【事件の表示】
　特許第２６２３４６６号「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６２３４６６号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許２６２３４６６号の請求項に係る発明についての出願は、平成２年２月２８日に特許出願したものであって、平成９年４月１１日に設定登録され、特許異議申立人星野進、木村和夫、木島睦也、横田秀昭及びシャープ株式会社より請求項１ないし４に係る特許について特許異議の申立てがなされた。そして平成１３年７月４日付けで取消理由通知がなされ、平成１３年８月８日付けで特許異議意見書及び訂正請求書が提出され、平成１３年９月１２日付けで訂正拒絶理由通知がなされたところ、平成１３年１０月２９日付けで特許異議意見書が提出された。その後、平成１３年１２月２７日付け取消理由通知が平成１４年１月８日に手交によりなされたところ、平成１３年８月８日付け訂正請求書が取り下げられるとともに、平成１４年１月８日付け訂正請求書が提出された。
　
２．訂正の適否についての判断
　平成１４年１月８日付け訂正請求の適否について以下検討する。
　なお、平成１３年８月８日付け訂正請求書は取り下げられた。
　
２−１．訂正事項
（１）訂正事項ａ
　本件特許第２６２３４６６号明細書（平成８年１１月１５日付けで補正された全文明細書）の特許請求の範囲請求項１〜４である
「１．サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）の気相成長膜を有する発光素子であって、
　前記気相成長膜は、前記気相成長時に導入されたシリコンを含むことにより抵抗率が３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍであることを特徴とする発光素子。
２．前記気相成長膜は窒化ガリウム（ＧａＮ）であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
３．前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、バッファ層を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
４．前記バッファ層は、気相成長膜の成長温度より低温で、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたことを特徴とする請求項３に記載の発光素子。」を、
「【請求項１】サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子であって、
　前記気相成長膜は、前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　本件特許明細書第２頁第９行の「確立する至り」を、「確立するに至り」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　本件特許明細書第２頁第１９〜２８行の
「本発明は、サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）の気相成長膜を有する発光素子であって、気相成長膜は、気相成長時に導入されたシリコンを含むことにより抵抗率が３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍであることを特徴とする。
　又、本発明の他の特徴は、シリコンを含む気相成長膜を窒化ガリウム（ＧａＮ）としたことであり、さらに、他の特徴は、サファイア基板と気相成長膜との間に、バッファ層を設けたことである。
　又、他の特徴は、バッファ層が、気相成長膜の成長温度より低温で、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたことである。」を、
「本発明は、サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、サファイア基板と気相成長膜との間に、気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子であって、気相成長膜は、気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であることを特徴とする。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　本件特許明細書第３頁第１〜４行の「サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）の気相成長膜の気相成長時にシリコンを添加することで、抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍに設定した気相成長膜を少なくとも１層設けた。」を、
「サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜の気相成長時にシリコンを添加することで、ドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層である気相成長膜を設けた。」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　本件特許明細書第３頁第６行の「駆動電圧の低下させ」を、「駆動電圧を低下させ」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　本件特許明細書第５頁第２行の「０．４４Ｗ／ｃｍ３」を、「０．４４Ｗ／ｃｍ２」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　本件特許明細書第５頁第２６行の「低キャリ濃度Ｎ層４」を、「低キャリア濃度Ｎ層４」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
２−２−１．上記訂正事項ａは、以下の事項からなる。
（１）請求項１に「前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層」との事項を加入し限定するものである。
　これは、特許明細書の請求項３及び請求項４、第３頁第１７〜１８行並びに第３頁第６〜１４行の記載を根拠としており、該記載によれば、本件明細書には、有機金属化合物気相成長法により形成されたＡｌＮバッファ層が記載（「バッファ層２」参照）されており、これと出願当時の技術水準を勘案すれば、当初明細書には、ＡｌＮとの具体的な材料に限定されないバッファ層が記載されているとみることができる。
（２）請求項１の「窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）の気相成長膜」を「窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜」に限定するものであり、特許明細書の第３頁第１３行〜第６頁第２行の【実施例】の欄に、窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜を形成した実施例の記載があり、これを根拠としている。
（３）請求項１の「気相成長時に導入されたシリコンを含むことにより」を「気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して」と訂正することにより、ＧａＮの気相成長膜において、気相成長時にドーピングされたシリコンが単に含まれるだけでなく、「ドナーとして作用」すると限定するものであり、これは特許明細書の第４頁第１５〜１８行において、シリコンを含むガスを流さないときのＧａＮのＮ層のキャリア濃度が１×１０１５／ｃｍ３であるのに対して、第４頁第９〜１４行でシリコンを含むガスを流したときのＧａＮのＮ層のキャリア濃度が１．５×１０１８／ｃｍ３と上記Ｎ型ＧａＮよりもさらに高いこと、すなわち、シリコンがドナーとして作用してＮ層のキャリア（自由電子）濃度を高めていることから明らかであることを根拠としている。（同事項は、出願当初の明細書の第４頁第１４〜１６行に「この結果、窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長膜にシリコンが取り込まれ、そのシリコンはドナーとして作用する。」との記載事項と対応する記載である。）
（４）請求項１の「抵抗率が３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍであること」を「抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であること」と限定するものであり、特許明細書の第２頁第１６〜１７行には「したがって、本発明の目的は、抵抗率の制御可能なＮ型のＧａＮ系化合物半導体気相成長膜により、発光素子の発光強度を増加させることである。」、同第３頁第３〜５行には「抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍに設定した気相成長膜を少なくとも１層設けた。これにより、上記の気相成長膜の抵抗率を上記の所定範囲の所望の値に設定できる」、同第５頁第１９〜２０行には「高キャリア濃度Ｎ＋層３の抵抗率は、第８図に示すように、３×１０−１Ωｃｍから８×１０−３Ωｃｍまで変化させることができる。」、及び同第５頁第２６〜２７行には「このようにして、高キャリア濃度Ｎ＋層３と低キャリ濃度Ｎ層４とを抵抗率の制御可能状態で形成することができた。」と記載されており、この記載を根拠としている。
（５）請求項１の末尾の「発光素子」を、「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に限定しようとするものであり、特許明細書の第１頁第１９〜２０行には「本発明は、発光強度の改善された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関する。」と記載されており、この記載を根拠としている。
　よって、上記訂正ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、願書に添付した明細書及び図面の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡大し又は変更するものでもない。
　
２−２−２．上記訂正事項ｃ，ｄは、上記特許請求の範囲の訂正に伴って発明の詳細な説明を訂正するもので、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書及び図面の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡大し又は変更するものでもない。
　
２−２−３．上記訂正事項ｂ，ｅ〜ｇは、明らかな誤記を訂正したものであって、願書に最初に添付した明細書の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
２−３．独立特許要件の判断
２−３−１．訂正後の発明
　平成１４年１月８日付け訂正請求書による訂正後の請求項に係る発明は、その請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子であって、
　前記気相成長膜は、前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（以下、「訂正発明」という。）
　
２−３−２．取消理由通知
　特許時の請求項１ないし４に係る発明に対してなされた、平成１３年７月４日付け取消理由通知の概要は以下のとおりである。
　
２−３−２−１．特許法第２９条第１項第３号違反について
　当初明細書の記載によれば、窒化ガリウム系化合物半導体の発光素子として開示されていたのはＭＩＳ構造の窒化ガリウム系発光素子のみであり、当初明細書に記載された発明は、ＭＩＳ構造のＧａＮ発光ダイオードの特性を向上させるために、抵抗率の制御可能なＮ型のＧａＮ系の化合物半導体の製造技術を確立することを目的とするものである。
　しかるに、請求項１ないし請求項４には、「シリコンを含むことにより抵抗率が３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍである窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長膜を有する発光素子」と、ＭＩＳ構造発光素子だけでなくＰＮ接合型発光素子をも含む発光素子の発明が記載されており、このような発光素子の発明は、当初明細書に記載されておらず、当初明細書に記載されているに等しい発明でもない。
　してみれば、平成８年１１月１５日付け手続補正書は明細書の要旨を変更するものであるから、本件特許は、特許をすべき旨の査定の謄本の送達前にした補正が明細書の要旨を変更する特許出願に対してされたものであり、本件特許に係る出願は、その出願について補正書を提出した時にしたものとみなされる。
　そして、特開平３−２５２１７５号公報（本件出願の公開公報）には、ＭＩＳ構造であり、抵抗率が３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍである気相成長膜を備えた窒化ガリウム系発光素子が記載されている。
　よって、請求項１ないし請求項４に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができない。
　
２−３−２−２．特許法第２９条第２項について
　請求項１ないし４に係る発明は、下記の引用例１ないし引用例４に記載された発明等に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　　　記
引用例１：天野浩工学博士授与論文（１９８９年１月１３日授与）「ＧａＮのＭＯＶＰＥ成長と光電物性及び青色発光素子への応用に関する研究」
引用例２：日本結晶成長学会誌Ｖｏｌ．１５　Ｎｏ．３＆４　１９８８　の３３４頁〜３４２頁“ＭＯＶＰＥ法によるサファイア基板上へのＧａＮ結晶成長におけるバッファ層の効果”天野浩他
引用例３：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　７７　（１９８６）　ｐ４２４〜４２９、　“ＴＨＥ　ＩＮＦＬＵＥＮＣＥ　ＯＦ　ＴＭＡ　ＡＮＤ　ＳｉＨ４　ＯＮ　ＴＨＥ　ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ　ＲＡＴＥ　ＯＦ　Ｇａ ＩＮ ＡｌＸＧａ１−ＸＮ　ＣＲＹＳＴＡＬＳ　ＧＲＯＷＮ　ＦＲＯＭ　ＴＭＧ　ＡＮＤ　ＮＨ３”、　Ｋｅｙｖａｎ ＳＡＹＹＡＨ、ｅｔ．ａｌ
引用例４：特開昭５９−２２８７７６号公報
　
２−３−２−３．特許法第３６条について
　本件明細書の【発明が解決しようとする課題】の欄に、「本発明者は、上記のＧａＮ発光ダイオードを製造する過程において、有機金属化合物気相成長法によるＧａＮ半導体の気相成長技術を確立するに至り、高純度のＧａＮ気相成長膜を得ることができた。この結果、従来、不純物のドーピングをしない場合には、低抵抗率のＮ型ＧａＮが得られたが、本発明者等の気相成長技術の確立により、不純物のドーピングなしに高抵抗率のＧａＮが得られた。」と記載され、請求項１には、窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）の気相成長膜は、気相成長時に導入されたシリコンを含むことにより抵抗率が３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍであることが示されているので、請求項１に係る発明を実施するためには、ノンドープで少なくとも抵抗率３×１０−１Ωｃｍ以上、キャリア濃度６×１０１６ｃｍ−３以下の高純度のＧａＮ層を気相成長させる製造技術が必要である。しかし、本件明細書には、このような高純度のＧａＮ層を気相成長させる製造技術が開示されていると認めることはできず、当業者が容易にその実施をすることができない。
　また、本件発明を実施する際に、明細書の記載及び技術常識に基づいても、有機金属化合物気相成長法を用いた場合に、ＡｌＮバッファ層以外のバッファ層を用いて容易に実施できるとはいえない。
　
２−３−３．刊行物
　上記引用例１（天野浩工学博士授与論文（１９８９年１月１３日授与））には、以下の事項が図面とともに記載されている。
　「本研究において見いだされた、サファイア上にＡｌＮをＧａＮ成長前に低温堆積する方法により、今まで得ることのできなかった品質の優れたＧａＮ膜の作製が可能であることを、多面的な評価により明らかにした。」（第９１頁第１９〜２１行）、
「また無添加ＧａＮの高純度化について、ドナー不純物の低減が課題としてあげられる。現在ではまだキャリアー濃度の温度依存性から１０１８ｃｍ−３程度のドナー不純物があると算定されている。不純物の種類はまだ確定されていない。ＧａＮのより本質的な物性を明らかにするために、或は伝導性及び伝導型の制御を行うためにもドナー不純物の低減が必要である。」（第９４頁第１０〜１４行）
　また、６３頁の表５−１「ＧａＮに於けるドナー及びアクセプターの活性化エネルギー」のドナーの欄にドナーの起源としてＳｉが記載されており、第８１頁の図７−１には、サファイア基板、ＡｌＮ層、ノンドープのｎ−ＧａＮ、Ｚｎドープのｉ−ＧａＮを有し、Ｚｎドープのｉ−ＧａＮの中央部及びノンドープのｎ−ＧａＮからＺｎドープのｉ−ＧａＮの側面にＡｌ電極を設けたｍ−ｉ−ｎ構造の発光素子構造がみてとれる。
　
　同じく引用例２（日本結晶成長学会誌　Ｖｏｌ．１５　Ｎｏ．３＆４　１９８８）は、引用例１と同じ天野浩等により記載された論文であって、ＭＯＶＰＥ法によるサファイヤ基板上へのＧａＮ結晶成長におけるバッファ層の効果に関し、以下の事項が図面とともに記載されている。
「ＧａＮは・・・青色から紫外領域にわたる発光素子として有望な材料」（第３３４頁右欄第２〜４行）、
「ＧａＮは・・・単結晶成長には主として・・・有機金属化合物気相成長（ＭＯＶＰＥ）法などの気相エピタキシャル成長法が用いられる。・・・サファイア基板（α−Ａｌ２Ｏ３）が用いられている。」（第３３４頁右欄第５〜１２行）、
「ＭＯＶＰＥ法において成長層と基板との間にエピタキシャル温度よりも低い温度で単結晶でないバッファ層を堆積させることを提案した。すなわち、バッファ層としてＡｌＮを用いこれを通常のエピタキシャル温度（〜１２００℃）よりも低い温度で堆積させその上にＧａＮ膜を成長させることにより、ＧａＮ膜の結晶学的特性のみならず光学的特性、さらに電気的特性も従来のどの方法よりも改善されることを見いだし、更にこの方法を拡張することにより高効率のＧａＮ青色ＬＥＤが実現できる」（第３３４頁右下欄下から２行〜第３３５頁左欄第１０行）、
　「ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ法によるＨａｌｌ測定の結果をＦｉｇ．４に示す。測定した試料はすべてｎ型の伝導を示した。ＡｌＮバッファ層を使用して成長させたＧａＮ膜のキャリア濃度は温度と共に増大し、室温で２〜５×１０１７ｃｍ−３である。これに対し通常の成長の場合はキャリア濃度は２桁ほど大きく温度依存性がほとんど見られなかった。またＡｌＮバッファ層を用いた場合、室温での電子移動度は３５０〜４３０ｃｍ２／Ｖ・ｓで、通常の成長の場合に比べて１桁ほども大きい。」（第３３６頁右欄下から３行〜第３３７頁左欄第７行）
　第３３６頁のＦｉｇ．４には、引用例１の図３−４（２３頁）と同じｖａｎ　ｄｅｒ　Ｐａｕｗ法による不純物無添加ＧａＮの自由電子濃度とＨａｌｌ移動度の測定温度依存性の図が記載されており、ＡｌＮバッファ層を有する場合と有しない場合のＧａＮ膜のキャリア濃度及び電子移動度のデータが示されている。
　
　同じく引用例３（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　７７　（１９８６））は、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によるＡｌＸＧａ１−ＸＮ（窒化ガリウム系化合物半導体）の製造方法に関するものであって、以下の事項が載されている。
「ＳｉはＧａＮに対して浅いドナーとして機能する」（第４２４頁第６〜７行）、
「アルミニウムのより高い組成比の範囲において、材料の抵抗を制御するために、半絶縁性のＡｌＸＧａ１−ＸＮ中にシランガスによりシリコンをドープすることが試みられた。・・・この不純物は、ＧａＮの中で約３０ｍｅＶの浅いドナーレベルを有する［１５］。」（第４２８頁左欄下から４行〜同頁右欄第２行）
　
　同じく引用例４（特開昭５９−２２８７７６号公報）には、以下の事項が図面とともに記載されている。
「１．ｎ型III−Ｖ族化合物半導体であるＡｌＸＧａ１−Ｘ Ｎ（０≦Ｘ≦１）と、その上のｐ型III−Ｖ族化合物半導体であるＡｌｙＧａ１−ｙ Ｎ（０≦ｙ≦１）とから、シングル・ヘテロ接合を形成することを特徴とする半導体へテロ接合素子。」（特許請求の範囲）、
「絶縁性基板３の上に、ｎ＋型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）を実施例１と同様の方法により数μｍ厚に成長させる。ｎ＋型にするため、ｎ型よりもドナーを多く添加する」（第３頁右上欄第６〜１０行）、
「通常、このようにして作られたノンドープＧａＮエピ膜は、Ｎ−空格子点の影響でｎ型になっており、キャリア濃度１０１８〜２０ｃｍ−３、特にドナーを添加せず、そのままｎ型エピ膜として用いる。ｎ型ＡｌＸＧａ１−Ｘ Ｎ（０＜ｘ≦１）エピ膜の成長は、前記ｎ型ＧａＮ気相エピタキシャル法に、塩化物の場合はＡｌＣｌ３ を、有機金属の場合は、（ＣＨ３ ）３Ａｌを加えて行われる。
　ｎ型ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ≦１）の場合、ドナ−としてＳｉをＳｉＨ４ などのガスを用いて添加する。組成ＸはＡｌおよびＧａに関するガス流量比を制御することで定められる。」（第２頁左下欄第１１行〜同頁右下欄第２行）、
「このシングル・ヘテロ接合素子を動作させるには、第２図に示すように、ｐ型上の電極に＋極性、ｎ型上の電極に−極性の直流電圧を付加し、ｐ−ｎ接合部で発光させる。印加電圧は、青色発光波長に対応するエネルギー（≧２．５ｅＶを目安にすればよく、２．５〜３Ｖに設定され、従来のＭＩＳ構造に比べて１／３〜１／４の印加電圧ですむ。電流は１０ｍＡ〜１００ｍＡである。」（第２頁右下欄第１１〜１８行）、
「有機金属をＮＨ３ ガスと熱分解反応させてＧａＮエピ膜を成長させる方法を用いる。」（第２頁左下欄第７〜８行）、
「絶縁性基板としては、Ｃ面サファイア基板、Ｒ面サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＡｌＮ基板を用いる。」（第２頁右上欄第１９〜２１行）
　第２ないし５図には、導電性基板３，７上にｎ型あるいはｎ＋型層４，９が直接積層されていることがみてとれる。
　
２−３−４．判断
２−３−４−１．特許法第２９条第１項第３号違反について
　訂正発明の技術的事項である「サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子」は、当初明細書に、「第１図において、発光ダイオード１０はサファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１に・・・バッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約２．２μｍのＧａＮから成る高キャリア濃度Ｎ＋層３・・・が形成されている。」（第５頁第５〜１１行）及び「上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成長法（以下「ＭＯＶＰＥ」と記す）による気相成長により製造された。・・・サファイア基板１を１０分間気相エッチングした。次に、温度を、４００℃まで低下させて、・・・バッファ層２が約５００Åの厚さに形成された。次に、ＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し・・・ＴＭＧをバブリングさせたＨ２を・・・流し、シリコンを含むガスとして・・・シラン（ＳｉＨ４）を・・・・・・ＧａＮから成る高キャリア濃度Ｎ＋層３を形成した。」（第５頁第１９行〜第７頁第６行）と記載されていることからみて、実質的に記載されているに等しい事項である。
　また、訂正発明の技術的事項である「前記気相成長膜は、前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であること」は、当初明細書に、「上記の製造過程において、高キャリア濃度Ｎ＋層３を気相成長させるとき・・・シラン（ＳｉＨ４）を・・・制御することにより、高キャリア濃度Ｎ＋層３の抵抗率は、第８図に示すように、３×１０−１Ωｃｍから８×１０−３Ωｃｍまで変化させることができる。」（第９頁第１３行〜第１０頁第１１行）、「本発明は、窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長過程において、シリコンを含むガスと、他の原料ガスは同時に流され両ガスの混合比率が制御される。この結果、窒化ガリウム系化合物半導体気相成長膜にシリコンが取り込まれ、そのシリコンはドナーとして作用する。」（第４頁第１１〜１６行）及び「このようにして、高キャリア濃度Ｎ＋層３・・・を抵抗率の制御可能状態で形成することができた。」（第１０頁第１０〜１２行）と記載されていることからみて、実質的に記載されているに等しい事項である。
　上記のように、訂正発明の個別の技術的事項は、すべて当初明細書に記載されているに等しい事項である。
　
　そして、当初明細書の特許請求の範囲には「有機金属化合物気相成長法による窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）の製造方法であって、・・・導電率の制御されたＮ型の窒化ガリウム系化合物半導体・・・の気相成長膜を得ることを特徴とする製造方法。」と記載され、該記載は素子のタイプに関係するものとして記載されていない。
　さらに、【産業上の利用分野】の欄には「本発明は、導電率の制御されたＮ型の窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法に関し、特に、青色発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子・・・である。」（第１頁第１６〜１９行）と記載されており、上記 「Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体・・・の気相成長膜」が「青色発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に用いるものであることは明らかである。
　
　してみると、素子のタイプに関係のない製造方法で作られた膜が青色発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のものであることが当初明細書から読みとれ、個々の事項については実質的に記載があるのであるから、平成８年１１月１５日付け手続補正がなされ平成１４年１月８日付けで訂正された明細書が、その要旨を変更するとはいえない。
　
　以上のとおりであるから、上記手続補正及び訂正請求は明細書の要旨を変更するものとはいえず、本件の出願日が補正時点に繰り下がることはない。
　
　してみれば、取消理由に引用された特開平３−２５２１７５号公報（本件出願の公開公報）は、本件出願前公知の文献ではないから、特許法第２９条第１項第３号にいう刊行物には当たらない。
　
２−３−４−２．特許法第２９条第２項について
　上記記載事項より、引用例１には、「サファイア基板と、サファイア基板上にＭＯＶＰＥ（有機金属化合物気相成長）法により、低温成長Ａｌバッファ層、ノンドープのＮ型の窒化ガリウム化合物半導体層、Ｚｎドープのｉ型の窒化ガリウム化合物半導体層を堆積し、Ｚｎドープのｉ型の窒化ガリウム化合物半導体層の中央部及びノンドープのｎ型の窒化ガリウム化合物半導体層からＺｎドープのｉ型の窒化ガリウム化合物半導体層の側面にＡｌ電極を設けた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　訂正発明と引用発明とを対比すると、両者は、「サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　訂正発明の気相成長膜が、「前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層である」のに対し、引用例１の気相成長膜であるＮ型の窒化ガリウム化合物半導体はノンドープのものであり、該引用例第６３頁表５−１「ＧａＮに於けるドナー及びアクセプターの活性化エネルギー」のドナーの欄にドナーの起源としてＳｉが記載されているものの、それ以外の上記事項については言及のない点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用例１のＧａＮにドナーを作用させて抵抗率を所望の値に設定可能にすることが容易であるといえるためには、引用例１において、まず、
（１）不純物を含むノンドープのＧａＮ層にドナー材料を添加して伝導性の制御を行うこと自体が可能であること、
（２）ドナー不純物を低減して高純度化した状態のＮ型ＧａＮが得られているか、またはドナー不純物の低減方法が明らかであって高純度化したＮ型ＧａＮが得られることが明らかであること
のいずれかが明確である必要がある。
（１）について：
　引用例１には「また無添加ＧａＮの高純度化について、ドナー不純物の低減が課題としてあげられる。現在ではまだキャリアー濃度の温度依存性から１０１８ｃｍ−３程度のドナー不純物があると算定されている。不純物の種類はまだ確定されていない。ＧａＮのより本質的な物性を明らかにするために、或は伝導性及び伝導型の制御を行うためにもドナー不純物の低減が必要である。」（第９４頁第１０〜１４行）と記載されている。
　技術水準としての文献である高木克己・山田祥二共著「わかりやすい半導体光物性」（１９７４−５−１０、増補改訂版、（株）産報）（「図１．３５に示すようにドナ−電子のほとんど全部が導電帯に励起されています。従って自由電子濃度ｎはドナー濃度とほとんど同じになります。このことを利用すると,半導体内の自由電子濃度を測定してドナー濃度を求めたり,あるいは逆に故意に適当量の不純物を加えて希望の抵抗値の結晶を作ったりすることができます。・・・このようにして希望の抵抗値の試料を作ることができるのですが,そのためには素材の純度を充分に高くして素材中にはじめから混入していた不純物が抵抗値に影響しないようにしておかなければなりません。半導体を取り扱う際に,純度を非常に問題とする理由の1つはここにあります。」（第５３頁第１行〜２１行））及び高橋清著「森北電気工学シリーズ４、半導体工学−半導体物性の基礎−」（１９７５−８−１、森北出版）（「半導体の電気伝導は不純物（化学的不純物）の種類・量、ならびに結晶性（物理的不純物）に強く左右される。したがって半導体デバイスの製作に当たっては、できるだけ純粋な単結晶を作り、それに使用目的に応じた種類の化学的不純物を必要量だけ添加する方法がとられる。」（第２９７頁））を参酌すると、引用例１は、ＧａＮにおいても一般的な半導体と同様に、できるだけドナー不純物の少ない単結晶を作り、所望の化学的不純物を添加して伝導性の制御を行うべきことを開示してはいるものの、該記載は逆に、引用例１において得られたＧａＮが不要なドナー不純物を含むものであって、所望のドープ材をドープして伝導性を制御するためには該不純物を低減する必要があるが、引用例１に記載されたＧａＮは不純物の種類も不明で且つ高純度化の課題を有するものであるから、このような不純物を含んだままのノンドープのＧａＮにはドナーとなる材料をドープするべきではないことを記載したものと見ることができる。
　よって、引用例１は、ドナーとなる材料をドープして抵抗率を制御するようなＧａＮを記載するものでも、不純物を含むノンドープのＧａＮ層にドナー材料を添加して伝導性の制御を行うことを記載するものでもない。
（引用例４を見ると、ノンドープのＮ型ＧａＮはむしろそのままｎ型エピ膜として使用することが記載（第２頁左下欄１１〜１５行）されており、このことからも不純物を含むノンドープのＮ型ＧａＮがドナーとなる材料をドープして制御する対象ではないことが分かる。）
　
（２）について：
　引用例１では、不純物の種類も不明で且つ高純度化の課題を有するものであるから、「伝導性及び伝導型の制御を行うためにもドナー不純物の低減が必要」との希望的記載だけでは、どのような不純物を、どのように除去して、どの程度の抵抗率までのＮ型ＧａＮとするのかが不明であり、結局高純度化した状態のＮ型ＧａＮ、即ちドナーを作用させて抵抗率を所望の値に設定可能なＧａＮを記載しているとも、それを得ることが明らかであるともいえない。
　
　してみると、引用例１は、不純物を含むノンドープのＧａＮ層にドナー材料を添加して伝導性の制御を行うことを記載するものとも（上記「（１）について」参照）、ドナー不純物を低減して高純度化した状態のＮ型ＧａＮが得られているか、またはドナー不純物の低減方法が明らかであって高純度化したＮ型ＧａＮが得られることが明らかであるとも（上記「（２）について」参照）いえないのであるから、引用例１にドナーの起源としてＳｉが記載されまた引用例３に「ＳｉはＧａＮに対してドナーとして働く」と記載されているとしても、引用例１にはこれを適用すべき事項が記載されているとはいえない。
　よって、訂正発明の技術的事項である「前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して」、『「抵抗率を」「所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層である」』との事項が、当業者が容易になし得るとはいえない。
　
　上記のとおり、訂正発明の技術的事項である「前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して」、『「抵抗率を」「所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層である』との事項が、当業者が容易になし得るとはいえない以上、上記事項を前提としてなされる抵抗率の具体的な数値限定が容易になし得るとはいうことはできないが、念のため上記以外の相違点である抵抗率の数値限定（「３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲」）について以下検討する。
（イ）引用例２のノンドープＮ型ＧａＮの抵抗率は、１０−２Ωｃｍ程度であると認められるが、引用例１が同じ条件で製造されたものかどうかは明確ではないから、引用例１及び引用例２の抵抗率が同程度であるかは明確でない。仮に、両者の抵抗率が同程度であるとしても、上記したように、引用例１のような不純物を含むＧａＮはそのままではドナーとなる材料をドープして制御する対象ではない。
（ロ）引用例２を参酌して、引用例１のノンドープのＮ型ＧａＮが訂正発明の数値範囲に入っていると認められるとしても、高純度化したときにＧａＮが１０−２Ωｃｍとは異なる値となることは明らかであるから、上記数値は訂正発明の制御すべき数値範囲の根拠とはならない。
（ハ）引用例１のものは、不純物を含むＧａＮであって、そのままではドナーとなる材料をドープして制御する対象ではないから、これにドナー材料をドープすることが導けるものではないが、仮にドープしたとした場合には、１０−２Ωｃｍより抵抗率の小さなある数値になることがいえるにしても、３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの所望の値に設定することが導けるものではない。
（ニ）引用例１には、高純度化した状態のＮ型ＧａＮが記載されておらず、したがって高純度化したときにどの程度のキャリア濃度・抵抗率になるのかが不明なのであるから、Ｓｉをドナーとしてドーピングした場合に、どの数値に制御すればよいのかあるいはどの数値範囲が制御可能なのかが不明であるばかりでなく、上記のように数値限定の具体的な数値も導くことができないので、上記の抵抗率の数値限定を容易に導くことができるとはいえない。
　よって、引用例１ないし４を見ても、抵抗率を「３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲」の所望の値に設定できる制御可能状態で形成することが、当業者が容易になし得ることとは言えない。
　
　結局、上記相違点とすることは、引用例１ないし４から当業者が容易になし得るということは出来ない。
　
２−３−４−３．特許法第３６条について
　本件訂正明細書には、「続いて、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌ／分、ＮＨ３を１０ｌ／分、−１５℃に保持したＴＭＧをバブリングさせたＨ２を１００ｃｃ／分で２０分間流して、膜厚約１．５μｍ、キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３以下のＧａＮから成る低キャリア濃度Ｎ層４を形成した。」と記載されており、該キャリア濃度は「キャリア濃度６×１０１６ｃｍ−３以下」である。
　また、特許権者は、高純度のＧａＮ層を気相成長させるためには、バッファ層の導入、装置等の改善、原料ガスの高純度化を行えばよいと主張し、高純度の原料ガスが出願当時すでに販売されていたことを乙号証により示しているが、これは上記の明細書の記載事項を裏付けるものである。
　とすれば本件訂正明細書には、訂正発明を実施し得るような高純度のＧａＮ層を気相成長させる製造技術が開示されていると認めるほかはなく、上記の高純度のＧａＮ層が、それ以外にどのような理由で製造できないかを具体的に示せない以上、特許権者の主張を認めざるを得ない。
　
　さらに、本件訂正明細書には、有機金属化合物気相成長法により形成されたＡｌＮバッファ層が記載（「バッファ層２」参照）されており、これと出願当時の技術水準を勘案すれば、当初明細書には、ＡｌＮとの具体的な材料に限定されない「有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層」が記載されているとみることができる。そして出願時において、有機金属化合物気相成長法を用いてＡｌＮ以外の材料のバッファ層を形成できないということもできない。
　
　よって、本件訂正明細書には、このような高純度のＧａＮ層を気相成長させる製造技術が開示されていないとはいえないばかりでなく、訂正発明は、有機金属化合物気相成長法を用いた場合にＡｌＮ以外の材料のバッファ層では容易に実施できない、ということもできない。
　
２−３−５．まとめ
　したがって、訂正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
（なお、請求項１に係る発明が、発明の詳細な説明に記載した事項を記載するものではない旨の、平成１３年１２月２７日付け取消理由は、平成１４年１月８日付け訂正請求により解消している。）
　
２−４．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立についての判断
３−１．本件発明
　請求項に係る発明は、平成１４年１月８日付け訂正請求書により訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１により特定される上記２−３−１記載のとおりのものである。（以下、「本件発明」という。）
　
３−２．申立ての理由の概要
３−２−１．
　特許異議申立人星野進は、証拠として下記甲第１〜６号証を提出し、本件特許発明は、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるので、請求項１ないし４に係る特許は取り消すべきであると主張している。
　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭５９−２２８７７６号公報（上記「引用例４」）
甲第２号証：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ、７７（１９８６）、第４２４〜４２９頁（上記「引用例３」）
甲第３号証：特開昭６０−１７３８２９号公報
甲第４号証：特開昭６３−１８８９３８号公報
甲第５号証：日本結晶成長学会誌　Ｖｏｌ．１３　Ｎｏ．４、１９８６　ｐ．２１８〜２２５
甲第６号証：Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄｓ．　１９７３　Ｖｏｌ．３４　ｐ．８８５〜８９５
（以下、甲第１−１号証〜甲第１−６号証という。）
３−２−２．
　特許異議申立人木村和夫は、証拠として下記甲第１〜６号証を提出し、本件特許発明は、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるので、請求項１ないし４に係る特許は取り消すべきであると主張している。
　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭５９−２２８７７６号公報（上記「引用例４」）
甲第２号証：特開昭６３−１８８９３８号公報
甲第３号証：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　６８　（１９８４）ｐ．４５３〜４６０
甲第４号証：Ｐｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅ　（１９６９）Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｙ　＆　Ｓｏｎｓ　ｐ．４２
甲第５号証：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ９８　（１９８９）　ｐ．２０９〜２１９
甲第６号証：Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　４７　（１９７９）　ｐ．６１３〜６１８
（以下、甲第２−１号証〜甲第２−６号証という。）
３−２−３．
　特許異議申立人木島睦也は、証拠として下記甲第１〜５号証を提出し、本件特許発明は、甲第１〜５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるので、請求項１ないし４に係る特許は取り消すべきであると主張している。
　　　　　　　記
甲第１号証：特開昭５９−２２８７７６号公報（上記「引用例４」）
甲第２号証：日本結晶成長学会誌　Ｖｏｌ．１５　Ｎｏ．３＆４，１９８８，ｐ．３３４〜３４２（上記「引用例２」）
甲第３号証：特開昭６０−１７３８２９号公報
甲第４号証：特開昭６０−１７５４６８号公報
甲第５号証：ＶＡＰＯＲ　ＰＨＡＳＥ　ＧＲＯＷＴＨ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥＡＮＤ　ＳＹＳＴＥＭ　ＦＯＲ　ＳＥＶＥＲＡＬ　III−Ｖ　ＣＯＭＰＯＵＮＤ　ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ（１９６９）
（以下、甲第３−１号証〜甲第３−５号証という。）
３−２−４．
　特許異議申立人、横田秀昭は、証拠として下記甲第１〜５号証を提出し、本件特許発明は、甲第１〜５号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるので、請求項１ないし４に係る特許は取り消すべきであると主張している。
　　　　　　　記
甲第１号証：日本結晶成長学会誌　Ｖｏｌ．１５　Ｎｏ．３＆４，１９８８，ｐ．３３４〜３４２（上記「引用例２」）
甲第２号証：特開平５９−２２８７７６号公報（上記「引用例４」）
甲第３号証：特開昭６０−１７３８２９号公報
甲第４号証：特開昭６０−１７５４６８号公報
甲第５号証：ＶＡＰＯＲ　ＰＨＡＳＥ　ＧＲＯＷＴＨ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ　ＡＮＤ　ＳＹＳＴＥＭ　ＦＯＲ　ＳＥＶＥＲＡＬ　III−Ｖ　ＣＯＭＰＯＵＮＤ　ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ（Ｍａｒｃｈ１９６９）
（以下、甲第４−１号証〜甲第４−５号証という。）
３−２−５．
　特許異議申立人及びシャープ株式会社は、証拠として下記甲第１〜４号証を提出し、本件特許発明は、甲第１〜４号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであり、また本件出願は、特許法第３６条第３項及び第４項（異議申立人の主張する「第４項及び第６項」は「第３項及び第４項」の誤りであることが明らかである。）に規定する要件を満たしていないので、請求項１ないし４に係る特許は取り消すべきであると主張している。
　　　　　　　記
甲第１号証：Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏ１．１７（１９７０），ｐ．１９７〜１９９，“ＯＰＴＩＣＡＬ　ＡＢＳＯＰＴＩ０Ｎ　ＯＦ　ＧａＮ” 
甲第２号証：Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，ｖｏｌ．５７
（１９８６）Ｎｏ．６，ｐ．４０５〜４０９，“ＥＦＦＥＣＴ　ＯＦ　Ｓｉ　ＯＮ　ＰＨＯＴＯＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ　ＯＦ　ＧａＮ”
甲第３号証：Ｐｒｏｇ．Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　ａｎｄ　Ｃｈａｒａｃｔ．１９８８，ｖｏ１．１７，ｐ．５３〜７８，“ＣＲＹＳＴＡＬ　ＧＲＯＷＴＨ　ＯＦ　ＧＡＬＬＩＵＭ　ＮＩＴＲＩＤＥ” 
甲第４号証：Ｊｏｕｒａｌ　ｏｆ　ＣｒｙｓｔａＩ　Ｇｒｏｗｔｈ　９８（１９８９），ｐ．２０９〜２１９，“ＥＦＦＥＣＴＳ　ＯＦ　ＡｌＮ　ＢＵＦＦＥＲ　ＬＡＹＥＲ　ＯＮ　ＣＲＹＳＴＡＬＬＯＧＲＡＰＨＩＣ　ＳＴＲＵＣＴＵＲＥ　ＡＮＤ　ＯＮ　ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ　ＡＮＤ　ＯＰＴＩＣＡＬ　ＰＲＯＰＥＲＴＩＥＳ　ＯＦ　ＧａＮ　ＡＮＤ　Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（０＜ｘ≦０．４）ＦＩＬＭＳ　ＧＲＯＷＮ　ＯＮ　ＳＡＰＰＨＩＲＥ　ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ　ＢＹ　ＭＯＶＰＥ” 
（以下、甲第５−１号証〜甲第５−４号証という。）
　
３−３．甲号証に記載された発明
甲第１−１号証、甲第２−１号証、甲第３−１号証、甲第４−２号証（特開昭５９−２２８７７６号公報）には、上記２−３−３で示した事項が記載されている。
甲第１−２号証（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ、７７（１９８６））には、上記２−３−３で示した事項が記載されている。
甲第３−２号証、甲第４−１号証（１９８８年　日本結晶成長学会誌　ｐ．３３４〜３４２）には、上記２−３−３で示した事項が記載されている。
　
甲第１−３号証、甲第３−３号証、甲第４−３号証（特開平６０−１７３８２９号公報）には、次のことが記載されている。
「光学研磨したサファイアＣ面基板・・・を用い・・・高周波スパッタリング法により、・・・ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０≦ｘ≦１）・・・をバッファ層として前記基板上に堆積させ、・・・前記III属の有機金属を分解させてその窒化物膜を気相成長させて・・・前記バッファ層上に・・・同一組成であるＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０≦ｘ≦１）・・・をエピタキシャル成長させる化合物半導体薄膜の成長方法。」（特許請求の範囲）、
「まず、光学研磨したサファイヤＣ面基板１上に・・・ＧａＮバッファ層をサファイヤＣ面上に形成した。・・・次にＧａＮバッファ層２の上に、有機金属気相成長法により、ＧａＮエピタキシャル層３を・・・成長させて、第１図示の構造を得た。」（第３頁左上欄第１７行〜同頁右上欄第１９行）、
「このようにバッファ層２を設けて成長させたＧａＮエピタキシャル膜のキャリア濃度は１０１８ｃｍ−３、抵抗率は１０−１〜１Ωｃｍであり、バッファ層２のない場合に比べてキャリア濃度で１〜２桁少なく、抵抗率で２桁程度大きく、窒素空格子点の少ないエピタキシャル膜が得られた。」（第３頁左下欄第１０〜１５行）
　
甲第１−４号証、甲第２−２号証（特開昭６３−１８８９３８号公報）は、窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法に関するものであり、次のことが記載されている。
「サファイア基板のａ面に窒化アルミニウムからなるバッファ層を成長させ、そのバッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）薄膜を気相成長させる・・・窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法」（特許請求の範囲）、
「ＮＨ３を２ｌ／分、ＴＭＡを７×１０−６モル／分で供給して・・・ＡｌＮのバッファ層がサファイア基板２４の上に約０．１μｍの厚さに形成された。・・・サファイア基板・・・膜厚約７μｍのＧａＮ薄膜を形成した。」（第３頁左上欄第１１〜２０行）、
「バッファ層の上に窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；ｘ＝０を含む）薄膜を気相成長させているので、結晶性が良くなると共にサファイア基板の供給が容易となる。」（第４頁左上欄第１４〜１８行）
　
甲第１−５号証（日本結晶成長学会誌　Ｖｏｌ．１３　Ｎｏ．４、１９８６　ｐ．２１８−２２５）には、以下の事項が記載されている。
「ＡｌＸＧａ１−ＸＮは高エネルギーギャップの混晶半導体であり、短波長発光素子材料として期待されている。この材料の結晶構造はＷｕｒｔｚｉｔｅ型であるため、エピタキシャル成長は主としてサファイヤ（α−Ａｌ２Ｏ３ ）基板上に行なう。しかし、ＡｌＸＧａ１−ＸＮとα−Ａｌ２Ｏ３との大きな格子定数差（サファイヤ（０００１）面において１１．７〜１３．８％）および熱膨張係数差（８〜２８％）のために良質のエピタキシャル膜を得ることは難しい。この問題点を克服する一つの方法は成長層と基板との間にバッファ層を導入することである。この方法は種々の格子定数差の大きなへテロエピタキシ−において成長層の結晶性を改善する上で非常に有効であることが実験的に明らかにされている。この事実はへテロエピタキシーの成長機構を理解する上で重要な意味を含んでいる。
　ここではＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０≦ｘ≦０．４）／α−Ａｌ２Ｏ３ 系のへテロエピタキシーにおいて、低温成長させたＡｌＮバッファ層を介することにより、ＡｌＸＧａ１−ＸＮ膜の結晶性が著しく改善されることを示す。」（第２１８頁右欄第２〜２１行）、
「ＡｌＸＧａ１−ＸＮ膜（０≦ｘ≦０．４）は・・・常圧ＭＯＶＰＥ法により成長させた。原料としてはＴＭＧａ、ＴＭＡｌとＮＨ３ を用いた。」（第２１９頁第６〜８行）、
「ＡｌＮバッファ層は８００〜９００℃で・・・ＡｌＸＧａ１−ＸＮ膜は９５０〜１０５０℃で成長させた。」（第２１９頁第１８〜２１行）
　
甲第１−６号証（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄｓ．　１９７３　Ｖｏｌ．３４）には、ｎ型の気相成長ＧａＮの電気的特性について、おおよそ以下の事項が記載されている。
「有機金属、ＧａＣｌ−ＮＨ３または（ＣＨ３）３Ｇａ−ＮＨ３ 反応により、８７５〜１０５０℃でＡｌ２Ｏ３ 基板上にエピタキシャル成長させたノンドープのＧａＮ層が、キャリア濃度１０１７ｃｍ−３〜１０１９ｃｍ−３である。」（第１頁左欄下から６行〜末行）
　
甲第２−３号証（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　６８　（１９８４））は、ＭＯＣＶＤ法によりダブルヘテロ構造バイボーラトランジスタのＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓにＳｉＨ４、Ｈ２Ｓｅを用いてｎ型不純物Ｓｉ、Ｓｅをドープしたときの振る舞いを説明しており、Ｆｉｇ．３は、ＭＯＣＶＤを行うために供給されるＳｉＨ４ のモル比（横軸）とＧａＡｓのキャリア濃度（ｃｍ−３）（縦軸）との関係を示すものである。
　また、Ｆｉｇ．６は、キャリア濃度（横軸）と易動度μ（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）との関係を示している。
　
甲第２−４号証（Ｐｈｙｓｉｃｓ　ｏｆ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｄｅｖｉｃｅ　（１９６９））には、半導体の抵抗率ρが１／ｑμｎｎで表わされることが示されている。
　
甲第２−５号証、甲第５−４号証（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ９８　（１９８９））には、おおよそ次のことが記載されている。
「Ｆｉｇ．８を見ると、バッファ層上のＧａＮの電子濃度が従来のものより２桁低い。・・・ＡｌＮバッファ層の使用は電気特性を大きく改善する。」（第２１３頁左欄第１７行〜末行）
　
甲第２−６号証（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　４７　（１９７９））には、Ｆｉｇ．１にＳｉＨ４ の濃度（モル比）（横軸）とキャリア濃度ｎ（ｃｍ−３）（縦軸）との関係が示されている。
　
甲第３−４号証、甲第４−４号証（特開昭６０−１７５４６８号公報）には、以下の事項が記載されている。
「ＧａＮはイオン結合性の強い結晶で、シリコン（Ｓｉ）や砒化ガリウム（ＧａＡｓ）などの共有結晶に比較して、結晶が不完全で、窒素（Ｎ）の空孔などの結晶欠陥を多く含んでいる。また、このＧａＮ結晶では、窒素の空孔はドナーとして振舞うので、不純物を添加しなくても、低抵抗のｎ型半導体になることが多い。」（第１頁右下欄第８〜１４行）
　
甲第３−５号証、甲第４−５号証（ＶＡＰＯＲ　ＰＨＡＳＥ　ＧＲＯＷＴＨ　ＴＥＣＨＮＩＱＵＥ　ＡＮＤ　ＳＹＳＴＥＭ　ＦＯＲ　ＳＥＶＥＲＡＬ　III−Ｖ　ＣＯＭＰＯＵＮＤ　ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＳ（１９６９））には、III‐Ｖ族化合物半導体の気相成長技術及びシステムに関し、概略「ＧａＮにＳｉをドープすると、ＳｉはＧａまたはＮを置換するが、高導電性のｐ型層になるわけではなく、補償効果によりテーブルIIに見られるように電子濃度を下げるように見える。２・２４・６９・Ｍのサンプルでは、電子濃度が３．０×１０１６ｃｍ−３まで減らされたので、この補償効果は当たっている。」（第３頁第４０〜４５行）と記載されるとともに、アクセプタ不純物をドープされたＧａＮの電気的性質を記載した表IIによると、アクセプタ不純物としてＳｉをドープされたＧａＮの抵抗率ρが、キャリア濃度ｎが３．０×１０１６ｃｍ−３の場合は１８．３Ωｃｍ、キャリア濃度ｎが２．０×１０１９ｃｍ−３の場合は０．００３８Ωｃｍであることがわかる。
　
甲第５−１号証（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏ１．１７（１９７０））には、ＧａＮの光学的な吸収に関し、おおよそ以下の事項が記載されている。
「この研究に用いる広い領域の単結晶ＧａＮは、サファイヤ基板上に気相法によってエピタキシャル成長により得られる。成長温度９００度で、窒素はＮＨ３から得られるのに対し、ガリウムはＨＣｌと反応した塩化物の形で移送される。アンドープＧａＮは、電子濃度が少なくとも１０１９ｃｍ−３のｎ型である。」（第１９７頁左欄第１行〜同頁右欄第２行）
　第１９８頁の第１図の説明には、「Ｓｉをドープされキャリア濃度ｎが３×１０１８電子／ｃｍ３のＧａＮの３００°Ｋにおける吸収特性」と記載されている。
　
甲第５−２号証（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，ｖｏｌ．５７（１９８６））には、おおよそ以下の事項が記載されている。
第４０５頁左欄第３０行〜同頁右欄第６行には、「サファイア基板上にＧａＮをハライド気相成長で形成する。・・・ドーパントとしてのＺｎを除いて、成長時に無意識に混入した他の不純物、例えばＳｉ，Ｏ，Ｃが観測される。・・・Ｓｉの濃度は１０１６−１０１７のオーダーであることが分かった。」（第４０５頁左欄第３０行〜同頁右欄第６行）
　Ｔａｂｌｅ１には、０．２７±０．０５／ｃｍ３のＳｉを含む２．２×１０１８ｃｍ−３のキャリア濃度のアンドープＧａＮが形成されていることが記載されている。
　
甲第５−３号証（Ｐｒｏｇ．　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　ａｎｄ　Ｃｈａｒａｃｔ．１９８８）には、第７０頁Ｆｉｇ．１０には窒化物ガリウムを形成するのにハライド気相成長方法やＭＢＥやＭＯＣＶＤが用いられており、それらの方法で作製されたもののキャリア濃度と移動度との相関関係が記載されている。
　
３−４．判断
＜特許法第２９条第２項について＞
　上記２−３−３で示した引用例以外の上記甲号証については、以下のように判断する。
　
　甲第１−３号証、甲第３−３号証、甲第４−３号証（特開平６０−１７３８２９号公報）には、サファイア基板を用い、高周波スパッタリング法により形成したＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０≦ｘ≦１）をバッファ層として、該バッファ層上に、同一組成のＡｌＸＧａ１−ＸＮをエピタキシャル成長させる化合物半導体薄膜の成長方法が記載（特許請求の範囲）されており、実施例としてＧａＮバッファ層、ＧａＮエピタキシャル層を成長させること、及びこのＧａＮエピタキシャル膜のキャリア濃度は１０１８ｃｍ−３、抵抗率は１０−１〜１Ωｃｍであることが記載されていることから、本件発明とは抵抗率が３×１０−１〜１×１０−１Ωｃｍで一応一致はするものの、バッファ層は有機金属化合物気相成長法により形成されたものではなく、ドナー材をドープすること及び「抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であること」を記載するものではない。
　
　甲第１−４号証、甲第２−２号証（特開昭６３−１８８９３８号公報）及び甲第１−５号証（日本結晶成長学会誌　Ｖｏｌ．１３　Ｎｏ．４、１９８６　Ｐ．２１８−２２５）は、サファイア基板に窒化アルミニウムからなるバッファ層を成長させ、そのバッファ層の上にＧａＮを含む窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を気相成長させることは記載されているが、該窒化ガリウム系化合物半導体薄膜のキャリア濃度あるいは抵抗率については記載されておらず、ドナー材をドープすること及びそれによって抵抗率を制御することについては記載がない。
　
　甲第１−６号証（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄｓ．　１９７３　Ｖｏｌ．３４）には、サファイヤ基板上にエピタキシャル成長させたノンドーブのｎ型ＧａＮ層が、キャリア濃度１０１７ｃｍ−３〜１０１９ｃｍ−３であることが記載されているが、バッファ層を有するものでもなく、またドナー材をドープすること及び「抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であること」を記載するものでもない。
　
　甲第２−３号証（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　６８　（１９８４））は、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓにｎ型不純物Ｓｉ、Ｓｅをドープしたときの振る舞いを説明するものであって、本件発明のものとは材料が相違しており、その挙動が同じと認める理由はない。
　
　甲第２−４号証、第２−５号証及び甲第５−４号証並びに甲第２−６号証は、半導体の抵抗率ρが１／ｑμｎｎで表わされること、バッファ層が結晶性を改善するために有効であること、ＳｉＨ４ の濃度とキャリア濃度との関係を示すものであって、一般的な技術水準を示すものではあるが、本件発明の技術的事項を示すものではない。
　
　甲第３−４号証、甲第４−４号証（特開昭６０−１７５４６８号公報）には、ＧａＮはイオン結合性の強い結晶で、窒素（Ｎ）の空孔などの結晶欠陥を多く含んでおり、この窒素の空孔はドナーとして振舞うので、不純物を添加しなくても、低抵抗のｎ型半導体になることが多いことが記載されており、このことは、むしろ不純物を含むノンドープのＮ型ＧａＮがドナーとなる材料をドープして制御する対象ではないことを示すものであって、本件発明の技術的事項を示すものとはいえない。
　
　甲第３−５号証、甲第４−５号証には、ＧａＮにＳｉをドープすること及びアクセプタ不純物をドープされたＧａＮの電気的性質が表IIに記載されてはいるが、これは単にアクセプタ不純物としてＳｉをドープされることを記載するのみであって、本件発明のように、ドナーとしてＳｉをドープすることによりｎ型のＧａＮを得るものではなく、かえって不純物をドープすることにより電子濃度が減ることを記載するものであって、積極的に電子濃度を制御することを示すものでもない。
　
　甲第５−１号証（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏ１．１７（１９７０））には、サファイヤ基板上に気相法によってエピタキシャル成長により直接形成されたアンドープＧａＮは、電子濃度が少なくとも１０１９ｃｍ−３のｎ型であり、またＳｉをドープされキャリア濃度ｎが３×１０１８電子／ｃｍ３のＧａＮの３００°Ｋにおける吸収特性が記載されているが、該甲号証は、ＧａＮの光学的な吸収を示すものであって、本件発明のような窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関するものではない。
　
　甲第５−２号証（Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，ｖｏｌ．５７（１９８６））には、サファイア基板上にＧａＮをハライド気相成長で形成した際に、ドーパントとしてのＺｎを除いて、成長時に無意識に混入した他の不純物であるＳｉが観測され、その濃度は１０１６−１０１７／ｃｍ３程度であること、及び０．２７±０．０５／ｃｍ３のＳｉを含む２．２×１０１８／ｃｍ３のキャリア濃度のアンドープＧａＮが形成されていることが記載されているが、上記Ｓｉは「成長時に無意識に混入した他の不純物」であって、ドーパントといえるものではない。またバッファ層の上にＧａＮを成長させるものでもない。
　
　甲第５−３号証（Ｐｒｏｇ．　Ｃｒｙｓｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ　ａｎｄ　Ｃｈａｒａｃｔ．１９８８）には、窒化物ガリウムを形成するのにＭＯＣＶＤ等が用いられること、及びそれらの方法で作製されたもののキャリア濃度と移動度との相関関係を示すにすぎないものである。
　
　上記のとおり、上記甲号証をみても、上記２−３−４−２において示した引用例に新たな事項を加えて、上記判断を覆すものはない。
　
　したがって、本件発明は、甲第１−１ないし５−４号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
　そして、本件発明の技術的事項により、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　
＜特許法第３６条第３項及び第４項について＞
　申立人シャープ株式会社が、本件出願が特許法第３６条第３項及び第４項に違反するとの理由の一つは、特許明細書に記載された請求項１に係る発明が、「気相成長膜としてＡｌＸＧａ１−ＸＮとの記載がなされているが、実施例中にはＧａＮの例が記載されているだけであり、Ａｌを含む窒化ガリウム系化合物半導体の記載はなされていない」というにあるが、平成１４年１月８日付け訂正請求書により窒化ガリウム系化合物半導体がＧａＮであると限定されたので、上記主張の不備は解消している。
　
　そして同申立人は、本件発明において、抵抗率の数値範囲の作用効果について記載されておらず、また抵抗率の数値範囲の臨界的意義が不明であるから、同様に特許法第３６条の規定に違反するとも主張する。
　しかし、明細書には、「このようにして、高キャリア濃度Ｎ＋層３と低キャリ濃度Ｎ層４とを抵抗率の制御可能状態で形成することができた。この結果、上記の方法で製造された発光ダイオード１０の発光強度は、０．２ｍｃｄであり、従来のＩ層とＮ層とから成る発光ダイオードの発光強度の４倍に向上した。又、発光面を観察した所、発光点の数が増加していることも観察された。」と記載されており、本件発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子による効果が記載されていないとは言えない。
　また、上記２−３−４−２で示したように、引用例３からＳｉをドナーとしてドーピングするとしても、引用例１には高純度化した状態のＮ型ＧａＮが記載されていないばかりでなく、高純度化したときにどの程度のキャリア濃度・抵抗率になるのかが不明であるとともに、Ｓｉをドナーとしてドーピングした場合に、どの数値に制御すればよいのかあるいはどの数値範囲が制御可能なのかが不明であるから、結局引用例には数値限定の根拠となる事項が記載されていないという状況において、本件発明は、高純度化した状態のＮ型ＧａＮにＳｉをドナーとしてドーピングした場合に、どのような数値範囲が制御可能なのかを新たに規定したものであるから、その点において本件発明の抵抗率の数値範囲は臨界的意義を有している。
　よって、上記主張は採用するに足らないものである。
　
４．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月３１日（２００２．１．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　本件特許第２６２３４６６号明細書（平成８年１１月１５日付けで補正された全文明細書）の特許請求の範囲請求項１〜４である
「１．サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）の気相成長膜を有する発光素子であって、
　前記気相成長膜は、前記気相成長時に導入されたシリコンを含むことにより抵抗率が３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍであることを特徴とする発光素子。
２．前記気相成長膜は窒化ガリウム（ＧａＮ）であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
３．前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、バッファ層を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
４．前記バッファ層は、気相成長膜の成長温度より低温で、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたことを特徴とする請求項３に記載の発光素子。」を、
「【請求項１】サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子であって、
　前記気相成長膜は、前記気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　本件特許明細書第２頁第９行の「確立する至り」を、「確立するに至り」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　本件特許明細書第２頁第１９〜２８行の
「本発明は、サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）の気相成長膜を有する発光素子であって、気相成長膜は、気相成長時に導入されたシリコンを含むことにより抵抗率が３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍであることを特徴とする。
　又、本発明の他の特徴は、シリコンを含む気相成長膜を窒化ガリウム（ＧａＮ）としたことであり、さらに、他の特徴は、サファイア基板と気相成長膜との間に、バッファ層を設けたことである。
　又、他の特徴は、バッファ層が、気相成長膜の成長温度より低温で、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたことである。」を、
「本発明は、サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜と、サファイア基板と気相成長膜との間に、気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層とを有する発光素子であって、気相成長膜は、気相成長時にドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層であることを特徴とする。」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　本件特許明細書第３頁第１〜４行の「サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ；ｘ＝０を含む）の気相成長膜の気相成長時にシリコンを添加することで、抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍに設定した気相成長膜を少なくとも１層設けた。」を、
「サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）の気相成長膜の気相成長時にシリコンを添加することで、ドーピングされたシリコンがドナーとして作用して抵抗率を３×１０−１〜８×１０−３Ωｃｍの範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層である気相成長膜を設けた。」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　本件特許明細書第３頁第６行の「駆動電圧の低下させ」を、「駆動電圧を低下させ」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　本件特許明細書第５頁第２行の「０．４４Ｗ／ｃｍ３」を、「０．４４Ｗ／ｃｍ２」と訂正する。
（７）訂正事項ｇ
　本件特許明細書第５頁第２６行の「低キャリ濃度Ｎ層４」を、「低キャリア濃度Ｎ層４」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された
窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ
と、前記サファイア基板と前記気相成長膜との間に、前記気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層と
　前記気相成長膜は、前記気相成長時に
ドーピング
がドナーとして作用して
を
の範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層
窒化ガリウム系化合物半導体
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、発光強度の改善された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関する。
　【従来技術】
　従来、青色の発光ダイオードに、ＧａＮ系の化合物半導体が用いられている。そのＧａＮ系の化合物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とすること等から注目されている。
　このようなＧａＮ系の化合物半導体を用いた発光ダイオードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウムから成るバッファ層を介在させて、Ｎ型のＧａＮ系の化合物半導体から成るＮ層を成長させ、そのＮ層の上にＰ型不純物を添加してＩ型のＧａＮ系の化合物半導体から成るＩ層を成長させた構造をとっている（特開昭６２−１１９１９６号公報、特開昭６３−１８８９７７号公報）。
　【発明が解決しようとする課題】
　上記構造の発光ダイオードを製造する場合に、Ｉ層とＮ層との接合が用いられる。
　そして、ＧａＮ系の化合物半導体を製造する場合には、通常、意図的に不純物をドーピングしなくても、そのＧａＮ系の化合物半導体はＮ導電型となり、逆に、シリコン等の半導体と異なり、Ｉ（Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）型の半導体を得るには、亜鉛をドープしていた。又、Ｎ型のＧａＮを得る場合には、その導電率の制御が困難であった。
　しかしながら、本発明者は、上記のＧａＮ発光ダイオードを製造する過程において、有機金属化合物気相成長法によるＧａＮ半導体の気相成長技術を
確立するに至り
　一方、今後、上記のＧａＮ発光ダイオードの特性を向上させるためには、意図的に導電率の制御できるＮ型のＧａＮ系化合物半導体の気相成長膜を得ることが必要となってきた。
　したがって、本発明の目的は、抵抗率の制御可能なＮ型のＧａＮ系化合物半導体気相成長膜により、発光素子の発光強度を増加させることである。
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、サファイア基板と、サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された
窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ
と、サファイア基板と気相成長膜との間に、気相成長膜の成長温度より低温でサファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層と
ドーピング
がドナーとして作用して
を
の範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層
　【発明の作用及び効果】
　サファイア基板上に有機金属化合物気相成長法により形成された
窒化ガリウム化合物半導体（ＧａＮ）
ドーピングされたシリコンがドナーとして作用して
の範囲の所望の値に設定できる制御可能状態で形成されたＮ型の層である
を設
を
　又、サファイア基板上に、気相成長膜の成長温度より低温で有機金属化合物気相成長法により形成されたバッファ層を有しているので、気相成長膜の結晶性が改善された。
　上記の気相成長膜は、気相成長過程において、シリコンを含むガスと、他の原料ガスとを同時に流し、両ガスの混合比率を所定範囲の値に設定することにより得ることができる。
　【実施例】
　以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
　以下の方法により本発明の発光素子にかかる第１図に示す構造の発光ダイオード１０を製造した。
　第１図において、発光ダイオード１０はサファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１に５００ÅのＡｌＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約２．２μｍのＧａＮから成る高キャリア濃度Ｎ＋層３と膜厚約１．５μｍのＧａＮから成る低キャリア濃度Ｎ層４が形成されている。更に、低キャリア濃度Ｎ層４の上に膜厚約０．２μｍのＧａＮから成るＩ層５が形成されている。そして、Ｉ層５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリア濃度Ｎ＋層３に接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成されている。
　次に、この構造の発光ダイオード１０の製造方法について説明する。
　上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成長法（以下「ＭＯＶＰＥ」と記す）による気相成長により製造された。
　用いられたガスは、ＮＨ３とキャリアガスＨ２とトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３）（以下「ＴＭＧ」と記す）とトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ３）３）（以下「ＴＭＡ」と記す）とシラン（ＳｉＨ４）とジエチル亜鉛（以下「ＤＥＺ」と記す）である。
　まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。
　次に、Ｈ２を流速２ｌ／分で反応室に流しながら温度１２００℃でサファイア基板１を１０分間気相エッチングした。
　次に、温度を、４００℃まで低下させて、Ｈ２を流速２０ｌ／分、ＮＨ３を流速１０ｌ／分、１５℃に保持したＴＭＡをバブリングさせたＨ２を５０ｃｃ／分で供給してＡｌＮのバッファ層２が約５００Åの厚さに形成された。
　次に、ＴＭＡの供給を停止して、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌ／分、他の原料ガスとしてのＮＨ３を１０ｌ／分及び、−１５℃に保持したＴＭＧをバブリングさせたＨ２を１００ｃｃ／分で流し、シリコンを含むガスとしてＨ２で０．８６ｐｐｍまで希釈したシラン（ＳｉＨ４）を２００ｍｌ／分で３０分流して、膜厚約２．２μｍ、キャリア濃度１．５×１０１８／ｃｍ３のＧａＮから成る高キャリア濃度Ｎ＋層３を形成した。
　続いて、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌ／分、ＮＨ３を１０ｌ／分、−１５℃に保持したＴＭＧをバブリングさせたＨ２を１００ｃｃ／分で２０分間流して、膜厚約１．５μｍ、キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３以下のＧａＮから成る低キャリア濃度Ｎ層４を形成した。
　次に、サファイア基板１を９００℃にして、Ｈ２を２０ｌ／分、ＮＨ３を１０ｌ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、ＤＥＺを１．５×１０−４モル／分の割合で供給して、膜厚０．２μｍのＧａＮから成るＩ層５を形成した。
　このようにして、第２図に示すような多層構造が得られた。
　次に、第３図に示すように、Ｉ層５の上に、スパッタリングによりＳｉＯ２層１１を２０００Åの厚さに形成した。次に、そのＳｉＯ２層１１上にフォトレジスト１２を塗布して、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト１２を高キャリア濃度Ｎ＋層３に対する電極形成部位のフォトレジストを除去したパターンに形成した。
　次に、第４図に示すように、フォトレジスト１２によって覆われていないＳｉＯ２層１１をフッ酸系エッチング液で除去した。
　次に、第５図に示すように、フォトレジスト１２及びＳｉＯ２層１１によって覆われていない部位のＩ層５とその下の低キャリア濃度Ｎ層４と高キャリア濃度Ｎ＋層３の上面一部を、真空度０．０４Ｔｏｒｒ、高周波電力０．４４
Ｗ／ｃｍ２
　次に、第６図に示すように、Ｉ層５上に残っているＳｉＯ２層１１をフッ酸で除去した。
　次に、第７図に示すように、試料の上全面にＡｌ層１３を蒸着により形成した。そして、そのＡｌ層１３の上にフォトレジスト１４を塗布して、フォトリソグラフにより、そのフォトレジスト１４が高キャリア濃度Ｎ＋層３及びＩ層５に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形成した。
　次に、第７図に示すようにそのフォトレジスト１４をマスクとして下層のＡｌ層１３の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト１４をアセトンで除去し、高キャリア濃度Ｎ＋層３の電極８、Ｉ層５の電極７を形成した。
　このようにして、第１図に示す構造のＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造することができる。
　上記の製造過程において、高キャリア濃度Ｎ＋層３を気相成長させるとき、Ｈ２を２０ｌ／分、他の原料ガスとしてのＮＨ３を１０ｌ／分及び、−１５℃に保持したＴＭＧをバブリングさせたＨ２を１００ｃｃ／分で流し、シリコンを含むガスとしてＨ２で０．８６ｐｐｍまで希釈したシラン（ＳｉＨ４）を１０ｃｃ／分〜３００ｃｃ／分の範囲で制御することにより、高キャリア濃度Ｎ＋層３の抵抗率は、第８図に示すように、３×１０−１Ωｃｍから８×１０−３Ωｃｍまで変化させることができる。
　なお、上記方法では、シラン（ＳｉＨ４）を制御したが他の原料ガスの流量を制御しても良く、また、両者の混合比率を制御して抵抗率を変化させても良い。
　また、本実施例ではＳｉドーパント材料としてシランを使用したが、Ｓｉを含む有機化合物例えばテトラエチルシラン（Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４）などをＨ２でバブリングしたガスを用いても良い。
　このようにして、高キャリア濃度Ｎ＋層３と
低キャリア濃度Ｎ層４
　この結果、上記の方法で製造された発光ダイオード１０の発光強度は、０．２ｍｃｄであり、従来のＩ層とＮ層とから成る発光ダイオードの発光強度の４倍に向上した。
　又、発光面を観察した所、発光点の数が増加していることも観察された。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオードの構成を示した構成図、第２図乃至第７図は同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図、第８図はシランガスの流量と気相成長されたＮ層の電気的特性との関係を示した測定図である。
　１０…発光ダイオード　１…サファイア基板、
　２…バッファ層　３…高キャリア濃度Ｎ＋層
　４…低キャリア濃度Ｎ層　５…Ｉ層
　７，８…電極