【事件の表示】
　特願２０１６−５３３０９９「結晶シリコン太陽電池上のパッシベーションスタック」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　５月２８日国際公開、ＷＯ２０１５／０７６６７８、平成２９年　２月　２日国内公表、特表２０１７−５０４１８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、２０１４年１１月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１３年１１月１９日　ノルウェー）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は、概略、以下のとおりである。 
　
　平成２８年　７月　８日：国際出願翻訳文提出書の提出
　平成２９年　６月　８日：出願審査請求書の提出
　平成３０年　２月２３日：拒絶理由通知（２月２７日発送） 
　　　　同年　５月２５日：誤訳訂正書・意見書の提出 
　　　　同年　６月１２日：拒絶査定（６月１９日送達）
　　　　同年１０月１９日：審判請求書の提出
　　
第２　本願発明  
　本願の請求項１ないし１５に係る発明は、平成３０年５月２５日付けの誤訳訂正書の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
          
　「結晶シリコンウェハまたはチップなどの、結晶シリコン層（２）を有する基板を準備し；
　少なくとも前記結晶シリコン層（２）の一方の面の一部から酸化物層を除去することにより、前記結晶シリコン層（２）の表面（２１，２３）を洗浄し；
　前記洗浄された表面（２１，２３）の少なくとも一部の上に、
酸窒化ケイ素層（３）を成膜し
　前記酸窒化ケイ素層（３）の上に水素化された誘電材料を含むキャッピング層（５）を成膜する（ここで、前記
酸窒化ケイ素層（３）は、１００℃から２００℃までの温度で成膜される
　前記酸窒化ケイ素層（３）を成膜する工程は、プラズマ支援化学気相蒸着を用いることを含み、さらに以下のサブステップを含むことを特徴とする、方法：
　Ｎ２雰囲気下で前駆体ガスとしてＮ２ＯおよびＳｉＨ４を用い、かつ、
　ＳｉＨ４に対す
るＮ
２
Ｏのガス流量比を、１未満
　　　　　　             　　　             
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
１　引用文献１
（１）原査定の拒絶の理由において、引用文献１として引用された「米国特許公開第２０１１／０２８４０６８号明細書」（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに以下の記載がある（なお、日本語訳は、当審が作成したものである。）。
　　 
　ア　「12 . 　A method for bi-layer passivation on a surface of a silicon substrate, comprising:
　cleaning said surface of said silicon substrate to remove native oxides and other metallic and organic surface contaminants; 
　depositing a hydrogenated amorphous silicon thin film at a temperature substantially in the range of 100 −500℃ on said surface of said silicon substrate; 
　depositing a hydrogenated amorphous silicon nitride thin film at a temperature substantially in the range of 100 −500℃on said hydrogenated amorphous silicon thin film; and 
　annealing said silicon substrate at a temperature substantially in the range of 100 −500℃. 
　13 . 　The method of  claim 12 , wherein hydrogenated amorphous silicon thin film is selected from the group consisting of amorphous silicon (a-Si), amorphous silicon containing oxygen and/or carbon (a-SiOC) or amorphous silicon containing oxygen and/or nitrogen (a-SiON). 
　……
　……
　16 .　The method of  claim 12 , wherein said deposition of said hydrogenated amorphous silicon thin film and said hydrogenated amorphous silicon nitride thin film is performed in an in-line or batch/cluster tool utilizing one of the following processes: plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), atmospheric chemical-vapor deposition (APCVD), or physical vapor deposition (PVD). 
　……
　…
　20 .　The method of  claim 12 , wherein said hydrogenated amorphous silicon thin film has a thickness in the range of 1-10 nm and the deposition parameters such as temperature, gas flows of SiH4, Si2H6, NH3, H2, and N2, N2O, CO2, chamber pressure, and plasma power are optimized to provide for a relatively high Si-H bond density with minimal light absorption at all wavelengths 300-1600 cm-1.」（第５頁）
（日本語訳
１２．シリコン基板の表面上の二層不活化方法であって、
　自然の酸化物およびその他の金属および表面の有機汚染物質を除去するための、前記シリコン基板の前記表面を洗浄し、
　前記シリコン基板の前記表面上で、概ね１００〜５００℃の範囲の温度で、
水素化アモルファスシリコン薄膜を蒸着
　前記水素化アモルファスシリコン薄膜上で、概ね１００〜５００℃の範囲の温度で、
水素化窒化アモルファスシリコン薄膜を蒸着
　概ね１００〜５００℃の範囲の温度で、前記シリコン基板をアニールすることを含む方法。
１３．請求項１２に記載の方法であって、水素化アモルファスシリコン薄膜を、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、酸素および／または炭素を含むアモルファスシリコン（
ａ−ＳｉＯＣ
ａ−ＳｉＯＮ
　……
　……
１６　請求項１２に記載の方法であって、前記
水素化アモルファスシリコン薄膜および前記水素化窒化シリコン薄膜の前記蒸着が、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）
　…
　…
２０．請求項１２に記載の方法であって、前記
水素化アモルファスシリコン薄膜
温度、ＳｉＨ
４
、Ｓｉ
２
Ｈ
６
、ＮＨ
３
、Ｈ
２
およびＮ
２
、Ｎ
２
Ｏ、ＣＯ
２
のガス流量、チャンバー圧力、プラズマ出力などの蒸着パラメータを最適化している方法
　イ　「DESCRIPTION OF THE RELATED ART 
[0003] The performance of semiconductor crystalline silicon based devices, such as solar cells, depends strongly on minority carrier recombination in the bulk as well as surface regions of the cell itself. Consequently, reducing the surface recombination is of the utmost importance for these devices. Surface recombination effects are becoming progressively more important as silicon semiconductor device dimensions, such as solar cell wafer thickness, are reduced. The surface passivation of silicon using amorphous films based on hydrogenated silicon compounds has been the subject of intense research in recent years, particularly for solar cell applications. Significant reductions in the effective surface recombination velocity (seff) at the silicon interface have been reported when passivated with amorphous silicon, amorphous silicon oxide, amorphous silicon nitride, and amorphous silicon carbide. Studied films include amorphous, hydrogenated silicon nitride (SixNy:Hz), hereafter referred to as SiNx films. These films are typically deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) at low temperature (400℃.) using silane gas and other reactant gases such as ammonia or nitrogen. Current methods have demonstrated that the surface passivation is maximized when silicon-rich SiNx films with refractive index greater than 2.3 were used, but such films also suffer from loss of light trapping efficiency by absorption in the passivation layer.　
[0004]
　……　
　　　　　　　　　　　　　SUMMARY 
 [0006]　Therefore a need has arisen for superior surface passivation methods which provide enhanced optical properties for crystalline silicon substrates and may be processed at low temperatures. In accordance with the disclosed subject matter, bi-layer passivation methods and structures are provided which substantially eliminate or reduces disadvantage and problems associated with previously developed passivation methods.
[0007]　According to one aspect of the disclosed subject matter, a bi-layer passivation scheme for forming a chemical oxide thin film and depositing an amorphous silicon nitride thin film is provided. According to another aspect of the disclosed subject matter, a bi-layer passivation scheme for depositing an amorphous silicon thin film and depositing an amorphous silicon nitride thin film is provided.
[0008]　Technical advantages of the disclosed subject matter include low processing temperatures, improved surface passivation, and increased optical properties for silicon substrates.
[0009] The disclosed subject matter, as well as additional novel features, will be apparent from the description provided herein. The intent of this summary is not to be a comprehensive description of the claimed subject matter, but rather to provide a short overview of some of the subject matter's functionality. Other systems, methods, features and advantages here provided will become apparent to one with skill in the art upon examination of the following FIGURES and detailed description. It is intended that all such additional systems, methods, features and advantages included within this description, be within the scope of the accompanying claia.」（第１頁左欄ないし右欄）
（日本語訳
関連技術の説明
[0003] 　太陽電池セル等の半導体結晶シリコンをベースとしたデバイスの性能は、バルク内およびセルの表面領域自体の少数キャリアの再結合に強く依存している。したがって、これらのデバイスにとって表面再結合を低減することが最重要である。太陽電池セルのウェハの厚みをはじめとして、シリコン半導体デバイスの大きさが小さければ小さいほど、表面再結合による影響は、ますます重要になる。近年、特に太陽電池セルの使用にあたり、水素化シリコン化合物をベースとするアモルファスの膜を用いたシリコンの表面不活化が、重点的な研究対象になってきている。アモルファスシリコン、アモルファス酸化シリコン、アモルファス窒化シリコン、およびアモルファス炭化シリコンで表面を不活化すると、シリコン境界における有効表面再結合速度（seff）が著しく低減することが報告されている。研究対象とした複数の膜には、アモルファス水素化窒化シリコン（SixNy:Hz）（以下、SiNx膜という）が含まれていた。これらの膜は、典型的な方法として、シランガスや、アンモニアや窒素等のその他の反応体となるガスを用いて、低温（400° C）でプラズマ強化化学蒸着（PECVD）により蒸着させた。
現行の方法では、屈折率が2.3以上のシリコンリッチなSiNx 膜を用いた場合に、表面不活化が最大になることを示しているが、かかる膜は、不活化層での吸収により光捕捉効率の損失が生じる点が課題でもあ
[0004]
　…… 　
概要 
[0006] 　したがって、
結晶シリコン基板の光学特性を向上し、かつ低温で処理できるような優れた表面不活化方法の必要性が生じたのである
[0007] 　開示された主題の一つの側面では、化学酸化薄膜の形成およびアモルファス窒化シリコン薄膜の蒸着に関する二層不活化方法が提示されている。
開示された主題の別の側面では、アモルファスシリコン薄膜の蒸着およびアモルファス窒化シリコン薄膜の蒸着に関する二層不活化手法
[0008] 　
開示された主題の技術的な優位性には、低い処理温度、改善された表面不活化、そして、シリコン基板の光学特性の向上が含まれる
[0009] 　開示された対象は、追加的な新規の特徴と同様に、ここで提示している説明から明白である。本概要の意図は、クレームされている主題の包括的な説明をすることではなく、主題の機能性のいくつかについて短い概要を示すことである。ここに示すその他のシステム、手法、特徴および優位性は、後述の図および詳細な説明を検証する際に、当業者にとって明らかなものになるだろう。本明細書に含まれるかかるすべての追加的システム、手法、特徴および優位性は、付随する請求項の範囲に含まれる。）
   　
　ウ　「DETAILED DESCRIPTION OF THE SPECIFIC EMBODIMENTS 
[0017]　The following description is not to be taken in a limiting sense, but is made for the purpose of describing the general principles of the present disclosure. The scope of the present disclosure should be determined with reference to the claims. Exemplary embodiments of the present disclosure are described and illustrated in the drawings, like numbers being used to refer to like and corresponding parts of the various drawings.
[0018]　High-quality surface passivation is needed to obtain low surface recombination velocities and high effective minority carrier lifetimes on crystalline silicon substrates for various applications, including solar photovoltaic cells. Historically superior surface passivation techniques have included using a high temperature thermal oxidation process. However, these high temperature processes may be undesirable for the manufacture of thin film solar cells in part due to the mechanically weak nature of thin film silicon substrates. Thus, the present disclosure provides methods for achieving high-quality, reduced recombination passivation on silicon surfaces while maintaining good optical properties (including negligible optical absorption) that are needed for high performance solar cells through low-temperature processes. The processes disclosed herein comprise appropriate surface preparation and cleaning, growth and/or deposition of bi-layer thin films, e.g. hydrogenated silicon nitride on chemical oxide or on amorphous silicon, and final post-annealing. The low-temperature processes disclosed achieve surface recombination velocities that are equivalent to or lower than the results obtained using known high temperature thermal oxidation processes.
[0019]　The described embodiments provide good surface passivation along with good optical properties for crystalline silicon substrates at lower processing temperatures　preferably at or below 250℃. and as low as 100℃. deposition and post-deposition. Yet another advantage of the disclosed subject matter is to provide processes for highly efficient surface passivation of silicon substrate based solar cells that may be readily incorporated into and used by existing manufacturing processes as well as future technologies that may require use of low temperature processing for surface passivation.
[0020]　The disclosed subject matter provides a method for obtaining ultra-low surface recombination velocities from highly efficient surface passivation in crystalline (monocrystralline or multicrystalline) thin (1μm 　to 150 μm) silicon substrate-based solar cells by utilizing a dual layer passivation scheme which also works as an efficient ARC. The dual layer passivation consists of a first thin layer of wet chemical oxide (such as a SiO2 layer 1-3 nm thick) or a thin hydrogenated (preferably controlled hydrogenation) amorphous silicon layer (such as a-Si layer 1-10 nm thick) followed by depositing an amorphous hydrogenated silicon nitride film (SiNx:H 10-1000 nm) on top of the wet chemical oxide or amorphous silicon film. This deposition is then followed by anneal in N2+H2 ambient (forming gas anneal, FGA) or N2 ambient at temperatures equal to or greater than the deposition temperature to further enhance the surface passivation.」（第２頁左欄）
（日本語訳
　特定の実施形態の詳細な説明 
[0017] 　以下の説明は限られた意味で用いるのではなく、本開示の一般的な原理を説明することを目的としている。本開示の範囲は、請求項を参照して定めるべきである。本開示の例示的な実施形態を説明し、図で示し、様々な図に対応する部分を参照するために番号を付けている。
[0018] 　低い表面再結合速度と、太陽電池セルを含む様々な用途の結晶シリコン基板上での長い有効少数キャリア寿命を得るためには、高品質の表面不活化が必要である。歴史的に見て優れた表面不活化技術には、高温熱酸化プロセスが含まれていた。しかしながら、これらの高温プロセスは、薄膜シリコン基板が機械的に弱い性質という面では、薄膜に対応する電池セルの製造には不向きであった。
そこで、本開示では、高品質で、低温処理により高性能太陽電池セルに必要な良好な光学特性（無視できるほどの光の吸収を含む）を維持しつつ、シリコン表面上の再結合不活化の低減を達成する方法を提示する
開示する低温プロセスは、既知の高温熱酸化プロセスを用いて得られた結果と同等かそれ以下の表面再結合速度を達成している
[0019] 　ここで説明する実施形態では、
より低いプロセス温度、好適温度としては２５０℃あるいはそれ以下で１００℃くらいの蒸着および後蒸着での結晶シリコンの良好な光学特性とともに、良好な表面不活化を提示している
[0020] 　開示されている主題は、
効率的なＡＲＣとしても機能する二層不活化構造を使用することで、結晶（単結晶または多結晶）シリコン薄膜（１μｍから１５０μｍ）基板をベースとした太陽電池セル内の高効率の表面不活化により超低表面再結合速度を獲得するための手法を提示している。二層不活化は、（厚さ１〜３ｎｍのＳｉＯ
２
層のような）湿式化学酸化の第一の薄い層または（厚さ１〜１０ｎｍのａ−Ｓｉ層のような）薄い水素化（望ましくは制御された水素化）アモルファスシリコン層を構成要素として、その後に湿式化学酸化またはアモルファスシリコン膜の上に、アモルファス水素化窒化シリコン膜（ＳｉＮ
ｘ
：Ｈ　１０〜１０００ｎｍ）が蒸着される。
　
　エ　「[0033]　FIG. 4  is a graph presenting actual measured results showing passivation performance at 250℃. of dual layer stack (a-Si 10A and 30A/SiN and chem-ox/SiN)-note the 30A a-Si/SiN stack achieves better performance. In yet another embodiment, superior surface passivation is achieved at very low deposition temperatures ≦150℃. using hydrogenated amorphous silicon thin film (such as a-Si, a-SiOC or a-SiON) and silicon nitride dual layer passivation with post deposition anneal at temperatures that are the same as deposition temperature. Using this low temperature passivation scheme, the thin amorphous silicon layer (1-10 nm) is deposited on the cleaned silicon substrate at a temperature ≦150℃., as described previously, using SiH4 with or without H2 followed by silicon nitride deposition at ≦150℃ followed by anneal at the same temperature of deposition for 1-120 minutes in N2 or FGA. As shown by the graph in  FIG. 4 , this method provides the same level of passivation as that of films deposited and annealed at temperatures 250℃. For lower temperature passivation the silicon nitride deposition parameters should be tuned to get an RI between 1.85-2.2.」（第３頁右欄ないし第４頁左欄）
（日本語訳
「[0033] 　図４は、二層積層（ａ−Ｓｉ１０Ａおよび３０Ａ／ＳｉＮおよび　化学酸化／ＳｉＮ）の２５０℃における不活化性能を示す実際の測定結果を示すグラフである。３０Ａａ−Ｓｉ／ＳｉＮ積層がより良い性能を達成していることが注目される。
別の実施形態では、≦１５０℃の非常に低い蒸着温度で、水素化アモルファスシリコン薄膜（ａ−Ｓｉ、ａ−ＳｉＯＣまたはａ−ＳｉＯＮ）および窒化シリコンの二層不活化を用いて、蒸着温度と同じ温度で蒸着後アニールを行うことにより、優れた表面不活化が得られている。この低温不活化手法を用いると、薄いアモルファスシリコン層（１−１０ｎｍ）を、≦１５０℃の温度で洗浄済みシリコン基板上に蒸着することができる。前述のとおり、Ｈ
２
の有無のいずれの場合もＳｉＨ
４
を使用し、その後に１５０℃以下で窒化シリコンの蒸着を行い、Ｎ
２
またはＦＧＡ中で１〜１２０分間、蒸着温度と同じ温度でアニールを行っている
　
　オ　図４は、以下のものである。
　　
（２）引用文献１に記載された発明
　ア　上記（１）アの記載からして、以下のことが理解できる。
（ア）引用文献１には、
　「シリコン基板の表面上の二層不活化方法であって、
　自然の酸化物およびその他の金属および表面の有機汚染物質を除去するための、前記シリコン基板の前記表面を洗浄し、
　前記シリコン基板の前記表面上で、概ね１００〜５００℃の範囲の温度で、
水素化アモルファスシリコン薄膜
　前記水素化アモルファスシリコン薄膜上で、概ね１００〜５００℃の範囲の温度で、
水素化アモルファス窒化シリコン薄膜
　概ね１００〜５００℃の範囲の温度で、前記シリコン基板をアニールすることを含む方法。」が記載されていること（請求項１２）。
　
（イ）上記「水素化アモルファスシリコン薄膜」は、
　アモルファスシリコン薄膜（ａ−Ｓｉ）、酸炭化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＣ）又は酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ）であってもよいこと（請求項１３）。
　なお、水素化されていることを示すために、「ａ−Ｓｉ」、「ａ−ＳｉＯＣ」及び「ａ−ＳｉＯＮ」を、それぞれ、「ａ−Ｓｉ：Ｈ」、「ａ−ＳｉＯＣ：Ｈ」及び「ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ」と表記することがある。
　
（ウ）上記「水素化アモルファスシリコン薄膜」及び「水素化窒化シリコン薄膜」は、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）により行ってもよいこと（請求項１６）。
（エ）上記「水素化アモルファスシリコン薄膜」は、
　温度、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＮＨ３、Ｈ２およびＮ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２のガス流量、チャンバー圧力、プラズマ出力などの蒸着パラメータを最適化してなされること（請求項２０）。
　イ　上記（１）イないしエの記載及び図４からして、以下のことが理解できる。
（ア）上記ア（ア）の「シリコン基板の表面上の二層不活化方法」は、太陽電池セルを構成する結晶シリコン基板の表面にＡＲＣとしても機能する二層不活化構造を形成する方法であること。
（イ）上記ア（ア）の「前記シリコン基板の前記表面上で、概ね１００〜５００℃の範囲の温度で、水素化アモルファスシリコン薄膜を蒸着し」における温度は、１００から１５０℃であってもよいこと。
　ウ　上記ア及びイからして、引用文献１には、下記の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「太陽電池セルを構成する結晶シリコン基板の表面にＡＲＣとしても機能する二層不活化構造を形成する方法であって、
　自然の酸化物およびその他の金属および表面の有機汚染物質を除去するための、前記結晶シリコン基板の前記表面を洗浄する工程と、
　前記結晶シリコン基板の前記表面上で、概ね１００から１５０℃の範囲の温度で水素化アモルファス
シリコン薄膜
　前記水素化アモルファスシリコン薄膜上で、水素化アモルファス
窒化シリコン薄膜
　前記結晶シリコン基板をアニールする工程と、を含み、
　前記水素化アモルファスシリコン薄膜は、
　アモルファスシリコン薄膜（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、酸炭化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＣ：Ｈ）又は酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）であり、温度、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＮＨ３、Ｈ２およびＮ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２のガス流量、チャンバー圧力、プラズマ出力などの蒸着パラメータを最適化してなされる、
　太陽電池セルを構成する結晶シリコン基板の表面にＡＲＣとしても機能する二層不活化構造を形成する方法。」
２　引用文献２
（１）原査定の拒絶の理由において、引用文献２として引用された「国際公開第２０１０／０８７３２０号」（以下「引用文献２」という。）には、図面とともに以下の記載がある。
　ア　「［００２６］　（第１実施形態） 　
　以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図３に従って説明する。 　図１は、太陽電池モジュール１の要部断面図を示す。本実施形態の太陽電池モジュール１は、ガラスからなる基板１０の上に、透明電極層１２、光電変換層１３、裏面電極層１４をそれぞれ有する複数の
光電変換セル（以下、単にセルという）１１
［００２７］
　……
［００２９］　また、
各セル１１の上には、基板１０上に形成された全てのセル１１を被覆するように保護層２０が形成されている。本実施形態では、この保護層２０は、窒化シリコン化合物から構成される単層構造となっている。窒化シリコン化合物は、良好な絶縁性を有するとともに、緻密性が高く、水分等を透過し難い性質を有している
窒化シリコン化合物としては、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）等を用いることができる
シリコン酸窒化物においては、酸素含有量を少なくすると、より好ましく、炭窒化シリコンにおいては、炭素含有量を少なくすると、より好ましい
　　　　
　イ　「［００４１］　分離したセル１１が形成された処理対象基板は、保護層成膜装置に搬送され、各セル１１を被覆するように保護層２０が成膜される（ステップＳ８）。この保護層成膜装置は、ＰＥＣＶＤ装置又はスパッタ装置であるが、
ＰＥＣＶＤ装置がより好ましい
２５０℃以下
２５０℃以下の低温で成膜し、しかも保護層２０の緻密性を向上させるためには、成膜速度の大きいＰＥＣＶＤ装置を用いて、短時間で窒化シリコン化合物を厚く積むことが生産効率の上で望ましい
［００４２］　このとき、各種原料ガスのいずれかを以下の範囲の比で導入するとよい。ＳｉＨ４：ＮＨ３：Ｎ２Ｏ：Ｎ２：Ｈ２ ＝１：０．１〜２０：０．１〜２０：０．１〜５０：０．１〜５０が好ましい。
特に各ガス流量については、ＳｉＨ
４
：１００〜２００ｓｃｃｍ、ＮＨ
３
：５０〜１００ｓｃｃｍ、Ｎ
２
Ｏ：５０〜１００ｓｃｃｍ、Ｎ
２
：１３００〜３０００ｓｃｃｍ、Ｈ
２
：５００〜１８００ｓｃｃｍが好ましい。また、圧力は５０〜２００Ｐａ、基板温度は１００℃〜２５０℃、ＲＦ出力は５００〜２０００Ｗで、５０ｎｍ〜１μｍ以下の膜を形成するのが好ましい
［００４３］　
例えば、ＰＥＣＶＤ装置で窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）の保護層２０を形成する場合、原料ガスを、ＳｉＨ
４
：１５０ｓｃｃｍ、ＮＨ
３
：５０ｓｃｃｍ、Ｎ
２
：２０００ｓｃｃｍ、Ｈ
２
：１０００ｓｃｃｍといった流量で装置内に導入し、圧力１００Ｐａ、温度１００℃〜２５０℃、ＲＦ出力１０００Ｗで、５０ｎｍ〜１μｍ以下の膜を形成する
［００４４］　また、保護層２０を、
シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）から構成する場合には、上記した条件のうち、原料ガスの組成のみを変更して、ＳｉＨ
４
：１５０ｓｃｃｍ、ＮＨ
３
：５０ｓｃｃｍ、Ｎ
２
Ｏ：５０ｓｃｃｍ、Ｎ
２
：２０００ｓｃｃｍといった組成で装置内に導入する
［００４５］　また、保護層２０を、シリコン酸窒化物（ＳｉＣＮ）から構成する場合には、上記した条件のうち、原料ガスの組成のみを変更して、ＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ、ＮＨ３：５０ｓｃｃｍ、ＣＨ４：５０ｓｃｃｍ、Ｎ２：２０００ｓｃｃｍといった組成で装置内に導入する。
［００４６］　尚、上記した各ガス流量、基板温度およびＲＦ出力等は、上記した基板１０のサイズにあわせたものであるが、基板１０のサイズが変更されるごとに適宜変更可能である。特に上記各ガス流量比を維持していれば、各ガス流量は基板面積に比例して変更することができ、例えば１１００ｍｍ×１４００ｍｍサイズの基板を用いる場合は、実施例記載の約８倍の流量とすることが好ましい。
［００４７］　さらに、成膜した窒化シリコン化合物の膜の屈折率は、一定の範囲内に収めることが望ましい。特に、光源波長６３２．８ｎｍの単波長レーザエリプソメータを用いて測定した場合に、
屈折率
ＳｉＯＮ：１．６０〜１．８５
　
（２）引用文献２に記載された技術事項
　ア　上記（１）アの記載からして、以下のことが理解できる。
（ア）光電変換セルを被覆するように保護層を形成すること。
（イ）保護層は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）等の窒化シリコン化合物から構成される単層構造であること。
　ここで、「単層構造」とは、組成の同じ一つの層を意味するから、以下、それぞれを、「窒化シリコン（ＳｉＮｘ）の薄膜」、「シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の薄膜」及び「炭窒化シリコン（ＳｉＣＮ）の薄膜」と表記することがある。
（ウ）窒化シリコン化合物からなる保護膜は、良好な絶縁性を有するとともに、緻密性が高く、水分等を透過し難い性質を有していること。
（エ）水素を含有する窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）は、緻密性に優れ、水分透過性が低く好ましくシリコン酸窒化物においては、酸素含有量を少なくすると、より好ましく、炭窒化シリコンにおいては、炭素含有量を少なくすると、より好ましいこと。
　イ　上記（１）イの記載からして、以下のことが理解できる。
（ア）保護層は、２５０℃以下の低温でＰＥＣＶＤ装置により成膜できること。
（イ）窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）の薄膜の成膜条件は、以下のとおりであること。
　
　ガス流量比：　
　　　　　　ＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　ＮＨ３：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｎ２：２０００ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｈ２：１０００ｓｃｃｍ
　圧力：１００Ｐａ　
　基板温度：１００℃〜２５０℃、
　ＲＦ出力：１０００Ｗ　
          
（ウ）シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の薄膜の成膜条件は、以下のとおりであること。
　
　ガス流量比：　
　　　　　　ＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　ＮＨ３：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　Ｎ２Ｏ：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｎ２：２０００ｓｃｃｍ
　圧力：５０〜２００Ｐａ　
　基板温度：１００℃〜２５０℃、
　ＲＦ出力：５００〜２０００Ｗ
　
（エ）「シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）」の屈折率は、１．６０〜１．８５が好ましいこと。　
　
　ウ　上記ア及びイからして、引用文献２には、下記の技術事項（以下「引用文献２に記載された技術事項」という。）が記載されているものと認められる。
　
　
Ａ　技術事項１
　ＰＥＣＶＤ装置を用いて、窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）の薄膜を成膜する際に、下記の成膜条件を採用すること。
　ガス流量比：　
　　　　　　ＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　ＮＨ３：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｎ２：２０００ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｈ２：１０００ｓｃｃｍ
　圧力：１００Ｐａ　
　基板温度：１００℃〜２５０℃、
　ＲＦ出力：１０００Ｗ　
　　　            
　
Ｂ　技術事項２
　ＰＥＣＶＤ装置を用いて、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の薄膜を成膜する際に、下記の成膜条件を採用すること。
　ガス流量比：　
　　　　　　ＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　ＮＨ３：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　Ｎ２Ｏ：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｎ２：２０００ｓｃｃｍ
　圧力：５０〜２００Ｐａ　
　基板温度：１００℃〜２５０℃、
　ＲＦ出力：５００〜２０００Ｗ
　
Ｃ　技術事項３
　窒化シリコン化合物は、良好な絶縁性を有するとともに、緻密性が高く、水分等を透過し難い性質を有していること。　
　シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）は、酸素含有量を少なくすると、より好ましいこと。
　　　　　　
　
Ｄ　技術事項４
　シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の屈折率は、１．６０〜１．８５が好ましいこと。　
。　　　  　　   　
第４　対比・判断
１　対比
（１）本願発明と引用発明を対比すると、以下のことがいえる。
　ア（ア）引用発明の「結晶シリコン基板」は、本願発明の「結晶シリコンウェハまたはチップなどの、結晶シリコン層を有する基板」に、相当する。
                              
（イ）引用発明の「（結晶シリコン基板の表面の）自然の酸化物 」は、本願発明の「酸化物層」に、相当する。
（ウ）引用発明が、「シリコン基板の表面を洗浄する工程」の前に、シリコン基板を準備する工程」を備えていることは、明らかである。
（エ）上記（ア）ないし（ウ）からして、本願発明と引用発明とは、
　「結晶シリコンウェハまたはチップなどの、結晶シリコン層を有する基板を準備し；
　少なくとも前記結晶シリコン層の一方の面の一部から酸化物層を除去することにより、前記結晶シリコン層の表面を洗浄し；」との構成を備える点で一致する。
　
　イ（ア）引用発明の「酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）」は、本願発明の「酸窒化ケイ素層」に相当する。
（イ）本願発明の「水素化された誘電材料を含むキャッピング層」は、本願明細書の【００２１】における「一実施形態において前記水素化された誘電材料を含むキャッピング層を成膜する工程は、
水素化された窒化ケイ素層
窒化
　                     
（ウ）引用発明の「ＡＲＣとしても機能する二層不活化構造」は、「太陽電池セルを構成する結晶シリコン基板の表面」に形成されるものであるから、「パッシベーションスタック（a passivation stack）」であるといえる。
（エ）上記（ア）ないし（ウ）からして、本願発明と引用発明とは、
　「洗浄された表面の少なくとも一部の上に、酸窒化ケイ素層を成膜し；さらに
　前記酸窒化ケイ素層の上に水素化された誘電材料を含むキャッピング層を成膜する（ここで、前記酸窒化ケイ素層は、１００℃から２００℃までの温度で成膜される）ことを含む、結晶シリコン太陽電池デバイス上にパッシベーションスタック（a passivation stack）を製造する方法」である点で一致する。  　
　     　
　ウ（ア）引用発明の「プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）」は、本願発明の「プラズマ支援化学気相蒸着」に相当する。
（イ）引用発明において、「水素化アモルファスシリコン薄膜」として、「酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）」を成膜する際に「ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＮＨ３、Ｈ２およびＮ２、Ｎ２Ｏ、ＣＯ２」の中から選択した原料ガス中に、少なくとも、「珪素含有化合物」及び「（酸素供給源である）Ｎ２Ｏ」の含まれることは、当業者にとって明らかである。
　　　
（ウ）また、「珪素含有化合物」に対する「（酸素供給源である）Ｎ２Ｏ」のガス流量比が所定値であることは、当業者にとって明らかである。
　
　必要ならば、本願明細書に「【０００３】以下の他の出版物への参照は、角括弧内の参照番号で示され、これにより、当業者が本発明の背景を理解するために有用でありうる技術情報が含まれているとして、かような参照の関連する文章は、
本開示の一部
ＳｉＯ
ｘ
Ｎ
ｙ
を、ＳｉＮ
ｘ
との積層形態において使用する
　「A. Laades, M. Blech, H. C. Biank, C. Maier, M. Roczen, C. Leschinski, H. Strutzberg , A. Lawerenz, Fundamental study of silicon oxynitrides for photovoltaic applications,  26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, Hamburg, Germany 5th Sep. 2011」
　ちなみに、上記論文６の図６は、以下のものである。
　※　図から、成膜時のＮ２Ｏ／ＳｉＨ４比が小さいほどパッシベーション効果が大きいことが理解できる。
　　
　また、上記論文以外にも、下記の文献を参照。
　国際公開第２０１０／０７４２８３号（【００２５】）　
　特開２０００−２５２４５１号公報（【００３９】ないし【００４３】）
　特開昭６２−１７２７３３号公報（第３頁左下欄及び第２図）
　ちなみに、特開昭６２−１７２７３３号公報の第２図は、以下のものである。
　※　図から、成膜時のＮ２Ｏ／ＳｉＨ４比が小さいほど屈折率が高くなることが理解できる。
 　 　　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）からして、本願発明と引用発明とは、
　「酸窒化ケイ素層を成膜する工程は、プラズマ支援化学気相蒸着を用いることを含み、さらに以下のサブステップを含むことを特徴とする、方法：
　前駆体ガスとしてＮ２Ｏおよび
珪素含有化合物
　珪素含有化合物に対するＮ２Ｏのガス流量比を、
所定値
（２）上記（１）から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致する。
　＜一致点＞ 
　「結晶シリコンウェハまたはチップなどの、結晶シリコン層を有する基板を準備し；
　少なくとも前記結晶シリコン層の一方の面の一部から酸化物層を除去することにより、前記結晶シリコン層の表面を洗浄し；
　前記洗浄された表面の少なくとも一部の上に、酸窒化ケイ素層を成膜し；さらに
　前記酸窒化ケイ素層の上に水素化された誘電材料を含むキャッピング層を成膜する（ここで、前記酸窒化ケイ素層は、１００℃から２００℃までの温度で成膜される）ことを含む、結晶シリコン太陽電池デバイス上にパッシベーションスタック（a passivation stack）を製造する方法であって、
　前記酸窒化ケイ素層を成膜する工程は、プラズマ支援化学気相蒸着を用いることを含み、さらに以下のサブステップを含むことを特徴とする、方法：
　前駆体ガスとしてＮ２Ｏおよび
珪素含有化合物
　珪素含有化合物に対するＮ２Ｏのガス流量比を、
所定値
（３）一方、両者は、以下の点で相違する。
　＜相違点＞
　酸窒化ケイ素層を成膜する工程に関して、
　本願発明は、「Ｎ２雰囲気下で前駆体ガスとしてＮ２ＯおよびＳｉＨ４を用い、かつ、ＳｉＨ４に対するＮ２Ｏのガス流量比を、１未満として酸窒化ケイ素を成膜する」のに対して、
　引用発明は、上記条件であるのか否か不明である点。
２　判断
（１）上記＜相違点＞について検討する。
　ア　引用発明は、「温度、
ＳｉＨ
４
Ｎ
２
Ｏ
　イ　しかしながら、引用文献２には、以下の「引用文献２に記載された技術事項」が記載されている。
　
　
Ａ　技術事項１
　ＰＥＣＶＤ装置を用いて、窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）の薄膜を成膜する際に、下記の成膜条件を採用すること。
　ガス流量比：　
　　　　　　ＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　ＮＨ３：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｎ２：２０００ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｈ２：１０００ｓｃｃｍ
　圧力：１００Ｐａ　
　基板温度：１００℃〜２５０℃、
　ＲＦ出力：１０００Ｗ　
　　　            
　
Ｂ　技術事項２
　ＰＥＣＶＤ装置を用いて、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の薄膜を成膜する際に、下記の成膜条件を採用すること。
　ガス流量比：　
　　　　　　ＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　ＮＨ３：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　Ｎ２Ｏ：５０ｓｃｃｍ
　　　　　　　　Ｎ２：２０００ｓｃｃｍ
　圧力：５０〜２００Ｐａ　
　基板温度：１００℃〜２５０℃、
　ＲＦ出力：５００〜２０００Ｗ
　
Ｃ　技術事項３
　窒化シリコン化合物は、良好な絶縁性を有するとともに、緻密性が高く、水分等を透過し難い性質を有していること。　
　シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）は、酸素含有量を少なくすると、より好ましいこと。
　　　　　　
　
Ｄ　技術事項４
　シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の屈折率は、１．６０〜１．８５が好ましいこと。　
　　　  　　   　
　ウ　上記「引用文献２に記載された技術事項」は、ＰＥＣＶＤ装置を用いて、窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）の薄膜及びシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の薄膜を成膜する際の成膜条件に関するものである。
　上記「引用文献２に記載された技術事項」によれば、
　シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の薄膜を成膜する際に「Ｎ２Ｏガス」を供給し、窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）の薄膜を成膜する際に「Ｎ２Ｏガス」の供給を停止することが理解できる。                
       　
　エ　一方、引用発明においても、第１層目の「酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）」を成膜する際に「Ｎ２Ｏガス」を供給し、第２層目の「水素化アモルファス窒化シリコン薄膜」を成膜する際に「Ｎ２Ｏガス」の供給を停止することになる。
　
　オ　そして、引用発明と上記「引用文献２に記載された技術事項」とは、ＰＥＣＶＤを用いた成膜技術で共通することから、引用発明において、第１層目の「酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）」を成膜する際に、上記「引用文献２に記載された技術事項」を参考にして、
　珪素含有化合物として、ＳｉＨ４を採用するとともに、
　ガス流量として、「Ｎ２：２０００ｓｃｃｍ」、「ＳｉＨ４：１５０ｓｃｃｍ」及び「Ｎ２Ｏ：５０ｓｃｃｍ」を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　カ　その際、「酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）」は、「ＡＲＣとしても機能する二層不活化構造」のうち、結晶シリコン基板（屈折率：３．５前後）と界面を形成する層になるから、周囲媒体（空気、封止部材、ガラス基板等）と結晶シリコン基板との間で、屈折率が急激に変化しないように、「Ｎ２Ｏ：５０ｓｃｃｍ」の流量を少なくして、屈折率を高めることは適宜なし得たことである。
　キ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点＞に係る本願発明の構成を備えることは、上記「引用文献２に記載された技術事項」に基いて当業者が容易になし得たことである。  　
　　 　   　 　 　　 
（２）効果 
　引用発明において、「ＳｉＨ４に対するＮ２Ｏのガス流量比」を小さくするほど、酸素成分が減少し、「酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）」は、「シリコン割合の多い薄膜」になる。
　そして、引用文献１の［０００３］に「…現行の方法では、屈折率が2.3以上の
シリコンリッチなSiNx 膜
　そうすると、引用発明の「ＡＲＣとしても機能する二層不活化構造」は、上記「シリコン割合の多い薄膜」と「水素化アモルファス窒化シリコン薄膜」とから構成されることになるから、結果として、パッシベーション効果が向上することは予測し得ることである。   　
　なお、本願明細書において、従来技術として紹介されている上記論文６には、成膜時に「ＳｉＨ４に対するＮ２Ｏのガス流量比」が小さいほど、パッシベーション効果が向上することが示されている。
　　　　
３　審判請求書における主張について
（１）請求人は、審判請求書において、以下のように主張するので、この点について検討する。　
　  　
　ア　「
結晶シリコンとアモルファスシリコンとは根本的に全く異なる性質を有する半導体材料
（ア）「引用文献２に記載された技術事項」は、ＰＥＣＶＤ装置を用いて、窒化シリコン（ＳｉＮｘ：Ｈ）の薄膜及びシリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）の薄膜を成膜する際の成膜条件に関するものである。
　そして、かかるＰＥＣＶＤ装置を用いた成膜技術を、アモルファスシリコン基板における成膜だけではなく、結晶シリコン基板等のパッシベーション膜や透明電極膜の成膜などにも適用できることは、当業者にとって明らかである。
              　
　必要ならば、下記の文献を参照。
　論文６（要約）
　特開２０１３−１０２１５９号公報（【００３９】、【００６３】）
　特開２０１２−１２４２２９号公報（【０００４】、【００２７】）　
　
（イ）してみると、引用発明において、第１層目の「酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）」を成膜する際に、上記「引用文献２に記載された技術事項」を参考にすることは、ごく自然なことであり、その適用を妨げる特段の事情は認められない。
　イ　「……膜の緻密性、屈折率、バリア性とは何ら関係はありません。よって、引用文献２において、膜の緻密性、屈折率、バリア性が良好なＳｉＯＮ保護層が開示されていたとしても、少数キャリア寿命の向上という本願発明の課題が、引用文献２の技術により解決されるであろうと当業者が予測することは不可能であったと思料致します。」（第６頁上段）
　
（ア）しかしながら、一般に、膜密度等の膜質がパッシベーション効果に影響することは、当該技術分野においてよく知られていることである（必要ならば、下記の文献を参照。）。
   
　特開２０１３−１６１８４７号公報（【０００４】ないし【０００８】）
　国際公開第２０１３／１４６９７３号（【００４１】）      
　国際公開第２０１０／０７４２８３号（【００１８】）  　
   　
（イ）そうすると、第１層目の「酸窒化アモルファスシリコン薄膜（ａ−ＳｉＯＮ：Ｈ）」を成膜する際に、緻密な膜を成膜できる条件を採用すれば、パッシベーション効果が向上することは、当業者が予測し得ることてある。
　　   　     　         　
（２）よって、請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。
　　　  　
４　平成３０年５月２５日提出の意見書における主張について
（１）請求人は、意見書において、以下のように主張するので、この点について検討する。
　「そして、図４より、試料２（ＳｉＨ４に対するＮ２Ｏのガス流量比：０．４４）は、試料１（ＳｉＨ４に対するＮ２Ｏのガス流量比：１．５４）と比較して、いずれの成膜温度においても少数キャリア寿命が顕著に向上するという結果が示されています。してみますと、このような開示から、酸窒化ケイ素層を
成膜する工程において
　ア　しかしながら、
成膜時に
　　
　イ　引用文献１には、１５０℃以下の低温で蒸着からアニールまでの処理を行っても、２５０℃で処理を行ったものと同程度の効果を得られることが記載されている。
　そして、引用文献２には、基板温度を１００℃〜２５０℃で成膜する際のガス流量比について開示されているのであるから、引用文献１に記載された発明において、引用文献２記載されているガス流量比を採用して、１５０℃以下の低温で蒸着からアニールまでの処理を行うことに何ら困難性は認められない。
  　         　
（２）よって、請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。
　
５　まとめ　
　本願発明は、当業者が引用発明及び「引用文献２に記載された技術事項」に基づいて容易に発明をすることができたものである。　
　　　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。