(57)【要約】  物品の浸漬槽間の移動に伴って生じるしみの発生がなく、複雑な形状の物品においても水切り性能が低下せず、浸漬槽中の水切り溶剤に水の懸濁が発生することを抑制することができ、１槽の浸漬槽で長時間、連続して安定な水切り性能を維持できる水切り方法を提供する。  アルコール類を含有するフッ素系溶剤を水切り溶剤として使用し、浸漬槽中の水切り溶剤を沸騰状態とし、浸漬槽上部で水切り溶剤蒸気を凝縮させて凝縮した水切り溶剤を浸漬槽外で水を除去した後浸漬槽に戻し、浸漬槽内の沸騰状態の水切り溶剤中に水が付着した物品を浸漬して水を除去して引き上げる、物品の水切り方法。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルコール類を含有するフッ素系溶剤を水切り溶剤として使用し、水が付着した物品を前記水切り溶剤の液中に浸漬して前記水を水切り溶剤に溶解または分散させて物品から除去し、その後物品を水切り溶剤の液から引き上げて乾燥することにより、水が付着した物品から水を除去する水切り方法であって、水切り溶剤を貯留した浸漬槽中の水切り溶剤を沸騰状態とし、前記浸漬槽の上部に水切り溶剤の蒸気を凝縮させる冷却手段を設けるとともに凝縮した水切り溶剤を浸漬槽外に導出し、水切り溶剤の沸騰温度における飽和水分濃度未満の水を含むかまたは水を含まない水切り溶剤を前記浸漬槽に導入すること、および、前記水が付着した物品を前記浸漬槽中の沸騰状態の水切り溶剤の液に浸漬して水を除去し、その後物品を水切り溶剤の液から引き上げることを特徴とする物品の水切り方法。
【請求項２】
浸漬槽中で沸騰中の水切り溶剤に含まれる水分濃度が、物品を引き上げる時点で、当該沸騰温度における飽和水分濃度以下になるように、前記凝縮した水切り溶剤の導出量を調整し、かつ前記浸漬槽に導入する水切り溶剤の導入量を前記導出する水切り溶剤の量とほぼ同量とする、請求項１に記載の水切り方法。
【請求項３】
浸漬槽外に導出した水切り溶剤を水分離槽に導入し、前記水分離槽中で比重分離法により水切り溶剤から水を分離し、分離した水を前記水分離槽から排出し、水が分離された水切り溶剤を前記飽和水分濃度未満の水を含む水切り溶剤として前記水分離槽から前記浸漬槽に導入する、請求項１または２に記載の水切り方法。
【請求項４】
水分離槽中の水切り溶剤の温度（Ｔ）を、Ｔｂ−１０≦Ｔ＜Ｔｂとする（ただし、Ｔｂは当該水切り溶剤の沸点）、請求項３に記載の水切り方法。
【請求項５】
フッ素系溶剤が、ハイドロフルオロエーテル類またはハイドロフルオロカーボン類である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の水切り方法。
【請求項６】
フッ素系溶剤が、１，１，２，２−テトラフルオロエチル−２，２，２−トリフルオロエチルエーテル、（パーフルオロブトキシ）メタンおよび（パーフルオロブトキシ）エタンからなる群より選ばれる少なくとも１種のハイドロフルオロエーテル類である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の水切り方法。
【請求項７】
フッ素系溶剤が、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロヘキサン、１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタンおよび１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロペンタンからなる群より選ばれる少なくとも１種のハイドロフルオロカーボン類である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の水切り方法。
【請求項８】
アルコール類が炭素数１〜３のアルカノールである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の水切り方法。
【請求項９】
水切り溶剤におけるアルコール類の含有割合が３〜１５質量％である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の水切り方法。
【請求項１０】
水切り溶剤が、アルコール類とフッ素系溶剤の共沸組成物である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の水切り方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、精密機械工業、光学機械工業、電気電子工業またはプラスチック工業等において、レンズ、液晶表示装置部品、電子部品、精密機械部品等の物品表面の水を除去するための水切り方法に関する。なお、本発明書において、水切りとは、水が付着した物品から水を除去することを意味し、いわゆる水切り乾燥、脱水、乾燥といった様態を含む。
【背景技術】
【０００２】
精密機械工業、光学機械工業、電気電子工業またはプラスチック工業等において、レンズ、液晶表示装置部品、電子部品、精密機械部品は、例えばメッキ工程や研磨工程の際に水洗処理が行われる。この際、水洗処理後、水が付着したままでは、次工程に支障をきたす場合が多い。また、残留した水によって発生したしみは次工程での接着・溶接不良や外観不良、錆の発生等、製品の品質を低下させる原因となる場合があるため、水切りおよび乾燥を行い物品の表面から完全に水分を除去する必要がある。【０００３】
このような物品の水切り・乾燥方法として、被洗浄物品を、被洗浄物品の表面から水を除去しうる溶剤に浸漬し、引き上げた後、溶剤を乾燥させる方法が知られている。この方法に用いられる溶剤としては、エタノールやイソプロピルアルコール等のアルコール類が知られているが、これらは引火点を有する化合物であるため、防火対策などの使用環境や使用方法に配慮する必要があった。また、上記溶剤としては、塩素系有機溶剤に界面活性剤等を添加した溶剤組成物やフッ素系溶剤にアルコール類や界面活性剤を添加した溶剤組成物が提案されている。フッ素系溶剤としては、クロロフルオロカーボン類（以下、ＣＦＣ類ともいう。）、パーフルオロカーボン類（以下、ＰＦＣ類ともいう。）、ハイドロクロロフルオロカーボン類（以下、ＨＣＦＣ類ともいう。）、ハイドロフルオロカーボン類（以下、ＨＦＣ類ともいう。）、ハイドロフルオロエーテル類（以下、ＨＦＥ類ともいう。）等が使用される。これらのうち、ＰＦＣ類は塩素を含有しないために地球のオゾン層を破壊せず、モントリオール議定書の下で段階的に廃止されない。しかし、それらの化学的安定性および長期の大気中の寿命のために、高い地球温暖化ポテンシャル（ＧＷＰ）を有するとみなされ、それらの使用はだんだんと制限されている。塩素系溶剤は大気中の寿命は短いため、成層圏まで到達してオゾンを破壊することはないが、地下水・土壌中では分解に長期間を要するため、水質汚濁防止法・土壌汚染対策法等で排水基準が定められている。また、揮発性有機化合物（ＶＯＣ）として、大気への放出量も制限されているため、塩素系溶剤の使用時には、漏洩や大気放出のための対策が必要となる。【０００４】
上述のフッ素系溶剤にアルコール類を添加した溶剤組成物は、初期の水切り性能は良好であるものの、連続的に長期間使用すると溶剤組成物中の水の量が増大して飽和溶解度を超え、析出した水が溶剤組成物中に懸濁した状態となる問題がある。これは、溶剤組成物中に析出した水が強制撹拌により懸濁状態になると考えられる。例えば、被洗浄物品を溶剤組成物に浸漬する際に、短時間で水切りを行う目的から、超音波洗浄、揺動洗浄、噴流洗浄等の強制的に水を撹拌する方法をとることがあり、または、浸漬洗浄槽の液面に浮上した水を除去する目的から、溶剤組成物を循環させる手段を設けることがあり、このような場合に水が懸濁状態になると考えられる。溶剤組成物中の懸濁した水の含有割合が大きくなると、物品の表面に水が残存しまたは水が再付着し、乾燥後物品にしみが発生するという問題が起こる。水の付着により発生したしみを洗浄等により除去することは困難であることが少なくない。【０００５】
浸漬槽中の水の懸濁を解消する方法として、浸漬槽の上部にある水を含む溶剤組成物を水分離槽へのオーバーフローによって除去する方法が知られている。この方法では水分離槽で比重分離法によって溶剤組成物と水に分離し、溶剤組成物は浸漬槽へ戻される。また特許文献１では、溶剤組成物を水分離槽にて比重分離した後、溶剤組成物に残存する水を更に分離するためにコアレッサ式のフィルタ等のろ過工程を備えた水切り乾燥方法が提示されている。【０００６】
上記の方法においては、水分離後に浸漬槽に送られる溶剤組成物は常に飽和水分状態であり、浸漬槽中の溶剤組成物の液温低下によって、溶剤組成物の飽和水分濃度が低下した際には容易に懸濁状態となるため、水切り性能が低下する可能性がある。【０００７】
沸騰浴を用いた水切り・乾燥方法としては、特許文献２にはＰＦＣ類からなる溶剤組成物の液体中に水分が付着した物品を浸漬し、この物品に超音波を照射してこの物品に付着した水分を除去して物品の水切りを行った後、この物品を上記液体から引き上げてＰＦＣ類からなる溶剤組成物の沸騰液中に移し、この沸騰液中において上記物品に付着した残余の水分を除去した後、更に、この物品を沸騰液からＰＦＣ類からなる溶剤組成物の蒸気中に移してこの蒸気中において上記物品の乾燥を行い、上記ＰＦＣ類からなる溶剤組成物の蒸気を回収して循環使用することを特徴とする物品の水切り・乾燥方法および装置が明示されている。また、特許文献３においては、特許文献２と同様の水切り乾燥工程を安定剤および界面活性剤を含有する５〜５０℃の塩素系有機溶剤を使用して行う水切り・乾燥方法が知られている。【０００８】
特許文献２や３では、物品は超音波浸漬槽に浸漬されて物品に付着した水分を除去して物品の水切りを行った後、さらに沸騰液槽に浸漬し残余の水分あるいは界面活性剤等を取り除かれ、その後、蒸気中にて物品の乾燥が行われる。この方法においては、物品を浸漬する槽が少なくとも２つ以上必要である。また、超音波槽から沸騰液槽に物品を移動する際に、水分が残余した物品が乾燥し、しみ等が発生する可能性がある。水切り乾燥工程中に一度発生したしみは、除去できない可能性が高い。さらに超音波浸漬では、物品の形状や種類によって、水切り性が低下する場合がある。水切り性を維持するために水切り溶剤を撹拌したり、物品の揺動を同時に行う方法もあるが、微小な孔や隙間を有するような複雑な形状の物品では、十分な水切り性能が得られない問題がある。また、超音波照射は破壊や傷など物品にダメージを与える場合もある。また、上述のように、ＰＦＣ類や塩素系溶剤は、環境に影響を及ぼす溶剤でもある。【０００９】
また、特許文献４では、水切り槽の水切り溶剤に浸漬された物品に加圧過加熱された水切り溶剤を噴射することで、大気下での沸騰状態による爆発的な衝突力と乱流を形成することによって、物品の水を除去し、水切り乾燥を行う方法が明示されている。この方法では、物品から除去され液面に浮上した水は、加圧過加熱された水切り溶剤によって、水切り溶剤と共に水切り槽から水分離槽へ流れ落とされる。【００１０】
特許文献４では、物品の形状によっては、加圧過加熱された溶剤が物品全体に接触しない可能性がある。また、浸漬する槽は１槽であるが、物品から除去した水をオーバーフローにより浸漬槽から排除し水切り溶剤と水を分離するための水分離槽が浸漬槽の隣に配置されることが必須となっており、装置を製作する上での制約条件の一つとなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】国際公開番号２００５−０７９９４３号公報
【特許文献２】特開平５−１１４５９４号公報
【特許文献３】特開平３−１１４５０１号公報
【特許文献４】特開２００４−２４９２５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、浸漬槽の移動に伴って生じるしみの発生がなく、複雑な形状の物品においても水切り性能が低下せず、浸漬槽中の水切り溶剤に水の懸濁が発生することを抑制することができ、１槽の浸漬槽で長時間、連続して安定な水切り性能を維持できる水切り方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
すなわち本発明は、下記の物品の水切り方法である。【００１４】
［１］アルコール類を含有するフッ素系溶剤を水切り溶剤として使用し、水が付着した物品を前記水切り溶剤の液中に浸漬して前記水を水切り溶剤に溶解または分散させて物品から除去し、その後物品を水切り溶剤の液から引き上げて乾燥することにより、水が付着した物品から水を除去する水切り方法であって、水切り溶剤を貯留した浸漬槽中の水切り溶剤を沸騰状態とし、前記浸漬槽の上部に水切り溶剤の蒸気を凝縮させる冷却手段を設けるとともに凝縮した水切り溶剤を浸漬槽外に導出し、水切り溶剤の沸騰温度における飽和水分濃度未満の水を含むかまたは水を含まない水切り溶剤を前記浸漬槽に導入すること、および、前記水が付着した物品を前記浸漬槽中の沸騰状態の水切り溶剤の液に浸漬して水を除去し、その後物品を水切り溶剤の液から引き上げることを特徴とする物品の水切り方法。【００１５】
［２］浸漬槽中で沸騰中の水切り溶剤に含まれる水分濃度が、物品を引き上げる時点で、当該沸騰温度における飽和水分濃度以下になるように、前記凝縮した水切り溶剤の導出量を調整し、かつ前記浸漬槽に導入する水切り溶剤の導入量を前記導出する水切り溶剤の量とほぼ同量とする、前記［１］に記載の水切り方法。【００１６】
［３］浸漬槽外に導出した水切り溶剤を水分離槽に導入し、前記水分離槽中で比重分離法により水切り溶剤から水を分離し、分離した水を前記水分離槽から排出し、水が分離された水切り溶剤を前記飽和水分濃度未満の水を含む水切り溶剤として前記水分離槽から前記浸漬槽に導入する、前記［１］または［２］に記載の水切り方法。【００１７】
［４］水分離槽中の水切り溶剤の温度（Ｔ）を、Ｔｂ−１０≦Ｔ＜Ｔｂとする（ただし、Ｔｂは当該水切り溶剤の沸点）、前記［３］に記載の水切り方法。【００１８】
［５］フッ素系溶剤が、ハイドロフルオロエーテル類またはハイドロフルオロカーボン類である、前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の水切り方法。【００１９】
［６］フッ素系溶剤が、１，１，２，２−テトラフルオロエチル−２，２，２−トリフルオロエチルエーテル、（パーフルオロブトキシ）メタンおよび（パーフルオロブトキシ）エタンからなる群より選ばれる少なくとも１種のハイドロフルオロエーテル類である、前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の水切り方法。【００２０】
［７］フッ素系溶剤が、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロヘキサン、１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタンおよび１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロペンタンからなる群より選ばれる少なくとも１種のハイドロフルオロカーボン類である、前記［１］〜［４］のいずれか１項に記載の水切り方法。【００２１】
［８］アルコール類が炭素数１〜３のアルカノールである、前記［１］〜［７］のいずれか１項に記載の水切り方法。
［９］水切り溶剤におけるアルコール類の含有割合が３〜１５質量％である、前記［１］〜［８］のいずれか１項に記載の水切り方法。
［１０］水切り溶剤が、アルコール類とフッ素系溶剤の共沸組成物である、前記［１］〜［９］のいずれか１項に記載の水切り方法。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、沸騰状態の水切り溶剤が貯留された１槽の浸漬槽に水が付着した物品を浸漬し、引き上げて乾燥することにより、浸漬槽間の移動に伴って生じるしみを発生させずに水切りを行うことができる。また、浸漬槽の水切り溶剤を沸騰状態にすることで物品から除去された水を水切り溶剤と共に蒸発させて浸漬槽から水を除去し、水切り溶剤中の水が懸濁状態となることを抑制することができる。さらに、常に水を除去することにより、長時間連続して安定な水切り性能を維持できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の水切り方法を用いた水切り試験装置の概略図
【図２】特許文献１に記載の水切り試験装置の概略図
【図３】実施例５における浸漬槽中の水切り溶剤の水分濃度の経時変化を示すグラフ
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明において水切り溶剤はアルコール類を含有するフッ素系溶剤からなり、使用に際しては物品から除去された水を含む。さらに、水切り溶剤はアルコール類以外に少量の他の成分を含むフッ素系溶剤でもよい。
【００２５】
本発明におけるフッ素系溶剤としては、ハイドロフルオロエーテル類もしくはハイドロフルオロカーボン類が好ましい。しかしこれに限られるものではなく、他のフッ素系溶剤であってもよい。ハイドロフルオロエーテル類、ハイドロフルオロカーボン類以外のフッ素系溶剤としては、パーフルオロカーボン類やハイドロクロロフルオロカーボン類が挙げられる。フッ素系溶剤は難燃性または不燃性であるものが好ましい。
ハイドロフルオロエーテル類としては、式１で表される化合物が好ましい。
Ｒ１−Ｏ−Ｒ２・・・式１
ただし、Ｒ１、Ｒ２は、各々独立にアルキル基または含フッ素アルキル基を示す。Ｒ１、Ｒ２に含まれるフッ素原子の数の合計は０であることはなく、Ｒ１、Ｒ２に含まれる水素原子の数の合計は１以上であり、かつＲ１およびＲ２に含まれる炭素原子の数の合計は４〜８である。Ｒ１およびＲ２に含まれる炭素原子の数の合計をｍとしたとき、Ｒ１、Ｒ２に含まれるフッ素原子の数の合計はｍ＋１以上であることが好ましく、ｍ＋３以上がより好ましい。このようなフッ素原子数の多いハイドロフルオロエーテル類は難燃性ないし不燃性となりやすい。
【００２６】
なかでも、ハイドロフルオロエーテル類としては、１，１，２，２−テトラフルオロエチル−２，２，２−トリフルオロエチルエーテル、（パーフルオロブトキシ）メタン、（パーフルオロブトキシ）エタンが好ましく、これらは単独でも、２種以上を混合して使用してもよい。
【００２７】
ハイドロフルオロカーボン類は、ＣｎＦｐＨｑ［ただし、ｎは３以上の整数、ｐは１以上の整数、ｑは１以上の整数であり、ｐ＋ｑは２ｎ＋２または２ｎを表す］で表される化合物であり、ｐ＋ｑが２ｎ＋２の場合は脂肪族ハイドロフルオロカーボン類、ｐ＋ｑが２ｎの場合は脂環族ハイドロフルオロカーボン類である。ｎは３〜８が好ましく、４〜６がより好ましい。フッ素原子の数（ｐ）はｎ＋１以上が好ましく、ｎ＋３以上がより好ましい。このようなフッ素原子数の多いハイドロフルオロカーボン類は難燃性ないし不燃性となりやすい。
【００２８】
ハイドロフルオロカーボン類としては、Ｃ４Ｆ５Ｈ５、Ｃ４Ｆ６Ｈ４、Ｃ４Ｆ７Ｈ３、Ｃ４Ｆ８Ｈ２、Ｃ４Ｆ９Ｈ、Ｃ５Ｆ６Ｈ６、Ｃ５Ｆ７Ｈ５、Ｃ５Ｆ８Ｈ４、Ｃ５Ｆ９Ｈ３、Ｃ５Ｆ１０Ｈ２、Ｃ５Ｆ１１Ｈ、Ｃ６Ｆ７Ｈ７、Ｃ６Ｆ８Ｈ６、Ｃ６Ｆ９Ｈ５、Ｃ６Ｆ１０Ｈ４、Ｃ６Ｆ１１Ｈ３、Ｃ６Ｆ１２Ｈ２、Ｃ６Ｆ１３Ｈで表される化合物や、環状のＣ５Ｆ７Ｈ３が例示される。
【００２９】
ハイドロフルオロカーボン類として具体的には以下の化合物が挙げられる。
１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタン、１，１，２，３，４，４−ヘキサフルオロブタン、２−メチル−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、１，２，２，３，３，４−ヘキサフルオロブタン、１，１，１，２，３，３，４−ヘプタフルオロブタン、１，１，２，２，３，４，４−ヘプタフルオロブタン、１，１，１，２，３，４，４−ヘプタフルオロブタン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロブタン、１，１，１，２，３，３，４，４−オクタフルオロブタン、１，１，１，２，２，３，３，４−オクタフルオロブタン、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロブタン、１，１，１，２，２，３，４，４，４−ノナフルオロブタン。
１，１，２，３，３，４，５，５−オクタフルオロペンタン、１，１，１，２，２，５，５，５−オクタフルオロペンタン、１，１，２，２，３，３，４，４，５−ノナフルオロペンタン、１，１，１，２，３，３，４，４，５−ノナフルオロペンタン、１，１，１，２，２，４，５，５，５−ノナフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，５，５，５−ノナフルオロペンタン、１，１，１，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペン
タン、１，１，１，２，２，３，３，４，５，５−デカフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロペンタン、１，１，１，２，２，４，４，５，５，５−デカフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−ウンデカフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，５，５，５−ウンデカフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロヘキサン。
２−トリフルオロメチル−１，１，１，２，４，４−ヘキサフルオロブタン、１，１，１，２，２，５，５，６，６，６−デカフルオロヘキサン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，３，４，５，５−ヘプタフルオロペンタン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，２，３，４，５−ヘプタフルオロペンタン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，２，３，３，４，４−オクタフルオロブタン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，３，４，５，５，５−ノナフルオロペンタン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，２，３，４，５，５−オクタフルオロペンタン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，２，３，５，５，５−オクタフルオロペンタン。
１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキサン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンタン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，２，３，４，５，５，５−ノナフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロヘキサン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，６，６，６−トリデカフルオロヘキサン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン。
【００３０】
なかでも、ハイドロフルオロカーボン類としては、１，１，１，３，３−ペンタフルオロブタン、１，１，１，２，２，３，４，５，５，５−デカフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロヘキサン、２−トリフルオロメチル−１，１，１，２，３，４，５，５，５−ノナフルオロペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロヘキサンが好ましく、これらは単独でも、２種以上を混合して使用してもよい。
【００３１】
本発明における水切り溶剤中のフッ素系溶剤の含有割合は、８０〜９９質量％が好ましく、８５〜９７質量％がより好ましい。
【００３２】
アルコール類としては、アリルアルコール、アルカノール等が使用でき、なかでも炭素数１〜３のアルカノールが好ましく、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール類が特に好ましい。これらは、単独でも、２種以上を混合して使用してもよい。
【００３３】
本発明において、水切り溶剤におけるアルコール類の含有割合が小さすぎると水切り溶剤の水溶解性が低下し、水が付着した物品を水切り溶剤に浸漬したときの、当該物品表面からの水の除去が困難となる。このため、物品を引き上げたときに表面に水が残存して、しみが発生しやすくなる。
【００３４】
一方、水切り溶剤におけるアルコール類の含有割合が大きすぎると、水切り溶剤が引火点を有する組成となり取扱いが煩雑となる。また、水切り溶剤から分離される水に含まれるアルコール濃度が高くなるとともに、水切り溶剤中のアルコール類の含有割合が低下し、水切り性能の維持が困難となる。さらに、水切り溶剤から分離されて排出される水に含まれるアルコール類の濃度が高くなると、その水処理に係る負荷も増大する。このような観点から、本発明において、水切り溶剤におけるアルコール類の含有割合は、１〜２０質量％、特には３〜１５質量％であるのが好ましい。
【００３５】
また、上記アルコール類の含有割合において、ハイドロフルオロエーテル類やハイドロフルオロカーボン類と、アルコール類とが共沸組成を有する場合は、蒸発する際の組成変動を抑制できることから、水切り溶剤としては共沸組成である水切り溶剤を用いるのが最も好ましい。また、共沸様組成物も水切り溶剤として使用可能である。
【００３６】
本発明における水切り溶剤として好ましい具体例を表１に示す。表１に記載の水切り溶剤はアルコール類とフッ素系溶剤の共沸組成物であり、その組成と共沸点を示す。
【００３７】
【表１】
2010090270.tif 000003
【００３８】
本発明におけるフッ素系溶剤には、各種の目的に応じてアルコール類以外の他の成分を含有させることができる。例えば、溶解力を高めるため、揮発速度を調節するために、フッ素系溶剤およびアルコール類以外の有機溶剤（以下、他の有機溶剤という。）をさらに含有させることができる。
【００３９】
他の有機溶剤としては、炭化水素類、ケトン類、ハロゲン原子を含まないエーテル類、エステル類、およびハイドロフルオロカーボン類以外のハロゲン化炭化水素類からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。他の有機溶剤を含有する場合、他の有機溶剤の含有割合は、水切り溶剤の水切り性能を損なわない範囲で、目的を達成できる割合とするのが好ましく、具体的には水切り溶剤に対して１〜２０質量％、特には２〜１０質量％とするのが好ましい。
【００４０】
炭化水素類としては、炭素数５〜１５の鎖状または環状の飽和または不飽和炭化水素類が好ましく、ｎ−ペンタン、２−メチルブタン、ｎ−ヘキサン、２−メチルペンタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ヘプタン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２，４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２，２−ジメチルヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン、３，３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、２，２，３−トリメチルペンタン、２−メチルヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−ノナン、２，２，５−トリメチルヘキサン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、１−ペンテン、２−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、テトラリン、アミルナフタレン等が挙げられる。より好ましくは、ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン等である。
【００４１】
ケトン類としては、炭素数３〜９の鎖状または環状の飽和または不飽和ケトン類が好ましく、具体的には、アセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、メシチルオキシド、ホロン、２−オクタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、２，４−ペンタンジオン、２，５−ヘキサンジオン、ジアセトンアルコール類、アセトフェノン等が挙げられる。より好ましくは、アセトン、メチルエチルケトン等である。
【００４２】
ハロゲン原子を含まないエーテル類としては、炭素数２〜８の鎖状または環状の飽和または不飽和エーテル類が好ましく、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アニソール、フェネトール、メチルアニソール、ジオキサン、フラン、メチルフラン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。より好ましくは、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等である。
【００４３】
エステル類としては、炭素数２〜１９の鎖状または環状の飽和または不飽和エステル類が好ましく、具体的には、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ペンチル、酢酸メトキシブチル、酢酸ｓｅｃ−ヘキシル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸ベンジル、γ−ブチロラクトン、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン酸ジブチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル等が挙げられる。より好ましくは、酢酸メチル、酢酸エチル等である。
【００４４】
ハイドロフルオロカーボン類以外のハロゲン化炭化水素類としては、炭素数１〜６の飽和または不飽和の塩素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，１，２−テトラクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、１，１−ジクロロエチレン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、１，２−ジクロロプロパン等が挙げられる。
【００４５】
次に本発明の水切り方法を具体的に説明する。図１は、本発明の方法を実施するための水切り・乾燥装置の一例を示す概略構成図である。浸漬槽１は上部が開放されている槽であり、その中に水切り溶剤２が液状で貯留されている。浸漬槽１の上部の内周壁には冷却管３が設けられ、冷却管３の表面で凝縮した水切り溶剤は冷却管の下方の内周壁に設けられた樋４で集められ、集められた水切り溶剤は導出管５から浸漬槽１の外に導出される。一方、浸漬槽１には導入管６から新たな水切り溶剤が導入される。ここで、新たな水切り溶剤とは、導出された水切り溶剤よりも水分濃度が低い水切り溶剤であって、導出された水切り溶剤の水分濃度を調整したものであってもよく、別途水を含まない水切り溶剤を用いてもよい。浸漬槽１の底部にはヒーター７が設けられ、ヒーター７による加熱により液状の水切り溶剤２が沸騰状態に保たれている。液状の水切り溶剤２の上部と冷却管３が存在する高さの間には水切り溶剤の蒸気ゾーン８が形成される。
【００４６】
上記のように、浸漬槽１中の水切り溶剤２は沸騰状態に保たれ、蒸発した水切り溶剤は蒸気ゾーン８を形成し、蒸気ゾーン８上部の水切り溶剤蒸気は冷却されて凝縮し、凝縮した水切り溶剤は導出管５から浸漬槽１の外に導出される。一方新たな水切り溶剤が導入管６から浸漬槽１内に導入され、導入される新たな水切り溶剤の量を導出される凝縮した水切り溶剤の量とほぼ同量とすることにより、浸漬槽１中の水切り溶剤２の量を定常状態に保つ。水が付着した物品は、浸漬槽１の開放されている上方から浸漬槽１中の水切り溶剤２の液中に浸漬され、物品に付着した水が水切り溶剤に溶解または分散することによって物品から除去される。その後、物品は水切り溶剤２から引き上げられ、蒸気ゾーン８を通り浸漬槽１から取り出される。水切り溶剤２から引き上げられた物品に付着した水切り溶剤は蒸気ゾーン８から引き上げられ、冷却管３の横を通過し、浸漬槽１の上方から取り出されるまでに蒸発除去される（乾燥される）ことが好ましい。
【００４７】
本発明の方法を実施するための水切り・乾燥装置は、さらに、水分離槽９を備えることが好ましい。水分離槽９は比重分離法により水切り溶剤から水を分離する貯槽であり、析出した水を含む液状の水切り溶剤を静置して、比重差により水切り溶剤の液層上部に水の層を形成し、その水の層から水を取り出すことができる。水分離槽９には、前記導出管５が連結されて、前記凝縮した水切り溶剤が導入され、分離された水は排出管１０より水分離槽９から排出される。一方、水が分離された水切り溶剤は、水分離槽９に連結された導入管６によって水分離槽９から浸漬槽１に戻される。
【００４８】
本発明において、浸漬槽における沸騰状態の水切り溶剤の温度は水切り溶剤の沸点である。なお、ここでいう水切り溶剤の沸点とは、当該水切り溶剤が共沸組成物または共沸様組成物である場合はその共沸点である。また、水切り溶剤が共沸組成物ではない場合は、浸漬槽で沸騰している水切り溶剤の温度が沸点である。なお、共沸様組成物とは、一般的に、真の共沸点を有さないが、蒸発、凝縮を繰り返した後の組成物の組成変化が無視できる程度にしか変化しない組成物をいう。本発明では、蒸発、凝縮を繰り返した後の組成物の組成変化が、アルコール類の割合で±３質量％以内（ただし、アルコール類の含有割合が最低のものでも１質量％以上）である組成物をいう。
【００４９】
本発明の物品の水切り方法においては、水が付着した物品を浸漬槽１に貯留されている水切り溶剤の沸騰状態にある液に浸漬する。物品に付着していた水のほとんどは物品から水切り溶剤中に溶解または分散する。この浸漬の際、沸騰状態の水切り溶剤の流動によって、水除去に要する時間を短縮することができる。物品を水切り溶剤に浸漬する時間は、通常３０秒〜１０分間とすることが好ましい。
【００５０】
水切り溶剤中の水分量を飽和水分濃度以下に保つために、単位時間当たり、水切り溶剤に加わる水の量に対して等量以上の水を浸漬槽中の水切り溶剤から除去する必要がある。定常状態においては、単位時間当たりに水切り溶剤に加わる水の量と水切り溶剤から除去される水の量は等しい。水切り溶剤に加わる水は浸漬された物品から除去される水である（さらに、環境から水が水切り溶剤にもたらされることもある。）。本発明においては、凝縮した水切り溶剤を浸漬槽から導出することにより、凝縮した水切り溶剤に同伴されて水が浸漬槽から除去される。浸漬槽中の水切り溶剤の量をほぼ一定に保つために、凝縮した水切り溶剤の導出量とほぼ等しい量の水切り溶剤が浸漬槽に導入される。導入される水切り溶剤は、水切り溶剤の沸騰温度における飽和水分濃度未満の水を含むかまたは水を含まない水切り溶剤である必要がある。
【００５１】
本発明においては、水切り溶剤蒸気中の水の濃度は沸騰状態の水切り溶剤液中の水の濃度よりも高い。すなわち、本発明における水切り溶剤は、沸騰中の水切り溶剤の飽和水分量よりも多量の水分を同伴して蒸気となる性質をもつ。水切り溶剤蒸気中の水分は凝縮した水切り溶剤に同伴されて浸漬槽から導出されることにより、沸騰中の水切り溶剤中の水分濃度を、少なくとも物品を引き上げる時点において飽和水分濃度以下とすることができる。水切り溶剤中の水分量を、少なくとも物品を引き上げる時点において（好ましくは、定常的に）、飽和水分濃度以下に保つために、物品から加わる水の量に応じて浸漬槽から導出する水の量を調整する。この調整は、凝縮した水切り溶剤の導出量を調節することにより行う。例えば、水の導出量を高めるためには、水切り溶剤の加熱能力を高めて蒸発量を多くしかつ凝縮量を多くして凝縮水切り溶剤の導出量を高める、などの手段を採用することができる。沸騰中の水切り溶剤中の水分濃度はその温度（水切り溶剤の沸点）における飽和水分濃度の９０％以下になるように、水切り溶剤中の水分量を調整することがより好ましい。
【００５２】
本発明においては、図１に示すようにさらに水分離槽９を設け、浸漬槽外に導出した水切り溶剤を水分離槽９に導入し、前記水分離槽９中で比重分離法により水切り溶剤から水を分離し、分離した水を前記水分離槽９から排出し、水が分離された水切り溶剤を前記飽和水分濃度未満の水を含む水切り溶剤として前記水分離槽９から前記浸漬槽１に導入することが好ましい。水分離槽９では水切り溶剤と水が比重分離法により分離される。フッ素系溶剤は水よりも比重が大きく、水はフッ素系溶剤にわずかしか溶解しないため、アルコール含有量が少ない水切り溶剤は水と容易に分離する。水分離槽９に導入した水を含む水切り溶剤を静置すると、アルコール類の溶解した水からなる上層と、水切り溶剤からなる下層に分離する。静置時間は、通常、１〜３０分間程度で充分である。
【００５３】
水分離槽９における水切り溶剤の温度は、分離を容易に迅速に行う観点から、水切り溶剤の沸点よりも１０℃低い温度以上とすることが好ましく、特には沸点よりも５℃低い温度以上とすることが好ましい。すなわち、水分離槽１０における水切り溶剤の温度をＴ、水切り溶剤の沸点をＴｂとしたとき、Ｔｂ−１０≦Ｔ＜Ｔｂとすることが好ましく、特に、Ｔｂ−５≦Ｔ＜Ｔｂとすることが好ましい。水分離槽９における水切り溶剤の温度が（Ｔｂ−１０）よりも低い温度になると、水切り溶剤に溶解していた水や微粒子状で分散していた水が急激に冷却されることによって水切り溶剤と水の懸濁状態を形成しやすい。懸濁が生じると水切り溶剤と水の比重分離が困難となる。そのため、水分離槽９における水切り溶剤の温度は、前記温度範囲に調整することが好ましい。
【００５４】
水分離槽９中で水切り溶剤と水が二層に分離した後に、上層の水を水分離槽９から排出する。排出される水には、アルコール類の他、微量のＨＦＣ類またはＨＦＥ類を含む。このため、排出された水は、蒸留やパーベーパレーション等の手段を用いて、これら水以外の成分を除去して廃棄することが好ましい。また、排出される水からこれら水以外の成分を回収し、再利用することもできる。
【００５５】
水分離槽９において二層に分離した後の下層の水切り溶剤には、水分離槽９の温度における水切り溶剤の飽和量の水分が含まれる。一般的に、水切り溶剤における水の溶解度は、水切り溶剤の液温の上昇に従って高くなる。よって、水分離槽９で水切り溶剤と水の混合物を水切り溶剤の沸点よりも低い温度で分離することによって、下層の水切り溶剤に含まれる水は、沸騰状態の水切り溶剤の飽和水分濃度以下となる。
【００５６】
上記のように、水分離槽９中の下層の水切り溶剤に含まれる水分量は、沸騰状態の水切り溶剤の飽和水分濃度未満の水分量である。したがって、前記飽和水分濃度未満の水を含む水切り溶剤として、この下層の水切り溶剤を、前記水分離槽９から前記浸漬槽１に導入することができる。
【００５７】
前記水分離槽から浸漬槽に戻す水切り溶剤には、その成分調整のためにアルコール類やフッ素系溶剤を添加することができる。例えば、前記のように水分離槽から排出される水にはアルコール類が含まれることより、水分離槽から浸漬槽に戻す水切り溶剤中のアルコール類の量が当初の水切り溶剤中のアルコール類の量よりも少なくなり、水切り性能が低下するおそれを生じる。このため、不足する量のアルコール類を水分離槽から浸漬槽に導入する水切り溶剤に添加することが好ましい。水切り溶剤がアルコール類以外に他の有機溶剤を含有する場合、必要によりアルコール類と同様に不足する他の有機溶剤を水分離槽から浸漬槽に導入する水切り溶剤に添加することができる。
【００５８】
また、物品を浸漬槽から取り出す時に水切り溶剤の一部が持ち出されること、あるいは浸漬槽から導出した水切り溶剤の一部が水分離槽等で逸散することが少なくないことより、たとえ水分離槽から分離導出した水切り溶剤の全量を浸漬槽に戻したとしても、その量は浸漬槽から導出した水切り溶剤の量よりも少なくなり、浸漬槽中の水切り溶剤量が経時的に減少するおそれがある。したがって、この場合は新たな水切り溶剤を水分離槽から分離導出した水切り溶剤とともに浸漬槽に導入することもできる。この新たな水切り溶剤は、水分離槽から分離導出した水切り溶剤とは別個に、浸漬槽に導入することもできる。また、新たな水切り溶剤としては実質的に水分を含まない水切り溶剤を使用できる。
【００５９】
さらに本発明においては、水分離槽から導出される水切り溶剤は、浸漬槽に戻す前にさらに水分が除去されてもよい。例えば、コアレッサ（coalescer）方式のフィルタで濾過し、さらなる水除去を行うことができる。この場合、コアレッサ方式の濾過型水分離装置を水分離槽と浸漬槽の間に設置し、水分離槽から出た水切り溶剤を濾過分離装置でさらに水除去し、濾過型水分離装置から出たより水分量の少ない水切り溶剤を浸漬槽に戻す。
【００６０】
本発明において、浸漬槽外に導出した水切り溶剤から水を除去する方法としては、上記水分離槽を使用した比重分離法に限られるものではない。例えば、前記コアレッサ方式の濾過型水分離装置により水切り溶剤から水を除去することもできる。この場合も、水を除去した後の水切り溶剤は、前記飽和水分濃度未満の水を含む水切り溶剤として浸漬槽に戻すことが好ましい。
【００６１】
本発明において、水切り溶剤を浸漬槽と水分離槽等との間に循環させて水切り溶剤から水を除去する場合、水切り溶剤の循環時間は、特に限定されるものではないが、１分から２時間が好ましく、３０分から１時間がさらに好ましい。循環時間があまりに短時間であると、沸騰のための加熱や凝縮のための冷却に要するエネルギーが非常に大きくなり、さらに水分離槽での水と水切り溶剤の分離が困難になる。また、循環時間が長すぎる場合には、水切り溶剤からの単位時間当たりの水除去量が少なくなり、物品に付着して持ち込まれた水分を充分除去することが困難になり、また水切り処理の効率が低下する。
【００６２】
浸漬槽中の沸騰状態にある水切り溶剤の液に浸漬され、水が除去された物品は、水切り溶剤の液から引き上げられ、その後付着した水切り溶剤が除去（乾燥）される。乾燥は浸漬槽中で行ってもよく、浸漬槽外で行ってもよい。物品に付着した水切り溶剤の除去は浸漬槽上方の冷却管を通過する間で行われることが好ましい。水切り溶剤の蒸気がない場所で物品に付着した水切り溶剤を蒸発させて除去する場合、蒸発熱により物品の温度が低下し、雰囲気中の水分が結露するなどの現象が生じるおそれがある。例えば、物品の熱容量が小さくかつ雰囲気温度が充分高くない場合は、水切り溶剤の蒸発により物品の温度が低下しやすい。その結果、物品の表面の温度が周囲の温度よりも低くなると、雰囲気中の水分が結露する、蒸発するまでの間に物品表面に付着している水切り溶剤が雰囲気中の水分を吸収する、等の現象が起こり、物品の表面にしみが発生することがある。したがって、水切り溶剤の蒸気中で物品の温度を水切り溶剤の沸点まで加温しておくことが好ましい。
【００６３】
浸漬槽外で物品の乾燥を行う場合、浸漬槽から乾燥ゾーンまでの物品の搬送は、途中で部分的に乾燥したり、物品に付着した水切り溶剤が周囲の水分を吸収したりして、しみの発生の原因となるのを防ぐために、水切り溶剤の蒸気雰囲気中で行うことが好ましい。この搬送における蒸気雰囲気、さらに、乾燥ゾーンにおける蒸気雰囲気は、浸漬槽から導出した水切り溶剤、水分離後の水切り溶剤、水を含まない新たな水切り溶剤などの水切り溶剤の蒸気の雰囲気とすることが好ましい。さらには、浸漬槽に貯留した水切り溶剤とは異なる種類の溶剤を使用して、乾燥ゾーンまでの蒸気雰囲気を形成することもできる。
【００６４】
本発明において、物品に付着した水切り溶剤の除去（乾燥）は、好ましくは、浸漬槽中の蒸気ゾーン上方の冷却管３の横で行われる。浸漬槽中の蒸気ゾーンは、例えば図１に示すように、沸騰状態にある水切り溶剤の液の上面と冷却手段の存在する位置の間に形成される。この蒸気ゾーン８で物品の温度を水切り溶剤の沸点まで加温するためには、物品の大きさや形状にしたがって蒸気ゾーンの厚さを充分な厚さとすることが好ましい。蒸気ゾーンの厚さが充分ではない場合や蒸気ゾーンがない場合、物品にしみが発生するおそれが生じる。蒸気ゾーンで水きり溶剤の沸点温度まで加温された物品は蒸気ゾーン８から取り出し後、容易に迅速に乾燥状態となる。
【実施例】
【００６５】
以下、本発明を実施例を用いて説明する。図１に示す装置を用いて実施例１〜５の水切り洗浄の試験を行った。この装置は主として、浸漬工程を行う、ヒーター７を備えた浸漬槽１、および水切り溶剤と水の比重分離を行う水分離槽９から構成されており、各槽の容量は、浸漬槽１が１８Ｌ、水分離槽９が１８Ｌである。
ヒーター７による加熱によって水切り溶剤２が蒸発し、浸漬槽１から減少した水切り溶剤と等量の水切り溶剤が水分離槽１０から浸漬槽１へ送られる。物品による持ち込まれた水を含む水切り溶剤の蒸気は冷却管３で凝縮し、樋４を通って水分離槽９へ送られる。
浸漬槽１のヒーター７を通電することによって、浸漬槽１の水切り溶剤２を沸騰状態にした。また、このヒーター７の通電出力の調節によって、水切り溶剤の循環時間を１時間とした。
浸漬槽１中の水切り溶剤および浸漬槽１中の水切り溶剤蒸気を凝縮させた水切り溶剤の水分濃度は、カールフィッシャー水分測定器を用いて測定した。【００６６】
[実施例１]
水切り溶剤としてアサヒクリンＡＥ−３１００Ｅ（旭硝子株式会社製のハイドロフルオロエーテルとエタノールの共沸混合物：１，１，２，２−テトラフルオロエチル−２，２，２−トリフルオロエチルエーテル（９４）／エタノール（６）、沸点５４℃）を用いて、あらかじめよく洗浄した＃１００のステンレスメッシュ（５ｃｍ×５ｃｍ）を水に浸漬したものを物品とし水切り乾燥試験を行った。
まず、物品を沸点のＡＥ−３１００Ｅに浸漬し、１分間水切りを行った。この際、浸漬槽の懸濁は見られなかった。次にＡＥ−３１００Ｅの蒸気ゾーンで３０秒間蒸気洗浄を行った後に、引き上げた物品の乾燥状態としみ発生の有無を目視にて確認した。蒸気洗浄後のステンレスメッシュの乾燥性は良好であり、良好な水切り乾燥性を示した。【００６７】
[実施例２]
あらかじめよく洗浄したガラス板（５ｃｍ×５ｃｍ）を水に浸漬したものを物品とした以外は、実施例１と同様の水切り乾燥試験を行った。浸漬槽の懸濁は見られず、蒸気乾燥後のガラス板の乾燥性は良好であり、良好な水切り乾燥性を示した。【００６８】
[実施例３]
水切り溶剤としてＡＣ−２２２０（旭硝子株式会社製のハイドロフルオロカーボンとエタノールの共沸混合物、：１,１,１,２,２,３,３,４,４,５,５,６,６−トリデカフルオロヘキサン（９１）／エタノール（９）、沸点６１℃）を用いた以外は、実施例１と同様の水切り乾燥試験を行った。浸漬槽の懸濁は見られず、蒸気乾燥後のステンレスメッシュの乾燥性は良好であり、良好な水切り乾燥性を示した。【００６９】
[実施例４]
水切り溶剤としてＡＣ−２２２０を用いた以外は、実施例２と同様の水切り乾燥試験を行った。浸漬槽の懸濁は見られず、蒸気乾燥後のガラス板の乾燥性は良好であり、良好な水切り乾燥性を示した。【００７０】
[実施例５]
水切り溶剤としてアサヒクリンＡＥ−３１００Ｅを用い、あらかじめよく洗浄したガラス板（５ｃｍ×５ｃｍ）を水に浸漬したものを物品として、実施例１と同様の水切り乾燥を４０回繰り返し行った。試験開始時の浸漬槽１の水分濃度がその溶剤の飽和水分濃度であり、３分に一回、水切り乾燥が行われたとき、４０枚全てのガラス板で蒸気乾燥後の乾燥性は良好であった。
ＡＥ−３１００Ｅの沸点における飽和水分濃度は約６０００ｐｐｍであり、水分離槽から浸漬槽へは水分離槽の液温における飽和水分濃度の水を含む水切り溶剤が送液される。試験開始時の浸漬槽の水分濃度が６０００ｐｐｍで、一回の水切り乾燥においてガラス板に付着した０．３ｇの水が浸漬槽１へ持ち込まれたときの浸漬槽１の水分濃度変化を図３に示す。ガラス板の浸漬直後では浸漬槽１の水分濃度が飽和水分濃度以上であるのに対し、次の水切り乾燥を行う直前では、浸漬槽１のＡＥ−３１００Ｅは飽和水分濃度以下まで水分濃度が減少していた。また、この系において、浸漬槽の沸騰状態を維持しながら繰り返しガラス板の水切り乾燥試験を行ったとき、浸漬槽１のＡＥ−３１００Ｅの水分濃度は、図３に示すように徐々に減少した。また、この試験においては浸漬槽１が白濁することはなかった。従って、浸漬槽の水切り溶剤は、物品に付着している水を溶解することによって、物品から水を除去することができた。また、このとき水切り溶剤の蒸気には常時、飽和水分濃度以上である、約７０００−８０００ｐｐｍの水分が存在した。【００７１】
[比較例１]
水切り溶剤としてアサヒクリンＡＥ−３１００Ｅを用いて、浸漬槽内の溶剤量１８Ｌ、水分離槽を持たない水切り乾燥装置で実施例１と同様の水切り乾燥を繰り返し行う。試験開始時の浸漬槽の水分濃度がその水切り溶剤の飽和水分濃度であり３分に一回、水切り乾燥が行われたとき、全てのガラス板で蒸気乾燥後にはガラス板表面には水が残存し、水切り乾燥ができなかった。また、ガラス板の浸漬回数が１０回目を超えた時点からは浸漬槽は大量の水の存在によって白濁していた。【００７２】
[比較例２]
水切り溶剤としてアサヒクリンＡＥ−３１００Ｅを用いて、図２に示す洗浄装置を使用し、ステンレスメッシュの水切り乾燥を行った。図２の洗浄装置は、浸漬工程を行う浸漬槽１１、比重分離工程を行う水分離槽１２、暴露工程のための蒸気を発生させる蒸気発生槽１３から構成されている。浸漬槽１１は、水切り溶剤１４が満たされ、底部に超音波振動器１５を備えている。各槽の容量は、浸漬槽１１が１８Ｌ、水分離槽１２が１５Ｌ、蒸気発生槽１３が１０〜２０Ｌである。この装置は、水分離槽１２における水切り溶剤が、水分離槽１２の底部からポンプ１６で吸引され約５Ｌ／分で浸漬槽１へ戻される。水分離槽１２から水切り溶剤が供給されることにより、水切り溶剤は浸漬槽１１から樋１７へ溢れ出し、樋１７の底部から水分離槽１２へ流れ込む。実際に水が表面に付着した物品を浸漬槽１１に浸漬した場合は、水切り溶剤の液面に物品から除去した水が浮上するため、樋１７へ流れ出す液は、浮上した水と水切り溶剤の混合液となる。装置上部には冷却菅１８とそこで凝縮した水切り溶剤を受ける樋１９を設けてあり、樋１９に入った溶剤は水分離槽１２に入るようになっている。
浸漬槽１１または水分離槽１２における水切り溶剤の温度を調整する場合は、それぞれヒーター２０または２１の通電を制御することで行った。また、蒸気による暴露工程を実施する場合は、蒸気発生槽１３のヒーター２２を通電して、水切り溶剤を沸騰状態にして蒸気を発生させた。発生した蒸気は冷却菅１８に触れて凝縮して樋１９に入り、水分離槽１２に入る。図２の浸漬槽１１に物品を４５℃のＡＥ−３１００Ｅに浸漬し、超音波を照射して１分間水切りを行った。次にＡＥ−３１００Ｅの蒸気ゾーン２３で３０秒間蒸気洗浄を行った後に、引き上げた物品の乾燥状態としみ発生の有無を目視にて確認した。この操作を３分に１回、４０枚繰り返した結果、洗浄開始直後は、ステンレスメッシュは浸漬槽１１から引き上げた直後に乾燥し、しみの発生は認められなかったが、洗浄開始から約１時間半後、浸漬槽１１内の水切り溶剤１４に水の懸濁が見られ初め、ほぼ同時に、水切り後のステンレスメッシュにしみが発生するようになった。【００７３】
[比較例３]
あらかじめよく洗浄したガラス板（５ｃｍ×５ｃｍ）を水に浸漬したものを物品とした以外は、比較例２と同様の水切り乾燥試験を行った。洗浄開始直後は、ガラス板は浸漬槽１１から引き上げた直後に乾燥し、しみの発生は認められなかったが、洗浄開始から約２時間後、浸漬槽１１内の水切り溶剤１４に水の懸濁が見られ初め、ほぼ同時に、水切り後のガラス板にしみが発生するようになった。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、精密機械工業、光学機械工業、電気電子工業またはプラスチック工業等において、レンズ、液晶表示装置部品、電子部品、精密機械部品等の物品表面の水を除去するための水切り乾燥に適用できる。
なお、２００９年２月９日に出願された日本特許出願２００９−０２７３０４号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【００７５】
１、１１：浸漬槽
２、１４：水切り溶剤
３、１８：冷却管
４、１７、１９：樋
５：導出管
６：導入管
７、２０、２１、２２：ヒーター
８、２３：蒸気ゾーン
９、１２：水分離槽
１０：排出管
１３：蒸気発生槽
１５：超音波振動器
１６：ポンプ
【図１】
2010090270.tif 000004
【図２】
2010090270.tif 000005
【図３】
2010090270.tif 000006
【国際調査報告】
2010090270.tif 000007
2010090270.tif 000008