【事件の表示】
　特願２０１６−５０３５１７「薄膜トランジスタ及びその製造方法，アレイ基板，並びにディスプレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　９月２５日国際公開，ＷＯ２０１４／１４６３８０，平成２８年　７月　７日国内公表，特表２０１６−５１９８４７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１３年（平成２５年）７月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１３年（平成２５年）３月２１日　中華人民共和国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　８月１４日付け：拒絶理由通知書
　平成２９年１１月２１日　　：意見書，手続補正書の提出
　平成２９年１２月　６日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年　３月１９日　　：意見書，手続補正書の提出
　平成３０年　３月２９日付け：拒絶査定
　平成３０年　７月１８日　　：審判請求書，手続補正書の提出
　平成３０年　９月１９日　　：上申書の提出
　平成３０年１１月　５日　　：上申書の提出
第２　平成３０年７月１８日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年７月１８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおり補正された。（下線部は，補正箇所である。）
「【請求項１】
　薄膜トランジスタであって，
　基板，前記基板上に形成されたゲート電極，ソース電極，ドレイン電極及び半導体層と，
　前記ゲート電極と半導体層との間にあり，或いは，前記ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間にあるゲート絶縁層，及び半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にあり，ソース接触穴及びドレイン接触穴を有するエッチング阻止層と，
　前記ソース電極と半導体層との間にあるソースバッファー層，及び前記ドレイン電極と半導体層との間にあるドレインバッファー層と，
　前記ソースバッファー層と前記半導体層との間にある導電可能なソース隔離層，及び前記ドレインバッファー層と前記半導体層との間にある導電可能なドレイン隔離層と，を備え，
　前記ソース電極及びドレイン電極は金属銅電極であり，前記ソースバッファー層及びドレインバッファー層は２層の膜層であり，前記２層の膜層が上層の銅金属層及び下層の銅以外の金属からなる金属膜層を有し，
　前記ソース隔離層及び前記ドレイン隔離層は同じ層に設けられ，
　前記ソース隔離層は前記ソース接触穴を完全に被覆し，
　前記ドレイン隔離層は前記ドレイン接触穴を完全に被覆し，
　前記薄膜トランジスタが前記ソース隔離層及びドレイン隔離層と同じ層に設けられる画素電極層をさらに備え
，
　前記ソースバッファー層及びドレインバッファー層は，銅アルミニウム合金層，銅マンガン合金層，銅タリウム合金層，又は銅ハフニウム合金層であ
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，平成３０年３月１９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　薄膜トランジスタであって，
　基板，前記基板上に形成されたゲート電極，ソース電極，ドレイン電極及び半導体層と，
　前記ゲート電極と半導体層との間にあり，或いは，前記ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間にあるゲート絶縁層，及び半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にあり，ソース接触穴及びドレイン接触穴を有するエッチング阻止層と，
　前記ソース電極と半導体層との間にあるソースバッファー層，及び前記ドレイン電極と半導体層との間にあるドレインバッファー層と，
　前記ソースバッファー層と前記半導体層との間にある導電可能なソース隔離層，及び前記ドレインバッファー層と前記半導体層との間にある導電可能なドレイン隔離層と，を備え，
　前記ソース電極及びドレイン電極は金属銅電極であり，前記ソースバッファー層及びドレインバッファー層は２層の膜層であり，前記２層の膜層が上層の銅金属層及び下層の銅以外の金属からなる金属膜層を有し，
　前記ソース隔離層及び前記ドレイン隔離層は同じ層に設けられ，
　前記ソース隔離層は前記ソース接触穴を完全に被覆し，
　前記ドレイン隔離層は前記ドレイン接触穴を完全に被覆し，
　前記薄膜トランジスタが前記ソース隔離層及びドレイン隔離層と同じ層に設けられる画素電極層をさらに備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。」
２　補正の適否
　本件補正は，本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「ソースバッファー層」及び「ドレインバッファー層」について，上記のとおり限定を付加するものであって，補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２０１２−１６４９７６号公報（平成２４年８月３０日出願公開。以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は，当審で付した。以下同じ。）
「【００５５】
（実施の形態１）
本実施の形態では，フォトマスク数及びフォトリソグラフィ工程数を削減した
液晶表示装置に用いられる半導体装置
「【００６４】
次に，図１を用いて
液晶表示装置に用いられる
トランジスタ１１１
【００６５】
図１（Ｂ）に示す断面Ａ１−Ａ２において，
基板２００上に絶縁層２０１が形成され，絶縁層２０１上にゲート電極２０２及び配線２０３が形成されている
絶縁層２０１は下地層として機能する
ゲート電極２０２上に，ゲート絶縁層として機能する絶縁層２０４，半導体層２０５，チャネル保護層として機能する絶縁層２１４及び絶縁層２１５が形成されている
絶縁層２１５上に，平坦化絶縁層２１８が形成されている
平坦化絶縁層２１８上に，画素電極２１１ｂが形成され，画素電極２１１ｂは，絶縁層２１４，絶縁層２１５，及び平坦化絶縁層２１８に設けられたコンタクトホール２０８を介して，半導体層２０５に電気的に接続されている
【００６６】
また，
画素電極２１１ｂ上にソース電極２０６ａ及びドレイン電極２０６ｂが形成される
画素電極２１１ｂは，ソース電極２０６ａまたはドレイン電極２０６ｂと電気的に接続されている
「【００８９】
次いで，絶縁層２３２上に半導体層２３３を形成する。半導体層２３３に酸化物半導体を用いる場合，酸化物半導体としては，少なくともＩｎ，Ｇａ，Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含有する。例えば，四元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体や，三元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体や，二元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ｚｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体，Ｓｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体，Ｉｎ−Ｍｇ−Ｏ系酸化物半導体や，Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系の材料，一元系金属の酸化物であるＩｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ｓｎ−Ｏ系酸化物半導体，Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体などを用いることができる。また，上記酸化物半導体にＩｎとＧａとＳｎとＺｎ以外の元素，例えばＳｉＯ２を含ませてもよい。」
「【０１３２】
次いで，図４（Ａ）に示すように，ゲート電極２０２，島状の絶縁層２１４，配線２０３，配線２１２上に絶縁層２１５を形成する。絶縁層２１５は，絶縁層２０１，絶縁層２３２（島状の絶縁層２０４），絶縁層２３４（島状の絶縁層２１４）と同様の材料及び方法で形成することができる。また，絶縁層２１５は，容量素子１１３の誘電体層として機能するため，比誘電率が大きい材料を用いることが好ましい。なお，第１のフォトリソグラフィ工程によって，ゲート電極２０２の一部，配線２０３，配線２１２のバリア層は，除去されてしまうが，当該絶縁層２１５を保護層として機能させることができる。絶縁層２１５の膜厚は，５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下，好ましくは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすればよい。
【０１３３】
その後，絶縁層２１５上に，平坦化絶縁層２１８を形成する。平坦化絶縁層２１８は，容量素子１１３の誘電体層として機能するため，比誘電率が大きい材料を用いることが好ましい。
【０１３４】
次いで，図４（Ｂ）に示すように，第２のフォトマスクを用いた第２のフォトリソグラフィ工程を行う。島状の絶縁層２１４，絶縁層２１５，平坦化絶縁層２１８を選択的に除去し，コンタクトホール２０８を形成する。コンタクトホール２０８において，島状の半導体層２０５の一部が露出する。また，絶縁層２１５，平坦化絶縁層２１８を選択的に除去し，コンタクトホール２１９を形成する。コンタクトホール２１９において，配線２１２の一部が露出する。また，接触抵抗を低減するため，コンタクトホールは極力大きい面積にすること，もしくは，コンタクトホールの数を多くすることが好ましい。
【０１３５】
次いで，図４（Ｃ）に示すように，
平坦化絶縁層２１８，島状の半導体層２０５の露出した一部，配線２１２の露出した一部上に，画素電極として機能する導電層２１１を形成する
【０１３６】
画素電極として機能する導電層２１１としては，透光性を有する材料を用いることが好ましい。透光性を有する導電性材料としては，酸化タングステンを含むインジウム酸化物，酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物，酸化チタンを含むインジウム酸化物，酸化チタンを含むインジウム錫酸化物，インジウム錫酸化物（以下，ＩＴＯと示す。），インジウム亜鉛酸化物，酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを用いることができる。また，導電層２１１としてグラフェンを用いることもできる
【０１３７】
更に，画素電極として機能する導電層２１１上に導電層２２４を形成する
【０１３８】
導電層２２４は，モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ）タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），クロム（Ｃｒ），ネオジム（Ｎｄ），スカンジウム（Ｓｃ），マグネシウム（Ｍｇ）等の金属材料，又はこれらを主成分とする材料を用いて形成することができ，低抵抗材料であるアルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）を含む材料を用いて形成することがより好ましい。アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ）を用いることで，配線抵抗を低減し，信号の遅延を防ぎ，波形のなまりを軽減することができる
【０１３９】
なお，導電層２２４として，Ｃｕを用いる場合には，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料，又はこれらを主成分とする材料を積層することが好ましい。
【０１４０】
次いで，図５（Ａ）に示すように，第３のフォトマスクを用いた第３のフォトリソグラフィ工程を行う。導電層２２４の上に第３のフォトマスクとして多階調マスクを用いて，厚さの厚い領域と薄い領域を有するレジストマスク２３８を形成する。導電層２２４上には，レジストマスク２３８が形成されず，導電層２２４が露出する領域も存在する。
【０１４１】
レジストマスク２３８をマスクとして，導電層２２４を選択的にエッチングする。これより画素電極として機能する導電層２１１の一部が露出する。続いて，厚さの薄い領域を有するレジストマスク２３８を除去する。これより，導電層２２４の一部が露出する。また，厚さの厚い領域を有するレジストマスク２３８は，縮小し，導電層２２４上に一部残存する。
【０１４２】
その後，残存したレジストマスク２３８をマスクとして，露出した画素電極として機能する導電層２１１の一部を選択的にエッチングする。これより平坦化絶縁層２１８の一部が露出し，電極２１１ａ，画素電極２１１ｂ，電極２２２が形成される
【０１４３】
図５（Ｂ）に示すように，残存したレジストマスク２３８は，更に縮小し，
ソース電極２０６ａ，ドレイン電極２０６ｂ，電極２２１，配線２１６，電極２２３が形成される
　
「
」
「
」
（イ）上記摘記に照らして，上記図１及び図５から以下の事項を見て取ることができる。
「基板２００，前記基板２００上に形成された下地層として機能する絶縁層２０１，ゲート電極２０２，半導体層２０５，ソース電極２０６ａ及びドレイン電極２０６ｂと，
　前記ゲート電極２０２と半導体層２０５との間にある，ゲート絶縁層として機能する絶縁層２０４，及び半導体層２０５とソース電極２０６ａ及びドレイン電極２０６ｂとの間にあり，コンタクトホール２０８を有するチャネル保護層として機能する絶縁層２１４，絶縁層２１５及び平坦化絶縁層２１８と，
　前記ソース電極２０６ａと半導体層２０５との間にある電極２１１ａ，及び前記ドレイン電極２０６ｂと半導体層２０５との間にある画素電極２１１ｂと，を備え，
　前記電極２１１ａ及び前記画素電極２１１ｂは前記コンタクトホール２０８を完全に被覆する，
　トランジスタ１１１の構造。」
（ウ）上記（ア），（イ）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「液晶表示装置に用いられるトランジスタ１１１であって，
　基板２００，前記基板２００上に形成された下地層として機能する絶縁層２０１，ゲート電極２０２，半導体層２０５，ソース電極２０６ａ及びドレイン電極２０６ｂと，
　前記ゲート電極２０２と半導体層２０５との間にある，ゲート絶縁層として機能する絶縁層２０４，及び半導体層２０５とソース電極２０６ａ及びドレイン電極２０６ｂとの間にあり，コンタクトホール２０８を有するチャネル保護層として機能する絶縁層２１４，絶縁層２１５及び平坦化絶縁層２１８と，
　前記ソース電極２０６ａと半導体層２０５との間にある電極２１１ａ，及び前記ドレイン電極２０６ｂと半導体層２０５との間にある画素電極２１１ｂと，を備え，
　前記電極２１１ａ及び前記画素電極２１１ｂは前記コンタクトホール２０８を完全に被覆し，
　前記電極２１１ａ及び前記画素電極２１１ｂは，画素電極として機能する導電層２１１の一部を選択的にエッチングして形成されたものであって，前記画素電極として機能する導電層２１１としては，透光性を有する材料を用いることが好ましく，透光性を有する導電性材料としては，酸化タングステンを含むインジウム酸化物，酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物，酸化チタンを含むインジウム酸化物，酸化チタンを含むインジウム錫酸化物，インジウム錫酸化物（以下，ＩＴＯと示す。），インジウム亜鉛酸化物，酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを用いることができ，
　前記ソース電極２０６ａ及び前記ドレイン電極２０６ｂは，導電層２２４の一部を選択的にエッチングして形成されたものであって，前記導電層２２４は，低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層と，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層とを積層したものである，
　液晶表示装置に用いられるトランジスタ１１１。」
　
イ　引用文献２
（ア）同じく原査定に引用され，本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１１−９１３６４号公報（以下「引用文献２」という。）には，次の記載がある。
「【０００５】
　ところで，
液晶表示装置などに代表される表示装置では，ゲート配線やソース−ドレイン配線などの配線材料として，電気抵抗が比較的小さく微細加工が容易な純ＡｌまたはＡｌ−ＮｄなどのＡｌ系合金が多く用いられている
しかし，表示装置の大型化および高画質化が進むにつれて，配線抵抗が大きいことに起因する信号遅延および電力損失といった問題が顕在化している
そのため，配線材料として，Ａｌよりも低抵抗である銅（Ｃｕ）が注目されている。Ａｌ薄膜の電気抵抗率は３．０×１０
-6
Ω・ｃｍであるのに対し，Ｃｕ薄膜の電気抵抗率は２．０×１０
-6
Ω・ｃｍと低い
【０００６】
　しかし，
Ｃｕは，ガラス基板やその上に成膜される絶縁膜（ゲート絶縁膜など）との密着性が低く，剥離するという問題がある
また，Ｃｕは，ガラス基板などとの密着性が低いために，配線形状に加工するためのウェットエッチングやドライエッチングが困難であるという問題がある
そこで，Ｃｕとガラス基板との密着性を向上させるための様々な技術が提案されている
【０００７】
　例えば特許文献２〜４は，
Ｃｕ配線とガラス基板との間に，モリブデン（Ｍｏ）やクロム（Ｃｒ）などの高融点金属層を介在させて密着性の向上を図る技術を開示している。しかし，これらの技術では，高融点金属層を成膜する工程が増加し，表示装置の製造コストが増大する
さらにＣｕと高融点金属（Ｍｏ等）という異種金属を積層させるため，ウェットエッチングの際に，Ｃｕと高融点金属との界面で腐食が生ずるおそれがある
またこれら異種金属ではエッチングレートに差が生じるため，配線断面を望ましい形状（例えばテーパー角が４５〜６０°程度である形状）に形成できないという問題が生じ得る
さらに高融点金属，例えばＣｒの電気抵抗率（約１５×１０
-6
Ω・ｃｍ）は，Ｃｕのものよりも高く，配線抵抗による信号遅延や電力損失が問題となる
「【００２４】
　また，上記課題を解決し得た上記配線構造の製造方法は，
Ｃｕ合金膜を成膜し，成膜後に２５０℃以上の温度で３０分間以上加熱することにより，前記基板および／または絶縁膜と，前記Ｃｕ合金膜との界面に，Ｍｎの一部を析出および／または濃化させるところに要旨を有するものである
「【００２８】
　上記のＣｕ合金膜は，好ましくは画素電極を構成する透明導電膜（代表的にはＩＴＯやＩＺＯなど）と直接接続されている（図１を参照）。また，上述した積層のＣｕ合金膜を構成する第一層（Ｙ）の膜厚は，好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であって，且つ，Ｃｕ合金膜全膜厚に対して６０％以下である。また，
第一層（Ｙ）に含有される好ましい合金元素はＭｎであり，基板および／または絶縁膜との密着性に非常に優れている
これは，基板および／または絶縁膜との界面にＭｎの一部が析出および／または濃化したＣｕ−Ｍｎ反応層が形成されるためと推察される
「【００３１】
　そして，本発明の特徴部分は
，上記Ｃｕ合金として，上述した積層のＣｕ合金を用いたところにある
本発明において，基板および／または絶縁膜と直接接触する第一層（Ｙ）は，密着性向上に寄与する合金元素を含むＣｕ合金で構成されており，これにより，基板および／または絶縁膜との密着性が向上する
一方，上記第一層（Ｙ）の上に積層される第二層（Ｘ）は，酸化物半導体層と直接接続されており，電気抵抗率の低い元素（純Ｃｕ，または純Ｃｕと同程度の低電気抵抗率を有するＣｕ合金）で構成されており，これにより，Ｃｕ合金膜全体の電気抵抗率の低減を図っている
本発明で規定する上記積層構造とすることにより，（ア）Ａｌに比べて電気抵抗率が低く，酸化物半導体層および／または画素電極を構成する透明導電膜とのコンタクト抵抗も低く抑えられるという，Ｃｕ本来の特性を有効に最大限に発揮させつつ，（イ）Ｃｕの欠点であった基板および／または絶縁膜との低い密着性も著しく高められる
上記Ｃｕ合金は，ダイレクトコンタクト用Ｃｕ合金として極めて有用であり，特にソース電極および／またはドレイン電極の配線材料と好適に用いられる
「【００３６】
　上述した
密着性向上元素のうち好ましいのはＭｎ，Ｎｉであり，より好ましくはＭｎである
Ｍｎは，上述した界面での濃化現象が非常に強く発現される元素だからである。すなわち，Ｍｎは，Ｃｕ合金成膜時または成膜後の熱処理（例えば，ＳｉＯ
2
膜の絶縁膜を成膜する工程といった表示装置の製造過程における熱履歴を含む）によって膜の内側から外側（絶縁膜との界面など）に向って移動する
その結果，絶縁膜などとの界面にＣｕ−Ｍｎの反応層（以下，「Ｍｎ反応層」と呼ぶ。）が全面的に密着性良く形成され，絶縁膜などとの密着性が著しく向上するものと考えられる
【００３７】
　このようなＭｎ反応層などの上記濃化層（析出物も含む）は，好ましくは，スパッタリング法（詳細は後述する。）によるＣｕ合金成膜後，所定の加熱処理を行なうことによって得られる。ここで，「所定の加熱処理を行なう」とは，前述したように，密着性を考慮すれば約２５０℃以上で３０分間以上の加熱処理を意味し；更に酸化物半導体層との低い抵抗を再現性良く確実に確保するという観点からすれば，加熱処理の温度範囲を，特に約３００℃超５００℃以下に制御することを意味する。このよう加熱処理により，絶縁膜などとの界面に合金元素が拡散して濃化し易くなる。その後，酸化物半導体膜を成膜すれば良い。
【００３８】
　
なお，上記の加熱処理は，Ｍｎ反応層などの上記濃化層の形成を目的に行うものであってもよいし，Ｃｕ合金膜形成後の熱履歴（例えば，窒化シリコン膜などの保護膜を成膜する工程）が，前記温度・時間を満たすものであってもよい
（イ）上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
「液晶表示装置などに代表される表示装置では，表示装置の大型化および高画質化が進むにつれて，配線抵抗が大きいことに起因する信号遅延および電力損失といった問題が顕在化していることから，ゲート配線やソース−ドレイン配線などの配線材料として，Ａｌよりも低抵抗である銅（Ｃｕ）が注目されていること。」（【０００５】）
「Ｃｕは，ガラス基板やその上に成膜される絶縁膜（ゲート絶縁膜など）との密着性が低く，剥離するという問題があり，また，配線形状に加工するためのウェットエッチングやドライエッチングが困難であるという問題があることから，Ｃｕとガラス基板との密着性を向上させるために，Ｃｕ配線とガラス基板との間に，モリブデン（Ｍｏ）やクロム（Ｃｒ）などの高融点金属層を介在させて密着性の向上を図るとする技術が提案されていること。」（【０００６】，【０００７】）
「しかしながら，Ｃｕ配線とガラス基板との間に，モリブデン（Ｍｏ）やクロム（Ｃｒ）などの高融点金属層を介在させて密着性の向上を図るとする技術では，高融点金属層を成膜する工程が増加し，表示装置の製造コストが増大し，さらにＣｕと高融点金属（Ｍｏ等）という異種金属を積層させるため，ウェットエッチングの際に，Ｃｕと高融点金属との界面で腐食が生ずるおそれがあり，またこれら異種金属ではエッチングレートに差が生じるため，配線断面を望ましい形状（例えばテーパー角が４５〜６０°程度である形状）に形成できないという問題が生じ，さらに高融点金属，例えばＣｒの電気抵抗率（約１５×１０-6Ω・ｃｍ）は，Ｃｕのものよりも高く，配線抵抗による信号遅延や電力損失が問題となること。」（【０００７】）
「Ｃｕ合金膜を成膜し，成膜後に２５０℃以上の温度で３０分間以上加熱することにより，前記基板および／または絶縁膜と，前記Ｃｕ合金膜との界面に，Ｍｎの一部が析出および／または濃化すること。」（【００２４】）
「積層のＣｕ合金膜を構成する第一層（Ｙ）に含有される好ましい合金元素はＭｎであり，基板および／または絶縁膜との密着性に非常に優れており，これは，基板および／または絶縁膜との界面にＭｎの一部が析出および／または濃化したＣｕ−Ｍｎ反応層が形成されるためと推察されること。」（【００２８】）
「密着性向上に寄与する合金元素を含むＣｕ合金で構成されている第一層（Ｙ）と，前記第一層（Ｙ）の上に積層される，Ｃｕ合金膜全体の電気抵抗率の低減を図るために，電気抵抗率の低い元素（純Ｃｕ，または純Ｃｕと同程度の低電気抵抗率を有するＣｕ合金）で構成した第二層（Ｘ）とからなる積層のＣｕ合金は，特にソース電極および／またはドレイン電極の配線材料と好適に用いられるものであり，当該積層構造とすることで，（ア）Ａｌに比べて電気抵抗率が低く，酸化物半導体層および／または画素電極を構成する透明導電膜とのコンタクト抵抗も低く抑えられるという，Ｃｕ本来の特性を有効に最大限に発揮させつつ，（イ）Ｃｕの欠点であった基板および／または絶縁膜との低い密着性も著しく高められること。」（【００３１】）
　
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「トランジスタ１１１」は，「基板２００，前記基板２００上に形成された下地層として機能する絶縁層２０１，ゲート電極２０２，半導体層２０５，ソース電極２０６ａ及びドレイン電極２０６ｂ」を構成要素とするものであって，基板上に半導体を層状に，すなわち薄膜として形成し，電界効果トランジスタとして機能させるものであるから，「薄膜トランジスタ」といえる。
　
（イ）引用発明の「ソース電極２０６ａ」及び「ドレイン電極２０６ｂ」は，「導電層２２４」の一部を選択的にエッチングして形成されたものである。
　そして，当該「導電層２２４」は，「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」と，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」とを積層した構成を有する。
　そうすると，引用発明の「ソース電極２０６ａ」及び「ドレイン電極２０６ｂ」は，いずれも，「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」と，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」とを積層した構成を有することは明らかである。
　そして，引用発明の「ソース電極２０６ａ」を構成する，前記「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」，及び前記「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」は，それぞれ，本件補正発明の「『金属銅電極であ』る『ソース電極』」，及び「ソースバッファー層」に相当し，また，引用発明の「ドレイン電極２０６ｂ」を構成する，前記「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」，及び前記「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」は，それぞれ，本件補正発明の「『金属銅電極であ』る『ドレイン電極』」，及び「ドレインバッファー層」に相当する。
（ウ）引用発明の「基板２００」，「ゲート電極２０２」，「半導体層２０５」及び「ゲート電極２０２と半導体層２０５との間にある，ゲート絶縁層として機能する絶縁層２０４」は，それぞれ，本件補正発明の「基板」，「ゲート電極」，「半導体層」及び「『ゲート電極と半導体層との間にあ』る『ゲート絶縁層』」に相当する。
（エ）引用発明の「コンタクトホール２０８」は，本件補正発明の「ソース接触穴」及び「ドレイン接触穴」に相当する。
（オ）引用文献１の「【０１４２】その後，残存したレジストマスク２３８をマスクとして，露出した画素電極として機能する導電層２１１の一部を選択的にエッチングする。これより平坦化絶縁層２１８の一部が露出し，電極２１１ａ，画素電極２１１ｂ，電極２２２が形成される。」との記載から，引用発明の「平坦化絶縁層２１８」は，「残存したレジストマスク２３８をマスクとして，露出した画素電極として機能する導電層２１１の一部を選択的にエッチングする」際に，エッチング阻止の機能を果たすことが理解される。
　したがって，引用発明の「平坦化絶縁層２１８」は，本件補正発明の「エッチング阻止層」に相当する。
（カ）引用発明の「電極２１１ａ」及び「画素電極２１１ｂ」は，それぞれ，「コンタクトホール２０８を完全に被覆」して，「ソース電極２０６ａ」と「半導体層２０５」，及び，「ドレイン電極２０６ｂ」と「半導体層２０５」とを「隔離」するように形成されており，さらに，「画素電極として機能する導電層２１１の一部を選択的にエッチングして形成されたもの」であることから「導電可能」であることは明らかである。
　また，引用発明の「導電層２１１」は，インジウム亜鉛酸化物やインジウム錫酸化物などの材料を用いるものである（前記（２）ア（ア）【０１３６】）から，引用発明の「電極２１１ａ」及び「画素電極２１１ｂ」は，「Ｃｕ合金において含量の少ない金属原子が金属酸化物の半導体層における酸素を奪うことを阻止することができる。」（本願明細書の【００３６】の記載を参照）という機能を有することは明らかである。
　したがって，引用発明の「電極２１１ａ」及び「画素電極２１１ｂ」は，それぞれ，本件補正発明の「導電可能なソース隔離層」及び「導電可能なドレイン隔離層」に相当する。
　そして，「電極２１１ａ」及び「画素電極２１１ｂ」は，画素電極として機能する導電層２１１の一部を選択的にエッチングして形成したものであるから，「電極２１１ａ」及び「画素電極２１１ｂ」が同じ層に設けられること，並びに，トランジスタ１１１が「電極２１１ａ」及び「画素電極２１１ｂ」と同じ層に設けられる画素電極層をさらに備えることは明らかである。
イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　＜一致点＞
「薄膜トランジスタであって，
　基板，前記基板上に形成されたゲート電極，ソース電極，ドレイン電極及び半導体層と，
　前記ゲート電極と半導体層との間にあり，或いは，前記ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間にあるゲート絶縁層，及び半導体層とソース電極及びドレイン電極との間にあり，ソース接触穴及びドレイン接触穴を有するエッチング阻止層と，
　前記ソース電極と半導体層との間にあるソースバッファー層，及び前記ドレイン電極と半導体層との間にあるドレインバッファー層と，
　前記ソースバッファー層と前記半導体層との間にある導電可能なソース隔離層，及び前記ドレインバッファー層と前記半導体層との間にある導電可能なドレイン隔離層と，を備え，
　前記ソース電極及びドレイン電極は金属銅電極であり，
　前記ソース隔離層及び前記ドレイン隔離層は同じ層に設けられ，
　前記ソース隔離層は前記ソース接触穴を完全に被覆し，
　前記ドレイン隔離層は前記ドレイン接触穴を完全に被覆し，
　前記薄膜トランジスタが前記ソース隔離層及びドレイン隔離層と同じ層に設けられる画素電極層をさらに備える薄膜トランジスタ。」
　
＜相違点＞
・相違点１
　本件補正発明は，「金属銅電極であ」る「ソース電極」及び前記ソース電極と半導体層との間にある「ソースバッファー層」を備える構造を有し，
　当該「ソースバッファー層」が「『２層の膜層であり，前記２層の膜層が上層の銅金属層及び下層の銅以外の金属からなる金属膜層を有』する『銅アルミニウム合金層，銅マンガン合金層，銅タリウム合金層，又は銅ハフニウム合金層である』」のに対し，
　引用発明は，「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」と，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」とを積層した導電層２２４の一部を選択的にエッチングして形成したものであって，
　前記「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」が，「『２層の膜層であり，前記２層の膜層が上層の銅金属層及び下層の銅以外の金属からなる金属膜層を有』する『銅アルミニウム合金層，銅マンガン合金層，銅タリウム合金層，又は銅ハフニウム合金層である』」ことが特定されていない点。
・相違点２
　本件補正発明は，「金属銅電極であ」る「ドレイン電極」及び前記ドレイン電極と半導体層との間にある「ドレインバッファー層」を備える構造を有し，
　当該「ドレインバッファー層」が「『２層の膜層であり，前記２層の膜層が上層の銅金属層及び下層の銅以外の金属からなる金属膜層を有』する『銅アルミニウム合金層，銅マンガン合金層，銅タリウム合金層，又は銅ハフニウム合金層である』」のに対し，
　引用発明は，「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」と，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」とを積層した導電層２２４の一部を選択的にエッチングして形成したものであって，
　前記「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」が，「『２層の膜層であり，前記２層の膜層が上層の銅金属層及び下層の銅以外の金属からなる金属膜層を有』する『銅アルミニウム合金層，銅マンガン合金層，銅タリウム合金層，又は銅ハフニウム合金層である』」ことが特定されていない点。
（４）判断
　以下，相違点について検討する。
ア　相違点１について
（ア）上記（２）イ（イ）のとおり，引用文献２の記載から，本願の優先日前において，Ｃｕは，ガラス基板やその上に成膜される絶縁膜（ゲート絶縁膜など）との密着性が低く，剥離するという問題があり，また，配線形状に加工するためのウェットエッチングやドライエッチングが困難であるという問題が知られており，さらに，前記問題を解決して，Ｃｕとガラス基板との密着性を向上させるために，Ｃｕ配線とガラス基板との間に，モリブデン（Ｍｏ）やクロム（Ｃｒ）などの高融点金属層を介在させて密着性の向上を図る技術が知られていたといえる。
　一方，引用文献１には，「【０１３９】なお，導電層２２４として，Ｃｕを用いる場合には，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料，又はこれらを主成分とする材料を積層することが好ましい。また，絶縁物でなければ，これらの材料の酸化物または窒化物を積層してもよい。例えば，導電層２２４を窒化チタンとＣｕの積層としてもよい。」との記載がある。
　そうすると，これらの記載を勘案すれば，引用発明が，「導電層２２４」として，「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」と，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」とを積層した構造を有する理由は，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」を積層することによって，「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」の密着性を向上させるためであると理解することが，自然かつ合理的であると認められる。
　してみれば，引用発明と，引用文献２に記載された技術は，いずれも，Ｃｕの欠点であった低い密着性を高めるという共通する課題を解決するものであるから，引用発明に引用文献２に記載された技術を適用する動機があるといえる。
（イ）一方，上記（２）イ（イ）のとおり，引用文献２には，モリブデン（Ｍｏ）やクロム（Ｃｒ）などの高融点金属層を介在させて密着性の向上を図るとする技術には問題があること，及び，積層のＣｕ合金膜を構成する第一層（Ｙ）に含有される好ましい合金元素はＭｎであり，基板および／または絶縁膜との密着性に非常に優れており，これは，基板および／または絶縁膜との界面にＭｎの一部が析出および／または濃化したＣｕ−Ｍｎ反応層が形成されるためと推察されること，並びに，Ｃｕ合金膜を成膜し，成膜後に２５０℃以上の温度で３０分間以上加熱することにより，前記基板および／または絶縁膜と，前記Ｃｕ合金膜との界面に，Ｍｎの一部が析出および／または濃化することが記載されている。
　さらに，上記（２）イ（イ）のとおり，引用文献２には，密着性向上に寄与する合金元素を含むＣｕ合金で構成されている第一層（Ｙ）と，前記第一層（Ｙ）の上に積層される，Ｃｕ合金膜全体の電気抵抗率の低減を図るために，電気抵抗率の低い元素（純Ｃｕ，または純Ｃｕと同程度の低電気抵抗率を有するＣｕ合金）で構成した第二層（Ｘ）とからなる積層のＣｕ合金は，特にソース電極および／またはドレイン電極の配線材料と好適に用いられるものであり，当該積層構造とすることで，（ア）Ａｌに比べて電気抵抗率が低く，酸化物半導体層および／または画素電極を構成する透明導電膜とのコンタクト抵抗も低く抑えられるという，Ｃｕ本来の特性を有効に最大限に発揮させつつ，（イ）Ｃｕの欠点であった基板および／または絶縁膜との低い密着性も著しく高められることも記載されている。
　してみれば，引用文献２に記載された技術に接した当業者であれば，引用発明において，Ｃｕの欠点であった低い密着性を高めるという課題をより適切に解決するために，引用文献２において示されている，成膜後に界面にＭｎの一部を析出させることでＣｕ−Ｍｎ反応層を形成して密着性を向上させる，合金元素としてＭｎを含有する積層のＣｕ合金膜を用いたソース電極および／またはドレイン電極の作製方法を適用すること，
　すなわち，「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」と，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」とを積層した構造を有する引用発明において，「低抵抗材料である銅（Ｃｕ）を用いて形成した層」の密着性を向上させるために積層されているものと理解される「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料を主成分とする材料からなる層」に替えて，引用文献２に記載される「界面にＭｎの一部が析出および／または濃化したＣｕ−Ｍｎ反応層が形成されるためと推察される理由によって密着性が向上すると考えられる合金元素であるＭｎを含むＣｕ合金で構成されている第一層（Ｙ）」を用い，Ｃｕ合金膜を成膜した後に加熱することにより，界面に，Ｍｎの一部を析出させて，Ｃｕの欠点であった基板および／または絶縁膜との低い密着性を著しく高めることは当業者が容易に想到し得たことである。
　さらに，Ｍｎの融点は１２４０℃であって，Ｃｕの融点である１０８３．４℃よりも高いことから，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなどの，Ｃｕよりも融点の高い金属材料」と特定する引用発明において，「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗなど」として具体的に例示されている「Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ」ではなく，引用文献２に記載される「Ｍｎ」を選択することに阻害事由はない。
　そして，「Ｍｎを含むＣｕ合金で構成されている第一層（Ｙ）」は，本件補正発明の「銅マンガン合金層」に相当し，前記「Ｍｎを含むＣｕ合金で構成されている第一層（Ｙ）」を加熱することで形成される，「Ｍｎの一部が析出」層，及び「Ｍｎを含むＣｕ合金で構成されている第一層（Ｙ）」からＭｎの一部が抜けた層は，それぞれ，本件補正発明の「下層の銅以外の金属からなる金属膜層」，及び「上層の銅金属層」に相当する。
（ウ）してみれば，引用発明において，上記相違点１について本件補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことと認められる。　
イ　相違点２について
　上記相違点１と同様の理由により，引用発明において上記相違点２について本件補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことと認められる。
　
ウ　そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
エ　したがって，本件補正発明は，引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　よって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成３０年７月１８日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，平成３０年３月１９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１〜１２に係る発明は，本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２〜５に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
１．特開２０１２−１６４９７６号公報
２．特開２０１１−０９１３６４号公報
３．特開２０１２−１４９２９４号公報
４．国際公開第２００９／０３４９５３号
５．特開平０４−０５０９２４号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし２及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は，前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から，「ソースバッファー層及びドレインバッファー層は，銅アルミニウム合金層，銅マンガン合金層，銅タリウム合金層，又は銅ハフニウム合金層である」とする限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（３），（４）に記載したとおり，引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用文献２に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
よって，結論のとおり審決する。