【事件の表示】
　特許第３０５１７２４号「カラーフィルターの製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０５１７２４号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０５１７２４号の請求項１ないし４に係る発明は、平成２年３月３０日に出願した特願平２−８３８３１号の一部を平成１０年１０月１９日に新たな特許出願としたものであって、平成１２年３月３１日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、特許異議申立人有限会社神奈川フィールドサービスより特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１３年５月８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は以下のとおりである。
訂正事項
　明細書、段落【００３７】の【表１】の最左欄において、「参考例４」および「実施例５」とあるのを、誤記の訂正を目的として、それぞれ『参考例１』および『実施例４』と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　願書に添付した明細書の段落【００２９】〜【００３１】には参考例１が記載されており、段落【００３２】〜【００３４】には実施例４が記載されているが、段落【００３７】の【表１】には参考例１および実施例４が記載されておらず、また、参考例４および実施例５は段落【００３７】の【表１】以外には記載されていないから、段落【００３７】の【表１】の「参考例４」および「実施例５」はそれぞれ「参考例１」および「実施例４」の誤記と認められる。したがって上記訂正事項は、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立ての概要
　特許異議申立人有限会社神奈川フィールドサービスは、甲第１号証（特開昭５９−１１９３５３号公報）、甲第２号証（特開昭５８−２１６２４６号公報）、甲第３号証（特開昭６４−２９８１８号公報）を提出し、特許第３０５１７２４号の請求項１ないし４に係る発明の特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、請求項１ないし４に係る発明の特許を取り消すべき旨主張している。
　
４．特許異議申立てについての判断
（１）本件発明
　特許第３０５１７２４号の請求項１ないし４に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１」〜「本件発明４」という。）は、平成１３年５月８日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　請求項１「透光性基板と、この透光性基板表面またはこの透光性基板に設けられた透光性物質層表面に選択的に形成された着色層と、この着色層の平面視上の間に位置するように形成された遮光層とを備えたカラーフィルターを製造するにあたって、前記遮光層の基となる層として、クロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜し、その際、クロムからなるスパッタ・ターゲットを用い、かつ、成膜開始時から成膜終了時にかけて雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を徐々に減少させ、その後、前記遮光層の基となる層を所定形状にパターニングして遮光層とする、ことを特徴とするカラーフィルターの製造方法。」
　請求項２「前記透光性基板側の端面におけるクロム酸化物の酸化度が、前記端面に対向する他端面における酸化度より高い遮光層を形成する、請求項１に記載の方法。」
　請求項３「前記クロム酸化物をＣｒＯx と表したときに、前記遮光層に含有されるクロム酸化物の最大の酸化度ｘを１．５より小さくする、請求項１または請求項２に記載の方法。」
　請求項４「前記クロム酸化物をＣｒＯx と表したときに、前記透光性基板側の端面に対向する他端面におけるクロム酸化物の酸化度ｘを０にする、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の方法。」
　
（２）引用刊行物
　当審が通知した取消の理由に引用した刊行物３（特開昭６４−２９８１８号公報）には次の事項が記載されている。
「本発明は、液晶ディスプレイや液晶を用いた表示・入力装置などに用いる表示装置用電極板に関する。・・・液晶ディスプレイは、表示品位を上げるためにＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の三原色から構成される複数の画素の周囲を、格子状あるいはストライプ状にブラックパターンを形成したカラーフィルターを用いることが一般的である。ブラックパターンは着色した有機樹脂を用いるものと、酸化クロム／金属クロムあるいは酸化クロム／金属クロム／酸化クロムのクロム多層膜を用いることが一般的である。後者の場合、ガラス等の透明な基板にクロム多層膜をあらかじめパタニング形成して後、カラーフィルター（以下ＣＦと略称する）を形成している。酸化クロムを形成する目的は金属クロムのみでは表面反射が大きいため、酸化クロムを予め形成して反射率を下げ、表示品位の向上をはかるためである。なお、このクロム多層膜はスパッタリングにて形成することが多い。」（第１頁右下欄第１行〜第２頁左上欄第４行）
　
　上記記載からみて、刊行物３には、次のとおりの発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「透明な基板と、Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の三原色から構成される複数の画素と、複数の画素の周囲を、格子状あるいはストライプ状に形成したブラックパターンとを備えた表示装置用電極板を形成するにあたって、ブラックパターンとして酸化クロム／金属クロムのクロム多層膜をスパッタリングにて形成し、クロム多層膜をパタニング形成する方法」
　また、当審が通知した取消の理由に引用した刊行物１（特開昭５９−１１９３５３号公報）には次の事項が記載されている。
「この発明は半導体素子、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製造に使用されるフォトマスクブランクに関する。この種のフォトマスクブランクとしては、基本的に第１図（ａ）に示されるように透明基板１上に・・・スパッタリング法・・・によってクロム層２を積層させた・・・このようなフォトマスクブランクを半導体製造用に使用される際には、第１図（ａ）に示したクロム層２または同図（ｂ）に示した酸化クロム層３上にそれぞれレジスト（本例ではポジレジスト）を塗布し、所望のパターンを適当な露光装置により露光させた後、レジストを現像して形成されたパターンのうちから、露光された部分のレジストと、その下のクロム層２、酸化クロム層３をエッチングしたうえで、前記現象によって溶解しなかったレジストを剥離して、所定の半導体製造用フォトマスクを得るのである。」（第１頁左下欄第１２行〜第２頁左上欄第３行）
「この発明の目的は、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残り密度を減少させたフォトマスクブランクを提供することである。このような目的の達成手段としては、各層のエッチング速度を大きくすることが考えられるが、その場合アンダーカットレートが大きくなって微細寸法の制御が困難になり、根本的な解決にはなり得ない。そこで、本発明者は、特に透明基板上に積層したクロム層のうち、透明ガラス基板に近い層と遠い層とに分け、エッチング速度を近い層にて比較的早くして、遠い層にて遅くすることにより、過剰なオーバーエッチングをすることなく、クロム残りを除去することを見出した。・・・第４図（ａ）は、比較的表面反射率の高いフォトマスクブランクの例で、表面を精密研磨したソーダライムガラスからなる透明基板１０上に、酸化度が比較的大きい酸素を含むクロム層２２を、そのクロム層２２上に酸化度が比較的小さい酸素を含むクロム層２３を夫々積層してなる」（第２頁左下欄第１５行〜右下欄第１９行）
「ここで、クロム層２２、２３の積層におけるＡｒとＯ２の混合ガス中の混合比に対するエッチング速度の関係は第５図の曲線ｆで示されるように、エッチング速度はＯ２の混合比、すなわち酸化度が大きくなるにしたがって増大する傾向にある。なお、Ｏ２の混合比を４０％以上にした場合、ターゲット（本例クロム）の表面が著しく酸化するために、測定困難であることから、同図には示していない。」（第３頁右上欄第８〜１６行）
「また、本発明はクロム層２２とクロム層２３を分離して説明したが、透明基板１０の界面付近から遠ざかるに従って連続的に酸化度を減少させてもよい」（第３頁左下欄第１３〜１６行）
　また、第３頁左上欄の表の実施例２にスパッタリングを行う際のＡｒ：Ｏ２が酸化度が比較的大きいクロム層２２の場合８５：１５、酸化度が比較的小さいクロム層２３の場合１００：０であることが記載されている。
　さらに、当審が通知した取消の理由に引用した刊行物２（特開昭５８−２１６２４６号公報）には次の事項が記載されている。
「メタルマスクの製作には第２図の配置図に示される装置を用いる。・・・操作においては、アルゴンガスで純クロムをスパッタリングしてガラス基板に付着し、スパッタリングを一時中断させ、酸素ガスを入れてからスパッタリングを再開し、酸化クロムを純クロムの上に付着させる。・・・前記したスパッタリングの一時的中断なく連続して純クロムのスパッタリング中に酸素ガスが加えられたとき、純クロム膜と酸化クロム膜との境界はゆるやかに（漸進的）に純クロムから酸化クロムに変る。このような膜をエッチングすると、第１図に斜線４で示すようなテーパしたエッチングが進行し、かくして形成されたパターンを上から見ると第３図に示す如き形状となる。ところが、上記したスパッタリングの一時的中断があると、純クロム膜と酸化クロム膜の境界は第１図の断面図に示す如く異質の２物質が重なった如くにはっきりしたものとなる。かかる構成の膜をエッチングすると、エッチング液が境界にしみ込んで、第４図の断面で示される構造が得られる。」（第２頁左上欄第１２行〜左下欄第７行）
「本発明は上記従来の欠点に鑑み、ＩＣ製作に用いるメタルマスクの表面に低反射処理を施すためのガラス基板上の純クロム膜と酸化クロム膜の成長において、これらの膜の成長のためのスパッタリングを中断することなく連続して行いうる方法を提供するにある。」（第２頁右下欄第３〜８行）
　
（３）対比・判断
（３−１）本件発明１
　引用発明に記載された「透明な基板」、「Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の三原色から構成される複数の画素」、「複数の画素の周囲を、格子状あるいはストライプ状に形成したブラックパターン」、「表示装置用電極板」、「形成」、「酸化クロム／金属クロムのクロム多層膜」、「スパッタリングにて形成」及び「パタニング形成」は、それぞれ本件発明１の「透光性基板」、「着色層」、「着色層の平面視上の間に位置するように形成された遮光層」、「カラーフィルター」、「製造」、「クロム酸化物を含有する層」、「スパッタリング法によって成膜」及び「所定形状にパターニング」に相当する。なお、引用発明に記載された複数の画素は、透明な基板表面に直接設けられても、透明な基板に設けられた透光性物質層表面に設けられてもよいことはカラーフィルターの製造において自明のことであると認められるので、引用発明に記載された複数の画素は実質的に本件発明１の「透光性基板表面またはこの透光性基板に設けられた透光性物質層表面に選択的に形成された着色層」に相当する。また、引用発明に記載されたブラックパターンは、酸化クロム／金属クロムのクロム多層膜からなっているので、この酸化クロム／金属クロムのクロム多層膜は本件発明１の「遮光層の基となる層」に相当する。そうすると両者は、
「透光性基板と、この透光性基板表面またはこの透光性基板に設けられた透光性物質層表面に選択的に形成された着色層と、この着色層の平面視上の間に位置するように形成された遮光層とを備えたカラーフィルターを製造するにあたって、前記遮光層の基となる層として、クロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜し、その後、前記遮光層の基となる層を所定形状にパターニングして遮光層とするカラーフィルターの製造方法。」で一致し、
　本件発明１が、クロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜する際に「クロムからなるスパッタ・ターゲットを用い、かつ、成膜開始時から成膜終了時にかけて雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を徐々に減少させ」るのに対し、引用発明では、クロム多層膜をスパッタリング法にて成膜してはいるが、その具体的な成膜方法が記載されていない点（以下、「相違点」という。）で相違している。
　そこで、上記相違点について検討する。
　クロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜する際に、スパッタ・ターゲットとしてクロムを用いることは自明のことであり（後述する刊行物１の第３頁右上欄の記載参照）引用発明においても当然スパッタ・ターゲットとしてクロムを用いているものと認められる。
　また、本件の明細書の段落【００１２】には「上記の「遮光層の基となる層」においては、クロム酸化物の酸化度が透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて徐々に低下している」と記載されていることから、本件発明１の成膜開始時から成膜終了時にかけて雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を徐々に減少させて成膜したクロム酸化物を含有する層は、クロム酸化物の酸化度が透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて徐々に低下している層であると認められる。これに対して刊行物３には「酸化クロム／金属クロム・・・のクロム多層膜を用いることが一般的である」、「酸化クロムを形成する目的は金属クロムのみでは表面反射が大きいため、酸化クロムを予め形成して反射率を下げ、表示品位の向上をはかるためである」と記載されていることから、引用発明のクロム多層膜は本件の明細書に従来例として記載されている「酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）膜とクロム（Ｃｒ）膜とを透光性基板上に順次積層してなる」ものと認められる。
　しかし、刊行物１には、フォトマスクブランクにおいて、透明基板上にスパッタリング法によってクロム層を積層させる際、透明ガラス基板に近い層の酸化度を遠い層の酸化度に比べて高くすることが記載されており、この近い層と遠い層の２層からなるクロム層を「透明基板１０の界面付近から遠ざかるに従って連続的に酸化度を減少させてもよい」ことが記載されている。そして、刊行物１に記載されたフォトマスクブランクは、透明基板上にクロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜し、所定形状にパターニングするという点で本件発明１や引用発明と同じ技術分野に属するものであるから、上記刊行物１に記載された事項を引用発明に適用して、クロム酸化物を含有する層を、クロム酸化物の酸化度が透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて徐々に低下させて成膜するようにすることは当業者であれば容易に想到し得ることと認められる。
　また、刊行物２には、メタルマスクにおいて純クロム膜と酸化クロム膜のように２層構造の膜をエッチングすると、エッチング液が境界にしみ込んで良好なパターンとはならないが、純クロム膜と酸化クロム膜との境界をゆるやかに（漸進的）に変えた膜をエッチングすると、良好なパターンを得られることが記載されていると認めらる。そして、該刊行物２に記載されたメタルマスクもガラス基板上にクロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜し、所定形状にパターニングするという点で本件発明１や引用発明と同じ技術分野に属するものであるから、本件発明１の製造方法においても膜の境界はゆるやかに変化するから、パターニングした後の遮光層のエッチング・プロファイルは良好であろうことは当業者が予測し得たことである。
　したがって、本件発明１は刊行物１ないし３に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−２）本件発明２
　刊行物１には上記（３−１）で述べたように、クロム酸化物の酸化度が透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて徐々に低下している層としてもよいことが記載されているから、本件発明１と同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−３）本件発明３
　本件の明細書の段落【００４３】に「図４は、成膜条件を前述の条件としつつ雰囲気ガス流量中に占めるＯ２ 流量の割合を０から徐々に増加させた場合の図であり、Ｏ２ 流量の割合を図４中のＡ点におけるＯ２ 流量の割合よりも大きくすると、同図から明らかなように電圧が急激に降下し、この時点でクロム酸化物の酸化度は１．５となって、以後、Ｂ点までＯ２ 流量の割合を増加させても１．５のままである。・・・本発明の方法によってカラーフィルターを得るにあたっては、前述したようにクロム酸化物の酸化度が１．５より小さくなる範囲で成膜することが望ましいため、成膜条件を前述の条件とした場合のＯ２ 流量の割合の範囲は、図４中のＡ点におけるＯ２ 流量の割合以下の範囲とすることが好ましい。」と記載されており、段落【００３２】の実施例４には実施例中最大のＯ２ 流量の割合として０．２５が記載されている。これに対し、刊行物１には、第３頁左上欄の表の実施例２にスパッタリングを行う際のＡｒ：Ｏ２が酸化度が比較的大きいクロム層２２の場合８５：１５、酸化度が比較的小さいクロム層２３の場合１００：０であることが記載されており、酸化度が比較的大きいクロム層２２におけるＯ２ 流量の割合は０．１５となり、本件の実施例中の最大のＯ２ 流量の割合以下であるから、遮光層に含有されるクロム酸化物の最大の酸化度ｘは１．５より小さいものと認められる。したがって、本件発明３は、本件発明１と同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３−４）本件発明４
　刊行物１には、上記（３−３）で述べたように、第３頁左上欄の表の実施例２にスパッタリングを行う際のＡｒ：Ｏ２が酸化度が比較的大きいクロム層２２の場合８５：１５、酸化度が比較的小さいクロム層２３の場合１００：０であることが記載されており、酸化度が比較的小さいクロム層２３におけるＯ２ 流量の割合は０となるから、透光性基板側の端面に対向する他端面におけるクロム酸化物の酸化度ｘは０になるものと認められる。したがって、本件発明４は、本件発明１と同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１ないし４は、上記刊行物１ないし３に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１ないし４は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件発明１ないし４についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月１１日（２００１．６．１１）
【訂正の要旨】
　【訂正の要旨】
　明細書、段落【００３７】の【表１】の最左欄において、「参考例４」および「実施例５」とあるのを、誤記の訂正を目的として、それぞれ『参考例１』および『実施例４』と訂正する。
（５４）【発明の名称】
カラーフィルターの製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　透光性基板と、この透光性基板表面またはこの透光性基板に設けられた透光性物質層表面に選択的に形成ざれた着色層と、この着色層の平面視上の間に位置するように形成された遮光層とを備えたカラーフィルターを製造するにあたって、
　前記遮光層の基となる層として、クロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜し、その際、クロムからなるスパッタ・ターゲットを用い、かつ、成膜開始時から成膜終了時にかけて雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を徐々に減少させ、
　その後、前記遮光層の基となる層を所定形状にパターニングして遮光層とする、ことを特徴とするカラーフィルターの製造方法。
　【請求項２】　前記透光性基板側の端面におけるクロム酸化物の酸化度が、前記端面に対向する他端面における酸化度より高い遮光層を形成する、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】　前記クロム酸化物をＣｒＯＸと表したときに、前記遮光層に含有されるクロム酸化物の最大の酸化度ｘを１．５より小さくする、請求項１または請求項２に記載の方法。
　【請求項４】　前記クロム酸化物をＣｒＯＸと表したときに、前記透光性基板側の端面に対向する他端面におけるクロム酸化物の酸化度ｘを０にする、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、撮像管、固体撮像装置、カラー液晶表示装置等に使用されるカラーフィルターの製造方法に係り、特に、透光性基板の一主表面上に選択的に設けた着色層の平面視上の間（以下、単に「着色層の間」という。）に遮光層を配設することにより画像のコントラストの向上を図ったカラーフィルターの製造方法に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　撮像管や固体撮像装置に実装するカラーフィルターとしては、隣接する着色層の境界の不明瞭化や、隣接する着色層の境界付近での混色、あるいは光学的フレア等による撮像管特性の低下に起因する画像のコントラストの低下を抑制するために、着色層の間に遮光層を設けたカラーフィルターが一般に使用されている（特開昭５３−１４７４３５号公報、特開昭６２−１０９００１号公報等）。また、カラー液晶表示装置等の表示装置に実装するカラーフィルターとしても、画像のコントラストの向上を図るために、着色層の間に遮光層を設けたカラーフィルターが一般に使用されている。そして、いずれの用途のカラーフィルターに設ける遮光層にも、高い遮光率を有していることが要求され、その他に、特に表示装置に実装するカラーフィルターに設ける遮光層には、遮光層とこの遮光層が設けられた基材（透光性基板または透光性基板上に設けられた物質層等）との界面における可視光の反射（以下、裏面反射という）による表示特性の低下を抑制する上から、裏面反射率が低いことが要求される。
　【０００３】
　撮像管や固体撮像装置に実装するカラーフィルターに設ける遮光層の材質としては、特開昭６２−１０９００１号公報に開示されているように、金属、無機物、有機物が利用可能であり、金属では、ニッケル、アルミニウム、クロム、チタン、銅、鉄、銀、金等が、またこれらの金属化合物として窒化物、酸化物、炭化物等が利用可能である。
　【０００４】
　また、表示装置に実装するカラーフィルターに設ける遮光層として好適な、高い遮光率と低い裏面反射率とを有する遮光層としては、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）膜とクロム（Ｃｒ）膜とを透光性基板上に順次積層してなる遮光層が知られている。この遮光層は、透光性基板表面に比較的厚いＣｒ２Ｏ３膜を形成することにより低い裏面反射率を得ており、このＣｒ２Ｏ３膜の表面にＣｒ膜を形成することにより高い遮光率を得ている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、比較的厚いＣｒ２Ｏ３膜とこのＣｒ２Ｏ３膜の表面に形成されたＣｒ膜とからなる従来の遮光層においては、Ｃｒ２Ｏ３膜とＣｒ膜とのエッチング・レートが異なるために、エッチングをしたときに、Ｃｒ２Ｏ３膜とこのＣｒ２Ｏ３膜が設けられた基材との界面にオーバー・エッチングが生じ、良好なエッチング・プロファイルが得られない。また、Ｃｒ２Ｏ３膜は元来、平滑なエッチング・プロファイルが得ずらい膜であり、膜厚を厚くした場合には、エッチング・プロファイルの粗悪化の傾向は顕著になる。
　【０００６】
　このようなエッチング・プロファイルの粗悪化は、遮光層の遮光性を低下させて不要光の増加をもたらすものであるため、比較的厚いＣｒ２Ｏ３膜とこのＣｒ２Ｏ３膜の表面に形成されたＣｒ膜とからなる遮光層を備えた従来のカラーフィルターにおいては、遮光層自体は高い遮光率と低い裏面反射率とを有するものの、良好なエッチング・プロファイルを得ることができないことに起因する不要光の増加により、画像のコントラストを向上させることが困難であるという問題があった。
　【０００７】
　したがって本発明の目的は、実用上十分に高い遮光率と低い裏面反射率とを有し、かつ良好なエッチング・プロファイルを有する遮光層を備えたカラーフィルターを得ることができるカラーフィルターの製造方法を提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　上記の目的を達成する本発明のカラーフィルターの製造方法は、透光性基板と、この透光性基板表面またはこの透光性基板に設けられた透光性物質層表面に選択的に形成された着色層と、この着色層の平面視上の間に位置するように形成された遮光層とを備えたカラーフィルターを製造方法するにあたって、前記遮光層の基となる層として、クロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜し、その際、クロムからなるスパッタ・ターゲットを用い、かつ、成膜開始時から成膜終了時にかけて雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を徐々に減少させ、その後、前記遮光層の基となる層を所定形状にパターニングして遮光層とする、ことを特徴とするものである。
　【０００９】
　【発明の実施の形態】
　本発明の方法では、上述したように、遮光層の基となる層として、クロム酸化物を含有する層をスパッタリング法によって成膜する。そして、その際、クロムからなるスパッタ・ターゲットを用い、かつ、成膜開始時から成膜終了時にかけて雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を徐々に減少させる。
　【００１０】
　このとき、上記Ｏ２流量の割合は、透光性基板側の端面におけるクロム酸化物の酸化度が前記端面に対向する他端面における酸化度より高い遮光層を最終的に形成することができるように選択することが好ましい。すなわち、上記「遮光層の基となる層」におけるクロム酸化物の酸化度が、透光性基板側の端面における方が前記端面に対向する他端面におけるより高くなるようにして、当該「遮光層の基となる層」を成膜することが好ましい。
　【００１１】
　なお、本発明におけるクロム酸化物の酸化度は、クロム酸化物の組成を式ＣｒＯＸで表わしたときのｘの値で表わすものとし、酸化度の大小は、このｘの値の大小により比較するものとする。そして、本明細書におけるクロム酸化物とは、酸化度が０であるもの、すなわちＣｒも含むものとする。
　【００１２】
　上記の「遮光層の基となる層」においては、クロム酸化物の酸化度が透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて徐々に低下しているので、換言すれば、エッチング・レートが透光性基板側の端面で高くこの端面に対向する他端面で低く、かつ膜厚方向に徐々に変化しているので、当該「遮光層の基となる層」をエッチングによって所定形状にパターニングして遮光層を得る際に、遮光層とこの遮光層が設けられた基材（透光性基板または透光性基板上に設けられた物質層等）との界面においてオーバー・エッチングを生じることなく、比較的平坦なエッチング・プロファイルを得ることができる。
　【００１３】
　また、「遮光層の基となる層」では、透光性基板側の端面におけるクロム酸化物の酸化度が前記端面に対向する他端面における酸化度より高くなるので、前記他端面側が酸化度の低いクロム酸化物もしくはクロム（Ｃｒ）によって形成されるように成膜することにより、実用上十分に高い遮光率と低い裏面反射率とを有する遮光層を容易に形成することができる。
　【００１４】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
実施例１
　まず、表面および裏面を精密研磨した、石英ガラスからなる透光性基板を用意した。
　次いで、この透光性基板の一主表面に、遮光層の基となる層（以下、この層を単に「材料層」ということがある。）として、透光性基板側の端面におけるクロム酸化物の酸化度が前記端面に対向する他端面におけるクロム酸化物の酸化度より大きく、かつ含有されているクロム酸化物の酸化度が透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて連続的に変化している、膜厚１５００オングストロームの層をスパッタリングにより成膜した。なお、材料層の成膜条件の詳細については後述する。
　【００１５】
　次に、透光性基板の一主表面に成膜した上記材料層に、レジスト塗布、電子ビーム描画、現像、エッチング、レジスト除去を順次施すことにより、図１（ａ）に示すように、透光性基板１上に前記材料層の一部からなる遮光層２を形成した。なおエッチング液としては、硝酸第二セリウムアンモニウム５７８ｇに、過塩素酸１４２ｍｌを純水で３．５１に希釈した液を加えたエッチング液を用いた。
　【００１６】
　この後、後述する高分子電着法により着色層を形成する都合上、遮光層２とこの遮光層２が形成された透光性基板１の一主表面の露出部とを、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２からなる透明絶縁膜３により被覆した。透明絶縁膜３は、ＳｉＯ２をスパッタ・ターゲットとするスパッタリングにより成膜した。
　【００１７】
　高分子電着法により着色層を形成するにあたり、まず、透明絶縁膜３上にスパッタリングによりＩＴＯ（スズをドープした酸化インジウム）膜を成膜し、遮光層２を平面視したときのこれら遮光層２の間にのみ位置するようにこのＩＴＯ膜をパターン化して、図１（ｃ）に示すように、透明絶縁膜３上にＩＴＯ膜からなる複数の透明電極４を形成した。次いで、青色顔料（ピグメントブルー１５）とカチオン性アクリル樹脂とを含有する電着塗料、緑色顔料（ピグメントグリーン７）とカチオン性アクリル樹脂とを含有する電着塗料および赤色顔料（ピグメントレッド４）とカチオン性アクリル樹脂とを含有する電着塗料を用いて、隣接する高分子電着層が互いに同色とならないように順次、電着を行って、図１（ｄ）に示すように、透明電極４上に高分子電着層からなる青色着色層５ｂ、緑色着色層５ｇおよび赤色着色層５ｒを形成した。なお、各着色層の厚さは２〜３μｍであり、各着色層の形成段階における印加電圧は約４０Ｖ、印加時間は１０秒とした。また電着後、各着色層を１７５℃で３０分間焼き付けた。
　【００１８】
　この後、着色層５ｂ、５ｇおよび５ｒとこれら着色層が形成された透明絶縁膜３の一主表面の露出部とを、図１（ｅ）に示すように、厚さ３．５〜４．５μｍの透明保護膜６により被覆して、カラーフィルター７を得た。なお透明保護膜６は、光硬化性樹脂（商品名ＯＭＲ−８５、東京応化（株）製）をエチルセロソルブにより希釈した低粘度樹脂をスピンコート法（５００ｒｐｍ）により塗布し、８０℃で１５分間プリベータした後、プリベータ後の樹脂層の上面から紫外線を照射量１０ｍＪ／ｃｍ２で照射して硬化させることにより形成した。
　【００１９】
　ここで、本発明の方法の特徴部分である遮光層の基となる層（材料層）の成膜方法について説明する。本実施例１における遮光層２の基となった層（材料層）の成膜は、Ｃｒをスパッタ・ターゲットとし、雰囲気ガスとしてＡｒとＯ２との混合ガスを使用し、定電流電源（電流６．０Ａ）を用いたＤＣスパッタ装置により、次のようにして行った。
　【００２０】
　すなわち、雰囲気ガス圧は１×１０−３Ｔｏｒｒの一定圧として、下記式（Ｉ）で表わされる雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を、図２中の実線▲１▼に示すように、膜厚が８００オングストロームに至るまでは０．２の一定値として成膜した後、徐々に減少させて最終的には０として、前述したように膜厚１５００オングストロームの材料層を成膜した。
　【数１】
｛Ｏ２流量（ｓｃｃｍ）｝／｛［Ａｒ流量（ｓｃｃｍ）］＋［Ｏ２流量（ｓｃｃｍ）］｝
　【００２１】
　このようにしてなる材料層（クロム酸化物膜）に含有されるクロム酸化物の酸化度（クロム酸化物の組成を式ＣｒＯＸで表わしたときのｘの値。以下同じ。）は、透光性基板側の端面において１であり、透光性基板側の端面に対向する他端面において０であった。そして、この材料層に含有されるクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて連続的に変化していた。
　【００２２】
　上記の材料層から形成された遮光層２を備えた本実施例１のカラーフィルター７について、遮光層２の可視光に対する透過率および裏面反射率を日立製作所（株）製の分光光度計３４０型により測定した結果を、表１に示す。また、遮光層２におけるエッチング・プロファイルの良否を評価するにあたり、形成直後の遮光層２を顕微鏡により上面から観察して、図３に示すパターン粗さｚを測定した。この結果も表１に示す。
　【００２３】
実施例２
　遮光層の基となる層（材料層）を成膜するにあたり、混合ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を、図２中の実線▲２▼に示すように、膜厚が８００オングストロームに至るまでは０．１の一定値として成膜した後、Ｏ２流量の割合を徐々に減少させ最終的には０として、膜厚１５００オングストロームの材料層（クロム酸化物膜）を成膜した以外は実施例１と同様にして、カラーフィルターを得た。
　【００２４】
　このカラーフィルターに設けた遮光層に含有されているクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面において０．５であり、透光性基板側の端面に対向する他端面において０であった。そして、この遮光層に含有されるクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて連続的に変化していた。
　【００２５】
　得られたカラーフィルターについて、遮光層の透過率および裏面反射率を実施例１と同様にして測定した結果を、表１に示す。また、実施例１と同様にして測定した、遮光層におけるパターン粗さｚの測定結果も表１に示す。
　【００２６】
実施例３
　遮光層の基となる層（材料層）を成膜するにあたり、混合ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を０．２として成膜を開始し、以降、図２中の実線▲３▼に示すように、Ｏ２流量の割合を徐々に減少させ最終的には０として、膜厚１５００オングストロームの材料層（クロム酸化物膜）を成膜した以外は実施例１と同様にして、カラーフィルターを得た。
　【００２７】
　このカラーフィルターに設けた遮光層に含有されているクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面において１であり、透光性基板側の端面に対向する他端面において０であった。そして、この遮光層に含有されるクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて連続的に変化していた。
　【００２８】
　得られたカラーフィルターについて、遮光層の透過率および裏面反射率を実施例１と同様にして測定した結果を、表１に示す。また、実施例１と同様にして測定した、遮光層におけるパターン粗さｚの測定結果も表１に示す。
　【００２９】
参考例１
　遮光層の基となる層（材料層）を成膜するにあたり、混合ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を０．２として成膜を開始し、図２中の実線▲４▼に示すように、Ｏ２流量の割合が０．２６になるまでは徐々にＯ２流量を増加させ、以降、Ｏ２流量を徐々に減少させ最終的には０として、膜厚１５００オングストロームの材料層（クロム酸化物膜）を成膜した以外は実施例１と同様にして、カラーフィルターを得た。
　【００３０】
　このカラーフィルターに設けた遮光層に含有されているクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面において１であり、透光性基板側の端面に対向する他端面において０であった。そして、この遮光層に含有されるクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて連続的に変化していた。なお、この遮光層に含有されているクロム酸化物の酸化度の最大値は１．４であった。
　【００３１】
　得られたカラーフィルターについて、遮光層の透過率および裏面反射率を実施例１と同様にして測定した結果を、表１に示す。また、実施例１と同様にして測定した、遮光層におけるパターン粗さｚの測定結果も表１に示す。
　【００３２】
実施例４
　遮光層の基となる層（材料層）を成膜するにあたり、混合ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を０．２５として成膜を開始し、以降、図２中の実線▲５▼に示すように、Ｏ２流量の割合を徐々に減少させ最終的には０として、膜厚１５００オングストロームの材料層（クロム酸化物膜）を成膜した以外は実施例１と同様にして、カラーフィルターを得た。
　【００３３】
　このカラーフィルターに設けた遮光層に含有されているクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面において１．３であり、透光性基板側の端面に対向する他端面において０であった。そして、この遮光層に含有されるクロム酸化物の酸化度は、透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて連続的に変化していた。
　【００３４】
　得られたカラーフィルターについて、遮光層の透過率および裏面反射率を実施例１と同様にして測定した結果を、表１に示す。また、実施例１と同様にして測定した、遮光層におけるパターン粗さｚの測定結果も表１に示す。
　【００３５】
比較例１
　遮光層の基となる層（材料層）を成膜するにあたり、混合ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を、図２中の破線▲６▼に示すように、膜厚が２００オングストロームに至るまでは０．３の一定値として、膜厚２００オングストロームの酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）膜を成膜した後、Ｏ２ガスを排出して、Ｃｒ２Ｏ３膜上に膜厚１　３００オングストロームのＣｒ膜を成膜した以外は実施例１と同様にして、カラーフィルターを得た。得られたカラーフィルターについて、遮光層の透過率および裏面反射率を実施例１と同様にして測定した結果を、表１に示す。また、実施例１と同様にして測定した、遮光層におけるパターン粗さｚの測定結果も表１に示す。
　【００３６】
比較例２
　遮光層の基となる層（材料層）を成膜するにあたり、混合ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を、図２中の破線▲７▼に示すように、膜厚が８００オングストロームに至るまでは０．３の一定値として、膜厚８００オングストロームの酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）膜を成膜した後、Ｏ２ガスを排出して、Ｃｒ２Ｏ３膜上に膜厚７００オングストロームのＣｒ膜を成膜した以外は実施例１と同様にして、カラーフィルターを得た。得られたカラーフィルターについて、遮光層の透過率および裏面反射率を実施例１と同様にして測定した結果を、表１に示す。また、実施例１と同様にして測定した、遮光層におけるパターン粗さｚの測定結果も表１に示す。
　【００３７】
　【表１】
　【００３８】
　表１から明らかなように、本実施例１〜４のカラーフィルターにおいては、遮光層の透過率および裏面反射率が実用上十分に低く、かつ遮光層のエッチング・プロファイルも良好である。これに対し、膜厚が相対的に薄いＣｒ２Ｏ３膜とＣｒ膜とからなる遮光層を備えた比較例１のカラーフィルターにおいては、遮光層のエッチング・プロファイルは良好であるものの、裏面反射率を低く抑えることができない。また、膜厚が相対的に厚いＣｒ２Ｏ３膜とＣｒ膜とからなる遮光層を備えた比較例２のカラーフィルターにおいては、遮光層の透過率および裏面反射率は実用上十分に低いものではあるものの、エッチング・プロファイルは極めて粗悪化している。
　【００３９】
　なお、本発明のカラーフィルターの製造方法は、以上説明した実施例に限定されるものではなく、下記の変形例や応用例を含むものである。まず、上記実施例では透光性基板として石英ガラスを使用したが、本発明の方法で使用する透光性基板の材料は特に限定されるものではなく、アルミノボロシリケートガラス、ソーダライムガラス等の透明ガラスや、透光性アルミナ焼結体、サイアロン、ＰＬＺＴ等の透明セラミックス、アクリル系樹脂、塩化ビニル等の透明樹脂等を用いることができ、用途に応じて適宜選択可能である。
　【００４０】
　また遮光層は、クロム酸化物を含有し、透光性基板側の端面におけるクロム酸化物の酸化度が前記端面に対向する他端面におけるクロム酸化物の酸化度より大きく、かつクロム酸化物の酸化度が透光性基板側の端面からこの端面に対向する他端面にかけて徐々に減少しているものであればよく、実施例１〜４で適用した方法以外の方法でも設けることができる。ただし、遮光層に含有されるクロム酸化物の酸化度は１．５より小さいことが望ましい。
　【００４１】
　遮光膜の基となる層（材料層）は、例えば、Ｃｒをスパッタ・ターゲットとし、雰囲気ガスとしてＡｒとＯ２との混合ガスを使用し、定電流電源（電流６．０Ａ）を用いたＤＣスパッタ装置により、雰囲気ガス圧を１×１０−３Ｔｏｒｒの一定圧として成膜する場合は、以下のようにして成膜することができる。
　【００４２】
　すなわち、下記式（ＩＩ）で表わされる上記成膜条件時の雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を、このときの混合ガス流量中に占めるＯ２流量の割合と電圧（スパッタ・ターゲットと基板との間の電圧）との関係を示す図４中のＡ点におけるＯ２流量の割合以下の範囲内で、成膜終了時の雰囲気ガス中のＯ２流量の割合を成膜開始時のＯ２流量の割合より小さくするとともに、成膜開始から終了に至る間のＯ２流量の割合を徐々に減少させつつ成膜する。
　【数２】
｛Ｏ２流量（ｓｃｃｍ）｝／｛［Ａｒ流量（ｓｃｃｍ）］＋［Ｏ２流量（ｓｃｃｍ）］｝
　【００４３】
　実施例１および２から明らかなように、成膜の開始から終了に至る間において、遮光性を低下させない範囲内でＯ２流量の割合を一定として成膜してもよい。　なお図４は、成膜条件を前述の条件としつつ雰囲気ガス流量中に占めるＯ２流量の割合を０から徐々に増加させた場合の図であり、Ｏ２流量の割合を図４中のＡ点におけるＯ２流量の割合よりも大きくすると、同図から明らかなように電圧が急激に降下し、この時点でクロム酸化物の酸化度は１．５となって、以後、Ｂ点までＯ２流量の割合を増加させても１．５のままである。Ｂ点まで達した後にＯ２流量の割合を徐々に減少させた場合にも、クロム酸化物の酸化度が１．５より小さくなるＯ２流量の割合の範囲（図示せず）がある。しかしながら、この範囲はクロム酸化物の酸化度を一旦１．５とした場合の範囲であり、本発明の方法によってカラーフィルターを得るにあたっては、前述したようにクロム酸化物の酸化度が１．５より小さくなる範囲で成膜することが望ましいため、成膜条件を前述の条件とした場合のＯ２流量の割合の範囲は、図４中のＡ点におけるＯ２流量の割合以下の範囲とすることが好ましい。
　【００４４】
　本実施例１〜４における遮光層はいずれも、透光性基板側の端面に対向する他端面におけるクロム酸化物の酸化度が０である膜、換言すれば、透光性基板側の端面に対向する他端面がＣｒからなる膜により形成したが、本発明の方法によって製造するカラーフィルターに設ける遮光層は、透光性基板側の端面に対向する他端におけるクロム酸化物の酸化度が０ではない膜により形成してもよい。このような遮光層は、透光性基板上に直接設けてもよいし、透光性基板上に設けられた他の物質層上に設けてもよい。
　【００４５】
　着色層の形成方法は特に限定されるものではなく、本実施例１〜４で用いた高分子電着法の他、染色法、印刷法、モザイク法等の公知の方法により形成してもよい。高分子電着法以外の方法により着色層を形成する場合においては、透明絶縁膜は設けても設けなくてもよい。透明絶縁膜を設けない場合は、例えば透光性基板の一主表面上に遮光層と着色層とが形成される。
　【００４６】
　高分子電着法により着色層を形成する際に設ける透明絶縁膜の材料は、遮光層と透明電極との間を電気的に絶縁状態とすることができ、かつ透明であれば特に限定されるものではなく、実施例で使用したＳｉＯ２の他、Ｔａ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。透明絶縁膜の材料は、カラーフィルターの用途等に応じて、透明性、絶縁性、耐電圧性等を勘案し、適宜選択可能である。また、透明絶縁膜の成膜方法はスパッタ法に限定されるものではなく、スパッタ法以外の物理的成膜方法、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法、ゾル−ゲル法等や、化学的気相蒸着法等の化学的成膜法により成膜してもよい。
　【００４７】
　高分子電着法により着色層を形成する際に設ける透明電極の材料としては、実施例で用いたＩＴＯの他、アンチモンをドープしたＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３等を用いてもよい。高分子電着法により着色層を形成する際の高分子電着層の材料は、カラーフィルターの着色層として利用し得るものであれば特に限定されるものではなく、実施例で例示したものの他に、従来よりカラーフィルターの着色層として利用されている高分子電着層の材料を用いることができる。
　【００４８】
　また本実施例１〜４では保護膜を設けたが、本発明の方法によって製造されるカラーフィルターにおいては、保護膜は必須の部材ではない。保護膜を設ける場合の保護膜の材質は、保護膜として要求される透光性、硬度、耐薬品性等を満たすものが好ましく、本実施例１〜４で用いた光硬化性樹脂の他、ＳｉＯ２等を用いることができる。
　【００４９】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明のカラーフィルターの製造方法によれば、透過率および裏面反射率が実用上十分に低く、かつ良好なエッチング・プロファイルを有する遮光層を備えたカラーフィルターを得ることができる。したがって本発明を実施することにより、不要光を実用上十分に低く抑えることができるカラーフィルターを得ることができ、これにより、撮像管や固体撮像装置等において高コントラストの画像を再現することが可能な画像情報を得ることが、またカラー液晶表示装置等においては高コントラストの画像を再現することが、それぞれ可能となる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明によるカラーフィルターの一製造例を説明するための端面図である。
　【図２】
　実施例において遮光層の基とした層（材料層）の成膜条件を説明するための図である。
　【図３】
　遮光層のエッチング・プロファイルの評価方法を説明するための上面図である。
　【図４】
　遮光層の基となる層（材料層）の成膜条件の範囲を説明するための図である。
　【符号の説明】
　１…透光性基板、　２…遮光層、　５ｂ，５ｇ，５ｒ…着色層、　７…カラーフィルター。