【事件の表示】
　特許第３１９４８４９号「弾性表面波デバイス製造方法」の請求項４ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１９４８４９号の請求項４ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１９４８４９号の請求項１ないし請求項７に係る発明についての出願は、平成７年５月３０日に特許出願され、平成１３年６月１日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、寺尾健吾より請求項４ないし請求項７に係る発明に対して特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１４年６月１８日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
（１）請求項４を削除し、請求項５ないし請求項７を順次繰り上げて請求項４ないし請求項６とするとともに、訂正後の請求項４及び請求項５に「請求項１乃至４記載の」とあるのを「請求項１乃至３記載の」と、訂正後の請求項６に「請求項６記載の」とあるのを「請求項５記載の」と訂正する。
（２）発明の詳細な説明の段落【００２１】、【００２４】及び【００３５】を削除する。
（３）発明の詳細な説明の段落【００３１】において、「２個のアース間短絡電極４０」とあるのを「２個のアース電極４０」と訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　上記訂正事項（１）は、請求項の削除及び引用する請求項の記載を請求項の削除に整合させたものであるから、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項（２）は、発明の詳細な説明の記載について上記訂正事項（１）と整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、また、上記訂正事項（３）は、引用符号４０が「アース電極」を示すことは明細書及び図面の記載から明らかであるので、誤記の訂正を目的とした明細書の訂正に該当し、いずれも新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについての判断
３−１．申立ての理由の概要
　申立人は、甲第１号証ないし甲第５号証を提出し、本件請求項４ないし７に係る発明は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである旨主張している。
　
３−２．判断
  本件請求項４に係る発明は、上記訂正の結果削除された。
　また、上記訂正が認められるから、本件請求項４及び請求項５（訂正前の請求項５及び６）は、本件請求項１ないし請求項３を引用する請求項であり、本件請求項６（訂正前の請求項７）は訂正後の請求項５を引用する請求項である。本件請求項１ないし請求項３に係る発明が、申立人の提出した甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、本件請求項１ないし請求項３を直接又は間接的に引用する請求項である本件請求項４ないし請求項６に係る発明は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
３−５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項４ないし請求項６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項４ないし請求項６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月２８日（２００２．６．２８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第３１９４８４９号の明細書中
・特許請求の範囲の請求項４を、特許請求の範囲の減縮を目的として削除する。
・明りょうでない記載の釈明を目的として、特許請求の範囲の請求項５ないし７の項番を順次繰り上て請求項４ないし請求項６とするとともに、訂正後の請求項４及び請求項５に「請求項１乃至４記載の」とあるのを「請求項１乃至３記載の」と、訂正後の請求項６に「請求項６記載の」とあるのを「請求項５記載の」と訂正する。
・発明の詳細な説明の段落【００２１】、【００２４】及び【００３５】を明りょうでない記載の釈明を目的として削除する。
・発明の詳細な説明の段落【００３１】において、「２個のアース間短絡電極４０」とあるのを誤記の訂正を目的として「２個のアース電極４０」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
弾性表面波デバイス製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　そのＩＤＴ形成面上に複数の電極が形成されている弾性表面波チップ及びそのチップ搭載面上に複数のパッドが形成されている表面実装用パッケージを準備しておき、上記複数の電極の上にバンプをそれぞれ配置し、上記複数のパッドが上記複数の電極に対向するよう弾性表面波チップを表面実装用パッケージに対し位置決めした上で、電極とパッドがバンプにて電気的及び機械的に接続されるよう、弾性表面波チップに対しそのＩＤＴ形成面の裏面から加重を加えると同時にＩＤＴ形成面と平行な方向に沿って超音波振動を印加することにより、弾性表面波チップを表面実装用パッケージにフェースダウンボンディングする弾性表面波デバイス製造方法において、
　上記複数の電極が、ＩＤＴへの信号入力のための入力電極、ＩＤＴからの信号出力のための出力電極、ＩＤＴを介して入力電極又は出力電極と対をなす接地のための複数のアース電極、並びに加重及び超音波振動の作用に起因する破壊から入力電極及び出力電極を保護するための複数のダミー電極を含み、
　入力電極と出力電極を結ぶ直線のほぼ直上で、入力電極及び出力電極からみてＩＤＴ形成面の外周部よりにあり、かつその間に少なくとも入力電極及び出力電極を挟んでいる複数の箇所に、上記ダミー電極が形成されており、
　上記超音波振動を、上記直線の方向とほぼ平行な方向に沿い印加することを特徴とする方法。
　【請求項２】　請求項１記載の方法において、アース電極相互間を短絡するアース間短絡電極がＩＤＴ形成面上に形成されていることを特徴とする方法。
　【請求項３】　そのＩＤＴ形成面上に複数の電極が形成されている弾性表面波チップ及びそのチップ搭載面上に複数のパッドが形成されている表面実装用パッケージを準備しておき、上記複数の電極の上にバンプをそれぞれ配置し、上記複数のパッドが上記複数の電極に対向するよう弾性表面波チップを表面実装用パッケージに対し位置決めした上で、電極とパッドがバンプにて電気的及び機械的に接続されるよう、弾性表面波チップに対しそのＩＤＴ形成面の裏面から加重を加えると同時にＩＤＴ形成面と平行な方向に沿って超音波振動を印加することにより、弾性表面波チップを表面実装用パッケージにフェースダウンボンディングする弾性表面波デバイス製造方法において、
　上記複数の電極が、ＩＤＴへの信号入力のための入力電極、ＩＤＴからの信号出力のための出力電極、ＩＤＴを介して入力電極又は出力電極と対をなす接地のための複数のアース電極、並びに加重及び超音波振動の作用に起因する破壊から他の電極を保護するための複数のダミー電極を含み、
　入力電極と出力電極を結ぶ直線と直交する直線のほぼ直上で、他の電極からみてＩＤＴ形成面の外周部よりにあり、かつその間に他の電極を挟んでいる複数の箇所に、上記ダミー電極が形成されており、
　上記超音波振動を、上記直交する直線の方向とほぼ平行な方向に沿い印加することを特徴とする方法。
　【請求項４】　
弾性表面波チップのＩＤＴ形成面上に形成されている複数の電極の上にバンプを配置する手段と、表面実装用パッケージのチップ搭載面に形成されている複数のパッドのうち対応するパッドと対向するよう上記複数の電極が位置決めした後、電極とパッドがバンプにて電気的及び機械的に接続されるよう、弾性表面波チップに対しそのＩＤＴ形成面の裏面から加重を加えると同時にＩＤＴ形成面と平行な方向に沿って超音波振動を印加する手段と、を備え、弾性表面波チップを表面実装用パッケージにフェースダウンボンディングする弾性表面波デバイス製造装置において、
　請求項１乃至３記載の方法を実施する手段を備えることを特徴とする装置。
　【請求項５】　
所定個数のＩＤＴ、ＩＤＴへの信号入力のための入力電極、ＩＤＴからの信号出力のための出力電極、及びＩＤＴを介して入力電極又は出力電極と対をなす接地のための複数のアース電極を有する弾性表面波チップと、そのチップ搭載面上に弾性表面波チップがフェースダウンボンディングされる表面実装用パッケージと、を備える弾性表面波デバイスにおいて、
　請求項１乃至３記載の方法により製造されることを特徴とするデバイス。
　【請求項６】　
請求項５記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする通信装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、弾性表面波（ｓｕｒｆａｃｅ　ａｃｏｕｓｔｉｃ　ｗａｖｅ：ＳＡＷ）デバイスを製造する方法に関し、更には、この方法を実施するための装置、この方法により製造されたデバイス及び当該デバイスを使用した通信装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　ＳＡＷデバイスは、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムその他の基板の表面にてＳＡＷを伝搬させることにより、共振、遅延、瀘波等を実現するデバイスである。ＳＡＷデバイスは、一般的には、ちょうど指が交叉したのと同じような構造及び配置を有するトランスデューサ（ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ　ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ：ＩＤＴ）を用いて電気信号により基板表面を励振し（電気から機械への変換）、基板表面又はその直下を伝搬しているＳＡＷを他のＩＤＴにより受信して電気信号に変換する（機械から電気への変換）、という原理を採用している。その際に、ＩＤＴを構成し上述の“指”に相当する電極、すなわち電極指の間隔等を適宜設定しておけば、所定の周波数にて共振する共振器を実現できる。また、ＩＤＴ間のＳＡＷ伝搬遅延を利用することにより遅延線を実現できる。そして、電気機械変換、伝搬遅延及び機械電気変換の特性を重み付け等により適宜設定することにより、フィルタを実現できる。
　【０００３】
　このようなＳＡＷデバイスは、高周波回路を有する通信装置等において広く使用されている。例えば図４に示されるように、アンテナ共用器１０により単一のアンテナ１２を共用している送信側ＲＦ段１４及び受信側ＲＦ段１６には、通常、パワーアンプやローノイズアンプ等と共に帯域制限用のＢＰＦ１８及び２０が用いられる。使用するＲＦがＶＨＦやＵＨＦ等の帯域に属している場合、この種のＢＰＦ１８及び２０としては、ＳＡＷフィルタを用いることができる。特に、近年では、移動無線等の普及・拡大に伴い、このようなＳＡＷフィルタの小形安価化及び高信頼化を達成することが重要になっている。
　【０００４】
　ＳＡＷデバイスを小形かつ安価に製造可能な方法としては、本願発明の発明者らが既に提案しているフリップチップ実装技術がある。その内容に関しては下記論文［１］〜［３］等を参照されたい。図５には、その概要が示されている。
　【０００５】
　［１］「超小型（３．２＊２．５＊０．９ｍｍ３）表面実装ＳＡＷフィルタ」、谷津田他、１９９４年電子情報通信学会春季大会
　［２］「フリップチップ実装技術を用いたＳＡＷフィルタ」、谷津田他、１９９４年電子情報通信学会秋季大会
　［３］“Ｍｉｎｉａｔｕｒｉｚｅｄ　ＳＡＷ　Ｆｉｌｔｅｒｓ　Ｕｓｉｎｇ　ａ　Ｆｌｉｐ−Ｃｈｉｐ　Ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ”，Ｙｓｔｓｕｄａ　ｅｔ　ａｌ，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　１９９４　ＩＥＥＥ　Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ　Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，１−４　Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　１９９４
　図５に示される製造工程を実施するに際しては、まず、例えば３インチのウエハ２２を準備する（図５（ａ））。このウエハ２２のＳＡＷ伝搬面２４上には、フォトリソグラフィ等の技術にて、ＩＤＴ等の電極が一般に複数チップ分パターニングされる。このパターニングにより形成すべき電極としては、前述のＩＤＴの他、ＩＤＴに電気信号を供給するための入力電極、ＩＤＴから電気信号を取り出すための出力電極、及びＩＤＴを介し入力電極又は出力電極と対を成し接地されるアース電極がある。電極の材質としてはアルミニウム等が用いられる。
　【０００６】
　次に、パターニングにより得られる電極のうち入力電極、出力電極及びアース電極の上に、図５（ｂ）に示されるようにキャピラリ２６を介しボールボンダ等によりバンプ２８が載置される。その際には、ウエハ２２がヒートステージ３０にて加熱される。バンプ２８の材質としては、ＳＡＷ伝搬面（以下、ＩＤＴ形成面ともいう）２４の状態を維持すべく半田等ではなく金が使用される。バンプ２８を形成した後は、ウエハ２２から、ＳＡＷデバイスのチップ３２が個別にダイシングされる。
　【０００７】
　図６には、この状態におけるチップ３２、特にＩＤＴ形成面２４の外観が示されている。この図においては、ＩＤＴ３４が７個用いられている。そのうち３個は入力電極３６から供給される電気信号にてＩＤＴ形成面２４を励振するためのＩＤＴであり、この３個のＩＤＴ３４の両脇に位置している残りの４個のＩＤＴ３４は受信したＳＡＷを電気信号に変換し出力電極３８に供給するためのＩＤＴである。一般に、このように多数の（３個以上の）ＩＤＴ３４を使用すると、特性上のメリットが生じる反面で、入力電極３６や出力電極３８、アース電極４０の配置が若干錯綜するというデメリットも生じる。このデメリットは、後述するパッドとの位置決めに当たって作業精度上の問題を発生させることがある。そこで、この図においては、ＩＤＴ３４の並びからみて図中下側及び上側各１か所に集中するよう入力電極３６又は出力電極３８を設けると共に、後述するようなパッド配置を利用することにより、このデメリットを防ぎ却って作業精度を緩和している。
　【０００８】
　切り出されたチップ３２は、図５（ｃ）に示されるように表面実装用のパッケーシ４２に収納される。パッケージ４２は、チップ３２を収納するためのチップ収納孔４４を有しており、その底面はチップ搭載面４６として使用される。チップ３２をパッケージ４２に収納する際には、ＩＤＴ形成面２４がチップ搭載面４６を向くよう、図５（ｂ）の状態からチップ３２の上下を反転する。また、収納作業に当たっては、チップ収納孔４４の内壁面を利用して、チップ３２上の電極をチップ搭載面４６上の対応するパッドに位置決めする。
　【０００９】
　チップ３２上の電極配置が図６のような多電極配置である場合には、チップ搭載面４６上に図７に示されるようなパターンで金属のパッドを形成しておく。図７においては、チップ収納孔４４のチップ搭載面４６上に、入力パッド４８、出力パッド５０及びアースパッド５２が形成されている。これらのうち入力パッド４８及び出力パッド５０はそれぞれ入力電極３６又は出力電極３８と接続されるべきパッドであり、入力電極３６又は出力電極３８と対応して各１個ずつ設けられている。また、アースパッド５２はアース電極４０と接続されるべきパッドであり、入力パッド４８及び出力パッド５０との間に所定の間隙を保ちながら、入力パッド４８及び出力パッド５０を取り囲むように形成されている。
　【００１０】
　前述のように、チップ３２の各電極上にバンプ２８を載置する工程はボールボンディング等により高精度で行われている。従って、図７のようなパッド配置を用いることにより、チップ収納孔４４の内壁面に沿ってチップ３２をチップ収納孔４４内に落とし込む、といった手軽な作業にて、各電極を対応するパッドに対し正確に位置決めすることができる。各パッドは、図８に示されるようにパッケージ４２の外部にある引出し電極５４に接続されているから、上述の位置決めの後各電極と各パッドとを電気的に接続することにより、チップ３２上の各電極に外部から信号を与えまた各電極から外部に信号を引き出すことが可能になる。
　【００１１】
　各電極と各パッドを接続する際には、図５（ｄ）に示されるようなフェースダウンボンディングを実行する。すなわち、パッケージ４２に収納されたチップ３２をヒートステージ３０上で加熱しながら、ツール５６にてＩＤＴ形成面の裏側の面から荷重を加えると、各電極と各パッドがバンプ２８にて電気的かつ機械的に接続される。その際、ヒートステージ３０による加熱とツール５６による荷重のみでは、例えば３５０℃といった高い温度を加えねばならない。このような高温を避けるためには、図９に示されるように、ＩＤＴ形成面と平行な方向の超音波振動をツール５６によってチップ３２に印加すればよい。このようにすると、ヒートステージ３０にて例えば２００℃まで加熱するのみで十分な接続を得ることができる。
　【００１２】
　このようにして各電極と各パッドを接続した後、チップ３２はパッケージ４２ごと上下反転され、ヒートステージ３０上に載置される。その際、パッケージ４２の下には金／錫離半田６０を介し金属のカバー５８を敷く（図５（ｅ））。この状態でヒートステージ３０により加熱すると、金／錫半田６０によりカバー５８がパッケージ４２と一体化する。これにより、図５（ｆ）に示されるような断面構造を有する表面実装型のＳＡＷデバイスが得られる。
　【００１３】
　【発明が解決しようとする課題】
　所望の特性を有するＳＡＷデバイスを実現するという面でバンプ接続に要求される条件としては、電気的な接続が良好であること、ＳＡＷの伝搬等に影響を与えるような表面状態の変化を発生させないこと、機械的な接続の強度が高いこと等がある。上述の構成のようにバンプとして金バンプを使用する等すれば、これらのうち良好な電気的接続や表面状態変化防止等の条件を満たすことができる。一方、十分な機械的接続強度を確保するという条件を満たすには、どの程度の荷重を加えればよいのか、どの程度の超音波振動を加えればよいのか、といった検討が必要になる。
　【００１４】
　図１０には、印加する超音波振動のパワーを変化させた場合にバンプによる機械的な接続の強度（ここではバンプ１個当たりシェア強度）がどの様に変化するのかが示されている。この図から明らかなように、シェア強度は超音波振動のパワーを大きくすると高くなる。これは、大パワーの超音波振動を印加するとバンプのつぶれかたが大きくなり、その結果バンプと電極及びパッドとの機械的な接続強度が高まることを意味している。つまり、機械的接続強度を向上させるには超音波振動のパワーを大きくすればよい。しかし、超音波振動のパワーを大きくすると同時にクラック発生率も高くなる。すなわち、大パワーの超音波振動を印加するとチップ上の電極に大きな力が加わり、その結果電極が破壊する。
　【００１５】
　このように、従来の製造方法には、シェア強度を高めようとするとクラック発生率が高まってしまい、またクラック発生率を低くしようとするとシェア強度が低くなる、という問題点があった。すなわち、十分な機械的接続強度を得ようとすると歩留まりが悪くなり、逆に十分な歩留まりを得ようとする機械的接続強度が悪くなるという問題が生じていた。従って、超音波振動のパワーをどの程度にすればよいのかの決定も困難であった。
　【００１６】
　本発明は、このような問題点を解決することを課題としてなされたものであり、チップ構造の改良及び超音波振動方向の設定により、十分な接続強度を維持しながらクラックの発生率を低減し、また特性への影響を阻止することを目的とする。
　【００１７】
　【課題を解決するための手段】
　本願発明の発明者は、上述のクラック発生がどのような傾向で発生しているのかを実験的に追及し、その結果、クラックが外周部よりの部位に発生しやすい、との知見を得るに至った。発明者は、この傾向がどの様な原理にて発生しているのかを検討し、その結果、図１１に示される原理によるものと推定した。
　【００１８】
　すなわち、図１１（ａ）に示されるように荷重の方向がＩＤＴ形成面２４に対して垂直な方向であり超音波振動の方向は平行な方向であることからみて、瞬時的には図１１（ｂ）に示されるような荷重と超音波振動の合力がチップ３２に作用していると考えられる。このような斜め方向の合力が作用すると、チップ３２の外周部よりの部分は中心部よりの部分に比べ大きく沈み込む。すなわち、チップ３２の外周部よりに位置するバンプ２８は中心部よりのそれよりも大きくつぶれる。その結果、外周部よりでクラックが多数発生する、という現象が発生する。
　【００１９】
　発明者は、このような知見に基づき、かつ実験的な検証を経て、次のような発明に想到した。すなわち、本発明の第１の構成は、入力電極と出力電極を結ぶ直線のほぼ直上で、入力電極及び出力電極からみてＩＤＴ形成面の外周部よりにあり、かつその間に少なくとも入力電極及び出力電極を挟んでいる複数の箇所に、加重及び超音波振動の作用に起因する破壊から入力電極及び出力電極を保護するためのダミー電極をそれぞれ形成し、超音波振動を上記直線の方向とほぼ平行な方向に沿い印加することを特徴とする。
　【００２０】
　本発明の第２の構成は、入力電極と出力電極を結ぶ直線と直交する直線のほぼ直上で、他の電極からみてＩＤＴ形成面の外周部よりにあり、かつその間に他の電極を挟んでいる複数の箇所に、加重及び超音波振動の作用に起因する破壊から他の電極を保護するためのダミー電極をそれぞれ形成し、超音波振動を上記直交する直線の方向とほぼ平行な方向に沿い印加することを特徴とする。
　【００２１】
　【００２２】
　【作用】
　本発明の第１の構成においては、入力電極と出力電極を結ぶ直線のほぼ直上で、入力電極及び出力電極からみてＩＤＴ形成面の外周部よりにあり、かつその間に少なくとも入力電極及び出力電極を挟んでいる複数の箇所に、ダミー電極がそれぞれ形成される。荷重及び超音波振動は、入力電極、出力電極及びアース電極に加えダミー電極上にもバンプを配置した上で、チップに印加される。その際の超音波振動印加方向は、入力電極と出力電極を結ぶ直線とほぼ平行な方向とする。このようにすると、入力電極及び出力電極に先行してダミー電極に大きな合力が加わる結果、バンプ接続工程における入力電極及び出力電極の破壊が生じにくくなる。従って、本構成においては、ダミー電極を犠牲にしているため、超音波振動のパワーを従来より大きめに設定することが可能になり、ひいては十分な機械的接続強度と十分な歩留まりとを同時に達成できる。
　【００２３】
　本発明の第２の構成においては、入力電極と出力電極を結ぶ直線と直交する直線のほぼ直上で、他の電極からみてＩＤＴ形成面の外周部よりにあり、かつその間に他の電極を挟んでいる複数の箇所に、ダミー電極がそれぞれ形成される。荷重及び超音波振動は、入力電極、出力電極及びアース電極に加えダミー電極上にもハンプを配置した上で、チップに印加される。その際の超音波振動印加方向は、当該直交する直線の方向とほぼ平行な方向とする。このようにすると、入力電極、出力電極及びアース電極に先行してダミー電極に大きな合力が加わる結果、バンプ接続工程におけるこれらの電極の破壊が生じにくくなる。従って、本構成においては、ダミー電極を犠牲にしているため、超音波振動のパワーを従来より大きめに設定することが可能になり、ひいては十分な機械的接続強度と十分な歩留まりとを同時に達成できる。
　【００２４】
　【００２５】
　【実施例】
　以下、本発明の好適な実施例について図面に基づき説明する。なお、図４〜図１１に示される従来例と同様の構成には同一の符号を付し説明を省略する。
　【００２６】
　図１には、本発明の第１実施例におけるチップ３２の構造、特にそのＩＤＴ形成面２４上における電極配置が示されている。この図に示されるように、本実施例においては、入力電極３６と出力電極３８を結ぶ直線上ＩＤＴ形成面２４の外周部寄りに、２個のダミー電極６６が設けられている。従って、これらのダミー電極６６は、その際に入力電極３６及び出力電極３８を挟み込むような位置にある。本実施例の場合、図５（ａ）に示されるパターニング工程において、ＩＤＴ３４、入力電極３６、出力電極３８及びアース電極４０と共に、これらのダミー電極６６が形成される。
　【００２７】
　さらに、本実施例においては、図５（ｂ）に示されているボールボンディング工程において各ダミー電極６６上にダミーバンプ６２が配置される。バンプ２８及びダミーバンプ６２が配置されたチップ３２は、図５（ｃ）に示される位置決め工程を経た上で、図５（ｄ）に示されるフェースダウンボンディングに供される。本実施例の場合、図５（ｄ）における超音波振動の印加方向は、図１中矢印で示されるように入力電極３６と出力電極３８を結ぶ直線とほぼ平行な方向である。フェースダウンボンディングが行われた後、図５（ｅ）に示されるカバー５８の取り付け工程が実行され、図５（ｆ）に示されるようなＳＡＷデバイスが得られる。
　【００２８】
　従って、本実施例によれば、入力電極３６及び出力電極３８を挟み込むような位置にダミー電極６６を配置し、さらに入力電極３６と出力電極３８を結ぶ直線とほぼ平行な方向に沿って超音波振動を印加するようにしているため、チップ３２の背面からツール５６により加える加重と超音波振動の合力が図１１に示されるような原理にてクラックを発生させるとしても、このクラックはダミー電極６６にて発生するのに止まり、入力電極３６や出力電極３８が破壊されることはほとんどなくなる。従って、本実施例によれば、超音波振動のパワーを高めることができ、従ってシェア強度をさらに高めながらクラック発生率を抑制することができる。具体的には、超音波振動のパワーを３３％程度増大させこれにともないシェア強度を７５％程度改善することができる。
　【００２９】
　図２には、本発明の第２実施例におけるチップ３２の構造、特にそのＩＤＴ形成面２４上の電極配置が示されている。この実施例においては、ＩＤＴ形成面２４の４個の隅部にダミー電極６６が配置されており、また、ボールボンディング工程においてこのダミー電極６６上にそれぞれダミーバンプ６２が配置される。さらに、フェースダウンボンディングの際の超音波振動の印加方向は、図中矢印で示されるように、入力電極３６と出力電極３８を結ぶ直線とほぼ直交する方向である。
　【００３０】
　従って、本実施例によれば、フェースダウンボンディングの際、最も外側にあるダミー電極６６にてクラックが先行して発生し、その結果他の電極、すなわち入力電極３６、出力電極３８及びアース電極４０に関してはクラックが発生しにくくなる。その結果、第１実施例と同様、高いシェア強度及び低いクラック発生率をともに実現可能になる。
　【００３１】
　図３には、本発明の第３実施例におけるチップ３２、特にそのＩＤＴ形成面２４上における電極配置が示されている。この図においては、ＩＤＴ形成面２４のうちＩＤＴ３４周辺の構造が拡大して示されている。この図に示されるように、本実施例においては、相隣接するＩＤＴ３４に係るアース電極４０の間がアース間短絡電極６４によって短絡されている。従って、例えば図示されている２個のアース
電極
　【００３２】
　さらに、以上の実施例においては、入力電極３６及び出力電極３８がＩＤＴ形成面２４の上側の辺又は下側の辺のほぼ中央に位置しているが、本発明は、このような配置に限定されるものではない。例えば、入力電極３６を右寄りに、出力電極３８を左寄りに設けるような配置にも、本発明は適用することが可能である。但し、入力電極３６及び出力電極３８をできるだけＩＤＴ形成面２４の中央に近付けたほうが、パンブ２８を接続する際や実使用時における熱膨張の影響を確実に避けることができるという点で、好ましい。また、第１実施例においては、ダミー電極６６が入力電極３６及び出力電極３８とは別体に形成されているが、これは一体としても構わない。さらに、フェースダウンボンディングによってダミーバンプ６２を介しダミー電極６６が接続されるパッドは、入力パッド４８、出力パッド５０及びアースパッド５２のいずれとしてもよく、またダミーバンプ６２との接続専用のパッドを設けるようにしても構わない。
　【００３３】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明の第１の構成によれば、入力電極と出力電極を結ぶ直線のほぼ直上で、入力電極及び出力電極からみてＩＤＴ形成面の外周部よりにあり、かつその間に少なくとも入力電極及び出力電極を挟んでいる複数の箇所に、ダミー電極をそれぞれ形成しておき、フェースダウンボンディングの際入力電極と出力電極を結ぶ直線とほぼ平行な方向に沿って超音波振動を印加するようにしたため、入力電極及び出力電極の破壊が生じにくくなる。従って、超音波振動のパワーを従来より大きめに設定することが可能になり、ひいては十分な機械的接続強度と十分な歩留まりとを同時に達成できる。
　【００３４】
　本発明の第２の構成によれば、入力電極と出力電極を結ぶ直線と直交する直線のほぼ直上で、他の電極からみてＩＤＴ形成面の外周部よりにあり、かつその間に他の電極を挟んでいる複数の箇所に、ダミー電極をそれぞれ形成しておき、フェースダウンボンディングの際当該直交する直線の方向とほぼ平行な方向に沿って超音波振動を印加するようにしたため、入力電極、出力電極及びアース電極の電極の破壊が生じにくくなる。特に、超音波振動の方向が入力電極と出力電極を結ぶ直線とほぼ直交する方向であるため、入力電極及び出力電極の破壊は特に生じにくい。従って、本構成によれば、超音波振動のパワーを従来より大きめに設定することが可能になり、ひいては十分な機械的接続強度と十分な歩留まりとを同時に達成できる。
　【００３５】
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の第１実施例に係るＳＡＷデバイスのチップ構造を示す平面図である。
　【図２】　本発明の第２実施例に係るＳＡＷデバイスのチップ構造を示す平面図である。
　【図３】　本発明の第３実施例に係るＳＡＷデバイスのチップ構造を示す平面図である。
　【図４】　ＳＡＷデバイスの使用環境の一例を示すブロック図である。
　【図５】　フリップチップ技術を用いてＳＡＷデバイスを製造する際の工程の流れを示す図である。
　【図６】　従来例における電極配置の一例を示す平面図である。
　【図７】　従来例におけるパッド配置の一例を示す平面図である。
　【図８】　パッケージの外観を示す分解斜視図である。
　【図９】　従来例に係るフェースダウンボンディング方法の概略を示す図である。
　【図１０】　超音波振動のパワーを変化させた場合にバンプ１個当りシェア強度やクラック発生率がどのように変化するかを示す図である。
　【図１１】　チップの外周部寄りに比較的多数のクラックが発生する原理を説明する図である。
　【符号の説明】
　１８，２０　ＢＰＦ、２２　ウエハ、２４　ＩＤＴ形成面、２６　キャピラリ、２８　バンプ、３０　ヒートステージ、３２　チップ、３４　ＩＤＴ、３６　入力電極、３８　出力電極、４０　アース電極、４２　パッケージ、４６　チップ搭載面、４８　入力パッド、５０　出力パッド、５２　アースパッド、５６　ツール、６２　ダミーバンプ、６４　アース間短絡電極、６６　ダミー電極。