【事件の表示】
　特許第３０６９７６２号「塗布膜形成方法及びその装置」の請求項１ないし４、１８ないし２０、２４、３４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６９７６２号の請求項１ないし４、１６ないし１８、２２、３２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０６９７６２号は、平成６年３月２５日（優先権主張平成５年３月２５日、平成５年５月１０日及び平成５年６月３０日）に特許出願され、平成１２年５月２６日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人井上博史から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年５月２８日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１０月１２日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人井上博史は、甲第１号証（特開平３−７６１０９号公報）、甲第２号証（特開平２−１３２４４４号公報）、甲第３号証（実願平３−２４ ４７６号（実開平４−１１１７２９号公報）のマイクロフィルム）、甲第４号証（特開平３−３０４１７号公報）、甲第５号証（特開平２−１３１２３７号公報）及び甲第６号証（特開平３−２７８５１８号公報）を提出し、本件の請求項１〜４、１８〜２０、２４及び３４に係る発明は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるから、本件の請求項１〜４、１８〜２０、２４及び３４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人井上博史が提出した甲第１〜６号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の第２頁左下欄第９行〜同頁同欄第１４行には、「本実施例においては、第１図Ａに示すように、シリコンウエハ１をスピンナ２に真空吸着させた後、…有機溶媒吐出ノズル３より、レジストの有機溶媒であるエチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）４を吐出させ、基板表面の処理を行なう。」と記載されている。
　甲第１号証の第２頁右下欄第９行〜同頁同欄第１２行には、「次に、第１図Ｂに示すように、レジスト吐出ノズル５よりレジスト６を吐出させることにより、…均一性を有するレジスト膜を形成することが可能となる。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証の第５頁右上欄第２行〜第６頁左上欄第８行には、「次に、…容器１００から第１ノズル３０ａを取り出し、半導体ウェハ４６にレジスト液を塗布する場合について説明する。…
（４）…ノズル保持部材９０ａ，９０ｂをノズル待機容器１００のプログラムにより選択された第１ノズル３０ａの上方近傍に位置させる。…
（１３）…レジスト液５０は、…センターポジションに向かって落下する。」と記載されている。
　甲第２号証の第４頁左下欄第１４行〜同頁同欄第１９行には、「…待機中のノズル３０ａ〜３０ｄは上記有機溶剤１０７の揮発蒸気中に設けられ、…ドレイン１０６を介して排出されるようになっている。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証の【００１０】〜【００１１】段落には、「薄膜除去機構であり、薄膜溶解液を吐出して供給する針状ノズル３と、これを移動させる移動手段とからなる。…アーム６は基板Ｗから大きく離反するように旋回される。…アーム６が…最下降状態で、針状ノズル３の先端が基板Ｗの周辺部に対して所定の間隔（例えば、ｌｍｍ）をもって対向するようになっている。」と記載されている。
１．２．４　甲第４号証の記載内容
　甲第４号証の第６頁左上欄第１４行〜同頁同欄第２０行には、「２．液体溶媒ディスペンサを作動させ、溶媒を放出させる。…３．２秒後、３．５ｍｌの溶媒をウェーハの上側表面に放出させ、溶媒ディスベンスを停止させる。」と記載されている。
　甲第４号証の第６頁右上欄第２行〜同頁同欄第３行には、「ウェーハを２．６秒間４，０００ｒ．ｐ．ｍ．の速度で回転させ、溶媒の大部分をスピンオフさせる。」と記載されている。
　甲第４号証の第６頁右上欄第７行〜同頁同欄第１６行には、「７．フォトレジスト・ディスペンサを作動させ、ウェーハの液体溶媒薄膜の上に液体フォトレジストを放出させる。…フォトレジストがウェーハ表面に拡散するために５，０００ｒ．ｐ．ｍ．でウェーハを回転させ、５秒間待つ。」と記載されている。
　甲第４号証の第６頁右上欄第１７行〜同頁同欄第１９行には、「９．フォトレジストディスペンサを停止させる。これにより約３．５ｍｌのフォトレジストが放出される。」と記載されている。
１．２．５　甲第５号証の記載内容
　甲第５号証の第２頁左下欄第４行〜同頁同欄第８行には、「上記ポンプの伸縮動作を行うモータを設けたことにより、上記レジストの液量及びレジスト供給速度をその都度容易に変化させることができ、上記各被処理基板の処理条件を変更することが可能となる。」と記載されている。
　また、甲第５号証の第３頁左下欄第３行〜同頁同欄第８行には、「モータ（１４）の動作速度即ちポンプ（１２）の縮み速度に上記ウエハ（１）表面に形成する膜厚が依存するため、予め設定された膜厚から自動的に速度制御するようにしてもよいし、直接オペレーターにより動作速度を入力するように構成してもよい。」と記載されている。
１．２．６　甲第６号証の記載内容
　甲第６号証の第３頁左上欄第１行〜同頁同欄第１５行には、「吸込量、吸込速度、滴下量、滴下速度等のパラメータを数値情報として入力可能になっている。演算装置…制御するものである。」と記載されている。
２．訂正の内容について
　本件訂正請求は、本件特許第３０６９７６２号の願書に添付された明細書を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ１
　特許明細書の請求項６及び８を削除する。
訂正事項ａ２
　請求項の削除に伴い、請求項を繰り上げる。
クレーム対応表
特許時の請求項  訂正時の請求項  
　1　　　　　　　　　　　　　1  
　2  　　　　　　　　　　　　2  
　3　　　　　　　　　　　　　3  
　4　　　　　　　　　　　　　4  
　5　　　　　　　　　　　　　5  
　6　　　　　　　　　　　　　削除
　7　　　　　　　　　　　　　6  
　8　　　　　　　　　　　　　削除 
　9　　　　　　　　　　　　　7  
　10 　　　　　　　　　　　　8  
　11　　　　　　　　　　　　 9
　12  　　　　　　　　　　10  
　13 　　　　　　　　　　　 11 
　14　　　　　　　　　　　　12  
　15　　　　　　　　　　　　13  
　16　　　　　　　　　　　　14  
　17　　　　　　　　　　　　15  
　18　　　　　　　　　　　　16  
　19　　　　　　　　　　　　17  
　20　　　　　　　　　　　　18  
　21  　　　　　　　　　　　19  
　22  　　　　　　　　　　20  
　23　　　　　　　　　　　　21  
　24　　　　　　　　　　　　22  
　25  　　　　　　　　　　23  
　26　　　　　　　　　　　　24  
　27　　　　　　　　　　　　25  
　28　　　　　　　　　　　　26  
　29　　　　　　　　　　　　27  
　30　　　　　　　　　　　　28  
　31　　　　　　　　　　　　29  
　32　　　　　　　　　　　　30  
　33　　　　　　　　　　　　31  
　34　　　　　　　　　　　　32  
　35　　　　　　　　　　　　33  
　36　　　　　　　　　　　　34  
　37　　　　　　　　　　　　35  
　38  　　　　　　　　　　36  
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項1記載の、「基板を第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、「基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項2記載の、「基板を第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、「基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項3記載の、「上記溶剤が供給された基板を回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を所定回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」を、「上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項4記載の、「上記溶剤が供給された基板を回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、「上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」と訂正する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項7記載の、「請求項6記載の塗布膜形成方法において、」とあるのを、「請求項1又は2記載の塗布膜形成方法において、」と訂正する。
訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項11ないし請求項15及び請求項17記載の、「請求項10記載の塗布膜形成方法において、」を、「請求項8記載の塗布膜形成方法において、」と訂正する。
訂正事項ｈ
　特許明細書の請求項16記載の、「請求項15記載の塗布膜形成方法において」とあるのを、「請求項13記載の塗布膜形成方法において、」と訂正する。
訂正事項ｉ
　特許明細書の請求項18記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、「請求項4記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正する。
訂正事項ｊ
　特許明細書の請求項19記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、「請求項4記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正する。
訂正事項ｋ
　特許明細書の請求項20記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、「請求項4記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正する。
訂正事項ｌ
　特許明細書の請求項24記載の、「基板の一面を…とを具備する塗布膜形成装置であって、」を、「基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を、塗布液の溶剤を基板一面全体に渡って拡散させる第1の回転数と、該第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速であって、塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と吐出流量に応じて選択される第2の回転数で回転させる手段と、上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも1つの第1のノズルと、この第1のノズルに溶剤を供給する手段と、上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも1つの第2のノズルと、この第2のノズルに塗布液を供給する手段と、上記第1のノズルと第2のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、」と訂正する。
訂正事項ｍ
　特許明細書の請求項27記載の、「請求項22ないし26のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項20ないし24のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｎ
　特許明細書の請求項28ないし請求項30において、「請求項27記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項25記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｏ
　特許明細書の請求項31記載の、「請求項22ないし30のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項20ないし28のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｐ
　特許明細書の請求項32記載の、「請求項22ないし31のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項20ないし29のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｑ
　特許明細書の請求項33記載の、「請求項22ないし32のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項20ないし30いずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｒ
　特許明細書の請求項34記載の、「請求項22ないし33のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項20ないし31のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｓ
　特許明細書の請求項35記載の、「請求項22ないし34のいずれかに記載の塗布膜形成装置において」を、「請求項20ないし32のいずれかに記載の塗布膜形成装置において」と訂正する。
訂正事項ｔ
　特許明細書の請求項37記載の、「請求項36記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項34記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｕ
　特許明細書の請求項36記載の、「請求項37記載の塗布膜形成装置において」を、「請求項35記載の塗布膜形成装置において」と訂正する。
訂正事項ｖ１
　特許明細書【0008】段落の、「この発明の一態様に係わる塗布膜形成方法は」を、「この発明の一態様に係る塗布膜形成方法は」と訂正する。
訂正事項ｖ２
　特許明細書【0008】段落の、「所定量の塗布液を、…特徴とするものである。」を、「所定量の塗布液を、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し,塗布膜の量を、所定の塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定することを特徴とするものである。」と訂正する。
訂正事項ｖ３
　特許明細書【0009】段落の、「基板を第2の回転数で回転させて、」を、「基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、」と訂正する。
訂正事項ｖ４
　特許明細書【0015】段落の、「基板を第2の回転数で回転させて、」を、「基板を第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、」と訂正する。
訂正事項ｖ５
　特許明細書【0039】段落の、「このステップ3における…してもよい。」を、「このステップ3におけるウエハの回転数は、ステップ2における回転数と同じ、もしくは高くしてもよい。」と訂正する。
訂正事項ｖ６
　特許明細書【0086】段落の、「以上に説明したように、この発明によれば、…できる。」を、「以上に説明したように、この発明によれば、回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布した後、溶剤が塗布された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させ、そして基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成するので、溶剤に対する適正な配合割合の塗布液を供給することができる。したがって、塗布液の使用量が少なくて済み、かつ均一な厚さの塗布膜を形成することができる。」と訂正する。
２．２　訂正後の請求項１〜３６に係る発明
請求項1
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、
　上記溶剤が塗布された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項2
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、
　上記溶剤が塗布された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項3
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤をノズルから供給する工程と、
　上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項4
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤をノズルから供給する工程と、
　上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項5
　請求項1ないし4のいずれかに記載の塗布膜形成方法において、
　塗布液の量と、基板の回転数とは、塗布膜の膜厚変動が50オングストローム以下になるように設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項6
　請求項1又は2記載の塗布膜形成方法において、
　第1の回転数は溶剤を基板から振り切るための高速回転と、この高速回転に続く低速回転とを含むことを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項7
　請求項3又は4記載の塗布膜形成方法において、
　塗布液の基板の周縁に向かう拡散速度は、溶剤の乾燥速度と実質的に等しいことを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項8
　回転若しくは停止されている半導体ウエハの一面上にレジスト液の溶剤を供給する工程と、
　上記溶剤が供給された半導体ウエハを回転させて、溶剤を半導体ウエハの一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記半導体ウエハのほぼ中心部上に、所定の内径を有するノズルから、所定量のレジスト液を、所定時間中、半導体ウエハを1000〜6000rpmの回転数で回転させながら供給して、半導体ウエハの一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布膜形成工程におけるレジスト液の供給時間は、半導体ウエハの一面が平坦な場合よりも凹凸がある場合の方が短く設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項9
　請求項8記載の塗布膜形成方法において、
　塗布膜形成工程における半導体ウエハの回転数と、半導体ウエハの径の関係は、半導体ウエハの径が大きくなればなる程、半導体ウエハの回転数が低くなるように設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項10
　請求項8記載の塗布膜形成方法において、
　塗布膜形成工程における半導体ウエハの回転数は、半導体ウエハが6インチウエハの場合には3000〜6000rpmであり、半導体ウエハが8インチウエハの場合には2000〜4000rpmであり、そして半導体ウエハが12インチウエハの場合には1000〜3000rpmであることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項11
　請求項8記載の塗布膜形成方法において、
　ノズルの内径は、半導体ウエハが6インチウエハの場合には0.1〜2.0mmであり、半導体ウエハが8インチウエハの場合には、0.5〜2.0mmであり、そして半導体ウエハが12インチウエハの場合には0.8〜3.5mmであることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項12
　請求項8記載の塗布膜形成方法において、
　塗布膜形成工程における供給時間は、半導体ウエハが6インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には4±2sec、凹凸がある場合には3±2secであり、半導体ウエハが8インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には6±2sec、凹凸がある場合には4±2secであり、そして半導体ウエハが12インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には9±1sec、凹凸がある場合には7±1secであることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項13
　請求項8記載の塗布膜形成方法において、
塗布膜形成工程におけるレジスト液の供給量は、半導体ウエハの一面が平坦な場合よりも凹凸がある場合の方が多く設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項14
　請求項13記載の塗布膜形成方法において、
　塗布膜形成工程におけるレジスト液の供給量は、半導体ウエハが6インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には0.2〜1.0cc、凹凸がある場合には0.5〜2.0ccであり、半導体ウエハが8インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には0.5〜2.0cc、凹凸がある場合には1.0〜3.0ccであり、そして半導体ウエハが12インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には1.0〜3.0cc、凹凸がある場合には1.5〜5.0ccであることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項15
　請求項8記載の塗布膜形成方法において、
　レジスト液は、フェノールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドエステルであることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項16
　請求項4記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、
　上記後期の時間を制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項17
　請求項4記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、
　上記後期の徐々に小さくなる吐出流量の減速度を制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項18
　請求項4記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、
　上記前期と、中期と、後期との吐出時間をそれぞれ独立して制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項19
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を供給する工程と、
　上記溶剤が供給された基板を回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　回転されている基板のほぼ中心部上に、塗布液を、ノズルから供給するように、このノズルに、流量が徐々に大きくなる前期と、流量がほぼ一定となる中期と、流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的にポンプにより供給路を介して送るようにポンプを制御して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程と、上記ポンプの停止から、0.1〜1.2sec経て、上記供給路を閉塞する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記後期の吐出時間と減速度との少くとも一方を制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項20
　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも1つの第1のノズルと、
　この第1のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも1つの第2のノズルと、
　この第2のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第1のノズルと第2のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第1のノズルと第2のノズルとは、第2のノズルが内側となった二重構造をしており、第2のノズルの先端が第1のノズル内に位置していることを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項21
　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも1つの第1のノズルと、
　この第1のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも1つの第2のノズルと、
　この第2のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第1のノズルと第2のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第1のノズルと第2のノズルとは、共通の吐出口を有することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項22
　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を、塗布液の溶剤を基板一面全体に渡って拡散させる第1の回転数と、該第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速であって、塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と吐出流量に応じて選択される第2の回転数で回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも1つの第1のノズルと、
　この第1のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも1つの第2のノズルと、
　この第2のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第1のノズルと第2のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第2のノズルの先端は溶剤雰囲気中に位置していることを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項23
　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも1つの第1のノズルと、この第1のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも1つの第2のノズルと、
　この第2のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第1のノズルと第2のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第1のノズルの先端は複数に分岐されていることを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項24
　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも1つの第1のノズルと、
　この第1のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも1つの第2のノズルと、
　この第2のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第1のノズルと第2のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と, 基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第2のノズルは、垂直に延びた筒状部と、この垂直筒状部に接続された筒状部より細径の横S字状に延びた屈曲部とを有することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項25
　請求項20ないし24のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、
　ノズルを支持する手段は、第1のノズルと第2のノズルとを互いに平行に支持する噴頭と、この噴頭を水平面内で移動させる手段とを具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項26
　請求項25記載の塗布膜形成装置において、
　噴頭は、第1のノズルと第2のノズルとを、それぞれ独立して選択的に温度調整する温度調整手段を有することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項27
　請求項25記載の塗布膜形成装置において、
　噴頭は、第1のノズルと第2のノズルとを、同じ温度に温度調整する温度調整手段を有することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項28
　請求項25記載の塗布膜形成装置において、
　複数の噴頭を待機位置に保持する手段を更に具備し、また上記噴頭を移動させる手段は、待機位置にある複数の噴頭1つを選択的に支持する手段と、この噴頭の支持手段を駆動する機構とを具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項29
　請求項20ないし28のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、
　塗布液を供給する手段は、塗布液を収容した容器と、この容器を第2のノズルに連通させる連通路と、この連通路を介して容器内の塗布液を第2のノズルに送るポンプ手段とを具備し、このポンプ手段は、ベローズポンプと、このローズポンプにより塗布液が供給されるようにこのベローズポンプを伸縮するステッピングモータとを有することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項30
　請求項20ないし29のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、中に基板が収容されて処理される減圧室を有する処理容器を、更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項31
　請求項20ないし30いずれかに記載の塗布膜形成装置において、
　中に基板が収容されて処理される処理容器と、この処理容器内を飽和溶剤雰囲気にする手段とを、更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項32
　請求項20ないし31のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、
　基板を回転させる手段の側方に位置するアームによって上記基板の上方に移動可能なリンス液ノズルを更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項33
　請求項20ないし32のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、
　噴頭は、複数の第2のノズルを支持していることを特徴とする塗布膜形成装置
請求項34
　筺体と、
　上記筺体に回転可能に装着され、基板の一面を上に向けて支持する手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する第1のノズルと、上記基板の中心部に塗布液を供給する第2のノズルとを、各々が備え、筺体に着脱可能に配置された複数の噴頭と、
　上記噴頭を支持する一端部と、上記基板の外方側に位置する装着部を有する他端部とを有し、一端部と他端部とを水平面内で略クランク状に折曲した複数の接続アームと、
　これら接続アームの選択された1つの他端部を着脱可能に支持し、この支持した接続アームを、噴頭が基板上方の供給位置と、基板上方から外れた待機位置とに選択的に位置するように、接続アームの他端が基板上方から外れた状態を維持して、移動させる手段とを具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項35
　請求項34記載の塗布膜形成装置において、
　基板支持手段の他側側に位置する移動アームによって基板の上方に移動可能なリンス液ノズルを更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項36
　請求項35記載の塗布膜形成装置において、
　移動アームは、第1のノズルを支持する先端部と、リンス液ノズルを支持する途中部と、筺体に回転可能に支承された基端部とを有することを特徴とする塗布膜形成装置。
３．　訂正の適否
訂正事項ａ１
　上記訂正事項ａ１については、特許明細書の請求項６及び８を削除するものであるから、請求項の削除は特許請求の範囲の減縮にあたる。
　そして、上記訂正事項ａ１は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ａ２
　上記訂正事項ａ２については、請求項の削除に伴い、請求項を繰り上げるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　そして、上記訂正事項ａ２は、特許明細書又は図面に記載した範囲内のものであるし、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｂ〜ｅ及びｉ〜ｋ
　上記訂正事項ｂについては、特許明細書の請求項1記載の、「基板を第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、下位概念である、「基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｃについては、特許明細書の請求項2記載の、「基板を第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、下位概念である、「基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｄについては、特許明細書の請求項3記載の、「上記溶剤が供給された基板を回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を所定回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」を、下位概念である、「上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｅについては、特許明細書の請求項4記載の、「上記溶剤が供給された基板を回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周綾部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、下位概念である、「上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｉは、特許明細書の請求項18記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、下位概念である、「請求項4記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｊは、特許明細書の請求項19記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、下位概念である、「請求項4記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項ｋは、特許明細書の請求項20記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、下位概念である、「請求項4記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　また、上記訂正事項ｂ〜ｅ及びｉ〜ｋは、特許明細書の【0039】段落に、「このステップにおけるウエハの回転数は、ステップ2における回転数と同じ、もしくは高くしてもよい。」と記載され、【0054】段落に、「ウエハWを1000rpmの回転数で回転させて溶剤をウエハWに沿って周方向に拡散させた。」と記載され、【0055】段落に、「図15から分かるように、レジスト液Bの吐出時間が2.5secで、ウエハWの回転数が1000rpmのとき、レジスト液Bの吐出時間が2.0secで、ウエハWの回転数が3500rpmのとき、レジスト液Bの吐出時間が1.0secで、ウエハWの回転数が4500rpmのとき、及びレジスト液Bの吐出時間が0.7secで、ウエハWの回転数が5000rpmのとき、それぞれの滴下時間の中で最小の膜厚変動となり、いずれも50オングストローム以下であり、ウエハW上に形成されたレジスト膜の厚さが均一になる。また、この実験から、レジスト液の吐出時間に応じてウエハWの回転数を選択することにより厚さの均一な膜を形成することができることが判明した。この実験での、吐出時間並びに回転数と、吐出流量との関係を図16に示す。」と記載され、【0058】段落に、「ウェハWを1000rpmの回転数で回転させて溶剤AをウエハWに沿って周方向に拡散させた。」と記載され、【0059】段落に、「図17から分かるように、レジスト液Bの吐出時間が2.5secで、ウエハWの回転数が2000rpmのとき、レジスト液Bの吐出時間が2.0secで、ウエハWの回転数が3000rpmのとき、レジスト液Bの吐出時間が1.5secで、ウエハWの回転数が5000rpmのとき、及びレジスト液Bの吐出時間が1.0secで、ウエハWの回転数が6000rpmのときに、それぞれの滴下時間の中で最小の膜厚変動となり、いずれも50オングストローム以下であり、ウエハW上に形成されたレジスト膜の厚さが均一になる。また、この実験から、レジスト液の吐出時間に応じてウエハWの回転数を選択することにより厚さの均一な膜を形成することができることが判明した。」と記載されていることから、直接かつ一義的に導き出されるものである。
　そして、上記訂正事項ｂ〜ｅ及びｉ〜ｋは、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｆ〜ｈ及びｍ〜ｕ
　上記訂正事項ｆ〜ｈ及びｍ〜ｕは、特許明細書の請求項６及び７を削除したことに伴う従属関係を訂正したものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　そして、上記訂正事項ｆ〜ｈ及びｍ〜ｕは、特許明細書又は図面に記載した範囲内のものであるし、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｌ
　上記訂正事項ｌは、特許明細書の請求項24記載の、「基板の一面を…とを具備する塗布膜形成装置であって、」を、下位概念である、「基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を、塗布液の溶剤を基板一面全体に渡って拡散させる第1の回転数と、該第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速であって、塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と吐出流量に応じて選択される第2の回転数で回転させる手段と、上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも1つの第1のノズルと、この第1のノズルに溶剤を供給する手段と、上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも1つの第2のノズルと、この第2のノズルに塗布液を供給する手段と、上記第1のノズルと第2のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　上記訂正事項1は、特許明細書の段落番号【0017】に、「図1に示すように、上記塗布装置は、…処理容器1と、上面にウエハWを水平状態に真空によって吸着保持し、予め設定されたプログラムで回転し、回転速度を可変でき、上下動可能な機構を有する回転体例えばスピンチャック2と、このスピンチャック2を回転する手段であるモータ2a例えばパルスモータと、上記スピンチャック2の上方位置に移動可能に構成される塗布液の溶剤(溶媒)Aの供給ノズル3(第1のノズル)と塗布液であるレジスト液Bの供給ノズル4(第2のノズル)とを近接させて一体に取り付けた噴頭5と、この噴頭5を把持して噴頭待機位置とウエハ上方位置間で移動させる移動手段であるスキャン機構6とを有する。」と記載され、特許明細書の【0039】段落に、「このステップにおけるウエハの回転数は、ステップ2における回転数と同じ、もしくは高くしてもよい。」と記載され、【0054】段落に、「ウエハWを1000rpmの回転数で回転させて溶剤をウエハWに沿って周方向に拡散させた。」と記載され、【0055】段落に、「図15から分かるように、レジスト液Bの吐出時間が2.5secで、ウエハWの回転数が1000rpmのとき、レジスト液Bの吐出時間が2.0secで、ウエハWの回転数が3500rpmのとき、レジスト液Bの吐出時間が1.0secで、ウエハWの回転数が4500rpmのとき、及びレジスト液Bの吐出時間が0.7secで、ウエハWの回転数が5000rpmのとき、それぞれの滴下時間の中で最小の膜厚変動となり、いずれも50オングストローム以下であり、ウエハW上に形成されたレジスト膜の厚さが均一になる。また、この実験から、レジスト液の吐出時間に応じてウエハWの回転数を選択することにより厚さの均一な膜を形成することができることが判明した。この実験での.吐出時間並びに回転数と、吐出流量との関係を図16に示す。」と記載され、【0058】段落に「ウエハWを1000rpmの回転数で回転させて溶剤AをウエハWに沿って周方向に拡散させた。」と記載され、【0059】段落に、「図17から分かるように、レジスト液Bの吐出時間が2.5secで、ウエハWの回転数が2000rpmのとき、レジスト液Bの吐出時間が2.0secで、ウエハWの回転数が3000rpmのとき、レジスト液Bの吐出時間が1.5secで、ウエハWの回転数が5000rpmのとき、及びレジスト液Bの吐出時間が1.0secで、ウエハWの回転数が6000rpmのときに、それぞれの滴下時間の中で最小の膜厚変動となり、いずれも50オングストローム以下であり、ウエハW上に形成されたレジスト膜の厚さが均一になる。また、この実験から、レジスト液の吐出時間に応じてウエハWの回転数を選択することにより厚さの均一な膜を形成することができることが判明した。」と記載されていることから、直接かつ一義的に導き出されるものである。
　そして、上記訂正事項ｌは、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｖ１〜ｖ６
　上記訂正事項ｖ１は、明らかに誤記の訂正である。
　そして、上記訂正事項ｖ１は、特許明細書又は図面に記載した範囲内のものであるし、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
訂正事項ｖ２〜ｖ６
　上記訂正事項ｖ２〜ｖ６は、請求項の訂正に伴い、請求項の記載と発明の詳細な説明を整合させるものであるから、明りょうでない記載の釈明にあたる。
　そして、上記訂正事項ｌは、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　従って、上記訂正事項ａ１〜ｖ６は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　異議申立てに係る本件特許の請求項１〜４、１６〜１８、２２及び３２に係る発明
請求項1
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、
　上記溶剤が塗布された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項2
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、
　上記溶剤が塗布された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項3
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤をノズルから供給する工程と、
　上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項4
　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤をノズルから供給する工程と、
　上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項16
　請求項4記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、
　上記後期の時間を制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項17
　請求項4記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、
　上記後期の徐々に小さくなる吐出流量の減速度を制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項18
　請求項4記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第2の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、
　上記前期と、中期と、後期との吐出時間をそれぞれ独立して制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
請求項22
　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を、塗布液の溶剤を基板一面全体に渡って拡散させる第1の回転数と、該第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速であって、塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と吐出流量に応じて選択される第2の回転数で回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも1つの第1のノズルと、
　この第1のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも1つの第2のノズルと、
　この第2のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第1のノズルと第2のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第2のノズルの先端は溶剤雰囲気中に位置していることを特徴とする塗布膜形成装置。
請求項32
　請求項20ないし31のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、
　基板を回転させる手段の側方に位置するアームによって上記基板の上方に移動可能なリンス液ノズルを更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．３　異議申し立てに係る本件請求項１〜４、１６〜１８、２２及び３２に係る発明と甲各号証との対比、判断
４．３．１　本件請求項１〜４及び２２に係る発明と甲各号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」構成（以下、「本件請求項１の特徴的構成」という。）を有し、本件請求項２に係る発明が、「基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」構成（以下、「本件請求項２の特徴的構成」という。）を有し、本件請求項３に係る発明が、「上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に.所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」構成（以下、「本件請求項３の特徴的構成」という。）を有し、本件請求項４に係る発明が、「上記溶剤が供給された基板を第1の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速な第2の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第2の回転数で設定されている」構成（以下、「本件請求項４の特徴的構成」という。）を有し、本件請求項２２に係る発明が、「基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を、塗布液の溶剤を基板一面全体に渡って拡散させる第1の回転数と、該第1の回転数と同等又は第1の回転数より高速であって、塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と吐出流量に応じて選択される第2の回転数で回転させる手段」を有する構成（以下、「本件請求項２２の特徴的構成」という。）を有するのに対し、上記甲第１〜６号証には、いずれも上記本件請求項１〜４及び２２の特徴的構成の記載又はその記載の示唆がなく、上記本件請求項１〜４及び２２に係る発明は、当該本件請求項１〜４及び２２の特徴的構成を有することにより、「塗布液の使用量が少なくて済み、かつ均一な厚さの塗布膜を形成することができる」（特許明細書【発明の効果】）という、上記甲第１〜６号証にはない効果を有する。
　従って、本件請求項１〜４及び２２に係る発明は、上記甲第１〜６号証に基づいて容易に発明できたものではない。
４．３．２　本件請求項１６〜１８に係る発明と甲各号証との対比、判断
　本件請求項４に係る発明を引用する、本件請求項１６〜１８に係る発明は、上記４．３．２で本件請求項４に係る発明を判断したと同様に、上記甲第１〜６号証に基づいて容易に発明できたものではない。
４．３．３　本件請求項３２に係る発明と甲各号証との対比、判断
　本件請求項２２に係る発明を引用する本件請求項３２に係る発明は、上記４．３．２で本件請求項４に係る発明を判断したと同様に、上記甲第１〜６号証に基づいて容易に発明できたものではない。
　又、異議申し立てされていない請求項を引用する本件請求項３２に係る発明は、上記甲第１〜６号証に基づいて容易に発明できたとすることができない。
５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申し立ての理由によっては、本件請求項１〜４、１６〜１８、２２及び３２に係る発明の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１〜４、１６〜１８、２２及び３２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件請求項１〜４、１６〜１８、２２及び３２に係る発明の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
  よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１及び２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月３１日（２００１．１０．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ１、ｂ〜ｅ、ｉ〜ｌ、は、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ａ２、ｆ〜ｈ、ｍ〜ｖ６は、明りょうでない記載の釈明を目的とする。
訂正事項ａ１
　特許明細書の請求項６及び８を削除する。
訂正事項ａ２
　請求項の削除に伴い、請求項を繰り上げる。
クレーム対応表
特許時の請求項　　　　　訂正時の請求項
　１　　　　　　　　　　　　１
　２　　　　　　　　　　　　２
　３　　　　　　　　　　　　３
　４　　　　　　　　　　　　４
　５　　　　　　　　　　　　５
　６　　　　　　　　　　　　削除
　７　　　　　　　　　　　　６
　８　　　　　　　　　　　　削除
　９　　　　　　　　　　　　７
　１０　　　　　　　　　　　８
　１１　　　　　　　　　　　９
　１２　　　　　　　　　　　１０
　１３　　　　　　　　　　　１１
　１４　　　　　　　　　　　１２
　１５　　　　　　　　　　　１３
　１６　　　　　　　　　　　１４
　１７　　　　　　　　　　　１５
　１８　　　　　　　　　　　１６
　１９　　　　　　　　　　　１７
　２０　　　　　　　　　　　１８
　２１　　　　　　　　　　　１９
　２２　　　　　　　　　　　２０
　２３　　　　　　　　　　　２１
　２４　　　　　　　　　　　２２
　２５　　　　　　　　　　　２３
　２６　　　　　　　　　　　２４
　２７　　　　　　　　　　　２５
　２８　　　　　　　　　　　２６
　２９　　　　　　　　　　　２７
　３０　　　　　　　　　　　２８
　３１　　　　　　　　　　　２９
　３２　　　　　　　　　　　３０
　３３　　　　　　　　　　　３１
　３４　　　　　　　　　　　３２
　３５　　　　　　　　　　　３３
　３６　　　　　　　　　　　３４
　３７　　　　　　　　　　　３５
　３８　　　　　　　　　　　３６
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項１記載の、「基板を第２の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、「基板を上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第２の回転数で設定されている」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項２記載の、「基板を第２の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、「基板を上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第２の回転数で設定されている」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項３記載の、「上記溶剤が供給された基板を回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を所定回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第２の回転数で設定されている」を、「上記溶剤が供給された基板を第１の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間に応じて選択された上記基板の第２の回転数で設定されている」と訂正する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項４記載の、「上記溶剤が供給された基板を回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を第２の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じた上記基板の回転数で設定されている」を、「上記溶剤が供給された基板を第１の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で所定時間回転させて、基板の周縁部に向かって拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、上記塗布液の量は、所定の塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第２の回転数で設定されている」と訂正する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項７記載の、「請求項６記載の塗布膜形成方法において、」とあるのを、「請求項１又は２記載の塗布膜形成方法において、」と訂正する。
訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項１１ないし請求項１５及び請求項１７記載の、「請求項１０記載の塗布膜形成方法において、」を、「請求項８記載の塗布膜形成方法において、」と訂正する。
訂正事項ｈ
　特許明細書の請求項１６記載の、「請求項１５記載の塗布膜形成方法において」とあるのを、「請求項１３記載の塗布膜形成方法において、」と訂正する。
訂正事項ｉ
　特許明細書の請求項１８記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、「請求項４記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第２の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正する。
訂正事項ｊ
　特許明細書の請求項１９記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、「請求項４記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第２の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正する。
訂正事項ｋ
　特許明細書の請求項２０記載の、「回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、…とを有する塗布膜形成方法であって、」を、「請求項４記載の塗布膜形成方法において、上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を第２の回転数で回転させながらノズルから、吐出流量が徐々に大きくなる前期と、吐出流量がほぼ一定となる中期と、吐出流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的に供給して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し、」と訂正する。
訂正事項ｌ
　特許明細書の請求項２４記載の、「基板の一面を…とを具備する塗布膜形成装置であって、」を、「基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を、塗布液の溶剤を基板一面全体に渡って拡散させる第１の回転数と、該第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速であって、塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と吐出流量に応じて選択される第２の回転数で回転させる手段と、上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも１つの第１のノズルと、この第１のノズルに溶剤を供給する手段と、上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも１つの第２のノズルと、この第２のノズルに塗布液を供給する手段と、上記第１のノズルと第２のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、」と訂正する。
訂正事項ｍ
　特許明細書の請求項２７記載の、「請求項２２ないし２６のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項２０ないし２４のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｎ
　特許明細書の請求項２８ないし請求項３０において、「請求項２７記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項２５記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｏ
　特許明細書の請求項３１記載の、「請求項２２ないし３０のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項２０ないし２８のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｐ
　特許明細書の請求項３２記載の、「請求項２２ないし３１のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項２０ないし２９のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｑ
　特許明細書の請求項３３記載の、「請求項２２ないし３２のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項２０ないし３０いずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｒ
　特許明細書の請求項３４記載の、「請求項２２ないし３３のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項２０ないし３１のいずれかに記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｓ
　特許明細書の請求項３５記載の、「請求項２２ないし３４のいずれかに記載の塗布膜形成装置において」を、「請求項２０ないし３２のいずれかに記載の塗布膜形成装置において」と訂正する。
訂正事項ｔ
　特許明細書の請求項３７記載の、「請求項３６記載の塗布膜形成装置において、」を、「請求項３４記載の塗布膜形成装置において、」と訂正する。
訂正事項ｕ
　特許明細書の請求項３６記載の、「請求項３７記載の塗布膜形成装置において」を、「請求項３５記載の塗布膜形成装置において」と訂正する。
訂正事項ｖ１
　特許明細書【０００８】段落の、「この発明の一態様に係わる塗布膜形成方法は」を、「この発明の一態様に係る塗布膜形成方法は」と訂正する。
訂正事項ｖ２
　特許明細書【０００８】段落の、「所定量の塗布液を、特徴とするものである。」を、「所定量の塗布液を、基板を上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有し，塗布膜の量を、所定の塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と塗布液の吐出流量に応じて選択された上記基板の第２の回転数で設定することを特徴とするものである。」と訂正する。
訂正事項ｖ３
　特許明細書【０００９】段落の、「基板を第２の回転数で回転させて、」を、「基板を上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で回転させて、」と訂正する。
訂正事項ｖ４
　特許明細書【００１５】段落の、「基板を第２の回転数で回転させて、」を、「基板を第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で回転させて、」と訂正する。
訂正事項ｖ５
　特許明細書【００３９】段落の、「このステップ３における…してもよい。」を、「このステップ３におけるウエハの回転数は、ステップ２における回転数と同じ、もしくは高くしてもよい。」と訂正する。
訂正事項ｖ６
　特許明細書【００８６】段落の、「以上に説明したように、この発明によれば、…できる。」を、「以上に説明したように、この発明によれば、回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布した後、溶剤が塗布された基板を第１の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させ、そして基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で回転させて、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成するので、溶剤に対する適正な配合割合の塗布液を供給することができる。したがって、塗布液の使用量が少なくて済み、かつ均一な厚さの塗布膜を形成することができる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
塗布膜形成方法及びその装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、
　上記溶剤が塗布された基板を第１の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を
上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な
　上記塗布液の量は、
所定の
て選択され
第２の
　【請求項２】　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布する工程と、
　上記溶剤が塗布された基板を第１の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を
上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な
　上記塗布液の量は、
所定の
て選択され
第２の
　【請求項３】　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤をノズルから供給する工程と、
　上記溶剤が供給された基板を
第１の回転数で
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を
上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の
　上記塗布液の量は、
所定の
て選択され
第２の
　【請求項４】　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤をノズルから供給する工程と、
　上記溶剤が供給された基板を
第１の回転数で
　上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液をノズルから供給し、基板を
上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の
　上記塗布液の量は、
所定の
て選択され
第２の
　【請求項５】　請求項１ないし４のいずれかに記載の塗布膜形成方法において、
　塗布液の量と、基板の回転数とは、塗布膜の膜厚変動が５０オングストローム以下になるように設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項６】　請求項
１又は２
　第１の回転数は溶剤を基板から振り切るための高速回転と、この高速回転に続く低速回転とを含むことを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項７】　請求項３又は４記載の塗布膜形成方法において、
　塗布液の基板の周縁に向かう拡散速度は、溶剤の乾燥速度と実質的に等しいことを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項８】　回転若しくは停止されている半導体ウエハの一面上にレジスト液の溶剤を供給する工程と、
　上記溶剤が供給された半導体ウエハを回転させて、溶剤を半導体ウエハの一面全体に渡って拡散させる工程と、
　上記半導体ウエハのほぼ中心部上に、所定の内径を有するノズルから、所定量のレジスト液を、所定時間中、半導体ウエハを１０００〜６０００ｒｐｍの回転数で回転させながら供給して、半導体ウエハの一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記塗布膜形成工程におけるレジスト液の供給時間は、半導体ウエハの一面が平坦な場合よりも凹凸がある場合の方が短く設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項９】　請求項
８
　塗布膜形成工程における半導体ウエハの回転数と、半導体ウエハの径の関係は、半導体ウエハの径が大きくなればなる程、半導体ウエハの回転数が低くなるように設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１０】　請求項
８
　塗布膜形成工程における半導体ウエハの回転数は、半導体ウエハが６インチウエハの場合には３０００〜６０００ｒｐｍであり、半導体ウエハが８インチウエハの場合には２０００〜４０００ｒｐｍであり、そして半導体ウエハが１２インチウエハの場合には１０００〜３０００ｒｐｍであることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１１】　請求項
８
　ノズルの内径は、半導体ウエハが６インチウエハの場合には０．１〜２．０ｍｍであり、半導体ウエハが８インチウエハの場合には、０．５〜２．０ｍｍであり、そして半導体ウエハが１２インチウエハの場合には０．８〜３．５ｍｍであることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１２】　請求項
８
　塗布膜形成工程における供給時間は、半導体ウエハが６インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には４±２ｓｅｃ、凹凸がある場合には３±２ｓｅｃであり、半導体ウエハが８インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には６±２ｓｅｃ、凹凸がある場合には４±２ｓｅｃであり、そして半導体ウエハが１２インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には９±１ｓｅｃ、凹凸がある場合には７±１ｓｅｃであることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１３】　請求項
８
　塗布膜形成工程におけるレジスト液の供給量は、半導体ウエハの一面が平坦な場合よりも凹凸がある場合の方が多く設定されていることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１４】　請求項
１３
　塗布膜形成工程におけるレジスト液の供給量は、半導体ウエハが６インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には０．２〜１．０ｃｃ、凹凸がある場合には０．５〜２．０ｃｃであり、半導体ウエハが８インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には０．５〜２．０ｃｃ、凹凸がある場合には１．０〜３．０ｃｃであり、そして半導体ウエハが１２インチウエハの場合で、半導体ウエハの一面が平坦な場合には１．０〜３．０ｃｃ、凹凸がある場合には１．５〜５．０ｃｃであることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１５】　請求項
８
　レジスト液は、フェノールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドエステルであることを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１６】　
請求項４記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を
第２の回転数で
前期
し
　上記後期の時間を制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１７】　
請求項４記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を
第２の回転数で
し
　上記後期の徐々に小さくなる吐出流量の減速度を制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１８】　
請求項４記載の塗布膜形成方法において、
　上記基板のほぼ中心部上に、塗布液を、基板を
第２の回転数で
し
　上記前期と、中期と、後期との吐出時間をそれぞれ独立して制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項１９】　回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を供給する工程と、
　上記溶剤が供給された基板を回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる工程と、
　回転されている基板のほぼ中心部上に、塗布液を、ノズルから供給するように、このノズルに、流量が徐々に大きくなる前期と、流量がほぼ一定となる中期と、流量が徐々に小さくなる後期とに渡って連続的にポンプにより供給路を介して送るようにポンプを制御して、基板の一面全体に渡って拡散させて塗布膜を形成する工程と、上記ポンプの停止から、０．１〜１．２ｓｅｃ経て、上記供給路を閉塞する工程とを有する塗布膜形成方法であって、
　上記後期の吐出時間と減速度との少くとも一方を制御することを特徴とする塗布膜形成方法。
　【請求項２０】　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも１つの第１のノズルと、
　この第１のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも１つの第２のノズルと、
　この第２のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第１のノズルと第２のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第１のノズルと第２のノズルとは、第２のノズルが内側となった二重構造をしており、第２のノズルの先端が第１のノズル内に位置していることを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２１】　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも１つの第１のノズルと、
　この第１のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも１つの第２のノズルと、
　この第２のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第１のノズルと第２のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第１のノズルと第２のノズルとは、共通の吐出口を有することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２２】　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を
、塗布液の溶剤を基板一面全体に渡って拡散させる第１の回転数と、該第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速であって、塗布液の供給時間又は塗布液の供給時間と吐出流量に応じて選択される第２の回転数で
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも１つの第１のノズルと、
　この第１のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも１つの第２のノズルと、
　この第２のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第１のノズルと第２のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第２のノズルの先端は溶剤雰囲気中に位置していることを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２３】　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも１つの第１のノズルと、
　この第１のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも１つの第２のノズルと、
　この第２のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第１のノズルと第２のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第１のノズルの先端は複数に分岐されていることを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２４】　基板の一面を上に向けて支持すると共に、基板の一面に垂直な軸を中心として基板を回転させる手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する少くとも１つの第１のノズルと、
　この第１のノズルに溶剤を供給する手段と、
　上記基板の中心部に塗布液を滴下する少なくとも１つの第２のノズルと、
　この第２のノズルに塗布液を供給する手段と、
　上記第１のノズルと第２のノズルとの少なくとも一方を支持し、支持したノズルを基板上方の滴下位置と、基板上方から外れた待機位置との間移動可能なように支持する手段とを具備する塗布膜形成装置であって、
　上記第２のノズルは、垂直に延びた筒状部と、この垂直筒状部に接続された筒状部より細径の横Ｓ字状に延びた屈曲部とを有することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２５】　請求項
２０
２４
　ノズルを支持する手段は、第１のノズルと第２のノズルとを互いに平行に支持する噴頭と、この噴頭を水平面内で移動させる手段とを具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２６】　請求項
２５
　噴頭は、第１のノズルと第２のノズルとを、それぞれ独立して選択的に温度調整する温度調整手段を有することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２７】　請求項
２５
噴頭は、第１のノズルと第２のノズルとを、同じ温度に温度調整する温度調整手段を有することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２８】　請求項
２５
　複数の噴頭を待機位置に保持する手段を更に具備し、また上記噴頭を移動させる手段は、待機位置にある複数の噴頭１つを選択的に支持する手段と、この噴頭の支持手段を駆動する機構とを具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項２９】　請求項
２０
２８
　塗布液を供給する手段は、塗布液を収容した容器と、この容器を第２のノズルに連通させる連通路と、この連通路を介して容器内の塗布液を第２のノズルに送るポンプ手段とを具備し、このポンプ手段は、ベローズポンプと、このローズポンプにより塗布液が供給されるようにこのベローズポンプを伸縮するステッピングモータとを有することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項３０】　請求項
２０
２９
　中に基板が収容されて処理される減圧室を有する処理容器を、更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項３１】　請求項
２０
３０
　中に基板が収容されて処理される処理容器と、この処理容器内を飽和溶剤雰囲気にする手段とを、更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項３２】　請求項
２０
３１
　基板を回転させる手段の側方に位置するアームによって上記基板の上方に移動可能なリンス液ノズルを更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項３３】　請求項
２０
３２
　噴頭は、複数の第２のノズルを支持していることを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項３４】　筐体と、
　上記筐体に回転可能に装着され、基板の一面を上に向けて支持する手段と、
　上記基板に塗布液の溶剤を供給する第１のノズルと、上記基板の中心部に塗布液を供給する第２のノズルとを、各々が備え、筐体に着脱可能に配置された複数の噴頭と、
　上記噴頭を支持する一端部と、上記基板の外方側に位置する装着部を有する他端部とを有し、一端部と他端部とを水平面内で略クランク状に折曲した複数の接続アームと、
　これら接続アームの選択された１つの他端部を着脱可能に支持し、この支持した接続アームを、噴頭が基板上方の供給位置と、基板上方から外れた待機位置とに選択的に位置するように、接続アームの他端が基板上方から外れた状態を維持して、移動させる手段とを具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項３５】　請求項
３４
　基板支持手段の他側側に位置する移動アームによって基板の上方に移動可能なリンス液ノズルを更に具備することを特徴とする塗布膜形成装置。
　【請求項３６】　請求項
３５
　移動アームは、第１のノズルを支持する先端部と、リンス液ノズルを支持する途中部と、筐体に回転可能に支承された基端部とを有することを特徴とする塗布膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　この発明は、例えばレジスト膜のような溶剤による液状塗布膜を、半導体ウエハのような塗布体（基板）上やこの上に形成された層の上に形成するための塗布膜形成方法及びその装置に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　周知のように、半導体技術の分野では、半導体ウエハの上に形成された半導体層、絶縁体層、電極層を選択的に所定のパターンにエッチングする場合に、パターン部のマスキングとして層の表面にレジスト膜を形成することが行われている。
　【０００３】
　例えば、レジスト膜の形成方法として、半導体ウエハ（以下にウエハという）を上に載置固定した状態で載置台を回転させ、例えば、このウエハ上面の中心部に溶剤と感光性樹脂とからなるレジスト液を滴下し、そのレジスト液をウエハの回転力と遠心力とによりウエハ中心部から周縁部に向けて渦巻状に拡散させて塗布する方法が知られている。
　【０００４】
　この方法においては、レジスト液がウエハの中心位置から周縁部に向けて拡散していく過程において、レジスト液中の溶剤が蒸発する。このために拡散する方向でレジスト液の粘度が異なり、中心部と周辺部とでは形成されたレジスト膜の厚さが異なる。また、ウエハは、中心位置よりも外周部で周速がはるかに増加するので、飛散する量も多い。すなわち、均一な塗布に限界があった。
　【０００５】
　このため、従来では、例えば、特開昭５７−４３４２２号公報や特開昭５９−１４１２２０号公報に記載されているように、レジスト液の温度調整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する方法や、特開昭６１−９１６５５号公報及び特開昭６１−１５０３３２号公報に記載されているように、レジスト液塗布前にレジスト液の溶剤をウエハ表面にて滴下する方法が提案されている。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、前者すなわちレジスト液の温度調整あるいはレジスト膜形成雰囲気中にレジスト液に使用されているのと同じ溶剤を充満させてレジスト液中の溶剤の蒸発を抑制する方法では、レジスト液の使用量が多く、例えば、レジスト液の塗布量の、１〜２％しか実際のレジスト膜の形成に寄与していない。例えば、１μｍの厚さのレジスト膜を形成する場合には８インチウエハで４〜８ｃｃのレジスト液を必要としている。また、後者すなわちレジスト液塗布前にレジスト液の溶剤をウエハ表面にて滴下する方法でも、均一な塗布が困難で上記問題を充分に解決することはできない。
　【０００７】
　この発明は上記事情に鑑みなされたもので、レジスト液等の塗布液の使用量が少なくて済み、かつ均一な厚さの塗布膜を形成することの可能な方法及び装置を提供することを目的とするものである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するための、この発明の一態様に
係る
上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な
所定の
て選択された
第２の
　【０００９】
　また、この発明の一態様に係る塗布膜形成装置は、回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布（供給）する手段と、上記溶剤が塗布された基板を第１の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させる手段と、上記基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を滴下（供給）する手段と、基板を
上記第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な
　【００１０】
　また、この発明の別の態様に係る塗布膜形成装置は、筐体と、上記筐体に回転可能に装着され、基板の一面を上に向けて支持する手段と、上記基板に塗布液の溶剤を供給する第１のノズルと、上記基板の中心部に塗布液を供給する第２のノズルとを、各々が備え、筐体に着脱可能に配置された複数の噴頭と、上記噴頭を支持する一端部と、上記基板の外方側に位置する装着部を有する他端部とを有し、一端部と他端部とを水平面内で略クランク状に折曲した複数の接続アームと、これら接続アームの選択された１つの他端部を着脱可能に支持し、この支持した接続アームを、噴頭が基板上方の供給位置と、基板上方から外れた待機位置とに選択的に位置するように、接続アームの他端が基板上方から外れた状態を維持して、移動させる手段とを具備することを特徴とする。
　【００１１】
　この発明において、上記基板とは、これら単独はもとより、この上に他の材質の層、例えば半導体層などが形成されている半導体ウエハや液晶基板の場合には、この層をも含めた概念である。したがって、溶剤が塗布された基板（半導体ウエハ，液晶基板）とは、基板に直接塗布された溶剤はもとより、基板上に形成された層に塗布された溶剤をも意味する。すなわち、塗布液が形成される表面を有する基体をいう。したがって、円板状、方形状、フィルム状などを問わないものである。
　【００１２】
　また、この発明において、塗布液とは、この分野で通常使用されているように、溶媒によって液状になっているものをも意味する。例えば、レジスト（感光剤）液，磁性液などをいう。
　【００１３】
　また、この発明において、基板として例えば半導体ウエハの寸法と、これの塗布液のと塗布時の回転数と、塗布液のノズル（第２のノズル）の内径と、塗布液の供給時間と、供給量とは、以下のように設定することが望ましいが、必しもこれに限定されるものではない。
　【００１４】
６インチウエハの場合
　回転数：３０００〜６０００ｒｐｍ
　ノズルの内径：０．１〜２．０ｍｍ
　供給時間
　　平坦なウエハ：４±２ｓｅｃ
　　凹凸のあるウエハ：３±２ｓｅｃ
　供給量
　　平坦なウエハ：０．２〜１．０ｃｃ
　　凹凸のあるウエハ：０．５〜２．０ｃｃ
８インチウエハの場合
　回転数：２０００〜４０００ｒｐｍ
　ノズルの内径：０．５〜２．０ｍｍ
　供給時間
　　平坦なウエハ：６±２ｓｅｃ
　　凹凸のあるウエハ：４±２ｓｅｃ
　供給量
　　平坦なウエハ：０．５〜２．０ｃｃ
　　凹凸のあるウエハ：１．０〜３．０ｃｃ
１２インチウエハの場合
　回転数：１０００〜３０００ｒｐｍ
　ノズルの内径：０．８〜３．５ｍｍ
　供給時間
　　平坦なウエハ：９±１ｓｅｃ
　　凹凸のあるウエハ：７±２ｓｅｃ
　供給量
　　平坦なウエハ：１．０〜３．０ｃｃ
　　凹凸のあるウエハ：１．５〜５．０ｃｃ
　液晶基板（ＬＣＤ基板）の場合
　　回転数：５００〜２０００ｒｐｍ
　　ノズルの内径：０．８〜５．０ｍｍ
　　供給時間：１２±４ｓｅｃ
　　供給量：２．０〜９．０ｃｃ
　【００１５】
　【作用】
　上記技術的手段によるこの発明によれば、回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布した後、溶剤が塗布された基板を第１の回転数で回転させて、溶剤を基板の一面全体に渡って拡散させ、そして基板のほぼ中心部上に、所定量の塗布液を、基板を
第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な
　【００１６】
　【実施例】
　以下にこの発明の実施例を添付図面に基いて詳細に説明する。
　ここでは、この発明に係る塗布膜成形方法及び塗布膜形成装置（以下に塗布装置と称する）を半導体ウエハのレジスト膜の形成方法及び形成装置に適用した場合について説明する。
　【００１７】
　図１に示すように、上記塗布装置は、被塗布体である円板状の基板、例えば半導体ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する処理容器１と、上面にウエハＷを水平状態に真空によって吸着保持し、予め設定されたプログラムで回転し、回転速度を可変でき、上下動可能な機構を有する回転体例えばスピンチャック２と、このスピンチャック２を回転する手段であるモータ２ａ例えばパルスモータと、上記スピンチャック２の上方位置に移動可能に構成される塗布液の溶剤（溶媒）Ａの供給ノズル３（第１のノズル）と塗布液であるレジスト液Ｂの供給ノズル４（第２のノズル）とを近接させて一体に取り付けた噴頭５と、この噴頭５を把持して噴頭待機位置とウエハ上方位置間で移動させる移動手段であるスキャン機構６とを有する。ノズル３，４からの溶剤供給路及びレジスト液供給路のそれぞれには、中を流れる溶剤Ａ及びレジスト液Ｂを予め設定された温度に設定するための温度調整機構１０が設けられている。
　【００１８】
　上記溶剤供給ノズル３は溶剤供給路である溶剤供給チューブ７と開閉バルブ７ａを介して溶剤タンク７ｂに接続されており、溶剤タンク７ｂ内に供給される窒素（Ｎ２）ガスの加圧を制御することによって溶剤タンク７ｂ内の溶剤ＡがウエハＷ上に所定時間中所定量の溶剤Ａの供給が可能となっている。
　【００１９】
　レジスト液供給ノズル４は、レジスト液供給路であるレジスト液供給チューブ８を介してレジスト液タンク８ｂに連通されている。このチューブ８には、サックバックバルブ８ｃ、エアーオペレーションバルブ８ｄ、レジスト液Ｂ中の気泡を分離除去するための気泡除去機構８ｅ、フィルタ８ｆ及びベローズポンプ８ｇが順次設けられている。このベローズポンプ８ｇは、駆動部により制御された状態で伸縮可能となっており、所定量のレジスト液をノズル４を介してウエハＷの中心部に供給例えば滴下可能となっている。従来のレジスト液の供給量より少量のレジスト液の供給量制御を可能としている。この駆動部は、一端がベローズポンプの一端に吸着されたねじと、このねじに螺合されるナットとからなるボールネジ８ｋと、このナットを回転させることによりねじを直線動させるステッピングモータ８ｈとにより構成されている。レジスト液供給ノズル４の口径は、具体的には、６インチのウエハ用の場合には、内径が０．１〜２．０ｍｍ、好ましくは１．０ｍｍに、８インチのウエハの場合には、内径が０．５〜２．０ｍｍ、好ましくは１．５ｍｍに、そして１２インチのウエハの場合には内径が０．８〜３．５ｍｍ、好ましくは２．０ｍｍに設定されている。このように、ノズルの径をウエハの寸法に応じて設定することか望ましいが、０．１〜３．５ｍｍの範囲で任意に設定されて
い
　【００２０】
　上記のように構成されるレジスト液供給系において、レジスト液の吐出時間はベローズポンプ８ｇのステッピングモータ８ｈの駆動時間によって制御（制御精度：±２ｍｓｅｃ）されるようになっている。また、レジスト液の吐出量はベローズポンプ８ｇの駆動動作、例えば駆動時間並びに駆動速度と、レジスト液供給路を開閉するためのエアーオペレーションバルブ８ｄの開閉動作（ＯＮ−ＯＦＦ動作）によって設定されるようになっている。例えば、図３に示すように、ベローズポンプ８ｇの吐出工程を徐々に流量が増していく、駆動立ち上がり時間（吐出開始後の初期の期間：前期）のＴＤ１と、流量が一定の駆動時間（吐出中間時の期間：中期）であるＴＤ２と、流量が徐々に減っていく駆動立ち下がり時間（吐出後期の終了前の期間：後期）のＴＤ３とに分けて、それぞれを単独もしくは組み合わせて制御することによってレジスト液の時々刻々の吐出量を正確にかつ吐出時間をも必要に応じて正確に制御できるように構成されている。この図３で横軸は時間（ｓｅｃ）を示し、縦軸はレジスト液のノズル４からの吐出流量（これはベローズポンプの駆動時間と比例する）並びにエアーオペレーションバルブの動作タイミングを示す。
　【００２１】
　更に、ステッピングモータ８ｈの回転速度のみを制御変更することにより、ベローズポンプ８ｇの縮小動作を可変できるため、上記ＴＤ１，ＴＤ２，ＴＤ３期間中、各々、吐出流量を制御するようにしてもよい。例えば、ＴＤ１期間中は、ステッピングモータ８ｈの回転速度を漸次増速して吐出流量を漸次増加させ、ＴＤ２期間中は一定速度にして一定吐出量に、ＴＤ３期間中は漸次減速して吐出流量を漸次減少させるように、自動的に制御してもよい。
　【００２２】
　また、図３に示すように、ベローズポンプ８ｇの吐出工程に合わせてエアーオペレーションバルブ８ｄをＯＮ動作させると共に、ベローズポンプ８ｇの吐出工程終了後、一定時間Ｔ（例えば０．１ｓｅｃ〜１．２ｓｅｃ）の間エアーオペレーションバルブ８ｄをＯＮ動作させている。すなわち、エアーオペレーションバルブ８ｄを延長時間を持たせてＯＦＦするような遅延動作をさせることによって、ベローズポンプ８ｇからレジスト供給ノズル４ａに至る配管内のレジスト液に作用する圧力を無くして残圧０の状態にて、ＯＦＦ動作させるため、ＯＦＦ動作後の次の工程のレジスト液の吐出の不安定さを解消することが可能となり、レジスト液Ｂの吐出量を常時正確にすることができる。上記ベローズポンプ８ｇの駆動時間（ＴＤ１，ＴＤ２，ＴＤ３）の設定及びエアーオペレーションバルブ８ｄのＯＮ−ＯＦＦ動作は、予め設定されたプログラムに基いてコンピュータの作用で自動的に制御される。
　【００２３】
　上記ベローズポンプ８ｇの駆動時間（ＴＤ１，ＴＤ２，ＴＤ３）の設定において重要なことは、レジスト液の吐出流量を予め定められた吐出総量の内、予め定められた量を吐出させた（ＴＤ２）後に、残りの吐出すべき量を流量を絞り込むようになだらかに供給すること（ＴＤ３）、換言すれば、ＴＤ３期間中、時間の経過に従って吐出流量を漸次減少させながら供給することによって、被処理体の外周部においてレジスト膜厚が薄くなるという問題点を解決することができるように構成されていることである。
　【００２４】
　レジスト液の吐出時間の制御はレジスト液供給ノズル４に設けた可変オリフィス（図示せず）の開閉動作によって行うことも可能である。また、ベローズポンプ８ｇを用いずにレジスト液タンク８ｂへのＮ２ガスの加圧によってレジスト液Ｂの供給を行うことも可能であり、この場合のレジスト液Ｂの吐出時間制御はＮ２ガスの加圧量の調整によって行うことができる。
　【００２５】
　上記実施例の方式によれば、レジスト液の消費量を低減できることによって、処理容器内部の汚れが減り、カップ洗浄の効率化を図ることができると共に、カップ内のパーティクルの低減をも図ることができ、ひいては被塗布体に付着するミストの低減を図ることができる。また、本発明者が本方式を実験したところ、レジスト液の消費量が１日あたり例えば１／４に減少することが確認されている。
　【００２６】
　また、上記ベローズポンプの駆動時間（ＴＤ１，ＴＤ２，ＴＤ３）の設定及びエアーオペレーションバルブのＯＮ−ＯＦＦ動作の設定は、予め設定されるプログラムによりコンピュータの作用で自動的に制御されるが、それぞれを独立して任意に修正変更することも可能であり、また、任意に修正変更することはＴＤ２に限定して新たにシーケンサーを追加してもよい。
　【００２７】
　上記レジスト液供給系に設けられたサックバックバルブ８ｃは、レジスト液供給ノズル４からのレジスト液吐出後、レジスト液供給ノズル４先端内壁部に表面張力によって残留しているレジスト液Ｂをレジスト液供給ノズル４内に引き戻すためのバルブであり、これにより、残留レジスト液の固化を阻止するためのものである。この場合、少量のレジスト液Ｂを吐出するレジスト液供給ノズル４において、通常通りサックバックバルブ８ｃの負圧作用によってレジスト液をレジスト液供給ノズル４内に引き戻すと、ノズル４先端付近の空気も一緒にノズル４内に巻き込まれてしまい、ノズル４先端に付着したレジスト液Ｂの残滓がノズル４内に入り、ノズル４の目詰まりを起こすばかりか、乾燥したレジストがパーティクルとなりウエハＷが汚染されると共に、歩留まりの低下をきたすという虞れがある。
　【００２８】
　この問題を解決するために、図４（ａ）に示すように、レジスト液供給ノズル４のノズル孔４ａに比較して、開口部近くの部分の肉厚４ｂを厚くしている、すなわち、このノズル４は、筒状の先端部と、この筒状の先端部に続く、逆円錐台形部とを有する。代わって、図４（ｂ）に示すように、レジスト液供給ノズル４の筒状の先端部又は開口部に外フランジ４ｃを設けることにより、サックバックの際にノズル４先端付近の空気の巻き込みを防止することができる。また、図４（ｃ）に示すように、レジスト液供給ノズル４の垂直に延びた円筒状の先端に横Ｓ字状に延びた細径の屈曲部４ｄを形成し、この屈曲部４ｄの中央付近までサックバックを行うことにより、同様にノズル先端部の空気の巻き込みを防止することができる。
　【００２９】
　上記温度調整機構１０は、図５に示すように、溶剤供給チューブ７及びレジスト供給チューブ８の外周をそれぞれ包囲するように設けられる温度調整液供給路１１と、この温度調整液供給路１１の両側の端部に両端がそれぞれ接続された循環路１２と、循環路１２のそれぞれに設けられた循環ポンプ１３と、循環路１２の途中に接続された温度調整液Ｃ（例えば恒温水）を一定温度に維持するサーモモジュール１４とにより構成されている。このように構成された温度調整機構１０により、溶剤供給チューブ７内を流れる溶剤Ａとレジスト供給チューブ８内を流れるレジスト液Ｂを所定温度（例えば、約２３℃）に維持することができる。
　【００３０】
　図５上では、溶剤供給ノズル３と溶剤供給チューブ７とが、また、レジスト液供給ノズル４とレジスト液供給チューブ８とが、それぞれ一体に形成されているが、図６を参照して以下に詳述するように、別体として形成することも好ましい。
　【００３１】
　上記噴頭５は例えばステンレス鋼あるいはアルミニウム合金製部材にて形成されている。この噴頭５の上面には迂回通路１５の一部をなすＵ字状の孔がそれぞれ形成され、この孔の底部には噴頭５の下面まで延出した垂直貫通孔５ａが形成されている。各貫通孔５ａは、下方に向かうに従って大径となる傾斜中部５ｂと、大径の下部５ｃとを有し、この下部５ｃの内周面には雌ねじが形成されている。このような構成の噴頭５に、ノズル３、４を装着する場合には、貫通孔５ａ中に、円筒状のノズル３、４をそれぞれ上部並びに下部が延出するように貫挿し、ノズル３、４が貫通可能な垂直貫通孔を有するほぼ円錐形の合成樹脂でできたシール部材１６を傾斜中部５ｂに詰め、ノズル３、４が貫通可能な垂直貫通孔を有する取付けねじ部材１７をねじ付け下部５ｃ中に捩入することにより、シール部材１６を中部５ｂの傾斜内周面に押圧させている。このようにして、ノズル３、４は噴頭５に液密に装着されている。この場合、傾斜中部５ｂの上面とシール部材１６との上面との間に図示のようにＯリング１８を介在させることにより、迂回通路１５とノズル３、４との間の水密維持を更に確実にすることができる。
　【００３２】
　上記噴頭５の一側の上面には保持ピン１９が突設されており、この保持ピン１９を把持するスキャンアーム６ａがスキャン機構６によってＸ，Ｙ（水平）及びＺ（垂直）方向に移動することにより、噴頭５すなわち溶剤供給ノズル３及びレジスト液供給ノズル４がウエハＷの中心部上方の作動位置とノズル待機部２０上方の待機位置との間に選択的に移動されるようになっている。なおこの場合、レジスト液の種類に応じて４種類の噴頭５が配設されている（図２参照）。すなわち、ノズル待機部２０には、４つの噴頭５が準備されており、これらの噴頭５のレジスト液供給ノズル４は、それぞれ別のレジスト液が入ったタンクに連通されている。この場合、各噴頭５にはレジスト液供給ノズル４のみを設けておき、溶剤供給ノズル３はスキャンアーム６ａの先端に予め取着しておいて全ての噴頭５に対して共通に使用できるようにしてもよい。また、この場合には、溶剤供給ノズル３を複数個、例えば直線状に配管して、ウエハの径方向に沿って一度に複数箇所から溶剤を供給するようにしてもよい。この場合、異なる吐出径のノズルを備え、吐出流量の大小や吐出流量の変化に対応させて、各ノズルからの吐出を任意に制御するようにしてもよい。
　【００３３】
　上記処理容器１は、図１に示すように、スピンチャック２にて保持されるウエハＷの周囲を覆う円筒状の外容器１ａと、ウエハＷの下面付近に位置する水平片１ｂと筒状壁１ｃとを有する環状の内容器１ｄとで構成されている。そして、外容器１ａの底部には排気口１ｅと排液口１ｆが設けられており、排気口１ｅには図示しない真空ポンプ等の吸引手段を介設する排気管２１が接続され、排液口１ｆには排液管２２が接続されている。
　【００３４】
　上記スピンチャック２に関してノズル待機位置と対向する側には、図２に示すように、リンス液供給ノズル２３の待機部２４Ａが設けられている。また、このリンスノズル待機部２４Ａに待機するリンス液供給ノズル２３は、レジスト液供給ノズル４と同様にスキャンアーム６ａによって把持されて、ウエハＷの外周部にリンス液を供給するように構成されている。
　【００３５】
　上記のように構成される塗布装置によるレジスト膜の形成手順を、８インチウエハの場合を例えとして図７のフローチャートを参照して説明する。
　【００３６】
　例えば図示しないウエハ支持アームに中心出し構造を設け、この手段によりウエハキャリアより１枚搬出され位置合せされたウエハＷを、図示しない搬送アームによって静止したスピンチャック２上に移動させ、ウエハＷを真空吸着によってスピンチャック２が保持しウエハＷを支持する（予備位置合わせ）。この静止状態において、回転させずに静止状態（０ｒｐｍ）に、又は、スピンチャック２の回転駆動によりウエハＷを処理時の定常回転（１５００ｒｐｍから３５００ｒｐｍ程度の範囲の例えば回転数：２５００ｒｐｍ）より低速に（５００から１５００ｒｐｍ程度の範囲例えば回転数：１０００ｒｐｍ）、１から３秒（ｓｅｃ）程度例えば２．０ｓｅｃで回転させる（ステップ１）。この回転中に、若しくは回転前に、スキャン機構６によってスキャンアーム６ａに把持されてウエハＷの中心部上方に移動させられた噴頭５の溶剤供給ノズル３からウエハ表面に塗布液の溶剤Ａとして例えばメチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＰ）を例えば１．５ｓｅｃ間で１．０ｃｃ供給例えば滴下する（ステップ１ａ）。この供給手段はスプレーでもよい。
　【００３７】
　次に、スピンチャック２を、２から１０ｓｅｃ間程度例えば６．０ｓｅｃ間、高速回転（回転数：３０００から５０００ｒｐｍ程度の範囲例えば４０００ｒｐｍ）とし溶剤ＡをウエハＷ一面全体に渡って拡散させると共にウエハから振り切る（ステップ２）。この６．０ｓｅｃ間の間に、異なるウエハＷ間のアベレージ変動（平均膜厚の変動）を制御するためにスピンチャック２を１から５ｓｅｃ間程度例えば２．０ｓｅｃ間、低速回転（回転数：１０００から２０００ｒｐｍ程度の範囲例えば１５００ｒｐｍ）し（ステップ２ａ）、その後、ウエハＷの外周部の膜厚をコントロールするためにスピンチャック２を処理時の定常回転の回転数（２５００ｒｐｍ）よりやや高速に回転（２０００から４０００ｒｐｍ程度の範囲例えば回転数：２９００ｒｐｍ）する（ステップ２ｂ）ことが、好ましい。
　【００３８】
　ここで、高速回転後にウエハＷの回転数を１５００ｒｐｍに減速する理由は、減速しない場合、塗布処理されるウエハＷ間においてレジスト膜の不均一が生じることが実験により確認されており、これを防止するためである。また、アベレージ変動抑制工程後にウエハＷの回転数を後述するレジスト供給時と同じ回転数（回転数：２９００ｒｐｍ）とする理由は、実験により、この回転数がレジスト膜厚の安定化を図るために有効であることが確認されており、これを図るためである。
　【００３９】
　上記ステップ２における６ｓｅｃ間が経過し、溶剤膜がウエハ表面に形成されたときに（溶剤Ａが乾燥する前）、ウエハＷの回転数を２５００から３５００程度の範囲例えば２９００ｒｐｍに回転させると同時に、ウエハ表面上の溶剤膜上の中心部にレジスト液供給ノズル４ａから塗布液例えばレジスト液Ｂを３．５ｓｅｃ間供給例えば１．５ｃｃ滴下する（ステップ３）。このときの溶剤Ａが乾燥する時期は、予め実験により求めることができる。例えば、ウエハＷの表面を目視し、光の干渉縞が見えている間は乾燥しておらず、乾燥したら干渉縞が見えなくなるので、その時期を知ることができる。この場合３．５ｓｅｃ間の供給時期には、上記したベローズポンプ８ｇの駆動時間すなわち駆動立ち上がり時間ＴＤ１と、定常の駆動時間であるＴＤ２と、駆動立ち下がり時間のＴＤ３とに分けられており、それぞれの時間（サイクルステップ数）独立して制御でき、レジスト液の供給量を正確にかつ微妙に制御できるように構成されている。このステップ３におけるウエハの回転数は、
ステップ２における回転数と
　【００４０】
　ステップ３が経過した後、レジスト供給ノズル４を待機位置に戻してウエハＷを所定の回転速度例えば２５００ｒｐｍ（定常回転）に減速して１５．０ｓｅｃ間回転する（ステップ４）。このようにして塗布処理が終了した後、ウエハＷの回転数を２５００ｒｐｍに維持した状態で、リンス液供給ノズル２３をウエハＷの周縁部上方へ移動させてレジスト溶剤液を例えば９．０ｓｅｃ間供給してウエハＷの周辺部に残留するレジスト液を溶解除去するとともに、図示しない裏面洗浄ノズルからウエハＷの裏面にレジスト溶剤を噴射してウエハＷ裏面に付着するレジスト液を除去して（ステップ５）、塗布作業を完了する。
　【００４１】
　上記のように構成されるこの発明に係る塗布装置は半導体ウエハＷのレジスト塗布装置として単独で使用される他、後述する半導体ウエハＷのレジスト塗布・現像装置に組み込んで使用することができる。以下に、上記実施例の塗布装置を組み込んだレジスト塗布・現像装置の構造について説明する。
　【００４２】
　図８に示すように、このレジスト塗布・現像装置４０は、その一端側に被処理体として例えば多数枚の半導体ウエハＷを収容する複数のカセット５１を、例えば、４個載置可能に構成したキャリアステーション５０を有し、このキャリアステーション５０の中央部には半導体ウエハＷの搬入・搬出及び半導体ウエハＷの位置決めを行う補助アーム５３が設けられている。また、前記レジスト塗布・現像装置４０の中央部にてその長さ方向に移動可能に設けられると共に、上記補助アーム５３から半導体ウエハＷを受渡されるメインアーム４２が設けられており、このメインアーム４２の移送路の両側には各種処理機構が配置されている。具体的には、これらの処理機構としてはキャリアステーション５０側の側方には、プロセスステーションとして例えば半導体ウエハＷをブラシ洗浄するためのブラシスクラバ４１ｆ及び高圧ジェット水により洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機４１ｇ等が並列されると共に、メインアーム４２の移送路の反対側には現像装置４１ｅが２基並設され、その隣には、２基の加熱装置４１ｂが積み重ねて設けられている。
　【００４３】
　上記処理機構の側方には、接続用ユニット５５を介して、半導体ウエハＷにフォトレジストを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン処理装置４１ａが設けられ、この下方にはクーリング装置４１ｃが配置されている。これらの装置４１ａ，４１ｃの側部には加熱装置４１ｂが２列で２個ずつ積み重ねるように配置されている。
　【００４４】
　また、メインアーム４２の移送路を挟んでこれら加熱装置４１ｂやアドヒージョン処理装置４１ａ等の反対側には半導体ウエハＷにフォトレジスト液を塗布するレジスト塗布装置４１ｄが２台並設されている。なお、図示されていないがこれらレジスト塗布装置４１ｄの側部には、レジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露光装置等が設けられている。
　【００４５】
　上記のように構成されるレジスト塗布・現像装置において、まず、未処理のウエハＷは、搬入・搬出機構５０の補助アーム５３によってウエハキャリア５１から取り出され、補助アーム５３上のウエハＷは、メインアーム４２に保持されて、各処理機構４１ａ〜４１ｅへ順次搬送されて、適宜処理が施される。そして、処理後のウエハＷは、再びメインアーム４２によって搬送され、補助アーム５３によってウエハキャリア５２へ収容されて、ウエハＷの処理作業は完了する。
　【００４６】
　なお、上記ベローズポンプ８ｇは、ステッピングモータ８ｈによって駆動されるボールネジ８ｋを介してベローズの伸縮による送液動作によってレジスト液タンク内のレジスト液Ｂが所定量ウエハＷ上に供給されるようになっている電動ポンプ式の構成について説明したが、ベローズでなくダイヤフライを用いてもよい。また、ステッピングモータではなくリニアモータを用いて直線運動にしてもよく、ベルト駆動を用いてもよい。また、エアシリンダーを電子制御する電子エアーポンプを用いてもよい。
　【００４７】
　なお、上記温度調整機構１０により溶剤とレジスト液の温度が例えば２３℃に制御されているのでレジスト膜厚の変動を少なくすることができる。また、クーリング温度の変化によって、従来は、クーリング温度が高いと被処理体すなわちウエハＷの中心部のレジスト膜厚が薄く、ウエハＷの外周部が厚くなるという問題があったが、溶剤を塗布した後にレジスト液を供給する本方式によれば、クーリング温度の変化があっても、均一なレジスト膜厚が得られることが、発明者の実験によって確認されている。また、クーリング温度の変化と同じように、処理容器内部の温度変化によっても、従来は、処理容器内部の温度が高いとウエハＷの中心部のレジスト膜厚が薄く、被処理体の外周部が厚くなるという問題があったが、溶剤を塗布した後にレジスト液を供給する本方式によれば、処理容器内部の温度の変化があっても、均一なレジスト膜厚が得られることが、発明者の実験によって確認されている。
　【００４８】
　なお、上記実施例においては、溶剤供給ノズル３を噴頭５に供給ノズル４と一体的に備えた構成について説明したが、これに限定されるものではなく、図９及び図１０に示す実施例のように示すように、リンス液供給ノズル２３と一体的に設けて溶剤を供給してもよい。
　【００４９】
　この例では、溶剤の供給路とレジスト液の供給路とに、共通の温度調節機構１０が配設されている。噴頭５とスキャン機構６のスキャンアーム６ａとは一体に形成され、噴頭５とスキャンアーム６ａに温度調整液供給路１０ａを形成し、この供給路１０ａ内に溶剤供給チューブ７とレジスト液供給チューブ８とを配管して、同一の温度調整液Ｃによって溶剤Ａとレジスト液Ｂとの温度調節を行えるようにしている。このように構成することにより、温度調節機構１０の構造を簡略化することができると共に、溶剤Ａとレジスト液Ｂとを同一の温度に維持することができる。
　【００５０】
　噴頭５とノズルとの配列並びに構成は上記例に限定されるものではなく、例えば図１１ないし図１３に示すようにしてもよい。
　図１１に示す例は、レジスト液供給ノズル４の外周にこれと同軸的に溶剤供給ノズル３を配置した場合である。このために、レジスト液供給ノズル４と溶剤供給ノズル３とを二重管構造にし、かつ溶剤供給ノズル３の先端をレジスト液供給ノズル４の先端よりも下方に突出させている。勿論、溶剤供給ノズル３の先端をレジスト液供給ノズル４の先端とが同一レベルになるように、もしくは前者の方が短くなるように構成してもよい。代わって、溶剤供給ノズル３の外側にレジスト液供給ノズル４を配設するようにしてもよい。また、図１２に示すように、レジスト液供給ノズル４と溶剤供給ノズル３とが併設され、これらの吐出口６０が共通となっている機構を採用してもよい。
　【００５１】
　図１３に示すように、噴頭５内に形成され中央に吐出口６１を有する環状の溶剤貯留タンク６２内の溶剤中に溶剤供給ノズル３の先端を挿入すると共に、レジスト液供給ノズル４の先端をタンク６２内の上部に位置させて、気化した溶剤の雰囲気にノズル４の先端を晒すようにしてもよい。このように、レジスト液供給ノズル４の先端外周に溶剤供給ノズル３の先端を配置することにより、レジスト液供給ノズル４に付着するレジストを溶剤によって洗浄することができると共に、レジスト液の乾燥を防止することができ、レジスト液の乾燥によるパーティクルの発生を防止することができる。
　【００５２】
　図１４に示すノズル機構は、被塗布膜形成物が、円板形状ではなく、液晶ディスプレイ装置に使用されるガラス基板のように矩形状のものの上に塗布膜を形成する場合に適している。この例では、レジスト液供給ノズル４の外周に沿って平行に溶剤供給ノズル３を配置すると共に、このノズル３の先端を複数、この例では４つ分岐させている。この結果、溶剤は一度に４箇所に供給される。好ましくは、これら分岐ノズル部３ａは、ガラス基板Ｇと相似形をなす矩形の４つの角にそれぞれ対応するように配設され、基板Ｇの中心に対して対角線上の対称位置に同時に溶剤が供給される。このようにすれば、矩形の基板でも溶剤の拡散をある程度均一にすることができる。
　【００５３】
　次に、レジスト膜形成方法の他の例を、実験に基いて説明する。
★実験１
　溶剤Ａとして、例えば、メチルメトキシプロピオネート（ＭＭＰ）を使用し、ウエハの被処理面の凹凸度（ウエハ若しくはこの上に形成された膜の上面が平坦か、凹凸あるいは段差が形成されているか）に応じて吐出量を決定する。一般的には、平坦な場合よりも凹凸のある方が、吐出量を多くし、例えば、平坦な場合で０．７ｃｃ、凹凸の場合で０．９ｃｃを滴下する。
　【００５４】
　この例では、８インチのウエハＷの表面中央部に０．７ｃｃ滴下し、ウエハＷを１０００ｒｐｍの回転数で回転させて溶剤をウエハＷに沿って周方向に拡散させた。この回転状態で、ウエハＷ上の溶剤Ａが乾燥する前、例えば溶剤Ａの滴下から２ｓｅｃ後に、０．９ｃｃのレジスト液をウエハＷの中央部に滴下した。このレジスト液Ｂの滴下は、滴下（吐出）時間と、滴下中及び滴下後のウエハＷの回転数とを適宜変えて行った結果を図１５に示す。この図１５で縦軸は形成されたレジスト膜の最大厚の部分と最小限の部分との間の膜厚の差（膜厚変動範囲）を、また横軸はウエハＷの回転数を示す。
　【００５５】
　図１５から分かるように、レジスト液Ｂの吐出時間が２．５ｓｅｃで、ウエハＷの回転数が１０００ｒｐｍのとき、レジスト液Ｂの吐出時間が２．０ｓｅｃで、ウエハＷの回転数が３５００ｒｐｍのとき、レジスト液Ｂの吐出時間が１．０ｓｅｃで、ウエハＷの回転数が４５００ｒｐｍのとき、及びレジスト液Ｂの吐出時間が０．７ｓｅｃで、ウエハＷの回転数が５０００ｒｐｍのとき、それぞれの滴下時間の中で最小の膜厚変動となり、いずれも５０オングストローム以下であり、ウエハＷ上に形成されたレジスト膜の厚さが均一になる。また、この実験から、レジスト液の吐出時間に応じてウエハＷの回転数を選択することにより厚さの均一な膜を形成することができることが判明した。この実験での、吐出時間並びに回転数と、吐出流量との関係を図１６に示す。
　【００５６】
　上記実験ではレジスト液Ｂの吐出量が０．９ｃｃの場合について説明したが、レジスト液Ｂの吐出量を、段差の無い場合には０．５〜２．０ｃｃ、段差のある場合には１．０〜３．０ｃｃの範囲で選定しても同様の結果が得られることが実験の結果わかった。
　【００５７】
　★実験２
　溶剤Ａとして、例えば、エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）若しくはメチルメトキシプロピオネート（ＭＭＰ）を使用し、ウエハの被処理面の凹凸度に応じて吐出量を決定する。ＥＣＡを使用した場合で、平坦な場合で、０．２ｃｃ、凹凸のある場合で０．３ｃｃを滴下する。代わって、ＭＭＰを使用した場合で、平坦な場合で０．４ｃｃ、凹凸のある場合で０．５ｃｃを滴下する。
　【００５８】
　この例では、６インチの平坦なウエハＷの表面中央部に溶剤Ａを滴下し、ウエハＷを１０００ｒｐｍの回転数で回転させて溶剤ＡをウエハＷに沿って周方向に拡散させた。この回転状態で、ウエハＷ上の溶剤Ａが乾燥する前、例えば溶剤Ａの滴下から２ｓｅｃ後に、０．２〜０．３ｃｃのレジスト液ＢをウエハＷの中央部に滴下した。このレジスト液Ｂの滴下は、滴下（吐出）時間と、滴下中及び滴下後のウエハＷの回転数とを適宜変えて行った。この結果を図１７に示す。
　【００５９】
　図１７から分かるように、レジスト液Ｂの吐出時間が２．５ｓｅｃで、ウエハＷの回転数が２０００ｒｐｍのとき、レジスト液Ｂの吐出時間が２．０ｓｅｃで、ウエハＷの回転数が３０００ｒｐｍのとき、レジスト液Ｂの吐出時間が１．５ｓｅｃで、ウエハＷの回転数が５０００ｒｐｍのとき、及びレジスト液Ｂの吐出時間が１．０ｓｅｃで、ウエハＷの回転数が６０００ｒｐｍのときに、それぞれの滴下時間の中で最小の膜厚変動となり、いずれも５０オングストローム以下であり、ウエハＷ上に形成されたレジスト膜の厚さが均一になる。また、この実験から、レジスト液の吐出時間に応じてウエハＷの回転数を選択することにより厚さの均一な膜を形成することができることが判明した。
　【００６０】
　上記実験から、ウエハＷの表面に溶剤Ａを滴下し、ウエハＷを所定の回転数（例えば、１０００ｒｐｍ）で回転させて、ウエハＷ上面全域に溶剤Ａを拡散させて、溶剤Ａが乾燥する前に、ウエハＷ上にレジスト液ＢをウエハＷの大きさに応じて所定量（８インチのウエハでは０．６〜０．９ｃｃ，６インチのウエハでは０．２〜０．３ｃｃ）を所定時間（８インチのウエハでは０．７〜２．５ｓｅｃ及び６インチのウエハでは１．０〜２．５ｓｅｃ）吐出させると共に、ウエハＷの吐出時間に対応させて、所定の回転数（８インチのウエハでは５０００〜１０００ｒｐｍ及び６インチのウエハでは６０００〜２０００ｒｐｍ）で回転させることにより、ウエハ表面に均一な厚さのレジスト膜を形成することができ、しかもレジスト液の使用量を少なくすることができる。これは、先に滴下されてウエハＷの中心部から周縁部まで拡散した溶剤Ａの乾燥に追従（中心部から周縁部に向かって徐々に乾燥する溶剤膜の乾燥する直前の部分にレジスト液Ｂが達する）するようにして拡散するために、溶剤Ａとレジスト液Ｂとが均一な割合で、かつ濡れ性がよく接触するためと推測される。
　【００６１】
　次に、塗布装置の別の例を図１８ないし図２０を参照してそれぞれ説明する。これら装置において、上記図１及び図２を参照して説明した装置と実質的に同じ部材は、同じ参照符号を付して説明を省略する。
　【００６２】
　図１８に示す装置は、レジスト塗布方法を溶剤Ａの雰囲気中で行うように構成されている。このために、処理容器１を密閉構造にすると共に、この密閉された処理容器１内に溶剤Ａの飽和状態の雰囲気を作るようにしてある。
　【００６３】
　処理容器１は、ウエハＷの外周を包囲する上部包囲部が垂直方向に移動可能な外容器３０と、処理容器１の底部を構成する内容器３１と、外容器３０の上部開口部を塞ぐ蓋体３２とで主要部が構成されている。
　【００６４】
　上記外容器３０はスピンチャック２上のウエハＷを包囲する筒状の外容器本体３０ａと、この外容器本体３０ａに対して上下方向に移動可能に取り付けられている筒状の可動壁３０ｂとで構成されており、図示しない昇降アームによって可動壁３０ｂが外容器本体３０ａに対して昇降可能となっている。
　【００６５】
　上記内容器３１は、好ましくは排液が流れるように外側に傾斜した底部３１ａの上面に筒状壁３１ｂを突設した内容器本体３１ｃと、筒状壁３１ｂの上端にベアリング３１ｄを介して水平面内で回転可能に配設されると共に、スピンチャック２に連結されて回転されるドーナツ状の回転体３１ｅとで構成されている。この回転体３１ｅの周縁部には、上面が開口した環状の溶剤溜めチャンネル３１ｆが形成されており、この溶剤溜めチャンネル３１ｆ内に溶剤Ａが貯留されている。回転体３１ｅにおいて、溶剤溜めヤンネル３１ｆの下部には筒状の垂直壁３１ｇが下方に突設されており、この垂直壁３１ｇの適宜位置に、下部の排気口１ｅ及び排液口１ｆに連通する複数の連通口３１ｈが形成されている。
　【００６６】
　上記蓋体３２は、吊持アーム３２ａにベアリング３２ｂを介して、水平面内で回転可能に吊持された回転軸３２ｃを有するドーム状に形成されており、この下部側開口部の内周面に設けられたＯリング等のシール部材３２ｄを介して回転体３１ｅに気密に接触され、この接触状態において、密閉空間３５を規定すると共に、回転体３１ｅからの回転力が蓋体３２に伝達される。この蓋体３２は、図示しない昇降機構によって上下動される吊持アーム３２ａによって、垂直に移動され得る。蓋体３２には、回転軸３２ｃを貫通し溶剤供給チューブ及びレジスト液供給チューブに、相対的に回転可能に接続された溶剤供給通路３３及びレジスト液供給通路３４にそれぞれ接続した溶剤供給ノズル３及びレジスト液供給ノズル４が蓋体３２と共に回転可能に一体に設けられている。
　【００６７】
　上記構成の塗布装置において、溶剤溜めチャンネル３１ｆ内に溶剤Ａを溜めて、蓋体３２を閉じることにより、溶剤Ａが蒸発して密閉空間３５又は処理室内に溶剤Ａの飽和雰囲気を作ることができる。このような雰囲気のもとで、上述したような方法により、ウエハＷにレジスト膜を形成する。更に詳しく説明すれば、密閉空間３５内を飽和溶剤雰囲気とした状態でウエハＷ上に溶剤Ａを滴下して溶剤Ａの膜をウエハＷ上に形成し、溶剤が乾燥する前に、ウエハＷ上にレジスト液Ｂを所定時間、所定量、所定のウエハＷの回転のもとで供給して、ウエハ表面にレジスト膜を形成する。
　この装置を使用すれば、溶剤雰囲気中で塗布処理を行うことができるので、塗布中の溶剤の乾燥を抑制することができて、膜厚の均一化がより達成され得る。
　【００６８】
　上記説明では、内容器３１の回転体３１ｅに溶剤溜めチャンネル３１ｆを設けて、この中に溶剤Ａを溜めておくことにより、密閉空間内を飽和溶剤雰囲気としているが、必しも、このような構造にする必要はない。例えば、溶剤供給ノズル３から吐出される溶剤Ａの量を多めにして密閉空間３５内に溶剤雰囲気を作ることも、また、溶剤Ａを飽和状態にしたミストを導入管等を用いて密閉空間３５内に導入することによって、密閉空間３５内を溶剤雰囲気とすることもできる。
　【００６９】
　図１９に示す装置は、レジスト塗布方法を減圧雰囲気で行わせるように構成されている。このために、処理容器１の処理室を密閉すると共に、この処理室内を所定の圧に減圧し、この減圧雰囲気中で上述したレジスト塗布を行わせている。
　【００７０】
　この図１９に示す装置は、図１８に示す装置で溶剤溜めチャンネル３１ｆを設けないものと実質的に同じである。この装置では、排気口１ｅに接続した排気管２１に接続された真空ポンプ３６によって、回転体３１ｅに形成された連通口３１ｈを介して、密閉空間３５内を所定の圧力に、例えば、９０ｍｍＨ２Ｏに減圧可能になっている。
　この図１９に示す装置における塗布方法は、雰囲気が上記溶剤雰囲気とは異なるだけで、基本的には同じなので説明は省略する。
　この減圧雰囲気中での塗布処理においては、飛散粒子は連通口３１ｈに向かって誘引されるために、ウエハＷに滴下されるレジスト液Ｂが飛散してウエハＷや処理容器１の内周面に再付着するのを防止することができ、パーティクルによるウエハＷの汚染や歩留まりの低下を防止することができる。更に、レジスト粒子が、処理容器内面に付着するのを防止することができるのに加えて、この発明によれば、レジスト液Ｂの使用量も少なくて済むので、処理容器１の保守点検の手間が少なくて済む。
　【００７１】
　次に、図２０及び図２１を参照して、噴頭５に複数、この実施例では３つ、のレジスト液供給ノズル４Ａ，４Ｂ，４Ｃが設けられている塗布装置について説明する。
　【００７２】
　図２１に示すように、スキャン機構６に、これを中心として水平面内で矢印方向に回転可能に筐体１１１に基端部で枢支された細長い噴頭５の先端部には、４つのノズルが一直線状に配置され、噴頭５の移動と共に、一緒に移動するように装着されている。第１のノズル３は、溶剤を供給するノズルであり、他の３つのノズル４Ａ，４Ｂ，４Ｃはそれぞれ異なる種類及び／又は条件のレジスト液を供給するノズルである。この実施例では、それぞれのレジスト液供給ノズル４Ａ，４Ｂ，４Ｃは、異なる種類のレジスト液が収容されたタンクに、レジスト液供給機構を介して接続されている（図２０では、１つのタンク８ｂと１つの液供給機構を代表的に示している）。
　このような装置においては、噴頭５を交換しないで、異なる種類の塗布膜を形成することが可能である。
　【００７３】
　上記図２０、図２１に示す実施例の装置では、レジスト液供給ノズルを直線状に配置したが、このような配置に限定されることはなく、例えば、溶剤供給ノズルを中心とした円周上に配置してもよい。また、溶剤供給ノズル３と、レジスト液供給ノズルとは、必ずしも噴頭５中に一体的に設ける必要はなく、例えば図２２に破線で示すように、噴頭５の右若しくは左側に突設して設けてもよい（図２２に示す例では４つのレジスト液供給ノズル４Ａ〜４Ｄを使用している）。
　【００７４】
　また、図２２に破線で示すように、リンス液供給ノズル２３を支持する移動アーム２３ａを更に、スピンチャック２上のウエハＷの中心上方まで延ばし、この先端に溶剤供給ノズル３を設けてもよい。この移動アーム２３ａは、リンス液供給ノズル２３を支持する先端部２３ｂと、リンス液供給ノズル２３を支持する途中部２３ｃと、筐体１１１に回転可能に支承される基端部２３ｄとを有している。この場合には、移動アーム２３ａを上下に移動できるように構成して、リンス液供給ノズル２３によるリンス液の供給位置と、溶剤供給ノズル３による溶剤の供給位置とで、高さを変えるようにしてもよい。アーム２３ａをウエハＷの中心上方まで延出させなくても、溶剤供給ノズル３をウエハＷの中心に向けて配設すればよい。代わって、図２２で一点鎖線で示すように、リンス機構はウエハＷの反対側（図２２の左上）に設けてもよい。また、図２２で２点鎖線で示すように、ウエハＷの側方に設けて、移動機構２４を中心としてアーム２３ａを回動させるか、矢印１０７で示すように平行移動させるかしてリンス液供給ノズル２３をウエハＷの所に移動させてもよい。
　【００７５】
　溶剤供給ノズル３は、塗布装置の筐体１１１に、図示しない取付部材を使用して固定させてもよい。この場合、溶剤供給ノズルはウエハＷの搬入並びに搬出に支障のない位置に取着し、ウエハＷのほぼ回転中心に向けて溶剤を斜めに噴射するように配置することが望ましい。
　【００７６】
　溶剤供給ノズル３の溶剤の噴射形態は、一本の流れでも、多数本の流れでも、また噴霧状態でもよい。上記実施例でも説明したように、複数の溶剤供給ノズルを設けてもよい。この場合、例えば、それぞれ吐出径を異ならせて、吐出流量の大小や吐出流量の変化に対応させて各ノズルからの吐出状態を制御するようにしてもよい。代わって、異なる溶剤をそれぞれのノズルで供給できるように、ノズルをそれぞれの溶剤タンクに接続し、溶剤間の吐出切換や同時供給等塗布液の種類に対応して溶剤の種類や吐出シーケンスを選択して最適の塗布条件が得られるようにすることもできる。
　【００７７】
　図２３に示す異なる塗痛装置の例では筐体１１１の上方に、４つの噴頭５Ａ〜５Ｄが一列に配設されている。それぞれの噴頭５Ａ〜５Ｄには溶剤Ａの供給ノズル３Ａ〜３Ｄと、レジスト液Ｂの供給ノズル４Ａ〜４Ｄとが一体的に設けられている。それぞれの噴頭５Ａ〜５Ｄは、水平面内でクランク状に折曲され、水平に延びたアーム部材２００ａ〜２００ｄの一端に支持されている。これらアーム部材２００ａ〜２００ｄの他端には、支持ピン１９ａ〜１９ｄがそれぞれ垂直に突設された装着部２０１ａ〜２０１ｄに接続されている。これら装着部２０１ａ〜２０１ｄは、それぞれ孔２０２ａ〜２０２ｄが設けられると共にへ一括して移動され得るように、載置台２０６上に一列に並べられて支持されている。この載置台２０６は移動機構２０７によりＹ方向に移動され得、この移動に伴って、４つの装着部２０１ａ〜２０１ｄも同時に移動され得る。この載置台２０６の近くには、スキャンアーム６ａが、その把持部２１０に把持穴６ｂと上記孔２０２ａ〜２０２ｄと略同形状に形成された突起部２１２を載置台２０６に臨ませて配置されている。上記把持穴６ｂは、真空吸着するための吸着口となっている。この把持部２１０は、これが、支持ピン１９ａ〜１９ｄの選択された１つの上方から下降されたときに、スキャンアーム６ａの先端下面に設けられた把持穴６ｂによって真空吸着部を形成し、装着部２０１ａ〜２０１ｄをスキャンアーム６ａに吸着させるように構成されている。このスキャンアーム６ａは駆動機構２１６により、筐体１１１に対してＸ方向並びに垂直方向に移動可能に支持されている。また、このスキャンアーム６ａの把持部２１０によって把持される装着部２０１ａ〜〜２０１ｄは、ウエハＷの外方側の位置、つまりウエハＷの上方を通過しない位置に配設されている（図２３参照）。
　【００７８】
　次に、上記構成の装置の動作を以下に説明する。
　載置台２０６をＹ方向に移動させて、選定された装着部（この場合２０１ｂと仮定する）を、把持部２１０と対面する位置にもたらす。次に、駆動機構２１６によりスキャンアーム６ａをＸ方向に移動させて、把持部２１０を装着部２０１ｂの上方に移動させ、かつ把持穴６ｂと支持ピン１９ｂと係合するように下降させて、把持部２１０に装着部２０１ｂを保持させる。この状態で、駆動機構２１６によりスキャンアーム６ａを上昇させて、装着部２０１ｂを載置台２０６から持ち上げると共に、Ｘ方向に位置させて、溶剤供給ノズル３ＢがウエハＷの中心部上方に位置するように、噴頭５を移動させる。この後は上記実施例と同様の塗布方法によりウエハＷ上にレジスト膜を形成する。
　【００７９】
　上記４つの溶剤供給ノズル３Ａ〜３Ｄは、共通若しくは別々の溶剤タンクに接続されており、上記実施例と同様にして、所定量がノズルから噴射可能になっている。同様に、上記４つのレジスト液供給ノズル４Ａ〜４Ｄは、それぞれ異なる種類の塗布液を収容したタンクに接続されており、上記実施例と同様にして、所定量、所定時間でノズルから噴射可能になっている。
　【００８０】
　上記構成の塗布装置においては、複数の噴頭の内、任意のものを選択的に使用できるので、異なる条件のレジスト膜が迅速かつ容易に形成できる。そして、スキャンアーム６ａと装着部２０１ｂとの接続部は、これらの移動に際して、ウエハＷ上を通過することがないので、この接続部で発生する虞れのある粒子がウエハＷ上に落下することがない。
　【００８１】
　図２４は、図２３に示す装置において、図２２と同様にリンス機構の異なる配置関係を示した場合である。この配置関係は、図２２と同じなので、同一部分には同一符号を付してその説明は省略する。
　【００８２】
　図２５に示す変形例では、筐体１１１に、Ｘ方向に移動可能に設けられたスキャンアーム６ａには、２つの噴頭５が取着され得るようになっている。アーム６ａの左側に固定された第１の噴頭５には、溶剤供給ノズル３が装着されている。アーム６ａの他側に装着板２０８を介して設けられた４つの噴頭５には、それぞれレジスト液供給ノズル４Ａ〜４Ｄが装着されている。この例では、所定のレジスト液供給ノズルを、ウエハＷの中心部上方に位置させて使用できるように、アーム６ａが駆動機構６によりＹ方向にも移動され得るように構成されているか、装着板２０８が図示しない駆動機構によりアーム６ａに対してＹ方向に移動可能なように構成されている。
　【００８３】
　図２６に示す例では、複数の、この例では４つの溶剤供給ノズル３を一列に並べて支持する細長い噴頭５が使用されている。この場合、細長い噴頭５は、実線で示すように、アーム６ａに直交する方向（Ｘ方向）に延びるようにアーム６ａに装着されていても、また破線で示すように、アーム６ａに平行な方向（Ｙ方向）に延びるようにアーム６ａに装着されていてもよい。この例では、ノズル３を支持した細長い噴頭５をウエハＷの上方に、これの直径に一致するように、アーム６ａを位置させることにより、溶剤をウエハＷの直径に沿って１箇所から同時にウエハＷに供給することができる。
　【００８４】
　上記塗布液としては、レジスト（フェノールノボラック樹脂とナフトキノンジアジドエステル），ＡＲＣ（反射防止膜；Ａｎｔｉ　Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ　Ｃｏａｔｉｎｇ）が使用され得る。
　上記溶剤としては、メチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＴ，沸点：１４５℃，粘度：１．１ｃｐｓ）の他、乳酸エチル（ＥＬ，沸点：１５４℃，粘度：２．６ｃｐｓ）、エチル−３−エトキシプロピオネート（ＥＥＰ，沸点：１７０℃，粘度：１．３ｃｐｓ），ピルビン酸エチル（ＥＰ，沸点：１４４℃，粘度：１．２ｃｐｓ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ，沸点：１４６℃，粘度：１．３ｃｐｓ）、２−ヘプタノン（沸点：１５２℃，粘度：１．１ｃｐｓ）、シクロヘキサノン（ＡＲＣの溶剤）等この分野で知られているものが使用され得る。
　【００８５】
　上記実施例では、この発明に係る塗布膜形成装置を半導体ウエハのレジスト塗布装置に適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬＣＤ基板やＣＤ等の被処理体の塗布装置にも適用でき、レジスト以外のポリイミド系塗布液（ＰＩＱ）やガラス剤を含有する塗布液（ＳＯＧ）等にも適用できることは勿論である。
　【００８６】
　【発明の効果】
　以上に説明したように、この発明によれば、回転若しくは停止されている基板の一面上に塗布液の溶剤を塗布した後、溶剤が塗布された基板を
第１の回転数で
第１の回転数と同等又は第１の回転数より高速な第２の回転数で
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　この発明の一実施例に係わる塗布膜の形成方法を実施するためのレジスト塗布装置の概略図である。
　【図２】
　図１に示すレジスト塗布装置の平面図である。
　【図３】
　時間の経過に伴うレジスト液のノズルからの吐出流量（ベローズポンプの駆動時間）とエアーオペレーションバルブの動作タイミングとを示す図である。
　【図４】
　この発明におけるレジスト液供給ノズルの先端部のそれぞれ異なる変形例を示す断面図である。
　【図５】
　塗布装置に使用されている噴頭を拡大して示す斜視図である。
　【図６】
　噴頭の断面図である。
　【図７】
　塗布装置を使用してレジスト膜を形成する方法を説明するためのフローチャトである。
　【図８】
　塗布装置が適用されたレジスト塗布現像装置の全体を概略的に示す斜視図である。
　【図９】
　噴頭の変形例を示す斜視図である。
　【図１０】
　噴頭の変形例を示す断面図である。
　【図１１】
　噴頭のノズル集合体の別の変形例を示す断面図である。
　【図１２】
　噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す断面図である。
　【図１３】
　噴頭のノズル集合体の更に別の変形例を示す断面図である。
　【図１４】
　ノズル集合体の変形例と、塗布膜形成体であるガラス基板とを示す斜視図である。
　【図１５】
　レジスト液の吐出時間と８インチの半導体ウエハの回転数との関係からレジスト膜の膜厚変動範囲を示す線図である。
　【図１６】
　レジスト液の吐出時間並びに吐出流量とウエハの回転数との関係を示す線図である。
　【図１７】
　レジスト液の吐出時間と６インチの半導体ウエハの回転数との関係からレジスト膜の膜厚変動範囲を示す線図である。
　【図１８】
　溶剤雰囲気でレジスト膜を形成する装置を概略的に示す断面図である。
　【図１９】
　減圧雰囲気中でレジスト膜を形成する装置を概略的に示す断面図である。
　【図２０】
　３つのレジスト液供給ノズルを備えた塗布装置を概略的に示す断面図である。
　【図２１】
　図２０の平面図である。
　【図２２】
　図２１に示す装置の変形例を説明するための概略的な平面図である。
　【図２３】
　図２２に示す装置の変形例を説明するための概略的な平面図、そのＡ−Ａ′断面図及びＢ−Ｂ′断面図である。
　【図２４】
　図２２に示す装置の別の変形例を説明するための概略的な平面図である。
　【図２５】
　更に異なる噴頭を備えた装置を説明するための平面図である。
　【図２６】
　図２５に示す装置の噴頭の変形例を示す平面図である。
　【符号の説明】
　１　処理容器
　２　スピンチャック
　３，３Ａ〜３Ｄ　溶剤供給ノズル（第１のノズル）
　３ａ　分岐ノズル
　４，４Ａ〜４Ｄ　レジスト液供給ノズル（第２のノズル）
　４ｃ　外フランジ
　４ｄ　屈曲部
　５，５Ａ〜５Ｄ　噴頭
　６　スキャン機構
　８　レジスト液供給チューブ
　８ａ　レジスト液タンク
　８ｇ　ベローズポンプ
　８ｈ　ステッピングモータ
　１０　温度調整機構
　２３　リンス液供給ノズル
　２３ａ　移動アーム
　２３ｂ　先端部
　２３ｃ　途中部
　２３ｄ　基端部
　２４　移動機構
　３５　密閉空間
　６０，６１　吐出口
　１１１　筐体
　２００ａ〜２００ｄ　アーム部材
　２０１ａ〜２０１ｄ　装着部
　２０７　移動機構
　２１６　移動機構
　Ｗ　半導体ウエハ（基板）
　Ａ　溶剤
　Ｂ　レジスト液（塗布液）
　Ｇ　ガラス基板