【事件の表示】
　特許第３１０６７８６号「半導体装置およびその製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１０６７８６号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３１０６７８６号の請求項１乃至４に係る発明についての出願は、平成５年８月２６日になされ、平成１２年９月８日にその特許の設定登録がなされ、その後、佐藤勝明より特許異議の申立てがなされ、平成１３年１１月６日付けで取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年１月１５日に訂正請求がなされたものである。
　
（２）訂正の適否についての判断
ア．訂正の内容
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１における、「基板の同一平面上に酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体と金属層とが形成され、前記金属層の一部が酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体の上に重なっている半導体装置」及び「アルミニウムよりも貴である金属」を、それぞれ「基板の同一平面上に酸化インジウムスズ導電体と金属層とが形成され、前記金属層の一部が前記酸化インジウムスズ導電体の上に重なっている半導体装置」及び「アルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２における、「拡散防止金属層」を、「拡散防止金属層としてチタン」と訂正する。
＊訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の請求項３における、「基板の一主面上に酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体を被着し、フォトリソグラフィにより加工する工程と、前記酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体上に標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を含むアルミニウムを被着し、前記標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を含むアルミニウム合金をポジ型フォトリソグラフィにより加工する工程とを含む半導体装置の製造方法。」を、「基板の一主面上に酸化インジウムスズ導電体を被着し、前記酸化インジウムスズ導電体をポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程と、前記酸化インジウムスズ導電体上に標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウムを被着し、前記標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウム合金をアルカリ性の現像液を用いるポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項４における、「アルミニウムよりも貴である金属」及び「拡散防止金属層」を、それぞれ「アルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属」及び「拡散防止金属層としてチタン」と訂正する。
＊訂正事項ｅ
　段落０００６における、
「【課題を解決するための手段】
　本発明は上記目的を達成するために、配線金属としてアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を添加したものを用いるようにしたものである。添加する金属は、好ましくはパラジウム、バナジウム、タングステン、タンタル、ニッケル、インジウム、チタン等があげられる。」を、
「【課題を解決するための手段】
　本発明は上記目的を達成するために、配線金属としてアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を添加したものを用いるようにしたものである。添加する金属は、好ましくはパラジウム、バナジウム、ニッケルがあげられる。」と訂正する。
　
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の請求項１において、「酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体」及び「アルミニウムよりも貴である金属」とあるのを、それぞれ「酸化インジウムスズ導電体」及び「パラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｂは、特許請求の範囲の請求項２において、「拡散防止金属層」とあるのを、「チタン」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｃは、特許請求の範囲の請求項３において、「酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体」、「フォトリソグラフィにより加工する工程」、「アルミニウムよりも貴である金属」及び「ポジ型フォトリソグラフィにより加工する工程」とあるのを、それぞれ「酸化インジウムスズ導電体」、「ポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程」、「パラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属」及び「アルカリ性の現像液を用いるポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｄは、特許請求の範囲の請求項４において、「アルミニウムよりも貴である金属」及び「拡散防止金属層」とあるのを、それぞれ「パラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属」及び「チタン」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的としたものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　上記訂正事項ｅは、請求項１乃至４が訂正されたことに伴い特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正で、明りょうでない記載の釈明を目的としたものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
ウ．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第１項ただし書、第２項乃至第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
（３）特許異議申立てについての判断
ア．特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として、甲第１号証（特開平４−２５４８２４号公報）、甲第２号証（特開平３−２４６５２４号公報）及び参考文献１（特開昭６４−３６０９７号公報）を提示して次のように主張している。
　本件請求項１記載の発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、本件請求項２乃至４記載の発明は、甲第１乃至２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件請求項１乃至４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである旨主張している。
　
イ．本件発明
　訂正明細書の本件発明は、特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次のとおりのものである。
「基板の同一平面上に酸化インジウムスズ導電体と金属層とが形成され、前記金属層の一部が前記酸化インジウムスズ導電体の上に重なっている半導体装置において、前記金属層がアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むことを特徴とする半導体装置。（以下、「本件発明１」という。）。
　金属層の下側に拡散防止金属層としてチタンを配置したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。（以下、「本件発明２」という。）。
　基板の一主面上に酸化インジウムスズ導電体を被着し、前記酸化インジウムスズ導電体をポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程と、前記酸化インジウムスズ導電体上に標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウムを被着し、前記標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウム合金をアルカリ性の現像液を用いるポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。（以下、「本件発明３」という。）。
　標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウムの下側に拡散防止金属層としてチタンを配置する工程を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。（以下、「本件発明４」という。）。
　
ウ．引用例
　異議申立人が提出した甲第１号証には、液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法が図面とともに開示されている。そして同号証には、次のように記載されている。
「【００１２】このように構成されたアレイ基板を、図２を参照して製造工程的に説明する。
先ず、プラズマＣＶＤ法によるＳｉＯｘ膜付き透明ガラス基板１上に、スパッタ法によりＭｏ・Ｔａ膜８を３０００オングストロ−ム堆積させる。続いて、リソグラフィを用いてゲ−ト電極を含むアドレス配線パタ−ンを形成し、ＣＤＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｄｒｙ　Ｅｃｈｉｎｇ）でＣＦ４＋Ｏ２混合ガスを用いて、Ｍｏ・Ｔａ膜８を３０度以下のテ−パが出来るようにエッチングする。
【００１３】次に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＯｘ９、ＳｉＮｘ１０、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）１１、ＳｉＮｘ１２の４層を連続堆積する。上層のＳｉＮｘ１２をパタ−ニングし、前処理後にソ−ス・ドレイン電極のコンタクトとして、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜１３をプラズマＣＶＤ法により堆積する。
【００１４】次に、ａ−Ｓｉをパタ−ニングし、透明画素電極（表示電極）としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）１４を形成する。この透明画素電極は、補助容量７の一方の電極の一部としても使用する。続いて、アドレス配線パッド部の開口をＨＦ系エッチング液で行なう。次に、マグネトロンスパッタ法により、２原子％Ｔａを含むＡｌ合金層を合金タ−ゲットで５０００オングストロ−ム堆積させる。スパッタ法は、ＡｌとＴａそれぞれのタ−ゲットの２元スパッタ法でも可能である。これを、燐酸＋硝酸＋酢酸の混酸によりエッチングし、デ−タ配線３、ソ−ス電極１５およびドレイン電極１６として形成する。エッチングはそのほかに、ドライエッチングでも可能で、Ｃｌ２＋ＣＦ４系を用いれば良い。この後、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）により、バックチャネル上のｎ＋ａ−Ｓｉ膜１３を除去する。次に、パッシベ−ションとして、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮｘ１７を形成すれば、液晶表示装置用アレイ基板が完成する。
【００１５】上記の場合、ソ−ス電極１５は、直接、透明画素電極であるＩＴＯ１４と接続しているが、ソ−ス電極１５はＡｌ金属と１０原子％以下の高融点金属を含む合金からなっているため、ソ−ス電極１５とＩＴＯ１４との接続部もＡｌ金属と１０原子％以下の高融点金属を含む合金からなり、この発明の特徴となっている。
　そして、デ−タ配線抵抗は、平均デ−タ配線幅を１０μｍ、デ−タ配線長を２０ｃｍとした場合、約３ｋΩとなり、Ａｌ単層膜５０００オングストロ−ムでの２ｋΩの１．５倍しか増加しなかった。又、ＩＴＯとの電蝕反応及びオ−ミック性については、全く問題はなかった。」（段落００１２〜段落００１５）
「【００１９】ここで表１の「加工性」における○印はエッチング可能を表わし、×印はエッチング不可能を表わしている。「ＩＴＯとの電蝕反応性」における○印は起こる、△印は一部起こる、×印は起こらないをそれぞれ表わしている。「ＩＴＯとのオ−ミック性」における○印は良好を表わし、×印は悪いを表わしている。
【００２０】そして、各薄膜は室温でのマグネトロンスパッタ法により形成された。Ａｌ合金の各薄膜とも高融点金属の成分が１０原子％以上存在すると抵抗率が大きくなり、大面積ＬＣＤのデ−タ配線として使用出来なくなる。又、１０原子％以下の薄膜は、エッチング加工性が良く、ＩＴＯとの電蝕反応性がなく、ＩＴＯとのオ−ミック性が十分とれる薄膜となっている。
　尚、高融点金属としては表１に示されたもの以外に、Ｎｂ（ニオブ）やＷ（タングステン）等であっても良い。」（段落００１９〜段落００２０）及び表１。
　異議申立人が提出した甲第２号証には、液晶表示素子及びその製造方法が図面とともに開示されている。そして同号証には、次のように記載されている。
「第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の液晶表示素子に用いられる基板の電極配線の製造工程の一実施例を示す工程図である。同図において、１はガラス基板、２はＩＴＯからなる第１層、３はＭｏからなる第２層、４はＡｌからなる第３層、５はフォトレジストである。先ず、ガラス基板１上にスパッタ法により膜厚１０００ÅのＩＴＯ２を形成し、通常のフォトリソ技術によりストライプ状のパターンを形成した（第１図（ａ）参照）。
　次に、膜厚５００ÅのＭｏと、膜厚３０００ÅのＡｌの積層膜をＩＴＯと同様にスパッタ法にて形成した。さらに、ポジ型フォトレジスト５（ＯＦＰＲ−８００　東京応化（株）製）をロールコータ一を用いて約１μｍの厚さに塗布した後（第１図（ｂ）参照）、露光し、有機アルカリを主成分とする現像液（ＮＭＤ−３　東京応化（株）製）に浸積してパターンを形成した（第１図（ｃ）参照）。この工程において、Ａｌはアルカリ溶液に溶解するが、ＡｌとＩＴＯの間にＭｏが存在するために、ＩＴＯにピンホールが発生することを防ぐことができる。
　次に、リン酸に硝酸、酢酸および水を少量加えた１６：１：２：１の容量比のエッチング液でＡｌ，Ｍｏをエッチングした後、フォトレジストを剥離して金属電極を形成した（第１図（ｄ）参照）。このとき、上記エッチング液に対するエッチング速度は、通常ＡｌよりＭｏの方が大きいため、Ａｌ電極のオーバーハングが形成される。第１図（ｅ）は第１図（ｄ）のＡの部分を示す部分拡大図であり、Ａｌ電極のオーバーハングの状態を示す。
　この基板に配向処理を施し、該基板２枚を貼り合わせた後に強誘電性液晶（商品名：ＣＳ−１０１４　チッソ（株）社製）を封入して液晶表示装置を得た。」（第３頁左上欄第８行〜右上欄第１９行）
　「以上、実施例１，２では金属配線としてＡｌを用いる場合について述べたが、エレクトロマイグレーションや耐触性の観点から、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｔｉ等のＡｌ合金を金属配線に使う場合にも、Ｍｏ−Ｔａ合金のＴａ含有率又はＭｏ−Ｔｉ合金のＴｉ含有率を調製することにより、上記Ａｌ合金とＭｏ−Ｔａ合金又はＭｏ−Ｔｉ合金のエッチング速度を同じくすることが可能であり、同様の効果を得ることができる。」（第３頁右下欄第１１行〜１９行）
　
　異議申立人が提出した参考文献１には、半導体装置において、ＩＴＯとＡｌ金属との間に拡散防止層を形成することが記載されている。
　
エ．対比・判断
（本件発明１及び３について）
　本件発明１と甲第１号証に記載の発明を対比すると、甲第１号証には、本件発明１の必須の構成要件である、基板の同一平面上に酸化インジウムスズ導電体と金属層とが形成され、前記金属層の一部が酸化インジウムスズ導電体の上に重なっている半導体装置において、前記金属層がアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴である、「パラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含む」点について記載も示唆もされていない。 
　次に本件発明３と甲第１乃至２号証に記載の発明を対比すると、甲第１乃至第２号証には、本件発明３の必須の構成要件である、半導体装置の製造方法において、「酸化インジウムスズ導電体上に標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウムを被着し、前記標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウム合金をアルカリ性の現像液を用いるポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程」を採用する点について記載も示唆もされていない。 
　そして、本件発明１及び３は、それぞれ上記の点を備えることにより、明細書記載の効果を奏するものである。
  したがって、本件発明１及び３が、甲第１、第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであると認めることはできない。
（本件発明２及び４について）
　本件発明２及び４は、本件本件発明１又は３の構成を前提とするものであるから、本件発明１及び３と同様の理由により、本件発明２及び４が甲第１乃至第２号証に記載された発明に基いて、容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　なお異議申立人の提出した参考文献１を参酌しても、本件発明１乃至４について、上記の結論は変わらない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至４に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月７日（２００２．６．７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
＊訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１における、「基板の同一平面上に酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体と金属層とが形成され、前記金属層の一部が酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体の上に重なっている半導体装置」及び「アルミニウムよりも貴である金属」を、それぞれ「基板の同一平面上に酸化インジウムスズ導電体と金属層とが形成され、前記金属層の一部が前記酸化インジウムスズ導電体の上に重なっている半導体装置」及び「アルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属」と訂正する。
＊訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項２における、「拡散防止金属層」を、「拡散防止金属層としてチタン」と訂正する。
＊訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項３における、「基板の一主面上に酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体を被着し、フォトリソグラフィにより加工する工程と、前記酸化インジウムまたは酸化錫または酸化インジウムスズ導電体上に標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を含むアルミニウムを被着し、前記標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を含むアルミニウム合金をポジ型フォトリソグラフィにより加工する工程とを含む半導体装置の製造方法。」を、「基板の一主面上に酸化インジウムスズ導電体を被着し、前記酸化インジウムスズ導電体をポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程と、前記酸化インジウムスズ導電体上に標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウムを被着し、前記標準単極電位がアルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属を含むアルミニウム合金をアルカリ性の現像液を用いるポジ型フォトリソグラフィによりパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。」と訂正する。
＊訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項４における、「アルミニウムよりも貴である金属」及び「拡散防止金属層」を、それぞれ「アルミニウムよりも貴であるパラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの金属」及び「拡散防止金属層としてチタン」と訂正する。
＊訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、段落０００６における、
「【課題を解決するための手段】
　本発明は上記目的を達成するために、配線金属としてアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を添加したものを用いるようにしたものである。添加する金属は、好ましくはパラジウム、バナジウム、タングステン、タンタル、ニッケル、インジウム、チタン等があげられる。」を、
「【課題を解決するための手段】
　本発明は上記目的を達成するために、配線金属としてアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を添加したものを用いるようにしたものである。添加する金属は、好ましくはパラジウム、バナジウム、ニッケルがあげられる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体装置およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板の同一平面上
に酸化インジウムスズ導電体
前記酸化インジウムスズ導電体
パラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの
　【請求項２】　金属層の下側に拡散防止金属層
としてチタン
　【請求項３】　基板の一主面上
に酸化インジウムスズ導電体
前記酸化インジウムスズ導電体をポジ型
パターニング
前
記酸化インジウムスズ導電体上
パラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの
パラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの
アルカリ性の現像液を用いる
パターニング
　【請求項４】　標準単極電位がアルミニウムよりも貴である
パラジウム・バナジウム・ニッケルのうちいずれかの
としてチタン
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は半導体装置、特に液晶などと組み合わせて画像表示装置を構成するための薄膜トランジスタ（以後ＴＦＴと呼ぶ）製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来のＴＦＴの構造およびその製造方法を図６を参照して説明する。まず、ガラスなどの透明絶縁基板１上にＣｒを成膜して、フォトリソグラフィー技術によりゲート電極２を形成する。次にＴＦＴの主材料である窒化シリコン（ＳｉＮｘ）からなるゲート絶縁体層３、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）半導体層４、およびソース、ドレイン電極−半導体層間でオーミック接触を得るためのｎ＋−ａ−Ｓｉからなるオーミックコンタクト層５をプラズマＣＶＤ法により連続成膜し、ＴＦＴを形成するところ以外のａ−Ｓｉ半導体層４およびオーミックコンタクト層５をフォトリソグラフィ技術によりエッチング除去する。次に酸化インジウムズズ（ＩＴＯ）を成膜して、フォトリソグラフィー技術により透明画素電極６を形成する。
　【０００３】
　次に、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）の順に成膜して、フォトリソグラフィー技術により拡散防止層７、ソース、ドレイン電極８ａ、８ｂを形成し、ＴＦＴのチャンネル部上のｎ＋−ａ−Ｓｉ層５を除去してＴＦＴが完成する。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら上記の構成を有するＴＦＴの製造方法では、ソース、ドレイン電極７ａ、７ｂを形成する際のフォトリソグラフィにポジ型レジストを用いた場合、現像液がアルカリ性であることから、図４に示すように、アルカリ水溶液中ではＩＴＯの還元電位よりもアルミニウムの酸化電位の方が卑であるために、レジストの現像工程中にアルミニウムとＩＴＯ間で酸化還元反応を起こしてＩＴＯが還元され、腐食するという課題が発生した。従って、上述のフォトリソグラフィではネガ型レジストしか使用できないため、フォトリソグラフィを加工精度が高く剥離の容易なポジ型に統一することができず、製造工程上不合理であった。
　【０００５】
　本発明は、このような従来の問題を解決するものであり、ＩＴＯと電食反応を起こすことなく、ポジ型レジストを用いてＡｌを主材とする金属配線を形成することのできる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は上記目的を達成するために、配線金属としてアルミニウムに標準単極電位がアルミニウムよりも貴である金属を添加したものを用いるようにしたものである。添加する金属は、好ましくはパラジウム、バナジウム
、
が
　【０００７】
　【作用】
　本発明は上記構成により、ポジ型レジスト用現像液中におけるアルミニウム主材とする配線金属の酸化電位が純粋なＡｌの酸化電位よりも貴側にシフトしてＩＴＯの還元電位よりも貴になるため、配線金属−ＩＴＯ間でのの電池反応が成立せず、ＩＴＯの還元反応による腐食を防止でき、従ってポジ型のフォトリソグラフィによりソース、ドレイン電極等の配線を形成でき、その結果、ネガレジストを使用するときよりも微細加工が可能となり、高精細のＴＦＴアレイを形成することができる。
　【０００８】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
　【０００９】
　図１は、本実施例によるよるＴＦＴの構造および製造方法を示す。図１（ａ）に示すように、第１の工程として絶縁透明基板上１１に金属を成膜し、ポジ形フォトリソグラフィにより所定の形状にパタ−ニングしてゲート電極１２とする。次に、図１（ｂ）に示すように、第２の工程として透明基板１１上にＰ−ＣＶＤ法等でゲート絶縁体層１３、非晶質シリコン半導体層１４、チャネル保護絶縁体層１５を成膜する。次に図１（ｃ）に示すように、第３の工程として透明絶縁基板１１上のゲ−ト電極１２上のチャネル保護絶縁体層１５をＴＦＴが形成できるようにポジ形フォトリソグラフィによりパタ−ニングする。次に図１（ｄ）に示すように、第４の工程としてＰ−ＣＶＤ法で透明絶縁基板１１上にＰ（リン）を不純物とした不純物半導体であるｎ＋：非晶質シリコン層１６を形成する。さらに図１（ｅ）に示すように、第５の工程としてチャネル保護絶縁体層１５を覆うようにｎ＋：非晶質シリコン層１６と非晶質シリコン半導体層１４とを将来ソ−ス・ドレイン電極になるようにポジ形フォトリソグラフィによりパタ−ニングする。次に図１（ｆ）に示すように、第６の工程として透明絶縁基板１１上に表示用透明画素電極材料であるＩＴＯを成膜し、画素電極１７になるようにポジ形フォトリソグラフィによりパタ−ニングする。そして図１（ｇ）に示すように、第７の工程として透明絶縁基板１１上にＴｉ等の拡散防止バリヤ金属１８、パラジウム（Ｐｄ）を５ａｔ％添加したＡｌ１９を成膜し、そのＡｌ１９の一部をすでにパターニングされている表示用透明画素電極１７であるＩＴＯの上とｎ＋：非晶質シリコン層１６の上とに重ねて接続するようにポジ形フォトリソグラフィによりパタ−ニングして、液晶表示装置のためのＴＦＴアレイを形成する。通常は最終ＳｉＮｘ膜等のパッシベ−ション膜２０を形成、パタ−ニングする工程をへてＴＦＴアレイが完成する。
　【００１０】
　本実施例によれば、ソース、ドレイン電極１９材料であるＰｄを添加したＡｌは、ポジ現像液中でＩＴＯとの間の酸化還元反応が抑制され、ＩＴＯの腐食を防止できる。これは、図４に示すように、Ｐｄを添加したＡｌのアノード分極電位がＩＴＯのカソード分極電位よりも貴であるために、ＩＴＯとの間で電池反応が成立しないためである。従って、本実施例では基本的に全てポジレジストを使用して、パタ−ニング形成できる。また、Ｐｄの添加量も数ａｔ％であるため、比抵抗の増加も小さい。
　【００１１】
　また、Ａｌに添加する金属として、Ｐｄ以外にバナジウム、タングステン、タンタル、ニッケル、インジウム、チタンを使用しても同様の効果があることを確認した。
　【００１２】
　図５に、各種金属を添加したＡｌの比抵抗および酸化電位のシフト量と添加濃度の関係を示す。図に示すごとく、添加濃度が大きくなると比抵抗が増加し、また、酸化電位のシフト量も大きくなる。酸化電位のシフト量は添加する金属の種類により異なり、添加濃度は比抵抗も考慮しながら適正に決定する。
　【００１３】
　次に本発明の第２の実施例におけるＴＦＴの製造工程について図２を用いて説明する。まず図２（ａ）に示すように、第１の工程として絶縁透明基板３１上に光遮弊金属膜３２を成膜し、ポジ形フォトリソグラフィにより所定の形状にパタ−ニングする。次に図２（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３３としてＳｉＯ２を成膜し、続いてＩＴＯを成膜して画素電極３４およびソース電極３５になるようにポジ形フォトリソグラフィによりパタ−ニングする。
　【００１４】
　次に図２（ｃ）で示すように、Ｐ−ＣＶＤ法により非晶質シリコン半導体層３６を成膜し、図のごとくポジ形フォトリソグラフィにより島状にパターニングする。その後、図（ｄ）に示すように、Ｍｏ層３７、Ｐｄを添加したＡｌ層３８を成膜し、そのＡｌ層３８の一部をソース電極３５であるＩＴＯ上に重ねて接続するようにポジ形フォトリソグラフィによりパタ−ニングしてソース配線を形成し、Ｐ−ＣＶＤ法等でゲ−ト絶縁体層３９を成膜する。最後に図（ｅ）で示すように、Ａｌを成膜してポジ形フォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極４０を形成し、本実施例のＴＦＴアレイが完成する。本実施例においても全てポジレジストを用いてパターニングできる。
　【００１５】
　次に本発明の第３の実施例におけるＴＦＴの製造工程について図３を用いて説明する。まず図３（ａ）に示すように、透明絶縁基板４１上に多結晶シリコン半導体４２を成膜し、図のごとくパターニングする。次に図３（ｂ）に示すように、ＬＰＣＶＤ法によりＳｉＯ２ゲート絶縁膜４３を成膜した後、ゲート電極４４を形成し、ＳｉＯ２層間絶縁膜４５を成膜する。次に図３（ｃ）に示すように、ソース領域４６およびドレイン領域４７となる位置のゲート絶縁膜４３に開孔し、リンをイオン注入してソース電極およびドレイン電極を形成する。次に図３（ｄ）に示すように、ＩＴＯからなる表示電極４８を形成し、最後に、Ｐｄを添加したＡｌ層４９を成膜し、パターニングしてソース配線を形成し、本実施例のＴＦＴを完成する。本実施例においても前述の実施例同様全てポジレジストを用いてパターニングできる。
　【００１６】
　次に本発明の第４の実施例におけるＴＦＴの加工方法について説明する。上述してきた第１〜第３の実施例のＴＦＴにおいて、ソース配線のパターニング後、陽極酸化法によりソース配線の表面を酸化する。本実施例によれば、ソース配線の表面が酸化膜で被覆されるため、耐腐食性が増して信頼性が向上した。
　【００１７】
　以上、実施例ではソース配線金属のみに本発明を適応したが、ゲート金属においても本発明は適応できる。たとえば、実装部にＩＴＯを用いてゲート金属と接続する場合である。この場合でも同様の効果が得られる。
　【００１８】
　【発明の効果】
　以上述べてきたように本発明によれば、低抵抗金属であるＡｌを主材料とする配線と、表示用透明画素電極であるＩＴＯが同一平面上に存在する構造を有するＴＦＴの製造方法において、全てポジレジストを使用してパタ−ニングすることができるるため、製造工程が合理化でき、製造コストを低減できる効果を有する。さらに、ポジレジストを使用してパタ−ニングするため、微細加工が可能となり、高精細のＴＦＴアレイを形成を容易にできる効果をも有する。以上、実施例としてＴＦＴアレイを代表例として述べたが、これに限るものではなく本発明はＩＴＯとアルミニウムを主材とする配線を同一平面上への形成を必要とする薄膜装置すべてに適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施例におけるＴＦＴアレイの製造工程を示す断面構造模式図
　【図２】
　本発明の第２の実施例におけるＴＦＴアレイの製造工程を示す断面構造模式図
　【図３】
　本発明の第３の実施例におけるＴＦＴアレイの製造工程を示す断面構造模式図
　【図４】
　現像液中でのＩＴＯおよび各種金属のカソード分極特性とアノード分極特性を示すグラフ
　【図５】
　各種金属を添加したＡｌの比抵抗および酸化電位のシフト量と添加濃度の関係を示すグラフ
　【図６】
　従来におけるＴＦＴの断面構造模式図
　【符号の説明】
　１１　透明絶縁基板
　１２　ゲート電極
　１３　ゲート絶縁体層
　１４　非晶質シリコン半導体層
　１５　チャンネル保護絶縁体層
　１６　ｎ＋：非晶質シリコン層
　１７　画素電極
　１８　拡散防止バリア層
　１９　ソース・ドレイン電極
　２０　パシベーション膜