【事件の表示】
　特許第３００４６２１号「高温、高堆積率で膜を堆積する方法及び装置」の請求項１ないし２２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３００４６２１号の請求項１ないし２２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３００４６２１号は、平成１０年１月２６日に出願（最先の優先日平成９年１月２４日　米国）され、平成１１年１１月１９日にその特許権の設定登録がなされたものである。
　これに対し、生原　悟から特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内の平成１３年６月１日に特許異議意見書が提出されたものである。
２．特許異議申立ての概要
　特許異議申立人は、本件請求項１乃至２２に係る発明（以下、「本件発明１乃至２２」という）について、証拠方法として、甲第１号証（特開昭４９−９９２７１号公報）、甲第２号証（特開平７−１４２４０８号公報）及び甲第３号証（特開平７−１５０３５２号公報）を提出して、次の（１）乃至（３）のとおり主張している。
（１）本件発明１乃至３及び１０は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
（２）本件発明１乃至２２は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（３）本件請求項１乃至２２の記載は、温度条件等を限定しておらず不当に広範な範囲を規定するものである。例えば発明の詳細な説明では、４００℃より高い温度で膜を形成するための方法と装置に関することを大前提にして、一貫して発明を説明しているから、この温度条件は特許請求の範囲で明確に規定すべきである。
　したがって、この温度条件を記載しない特許請求の範囲は不備であるから、本件特許明細書は特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない。
３．証拠の記載内容
　甲第１号証乃至甲第３号証には、それぞれ次の事項が記載されている。
（１）甲第１号証（特開昭４９−９９２７１号公報）
（ａ）「本発明は気相エッチング後で、気相成長反応開始前に気相成長反応炉内の不純物をパージ用ガスによってパージすることを特徴とし、また、それによって、得られる半導体素子の気相成長層が・・・以下の不純物濃度を有することを特徴とするものである。」（第２頁右下欄第１４行乃至第１９行）
（ｂ）「（１）洗浄した基板ウェフアを容積１．５（ｌ）の反応炉内の加熱治具上に載置し、窒素、アルゴン等の不活性ガスで反応炉内のガス置換を行った後、高純度水素ガスを流しながら、基板ウェフア温度を所定の気相エッチングに必要な温度、例えば１２００（℃）前後に上げる。（昇温）
（２）塩酸ガス−１．０（ｌ／分）、水素ガス−１９（ｌ／分）の混合比をもって１分間流し・・・基板ウェフア表面を約３（μ）気相エッチングする。（気相エッチ）
（３）塩酸ガスの供給を止め、基板ウェフア温度を１２５０（℃）に高め、水素ガス−２０（ｌ／分）を１０分以上流し、反応炉内に存在する夾雑物あるいは不純物を一掃。（加熱パージ）
（４）基板ウェフア温度を１２００（℃）に下げ、水素ガス−２５（ｌ／分）、三塩化シラン（ＳｉＨＣｌ３）−モル比約１（％）なる条件で約２０（μ）の気相成長層を基板ウェフア上に形成。・・・（成長反応）」（第３頁左上欄第７行乃至右上欄第１１行）
（２）甲第２号証（特開平７−１４２４０８号公報）
（ａ）「上記基板搬送ロボット３０は、予備加熱室８において予備加熱された、または処理室１２、１４および１６において処理の際に加熱された基板２を搬送するものである。
　このような加熱されて熱い基板２を基板搬送ロボット３０のハンド部４０に載せると、その熱がハンド部４０に奪われて基板２の温度が急激に低下するという問題がある。これは、ハンド部４０はアルミニウムやステンレス鋼等の金属で作られており、しかも搬送時に（特に旋回時に）基板２がずれたり飛び出さないようにするために基板２とハンド部４０との間の接触面積をある程度大きくする必要があるからである。
　基板２の温度が上記のように低下すると、処理室１２、１４または１６において基板２をその処理温度にまで加熱するのに長時間を要するようになり、当該基板処理装置のスループットが低下する。また、加熱された基板２が急激に冷却されると、基板２がガラス基板の場合はそれが割れる可能性がある。
　そこでこの発明は、上記のような真空処理室内に設けられた基板搬送ロボットによって基板を搬送するときに基板が急激に冷却されるのを防ぐことができるようにした基板処理装置を提供することを主たる目的とする。」（段落【００１５】乃至【００１８】）
（ｂ）「上記の場合、予備加熱室８での基板２の加熱温度は、３００℃とした。基板搬送ロボット３０は、そのハンド部４０の材料をアルミニウムとし、そこに埋め込んだシースヒータ４８によってハンド部４０の温度を２５０℃に保つようにした。」（段落【００３２】）
（３）甲第３号証（特開平７−１５０３５２号公報）
（ａ）「したがって、本発明の目的は、上記従来の問題点を解消することに有り、真空中での基体の温度を正確に計測し、制御できる真空処理装置を用いた改良された成膜方法を提供することにある。」（段落【００１９】）
（ｂ）「例えば、スパッタ法によって薄膜を基体上に形成する装置にあっては、大気中にあった基体を真空処理槽内に取り込むに際し、基体の表面に吸着している水分を充分に除去するために基体を１５０℃以上に加熱する必要があったり、また、これとは逆にすでに昇温加熱された基体の温度を例えば５０℃程度の成膜開始温度にまで真空槽内で降温する必要のある場合等がある。この昇温、降温の場合には、温度制御の都度正確な温度の測定が必要であり、これらの温度を測定する赤外線輻射温度計について予め基体ごとに温度校正を行うことが必要である。即ち所定の真空処理を行う前に予め既知の温度に基体を加熱乃至は冷却し、第１の赤外線輻射温度計によってこの基体温度を測定し、この測定結果にもとづいて以降の真空処理プロセスで使用する単数または複数の第２の赤外線輻射温度計を校正することのできる機能を備え、スパッタ装置やＣＶＤ装置の如く基体の温度を正確に制御する必要のある成膜装置を構成すれば、より電子部品に好適なプロセスを実現できる。」（段落【００２６】）
（ｃ）「ウェハ１０は、予め既知温度に加熱設定されているので、この第１の赤外線輻射温度計１１から得られた輻射率を逆算して求めることができるので、以後の真空中での基体温度調整チャンバ３とスパッタ成膜チャンバ４の処理温度は、この輻射率を使用して、第２、第３の赤外線輻射温度計１４、１５から輻射率を補正して読み取る。
　第１の赤外線輻射温度計１１による輻射率の校正が終了した時点で、基体温度校正チャンバ２内を排気して真空状態とした後、ウェハ１０は、ゲートバルブＧＶ１を開いて校正チャンバ２から真空下の基体温度調整チャンバ３に搬送され、第２の赤外線輻射温度計１４により温度測定される。その測定結果から基体温度制御器１３によりステージ６の温度調整を行い、ウェハ１０の温度を任意の温度に調整する。この例では、１００℃にセットした。その後ウェハ１０は、ゲートバルブＧＶ２を開いて真空状態のスパッタ成膜チャンバ４のステージ７に搬送され、第３の赤外線輻射温度計１５により温度測定され、その結果をもとにステージ７の温度を任意の温度に調整し、基体１０の温度を任意の温度に制御してスパッタ成膜を行う。この例では、２５０℃にセットしてＡｌのスパッタ成膜を行なった。」（段落【００５４】及び【００５５】）
４．当審の判断
（１）上記主張（１）及び（２）について
（ｉ）本件発明１について
　甲第１号証には、気相成長炉内の不純物をパージすることを特徴とする「半導体素子の製造法」が記載され、その具体的な例として、基板ウェフア温度を１２５０℃に高めて加熱パージし、その後基板ウェフア温度を１２００℃に下げて気相成長反応を行うことが記載されている。
　しかしながら、この「半導体素子の製造法」における基板温度「１２５０℃」は、あくまで加熱パージする場合の基板温度であり、本件発明１でいう「基板に層を堆積する方法」における基板保持面の「第２の温度」に相当するものではない。そして甲第１号証には、本件発明１の「ガスの流入前に、基板保持面を、基板に層を堆積するときの基板保持面温度（第１の温度）よりも高い温度（第２の温度）に加熱する」点について何ら示唆されていないと云える。
　甲第２号証には、基板搬送ロボットのハンド部によって基板が急激に冷却されるのを防止するためにハンド部に加熱ヒータを設けた「基板処理装置」が記載されているだけであり、そこには、温度に関し予備加熱室で基板を３００℃に加熱することが記載されているが、この温度は、本件発明１でいう「基板に層を堆積するための方法」における基板保持面の「第２の温度」に相当するものでないことは明らかである。
 してみると、甲第２号証にも本件発明１の「ガスの流入前に、基板保持面を、基板に層を堆積するときの基板保持面温度（第１の温度）よりも高い温度（第２の温度）に加熱する」点について何ら示唆されていないと云える。
　また、甲第３号証は、「真空中での基体の温度を正確に計測し、制御できる真空処理装置を用いた改良された成膜方法」に関するものであり、この証拠にも本件発明１の「ガスの流入前に、基板保持面を、基板に層を堆積するときの基板保持面温度（第１の温度）よりも高い温度（第２の温度）に加熱する」点について何ら示唆されていないと云える。
　してみると、本件発明１は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明とすることはできない。
　また、甲第１号証乃至甲第３号証には、本件発明１のいわゆる反応ガス流による温度減少分を見越してヒータを処理温度より高い温度に加熱しておくという技術思想についてさえ何ら示唆されていないから、本件発明１は、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明からでは当業者といえど容易に想到することができないと云うべきである。
（ｉｉ）本件発明２乃至１８について
　これら発明は、少なくとも請求項１を引用するものであるから、上記（ｉ）で述べたと同様の理由により、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明とすることはできないし、また、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
（ｉｉｉ）本件発明１９乃至２２について
　本件発明１９は、「装置」に係る発明であってその構成に本件発明１の方法を実施する制御手段を備えたものであるから、上記（ｉ）で述べたと同様の理由により、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明とすることはできないし、また、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　また、本件発明２０乃至２２は、少なくとも請求項１９を引用するものであるから、本件発明１９と同様の理由により、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明とすることはできないし、また、甲第１号証乃至甲第３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものともすることができない。
　したがって、特許異議申立人の上記主張（１）及び（２）は採用することができない。
（２）上記主張（３）について
　本件発明１は、特許明細書の記載をみれば、反応ガス流によりチャンバ内の基板保持面の温度降下が生じるため、予めこの温度降下分を見越して基板保持面を処理温度より高い温度に加熱維持するという技術思想に基づくものであり、そしてこの技術思想によりヒータへの熱衝撃の低減や基板の加熱の短縮化等を図るというものであることは明らかである。
　そうであるならば、上記技術思想を達成するうえで特許異議申立人が上記主張（３）で指摘する「４００℃より高い温度」という温度条件は欠くことのできない事項でないことが明らかであるから、特許異議申立人の上記主張（３）も理由がなく採用することができない。
５．むすび
　以上のとおり、特許異議申立ての理由及び証拠方法によっては、本件請求項１乃至２２に係る発明についての特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１乃至２２に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、上記結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２５日（２００２．２．２５）