【事件の表示】
　特許第３１１１７７０号「ＳＡＷフィルターの製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１１７７０号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１１１７７０号の請求項１及び２に係る発明は、平成５年９月２８日に特許出願され、平成１２年９月２２日にその特許権の設定登録がなされたところ、藤本幾子及び川原明彦より特許異議の申立てがなされ、平成１３年７月２５日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１０月２日に意見書が提出されると共に訂正請求がなされたものである。
２．訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「その後合格した基板上の金属膜を」を、特許請求の範囲の減縮および明瞭でない記載の釈明を目的として、「その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜を」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１の「このパターンに基づく周波数確認を行う」を、特許請求の範囲の減縮および明瞭でない記載の釈明を目的として、「このパターンに基づいて単なる周波数確認を行う」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　段落番号【０００４】の「その後合格した基板上の金属膜を」および「このパターンに基づく周波数確認を行う」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、それぞれ「その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜を」および「このパターンに基づいて単なる周波数確認を行う」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　段落番号【０００９】の「その後合格した基板上の金属膜を」および「このパターンに基づく周波数確認を行う」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、それぞれ「その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜を」および「このパターンに基づいて単なる周波数確認を行う」と訂正する。
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、本件特許明細書の段落番号【０００７】の「合格品にのみ図４に示すごとくフォトエッチングによりパターン１２が形成され」という記載に基づいて、合格した基板だけが次の工程のパターン形成に移ることができることを明確にするために、下位概念である「その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜を」と限定したものである。
　訂正事項ｂは、本件特許明細書の段落番号【０００７】の「本実施例においてはパターン形成後は単なる周波数確認を行うものであって、上述のごとく質量の管理を充分に行っていればここにおいて周波数ずれが起きるものは極めて少ない。」という記載に基づいて、どのような周波数確認を行うかを明確にするために、下位概念である「このパターンに基づいて単なる周波数確認を行う」と限定したものである。
　訂正事項ｃ及びｄは、訂正事項ａ、ｂに基づく特許請求の範囲の請求項１の記載と発明の詳細な説明の記載を整合させるためのものである。
　訂正事項ａ、ｂは、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明に該当し、訂正事項ｃ、ｄは、明りょうでない記載の釈明に該当し、訂正事項ａ〜ｄは、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内のものであって、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議申立てについて
ア．本件発明
　特許第３１１１７７０号の請求項１及び２に係る発明（以下「本件発明１及び２」という。）は、平成１３年１０月２日付け訂正請求書により訂正された訂正明細書の請求項１及び２に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に金属膜を形成し、次にこの基板の金属膜に電磁波もしくは粒子線を照射し、同金属膜からの二次の電磁波あるいは粒子線を検出してこの金属膜の単位面積当たりの質量を算定し、この算定質量を基準値と比較して合否判定を行い、その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜をフォトエッチングしてパターンを形成し、次にこのパターンに基づいて単なる周波数確認を行うＳＡＷフィルターの製造方法。
【請求項２】基板の金属膜にＸ線を照射し、同金属膜からの蛍光Ｘ線を検出することを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルターの製造方法。」
イ．申立ての理由の概要
　申立人藤本幾子は、本件発明１及び２は、甲第１号証、特開平２−１８９０１１号公報（以下「刊行物１」という。）及び甲第２号証、特開平３−９４４４４号公報（以下「刊行物２」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定によって、特許を受けることができないものであり、取り消されるべきものであると主張している。
　申立人川原明彦は、本件発明１及び２は、甲第１号証、特開平３−９４４４４号公報（以下「刊行物２」という。）、甲第２号証、「薄膜工学ハンドブック」（昭和３９年５月２５日、オーム社発行）Ｉ−２５８頁〜Ｉ−２６５頁（以下「刊行物３」という。）、甲第３号証、特開平２−１８９０１１号公報（以下「刊行物１」という。）及び甲第４号証、「弾性表面波フィルタの周波数微調法」（電子通信学会論文誌、Vol.J60-A,No.10）９６３頁〜９７０頁（以下「刊行物４」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定によって、特許を受けることができないものであり、取り消されるべきものであると主張している。
ウ．刊行物記載の発明
　上記刊行物には、それぞれ以下の事項が記載されている。
　刊行物１（特開平２−１８９０１１号公報）
「２．特許請求の範囲
（１）圧電体基板上に金属薄膜を形成する第一の工程（１）と、
　上記金属薄膜を選択的にエッチングして複数のトランスデューサを形成する第二の工程（２）と、
　上記トランスデューサが形成された圧電体基板を切断して複数のチップに分割する第三の工程（３）とを備えてなる弾性表面波デバイスの製造方法において、
　上記第一及び第二の工程（１，２）間に上記金属薄膜の厚みを調整する工程を設けたことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
（２）圧電体基板上に金属薄膜を形成する第一の工程（１）と、
　上記金属薄膜を選択的にエッチングして複数のトランスデューサを形成する第二の工程（２）と、
　上記トランスデューサが形成された圧電体基板を切断して複数のチップに分割する第三の工程（３）とを備えてなる弾性表面波デバイスの製造方法において、
　上記第二及び第三の工程（２，３）間に上記複数のトランスデューサの各々について周波数調整を行う工程を設けたことを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。」（第１頁左下欄第４行〜右下欄第９行）
「第２図は第一の方法の実施例を示す工程図である。・・・圧電体基板２１上に金属薄膜２２を形成するステップ１２と、金属薄膜２２を選択的にエッチングしてＩＤＴ２３を形成するステップ１３との間に、ステップ３０として金属薄膜２２の厚みを調整する工程を設けたことと、これにより、各々のチップ２４に分割した後の周波数調整をステップ１７’として周波数微調整で済ませていることである。ステップ３０における金属薄膜２２の厚み調整は、金属薄膜２２を予め厚めに形成しておき、これを例えばドライエッチングにより一様にエッチングを施すことによって行うことができる。・・・ステップ３０において金属薄膜２２の厚みを調整することは、最終製品の周波数特性を所要の特性に安定化する上で有効である。
　第３図はステップ１７’における周波数微調整の具体的な方法を説明するための図である。周波数を上昇させる場合には、第３図（ａ）に示すように、・・・ＩＤＴ２３を選択的にエッチングし、単位面積当たりのＩＤＴ２３の質量を減少させるようにすればよい。一方、周波数を下降させる場合には、第３図（ｂ）に示すように、・・・単位面積当たりのＩＤＴ２３の等価的な質量を増大させるようにすればよい。
　・・・本実施例では、ステップ３０において金属薄膜２２の段階で厚みの調整を行い周波数特性の設計値からのずれを小さくしているので、エッチングによる周波数微調整を容易に行うことができる。即ち、一般にＳＡＷデバイスの周波数調整は、エッチングと周波数特性の測定とを交互に繰り返して行うものであるから、本実施例のように周波数微調整に必要とされる調整量が小さい場合には、エッチング及び測定の工数を減少させることができ、製造作業性が良好になる。」（第３頁右下欄第８行〜第４頁右上欄第１７行）
　刊行物２（特開平３−９４４４４号公報）
　基板上に形成された薄膜の膜厚を測定する方法と装置および薄膜製造装置に関し、
「蛍光Ｘ線測定による膜厚測定を第２図（Ａ）（Ｂ）を参照して説明する。
  第２図（Ａ）において、Ｘ線源７から発した１次Ｘ線１１が基板３上に形成した薄膜５に照射される。薄膜５内で１次Ｘ線１１によって照射された物質が励起され、蛍光Ｘ線１３を発生する。放射された蛍光Ｘ線１３を蛍光Ｘ線検出手段９によって検出する。
　蛍光Ｘ線検出手段９は１次Ｘ線１１を直接受光しない位置に配置され、さらにエネルギ分散または波長分散によって測定対象の薄膜から発生する特定の蛍光Ｘ線信号のみを取り出す。すなわち基板３から発生した蛍光Ｘ線を除外し薄膜５から発生した蛍光Ｘ線のみを検出する。
　・・・下記の式（４）のように、蛍光Ｘ線強度は膜厚に比例すると見なせる。　
　Ｉｆ＝Ｉｍａｘ×μ’ρｔ　　（４）　　
・・・膜厚ｔが十分厚い試料でＩｍａｘを測定し、膜厚を測定したい試料でＩｆを測定すれば、膜の厚さｔが算出できることになる。」（第３頁右上欄第１２行〜右下欄第１７行）
　刊行物３（「薄膜工学ハンドブック」（昭和３９年５月２５日、オーム社発行）第Ｉ−２５８〜Ｉ−２６５頁）
〔１〕膜のけい光Ｘ線の測定
Rf′=Ｉf′/Ｉf∞′=1‐exp(-α′ρd) (3・61）
この式におけるρは膜密度、dは膜厚である。
　刊行物４「弾性表面波フィルタの周波数微調法」（電子通信学会論文誌、Vol.J60-A,No.10）９６３頁〜９７０頁
　弾性表面波フィルタ(ＳＡＷフィルター)に関して、電極膜の負荷効果を考慮した弾性表面波位相速度(周波数)の計算方法が示され、位相速度ｖを求めるに際し、電極膜の膜厚の具体的な取り扱いとして、第９６４頁の図２に解析モデルが示されている。
　「解析を簡単にするため、図２（ｂ）に示すような等価電極膜厚Ｈ,すなわち　
　H=Hoγ/(γ+1) 　（３）
を有する一様膜厚で被膜された構造で近似して解析する。」（９６４頁左欄下から第１１行〜第８行）
エ．対比・判断
　本件発明１と、上記刊行物１〜４に記載された発明とを対比すると、これらの刊行物に記載の発明は、本件発明１を特定する事項である「この算定質量を基準値と比較して合否判定を行い、その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜をフォトエッチングしてパターンを形成し、次にこのパターンに基づいて単なる周波数確認を行う」事項を備えておらず、また、これを示唆する記載も認められない。
　そして、本件発明１は、上記事項を備えることにより、「パターン形成する前にこのパターン形成したときの金属膜の質量が算定できるので、ここで不合格となったものはその時点で金属膜を除去して新品の基板として再活用することができ、ロスを少なくできる。また、パターン形成は非常に時間のかかるものであるので、パターン形成後に合否判定を行い不合格品を廃棄するのは極めて大きなロスなのに対して、本発明ではこのパターン形成前に合否判定を行うのでこの点からもロスを少なくできるものである。」という効果を奏するものであるから、本件発明１は、上記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　なお、申立人藤本幾子は、申立書で、「甲第１号証に記載された発明の如く金属膜を所望の厚みに調整するためには、いかなる方法によるかを問わず、金属膜の膜厚測定に関わるプロセスは必要不可欠であり、かかるプロセスにおいてこれが所望の厚みに調整されたか否かの判定を行う必要がある」と主張している。
　しかしながら、甲第１号証は、エッチングと周波数特性の測定を繰り返して行うことにより金属薄膜の膜厚を調整するものであり、本件発明１は、この算定質量（膜厚に相当する。）を基準値と比較して合否判定を行い、その後合格した基板についてのみを取り出して次の工程を施すものであり、両者の上記工程は異なり、上記主張は採用できない。
　また、本件発明２は、本件発明１をさらに限定したものであるから、本件発明１と同じ理由により、上記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
オ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１及び２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月１８日（２００１．１２．１８）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　特許第３１１１７７０号発明の明細書を以下のとおり訂正する。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の「その後合格した基板上の金属膜を」を、特許請求の範囲の減縮および明瞭でない記載の釈明を目的として、「その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜を」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１の「このパターンに基づく周波数確認を行う」を、特許請求の範囲の減縮および明瞭でない記載の釈明を目的として、「このパターンに基づいて単なる周波数確認を行う」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　段落番号【０００４】の「その後合格した基板上の金属膜を」および「このパターンに基づく周波数確認を行う」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、それぞれ「その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜を」および「このパターンに基づいて単なる周波数確認を行う」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　段落番号【０００９】の「その後合格した基板上の金属膜を」および「このパターンに基づく周波数確認を行う」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、それぞれ「その後合格した基板についてのみその基板上の金属膜を」および「このパターンに基づいて単なる周波数確認を行う」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ＳＡＷフィルターの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上に金属膜を形成し，次にこの基板の金属膜に電磁波もしくは粒子線を照射し、同金属膜からの二次の電磁波あるいは粒子線を検出してこの金属膜の単位面積当たりの質量を算定し、この算定質量を基準値と比較して合否判定を行い、その後合格した
基板についてのみその
基づいて単なる
　【請求項２】　基板の金属膜にＸ線を照射し、同金属膜からの蛍光Ｘ線を検出することを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルターの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明はＳＡＷフィルターの製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来のＳＡＷフィルターは図５に示すように、基板１上に金属膜２を形成し、次にフォトエッチングにより図６に示すごとくパターン３を形成することにより製造していた。その後、図７に示すごとくこのパターン３の膜厚を触針式の段差計４で検出していた。すなわちパターン３の膜厚により周波数特性が大きく影響を受けるので基準値より大きくずれるものはこの時点で廃棄していた。そしてこの検査で合格したもののみを周波数選別し、合否判定していた。これを図示したのが図８である。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記製造方法においては、検査を行うためには必ずパターン３を形成する必要があり、そのための時間が必要であり、時間のロスがあった。さらにパターン３を形成した後に２度の検査を行い、不合格品は廃棄していたので非常にロスが大きいという問題があった。すなわちこれらの不合格品は一度パターンを形成したものであるので、その基板１上にはパターン形成痕が残り、再度その上面の金属膜２を除去しても再び新品としてその上面に金属膜２を設けパターンニングすることはできなかった。そこで本発明はロスを低減することを目的とするものである。
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】
　そしてこの目的を達成するために本発明は、基板上に金属膜を形成し、次にこの基板の金属膜に電磁波もしくは粒子線を照射し、同金属膜からの二次の電磁波あるいは粒子線を検出してこの金属膜の単位面積当たりの質量を算定し、この算定質量を基準値と比較して合否判定を行い、その後合格した
基板についてのみその
基づいて単なる
　【０００５】
　【作用】
　上記製造方法によればパターン形成する前にこのパターン形成したときの金属膜の質量が算定できるので、ここで不合格となったものはその時点で金属膜を除去して新品の基板として再活用することができ、ロスを少なくできる。また、パターン形成は非常に時間のかかるものであるのでパターン形成後に合否判定を行い不合格品を廃棄するのは極めて大きなロスなのに対して、本発明ではこのパターン形成前に合否判定を行うのでこの点からもロスを少なくできるものである。
　【０００６】
　【実施例】
　図２において２は水晶の基板で、この基板５の上面にはＡｌより成る厚さ〜８０００Åの金属膜６が蒸着により形成されている。この基板５は図３に示すごとく斜め上方約４５゜からランプ７によるＸ線８が照射される。これにより基板５と金属膜６からはそれぞれ蛍光Ｘ線９，１０が放出され、これが検出器１１で検出される。このうち金属膜６もしくは基板５からの蛍光Ｘ線量あるいは双方からの蛍光Ｘ線量により、金属膜６の単位当たりの質量が算定され、これが基準値と比較され合否判定が行われる。すなわち金属膜６の厚さが１００Å差異が生じているとＳＡＷフィルターとしての特性が満足されないものとなるので、ここでこの金属膜６の質量を算定しているのである。尚、質量と膜厚が必ずしも一致するものとはならないが、周波数を支配するのは質量であるので膜厚を検出するよりは質量を検出したほうが適切な周波数管理が行えるのである。
　【０００７】
　そして合格品にのみ図４に示すごとくフォトエッチングによりパターン１２が形成され、その後図１に示すごとく周波数管理が行われる。つまり、本実施例においてはパターン形成後は単なる周波数確認を行うものであって、上述のごとく質量の管理を充分に行っていればここにおいて周波数ずれが起きるものは極めて少ない。
　【０００８】
　尚、本実施例において基板に水晶を用いたが、他にリチュウムタンタレートなど圧電効果を有するものであればよい。またＸ線の他に、ヘリュウムなどの軽元素イオンを照射して、後方散乱されたヘリュウムの数量とエネルギーを検出して算定してもよいほか、電子線を照射して反射あるいは二次的に放出される電子などから算定してもよい。
　【０００９】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明は、基板上に金属膜を形成し、次にこの基板の金属膜に電磁波もしくは粒子線を照射し、同金属膜からの二次の電磁波あるいは粒子線を検出してこの金属膜の単位面積当たりの質量を算定し、この算定質量を基準値と比較して合否判定を行い、その後合格した
基板についてのみその
基づいて単なる
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例の製造工程を示すフローチャート
　【図２】
　同工程の基板の正面図
　【図３】
　同工程の基板の正面図
　【図４】
　同工程の基板の正面図
　【図５】
　従来例の基板の正面図
　【図６】
　従来例の基板の正面図
　【図７】
　従来例の基板の正面図
　【図８】
　従来例の製造工程を示すフローチャート
　【符号の説明】
　５　基板
　６　金属膜
　７　パターン