【事件の表示】
　特許第３１５２２０１号「化学増幅系レジストのパターン形成方法」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１５２２０１号の請求項１ないし６に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　特許第３１５２２０１号の請求項１ないし６に係る発明は、平成１０年３月２０日に特許出願され、平成１３年１月２６日にその特許権の設定登録がなされた後、内野光平より特許異議の申立てがなされ、その後、取消理由通知がなされ、その指定期間内の平成１４年３月１４日に特許異議意見書が提出されたものである。
　　
２．特許異議の概要
　特許異議申立人は、証拠として、
甲第１号証：Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ， Ｖｏｌ.３０４９ ｐ.２４８〜２５５（１９９７年３月１０〜１２日）〈証拠方法１〉
甲第２号証：特開平２−６２５４４号公報〈証拠方法２〉
甲第３号証：特開平７−５７９９７号公報〈証拠方法３〉
甲第４号証：Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ， ｖｏｌ.２４３８ ｐ.５３〜６０（１９９５年２月２０〜２２日）〈証拠方法４〉
甲第５号証：Ｊ．Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，Ｖｏｌ.８，Ｎｏ.４，ｐ.５０５〜５１８（１９９５）〈証拠方法５〉
甲第６号証：Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．２７２４ ｐ.１７４〜１８５（１９９６年３月１１〜１３日））〈証拠方法６〉
甲第７号証：Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ，ｖｏｌ．３３３３ ｐ.６８０〜６９１（１９９８年２月２３〜２５日）〈証拠方法７〉
甲第８号証：特願平９−１３０６８９号(特開平１０−３１９５９６号公報)〈証拠方法８〉
を提出して、本件請求項１ないし６に係る発明は、甲第１〜７号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、その特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、
　また、甲第８号証の出願当初の明細書に記載された発明であるから、その特許は特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから取り消されるべき旨主張する。
　なお、異議申立人は、甲第８号証として特開平１０−３１９５９６号公報を公知文献として提出したが、該公報は本件特許出願前の出願に係り、かつ本件特許出願後に公開されたものであるので、上記のように先願とした。
　
３．本件発明
　本件請求項１ないし６に係る発明（以下、「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明４」、「本件発明５」、「本件発明６」という。）は、特許明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「【請求項１】酸触媒により極性が変化するポリヒドロキシスチレン樹脂と露光光により酸を発生する光酸発生剤とを含有する化学増幅系レジストを用いたパターン形成方法において、
レジスト膜中の残存溶媒量が１vol％以下になるように露光前ベーク処理を行う工程と、
パターンを露光する工程と、
露光後のベーク処理中の酸の蒸散量が露光により生じた全酸量の１０％以下で露光後ベーク処理を行う工程と、を含むことを特徴とする化学増幅系レジストのパターン形成方法。
【請求項２】請求項１記載の化学増幅系レジストを用いたパターン形成方法において、露光前ベーク処理温度を高くすることでレジスト膜中の残存溶媒量が１vol％以下になるようにすることを特徴とする化学増幅系レジストのパターン形成方法。
【請求項３】請求項１記載の化学増幅系レジストを用いたパターン形成方法において、露光前ベーク処理時間を長くすることでレジスト膜中の残存溶媒量が１vol％以下になるようにすることを特徴とする化学増幅系レジストのパターン形成方法。
【請求項４】前記化学増幅系レジストが、芳香族スルホン酸を発生する光酸発生剤を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の化学増幅系レジストのパターン形成方法。
【請求項５】前記化学増幅系レジストの溶媒が、エチルラクテートであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の化学増幅系レジストのパターン形成方法。
【請求項６】前記化学増幅系レジストの溶媒が、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の化学増幅系レジストのパターン形成方法。」
　　
４．証拠方法の記載事項
　当審が通知した取消しの理由において引用した証拠方法１、３、６には次の事項が記載されている。
　証拠方法１には、
(ａ)「要約
　化学増幅レジストシステムのリソグラフパフォーマンスは光酸発生剤の構造に非常に依存している。・・・この報告において、我々は酸の蒸散性に対するレジストフィルム中の残存溶媒の効果を評価した。４種の、第３級−ブトキシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）保護−ポリヒドロキシスチレンとスルホン酸誘導体光酸発生剤（ＰＡＧ）とからなる、２成分化学増幅ポジ型ＫｒＦレジストが調製された。ここで、２種のＰＡＧ（２，４−ジメチルベンゼンスルホン酸（芳香族スルホン酸）誘導体ＰＡＧおよびシクロヘキサンスルホン酸（アルキルスルホン酸））誘導体ＰＡＧ）と２種の溶媒（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート；ＰＧＭＥＡおよびエチルラクテート；ＥＬ）との異なる組合せが評価された。」（第２４８頁第５〜１５行）、
(ｂ)「２．実験
　４種の、ベース樹脂としてｔ−ＢＯＣ保護−ポリヒドロキシポリスチレンと、等量の２種類の異なるＰＡＧ（芳香族スルホン酸誘導体ＰＡＧおよびアルキルスルホン酸誘導体ＰＡＧ）と２種の溶媒（ＰＧＭＥＡおよびＥＬ）とからなる、２成分化学増幅ポジ型ＫｒＦレジストが使用された。これらＰＡＧの構造は酸部分を除いて同じであった。・・・レジストフィルム中での発生した酸の量は次の方法で決定された。レジストサンプルは０．７μｍの厚さのフィルム状にシリコン基材に塗布され、そして種々の温度（７０、９０および１１０℃で９０秒間）でプリベークされた。これらのウエハーは、０．５０ＮＡレンズのＫｒＦエキシマレーザステッパーによって、０−１００ｍｊ／ｃｍ２の種々の露光量で露光され、それから、１００℃、９０秒間ＰＥＢ（露光後ベーク）がなされた。次に、各ウエハーのレジストフィルムはアセトンに溶解されて集められ、そして指示薬としてテトラブロモフェーノールブルーが加えられた。溶液はそれから酸フリー処理されたメスフラスコである量に希釈された。酸の量は、６１９−ｎｍ波長光に対する溶液の吸収を測定して決定された[13]。」（第２４９頁第１５〜末行）、
(ｃ)「３．４　残存溶媒量
　図３はプリベーク温度の関数としてレジストフィルム中の残存溶媒の濃度を示す。残存溶媒はプリベーク温度の上昇と共に減少する。さらに、ＰＧＭＥＡレジストの残存溶媒はＥＬレジストよりも多い。大量の残存溶媒は、ＰＧＭＥＡレジストにおいて、酸の拡散を促進し、そして最終的にはレジスト表面からの酸の蒸散を促進したと考えられた。
　図４は、５０ｍｊ／ｃｍ２の露光量における、酸の損失と残存溶媒との関係を示す。酸の損失は、図２(ａ)−(ｄ)から、ＰＥＢしない時の酸の量からＰＥＢした後の酸の量を差し引くことによって決定された。芳香族酸の酸の損失が残存する溶媒量の増加と共に増加することが発見されたが、しかしながら、アルキルスルホン酸の酸の損失は観察されなかった。芳香族酸は元来の高い蒸散性を示し、そしてレジストフィルム中の大量の残存溶媒は、酸の拡散を加速した。結果として、レジストフィルム表面からの酸の蒸散が促進され、そして酸の損失は低いプリベーク温度でより大きくなった。アルキルスルホン酸の場合は、他方、酸の損失がレジストフィルム中の残存溶媒から独立していた。アルキルスルホン酸は元来の低い蒸散性を示し、そしてその拡散は残存溶媒によってほとんど影響を受けなかったと考えられる（表３）。」（第２５３頁第７〜２１行）、と記載され、
(ｄ)図３（第２５３頁）には、
プリベーク温度と残存溶媒量との関係のグラフとして、ＰＧＭＥＡでは、７０℃以下では約５ｖｏｌ％で一定、９０℃で４．５ｖｏｌ％　１１０℃で約３ｖｏｌ％　１３０℃で約１．５ｖｏｌ％であること、およびＥＬでは、７０℃以下では約３ｖｏｌ％で一定、９０℃で約２．５ｖｏｌ％　１１０℃で約２ｖｏｌ％　１３０℃で約１ｖｏｌ％であることが、
(ｅ)図４（第２５３頁）には、残存溶媒量と酸の損失との関係のグラフとして、芳香族スルホン酸とＰＧＭＥＡの組合せでは、残存溶媒が５．５ｖｏｌ％、４．５ｖｏｌ％、３ｖｏｌ％では、酸の損失がそれぞれ約５０ｍｏｌ／ｍ３、約４０ｍｏｌ／ｍ３、約２７ｍｏｌ／ｍ３であるのに対して、アルキルスルホン酸との組合せでは、酸の損失がほとんどないこと、および芳香族スルホン酸とＥＬの組合せでは、残存溶媒が３ｖｏｌ％、２．５ｖｏｌ％、１．７ｖｏｌ％では、酸の損失がそれぞれ約３５ｍｏｌ／ｍ３、約２５ｍｏｌ／ｍ３、約１７ｍｏｌ／ｍ３であるのに対して、アルキルスルホン酸との組合せでは、酸の損失がほとんどないことが示されている。
　　
　証拠方法３には、
(ｆ)「【請求項１】複数の異なる基板に化学増幅型レジストを塗布し、レジスト層を形成する工程、前記レジストが塗布された前記基板をプレベークする工程、プレベーク後の前記基板を露光する工程、露光後の基板を露光後ベークする工程、及び露光後ベークが終了した基板を現像する工程を具備し、前記露光後ベークする工程直前におけるレジスト層中の残留溶媒量が、複数の基板間において均一であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】レジスト塗布から露光後ベークまでの間に、基板周囲の環境の条件を制御する請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項４】前記環境の条件として、圧力又は温度の少なくとも一方を制御する請求項２記載のパターン形成方法。」(特許請求の範囲請求項１、２、４）、
(ｇ)「【００１１】
【作用】本発明者らは、露光後ベーク前のレジスト層における残留溶媒量がレジスト感度や解像度に影響を及ぼすことを見出した。化学増幅型レジストにおいて露光により発生した酸は、レジスト層中に残留した溶媒を経由して拡散する。レジスト層中に拡散した酸は、レジスト層中の溶解抑止化合物を連鎖反応的に次々と分解し、この領域のレジスト層の溶解速度を速める。その結果、未露光部との溶解速度の差によってパターンが形成されるものである。レジスト溶液を基板に塗布してプレベークした後もレジスト層中に残っている残留溶媒は、時間の経過に伴い徐々に揮発してその溶媒量が変動する。
【００１２】この際、レジスト層中の残留溶媒量が多い場合には、残留溶媒が拡散パスとして働くため、酸の拡散長が大きくなって、感度が上昇する。しかしながら、この場合には、アミン等の酸を失活させる物質も拡散しやすくなり、環境や基板からの影響を受け易くなるため形成されるパターンの断面にスカート状又はひさし状の難溶化層が発生して解像度が低下する。逆に、残留溶媒量が少ない場合には、酸は十分に拡散することができず、感度が低下する。したがって、適切に酸を拡散させるために露光後ベーク直前のレジスト層中の残留溶媒量が各基板毎に一定となるように制御することが、レジスト性能の安定性向上のために必須である。
【００１３】残留溶媒量の制御方法としては、露光後ベークする工程前に基板の保存環境を制御する工程を行なう方法が挙げられる。例えば、レジストを塗布した基板を溶媒蒸気を含む気体にさらすことによって、残留溶媒量を積極的に飽和濃度にまで増加させることができる。また、圧力又は温度の少なくとも一方を制御する工程を行なうことが挙げられる。即ち、圧力を低下させること及び／又は温度を上昇させることによって、溶媒の蒸発を促進して残留溶媒量を一定量まで減少させてもよい。これらの手段によって、複数の基板間におけるレジスト層中の残留溶媒量が均一になるように制御することができる。」、
(ｈ)「【００２５】温度だけの制御によって溶媒量を制御する場合には、その温度は、少なくとも制御される溶媒の沸点の絶対温度に対し９０％以上の温度であることが好ましい。なお、減圧する場合であっても、制御される溶媒のその減圧下における沸点の絶対温度に対して９０％以上の温度であることが好ましい。また、ポジ型レジストの場合、温度の上限は、レジスト中に含まれる溶解抑止剤又は酸発生剤の分解点のうち、いずれか低い方であり、一般には１６０℃程度である。一般に溶解抑止剤や光酸発生剤の熱分解は、アレニウスの法則に従うため、ここでいう分解点とは、１００秒程度で半分が分解する温度である。」、
(ｉ)「【００３２】また、レジスト層中の残留溶媒量とは、レジストの溶液を塗布した後、熱をかけて膜にする過程（プレベーク）の後もレジスト層中に残り、露光後ベーク直前に溶媒量を意味する。残留溶媒量は、レジスト層の厚さや処理条件によっても異なるが、通常、１ｃｍ２当り１０ｎｇ〜１０μｇという微量なものである。
【００３３】例えば、レジストの溶媒として有用なセロソルブアセテート系では、膜厚が１μｍのエチルセロソルブアセテートの場合、１ｃｍ２２当り１００ｎｇ以下とすると感度及び解像度の経時変化を抑えることができるが、これ以上の量では感度が変化してしまう。」、
(ｊ)「【００４２】・・・　本発明で用いるレジストは、以下のようにして調製した。
（レジスト調製例）ポリビニルフェノール［Ｐｏｌｙ（４−ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｌ）］の水酸基を溶解抑止基として酢酸ターシャリーブチル基［ｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌｍｅｔｈｏｘｙ　ｇｒｏｕｐ］で一部置換したもの［Ｒａｎｄｏｍ　ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ　ｏｆ　ｐｏｌｙ（ｐ−ｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌｍｅｔｈｏｘｙｓｔｙｒｅｎｅ）　ａｎｄ　ｐｏｌｙ（４−ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏl)］（ＢＯＣＭ−ＰＶＰ）を、レジスト用のポリマーとして用いた。ポリビニルフェノールは丸善石油化学のＰＨＭ−Ｃ（Ｍｗ＝５１００）を用い、炭酸カリウムとヨウ化カリウムの存在下で、文献に従って合成した。溶解抑止基の導入率は、ＮＭＲ（２７０ＭＨｚ）の測定より２６ｍｏｌ％であった。
【００４３】酸発生剤としては、みどり化学製のオニウム塩［Ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｐｈｏｎｉｕｍ　ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｐｈｏｎａｔｅ］（ＴＰＳ−ＯＴｆ）を用いた。
【００４４】レジストは、ＢＯＣＭ−ＰＶＰとオニウム塩との２００：１の混合物を、２５ｗｔ％の濃度でエチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）に溶解したものを使用した。」、
(ｋ)「【００６６】（実施例４）本実施例においては、環境の条件の制御としてプレベーク温度を変化させ、レジスト層中における酸の拡散長及び残留溶媒量を調べた。
【００６７】プレベーク温度を変化させたときの、酸の拡散長の変化を図３に示す。図３（ａ）及び図３（ｂ）は、それぞれ、９５℃及び１０５℃で露光後ベークを行なった結果である。図３から、プレベーク温度が低いときは、酸の拡散長は長くなり、温度が高くなると短くなる傾向がわかる。さらに、酸の拡散長はプレベーク温度が１１０℃〜１１５℃程度を越えると、ほぼ一定値になる。この傾向は、ＰＥＢ温度が９５℃と１０５℃でも同じであった。
【００６８】プレベーク温度を変化させたときの、レジスト層中の残留溶媒濃度の変化を図４に示す。残留溶媒濃度は、式（４）に従って求めた値をレジストの総重量で割ったものである。なお、樹脂の主成分であるポリビニルフェノールの比重は１．１７３ｇ／ｃｍ３であるため、レジストの比重としては、この値を用いた。また、レジスト層の厚みは、９４０ｎｍであったため、これらの値を用いてレジスト層中の残留溶媒濃度を求めた。
【００６９】図４から、残留溶媒濃度は、１１０℃までは急激に減少し、１１０℃以上ではほとんど変化がなく低い値で一定となることがわかる。この結果から、プレベーク温度を上げることによって、残留溶媒濃度が減少することがわかる。なお、図４に示されるように、残留溶媒はある一定量以下にはならず、１３０℃でも微量の溶媒がレジスト層中に残留しているが、本発明で用いた溶媒（エチルセロソルブアセテート）では、レジストの感度及び解像度の経時変化を防ぐためには、１１０℃以上にプレベーク温度を設定すれば十分であると考えられる。
【００７０】以上をふまえて、８０℃、９５℃、１１０℃、及び１２０℃でプレベークしたものを、ＫｒＦエキシマエーザーで露光した。この結果、０．２５ライン・スペースでの感度はそれぞれ３０ｍＪ、３４ｍＪ、３８ｍＪ、及び４０ｍＪであった。これに対し、プレベークした後、１日放置した後同条件で露光したところ、感度はそれぞれ３７ｍＪ、３９ｍＪ、４０ｍＪ、及び４０ｍＪであった。この結果から、１１０℃以上の温度でプレベークしたレジストでは、経時変化が生じないことがわかった。
【００７１】本実施例の結果から、１１０℃以上の温度でプレベークすることにより、レジスト層中の溶媒の蒸発が促進され、残留溶媒量を一定量まで減少させることがわかる。即ち、同一の条件下で複数の基板を１１０℃以上の所定の温度でプレベークすることにより、基板間の残留溶媒量を均一にすることが可能となる。なお、このような温度でプレベークした場合には、レジスト層中の残留溶媒量は、その後は変化しないので、露光感度の経時変化を避けることができる。」と記載され、
(ｌ)図４（第１１頁）には、プレベーク温度に対する残留溶媒濃度の関係のグラフとして、プレベーク温度８０℃、９０℃、１００℃、１１０℃、１１５℃、１２０℃、１２５℃、１３０℃では、それぞれ、約１．７ｗｔ％、約１．１ｗｔ％、約０．６ｗｔ％、約０．１ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．３ｗｔ％、約０．２ｗｔ％、約０．１ｗｔ％であることが示されている。
　　
　証拠方法６には、
(ｍ)「２．実験
　材料
　ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）は丸善石油化学株式会社から購入した。ＰＶＰの水酸基は次のように部分的にブロックされた。t−ＢＯＣ−ＰＶＰは塩基性条件でＰＶＰとジ−第３級−ブチル−ジ−カーボネート(di-tert-butyl-di-carbonate)との反応で得られた。ＴＨＰ−ＰＶＰは触媒として塩酸を用いてＰＶＰと３，４−ジヒドロピランとの反応で調製された。ビスフェノールＡ（ＢisＡ）と、トリスフェノール（ＴrisPhe)は、それぞれ東京化成工業株式会社、本州化学工業株式会社から購入した。溶解抑止剤は同じ方法でこれらのフェノール誘導体のターシャル−ブトキシカルボニル化により合成された（図１）。トリフェニルスルフォニウムトリフラレート（ＴＰＳＯＴｆ)はみどり化学株式会社から供給された。四臭化フェノールブルーナトリウム塩（Ｎa−ＴＢＰＢ）、ポリビニルアルコールは、それぞれ東京化成工業株式会社、日本合成化学工業株式会社から購入した。
　図１ レジスト１とレジスト２の溶解抑止剤の構造
　レジスト 1  t−ＢＯＣ−ビスフェノールＡの構造式《省略》、レジスト　２  t−ＢＯＣ−トリスフェノールの構造式《省略》、及びt−ＢＯＣ基の構造式《省略》
　
酸蒸散量の比較
　ロスチャートと共同研究者２）、また木原ら３）は、それぞれレジストフィルムからの酸蒸散について報告した。この実験は報告された方法と同様の方法でなされた。レジスト溶液は、t−ＢＯＣ−ＰＶＰ、t−ＢＯＣ−ＢisＡ 及びＴＰＳＯＴｆ（レジスト１）、またはt−ＢＯＣ−ＰＶＰ、t−ＢＯＣ−ＴrisPhe 及び ＴＰＳＯＴｆ（レジスト２）から調合された。レジストはシリコンウエハー（ウエハーＡ）にスピンコートされ、そしてホットプレート上で１２０℃ 、９０秒間乾燥された。クォーツウエハー（ウエハーＢ）が、純水（１５g）にＰＶＡ（１.５g）、Ｎa−ＴＢＰＢ（０.１５g）の溶液をスピンコートされ、そしてホットプレート上で８０℃ 、９０秒間ベークされた。ウエハーＡは低圧水銀灯（ＵＳＨＩＯ,　λ−ｍａｘ＝２５４ｎｍ，０.２８ｍＷ／ｃｍ２）で照射された。照射後、ウエハーＢがテフロンスペーサーを用いて０.０５ｍｍ の間隔をとって置かれ、そして両ウエハーはベークされた（図２）。ウエハーＡからの酸蒸散量は６２３ｎｍにおける吸収の減少量の測定で概算された。吸収スペクトルはＨＩＴＡＣＨＩ Ｕ−３５００ スペクトロフォトメーターを用いて測定された。
　
レジストフィルム中で発生した酸量の測定
　Ｎa−ＴＢＰＢ（１.８５ｗｔ％）が上記した各レジストに溶解された。レジストはクォーツウエハにスピンコートされた。該ウエハーは、ホットプレート上で１２０℃ 、９０秒間ベークされ、そして低圧水銀灯（ＵＳＨＩＯ,　λ−ｍａｘ＝２５４ｎｍ，０.２７ｍＷ／ｃｍ２）で照射された。照射後、６２６ｎｍにおける吸収はスペクトロフォトメーター（ＨＩＴＡＣＨＩ Ｕ−３５００）を用いて測定された。対照実験は照射無しでなされた。」（第１７５頁第１１行〜第１７６頁第２１行）、
(ｎ)「３．結果と議論
３．１．レジストフィルムからの酸蒸散における溶解抑止剤の構造効果
　レジスト１とレジスト２のパターンプロファイルが図４に示される。両レジストについて、ＰＥＢは照射後５分でなされた。レジスト１とレジスト２は、ベース樹脂（t−ＢＯＣ−ＰＶＰ）とＰＡＧが共通していて、そして溶解抑止剤として t−ＢＯＣ−ＢisＡ または t−ＢＯＣ−ＴrisPhe をそれぞれ含んでいる。換言すると、Ｔ−トップ形成は溶解抑止剤の構造に依存する。図４に示されるように、レジスト１だけがＴ−トップを形成する。２つのレジストの違いを示すため、我々はＮa−ＴＢＰＢを用いてレジストフィルムから蒸散する酸の量を測定した。ウエハーＢの可視光スペクトル（実験欄参照）が図５に示される。酸蒸散量は、表１に要約されるように、６２３ｎｍでの、ＰＥＢの前と後との吸収の比率から計算された。図５と表１に示されるように、レジスト１は、レジスト２よりもより多くの酸蒸散量を与える。レジストフィルム中で形成される酸の総量は、レジストにＮa−ＴＢＰＢを加えることによって測定された。結果は図６と表２に示される。形成された酸量は両方のレジストで本質的に同じであった。このように、我々は、トリスフェノールから誘導された溶解抑止剤を持つレジストフィルムは、ビスフェノールタイプの溶解抑止剤を持つものよりも蒸散による酸の損失が少ないことを発見した。これらの発見は、ＰＡＧと溶解抑止剤の間の相互作用が、Ｔ−トップ形成に重要な役割を演じていることを示唆する。」（第１７７頁第１４〜３４行）、
(ｏ)「表１　レジスト１とレジスト２からの蒸散した酸量」（第１８２頁）には、露光量が５６ｍｊ／ｃｍ２の時の全酸量に対する蒸散した酸量の比が、レジスト１、レジスト２でそれぞれ６．４％、０．０２８％である、
(ｐ)「表２　レジスト１とレジスト２で発生した酸の量」（第１８３頁）には、露光量が５６ｍｊ／ｃｍ２の時の全酸量に対する発生した酸量の比がレジスト１とレジスト２で共に６９％である、
と記載されている。
　
５．本件発明１について
　証拠方法３には、「複数の異なる基板に化学増幅型レジストを塗布し、レジスト層を形成する工程、前記レジストが塗布された前記基板をプレベークする工程、プレベーク後の前記基板を露光する工程、露光後の基板を露光後ベークする工程、及び露光後ベークが終了した基板を現像する工程を具備し、前記露光後ベークする工程直前におけるレジスト層中の残留溶媒量が、複数の基板間において均一であるパターン形成方法」（記載事項(ｆ)参照）が記載され、
　化学増幅型レジストは、ポリビニルフェノール［Ｐｏｌｙ（４−ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏｌ）］の水酸基を溶解抑止基として酢酸ターシャリーブチル基［ｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌｍｅｔｈｏｘｙ　ｇｒｏｕｐ］で一部置換したもの［Ｒａｎｄｏｍ　ｃｏｐｏｌｙｍｅｒ　ｏｆ　ｐｏｌｙ（ｐ−ｔ−ｂｕｔｏｘｙｃａｒｂｏｎｙｌｍｅｔｈｏｘｙｓｔｙｒｅｎｅ）　ａｎｄ　ｐｏｌｙ（４−ｖｉｎｙｌｐｈｅｎｏl)］（ＢＯＣＭ−ＰＶＰ）、及び酸発生剤としては、みどり化学製のオニウム塩［Ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｓｕｌｐｈｏｎｉｕｍ　ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｍｅｔｈａｎｅｓｕｌｐｈｏｎａｔｅ］（ＴＰＳ−ＯＴｆ）を含有するものであるが（記載事項(ｊ)参照）、ポリビニルフェノールはポリヒドロキシスチレンの別名であり、その水酸基を溶解抑止基として酢酸ターシャリーブチル基で一部置換しているが、酸発生剤から発生した酸によって現像液に不溶解性であったものが溶解性に変化するから、酸触媒により極性が変化するものであり、
　残留溶媒量は、膜厚が１μｍのエチルセロソルブアセテートの場合、１ｃｍ２当り１００ｎｇ以下とすると感度及び解像度の経時変化を抑えることができるのであるので（記載事項(ｉ)参照）、
　本件発明１と証拠方法３に記載された発明とを対比すると、後者の、「プレベーク」、「残留溶媒量」は、前者の、「露光前べーク」、「残存溶媒量」にそれぞれ相当するから、
　両者は、「酸触媒により極性が変化するポリヒドロキシスチレン樹脂と露光光により酸を発生する光酸発生剤とを含有する化学増幅系レジストを用いたパターン形成方法において、
露光前ベーク処理を行う工程と、
パターンを露光する工程と、
露光後ベーク処理を行う工程と、を含む化学増幅系レジストのパターン形成方法」である点で一致し、
(1)露光前ベーク処理の残存溶媒量が、前者は、１ｖｏｌ％以下であるのに対して、後者では、エチルセロソルブアセテート溶媒で、膜厚が１μｍの場合、１ｃｍ２当り１００ｎｇ以下とする点、
(2)露光後のベーク処理中の酸の蒸散量が、前者は、露光により生じた全酸量の１０％以下であるのに対して、後者では記載されていない点、で相違する。
　
　そこで該相違点について検討する。
相違点(1)について
　証拠方法３において、「膜厚が１μｍのエチルセロソルブアセテートの場合、１ｃｍ２当り１００ｎｇ以下とする」ことから、レジスト膜の体積を計算すると、１μｍは０．０００１ｃｍであるので、ｌｃｍ×ｌｃｍ×０．０００１ｃｍ＝０．０００１ｃｍ３である。また、レジストの主成分であるポリビニルフェノールの密度が１．１７３ｇ／ｃｍ３であるので（記載事項(ｋ)参照）、この値からレジストの密度を１．２ｇ／ｃｍ３とすると、レジスト膜の重量は、０．０００１ｃｍ３×１．２ｇ／ｃｍ３＝０．０００１２ｇ＝１２０μｇ＝１２００００ｎｇと計算されるが、レジスト膜中に残存溶媒量については１００ｎｇ以下と微量で無視できる程度であるので、ほぼ１２００００ｎｇであるとする。
　残存溶媒量が「ｌｃｍ２当たり１００ｎｇ以下」であることを、残存溶媒の重量比に換算すると、
（残存溶媒の重量）／（レジストの重量）×１００＝ｌ００ｎｇ／１２００００ｎｇ×１００＝０．０８３ｗｔ％
であるから、０．０８３ｗｔ％以下であることである。
　さらに、重量比を容量比に換算すると、
（残存溶媒ｗｔ％）
　＝（残存溶媒の重量）／（レジストの重量）×１００
　＝［（残存溶媒の体積）×（残存溶媒の密度）］／［（レジスト膜の体積）×（レジスト膜の密度）］×１００
　＝［（残存溶媒の密度）／（レジストの密度）］×［（残存溶媒の体積）／（レジストの体積）］×１００
　＝［（残存溶媒の密度）／（レジストの密度）］×（残存溶媒ｖｏｌ％）
の関係があり、溶媒のエチルセロソルブアセテートの密度はほぼ１ｇ／ｃｍ３であるので、
（残存溶媒ｗｔ％）＝１／１．２×（残存溶媒ｖｏｌ％）
となり変形すると、
（残存溶媒ｖｏｌ％）＝１．２×（残存溶媒ｗｔ％）
であるから、残存溶媒ｖｏｌ％は残存溶媒ｗｔ％の１．２倍程度に換算されるので、０．０８３ｗｔ％以下は１．２倍した、０．１ｖｏｌ％以下ということである。
　さらに、図４には、露光前ベーク温度（℃）に対する残存溶媒濃度（ｗｔ％）の関係が、１１０℃で約０．１ｗｔ％、１１５℃で約０．２ｗｔ％、１２０℃で約０．３ｗｔ％、１２５℃で約０．２ｗｔ％、１３０℃で約０．１ｗｔ％、と示され、１１０℃以上ではほとんど変化がなく（記載事項(ｋ)、(ｌ)参照）、約０．３ｗｔ％以下の低い値で一定となり、感光度の経時変化が生じないものであるが、これも換算すると約０．３６ｖｏｌ％以下程度のことである。
　したがって、証拠方法３には、露光前べークにより残存溶媒量をｌｖｏｌ％以下とすることが記載されているのであって、本件発明１の残存溶媒量とは単に表現上異なるのみで、実質的な相違点ではない。
　　
相違点(2)について
　証拠方法６には、露光量が５６ｍｊ／ｃｍ２の時の全酸量に対する蒸散した酸量の比が、レジスト１、レジスト２でそれぞれ６．４％、０．０２８％であること（記載事項(ｏ)参照）、及び露光量が５６ｍｊ／ｃｍ２の時の全酸量に対する発生した酸量の比がレジスト１とレジスト２で共に６９％であること（記載事項(ｐ)参照）が記載されている。そして、レジスト１、レジスト２は、保護基にｔ−ブトキシカルボニル（t−ＢＯＣ）基を置換したポリヒドロキシスチレン（ポリビニルフェノール）樹脂と、光酸発生剤としてトリフェニルスルフォニウムトリフラレート（ＴＰＳＯＴｆ)とを用いるものであり（記載事項(ｍ)、(ｎ)参照）、該ポリヒドロキシスチレン樹脂は、露光光により光酸発生剤から発生した酸によって保護基が離脱し極性が変化するものである。
　ここで、レジスト１の、発生した酸に対する酸の蒸散量の比は６．４／６９×１００＝９．２８％であり、レジスト２では、０．０２８／６９×１００＝０．０４１％であるから、証拠方法６には、露光後のベーク処理中の酸の蒸散量が露光により生じた全酸量の１０％以下とすることが記載されている。
　したがって、証拠方法３のパターン形成方法において、証拠方法６に記載されるように、酸の蒸散量を露光により生じた全酸量の１０％以下とすることは、当業者にとって容易に想到し得たことである。
　よって、本件発明１は、証拠方法３、６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　　
６．本件発明２について
　本件発明２は、本件発明１の構成をすべて引用して、さらに露光前ベーク処理温度を高くするという限定を加えるものである。
　この点について検討すると、レジストの溶剤溶液をスピンコートした後の露光前ベーク処理は、加熱して溶剤を蒸発させて乾燥させることであるが、乾燥時間は温度が高ければ短くなり、反対に温度が低ければ長くなるものである。そして、露光前ベーク処理の温度には許容される温度範囲があることは周知であって（特開昭６１−２１０３４８号公報、特開昭６３−２７８２９号公報、特開平６−５１５１５号公報を参照）、「露光前ベーク処理温度を高くする」ことは、その温度範囲内の比較的に高い温度で処理することにすぎないので、当業者が適宜なしえたことにすぎない。
　したがって、本件発明２は、証拠方法３、６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
７．本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１の構成をすべて引用して、さらに露光前ベーク処理時間を長くするという限定を加えるものである。
　この点について検討すると、上記「６．本件発明２について」で述べたように、露光前ベーク処理の温度にはある温度範囲があるが、その温度範囲内の比較的に低い温度を採ることが乾燥時間を長くすることになる。
　したがって、「露光前ベーク処理時間を長くする」ということは、露光前ベーク処理を比較的低い温度で行うことを単に言い換えたにすぎないことであるので、当業者が、適宜なしえたことにすぎない。
　よって、本件発明３は、証拠方法３、６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
８．本件発明４について
　本件発明４は、本件発明１ないし３の構成をすべて引用して、芳香族スルホン酸を発生する光酸発生剤を含有するという限定を加えるものである。
　この点について検討する。証拠方法１に記載される、第３級−ブトキシカルボニル（ｔ−ＢＯＣ）保護−ポリヒドロキシポリスチレンと、スルホン酸誘導体光酸発生剤とからなる、２成分化学増幅ポジ型ＫｒＦレジスト４種類の中で、２，４−ジメチルベンゼンスルホン酸（芳香族スルホン酸）誘導体ＰＡＧを用いて、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルラクテートとを組合せた２種類は、本件明細書の実施例１、２で使用しているのと同じ２成分化学増幅系レジストである（記載事項(ａ)参照）。
　さらに、酸の損失はＰＥＢしない時の酸の量からＰＥＢした後の酸の量を差し引くことによって決定されるものであるが（記載事項(ｃ)参照）、このＰＥＢしない時の酸の量からＰＥＢした後の酸の量を差し引いた酸の量は、露光後のベーク処理で蒸散した酸の量に他ならないから、本件発明１の、露光後のベーク処理中の酸の蒸散量と同じものであり、さらに図４をみると、芳香族スルホン酸を発生する光酸発生剤に対して、溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチルラクテートをそれぞれ組合せた化学増幅系レジストで酸の損失を測定している（記載事項(ｅ)参照）。
　したがって、化学増幅系レジストに芳香族スルホン酸を発生する光酸発生剤を含有させることは、証拠方法１の記載から当業者が容易に想到することができたことである。
　よって、本件発明４は、証拠方法１、３、６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
９．本件発明５の特許について
　本件発明５は、本件発明１ないし４の構成をすべて引用して、溶媒がエチルラクテートであるという限定を加えるものである。
　この点について検討すると、上記「８．本件発明４について」で述べたように、証拠方法１には、溶媒がエチルラクテートである化学増幅系レジストで、露光後のベーク処理中の酸の蒸散量を測定することが記載されているのであるから、溶媒をエチルラクテートとすることは、証拠方法１の記載から当業者が容易に想到することができたことである。
　したがって、本件発明５は、証拠方法１、３、６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
１０．本件発明６について
　本件発明６は、本件発明１ないし４の構成をすべて引用して、溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートであるという限定を加えるものである。
　この点について検討すると、上記「８．本件発明４について」で述べたように、証拠方法１には、溶媒がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである化学増幅系レジストで、露光後のベーク処理中の酸の蒸散量を測定することが記載されているのであるから、溶媒をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートとすることは、証拠方法１の記載から当業者が容易に想到することができたことである。
　したがって、本件発明６は、証拠方法１、３、６に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　　
１１．むすび
　以上のとおり、本件請求項１ないし６に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定違反してされたものであるから、特許法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。
　よって、結論とおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月２５日（２００２．６．２５）