【事件の表示】
　特許第３０７６２０２号「ＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法」の請求項１ないし３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７６２０２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　　特許第３０７６２０２号の請求項１〜３に係る発明は、平成６年７月１２日に特許出願され、平成１２年６月９日にその特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人渡辺尚吾（以下、「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされ、取り消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年８月２１日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　ア．訂正事項ａ
　　　明細書の段落【０００５】の記載について、「フッ酸処理後、ポリシリコン膜は粒界の大きな多結晶となってしまい、ゲッタリング能力が低下する」とあるのを、「フッ酸処理後、ゲッタリング能力が低下する」と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
　　　明細書の段落【０００６】の記載について、「金属不純物レベルが低く、かつ、粒界の小さなポリシリコン膜」とあるのを、「金属不純物レベルが低いポリシリコン膜」と訂正する。
　ウ．訂正事項ｃ
　　　明細書の段落【０００８】の記載について、「かつ、粒界が小さくてゲッタリング」とあるのを、「かつ、ゲッタリング」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　　　上記訂正事項ａ〜ｃは、「粒界」に関する明りょうでない記載を削除するもので、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し何れも、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
（３）むすび
　　　　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
（１）特許異議申立ての理由の概要
　申立人は、特許第３０７６２０２号の請求項１〜３に係る発明は、甲第１〜６号証で示す各刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、その特許は取り消されるべきものであり、また、本件明細書には不備があり、よって特許法第３６条第４項、５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものであり、取り消されるべきものである旨主張している。
　
（２）本件の請求項１〜３に係る発明
　特許第３０７６２０２号（平成６年７月１２日出願、平成１２年６月９日設定登録）の請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、それぞれ、特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
請求項１「シリコンウェーハを表面酸化還元処理を施した後、フッ酸処理を施し、続いて、オゾン溶液またはオゾンガスを使用して酸化処理を施し、さらに、このシリコンウェーハの裏面にポリシリコン膜を被着するＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法」（以下、「本件発明１」という）
請求項２「上記オゾン溶液またはオゾンガスのオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上である請求項１に記載のＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法。」（以下、「本件発明２」という）
請求項３「上記ポリシリコン膜の被着はＣＶＤ法による請求項１または請求項２に記載のＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法。」（以下、「本件発明３」という）
　
（２）刊行物に記載された発明
特許異議申立人が証拠として提示した刊行物１〜６には、それぞれ次のとおりの発明が記載されている。
　ア．刊行物１：特開平１−３１５１４４号公報
　第２頁左上欄第３行〜第１２行の記載「ところで、多結晶シリコン層によるゲッタリングは、単結晶シリコン中の不純物が多結晶シリコンの結晶粒界にトラップされることにより行われる。そこで、ゲッタリング能力を高めるためには、単結晶シリコン基体に多結晶シリコン層が密着して形成され、しかも結晶粒界の面積が大きな多結晶シリコン層であることが要求される。この結晶粒界の面積を大きくするためには、個々の結晶粒を小さくし、しかも粒子の大きさを均一化することが望まれる。」と記載され、第３頁左下欄第１行〜第５行には、「さらに、単結晶シリコン基体を酸化性薬品中に浸漬するか陽極酸化しても酸化シリコン膜は形成され得る。酸化性薬品としては、例えば硝酸、重クロム酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、過塩素酸またはその塩、過酸化水素水等がある。」と記載され、第４頁右下欄第５行〜第１６行には、「厚さ６００ミクロンの単結晶シリコン基板を１％弗酸に浸漬して表面に付着していた自然酸化物膜を除去、ついで、脱イオン水でリンスし、・・・空気雰囲気の電気炉中に７分、２２分、３６分および４３分間置いてそれぞれ１Å、３Å、５Åおよび６Åの酸化シリコン膜を形成させた。次いで、減圧ＣＶＤ法により、シリコン（ＳｉＨ４）ガスを窒素ガスをキャリヤーとして６５０℃で熱分解させて、酸化シリコン膜の上に多結晶シリコン層を約１ミクロン堆積させた。」と記載され、第４頁右下欄第１７行〜第５頁第１６行に、「このように、多結晶シリコン層を堆積したウェーハは両面に多結晶シリコン層および酸化シリコン膜が堆積しているので、その一面を研磨して多結晶シリコン層とその下の酸化シリコン膜を除去して単結晶シリコン基板を露出させ、さらにこれを鏡面に仕上げた。このようにして製作したシリコンウェーハの鏡面側に、前記のごときＭＯＳキャパシターを形成させて、小数キャリヤーのライフタイムの値によってゲッタリング能力の評価を行なった。その結果を第１表に示す。」と記載され、第５頁右下欄第１表には、「酸化シリコン膜厚に対するゲッタリング能力値」が記載されており、第６頁右上欄第１６行〜左下欄第５行には、「本発明によれば、特定された厚みを持つ酸化シリコン膜を介して単結晶シリコン基体上に多結晶シリコン層を形成してなるものであるから、多結晶シリコン層の密着性および均一性が優れたものとなっており、しかも、多結晶シリコン層の結晶粒の大きさが均一なため、従来の単に多結晶シリコン層を形成したものに比較して結晶粒界の面積が大きく、ゲッタリング能力が優れている。したがって、高密度集積回路のデバイスとしての歩留まりが高い材料として使用され得る。」と記載されている。
　これらの記載事項によれば、刊行物１には、以下のとおりの発明が記載されていると認められる。「単結晶シリコン基板を弗酸に浸漬して表面処理を施し、酸化性薬品中に浸漬して、酸化処理し、次いで、減圧ＣＶＤ法により、酸化処理した基板裏面上に多結晶シリコン層を被着したゲッタリング用ポリシリコン膜の被着方法」（甲第１号証）
　刊行物２：半導体シリコン結晶工学　（丸善株式会社、平成５年９月３０日発行）
　第１２５頁第２９行〜第１２６頁第１０行には、「ＲＣＡ法の基本は、過酸化水素（ｈｙｄｒｏｇｅｎ　ｐｅｒｏｘｉｄｅ；Ｈ２Ｏ２）をベースにした、（１）高ｐＨのアルカリ混合液と、（２）低ｐＨの酸混合液による２段階洗浄である。第１段階のアルカリ混合液の成分はＨ２Ｏ−Ｈ２Ｏ２−ＮＨ４ＯＨ（この混合液は一般的にＳＣ−１とよばれる）で、Ｈ２Ｏ２の強い酸化作用とＮＨ４ＯＨの溶解作用により有機汚染物を除去することを目的とする。また、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｄ，Ｚｎ，Ｃｏ．ＣｒなどのＩｂ族、ＩＩｂ族やその他の金属不純物がＮＨ４ＯＨとの化合物生成反応により除去される。たとえば、ＣｕはＣｕ（ＮＨ３）４２＋を形成する。第２段階の酸混合液の成分はＨ２Ｏ−Ｈ２Ｏ２−ＨＣｌ（この混合液は一般的にＳＣ−２と呼ばれる）で、ＳＣ−１に不溶のアルカリイオンやＡｌ３＋，Ｆｅ３＋，Ｍｇ２＋などの陽イオン（ｃａｔｉｏｎ）の除去を目的とする。また、ＳＣ−１で除去しきれなかったＡｕなどの金属不純物も除去される。金属不純物はＳＣ−２に溶解し、ウェーハ表面への再吸着が防止される。上記の基本プロセスを含んだＲＣＡ洗浄法の具体的プロセスを表３．７に示す。これは一般的な（ｇｅｎｅｒｉｃ）プロセスで、現実的には、ウエーハメーカ、デバイスメーカでは各々独自の改良を加えた”修正ＲＣＡ法”を使用しているのが実情であろう」と記載され、第１２７頁、表３．７　標準的ＲＣＡ法によるシリコンウェーハの洗浄プロセスには、「Ｈ２Ｏ：ＨＦ（４９％）＝５０：１混合液による、表面自然酸化膜除去工程の前に、ＳＣ−１洗浄工程（そして、各工程の後には超純水によるリンスを行う事例」が記載され、第３５５頁の７．２ゲッタリングの項の第３行〜４行には、「デバイス特性を劣化させるのは、金属（特に遷移金属）不純物によるウェーハ表面汚染である。」と記載され、第３５６頁第１５行〜１９行には、「不純物あるいは２次欠陥による悪影響を除去するには、（１）汚染源の除去、汚染濃度の低減、（２）不純物を吸着、・・・（３）ウェーハのデバイス領域からの汚染不純物の除去、が必要である。この（２）および（３）、狭義には（３）のプロセスをゲッタリング（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ））という。いずれにせよ、（１）に最大の努力をすべきことを強調しておきたい。」と記載されている。
　これらの記載事項によれば、刊行物２には、以下のとおりの発明が記載されていると認められる。「ＳＣ−１洗浄をし、その後フッ酸による自然酸化膜除去工程を行う基板処理方法」（甲第２号証）
　刊行物３：ＵＬＳＩ生産技術緊急レポートＮｏ．１、半導体メーカのウエハ洗浄仕様と問題点、１９９３年１２月２０日第１版第１刷発行、発行所：株式会社サイエンスフォーラム
　第３５頁には、「アンモニア過水−水洗−ＨＦ洗浄−水洗」の洗浄工程が記載されている。（甲第３号証）
　刊行物４：特開平３−２２８３２８号公報
　第２頁右上欄第１行目から第１０行目には、「・・・バブラー４によりオゾンを純水中でバブリングさせ１０ｐｐｍのオゾンの溶解した純水を生成させる。そしてオゾンの溶解した純水をオゾン溶解水貯槽３に貯め、ポンプ７により、オゾン溶解水供給配管２を通して水洗槽１にオゾンの溶解した純水を・・・供給する。この水洗槽１内に弗酸で処理したシリコン基板を浸漬させると、弗酸の純水置換と共に弗酸処理によって露出したＳｉがオゾンによって数十Å酸化される。・・・」と記載され、第２頁右下欄第２行、第３行には、「半導体基板の薬液処理工程における半導体基板に付着するパーティクルを減少させる効果がある。」と記載されている。
　これらの記載事項によれば、刊行物４には、以下のとおりの発明が記載されていると認められる。「フッ酸処理によって露出したシリコン基板をオゾン溶液に浸漬する事により酸化処理を行う基板処理」（甲第４号証）
　刊行物５：特開昭６２−１９８１２７号公報
　第２頁右上欄第３行〜左下欄第３行には、「本発明に依る半導体ウェハの洗浄方法は第１図に示す如く、酸化膜除去工程とオゾンをバブリングした水洗工程で構成される。酸化膜除去工程は弗酸（ＨＦ／Ｈ２Ｏ）液内に半導体ウェハを浸漬してシリコン基板表面の酸化膜を・・・除去している。・・・本発明の特徴は次の洗浄工程にある。・・・オゾン（Ｏ３）ガスをバブリングした水槽内に半導体ウェハを浸漬して行う。そしてオゾンガスより発生する活性期の酸素イオンで露出したシリコン基板表面を酸化して親水性処理を行うのである。この結果露出したシリコン基板表面にパーティクル等が付着するおそれがなくなる。」と記載され、第２頁右下欄１２行〜第１４行には、「・・・オゾンは気体であるので注入しても洗浄液がゴミ等で汚染されるおそれがなくなり、パーティクル等を大巾に減少できる利点を有する。」と記載され、第３頁左欄第１行から第４行には、「・・・パーティクル等の減少に伴い酸化膜に発生する欠陥を低減でき、汚染されない酸化膜の生成により素子の電気的特性の変動を防止できる利点を有する。」と記載されている。これらの記載事項によれば、刊行物５には、以下のとおりの発明が記載されていると認められる。「フッ酸処理によって酸化膜を除去したシリコン基板をオゾンをバブリングした溶液に浸漬する事により酸化処理を行う基板処理」（甲第５号証）。
　刊行物６：特開平６−１２０１９２号公報
第２頁左欄第５０行〜右欄２行には、「ジェット洗浄における洗浄するとしてオゾン水またはＨ２Ｏ２水が使用されているので、有機物系のパーティクルをも充分に除去できる。」と記載されている。これらの記載事項によれば、刊行物６には、以下のとおりの発明が記載されていると認められる。「オゾン水と、Ｈ２Ｏ２両者が有機物除去に有効であること」（甲第６号証）。
　
（３）対比及び判断
［本件発明１について］
　本件発明１と刊行物１に記載の発明を対比すると、引用発明１のゲッタリング用というのは、本件発明１のＥｘｔｒｉｎｓｉｃ　Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ（ＥＧ）に相当するから、両者は、「フッ酸処理を施し、続いて、酸化処理を施し、更に、このシリコンウェーハの裏面にポリシリコン膜を被着するＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法」の点で一致し、
　ア）本件発明がシリコンウェーハを表面酸化還元処理した後、フッ酸処理しているのに対し、引用発明１には、この点がない点
　イ）本件発明では酸化処理がオゾン溶液またはオゾンガスを使用してなされているのに対して、刊行物１に記載の発明では、酸化性薬品への浸漬を使用している点において相違する。
　次に、相違点について検討する。
　相違点ア）については、刊行物２には、フッ酸処理の前にＳＣ−１洗浄（本願発明の酸化還元処理に相当する）を行うとともに、ＳＣ−１洗浄、フッ酸処理の後に超純水でリンスすることも記載されれており、刊行物３に記載されているようにフッ酸処理の前にＳＣ−１洗浄と水洗、フッ酸処理の後に水洗工程を行うことは当該技術分野では一般的に行われている事項である。
　相違点イ）については、引用発明１においても、その酸化処理方法として、酸化性溶液につけることが記載されており、その酸化性溶液として過酸化水素等が例示されている。一方、刊行物４，５には、オゾンをバブリングすることによって、オゾン溶液をつくりそれによりシリコン基板を酸化することが記載されているが、刊行物６には、洗浄液としてオゾン水、過酸化水素水が同様の効果を有することは記載されているが、刊行物１に記載の酸化性溶液としての過酸化水素水をオゾン水に代替可能かどうかは、必ずしも自明ではない。そして、本件発明１は、酸化性溶液として、過酸化水素水でなく、オゾン溶液を用いることにより、その適切な酸化力により、もっとも不純物の少ない清浄な酸化をおこなうことができるという特段の効果を有するものである。
　してみると、本件発明１は、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
［本件発明２〜３について］
　また、本件発明２、３は、本件発明１を引用して、さらにこれを限定するものであるから、本件発明１と同様の理由により、本件発明２，３は、刊行物１〜６に記載された発明に基いて当業者が容易に発明することができたものではない。
　
（４）明細書の記載不備について
申立人の「有機物等の汚染による汚れ、突起等がなく、金属不純物レベル向上させるための解決方法が不明である」旨の主張は、詳細な説明の第０００６段落にも記載されているように、オゾンの有機物分解特性により残留有機成分を分解除去して、清浄な酸化膜を形成するためであることが明記されており、申立人の主張は採用できない。
　また、「粒界の大きな多結晶となってゲッタリング能力自体が低下する等の記載は、結晶粒界が大きい方が不純物をトラップしやすいという甲第１号証の記載と矛盾する」旨の主張は、平成１３年８月２１日付けの訂正請求により当該記載は削除されたため、不備は解消された。
　「図２のエリプソメータによる測定のグラフより、オゾン濃度が０．５ｐｐｍ以上でないと清浄な酸化膜が形成できない」旨の主張は、従来例との比較において、オゾンの有機物分解特性により清浄な酸化膜が形成できるものであって、オゾン濃度は、請求項１に係る発明の構成に欠くことができない事項には当たらない。
　また、「ポリシリコン膜をどうやって裏面のみに行うのか不明である」旨の主張については、本件発明の実施例でＣＶＤ法を用いており、ＣＶＤ法では一般的に基板をプレート上に載置して、片面のみに結晶成長させるので、当然裏面を上面としてプレート上に載置することにより裏面のみにポリシリコンを成長させるようにしたことは当業者にとって自明の事項である。
　したがって、特許法第３６条第４項、５項に規定する要件を満たさない特許出願に対してなされたものであるとすることができない。
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申し立ての理由および証拠によっては、本件請求項１〜３に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜３に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月１０日（２００１．１２．１０）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項ａ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００５】の記載について、「フッ酸処理後、ポリシリコン膜は粒界の大きな多結晶となってしまい、ゲッタリング能力が低下する」とあるのを、「フッ酸処理後、ゲッタリング能力が低下する」と訂正する。
訂正事項ｂ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００６】の記載について、「金属不純物レベルが低く、かつ、粒界の小さなポリシリコン膜」とあるのを、「金属不純物レベルが低いポリシリコン膜」と訂正する。
訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、明細書の段落【０００８】の記載について、「かつ、粒界が小さくてゲッタリング」とあるのを、「かつ、ゲッタリング」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　シリコンウェーハを表面酸化還元処理を施した後、フッ酸処理を施し、
　続いて、オゾン溶液またはオゾンガスを使用して酸化処理を施し、
　さらに、このシリコンウェーハの裏面にポリシリコン膜を被着するＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法。
　【請求項２】　上記オゾン溶液またはオゾンガスのオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上である請求項１に記載のＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法。
　【請求項３】　上記ポリシリコン膜の被着はＣＶＤ法による請求項１または請求項２に記載のＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、ＥＧ（Ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ　Ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ）用のポリシリコン膜の被着方法、詳しくはポリバックシール法におけるＥＧ層としてシリコンウェーハ裏面に被着されるポリシリコン膜堆積の前処理方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　デバイス製造工程中に、金属不純物等の汚染が生じると、デバイス特性の劣化や歩留まりの低下を引き起こす。工程中で不純物をシリコンウェーハ表面の活性領域から取り除くためのゲッタリング技術の一つとして、ＥＧ法が知られている。このＥＧ法にあっても、バックサイドダメージ法、リンゲッタ法等ともに、ポリバックシール法が知られている。ポリバックシール法は、エッチング処理後のシリコンウェーハの裏面にポリシリコン膜を被着、形成し、このポリシリコン膜により汚染不純物、点欠陥等を捕獲する方法である。
　【０００３】
　これまでのシリコンウェーハ裏面へのポリシリコン膜の被着は、以下のように行われていた。まず、混酸エッチングによりウェーハの加工ダメージを完全に除去する。その後、ＳＣ−２（Ｓｔａｎｄａｒｄ　Ｃｌｅａｎｉｎｇ−２）洗浄や、界面活性剤を含んだ弱アルカリ性のエッチング液による洗浄を施す。さらにこの後、シリコンウェーハの裏面にＣＶＤによりポリシリコン膜を堆積していた。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、このような従来技術にあっては、ポリシリコン膜堆積前のシリコンウェーハは、その表裏面に、界面活性剤や環境からの有機物が付着していた。この結果、ポリシリコン膜の堆積中に、その堆積膜にごみ等の異物が含まれて汚れ、突起等の不良を引き起こしていた。
　【０００５】
　また、ポリシリコン膜とウェーハ裏面との界面の金属不純物レベルを改善するため、ポリシリコン膜の堆積前にウェーハ裏面に塩酸処理またはフッ酸処理を施すことも考えられる。しかし、この処理後、ゲッタリング能力自体が低下するという課題が生じていた。
　【０００６】
　そこで、本発明者らは、上記課題を解決すべく検討を重ねた結果、上記ポリシリコン膜堆積前の酸化還元処理（ＳＣ−１洗浄または無機アルカリ／Ｈ２Ｏ２洗浄）の後、ウェーハにフッ酸処理を施し、さらに、このウェーハ裏面に清浄な酸化膜を形成するようにした。この結果、金属不純物レベルが低いポリシリコン膜を収率良く形成することができることを知見した。また、この清浄な酸化膜の形成には、オゾン溶液またはオゾンガスを使用することが、有効である。さらに、オゾン溶液の液中濃度を、０．５ｐｐｍ以上とすると、数オングストロームの厚さの清浄な酸化膜を形成することができることを知見した（図３参照）。清浄な酸化膜を形成することができる理由は、上記前処理洗浄においてウェーハ表面に付着した残留有機成分や、環境から付着した比較的分子量の小さな有機物が、オゾンの有機物分解特性により、分解除去されるからであると、推定される。
　【０００７】
　よって、ポリシリコン膜堆積前のウェーハ裏面は、有機物、金属不純物のきわめて少ない清浄面を保持することができ、同時に数オングストローム程度の酸化膜を形成した結果、上記ウェーハ裏面の清浄さを保持したままポリシリコン膜を被着することができる。
　【０００８】
　そこで、本発明は、有機物等の汚染による汚れ、突起等がなく、金属不純物レベルが向上し、かつ、ゲッタリング能力が低下することもない、ＥＧ用ポリシリコン膜を形成することができるポリシリコン膜の被着方法を提供することを、その目的としている。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１に記載した発明は、シリコンウェーハを表面酸化還元処理を施した後、フッ酸処理を施し、続いてオゾン溶液またはオゾンガスを使用して酸化処理を施し、さらにこのシリコンウェーハの裏面にポリシリコン膜を被着するＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法である。
　ここで、シリコンウェーハに施される表面酸化還元処理とは、酸化剤と還元剤との両方を持ち合わせた混合液による処理をいう。例えばＳＣ−１洗浄、フッ酸／硝酸洗浄などを意味している。
　また、フッ酸処理後、上記オゾン溶液またはオゾンガスを使用して酸化膜を形成する。これは、シリコンウェーハの表面を親水化することが必要だからである。例えば３オングストローム程度の厚さの酸化膜を形成する。
　【００１０】
　請求項２に記載した発明は、上記オゾン溶液またはオゾンガスのオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上である請求項１に記載のＥＣ用ポリシリコン膜の被着方法である。
　【００１１】
　請求項３に記載した発明は、上記ポリシリコン膜の被着はＣＶＤ法による請求項１または請求項２に記載のＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法である。具体的には減圧ＣＶＤ法による。酸化膜厚とオゾン濃度との関係から酸化作用が安定するためである。
　【００１２】
　【００１３】
　【作用】
　請求項１に記載した発明では、シリコンウェーハの裏面を例えばＳＣ−１液で洗浄した後、裏面をフッ酸処理し、さらに、この裏面をオゾン液またはオゾンガスで処理して酸化膜を形成する。
　ＳＣ−１洗浄（表面酸化還元処理）により、シリコンウェーハの表裏面に付着した有機物、カーボンなどを除去する。
　そして、フッ酸洗浄によりシリコンウェーハの裏面を清浄化する。フッ酸は、ＳＣ−１洗浄により生成されたシリコン酸化物と反応し、このシリコン酸化物と共に不純物を除去することとなる。シリコンウェーハの表裏面は、酸化膜、不純物などが存在しない清浄な面となる。
　この後、シリコンウェーハをオゾン溶液またはオゾンガスで処理して酸化膜を形成する。酸化膜により、清浄化した裏面をその状態に保持するものである。このオゾン処理により、より清浄な酸化膜を形成することができる。過酸化水素中における酸化処理、気相中での酸化処理などに比較して、オゾン溶液処理は、適切な酸化力により、最も不純物の少ない清浄な酸化を行うことができる。オゾン溶液は、溶媒である超純水にオゾンを溶かしこんでいるからである。
　そして、この酸化膜上にポリシリコン膜を被着する。シリコンウェーハの裏面とこのポリシリコン膜との界面を清浄に保持しているため、ポリシリコン膜が汚染されることがない。
　【００１４】
　また、請求項２に記載の発明においては、オゾン溶液またはオゾンガスを使用して酸化膜を形成する。この場合のオゾン濃度は０．５ｐｐｍ以上である。このため、清浄さの維持に好適な厚さの酸化膜（３オングストローム程度の酸化膜）を容易に形成することができる。
　【００１５】
　請求項３に記載した発明では、ポリシリコン膜の被着をＣＶＤ法で行う。例えば減圧ＣＶＤ法により清浄な環境を維持しつつ、ポリシリコン膜を被着することができることとなる。
　【００１６】
　【００１７】
　【実施例】
　以下、図面を参照して本発明方法の実施例について説明する。図１に示すように、ＣＺ、Ｐ型、（１００）、６インチウェーハについて、前洗浄としてＳＣ−洗浄を行う。ＳＣ−１洗浄は、８５℃のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ＝１：１：５の混合溶液中に１０分間浸漬して行う。次いで、室温での超純水（ＤＩＷ）リンス後、室温で体積濃度５％のフッ酸（ＨＦ）洗浄を施す。さらに、室温での超純水リンス後、室温でのオゾン溶液（０．５ｐｐｍ）による洗浄、超純水リンスを施し、裏面に清浄な酸化膜を形成する。なお、オゾン溶液は、通常の超純水にオゾンガスを溶かし込んだもので、室温で保持している。そして、この後、減圧ＣＶＤ法によりポリシリコン膜を被着する。減圧ＣＶＤ法の条件は、例えば東京ハイテック（株）の縦型ＬＰ−ＣＶＤシステムを使用し、堆積ガスはモノシラン、堆積温度は６４０〜６６０℃、成長レートは１５０オングストローム／分、堆積する膜厚は１．５μｍとする。
　【００１８】
　図２は、オゾン溶液の濃度と酸化膜の厚さとの関係を示すグラフである。ＨＦ処理品では酸化膜がほとんど除去されるのに対し、上記したようにオゾン濃度を０．５ｐｐｍ以上に高めた処理（室温、４分間浸漬）では、その酸化膜の膜厚は５オングストローム以上となる。膜厚はＥＳＣＡ、エリプソメータで測定した。このエリプソメータでの測定値は酸化膜（ＳｉＯ２）表面の有機物を含んでいる。このグラフからオゾン溶液の濃度が０．５ｐｐｍ以上では清浄な酸化膜が形成されることがわかる。
　【００１９】
　表１は従来方法と本発明方法との比較を示す。これはポリシリコン膜中の不純物濃度を示すものである。表面分析は、フレームレス原子吸光法によった。表１に示すように、不純物レベルは１桁改善された。従来方法は、ＳＣ−１洗浄、純水リンス、ＳＣ−２洗浄、純水リンス後にポリシリコン膜を被着したものである。これに対して本発明方法ではＳＣ−１洗浄、ＨＦ洗浄、オゾン溶液ディップ、ＣＶＤによるポリシリコン膜を被着している。
　【００２０】
　【表１】
　【００２１】
　【発明の効果】
　本発明によれば、汚れ、突起等のないポリシリコン膜を形成することができる。また、このポリシリコン膜を被着する際の生産性が向上する。このポリシリコン膜はその不純物グレードが向上している。よって、ゲッタリング能力を高めたポリシリコン膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例に係るＥＧ用ポリシリコン膜の被着方法を示す工程図である。
　【図２】
　本発明の一実施例に係るオゾン濃度と酸化膜厚さとの関係を示すグラフである。