【事件の表示】
　特許第３１４９３１６号「サーマルヘッドおよびその製造方法」の請求項１、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１４９３１６号の請求項１、３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１４９３１６号に係る出願は、平成６年８月１日の出願であって、平成１３年１月１９日にその特許権の設定登録がなされ、その後、京セラ株式会社より特許異議の申立がなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年２月１９日に訂正請求がされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
ａ．訂正事項１
　特許請求の範囲の記載について、
「【請求項１】  シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成したことを特徴とするサーマルヘッド。
　【請求項２】  前記絶縁層が絶縁性樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッド。
　【請求項３】　シリコンからなる基板の露出している全表面を絶縁化処理し、前記基板の表面に保温層を形成し、前記保温層の表面に、複数個の発熱素子と、端子部を有し各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成し、前記電極の端子部にめっき処理を施すことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」
とあるのを、
「【請求項１】  シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成
し、さらに前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっき
　【請求項２】  前記絶縁層が絶縁性樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッド。
　【請求項３】　シリコンからなる基板の露出している
全面
前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、
に訂正する（訂正個所にアンダーラインを付した。以下同じ。）。
ｂ．訂正事項２
　明細書の段落【００１０】の記載について、
「【課題を解決するための手段】
　前記目的を達成するために、本発明の請求項１に記載のサーマルヘッドは、シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成したことを特徴としている。」
とあるのを、
「【課題を解決するための手段】
　前記目的を達成するために、本発明の請求項１に記載のサーマルヘッドは、シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成
し、さらに前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっき
に訂正する。
ｃ．訂正事項３
　明細書の段落【００１６】の記載について、
「さらにまた、請求項３に記載のサーマルヘッドの製造方法は、シリコンからなる基板の露出している全表面を絶縁化処理し、前記基板の表面に保温層を形成し、前記保温層の表面に、複数個の発熱素子と、端子部を有し各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成し、前記電極の端子部にめっき処理を施すことを特徴としている。」
とあるのを、
「さらにまた、請求項３に記載のサーマルヘッドの製造方法は、シリコンからなる基板の露出している
全面
前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、
に訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項１に関連する記載として、願書に添付した明細書には、「第４実施例は、ステップＳＴ１に示すようにシリコン製の基板を形成した後、ステップＳＴ１´に示すように、前記基板をまず酸化雰囲気において熱処理することにより、基板の露出している各側面および裏面を含む全表面を酸化する。これにより、基板の露出している全表面を電気的に絶縁性を有するものとする。・・・そして、その後、ステップＳＴ２に示すように、基板上に保温層を形成した後、ステップＳＴ３において酸素雰囲気で再度熱処理を行なって保温層の組織を安定化させる。・・・その後における、発熱素子、電極、保護層を形成するステップＳＴ４以降の工程は前述した第１〜第３実施例のものと同様である。」（段落【００３２】〜【００３４】）、「このようにしてサーマルヘッドを構成するための保温層、発熱素子、共通電極、個別電極および保護層を基板上に形成したら、このサーマルヘッドをプリンタに搭載するため、共通電極および個別電極の端子部とフレキシブルプリント回路の端子部とを電気的に接続する必要がある。ところが、アルミニウムからなる共通電極および個別電極の端子部には直接半田めっきを行うことができないので、ステップＳＴ７に示すように、共通電極および個別電極の端子部に無電解ニッケルめっきを行う。ところで、基板の露出表面は、前記ステップＳＴ３において酸素雰囲気での熱処理を行って、基板の露出している全表面が電気的に絶縁性を有するようにされているので、このステップＳＴ７の端子部への無電解ニッケルめっきのときに、基板の露出しているいずれの表面にもニッケル片が析出することはない。」（段落【００２４】）と記載されている。
　そうすると、上記訂正事項１は、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内において、
　サーマルヘッドの構成において、「前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっきした」という構成要件を加え、
　サーマルヘッドの製造方法において、「全表面」なる記載では、裏面に対しての表面と認識されかねないことから、基板の露出している各側面および裏面を含むものであることを明確にするために、「全表面」を「全面」に訂正し、電極の端子部にめっき処理を施す際に、「前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、」めっき処理を施すことに技術的に限定したものであるから、
明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、上記訂正事項２，３は、上記訂正事項１と整合を図るもので、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　よって、いずれも新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
（３）独立特許要件の判断
　上記請求項２に係る訂正は、特許異議の申立がされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、訂正明細書の請求項２に係る発明の独立特許要件について検討する。
　訂正明細書の請求項２に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項２に記載されたとおりのものであって、（上記（１）訂正の内容参照。）、同請求項１に係る発明の構成要件をすべて含むものである。
　そして、当該請求項１に係る発明が、下記３．（３）のように、申立人が提出した全刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることができないし、他に請求項１に係る発明が特許を受けることができない理由も発見しない。
　したがって、同様の理由により、訂正明細書の請求項２に係る発明は、申立人が提出した全刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認めることができないし、他に請求項２に係る発明が特許を受けることができない理由も発見しない。
　よって、訂正明細書の請求項２に係る発明は、出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立についての判断
（１）申立の理由の概要
　異議申立人京セラ株式会社は、本件発明についての特許に対して、証拠として甲第１号証（特開平５−１４７２４８号公報）、甲第２号証（特開平４−３５３４７２号公報）、参考資料（特開平２−２２７２６５号公報）を提出し、本件請求項１に係る発明の特許は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項３に係る発明の特許は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１及び３には、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項が記載されていないから、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たしていないので、請求項１及び請求項３に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであると主張している。
　
（２）本件訂正後発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、特許第３１４９３１６号の請求項１及び請求項３に係る発明は、上記訂正に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１及び請求項３に記載された以下のとおりのものである（以下、「訂正後発明１」、「訂正後発明３」という。）。
【請求項１】  シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成し、さらに前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっきしたことを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項３】　シリコンからなる基板の露出している全面を絶縁化処理し、前記基板の表面に保温層を形成し、前記保温層の表面に、複数個の発熱素子と、端子部を有し各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成し、前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、前記電極の端子部にめっき処理を施すことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
　
（３）引用刊行物及び対比判断
（３−１）刊行物の記載事項
　当審が先に通知した取消理由で提示した刊行物１ないし３（異議申立人が提出した甲第１号証、甲第２号証、参考資料）には、以下のような事項等が記載されている。
ａ．刊行物１
ア．「【請求項１】　単結晶シリコン基板の表面に蓄熱層を形成し、この蓄熱層の上面に複数の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に接続される個別電極及び共通電極とを形成してなるサーマルヘッドにおいて、前記蓄熱層は・・・Ｓｉの酸化物を主成分・・・であることを特徴とするサーマルヘッド。
　　【請求項２】　単結晶シリコン基板の表面に蓄熱層を形成し、この蓄熱層の上面に複数の発熱抵抗体と、これら各発熱抵抗体に接続される個別電極及び共通電極とを形成するサーマルヘッドの製造方法において、前記蓄熱層の形成は・・・Ｓｉの酸化物を主成分とした薄膜材料を用い、・・・形成することを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」（特許請求の範囲）、
イ．「本発明はサーマルヘッドに関し、特に単結晶シリコン基板を用いた熱応答性の良好な高速印字に適したサーマルヘッドに関する。」（段落【０００１】）、
ウ．「図１は本発明に係るサーマルヘッドの一実施例を示したもので、単結晶シリコンからなる基板１１の表面一部分にエッチングにより断面形状が略台形状の突起１１ａを形成し、この突起１１ａを含めて基板１１の表面上に保温層として作用する・・・Ｓｉの酸化物よりなる蓄熱層１２を、・・・形成する。・・・そして、前記突起１１ａの上面位置に、上述した従来のサーマルヘッドと同様に、・・・発熱抵抗体１３が形成され、・・・この発熱抵抗体１３上の一側には、各発熱体１３に接続される共通電極１４が、他側には、各発熱抵抗体１３に独立して通電を行う個別電極１５がそれぞれ接続されている。・・・さらに、これら発熱抵抗体１３，共通電極１４及び個別電極１５の表面には、発熱抵抗体１３及び各電極１４，１５を保護する・・・保護層１６が前記各電極１４，１５の端子部以外のすべての表面を被覆するように形成される。」（段落【００１７】〜【００１９】）、
エ．「なお、上述の実施例においては、蓄熱層１２を単結晶シリコン基板１１の突起１１ａの上面を含め基板１１の表面全体に形成したものについて説明した」（段落【００２９】）
が記載されている。
ｂ．刊行物２
ア．「本発明は、・・・サーマルヘッドの製造方法に関する。」（段落【０００１】）、
イ．「図６は、・・・従来例のサーマルヘッド１の拡大断面図である。サーマルヘッド１は、アルミナ系セラミックなどから成る絶縁基板２を備え、その上にはアルミニウムから成る回路配線３がパターン形成される。回路配線３の接続部位８にはニッケル層４がパターン形成され、・・・接続端子９を構成する。回路配線３の接続端子９が形成される接続部位８には、集積回路素子として構成される駆動回路素子６がはんだバンプ７を対向して当接させ相互に接続される。回路配線３上にニッケル層４を設けるのは、溶融物のはんだバンプ７との結合性を向上するためであり、」（段落【０００３】）、
ウ．「図１は本発明の一実施例のサーマルヘッドとしてのヘッド基板３３の断面図であり、図２はヘッド基板３３が用いられるサーマルヘッド２１の断面図であり、図３はサーマルヘッド２１の平面図である。サーマルヘッド２１は、たとえばアルミニウムなどの金属材料から成る放熱板２２を備え、この上にたとえばアルミナＡｌ２Ｏ３系セラミックなどからなる絶縁基板２３が接着剤層３０で固着される。絶縁基板２３上には・・・蓄熱層３５が形成され、・・・蓄熱層３５上には・・・共通電極３６および複数の個別電極３７が形成され、直線状に配列される複数の発熱抵抗体２４が構成される。・・・各個別電極３７は所定数毎に駆動回路素子２５に接続され、・・・これらの駆動回路素子２５は合成樹脂材料から成る保護層２６で被覆される。発熱抵抗体２４は集積回路素子として実現される駆動回路素子２５により制御される。駆動回路素子２５には保護層３９で被覆された前記個別電極３７が接続される。・・・ヘッド基板３３の絶縁基板２３上には、信号ライン２９、共通電極３６および個別電極３７などの回路配線３８が、図１に示すようにニッケルＮｉの薄膜からパターン形成され、回路配線３８上の、例としてはんだバンプ４０が接続される接続部位４１には金層４２がパターン形成される。・・・図４は図１に示すヘッド基板３３を製造する製造工程を説明する工程図である。図４工程ａ１では、絶縁基板２３上の抵抗体層３４上にニッケル薄膜を全面に形成し、通常のフォトレジストを用いるフォトプロセスで回路配線３８をパターン形成し、工程ａ２では前記接続部位４１に前記と同様なフォトプロセスで金層４２をパターン形成する。・・・図５は、前記工程ａ２の詳細を説明する工程図である。絶縁基板２３上の抵抗体層３４上に前記回路配線３８がパターン形成された後、・・・工程ｂ３では、このような絶縁基板２３の表面を金を含む溶液中に浸漬し、回路配線３８を構成するニッケルと金との置換反応により金層４２を形成する。すなわち無電解金メッキを行う。・・・このようにして図１に示す金層４２がパターン形成される。」（段落【００１１】〜【００１６】）
が記載されている。
ｃ．刊行物３
ア．「第１図には、サーマルヘッド１１の前記ドット毎の単位となる構成が示される。この単位となる構成をサーマルヘッド素子１９と称する。サーマルヘッド素子１９は、たとえば、ｐ型多結晶シリコンから成り層圧ｄｓの半導体基板２０を備える。」（第３頁右下欄第９行〜第１３行）、
イ．「第３図は本発明のサーマルヘッド素子１９の製造工程を説明する断面図であり、第４図はこの製造工程を示す平面図である。・・・半導体基板２０の一方側表面上に、・・・当該表面全面に亘り基板２０表面を熱酸化させ、酸化シリコンＳｉＯ２から成る厚みｄ１の絶縁膜２１を、第３図（１）に示すように形成する。この後、絶縁膜２１上にたとえば酸化シリコンＳｉＯ２を・・・形成し、熱抵抗層２２が形成される。」（第４頁左上欄第１４行〜右上欄第９行）
が記載されている。
　
（３−２）対比判断
　まず、上記記載ａ．ア〜エを含む明細書及び図面によると、刊行物１には、下記の発明が記載されているものと認められる。
「単結晶シリコンからなる基板の表面にＳｉの酸化物よりなる蓄熱層を形成し、この蓄熱層の上面に複数の発熱抵抗体と、端子部を有しこれら各発熱抵抗体に接続される共通電極及び通電を行う個別電極とを形成してなるサーマルヘッド及びその製造方法。」（以下、「刊行物１発明」という。）
　
（３−２−１）訂正後発明１について
　訂正後発明１と、刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「単結晶シリコン」、「蓄熱層」、及び「発熱抵抗体」は、それぞれの機能に照らし、それぞれ、訂正後発明１の「シリコン」、「保温層」、及び「発熱素子」に相当する。
  刊行物１発明において、個別電極については発熱抵抗体に通電を行う旨の記載があり、共通電極については接続される旨の記載のみであるが、共通電極についても、個別電極と共に、発熱抵抗体に通電を行うために接続されているものであるから、刊行物１発明における「各発熱抵抗体に接続される共通電極及び通電を行う個別電極」は、訂正後発明１の「各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極」に相当する。
　
　してみると、訂正後発明１と刊行物１発明とは、
「シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッド。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　訂正後発明１のサーマルヘッドは、基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成し、さらに前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっきしたことを特徴としているのに対し、刊行物１発明のサーマルヘッドは、その点が明確でない点。
　
　そこで、刊行物２及び３の記載事項をふまえて、上記相違点について検討する。
　刊行物２には、従来の技術として、絶縁基板上のアルミニウムから成る回路配線の接続部位に溶融物のはんだバンプ７との結合性を向上するためにニッケル層がパターン形成されて、接続端子を構成することが記載され、実施例として、放熱板上に絶縁基板を固着し、絶縁基板上に共通電極および個別電極などの回路配線が、ニッケルＮｉの薄膜からパターン形成され、回路配線上の、はんだバンプが接続される接続部位には無電解金メッキを行うことにより、金層がパターン形成される構成が記載されている。
　すなわち、刊行物２には、絶縁基板上に形成された電極の端子部をめっきすることは記載されているものと認められる。
　刊行物３には、半導体基板の一方側表面上に、当該表面全面に亘り酸化シリコンＳｉＯ２から成る絶縁膜を形成し、絶縁膜上に熱抵抗層として酸化シリコンＳｉＯ２を形成する構成が記載されている。
　すなわち、刊行物３には、基板が形成された状態において露出している基板の一方側表面に絶縁層を形成することは記載されているものと認められる。
　
　しかしながら、刊行物２及び３のいずれにも、上記相違点に係る構成については、記載も示唆もされていない。
　敷衍すると、刊行物２には、絶縁基板上に形成された電極の端子部をめっきすることは記載されているものの、露出しているシリコンからなる基板の全面に絶縁層を形成することについては記載も示唆もされていない。
　また、絶縁層を形成する際において、刊行物３には、基板が形成された状態において露出している基板の一方側表面に絶縁層を形成することは記載されているものの、基板の全面に絶縁層を形成することは記載も示唆もされておらず、基板の露出している全面に絶縁層が形成された状態で、電極の端子部をめっきすることも記載も示唆もされていない。
　さらに、本件訂正明細書における、「基板の露出している各側面および裏面を含む全表面を酸化する。これにより、基板の露出している全表面を電気的に絶縁性を有するものとする。」（訂正明細書段落【００１７】）、「基板を酸素雰囲気中で熱処理して基板の全表面を酸化する」（訂正明細書段落【００２６】）なる記載から、訂正後発明１の絶縁層は、基板の酸化物すなわちシリコンの酸化物であり、刊行物１発明の蓄熱層はシリコンの酸化物であるので絶縁層としての作用を有するものと解したとしても、上記記載ａ．オより、刊行物１発明の蓄熱層は基板の表面全体に形成されているだけであり、図１及び図２の記載を参酌しても、蓄熱層を基板の全面に形成することについては、記載も示唆もされておらず、基板の露出している全面に絶縁層が形成された状態で、電極の端子部をめっきすることも記載も示唆もされてなく、当該技術分野において、自明な技術的事項であるとも認められないことから、上記各刊行物を相互に適用しても、本件訂正後発明１に到達することは出来ない。
　
　そして、上記相違点に係る構成により、訂正後発明１は、「電極の端子部への無電解ニッケルめっきのときに端子間の電気的短絡が生じることなく、良好な品質の印字を行うことができる。」（訂正明細書段落【００３６】）という作用効果を奏するものであるから、本件訂正後発明１は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（３−２−２）訂正後発明３について
　訂正後発明３と、刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「単結晶シリコン」、「蓄熱層」、及び「発熱抵抗体」は、それぞれの機能に照らし、それぞれ、訂正後発明３の「シリコン」、「保温層」、及び「発熱素子」に相当する。
  刊行物１発明において、個別電極については発熱抵抗体に通電を行う旨の記載があり、共通電極については接続される旨の記載のみであるが、共通電極についても、個別電極と共に、発熱抵抗体に通電を行うために接続されているものであるから、刊行物１発明における「各発熱抵抗体に接続される共通電極及び通電を行う個別電極」は、訂正後発明３の「各発熱素子に通電を行う共通電極および個別電極」に相当する。
　
　してみると、訂正後発明３と刊行物１発明とは、
「シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、前記保温層の表面に、複数個の発熱素子と、端子部を有し各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドの製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　訂正後発明３のサーマルヘッドの製造方法は、基板の露出している全面を絶縁化処理し、前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、前記電極の端子部にめっき処理を施すことを特徴としているのに対し、刊行物１発明のサーマルヘッドの製造方法は、その点が明確でない点。
　
　そこで、刊行物２及び３の記載事項をふまえて、上記相違点について検討する。
　刊行物２には、従来の技術として、絶縁基板上のアルミニウムから成る回路配線の接続部位に溶融物のはんだバンプ７との結合性を向上するためにニッケル層がパターン形成されて、接続端子を構成することが記載され、実施例として、放熱板上に絶縁基板を固着し、絶縁基板上に共通電極および個別電極などの回路配線が、ニッケルＮｉの薄膜からパターン形成され、回路配線上の、はんだバンプが接続される接続部位には無電解金メッキを行うことにより、金層がパターン形成される構成が記載されている。
　すなわち、刊行物２には、絶縁基板上に形成された電極の端子部にめっき処理を施すことは記載されているものと認められる。
　刊行物３には、半導体基板の一方側表面上に、当該表面全面に亘り酸化シリコンＳｉＯ２から成る絶縁膜を形成し、絶縁膜上に熱抵抗層として酸化シリコンＳｉＯ２を形成する構成が記載されている。
　すなわち、刊行物３には、基板の露出している一方側表面を絶縁化処理することは記載されているものと認められる。
　
　しかしながら、刊行物２及び３のいずれにも、上記相違点に係る構成については、記載も示唆もされていない。
　敷衍すると、刊行物２には、絶縁基板上に形成された電極の端子部にめっき処理を施すことは記載されているものの、露出しているシリコンからなる基板の全面を絶縁化処理することについては記載も示唆もされていない。
　また、絶縁化処理する際において、刊行物３には、基板の露出している一方側表面を絶縁化処理することは記載されているものの、基板の露出している全面を絶縁化処理することは記載も示唆もされておらず、基板の露出している全面に絶縁化処理が施された状態で、電極の端子部にめっき処理を施すことも記載も示唆もされていない。
　さらに、本件訂正明細書における、「基板の露出している各側面および裏面を含む全表面を酸化する。これにより、基板の露出している全表面を電気的に絶縁性を有するものとする。」（訂正明細書段落【００１７】）、「基板を酸素雰囲気中で熱処理して基板の全表面を酸化する」（訂正明細書段落【００２６】）なる記載から、訂正後発明３の絶縁化処理は、基板を酸化することすなわちシリコンを酸化することであり、刊行物１発明の蓄熱層はシリコンの酸化物であるので、蓄熱層を形成することと絶縁化処理を行うことが同等のことであると解しても、上記記載ａ．オより、刊行物１発明の蓄熱層は基板の表面全体に形成されているだけであり、図１及び図２の記載を参酌しても、蓄熱層を基板の全面に形成することについては、記載も示唆もされておらず、基板の露出している全面に絶縁化処理が施された状態で、電極の端子部にめっき処理を施すことも記載も示唆もされてなく、当該技術分野において、自明な技術的事項であるとも認められないことから、上記各刊行物を相互に適用しても、本件訂正後発明３に到達することは出来ない。
　
　そして、上記相違点に係る構成により、訂正後発明３は、「電極の端子部への無電解ニッケルめっきのときに端子間の電気的短絡が生じることなく、良好な品質の印字を行うことができる。」（訂正明細書段落【００３６】）という作用効果を奏するものであるから、本件訂正後発明３は、上記刊行物１乃至３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともいえない。
　
（４）記載不備について
　異議申立人は、
「サーマルヘッドの製造プロセスにおいて、基板の形成時に絶縁層が形成されていたとしても、その後、めっき処理が施されるまでの間に、例えばシリコンウエハーの分割（外形加工）等に伴って基板表面の一部が露出した場合、その状態のまま端子部にめっき処理を施すと、基板の露出部にはニッケル片等が析出し、端子部間の短絡等を生じる恐れがあるため、上述の作用効果を得るには、めっき処理の際に基板の全面に絶縁層が形成されていることが不可欠であると思料する。しかしながら、本件請求項１では単に「基板が形成された状態において」絶縁層を形成することが、また本件請求項３では単に「電極の端子部にめっき処理する」ことが特定されているだけであり、いずれの請求項においても、「めっき処理に際して基板の全面に絶縁層が形成された状態である」ことが特定されていない。したがって、本件特許発明においては、「基板の表面にニッケル片が析出するのを防止する」という本発明の効果を奏しない構成、即ち、めっき処理に際してシリコンからなる基板の一部が露出されているようなプロセスを経て製造されるサーマルヘッドやその製造方法まで包含されていることが明白である。」
と主張しているが、上記２．（１）ａ．訂正事項１により、特許請求の範囲が訂正され、基板の露出している全面に絶縁層が形成された状態で、もしくは、基板の露出している全面に絶縁化処理が施された状態で、電極の端子部をめっきすることが明確になった。
　したがって、請求項１、３の記載は、特許法第３６条第５項に規定する要件を満たさないものであるとすることもできない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立の理由によっては本件請求項１、３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、３に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１、３に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改定する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月２６日（２００２．３．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件訂正は、特許請求の範囲の減縮、特許請求の範囲及び詳細な説明の明瞭でない記載の釈明を目的として、願書に添付した明細書の記載を以下の（１）乃至（３）のように訂正するものである。
（１）特許請求の範囲の記載について、
「【請求項１】　シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成し、さらに前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっきしたことを特徴とするサーマルヘッド。
　【請求項２】　前記絶縁層が絶縁性樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッド。
　【請求項３】　シリコンからなる基板の露出している全面を絶縁化処理し、前記基板の表面に保温層を形成し、前記保温層の表面に、複数個の発熱素子と、端子部を有し各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成し、前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、前記電極の端子部にめっき処理を施すことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。」
に訂正する。
（２）明細書の段落【００１０】の記載について、
「【課題を解決するための手段】
　前記目的を達成するために、本発明の請求項１に記載のサーマルヘッドは、シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成し、さらに前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっきしたことを特徴としている。」
に訂正する。
（３）明細書の段落【００１６】の記載について、
「さらにまた、請求項３に記載のサーマルヘッドの製造方法は、シリコンからなる基板の露出している全面を絶縁化処理し、前記基板の表面に保温層を形成し、前記保温層の表面に、複数個の発熱素子と、端子部を有し各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成し、前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、前記電極の端子部にめっき処理を施すことを特徴としている。」
に訂正する。
（５４）【発明の名称】
サーマルヘッドおよびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成
し、さらに前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっきした
　【請求項２】　前記絶縁層が絶縁性樹脂により形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサーマルヘッド。
　【請求項３】　シリコンからなる基板の露出している
全面
前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、サーマルヘッドおよびその製造方法に係り、特に、シリコン基板を有するサーマルヘッドおよびその製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、サーマルプリンタに搭載されるサーマルヘッドは、例えば、複数個の発熱素子を同一基板上に直線的に配列し、所望の印字情報に従って各発熱素子を選択的に通電加熱させて、感熱記録紙を発色させて印字を行うか、あるいはインクリボンを介して普通紙にインクを転写させて印字を行うために用いられている。
　【０００３】
　図３は、従来のサーマルヘッドを示したものであり、シリコンからなる基板１上には、シリコンとタンタルなどの酸化物からなる保温層２が蒸着法などにより形成されており、この保温層２は、発熱部に対応する位置の上面の断面形状が円弧状に形成されている。この保温層２の上面には、Ｔａ２Ｎ等からなる発熱抵抗体が蒸着法あるいはスパッタリング法等により、グレーズ層２の表面に被着された後、エッチングされて、ドット数に応じた複数個の発熱素子３が直線状に整列して形成されており、各発熱素子３上の一側には、各発熱素子３に接続される共通電極４が形成され、また他側には、各発熱素子３に独立して通電を行う個別電極５がそれぞれ接続されている。これら共通電極４および個別電極５は、例えば、Ａｌ、Ｃｕあるいは金属からなり、蒸着法あるいはスパッタリング法等により被着された後、エッチングにより所望の形状にパターニングされることにより形成されている。
　【０００４】
　さらに、これらの保温層２、発熱素子３、共通電極４および個別電極５の表面には、保温層２、発熱素子３、共通電極４および個別電極５を保護するために、ほぼ５〜１０μｍの膜厚の保護層６が形成されており、この保護層６は、前記各電極４，５の端子部以外のすべての表面を被覆するようにされている。また、前記保護層６は、各発熱素子３を酸化による劣化から保護するためのＳｉＯ２等からなるほぼ２μｍの膜厚の耐酸化層７と、インクリボンあるいは感熱記録紙との接触により発生する摩耗から発熱素子３、共通電極４および個別電極５を保護するためのＴａ２Ｏ５等からなるほぼ３〜８μｍの膜厚の耐摩耗層８とが、この順序で積層された構成とされており、この耐酸化層７および耐摩耗層８は、蒸着法あるいはスパッタリング法等の手段により順次形成されている。
　【０００５】
　このようなサーマルヘッドを用いるサーマルプリンタのうち熱転写プリンタにおいては、このサーマルヘッドをインクリボンを介して用紙に圧接させた状態で、また、感熱プリンタにおいては、直接プラテン上に搬送される用紙に圧接させた状態で、所定の印字信号に基づいて発熱素子３の個別電極５に選択的に通電を行い、所望の発熱素子３を発熱させることにより、前記インクリボンのインクを溶融して用紙上に転写させるか、あるいは、感熱記録紙を発色させることにより所望の印字が行われるものである。
　【０００６】
　および発熱素子３の過熱によるドット抜けが発生する。そのため、電力効率と印字特性の両者を勘案して、使用条件に合わせてグレーズ層２の厚さが調整されており、通常は３０〜６０μｍ程度の厚さとされている。
　【０００７】
　前述したサーマルヘッドをプリンタに搭載するためには、プリンタのキャリッジに組み込んだサーマルヘッドの各電極４，５の端子部と、これらの各電極４，５に給電するためのフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）の端子部とを半田めっきにより接続する必要がある。ところで、前記各電極４，５の端子部はアルミニウムにより形成されており、このアルミニウム製の端子部はそのまま半田めっきできないので、半田めっきの前に、各電極４，５の端子部にニッケルめっきを施さなければならない。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、前記基板１の材料となるシリコンは厳密な意味において絶縁性でないため、各電極４，５の端子部に無電解ニッケルめっきを行うと、保温層２が形成されている表面以外の外部に露出されている基板１の各表面が完全な絶縁性ではないことにより、外部に露出されている基板１の各表面にはニッケル片が析出することになる。そして、このニッケル片がめっき液中を浮遊して各電極４，５の端子部間に橋架されるように付着すると、端子部間に電気的短絡が生じてしまい、印字情報に対応した印字を行えなくなってしまっていた。
　【０００９】
　本発明は、前述した問題を解決するためになされたものであり、電極の端子間の電気的短絡が生じることなく、良好な品質の印字を行うことのできるサーマルヘッドおよびその製造方法を提供することを目的とする。
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　前記目的を達成するために、本発明の請求項１に記載のサーマルヘッドは、シリコンからなる基板の表面に保温層を形成し、この保温層の表面に、複数個の発熱素子と、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを形成したサーマルヘッドにおいて、前記基板が形成された状態において露出している基板の全面に絶縁層を形成
し、さらに前記基板の露出している全面に前記絶縁層が形成された状態で、前記電極の端子部をめっきした
　【００１１】
　【００１２】
　【００１３】
　【００１４】
　また、請求項２に記載のサーマルヘッドは、請求項１において、前記絶縁層が絶縁性樹脂により形成されていることを特徴としている。
　【００１５】
　【００１６】
　さらにまた、請求項３に記載のサーマルヘッドの製造方法は、シリコンからなる基板の露出している
全面
前記基板の露出している全面に前記絶縁化処理が施された状態で、
　【００１７】
　【作用】
　本発明のサーマルヘッドおよびその製造方法によれば、電極の端子部にめっき処理を施すに際し、露出している基板の表面が絶縁性を有しているので、露出している基板の表面にニッケル片が析出することがない。したがって、析出したニッケル片が電極の端子部間に橋架されるように付着するおそれがない。
　【００１８】
　【実施例】
　以下、本発明を図面に示す実施例により説明する。なお、本発明のサーマルヘッドの構成は、図面上においては前述した図３と同様なので、その図示は省略する。
　【００１９】
　図１は本発明のサーマルヘッドの製造方法の３つの実施例を併示したものであり、このうちの第１実施例についてまず説明する。
　【００２０】
　まず、ステップＳＴ１に示すように、シリコン製の基板を形成する。
　【００２１】
　つぎに、ステップＳＴ２に示すように、前記基板上に複数のサーマルヘッドに対応するように蒸着などにより保温層を形成する。
　【００２２】
　その後、ステップＳＴ３に示すように、酸素雰囲気において保温層の形成された基板を加熱する熱処理（アニール）を行う。この酸素雰囲気における熱処理を行うことにより、前記保温層の組織を安定化させたうえで、基板の露出している各側面および裏面を含む全表面を酸化する。これにより、基板の露出している全表面を電気的に絶縁性を有するものとする。なお、このとき保温層の表面も同時に酸化されるが、保温層の物質自体は酸素が増すだけで問題はない。
　【００２３】
　つぎに、ステップＳＴ４に示すように、前記保温層上に複数のサーマルヘッドに対応するようにそれぞれ複数個の発熱素子を形成するとともに、ステップＳＴ５に示すように、各発熱素子に通電を行なう共通電極および個別電極とを各発熱素子に接続するように形成する。さらに、ステップＳＴ６に示すように、保温層、発熱素子、共通電極および個別電極の表面に、これらの保温層、発熱素子、共通電極および個別電極を保護するための保護層を形成する。
　【００２４】
　このようにしてサーマルヘッドを構成するための保温層、発熱素子、共通電極、個別電極および保護層を基板上に形成したら、このサーマルヘッドをプリンタに搭載するため、共通電極および個別電極の端子部とフレキシブルプリント回路の端子部とを電気的に接続する必要がある。ところが、アルミニウムからなる共通電極および個別電極の端子部には直接半田めっきを行うことができないので、ステップＳＴ７に示すように、共通電極および個別電極の端子部に無電解ニッケルめっきを行う。ところで、基板の露出表面は、前記ステップＳＴ３において酸素雰囲気での熱処理を行って、基板の露出している全表面が電気的に絶縁性を有するようにされているので、このステップＳＴ７の端子部への無電解ニッケルめっきのときに、基板の露出しているいずれの表面にもニッケル片が析出することはない。
　【００２５】
　そこで、最後にステップＳＴ８に示すように、共通電極および個別電極の端子部とプリンタのフレキシブルプリント回路の端子部との電解半田めっきを行って、サーマルヘッドをプリンタに搭載することができる。
　【００２６】
　前述した本実施例によれば、シリコンからなる基板の露出表面には、前記ステップＳＴ３において酸素雰囲気での熱処理を行って、基板の露出している全表面が電気的に絶縁性を有するようにされているので、ステップＳＴ７の端子部への無電解ニッケルめっきのときに、基板の露出している全表面にニッケル片が析出することはない。
　【００２７】
　したがって、析出したニッケル片が電極の端子部間に橋架されるように付着するおそれがなく、この結果、電極の端子間の電気的短絡が生じることなく、良好な品質の印字を行うことができる。
　【００２８】
　なお、本実施例においては、単一のサーマルヘッドを製造するように説明したが、一般に、サーマルヘッドの製造においては、複数のサーマルヘッドを含むサーマルヘッドユニットを１枚のシリコン製の基板上に形成して、サーマルヘッド製造の最終段階でダイヤモンドブレードなどによりこのサーマルヘッドに分断するようにしている。このように、一度サーマルヘッドユニットを形成する場合には、前述したステップＳＴ３において熱処理により絶縁化される絶縁製基板の表面は、個々のサーマルヘッドの側面および裏面ではなく、サーマルヘッドユニットの側面および裏面となるが、このようにサーマルヘッドユニットの側面および裏面のみを絶縁化すれば、析出したニッケル片が電極の端子部間に橋架されるように付着するおそれがなくなる。
　【００２９】
　つぎに、本発明のサーマルヘッドの製造方法の第２実施例によれば、図１のステップＳＴ３において、保温層の組織を安定化させるために窒素雰囲気において熱処理を行った後、ステップＳＴ３´において、酸素雰囲気での熱処理を行って、基板の露出している全表面の絶縁化をはかっている。また、本発明のサーマルヘッドの製造方法の第３実施例によれば、図１のステップＳＴ３において、保温層の組織を安定化させるために真空雰囲気において熱処理を行った後、ステップＳＴ３´において、酸素雰囲気での熱処理を行って、基板の露出している全表面の絶縁化をはかっている。
　【００３０】
　このような第２実施例および第３実施例においても、前述した第１実施例とほぼ同様の作用効果を奏することができる。
　【００３１】
　つぎに、図２を用いて、本発明のサーマルヘッドの製造方法のさらに別の３つの実施例（第４〜第６実施例）について説明する。これらの各実施例は、保温層を形成する前に、まず基板を酸素雰囲気中で熱処理して基板の全表面を酸化するという点が前述した第１〜第３実施例とは異なるものである。
　【００３２】
　すなわち、第４実施例は、ステップＳＴ１に示すようにシリコン製の基板を形成した後、ステップＳＴ１´に示すように、前記基板をまず酸化雰囲気において熱処理することにより、基板の露出している各側面および裏面を含む全表面を酸化する。これにより、基板の露出している全表面を電気的に絶縁性を有するものとする。
　【００３３】
　そして、その後、ステップＳＴ２に示すように、基板上に保温層を形成した後、ステップＳＴ３において酸素雰囲気で再度熱処理を行なって保温層の組織を安定化させる。
　【００３４】
　その後における、発熱素子、電極、保護層を形成するステップＳＴ４以降の工程は前述した第１〜第３実施例のものと同様である。
　【００３５】
　つぎに、本発明のサーマルヘッドの製造方法の第５実施例によれば、図２のステップＳＴ３において、保温層の組織を安定化させるために酸素雰囲気に代えて窒素雰囲気において熱処理を行なっている。
　【００３６】
　さらに、本発明のサーマルヘッドの製造方法の第６実施例によれば、図２のステップＳＴ３において、保温層の組織を安定化させるために、酸素あるいは窒素雰囲気ではなく真空雰囲気により熱処理を行なっている。
　【００３７】
　このような、第４実施例、第５実施例および第６実施例によれば、前述した第１〜第３実施例と同様に作用効果を奏することができる。また、保温層を形成する前の基板だけの状態で熱処理を行なうようにすれば、第１〜第３実施例における保温層形成後の熱処理に比べてより高温での熱処理が可能となる。すなわち、保温層形成後の熱処理においては約８００℃が上限であるのに対して基板だけの状態での熱処理においては約１１００℃での熱処理が可能となる。したがって、より高温での熱処理により絶対的な絶縁性を有する酸化層をより短時間のうちに形成できるという効果もある。
　【００３８】
　なお、基板表面の絶縁化のためには、窒化処理、炭化処理あるいはＬＰＤ処理（液相コート）を行うことも可能である。
　【００３９】
　また、前述した第１ないし第６実施例においては、基板の表面の絶縁化処理を熱処理により行うように説明したが、保温層の形成後に、基板の表面に絶縁性樹脂を塗布するか、あるいは基板の表面を絶縁性テープにより被覆するようにしても、端子部への無電解ニッケルめっきのときに、基板の露出している表面へのニッケル片の析出を防止することができる。なお、前記絶縁性樹脂あるいは絶縁性テープ最終段階で除去してもよいし、場合によっては除去しなくともよい。
　【００４０】
　なお、本発明は前記各実施例に限定されるものではなく、必要に応じてその他の変更が可能である。
　【００４１】
　【発明の効果】
　以上のように本発明のサーマルヘッドおよびその製造方法によれば、電極の端子部への無電解ニッケルめっきのときに端子間の電気的短絡が生じることなく、良好な品質の印字を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のサーマルヘッド製造方法の３つの実施例（第１〜第３実施例）を併示するフローチャート
　【図２】
本発明のサーマルヘッド製造方法の３つの実施例（第４〜第６実施例）を併示するフローチャート
　【図３】
　従来のサーマルヘッドを示す縦断面図
　【符号の説明】
　１　基板
　２　保温層
　３　発熱素子
　４　共通電極
　５　個別電極
　６　保護層