【事件の表示】
　特願２０１５−１７６２９０「ウェーハ研削方法及びウェーハ研削装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　３月１６日出願公開、特開２０１７−　５４８７２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年９月８日の出願であって，その手続の概要は，以下のとおりである。
　平成３１年　３月１８日：拒絶理由通知（起案日）
　令和　元年　５月２０日：意見書，手続補正書
　令和　元年　７月１９日：拒絶査定（起案日） 
　令和　元年１０月２４日：審判請求，手続補正書
　令和　元年１２月２４日：上申書
第２　令和元年１０月２４日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和元年１０月２４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
　１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項２の記載は，次のとおり補正された。
「【請求項２】
　ウェーハの表面に形成された複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後，前記表面に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置であって，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を粗研削する粗研削手段と，
　前記テーブルに保持されたウェーハの裏面に接触して前記ウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定手段と，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を精研削する精研削手段と，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面に対して離れた位置から前記ウェーハの厚さ測定する非接触式厚さ測定手段と，
　前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段と，
　を備え，
　前記制御手段は，前記粗研削手段及び前記精研削手段の送込速度を，前記ウェーハの厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする手段であって，前記精研削手段の送り込みを停止して，前記精研削手段によってスパークアウトを実行させる手段であり，
　さらに前記制御手段は，前記粗研削手段による加工時間と，前記スパークアウトを含む前記精研削手段による加工時間とが略等しくなるように，前記粗研削手段及び前記精研削手段の研削条件を設定する手段である，
　ウェーハ研削装置。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲の請求項３の記載は次のとおりである。
「【請求項３】
　ウェーハの表面に形成された複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後，前記表面に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置であって，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を粗研削する粗研削手段と，
　前記テーブルに保持されたウェーハの裏面に接触して前記ウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定手段と，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を精研削する精研削手段と，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面に対して離れた位置から前記ウェーハの厚さ測定する非接触式厚さ測定手段と，
　前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段と，
　を備え，
　前記制御手段は，前記粗研削手段及び前記精研削手段の送込速度を，前記ウェーハの厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする，
　ウェーハ研削装置。」
　２　補正の適否
　本件補正は，本件補正前の請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項について限定を付加して補正後の請求項２とする補正事項を含む。
　そして，補正前の請求項３に記載された発明と補正後の請求項２に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一である。
　したがって，本件補正前の請求項３に記載された発明を特定するために必要な事項について限定を付加して補正後の請求項２とする補正は，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで，本件補正後の請求項２に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
　ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２０１０−１９９２２７号公報（以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。（下線は，当審で付加した。以下同じ。）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体ウェーハ等の薄板状のワークを研削して薄化加工する際などに用いる研削装置に関する。」
「【００１６】
　以下，図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
［１］
半導体ウェーハ
　一実施形態では，図１に示す
円板状の半導体ウェーハ（以下，ウェーハ）１を研削対象物であるワークとしている
このウェーハ１の表面には格子状の分割予定ライン２によって複数の矩形状のチップ３が区画されている
これらチップ３の表面には，ＩＣやＬＳＩ等の図示せぬ電子回路が形成されている
【００１７】
　
ウェーハ１は，図２に示す研削装置１０Ａによって裏面が研削されて，例えば５０〜１００μｍ程度の厚さに薄化される
研削装置１０Ａに供されるウェーハ１の表面全面には，上記電子回路の保護のために保護テープ５が貼着される
「【００１９】
［２］研削装置の全体構成および動作
　図２に示す
研削装置１０Ａは，上記ウェーハ１を負圧吸着式のチャックテーブル（保持手段）３０に吸着して保持し，２台の研削ユニット（粗研削用と仕上げ研削用）４０Ａ，４０Ｂによりウェーハ１に対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハ１を薄化加工するものである
「【００２３】
　
加工ステージ１１上には，Ｒ方向に回転駆動されるターンテーブル１７が設けられている。そしてこのターンテーブル１７上の外周部には，複数（この場合，３つ）の円板状のチャックテーブル３０が，周方向に等間隔をおいて配設されている。これらチャックテーブル３０は，図示せぬ回転駆動機構により所定回転速度で自転する
【００２４】
　仮置きテーブル１６上で位置決めがなされたウェーハ１は，旋回アーム２１の先端にウェーハ１を負圧作用で吸着する吸着パッド２２が装着された供給手段２０によって仮置きテーブル１６から取り上げられ，ワーク着脱位置に位置付けられて負圧発生運転がなされている１つのチャックテーブル３０の上方まで搬送される。そして
ウェーハ１は，そのチャックテーブル３０上に被加工面である裏面を上に向けた状態で同心状に載置され，保持される
【００２５】
　図３に示すように，チャックテーブル３０は，ステンレス等からなる円板状の枠体３１と，内部に無数の気孔を有する多孔質材からなる円板状の吸着部３２とを備えている。枠体３１の上面の大部分には，外周縁部３１ａを残して円形の凹所３１ｂが同心状に形成されており，この凹所３１ｂに吸着部３２が嵌合されている。吸着部３２の上面は水平で枠体３１の外周縁部３１ａの上面と面一となっており，この吸着部３２の上面が，ウェーハ１を吸着して保持する保持面３２ａとして構成されている。
チャックテーブル３０には，吸着部３２内の空気を吸引して負圧状態とする図示せぬ負圧発生手段が接続されており，該負圧発生手段が運転されると，吸着部３２の上側の空気が吸引され，これによりウェーハ１の被保持面である表面側（この場合，保護テープ５の表面）が保持面３２ａに吸着して保持されるようになっている
【００２６】
　ワーク着脱位置はチャックテーブル３０が最も供給／回収ステージ１２に近接した位置であり，ターンテーブル１７の回転によってチャックテーブル３０はワーク着脱位置に位置付けられる。供給手段２０は，供給／回収ステージ１２の，ワーク着脱位置に近接した位置に設けられている。
【００２７】
　
ワーク着脱位置でチャックテーブル３０に保持されたウェーハ１は，ターンテーブル１７がＲ方向へ所定角度回転することにより，粗研削用研削ユニット４０Ａの下方の一次加工位置に送り込まれ，この位置で該研削ユニット４０Ａによりウェーハ１の裏面が粗研削される
次いでウェーハ１は，再度ターンテーブル１７がＲ方向へ所定角度回転することにより，仕上げ研削用研削ユニット４０Ｂの下方の二次加工位置に送られ，この位置で該研削ユニット４０Ｂによりウェーハ１の裏面が仕上げ研削される
【００２８】
　加工ステージ１１のＹ方向奥側の端部には，Ｘ方向に並ぶ２つのコラム５０Ａ，５０Ｂが立設されており，これらコラム５０Ａ，５０Ｂの前面に，
各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂが，それぞれＺ方向（鉛直方向）に昇降自在に設置されている
サーボモータ５３によって駆動されるボールねじ式の送り機構５４により，スライダ５２を介してＺ方向に昇降するようになっている
【００２９】
　
各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂは同一構成であり，装着される砥石が粗研削用と仕上げ研削用と異なることで，区別される
【００３０】
　砥石４４はウェーハ１に応じたものが選択され，例えば，ガラス質のボンド材中にダイヤモンド砥粒を混合して成形し，焼結したものなどが用いられる。
各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂには，被加工面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削液を供給する研削液供給機構（図示略）が設けられている
【００３１】
　砥石ホイール４５は上記スピンドルシャフトと一体に回転し，該砥石ホイール４５の，回転する砥石４４の最外径である研削外径は，ウェーハ１の直径と同等か，もしくは小さく設定されている。図６で，１Ｐ，１Ａ，１Ｂは，ウェーハ１のワーク着脱位置，一次加工位置，二次加工位置をそれぞれ示しており，研削ユニット４０Ａ，４０Ｂは，一次加工位置１Ａ，二次加工位置１Ｂの外周側にそれぞれ配設されている。また，ターンテーブル１７が所定角度回転して定められる一次加工位置１Ａおよび二次加工位置１Ｂは，チャックテーブル３０が回転することによって自転するウェーハ１の回転中心Ｏを研削ホイール４５の外縁部が通過して，ウェーハ１の裏面全面が研削され得る位置に設定される。
【００３２】
　ウェーハ１の裏面は，粗研削および仕上げ研削の各加工位置において，各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂにより研削される。裏面研削は，チャックテーブル３０を回転させてウェーハ１を自転させ，送り機構５４によって研削ユニット４０Ａ（４０Ｂ）を下降させる研削送りをしながら，回転する砥石ホイール４５の砥石４４をウェーハ１の露出している裏面に押し付けることによりなされる。
【００３３】
　
ウェーハ１は，粗研削から仕上げ研削を経て目標厚さまで薄化される
ウェーハ１の厚さは，一次加工位置１Ａおよび二次加工位置１Ｂの近傍にそれぞれ設けられた第１厚さ測定ゲージ６０，および第２厚さ測定ゲージ７０によって測定される
ウェーハ１の裏面研削は，それら厚さ測定ゲージ６０，７０によってウェーハ１の厚さを測定しながら行われ，各厚さ測定ゲージ６０，７０の測定値に基づいて，上記送り機構５４による研削送り量が制御手段１９により制御される
【００３４】
　この場合，
第１厚さ測定ゲージ６０は接触式であり，第２厚さ測定ゲージ７０は非接触式である
【００３５】
　基準プローブ６２は，先端がウェーハ１で覆われないチャックテーブル３０の枠体３１の外周縁部３１ａの上面に接触させられる。一方，変動プローブ６３は，先端がチャックテーブル３０に保持されるウェーハ１の上面すなわち被加工面に接触させられる。第１厚さ測定ゲージ６０では，基準プローブ６２によりチャックテーブル３０の高さ位置が検出され，変動プローブ６３によりウェーハ１の上面の高さ位置が検出される。そして，両者の検出データの差に基づいてウェーハ１の厚さが算出される。
【００３６】
　なお，この場合はウェーハ１の表面に保護テープ５が貼着されているので，保護テープ５の厚さも考慮してウェーハ１の厚さが算出される。すなわち，「（変動プローブ６３の検出データ−基準プローブ６２の検出データ）−保護テープ５の厚さ」が，ウェーハ１の厚さとされる。この厚さ測定値が制御手段１９に送られ，制御手段１９は送られた厚さ測定値に基づいて送り機構５４による研削送り量を制御する。
【００３７】
　一方，非接触式の第２厚さ測定ゲージ７０は，図４に示すように，加工ステージ１１に立設され先端がチャックテーブル３０の上方に延びる逆Ｌ字状のポスト７１と，このポスト７１の先端に設けられた円筒状のヘッド部７２とを備えている。図５に示すように，ヘッド部７２の内部には，図示せぬ超音波発振部から発振されるパルス超音波等の超音波Ｓを所定角度で下方のウェーハ１に向けて送る送波部７３と，送波部７３から送波されてウェーハ１に反射した超音波Ｓの反射波を受ける受波部７４とが配設されている。
【００３８】
　ヘッド部７２の内部には，図示せぬ給水管から純水等の水Ｗが供給されるようになっており，ヘッド部７２内における送波部７３および送波部７３の下端部とウェーハ１の表面間の空間が常に水Ｗで満たされるようになっている。このように水Ｗが供給されることにより，超音波Ｓは空気中よりも減衰が少なくなって伝播性が良好になり，測定精度が向上する。なお，供給される水Ｗは，ヘッド部７２の下端面とウェーハ１の上面との間に形成される僅かな隙間から排水されていく。
【００３９】
　この構成からなる第２厚さ測定ゲージ７０によれば，送波部７３から水Ｗ中を通してウェーハ１に向けて送波された超音波Ｓは，ウェーハ１の上面（被加工面）と下面とで反射し，それぞれが第１反射波Ｓ１，第２反射波Ｓ２として，受波部７４で受波される。第２反射波Ｓ２は，ウェーハ１の厚さ分だけ第１反射波Ｓ１よりも遅れて受波部７４に到達するので，この時間差に基づいてウェーハ１の厚さが測定される。
【００４０】
　厚さ測定値は制御手段１９に送られ，制御手段１９は送られた厚さ測定値に基づいて，研削ユニット４０Ｂの送り機構５４による研削送り量を制御する。なお，
制御手段１９には，研削前に予めウェーハ１の研削後の目的厚さが入力され，制御手段１９はこの目的厚さまでウェーハ１が研削されるように，各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂの研削送り量を制御する
【００４１】
　なお，本実施形態の第２厚さ測定ゲージ７０は超音波を利用した非接触式であるが，非接触式の形態は任意に選択可能であり，例えばレーザ光を用いた形態の測定器を用いることもできる。」
（イ）上記記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。），及び，技術的事項が記載されていると認められる。
＜引用発明＞
「ＩＣやＬＳＩ等の電子回路が表面に形成されている矩形状の複数のチップが，格子状の分割予定ラインによって区画されている，円板状の半導体ウェーハ（以下，ウェーハ）の表面全面に貼着された，上記電子回路の保護のための保護テープを，負圧吸着式のチャックテーブル（保持手段）に吸着して保持し，２台の研削ユニット（粗研削用と仕上げ研削用）４０Ａ，４０Ｂによりウェーハに対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハを目標厚さまで薄化加工する研削装置であって，
　加工ステージ上に設けられた，Ｒ方向に回転駆動されるターンテーブルと，
　このターンテーブル上の外周部に，周方向に等間隔をおいて配設された，３つの円板状の，回転駆動機構により所定回転速度で自転するチャックテーブルと，
　ワーク着脱位置でチャックテーブルに保持されたウェーハが，ターンテーブルのＲ方向への所定角度の回転により送り込まれる一次加工位置で，ウェーハの裏面を粗研削する，サーボモータによって駆動されるボールねじ式の送り機構により，スライダを介してＺ方向（鉛直方向）に昇降自在に設置されている，粗研削用の砥石が装着された粗研削用研削ユニット４０Ａと，
　ターンテーブルの再度のＲ方向への所定角度の回転により送られる二次加工位置で，ウェーハの裏面を仕上げ研削する，サーボモータによって駆動されるボールねじ式の送り機構により，スライダを介してＺ方向（鉛直方向）に昇降自在に設置されている，仕上げ研削用の砥石が装着されている研削ユニット４０Ｂと，
　各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂに設けられた，被加工面の冷却や潤滑あるいは研削屑の排出のための研削液を供給する研削液供給機構と，
　ウェーハの厚さを測定する，一次加工位置および二次加工位置の近傍にそれぞれ設けられた接触式である第１厚さ測定ゲージ６０，および非接触式である第２厚さ測定ゲージ７０と，
　これら厚さ測定ゲージ６０，７０によってウェーハの厚さを測定しながら行なうウェーハの裏面研削において，各厚さ測定ゲージ６０，７０の測定値に基づいて，上記送り機構による研削送り量を制御する，研削前に予めウェーハの研削後の目的厚さが入力され，この目的厚さまでウェーハが研削されるように，各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂの研削送り量を制御する制御手段と，
　を備えた研削装置。」
　イ　引用文献２
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００３−１７４４２号公報（以下「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体ウェーハの表面に裏面まで貫通しない切削溝を形成した後，裏面を研削して切削溝を表出させることにより個々の半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割システム及び分割方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体チップを薄く形成するための技術として，半導体ウェーハの表面に形成された複数の半導体回路を区画するストリートに裏面まで貫通しない比較的浅い切削溝を形成した後，その半導体ウェーハの裏面を研削砥石により研削することにより裏面側から切削溝を表出させて個々の半導体チップに分割する先ダイシングと呼ばれる技術が本出願人等によって開発されている
【０００３】
この先ダイシング技術によれば，チップの厚みが５０μｍ以下となるように加工することも可能となるため，携帯電話機等の各種機器の小型化，薄型化の要求に応えることができる
【０００４】
先ダイシングにおいては，図１５に示すように，表面に切削溝４０２が形成された半導体ウェーハＷの表面に保護テープＴを貼着し，この保護テープＴを下にしてチャックテーブル４００において半導体ウェーハＷを保持し，回転する研削砥石４０１を下降させて裏面を研削することにより切削溝４０２を表出させて個々の半導体チップＣに分割する
【０００５】
通常，研削は種類の異なる研削砥石を用いて粗研削，仕上げ研削の２段階に分けて行われるが，粗研削の段階で切削溝４０２を表出させてしまうと，分割によって形成された半導体チップＣの角に粗研削用の研削砥石が接触してその半導体チップに欠け等の破損が生じるおそれがある。そこで，粗研削の段階では切削溝４０２が表出する直前で研削を終了させ，仕上げ研削ではじめて切削溝４０２を表出させるのが一般的である
（イ）上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
・半導体チップを薄く形成するための技術として，半導体ウェーハの表面に形成された複数の半導体回路を区画するストリートに裏面まで貫通しない比較的浅い切削溝を形成した後，その半導体ウェーハの裏面を研削砥石により研削することにより裏面側から切削溝を表出させて個々の半導体チップに分割する先ダイシングと呼ばれる技術が開発されており，この先ダイシング技術によれば，チップの厚みが５０μｍ以下となるように加工することも可能となるため，携帯電話機等の各種機器の小型化，薄型化の要求に応えることができること。
・先ダイシングにおいては，表面に切削溝が形成された半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着し，この保護テープを下にしてチャックテーブルにおいて半導体ウェーハを保持し，回転する研削砥石を下降させて裏面を研削することにより切削溝を表出させて個々の半導体チップに分割するところ，通常，研削は種類の異なる研削砥石を用いて粗研削，仕上げ研削の２段階に分けて行われるが，粗研削の段階で切削溝を表出させてしまうと，分割によって形成された半導体チップの角に粗研削用の研削砥石が接触してその半導体チップに欠け等の破損が生じるおそれがあるので，粗研削の段階では切削溝が表出する直前で研削を終了させ，仕上げ研削ではじめて切削溝を表出させるのが一般的であること。
　ウ　引用文献３
（ア）原査定で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開平６−８１３６号公報（以下「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は，研削加工される工作物が既定寸法に近づくにしたがい切込み速度を次第に減少させるように制御する研削装置に関する
「【００２７】上記のような本実施例においては，切込み量Ｘ，切込み時間Ｔ，減速方式およびその演算回数Ｎを指定し，これらの指定データに基づいて砥石台の初期切込み速度Ｖ(ｏ)および減速情報Ｖ(ｔ)を求め，そして，砥石台の切込み開始後は，減速情報Ｖ(ｔ)を利用して
切込み速度を，従来の粗研削，精研削時の切込み時間より十分小さい一定の周期，例えば切込み時間Ｔの１０分の１以下の周期で減速方向に連続的に変化させるように構成したので，従来の粗研，精研，微研のような切込み方式に比べ初期切込み速度を大きくしても砥石台の切込み量と工作物の実加工径との差，すなわち工作物の撓み変形などによって生ずる切り残し量が増加することがなく，むしろ減少することになる
その結果，工作物の加工サイクルタイムが短くなり，設定切込み時間内で工作物を目標寸法に確実に仕上げることができるとともに，工作物の円筒度，面粗さなどの加工精度を向上できる
【００２８】
なお，上記実施例では，本発明を円筒研削盤に適用した場合について説明したが，本発明はこれに限定されない
例えば
平面研削盤
にも同様に適用することができる
（イ）上記記載から，引用文献３には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
・研削装置の制御において，切込み速度を，従来の粗研削，精研削時の切込み時間より十分小さい一定の周期，例えば切込み時間Ｔの１０分の１以下の周期で減速方向に連続的に変化させるように構成することで，従来の粗研，精研，微研のような切込み方式に比べ初期切込み速度を大きくしても砥石台の切込み量と工作物の実加工径との差，すなわち工作物の撓み変形などによって生ずる切り残し量が増加することがなく，むしろ減少することになり，その結果，工作物の加工サイクルタイムが短くなり，設定切込み時間内で工作物を目標寸法に確実に仕上げることができるとともに，工作物の円筒度，面粗さなどの加工精度を向上できること，そして，これは，平面研削盤にも同様に適用することができること。
　エ　引用文献４
（ア）原査定で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００４−１５８５３７号公報（以下「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【００４３】
この研削工程は，まず，２０〜３０μｍのダイヤモンド粒子をビトリファイド（ガラス系セラミック）又はレジンボンド（有機樹脂）で結合した研削ホイール（砥石）を用いて，半導体チップ２０の厚みを１００μｍ程度まで粗研削する
研削送り速度は半導体チップ２０の厚みが薄くなるにつれて低速度になるようにする
【００４４】
その後，１〜１０μｍダイヤモンド粒子をビトリファイド又はレジンボンド（有機樹脂）で結合した研削ホイール（砥石）を用いて，半導体チップ２０の厚みを２５μｍ程度まで
仕上げ研削する
研削送り速度は半導体チップ２０の厚みが薄くなるにつれて低速度になるようにする
（イ）上記記載から，引用文献４には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
・研削ホイール（砥石）を用いて，半導体チップの厚みを粗研削，及び仕上げ研削する際に，研削送り速度を半導体チップの厚みが薄くなるにつれて低速度になるようにすること。
　オ　引用文献５
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００７−３３５４５８号公報（以下「引用文献５」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【０００１】
　本発明は，半導体ウエーハ等のウエーハを研削して薄化する研削装置に係り，特に，デバイス形成面の表面に保護テープ等の保護部材が貼られたウエーハを研削する際にウエーハのみの厚さを正確に得る技術に関する。」
「【発明の効果】
【００１６】
　本発明によれば，
仕上げ研削部において，接触式と非接触式の厚さ測定器をウエーハの厚さに応じて切り替えることにより，ウエーハの厚さや，ウエーハ裏面の酸化膜や窒化膜の有無や面粗度などの面状態に影響を受けることなく，保護部材を除いたウエーハのみの厚さを正確に測定することができ，これによって目的厚さのウエーハを確実に得ることができるといった効果を奏する
「【００４６】
　
仕上げ研削が進行する間，制御手段７０には非接触式厚さ測定器５４によるウエーハ１の厚さが逐一入力され，制御手段７０は，その測定値に基づいて仕上げ研削ユニット２０Ｂのモータ３４を制御してカップホイール２５の送り量すなわち研削量を制御する
そして，仕上げ研削が進み，制御手段７０が，非接触式厚さ測定器５４の測定値が記憶部７１の記憶する仕上げ厚さに達したと判断したら，送り機構３３によるカップホイール２５の下降を停止し，一定時間そのままカップホイール２５を回転させた後，粗研削ユニット２０Ｂを上昇させ，仕上げ研削を終える
「【００５０】
　
本実施形態のウエーハ研削装置１０では，まず，粗研削側厚さ測定ユニット４０の接触式厚さ測定器４３によって保護テープ４を含むウエーハ１の総厚（ｔ）を測定しながら，粗研削ユニット２０Ａでウエーハ１を粗研削し，例えば仕上げ厚さまであと３０μｍ程度までウエーハ１を薄化する
次いで，仕上げ研削では
非接触式厚さ測定器５４によってウエーハ１のみの厚さを測定しながら研削を行い，ウエーハ１が仕上げ厚さまで薄くなったら研削を終えるといった工程が採られる
仕上げ研削に移行したら，非接触式厚さ測定器５４でウエーハ１のみの厚さを測定するので，ウエーハ１の厚さが正確に測定され，保護テープ４やウエーハ１自体の厚さのばらつきに関係なく，ウエーハ１を確実に目的厚さに加工することができる
（イ）上記記載から，引用文献５には，次の技術的事項が記載されていると認められる。
・仕上げ研削部において，接触式と非接触式の厚さ測定器をウエーハの厚さに応じて切り替えることにより，ウエーハの厚さや，ウエーハ裏面の酸化膜や窒化膜の有無や面粗度などの面状態に影響を受けることなく，保護部材を除いたウエーハのみの厚さを正確に測定することができ，これによって目的厚さのウエーハを確実に得ることができるといった効果が得られる研削装置において，
　仕上げ研削ユニットのモータを制御してカップホイールの送り量すなわち研削量を制御する制御手段には，仕上げ研削が進行する間，非接触式厚さ測定器によるウエーハの厚さが逐一入力され，仕上げ研削が進み，制御手段が，非接触式厚さ測定器の測定値が記憶部の記憶する仕上げ厚さに達したと判断したら，制御手段は，送り機構によるカップホイールの下降を停止し，一定時間そのままカップホイールを回転させた後，粗研削ユニットを上昇させ，仕上げ研削を終えるという制御を行うこと。
（３）引用発明との対比
　ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「円板状の半導体ウェーハ（以下，ウェーハ）」，「ＩＣやＬＳＩ等の電子回路」，「電子回路の保護のための保護テープ」，「負圧吸着式のチャックテーブル（保持手段）」，及び「目標厚さ」は，それぞれ，本件補正発明の「ウェーハ」，「半導体素子」，「保護テープ」，「テーブル」，及び「仕上げ厚さである第１厚さ」に相当する。
　したがって，引用発明の「ＩＣやＬＳＩ等の電子回路が表面に形成されている矩形状の複数のチップが，格子状の分割予定ラインによって区画されている，円板状の半導体ウェーハ（以下，ウェーハ）の表面全面に貼着された，上記電子回路の保護のための保護テープを，負圧吸着式のチャックテーブル（保持手段）に吸着して保持し，２台の研削ユニット（粗研削用と仕上げ研削用）４０Ａ，４０Ｂによりウェーハに対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハを目標厚さまで薄化加工する研削装置」と，本件補正発明の「ウェーハの表面に形成された複数の半導体素子を区画するダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後，前記表面に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置」とは，以下の相違点１を除き，「区画」されるように「複数の半導体素子」が「形成された」「ウェーハの表面」「に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置」である点で一致する。
（イ）引用発明の「ワーク着脱位置でチャックテーブルに保持されたウェーハが，ターンテーブルのＲ方向への所定角度の回転により送り込まれる一次加工位置で，ウェーハの裏面を粗研削する，サーボモータによって駆動されるボールねじ式の送り機構により，スライダを介してＺ方向（鉛直方向）に昇降自在に設置されている，粗研削用の砥石が装着された粗研削用研削ユニット４０Ａ」，
　「ターンテーブルの再度のＲ方向への所定角度の回転により送られる二次加工位置で，ウェーハの裏面を仕上げ研削する，サーボモータによって駆動されるボールねじ式の送り機構により，スライダを介してＺ方向（鉛直方向）に昇降自在に設置されている，仕上げ研削用の砥石が装着されている研削ユニット４０Ｂ」，
　「ウェーハの厚さを測定する，一次加工位置」「の近傍に」「設けられた」「接触式である第１厚さ測定ゲージ６０」，
　「ウェーハの厚さを測定する，」「二次加工位置の近傍に」「設けられた」「非接触式である第２厚さ測定ゲージ７０」は，それぞれ，
　本件補正発明の「前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を粗研削する粗研削手段」，
　「前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を精研削する精研削手段」，
　「前記テーブルに保持されたウェーハの裏面に接触して前記ウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定手段」，
　「前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面に対して離れた位置から前記ウェーハの厚さ測定する非接触式厚さ測定手段」に相当する。
（ウ）引用発明の「これら厚さ測定ゲージ６０，７０によってウェーハの厚さを測定しながら行なうウェーハの裏面研削において，各厚さ測定ゲージ６０，７０の測定値に基づいて，上記送り機構による研削送り量を制御する，研削前に予めウェーハの研削後の目的厚さが入力され，この目的厚さまでウェーハが研削されるように，各研削ユニット４０Ａ，４０Ｂの研削送り量を制御する制御手段」と，
　本件補正発明の「前記粗研削手段及び前記精研削手段の送込速度を，前記ウェーハの厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする手段であって，前記精研削手段の送り込みを停止して，前記精研削手段によってスパークアウトを実行させる手段であり，さらに前記制御手段は，前記粗研削手段による加工時間と，前記スパークアウトを含む前記精研削手段による加工時間とが略等しくなるように，前記粗研削手段及び前記精研削手段の研削条件を設定する手段である」「前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段」とは，以下の相違点２を除き，
　「前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段」である点で一致する。
　イ　以上のことから，本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
【一致点】
「区画されるように複数の半導体素子が形成されたウェーハの表面に保護テープが貼り付けられた前記ウェーハの表面側をテーブルによって保持し，前記ウェーハの裏面を研削して前記ウェーハを仕上げ厚さである第１厚さまで薄化するウェーハ研削装置であって，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を粗研削する粗研削手段と，
　前記テーブルに保持されたウェーハの裏面に接触して前記ウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定手段と，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面を精研削する精研削手段と，
　前記テーブルに保持された前記ウェーハの裏面に対して離れた位置から前記ウェーハの厚さ測定する非接触式厚さ測定手段と，
　前記接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さよりも厚い第２厚さとなるまで前記粗研削手段によって前記ウェーハの裏面を粗研削させる制御手段であって，前記粗研削が行われた後，前記非接触式厚さ測定手段によって前記ウェーハの厚さを測定しながら，前記非接触式厚さ測定手段によって測定される前記ウェーハの厚さに基づき，前記ウェーハの厚さが前記第１厚さとなるまで前記精研削手段によって前記ウェーハの裏面を精研削させる制御手段と，
　を備える，
　ウェーハ研削装置。」
　
【相違点１】
　ウェーハ研削装置が，本件補正発明では，「ダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後」のウェーハを研削するものであるのに対して，引用発明は，そのような特定がされていない点。
【相違点２】
　制御手段が，本件補正発明では，「前記粗研削手段及び前記精研削手段の送込速度を，前記ウェーハの厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする手段であって，前記精研削手段の送り込みを停止して，前記精研削手段によってスパークアウトを実行させる手段であり，さらに前記制御手段は，前記粗研削手段による加工時間と，前記スパークアウトを含む前記精研削手段による加工時間とが略等しくなるように，前記粗研削手段及び前記精研削手段の研削条件を設定する手段である」のに対して，引用発明は，そのような特定がされていない点。
（４）判断
　以下，相違点について検討する。
　ア　相違点１について
　上記（２）イ（イ）のとおり，引用文献２には，携帯電話機等の各種機器の小型化，薄型化の要求に応えるため，半導体ウェーハの表面に形成された複数の半導体回路を区画するストリートに裏面まで貫通しない比較的浅い切削溝を形成した後，その半導体ウェーハの裏面を研削砥石により研削することにより裏面側から切削溝を表出させて個々の半導体チップに分割する先ダイシングと呼ばれる半導体チップを薄く形成するための技術が開発されており，先ダイシングにおいては，表面に切削溝が形成された半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着し，この保護テープを下にしてチャックテーブルにおいて半導体ウェーハを保持し，回転する研削砥石を下降させて裏面を研削することにより切削溝を表出させて個々の半導体チップに分割するところ，通常，研削は種類の異なる研削砥石を用いて粗研削，仕上げ研削の２段階に分けて行われるが，粗研削の段階で切削溝を表出させてしまうと，分割によって形成された半導体チップの角に粗研削用の研削砥石が接触してその半導体チップに欠け等の破損が生じるおそれがあるので，粗研削の段階では切削溝が表出する直前で研削を終了させ，仕上げ研削ではじめて切削溝を表出させることが一般的であることが記載されている。
　一方，引用発明は，半導体ウェーハの表面に保護テープを貼着し，この保護テープを下にしてチャックテーブルにおいて半導体ウェーハを保持し，回転する研削砥石を下降させて裏面を研削する装置であって，当該研削を種類の異なる研削砥石を用いて粗研削，仕上げ研削の２段階に分けて行う装置に係る発明である。
　そうすると，当業者であれば，引用発明に係る研削装置を引用文献２に記載される先ダイシングと呼ばれる方法で使用して，「ダイシングラインに沿って前記ウェーハの表面側から前記ウェーハの厚さよりも浅い溝を加工する溝加工工程が行われた後」のウェーハを研削するために使用すること，すなわち，相違点１について本件補正発明に係る構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　イ　相違点２について
（ア）上記（２）ウ（イ）のとおり，引用文献３には，研削装置の制御において，切込み速度を，従来の粗研削，精研削時の切込み時間より十分小さい一定の周期，例えば切込み時間Ｔの１０分の１以下の周期で減速方向に連続的に変化させるように構成することで，従来の粗研，精研，微研のような切込み方式に比べ初期切込み速度を大きくしても砥石台の切込み量と工作物の実加工径との差，すなわち工作物の撓み変形などによって生ずる切り残し量が増加することがなく，むしろ減少することになり，その結果，工作物の加工サイクルタイムが短くなり，設定切込み時間内で工作物を目標寸法に確実に仕上げることができるとともに，工作物の円筒度，面粗さなどの加工精度を向上できること，そして，これは，平面研削盤にも同様に適用することができることが記載されており，
　上記（２）エ（イ）のとおり，引用文献４には，研削ホイール（砥石）を用いて，半導体チップの厚みを粗研削，及び仕上げ研削する際に，研削送り速度を半導体チップの厚みが薄くなるにつれて低速度になるようにすることが記載されていることからも明らかなように，研削手段の送込速度を，研削対象物の厚さが薄くなるに従って連続的に遅くする制御は周知の方法である。
（イ）上記（２）オ（イ）のとおり，引用文献５には，仕上げ研削部において，接触式と非接触式の厚さ測定器をウエーハの厚さに応じて切り替えることにより，ウエーハの厚さや，ウエーハ裏面の酸化膜や窒化膜の有無や面粗度などの面状態に影響を受けることなく，保護部材を除いたウエーハのみの厚さを正確に測定することができ，これによって目的厚さのウエーハを確実に得ることができるといった効果が得られる研削装置において，仕上げ研削ユニットのモータを制御してカップホイールの送り量すなわち研削量を制御する制御手段には，仕上げ研削が進行する間，非接触式厚さ測定器によるウエーハの厚さが逐一入力され，仕上げ研削が進み，制御手段が，非接触式厚さ測定器の測定値が記憶部の記憶する仕上げ厚さに達したと判断したら，制御手段は，送り機構によるカップホイールの下降を停止し，一定時間そのままカップホイールを回転させた後，粗研削ユニットを上昇させ，仕上げ研削を終えるという制御を行うことが記載されている。
　一方，引用発明に係る研削装置においても，目的厚さを確実に得ることができることが望ましいことは自明の課題といえる。
　そうすると，非接触式である第２厚さ測定ゲージ７０によってウェーハの厚さを測定して，当該測定ゲージ７０の測定値に基づいて，制御手段が，仕上げ研削用の砥石が装着されている研削ユニット４０Ｂの送り機構による研削送り量を制御する引用発明に係る研削装置において，仕上げ研削が進み，制御手段が，非接触式厚さ測定器の測定値が記憶部の記憶する仕上げ厚さに達したと判断したら，制御手段は，送り機構によるカップホイールの下降を停止し，一定時間そのままカップホイールを回転させた後，粗研削ユニットを上昇させ，仕上げ研削を終えるという制御を行うこと，すなわち，「前記精研削手段の送り込みを停止して，前記精研削手段によってスパークアウトを実行させる」ことは適宜なし得たことである。
（ウ）下記の周知文献１及び２の記載からも明らかなように，ワークの保持手段を粗研削位置，精研削位置に移動させる移動手段を設けた研削装置において，各研削位置における加工時間を略等しくすることで，夫々の加工手段の稼働率を落とすことなく，有効稼働させる技術は周知である。
　そうすると，加工ステージ上に設けられた，Ｒ方向に回転駆動されるターンテーブルと，このターンテーブル上の外周部に，周方向に等間隔をおいて配設された，３つの円板状の，回転駆動機構により所定回転速度で自転するチャックテーブルとを備えた研削装置を用いて，２台の研削ユニット（粗研削用と仕上げ研削用）４０Ａ，４０Ｂによりウェーハに対し粗研削と仕上げ研削を順次行ってウェーハを目標厚さまで薄化加工するにあたり，夫々の加工手段の稼働率を落とすことなく，有効稼働させるために，研削装置の制御について前記周知の技術を適用して，粗研削用の研削ユニット４０Ａによりウェーハに対し粗研削を行う位置における加工時間と，仕上げ研削用の研削ユニット４０Ｂによりウェーハに対し仕上げ研削を行う位置における加工時間とが略等しくなるように，粗研削手段及び精研削手段の研削条件を設定することは当業者が当然に考慮することである。
　そして，当該研削装置が，上記（イ）で検討したように，精研削手段によってスパークアウトを実行させる工程を含むものである場合には，粗研削用の研削ユニット４０Ａによりウェーハに対し粗研削を行う位置における加工時間と，仕上げ研削用の研削ユニット４０Ｂによりウェーハに対し仕上げ研削を行う位置における加工時間とが略等しくなるように，粗研削手段及び精研削手段の研削条件を設定するにあたり，仕上げ研削を行う位置における加工時間として，当該スパークアウトの実行に必要とされる時間を含めるようにすることは当業者が当然に行うことである。
・周知文献１：特開２０００−２５４８５７号公報
「【請求項１０】　
ワークを保持する保持手段
　該保持手段で保持されたワークを
粗研削する粗研削手段
　該粗研削手段で粗研削されたワークを，前記保持手段で保持したまま
精研削する精研削手段
　該精研削手段で精研削されたワークを，前記保持手段で保持したまま研磨する研磨手段と，
　
前記保持手段を粗研削手段による粗研削位置，精研削手段による精研削位置，及び研磨手段による研磨位置に移動させる移動手段
　
を備えたことを特徴とする平面加工装置
「【００２２】請求項１０記載の発明によれば，平面加工装置に粗研削手段，精研削手段，及び研磨手段を設けたので，これらの手段によってワークを自動で粗研削，精研削，研磨することができる。更に，
ワークの保持手段を粗研削位置，精研削位置，及び研磨位置に移動させる移動手段を設けたので，夫々単数又は複数の粗研削手段，精研削手段，及び研磨手段を組合わせ配置された構成であっても，夫々の加工手段の稼働率を落とすことなく，有効稼働させることができる
「【００５０】一例をあげて説明すると，φ２００ｍｍで初期厚みが７２５μｍのウェーハを５０μｍの厚みに加工する場合，この時の粗研削速度を図１２の如く，２２５（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，精研削速度を６５（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，ポリッシュ（研磨）速度を６（μｍ／ｓｅｃ）に設定し，粗研削加工量５１０μｍ，精研削加工量１５０μｍ，ポリッシュ加工量１４．９μｍに設定すれば，
各加工時間（２．２７〜２．４８）が略等しくなるので，稼働率を落とすことなくウェーハ２８を７２５μｍから５０μｍの厚みに加工できる
・周知文献２：特開２００７−３０１６９７号公報
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体ウェハ等の基板の表面を研磨加工する研磨装置における研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　上述のような研磨装置として，例えば，半導体ウェハ基板における層間絶縁膜上の金属膜を化学機械研磨法（ＣＭＰ法）で精密に研磨加工する研磨装置（ＣＭＰ装置と称される）が知られている。この
研磨装置は，例えば，インデックステーブルが４つの領域に分割されており，各分割領域にはそれぞれ半導体ウェハ基板（以下基板という）を保持する真空チャックが設けられている
【０００３】
　４つのステージは，１つの搬送ステージと，３つの研磨ステージとから構成される。研磨ステージは基板を研磨加工する領域であり，研磨面を有する研磨ヘッドが設けられている。研磨ステージでは真空チャックされた基板を高速回転させるとともに，この基板の表面に研磨ヘッドの研磨面を押し付けて基板表面を平坦に加工する。搬送ステージには，未加工の基板を搬入するとともに，加工を終えた加工済み基板を搬出する搬送ロボットが設けられている。
【０００４】
　上記研磨装置では，搬送ロボットが未加工の基板を搬送ステージに搬入し，インデックステーブルを９０度回動させて第１研磨ステージに位置決めさせる。
第１研磨ステージで粗加工
第２研磨ステージで中間加工
【０００５】
　このような構成の研磨装置によれば，一つの研磨ステージごとに全研磨を行う場合と比較して，インデックステーブルを回動停止させる際に生じる待ち時間が少なくなるため，基板のスループットを向上させることができる。なお，
スループットの関係から，各研磨ステージにおいて
研磨時間等の研磨条件が同じに設定されることが好ましい
（エ）上記（ア）ないし（ウ）のとおりであるから，相違点２について本件補正発明に係る構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　ウ　そして，これらの相違点１及び２を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　
　エ　したがって，本件補正発明は，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　３　本件補正についてのむすび
　よって，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　令和元年１０月２４日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項３に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
　２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１ないし４に係る発明は，本願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし５に記載された事項に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
１．特開２０１０−１９９２２７号公報
２．特開２００３−１７４４２号公報
３．特開平６−８１３６号公報
４．特開２００４−１５８５３７号公報
５．特開２００７−３３５４５８号公報
　３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１ないし５及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
　４　対比・判断
　本願発明は，前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（３），（４）に記載したとおり，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用発明及び引用文献２ないし５に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。