(57)【要約】  接合時の部材が異なる熱膨張率で熱膨張することによるＬＤアレイの反り量を抑制するとともに、サブマウントの厚さ増大による熱抵抗の増加を抑制したレーザダイオード素子を得る。複数の発光点１１を有するレーザダイオードアレイ１と、レーザダイオードアレイ１を搭載するためのマウント面２１を有するサブマウント２とを備えたレーザダイオード素子において、レーザダイオードアレイ１が搭載されていないマウント面２１の同一面内の端部に凸部２２を設け、接合時の熱膨張に起因するレーザダイオード１の反り量を低減する。
2010131498.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光部を有するレーザダイオードアレイと、
前記レーザダイオードアレイを搭載するためのマウント面を有するサブマウントと
を備えたレーザダイオード素子において、
前記マウント面の端部の前記レーザダイオードアレイが搭載されていない部分に凸部を設けたことを特徴とするレーザダイオード素子。
【請求項２】
前記複数の発光部の配列方向に沿った前記凸部の長さは、前記配列方向に垂直な方向の前記凸部の幅よりも長く設定されたことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオード素子。
【請求項３】
前記サブマウントのマウント面は、平板状部材により構成され、
前記凸部は、前記平板状部材の上に前記平板状部材よりもヤング率の高い別の部材を接合することにより構成されたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のレーザダイオード素子。
【請求項４】
前記マウント面の直下に接合される第２の部材を備え、
前記凸部を構成する別の部材の熱膨張率は、前記マウント面を構成する材料の熱膨張率よりも大きい値に設定され、
前記第２の部材の熱膨張率は、前記マウント面を構成する材料の熱膨張率よりも大きい値に設定されたことを特徴とする請求項３に記載のレーザダイオード素子。
【請求項５】
前記マウント面の直下に接合される第２の部材を備え、
前記凸部を構成する別の部材の熱膨張率は、前記マウント面を構成する材料の熱膨張率よりも小さい値に設定され、
前記第２の部材の熱膨張率は、前記マウント面を構成する材料の熱膨張率よりも小さい値に設定されたことを特徴とする請求項３に記載のレーザダイオード素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、応力緩衝材（サブマウント）を備えたレーザダイオード素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザダイオード（ＬＤ）素子においては、複数の発光部を有するレーザダイオードアレイ（ＬＤアレイ）の反り量を低減することが要求されている。したがって、ＬＤアレイ（ＬＤバーとも称される）の反りの原因の１つとなっているサブマウントの熱変形を低減するために、複数の素材を上下に接合したサブマウントが使用されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３４４７４３号公報（段落［００１３］〜［００３４］、図１〜図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のサブマウントを備えたレーザダイオード素子（半導体レーザ素子）においては、複数素材の接合によってサブマウントを作成しているので、サブマウントの価格が高価になるという課題があった。
また、レーザダイオードアレイの下部に複合材からなるサブマウントが設けられているので、サブマウントの厚さの増大によって熱抵抗が増加し、ＬＤ素子の温度上昇による寿命性能の劣化やレーザ出力の低下などを招くという課題があった。
さらに、サブマウントを構成する互いに熱膨張率が異なる接合部材が熱膨張することにより、ＬＤアレイに反りが生じるという課題があった。【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、ＬＤアレイが接合されていないサブマウントの端部に凸部を設けることにより、サブマウントでの熱抵抗の増加を抑制するとともに、接合時の熱膨張に起因したＬＤアレイの反り量を低減して、全体の変形を抑制したレーザダイオード素子を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係るレーザダイオード素子は、複数の発光部を有するレーザダイオードアレイと、レーザダイオードアレイを搭載するためのマウント面を有するサブマウントとを備えたレーザダイオード素子において、マウント面と同一面内の端部のレーザダイオードアレイが搭載されていない部分に凸部を設けたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、サブマウントおよびＬＤアレイの反り量を低減することができ、発光点分布の設計値からのずれ量を低減することができる。また、サブマウントの厚さ増大にともなう熱抵抗の増加を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施例１に係るレーザダイオード素子（半導体レーザ素子）の接合前および接合後の各状態を示す斜視図である。（実施例１）
【図２】この発明の実施例１に係るレーザダイオード素子を示す分解側面図である。（実施例１）
【図３】この発明の実施例１に係るレーザダイオード素子の接合状態を熱の流れとともに示す側面図である。（実施例１）
【図４】この発明の実施例１によるサブマウントの凸部の第１の変形例を示す斜視図および平面図である。（実施例１）
【図５】この発明の実施例１によるサブマウントの凸部の第２の変形例を示す斜視図および平面図である。（実施例１）
【図６】この発明の実施例１に係るによるサブマウントの凸部の第３の変形例を示す斜視図および平面図である。（実施例１）
【図７】この発明の実施例１によるサブマウントの凸部の第４の変形例を示す斜視図および平面図である。（実施例１）
【図８】この発明の実施例１によるサブマウントの凸部の第５の変形例を示す斜視図および平面図である。（実施例１）
【図９】この発明の実施例１による反り量計算に使用したレーザダイオード素子の各部の実寸度を示す分解斜視図である。（実施例１）
【図１０】図９の構成において上下の温度勾配を仮定した場合の凸部の幅と歪（反り量）の大きさとの関係（計算例）を示す説明図である。（実施例１）
【図１１】図９の構成において上下の温度勾配を仮定した場合の凸部の高さと歪（反り量）の大きさとの関係（計算例）を示す説明図である。（実施例１）
【図１２】この発明の実施例１に係るレーザダイオード素子を半田接合により組み立てる際の状態を示す側面図である。（実施例１）
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（実施例１）
図１はこの発明の実施例１に係るレーザダイオード素子（半導体レーザ素子）を示す斜視図であり、レーザダイオード素子の要部（ＬＤアレイおよびサブマウント）の接合前および接合後の状態を示している。
また、図２は図１のレーザダイオード素子を示す分解側面図であり、図３は図２のレーザダイオード素子の接合後の状態を熱の流れ（破線矢印）とともに示す側面図である。
【００１０】
図１〜図３において、レーザダイオードアレイ（ＬＤアレイ）１は、たとえば、ＧａＡｓ基板上に、ＡｌＧａＡｓ（または、ＩｎＧａＡｓＰなど）の化合物を、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ分子線エピタキシー法）やＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：有機金属気相成長法）などの手段によって、積層または成長させることにより製作されている。
【００１１】
ＬＤアレイ１は、典型的には、幅（長手方向）が１０ｍｍ、奥行（共振器長さ）が１ｍｍ〜３ｍｍ、厚さが１００μｍ〜２００μｍの平板形状を有しており、長手方向に沿った端面には、複数（数１０個）の発光点（発光部）１１が並んで形成されている。
また、ＬＤアレイ１の基板としてＧａＡｓを使用した場合、ＬＤアレイ１の熱膨張率は、約６．５ラ１０-6（Ｋ-1）である。
【００１２】
サブマウント（応力緩衝材）２は、ＬＤアレイ１とヒートシンク４（図２参照）との間の熱膨張率差を緩和するために設置されており、ＬＤアレイ１を搭載するためのマウント面２１と、端部の形成された凸部２２とを備えている。
【００１３】
サブマウント（応力緩衝材）２の材料としては、たとえば、ＣｕＷ（熱膨張率が約６．５ラ１０-6（Ｋ-1））、ＡｌＮ（熱膨張率が約４．６ラ１０-6（Ｋ-1））などが用いられる。
また、ヒートシンク４の材料としては、たとえば、銅（熱膨張率が、約１７ラ１０-6（Ｋ-1））が用いられる。
【００１４】
ＬＤアレイ１が接合されるマウント面２１には、Ａｕ−Ｓｎなどの半田材（図示せず）が塗布されている。この半田材の厚さは、典型的には１０μｍ以下である。
また、サブマウント２とヒートシンク４との間は、ペレット形状の半田材３を介して接合される。
【００１５】
図１〜図３のように配置されかつ形成されたＬＤアレイ１、サブマウント２およびヒートシンク４は、ＬＤアレイ１とサブマウント２との間の半田材（Ａｕ−Ｓｎ半田材の場合、約２８０℃以上）、および、サブマウント２とヒートシンク４との間の半田材３（後述する）の各融点を越える温度に昇温して、上下から押し付けて接合される。
【００１６】
このとき、サブマウント２は、ＬＤアレイ１が接合されるマウント面２１の側において、マウント面２１と同一面内のＬＤアレイ１が接合されない部分の端部に、ＬＤアレイ１の長手方向（発光点１１の配列方向）に沿って、凸部２２が設けられている。
【００１７】
これにより、凸部２２の厚さによってサブマウント２の長手方向の剛性が増し、反りの発生が軽減され、上下の温度差によるサブマウント２の反りや、接合時の加熱時から接合後の冷却時までの膨張率差によって発生するＬＤアレイ１の反りを抑制する効果がある。
【００１８】
また、図３においては、ＬＤ素子の発振時の光出力方向（太線矢印）と熱の流れ（破線矢印）とが示されており、ＬＤ素子の動作時に、ヒートシンク４が十分に機能することが分かる。
【００１９】
なお、図２および図３においては、サブマウント２とヒートシンク４との間にペレット形状の半田材３を介在させて接合したが、接合前にあらかじめサブマウント２の下面に半田材３を塗布しておいてもよい。
【００２０】
半田材３としては、Ｉｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＰｂＳｎなど、種々の材料が使用されるが、接合順序を考慮した場合、ＬＤアレイ１およびサブマウント２を一体化してヒートシンク４に接合するために、ＬＤアレイ１とサブマウント２との接合に用いた半田材（Ａｕ−Ｓｎ）よりも融点の低い材料を使用することが望ましい。
【００２１】
図２に示すように、ＬＤアレイ１と接合されたサブマウント２は一体化されて、ヒートシンク４に半田材３を介して接合される。
サブマウント２およびＬＤアレイ１のヒートシンク４への接合に際して、ヒートシンク４、サブマウント２およびＬＤアレイ１は、接合に用いられる半田材３の融点よりも高い温度まで昇温されるので、熱膨張し、接合後、両者が固定された状態で冷却されて収縮する。
【００２２】
このとき、ヒートシンク４と、サブマウント２および半田材３との熱膨張率差によって反りが生じようとするが、この接合プロセス時に、サブマウント２の上面には長手方向に凸部２２が設けられているので、サブマウント２に反りが発生しにくく、結果として、ＬＤアレイ１の反り量を低減する効果がある。
【００２３】
また、図３に示すように、ＬＤアレイ１からレーザ光を出射する際には、ＬＤアレイ１から発生した熱（破線矢印）が、サブマウント２に接合された面からヒートシンク４へと伝播していく。
【００２４】
このとき、サブマウント２は、ＬＤアレイ１が接合されたマウント面２１の部分の厚さが薄く、ＬＤアレイ１が接合されていない凸部２２の部分が厚く設定されているので、凸部２２が形成されていても、ＬＤアレイ１からヒートシンク４への熱の伝播に支障を及ぼすことはなく、凸部２２を有していない（全体が薄いサブマウント）と同等の廃熱性能を有する。
【００２５】
したがって、この発明の実施例１による図１〜図３の構成は、特に反りが発生し易い状況、たとえば、ＬＤアレイ１の幅が５ｍｍ以上であって、ＬＤアレイ１が接合されたマウント面２１でのサブマウント２の厚さが３００μｍ以下の場合に、顕著な効果を奏する。
【００２６】
また、サブマウント２の凸部２２は、マウント面２１（平板状部材）の端部に沿って四角柱が接合されたような形状（図１〜図３参照）に限定されることはなく、たとえば図４〜図８に示すように、任意の形状および任意の配置を適用してもよい。
図４〜図８はこの発明の実施例１によるサブマウント２の第１〜第５の変形例を示す斜視図および平面図である。
【００２７】
図４はサブマウント２の第１の変形例を示しており、凸部２２の上部が曲面形状を有する場合を示している。
図５はサブマウント２の第２の変形例を示しており、凸部２２の延長方向に沿って中心部に溝が形成された場合を示している。この場合、ＬＤアレイ１の長軸方向の耐変形強度が増大し、歪の軽減効果を向上させることができる。
【００２８】
図６はサブマウント２の第３の変形例を示しており、凸部２２が、サブマウント２の端部の長手方向に対して平行ではなく、斜めに配置された場合を示している。この場合、ＬＤアレイ１の長軸方向の歪のみならず、短軸方向の歪をも低減することができる。
【００２９】
図７はサブマウント２の第４の変形例を示しており、凸部２２が、２個に平行分割されて、中央部において一部が対向配置された場合を示している。この場合も、ＬＤアレイ１の長軸方向の歪のみならず、短軸方向の歪をも低減することができる。
【００３０】
図８はサブマウント２の第５の変形例を示しており、凸部２２がコの字状に形成され、ＬＤアレイ１の接合部を除くサブマウント２の３方向に設置された場合を示している。
図８のように、サブマウント２のＬＤアレイ１との接合部のみを切削し、凸部２２で包囲する形状に構成することにより、ＬＤアレイ１の長軸方向の反り量のみならず、短軸方向の反り量をも確実に低減することができる。
【００３１】
次に、図９〜図１１を参照しながら、この発明の実施例１に係るレーザダイオード素子の反り量軽減効果について、さらに具体的に説明する。
図９〜図１１は、具体的なＬＤ素子１を適用したレーザダイオード素子に対して、実際に熱計算および構造計算した場合の結果を示している。
【００３２】
図９は反り量計算に使用したレーザダイオード素子の各部の実寸度を示す分解斜視図であり、熱計算および構造計算を行う場合の具体的構成を示している。
図１０は図９の構成において上下の温度勾配を仮定した場合の凸部２２の幅ｗ［μｍ］と歪（反り量）の大きさ（通常サブマウント比）との関係（計算例）を示す説明図であり、図１１は図９の構成において上下の温度勾配を仮定した場合の凸部２２の高さｈ［μｍ］と歪の大きさとの関係（計算例）を示す説明図である。
【００３３】
図９において、ＬＤアレイ１の形状は、厚さが１００μｍ、幅が１０ｍｍ、奥行きが１ｍｍに設定されている。
サブマウント２は、凸部２２が形成されないマウント面２１では、厚さが３２０μｍ、長手方向の長さが１１ｍｍ、奥行き（幅）が２．５ｍｍに設定されている。
【００３４】
また、凸部２２は、長手方向の長さが１１ｍｍ、奥行き（幅）がｗ（μｍ）、高さ（厚さ）がｈ（μｍ）に設定されるものとする。
なお、ＬＤアレイ１とサブマウント２との間は、前述のように、半田部（ＡｕＳｎ）により接合されているものとする。
【００３５】
図１０および図１１の各計算結果は、図９の構成において、ＬＤアレイ１の上面温度が２５０℃、サブマウント２の下面温度が３００℃と仮定して、ＬＤアレイ１に垂直方向の歪の大きさ（ＬＤアレイ１の反り量の大きさ）を示している。
【００３６】
図１０、図１１から明らかなように、凸部２２を設けない場合（ｗ＝０、ｈ＝０）よりも、凸部２２を設けた場合の方が、ＬＤアレイ１の反り量は小さくなることが分かる。
すなわち、図１０においては、凸部２２の幅ｗを大きい値に設定するほど歪が小さくなり、図１１においては、凸部２２の高さｈを大きい値に設定するほど歪が小さくなることが分かる。
以上から、この発明の実施例１による効果を確認することができる。
【００３７】
なお、凸部２２に対して、ヤング率が比較的高い（歪が生じにくい）材料（図示せず）を追加接合することにより、反り量をさらに抑制可能な構成としてもよい。
この場合、凸部２２への材料の追加接合に際しては、ＬＤアレイ１やヒートシンク４への接合に使用された半田材３よりも融点の高いロウ材などを使用すればよい。
これにより、サブマウント２にＬＤアレイ１を接合する際に、接合材料の剥がれなどの問題が生じることはない。
【００３８】
または、凸部２２への材料の追加接合において、拡散接合を用いてもよい。
また、凸部２２への追加材料の接合後に、サブマウント２の切断や研磨などの整形を行い、形状精度の高いサブマウント２を製作してもよい。
【００３９】
また、ヒートシンク４を構成する材料の熱膨張率が、サブマウント２のマウント面２１（平板部）を構成する材料の熱膨張率よりも大きい場合には、熱膨張した状態で接合された後の冷却時において、ヒートシンク４がサブマウント２よりも大きく収縮するので、サブマウント２は、中心部が上方向にシフトするように反ることになる。
したがって、この反り量を相殺して低減するために、サブマウント２の凸部２２の上面に、サブマウント２の材料よりも熱膨張率の大きい部材を接合してもよい。
【００４０】
一方、ヒートシンク４の材料の方が、サブマウント２のマウント面２１（平板部）の材料よりも熱膨張率が小さい場合には、逆に、ヒートシンク４の縮み量がサブマウント２よりも小さくなるので、サブマウント２は、両端部が高くなるように反ることになる。
したがって、この反り量を相殺して低減するために、サブマウント２の凸部２２の上面に、サブマウント２の材料よりも熱膨張率が小さい材料を接合してもよい。
【００４１】
また、接合時の温度勾配によって、サブマウント２の下部側の方が上部側よりも温度が高い場合など、下部の方が上部よりも熱膨張量が大きくなる場合が発生し得るが、この場合、凸部２２を、熱膨張率の比較的小さい部材で構成することにより、反り量を低減することができる。
【００４２】
次に、図１２を参照しながら、この発明の実施例１に係るレーザダイオード素子の組立工程での効果について説明する。
図１２はレーザダイオード素子を半田接合により組み立てる際の状態を示す側面図である。
図１２においては、ステージ５に載置されたサブマウント２のマウント面２１に対し、コレット６に把持されたＬＤアレイ１が接合される状態が示されている。
【００４３】
ＬＤアレイ１をサブマウント２に接合する場合には、図１２のように、サブマウント２をステージ５上に配置固定し、ＬＤアレイ１をコレット６の下面に把持して、サブマウント２のマウント面２１に対してＬＤアレイ１を位置決めしてから、半田材（図示せず）が塗布されたマウント面２１にＬＤアレイ１を押し付けつつ、ステージ５とコレット６との両側から加熱して半田付けが行われる。
【００４４】
このとき、コレット６は、上下方向および水平方向に移動機構（図示せず）が設けられているので、小型であってステージ５に比べて熱容量が小さい。
また、コレット６は、ステージ５側に比べて小型であり、高出力で大型のヒータを搭載しにくいことから、温度コントロールの主体は、熱容量が大きく大型で高出力ヒータを搭載可能なステージ５側になる場合が多いので、ステージ５側とコレット６側との間に温度差が生じる場合がある。
【００４５】
しかし、上記のように、コレット６とステージ５との間に温度差がある場合でも、サブマウント２の凸部２２は、ＬＤアレイ１との接合面（ＬＤアレイ１を通じてコレット６に接している）であるマウント面２１と比べて、上方向への熱の流れが小さいので、ＬＤアレイ１を接合したマウント面２１よりも上下の温度差が小さく、熱膨張量の差による歪を軽減することができる。
【００４６】
以上のように、この発明の実施例１（図１〜図１２）によれば、複数の発光点（発光部）１１を有するＬＤアレイ（レーザダイオードアレイ）１と、ＬＤアレイ１を搭載するためのマウント面２１を有するサブマウント２とを備えたレーザダイオード素子において、マウント面２１の端部のＬＤアレイ１が搭載されていない部分に凸部２２を設けたので、サブマウント２およびＬＤアレイ１の反り量を低減することができ、発光点１１の分布の設計値からのずれ量を小さくすることができる。
また、同時に、サブマウント２の厚さを増加させた場合に生じる熱抵抗の増加を回避することができる。
【００４７】
また、この発明の実施例１（図９、図１０）によれば、複数の発光点１１の配列方向（長手方向）に沿った凸部２２の長さ（１１ｍｍ）は、配列方向に垂直な方向の凸部２２の幅ｗ（０．３〜１．０ｍｍ）よりも長く設定されているので、サブマウント２およびＬＤアレイ１の、発光点１１の分布に影響の大きい方向（配列方向）の反り量を低減することができる。
これにより、発光点１１の分布の設計値からのずれ量を小さくすることでき、同時に熱抵抗の上昇を抑制することができる。
【００４８】
また、この発明の実施例１によれば、サブマウント２のマウント面２１は、平板状部材により構成され、凸部２２は、平板状部材２１の上に平板状部材よりもヤング率の高い別の部材を接合することにより構成されているので、反り量を抑制する効果がより大きくなる。
【００４９】
また、マウント面２１の真下に第２の部材を接合する場合において、凸部２２を構成する別の部材の熱膨張率は、マウント面２１（平板状部材）を構成する材料の熱膨張率よりも大きい値に設定され、サブマウント２の直下に接合される第２の部材の熱膨張率は、マウント面２１（平板状部材）の熱膨張率よりも大きい値に設定されている。
【００５０】
このように、サブマウント２の直下に接合する第２の部材の熱膨張率がサブマウント２の材料の熱膨張率よりも大きい場合には、接合後の冷却時に、サブマウント２の直下に接合する第２の部材の方がサブマウント２よりも大きく収縮して、サブマウント２の中心部が上方向にシフトするように反ることになるが、サブマウント２の上部に、凸部２２として、サブマウント２よりも熱膨張率の大きい別の部材を接合することにより、マウント面２１での反り量を相殺して低減することができる。
【００５１】
また、マウント面２１の真下に第２の部材を接合する場合において、凸部２２を構成する別の部材の熱膨張率は、マウント面２１（平板状部材）を構成する材料の熱膨張率よりも小さい値に設定され、サブマウント２の直下に接合される第２の部材の熱膨張率は、マウント面２１（平板状部材）の熱膨張率よりも小さい値に設定されている。
【００５２】
このように、サブマウント２の直下に接合する第２の部材の熱膨張率がサブマウント２の材料の熱膨張率よりも小さい場合には、接合後の冷却時に、上述とは逆に、サブマウント２の直下に接合する第２の部材よりもサブマウント２の方が大きく収縮して、サブマウント２の中心部が下方向にシフト（サブマウント２の両端部が上方向にシフト）するように反ることになるが、サブマウント２の上部に、凸部２２として、サブマウント２よりも熱膨張率の小さい別の部材を接合することにより、マウント面２１での反り量を相殺して低減することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１  ＬＤアレイ（レーザダイオードアレイ）、２  サブマウント、３  半田材、４  ヒートシンク、５  ステージ、６  コレット、２１  マウント面、２２  凸部。
【図１】
2010131498.tif 000003
【図２】
2010131498.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2010131498.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010131498.tif 000009
【図８】
2010131498.tif 000010
【図９】
2010131498.tif 000011
【図１０】
2010131498.tif 000012
【図１１】
2010131498.tif 000013
【図１２】
2010131498.tif 000014
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月27日(2011.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係るレーザダイオード素子は、複数の発光部を有するレーザダイオードアレイと、レーザダイオードアレイを搭載するためのマウント面を有するサブマウントとを備えたレーザダイオード素子において、マウント面と同一面内の端部のレーザダイオードアレイが搭載されていない部分に凸部を設け、複数の発光部の配列方向に沿った凸部の長さは、配列方向に垂直な方向の凸部の幅よりも長く設定されたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光部を有するレーザダイオードアレイと、
前記レーザダイオードアレイを搭載するためのマウント面を有するサブマウントと
を備えたレーザダイオード素子において、
前記マウント面の端部の前記レーザダイオードアレイが搭載されていない部分に凸部を設け、
前記複数の発光部の配列方向に沿った前記凸部の長さは、前記配列方向に垂直な方向の前記凸部の幅よりも長く設定されたことを特徴とするレーザダイオード素子。
【請求項２】
前記サブマウントのマウント面は、平板状部材により構成され、
前記凸部は、前記平板状部材の上に前記平板状部材よりもヤング率の高い別の部材を接合することにより構成されたことを特徴とする請求項１に記載のレーザダイオード素子。
【請求項３】
前記マウント面の直下に接合される第２の部材を備え、
前記凸部を構成する別の部材の熱膨張率は、前記マウント面を構成する材料の熱膨張率よりも大きい値に設定され、
前記第２の部材の熱膨張率は、前記マウント面を構成する材料の熱膨張率よりも大きい値に設定されたことを特徴とする請求項２に記載のレーザダイオード素子。
【請求項４】
前記マウント面の直下に接合される第２の部材を備え、
前記凸部を構成する別の部材の熱膨張率は、前記マウント面を構成する材料の熱膨張率よりも小さい値に設定され、
前記第２の部材の熱膨張率は、前記マウント面を構成する材料の熱膨張率よりも小さい値に設定されたことを特徴とする請求項２に記載のレーザダイオード素子。
【国際調査報告】
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