【事件の表示】
　特許第３２６１６９８号「磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果素子」の請求項１ないし９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２６１６９８号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成　２年　６月　８日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　３月２７日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　　平成１２年　５月　８日
　設定登録（特許第３２６１６９８号）　平成１３年１２月２１日
　異議申立（中嶋進）　　　　　　　　　平成１４年　８月２６日
　
２　本願特許発明
　本願の請求項に係る発明は、特許された明細書及び図面の記載から見て、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりの次のものであると認める。
「【請求項１】
　第１の非磁性金属層と、該第１の非磁性金属層上に形成された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上に形成された第２の非磁性金属層とを備えた磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果膜が第１の磁性層と、第２の磁性層と、該第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成された絶縁材料からなる中間層とを有し、トラック幅方向における上記磁気抵抗効果膜を構成する磁性層の幅は、上記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の幅より小さく、上記第１の非磁性金属層と第２の非磁性金属層との間に電流を流すことにより上記中間層を通って上記第１の磁性層および第２の磁性層間にトンネル電流が流れ、外部磁界が印加されると上記第１の磁性層の磁化方向は変化することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
　請求項１において、上記第１の非磁性金属層と第２の非磁性金属層との間に電流を流すことにより、上記第１の磁性層および第２の磁性層間に上記中間層を通過するトンネル電流が流れるとき、上記第１の磁性層および第２の磁性層の磁化の向きが平行のときより、上記第１の磁性層および第２の磁性層の磁化の向きが反平行の時の方が、上記磁気抵抗効果膜の電気抵抗率が高いことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
　請求項１または請求項２において、上記第１の磁性層と第２の磁性層のいずれか一方の保磁力を他方の保磁力より小さくすることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
　請求項１ないし請求項３のいずれか１項において、第１の磁気シールド層と第２の磁気シールド層との間に磁気抵抗効果膜が形成され、上記第１の磁気シールド層と磁気抵抗効果膜との間に形成された第１の非磁性金属層と、上記第２の磁気シールド層と磁気抵抗効果膜との間に形成された第２の非磁性金属層とを備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
　請求項１ないし請求項４のいずれか１項において、上記中間層は酸化アルミニウムからなることを特徴とする磁気ヘツド。
【請求項６】
　第１の非磁性金属層と、該第１の非磁性金属層上に形成された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上に形成された第２の非磁性金属層とを備え、上記磁気抵抗効果膜が第１の磁性層と、第２の磁性層と、該第１の磁性層と第２の磁性層との間に形成された絶縁材料からなる中間層とを有し、トラック幅方向における上記磁気抵抗効果膜を構成する磁性層の幅は上記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の幅より小さく、上記第１の非磁性金属層と第２の非磁性金属層との間に電流を流すことにより上記中間層を通って上記第１の磁性層および第２の磁性層間にトンネル電流が流れ、外部磁界が印加されると上記第１の磁性層の磁化方向は変化することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
　請求項６において、上記第１の非磁性金属層と第２の非磁性金属層との間に電流を流すことにより上記第１の磁性層および第２の磁性層間に上記中間層を通過するトンネル電流が流れるとき、上記第１の磁性層および第２の磁性層の磁化の向きが平行の時より上記第１の磁性層および第２の磁性層の磁化の向きが反平行の時の方が、上記磁気抵抗効果膜の電気抵抗率が高いことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項８】
　請求項６または請求項７において、上記第１の磁性層と第２の磁性層のいずれか一方の保磁力を他方の保磁力より小さくすることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項９】
　請求項６ないし請求項８のいずれか１項において、上記中間層は酸化アルミニウムからなることを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
３　異議申立の理由
　異議申立人中嶋進は、証拠として、甲第１号証（特開昭６３−５５７１４号公報）、甲第２号証（固体物理　１９８０年３月　第１５巻第３号）、甲第３号証（特開昭５２−２３９２５号公報）を提出し、請求項１〜９に係る特許発明は、甲第１号証〜甲第３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるというものである。
　
４　証拠記載の発明
（１）甲第１号証
ａ　第４頁右下欄第２行目〜第１８行目
「第２図において、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等の磁性基板（１）の上に、この基板（１）が導電性を有する場合は、ＳｉＯ２等の非磁性絶縁層を形成し、これの上に非磁性の導電層（２ｃｃ）を形成し、この導電層（２ｃｃ）の上に、絶縁層を介して、ＭＲ感磁素子（２）を、磁気記録媒体との対接ないしは対向面（６）に一端が臨むように形成する。ＭＲ感磁素子（２）の上に、更に絶縁層を介して、導電層（２ｄｄ）を形成する。これらの導電層（２ｃｃ）及び（２ｄｄ）は、絶縁層に適宜設けられた窓を通してＭＲ感磁素子（２）の下側磁性層（４）の後端（４ｂ）及び上側磁性層（５）の前端（５ｆ）にそれぞれ接続される。」
　
ｂ　第５頁左上欄第９行目〜第１１行目
　「ＭＲ素子（２）は、その磁性層（４）及び（５）のうちの少なくとも一方のＭＲ効果のある磁性層を、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのいずれか或いはその２種以上の合金層によって構成し得る。・・・また非磁性中間層（３）としては、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ、Ｍｏ等の非磁性膜によって構成し得る」
　
ｃ　第５頁左上欄第１７行目〜右上欄第４行目
　「第１図に示すように、センス電流ＩＭＲが前側のリード（２ｄｄ）から感磁素子（２）に流入すると共に、バイアス電流ＩＢが、このリード（２ｄｄ）内のセンス電流ＩＭＲと同じ向きに、バイアス導線（１０）に通電される。
　これにより、第２図に示すように、バイアス導線（１０）を繞って、反時計方向のバイアス磁界ＨＢが発生する。」
　
ｄ　第１図及び第２図には、「トラック幅方向における上記磁気抵抗効果膜を構成する磁性層の幅は、上記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の幅より小さい状態」が図示される。
　
（２）甲第２号証
ａ　第１７３頁右欄第２０行目〜２５行目
　「まず、ガラス基板の上にＮｉを蒸着する。・・・このＮｉの表面を酸化し、約５０Åの厚さのＮｉＯ層を作る・・・。次に、Ｎｉ、ＦｅまたはＣｏを蒸着する。」
　
ｂ　第１７４頁左欄第７行目〜第２９行目
　「さて、このような準備の後、強磁性トンネル接合に移る。第７図はＮｉ／ＮｉＯ／Ｃｏトンネル接合の４．２Ｋ，印加電圧Ｖ＝０での電気抵抗（Ｒ≡Ｇ−１≡（ｄＶ／ｄＩ）Ｖ→０）の磁場変化の結果である．このようにＲは磁場に対してヒステリシスを示す：磁場を負の値から正の値へ次第に増加させる時，Ｒは約１０Ｏｅのあたりで急に増加する．さらに磁場の値を増すとＲは山を作って減少し，元の値に戻る．今度は磁場を正の値から減少させる時，−１０ＯｅのあたりでＲが急に増加して山を作る．このＲの山の値は比抵抗（ΔＲ／Ｒ）にして約２．５％である．この（ΔＲ／Ｒ）の山は低温の方が大きいが，７７Ｋでも観測できる．
　第８図は室温でのこのトンネル接合のＢ−Ｈ曲線（磁化曲線）であり，約±１０Ｏｅの所が階段状になっている．この階段の所ではＮｉの磁化が磁場に平行であり、Ｃｏの磁化と反平行になっている．したがって，ＮｉとＣｏの磁化が反平行の時に電気抵抗が増加することがわかる．いま，（６）式とＴｅｄｒｏｗ−Ｍｅｓｅｒｖｅｙ５）により得られたＮｉおよびＣｏの状態密度の値を使う時，約７．５％の比抵抗の変化が期待される．したがって，第７図にみられる約２．５％という値は十分満足すべき値である．」
　
ｃ　第１７４頁右欄第８行目〜第１７５頁左欄第３行目
「磁場中で蒸着されたＮｉとＮｉＯの間には強く交換相互作用が働いている。そのため、ＢのＮｉの磁化は（ＮｉＯのために）蒸着された時の方向に固定されており、外部磁場でその方向を変えない。一方、ＡのＮｉはそのような特別な方向の指定はないので、比較的容易に磁化の方向を変えることができる。」
　
ｄ　第１７５頁右欄第３行目〜第９行目
　「強磁性トンネル接合に現われた磁気抵抗効果は接合部分の磁化の変化による．接合部分は十分小さくできる（＜１μｍ２）１０）．したがって，そのような微小領域での磁場の変化を検出する素子として利用できるかもしれない．ＩＢＭのＳｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉ１７）はバブル磁区の読み出しに利用できないか，と考えている．」
　
（３）甲第３号証
ａ　第３頁右下欄第５行〜第８行
　「ＭＲＩ素子は電流源２４から導体Ｃ１ＡとＣ１Ｂ（第２図）を通して電流Ｉ１を受ける。ＭＲ２素子は電流源２６から導体Ｃ２ＡとＣ２Ｂを通して電流Ｉ２を受ける。」
　
ｂ　第３頁右下欄第１４行〜第１６行
　「更に絶縁物質１６が導体と素子の組立体と磁気シールド２０、２２から絶縁し、支承する。」
　
５　本願発明と証拠との対比
（１）請求項１について
　請求項１の特許発明と甲第１号証とを対比すると、
（一致点）
　「第１の非磁性金属層と、該第１の非磁性金属層上に形成された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上に形成された第２の非磁性金属層とを備えた磁気ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果膜が第１の磁性層と、第２の磁性層と、該第１の磁性層上と第２の磁性層との間に形成された絶縁材料からなる中間層とを有し、トラック幅方向における上記磁気抵抗効果膜を構成する磁性層の幅は、上記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層の幅より小さく、外部磁界が印加されると上記第１の磁性層の磁化方向は変化することを特徴とする磁気ヘッド」で一致し、
　
（相違点）
　請求項１の特許発明は、「前記中間層を通って前記第１の磁性層及び第２の磁性層間にトンネル電流が流れ」るのに対して、甲第１号証のものはトンネル電流については明示されていない点で相違している。
　
（相違点の検討）
　なるほど、甲第２号証には、強磁性トンネル接合について記載され、「そのような微小領域での磁場の変化を検出する素子として利用できるかもしれない．ＩＢＭのＳｌｏｎｃｚｅｗｓｋｉ１７）はバブル磁区の読み出しに利用できないか，と考えている．」との示唆もあるが、この原理を適用した素子を、甲第１号証記載の素子の構造とする動機付けは何ら示されていない。
　従って、甲第１号証と甲第２号証を結びつけることはできない。この相違点は甲第１号証及び甲第２号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
（２）請求項２〜５について
　請求項２〜５に係る特許発明は、請求項１を引用した従属形式の特許発明であり、請求項１が容易に発明できたものでない以上、請求項２〜５に係る特許発明は、甲第３号証を見ても容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
（３）請求項６〜９について
　請求項６に係る特許発明は、末尾を磁気抵抗効果素子とした以外は、請求項１と同様である。
　してみると、上記（１）、（２）で検討したように、甲第１号証と甲第２号証を結びつけることはできない。甲第１号証〜甲第３号証記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
６　まとめ
　本件特許については、異議申立理由を検討してもその理由及び証拠によって取り消すべきものとすることはできない。
　また、他に取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月２９日（２００２．１０．２９）