【事件の表示】
　特許第３１０８１１６号「食塩電解方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１０８１１６号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１０８１１６号（以下「本件特許」という。）は、平成３年３月２９日に特許出願され、請求項１に係る発明について特許権の設定登録がなされた後、平成１３年５月１４日に特許異議申立人　クロリンエンジニアズ株式会社より、その請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、平成１３年１２月１０日付けで審判官合議体より特許権者に対して、その請求項１に係る特許について特許取消理由の通知がなされ、これに対して、特許権者より何らの手続がなされなかったものである。
　　
II．本件発明                                                           
　本件特許の請求項１に係る発明は、明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの、次のものである。
「パーフルオロカチオン交換膜を用いる食塩電解により３０ｗｔ以上の荷性ソーダ水溶液を得る方法において、供給塩水中のＳｉ（ケイ素）、及びＩ（ヨウ素）の濃度がそれぞれ５ｐｐｍ、２ｐｐｍを上限値としたとき、それぞれの濃度をｐｐｍで表してそれぞれの値の積が、０．５以下であることを特徴とする食塩電解方法。」
　　
III．取消理由
　一方、上記通知した取消理由における、理由１、２の概要は、本件出願前に頒布された刊行物として、引用例１（「CHLORINE PLANT OPERATIONS SEMINAR PROCEEDINGS」 29th Meeting, Hyatt Regency Hotel, Tampa, Florida, February 1986, P3-1〜3-20（特許異議申立の甲第１号証））、引用例２（「電気化学および工業物理化学」Vol.58,No.7(1990),P597~603)（同上、甲第２号証））、引用例３（「電気化学および工業物理化学」Vol.56,No.5(1988),P313~322（同上、甲第３号証））、及び引用例４（「電気化学および工業物理化学」Vol.56,No.5(1988),P310~312（同上、甲第４号証））を提示し、特許異議申立人の主張を引用しつつ、本件特許の請求項１に係る発明は、引用例１〜４（甲第１〜４号証）に記載された発明であるから特許法第２９条第１項の規定に違反して特許された発明であり（理由１；発明の新規性）、また、引用例１〜４（甲第１〜４号証）に記載された発明に基いてその出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができた発明であるから特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである（理由２；発明の進歩性）、というものである。
　　
IV．引用例の記載事実
　上記各引用例には、以下の事項の記載がなされている。
（１）引用例１（「CHLORINE PLANT OPERATIONS SEMINAR PROCEEDINGS」；甲第１号証）
　「塩素−アルカリ産業におけるイオン交換膜法での塩水中の不純物の調整」（第3-1頁標題）と題する報文であり、以下の記載がなされている。
(1-1)「ワシントンＤＣにおいて、１９８４年に開催された第２７回塩素プラント運転セミナーにおいて、クロリンエンジニアズ株式会社（ＣＥＣ）は、改造型電解槽あるいはＭＢＣ電解槽について紹介している。この電解槽は、三井東圧化学工業株式会社との共同で開発されたものである。
　現在、日本国内の１２のプラントにおいて７１６槽のＭＢＣ電解槽が運転されている。そして、今年末までにこれに更に６１槽が加えられる。写真１は、メンブレンバッグ電解槽を示しており、塩素生産能力３３６００トン／年であるＭＢＣ−２９Ａ電解槽である。前述のように、このプラントは、苛性ソーダの部分的に精製が必要であった隔膜法電解槽から１９８５年６月に、転換されたものである。しかしながら、メンブレンバッグ電解槽に転換した電解槽は、もはやそのような精製は不要である。
　他方では、我々の新規開発の単極式イオン交換膜電解槽であるＣＭＥ電解槽が、日本国内の８プラント、および海外の１プラントで利用されている。プラントのいくつかは既に５年以上の運転を行っている。
　図１に示すように、開発あるいは建設のいずれかにＣＥＣが関与したイオン交換膜電解槽で製造された苛性ソーダは、日本における水銀法プロセスからの第二期転換が完了する６月末で月産９８０００トンに達するだろう。これは、ＣＥＣが日本で４５％の市場シェアであることを示している。
　イオン交換膜の急速な改良は、過去２年間の高い性能を支えている。しかしながら、イオン交換膜の寿命は、供給塩水中の不純物の調製を含めていくつかの重要な要因に支配されている。
　このセミナーにおいて、ＭＢＣ電解槽およびＣＭＥ電解槽の商業的な運転を通じて得られた我々自身の経験からイオン交換膜の性能に及ぼす特別な不純物の影響について報告する。」（第3-1〜3-2「緒言」の欄）
(1-2)「１．イオン交換膜法の効率への供給塩水の影響
　表１は、ＣＥＣの供給塩水の品質基準値と、実際の５個所のプラントから得られた典型的な例の両者を示すものである。Ａ、ＢおよびＣは、隔膜式電解槽から転換したＭＢＣ型電解槽プラントに関するものであり、ＤおよびＥは、水銀式電解槽から転換したＣＭＥ型電解槽に関するものである。」（第3-2頁）
(1-3)「４．シリカの影響
　これまで、シリカ（ＳｉＯ２）は他の不純物よりも注目されなかった。しかしながら、イオン交換膜供給業者による最近の報告では、アルミニウムあるいはストロンチウムと共存の場合には、イオン交換膜の性能に不利な影響を及ぼす。
　図１０は、イオン交換膜中のシリカ、アルミニウム、およびストロンチウムの沈着量と、表１および表２においてプラント「Ａ」で示したプラントと同じプラントでの３、６、１０および１４カ月運転後のイオン交換膜の性能の衰退との関係を示している。
　シリカおよびアルミニウムは、イオン交換膜のみではなく、陽極被覆表面にも確認されている。このプラントでの２つのシリカ源が明かとなった。すなわち、食塩の溶解に使用していた２０から３０ｐｐｍのシリカを含んでいた河川水と、サンドフィルターの砂である。
　以下の方法によって改善した後には、シリカの含有量は１０ｐｐｍよりも少なくなった。
（１）河川水は、蒸発器あるいはその他の設備からの凝縮水に置換された。
（２）１次塩水精製工程が検討され、シリカの共沈が促進された。
　上記に加えて、砂およびサンドフィルターの説明書が見なおされ、改善された。
　これらの問題に加えて、塩水の流れが、オリフィス、流量計あるいは径の小さな管におけるシリカの沈着によって妨げられた。」（第3-5頁〜第3-6頁）
(1-4)「塩水の品質は、イオン交換膜の高性能を維持する上で本質的な要因である。イオン交換膜の性能に影響を及ぼす不純物として、カルシウムおよびマグネシウムは、ひろく知られている。しかし、水銀、有機物質、およびシリカ等の他のいくつかが存在している。」（第４頁「結論」の欄）
(1-5)「表１　様々なイオン交換膜電解プラントでの塩水の品質」（第3-8頁）において、ＳｉＯ２組成（ppm）が、「CEC品質基準値」では「＜５」、プラントＣでは「４」、プラントＤでは「２」であること、Ｉ組成（ppm）が、「CEC品質基準値」では「＜０．２」、プラントＣでは「＜０．２」、プラントＤでは「＜０．２」であること。
(1-6)「図５　塩水中のＨｇの影響」（第3-13頁）において、１．電解槽形式：DCM406／商業試験槽、２．膜：NAFION NX90209、３．陰極：活性化、４．運転条件　電流密度：3.0kA/m2、ＮａＯＨ：32重量％、温度：90.0℃、５．Ｈｇ添加量　5から10PPM、であったこと。
　　
（２）引用例２（「電気化学および工業物理化学」Vol.58,No.7(1990),P597~603；甲第２号証）
　「食塩電解におけるメンブレンバッグセル（ＭＢＣ）の開発」（第５９７頁標題）と題する報文であり、以下の記載がある。
(2-1)「ＩＥＭ法電解槽は電気化学的に見ると、Ｄ法電解槽と原理は同じであるが、隔膜の材料が前者がＩＥＭ、後者が石綿と異なるため、生産されるか性ソーダの濃度は、Ｄ法の電解液（ＮａＣｌ：１９０ｇ／ＬとＮａＯＨ：１３０ｇ／Ｌとの混合液）に比較して３２−３５％と高く」（第５９７頁左欄）
(2-2)「表３」（第６０１頁）に、ＭＢＣの「隔膜」が「Nafion 902」、電解槽液のＮａＯＨが３２〜３５％であったこと、
　　
（３）引用例３（「電気化学および工業物理化学」Vol.56,No.5(1988),P313~322；甲第３号証）
　「4.4　ＣＭＥ型電解槽」（第３１８頁標題）の欄に、以下の記載がある。
(3-1)「当社が開発したイオン交換膜法電解槽には、モノポール式フィルタープレス型であるＣＭＥ型イオン交換膜法電解槽（Chlorine Engineers Membrane Electrolyzer）と，既存の隔膜法電解槽を改造し，袋状に加工したイオン交換膜で陽極を包む独特の構造を持ったＭＢＣ型イオン交換膜法電解槽（Me-membrane Bag Cell）とがある。ここでは前者についての構造と特徴およびその性能について紹介する。」（第３１８頁「１　はじめに」の欄）
(3-2)「図５　ＣＭＥ電解槽の長期運転性能」（第３１９頁）に、イオン交換膜がＮＸ９６１、苛性濃度が３２％であることが記載されている。
　　
（４）引用例４（「電気化学および工業物理化学」Vol.56,No.5(1988),P310~312；甲第４号証）
(4-1)「食塩電解用パーフルオロイオン交換膜について」（第３１０頁標題）
(4-2)「デュポン射総合研究所（ＥＳＬ）においてパーフルオロイオン交換膜ナフィオンが発明されてから、昨年でちょうど２５年が経ちました。化学的にきわめて安定で、かつ電解性能に特長ある性質をもつこのようなイオン交換膜の開発は、プロセス化学工業における電気化学技術の応用分野に新しい道を開くことになりました。」（第３１０頁左欄）
(4-3)「ナフィオンの構造をFig.２に示します（図略）。ビニールエーテルのコモノマーはＴＦＥとともに共重合され、溶融成型可能なプリカーサー・ポリマーとなります。成型後フッ化スルホニール基は水和され、イオン基としてのスルフォン酸塩を形成します。・・・同様なポリマーでカルボン酸基を有するものは、苛性ソーダ製造用として特にＯＨ−イオンの逆流を阻止する強い働きを有しており、バリヤー層として用いられます。」（第３１０頁右欄〜第３１１頁左欄）
(4-4)「ナフィオンの最も多く使われている応用分野は苛性ソーダ電解用であります。」（第３１１頁左欄）
(4-5)「ナフィオン901に至り、３２〜３５％の苛性ソーダを９５〜９６％の電流効率で生産することが出来るようになりました。」（第３１２頁左欄）
　　
Ｖ．対比・判断
　本件請求項１に係る発明（以下「本件発明」という。）と、引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１は、「塩素−アルカリ産業におけるイオン交換膜法での塩水中の不純物の調整」と題する報文であって、その報文には、ＭＢＣ電解槽およびＣＭＥ電解槽イオン交換膜の性能に及ぼす不純物の影響についての報告であること（摘記1-1）、食塩の電解におけるシリカ（ＳｉＯ２）がイオン交換膜の性能に不利な影響を及ぼすこと（摘記1-3、1-4）が記載され、「表１　様々なイオン交換膜電解プラントでの塩水の品質」においては、ＳｉＯ２組成（ppm）が、「CEC品質基準値」では「＜５」、プラントＣでは「４」、プラントＤでは「２」であること、Ｉ組成（ppm）が、「CEC品質基準値」では「＜０．２」、プラントＣでは「＜０．２」、プラントＤでは「＜０．２」であること（摘記1-5）が記載され、そして、「図５　塩水中のＨｇの影響」のデータにおいては、電解槽形式がDCM406、膜がNAFION NX90209、ＮａＯＨ濃度が32重量％であったこと（摘記1-6）が記載され、また、上記のNAFION NX90209膜は、パーフルオロカチオン交換膜の一種であると認められる（要すれば、引用例４（甲第４号証）の摘記4-1〜4-3参照。）。
　以上のことからすると、本件発明は、引用例１に記載された発明と、「パーフルオロカチオン交換膜を用いる食塩電解により３０ｗｔ以上の荷性ソーダ水溶液を得る方法において、供給塩水中のＩ（ヨウ素）の濃度が２ｐｐｍを上限値としたことを特徴とする食塩電解方法。」の点で一致し、そして、（イ）本件発明では、供給塩水中のＳｉ（ケイ素）の濃度について、５ｐｐｍを上限値としたと特定されているのに対して、引用例１にはその記載が見あたらない点、及び、（ロ）本件発明では、上記のケイ素及びヨウ素の濃度について、「それぞれの濃度をｐｐｍで表してそれぞれの値の積が、０．５以下である」と特定しているのに対して、引用例１にはその記載が見あたらない点で、本件発明は、引用例１に記載された発明と、少なくとも形式上、相違している。
　そこで、この相違点（イ）及び（ロ）について、以下検討する。
相違点（イ）について
　引用例１の「表１」には、塩水中に含まれるＳｉＯ２の濃度（ppm）について、「CEC品質基準値」では「＜５」、プラントＣでは「４」、プラントＤでは「２」であることが記載されており、これをケイ素（Ｓｉ）濃度（ppm）に換算すると、「CEC品質基準値」で「＜２．３４」、プラントＣで「１．８７」、プラントＤで「０．９４」となり、これらは５ｐｐｍを上限値とする本件発明のケイ素濃度範囲内である。
　してみれば、上記の相違点（イ）に係るケイ素濃度の点については、両者の発明の実質的な相違を構成するということはできない。
　　
相違点（ロ）について
　上記「相違点（イ）について」の欄に記載したとおり、引用例１の「表１」には、ケイ素濃度（ppm）に換算して、「CEC品質基準値」で「＜２．３４」、プラントＣで「１．８７」、プラントＤで「０．９４」であることが示されており、一方、Ｉ（ヨウ素）濃度（ppm）については、「CEC品質基準値」では「＜０．２」、プラントＣでは「＜０．２」、プラントＤでは「＜０．２」であることが記載されている（摘記1-5)。そして、これらの濃度値から、ケイ素濃度（ppm）とヨウ素濃度（ppm）との積を求めると、「CEC品質基準値」で「＜０．４６８」、プラントＣで「＜０．３７４」、プラントＤで「＜０．１８８」となり、これらは本件発明で特定するケイ素濃度（ppm）とヨウ素濃度（ppm）との積である「０．５以下」の範囲内である。
　してみれば、上記相違点（ロ）に係るケイ素濃度とヨウ素濃度との積の点については、両者の発明の実質的な相違を構成するということはできない。
　以上のとおり、上記相違点（イ）及び（ロ）については、本件発明と引用例１に記載された発明との実質的な相違を構成するものとは言えず、したがって、本件発明は、引用例１に記載された発明である。
　　
VI．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、したがって、その特許は、拒絶をすべき旨の査定をしなければならない特許出願に対してなされたものであり、取り消すべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月１６日（２００２．４．１６）