(57)【要約】半導体素子１１に電気的に接続される端子１４と、端子１４の一部及び半導体素子１１を封止する封止樹脂１５とを有する半導体装置１０において、封止樹脂１５から一部が突出した端子１４の底面１７に、Ａｇ、Ｓｎ、及びＮｉのいずれか１からなる電解めっき層１９が形成され、その上にＮｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる無電解めっき層２２が形成され、突出した端子１４の側面２０には、突出した端子１４の底面１７に形成されている無電解めっき層２２と同一素材の無電解めっき層２２が形成されている。これによって、リードフレーム材３２を裏面からエッチングして、端子１４を独立させた際に露出する端子側面（スタンドオフ側面）が酸化などによって汚染されることを防止でき、しかも全体として製造原価を安くする。
2010052973.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、該半導体素子に電気的に接続される端子と、該端子の一部及び前記半導体素子を封止する封止樹脂とを有する半導体装置において、
前記封止樹脂から一部が突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び素子搭載部の底面に、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＡｕのいずれか１からなる電解めっき層が形成され、その上に少なくとも１層以上の無電解めっき層が形成され、突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の側面には、その底面に形成されている前記無電解めっき層と同一素材の無電解めっき層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記電解めっき層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＡｇのいずれか１からなり、前記無電解めっき層は、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＡｇのいずれか１からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記電解めっき層は、Ａｇ、Ｓｎ、及びＮｉのいずれか１からなり、前記無電解めっき層は、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記電解めっき層は、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ及びＡｕのいずれか１からなり、前記無電解めっき層は、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１記載の半導体装置において、突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の底面及び側面の最表層には、基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
リードフレーム材の上面側及び下面側にそれぞれ端子、又は端子及び素子搭載部を形成する第１回路パターン及び第２回路パターンを形成する第１工程と、
前記リードフレーム材の上面側に第１のめっき層を、下面側に第２のめっき層を形成する第２工程と、
前記リードフレーム材を上面側から前記第１のめっき層をレジスト膜としてハーフエッチングする第３工程と、
前記リードフレーム材の上面側の前記素子搭載部に半導体素子を搭載してワイヤボンディングした後、樹脂封止して中間製品を形成する第４工程と、
前記中間製品を、前記第２のめっき層をレジスト膜として、アルカリエッチング液を用いてハーフエッチングし、前記端子を個々に独立させる第５工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記第２工程における前記第２のめっき層を電解めっきで形成し、前記第５工程の後、封止樹脂から突出した１）前記端子又は２）前記端子及び前記素子搭載部の側面及び底面に、少なくとも１層以上のめっき層を無電解めっきによって形成する第６工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記電解めっきは、Ａｇ、Ｓｎ、及びＮｉのいずれか１からなり、前記無電解めっきは、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
前記電解めっきは、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＡｕのいずれか１からなり、前記無電解めっきは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１記載の半導体装置の製造方法において、前記封止樹脂から突出する１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の最表層に基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜を形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、実装時の信頼性を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
封止樹脂底面から端子が突出するＩＣ（Integrated  Circuit）からなる半導体装置（パッケージ）の構造において、封止樹脂底面から実装基板表面までの距離を「スタンドオフ（図４（ｃ）参照）」といい、パッケージの基板実装時に「実装の容易さ」及び「実装信頼性」の確保を目的として適当なスタンドオフを有することが求められている。特許文献１には、このようなスタンドオフを備えた半導体装置の製造方法が開示され、この特許文献１記載の技術に従って、従来のスタンドオフを有する半導体装置の概略を図４を参照しながら説明する。【０００３】
図４（ａ）に示すように、板状のリードフレーム材７０を表面側から厚さの半分程度、ボンディング端子７１などを形成する位置を残して選択的にエッチング（１ｓｔエッチング）する。そして、図４（ｂ）に示すように、半導体素子を搭載してボンディングワイヤ７２を用いてワイヤボンディングし、リードフレーム材７０の裏面側半分程度を残して樹脂７３で封止した後、図４（ｃ）に示すように、裏面側から選択的にリードフレーム材７０をエッチング（２ｎｄエッチング）することによって、隣接した端子７１を分離し、図４（ｄ）に示すように基板７５などにこの半導体装置を実装する。【０００４】
このような方法によって製造された半導体装置は、窒素ガス（又はその他の不活性ガス）の雰囲気で実装することで、２ｎｄエッチングで露出した端子７１の側面のはんだ濡れ性を確保でき、基板への高い実装信頼性を得ている。なお、７６ははんだを示す。
銅を用いたリードフレーム材のエッチング液として、塩化第二鉄溶液の他に、塩化テトラミン銅を用いるアルカリエッチング液が、例えば、特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２４１３５号公報
【特許文献２】特開２００５−３５３６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、スタンドオフを備える端子側面は、２ｎｄエッチングで銅などのリードフレーム材が露出しており、例えば、この半導体装置を基板に取付ける実装までに露出面が酸化、あるいは汚染される恐れがある。
また、前記酸化又は汚染した端子露出面によって、実装時にも端子露出面に酸化膜が形成されはんだ濡れ不良が生じて、実装時の信頼性が低下してしまうため、実装時は不活性ガスの充填や、はんだ量の調整によってはんだを無理に這い上がらせる等の対策を行わなければならなかった。
しかし、前記対策は、不活性ガスが高価であり、はんだ量の制御は難しく、端子露出面が確実にはんだとの濡れ性を確保できないという問題を生じていた。【０００７】
そこで、端子の側面にめっきすることが考えられるが、端子には半導体素子が接続されているので、電流を流すことができない。そのため、結果として、無電解めっき法を用いて、ニッケルめっきや金めっきを行い、はんだ濡れ性を確保することも一部で行われている。ところが、無電解ニッケルめっきのみでは腐食するので、はんだ濡れ性を十分に向上できないという問題がある。
また、金の無電解めっきを行った場合には、金の使用量が増加して高価になる。【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、リードフレーム材を裏面からエッチングして、端子を独立させた際に露出する端子側面（スタンドオフ側面）が酸化などによって汚染されることを防止でき、しかも全体として製造原価を安くすることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的に沿う第１の発明に係る半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子に電気的に接続される端子と、該端子の一部及び前記半導体素子を封止する封止樹脂とを有する半導体装置において、
前記封止樹脂から一部が突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び素子搭載部の底面に、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＡｕのいずれか１からなる電解めっき層が形成され、その上に少なくとも１層以上の無電解めっき層が形成され、突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の側面には、その底面に形成されている前記無電解めっき層と同一素材の無電解めっき層が形成されている。
なお、「Ｎｉ／Ａｇ」はＮｉめっきの上にＡｇめっきをすることを意味し、「Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ」はＮｉめっきの上にＰｄめっきを行い、更にＰｄめっきの上にＡｕめっきを行うことを意味している（以下の「／」の表現も同様である）。【００１０】
また、第２、第３の発明に係る半導体装置は、第１の発明に係る半導体装置において、前記電解めっき層は、Ａｇ、Ｓｎ、及びＮｉのいずれか１からなり、前記無電解めっき層は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる。
さらに、第４の発明に係る半導体装置は、第１の発明に係る半導体装置において、前記電解めっき層は、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ及びＡｕのいずれか１からなり、前記無電解めっき層は、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる。【００１１】
第５の発明に係る半導体装置は、第１〜第４の発明に係る半導体装置において、突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の底面及び側面の最表層には、基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜が形成されている。
ここで、有機被膜は、基板との接合前に薬剤を用いて洗浄により除去できる有機被膜の他、はんだ接合時の熱によって気化する有機被膜であるのが好ましい（第９の発明においても同様）。【００１２】
第６の発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフレーム材の上面側及び下面側にそれぞれ端子、又は端子及び素子搭載部を形成する第１回路パターン及び第２回路パターンを形成する第１工程と、
前記リードフレーム材の上面側に第１のめっき層を、下面側に第２のめっき層を形成する第２工程と、
前記リードフレーム材を上面側から前記第１のめっき層をレジスト膜としてハーフエッチングする第３工程と、
前記リードフレーム材の上面側の前記素子搭載部に半導体素子を搭載してワイヤボンディングした後、樹脂封止して中間製品を形成する第４工程と、
前記中間製品を、前記第２のめっき層をレジスト膜として、アルカリエッチング液を用いてハーフエッチングし、前記端子を個々に独立させる第５工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記第２工程における前記第２のめっき層を電解めっきで形成し、前記第５工程の後、封止樹脂から突出した１）前記端子又は２）前記端子及び前記素子搭載部の側面及び底面に、少なくとも１層以上のめっき層を無電解めっきによって形成する第６工程を有する。
ここで、第４工程における中間製品とは、下面側が接続状態にあるリードフレーム材に半導体素子を搭載して、ワイヤボンディングを行った後に樹脂封止をした製品をいう。また、アルカリエッチング液とは、リードフレーム材（通常、銅又は銅合金）は溶かすが、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ等は溶かさないアルカリ性のエッチング液をいい、例えば、塩化テトラミン銅等がある。【００１３】
第７の発明に係る半導体装置の製造方法は、第６の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記電解めっきは、Ａｇ、Ｓｎ、及びＮｉのいずれか１からなり、前記無電解めっきは、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる。
また、第８の発明に係る半導体装置の製造方法は、第６の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記電解めっきは、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＡｕのいずれか１からなり、前記無電解めっきは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる。【００１４】
そして、第９の発明に係る半導体装置の製造方法は、第６〜第８の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記封止樹脂から突出する１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の最表層に基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜を形成した。
なお、本発明において、それぞれ、Ｃｕは銅又は銅合金、Ｎｉはニッケル又はニッケル合金、Ｓｎはスズ又はスズ合金、Ａｇは銀又は銀合金、Ｐｄはパラジウム又はパラジウム合金を含むものとする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る半導体装置及びその製造方法においては、封止樹脂から突出した端子、又は端子及び素子搭載部の側面に、めっき層が無電解めっきによって形成されているので、端子にめっき電流を直接流すことなく、めっき層を形成でき、これにより、端子の酸化、汚染又は銅の拡散を防止することが可能となる。【００１６】
特に、無電解めっき層が、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる場合には、耐酸化性を有すると共に、はんだ濡れ性を確保できるので、接合時にはんだの濡れ上がりが発生し、製品となったときには、露出した端子ははんだによってもコーティングされる。【００１７】
更に、この無電解めっき層は、端子の側面だけでなく端子の底面をも被覆するので、予め端子の底面に電解めっき法によって行うめっき層の厚みを小さくでき、これによって、材料コストの低減が可能となる。【００１８】
端子の側面及び底面の最表層に基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜を形成した場合には、更に効果的に端子の側面及び底面の酸化や汚染を防止でき、よりはんだ接合性を向上し、端子の保護が可能となる。【００１９】
そして、本発明に係る半導体装置の製造方法において、アルカリエッチング液を用いて下面のエッチングを行うと、第２のめっき層を、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＡｇのいずれかを用いて電解めっきで形成することができるので、Ａｕ、Ｐｄ等の貴金属を使用するより安価に半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図１における矢視Ａ部の拡大図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｇ）は同半導体装置の製造方法の工程説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は従来例に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施例を説明する。
図１、図２に示す本発明の一実施例に係る半導体装置１０は、中央に配置された半導体素子１１と、半導体素子１１の電極パッド１２にボンディングワイヤ１３を介してそれぞれ電気的に接続される端子１４と、端子１４の一部（上部）及び半導体素子１１を封止する封止樹脂１５とを有している。
【００２２】
そして、封止樹脂１５から一部（下部）が突出した端子１４及び中央の素子搭載部１６の底面１７、１８に、Ｎｉからなる厚み０．２〜１μｍ（より好ましくは、０．４〜１μｍ）の電解めっき層（Ｎｉめっき層）１９が形成されている。そして、端子１４及び素子搭載部１６の側面２０、２１及び底面１７、１８の電解めっき層１９の上にはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕからなる無電解めっき層２２が形成されている。
【００２３】
ここで、無電解めっき層２２は、それぞれＮｉめっき層２３が０．２〜１μｍ（更に好ましくは、０．２〜０．５μｍ）、Ｐｄめっき層２４が０．０１〜０．２μｍ（更に好ましくは、０．０３〜０．０８μｍ）、最上部のＡｕめっき層２５は０．００１〜０．１μｍ（より好ましくは、０．００３〜０．０８μｍ）とするのがよい。
【００２４】
端子１４及び素子搭載部１６の上面（表面）２７には、電解めっきによって下地めっきを形成する０．２〜１μｍのＮｉめっき層２８と、その上の厚みが０．１〜０．５μｍの金めっき層２９が形成され、ワイヤボンディングが可能となっている。なお、２６は半導体素子１１を素子搭載部１６に固定する導電性接着剤を示す。
【００２５】
なお、端子１４の上面２７及び底面１７に形成したＮｉめっき層２８、１９の代わりに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＡｕのいずれか１からなる電解めっき層を形成することもできる。なお、Ａｇめっき層を形成する場合には更に下地にＮｉめっきを行ってもよい。
【００２６】
また、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの無電解めっき層２２の代わりに、Ｓｎ（厚みが４〜４０μｍ）、Ａｇ（厚みが０．１〜１０μｍ）、Ａｇ（厚みが０．２〜１μｍ）／Ａｕ（厚みが０．１〜０．５μｍ）、Ｎｉ（厚みが０．２〜２μｍ）／Ａｕ（厚みが０．１〜０．５μｍ）、Ｎｉ（厚みが０．１〜２μｍ）／Ａｇ（厚みが０．１〜１μｍ）、Ｎｉ（厚みが０．１〜１μｍ）／Ｐｄ（厚みが０．０１〜０．２μｍ）／Ａｇ（厚みが０．２〜１μｍ）、又はＮｉ（厚みが例えば、１〜４０μｍ）のいずれか１からなる無電解めっき層を形成してもよい。
【００２７】
例えば、無電解めっき層２２を無電解Ｎｉめっき（Ｎｉ−Ｂ合金）で形成した場合、無電解Ｎｉはｆｃｃ（面心立方構造）結晶構造を有し、リードフレーム材である銅のバリアとしての機能を有する。そのため、はんだによる実装を行った際に、電解めっき層１９だけでは防ぐことのできなかったはんだ実装時の銅の拡散を効果的に防ぐことができるため、側面２０、２１の保護を図ることができるだけでなく、端子１４のはんだ濡れ性が向上する。
なお、本発明は前記しためっき厚みの数字に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲での数値変更（即ち、めっき厚の変更）は可能である。
【００２８】
また、この半導体装置１０の下側に突出した端子１４及び素子搭載部１６の底面１７、１８及び側面２０、２１の最表層に、基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜を形成することもできる。有機被膜としては、例えば、脂肪酸系の界面活性剤等を用いることができる。
【００２９】
続いて、図３を参照しながら、本発明の半導体装置の製造方法の一実施例について説明する。なお、図３においては、１つの半導体装置１０を示しているが、一つの広いリードフレーム材に縦横に半導体装置１０を並べて形成し、最後に個々の半導体装置１０に分断する場合にも当然本発明は適用される。
【００３０】
図３（Ａ）に示すように、０．１〜１ｍｍ程度の銅（銅合金）からなるリードフレーム材３２を用意し、上面（表面）、下面（底面）にそれぞれレジスト膜３３、３４を形成し、第１、第２回路パターン３５、３６を露光及び現像を行って形成する。
次に、図３（Ｂ）に示すように、第１、第２回路パターン３５、３６の開口部に厚さ０．２μｍ以上１μｍ以下のＮｉめっき層２８、厚さ０．２〜１μｍのＮｉめっき層１９を電解めっきによって形成する。そして、図３（Ｃ）に示すように、リードフレーム材３２の表面のＮｉめっき層２８の上にＡｕめっきを行って０．１〜０．５μｍ厚のＡｕめっき層２９を形成する。
【００３１】
そして、図３（Ｄ）に示すように、レジスト膜３３、３４を除去する。次に、図３（Ｅ）に示すように、リードフレーム材３２の下面をマスク３７で覆い、Ｎｉめっき層２８とＡｕめっき層２９（第１のめっき層）をレジスト膜として表面をハーフエッチング（１ｓｔエッチング）する。この場合のエッチング液は塩化第二鉄や塩化テトラミン銅（アルカリ性エッチング液の一例）を主成分とするものを用いることができる。
【００３２】
図３（Ｆ）に示すように、半導体素子１１を素子搭載部１６に導電性接着剤２６を介して載せ、半導体素子１１の電極パッド１２と端子１４の上端のワイヤボンディング部３８との間でワイヤボンディングを行い、封止樹脂１５で、半導体素子１１、ボンディングワイヤ１３、及びリードフレーム材３２のエッチングされた上半分（即ち、リードフレーム材３２の上半分）を樹脂封止して中間製品とする。
【００３３】
この後、マスク３７を除去して、図３（Ｇ）に示すように、Ｎｉめっき層１９（第２のめっき層）をレジスト膜として、アルカリエッチング液を用いて下面をハーフエッチング（２ｎｄエッチング）して端子１４及び素子搭載部１６を分離し、独立化する。
【００３４】
また、図３（Ｇ）に示すように、端子１４及び素子搭載部１６の底面１７、１８及び側面２０、２１に無電解Ｎｉめっきを０．２〜０．５μｍ、無電解Ｐｄめっきを０．０３〜０．０８μｍ、無電解Ａｕめっきを０．００３〜０．０８μｍの厚みでそれぞれ順に形成して保護膜となる無電解めっき層２２を形成する。
【００３５】
従って、端子１４及び素子搭載部１６の底面１７、１８においては、電解めっきによるＮｉめっき層１９の上に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの無電解めっき層２２が形成される。この保護層は単にＮｉを用いた無電解めっき層より耐蝕性がよく、厚めのＡｕを用いた無電解めっき層より低コストとなり、薄いＡｕめっき層２５がはんだとの相性がよいことから、はんだ濡れ性が向上する。更に、耐熱性に優れるため、実装を高温で行うことが可能となる。
【００３６】
このような半導体装置においては、樹脂封止後で端子を独立させた場合は、通常、電気を流すことができないので、本実施例では、Ｎｉめっき、Ｐｄめっき、Ａｕめっきをそれぞれ無電解で形成することで、外部端子の底面及びむき出しである側面を保護して、銅の酸化や汚染を防ぎ、はんだ濡れ性の低下を防いでいる。
【００３７】
前記実施例に係る半導体装置の製造方法において、電解めっき層をＳｎやＡｇで形成し、無電解めっき層を複数層形成してもよい。また、無電解めっきが銅の拡散を防ぐことができるため、電解めっき層はエッチングレジストとして機能する金属を選択すればよいことになり、めっき金属の選択の自由度が増す。
更に、無電解めっき層形成後、酸化防止剤などを用いて有機被膜を形成してもよい。
また、本実施例では、素子搭載部の上部がハーフエッチングされているが、この形態に限らず、１ｓｔエッチングで素子搭載部をハーフエッチングせずに端子と同じ高さに残してもよく、あるいは１ｓｔエッチングでハーフエッチングした素子搭載部に半導体素子を搭載して、樹脂封止した後、２ｎｄエッチングで素子搭載部を完全に除去してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明においては、例えば、アルカリエッチング液を用いて、Ｎｉめっきをレジスト膜として下面側のエッチングを行って、このエッチングによって露出した側面及びＮｉめっきされた底面に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕを無電解でめっきを行う。その結果外部端子の底面はＮｉめっき層が電解めっきと無電解めっきによる被膜で構成され、これによって、端子側面の腐食を防止し、更に安価に半導体装置を製造できる。
【符号の説明】
【００３９】
１０：半導体装置、１１：半導体素子、１２：電極パッド、１３：ボンディングワイヤ、１４：端子、１５：封止樹脂、１６：素子搭載部、１７、１８：底面、１９：電解めっき層（Ｎｉめっき層）、２０、２１：側面、２２：無電解めっき層、２３：Ｎｉめっき層、２４：Ｐｄめっき層、２５：Ａｕめっき層、２６：導電性接着剤、２７：上面、２８：Ｎｉめっき層、２９：金めっき層、３２：リードフレーム材、３３、３４：レジスト膜、３５：第１回路パターン、３６：第２回路パターン、３７：マスク、３８：ワイヤボンディング部
【図１】
2010052973.tif 000003
【図２】
2010052973.tif 000004
【図３】
2010052973.tif 000005
【図４】
2010052973.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成23年3月10日(2011.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅又は銅合金からなるリードフレーム材の上面側に端子、又は端子及び素子搭載部を形成する第１回路パターンを、前記リードフレーム材の下面側に前記端子及び前記素子搭載部を形成する第２回路パターンを、それぞれ形成する第１工程と、
前記リードフレーム材の上面側に第１のめっき層を、下面側に第２のめっき層を形成する第２工程と、
前記リードフレーム材を上面側から前記第１のめっき層をレジスト膜として、アルカリエッチング液を用いてハーフエッチングする第３工程と、
前記リードフレーム材の上面側の前記素子搭載部に半導体素子を搭載してワイヤボンディングした後、樹脂封止して中間製品を形成する第４工程と、
前記中間製品を、前記第２のめっき層をレジスト膜として、アルカリエッチング液を用いてハーフエッチングし、前記端子を個々に独立させる第５工程とを有し、
前記第２工程における前記第１のめっき層を、電解めっきによって形成されたＮｉ／Ａｕ又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕから形成し、前記第２工程における前記第２のめっき層は、電解めっきによって形成されたＳｎ、Ｎｉ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｕのいずれか１によって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記第５工程の後、封止樹脂から突出した前記端子及び前記素子搭載部の側面及び底面に、少なくとも１層以上のめっき層を無電解めっきによって形成する第６工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記無電解めっきは、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３記載の半導体装置の製造方法において、前記封止樹脂から突出する前記端子及び前記素子搭載部の最表層に基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜を形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、実装時の信頼性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
封止樹脂底面から端子が突出するＩＣ（Integrated  Circuit）からなる半導体装置（パッケージ）の構造において、封止樹脂底面から実装基板表面までの距離を「スタンドオフ（図４（ｃ）参照）」といい、パッケージの基板実装時に「実装の容易さ」及び「実装信頼性」の確保を目的として適当なスタンドオフを有することが求められている。特許文献１には、このようなスタンドオフを備えた半導体装置の製造方法が開示され、この特許文献１記載の技術に従って、従来のスタンドオフを有する半導体装置の概略を図４を参照しながら説明する。
【０００３】
図４（ａ）に示すように、板状のリードフレーム材７０を表面側から厚さの半分程度、ボンディング端子７１などを形成する位置を残して選択的にエッチング（１ｓｔエッチング）する。そして、図４（ｂ）に示すように、半導体素子を搭載してボンディングワイヤ７２を用いてワイヤボンディングし、リードフレーム材７０の裏面側半分程度を残して樹脂７３で封止した後、図４（ｃ）に示すように、裏面側から選択的にリードフレーム材７０をエッチング（２ｎｄエッチング）することによって、隣接した端子７１を分離し、図４（ｄ）に示すように基板７５などにこの半導体装置を実装する。
【０００４】
このような方法によって製造された半導体装置は、窒素ガス（又はその他の不活性ガス）の雰囲気で実装することで、２ｎｄエッチングで露出した端子７１の側面のはんだ濡れ性を確保でき、基板への高い実装信頼性を得ている。なお、７６ははんだを示す。
銅を用いたリードフレーム材のエッチング液として、塩化第二鉄溶液の他に、塩化テトラミン銅を用いるアルカリエッチング液が、例えば、特許文献２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２４１３５号公報
【特許文献２】特開２００５−３５３６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、スタンドオフを備える端子側面は、２ｎｄエッチングで銅などのリードフレーム材が露出しており、例えば、この半導体装置を基板に取付ける実装までに露出面が酸化、あるいは汚染される恐れがある。
また、前記酸化又は汚染した端子露出面によって、実装時にも端子露出面に酸化膜が形成されはんだ濡れ不良が生じて、実装時の信頼性が低下してしまうため、実装時は不活性ガスの充填や、はんだ量の調整によってはんだを無理に這い上がらせる等の対策を行わなければならなかった。
しかし、前記対策は、不活性ガスが高価であり、はんだ量の制御は難しく、端子露出面が確実にはんだとの濡れ性を確保できないという問題を生じていた。
【０００７】
そこで、端子の側面にめっきすることが考えられるが、端子には半導体素子が接続されているので、電流を流すことができない。そのため、結果として、無電解めっき法を用いて、ニッケルめっきや金めっきを行い、はんだ濡れ性を確保することも一部で行われている。ところが、無電解ニッケルめっきのみでは腐食するので、はんだ濡れ性を十分に向上できないという問題がある。
また、金の無電解めっきを行った場合には、金の使用量が増加して高価になる。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、リードフレーム材を裏面からエッチングして、端子を独立させた際に露出する端子側面（スタンドオフ側面）が酸化などによって汚染されることを防止でき、しかも全体として製造原価を安くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的に沿う第１の発明に係る半導体装置は、半導体素子と、該半導体素子に電気的に接続される端子と、該端子の一部及び前記半導体素子を封止する封止樹脂とを有する半導体装置において、
前記封止樹脂から一部が突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び素子搭載部の底面に、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＡｕのいずれか１からなる電解めっき層が形成され、その上に少なくとも１層以上の無電解めっき層が形成され、突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の側面には、その底面に形成されている前記無電解めっき層と同一素材の無電解めっき層が形成されている。
なお、「Ｎｉ／Ａｇ」はＮｉめっきの上にＡｇめっきをすることを意味し、「Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ」はＮｉめっきの上にＰｄめっきを行い、更にＰｄめっきの上にＡｕめっきを行うことを意味している（以下の「／」の表現も同様である）。
【００１０】
また、第２、第３の発明に係る半導体装置は、第１の発明に係る半導体装置において、前記電解めっき層は、Ａｇ、Ｓｎ、及びＮｉのいずれか１からなり、前記無電解めっき層は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる。
さらに、第４の発明に係る半導体装置は、第１の発明に係る半導体装置において、前記電解めっき層は、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ及びＡｕのいずれか１からなり、前記無電解めっき層は、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる。
【００１１】
第５の発明に係る半導体装置は、第１〜第４の発明に係る半導体装置において、突出した１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の底面及び側面の最表層には、基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜が形成されている。
ここで、有機被膜は、基板との接合前に薬剤を用いて洗浄により除去できる有機被膜の他、はんだ接合時の熱によって気化する有機被膜であるのが好ましい（第９の発明においても同様）。
【００１２】
第６の発明に係る半導体装置の製造方法は、リードフレーム材の上面側及び下面側にそれぞれ端子、又は端子及び素子搭載部を形成する第１回路パターン及び第２回路パターンを形成する第１工程と、
前記リードフレーム材の上面側に第１のめっき層を、下面側に第２のめっき層を形成する第２工程と、
前記リードフレーム材を上面側から前記第１のめっき層をレジスト膜としてハーフエッチングする第３工程と、
前記リードフレーム材の上面側の前記素子搭載部に半導体素子を搭載してワイヤボンディングした後、樹脂封止して中間製品を形成する第４工程と、
前記中間製品を、前記第２のめっき層をレジスト膜として、アルカリエッチング液を用いてハーフエッチングし、前記端子を個々に独立させる第５工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記第２工程における前記第２のめっき層を電解めっきで形成し、前記第５工程の後、封止樹脂から突出した１）前記端子又は２）前記端子及び前記素子搭載部の側面及び底面に、少なくとも１層以上のめっき層を無電解めっきによって形成する第６工程を有する。
ここで、第４工程における中間製品とは、下面側が接続状態にあるリードフレーム材に半導体素子を搭載して、ワイヤボンディングを行った後に樹脂封止をした製品をいう。また、アルカリエッチング液とは、リードフレーム材（通常、銅又は銅合金）は溶かすが、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ等は溶かさないアルカリ性のエッチング液をいい、例えば、塩化テトラミン銅等がある。
【００１３】
第７の発明に係る半導体装置の製造方法は、第６の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記電解めっきは、Ａｇ、Ｓｎ、及びＮｉのいずれか１からなり、前記無電解めっきは、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる。
また、第８の発明に係る半導体装置の製造方法は、第６の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記電解めっきは、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＡｕのいずれか１からなり、前記無電解めっきは、Ｓｎ、Ａｇ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる。
【００１４】
そして、第９の発明に係る半導体装置の製造方法は、第６〜第８の発明に係る半導体装置の製造方法において、前記封止樹脂から突出する１）前記端子、又は２）前記端子及び前記素子搭載部の最表層に基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜を形成した。
なお、本発明において、それぞれ、Ｃｕは銅又は銅合金、Ｎｉはニッケル又はニッケル合金、Ｓｎはスズ又はスズ合金、Ａｇは銀又は銀合金、Ｐｄはパラジウム又はパラジウム合金を含むものとする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る半導体装置の製造方法においては、封止樹脂から突出した端子及び素子搭載部の側面に、めっき層が無電解めっきによって形成されているので、端子にめっき電流を直接流すことなく、めっき層を形成でき、これにより、端子の酸化、汚染又は銅の拡散を防止することが可能となる。
【００１６】
特に、無電解めっき層が、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ａｇ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＮｉ／Ｐｄ／Ａｇのいずれか１からなる場合には、耐酸化性を有すると共に、はんだ濡れ性を確保できるので、接合時にはんだの濡れ上がりが発生し、製品となったときには、露出した端子ははんだによってもコーティングされる。
【００１７】
更に、この無電解めっき層は、端子の側面だけでなく端子の底面をも被覆するので、予め端子の底面に電解めっき法によって行うめっき層の厚みを小さくでき、これによって、材料コストの低減が可能となる。
【００１８】
端子の側面及び底面の最表層に基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜を形成した場合には、更に効果的に端子の側面及び底面の酸化や汚染を防止でき、よりはんだ接合性を向上し、端子の保護が可能となる。
【００１９】
そして、本発明に係る半導体装置の製造方法において、アルカリエッチング液を用いて下面のエッチングを行うと、第２のめっき層を、Ｎｉ、Ｓｎ、及びＡｇのいずれかを用いて電解めっきで形成することができるので、Ａｕ、Ｐｄ等の貴金属を使用するより安価に半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施例に係る半導体装置の断面図である。
【図２】図１における矢視Ａ部の拡大図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｇ）は同半導体装置の製造方法の工程説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は従来例に係る半導体装置の製造方法の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施例を説明する。
図１、図２に示す本発明の一実施例に係る半導体装置１０は、中央に配置された半導体素子１１と、半導体素子１１の電極パッド１２にボンディングワイヤ１３を介してそれぞれ電気的に接続される端子１４と、端子１４の一部（上部）及び半導体素子１１を封止する封止樹脂１５とを有している。
【００２２】
そして、封止樹脂１５から一部（下部）が突出した端子１４及び中央の素子搭載部１６の底面１７、１８に、Ｎｉからなる厚み０．２〜１μｍ（より好ましくは、０．４〜１μｍ）の電解めっき層（Ｎｉめっき層）１９が形成されている。そして、端子１４及び素子搭載部１６の側面２０、２１及び底面１７、１８の電解めっき層１９の上にはＮｉ／Ｐｄ／Ａｕからなる無電解めっき層２２が形成されている。
【００２３】
ここで、無電解めっき層２２は、それぞれＮｉめっき層２３が０．２〜１μｍ（更に好ましくは、０．２〜０．５μｍ）、Ｐｄめっき層２４が０．０１〜０．２μｍ（更に好ましくは、０．０３〜０．０８μｍ）、最上部のＡｕめっき層２５は０．００１〜０．１μｍ（より好ましくは、０．００３〜０．０８μｍ）とするのがよい。
【００２４】
端子１４及び素子搭載部１６の上面（表面）２７には、電解めっきによって下地めっきを形成する０．２〜１μｍのＮｉめっき層２８と、その上の厚みが０．１〜０．５μｍの金めっき層２９が形成され、ワイヤボンディングが可能となっている。なお、２６は半導体素子１１を素子搭載部１６に固定する導電性接着剤を示す。
【００２５】
なお、端子１４の上面２７及び底面１７に形成したＮｉめっき層２８、１９の代わりに、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ａｇ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、及びＡｕのいずれか１からなる電解めっき層を形成することもできる。なお、Ａｇめっき層を形成する場合には更に下地にＮｉめっきを行ってもよい。
【００２６】
また、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの無電解めっき層２２の代わりに、Ｓｎ（厚みが４〜４０μｍ）、Ａｇ（厚みが０．１〜１０μｍ）、Ａｇ（厚みが０．２〜１μｍ）／Ａｕ（厚みが０．１〜０．５μｍ）、Ｎｉ（厚みが０．２〜２μｍ）／Ａｕ（厚みが０．１〜０．５μｍ）、Ｎｉ（厚みが０．１〜２μｍ）／Ａｇ（厚みが０．１〜１μｍ）、Ｎｉ（厚みが０．１〜１μｍ）／Ｐｄ（厚みが０．０１〜０．２μｍ）／Ａｇ（厚みが０．２〜１μｍ）、又はＮｉ（厚みが例えば、１〜４０μｍ）のいずれか１からなる無電解めっき層を形成してもよい。
【００２７】
例えば、無電解めっき層２２を無電解Ｎｉめっき（Ｎｉ−Ｂ合金）で形成した場合、無電解Ｎｉはｆｃｃ（面心立方構造）結晶構造を有し、リードフレーム材である銅のバリアとしての機能を有する。そのため、はんだによる実装を行った際に、電解めっき層１９だけでは防ぐことのできなかったはんだ実装時の銅の拡散を効果的に防ぐことができるため、側面２０、２１の保護を図ることができるだけでなく、端子１４のはんだ濡れ性が向上する。
なお、本発明は前記しためっき厚みの数字に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲での数値変更（即ち、めっき厚の変更）は可能である。
【００２８】
また、この半導体装置１０の下側に突出した端子１４及び素子搭載部１６の底面１７、１８及び側面２０、２１の最表層に、基板とのはんだ接合を阻害しない有機被膜を形成することもできる。有機被膜としては、例えば、脂肪酸系の界面活性剤等を用いることができる。
【００２９】
続いて、図３を参照しながら、本発明の半導体装置の製造方法の一実施例について説明する。なお、図３においては、１つの半導体装置１０を示しているが、一つの広いリードフレーム材に縦横に半導体装置１０を並べて形成し、最後に個々の半導体装置１０に分断する場合にも当然本発明は適用される。
【００３０】
図３（Ａ）に示すように、０．１〜１ｍｍ程度の銅（銅合金）からなるリードフレーム材３２を用意し、上面（表面）、下面（底面）にそれぞれレジスト膜３３、３４を形成し、第１、第２回路パターン３５、３６を露光及び現像を行って形成する。
次に、図３（Ｂ）に示すように、第１、第２回路パターン３５、３６の開口部に厚さ０．２μｍ以上１μｍ以下のＮｉめっき層２８、厚さ０．２〜１μｍのＮｉめっき層１９を電解めっきによって形成する。そして、図３（Ｃ）に示すように、リードフレーム材３２の表面のＮｉめっき層２８の上にＡｕめっきを行って０．１〜０．５μｍ厚のＡｕめっき層２９を形成する。
【００３１】
そして、図３（Ｄ）に示すように、レジスト膜３３、３４を除去する。次に、図３（Ｅ）に示すように、リードフレーム材３２の下面をマスク３７で覆い、Ｎｉめっき層２８とＡｕめっき層２９（第１のめっき層）をレジスト膜として表面をハーフエッチング（１ｓｔエッチング）する。この場合のエッチング液は塩化第二鉄や塩化テトラミン銅（アルカリ性エッチング液の一例）を主成分とするものを用いることができる。
【００３２】
図３（Ｆ）に示すように、半導体素子１１を素子搭載部１６に導電性接着剤２６を介して載せ、半導体素子１１の電極パッド１２と端子１４の上端のワイヤボンディング部３８との間でワイヤボンディングを行い、封止樹脂１５で、半導体素子１１、ボンディングワイヤ１３、及びリードフレーム材３２のエッチングされた上半分（即ち、リードフレーム材３２の上半分）を樹脂封止して中間製品とする。
【００３３】
この後、マスク３７を除去して、図３（Ｇ）に示すように、Ｎｉめっき層１９（第２のめっき層）をレジスト膜として、アルカリエッチング液を用いて下面をハーフエッチング（２ｎｄエッチング）して端子１４及び素子搭載部１６を分離し、独立化する。
【００３４】
また、図３（Ｇ）に示すように、端子１４及び素子搭載部１６の底面１７、１８及び側面２０、２１に無電解Ｎｉめっきを０．２〜０．５μｍ、無電解Ｐｄめっきを０．０３〜０．０８μｍ、無電解Ａｕめっきを０．００３〜０．０８μｍの厚みでそれぞれ順に形成して保護膜となる無電解めっき層２２を形成する。
【００３５】
従って、端子１４及び素子搭載部１６の底面１７、１８においては、電解めっきによるＮｉめっき層１９の上に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの無電解めっき層２２が形成される。この保護層は単にＮｉを用いた無電解めっき層より耐蝕性がよく、厚めのＡｕを用いた無電解めっき層より低コストとなり、薄いＡｕめっき層２５がはんだとの相性がよいことから、はんだ濡れ性が向上する。更に、耐熱性に優れるため、実装を高温で行うことが可能となる。
【００３６】
このような半導体装置においては、樹脂封止後で端子を独立させた場合は、通常、電気を流すことができないので、本実施例では、Ｎｉめっき、Ｐｄめっき、Ａｕめっきをそれぞれ無電解で形成することで、外部端子の底面及びむき出しである側面を保護して、銅の酸化や汚染を防ぎ、はんだ濡れ性の低下を防いでいる。
【００３７】
前記実施例に係る半導体装置の製造方法において、電解めっき層をＳｎやＡｇで形成し、無電解めっき層を複数層形成してもよい。また、無電解めっきが銅の拡散を防ぐことができるため、電解めっき層はエッチングレジストとして機能する金属を選択すればよいことになり、めっき金属の選択の自由度が増す。
更に、無電解めっき層形成後、酸化防止剤などを用いて有機被膜を形成してもよい。
また、本実施例では、素子搭載部の上部がハーフエッチングされているが、この形態に限らず、１ｓｔエッチングで素子搭載部をハーフエッチングせずに端子と同じ高さに残してもよく、あるいは１ｓｔエッチングでハーフエッチングした素子搭載部に半導体素子を搭載して、樹脂封止した後、２ｎｄエッチングで素子搭載部を完全に除去してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明においては、例えば、アルカリエッチング液を用いて、Ｎｉめっきをレジスト膜として下面側のエッチングを行って、このエッチングによって露出した側面及びＮｉめっきされた底面に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕを無電解でめっきを行う。その結果外部端子の底面はＮｉめっき層が電解めっきと無電解めっきによる被膜で構成され、これによって、端子側面の腐食を防止し、更に安価に半導体装置を製造できる。
【符号の説明】
【００３９】
１０：半導体装置、１１：半導体素子、１２：電極パッド、１３：ボンディングワイヤ、１４：端子、１５：封止樹脂、１６：素子搭載部、１７、１８：底面、１９：電解めっき層（Ｎｉめっき層）、２０、２１：側面、２２：無電解めっき層、２３：Ｎｉめっき層、２４：Ｐｄめっき層、２５：Ａｕめっき層、２６：導電性接着剤、２７：上面、２８：Ｎｉめっき層、２９：金めっき層、３２：リードフレーム材、３３、３４：レジスト膜、３５：第１回路パターン、３６：第２回路パターン、３７：マスク、３８：ワイヤボンディング部
【国際調査報告】
2010052973.tif 000007
2010052973.tif 000008