(57)【要約】  この発明の撮像装置は、電荷電圧変換アンプ中のアンプをリセットする能力であるリセット能力が従来では固定であったのを、切り換えるように構成する。そのために、コントローラは電荷電圧変換アンプ中のアンプをリセットする能力であるリセット能力としてアンプの消費電力を切り換えるリセット能力切り換えの機能を備えているので、リセット能力としての消費電力を自在に変えることができ、様々な電荷電圧変換の態様に対応することができる。したがって、発熱が多くなる恐れの場合には消費電力を低い方へ切り換えることで、発熱を抑えることができる。
2010044153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を電圧情報に変換する電荷電圧変換回路とを備え、その電荷電圧変換回路で変換された電圧情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えていることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、前記リセット能力は前記アンプの消費電力であって、前記リセット能力切り換え手段は、前記アンプの消費電力を切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の撮像装置において、前記変換層または蓄積・読み出し回路の温度を測定する温度測定手段を備え、その温度測定手段で測定された温度が所定値以上になったときに、前記リセット能力切り換え手段は前記リセット能力を切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項３に記載の撮像装置において、前記リセット能力は前記アンプの消費電力であって、前記リセット能力切り換え手段は、前記アンプの消費電力を切り換えるとともに、前記温度測定手段で測定された温度が所定値以上になったときに消費電力を低い方へ切り換え、前記温度測定手段で測定された温度が所定値未満になったときに消費電力を高い方へ切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項２または請求項４に記載の撮像装置において、画像単位を表わすフレームの周期を示すフレームレートの時間長さを切り換えるフレームレート切り換え手段を備え、前記リセット能力切り換え手段は、前記フレームレート切り換え手段によってフレームレートを長くしたときに前記アンプの消費電力を低い方へ切り換え、前記フレームレート切り換え手段によってフレームレートを短くしたときに前記アンプの消費電力を高い方へ切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項４に記載の撮像装置において、画像単位を表わすフレームの周期を示すフレームレートの時間長さに依存せずに、前記温度測定手段で測定された温度に依存して、前記リセット能力切り換え手段は前記アンプの消費電力を切り換えることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置についてＸ線を入射して電荷情報に変換する場合を例に採って説明する。撮像装置は、Ｘ線感応型のＸ線変換層を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層はキャリア（電荷情報）に変換する。Ｘ線変換層としては非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜が用いられる。【０００３】
また、撮像装置は、Ｘ線変換層で変換されたキャリアを蓄積して読み出す回路を備えている。この回路は、図１１に示すように、２次元状に配列した複数のゲートラインＧおよびデータラインＤで構成されているとともに、キャリアを蓄積するコンデンサＣａおよびそのコンデンサＣａに蓄積されたキャリアをＯＮ／ＯＦＦの切り換えで読み出す薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒを２次元状に配列して構成されている。ゲートラインＧは、各々の薄膜トランジスタＴｒのＯＮ／ＯＦＦ切り換えを制御し、かつ各々の薄膜トランジスタＴｒのゲートに電気的に接続されている。データラインＤは、薄膜トランジスタＴｒの読み出し側に電気的に接続されている。【０００４】
例えば、図１１に示すように、ゲートラインＧが１０本のゲートラインＧ１〜Ｇ１０からなり、データラインＤが１０本のデータラインＤ１〜Ｄ１０からなるときの制御シーケンスは以下のようになる。先ず、Ｘ線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアがキャリアとしてコンデンサＣａに蓄積される。ゲート駆動回路１０１からゲートラインＧ１を選択して、選択されたゲートラインＧ１に接続されている各薄膜トランジスタＴｒが選択指定される。その選択指定された各薄膜トランジスタＴｒに接続されているコンデンサＣａから蓄積されたキャリアが読み出されて、データラインＤ１〜Ｄ１０の順に読み出される。次に、ゲート駆動回路１０１からゲートラインＧ２を選択して、同様の手順で、選択されたゲートラインＧ１および各薄膜トランジスタＴｒに接続されているコンデンサＣａから蓄積されたキャリアが読み出されて、データラインＤ１〜Ｄ１０の順に読み出される。残りのゲートラインＧについても同様に順に選択することで、２次元状のキャリアを読み出す。読み出された各キャリアは電荷電圧変換アンプで電圧に変換された状態でそれぞれ増幅されて、Ａ／Ｄ変換器でアナログ値からディジタル値に変換される。このディジタル値に変換されたキャリアに基づいて２次元状の画像を得る。なお、電荷電圧変換アンプやＡ／Ｄ変換器は、図１１に示すように回路基板１０２に搭載されている。【０００５】
ゲートラインＧの１本分のキャリアを読み出す時間の間隔である読み出し間隔は、図４（ｂ）に示すように、アンプリセットの時間、薄膜トランジスタのゲートＯＮの時間、アンプ出力ホールド（サンプルホールドがＯＮ）の時間、Ａ／Ｄ変換の変換時間などで決定される。なお、各フレームレートごとの読み出しの時間を「読み出し期間」とすると、図４（ａ）に示すように、読み出し間隔×１０（ゲートラインＧ１〜Ｇ１０までの１０本のライン）となる。また、フレームレートは、フレーム同期信号間の時間間隔でもあり、このフレーム同期信号に同期して画像単位を表わすフレームの出力（すなわちフレームの読み出し）のタイミングが制御される。すなわち、一定周期のフレーム同期信号に対して同期信号から固定時間後（図４では固定時間「０」）にキャリアの読み出しが開始される（例えば、特許文献１参照）。図４においては、上述した読み出し間隔は、電荷電圧変換アンプによる電荷電圧変換期間にも相当する。また、読み出し終了から次の読み出し開始までの期間を「ブランク期間」とすると、そのブランク期間の間でＸ線の照射が行われてＸ線がＸ線変換層に入射される。なお、Ｘ線照射（入射）終了から次のフレーム同期信号までの期間を、図４に示すようにａとする。【０００６】
電荷を電圧に変換する（電荷電圧変換）アンプの変換容量のリセット能力は固定であり、システムで求められる最速の撮影速度（最短のフレームレート、なお撮影速度はフレームレートの逆数）に合わせた最小リセット時間を決定して、そのリセット時間が可能なリセット能力を持つアンプで駆動させる。
【特許文献１】特開２００６−３０４２１１号公報（第７−９頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来のように最速の撮影速度（最短のフレームレート）に合わせたリセット能力にてアンプを駆動させると、高い消費電力が必要になるという問題点がある。また、それに伴い発熱が多いシステムとなる。また、システムに電力を供給する電源自体も大型化するという問題がある。【０００８】
また、Ｘ線変換層には、上述したように非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）が用いられることが多いが、この物質は熱に弱く４０℃で結晶化することが知られている。したがって、消費電力の増大による発熱は極めて問題となる。このような問題を回避するには、ヒートパイプやファンなどを取り付けるなど放熱対策を講じる必要があるが、その場合には形状の巨大化や重量の増大化、ひいては取り付け位置の制限が生じる。【０００９】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、様々な電荷電圧変換の態様に対応することができる撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、この発明の撮像装置は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を電圧情報に変換する電荷電圧変換回路とを備え、その電荷電圧変換回路で変換された電圧情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えていることを特徴とするものである。【００１１】
この発明の撮像装置によれば、電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力が従来では固定であったのを、切り換えるように構成する。そのために、リセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えることで、リセット能力を自在に変えることができ、様々な電荷電圧変換の態様に対応することができる。【００１２】
リセット能力の一例はアンプの消費電力である。この一例の場合には、リセット能力切り換え手段は、アンプの消費電力を切り換える。したがって、発熱が多くなる恐れの場合には消費電力を低い方へ切り換えることで、発熱を抑えることができる。したがって、システムに電力を供給する電源自体を小型化することができ、発熱を抑えることで放熱手段を小型化、あるいは放熱手段が不要になる。【００１３】
上述したこれらの発明の撮像装置において、変換層または蓄積・読み出し回路の温度を測定する温度測定手段を備え、その温度測定手段で測定された温度が所定値以上になったときに、リセット能力切り換え手段はリセット能力を切り換えるのが好ましい。【００１４】
特に、リセット能力が上述したようなアンプの消費電力の場合には、リセット能力切り換え手段は以下のように切り換える。すなわち、リセット能力切り換え手段は、アンプの消費電力を切り換えるとともに、温度測定手段で測定された温度が所定値以上になったときに消費電力を低い方へ切り換え、温度測定手段で測定された温度が所定値未満になったときに消費電力を高い方へ切り換える。したがって、所定値よりも高い温度上昇により変換層または蓄積・読み出し回路での発熱が多くなる恐れの場合には消費電力を低い方へ切り換えることで、温度上昇を抑えるとともに発熱を抑えることができる。【００１５】
また、リセット能力がアンプの消費電力の場合には、さらに下記のようにしてもよい。すなわち、画像単位を表わすフレームの周期を示すフレームレートの時間長さを切り換えるフレームレート切り換え手段を備え、リセット能力切り換え手段は、フレームレート切り換え手段によってフレームレートを長くしたときにアンプの消費電力を低い方へ切り換え、フレームレート切り換え手段によってフレームレートを短くしたときにアンプの消費電力を高い方へ切り換える。従来ではフレームレートが最短に合わせてリセット時間を設定し、そのリセット時間が固定であるので、フレームレートが長い場合でも最短のフレームレートのときと同じリセット時間であり、リセット時間が短いままであると消費電力が高いままである。その従来に対してフレームレートが長い場合ではフレームレートが長い分だけリセット時間を長く設定することになり、フレームレートを長くしたときにアンプの消費電力を低い方へ切り換えることになる。このように、フレームレートを長くしたときにアンプの消費電力を低い方へ切り換えることで、フレームレートが長いときでの発熱を抑えることができる。【００１６】
温度測定手段で測定された温度が所定値以上になったときに消費電力を低い方へ切り換え、温度測定手段で測定された温度が所定値未満になったときに消費電力を高い方へ切り換える場合には、フレームレートの時間長さに依存せずに、温度測定手段で測定された温度に依存して、リセット能力切り換え手段はアンプの消費電力を切り換えてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
この発明に係る撮像装置によれば、電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えることで、リセット能力を自在に変えることができ、様々な電荷電圧変換の態様に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施例１に係るＸ線撮影装置の概略ブロック図である。
【図２】Ｘ線撮影装置のＸ線変換層周辺の概略断面図である。
【図３】Ｘ線撮影装置の電荷電圧変換アンプやＡ／Ｄ変換器の周辺回路図である。
【図４】（ａ）は、高速フレームレート（動画）での読み出し間隔のタイミングチャートであって、（ｂ）は、高速フレームレート（動画）での読み出し間隔を細分化したタイミングチャートである。
【図５】（ａ）は、低速フレームレート（単撮影）での読み出し間隔のタイミングチャートであって、（ｂ）は、低速フレームレート（単撮影）での読み出し間隔を細分化したタイミングチャートである。
【図６】高速フレームレート（動画）および低速フレームレート（単撮影）を時間的に連続して並べたときの読み出し間隔を細分化したタイミングチャート、（ａ）は、高速フレームレート（動画）でのとき、（ｂ）は、低速フレームレート（単撮影）でのときである。
【図７】アンプの消費電力の切り換えのための電流の切り換え回路の概略図である。
【図８】アンプのリセット能力とリセット時間と消費電力との関係を模式的に示したグラフである。
【図９】実施例２に係るＸ線撮影装置の概略ブロック図である。
【図１０】（ａ）は、検出素子用回路に温度センサを設けたときの概略断面図であって、（ｂ）は、Ｘ線変換層に温度センサを設けたときの概略断面図である。
【図１１】従来のＸ線撮影装置の概略ブロック図である。
【符号の説明】
【００１９】
２  …  検出素子用回路
２３  …  Ｘ線変換層
６  …  コントローラ
３  …  電荷電圧変換アンプ
３１  …  アンプ
１０  …  温度センサ
【実施例１】
【００２０】
以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。図１は、実施例１に係るＸ線撮影装置の概略ブロック図であり、図２は、Ｘ線撮影装置のＸ線変換層周辺の概略断面図であり、図３は、Ｘ線撮影装置の電荷電圧変換アンプやＡ／Ｄ変換器の周辺回路図である。後述する実施例２も含めて、本実施例１では、入射する放射線としてＸ線を例に採って説明するとともに、撮像装置としてＸ線撮影装置を例に採って説明する。【００２１】
後述する実施例２も含めて、本実施例１に係るＸ線撮影装置は、被検体にＸ線を照射して撮像を行う。具体的には、被検体を透過したＸ線像がＸ線変換層（本実施例１ではアモルファスセレン膜）上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリア（電荷情報）が層内に発生することでキャリアに変換される。【００２２】
Ｘ線撮影装置は、図１に示すように、後述するゲートラインＧを選択するゲート駆動回路１と、Ｘ線変換層２３（図２を参照）で変換されたキャリアを蓄積して読み出すことでＸ線を検出する検出素子用回路２と、その検出素子用回路２で読み出されたキャリアを電圧に変換した状態で増幅する電荷電圧変換アンプ３と、その電荷電圧変換アンプ３で増幅された電圧のアナログ値からディジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器４と、そのＡ／Ｄ変換器４でディジタル値に変換された電圧値に対して信号処理を行って画像を得る画像処理部５と、これらの回路１，２や電荷電圧変換アンプ３やＡ／Ｄ変換器４や画像処理部５や後述するメモリ部７やモニタ９などを統括制御するコントローラ６と、処理された画像などを記憶するメモリ部７と、入力設定を行う入力部８と、処理された画像などを表示するモニタ９とを備えている。本明細書では、キャリアや画像などの情報を、画像に関する画像情報とする。Ｘ線変換層２３は、この発明における変換層に相当し、検出素子用回路２は、この発明における蓄積・読み出し回路に相当し、電荷電圧変換アンプ３は、この発明における電荷電圧変換回路に相当する。【００２３】
ゲート駆動回路１は複数のゲートラインＧに電気的に接続されている。ゲート駆動回路１から各ゲートラインＧに電圧を印加することで、後述する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ＴｒをＯＮにして後述するコンデンサＣａに蓄積されたキャリアの読み出しを開放し、各ゲートラインＧへの電圧を停止する（電圧を−１０Ｖにする）ことで、薄膜トランジスタＴｒをＯＦＦにしてキャリアの読み出しを遮断する。なお、各ゲートラインＧに電圧を印加することでＯＦＦにしてキャリアの読み出しを遮断し、各ゲートラインＧへの電圧を停止することでＯＮにしてキャリアの読み出しを開放するように、薄膜トランジスタＴｒを構成してもよい。【００２４】
検出素子用回路２は、２次元状に配列した複数のゲートラインＧおよびデータラインＤで構成されているとともに、キャリアを蓄積するコンデンサＣａおよびそのコンデンサＣａに蓄積されたキャリアをＯＮ／ＯＦＦの切り換えで読み出す薄膜トランジスタＴｒを２次元状に配列して構成されている。ゲートラインＧは、各々の薄膜トランジスタＴｒのＯＮ／ＯＦＦ切り換えを制御し、かつ各々の薄膜トランジスタＴｒのゲートに電気的に接続されている。データラインＤは、薄膜トランジスタＴｒの読み出し側に電気的に接続されている。【００２５】
説明の便宜上、後述する実施例２も含めて、本実施例１では、縦・横式２次元マトリックス状配列で10×10個の薄膜トランジスタＴｒおよびコンデンサＣａが形成されているとする。すなわち、ゲートラインＧは、１０本のゲートラインＧ１〜Ｇ１０からなり、データラインＤは、１０本のデータラインＤ１〜Ｄ１０からなる。各ゲートラインＧ１〜Ｇ１０は、図１中のＸ方向に並設された１０個の薄膜トランジスタＴｒのゲートにそれぞれ接続され、各データラインＤ１〜Ｄ１０は、図１中のＹ方向に並設された１０個の薄膜トランジスタＴｒの読み出し側にそれぞれ接続されている。薄膜トランジスタＴｒの読み出し側とは逆側にはコンデンサＣａが電気的に接続されており、薄膜トランジスタＴｒとコンデンサＣａとの個数が一対一に対応する。【００２６】
また、検出素子用回路２は、図２に示すように、検出素子ＤＵが２次元マトリックス状配列で絶縁基板２１にパターン形成されている。すなわち、絶縁基板２１の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、上述したゲートラインＧ１〜Ｇ１０およびデータラインＤ１〜Ｄ１０を配線し、薄膜トランジスタＴｒ，コンデンサＣａ，キャリア収集電極２２，Ｘ線変換層２３および電圧印加電極２４を順に積層形成することで構成されている。【００２７】
Ｘ線変換層２３は、Ｘ線感応型の半導体厚膜で形成されており、後述する実施例２も含めて、本実施例１では、非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜で形成されている。Ｘ線変換層２３は、Ｘ線の入射によりＸ線の情報を電荷情報であるキャリアに変換する。なお、Ｘ線変換層２３は、Ｘ放射線の入射によりキャリアが生成されるＸ線感応型の物質であれば、アモルファスセレンに限定されない。また、Ｘ線以外の放射線（γ線など）を入射して撮像を行う場合には、Ｘ線変換層２３の替わりに、放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質を用いてもよい。また、光を入射して撮像を行う場合には、Ｘ線変換層２３の替わりに、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質を用いてもよい。【００２８】
電荷電圧変換アンプ３は、図３に示すように、各々のデータラインＤ（図３ではＤ１〜Ｄ１０）に電気的に接続されたアンプ３１と、各々のデータラインＤに電気的に接続されたアンプ用コンデンサ３２と、データラインＤ毎のアンプ３１およびアンプ用コンデンサ３２に電気的に並列に接続されたサンプルホールド３３と、データラインＤ毎のサンプルホールド３３に電気的に接続されたスイッチング素子３４とを備えている。また、アンプ３１と検出素子用回路２のデータラインＤの端部とは、スイッチング素子ＳＷを介して、データラインＤ毎に電気的に接続されている。データラインＤに読みだされたキャリアを、スイッチング素子ＳＷがＯＮにして電荷電圧変換アンプ３のアンプ３１およびアンプ用コンデンサ３２に送り込む。送り込まれたキャリアを、アンプ３１およびアンプ用コンデンサ３２が電圧に変換した状態で増幅し、増幅された電圧値をサンプルホールド３３は所定時間だけ一旦蓄積する。一旦蓄積された電圧値を、スイッチング素子３４をＯＮにしてＡ／Ｄ変換器４に送り込み、送り込まれた電圧のアナログ値からディジタル値にＡ／Ｄ変換器４は変換する。【００２９】
図１の説明に戻って、画像処理部５は、Ａ／Ｄ変換器４でディジタル値に変換された電圧値に対して各種の信号処理を行って画像を求める。コントローラ６は、回路１，２や電荷電圧変換アンプ３やＡ／Ｄ変換器４や画像処理部５や後述するメモリ部７やモニタ９などを統括制御し、後述する実施例２も含めて、本実施例１では電荷電圧変換アンプ３中のアンプ３１をリセットする能力であるリセット能力（本実施例１ではアンプ３１の消費電力）を切り換える機能（リセット能力切り換えの機能）および画像単位を表わすフレームの周期を示すフレームレートの時間長さを切り換える機能（フレームレート切り換えの機能）をも備えている。画像処理部５およびコントローラ６は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されている。コントローラ６は、この発明におけるリセット能力切り換え手段およびフレームレート切り換え手段に相当する。【００３０】
メモリ部７は、画像情報などを書き込んで記憶し、コントローラ６からの読み出し指令に応じて画像情報などがメモリ部７から読み出される。メモリ部７は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。なお、画像情報の書き込みにはＲＡＭが用いられ、例えば制御シーケンスに関するプログラムの読み出しによって制御シーケンスをコントローラ６に実行させる場合には、制御シーケンスに関するプログラムの読み出し専用にはＲＯＭが用いられる。本実施例１では、フレームレートの時間長さを切り換え、フレームレートを長くしたときにアンプ３１の消費電力を低い方へ切り換え、フレームレートを短くしたときにアンプ３１の消費電力を高い方へ切り換える制御シーケンスに関するプログラムをメモリ部７に記憶させ、そのプログラムの読み出しによって制御シーケンスをコントローラ６に実行させる。【００３１】
入力部８は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイス、あるいはボタンやスイッチやレバーなどの入力手段で構成されている。入力部８に入力設定すると、入力設定データがコントローラ６に送り込まれ、入力設定データに基づいて回路１，２や電荷電圧変換アンプ３やＡ／Ｄ変換器４や画像処理部５やメモリ部７やモニタ９などが制御される。【００３２】
続いて、本実施例１のＸ線撮影装置の制御シーケンスについて説明する。電圧印加電極２４に高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧ＶＡを印加した状態で、検出対象であるＸ線を入射させる。【００３３】
Ｘ線の入射によってＸ線変換層２３でキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報としてキャリア収集電極２２を介してコンデンサＣａに蓄積される。ゲート駆動回路１の信号（ここではキャリア）読み出し用の走査信号（すなわちゲート駆動信号）によって、対象となるゲートラインＧが選択される。本実施例１では、ゲートラインＧ１，Ｇ２，Ｇ３，…，Ｇ９，Ｇ１０の順に１つずつ選択されるものとして説明する。また、ゲート駆動回路１からの信号読み出し用の走査信号は、ゲートラインＧに電圧（例えば１５Ｖ程度）を印加する信号である。【００３４】
ゲート駆動回路１から対象となるゲートラインＧを選択して、選択されたゲートラインＧに接続されている各薄膜トランジスタＴｒが選択指定される。この選択指定で選択指定された薄膜トランジスタＴｒのゲートに電圧が印加されてＯＮ状態となる。その選択指定された各薄膜トランジスタＴｒに接続されているコンデンサＣａから蓄積されたキャリアが、選択指定されてＯＮ状態に移行した薄膜トランジスタＴｒを経由して、データラインＤに読み出される。すなわち、選択されたゲートラインＧに関する検出素子ＤＵが選択指定されて、その選択指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積されたキャリアが、データラインＤに読み出される。【００３５】
一方、選択指定された同一のゲートラインＧに関する各々の検出素子ＤＵからの読み出し順については、データラインＤ１〜Ｄ１０の順に１つずつ選択されて読み出されるものとして説明する。すなわち、データラインＤに接続されている電荷電圧変換アンプ３のアンプ３１がリセットされて、さらに薄膜トランジスタＴｒがＯＮ状態（すなわちゲートがＯＮ）に移行することで、キャリアがデータラインＤに読み出され、電荷電圧変換アンプ３のアンプ３１およびアンプ用コンデンサ３２にて電圧に変換された状態で増幅される。【００３６】
つまり、各検出素子ＤＵのアドレス（番地）指定は、ゲート駆動回路１からの信号読み出し用の走査信号と、データラインＤに接続されているアンプ３１の選択とに基づいて行われる。【００３７】
先ず、ゲート駆動回路１からゲートラインＧ１を選択して、選択されたゲートラインＧ１に関する検出素子ＤＵが選択指定されて、その選択指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積されたキャリアが、データラインＤ１〜Ｄ１０の順に読み出される。次に、ゲート駆動回路１からゲートラインＧ２を選択して、同様の手順で、選択されたゲートラインＧ２に関する検出素子ＤＵが選択指定されて、その選択指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積されたキャリアが、データラインＤ１〜Ｄ１０の順に読み出される。残りのゲートラインＧについても同様に順に選択することで、２次元状のキャリアを読み出す。【００３８】
読みだされた各キャリアはアンプ３１およびアンプ用コンデンサ３２で電圧に変換された状態でそれぞれ増幅されて、サンプルホールド３３で一旦蓄積されて、Ａ／Ｄ変換器４でアナログ値からディジタル値に変換される。このディジタル値に変換された電圧値に基づいて、画像処理部５は各種の信号処理を行って、２次元状の画像を得る。得られた２次元状の画像やキャリアなどに代表される画像情報は、コントローラ６を介してメモリ部７に書き込まれて記憶され、必要に応じてコントローラ６を介してメモリ部７から読み出される。また、画像情報は、コントローラ６を介してモニタ９に表示される。【００３９】
次に、アンプ３１の消費電力の切り換えおよびフレームレートの時間長さの切り換えについて、図４〜図８を参照して説明する。図４（ａ）は、高速フレームレート（動画）での読み出し間隔のタイミングチャートであって、図４（ｂ）は、高速フレームレート（動画）での読み出し間隔を細分化したタイミングチャートであって、図５（ａ）は、低速フレームレート（単撮影）での読み出し間隔のタイミングチャートであって、図５（ｂ）は、低速フレームレート（単撮影）での読み出し間隔を細分化したタイミングチャートであって、図６は、高速フレームレート（動画）および低速フレームレート（単撮影）を時間的に連続して並べたときの読み出し間隔を細分化したタイミングチャートであって、図６（ａ）は、高速フレームレート（動画）でのとき、図６（ｂ）は、低速フレームレート（単撮影）でのときであって、図７は、アンプの消費電力の切り換えのための電流の切り換え回路の概略図であって、図８は、アンプのリセット能力とリセット時間と消費電力との関係を模式的に示したグラフである。【００４０】
読み出し間隔は、ゲートラインＧの１本分のキャリアを読み出す時間の間隔である。本明細書では、読み出し間隔は、図４（ｂ）や図５（ｂ）に示すようなタイミングチャートに細分化され、選択の対象であるゲートラインＧにおけるアンプ３１でのアンプリセット開始から、次に選択されるゲートラインＧにおけるアンプ３１でのアンプリセット開始までの間隔を示す。【００４１】
具体的には、図４（ｂ）や図５（ｂ）に示すように、アンプリセットが終了した後に、ゲートラインＧを選択して薄膜トランジスタＴｒのゲートがＯＮ状態に移行する。この移行によりゲートラインＧに関する各々の検出素子ＤＵからのキャリアの読み出しが行われる。薄膜トランジスタＴｒのゲートがＯＦＦ状態に移行した後に、アンプリセット開始からアンプ３１の出力が安定するまでの時間、より正確に述べると薄膜トランジスタＴｒのゲートがＯＦＦ状態に移行してからアンプ３１の出力が安定するまでの時間であるアンプ出力安定待ち時間が経過した後に、アンプ出力ホールドを示すサンプルホールド３３をＯＮにする。サンプルホールド３３をＯＦＦかつスイッチング素子３４をＯＮにした後にＡ／Ｄ変換器４をＯＮにしてアナログ値からディジタル値に変換される。【００４２】
なお、図４は高速フレームレートでのタイミングチャートであって、短いフレームレート（すなわち高速の撮影速度）で画像を連続的に取得する動画に適しており、図５は低速フレームレートでのタイミングチャートであって、長いフレームレート（すなわち低速の撮影速度）で画像を単発で取得する単撮影に適している。本実施例１では、図６（ａ）に示すように高速フレームレート（動画）のようにフレームレートの時間長さを短く切り換え、高速フレームレート（動画）後に図６（ｂ）に示すように低速フレームレート（単撮影）のようにフレームレートの時間長さを長く切り換える。図６（ａ）のタイミングチャートと図６（ｂ）のタイミングチャートとは時間的に連続しており、図６（ａ）のタイミングチャートの直後に図６（ｂ）のタイミングチャートが続くとして説明する。【００４３】
高速フレームレート（動画）のときは、図４（ｂ）、図６（ａ）に示すように読み出し間隔が短くなるようにコントローラ６（図１を参照）が切り換える。読み出し間隔が短くなった分だけ全ゲートラインＧ１〜Ｇ１０の読み出し間隔も短くなり、その結果、フレームレート（の時間長さ）が短くなる。一方、低速フレームレート（単撮影）のときは、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すように読み出し間隔が長くなるようにコントローラ６（図１を参照）が切り換える。読み出し間隔が長くなった分だけ全ゲートラインＧ１〜Ｇ１０の読み出し間隔も長くなり、その結果、フレームレート（の時間長さ）が長くなる。【００４４】
「背景技術」の欄でも述べたように、従来ではアンプの変換容量のリセット能力は固定であり、システム（本実施例１ではＸ線撮影装置）で求められる最短のフレームレート（本実施例１では高速フレームレート：動画）に合わせた最小リセット時間を決定して、フレームレートの時間長さを長く切り換えたとしても、最短のフレームレートのときと同じ最小リセット時間のままでアンプは駆動する。本実施例１では、低速フレームレート（単撮影）のとき読み出し間隔が長くなったのを利用して、図５（ｂ）、図６（ｂ）に示すようにアンプ３１のリセット時間（図５（ｂ）、図６（ｂ）の「アンプリセット」を参照）を、高速フレームレート（動画）のときよりも長く設定する。【００４５】
リセット時間を可変に設定するためには、図３に示したアンプ３１およびその周辺の回路を、図７に示すように構成する。すなわち、従来ではアンプ３１に供給する電流が固定であったのを、図７に示すように電流Ｉｃｃａまたは電流Ｉｃｃｂのいずれかにコントローラ６が切り換えるように構成する。ここでは、Ｉｃｃａ＞Ｉｃｃｂとする。したがって、消費電力を高くするには、電流Ｉｃｃａをアンプ３１に供給するように切り換え、消費電力を低くするには、電流Ｉｃｃｂをアンプ３１に供給するように切り換える。【００４６】
一方、アンプ３１のリセット能力とリセット時間と消費電力とは、図８に示す関係があり、リセット能力が高いと短時間でリセット可能で、リセット能力が低ければリセット時間が長くなって消費電力は低くなり、リセット能力が高ければリセット時間が短くなって消費電力は高くなる。換言すれば、消費電力を高くするとリセット時間が短くなり、消費電力を低くするとリセット時間が長くなるともいえる。以上をまとめると、電流Ｉｃｃａをアンプ３１に供給すると、消費電力は高くなり、リセット時間は短くなり、電流Ｉｃｃｂをアンプ３１に供給すると、消費電力は低くなり、リセット時間は長くなる。このことから、高速フレームレート（動画）のとき、すなわちフレームレートを短くしたときには、電流Ｉｃｃａをアンプ３１に供給することで消費電力を高い方へ切り換えてリセット時間を短くして、低速フレームレート（単撮影）のとき、すなわちフレームレートを長くしたときには、電流Ｉｃｃｂをアンプ３１に供給することで消費電力を低い方へ切り換えてリセット時間を長くする。【００４７】
上述した本実施例１に係るＸ線撮影装置によれば、電荷電圧変換アンプ中のアンプをリセットする能力であるリセット能力が従来では固定であったのを、切り換えるように構成する。そのために、コントローラ６は電荷電圧変換アンプ３中のアンプ３１をリセットする能力であるリセット能力（本実施例１ではアンプ３１の消費電力）を切り換えるリセット能力切り換えの機能を備えることで、リセット能力（ここでは消費電力）を自在に変えることができ、様々な電荷電圧変換の態様に対応することができる。【００４８】
本実施例１では、リセット能力はアンプ３１の消費電力である。本実施例１の場合には、リセット能力切り換えの機能は、アンプ３１の消費電力を切り換える。したがって、発熱が多くなる恐れの場合には消費電力を低い方へ切り換えることで、発熱を抑えることができる。したがって、システム（本実施例１ではＸ線撮影装置）に電力を供給する電源自体を小型化することができ、発熱を抑えることで放熱手段を小型化、あるいは放熱手段が不要になる。【００４９】
本実施例１のようにリセット能力がアンプ３１の消費電力の場合には、さらに下記のようにする。すなわち、画像単位を表わすフレームの周期を示すフレームレートの時間長さを切り換えるフレームレート切り換えの機能を備え、リセット能力切り換えの機能は、フレームレート切り換えの機能によってフレームレートを長くしたとき（低速フレームレート：単撮影のとき）にアンプ３１の消費電力を低い方へ切り換え、フレームレート切り換えの機能によってフレームレートを短くしたとき（高速フレームレート：動画のとき）にアンプ３１の消費電力を高い方へ切り換える。従来ではフレームレートが最短に合わせてリセット時間を設定し、そのリセット時間が固定であるので、フレームレートが長い場合でも最短のフレームレートのときと同じリセット時間であり、リセット時間が短いままであると消費電力が高いままである。その従来に対してフレームレートが長い場合ではフレームレートが長い分だけリセット時間を長く設定することになり、フレームレートを長くしたときにアンプ３１の消費電力を低い方へ切り換えることになる。このように、フレームレートを長くしたときにアンプ３１の消費電力を低い方へ切り換えることで、フレームレートが長いときでの発熱を抑えることができる。
【実施例２】
【００５０】
次に、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。図９は、実施例２に係るＸ線撮影装置の概略ブロック図であり、図１０（ａ）は、検出素子用回路に温度センサを設けたときの概略断面図であり、図１０（ｂ）は、Ｘ線変換層に温度センサを設けたときの概略断面図である。上述した実施例１と同じ構成については、同じ符号を付してその説明を省略する。【００５１】
本実施例２に係るＸ線撮影装置は、上述した実施例１と同じように、ゲート駆動回路１と検出素子用回路２と電荷電圧変換アンプ３とＡ／Ｄ変換器４と画像処理部５とコントローラ６とメモリ部７と入力部８とモニタ９とを備えている。本実施例２では、その他に、Ｘ線撮影装置は、Ｘ線変換層２３（図１０を参照）または検出素子用回路２の温度を測定する温度センサ１０を備えている。温度センサ１０による測定結果をコントローラ６に送り込む。温度センサ１０は、この発明における温度測定手段に相当する。【００５２】
検出素子用回路２の温度を測定する場合には、図１０（ａ）に示すように検出素子用回路２に温度センサ１０を設ける。具体的には、絶縁基板２１の下に金属膜２５を積層し、この金属膜２５中に温度センサ１０を埋め込む。金属膜２５として例えばアルミニウム（Ａｌ）を用いる。もちろん、検出素子用回路２に温度センサ１０を設ける形態として図１０（ａ）に限定されない。【００５３】
Ｘ線変換層２３の温度を測定する場合には、図１０（ｂ）に示すようにＸ線変換層２３に温度センサ１０を設ける。具体的には、Ｘ線変換層２３に直接的に温度センサ１０を接触させる。もちろん、Ｘ線変換層２３に温度センサ１０を設ける形態として図１０（ｂ）に限定されない。【００５４】
上述した実施例１も含め、本実施例２のように非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜でＸ線変換層２３を形成した場合には、「発明が解決しようとする課題」の欄でも述べたように、アモルファスセレンは熱に弱く４０℃で結晶化する。したがって、消費電力の増大による発熱は極めて問題となる。具体的には、温度上昇によりアモルファスセレンが結晶化すると、画面内で撮影ができない領域が生じたり、場合によってはＸ線変換層に印加している高電圧のバイアス電圧の放電によるセンサ破壊が生じて撮影が不可能になる可能性がある。一般的にこの種のＸ線撮影装置では、患者治療中の画像停止や、緊急患者が撮影できない状態になると患者の生命に危険が及ぶこととなり大きな問題となる。【００５５】
そこで、本実施例２では、上述したように温度センサ１０を備え、温度センサ１０による測定結果をコントローラ６に送り込む。コントローラ６に備えられたリセット能力切り換えの機能は、温度センサ１０で測定された温度が所定値（例えば４０℃）以上になったときに、リセット能力（本実施例２ではアンプ３１の消費電力）を切り換える。【００５６】
特に、本実施例２のようにリセット能力がアンプ３１の消費電力の場合には、リセット能力切り換えの機能は以下のように切り換える。すなわち、リセット能力切り換えの機能は、アンプ３１の消費電力を切り換えるとともに、温度センサ１０で測定された温度が所定値以上になったときに消費電力を低い方へ切り換え、温度センサ１０で測定された温度が所定値未満になったときに消費電力を高い方へ切り換える。したがって、所定値よりも高い温度上昇によりＸ線変換層２３または検出素子用回路２での発熱が多くなる恐れの場合には消費電力を低い方へ切り換えることで、温度上昇を抑えるとともに発熱を抑えることができる。【００５７】
なお、上述した実施例１と実施例２とを組み合わせてもよい。すなわち、実施例１のようにフレームレートを長くしたとき、かつ実施例２のように温度センサ１０で測定された温度が所定値以上になったときの両方を満たしたときのみにアンプ３１の消費電力を低い方へ切り換えてもよい。また、実施例１のようにフレームレートを短くしたとき、かつ実施例２のように温度センサ１０で測定された温度が所定値未満になったときの両方を満たしたときのみにアンプ３１の消費電力を高い方へ切り換えてもよい。【００５８】
また、本実施例２のように温度センサ１０で測定された温度が所定値以上になったときに消費電力を低い方へ切り換え、温度センサ１０で測定された温度が所定値未満になったときに消費電力を高い方へ切り換える場合には、フレームレートの時間長さに依存せずに、温度センサ１０で測定された温度に依存して、アンプ３１の消費電力を切り換えてもよい。したがって、上述した実施例１のようにフレームレートを切り換える場合に適用してもよいし、フレームレートが変わらない場合に適用してもよい。いずれの場合に適用しても、温度センサ１０での測定結果のみに応じて消費電力を切り換えることになる。【００５９】
また、この場合には、フレームレートの時間長さに依存していないので、温度センサ１０で測定された温度が所定値未満になったときに消費電力を高い方へ切り換えた際に、リセット時間が短くなり、アンプ３１を十分にリセットすることができないという問題が生じ、一定線量以上のＸ線照射部分で画像にアーティファクトが生じる。しかし、本実施例２では、空調機の故障などの緊急時での画像取得を目的としており、そのために温度センサ１０を備えているので、緊急の画像取得という意味では上述したアーティファクトは問題とならない。これにより、空調機の故障などの緊急時にシステム（本実施例２ではＸ線撮影装置）の環境温度が上昇してもアモルファスセレンが結晶化することなく、そして故障することなく画像を取得することができる。【００６０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。【００６１】
（１）上述した各実施例では、図１に示すようなＸ線撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばＣ型アームに配設されたＸ線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、Ｘ線ＣＴ装置にも適用してもよい。【００６２】
（２）上述した各実施例では、入射したＸ線に代表される放射線をＸ線変換層（変換層）によって電荷情報に直接に変換した、「直接変換型」の検出素子用回路をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータなどの変換層によって光に変換し、光感応型の物質で形成された変換層によってその光を電荷情報に変換する「間接変換型」の検出素子用回路をこの発明は適用してもよい。【００６３】
（３）上述した各実施例では、Ｘ線を検出するための検出素子用回路を例に採って説明したが、この発明は、ＥＣＴ（Emission Computed Tomography）装置のように放射性同位元素（ＲＩ）を投与された被検体から放射されるγ線を検出するための検出素子用回路に例示されるように、放射線を検出する検出素子用回路であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したＥＣＴ装置に例示されるように、放射線の入射により撮像を行う装置であれば特に限定されない。【００６４】
（４）上述した各実施例では、Ｘ線などに代表される放射線撮像を例に採って説明したが、この発明は、光の入射により撮像を行う装置にも適用することができる。【００６５】
（５）上述した実施例１では、図６に示すように高速フレームレート（動画）または低速フレームレート（単撮影）を２段階に切り換えたときを例に採って説明したが、もちろん３段階以上に切り換えて、より細かな制御を行うことも可能である。例えば、高速フレームレート、中速フレームレートまたは低速フレームレートの３段階に切り換え、中速フレームレートを基準にして、フレームレートを長くしたとき（低速フレームレート：単撮影のとき）にアンプ３１の消費電力を低い方へ切り換え、フレームレートを短くしたとき（高速フレームレート：動画のとき）にアンプ３１の消費電力を高い方へ切り換え、中速フレームレートのときに、アンプ３１の消費電力を中ほどに切り換えてもよい。また、さらに消費電力が少ないモードを設けて、撮影大気中の消費電力を抑えることも可能である。【００６６】
（６）上述した実施例２では、温度センサ１０で測定された温度が所定値（例えば４０℃）以上になったときに、アンプ３１の消費電力を切り換える２段階の場合を例に採って説明したが、もちろん、３段階以上に切り換えて、より細かな制御を行うことが可能である。例えば、温度センサ１０で測定された温度が２０℃以上になったときに消費電力を低い方へ切り換え、温度センサ１０で測定された温度が４０℃以上になったときに消費電力をさらに低い方へ切り換える３段階の切り換えを行ってもよい。【００６７】
（７）上述した各実施例では、アンプ３１の消費電力の切り換えとして図７に示すように電流Ｉｃｃａまたは電流Ｉｃｃｂを２段階に切り換えたときを例に採って説明したが、もちろん３段階以上に切り換えて、より細かな制御を行うことも可能である。例えば、Ｉｃｃａ＞Ｉｃｃｂ＞Ｉｃｃｃとし、Ｉｃｃａ，ＩｃｃｂまたはＩｃｃｃのいずれかをアンプ３１に供給する３段階の切り換えを行ってもよい。【００６８】
（８）上述した各実施例では、アンプ３１の消費電力を制御するのに電流Ｉｃｃ（Ｉｃｃａ，Ｉｃｃｂ）を切り換え制御したが、電圧Ｖｃｃや抵抗を切り換え制御することでアンプ３１の消費電力を制御してもよい。
【図１】
2010044153.tif 000003
【図２】
2010044153.tif 000004
【図３】
2010044153.tif 000005
【図４】
2010044153.tif 000006
【図５】
2010044153.tif 000007
【図６】
2010044153.tif 000008
【図７】
2010044153.tif 000009
【図８】
2010044153.tif 000010
【図９】
2010044153.tif 000011
【図１０】
2010044153.tif 000012
【図１１】
2010044153.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成23年1月14日(2011.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を電圧情報に変換する電荷電圧変換回路とを備え、その電荷電圧変換回路で変換された電圧情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備え、前記リセット能力は前記アンプの消費電力であって、前記リセット能力切り換え手段は、前記アンプの消費電力を切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、画像単位を表わすフレームの周期を示すフレームレートの時間長さを切り換えるフレームレート切り換え手段を備え、前記リセット能力切り換え手段は、前記フレームレート切り換え手段によってフレームレートを長くしたときに前記アンプの消費電力を低い方へ切り換え、前記フレームレート切り換え手段によってフレームレートを短くしたときに前記アンプの消費電力を高い方へ切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を電圧情報に変換する電荷電圧変換回路とを備え、その電荷電圧変換回路で変換された電圧情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えるとともに、前記変換層または蓄積・読み出し回路の温度を測定する温度測定手段を備え、その温度測定手段で測定された温度が所定値以上になったときに、前記リセット能力切り換え手段は前記リセット能力を切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項３に記載の撮像装置において、前記リセット能力は前記アンプの消費電力であって、前記リセット能力切り換え手段は、前記アンプの消費電力を切り換えるとともに、前記温度測定手段で測定された温度が所定値以上になったときに消費電力を低い方へ切り換え、前記温度測定手段で測定された温度が所定値未満になったときに消費電力を高い方へ切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項４に記載の撮像装置において、画像単位を表わすフレームの周期を示すフレームレートの時間長さを切り換えるフレームレート切り換え手段を備え、前記リセット能力切り換え手段は、前記フレームレート切り換え手段によってフレームレートを長くしたときに前記アンプの消費電力を低い方へ切り換え、前記フレームレート切り換え手段によってフレームレートを短くしたときに前記アンプの消費電力を高い方へ切り換えることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項４に記載の撮像装置において、画像単位を表わすフレームの周期を示すフレームレートの時間長さに依存せずに、前記温度測定手段で測定された温度に依存して、前記リセット能力切り換え手段は前記アンプの消費電力を切り換えることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、前者の発明の撮像装置は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を電圧情報に変換する電荷電圧変換回路とを備え、その電荷電圧変換回路で変換された電圧情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備え、前記リセット能力は前記アンプの消費電力であって、前記リセット能力切り換え手段は、前記アンプの消費電力を切り換えることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前者の発明の撮像装置によれば、電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力が従来では固定であったのを、切り換えるように構成する。そのために、リセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えることで、リセット能力を自在に変えることができ、様々な電荷電圧変換の態様に対応することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
リセット能力はアンプの消費電力である。前者の発明の場合には、リセット能力切り換え手段は、アンプの消費電力を切り換える。したがって、発熱が多くなる恐れの場合には消費電力を低い方へ切り換えることで、発熱を抑えることができる。したがって、システムに電力を供給する電源自体を小型化することができ、発熱を抑えることで放熱手段を小型化、あるいは放熱手段が不要になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、後者の発明の撮像装置は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する変換層と、その変換層で変換された電荷情報を蓄積して読み出す蓄積・読み出し回路と、その蓄積・読み出し回路で読み出された電荷情報を電圧情報に変換する電荷電圧変換回路とを備え、その電荷電圧変換回路で変換された電圧情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えるとともに、前記変換層または蓄積・読み出し回路の温度を測定する温度測定手段を備え、その温度測定手段で測定された温度が所定値以上になったときに、前記リセット能力切り換え手段はリセット能力を切り換えることを特徴とするものである。
後者の発明の撮像装置によれば、前者の発明と同様に、電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力が従来では固定であったのを、切り換えるように構成する。そのために、リセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えることで、リセット能力を自在に変えることができ、様々な電荷電圧変換の態様に対応することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
これらの発明（前者および後者の発明）に係る撮像装置によれば、電荷電圧変換回路中のアンプをリセットする能力であるリセット能力を切り換えるリセット能力切り換え手段を備えることで、リセット能力を自在に変えることができ、様々な電荷電圧変換の態様に対応することができる。
また、前者の発明の場合には、リセット能力切り換え手段は、アンプの消費電力を切り換える。したがって、発熱が多くなる恐れの場合には消費電力を低い方へ切り換えることで、発熱を抑えることができる。したがって、システムに電力を供給する電源自体を小型化することができ、発熱を抑えることで放熱手段を小型化、あるいは放熱手段が不要になる。
【国際調査報告】
2010044153.tif 000014
2010044153.tif 000015