【事件の表示】
　特許第３１９８６７８号「窒素−３族元素化合物半導体発光素子」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１９８６７８号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯・本件発明
　特許第３１９８６７８号（平成４年１０月２９日出願、平成１３年６月１５日設定登録。）の請求項１ないし８に係る発明は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される以下のとおりである。
　前記ｐ層を、前記ｎ層と接合する側からホール濃度が比較的低濃度の低キャリア濃度ｐ層と、ホール濃度が比較的高濃度の高キャリア濃度ｐ+層とを１周期として、複数周期繰り返して形成したことを特徴とする窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項２】前記低キャリア濃度ｐ層のホール濃度は1×1014/cm3〜1×1016/cm3であることを特徴とする請求項１に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項３】前記高キャリア濃度ｐ+層のホール濃度は1×1016/cm3〜2×1017/cm3であることを特徴とする請求項１に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項４】前記低キャリア濃度ｐ層又は前記高キャリア濃度ｐ+層の膜厚は100Å〜1000Åであることを特徴とする請求項１に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項５】前記ｎ層は高キャリア濃度ｎ+層と低キャリア濃度ｎ層との２層構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項６】前記高キャリア濃度ｎ+層はシリコン添加のGaNから成り、低キャリア濃度ｎ層は不純物無添加のGaNから成ることを特徴とする請求項５に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項７】前記高キャリア濃度ｎ+層の電子濃度は、1×1016〜1×1019／cm3であることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項８】前記高キャリア濃度ｎ+層の膜厚は2〜10μｍであることを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。」
　
２．申立理由の概要
　これに対して、特許異議申立人江間晴彦は、甲第１号証(特開平３−２５２１７７号公報)、甲第２号証(特開平４−１６３９７０号公報)、甲第３号証(特開平４−１７９２８０号公報)、甲第４号証(特開昭６３−９０８６１号公報)、甲第５号証(特開平３−２９６２８２号公報)、甲第6号証(特開昭５８−１１４４５５号公報)及び甲第７号証(特開平４−１２５９７６号公報)を提出して、本件請求項１、２及び４〜８に係る発明は、これらの刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、また、本件請求項３の記載は、発明の目的・作用効果を達成できない数値を包含しているから、平成５年改正特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしておらず、本件請求項１ないし８に係る発明の特許を取り消すべきと主張している。
　
３．判断
（１）甲号証に記載された発明
　甲第１号証(特開平３−２５２１７７号公報)には、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａｌ-ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａｌ-ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｎ層をＩ層と接合する側から順に、低キャリア濃度Ｎ層と高キャリア濃度Ｎ＋層との二重層構造とし、Ｉ層をＮ層と接合する側から順に、Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層とＰ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が記載されている。
　甲第２号証（特開平４−１６３９７０号公報）には、バッファ層２の上に、順に、膜厚約２．２μｍのＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３と膜厚約１．５μｍのＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４が形成され、更に、低キャリア濃度ｎ層４の上に膜厚約０．２μｍのＧａＮから成るｐ層５が形成されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が記載され、ｐ層５について「ｐ層のドーピング元素は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）である。Ｍｇを単にドーピングした場合には、ｉ型（半絶縁）となる。このｉ型の層に電子線を照射することで、ｐ型に変化させることができる。」（第３頁左上欄第６行〜１０行）と記載されている。
　甲第３号証（特開平４−１７９２８０号）には、基板１０（ＧａＡｓ）の上に第一導電型の狭・広禁制帯幅層１１（ｎ形ＧａＡｓ），１２（ｎ形ＡｌＡｓ）、活性層１３（ノンドープＩｎＧａＡｓ）、第２導電型の広・狭禁制帯幅層１４（ｐ形ＡｌＡｓ），１５（ｐ形ＧａＡｓ）とを積層し、電極１６，１７を設けた多層膜構造からなる半導体発光素子が記載され、多層膜へテロ界面の直列抵抗の低減を行うために、第２図（ｂ）に示すように広禁制帯幅半導体層内の界面近傍のドーピングを局所的に変化させることが記載されている。
　甲第４号証（特開昭６３−９０８６１号）には、III−Ｖ化合物半導体装置、特にＧａＡｓＦＥＴのソース抵抗の低減を可能にするために、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓにＳｉの高濃度ドーピング層を形成することが記載されている。
　甲第５号証（特開平３−２９６２８２号）には、超格子光電変換素子について記載されている。
　甲第６号証（特開昭５８−１１４４５５号）には、半導体結晶中に少数キャリアを注入、走行させて動作する半導体装置について記載され、その少数キャリアである電子が注入されて走行する領域が、ｐ型高濃度（ｐ＋）領域１２Ａと高純度あるいはｐ型低濃度（ｐ−）領域１２Ｂとが交互に繰返して構成されることが記載されている。
　そして、上記半導体装置及び少数キャリアである電子が注入されて走行する領域として、III−Ｖ化合物半導体を用いたバイポーラトランジスタ及びそのベースが例示されている。
　甲第７号証（特開平４−１２５９７６号）には、超格子構造を用いた半導体受光素子が記載されている。
　
（２）対比・判断
　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と甲第１号証に記載された発明を比較するに、両者はともに、
　前記ｐ型不純物が添加された層を、前記ｎ層と接合する側から不純物濃度が比較的低濃度の層と、不純物濃度が比較的高濃度の層とで形成した窒素−３族元素化合物半導体発光素子。」の発明である点で一致するものの、次の点で相違する。
　この点について検討するに、甲第２号証には、Ｉ型の層に電子線を照射することでｐ型に変化させることが記載されているが、甲第２号証では、ｐ層は１層のみであり、不純物濃度が異なる複数のＩ層に電子線照射を行い、キャリア濃度が異なる複数のｐ層を形成することは記載されていないし、示唆されてもいない。ましてや、ｎ層と接合する側から不純物濃度が比較的低濃度の層と不純物濃度が比較的高濃度の層とを１周期として、これを複数周期繰り返したものに電子線を照射して本件発明のようなｐ層を形成することは、何ら示唆されていない。
　なお、申立人は、上記のｐ層を低キャリア濃度ｐ層と高キャリア濃度ｐ+層とを１周期として複数周期繰り返して形成することについて、甲第３〜７号証を参照することにより、当業者が容易に想到する旨の主張をしているが、以下に述べるように採用できない。
　甲第３号証において、第２導電型の広・狭禁制帯幅層１４，１５は、それぞれ、（ｐ形）ＡｌＡｓと（ｐ形）ＧａＡｓというように材料組成が異なるものであり、甲第１号証にように同じ材料において、不純物濃度のみを異ならせるものではないから、甲第３号証に記載の技術事項は、甲第１号証において採用されるものではない。
　甲第４号証のものは、ＧａＡｓＦＥＴのソース抵抗の低減を目的とするものであって、窒素−３族元素化合物半導体発光素子である甲第１号証において採用される技術とはいえない。
　甲第５号証のものは、超格子光電変換素子であって、窒素−３族元素化合物半導体発光素子である甲第１号証において採用される技術とはいえない。
　甲第６号証のものは、III−Ｖ化合物半導体を用いたバイポーラトランジスタのベース部分に用いられるような技術であって、窒素−３族元素化合物半導体発光素子である甲第１号証において採用される技術とはいえない。
　甲第７号証のものは、超格子構造を用いた半導体受光素子であって、窒素−３族元素化合物半導体発光素子である甲第１号証において採用される技術とはいえない。
　
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明について、甲第１ないし７号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたということはできない。
　また、本件請求項２及び４〜８に係る発明は、いずれも、本件請求項１に従属する発明であって、請求項１に係る発明の構成を全て含むものであるから、同様に、甲第１ないし７号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたということはできない。
　
（３）請求項３に係る発明について
　申立人は、本件請求項３において、ｐ＋層のホール濃度を下限の１×１０１６に設定し、ｐ層のホール濃度を請求項２の上限の１×１０１６に設定した場合、ｐ＋層とｐ層との間でホール濃度の差が生じなくなり、ｐ層の多層構造は得られないので、請求項３の数値限定は、発明の目的・作用効果を達成できない数値を包含していることから、平成５年改正特許法第３６条第５項第２号に規定する要件を満たしていないとの主張をするが、本件請求項３は、請求項１の従属項であるから、ホール濃度が比較的高濃度の高キャリア濃度ｐ＋層のホール濃度を１×１０１６に設定した場合には、ホール濃度が比較的低濃度の低キャリア濃度ｐ層のホール濃度は、それより低い濃度のものが採用されることになることは明らかであって、本件請求項３において、申立人がいうようなｐ＋層とｐ層との間でホール濃度の差が生じないようなものは含まれていないことが明らかであり、申立人の主張は採用できるものではない。
　そして、本件請求項３の記載が平成６年改正前特許法第３６条第５項第２号の「特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項のみを記載した項（以下「請求項」という。）に区分してあること。」との規定に違反するものでないことは明らかである
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件の請求項１ないし８に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月１５日（２００２．４．１５）