【事件の表示】
　特許第３０６３７５６号「窒化物半導体素子」の請求項１ないし１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０６３７５６号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０６３７５６号の請求項１ないし１２に係る発明についての出願は、平成１１年４月２０日（優先権主張、平成１０年１０月６日及び平成１０年１２月２５日）に特許出願され、平成１２年５月１２日にその発明についての特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、宮城理佐及び大木宗一郎により特許異議の申立がなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年６月１１日付けで訂正請求がなされ、再度、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１３年７月１６日付けで訂正請求がなされるとともに、平成１３年６月１１日付け訂正請求が取り下げられたものである。
　
２．訂正の適否について
（１）訂正の内容
　ａ）特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１２に係る記載
「【請求項１】　ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成を有しかつｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層を含む少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなり、前記ｎ側コンタクト層上に形成されたｎ側多層膜層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】　前記ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と前記ｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とはそれぞれ、ＧａＮ層である請求項１記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】　前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されている請求項１又は２記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】　前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】　前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌnＧａ1-nＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌpＧａ1-pＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）からなる請求項４記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】　前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された請求項４に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】　ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ側多層膜層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項８】　前記ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する２種類の窒化物半導体層はそれぞれＧａＮ層である請求項７記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】　前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されている請求項７又は８記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】　前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項７〜９のうちのいずれか１項に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】　前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌnＧａ1-nＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌpＧａ1-pＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）からなる請求項１０記載の窒化物半導体素子。
【請求項１２】　前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された請求項１０に記載の窒化物半導体素子。」を
「【請求項１】　ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、
　前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成であってｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とからなる２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、
　前記ｎ側多層膜の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】　前記ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と前記ｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とはそれぞれ、ＧａＮ層である請求項１記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】　前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】　前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌnＧａ1-nＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌpＧａ1-pＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）からなる請求項３記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】　前記バッファ層は、低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された請求項３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】　ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、
　前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、
　前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項７】　前記ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成の２種類の窒化物半導体層はそれぞれＧａＮ層である請求項６記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】　前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項６又は７記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】　前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌnＧａ1-nＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌpＧａ1-pＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎrＧａ1-rＮ（０≦ｒ≦１）からなる請求項８記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】　前記バッファ層は、低温成長させたＧａdＡｌ1-dＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された請求項８に記載の窒化物半導体素子。」
と訂正する。
　ｂ）特許明細書の【０００４】を特許請求の範囲の訂正に伴い、それとの整合を図るために訂正明細書のとおりに訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ）は、特許明細書の請求項３及び９を削除し、請求項１及び７の記載では「ｎ側窒化物半導体層」に２種類の窒化物半導体層が一層ずつ積層されたものも含まれていたのを除外し、２種類の窒化物半導体層のペアが２以上（多層）であることを限定するとともに、該２以上のペアがｎ側コンタクト層上に接して形成されていることを限定し、また、「同一組成を有し」の記載では同一組成以外の組成をも含むか否か不明瞭であったのを「同一組成」に限定し、新たな請求項１及び６とするものであり、特許請求の範囲の減縮又は明りょうでない記載の釈明に該当する。又、新たな請求項７は、「同一組成を有する」の記載を「同一組成」に限定したものである。さらに、請求項３〜５及び７〜１０の訂正は、特許明細書の請求項３及び９の削除により、請求項が繰り上げられたことに伴う引用項の訂正であるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　そして、これらの訂正事項は、特許明細書【０００７】、【００１３】の「ｎ側第１多層膜層５は、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなる多層膜からなる。ｎ側第１多層膜５の膜厚は、２μｍ以下であり、好ましくは１．５μｍ以下であり、より好ましくは０．９μｍ以下である。また下限は特に限定されないが、例えば０．０５μｍ以上である。」、【００２１】の「ｎ側第１多層膜５を構成する窒化物半導体としては、特に限定されず同一組成であればよいが、好ましくはＧａＮが挙げられる。」、【００５１】の「７５オングストロームのアンドープＧａＮ層からなるＡ層と、ＳｉドープＧａＮ層を有する２５オングストロームのＢ層とからなるペアを成長させる。そしてペアを２５層積層して２５００オングストローム厚として、超格子構造の多層膜よりなるｎ側第１多層膜層５を成長させる。」及び第１図に記載された事項の範囲内のものであり、新規事項に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項ｂ）は、上記特許請求の範囲の訂正に伴い、それとの整合を図るために、発明の詳細な説明の【０００４】【課題を解決するための手段】の記載を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項において準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立人の主張の概要
（１）特許異議申立人大木宗一郎は、甲第１号証ないし甲第３号証を提出し、本件の請求項７，８に係る発明は甲第１号証に記載された発明であり、又、請求項９〜１１に係る発明は甲第１号証ないし甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件の請求項７〜１１に係る発明の特許は、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消されるべき旨主張している。
（２）特許異議申立人宮城理佐は、概ね下記の主張をしている。
　ア）甲第１号証ないし甲第３号証を提出し、本件の請求項１〜１２に係る発明は、甲第１号証ないし甲第３号証の記載に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本件の請求項１〜１２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　イ）請求項９の「前記ｎ側コンタクト層」に対応する「ｎ側コンタクト層」が請求項７又は８に記載されておらず、請求項９及びその従属請求項１０〜１２は、特許を受けようとする発明が明確でないから、本件特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべき旨主張している。
　
４．本件発明
　本件の請求項１〜１０に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記２．（１）ａ）参照。）
　
５．甲各号証記載の発明
　特許異議申立人宮城理佐の提出したこの出願前公知の刊行物である、甲第１号証；特開平１０−１４５０００号公報（以下、「引用例１」という。）には、
「【請求項１】　インジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して、ｎ型ドーパントがドープされた第１のｎ型窒化物半導体層が形成されており、その第１のｎ型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、ｎ型ドーパントが第１のｎ型窒化物半導体層よりも少量でドープされた第２のｎ型窒化物半導体層が形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。」（特許請求の範囲請求項１）、
「【００２５】・・・基板１上にＧａＮよりなるバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。バッファ層はＡｌＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ等が、９００℃以下の温度で、膜厚数十オングストローム〜数百オングストロームで形成できる。」（５頁右欄１０〜１６行）、
「【００２６】バッファ層２成長後、・・・ｎ型コンタクト層３として、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープしたＳｉドープｎ型ＧａＮ層を５μｍの膜厚で成長させる。」（５頁右欄２０〜２５行）、
「【００２９】続いて、１０３０℃でＳｉを８×１０18／cm3ドープしたＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型光ガイド層６を０．２μｍの膜厚で成長させる。このｎ型光ガイド層６は、活性層の光ガイド層として作用し、ＧａＮ、ＩｎＧａＮを成長させることが望ましく、通常１００オングストローム〜５μｍ、さらに好ましくは２００オングストローム〜１μｍの膜厚で成長させることが望ましい。
【００３０】次に温度を８００℃にして、ドーパントガスをシランガスからテトラエチルシラン（ＴＥＳｉ）ガスに切り替え、Ｓｉを１×１０21／cm3ドープしたＳｉドープＧａＮ層よりなる第１のｎ型層７を１０オングストロームの膜厚で成長させる。」（６頁左欄２０〜３２行）、
「【００３２】・・・活性層８は・・・Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなる井戸層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。次にＴＭＩのモル比を変化させるのみで同一温度で、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープしたＩｎ0.01Ｇａ0.95Ｎよりなる障壁層を５０オングストロームの膜厚で成長させる。この操作を２回繰り返し、最後に井戸層を積層した多重量子井戸構造の活性層８を成長させる。」（６頁左欄下から２行〜右欄８行）、
「【００３３】次に、・・・活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きい、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなるｐ型キャップ層９を３００オングストロームの膜厚で成長させる。・・・
【００３４】続いて１０５０℃で、バンドギャップエネルギーがｐ型キャップ層９よりも小さい、Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型光ガイド層１０を０．２μｍの膜厚で成長させる。この層は、活性層の光ガイド層として作用し、ｎ型光ガイド層６と同じくＧａＮ、ＩｎＧａＮで成長させることが望ましい。・・・
【００３５】続いて１０５０℃で、バンドギャップエネルギーがｐ型光ガイド層１０よりも大きい、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎよりなるｐ型クラッド層１１を０．５μｍの膜厚で成長させる。この層はｎ型クラッド層５と同じく、キャリア閉じ込め層、及び光閉じ込め層として作用し、」（６頁右欄１１〜下から４行）、
「【００３６】本実施例のようにＩｎＧａＮよりなる井戸層を有する活性層８の場合、その活性層８に接して、膜厚０．１μｍ以下のＡｌを含むｐ型キャップ層９を設け、そのｐ型キャップ層９よりも活性層から離れた位置に、ｐ型キャップ層９よりもバッドギャップエネルギーが小さいｐ型光ガイド層１０を設け、そのｐ型光ガイド層１０よりも活性層から離れた位置に、ｐ型光ガイド層１０よりもバンドギャップが大きいＡｌを含む窒化物半導体よりなるｐ型クラッド層１１を設けることは非常に好ましい。」（７頁左欄２〜１１行）、
「【００３７】最後に、ｐ型クラッド層１１の上に、１０５０℃でＭｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層１２を０．５μｍの膜厚で成長させる。」（７頁左欄２８〜３０行）と記載されている。
　上記によれば、引用例１には、
「ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体よりなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、基板上に９００℃以下の温度によるＡｌＧａＮバッファ層と、Ｓｉドープのｎ型コンタクト層と、膜厚が１０オングストロームの、Ｓｉを１×１０21／cm3ドープした第１のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）、及び、その第１のｎ型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、０．２μｍの膜厚の、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープした第２のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）を含み、上記ｐ側窒化物半導体層が、Ｍｇドープｐ型キャップ層、バンドギャップエネルギーが前記ｐ型キャップ層よりも小さいＭｇドープｐ型ＧａＮの光ガイド層、バンドギャップエネルギーが前記ｐ型ＧａＮの光ガイド層よりも大きい Ｍｇドープｐ型クラッド層（キャリア閉じ込め、光閉じ込め層）、Ｍｇドープｐ型コンタクト層からなり、前記ｐ型コンタクト層及びｎ型ＧａＮコンタクト層上に各々ｐ電極及びｎ電極を設けた窒化物半導体素子。」の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
　同じく、甲第２号証：Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３７（１９９８）ｐｐ．Ｌ４７９〜Ｌ４８１（以下、「引用例２」という。）（上申書として提出された翻訳文参照。）には、Ｆｉｇ．１とともに、
「サファイヤ基板上に，低温で成長させられたＧａＮバッファ層、ドープされないＧａＮ、ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ（コンタクト層）、アンドープのＧａＮ層、ＩｎＧａＮ 単一量子井戸層、ｐ型ＡｌＧａＮ：Ｍｇ層、ｐ型ＧａＮ層、ｐ型電極を順に積層配置し、前記ｎ型ＧａＮ層（コンタクト層）上にｎ型の電極を設けた発光ダイオード。」の発明が記載されている。また、「以前のＩｎＧａＮ　ＬＥＤｓとことなって、ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層は、ドープされないＧａＮおよびｎ−ＧａＮ：Ｓｉで置き換えられた。」（Ｌ４７９右欄４〜６行）との記載が認められる。
　
　同じく、甲第３号証；Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐｐ．Ｌ１５６８〜Ｌ１５７１（以下、「引用例３」という。）には、Ｆｉｇ．２とともに、下記の発明（以下、「引用発明３」という。）が記載されている。（上申書として提出された翻訳文参照。）
「サファイア基板上に、ｎ型ＧａＮバッファ層、ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層（コンタクト層）、ｎ型ＩｎＧａＮ：Ｓｉ層、２５Åの厚さのドープされていないＡｌＧａＮ層によって分離された２５Åの厚さのＳｉドープのＧａＮ層からなるｎ型変調ドープ化ひずみ層超格子被覆層（キャリヤーと光を閉じ込める層）、ｎ型ＧａＮ層（光ガイド層）、ＩｎＧａＮ多量子井戸層、ｐ型ＡｌＧａＮ層、ｐ型ＧａＮ層（光ガイド層）、アンドープのＡｌＧａＮ層によって分離されたＭｇドープのＧａＮ層からなるｐ型変調ドープ化ひずみ層超格子被覆層（キャリヤーと光を閉じ込める層）、ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ層、ｐ型電極を順に積層配置し、上記ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層（コンタクト層）上にｎ型の電極を設けたレーザーダイオード。」　     
　
　異議申立人大木宗一郎の提出した甲第１号証；特開平４−２４２９８５号公報（以下、「引用例４」という。）には、　
「【００３９】
　ｎ型結晶のキャリア濃度はドナー不純物のドーピング濃度により、またｐ型結晶のキャリア濃度はアクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理条件により制御する。又、特にオーム性電極形成を容易にするため高キャリア濃度実現が容易な結晶を金属との接触用に更に接合してもよい。・・・
【００４２】
　次に、サファイア基板１の温度を 600℃程度まで降温し、トリメチルアルミニウム(TMA) 及びアンモニア(NH3) を供給して、サファイア基板１上に50nm程度の膜厚を持つAlN 層２を形成する。次に、TMA の供給のみを止め、基板温度を1040℃まで上げ、TMA,トリメチルガリウム(TMG) 及びシラン(SiH4 ) を供給しSiドープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）を成長する。
【００４３】
　一旦、ウェハを成長炉から取り出し、GaAlN 層３の表面の一部をSiO2 でマスクした後、再び成長炉に戻して真空排気して水素及びNH３ を供給し1040℃まで昇温する。次に、TMG を供給して、SiO2 でマスクされていない部分に厚さ 0.5μｍのGaN層４を成長させる。次に、TMA 及びビスシクロペンタディエニルマクネシウム(Cp2Mg) を更に供給してドープGaAlN 層５（ｐ層）を 0.5μｍ成長する。
【００４４】
　次に、マスクとして使用したSiO2  を弗酸系エッチャントにより除去する。次に、ドープGaAlN 層５（ｐ層）上にSiO2 層７を堆積した後、縦１mm、横50μｍの短冊状に窓７Ａを開け、真空チャンバに移して、ドープGaAlN 層５（ｐ層）に電子線照射処理を行う。・・・
【００４５】
　次に、ドープGaAlN 層５（ｐ層）の窓８の部分と、Siドープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）に、それぞれ、金属電極を形成する。」
と記載されている。
　上記によれば、引用例４には、
「サファイア基板に600℃程度で、AlN 層を形成し、次に、Siドープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）、厚さ 0.5μｍのGaN層４、厚さ0.5μｍのマクネシウムドープGaAlN 層５（ｐ層）を成長し、GaAlN 層５（ｐ層）と、Siドープｎ型GaAlN 層３（ｎ層）に、それぞれ、金属電極を形成してなる窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。」の発明が記載されている。
　
　同じく、甲第２号証；特開平１０−４２１０号公報（以下、「引用例５」という。）には、
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。なお本発明は下記実施例に限定されるものではない。図１は本願実施例の発光素子100 全体図を示す。発光素子100 は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１上に0.05μｍのAlN バッファ層２が形成されている。
【００１３】そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約0.6 μm のシリコン濃度2 ×1018/cm3、電子濃度1 ×1018/cm3のシリコン(Si)ドープGaN から成るｎ層（第１低不純物濃度層）３１、膜厚約4.0 μｍ、シリコン濃度4 ×1018/cm3、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコン(Si)ドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ+ 層（高不純物濃度層）３、膜厚約0.5 μｍのシリコン濃度1 ×1018/cm3、電子濃度5 ×1017/cm3のシリコン(Si)ドープのGaN から成るｎ層（第２低不純物濃度層）４、膜厚約100 ｎｍ，亜鉛(Zn)とシリコン(Si)ドープがそれぞれ、 5×1018/cm3にドープされ　In0.20Ga0.80N から成る発光層５，膜厚約10ｎｍ，ホール濃度 2×1017/cm3, マグネシウム（Mg) 濃度 5×1019/cm3ドープのAl0.08Ga0.92N から成るｐ伝導型のクラッド層７１、膜厚約35ｎｍ，ホール濃度 3×1017/cm3のマグネシウム（Mg) 濃度 5×1019/cm3ドープのGaN から成る第１コンタクト層７２、膜厚約5 ｎｍ，ホール濃度 6×1017/cm3のマグネシウム（Mg) 濃度 1×1020/cm3ドープのGaN から成るｐ+ 伝導形の第２コンタクト層７３が形成されている。そして、第２コンタクト層７３の上面全体にNi/Au の２重層からなる透明電極９が形成されその透明電極９の隅の部分にNi/Au の２重層からなるボンディングのためのパッド１０が形成されている。又、ｎ＋層３上にはＡｌから成る電極８が形成されている。」（３頁左欄３６行〜右欄１６行）、
「上記実施例において、ｎ層３１には、シリコンを２×１０１８／ｃｍ３に添加して・・・いるが、無添加であってもよい。・・・ｎ層３１はその上に順次成長する各層の結晶性を改善するために存在する・・・」（４頁右欄下から５行〜５頁左欄４行）、
「ｎ層４は、・・・厚さは、・・・０．５〜２μｍが望ましい。」（５頁左欄１５〜１９行）、
「上記の実施例では、発光層５は単層で構成したが、・・・多重量子井戸構造に構成しても良い。」（５頁左欄下から６〜末行）と記載されている。
　上記によれば、引用例５には、
「サファイア基板１の上に、ＡｌＮバッファ層２、シリコン無添加（アンドープ）のGaN から成るｎ層３１、シリコン(Si)ドープGaN から成る高キャリア濃度ｎ＋ 層３（高不純物濃度層）、厚さが０．５〜２μｍのシリコン(Si)ドープのGaN から成るｎ層（第２低不純物濃度層）４、InGaN から成る多重量子井戸構造の発光層５、ｐ伝導型のクラッド層７１、ｐ 伝導形のコンタクト層７２，７３を順に形成し、ｎ＋層３上にはＡｌから成る電極８を形成した窒化物化合物半導体発光素子。」の発明（以下、「引用発明５」という。）が記載されている。
　
　同じく、甲第３号証；特開平８−２２８０２５号公報（以下、「引用例６」という。）は、サファイア基板に低温成長によるＧａＮバッファ層を介してＳｉドープｎ型ＧａＮよりなるコンタクト層を成長させた窒化物半導体発光素子において、
「実施例１の手法に従いｎ型コンタクト層３までを成長させた後、温度を８００℃に下げ、ＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ3 、ＳｉＨ4 を用い、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎよりなる薄膜を３８０オングストロームの膜厚で成長させた。次に、温度を１０５０℃に上げＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ3  、ＳｉＨ4  を用い、Ｓｉドープｎ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎよりなる薄膜を３９０オングストロームの膜厚で成長させた。これらの操作を２０回繰り返し、Ｓｉドープｎ型Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎ層とＳｉドープＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層を交互に１０層づつ積層した第１のｎ型多層膜４４を形成した。
【００４７】次に第２のｎ型クラッド層４、第１のｎ型クラッド層５、活性層６、第１のｐ型クラッド層７、および第２のｐ型クラッド層８を実施例１と同様に成長させた。　次に、温度を８００℃にしてＴＭＧ、ＴＭＩ、ＮＨ3 、Ｃｐ2 Ｍｇを用い、Ｍｇドープｐ型Ｉｎ0.01Ｇａ0.99Ｎ層を３８０オングストローム成長させ、続いて温度を１０５０℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ3 、Ｃｐ2 Ｍｇガスを用い、Ｍｇドープｐ型Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎ層を３９０オングストロームの膜厚で成長させ、それぞれ交互に１０層づつ積層した第２のｐ型多層膜５５を形成した。
【００４８】ｐ型多層膜５５形成後、そのｐ型多層膜５５の表面に実施例１と同様にしてｐ型コンタクト層９を成長させたウェーハを作製した。次に、実施例１と同様にして窒化物半導体層をエッチングした後、最上層であるｐ型コンタクト層９の表面に所定の形状のマスクを形成し、ｎ型コンタクト層３に５０μｍの幅で負電極、ｐ型コンタクト層９に１０μｍの幅で正電極をそれぞれ形成した。このようにｎ型コンタクト層の表面にｎ型多層膜４４を形成すると、自然に負電極を形成する水平面がｎ型多層膜４４よりも下、つまり図２に示すように基板側となる。」（８頁左欄４〜３７行）と記載されている。
　
６．当審の判断
６−１．特許法第２９条違反について
［請求項１について］
　請求項１に係る発明（以下、「本件発明１」という。）と上記引用例１記載の発明（以下、「引用発明１」という。）とを比較するに、引用発明１における、「膜厚が１０オングストロームの、Ｓｉを１×１０21／cm3ドープした第１のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）、及び、その第１のｎ型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、０．２μｍの膜厚の、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープした第２のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）」は、本件発明１の「ｎ側多層膜層」に相当し、引用発明１における第１及び第２のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）の膜厚は、１０オングストロームと０．２μｍの和であり、本件発明１の「ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下」の範囲内にあることが明らかであるから、両者は、
「ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成の２種類の窒化物半導体層が積層されてなり、前記ｎ側コンタクト層上に形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、
　前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下である窒化物半導体素子。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点１；本件発明１は、基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有するのにのに対し、引用発明１は、基板上にＡｌＧａＮバッファ層と、Ｓｉドープのｎ型コンタクト層を有するものであるが、アンドープＧａＮ層を有していない点、
　相違点２；ｎ側多層膜層が、本件発明１は、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成であってｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とからなる２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたのに対し、引用発明１は、Ｓｉを１×１０21／cm3ドープした第１のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）、及び、その第１のｎ型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、Ｓｉを８×１０18／cm3ドープした第２のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）の二層を形成したものであり、アンドープの窒化物半導体層を有せず、また、ｎ側多層膜層は、前記二層の２以上のペアを有せず、ｎ側コンタクト層上に接していない点。
　
　上記相違点１につき検討する。
　引用例２及び引用例５には、サファイヤ基板上に，低温で成長させられたＧａＮ或いはＡｌＮのバッファ層、ドープされないＧａＮ、ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ（コンタクト層）を形成することが記載され、本件発明１の上記相違点１の構成が備わっている。そして、引用例２には、上記ドープされないＧａＮおよびｎ−ＧａＮ：Ｓｉは、以前のｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層と置き換えたものであることが記載されている。
  そうしてみると、引用発明１のバッファ層と、Ｓｉドープのｎ型コンタクト層に変えて、引用例２記載のものを適用することに格別困難性はない。
　相違点２について、
　ｎ側コンタクト層上に２種類の窒化物半導体層の２以上のペアを含むｎ側多層膜を形成することは、引用例３及び６に記載されている。
　しかし、引用例３のｎ側多層膜は、２５Åの厚さのアンドープのＡｌＧａＮ層によって分離された２５Åの厚さのＳｉドープのＧａＮ層からなるｎ型変調ドープ化ひずみ層超格子被覆層（キャリヤーと光を閉じ込める層）であり、前記二つの層は、異なる組成のものであり、かつ、ｎ側コンタクト層上に接するものではない。又、引用例６のｎ側多層膜は、異なる組成のものにそれぞれシリコンがドープされたものである。
　結局、本件発明１の「ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成であってｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とからなる２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層」は、引用例１〜６のいずれにも示されていない。
  しかも、本件発明は、上記相違点１及び２の構成等を合わせ有することにより、「膜厚がこの範囲であると、発光出力を向上させるのに好ましい。更に、ｎ側第１多層膜層５の膜厚が上記範囲であると、アンドープＧａＮ層３とｎ側コンタクト層４との組み合わせにより、静電耐圧を向上させる点で好ましい。」（【００１３】）、「本発明の窒化物半導体素子は、多重量子井戸構造の活性層と、以上のような特定の層構成とを組み合わせることにより、多重量子井戸構造の活性層の可能性を良好に発揮させることができ、発光出力の向上及び静電耐圧の向上を可能にすることができる。」（【００７３】）という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明１は、引用例１〜６に記載された発明であるとも、引用例１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　
［請求項２〜５について］
　請求項２〜５に係る発明（以下、「本件発明２〜５」という。）は、本件発明１のすべての構成を引用し、さらに具体的な構成を各々限定したものであるから、本件発明１と同様の理由により上記引用例１〜６に記載された発明であるとも、上記引用例１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　
［請求項６について］
　請求項６に係る発明（以下、「本件発明６」という。）と引用発明１とを比較するに、引用発明１の、「膜厚が１０オングストロームのＳｉを１×１０21／cm3ドープした第１のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）、及び、その第１のｎ型窒化物半導体層よりも活性層から離れた位置に、０．２μｍの膜厚のＳｉを８×１０18／cm3ドープした第２のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）」は、本件発明６の「互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層」に相当する。また、引用発明１における前記第１及び第２のｎ型窒化物半導体層（ＧａＮ）の膜厚は、１０オングストロームと０．２μｍの和であり、本件発明６の「ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下」の範囲内にあることが明らかであるから、両者は、
「ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎaＧａ1-aＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層が、前記ｎ側コンタクト層上に形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、
　前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点１；本件発明６は、基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有するのにのに対し、引用発明１は、基板上にＡｌＧａＮバッファ層と、Ｓｉドープのｎ型コンタクト層を有するものであるが、アンドープＧａＮ層を有しない点、
　相違点２；本件発明６は、互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含むのに対し、引用発明１は、二つの層を形成したものであり、２以上のペアを有せず、また、前記二つの層はｎ側コンタクト層上に接しているものではない点。
　
　上記相違点１につき検討する。
　引用例２には、サファイヤ基板上に，低温で成長させられたＧａＮバッファ層、ドープされないＧａＮ、ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ（コンタクト層）を形成することが記載され、本件発明６の上記相違点の構成が備わっている。そして、引用例２には、上記ドープされないＧａＮおよびｎ−ＧａＮ：Ｓｉは、以前のｎ型ＧａＮ：Ｓｉ層と置き換えたものであることが記載されている。
  そうしてみると、引用発明１のバッファ層と、Ｓｉドープのｎ型コンタクト層に変えて、引用例２記載のものを適用することに格別困難性はない。
　相違点２について、
　引用例３には、２５Åの厚さのアンドープのＡｌＧａＮ層によって分離された２５Åの厚さのＳｉドープのＧａＮ層からなるｎ型変調ドープ化ひずみ層超格子被覆層（キャリヤーと光を閉じ込める層）が記載されており、多層膜層（２以上のペア）を有しているが、二つの層は、異なる組成のものであり、ｎ側コンタクト層上に接しておらず、前記多層膜の厚さについては記載がない。結局、引用例２〜６には、本件発明６の「互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層」の構成が備わっていない。
  しかも、本件発明は、上記相違点１及び２の構成等を合わせ有することにより、「膜厚がこの範囲であると、発光出力を向上させるのに好ましい。更に、ｎ側第１多層膜層５の膜厚が上記範囲であると、アンドープＧａＮ層３とｎ側コンタクト層４との組み合わせにより、静電耐圧を向上させる点で好ましい。」（【００１３】）、「本発明の窒化物半導体素子は、多重量子井戸構造の活性層と、以上のような特定の層構成とを組み合わせることにより、多重量子井戸構造の活性層の可能性を良好に発揮させることができ、発光出力の向上及び静電耐圧の向上を可能にすることができる。」（【００７３】）という明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、本件発明６は、引用例に記載された発明であるとも、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　
［請求項７〜１０について］
　請求項７〜１０に係る発明（以下、「本件発明７〜１０」という。）は、本件発明６のすべての構成を引用し、さらに具体的な構成を各々限定したものであるから、本件発明６と同様の理由により上記引用例１〜６に記載された発明であるとも、上記引用例１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　
６−２．特許法第３６条違反について
　異議申立人宮城理佐は、本件特許は下記『』の理由で特許法第３６条第６項第２号の規定に違反する旨主張している。
　『訂正前の請求項９では、「前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されている請求項７又は８記載の窒化物半導体素子」と規定するが、ここでの前記ｎ側コンタクト層なるものは請求項７又は８の構成に存在しないので、請求項９に係る特許発明はその技術的内容が不明瞭であり、請求項９に従属する請求項１０〜１２に係る特許発明はいずれも不明瞭な部分を内在する。』
　しかし、訂正請求により、訂正前の請求項７に対応する新たな請求項６に「前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層」の構成が付加されたので、上記記載不備は解消された。
　
７．むすび
　以上のとおり、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月３０日（２００１．７．３０）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　訂正事項１
　特許第３０６３７５６号の明細書中の特許請求の範囲の請求項１〜１２において、特許請求の範囲の減縮を目的として、もとの請求項３、９を削除する。
　訂正事項２
　訂正事項１の請求項削除に伴い、明りょうでない記載の釈明として、以下の対照表に示すように、項数を繰り上げる訂正をする。
　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記ｎ側窒化物半導体層が、」を「前記ｎ側窒化物半導体層が、基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、」と訂正する。
　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、」を「前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、」と訂正する。
　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「該窒化物半導体層と同一組成を有しかつｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層を含む少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなり、」を「該窒化物半導体層と同一組成であってｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とからなる２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、」と訂正する。
　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記ｎ側コンタクト層上に形成されたｎ側多層膜層を含む」を「前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下である」と訂正する。
　訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項３（訂正後の項数で示す。以下、特にことわらない限り同様とする。）において、項数を繰り上げたことに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の」を、「請求項１又は２に記載の」と訂正する。
　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項４において、項数を繰り上げたことに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項４記載の」を、「請求項３記載の」と訂正する。
　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項５において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、」を「前記バッファ層は、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり」と訂正する。
　訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項５において、項数を繰り上げたことに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項４に記載の」を「請求項３に記載の」と訂正する。
　訂正事項１１
　特許請求の範囲の請求項６において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記ｎ側窒化物半導体層が、」を、「前記ｎ側窒化物半導体層が、基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、」
と訂正する。
　訂正事項１２
　特許請求の範囲の請求項６において、特許請求項の範囲の減縮を目的として、「ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が」を「互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、」と訂正する。
　訂正事項１３
　特許請求の範囲の請求項６において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「積層されてなるｎ側多層膜層を含む」を、「前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下である」と訂正する。
　訂正事項１４
　特許請求の範囲の請求項７において、明りょうでない記載の釈明を目的として、「前記ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する２種類の窒化物半導体層」を「前記ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成の２種類の窒化物半導体層」と訂正する。
　訂正事項１５
　特許請求の範囲の請求項７において、項数を繰り上げたことに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項７記載の」を「請求項６記載の」と訂正する。
　訂正事項１６
　特許請求の範囲の請求項８において、項数を繰り上げたことに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項７〜９のうちのいずれか１項に記載の」を、「請求項６又は７記載の」と訂正する。
　訂正事項１７
　特許請求の範囲の請求項９において、項数を繰り上げたことに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項１０記載の」を「請求項８記載の」と訂正する。
　訂正事項１８
　特許請求の範囲の請求項１０において、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、」を「前記バッファ層は、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、」と訂正する。
　訂正事項１９
　特許請求の範囲の請求項１０において、項数を繰り上げたことに伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「請求項１０に記載の」を「請求項８に記載の」と訂正する。
　訂正事項２０
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項１の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（１）ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と該窒化物半導体層と同一組成を有しかつｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とを含む少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなり、前記ｎ側コンタクト層上に形成されたｎ側多層膜層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。」を、「（１）ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成であってｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とからなる２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２１
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項３の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（３）前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されている（１）又は（２）の窒化物半導体素子。」を、「（３）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする前記（１）又は（２）の窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２２
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項４の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（４）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする（１）〜（３）のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。」を、「（４）前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（０≦ｒ≦１）からなる前記（３）の窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２３
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項５の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（５）前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（０≦ｒ≦１）からなる（４）の窒化物半導体素子。」を「（５）前記バッファ層は、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された前記（３）の窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２４
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項６の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（６）前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された（４）に記載の窒化物半導体素子。」を「（６）ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２５
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項７の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（７）ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、前記ｎ側窒化物半導体層が、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなるｎ側多層膜層を含むことを特徴とする窒化物半導体素子。」を「（７）前記ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成の２種類の窒化物半導体層はそれぞれＧａＮ層である前記（６）の窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２６
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項８の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（８）前記ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する２種類の窒化物半導体層はそれぞれＧａＮ層である（７）記載の窒化物半導体素子。」を「（８）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする前記（６）又は（７）の窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２７
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項９の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（９）前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されている（７）又は（８）記載の窒化物半導体素子。」を「（９）前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（０≦ｒ≦１）からなる前記（８）の窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２８
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲請求項１０の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（１０）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする（７）〜（９）のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。」を「（１０）前記バッファ層は、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された前記（８）の窒化物半導体素子。」と訂正する。
　訂正事項２９
　本件特許明細書【０００４】において、特許請求の範囲の補正に伴い、明りょうでない記載の釈明を目的として、「（１１）前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（０≦ｒ≦１）からなる（１０）記載の窒化物半導体素子。（１２）前記窒化物半導体素子において、前記アンドープＧａＮ層が低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成され、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された（１０）に記載の窒化物半導体素子。」を削除する。
（５４）【発明の名称】
窒化物半導体素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、
　前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成であってｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とからなる２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、
　前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
　【請求項２】　前記ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と前記ｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とはそれぞれ、ＧａＮ層である請求項１記載の窒化物半導体素子。
　【請求項３】　前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
　【請求項４】　前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（０≦ｒ≦１）からなる請求項３記載の窒化物半導体素子。
　【請求項５】　前記バッファ層は、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された請求項３に記載の窒化物半導体素子。
　【請求項６】　ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、
　前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、
　前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
　【請求項７】　前記ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成の２種類の窒化物半導体層はそれぞれＧａＮ層である請求項６記載の窒化物半導体素子。
　【請求項８】　前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする請求項６又は７記載の窒化物半導体素子。
　【請求項９】　前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（０≦ｒ≦１）からなる請求項８記載の窒化物半導体素子。
　【請求項１０】　前記バッファ層は、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された請求項８に記載の窒化物半導体素子。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）、太陽電池、光センサー等の発光素子、受光素子、あるいはトランジスタ、パワーデバイス等の電子デバイスに使用される窒化物半導体（例えば、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）素子に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　窒化物半導体は高輝度青色ＬＥＤ、純緑色ＬＥＤの材料として、フルカラーＬＥＤディスプレイ、交通信号灯、イメージスキャナー光源等の各種光源で実用化されている。これらのＬＥＤ素子は基本的に、サファイア基板上にＧａＮよりなるバッファ層と、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ側コンタクト層と、単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Ｓｉｎｇｌｅ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ）のＩｎＧａＮ、あるいはＩｎＧａＮを有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ）の活性層と、ＭｇドープＡｌＧａＮよりなるｐ側クラッド層と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ側コンタクト層とが順に積層された構造を有しており、２０ｍＡにおいて、発光波長４５０ｎｍの青色ＬＥＤで５ｍＷ、外部量子効率９．１％、５２０ｎｍの緑色ＬＥＤで３ｍＷ、外部量子効率６．３％と非常に優れた特性を示す。多重量子井戸構造は、複数のミニバンドからなる構造を有し、効率よく、小さな電流でも発光が実現することから、単一量子井戸構造より発光出力が高くなる等の素子特性の向上が期待される。例えば、多重量子井戸構造の活性層を用いたＬＥＤ素子として、特開平１０−１３５５１４号公報には、発光効率及び発光光度を良好とするため、少なくともアンドープのＧａＮからなるバリア層、アンドープのＩｎＧａＮからなる井戸層からなる多重量子井戸構造の発光層、更に発光層のバリア層よりも広いバンドギャップを持つクラッド層を有する窒化物半導体素子が開示されている。　
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記従来の素子をＬＥＤ素子として、照明用光源、直射日光の当たる屋外ディスプレイ等に使用するためには発光出力が十分満足できるものでない。このように多重量子井戸構造の活性層は、発光出力の飛躍的な向上が考えられるが、その予想される可能性を十分に発揮させ難い。更にまた、窒化物半導体からなる素子は、その構造上、人体に生じる静電気より遙かに弱い１００Ｖの電圧でさえも劣化する可能性がある。例えば、帯電防止処理された袋等から取り出す際、また製品に応用する際等、劣化する危険性が考えられる。窒化物半導体素子の信頼性をより高めるには、このような劣化の危険性をなくすことが望まれる。そこで、本発明の目的は、多重量子井戸構造の活性層を用い種々の応用製品への適用範囲の拡大を可能とする発光出力のさらなる向上、及び静電耐圧の向上する窒化物半導体発光素子を提供することである。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　即ち、本発明は、下記（１）〜（１０）の構成により本発明の目的を達成することができる。
（１）ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、
　前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と、該窒化物半導体層と同一組成であってｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とからなる２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、
　前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
（２）前記ｎ型不純物がドープされている窒化物半導体層と前記ｎ型不純物がドープされていないアンドープの窒化物半導体層とはそれぞれ、ＧａＮ層である前記（１）の窒化物半導体素子。
（３）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする前記（１）又は（２）の窒化物半導体素子。
（４）前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎｒＧａ１−ｒＮ（０≦ｒ≦１）からなる前記（３）の窒化物半導体素子。
（５）前記バッファ層は、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された前記
（３）
（６）ｎ側窒化物半導体層とｐ側窒化物半導体層の間に活性層を有する窒化物半導体素子において、
　前記活性層が、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）層を有する多重量子井戸構造であり、
　前記ｎ側窒化物半導体層が、
　基板上にバッファ層を介して形成されたアンドープＧａＮ層と、
　前記アンドープＧａＮ層の上に形成されたｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層と、
　互いに同一組成でｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている２種類の窒化物半導体層の２以上のペアが、前記ｎ側コンタクト層上に接して形成されたｎ側多層膜層を含み、かつ、
　前記ｎ側多層膜層の膜厚が０．０５μｍ以上、２μｍ以下であることを特徴とする窒化物半導体素子。
（７）前記ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成の２種類の窒化物半導体層はそれぞれＧａＮ層である前記（６）の窒化物半導体素子。
（８）前記ｐ側窒化物半導体層が、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつｐ型不純物濃度が異なる又は同一の第３と第４の窒化物半導体層が積層されてなるｐ側多層膜クラッド層を含むことを特徴とする前記（６）又は（７）の窒化物半導体素子。
（９）前記ｐ側多層膜クラッド層は超格子構造を有し、前記第３の窒化物半導体層はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１，ｐ＜ｎ）又はＩｎｒＧａ１−ｒ、Ｎ（０≦ｒ≦１）からなる前記（８）の窒化物半導体素子。
（１０）前記バッファ層は、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層であり、かつ前記ｐ側多層膜クラッド層上にｐ型不純物としてＭｇを含むｐ側ＧａＮコンタクト層が形成された前記（８）の窒化物半導体素子。
　【０００５】
　つまり、本発明は、多重量子井戸構造の発光層を挟むように、ｎ側にｎ型不純物濃度の異なる２種類以上の窒化物半導体層からなるｎ側第１多層膜層と、ｐ側に第３及び第４の窒化物半導体層からなるｐ側多層膜クラッド層又はｐ型不純物を含みＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）よりなるｐ側単一膜クラッド層とを組み合わせて形成することにより、発光効率を向上させ発光出力の向上した、さらに静電耐圧の向上した窒化物半導体素子を得ることができる。このように特定の組成や構造等を有する複数の窒化物半導体層を組み合わせることにより、多重量子井戸構造の活性層の性能を効率良く発揮することができる。また、多重量子井戸構造の活性層との組み合わせで好ましい他の窒化物半導体層を以下に記載する。
　【０００６】
　本発明において、前記ｎ側第１多層膜層と活性層との間に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層を有すると更に発光効率が向上すると共に、Ｖｆを低下させて発光効率を向上させることができ好ましい。更に、本発明において、前記ｎ側第１多層膜層より基板側に、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層を有すると、発光出力を向上させ、Ｖｆを低下させるのに好ましい。また更に、本発明において、前記ｎ側コンタクト層が、アンドープＧａＮ層の上に形成されてなると、かかるアンドープＧａＮ層は結晶性の良い層として得られるので、ｎ電極を形成する層となるｎ側コンタクト層の結晶性が良くなり、ｎ側コンタクト層上に形成される活性層などのその他の窒化物半導体層の結晶性も良くなり、発光出力を向上させるのに好ましい。また更に、本発明において、前記アンドープＧａＮ層が、低温成長させたＧａｄＡｌ１−ｄＮ（０＜ｄ≦１）からなるバッファ層上に形成されていると、アンドープＧａＮ層の結晶性が更に良好となり、ｎ側コンタクト層等の結晶性もより良好となり、発光出力の向上において好ましく、更にまた、ｐ側多層膜クラッド層又はｐ側単一膜クラッド層上にＭｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層を形成してなると、ｐ型特性を得やすくなると共に、かかるｐ側ＧａＮコンタクト層がこの上に形成されるｐ電極と良好なオーミック接触を有し、発光出力を向上させるのに好ましい。また更に、本発明において、前記アンドープＧａＮ層、ｎ側コンタクト層、及びｎ側第１多層膜層の合計の膜厚が、２〜２０μｍ、好ましくは３〜１０μｍ、より好ましくは４〜９μｍであると、静電耐圧の向上の点で好ましい。また上記範囲の膜厚であると静電耐圧以外の他の素子特性も良好である。また、上記３層の合計の膜厚は、各層の好ましい膜厚の範囲内で、３層の合計の膜厚が上記範囲となるように適宜調整される。
　【０００７】
　【発明の実施の形態】
　以下に本発明の一実施の形態である窒化物半導体素子の構造を示す窒化物半導体素子の模式的断面図である図１を用いて、本発明を詳細に説明する。図１は、基板１上に、バッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層４、ｎ型不純物を含むｎ側第１多層膜５、第１及び第２の窒化物半導体層よりなるｎ側第２多層膜層６、多重量子井戸構造の活性層７、第３及び第４の窒化物半導体層からなるｐ側多層膜クラッド層８又はｐ側単一膜クラッド層８、Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９が順に積層された構造を有する。更にｎ側コンタクト層４上にｎ電極１１、ｐ側ＧａＮコンタクト層９上にｐ電極１０がそれぞれ形成されている。
　【０００８】
　本発明において、基板１としては、サファイアＣ面、Ｒ面又はＡ面を主面とするサファイア、その他、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性の基板の他、ＳｉＣ（６Ｈ、４Ｈ、３Ｃを含む）、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の半導体基板を用いることができる。
　【０００９】
　本発明において、バッファ層２としては、ＧａｄＡｌ１−ｄＮ（但しｄは０＜ｄ≦１の範囲である。）からなる窒化物半導体であり、好ましくはＡｌの割合が小さい組成ほど結晶性の改善が顕著となり、より好ましはＧａＮからなるバッファ層２が挙げられる。バッファ層２の膜層は、０．００２〜０．５μｍ、好ましくは０．００５〜０．２μｍ、更に好ましくは０．０１〜０．０２μｍの範囲に調整する。バッファ層２の膜厚が上記範囲であると、窒化物半導体の結晶モフォロジーが良好となり、バッファ層２上に成長させる窒化物半導体の結晶性が改善される。バッファ層２の成長温度は、２００〜９００℃であり、好ましくは４００〜８００℃の範囲に調整する。成長温度が上記範囲であると良好な多結晶となり、この多結晶が種結晶としてバッファ層２上に成長させる窒化物半導体の結晶性を良好にでき好ましい。また、このような低温で成長させるバッファ層２は、基板の種類、成長方法等によっては省略してもよい。
　【００１０】
　次に、本発明において、アンドープＧａＮ層３は、成長する際にｎ型不純物を添加せずに成長してなる層を示す。バッファ層２上にアンドープＧａＮ層３を成長させるとアンドープＧａＮ層３の結晶性が良好となり、アンドープＧａＮ層３上に成長させるｎ側コンタクト層４などの結晶性も良好となる。アンドープＧａＮ層３の膜厚としては、０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以上であり、より好ましくは１μｍ以上である。またアンドープＧａＮ層３の膜厚の上限は特に限定されないが、製造効率等を考慮して適宜調整される。膜厚が上記範囲であると、ｎ側コンタクト層４以降の層を結晶性良く成長でき好ましい。更に、アンドープＧａＮ層３の膜厚が上記範囲であると、ｎ側コンタクト層４とｎ側第１多層膜層５との合計の膜厚を、前記範囲に調整し静電耐圧を向上させる点で好ましい。
　【００１１】
　次に、本発明において、ｎ型不純物を含むｎ側コンタクト層４は、ｎ型不純物を３×１０１８／ｃｍ３以上、好ましくは５×１０１８／ｃｍ３以上の濃度で含有する。このようにｎ型不純物を多くドープし、この層をｎ側コンタクト層とすると、Ｖｆ及び閾値を低下させることができる。不純物濃度が上記範囲を逸脱するとＶｆが低下しにくくなる傾向がある。また、ｎ側コンタクト層４は、ｎ型不純物濃度が小さい結晶性の良好なアンドープＧａＮ層３上に形成されると、高濃度のｎ型不純物を有しているにも関わらず結晶性を良好に形成することができる。ｎ側コンタクト層４のｎ型不純物濃度の上限は特に限定しないが、コンタクト層として結晶性が悪くなりすぎる限界としては５×１０２１／ｃｍ３以下が望ましい。
　【００１２】
　ｎ側コンタクト層４の組成は、ＩｎｅＡｌｆＧａ１−ｅ−ｆＮ（０≦ｅ、０≦ｆ、ｅ＋ｆ≦１）で構成でき、その組成は特に問うものではないが、好ましくはＧａＮ、ｆ値０．２以下のＡｌｆＧａ１−ｆＮとすると結晶欠陥の少ない窒化物半導体層が得られやすい。ｎ側コンタクト層４の膜厚は特に問うものではないが、ｎ電極を形成する層であるので０．１〜２０μｍ、好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは１〜５μｍである。膜厚が上記範囲であると抵抗値を低くでき、発光素子の順方向電圧を低くでき好ましい。更に、ｎ側コンタクト層４の膜厚が上記範囲であると、アンドープＧａＮ層３及びｎ側第１多層膜層５との組み合わせにより、静電耐圧を向上させる点で好ましい。また、ｎ側コンタクト層４は、後述のｎ側第１多層膜層５を厚膜に形成する場合、省略することができる。
　【００１３】
　次に、本発明において、ｎ側第１多層膜層５は、ｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされているバンドギャップエネルギーが異なる又はｎ型不純物が互いに異なる濃度でドープされている同一組成を有する少なくとも２種類の窒化物半導体層が積層されてなる多層膜からなる。ｎ側第１多層膜５の膜厚は、２μｍ以下であり、好ましくは１．５μｍ以下であり、より好ましくは０．９μｍ以下である。また下限は特に限定されないが、例えば０．０５μｍ以上である。膜厚がこの範囲であると、発光出力を向上させるのに好ましい。更に、ｎ側第１多層膜層５の膜厚が上記範囲であると、アンドープＧａＮ層３とｎ側コンタクト層４との組み合わせにより、静電耐圧を向上させる点で好ましい。上記多層膜層を構成する窒化物半導体層の互いの不純物濃度が異なることを変調ドープといい、この場合、一方の層が不純物をドープしない状態、つまりアンドープが好ましい。
　【００１４】
　まず、以下にｎ側第１多層膜層５が、互いにバンドギャップエネルギーが異なる少なくとも２種類の窒化物半導体層を積層してなる多層膜である場合について説明する。ｎ側第１多層膜層５の多層膜層を構成するバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層及びバンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層の膜厚は、１００オングストローム以下、さらに好ましくは７０オングストローム以下、最も好ましくは１０〜４０オングストロームの膜厚に調整する。１００オングストロームよりも厚いと、バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層及びバンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層が弾性歪み限界以上の膜厚となり、膜中に微少なクラック、あるいは結晶欠陥が入りやすい傾向にある。バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層の膜厚の下限は特に限定せず、１原子層以上であればよいが、前記のように１０オングストローム以上が最も好ましい。
　【００１５】
　上記のようにｎ側第１多層膜５が、膜厚の薄い多層膜構造であると、その多層膜層を構成する窒化物半導体層の各膜厚を弾性臨界膜厚以下とすることができ、結晶欠陥の非常に少ない窒化物半導体が成長できる。さらに、この多層膜層で基板からアンドープＧａＮ層３やｎ側コンタクト層４を通って発生している結晶欠陥をある程度止めることができ、多層膜層の上に成長させるｎ側第２多層膜層６の結晶性を良くすることができる。さらにＨＥＭＴに類似した効果もある。
　【００１６】
　バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層は、少なくともＡｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌｇＧａ１−ｇＮ（０＜ｇ≦１）を成長させる方が望ましい。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体はバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体であればどのようなものでも良いが、好ましくはＡｌｈＧａ１−ｈＮ（０≦ｈ＜１、９＞ｈ）、ＩｎｊＧａ１−ｊＮ（０≦ｊ＜１）のような２元混晶、３元混晶の窒化物半導体が成長させやすく、また結晶性の良いものが得られやすい。その中でも特に好ましくはバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体は実質的にＩｎを含まないＡｌｇＧａ１−ｇＮ（０＜ｇ＜１）とし、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体は実質的にＡｌを含まないＩｎｊＧａ１−ｊＮ（０≦ｊ＜１）とし、中でも結晶性に優れた多層膜を得る目的で、Ａｌ混晶比（ｇ値）０．３以下のＡｌｇＧａ１−ｇＮ（０＜ｇ≦０．３）と、ＧａＮの組み合わせが最も好ましい。
　【００１７】
　また、ｎ側第１多層膜層５が、光閉じ込め層、及びキャリア閉じ込め層としてクラッド層を形成する場合、活性層の井戸層よりもバンドギャップエネルギーの大きい窒化物半導体を成長させる必要がある。バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とは、即ちＡｌ混晶比の高い窒化物半導体である。従来ではＡｌ混晶比の高い窒化物半導体を厚膜で成長させると、クラックが入りやすくなるため、結晶成長が非常に難しかった。しかしながら本発明のようにｎ側第１多層膜層５を多層膜層にすると、多層膜層を構成する単一層をＡｌ混晶比の多少高い層としても、弾性臨界膜厚以下の膜厚で成長させているのでクラックが入りにくい。そのため、Ａｌ混晶比の高い層を結晶性良く成長できることにより、光閉じ込め、キャリア閉じ込め効果が高くなり、レーザ素子では閾値電圧、ＬＥＤ素子ではＶｆ（順方向電圧）を低下させることができる。
　【００１８】
　さらに、このｎ側第１多層膜層５のバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層とバンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層とのｎ型不純物濃度が異なることが好ましい。これはいわゆる変調ドープと呼ばれるもので、一方の層のｎ型不純物濃度を小さく、好ましくは不純物をドープしない状態（アンドープ）として、もう一方を高濃度にドープすると、閾値電圧、Ｖｆ等を低下させることができる。これは不純物濃度の低い層を多層膜層中に存在させることにより、その層の移動度が大きくなり、また不純物濃度が高濃度の層も同時に存在することにより、キャリア濃度が高いままで多層膜層が形成できることによる。つまり、不純物濃度が低い移動度の高い層と、不純物濃度が高いキャリア濃度が大きい層とが同時に存在することにより、キャリア濃度が大きく、移動度も大きい層がクラッド層となるために、閾値電圧、Ｖｆが低下すると推察される。
　【００１９】
　バンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体層にｎ型不純物を多くドープする場合、バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層への好ましいドープ量としては、１×１０１７／ｃｍ３〜１×１０２０／ｃｍ３、さらに好ましくは１×１０１８／ｃｍ３〜５×１０１９／ｃｍ３の範囲に調整する。１×１０１７／ｃｍ３よりも少ないと、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層との差が少なくなって、キャリア濃度の大きい層が得られにくい傾向にあり、また１×１０２０／ｃｍ３よりも多いと、素子自体のリーク電流が多くなりやすい傾向にある。一方、バンドギャップエネルギーの小さな窒化物半導体層のｎ型不純物濃度はバンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体層よりも少なければ良く、好ましくは１／１０以上少ない方が望ましい。最も好ましくはアンドープとすると最も移動度の高い層が得られるが、膜厚が薄いため、バンドギャップエネルギーの大きな窒化物半導体側から拡散してくるｎ型不純物があり、その量は１×１０１９／ｃｍ３以下が望ましい。ｎ型不純物としてはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｓ、Ｏ等の周期律表第ＩＶＢ族、ＶＩＢ族元素を選択し、好ましくはＳｉ、Ｇｅ、Ｓをｎ型不純物とする。この作用は、バンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体層にｎ型不純物を少なくドープして、バンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体層にｎ型不純物を多くドープする場合も同様である。以上、多層膜層に不純物を好ましく変調ドープする場合について述べたが、バンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体層とバンドギャップエネルギーが小さい窒化物半導体層との不純物濃度を等しくすることもできる。
　【００２０】
　さらにまたｎ側第１多層膜層の多層膜を構成する窒化物半導体層において、不純物が高濃度にドープされる層は、厚さ方向に対し、半導体層中心部近傍の不純物濃度が大きく、両端部近傍の不純物濃度が小さい（好ましくはアンドープ）とすることが望ましい。具体的に説明すると、例えばｎ型不純物としてＳｉをドープしたＡｌＧａＮと、アンドープのＧａＮ層とで多層膜層を形成した場合、ＡｌＧａＮはＳｉをドープしているのでドナーとして電子を伝導帯に出すが、電子はポテンシャルの低いＧａＮの伝導帯に落ちる。ＧａＮ結晶中にはドナー不純物をドープしていないので、不純物によるキャリアの散乱を受けない。そのため電子は容易にＧａＮ結晶中を動くことができ、実質的な電子の移動度が高くなる。これは二次元電子ガスの効果と類似しており、電子横方向の実質的な移動度が高くなり、抵抗率が小さくなる。さらに、バンドギャップエネルギーの大きいＡｌＧａＮの中心領域にｎ型不純物を高濃度にドープすると効果はさらに大きくなる。即ちＧａＮ中を移動する電子によっては、ＡｌＧａＮ中に含まれるｎ型不純物イオン（この場合Ｓｉ）の散乱を多少とも受ける。しかしＡｌＧａＮ層の厚さ方向に対して両端部をアンドープとするとＳｉの散乱を受けにくくなるので、さらにアンドープＧａＮ層の移動度が向上するのである。
　【００２１】
　次に、ｎ側第１多層膜層５が、同一組成の窒化物半導体層が積層されてなり、ｎ型不純物がそれら窒化物半導体層間で異なる濃度でドープされている場合について説明する。まず、ｎ側第１多層膜層５を構成する窒化物半導体としては、特に限定されず同一組成であればよいが、好ましくはＧａＮが挙げられる。ｎ側第１多層膜層５がＧａＮで構成されていると、３元混晶より２元混晶のＧａＮであると結晶性良く成長でき、以降に成長させる窒化物半導体の結晶性も良好となり好ましい。このような同一組成、例えばＧａＮのｎ側第１多層膜層５は、ｎ型不純物を含む第１のＧａＮ層と第１のＧａＮ層のｎ型不純物濃度と異なる濃度の第２のＧａＮ層、好ましくはどちらか一方がアンドープＧａＮ層である少なくとも２種類以上の窒化物半導体からなる多層膜構造を有していることが好ましい。このように変調ドープされ多層膜構造を有していると、上記ｎ側第１多層膜層５がバンドギャップエネルギーの異なり変調ドープされた少なくとも２種類の層から構成される場合と同様の作用が得られる。ｎ側不純物の濃度は１×１０１７〜１×１０２１／ｃｍ３、好ましくは１×１０１８〜１×１０１９／ｃｍ３、より好ましくは３×１０１８〜７×１０１８／ｃｍ３である。また、この場合のｎ側第１多層膜層５の総膜厚は、特に限定されないが、１０００〜４０００オングストローム、好ましくは２０００〜３０００オングストロームである。また多層膜の各膜厚は５００オングストローム以下、好ましくは２００オングストローム以下、より好ましくは１００オングストローム以下であり、膜厚の下限は特に限定されないが、１原子層以上であればよいが、１０オングストローム以上が好ましい。上記のような膜厚であると、結晶性良く成長させることができ、発光出力を向上させるのに好ましい。
　【００２２】
　また、以上説明した、バンドギャップエネルギーの異なる又は同一組成で更に不純物濃度の異なる２種類以上の層からなるｎ側第１多層膜層５は、ｎ側コンタクト層を兼ねることができる。この場合、ｎ側第１多層膜層５の膜厚は、０．５〜４μｍ、好ましくは１〜３μｍ、より好ましくは２〜２．８μｍである。この場合のｎ側第１多層膜層５の膜厚は、上記の少なくとも２種類以上の窒化物半導体層により調整される。この場合のｎ側第１多層膜層５を構成する各膜厚は、上記範囲の薄膜層の多層膜層としてもよく、また全体としての膜厚がｎ側コンタクト層を兼ねる場合のｎ側第１多層膜層５の上記膜厚の範囲であれば各膜厚が上記範囲を超える２種類以上の窒化物半導体により調整してもよい。
　【００２３】
　次に、本発明において、ｎ側第２多層膜層６は、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側多層膜層からなり、前記第１の窒化物半導体層、または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚が１００オングストローム以下である。好ましくは第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層の両方を１００オングストローム以下、さらに好ましくは７０オングストローム以下、最も好ましくは５０オングストローム以下にする。このように膜厚を薄くすることにより、多層膜層が超格子構造となって、多層膜層の結晶性が良くなるので、出力が向上する傾向にある。ここで、前記ｎ側第１多層膜層と、上記ｎ側第２多層膜層とを組み合わせると、発光出力が向上し、順方向電圧（Ｖｆ）が低下し好ましい。この理由は定かではないが、ｎ側第２多層膜層上に成長させる活性層の結晶性が良好となるためと考えられる。
　【００２４】
　第１の窒化物半導体層はＩｎｋＧａ１−ｋＮ（０＜ｋ＜１）とし、第２の窒化物半導体層はＩｎｍＧａ１−ｍＮ（０≦ｍ＜１、ｍ＜ｋ）、好ましくはＧａＮとすることが最も好ましい。
　【００２５】
　さらに、前記第１の窒化物半導体層または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚が、近接する第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層同士で互いに異なっても、同一でもよい。また。膜厚が近接する層同士で互いに異なるとは、第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層を複数層積層した多層膜層を形成した場合に、第２の窒化物半導体層（第１の窒化物半導体層）を挟んだ第１の窒化物半導体層（第２の窒化物半導体層）の膜厚が互いに異なることを意味する。
　【００２６】
　さらにまた、前記第１の窒化物半導体層、または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方のＩＩＩ族元素の組成が、近接する第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層の同一ＩＩＩ族元素の組成同士で互いに異なることが好ましい。このことは、第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層を複数層積層した多層膜層を形成した場合に、第２の窒化物半導体層（第１の窒化物半導体層）を挟んだ第１の窒化物半導体層（第２の窒化物半導体層）のＩＩＩ族元素の組成比が互いに異なることを意味する。
　【００２７】
　ｎ側第２多層膜層６は、活性層と離間して形成されていても良いが、最も好ましくは活性層に接して形成されているようにする。活性層に接して形成する方がより出力が向上しやすい傾向にある。
　【００２８】
　また、ｎ側第２多層膜層６の第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層がアンドープであることが好ましい。アンドープとは意図的に不純物をドープしない状態を指し、例えば隣接する窒化物半導体層から拡散により混入される不純物も本発明ではアンドープという。なお拡散により混入される不純物は層内において不純物濃度に勾配がついていることが多い。
　【００２９】
　第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層のいずれか一方に、ｎ型不純物がドープされていてもよい。これは変調ドープと呼ばれるもので、変調ドープすることにより、出力が向上しやすい傾向にある。なおｎ型不純物としては、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ等のＩＶ族、ＶＩ族元素を好ましく選択し、さらに好ましくはＳｉ、Ｓｎを用いる。
　【００３０】
　また、第１の窒化物半導体層および第２の窒化物半導体層の両方にｎ型不純物がドープされていてもよい。ｎ型不純物をドープする場合、不純物濃度は５×１０２１／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０２０／ｃｍ３以下に調整する。５×１０２１／ｃｍ３よりも多いと窒化物半導体層の結晶性が悪くなって、逆に出力が低下する傾向にある。これは変調ドープの場合も同様である。
　【００３１】
　図１に示すように、活性層７を挟んで下部にあるｎ側窒化物半導体層に、Ｉｎを含む第１の窒化物半導体層と、その第１の窒化物半導体層と異なる組成を有する第２の窒化物半導体層とが積層されたｎ側第２多層膜層６を有している。ｎ側第２多層膜層６において、第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層はそれぞれ少なくとも一層以上形成し、合計で２層以上、好ましくは３層以上、さらに好ましくはそれぞれ少なくとも２層以上積層し合計で４層以上積層することが望ましい。ｎ側第２多層膜層６が活性層に接して形成されている場合、活性層の最初の層（井戸層、若しくは障壁層）と接する多層膜層は第１の窒化物半導体層でも、第２の窒化物半導体層いずれでも良く、ｎ側第２多層膜層６の積層順序は特に問うものではない。なお、図１ではｎ側第２多層膜層６が、活性層７に接して形成されているが、このｎ側第２多層膜層６と活性層との間に、他のｎ型窒化物半導体よりなる層を有していても良い。このｎ側第２多層膜層を構成する第１の窒化物半導体層または第２の窒化物半導体層の少なくとも一方の膜厚を１００オングストローム以下、好ましくは７０オングストローム以下、より好ましくは５０オングストローム以下とすることにより、薄膜層が弾性臨界膜厚以下となって結晶が良くなり、その上に積層する第１、若しくは第２の窒化物半導体層の結晶性が良くなり、多層膜層全体の結晶性が良くなるため、素子の出力が向上する。
　【００３２】
　第１の窒化物半導体層はＩｎを含む窒化物半導体、好ましくは３元混晶のＩｎｋＧａ１−ｋＮ（０＜ｋ＜１）とし、さらに好ましくはｋ値が０．５以下のＩｎｋＧａ１−ｋＮ、最も好ましくはｋ値が０．２以下のＩｎｋＧａ１−ｋＮとする。一方、第２の窒化物半導体層は第１の窒化物半導体層と組成が異なる窒化物半導体であれば良く、特に限定しないが、結晶性の良い第２の窒化物半導体を成長させるためには、第１の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい２元混晶あるいは３元混晶の窒化物半導体を成長させ、その中でもＧａＮとすると、全体に結晶性の良い多層膜層が成長できる。従って最も好ましい組み合わせとしては、第１の窒化物半導体層がｋ値が０．５以下のＩｎｋＧａ１−ｋＮであり、第２の窒化物半導体層がＧａＮとの組み合わせである。
　【００３３】
　第１および第２の窒化物半導体層の膜厚を１００オングストローム以下、好ましくは７０オングストローム以下、より好ましくは５０オングストローム以下にする。単一窒化物半導体層の膜厚を１００オングストローム以下とすることにより、窒化物半導体単一層の弾性臨界膜厚以下となり、厚膜で成長させる場合に比較して結晶性の良い窒化物半導体が成長できる。また、両方を７０オングストローム以下にすることによって、ｎ側第２多層膜層６が超格子（多層膜）構造となり、この結晶性の良い多層膜構造の上に活性層を成長させると、ｎ側第２多層膜層６がバッファ層のような作用をして、活性層が結晶性よく成長できる。
　【００３４】
　さらにまた、第１、または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方の膜厚を、近接する第１、または第２の窒化物半導体層同士で互いに異なるようにすることも好ましい。例えば第１の窒化物半導体層をＩｎＧａＮとし、第２の窒化物半導体層をＧａＮとした場合、ＧａＮ層とＧａＮ層との間のＩｎＧａＮ層の膜厚を、活性層に接近するに従って次第に厚くしたり、また薄くしたりすることにより、多層膜層内部において屈折率が変化するため、実質的に屈折率が次第に変化する層を形成することができる。即ち、実質的に組成傾斜した窒化物半導体層を形成するのと同じ効果が得られる。このため例えばレーザ素子のような光導波路を必要とする素子においては、この多層膜層で導波路を形成して、レーザ光のモードを調整できる。
　【００３５】
　また、第１、または前記第２の窒化物半導体層の内の少なくとも一方のＩＩＩ族元素の組成を、近接する第１または第２の窒化物半導体層の同一ＩＩＩ族元素の組成同士で互いに異なる、又は同一でもよい。例えば、同一ＩＩＩ族元素の組成同士で互いに異ならせると、第１の窒化物半導体層をＩｎＧａＮとし、第２の窒化物半導体層をＧａＮとした場合、ＧａＮ層とＧａＮ層との間のＩｎＧａＮ層のＩｎ組成を活性層に接近するに従って次第に多くしたり、また少なくしたりすることにより、前述の態様と同じく、多層膜層内部において屈折率を変化させて、実質的に組成傾斜した窒化物半導体層を形成することができる。なおＩｎ組成が減少するに従い、屈折率は小さくなる傾向にある。
　【００３６】
　第１および第２の窒化物半導体層は両方ともアンドープでも良いし、両方にｎ型不純物がドープされていても良いし、またいずれか一方に不純物がドープされていてもよい。結晶性を良くするためには、アンドープが最も好ましく、次に変調ドープ、その次に両方ドープの順である。なお両方にｎ型不純物をドープする場合、第１の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度と、第２の窒化物半導体層のｎ型不純物濃度は異なっていても良い。
　【００３７】
　本発明において、多重量子井戸構造の活性層７は、Ｉｎ及びＧａを含有する窒化物半導体、好ましくは、ＩｎａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）で形成され、ｎ型、ｐ型いずれでもよいが、アンドープ（不純物無添加）とすることにより強いバンド間発光が得られ発光波長の半値幅が狭くなり好ましい。活性層７にｎ型不純物及び／又はｐ型不純物をドープしてもよい。活性層７にｎ型不純物をドープするとアンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。活性層７にｐ型不純物をドープするとバンド間発光のピーク波長よりも約０．５ｅＶ低いエネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが、半値幅は広くなる。活性層にｐ型不純物とｎ型不純物との双方をドープすると、前述したｐ型不純物のみドープした活性層の発光強度をさらに大きくすることができる。特にｐ型ドーパントをドープした活性層を形成する場合、活性層の導電型はＳｉ等のｎ型ドーパントをもドープして全体をｎ型とすることが好ましい。結晶性のよい活性層を成長させるには、ノンドープが最も好ましい。
　【００３８】
　活性層７の障壁層と井戸層との積層順は、特に問わず、井戸層から積層して井戸層で終わる、井戸層から積層して障壁層で終わる、障壁層から積層して障壁層で終わる、また障壁層から積層して井戸層で終わっても良い。井戸層の膜厚としては１００オングストローム以下、好ましくは７０オングストローム以下、さらに好ましくは５０オングストローム以下に調整する。井戸層の膜厚の上限は、特に限定されないが、１原子層以上、好ましくは１０オングストローム以上である。井戸層が１００オングストロームよりも厚いと、出力が向上しにくい傾向にある。一方、障壁層の厚さは２０００オングストローム以下、好ましくは５００オングストローム以下、より好ましくは３００オングストローム以下に調整する。障壁層の膜厚の上限は特に限定されないが、１原子層以上、好ましくは１０オングストローム以上である。障壁層が上記範囲であると出力が向上し易く好ましい。また、活性層７全体の膜厚はとくに限定されず、ＬＥＤ素子などの希望の波長等を考慮して、障壁層及び井戸層の各積層数や積層順を調整し活性層７の総膜厚を調整する。
　【００３９】
　本発明において、ｐ側クラッド層８は、バンドギャップエネルギーの大きな第３の窒化物半導体層と、第３の窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーの小さな第４の窒化物半導体層とが積層されて、互いのｐ型不純物濃度が異なる、又は同一の多層膜層、またはｐ型不純物を含有するＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）からなる単一層である。まず、ｐ側クラッド層８が多層膜構造（超格子構造）を有するｐ側多層膜クラッド層の場合について以下に説明する。ｐ側多層膜クラッド層１７の多層膜層を構成する第３、第４の窒化物半導体層の膜厚は、１００オングストローム以下、さらに好ましくは７０オングストローム以下、最も好ましくは１０〜４０オングストロームの膜厚に調整され、第３窒化物半導体層と第４の窒化物半導体層との膜厚は、同一でも異なっていてもよい。多層膜構造の各膜厚が上記範囲であると、窒化物半導体の弾性臨界膜厚以下となり、厚膜で成長させる場合に比較して結晶性の良い窒化物半導体が成長でき、また窒化物半導体層の結晶性が良くなるので、ｐ型不純物を添加した場合にキャリア濃度が大きく抵抗率の小さいｐ層が得られ、素子のＶｆ、しきい値が低下し易い傾向にある。このような膜厚の２種類の層を１ペアとして複数回積層して多層膜層を形成する。そして、ｐ側多層膜クラッド層８の総膜厚の調整は、この第３及び第４の窒化物半導体層の各膜厚を調整し積層回数を調整することにより行う。ｐ側多層膜クラッド層８の総膜厚は、特に限定されないが、２０００オングストローム以下、好ましくは１０００オングストローム以下、より好ましくは５００オングストローム以下であり、総膜厚がこの範囲であると発光出力が高く、順方向電圧（Ｖｆ）が低下し好ましい。第３の窒化物半導体層は少なくともＡｌを含む窒化物半導体、好ましくはＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０＜ｎ≦１）を成長させることが望ましく、第４の窒化物半導体は好ましくはＡｌｐＧａ１−ｐＮ（０≦ｐ＜１、ｎ＞ｐ）、ＩｎｒＧａ１−ｒＮ（０≦ｒ≦１）のような２元混晶、３元混晶の窒化物半導体を成長させることが望ましい。ｐ側クラッド層８を超格子構造とすると、結晶性が良くなり、抵抗率が低下しＶｆが低下する傾向がある。
　【００４０】
　ｐ側多層膜クラッド層８のｐ型不純物濃度において、第３の窒化物半導体層と第４の窒化物半導体層とのｐ型不純物濃度が異なる場合について以下に示す。ｐ側多層膜クラッド層８の第３の窒化物半導体層と第４の窒化物半導体層とのｐ型不純物濃度は異なり、一方の層の不純物濃度を大きく、もう一方の層の不純物濃度を小さくする。ｎ側クラッド層１２と同様に、バンドギャップエネルギーの大きな第３の窒化物半導体層の方のｐ型不純物濃度を大きくして、バンドギャップエネルギーの小さな第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度を小さく、好ましくはアンドープとすると、閾値電圧、Ｖｆ等を低下させることができる。またその逆でも良い。つまりバンドギャップエネルギーの大きな第３の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度を小さくして、バンドギャップエネルギーの小さな第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度を大きくしても良い。
　【００４１】
　第３の窒化物半導体層への好ましいドープ量としては１×１０１８／ｃｍ３〜１×１０２１／ｃｍ３、さらに好ましくは１×１０１９／ｃｍ３〜５×１０２０／ｃｍ３の範囲に調整する。１×１０１８／ｃｍ３よりも少ないと、同様に第４の窒化物半導体層との差が少なくなって、同様にキャリア濃度の大きい層が得られにくい傾向にあり、また１×１０２１／ｃｍ３よりも多いと、結晶性が悪くなる傾向にある。一方、第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度は第３の窒化物半導体層よりも少なければ良く、好ましくは１／１０以上少ない方が望ましい。最も好ましくはアンドープとすると最も移動度の高い層が得られるが、膜厚が薄いため、第３の窒化物半導体側から拡散してくるｐ型不純物があり、その量は１×１０２０／ｃｍ３以下が望ましい。また、バンドギャップエネルギーが大きい第３の窒化物半導体層にｐ型不純物を少なくドープして、バンドギャップエネルギーが小さい第４の窒化物半導体層にｐ型不純物を多くドープする場合も同様である。ｐ型不純物としてはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等の周期律表第ＩＩＡ族、ＩＩＢ族元素を選択し、好ましくはＭｇ、Ｃａ等をｐ型不純物とする。
　【００４２】
　さらにまた多層膜を構成する窒化物半導体層において、不純物が高濃度にドープされる層は、厚さ方向に対し、半導体層中心部近傍の不純物濃度が大きく、両端部近傍の不純物濃度が小さい（好ましくはアンドープ）とすることが、抵抗率を低下させるのに望ましい。
　【００４３】
　またｐ側多層膜クラッド層８の第３の窒化物半導体層と第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度が同一の場合は、上記第３と第４の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度が異なる場合の第３の窒化物半導体層のｐ型不純物濃度の範囲内で不純物濃度が調整される。このようにｐ型不純物濃度が同一であると、上記不純物濃度が異なる場合に比べて、やや結晶性の劣る傾向があるが、キャリア濃度の高いｐ型クラッド層８を形成し易くなり、出力向上の点で好ましい。
　【００４４】
　次に、ｐ側クラッド層８が、ｐ型不純物を含みＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）よりなる単一層からなる場合、ｐ側単一膜クラッド層８の膜厚は、２０００オングストローム以下、好ましくは１０００オングストローム以下であり、より好ましくは５００〜１００オングストローム以下である。膜厚が上記範囲であると、発光出力が向上し、Ｖｆが低下し好ましい。ｐ側単一膜クラッド層８の組成は、ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）である。また、単一膜層のクラッド層は、前記多層膜構造のｐ側クラッド層に比べ、結晶性はやや劣るものの、前記第１の多層膜層４との組み合わせにより、結晶性良く成長させることができ、しきい値やＶｆの低下が可能となる。更に、このように単一膜としてもその他の層構成と組み合わせることにより素子の性能の低下を少なくし、しかも単一膜であるので、製造工程の簡易化が可能となり、量産する場合に好ましい。ｐ側単一膜クラッド層８のｐ型不純物の濃度は１×１０１８〜１×１０２１／ｃｍ３、好ましくは５×１０１８〜５×１０２０／ｃｍ３、より好ましくは５×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３である。不純物濃度が上記範囲であると、良好なｐ型膜ができ好ましい。
　【００４５】
　次に、本発明において、Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９は、その組成をＩｎ、Ａｌを含まない二元混晶の窒化物半導体とする。仮にＩｎ、Ａｌを含有していると、ｐ電極１０とオーミック接触が得られなくなり、発光効率が低下する。ｐ側コンタクト層９の膜厚は０．００１〜０．５μｍ、好ましくは０．０１〜０．３μｍ、より好ましくは０．０５〜０．２μｍである。膜厚が０．００１μｍよりも薄いとｐ型ＧａＡｌＮクラッド層と電気的に短絡しやすくなり、コンタクト層として作用しにくい。また、三元混晶のＧａＡｌＮクラッド層の上に、組成の異なる二元混晶のＧａＮコンタクト層を積層するため、逆にその膜厚を０．５μｍよりも厚くすると、結晶間のミスフィットによる格子欠陥がｐ側ＧａＮコンタクト層９中に発生しやすく、結晶性が低下する傾向にある。なお、コンタクト層の膜厚は薄いほどＶｆを低下させ発光効率を向上させることができる。また、このｐ型ＧａＮコンタクト層９のｐ型不純物はＭｇであるとｐ型特性が得られ易く、またオーミック接触が得られ易くなる。Ｍｇの濃度は、１×１０１８〜１×１０２１／ｃｍ３、好ましくは５×１０１９〜３×１０２０／ｃｍ３、より好ましくは１×１０２０／ｃｍ３程度である。Ｍｇ濃度がこの範囲であると良好なｐ型膜が得られ易く、Ｖｆが低下し好ましい。
　【００４６】
　また、ｎ電極１１はｎ側コンタクト層４上に、ｐ電極はＭｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層９上にそれぞれ形成されている。ｎ電極及びｐ電極の材料としては特に限定されず、例えばｎ電極としてはＷ／Ａｌ、ｐ電極としてはＮｉ／Ａｕなどを用いることができる。
　【００４７】
　【実施例】
　以下に本発明の一実施の形態である実施例を示すが、本発明はこれに限定されない。
［実施例１］
　図１を元に実施例１について説明する。サファイア（Ｃ面）よりなる基板１をＭＯＶＰＥの反応容器内にセットし、水素を流しながら、基板の温度を１０５０℃まで上昇させ、基板のクリーニングを行う。
　【００４８】
（バッファ層２）
　続いて、温度を５１０℃まで下げ、キャリアガスに水素、原料ガスにアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い、基板１上にＧａＮよりなるバッファ層２を約１５０オングストロームの膜厚で成長させる。
　【００４９】
（アンドープＧａＮ層３）
　バッファ層２成長後、ＴＭＧのみ止めて、温度を１０５０℃まで上昇させる。１０５０℃になったら、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮ層３を１．５μｍの膜厚で成長させる。
　【００５０】
（ｎ側コンタクト層４）
　続いて１０５０℃で、同じく原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを４．５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層４を２．２５μｍの膜厚で成長させる。
　【００５１】
（ｎ側第１多層膜層５）
　次にシランガスのみを止め、１０５０℃で、ＴＭＧ、アンモニアガスを用い、アンドープＧａＮ層を７５オングストロームの膜厚で成長させ、続いて同温度にてシランガスを追加しＳｉを４．５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮ層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。このようにして、７５オングストロームのアンドープＧａＮ層からなるＡ層と、ＳｉドープＧａＮ層を有する２５オングストロームのＢ層とからなるペアを成長させる。そしてペアを２５層積層して２５００オングストローム厚として、超格子構造の多層膜よりなるｎ側第１多層膜層５を成長させる。
　【００５２】
（ｎ側第２多層膜層６）
　次に、同様の温度で、アンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を４０オングストローム成長させ、次に温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用い、アンドープＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第１の窒化物半導体層を２０オングストローム成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第２＋第１の順で交互に１０層づつ積層させ、最後にＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層を４０オングストローム成長さた超格子構造の多層膜よりなるｎ側第２多層膜層６を６４０オングストロームの膜厚で成長させる。
　【００５３】
（活性層７）
　次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を２００オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いアンドープＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を５層、井戸層を４層、交互に積層して、総膜厚１１２０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させる。
　【００５４】
（ｐ側多層膜クラッド層８）
　次に、温度１０５０℃でＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第３の窒化物半導体層を４０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇを用いＭｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎよりなる第４の窒化物半導体層を２５オングストロームの膜厚で成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第３＋第４の順で交互に５層ずつ積層し、最後に第３の窒化物半導体層を４０オングストロームの膜厚で成長させた超格子構造の多層膜よりなるｐ側多層膜クラッド層８を３６５オングストロームの膜厚で成長させる。
　【００５５】
（ｐ側ＧａＮコンタクト層９）
　続いて１０５０℃で、ＴＭＧ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇを用い、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたｐ型ＧａＮよりなるｐ側コンタクト層９を７００オングストロームの膜厚で成長させる。
　【００５６】
　反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに窒素雰囲気中、ウェーハを反応容器内において、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層をさらに低抵抗化する。
　【００５７】
　アニーリング後、ウェーハを反応容器から取り出し、最上層のｐ側コンタクト層９の表面に所定の形状のマスクを形成し、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置でｐ側コンタクト層側からエッチングを行い、図１に示すようにｎ側コンタクト層４の表面を露出させる。
　【００５８】
　エッチング後、最上層にあるｐ側コンタクト層のほぼ全面に膜厚２００オングストロームのＮｉとＡｕを含む透光性のｐ電極１０と、そのｐ電極１０の上にボンディング用のＡｕよりなるｐパッド電極１１を０．５μｍの膜厚で形成する。一方、エッチングにより露出させたｎ側コンタクト層４の表面にはＷとＡｌを含むｎ電極１２を形成してＬＥＤ素子とした。
　【００５９】
　このＬＥＤ素子は順方向電流２０ｍＡにおいて、５２０ｎｍの純緑色発光を示し、Ｖｆは３．５Ｖで、従来の多重量子井戸構造のＬＥＤ素子に比較して、Ｖｆで１．０Ｖ近く低下し、出力は２．０倍以上に向上した。そのため、１０ｍＡで従来のＬＥＤ素子とほぼ同等の特性を有するＬＥＤが得られた。更に静電耐圧は従来の１．３倍以上となり良好である。
　【００６０】
　なお、従来のＬＥＤ素子の構成は、ＧａＮよりなる第１のバッファ層の上に、アンドープＧａＮよりなる第２のバッファ層、ＳｉドープＧａＮよりなるｎ側コンタクト層、実施例１と同一の多重量子井戸構造よりなる活性層、単一のＭｇドープＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層、ＭｇドープＧａＮからなるｐ側コンタクト層を順に積層したものである。
　【００６１】
［実施例２］
　実施例１において、活性層７を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。
（活性層７）
　次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いアンドープＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を７層、井戸層を６層、交互に積層して、総膜厚１９３０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させる。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおいて、４７０ｎｍの純青色発光を示し、実施例１と同様に良好な結果が得られる。
　【００６２】
［実施例３］
　実施例１において、活性層７を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。
（活性層７）
　次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いアンドープＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を６層、井戸層を５層、交互に積層して、総膜厚１６５０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させる。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおいて、４７０ｎｍの純青色発光を示し、実施例１と同様に良好な結果が得られる。
　【００６３】
［実施例４］
　実施例１において、活性層７を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。
（活性層７）
　次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いアンドープＩｎ０．３５Ｇａ０．６５Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を７層、井戸層を６層、交互に積層して、総膜厚１９３０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させる。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおいて、５００ｎｍの青緑色発光を示し、実施例１と同様に良好な結果が得られる。
　【００６４】
［実施例５］
　実施例１において、活性層７を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。
（活性層７）
　次に、アンドープＧａＮよりなる障壁層を２５０オングストロームの膜厚で成長させ、続いて温度を８００℃にして、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アンモニアを用いアンドープＩｎ０．３５Ｇａ０．６５Ｎよりなる井戸層を３０オングストロームの膜厚で成長させる。そして障壁＋井戸＋障壁＋井戸・・・・＋障壁の順で障壁層を４層、井戸層を３層、交互に積層して、総膜厚１０９０オングストロームの多重量子井戸構造よりなる活性層７を成長させる。得られたＬＥＤ素子は、順方向電流２０ｍＡにおいて、５００ｎｍの青緑色発光を示し、実施例１と同様に良好な結果が得られる。
　【００６５】
［実施例６］
　実施例１において、ｎ側第２多層膜層６を成長させない他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。得られたＬＥＤ素子は、実施例１に比べやや素子特性及び発光出力が低いものの従来のＬＥＤ素子と比較すると良好な発光出力を有している。
　【００６６】
［実施例７］
　実施例１において、ｐ側多層膜クラッド層８を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。
（ｐ側単一膜クラッド層８）温度１０５０℃でＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたｐ型Ａｌ０．１６Ｇａ０．８４Ｎよりなるｐ側単一膜クラッド層８を３００オングストロームの膜厚で成長させる。得られたＬＥＤ素子は、クラッド層を超格子とせず単一の層として成長させているが、その他の層構成との組み合わせにより、実施例１よりやや性能が劣るもののほぼ同様に良好な結果が得られる。また、単一層とすると、多層膜層にする場合に比べ製造工程が簡易化でき好ましい。
　【００６７】
［実施例８］
　実施例１において、ｎ側第１多層膜層５を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。
（ｎ側第１多層膜層５）
　アンドープＧａＮ層よりなるＡ層を１００オングストロームの膜厚で成長させ、Ｓｉを１×１０１８／ｃｍ３ドープしたＡｌ０．１Ｇａ０．９ＮよりなるＢ層を２５オングストロームの膜厚で成長させてなるＡ層とＢ層の１ペアを２０層積層して２５００オングストローム厚としてｎ側第１多層膜層５を成長させる。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を有し、良好な結果が得られる。
　【００６８】
［実施例９］
　実施例１において、ｎ側コンタクト層４を以下のように変える他は同様にしてＬＥＤ素子を作製した。
（ｎ側コンタクト層４）
　１０５０℃で、原料ガスにＴＭＧ、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、Ｓｉを４，５×１０１８／ｃｍ３ドープしたＧａＮよりなるｎ側コンタクト層４を６μｍの膜厚で成長させる。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を有し、良好な結果が得られる。
　【００６９】
［実施例１０］
　実施例１において、ｎ側コンタクト層４の膜厚を４．２５μｍ、５．２５μｍ、７．２５μｍとする他は同様にして、３種のＬＥＤ素子を作製しする。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を有し、良好な結果が得られ、また、膜厚が４．２５μｍ及び５．２５μｍの場合は、静電耐圧等がやや実施例１より良好となる。
　【００７０】
［実施例１１］
　実施例１において、ｎ側第２多層膜層６をアンドープＧａＮよりなる第２の窒化物半導体層と、Ｓｉを５×１０１７／ｃｍ３ドープしたＩｎ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第１の窒化物半導体層とからなる多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ素子を作製する。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を示す。
　【００７１】
［実施例１２］
　実施例１において、ｐ側多層膜クラッド層８をＭｇを５×１０１９／ｃｍ３ドープしたＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第３の窒化物半導体層と、アンドープのＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎよりなる第４の窒化物半導体層とからなる多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ素子を作製する。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を示す。
　【００７２】
［実施例１３］
　実施例１において、ｐ側多層膜クラッド層８をアンドープのＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第３の窒化物半導体層と、Ｍｇを５×１０１９／ｃｍ３ドープしたＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎよりなる第４の窒化物半導体層とからなる多層膜とする他は同様にしてＬＥＤ素子を作製する。得られたＬＥＤ素子は、実施例１とほぼ同等の特性を示す。
　【００７３】
　【発明の効果】本発明の窒化物半導体素子は、多重量子井戸構造の活性層と、以上のような特定の層構成とを組み合わせることにより、多重量子井戸構造の活性層の可能性を良好に発揮させることができ、発光出力の向上及び静電耐圧の向上を可能にすることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】　図１は、本発明の一実施の形態であるＬＥＤ素子の構造を示す模式断面図である。
　【符号の説明】
１・・・サファイア基板、
２・・・バッファ層、
３・・・アンドープＧａＮ層、
４・・・ｎ側コンタクト層、
５・・・ｎ側第１多層膜層、
６・・・ｎ側第２多層膜層、
７・・・活性層、
８・・・ｐ側クラッド層、
９・・・Ｍｇドープｐ側ＧａＮコンタクト層、
１０・・・ｐ電極、
１１・・・ｎ電極。