(57)【要約】共振周波数以上の帯域においても良好に特性を近似できるインダクタンス素子の等価回路，回路定数解析方法，回路定数解析プログラム，回路定数解析装置，回路シミュレータを提供する。  インダクタンスＬｓ，キャパシタンスＣｐ，抵抗Ｒｐの並列回路に、前記Ｒｐに直列に接続された他のキャパシタンスＣｒ，前記Ｒｐに並列に接続された他のインダクタンスＬｒ，前記並列回路に直列に接続された他の抵抗Ｒｓ，前記Ｌｓに、相互インダクタンスＭ１によって磁気的に結合係数ｋ１で結合しており、抵抗Ｒｍ１とインダクタンスＬｍ１を含む第１の閉回路，前記Ｌｓに、相互インダクタンスＭ２によって磁気的に結合係数ｋ２で結合しており、抵抗Ｒｍ２とインダクタンスＬｍ２を含む第２の閉回路，前記Ｃｐに直列に接続された他の抵抗Ｒｃを備えた回路構成となっており、抵抗Ｒｃが損失分となって、良好にインダクタンス素子の特性が近似される。
2010067880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタンスＬｓ，キャパシタンスＣｐ，及び抵抗Ｒｐが並列接続された並列回路，前記抵抗Ｒｐに直列に接続された他のキャパシタンスＣｒ，前記抵抗Ｒｐに並列に接続された他のインダクタンスＬｒ，前記並列回路に直列に接続された他の抵抗Ｒｓ，前記インダクタンスＬｓに、相互インダクタンスＭｉによって磁気的に結合係数ｋｉで結合する抵抗ＲｍｉとインダクタンスＬｍｉを含む複数の閉回路，前記キャパシタンスＣｐに直列に接続された抵抗Ｒｃ，を含むことを特徴とするインダクタンス素子の等価回路。
【請求項２】
請求項１記載のインダクタンス素子の等価回路における回路定数を解析するインダクタンス素子の回路定数解析方法において、インダクタンス素子の直流抵抗の計測値から前記抵抗Ｒｓの値を決定するステップ，インダクタンス素子のインピーダンスがリアクタンス分とほぼ等しくなるインピーダンスの計測値から、インダクタンスＬｓの値を決定するステップ，共振点におけるインダクタンス素子の抵抗分を実測し、抵抗Ｒｐの値を決定するステップ，共振周波数の実測値からキャパシタンスＣｐの値を決定するステップ，インダクタンス素子のインピーダンスの抵抗分が増大する周波数からインダクタンスＬｒの値を決定するステップ，インダクタンス素子のリアクタンス分が最大となる周波数からキャパシタンスＣｒの値を決定するステップ，共振周波数以下でＱ値が変曲する周波数から抵抗ＲｍｉとインダクタンスＬｍｉの値を決定するステップ，共振周波数以下でＱ値が変曲する周波数と、その周波数におけるＱ値の実測値から結合係数ｋｉの値を決定するステップ，共振周波数以上でのＱ値の実測値から抵抗Ｒｃの値を決定するステップ，を含むことを特徴とする回路定数解析方法。
【請求項３】
請求項２記載の回路定数解析方法に基づいて、インダクタンス素子の回路定数を決定するとともに、決定した回路定数に基づいてインピーダンスの周波数特性を得る機能をコンピュータによって実現するための回路定数解析プログラム。
【請求項４】
請求項３記載のプログラムがメモリ手段に格納されており、該プログラムを実行して、インダクタンス素子の等価回路の回路定数解析を行なう演算処理手段を備えたことを特徴とする回路定数解析装置。
【請求項５】
インダクタンス素子を含む回路の特性をシミュレーションするための回路シミュレータであって、前記回路のインダクタンス素子の等価回路の回路定数を請求項２記載の回路定数解析方法で解析して選定するとともに、これによって選定した回路定数を利用して、回路の特性をシミュレーションする演算処理手段を備えたことを特徴とする回路シミュレータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタンス素子に関する回路定数解析技術にかかり、具体的には、インダクタンス素子の等価回路，回路定数解析方法，回路定数解析プログラム，回路定数解析装置，回路シミュレータに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のインダクタンス素子の回路定数解析手法としては、例えば、下記特許文献１に記載のものがある。この特許文献１におけるインダクタンス素子の等価回路は、図１（Ｂ）に示すようになっており、インダクタンスＬｓ，キャパシタンスＣｐ，及び抵抗Ｒｐが並列接続された並列回路に対して、
ａ，前記抵抗Ｒｐに直列に接続された他のキャパシタンスＣｒ，
ｂ，前記抵抗Ｒｐに並列に接続された他のインダクタンスＬｒ，
ｃ，前記並列回路に直列に接続された他の抵抗Ｒｓ，
ｄ，前記インダクタンスＬｓに、相互インダクタンスＭ１によって磁気的に結合係数ｋ１で結合しており、抵抗Ｒｍ１とインダクタンスＬｍ１を含む第１の閉回路，
ｅ，前記インダクタンスＬｓに、相互インダクタンスＭ２によって磁気的に結合係数ｋ２で結合しており、抵抗Ｒｍ２とインダクタンスＬｍ２を含む第２の閉回路，
を備えた回路構成となっている。なお、Ｍ１＝ｋ１・√（Ｌｓ・Ｌｍ１），Ｍ２＝ｋ２・√（Ｌｓ・Ｌｍ２），である。
このような等価回路を用いることで、インダクタンス素子の特性を良好に表わすことができる精度の高い回路定数解析を行うことができ、特にフェライト材を用いたインダクタンス素子に対して有効な回路定数解析を行うことができる。
ところで、図２（Ａ）に実測値を示すような特性のインダクタンス素子を、上述した背景技術の等価回路を利用して近似すると、図２（Ｃ）に示すような特性となる。両者を比較すると、全体としては、インダクタンスＬ，及びＱのいずれにおいても、概ね良好な結果が得られている。特に、共振周波数以下（Ｌ＞０）の帯域では、十分に近似した特性が得られている。
なお、図２（Ｃ）の特性を得る回路定数の選定例を示すと、並列回路定数Ｌｓ＝４．８μＨ，Ｒｐ＝４１００Ω，Ｃｐ＝１．３ｐＦ，に対して、
ａ，Ｌｒ＝３３μＨ，
ｂ，Ｃｒ＝０．８６ｐＦ，
ｃ，Ｒｓ＝０．４６Ω，
ｄ，Ｌｍ１＝４．８μＨ，Ｒｍ１＝２７，１Ω，ｋ１＝０．２２，
ｅ，Ｌｍ２＝４．８μＨ，Ｒｍ２＝３０７．５Ω，ｋ２＝０．１３３，
である。
しかしながら、共振周波数以上の帯域では、Ｑ値が高すぎて損失に対する近似が必ずしも十分とはいえない。インダクタンス素子は、例えば、共振周波数以上ではインピーダンス素子としてノイズ対策機能を発揮するが、上述した背景技術の等価回路を使用した場合、共振周波数以上の高周波領域でその機能を良好にシミュレーション検証することができないという不都合がある。
【特許文献１】特許第３４８２３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、共振周波数以上の帯域においても良好に特性を近似することができるインダクタンス素子の等価回路，回路定数解析方法，回路定数解析プログラム，回路定数解析装置，回路シミュレータを提供することを、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記目的を達成するため、本発明のインダクタンス素子の等価回路は、インダクタンスＬｓ，キャパシタンスＣｐ，及び抵抗Ｒｐが並列接続された並列回路，前記抵抗Ｒｐに直列に接続された他のキャパシタンスＣｒ，前記抵抗Ｒｐに並列に接続された他のインダクタンスＬｒ，前記並列回路に直列に接続された他の抵抗Ｒｓ，前記インダクタンスＬｓに、相互インダクタンスＭｉによって磁気的に結合係数ｋｉで結合する抵抗ＲｍｉとインダクタンスＬｍｉを含む複数の閉回路，前記キャパシタンスＣｐに直列に接続された抵抗Ｒｃ，を含むことを特徴とする。
本発明の前記インダクタンス素子の等価回路における回路定数を解析するインダクタンス素子の回路定数解析方法は、インダクタンス素子の直流抵抗の計測値から前記抵抗Ｒｓの値を決定するステップ，インダクタンス素子のインピーダンスがリアクタンス分とほぼ等しくなるインピーダンスの計測値から、インダクタンスＬｓの値を決定するステップ，共振点におけるインダクタンス素子の抵抗分を実測し、抵抗Ｒｐの値を決定するステップ，共振周波数の実測値からキャパシタンスＣｐの値を決定するステップ，インダクタンス素子のインピーダンスの抵抗分が増大する周波数からインダクタンスＬｒの値を決定するステップ，インダクタンス素子のリアクタンス分が最大となる周波数からキャパシタンスＣｒの値を決定するステップ，共振周波数以下でＱ値が変曲する周波数から抵抗ＲｍｉとインダクタンスＬｍｉの値を決定するステップ，共振周波数以下でＱ値が変曲する周波数と、その周波数におけるＱ値の実測値から結合係数ｋｉの値を決定するステップ，共振周波数以上でのＱ値の実測値から抵抗Ｒｃの値を決定するステップ，を含むことを特徴とする。
本発明の回路定数解析プログラムは、前記回路定数解析方法に基づいて、インダクタンス素子の回路定数を決定するとともに、決定した回路定数に基づいてインピーダンスの周波数特性を得る機能をコンピュータによって実現することを特徴とする。
本発明の回路定数解析装置は、前記プログラムがメモリ手段に格納されており、該プログラムを実行して、インダクタンス素子の等価回路の回路定数解析を行なう演算処理手段を備えたことを特徴とする。
本発明の回路シミュレータは、インダクタンス素子を含む回路の特性をシミュレーションするためのシミュレータであって、前記回路のインダクタンス素子の等価回路の回路定数を請求項２記載の回路定数解析方法で解析して選定するとともに、これによって選定した回路定数を利用して、回路の特性をシミュレーションする演算処理手段を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、並列接続されたインダクタンスＬｓ，キャパシタンスＣｐ，及び抵抗ＲｐのうちのキャパシタンスＣｐに、損失分としての抵抗Ｒｃを直列に接続することとしたので、良好にインダクタンス素子の特性を近似することができ、精度の高いシミュレーションが可能となる。本発明の前記及び他の目的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から明瞭になろう。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１はインダクタンス素子の等価回路を示す回路図であり、図１（Ａ）はインダクタンス素子の本発明の等価回路の例を示す回路図、図１（Ｂ）は従来の等価回路の例を示す回路図である。
図２はインダクタンス素子の特性を示すグラフであり、図２（Ａ）はインダクタンス素子の特性の実測値の例を示すグラフ、図２（Ｂ）は本発明の実施例による特性のグラフ、図２（Ｃ）は従来の例による特性のグラフである。
図３は本発明の実施例で回路定数解析を行なうインダクタンス素子のインピーダンス特性を示すグラフである。
図４は本発明の一実施例における回路定数解析の手順を示すフローチャートである。
図５は本発明を適用する伝送線路のシミュレーション回路例を示す回路図である。
図６は前記図５のシミュレーションにおける伝送線の出力側電圧の周波数特性を、従来技術と比較して示すグラフである。
図７は本発明の回路定数解析を行なう装置例を示すブロック図である。
図８は本発明のシミュレーションを行なう装置例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、実施例に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【０００８】
最初に、図１〜図４を参照しながら、本発明の実施例１について説明する。図１（Ａ）には、本実施例におけるインダクタンス素子の等価回路が示されている。同図に示すように、図１（Ｂ）に示した等価回路のキャパシタンスＣｐに抵抗Ｒｃを接続した構成となっている。すなわち、インダクタンスＬｓ，キャパシタンスＣｐ，及び抵抗Ｒｐの並列回路に対して、
ａ，前記抵抗Ｒｐに直列に接続された他のキャパシタンスＣｒ，
ｂ，前記抵抗Ｒｐに並列に接続された他のインダクタンスＬｒ，
ｃ，前記並列回路に直列に接続された他の抵抗Ｒｓ，
ｄ，前記インダクタンスＬｓに、相互インダクタンスＭ１によって磁気的に結合係数ｋ１で結合しており、抵抗Ｒｍ１とインダクタンスＬｍ１を含む第１の閉回路，
ｅ，前記インダクタンスＬｓに、相互インダクタンスＭ２によって磁気的に結合係数ｋ２で結合しており、抵抗Ｒｍ２とインダクタンスＬｍ２を含む第２の閉回路，
ｆ，キャパシタンスＣｐに直列に接続された他の抵抗Ｒｃ，
を備えた回路構成となっている。Ｍ１＝ｋ１・√（Ｌｓ・Ｌｍ１），Ｍ２＝ｋ２・√（Ｌｓ・Ｌｍ２），である点は、前記背景技術と同様である。
本実施例では、図４に示すフローチャートの手順で、図１（Ａ）の等価回路の回路定数が選定される。以下、上述した図２（Ａ）に示したインダクタンス及びＱ値の周波数特性をもつとともに、図３に示すインピーダンスの周波数特性をもつインダクタンス素子の回路定数を選定する場合を例として、その手順を説明する。
（１）抵抗Ｒｓの決定（ステップＳ１）：まず、対象となるインダクタンス素子の両端の直流抵抗値を実際に計測し、これを抵抗Ｒｓの値とする。本例では、０．４６Ωとなる。
（２）インダクタンスＬｓの決定（ステップＳ２）：次に、共振点（図３の例では６４ＭＨｚ）以下であって、かつ、Ｚ≒ｊＸとなる周波数ｆＬで、インダクタンス素子の両端のインピーダンスＸＬを実際に計測し、Ｌｓ＝ＸＬ／（２πｆＬ）に代入する。本例では、図３から、周波数ｆＬ＝０．１ＭＨｚでＺ≒ｊＸであり（「ｊ」は虚数）、計測値ＸＬ＝３Ω，ｆＬ＝０．１ＭＨｚ，を前記式に代入すると、Ｌｓ＝４．８μＨとなる。
（３）抵抗Ｒｐの決定（ステップＳ３）：共振点におけるインダクタンス素子の両端の抵抗の実測値をＲｏとすると、Ｒｐ＝Ｒｏに代入する。本例では、図３からＲｏ＝４１００Ωであり、従ってＲｐ＝４１００Ωとなる。
（４）キャパシタンスＣｐの決定（ステップＳ４）：インダクタンス素子の共振周波数ｆｏを計測し、Ｃｐ＝１／（２πｆｏ）２／Ｌｓに代入する。本例では、図３からｆｏ＝６４ＭＨｚであり、前記ステップＳ２で求めたＬｓ＝４．８μＨを代入すると、Ｃｐ＝１．３ｐＦとなる。
（５）インダクタンスＬｒの決定（ステップＳ５）：インピーダンスの抵抗分の立ち上がりを抑えておきたい周波数ｆＬｒと、前記ステップＳ３で求めた抵抗Ｒｐを、Ｌｒ＝Ｒｐ／（２πｆＬｒ）に代入する。本例では、図３から得たｆＬｒ＝２０ＭＨｚ，Ｒｐ＝４１００Ωを代入すると、インダクタンスＬｒ＝３３μＨとなる。
（６）キャパシタンスＣｒの決定（ステップＳ６）：インダクタンス素子のインピーダンス虚数分（リアクタンス分）が最大となる周波数ｆＣｒと、前記抵抗Ｒｐを、Ｃｒ＝１／（２πｆＣｒ・Ｒｐ）に代入することで求められる。本例では、図３からｆＣｒ＝４５ＭＨｚとなり、これと前記ステップＳ３で求めたＲｐ＝４１００Ωを代入すると、Ｃｒ＝０．８６ｐＦとなる。
（７）複数の閉ループの回路定数Ｒｍｉ，Ｌｍｉの決定（ステップＳ７）：前記共振周波数ｆｏ以下で、Ｑ値が変曲する周波数ｆｍｎを決定し、その後に、２πｆｍｎ＝Ｒｍｉ／Ｌｍｉを満たすように、それぞれＲｍｉ，Ｌｍｉを決定する。
本例では、前記図２（Ａ）からｆｍ１＝０．９ＭＨｚ，ｆｍ２＝１０ＭＨｚをまず決定し、次に、Ｌｍ１＝４．８μＨ，Ｒｍ１＝２７．１Ωと、Ｌｍ２＝４．８μＨ，Ｒｍ２＝３０７．５Ωをそれぞれ決定する。
（８）複数の閉ループの回路定数ｋｉの決定（ステップＳ８）：前記Ｑ値が変曲する周波数ｆｍｎと、その周波数におけるＱ値の実測値Ｑｎを求める。そして、以下の数１式に示す連立式に代入して、結合係数ｋｉを得る。
【数１】
2010067880.tif 000003
本例では、図２（Ａ）から、ｆｍ１＝０．９ＭＨｚとそのＱ値であるＱ１＝２３．９，ｆｍ２＝１０ＭＨｚとそのＱ値であるＱ２＝５７．９を得ることにより、前記連立式からｋ１＝０．２２，ｋ２＝０．１３３が求められる。
（９）抵抗Ｒｃの決定（ステップＳ９）：共振周波数以上での周波数ｆＲＣと、その周波数におけるＱ値の実測値Ｑｃを以下の数２式に代入して、抵抗Ｒｃを得る。
【数２】
2010067880.tif 000004
本例では、ｆＲＣ＝４００ＭＨｚ，Ｑｃ＝５．３より、前記連立式からＲｃ＝３３Ωを得る。
以上の結果をまとまると、次のようになる。
Ｌｓ＝４．８μＨ，Ｒｐ＝４１００Ω，Ｃｐ＝１．３ｐＦ
Ｌｒ＝３３μＨ，Ｃｒ＝０．８６ｐＦ，
Ｒｓ＝０．４６Ω，
Ｌｍ１＝４．８μＨ，Ｒｍ１＝２７．１Ω，ｋ１＝０．２２，
Ｌｍ２＝４．８μＨ，Ｒｍ２＝３０７．５Ω，ｋ２＝０．１３３，
Ｒｃ＝３３Ω，
以上のようにして図１（Ａ）の等価回路の回路定数を決定し、インダクタンスの周波数特性を求めると、図２（Ｂ）に示すようになる。これを同図（Ａ）と比較すると、両者は非常によく近似しており、共振周波数以上で損失成分となる抵抗ＲｃをキャパシタンスＣｐに直列接続することが極めて有効であることが分かる。
【実施例２】
【０００９】
次に、図５及び図６を参照しながら、本発明の実施例２について説明する。本実施例は、図５に示すようなモデル回路を用いて、ディジタル回路電源ラインにおけるインダクタによるノイズ対策効果をシミュレーションした例である。
図５に示すように、ノイズ源１００として、インピーダンスがＺＮで電流源１０２を有するものを想定する。ノイズ源１００のインピーダンスＺＮを、等価インダクタンスＬＮ＝１０ｎＨ，等価コンデンサＣＮ＝５００ｐＦ，等価抵抗ＲＮ＝５Ωの直列回路で表している。また、電流Ｉａｃを、１００ｍＡ，幅２ｎｓｅｃ，２ＧＨｚまでの高調波を含む短冊状電流とした。図中の電圧Ｖａｃは、Ｖａｃ＝ＺＮ・Ｉａｃとなる。
このようなノイズ源１００の出力側に、並列にバイパスコンデンサ１１０を接続するとともに、線路１２０を直列に接続し、更に線路１２０の出力側に終端コンデンサ１３０を接続した構成となっている。バイパスコンデンサ１１０は、等価インダクタンスＬＢ＝０．５ｎＨ，等価コンデンサＣＢ＝１μＦ，等価抵抗ＲＢ＝０．０１Ωの直列回路で表している。線路１２０の特性インピーダンスは１００Ω，長さ８０ｍｍ，伝送遅延は０．６ｎｓｅｃとしている。また、終端コンデンサ１３０は、等価インダクタンスＬＴ＝１ｎＨ，等価コンデンサＣＴ＝１０μＦ，等価抵抗ＲＴ＝５Ωの直列回路で表している。
以上のような条件で、線路１２０の終端側で電圧スペクトラムＶＤを観測すると、図６のようになる。同図（Ａ）は、図５のモデル回路において観測される電圧スペクトラムである。なお、同図の横軸は周波数を表すが、対数目盛とはなっていない。これに対し、インダクタとして、図１（Ｂ）に示した背景技術の等価回路を位置ＰＬに、線路１２０と直列になるように挿入接続してシミュレーションを行なうと、図６（Ｃ）のような結果となる。同図に示すように、共振点（６４ＭＨｚ）以上の帯域で、同図（Ａ）のインダクタが無いときと同等強度となっている周波数帯域がある（図６中のＦＥＡ，ＦＥＢの領域）。これは、Ｑ値が実測値よりも高く、インダクタの損失が計算されないためである。すなわち、本来であれば、インダクタの挿入によって電圧強度が低下するはずなのに、低下が見られない。
これに対し、インダクタとして、図１（Ａ）に示した本発明の等価回路を位置ＰＬに、線路１２０と直列になるように挿入接続してシミュレーションを行なうと、図６（Ｂ）のような結果となる。同図に示すように、共振周波数以上の高周波領域で良好に電圧ＶＤが低下しており、インダクタ挿入の効果が良好に現れている。これは、本発明の等価回路が良好な近似を与えているからであり、本発明の等価回路を使用することで、ノイズ対策効果を良好にシミュレーション検証することができる。
【実施例３】
【００１０】
次に、本発明の実施例３について説明する。本実施例は、上述した解析手法を利用したインダクタンス素子の回路定数解析装置の例である。上述した解析手法を利用すれば、コンピュータシステムなどを利用して、インダクタンス素子の回路定数選定を行なうことができる。図７には、そのような回路定数解析装置の構成が示されている。同図において、回路定数解析装置２００は、ＣＰＵなどで構成されている演算処理部２０２，キーボードやマウスなどによって構成されている入力部２０４，ＲＡＭなどのメモリ２０６，プリンタなどの出力部２０８，表示部２１０，ハードディスクなどの外部メモリ２２０を備えている。
上述した図４の解析手法を実行する回路定数解析プログラム２２２は、外部メモリ２２０に格納されている。この外部メモリ２２０から回路定数解析プログラムプログラム２２２が読み込まれて演算処理部２０２で実行される。表示部２１０には、入力データ表示領域２１２と、周波数特性波形表示領域２１４が設定されている。ユーザは、入力データ表示領域２１２を参照しながら、入力部２０４によって実測値などのデータを入力する。入力データは、メモリ２０６に保存されるとともに、表示部２１０の入力データ表示領域２１２に表示される。
演算処理部２０２では、入力データに基づいて、回路定数解析プログラム２２２が実行され、回路定数が選定される。その結果、リアクタンス素子のインピーダンスＺ，抵抗分Ｒ，リアクタンス分Ｘの周波数特性が得られたときは、そのグラフを表示部２１０の周波数特性波形表示領域２１４に表示する。ユーザは、このグラフを参照し、修正の必要があれば、更にデータの入力や入力データの修正を行う。また、必要があれば、出力部２０８によってグラフをプリントアウトする。
【実施例４】
【００１１】
次に、図８を参照しながら本発明の実施例４について説明する。本実施例は、前記実施例によって回路定数が選定されたインダクタンス素子を利用するシミュレータの例である。図８（Ａ）には本実施例のシミュレータの構成が示されており、同図（Ｂ）にはシミュレータの動作がフローチャートとして示されている。シミュレータ３００のうち、上述した図７の回路定数解析装置２００と対応するものは同一の符号を用いている。同図（Ａ）に示すように、外部メモリ２２０には、シミュレーションプログラム３０２及び回路定数テーブル３０４が格納されている。また、表示部２１０には、入力データ・選択素子表示領域３０６及び特性表示領域３０８が設定されている。
シミュレーションプログラム３０２は、図８（Ｂ）に示す処理を行なうためのもので、演算処理部２０２によって実行される。回路定数テーブル３０４は、上述した実施例で回路定数が選定された複数のインダクタンス素子の部品型番及びその回路定数をリスト化したものである。
次に、本実施例の全体動作を説明する。シミュレータ３００の利用者は、入力部２０４によって、シミュレーションの対象となる回路の初期条件を入力する（ステップＳ１００）。例えば、前記図５のような伝送線路の特性シミュレーションを行なうときは、伝送線路等の特性インピーダンスなどの条件を入力するという具合である。入力された条件は、表示部２１０の入力データ・選択素子表示領域３０６に表示される。次に、利用者は、使用するインダクタンス素子を入力部２０４もしくは表示部２１０の画面上で選択する（ステップＳ１０１）。選択結果は、表示部２１０の入力データ・選択素子表示領域３０６に表示される。
次に、演算処理部２０２では、入力された初期条件及び選択されたインダクタンス素子の回路定数に基づいて、シミュレーションプログラム３０２により回路特性を演算する（ステップＳ１０２）。得られた回路特性，例えばインピーダンスの周波数特性などは、表示部２１０の特性表示領域３０８に表示される（ステップＳ１０３）。利用者は、表示部２１０の表示を参照しながら、選択したインダクタンス素子の良否を評価する（ステップＳ１０４）。その結果、特性に不具合があれば（ステップＳ１０４のＮＧ）、初期条件を変更するか（ステップＳ１０５のＹＥＳ）、インダクタンス素子を選択しなおす（ステップＳ１０５のＮＯ）。
なお、本発明は、上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加えることができる。例えば、以下のものも含まれる。
（１）前記実施例に示した周波数，実測値，回路定数の数値は一例であり、何らそれらに限定されるものではない。また、前記形態において決定された回路定数を、より実測値に近づけるために、それらの近傍の値で微調整することを妨げるものでもない。
（２）前記例では、抵抗とインダクタンスによる磁気結合回路が２つ等価回路に含まれることとしたが、必要があれば、更に複数設けるようにしてもよい。例えば、インダクタンス分やＱ値が複数個所で実測値からはずれるような場合に好適である。
（３）本発明によって得た回路定数のインダクタンス素子を等価回路のように接続して、所望のインピーダンス特性のインダクタンス素子を擬似的に得るようにしてもよい。
（４）図７の回路定数解析装置と、図８のシミュレーション装置を組み合わせるようにしてもよい。例えば、外部メモリ２２０に、回路定数解析プログラム２２２と、シミュレーションプログラム３０２をそれぞれ格納するようにしてもよいし、シミュレーションプログラム３０２に回路定数解析プログラム２２２を組み込むようにしてもよい。この場合、図８（５）のステップＳ１０１におけるインダクタンス素子の選択動作の代わりに、図４の回路定数解析プログラム２２２を実行すればよい。
【産業上の利用可能性】
【００１２】
本発明によれば、並列接続のキャパシタンスに直列に損失成分としての抵抗を接続することとしたので、精度の高いインダクタ素子の回路定数解析が可能となり、インダクタンス素子を含む回路の特性シミュレーションなどに好適である。
【符号の説明】
【００１３】
１００  ノイズ源
１０２  電流源
１１０  バイパスコンデンサ
１２０  線路
１３０  終端コンデンサ
２００  回路定数解析装置
２０２  演算処理部
２０４  入力部
２０６  メモリ
２０８  出力部
２１０  表示部
２１２  入力データ表示領域
２１４  周波数特性波形表示領域
２２０  外部メモリ
２２２  回路定数解析プログラム
３００  シミュレータ
３０２  シミュレーションプログラム
３０４  回路定数テーブル
３０６  入力データ・選択素子表示領域
３０８  特性表示領域
【図１】
2010067880.tif 000005
【図２】
2010067880.tif 000006
【図３】
2010067880.tif 000007
【図４】
2010067880.tif 000008
【図５】
2010067880.tif 000009
【図６】
2010067880.tif 000010
【図７】
2010067880.tif 000011
【図８】
2010067880.tif 000012
【国際調査報告】
2010067880.tif 000013
2010067880.tif 000014
2010067880.tif 000015
2010067880.tif 000016