【事件の表示】
　特許第２９６５７３７号「ウェハ加熱・監視システム及びその動作方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９６５７３７号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．本件発明
　本件特許第２９６５７３７号の請求項１〜５に係る発明は、平成３年４月１７日（パリ条約による優先権主張１９９０年４月１９日、米国）に特許出願され、平成１１年８月１３日に設定登録され、その後、畠　明および志賀　孝から特許異議の申立がなされたものであり、請求項１〜５に係る発明は、設定登録時の願書に添付された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次のとおりのものである。
【請求項１】真空チャンバ内の半導体ウェハの温度を間接的に測定する装置であって、サセプタと前記サセプタの前面上に支持されたウェハ間で高速の熱応答性を与えるための一定の放射特性を有するサセプタと、前記サセプタの背面を均一に加熱するための円形配列されたランプによる加熱源と、前記サセプタと前記加熱源の間に配置された放射エネルギ透過ウインドウと、前記サセプタの背面の実質的全てが前記加熱源に曝されるように、サセプタをその周辺で支持する複数のピンと、前記サセプタの背面の温度を監視することによって、ウェハの温度を間接的に監視するための手段、を有することを特徴とする装置。
【請求項２】前記サセプタの背面の温度を監視するための手段は、赤外線センサであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】前記サセプタの背面の温度を監視するための手段は、熱電対であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】真空チャンバ内の半導体ウェハの温度を監視するための方法であって、一定の放射特性を有するサセプタを備えるステップと、前記サセプタの背面の実質的全てが円形配列されたランプの加熱源に曝されるように、複数のピンを用いてサセプタをその周辺で支持するステップと、前記サセプタと前記加熱源の間に放射エネルギ透過ウインドウを備えるステップと、前記加熱源を用いてサセプタの背面を均一に加熱するステップと、前記サセプタの背面の温度を監視することによって、ウェハの温度を間接的に監視するステップ、を有することを特徴とする方法。
【請求項５】更に、選択された温度範囲にわたって、別々に前記ウェハと前記サセプタの温度を測定することによって、前記ウェハとサセプタ間の温度差を予め決定するステップと、前記サセプタの温度からウェハの温度を得るステップ、を有することを特徴とする請求項４に記載の方法。
（以下、請求項１〜５に係る発明を、それぞれ、本件発明１〜５という。）。
ＩＩ．特許異議申立の理由の概要
理由１：
　特許異議申立人：畠　明（以下、申立人Ａという。）が、証拠として、甲第１号証［特開昭６３−２４６８２９公報、以下、刊行物１という。］、甲第２号証［米国特許第４８５４７２７号明細書、以下、刊行物２という。］、甲第３号証［特開昭６１−１４２７３７号公報、以下、刊行物３という。］および甲第４号証［特開昭６２−１５８１６号公報、以下、刊行物４という。］を提出し、特許異議の申立で主張した理由は、次のとおりである。
　本件発明１〜５は、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができた発明であり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してなされたものであって取り消されるべきものである。
理由２：
　特許異議申立人：志賀　孝（以下、申立人Ｂという。）が、証拠として、甲第１号証［米国特許第４８５４７２７号明細書、前記刊行物２］、甲第２号証［特開昭６４−５０１４号公報、以下、刊行物５という。］、甲第３号証［特開昭６３−１８６４２４号公報、以下、刊行物６という。］および甲第４号証［特開平１−１０３９８３号公報、以下、刊行物７という。］を提出し、特許異議の申立で主張した理由は、次のとおりである。
　本件発明１〜５は、刊行物２に記載された発明と実質的に同一発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当するものであるから、本件発明に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してなされたものであって取り消されるべきものである。
ＩＩＩ．刊行物１〜７の記載
刊行物１：
（１ａ）熱ＣＶＤ／ＰＥＣＶＤリアクターおよび二酸化ケイ素の熱化学蒸着に対する使用並びに現場多段階プレーナ化プロセス（発明の名称）
（１ｂ）「熱化学蒸着、プラズマ強化化学蒸着・・・に適する半導体処理リアクターであって、選んだ位置に処理するウェーハを装備する室を中に規定するハウジング、・・・真空排出ポンプ装置、・・・薄い高輻射能サセプター、・・・サセプターおよびその上に配置されたウェーハを・・・選択位置に・・・配置する・・・可動サセプター支持装置、室の底を形成する透明窓、ハウジングに窓の下に装備され、近赤外ランプおよび放射エネルギーの平行ビームを石英窓を通してサセプター上に、サセプターの中心よりその縁部に実質的に高い入射出力密度で向かわせる円形配列にランプを装備する円形反射器モジュールを含む放射加熱装置、・・・を含むリアクター。」（請求項７参照）
（１ｃ）「リアクター設備１０は、典型的にはアルミニウムで作られ、プラズマ処理領域１４（第６図）を有する内部真空室１３を規定するハウジング（また「室」と称される）を含む。」（１１頁右下欄１７〜２０行）
（１ｄ）「ガスボックスまたはマニホールド２６に対するＲＦエネルギーの適用はウェーハの接地対向電極またはサセプター１６上にある利点を有し、それが、ＲＦエネルギーをウェーハに適用しガスボックスを接地すれば達成できない高度のプラズマ幽閉を可能にする。さらに、ハードウエアは、ウェーハ／サセプターと室との間に電気的距離を必要としない（または許される）ので、機械的および電気的に簡単である。高周波電気および磁気界の存在下のサセプター／ウエーハの温度測定および制御は接地したサセブター１６で単純化される。」（１２頁右上欄２０行〜同頁左下欄１０行）
（１ｅ）「ウェーハ輸送設備１８は複数の半径方向に延びるウェーハ支持フィンガ２０を含み、それはサセプター１６の周辺に配置され、間隔が置かれ、半円形装備バーまたはブラケット３８に装備される。同様に、半径方向に延びるサセプター支持フィンガ２２がサセプターの周辺に間隔を置かれ、・・・半円形バーに装備される。」（１２頁右下欄５〜１３行参照）
（１ｆ）「アルミニウムベース６０および凹底環状溝６２は中央よりもサセプター縁部に高い放射出力密度を向かわせる高い収集効率のコリメート反射器を与える。この不均一集中放射がサセプターウェーハの周辺を加熱し、それがウェーハ端部熱損を補償し、・・・均一なウェーハ温度を与える。」（１４頁左下欄２〜９行参照）
（１ｇ）「我々のリアクターは適合させた不均一近ＩＲ放射加熱パターンおよび薄い低質量高輻射能サセプターを用い、熱効率、迅速熱応答（加熱および冷却）、薄い円形ウェーハの・・・優れた温度均一性・・・などを与える」（２０頁右上欄１８行〜同頁左下欄３行参照）。
刊行物２：
（２ａ）「放射率較正装置および方法」（発明の名称）
（２ｂ）「チャンバ内のグラファイト・サセプタ上にサンプル・ウエハを支持し、ウエハの中心のすぐ近くのサセプタ内で測定された温度を、処理チャンバの壁を介してウエハの表面からの放射線の放射によって測定された温度と比較することによって、処理チャンバ内の半導体ウエハの放射率特性を較正する改善された方法及び装置。類似のウエハの表面より放射される放射線からその後に得られる温度測定値は、サンプル・ウエハのサセプタ内温度の測定値に照らして補正される。」（要約の欄）
（２ｃ）「本発明によれば、改善されたサセプタは、後のウエハを処理するのと全く同じ条件で処理チャンバ内にサンプル・ウエハを支持する。サセプタは、真空によってサセプタに保持されるサンプル・ウエハの中心のすぐ近くに配置された熱電対などの温度検出素子を備えたサンプル・ウエハのグラファイト支持要素を含む。・・・チャンバ外側に配置された強力な非可干渉光光源からの放射の処理チャンバ内の条件下で、サセプタとサンプル・ウエハが無理なく迅速に熱平衡となる。したがって、サンプル・ウエハと高伝熱接触したサセプタ内の温度センサは、チャンバ内で処理されるその後のすべての類似のウエハに、類似のチャンバの壁からの間隔、チャンバ内の雰囲気、表面の回路配列などの条件下で、ウエハ（したがって、その表面）の実際の温度を正確に測定する。同時に、サンプル・ウエハの表面処理温度は、たとえば、サンプル・ウエハから（ならびに処理チャンバの壁および高温計の視野内の放射線源から）の放射光を検出する光学高温計によって検出される。したがって、光学高温測定による温度の測定値を、サンプル・ウエハの実際の温度の熱電対による測定値と関連付けて、高温計の示度を修正することができる。その後、サンプル・ウエハの温度を熱的に測定する際に採用された条件と実質上同一の条件下で後の処理チャンバ内の類似ウエハの放射温度を測定することにより、チャンバ内で処理する類似ウエハの温度測定の速度と精度が大きく改善される。」（第１欄第４２行〜第２欄 第１４行参照）
（２ｄ）「このチャンバ４３は、・・・処理チャンバ４３の石英壁４７を介してウエハ１０とサセブ夕９を照射する強力な非可干渉光光源４５で取り囲まれている。ウエハの表面から出る狭い視野５０の放射束を検出するために、処理チャンバ４３の外側に光高温計４９が配置される。」（第３欄第２７〜３５行参照）。
刊行物３：
（３ａ）「化合物半導体結晶を熱処理する方法において、密閉される透明石英容器内のサセプタ上に半導体結晶を収容し、同時に解離を防ぐための蒸気圧制御用蒸発源を収容して、この透明石英容器内部を赤外線ランプによりフラッシュ加熱することを特徴とする半導体結晶の熱処理方法。」（特許請求の範囲）
（３ｂ）「ＧａＡｓのような化合物半導体結晶のフラッシュ加熱を用いた熱処理方法に関する。」（１頁左下欄１３〜１４行）
（３ｃ）「第１図は使用した収納容器の断面図である。透明石英容器（１１）は本体（１１ａ）と蓋（ｌ１ｂ）で構成されている。本体（１１ａ）の中間のサセプタ支持用の爪（１２）の上にＳｉウエハ又はグラファイト製のサセプタ（１３）があり、この上にＧａＡｓ結晶基板（１４）が収納される。また、本体底部にサセプタと同一形状のＳｉウエハ又はグラファイト製の加熱板（１５）があり、この上にＡｓ蒸気圧制御のＡｓ固体粉末（１６）が収納される。第２の部室で発生するＡｓ蒸気は本体（１１ａ）の中間の爪（１２）とサセプタ（１３）の間かｒ第１の部室に拡散できるようになっている。容器本体（１１ａ）と蓋（１１ｂ）はスリ合わせで密閉効果が得られているが、Ａｓが過剰にかからないようにリーク用の溝（１７）がもうけてある。また、温度は熱電対（１８）でモニタできる。・・・中略・・・第２図に示すように上下の独立の光源（２１）（２２）をそなえたフラッシュ・アニール炉（２３）にこの容器（２４）を挿入し、赤外線（２５）を照射した。光源はそれぞれ赤外線ランプ（２６）（２７）が複数個づつ装着され、反射鏡（２９）（３０）をそなえている。」（第２頁左下欄第１０行〜右下欄第１３行）
（３ｄ）上記（３ｃ）の内容を示す図面（第１図および第２図）。
刊行物４：
（４ａ）「反応室の内部に位置し、半導体ウエハを載置するサセプターと、前記反応室の外部に位置し、前記サセプターの上方に設けた赤外線ランプと、内部に貫通孔を有し前記サセプターを保持するサセプター回転軸と、前記サセプターを回転させる手段と、前記サセプター回転軸の下方に配置した赤外線輻射温度計とからなり、サセプター回転軸の貫通孔を介して赤外線輻射温度計により、サセプターもしくは半導体ウエハの温度を測定して温度制御を行うことを特徴とする赤外線加熱装置。」（特許請求の範囲）
（４ｂ）「まず、半導体ウエハ１７をサセプター１８の上面に載置する。・・・中略・・・この際、半導体ウエハ１７を６００℃以上の所望の温度に加熱するため、サセブター１８の裏面温度を赤外線輻射温度計２５で測定し、赤外線ランプ２６に供給する電力パワーを制御する。この場合、半導体ウエハ１７に比べサセプター１８は赤外光に対する吸収率が高く、熱容量が大きいために、半導体ウエハ１７はサセプター１８とほほ同じ温度になり、また、赤外線輻射温度計２５は赤外線ランプ自身の赤外光を直接受けることがないので測定した温度は大略半導体ウエハの温度とほぼ同じ温度を示していることになる。」（第３頁右上欄第９行〜左下欄第７行）。
刊行物５：
（５ａ）「この装置では石英トレー９と半導体基板８の間に、シリコンで構成された熱媒体トレー１０を設けている点である。・・・中　略・・・石英チューブ２内を例えば窒素ガスで置換した後、加熱源であるハロゲンランプ３を点灯する。その結果、上部のランプ３からの熱輻射により半導体基板８の上面側が加熱されるとともに、下部のランプ３からの熱幅射により熱媒体トレー１０が加熱され、この熱媒体トレー１０の熱伝導を利用して半導体基板８の下面側が加熱される。このように半導体基板８の下面側が熱媒体トレー１０の熱伝導を利用して加熱されるため基板下面の表面状態にかかわらず基板ごとに一様な熱吸収は、従来例でも述べたように、基板が変っても一様な熱吸収特性が得られている。また、加熱処理期間中においては、熱媒体トレー１０との相互間で熱伝導が行なわれるため、熱媒体トレー１０の温度は半導体基板８の温度とほぼ等しく保たれる。そして、この熱媒体トレー１０の下面側の温度が光温度計７で測定され、この測定温度に基づきランプ３の光量が調整されて半導体基板８の温度制御が行なわれる。この場合、熱媒体トレー１０の下面を平滑面に仕上げておけば、そのトレー下面での乱反射が低減されて測定温度と実際の温度との間の誤差が減少し、温度制御が精度良く行われる。」（２頁右下欄１７行〜３頁右上欄１３行）
（５ｂ）上記（５ａ）の内容を示す図面（第１図）。
刊行物６：
（６ａ）半導体基板の熱処理に用いる測温光学系を備えた光加熱装置において、チャンバの一方の壁をドーム状に形成し、環状光源をドーム壁に沿って配置してチャンバ外周に至るほど半導体基板との距離を接近させることにより、真空耐圧性および加熱効率を向上させることが記載されている（特許請求の範囲、２頁左下欄８〜１９行、２頁右下欄１３〜１６行、４頁右上欄３〜７行、第１Ａ図、第１Ｂ図参照）。
刊行物７：
（７ａ）「分子線エピタキシ装置用サセプタ」（発明の名称）
（７ｂ）「第３図、第４図に本発明のサセプ夕の受け渡しの方法を述べている。受け取る側に設けた最低３本の支持棒８の先端が、そのサセプタ側面の溝形状に合った形状をしており、サセプタ側面からはさみ込んで固定する。」（２頁左上欄１９行〜同頁右上欄３行、第３図及び第４図参照）。
　
ＩＶ．特許異議申立の理由の検討
ＩＶ−１．理由２について：
［本件発明１について］
　刊行物２には、前記（２ａ）〜（２ｄ）からみて、以下の発明（以下、刊行物２発明という。）が記載されていると認める。
　真空チャンバ内の半導体ウェハの温度を測定する装置であって、サセプタとサセプタ上に支持されたウェハ間で高速の熱応答性を与えるための一定の放射特性を有するサセプタと、サセプタの背面を加熱するためのランプによる加熱源と、サセプタと加熱源の間に配置された放射エネルギ透過ウインドウと、サセプタの背面の実質的全てが前記加熱源に曝されるように、サセプタをその周辺で支持する２つのタブと、ウェハ温度を実測して、その実測値を予め測定したサセプタ内温度とサンプル・ウェハ温度との関連に基づき補正してウェハの温度を監視する手段、を有することを特徴とする装置。
　そこで、本件発明１と刊行物２発明とを比較すると、
　両者は、
　真空チャンバ内の半導体ウェハの温度を測定する装置であって、サセプタとサセプタ上に支持されたウェハ間で高速の熱応答性を与えるための一定の放射特性を有するサセプタと、サセプタの背面を加熱するためのランプによる加熱源と、サセプタと加熱源の間に配置された放射エネルギ透過ウインドウと、サセプタの背面の実質的全てが前記加熱源に曝されるように、サセプタをその周辺で支持する複数の部材と、ウェハの温度を監視する手段、を有することを特徴とする装置である点、
　において、共通し、以下の点で相違する。
　（い）本件発明１は、ウェハの温度の監視する手段が、「サセプタの背面の温度を監視することによって、ウェハの温度を間接的に監視する」ものであるのに対し、刊行物２発明は、サセプタの背面の温度を監視することはせず、ウェハ温度を実測し、その実測値を予め測定したサセプタ内温度とサンプル・ウェハ温度との関連に基づき補正して、ウェハの温度を監視するものである点、
　（ろ）本件発明１は、「サセプタの背面を均一に加熱するための円形配列されたランプによる加熱源」を有するものであるのに対し、刊行物２発明は、サセプタの背面を加熱するためのランプは有するものの、ランプがサセプタの背面を均一に加熱するための円形配列に配列されているか否かについては不明である点、
　（は）本件発明１は、サセプタをその周辺で支持する部材が、「複数のピン」であるのに対し、刊行物２発明は、２つのタブである点。
　そこで、これらの点が刊行物２の記載に実質的に記載されているといえるか否かを検討する。
　刊行物２発明は、それ自体、サセプタの背面温度の監視を必要とするものでなく、刊行物２には、図面の記載を含めた全ての記載をみても、サセプタの背面温度を測定することやその手段について何ら記載がないから、刊行物２に、サセプタの背面の温度を監視することが記載又は示唆されているとすることはできない。
　そして、刊行物５〜７には、以下の記載があるものの、「サセプタの背面の温度を監視することによって、ウェハの温度を間接的に監視する」という構成が刊行物２に実質的に記載されているとする根拠になるような記載は認められない。
　刊行物５には、熱媒体トレーを石英トレーで支持し、熱媒体トレーの上に半導体基板を搭載し、熱媒体トレーの背面から加熱し、熱媒体トレーの下面側の温度を光温度計で測定し、この測定温度に基づきランプの光量を調整して半導体基板の温度制御を行うようにした半導体製造装置の温度制御手段が記載されている［前記（５ａ）〜（５ｂ）参照］。
　刊行物６には、半導体基板の熱処理において、加熱源として、円形配列されたランプを用いることが記載されている［前記（６ａ）参照］。
　刊行物７には、分子線エピタキシ装置において、サセプタの支持にその周辺を支持する複数のピンを用いることが記載されている［前記（７ａ）〜（７ｂ）参照］。
　してみると、前記相違点（い）に係る本件発明１の構成が、刊行物２に実質的に記載されているとすることはできず、したがって、他の相違点（ろ）および（は）を検討するまでもなく、本件発明１が刊行物２に実質的に記載されているとすることはできない。
［本件発明２から５について］
　本件発明２〜５は、いずれも、本件発明１と同様に、「サセプタの背面の温度を監視することによって、ウェハの温度を間接的に監視する」という構成を含むものであるところ、この構成が刊行物２に実質的に記載されたものであるといえないことは、本件発明１について前記したとおりである。
　したがって、本件発明２〜５は、本件発明１と同様に、刊行物２に実質的に記載されているとすることができない。
　以上のとおりであるから、前記理由２の主張は採用できない。
ＩＶ−２．理由１について：
［本件発明１について］
　刊行物１には、前記（１ａ）〜（１ｇ）からみて、以下の発明（以下、刊行物１発明という。）が記載されていると認める。
　真空チャンバ内に、サセプタとサセプタの前面上に支持されたウェハ間で高速の熱応答性を与えるための一定の放射特性を有するサセプタと、サセプタの背面をサセプターの中心よりも縁部の入射出力密度が実質的に高くなるように、そして、サセプター周辺が不均一集中放射加熱されるように、加熱するための円形配列されたランプによる加熱源と、サセプタと加熱源の間に配置された放射エネルギ透過ウインドウと、サセプタの背面の実質的全てが加熱源に曝されるように、サセプタをその周辺で支持する複数のピンとを有することを特徴とする半導体処理装置であって、サセプターやウェーハの温度測定および制御を行うようにした装置。
　そこで、本件発明１と刊行物１発明とを比較すると、
両者は、
「真空チャンバ内に、サセプタとサセプタの前面上に支持された半導体ウェハ間で熱応答性を与えるための一定の放射特性を有するサセプタと、サセプタの背面を加熱するための円形配列されたランプによる加熱源と、サセプタと加熱源の間に配置された放射エネルギ透過ウインドウと、サセプタの背面の実質的全てが加熱源に曝されるように、サセプタをその周辺で支持する複数のピンとを有する装置」を構成とするものである点において共通し、
　以下の点で相違する。
　（に）本件発明１は、「半導体ウェハの温度を間接的に測定する装置であって、
サセプタの背面の温度を監視することによって、ウェハの温度を間接的に監視する手段を有することを特徴とする装置」であるのに対し、刊行物１発明は、「半導体処理装置」に係り、サセプターやウェーハの温度測定および制御については、単にそれを行うとされているのみで、その具体的内容は明らかにされていない点、
　（ほ）本件発明１は、前記「サセプタの背面を加熱するための円形配列されたランプによる加熱源」について、「サセプターの背面を均一に加熱するための加熱源」としているのに対し、刊行物１発明は、サセプターの中心よりも縁部の入射出力密度が実質的に高くなるように、サセプター周辺が不均一集中放射加熱されるようにする加熱源としている点。
　他方、刊行物２に記載された刊行物２発明および該発明と本件発明１との相違点については前記したとおりである。
　そこで、前記相違点（い）〜（ほ）に係る本件発明１の構成が刊行物１〜４の記載から当業者が容易に想到できるものであるか否を検討する。
　刊行物１発明は、サセプターの中心よりも縁部の入射出力密度が実質的に高くなるようにすることによって、ウェーハ端部熱損を補償して均一なウェーハ温度を与えるようにしつつ処理を行うというものであるから、サセプター背面の温度は、不均一な分布を示しているはずであり、サセプターの背面の温度とウェーハ温度との関係はその測定位置により異なってくるはずであり、したがって、ウェーハ温度が直接測定できずウェーハ温度とサセプター背面温度との対応関係が測定位置を含めて明確になっている等の特段の事情がないかぎり、ウェーハ温度の監視をサセプターの背面の温度の監視により行おうとは考えないものであるところ、刊行物１には、サセプターやウェーハの温度測定および制御を行う旨の一行記載があるのみで、前記のような特段の事情を示す記載はないから、相違点（に）に係る本件発明１の構成に想到することが刊行物１の記載に基づき当業者にとって容易であるとすることはできない。
　刊行物２には、前記したように、相違点（い）に係る本件発明１の構成について記載も示唆もないと認められるところ、相違点（に）に係る本件発明１の構成は、相違点（い）に係る本件発明１の構成を包含するものであるから、刊行物２に相違点（に）に係る本件発明１の構成が記載又は示唆されているとすることはできず、したがって、刊行物２の記載をみても、相違点（に）に係る本件発明１の構成に想到することが当業者にとって容易であるとすることはできない。
　刊行物３には、サセプタの背面の温度を熱電対で監視し間接的にウエハの温度を監視することが記載されていると認められるものの［前記（３ａ）〜（３ｄ）参照］、そこに記載されたサセプタは、Ａｓ固体粉末（１６）が収納された加熱板（１５）で赤外線ランプから遮られ、背面が赤外線ランプにより加熱されることのないものであり、この点で、刊行物１発明や刊行物２発明におけるサセプタとは異なり、さらに、刊行物３に記載された方法を刊行物１発明や刊行物２発明に適用すると、熱電対自体が加熱され正確な温度測定ができないと予想されるから、刊行物３の記載をみても、刊行物１発明や刊行物２発明において刊行物３に記載されたウエハの温度の監視技術を採用すること、すなわち、相違点（に）に係る本件発明１の構成を採用することが当業者に容易であるとすることはできない。
　刊行物４には、サセプタの背面の温度を監視することによって、ウェハの温度を間接的に監視するための手段を備えた装置が記載されているものの［前記（４ａ）〜（４ｂ）参照］、そのサセプタは、背面が加熱されるものでなく、刊行物１発明や刊行物２発明におけるサセプタとは置かれる状態が異なるものであるから、刊行物４の記載をみても、そのウエハの温度の監視技術を刊行物１発明や刊行物２発明に適用しようとすること、すなわち、相違点（に）に係る本件発明１の構成を採用しようとすることが当業者にとって容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、前記（に）の相違点に係る構成を採用することにより、明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　してみると、本件発明１は、刊行物１発明や刊行物２発明に対するの他の相違点について検討するまでもなく、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
［本件発明２から５について］
　本件発明２〜５は、いずれも、本件発明１と同様に、「サセプタの背面の温度を監視することによって、ウェハの温度を間接的に監視する」という構成を含むものであるところ、この構成が刊行物１〜４の記載から当業者が容易に想到できたものでないことは前記したとおりである。
　そして、本件発明２〜５は、前記（に）や（は）の相違点に係る構成を採用することにより、明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　してみると、本件発明２〜５は、刊行物１発明や刊行物２発明に対する他の相違点について検討するまでもなく、刊行物１〜４に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　以上のとおりであるから、前記理由１の主張は採用できない。
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜５に係る特許は、申立人ＡおよびＢの特許異議申立の理由および証拠によっては取り消すことができない。
　また、他に本件発明１〜５に係る特許を取消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月１１日（２００１．１２．１１）