【事件の表示】
　特許第３０３０２０１号「半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置」の請求項１〜４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０３０２０１号の請求項１〜４に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　特許第３０３０２０１号（平成６年４月２６日出願、平成１２年２月４日設定登録）は、異議申立人中川　徹により特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年８月７日に訂正請求がなされたものである。
　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ−１
　願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された「前記基板に半導体チップを」を、「前記絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にする工程と、前記半硬化状態の前記絶縁性接着剤が塗布された前記基板に半導体チップを」と訂正する。
　
（１−２）訂正事項ａ−２
　特許明細書（公報第２頁右欄第３５行）に記載された「前記基板に半」を、「前記絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にする工程と、前記半硬化状態の前記絶縁性接着剤が塗布された前記基板に半」と訂正する。
　
（１−３）訂正事項ｂ−１
　特許明細書の同請求項１に記載された「前記半導体チップが固定された」を、「前記半導体チップが仮固定された」と訂正する。
　
（１−４）訂正事項ｂ−２
　特許明細書（公報第２頁右欄第３７行）に記載された「が固定」を、「が仮固定」と訂正する。
　
（１−５）訂正事項ｃ−１
　特許明細書の同請求項４に記載された「後に基板に」を、「後の基板に」と訂正する。
　
（１−６）訂正事項ｃ−２
　特許明細書（公報第３頁左欄第３行）に記載された「後に基板に」を、「後の基板に」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａ−１について
　訂正事項ａ−１については、特許明細書（【００３１】）及び図２のＳ５の記載に基づき、「基板」についての構成を限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（２−２）訂正事項ｂ−１について
　訂正事項ｂ−１については、特許明細書（【００３２】）及び図２のＳ６、７に記載されているから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−３）訂正事項ｃ−１について
　訂正事項ｃ−１については、特許明細書（【００２６】）及び図１の２５に記載されているから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（２−４）訂正事項ａ−２、ｂ−２、ｃ−２について
　訂正事項ａ−２、ｂ−２、ｃ−２については、いずれも特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるための訂正であり、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
　そして、上記訂正事項ａ−１〜ｃ−２については、いずれも願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において訂正した訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ−１〜ｃ−２は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］異議申立てについて
（１）異議申立人中川　徹は、証拠として、
　甲第１号証：特開平４−３０２４４４号公報
　参考資料１：特開平２−２８４４３８号公報
　参考資料２：特開平３−１２９８４３号公報
　参考資料３：特開平５−４１４０７号公報
　参考資料４：特開平３−４５４２号公報
を提出して、本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、同請求項１〜４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張している。
　
（２）本件発明
　本件特許の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１〜４」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】半導体チップを搭載する基板上に熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布する工程と、
　前記絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にする工程と、
　前記半硬化状態の前記絶縁性接着剤が塗布された前記基板に半導体チップをアライメントして第１の加圧力で第１の固定を行う工程と、
　前記半導体チップが仮固定された前記基板を、前記絶縁性接着剤の熱硬化温度で加熱すると共に、前記半導体チップを第２の加圧力により第２の固定を行う工程と、
　前記第１の固定を行なう工程から前記第２の固定を行なう工程へ前記基板を移送する工程と、
　を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記基板上に搭載される半導体チップは複数個であり、
　前記第１の固定を行なう工程は個々の半導体チップ単位で処理され、
　前記第２の固定を行なう工程は複数の半導体チップを一括にまとめて処理することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記第１の加圧力は前記第２の加圧力より低い加圧力であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】半導体チップを搭載する基板上に熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布する接着剤塗布装置と、
　該絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱するヒートプレートを有すると共に、該絶縁性接着剤の半硬化後の該基板に該半導体チップをアライメントして第１の加圧力で第１の固定を行なうキュア／アライメント・加熱装置と、
　該基板上に搭載された該半導体チップを第２の加圧力で加圧すると共に、該絶縁性接着剤の熱硬化温度で加熱する加圧・加熱装置と、
　該キュア／アライメント・加熱装置にて該半導体チップが固定された該基板を該加圧・加熱装置に移送する手段と、
　を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。」
　
（３）証拠の記載事項
（３−１）甲第１号証(当審が通知した取消理由に引用した刊行物１）
　上記甲第１号証には、半導体素子をフリップチップ方式でボンディングする半導体素子の実装方法に関する発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「バンプを有する半導体素子を配線パターンが形成された基板に熱硬化性の異方性導電膜を介してボンディングする半導体素子の実装方法において、複数個の半導体素子を異方性導電膜を介して上記基板の所定の位置に仮付けする仮付け工程と、上記複数個の半導体素子を上記基板に一括的に加圧しかつ加熱することで上記半導体素子のバンプと基板の配線パターンとを電気的に接続させるボンディング工程とを有することを特徴とする半導体素子の実装方法。」（特許請求の範囲の請求項１）
　
　異方性導電膜について
　「上記配線パターン６上には異方性導電膜７があらかじめ貼付されている。この異方性導電膜は微細な導電粒子８・・・を均一に分散させたフィルム状の熱硬化性の接着剤である。」（【０００５】）
　
　発明が解決しようとする課題として
　「従来のフリップチップ方式の実装は、一枚の基板５に多数個の半導体素子１・・・を実装する場合においても、一つ一つの半導体素子１毎に上記異方性導電膜７を硬化させていた。
　しかし、上記異方性導電膜７を硬化させるためには、一般に３０秒以上の加圧、加熱を行わなければならない。このため、一つの基板５上に数十個の半導体素子１・・・を実装する場合には、スループットが高められないということがあった。
　この発明はこのような事情に鑑みて成されたもので、多数個の半導体素子を基板に高密度に実装する場合において、実装のスループットが高い半導体素子の実装方法を提供することを目的とするものである。」（【０００８】〜【００１０】）
　
　実施例について
　「この発明の実装方法が適用されるボンディング装置は、仮付け工程を行う仮付けステージ１０とボンディング工程を行うボンディングステージ１１とを有する。
　図中１２は基板搬送装置である。この基板搬送装置１２は、上面を載置面とするテーブル１３を有し、このテーブル１３の載置面には基板５が素子搭載面５ａを上方に向けた状態で保持される。そして、基板搬送装置１２は、仮付けステージ１０およびボンディングステージ１１において、基板５をＸＹ方向に位置決め駆動すると共に、この基板５を仮付けステージ１０からボンディングステージ１１へと搬送する。
　上記テーブル１３に載置される基板５の素子搭載面５ａには上記半導体素子１のバンプ３（図２に示す）と接続される多数の配線パターン６が形成されている。そしてこれらの配線パターン６上にはあらかじめ異方性導電膜７が貼付されている。
　上記仮付けステージ１０の上方には素子供給装置１４が設けられている。この素子供給装置１４は、複数個の半導体素子１・・・を収納したトレイ１５を位置決め駆動する供給テーブル１６と、上記半導体素子１をトレイ１５から取り出して所定の位置Ａに供給するピックアップノズル１７を有する。」（【００１３】〜【００１７】）、
　「位置Ａにおいて、上記ピックアップノズル１７によって、一方の吸着ノズル２３に半導体素子１がその素子形成面を上方に向けた状態で受け渡されると、上記反転装置１９は矢印イで示すように１８０度ステップ式に回動駆動され、半導体素子１の素子形成面を下方に向けた状態に反転させる。このことで上記半導体素子１の素子形成面は基板５と向かいあわせられる。
　半導体素子１がその素子形成面を下方に向けた状態で位置決めされたならば、上記基板５はＸＹ方向に駆動され、上記半導体素子１のバンプ３とそのバンプ３が接合される配線パターン６とが対向位置決される。
　そして、上記一方の吸着ノズル２３は下方向に突出駆動され、上記半導体素子１のバンプ３を上記配線パターン６に貼付された異方性導電膜７に当接させる。この状態で吸引力を解除すると、上記異方性導電膜７の上面は粘着力を有するので上記半導体素子１は基板５に仮付けされる。」（【００２２】〜【００２４】）、
　「一方の吸着ノズル２３と他方の吸着ノズル２３がこのような動作を交互に繰り返すことで、上記基板５には多数個の半導体素子１・・・が異方性導電膜７を介して順次仮付けされる。このことで仮付け工程が終了する。仮付け工程を終えた基板５は基板搬送装置１２によってボンディングステージ１１に搬送され、所定の位置に位置決めされる。」（【００２６】）、及び
　「上記ボンディングヘッド２５は下端部の温度を１９０度に保った状態で、下方に駆動され、上記多数個の半導体素子１・・・を上記基板５の方向に一定の圧力で押し付ける。そして、異方性導電膜７が硬化するのに必要な時間、例えば３０秒間この状態を保つ。このことで上記異方性導電膜７は上記バンプ３と配線パターン６とを電気的に接続した状態で硬化する。」（【００３１】）
　
　効果について
　「この発明の半導体素子の実装方法は、複数個の半導体素子を上記基板の所定の位置に異方性導電膜を介して仮付けした後に、上記複数個の半導体素子を上記基板に一括的に加圧しかつ加熱することで上記半導体素子のバンプと基板の配線パターンとを電気的に接続させる。
　このような構成によれば、複数の半導体素子について異方性導電膜を硬化させる作業が一回ですむので、作業工程が簡略化されると共に、実装のスループットを高めることができる。」（【００４２】、【００４３】）
　
（３−２）参考資料１（同刊行物２）
　参考資料１の特開平２−２８４４３８号公報には、熱硬化系等の絶縁樹脂を配線基板上に塗布した後、予備加熱工程、位置合わせ工程、及び本圧着工程を有する半導体素子の配線基板への実装方法に関する発明が開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　実施例として
　「絶縁性樹脂６は、熱によって接着力を発現する樹脂であって、液状又はシート状である。例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化系の樹脂又は、ＳＢＲ系やナイロン系樹脂等の熱可塑系の樹脂であれば良い。また、樹脂中に導電粒子が混入している場合もある。
　次に、実際の半導体装置の実装方法をその手順に従って説明する。まず、基板１上配線パターン２形成面の半導体素子５と対向する部分に絶縁樹脂６を塗布又は載置する。または、半導体素子５の金属突起３形成面に載置してもかまわない。次に、半導体素子５上に形成されている金属突起３と、それに対向して形成されている基板１上の配線パターン２とを位置合わせし（位置合わせ工程）、半導体素子５と基板１を弱く押しつける。この時、ヒーター９はすでに加熱されており、絶縁樹脂が接着力を発現する以下でその粘度は低下するような温度に弱く加熱されている（予備加熱工程）。続いて、半導体素子５と基板１をボンディングツール７を用いて加熱、加圧する。（本圧着工程、第１図（ｂ））この時、ボンディングツール７は、絶縁樹脂６が接着力を発現する温度にまで加熱されている。予め予備加熱工程で、絶縁樹脂全体の粘度は下がっているので、半導体素子５と基板１の間の絶縁樹脂６及び、本圧着工程によって金属突起３と配線パターン２との間から押しのけられる絶縁樹脂６は、１０の樹脂の流れ方向に示すように、すばやく半導体素子の周囲へ排出される。」（第３頁右上欄第４行〜左下欄第１２行）
　
（３−３）参考資料２
　参考資料２の特開平３−１２９８４３号公報には、光硬化樹脂を用いて、配線基板上に多数のＬＳＩチップを仮固定した後、加圧ツールによって一括して実装するに際し、ＬＳＩチップを配線基板上に搭載し加圧する毎に、光照射して仮固定すること、また、光硬化樹脂に替えて加熱硬化樹脂を用いてもよいことが、それぞれ記載されている（３頁左上欄２行〜右上欄１６行、３頁左下欄４〜６行、第１図参照）。
　
（３−４）参考資料３
　参考資料３の特開平５−４１４０７号公報には、基板上に半導体装置を実装するものにおいて、ウエハ全面に、絶縁性の熱硬化性樹脂あるいは導電性粒子を混入した熱硬化性封止樹脂を用いた封止樹脂を形成し、加熱処理して封止樹脂を半硬化状態とした後、ウエハを切断して個々の半導体装置とし、その後、基板へ半導体装置を接続する際に封止樹脂を本硬化することが記載されている（【００１５】、【００１８】、【００２４】〜【００２５】、図１参照）。
　
（３−５）参考資料４
　参考資料４の特開平３−４５４２号公報には、基板上にエポキシ等の絶縁性樹脂を塗布し、複数個の半導体素子を加圧するとともに半導体素子周辺部を紫外線照射して絶縁性樹脂を硬化させ、仮固定した後、真空包装して加熱・加圧し、絶縁性樹脂全体を硬化させ、その後、真空包装を開梱し、再び高温で硬化してその接着力を強くすることが記載されている（２頁右上欄１８行〜右下欄３行、第１図参照）。
　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、甲第１号証に記載の「半導体素子１」、「位置決め」、「仮付け工程（ステージ）１０」、及び「ボンディング工程（ステージ）１１」は、それぞれ本件発明１の「半導体チップ」、「アライメント」、「第１の固定を行う工程」、及び「第２の固定を行う工程」に相当し、甲第１号証に記載された「異方性導電膜７」は、微細な導電粒子８・・・を均一に分散させたフィルム状の熱硬化性の接着剤であり（記載事項（３−１）の「異方性導電膜について」参照）、また、甲第１号証に記載された「仮付け工程（ステージ）１０」において、半導体素子１は基板に位置決めされ所定の加圧力によって異方性導電膜７を介して仮付けされること、及び、同じく「ボンディング工程（ステージ）１１」において異方性導電膜７なる接着剤はその硬化温度に加熱されるとともに、半導体素子１は一定の加圧力で押し付けて接続固定されることは明らかである（記載事項（３−１）の「実施例について」、第１図参照）。
　してみると、両者は、「半導体チップを搭載する基板上に熱硬化性の接着剤を被覆する工程と、前記基板に半導体チップをアライメントして第１の加圧力で第１の固定を行う工程と、前記半導体チップが固定された前記基板を、前記接着剤の熱硬化温度で加熱すると共に、前記半導体チップを第２の加圧力により第２の固定を行う工程と、前記第１の固定を行なう工程から前記第２の固定を行なう工程へ前記基板を移送する工程と、を含む半導体装置の製造方法」の点で一致し、次の点（Ａ）、（Ｂ）で相違する。
　
（Ａ）被覆する工程が、本件発明１では熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布するのに対して、甲第１号証に記載されたものでは熱硬化性の異方性導電膜７を貼付する点。
（Ｂ）本件発明１は、半導体チップをアライメントする前に、基板に塗布した絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にする工程を含むのに対し、甲第１号証に記載されたものはこのような工程を含まない点。
　
　そこで、上記相違点（Ａ）、（Ｂ）について、以下検討する。
相違点（Ａ）について
　接着剤を被覆した基板上に半導体チップを実装固定することは広く知られており、その被覆が熱硬化性の絶縁性接着剤の塗布によりなされることも周知であるから、甲第１号証に記載のものにおいて、熱硬化性の異方性導電膜７を貼付するものに替えて、このような周知の構成を採用することは当業者が必要に応じて適宜になし得る程度のことである。
　
相違点（Ｂ）について
　参考資料１には、接着剤を被覆した基板上への半導体チップの実装方法において、熱硬化性の絶縁性接着剤であるエポキシ樹脂等を予備加熱温度にヒーター９で加熱することにより、絶縁性接着剤の粘度を低下させた後に、基板１上に位置合わせした半導体素子５を弱く押し付け仮固定することにより、位置ずれが起こらなくなることが示されている。
　しかしながら、参考資料１に記載された仮固定は、絶縁性接着剤の粘度が低下するような温度に弱く加熱して行われ、絶縁性接着剤の硬化反応が始まる前に仮固定が行われるものであるから、本件発明１の、絶縁性接着剤を半硬化温度に加熱して半硬化状態で固定するものとは異なるものである。
　また、参考資料２に記載されたＬＳＩチップを配線基板に仮固定する接続樹脂は、光硬化型樹脂であり、さらに、参考資料３に記載された、封止樹脂を半硬化状態とする加熱温度、参考資料４に記載された、絶縁性樹脂を高温で硬化する前の加熱温度は、いずれも半硬化温度ではあるものの、本件発明１のように、基板に塗布した熱硬化性樹脂を半硬化温度で加熱して半硬化状態にした後に、基板に半導体チップをアライメントして加圧固定するものではない。
　してみると、甲第１号証に記載された仮付け工程において、参考資料１〜４に記載されたものを採用しても本件発明１の相違点（Ｂ）を容易に想到することはできない。
　
　なお、当審が通知した取消理由に引用した刊行物３の特開平４−６２９４６号公報には、エポキシ系の熱硬化樹脂等の接続用樹脂を被覆したガラス基板上にＩＣチップを直接搭載接続する、液晶表示パネルへのＩＣチップの実装方法において、前記接続用樹脂の半硬化の仮接続状態でＩＣチップの動作状態を確認することが記載されているものの、参考資料３、４と同様に、基板に塗布した熱硬化性樹脂を半硬化温度で加熱して半硬化状態にした後、基板に半導体チップをアライメントして加圧固定するものではない。
　してみると、甲第１号証に記載された仮付け工程において、刊行物３に記載されたものを採用しても本件発明１の相違点（Ｂ）を容易に想到することはできない。
　
　そして、本件発明１〜４は、本件訂正明細書に記載されているように、絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にすることにより、半導体チップを搭載した基板を加圧・加熱装置に移送させる際の振動等で位置ずれを生じないようにしたという格別顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
（４−２）本件発明２、３について
　本件発明２、３は、本件発明１を引用する発明であるから、本件発明１が甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができないものである以上、本件発明２、３についても、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができるものではない。
　
（４−３）本件発明４について
　本件発明１と甲第１号証に記載されたものとの対比を参照して、本件発明４と甲第１号証に記載されたものとを対比すると、両者は、「半導体チップを搭載する基板上に熱硬化性の接着剤を被覆する接着剤被覆装置と、基板に半導体チップをアライメントして第１の加圧力で第１の固定を行なうアライメント装置と、基板上に搭載された半導体チップを第２の加圧力で加圧すると共に、接着剤の熱硬化温度で加熱する加圧・加熱装置と、アライメント装置にて半導体チップが固定された基板を加圧・加熱装置に移送する手段と、を備えた半導体装置の製造装置」の点で一致し、次の点（Ａ）、（Ｂ）で相違する。
　
（Ａ）接着剤被覆装置について、本件発明４では、熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布するのに対して、刊行物１に記載されたものでは、熱硬化性の異方性導電膜を貼付する点。
（Ｂ）アライメント装置について、本件発明４では、絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱するヒートプレートを有すると共に、該絶縁性接着剤の半硬化後に基板に該半導体チップをアライメントして第１の加圧力で第１の固定を行なうキュア／アライメント・加熱装置であるのに対して、刊行物１に記載されたものでは、基板に該半導体素子を位置決めして所定の加圧力で仮付けする仮付け工程（ステージ）である点。
　
　そこで、上記相違点（Ａ）、（Ｂ）について、以下検討する。
相違点（Ａ）について
　相違点（Ａ）については、上記「本件発明１について」の欄において指摘したとおりである。
　
相違点（Ｂ）について
　相違点（Ｂ）については、参考資料１には、本件発明４のヒートプレートに相当するヒーター９が記載されているものの、その他の点については、上記「本件発明１について」における「相違点（Ｂ）について」の欄において指摘したとおりである。
　
　したがって、本件発明４は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［５］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月１０日（２００２．１．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ−１
　特許請求の範囲の減縮を目的として、願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された「前記基板に半導体チップを」を、「前記絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にする工程と、前記半硬化状態の前記絶縁性接着剤が塗布された前記基板に半導体チップを」と訂正する。
（２）訂正事項ａ−２
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書（公報第２頁右欄第３５行）に記載された「前記基板に半」を、「前記絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にする工程と、前記半硬化状態の前記絶縁性接着剤が塗布された前記基板に半」と訂正する。
（３）訂正事項ｂ−１
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の同請求項１に記載された「前記半導体チップが固定された」を、「前記半導体チップが仮固定された」と訂正する。
（４）訂正事項ｂ−２
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書（公報第２頁右欄第３７行）に記載された「が固定」を、「が仮固定」と訂正する。
（５）訂正事項ｃ−１
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の同請求項４に記載された「後に基板に」を、「後の基板に」と訂正する。
（６）訂正事項ｃ−２
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書（公報第３頁左欄第３行）に記載された、「後に基板に」を、「後の基板に」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　半導体チップを搭載する基板上に熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布する工程と、
　
前記絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にする工程と、
　
前記半硬化状態の前記絶縁性接着剤が塗布された
　前記半導体チップが
仮
　前記第１の固定を行なう工程から前記第２の固定を行なう工程へ前記基板を移送する工程と、
　を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　【請求項２】　前記基板上に搭載される半導体チップは複数個であり、
　前記第１の固定を行なう工程は個々の半導体チップ単位で処理され、
　前記第２の固定を行なう工程は複数の半導体チップを一括にまとめて処理することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項３】　前記第１の加圧力は前記第２の加圧力より低い加圧力であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項４】　半導体チップを搭載する基板上に熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布する接着剤塗布装置と、
　該絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱するヒートプレートを有すると共に、該絶縁性接着剤の半硬化後
の
　該基板上に搭載された該半導体チップを第２の加圧力で加圧すると共に、該絶縁性接着剤の熱硬化温度で加熱する加圧・加熱装置と、
　該キュア／アライメント・加熱装置にて該半導体チップが固定された該基板を該加圧・加熱装置に移送する手段と、
　を備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明はフリップチップ接合される半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関する。
　【０００２】近年、半導体装置の高密度化が進むに伴って半導体チップの高密度実装を行うために、また高速動作の要求より配線長の短縮化を行うために、バンプによるフリップチップ接合が行われるようになってきている。このような半導体装置を製造するにあたり、低コスト化が望まれている。そのため、半導体チップの実装における高精度なアライメントを維持しつつ低コスト化を図る必要がある。
　【０００３】
　【従来の技術】図５に、従来のフリップチップ方式の半導体装置の製造工程図を示す。図５（Ａ）において、まず半導体チップ１１のアルミニウムパッド１１上にワイヤボンディング技術により、ワイヤ（例えばアルミニウム、銅、金等）１３を用いてスタッドバンプ（ボンディングボールのみ）１４が所定数形成される。
　【０００４】この各スタッドバンプ１４の高さは約２０μｍ程度のばらつきがあり、図５（Ｂ）において半導体チップ１１のスタッドバンプ１４をガラス平板１５に押し付けてレベリングを行い各スタッドバンプ１４の高さを揃える。
　【０００５】続いて、図５（Ｃ）において、予めガラス平板１５ａ（図５（Ｂ）のガラス平板１５と同じものであってもよい）上に導電性接着剤１６が薄くスキージングされており、この導電性接着剤１６に各スタッドバンプ１４を押しつけて付着させる転写が行われる。
　【０００６】一方、図５（Ｄ）に示すように、搭載される半導体チップ１１のスタッドバンプ１４の数に対応して搭載パッド１７ａが形成された基板１７上に、スクリーン印刷法により補強用として熱硬化性の絶縁性接着剤１８が塗布される。この基板１７ａの上方にボンディングヘッド（図示せず）で吸着された上記半導体チップ１１が移送される。
　【０００７】そして、図５（Ｅ）において、基板１７の搭載パッド１７ａと半導体チップ１１のスタッドバンプ１４とをアライメントし、ボンディングヘッドにより加圧、加熱して半導体チップ１１を基板１７にフリップチップ接合と実装を同時に行うものである。
　【０００８】この場合、ボンディングヘッドには熱源が具備されており、加熱により絶縁性接着剤１８を熱硬化させてフリップチップ接合を補強している。
　【０００９】なお、加熱の方法としてボンディングヘッドの周辺に熱風を噴射するノズルを配置して、アライメントと加圧、加熱を同時に行うことも知られている（特開平５−６７６４８号公報）。
　【００１０】他方、図示しないが、フリップチップ接合するにあたり、基板１７の搭載パッド上に半導体チップのバンプをアライメントして加圧のみで搭載し、その後に搭載パッドとバンプに熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布浸透させ、加熱ブロックや恒温槽等で加熱することにより絶縁性接着剤を硬化させることも知られている（特開平３−１８４３５２号公報）。
　【００１１】
　【発明が解決しようとする課題】しかし、図５（Ｅ）に示すように、搭載パッド１７ａとスタッドバンプ１４をアライメントして加圧すると共に、絶縁性接着剤１８を硬化させるために加熱している。すなわち、このような製造設備は高精度なアライメントが要求されると共に、加熱機構を具備しなければならず、設備がコスト高になり、コスト高の設備で絶縁性接着剤１８への硬化（加熱）に時間を費やすことで実装コストが高くなるという問題がある。
　【００１２】また、特開平３−１８４３５２号公報に記載されるように、加圧のみで半導体チップを搭載した後に加熱を行うことは、半導体チップと基板の熱膨張差（約４倍）によって変位を生じ、フリップチップ接合が不完全になるという問題がある。
　【００１３】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、製造設備コスト及び製造コストの低減を図ると共に、完全なフリップチップ接合を行う半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供することを目的とする。
　【００１４】
　【００１５】
　【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、請求項１では、半導体チップを搭載する基板上に熱硬化性の絶縁性接着剤を塗布する工程と、
前記絶縁性接着剤を半硬化温度で加熱して半硬化状態にする工程と、前記半硬化状態の前記絶縁性接着剤が塗布された
仮
の
　【００１６】
　【００１７】
　【００１８】
　【００１９】
　【００２０】
　【作用】上述のように請求項１，２，４の発明では、半導体チップを基板上にアライメントして加圧のみで第１の固定を行なった後に加圧及び絶縁性接着剤を硬化させるための加熱を行なうように第１の固定と加熱、加圧を別工程で行なう。また、半導体チップが固定された基板は、移送を行なう手段により加圧・加熱装置に移送される。これにより、アライメント機構と加熱機構を別の設備とすることで製造設備コストが低減されると共に、最終の加圧，加熱時はアライメントが終了していることから一括で処理が可能となり、スループットが向上し、製造コストの低減を図ることが可能となる。請求項３の発明では、第１の加圧力を第２の加圧力より小としたことにより、第１の加圧力による第１の固定時に突起状電極のつぶれ量のばらつきを吸収することが可能となる。
　【００２１】
　【００２２】
　【００２３】
　【００２４】
　【実施例】図１に、本発明の一実施例の全体構成図を示す。図１は、本発明の製造方法を実現するための製造システム２１の全体ブロック図を示したものである。
　【００２５】図１に示す製造システム２１において、２２はチップローダであり、所定数の電極パッド（例えばアルミニウムパッド）が形成された半導体チップを供給する。２３はボンダであり、ワイヤボンディング技術により半導体チップ上に突起状電極としてスタッドバンプを形成する。
　【００２６】２４は転写装置であり、スタッドバンプ表面に導電性接着剤を転写する。２５はキュア／アライメント・加圧装置であり、後述する基板を接着剤半硬化温度で加熱すると共に、ステッパにより該基板をスタッドバンプが形成された半導体チップをアライメントして第１の加圧力で第１の固定を行う。
　【００２７】一方、２６は基板ローダであり、搭載部である搭載パッドが各半導体チップのスタッドバンプの数に対応して形成された基板を供給する。２７は接着剤塗布装置であり、供給された基板の各半導体チップに対応する搭載パッドの領域にそれぞれに一定量の熱硬化性の絶縁性接着剤をディスペンサにより塗布してキュア／アライメント・加圧装置２５に供給する。
　【００２８】２８は、加圧・加熱装置であり、基板上に固定された半導体チップを第２の加圧力で加圧すると共に、絶縁性接着剤が硬化する温度で加圧して第２の固定を行う。２９はアンローダであり、当該半導体チップが実装された基板を排出する。ここで、図２に本発明の製造説明図を示すと共に、図３に本発明の製造工程図を示す。まず、チップローダ２２よりボンダ２３に半導体チップ３１が移送され、半導体チップ３１に形成された電極パッド（図示せず）上にキャピラリ３２よりワイヤ（例えばアルミニウムワイヤであり、電極パッドが銅又は金等の場合には、銅ワイヤ又は金ワイヤ）３３から形成されるスタッドバンプ３４をワイヤボンディング技術により所定数形成する（図２ステップ（Ｓ）１，図３（Ａ））。このようにして半導体チップ２１上のスタッドバンプ３４は、高さ約２０μｍのばらつきを有することから、当該スタッドバンプ３４をガラス平板３５に押し付けてレベリングが行われ（図２（Ｓ）２，図３（Ｂ））、転写装置２４に移送される。
　【００２９】転写装置２４では、ガラス平板３５ａ上に導電性接着剤３６が薄くスキージされており、加熱しながらスタッドバンプ３４を押し付けて当該スタッドバンプ３４の表面に導電性接着剤３６ａが転写される（図２（Ｓ）３，図３（Ｃ））。なお、ガラス平板３５ａへの導電性接着剤３６のスキージングは、スキージにより導電性接着剤３６と接触するゴムでガラス平板３５ａ上に押し出して行われるものである。
　【００３０】一方、基板ローダ２６により搭載パッド３７ａが実装する半導体チップ３１のスタッドバンプ３４の数に対応して、該半導体チップ３１ごとに形成された基板３７が接着剤塗布装置２７に供給され、熱硬化性の絶縁性接着剤３８が半導体チップ３１ごとの搭載パッド３７ａの各領域に塗布されている（図２（Ｓ）４）。そして、キュア／アライメント・加圧装置２５のヒートプレート３９上に移送される（図２（Ｓ）５，図３（Ｄ））。
　【００３１】この基板３７は、ヒートプレート３９上で絶縁性接着剤３８が半硬化する温度でプリキュアが行われる（図２（Ｓ）５）。このプリキュアにより、半導体チップ３１を搭載した基板３７を加圧・加熱装置２８に移送させる際の振動等で位置ずれを生じないように絶縁性接着剤３８を半硬化（粘度及びチクソ性を下げる）させて半導体チップ３１の密着力を向上させるものである。
　【００３２】続いて、ボンディングヘッド４０により半導体チップ３１（図３（Ｃ））が吸着され、それぞれ基板３７の各領域の搭載パッド３７ａ上に、アライメントを行いつつボンディングヘッド４０を第１の加圧力で押し付けて第１の固定として仮固定が行われる（図２（Ｓ）６，図３（Ｅ））。この場合、基板３７（絶縁性接着剤３８）をヒートプレート３９によりキュアが行われている。
　【００３３】総ての半導体チップ３１が仮固定された基板３７は、搬送レール等で加圧・加熱装置２８に移送され、接着剤硬化ステージ４１に載置される（図２（Ｓ）７）。この接着剤硬化ステージ４１の上方には上下動自在のヒータブロック４２が配置され、ヒータブロック４２に個々に平行出し機能を有する加圧・加熱ヘッド４２ａが、各半導体チップ３１ごと、又は所定数の半導体チップ群ごとに所定数備えられる。
　【００３４】そこで、ヒータブロック４２の加熱による加圧・加熱ヘッド４２ａには絶縁性接着剤３８が熱硬化する温度の熱が伝達されており、ヒータブロック４２を下降させて加圧・加熱ヘッド４２で各半導体チップ３１を第２の加圧力により同時に押圧すると共に、加熱ヘッドにより絶縁性接着剤３８を硬化させる第２の固定が行われる（図２（Ｓ）８，図３（Ｄ））。
　【００３５】この場合、第２の加圧力は上述の第１の加圧力より大で設定される。これは押圧時のバンプ潰れ量のばらつきや基板３７の搭載パッド３７ａの厚さばらつきを吸収させるためのものであると共に、加熱時の基板３７と半導体チップ３１の熱膨張の違いを吸収させるためのもので、完全なフリッフチップを行うことができるものである。
　【００３６】そこで、図４に、本発明により製造されたマルチチップモジュールの半導体装置の外観図を示す。図４に示すように、半導体装置５１は、基板３７上に例えば５つの半導体チップ３１がスタッドバンプ３４によりフリップチップ接合されたマルチチップモジュールであり、熱硬化された絶縁性接着剤３８により固定強化されたものである。
　【００３７】このように、アライメントを必要とする仮固定工程と加圧、加熱工程を別個としており、そのため、高精度なアライメントを行うキュア／アライメント・加圧装置２５と加熱を行う加圧・加熱装置２８とを別個の設備とすることにより、高額な加熱機構を備えるアライメント装置を不要とすることができ、製造設備コストを低減させることができる。
　【００３８】また、絶縁性接着剤３８を硬化させるための加熱は行わずに、キュア／アライメント・加圧装置２５で半導体チップ３１をアライメントして搭載することから実装作業性がよく多数のチップ搭載を行うことができ、製造コストを低減させることができる。
　【００３９】さらに、加圧・加熱装置における加圧・加熱ヘッド４２ａ（図３（Ｄ））を複数化することができ、実装作業性が向上して製造コストを低減させることができるものである。
　【００４０】
　【発明の効果】上述のように請求項１，２，４の発明では、半導体チップを基板上にアライメントして加圧のみで第１の固定を行なった後に加圧及び絶縁性接着剤を硬化させるための加熱を行なうように第１の固定と加熱、加圧を別工程で行なう。また、半導体チップが固定された基板は、移送を行なう手段により加圧・加熱装置に移送される。これにより、アライメント機構と加熱機構を別の設備とすることで製造設備コストが低減されると共に、最終の加圧，加熱時はアライメントが終了していることから一括で処理が可能となり、スループットが向上し、製造コストの低減を図ることが可能となる。また、請求項３の発明では、第１の加圧力を第２の加圧力より小としたことにより、第１の加圧力による第１の固定時に突起状電極のつぶれ量のばらつきを吸収することが可能となる。
　【００４１】
　【００４２】
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の一実施例の全体構成図である。
　【図２】本発明の製造説明図である。
　【図３】本発明の製造工程図である。
　【図４】本発明により製造されたマルチチップモジュールの半導体装置の外観図である。
　【図５】従来のフリップチップ方式の半導体装置の製造工程図である。
　【符号の説明】
２１　製造システム
２２　チップローダ
２３　ボンダ
２４　転写装置
２５　キュア／アライメント・加圧装置
２６　基板ローダ
２７　接着剤塗布装置
２８　加圧・加熱装置
２９　アンローダ
３１　半導体チップ
３４　スタッドバンプ
３６，３６ａ　導電性接着剤
３７　基板
３７ａ　搭載パッド
３８　絶縁性接着剤
３９　ヒートプレート
４０　ボンディングヘッド
４１　接着剤硬化ステージ
４２　ヒータブロック
４２ａ　加圧・加熱ヘッド
５１　半導体装置