【事件の表示】
　特許第３２１６５９６号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の請求項１、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３２１６５９６号の請求項１、３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．出願の経緯・本件発明
　本件特許第３２１６５９６号に係る出願は、平成５年６月２８日に出願された特願平５−１５７２１９号を、特許法第４４条の規定により、特願平１０−２５４６号として分割したものであって、平成１３年８月３日にその設定登録がなされ、その後有限会社高野製作所より、請求項１及び３に係る発明につき特許異議の申立てがなされたものである。
　そして請求項１ないし３に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度および前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に接近するにつれて小さくなるように調整され、
前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、Ｍｇを含みキャリア濃度の大きいｐ＋型ＧａＮ層と、Ｍｇを含み前記ｐ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｐ型Ｇａ１−ｚＡｌｚＮ（０＜Ｚ＜１）とを有し、
前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、Ｓｉを含みキャリア濃度の大きいｎ＋型ＧａＮ層と、Ｓｉを含みｎ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０≦Ｙ＜１）層とを含んでなり、前記ｎ＋型ＧａＮ層の一部が露出されて、その露出されたｎ＋型ＧａＮ層にオーミック電極が形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】前記ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層は、ｎ型ドーパントとｐ型ドーパントとがドープされてｎ型とされていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は４００℃以上でアニーリングされてｐ型とされていることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（以下、請求項１に係る発明を「本件発明１」、請求項３に係る発明を「本件発明３」という。）
　
２．申立ての理由の概要
　これに対して、特許異議申立人有限会社高野製作所は、次の（１），（２）の理由により特許を受けることができないものであるから取り消すべき旨主張している。
（１）本件発明１は、下記甲第１ないし３号証に基づいて、また本件発明３は、下記甲第１ないし４号証に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に違反してなされたものである。
（２）本件発明１は、原出願の請求項３に係る発明に周知技術を付加したものであって実質同一のものであるから、特許法第３９条第１項に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３−１−１５）ｐ．Ｌ８−Ｌ１１　Ｐａｒｔ２，Ｎｏ．１Ａ／Ｂ
甲第２号証：特開平４−１６３９６９号公報 
甲第３号証：特開平３−２５２１７７号公報
甲第４号証：平成４年電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集（平成４年８月）ｐ．３９−４２“Ａ−２−５　ＧａＮ青色ＬＥＤ”
　
３．甲号証の記載事項
　甲第１号証(Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３２（１９９３）ｐ．Ｌ８−Ｌ１１)は、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子（ｐ−ＧａＮ／Ｎ−ＩｎＧａＮ／Ｎ−ＧａＮダブルへテロ構造の青色光放出ダイオード）に関するものであり、おおよそ次のことが記載されている。
「それ故に、現在、ｐ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ／ｎ−ＧａＮ構造のようなＤＨは青色ＬＤ及び高効率青色ＬＤを作るために採用されることができる。その理由はｐ型ＧａＮ及び高特性ＩｎＧａＮ薄膜が有用であるためである。この文献において、最初に成功したｐ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ／ｎ−ＧａＮ　ＤＨの青色ＬＥＤが記載される。」（Ｌ８頁右欄１２行〜１７行）、
「次に基板温度は１０２０℃まで上昇されてＧａＮ薄膜を成長した。．．．ＳｉドープＧａＮ薄膜は６０分間成長された。ＳｉドープＧａＮ薄膜の厚さはほぼ４μｍであった。」（Ｌ８頁右欄３２行〜Ｌ８頁右欄４０行）、
「ＩｎＧａＮ成長後、温度は１０２０℃に上昇されＭｇドープｐ型ＧａＮ薄膜を成長した。」（Ｌ９頁左欄４行〜６行）、
「ＩｎＧａＮ／ＧａＮ　ＤＨ　ＬＥＤの構造は図１に示される」（Ｌ９頁左欄２９行〜３０行）、
「ｐ型ＧａＮ層の表面はｎ型層が露出されるまで部分的にエッチングされた（図１参照）。次に、Ａｕコンタクトがｐ型ＧａＮ層に蒸着され、そしてＡｌコンタクトがｎ型ＧａＮ層に蒸着された。」（Ｌ９頁左欄１８行〜Ｌ９頁左欄２１行）
　そして、図１には、サファイア基板、ＧａＮバッファ層、Ｎ−ＧａＮ層、Ｎ−ＩｎＧａＮ層、Ｐ−ＧａＮ層が下より順に形成されていることがみてとれる。
　さらに、ｐ−ＧａＮ／Ｎ−ＩｎＧａＮ／Ｎ−ＧａＮダブルへテロ構造の青色光放出ダイオードの効果について、「ｐ−ＧａＮ／ｎ−ＩｎＧａＮ／ｎ−ＧａＮ　ＤＨのＬＥＤは最初に作られた。この出力パワーは２０ｍＡの順方向電流で１２５μＷであり、そして外部量子効率は室温及びＤＣバイアス動作下でほぼ０．２２％であった。この出力パワー及び外部量子効率は順方向電流でＩＩ−ＶＩベース青色ＬＥＤのそれと比べて２倍高いものであった。ピーク波長及びピーク発光のＦＷＨＭはそれぞれ４４０ｎｍと１８０ｍｅＶであった。」（Ｌ１０頁右欄１４行〜２２行）と記載されている。
　
　甲第２号証（特開平４−１６３９６９号公報）は、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関するものであり、次のことが記載されている。
「本発明の構成は、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ｐ導電型を示す窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ：Ｘ＝０を含む）から成るｐ層と、ｐ層に接合する低キャリア濃度の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ：Ｘ＝０を含む）から成る低キャリア濃度ｎ層と、低キャリア濃度ｎ層に接合する高キャリア濃度の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ：Ｘ＝０を含む）から成る高キャリア濃度ｎ＋層とを形成し、ｐｎ接合を形成すると共にｎ層を低キャリア濃度と高キャリア濃度の二重層構造としたことである。」（２頁左上欄１行〜１１行）、
「ｎ層をｐ層と接合する側から順に、低キャリア濃度ｎ層と高キャリア濃度ｎ＋層との二重層構造とすることで、発光ダイオードの青色の発光強度を増加させることができた。即ち、高キャリア濃度ｎ＋層によりｎ層全体の電気抵抗を小さくでき、発光ダイオードの直列抵抗が下がり、発光ダイオードの発熱を抑えることができる。又、ｐ層に接合するｎ層は低キャリア濃度とすること、つまりＧａＮを高純度化して発光領域（ｐ層及びその近傍）の青色発光を劣化させる不純物原子濃度を抑えることができる。又、ｐ層に接合するｎ層は、結晶歪みの少ないものとすることができる。以上の作用により青色の発光強度が向上した。」（２頁左上欄１７行〜同頁右上欄１０行）、
「次に、サファイア基板１・・・キャリア濃度１．５×１０１８／ｃｍ３のＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３を形成した。続いて、・・・キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３のＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４を形成した。次に、・・・ＧａＮから成るｉ層５を形成した。・・・次に、このｉ層５に一様に電子線を照射した。・・・この電子線の照射により、ｉ層は抵抗率は１０８Ωｃｍ以上の絶縁体から抵抗率４０Ωｃｍのｐ導電型半導体となった。このようにして、ｐ導電型を示すｐ層５が得られる。」（２頁右下欄７行〜３頁左上欄１１行）、
「尚、比較のために、低キャリア濃度ｎ層４のキャリア濃度を各種変化させた上記試料を製造して、発光強度及び発光スペクトラムを測定した。その結果を、第８図に示す。キャリア濃度が増加するに連れて、発光強度が減少し、且つ、発光波長が赤色側に変位することが分かる。このことは、ドーピング元素のシリコンがｐ層５に不純物元素として拡散または侵入するためであると思われる。」（３頁右下欄４行〜１２行）
　そして、第１図には表面を露出させたｎ＋−ＧａＮ（ｎ層）上に高キャリア濃度ｎ＋層の電極８（ｎ電極）が形成されたことがみてとれる。
　
　甲第３号証（特開平３−２５２１７７号公報）は、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関するものであり、次のことが記載されている。
「Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡlＸＧａ１−ＸＮ：Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、Ｐ型不純物を添加したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡlＸＧａ１−ＸＮ：Ｘ＝０を含む）からなるＩ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記Ｎ層を前記Ｉ層と接合する側から順に、低キャリア濃度Ｎ層と高キャリア濃度Ｎ＋層との二重層構造とし、前記Ｉ層を前記Ｎ層と接合する側から順に、前記Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層と前記Ｐ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造としたことを特徴とする発光素子。」（１頁左下欄５行〜１７行）、
「本発明は、Ｎ層をＩ層と接合する側から順に、低キャリア濃度Ｎ層と高キャリア濃度Ｎ＋層との二重層構造とし、Ｉ層をＮ層と接合する側から順に、Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層とＰ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造としたことで、発光ダイオードの青色の発光強度を増加させることができた。即ち、高キャリア濃度Ｎ＋層によりＮ層全体の電気抵抗を小さくでき、Ｉ層と低キャリア濃度Ｎ層との接合に有効に電圧を印加することができる。又、Ｉ層に接合するＮ層は低キャリア濃度とすることで、Ｉ層にＮ層の非発光不純物原子が拡散または混入するのが防止される。又、Ｎ層からＩ層に電子が注入されるとき、Ｎ層に接合するＩ層を低不純物濃度ＩＬ層とすることで、電子はその低不純物濃度ＩＬ層でトラップされることなく、次の高不純物濃度ＩＨ層に注入される。このため、電子は発光効率の悪いＮ層に接合した低不純物濃度ＩＬ層を通過して、高不純物濃度ＩＨ層に至り、その層で高効率で発光することになる。この結果、発光効率が従来の単純なＩ−Ｎ接合に比べて、飛躍的に向上した。」（２頁左下欄１１行〜同頁右下欄１２行）
　第１図には表面を露出させたＮ＋−ＧａＮ（ｎ層）上に高キャリア濃度Ｎ＋層の電極８（ｎ電極）が形成されたことが図示されている。
　甲第４号証（平成４年電気学会　電子・情報・システム部門第２回大会講演論文集ｐ．３９〜４２）には、次のことが記載されている。
「上記成長直後の高抵抗ＭｇドープＧａＮ膜を窒素雰囲気中でアニーリングした。結果を温度の関数として図７に示す。アニーリング条件は各温度で２０分間した。図のように温度４００℃あたりから急激に抵抗率が減少している。このようにアニーリングのみでも電子線照射と同様に低抵抗Ｐ型ＧａＮ膜を得ることができる。」（４１頁３８行〜４４行）
　そして、図７には、４００℃以上のアニーリングによって抵抗率が急激に減少していることが、また図５には表面を露出させたＮ−ＧａＮ層上にＮ電極が形成されたことがみてとれる。
　
４．対比・判断
I．理由（１）について
＜本件発明１について＞
　本件発明１と異議申立人が提出した甲第１号証とを対比すると、両者は、「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層の一部が露出されて、その露出されたｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層にオーミック電極が形成された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
（１）本願発明のものは、「前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度および前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に接近するにつれて小さくなるように調整され」ているのに対し、甲第１号証には、上記事項に関する記載がない点。
（２）本願発明のものは、「前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、Ｍｇを含みキャリア濃度の大きいｐ＋型ＧａＮ層と、Ｍｇを含み前記ｐ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｐ型Ｇａ１−ｚＡｌｚＮ（０＜Ｚ＜１）とを有し」ているのに対し、甲第１号証には、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、「Ｍｇドープｐ型ＧａＮ薄膜」で構成することが記載されているが、上記のようにキャリア濃度の異なる２層とすることが記載されていない点。
（３）本願発明のものは、「前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、Ｓｉを含みキャリア濃度の大きいｎ＋型ＧａＮ層と、Ｓｉを含みｎ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０≦Ｙ＜１）層とを含んでな」り、該「ｎ＋型ＧａＮ層」の一部が露出されて、その露出された「ｎ＋型ＧａＮ層」にオーミック電極が形成されているのに対し、甲第１号証には、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、「ＳｉドープＧａＮ薄膜」で構成することが記載されているが、上記のようにキャリア濃度の異なる２層とすることが記載されておらず、したがってオーミック電極もｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層に形成されてはいるものの、ｎ＋型ＧａＮ層に形成されているわけではない点。
　
　相違点について検討する。
　異議申立人は、甲第２号証に「ｐ層に接合するｎ層は低キャリア濃度とすること、つまりＧａＮを高純度化して発光領域（ｐ層及びその近傍）の青色発光を劣化させる不純物原子濃度を抑えることができる。」と記載され、また「低キャリア濃度の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ：Ｘ＝０を含む）から成る低キャリア濃度ｎ層と、低キャリア濃度ｎ層に接合する高キャリア濃度の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ：Ｘ＝０を含む）から成る高キャリア濃度ｎ＋層とを形成し、ｐｎ接合を形成すると共にｎ層を低キャリア濃度と高キャリア濃度の二重層構造」と記載されていることから、さらに、甲第３号証に「前記Ｎ層を前記Ｉ層と接合する側から順に、低キャリア濃度Ｎ層と高キャリア濃度Ｎ＋層との二重層構造とし、前記Ｉ層を前記Ｎ層と接合する側から順に、前記Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層と前記Ｐ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造としたこと」と記載されていることから、上記相違点（１）ないし（３）の事項とすることは容易になし得たものであると主張する。
　しかしながら、甲各号証から本件発明１を構成しようとする際には、
（ａ）甲第１号証のものは、ダブルヘテロ構造であるのに対し、甲第２号証のものは、ホモ接合のｐｎ接合を有するものであり、また甲第３号証のものは、ＭＩＳ型の素子であって、三者は基本的に異なる構造のものであること。
（ｂ）甲第２号証のものは、「ＧａＮを高純度化」することを目的としているが、適用すべき甲第１号証のものは、甲第２号証とは基本的に異なる構造であるばかりでなく、発光層はｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮであって、高純度化しようとする層がＧａＮとは相違するばかりでなく、高純度化するための動機付けを甲第１号証に窺うこともできないから、甲第１号証と甲第２号証を結びつける必然性はない。
（ｃ）甲第３号証のものは、「Ｐ型不純物が比較的低濃度の低不純物濃度ＩＬ層とＰ型不純物が比較的高濃度の高不純物濃度ＩＨ層との二重層構造」を示すものではあるが、甲第１号証とは基本的に異なる構造（上記（ａ））であるから、Ｐ型不純物を含むとはいえそのＩ層の果たす役割もｐ層とは相違するものである。また、そのドープ材もＺｎは示されているが、Ｍｇは示されていない。
　さらに、甲第３号証のものは、「Ｎ層をＩ層と接合する側から順に、低キャリア濃度Ｎ層と高キャリア濃度Ｎ＋層との二重層構造」を示すものではあり、かつドープ材としてＳｉを含むものではあるが、甲第３号証に「即ち、高キャリア濃度Ｎ＋層によりＮ層全体の電気抵抗を小さくでき、Ｉ層と低キャリア濃度Ｎ層との接合に有効に電圧を印加することができる。又、Ｉ層に接合するＮ層は低キャリア濃度とすることで、Ｉ層にＮ層の非発光不純物原子が拡散または混入するのが防止される。又、Ｎ層からＩ層に電子が注入されるとき、Ｎ層に接合するＩ層を低不純物濃度ＩＬ層とすることで、電子はその低不純物濃度ＩＬ層でトラップされることなく、次の高不純物濃度ＩＨ層に注入される。」と記載されているように、該甲号証は、低キャリア濃度Ｎ層の上層が低不純物濃度ＩＬ層であることを前提に低キャリア濃度を形成する必要性を記載したものであるが、甲第１号証と甲第３号証とは基本的に異なる構造であって、Ｉ層の果たす役割はｐ層とは相違するものであるから、甲第３号証を甲第１号証に適用可能ということはできない。
（ｄ）ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を２層とするとの事項を直接開示する甲号証が無い以上、『「ｎ＋型ＧａＮ層」の一部が露出されて、その露出された「ｎ＋型ＧａＮ層」にオーミック電極が形成』するとの事項は、甲号証を寄せ集めた事項を前提としてオーミック電極を形成する場所を規定するものであるから、この点は容易の容易の論理を免れない。
等の要因が考えられるから、結局甲第１〜３号証から本件発明１が構成できるとはいえない。
　
　よって本件発明１は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
＜本件発明３について＞
　本件発明３は、本件発明１にさらに「前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は４００℃以上でアニーリングされてｐ型とされている」との限定を加えたものであるから、甲第４号証に「抵抗ＭｇドープＧａＮ膜を窒素雰囲気中でアニーリング」することが記載されているとしても、その判断は上記＜本件発明１について＞で記載したと同様であって、甲第１〜４号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　なお、本件発明３の請求項２を引用する部分については、異議申立人は、請求項２に係る発明について異議を申し立てておらず、またその引用する部分について取り消すべきとの主張もしていない。
　
II．理由（２）について
　原出願の請求項３に係る発明は、本件発明１と実質同一のものである旨主張するが、請求の理由においては、本件発明１及び原出願の請求項３に係る発明が具体的に特定されてはいない。そこで、平成１１年４月１２日付けで訂正された原出願の請求項３に係る発明と、本件発明１とが同一であるかについて検討する。
　原出願の請求項３に係る発明は、請求項２を引用するものであって、以下の事項により特定される。
「【請求項２】ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）層を発光層として具備するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度および前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に接近するにつれて小さくなるように調整されており、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、キャリア濃度の大きいｐ＋型ＧａＮ層と、ｐ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｐ型Ｇａ１−ｚＡｌｚＮ（０＜ｚ＜１）とからなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、キャリア濃度の大きいｎ＋型ＧａＮ層と、ｎ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｎ型Ｇａ１−ｙＡｌｙＮ（０≦ｙ＜１）層とからなることを特徴とする請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（以下、請求項３に係る発明を便宜上「先願発明」という。）
　
　本件発明１の「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜Ｘ＜１）層を発光層として具備するダブルへテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、先願発明の「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層とｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）層を発光層として具備するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に相当する。
　本件発明１の「前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度および前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に接近するにつれて小さくなるように調整され」は、先願発明の「前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度および前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層のキャリア濃度が、前記ｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層に接近するにつれて小さくなるように調整されており」に相当する。
　本件発明１の「前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、Ｍｇを含みキャリア濃度の大きいｐ＋型ＧａＮ層と、Ｍｇを含み前記ｐ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｐ型Ｇａ１−ｚＡｌｚＮ（０＜Ｚ＜１）とを有し」は、ｐ＋型ＧａＮ層が「Ｍｇを含」む点を除いて、先願発明の「前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、キャリア濃度の大きいｐ＋型ＧａＮ層と、ｐ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｐ型Ｇａ１−ｚＡｌｚＮ（０＜ｚ＜１）とからなる」に相当する。
　本件発明１の「前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、Ｓｉを含みキャリア濃度の大きいｎ＋型ＧａＮ層と、Ｓｉを含みｎ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｎ型Ｇａ１−ＹＡｌＹＮ（０≦Ｙ＜１）層とを含んでなり」は、ｎ＋型ＧａＮ層が「Ｓｉを含」む点を除いて、先願発明の「前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層は、キャリア濃度の大きいｎ＋型ＧａＮ層と、ｎ＋型ＧａＮ層よりもキャリア濃度の小さいｎ型Ｇａ１−ｙＡｌｙＮ（０≦ｙ＜１）層とからなる」に相当する。
　
　したがって、両者は次の点で相違する。
（１）本件発明１のものは、ｐ＋型ＧａＮ層が「Ｍｇを含」み、ｎ＋型ＧａＮ層が「Ｓｉを含」むのに対し、先願発明のものは、何を含むかについての規定がない点。
（２）本件発明１のものは、「前記ｎ＋型ＧａＮ層の一部が露出されて、その露出されたｎ＋型ＧａＮ層にオーミック電極が形成された」ものであるのに対し、先願発明のものは、該規定がない点。
　上記相違点について検討すると、上記相違点は単なる表現上の差異であるとはいえず、またｐ＋型及びｎ＋型のドーパントとしてどのような材料を選択するかあるいはオーミック電極をどのように形成するかといった選択の余地のある事項を、本件発明１において、夫々上記のように選択し限定したものであって、上記事項は、本件発明１が当然に有する程度のいわゆる設計事項とも言えないから、両者は実質的に同一とは言えない。
　
５．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１及び３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１及び３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１２日（２００２．６．１２）