(57)【要約】モールドに形成された凹凸パターンを被転写体に転写すべくモールドを被転写体に押圧させた後、モールドを被転写体に押圧させる押圧値をゼロにした状態でモールド及び被転写体の内の少なくとも一方を撓ませつつモールドを被転写体から離型する。
2010143303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置であって、
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧手段と、
前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓手段と、
前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有することを特徴とする転写装置。
【請求項２】
前記減圧手段は、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる動作を停止させることで、前記押圧力を打ち消すことを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項３】
前記減圧手段は、前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる際に前記押圧力の一部を打ち消させ、
前記押圧力の少なくとも一部が打ち消された状態で、前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませるべく前記加撓手段を制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１記載の転写装置。
【請求項４】
前記加撓手段は、前記モールドを第１方向に撓ませると共に、前記被転写体を前記第１方向とは異なる第２方向に撓ませることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の転写装置。
【請求項５】
前記第１方向は、前記被転写体から離型する方向であることを特徴とする請求項４に記載の転写装置。
【請求項６】
前記加撓手段は、前記モールドの外周部に前記モールドを撓ませる力を加えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１に記載の転写装置。
【請求項７】
前記被転写体に形成されている孔に貫通させて当該被転写体を支持する下側支持手段と、前記下側支持手段によって支持された前記被転写体を前記下側支持手段に押さえ付ける上側支持手段と、を有し、
前記加撓手段は、前記上側支持手段で前記被転写体を押圧することで前記被転写体を内周部から撓ませることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載の転写装置。
【請求項８】
前記加撓手段は、前記モールドの外周部の複数の箇所に夫々力を加える把持部を含み、
前記制御手段は、前記外周部の複数の箇所に夫々異なるタイミングで力を加えさせることを特徴とする請求項３〜７のいずれか１に記載の転写装置。
【請求項９】
モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写方法であって、
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧ステップと、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧ステップと、
前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓ステップと、
前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型ステップと、を有することを特徴とする転写方法。
【請求項１０】
モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置であって、
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧手段と、
前記モールドを撓ませる加撓手段と、
前記モールドが撓んだ状態で、前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有することを特徴とする転写装置。
【請求項１１】
モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置であって、
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧手段と、
前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓手段と、
前記モールドが撓んだ状態で、前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有することを特徴とする転写装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被転写体に凹凸パターンを転写する転写装置及び転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、凹凸状の微細パターンを各種部材の表面に転写する転写装置が提案されている（例えば、特許文献１の図７及び図８参照）。かかる転写装置においては、型に形成されている微細な転写パターンを被成型品に転写した後に、被成型品から前記型を離す動作の際に、型、被成型品の少なくともいずれかを変形させて、被成型品から型を離す分離手段を有することが開示されている（特に〔０１２０〕〜〔０１２１〕の記述）。これにより、被転写体に形成される微細なパターンを破壊することなくモールドを被転写体から離型できるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−５６７６２号公報
【特許文献２】特開２００９−６００９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、転写パターンを破壊させることなく良好にモールドを被転写体から離型させることが可能な転写装置及び転写方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１による転写装置は、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置であって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧手段と、前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓手段と、前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有する。【０００６】
又、請求項９記載による転写方法は、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写方法であって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧ステップと、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力の少なくとも一部を打ち消す減圧ステップと、前記モールド又は前記被転写体の少なくとも一方を撓ませる加撓ステップと、前記モールドと前記被転写体とを離型させる離型ステップと、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明に係るインプリント装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示すインプリント装置において実施されるインプリント方法を示すフローチャートの一例を示す図である。
【図３】図１に示すインプリント装置において実施されるインプリント方法を示すフローチャートの一例を示す図である。
【図４】両面転写動作の各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及び下側センターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。
【図５】両面転写動作の各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及び下側センターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。
【図６】両面転写動作の各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及び下側センターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。
【図７】両面転写動作の各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及び下側センターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。
【図８】上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの概略構成を示す図である。
【図９】基板６の概略構成を示す図である。
【図１０】両面パターン転写を行った際に実行される離型処理ルーチンの一例を示す図である。
【図１１】上側モールドの離型動作の一例を説明する為の図である。
【図１２】下側モールドの離型動作の一例を説明する為の図である。
【図１３】両面パターン転写を行った際に実行される離型処理ルーチンの他の一例を示す図である。
【図１４】図１３に示す離型処理ルーチンによる離型動作時におけるインプリント装置の各段階毎の状態を表す図である。
【図１５】図１３に示す離型処理ルーチンによる上側モールドの離型動作を説明する為の図である。
【図１６】両面パターン転写を行った際に実行される離型処理ルーチンの他の一例を示す図である。
【図１７】図１６に示す離型処理ルーチンによる離型動作時におけるインプリント装置の各段階毎の状態を表す図である。
【図１８】図１６に示す離型処理ルーチンによる上側モールドの離型動作を説明する為の図である。
【図１９】片面パターン転写を行った際に実行される離型処理ルーチンの一例を示す図である。
【図２０】図１９に示す離型処理ルーチンによる離型動作時におけるインプリント装置の各段階毎の状態を表す図である。
【図２１】図１９に示す離型処理ルーチンによるモールドの離型動作を説明する為の図である。
【図２２】モールド押圧時の［状態９］から、図１３、図１６、図１９に示す離型処理ルーチンによるモールド離型時の［状態１４］までの間における上側ステージの駆動力の遷移を示す図である。
【図２３】モールド（５０３ａ、５０３ｂ）の外縁部を把持する複数の把持部（５０９a1〜５０９a3、５０９b1〜５０９b3）毎に所定力ｆを掛け始める開始タイミングをずらす場合の動作を説明する為の図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
モールドに形成された凹凸パターンを被転写体に転写すべくモールドを被転写体に押圧させた後、モールドを被転写体に押圧させる押圧値を低下させる、もしくはゼロにした状態でモールド及び被転写体の内の少なくとも一方を撓ませつつモールドを被転写体から離型する。これにより、モールド及び被転写体の外縁部から内周に向けて徐々にモールドの凹凸パターンが被転写体の転写層から剥がれて行くので、この被転写体が例え磁気ディスク基板の如き比較的大面積を有するものであっても、その転写層に転写された凹凸パターンを破壊することなく、モールドを被転写体から離型することが可能となる。
【実施例】
【０００９】
図１は、本発明による転写装置としてのＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）式、つまり紫外線硬化式のインプリント装置の概略構成を示す断面図である。【００１０】
尚、このインプリント装置は、夫々に転写すべき凹凸パターンが形成されている上側モールド及び下側モールド（後述する）にて、被転写体としての基板（転写層を含む）の両面にパターン転写を行なうものである。【００１１】
図１に示すように、かかるインプリント装置は、上側機構部、下側機構部、これら上側機構部及び下側機構部を制御するコントローラ２００、及び操作部２０１から構成される。【００１２】
上側機構部は、上側センターピン３０ａ、上側デバイスステーション９０ａ、上側モールド保持部５０１ａ、ボード状の上側ステージ５０５ａ、上側センターピン駆動ユニット５０７ａ、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａ及び上側モールド把持ユニット５１０ａを備える。【００１３】
上側ステージ５０５ａには、図１に示す如き開口部１００ａと共に、後述するボールネジ５１２がねじ込まれるネジ溝が切られているネジ穴部が存在する。上側ステージ５０５ａの下面には上記開口部１００ａを覆うように透明材料からなる上側モールド保持部５０１ａが設置されており、その上面には上側デバイスステーション９０ａが設置されている。上側デバイスステーション９０ａ上には、上側センターピン駆動ユニット５０７ａ及び上側ＵＶ照射ユニット５０８が移動自在な形態で設けられている。上側デバイスステーション９０ａは、上側センターピン駆動ユニット５０７ａ及び上側ＵＶ照射ユニット５０８ａの内で、コントローラ２００から供給されたユニット指定信号ＵＳUによって指定された方のユニットをユニット動作位置（例えば開口部１００ａの中心位置）に移動させる。上側センターピン駆動ユニット５０７ａは、コントローラ２００から供給された上側センターピン移動信号ＣＧUに応じて、上側センターピン３０ａを、上側モールド保持部５０１ａの上側モールド保持面ＤＦU（後述する）の中心に設けられている中心孔を貫通させて、このモールド保持面ＤＦUに対して垂直な方向に移動させる。上側ＵＶ照射ユニット５０８ａは、コントローラ２００から供給された上側紫外線照射信号ＵＶUに応じて、転写材料を硬化させるべきエネルギー線としての紫外線を、開口部１００ａを介して上側モールド保持部５０１ａ側に向けて照射する。上側モールド保持部５０１ａは、上側モールド（後述する）を保持する為の上側モールド保持面ＤＦUを有する。上側モールド保持面ＤＦUは、その直径が上側モールドの直径よりも小なる円形平面を有し、その中心部には上側センターピン３０ａを貫通させるための中心孔が設けられている。上側モールド保持部５０１ａにおける上側モールド保持面ＤＦUの外周には、複数の上側モールド把持駆動ユニット５１０ａが備えられている。上側モールド把持駆動ユニット５１０ａは、上側モールドの外縁部を把持する為の複数の把持部５０９ａを備える。把持部５０９ａは、円盤状のモールドを把持複数箇所、例えば図２３（後述する）に示されるように、１２０度置きに３箇所もうけられている。上側モールド把持駆動ユニット５１０ａは、コントローラ２００から供給された上側モールド把持信号ＭＱUに応じて、上側モールドの外縁部を把持させるべく把持部５０９ａを駆動する。【００１４】
一方、下側機構部は、下側センターピン３０ｂ、下側デバイスステーション９０ｂ、下側モールド保持部５０１ｂ、ボード状の下側ステージ５０５ｂ、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂ、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂ、ステージ上下駆動ユニット５１１及びボールネジ５１２を備える。【００１５】
下側ステージ５０５ｂには、図１に示す如き開口部１００ｂと共に、ボールネジ５１２が貫通する貫通孔が存在する。ボールネジ５１２は、下側ステージ５０５ｂ及び上側ステージ５０５ａの平行状態を維持させたまま両者を連結するように、その一端が下側ステージ５０５ｂの貫通孔を貫通し、他端が上側ステージ５０５ａのネジ穴部にネジ込まれている。下側ステージ５０５ｂの上面には開口部１００ｂを覆うように透明材料からなる下側モールド保持部５０１ｂが設置されており、その下面にはステージ上下駆動ユニット５１１及び下側デバイスステーション９０ｂが設けられている。下側デバイスステーション９０ｂには、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂ及び下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂが移動自在な形態で設けられている。下側デバイスステーション９０ｂは、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂ及び下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂの内で、コントローラ２００から供給されたユニット指定信号ＵＳLによって指定された方のユニットをユニット動作位置（例えば開口部１００ａの中心位置）に移動させる。下側センターピン駆動ユニット５０７ｂは、コントローラ２００から供給された下側センターピン移動信号ＣＧLに応じて、下側センターピン３０ｂを、下側モールド保持部５０１ｂの下側モールド保持面ＤＦL（後述する）の中心に設けられている中心孔を貫通させて、この下側モールド保持面ＤＦLに対して垂直な方向に移動させる。尚、下側センターピン３０ｂの先端部には、上側モールド又は下側モールドを支持する為の第１支持部ＴＢ１、及び基板を支持する為の第２支持部ＴＢ２が設けられている。下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂは、コントローラ２００から供給された下側紫外線照射信号ＵＶLに応じて、転写材料を硬化させるべきエネルギー線としての紫外線を、開口部１００ｂを介して下側モールド保持部５０１ｂ側に向けて照射する。ステージ上下駆動ユニット５１１は、コントローラ２００から供給されたステージ駆動信号ＳＧに応じて、ボールネジ５１２を時計方向又は反時計方向に回転させることにより、上側ステージ５０５ａを、下側ステージ５０５ｂに対する平行状態を維持したまま上方向又は下方向に移動させる。すなわち、上側ステージ５０５ａの上方向への移動により、上側モールド保持部５０１ａが、下側モールド保持部５０１ｂのモールド保持面に対して垂直な方向においてこの下側モールド保持部５０１ｂから離間するように移動する。一方、上側ステージ５０５ａの下方向への移動により、上側モールド保持部５０１ａが、下側モールド保持部５０１ｂに向けて移動する。下側モールド保持部５０１ｂは、下側モールド（後述する）を保持する為の下側モールド保持面ＤＦLを有する。下側モールド保持面ＤＦLは、その直径が下側モールドの直径よりも小なる円形平面を有し、その中心部には下側センターピン３０ｂを貫通させるための中心孔が設けられている。下側モールド保持部５０１ｂにおける下側モールド保持面ＤＦLの外周には、複数の下側モールド把持駆動ユニット５１０ｂが備えられている。下側モールド把持駆動ユニット５１０ｂは、下側モールドの外縁部を把持する為の複数の把持部５０９ｂを備える。下側モールド把持駆動ユニット５１０���は、コントローラ２００から供給された下側モールド把持信号ＭＱLに応じて、下側モールドの外縁部を把持させるべく把持部５０９ｂを駆動する。【００１６】
操作部２０１は、使用者による各種の操作を受け付け、その操作内容を表す操作信号ＣＳをコントローラ２００に供給する。【００１７】
コントローラ２００は、図２及び図３に示すインプリント処理プログラムに従って、このインプリント装置を制御する。【００１８】
以下に、かかるインプリント処理プログラムにて為される制御、並びに両面パターン転写動作について、図４〜図７を参照しつつ説明する。尚、図４〜図７は、パターン転写動作における各段階毎に、図１に示すインプリント装置における上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ、上側センターピン３０ａ及び下側センターピン３０ｂを抜粋して夫々の状態（位置関係）を模式的に表すものである。【００１９】
図２において、先ず、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂを所定の初期位置に移動させるべき下側センターピン移動信号ＣＧLを下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ１）。ステップＳ１の実行により、下側センターピン３０ｂが、図４の［状態１］に示す如き初期状態、つまり、下側センターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１及び第２支持部ＴＢ２が共に、下側モールド保持部５０１ｂの下側モールド保持面ＤＦLよりも上方の位置に現れる位置に移動する。次に、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂがモールドを支持しているか否かの判定を、モールドが支持されるまで繰り返し実行する（ステップＳ２）。ここで、搬送装置（図示せぬ）は、例えば図８に示すが如き、転写すべき凹凸パターンが形成されているパターン領域ＰＡ、このような凹凸パターンが形成されていない最外周領域ＧＡ、及び中心孔ＣＡを有するディスク状のモールドを上側モールド５０３ａとして、その凹凸パターンの形成面を下側に向けた状態でインプリント装置に搬送する。尚、上側モールド５０３ａのパターン領域ＰＡのサイズ（直径）は、円形平面である上側モールド保持面ＤＦUの直径と同一、若しくはＤＦUの直径よりも小である。又、上側モールド５０３ａ自体の直径は、上側モールド保持面ＤＦUの直径よりも大である。そして、搬送装置は、上側モールド５０３ａの中心孔ＣＡに下側センターピン３０ｂの先端部が貫通するように、この上側モールド５０３ａを下側センターピン３０ｂに装着する。これにより、上側モールド５０３ａは、図４の[状態２]に示す如く、その凹凸パターン面を下に向けた状態で、センターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１に支持される。かかるステップＳ２において、上側モールド５０３ａが下側センターピン３０ｂに支持されていると判定されると、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ３）。ステップＳ３の実行により、上側モールド保持部５０１ａを含む上側機構部全体が徐々に下方向に移動する。次に、コントローラ２００は、上側モールド保持部５０１ａの上側モールド保持面ＤＦUが上側モールド５０３ａに接触したか否かを判定する（ステップＳ４）。ステップＳ４において、上側モールド５０３ａが上側モールド保持面ＤＦUに接触していないと判定された場合、コントローラ２００は、上記ステップＳ３の実行に戻って前述した如き動作を再び実行する。つまり、図４の［状態３］に示すように、上側モールド５０３ａが上側モールド保持部５０１ａの上側モールド保持面ＤＦUに接触するまで、上側モールド保持部５０１ａを下方向に移動させるのである。ステップＳ４において、上側モールド５０３ａが上側モールド保持面ＤＦUに接触したと判定された場合、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａの外縁部である最外周領域ＧＡを把持部５０９ａで把持させ、これを上側モールド保持面ＤＦUに押し付けさせるべき上側モールド把持信号ＭＱUを上側モールド保持駆動ユニット５１０ａに供給する（ステップＳ５）。ここで、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａが上側モールド５０３ａの周辺の３箇所に夫々設置��れている場合には、ステップＳ５の実行により、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａ各々の把持部５０９ａが、図８に示す如き上側モールド５０３ａの最外周領域ＧＡにおける一点鎖線にて囲まれた領域を把持して、上側モールド５０３ａを上側モールド保持面ＤＦUに押し付ける。よって、ステップＳ５の実行によれば、上側モールド５０３ａが、上側モールド保持部５０１ａの上側モールド保持面ＤＦUに保持されるのである。【００２０】
次に、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを所定距離だけ上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ６）。ステップＳ６の実行により、図４の［状態４］に示すように、上側モールド保持部５０１ａが、下側センターピン３０ｂの中心軸方向において上側に移動する。これにより、上側モールド５０３ａが下側センターピン３０ｂから離脱する。次に、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂがモールドを支持しているか否かの判定を、モールドが支持されるまで繰り返し実行する（ステップＳ７）。ここで、搬送装置は、例えば図８に示す如き、転写すべき凹凸パターンが形成されているパターン領域ＰＡ、このような凹凸パターンが形成されていない最外周領域ＧＡ、及び中心孔ＣＡを有するディスク状のモールドを下側モールド５０３ｂとし、その凹凸パターンの形成面を上側に向けた状態でインプリント装置に搬送する。尚、下側モールド５０３ｂのパターン領域ＰＡのサイズ（直径）は、円形平面である下側モールド保持面ＤＦLの直径と同一、若しくはＤＦLの直径よりも小である。又、下側モールド５０３ｂ自体の直径は、下側モールド保持面ＤＦLの直径よりも大である。搬送装置は、かかる下側モールド５０３ｂの中心孔ＣＡに下側センターピン３０ｂの先端部が貫通するように、この下側モールド５０３ｂを下側センターピン３０ｂに装着する。これにより、下側モールド５０３ｂは、図５の[状態５]に示す如く、その凹凸パターン面を上に向けた状態で下側センターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１に支持される。ステップＳ７において、下側モールド５０３ｂが下側センターピン３０ｂに支持されていると判定されると、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂを所定位置にまで下降させるべきセンターピン移動信号ＣＧLを下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ８）。ステップＳ８の実行により、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂは、下側センターピン３０ｂを、所定位置まで下降させる。つまり、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂは、図５の［状態６］の如き、下側センターピン３０ｂの第１支持部ＴＢ１と下側モールド保持部５０１ｂの下側モールド保持面ＤＦLとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、下側センターピン３０ｂを下方向に移動させる。これにより、下側モールド５０３ｂは、図５の［状態６］に示すように、下側モールド保持部５０１ｂの下側モールド保持面ＤＦLに支持されることになる。次に、コントローラ２００は、下側モールド５０３ｂの外縁部である最外周領域ＧＡを把持部５０９ｂで把持させ、これを下側モールド保持面ＤＦLに押し付けさせるべき下側モールド把持信号ＭＱLを下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂに供給する（ステップＳ９）。ここで、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂが下側モールド５０３ｂの周辺の３箇所に夫々設置されている場合には、ステップＳ９の実行により、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂ各々の把持部５０９ｂが、図８に示す如き下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡにおける一点鎖線にて囲まれた領域を把持して、この下側モールド５０３ｂを下側モールド保持面ＤＦLに押し付け���。よって、ステップＳ９の実行によれば、下側モールド５０３ｂが、下側モールド保持部５０１ｂの下側モールド保持面ＤＦLに保持されるのである。次に、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂに基板が支持されているか否かの判定を、基板が支持されるまで繰り返し実行する（ステップＳ１０）。ここで、搬送装置（図示せぬ）は、例えば、図９に示す如き、中心孔ＣＢを有するディスク状の基板６をインプリント装置に搬送する。尚、基板６は、図９に示すように、支持基板６０１の一方の面側（上側面）及び他方の面側（下側面）に夫々、エネルギー線としての紫外線が照射されると硬化する転写材料からなる上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂが形成されてなるものである。この際、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂは、図９に示すように、支持基板６０１の表面上において、その最外周領域ＱＡ及び最内周領域ＪＡを省いた転写領域ＮＡに形成される。搬送装置は、かかる基板６の中心孔ＣＢに下側センターピン３０ｂの先端部が貫通するように、基板６をこの下側センターピン３０ｂに装着する。これにより、図９に示す如き基板６の最内周領域ＪＡが下側センターピン３０ｂの第２支持部ＴＢ２に当接し、その結果、基板６自体は、図５の[状態７]に示すように、下側センターピン３０ｂの第２支持部ＴＢ２で支持されることになる。すなわち、下側センターピン３０ｂは、その第２支持部ＴＢ２によって基板６の縁部以外の箇所（非縁部）で基板６を支持するのである。【００２１】
ステップＳ１０において、基板６が図５の［状態７］に示すように下側センターピン３０ｂに支持されていると判定されると、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１の実行により、上側モールド保持部５０１ａが、センターピン３０ｂの中心軸方向において下側に移動する。次に、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａが基板６に接触したか否かを判定する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２において上側モールド５０３ａが基板６に接触していないと判定された場合、コントローラ２００は、上記ステップＳ１１の実行に戻って前述した如き動作を再び実行する。つまり、図５の［状態８］に示すように、上側モールド５０３ａが基板６に接触するまで、上側モールド保持部５０１ａを下方向に移動させるのである。【００２２】
尚、図５の［状態７］では、上側モールド５０３ａよりも先に下側モールド５０３ｂを基板６に接触させているが、上側モールド５０３ａの方を先に基板６に接触させるようにしても良い。この際、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂが基板６の両面にそれぞれ同時に接触するように、両者の位置関係を保つべき制御を行うのが好ましい。【００２３】
ステップＳ１２において上側モールド５０３ａが基板６に接触したと判定された場合、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａと下側モールド５０３ｂとを基板６に押圧させるべきモールド押圧動作を実行する（ステップＳ１３）。モールド押圧動作を実行するために、コントローラ２００は、先ず、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを所定の押圧値ＰＶADで基板６に押圧させるべく、上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する。【００２４】
この状態でステージ駆動信号ＳＧを所定時間供給することで、図６の［状態９］に示すように、基板６の両面が、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂによって押圧され、その状態が所定時間保持される。これにより、上側モールド５０３ａに形成されている凹凸パターンが上側転写層６０４ａに押圧されると共に、下側モールド５０３ｂに形成されている凹凸パターンが下側転写層６０４ｂに夫々押圧される。上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂは液状（流動可能状態）にあるため、上側転写層６０４ａが上側モールド５０３ａに形成されている凹凸パターン形状に沿って変形すると共に、下側転写層６０４ｂが下側モールド５０３ｂに形成されている凹凸パターン形状に沿って夫々変形する。尚、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを基板６に押し付ける圧力及び保持時間等の条件は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの凹凸パターン形状や上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂの転写材料等に応じて適宜設定される。【００２５】
ステップＳ１３の実行後、コントローラ２００は、転写層硬化動作を実行する（ステップＳ１４）。転写層硬化動作を実行するために、コントローラ２００は、紫外線照射信号ＵＶを上側ＵＶ照射ユニット５０８ａ及び下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂに供給する。これにより、上側ＵＶ照射ユニット５０８ａが転写層を硬化させるべき紫外線を基板６の上側転写層６０４ａに向けて照射すると共に、下側ＵＶ照射ユニット５０８ｂが転写層を硬化させるべき紫外線を下側転写層６０４ｂに向けて照射する。かかる紫外線の照射によって、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ各々の転写層が硬化し、上側転写層６０４ａ及び下側転写層６０４ｂ表面の凹凸パターンが確定する。【００２６】
その後、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂから基板６を離型させるべき離型処理ルーチンを実行する（ステップＳ１５）。【００２７】
図１０は、かかる離型処理ルーチンの一例を示す図である。【００２８】
図１０において、先ず、コントローラ２００は、所定の押圧値ＰＶDDで上側モールド５０３ａを基板６に押圧させるべく、上側ステージ５０５ａを下方向に移動させるステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ１５０）。ステップＳ１５０の実行により、図６の［状態１１］に示すように、基板６の両面が上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂにて圧着された状態となる。これにより、後述するが如く上側モールド５０３ａの外縁部を上方向に湾曲させた際に、下側モールド５０３ｂが基板６から離型してしまうのを防止するのである。次に、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるべき上側センターピン移動信号ＣＧUを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給する（ステップＳ１５１）。次に、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａが基板６に接触したか否かを判定する（ステップＳ１５２）。かかるステップＳ１５２において上側センターピン３０ａの先端が基板６に接触していないと判定された場合には、ステップＳ１５１の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。すなわち、図６の[状態１２]に示す如く、上側センターピン３０ａの先端が基板６に接触するまで、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるのである。ここで、上側センターピン３０ａの先端部が図９に示す如き基板６の最内周領域ＪＡに接触したが故に、ステップＳ１５２において上側センターピン３０ａが基板６に接触したと判定された場合、コントローラ２００は、所定力Ｆで上側センターピン３０ａを基板６に押圧させるべき上側センターピン移動信号ＣＧUを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給する（ステップＳ１５３）。これにより、図６の［状態１２］の如く、上側センターピン３０ａ及び下側センターピン３０ｂが、基板６の最内周領域にてこの基板６を挟み込んで支持しつつ、上側センターピン３０ａの先端部で基板６の最内周領域を下方向に所定力Ｆで押圧する。この際、上側センターピン３０ａによって、基板６の最内周領域に所定力Ｆが印加されると、基板６の最内周部に撓みが生じる。次に、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａの最外周領域ＧＡを上方向に所定力ｆで押圧させるべき上側モールド把持信号ＭＱUを上側モールド保持駆動ユニット５１０ａに供給する（ステップＳ１５４）。これにより、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａの把持部５０９ａは、図７の［状態１３］に示すように、上側モールド５０３ａの外縁部（最外周領域ＧＡ）を把持した状態で、この外縁部を上方向に撓ませるように所定力ｆで押圧する。尚、所定力ｆは、上記ステップＳ５において上側モールド５０３ａを上側モールド保持面ＤＦUに保持させておくべく、上側モールド５０３ａの外縁部に掛けた力よりも大、つまりモールドを湾曲させる程度に大なる力である。よって、ステップＳ１５４の実行によれば、図１１（ａ）に示すように、上側モールド保持部５０１ａにおける上側モールド保持面ＤＦUでの縁部を支点として上側モールド５０３ａが湾曲し、その最外周領域ＧＡが上方向に湾曲する。次に、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ１５５）。ステップＳ１５５の実行により、上側モールド保持部５０１ａが上方向に移動し、図７の［状態１４］に示す如く上側モールド５０３ａが基板６から離型する。この際、上側モールド５０３ａは、図１１（ａ）に示す如くその最外周領域ＧＡが上方向に撓んだ状態で上方向に移動して基板６から離間する。よって、移動直後、上側モールド５０３ａは、図１１（ｂ）に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、先ず、図１１（ｂ）に示す如く、上側モールド５０３ａのパターン領域ＰＡの最外周部から、基板６の上側転写層６０４ａに対する離型が生じる。そして、上側モールド５０３ａが上方向に移動するにつれ、図１１（ｂ）〜図１１（ｃ）に示すように、上側モールド５０３ａの外周部から内周部に向けて徐々にその凹凸パターンが基板６の上側転写層６０４ａから離型するのである。ここで、上側モールド５０３ａが基板６から完全に離型したら、コントローラ２００は、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡを下方向に所定力ｆで押圧させるべき下側モールド把持信号ＭＱLを下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂに供給する（ステップＳ１５６）。これにより、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂの把持部５０９ｂは、図７の［状態１５］に示すように、下側モールド５０３ｂの外縁部（最外周領域ＧＡ）を把持した状態で、この外縁部を下方向に押し下げるように所定力ｆで押圧する。ステップＳ１５６の実行によれば、図１２（ａ）に示すように、下側モールド保持部５０１ｂにおける下側モールド保持面ＤＦLでの縁部を支点として、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡが下方向に押し下げられる。次に、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂを所定位置にまで上昇させるべきセンターピン移動信号ＣＧLを下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ１５７）。ステップＳ１５７の実行により、下側センターピン３０ｂは、図７の［状態１６］に示すようにその第１支持部ＴＢ１と下側モールド保持部５０１ｂの下側モールド保持面ＤＦLとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、上方向に移動する。これにより、図１２（ａ）に示すように、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡが下方向に押し下げられた状態で、基板６が上方向に移動して下側モールド５０３ｂから離間する。よって、移動直後、下側モールド５０３ｂは、図１２（ｂ）に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、基板６が上方向に移動するにつれ、図１２（ｂ）に示す如く、下側モールド５０３ｂのパターン領域ＰＡの最外周部から内周に向けて、基板６の下側転写層６０４ｂが離型して行く。なお、このとき、下側センターピン３０ｂを上昇させる距離を大きくすることで、基板６の中心部付近にかかる離型力を大きくし、中心付近から離型させることもできる。モールドが基板の外周又は内周の何れから離型するかは、モールドや基板の材質、剛性によっても変わってくるため、適宜調整が必要である。【００２９】
その後、コントローラ２００は、図１０に示す離型処理ルーチンを抜けて、図３のステップＳ１６の実行に移行する。すなわち、コントローラ２００は、操作部２０１からの操作信号ＣＳとして、動作終了を示す動作指令信号が供給されているか否かを判定する（ステップＳ１６）。ステップＳ１６において動作終了を示す動作指令信号が供給されたと判定された場合、コントローラ２００は、このインプリント処理プログラムを終了する。一方、ステップＳ１６において動作終了を表す動作指令信号が供給されていないと判定された場合、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂに支持されている基板６を搬送装置が取り外すまでの間待機した後、この下側センターピン３０ｂを、基板６を支持するための所定位置に移動させるべき下側センターピン移動信号ＣＧLを下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ１７）。かかるステップＳ１７の終了後、コントローラ２００は、ステップＳ１０の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。これにより、新たに支持された基板６に対して連続してパターン転写を行なうのである。【００３０】
以上の如く、図１０に示す離型処理ルーチンでは、基板６から上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂを夫々離型するにあたり、モールド（５０３ａ、５０３ｂ）を、その凹凸パターン面側をモールドの中心を頂点として隆起させた、図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）に示す如き形態で撓ませた状態で、夫々を基板６から引き離すようにしている。すなわち、まず、上側モールド把持駆動ユニット５１０ａ、ステージ上下駆動ユニット５１１、及びコントローラ２００を含む第１離型手段により、上側モールド５０３ａを撓ませる方向に所定加撓力を加え、この上側モールド５０３ａを上方向に移動させることにより、この上側モールド５０３ａを基板６から離型させる。次に、下側モールド把持駆動ユニット５１０ｂ、下側センターピン駆動ユニット５０７ｂ、下側センターピン３０ｂ及びコントローラ２００を含む第２離型手段により、下側モールド５０３ｂを撓ませる方向に所定加撓力を加え、基板６を上方向に移動させることにより、この下側モールド５０３ｂを基板６から離型させるのである。これにより、モールド（５０３ａ、５０３ｂ）の凹凸パターンが、その外周から内周に向けて徐々に基板６の転写層（６０４ａ、６０４ｂ）から剥がされる。よって、基板６が例えば磁気ディスク基板の如き比較的大面積を有するものであっても、全領域に亘り均一な剥離力にてその転写層（６０４ａ、６０４ｂ）に転写された凹凸パターンを破壊することなく、モールド（５０３ａ、５０３ｂ）を基板６から離型することが可能となる。更に、図１０に示す離型処理ルーチンでは、上側モールド５０３ａを基板６から離型するにあたり、図７の［状態１３］に示す如く上側センターピン３０ａの先端部で基板６の最内周部を押圧して基板６の最内周部を撓ませることにより、この内周部での剥離力の均一化を図り、凹凸パターンの破壊を防止するようにしている。【００３１】
尚、図１０に示す離型処理では、基板からモールドを離型する際に、上側モールド５０３ａを撓ませると共に、基板６の内周領域を撓ませるようにしているが、基板６を撓ませずに上側モールド５０３ａだけを撓ませても良い。また、基板６の内周領域を撓ませるだけにしても良い。つまり、基板６における孔（ＣＢ）の周辺部を撓ませることにより、モールドと基板を、その孔の周辺部から離型させるのである。【００３２】
要するに、基板からモールドを離型する際に、上側モールド５０３ａを撓ませるべき動作、及び基板６を撓ませる動作の内の少なくとも一方を実行することにより、離型時における凹凸パターンの破壊防止を図るのである。なお、モールドと基板の何れか一方を撓ませた場合と、両方を撓ませた場合では、離型が生じる方向（内周から、または外周から）が、異なってくる場合がある。これは用いる基板やモールドの材質、剛性などによっても変化するため、適宜調整が必要である。【００３３】
又、図１１（ａ）の如く上側モールド５０３ａを撓ませた際に、上側モールド５０３ａで基板６を押圧する押圧値を低下させる、もしくはゼロにすることにより、上側モールド５０３ａを撓みやすくさせることができる。ここで、押圧値をゼロにするということは、上記モールド押圧動作によって上側モールド５０３ａの凹凸パターンが基板６の転写層６０４ａにめり込んでいるものの、凹凸パターンの凸部にかかる圧力値がゼロになるということである。よって、例えば、上記モールド押圧動作において上側モールド５０３ａを基板６に押圧する際の押圧値ＰＶADが、
ＰＶAD＝Ｑ＋Ｕ
Ｑ：上側モールド５０３ａを含む上側機構部の重量
Ｕ：上側機構部を下方向に移動させる力
で表せる場合には、上側機構部の下方向への移動を停止させ、更に上記Ｑに対応した力で上側機構部を引き上げることにより、基板６を押圧する押圧値をゼロにする、又は減少させるのである。また上記Ｑ以下の力ＰＶLL（後述する）で上側機構部を引き上げることにより、基板６を押圧する押圧力を上記Ｑ以下に低下させることもできる。【００３４】
図１３は、上述した如き、上側モールド５０３ａを撓ませる際に基板６を押圧する押圧値を低下、もしくはゼロにする処理を含む離型処理ルーチンを示す図である。尚、図１３に示す離型処理ルーチンは、図３のステップＳ１５において図１０に示される離型処理ルーチンに代わって実行されるものである。【００３５】
図１３において、先ず、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａを基板６に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにすべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ２５０）。ステップＳ２５０の実行により、インプリント装置は図６の[状態１０]から図１４の[状態１１]に遷移する。すなわち、上側モールド保持部５０１ａは、上側モールド５０３ａを基板６に押し付ける動作を停止、つまり上側モールドによる基板６に対する押圧値を低下させる、もしくはゼロにして上側モールド５０３ａの垂直方向における位置を固定する。次に、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるべき上側センターピン移動信号ＣＧUを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給する（ステップＳ２５１）。次に、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａが基板６に接触したか否かを判定する（ステップＳ２５２）。かかるステップＳ２５２において上側センターピン３０ａの先端が基板６に接触していないと判定された場合には、ステップＳ２５１の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。すなわち、図１４の[状態１２]に示す如く、上側センターピン３０ａの先端が基板６に接触するまで、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるのである。ここで、上側センターピン３０ａの先端部が図９に示す如き基板６の最内周領域ＪＡに接触したが故に、ステップＳ２５２にて上側センターピン３０ａが基板６に接触したと判定された場合、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａの最外周領域ＧＡを上方向に所定力ｆで押圧させるべき上側モールド把持信号ＭＱUを上側モールド保持駆動ユニット５１０ａに供給する（ステップＳ２５４）。これにより、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａの把持部５０９ａは、図１４の［状態１３］に示すように、上側モールド５０３ａの外縁部（最外周領域ＧＡ）を把持した状態で、この外縁部を上方向に撓ませるように所定力ｆで押圧する。尚、所定力ｆは、モールドを湾曲させる程度に大なる力である。よって、ステップＳ２５４の実行によれば、図１５（ａ）に示すように、上側モールド保持部５０１ａにおける上側モールド保持面ＤＦUでの縁部を支点として上側モールド５０３ａが湾曲し、その最外周領域ＧＡが上方向に撓む。次に、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ２５５）。ステップＳ２５５の実行により、上側モールド保持部５０１ａが上方向に移動し、図１４の［状態１４］に示す如く上側モールド５０３ａが基板６から離型する。この際、上側モールド５０３ａは、図１５（ａ）に示す如くその最外周領域ＧＡが上方向に撓んだ状態で上方向に移動して基板６から離間する。よって、移動直後、上側モールド５０３ａは、図１５（ｂ）に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、先ず、図１５（ｂ）に示す如く、上側モールド５０３ａのパターン領域ＰＡの最外周部から、基板６の上側転写層６０４ａに対する離型が生じる。そして、上側モールド５０３ａが上方向に移動するにつれ、図１５（ｂ）〜図１５（ｃ）に示すように、上側モールド５０３ａの外周部から内周部に向けて徐々にその凹凸パターンが基板６の上側転写層６０４ａから離型するのである。ここで、上側モールド５０３ａが基板６から完全に離型したら、コントローラ２００は、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡを下方向に所定力ｆで押圧させるべき下側モールド把持信号ＭＱLを下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂに供給する（ステップＳ２５６）。これにより、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂの把持部５０９ｂは、図７の［状態１５］に示すように、下側モールド５０３ｂの外縁部（最外周領域ＧＡ）を把持した状態で、この外縁部を下方向に押し下げるように所定力ｆで押圧する。ステップＳ２５６の実行によれば、図１２（ａ）に示すように、下側モールド保持部５０１ｂにおける下側モールド保持面ＤＦLでの縁部を支点として、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡが下方向に押し下げられる。次に、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂを所定位置にまで上昇させるべきセンターピン移動信号ＣＧLを下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ２５７）。ステップＳ２５７の実行により、下側センターピン３０ｂは、図７の［状態１６］に示すようにその第１支持部ＴＢ１と下側モールド保持部５０１ｂの下側モールド保持面ＤＦLとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、上方向に移動する。これにより、図１２（ａ）に示すように、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡが下方向に押し下げられた状態で、基板６が上方向に移動して下側モールド５０３ｂから離間する。よって、移動直後、下側モールド５０３ｂは、図１２（ｂ）に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、基板６が上方向に移動するにつれ、図１２（ｂ）に示す如く、下側モールド５０３ｂのパターン領域ＰＡの最外周部から内周に向けて、基板６の下側転写層６０４ｂが離型して行く。その後、コントローラ２００は、図１３に示す離型処理ルーチンを抜ける。【００３６】
すなわち、図１３に示す離型処理ルーチンでは、上側モールド５０３ａで基板６を押圧する押圧値を低下させる、もしくはゼロにした（ステップＳ２５０）状態で、上側モールド５０３ａを撓ませるべき動作（ステップＳ２５４）を実行するようにしている。これにより、図１０に示す離型処理ルーチンを実行した場合に比して上側モールド５０３ａの撓み量が増大するので、モールドの離型が容易に為されるようになり、基板の転写層に形成された凹凸パターンの破壊を確実に防ぐことが可能となる。【００３７】
尚、図１３に示す離型処理ルーチンにおいて、上側モールド５０３ａを撓ませつつ、基板６の内周領域に対する撓み動作を実行するようにしても良い。【００３８】
図１６は、かかる点に鑑みて為された離型処理ルーチンを示す図である。尚、図１６に示す離型処理ルーチンは、図３のステップＳ１５において図１３に示される離型処理ルーチンに代わって実行されるものである。【００３９】
図１６において、先ず、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａを基板６に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにすべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ３５０）。ステップＳ３５０の実行により、インプリント装置は図６の[状態１０]から図１７の[状態１１]に遷移する。すなわち、上側モールド保持部５０１ａは、上側モールド５０３ａを基板６に押し付ける動作を停止、つまり基板６に対する押圧値を低下させる、もしくはゼロにして上側モールド５０３ａの垂直方向における位置を固定する。次に、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるべき上側センターピン移動信号ＣＧUを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給する（ステップＳ３５１）。次に、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａが基板６に接触したか否かを判定する（ステップＳ３５２）。かかるステップＳ３５２において上側センターピン３０ａの先端が基板６に接触していないと判定された場合には、ステップＳ３５１の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。すなわち、図１７の[状態１２]に示す如く、上側センターピン３０ａの先端が基板６に接触するまで、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるのである。ここで、ステップＳ３５２において上側センターピン３０ａが基板６に接触したと判定された場合、コントローラ２００は、所定力Ｆで上側センターピン３０ａを基板６に押圧させるべき上側センターピン移動信号ＣＧUを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給する（ステップＳ３５３）。これにより、図１７の［状態１２］の如く、上側センターピン３０ａ及び下側センターピン３０ｂが、基板６の最内周領域にてこの基板６を挟み込んで支持しつつ、上側センターピン３０ａの先端部で基板６の最内周領域を下方向に所定力Ｆで押圧する。この際、図１８（ａ）に示すように、上側センターピン３０ａにて、基板６の最内周領域に所定力Ｆが印加されると、基板６の最内周部に撓みが生じる。次に、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａの最外周領域ＧＡを上方向に所定力ｆで押圧させるべき上側モールド把持信号ＭＱUを上側モールド保持駆動ユニット５１０ａに供給する（ステップＳ３５４）。これにより、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａの把持部５０９ａは、図１７の［状態１３］に示すように、上側モールド５０３ａの外縁部（最外周領域ＧＡ）を把持した状態で、この外縁部を上方向に撓ませるように所定力ｆで押圧する。尚、所定力ｆは、モールドを湾曲させる程度に大なる力である。よって、ステップＳ３５４の実行によれば、図１８（ａ）に示すように、上側モールド保持部５０１ａにおける上側モールド保持面ＤＦUでの縁部を支点として上側モールド５０３ａが湾曲し、その最外周領域ＧＡが上方向に撓む。次に、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ３５５）。ステップＳ３５５の実行により、上側モールド保持部５０１ａが上方向に移動し、図１７の［状態１４］に示す如く上側モールド５０３ａが基板６から離型する。この際、上側モー��ド５０３ａは、図１８（ａ）に示す如くその最外周領域ＧＡが上方向に撓んだ状態で上方向に移動して基板６から離間する。よって、移動直後、上側モールド５０３ａは、図１８（ｂ）に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、先ず、図１８（ｂ）に示す如く、上側モールド５０３ａのパターン領域ＰＡの最外周部から、基板６の上側転写層６０４ａに対する離型が生じる。そして、上側モールド５０３ａが上方向に移動するにつれ、図１８（ｂ）〜図１８（ｃ）に示すように、上側モールド５０３ａの外周部から内周部に向けて徐々にその凹凸パターンが基板６の上側転写層６０４ａから離型するのである。【００４０】
ここで、上側モールド５０３ａが基板６から完全に離型したら、コントローラ２００は、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡを下方向に所定力ｆで押圧させるべき下側モールド把持信号ＭＱLを下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂに供給する（ステップＳ３５６）。これにより、下側モールド保持駆動ユニット５１０ｂの把持部５０９ｂは、図７の［状態１５］に示すように、下側モールド５０３ｂの外縁部（最外周領域ＧＡ）を把持した状態で、この外縁部を下方向に押し下げるように所定力ｆで押圧する。ステップＳ３５６の実行によれば、図１２（ａ）に示すように、下側モールド保持部５０１ｂにおける下側モールド保持面ＤＦLでの縁部を支点として、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡが下方向に押し下げられる。次に、コントローラ２００は、下側センターピン３０ｂを所定位置にまで上昇させるべきセンターピン移動信号ＣＧLを下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ３５７）。ステップＳ３５７の実行により、下側センターピン３０ｂは、その第１支持部ＴＢ１と下側モールド保持部５０１ｂの下側モールド保持面ＤＦLとが互いに同一平面上に位置するようになるまで、上方向に移動する。これにより、図１２（ａ）に示すように、下側モールド５０３ｂの最外周領域ＧＡが下方向に押し下げられた状態で、基板６が上方向に移動して下側モールド５０３ｂから離間する。よって、移動直後、下側モールド５０３ｂは、図１２（ｂ）に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、基板６が上方向に移動するにつれ、図１２（ｂ）に示す如く、下側モールド５０３ｂのパターン領域ＰＡの最外周部から内周に向けて、基板６の下側転写層６０４ｂが離型して行く。その後、コントローラ２００は、図１６に示す離型処理ルーチンを抜ける。【００４１】
このように、図１６に示す離型処理ルーチンでは、モールドを基板に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにした状態で、モールド（５０３ａ、５０３ｂ）を撓ませるべき動作（ステップＳ３５４、Ｓ３５６）と共に、基板の最内周部を撓ませるべき動作（ステップＳ３５３）を実行するようにしている。これにより、図１３に示す離型処理ルーチンを実行した場合に比して、モールド内周部での凹凸パターンの破壊を確実に防止することが可能となる。【００４２】
尚、図１６に示す離型処理では、基板６を内周領域を撓ませると共に、上側モールド５０３ａを撓ませるようにしているが、基板６の内周領域を撓ませるだけでも良い。要するに、基板からモールドを離型する際に、モールドを基板に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにした状態で、モールド及び基板の内の少なくとも一方を撓ませることにより、離型時における凹凸パターンの破壊防止を図るのである。【００４３】
又、上記実施例では、基板の両面に夫々押圧されたモールドを離型する場合を一例にとってモールド離型動作について説明したが、基板の片面側だけに押圧されたモールドを離型する場合にも同様に適用可能である。【００４４】
以下に、基板の片面側だけに押圧されたモールドをこの基板から離型する場合におけるモールド離型動作について説明する。【００４５】
図１９は、図１に示すインプリント装置において、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの内の上側モールド５０３ａを用いて基板６の上側転写層６０４ａだけに凹凸パターンの転写を行った後に、この上側モールド５０３ａを基板６から離型すべく実施される離型処理ルーチンを示す図である。尚、かかる離型処理ルーチンを実行する直前の段階で、インプリント装置は、図２０の［状態１１］にあるものとする。【００４６】
図１９において、先ず、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａを基板６に押しつける押圧値を低下させる、もしくはゼロにすべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ４４９）。ステップＳ４４９の実行により、上側モールド保持部５０１ａは、上側モールド５０３ａを基板６に押し付ける動作を停止、つまり基板６に対する押圧値を低下させる、もしくはゼロにして上側モールド５０３ａの垂直方向における位置を固定する。次に、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給すると共に、この上側ステージ５０５ａの上方向への移動に追従させて下側センターピン３０ｂを上方向に移動させるべきセンターピン移動信号ＣＧLを下側センターピン駆動ユニット５０７ｂに供給する（ステップＳ４５０）。ステップＳ４５０の実行により、図２０の[状態１２]に示すように、基板６は上側モールド５０３ａが接着した状態のまま下側モールド保持部５０１ｂから離間する。次に、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるべき上側センターピン移動信号ＣＧUを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給する（ステップＳ４５１）。次に、コントローラ２００は、上側センターピン３０ａが基板６に接触したか否かを判定する（ステップＳ４５２）。かかるステップＳ４５２において上側センターピン３０ａの先端が基板６に接触していないと判定された場合には、ステップＳ４５１の実行に戻って前述した如き動作を繰り返し実行する。すなわち、図２０の[状態１３]に示す如く、上側センターピン３０ａの先端が基板６に接触するまで、上側センターピン３０ａを下方向に移動させるのである。上記ステップＳ４５２において上側センターピン３０ａが基板６に接触したと判定された場合、コントローラ２００は、所定力Ｆで上側センターピン３０ａを基板６に押圧させるべき上側センターピン移動信号ＣＧUを上側センターピン駆動ユニット５０７ａに供給する（ステップＳ４５３）。これにより、図２０の［状態１３］の如く、上側センターピン３０ａ及び下側センターピン３０ｂが、基板６の最内周領域にてこの基板６を挟み込んで支持しつつ、上側センターピン３０ａの先端部で基板６の最内周領域を下方向に所定力Ｆで押圧する。この際、上側センターピン３０ａによって、基板６の最内周領域に所定力Ｆが印加されると、基板６の最内周部に撓みが生じる。次に、コントローラ２００は、上側モールド５０３ａの最外周領域ＧＡを上方向に所定力ｆで押圧させるべき上側モールド把持信号ＭＱUを上側モールド保持駆動ユニット５１０ａに供給する（ステップＳ４５４）。これにより、上側モールド保持駆動ユニット５１０ａの把持部５０９ａは、図２０の［状態１３］に示すように、上側モールド５０３ａの外縁部（最外周領域ＧＡ）を把持した状態で、この外縁部を撓ませるように所定力ｆで押圧する。よって、ステップＳ４５４の実行によれば、図２１（ａ）に示すように、上側モールド保持部５０１ａにおける上側モールド保持面ＤＦUでの縁部を支点として、上側モールド５０３ａの最外周領域ＧＡが上方向に撓む。次に、コントローラ２００は、上側ステージ５０５ａを上方向に移動させるべきステージ駆動信号ＳＧをステージ上下駆動ユニット５１１に供給する（ステップＳ４５５）。ステップＳ４５５の実行により、上側モールド保持部５０１ａが上方向に移動し、図２０の［状態１４］に示す如く上側モールド５０３ａが基板６から離型する。この際、上側モールド５０３ａは、図２１（ａ）に示す如くその最外周領域ＧＡが上方向に撓んだ状態で上方向に移動して基板６から離間する。よって、移動直後、上側モールド５０３ａは、図２１（ｂ）に示すように、その凹凸パターン面側をモールド中心部を頂点として隆起させた形態で撓むことになる。その結果、先ず、図２１（ｂ）に示す如く、上側モールド５０３ａのパターン領域ＰＡの最外周部から、基板６の上側転写層６０４ａに対する離型が生じる。そして、上側モールド５０３ａが上方向に移動するにつれ、図２１（ｃ）に示すように、上側モールド５０３ａの外周部から内周部に向けて徐々にその凹凸パターンが基板６の上側転写層６０４ａから離型するのである。【００４７】
ここで、図１３、図１６、図１９に示す離型処理ルーチンでは、モールド離型時において上側モールド５０３ａの撓み量を増大させるべく、ステップＳ２５５、Ｓ３５５、Ｓ４５において上側モールド５０３ａで基板６を押圧する押圧値を低下（又は０）させるようにしているが、その押圧値の各段階毎の遷移を図２２に示す。図２２に示すように、上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂ各々を押圧値ＰＶADで基板６に押圧させるべく下方に向けて掛けていた上側ステージ５０５ａの駆動力ＰＶADを、離型動作の初期段階、つまり、図１４、図１７、図２０各々の［状態１１］〜[状態１３]の段階で、上方に向けた駆動力ＰＶLLに変更する。この際、駆動力ＰＶLLは、上側モールド５０３ａを含む上側機構部の重量を支える力よりも僅かに小である。よって、このような駆動力ＰＶLLを上方向に向けて掛けることにより、図２２の一点鎖線に示すように、上側ステージ５０５ａの上下方向での位置を押圧時の位置から変更せずに、基板６に掛かる力のみを低下（又はゼロ）させるのである。【００４８】
尚、上記実施例では、離型動作時においてモールド（５０３ａ、５０３ｂ）を撓ませるべく、複数の把持部（５０９ａ又は５０９ｂ）にて同時にモールドの外縁部に所定力ｆを掛けるようにしているが、各把持部毎に所定力ｆを掛け始める開始タイミングをずらすようにしても良い。例えば、図２３に示すように、モールド（５０３ａ、５０３ｂ）の外縁部の３箇所を、３つの把持部５０９a1〜５０９a3（５０９b1〜５０９b3）で夫々把持する場合、上記ステップＳ１５４、Ｓ２５４、Ｓ３５４又はＳ４５４では、把持部５０９a1、５０９a2、５０９a3の順に、上側モールド５０３ａの外縁部に所定力ｆを掛けて行く。又、ステップＳ１５６、Ｓ２５６、又はＳ３５６では、把持部５０９b1、５０９b2、５０９b3の順に、下側モールド５０３ｂの外縁部に所定力ｆを掛けて行くのである。【００４９】
又、上記実施例では、上側モールド保持部５０１ａ及び下側モールド保持部５０１ｂとして、透明材料からなるものを採用しているが、全体が透明材料で構築されている必要は無い。要するに、上側モールド保持部５０１ａ及び下側モールド保持部５０１ｂ各々において、少なくともＵＶ照射ユニット（５０８ａ、５０８ｂ）から発せられた紫外線の照射軸上の領域が、この紫外線を透過する透明材料で構築されていれば良い。【００５０】
又、図１に示すインプリント装置では、開口部（１００ａ、１００ｂ）により、ステージ（５０５ａ、５０５ｂ）及びモールド保持部（５０１ａ、５０１ｂ）に囲まれてなる空間の領域が形成されているが、この領域を透明な石英部材で構築するようにしても良い。
【図１】
2010143303.tif 000003
【図２】
2010143303.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010143303.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年6月10日(2010.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置であって、
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる、若しくはゼロにする減圧手段と、
前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませる加撓手段と、
前記モールドと前記加撓手段によって撓みの生じた前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有することを特徴とする転写装置。
【請求項２】
前記減圧手段は、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる動作を停止させることで、前記押圧力をゼロにすることを特徴とする請求項１に記載の転写装置。
【請求項３】
前記加撓手段は、更に前記モールドの外周部を前記第一の方向とは異なる第二の方向に撓ませることを特徴とする請求項１または２に記載の転写装置。
【請求項４】
前記モールドは貫通孔を有し、前記加撓手段は前記被転写体における前記貫通孔の周辺を撓ませることにより、内周部側から前記被転写体を撓ませることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載の転写装置。
【請求項５】
前記貫通孔に貫通させて前記被転写体を支持する下側支持手段と、前記下側支持手段によって支持された前記被転写体を前記下側支持手段に押さえ付ける上側支持手段と、を有し、
前記加撓手段は、前記上側支持手段で前記被転写体を押圧することで前記被転写体を内周部から撓ませることを特徴とする請求項４に記載の転写装置。
【請求項６】
モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写方法であって、
前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧ステップと、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる、若しくはゼロにする減圧ステップと、
前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませる加撓ステップと、
前記加撓ステップによって撓みの生じた前記被転写体と前記モールドとを離型させる離型ステップと、を有することを特徴とする転写方法。
【請求項７】
モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置に搭載されているコントローラで実行するプログラムであって、
前記モールドと前記被転写体とを押圧させるべく前記転写装置を制御する押圧ステップと、
前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる若しくはゼロにすべく前記転写装置を制御する減圧ステップと、
前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませるべく前記転写装置を制御する加撓ステップと、
前記加撓ステップの実行によって撓みの生じた前記被転写体と前記モールドとを離型させるべく前記転写装置を制御する離型ステップと、を有することを特徴とするプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
技術分野
［０００１］
本発明は、被転写体に凹凸パターンを転写する転写装置及び転写方法に関する。
背景技術
［０００２］
現在、凹凸状の微細パターンを各種部材の表面に転写する転写装置が提案されている（例えば、特許文献１の図７及び図８参照）。かかる転写装置においては、型に形成されている微細な転写パターンを被成型品に転写した後に、被成型品から前記型を離す動作の際に、型、被成型品の少なくともいずれかを変形させて、被成型品から型を離す分離手段を有することが開示されている（特に［０１２０］〜［０１２１］の記述）。これにより、被転写体に形成される微細なパターンを破壊することなくモールドを被転写体から離型できるようにしている。
先行技術文献
特許文献
［０００３］
特許文献１：特開２００９−５６７６２号公報
特許文献２：特開２００９−６００９１号公報
発明の開示
発明が解決しようとする課題
［０００４］
本発明は上記した点に鑑みてなされたものであり、転写パターンを破壊させることなく良好にモールドを被転写体から離型させることが可能な転写装置及び転写方法を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
［０００５］
請求項１による転写装置は、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置であって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧手段と、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる、
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
若しくはゼロにする減圧手段と、前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませる加撓手段と、前記モールドと前記加撓手段によって撓みの生じた前記被転写体とを離型させる離型手段と、を有する。
［０００６］
又、請求項６記載による転写方法は、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写方法であって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させる押圧ステップと、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる、若しくはゼロにする減圧ステップと、前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませる加撓ステップと、前記加撓ステップによって撓みの生じた前記被転写体と前記モールドとを離型させる離型ステップと、を有する。
又、請求項７記載によるプログラムは、モールドに形成されたパターンを被転写体に転写する転写装置に搭載されているコントローラで実行するプログラムであって、前記モールドと前記被転写体とを押圧させるべく前記転写装置を制御する押圧ステップと、前記モールドと前記被転写体とを押圧する押圧力を低下させる若しくはゼロにすべく前記転写装置を制御する減圧ステップと、前記被転写体を内周部側から第一の方向に撓ませるべく前記転写装置を制御する加撓ステップと、前記加撓ステップの実行によって撓みの生じた前記被転写体と前記モールドとを離型させるべく前記転写装置を制御する離型ステップと、を有する。
図面の簡単な説明
［０００７］
［図１］本発明に係るインプリント装置の概略構成を示す図である。
［図２］図１に示すインプリント装置において実施されるインプリント方法を示すフローチャートの一例を示す図である。
［図３］図１に示すインプリント装置において実施されるインプリント方法を示すフローチャートの一例を示す図である。
［図４］両面転写動作の各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及び下側センターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。
［図５］両面転写動作の各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及び下側センターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。
［図６］両面転写動作の各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及び下側センターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。
［図７］両面転写動作の各段階毎に、図１に示すインプリント装置の上側モールド保持部５０１ａ、下側モールド保持部５０１ｂ及び下側センターピン３０ｂ各々の状態（位置関係）を模式的に表す図である。
［図８］上側モールド５０３ａ及び下側モールド５０３ｂの概略構成を示す図で
【国際調査報告】
2010143303.tif 000026
2010143303.tif 000027
2010143303.tif 000028
2010143303.tif 000029
2010143303.tif 000030
2010143303.tif 000031