明には、１つの実施例以外、パターン孔の大きさを具体的にどのようにして凸部の高さを変化させるのか等、具体的に記載されておらず、当業者が実施できる程度に記載されていないので、本件特許は、特許法第３６条第４項、第６項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
　
４．本件発明
　本件の請求項１ないし３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】　絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
　該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を形成する工程と、
　該凸部を形成した基板の上に、連続した波状をした上表面を有する高分子樹脂膜を形成する工程と、
　該高分子樹脂膜の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、
　を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項２】　絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
　該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して高さを異ならせた凸部を光感光性樹脂を用いて形成する工程と、
　該凸部を形成した基板に加熱処理を施し、該凸部を形成する光感光性樹脂を軟化し、該凸部の角部を丸くする工程と、
　該凸部の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、
　を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】　絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
　該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２種類の直径を異ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該円形の種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を光学的に形成する工程と、
　該凸部の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、
　を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。」
　
５．甲各号証記載の発明
　特許異議申立人セイコーエプソン株式会社の提出したこの出願前公知の刊行物である、甲第１号証；特開昭５９−７１０８１号公報（以下、「引用例１」という。）には、
「本発明は、上記の点を改良したもので、極めて均一性及び再現性に優れた白色反射部を有する液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。」（２頁右上欄１０〜１３行）
「この発明の製造方法の一実施例を第２図、第３図を参照して説明する。・・・まず、基板（１１）上にエッチング法、メッキ法、リフトオフ法等のいずれかを用いて多数の心材（１２）を形成する。この心材（１２）形成方法は例えばエッチング法であればまず積層方法、例えばＣＶＤ、スパッタ、蒸着、スピンナ・コート等のいずれかにより第２図（ａ）に示すように基板（１１）上に積層物、例えば絶縁物、半導体、金属又はこれらを積み重ねた多層構造の心材となる層（２１）を形成する。この層（２１）をマスク（２２）を用いて選択エッチングする。ここでエッチングパターンは第３図に示すように高密度の配列が望ましく、例えば・・・円形で・・・エッチングする部分は、円（３１）又は円以外の部分（３２）のいずれでもよい。・・・・このようにして第２図（ｂ）に示すように心材（１２）を形成した後、マスク（２２）を除去し、所定の濃度や粘度を有する有機絶縁物、例えばポリイミド樹脂層（１３）を第２図（ｃ）に示すように形成する。・・・次にこの有機絶縁物層（１３）上に、第２図（ｄ）に示すように反射率の高い金属、例えばＡｌ，Ａｇ・・・多層に蒸着し、金属層（１４）を形成する。即ち、上記のような構造及び製造方法によればなめらかな凹凸を有するポリイミド樹脂層（１３）を広範囲に亘り、かつ均一に形成することができる。」（２頁左下欄１０行〜３頁左上欄７行）
「さらに、第５図は、液晶（４１）を挟持する一方の電極（５１）を第２図の反射板で構成した実施例である。即ち、液晶層（４１）を挟んでガラス基板（４４）に形成された透明電極（４３）と基板（４５）に形成された反射面兼用の電極（５１）とでマトリクスを構成している。基板（４５）には上記実施例の反射部が形成されているが、この場合のように反射部金属層が表示電極を兼ねるときは、金属層は、ストライプ状、又は島状に分離されている。次に、第６図は・・・単結晶シリコン基板（６１）上に液晶駆動素子、・・・が集積形成されたアクティブ・マトリクス方式に適用した例で、・・・この場合においても反射部金属層（６５）が表示電極（６５）を兼ねており、・・・基板は上記以外にＳＯＳ基板、ガラス上にＴＦＴが形成された基板等であってもよい。・・・さらにまた上記実施例では多数の凸状部は規則的配列で説明したが不規則配列や大きさも不規則な方が明るい白色反射面の得られる効果がある。」（３頁右上欄２〜左下欄１８行）と記載されている。
　上記によれば、引用例１には、
「ガラス等の基板上に絶縁物、半導体、金属又はこれらを積み重ねた多層構造の心材となる層を形成し、この層を円形のエッチングパターンを有するマスクを用いて選択エッチングして大きさ、配列が規則的又は不規則な凸状部である心材を形成した後、マスクを除去し、なめらかな凹凸を有するポリイミド樹脂層を形成し、次にこのポリイミド樹脂層上に、表示電極を兼ねる反射部金属層を形成する反射型アクティブ・マトリクス基板の製造方法」の発明が記載されている。
　
　同じく、甲第２号証：特開昭５７−８５７８号公報（以下、「引用例２」という。）には、
「（１）液晶を挟む一対の基板の内、上側基板は透明な基板であり、上側透明基板を通して入射した光は液晶層を透過して下側基板の液晶に接する側の表面に達し、該下側基板の表面で反射される液晶表示装置であって、該下側基板表面は繰り返し周期が不均一な間隔からなる縞状の凹又は凸形状をした反射面であることを特徴とした液晶表示装置。
（３）下側基板表面上での凹又は凸の高低差の平均値は３μｍ以下であり、最大値が５μｍ以下である事を特徴とする特許請求範囲第１項記載の液晶表示装置。」（特許請求の範囲、請求項１，３）
「表面の断面形状をほぼ三角波形状にするためアルミニウム電極８２の下の絶縁層８１ここではＣＶＤＳｉＯ２をこの三角形状に形成してからアルミニウムを蒸着したものである。」と記載されている。
　
  同じく、参考資料１：特開昭５７−６６４７３号公報（以下、「引用例３」という。）には、径の大きさ、或いは相対位置が不均一な円形状の蒸着用窓が配置されたマスクを介してＡｌ等の白色層形成用金属を基板上に蒸着することが記載されている。
　
　異議申立人工藤美智子の提出した甲第１号証；特開昭５８−１２５０８４号公報（以下、「引用例４」という。）には、
「（４）少なくとも一方が透明な二枚の基板間に液晶層を挟持して構成される反射型の液晶表示装置を製造するに際し、一方の基板上に高分子樹脂層を形成し、その表面に凹凸を作るためのレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして前記高分子樹脂層の表面をエッチングしてレジストパターンを剥離後、熱処理をしてなめらかな凹凸面を形成し、その上に反射膜となる金属膜を被着するようにしたことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項４）、
「表示電極４の表面を良好な白色散乱面とするための工程は次のとおりである。ポリイミド樹脂・・・を素子が形成された半導体基板上に・・・スピンコートする。・・・熱処理をした後、その表面にネガ型レジストを用いて凹凸を作るためのレジストパターンを形成する。・・・レジストパターン８は円形をなして高い密度（ピッチ１〜５０μｍ）で配列される。」（２頁左下欄１７行〜右下欄７行）と記載されている。
　
　同じく、甲第２号証；「２インチ画像表示用　２２０×１８０　画素ＭＯＳ−ＬＣＤ」、笠原幸一他、テレビジョン学会誌　vol．３８，No.４（１９８４），３５７〜３６１頁（以下、「引用例５」という。）には、シリコン基板上に形成されたＭＯＳアレイとゲストホスト液晶を組合わせた画像表示用ＭＯＳ−ＬＣＤに関し、
「図６にＭＯＳアレイの画素部の断面構造を示す．・・・ポリイミド層間絶縁膜は２度に分けてスピンコートされる．まず第１層目が塗布された後、フォトリソグラフィーおよびドライエッチング技術を用いて多数の小孔があけられる．次に、この上に第２層目が塗布されると、その表面には多数の小さな凹凸が形成される．続いて１層目および２層目を貫通するコンタクトホールがあけられた後、その上に薄いアルミ層が形成されると共に、２２０×１８０個の表示電極にパターンニングされる．表示電極表面にも下地のポリイミド表面と同様の凹凸が形成される．このようにして反射形ゲストホストＬＣＤで不可欠の光拡散反射特性を有する表示電極を形成することができる．・・・上で述べた第１層目のポリイミドに多数の小孔をあける際に用いたフォトマスクパターンを示す．小孔は六方稠密に配列されており、マスク上における小孔の形状は八角形である」（３５９頁右欄１３行〜３６０頁左欄１３行）と記載されている。
　
　同じく、甲第３号証；特開昭５８−１３６０８５号公報（以下、「引用例６」という。）には、
「ゲストホスト液晶を挟持する表示体の一方の電極を有する半導体基板において前記一方の電極としての金属層の下部の前記基板の表面は・・・凹部を複数個配したことを特徴とする表示用半導体装置。」（特許請求の範囲請求項１）、
「図２の例では、ｎ＋領域１４形成後にマスクを介してアルカリ系溶液やドライエッチングによつて凹部を形成し、その後容量用酸化膜２４，多結晶層３４，金属層４４を設けたものである。」（２頁右上欄２０行〜左下欄３行）、
「凹部の場所は、等間隔・・・でもよいが、ランダムな配置がより望ましく・・・またマスクの平面状は、４角に限らず円形、だ円等所望の形状を用いることができ」（２頁左下欄１３行〜１７行）、
「第３図は、凹部の深さが２種以上ある実施例を示した。Ｓｉの選択エッチの際の開口幅を２種以上することによつて達成でき」（２頁右下欄５〜７行）と記載されている。
　
　同じく、甲第４号証；特開昭５８−２８２１号公報（以下、「引用例７」という。）には、
「ゲストホスト液晶を用いる場合には、液晶駆動電極が白色を呈するように表面を凹凸に加工しなければならない。表面を凹凸に加工する方法は種々ある。最も明るい白色を得る方法は、シリコン基板上にスイッチング素子等を作り込む工程において、ホトリソグラフィー技術にて任意の凹凸パターンを多数作り込む方法である。」（２頁右上欄１５行〜左下欄１行）、
「第７図は、円形の孔の場合であり、円の大きさ及び間隔をランダムに変えている。」（３頁右上欄３から４行）と記載されている。
　
６．当審の判断
６−１．特許法第２９条第２項違反について
［請求項１について］
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と上記引用例１〜７記載のものとを比較するに、
　引用例１記載の発明の、「大きさ、配列が規則的又は不規則な凸状部である心材」（本件発明１の「凸部」に相当。）は、絶縁物、半導体、金属又はこれらを積み重ねた多層構造からなり、選択エッチングで形成されるものであり、
　引用例２記載のものは、下側基板表面上での高低差のある凹又は凸を、ＣＶＤＳｉＯ２で断面形状をほぼ三角波形状に形成したものであるから、凸部はＳｉＯ２をＣＶＤ（化学気相蒸着）で形成したものであり、
　引用例３記載のものは、径の大きさ、或いは相対位置が不均一な円形状の蒸着用窓が配置されたマスクを介してＡｌ等の白色層形成用金属を基板上に蒸着するものであり、光感光性樹脂からなる凸部を形成することは記載も示唆もない。
　又、引用例４記載のものは、レジストパターンをマスクとしてポリイミド樹脂層の表面をエッチングしてレジストパターンを剥離後、熱処理をしてなめらかな凹凸面を形成するものであるから、凸部はポリイミド樹脂をエッチングして形成したものであり、
　引用例５記載のものは、第１層目のポリイミド層間絶縁膜が塗布された後、フォトリソグラフィーおよびドライエッチング技術を用いて多数の小孔があけられるものであるから、凸部はポリイミド層間絶縁膜をエッチングして形成したものであり、
　引用例６記載のものは、Ｓｉ基板の表面にマスクを介してアルカリ系溶液やドライエッチングによつて凹部を形成するものであるから、凸部はＳｉ基板をエッチングして形成したものであり、
　引用例７記載のものは、シリコン基板上にスイッチング素子等を作り込む工程において、ホトリソグラフィー技術にて任意の凹凸パターンを多数作り込む方法であり、又、ホトリソグラフィーは、基板上へのレジスト塗布、露光、現像、加工（エッチング）及びレジスト除去の一連の工程からなるものであるから、凸部はシリコン基板の一部で形成されている。
　以上のとおり、各引用例記載のものには、いずれにも、本件発明１の「少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を形成する工程」（以下、「本件構成要件１」という。）が備わっていない。
　ちなみに、本件発明１の「光感光性樹脂」は、本件明細書の段落【００２８】及び【００４３】の記載によれば、「レジスト膜」、「露光プロセスを用いてパターニングできる感光性樹脂材料」である。そして、一般に、凹凸を形成する過程で設けられるレジスト（光感光性樹脂）は、引用例４，５に記載されているように、露光、現像によりレジストパターンを形成し、そのレジストパターンでエッチング等の加工を行った後、最終的には除去されるものであるが、本件発明１は、光感光性樹脂自体を凸部として残すものである。
　また、反射形アクティブマトリクス基板の製造方法において、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を形成する工程が周知であるとすべき証拠は他にない。
　したがって、本件発明１は、引用例１ないし７に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
［請求項２について］
　請求項２に係る発明（以下、「本件発明２」という。）と上記引用例１〜７記載のものとを比較すると、各引用例記載のものには、本件発明２の「少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を形成する工程」（本件構成要件１と同じ。）が備わっていない。
　したがって、本件発明２は、本件発明１と同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
［請求項３について］
　請求項３に係る発明（以下、「本件発明３」という。）と上記引用例１〜７記載のものとを比較すると、各引用例記載のものには、本件発明３の「少なくとも２種類の直径を異ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該円形の種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を光学的に形成する工程」が備わっていない。
　本件発明３は、本件構成要件１のうちの「大きさを異ならせたパターン」及び「該パターンの種類」を「直径を異ならせた円形」及び「該円形の種類」と具体的に限定したものであるから、本件発明１と同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。
　
６−２．特許法第３６条違反について
　異議申立人工藤美智子の主張は概ね下記の通りである。
（１）本件請求項３の発明には、「少なくとも２以上の直径を異ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用いて、少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を光学的に形成する工程」との要件があるが、これに対応する本件明細書の発明の詳細な説明には、２つの直径のパターンを用いて２つの高さの凸部を形成することの他記載されていないにもかかわらず、２つの直径のパターンを用いて３以上の高さの凸部を形成することや、３以上の直径のパターンを用いて２つの高さの凸部を形成することをも含むものであるから、特許を受けようとする発明が明確でない。
（２）本件明細書の発明の詳細な説明には、直径３μｍと直径５μｍのパターン孔の組み合せとすること以外に、パターン孔の大きさを具体的にどのようにして凸部の高さを変化させるのかが全く記載されておらず、当業者が実施できる程度に記載されていない。
　そこで、上記（１）について検討するに、本件請求項３について異議申立人が指摘する箇所は、訂正請求により「少なくとも２種類の直径を異ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該円形の種類に対応して高さを異ならせた光感光性樹脂からなる凸部を光学的に形成する工程」と訂正され、円形の種類に対応して高さを異ならせた凸部を形成することが明記されたので、２つの直径のパターンを用いて３以上の高さの凸部を形成することや、３以上の直径のパターンを用いて２つの高さの凸部を形成することを含まないことが明らかになった。したがって、請求項３の記載では特許を受けようとする発明が明確でないとは言えない。
　又、上記（２）については、フォトリソグラフィー法では、マスクパターンの大きさ（直径や線幅等）を変化させ、その他の条件を一定にすれば、マスクパターンの大きさによってレジスト膜厚（凸部の高さ）が変化すること、及び、露光量を変化させ、その他の条件を一定にすれば、露光量によってレジスト膜厚（凸部の高さ）が変化することは当業者によく知られているところである。したがって、所望の凸部の高さを得るために、実施例記載のようにマスクパターンの直径を変え、或いは、さらに露光量を変化させればよいことは当業者に明らかであるから、明細書が当業者が実施できる程度に記載されていないということはできない。
　
７．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件請求項１ないし３に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月１６日（２００１．７．１６）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、
本件特許明細書の請求項１の４〜５行目に記載された
「該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を形成する工程と、」
という記載を添付の訂正明細書の通り、
『該絵素電極の形成箇所に
、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して
光感光性樹脂からなる
という記載に訂正する。
　ｂ．特許請求の範囲の減縮を目的として、
本件特許明細書の請求項２の４〜７行目に記載された
「該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を高分子樹脂を用いて形成する工程と、
　該凸部を形成した基板に加熱処理を施し、該凸部を形成する高分子樹脂を軟化し、該凸部の角部を丸くする工程と、」
という記載を添付の訂正明細書の通り、
『該絵素電極の形成箇所に
、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して
光感光性樹脂
　該凸部を形成した基板に加熱処理を施し、該凸部を形成する
光感光性樹脂
という記載に訂正する。
　ｃ．特許請求の範囲の減縮を目的として、
本件特許明細書の請求項３の４〜６行目に記載された
「該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２以上の直径を異ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用いて、少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を光学的に形成する工程と、」
という記載を添付の訂正明細書の通り、
『該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２
種類
該円形の種類に対応して
光感光性樹脂からなる
という記載に訂正する。
　ｄ．明瞭でない記載の釈明を目的として、
本件特許明細書の段落００１０に記載された
「　【課題を解決するための手段】
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を形成する工程と、該凸部を形成した基板の上に、連続した波状をした上表面を有する高分子樹脂膜を形成する工程と、該高分子樹脂膜の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、を含むことを特徴としており、そのことにより上記目的が達成される。
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を高分子樹脂を用いて形成する工程と、該凸部を形成した基板に加熱処理を施し、該凸部を形成する高分子樹脂を軟化し、該凸部の角部を丸くする工程と、該凸部の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、を含むことを特徴としており、そのことにより上記目的が達成される。
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２以上の直径を異ならせた円形がランダムに配置されたフォトマスクを用いて、少なくとも２以上の高さを異ならせた凸部を光学的に形成する工程と、該凸部の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、を含むことを特徴としており、そのことにより上記目的が達成される。」
という記載を添付の訂正明細書の通り、訂正後の特許請求の範囲との整合性を取るため、
『　【課題を解決するための手段】
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に
、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して
光感光性樹脂からなる
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に
、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して
光感光性樹脂
光感光性樹脂
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２
種類
該円形の種類に対応して
光感光性樹脂からなる
という記載に訂正する。
（５４）【発明の名称】
反射型アクティブマトリクス基板の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
　該絵素電極の形成箇所に
、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して
光感光性樹脂からなる
　該凸部を形成した基板の上に、連続した波状をした上表面を有する高分子樹脂膜を形成する工程と、
　該高分子樹脂膜の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、
　を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。
　【請求項２】　絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
　該絵素電極の形成箇所に
、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して
光感光性樹脂
　該凸部を形成した基板に加熱処理を施し、該凸部を形成する
光感光性樹脂
　該凸部の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、
　を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。
　【請求項３】　絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
　該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２
種類
該円形の種類に対応して
光感光性樹脂からなる
　該凸部の上に光反射機能を有する材料からなる絵素電極を形成する工程と、
　を含む反射型アクティブマトリクス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、バックライトを使用しない反射型液晶表示装置などに用いられる反射型アクティブマトリクス基板の製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、ワードプロセッサ、ラップトップパソコン、ポケットテレビ等への液晶表示装置の応用が急速に進展している。特に、液晶表示装置の中でも、外部から入射した光を反射させて表示を行う反射型液晶表示装置は、バックライトが不要であるため消費電力が低く、薄型、軽量化が可能であるので注目されている。そのような反射型液晶表示装置には、従来よりＴＮ（ツイステッドネマティック）方式、ＳＴＮ（スーパーツイステッドネマティック）方式が用いられている。
　【０００３】
　しかし、これらの方式では、液晶表示装置に添設される直線偏光子により必然的に自然光の光強度の１／２が表示に利用されないため表示が暗くなる。そこで、自然光の全ての光線を有効に利用しようとする表示モードが提案されている。その１つとして相転移型ゲスト・ホスト方式が挙げられる（Ｄ．Ｌ．Ｗｈｉｔｅ　ａｎｄ　Ｇ．Ｎ．Ｔａｙｌｏｒ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．４５　４７１８１９７４）。
　【０００４】
　この方式の表示モードを有する液晶表示装置は、電界によるコレステッリク・ネマチック相転移現象が利用され、直線偏光子等の偏光板を必要としない。かかる液晶表示装置に更にマイクロカラーフイルタを組み合わせた反射型マルチカラーディスプレイも提案されている（Ｔａｔｓｕｏ　Ｕｃｈｉｄａ　ｅｔｃ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＳＩＤ　Ｖｏｌ．２９　１５７　１９８８）。
　【０００５】
　このような偏光板を必要としない表示モードで、更に明るい表示を得る為には、あらゆる角度からの入射光に対して表示画面に垂直な方向へ散乱する光の強度を増加させる必要がある。そのためには反射板上の反射特性を制御し、最適な反射特性を有する反射板を製造することが必要になる。上述の反射型マルチカラーディスプレイを提案した文献では、絶縁性のガラス基板の表面に形成される凹凸の形状を制御し、その凹凸となったガラス基板上にＡｇ等の金属薄膜を形成した反射板について記載されている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記提案の反射板は、ガラス基板の表面を研磨材によって傷付けて凹凸形状とするので、均一な形状の凹凸部が形成されず、形状の再現性が悪いという欠点がある。また、このようなガラス基板を用いると、良好な反射特性を有する反射型液晶表示装置を安定して提供することができない。
　【０００７】
　そこで、本願出願人は上記欠点を改善すべく以下の反射板を提案している（特願平３−４５７３号）。この反射板は、絶縁性基板に感光性樹脂を塗布してパターン化し、更に熱処理を行ってパターン部分の上縁部を丸くなるように角落しを行い、その後、パターンが形成された絶縁性基板の上に高分子樹脂を流して高分子樹脂膜を形成し、この高分子樹脂膜の上に光反射機能を有する反射薄膜を形成することにより作製される。
　【０００８】
　このようにして作製された反射板は、反射薄膜の表面が滑らかであるため多重反射が少なく明るいものとなる。しかし、パターンの形成がない絶縁性基板部分の上の反射薄膜が平坦となっていることがあり、場合によっては波長依存性のある反射光が生じて干渉色が発生するという問題があった。
　【０００９】
　本発明は、このような従来技術の問題を解決すべくなされたものであり、波長依存性が少ない良好な反射特性を有し、しかも再現性良く反射特性が得られる反射型アクティブマトリクス基板の製造方法を提供することを目的としている。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に
、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して
光感光性樹脂からなる
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に
、少なくとも２種類の大きさを異ならせたパターンがランダムに配置されたフォトマスクを用いて、該パターンの種類に対応して
光感光性樹脂
光感光性樹脂
　本発明の反射型アクティブマトリクス基板の製造方法は、絶縁性基板上に、光反射機能を有する材料からなる絵素電極がマトリクス状に配設され、該絵素電極の上表面が連続する波状に形成された反射型アクティブマトリクス基板の製造方法であって、該絵素電極の形成箇所に、少なくとも２
種類
該円形の種類に対応して
光感光性樹脂からなる
　【００１１】
　【００１２】
　【００１３】
　【００１４】
　【作用】
　干渉光の発生は、図６により説明される。この図は、ガラス基板側から光が入射し、その入射光が反射膜で反射されてガラス基板から出射する状態を示している。この場合において、干渉光の発生は、入射角θｉで入射した光が反射膜の凸部上と麓部で反射され、出射角θｏで出射する場合に起こると考えられる。そのときの両光の光路差δは下記１式により表わされる。
　【００１５】
δ＝Ｌｓｉｎθｉ＋ｈ（１／ｃｏｓθｉ’＋１／ｃｏｓθｏ’）・ｎ
　　　−｛Ｌｓｉｎθｏ＋ｈ（ｔａｎθｉ’＋ｔａｎθｏ’）ｓｉｎθｏ｝
　＝Ｌ（ｓｉｎθｉ−ｓｉｎθｏ）＋ｈ｛（１／ｃｏｓθｉ’＋１／ｃｏｓθｏ’）
　　・ｎ−（ｔａｎθｉ’＋ｔａｎθｏ’）ｓｉｎθｏ｝　　　…（１）
但し、θｉ’は反射膜の麓部での入射角
　　　θｏ’は反射膜の麓部での出射角
　　　Ｌは両光のガラス基板への入射点間の距離
　　　ｈは両光が反射される反射膜の凸部の麓部に対する高さ
　　　ｎはガラス基板の屈折率
　この１式は、θｉ＝θｏ、θｉ’＝θｏ’のときにのみ計算できるから、このときθｉ＝θｏ＝θ、θｉ’＝θｏ’＝θ’とすると、光路差δは下記２式として表される。
　【００１６】
　δ＝ｈ｛２ｎ／ｃｏｓθ’−２ｔａｎθ’・ｓｉｎθ｝　　　…（２）
　一方、任意の波長λ１とλ２を考慮すると、δ／λ１＝ｍ±１／２（ｍは整数）のとき弱め合い、δ／λ２＝ｍのとき強め合う。よって、下記３式が成り立つ。
　【００１７】
　δ（１／λ１−１／λ２）＝１／２…（３）
　この３式は、下記４式としても表される。
　【００１８】
　δ＝（λ１・λ２）／２・（λ２−λ１）…（４）
　したがって、上記２式と４式とにより、高さｈは下記５式で表される。
　【００１９】
　ｈ＝１／２・｛（λ１・λ２）／（λ２−λ１）｝
　　　・｛ｃｏｓθ’／（２ｎ−２ｓｉｎθ’・ｓｉｎθ）｝　　…（５）
　以上のことより、本願発明者らは、干渉色を無くすためには反射膜の反射面を連続する波状に形成すればよいことを知見した。
　【００２０】
　そこで、本発明は、このような反射膜を形成する方法として、少くとも２以上で高さが異なる凸部を板状のベース部材の上に形成し、更に、その凸部を有するベース部材の上に高分子樹脂膜を作成し、その上に光反射機能を有する材料で反射薄膜を形成するようにした。
　【００２１】
　このようにして形成される反射薄膜をアクティブマトリクス基板の絵素電極に適用すると、その絵素電極は反射面が連続する波状となっているので、反射した光の干渉がなくなる。また、凸部をフォトマスクを用いて光学的に形成する場合は、光照射条件を同一にすると再現性よく凸部の形成が可能となる。
　【００２２】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について図面を用いて詳細に説明する。
　【００２３】
　図１は本発明アクティブマトリクス基板の一実施例の平面図を示し、図２は図１のＡ−Ａ線に於ける断面図を示す。この反射型アクティブマトリクス基板２０は、絶縁性基板であるガラス基板１１の上に、走査線としての複数のゲートバスライン２２及び信号線としてのソースバスライン２４が相互に交差して設けられている。各ゲートバスライン２２及び各ソースバスライン２４によって囲まれた矩形状の領域内には光反射機能を有する絵素電極１９が配置されている。各絵素電極１９が配置された領域内の隅部には、ゲートバスライン２２から絵素電極１９に向かって延設されたゲート電極２３が分岐されており、ゲート電極２３の先端部分にスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２１が形成されている。上記ゲート電極２３はＴＦＴ２１の一部を構成する。
　【００２４】
　ソースバスライン２４からは絵素電極１９に向かって延出するソース電極２５が配置されており、ソース電極２５の先端部がゲート電極２３上に絶縁状態で重畳されて、各ＴＦＴ２１の一部を構成する。ゲート電極２３の上には、ソース電極２５とは間隔を空け、かつ、ゲート電極２３とは絶縁状態で重畳してＴＦＴ２１のドレイン電極２６が設けられており、ドレイン電極２６が絵素電極１９にそれぞれ電気的に接続されている。
　【００２５】
　ＴＦＴ２１は、図２に示すように、ガラス基板１１の上に形成された上記ゲート電極２３の上方に配設されている。ゲート電極２３は、ガラス基板１１の全体に積層されたゲート絶縁膜１１ａによって覆われ、ゲート絶縁膜１１ａの上には、ゲート電極２３の上方を覆うように半導体層２７が積層されている。この半導体層２７上の両端部を覆って一対のコンタクト層２８、２８が形成層され、一方のコンタクト層２８の上に上記ソース電極２５が、他方のコンタクト層２８の上に上記ドレイン電極２６が形成されている。
　【００２６】
　一方、上述した光反射機能を有する絵素電極１９の下には、ガラス基板１１の上に交互に形成した高さの高い凸部１４ａ及び高さの低い凸部１４ｂと、これら凸部１４ａ及び１４ｂの上に形成された高分子樹脂膜１５とが存在する。この高分子樹脂膜１５の上表面は、上述した凸部１４ａ及び１４ｂの存在により、連続する波状となっている。高分子樹脂膜１５は、絵素電極１９の下方だけでなくガラス基板１１のほぼ全面にわたって形成されており、材質としては本実施例では例えば、東京応化社製のＯＦＰＲ−８００を使用している。上記凸部１４ａ及び１４ｂの上に存在し、上表面が連続する波状となっている高分子樹脂膜１５部分の上に、上述した絵素電極１９が形成され、この絵素電極１９は光反射機能を有する、例えばＡｌにより形成されている。なお、絵素電極１９はコンタクトホール２９を介してドレイン電極２６と電気的に接続されている。
　【００２７】
　次に、上記反射型アクティブマトリクス基板の要部である絵素電極１９の形成方法を図３に基づいて説明する。
　【００２８】
　まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１１の上に、光感光性樹脂からなるレジスト膜１２をスピンコート方式により形成する。本実施例では、ガラス基板１１としては、例えばコーニング社製の商品名が７０５９である厚さ１．１ｍｍのものを用いた。また、レジスト膜１２としては、高分子樹脂膜１５と同一の材料である上述したＯＦＰＲ−８００の光感光性樹脂を、好ましくは５００ｒ．ｐ．ｍ．から３０００ｒ．ｐ．ｍ．のスピンコート方式で形成している。本実施例では１５００ｒ．ｐ．ｍ．で３０秒スピンコートし、レジスト膜１２の厚さは２．５μｍとした。
　【００２９】
　次に、レジスト膜１２が形成されたガラス基板１１を、例えば９０℃で３０分プリベークする。続いて、図４に示すように、例えば板体１３ｃに２種類の円形のパターン孔１３ａ、１３ｂが形成されているフォトマスク１３を使用し、このフォトマスク１３を、図３（ｂ）に示すようにレジスト膜１２の上方に配置して、このフォトマスク１３の上方から図の矢印で示すように露光する。なお、本実施例のフォトマスク１３は、直径５μｍの円形をしたパターン孔１３ａと、直径３μｍの円形をしたパターン孔１３ｂとがランダムに配置されており、相互に近接するパターン孔の間隔は、少なくとも２μｍ以上離隔されている。但し、余り離隔し過ぎると、高分子樹脂膜１５の上表面が連続する波状となり難い。
　【００３０】
　次に、例えば東京応化社製のＮＭＤ−３からなる濃度２．３８％の現像液を使用して現像を行う。これにより、図３（ｃ）に示すように、ガラス基板１１の一方の表面に、高さの異なる微細な凸部１４ａ′、１４ｂ′が多数個形成される。これら凸部１４ａ′、１４ｂ′は上縁が角張っている。本実施例では、直径５μｍのパターン孔１３ａによって高さ２．４８μｍの凸部１４ａが形成され、直径３μｍのパターン孔１３ｂによって高さ１．６４μｍの凸部１４ｂが形成された。これらの凸部１４ａ′、１４ｂ′の高さは、パターン孔１３ａ、１３ｂの大きさ、露光時間、現像時間によって変化させることが可能であり、パターン孔１３ａ、１３ｂの大きさとしても、上述のサイズに限定されない。
　【００３１】
　次に、図３（ｄ）に示すように、凸部１４ａ′、１４ｂ′を形成したガラス基板１１を２００℃で１時間加熱して熱処理を行う。これによって、図３（ｃ）に示したように上端部に角部を有する現像されたままの凸部１４ａ′、１４ｂ′を軟化させて、前記角部が丸くなった、つまり角落しされた断面略円形状の凸部１４ａ、１４ｂを形成する。
　【００３２】
　次に、図３（ｅ）に示すように、熱処理が済んだガラス基板１１の上に、高分子樹脂をスピンコートして高分子樹脂膜１５を形成する。高分子樹脂としては、上述したＯＦＰＲ−８００を使用し、好ましくは１０００ｒ．ｐ．ｍ．〜３０００ｒ．ｐ．ｍ．でスピンコートする。本実施例では、２０００ｒ．ｐ．ｍ．でスピンコートした。これにより、凸部１４ａ、１４ｂの形成がないガラス基板１１の上の部分が平坦であっても、上表面が連続する波状をした高分子樹脂膜１５が形成される。
　【００３３】
　最後に、この高分子樹脂膜１５の上の所定箇所にＡｌからなる絵素電極１９を、例えばスパッタリングすることにより形成した。絵素電極１９に使用するに適した材料としては、Ａｌの他に、光反射機能を有するＮｉ、Ｃｒ、Ａｇ等を挙げることができ、絵素電極１９の厚さとしては、０．０１〜１．０μｍ程度が適している。
　【００３４】
　このようにして形成された光反射機能を有する絵素電極１９は、上述したように高分子樹脂膜１５がその上表面を連続する波状となして形成されているので、同様に上表面が連続する波状となる。
　【００３５】
　ところで、上表面が連続する波状となった光反射機能を有する絵素電極１９からの反射光の波長依存性を図５に示すようにして測定した。その測定条件として被測定側は、実際の液晶表示装置における絵素電極１９の使用状態を想定した構成となっている。具体的には、ガラス基板として、実際の液晶層に対する屈折率とほぼ等しくなる屈折率が１．５のガラス製のダミーガラス１８を使用し、このダミーガラス１８を、絵素電極１９が形成されたアクティブマトリクス基板の上に、屈折率が１．５である紫外線硬化接着剤１７を用いて接着した状態となしている。
　【００３６】
　一方、測定側は、上記ダミーガラス１８上の法線ｍ１に対して、入射角θｉで入射光Ｌ１’が入射するように光源Ｌ１を配し、また法線ｍ２に対して受光角θ０の方向に反射する一定角度の光を捉えるべくフォトマルチメータＬ２を配している。よって、フォトマルチメータＬ２は、入射光Ｌ１’が入射角θｉでダミーガラス１８に入射して反射された散乱光のうち、受光角θ０で反射する散乱光Ｌ２’の強度を捉える。本実施例では、光源Ｌ１から発せられた光がダミーガラス１８の表面で反射される正反射光をフォトマルチメータＬ２が捉えるのを避けるために、θｉ＝３０°、θｉ＝２０°の条件で測定した。
　【００３７】
　なお、比較のために、図７（ａ）に示すように形成した絵素電極１９ａ（比較例１）及び図７（ｂ）に示すように形成した絵素電極１９ｂ（比較例２）に対しても測定を行った。比較例１の絵素電極１９ａは、角落しされた凸部１４ａ、１４ｂの上に高分子樹脂膜を省略して直接に形成されており、凸部１４ａ、１４ｂの上方部分を除いて平坦部１６ａが存在する。比較例２の絵素電極１９ｂは、上端に角のある凸部１４ａ′、１４ｂ′の上に、間に高分子樹脂膜１５を介して形成されており、凸部１４ａ′、１４ｂ′の上方部分が略平坦に形成されている。両絵素電極１９ａと１９ｂは、共にＡｌを使用している。
　【００３８】
　図８は本実施例の反射光の波長依存性を示し、図９（ａ）及び（ｂ）は比較例１及び比較例２の反射光の反射特性を示す。各図は、横軸に波長をとり、縦軸に反射率をとっている。これらの図より理解されるように、いずれの比較例も反射率に波長依存性を帯びており、干渉色が生じる欠点があるのに対し、本実施例では反射率に波長依存性はほとんど認められず良好な白色をしている。なお、上述した条件で測定しているので、得られた結果は、絵素電極１９の表面と実際の液晶層との境界に於ける反射特性と等価である。
　【００３９】
　なお、フォトマスク１３のパターン孔１３ａ、１３ｂの形状は、本実施例では円形としているが、他の形でもよく、例えば長方形、楕円、ストライプ等任意の形状であってもよい。
　【００４０】
　上記実施例では２つの高さが異なる凸部１４ａと１４ｂとを形成しているが、本発明はこれに限らず、３つ以上で高さが異なる凸部を形成してもよい。
　【００４１】
　本発明において、凸部の高さを２以上で変化させているのは、以下の理由に依る。つまり、同じ高さであると、隣合う２つの凸部の上に形成された絵素電極の上表面において反射される光が干渉を起こし易くなるからである。よって、本発明においては、凸部の高さを種々異なるようにすると、より波長依存性を無くすることができる。
　【００４２】
　但し、図１に示すように絵素電極１９をゲートバスライン２２の一部やソースバスライン２４の一部に重畳して形成する場合、その重畳される絵素電極１９のエッジ部には凸部を形成しない構成とするのが好ましい。そのようにすることにより絵素電極１９のパターニング不良を無くすことが可能となる。また、そのようにすることによりゲートバスライン２２及びソースバスライン２４に対して絵素電極１９を重畳して形成でき、絵素電極１９とゲートバスライン２２との間隔や、絵素電極１９とソースバスライン２４との間隔を無くすることができるので、絵素電極１９の面積を大きくできる利点がある。絵素電極１９の面積を大きくできると表示画面の開口率が大きくなり、明るい表示が可能となる。しかし、絶縁不良が問題となる時には、重畳部分には凸部を形成しないのが好ましい。
　【００４３】
　なお、上記実施例では感光性樹脂材料として東京応化社製のＯＦＰＲ−８００を用いているが、本発明はこれに限るものではなく、ネガ型、ポジ型に拘らず、露光プロセスを用いてパターニングできる感光性樹脂材料であればよい。例えば、東京応化社製のＯＭＲ−８３、ＯＭＲ−８５、ＯＮＮＲ−２０、ＯＦＰＲ−２、ＯＦＰＲ−８３０、又はＯＦＰＲ−５００であってもよく、或はＳｈｉｐｌｅｙ社製のＴＦ−２０、１３００−２７、又は１４００−２７であってもよい。更に、東レ社製のフォトニース、積水ファインケミカル社製のＲＷ１０１、日本化薬社製のＲ１０１、Ｒ６３３等であってもよい。
　【００４４】
　図１０は、上記反射型アクティブマトリクス基板２０を使用した反射型液晶表示装置１０の一実施例を示す。この反射型液晶表示装置１０は、反射型アクティブマトリクス基板２０に対向して対向基板３０が設けられ、これら基板２０と３０との間には、７μｍのスペーサを混入した接着性シール剤をスクリーン印刷して形成された液晶封止層（図示せず）にてシールされて液晶層３４が形成されている。
　【００４５】
　上記対向基板３０は、ガラス基板３３の上に形成された絶縁性の補色カラーフィルタ板３１と、この補色カラーフィルタ板３１の全面にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）が厚み１００ｎｍで形成された透明電極３２と、液晶配向膜３３とが形成されている。この液晶配向膜３３は反射型アクティブマトリクス基板２０の液晶層３４側の内面にも形成されている。
　【００４６】
　上記反射型アクティブマトリクス基板２０と対向基板３０とは、それぞれの所定表面に液晶配向膜３３を塗布し、その後焼成することにより形成される。また、液晶層３４は液晶封止層を形成した後、真空脱気することにより封入される。液晶層３４には、例えば黒色色素を混入したゲストホスト液晶であるメルク社製の商品名がＺＬ１２３２７の液晶に、メルク社製の商品名がＳ８１１である光学活性物質を４．５％混入したものを用いた。
　【００４７】
　かかる構成の反射型液晶表示装置１０は、絵素電極と対向電極とに電圧を印加した場合において、角度３０°で入射した光に対するガラス基板の法線方向の反射率は約２０％で、コントラスト比は５であり、また干渉色は認められず、良好な白色表示が得られた。
　【００４８】
　本実施例の反射型液晶表示装置１０では、反射型のアクティブマトリクス基板２０の絵素電極１９を形成した面が、液晶層３４の側に面して配されているので視差が無くなり、良好な表示画面が得られる。
　【００４９】
　また、本実施例では反射型アクティブマトリクス基板２０の絵素電極１９が液晶層３４側、すなわち液晶層３４にほぼ隣接する位置に配されている構成となるので、凸部１４ａ、１４ｂの高さはセルの厚みより小さくなし、また凸部１４ａ、１４ｂの傾斜角度は液晶層３４の配向を乱さない程度に緩やかにするのが望ましい。
　【００５０】
　更に、絶縁性基板としては本実施例ではガラス基板１１を用いたが、Ｓｉ基板のように不透明基板でも同様な効果が発揮される。この場合には、回路をガラス基板１１上に集積できるメリットがある。
　【００５１】
　なお、前記実施例では表示モードとして相転移型ゲスト・ホストモードを取り上げたがこれに限定されない。例えば、２層式ゲスト・ホストの様な他の光吸収モード、高分子分散型ＬＣＤのような、光散乱型表示モード、強誘電性ＬＣＤで、使用される複屈折表示モードなど、本発明に係わる反射型アクティブマトリクス基板２０及びその製造方法への適用は可能である。
　【００５２】
　上記実施例ではスイッチング素子としてＴＦＴ２１を用いているが、本発明はこれに限らず、他のスイッチング素子、例えばＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ−Ｍｅｔａｌ）素子、ダイオード、バリスタ等を用いたアクティブマトリクス基板にも適用できる。
　【００５３】
　【発明の効果】
　以上詳述したように本発明にあっては、反射機能を有する絵素電極が連続する波状に形成されているので、波長依存性を少なくでき、これにより干渉色のない良好な白色面を有する表示ができる。また、凸部をフォトマスクを用いて光学的手法により形成すると、凸部を再現性よく形成でき、これにより得られる絵素電極の上表面も再現性のよいものとなる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本実施例の反射型アクティブマトリクス基板を示す平面図。
　【図２】
　図１のＡ−Ａ線に於ける断面図。
　【図３】
　図１の絵素電極の形成工程を示す断面図。
　【図４】
　本実施例の反射型アクティブマトリクス基板を製造する際に用いるフォトマスクを示す平面図。
　【図５】
　光反射機能を有する絵素電極の反射特性の測定方法を示す図。
　【図６】
　光干渉の発生を示す概念図。
　【図７】
　比較例１及び比較例２の絵素電極の断面図。
　【図８】
　本実施例の絵素電極における波長依存性を示す図。
　【図９】
　比較例１、比較例２の絵素電極における波長依存性を示す図。
　【図１０】
　本実施例に係る反射型液晶表示装置を示す断面図。
　【符号の説明】
　１０　　　反射型液晶表示装置
　１１　　　ガラス基板
　１２　　　レジスト膜
　１３　　　フォトマスク
　１３ａ　　パターン孔
　１３ｂ　　パターン孔
　１４ａ′、１４ｂ′　　　角のある凸部
　１４ａ、１４ｂ　　　角落しされた凸部
　１５　　　高分子樹脂膜
　１９　　　絵素電極
　２０　　　反射型アクティブマトリクス基板
　２１　　　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
　２２　　　ゲートバスライン
　２３　　　ゲート電極　
　２４　　　ソースバスライン
　２５　　　ソース電極
　２６　　　ドレイン電極
　２７　　　半導体層
　２８　　　コンタクト層
　２９　　　コンタクトホール
　３０　　　対向電極
　３１　　　補色カラーフィルタ板
　３２　　　透明電極
　３３　　　液晶配向膜
　３４　　　液晶層