(57)【要約】  本発明の光マトリックスデバイスの製造方法によれば、薄膜トランジスタの特性が一番影響される半導体膜とゲート絶縁膜を真空中にて形成する（Ｓ１２、Ｓ１３）ことで、半導体膜とゲート絶縁膜との界面が汚れない。また、半導体膜とゲート絶縁膜とは真空中にて形成するが、配線に関しては真空中で形成しなくてもよい（Ｓ０３）。このように、予め形成された配線上に、真空中で形成された半導体膜とゲート絶縁膜とを転写する（Ｓ２１）ので、基板が大面積であっても薄膜トランジスタの配線、半導体膜およびゲート絶縁膜を効率よく形成することができる。
2010070802.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを備えた光に関する素子を基板上に２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスの製造方法であって、
転写型に真空中にて半導体膜を積層する半導体膜形成ステップと、
前記半導体膜が積層された前記転写型に真空中にて連続してゲート絶縁膜を積層するゲート絶縁膜形成ステップと、
前記基板上に予め形成された第１配線上に前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜を転写する転写ステップと
を備えたことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記基板に第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成ステップと、
前記第１絶縁膜にインプリント法により前記第１配線のパターンの溝を形成する第１パターン形成ステップと、
パターン形成された前記第１絶縁膜の溝に、インクジェット法により前記第１配線を形成する第１配線形成ステップとを備え、
前記第１配線上に前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜を転写する
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記第１配線上に転写された前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜の周囲に第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成ステップと、
前記第２絶縁膜にインプリント法により第２配線のパターンの溝を形成する第２パターン形成ステップと、
パターン形成された前記第２絶縁膜の溝に、インクジェット法により前記第２配線を形成する第２配線形成ステップと
を備えたことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３いずれか１つに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記転写型に前記半導体膜を形成する前に、前記転写型には予め剥離層が形成されていることを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記剥離層は加熱または紫外線照射により粘度が減少する
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１から５いずれか１つに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記第１絶縁膜が有機物である
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項７】
薄膜トランジスタを備えた光に関する素子を基板上に２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスの製造方法であって、
転写型に真空中にてゲート絶縁膜を積層するゲート絶縁膜形成ステップと、
前記ゲート絶縁膜が積層された前記転写型に真空中にて半導体膜を積層する半導体膜形成ステップと、
前記基板上に予め形成された第１配線および電極上に前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜を転写する転写ステップと
を備えたことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７いずれか１つに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記半導体膜が酸化物半導体膜である
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項１から８いずれか１つに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記ゲート絶縁膜が無機物である
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９いずれか１つに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、前記転写ステップを繰り返し行う
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から１０いずれか１つに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記光マトリックスデバイスが光検出器である
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記光マトリックスデバイスが放射線検出器である
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１から１０いずれか１つに記載の光マトリックスデバイスにおいて、
前記光マトリックスデバイスが画像表示装置である
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１４】
薄膜トランジスタを備えた光に関する素子を基板上に２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスの製造方法であって、
転写型に真空中にてゲート絶縁膜を積層するゲート絶縁膜形成ステップと、
前記ゲート絶縁膜が積層された前記転写型に真空中にて連続して半導体膜を積層する半導体膜形成ステップと、
前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜をフィルムに転写する第１転写ステップと、
前記フィルムに転写された前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜を、前記基板上に予め形成された第１配線上に転写する第２転写ステップと
を備えたことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記フィルムは加熱または紫外線照射により粘度が減少し、前記第２転写ステップは、加熱または紫外線照射により前記フィルムの粘度を減少させて実施する
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記半導体膜が酸化物半導体膜である
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【請求項１７】
請求項１４から１６いずれか１つに記載の光マトリックスデバイスの製造方法において、
前記光マトリックスデバイスが放射線検出器である
ことを特徴とする光マトリックスデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビやパーソナルコンピュータのモニタとして用いられる薄型画像表示装置、もしくは医療分野や産業分野などに用いられる放射線撮像装置に備わる放射線検出器など、表示素子または受光素子で形成される画素を二次元マトリックス状に配列した構造を有する光マトリックスデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等で形成されるアクティブ素子とコンデンサとを備えた光に関する素子を二次元マトリックス状に配列した光マトリックスデバイスが汎用されている。光に関する素子として、受光素子と表示素子とが挙げられる。また、この光マトリックスデバイスを大別すると、受光素子で構成されるデバイスと表示素子で構成されるデバイスとに分けられる。受光素子で構成されるデバイスとしては、光撮像センサや、医療分野または産業分野などで用いられる放射線撮像センサなどがある。表示素子で構成されるデバイスとしては、透過光の強度を調節する素子を備えた液晶型や、発光素子を備えたＥＬ型などの、テレビやパーソナルコンピュータのモニタとして用いられる画像ディスプレイがある。ここで光とは、赤外線、可視光線、紫外線、放射線（Ｘ線）、γ線等をいう。【０００３】
近年、こうした光マトリックスデバイスに備わるアクティブマトリックス基板の配線等の形成方法として、インクジェット法を用いる方法が盛んに研究されている。アクティブマトリックス基板のゲート線やデータ線等の配線だけにとどまらず、ゲートチャネルなどの半導体膜もインクジェット法により形成することができる。従来のフォトリソグラフィ法と違って局所的に印刷形成でき、マスクを必要としないことで非常に有用である。このような理由により大面積のアクティブマトリックス基板を作成する技術として期待されている。【０００４】
インクジェット印刷技術によれば、半導体、絶縁体、または導電性微粒子を含有する液滴（インク）を印刷塗布することで、半導体膜、絶縁体膜または導線を形成することができる。インクジェットノズルから射出される液滴は、半導体、絶縁体、または導電性微粒子のいずれかを有機溶媒に溶解または分散させて、溶液またはコロイド状態に保たれている。そして、この液滴を印刷塗布した後、加熱処理を行うことで有機溶媒を揮発させ、半導体膜、絶縁体膜、または導線（配線）を形成する。【０００５】
例えば、特許文献１では、ボトムゲート型の薄膜トランジスタを、インクジェット法により形成する薄膜トランジスタの製造方法が開示されている。【０００６】
【特許文献１】特開２００４−３４９５８３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、インクジェット法で形成される薄膜トランジスタは、真空中でスパッタリング法等で形成されたものに比べて、ゲートＯＦＦ時の漏れ電流値、ＯＮ／ＯＦＦ電流比、モビリティー等の特性が劣化したものであった。薄膜トランジスタのこれらの特性は、薄膜トランジスタの半導体膜とゲート絶縁膜との界面の接続状態に大きく左右される。これらの界面が、有機汚れや酸化汚れ等により少しでも汚れると特性劣化してしまう。つまり、インクジェット法では大気中でしか薄膜トランジスタを印刷形成することができず、真空中では印刷形成できない。これより、インクジェット法により形成された薄膜トランジスタは、真空中で形成されたものよりも特性が必然的に劣るものであった。【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、大面積の基板でありながら、薄膜トランジスタの特性が良好である光マトリックスデバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明の光マトリックスデバイスの製造方法は、薄膜トランジスタを備えた光に関する素子を基板上に２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスの製造方法であって、転写型に真空中にて半導体膜を積層する半導体膜形成ステップと、前記半導体膜が積層された前記転写型に真空中にて連続してゲート絶縁膜を積層するゲート絶縁膜形成ステップと、前記基板上に予め形成された第１配線上に前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜を転写する転写ステップとを備えたことを特徴とする。【００１０】
本発明の光マトリックスデバイスの製造方法によれば、薄膜トランジスタの特性が一番影響される半導体膜とゲート絶縁膜を真空中にて連続して製膜することで、半導体膜とゲート絶縁膜との界面が汚れない。さらに、半導体膜とゲート絶縁膜とは真空中にて形成するが、配線に関しては真空中で形成しなくてもよい。このように、予め形成された配線上に、真空中で形成された半導体膜とゲート絶縁膜とを転写するので、基板が大面積であっても薄膜トランジスタの配線、半導体膜およびゲート絶縁膜を効率よく形成することができ、薄膜トランジスタの特性も良好である光マトリックスデバイスを製造することができる。  【００１１】
また、配線をインクジェット法により形成する場合、配線が形成される基板上の絶縁膜に配線のパターンの溝をインプリント法により形成することで、インクジェット法により射出された液滴が溝のパターンに沿って伸長する。これより、インクジェット法でありながら、液滴の滲みを防ぐことができるので、配線を精度良く形成することができる。【００１２】
さらに、ゲート絶縁膜および半導体膜が転写された配線上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の面上に形成されるさらに別の配線のためのパターンの溝をこの絶縁膜に形成することで、配線の形成を精度良く行うことができる。【００１３】
また、転写型の接着力が小さい場合は、転写型に直接半導体膜を積層してもよいが、転写型の接着力が強く、積層された半導体膜を剥離できない場合は、転写型に予め剥離層を形成しておくとよい。転写型に予め形成された剥離層として加熱または紫外線照射により粘度が減少するものを採用すれば、剥離層を加熱または紫外線照射をすることでゲート絶縁膜および半導体膜を効率よく配線上に転写することができる。さらに第１絶縁膜が有機物であれば、常温にて塗布形成がしやすい。【００１４】
また、転写型に先にゲート絶縁膜を形成し、その後に半導体膜を形成することで、半導体膜を基板側に形成することもできる。【００１５】
また、半導体膜が酸化物半導体であれば、特性の良い薄膜トランジスタを形成することができる。ゲート絶縁膜は真空中で形成するので無機物である方が好ましい。さらには、ゲート絶縁膜および半導体膜の転写は基板全体を一括して転写しなくても、基板を小領域に分けて何回も転写を繰り返すこともできる。【００１６】
また、上記光マトリックスデバイスの製造方法により、薄膜トランジスタの特性が安定した光検出器、放射線検出器、または画像表示装置を製造することができる。【００１７】
また、本発明のもう一方の光マトリックスデバイスの製造方法は、薄膜トランジスタを備えた光に関する素子を基板上に２次元マトリックス状に配列して構成された光マトリックスデバイスの製造方法であって、転写型に真空中にてゲート絶縁膜を積層するゲート絶縁膜形成ステップと、前記ゲート絶縁膜が積層された前記転写型に真空中にて連続して半導体膜を積層する半導体膜形成ステップと、前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜をフィルムに転写する第１転写ステップと、前記フィルムに転写された前記ゲート絶縁膜および前記半導体膜を、前記基板上に予め形成された第１配線上に転写する第２転写ステップとを備えたことを特徴とする。【００１８】
本発明のもう一方の光マトリックスデバイスの製造方法によれば、薄膜トランジスタの特性が一番影響されるゲート絶縁膜と半導体膜とを真空中にて連続して製膜することで、ゲート絶縁膜と半導体膜との界面が汚れない。さらに、ゲート絶縁膜と半導体膜とは真空中にて形成するが、配線に関しては真空中で形成しなくてもよい。このように、予め形成された配線上に、真空中で形成されたゲート絶縁膜と半導体膜とを転写するので、基板が大面積であっても薄膜トランジスタの配線、半導体膜およびゲート絶縁膜を効率よく形成することができ、薄膜トランジスタの特性も良好である光マトリックスデバイスを製造することができる。【００１９】
さらには、転写型に積層されたゲート絶縁膜および半導体膜をフィルムに転写する第１転写ステップと、フィルムに転写されたゲート絶縁膜および半導体膜を基板上に予め形成された第１配線上に転写する第２転写ステップを備えることで、ゲート絶縁膜および半導体膜の転写漏れの発生を防ぎ転写歩留まりを向上することができる。【００２０】
また、フィルムは加熱または紫外線照射により粘度が減少し、第２転写ステップは加熱または紫外線照射によりフィルムの粘度を減少させて実施するので、フィルムから第１配線上にゲート絶縁膜および半導体膜を好適に転写することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る光マトリックスデバイスの製造方法によれば、大面積のアクティブマトリックス基板でありながら、薄膜トランジスタの特性が良好である光マトリックスデバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施例１に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の製造工程の流れを示すフローチャート図である。
【図２】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図３】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図４】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す概略斜視図である。
【図５】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図６】実施例１に係るＦＰＤの製造工程において使用する転写型の概略斜視図である。
【図７】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図８】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図９】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図１０】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図１１】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す正面図である。
【図１２】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図１３】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す正面図である。
【図１４】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図１５】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図１６】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す正面図である。
【図１７】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図１８】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図１９】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図２０】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図２１】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図２２】実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図２３】実施例１に係るＦＰＤに備わるアクティブマトリックス基板および周辺回路の構成を示す回路図である。
【図２４】実施例２に係る方法により作製されるアクティブマトリックス基板を備えた画像表示装置を示す概略斜視図である。
【図２５】実施例３に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の製造工程の流れを示すフローチャート図である。
【図２６】実施例３に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図２７】実施例３に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図２８】実施例３に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図２９】実施例３に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図３０】実施例３に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図３１】実施例３に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図３２】実施例３に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図３３】本発明の変形実施に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【図３４】本発明の変形実施に係るＦＰＤの製造工程を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１  …  基板
２  …  絶縁膜
３  …  ゲート線
４  …  グランド線
５  …  転写型
６  …  転写型
７  …  剥離層
８  …  半導体膜
９  …  ゲート絶縁膜
１０  …  絶縁膜
１１  …  データ線
１２  …  容量電極
１５  …  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
２７  …  フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）
５０  …  接着膜
５２  …  フィルム
ＤＵ  …  Ｘ線検出素子
【実施例１】
【００２４】
＜フラットパネル型Ｘ線検出器製造方法＞
以下、図面を参照して本発明の光マトリックスデバイスの一例として、フラットパネル型Ｘ線検出器（以下、ＦＰＤと称す）の製造方法を説明する。
図１は実施例１に係るＦＰＤの製造工程の流れを形成する流れを示すフローチャート図であり、図２から図２２までは実施例１に係るＦＰＤの製造工程を示す図である。図１２は図１１のＡ−Ａ矢視断面図であり、図１４は図１３のＡ−Ａ矢視断面図であり、図１７は図１６のＡ−Ａ矢視断面図である。【００２５】
実施例１におけるＦＰＤの製造工程として、大別して２つの工程がある。図１を参照すると、１つは、基板上にアクティブマトリックス基板および放射線変換層などを形成する工程（ステップＳ０１〜Ｓ０３およびステップＳ２１〜Ｓ２９）であり、もう１つは薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）の半導体膜およびゲート絶縁膜を形成する工程（ステップＳ１１〜Ｓ１３）である。【００２６】
（ステップＳ０１）絶縁膜形成
図２に示すように、基板１の表面上に絶縁膜２を形成する。基板１は、ガラス、合成樹脂、金属等のいずれのものでもよい。合成樹脂の場合、ポリイミド、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等が例として挙げられるが、耐熱性に優れたポリイミドが好ましい。ステンレス等の金属を採用する場合、基板１は後で説明するグランド線として兼用することもできる。基板１と絶縁膜２とが合成樹脂等の有機物であれば、フレキシブルな基板を製造することができる。これより、基板を落としても割れない利点がある。また、基板がフレキシブルであればロールトウロールでの量産をすることができる。絶縁膜２が有機物であれば、常温で塗布形成しやすい。【００２７】
絶縁膜２は、有機系の材料で熱可塑性または光により硬化するものが好ましく、ポリイミド、アクリル樹脂、ＵＶ硬化樹脂などが挙げられる。この絶縁膜２を、基板１の表面上に一様に形成する。絶縁膜２は本発明における第１絶縁膜に相当し、ステップＳ０１は本発明における第１絶縁膜形成ステップに相当する。【００２８】
（ステップＳ０２）絶縁膜パターン形成
図３に示すように、基板１上に形成された軟化状態の絶縁膜２に後の工程で形成されるゲート線３とグランド線４のパターンが予め形成された転写型５を絶縁膜２に押圧する。このとき、絶縁膜２が熱可塑性であれば、予め絶縁膜２を加熱して軟化状態に保持して転写型５を押圧する。この転写型５のパターンが絶縁膜２上に転写された後、絶縁膜２を冷却して絶縁膜２を硬化し、転写型５を絶縁膜２から離型する。これより、図４に示すように、後の工程で形成されるゲート線３およびグランド線４のパターンである溝が絶縁膜２に形成される。また、絶縁膜２が紫外線硬化性であれば、軟化状態の絶縁膜２に転写型５を押圧した後、紫外線を絶縁膜２に照射する。この紫外線の照射により、絶縁膜２が硬化して、絶縁膜２のパターンを形成する。転写型５は、例えば、Ｓｉ（シリコン）、Ｎｉ（ニッケル）、ＰＤＭＳ（Polydimethylsiloxane）等で形成されたものを採用することができる。転写型５のパターン形成は、ＥＢ露光やフォトリソグラフィー法により形成することができる。ステップＳ０２は本発明における第１パターン形成ステップに相当する。【００２９】
（ステップＳ０３）ゲート線・グランド線形成
パターン形成された絶縁膜２に、インクジェット法によりゲート線３およびグランド線４を形成する。絶縁膜２には、ゲート線３およびグランド線４が形成されるパターンに溝が形成されているので、インクジェット法により射出された金属インクは溝が形成されているパターン通りに伸長される。ゲート線３は本発明における第１配線に相当し、ステップＳ０３は本発明における第１配線形成ステップに相当する。【００３０】
次に、上記ステップＳ０１〜Ｓ０３と別工程で形成する、半導体膜およびゲート絶縁膜の形成を説明する。上記ステップＳ０３にて形成したゲート線３上にゲート絶縁膜および半導体膜（ゲートチャネル）を形成するために、インプリント法を応用した転写法を用いてこれらを転写する。【００３１】
（ステップＳ１１）剥離層形成
図６および図７に示すように、予め半導体膜（ゲートチャネル）が形成されるパターンの所定の位置に凹凸の形状が形成された転写型６の表面全体に剥離層７を塗布して形成する。剥離層７は、例えば８０℃程度に加熱すると粘着性が低下する樹脂や、紫外線が照射されると粘着性が低下する樹脂などが好ましい。８０℃程度に加熱すると粘着性が低下する樹脂として積水化学工業株式会社製の自己剥離ペースト（仮固定用接着剤）や、株式会社テスコ製のＵＶ硬化型ホットメルト仮接着材Ａ−１５７９が挙げられる。また、場合によっては、フッ素プラズマ処理などにより、１分子層のみを薄膜コートするものであってもよい。この剥離層７の凹凸のピッチはＴＦＴの半導体膜（ゲートチャネル）のピッチ間隔である。転写型６は、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ２（酸化シリコン）、ＳｉＣ（炭化ケイ素）、Ｎｉ、ＰＤＭＳ等で形成されたものを採用することができる。【００３２】
（ステップＳ１２）半導体膜形成
図８に示すように、剥離層７が形成された転写型６上に真空中にて、半導体膜８を形成する。真空度は、約１Ｐａ以下が好ましい。あるいは、約０．１Ｐａ以下に真空引きした後、Ａｒ（アルゴン）、Ｏ２（酸素）、Ｎ２（窒素）などのガスを別途供給することで、約１Ｐａ以下の減圧雰囲気にするものであってもよい。形成方法として、スパッタリング法、プラズマ蒸着法、またはイオンブレーディング等が挙げられる。半導体膜８の材料として、ＩｎＧａＺｎＯ４（ガリウム・インジウム酸化亜鉛）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の酸化物半導体、またはＣｄＳ（硫化カドミウム）等のカルコゲナイド系が挙げられる。また、これら以外にも、Ｓｉ、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）、ｐｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）でもよいし、あるいは、ペンタセンなどの有機物からなる有機半導体膜であってもよい。無機物半導体膜である酸化物半導体膜を採用すると、移動度が高く有機半導体膜に比べて経時安定性が良い。なお、図８において、転写型６の凸部の面上に剥離層７を介して形成された半導体膜８の幅Ｐ１は１〜２０μｍ程度であり、剥離層７が積層された転写型６の凹凸のピッチＰ２は、後々に形成されるアクティブマトリックス基板１７の１画素のピッチと同程度であるので、５０〜２００μｍ程度である。ステップＳ１２は本発明における半導体膜形成ステップに相当する。【００３３】
（ステップＳ１３）ゲート絶縁膜
図９に示すように、半導体膜８が形成された転写型６上に真空中にて、ゲート絶縁膜９を形成する。真空度は、約１Ｐａ以下が好ましい。あるいは、約０．１Ｐａ以下に真空引きした後、Ａｒ、Ｏ２、Ｎ２などのガスを別途供給することで、約１Ｐａ以下の減圧雰囲気にするものであってもよい。形成方法として、スパッタリング法、プラズマ蒸着法、またはイオンブレーディング等が挙げられる。ゲート絶縁膜９の材料として、ＳｉＯ２、ＳｉＮＸ（窒化シリコン）、ＺｒＯ２（酸化ジルコニウム）、Ｙ２Ｏ３（酸化イットリウム）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、ＴｉＯ２（酸化チタン）等の無機酸化物が挙げられる。また、強誘電体薄膜もゲート絶縁膜材料として採用することができる。さらには、ポリイミド、アクリル、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）などの有機物でもよい。ステップＳ１３は本発明におけるゲート絶縁膜形成ステップに相当する。【００３４】
（ステップＳ２１）転写
次に、図１０に示すように半導体膜８およびゲート絶縁膜９が積層された転写型６をゲート線３の上に押圧し、剥離層７を剥離させることで、半導体膜８およびゲート絶縁膜９を転写する。これより、図１１および図１２に示すように、ゲート線３上にゲート絶縁膜９が形成され、さらにその上に半導体膜８が形成される。剥離層７の剥離は、熱によるものであってもよいし、紫外線照射によるものであってもよいし、超音波の振動によるものであってもよいし、これらの組み合わせによるものでもよい。例えば、８０℃以上に加熱すると粘着性が低下する剥離層７であれば、転写型６を８０℃以上に加熱することで、剥離層７の粘着性を低下するとともに、転写型６に超音波による振動を与えることで、半導体膜８およびゲート絶縁膜９を転写型６から剥離することができる。ステップＳ２１は本発明における転写ステップに相当する。【００３５】
（ステップＳ２２）絶縁膜形成
次に、図１３および図１４に示すように、絶縁膜１０をグランド線４および絶縁膜２上に形成する。半導体膜８の上部面上には後の工程でデータ線および容量電極と接続するので、絶縁膜１０を積層しない。絶縁膜１０も、有機系の材料で熱可塑性または光により硬化するものが好ましく、ポリイミド、アクリル樹脂、ＵＶ硬化樹脂などが挙げられる。絶縁膜１０は本発明における第２絶縁膜に相当し、ステップＳ２２は本発明における第２絶縁膜形成ステップに相当する。【００３６】
（ステップＳ２３）絶縁膜パターン形成
次に、図１５に示すように、軟化状態の絶縁膜１０に後の工程で形成されるデータ線１１と容量電極１２のパターンが予め形成された転写型１３を絶縁膜２に押圧する。絶縁膜１０のパターン形成方法はステップＳ０２と同様であるので説明を省略する。これより、後の工程で形成されるデータ線１１および容量電極１２のパターンである溝が絶縁膜１０に形成される。ステップＳ２３は本発明における第２パターン形成ステップに相当する。【００３７】
（ステップＳ２４）データ線・容量電極形成
図１６および図１７に示すように、半導体膜８を挟んで、容量電極１２およびデータ線１１を絶縁膜１０上に形成する。容量電極１２は、絶縁膜１０を挟んでグランド線４に対向するように積層形成する。なお、半導体膜８に対向したゲート線３の一部分と、データ線１１の半導体膜８側の部分と、半導体膜８と、容量電極１２の半導体膜８側の部分と、ゲート線３／データ線１１・半導体膜８・容量電極１２間に介在する絶縁膜９とで、ＴＦＴ１５を構成する。また、容量電極１２と、グランド線４と、容量電極１２／グランド線４間に介在する絶縁膜１０とで、コンデンサ１６を構成する。これより、基板１、容量電極１２、コンデンサ１６、ＴＦＴ１５、半導体膜８、データ線１１、ゲート線３、グランド線４、絶縁膜２、ゲート絶縁膜９、および絶縁膜１０を備えたアクティブマトリックス基板１７を構成する。データ線１１は本発明における第２配線に相当し、ステップＳ２４は本発明における第２配線形成ステップに相当する。【００３８】
（ステップＳ２５）絶縁膜形成
図１８に示すように、データ線１１、容量電極１２、半導体膜８、および絶縁膜１０上に絶縁膜１８を積層形成する。この後積層する画素電極１９と接続するために容量電極１２上には絶縁膜１８を積層形成しない部分があり、容量電極１２の周囲を絶縁膜１８で積層形成する。絶縁膜１８はＴＦＴ１５のパッシベーション膜としても機能する。【００３９】
（ステップＳ２６）画素電極形成
図１９に示すように、容量電極１２および絶縁膜１８上に画素電極１９を積層する。これより、画素電極１９と容量電極１２とは電気的に接続されている。【００４０】
（ステップＳ２７）絶縁膜形成
図２０に示すように、画素電極１９および絶縁膜１８上に絶縁膜２０を積層する。この後積層するＸ線変換層２１によって生成されたキャリアを画素電極１９に収集するために、Ｘ線変換層２１に直接に接触すべく画素電極１９の大部分には絶縁膜２０を積層形成せずに、画素電極１９の周囲のみを絶縁膜２０で積層形成する。すなわち、画素電極１９の大部分を開口するように絶縁膜２０を積層形成する。【００４１】
（ステップＳ２８）Ｘ線変換層形成
図２１に示すように、画素電極１９および絶縁膜２０上にＸ線変換層２１を積層形成する。実施例１の場合、受光素子であるＸ線変換層２１としてアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）を積層するので蒸着法を用いる。Ｘ線変換層２１にどのような半導体を用いるかで積層方法を変えてもよい。【００４２】
（ステップＳ２９）電圧印加電極形成
図２２に示すように、電圧印加電極２２をＸ線変換層２１上に積層形成する。この後、図２３に示すように、ゲート駆動回路２４、電荷‐電圧変換器群２５およびマルチプレクサ２６等の周辺回路を接続することでＦＰＤ２７の一連の製造を終了する。【００４３】
これらＦＰＤ２７の絶縁膜２、１０、１８、２０の形成方法は、局所的な形成であればインクジェット法が好ましく、基板全体に一様に形成する場合はスピンコート法が好ましい。またこの他にも、凸版印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法などにより形成してもよい。【００４４】
半導体膜８およびゲート絶縁膜９の転写方法は基板１全体を一括して転写するものであってもよいし、小領域に分けて繰り返し転写をしてもよい。また、絶縁膜２および絶縁膜１０へのパターン形成も、基板１全体を一括してパターン形成するものであってもよいし、小領域に分けて繰り返しパターン形成してもよい。【００４５】
＜フラットパネル型Ｘ線検出器＞
以上のようにして製造されたＦＰＤ２７は、図２２および図２３に示すように、Ｘ線が入射されるＸ線検出部ＳＣには、ＸＹ方向に２次元マトリックス状にＸ線検出素子ＤＵが配列されている。Ｘ線検出素子ＤＵは、入射されたＸ線に感応して電荷信号を画素ごとに出力するものである。なお、説明の都合上、図２３では、Ｘ線検出素子ＤＵが３×３画素分の２次元マトリックス構成としているが、実際のＸ線検出部ＳＣにはＸ線検出素子ＤＵが、例えば、４０９６×４０９６画素分程度に、ＦＰＤ２７の画素数に合わせたマトリックス構成としている。Ｘ線検出素子ＤＵは本発明における光に関する素子に相当する。【００４６】
また、Ｘ線検出素子ＤＵは図２２に示されるように、バイアス電圧が印加される電圧印加電極２２の下層に、Ｘ線の入射によりキャリア（電子・正孔対）を生成するＸ線変換層２１が形成されている。そして、Ｘ線変換層２１の下層には、画素ごとにキャリアを収集する画素電極１９が形成され、さらに、画素電極１９に収集されたキャリアにより発生した電荷を蓄積するコンデンサ１６と、コンデンサ１６と電気的に接続されたＴＦＴ１５と、ＴＦＴ１５へスイッチ作用の信号を送るゲート線３と、ＴＦＴ１５を通してコンデンサ１６に蓄積された電荷をＸ線検出信号として読み出すデータ線１１と、それらを支持する基板１とを備えるアクティブマトリックス基板１７が形成されている。このアクティブマトリックス基板１７によりＸ線変換層２１にて生成したキャリアからＸ線検出信号を画素ごとに読み出すことができる。このように、各Ｘ線検出素子ＤＵには、Ｘ線変換層２１と画素電極１９とコンデンサ１６とＴＦＴ１５とが備えられている。【００４７】
Ｘ線変換層２１は、Ｘ線感応型半導体からなり、例えば、非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜で形成されている。また、Ｘ線変換層２１にＸ線が入射すると、このＸ線のエネルギーに比例した所定個数のキャリアが直接生成される構成（直接変換型）となっている。このａ−Ｓｅ膜は特に検出エリアの大面積化を容易にすることができる。Ｘ線変換層２１として、上記以外にも他の半導体膜、例えば、ＣｄＴｅ（テルル化カドミニウム）等の多結晶半導体膜でもよい。【００４８】
このように、本実施例のＦＰＤ２７はＸ線検出画素である検出素子ＤＵがＸ、Ｙ方向に沿って多数配列された２次元アレイ構成のフラットパネル型Ｘ線センサとなっているので、各検出素子ＤＵごとに局所的なＸ線検出が行うことができ、Ｘ線強度の２次元分布測定が可能となる。【００４９】
本実施例のＦＰＤ２７によるＸ線検出動作は以下の通りである。
すなわち、被検体にＸ線を照射してＸ線撮像を行う場合には、被検体を透過した放射線像がａ−Ｓｅ膜上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリアがａ−Ｓｅ膜内に発生する。発生したキャリアは、バイアス電圧が生じる電界により画素電極１９に収集され、キャリアの生成した数に相応して電荷がコンデンサ１６に誘起されて所定時間蓄積される。その後、ゲート駆動回路２４からゲート線３を介して送られるゲート電圧により、ＴＦＴ１５は、スイッチング作用をして、コンデンサ１６に蓄積された電荷が、ＴＦＴ１５を経由し、データ線１１を介して電荷−電圧変換器群２５で電圧信号に変換され、マルチプレクサ２６によりＸ線検出信号として順に外部に読み出される。【００５０】
上述したＦＰＤ２７におけるデータ線１１、ゲート線３、グランド線４、画素電極１９、容量電極１２および電圧印加電極２２を形成する導電体は、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の金属をペースト状にした金属インクで形成したものでもよいし、ＩＴＯインクや、ポリスチレンスルホン酸をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などに代表される高導電性の有機物インクを印刷することで形成してもよい。また、ＩＴＯとＡｕ薄膜などの構成でもよい。【００５１】
上述した実施例１では、Ｘ線変換層２１はＸ線によりキャリアを生成するものであったが、Ｘ線に限らず、γ線等の放射線に感応する放射線変換層や光に感応する光変換層を用いてもよい。また、光変換層の代わりにフォトダイオードを用いてもよい。こうすれば、同じ構造でありながら放射線検出器および光検出器を製造することができる。【００５２】
上記のように構成した光マトリックスデバイスの製造方法によれば、半導体膜８とゲート絶縁膜９とを真空中にて連続製膜しているので、半導体膜８とゲート絶縁膜９との界面が、有機汚れや酸化汚れ等の汚れにおかされることがない。これより、半導体膜８とゲート絶縁膜９との界面のトラップを減らすことができるので、インクジェット法により形成したＴＦＴに比べて、ＴＦＴ１５のゲートＯＦＦ時の漏れ電流値、ＯＮ／ＯＦＦ電流比、モビリティー等の特性が向上している。また、真空中で形成した半導体膜８およびゲート絶縁膜９をインプリント法を応用した方法で転写することで、簡易にゲート線３上に転写することができる。【００５３】
インプリント法では、通常、レジスト膜に転写型を押圧することでレジスト層に転写型の形状を凹凸逆転して転写するが、本願では転写型５に半導体膜８およびゲート絶縁膜９からなる２つの機能膜を真空中で積層し、これを通常の大気雰囲気中にてゲート線３上の所定の位置に転写する。これより、小面積の転写型５であっても、真空チャンバー内で次々と半導体膜８およびゲート絶縁膜９を転写型５に積層し、順にゲート線３上の所定の位置に転写することできる。つまり、基板１が大面積であっても、転写型５は基板１よりも小さくてよいので、真空チャンバーの小型化をすることができる。【００５４】
また、ゲート線３、グランド線４、データ線１１等の配線および容量電極１２が形成される絶縁膜に各配線および電極の形成パターンが溝としてインプリント法により形成されるので、各配線および電極をインクジェット法により形成しやすい。つまり、インクジェット法により射出された液滴が絶縁膜に形成された溝のパターンに沿って伸長するので、インクジェット法でありながら線幅や位置精度が正確なパターンを形成することができる。
【実施例２】
【００５５】
次に、本発明の実施例２について図２４を参照して説明する。図２４は、画像表示装置の一例としてアクティブマトリックス基板を備えるディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）の一部破断斜視図である。【００５６】
本発明の方法は、画像表示装置の製造に応用することも好ましい。画像表示装置として、薄型のエレクトロルミネイトディスプレイや液晶ディスプレイなどが挙げられる。画像表示装置においても、アクティブマトリックス基板に形成された画素回路を備えており、このようなデバイスに適用することが好ましい。【００５７】
図２４に示されるように、アクティブマトリックス基板を備える有機ＥＬディスプレイ３０は、基板３１と、基板３１上にマトリックス状に複数個配置されたＴＦＴ回路３２と画素電極３３に接続され、基板３１に順次積層された有機ＥＬ層３４、透明電極３５および保護フィルム３６と、各ＴＦＴ回路３２とソース駆動回路３７と接続する複数本のソース電極線３９と、各ＴＦＴ回路３２とゲート駆動回路３８と接続する複数本のゲート電極線４０とを備えている。ここで、有機ＥＬ層３４は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の各層が積層されて構成されている。【００５８】
この有機ＥＬディスプレイ３０においても、ＴＦＴ回路３２内のゲート絶縁膜および半導体膜が、前述した実施例１による光マトリックスデバイスの製造方法により形成されているので、ＴＦＴ回路３２の特性が劣化することがない。これより、大面積でありながら応答性の速い画像表示装置を製作することができる。【００５９】
また、上述した画像表示装置は有機ＥＬなどの表示素子を用いたディスプレイであったが、これに限らず、液晶表示素子を備えた液晶型ディスプレイでもよい。液晶型ディスプレイの場合、カラーフィルターにて画素がＲＧＢに着色される。さらに、透明な配線および透明な基板を採用すれば、光の透過効率が上げるメリットがある。また、他の表示素子を備えたディスプレイであってもよい。
【実施例３】
【００６０】
次に、本発明の実施例３について図２５〜図３２を参照して説明する。図２５は、実施例３に係るＦＰＤの製造工程の流れを示すフローチャート図であり、図２６〜図３２はＦＰＤの製造工程を示す図である。【００６１】
実施例３は、実施例１における転写型から基板への転写を変更したものである。すなわち、実施例３の特徴は、転写型上に形成された半導体膜および絶縁膜を一旦、フィルムに転写した後、さらに基板上に転写する点である。また、実施例３のもう一つの特徴は、基板に形成されたゲート線上の半導体膜および絶縁膜が転写される領域に接着膜を形成する点である。実施例１と異なる光マトリックスデバイスの製造方法を以下に記載し、それ以外の光マトリックスデバイスの製造方法は実施例１の製造方法と同様である。【００６２】
（ステップＳ０４）接着膜形成
図２５および図２６に示すように、実施例１のステップＳ０１〜０３の工程の後に、ゲート線３上のゲート絶縁膜９および半導体膜８が形成される位置上に接着膜５０を形成する。インクジェットプリンタまたはディスペンサを用いて局所的に接着膜５０を塗布する。局所的に塗布する代わりに、絶縁膜２、ゲート線３およびグランド線４上の全面にスピンコートして接着膜５０を形成してもよい。【００６３】
接着膜５０は、粘着性の絶縁体である。接着膜５０はポリイミドやアクリル系の樹脂が好ましい。接着膜は、加熱硬化性のもの、または、ＵＶ照射により硬化するものが好ましい。【００６４】
次に、ステップＳ０１〜Ｓ０４と別工程で形成する半導体膜およびゲート絶縁膜の形成を説明する。実施例３では、実施例１と異なり、転写型６からフィルムを介して基板１へ転写するので、転写型６への半導体膜およびゲート絶縁膜の積層の順番が逆になる。ステップＳ１１の剥離層形成は実施例１と同様である。【００６５】
（ステップＳ１５）ゲート絶縁膜形成
図２７に示すように、剥離層７が形成された転写型６上に真空中にて、ゲート絶縁膜９を形成する。形成方法は実施例１と同様である。  【００６６】
（ステップＳ１６）半導体膜形成
図２７に示すように、ゲート絶縁膜９が形成された転写型６上に、真空中にて連続して真空を破ることなく半導体膜８を形成する。形成方法は実施例１と同様である。【００６７】
（ステップＳ１７）フィルム転写
図２７に示すように、大気雰囲気中で半導体膜８上にフィルム５２を一様に貼り付ける。フィルム５２は粘着性を有するが、加熱またはＵＶ照射により粘着性を失う性質を持つ。剥離層７が加熱されると粘着性を失う場合、フィルム５２はＵＶ照射により粘着性を失うことが好ましい。また、剥離層７がＵＶ照射により粘着性を失う場合、フィルム５２は加熱されると粘着性を失うことが好ましい。また、剥離層７およびフィルム５２が共に加熱により粘着性を失う場合、フィルム５２よりも剥離層７のほうが低温で粘着性を失うことが好ましい。加熱すると粘着性が低下するフィルムとして、日東電工株式会社製のリバアルファが挙げられる。また、ＵＶ照射により粘着性が低下するフィルムとして、株式会社トーヨーアドテック製のＵＶ剥離型ダイシングテープが挙げられる。【００６８】
半導体膜８上にローラ等により一様に貼り付けられたフィルム５２は、加熱またはＵＶ照射により、フィルム５２の粘着性は維持しつつ剥離層７の粘着性を低下させて、ローラ５３により巻き取りながら半導体膜８およびゲート絶縁膜９をフィルム５２上に転写する。転写型６とローラ５３は互いに相対移動し、剥離層７の粘着性は低下しているので、ローラ５３の回転に伴ってフィルム５２の粘着性により半導体膜８およびゲート絶縁膜９が転写型６から分離する。また、半導体膜８およびゲート絶縁膜９が転写型６上の端部から徐々にフィルム５２上に転写されるので、転写型６上に転写残りが発生しない。図２９に示すように、フィルム５２上に半導体膜８およびゲート絶縁膜９が転写される。ステップＳ１７は本発明における第１転写ステップに相当する。【００６９】
（ステップＳ２０）基板転写
次に、図３０に示すように、基板１の接着膜５０上にゲート絶縁膜９が形成されるようにフィルム５２を押圧する。フィルム５２をローラにより押圧してもよいし平板プレスにて押圧してもよい。また、フィルム５２の粘着性を低下させるために加熱またはＵＶ照射をする。フィルム５２が加熱により粘着性が低下する場合は、接着膜５０は加熱により硬化することが好ましい。また、フィルム５２がＵＶ照射により粘着性が低下する場合は、接着膜５０はＵＶ照射により硬化することが好ましい。これにより、フィルム５２の粘着性を低下させるのと、接着膜５０の硬化とを同時にできる。ゲート絶縁膜９は接着膜５０上に積層されてもよいし、ゲート絶縁膜９が接着膜５０の内部に埋め込まれてもよいし、ゲート絶縁膜９がゲート線３上に直接積層されてもよい。接着膜５０はゲート絶縁膜としても機能する。【００７０】
ゲート絶縁膜９および半導体膜８を接着膜５０を介してゲート線３上に形成した後、フィルム５２を半導体膜８から剥離する。図３１に示すように、基板１とローラ５４とは互いに相対移動しつつ、フィルム５２はローラ５４に巻きつけられながら基板１の端部から剥離される。ローラ５４の表面は粘着性を有するか、または粘着性のテープが貼り付けられており、これによりフィルム５２をローラ５４へ巻き付けることができる。フィルム５２は加熱またはＵＶ照射により粘着性が低下しており、接着膜５０は硬化してゲート絶縁膜９を固定しているので、半導体膜８からフィルム５２が剥離される。フィルム５２は半導体膜８から徐々に剥がされるので、フィルム５２に半導体膜８が残らない。ステップＳ２０は本発明における第２転写ステップに相当する。【００７１】
ステップＳ２０以降は、実施例１と同様に、図３２に示すようにステップＳ２２〜ステップＳ２９を実施してＸ線検出部を形成する。実施例１のアクティブマトリックス基板１７において、ゲート線３とゲート絶縁膜９との間に接着膜５０が形成されているのが、実施例３におけるアクティブマトリックス基板１７ｂである。【００７２】
実施例３の光マトリックスデバイスの製造方法によれば、ゲート絶縁膜９と半導体膜８とを真空中にて連続製膜しているので、ゲート絶縁膜９と半導体膜８との界面が、有機汚れや酸化汚れ等の汚れにおかされることがない。これより、ゲート絶縁膜９と半導体膜８との界面のトラップを減らすことができるので、インクジェット法により形成したＴＦＴに比べて、ＴＦＴ１５のゲートＯＦＦ時の漏れ電流値、ＯＮ／ＯＦＦ電流比、モビリティー等の特性が向上している。  【００７３】
また、実施例３では転写型５に半導体膜８およびゲート絶縁膜９からなる２つの機能膜を真空中で積層し、これを通常の大気雰囲気中にてフィルム５２に転写して、さらにフィルム５２からゲート線３上に転写する。つまり、半導体膜８とゲート絶縁膜９とは真空中にて形成するが、配線に関しては真空中で形成しなくてよい。【００７４】
また、小面積の転写型５であっても、真空チャンバー内で次々と半導体膜８およびゲート絶縁膜９を転写型５に積層し、順にフィルム５２に転写して、さらにゲート線３上の予め定められた位置に転写することもできる。つまり、基板１が大面積であっても、転写型５は基板１よりも小さくてよいので、真空チャンバーの小型化をすることができる。また、実施例３の光マトリックスデバイスの製造方法は実施例２の画像表示装置の製造にも好ましい。【００７５】
このように、予め形成されたゲート線３上に、真空中で形成された半導体膜８とゲート絶縁膜９とを転写するので、基板１が大面積であっても薄膜トランジスタ１５の配線、半導体膜８およびゲート絶縁膜９を効率よく形成することができ、薄膜トランジスタ１５の特性も良好であるＦＰＤ２７を製造することができる。【００７６】
さらには、転写型６に積層されたゲート絶縁膜９および半導体膜８をフィルム５２に転写する第１転写ステップと、フィルム５２に転写されたゲート絶縁膜９および半導体膜８を基板１上に予め形成されたゲート線３上に転写する第２転写ステップを備えることで、ゲート絶縁膜９および半導体膜８の転写漏れの発生を防ぎ転写歩留まりを向上することができる。【００７７】
また、フィルム５２は加熱または紫外線照射により粘度が減少し、第２転写ステップは加熱または紫外線照射によりフィルム５２の粘度を減少させて実施するので、フィルム５２からゲート線３上に転写する際に、ゲート絶縁膜９および半導体膜８がフィルム５２に残らない。【００７８】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。【００７９】
（１）上述した実施例１において、半導体膜８およびゲート絶縁膜９の転写に剥離層７を用いたが、図２５に示すように、絶縁膜２上に剥離層７よりも粘着性の高い絶縁性の接着膜５１を形成してもよい。接着膜５１の例として、軟化したポリイミドが挙げられる。つまり、絶縁膜２、ゲート線３、およびグランド線４の面上に一様にポリイミドの接着膜５１を形成し、半導体膜８およびゲート絶縁膜９の転写時に、接着膜５１を加熱することで軟化させ、剥離層７を加熱することにより剥離層７の粘着性を低下させる。これより、剥離層７よりも接着膜５１の粘度の方が大きいので、ゲート絶縁膜９が接着膜５１に積層して半導体層８が容易に剥離層７から剥離する。【００８０】
（２）上述した実施例において、転写型６に剥離層７を形成してから半導体膜８およびゲート絶縁膜９を形成したが、転写型６の表面エネルギーが小さい場合、転写型６の表面の接着力は弱いので、剥離層７を形成しなくても、超音波等の振動を与えるだけで転写することもできる。【００８１】
（３）上述した実施例において、ゲート線３およびグランド線４の形成は、転写型５によりパターン形成した絶縁膜２上にインクジェット法により形成したが、これに限らず、ロールトウロールの転写型により絶縁膜２上にパターンを形成し、ゲート線３およびグランド線４をＮｉ（ニッケル）メッキにて形成することもできる。【００８２】
（４）上述した実施例では、ボトムゲート型のＴＦＴを備えた光マトリックスデバイスであったが、図２６に示すように、トップゲート型のＴＦＴを備えた光マトリックスデバイスであってもよい。トップゲート型のＴＦＴの場合、半導体膜６４およびゲート絶縁膜６５を転写型６に積層する順番が上述した実施例と異なり、転写型６に剥離層７を形成した後、先にゲート絶縁膜６５を転写型６上に真空中にて形成し、ゲート絶縁膜６５が積層された転写型６上に半導体膜６５を真空中にて形成する。次に、基板１上に絶縁膜６１を介して積層されたデータ線６２および容量電極６３の一部分上にゲート絶縁膜６５および半導体膜（ゲートチャネル）６４を転写する。そして、ゲート絶縁膜６５上にゲート線６６を形成する。このように、データ線６２は本発明における第１配線に相当し、容量電極６３は本発明における電極に相当する。【００８３】
また、絶縁膜６７はグランド線４と容量電極６３との間に形成され、容量電極６３の面上には画素電極６９が形成されている。ゲート線６６の面上に形成された絶縁膜６８はＴＦＴのパッシベーション膜として機能する。これらの光マトリックスデバイスの形成方法および材質は、上述した実施例と同様であるので、説明を省略する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【国際調査報告】
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