【事件の表示】
　特許第３１０４６５０号「光結合デバイス及び光結合方法」の請求項１及び４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０４６５０号の請求項１及び４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は、平成９年８月６日に出願され、平成１２年９月１日に特許第３１０４６５０号として特許権の設定登録がなされたが、その請求項１及び４に係る特許について日本電信電話株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由の通知がなされ、その指定期間内である平成１３年９月４日に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
ａ．請求項１について
「【請求項１】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、
　光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換するスポットサイズ変換手段を有することを特徴とする光結合デバイス。」を
「【請求項１】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、
　分断されることなく形成された光導波路により構成され、かつ、光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換するスポットサイズ変換手段を有することを特徴とする光結合デバイス。」と訂正する。
ｂ．請求項４について
「【請求項４】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、
　光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換することを特徴とする光結合方法。」を
「【請求項４】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、
　分断されることなく形成された光導波路により構成されたスポットサイズ変換手段により光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換することを特徴とする光結合方法。」と訂正する。
ｃ．明細書の段落１４を
「【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため本発明の光結合デバイスは、光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、分断されることなく形成された光導波路により構成され、かつ、光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換するスポットサイズ変換手段を有することを特徴とする。」と訂正する。
ｄ．明細書の段落１７を
「【００１７】一方、本発明の光結合方法は、光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、分断されることなく形成された光導波路により構成されたスポットサイズ変換手段により光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換することを特徴とする。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ及びｂは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、訂正事項ｃ及びｄは、上記ａ及びｂの訂正に伴って、発明の詳細な説明の記載を請求項の記載に合わせるための訂正であり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　また、上記各訂正事項は、図１ないし図３に示された構成に基づくものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、さらに、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定並びに同条第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　申立人は、甲第１号証及び甲第２号証として、それぞれ、「Analysis of Periodically Segmented Waveguide Mode  Expanders」JOUNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, Vol.13, No.10,October 1995 ,第2053〜2058頁　及び「Modes of Periodically Segmented Waveguides」JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, Vol.11, No.11,November 1993 ,第1831〜1838頁を提出して、本件の請求項１に係る発明は甲第１号証に記載された発明であり、また、本件の請求項４に係る発明は甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものであり、それぞれ、特許法第２９条第１項第３号及び特許法第２９条第２項に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものであるから、これらの発明についての特許を取り消すべきと主張している。
（２）訂正明細書の請求項１及び請求項４に係る発明
　訂正明細書の請求項１及び請求項４に係る発明は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１及び４に記載された次の事項により特定されるものである。（以下、それぞれ、「本件発明１」及び「本件発明４」という。）
「【請求項１】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、
　分断されることなく形成された光導波路により構成され、かつ、光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換するスポットサイズ変換手段を有することを特徴とする光結合デバイス。
【請求項４】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、
　分断されることなく形成された光導波路により構成されたスポットサイズ変換手段により光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換することを特徴とする光結合方法。」
（３）甲号証記載の発明
　甲第１号証は光ファイバと光導波路を接続する技術に関するものであり、そのＦｉｇ．１には「互いにモードサイズの異なる石英ファイバと石英導波路とをＰＳＷ（Periodically Segmented Wavegulde：間欠的に分断された導波路）からなるモードエクスパンダを介して接続した構成」が記載され、また、第２０５４頁左欄第６〜１８行には「ＰＳＷを導波路のモードをファイバのモードに拡大してモードミスマッチを減らすために用いること」が記載されている。
　また、甲第１号証第２０５８頁左欄第２〜４行には「ＰＳＷモードエクスパンダを矩形石英導波路およびＩｎＰストリップ導波路に適用した場合について考察した。どちらも外部接続効率が高く低反射であることが示された。」旨が記載され、第２０５８頁左欄第１４〜１６行には「上記の例では数１００μｍの長さで十分であることが分かった。」旨が記載されている。
　甲第２号証はＰＳＷを伝搬する光の特性を考察したもので、第１８３３頁左欄第５〜６行にはＰＳＷにおいて「電界はＰＳＷモード（導波と放射）に分解される」旨が記載され、同頁同欄第９〜１１行には「ＰＳＷにおけるモード間の相互作用は、一連の結合方程式で記述される」旨が記載されている。
（４）対比・判断
　甲第１号証のＰＳＷは、導波路のモードをファイバのモードに拡大してモードミスマッチを減らすために用いられているから、スポットサイズ変換手段であり、また、甲第２号証によれば、ＰＳＷは放射モードと導波モードを発生させて干渉させるものであると認められるから、これらの点において、甲第１号証のＰＳＷは、本件発明１及び本件発明４のスポットサイズ変換手段に対応するものであると認められるが、本件発明１及び本件発明４のスポットサイズ変換手段は、ともに、分断されることなく形成された光導波路により構成されるものであるのに対し、甲第１号証のＰＳＷは、「Periodically Segmented Wavegulde：間欠的に分断された導波路」で構成されるものであるから、この点において本件発明１及び本件発明４とは異なっており、また、このＰＳＷが分断されることなく形成された光導波路を示唆するものでないことも明らかであるから、本件発明１及び本件発明４が甲第１号証に記載されたものとはいえないし、また、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものということもできない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１及び４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月１３日（２００１．９．１３）
【訂正の要旨】
　訂正要旨　２００１−７１３０３号（特許３１０４６５０号）
ａ．請求項１について
「【請求項１】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、
　光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換するスポットサイズ変換手段を有することを特徴とする光結合デバイス。」を
「【請求項１】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、
　分断されることなく形成された光導波路により構成され、かつ、光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換するスポットサイズ変換手段を有することを特徴とする光結合デバイス。」と訂正する。
ｂ．請求項４について
「【請求項４】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、
　光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換することを特徴とする光結合方法。」を
「【請求項４】光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、
　分断されることなく形成された光導波路により構成されたスポットサイズ変換手段により光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換することを特徴とする光結合方法。」と訂正する。
ｃ．明細書の段落１４を
「【００１４】
　【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため本発明の光結合デバイスは、光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、分断されることなく形成された光導波路により構成され、かつ、光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換するスポットサイズ変換手段を有することを特徴とする。」と訂正する。
ｄ．明細書の段落１７を
「【００１７】一方、本発明の光結合方法は、光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、分断されることなく形成された光導波路により構成されたスポットサイズ変換手段により光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換することを特徴とする。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光結合デバイス及び光結合方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、
分断されることなく形成された光導波路により構成され、かつ、
　【請求項２】　請求項１に記載の光結合デバイスにおいて、
前記スポットサイズ変換手段は、
第１の光導波路と、
前記第１の光導波路と少なくとも導波路幅または導波路厚が異なり、端面どうしが接合されて、導波路の長さが所望のスポットサイズの光波が得られる長さに設定された第２の光導波路と、を有することを特徴とする光結合デバイス。
　【請求項３】　請求項２に記載の光結合デバイスにおいて、
前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路が、前記光導波路デバイスの一方に形成されていることを特徴とする光結合デバイス。
　【請求項４】　光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、
分断されることなく形成された光導波路により構成されたスポットサイズ変換手段により
　【請求項５】　請求項４に記載の光結合方法において、少なくとも導波路幅または導波路厚が異なる２つの前記光導波路を端面どうし接合し、一方の光導波路の長さを所望のスポットサイズの光波が得られる長さに設定することを特徴とする光結合方法。
　【請求項６】　請求項４または５に記載の光結合方法において、
２つの前記光導波路を、前記光導波路デバイスの一方に形成することを特徴とする光結合方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを光結合させる光結合デバイス及び光結合方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　例えば、半導体レーザダイオードや半導体スイッチ等の半導体光デバイス、及び単一モード光ファイバ等の光導波路デバイスどうしを光結合させる場合、半導体光デバイスの端面と光ファイバの端面とを直接突き合わせて結合（バットジョイント）させると、互いの光導波路の光波のスポットサイズが異なるために、突き合わせた部位で結合損失が発生する。
　【０００３】
　通常、半導体光デバイスから出射される光波のスポットサイズ（モード径）は１μｍ程度であり、光ファイバのスポットサイズは約５μｍである。また、これらを光結合させたときの結合損失は約１０ｄＢになる。
　【０００４】
　そこで、従来はレンズを用いてスポットサイズを変換することで半導体光デバイスと光ファイバとの結合損失を低減する方法が一般的に採られていた。
　【０００５】
　しかしながら、レンズ等を用いて光結合を行う場合、レンズのアライメントのトレランスが小さくアセンブリが困難であることから、レンズを備えたモジュールのコストが高くなるという問題が発生する。特に近年の半導体レーザダイオードを組み込んだモジュールは、その使用分野が、基幹伝送系から、加入者系、ＬＡＮ、あるいはデータリンク等のシステムに急速に広がりつつあるため、安価で大量のモジュールが要求されている。
　【０００６】
　上述したように半導体レーザダイオードを組み込んだモジュールのコストが高くなるのはアセンブリ工程の困難さが主因であるため、部品点数の削減とパッシブアライメントによる容易なアセンブリ工程が望ましい。そのため、光結合を行う様々な光結合デバイスや、光結合デバイスと半導体レーザダイオードとを集積化したレーザ光源が開発されている。
　【０００７】
　図７は従来の光結合デバイス及び半導体レーザダイオードを集積化したレーザ光源の例と、そのデバイス長に対する結合損失の関係を示す図である。図７に示したＡ〜Ｆの各文献で紹介された各光結合デバイスでは、いずれもスポットサイズを変換するために数百μｍの長さのテーパ形状の導波路が設けられている。これは、ある導波モードから他の導波モードに変換する際に、損失が少なくなるように導波路の幅をゆるやかに狭めた形状にする必要があるためである。
　【０００８】
　図８は従来の光結合デバイスの構造を示す斜視図である。また、図９は図８に示した光結合デバイスを上面から見た平面図である。
　【０００９】
　図８及び図９において、従来の光結合デバイスは、基板１３と、基板１３に埋め込まれた太い直線導波路である第１の導波路１１と、第１の導波路１１と接する一端が第１の導波路１１と同じ幅で形成され、幅が最小である他端に向って導波路の幅がゆるやかに狭められた（テーパ形状の）第２の導波路１２とによって構成されている。ここで、第２の導波路１２の最も広い部位の幅をＷ１、最も狭い部位の幅をＷ２、長さをＬとし、基板１３の屈折率をｎ１、第１の導波路１１及び第２の導波路１２の屈折率をそれぞれｎＣ（＞ｎ１）とする。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら上記したような従来の光結合デバイスでは、デバイス長を短くすることによってコストの低減を図ると、図７に示したように結合損失が増加するという問題点があった。
　【００１１】
　また、光結合デバイスと半導体レーザダイオードとを集積化したレーザ光源のうち、光結合部も活性層として用いるタイプのものでは（例えば、Ｍ．Ｋｉｔｏ　ｅｔ．ａｌ．，ＯＥＣＣ’９６　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　Ｄｉｇｅｓｔ，ＰＰ．５３９−５４１，１９９６）、テーパ形状の導波路が長い程、半導体レーザダイオードの利得が減少し、しきい値電流、あるいは高温環境下における動作電流が増大する問題があった。
　【００１２】
　すなわち、モジュールのコストを低減し、動作電流の増大を防止するためには、上述した光結合デバイスを、短いデバイス長にすると共に、結合損失を少なくすることが必要である。
　【００１３】
　本発明は上記したような従来の技術が有する問題点を解決するためになされたものであり、デバイス長を短くしてモジュールのコストを低減すると共に、結合損失が少ない光結合デバイス及び光結合方法を提供することを目的とする。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するため本発明の光結合デバイスは、光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合デバイスであって、
分断されることなく形成された光導波路により構成され、かつ、
　【００１５】
　このとき、前記スポットサイズ変換手段は、第１の光導波路と、前記第１の光導波路と少なくとも導波路幅または導波路厚が異なり、端面どうしが接合されて、導波路の長さが所望のスポットサイズの光波が得られる長さに設定された第２の光導波路と、を有しているのが望ましい。
　【００１６】
　また、前記第１の光導波路及び前記第２の光導波路が、前記光導波路デバイスの一方に形成されていてもよい。
　【００１７】
　一方、本発明の光結合方法は、光波のスポットサイズが異なる２つの光導波路デバイスを相互に光結合させる光結合方法であって、
分断されることなく形成された光導波路により構成されたスポットサイズ変換手段により
　【００１８】
　このとき、少なくとも導波路幅または導波路厚が異なる２つの前記光導波路を端面どうし接合し、一方の光導波路の長さを所望のスポットサイズの光波が得られる長さに設定するのが望ましい。
　【００１９】
　また、２つの前記光導波路を、前記光導波路デバイスの一方に形成してもよい。
　【００２０】
　上記のように構成された光結合デバイスは、スポットサイズ変換手段によって光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させる。このとき、光導波路の位置によって放射モードの電界強度が変動しているため、光導波路の長さを適切に選択することで所望のスポットサイズを得ることができる。また、このときの光導波路の長さが短くても結合損失を従来よりも少なくすることができる。
　【００２１】
　【発明の実施の形態】
　次に本発明について図面を参照して説明する。
　【００２２】
　図１は本発明の光結合デバイスの構造を示す斜視図である。また、図２は図１に示した光結合デバイスを上面から見た平面図である。
　【００２３】
　図８に示した従来の光結合デバイスでは、１つの導波モードから他の導波モードへ変換することのみを考えていた。そのため、結合損失が少なくなるようにゆるやかなテーパ形状の導波路が必要であり、デバイス長が長くなっていた。
　【００２４】
　本発明の光結合デバイスは、図１に示すように、基板３と、基板３に埋め込まれた太い直線導波路である第１の導波路１と、細い直線導波路である第２の導波路２によって構成され、幅が異なる第１の導波路１の端面及び第２の導波路２の端面が結合されている。
　【００２５】ここで、基板３の屈折率をｎ１、第１の導波路１及び第２の導波路２の屈折率をそれぞれｎＣ（＞ｎ１）、第１の導波路１の幅をＷ１、第２の導波路２の幅をＷ２（＜Ｗ１）、第２の導波路２の長さをＬとする。また、第１の導波路１及び第２の導波路２はそれぞれ基本モードのみが伝搬するように設計されている。
　【００２６】
　このような構成において、太い直線導波路である第１の導波路１内を伝搬する導波モードは、第１の導波路１と第２の導波路２との結合部位で、細い直線導波路である第２の導波路２の導波モード及び放射モードに結合する。このとき、放射モードも第２の導波路２に沿って伝搬するため、第２の導波路２では導波モードと放射モードで干渉が発生する。
　【００２７】
　図３は第２の導波路で発生する干渉の様子を示す図であり、第２の導波路に沿った放射モードの電界強度を示すグラフである。
　【００２８】
　図３において、Ｚ＝６０μｍ及び３００μｍの位置を中心とする周辺では、放射モードは両側に肩がある形状になる。このような状態では、導波モードと放射モードが干渉することでスポットサイズがより大きくなる。一方、Ｚ＝１７０μｍの位置を中心とする周辺では、放射モードは両側で逆方向に肩がある形状になる。このため、導波モードと放射モードが干渉することでスポットサイズが小さくなる。
　【００２９】
　本発明の光結合デバイスは、この導波モードと放射モードの干渉を利用し、第２の導波路２の長さを所望のスポットサイズが得られる長さに設定する。このようにすることで最適なスポットサイズを形成することができる。
　【００３０】
　次に、本発明の光結合デバイスの効果について説明する。
　【００３１】
　図４は本発明の光結合デバイス及び従来の光結合デバイスの第２の導波路長Ｌに対する結合損失の関係を示すグラフである。なお、図４に示したグラフは、半径５．０μｍの単一モード光ファイバと本発明の光結合デバイス及び従来の光結合デバイスをそれぞれバットジョイントさせたときの、第２の導波路長Ｌに対する結合損失の関係を示し、導波路がＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰで構成され、導波光の波長は１．３μｍ、ｎ１＝３．２１、ｎＣ＝３．３４、Ｗ１＝１．２μｍ、Ｗ２＝０．６μｍとした場合のシミュレーション結果を示している。
　【００３２】
　図４に示すように、本発明の光結合デバイスはＬ＝６０μｍで、最小の結合損失−２．８ｄＢが得られる。これに対して、従来の光結合デバイスではテーパ形状の導波路の長さが長い程、結合損失が少なくなるが、その値は−４．２ｄＢよりも少なくなることはない。
　【００３３】
　したがって、本発明の光結合デバイスを用いることにより、従来よりも短いデバイス長で結合損失が改善されることが分かる（例えば、Ｌ＝６０μｍで従来よりも約２ｄＢ改善）。
　【００３４】
　次に、光結合デバイス及び単一モード光ファイバを結合する際のトレランスの指標となる水平及び垂直方向の遠視野像の半値幅と第２の導波路長Ｌの関係について、従来と本発明の光結合デバイスについてそれぞれシミュレーションした結果を図５及び図６に示す。
　【００３５】
　遠視野像の半値幅は出射されるビームの拡がりの目安であり、遠視野の強度が１／２になる角度を指す。結合損失や遠視野像の半値幅は出射口における導波路の形状によって決まる。
　【００３６】
　図５は本発明の光結合デバイス及び従来の光結合デバイスの第２の導波路長に対する水平方向の遠視野像の半値幅の関係を示すグラフであり、図６は本発明の光結合デバイス及び従来の光結合デバイスの第２の導波路長に対する垂直方向の遠視野像の半値幅の関係を示すグラフである。なお、シミュレーションに用いたパラメータは図４に示した結合損失のシミュレーション時と同じ値である。
　【００３７】
　図５に示すように、水平方向の遠視野像の半値幅は従来の１４度から７度になり約２分の１に改善される。また、図６に示すように、垂直方向の遠視野像の半値幅も従来の１６度から１２度になり約４分の３に改善される。
　【００３８】
　したがって、幅が異なる第１の導波路１の端面及び第２の導波路２の端面を結合して光結合デバイスを構成することで、短いデバイス長で、しかも結合損失が少なく、さらに遠視野像の半値幅が狭い光結合デバイスを得ることができる。
　【００３９】
　なお、本実施の形態では、ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＰからなる埋め込み直線導波路を例にして説明したが、リッジ型等の他の導波路形状にも適用可能である。また、ＭＱＷ等の導波路やＧａＡｓ等の他の半導体、半導体以外の材料、例えばＬｉＮｂＯ３等の強誘電体材料やＳｉＯ２等のガラス材料、あるいは有機材料を導波路に用いた場合にも適用できる。
　【００４０】
　さらに、光結合デバイスと半導体レーザダイオードとを集積化する場合や、光結合デバイスの導波路自体を活性層にして集積化した全活性層型の半導体レーザダイオードにも適用できる。
　【００４１】
　【発明の効果】
　本発明は以上説明したように構成されているので、以下に記載する効果を奏する。
　【００４２】
　光導波路中に発生させた放射モードと導波モードとを干渉させて、所望のスポットサイズの光波に変換するスポットサイズ変換手段を有することで、短いデバイス長で、しかも結合損失が少なく、さらに遠視野像の半値幅が狭い光結合デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の光結合デバイスの構造を示す斜視図である。
　【図２】
　図１に示した光結合デバイスを上面から見た平面図である。
　【図３】
　第２の導波路で発生する干渉の様子を示す図であり、第２の導波路に沿った放射モードの電界強度を示すグラフである。
　【図４】
　本発明の光結合デバイス及び従来の光結合デバイスの第２の導波路長に対する結合損失の関係を示すグラフである。
　【図５】
　本発明の光結合デバイス及び従来の光結合デバイスの第２の導波路長に対する水平方向の遠視野像の半値幅の関係を示すグラフである。
　【図６】
　本発明の光結合デバイス及び従来の光結合デバイスの第２の導波路長に対する垂直方向の遠視野像の半値幅の関係を示すグラフである。
　【図７】
　従来の光結合デバイス及び半導体レーザダイオードを集積化したレーザ光源の例と、そのデバイス長に対する結合損失の関係を示す図である。
　【図８】
　従来の光結合デバイスの構造を示す斜視図である。
　【図９】
　図８に示した光結合デバイスを上面から見た平面図である。
　【符号の説明】
　１　第１の導波路
　２　第２の導波路
　３　基板