【事件の表示】
　特願２０１４−２２２９９７「レジストパターン形成装置およびレジストパターン形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月２３日出願公開、特開２０１６−　９２１２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２６年１０月３１日の出願であって、その手続の概要は、以下のとおりである。
　平成３０年　４月１７日付け：拒絶理由の通知 
　平成３０年　６月２２日　　：意見書、手続補正書の提出 
　平成３０年１１月１３日付け：拒絶査定 
　平成３１年　１月２３日　　：審判請求書、手続補正書の提出 
　令和　元年１２月２５日付け：拒絶理由の通知 
　令和　２年　２月１２日　　：意見書、手続補正書の提出 
第２　本願発明 
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、令和２年２月１２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。 
「【請求項１】
　ポジ型レジスト組成物を塗布して基板上にレジスト膜を形成する塗布装置と、
　前記レジスト膜の現像処理を行うことでプレパターンを形成する現像装置と、
　露点−８０〜−５℃の雰囲気内で前記プレパターンを所定時間加熱した状態とする第１加熱装置と、
　加熱後の前記プレパターンに光照射処理を行うことで硬化させる光照射部と、を備え、
　前記第１加熱装置は、前記光照射処理に先立ち、低露点雰囲気内で前記プレパターンを１００℃まで加熱した状態で保持し、
　前記光照射部は、前記光照射処理を行う処理チャンバ内の酸素濃度を１０００ｐｐｍ以下とし、
　前記光照射部は、前記プレパターンが１００℃に到達した後、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長域の光を前記プレパターンに照射する
　レジストパターン形成装置。」
第３　拒絶の理由 
　令和元年１２月２５日付けで当審が通知した拒絶の理由の概要は、次のとおりである。 
［理由１］（進歩性）本件出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　　　　　　　　　　　　　　　　記
 
●理由１（進歩性）について 
・請求項　　　１−８ 
・引用文献等　１−３ 
　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞ 
引用文献１．特開２０１３−１１０１９４号公報
引用文献２．特開２００８−１６６３１６号公報
引用文献３．特開２００８−１６４７８９号公報
第４　引用文献について 
　引用文献１には、以下の事項が記載されている（下線は、当審で付した。以下同様。）。 
「【請求項１】
　
基板に対する紫外線照射を行う処理室と、
　
少なくとも前記処理室内の前記基板を加熱する加熱機構と、
　
前記処理室内を脱酸素及び脱水分状態に保持するように該処理室内に気体を供給する気体供給部と、
　
当該紫外線照射装置内に前記基板の搬入を行うための基板搬入口と前記処理室との間に少なくとも設けられ、前記処理室に連通されることで該処理室内を所定雰囲気に維持する予備室と、を備える
紫外線照射装置
「【請求項３】
　
前記気体供給部は、前記処理室内に不活性ガスを供給する
【請求項４】
　
前記気体供給部は、前記不活性ガスとして窒素ガスを供給する
「【請求項６】
　
前記予備室及び前記処理室間において前記基板を移動させる基板移動機構を更に備える
「【請求項８】
　
前記加熱機構は、前記予備室内の前記基板も加熱する
「【請求項１２】
　
基板に処理液の塗布処理を行う塗布装置と、
　
前記基板に塗布された前記処理液の現像処理を行う現像装置と、
　
前記基板に紫外線照射処理を行う紫外線照射装置と、
　前記塗布処理、前記現像処理及び前記紫外線照射処理の関連処理を行う関連装置と、
を備え、
基板処理装置であって、
　
前記紫外線照射装置として、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の紫外線照射装置が用いられている
基板処理装置。
「【０００２】
　液晶ディスプレイなどの表示パネルを構成するガラス基板上には、配線パターンや電極パターンなどの微細なパターンが形成されている。一般的にこのようなパターンは、例えばフォトリソグラフィなどの手法によって形成される。フォトリソグラフィ法では、レジスト膜をガラス基板に塗布する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後の
レジスト膜を現像する
「【００２４】
　以下、本発明の紫外線照射装置及びこれを備えた基板処理装置に係る実施例について説明する。
　図１は本実施形態に係る基板処理装置ＳＰＡを示す平面図である。
基板処理装置ＳＰＡは、
塗布現像処理部ＣＤ
を備えている。
「【００２９】
　（塗布現像処理部）
　
塗布現像処理部ＣＤは、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施す部分である
塗布現像処理部ＣＤは、
塗布ユニットＣＴ、
現像ユニットＤＶ、紫外線照射ユニットＵＶ及びポストベークユニットＰＢを有している
「【００３８】
　
紫外線処理ユニット（紫外線照射装置）ＵＶは、現像ユニットＤＶの下流側に接続されており、現像後の基板Ｇに
ｉ線などの紫外線を照射する
「【００４３】
　図２、３に示すように、
紫外線処理ユニットＵＶは、第１〜第４予備室８０〜８３と、紫外線処理室８４と、これら予備室８０〜８３及び紫外線処理室８４間で基板Ｇを移動させる基板移動機構８５と、を有している
「【００５３】
　
第３予備室８２は、チャンバ１３１及び加熱機構１３３を有している
【００５４】
　
加熱機構１３３は、基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成される
ホットプレート１３４の表面温度は例えば１００℃に設定されている
「【００６０】
　
紫外線処理室８４は、チャンバ１６１、チャンバ１６１内の基板Ｇに対して紫外線を照射する紫外線照射部１６２、加熱機構１６３及びチャンバ１６１内に不活性ガス（気体）を供給するガス供給部１６５を有している
「【００６２】
　
チャンバ１６１は、第３予備室８２のチャンバ１３１との接続部分に基板搬入部１６１ａを有しており
【００６３】
　
紫外線照射部１６２は、
紫外線を照射する光源８６を有し、
光源８６としては、紫外線（例えばｉ線など）を照射する光源が用いられている。光源８６として、波長３４０ｎｍ〜４２０ｎｍの範囲の紫外線を照射する
【００６４】
　
加熱機構１６３は基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１６４を主体に構成され
ホットプレート１６４の表面温度は例えば１００℃に設定されている
【００６５】
　ガス供給部１６５は、チャンバ１６１内に不活性ガス（気体）を供給するためのものである。上記不活性ガスとしては窒素ガスを用いるのが好ましく、
ガス供給部１６５は窒素ガスをチャンバ１６１内に供給することで低酸素状態（脱酸素及び脱水分状態）に保持している。具体的にガス供給部１６５は、チャンバ１６１内の酸素濃度が１００ｐｐｍ程度となるようにチャンバ１６１内に窒素ガスを供給する
予備室８０〜８３及び処理室８４全体を脱酸素、脱水分状態に保持する
「【００７６】
　その後、
基板Ｇは塗布ユニットＣＴにおいてレジスト膜の塗布処理が行われる
「【００７８】
　
現像ユニットＤＶにおいて、基板Ｇには現像処理
が
行われる
「【００８８】
　
基板Ｇは
所定時間１００℃で加熱される
第３予備室８２内において基板Ｇを予め加熱する
　なお、チャンバ１３１内は、循環機構１５０によって内部雰囲気がフィルター１５１を介して循環されるため、クリーンな雰囲気が安定的に維持されている（図５参照）。」
「【００９０】
　
基板Ｇをホットプレート１３４によって所定時間加熱した後、駆動機構１７２は切欠１３４ｂを介して保持部１７０ａを＋Ｚ方向に上昇させることでホットプレート１３４の上方に基板Ｇを持ち上げる。そして、駆動機構１７２は基板保持部材１７０を−Ｘ方向に移動させることで第３予備室８２のチャンバ１３１内の基板Ｇを基板搬入部１６１ａを介して紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動する
「【００９４】
　これによれば、紫外線処理ユニットＵＶに対して基板Ｇの搬入を行った場合であっても、上記第１予備室８０乃至第３予備室８２によって紫外線処理室８４のチャンバ１６１内の雰囲気が変動するのを防止することができ、
チャンバ１６１内を所定雰囲気（低酸素雰囲気）に維持する
【００９５】
　具体的に基板Ｇの搬入時に基板搬入部１６１ａのシャッターが開くと、
第３予備室８２の
酸素濃度が低い状態
に維持される。
「【００９９】
　基板Ｇが搬入された後、
紫外線処理室８４は、
基板Ｇに対して紫外線照射部１６２の光源８６から紫外線（ｉ線）を照射する
　したがって、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「塗布現像処理部ＣＤは、基板Ｇにレジスト塗布及びレジスト膜の現像を含む一連の処理を施す部分であり、塗布現像処理部ＣＤは、塗布ユニットＣＴ、現像ユニットＤＶ、紫外線処理ユニットＵＶ及びポストベークユニットＰＢを有し、
　紫外線処理ユニットＵＶは、第３予備室８２と、紫外線処理室８４と、第３予備室８２及び紫外線処理室８４間で現像後の基板Ｇを移動させる基板移動機構８５と、を有し、
　第３予備室８２は、チャンバ１３１及び加熱機構１３３を有し、第３予備室８２を脱酸素、脱水分状態に保持し、加熱機構１３３は、ホットプレート１３４の表面温度は１００℃に設定され現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成され、
　紫外線処理室８４は、チャンバ１６１、チャンバ１６１内の基板Ｇに対して紫外線を照射する紫外線照射部１６２、加熱機構１６３及びチャンバ１６１内に不活性ガス（気体）を供給するガス供給部１６５を有し、チャンバ１６１は、第３予備室８２のチャンバ１３１との接続部分に基板搬入部１６１ａを有しており、ガス供給部１６５は、酸素濃度が１００ｐｐｍ程度となるように窒素ガスをチャンバ１６１内に供給することで低酸素状態（脱酸素及び脱水分状態）に保持し、加熱機構１６３は、ホットプレート１６４の表面温度が１００℃に設定され現像後の基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１６４を主体に構成され、
　前記第３予備室８２のチャンバ１３１内の現像後の基板Ｇを基板搬入部１６１ａを介して紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動し、チャンバ１６１内を１００ｐｐｍ程度となる低酸素（脱酸素及び脱水分）雰囲気に維持し、紫外線処理室８４は、現像後の基板Ｇに対して紫外線照射部１６２の光源８６から紫外線（ｉ線）を照射する
　塗布現像処理部ＣＤを備えている基板処理装置ＳＰＡ。」
第５　対比 
１　本願発明と引用発明を対比する。 
（１）引用発明の「『基板Ｇにレジスト塗布』『を施す』」は、本願発明の「レジスト組成物を塗布して基板上にレジスト膜を形成する」に、
　引用発明の「塗布ユニットＣＴ」は、本願発明の「塗布装置」に、
　引用発明の「『レジスト膜の現像』『の処理を施す』」は、本願発明の「前記レジスト膜の現像処理を行うことでプレパターンを形成する」に、
　引用発明の「現像ユニットＤＶ」は、本願発明の「現像装置」に、
　引用発明の「『現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成され』た『加熱機構１３３』」は、本願発明の「前記プレパターンを所定時間加熱した状態とする第１加熱装置」に、
　引用発明の「『加熱機構１３３を有する』『第３予備室８２のチャンバ１３１との接続部分に基板搬入部１６１ａを有』する『チャンバ１６１内の現像後の基板Ｇに対して紫外線を照射する紫外線照射部１６２』」は、本願発明の「加熱後の前記プレパターンに光照射処理を行うことで硬化させる光照射部」に、
　引用発明の「『第３予備室８２』が『有』する『加熱機構１３３は、ホットプレート１３４の表面温度は１００℃に設定され現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成され』」は、本願発明の「『前記第１加熱装置は、前記光照射処理に先立ち、』『前記プレパターンを１００℃まで加熱した状態で保持し』」に、
　引用発明の「『紫外線処理室８４は、チャンバ１６１』『を有し、』『酸素濃度が１００ｐｐｍ程度となるように窒素ガスをチャンバ１６１内に供給する』」は、本願発明の「前記光照射部は、前記光照射処理を行う処理チャンバ内の酸素濃度を１０００ｐｐｍ以下とする」に、
　引用発明の「基板処理装置ＳＰＡ」は、本願発明の「レジストパターン形成装置」に、
　それぞれ相当する。 
（２）引用発明は「『第３予備室８２は、チャンバ１３１及び加熱機構１３３を有し、第３予備室８２を脱酸素、脱水分状態に保持し、加熱機構１３３は、表面温度は１００℃に設定され現像後の基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成され、』『前記第３予備室８２のチャンバ１３１内の基板Ｇを基板搬入部１６１ａを介して紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動し、チャンバ１６１内を１００ｐｐｍ程度となる低酸素（脱酸素及び脱水分）雰囲気に維持し、紫外線処理室８４は、現像後の基板Ｇに対して紫外線照射部１６２の光源８６から紫外線（ｉ線）を照射する』」と特定されており、第３予備室８２の加熱機構１３３において、ホットプレート１３４の表面温度は１００℃に設定され現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持し、その後、前記第３予備室８２のチャンバ１３１内の現像後の基板Ｇは紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動し、紫外線処理室８４は、現像後の基板Ｇに対して紫外線照射部１６２の光源８６から紫外線（ｉ線）を照射することが把握できる。
　また、フォトリソグラフィに関する技術において、ｉ線が波長３６５ｎｍの水銀のスペクトル線であることは、技術常識である。
　そうすると、引用発明の「『第３予備室８２は、チャンバ１３１及び加熱機構１３３を有し、第３予備室８２を脱酸素、脱水分状態に保持し、加熱機構１３３は、ホットプレート１３４の表面温度は１００℃に設定され現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成され、』『前記第３予備室８２のチャンバ１３１内の現像後の基板Ｇを基板搬入部１６１ａを介して紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動し、チャンバ１６１内を１００ｐｐｍ程度となる低酸素（脱酸素及び脱水分）雰囲気に維持し、紫外線処理室８４は、現像後の基板Ｇに対して紫外線照射部１６２の光源８６から紫外線（ｉ線）を照射する』」は、本願発明の「前記光照射部は、前記プレパターンが１００℃に到達した後、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長域の光を前記プレパターンに照射する」と、「前記光照射部は、前記プレパターンが１００℃に到達した後、３６５ｎｍの波長域の光を前記プレパターンに照射する」点で一致する。
２　以上のことから、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
【一致点】
「レジスト組成物を塗布して基板上にレジスト膜を形成する塗布装置と、
　前記レジスト膜の現像処理を行うことでプレパターンを形成する現像装置と、
　前記プレパターンを所定時間加熱した状態とする第１加熱装置と、
　加熱後の前記プレパターンに光照射処理を行うことで硬化させる光照射部と、を備え、
　前記第１加熱装置は、前記光照射処理に先立ち、低露点雰囲気内で前記プレパターンを１００℃まで加熱した状態で保持し、
　前記光照射部は、前記光照射処理を行う処理チャンバ内の酸素濃度を１０００ｐｐｍ以下とし、
　前記光照射部は、前記プレパターンが１００℃に到達した後、３６５ｎｍの波長域の光を前記プレパターンに照射する
　レジストパターン形成装置。」
【相違点１】
　レジスト組成物が、本願発明では「ポジ型」であるのに対し、引用発明では「ポジ型」であるのか明らかでない点で相違する。
 
【相違点２】
　第１加熱装置でプレパターンを所定時間加熱した状態とする雰囲気が、本願発明では「露点−８０〜−５℃の雰囲気内」であるのに対し、引用発明では「露点−８０〜−５℃の雰囲気内」であるのか明らかでない点で相違する。 
第６　判断
１　相違点１について
　フォトリソグラフィに関する技術において、「ポジ型レジスト組成物」は一般的に知られており（必要ならば、特開昭６２−１２９８４９号公報、引用文献３（特に、【００２５】参照。）を参照されたい。）、引用発明のレジストの組成物としてポジ型レジスト組成物を採用することは、当業者が適宜なし得た事項にすぎない。
２　相違点２について
（１）フォトリソグラフィに関する技術において、露点−８０〜−５℃の雰囲気とすることは、周知技術（必要ならば、引用文献２（特に、【００２３】参照。）、引用文献３（特に、【００３４】参照。）を参照されたい。）である。
（２）そして、引用発明は「第３予備室８２は、チャンバ１３１及び加熱機構１３３を有し、第３予備室８２を脱酸素、脱水分状態に保持し、加熱機構１３３は、ホットプレート１３４の表面温度は１００℃に設定され現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持するホットプレート１３４を主体に構成され」と特定されているので、引用発明において、第３予備室８２は、脱水分状態に保持、すなわち、第３予備室８２は、低い露点の雰囲気に保持し、第３予備室８２が有する加熱機構１３３のホットプレート１３４で現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持していると認められる。
（３）そうすると、引用発明において、周知技術を考慮し、第３予備室８２の脱水分状態として、露点−８０〜−５℃の雰囲気を選択し、露点−８０〜−５℃の雰囲気内の第３予備室８２が有する加熱機構１３３のホットプレート１３４で現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持することは、当業者が適宜なし得た事項にすぎない。
３　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
４　効果について 
　そして、相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 
５　まとめ 
　以上のとおりであるから、引用発明に上記周知技術を適用して、相違点に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
第７　審判請求人の主張について 
　審判請求人は、令和２年２月１２日付けの意見書において、「新請求項１に係る発明は、『前記光照射部は、前記プレパターンが１００℃に到達した後、３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの波長域の光を前記プレパターンに照射する』ことを特徴としています。これにより、プレパターンの表層側だけでなく内部まで、パターン全体を硬化させることができ、また、上記波長域の光を照射することで、輻射熱の発生を抑えつつ、硬化時におけるプレパターンの過度な温度上昇を抑制できるという特有の効果を奏します（段落［０１２７］参照）。」、「本願新請求項１の特徴については引用文献に開示されておらず、また示唆をする記載もありません。」、「引用文献１に記載された発明は、第３予備室８２のチャンバ１３１内の基板Ｇを基板搬入部１６１ａを介して紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動させた場合に基板Ｇを所定温度まで短時間で加熱することを目的としていると思料致します。」旨主張している。 
　しかしながら、仮に、審判請求人の主張する目的のみであったとしても、上記第５の１（２）で検討したとおり、引用発明から、第３予備室８２の加熱機構１３３において、ホットプレート１３４の表面温度は１００℃に設定され現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持し、その後、前記第３予備室８２のチャンバ１３１内の現像後の基板Ｇは紫外線処理室８４のチャンバ１６１内へと移動し、紫外線処理室８４は、現像後の基板Ｇに対して紫外線照射部１６２の光源８６から紫外線（ｉ線）を照射することが把握できることから、引用発明は上記特徴の構成内のものに一致する構成が特定されていると解される。
　更に、引用発明は「『紫外線処理室８４は、』『加熱機構１６３』『を有し、』『加熱機構１６３は、ホットプレート１６４の表面温度が１００℃に設定され現像後の基板Ｇを加熱した状態で保持するホットプレート１６４を主体に構成され』」と特定されていることから、上記第３予備室８２から現像後の基板Ｇを移動した後の紫外線処理室８４においても、現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持していると解するのが自然である。そうすると、第３予備室８２及び紫外線処理室８４において、現像後の基板Ｇを１００℃に加熱した状態で保持していると解されるので、そのような効果も予測される範囲内のものにすぎない。
　なお、本願の請求項１は「
所定時間加熱した状態とする第１加熱装置と、加熱後の前記プレパターンに光照射処理を行う
プレパターンを１００℃まで加熱した状態で保持し
プレパターンが１００℃に到達した後、
照射する
第１加熱装置から移動をさせずに、
　また、本願の請求項１の「『前記光照射部は、前記プレパターンが１００℃に到達した後、』『光を前記プレパターンに照射する』」自体は、装置の使用方法を特定するにすぎず、「レジストパターン形成装置」という物を何ら特定していない。
　以上のとおりであるから、審判請求人の主張を採用することはできない。
第８　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。