【事件の表示】
　特許第３１６０９１５号「ＣＣＤ撮像素子」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１６０９１５号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．本件発明
　特許第３１６０９１５号（平成３年１月１７日出願、平成１３年２月２３日設定登録。）の請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】　半導体層からなる転送電極の上側に第１層目の金属膜からなる遮光膜を形成し、
　上記遮光膜よりも上側に第２層目の金属膜からなるシャント配線膜を形成し、
　上記シャント配線膜と上記転送電極との間を上記遮光膜を介して電気的に接続してなることを特徴とするＣＣＤ撮像素子。（以下、本件第１発明という。）」
　
２．申立ての理由の概要
　申立人沖島和子は、証拠として甲第１号証（IEEE発行「1990 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE　 DIGEST of TECHNICAL PAPERS」第２１４〜２１５頁）、甲第２号証(日経ＢＰ社「日経マイクロデバイス１９８９年１１月号」第１２８〜１３１頁)、及び参考資料１（IEEE発行「1989 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE　 DIGEST of TECHNICAL PAPERS」第９０〜９１頁）を提出し、請求項１に係る発明は甲第１号証に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するから、また、請求項１に係る発明は甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、請求項１に係る発明についての特許は特許法第１１３条第２号に該当すると認められるので、取り消されるべきものである旨主張している。
　
３．申立人が提出した甲各号証記載の発明
　ア．甲第１号証（IEEE発行「1990 IEEE INTERNATIONAL SOLID-STATE CIRCUITS CONFERENCE　 DIGEST of TECHNICAL PAPERS」第２１４〜２１５頁）は、ＨＤＴＶカメラシステムのための２００万画素ＦＩＴ−ＣＣＤ画像センサに関するもので、図３には単位セル(unit cell)の断面図であって、Channel Stop、V−CCD及びROGの領域にはp-well#1内にP+領域、p-well#2及びn領域が形成された基板上に下から順番にポリシリコン転送ゲート(Poly-Si transfer gate)、ポリシリコン層(Poly-Si layer)、及びアルミ配線(Al-wire)を有するものが記載されている。該ポリシリコン転送ゲート、該ポリシリコン層及び該アルミ配線の各層間には白抜きで示された箇所があり（該箇所には層間絶縁膜が形成されているものと認められる。）、該アルミ配線と該ポリシリコン層との間に介在する該層間絶縁膜に形成された開口を通じて該アルミ配線と該ポリシリコン層とが接続されている。この接続については、図２の単位セルの俯瞰図にもアルミ接続(Al-contact)として記載されている。また、甲第１号証の第２１４頁左欄の第１７〜２６行には、「ポリシリコン転送ゲートに沿って垂直シフトレジスタ（Ｖ−ＣＣＤ）の駆動パルスの電圧が降下するのを減らすために、アルミ配線がポリシリコン転送ゲートの上に配置され、それらが相互接続されて、配線抵抗を減らしている。このアルミ配線は遮光膜としての役割も果たす。これらの層に加えて別のポリシリコン層がアルミ配線と転送ゲートとの間に配置されている。この層はポリシリコン層とアルミ配線とのアルミ接続から転送ゲートとポリシリコン層とのポリシリコン接続を遠ざけることで電位変動が生じるのを防いでいる。図２及び図３に単位セルの俯瞰図及び断面図を示す。」と記載されている。
  以上まとめると、ポリシリコン転送ゲートに沿って垂直シフトレジスタ（Ｖ−ＣＣＤ）の駆動パルスの電圧が降下するのを減らすために設ける配線のことをシャント配線ということは当該技術分野の技術常識であるから、甲第１号証には「ポリシリコン転送ゲートの上側にポリシリコン層を形成し、上記ポリシリコン層よりも上側にアルミ配線からなる遮光膜兼シャント配線を形成し、遮光膜兼シャント配線である上記アルミ配線と上記ポリシリコン転送ゲートとの間を上記ポリシリコン層を介して電気的に接続してなることを特徴とするＣＣＤ画像センサ」が記載されているものと認められる。
　
　イ．甲第２号証 (日経ＢＰ社「日経マイクロデバイス１９８９年１１月号」第１２８乃至１３１頁)には、半導体装置の配線として、多結晶シリコン層と、Ｗシリサイド、Ｗポリサイド、Ｔｉ／ＴｉＮなどの高融点金属層とを同等に用いることが記載されている（表２の配線技術の欄参照）。
　
４．対比・判断
　甲第１号証記載の発明と本件第１発明とを対比すると、甲第１号証に記載された、「ポリシリコン転送ゲート」、「アルミ配線」、「ＣＣＤ画像センサ」はそれぞれ本件第１発明の「半導体層からなる転送電極」、「金属膜」、「ＣＣＤ撮像素子」に相当している。
　したがって、甲第１号証に記載の発明と本件第１発明とは、
１）半導体層からなる転送電極の上側に第１層目の導電膜を形成し、上記第１層目の導電膜よりも上側に少なくともシャント配線として機能する第２層目の金属膜を形成した点、
２）少なくともシャント配線として機能する第２層目の金属膜と半導体層からなる転送電極との間を第１層目の導電膜を介して電気的に接続してなる点、
３）ＣＣＤ撮像素子に係る発明である点、
で一致しているが、
１）本件第１発明では半導体層からなる転送電極の上側の第１層目の導電膜は金属膜からなる遮光膜であるのに対して、甲第１号証記載の発明では半導体層からなる転送電極の上側の第１層目の導電膜は電位変動が生じるのを防ぐためのポリシリコン層である点（以下、相違点１という。）、
２）本件第１発明では第１層目の金属膜から遮光膜を形成し、第２層目の金属膜からシャント配線を形成しているのに対して、甲第１号証記載の発明では、第２層目の金属膜が遮光膜兼シャント配線である点（以下、相違点２という。）、
で相違している。
　したがって、本件第１発明は甲第１号証に記載の発明と相違点１及び相違点２の点で相違しているので同一の発明ではない。
　
　次に、上記相違点の容易想到性について検討する。
　まず上記相違点１について検討する。
　甲第２号証には、半導体装置の配線としてポリシリコン層と高融点金属層が同等に用いられることが示されており、申立人は甲第１号証記載の発明において、ポリシリコン層に代えてポリシリコン層と同等に配線として使用可能な高融点金属膜を用いることは慣用技術の置換にすぎないものと主張している。
　しかしながら、甲第１号証に記載の発明において、半導体層からなる転送電極の上側の第１導電膜であるポリシリコン層は、第２１４頁左欄の第２２〜２６行に「この層（ポリシリコン層）はポリシリコン層とアルミ配線とのアルミ接続から転送ゲートとポリシリコン層とのポリシリコン接続を遠ざけることで電位変動が生じるのを防いでいる」と記載されているように、電位変動（potential shift）を生じることを防ぐために設けられたものであるから、上記ポリシリコン層に代わり得る導電膜は電位変動を生じることを防ぐ機能を有しているものでなくてはならない。しかしながら、甲第２号証には半導体層からなる転送電極に接続する第１層目の導電膜として高融点金属膜が利用されたときに、該高融点金属膜が電位変動を生じることを防ぐ機能を有するか否かについては記載も示唆もされていない。さらに、上記ポリシリコン層に代えて本件第１発明の第１層目の金属膜に対応する実施例として記載されたアルミニウム膜を採用すると、ポリシリコン転送ゲートとアルミニウム膜が接触するので、電位変動を防ぐどころか逆に電位変動を生じさせてしまうことが予測される。
　また、上記主張に関連して、申立人は参考資料１を提出して、ＷＳｉ２ 等の高融点金属膜が遮光膜になることは周知であると主張している。
　しかしながら、甲第１号証の図３に記載されているように、ポリシリコン層(Poly-Si layer)はポリシリコン転送ゲート(Poly-Si transfer gate)のごく一部を覆うものでしかないので、たとえ甲第１号証に記載の発明において上記ポリシリコン層に代えて高融点金属膜を採用したとしても、該高融点金属膜はその周囲から進入する光を遮ることはできず、遮光膜の機能を有するものとはならないものと認められる。
　したがって、甲第１号証に記載の発明において、半導体層からなる転送電極の上側の第１層目の導電膜を、電位変動が生じるのを防ぐためのポリシリコン層に代えて遮光膜として機能する金属膜とすることは当業者にとって容易になし得たことであるとはいえない。
　
　次に上記相違点２について検討する。
　ＣＣＤ撮像素子の半導体層からなる転送電極の上方に形成する遮光膜及びシャント配線膜を異なる２層の金属膜で形成することは、甲第１号証、甲第２号証、参考資料１のいずれにも記載も示唆もされていない。
　したがって、甲第１号証に記載の発明において、遮光膜兼シャント配線であるアルミ配線に代えて、遮光膜である第１層目の金属膜とシャント配線である第２層目の金属膜とすることは当業者にとって容易になし得たことであるとはいえない。
　
　よって、本件第１発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
５．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月２８日（２００１．１２．２８）