(57)【要約】  ウェハーなどの基板を加工する際に該基板と支持体とを一時的に仮止めするための接着剤層を形成する接着剤組成物であって、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分を重合してなる樹脂（Ａ）と、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（Ｂ）と、これらの樹脂（Ａ）および（Ｂ）を溶解する有機溶剤（Ｓ）とを含む。前記樹脂（Ａ）はガラス転移点が６０℃以上であり、前記樹脂（Ｂ）は軟化点が８０〜１６０℃であり、かつ分子量が３００〜３０００であるとともに、前記樹脂（Ａ）と前記樹脂（Ｂ）との配合割合が（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）である。【特許請求の範囲】
【請求項１】
シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分を重合してなる樹脂（Ａ）と、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（Ｂ）と、これらの樹脂（Ａ）および（Ｂ）を溶解する有機溶剤（Ｓ）とを含む接着剤組成物であって、
前記樹脂（Ａ）はガラス転移点が６０℃以上であり、
前記樹脂（Ｂ）は軟化点が８０〜１６０℃であり、かつ分子量が３００〜３０００であるとともに、
前記樹脂（Ａ）と前記樹脂（Ｂ）との配合割合が（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）であることを特徴とする接着剤組成物。
【請求項２】
前記樹脂（Ａ）を構成する前記単量体成分は、５０質量％以上がシクロオレフィン系モノマー（ａ１）である、請求項１記載の接着剤組成物。
【請求項３】
前記樹脂（Ａ）を構成する前記単量体成分は、アルケンモノマー（ａ２）をも含有する、請求項１または２記載の接着剤組成物。
【請求項４】
前記シクロオレフィン系モノマー（ａ１）がノルボルネン系モノマーである、請求項１〜３のいずれかに記載の接着剤組成物。
【請求項５】
前記有機溶剤（Ｓ）がテルペン系溶剤である、請求項１〜４のいずれかに記載の接着剤組成物。
【請求項６】
基板に接着剤層を介して支持体を仮止めする工程と、
前記基板の加熱工程を含む前記基板の加工工程と、
前記基板から支持体を溶剤で剥離する工程と
を含み、
前記接着剤層が、請求項１〜５のいずれかに記載の接着剤組成物によって形成されたものである、基板の加工方法。
【請求項７】
前記基板がウェハーである、請求項６記載の加工方法。
【請求項８】
前記基板から支持体を剥離させる溶剤が、前記接着剤組成物に用いた溶剤（Ｓ）と同じ溶剤である、請求項６または７記載の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤組成物に関し、より詳しくは、半導体ウェハー等の基板を加工する際に、該基板とガラス板やフィルム等の支持体とを一時的に仮止めするための接着剤組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型半導体シリコンチップの製造では、例えば、高純度シリコン単結晶等を薄くスライスしてウェハーとした後、フォトレジストを利用してウェハー表面に所定の回路パターンを形成する。次いで、得られた半導体ウェハーの裏面に研削加工を施した後、所定の厚さに研削した半導体ウェハーにダイシング加工を施してチップを得る。
このような製造工程においては、薄板化したウェハー自体が脆く破損しやすいため、これを補強する必要がある。加えて、例えば研削加工で生じた研磨屑などによってウェハー表面に形成した回路パターンが汚染されるのを防ぐ必要もある。そこで、ウェハーの破損を防止し、ウェハー表面の回路パターンを保護する方法として、以下の方法が知られている。
（１）ウェハーに支持体を接着剤層で仮止めした状態で研削加工し、その後、支持体を剥離する手法（特許文献１、２）
（２）ウェハー表面の回路パターン面に接着剤層を備えた粘着フィルムを貼り付けた状態で研削加工し、その後、粘着フィルムを剥離する手法（特許文献３、４）【０００３】
ところで、近年、電子機器の小型化、薄型化、高機能化への要望が高まるなか、例えばシステム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）における電極（バンプ）と回路基板との配線方法として、従来主流であったワイヤ・ボンディング技術に代え、貫通電極を形成したチップを積層し、チップの裏面にバンプを形成する貫通電極形成技術が注目されている。この貫通電極形成技術を適用するには、所定の厚さに研削した半導体ウェハーに貫通電極を形成して、貫通電極を備えたチップを製造しなければならない。そのためには、高温プロセスや高真空プロセスを含む多数の工程を経る必要がある。【０００４】
しかしながら、ウェハーの破損を防止しウェハー表面の回路パターンを保護するための特許文献１〜４の手法において、支持体を仮止めするための接着剤層や粘着フィルムを貼着するための接着剤層に使用されている接着剤は、充分な耐熱性を有していなかった。そのため、半導体ウェハーに支持体や粘着フィルムを取り付けたうえで、研削加工を施し、その後、貫通電極を形成しようとした場合、貫通電極を形成する際のプロセスで接着剤層が高温に曝されることにより、接着剤層の樹脂に劣化が生じて接着強度が低下したり、接着剤層が吸湿した水分が高温下でガスとなり、これが接着剤層に泡状の剥れを生じさせて接着不良を招くといった問題があった。さらに、接着剤層（支持体や粘着フィルム）を剥離する際にも、一旦高温に曝されていると、剥離時に残渣物が残存するなどの剥離不良が起こりやすいという問題があった。また、貫通電極形成に高温高真空環境下でのプロセスを要する場合には、高温下で接着剤層自体が分解して発生したガスや接着剤層の水分から発生したガスは、上述したように接着不良を招くだけでなく、真空環境の保持を妨げる原因にもなる。【０００５】
そこで、良好な耐熱性を有し高温環境下において充分な接着強度を発揮する接着剤組成物として、特定のアクリル系樹脂を主成分とする接着剤組成物が提案されている（特許文献５）。また、電子部品や基板の接着に使用することを目的とする耐熱性を備えた接着性樹脂組成物として、特定の分子量を有する脂環式構造含有重合体と特定の分子量を有する低分子量化合物とを含む接着剤組成物も提案されている（特許文献６）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−２２４２７０号公報
【特許文献２】特開平９−１５７６２８号公報
【特許文献３】特開２００３−１７３９９３号公報
【特許文献４】特開２００１−２７９２０８号公報
【特許文献５】特開２００８−１３３４０５号公報
【特許文献６】特開平１１−２６９３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献５記載の接着剤組成物は、貫通電極を形成するプロセスの中で、フォトレジスト等で使用される各種薬液（代表的には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）等）に触れると、これら薬液によって接着剤層が溶解して劣化し、その結果、ウェハー表面が汚染されることになるといった問題を有していた。
また、特許文献６記載の接着剤組成物には、脂環式構造含有重合体が有する極性基に起因して接着剤層が吸湿しやすく、その結果、高温下で発生するガス量が増えるため接着不良を招いたり、接着剤層を剥離する際の剥離速度が遅いため、生産性の点で不利になったりするという問題があった。【０００８】
本発明の主たる目的は、ウェハーなどの基板を加工する際に該基板とガラス板やフィルム等の支持体とを一時的に仮止めするための接着剤層を形成するのに好適な接着剤組成物を提供することにある。すなわち、本発明は、基板の加工時には、高温に曝されても樹脂の劣化やガスの発生による接着不良を招くことがない良好な耐熱性を有するとともに、フォトレジスト等で使用されるＰＧＭＥＡ等の各種薬液に対して充分な耐性を示す接着剤層を形成し、基板の加工後には、該接着剤層を速やかに剥離することができ、かつ柔軟性に優れた接着剤組成物を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行なった。その結果、優れた耐熱性を有するとともに、フォトレジスト等で使用されるＰＧＭＥＡ等の各種薬液にも溶けにくい樹脂として、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分を重合してなる樹脂（Ａ）を選択した。さらに、この樹脂（Ａ）単独では接着剤層を剥離する際の剥離速度が遅いので、これを補うために、樹脂（Ａ）と同じく耐熱性に優れ、かつフォトレジスト等で使用されるＰＧＭＥＡ等の各種薬液にも溶けにくい、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（Ｂ）を剥離助剤として配合することとした。これら２種類の樹脂を特定の割合で有機溶剤（Ｓ）に溶解させた接着剤組成物であれば、前記課題を一挙に解決できることを見出し、本発明を完成した。【００１０】
すなわち、本発明の接着剤組成物は、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分を重合してなる樹脂（Ａ）と、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（Ｂ）とを、有機溶剤（Ｓ）に溶解してなる。その際、前記樹脂（Ａ）のガラス転移点が６０℃以上であり、前記樹脂（Ｂ）の軟化点が８０〜１６０℃であり、かつ前記樹脂（Ｂ）の分子量が３００〜３０００である。また、前記樹脂（Ａ）と前記樹脂（Ｂ）との配合割合が（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）である。
また、本発明に係る基板の加工方法は、ウェハー等の基板に接着剤層を介して支持体を仮止めする工程と、前記基板の加熱工程を含む前記基板の加工工程と、前記基板から支持体を溶剤で剥離する工程とを含み、前記接着剤層が、上記の接着剤組成物によって形成されたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の接着剤組成物によれば、ウェハーなどの基板を加工する際に該基板とガラス板やフィルム等の支持体とを一時的に仮止めする接着剤層を形成できる。この接着剤層は、基板の加工時には、高温に曝されても樹脂の劣化やガスの発生による接着不良を招くことがない良好な耐熱性を有する。また、上記接着剤層は、フォトレジスト等で使用されるＰＧＭＥＡ等の各種薬液に対して充分な耐性を示し、基板の加工後には速やかに剥離することができ、かつ柔軟性に優れる。これにより、半導体ウェハーの破損を防止し、ウェハー表面の回路パターンを保護したうえで、高温プロセスや高真空プロセスを含む工程を経てウェハーに貫通電極を形成することが可能になる、という効果が得られる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の接着剤組成物は、特定の樹脂（Ａ）と特定の樹脂（Ｂ）とを特定の割合で有機溶剤に溶解してなるものである。
本発明における樹脂（Ａ）は、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分を重合してなる樹脂である。具体的には、樹脂（Ａ）としては、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分の開環（共）重合体、シクロオレフィン系モノマー（ａ１）を含む単量体成分を付加（共）重合させた樹脂などが挙げられる。
【００１３】
前記樹脂（Ａ）を構成する単量体成分に含まれる前記シクロオレフィン系モノマー（ａ１）としては、例えば、ノルボルネン、ノルボルナジエンなどの二環体、ジシクロペンタジエン、ジヒドロキシペンタジエンなどの三環体、テトラシクロドデセンなどの四環体、シクロペンタジエン三量体などの五環体、テトラシクロペンタジエンなどの七環体、またはこれら多環体のアルキル置換体、アルケニル置換体、アルキリデン置換体、アリール置換体等が挙げられる。これらの中でも特に、下記一般式（１）で示されるような、ノルボルネン、テトラシクロドデセン、またはこれらのアルキル置換体からなる群より選ばれるノルボルネン系モノマーが好ましい。
前記アルキル置換体におけるアルキル基としては、例えばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル基などの炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。アルケニル置換体におけるアルケニル基としては、例えばビニル、アリル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基が挙げられる。アルキリデン置換体におけるアルキリデン基としては、例えばエチリデン、プロピリデン、ブチリデン、ヘキシリデンなどの炭素数１〜６のアルキリデン基が挙げられる。アリール置換体におけるアリール基としては、例えばフェニル、トリル、ナフチル基などが挙げられる。
【００１４】
【化１】
2010143510.tif 000002
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ2はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜６のアルキル基であり、ｎは０または１である。）
中でも、ノルボルネンまたはそのアルキル置換体からなる群より選ばれるモノマー（前記一般式（１）中、ｎが０）が、耐熱性と柔軟性を両立させる観点から、より好ましい。
【００１５】
前記樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、前記シクロオレフィン系モノマー（ａ１）と共重合可能な他のモノマーを含有していてもよく、例えば、下記一般式（２）で示されるようなアルケンモノマー（ａ２）をも含有することが好ましい。アルケンモノマー（ａ２）としては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、イソブテン、１−ヘキセンなどのα−オレフィンが挙げられる。前記アルケンモノマー（ａ２）は、直鎖状であってもよいし、分岐状であってもよい。
【００１６】
【化２】
2010143510.tif 000003
（式（２）中、Ｒ3〜Ｒ6はそれぞれ独立して水素原子または炭素数１〜４のアルキル基である。）
【００１７】
前記樹脂（Ａ）を構成する単量体成分は、その５０質量％以上が前記シクロオレフィン系モノマー（ａ１）であることが好ましく、より好ましくは６０質量％以上が前記シクロオレフィン系モノマー（ａ１）であるのがよい。シクロオレフィン系モノマー（ａ１）が単量体成分全体の５０質量％未満であると、高温環境下における接着強度が不充分になる傾向がある。
なお、前記樹脂（Ａ）は、例えば、上述した式（１）で示されるシクロオレフィン系モノマー（ａ１）と上述した式（２）で示されるアルケンモノマー（ａ２）とからなる単量体成分を重合させてなる樹脂のように、極性基を有していない二元共重合体であることが、高温下でのガスの発生を抑制するうえで好ましい。
前記単量体成分を重合する際の重合方法や重合条件等については、特に制限はなく、常法に従い適宜設定すればよい。
【００１８】
前記樹脂（Ａ）として用いることのできる市販品としては、例えば、ポリプラスチックス社製の「ＴＯＰＡＳ」、三井化学社製の「ＡＰＥＬ」、日本ゼオン社製の「ＺＥＯＮＯＲ」や「ＺＥＯＮＥＸ」、ＪＳＲ社製の「ＡＲＴＯＮ」などが挙げられる。
【００１９】
前記樹脂（Ａ）のガラス転移点（Ｔｇ）は、６０℃以上であることが重要である。好ましくは、樹脂（Ａ）のガラス転移点は７０℃以上であるのがよい。樹脂（Ａ）のガラス転移点が６０℃未満であると、接着剤組成物が高温環境に曝されたときに軟化してしまい、接着不良を生じる。
【００２０】
本発明における樹脂（Ｂ）は、テルペン系樹脂、ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂である。具体的には、前記テルペン系樹脂としては、例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂等が挙げられ、前記ロジン系樹脂としては、例えば、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン等が挙げられ、前記石油樹脂としては、例えば、脂肪族または芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン・インデン石油樹脂等が挙げられる。これらの中でも、水添テルペン樹脂、水添石油樹脂が好ましい。
【００２１】
前記樹脂（Ｂ）の軟化点は、８０〜１６０℃であることが重要である。樹脂（Ｂ）の軟化点が８０℃未満であると、接着剤組成物が高温環境に曝されたときに軟化してしまい、接着不良を生じる。一方、樹脂（Ｂ）の軟化点が１６０℃を超えると、接着剤組成物を剥離する際の剥離速度が遅くなる。
【００２２】
前記樹脂（Ｂ）の分子量は、３００〜３０００であることが重要である。前記樹脂（Ｂ）の分子量が３００未満であると、耐熱性が不充分となり、高温環境下において脱ガス量が多くなる。一方、樹脂（Ｂ）の分子量が３０００を超えると、接着剤組成物を剥離する際の剥離速度が遅くなる。なお、本発明における樹脂（Ｂ）の分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定されるポリスチレン換算の分子量を意味するものである。
【００２３】
前記樹脂（Ａ）と前記樹脂（Ｂ）との配合割合は、（Ａ）：（Ｂ）＝８０：２０〜５５：４５（質量比）である。前記樹脂（Ａ）が前記範囲よりも多すぎると（換言すれば、前記樹脂（Ｂ）が前記範囲よりも少なすぎると）、接着剤組成物を剥離する際の剥離速度が遅くなり、一方、前記樹脂（Ａ）が前記範囲よりも少なすぎると（換言すれば、前記樹脂（Ｂ）が前記範囲よりも多すぎると）、接着剤組成物が高温環境に曝されたときに軟化してしまい、接着不良を生じる。
【００２４】
前記有機溶剤（Ｓ）は、前記樹脂（Ａ）および前記樹脂（Ｂ）を溶解させうるものであれば特に制限されないが、例えば、炭化水素系溶剤が好ましく挙げられ、テルペン系溶剤がより好ましく挙げられる。なお、有機溶剤（Ｓ）は、１種のみであってもよいし、２種以上であってもよい。
前記テルペン系溶剤としては、例えば、α−ピネン、カンフェン、ピナン、ミルセン、ジヒドロミルセン、ｐ−メンタン、３−カレン、ｐ−メンタジエン、α−テルピネン、β−テルピネン、α−フェランドレン、オシメン、リモネン、ｐ−サイメン、γ−テルピネン、テルピノーレン、１,４−シネオール、１,８−シネオール、ローズオキサイド、リナロールオキサイド、フェンコン、α−シクロシトラール、オシメノール、テトラヒドロリナロール、リナロール、テトラヒドロムゴール、イソプレゴール、ジヒドロリナロール、イソジヒドロラバンジュロール、β−シクロシトラール、シトロネラール、Ｌ−メントン、ギ酸リナリル、ジヒドロテルピネオール、β−テルピネオール、メントール、ミルセノール、Ｌ−メントール、ピノカルベオール、α−テルピネオール、γ−テルピネオール、ノポール、ミルテノール、ジヒドロカルベオール、シトロネロール、ミルテナール、ジヒドロカルボン、ｄ−プレゴン、ゲラニルエチルエーテル、ギ酸ゲラニル、ギ酸ネリル、ギ酸テルピニル、酢酸イソジヒドロラバンジュリル、酢酸テルピニル、酢酸リナリル、酢酸ミルセニル、酢酸ボルニル、プロピオン酸メンチル、プロピオン酸リナリル、ネロール、カルベオール、ペリラアルコール、ゲラニオール、サフラナール、シトラール、ペリラアルデヒド、シトロネリルオキシアセトアルデヒド、ヒドロキシシトロネラール、ベルベノン、ｄ−カルボン、Ｌ−カルボン、ピペリトン、ピペリテノン、ギ酸シトロネリル、酢酸イソボルニル、酢酸メンチル、酢酸シトロネリル、酢酸カルビル、酢酸ジメチルオクタニル、酢酸ネリル、酢酸イソプレゴール、酢酸ジヒドロカルビル、酢酸ノピル、酢酸ゲラニル、プロピオン酸ボルニル、プロピオン酸ネリル、プロピオン酸カルビル、プロピオン酸テルピニル、プロピオン酸シトロネリル、プロピオン酸イソボルニル、イソ酪酸リナリル、イソ酪酸ネリル、酪酸リナリル、酪酸ネリル、イソ酪酸テルピニル、酪酸テルピニル、イソ酪酸ゲラニル、酪酸シトロネリル、ヘキサン酸シトロネリル、イソ吉草酸メンチル、β−カリオフィレン、セドレン、ビサボレン、ヒドロキシシトロネロール、ファルネソール、イソ酪酸ロジニル等が挙げられる。これらの中でも、リモネンおよびｐ−メンタンの少なくとも一方をテルペン系溶剤とすることが、溶解性の観点から好ましく、特に好ましくはｐ−メンタンがよい。
【００２５】
本発明の接着剤組成物の固形分濃度（すなわち、前記樹脂（Ａ）、前記樹脂（Ｂ）および前記有機溶剤（Ｓ）の全質量に対して、前記樹脂（Ａ）および前記樹脂（Ｂ）の合計質量が占める比率）は、通常２０〜６０質量％である。
【００２６】
本発明の接着剤組成物には、前記樹脂（Ａ）、前記樹脂（Ｂ）および有機溶剤（Ｓ）のほかに、必要に応じ、例えば、可塑剤、酸化防止剤等の添加剤を、本発明の効果を損なわない範囲で含有させることもできる。
【００２７】
本発明の接着剤組成物は、高温に曝されても樹脂の劣化やガスの発生による接着不良を招くことがない良好な耐熱性を有するとともに、フォトレジスト等で使用される各種薬液に対して充分な耐性を示す接着剤層を形成しうるものであり、しかも、この接着剤層は、不要になった時点で、所定の溶剤に浸漬するなどの処理によって、速やかに剥離することができる。なお、フォトレジスト等で使用される各種薬液としては、代表的には、ＰＧＭＥＡが挙げられるが、そのほかに、例えば、後述する実施例における薬液耐性の評価で用いた薬液等も挙げられる。また、本発明の接着剤組成物により形成した接着剤層を剥離する際に用いる溶剤（以下「剥離溶剤」と称する）としては、前記有機溶剤（Ｓ）と同様のものが挙げられる。好ましくは、前記有機溶剤（Ｓ）として用いた溶剤と同じ溶剤を剥離溶剤として用いるのがよい。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明は、かかる実施例により限定されるものではない。【００２９】
接着剤組成物の評価は、該接着剤組成物を用いてシリコンウェハー上に塗膜を形成し、得られた塗膜付きシリコンウェハーを試験片として後述する各試験方法にて行った。
なお、試験片は、得られた接着剤組成物を６インチのシリコンウェハー上に、乾燥膜厚が１５μｍとなるように塗布した後、１１０℃で３分間、次いで１５０℃で３分間、次いで２００℃で３分間の条件で乾燥することにより作成した。ただし、塗膜の柔軟性の評価に供する試験片は、上記方法において、乾燥膜厚が５０μｍとなるように塗布した後、１５０℃で３分間、次いで２００℃で３分間の条件で乾燥するよう変更して、作成した。【００３０】
＜剥離性＞
試験片（塗膜付きシリコンウェハー）を２３℃に保持したｐ−メンタン中に浸漬させ、５分後に目視にて塗膜の状態を観察して、塗膜層が完全に溶解している場合を「○」、塗膜層が溶け残っている場合を「×」と判定した。また、試験片は塗膜が完全に溶解するまでｐ−メンタン中に浸漬させるようにし、塗膜が完全に溶解するまでの時間を測定し、この溶解時間（Ｔ（ｓｅｃ））と、予め測定しておいた試験片上の塗膜の厚さ（Ｌ（ｎｍ））とから溶解速度（Ｌ／Ｔ（ｎｍ／ｓｅｃ））を算出した。溶解速度は６０ｎｍ／ｓｅｃ以上であることが生産性の点で望ましい。【００３１】
＜薬液耐性＞
フォトレジスト等で使用される各種薬液を２３℃に保持し、その中に試験片（塗膜付きシリコンウェハー）を浸漬させ、５分後に目視にて塗膜の状態を観察して、塗膜層にクラックおよび溶解部分が認められない場合を「○」、塗膜層にクラックおよび溶解部分の少なくとも一方が認められる場合を「×」と判定した。なお、薬液としては下記のもの（括弧内は略号）を用いて評価した。
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
・水  
・イソプロピルアルコール(ＩＰＡ)
・プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
・Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）
・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
・２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（ＴＭＡＨ）
・５質量％水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ）
・１質量％フッ化水素水溶液（１−ＨＦ）
・３質量％フッ化水素水溶液（３−ＨＦ）【００３２】
＜塗膜の柔軟性＞
上述したように、乾燥膜厚と乾燥条件を変更して得た試験片（膜厚５０μｍの塗膜を備えたシリコンウェハー）を目視にて観察して、塗膜層にクラックが認められない場合を「○」、塗膜層にクラックが認められる場合を「×」と判定した。【００３３】
＜耐熱性（ガス発生）＞
試験片（塗膜付きシリコンウェハー）を４０℃から２５０℃まで昇温し、塗膜からのガスの発生量（脱ガス量）を、ＴＤＳ法（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ法：昇温脱離分析法）に基づき、ＴＤＳ測定装置（放出ガス測定装置；電子科学（株）製「ＥＭＤ−ＷＡ１０００」）を用いて以下の条件で測定した。
〔ＴＤＳ測定装置の条件〕
Ｗｉｄｔｈ：１００
Ｃｅｎｔｅｒ Ｍａｓｓ Ｎｕｍｂｅｒ：５０
Ｇａｉｎ：９
Ｓｃａｎ Ｓｐｅｅｄ：４
Ｅｍｕｌｔ Ｖｏｌｔ：１．３ｋＶ
そして、１００℃、２００℃においてＴＤＳ測定装置から求められる強度（Intensity）が共に１００００未満である場合を「○」、少なくとも一方が１００００以上である場合を「×」と判定した。
通常、１００℃までの温度で測定される脱ガス量は、接着剤組成物が吸湿した水分に由来して生じた水蒸気またはその共沸ガスの発生量であり、１００℃を超える温度で測定される脱ガス量は、接着剤組成物自体が熱により分解されて生じたガスの発生量である。よって、１００℃における強度（脱ガス量）と、２００℃における強度（脱ガス量）を見ることにより、接着剤組成物の耐熱性を総合的に評価することができる。【００３４】
＜耐熱性（樹脂劣化）＞
試験片（塗膜付きシリコンウェハー）を２３０℃で１時間加熱した後に、２３℃に保持したｐ−メンタン中に浸漬させ、５分後に目視にて塗膜の状態を観察して、塗膜層が完全に溶解している場合を「○」、塗膜層が溶け残っている場合を「×」と判定した。【００３５】
（実施例１〜３および比較例１〜４）
樹脂（Ａ）として、ノルボルネンとエチレンをメタロセン触媒にて共重合したシクロオレフィンコポリマー（ポリプラスチック社製「ＴＯＰＡＳ８００７」、ノルボルネン：エチレン＝６５：３５（質量比）、ガラス転移点：７０℃、Ｍｗ：９８２００、Ｍｗ／Ｍｎ：１．６９）を用いた。樹脂（Ｂ）として、水添テルペン樹脂（ヤスハラケミカル社製「クリアロンＰ１３５」、軟化点：１３５℃、分子量：８２０；これを「テルペン樹脂（１）」とする）を用いた。これらの樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを表１に示す割合でテルペン系溶剤（ｐ−メンタン）に溶解させて、固形分濃度３０質量％の接着剤組成物を得た。【００３６】
【表１】
2010143510.tif 000004
【００３７】
（実施例４〜６および比較例５〜８）
樹脂（Ａ）として、実施例１〜３および比較例１〜４で用いたシクロオレフィンコポリマー（ポリプラスチック社製「ＴＯＰＡＳ８００７」）を用いた。樹脂（Ｂ）として、水添テルペン樹脂（ヤスハラケミカル社製「クリアロンＰ１１５」、軟化点：１１５℃、分子量：６５０；これを「テルペン樹脂（２）」とする）を用いた。これらの樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを表２に示す割合でテルペン系溶剤（ｐ−メンタン）に溶解させて、固形分濃度３０質量％の接着剤組成物を得た。【００３８】
【表２】
2010143510.tif 000005
【００３９】
（実施例７〜９および比較例９〜１２）
樹脂（Ａ）として、実施例１〜３および比較例１〜４で用いたシクロオレフィンコポリマー（ポリプラスチック社製「ＴＯＰＡＳ８００７」）を用いた。樹脂（Ｂ）として、水添テルペン樹脂（ヤスハラケミカル社製「クリアロンＰ１０５」、軟化点：１０５℃、分子量：６３０；これを「テルペン樹脂（３）」とする）を用いた。これらの樹脂（Ａ）と樹脂（Ｂ）とを表３に示す割合でテルペン系溶剤（ｐ−メンタン）に溶解させて、固形分濃度３０質量％の接着剤組成物を得た。【００４０】
【表３】
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【国際調査報告】
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