【事件の表示】
　特許第３０９６０７３号「気相成長装置およびその方法」の請求項１ないし８に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０９６０７３号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
（Ｉ）手続きの経緯
　本件特許第３０９６０７３号の請求項１〜８に係る発明は、平成３年３月５日に特許出願がなされ、平成１２年８月４日に特許権の設定登録がなされ、その後、当該請求項１〜８に係る発明の特許について、山口　雅行（以下、申立人という。）から、特許異議の申立がなされたものである。
　
（ＩＩ）特許異議の申立について
（ＩＩ−１）本件発明
　本件の請求項１〜８に係る発明は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された次のとおりのものである。
　請求項１に係る発明：反応炉内に原料ガスを供給し、前記反応炉内に配置した基板上に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記基板の温度を制御する温度制御手段と、前記温度制御手段によって制御された前記基板の温度に応じて、当該基板の回転数を制御する回転制御手段とを具備し、前記基板を昇温させる時に、前記回転制御手段は前記回転数を気相成長中の回転数より低回転に制御することを特徴とする気相成長装置。
　請求項２に係る発明：前記回転制御手段は、気相成長中に回転数を変化させることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。　
　請求項３に係る発明：前記温度制御手段によって制御された前記基板の温度に応じて、前記反応炉内に前記基板の上流側から供給される前記原料ガスおよびキャリアガスの供給量を制御するガス供給制御手段を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の気相成長装置。　
　請求項４に係る発明：前記基板を降温させる時に、前記回転制御手段は、前記回転数を気相成長中の回転数と異ならせることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載の気相成長装置。
　請求項５に係る発明：反応炉内に原料ガスを供給し、前記反応炉内に配置した基板上に薄膜を気相成長させる気相成長方法において、前記基板の温度を制御する温度制御ステップと、前記温度制御手段によって設定された前記基板の温度に応じて、当該基板の回転数を制御する回転制御ステップとを有し、前記基板を昇温させる時に、前記回転数を気相成長中の　回転数より低回転に制御することを特徴とする気相成長方法。
　請求項６に係る発明：気相成長中に回転数を変化させることを特徴とする請求項５に記載の気相成長方法。
　請求項７に係る発明：前記温度制御ステップによって制御された前記基板の温度に応じて、前記反応炉内に前記基板の上流側から供給される前記原料ガスおよびキャリアガスの供給量を制御するガス供給制御ステップを有することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の気相成長方法。
　請求項８に係る発明：前記基板を隆温させる時に、前記回転数を気相成長中の回転数と異ならせることを特徴とする請求項５、請求項６又は請求項７に記載の気相成長方法。
　（以下、請求項１〜８に係る発明を、本件発明１〜８という。）
　
（ＩＩ−２）特許異議の申立理由
　申立人は、証拠方法として、甲第１〜６号証を提示して、
（あ）本件発明１，２，４，５，６，８は、甲第１〜３号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明に該当し、特許を受けることができないものである、
（い）本件発明１〜８は、甲第１〜６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、
（う）本件発明１〜８の特許は、特許法第３６条第４項及び５項に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである、
との理由により、本件発明１〜８の特許は取り消されるべきである旨を主張する。
　
（ＩＩ−３）甲各号証の記載
甲第１号証（特開昭６３−３０７７４０号公報）：
「・・・基板の温度を可変できる冷却部を設けたことを特徴とする光化学反応処理装置」（特許請求の範囲参照）、
「（実施例）本発明を光ＣＶＤ装置を応用した場合について記す。・・・光ＣＶＤ装置１は、チャンバ３，紫外光源部５、・・・基板支持体７，回動機構９、基板加熱ヒーター２３，冷却部２５及び反応ガス導入系１１及び排気系１３から成っている。・・・冷却手段は、・・・基板支持体７を必要に応じて冷却できる構造を有している。・・・チャンバ３内に、反応ガス導入系１１から反応ガスを約３ｔｏｒｒの圧力になる迄導入する。基板１５が加熱手段によって所定温度、例えば３５０℃となった状態で、モータ２１を駆動させ基板支持体７を回転させると共に、光源５から紫外光を基板面に向って照射する。・・・反応ガスは反応空間で熱と光によって所定の化学反応を進行させ、基板面に生成物を積層させる。なお、この時には冷却部２５内に冷却水は注入されておらず基板はヒーター２３により加熱されているのみである。光源５の照度及び基板ホルダの回転速度を一定に保って膜形成を行なっても、基板上の照度バラツキは平均化される。・・・各基板表面での照度をより一様にするには、基板支持体の回転速度を一定に保つ一方、光源５の照度をこれに同期させ、適当に変化させることが効果的である。又、これとは逆に、光源５の照度を一定に保つ一方、基板支持体７の回転速度を光源５との相対位置により適宜変化させることも効果が期待出来る。このように基板上の所定の厚みの被膜形成後、基板加熱ヒーター２３による基板加熱を止め、その後冷却部２５に冷却水を注入し、基板の徐冷を行い約５分後に反応室を開けて新しい基板を支持体に装填した。」（２頁左下欄５行〜３頁右上欄９行参照）。
　
甲第２号証（特開昭６０−２１９７２４号公報）：
「本発明は、集積回路製造工程で用いられる化学気相成長装置の回転サセプタ支持装置に関するものである。」（１頁左下欄１５〜１７行）、
「以上のように構成された回転サセプタ支持装置について以下その動作を説明する。赤外線ランプ２９から放射される熱線で回転サセプタ１５上の基板を所定の温度まで加熱した・・・こののちに、反応炉内部２０に反応ガスを矢印Ｘ方向に供給、矢印Ｙ方向に排気し、同時に・・・磁気継手によって駆動源からのトルクを回転軸１６に伝達する。・・・基板上に生成される蒸着膜の均質性を保証することができる。」（２頁左下欄１１行〜同頁右下欄１１行参照）。
　
甲第３号証（特開昭５３−１１０３６６号公報）：
「気相から半導体周期構体をエピタキシャル成長させるための装置」（発明の名称）、
「第１図に示した、気相から半導体周期構体をエピタキシャル成長させるための装置は、下記のように動作する。・・・基材１０および供給源２１、２２が、それぞれ円板７および１８の上に置かれる。・・・円板７および１８が化学的輸送反応のための十分な高温度に加熱される。・・・そして、円板７は、電気モータ１７をスイッチすることによって回転される。円板７の回転中に、基材１０は、供給源２１、２２の下を交互に通過するので、供給源２１の一つの半導体材料からと、供給源２２のもう一つの半導体材料から交互に基材１０の上に膜が付着する。結果として、第１５図に示す半導体周期構体５６が形成される。」（１１頁右上欄１５行〜同頁右下欄１３行参照）、
「周期構体５６を構成する各群の層５７および５８（第１５図）の厚さ、および前記構体５６内の交替の順序は、円板７および１８の温度およびそれらの温度差を調整することによってエピタキシャル成長の速度を変化することにより、ならびに円板１８に対する円板７の回転速度、異なる組成供給源２１，２２の数、供給源２１，２２の寸法および円板１８上の交替の順序を変更することによって効果的に制御されることができる。」（１２頁右上欄４〜１２行）。
　
甲第４号証（特開昭６３−２７０３９６号公報）：
「（１）希土類ガリウムガーネット結晶からなる基板上に、ビスマス、および鉄を含むガーネット結晶をエピタキシャル法により成長させるに際し、・・・格子定数差緩和層を設けるようにした磁気光学素子の製造方法。（２）磁気光学素子の製造を液相及び気相エピタキシャル法により行うものとし、成長速度を徐々に変化させることにより格子定数差緩和層を得るようにした特許請求の範囲第１項記載の磁気光学素子の製造方法。」（特許請求の範囲参照）、
「本発明は、・・・成長速度を徐々に変化させる事により格子定数差緩和層を得るものであり、さらに、前記基板の回転数を徐々に変化させて格子定数差緩和層を得るものであり、さらに気相成長法においては前記基板の温度を徐々に変化させて格子定数差緩和層を得るものである。」（２頁右上欄１１行〜同頁左下欄４行参照）。
　
甲第５号証（特開昭６１−２４４０２４号公報）：
「半導体の気相成長装置」に係る発明が記載され、その３頁右上欄第１〜１９行には、Ｈ２：９．５　１／分、ＡｓＨ３；５０ｃｃ／分、サセプタ６６０℃まで昇温。６６０℃で安定したら、ＡｓＨ３：５００ｃｃ／分に増加。さらにＴＭＧ：５０ｃｃ／分の条件で実施したことが記載され、第１図には、上流側からガスが供給されている状態が示されている。
　
甲第６号証（特開昭６４−３６６７号公報）：
　非晶質炭素を電荷輸送層とした感光体の製造方法について記載されており、その１４頁右下欄６行〜１５頁左下欄１６行）には、電荷輸送層形成（ＣＴＬ）工程を、基板温度２００℃、Ｈ２＝２００ｓｃｃｍ、プロピレン＝１３０ｓｃｃｍ、スチレン＝５０ｓｃｃｍ、Ｈ２Ｔｅ＝５ｓｃｃｍの条件で実施し、電荷発生層形成（ＣＧＬ）工程を、基板温度２５０℃、Ｈ２＝３００ｓｃｃｍ、亜酸化窒素＝１ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６＝１０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ４＝１００ｓｃｃｍの条件で実施したことが記載されている。
　
（ＩＩ−４）対比・判断
（ＩＩ−４−１）本件発明１〜４について
　本件発明１〜４は 、本件発明２〜４がそれぞれ本件発明１を引用するものであるから、ともに、本件発明１の「基板を昇温させる時に、回転制御手段は回転数を気相成長中の回転数より低回転に制御することを特徴とする気相成長装置」という構成（以下、本件構成Ａという。）を有するものであり、当該構成の採用により、特許明細書に記載されたとおりの、基板温度の昇温時間を短縮することができ、基板の回転数が早い成長条件においても基板の飛出しを防ぐことができるという効果を奏するものである。
　これに対して、甲第１〜３号証には、前記したとおり、基板を回転させ気相成長させることが記載されているものの、当該回転は基板を所定の温度に加熱した後になされるというものであり、基板を昇温させる時に回転させることや、その回転数を気相成長中の回転数より低くすることを示唆する記載はないから、甲第１〜３号証に前記本件構成Ａが記載又は示唆されているとすることはできない。
　また、甲第４号証には、気相成長中に基板の回転数を変化させることが記載され、甲第５，６号証には、気相成長に際して、温度制御された基板の温度に応じて、反応炉内に供給される原料ガスの量を制御することが記載されているものの、基板を昇温させる時に回転させることや、その回転数を気相成長中の回転数より低くすることを示唆する記載はないから、甲第４〜６号証にも前記本件構成Ａが記載又は示唆されているとすることはできない。
　してみると、前記本件構成Ａを有する本件発明１〜４は、甲第１〜３号証に記載された発明であるとすることができず、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとすることもできない。
　
（ＩＩ−４−２）本件発明５〜８について
　本件発明５〜８は 、そのうちの本件発明６〜８がそれぞれ本件発明５を引用するものであるから、ともに、本件発明５の「基板を昇温させる時に、回転数を気相成長中の回転数より低回転に制御することを特徴とする気相成長方法」という構成（以下、本件構成Ｂという。）を有するものであるところ、当該本件構成Ｂは、「回転制御手段」及び「気相成長装置」という表現が、「気相成長方法」という表現に変わったという点で本件構成Ａと相違するものの、「回転数を気相成長中の回転数より低回転に制御することを特徴とする」という構成は本件構成Ａと共通するものである。
　そして、本件構成Ｂのうち本件構成Ａと共通する構成が甲第１〜６号証に記載も示唆もないことは前記したところである。
　また、本件発明５〜８は、本件構成Ｂを採用することにより、本件構成Ａの採用によると同様の前記した効果を奏するものである。
　してみると、本件発明５〜８は、本件発明１〜４について上述したと同様の理由により、甲第１〜３号証に記載された発明であるとすることができず、甲第１〜６号証に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるとすることもできない。
　
（ＩＩ−４−３）記載不備について
　申立人が記載不備の理由として主張するところは、（１）請求項１に記載された「温度制御手段」および「回転制御手段」という表現は、特許明細書中の発明の詳細な説明の欄に具体的な記載がないものであり、明確でない、（２）請求項１，５に記載された「基板の温度に応じて・・・回転数を制御する」との表現は、特許明細書中の発明の詳細な説明の欄にその制御を自動制御するのか否かについて記載されていないので、明確でない、（３）本件発明１〜８は、気相成長により形成する膜の種類や組成について限定すべきである、というものである。
　しかし、これら主張は、そのいずれも、以下の理由により、採用できない。
（１）について：請求項１に記載された「温度制御手段」および「回転制御手段」という表現は、それら手段自体が本件出願前に周知であり明確であるから、当該表現は、特許明細書中の発明の詳細な説明の欄に具体的な記載がなくても、明確でないとすることはできない。
（２）について：請求項１，５に記載された「基板の温度に応じて回転数を制御する」との表現は、自動制御の有無にかかわらず、それ自体として明確なものであるから、当該表現は、特許明細書中の発明の詳細な説明の欄に自動制御の有無についての記載がなくても、明確でないとすることはできない。
（３）気相成長により形成する膜の種類や組成によらず、本件発明１〜８が、その構成により、特許明細書に記載の効果を奏することはその明細書の記載から明らかであるから、本件発明１〜８が前記膜の種類や組成について限定すべきであるとすることはできない。
　
（ＩＩ−５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由によっては、本件発明に係る特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとすることはできない。
　また、他に本件発明に係る特許が拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものであるとする理由を発見しない。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月９日（２００２．７．９）