【事件の表示】
　特許第３１２３３２１号「半導体エピタキシャルウエハ、その製造方法及び半導体装置」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１２３３２１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
（１）手続きの経緯
　本件特許第３１２３３２１号の請求項１乃至５に係る発明についての特許は、平成５年１１月１９日に特許出願がなされ、平成１２年１０月２７日にその特許権の設定登録がなされ、その後、請求項１乃至４に係る発明について特許異議の申立てがなされたものである。
　
（２）本件発明
　特許異議申立に係る本件発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に、該基板と同種又は異種の半導体エピタキシャル層が形成された半導体エピタキシャルウエハであって、前記基板と前記半導体エピタキシャル層との界面の一部に、格子状の酸化物層又は窒化物層が形成され、前記格子内部においては前記基板と前記半導体エピタキシャル層とが接していることを特徴とする半導体エピタキシャルウエハ。（以下、「本件第１発明」という。）
【請求項２】基板上に、該基板と同種又は異種の半導体エピタキシャル層が形成された半導体エピタキシャルウエハであって、前記基板と前記半導体エピタキシャル層との界面の一部の格子の交点位置に、酸化物層又は窒化物層が形成されていることを特徴とする半導体エピタキシャルウエハ。（以下、「本件第２発明」という。）
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載の半導体エピタキシャルウエハの前記格子で仕切られた区画の中に１単位の素子が形成されていることを特徴とする半導体装置。（以下、「本件第３発明」という。）
【請求項４】基板上に、該基板と同種又は異種の半導体エピタキシャル層が形成された半導体エピタキシャルウエハであって、前記基板と前記半導体エピタキシャル層との界面の一部に、窒化物層が形成されていることを特徴とする半導体エピタキシャルウエハ。（以下、「本件第４発明」という。）」
　
（３）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人シャープ株式会社は、証拠として甲第１乃至第２号証及び参考文献として特開昭５９−４４８１７号公報を提出し、請求項１乃至３に係る発明は、甲第１乃至第２号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであり、請求項４に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基いて容易に発明をすることができたものであるから、請求項１乃至４に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反して、特許を受けることができないものであると主張している。
　
（４）甲各号証記載の発明
　甲第１号証として提出された、特開昭６１−１９８７１３号公報には、「化合物半導体装置の製造方法」が図面とともに開示されている。そして、同公報第２頁右上欄第６行〜左下欄第８行には、
「［実施例］
　第１図参照
　図は本発明の第１の実施例の断面図であり、ＩｎＰ基板の上に最初シリコン密化膜（Ｓｉ３Ｎ４）５を格子状に形成する。次に気相成長法，或いは液相成長法によりＩｎＰバツフア層２，ＩｎＧａＡｓ層３，及びＩｎＰのキヤツプ層４を連続成長する。このとき、選択成長によりＳｉ３Ｎ４膜５の上には成長層が形成されないから、各成長層は互に分断される。
　各部分の一例を示すと以下のごとくである。
　ＩｎＰ基板１の厚さ・・・　３５０μｍ               
  Ｓｉ３Ｎ４膜５の幅・・・　６０μｍ（ＰＣＶＤ法で１５００Åの厚みに形成する。）
 　ＩｎＰバッファ層２の厚さ・・・  　５μｍ
 　ＩｎＧａＡｓ層３の厚さ ・・・　  　２μｍ
   ＩｎＰキヤツプ層４の厚さ・・・　  １μｍ
   成長層（素子領域）の幅・・・ 　　５００μｍ
  各成長層の形成は６００〜７００℃の温度で行なわれる。この成長時に、隣接する成長層同志がつながつてはまずいので、Ｓｉ３Ｎ４膜５の幅が或る程度必要である。実際にＳｉ３Ｎ４５が形成される領域は、素子を取囲む領域であり、通常スクライブラインが形成される部分に形成すると良い。」と記載されている。
　甲第２号証として提出された、特開平１−１９６８１１号公報には、「絶縁膜上への単結晶シリコン膜の形成方法」が図面とともに開示されている。そして同公報第２頁左下欄第３行〜第３頁左上欄第６行には、
「 実施例
　以下に図面を参照して本発明の方法を詳しく説明する。
　第１図は本発明の方法を工程順に示した図であり、先ず、シリコン（１００）ウエハ１を熱酸化して厚さが０．４μｍの酸化膜を形成したのち、ポジレジストを用いたフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術により延長方向が＜１００＞方向となるように格子縞状の酸化膜パターン２を形成する（パターン形成工程、第１図Ａ）。次いで、表面汚染層を除去した後、気相エピタキシャル成長法により酸化膜２を覆うように約１μｍの厚さの単結晶シリコン膜３を形成したのち、この単結晶シリコン膜の表面を熱酸化して厚さが２００Åの酸化膜４を形成し、さらに気相成長法により約０．２μｍの厚さの窒化シリコン膜５を形成する（第１堆積工程、第１図Ｂ）。以上の過程を経て形成した単結晶シリコン膜３、熱酸化膜４および窒化シリコン膜５をフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術により選択的にエッチングし、酸化膜パターン２の上にこれとほぼ同パターンで各被膜を残す。なお、この処理で形成したパターンの端縁が酸化膜パターン２の端縁よりも約０．２μｍ内側に位置するように設定する（単結晶分離工程、第１図Ｃ）。このエッチング処理で露出した単結晶シリコン膜３の側面を熱酸化して約２００Åの厚さの酸化膜６を形成したのち、気相成長法により全面に約０．２μｍの厚さの窒化シリコン膜７を形成する（第２堆積工程、第１図Ｄ）。次に、異方性ドライエッチング処理を施して単結晶シリコン膜３の周囲のみを残して窒化シリコン膜を除去する（エッチング工程、第１図Ｅ）。こののち、単結晶シリコン膜３の周囲に残された窒化シリコン被膜８をマスクとして用いたウエットエッチングでシリコン基板１の表面に形成されている熱酸化膜６を除去して直下のシリコン基板部を露出させ、さらに熱酸化して約０．８μｍの酸化膜９を形成する（酸化膜形成工程、第１図Ｆ）。最後に単結晶シリコン膜３を覆う窒化シリコン被膜８と酸化膜６をウエットエッチング処理で除去して、単結晶シリコン膜３を露出させ、これを核にして気相エピタキシャル成長処理を施すことによって酸化膜９の上に単結晶シリコン膜１０を形成する（第３堆積工程、第１図Ｇ）。」と記載されている。
　
（５）対比・当審の判断
＜本件第１発明について＞
　甲第１号証乃至甲第２号証と本件第１発明とを対比すると、甲第１号証乃至甲第２号証には、本件第１発明の構成要件である、半導体エピタキシャルウエハにおいて、「基板と半導体エピタキシャル層との界面の一部に、格子状の酸化物層又は窒化物層が形成され、前記格子内部においては前記基板と前記半導体エピタキシャル層とが接している」点について記載も示唆もされていない。（甲第１号証の第１図Ｂに本件第１発明に類似した構成が認められるが、第１図Ｂのものは第１図Ｇの半導体エピタキシャルウエハを得るための途中に一時的に出現する構成であって、本件第１発明のように集積回路の形成を前提とする「半導体エピタキシャルウエハ」には当たらない。）　
　そして本件第１発明は上記の点の構成を備えることにより、明細書記載の作用効果を奏するものである。
　よって、本件第１発明が甲第１乃至第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件第２発明について＞
　甲第１号証乃至甲第２号証と本件第２発明とを対比すると、甲第１号証乃至甲第２号証には、本件第２発明の構成要件である、半導体エピタキシャルウエハにおいて、「基板と半導体エピタキシャル層との界面の一部の格子の交点位置に、酸化物層又は窒化物層が形成されている」点について記載も示唆もされていない。
　よって、本件第２発明が甲第１乃至第２号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件第３発明について＞
　本件第３発明は、本件第１発明或いは第２発明の構成を前提とするものであるから本件第１発明及び第２発明と同様の理由により、本件第３発明が甲第１乃至第２号証に記載された発明に基いて、容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
＜本件第４発明について＞
　甲第１号証と本件第４発明とを対比すると、甲第１号証には、本件第４発明の構成要件である、半導体エピタキシャルウエハにおいて、「基板と半導体エピタキシャル層との界面の一部に、窒化物層が形成されている」点について記載も示唆もされていない。（甲第１号証のＳｉ３Ｎ４膜５は、基板と半導体エピタキシャル層との界面の一部に形成されているとはいえない。）
　よって、本件第４発明が甲第１号証に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
　なお本件第１乃至第４発明について、特許異議申立人の提出した参考文献を参酌しても上記の結論は変わらない。
　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至４に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１乃至４に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月２５日（２００２．１０．２５）