(57)【要約】  耐酸化性に優れ、かつ焼結しやすい導電性フィラー、空気中での保存安定性に優れ導電性が高い導電膜を形成できる導電性ペースト、および導電性が高い導電膜を有する物品を提供する。  平均凝集粒子径が０．５〜２０μｍである銅フィラーと、平均凝集粒子径が５０〜２００ｎｍである銅ナノ粒子と、脂肪族カルボン酸とを含み、上記銅ナノ粒子の量が、上記銅フィラー１００質量部に対して、５〜５０質量部であり、かつ、上記脂肪族カルボン酸の量が、上記銅フィラーおよび上記銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１〜１５質量部である、ことを特徴とする導電性フィラー。【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均凝集粒子径が０．５〜２０μｍである銅フィラーと、
平均凝集粒子径が５０〜２００ｎｍである銅ナノ粒子と、
脂肪族カルボン酸とを含み、
上記銅ナノ粒子の量が、上記銅フィラー１００質量部に対して、５〜５０質量部であり、
かつ、上記脂肪族カルボン酸の量が、上記銅フィラーおよび上記銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１〜１５質量部である、ことを特徴とする導電性フィラー。
【請求項２】
前記銅ナノ粒子が、ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子、または該水素化銅ナノ粒子を熱分解してなる金属銅ナノ粒子である、請求項１に記載の導電性フィラー。
【請求項３】
前記脂肪族カルボン酸が不飽和カルボン酸である、請求項１または２に記載の導電性フィラー。
【請求項４】
前記不飽和カルボン酸の沸点または分解温度が、２５０℃以下である、請求項３に記載の導電性フィラー。
【請求項５】
前記脂肪族カルボン酸が下式（１）で表される化合物である請求項１または２に記載の導電性フィラー。
Ｒ−ＣＯＯＨ      （１）
ただし、式（１）中のＲは炭素数４〜２０の炭化水素基を表す。
【請求項６】
平均凝集粒子径が０．５〜２０μｍである銅フィラーと、
平均凝集粒子径が５０〜２００ｎｍである銅ナノ粒子と、
脂肪族カルボン酸と、
樹脂バインダとを含み、
上記銅ナノ粒子の量が、上記銅フィラー１００質量部に対して、５〜５０質量部であり、
上記脂肪族カルボン酸の量が、上記銅フィラーおよび上記銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１〜１５質量部であり、かつ、
上記樹脂バインダの量が、上記銅フィラーおよび上記銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、５〜５０質量部である、ことを特徴とする導電性ペースト。
【請求項７】
前記銅ナノ粒子が、ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子、または該水素化銅ナノ粒子を熱分解してなる金属銅ナノ粒子である、請求項６に記載の導電性ペースト。
【請求項８】
前記脂肪族カルボン酸が不飽和カルボン酸である請求項６または７に記載の導電性ペースト。
【請求項９】
前記不飽和カルボン酸の沸点または分解温度が、２５０℃以下である請求項８に記載の導電性ペースト。
【請求項１０】
前記脂肪族カルボン酸が下式（１）で表される化合物である請求項６または７に記載の導電性ペースト。
Ｒ−ＣＯＯＨ      （１）
ただし、式（１）中のＲは炭素数４〜２０の炭化水素基を表す。
【請求項１１】
前記樹脂バインダがポリエステル樹脂からなるバインダである請求項６〜１０のいずれかに記載の導電ペースト。
【請求項１２】
前記ポリエステル樹脂の水酸基価が５〜２０ＫＯＨｍｇ／ｇである請求項１１に記載の導電性ペースト。
【請求項１３】
基材と、該基材上に、請求項６〜１２のいずれかに記載の導電性ペーストを塗布し、焼成して形成された導電膜とを有する、物品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性フィラー、導電性ペーストおよび導電膜を有する物品に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材上に導電性ペーストを所望の配線パターン状に塗布、焼成して、所望の配線パターンの導電膜を有するプリント基板等を製造する方法が知られている。
該方法に用いられる導電性ペーストとしては、たとえば、下記のものが提案されている。
（１）平均粒子径が１〜１００ｎｍである金属銀ナノ粒子と、平均粒子径が５〜２０μｍである金属フィラーと、樹脂バインダとを含む金属ペースト（特許文献１）。【０００３】
上記（１）の金属ペーストは、金属フィラーのみでは実現できなかった低抵抗化を、金属銀ナノ粒子の有する表面融解現象を利用して金属フィラー同士を融着することによって実現している。しかし、銀はイオンマイグレーションを起こしやすい金属であるため、上記（１）の金属ペーストを用いて製造したプリント基板等の電子部品の信頼性を考慮した場合、金属ナノ粒子の材料としては、銅が好ましい。しかし、金属銅ナノ粒子は、非常に酸化しやすい。【０００４】
また、耐酸化性に優れた銅を含むナノ粒子としては、下記のものが提案されている。
上記（２）長鎖の有機化合物によって表面が被覆された水素化銅ナノ粒子（特許文献２）。しかし、上記（２）の水素化銅ナノ粒子は、長鎖の有機化合物によって表面が被覆されているため、金属フィラーと焼結しにくく、焼成後の導電膜の導電性が不充分である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００２／３５５５４号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００４／１１０９２５号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、耐酸化性に優れ、かつ焼結しやすい導電性フィラー、空気中での保存安定性に優れ、かつ導電性が高い導電膜を形成できる導電性ペースト、および導電性が高い導電膜を有する物品を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、以下の要旨を有するものである。
［１］平均凝集粒子径が０．５〜２０μｍである銅フィラーと、平均凝集粒子径が５０〜２００ｎｍである銅ナノ粒子と、脂肪族カルボン酸とを含み、上記銅ナノ粒子の量が、上記銅フィラー１００質量部に対して、５〜５０質量部であり、かつ、上記脂肪族カルボン酸の量が、上記銅フィラーおよび上記銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１〜１５質量部である、ことを特徴とする導電性フィラー。
［２］前記銅ナノ粒子が、ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子、または該水素化銅ナノ粒子を熱分解してなる金属銅ナノ粒子である上記［１］に記載の導電性フィラー。【０００８】
［３］前記脂肪族カルボン酸が不飽和カルボン酸である上記［１］または［２］に記載の導電性フィラー。
［４］前記不飽和カルボン酸の沸点または分解温度が、２５０℃以下である上記［３］に記載の導電性フィラー。
［５］前記脂肪族カルボン酸が下式（１）で表される化合物である上記［１］または［２］に記載の導電性フィラー。
Ｒ−ＣＯＯＨ      （１）
ただし、式（１）中のＲは炭素数４〜２０の炭化水素基を表す。
［６］平均凝集粒子径が０．５〜２０μｍである銅フィラーと、平均凝集粒子径が５０〜２００ｎｍである銅ナノ粒子と、脂肪族カルボン酸と、樹脂バインダとを含み、上記銅ナノ粒子の量が、上記銅フィラー１００質量部に対して、５〜５０質量部であり、上記脂肪族カルボン酸の量が、上記銅フィラーおよび上記銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１〜１５質量部であり、かつ、上記樹脂バインダの量が、上記銅フィラーおよび上記銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、５〜５０質量部である、ことを特徴とする導電性ペースト。
［７］前記銅ナノ粒子が、ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子、または該水素化銅ナノ粒子を熱分解してなる金属銅ナノ粒子である、上記［６］に記載の導電性ペースト。
［８］前記脂肪族カルボン酸が不飽和カルボン酸である上記［６］または[７]に記載の導電性ペースト。
［９］前記不飽和カルボン酸の沸点または分解温度が、２５０℃以下である上記［８］に記載の導電性ペースト。
［１０］前記脂肪族カルボン酸が下式（１）で表される化合物である上記［６］または[７]に記載の導電性ペースト。
Ｒ−ＣＯＯＨ      （１）
ただし、式（１）中のＲは炭素数４〜２０の炭化水素基を表す。
［１１］前記樹脂バインダがポリエステル樹脂からなるバインダである上記［６］〜［１０］のいずれかに記載の導電ペースト。
［１２］前記ポリエステル樹脂の水酸基価が５〜２０ＫＯＨｍｇ／ｇである上記［１１］に記載の導電性ペースト。
［１３］基材と、該基材上に、上記［６］〜［１２］のいずれかに記載の導電性ペーストを塗布し、焼成して形成された導電膜とを有する、物品。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の導電性フィラーは、耐酸化性に優れ、かつ焼結しやすい。
本発明の導電性ペーストによれば、空気中での保存後にも導電性が高い導電膜を形成できる。
本発明の物品は、導電性が高い導電膜を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子のＩＲスペクトルの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本明細書においては、式（１）で表される化合物を化合物（１）とも記載する。また、本明細書における平均凝集粒子径は、数平均の平均凝集粒子径である。
【００１２】
＜導電性フィラー＞
本発明の導電性フィラーは、平均凝集粒子径が０．５〜２０μｍである銅フィラーと、平均凝集粒子径が５０〜２００ｎｍである銅ナノ粒子と、脂肪族カルボン酸とを含む。
【００１３】
（銅フィラー）
銅フィラーとしては、導電性ペーストに用いられる公知の金属銅粒子が挙げられる。
銅フィラーの平均凝集粒子径は、０．５〜２０μｍであり、１〜１０μｍが好ましい。平均凝集粒子径が０．５μｍ以上の銅フィラーを含むことにより、導電性ペーストの流動特性が良好となる。平均凝集粒子径が２０μｍ以下の銅フィラーを含むことにより、微細配線が作製しやすくなる。
本発明における銅フィラーの平均凝集粒子径は、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭと記す。）像の中から無作為に選ばれた１００個の銅フィラーの凝集粒子径を測定し、その平均をとることによって求める。
【００１４】
銅フィラーの量は、導電性フィラー１００質量％のうち、６０〜８５質量％が好ましく、８０〜８５質量％がより好ましい。銅フィラーの量が６０質量％以上あれば，良好な導電性を確保できる。銅フィラーの量が８５質量％以下であれば、導電性ペーストを基材に容易に塗布できる。
【００１５】
（銅ナノ粒子）
銅ナノ粒子としては、導電性の高い導電膜を形成できる点から、水素化銅ナノ粒子または金属銅ナノ粒子が好ましい。
水素化銅は、元素として銅の他に水素を含む化合物であって、銅原子は水素原子と結合した状態で存在し、６０〜１００℃で金属銅と水素とに分解する性質を有する。
【００１６】
銅ナノ粒子の平均凝集粒子径は、５０〜２００ｎｍであり、７０〜１５０ｎｍが好ましい。平均凝集粒子径が５０ｎｍ以上の銅ナノ粒子を含むことにより、銅ナノ粒子の融着・成長に伴う体積収縮により導電膜に生じるクラックが発生しにくい。平均凝集粒子径が２００ｎｍ以下の銅ナノ粒子を含むことにより、表面融解温度が充分に低下するため、表面融解が起こりやすくなり、また、緻密な導電膜を形成できることから導電性の向上が期待できる。
本発明における銅ナノ粒子の平均凝集粒子径は、ＳＥＭ像の中から無作為に選ばれた１００個の銅ナノ粒子の凝集粒子径を測定し、その平均をとることによって求める。
なお、本発明において、水素化銅ナノ粒子および銅ナノ粒子は凝集粒子として用いられる。これらの凝集粒子は、おおよそ平均一次粒子径が１０〜１００ｎｍ、好ましくは２０〜５０ｎｍの一次粒子が凝集してなるものである。ナノ粒子の平均一次粒子径はＴＥＭ像の中から無作為に選ばれた１００個のナノ粒子の一次粒子径を測定し、その平均をとることにより求める。
【００１７】
銅ナノ粒子の量は、銅フィラー１００質量部に対して、５〜５０質量部であり、１０〜３５質量部が好ましい。銅ナノ粒子の量が５質量部以上であれば、銅フィラー間の導電パスを増やすことができ、導電膜の体積抵抗率が低く抑えられる。銅ナノ粒子の量が５０質量部以下であれば、銅ナノ粒子の添加に伴う導電性ペーストの流動性の低下を抑えることができる。
水素化銅ナノ粒子は、後述するように、下記の工程（ａ）〜（ｄ）を経て製造でき、該水素化銅ナノ粒子を熱分解してなる金属銅ナノ粒子は、さらに下記工程（ｅ）を経て製造できる。
（ａ）水溶性銅化合物を水に溶解して、銅イオンを含む水溶液を調製する工程。
（ｂ）前記水溶液に酸を加えてｐＨを３以下に調整する工程。
（ｃ）前記ｐＨが３以下の水溶液を撹拌しながら、該水溶液に還元剤を加えて銅イオンを還元し、平均凝集粒子径が１０〜２００ｎｍである水素化銅ナノ粒子を生成させる工程。
（ｄ）必要に応じて、前記水素化銅ナノ粒子を、水とメタノールとの混合分散媒で精製する工程。
（ｅ）前記水素化銅ナノ粒子を、熱分解させて金属銅ナノ粒子を生成させる工程。
【００１８】
工程（ｂ）において用いられる酸としては、ギ酸、クエン酸、マレイン酸、マロン酸、酢酸、プロピオン酸、硫酸、硝酸、塩酸等が挙げられ、ギ酸が好ましい。これらの酸は、銅イオンを含む水溶液のｐＨを調整するために用いられるが、該酸は銅ナノ粒子の表面を被覆し、銅ナノ粒子の導電性にも影響を与える場合があると考えられる。
ギ酸は還元作用を有する酸であるため、工程（ｂ）においてギ酸を用いることにより、得られる銅ナノ粒子の表面が酸化されるのを抑制する効果があるものと考えられる。
【００１９】
銅ナノ粒子としては、ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子、または該水素化銅ナノ粒子を焼成してなる金属銅ナノ粒子が特に好ましい。
水素化銅ナノ粒子がギ酸によって表面が被覆されていることは、水素化銅ナノ粒子のＩＲスペクトルを測定し、図１に示すように、水素化銅ナノ粒子の表面と相互作用していないギ酸に由来するＣ＝Ｏの伸縮による１７００ｃｍ−１付近の吸収が存在しないか、もしくは小さいこと、および水素化銅ナノ粒子の表面と相互作用しているギ酸に由来するＣＯＯ−による１５００〜１６００ｃｍ−１の吸収が存在することにより確認できる。
【００２０】
ギ酸が水素化銅ナノ粒子の表面と相互作用している場合、ギ酸のカルボン酸は、−ＣＯＯ−となっている。−ＣＯＯ−における負電荷は、２つの酸素原子上に非局在化しているため、−ＣＯＯ−にはカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）が存在しない。一方、水素化銅ナノ粒子とギ酸とを単にブレンドしただけでは、前記相互作用が起こらないため、該ブレンド物においては、Ｃ＝Ｏの伸縮による１７００ｃｍ−１付近の吸収が存在し、ＣＯＯ−による１５００〜１６００ｃｍ−１の吸収が存在しない。
ギ酸の被覆量は、水素化銅ナノ粒子全体（ギ酸を含む。）１００質量％のうち、１〜４０質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好ましい。
ギ酸の被覆量は、熱分析測定装置を用いて水素化銅ナノ粒子を熱分解させ、１５０〜５００℃間の質量減少を測定し、求める。
【００２１】
以下、工程（ｂ）における酸としてギ酸を用いる場合を例にとって説明するが、前記の酸を用いる場合も同様に操作を行うことができる。
ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子は、下記の工程（ａ）、（ｂ１）、（ｃ）、および（ｄ）を経て製造でき、該水素化銅ナノ粒子を熱分解してなる金属銅ナノ粒子は、さらに下記工程（ｅ）を経て製造できる。
（ａ）水溶性銅化合物を水に溶解して、銅イオンを含む水溶液を調製する工程。
（ｂ１）前記水溶液にギ酸を加えてｐＨを３以下に調整する工程。
（ｃ）前記ｐＨが３以下の水溶液を撹拌しながら、該水溶液に還元剤を加えて銅イオンを還元し、平均凝集粒子径が１０〜２００ｎｍである水素化銅ナノ粒子を生成させる工程。
（ｄ）必要に応じて、前記水素化銅ナノ粒子を、水とメタノールとの混合分散媒で精製する工程。
（ｅ）前記水素化銅ナノ粒子を、熱分解させて金属銅ナノ粒子を生成させる工程。
【００２２】
工程（ａ）：
水溶性銅化合物としては、硫酸銅、硝酸銅、ギ酸銅、酢酸銅、塩化銅、臭化銅、ヨウ化銅等が挙げられる。
水溶性銅化合物の濃度は、水溶液１００質量％中、０．１〜３０質量％が好ましく１〜２０質量％がより好ましい。水溶液中の水溶性銅化合物の濃度が０．１質量％以上であれば、水の量が抑えられ、また、水素化銅ナノ粒子の生産効率が良好となる。水溶液中の水溶性銅化合物の濃度が３０質量％以下であれば、水素化銅ナノ粒子の収率の低下が抑えられる。
【００２３】
工程（ｂ）：
水溶液のｐＨを３以下に調整することにより、水溶液中の銅イオンが還元剤により還元されやすくなり、水素化銅ナノ粒子が生成しやすくなる。水溶液のｐＨが３を超えると、水素化銅ナノ粒子が生成せずに、金属銅ナノ粒子が生成するおそれがある。水溶液のｐＨは、水素化銅ナノ粒子を短時間で生成できる点では、０．５〜２．０が好ましく、０．７〜１．５がより好ましい。
なお、工程（ａ）と工程（ｂ）は、同時に行ってもよい。
【００２４】
工程（ｃ）：
銅イオンは酸性下で還元剤により還元され、徐々に水素化銅ナノ粒子が成長して、粒子径が１０〜２００ｎｍである水素化銅ナノ粒子が生成する。該水素化銅ナノ粒子は、ただちに共存しているギ酸により表面を覆われ、安定化する。
【００２５】
還元剤としては、大きな還元作用があることから金属水素化物または次亜リン酸が好ましい。金属水素化物としては、水素化リチウムアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化リチウム、水素化カリウム、水素化カルシウム等が挙げられ、水素化リチウムアルミニウム、水素化ホウ素リチウム、水素化ホウ素ナトリウムが好ましい。
【００２６】
還元剤の添加量は、銅イオンに対して１．５〜１０倍当量数が好まく、２〜５倍当量数がより好ましい。還元剤の添加量が銅イオンに対して１．５倍当量数以上であれば、還元作用が充分となる。還元剤の添加量が銅イオンに対して１０倍当量数以下であれば、水素化銅ナノ粒子に含まれる不純物（ナトリウム、ホウ素、リン等）の量が抑えられる。
還元剤を加える際の水溶液の温度は、５〜６０℃が好ましく、２０〜５０℃がより好ましい。水溶液の温度が６０℃以下であれば、水素化銅ナノ粒子の分解が抑えられる。
【００２７】
工程（ｄ）：
水素化銅ナノ粒子を含む懸濁液を静置すると、水素化銅ナノ粒子が凝集して沈殿する。該沈殿物を分離し、ついで分散媒に再分散させた後、水素化銅ナノ粒子を再び凝集させて沈殿させる方法で精製することにより、高純度化した水素化銅ナノ粒子が得られる。
【００２８】
精製に用いる分散媒としては、水とメタノールもしくはエタノールとの混合分散媒が好ましい。水のみでは、水の表面張力が大きいため、水素化銅ナノ粒子の凝集物の細孔に水が入っていくことができず、精製の効果が小さい。一方、メタノールのみでは、メタノールの誘電率が小さいため、不純物のナトリウムをイオンとして分散媒中に遊離できず、精製の効果が小さい。
混合分散媒中の水の割合は、混合分散媒全体に対して、４０〜９０質量％が好ましく、５０〜８５質量％がより好ましい。
水素化銅ナノ粒子に含まれるナトリウムの量は、８００ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｍ以下がより好ましい。
【００２９】
工程（ｅ）：
熱分解は不活性雰囲気下で行う。雰囲気中の酸素濃度は１０００ｐｐｍ以下が好ましい。１０００ｐｐｍを超えると、酸化によって亜酸化銅を生じてしまう。
熱分解の温度は、６０〜１００℃が好ましく、７０〜９０℃が好ましい。該温度が６０℃以上であれば、熱分解が円滑に進行する。該温度が１００℃以下であれば、銅ナノ粒子同士の融着が抑えられる。
【００３０】
水素化銅ナノ粒子は、下記の（ｉ）、（ii）の理由から、耐酸化性に優れ、かつ銅フィラーと焼結しやすい。
（ｉ）水素化銅ナノ粒子は、銅原子と水素原子とが結合した状態で存在するため、空気雰囲気中において、金属銅ナノ粒子に比べて酸化されにくく安定であり、保存安定性に優れている。
（ii）水素化銅ナノ粒子は、温度６０〜１００℃において金属銅と水素とに分解する性質を有するため、水素化銅ナノ粒子を基材に塗布し、焼成する際、金属銅ナノ粒子とは異なり、粒子表面に酸化物皮膜が形成されることがほとんどない。したがって、表面溶融現象により銅ナノ粒子が融解し、銅ナノ粒子同士、または銅ナノ粒子と金属フィラーとが焼結して、すみやかに導電膜を形成できる。
【００３１】
また、ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子、および該水素化銅ナノ粒子を熱分解してなる金属銅ナノ粒子は、下記の（iii）〜（iv）の理由から、さらに耐酸化性に優れ、かつ銅フィラーと焼結しやすい。
（iii）ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子は、還元性（すなわち−ＣＨＯ基）を有するギ酸によって表面を被覆されているため、空気雰囲気中において、他の有機酸によって被覆された水素化銅ナノ粒子に比べて酸化されにくい。よって、焼成によって形成される導電膜は、導電性に優れている。
（iv）ギ酸によって表面が被覆されている水素化銅ナノ粒子を熱分解して金属銅ナノ粒子を形成する際に、粒子表面に酸化物皮膜が形成されにくい。よって、得られる金属銅ナノ粒子の表面に形成される酸化物皮膜が少ない。
【００３２】
＜導電性ペースト＞
本発明の導電性ペーストは、平均凝集粒子径が０．５〜２０μｍである銅フィラーと、平均凝集粒子径が５０〜２００ｎｍである銅ナノ粒子と、脂肪族カルボン酸と、樹脂バインダとを含む。
本発明の導電性ペーストは、（ｉ）本発明の導電性フィラーと、樹脂バインダとを混合して調製されたものであってもよく、（ii）銅フィラーと銅ナノ粒子とを含む導電性フィラーと、脂肪族カルボン酸を添加した樹脂バインダとを混合して調製されたものであってもよい。
【００３３】
（脂肪族カルボン酸）
脂肪族カルボン酸の量は、銅フィラーおよび銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１〜１５質量部であり、３〜１５質量部が好ましく、３〜１０質量部が特に好ましい。脂肪族カルボン酸の量が１質量部以上であれば、銅ナノ粒子および銅フィラーの表面の酸化物皮膜を充分に除去できる。不飽和カルボン酸の量が１５質量部以下であれば、過剰な不飽和カルボン酸が導電性を阻害して体積抵抗率を悪化させることがない。
【００３４】
脂肪族カルボン酸としては、モノカルボン酸、ポリカルボン酸のいずれも使用できる。ポリカルボン酸としては、ジカルボン酸が好ましい。
【００３５】
脂肪族カルボン酸としては、不飽和カルボン酸が好ましく使用できる。不飽和カルボン酸の沸点または分解温度は、２５０℃以下が好ましく、１６０℃以下がより好ましい。
不飽和カルボン酸としては、アクリル酸（分子量７２．０６ｇ／ｍｏｌ、融点１２℃、沸点１４１℃）、プロピオール酸（分子量７０．０５ｇ／ｍｏｌ、融点１６℃  沸点１０２℃）、メタクリル酸（分子量８６．０９ｇ／ｍｏｌ、融点１６℃、沸点１６３℃）、パルミトレイン酸（分子量２５４．４／ｍｏｌ、融点０．５℃、沸点１６２℃）、クロトン酸（分子量８６．０９ｇ／ｍｏｌ、融点７２℃、沸点１８５℃）、マレイン酸（分子量１１６．０７ｇ／ｍｏｌ、融点１３４−１３８℃、分解温度１６０℃）、リノール酸（分子量２８０．４５ｇ／ｍｏｌ、融点−５℃、沸点２３０℃）、リノレン酸（分子量２９８．４５ｇ／ｍｏｌ、融点−１１℃、沸点２３１℃）、アラキドン酸（分子量３０４．５ｇ／ｍｏｌ、融点−４９℃、沸点１７０℃）等が挙げられ、アクリル酸またはマレイン酸が特に好ましい。不飽和カルボン酸は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
不飽和カルボン酸の沸点または分解温度の下限は、本発明の導電フィラーおよび導電ペーストに要求される性能や特性により適宜選ばれるため、必ずしも限定されるものではないが、通常は１００℃程度である。
【００３６】
また、本発明においては、脂肪族カルボン酸として、下式（１）で表される化合物も好ましく使用できる。
Ｒ−ＣＯＯＨ      （１）
ただし、式中のＲは炭素数４〜２０の炭化水素基を表す。
【００３７】
上記化合物（１）におけるＲは炭素数４〜２０の炭化水素基である。該炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基のいずれであってもよく、アルキル基またはアルケニル基であることが好ましい。Ｒは直鎖構造であっても分岐構造であってもよい。
また、Ｒの炭素数としては、４〜１８が好ましく、６〜１８がより好ましい。
上記化合物（１）としては、オレイン酸、ステアリン酸、ヘキサン酸、オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、デカン酸、ドデカン酸、ミリスチン酸等が挙げられ、オレイン酸が特に好ましい。
前記式（１）で表される化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３８】
以上説明した本発明の導電性フィラーにあっては、脂肪族カルボン酸を含むため、耐酸化性に優れ、かつ焼結しやすい。脂肪族カルボン酸は、カルボン酸の作用によって銅ナノ粒子および銅フィラーの表面の酸化物皮膜を分解・除去するものと考えられる。そして、この過程において脂肪族カルボン酸の銅塩が生成しているものと推測される。
脂肪族カルボン酸の銅塩が銅ナノ粒子や銅フィラーの近傍（銅ナノ粒子や銅フィラーとバインダ樹脂との界面等）に存在すると導通性を阻害する懸念がある。しかし、該脂肪族カルボン酸の銅塩は、炭化水素基を有することによってバインダ樹脂中に分散しやすいと考えられ、これによって導電性が改善されるものと推測される。この効果は、脂肪族カルボン酸中の炭化水素基に含まれる炭素数が４以上、好ましくは６以上の場合に特に期待される効果であると考えられる。
【００３９】
また、脂肪族カルボン酸が不飽和結合を有する場合には、脂肪族カルボン酸の銅塩が、後述する導電膜の作製時の加熱によって分解し、還元性物質が発生することによって、銅フィラーや銅ナノ粒子の酸化を抑制する可能性もあると思われる。この効果は、不飽和カルボン酸が炭素数４以下のアルケニル基を有する場合や、不飽和カルボン酸がジカルボン酸である場合に特に期待される効果であると考えられる。
本発明の導電性ペーストにあっては、上記の効果によって、従来の導電性ペーストに比べ体積抵抗率の低い導電膜を形成できる。
【００４０】
なお、本発明においては、水素化銅ナノ粒子を調製する工程（前記工程（ｂ））においてもカルボン酸を使用する場合があり、この場合、前記工程（ｂ）で使用するカルボン酸は、導電性ペースト調製の際に使用されるカルボン酸を兼ねてもよい。
カルボン酸は、工程（ｂ）では水溶性であることが求められ、ペースト調製工程では、銅ナノ粒子や銅フィラーの酸化抑制、樹脂バインダ中での分散性改善、に寄与するものと考えられる。この両方の特性を満たすカルボン酸であれば、工程（ｂ）で使用したカルボン酸を含む本発明の導電性フィラーを、改めて他のカルボン酸を混合することなく、樹脂バインダと混合して、本発明の導電性ペーストを調製してもよい。
ただし、一般的には、工程（ｂ）で用いるカルボン酸と導電性ペーストを調製する工程で用いるカルボン酸とは異ならせたほうが好ましい。具体的には、還元作用を有するギ酸を用い、ペースト調製工程では炭素数４〜２０の炭化水素基を有する脂肪族カルボン酸を用いることが好ましい。
【００４１】
（樹脂バインダ）
樹脂バインダとしては、導電性ペーストに用いられる公知の樹脂バインダ（熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等。）等が挙げられ、焼成時の温度において充分な硬化がなされる樹脂成分を選択して用いることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、ビニルエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、オリゴエステルアクリレート樹脂、キシレン樹脂、ビスマレイドトリアジン樹脂、フラン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、オキセタン樹脂、オキサジン樹脂等が挙げられ、フェノー樹脂、エポキシ樹脂、オキサジン樹脂が好ましい。
熱可塑性樹脂としては、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ケトン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。
【００４２】
樹脂バインダとしてポリエステル樹脂を用いる場合、導電性ペースト等に用いられる公知のポリエステル樹脂を採用できる。また、溶剤への溶解性が優れることや、得られる導電性ペーストを塗布する際の作業性が良好であることから非晶質ポリエステル樹脂が好ましい。
また、ポリエステル樹脂は水酸基価が５〜２０ＫＯＨｍｇ／ｇであることが好ましく、５〜１０ＫＯＨｍｇ／ｇであることが特に好ましい。この理由は銅の化合物（１）塩との相溶性が優れるからである。
これらのポリエステル樹脂は市販品から選択されてもよく、具体的にはバイロン（東洋紡績社製）、ポリエスター（日本合成化学社製）、エスペル（日立化成社製）、エリーテル（ユニチカ社製）等が挙げられる。
【００４３】
導電性ペースト中の樹脂バインダの量は、銅ナノ粒子および金属銅フィラーの体積と、これらの間に存在する空隙との比率に応じて適宜選択すればよく、通常、銅ナノ粒子および金属銅フィラーの合計１００質量部に対して、５〜５０質量部であり、５〜２０質量部が好ましい。樹脂バインダの量が５質量部以上であれば、ペーストの流動特性が良好となる。樹脂バインダが５０質量部以下であれば、導電膜の体積抵抗率が低く抑えられる。
本発明の導電性ペーストは、必要に応じて、溶媒、公知の添加剤（金属キレート剤、レベリング剤、カップリング剤、粘度調整剤、酸化防止剤等）等を、本発明の効果を損なわない範囲で含んでいてもよい。
【００４４】
以上説明した本発明の導電性ペーストにあっては、本発明の導電性フィラーを含んでいるため、従来の導電性ペーストに比べ体積抵抗率の低く、酸化安定性の高い導電膜を形成できる。
【００４５】
＜物品＞
本発明の物品は、基材と、該基材上に、本発明の導電性ペーストを塗布、焼成して形成された導電膜とを有するものである。
基材としては、ガラス基板、プラスチック基板（ポリイミド基板、ポリエステル基板等）、繊維強化複合材料（ガラス繊維強化樹脂基板等）等が挙げられる。
【００４６】
塗布方法としては、スクリーン印刷、ロールコート法、エアナイフコート法、ブレードコート法、バーコート法、グラビアコート法、ダイコート法、スライドコート法等の公知の方法が挙げられる。
【００４７】
焼成方法としては、温風加熱、熱輻射等の方法が挙げられる。
焼成温度および焼成時間は、導電膜に求められる特性に応じて適宜決定すればよい。焼成温度は、８０〜１５０℃が好ましく、１２０〜１５０℃がより好ましい。焼成温度が８０℃以上であれば、金属銅フィラーと銅ナノ粒子との焼結が進行しやすくなる。焼成温度が１５０℃以下であれば、導電膜を形成する基材としてプラスチック製の基材を使用できるので、基材選択の自由度が高まる。
【００４８】
導電膜の体積抵抗率は、１．０×１０−４Ωｃｍ以下が好ましい。体積抵抗率が１．０×１０−４Ωｃｍを超えると、電子機器用の導電体としての使用が困難となる場合がある。
以上説明した本発明の物品にあっては、導電膜を本発明の導電性ペーストから形成しているため、従来の銅の導電膜に比べ導電膜の体積抵抗率が低い。
【実施例】
【００４９】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。なお、例１〜５、７、９〜１７は実施例であり、例６、８は比較例である。【００５０】
（粒子径）
銅フィラーおよび銅ナノ粒子の平均凝集粒子径は、ＳＥＭ（日本電子社製、Ｓ−４３００）にて得られたＳＥＭ像の中から無作為に選ばれた１００個の粒子の凝集粒子径を測定し、その平均をとることによって求めた。なお、真球でない粒子の場合は、長径と短径との平均値を粒子径とした。
なお、本発明では、粒子を凝集させて使用するため、ＳＥＭで測定した平均凝集粒子径の値を用いている。ＳＥＭを使用するのは、凝集が進んだ粒子は電子線が透過しづらく、ＴＥＭでの測定が困難なためである。また、参考のため、ＴＥＭで測定した一次粒子径も記載する。一次粒子径は、高倍率率での観察が必要であり、ＳＥＭでは対応が困難なためである。【００５１】
（導電膜の厚さ）
導電膜の厚さは、ＤＥＫＴＡＫ３（Ｖｅｅｃｏ  ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ  Ｇｒｏｕｐ社製）を用いて測定した。
（導電膜の体積抵抗率）
導電膜の体積抵抗率は、四探針式体積抵抗率計（三菱油化社製、型式：ｌｏｒｅｓｔａＩＰ  ＭＣＰ−Ｔ２５０）を用いて測定した。
（水酸基価）
ポリエステル樹脂の水酸基価は滴定法を用いて測定した。【００５２】
〔例１〕
ガラス容器内にて、酢酸銅（II）水和物の５．２ｇを蒸留水の３０ｇおよびギ酸の３．３ｇで溶解して、銅イオンを含む水溶液を調製した。該水溶液のｐＨは２．７であった。
該水溶液を激しく撹拌しながら、２０℃で該水溶液に４質量％の水素化ホウ素ナトリウム水溶液の２３ｇをゆっくり滴下した。滴下終了後、１０分間そのまま撹拌を続け、懸濁液を得た。【００５３】
遠心分離によって懸濁液中の凝集物を沈殿させ、沈殿物を分離した。該沈殿物を２−プロパノールの３０ｇに再分散させた後、再び遠心分離によって凝集物を沈殿させ、沈殿物を分離した。精製後の沈殿物をＸ線回折で同定したところ、水素化銅ナノ粒子であることが確認された。また、ＩＲスペクトルを測定して、ギ酸によって水素化銅ナノ粒子の表面が被覆されていることを確認した。ＴＥＭによって測定された水素化銅ナノ粒子の平均一次粒子径は３０ｎｍ、一次粒子径の範囲は２０〜４５ｎｍであった。また、ＳＥＭによって測定された水素化銅ナノ粒子の平均凝集粒子径は１００ｎｍであった。【００５４】
水素化銅ナノ粒子の１ｇ、銅フィラー（三井金属鉱業社製、１４００ＹＰ、平均凝集粒子径：７μｍ、凝集粒子径の範囲：３〜１０μｍ）の３ｇおよびマレイン酸の０．４ｇを２−プロパノールの２０ｇに加え、撹拌し、分散液を得た。該分散液を−３５ｋＰａの減圧下で８０℃に加熱し、分散液から２−プロパノールを揮発させて徐々に取り除いた。このとき、水素化銅ナノ粒子は金属銅ナノ粒子へと分解され、銅フィラーの表面が金属銅ナノ粒子およびマレイン酸で被覆された、導電性フィラーを得た。金属銅ナノ粒子のＴＥＭによって測定された平均一次粒子径は５０ｎｍ、一次粒子径の範囲は３５〜６５ｎｍであった。また、ＳＥＭによって測定された平均凝集粒子径は１００ｎｍであった。【００５５】
導電性フィラーの１．３３ｇを、非晶質ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン１０３）の０．１３５ｇをシクロヘキサノン（純正化学社製、特級）の０．３１５ｇに溶解した樹脂バインダ溶液の０．４５ｇに加えた。非晶質ポリエステル樹脂の量は、銅フィラーおよび金属銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１０．１質量部であった。該混合物を乳鉢中で混ぜ合わせた後、室温で減圧下に置き、シクロヘキサノンを除去し、導電性ペーストを得た。【００５６】
導電性ペーストをガラス基板に塗布し、窒素ガス雰囲気下、１５０℃で１時間焼成し、厚さ１００μｍの導電膜を形成した。導電膜の体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。
導電性ペーストを大気中に５日間保管したのち、ガラス基板に塗布し、窒素ガス雰囲気下、１５０℃で１時間焼成し、厚さ１００μｍの導電膜を形成した。導電膜の体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。【００５７】
〔例２〕
マレイン酸の添加量を０.６ｇに変更した以外は例１と同様にして導電性フィラーを得た。金属ナノ粒子の平均一次粒子径は５０ｎｍ、一次粒子径の範囲は３５〜６５ｎｍ（ＳＥＭによって測定された平均凝集粒子径は１００ｎｍ）であり、銅フィラーの平均凝集粒子径は７μｍ、凝集粒子径の範囲は３〜１０μｍであった。例１と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。【００５８】
〔例３〕
マレイン酸の添加量を０.１２ｇに変更した以外は例１と同様にして導電性フィラーを得た。金属ナノ粒子の平均一次粒子径は５０ｎｍ、一次粒子径の範囲は３５〜６５ｎｍ（ＳＥＭによって測定された平均凝集粒子径は１００ｎｍ）であり、銅フィラーの平均凝集粒子径は７μｍ、凝集粒子径の範囲は３〜１０μｍであった。例１と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。【００５９】
〔例４〕
例１と同様に作製した水素化銅ナノ粒子の１ｇおよび銅フィラー（三井金属鉱業社製、１４００ＹＰ、平均凝集粒子径：７μｍ、凝集粒子径の範囲：３〜１０μｍ。）の３ｇを２−プロパノールの２０ｇに加え、撹拌し、分散液を得た。該分散液を−３５ｋＰａの減圧下で８０℃に加熱し、分散液から２−プロパノールを揮発させて徐々に取り除いた。このとき、水素化銅ナノ粒子は金属銅ナノ粒子へと分解され、銅フィラーの表面が金属銅ナノ粒子で被覆された導電性フィラーを得た。金属銅ナノ粒子の平均一次粒子径は５０ｎｍ、一次粒子径の範囲は３５〜６５ｎｍであった。また、ＳＥＭによって測定された平均凝集粒子径は１００ｎｍであった。【００６０】
導電性フィラーの１．２ｇを、アクリル酸の０．１２ｇおよび非晶質ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン１０３）の０．１３５ｇをシクロヘキサノン（純正化学社製、特級）の０．３１５ｇに溶解した樹脂バインダ溶液の０．４５ｇに加えた。非晶質ポリエステル樹脂の量は、銅フィラーおよび金属銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１０．１質量部であった。該混合物を乳鉢中で混ぜ合わせた後、室温で減圧下に置き、シクロヘキサノンを除去し、導電性ペーストを得た。例１と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。【００６１】
〔例５〕
アクリル酸をリノレン酸に変更した以外は例２と同様にして導電性ペーストを得た。金属銅ナノ粒子の平均一次粒子径は５０ｎｍ、一次粒子径の範囲は３５〜６５ｎｍ（ＳＥＭによって測定された平均凝集粒子径は１００ｎｍ）であり、銅フィラーの平均凝集粒子径は７μｍ、凝集粒子径の範囲は３〜１０μｍであった。例１と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。【００６２】
〔例６〕
マレイン酸を加えない以外は、例１と同様にして導電性フィラーを得た。金属銅ナノ粒子の平均一次粒子径は５０ｎｍ、一次粒子径の範囲は３５〜６５ｎｍ（ＳＥＭによって測定された平均凝集粒子径は１００ｎｍ）であり、銅フィラーの平均凝集粒子径は７μｍ、凝集粒子径の範囲は３〜１０μｍであった。
該導電性フィラーを用いた以外は、例１と同様にして導電性ペーストを得た。例１と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。【００６３】
〔例７〕
マレイン酸をマロン酸に変更した以外は、例１と同様にして導電性フィラーを得た。金属銅ナノ粒子の平均一次粒子径は５０ｎｍ、一次粒子径の範囲は３５〜６５ｎｍ（ＳＥＭによって測定された平均凝集粒子径は１００ｎｍ）であり、銅フィラーの平均凝集粒子径は７μｍ、凝集粒子径の範囲は３〜１０μｍであった。
該導電性フィラーを用いた以外は、例１と同様にして導電性ペーストを得た。例１と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。【００６４】
〔例８〕
例２と同様の方法で、導電性フィラーを得た。金属銅ナノ粒子の平均一次粒子径は５０ｎｍ、一次粒子径の範囲は３５〜６５ｎｍであった。また、ＳＥＭによって測定された平均凝集粒子径は１００ｎｍであった。
アクリル酸をオクテンに変更した以外は、例２と同様にして導電性ペーストを得た。例１と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。【００６５】
【表１】
2010032841.tif 000002
【００６６】
〔例９〕
ガラス容器内にて、酢酸銅（II）水和物の１１７ｇを、蒸留水の１７００ｇおよびギ酸の３０ｇで溶解して、銅イオンを含む水溶液を調製した。該水溶液のｐＨは２．７であった。
該水溶液を激しく撹拌しながら、４０℃で該水溶液に５０質量％の次亜リン酸水溶液の１８０ｇを添加した。添加終了後、３０分間そのまま撹拌を続け、懸濁液を得た。【００６７】
遠心分離によって懸濁液中の凝集物を沈殿させ、沈殿物を分離した。該沈殿物を２−プロパノールの３０ｇに再分散させた後、再び遠心分離によって凝集物を沈殿させ、沈殿物を分離した。精製後の沈殿物をＸ線回折で同定したところ、水素化銅ナノ粒子であることが確認された。なお、水素化銅ナノ粒子の平均凝集粒子径は１００ｎｍであった。【００６８】
水素化銅ナノ粒子の１０ｇ、銅フィラー（三井金属鉱業社製、１４００ＹＰ、平均凝集粒子径：７μｍ）の３０ｇおよびオレイン酸の１．２ｇを２−プロパノールの２００ｇに加え、撹拌し、分散液を得た。該分散液を−３５ｋＰａの減圧下で８０℃に加熱し、分散液から２−プロパノールを揮発させて徐々に取り除いた。このとき、水素化銅ナノ粒子は金属銅ナノ粒子へと分解され、金属銅フィラーの表面が金属銅ナノ粒子およびオレイン酸で被覆されたフィラーが得られた。【００６９】
前記金属銅フィラーの表面が金属銅ナノ粒子およびオレイン酸で被覆されたフィラーの１３．３ｇを、非晶質ポリエステル樹脂（東洋紡績社製、バイロン１０３）の１．３５ｇをシクロヘキサノン（純正化学社製、特級）の３．１５ｇに溶解した樹脂バインダ溶液の４．５０ｇに加えた。非晶質ポリエステル樹脂の量は、銅フィラーおよび金属銅ナノ粒子の合計１００質量部に対して、１０．１質量部であった。該混合物を乳鉢中で混ぜ合わせた後、室温で減圧下に置き、シクロヘキサノンを除去し、導電性ペーストを得た。【００７０】
導電性ペーストをガラス基板に塗布し、窒素ガス雰囲気下、１５０℃で１時間焼成し、厚さ３０μｍの導電膜を形成した。導電膜の体積抵抗率を測定した。結果を表１に示す。
導電性ペーストを大気中に５日間保管したのち、ガラス基板に塗布し、窒素ガス雰囲気下、１５０℃で１時間焼成し、厚さ３０μｍの導電膜を形成した。導電膜の体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。
なお、表２における「添加量（質量部）」は、銅ナノ粒子と銅フィラーの合計１００質量部に対する化合物（１）の添加量（質量部）である。また、水酸基価は、非晶質ポリエステル樹脂の水酸基価である。【００７１】
〔例１０〕
オレイン酸を０．８ｇに変更した以外は例９と同様にして導電性ペーストを得た。例９と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。【００７２】
〔例１１〕
オレイン酸を２．０ｇに変更した以外は例９と同様にして導電性ペーストを得た。例９と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。【００７３】
〔例１２〕
ポリエステル樹脂をバイロン１０３からバイロン２００に変更した以外は例９と同様にして導電性ペーストを得た。例９と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。【００７４】
〔例１３〕
ポリエステル樹脂をバイロン１０３からバイロンＧＫ８８０に変更した以外は例９と同様にして導電性ペーストを得た。例９と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。【００７５】
〔例１４〕
オレイン酸をステアリン酸に変更した以外は例９と同様にして導電性ペーストを得た。例９と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。【００７６】
〔例１５〕
オレイン酸をデカン酸に変更した以外は例９と同様にして導電性ペーストを得た。例９と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。【００７７】
〔例１６〕
オレイン酸をヘキサン酸に変更した以外は例９と同様にして導電性ペーストを得た。例９と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。【００７８】
〔例１７〕
ポリエステル樹脂をバイロン１０３からバイロン２２６に変更した以外は例９と同様にして導電性ペーストを得た。例９と同様にしてガラス基板に導電膜を形成し、体積抵抗率を測定した。結果を表２に示す。【００７９】
【表２】
2010032841.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明の導電性フィラーおよび導電性ペーストは、様々な用途に利用できる。たとえば、プリント配線板等における配線パターンの形成および修復、半導体パッケージ内の層間配線、プリント配線板と電子部品との接合等の用途に利用できる。
なお、２００８年９月１９日に出願された日本特許出願２００８−２４１０７３号及び２００９年４月３日に出願された日本特許出願２００９−９１４２９号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【図１】
2010032841.tif 000004
【国際調査報告】
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