(57)【要約】  インク滴の吐出精度の低下を確実に防止しつつ、高精細な導電層を短時間に形成することを目的とし、インクＩとして帯電性を有するものを用い、プリントヘッド２と基板１１との間に電圧を印加するとともに、インクＩに含有される主たる溶媒の各沸点温度のうち最も低い沸点温度以上に基板１１の表面１１ａを加熱した状態で、プリントヘッド２からインクＩのインク滴Ｒを吐出させて、基板１１の表面１１ａに導電層１２を形成する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット方式のプリントヘッドから、導電性材料を含有するインクのインク滴を吐出させて基板へ着弾させ、当該基板の表面に配線を形成する配線形成方法であって、
前記インクとして帯電性を有するものを用い、前記プリントヘッドと前記基板との間に電圧を印加するとともに、前記インクに含有される主たる溶媒の各沸点温度のうち最も低い沸点温度以上に前記基板の表面を加熱した状態で、前記プリントヘッドから前記インクのインク滴を吐出させて、前記基板の表面に前記配線としての導電層を形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
前記プリントヘッドのインク吐出面と前記基板の表面との距離は、３ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記基板として、当該基板の表面とは親水性の異なる他の表面を有する基板部材が、当該他の表面を前記プリントヘッドのインク吐出面に露出させるよう、当該基板の表面に配設されたものを用い、
前記基板の表面と前記基板部材の他の表面とに跨って前記インクのインク滴が連続的に着弾するように、前記プリントヘッドから前記インクのインク滴を吐出させて、当該基板の表面と当該基板部材の他の表面とに前記配線としての導電層を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線形成方法。
【請求項４】
基板の表面に配線を形成する配線形成装置であって、
帯電性を有するとともに導電性材料を含有するインクのインク滴を吐出するインクジェット方式のプリントヘッドと、
前記プリントヘッドのインク吐出面に前記基板の表面が露出するよう当該基板を支持する支持部材と、
前記プリントヘッドと前記支持部材との間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記基板の表面を加熱する加熱手段と、
を備え、
前記電圧印加手段により前記プリントヘッドと前記支持部材との間に電圧を印加するとともに、前記加熱手段により、前記インクに含有される主たる溶媒の各沸点温度のうち最も低い沸点温度以上に前記基板の表面を加熱した状態で、前記プリントヘッドから前記インクのインク滴を吐出させて前記基板へ着弾させ、前記基板の表面に前記配線としての導電層を形成することを特徴とする配線形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線形成方法及び配線形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップに配線パターンを描画する方法として、インクジェットヘッドから導電性のインク滴を吐出させて、配線状の導電層を形成する方法が注目されている（例えば、特許文献１〜３参照）。【０００３】
このインクジェット方式による配線形成方法においては、半導体チップ（基板）を加熱した状態で連続的にインク滴を着弾させることで、着弾したインク滴の濡れ広がりを防止して速やかに乾燥させ、高精細な導電層を短時間に形成できることが知られている。【０００４】
ところが、単純に基板を加熱した場合、この基板とインクジェットヘッドとが近接しているために、インクジェットヘッドは加熱された基板から輻射熱を受け、基板同様に加熱されてしまう。その結果、インクジェットヘッドのノズルが熱変形を起こしたり、ノズル内のインクの粘度が下がるなどして、インク滴の吐出精度が低下するといった問題が生じる。【０００５】
そこで、基板を加熱する加熱部の両端にインクジェットヘッドを冷却する冷却部を並設し、加熱部に載置された基板の上方でインク滴を吐出したのち冷却部の上方を通過するようインクジェットヘッドを走査させることにより、基板からの輻射熱で加熱されたインクジェットヘッドを冷却する方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３９１８９３６号公報
【特許文献２】特許第４０８１６６６号公報
【特許文献３】特開２００５−３０２８１３号公報
【特許文献４】特開２００８−１３２４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献４に記載の方法では、基板からインクジェットヘッドへの輻射伝熱を防ぐことができていないために、一時的にせよインクジェットヘッドの温度上昇は避けられない。そのため、この温度上昇分のノズルの熱変形やインクの乾燥が生じてしまい、結果として吐出精度の低下を確実に防止するには至っていなかった。【０００８】
また、このような吐出精度の低下を防ぐ目的で、単純にインクジェットヘッドを基板から離間させて当該インクジェットヘッドの温度上昇の回避を試みても、一般的なオンデマンド型のインクジェットヘッドが使用されているためにインク滴の飛翔距離が短く、所定距離以上に離間させることができなかった。そのため、インクジェットヘッドが温度上昇しないよう基板の加熱温度に制限を設ける必要が生じ、結果として高精細な導電層を短時間に形成することができていなかった。【０００９】
本発明は、上記事情を鑑みてなされたもので、インク滴の吐出精度の低下を確実に防止しつつ、高精細な導電層を短時間に形成できる配線形成方法及び配線形成装置の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
インクジェット方式のプリントヘッドから、導電性材料を含有するインクのインク滴を吐出させて基板へ着弾させ、当該基板の表面に配線を形成する配線形成方法であって、
前記インクとして帯電性を有するものを用い、前記プリントヘッドと前記基板との間に電圧を印加するとともに、前記インクに含有される主たる溶媒の各沸点温度のうち最も低い沸点温度以上に前記基板の表面を加熱した状態で、前記プリントヘッドから前記インクのインク滴を吐出させて、前記基板の表面に前記配線としての導電層を形成することを特徴とする。【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の配線形成方法であって、
前記プリントヘッドのインク吐出面と前記基板の表面との距離は、３ｍｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする。【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の配線形成方法であって、
前記基板として、当該基板の表面とは親水性の異なる他の表面を有する基板部材が、当該他の表面を前記プリントヘッドのインク吐出面に露出させるよう、当該基板の表面に配設されたものを用い、
前記基板の表面と前記基板部材の他の表面とに跨って前記インクのインク滴が連続的に着弾するように、前記プリントヘッドから前記インクのインク滴を吐出させて、当該基板の表面と当該基板部材の他の表面とに前記配線としての導電層を形成することを特徴とする。【００１３】
請求項４に記載の発明は、
基板の表面に配線を形成する配線形成装置であって、
帯電性を有するとともに導電性材料を含有するインクのインク滴を吐出するインクジェット方式のプリントヘッドと、
前記プリントヘッドのインク吐出面に前記基板の表面が露出するよう当該基板を支持する支持部材と、
前記プリントヘッドと前記支持部材との間に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記基板の表面を加熱する加熱手段と、
を備え、
前記電圧印加手段により前記プリントヘッドと前記支持部材との間に電圧を印加するとともに、前記加熱手段により、前記インクに含有される主たる溶媒の各沸点温度のうち最も低い沸点温度以上に前記基板の表面を加熱した状態で、前記プリントヘッドから前記インクのインク滴を吐出させて前記基板へ着弾させ、前記基板の表面に前記配線としての導電層を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１に記載の発明によれば、プリントヘッドと基板との間に電圧を印加しつつ、インクに含有される主たる溶媒の各沸点温度のうち最も低い沸点温度以上に基板の表面を加熱した状態でインク滴を吐出させるので、吐出されたインク滴に対し基板へ向かう静電吸引力を作用させ、従来のオンデマンド型のインクジェットヘッド（プリントヘッド）に比べインク滴の飛翔距離を伸ばすとともに、着弾したインク滴の濡れ広がりを防止して速やかに乾燥させる。これにより、従来よりもプリントヘッドと基板との距離を離間させ、基板からプリントヘッドへの輻射伝熱を防ぎつつ、着弾させたインク滴の固化を早めることができる。したがって、インク滴の吐出精度の低下を確実に防止しつつ、高精細な導電層を短時間に形成することができる。【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、基板として、この基板の表面とは親水性の異なる他の表面を有する基板部材が表面に配設されたものを用い、この基板の表面と基板部材の他の表面とに跨ってインク滴を連続的に着弾させる。このとき、基板の表面が加熱されているため、インク滴は、基板の表面と基板部材の他の表面とのうち親水性の高い方に引っ張られることなく、着弾した位置で速やかに乾燥される。したがって、親水性の異なる部材間にインク滴を着弾させた場合であっても、当該インク滴の液溜まりを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】インクジェット装置の全体構成を示す模式図である。
【図２】プリントヘッドの分解斜視図である。
【図３】プリントヘッドの側断面図である。
【図４】本実施例１において（ａ）基板の表面が２５℃のときの着弾時のインク滴、（ｂ）１００℃のときの着弾時のインク滴、（ｃ）２５℃のときの導電層、（ｄ）１００℃のときの導電層、の各拡大写真である。
【図５】本実施例２における着弾径の計測結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照して説明する。
【００１８】
まず、本実施の形態に係るインクジェット装置１の全体構成について、図１を参照して説明する。
【００１９】
図１は、インクジェット装置１の全体構成を示す模式図である。
【００２０】
図１に示すように、インクジェット装置１は、帯電性を有するインクＩのインク滴Ｒを吐出するノズル２１１が形成されたプリントヘッド２と、プリントヘッド２のノズル２１１に対向する対向面を有するとともに、インク滴Ｒの着弾を受ける基板１１を支持する対向電極３と、プリントヘッド２を駆動させてノズル２１１からインク滴Ｒを吐出させる制御手段４と、基板１１を加熱する加熱手段５とを備えている。このインクジェット装置１は、導電性を有するインク滴Ｒを基板１１に着弾させて、当該基板１１の表面に配線を形成するものである。
【００２１】
対向電極３は、加熱手段５を介して基板１１を支持する平板状のものであり、プリントヘッド２のインク吐出面２１１ｃに平行に所定距離だけ離間されて配置されている。対向電極３とプリントヘッド２との離間距離は、０．１〜５．０ｍｍ程度の範囲内で適宜設定される。また、対向電極３は接地されており、常時接地電位に維持されている。そのため、後述するように、帯電したインク滴Ｒが基板１１に着弾すると、対向電極３はその電荷を接地により逃がすようになっている。なお、対向電極３の上面には、基板１１を位置決めして固定するための図示しない位置決め手段及び真空チャッキング手段のほか、加熱手段５からの熱を断熱するための図示しない断熱材が設けられている。また、対向電極３は、基板１１を支持する面に平行な移動が可能になっている。
【００２２】
制御手段４は、図示しないＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭ等から構成されたコンピュータであり、プリントヘッド２に静電電圧を印加する静電電圧電源４１、加熱手段５及び後述するプリントヘッド２の圧電素子２３と接続されている。この制御手段４は、静電電圧電源４１を制御してプリントヘッド２に静電電圧を印加することにより、プリントヘッド２のノズルプレート２１と対向電極３との間に静電界を生じさせるほか、加熱手段５を制御して基板１１を加熱させたり、圧電素子２３の変形を制御してノズル２１１からインク滴Ｒを吐出させたりするように構成されている。また、制御手段４は、プリントヘッド２の走査を制御可能になっている。なお、静電電圧電源４１が印加する電圧は直流であるが、交流であってもよい。また、静電電圧電源４１を対向電極３に接続して当該対向電極３に電圧を印加し、プリントヘッド２を接地してもよい。また、制御手段４は、プリントヘッド２を固定した状態で、対向電極３のステージ（基板１１を支持する面）を走査制御するように構成してもよい。
【００２３】
加熱手段５は、薄板状のポリイミドヒーターであり、対向電極３の上面に敷設されている。この加熱手段５は、制御手段４に制御されることにより、上面に載置される基板１１を加熱する。なお、加熱手段５は、プリントヘッド２と対向電極３との間に生じる静電界をシールドすることなく基板１１を加熱可能であれば、ポリイミドヒーターでなくともよいし、対向電極３と一体に構成させてもよい。但し、基板１１の表面（インク滴Ｒの被着弾面）１１ａを均一に加熱できる構成が好ましい。
【００２４】
基板１１は、数百μｍ程度の厚みに形成されたシリコン製の半導体チップ又は半導体ウエハである。基板１１の表面１１ａには、電極（例えばパッド）１１２や、図示しない集積回路（例えばトランジスタやメモリを有する回路）等が複数実装されており、これらを電気的に接続するための導電層１２が所定の配線パターンで描画されている。この導電層１２は、後述する方法により、プリントヘッド２から吐出されたインクＩのインク滴Ｒを乾燥させ、さらにインクＩ中に含有される金属ナノ粒子を焼結させて形成される。
【００２５】
また、基板１１には、少なくとも１層の絶縁膜（図示せず）が形成されている。この絶縁膜は、パッシベーション膜と呼ばれ、例えば、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ポリイミド樹脂などで形成することができる。
【００２６】
基板１１の表面１１ａに配設される電極１１２は、アルミニウム系の金属で形成されており、特に限定はされないが、その表面１１２ａの形状が矩形となっている。この電極１１２は、基板１１を別の基板又は電子部品と接続する際の端子である。
【００２７】
プリントヘッド２から吐出されるインクＩは、金属ナノ粒子が分散されることにより導電性及び帯電性を有するインクである。この金属ナノ粒子としては、例えば、銀、金、銅、パラジウム、白金、ニッケル、ロジウム、錫、インジウム、又はこれらの合金が挙げられる。
【００２８】
このような金属ナノ粒子の製造方法としては、大きく二つに分類される。一つは物理法で、もう一つは化学法である。物理法は、一般にバルク金属を粉砕してナノ粒子を製造する方法であり、化学法は、金属原子を発生させてその凝集を制御してナノ粒子を製造する方法である。
【００２９】
化学法は、液中で行われる湿式法と、空気中もしくは減圧雰囲気中で行われる乾式法に大別される。湿式法としてよく知られている化学還元法は、金属イオン溶液に還元剤を添加するか、或いは還元剤を含む金属塩溶液を加熱することで金属イオンを還元し、ナノ粒子を生成する手法である。このようなナノ粒子が分散されたインクとしては、例えば、特許第３９３３１３８号公報に開示のものを用いることができる。乾式法としては、ガス中蒸発法が知られている。ガス中蒸発法は、不活性ガス中で金属を蒸発させ、ガスとの衝突により冷却凝集させてナノ粒子を生成する方法である。乾式法の方が湿式法よりも粒径を小さくできることが知られており、乾式法では数ｎｍ程度の粒径のナノ粒子も生成可能である。
【００３０】
本実施の形態で用いるインクＩ中の金属ナノ粒子の粒径は、１〜１００ｎｍであり、好ましくは１〜５０ｎｍである。粒径が１ｎｍ未満の金属ナノ粒子を用いてもよいが、このような粒子は製造が極めて困難であり、実用的でない。また、粒径が１００ｎｍを超える金属ナノ粒子を用いると、ノズル２１１に詰まる恐れがある。
【００３１】
インクＩ中に分散している金属ナノ粒子の濃度は、インクＩを乾燥させて形成される導電層１２の抵抗値が電極１１２の抵抗値により近い値となるよう、高濃度であることが好ましい。具体的には、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましい。但し、この金属ナノ粒子の濃度は、最大で８０質量％程度にすることが可能である。
【００３２】
インクＩのうち金属ナノ粒子を分散させる溶媒としては、水や水溶性有機溶媒が用いられる。このような、いわゆる水系インクは、無極性溶媒を用いた油系インクに比べ、電気伝導度に優れている。また、この溶媒は、インクＩの粘度が容易に上昇したり、乾燥したりしないために、蒸気圧が低く、沸点が高いことが好ましい。溶媒の沸点としては、１５０℃以上が好ましく、２００℃以上がより好ましい。含水率は、乾燥性の点から４０質量％以下が好ましい。
【００３３】
インクＩの粘度は、吐出温度において、２ｍＰａ・ｓ以上、１０ｍＰａ・ｓ以下が吐出安定性の観点から好ましく、３ｍＰａ・ｓ以上、６．５ｍＰａ・ｓ以下がより好ましい。吐出温度については、２０〜６０℃が好ましく、２５〜５０℃がより好ましい。２５℃未満であると加熱の必要が生じる場合があり、５０℃を超えるとプリントヘッド２及びインクＩの流路部材等に負担がかかる恐れがあるためである。
【００３４】
インクＩの表面張力は、２０ｍＮ／ｍ以上、５０ｍＮ／ｍ以下が好ましい。更には、吐出安定性の観点から、２５ｍＮ／ｍ以上、４５ｍＮ／ｍ以下がより好ましい。
【００３５】
インクＩの電気伝導度は、静電吸引力を作用させるために、２５℃において０．１μＳ／ｃｍ以上、２０００μＳ／ｃｍ以下が好ましいが、高精細描画の観点から、１μＳ／ｃｍ以上、１０００μＳ／ｃｍ以下がより好ましい。
【００３６】
インクＩの比誘電率は、１０以上であることが好ましい。
【００３７】
続いて、プリントヘッド２の構成の詳細について、図２，３を参照して説明する。
【００３８】
図２は、プリントヘッド２の分解斜視図であり、図３は、プリントヘッド２の側断面図である。
【００３９】
図２に示すように、プリントヘッド２は、ノズルプレート２１、ボディプレート２２及び圧電素子２３を有している。ノズルプレート２１は１５０〜３００μｍ程度の厚みを有したシリコン基板又は酸化シリコン基板である。ノズルプレート２１には複数のノズル２１１が形成されており、これら複数のノズル２１１が１列に配列されている。
【００４０】
ボディプレート２２は２００〜５００μｍ程度の厚みを有したシリコン基板である。ボディプレート２２にはインク供給口２２１、インク貯留室２２２、複数のインク供給路２２３及び複数の圧力室２２４が形成されている。インク供給口２２１は直径が４００〜１５００μｍ程度の円形状の貫通孔である。インク貯留室２２２は幅が４００〜１０００μｍ程度で深さが５０〜２００μｍ程度の溝である。インク供給路２２３は幅が５０〜１５０μｍ程度で深さが３０〜１５０μｍ程度の溝である。圧力室２２４は幅が１５０〜３５０μｍ程度で深さが５０〜２００μｍ程度の溝である。
【００４１】
ノズルプレート２１とボディプレート２２とは互いに接合されるようになっており、接合した状態ではノズルプレート２１のノズル２１１とボディプレート２２の圧力室２２４とが１対１で対応するようになっている。
【００４２】
ノズルプレート２１とボディプレート２２とが接合された状態でインク供給口２２１にインクが供給されると、当該インクはインク貯留室２２２に一時的に貯留され、その後にインク貯留室２２２から各インク供給路２２３を通じて各圧力室２２４に供給されるようになっている。
【００４３】
圧電素子２３はボディプレート２２の圧力室２２４に対応した位置に接着されるようになっている。圧電素子２３はＰＺＴ（lead zirconium titanate）からなるアクチュエータであり、電圧の印加を受けると変形して圧力室２２４の内部のインクをノズル２１１から吐出させるようになっている。
【００４４】
なお、図２では図示しないが、ノズルプレート２１とボディプレート２２と間には硼珪酸ガラスプレート２４（図３参照）が介在している。
【００４５】
図３に示す通り、１つの圧電素子２３に対応してノズル２１１と圧力室２２４とが１つずつ構成されている。
【００４６】
ノズルプレート２１においてノズル２１１には段が形成されており、ノズル２１１は下段部２１１ａと上段部２１１ｂとで構成されている。下段部２１１ａと上段部２１１ｂとは共に円筒形状を呈しており、下段部２１１ａの直径Ｓ１（図３中左右方向の距離）が上段部２１１ｂの直径Ｓ２（図３中左右方向の距離）より小さくなっている。
【００４７】
ノズル２１１の下段部２１１ａは上段部２１１ｂから流通してきたインクを直接的に吐出する部位である。下段部２１１ａは直径Ｓ１が１〜１０μｍで、長さＨ（図３中上下方向の距離）が１．０〜５．０μｍとなっている。下段部２１１ａの長さＨを１．０〜５．０μｍの範囲に限定するのは、インクの着弾精度を飛躍的に向上させることができるからである。
【００４８】
他方、ノズル２１１の上段部２１１ｂは圧力室２２４から流通してきたインクを下段部２１１ａに流通させる部位であり、その直径Ｓ２が１０〜６０μｍとなっている。上段部２１１ｂの直径Ｓ２の下限を１０μｍ以上に限定するのは、１０μｍを下回ると、ノズル２１１全体（下段部２１１ａと上段部２１１ｂ）の流路抵抗に対し上段部２１１ｂの流路抵抗が無視できない値となり、インクの吐出効率が低下するからである。
【００４９】
逆に、上段部２１１ｂの直径Ｓ２の上限を６０μｍ以下に限定するのは、上段部２１１ｂの直径Ｓ２が大きくなるほど、インクの吐出部位としての下段部２１１ａが薄弱化して（下段部２１１ａが面積増大して機械的強度が小さくなる。）、インクの吐出時に変形し易くなり、その結果インクの着弾精度が低下するからである。すなわち、上段部２１１ｂの直径Ｓ２の上限が６０μｍを上回ると、インクの吐出に伴い下段部２１１ａの変形が非常に大きくなり、着弾精度を規定値（所望の吐出方向に対して±０．５°）以内に抑えることができなくなる可能性があるからである。
【００５０】
ノズルプレート２１とボディプレート２２との間には数百μｍ程度の厚みを有した硼珪酸ガラスプレート２４が設けられており、硼珪酸ガラスプレート２４にはノズル２１１と圧力室２２４とを連通させる開口部２４ａが形成されている。開口部２４ａは、圧力室２２４とノズル２１１の上段部２１１ｂとに通じる貫通孔であり、圧力室２２４からノズル２１１に向けてインクを流通させる流路として機能する部位である。圧力室２２４は、圧電素子２３の変形を受けて当該圧力室２２４の内部のインクに圧力を与える部位である。
【００５１】
以上の構成を具備するプリントヘッド２では、圧電素子２３が変形すると、圧力室２２４の内部のインクに圧力を与え、当該インクは圧力室２２４から硼珪酸ガラスプレート２４の開口部２４ａを流通してノズル２１１に至り、最終的にノズル２１１の下段部２１１ａから吐出されるようになっている。
【００５２】
また、プリントヘッド２は、図示しない機構により、インク吐出面２１１ｃに略平行な方向（図１のＸ方向）へ走査可能なよう装置本体に設けられている。
【００５３】
続いて、基板１１の表面１１ａに導電層１２を形成する配線形成方法について、図１を参照して説明する。
【００５４】
まず、導電層形成工程を行う。
【００５５】
この工程では、プリントヘッド２から基板１１の表面１１ａにインク滴Ｒを着弾させて導電層１２を形成する。
【００５６】
最初に、基板１１を加熱手段５上に載置し、対向電極３に位置決めして固定する。ここでは、プリントヘッド２のインク吐出面２１１ｃと基板１１の表面１１ａとの距離が、３ｍｍ以上５ｍｍ以下となるよう適宜調整する。この距離が３ｍｍ未満であると、加熱手段５に加熱される基板１１からの輻射熱がプリントヘッド２の温度を上昇させてしまい、ノズル２１１の熱変形やノズル２１１内のインクＩの乾燥が生じて、インク滴Ｒの吐出精度の低下を招いてしまう。また、当該距離が５ｍｍを超えると、インク滴Ｒをプリントヘッド２から基板１１へ適正に飛翔させるためのプリントヘッド２への印加電圧を大きくする必要が生じ、装置の大型化を招いてしまう。
【００５７】
次に、制御手段４により静電電圧電源４１を制御してプリントヘッド２に静電電圧を印加することで、ノズルプレート２１と対向電極３との間に静電界を生じさせる。この静電界により、プリントヘッド２から基板１１へ向かう電気力線が形成される。このとき、プリントヘッド２と基板１１との間に生じる電位差が、空気の絶縁破壊電圧（約３．５５ｋＶ／ｍｍ）未満となるよう注意する。
【００５８】
これに併せて、制御手段４により加熱手段５を制御して、基板１１の表面１１ａが所定温度となるよう当該基板１１を加熱する。このときの所定温度は、インクＩに含有される主たる溶媒の各沸点温度のうち最も低い沸点温度以上の温度とし、後述する焼成温度以下の温度とするのが好ましい。ここで、インクＩに含有される主たる溶媒とは、インクＩに約５質量％以上含有される溶媒を指す。なお、本実施の形態においては、図示しない温度センサにより基板１１の表面１１ａの温度を計測しつつ、この計測温度が上記の所定温度となるよう制御手段４により加熱手段５を制御している。
【００５９】
この状態で、プリントヘッド２を基板１１の表面１１ａと略平行に走査させながら、当該プリントヘッド２のノズル２１１から基板１１の表面１１ａへ向けてインク滴Ｒを吐出させる。このインク滴Ｒの吐出は、基板１１の表面１１ａに着弾する当該インク滴Ｒが、それぞれ重なりつつ制御手段４に予め記憶された所定の配線パターンを形成するよう連続的に行われる。
【００６０】
このとき、プリントヘッド２から吐出されるインク滴Ｒは、適切な範囲の吐出量に調整される。但し、このインク滴Ｒの適切な吐出量は、プリントヘッド２と基板１１の表面１１ａとの距離や当該表面１１ａの加熱温度のほか、基板１１の表面１１ａに対するインク滴Ｒの接触角によっても異なり、これらの条件に応じて適宜調整される。なお、インク滴Ｒの着弾時の直径は、インクＩの物性や、着弾する基板１１の表面エネルギー或いは表面状態等にもよるが、インクＩを吸収しない基板１１に着弾した場合には、飛翔時の直径の約１．５〜４．０倍となる。
【００６１】
プリントヘッド２から吐出されたインク滴Ｒは、プリントヘッド２から基板１１へ向かう電気力線に沿って飛翔する、つまり静電界により基板１１へ向かう静電吸引力を受けて飛翔し、基板１１の表面１１ａに着弾する。基板１１の表面１１ａに着弾したインク滴Ｒは、当該表面１１ａが上記の所定温度まで加熱されていることにより、濡れ広がることなく速やかに乾燥される。
【００６２】
このように、インク滴Ｒに対し基板１１へ向かう静電吸引力を作用させることにより、従来のオンデマンド型のインクジェットヘッドに比べインク滴Ｒの飛翔距離を伸ばすことができるとともに、基板１１の表面１１ａを上記の所定温度まで加熱することにより、当該表面１１ａに着弾したインク滴Ｒの濡れ広がりを防止して速やかに乾燥させることができる。これにより、従来よりもプリントヘッド２と基板１１との距離を離間させ、基板１１からプリントヘッド２への輻射伝熱を防ぎつつ、着弾させたインク滴Ｒの固化を早めることができる。
【００６３】
また、電極１１２を電気的に接続するように導電層１２が形成される場合には、基板１１の表面１１ａと電極１１２の表面１１２ａとに跨ってインク滴Ｒが連続的に着弾される。ここで、基板１１の表面１１ａと電極１１２の表面１１２ａとでは、材料固有の接触角の違いに加え、電極１１２の表面１１２ａの方が粗い面であることも相まって、基板１１の表面１１ａの方が高い親水性を示す。このとき、基板１１の表面１１ａが加熱されているため、基板１１の表面１１ａと電極１１２の表面１１２ａとに連続的に着弾されたインク滴Ｒは、電極１１２の表面１１２ａよりも親水性の高い基板１１の表面１１ａの方に引っ張られることなく、着弾した位置で速やかに乾燥される。
【００６４】
こうして、基板１１の表面１１ａに所定の配線パターンの導電層１２が形成され、導電層形成工程が完了する。
【００６５】
次に、導電層１２の焼成を行う。
【００６６】
焼成方法としては、乾燥機やホットプレートでの焼結などが挙げられる。本実施の形態では、インクＩの濡れ性を制御し、着弾性を向上させるために、基板１１の表面１１ａに下引き剤（シランカップリング剤やチタンカップリング剤）の塗布を行っている。そのため、各種カップリング剤の耐熱性が確保できる条件での焼結が好ましい。
【００６７】
この焼結は、１００〜１５０℃で１０〜３０分の予備乾燥後、１５０〜２００℃で６０〜１８０分の本焼結を行うことが好ましい。予備乾燥を行わないと、融着した金属内に溶媒が残留し、抵抗値が上昇する恐れがある。予備乾燥の温度が１００℃未満では溶媒の蒸発がほとんど起こらず、効果が生じない恐れがあり、１５０℃を超える温度では金属ナノ粒子の融着が始まる恐れがある。本焼結の温度が１５０℃未満では金属ナノ粒子の融着が起こらず、抵抗値が高くなる恐れがあり、２００℃を超える温度では下引き剤が劣化して融着金属と混合し、抵抗値が高くなる恐れがある。本焼結にはホットプレートを用いるのが好ましい。ホットプレートを用いると、インクＩに直接熱が伝わり、金属ナノ粒子の融着が進みやすくなるためである。
【００６８】
なお、導電層形成工程において基板１１の表面１１ａを本焼結の温度近傍まで加熱した場合には、予備乾燥を省いてもよい。
【００６９】
上記の焼成でインク滴Ｒの溶媒が蒸発されることにより、導電層１２が基板１１に固定される。
【００７０】
以上のように、本実施の形態における配線形成方法によれば、従来よりもプリントヘッド２と基板１１との距離を離間させ、基板１１からプリントヘッド２への輻射伝熱を防ぐとともに、着弾させたインク滴Ｒの固化を早めることができるので、インク滴Ｒの吐出精度の低下を確実に防止しつつ、高精細な導電層１２を短時間に形成することができる。
【００７１】
また、基板１１の表面１１ａと電極１１２の表面１１２ａとに連続的に着弾されたインク滴Ｒは、電極１１２の表面１１２ａよりも親水性の高い基板１１の表面１１ａの方に引っ張られることなく、着弾した位置で速やかに乾燥されるので、インク滴Ｒの液溜まりを防止することができる。
【００７２】
なお、本実施の形態においては、図示しない温度センサにより基板１１の表面１１ａの温度を計測しつつ当該表面１１ａを加熱することとしたが、導電層形成工程の前に加熱条件を設定する工程を設けて、当該工程で基板１１の表面１１ａが所定温度となる加熱手段５の設定を確認しておき、導電層形成工程では加熱手段５がこの設定で制御されるように構成してもよい。
【００７３】
また、本実施の形態においては、基板１１の表面１１ａと親水性の異なる表面を有する基板部材として電極１１２を挙げて説明したが、当該電極１１２に限定されるものではなく、また、基板１１の表面１１ａよりも親水性の高い表面を有するものであってもよい。
【００７４】
また、上記以外の点についても、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、適宜変更可能であるのは勿論である。
（実施例１）
以下に、実施例を挙げることにより、本発明をさらに具体的に説明する。
【００７５】
本発明の実施例１として、以下の条件により、基板１１の表面１１ａに導電層１２を形成した。
＜基板＞
基板１１として、表面に絶縁膜が形成されたシリコン製の半導体ウエハを使用した。
＜使用インク＞
インクＩとしてＡｇインクを使用した。このＡｇインクの主要成分は、銀固型分：１５質量％、ＤＥＧＢＥ（ジエチレングリコールモノブチルエーテル）：７１．３１５質量％、水：８．７５５質量％、２−ピロリドン：４．９３質量％である。このうち溶媒であるＤＥＧＢＥ、水、及び２−ピロリドンの沸点は、それぞれ２４５℃、１００℃、及び２３０℃である。また、インクＩの基板１１の表面１１ａに対する接触角は約１０°である。
＜導電層形成＞
基板１１の表面１１ａを、加熱手段５により２５℃、４０℃、６０℃、８０℃、１００℃、１３０℃、１５０℃、１８０℃、２００℃の各温度に加熱して、当該各温度で導電層１２を形成した。このとき、プリントヘッド２のインク吐出面２１１ｃと基板１１の表面１１ａとの距離は、プリントヘッド２が温度上昇しないよう、上記の各温度に対し、後述する表１に示す値に変化させた。また、プリントヘッド２に印加する静電電圧は、プリントヘッド２のインク吐出面２１１ｃと基板１１の表面１１ａとの電位差が約２ｋＶ／ｍｍとなるよう、２〜９ｋＶの範囲で調整した。
【００７６】
この状態でプリントヘッド２を走査させつつ、インク滴Ｒの吐出を行った。インク滴Ｒの吐出量（体積）は０．５ｐｌとした。プリントヘッド２の走査速度は、基板１１の表面１１ａに連続して着弾したインク滴Ｒが直径の半分だけ重なる速度とした。また、プリントヘッド２の圧電素子２３には２０Ｖの駆動電圧を印加した。
【００７７】
その後、着弾させたインク滴Ｒ（導電層１２）を、１８０℃で１００分間焼成した。
＜結果＞
導電層形成における基板１１の表面１１ａの温度を変えたときのインク滴Ｒの着弾径、導電層１２の線幅及び線高さを表１に示す。また、基板１１の表面１１ａの温度を２５℃，１００℃にしたときの着弾時のインク滴Ｒ（１滴）、導電層１２の拡大写真を図４（ａ）〜（ｄ）に示す。なお、図４（ａ）〜（ｄ）は全て同倍率での拡大写真である。また、上記の条件において、インク滴Ｒの吐出量を０．５ｐｌから変えた場合についても同様に計測を行ったが、基板１１の表面１１ａの温度が１００℃を超えたあたりからインク滴Ｒの着弾径が小さくなるとともに導電層１２の線幅が細く線高さが高くなるといった、吐出量０．５ｐｌのときと同様の傾向が得られた。
【００７８】
【表１】
2010035622.tif 000003
【００７９】
＜まとめ＞
表１に示す結果から、基板１１の表面１１ａを１００℃以上、つまりインクＩに含まれる主たる溶媒のうち最も沸点温度の低い水の沸点温度以上とすることで、より高精細の導電層１２を形成できていることが分かる。また、基板１１の表面１１ａの温度を１００〜２００℃の範囲に加熱した場合でも、プリントヘッド２と基板１１との距離を３〜５ｍｍの範囲で適宜離間させることで、吐出精度を低下させることなく高精細な導電層１２を形成できていることが分かる。
【００８０】
また、図４（ａ）と図４（ｂ）とを比較すると、基板１１の表面１１ａを１００℃にすることで、当該表面１１ａが常温（２５℃）のときよりもインク滴Ｒの濡れ広がりを防止できていることが分かり、図４（ｃ）と図４（ｄ）とを比較すると、基板１１の表面１１ａを１００℃にすることで、当該表面１１ａが常温（２５℃）のときよりも波打ちが少なく高精細な導電層１２が形成できていることが分かる。
【００８１】
なお、基板１１の表面１１ａを２００℃にしたときには、インク滴Ｒの着弾径等の各数値は１８０℃のときと変わらないものの、導電層１２の表面に凹凸が確認された。これはインクＩに含有される溶媒が急激に沸騰したためと推測されることから、基板１１の表面１１ａの加熱温度はインクＩの焼成温度である１８０℃以下とするのが好ましいと考えられる。
（実施例２）
本発明の実施例２として、以下の条件で基板１１の表面１１ａにインク滴Ｒを着弾させ、その着弾径を計測した。なお、以下に記載したもの以外の条件は、上記実施例１と同様である。
＜基板＞
基板１１として、表面１１ａにＴｉ系の下引き処理を施したシリコン製の半導体ウエハを使用した。また、この下引き処理により、当該表面１１ａに対するインクＩの接触角は約２０°となった。
＜導電層形成＞
基板１１の表面１１ａを加熱手段５により２５℃、１３０℃の各温度に加熱し、当該各温度の基板１１の表面１１ａに対しインク滴Ｒの吐出量（体積）を０．５〜５．５ｐｌの範囲で０．５ｐｌずつ変化させながら当該インク滴Ｒを着弾させた。
＜結果及びまとめ＞
インク滴Ｒの着弾径の計測結果を図５に示す。この図から、インク滴Ｒの吐出量が多いほど、基板１１の表面１１ａが２５℃のときと１３０℃のときとで着弾径の差が大きくなっていることが分かる。つまり、インク滴Ｒの吐出量が多いほど基板１１の加熱による濡れ広がり防止の効果が大きいことが分かる。
【符号の説明】
【００８２】
１  インクジェット装置（配線形成装置）
２  プリントヘッド
３  対向電極（支持部材）
４  制御手段
５  加熱手段
１１  基板
１１ａ  表面
１２  導電層
４１  静電電圧電源（電圧印加手段）
１１２  電極（基板部材）
１１２ａ  表面（他の表面）
２１１ｃ  インク吐出面
Ｉ  インク
Ｒ  インク滴
【図２】
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【図１】
2010035622.tif 000005
【図３】
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【図４】
2010035622.tif 000007
【図５】
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【国際調査報告】
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