【事件の表示】
　特許第３１５３３７２号「基板処理装置」の請求項１乃至８、１１及び１４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５３３７２号の請求項１乃至８、１１及び１４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第３１５３３７２号の請求項１乃至１４に係る発明についての出願は、平成５年２月１２日（優先権主張平成４年２月２６日、同年７月２９日）に特許出願がされ、同１３年１月２６日にその発明について特許権の設定の登録がされ、その後、同１３年７月２６日に、特許異議申立人株式会社コーエンより請求項１乃至８、１１及び１４に係る特許について、また、特許異議申立人桝田桂子より請求項１乃至３及び７に係る特許について、それぞれ特許異議の申立てがされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である同１４年３月２９日に明細書の訂正の請求がされたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正事項
　前記訂正の請求による訂正事項は、次のとおりである。
　訂正事項ａ
　設定登録時の願書に添付した明細書又は図面（以下「特許明細書等」という。）の特許請求の範囲の請求項１に記載された
「被処理基板が載置される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。」を、
「ガラス基板が載置され加熱処理する載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記ガラス基板が上方に押圧されるように、前記載置板の上面に同心状に設けられた溝から前記ガラス基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。」と訂正する。
　訂正事項ｂ
　特許明細書等の特許請求の範囲の請求項５に記載された
「被処理基板が載置される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、
前記載置板上に載置された前記被処理基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この後、前記被処理基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする基板処理装置。」を、
「ガラス基板が載置される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、
前記載置板上に載置された前記ガラス基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して斜めに前記ガラス基板を持ち上げ、この後、前記基板支持ピンで前記ガラス基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする基板処理装置。」と訂正する。
　訂正事項ｃ
　特許明細書等の特許請求の範囲の請求項８に記載された
「被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする熱処理装置。」を、
「被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、前記基板との距離に応じて途中で一旦停止および途中で速度を速くするように変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする熱処理装置。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　特許明細書等の特許請求の範囲の請求項１０に記載された
「前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする請求項８記載の熱処理装置。」を、
「被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする熱処理装置。」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　特許明細書等の特許請求の範囲の請求項１４に記載された
「被処理基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、
所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却する工程と、
この工程の後に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記被処理基板を押し上げる工程と、
この工程の後に、前記被処理基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。」を、
「ガラス基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、
所定の温度で所定時間、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程と、
この工程の後に、基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記ガラス基板を押し上げる工程と、
この工程の後に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　特許明細書等の段落【００１０】に記載された
「すなわち、請求項１の基板処理装置は、被処理基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする。」を、
「すなわち、請求項１の基板処理装置は、ガラス基板が載置され加熱処理する載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記ガラス基板が上方に押圧されるように、前記載置板の上面に同心状に設けられた溝から前記ガラス基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする。」と訂正し、
　同段落【００１１】に記載された
「また、請求項５の基板処理装置は、被処理基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、前記載置板上に載置された前記被処理基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この後、前記被処理基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする。・・・また、請求項８の熱処理装置は、被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする。・・・また、請求項１０の熱処理装置は、前記制御手段が、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする。・・・また、請求項１４の熱処理方法は、被処理基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却する工程と、この工程の後に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記被処理基板を押し上げる工程と、この工程の後に、前記被処理基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする。」を、
「また、請求項５の基板処理装置は、ガラス基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、前記載置板上に載置された前記ガラス基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して斜めに前記ガラス基板を持ち上げ、この後、前記基板支持ピンで前記ガラス基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする。・・・また、請求項８の熱処理装置は、被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、前記基板との距離に応じて途中で一旦停止および途中で速度を速くするように変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする。・・・また、請求項１０の熱処理装置は、被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする。・・・また、請求項１４の基板処理方法は、ガラス基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、所定の温度で所定時間、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程と、この工程の後に、基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記ガラス基板を押し上げる工程と、この工程の後に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする。」と訂正し、
　同段落【００３７】乃至【００４０】に５個所記載された「実施例」を、「参考例」と訂正し、
　特許明細書等の【図面の簡単な説明】に記載された
「【図６】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。
・・・
【図８】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。
【図９】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。」を、
「【図６】参考例の加熱装置の要部構成を示す図。
・・・
【図８】他の参考例の加熱装置の要部構成を示す図。
【図９】他の参考例の加熱装置の要部構成を示す図。」と訂正する。
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａは、請求項１における「被処理基板」をより下位概念である「ガラス基板」に、「載置板」をより下位概念である「加熱処理する載置板」に、「前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構」をより下位概念である「前記ガラス基板が上方に押圧されるように、前記載置板の上面に同心状に設けられた溝から前記ガラス基板に向かって窒素ガスを流出させる機構」にそれぞれ限定しようとするものであるので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ａの「ガラス基板」及び「加熱処理する載置板」は、特許明細書等の段落【００１６】に記載された「図１に示すように、加熱装置１は、矩形容器状に形成されたケース２を備えており、このケース２内には、材質例えばアルミニウム等からなり、その上面にＬＣＤ用ガラス基板３を載置可能に構成された矩形板状の載置板ホットプレート４が収容されている。」及び同段落【００２２】に記載された「そして、基板支持ピン６を下降させてＬＣＤ用ガラス基板３をホットプレート４上に載置し、真空チャック用溝１３を真空排気することによりＬＣＤ用ガラス基板３を吸着保持して所定時間加熱処理を行う。」の事項より、新規事項を追加するものではなく、また、訂正事項ａの「前記ガラス基板が上方に押圧されるように、前記載置板の上面に同心状に設けられた溝から前記ガラス基板に向かって窒素ガスを流出させる機構」は、特許明細書等の段落【００１３】に記載された「また、本発明の基板処理装置では、載置板から気体を基板に向かって流出させ、載置板上の被処理基板を上方に押圧することにより、基板支持ピンによる被処理基板の持ち上を容易に行えるようにし、この持ち上げ動作に伴って被処理基板が破損あるいは位置ずれを起こすことを防止することができる。」、同段落【００１８】に記載された「また、図２に示すように、上記ホットプレート４の上面には、断面寸法が幅例えば１ｍｍ、深さ例えば１ｍｍの矩形状の真空チャック用溝１３が、同心状に本実施例では４つ（図２には３つのみ示す。）設けられている。」及び同段落【００３４】に記載された「そして、この状態で所定時間加熱処理を行い、加熱処理が終了すると、制御装置１２によって切替弁５１を窒素ガス供給源５３側に切り替え、窒素ガス供給源５３から窒素ガスを供給して真空チャック用溝１３からＬＣＤ用ガラス基板３の裏面に向かって流出させるようにして、この気体圧によってホットプレート４上に載置されたＬＣＤ用ガラス基板３を、上方に向かって押圧する。」の事項より、新規事項を追加するものではない。
　訂正事項ｂは、請求項５における「被処理基板」をより下位概念である「ガラス基板」に、「前記被処理基板の一端を下部から押圧して」をより下位概念である「前記基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して」に、「前記被処理基板全体を押し上げる」をより下位概念である「前記基板支持ピンで前記ガラス基板全体を押し上げる」にそれぞれ限定しようとするものであるので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ｂの「ガラス基板」については、訂正事項ａと同様に新規事項を追加するものではなく、また、「前記基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して」及び「前記基板支持ピンで前記ガラス基板全体を押し上げる」は、特許明細書等の段落【００１１】に記載された「また、請求項５の基板処理装置は、被処理基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、前記載置板上に載置された前記被処理基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この後、前記被処理基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする。」及び同段落【００３８】乃至【００４１】に記載された「このように構成されたこの実施例の基板処理装置１ｂでは、加熱処理が終了したＬＣＤ用ガラス基板３を、ホットプレート４上から持ち上げる際、まず、ステップモータ６１を駆動して基板突上げピン６４を上昇させ、ＬＣＤ用ガラス基板３の一端を押し上げ、図６に示すようにＬＣＤ用ガラス基板３を斜めに僅か持ち上げる。そして、この後、基板支持ピン６を上昇させて前述した実施例と同様にホットプレート４上からＬＣＤ用ガラス基板３を持ち上げる。
　このように、本実施例の基板処理装置１ｂでは、ホットプレート４上に載置されたＬＣＤ用ガラス基板３を持ち上げる際、基板突上げピン６４で下部からＬＣＤ用ガラス基板３の一端を押圧し、一旦斜めに持ち上げ剥離した後、基板支持ピン６で所定高さまで水平に持ち上げるので、ＬＣＤ用ガラス基板３が徐々に持ち上げられ帯電量を減少させることが可能となり、ＬＣＤ用ガラス基板３が静電気によって強く帯電してその表面に形成された回路パターン等が静電気によって損傷を受けることを防止することができる。
　この実施例では、基板突上げピン６４によって、ＬＣＤ用ガラス基板３を斜めに持ち上げるよう構成したが、このような基板突上げピン６４を用いず、例えば、図７に示す基板処理装置１ｃのように、基板支持ピン６の長さ（高さ）を例えば１ｍｍ程度変え、長さの長い基板支持ピン６ａによってＬＣＤ用ガラス基板３の一端を押圧し斜めに持ち上げるようにしてもよい。
　また、基板支持ピン６の駆動系を分割し、独立に上下動できるようにして、まず、１本の基板支持ピン６を他の基板支持ピン６に先行させて上昇し、ＬＣＤ用ガラス基板３を斜めに持ち上げ、この後、他の基板支持ピン６を同時に上昇させるようにしても、同様な効果を得ることができる。」の事項より、新規事項を追加するものではない。
　訂正事項ｃは、請求項８における「途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に」をより下位概念である「途中で一旦停止および途中で速度を速くするように変更可能に」に限定しようとするものであるので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ｃの「途中で一旦停止および途中で速度を速くするように変更可能に」は、特許明細書等の段落【００１１】に記載された「また、請求項１０の熱処理装置は、前記制御手段が、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする。」及び同段落【００１２】に記載された「したがって、例えば、載置台上の被処理基板を基板支持ピンによって持ち上げる際に、基板支持ピンの上昇速度を始め遅く、その後速くするよう制御することにより、持ち上げ動作に伴って被処理基板が破損あるいは位置ずれを起こすことを防止できる。」の事項より、新規事項を追加するものではない。
　訂正事項ｄは、訂正事項ｃによる請求項８の訂正に伴い、訂正前の請求項８に従属する形式で記載されていた請求項１０を、独立形式で記載するように訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、また、明らかに、新規事項を追加するものではない。
　訂正事項ｅは、請求項１４における「被処理基板」をより下位概念である「ガラス基板」に、「前記被処理基板の一端を下部から押圧して」をより下位概念である「基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して」に、「前記被処理基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる」をより下位概念である「前記基板支持ピンで前記ガラス基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる」にそれぞれ限定しようとするものであるので、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
　また、訂正事項ｅの「ガラス基板」については、訂正事項ａと同様に新規事項を追加するものではなく、また、「基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して」及び「前記基板支持ピンで前記ガラス基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる」は、訂正事項ｄと同様に新規事項を追加するものではない。
　訂正事項ｆは、訂正事項ａ乃至ｅで訂正された特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合をとるためのものであるので、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、また、明らかに新規事項を追加するものではない。
　以上のとおり、訂正事項ａ乃至ｆは、いずれも特許明細書等に記載された事項の範囲内のものであり、また、訂正事項ａ乃至ｆの訂正によって発明の目的が変更されるものでもないので、訂正事項ａ乃至ｆは、いずれも実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３　むすび
　以上のとおりであるので、前記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについての判断
１　特許異議の申立ての理由の概要及び取消しの理由の概要
　特許異議申立人株式会社コーエンの申立ての理由の概要は、請求項１乃至８、１１及び１４に係る発明は、本件特許出願前に日本国内において頒布された特開平３−１４２１３４号公報（特許異議申立人株式会社コーエンが提出した甲第１号証。以下「刊行物１」という。）、特開昭５３−２１５７４号公報（同甲第２号証。以下「刊行物２」という。）、特開昭６３−６２３４７号公報（同甲第３号証。以下「刊行物３」という。）、特開昭６２−９４９２９号公報（同甲第４号証。以下「刊行物４」という。）、特開平４−１６１９５８号公報（同甲第５号証。以下「刊行物５」という。）、特開平３−１３５０１１号公報（同甲第６号証。以下「刊行物６」という。）、特開昭６３−１４１３１５号公報（同甲第７号証。以下「刊行物７」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、また、請求項８に係る発明は、刊行物７に記載された発明であるから、請求項１乃至８、１１及び１４に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してされたものであって、取り消されるべきものであるというものである。
　また、特許異議申立人桝田桂子の申立ての理由の概要は、請求項１及び７に係る発明は、本件特許出願前に日本国内において頒布された特開平４−５６１４６号公報（特許異議申立人桝田桂子が提出した甲第１号証。以下「刊行物８」という。）に記載された発明であり、また、請求項１乃至３及び７に係る発明は、本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物８、特開平３−２２５６４０号公報（特許異議申立人桝田桂子が提出した甲第２号証。以下「刊行物９」という。）、刊行物１（同甲第３号証）及び特開昭６２−７２１３９号公報（同甲第４号証。以下「刊行物１０」という。）に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１乃至３及び７に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してされたものであって、取り消されるべきものであるというものである。
　また、当審で通知した取消しの理由の概要は、請求項１乃至８、１１及び１４に係る発明は、本件特許出願前に日本国内において頒布された刊行物２乃至９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１乃至８、１１及び１４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであって、取り消されるべきものであるというものである。
２　本件発明
　請求項１乃至１４に係る発明（以下「本件発明１乃至１４」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至１４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ガラス基板が載置され加熱処理する載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記ガラス基板が上方に押圧されるように、前記載置板の上面に同心状に設けられた溝から前記ガラス基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構が、前記載置板に設けられた前記被処理基板を吸着保持するための真空チャック用開口から前記窒素ガスを流出させる如く構成されたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記窒素ガスを流出させる前記真空チャック用開口は、前記被処理基板の大きさに応じて切り替え可能に構成されたことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構が、イオン化した窒素ガスを流出させる如く構成されたことを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項５】ガラス基板が載置される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、
前記載置板上に載置された前記ガラス基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して斜めに前記ガラス基板を持ち上げ、この後、前記基板支持ピンで前記ガラス基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】前記被処理基板が載置され当該被処理基板と前記載置板との間隔を所定の間隔に保持するプロキシミティーピンが、前記載置板に着脱自在に複数設けられたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項７】前記載置板に、前記被処理基板の大きさに応じて着脱自在に設けられ、前記被処理基板の周縁部を係止する複数のガイドピンを具備したことを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の基板処理装置。
【請求項８】被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、前記基板との距離に応じて途中で一旦停止および途中で速度を速くするように変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】前記制御手段は、前記載置板上の前記被処理基板を前記基板支持ピンによって持ち上げる際に、前記基板支持ピンの相対速度を始め遅く、その後速くするよう制御することを特徴とする請求項８記載の熱処理装置。
【請求項１０】被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする熱処理装置。
【請求項１１】前記制御手段は、前記基板支持ピン上に載置された前記被処理基板を、前記載置板上に受け渡す際に、前記被処理基板と前記載置板との距離が、前記被処理基板を予備加熱可能な所定の距離となった時点で一旦基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動を停止するよう構成されたことを特徴とする請求項８〜１０いずれか１項記載の熱処理装置。
【請求項１２】被処理基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、
所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却する工程と、
この工程の後に、前記被処理基板を基板載置台から所定の高さまで第１の速度で離間させる工程と、
その後、前記第１の速度より速い第２の速度で前記被処理基板を前記基板載置台からさらに離間させる工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１３】前記加熱又は冷却する工程の後に、前記被処理基板の下方から所定の気体を流出させ、該気体により基板載置台に載置された前記被処理基板を上方に向けて押圧する工程を備えたことを特徴とする請求項１２記載の基板処理方法。
【請求項１４】ガラス基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、
所定の温度で所定時間、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程と、
この工程の後に、基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記ガラス基板を押し上げる工程と、
この工程の後に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。」
３　引用刊行物 
（１）刊行物１
　ａ第１頁右下欄第８−１６行に、「上記のような位置決め装置は、従来、例えば第６図に示すように、ガラス基板４１が載置されるステージ４２の側方に、複数の位置決めピン４３ａ・４３ｂが配置された構成となっている。これら位置決めピン４３ａ・４３ｂはステージ４２を挟んで対向する位置にそれぞれ設けられ、対向する位置決めピン４３ａ・４３ｂの一方４３ａは基準位置決めピンとして、他方４３ｂは押動側位置決めピンとしてそれぞれ構成されている。」と記載され、
　ｂ第２頁右上欄第２−１５行に、「そこで、前記従来装置においては、上記のようなガラス基板４１の表面状態によらずに精度の良い位置決めを行うために、ガラス基板４１をエアー浮上させた状態で、スライドさせる方法を採用している。このため、前記ステージ４２の上面、すなわち載置面に、複数の吸着及びブロー穴４４…が設けられている。これら吸着及びブロー穴４４…は、図示してはいないが、エアー源、及び真空源に接続切換装置を介して接続されており、第７図（ａ）のように、ガラス基板４１がステージ４２上に載置されると、上記吸着及びブロー穴４４…からエアーの吹出しを行わせて、第７図（ｂ）に示すように、ガラス基板４１をステージ４２の上面から浮上させる。」と記載され、
　ｃ第３頁右下欄第１−５行に、「また、上記ステージ２の載置面には、複数の吸着及びブロー穴５…が穿設されている。これらの吸着及びブロー穴５…は、図示していないが、真空源、及びエアー源に接続状態切換装置を介して接続されている。」と記載され、
　ｄ第４頁左上欄第１８行−右上欄第１行に、「上記位置決めが終了すると、吸着及びブロー穴５…へのエアー圧力の供給を停止すると共に、これら吸着及びブロー穴５…への接続状態をエアー源から真空源へと切換える。」と記載され、
　ｅ第４頁右下欄第１８行−第５頁右上欄第５行に、「この第２実施例の位置決め装置におけるステージ２の上面には、第３図のように、前記の実施例よりも幾分径の大きな複数の吸着及びブロー穴５…が穿設されている。これら吸着及びブロー穴５…内には、第４図に示すように、これら吸着及びブロー穴５…の内壁面に沿う上下動可能なフッ素樹脂材料等から成る突出手段としての突出ピン１１がそれぞれ嵌挿されている。上記突出ピン１１は、径の異なる円柱を上下に連ねた形状で構成されると共に、その上端は球面に沿う凸曲面状に形成されている。ステージ２内部の圧力室１２に圧縮空気が導入されていない場合には、上記突出ピン１１は、図のように、その下端面が下降位置規制プレート１３に当接した下方位置に位置する状態で保持される。このときには、突出ピン１１の上端は、ステージ２の上面よりも下側に没入した位置に位置するようになっている。
　一方、上記圧力室１２に圧縮空気が導入されると、この圧力室１２から上記下方位置規制プレート１３に穿設されている連通穴１４を通してエアーが各吸着及びブロー穴５へと供給され、これにより突出ピン１１は、第４図において二点鎖線で示すように、下側の径大部と上側の径小部との間の肩部が、各吸着及びブロー穴５の内壁面に形成されている段差に当接する突出位置へと持ち上げられる。このとき、突出ピン１１の上端側が、ステージ２の上面を超えて上方へと突出するようになっている。」と記載され、
　ｆ第５頁右上欄第１９行−左下欄第１２行に、「上記位置決めが終了すると、吸着及びブロー穴５へのエアーの供給を停止すると共に、これら吸着及びブロー穴５…への接続状態をエアー源から真空源へと切換える。この結果、上記各突出ピン１１は、上記突出位置から下降位置に復帰することとなり、これにより、第５図（ｄ）に示すように、周縁が各位置決めピン３・４で規制された位置を保って、ガラス基板１はステージ２上に下降し、この状態でステージ２上に載置されると共に、吸着及びブロー穴５を通して作用する真空吸着力によって、ステージ２上に固定される。。そして、第５図（ｅ）のように、各位置決めピン３・４をガラス基板１の周縁から側方へと移動させて、位置決め操作を完了する。」と記載され、
　ｇ第５頁右下欄第３−７行に、「なお、上記においては、突出ピン１１の上昇・下降の作動を圧縮空気及び真空により行う例を挙げて説明したが、その他、例えば機械的な駆動機構を用いて作動させる構成とすることも可能である。」と記載され、
　ｈ第３乃至５図に位置決め装置の他の実施例が示され、第３図にその要部斜視図、第４図にその部分拡大断面図及び第５図（ａ）〜（ｅ）にその位置決め動作過程を示す図が示され、第６及び７図に位置決め装置の従来例が示され、第６図にその要部斜視図及び第７図（ａ）〜（ｅ）にその位置決め動作過程を示す図が示されていると認められる。
（２）刊行物２
　ａ第１頁左下欄第５−１２行に、「（１）基板上に塗布形成された感光性材料膜上にフォトマスクを密着あるいは分離する際、上記膜とフォトマスクとの間の基体を中心部より集中的に排気して上記フォトマスクと上記膜を真空密着すると共に、該密着中心部に集中的に気体を吹き込むことによつて上記フォトマスクと上記膜とを密着状態から強制的に分離することを特徴とするフォトマスクの密着・分離法。」と記載され、
　ｂ第２頁右上欄第１８行−左下欄第４行に、「次に密着分離について述べると、上述のようにして、密着焼付が終われば、周辺部（４）あるいは（５）、または中心部分に設けられたノズル（９）より窒素ガスなどの加圧気体をフォトマスク（３）と感光性材料（２）の膜の密着部分の境界部分へ吹き込むことによつて短時間にフオトマスク（３）と感光性材料（２）の膜とを分離することができる。」と記載され、
　ｃ第２図に密着焼付法および密着分離法の一実施例を説明するためのフォトマスクおよび基板の部分の断面図が示されていると認められる。
（３）刊行物３
　ａ第２頁左上欄第６−９行に、「本発明はかかる従来の問題点に鑑み、チャックテーブル自体を取り替えることなく、サイズの異なる半導体ウェハであっても吸着して保持することができるチャックテーブルの提供を目的とする。」と記載され
　ｂ第２頁右上欄第１８行−左下欄第１７行に、「テーブル本体１１は、その表面１１ａに半導体ウェハ３０，３１，３２の面積にそれぞれ対応する中央部の第１吸着領域、その外周部の第２吸着領域および最外周部の第３吸着領域が同心状に拡がるようにして設定されている。
　一方、テーブル本体１１の裏面ｌ１ｂの中央部には第１吸着領域に対応する第１凹部１３が形成され、かつその外周部には第２吸着領域の外縁部に対応する環状の第２凹溝部１４が形成されている。さらに、第２凹部１４の外周部には、第３吸着領域の外縁部に対応する環状の第３凹溝部１５が形成される。なお、これらの第１凹部１３、第２凹溝部１４および第３凹溝部１５は図示していないＯリングなどによって仕切られ、それぞれ独立した分岐排気路となっている。
　そして、テーブル本体１１の表面１１ａに設定された各吸着領域と、その裏面ｌ１ｂに形成された凹部１３、および各凹溝部１４，１５とは、テーブル本体１１の内部を貫通して形成された多数の吸引孔１６，１７，１８によってそれぞれ連通接続されている。」と記載され、
　ｃ第１図にチャックテーブルの縦断面図が示されていると認められる。
（４）刊行物４
　ａ第１頁左下欄第５−１１行に、「（１）マスターマスクと、フォトレジストを塗布したワーキングプレートとを真空密着させて露光するコンタクトプリンターにおいて、上記真空密着をしているマスターマスクとワーキングプレートとにイオン化された空気を導入するイオン発生器を有することを特徴とするコンタクトプリンター。」と記載され、
　ｂ第１頁右下欄第８−１９行に、「ここで、コンタクトプリンターで露光が終ったマスターマスクとワーキングプレートは、真空密着の状態から真空を徐々に大気圧にもどすことによって分離される。ところが、分離されるべきマスターマスクとワーキングプレートはしばしば分離せず、密着した状態のままになってしまうことがある。これはマスターマスクとワーキングプレートに塗布されたフォトレジストとの間に静電気が帯電したことによるものである。この状態にあるマスターマスクとワーキングプレートを強制的に分離すると、マスターマスクの金属パターンが静電気のスパークにより破壊されてしまう。」と記載され、
　ｃ第２頁右下欄第１−１０行に、「以上説明したように本発明は、露光後の密着したマスターマスクとワーキングプレートにイオン化された空気を導入することにより、静電気を中和・除去するため、マスターマスクとワーキングプレートの分離が確実に行なわれる効果がある。すなわち、静電気によるマスターマスクの金属パターン破壊防止をコンタクトプリンターによって行うため、マスターマスクの材料を透明導電膜付に変更する必要がなく価格的、製造条件的に有利である。」と記載されていると認められる。
（５）刊行物５
　ａ第２頁左下欄第９−１３行に、「（１）両面式露光装置を用いて露光を行ったのち、ワークを取り囲む減圧環境を解除し、上焼枠透明板の一隅又は周辺部の−側に設けた少なくとも１個以上の突出ピンを下方に突出させて上焼用マスクフィルムとワークの密着面に開ロ部をつくり、」と記載され、
　ｂ第３頁右上欄第１３行−左下欄第８行に、「次に、本発明の方法及び作用を操作の手順に従って説明する。先ず、減圧手段（図示せず）を大気に開放してワーク１を取り囲む環境１１を大気圧にする。この操作によって上焼枠透明板７を下焼枠透明板８に強制的に押し付けていた拘束力、すなわち上焼枠透明板の上下面に作用していた空気圧の差が除去される。従って圧縮ばね２２の弾性力によって下方に突出しようとする突出ピン２１の反力によって上焼枠透明板７の一隅が上方に持ち上がり、その結果、ワーク１の上面とマスクフィルム９の密着部の一隅に開口部２７が形成される。そして、この開口部２７に大気圧の空気が流入し、開口部２７を拡大させながら密着部の全面に進入する。従って、密着面に損傷を与えることなくワーク１と上焼枠マスクフィルム９を離間することができる。」と記載され、
　ｃ第１及び３図に画像形成用ワークとマスクフィルムの離間方法両面露光装置に適用した場合の実施例が示され、第１図にその露光中の各部の作動状態を示す切断側面図及び第３図にその押圧装置の突出ピンが作動した状態を示す切断側面図が示されていると認められる。
（６）刊行物６
　ａ第２頁左上欄第２−７行に、「そこで、例えば熱板上に突出させる如く設けた複数のピン等の上に半導体ウエハを載置し、熱板と半導体ウエハとの間に、プロキシミティーギャッブ等と称される所定の間隔に設けた状態で、熱板からの幅射熱により均一に半導体ウエハを加熱する方法も行われている。」と記載され、
　ｂ第３頁左下欄第４−６行に、「また、上述した熱板１には、上記ピン４の他に、その高さを固定された複数例えば、６本のプロキシミティーピン２０が設けられている。」と記載されていると認められる。
（７）刊行物７
　ａ第１頁左下欄第５−１２行に、「加熱により半導体ウエハを処理する半導体ウエハ処理装置において、半導体ウエハを加熱する手段を具備する処理台と、この処理台に前記半導体ウエハを載置するために上下動する半導体ウエハ支持用の真空吸着孔を有するビンと、このピンの真空手段を駆動し、制御する真空機構と、前記ピンを断続的に上下動させるステップモータとからなることを特徴とする半導体ウエハ処理装置。」と記載され、
　ｂ第２頁左下欄第１５行−右下欄第４行に、「上記の構成にすることにより、搬送アームからピン、さらにピンからプレートへの半導体ウエハの受渡しが円滑に、かつ安定な状態で行われるだけでなく、プレートへ載置されるまでにプレートからの放射熱により予備加熱が順調に行われ、ウエハに熱歪が生ぜず、また搬送アームからの受渡しの際、断続的な昇降の途中も半導体ウエハがずれることがない。さらに、プレート上での半導体ウエハの位置ずれが発生しないので、昇温ムラ発生や光の照射強度分布ムラの発生もなくなる。」と記載され、
　ｃ第３頁左上欄第５−１３行に、「これによって半導体ウエハ５は、搬送アームから解放され、ビン６の所定位置に保持固定される。次に、パルスモータ１４の駆動により断続的に下降を開始する。この実施例で用いるパルスモータ１４は、１パルスの入力に対して０．４５°回転するものを用いて、８パルスで１０μｍ進むように設計してあり、１０μｍ毎の間隔で断続的にビンを動かすものである。」と記載され、　
　ｄ第１図に半導体ウエハ処理装置の一実施例を示す断面図が示されていると認められる。
（８）刊行物８
　ａ左下欄の特許請求の範囲に、「（１）被処理基板が載置される基板載置台と、この基板載置台を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンとを具備し、前記基板載置台と前記基板支持ピンとを相対的に上下動させることにより、前記基板支持ピン上に前記被処理基板を支持可能に構成された基板処理装置において、
　前記基板載置台の載置面に、前記被処理基板の水平移動を規制するガイドを設けたことを特徴とする基板処理装置。
（２）ガイドは、基板載置台の載置面に形成されたガイドピン孔に着脱自在に支持され、被処理基板のサイズによってガイドの位置を変更可能に構成されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。」と記載され、
　ｂ第２頁左下欄第１７行−右下欄第２行に、「また、例えばガイドピンを、基板載置台の載置面に形成されたガイドピン孔に着脱自在に支持するようにし、基板載置台にサイズの異なる複数種の基板に応じたガイドピン孔を設けておけば、ガイドピンの位置を変更することによって、サイズの異なる複数種の基板に対応することができる。」と記載され、
　ｃ第４頁右上欄第７−１１行に、「また、熱板２を下降させるとべローズ９が収縮するため、第１図に矢印で示すように、ベローズ９内の気体が支持ピン用透孔６を通って、上方すなわち半導体ウエハ１０を持ち上げる方向に流れる。」と記載され、
　ｄ第１図に基板処理装置の一実施例のアドヒージョン処理装置の構成を示す縦断面図及び第２図にそのアドヒージョン処理装置の上面図が示されていると認められる。
（９）刊行物９
　ａ第５頁左上欄第９−１３行に、「次いで、上記ディスク基板（７）を受渡機構によって搬送させ、前記転写装置（１１）のスタンパー（１０）上に載置させる。このとき、ディスク基板（７）に塗布された紫外線硬化樹脂がスタンパー（１０）と密着するように載置する。」と記載され、
　ｂ第８頁右下欄第８−１４行に、「従って、上記エア孔（６２）より導入された気体は、上記エア吹出し口（６３）を通して外部へ吹き出されるようになっている。なお、上記エア吹出し口（６３）より吹き出される気体は、センタピン（１８）の動作と連動して吹き出されるようになっており、該センタピン（１８）が上昇し始めると吹き出すようになっている。」と記載され、
　ｃ第１０頁左下欄第２−５行に、「さらには、上記エアーの導入によって無理なくディスク基板（７）を剥離させることができるため、当該ディスク基板（７）を破損させるようなことはない。」と記載され、
　ｄ第８図にディスク基板の剥離時に気体を噴出せしめた状態を示す要部拡大断面図が示されていると認められる。
（１０）刊行物１０
　ａ第２頁右上欄第１３−１９目に、「これに対し、この発明によれば、前述のように挿入部材により各吸気口と前記エアー通路との間を吸着すべきウエハのサイズに応じて選択的に遮断させることにより、いずれのサイズのウエハについても、エアー漏れを防止し、ウエハを広い範囲について確実に吸着でき、また、ウ工ハの反りを防止できる。」と記載され、
　ｂ第４頁左上欄第１４行−右上欄８行に、「６インチのウエハを扱う場合、穴埋めロッド６０は、溝６８が上側に来るように回し固定される。つまり第２図の状態となり、外側の２つの吸気口５０は、いずれも溝６８を介してエアー通路４０と連通する。５インチのウエハを扱う場合、穴埋めロッド６０は、溝６９が上側になるように回されて固定される。しかして、外側から２つ目の吸気口５０は溝６９を介してエアー通路４０と連通するが、最外周の通気口５０は穴理めロッド６０の側面でふさがれ、エアー通路４０から切り離される。４インチのウエハの取り扱い時には、穴埋めロッド６０は溝６８，６９のいずれも上側にならないような角度で固定されるため、外側の２つの吸気口５０は、両方ともエアー通路４０から遮断される。」と記載され、
　ｃ第１図にウエハ吸着装置の回転円板の詳細構成を示す一部断面正面図及び第２図にウエハ吸着装置の一部の詳細構成と関連した機構を示す一部断面正面図が示されていると認められる。
４　対比・判断
（１）本件発明１、７及び８の新規性
ア　本件発明１について
　本件発明１と刊行物８に記載された発明とを対比すると、刊行物８には、本件発明１の「前記ガラス基板が上方に押圧されるように、前記載置板の上面に同心状に設けられた溝から前記ガラス基板に向かって窒素ガスを流出させる機構」の構成（以下「構成Ａ」という。）が記載されておらず、且つ示唆もされていないので、本件発明１は、刊行物８に記載された発明であるとすることはできない。
イ　本件発明７について
　本件発明７と刊行物８に記載された発明とを対比すると、先ず、前記アのとおり刊行物８には本件発明１の構成Ａが記載されておらず、且つ示唆もされていないのであるから、この構成を具備する本件発明７、即ち、請求項１〜３いずれか１項に従属する本件発明７については、刊行物８に記載された発明であるとすることはできない。
　次に、本件発明７で引用している本件発明５と刊行物８に記載された発明とを対比すると、刊行物８には、本件発明５の「前記載置板上に載置された前記ガラス基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して斜めに前記ガラス基板を持ち上げ、この後、前記基板支持ピンで前記ガラス基板全体を押し上げる」構成（以下「構成Ｂ」という。）が記載されておらず、且つ示唆もされていないので、この構成を具備する本件発明７、即ち、請求項４及び５のいずれか１項に従属する本件発明７についても、刊行物８に記載された発明であるとすることはできない。
ウ　本件発明８について
　本件発明８と刊行物７に記載された発明とを対比すると、刊行物７には、本件発明８の「前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、前記基板との距離に応じて途中で一旦停止および途中で速度を速くするように変更可能に構成された制御手段」の構成（以下「構成Ｃ」という。）が記載されておらず、且つ示唆もされていないので、本件発明８は、刊行物７に記載された発明であるとすることはできない。
（２）本件発明１乃至８、１１及び１４の容易推考性
ア　本件発明１について
　本件発明１と刊行物１乃至１０に記載された発明とを対比すると、両者には類似する部分があるものの、刊行物１乃至１０には、本件発明１の構成Ａについて記載されておらず、且つ、示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、この構成を具備することにより、段落【００３５】に記載された「したがって、基板支持ピン６が上昇開始時に、例えば、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４上に吸着されたような状態となっていても、真空チャック用溝１３からの窒素ガスの気体圧によってＬＣＤ用ガラス基板３が全体的に上方に押圧され、ＬＣＤ用ガラス基板３とホットプレート４との間に窒素ガスが入り込むので、速やかにＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４上から剥がれ、基板支持ピン６による持ち上げ動作時にＬＣＤ用ガラス基板３が破損したり、基板支持ピン６上で位置ずれを起こしたりすることを防止できる。また、スムーズに剥がれるため、静電気の発生を抑制する効果もある。特に、静電気を打ち消す（中和、除電）ように窒素ガスをイオン化させておくと、この効果は著しい。」という格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明１は、刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
イ　本件発明５について
　本件発明５と刊行物１乃至１０に記載された発明とを対比すると、両者には類似する部分があるものの、刊行物１乃至１０には、本件発明５の構成Ｂについて記載されておらず、且つ、示唆もされていない。
　そして、本件発明５は、この構成を具備することにより、段落【００３９】に記載された「ＬＣＤ用ガラス基板３が徐々に持ち上げられ帯電量を減少させることが可能となり、ＬＣＤ用ガラス基板３が静電気によって強く帯電してその表面に形成された回路パターン等が静電気によって損傷を受けることを防止することができる。」という格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明５は、刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
ウ　本件発明８について
　本件発明８と刊行物１乃至１０に記載された発明とを対比すると、両者には類似する部分があるものの、刊行物１乃至１０には、本件発明８の構成Ｃについて記載されておらず、且つ、示唆もされていない。
　そして、本件発明８は、この構成を具備することにより、段落【００２４】及び【００２５】に記載された「このように、ゆっくりとした相対速度で上昇させることにより、例えば、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４上に吸着された状態となっていても、ＬＣＤ用ガラス基板３に徐々に力が加わり、ＬＣＤ用ガラス基板３が破損したり、基板支持ピン６上で位置ずれを起こしたりすることを防止することができる。・・・所望高さ位置（例えば数ミリ程度上方）で一旦基板支持ピン６を停止させ、予備加熱した後、ＬＣＤ用ガラス基板３をホットプレート４上に載置するように制御装置１２から制御を行う。これにより、例えば冷えた状態のＬＣＤ用ガラス基板３を急激に加熱してＬＣＤ用ガラス基板３が反ってしまうこと等を防止することができる。」という格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明８は、刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
エ　本件発明１４について
　本件発明１４と刊行物１乃至１０に記載された発明とを対比すると、両者には類似する部分があるものの、刊行物１乃至１０には、本件発明１４の「この工程の後に、基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記ガラス基板を押し上げる工程と、この工程の後に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程」の構成について記載されておらず、且つ、示唆もされていない。
　そして、本件発明１４は、この構成を具備することにより、前記（５）のとおりの格別の効果を奏するものと認められる。
　したがって、本件発明１４は、刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
オ　本件発明２乃至４、６及び７について
　前記のとおり本件発明１、５及び８は、いずれも刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない以上、本件発明１の構成を具備する本件発明２乃至４、本件発明１又は５の構成を具備する本件発明６及び７は、いずれも刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
カ　本件発明１１について
　前記のとおり本件発明８は、刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでない以上、本件発明８の構成を具備する本件発明１１、即ち、請求項８又は９に従属する本件発明１１については、刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　また、本件発明１０と刊行物１乃至１０に記載された発明とを対比すると、両者には類似する部分があるものの、刊行物１乃至１０には、本件発明１０の「前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御する」の構成について記載されておらず、且つ、示唆もされていないので、この構成を具備する本件発明１１、即ち、請求項１０に従属する本件発明１１についても、刊行物１乃至１０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、請求項１乃至８、１１及び１４に係る特許は、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に請求項１乃至８、１１及び１４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、請求項１乃至８、１１及び１４に係る特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月２４日（２００２．４．２４）
【訂正の要旨】
　（訂正の要旨）
１　特許第３１５３３７２号発明の明細書を特許請求の範囲の減縮を目的として、
「【請求項１】被処理基板が載置される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。」を、
「【請求項１】ガラス基板が載置され加熱処理する載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記ガラス基板が上方に押圧されるように、前記載置板の上面に同心状に設けられた溝から前記ガラス基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする基板処理装置。」と訂正し、
「【請求項５】被処理基板が載置される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、
前記載置板上に載置された前記被処理基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この後、前記被処理基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする基板処理装置。」を、
「【請求項５】ガラス基板が載置される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、
前記載置板上に載置された前記ガラス基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して斜めに前記ガラス基板を持ち上げ、この後、前記基板支持ピンで前記ガラス基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする基板処理装置。」と訂正し、
「【請求項８】被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする熱処理装置。」を、
「【請求項８】被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、前記基板との距離に応じて途中で一旦停止および途中で速度を速くするように変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする熱処理装置。」と訂正し、
「【請求項１４】被処理基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、
所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却する工程と、
この工程の後に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記被処理基板を押し上げる工程と、
この工程の後に、前記被処理基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。」を、
「【請求項１４】ガラス基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、
所定の温度で所定時間、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程と、
この工程の後に、基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記ガラス基板を押し上げる工程と、
この工程の後に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。」と訂正する。
２　特許第３１５３３７２号発明の明細書を明りょうでない記載の釈明を目的として、
「【請求項１０】前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする請求項８記載の熱処理装置。」を、
「【請求項１０】被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする熱処理装置。」と訂正する。
３　特許第３１５３３７２号発明の明細書を明りょうでない記載の釈明を目的として、段落【００１０】に記載された
「すなわち、請求項１の基板処理装置は、被処理基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする。」を、
「すなわち、請求項１の基板処理装置は、ガラス基板が載置され加熱処理する載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記ガラス基板が上方に押圧されるように、前記載置板の上面に同心状に設けられた溝から前記ガラス基板に向かって窒素ガスを流出させる機構とを具備したことを特徴とする。」と訂正し、
　段落【００１１】に記載された
「また、請求項５の基板処理装置は、被処理基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、前記載置板上に載置された前記被処理基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して斜めに前記被処理基板を持ち上げ、この後、前記被処理基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする。・・・また、請求項８の熱処理装置は、被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする。・・・また、請求項１０の熱処理装置は、前記制御手段が、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする。・・・また、請求項１４の熱処理方法は、被処理基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却する工程と、この工程の後に、前記被処理基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記被処理基板を押し上げる工程と、この工程の後に、前記被処理基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする。」を、
「また、請求項５の基板処理装置は、ガラス基板が載置される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、前記載置板上に載置された前記ガラス基板を前記基板支持ピンで持ち上げる際に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して斜めに前記ガラス基板を持ち上げ、この後、前記基板支持ピンで前記ガラス基板全体を押し上げるよう構成されたことを特徴とする。・・・また、請求項８の熱処理装置は、被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、前記基板との距離に応じて途中で一旦停止および途中で速度を速くするように変更可能に構成された制御手段とを具備したことを特徴とする。・・・また、請求項１０の熱処理装置は、被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備し、前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする。・・・また、請求項１４の基板処理方法は、ガラス基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、所定の温度で所定時間、前記ガラス基板を加熱又は冷却する工程と、この工程の後に、基板支持ピンで前記ガラス基板の一端を下部から押圧して、基板載置台から斜めに前記ガラス基板を押し上げる工程と、この工程の後に、前記基板支持ピンで前記ガラス基板の全体を前記基板載置台から上方に押し上げる工程とを備えたことを特徴とする。」と訂正し、
　段落【００３７】乃至【００４０】に５個所記載された「実施例」を、「参考例」と訂正し、
　【図面の簡単な説明】に記載された
「【図６】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。
・・・
　【図８】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。
　【図９】他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。」を、
「【図６】参考例の加熱装置の要部構成を示す図。
・・・
　【図８】他の参考例の加熱装置の要部構成を示す図。
　【図９】他の参考例の加熱装置の要部構成を示す図。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
基板処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
ガラス
加熱処理する
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記ガラス基板が上方に押圧されるように、
の上面に同心状に設けられた溝
ガラス
　【請求項２】前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構が、前記載置板に設けられた前記被処理基板を吸着保持するための真空チャック用開口から前記窒素ガスを流出させる如く構成されたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
　【請求項３】前記窒素ガスを流出させる前記真空チャック用開口は、前記被処理基板の大きさに応じて切り替え可能に構成されたことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
　【請求項４】前記載置板から前記基板に向かって窒素ガスを流出させる機構が、イオン化した窒素ガスを流出させる如く構成されたことを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の基板処理装置。
　【請求項５】
ガラス
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構とを具備した基板処理装置において、
前記載置板上に載置された前記
ガラス
前記基板支持ピンで
ガラス
ガラス
前記基板支持ピンで
ガラス
　【請求項６】前記被処理基板が載置され当該被処理基板と前記載置板との間隔を所定の間隔に保持するプロキシミティーピンが、前記載置板に着脱自在に複数設けられたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の基板処理装置。
　【請求項７】前記載置板に、前記被処理基板の大きさに応じて着脱自在に設けられ、前記被処理基板の周縁部を係止する複数のガイドピンを具備したことを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の基板処理装置。
　【請求項８】被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、
前記基板との距離に応じて
速度を速くするように
　【請求項９】前記制御手段は、前記載置板上の前記被処理基板を前記基板支持ピンによって持ち上げる際に、前記基板支持ピンの相対速度を始め遅く、その後速くするよう制御することを特徴とする請求項８記載の熱処理装置。
　【請求項１０】
被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、
前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、
駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、
前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備し、
前記制御手段は、前記載置板と前記被処理基板との距離に応じ、この距離が近い時に前記基板支持ピンの相対速度を遅く、距離が離間している時に前記基板支持ピンの相対速度を速くするよう制御することを特徴とする熱処理装置。
　【請求項１１】前記制御手段は、前記基板支持ピン上に載置された前記被処理基板を、前記載置板上に受け渡す際に、前記被処理基板と前記載置板との距離が、前記被処理基板を予備加熱可能な所定の距離となった時点で一旦基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動を停止するよう構成されたことを特徴とする請求項８〜１０いずれか１項記載の熱処理装置。
　【請求項１２】被処理基板を加熱又は冷却して処理する基板処理方法において、所定の温度で所定時間、前記被処理基板を加熱又は冷却する工程と、
この工程の後に、前記被処理基板を基板載置台から所定の高さまで第１の速度で離間させる工程と、
その後、前記第１の速度より速い第２の速度で前記被処理基板を前記基板載置台からさらに離間させる工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
　【請求項１３】前記加熱又は冷却する工程の後に、前記被処理基板の下方から所定の気体を流出させ、該気体により基板載置台に載置された前記被処理基板を上方に向けて押圧する工程を備えたことを特徴とする請求項１２記載の基板処理方法。
　【請求項１４】
ガラス
ガラス
この工程の後に、
基板支持ピンで
ガラス
ガラス
この工程の後に、
前記基板支持ピンで
ガラス
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、基板処理装置及び熱処理装置及び基板処理方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来から、半導体装置の製造工程では、被処理基板、例えば、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板を載置台の上に載置して、所定の処理を施す基板処理装置が広く用いられている。
　【０００３】
　例えば、半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板等を加熱する加熱装置では、ホットプレート等と称される載置台は内部に抵抗加熱ヒータ等を備えており、例えば２００℃等の所定温度に設定可能に構成されている。そして、このホットプレート上に半導体ウエハやＬＣＤ用ガラス基板を直接あるいはプロキシミティーギャップを設けた状態で載置して、加熱処理を行うよう構成されている。
　【０００４】
　また、このような基板処理装置では、ホットプレートを貫通する如く、上下動可能に構成された複数の基板支持ピンが設けられており、これらの基板支持ピンがホットプレート上に突出するよう上昇させた状態で、搬送アームとの被処理基板の受け渡しを行い、これらの基板支持ピンがホットプレート内に格納されるよう下降させた状態で加熱処理を実行するよう構成されている。なお、従来の基板処理装置では、このような基板支持ピンは、通常エアシリンダで駆動されるよう構成されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記説明の従来の基板処理装置では、ＬＣＤ用ガラス基板等をホットプレート等から持ち上げる際に、ＬＣＤ用ガラス基板等がホットプレート等に吸着された状態となることがあり、この状態でＬＣＤ用ガラス基板等が急激に基板支持ピンで押し上げられるため、ＬＣＤ用ガラス基板等が破損したり、基板支持ピン上で位置ずれを起こす可能性があるという問題があった。
　【０００６】
　また、ＬＣＤ用ガラス基板等をホットプレート等から持ち上げる際に、ＬＣＤ用ガラス基板等が静電気を帯び、この静電気によってＬＣＤ用ガラス基板等の表面に形成された回路パターン等が破壊されてしまうことがあるという問題もあった。
　【０００７】
　さらに、大型のＬＣＤ用ガラス基板等を急激に加熱すると、反りが生じること等があり、例えば徐々に加熱を行う等の加熱工程のフレキシビリティーの向上を図ることが望まれている。
　【０００８】
　本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、載置台上の被処理基板を基板支持ピンで持ち上げる際等に、被処理基板およびその表面に形成された回路パターン等が損傷を受けたり、被処理基板が位置ずれを起こすことを防止することができるとともに、加熱工程のフレキシビリティーの向上を図ることのできる基板処理装置及び熱処理装置及び基板処理方法を提供しようとするものである。
　【０００９】
　【００１０】
　【課題を解決するための手段】
　すなわち、請求項１の基板処理装置は、
ガラス
加熱処理する
前記ガラス基板が上方に押圧されるように、
の上面に同心状に設けられた溝
ガラス
　【００１１】
　また、請求項５の基板処理装置は、
ガラス
ガラス
前記基板支持ピンで
ガラス
ガラス
前記基板支持ピンで
ガラス
前記基板との距離に応じて
速くするように
被処理基板が載置され、熱処理される載置板と、前記載置板を貫通する如く設けられた複数の基板支持ピンと、駆動モータを備え、前記基板支持ピンと前記載置板とを相対的に上下動させる駆動機構と、前記駆動モータの駆動、停止、回転速度を制御し、前記基板支持ピンと前記載置板との相対的上下動の動作を、途中で一旦停止および途中で速度を変更可能に構成された制御手段とを具備し、
基板
ガラス
ガラス
基板支持ピンで
ガラス
ガラス
前記基板支持ピンで
ガラス
　【００１２】
　【作用】
　上記構成の本発明の基板処理装置では、基板支持ピンを載置板に対して上下動させる駆動機構が駆動モータを備えており、制御手段によってこの駆動モータの回転速度を制御することにより、基板支持ピンの上下動の速度を高精度で容易に変化させることができる。したがって、例えば、載置台上の被処理基板を基板支持ピンによって持ち上げる際に、基板支持ピンの上昇速度を始め遅く、その後速くするよう制御することにより、持ち上げ動作に伴って被処理基板が破損あるいは位置ずれを起こすことを防止できる。また、この駆動モータを所望位置で停止させることにより、基板支持ピンの高さをある範囲内で任意に設定することができ、例えば被処理基板を段階的に徐々にホットプレートに近付けて行くこと等によって、加熱工程を制御することができる。
　【００１３】
　また、本発明の基板処理装置では、載置板から気体を基板に向かって流出させ、載置板上の被処理基板を上方に押圧することにより、基板支持ピンによる被処理基板の持ち上を容易に行えるようにし、この持ち上げ動作に伴って被処理基板が破損あるいは位置ずれを起こすことを防止することができる。
　【００１４】
　また、本発明の基板処理装置では、載置台上の被処理基板の一端を下部から押圧して斜めに持ち上げ、この後、被処理基板全体を押し上げることによって、被処理基板に静電気が発生しにくくなり、被処理基板の表面に形成された回路パターン等が静電気によって損傷を受けることを防止することができる。
　【００１５】
　【実施例】
　以下、本発明をＬＣＤ用ガラス基板の加熱処理を行う加熱装置に適用した実施例を、図面を参照して説明する。
　【００１６】
　図１に示すように、加熱装置１は、矩形容器状に形成されたケース２を備えており、このケース２内には、材質例えばアルミニウム等からなり、その上面にＬＣＤ用ガラス基板３を載置可能に構成された矩形板状の載置板ホットプレート４が収容されている。このホットプレート４は図示しない加熱用ヒータおよび温度センサ等を備えており、例えば２００℃等の所定の加熱温度に温度設定可能に構成されている。
　【００１７】
　また、図２にも示すように、上記ホットプレート４には、例えば４つの透孔５が設けられており、これらの透孔５には、それぞれ基板支持ピン６が配置されている。これらの基板支持ピン６は、その下部を連結ガイド７に固定されており、この連結ガイド７は、ベルト８に接続されている。このベルト８は、駆動モータであるステップモータ９に嵌合されたプーリー１０とこのプーリー１０の上方に設けられたプーリー１１との間に巻回されており、ステップモータ９の回転に応じて基板支持ピン６とホットプレート４とを相対的に上下動例えば基板支持ピン６が固定されたホットプレート４に対して上下動するよう構成されている。このステップモータ９には、制御装置１２が電気的に接続されており、この制御装置１２によって、ステップモータ９の起動、停止、回転速度等が制御される。
　【００１８】
　また、図２に示すように、上記ホットプレート４の上面には、断面寸法が幅例えば１ｍｍ、深さ例えば１ｍｍの矩形状の真空チャック用溝１３が、同心状に本実施例では４つ（図２には３つのみ示す。）設けられている。これらの真空チャック用溝１３は大きさの異なる複数種のＬＣＤ用ガラス基板３を吸着可能にするためのものであり、本実施例の場合、最外側の真空チャック用溝１３が４５０ｍｍ×３７０ｍｍのＬＣＤ用ガラス基板３に対応したものである。
　【００１９】
　さらに、ホットプレート４の上面には、ＬＣＤ用ガラス基板３の周縁部を係止するためのガイドピン１４およびＬＣＤ用ガラス基板３とホットプレート４上面との間に０．５ｍｍ程度の所定のプロキシミティーギャップを形成するためのプロキシミティーピン１５が配置されている。これらのガイドピン１４およびプロキシミティーピン１５は、ホットプレート４上面に設けられた図示しない挿入孔に着脱自在に固定されており、各ＬＣＤ用ガラス基板３の大きさに応じてこれらのガイドピン１４およびプロキシミティーピン１５の位置を変更することにより、大きさの異なるＬＣＤ用ガラス基板３に対応できるようになっている。なお、プロキシミティーピン１５は、使用しない場合もある。また、使用しない挿入孔にはダミーのピン（蓋）が配置される。
　【００２０】
　また、ケース２の側部には、開閉自在なシャッタを備えた搬入・搬出口１６が設けられており、この搬入・搬出口１６から図示しない搬送アーム等により、ＬＣＤ用ガラス基板３の搬入および搬出を行う。
　【００２１】
　このような加熱装置では、予めホットプレート４を例えば２００℃程度の所定温度に設定しておき、搬入・搬出口１６から搬送アーム等によりホットプレート４上にＬＣＤ用ガラス基板３を位置させる。この後、この状態で基板支持ピン６を上昇（あるいは搬送アームを下降）させて基板支持ピン６上にＬＣＤ用ガラス基板３を支持し、搬送アームを後退させる。
　【００２２】
　そして、基板支持ピン６を下降させてＬＣＤ用ガラス基板３をホットプレート４上に載置し、真空チャック用溝１３を真空排気することによりＬＣＤ用ガラス基板３を吸着保持して所定時間加熱処理を行う。なお、この時、プロキシミティーギャップを設けて加熱処理を行う場合は、予めホットプレート４上の所定位置にプロキシミティーピン１５を配置しておき、真空チャックによる吸着は行わない。また、サイズの小さなＬＣＤ用ガラス基板３の加熱を行う場合は、外側の真空チャック用溝１３の真空排気は行わない。
　【００２３】
　このようにして、所定時間の加熱処理が終了すると、次に基板支持ピン６を上昇させてホットプレート４上からＬＣＤ用ガラス基板３を持ち上げる。この時、制御装置１２は、ステップモータ９の回転を制御して、次のように基板支持ピン６を上昇させる。
　【００２４】
　すなわち、図３（ａ）に示すように、基板支持ピン６が下降した状態から、基板支持ピン６の上端部がＬＣＤ用ガラス基板３の裏面に接触し、図３（ｂ）に示すように、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４上から僅かに持ち上がった状態となるまで基板支持ピン６を非常にゆっくりと上昇させ、この後、図３（ｃ）に示すように、所定高さまで基板支持ピン６を速い速度で上昇させる。このように、ゆっくりとした相対速度で上昇させることにより、例えば、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４上に吸着された状態となっていても、ＬＣＤ用ガラス基板３に徐々に力が加わり、ＬＣＤ用ガラス基板３が破損したり、基板支持ピン６上で位置ずれを起こしたりすることを防止することができる。なお、ＬＣＤ用ガラス基板３が基板支持ピン６上で位置ずれを起こすと、ＬＣＤ用ガラス基板３を搬送アームで受け取ることができなかったり、搬送中にＬＣＤ用ガラス基板３がケース２等と接触して破損する可能性がある。
　【００２５】
　また、上述した加熱工程において、ＬＣＤ用ガラス基板３を急激に加熱することが好ましくないような場合は、基板支持ピン６を下降させてＬＣＤ用ガラス基板３をホットプレート４上に載置する際に、所望高さ位置（例えば数ミリ程度上方）で一旦基板支持ピン６を停止させ、予備加熱した後、ＬＣＤ用ガラス基板３をホットプレート４上に載置するように制御装置１２から制御を行う。これにより、例えば冷えた状態のＬＣＤ用ガラス基板３を急激に加熱してＬＣＤ用ガラス基板３が反ってしまうこと等を防止することができる。
　【００２６】
　図４は、上記構成の加熱装置１が配置された基板処理システムの構成を示すものである。この基板処理システムでは、一方の端部にＬＣＤ用ガラス基板３を収容する複数のカセットを載置可能に構成されたカセットステーション３０が設けられており、このカセットステーション３０の側方には、中央にＬＣＤ用ガラス基板３を搬送するためのメインアーム３１、このメインアーム３１の両側に各基板処理装置が位置するよう配列されている。
　【００２７】
　基板処理装置としては、カセットステーション３０側方に位置するように、ＬＣＤ用ガラス基板３をブラシ洗浄するためのブラシスクラバー３２およびこのブラシ洗浄の後に高圧ジェット水により洗浄を施すための高圧ジェット洗浄機３３が一体的に構成された洗浄機構がメインアーム３１を挟むように２組設けられており、このうち一方の高圧ジェット洗浄機３３の側方に、２台の加熱装置１が積み重ねるようにして配置されている。
　【００２８】
　さらに、これらの機器の側方には、接続用ユニット３４を介して、ＬＣＤ用ガラス基板３にフォトレジストを塗布する前にこれを疎水化処理するアドヒージョン処理装置３５、このアドヒージョン処理装置３５の下方に配置されたクーリング装置３６、ＬＣＤ用ガラス基板３にフォトレジストを塗布するレジスト塗布装置３７、現像を行う現像装置３８、それぞれ２台ずつ積み重ねるようにして配置された合計４台の加熱装置１が配列されている。
　【００２９】
　次に、以上のように構成された基板処理システムの動作について説明する。
　【００３０】
　まず、前工程で処理されたＬＣＤ用ガラス基板３は、カセットステーション３０からメインアーム３１により保持されてブラシスクラバー３２内に搬送され、この中でブラシ洗浄が行われる。更に、このＬＣＤ用ガラス基板３は、高圧ジェット洗浄機３３にて高圧ジェット水により洗浄され、加熱装置１によって乾燥される。
　【００３１】
　この後、ＬＣＤ用ガラス基板３は、アドヒージョン処理装置３５にて疎水化処理が施され、クーリング装置３６で冷却された後、フォトレジスト塗布装置３７でフォトレジストを塗布される。そして、加熱装置１で加熱され、べーキング処理が施された後、図示しない露光装置で露光され、この後、現像装置３８による現像、加熱装置１による乾燥が施される。
　【００３２】
　図５は、本発明の他の実施例の加熱装置１ａの要部構成を示すもので、この実施例の加熱装置１ａでは、ホットプレート４の上面に設けられた真空チャック用溝１３から真空排気を行う真空排気配管５０に切替弁５１が介挿されており、制御装置１２によってこの切替弁５１の動作を切り替え、真空ポンプ５２による真空排気（真空チャック）と気体例えば窒素ガスの窒素ガス供給源５３からの窒素ガス供給とを切り替えて実施することができるよう構成されている。
　【００３３】
　また、図５において、５４は開閉バルブであり、ＬＣＤ用ガラス基板３のサイズによってこれらの開閉バルブ５４を選択的に開き、所定の真空チャック用溝１３のみを使用して真空排気および窒素ガス供給を行うよう構成されている。なお、他の部分については、前述した実施例と同様に構成されているので、同一部分には同一符号を付して重複した説明は省略する。また、本実施例においても、前述した実施例と同様に真空チャック用溝１３は４つ設けられているが、図５には真空チャック用溝１３および開閉バルブ５４等を３系統のみ示す。
　【００３４】
　上記構成のこの実施例の加熱装置１ａでは、制御装置１２によって切替弁５１を真空ポンプ５２側に連通するように設定しておき、真空ポンプ５２を作動させて真空排気を行うことにより、ホットプレート４上に載置されたＬＣＤ用ガラス基板３を吸着保持する。なお、この後、載置中は吸着保持を解除させてもよい。そして、この状態で所定時間加熱処理を行い、加熱処理が終了すると、制御装置１２によって切替弁５１を窒素ガス供給源５３側に切り替え、窒素ガス供給源５３から窒素ガスを供給して真空チャック用溝１３からＬＣＤ用ガラス基板３の裏面に向かって流出させるようにして、この気体圧によってホットプレート４上に載置されたＬＣＤ用ガラス基板３を、上方に向かって押圧する。これとともに、前述の実施例と同様にして基板支持ピン６を最初遅く、しかる後速くなるよう上昇させることにより、ホットプレート４上からＬＣＤ用ガラス基板３を持ち上げる。
　【００３５】
　したがって、基板支持ピン６が上昇開始時に、例えば、ＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４上に吸着されたような状態となっていても、真空チャック用溝１３からの窒素ガスの気体圧によってＬＣＤ用ガラス基板３が全体的に上方に押圧され、ＬＣＤ用ガラス基板３とホットプレート４との間に窒素ガスが入り込むので、速やかにＬＣＤ用ガラス基板３がホットプレート４上から剥がれ、基板支持ピン６による持ち上げ動作時にＬＣＤ用ガラス基板３が破損したり、基板支持ピン６上で位置ずれを起こしたりすることを防止できる。また、スムーズに剥がれるため、静電気の発生を抑制する効果もある。特に、静電気を打ち消す（中和、除電）ように窒素ガスをイオン化させておくと、この効果は著しい。
　【００３６】
　なお、この実施例では、真空チャック用溝１３から窒素ガスを送出する場合について説明したが、窒素ガス送出用の専用の送出孔を設けたり、基板支持ピン６の先端等から窒素ガスを送出するようにしてもよい。
　【００３７】
　図６は、さらに
参考例
参考例
　【００３８】
　このように構成されたこの
参考例
　【００３９】
　このように、本
参考例
　【００４０】
　この
参考例
　【００４１】
　また、基板支持ピン６の駆動系を分割し、独立に上下動できるようにして、まず、１本の基板支持ピン６を他の基板支持ピン６に先行させて上昇し、ＬＣＤ用ガラス基板３を斜めに持ち上げ、この後、他の基板支持ピン６を同時に上昇させるようにしても、同様な効果を得ることができる。
　【００４２】
　さらに、図８に示すように、基板支持ピン６の外側に、上下動可能とされた円筒状の基板突上げ機構７０を設けたり、図９に示すように、基板支持ピン６の内側に、上下動可能とされた棒状の基板突上げ機構７１を設け、基板支持ピン６を２重構造として、これらの基板突上げ機構７０、７１によってＬＣＤ用ガラス基板３の一端を押圧し斜めに持ち上げるようにしてもよい。
　【００４３】
　なお、上記各実施例では、本発明を加熱装置１、１ａに適用した場合について説明したが、例えば図４に示した基板処理システムのアドヒージョン処理装置３５、クーリング装置３６等についても同様にして適用することができる。また、基板支持ピン６を固定にしてホットプレート４を上下動させるようにしてもよいし、両方とも上下動させてもよい。また、気体としては空気、他の不活性ガスでもよい。
　【００４４】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の基板処理装置及び熱処理装置及び基板処理方法によれば、載置台上の被処理基板を基板支持ピンで持ち上げる際等に、被処理基板およびその表面に形成された回路パターン等が損傷を受けたり、被処理基板が位置ずれを起こすことを防止することができるとともに、加熱工程のフレキシビリティーの向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例の加熱装置の構成を示す図。
　【図２】
　図１の加熱装置のホットプレートの構成を示す図。
　【図３】
　図１の加熱装置の動作を説明するための図。
　【図４】
　図１の加熱装置が配置された基板処理システムの構成を示す図。
　【図５】
　他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。
　【図６】
　
参考例
　【図７】
　他の実施例の加熱装置の要部構成を示す図。
　【図８】
　他の
参考例
　【図９】
　他の
参考例
　【符号の説明】
　１　加熱装置
　２　ケース
　３　ＬＣＤ用ガラス基板
　４　ホットプレート
　５　透孔
　６　基板支持ピン
　７　連結ガイド
　８　ベルト
　９　ステップモータ
　１０，１１　プーリー
　１２　制御装置