【事件の表示】
　特許第３１１２７００号「半導体製造方法並びにその装置」の請求項１、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１１２７００号の請求項１、３に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１１２７００号（以下「本件特許」という。）は、平成３年５月８日に特許出願され、請求項１〜４に係る発明について特許権の設定登録がなされた後、平成１３年５月２５日（５月２３日付け）に中村孝子より、請求項１及び３に係る特許について特許異議の申立がなされ、その後、平成１３年７月３０日付け（同年８月１０日発送）で審判官合議体より特許取消理由の通知がなされ、これに対して、特許権者からは指定期間内に何らの手続がなされなかったものである。
　　
II．本件発明
　本件特許の請求項１及び３に係る発明は、それぞれ、明細書の特許請求の範囲の請求項１及び３に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、処理槽内の複数箇所より処理液を供給することにより処理槽の上方からオーバーフローさせながら、処理槽内に配設された下部電極と上部電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施すのに、複数箇所より供給される処理液の流量や供給時間を調整しうる制御手段を設けたことを特徴とする半導体製造方法。」
「【請求項３】上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体製造装置において、処理槽内の複数箇所に処理液を供給する供給口を設け、この複数箇所より供給される処理液の流量や供給時間を調整しうる制御手段を設けたことを特徴とする半導体製造装置。」
　　
III．取消理由
　一方、上記通知した取消理由の概要は、本件出願前に頒布された刊行物として、引用例１（特開平１−２９０２４３号公報（特許異議申立の甲第１号証））を提示し、特許異議申立人の主張を引用して、本件特許の請求項１及び３に係る発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許されたものであり（理由１；発明の新規性）、また、引用例１に記載された発明に基いてその出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである（理由２；発明の進歩性）、というものである。
　　
IV．引用例の記載事実
　上記引用例１には、以下の事項の記載がなされている。
(1-1)「噴流式めっき装置のカップ（2）にウェーハ（6）を装着しその表面にめっきを施す工程において、直径の異なる複数のめっき液流路（71）が配設されてなる流量調整栓（7）を、該カップ（2）のめっき液流入部（25）に嵌挿してめっき液の流量分布を制御し、形成されためっき膜の膜厚を均一にすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）
(1-2)第３図とともに、「噴流式めっき装置は第３図（ａ）に示す如く複数のカップ２を具えためっき層３と、めっき槽３を経由してめっき液４を循環させるめっき液供給機構５からなり、めっき液供給機構５はめっき液４を貯溜すると共に加熱する加熱槽５１、主バルブ５２やポンプ５３、逆止弁５４等を含みめっき液を送出する配管系、バイパスバルブ５５を含み余分なめっき液を加熱槽５１に還流させる配管系・・・等で構成されている。また第３図(b)に示す如くめっき層３は下部槽３１と上部槽３２からなり、その間に複数（図では１個のみ示す）のカップ２が設けられている。カップ２は下部槽３１と上部槽３２にそれぞれ固定されたカップ本体２１と支持機構部２２とで構成され、被めっきウエーハ６は支持機構部２２の抑えピン２３によって、カップ本体２１上部のウエーハ装着部２４に押し付けられる。前述の配管系から下部槽３１に送り込まれためっき液４は、実線矢印で示す如くめっき液流入部２５を経てカップ内に入り、カップ本体２１の側面に設けられためっき液流出部２６から流出する。ウエーハ６はウエーハ装着部２４を介して陰極に接続されており、カップ本体２１には金網状の陽極２７が内蔵されているため、Ａｕめっき用のめっき液を供給するとウエーハ６の表面にＡｕがめっきされる。ウエーハ６は抑えピン２３によってウエーハ装着部２４に押し付けられているが、ウエーハ６とウエーハ装着部２４の隙間からめっき液が裏に周り、ウエーハ６の裏面を腐食させる等の障害が発生する。そこで支持機構部22は抑えピン23の他にノズル28を具えており、破線矢印で示す如く上部槽32に導入された窒素（Ｎ2）をノズル28を通してウェーハ裏面の周辺部に吹き付けている。」（第２頁右上欄第１行〜左下欄第１４行）
(1-3)第４図とともに、「第4図は従来の製造方法における問題点を示す模式図である。従来の噴流式めっき装置はカップのめっき液流入部が筒状をなしており、通過するめっき液の流速は中央部で速く周辺部に近づくに伴って遅くなる。即ち単位時間当たりの流量は第4図に示す如く中央部で多く周辺部に近づくに伴って減少する。その結果、ウェーハの中央部と周辺部とで形成されるめっき膜の膜厚に差が生じる。」（第２頁左下欄第１５行〜右下欄第５行）
(1-4)第１図とともに、「上記課題は噴流式めっき装置のカップ2にウェーハ6を装着しその表面にめっきを施す工程において、直径の異なる複数のめっき液流路71が配設されてなる流量調整栓7を、カップ2のめっき液流入部25に嵌挿してめっき液の流量分布を制御し、形成されためっき膜の膜厚を均一にする本発明になる半導体装置の製造方法によって達成される。・・・第1図においてウェーハを装着するカップのめっき液流入部に、直径の異なる複数のめっき液流路が配設されてなる流量調整栓を嵌挿することによって、めっき液の流量を例えば周辺部で多く中央部に近づくに伴って減少せしめ、ウェーハ上に形成されるめっき膜の膜厚を均一にすることが可能になる。」（第２頁右下欄第１９行〜第３頁左上欄第１３行）
(1-5)第１図とともに、「ウェーハ6はウェーハ装着部24を介して陰極に接続されており、カップ本体21には金網状の陽極27が内蔵されているため、Ａｕめっき用のめっき液を供給するとウェーハ6の表面にＡｕがめっきされる。」（第３頁右上欄第１３〜１６行）
(1-6)第１図とともに、「従来の装置と異なり本発明になる半導体装置の製造方法では、図示の如くカップ本体21のめっき液流入部25に流量調整栓7が嵌挿されており、流量調整栓には第1図(b)に示す如く直径の異なる多数のめっき液流路71が配設されている。例えば周辺部ではめっき液流路71の直径を大きくすると共に数を多くし、中央部に近づくに伴い直径を小さくすると共に数を減少させている。」（第３頁右上欄第１７行〜左下欄第４行）
(1-7)「このようにウエーハを装着するカップのめっき液流入部に、直径の異なる複数のめっき液流路が配設されてなる流量調整栓を嵌挿することによって、めっき液の流量を例えば周辺部で多く中央部に近づくに伴って減少せしめ、ウエーハ上に形成されるめっき膜の膜厚を均一にすることが可能になる。またそれぞれのカップ入り口における水路抵抗が高くなるため、配管からの距離に関係なくカップに流入するめっき液の量が均一化され、めっき膜の膜厚が均一になる製造方法を実現させることができる。その結果、めっき膜の膜厚が均一になる製造方法を実現させることができる。」（第３頁左下欄第５〜１６行）
　　
Ｖ．対比・判断
（Ａ）理由１（発明の新規性）について
(A-1)請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明(以下、「本件発明１」という。)と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１には、「噴流式めっき装置のカップ（2）にウェーハ（6）を装着しその表面にめっきを施す工程において・・・・半導体装置の製造方法。」（摘記1-1）、「被めっきウエーハ６は支持機構部２２の抑えピン２３によって、カップ本体２１上部のウエーハ装着部２４に押し付けられる。前述の配管系から下部槽３１に送り込まれためっき液４は、実線矢印で示す如くめっき液流入部２５を経てカップ内に入り、カップ本体２１の側面に設けられためっき液流出部２６から流出する。ウエーハ６はウエーハ装着部２４を介して陰極に接続されており、カップ本体２１には金網状の陽極２７が内蔵されているため、Ａｕめっき用のめっき液を供給するとウエーハ６の表面にＡｕがめっきされる。ウエーハ６は抑えピン２３によってウエーハ装着部２４に押し付けられているが、ウエーハ６とウエーハ装着部２４の隙間からめっき液が裏に周り、ウエーハ６の裏面を腐食させる等の障害が発生する。そこで支持機構部22は抑えピン23の他にノズル28を具えており、破線矢印で示す如く上部槽32に導入された窒素（Ｎ2）をノズル28を通してウェーハ裏面の周辺部に吹き付けている。」（摘記1-2）、及び、「ウェーハ6はウェーハ装着部24を介して陰極に接続されており、カップ本体21には金網状の陽極27が内蔵されているため、Ａｕめっき用のめっき液を供給するとウェーハ6の表面にＡｕがめっきされる。」（摘記1-5）との記載がなされているので、引用例１には、本件発明１の構成につき、「上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、処理槽内の複数箇所より処理液を供給することにより処理槽の上方からオーバーフローさせながら、処理槽内に配設された下部電極と上部電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体製造方法」の点が記載されていると認められる。
　また、引用例１には、「直径の異なる複数のめっき液流路（71）が配設されてなる流量調整栓（7）を、該カップ（2）のめっき液流入部（25）に嵌挿してめっき液の流量分布を制御し、形成されためっき膜の膜厚を均一にすること」（摘記1-1）、「直径の異なる複数のめっき液流路71が配設されてなる流量調整栓7を、カップ2のめっき液流入部25に嵌挿してめっき液の流量分布を制御し、形成されためっき膜の膜厚を均一にする本発明になる半導体装置の製造方法によって達成される。・・・第1図においてウェーハを装着するカップのめっき液流入部に、直径の異なる複数のめっき液流路が配設されてなる流量調整栓を嵌挿することによって、めっき液の流量を例えば周辺部で多く中央部に近づくに伴って減少せしめ、ウェーハ上に形成されるめっき膜の膜厚を均一にすることが可能になる」こと（摘記1-4）、「カップ本体21のめっき液流入部25に流量調整栓7が嵌挿されており、流量調整栓には第1図(b)に示す如く直径の異なる多数のめっき液流路71が配設されている。例えば周辺部ではめっき液流路71の直径を大きくすると共に数を多くし、中央部に近づくに伴い直径を小さくすると共に数を減少させている」こと（摘記1-6）、「ウエーハを装着するカップのめっき液流入部に、直径の異なる複数のめっき液流路が配設されてなる流量調整栓を嵌挿することによって、めっき液の流量を例えば周辺部で多く中央部に近づくに伴って減少せしめ、ウエーハ上に形成されるめっき膜の膜厚を均一にすることが可能になる。またそれぞれのカップ入り口における水路抵抗が高くなるため、配管からの距離に関係なくカップに流入するめっき液の量が均一化され、めっき膜の膜厚が均一になる製造方法を実現させることができる。その結果、めっき膜の膜厚が均一になる製造方法を実現させることができる」こと（摘記1-7）が記載され、そして、引用例１に記載の上記の流量調整栓(7)は、本件発明１における「複数箇所より供給される処理液の流量や供給時間を調整しうる制御手段」に相当するものと認められる。したがって、引用例１には、本件発明１の構成につき、「複数箇所より供給される処理液の流量や供給時間を調整しうる制御手段を設けた」点が記載されていると認められる。
　してみれば、引用例１には本件発明１の構成が全て記載されていることとなり、したがって、本件発明１は引用例１に記載された発明である。
　　
(A-2)請求項３に係る発明について
　本件請求項３に係る発明(以下、「本件発明３」という。)と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１には、「噴流式めっき装置のカップ（2）にウェーハ（6）を装着しその表面にめっきを施す工程において・・・・半導体装置の製造方法。」（摘記1-1）、「被めっきウエーハ６は支持機構部２２の抑えピン２３によって、カップ本体２１上部のウエーハ装着部２４に押し付けられる。前述の配管系から下部槽３１に送り込まれためっき液４は、実線矢印で示す如くめっき液流入部２５を経てカップ内に入り、カップ本体２１の側面に設けられためっき液流出部２６から流出する。ウエーハ６はウエーハ装着部２４を介して陰極に接続されており、カップ本体２１には金網状の陽極２７が内蔵されているため、Ａｕめっき用のめっき液を供給するとウエーハ６の表面にＡｕがめっきされる。ウエーハ６は抑えピン２３によってウエーハ装着部２４に押し付けられているが、ウエーハ６とウエーハ装着部２４の隙間からめっき液が裏に周り、ウエーハ６の裏面を腐食させる等の障害が発生する。そこで支持機構部22は抑えピン23の他にノズル28を具えており、破線矢印で示す如く上部槽32に導入された窒素（Ｎ2）をノズル28を通してウェーハ裏面の周辺部に吹き付けている。」（摘記1-2）、及び、「ウェーハ6はウェーハ装着部24を介して陰極に接続されており、カップ本体21には金網状の陽極27が内蔵されているため、Ａｕめっき用のめっき液を供給するとウェーハ6の表面にＡｕがめっきされる。」（摘記1-5）との記載がなされているので、引用例１には、本件発明３の構成につき、「上方を開放した処理槽の上方に半導体ウェハーをその被処理面を下にして保持し、半導体ウェハーの被処理面に処理液を噴流させながら上下電極間に電流を流して半導体ウェハーにメッキ、化成等の処理を施す半導体製造装置」が記載されていると認められる。
　また、引用例１には、「直径の異なる複数のめっき液流路（71）が配設されてなる流量調整栓（7）を、該カップ（2）のめっき液流入部（25）に嵌挿してめっき液の流量分布を制御し、形成されためっき膜の膜厚を均一にすること」（摘記1-1）、「直径の異なる複数のめっき液流路71が配設されてなる流量調整栓7を、カップ2のめっき液流入部25に嵌挿してめっき液の流量分布を制御し、形成されためっき膜の膜厚を均一にする本発明になる半導体装置の製造方法によって達成される。・・・第1図においてウェーハを装着するカップのめっき液流入部に、直径の異なる複数のめっき液流路が配設されてなる流量調整栓を嵌挿することによって、めっき液の流量を例えば周辺部で多く中央部に近づくに伴って減少せしめ、ウェーハ上に形成されるめっき膜の膜厚を均一にすることが可能になる」こと（摘記1-4）、「カップ本体21のめっき液流入部25に流量調整栓7が嵌挿されており、流量調整栓には第1図(b)に示す如く直径の異なる多数のめっき液流路71が配設されている。例えば周辺部ではめっき液流路71の直径を大きくすると共に数を多くし、中央部に近づくに伴い直径を小さくすると共に数を減少させている」こと（摘記1-6）、「ウエーハを装着するカップのめっき液流入部に、直径の異なる複数のめっき液流路が配設されてなる流量調整栓を嵌挿することによって、めっき液の流量を例えば周辺部で多く中央部に近づくに伴って減少せしめ、ウエーハ上に形成されるめっき膜の膜厚を均一にすることが可能になる。またそれぞれのカップ入り口における水路抵抗が高くなるため、配管からの距離に関係なくカップに流入するめっき液の量が均一化され、めっき膜の膜厚が均一になる製造方法を実現させることができる。その結果、めっき膜の膜厚が均一になる製造方法を実現させることができる」こと（摘記1-7）が記載されており、そして、引用例１に記載の上記「直径の異なる複数のめっき液流路が配設されてなる流量調整栓」は、本件発明３における「処理槽内の複数箇所に処理液を供給する供給口を設け、この複数箇所より供給される処理液の流量や供給時間を調整しうる制御手段」に該当すると認められる。したがって、引用例１には、本件発明３の構成につき、「処理槽内の複数箇所に処理液を供給する供給口を設け、この複数箇所より供給される処理液の流量や供給時間を調整しうる制御手段」が記載されていると認められる。
　してみれば、引用例１には本件発明３の構成が全て記載されていることとなり、したがって、本件発明３は引用例１に記載された発明である。
　　
VI．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１及び３は、引用例１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項の規定に違反して特許を受けたものであるから、本件発明１及び３に係る特許は、特許法第４９条第１項第２号の規定により拒絶をすべき旨の査定をしなければならない特許出願についてなされたものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月８日（２００１．１１．８）