【事件の表示】
　特願２０１７−５１６０９７「電磁気感知システム及びその作動方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　３月３１日国際公開、ＷＯ２０１６／０４８６２４、平成２９年１１月３０日国内公表、特表２０１７−５３５３０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年（平成２７年）９月４日（パリ条約による優先権主張外国受理２０１４年９月２７日　米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は、概略、以下のとおりである。
平成３０年　１月２２日付け：拒絶理由通知書
平成３０年　４月２５日　　：意見書、手続補正書の提出
平成３０年　９月　６日付け：拒絶査定
平成３１年　１月１１日　　：審判請求書の提出
令和　元年　８月　６日付け：拒絶理由通知書
令和　元年１１月１２日　　：意見書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成３０年４月２５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「　【請求項１】
　電磁気感知システムであって：
　光学モジュール内に一体化されて、テラヘルツ領域のアウトバウンド電磁波信号をリモートターゲットへ送信する、第１光混合器と；
　前記光学モジュール内に一体化されて、前記リモートターゲットから反射する前記アウトバウンド電磁波信号によって生成される前記テラヘルツ領域のインバウンド電磁波信号を検出する、第２光混合器と；
　前記光学モジュールに結合されて、前記インバウンド電磁波信号を処理する、電気モジュールと；
　を具備し、前記光学モジュールは、前記第１光混合器を励起する第１レーザ及び第２レーザと、該第１レーザ及び第２レーザを整列させる２ｘ２　３ｄＢ導波管結合器を含む、
電磁気感知システム。」
第３　拒絶の理由
　令和元年８月６日付けで当審が通知した拒絶の理由のうち本願発明に対する理由の概要は、次のとおりのものである。
　本願発明は、本願の優先権主張日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった以下の引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：特開２００６−２４８０３号公報
第４　引用文献１の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
　引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている（下線は、当審で付した。）。
（引１ア）
「【
背景技術
【０００２】
　テラヘルツ光とは，一般に0.1-100テラ（10の12乗）ヘルツ程度の周波数をもつ電磁波のことを指す。波長にすると30-30000μm程度のいわゆる遠赤外からミリ波程度の領域にあたる。従来，このような波長帯は電磁波の発生と検出が難しく産業上はほとんど利用されてこなかった。近年，極超短パルスのパルスレーザ，いわゆるフェムト秒レーザと光導電スイッチ型のアンテナをテラヘルツ波の発生・検出に用いる方法が考案され，また，時間領域分光法の進展により従来に比べて著しく高感度でテラヘルツ領域の光の分光ができるようになった。これらにより一気にテラヘルツ光の産業への利用に道が拓け，例えば薬物の検査，各種透視装置などへの応用が検討されている。
【０００３】
　このようなテラヘルツ光を用いた分光装置に，例えば，米国特許５，７８９，７５０がある。これは，
図２
（引１イ）
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　このような，従来のテラヘルツ光発生，検出装置では，フェムト秒パルス光を，テラヘルツ光の発・受信デバイスに集光して照射することが必要であり，その際には，10μm程度の精度が必要である。従来は，自由空間に配置したミラーやレンズを用いて，フェムト秒のパルスレーザ光を発・受信デバイスに集光していた。このため，部品点数が多くなり，光学系の調整が容易でない上に小型化に限界があり，ニーズが多いと思われる可搬式の簡便な装置を実現するのが困難であった。
　本発明の目的は，このような光学系をテラヘルツ光の発・受信デバイスに集積化することにより，小型で簡便なテラヘルツ分光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明の
テラヘルツ光発生，検出装置は，光導電スイッチ型のアンテナに光導波路が集積化された構造をもつ
【発明の効果】
【０００６】
　本発明の実施例によれば，従来のテラヘルツ光分光装置に比べ飛躍的な小型化が可能となる。そのため，従来困難であったワンド型をはじめとする可搬式分光装置やプローブ型の装置が実現でき，危険物・薬物検査装置や医療用診断装置へ応用できるようになる。また，小型化により，他の装置，例えばＸ線透視装置やＸ線ＣＴ装置への組み込みも容易になり，より高度で正確な危険物検査や医療診断を可能にする。以上により，本発明は工業上重要である。」
（引１ウ）
「【実施例１】
【０００７】
　図１は本発明の
テラヘルツ光発生，検出装置
12は，この光導電スイッチ型のアンテナに短パルスレーザ光を照射するための光導波路である。
12の光導波路を伝搬した短パルスレーザ光はミラー14で反射されて11の光導電スイッチ型のアンテナに照射され，テラヘルツ光が発生または検出される。
【実施例２】
・・・
【実施例３】
【０００９】
　図４は，本発明の別の実施例である。この場合は，
テラヘルツ光の発生部と検出部が一つの基板上に集積化されている。
【実施例４】
【００１０】
　図５は，本発明の別の実施例である。この場合は
図４の実施例の構成に加えて，さらに半導体レーザを元にした51のフェムト秒短パルスレーザと
53の検出用集積電子回路も一つの基板上に集積化されており，
53の検出用集積電子回路は検出された信号の増幅および適当なインターフェースにあわせた出力56への変換を行う
54は11と同じ光導電スイッチ型のアンテナであるが，テラヘルツ光の発生部であり，55は同じく11と同じ光導電スイッチ型のアンテナであるが，テラヘルツ光の検出部にあたる
51のフェムト秒短パルスレーザは，
発信波長がわずかに異なる半導体レーザ同士のビート（うなり）によってフェムト秒短パルス光を発生させる方式のもの
【００１１】
  図６は，本装置を用いた分光測定の結果である。本装置を被測定物に接触させ，
54から発生したテラヘルツ光が被測定物から反射
されてきたものを55の検出部で受光
する
（引１エ）
「【
実施例７
【００１４】
　
図９
（引１オ）図２
（引１カ）図５
（引１キ）図９
２　引用発明
　上記１の記載及び図面を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、同じ意味合いの語彙が複数ある場合は、語彙を一つの語彙に統一して用いた。
　「光導電スイッチ型のアンテナに光導波路12が集積化された構造をもつテラヘルツ光発生，検出装置であって、
　光導電スイッチ型のアンテナが、テラヘルツ光の発生部54及びテラヘルツ光の検出部55であり、
　光導波路12は、光導電スイッチ型のアンテナにフェムト秒短パルス光を照射するためのものであり、光導波路12を伝搬したフェムト秒短パルスレーザ光は、光導電スイッチ型のアンテナに照射され、テラヘルツ光が発生または検出され、
　テラヘルツ光の発生部54及びテラヘルツ光の検出部55が一つの基板15上に集積化され、さらに半導体レーザを元にしたフェムト秒短パルスレーザ51と検出用集積電子回路53も前記基板15上に集積化されており、
　検出用集積電子回路53は、検出された信号の増幅および適当なインターフェースにあわせた出力56への変換を行い、
　フェムト秒短パルスレーザ51は、発信波長がわずかに異なる半導体レーザ同士のビート（うなり）によってフェムト秒短パルス光を発生させる方式のものであり、
　当該テラヘルツ光発生，検出装置を被測定物に接触させ、テラヘルツ光の発生部54から発生したテラヘルツ光が被測定物から反射されてきたものをテラヘルツ光の検出部55で受光する、
　テラヘルツ光発生，検出装置。」
第５　対比 
　本願発明と引用発明を対比する。
１　引用発明の「テラヘルツ光発生，検出装置」、「基板15」、「被測定物」、「テラヘルツ光の発生部54」、「テラヘルツ光の検出部55」及び「検出用集積電子回路53」は、それぞれ、本願発明の「電磁気感知システム」、「光学モジュール」、「ターゲット」、「第１光混合器」、「第２光混合器」及び「電気モジュール」に相当する。
２　引用発明の「基板15上に集積化され」ている、「テラヘルツ光」を「被測定物」に対して「発生」させる「テラヘルツ光の発生部54」は、本願発明の「光学モジュール内に一体化されて、テラヘルツ領域のアウトバウンド電磁波信号を」「ターゲットへ送信する、第１光混合器」に相当する。
３　引用発明の「基板15上に集積化され」ている、「テラヘルツ光の発生部54から発生したテラヘルツ光が被測定物から反射されてきた」「テラヘルツ光」を「受光」する「テラヘルツ光の検出部55」は、本願発明の「前記光学モジュール内に一体化されて、前記」「ターゲットから反射する前記アウトバウンド電磁波信号によって生成される前記テラヘルツ領域のインバウンド電磁波信号を検出する、第２光混合器」に相当する。
４　引用発明の「基板15上に集積化され」ている、「検出された信号の増幅および適当なインターフェースにあわせた出力56への変換を行」う「検出用集積電子回路53」は、本願発明の「前記光学モジュールに結合されて、前記インバウンド電磁波信号を処理する、電気モジュール」に相当する。
５　引用発明は、「半導体レーザを元にしたフェムト秒短パルスレーザ51」「も前記基板15上に集積化されており、」「フェムト秒短パルスレーザ51は、発信波長がわずかに異なる半導体レーザ同士のビート（うなり）によってフェムト秒短パルス光を発生させる方式のものであ」るから、引用発明の「発信波長がわずかに異なる」２つの「半導体レーザ」が、「基板15上に集積化されて」いることは明らかである。
　そして、引用発明の「発信波長がわずかに異なる」２つの「半導体レーザ同士のビート（うなり）によって」「発生させ」た「フェムト秒短パルスレーザ光は、光導電スイッチ型のアンテナに照射され、テラヘルツ光」を「発生」させるから、引用発明の「発信波長がわずかに異なる」２つの「半導体レーザ」は、「光導電スイッチ型のアンテナ」である「テラヘルツ光の発生部54」を励起しているといえる。
　よって、引用発明の「基板15」は、「半導体レーザを元にしたフェムト秒短パルスレーザ51」を「集積」すること、すなわち、「フェムト秒短パルスレーザ光」を「光導電スイッチ型のアンテナに照射」し「テラヘルツ光」を「発生」させるための、「発信波長がわずかに異なる」２つの「半導体レーザ」を「集積」することは、本願発明の「前記光学モジュールは、前記第１光混合器を励起する第１レーザ及び第２レーザ」「を含む」ことに相当する。
６　上記５を踏まえると、引用発明の「光導波路12」は、「発信波長がわずかに異なる」２つの「半導体レーザ同士」を重ね合わせて干渉させて、すなわち整列させて、そ「のビート（うなり）によってフェムト秒短パルスレーザ光を発生させ」、「発生させ」た「フェムト秒短パルスレーザ光を」「テラヘルツ光の発生部54」と「テラヘルツ光の検出部55」に「照射するためのものである」から、２つの入力ポートと２つの出力ポートを有する２ｘ２分岐光カプラを備えることは明らかである。
　よって、引用発明の「基板15」は、「テラヘルツ光の発生部54」、「テラヘルツ光の検出部55」、「フェムト秒短パルスレーザ51（２つの「半導体レーザ」）及び「光導波路12」を「集積」することは、本願発明の「前記光学モジュールは、」「該第１レーザ及び第２レーザを整列させる２ｘ２」「導波管結合器を含む」ことに相当する構成を備えているといえる。
第６　一致点・相違点
　よって、本願発明と引用発明とは、次の点で一致し、次の各点で相違する。
（一致点）
 「電磁気感知システムであって：
　光学モジュール内に一体化されて、テラヘルツ領域のアウトバウンド電磁波信号をターゲットへ送信する、第１光混合器と；
　前記光学モジュール内に一体化されて、前記ターゲットから反射する前記アウトバウンド電磁波信号によって生成される前記テラヘルツ領域のインバウンド電磁波信号を検出する、第２光混合器と；
　前記光学モジュールに結合されて、前記インバウンド電磁波信号を処理する、電気モジュールと；
　を具備し、前記光学モジュールは、前記第１光混合器を励起する第１レーザ及び第２レーザと、該第１レーザ及び第２レーザを整列させる２ｘ２導波管結合器を含む、
電磁気感知システム。」
（相違点１）
　ターゲットが、本願発明では、「リモート」ターゲット、すなわち電磁気感知システムから離れたターゲットであるのに対し、引用発明では、テラヘルツ光発生，検出装置に「接触させ」た被測定物である点。
（相違点２）
　２ｘ２導波管結合器が、本願発明では、「３ｄＢ」導波管結合器であるのに対し、引用発明では、この点につき不明である点。
第７　判断
　上記各相違点について検討する。
１　相違点１について
　引用文献１の背景技術にある図２の装置（（引１ア）及び（引１オ）参照。）や実施例７にある図９の装置（（引１エ）及び（引１キ）参照。）のように、テラヘルツ光を用いた測定装置において、当該測定装置から離れた測定試料を測定することは、本願の優先権主張日前の技術常識にすぎないから、引用発明において、ターゲットをテラヘルツ光発生，検出装置から離れた「リモート」ターゲットとし、上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
２　相違点２について
　上記「第５　６」に記載したとおり、引用発明が、２ｘ２分岐光カプラを備えることは明らかであり、当該２ｘ２分岐光カプラの分岐比をどのような値とするかは、他の機器の構成等に応じ適宜設定されるものであって、引用発明の構成を考慮すると、「フェムト秒短パルスレーザ光を」、「テラヘルツ光の発生部54」と「テラヘルツ光の検出部55」に等しく分配するのが一般的であるといえる。すると、引用発明の２ｘ２分岐光カプラを、１つの入力ポートからの光入力に対して、２つの出力ポートそれぞれの光出力が５０％ずつになる分岐比１：１の「３ｄＢ」光カプラとし、上記相違点２に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得ることである。
３　そして、これらの相違点を総合的に勘案しても、本願発明の奏する作用効果は、引用文献１の記載から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
４　以上のとおり、本願発明は、本願の優先権主張日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第８　請求人の主張
　請求人は、令和元年１１月１２日付け意見書において、「しかしながら、引用文献１の図５は、
１つのフェムト秒短パルスレーザ51
　より具体的には、引用文献１の［００１０］は、「半導体レーザを元にした51のフェムト秒短パルスレーザ」について、「
51のフェムト秒短パルスレーザは
発信波長がわずかに異なる半導体レーザ同士のビート（うなり）によってフェムト秒短パルス光を発生させる方式
　したがって、引用文献１の実施例５は、基板15上に
半導体レーザ51を２つ集積する態様を含むものではなく
　確かに、請求人が主張するとおり、引用文献１には、「２つの「フェムト秒短パルスレーザ51」を備えることは記載も示唆もされてい」ないが、「フェムト秒短パルスレーザ51」を光源として２つ備える必要がないことは、【００１０】の記載から当然である。そして、引用発明が、本願発明の「前記第１光混合器を励起する第１レーザ及び第２レーザと、該第１レーザ及び第２レーザを整列させる２ｘ２導波管結合器」に相当する構成を備えることは、上記「第５　５」及び「第５　６」に記載したとおりである。
　なお、引用文献１の【００１０】の「
51のフェムト秒短パルスレーザは
発信波長がわずかに異なる半導体レーザ同士のビート（うなり）によってフェムト秒短パルス光を発生させる方式
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
第９　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。