(57)【要約】  処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅の表面処理剤および表面処理方法を提供する。スズ化合物と、錯化剤と、水溶性高分子または水分散性高分子とを含有し、水溶性高分子または水分散性高分子が、アミノ基、エポキシ基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基、イミノ基およびシラノール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
スズ化合物と、錯化剤と、水溶性高分子または水分散性高分子とを含有し、
上記水溶性高分子または水分散性高分子が、アミノ基、エポキシ基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基、イミノ基およびシラノール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有することを特徴とする銅の表面処理剤。
【請求項２】
上記水溶性高分子として、少なくともポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸もしくはアクリル酸共重合体、またはその誘導体を含有することを特徴とする請求項１に記載の銅の表面処理剤。
【請求項３】
上記水溶性高分子または水分散性高分子の分子量が２，０００以上、１０，０００，０００以下の範囲内であることを特徴とする請求項１または２に記載の銅の表面処理剤。
【請求項４】
さらに、金属化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項５】
上記金属化合物が銅化合物であり、
上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内であることを特徴とする請求項４に記載の銅の表面処理剤。
【請求項６】
表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が５０ｐｐｍ以上、１０，０００ｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項５に記載の銅の表面処理剤。
【請求項７】
さらに、ｐＨ調整剤を含有し、前記ｐＨ調整剤として、少なくとも硫酸、硝酸、塩酸、メタンスルホン酸もしくはリン酸を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項８】
ｐＨが５以下であることを特徴とする請求項７に記載の銅の表面処理剤。
【請求項９】
銅の表面に請求項１〜８のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤を接触させることを特徴とする銅の表面処理方法。
【請求項１０】
銅の表面に酸洗処理、粗化処理、化成処理、防錆処理、酸化処理、還元処理、脱脂処理から選ばれる少なくとも一種の前処理をした後に、上記表面処理剤を接触させることを特徴とする請求項９に記載の銅の表面処理方法。
【請求項１１】
銅の表面にスズ化合物を接触させた後に、上記表面処理剤または後処理剤を接触させることを特徴とする請求項９または１０に記載の銅の表面処理方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の銅の表面処理方法により形成され、
銅表面の皮膜におけるスズの重量が１ｍｇ／ｍ２以上、２，０００ｍｇ／ｍ２以下の範囲内であり、
上記皮膜の最表面における組成のうちの、スズに対する銅のモル比が０．２以上、１０以下の範囲内であることを特徴とする銅表面の皮膜。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の銅の表面処理方法により表面処理されてなることを特徴とする銅張り材料。
【請求項１４】
請求項１３に記載の銅張り材料を備えていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１５】
最外層に請求項１３に記載の銅張り材料を備えていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅の表面処理剤および表面処理方法に関するものである。さらに詳しくは、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑（フラット）な状態に処理することができる銅の表面処理剤および表面処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般的な多層配線基板（ビルドアップ配線基板）は、表面部に銅からなる導電層を有する内層基板が樹脂等の絶縁材を挟んで他の内層基板と積層プレスされることにより製造されている。上記導電層間は、孔壁が銅メッキされたスルーホールと呼ばれる貫通孔により、電気的に接続されている。【０００３】
ここで、上記多層配線基板の配線として上記内層基板の表面部に用いられている銅には、樹脂等の絶縁材との密着性が要求されている。それゆえ、上記内層基板の表面部に用いられている銅の表面と、樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるために、銅の表面処理が行われるのが一般的である。【０００４】
銅の表面処理方法としては、例えば、銅の表面を塩化銅、硫酸・過酸化水素等でエッチングして銅の表面を粗化させ、銅の表面に凹凸形状の酸化皮膜を付ける方法等が挙げられる。この方法によれば、凹凸形状の酸化皮膜が樹脂等の絶縁材にくい込み、アンカー効果を生じて、銅と樹脂等の絶縁材との密着性が向上する。銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるための他の方法として、粗化させた銅の表面を、スズ、シランカップリング剤等で処理する方法も開発されている（例えば、特許文献１〜３参照）。【０００５】
近年の電子機器・電子部品の小型化、薄型化等に対応するために、多層配線基板を薄くすることが要求されている。さらに、近年の電子機器・電子部品の高周波化、高密度化等に対応するために、多層配線基板の配線の微細化（ファイン化）が要求されている。【０００６】
また、上記多層配線基板の表面部に用いられている銅の表面が粗い場合には、該多層配線基板に表面電流が流れ、電気的損失や信号の遅延が生じるという問題がある。【０００７】
そこで、上記のエッチング等の粗化処理を用いる方法に代わる方法として、内層基板の表面部に用いられている銅の表面に、スズメッキ等によりスズ皮膜を形成する方法が示されている（例えば、特許文献４参照）。さらに、銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるために、内層基板の表面部に用いられている銅の表面にスズメッキした後、硝酸、シランカップリング剤等で処理する方法が示されている（例えば、特許文献５〜９参照）。さらに、ｐＨを調整して銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるために、スズ化合物と同時に酸および反応促進剤を添加する方法が示されている（例えば、特許文献５，１０参照）。さらに、銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させるために、銅の表面に銅塩を添加することで、樹脂等の絶縁材との密着性の高い金属層を形成する方法が示されている（例えば、特許文献１０参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開平１０−２８９８３８号公報（１９９８年１０月２７日公開）」
【特許文献２】日本国公開特許公報「特開２０００−３４０９４８号公報（２０００年１２月８日公開）」
【特許文献３】日本国公開特許公報「特開平１０−２５６７３６号公報（１９９８年９月２５日公開）」
【特許文献４】日本国公開特許公報「特開平４−２３３７９３号公報（１９９２年８月２１日公開）」
【特許文献５】日本国公開特許公報「特開２００５−２３３０１号公報（２００５年１月２７日公開）」
【特許文献６】日本国公開特許公報「特開平１−１０９７９６号公報（１９８９年４月２６日公開）」
【特許文献７】日本国公開特許公報「特開平７−１７００６４号公報（１９９５年７月４日公開）」
【特許文献８】日本国公開特許公報「特許第３１３５５１６号公報（特開平１０−４６３５９号公報、１９９８年２月１７日公開）」
【特許文献９】日本国公開特許公報「特開２００３−２０１５８５号公報（２００３年７月１８日公開）」
【特許文献１０】日本国公開特許公報「特開２００８−１０９１１１号公報（２００８年５月８日公開）」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１〜３に示される銅の表面処理方法では、いずれも性能、特に銅と樹脂等の絶縁材との密着性が不十分であるため、ほとんど実用化されていない。さらに、これらの方法では、粗化処理が銅を溶解するため銅幅が目減りし、これらの方法により表面処理された銅張り材料のファイン化が困難となり、かつ電気損失が大きくなる。さらに、これらの方法では、粗化処理後の経時変化に伴い酸化膜が成長するため不動態化が不十分となり、いずれも性能が劣化する。そのため、後処理としての防錆処理が一般的に行われている。【００１０】
また、上記特許文献４に示される銅の表面処理方法では、銅の表面をエッチング等の粗化処理する方法と比較して、銅と樹脂等の絶縁材との密着性が十分ではないという問題点を有している。【００１１】
また、上記特許文献５〜９に示される銅の表面処理方法では、銅の表面にスズメッキした後、硝酸、シランカップリング剤等で処理するので、処理工程が増加する。さらに、これらの方法でも、銅の表面をエッチング等の粗化処理する方法と比較して、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持できないという問題点がある。【００１２】
また、上記特許文献５，１０に示される銅の表面処理方法では、銅の表面にスズ化合物と同時に酸および反応促進剤を添加しているが、スズ化合物と酸（ｐＨ）と反応促進剤とのバランスを考慮しておらず、銅の表面をエッチング等の粗化処理する方法と比較して、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持できないという問題点がある。【００１３】
また、上記特許文献１０に示される銅の表面処理方法では、十分な密着性を維持できないという問題点があるのに加え、銅表面への金属層の均一付着が難しく、さらに銅以外の部分にもコーティングされるため、実装時にメッキ性、電気導電性などの阻害が懸念されるという問題点がある。【００１４】
本発明は、上記従来の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができる銅の表面処理剤および表面処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討した結果、銅の表面処理に用いられる表面処理剤において、スズ化合物と、錯化剤と、水溶性高分子または水分散性高分子とを含有し、上記水溶性高分子または水分散性高分子が、アミノ基、エポキシ基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基、イミノ基およびシラノール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有していることで、該水溶性高分子または水分散性高分子が銅表面に析出したスズと架橋構造を形成して該スズに抱き込まれ、かつ該官能基が樹脂等の絶縁材と水素結合または共有結合を行い、その結果、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができることを独自に見出し、本発明を完成させるに至った。【００１６】
即ち、本発明の銅の表面処理剤は、上記課題を解決するために、スズ化合物と、錯化剤と、水溶性高分子または水分散性高分子とを含有し、上記水溶性高分子または水分散性高分子が、アミノ基、エポキシ基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基、イミノ基およびシラノール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有することを特徴としている。【００１７】
上記の発明によれば、本発明の銅の表面処理剤は、スズ化合物と、水溶性高分子または水分散性高分子とを、上記の各濃度で含有しているので、上記官能基を有する水溶性高分子または水分散性高分子が、銅表面に析出したスズと架橋構造を形成し、該スズと密着する。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、上記官能基が樹脂等の絶縁材と水素結合または共有結合を行い、該絶縁材と密着する。また、本発明の銅の表面処理剤は、錯化剤を含有しているので、上記表面処理剤を溶液で用いた場合に、上記錯化剤が銅と錯体を形成して銅の表面の電位が低くなるため還元されやすく、スズが析出しやすくなる。さらに、上記表面処理剤の溶液は、上記錯化剤が溶解した銅のキレートをすることにより、スズ皮膜の均一性を向上させる可能性がある。その結果、本発明の銅の表面処理剤は、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を付与することができる。【００１８】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記水溶性高分子として、少なくともポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸もしくはアクリル酸共重合体、またはその誘導体を含有することが好ましい。【００１９】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、銅と樹脂等の絶縁材との密着性をより一層向上させることができる。【００２０】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記水溶性高分子または水分散性高分子の分子量が２，０００以上、１０，０００，０００以下の範囲内であることが好ましい。【００２１】
これにより、本発明の銅の表面処理剤に含有される上記水溶性高分子または水分散性高分子が析出しやすくなり、かつ上記表面処理剤の粘度が上昇せずに作業性が良好になる。【００２２】
また、本発明の銅の表面処理剤は、さらに金属化合物を含有することが好ましい。【００２３】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、金属イオンの緩衝作用により、銅の表面に銅とスズとの合金を含有する皮膜を均一・安定に形成することができると考えられる。【００２４】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記金属化合物が銅化合物であり、上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内であることが好ましい。【００２５】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、銅化合物を含有しているので、銅イオンを生じる。その結果、銅イオンとスズ化合物との反応が進行する。【００２６】
それゆえ、本発明の銅の表面処理剤は、銅表面に銅とスズとの合金を含有する皮膜（結晶）を形成することができる。上記皮膜中におけるスズ皮膜は樹脂等の絶縁材との密着性に優れているので、本発明の銅の表面処理剤は、銅と樹脂等の絶縁材との密着性を向上させることができる。【００２７】
また、本発明の銅の表面処理剤は、表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が５０ｐｐｍ以上、１０，０００ｐｐｍ以下の範囲内であることが好ましい。【００２８】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、銅表面に銅とスズとの合金を含有する皮膜を形成しやすくなり、銅と樹脂等の絶縁材との密着性をより一層向上させることができる。【００２９】
また、本発明の銅の表面処理剤は、さらにｐＨ調整剤を含有することが好ましい。【００３０】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、上記表面処理剤の溶液中のｐＨを調整することで錯化剤の働きを助長し、スズが析出しやすくなる。【００３１】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記ｐＨ調整剤として、少なくとも硫酸、硝酸、塩酸、メタンスルホン酸もしくはリン酸を含有することが好ましい。【００３２】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、強酸を含有することになり、銅の溶解を促進させやすくなる。【００３３】
また、本発明の銅の表面処理剤は、ｐＨが５以下であることが好ましい。【００３４】
これにより、本発明の銅の表面処理剤は、上記表面処理剤の溶液中におけるｐＨの値が小さくなることで錯化剤の働きが活性化され、スズの析出量が増加する。【００３５】
また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面に上記銅の表面処理剤を接触させることが好ましい。【００３６】
これにより、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面にスズメッキした後に硝酸、シランカップリング剤等で処理する表面処理方法と比較して、処理工程を一工程減らすことができる。また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面をエッチング等の粗化処理しなくとも十分な密着性を担保できるため、銅の表面を平滑な状態に処理することができる。その結果、本発明の銅の表面処理方法は、多層配線基板の小型化、薄型化、高周波化、高密度化等に対応するのに適している。【００３７】
また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面に酸洗処理、粗化処理、化成処理、防錆処理、酸化処理、還元処理、脱脂処理からなる群より選ばれる少なくとも一種の前処理をした後に、上記表面処理剤を接触させることが好ましい。【００３８】
これにより、本発明の銅の表面処理方法は、酸洗処理、脱脂処理により銅表面の汚れ、酸化物等を除去することができ、粗化処理、化成処理、防錆処理、酸化処理、還元処理により銅表面での化成性向上、銅の性能向上等を図ることができる。【００３９】
また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面にスズ化合物を接触させた後に、上記表面処理剤または後処理剤を接触させることが好ましい。【００４０】
これにより、本発明の銅の表面処理方法は、スズ化合物により銅表面にスズ皮膜を形成することができ、該スズ皮膜により銅と樹脂等の絶縁材との密着性をより一層向上させることができる。【００４１】
また、本発明の銅表面の皮膜は、上記銅の表面処理方法により形成され、銅表面の皮膜におけるスズの重量が１ｍｇ／ｍ２以上、２，０００ｍｇ／ｍ２以下の範囲内であり、上記皮膜の最表面における組成のうちの、スズに対する銅のモル比が０．２以上、１０以下の範囲内であることが好ましい。【００４２】
これにより、本発明の銅表面の皮膜は、銅とスズとの合金等を含有するので、銅と樹脂等の絶縁材との密着性を維持することができる。【００４３】
また、本発明の銅張り材料は、上記銅の表面処理方法により表面処理されてなることが好ましい。さらに、本発明の多層配線基板は、上記銅張り材料を備えていることが好ましい。さらに、本発明の配線基板は、最外層に上記銅張り材料を備えていることが好ましい。【００４４】
これにより、本発明の銅張り材料、多層配線基板および配線基板は、従来の銅の表面処理方法により表面処理された銅張り材料、多層配線基板および配線基板と比較して、銅と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することが可能となる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明の銅の表面処理剤は、以上のように、スズ化合物と、錯化剤と、水溶性高分子または水分散性高分子とを含有し、上記水溶性高分子または水分散性高分子が、アミノ基、エポキシ基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基、イミノ基およびシラノール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有するものである。【００４６】
それゆえ、本発明の銅表面の皮膜は、処理工程を増加させることなく、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく平滑な状態に処理することができ、かつ銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下、本発明について詳しく説明するが、本発明の範囲はこれらの説明に拘束されることはなく、以下の例示以外についても、本発明の趣旨を損なわない範囲で適宜変更して実施し得るものである。具体的には、本発明は下記の実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。なお、本明細書等において、便宜上、「重量ｐｐｍ」を単に「ｐｐｍ」，「重量％」を単に「％」と記載する。
【００４８】
（Ｉ）本発明における銅の表面処理剤で表面処理される物質等
本発明における銅の表面処理剤で表面処理される物質は、銅を５０％以上含有するものであれば特に限定されない。つまり、銅を５０％以上含有していれば、銅以外の物質が含まれていても本発明に含まれる。例えば、銅単体、銅を含む銅合金材、クロメート等の表面処理された銅、メッキされた銅などが挙げられる。
【００４９】
本発明における銅として、具体的には電子基板、リードフレーム等の電子部品、装飾品、建材等に使用される箔（電解銅箔、圧延銅箔）、めっき膜（無電解銅めっき膜、電解銅めっき膜）、線、棒、管、板など、種々の用途の銅を挙げることができる。上記銅は、黄銅、青銅、白銅、ヒ素銅、ケイ素銅、チタン銅、クロム銅等、その目的に応じて他の元素を含有したものであってもよい。また、近年の高周波の電気信号が流れる銅配線の場合には、銅の表面は平均粗さが０．１μｍ以下の平滑面であることが好ましい。
【００５０】
本発明において、銅と密着する樹脂等の絶縁材は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリウレタン、ビスマレイミド・トリアジン樹脂、変性ポリフェニレンエーテル、シアネートエステル等の熱硬化性樹脂などを挙げることができる。これらの樹脂は官能基によって変性されていてもよく、ガラス繊維、アラミド繊維、その他の繊維等で強化されていてもよい。
【００５１】
（ＩＩ）本発明における銅の表面処理剤に用いられる材料等
本発明の銅の表面処理剤は、スズ化合物と、錯化剤と、水溶性高分子または水分散性高分子とを含有するものである。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、還元剤を含有することが好ましい。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、フッ素化合物を含有してもよい。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、ｐＨ調整剤を含有することが好ましい。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、金属化合物を含有することが好ましい。さらに、本発明の銅の表面処理剤は、防錆剤を含有することが好ましい。
【００５２】
また、本発明の銅の表面処理剤は、該表面処理剤の特性を阻害しない限り、上記物質以外の物質（以下、「他の物質」という）を含んでいてもよい。他の物質を含める方法としては、特に限定されるものではない。
【００５３】
＜スズ化合物＞
本発明の銅の表面処理剤は、スズ化合物を含有するものである。スズ化合物としては、後述する溶媒に対して可溶性のものであれば特に限定されないが、その溶解性から酸との塩類が好ましい。例えば、硫酸第一スズ、硫酸第二スズ、ホウフッ化第一スズ、フッ化第一スズ、フッ化第二スズ、硝酸第一スズ、硝酸第二スズ、塩化第一スズ、塩化第二スズ、ギ酸第一スズ、ギ酸第二スズ、酢酸第一スズ、酢酸第二スズ等の第一スズ塩や第二スズ塩などが挙げられる。その中でも、スズ皮膜の形成速度が速いという理由から第一スズ塩が好ましく、後述する溶媒との溶液中での安定性が高く、均一なスズ皮膜を形成することができるという理由から、第二スズ塩が好ましい。さらに、銅のエッチングに悪影響を及ぼさないという理由から硫酸第一スズが特に好ましい。
【００５４】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記スズ化合物の濃度は、１０ｐｐｍ以上１００，０００ｐｐｍ以下、好ましくは２０ｐｐｍ以上１００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下、さらに好ましくは５００ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは５００ｐｐｍ以上３，０００ｐｐｍ以下である。上記表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、銅および樹脂等の絶縁材との密着性が低下するおそれがあり、好ましくない。一方、１００，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面に多量のスズが析出し、スズ皮膜が凝集破壊するおそれがあり、かつ溶液安定性が劣るとの理由から銅の表面にスズ皮膜を形成し難くなるおそれがあり、好ましくない。
【００５５】
＜水溶性高分子または水分散性高分子＞
本発明の銅の表面処理剤は、アミノ基、エポキシ基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基、イミノ基およびシラノール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有する水溶性高分子または水分散性高分子を含有するものである。水溶性高分子または水分散性高分子としては、例えば、アミノシラン、メルカプトシラン、ポリアクリル酸、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミン樹脂等が挙げられる。その中でも、皮膜結晶物性を阻害し難く、水溶液安定性に優れており、スズ化合物と配位や水素結合をすることによりスズと共析しやすいという理由から、カルボキシル基を含有する水溶性アクリル樹脂が好ましい。カルボキシル基を含有する水溶性アクリル樹脂としては、ポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸もしくはアクリル酸共重合体、またはその誘導体が挙げられる。絶縁体とも熱による架橋を形成しやすいという理由から、カルボキシル基と、カルボキシル基以外の官能基とを有する水溶性アクリル樹脂がより好ましい。カルボキシル基と、カルボキシル基以外の官能基とを有する水溶性アクリル樹脂としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、イタコン酸などの酸モノマーと、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシプロピル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸ヒドロキシプロピル、アクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、グリシジルメタクリレート、アクリロニトリル、３−メタクリオキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸などのアクリルモノマーとの共重合体が望ましい。なかでも、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミドをカルボキシル基以外の官能基を含有するアクリルモノマーとして用いる共重合体がより望ましい。なお、酸モノマーおよびカルボキシル基以外の官能基を含有するアクリルモノマーは、それぞれ１種で用いてもよく、また、いずれかもしくは両方が複数のモノマーを組み合わせて用いてもよい。
【００５６】
また、銅とエポキシ樹脂等の絶縁材との密着性を極めて向上させるという理由から少なくともメルカプトシランもしくはその誘導体を含有することが好ましい。さらに、シランが析出しやすいという理由から少なくともメルカプトシラン縮合体を含有することがより好ましい。
【００５７】
上記水溶性高分子または水分散性高分子の分子量は、２，０００以上、１０，０００，０００以下、好ましくは２０，０００以上７，０００，０００以下、より好ましくは２００，０００以上５，０００，０００以下である。上記水溶性高分子または水分散性高分子の分子量が２，０００未満であると、析出し難くなり、好ましくない。一方、１０，０００，０００を超えると、表面処理剤の粘度が上昇するため作業性が悪くなり、好ましくない。なお、本明細書等において、水溶性高分子または水分散性高分子の分子量とは重量平均分子量を意味する。重量平均分子量の測定は、ポリスチレンを標準とするゲル・パーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法によって求めることができる。
【００５８】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記水溶性高分子または水分散性高分子の濃度は、１０ｐｐｍ以上５００，０００ｐｐｍ以下、好ましくは２０ｐｐｍ以上１００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは５０ｐｐｍ以上３，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記水溶性高分子または水分散性高分子の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、銅表面に析出しないおそれがあり、好ましくない。一方、５００，０００ｐｐｍを超えると、銅表面での結晶形成を阻害するおそれがあり、好ましくない。
【００５９】
＜錯化剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、錯化剤を含有するものである。ここで、本明細書でいう錯化剤とは、銅に配位してキレートを形成し、銅表面の電位を下げ還元しやすいような状態にし、スズ表面に樹脂等の絶縁材密着層を形成しやすくするものを意味する。錯化剤としては、例えば、チオ尿素、エチレンチオウレア、ジエチルチオ尿素、ジブチルチオ尿素等のチオ尿素誘導体、チオ硫酸、シアン類などが挙げられる。その中でも、上記表面処理剤を溶液で用いた場合に、より一層濁りの少ない安定な溶液とすることができ、かつ銅との錯体を形成しやすく、銅の表面の電位を低くするためより一層スズ皮膜を形成しやすくするという理由から少なくともチオ尿素を含有することが好ましい。なお、錯化剤には、副次的に後述する還元剤としても働くものもある。その中で、チオ尿素は、副次的に後述する還元剤としても働くものである。
【００６０】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記錯化剤の濃度は、好ましくは１００ｐｐｍ以上５００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１，０００ｐｐｍ以上３００，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１０，０００ｐｐｍ以上１５０，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記錯化剤の濃度が１００ｐｐｍ未満であると、銅表面に錯体を形成し難くなるおそれがあり、好ましくない。一方、５００，０００ｐｐｍを超えると、銅の溶解性が悪くなり、銅の表面にスズ皮膜を形成する反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。
【００６１】
＜還元剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、還元剤を含有していることが好ましい。還元剤としては、例えば、チオ尿素、ジエチルチオ尿素、水素化ホウ素カリウム、ジメチルアミノボラン、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ホルムアルデヒド等が挙げられる。その中でも、スズ化合物に電子を付加して、スズ単体、酸化スズ等からなるスズ皮膜を形成しやすいという理由から少なくともチオ尿素を含有することが好ましい。
【００６２】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記還元剤の濃度は、好ましくは１００ｐｐｍ以上５００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１，０００ｐｐｍ以上３００，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１０，０００ｐｐｍ以上１５０，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記還元剤の濃度が１００ｐｐｍ未満であると、スズ皮膜を形成しないおそれがあり、好ましくない。一方、５００，０００ｐｐｍを超えると、スズが溶解し難くなるとの理由から銅の表面にスズ皮膜を形成し難くなるおそれがあり、好ましくない。
【００６３】
＜ｐＨ調整剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、ｐＨが０．１以上、５以下の範囲内であることが好ましく、そのためにｐＨ調整剤を含有することが好ましい。ｐＨ調整剤としては、後述する溶媒に対して可溶性のものであれば特に限定されない。酸のｐＨ調整剤としては、無機酸および有機酸から選択される少なくとも１種の酸を使用することができる。本発明で使用することができる酸としては、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、ホウフッ化水素酸、リン酸などの無機酸；ギ酸、酢酸、プロピオン酸、アクリル酸、酪酸等のカルボン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等のアルカンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、フェノールスルホン酸、クレゾールスルホン酸等の芳香族スルホン酸などの有機酸；が挙げられる。その中でも、ｐＨを５以下に調整することができるとの理由から、硫酸、硝酸、塩酸、メタンスルホン酸、リン酸等の強酸が好ましい。
【００６４】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記ｐＨ調整剤の濃度は、好ましくは１０ｐｐｍ以上５００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１，０００ｐｐｍ以上３００，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１０，０００ｐｐｍ以上２００，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記ｐＨ調整剤の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、スズ化合物が溶解し難くなり、好ましくない。一方、５００，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成する反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。
【００６５】
＜金属化合物＞
本発明の銅の表面処理剤は、金属化合物を含有していることが好ましい。これにより、本発明の銅の表面処理剤は、金属イオンの緩衝作用により、銅の表面にスズ皮膜を均一・安定に形成することができると考えられる。金属化合物としては、金属塩等が挙げられる。また、金属化合物としては、例えば、銀化合物、アルミニウム化合物、ジルコニル化合物、チタニウム化合物、カルシウム化合物、ナトリウム化合物、マグネシウム化合物、ストロンチウム化合物、マンガン化合物、バナジウム化合物、イットリウム化合物、ニオブ化合物、亜鉛化合物、インジウム化合物、銀化合物、鉄化合物、パラジウム化合物、コバルト化合物、銅化合物等が挙げられる。その中でも、スズと共析出しやすいと考えられ、より緻密なスズ膜を与えるという理由から銀化合物、パラジウム化合物、亜鉛化合物、コバルト化合物、銅化合物が好ましい。さらにその中でも、スズとの合金を形成することができるという理由から銅化合物が特に好ましい。これらの金属化合物は、単独または複数を組み合わせて使用することができる。複数を組み合わせる場合は、銅と銀、または銅とパラジウム、を組み合わせて用いることが好ましい。
【００６６】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記金属化合物の濃度は、好ましくは１ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは１０ｐｐｍ以上２，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以上１，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記金属化合物の濃度が１ｐｐｍ未満であると、効果が期待できず、好ましくない。一方、１０，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成する反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。
【００６７】
＜防錆剤＞
本発明の銅の表面処理剤は、防錆剤を含有していることが好ましい。防錆剤としては、例えば、アミノテトラゾール、メチルメルカプトテトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノメルカプトトリアゾール、イミダゾール、メチルイミダゾール、トリアジンチオール、トリメルカプトトリアジン若しくはこれらの塩、またはこれらの類似化合物；メルカプトシラン；チオグリコール酸；チオグリセロール；グアニルチオ尿素；チオ尿素類；等が挙げられる。その中でも、銅表面での防錆機能と化成性との両立という理由から、テトラゾール、トリアゾール、イミダゾール、チオール類の防錆剤が好ましい。
【００６８】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記防錆剤の濃度は、好ましくは１０ｐｐｍ以上１００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは２０ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは５０ｐｐｍ以上３，０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記防錆剤の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、効果が十分でなく、好ましくない。一方、１００，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成する反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。
【００６９】
＜他の物質＞
本発明の銅の表面処理剤は、樹脂等の絶縁材との均一な密着層を形成するための界面活性剤、樹脂等の絶縁材との密着層の形成を促進するための重合開始剤等、必要に応じて、銅の表面にスズ皮膜を形成する反応を阻害しないような種々の添加剤を含有してもよい。
【００７０】
例えば、本発明の銅の表面処理剤は、フッ素化合物を含有していてもよい。フッ素化合物としては、例えば、フッ化水素、ホウフッ化水素酸、酸性フッ化ナトリウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化アンモニウム、ケイフッ化水素等が挙げられる。その中でも、上記表面処理剤を溶液で用い、ｐＨが０．１以上、５以下の範囲内である場合に、スズイオンが安定的に存在し、より一層濁りの少ない安定な溶液とすることができるという理由からフッ化水素、酸性フッ化ナトリウムが好ましい。
【００７１】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記フッ素化合物の濃度は、好ましくは１０ｐｐｍ以上２００，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは２５ｐｐｍ以上５０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１００ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記フッ素化合物の濃度が１０ｐｐｍ未満であると、スズイオンが安定化し難いおそれがあり、好ましくない。一方、２００，０００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成する反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。上記表面処理剤全体に対する上記フッ素化合物の濃度が５，０００ｐｐｍ以下であると、銅の表面に形成されるスズ皮膜が厚くなること、多孔質（ポーラス）になること等で不均一になるおそれがないため、より好ましい。
【００７２】
上記表面処理剤全体（表面処理剤の溶液全体）に対する上記フッ素化合物に由来する遊離フッ素の濃度は、好ましくは０．１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下、特に好ましくは２ｐｐｍ以上２０ｐｐｍ以下の範囲内である。上記表面処理剤全体に対する上記フッ素化合物中の遊離フッ素の濃度が０．１ｐｐｍ未満であると、スズイオンが安定的に存在し難くなるおそれがあり、好ましくない。一方、１００ｐｐｍを超えると、銅の表面にスズ皮膜を形成する反応を阻害するおそれがあり、好ましくない。遊離のフッ素の濃度は、フッ素イオン量として通常のイオンメーターにより測定することができる。
【００７３】
ここで、遊離フッ素（フッ素イオン）について以下に説明する。本発明における銅の表面処理剤の溶液には、遊離フッ素が存在していることが好ましい。上記遊離フッ素を存在させるには、上記表面処理剤にフッ素化合物を含めておく。上記遊離フッ素は、上記表面処理剤の溶液中におけるスズ化合物の安定性を向上させる作用を有している。さらに、上記遊離フッ素は、上記表面処理剤の溶液による表面処理の対象である銅に対しての上記スズ化合物の反応を促進する作用も有している。
【００７４】
＜スズ化合物の濃度と銅化合物の濃度との比＞
本発明の銅の表面処理剤は、上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比が好ましくは０．２以上２．０以下の範囲内、より好ましくは０．４以上１．２以下の範囲内、特に好ましくは０．７以上１．０以下の範囲内である。
【００７５】
＜錯化剤の濃度とｐＨ調整剤の濃度との関係＞
本発明の銅の表面処理剤は、上記表面処理剤全体に対する上記錯化剤の濃度が２０，０００ｐｐｍ以上、４０，０００ｐｐｍ未満の範囲内であり、かつ上記表面処理剤全体に対する上記ｐＨ調整剤の濃度が５０，０００ｐｐｍ以上であってもよい。これにより、上記ｐＨ調整剤の濃度を高くすることに伴い、上記錯化剤の濃度を低くすることができるので、銅の溶解性がよくなり、銅の表面にスズおよび銅を含有する皮膜を形成する反応を促進させることができる。
【００７６】
（ＩＩＩ）本発明における銅の表面処理剤の製造方法
本発明の銅の表面処理剤は、従来公知の混合方法・混合装置により混合される。本発明の銅の表面処理剤に含有される物質を混合する順番は、特に限定されない。また、上記物質は、一度に混合してもよく、分割して混合してもよい。
【００７７】
（ＩＶ）本発明における銅の表面処理剤を含む溶液
本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に、上記表面処理剤を溶液として接触させることが好ましい。上記溶液は、溶質である上記表面処理剤と溶媒とから構成される。本発明に用いられる溶媒は、上記表面処理剤を溶解することができれば特に限定されない。例えば、水、有機溶媒などが挙げられる。本発明における銅の表面処理剤は、従来の銅の表面処理剤と比較して、銅の表面をエッチング等の粗化処理しないという点で優れている。
【００７８】
（Ｖ）本発明における銅の表面処理方法
また、本発明の銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させる方法である。銅の表面に上記表面処理剤を接触させる方法としては特に限定されない。例えば、上記表面処理剤を含む溶液に銅を浸漬させる方法、銅の表面に上記表面処理剤を含む溶液をスプレーによって噴射する方法、銅の表面に上記表面処理剤を含む溶液を塗布する方法等が挙げられる。その中でも、銅表面での上記表面処理剤を含む溶液の置換が早い方が好ましいとの理由から、上記表面処理剤を含む溶液に銅を浸漬させて強攪拌を行う方法、銅表面に上記表面処理剤を含む溶液をスプレーによって噴射する方法等が好ましい。なお、上記表面処理剤を含む溶液を攪拌する場合には、例えば５０ｒｐｍ以上、３０００ｒｐｍ以下の範囲内で攪拌することが好ましい。また、上記表面処理剤は、一度に接触させてもよく、分割して接触させてもよい。
【００７９】
銅の表面に上記表面処理剤を接触させる際の温度は、上記表面処理剤の成分等によって決まり特に限定されるものではないが、反応性に優れているとの理由から、好ましくは１０℃以上６０℃以下、より好ましくは２０℃以上５０℃以下、特に好ましくは３０℃以上４０℃以下の範囲内である。
【００８０】
銅の表面に上記表面処理剤を接触させる時間は、上記表面処理剤の成分等によって決まり特に限定されるものではないが、反応性に優れているとの理由から、好ましくは１秒以上６００秒以下、より好ましくは５秒以上３００秒以下、さらに好ましくは１５秒以上１８０秒以下、さらにより好ましくは６０秒以上１８０秒以下、特に好ましくは６０秒以上１２０秒以下の範囲内である。
【００８１】
本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させる前に、酸洗処理、粗化処理、化成処理、防錆処理、酸化処理、還元処理、脱脂処理から選ばれる少なくとも一種の前処理を行ってもよい。また、本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させる前に、スズ化合物を接触させてもよい。
【００８２】
また、本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させた後に、さらに上記表面処理剤等により後処理してもよい。上記後処理後には、水洗してから乾燥させても、水洗せずに乾燥させてもよい。また、本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させた後に、熱処理等を行ってもよい。また、本発明における銅の表面処理方法は、銅の表面に上記表面処理剤を接触させた後に、防錆剤、ｐＨ調整剤、後処理剤等を接触させてもよい。
【００８３】
後処理剤としては、例えば、メルカプトシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、スチリルシラン、メタクリロキシシラン、アクリロキシシラン、アミノシラン、ウレイドシラン、クロロプロピルシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン等のシランカップリング剤およびそれらの混合物、シランカップリング剤縮合物およびそれらの混合物、上記の少なくとも一種の官能基を有する水溶性高分子が好ましい。後処理方法としては、化成処理後、後処理剤をスプレー、浸漬、コーティング等により接触させ、その後水洗するまたは水洗せずに乾燥することにより、コーティング膜を形成してもよい。
【００８４】
（ＶＩ）本発明における銅表面の皮膜
本発明における銅表面の皮膜は、上記銅の表面処理方法により形成され、銅表面の皮膜におけるスズの重量が１ｍｇ／ｍ２以上、２，０００ｍｇ／ｍ２以下の範囲内であり、上記皮膜の最表面におけるスズに対する銅のモル比が、好ましくは０．２以上、１０以下、より好ましくは０．２以上、２．０以下の範囲内である。
【００８５】
ここで、皮膜の最表面とは、皮膜表面の極めて薄い層を意味し、具体的には皮膜表面から約１０ｎｍまでの深さの層を意味する。皮膜の最表面におけるスズや銅の組成は、ナロースキャンによって測定することができる。
【００８６】
上記皮膜におけるスズの重量は、好ましくは１ｍｇ／ｍ２以上２，０００ｍｇ／ｍ２以下、より好ましくは２０ｍｇ／ｍ２以上２，０００ｍｇ／ｍ２以下、さらに好ましくは５０ｍｇ／ｍ２以上１，５００ｍｇ／ｍ２以下、特に好ましくは１０ｍｇ／ｍ２以上１，０００ｍｇ／ｍ２以下の範囲内である。
【００８７】
（ＶＩＩ）本発明における銅張り材料
本発明の銅張り材料は、上記銅の表面処理方法により表面処理されてなるものである。上記銅の表面処理方法により表面処理される前の銅張り材料としては、一般的な電子基板、リードフレーム等の電子部品、装飾品、建材等を挙げることができる。本発明の銅張り材料は、銅の表面全体が上記表面処理方法により表面処理されているものに限定されず、銅の表面の一部が上記表面処理方法により表面処理されているものも本発明に含まれる。
【００８８】
（ＶＩＩＩ）本発明における多層配線基板
本発明の多層配線基板（ビルドアップ配線基板）は、上記銅張り材料を備えているものである。本発明の多層配線基板は、従来公知の多層配線基板の製造方法により製造されるものである。具体的には、表面部が銅からなる導電層を有する内層基板が、樹脂等の絶縁材を挟んで他の内層基板と積層プレスされることにより製造される。多層配線基板（ビルドアップ配線基板）には、一括ラミネーション方式のビルドアップ基板と、シーケンシャルビルドアップ方式のビルドアップ基板とがある。
【００８９】
本発明における多層配線基板には、最外層に上記銅張り材料を備えている外層基板および単層基板を含む。また、上記外層基板には、最外層面に上記銅張り材料を片面または両面に備えている片面または両面の外層基板を含む。
【実施例】
【００９０】
以下、実施例および比較例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。【００９１】
〔実施例１〕
＜銅の表面処理工程＞
厚さ３５μｍまたは１８μｍの電解銅箔（古河サーキットフォイル株式会社製、商品名：「Ｆ−ＷＳ箔」）を、水道水で希釈した硫酸および過酸化水素の水溶液（硫酸の濃度３％、過酸化水素の濃度１％）に３０℃・６０秒の条件で浸漬させた後、水道水で洗浄した。【００９２】
次に、上記処理を行った電解銅箔を、所定の表面処理剤（成分等については後述する）の溶液に４０℃・６０秒の条件で浸漬させた後、水道水で洗浄し、８０℃・５分の条件で乾燥させた。【００９３】
＜所定の表面処理剤の成分等＞
上記所定の表面処理剤には、スズ化合物としての硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ、試薬）と、錯化剤としてのチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５０，０００ｐｐｍ、試薬）と、水溶性高分子としてのポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ、試薬）とを含めた。ここで、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、商品名「Ｆ−２１」）によりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【００９４】
＜多層配線基板製造工程＞
得られた電解銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性を評価するため、上記電解銅箔の両面にビルドアップ配線板用絶縁材［Ａ材（松下電工株式会社製、ＦＲ−５）、Ｂ材（味の素株式会社製、パッケージ用絶縁材ＡＧＦ−ＧＸ１３）］を重ねて、１５０℃・２０ｋｇ／ｍ２→１５０℃・３０ｋｇ／ｍ２・０．５時間→１８０℃・３０ｋｇ／ｍ２・１．５時間の条件で加熱しながら積層プレスし、その後に、８０℃・１．５時間の条件で冷却した。その後プレスを終了し、２０℃・２０分間の条件で冷却した。また、Ａ材は３５μｍ銅箔で測定し、Ｂ材は絶縁材の密着性が高いため、１８μ銅箔で測定した。【００９５】
＜銅の表面処理後の物性＞
（１）銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量
銅の表面処理後における電解銅箔のエッチング量は、精密天秤により、エッチング前後の重量変化を測定して求めた。その結果、エッチング量が０．１ｇ／ｍ２未満である状態を「○」とし、０．１ｇ／ｍ２以上１ｇ／ｍ２以下である状態を「△」とし、１ｇ／ｍ２を超える状態を「×」とした。【００９６】
（２）銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観
銅の表面処理後における電解銅箔の外観は、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope、日本電子株式会社製、商品名：「ＪＳＭ５３１０」）により、倍率を１０００倍および５０００倍にして目視にて評価した。その結果、凹凸がない（平坦な）状態を「○」とし、凹凸がある状態を「×」とした。【００９７】
（３）銅の表面処理後における電解銅箔のスズ・炭素の皮膜量
銅の表面処理後における電解銅箔のスズ・炭素の皮膜量は、蛍光Ｘ線（株式会社島津製作所製、商品名：「ＸＲＦ１７００」）による測定により、スズ元素もしくは炭素元素の量として測定した。【００９８】
（４）銅の表面処理後における電解銅箔を備えた多層配線基板での銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性
多層配線基板の銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性、即ち多層配線基板における絶縁材からの銅箔の引き剥がし強さは、万能試験機（株式会社エー・アンド・デイ製、商品名：「テンシロン」）により、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に準拠してロードセル１００ｋｇ／ｍ２、レンジ２％、クロスヘッドスピード５０ｍｍ／ｍｉｎ、チャートスピード２０ｍｍ／ｍｉｎの条件で測定した。なお、絶縁材としてＡ材を用いた場合には銅箔として厚さ３５μｍのものを用い、絶縁材としてＢ材を用いた場合には銅箔として厚さ１８μｍのものを用いた。【００９９】
（５）上記物性の評価結果
上記物性の評価結果を表１に示す。【０１００】
〔実施例２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０１】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１０２】
〔実施例３〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ、試薬）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０３】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１０４】
〔実施例４〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５０，０００ｐｐｍ）からジエチルチオ尿素（表面処理剤全体に対するジエチルチオ尿素の濃度：５０，０００ｐｐｍ、試薬）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０５】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１０６】
〔実施例５〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：１０，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：１０，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０７】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１０８】
〔実施例６〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：２００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１０９】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１１０】
〔実施例７〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：５，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１１】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１１２】
〔実施例８〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としての硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：５，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１３】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは１であった。【０１１４】
〔実施例９〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加し、ｐＨを水酸化ナトリウムで５．０に調整したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１５】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは５であった。【０１１６】
〔実施例１０〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からポリアクリル酸（分子量２００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ、試薬）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１７】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１１８】
〔実施例１１〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からポリアクリル酸（分子量２０，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ、試薬）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１１９】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１２０】
〔実施例１２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からアクリル酸とアクリル酸２−ヒドロキシエチルとのコポリマー（アクリル酸とアクリル酸２−ヒドロキシエチルとのモル比  ７：３、分子量２００，０００、表面処理剤全体に対する該コポリマーの濃度：１，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２１】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１２２】
〔実施例１３〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からアミノ変性エポキシ樹脂（表面処理剤全体に対するアミノ変性エポキシ樹脂の濃度：１，０００ｐｐｍ、株式会社アデカ製、商品名「アデカレジンＥＰ４１００」）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２３】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１２４】
〔実施例１４〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）から水溶性高分子としてのエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ４０３」）の５０％エタノール溶液（表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２５】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１２６】
〔実施例１５〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からポリアクリル酸５重量％にエポキシシラン（信越化学工業株式会社製、商品名：「ＫＢＭ４０３」）１重量％を添加して室温で３０分間攪拌し、ポリアクリル酸をシラン変性して得られたシラン変性ポリアクリル酸（分子量２００，０００、表面処理剤全体に対するシラン変性ポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２７】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１２８】
〔実施例１６〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）、金属化合物としての塩化銀（表面処理剤全体に対する塩化銀の濃度：２０ｐｐｍ、試薬）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１２９】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１３０】
〔実施例１７〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）、金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：１００ｐｐｍ、試薬）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．５であった）。【０１３１】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１３２】
〔実施例１８〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：１，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：１，０００ｐｐｍ）、金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．５であった）。【０１３３】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１３４】
〔実施例１９〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：２，０００ｐｐｍ）、金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：１，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．５であった）。【０１３５】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１３６】
〔実施例２０〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：２，０００ｐｐｍ）、金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：１，０００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としての硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：５，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．５であった）。【０１３７】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは１であった。【０１３８】
〔実施例２１〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５，０００ｐｐｍ）、金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：２，５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．５であった）。【０１３９】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１４０】
〔実施例２２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：１，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：１，０００ｐｐｍ）、金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：２００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．２であった）。【０１４１】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１４２】
〔実施例２３〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からポリアクリル酸（分子量２，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ、試薬）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１４３】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１４４】
〔実施例２４〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：１，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：１，０００ｐｐｍ）、金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：２，０００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としてのメタンスルホン酸（表面処理剤全体に対するメタンスルホン酸の濃度：１００，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は２であった）。【０１４５】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは０．５以下であった。【０１４６】
〔実施例２５〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：３％）に変更し、さらに金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：４００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としての硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：１００，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．２であった）。【０１４７】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは０．５以下であった。【０１４８】
〔実施例２６〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：３％）に変更し、さらに金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：４００ｐｐｍ）および硝酸銀（表面処理剤全体に対する硝酸銀の濃度：１００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としての硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：１００，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．２であった）。【０１４９】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは０．５以下であった。【０１５０】
〔実施例２７〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：３％）に変更し、さらに金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：４００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としての硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：１００，０００ｐｐｍ）、還元剤としての次亜リン酸ナトリウム（表面処理剤全体に対する次亜リン酸ナトリウムの濃度：２，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．２であった）。【０１５１】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは０．５以下であった。【０１５２】
〔実施例２８〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：３％）に変更し、さらに金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：４００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としての硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：１００，０００ｐｐｍ）、防錆剤としてのチオグリセロール（表面処理剤全体に対するチオグリセロールの濃度：５，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．２であった）。【０１５３】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは０．５以下であった。【０１５４】
〔実施例２９〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：３％）に変更し、さらに金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：４００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としてのメタンスルホン酸（表面処理剤全体に対するメタンスルホン酸の濃度：１００，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．２であった）。【０１５５】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは０．５以下であった。【０１５６】
〔実施例３０〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：３％）に変更し、さらに金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：４００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としての硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：１００，０００ｐｐｍ）、水溶性高分子としてのポリアクリル酸（分子量２０，０００、表面処理剤全体に対する当該ポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．２であった）。【０１５７】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは０．５以下であった。【０１５８】
〔実施例３１〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５％）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：３％）に変更し、さらに金属化合物としての硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：１，０００ｐｐｍ）、ｐＨ調整剤としての硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：１００，０００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は０．２であった）。【０１５９】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは０．５以下であった。【０１６０】
〔実施例３２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、水溶性高分子をポリアクリル酸（分子量２，０００，０００、表面処理剤全体に対するポリアクリル酸の濃度：１，０００ｐｐｍ）からアクリル酸とアクリルアミドとのコポリマー（アクリル酸とアクリルアミドとのモル比  ７：３、分子量２００，０００、表面処理剤全体に対する該コポリマーの濃度：１，０００ｐｐｍ）に変更し、さらにフッ素化合物としてのフッ化水素（表面処理剤全体に対するフッ化水素の濃度：５００ｐｐｍ）を添加したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１６１】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１６２】
〔比較例１〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物としての硫酸第一スズと、フッ素化合物としてのフッ化水素と、錯化剤としてのチオ尿素と、水溶性高分子としてのポリアクリル酸とを、塩化銅（表面処理剤全体に対する塩化銅の濃度：１０％、試薬）と、酢酸（表面処理剤全体に対する酢酸の濃度：１０％、試薬）と、アミノテトラゾール（表面処理剤全体に対するアミノテトラゾールの濃度：０．３％、試薬）とに変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。上記物性の評価結果を表１に示す。【０１６３】
〔比較例２〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物としての硫酸第一スズと、フッ素化合物としてのフッ化水素と、錯化剤としてのチオ尿素と、水溶性高分子としてのポリアクリル酸とを、硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：１０％、試薬）と、過酸化水素（表面処理剤全体に対する過酸化水素の濃度：３％、試薬）と、アミノテトラゾール（表面処理剤全体に対するアミノテトラゾールの濃度：０．３％）とに変更したこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。上記物性の評価結果を表１に示す。【０１６４】
〔比較例３〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、さらに錯化剤としてのチオ尿素を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１６５】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１６６】
〔比較例４〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：５００ｐｐｍ）に変更し、さらに水溶性高分子としてのポリアクリル酸を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。【０１６７】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１６８】
〔比較例５〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：１８，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５０，０００ｐｐｍ）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：１５０，０００ｐｐｍ）に変更し、さらに硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：２２０，０００ｐｐｍ）、硫酸ニッケル（表面処理剤全体に対する硫酸ニッケルの濃度：５０，０００ｐｐｍ）、硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：２０，０００ｐｐｍ）、ジエチレングリコール（表面処理剤全体に対するジエチレングリコールの濃度：３００，０００ｐｐｍ）を添加し、水溶性高分子としてのポリアクリル酸を添加しなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は１．１であった）。【０１６９】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１７０】
〔比較例６〕
所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物を硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：２５ｐｐｍ）から硫酸第一スズ（表面処理剤全体に対する硫酸第一スズの濃度：１８，０００ｐｐｍ）に変更し、錯化剤をチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：５０，０００ｐｐｍ）からチオ尿素（表面処理剤全体に対するチオ尿素の濃度：１５０，０００ｐｐｍ）に変更し、さらに硫酸（表面処理剤全体に対する硫酸の濃度：２２０，０００ｐｐｍ）、硫酸ニッケル（表面処理剤全体に対する硫酸ニッケルの濃度：５０，０００ｐｐｍ）、硫酸銅（表面処理剤全体に対する硫酸銅の濃度：２０，０００ｐｐｍ）、ジエチレングリコール（表面処理剤全体に対するジエチレングリコールの濃度：３００，０００ｐｐｍ）を添加し、水溶性高分子としてのポリアクリル酸を添加せず、後処理として水溶性高分子としてのエポキシシラン（表面処理剤全体に対するエポキシシランの濃度：１０，０００ｐｐｍ）を添加した（水洗はしていない）こと以外は、実施例１と同様の操作を行った（表面処理剤中の上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比は１．１であった）。【０１７１】
上記物性の評価結果を表１に示す。ここで、ｐＨメーターによりｐＨを測定したところ、ｐＨは３であった。【０１７２】
〔実施例のまとめ〕
表１に、銅の表面処理後における上記物性の評価結果をまとめた。【０１７３】
【表１】
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【０１７４】
実施例１と実施例２とを比較すると、実施例２では実施例１と比べて、所定の表面処理剤に含まれるスズ化合物としての硫酸第一スズの濃度を高くすることにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１７５】
実施例３と実施例２とを比較すると、実施例３では実施例２と比べて、フッ素化合物としてのフッ化水素の濃度を高くすることにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１７６】
実施例４と実施例３とを比較すると、実施例４では実施例３と比べて、錯化剤をチオ尿素からジエチルチオ尿素に変更しても、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１７７】
実施例５と実施例１とを比較すると、実施例５では実施例１と比べて、スズ化合物としての硫酸第一スズの濃度を大幅に高くしても、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１７８】
実施例６と実施例３とを比較すると、実施例６では実施例３と比べて、水溶性高分子としてのポリアクリル酸の濃度を低くしても、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１７９】
実施例７と実施例３とを比較すると、実施例７では実施例３と比べて、水溶性高分子としてのポリアクリル酸の濃度を高くすることにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１８０】
実施例８と実施例３とを比較すると、実施例８では実施例３と比べて、ｐＨ調整剤としての硫酸を添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１８１】
実施例９と実施例３とを比較すると、実施例９では実施例３と比べて、ｐＨを高くしても、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１８２】
実施例１０，１１，２３と実施例３とを比較すると、実施例１０，１１，２３では実施例３と比べて、水溶性高分子としてのポリアクリル酸の分子量を小さくしても、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１８３】
実施例１２，３２と実施例１０とを比較すると、実施例１２，３２では実施例１０と比べて、水溶性高分子としてカルボキシル基およびカルボキシル基以外の官能基を有する水溶性高分子を添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１８４】
実施例１３，１４と実施例３とを比較すると、実施例１３，１４では実施例３と比べて、水溶性高分子としてポリアクリル酸以外のカルボキシル基を含有しない高分子を添加しても、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１８５】
実施例１５〜１７と実施例３とを比較すると、実施例１５〜１７では実施例３と比べて、シラン、金属化合物等を添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１８６】
実施例１８〜２２，２４と実施例３とを比較すると、実施例１８〜２２，２４では実施例３と比べて銅化合物としての硫酸銅を添加することにより、錯化剤としてのチオ尿素の濃度が低い場合でも、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１８７】
実施例２５と実施例２０とを比較すると、実施例２５では実施例２０と比べてフッ素化合物を添加せずにｐＨ調整剤としての硫酸の濃度を高くし、それに伴い錯化剤としてのチオ尿素の濃度を低くすることにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１８８】
実施例２６と実施例２５とを比較すると、実施例２６では実施例２５と比べて金属化合物としての硝酸銀を添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１８９】
実施例２７と実施例２５とを比較すると、実施例２７では実施例２５と比べて還元剤としての次亜リン酸ナトリウムを添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１９０】
実施例２８と実施例２５とを比較すると、実施例２８では実施例２５と比べて防錆剤としてのチオグリセロールを添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１９１】
実施例２９と実施例２５とを比較すると、実施例２９では実施例２５と比べてｐＨ調整剤としての硫酸の代わりにメタンスルホン酸を添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１９２】
実施例３０と実施例２５とを比較すると、実施例３０では実施例２５と比べて水溶性高分子としてのポリアクリル酸を添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が向上するという結果になった。【０１９３】
実施例３１と実施例２５とを比較すると、実施例３１では実施例２５と比べて銅化合物としての硫酸銅の濃度を高くすることにより、スズ化合物としての硫酸第一スズの濃度が高い場合でも、銅箔と樹脂等の絶縁材との十分な密着性を維持することができるという結果になった。【０１９４】
比較例１，２と実施例１〜３２とを比較すると、比較例１，２では実施例１〜３２と比べてスズ化合物等を含んだ表面処理剤を用いておらず、エッチング等の粗化処理（凹凸処理）を行っているので、銅の表面処理後における電解銅箔のＳＥＭ外観に凹凸が見られるという結果になった。【０１９５】
比較例３と実施例２とを比較すると、比較例３では実施例２と比べて錯化剤としてのチオ尿素を添加しないことにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が低下するという結果になった。【０１９６】
比較例４と実施例２とを比較すると、比較例４では実施例２と比べて水溶性高分子としてのポリアクリル酸を添加しないことにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が低下するという結果になった。【０１９７】
比較例５，６と実施例１とを比較すると、比較例５，６では実施例１と比べてスズ化合物としての硫酸第一スズの濃度を大幅に高くし、かつ銅イオンとしての硫酸銅（およびニッケル）を添加することにより、銅箔と樹脂等の絶縁材との密着性が大幅に低下するという結果になった。【０１９８】
上述した具体的な実施形態および実施例は、あくまでも、本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と次に記載する請求の範囲内において、いろいろと変更して実施することができるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１９９】
本発明の銅の表面処理剤および表面処理方法は、銅の表面をエッチング等の粗化処理することなく銅と樹脂等の絶縁材との間の密着性を維持することができるため、近年の電子機器・電子部品の高周波化、高密度化等に対応することができる。また、従来の粗化処理（凹凸処理）では、処理後に酸化膜が成長し、電子機器・電子部品としての機能を発揮しないため、多くの場合には後処理として防錆処理を施していた。本発明の銅の表面処理剤は、密着および防錆（不動態化）を同時に行うため、従来の粗化処理と比較して、電子機器・電子部品の生産工程を削減することができる。具体的には、本発明の銅の表面処理剤および表面処理方法は、微細（ファイン）配線を有するプリント配線基板、半導体実装品、液晶デバイス、エレクトロルミネッセンス等の各種電子機器・電子部品に利用することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成22年1月27日(2010.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スズ化合物と、錯化剤と、水溶性高分子または水分散性高分子とを含有し、
上記水溶性高分子または水分散性高分子が、アミノ基、エポキシ基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基、イミノ基およびシラノール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有し、
上記水溶性高分子として、少なくともポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸もしくはアクリル酸共重合体、またはその誘導体を含有することを特徴とする銅の表面処理剤。
【請求項２】
上記水溶性高分子または水分散性高分子の分子量が２，０００以上、１０，０００，０００以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の銅の表面処理剤。
【請求項３】
さらに、金属化合物を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の銅の表面処理剤。
【請求項４】
上記金属化合物が銅化合物であり、
上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内であることを特徴とする請求項３に記載の銅の表面処理剤。
【請求項５】
表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が５０ｐｐｍ以上、１０，０００ｐｐｍ以下の範囲内であることを特徴とする請求項４に記載の銅の表面処理剤。
【請求項６】
さらに、ｐＨ調整剤を含有し、前記ｐＨ調整剤として、少なくとも硫酸、硝酸、塩酸、メタンスルホン酸もしくはリン酸を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項７】
ｐＨが５以下であることを特徴とする請求項６に記載の銅の表面処理剤。
【請求項８】
銅の表面に請求項１〜７のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤を接触させることを特徴とする銅の表面処理方法。
【請求項９】
銅の表面に酸洗処理、粗化処理、化成処理、防錆処理、酸化処理、還元処理、脱脂処理から選ばれる少なくとも一種の前処理をした後に、上記表面処理剤を接触させることを特徴とする請求項８に記載の銅の表面処理方法。
【請求項１０】
銅の表面にスズ化合物を接触させた後に、上記表面処理剤または後処理剤を接触させることを特徴とする請求項８または９に記載の銅の表面処理方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の銅の表面処理方法により形成され、
銅表面の皮膜におけるスズの重量が１ｍｇ／ｍ２以上、２，０００ｍｇ／ｍ２以下の範囲内であり、
上記皮膜の最表面における組成のうちの、スズに対する銅のモル比が０．２以上、１０以下の範囲内であることを特徴とする銅表面の皮膜。
【請求項１２】
請求項８〜１０のいずれか１項に記載の銅の表面処理方法により表面処理されてなることを特徴とする銅張り材料。
【請求項１３】
請求項１２に記載の銅張り材料を備えていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１４】
最外層に請求項１２に記載の銅張り材料を備えていることを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の銅の表面処理剤は、上記水溶性高分子として、少なくともポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸もしくはアクリル酸共重合体、またはその誘導体を含有する。
【手続補正書】
【提出日】平成22年7月9日(2010.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スズ化合物と、錯化剤と、水溶性高分子とを含有し、
上記水溶性高分子が、アミノ基、エポキシ基、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、水酸基、リン酸基、イミノ基およびシラノール基からなる群より選ばれる少なくとも一種の官能基を有し、
上記水溶性高分子として、少なくともポリアクリル酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸もしくはアクリル酸共重合体、またはその誘導体を含有する、銅の表面処理剤であって、
上記表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が１０ｐｐｍ以上１０，０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする銅の表面処理剤。
【請求項２】
上記水溶性高分子の分子量が２，０００以上、１０，０００，０００以下の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の銅の表面処理剤。
【請求項３】
さらに、金属化合物を含有することを特徴とする請求項１または２に記載の銅の表面処理剤。
【請求項４】
上記金属化合物が銅化合物であり、
上記スズ化合物の濃度に対する上記銅化合物の濃度の比が０．２以上、２．０以下の範囲内であることを特徴とする請求項３に記載の銅の表面処理剤。
【請求項５】
表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が２５ｐｐｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項６】
表面処理剤全体に対する上記スズ化合物の濃度が５０ｐｐｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項７】
さらに、ｐＨ調整剤を含有し、前記ｐＨ調整剤として、少なくとも硫酸、硝酸、塩酸、メタンスルホン酸もしくはリン酸を含有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤。
【請求項８】
ｐＨが５以下であることを特徴とする請求項７に記載の銅の表面処理剤。
【請求項９】
銅の表面に請求項１〜８のいずれか１項に記載の銅の表面処理剤を接触させることを特徴とする銅の表面処理方法。
【請求項１０】
銅の表面に酸洗処理、粗化処理、化成処理、防錆処理、酸化処理、還元処理、脱脂処理から選ばれる少なくとも一種の前処理をした後に、上記表面処理剤を接触させることを特徴とする請求項９に記載の銅の表面処理方法。
【請求項１１】
銅の表面にスズ化合物を接触させた後に、上記表面処理剤または後処理剤を接触させることを特徴とする請求項９または１０に記載の銅の表面処理方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の銅の表面処理方法により形成され、
銅表面の皮膜におけるスズの重量が１ｍｇ／ｍ２以上、２，０００ｍｇ／ｍ２以下の範囲内であり、
上記皮膜の最表面における組成のうちの、スズに対する銅のモル比が０．２以上、１０以下の範囲内であることを特徴とする銅表面の皮膜。
【請求項１３】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の銅の表面処理方法により表面処理されてなることを特徴とする銅張り材料。
【請求項１４】
請求項１３に記載の銅張り材料を備えていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１５】
最外層に請求項１３に記載の銅張り材料を備えていることを特徴とする配線基板。
【国際調査報告】
2010010716.tif 000003
2010010716.tif 000004
2010010716.tif 000005