【事件の表示】
　特許第３１１７２４４号「ＥＥＰＲＯＭの制御装置」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１７２４４号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１１７２４４号の請求項１に係る発明は、平成３年８月９日に特許出願され、平成１２年１０月６日に特許権の設定登録がなされ、その後、森山茂靖より特許異議の申立てがなされ、平成１３年８月３１日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１１月１２日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　（ア）訂正事項ａ
　本件特許請求の範囲の請求項１に係る記載に
「【請求項１】
（Ａ）ページ単位でのデジタルデータの書き込みと、複数のページで構成されるブロック単位でのデジタルデータの消去とが可能なＥＥＰＲＯＭにおいて、
（Ｂ）前記ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域に、前記所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、前記ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す制御手段を具備してなることを特徴とするＥＥＰＲＯＭの制御装置。」
とあるのを
「【請求項１】
（Ａ）
パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、
（Ｂ）前記ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域に、前記所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、前記ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す制御手段を具備してなることを特徴とするＥＥＰＲＯＭの制御装置。」
と訂正する。
　（イ）訂正事項ｂ
　段落【００１８】に
「【課題を解決するための手段】
　この発明に係るＥＥＰＲＯＭの制御装置は、ページ単位でのデジタルデータの書き込みと、複数のページで構成されるブロック単位でのデジタルデータの消去とが可能なＥＥＰＲＯＭを対象としている。そして、ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域に、所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す制御手段を備えるようにしたものである。」
とあるのを
「【課題を解決するための手段】
　この発明に係るＥＥＰＲＯＭの制御装置は、
パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、
と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張変更の有無
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲に「パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、」を追加することにより、特許請求の範囲を減縮することを目的とするものである。しかも、「パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、」については、願書に添付した明細書の段落【００１４】【００３２】及び第２図、第４図に記載されているから、新規事項の追加に該当しない。また、「パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、」は、ブロック単位で書き込むデジタルデータを下位概念化するものであって、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るために明細書を訂正するものであり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）本件発明
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものと認める。
「パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、ページ単位でのデジタルデータの書き込みと、複数のページで構成されるブロック単位でのデジタルデータの消去とが可能なＥＥＰＲＯＭにおいて、前記ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域に、前記所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、前記ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す制御手段を具備してなることを特徴とするＥＥＰＲＯＭの制御装置。」
　
（２）先願に係る発明
　当審における合議の結果通知した取消理由で引用した、本件の出願の日前の他の出願であって、その出願後に公開された特願平２−２５７３７４号（特開平４−１３７０７７号公報参照）の願書に最初に添付した明細書には、図面と共に以下の事項が記載されている。
（ア）「
技術分野
背景技術
（イ）「また、特別の配慮が必要である面としては、ＥＥＰＲＯＭの消去方法に一括消去型（フラッシュタイプ）と、ブロック単位との消去の２種類のタイプがあり、ブロック単位の消去ができるものではＳＲＡＭと同様に用いることができるが、フラッシュタイプを用いる場合、ＳＲＡＭのようにバイト単位の書き替えが自由に行えないという問題があった。
目　的
発明の開示
（ウ）「この実施例におけるメモリカードは、第１図に示すように、データを記憶するためのメインメモリ部１０と、このメインメモリ部１０の書き込み制御、または読み出し制御を行うため制御部２０とから構成されている。
　メインメモリ部１０は、同一容量、同一規格の複数のＥＥＰＲＯＭ（電気的に消去・書込可能な不揮発性メモリ）チップ１，２…から構成されており、そのうちの少なくとも１つのＥＥＰＲＯＭチップはデータが何も書き込まれていない状態である予備メモリとなっている。この予備メモリのＥＥＰＲＯＭチップは、データを保持したＥＥＰＲＯＭにチップに上書きが生じた場合に使用される。詳しくは、上書きが生じたそのアドレスを除くメモリ内容がデータを保持したＥＥＰＲＯＭチップから予備メモリのチップにコピーされて、予備メモリがデータ保持用のメモリとされて、その空きアドレスにデータが書き込まれる。コピー元のメモリは消去されて予備メモリとなり、メインメモリ１０内に、常に１個以上の予備メモリが存在するようになっている。これらＥＥＰＲＯＭチップ１，２…は、それぞれ一括消去型（フラッシュタイプ）のＥＥＰＲＯＭであり、それぞれ消去信号が供給されると、記憶された内容がすべて“１”の状態となってデータが消去される。また、これらＥＥＰＲＯＭチップ１，２…は、１バイト単位にデータの書き込みまたは読み出しが行われるようになっている。」（第３頁右下欄第１０行目乃至第４頁左上欄第１６行目参照）
（エ）「この実施例において、アドレス発生部２４は、コネクタ２２を介して入力される書き込みまたは読み出しのためのアドレスを保持するためのレジスタと、そのアドレスを除くＥＥＰＲＯＭチップの残りのアドレスを発生するための機能を有している。詳しくは、このアドレス発生部２４は、書込アドレスを外部装置から入力したときに、そのＥＥＰＲＯＭチップの該当するアドレスに先のデータが記憶されている場合、システム制御部３２からアドレス発生部２４に、メインメモリ部１０内にてコピーを行う旨のコピー信号ＣＰが送出されて、このアドレス発生部２４は、そのコピー信号ＣＰを受けると、保持した書込アドレスを除く書き替えのためのアドレスを順次メインメモリ部１０に送出してデータ保持したメモリと予備メモリとの書き換えを行い、書き替えが終了した後に、保持しているアドレスをメインメモリ部１０に送出する機能を有している。すなわち、このアドレス発生部２４は、外部装置から供給されたアドレスをメインメモリ部１０へ送出する機能と、メインメモリ部１０内におけるコピーのためのアドレスを発生する機能を有している。
　データ制御部２６は、２つのバッファメモリを有している。このデータ制御部２６は、通常の書き込みの場合は、外部装置から入力したデータを第１のバッファメモリを介してメインメモリ部１０へ転送して、読み出しの場合は、メインメモリ部１０から読み出したデータを第２のバッファメモリを介して外部装置側に転送する。また、このデータ制御部２６は、ＥＥＰＲＯＭチップに上書きが生じた場合にシステム制御部３２からチップ間のコピーを行う旨のコピー信号が送出されることにより、第１のバッファメモリに外部装置から入力したデータを一時保持して、第２のバッファメモリにてＥＥＰＲＯＭ間のデータの移し換えのための作業を行い、移し換えが終了すると、第１のバッファメモリからメインメモリ部１０へ保持したデータを転送する。」（第４頁右上欄第１８行目乃至右下欄第１３行目参照）
（オ）「また、システム制御部３２は、外部装置からライト信号ＷＲが送出されたことを判断して（２１０）、その書込アドレスが対象ＥＥＰＲＯＭへの上書きであると判断すると（２２６）、まず、ＢＵＳＹ信号を外部装置に送出して（２４６）、次いでアドレス発生部２４とデータ制御部２６にコピー信号ＣＰを送出する（２４８）。これにより、アドレス発生部２４は、外部装置より入力したアドレスを保持して（２５０）、データ制御部２６は、外部装置から入力したデータをそのバッファメモリに保持する（２５２）。このとき、システム制御部３２は、データ制御部２６に保持されたデータの内容が“ＦＦ”すなわちオール“１”のデータか否かを判断して（２５４）、その内容が“ＦＦ”である場合は、メモリ管理テーブルのアドレスを“０”にセットする（２５６）。これにより、次にこの番地にデータを書き込む場合は、上書きではない状態で、データを書き込むことができる。また、データ制御部２６に保持されたデータが“ＦＦ”でなければ、メモリ管理テーブルは“１”のままの状態で、次の処理を行う。たとえば、第２図に示すように、対象メモリを（１）のＥＥＰＲＯＭチップとして、予備のメモリを（４）のＥＥＰＲＯＭチップとし、（１）のＥＥＰＲＯＭチップのＸ番地に上書きが生じている場合を考えると、システム制御部３２は、チップセレクト制御部２８に、（１）のＥＥＰＲＯＭチップに読み出し許可信号を送出する指示と、（４）のＥＥＰＲＯＭチップに書込許可信号を送出する指示とを選択信号ＳＳとして送出する。これにより、（１）のＥＥＰＲＯＭチップは、読み出し許可状態となって、（４）のＥＥＰＲＯＭチップは、書き込み許可状態となる。一方、アドレス発生部２４は、保持しているアドレスを除くコピーのためのアドレスを送出して、制御信号発生部３０は、読み出しのためのタイミング信号を（１）のＥＥＰＲＯＭに送出して、（４）のＥＥＰＲＯＭに書き込みのためのタイミング信号を送出する。これにより、（１）のＥＥＰＲＯＭからＸ番地のメモリ内容を除くデータが１バイト毎にデータ制御部に読み出されて、そのデータが（４）のＥＥＰＲＯＭに書き込まれていき、データのコピーが予備メモリに行われる（２５８）。コピーが終了すると、チップセレクタ制御部２８にてＥＥＰＲＯＭチップのナンバーを入れ換える等の処理により物理的アドレスの交換が行われる（２６０）。次いで、システム制御部３２は、制御信号発生部３０に（１）のＥＥＰＲＯＭチップの内容を消去するための消去指令ＯＳを送出する（２６２）。これにより、制御信号発生部３０は、消去するためのタイミング信号をメインメモリ１０へ送出して、コピー元のＥＥＰＲＯＭチップのメモリ内容を消去して、このチップが予備メモリとなる（２６４）。次いで、アドレス発生部２４は、保持したアドレス信号をチップセレクタ制御部２８およびメインメモリ部１０へ送出する。また、データ制御部２６は、保持していたデータをメインメモリ部１０へ送出する。さらに、制御信号発生部３０から書き込みのためのタイミング信号が送出されると、（４）のＥＥＰＲＯＭチップのＸ番地にデータが書き込まれる（２６６）。次いで、システム制御部３２は、外部装置へ送出しているＢＵＳＹ信号を解除して、外部装置からの次の命令待ち状態となる（２６８）。このように、この実施例においては、１バイト毎のデータの書き込みおよび読み出しが行われ、上記各動作を繰り返すことにより、所望の量のデータの記録および再生を行うことができる。
　なお、上記実施例においては、書き込みおよび読み出しさらにはメモリ管理を１バイト毎に行っていたが、ファイルのようなブロック型の情報の取り扱いがあらかじめわかっている場合は、それぞれの処理をブロック毎に行ってもよい。」（第６頁左上欄第５行目乃至右下欄第１２行目参照）
　
　上記記載から、本件の出願の日前の他の出願であって、その出願後に公開された特願平２−２５７３７４号（特開平４−１３７０７７号公報参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書等」という。）には、
　バイト単位でのデータの書き込みと、一括消去とが可能な複数個のＥＥＰＲＯＭを有し、電子スチルカメラの画像データを記録するメモリカードシステムにおいて、書込アドレスを外部装置から入力したときに、対象メモリであるＥＥＰＲＯＭのＸ番地に上書きが生じている場合、対象メモリであるＥＥＰＲＯＭからＸ番地のメモリ内容を除くデータを１バイト毎に予備メモリであるＥＥＰＲＯＭに順次コピーを行うとともに、前記Ｘ番地のメモリ内容を予備メモリであるＥＥＰＲＯＭのＸ番地に書き込むメモリカードシステムの発明（以下、「先願に係る発明」という。）が記載されているものと認める。
　
（３）本件発明と先願に係る発明の対比
　先願に係る発明の「バイト単位」も、請求項１に係る発明の「ページ単位」も、どちらも、ＥＥＰＲＯＭに書き込みを行う単位であって、１ページの大きさを１バイトとするか複数バイトとするかは当業者が適宜決定すべき設計事項にすぎないから、先願に係る発明の「バイト単位」は、本件発明の「ページ単位」に相当し、
　先願に係る発明の「一括消去が可能な複数個のＥＥＰＲＯＭ」は、それぞれのＥＥＰＲＯＭをブロック単位であると見ることができるので、本件発明の「ブロック単位でのデジタルデータの消去が可能なＥＥＰＲＯＭ」に相当し、
　先願に係る発明の「Ｘ番地に上書きが生じている場合」は、本件発明の「所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態」に相当し、
　先願に係る発明の予備メモリであるＥＥＰＲＯＭが空き記憶領域となっているのは自明であるから、先願に係る発明の「対象メモリであるＥＥＰＲＯＭからＸ番地のメモリ内容を除くデータを１バイト毎に予備メモリであるＥＥＰＲＯＭに順次コピーを行う」「前記Ｘ番地のメモリ内容を予備メモリであるＥＥＰＲＯＭのＸ番地に書き込む」は、それぞれ、本件発明の「前記ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す」「空き記憶領域に、前記所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込む」に相当するから、
　本件発明と先願に係る発明は、どちらも、
　ページ単位でのデジタルデータの書き込みと、複数のページで構成されるブロック単位でのデジタルデータの消去とが可能なＥＥＰＲＯＭにおいて、所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、空き記憶領域に、前記所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、前記ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す制御手段を具備してなることを特徴とするＥＥＰＲＯＭの制御装置である点で一致し、次の点で相違する。
　相違点：
（Ａ）本件発明は、パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとをブロック単位で書き込むのに対して、先願に係る発明は、画像データをどのようなフォーマットで書き込むのか不明である点。
（Ｂ）本件発明は、複数のページでブロック単位を構成し、ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索するのに対して、先願に係る発明は、書き込み対象メモリであるＥＥＰＲＯＭのＸ番地に上書きが生じている場合、予備メモリであるＥＥＰＲＯＭを空き記憶領域とする点。
　
（４）相違点の検討
　相違点（Ａ）について：
　電子スチルカメラの画像データを記憶するメモリカードにおいて、パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるパケットヘッダデータをブロック単位で書き込むのは、特開平１−２５８０９１号公報（第６図）、特開平２−２２２３８４号公報（第３図）、特開平２−２２２３８５号公報（第３図）等に記載されているように、先願の出願時点で当業者により広く知られている周知技術である。
　そして、本件発明の「ページ単位のパケットヘッダデータ」と「前記ブロックを構成する所定のページ」とは、共に大きさが「ページ」であっても相互の関連性が見出せず、前記周知技術を先願に係る発明に付加しても格別の作用効果は生じないから、上記相違点（Ａ）は実質的な差異ではない。
　相違点（Ｂ）について：
　先願に係る発明の書き込み対象メモリであるＥＥＰＲＯＭが複数の書き込み単位から構成されているのは自明であるし、書き込み単位は１バイトでも１ページでもよいから、１つのＥＥＰＲＯＭをブロック単位であると見れば、先願に係る発明も複数のページでブロック単位を構成していると言うことができ、先願に係る発明の「Ｘ番地」「ＥＥＰＲＯＭ」は、それぞれ、本件発明の「所定のページ」「そのページを含むブロック単位」に相当する。
　そして、本件の発明の詳細な説明の欄には、空き記憶領域の検索について特に説明があるわけではないので、空き記憶領域の検索を、空き記憶領域がどこであるかを調べるという意味に解する。
　一方、先願明細書等には、「詳しくは、上書きが生じたそのアドレスを除くメモリ内容がデータを保持したＥＥＰＲＯＭチップから予備メモリのチップにコピーされて、予備メモリがデータ保持用のメモリとされて、その空きアドレスにデータが書き込まれる。コピー元のメモリは消去されて予備メモリとなり、メインメモリ１０内に、常に１個以上の予備メモリが存在するようになっている。」「コピーが終了すると、チップセレクタ制御部２８にてＥＥＰＲＯＭチップのナンバーを入れ換える等の処理により物理的アドレスの交換が行われる（２６０）。」と記載されている。これらの記載事項及び技術常識を勘案すると、先願に係る発明は、コピーが終了する毎にデータ保持メモリと予備メモリのナンバーを交換するものであって、予備メモリの物理アドレスはその度変化するから、データ保持メモリから予備メモリにデータをコピーする前に、予備メモリの物理アドレスを調べる、すなわち、空き記憶領域がどこであるか調べるのは当然であるから、上記相違点（Ｂ）も実質的な差異ではない。
　よって、本件発明と先願に係る発明は、実質的に同一である。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、先願に係る発明と同一であり、しかも、本件発明の発明者が先願に係る発明の発明者と同一であるとも、また、本件の出願時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件発明についての特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものである。
　したがって、本件発明についての特許は、特許法第１１３条第２項に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月２２日（２００２．１．２２）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第３１１７２４４号明細書を以下のとおり訂正する。
（１）訂正事項ａ
　本件特許請求の範囲の請求項１に係る記載に
「【請求項１】
（Ａ）ページ単位でのデジタルデータの書き込みと、複数のページで構成されるブロック単位でのデジタルデータの消去とが可能なＥＥＰＲＯＭにおいて、
（Ｂ）前記ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域に、前記所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、前記ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す制御手段を具備してなることを特徴とするＥＥＰＲＯＭの制御装置。」
とあるのを
「【請求項１】
（Ａ）
パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロックで単位で書き込まれ、
（Ｂ）前記ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域に、前記所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、前記ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す制御手段を具備してなることを特徴とするＥＥＰＲＯＭの制御装置。」
と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　段落【００１８】に
「【課題を解決するための手段】
　この発明に係るＥＥＰＲＯＭの制御装置は、ページ単位でのデジタルデータの書き込みと、複数のページで構成されるブロック単位でのデジタルデータの消去とが可能なＥＥＰＲＯＭを対象としている。そして、ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域に、所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す制御手段を備えるようにしたものである。」
とあるのを
「【課題を解決するための手段】
　この発明に係るＥＥＰＲＯＭの制御装置は、
パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、
と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ＥＥＰＲＯＭの制御装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アンド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）の制御装置に係り、特に電子スチルカメラ装置のメモリカード等に使用して好適するものに関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　周知のように、撮影した被写体の光学像を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、この画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモリに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成することによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取り扱いができるようになされている。
　【０００３】
　ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用いたメモリカードは既に商品化されている。
　【０００４】
　ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカードは、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応することができるとともに、データの書き込みスピード及び読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリカード内に収容する必要があるため、電池収容スペースを設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題を持っている。
　【０００５】
　そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メモリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くすることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有することから、メモリカード用として使用するための開発が盛んに行なわれている。
　【０００６】
　ここで、図３は、ＳＲＡＭを用いたメモリカード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモリカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカードはバックアップ電池が必要でありコストも高いという問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックアップ電池が不要でコストも低くすることができるという利点を有している。
　【０００７】
　次に、比較項目３，４の書き込みスピード及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト（数百バイト）でなるページを指定することにより、ページ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考えられる。
　【０００８】
　そして、ランダムアクセスモードおいて、ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピードが共に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピート及び読み出しスピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯＭは、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデータを一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダムアクセスモードに比してデータの書き込みスピード及び読み出しスピードは速くなっている。
　【０００９】
　さらに、比較項目５のイレース（消去）モードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータを書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イレースしないと新たなデータを書き込むことができないため、データの書き込みを行なうに際して、このイレースモードが実行されるようになっている。そして、このイレースモードには、ＥＥＰＲＯＭの全ての記憶内容を一括して消去するチップイレースと、複数のページでなるブロック（数Ｋバイト）単位で記憶内容を消去するブロックイレースとがある。
　【００１０】
　また、比較項目６の書き込みベリファイも、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれているか否かをチェックする必要があり、これが書き込みベリファイである。
　【００１１】
　具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込みべきデータをバッファメモリに記録しておき、バッファメモリからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモリの内容と一致しているか否かを判別している。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしている。
　【００１２】
　以上の比較結果から明らかなように、ＥＥＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出しが可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が備えられている反面、ランダムアクセスモードにおけるデータの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅いとともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のようなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合もある。
　【００１３】
　そこで、メモリカードに使用する半導体メモリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライクに使用できるように細部に渡って種々の改良を施すことが、肝要なこととなっている。
　【００１４】
　この場合、特に問題となることは、ＥＥＰＲＯＭに対してデータの書き替えを行なう場合には、必ずイレースを行なう必要があるということと、ＥＥＰＲＯＭのデータ書き込みの最小単位が数百バイトのページであり、イレースの最小単位がページよりも大きい数Ｋバイトのブロック単位であるということである。すなわち、電子スチルカメラ装置のメモリカードに用いられるＥＥＰＲＯＭには、主としてデジタル画像（音声を含む）データが記録されることになるが、このようなデータは、パケットデータと称され、図４に示すように、ＥＥＰＲＯＭの記憶領域中にブロック単位で書き込まれる。
　【００１５】
　そして、各パケットデータには、そのパケットデータ特有の管理情報（日付けやタイトル等）である１ページのパケットヘッダデータが付加されるようになっている。このため、例えばパケットのタイトルを変えたい場合、パケットヘッダデータを一旦イレースして新たなデータに書き替えることになるが、イレースの最小単位がブロックであることから、パケットヘッダデータをイレースしようとすると、パケットヘッダデータだけでなく必要とするパケットデータまでもイレースされてしまうため、パケットヘッダデータのみの書き替えができないという問題が生じている。
　【００１６】
　【発明が解決しようとする課題】
　以上のように、ＥＥＰＲＯＭを内蔵した従来のメモリカードでは、イレースの最小単位がブロックであることから、ブロックよりも小さいページ単位でのデータの書き替えを行なうことができないという問題を有している。
　【００１７】
　そこで、この発明は上記事情を考慮してなされたもので、ブロック単位のイレースしかできなくても、ＥＥＰＲＯＭの記憶内容をページ単位で書き替えることができるようにした極めて良好なＥＥＰＲＯＭの制御装置を提供することを目的とする。
　【００１８】
　【課題を解決するための手段】
　この発明に係るＥＥＰＲＯＭの制御装置は、
パケットデータとこのパケットデータの管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブロック単位で書き込まれ、
　【００１９】
　【作用】
　上記のような構成によれば、ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域に、所定のページに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移すようにしたので、ＥＥＰＲＯＭがブロック単位のイレースしかできなくても、ページ単位でデジタルデータを書き替えることが可能となる。また、検索した空き記憶領域に、新たなデジタルデータをページ単位で書き込むとともに、ブロック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移すようにしたので、例えば、新たなデジタルデータや元のブロックから読み出した書き替えないデジタルデータを、一旦バッファメモリに記憶させてから読み出して空き記憶領域に書き込むような構成をとった場合でも、バッファメモリとしては、ブロックの大きさに拘わらず、ページ単位のデジタルデータを記憶できる小容量のもので良いという利点を有する。
　【００２０】
　【実施例】
　以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説明する。図１において、１１はメモリカード本体で、その一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しない電子スチルカメラ本体に接続されるようになされている。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側から、メモリカード本体１１に書き込むべきデジタルデータＤＡと、その書き込み場所を示すアドレスデータＡＤとが供給される。これらデジタルデータＤＡ及びアドレスデータＡＤは、バスラインＤ０〜Ｄ７を介してデータ入出力制御回路１３に供給されている。
　【００２１】
　また、電子スチルカメラ本体からは、コネクタ１２に対して、メモリカード本体１１を選択したときＨ（ハイ）レベルとなるカードイネーブル信号ＣＥと、バスラインＤ０〜Ｄ７に供給されたデータがアドレスデータＡＤのときＬ（ロー）レベルとなりデジタルデータＤＡのときＨレベルとなるアドレス／データ切替信号Ａ／Ｄと、後述するＥＥＰＲＯＭに対するデータ書き込み要求のときＬレベルとなりデータ読み出し要求のときＨレベルとなるリード／ライト切替信号Ｒ／Ｗと、アドレスデータＡＤに同期したバスクロックＢＣＫとが、供給されるようになっている。
　【００２２】
　これらカードイネーブル信号ＣＥ，アドレス／データ切替信号Ａ／Ｄ，リード／ライト切替信号Ｒ／Ｗ及びバスクロックＢＣＫも、データ入出力制御回路１３に供給されている。また、電子スチルカメラ本体からは、コネクタ１２を介してＥＥＰＲＯＭに対するデータのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路１３に供給されるようになっている。また、このデータ入出力制御回路１３からは、電子スチルカメラ本体からのデジタルデータＤＡの入力許可時にＨレベルとなり、入力拒否時にＬレベルとなるレディ／ビジィ切替信号ＲＤＹ／ＢＳＹが発生されるようになっている。
　【００２３】
　ここで、概略的な動作について説明すると、上記コネクタ１２に供給されたデジタルデータＤＡは、データ入出力制御回路１３の制御により、一旦バッファメモリ１４に取り込まれ記録される。このときのバッファメモリ１４のデジタルデータＤＡの取り込みタイミングは、アドレス発生回路１５から出力されるアドレスデータによってコントロールされる。また、このアドレス発生回路１５は、セレクタ１６によって選択されたクロックＣＫをカウントして、バッファメモリ１４へのアドレスデータを生成している。このセレクタ１６には、上記バスクロックＢＣＫとデータ入出力制御回路１３から出力されるクロックＹＣＫとが供給されるようになっている。
　【００２４】
　そして、バッファメモリ１４のデジタルデータＤＡの取り込み時には、セレクタ１６が、データ入出力制御回路１３から出力されるセレクト信号ＳＥＬによってバスクロックＢＣＫを選択し、クロックＣＫとしてアドレス発生回路１５に導出している。このため、電子スチルカメラ本体からコネクタ１２に送出されたデジタルデータＤＡは、バスクロックＢＣＫに基づいて生成されるアドレスデータにしたがって、バッファメモリ１４に書き込まれることになる。
　【００２５】
　その後、データ入出力制御回路１３は、バッファメモリ１４に対するデジタルデータＤＡの書き込みが終了すると、セレクト信号ＳＥＬを制御して、自己の生成するクロックＹＣＫが、アドレス発生回路１５に導出されるようにセレクタ１６を切り替える。このため、クロックＹＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で生成されるアドレスデータによって、バッファメモリ１４からデジタルデータＤＡが読み出される。
　【００２６】
　このとき、データ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対してチップイネーブル信号ＣＥＮ及びライトイネーブル信号ＷＥを出力するとともに、アドレスデータＡＤを出力し、バッファメモリ１４から読み出されたデジタルデータＤＡを、ＥＥＰＲＯＭ１７にページ単位で書き込むように制御する。そして、ＥＥＰＲＯＭ１７にデジタルデータＤＡが書き込まれた状態で、データ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対して、アウトイネーブルデータＯＥ及び先にデータの書き込みを指定したアドレスデータＡＤを出力して、ＥＥＰＲＯＭ１７から書き込んだデジタルデータＤＡを読み出させ、バッファメモリ１４に記録されたデジタルデータＤＡと一致しているか否かを判別する、書き込みベリファイを実行する。
　【００２７】
　そして、ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出したデジタルデータＤＡと、バッファメモリ１４に記録されたデジタルデータＤＡとが一致していないと、データ入出力制御回路１３は、再度、バッファメモリ１４からＥＥＰＲＯＭ１７にデジタルデータＤＡを転送して書き込みを行ない、この動作が、ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出したデジタルデータＤＡと、バッファメモリ１４に記録されたデジタルデータＤＡとが完全に一致するまで繰り返され、ここにデジタルデータＤＡのＥＥＰＲＯＭ１７への書き込みが行なわれる。
　【００２８】
　また、電子スチルカメラ本体からＥＥＰＲＯＭ１７に記録されたデータをイレースする命令が発生されると、データ入出力制御回路１３は、その消去命令に基づいて消去回路１８を駆動する。この消去回路１８は、データ入出力制御回路１３の制御に基づいて、ＥＥＰＲＯＭ１７のアドレスライン及びデータラインに消去用の信号を出力することにより、ＥＥＰＲＯＭ１７を電気的にチップイレースまたはブロックイレースする。
　【００２９】
　次に、ＥＥＰＲＯＭ１７から、デジタルデータＤＡをメモリカード本体１１の外部に読み出す動作について説明する。まず、電子スチルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出し要求と読み出すべきデータの記録されたアドレスが指定される。すると、データ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対してチップイネーブル信号ＣＥＮ，アウトイネーブルデータＯＥ及びアドレスデータＡＤを出力し、ＥＥＰＲＯＭ１７からページ単位でデジタルデータＤＡを読み出すとともに、自己の生成するクロックＹＣＫがアドレス発生回路１５に導出されるようにセレクタ１６を切り替え、バッファメモリ１３に書き込ませる。
　【００３０】
　その後、データ入出力制御回路１３は、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体側から供給されるバスクロックＢＣＫが、アドレス発生回路１５に導出されるようにセレクタ１６を切り替え、バスクロックＢＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で発生されるアドレスデータで、バッファメモリ１４からデータを読み出し、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体に導出させ、ここにデジタルデータＤＡの読み出しが行なわれる。
　【００３１】
　したがって、上記のような構成によれば、電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間におけるデータ転送は、必ずバッファメモリ１４を介して行なわれるので、データの書き込みスピード及び読み出しスピードも向上し、ＳＲＡＭカードライクに使用することができるようになる。また、ＥＥＰＲＯＭ１７に特有の書き込みベリファイも、メモリカード本体１１の内部に設けられたバッファメモリ１４を用いて行なうようにしているので、メモリカード本体１１の取り扱いとしては、全くＳＡＲＭカードライクに使用することができる。
　【００３２】
　ここで、図２に示すように、ＥＥＰＲＯＭ１７は、複数（図示の場合は２つ）のチップ１７ａ，１７ｂから構成されており、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂにパケットヘッダデータ書替用記憶領域が設定されている。そして、今、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ａの所定のパケットに対してそのパケットヘッダデータの書き替えが要求されると、まず、データ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂのパケットヘッダデータ書替用記憶領域中から、１ブロック分の空き領域を検索する。
　【００３３】
　そして、データ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂの検索した空き領域に、電子スチルカメラ本体から出力される新たなパケットヘッダデータをページ単位で書き込み、この新パケットヘッダデータの書き込み終了後、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ａのパケットデータをＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂに先に書き込んだ新パケットヘッダデータに続けてページ単位で書き移すように動作する。その後、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ａの書き移されたパケットデータは、データ入出力制御回路１３の制御によってブロックイレースされ、新たなパケットヘッダデータ書替用記憶領域として保存される。
　【００３４】
　したがって、上記実施例のような構成によれば、パケットヘッダデータの書き替えが要求された状態で、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂのパケットヘッダデータ書替用記憶領域中から１ブロック分の空き領域を検索し、この空き領域に新たなパケットヘッダデータをページ単位で書き込んだ後、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ａのパケットデータをＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂに先に書き込んだ新パケットヘッダデータに続けてページ単位で書き移すようにしたので、ＥＥＰＲＯＭ１７がブロック単位のイレースしかできなくても、ページ単位のパケットヘッダデータを書き替えるとが可能となる。なお、この発明は上記実施例に限定されるものではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
　【００３５】
　【発明の効果】
　以上詳述したようにこの発明によれば、ブロック単位のイレースしかできなくても、ＥＥＰＲＯＭの記憶内容をページ単位で書き替えることができるようにした極めて良好なＥＥＰＲＯＭの制御装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明に係るＥＥＰＲＯＭの制御装置の一実施例を示すブロック構成図。
　【図２】
　同実施例の動作を説明するために示す図。
　【図３】
　ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとの長短を比較して示す図。
　【図４】
　ＥＥＰＲＯＭ上における記録フォーマットを説明するために示す図。
　【符号の説明】
　１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…データ入出力制御回路、１４…バッファメモリ、１５…アドレス発生回路、１６…セレクタ、１７…ＥＥＰＲＯＭ、１８…消去回路。