【事件の表示】
　特許第３１４１７３２号「荷電粒子線装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１４１７３２号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
　同請求項５に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３１４１７３２号の請求項１ないし５に係る発明についての出願は、平成７年７月５日に特許出願され、平成１２年１２月２２日にその発明について特許の設定登録がなされた後、平成１３年９月４日付けで特許異議申立人田沢純子より請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てがなされ、平成１３年１１月２０日付けで請求項１ないし４に係る特許に対する取消理由通知がなされたが、何らの応答もない。
　
２．本件発明
　特許第３１４１７３２号の請求項１ないし５に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　
【請求項１】荷電粒子線を発生させる荷電粒子線電子銃と前記荷電粒子線をステージに搭載された試料に向ける手段とを含む荷電粒子線光学系を有すると共に前記試料を観察する光学顕微鏡を有する荷電粒子線装置において、前記ステージに第１及び第２の基準パターンを設け、該第１及び第２の基準パターンを前記光学顕微鏡及び前記荷電粒子線光学系を用いてそれぞれ独立に観察し、位置測定するように構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】請求項１に記載された荷電粒子線装置において、前記第１及び第２の基準パターンはこれらの間隔が前記光学顕微鏡及び前記荷電粒子線光学系の光軸間距離と同一となるように配置されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】請求項１又は２に記載された荷電粒子線装置において、前記第１及び第２の基準パターンは前記ステージに設けられた同一の部材上に形成されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載された荷電粒子線装置において、前記第１及び第２の基準パターンの画像信号を入力し、前記基準パターンと前記光学顕微鏡及び前記荷電粒子線光学系の光軸中心との位置ずれ値を演算する画像処理回路を有し、前記演算結果に基づいて前記光学顕微鏡及び前記荷電粒子線光学系の光軸間距離を校正するように構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】請求項４に記載された荷電粒子線装置において、前記光学顕微鏡の光軸中心を基準として前記荷電粒子線光学系の光軸中心の位置に前記演算された位置ずれ値をオフセットとして与えてその位置変更を行うように構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。
　
３．取消理由について
　
ア．取消理由の概要
　特許第３１４１７３２号の請求項１ないし４に係る発明は、それぞれ、刊行物１（特開平０５−０２１３１４号公報）及び刊行物２（特開平０６−２２４１１０号公報）、又は、刊行物１（特開平０５−０２１３１４号公報）及び刊行物３（実願昭５４−１１０５１４号（実開昭５６−２９９５３号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム）に記載の事項から容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし４に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであって、取り消されるべきである。
　
イ．請求項１ないし４についての判断
　これに対して、特許権者からは何らの応答もない。
そして、上記の取消理由は妥当なものと認められるので、請求項１ないし４に係る発明の特許は取り消されるべきである。
　
４．異議申立てについて
　
ア．異議申立ての理由の概要  　
　異議申立人田沢純子は、証拠として甲第１号証（特開平０５−０２１３１４号公報）、甲第２号証（特開平０６−２２４１１０号公報）、甲第３号証（実願昭５４−１１０５１４号（実開昭５６−２９９５３号）の願書に添付した明細書及び図面の内容を撮影したマイクロフィルム）、甲第４号証（特開平０７−１４２３１５号公報）を提出し、請求項１ないし５に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１ないし５に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　
イ．異議申立人が提出した各甲号証の説明
　異議申立人が提出した【甲第１号証】には、次の事項が第２，４，６，７，９，１０，１５図とともに記載されている。
（１）「産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハや液晶用ガラスプレート等の基板に塗布された感光層を露光する投影露光装置に関し、特にオフ・アクシス方式のアライメント系のベースラインを高精度に管理する機能を備えた投影露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、オフ・アクシス・アライメント系を備えた投影露光装置（以下、便宜上ステッパーと呼ぶ）では、特開昭５３?５６９７５号公報、特開昭５６?１３４７３７号公報等に開示されているように、感光基板（以下、ウェハとする）を保持してステップ・アンド・リピート方式で２次元移動するウェハステージ上に、基準となるマーク板を固設し、この基準マーク板を使ってオフ・アクシス・アライメント系と投影光学系との間の距離、所謂、ベースライン量を管理していた。」（第２頁右欄第９行〜同第２３行）
（２）「【０００４】さて、ベースライン量ＢＬは、図１に示すようにレチクルマークＲＭと基準マークＦＭとがアライメントされたときのステージＷＳＴの位置Ｘ1 と、指標マークＴＭと基準マークＦＭとがアライメントされたときのステージＷＳＴの位置Ｘ2 とをレーザ干渉計等で計測し、その差（Ｘ1 ?Ｘ2 ）を計算することで求められる。」（第３頁左欄第３行〜同第９行）
（３）「【０００９】本発明はこの様な従来の問題点に鑑みてなされたもので、ベースライン計測精度の向上と処理速度の向上を図った投影露光装置を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】本発明では、ウェハステージＷＳＴ上に、レチクルＲ上のマークＲＭと整合する基準マークＦＭ2 と、オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡの検出中心点と整合する基準マークＦＭ1 とをいっしょに形成した基準板ＦＰを設ける。そして、ベースライン計測時には、ウェハステージＷＳＴを静止させた状態でレチクルＲと基準板ＦＰとの位置ずれ量を求め、同時にオフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡの検出中心点と基準板ＦＰとの位置ずれ量を求めるようにした。」（第３頁右欄第１５行〜同第２７行）
（４）「【実施例】図２は、本発明の実施例による投影露光装置の構成を示す斜視図であり、図１の従来装置と同じ部材には同一の符号をつけてある。」（第３頁右欄第４７行〜同第４９行）
（５）「【００１７】また、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメント系は、投影レンズＰＬの下端部の直近に固定された反射プリズム（またはミラー）４Ａと対物レンズ４Ｂ等で構成される。ウェハ・アライメント系の受光系４Ｃは内部に共役視標マークＴＭを含み、プリズム４Ａと対物レンズ４Ｂを介して視標マーク板に結像されたウェハ上のマーク等をＣＣＤカメラで撮像する。本実施例では、プリズム４Ａを介してウェハステージＷＳＴ上に落ちる対物レンズ４Ｂの光軸と、投影レンズＰＬの光軸ＡＸとがＸ方向のみに一定間隔だけ離れ、Ｙ方向については位置差がほとんどないように設定されている。
【００１８】さらに対物レンズ４ＢのウェハステージＷＳＴに落ちる光軸の延長線は、干渉計ＩＦＸのビームの延長線と干渉計ＩＦＹ1 のビームの延長線の各々と直交する。このような干渉計の配置は、詳しくは特開平１?３０９３２４号公報に開示されている。ウェハステージＷＳＴ上には、ベースライン計測のための２つの基準マークＦＭ１、ＦＭ２を付設した基準板ＦＰが固設されている。基準板ＦＰは、ウェハステージＷＳＴ上の２つの移動鏡ＩＭｘ、ＩＭｙで囲まれた角部に配置され、石英板等の低膨張係数の透明材料の表面にクロム等の遮光層を形成し、その一部を基準マークＦＭ１、ＦＭ２の形状にエッチングしたものである。基準マークＦＭ１は、オフ・アクシス方式のウェハ・アライメント系（４Ａ、４Ｂ、４Ｃ）で検出可能であり、基準マークＦＭ２はＴＴＲアライメント系（１Ａ、１Ｂ）、又はＴＴＬアライメント系（２Ｘ、３Ｘ；２Ｙ、３Ｙ）によって検出可能である。」（第４頁左欄第３９行〜同右欄第１６行）
（６）「【００２１】図４は、基準板ＦＰ上の基準マークＦＭ１、ＦＭ２の詳細なマーク配置を示す平面図である。図４において、Ｘ軸と平行な直線ＬＸとＹ軸と平行な直線ＬＹ2 との交点が基準マークＦＭ2 の中心であり、ベースライン計測時には、その交点が投影レンズＰＬの光軸ＡＸとほぼ一致する。」（第４頁右欄第３５行〜同第４０行）
（７）「【００２３】一方、直線ＬＹ2 からＸ方向に一定距離だけ離れて設定された直線ＬＹ1 はＹ軸と平行であり、この直線ＬＹ1 と直線ＬＸの交点上には、オフ・アクシス・アライメント系の対物レンズ４Ｂの視野ＭＩＦ内に包含され得る大きさの基準マークＦＭ１が形成される。」（第５頁左欄第１８行〜同第２２行）
（８）「【００２９】この際、マークＲＭ1 を含む遮光帯ＳＢの内側領域の直下に、基準板ＦＰ上の基準マークＦＭ２Ａが位置すると、ＣＣＤ１１２Ｘ、１１２Ｙは基準マークＦＭ２Ａの十字状のスリットを黒線として撮像する。画像処理回路１１３Ｘは、ＣＣＤカメラ１１２Ｘからの画像信号をデジタル波形処理し、基準マークＦＭ２ＡのＹ方向に延びたスリットと、レチクルマークＲＭ1のダブルスリットマークＲＭ1 x とのＸ方向（水平走査線方向）の位置ずれ量を求める。」（第６頁左欄第１２行〜同第２５行）
（９）「【００４３】さて、視標板４Ｆ上の各指標マークと、基準マークＦＭ1 （又はウェハ上のマーク）の像とは、撮像用の結像レンズ４Ｇとハーフミラー４Ｈを介して２つのＣＣＤカメラ４Ｘ、４Ｙ上に拡大結像される。ＣＣＤカメラ４Ｘの撮像領域は、視標板４Ｆ上では図９中の領域４０Ｘに設定され、ＣＣＤカメラ４Ｙの撮像領域は、領域４０Ｙに設定される。そしてＣＣＤカメラ４Ｘの水平走査線は、指標マークＴＭＸ1 、ＴＭＸ2 のラインパターンと直交するＸ方向に定められ、ＣＣＤカメラ４Ｙの水平走査線は指標マークＴＭＹ1 、ＴＭＹ2 のラインパターンと直交するＹ方向に定められる。ＣＣＤカメラ４Ｘ、４Ｙの各々からの画像信号は、画素毎に信号レベルをデジタルサンプリングする回路、複数の水平走査線毎に得られる画像信号（デジタル値）を換算平均する回路、指標マークＴＭと基準マークＦＭ1 とのＸ方向、Ｙ方向の各位置ずれ量を高速に演算する回路等の波形処理回路で処理され、その位置ずれ量の情報は図７の主制御系１１４へ情報ＳＳＥとして送られる。」（第８頁左欄第２４行〜同第４１行）
（１０）「【００８１】以上のことから、ＴＴＲアライメント系によって基準マークＦＭ２Ａ、ＦＭ２Ｂを検出している状態で、ＴＴＬアライメント系を使って基準板ＦＢ（ウェハステージＷＳＴ）の位置サーボが行なえる場合は、極力そのようにした方が好ましい。次に主制御系１１４は、ステップ５２２でＴＴＲアライメント系とオフ・アクシス・アライメント系とを同時に使った基準マーク検出を行なう。」（第１３頁左欄第２８行〜同第３５行）
（１１）「００８２】さて、ステップ５２２の段階では、すでにオフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡの検出領域内に基準板ＦＰ上の基準マークＦＭ１が位置している。そこで主制御系１１４は、図１０に示したオフ・アクシス・アライメント系のＣＣＤカメラ４Ｘ、４Ｙを使って視標板４Ｆ内の視標マークＴＭと基準マークＦＭ１とのＸ、Ｙ方向の位置ずれ量（ΔＸＦ、ΔＹＦ）をウェハ上の実寸として求める。同時にＴＴＲアライメント系のＣＣＤカメラ１１２Ｘ、１１２Ｙを使って、レチクルマークＲＭ1 と基準マークＦＭ２Ａとの位置ずれ量（ΔＸＲ1 、ΔＹＲ1 ）と、レチクルマークＲＭ2 と基準マークＦＭ２Ｂとの位置ずれ量（ΔＸＲ2 、ΔＹＲ2 ）とをウェハ側の実寸として計測する。」（第１３頁左欄第５０行〜同右欄第１２行）
（１２）「【００８６】図１６で示すように、座標位置ＴＬｓとＸＩｆとの差が、Ｙ方向用のＬＳＡ方式によるＴＴＬアライメント系の検出中心点とレチクルＲの中心ＣＣの投影点とのＹ方向のベースライン量である。次に主制御系１１４は、ステップ５２８でベースライン量を求めるための演算を行なう。この演算に必要なパラメータは、図１７に表で示すように計測した実測値と設計上予め定められた定数値とに分けられる。」（第１４頁左欄第１９行〜同右欄第６行）
（１３）「【００８９】次に主制御系１１４は、実測値ΔＸＦと計算値ＬＦ、ΔＸccとに基づいて、レチクルＲの中心ＣＣのＸＹ座標平面への投影点と、オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡの指標板４ＦのＸ方向の中心点（指標マークＴＭＸ1 とＴＭＸ2 との間の２等分点）のＸＹ座標平面への投影点とのＸ方向の距離ＢＬＯｘを、オフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡに関するＸ方向ベースライン量として算出する。
ＢＬＯｘ＝ＬＦ?ΔＸcc?ΔＸＦ …（１０）
ここでΔＸＦは、指標マークＴＭＸ1 、ＴＭＸ2 のＸ方向の２等分点に対して基準マークＦＭ１が投影レンズＰＬ（基準マークＦＭ２Ａ、ＦＭ２Ｂ）の方向にずれて検出されたときは正の値をとり、逆方向にずれて検出されたときは負の値をとるものとする。」（第１４頁右欄第２６行〜同左欄第３９行）
（１４）「【００９６】そして、主制御系１１４は、位置決めされたウェハステージＷＳＴのＸ方向の座標位置Ｘｍを干渉計ＩＦＸから読み込む。さらにオフ・アクシス・アライメント系ＯＷＡ内のＣＣＤカメラ４Ｘからの画像信号を処理して、指標板４Ｆの中心点とマークＷＭｘの中心点とのＸ方向のずれ量ΔＸｐを検出する。次にウェハステージＷＳＴを動かして、オフ・アクシス・アライメント系の指標マークＴＭＸ1 、ＴＭＸ2 によってウェハのマークＷＭｙが挾み込まれるようにウェハステージＷＳＴを位置決めする。このときのＹ方向の座標位置Ｙｍを干渉計ＩＦ1 から読み取る。そしてＣＣＤカメラ４Ｙの撮像によって、指標板４Ｆの中心点とマークＷＭｙの中心点とのＹ方向のずれ量ΔＹｐを求める。
【００９７】以上のマーク位置検出が終ると、あとは次式の計算のみによって、露光時にショット領域ＳＡｎの中心ＳＣｎをレチクルＲの中心ＣＣの投影点に合致させるためのウェハステージＷＳＴの座標位置（Ｘｅ、Ｙｅ）が求められる。
Ｘｅ＝Ｘｍ?ΔＸｐ＋（ＢＬＯｘ?ΔＸwm） …（１６）
Ｙｅ＝Ｙｍ?ΔＹｐ＋（ＢＬＯｙ?ΔＹwm） …（１７）」（第１５頁右欄第２３行〜同中欄第４２行）
（１５）「【発明の効果】以上、本発明によれば、基板ステージの各種精度に左右されずにベースライン計測が行なわれるので、ベースライン計測の精度向上が期待できる。」（第２０頁左欄第１７行〜同第１９行）
　
　異議申立人が提出した【甲第２号証】には、次の事項が第１、５図とともに記載されている。
（１）「【作用】本発明の第１の特徴の半導体露光装置、並びに第２の特徴の半導体露光方法では、図１に示す如く、感光性材料を塗布した基板１３に所望のパターンを露光する際に、基板１３上に１つ以上の第１の位置合わせマークＭｗを、移動台１１上に１つ以上の第２の位置合わせマークＭｓを設けておき、先ず、露光用光線または荷電粒子線によって移動台１１上の第２の位置合わせマークＭｓの１つを検出して、露光用光線または荷電粒子線に対する移動台１１の位置関係を求め、次に、前記位置関係を求めるために使用した露光用光線または荷電粒子線、或いは別の光線または荷電粒子線により、基板１３が露光される位置とは別の位置で、移動台１１上の第２の位置合わせマークＭｓの１つ、若しくは第２の位置合わせマークＭｓの１つとの相対位置関係が既知である他の第２の位置合わせマークＭｓと、基板３上の第１の位置合わせマークＭｗの両方を検出して、移動台１１と基板１３上のパターンとの位置関係を求め、更に、求められた２つの位置関係から、露光用光線または荷電粒子線と基板１３上のパターンとの位置関係を求めて、露光すべきパターンと基板１３上のパターンの位置合わせを行なうようにしている。」（第６頁左欄第４１行〜同右欄第１１行）
（２）「【００３３】本実施例の半導体露光装置は、イオンビーム２を発するイオン源１と、露光すべきパターンが例えば５倍に拡大されたステンシル（穴空き）マスク３と、所定の方向に移動可能なステージ１１と、ステンシルマスク３を透過したイオンビームを縮小して、ステージ１１上のレジストが塗布されているウェハ１３に対して投影するイオン投影光学系５と、ステージ１１上のステージマークＭｓ及びウェハ１３上のマークＭｗを検出するマーク検出系７から構成されている。」（第７頁右欄第３１行〜同第３９行）
（３）「【００３８】イオン投影光学系５の脇には、光学的なマーク検出系７が設けられている。光学的マーク検出系７は、図５（１）に示すように、照明用光ファイバ２５、反射鏡２７、及び対物レンズ２９から成る顕微鏡と、ＣＣＤカメラ２３によりマーク画像を取り込み、画像処理装置２１で画像処理を行なってマーク位置を求めるものである。尚、このような光学的マーク検出系は、市販の顕微鏡、ＣＣＤカメラ、及び画像処理装置により容易に実現できる。」（第８頁左欄第１９行〜同第２７行）
　
　申立人が提出した【甲第３号証】には、次の事項が第１図とともに記載されている。
（１）「電子線描画装置により半導体基板上に直接ＬＳＩのパターンの転写する」（第１頁第１１行〜同第１２行）
（２）「電子線、光共用マーク５を光学的位置検出装置２の直下に移動し、マーク５の位置を検出し、この位置でステージ位置座標をリセットして仮の原点とする。」（第４頁第２０行〜第５頁第３行）
（３）「次にマーク５を電子ビームの直下に移動してその位置座標を検出し、先の仮原点に対する位置座標を求める。これは電子ビームの軸と光学的位置検出装置の光軸の位置関係を求めることになる。ここで電子ビームの軸を原点とする。」（第５頁第９行〜同第１３行）
　
　申立人が提出した【甲第４号証】には、次の事項が第２，３図とともに記載されている。
（１）「【００２０】
【作用】本発明では、ステージの傾きを測定して、ステージの傾きにより生じた、試料Ｗの照射目標位置からの
荷電粒子ビームの照射位置の位置ずれ量だけ、ビーム偏向量を補正する。
（２）「【００２４】
荷電電子ビーム発生源１４から発生した電子ビームは
（３）「【００２７】
電子ビームは
露光対象物Ｗ上の所望位置に照射される。
（４）「【００４８】次に、
ステージ３５の傾きによる、ステージ位置ずれ、即ち、試料Ｗの照射目標位置の位置ずれ
（５）「【００５８】加算回路１１７は、Ｘ偏向データ生成部１１６から供給されるＸ方向のビーム偏向量を示すデータと、ステージ位置ずれ算出部１１５から供給される
ステージ位置ずれのデータδＸ
【００５９】アンプ部６５では、加算回路１１７から供給される補正された偏向データを基に、ステージ位置ずれδＸを補正したＸ偏向信号を生成して、Ｘ偏向器３４ａに供給する。
【００６０】ステージ３５の移動の際には、前記のように、ステージ移動制御部６１により、ミラー１４１面上のステージの試料Ｗの照射面位置ＺW0からＳD2低い位置（図３の点Ｒ１）が、ステージの目標位置に合わせられている。このため、ビームの偏向量を補正しないと仮定すると、ビーム照射位置は、試料Ｗの照射目標位置Ｐ1 からδＸだけ、ずれた位置になる。実際には、ステージ位置ずれ算出部１１５で算出された
δＸだけ、ビームの偏向量が補正される。このため、補正後のビーム照射位置Ｂ
RA
を、正確に、試料Ｗの照射目標位置Ｐ1 に合わせることかできる
　
ウ．対比・判断
　
（請求項１ないし４に係る発明について）
　請求項１ないし４に係る発明については、上記３．イに示したとおりである。
　
（請求項５に係る発明について）
　請求項５は、「請求項４に記載された荷電粒子線装置において、」として請求項４を引用しているが、請求項４に係る発明は甲第１号証及び甲第２号証、又は、甲第１号証及び甲第３号証に記載の事項から容易に発明をすることができたものであるから、「請求項４に記載された荷電粒子線装置において、」以下に記載の
【構成要件】「光学顕微鏡の光軸中心を基準として前記荷電粒子線光学系の光軸中心の位置に前記演算された位置ずれ値をオフセットとして与えてその位置変更を行うように構成した」について検討する。
　甲第１〜３号証には、上記【構成要件】に関係する記載はない。
また、甲第４号証には、
「荷電電子ビーム発生源１４（露光装置荷電粒子線光学系に相当。）の電子ビーム（光軸中心に相当。）の位置に、ステージ３５の傾きによる電子ビーム照射位置のずれ量δＸを偏向量（オフセットに相当する。）として与えて電子ビーム照射位置（その位置に相当。）変更を行う」
ことが記載されているが、甲第４号証に記載の「
ステージ３５の傾きによる電子ビーム照射位置のずれ量δＸ
ステージ３５の傾きによる
前記演算された位置ずれ値
基準パターンと前記光学顕微鏡及び前記荷電粒子線光学系の光軸中心との位置ずれ値
　このため、甲第４号証に記載の「
ステージ３５の傾きによる電子ビーム照射位置のずれδＸ
前記演算された位置ずれ値
　さらに、甲第４号証には、荷電電子ビーム発生源１４（露光装置荷電粒子線光学系に相当。）の電子ビーム（光軸中心に相当。）の位置変更を
光学顕微鏡光軸中心を基準として
　したがって、請求項５に係る発明は、甲第１及び２号証、又は、甲第１及び３号証に記載の事項に甲第４号証に記載の事項を組み合わせることによって、当業者が容易になしえたものではない。
　そして、請求項５に係る発明は、その技術的事項により明細書記載の効果を奏するものと認められる。
　
　以上のとおり、請求項５に係る発明は、特許異議申立人が提出した各甲号証に記載されたものから当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし４は、甲第１及び２号証、又は、甲第１及び３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１ないし４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１ないし４に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものと認める。
　また、請求項５に係る発明についての特許は、特許異議の申立ての理由によっては取り消すことはできないし、他に取り消すべき理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める制令（平成７年制令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月９日（２００２．５．９）