【事件の表示】
　特許第３１１６４２８号「薄膜誘電体およびその製造方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１６４２８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１１６４２８号の手続の経緯は、次のとおりである。
　出願日　　　　　平成　３年　７月１８日
　設定登録　　　　平成１２年１０月　６日
　公報発行　　　　平成１２年１２月１１日
　特許異議申立　　平成１３年　６月１１日
　取消理由通知　　平成１３年　８月１５日付
　訂正請求　　　　平成１３年１０月３０日
　特許異議意見書　平成１３年１０月３０日
　訂正拒絶理由　　平成１３年１１月２１日付
　手続補正書　　　平成１４年　２月　４日
　取消理由通知　　平成１４年　３月１３日付
　訂正請求取下書　平成１４年　３月２０日
　訂正請求　　　　平成１４年　３月２０日
［２］訂正の適否についての判断
　ア．訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２の記載を、下記のとおりに訂正する。
「【請求項１】基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより、一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）である薄膜誘電体を製造する方法において、イソステアリン酸またはジエタノールアミンからなる添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする該薄膜誘電体の製造方法。」
　訂正事項ｃ
　明細書中の【００１５】の「そこで、本発明の目的は、高い比誘電率を有する薄膜誘電体およびその製造方法を提供することにある。」の記載を、「そこで、本発明の目的は、高い比誘電率を有する薄膜誘電体の製造方法を提供することにある。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　明細書中の【００１７】の「すなわち、本発明は一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）であることを特徴とする薄膜誘電体、および基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより薄膜誘電体を製造する方法において、添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする薄膜状誘電体の製造方法を提供するものである。」の記載を、「すなわち、本発明は一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）である薄膜誘電体を、基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより薄膜誘電体を製造する方法において、イソステアリン酸またはジエタノールアミンからなる添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする薄膜状誘電体の製造方法を提供するものである。」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　明細書中の【００２８】の「本発明においては、膜厚を均一化するために添加剤を加えて誘電体形成用の溶液を調製する。添加剤としてはカルボン酸（Ｃ６〜Ｃ２０）、・・・（中略）・・・のアミン類等を用いることができる。」の記載を、「本発明においては、膜厚を均一化するために添加剤を加えて誘電体形成用の溶液を調製する。添加剤としてはイソステアリン酸、エタノールアミンを用いることができる。」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　明細書中の【００３９】の【発明の効果】における「本発明の薄膜状誘電体は、誘電体粉末をスラリー化して用いるドクターブレード法に比較して製造コストが廉価であるとともに、高い比誘電率のものが得られるために静電容量を大きくすることが可能となり、その工業的価値は頗る大なるものがある。」の記載を、「本発明の薄膜状誘電体の製造方法は、誘電体粉末をスラリー化して用いるドクターブレード法に比較して製造コストが廉価であるとともに、高い比誘電率のものが得られるために静電容量を大きくすることが可能となり、その工業的価値は頗る大なるものがある。」と訂正する。
　イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否　
　上記訂正事項ａは、請求項１を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、かつ新規事項を追加するものでも実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｂにおける、文末に「。」を加える訂正は、単なる誤記の訂正を目的とするものである。また、請求項１を引用した記載形式を独立形式にするとともに、請求項２の番号を繰り上げて請求項１とする訂正部分は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。また、添加剤の記載を、イソステアリン酸またはジエタノールアミンからなる添加剤とする訂正部分は、当初明細書及び特許時の明細書中の実施例において用いられている添加剤に限定して明確にするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、上記訂正事項ｂは、明細書に記載した事項の範囲内において行われるものであって、新規事項を追加するものでも実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｃ〜ｆは、上記訂正事項ａ及びｂに整合させて明細書中の記載を訂正するものにすぎないから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、かつ新規事項を追加するものでも実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　ウ．訂正の適否についての結論
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する第１２６条第２−３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
［３］特許異議申立についての判断
　ア．本件発明
　本件発明は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１（以下、「本件発明」という）に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより、一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）である薄膜誘電体を製造する方法において、イソステアリン酸またはジエタノールアミンからなる添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする該薄膜誘電体の製造方法。」
　イ．特許異議申立理由の概要
　本件発明に対して、特許異議申立人大和田百合子は、甲第１号証〜甲第２号証（以下、「甲１」〜「甲２」という）を挙示し、本件発明は、甲１：ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ　ＲＥＳＥＡＲＣＨ　ＳＯＣＩＥＴＹ　ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ　ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ　ＶＯＬＵＭＥ２００　「Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ」（Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ：１９９０年４月１６〜２０日）ｐ．１７３〜１７８に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当するか、もしくは、上記甲１及び甲２：「Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｒｅｓｅａｒｃｈ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ」　Ｖｏｌ．７３　１９８６　ｐ．７１１〜７１６に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定に違反していて、特許を受けることができないものであり、特許を取り消すべきであると主張している。
　ウ．甲号証に記載の事項
　甲１には、「Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍｓ」（強誘電体薄膜）について記載され、
（１−１）第１７３頁「ＡＢＳＴＲＡＣＴ」欄には、「アルコキシドをベースとした溶液を合成し、白金処理されたＳｉ上における、
Ｐｂ［（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０．９０Ｔｉ０．１０］Ｏ３（９０ＰＭＮＴ）薄層の製造に用いた。積層にはスピン　コーティング法を用いた。ペロブスカイト相含有量、微細構造及び誘電特性に対する、製造手順、添加物、及び中間熱処理の効果について報告した。ペロブスカイトの最大含有量（〜９９％）と最大比誘電率（Ｋ＝１５００−２０００，ｔａｎδ＝０．０３　ａｔ　１００ＫＨｚ）は、８００℃で個々の層を迅速に熱処理するプロセスによって得られた。極性−反転の測定結果も報告した。」旨、記載されている。
（１−２）第１７４頁「ＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＡＬ」欄２〜８行：「Ｐｂの前駆体とＭｇ、Ｎｂの前駆体を別々に調製、混合、反応させてＰＭＮ原料溶液を作製した。９０ＰＭＮＴ組成の溶液は１モルＰＴ原料溶液（Ｂｕｄｄ等よって調製された）に対して１モルＰＭＮ原料溶液を必要量混合して作製した。９０ＰＭＮＴ溶液には、図１にあるＰｂ前駆体溶液と同じ方法で調製された、Ｐｂを含むメトキシエタノール溶液の添加によって０〜１５モル％の過剰Ｐｂをドープし得る。」旨記載され、ここで「ＰＴ」、「ＰＭＮ」、「ＰＭＮＴ」は、それぞれ「鉛チタネート」、「鉛マグネシウムニオベート」、「Ｐｂ［（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）１−ＸＴｉＸ］Ｏ３」を略したものであることは、第１７３頁「ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮ」欄７〜９行に記載されている
（１−３）第１７４頁「ＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＡＬ」欄９〜１１行：「Ｐｂがドープされた９０ＰＭＮＴ溶液は部分的に加水分解され、ＰｔをコートしたＳｉ基板上にスピンコートされた。部分加水分解のために、９０ＰＭＮＴ溶液には水と添加物を２−メトキシエタノール溶液に組み合わせる。」旨記載され、また、
（１−４）第１７４頁「ＥＸＰＥＲＩＭＥＮＴＡＬ」欄１６〜２２行：「３種類の添加剤が研究された。（ｉ）ＮＨ４ＯＨ（０．１ｍｏｌｅｓ／ｍｏｌｅＰＭＮＴ）、（ｉｉ）ＨＮＯ３（ｏ．ｌｍｏｌｅｓ／ｍｏｌｅＰＭＮＴ）と（ｉｉｉ）安息香酸（０．５または２ｍｏｌｅｓ／ｍｏｌｅＰＭＮＴ）。部分加水分解溶液は２４から３６時間エージングされ、基板上に０．２μｍのフィルターを通して注射され、２０００ｒｐｍで５０秒間スピンコートされた。成膜後、試料はホットプレート上（１００℃）で１０秒間乾燥され、直接、空気中６０秒間プリヒート箱型炉に入れられた。成膜と熱処理は最終膜厚が０．３μｍになるまで５層コートができるまで繰り返された。）旨、記載されている。また、
（１−５）第１７５頁「Ｆｉｇ．１．Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ＰＭＮ」には、ＰＭＮ前駆体溶液がＰｂ前駆体溶液とＭｇ，Ｎｂ前駆体溶液から作成され、そのＰｂ前駆体溶液がＰｂ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・３Ｈ２ＯとＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨから作成され、Ｍｇ，Ｎｂ前駆体溶液がＭｇ［Ｎｂ（ＯＣＨ３ＣＨ２）５］２｛←Ｍｇ（ｓ）とＣＨ３ＣＨ２ＯＨおよびＮｂ（ＯＣＨ３ＣＨ２）５｝から作成されることが示されている。
（１−６）第１７５頁３〜６行：「また、沈析前の溶液に対する過剰Ｐｂ添加の効果が調査された。そして、最高の比誘電率をもつ最も完全なペロブスカイト相は、１０−１５モル％過剰Ｐｂで得られた。」旨記載されている。
（１−７）第１７７頁表Ｉには、種々の添加剤を含有する溶液（１０％過剰Ｐｂ）で製造された９０ＰＭＮＴ薄層（５層）におけるペロブスカイト相成長と誘電特性が報告されていて、安息香酸を添加剤として含有させた場合の結果は下記のとおりになっている。｛下記の（０．５）、（２）は、ＰＭＮＴモルに対する安息香酸のモル割合である。｝
　添加剤　　　温度（℃）　％ペロブスカイト　　Ｋ　　　ｔａｎδ
安息香酸（２）　　７００　　　４１　　　　６５　　　０．００８
（１０％過剰Ｐｂ）７５０　　　８３　　　６１２　　　０．０４６
　　　　　　　　　８００　　　９７　　１５１７　　　０．０３６
                                               　
安息香酸（０．５）８００　　　９９　　１６５０　　　０．０３５
（１５％過剰Ｐｂ）８００＊　　９９　　２２００　　　０．０３０
　　＊（１０層）　
（１−８）第１７６頁１〜１９行には表Ｉの結果について、「・・・安息香酸を添加して製造した薄層は、より段階的にペロブスカイト相になった。ＨＮＯ３やＮＨ４ＯＨを添加した場合に比べると、安息香酸を添加して製造した薄層のＫは、７００℃熱処理後ではより小さかったが、８００℃燃焼後ではより大きかった。ＰＭＮＴに対する安息香酸の相対的な濃度を２から０．５モルへ減らすと、改善された誘電特性を持つ、より密度の高い微細構造になった。また、厚さが１０層コーティングでは、より大きな比誘電率であった。この傾向は、０．１５〜０．６μｍの膜厚を持つ他の試料において観察された・・・」旨、記載されている。
　甲２の第７１１−７１６頁には、Ｂｕｄｄ．Ｋ．Ｄ．等により「ＴＨＥ　ＥＦＦＥＣＴ　ＯＦ　ＨＹＤＲＯＬＹＳＩＳ　ＣＯＮＤＩＴＩＯＮＳ　ＯＮ　ＴＨＥ　ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ　ＯＦ　ＰｂＴｉＯ３　ＧＥＬＳ　ＡＮＤ　ＴＨＩＮ　ＦＩＬＭＳ」（ＰｂＴｉＯ３ゲル及び薄膜の特質に対する加水分解条件の効果）と題する論文が掲載され、ＰＴ原料溶液がチタン化合物と鉛化合物から作製されるということが、示されていて、
（２−１）第７１２頁「Ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ　Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ」欄の第２式として、
「Ｐｂ（Ａｃ）２＋Ｔｉ（ＯＲ）４→ＰｂＴｉＯ２（ＯＲ）２＋２ＲＡｃ」と記載されているように、酢酸鉛とチタンアルコキシドの反応によってＰｂＴｉＯ２（ＯＲ）２、即ち鉛チタネート（＝ＰＴ）を得ることが、記載されている。
（なお、異議申立人は、参考資料１：「高機能材料を拓くゾル−ゲル法の現状と展望　１９９２」ｐ．９６〜９８を挙示しているが、該資料は本出願後に頒布された刊行物であるから、本件異議の証拠方法としては採用しない。）
　エ．対比・判断
  本件発明と甲１発明とを対比する。
　本件発明は、高い比誘電率を有する薄膜誘電体の製造方法を提供することを目的として、上記請求項１の構成を採用するものである。
　一方、甲１発明では、上記（１−１）〜（１−８）の記載を含む全記載からみて、より改善された誘電特性を持つ誘電体薄膜およびその製造方法の提供を目的としていることは明らかであるから、両者は、目的においては略同じであって特に差異があるとは認められない。
　そして、甲１発明における「９０ＰＭＮＴ」とは、上記（１−１）の記載から明らかなように、ＰＭＮＴにおけるｘ＝０．１の場合、即ち「Ｐｂ［（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０．９０Ｔｉ０．１０］Ｏ３」のことであり、一方、本件発明における、一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３は、書き換えると、Ｐｂ［（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）１−ｘＴｉｘ］Ｏ３となるから、ｘ＝０．１である場合は、Ｐｂ［（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０．９０Ｔｉ０．１０］Ｏ３（＝９０ＰＭＮＴ）と等価である。
　また、上記（１−６）〜（１−８）の記載からみて、甲１発明における「ＮＨ４ＯＨ、ＨＮＯ３、安息香酸」は、本件発明における「添加剤」と等価であり、また甲１の図１に記載されている「ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ、ＣＨ３ＣＨ２ＯＨ」、「Ｐｂ（ＣＨ３ＣＯＯ）２・３Ｈ２Ｏ」、「Ｍｇ［Ｎｂ（ＯＣＨ３ＣＨ２）５］２、「Ｎｂ（ＯＣＨ３ＣＨ２）５」は、本件発明における「有機溶媒」、「有機溶媒に可溶な鉛化合物」、「マグネシウム化合物」、「ニオブ化合物」と等価である。　また、甲１発明における、「ＰＴ」、即ち「鉛チタネート」（甲１の第１７３頁「ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮ」の欄の７〜９行参照）は、「ＰＴ原料溶液（Ｂｕｄｄ等によって調製された）」｛上記（１−２）参照｝と記載されていて、該「Ｂｕｄｄ法」というのは甲２の記載内容からも明らかなように、甲２の（２）式に示された
Ｐｂ（Ａｃ）２＋Ｔｉ（ＯＲ）４→ＰｂＴｉＯ２（ＯＲ）２＋２ＲＡｃ　による製造法を意味しているところから、Ｂｕｄｄ等によって調製されたＰＴ原料溶液とは、ＰｂＴｉＯ２（ＯＲ）２｛上記（２）式における、ＲＡｃは副成物である。｝のことであるので、本件発明における「チタニウム化合物」と等価である。
　さらに、上記（１−３）、（１−４）、（１−８）には、９０ＰＭＮＴを用いて、ＰｔをコートしたＳｉ基板上に、最終膜厚が０．３μｍになるまでスピンコートによって５層コートすることにより薄膜誘電体を形成すること、及び膜厚としては０．１５〜０．６μｍがサンプルとして用いられたことが記載されている。
　そうすると、甲１発明と周知のＢｕｄｄ法（甲２参照）の記載内容を合わせ勘案すると、結局、甲１には、「１モルＰＴ原料溶液｛Ｂｕｄｄ等よって調製されたＰｂＴｉＯ２（ＯＲ）２｝に対して１モルＰＭＮ（鉛マグネシウムニオベート）原料溶液を必要量混合してアルコキシドをベースとした９０ＰＭＮＴ溶液を合成し、白金処理されたＳｉ上に、スピンコーティング法を用いて、９０ＰＭＮＴからなる薄層を形成し、次いで７００〜８００℃で加熱処理して薄膜誘電体を製造する方法において、安息香酸等の添加剤、有機溶媒、有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物またはその反応生成物からなり、かつ鉛が０−１５モル％過剰である薄膜形成用溶液を用いて、９０ＰＭＮＴの組成を有し、膜厚（＝平均膜厚）が０．１５〜０．６μｍである薄膜誘電体を製造する方法」が開示されていることになるから、本件発明と甲１発明の構成を対比すると、両者は、「基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより薄膜誘電体を製造する方法において、添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が１〜１５モル％の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３（ここでｘ＝０．１）、即ち９０ＰＭＮＴ、で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍである薄膜誘電体の製造方法」である点において一致しているが、下記の点で構成上相違している。
　１）一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示される薄膜誘電体の組成におけるｘの範囲が、本件発明では、０．０５≦ｘ≦０．４であるのに対して、甲１発明では、ｘ＝０．１である点。
　２）鉛の過剰率が、本件発明では、１〜３０モル％の範囲であるのに対して、甲１発明では０〜１５モル％で実験している点。
　３）膜厚（＝平均膜厚）が、本件発明では、０．１５〜５．０μｍであるのに対して、甲１発明では０．１５〜０．６μｍ（実験では、５層コートで０．３μｍ。）である点。
　４）添加剤が、本件発明では、イソステアリン酸またはジエタノールアミンであるのに対して、甲１発明では、安息香酸等々である点。
　上記相違点１）〜４）についてみてみると、
　上記相違点１）については、上記（１−２）に記載があるように、甲１発明においては、上記一般式におけるｘが０．１である９０ＰＭＮＴ組成の溶液は、１モルＰＴ原料溶液（Ｂｕｄｄ等によって調製された）に対して１モルＰＭＮ原料溶液を必要量（即ち、ＰＴ原料溶液を０．１モルとＰＭＮ原料溶液を０．９モルということになる）混合して作製しているところから、ｘが０．１の近辺のみならず、０．０５以上、０．４以下の範囲においても、１モルＰＴ原料溶液（Ｂｕｄｄ等よって調製された）に対して１モルＰＭＮ原料溶液を必要量混合（即ち、ｘが０．０５の場合には、ＰＴ原料溶液を０．０５モルとＰＭＮ原料溶液を０．９５モル混合し、また、ｘが０．４の場合には、ＰＴ原料溶液を０．４モルとＰＭＮ原料溶液を０．６モル混合することになる。）すれば容易に作製できるところから、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎないものと認める。
　また、上記相違点２）については、上記（１−６）に記載があるように、甲１発明において、鉛の過剰率が１０〜１５モル％の範囲で最高の比誘電率が得られているところから、鉛の過剰率を１５モル％以上で実施してみる程度のことは、当業者が適宜なし得ることにすぎないと認められるし、さらに、上記相違点３）についても、上記（１−４）、（１−８）に記載があるように、甲１発明では０．１５〜０．６μｍ（実験では、５層コートで０．３μｍ。）としているが、膜厚を０．６μｍより厚い範囲にする程度のこと、即ち、コートする層数を増やす程度のことは、当業者が適宜なし得る設計的事項にすぎない。
　しかしながら、上記相違点４）については、上記（１−７）、（１−８）に添加剤を使用して製造した薄膜誘電体について比誘電率、誘電損失等々についての具体的な記載があるけれども、添加剤としては、種類が全く異なるＮＨ４ＯＨ、ＨＮＯ３又は安息香酸について記載されているのみで、本件発明で使用しているイソステアリン酸またはジエタノールアミンについては、記載も示唆もするところがない。さらに、本件発明においては、添加剤は膜厚を均一化するために用いるものであるが、甲１発明においては、このような添加剤の作用についてもなんら記載するところがない。
　そして、甲１発明では、上記（１−７）の記載から明らかなように、ｘが０．１で、鉛の過剰率が１０モル％，１５モル％、焼成温度が８００℃で，添加剤としては安息香酸を用いて実施した場合に、比誘電率としては、最高の１５１７〜２２００が得られているにすぎない。
　これに対して、本件発明で奏される効果をみてみると、本件発明の実施例１〜６では、上記一般式におけるｘが、０．０５，０．１５，０．３０，０．４０で、鉛の過剰率が５モル％、焼成温度が８００℃，８５０℃、添加剤はイソステアリン酸またはジエタノールアミンを用いて実施した場合に、比誘電率としては、１６００〜２５００が得られているので、添加剤としてイソステアリン酸またはジエタノールアミンを用いている本件発明では、添加剤として安息香酸を用いている甲１発明より優れた比誘電率の薄膜誘電体が得られていることになる。
　したがって、本件発明は、甲１〜２を寄せ集めて総合的に判断しても、上記相違点４）については、甲１〜２に記載も示唆もなく、しかも、その奏する効果も顕著なものである以上、これらに記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認めることはできない。
　また、当審で通知した明細書の記載不備については、上記訂正により解消した。
　オ．むすび
　以上のとおりであるから、本件特許異議の申立の理由及び証拠方法によっては、本件請求項１の発明に係わる特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１の発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　よって、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１４年３月２６日（２００２．３．２６）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　本件訂正請求の要旨は、特許第３１１６４２８号の明細書を、下記のように訂正するものである。
　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を削除する。
　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項２の記載を、下記のとおりに訂正する。
「【請求項１】基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより、一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３
で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）である薄膜誘電体を製造する方法において、イソステアリン酸またはジエタノールアミンからなる添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする該薄膜誘電体の製造方法。」
　訂正事項ｃ
　明細書中の【００１５】の「そこで、本発明の目的は、高い比誘電率を有する薄膜誘電体およびその製造方法を提供することにある。」の記載を、「そこで、本発明の目的は、高い比誘電率を有する薄膜誘電体の製造方法を提供することにある。」と訂正する。
　訂正事項ｄ
　明細書中の【００１７】の「すなわち、本発明は一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３
で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）であることを特徴とする薄膜誘電体、および基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより薄膜誘電体を製造する方法において、添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする薄膜状誘電体の製造方法を提供するものである。」の記載を、「すなわち、本発明は一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３
で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）である薄膜誘電体を、基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより薄膜誘電体を製造する方法において、イソステアリン酸またはジエタノールアミンからなる添加剤と有機溶媒と有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物との混合物または反応生成物から成り、かつ、鉛の過剰率が１〜３０モル％の範囲にある薄膜形成用の溶液を用いることを特徴とする薄膜状誘電体の製造方法を提供するものである。」と訂正する。
　訂正事項ｅ
　明細書中の【００２８】の「本発明においては、膜厚を均一化するために添加剤を加えて誘電体形成用の溶液を調製する。添加剤としてはカルボン酸（Ｃ６〜Ｃ２０）、・・・（中略）・・・のアミン類等を用いることができる。」の記載を、「本発明においては、膜厚を均一化するために添加剤を加えて誘電体形成用の溶液を調製する。添加剤としてはイソステアリン酸、エタノールアミンを用いることができる。」と訂正する。
　訂正事項ｆ
　明細書中の【００３９】の【発明の効果】における「本発明の薄膜状誘電体は、誘電体粉末をスラリー化して用いるドクターブレード法に比較して製造コストが廉価であるとともに、高い比誘電率のものが得られるために静電容量を大きくすることが可能となり、その工業的価値は頗る大なるものがある。」の記載を、「本発明の薄膜状誘電体の製造方法は、誘電体粉末をスラリー化して用いるドクターブレード法に比較して製造コストが廉価であるとともに、高い比誘電率のものが得られるために静電容量を大きくすることが可能となり、その工業的価値は頗る大なるものがある。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
薄膜誘電体およびその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板上に薄膜形成用の溶液を塗布して薄膜を形成し、該薄膜を熱処理することにより
、一般式
（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３
で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）である
イソステアリン酸またはジエタノールアミンからなる
該薄膜誘電体
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、薄膜誘電体およびその製造方法に係わり、更に詳しくは有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を特定割合で含む薄膜形成用の溶液を基板上に塗布後さらに熱処理することにより得られる薄膜誘電体およびその製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来より酸化チタン、チタン酸バリウムはその誘電特性により磁器コンデンサーとして利用されてきた。この磁器コンデンサーでは、静電容量を大きくするため一般的に積層型にして用いられている。
　【０００３】
　コンデンサーの製造方法は、固相反応や溶液反応で得られた粒径が０．５〜５μｍの誘電体粉末にバインダーと溶剤とを混合してスラリーを作製し、そのスラリーをドクターブレード法等で薄板状に成形し、得られた薄板を１０〜数十層に積層し、１２００〜１３００℃の温度で焼成するという工程から成っている。
　【０００４】
　また、静電容量を大きくする方法として誘電体層を薄膜化する方法がある。積層型コンデンサーの場合、１層の厚みが約２０〜４０μｍで、これを約５０層程度積層させたものが一般的であるが、１層が１μｍ程度に薄膜化できてしかも単層でも積層型と同等、もしくはそれ以上の静電容量が得られるなら、コンデンサーの小型化が可能となる。
　【０００５】
　薄膜化の方法としてはスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相法がこれまで試みられている。〔ジャーナル・オブ・エレクトロケミカル・ソサエティ（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）Ｖｏｌ．１１９，Ｎｏ．６　Ｐ７３５−７３９（１９７２）〕
　【０００６】
　また、有機金属化合物を塗布した後、熱分解により薄膜誘電体を製造する方法がある。たとえば、酢酸鉛とチタンアルコキシドとをメトキシエタノール中でＰｂ：Ｔｉ＝１：１の比で混合した後、加熱反応させ、これを石英ガラス基板上に塗布後に電気炉中で焼成を行い、薄膜状チタン酸鉛を得る方法が知られている。〔ブリティッシュ・セラミック・プロシーディング（Ｂｒｉｔｉｓｈ．Ｃｅｒａｍｉｃ．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ）（３６）１０７−１２１（１９８５）〕
　【０００７】
　チタン化合物と鉛化合物との混合物、またはチタン化合物と鉛化合物との反応生成物のβ−ジケトン溶液をチタン酸鉛形成前駆体溶液として、塗布、加熱処理を繰返すことによりチタン酸鉛薄膜を製造する例が特開昭５９−１３９６１７号公報に記載されている。
　【０００８】
　特開昭６０−２００４０３号公報には、ＰｂＺｒＯ３−ＰｂＴｉＯ３−Ｐｂ（Ｍｂ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３系について薄膜誘電体の製造方法が開示されている。
　【０００９】
　また、特開平１−２６０８７０号公報には、添加剤としてアルコールアミンを用いた溶液の塗布熱分解法による変性チタン酸ジルコン酸鉛の薄膜の製造例が記載されている。
　【００１０】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、固相法や液相法により得た誘電体の粉末を用いドクターブレード法で薄膜状誘電体を形成する場合には、誘電体粉末の粒径が大きいために誘電体の膜厚を２０μｍ以下にすることは困難である。
　【００１１】
　ところで、コンデンサーの静電容量は
Ｃ＝（ε０εｒＳ／ｄ）×ｎ
（式中、Ｃは静電容量、Ｓは面積、ｄは電極間距離、ε０は真空誘電率（８．８５×１０−１２Ｆ／ｍ）、εｒは比誘電率、ｎは積層数を示す）の関係にあるから、一般に静電容量を大きくするためには積層数を増してやれば良いわけであるが、ドクターブレード法では膜厚が厚くなるので高容量化には自ずと限界がある。さらに、ドクターブレード法では誘電体粉末を得るための焼成と、成形された生シートの焼成とを必要とするため製造コストが高くなるという欠点もある。
　【００１２】
　また、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相法で薄膜状誘電体を形成しようとする場合、装置が高価なことや目的とする誘電体物質の組成比を制御することが困難であるため、高い比誘電率の薄膜を得ることが難しい等の問題点がある。
　【００１３】
　前記特開昭５９−１３９６１７号公報や特開昭６０−２００４０３号公報に開示されてる薄膜誘電体は、その比誘電率が低いため静電容量の高容量化は期待できない。また、特開平１−２６０８７０号公報には変性チタン酸ジルコン酸鉛薄膜の製造例が記載されているが、比誘電率や誘電損失等の誘電特性については何らの記載もない。
　【００１４】
　また、上記諸公報に記載されている製造方法においては、出発物質の組成比は化学量論比通りに調製されている。しかし、鉛含有化合物は焼成中に鉛の飛散が起こりやすいので組成比の制御が難しく、そのために高い比誘電率のものを得ることは困難である。
　【００１５】
　そこで、本発明の目的は、高い比誘電率を有する
薄膜誘電体の
　【００１６】
　【課題を解決するための手段】
　かかる事情に鑑み、本発明者らは有機溶媒に可溶な鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を原料として用いた薄膜誘電体の製造方法について鋭意検討を行った結果、高い比誘電率を有する薄膜誘電体が得られることを見出し、本発明を完成させるに至ったものである。
　【００１７】
　すなわち、本発明は一般式（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示される組成を有し、平均膜厚が０．１５〜５．０μｍ（ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４）である
薄膜誘電体を、
イソステアリン酸またはジエタノールアミンからなる
　【００１８】
　以下本発明を更に詳細に説明する。本発明においては、有機溶媒に可溶な鉛化合物としては、例えばジエトキシ鉛、ジイソプロポキシ鉛、鉛アセチルアセナート、蟻酸鉛、酢酸鉛等を用いることができる。
　【００１９】
　有機溶媒に可溶なマグネシウム化合物としては、例えばジメトキシマグネシウム、ジエトキシマグネシウム、ジイソプロポキシマグネシウム、マグネシウムアセチルアセトナート、酢酸マグネシウム、硝酸マグネシウム等を用いることができる。
　【００２０】
　有機溶媒に可溶なニオブ化合物としては、例えばペンタメトキシニオブ、ペンタエトキシニオブ、ペンタイソプロポキシニオブ、ペンタブトキシニオブ、塩化ニオブ等を用いることができる。
　【００２１】
　有機溶媒に可溶なチタニウム化合物としては、例えばテトラメトキシチタニウム、テトラエトキシチタニウム、テトライソプロポキシチタニウム、テトラブトキシチタニウム、四塩化チタン等を用いることができる。
　【００２２】
　有機溶媒としては前記鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を溶解するものならばどのような溶媒を用いてもよいが、好ましくはメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、メトキシエタノール、エトキシエタノール等のアルコール類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン等のケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、蟻酸エチル等のカルボン酸エステル類、アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ジベンゾイルアセトン等のβ−ジケトン類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類等が挙げられ、これら溶媒を単独、あるいは２種以上を併用することもできる。
　【００２３】
　本発明においては、先ず薄膜形成用の溶液が調製される。調製方法としては鉛化合物、マグネシウム化合物、ニオブ化合物およびチタニウム化合物を有機溶媒中に溶解して室温で混合するか、或は有機溶媒中で加熱下で反応せしめる方法が用いられる。これに、さらに添加剤を加えて薄膜形成用の溶液が得られる。
　【００２４】
　より均一な薄膜を得るためには、該溶液の重合を行ったものを用いることが望ましい。この場合は、１〜５重量％の水を含む有機溶媒を用いることが必要である。
　【００２５】
　得られた薄膜形成用の溶液中の鉛の過剰率は１〜３０モル％の範囲にあることが望ましい。ここで、鉛の過剰率はＰｂ／（Ｍｇ＋Ｎｂ＋Ｔｉ）のモル比を意味する。鉛の過剰率が１モル％未満では、得られた薄膜の組成が化学量論組成にはならずに比誘電率の低い薄膜しか得られない。また、鉛の過剰率が３０モル％を超える場合は、得られた薄膜に酸化鉛が残留してしまうため比誘電率の高いものを得ることができない。
　【００２６】
　本発明により得られた薄膜誘電体は、一般式（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示される組成を有し、ここでｘは０．０５≦ｘ≦０．４の範囲にあることが望ましい。ｘが０．０５より小さい場合は絶縁抵抗が高いものを得ることができず、またｘが０．４より大きい場合は比誘電率の高いものが得られない。
　【００２７】
　本発明で用いられる誘電体形成用の溶液中の金属化合物の濃度は、金属化合物の種類によっても異なるが、希釈し過ぎて濃度が低い場合は、所定の膜厚を得るのに塗布を多数回繰り返さなければならず経済的でないし、逆に濃度が濃すぎると塗布の作業性が低下するので、一般には酸化物に換算して２〜８０重量％、好ましくは５〜５０重量％が適用される。したがって、誘電体形成用の溶液の濃度は薄膜状誘電体の目的とする膜厚により上記の範囲で決定すればよい。
　【００２８】
　本発明においては、膜厚を均一化するために添加剤を加えて誘電体形成用の溶液を調製する。添加剤としては
イソステアリン酸、ジエタノールアミン
　【００２９】
　膜厚を均一化するための添加剤の添加量は鉛１モルに対して０．１〜３．０モルの範囲、好ましくは０．１〜２．０モルの範囲である。０．１モル未満では膜厚を均一化する効果は小さく、３．０モルを超えると有機物が増すために焼成後に緻密で平滑な薄膜を得ることが困難となる。
　【００３０】
　比誘電率の温度に対する変化を小さくするためにＢ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｂｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｎｄ、Ｓｂ等の化合物や還元防止剤としてのＭｎ、Ａｌ等の化合物を添加することもできる。
　【００３１】
　また、塗布膜の厚さを均一にするために、例えばポリオールやエチルセルロース等の高分子物質、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセチルアセトン、グリセリンのような高沸点化合物、ノニオン系またはアニオン系の界面活性剤等を添加することができる。
　【００３２】
　このようにして調製された誘電体形成用の溶液は、次いで基板上に塗布される。基板は平滑性があり、４００℃以上の温度に耐えるものならばどのようなものでも用いることができるが、例えばガラス基板、セラミック基板、半導体基板、金属薄膜または導電性酸化物で被覆されたそれ等の基板等が挙げられる。
　【００３３】
　具体的には石英ガラス基板、アルミナ、ジルコニア、マイカ等の基板、シリコン基板、金、白金、パラジウム、銀、銅、クロム、チタニウム、アルミニウム、タンタル、金−クロム、パラジウム−銀、白金−タンタル、白金−チタニウム、スズまたはアンチモンをドープした酸化インジウム等の薄膜で被覆された石英ガラス、アルミナ、ジルコニア、マイカ、シリコン等の基板、金、白金、パラジウム、銀、銅、ニッケル、ニッケル−クロム等の金属基板が挙げられる。
　【００３４】
　用いられる基板の表面はできるだけ平滑であることが好ましく、Ｒａ＜０．１μｍであることが好ましい。（ここで、ＲａはＪＩＳＢ０６０１に定められている中心線平均粗さを示す。）
　【００３５】
　基板への塗布方法としては浸漬法、スプレー法、スピンナー法、刷毛塗り法等の公知の塗布方法を用いることができる。
　【００３６】
　基板へ塗布して得た薄膜の加熱処理温度は、溶媒中の金属化合物の濃度、溶媒の種類、基板の種類等により異なるが、誘電体の結晶化温度以上の温度にする必要があり、通常は４００〜１２００℃、好ましくは５００〜１０００℃である。４００℃未満では有機物が分解せず、１２００℃を越える場合は著しい粒成長とともに粒界に空孔が生成し、絶縁性の良い薄膜が得られない。
　【００３７】
　焼成雰囲気は空気中、不活性ガス中、誘電体が還元され易い場合は酸素雰囲気中でも焼成することが出来る。
　【００３８】
　本発明の薄膜状誘電体の厚さは０．１５〜５．０μｍである。０．１５μｍ未満では耐電圧が低く、絶縁破壊が起こりやすく、また５．０μｍを越える場合には１層当たりの静電容量が小さくなるため、高い静電容量のものが得られないので好ましくない。
　【００３９】
　【発明の効果】
　本発明の薄膜状誘電体
の製造方法
　【００４０】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明の範囲は実施例により、何ら限定されるものではない。
　【００４１】
　実施例１
　ジイソプロポキシ鉛（３４．１５ｇ）、ジエトキシマグネシウム（３．６２ｇ）、ペンタエトキシニオブ（２０．１２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（１．４２ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４９．３０ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．２５モル）を添加して、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の溶液を調製した。得られた溶液の鉛の過剰率は５モル％であった。この溶液をＰｔ（０．５μｍ）／Ｔｉ（０．０５μｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に２５００ｒｐｍでスピンナー（ミカサ株式会社製１Ｈ−２Ｄ）により塗布後、４５０℃で３０分間酸素中で焼成し、この塗布と焼成の操作を５回繰り返し、最後に８００℃で１時間空気中で焼成して膜厚が１．０μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た。ここで得られた薄膜誘電体の組成は、一般式が（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示され、本実施例ではｘが０．０５となった。この薄膜上にＡｕ電極をスパッター（アルパック株式会社製ＳＢＨ−１１０４ＲＥ）により形成した後、１ＫＨｚ、２５℃での静電容量と誘電損失を横河ヒューレットパッカード社製ＬＣＲメーター４２６２Ａにより測定した。比誘電率εｒはＣ＝（ε０εｒＳ／ｄ）×ｎから計算により求めた。（面積Ｓ＝１ｍｍ２とした。）また、横河ヒューレットパッカード社製超絶縁抵抗計ＹＨＰ４３２９Ａを用いて直流１０Ｖ印加時の絶縁抵抗を測定した。結果を表１に示す。
　【００４２】
実施例２
　実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５ｇ）、ジエトキシマグネシウム（３．２３ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４７．４８ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組成はｘが０．１５となった。結果を表１に示す。
　【００４３】
実施例３
　実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５ｇ）、ジエトキシマグネシウム（２．６６ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１４．８５ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（８．５２ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４４．７６ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組成はｘが０．３０となった。結果を表１に示す。
　【００４４】
実施例４
　実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５ｇ）、ジエトキシマグネシウム（２．２９ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１２．７２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（１１．３６ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４２．９６ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組成はｘが０．４０となった。結果を表１に示す。
　【００４５】
比較例１
　実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５ｇ）、ジエトキシマグネシウム（３．７７ｇ）、ペンタエトキシニオブ（２１．３０ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（０ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１５０．１２ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組成はｘが０となった。結果を表１に示す。
　【００４６】
比較例２
　実施例１において、ジイソプロポキシ鉛（３４．１５ｇ）、ジエトキシマグネシウム（１．９１ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１０．５９ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（１４．２０ｇ）混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４１．１６ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（７．４６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．２５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた薄膜誘電体の組成はｘが０．５０となった。結果を表１に示す。
　【００４７】
　【表１】
　【００４８】
実施例５
　酢酸鉛３水塩（３９．８ｇ）をメトキシエタノール（１３７．１ｇ）中に７０℃加熱下で溶解後１２０℃で２時間脱水を行いその後９０℃に冷却し、ジエトキシマグネシウム（３．２３ｇ）とペンタブトキシニオブ（２５．９７ｇ）とテトライソプロポキシチタニウム（４．２６ｇ）とを加え、さらに添加剤としてジエタノールアミン（１０．５ｇ）（鉛１．０モルに対して１．０モル）添加して、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の溶液を調製した。得られた溶液の鉛の過剰率は５モル％であった。この溶液をＡｕ（０．５μｍ）／Ｔｉ（０．０６μｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に３０００ｒｐｍでスピンナ−により塗布後、４５０℃で３０分間酸素中で焼成し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成して膜厚が０．１５μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た。ここで得られた薄膜誘電体の組成は、一般式が（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示され、本実施例ではｘが０．１５であった。この薄膜上にＡｕ電極をスパッターにより形成した後、薄膜誘電体の電気特性を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表２に示す。
　【００４９】
実施例６
　実施例５において得られた溶液を、アルミナ基板上に１５００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３０分間酸素中で焼成し、この塗布と焼成の操作を２０回繰り返し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成して膜厚が５．０μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。結果を表２に示す。
　【００５０】
比較例３
　実施例５において得られた溶液を、アルミナ基板上に６０００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３０分間酸素中で焼成し、最後に８５０℃で３０分間大気中で焼成して膜厚が０．０８μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。結果を表２に示す。
　【００５１】
比較例４
　実施例５において得られた溶液を、アルミナ基板上に１０００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３０分間酸素中で焼成し、この塗布と焼成の操作を５０回繰り返し、最後に８５０℃で３０分間空気中で焼成して膜厚が２０．０μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。結果を表２に示す。
　【００５２】
　【表２】
　【００５３】
実施例７
　ジエトキシ鉛（３０．０２ｇ）、ジメトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１５５．５６ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（４．３０ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１５モル）を添加して、酸化物換算で１５重量％の誘電体形成用の溶液を調製した。得られた溶液の鉛の過剰率は１モル％であった。この溶液をＰｔ（０．５μｍ）／Ｔａ（０．０５μｍ）の薄膜で被覆されたアルミナ基板上に２５００ｒｐｍでスピンナーにより塗布後、４５０℃で３０分間酸素中で焼成し、この塗布と焼成の操作を５回繰り返し、最後に８００℃で１時間空気中で焼成して膜厚が１．０μｍの緻密で透明な薄膜誘電体を得た。ここで得られた薄膜誘電体の組成は、一般式が（１−ｘ）Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ｘＰｂＴｉＯ３で示され、本実施例ではｘが０．１５であった。この薄膜上にＡｕ電極をスパッターにより形成した後、薄膜誘電体の電気特性を実施例１と同様の方法で測定した。結果を表３に示す。
　【００５４】
実施例８
　実施例７において、ジエトキシ鉛（３１．２１ｇ）、ジメトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１５４．２６ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（４．４７ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は５モル％であった。結果を表３に示す。
　【００５５】
実施例９
　実施例７において、ジエトキシ鉛（３８．６４ｇ）、ジメトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４５．７０ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（５．５４ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は３０モル％であった。結果を表３に示す。
　【００５６】
比較例５
　実施例７において、ジエトキシ鉛（２９．７２ｇ）、ジメトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１５５．９０ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（４．２６ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は０モル％であった。結果を表３に示す。
　【００５７】
比較例６
　実施例７において、ジエトキシ鉛（４０．１２ｇ）、ジメトキシマグネシウム（２．４４ｇ）、ペンタエトキシニオブ（１８．０２ｇ）およびテトライソプロポキシチタニウム（４．２６ｇ）を混合し、これをイソプロパノール−トルエンの重量比が１：１である混合溶媒（１４４．００ｇ）中に溶解し、これに添加剤としてイソステアリン酸（５．７５ｇ）（鉛１．０モルに対して０．１５モル）を添加した以外は実施例１と同様にして電気的特性を求めた。ここで得られた溶液の鉛の過剰率は３５モル％であった。結果を表３に示す。
　【００５８】
　【表３】