【事件の表示】
　特願２０１６−５４９８４３「フラッシュメモリ内蔵マイコン、マイコンに内蔵されたフラッシュメモリへのデータ書込み方法、および、フラッシュメモリへのデータを書込むプログラム」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　３月３１日国際公開、ＷＯ２０１６／０４６９４０、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１４年９月２５日を国際出願日とする出願であって，平成３０年４月１６日付けで拒絶の理由が通知され，同年６月２２日に意見書とともに手続補正書が提出され，同年１１月３０日付けで拒絶査定（謄本送達日同年１２月１１日）がなされ，これに対して平成３１年３月８日に審判請求がなされ，令和元年７月２６日付けで当審により拒絶の理由が通知され，同年９月２０日に意見書とともに手続補正書が提出され，同年１０月３日付けで当審により拒絶の理由が通知され，同年１０月９日に手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　１，６，７
・引用文献等　１−３
・請求項　２−５
・引用文献等　１−４
＜引用文献等一覧＞
１．特開２０１３−００３８６９号公報
２．特開２００６−０４０２６４号公報
３．特開２００９−２２３４３５号公報
４．特開２０００−１０５６９４号公報
第３　本願発明
　本願請求項１乃至７に係る発明（以下「本願発明１」乃至「本願発明７」という。）は，令和元年１０月９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至７に記載された，次のとおりのものと認める。
「　【請求項１】
　順に更新される少なくとも２つのメモリブロックを含み、
　前記それぞれのメモリブロックは、ブロック管理情報とデータを格納する複数のスロットとを含み、
　前記ブロック管理情報はデータが更新された順を示す更新カウンタを含み、
　前記複数のスロットの各々は、更新されたデータと、その書込みが完了した旨の書込み完了フラグとを有し、
　前記２つのメモリブロックの一方のメモリブロックの複数のスロットについて、更新カウンタの順でデータが更新され、一方のメモリブロックの複数のスロットのデータが全て更新されると、他方のメモリブロックの複数のスロットについて、更新カウンタの順でデータの更新がされ、これが順に繰り返され、
　前記２つのメモリブロックの更新カウンタに基づいて最も新しく更新されたメモリブロックを検出するメモリブロック検出手段と、
　前記メモリブロック検出手段の検出したメモリブロックにおいて、
前記更新カウンタの順に基づいて、前記書込み完了フラグが正しく記録された旨を示すスロットを見つけ、
最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出するスロット検出手段と、を含み、それによって、電源断時に対処する、フラッシュメモリ内蔵マイコン。
　　【請求項２】
前記メモリブロックは所定のフォーマットに構成され、
　前記メモリブロックが前記所定のフォーマットに構成されたことを示すフォーマット完了フラグを有し、
　前記ブロック管理情報は前記フォーマット完了フラグを含む、請求項１に記載のフラッシュメモリ内蔵マイコン。
　　【請求項３】
　　前記メモリブロックはブロックが消去されたときにその完了を示す消去完了フラグを有し、
　前記ブロック管理情報は前記消去完了フラグを含む、請求項１または２に記載のフラッシュメモリ内蔵マイコン。
　　【請求項４】
　　前記メモリブロックは所定のユーザデータのサイズ情報を有し、
　前記ブロック管理情報は前記ユーザデータのサイズ情報を含む、請求項１〜３のいずれかに記載のフラッシュメモリ内蔵マイコン。
　　【請求項５】
　　前記ブロック管理情報は、前記更新カウンタをビット反転したビット反転カウンタを含む、請求項１〜４のいずれかに記載のフラッシュメモリ内蔵マイコン。
　　【請求項６】
　順に更新される少なくとも２つのメモリブロックを含む、マイコンに内蔵されたフラッシュメモリへのデータの書込み方法であって、
　それぞれのメモリブロックは、ブロック管理情報とデータを格納する複数のスロットとを含み、
　ブロック管理情報はデータが更新された順を示す更新カウンタを含み、
　複数のスロットの各々は、更新されたデータと、その書込みが完了した旨の書込み完了フラグとを有し、
　前記２つのメモリブロックの一方のメモリブロックの複数のスロットについて、更新カウンタの順でデータが更新され、一方のメモリブロックの複数のスロットのデータがすべて更新されると、他方のメモリブロックの複数のスロットについて、更新カウンタの順でデータの更新がされ、これが順に繰り返され、
　前記２つのメモリブロックの更新カウンタに基づいて最も新しく更新されたメモリブロックを検出するステップと、
　検出ステップで検出されたメモリブロックにおいて、更新カウンタの順に基づいて、前記書込み完了フラグが正しく記録された旨を示すスロットを見つけ、最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出するステップとを含み、それによって、電源断時に対処する、マイコンに内蔵されたフラッシュメモリへのデータ書込み方法。
　　【請求項７】
　順に更新される少なくとも２つのメモリブロックを含む、内蔵されたフラッシュメモリを有するマイコンにおける、フラッシュメモリへのデータを書込むプログラムであって、
　それぞれのメモリブロックは、ブロック管理情報とデータを格納する複数のスロットとを含み、
　ブロック管理情報はデータが更新された順を示す更新カウンタを含み、
　複数のスロットの各々は、更新されたデータと、その書込みが完了した旨の書込み完了フラグとを有し、
　前記２つのメモリブロックの一方のメモリブロックの複数のスロットについて、更新カウンタの順でデータが更新され、一方のメモリブロックの複数のスロットのデータがすべて更新されると、他方のメモリブロックの複数のスロットについて、更新カウンタの順でデータの更新がされ、これが順に繰り返され、
　マイコンを、２つのメモリブロックの更新カウンタに基づいて、最も新しく更新されたメモリブロックを検出するステップと、
　検出ステップで検出されたメモリブロックにおいて、更新カウンタの順に基づいて、前記書込み完了フラグが正しく記録された旨を示すスロットを見つけ、最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出するステップとを含むように実行させ、それによって、電源断時に対処する、マイコンを用いて内蔵されたフラッシュメモリへデータを書込むプログラム。」
第４　引用例
１　引用例１に記載された事項及び引用発明
　原査定の拒絶の理由において引用した，本願の出願前に既に公知である，特開２０１３−３８６９号公報（平成２５年１月７日公開。以下，これを「引用例１」という。）には，関連する図面と共に，次の事項が記載されている。（下線は当審で説明のために付加。以下同様。）
Ａ　「【０００３】
　
ＩＣカード
電源を切っても記憶内容を保持することができる不揮発性メモリが用いられ
不揮発性メモリには、
フラッシュメモリは、大容量化を容易かつ低コストで実現できる
…（中略）…
【０００８】
　ところで、フラッシュメモリ等の不揮発性メモリでは、
一括消去処理や書き込み処理の実行中に、何らかの原因により、電源断が発生する場合がある
書き込み処理の実行中に電源断が発生すると
記憶すべきデータの一部が欠落した状態となる等の問題が発生する
…（中略）…
【００１６】
　また、本発明の不揮発性半導体記憶装置におけるメモリセルブロック特定部は、ステータス情報に現在使用中である旨の情報が含まれるメモリセルブロックが複数あるとき、その複数のメモリセルブロックのうち、更新履歴情報に直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示す内容が含まれているメモリセルブロックを、現在使用中のメモリセルブロックとする。
【００１７】
　上記構成によって、
ステータス情報が何らかの原因でデータ化けをした場合でも、現在使用中のメモリセルブロックを特定することができる
Ｂ　「【００３１】
　以下、本発明のメモリ管理方法および不揮発性半導体記憶装置について、図面を用いて説明する。まず、図１に、本発明のメモリ管理方法および
不揮発性半導体記憶装置をＩＣカードへ適用し
ＩＣカード１は、１以上のアドレスを有するメモリセルブロックを複数備え、ＩＣカード１の動作に必要なデータを記憶するフラッシュメモリ１１
ＩＣカード１の各種機能を実現するＣＰＵ１０と、ＣＰＵ１０による制御プログラムの実行において生成される各種データを一時的に記憶するためのＲＡＭ１２を備え
【００３２】
　また、ＩＣカード１は、リーダライタ装置（図示せず）と物理的に接続してデータ通信を行うための接触式用通信Ｉ／Ｆ１４と、リーダライタ装置と物理的に接続せずにデータ通信を行うための非接触式用通信Ｉ／Ｆ１５のうちの少なくとも一方を備えて構成されている。本実施形態では、ＩＣカード１は、接触式用通信Ｉ／Ｆ１４または非接触式用通信Ｉ／Ｆ１５を介して、リーダライタ装置から電源供給を受けるように構成されている。
【００３３】
　
ＣＰＵ１０は、
フラッシュメモリ１１の各メモリセルブロックの記憶状態に応じて、フラッシュメモリ１１に対し、メモリセルブロック単位での一括消去処理、所定アドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理、および、メモリセルブロック単位でのデータ更新処理等の制御を行う
Ｃ　「【００３９】
　図３に、フラッシュメモリ１１の詳細構成を示す。図３の例では、
フラッシュメモリ１１は、ブロック（「メモリセルブロック」の略称）１〜ブロック４で示された４個のメモリセルブロックを含んで
各メモリセルブロックは、ステータス情報記憶領域（１０１，２０１，３０１，４０１）、更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２，３０２，４０２）が設けられ、残余の領域がデータ記憶領域（１０３，２０３，３０３，４０３）となっている
【００４０】
　
メモリセルブロックにデータが何も記憶されていない状態
では、
ステータス情報記憶領域は「未使用」、更新履歴情報記憶領域は「値なし」、データ記憶領域は「空き」となっている
【００４１】
　また、
メモリセルブロックにデータが書き込まれると、そのメモリセルブロック
には、ステータス情報記憶領域（１０１，２０１）、更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２）には、状態に応じた値が書き込まれ、データ記憶領域（１０３，２０３）にデータが書き込まれ
Ｄ　「【００４３】
　図４を用いて、上述のステータス情報記憶領域（１０１，２０１，３０１，４０１）の詳細について、ブロック１のステータス情報記憶領域１０１を例に挙げて説明する。
ステータス情報記憶領域は、
１バイト×４の４バイトの領域で構成され、それぞれ、「使用中」領域１０１ａ，「コピー中」領域１０１ｂ，「使用済」領域１０１ｃ，「故障」領域１０１ｄのように区分され
ブロック１が未使用のときは、ステータス情報記憶領域１０１の全領域（１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ）に何も書き込まれていない状態（データが消去された状態）となっている
【００４４】
　図４（ｂ）のように、
ブロック１を使用中のときは、「使用中」領域１０１ａに予め定められた値が書き込まれ
他のメモリセルブロックへデータをコピーするデータ更新処理を実行中のときには、「コピー中」領域１０１ｂに予め定められた値が書き込まれ
【００４５】
　そして、
データ更新処理を終了すると、
「使用済」領域１０１ｃに予め定められた値が書き込まれ
Ｅ　「【００５０】
　図５を用いて、更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２，３０２，４０２）の詳細について、
ブロック１の更新履歴情報記憶領域１０２
は、更新履歴情報としてカウンタを用いている
このカウンタは、データ更新処理において、自身がコピー先となったときに、コピー元のメモリセルブロックの更新履歴情報記憶領域のカウンタ値に対して、インクリメントした（あるいはデクリメントした）ものを記憶する
【００５１】
　なお、図３の、更新履歴情報記憶領域（３０２，４０２）の「カウンタ（値なし）」は、データ削除時に書き込まれる値、あるいは初期値等の予め定められた値のような、カウンタ値が通常時に示す値とは異なる値となっていることを示している。
【００５２】
　
更新履歴情報は、直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示すもの
Ｆ　「【００５６】
　図６に、
フラッシュメモリのデータ記憶領域に記憶されるデータの構成
データは、データＩＤ，データ値，データ値
のチェックサムを含んでいる
ブロック２に既に記憶されているデータが更新され、更新データが空き領域２０３ｂに追記されたとき、ブロック２には同じデータＩＤを持つデータが複数記憶され
データはデータ記憶領域２０３の先頭アドレスから書き込まれるので、同じデータＩＤで、最も大きいアドレスに書き込まれているものが最新のデータであると判断でき
Ｇ　「【００６１】
　図９，図４を用いて、ＲＯＭ１３に記憶された制御プログラムに含まれ、
ＣＰＵ１０が実行するデータ更新処理
現在使用中のメモリセルブロックのデータ記憶領域が一杯になったときに実行
【００６２】
　まず、
ブロック１
のステータス情報記憶領域１０１の「コピー中」領域１０１ｂに０ｘ５Ａを書き込む
ブロック１のデータをブロック２にコピーする
コピーするデータは各データＩＤの最新のもののみである
【００６３】
　
データのコピーが終了したとき
、ブロック２のステータス情報記憶領域２０１の「使用中」領域２０１ａに０ｘ５Ａを書き込む
ブロック２の更新履歴情報記憶領域２０２
に０ｘ０１を書き込む
ブロック１の更新履歴情報記憶領域１０２（カウンタ値１０２ａ）には０ｘ００が書き込まれているので、その値をインクリメントしたものを更新履歴情報記憶領域２０２に書き込んでいる
【００６４】
　最後に、
ブロック１のステータス情報記憶領域１０１の「使用済」領域１０１ｃに０ｘ５Ａを書き込む
Ｈ　「【００６７】
　図１０を用いて、ＲＯＭ１３に記憶された制御プログラムに含まれ、ＣＰＵ１０が実行する
ブロック特定処理
【００６８】
　次に、
フラッシュメモリ１１の全てのメモリセルブロック（ブロック１〜４）のステータス情報記憶領域（１０１，２０１，３０１，４０１）および更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２，３０２，４０２）の内容を読み込む
ステータス情報の「使用中」領域に０ｘ５Ａが書き込まれているブロック、すなわち現在使用中のメモリセルブロックを検索する
【００６９】
　次に、
現在使用中のメモリセルブロックがあり
、現在使用中のメモリセルブロックが複数ないとき
、検索したメモリセルブロックを現在使用中のメモリブロックとして特定する
【００７０】
　一方、
現在使用中のメモリセルブロックがなかったとき
、あるいは、現在使用中のメモリセルブロックが複数あったとき
、読み込んだ更新履歴情報記憶領域の内容から、カウンタ値が最大である（すなわち、直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示す値を記憶する）メモリセルブロックを検索する
【００７１】
　
カウンタ値が最大であるメモリセルブロックを検索できたとき
、そのメモリセルブロックを現在使用中のメモリセルブロックとして特定する
　以上記載事項Ａ乃至Ｈから，引用例１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「電源を切っても記憶内容を保持することができる，大容量化を容易かつ低コストで実現できるフラッシュメモリを不揮発性メモリとして用いたＩＣカードであって，
　従来，一括消去処理や書き込み処理の実行中に，何らかの原因により，電源断が発生する場合があり，書き込み処理の実行中に電源断が発生すると，記憶すべきデータの一部が欠落した状態となる等の問題が発生することがあり，
　ステータス情報が何らかの原因でデータ化けをした場合でも，現在使用中のメモリセルブロックを特定することができ，
　当該ＩＣカードは，１以上のアドレスを有するメモリセルブロックを複数備え，ＩＣカードの動作に必要なデータを記憶するフラッシュメモリ１１，ＩＣカードの各種機能を実現するＣＰＵ１０と，ＣＰＵ１０による制御プログラムの実行において生成される各種データを一時的に記憶するためのＲＡＭ１２を備え，
　ＣＰＵ１０は，フラッシュメモリ１１の各メモリセルブロックの記憶状態に応じて，フラッシュメモリ１１に対し，メモリセルブロック単位での一括消去処理，所定アドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理，および，メモリセルブロック単位でのデータ更新処理等の制御を行い，
　フラッシュメモリ１１は，ブロック（「メモリセルブロック」の略称）１〜ブロック４で示された４個のメモリセルブロックを含み，各メモリセルブロックは，ステータス情報記憶領域（１０１，２０１，３０１，４０１），更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２，３０２，４０２）が設けられ，残余の領域がデータ記憶領域（１０３，２０３，３０３，４０３）となっていて，
　メモリセルブロックにデータが何も記憶されていない状態では，ステータス情報記憶領域は「未使用」，更新履歴情報記憶領域は「値なし」，データ記憶領域は「空き」となっていて，
　メモリセルブロックにデータが書き込まれると，そのメモリセルブロックには，ステータス情報記憶領域（１０１，２０１），更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２）には，状態に応じた値が書き込まれ，データ記憶領域（１０３，２０３）にデータが書き込まれ，
　ステータス情報記憶領域は，１バイト×４の４バイトの領域で構成され，それぞれ，「使用中」領域１０１ａ，「コピー中」領域１０１ｂ，「使用済」領域１０１ｃ，「故障」領域１０１ｄのように区分され，ブロック１が未使用のときは，ステータス情報記憶領域１０１の全領域（１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ）に何も書き込まれていない状態（データが消去された状態）となっていて，
　ブロック１を使用中のときは，「使用中」領域１０１ａに予め定められた値が書き込まれ，他のメモリセルブロックへデータをコピーするデータ更新処理を実行中のときには，「コピー中」領域１０１ｂに予め定められた値が書き込まれ，データ更新処理を終了すると，「使用済」領域１０１ｃに予め定められた値が書き込まれ，
　ブロック１の更新履歴情報記憶領域１０２は，更新履歴情報としてカウンタを用いていて，該カウンタは，データ更新処理において，自身がコピー先となったときに，コピー元のメモリセルブロックの更新履歴情報記憶領域のカウンタ値に対して，インクリメントした（あるいはデクリメントした）ものを記憶し，
　更新履歴情報は，直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示すものであり，
　フラッシュメモリのデータ記憶領域に記憶されるデータは，データＩＤ，データ値，データ値のチェックサムを含んでいて，ブロック２に既に記憶されているデータが更新され，更新データが空き領域２０３ｂに追記されたとき，ブロック２には同じデータＩＤを持つデータが複数記憶され，データはデータ記憶領域２０３の先頭アドレスから書き込まれるので，同じデータＩＤで，最も大きいアドレスに書き込まれているものが最新のデータであると判断でき，
　ＣＰＵ１０が実行するデータ更新処理は，現在使用中のメモリセルブロックのデータ記憶領域が一杯になったときに実行され，
　ブロック１のステータス情報記憶領域１０１の「コピー中」領域１０１ｂに０ｘ５Ａを書き込み，ブロック１のデータをブロック２にコピーし，コピーするデータは各データＩＤの最新のもののみであり，
　データのコピーが終了したとき，ブロック２のステータス情報記憶領域２０１の「使用中」領域２０１ａに０ｘ５Ａを書き込み，ブロック２の更新履歴情報記憶領域２０２に０ｘ０１を書き込み，ブロック１の更新履歴情報記憶領域１０２（カウンタ値１０２ａ）には０ｘ００が書き込まれているので，その値をインクリメントしたものを更新履歴情報記憶領域２０２に書き込み，ブロック１のステータス情報記憶領域１０１の「使用済」領域１０１ｃに０ｘ５Ａを書き込み，
　ブロック特定処理は，フラッシュメモリ１１の全てのメモリセルブロック（ブロック１〜４）のステータス情報記憶領域（１０１，２０１，３０１，４０１）および更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２，３０２，４０２）の内容を読み込み，ステータス情報の「使用中」領域に０ｘ５Ａが書き込まれているブロック，すなわち現在使用中のメモリセルブロックを検索し，
　現在使用中のメモリセルブロックがあり，現在使用中のメモリセルブロックが複数ないとき，検索したメモリセルブロックを現在使用中のメモリブロックとして特定し，
　現在使用中のメモリセルブロックがなかったとき，あるいは，現在使用中のメモリセルブロックが複数あったとき，読み込んだ更新履歴情報記憶領域の内容から，カウンタ値が最大である（すなわち，直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示す値を記憶する）メモリセルブロックを検索し，
　カウンタ値が最大であるメモリセルブロックを検索できたとき，そのメモリセルブロックを現在使用中のメモリセルブロックとして特定する
　ＩＣカード。」
２　引用例２に記載された事項
　原査定の拒絶の理由において引用した，本願の出願前に既に公知である，特開２００６−４０２６４号公報（平成１８年２月９日公開。以下，これを「引用例２」という。）には，関連する図面と共に，次の事項が記載されている。
Ｉ　「【０００３】
　
メモリカードに使用されるフラッシュメモリ
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリはブロック単位でしか消去を行えない
この「引越し書き込み」は書き換えられないデータのコピー動作を伴うため、「引越し書き込み」が多発すると、オーバーヘッドが非常に増大する
Ｊ　「【００５７】
　そこで、フラッシュメモリをＤＶＤ−Ｒタイプのファイルシステムでフォーマットした場合、図９に示すように、
各ページ１１は、データ記憶部１１ａと冗長部１１ｂとから構成される。そして、各ページの冗長部１１ｂを書き済み済み情報部として用い、書き込み済み情報部にページの書き込済み／未書き込みを示すフラグが設けられる。このフラグをチェックすることで、最高位のページが「最終書き込み領域」として判別されることができる
【００５８】
　このフラグ情報は冗長部１１ｂにあるため、メモリカード１の通常のメモリリードコマンドでは、コントローラ４は、このフラグ情報を読み取ることができない。したがって、このフラグ情報に基づく書き込み済み領域の情報を読み込むためのコマンドがメモリカードインタフェース５に設置される。
【００５９】
　コントローラ４は、書き込み時、データとともにページにフラグを追記していく。ただし、この方法はＤＶＤ−Ｒ方式のようなシーケンシャルライト方式のみに使える。また、「最終書き込み領域」を知るためにはコントローラ４がページを検索していく必要がある。」
３　引用例３に記載された事項
　原査定の拒絶の理由において引用した，本願の出願前に既に公知である，特開２００９−２２３４３５号公報（平成２１年１０月１日公開。以下，これを「引用例３」という。）には，関連する図面と共に，次の事項が記載されている。
Ｋ　「【００３６】
　また、
第２フラッシュメモリ領域１４は、複数（図では４つ）のブロックに分割されており、本実施形態では、このうちの２ブロック（ブロック０，ブロック１）を使って保存データの記憶／更新が行われる
４　引用例４に記載された事項
　原査定の拒絶の理由において引用した，本願の出願前に既に公知である，特開２０００−１０５６９４号公報（平成１２年４月１１日公開。以下，これを「引用例４」という。）には，関連する図面と共に，次の事項が記載されている。
Ｌ　「【００２８】図１は本発明の一実施例の構成を示すブロック図である。本実施例は、マイクロコンピュータ１、ＣＰＵ（制御手段）２、書き換えプログラム領域３、フラッシュ領域４、および、フラッシュ領域４の書き換えを行う書き換え手段５、各処理の一時的なデータを格納するためのＲＡＭ６およびこれらの間を接続する通信手段７から構成されている。
【００２９】図２は、フラッシュ領域４の構成を示す図であり、図２（Ａ）は物理的な構成を示し、図２（Ｂ）は論理的な構成を示している。
【００３０】
フラッシュ領域４には、消去可能な１つの単位であるブロックが複数設けられており、各ブロックは、書き換え処理の履歴を格納するフラグ領域と、プログラムやデータテーブルなどを格納するデータ領域から構成されている
Ｍ　「【００４７】図５で挙げた例ではこのことを利用し、各フラグを１書き込み単位である１バイト内に割り当てた例である。
ＢＩＴ７〜ＢＩＴ０のそれぞれには、ベリファイエラーフラグ、ブランクエラーフラグ、書き換え終了フラグ、ベリファイ終了フラグ、書込終了フラグ、ブランクチェック終了フラグ、消去終了フラグ、書き換え開始フラグが割り当てられている
Ｎ　「【００５４】その後、消去が終了したことを示す消去終了フラグをセットし（ステップＢ３）、フラグ領域を“００００００１０”とする。
【００５５】つづいて、消去が完全に行われたかどうかを確認するためデータ領域のブランクチェックを行い（ステップＢ４）、その後ブランクチェックの結果を確認する（ステップＢ５）。ブランクチェックにて不一致が発生した場合ブランクエラーフラグをセットするが（ステップＢ６）、再度消去の処理からやり直しても良い。
【００５６】ブランクチェックが正常に終了した場合にはブランクチェック終了フラグをセットし（ステップＢ７）、フラグ領域を“０００００１１０”とした後、引き続き書き込み処理を行う（ステップＢ８）。」
第５　対比・判断
１　本願発明１について
（１）　対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
（あ）引用発明の「ＩＣカード」は，当該「ＩＣカードの各種機能を実現するＣＰＵ１０と，ＣＰＵ１０による制御プログラムの実行において生成される各種データを一時的に記憶するためのＲＡＭ１２を備え」るものであり，当該「ＣＰＵ１０は，フラッシュメモリ１１の各メモリセルブロックの記憶状態に応じて，フラッシュメモリ１１に対し，メモリセルブロック単位での一括消去処理，所定アドレス数の記憶領域単位またはビット単位での書き込み処理，および，メモリセルブロック単位でのデータ更新処理等の制御を行」うものであることから，本願発明１の「フラッシュメモリ内蔵マイコン」に相当するといえる。
（い）引用発明の「ＩＣカード」は，「１以上のアドレスを有するメモリセルブロックを複数備え」ることから，本願発明１と，“少なくとも２つのメモリブロックを含”む点で一致する。
　また引用発明は，「現在使用中のメモリセルブロックのデータ記憶領域が一杯になったときに実行され」る「データ更新処理」によって，「ブロック１のステータス情報記憶領域１０１の「コピー中」領域１０１ｂに０ｘ５Ａを書き込み」，「データのコピーが終了したとき，ブロック２のステータス情報記憶領域２０１の「使用中」領域２０１ａに０ｘ５Ａを書き込み，ブロック２の更新履歴情報記憶領域２０２に０ｘ０１を書き込み，ブロック１の更新履歴情報記憶領域１０２（カウンタ値１０２ａ）には０ｘ００が書き込まれているので，その値をインクリメントしたものを更新履歴情報記憶領域２０２に書き込み，ブロック１のステータス情報記憶領域１０１の「使用済」領域１０１ｃに０ｘ５Ａを書き込」んで，「現在使用中のメモリセルブロックがなかったとき，あるいは，現在使用中のメモリセルブロックが複数あったとき，読み込んだ更新履歴情報記憶領域の内容から，カウンタ値が最大である（すなわち，直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示す値を記憶する）メモリセルブロックを検索」し，「カウンタ値が最大であるメモリセルブロックを検索できたとき，そのメモリセルブロックを現在使用中のメモリセルブロックとして特定する」ものであるから，複数の「メモリセルブロック」に対し，順に更新されているといえるから，上記認定と併せ，引用発明と本願発明１とは，“順に更新される少なくとも２つのメモリブロックを含”む点で一致するといえる。
（う）引用発明は，「ブロック（「メモリセルブロック」の略称）１〜ブロック４で示された４個のメモリセルブロックを含み，各メモリセルブロックは，ステータス情報記憶領域（１０１，２０１，３０１，４０１），更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２，３０２，４０２）が設けられ，残余の領域がデータ記憶領域（１０３，２０３，３０３，４０３）となってい」て，当該「ステータス情報記憶領域（１０１，２０１，３０１，４０１），更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２，３０２，４０２）」は，「メモリセルブロックにデータが何も記憶されていない状態では，ステータス情報記憶領域は「未使用」，更新履歴情報記憶領域は「値なし」，データ記憶領域は「空き」とな」り，「データ記憶領域（１０３，２０３，３０３，４０３）」は，「メモリセルブロックにデータが書き込まれると，そのメモリセルブロックには，ステータス情報記憶領域（１０１，２０１），更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２）には，状態に応じた値が書き込まれ，データ記憶領域（１０３，２０３）にデータが書き込まれ」るものである。そして，「ステータス情報記憶領域は，１バイト×４の４バイトの領域で構成され，それぞれ，「使用中」領域１０１ａ，「コピー中」領域１０１ｂ，「使用済」領域１０１ｃ，「故障」領域１０１ｄのように区分され」ていることから，当該「「使用中」領域１０１ａ，「コピー中」領域１０１ｂ，「使用済」領域１０１ｃ，「故障」領域１０１ｄ」に書き込まれている情報と，「更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２）」に書き込まれる，「更新履歴情報としてカウンタを用いていて，該カウンタは，データ更新処理において，自身がコピー先となったときに，コピー元のメモリセルブロックの更新履歴情報記憶領域のカウンタ値に対して，インクリメントした（あるいはデクリメントした）もの」とは，本願発明１の「ブロック管理情報」に対応する情報といえるとともに，引用発明の「データ記憶領域（１０３，２０３）」に書き込まれる「データ」は，本願発明１の「データ」に相当する。
　以上のことから，引用発明は，本願発明１の「前記それぞれのメモリブロックは、ブロック管理情報とデータを格納する複数のスロットとを含み」とされる構成と，下記の点で相違するものの，“前記それぞれのメモリブロックは、ブロック管理情報とデータを格納する領域を含”む点で共通するといえる。
（え）引用発明の「ブロック１の更新履歴情報記憶領域１０２」に記憶される，「更新履歴情報としてカウンタを用いていて，該カウンタは，データ更新処理において，自身がコピー先となったときに，コピー元のメモリセルブロックの更新履歴情報記憶領域のカウンタ値に対して，インクリメントした（あるいはデクリメントした）もの」は，「更新履歴情報」が，「直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示すもの」であり，当該「カウンタ」は，本願発明１の「データが更新された順を示す更新カウンタ」に相当する。上記（う）の認定も踏まえれば，引用発明と本願発明１とは，“前記ブロック管理情報はデータが更新された順を示す更新カウンタを含”む点で共通するといえる。
（お）引用発明の「データのコピーが終了したとき，ブロック２のステータス情報記憶領域２０１の「使用中」領域２０１ａに０ｘ５Ａを書き込み，ブロック２の更新履歴情報記憶領域２０２に０ｘ０１を書き込み，ブロック１の更新履歴情報記憶領域１０２（カウンタ値１０２ａ）には０ｘ００が書き込まれているので，その値をインクリメントしたものを更新履歴情報記憶領域２０２に書き込み，ブロック１のステータス情報記憶領域１０１の「使用済」領域１０１ｃに０ｘ５Ａを書き込」む構成と，上記（え）における，「更新カウンタ」に係る認定を踏まえると，引用発明は，本願発明１の「前記２つのメモリブロックの一方のメモリブロックの複数のスロットについて、更新カウンタの順でデータが更新され」る構成と，下記の点で異なるものの，“前記２つのメモリブロックの一方のメモリブロックについて，更新カウンタの順でデータが更新され”る点で共通するといえる。
　また，引用発明は，「ブロック特定処理」によって，「カウンタ値が最大であるメモリセルブロックを検索できたとき，そのメモリセルブロックを現在使用中のメモリセルブロックとして特定」して，当該特定されたメモリセルブロックでは，「ブロック１を使用中のときは，「使用中」領域１０１ａ」に予め定められた値」を書き込み，「他のメモリセルブロックへデータをコピーするデータ更新処理を実行中のときには，「コピー中」領域１０１ｂに予め定められた値」を書き込み，「データ更新処理を終了すると，「使用済」領域１０１ｃに予め定められた値」を書き込むなどして，データの更新がなされていて，複数のメモリセルブロックにおいて順次行われることは明らかである。
　引用発明は，「ブロック特定処理」によって，「現在使用中のメモリセルブロックがなかったとき，あるいは，現在使用中のメモリセルブロックが複数あったとき，読み込んだ更新履歴情報記憶領域の内容から，カウンタ値が最大である（すなわち，直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示す値を記憶する）メモリセルブロックを検索し」た上で，上記特定，すなわちデータを更新するメモリセルブロックを特定していることから，本願発明１と，“一方のメモリブロックのデータが全て更新されると，他方のメモリブロックについて，更新カウンタの順でデータの更新がされ，これが順に繰り返され”る点で共通するといえる。
　以上総合すると，引用発明と本願発明１とは，“前記２つのメモリブロックの一方のメモリブロックについて，更新カウンタの順でデータが更新され，一方のメモリブロックのデータが全て更新されると，他方のメモリブロックについて，更新カウンタの順でデータの更新がされ，これが順に繰り返され”る点で一致する。
（か）引用発明は，「現在使用中のメモリセルブロックがなかったとき，あるいは，現在使用中のメモリセルブロックが複数あったとき，読み込んだ更新履歴情報記憶領域の内容から，カウンタ値が最大である（すなわち，直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示す値を記憶する）メモリセルブロックを検索」し，「カウンタ値が最大であるメモリセルブロックを検索できたとき，そのメモリセルブロックを現在使用中のメモリセルブロックとして特定する」ものであり，各メモリセルブロックには，それぞれ「更新履歴情報記憶領域」が存在し，当該領域のカウンタ値に基づいて「現在使用中のメモリセルブロックとして特定」していることから，本願発明１の「前記２つのメモリブロックの更新カウンタに基づいて最も新しく更新されたメモリブロックを検出するメモリブロック検出手段」に相当する構成を有するといえる。
（き）引用発明は，「ステータス情報が何らかの原因でデータ化けをした場合でも，現在使用中のメモリセルブロックを特定することができ」るものであるが，当該「データ化け」が生ずる原因の１つとして，従来，「一括消去処理や書き込み処理の実行中に，何らかの原因により，電源断が発生する場合があり，書き込み処理の実行中に電源断が発生すると，記憶すべきデータの一部が欠落した状態となる等の問題が発生することがあ」ることから，引用発明と本願発明１とは，“電源断時に対処する”ものである点で一致するといえる。
（く）以上，（あ）乃至（き）の検討から，引用発明と本願発明１とは，次の一致点及び相違点を有する。
〈一致点〉
「順に更新される少なくとも２つのメモリブロックを含み，
　前記それぞれのメモリブロックは、ブロック管理情報とデータを格納する領域を含み，
　前記ブロック管理情報はデータが更新された順を示す更新カウンタを含み，
　前記２つのメモリブロックの一方のメモリブロックについて，更新カウンタの順でデータが更新され，一方のメモリブロックのデータが全て更新されると，他方のメモリブロックについて，更新カウンタの順でデータの更新がされ，これが順に繰り返され，
　前記２つのメモリブロックの更新カウンタに基づいて最も新しく更新されたメモリブロックを検出するメモリブロック検出手段を含み，電源断時に対処する，
フラッシュメモリ内蔵マイコン。」
〈相違点１〉
　本願発明１が，「それぞれのメモリブロック」に，「複数のスロット」を含み，「前記複数のスロットの各々は、更新されたデータと、その書込みが完了した旨の書込み完了フラグとを有」すると共に，「メモリブロック」のデータの「更新」は，それぞれの「メモリブロック」の「複数のスロット」に対して行われるのに対し，引用発明は，「各メモリセルブロックは，ステータス情報記憶領域（１０１，２０１，３０１，４０１），更新履歴情報記憶領域（１０２，２０２，３０２，４０２）が設けられ，残余の領域がデータ記憶領域（１０３，２０３，３０３，４０３）」となっているものの，「それぞれのメモリブロック」に，「複数のスロット」を含むことや，当該スロットに「書込み完了フラグ」を有することが特定されていない点。
〈相違点２〉
　本願発明１が，「前記メモリブロック検出手段の検出したメモリブロックにおいて、前記更新カウンタの順に基づいて、前記書込み完了フラグが正しく記録された旨を示すスロットを見つけ、最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出するスロット検出手段」を有するのに対し，引用発明は，「データ記憶領域に記憶されるデータは，データＩＤ，データ値，データ値のチェックサムを含んでいて，ブロック２に既に記憶されているデータが更新され，更新データが空き領域２０３ｂに追記されたとき，ブロック２には同じデータＩＤを持つデータが複数記憶され，データはデータ記憶領域２０３の先頭アドレスから書き込まれるので，同じデータＩＤで，最も大きいアドレスに書き込まれているものが最新のデータであると判断でき」るものであるものの，「メモリブロック」に含まれる「複数のスロット」に「書込み完了フラグ」を有するものでなく，当該「書込み完了フラグが正しく記録された旨を示すスロットを見つけ、最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出する」ことが特定されていない点。
（２）　相違点についての判断
　相違点１及び２について検討する。
　本願発明は，「それぞれのメモリブロック」に，「複数のスロット」を含み，当該「スロットの各々」には，「更新されたデータと、その書込みが完了した旨の書込み完了フラグ」を有することによって，当該スロットにデータを書き込む場合，１バイト目から書き込んで，書き込みが完了したらその旨を示す書込み完了フラグを記録し（本願明細書段落２８），当該スロットの１バイト目のデータと書込み完了フラグをみれば，そのスロットの状態を判別することができ（同段落３０及び図３等），このことにより，データの書込み途中で電源断等が生じた場合の検出ができ，正しくデータを書き込むことができるようにしたものである。
　一方，引用発明は，「直近のデータ更新処理におけるデータ更新先であることを示すものであ」る「更新履歴情報」として，「データ更新処理において，自身がコピー先となったときに，コピー元のメモリセルブロックの更新履歴情報記憶領域のカウンタ値に対して，インクリメントした（あるいはデクリメントした）ものを記憶」したり，「データＩＤ，データ値，データ値のチェックサムを含」む「フラッシュメモリのデータ記憶領域に記憶されるデータ」は，「更新データが空き領域２０３ｂに追記されたとき，ブロック２には同じデータＩＤを持つデータが複数記憶され，データはデータ記憶領域２０３の先頭アドレスから書き込まれるので，同じデータＩＤで，最も大きいアドレスに書き込まれているものが最新のデータであると判断でき」るものであって，データ書込み途中に，電源断等によってデータの１バイト目や書込みが完了したことを示す「書込み完了フラグ」に異常なデータが記録されることを利用して，正しくデータを書込むようにする機序はなく，また，引用例１にはそのような機序についての記載も示唆もない。
　本願発明１は，このような引用発明に対する構成上の違いを有することにより，処理の途中で電源断等が生じても，どこまで処理が完了していたのかを判断でき，そのブロックから新たな処理を続行でき（本願明細書段落４３），電源断等に対処するための無駄なデータの書込み読み出しを不要にし，省電力が可能であるとともに，ビット単位での書込み操作を必要としない（同段落４４）などの，特にＩＣカードなどに用いられるフラッシュメモリ内蔵マイコンとして顕著な効果を奏するものであって，引用発明からは相違点１及び２に係る構成を容易に想起し得たとまではいうことができない。
　相違点１及び２に係る構成は，その他上記第４の２乃至４に示した引用例２乃至４にも記載されておらず，当業者にとって周知な技術ともいえない。
　したがって，本願発明１は，当業者であっても，引用発明及び引用例２乃至４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
２　本願発明２乃至５について
　本願発明２乃至５は，請求項１をさらに限定するものであって，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用例２乃至４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３　本願発明６及び本願発明７について
　本願発明６及び本願発明７は，本願発明１とカテゴリー表現のみ異なるものであって，本願発明１と同じ理由により，当業者であっても，引用発明及び引用例２乃至４に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　当審拒絶理由の概要
　当審より，特許請求の範囲の記載が，「所定の順でデータが更新され」るとの構成，「所定の順でデータの更新がされ」るとの構成，「前記所定の順および前記書込み完了フラグを考慮して最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出する」との構成，及び「所定の順および書込み完了フラグを考慮して最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出する」との構成が不明確であり，本件出願は，特許法３６条６項２号に規定する要件を満たしていないとの拒絶理由を通知したところ，上記第３に示すとおり補正され，当該拒絶理由は解消した。
第７　原査定についての判断
　令和元年１０月９日付けの補正により，補正後の請求項１乃至７は，とりわけ，「前記メモリブロック検出手段の検出したメモリブロックにおいて、前記更新カウンタの順に基づいて、前記書込み完了フラグが正しく記録された旨を示すスロットを見つけ、最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出するスロット検出手段」を有するものとなった。当該「前記メモリブロック検出手段の検出したメモリブロックにおいて、前記更新カウンタの順に基づいて、前記書込み完了フラグが正しく記録された旨を示すスロットを見つけ、最も新しくデータの書込みが完了したスロットを検出するスロット検出手段」は，原査定における引用文献１乃至４（上記第４における引用例１乃至４）には記載されておらず，本願出願前における周知技術でもないので，本願発明１乃至７は，当業者であっても，引用文献１乃至４に記載された発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。