【事件の表示】
　特許第２８１８３９１号「露光装置」の請求項１、８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２８１８３９１号の請求項１、８に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第２８１８３９１号（昭和６０年１１月２１日出願（特願昭６０−２６１６６９号の分割出願）、平成１０年８月２１日設定登録）は、異議申立人株式会社ニコンにより特許異議の申立てがなされ、審尋が通知され、その指定期間内である平成１１年１０月５日に回答書が提出され、その後取消理由が通知され、その指定期間内である平成１２年９月１２日に訂正請求書が提出されたものである。
　
［２］訂正の適否について
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　本件特許請求の範囲の請求項１の「等倍を超える倍率で拡大投影してフォトレジストを露光する光学系」を、「等倍を超える倍率で一度に拡大投影してフォトレジストを露光する光学系」と訂正する。
　
（１−２）訂正事項ｂ
　本件特許請求の範囲の請求項８の「等倍を超える倍率で拡大投影してフォトレジストを露光する光学系」を、「等倍を超える倍率で一度に拡大投影してフォトレジストを露光する光学系」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
　訂正事項ａ、ｂについては、本件特許請求の範囲の請求項１、２の「拡大露光」を、より下位概念である「一度に拡大投影」に限定するものであり、特許明細書の段落【００１５】に、「ガラスマスクＭのパターンは１よりも大きい倍率で基板Ｂのフォトレジストに平行なパターン光Ｌ４として一度に投影され、パターンがフォトレジストに拡大転写される。」と記載されている。
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０の４第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
　そして、上記訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
（３）独立特許要件
　訂正明細書の請求項１、８に記載された発明（以下、「本件発明１、８」という。）は、下記の理由［３］（４）により、特許出願の際独立して特許を受けることができないとすることはできない。
　また、他に本件発明１、８について特許出願の際独立して特許を受けることができないとする理由を発見しない。
　
（４）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の同法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
［３］特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　本件特許の請求項１、８に記載された発明（以下、「本件発明１、８」という。）は、本件訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、８に記載された、以下のとおりのものである（なお、請求項２〜７、請求項９〜１３に記載された事項は、それぞれ本件発明１、８の実施態様である。）。
　「【請求項１】光を照射する光源と、
　パターンを描いたマスクを前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めするマスク位置決め手段と、
　フォトレジストを塗布した固体電子デバイスの基板を前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めする基板位置決め手段と、
　前記光源からの光を前記マスクを介して前記基板に照射し、前記マスクのパターンを前記基板のフォトレジストに等倍を越える倍率で一度に拡大投影してフォトレジストを露光する光学系とを備え、
　前記基板位置決め手段は、同一のマスクにより同一の基板のフォトレジストの複数箇所に同一のパターンの露光を行うために移動可能に構成されることを特徴とする露光装置。
　【請求項８】光を照射する光源と、
　パターンを描いたマスクを前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めするマスク位置決め手段と、
　フォトレジストを塗布した固体電子デバイスの基板を前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めする基板位置決め手段と、
　前記光源からの光を前記マスクを介して前記基板に照射し、前記マスクのパターンを前記基板のフォトレジストに等倍を越える倍率で一度に拡大投影してフォトレジストを露光する光学系とを備え、
　前記マスク位置決め手段および基板位置決め手段は、前記マスク位置決め手段により順次位置決めされる複数のマスクのパターンを各パターン相互の位置を所定の関係に合わせた状態で基板のフォトレジストに順次に露光を行うために相対的に移動可能に構成されることを特徴とする露光装置。」
　
（２）異議申立ての理由の概要
　異議申立人株式会社ニコンは、以下に示す証拠を提出して、本件特許明細書の本件発明１、８及び請求項２〜７、請求項９〜１３に記載された実施態様は、以下に示す甲第１〜１５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許明細書の請求項１、８に記載された発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張している。
　
　甲第１号証：特開昭５７−１９２９２９号公報
　甲第２号証：特開昭６０−１８６８４５号公報
　甲第３号証：電子材料別冊　「超ＬＳＩの注目基礎技術」　昭５５−９−１０　工業調査会　（６０〜６５頁）
　甲第４号証：特公昭４６−３４０５７号公報
　甲第５号証：特開昭５５−１４９９２９号公報
　甲第６号証：特開昭５５−１２９３３３号公報
　甲第７号証：特開昭６０−２００５２５号公報
　甲第８号証：特開昭５５−１３２０３９号公報
　甲第９号証：特開昭５９−１１３４２６号公報
　甲第１０号証：ＳＥＭＩＣＯＮ　ＮＥＷＳ　別冊　Ｂｕｙｅｒｓ’Ｇｕｉｄｅ　８５　（２５５〜２５７頁）
　甲第１１号証：特開昭６０−１９１４３号公報
　甲第１２号証：Ｓｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９８４．５　（５９〜６４頁）
　甲第１３号証：特開昭５６−１１１２１８号公報
　甲第１４号証：特開昭６０−２１８６５０号公報
　甲第１５号証：特開昭６０−１８０１２０号公報
　
（３）甲第１〜１５号証の記載事項
＜甲第１号証＞
　甲第１号証の特開昭５７−１９２９２９号公報には、半導体集積回路の基板となるウエハ上にマスクのパターンを投影露光する投影露光装置に関する発明が第１、２図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　「周知のごとく、半導体集積回路の基板となるウエハに対し、フォトエッチング技法を用いてパターンニングを行う場合、極めて高度な解像力が要求されるので、その焦点調整を高精度で行わなければならない。
　・・・
　次に、高解像の投影装置を用いた１：１反射投影式マスクアライナを例として従来技術を第１図、第２図について説明する。第１図は構造説明図で、右定盤５の上に移動架台４が設けられ、図の左右方向に往復移動する。この移動架台４に、投影パターンを備えたマスク２を保持するマスク台３が固設され、球面座１０を形成したステージ１１が上下動可能に設けられている。・・・
　前記のウエハチャック９の上方に、ウエハの位置出しの基準となる平面位置出し装置７が設けられている。８’は上記の位置出し装置に当接した姿勢のウエハを示す。移動架台４の上方に、投影手段として凹面鏡、凸面鏡、等のミラー類よりなる光学系１が、支持台２９に支承されている。６は投影用の光源である。」（１頁左欄１７行〜２頁左上欄１４行）
　「上述の従来型装置を用いるには、第１図の如く移動架台４を左方に移動させてウエハチャック９の上にウエハ８を仮置きし、上下駆動手段２８を作動させてステージ１１を上昇させる。・・・
　・・・
　以上の如くして未露光のウエハ８を焦点面Ｓに揃えてウエハチャック９によって吸着保持し、移動架台４を第２図の如く右方へ水平に移動させる。光源６によって露光光Ｐを照射しつつ移動架台４を一定速度で動かすと、露光光Ｐがマスク２を通過する点ｐｌおよびウエハ８を通過する点ｐ２は同じ速度で走査され、パターンを備えたマスク２の像に従ってウエハ８の表面に同形状のパターンが露光される。」（２頁左上欄１５行〜右上欄２０行）
　「以上の実施例は倍率１：１の投影式マスクアライナについて述べたが、縮小投影式又は拡大投影式のマスクアライナについても同様にして本発明を適用することができる。」（４頁右下欄１６〜１９行）
　
＜甲第２号証＞
　甲第２号証の特開昭６０−１８６８４５号公報には、ＩＣやＬＳＩなどの半導体素子を製造するために、マスクの回路パターンをウエハ上の複数箇所に、ステップアンドリピート方式で順次露光する縮小投影型露光装置に関する発明が、第１、２、１０、１４図とともに開示され、さらに、以下の事項が記載されている。
　「縮小投影型露光装置の概略的な構成を第１図、第２図に基づいて説明する。
　透明部と遮光部による所定のパターンが描かれたレチクル（マスク）Ｒは、・・・均一の強度で照明される。・・・また駆動部３はレチクルステージ２をＸ方向に微動し、駆動部４はレチクルステージ２をＸ方向と直交するＹ方向に微動し、・・・一方、駆動部５によってＹ方向に移動するＹステージ６と、このＹステージ６上を駆動部７によってＸ方向に移動するＸステージ８と、・・・ウエハホルダー１０とによって２次元移動ステージ（以下、ウエハステージと呼ぶ。）が構成される。」（３頁左上欄１９行〜左下欄６行）
　「次に本実施例の動作を第１０図の概略的なフローチャート図に基づいて説明する。第１０図はレチクルＲ、ウエハＷの位置合わせ（アライメント）から露光するまでの基本的な動作を示してある。以下その工程をステップ２００〜２１３により説明するが、まず始めに、ウエハＷ上に第１層目（ファーストレイヤー）の回路パターンを転写する場合について述べる。
　・・・
　
ステップ２０１　
　・・・
　
ステップ２０７
　
＜甲第３号証＞
　甲第３号証の電子材料別冊「超ＬＳＩの注目基礎技術」（６０〜６５頁）には、図８〜１０、表１とともに、以下の事項が記載されている。
　６０頁の表１「結像転写方式一覧」には、転写光学系として、屈折系、反射系の方式があり、屈折系の転写方式としては一括転写、ステップアンドリピート方式があり、反射系の転写方式としては、走査転写方式があることが記載され、さらに、図８〜１０に示す等倍投影型転写装置ＶＬ−ＳＲ１について、結像光学系とマスク・ウエハ支持部はほぼ一体構造をなすようにし、光軸は鉛直になるように配置すること（図９）、結像光学系は、比較的大画面，深い焦点深度を達成するために等倍投影形とし、・・・アライメント機構は、結像光学系を通してウエハに垂直入射し合せマークを走査することにより、ウエハ上のマーク位置検出を行なうこと（図１０）が、それぞれ記載されている（６３頁右欄１３行〜６５頁右欄１０行参照）。
　
＜甲第４号証＞
　甲第４号証の特公昭４６−３４０５７号公報には、多重撮像写真装置及び半導体装置の製造に必要な写真蝕刻マスクの製造のための高分解能装置に関する発明が開示され、さらに第４図について、小径の光ビームが被写体１００を通して装置の光軸に正確に沿って光源箱９４から放出され、この光ビームは、光学的に影像を拡大する様に働らくレンズ系１０２からなる光学装置を通過し、被写体がシーケンシャルに走査されることいより、感光媒体１０４はシーケンシャルに露光されることが記載されている（３頁左欄末行〜右欄１６行参照）。
　
＜甲第５号証＞
　甲第５号証の特開昭５５−１４９９２９号公報には、拡大投影複写装置における投影画像の位置決め方法に関する発明が開示され、さらに第１、２図について、投影レンズ１１を用いて、原板（マイクロフィルム）１４と感光材料２を相対的に移動させ、原板（マイクロフィルム）１４と感光材料２の複数箇所に拡大露光することが記載されている。
　
＜甲第６号証＞
　甲第６号証の特開昭５５−１２９３３３号公報には、縮小投影形マスクアライナに関する発明が開示され、さらに、従来、マスクのパターンをウエハ面に１：１の比で投影させる方式か、例えば１／１０に縮小してウエハ面に移動投影する方式があることが記載され（１頁右欄２〜６行参照）、また、第１〜５図について、一枚のレチクル内の有効領域に複数個の品種の異なるパターンを配置することにより、同じ工程で２品種以上を同時に処理し、工程全体を短縮化することが記載されている（２頁左上欄８〜１２行参照）。
　
＜甲第７号証＞
　甲第７号証の特開昭６０−２００５２５号公報には、露光可能範囲より大きなサイズのパターンを複数個の範囲に分割し、分割した範囲の各パターンとウエハとを位置合わせして、個別に露光転写することでパターン全体の露光を完了する露光装置に関する発明が開示され、さらに第１〜３図について、結像光学系５により、ホトマスクＭのパターンを縮小して、ホトレジスト膜が形成されたウエーハＷ上に投影し、また、露光装置１に付設したアライメント装置１１により、ホトマスクＭおよびウエーハＷに形成した各々のアライメントマークを利用して前記ウェーハ支持テーブル６を駆動させ、ホトマスクＭとウエーハＷの相対位置決めを行なうことが記載されている（２頁右上欄８行〜２頁左下欄１５行参照）。
　
＜甲第８号証＞
　甲第８号証の特開昭５５−１３２０３９号公報には、レティクルに描かれた図形と同一もしくはこれを縮小させた図形の繰返し図形を、表面に感光材料が塗布された半導体ウエーハ、ガラス基板などの感光材料塗布基板上にステップ・アンド・リピート露光して、繰返し図形を形成する露光装置に関する発明が開示され、さらに第３、４図について、レティクル（ｌａ）をレティクル載置台（４ａ）上に載置し、レティクル載置台（４ａ）をＸ軸とＹ軸との方向に移動させてレティクル（１ａ）の第１の図形（３ａ）の中心と投写用レンズ（７）の光軸との位置合わせをし、次に、第１の図形（３ａ）以外の第２、第３、第４の図形（３ｂ）、（３ｃ）、（３ｄ）をしゃ光板（１０）でしゃ光して、第１の図形（３ａ）を投写用レンズ（７）を通してステージ（６）上に保持された感光材料塗布基板（５）上にステップ・アンド・リピート露光させることが記載されている（２頁左下欄１９行〜３頁左上欄１４行）。
　
＜甲第９号証＞
　甲第９号証の特開昭５９−１１３４２６号公報には、液晶表示板、サーマルプリンター発熱板等の製造に用いる長尺板露光装置に関する発明が開示されている。
　
＜甲第１０号証＞
　甲第１０号証のＳＥＭＩＣＯＮ　ＮＥＷＳ　別冊　Ｂｕｙｅｒｓ’Ｇｕｉｄｅ　８５　（２５５〜２５７頁）には、目的、用途に応じた種々の露光装置が記載されており、例えば、１．５μｍ以下の解像力を有するウエハ投影露光式の露光装置として、ＭＰＡ−５００ＦＡｂ（１：１反射投影式）が記載され（２２５頁上段参照）、ＮＳＲ−１５０５Ｇ３Ａ／ＮＳＲ−１０１０ｉ３（縮小投影式）が記載され、また、高密度薄膜ハイブリッドＩＣ、サーマルヘッドＬＣＤ等のパターンニングに用いられるプロキシミティタイプの露光装置が記載されている（２５７頁参照）。
　
＜甲第１１号証＞
　甲第１１号証の特開昭６０−１９１４３号公報の第１図について、レンズ８とミラー９の位置を調整して投影倍率を可変とすることで、原稿像を印刷原板上に一度に拡大または縮小露光することが記載されている（２頁右下欄５行〜３頁左下欄２行参照）。
　
＜甲第１２号証＞
　甲第１２号証のＳｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｗｏｒｌｄ　１９８４．５　（５９〜６４頁）には、縮小投影露光装置であって、従来のステッパー用縮小レンズは結像側（ウエーハ側）のみテレセンであったが、今回初めて投影側（レチクル側）もテレセンにした、両側テレセントリック投影光学系に関する発明が、図１とともに記載されている。
　
＜甲第１３号証＞
　甲第１３号証の特開昭５６−１１１２１８号公報には、反射形投影露光装置を用いた等倍のまたは縮尺した投影露光方法に関する発明が開示され、さらに第１、２図について、マスク８上を全面走査させた光の像はウェーハ７上ではウエーハの一部を走査・結像露光させるにとどまり、一度マスクパターンを走査完了した後には、ウエーハを次のステップに移動させ、再度マスク上を全面走査させた光の像をウエーハの他の位置に走査露光させることが記載されている（２頁左欄７〜１３行参照）。
　
＜甲第１４号証＞
　甲第１４号証の特開昭６０−２１８６５０号公報には、長尺パターンの露光方法に関する発明が開示され、さらに第１〜３図について、ワーク１が、ほぼ中央を境界として異なる２つのパターンＡ及びＢに分割露光され、マスク２を用いて一方のパターンＡをワーク１の一部分に露光せしめ、続いて、他方のパターンＢをワーク１の他の部分に露光せしめ、これにより長尺パターンの露光が完了することが記載されている（１頁右欄８行〜２頁左上欄１６行参照）。
　
＜甲第１５号証＞
　甲第１５号証の特開昭６０−１８０１２０号公報には、ウエハーにマスク２枚分または４枚分の連続パターンを作成する際の、ウエハーとマスクのアライメント方法に関する発明が、第２〜４図とともに開示されている。
　
（４）対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、以下のとおりである。
　甲第１号証に記載された「マスク台３、移動架台４」は、水平に移動させており、光源６からの光の光軸に対して垂直に位置決めしていることは当然のことであるから、本件発明１の「マスク位置決め手段」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された「ウエハ」は、一般にウエハを露光して集積回路を形成することは周知の事項にすぎないし、この集積回路に代表されるものが固体電子デバイスであることも、本件訂正明細書に記載されているように自明のことであるから、本件発明１の「固体電子デバイスの基板」に相当する。
　また、甲第１号証に記載された「移動架台４、平面位置出し装置７、及びチャック９」は、平面位置出し装置７によりウエハ８を平面に位置出しするとともに、移動架台４、チャック９によりウエハ８を水平に移動させており、ウエハを光源６からの光の光軸に対して垂直に位置決していることは当然のことであるから、本件発明１の「基板位置決め手段」に相当する。
　さらに、甲第１号証の、「以上の実施例は倍率１：１の投影式マスクアライナについて述べたが、・・・拡大投影式のマスクアライナについても同様にして本発明を適用することができる」との記載は、ウエハを露光してマスクのパターンと同形状のパターンを形成する場合、ウエハの表面にフォトレジストを塗布しておくことは自明の事項にすぎないことからみて、マスクのパターンをウエハのフォトレジストに拡大投影することを意味するから、本件発明１の、「マスクのパターンを基板のフォトレジストに拡大投影してフォトレジストを露光する」ことに相当する。
　してみると、両者は、本件発明１の構成に沿って記載すると、「光を照射する光源と、パターンを描いたマスクを前記光源からの光の光源に対して垂直に位置決めするマスク位置決め手段と、フォトレジストを塗布した固体電子デバイスの基板を前記光源からの光の光源に対して垂直に位置決めする基板位置決め手段と、前記光源からの光を前記マスクを介して前記基板に照射し、前記マスクのパターンを前記基板のフォトレジストに拡大投影してフォトレジストを露光する光学系とを備えた露光装置。」の点で一致するものの、以下の点（１）、（２）で相違する。
　
（１）本件発明１が「一度に拡大投影」するものであるのに対し、甲第１号証に記載された装置は「走査して拡大投影」するものである点。
（２）本件発明１が「基板位置決め手段は、同一のマスクにより同一の基板のフォトレジストの複数箇所に同一のパターンの露光を行うために移動可能」であるのに対し、甲第１号証に記載された装置はこのようなものではない点。
　
　そこで、上記相違点（１）、（２）について、以下検討する。
　相違点（１）については、甲第１号証に記載された発明は、移動架台を移動させてマスクとウエハを同じ速度で走査する際に、マスクとウエハの焦点誤差を検出して、その誤差が無くなるように自動的に焦点調整を行なうようにしたものであって、甲第１号証には、走査する方式の装置により縮小、等倍、及び拡大投影することは開示されているものの、本件発明１のように、一度に拡大投影する方式の装置については何も記載されていないし示唆もされていない。
　また、甲第２、３、６〜８、１０、１２、１３、及び１５号証（以下、「甲第２号証等」という。）には、マスクのパターンをウエハ、すなわち固体電子デバイスの基板に一度に縮小、等倍投影することは記載されているものの、固体電子デバイスの基板に一度に拡大投影することについては何も記載されていないし示唆もされていない。
　さらに、甲第４、５、１１号証には、拡大投影を行なう装置が記載されているものの、いずれも感光材、印刷原板を投影対象とするものであって、固体電子デバイスの基板を投影対象とするものではない。また、甲第９、１４号証に記載された装置についても、ウエハを投影対象とするものではないし、ましてや、固体電子デバイスの基板に一度に拡大投影することについては何も記載されていないし示唆もされていない。
　そして、一般に、一度に投影する方式の装置を走査する方式の装置に変更することは、投影精度や投影速度の相違等からみて容易になし得るとは認められないから、甲第２号証等に記載されている、マスクのパターンをウエハ、すなわち固体電子デバイスの基板に一度に投影する方式の装置において、縮小、等倍投影する方式を、甲第１号証に記載されている、走査する方式の装置が採用している拡大投影する方式に変更して、本件発明１の相違点（１）の構成とすることは容易に想到することはできない。
　同様に、甲第１号証に記載されている、走査する方式により拡大投影する装置において、走査する方式を、甲第２号証等に記載されている、縮小・等倍する装置が採用している一度に投影する方式に変更することは、容易に想到することはできない。
　
（２）本件発明８について
　本件発明８は、本件発明１の構成であるマスク位置決め手段及び基板位置決め手段について、「マスク位置決め手段により順次位置決めされる複数のマスクのパターンを各パターン相互の位置を所定の関係に合わせた状態で基板のフォトレジストに順次に露光を行なうために相対的に移動可能に構成される」点を限定したものであって、本件発明８のその他の構成は本件発明１の構成と同一である。
　してみれば、上記「（１）本件発明１について」において説示したとおり、本件発明１が、甲第１〜１５号証に記載されたものを組み合わせてみても、本件発明１の上記相違点（１）を容易に想到することはできない以上、本件発明８は、甲第１〜１５号証に記載されたものを組み合わせてみても、本件発明１の上記相違点（１）を容易に想到することはできない。
　
　そして、本件発明１、８は、超高精度のマスクを用いることにより、大型の基板に高精度のパターンを形成することができ、アクティブマトリックスが他液晶表示素子のような高精度の表示デバイスの大型化が可能となるという、訂正明細書に記載の顕著な効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は、相違点（２）については検討するまでもなく、甲第１〜１５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではないし、また、本件発明８についても、甲第１〜１５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　なお、本件訂正明細書の請求項２〜７、請求項９〜１３に記載された本件発明１、８の実施態様については、検討しない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１、８についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願についてなされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月１７日（２００２．６．１７）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、本件特許請求の範囲の請求項１の「等倍を超える倍率で拡大投影してフォトレジストを露光する光学系」を、「等倍を超える倍率で一度に拡大投影してフォトレジストを露光する光学系」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、本件特許請求の範囲の請求項８の「等倍を超える倍率で拡大投影してフォトレジストを露光する光学系」を、「等倍を超える倍率で一度に拡大投影してフォトレジストを露光する光学系」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
露光装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　光を照射する光源と、
　パターンを描いたマスクを前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めするマスク位置決め手段と、
　フォトレジストを塗布した固体電子デバイスの基板を前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めする基板位置決め手段と、
　前記光源からの光を前記マスクを介して前記基板に照射し、前記マスクのパターンを前記基板のフォトレジストに等倍を越える倍率で
一度に
　前記基板位置決め手段は、同一のマスクにより同一の基板のフォトレジストの複数箇所に同一のパターンの露光を行なうために移動可能に構成されることの複数箇所に同一のパターンの露光を行うために移動可能に構成されることを特徴とする露光装置。
　【請求項２】　光学系は、拡大したマスクのパターンを平行光として基板のフォトレジストに投影することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
　【請求項３】　光学系は、屈折形光学系を主体として構成されることを特徴とする請求項１または２記載の露光装置。
　【請求項４】　光学系は、反射形光学系を主体として構成されることを特徴とする請求項１または２記載の露光装置。
　【請求項５】　マスク位置決め手段に複数のマスクを順次位置決めし、前記マスク位置決め手段および基板位置決め手段を相対的に移動して各マスクのパターンを各パターン相互の位置を所定の関係に合わせた状態で基板のフォトレジストに順次に露光することを特徴とする請求項１ないし４いずれか記載の露光装置。
　【請求項６】　基板位置決め手段は、光源からの光の光軸に対して垂直に移動可能に構成されることを特徴とする請求項１ないし５いずれか記載の露光装置。
　【請求項７】　マスクは複数のパターンを含むことを特徴とする請求項１ないし６いずれか記載の露光装置。
　【請求項８】　光を照射する光源と、
　パターンを描いたマスクを前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めするマスク位置決め手段と、
　フォトレジストを塗布した固体電子デバイスの基板を前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めする基板位置決め手段と、
　前記光源からの光を前記マスクを介して前記基板に照射し、前記マスクのパターンを前記基板のフォトレジストに等倍を越える倍率で
一度に
　前記マスク位置決め手段および基板位置決め手段は、前記マスク位置決め手段により順次位置決めされる複数のマスクのパターンを各パターン相互の位置を所定の関係に合わせた状態で基板のフォトレジストに順次に露光を行なうために相対的に移動可能に構成されることを特徴とする露光装置。
　【請求項９】　光学系は、拡大したマスクのパターンを平行光として基板のフォトレジストに投影することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
　【請求項１０】　光学系は、屈折形光学系を主体として構成されることを特徴とする請求項８または９記載の露光装置。
　【請求項１１】　光学系は、反射形光学系を主体として構成されることを特徴とする請求項８または９記載の露光装置。
　【請求項１２】　基板位置決め手段は、光源からの光の光軸に対して垂直に移動可能に構成されることを特徴とする請求項８ないし１１いずれか記載の露光装置。
　【請求項１３】　マスクは複数のパターンを含むことを特徴とする請求項８ないし１１いずれか記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、たとえば集積回路に代表される固体電子デバイスを製造する際に固体電子デバイスの基板にパターンを形成するための露光装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　集積回路に代表される固体電子デバイスの製造工程においては、フォトリソグラフィ技術が多用され、露光装置によるパターンの露光は必要不可欠である。
　【０００３】
　そして、この露光装置には、所定のパターンを描いたマスクとこのマスクのパターンが転写される固体電子デバイスの基板を接触状態で重ねて露光するコンタクト方式、マスクと基板とを１０〜５０μｍ程度離間した状態で重ねて露光するプロキシミティ方式、マスクと基板とを十分に分離した状態で投影光学系に配置して露光する投影露光方式がある。
　【０００４】
　また、コンタクト方式およびプロキシミティ方式には、様々な基板サイズに応じた装置があるが、マスクと基板を重ねるため、基板の表面に塗布したフォトレジストがマスクに付着したり、マスクに傷が付いたりしやすく、基板に転写されたパターンに欠陥が多く、この欠陥を解消するものとして、投影露光方式の露光装置が登場し、集積回路の分野では主流になりつつあり、この投影露光装置では、マスクと基板が十分な距離をおいて配置されるため、フォトリソグラフィで発生する欠陥は大幅に減少する。
　【０００５】
　さらに、現在用いられている投影露光装置には、マスクのパターンを等倍で基板に投影するものと、１／５あるいは１／１０に縮小して投影するものがあり、その投影光学系には、ミラーを用いた反射形のものと、レンズを用いた屈折形のものがある。
　【０００６】
　一方、マスクの現状の性能を見ると、ガラスマスクの場合、１０μｍパターンで誤差１μｍ以下の高精度の仕様を満足するものとしては、７インチ角の基板、すなわち実効パターンエリアが６インチ角程度のものが最大であり、これ以上のサイズでは基板の平坦性の維持、累積ピッチ誤差量あるいはガラスマスクの製造装置などの問題で、高精度マスクを得るのが難しい。
　【０００７】
　したがって、高精度マスクを用いて投影露光を行なう場合、最大で６インチ角程度のパターンしか得られないが、同時に、７インチ角サイズまでのマスクであれば、超高精度の１μｍパターンで、誤差０．１μｍ程度のものを得ることも可能である。
　【０００８】
　また、最近、アクティブマトリックス形液晶表示素子といわれるもので、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）をマトリックス状に配列した基板を用いる高精度・高性能の表示デバイスの開発が盛んであり、たとえば昭和５８年電気四学会連合大会予稿集、講演番号１６−６（第３頁−第４１頁）には、その概要が紹介されている。
　【０００９】
　表示デバイスは、人間の目で見るという性格上、ある程度の大きさと解像度が要求され、たとえば対角１０インチあるいは１４インチで、画素数が４００×６４０のものは、表示デバイス開発の一つの目標で、アクティブマトリックス形液晶表示素子は、大形の表示デバイスを実現し得る有望なものであるが、薄膜トランジスタを形成するためには、数回のリソグラフィを行なう必要があり、通常は１０μｍパターン程度の高精度のマスクと、高性能の露光装置が必要で、さらに、欠陥のないパターンを得るためには投影露光方式で露光を行なう必要がある。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述したような１０μｍパターンで、誤差１μｍ程度の高精度のマスクと、従来の等倍露光あるいは縮小露光の投影露光装置との組合わせでは、アクティブマトリックス形液晶表示素子は６インチ角程度のものしか得られない問題を有している。
　【００１１】
　本発明は、上記問題点に鑑みなされたもので、大形の固体電子デバイスの基板にパターンを露光する露光装置を提供することを目的とする。
　【００１２】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、光を照射する光源と、パターンを描いたマスクを前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めするマスク位置決め手段と、フォトレジストを塗布した固体電子デバイスの基板を前記光源からの光の光軸に対して垂直に位置決めする基板位置決め手段と、前記光源からの光を前記マスクを介して前記基板に照射し、前記マスクのパターンを前記基板のフォトレジストに等倍を越える倍率で拡大投影してフォトレジストを露光する光学系とを具備したもので、光学系により、光源の光をマスク位置決め手段に位置決めしたマスクに描かれたパターンを介して、基板位置決め手段に位置決めした基板に塗布されたフォトレジストに、等倍を越える倍率でマスクのパターンを拡大して基板のフォトレジストに投影し、比較的に小形のマスクを用いて、比較的に大形の基板のフォトレジストに、拡大したマスクのパターンを高精度に露光する。
　【００１３】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の露光装置の一実施の形態を図面を参照して説明する。
　【００１４】
　図１は、第１の実施の形態を示すもので、１は光源で、この光源１からの放射光Ｌ０を平行光Ｌ１にする光学系としてのレンズ系、および、ガラスマスクＭを平行光Ｌ１に垂直に位置決めするマスク位置決め手段３を有している。なお、ガラスマスクＭは表面に微細なパターン（図面にはＡＢと大きく示してある）を描いた比較的に小形のものである。さらに、マスク位置決め手段３に位置決めしたガラスマスクＭを透過した平行なパターン光Ｌ２を一旦集光した後、放射状のパターン光Ｌ３として拡大する光学系としてのレンズ系４、拡大された放射状のパターン光Ｌ３を平行なパターン光Ｌ４にする光学系としてのレンズ系５、および、固体電子デバイスの基板Ｂを拡大された平行なパターン光Ｌ４に垂直に位置決めする基板位置決め手段６を有しており、基板Ｂは表面にフォトレジストを塗布した比較的に大形のものである。なお、説明を簡単にするため、ハウジングなどは省略してある。
　【００１５】
　そして、この図１に示す実施の形態の場合、所定のパターンを描いたガラスマスクＭをマスク位置決め手段３に位置決めするとともに、フォトレジストを塗布した基板Ｂを基板位置決め手段６に位置決めした状態で、光源１を所定時間点灯するか、もしくは、光源１を点灯した状態で光源１と基板Ｂとの間に配設した図示しないシャッターを所定時間開口すると、ガラスマスクＭのパターンは１よりも大きい倍率で基板Ｂのフォトレジストに平行なパターン光Ｌ４として１度に投影され、パターンがフォトレジストに拡大転写される。
　【００１６】
　なお、基板Ｂには、この露光工程の後に、現像工程および定着工程を経て、安定なパターンが残され、このパターンをエッチングマスクとして、通常の集積回路の製造と同様に、基板Ｂ上に薄膜などをエッチングする。
　【００１７】
　この拡大転写に際して、前述のように、基板Ｂがアクティブマトリックス形液晶表示素子用の場合には、１０μｍ程度の高精度のパターンが必要とされるが、ガラスマスクＭには１μｍ程度の超高精度のパターンが得られるので、レンズ系４の拡大倍率は１０倍程度まで設定できる。
　【００１８】
　そして、ガラスマスクＭと基板Ｂとを十分に離すことができるので、両者が接触することはなく、したがって、環境がダストフリーで、基板Ｂのフォトレジストにごみなどがなければ、フォトレジストに拡大転写されたパターンは欠陥のないパターンとなる。
　【００１９】
　また、基板Ｂがマルチプレックス形液晶表示素子用の場合、一層のみの配線でよいので、露光も一回でよいが、基板Ｂがアクティブマトリックス形液晶表示素子用の場合には、薄膜トランジスタを形成するために複数のガラスマスクＭを用い、各ガラスマスクＭを順次にマスク位置決め手段３に位置決めして数回の露光を行なう。そして、この際に、先に基板Ｂに形成したパターンに対し、次のガラスマスクＭのパターンを所定の関係に合わせる必要があり、このような場合には、各ガラスマスクＭおよび基板Ｂに対応する位置合わせ用のマークＭ１、Ｂ１を設けておき、たとえば基板位置決め手段６を移動することにより、この各マークＭ１、Ｂ１を一致させればよい。
　【００２０】
　なお、先に基板Ｂに形成したパターンに対し、次のガラスマスクＭのパターンを所定の関係に合わせるための位置合わせ機構としては、通常この種の露光装置に付加されているアライナ（Ａｌｉｇｎｅｒ）と呼ばれる位置合わせ機構（Ａｌｉｇｎｉｎｇ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ）を用いるが、その位置合わせの方法としては、作業者が顕微鏡で各マークＭ１、Ｂ１をのぞいて、基板位置決め手段６を移動するマニュアル法、レーザビームスキャンにより基板Ｂの位置を認定して自動的に位置合わせする方法、レーザビームの干渉により基板Ｂの位置を認定して自動的に位置合わせする方法、あるいは、マニュアル法において人間の目の代わりにＣＣＤを用いて自動的に位置合わせする方法などがある。
　【００２１】
　また、基板位置決め手段６にステップ＆リピート機能を持たせて、基板Ｂを光軸に対して垂直に移動できるように形成すると、同一のガラスマスクＭを用いて、基板Ｂのフォトレジストの複数箇所に同一のパターンを露光することもでき、ガラスマスクＭに複数のパターンを描いておき、これらの各パターンを基板Ｂのフォトレジストに同時に露光することもできる。
　【００２２】
　また、図２は図１に示した第１の実施の形態を変形した第２の実施の形態を示すもので、露光装置のコンパクト化のために、光学系としてのレンズ系２とマスク位置決め手段３のガラスマスクＭの間において、光学系としての平面鏡１１により光軸を直角に曲げたものである。
　【００２３】
　さらに、図３は第３の実施の形態を示すもの、光学系としてのレンズ系２１は光源１からの放射光Ｌ０を集光してマスク位置決め手段３に位置決めされたガラスマスクＭに均等に照射し、光学系としてのレンズ系２２はマスクＭを透過したパターン光Ｌ５を基板位置決め手段６に位置決めされた基板Ｂのフォトレジストに１よりも大きい倍率で結像させ、この第３の実施の形態の場合、基板Ｂに投影されるパターンは平行光ではないが、基板Ｂの平坦度がよい場合には、問題なく適用できる。
　【００２４】
　そして、この第３の実施の形態では、第１の実施の形態と比較して、レンズ系を１枚少なくすることができ、パターンを基板Ｂに結像投影するレンズ系２２の口径も小さくできる。
　【００２５】
　またさらに、図４は第４の実施の形態を示すもので、光学系としての平面鏡３１はマスク位置決め手段３に位置決めされたガラスマスクＭを透過した平行なパターン光Ｌ２の光軸を直角に曲げ、光学系としての平面鏡３２は平面鏡３１によって曲げられた平行なパターン光Ｌ２を基板位置決め手段６に位置決めされた基板Ｂのフォトレジストに斜めに照射して１よりも大きい倍率で投影する。この第４の実施の形態の場合、第１の実施の形態、第２の実施の形態および第３の実施の形態のようにレンズ系４，２２のような屈折形の光学系によりガラスマスクＭのパターンを拡大する代わりに、平面鏡３２のような反射形の光学系によりガラスマスクＭのパターンを拡大するものである。
　【００２６】
　なお、パターンを拡大する拡大機能を備えた光学系としては、屈折形のレンズや反射形の平面鏡だけでなく、凹面鏡や凸面鏡のような反射形の曲面鏡や屈折形のプリズムも用いることができるが、いずれにしても、光学系の歪みや収差などは１０μｍ程度の高精度のパターンを形成するためには、極めて小さなものであることが必要である。
　【００２７】
　以上の説明では、ガラスマスクを用いたが、目的に応じてフィルムマスクやメタルマスクを用いることができる。
　【００２８】
　なお、マスク全体のパターンを一度に拡大投影して基板のフォトレジストに形成すれば、短時間で高精度の大形の表示デバイスを形成できる。
　【００２９】
　【発明の効果】
　本発明によれば、比較的に小形のマスクを用いて、比較的に大形の固体電子デバイスの基板に等倍を越える倍率でマスクのパターンを拡大して形成し、この拡大されたパターンを基板のフォトレジストに投影して露光するので、超高精度のマスクを用いることにより、大形の基板に高精度のパターンを形成することができ、アクティブマトリックス形液晶表示素子のような高精度の表示デバイスの大形化が可能となり、このような＜表示デバイスを大量にかつ安価にできる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施の形態を示す構成図である。
　【図２】
　同上第２の形態を示す構成図である。
　【図３】
　同上第３の実施の形態を示す構成図である。
　【図４】
　同上第４の実施の形態を示す構成図である。
　【符号の説明】
　１　　光源
　２，４，５，２１，２２　　光学系としてのレンズ系
　３　　マスク位置決め手段
　６　　基板位置決め手段
　１１，３１，３２　　光学系としての平面鏡
　Ｍ　　マスク
　Ｂ　　基板