【事件の表示】
　特許第３１９６８３２号「固体電解コンデンサ及びその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１９６８３２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許３１９６８３２号に係る発明は、平成１０年５月１５日に出願され平成１３年６月８日に設定登録されたが、その後特許異議申立人阿部小夜子により請求項１〜４に係る発明について異議の申立がなされたものである。
　
２．本件発明
　本件特許３１９６８３２号の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１〜４」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　ニオブの金属粉末を成形し、次いで高真空下で焼結して得られる金属焼結体の表面に、陽極化成により形成される誘電体層が設けられ、
　ニオブの金属焼結体からなる陽極体の表面に設けられる前記誘電体層は、
　前記ニオブの金属粉末を高真空下で焼結して得られる金属焼結体の表面から、前記焼結温度より低い温度における窒化処理を施すことによって、窒素含有量を９００〜３０００ｐｐｍの範囲とした後、
　陽極化成によって、前記金属焼結体表面から酸化を施すことにより形成される、前記窒素含有量により量が定まるニオブ窒化物領域をその内部に含むニオブ酸化物層であることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】　前記ニオブの金属粉末を焼結して得られる金属焼結体の表面から窒化処理した後の窒素含有量が、９００〜２３００ｐｐｍの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】　前記誘電体層の表面に、陰極層として導電性高分子材料層、次いでグラファイト層、ついで銀ペースト層が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】　前記導電性高分子材料層が、ポリピロールからなる導電性高分子材料層であることを特徴とする請求項３に記載の固体電解コンデンサ。」
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人阿部小夜子は、証拠として甲第１号証（特開平１０−２４２００４号公報）を提出し、本件発明１〜４は、特願平９−４５６５０号の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明（以下「引用発明」という。）と同一であるから、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであり、また、本件特許の請求項１〜４には、特許を受けようとする発明が明確に記載されていないから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないので、特許を取り消すべき旨主張している。
　
４．特許法第２９条の２について
４．１　引用発明
　引用発明は、コンデンサに関するものであり、以下の点が記載されている。
【請求項１】  一方の電極を窒化ニオブの焼結体とし、他方の電極を電導度が１０−２Ｓｃｍ−１以上である有機錯体、電導性高分子および無機半導体から選ばれた少なくとも一種の化合物とし、電極間の誘電体を酸化ニオブとしたことを特徴とするコンデンサ。
【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
実施例１〜７
粒径１０〜４０μｍのニオブ粉末を４００℃で窒素雰囲気中で反応させ、窒化ニオブ粉末とした。窒素量約２０００重量ｐｐｍであった。該粉末を真空中１５００℃で焼結させ窒化ニオブ焼結体を得た（１０ｍｍφ、厚さ約１ｍｍ、空孔率４５％、平均細孔３μｍ）。ついでりん酸水溶液中で２０Ｖ化成することにより焼結体上に酸化ニオブの誘電体を形成した。このようにして得た誘電体まで形成した窒化ニオブ焼結体を複数個用意し、表１に示した他方の電極を誘電体上に形成した。さらに他方の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層し、エポキシ樹脂で封口してコンデンサを作製した。表２に作製したコンデンサの容量（測定１００ＫＨｚ）、４ＶでのＬＣ値を示した。
【００１３】実施例８、９
粒径４０〜８０μｍの窒化ニオブ粉末（窒素量約１万重量ｐｐｍ）を真空中１６００℃で焼結させ窒化ニオブ焼結体を得た（１０ｍｍφ、厚さ１ｍｍ、空孔率５５％、平均細孔７μｍ）。ついでペンタエチルニオベート液中に窒化ニオブ焼結体を浸漬し引き上げた後、８５℃蒸気中で反応させ、さらに３５０℃で乾燥することにより焼結体上に酸化ニオブの誘電体膜を形成した。このようにして得た誘電体まで形成した窒化ニオブ焼結体を複数個用意し、実施例１及び実施例６と同様な方法で他方の電極として各々テトラチオテトラセンのクロラニル錯体（実施例８）、酢酸鉛と硫酸鉛の混合物（実施例９）を誘電体上に形成した。ひきつづき、他方の電極上にカーボンペースト、銀ペーストを順次積層し、エポキシ樹脂で封口してコンデンサを作製した。作製したコンデンサの性能値を表２に示した。
【００１５】比較例３、４
実施例１及び６で窒素処理を行わずに、ニオブ焼結体とした以外は実施例１及び６と同様にしてコンデンサを作製した。
　さらに、表１には、実施例４の他方の電極として「ポリピロールのトルエンスルホン酸ドープ」が記載され、表２には、実施例１では「容量（１００ＫHz）５５μＦ、漏れ電流ＬＣ（４Ｖ）０．９μＡ」、実施例８では「容量（１００ＫHz）４０μＦ、漏れ電流ＬＣ（４Ｖ）０．３μＡ」、比較例３では「容量（１００ＫHz）５４μＦ、漏れ電流ＬＣ（４Ｖ）１４μＡ」とそれぞれの特性が記載されている。
　
４．２　本件発明と引用発明との対比・判断
４．２．１　本件発明１について
　本件発明１と引用発明とを対比すると、引用発明には、本件発明１の構成要件である「ニオブの金属焼結体からなる陽極体の表面に設けられる前記誘電体層は、前記ニオブの金属粉末を高真空下で焼結して得られる金属焼結体の表面から、前記焼結温度より低い温度における窒化処理を施すことによって、窒素含有量を９００〜３０００ｐｐｍの範囲とした後、陽極化成によって、前記金属焼結体表面から酸化を施すことにより形成される、前記窒素含有量により量が定まるニオブ窒化物領域をその内部に含むニオブ酸化物層である」点が記載されていない。
　
　なお、特許異議申立人は、特許異議申立書（４）−４において「窒素濃度分布という構造上の特性の相異によって、引用発明のコンデンサと本件発明１〜４のコンデンサとを峻別するのは事実上不可能というべきであるから、製造方法によって特定される生産物という表現形式で記載された本件発明１〜４は、引用発明と同一の発明というべきである。」旨主張している。そこで、この主張について検討する。
　本件発明１の固体電解コンデンサは、焼結−窒化−酸化工程により製造され、引用発明の固体電解コンデンサは、窒化−焼結−酸化工程により製造されており、両者は窒化処理が焼結の後又は前と異なっている。
　そして、本件発明と引用発明において、それぞれの窒素含有量による漏れ電流特性を検討するに、本件発明（焼結−窒化−酸化工程）では、比較例１(窒素含有量８０ppm）で漏れ電流約０．０２μＡ（図８より）、実施例１(窒素含有量８５０ppm）で漏れ電流０．０３μＡ（【００３０】より）、実施例２(窒素含有量９００ppm）で漏れ電流約０．０３μＡ（図８より、以下同様）、実施例３(窒素含有量１６００ppm）で漏れ電流約０．０８μＡ、実施例４(窒素含有量２２００ppm）で漏れ電流約０．１１μＡ、実施例５(窒素含有量３０００ppm）で漏れ電流約０．７μＡと、窒素含有量の増加に伴って漏れ電流は増加している。
　これに対して、引用発明（窒化−焼結−酸化工程）では、比較例３(窒素含有量微量）で漏れ電流１４μＡ（表２より、以下同様）、実施例１(窒素含有量約２０００重量ppm）で漏れ電流０．９μＡ、実施例８(窒素含有量約１００００重量ppm）で漏れ電流約０．３μＡと、窒素含有量の増加に伴って漏れ電流は減少している。
　以上のように、両者の漏れ電流特性について比較すれば、窒素含有量の増加による効果は全く反対であり、両者は物としてその特性が相違していることは明らかである。
　また、特許異議申立書第８頁第１７行〜第１８行における「この表面近傍に生成した窒化ニオブは、窒素とは異なり、高温に加熱しても容易に内方へ拡散するということはないと理解する方が合理的である」とする特許異議申立人の主張も、裏付けがないので推測の域をでず、両者の窒素濃度分布が同じであるとは、にわかには信じ難く、上記両者の特性の相違を考慮すれば、窒化処理後の焼結による高温により窒素濃度分布が何らか変化すると考えるのが相当と認める。
　したがって、両者は製造方法の相違により物としての構造も相違していると考えられるので、本件発明１と引用発明が同一であるとは認められない。
　
４．２．２　本件発明２〜４について
  本件発明２〜４は、本件発明１を引用し、さらに限定したものである。
　したがって、上記本件発明１と同様の理由により、本件発明２〜４が、引用発明と同一とは認められない。
　
５．特許法第３６条第６項第２号について
  本件発明１〜４は、審査基準第Ｉ部第１章２．２．２．１（７）における当該製造方法により製造される具体的な物を想定できない場合に該当する。
　そして、本件発明１〜４は、製造方法による物の特定以外には、明細書又は図面に記載された発明を適切に特定できないことが理解できる。
　さらに、上記４．２．１で述べたように、本件発明１〜４と引用発明は、区別可能であるから、本件発明１〜４は、当該製造方法により製造される物と出願時の技術水準との関係が理解できる。
　したがって、本件発明１〜４の範囲が明確でないとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては本件発明１〜４についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４ついての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月２日（２００２．５．２）