【事件の表示】
　特許第３１１８４２９号「転写マスク及びその製造方法」の請求項１ないし４、７ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１８４２９号の請求項１ないし４、７ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１１８４２９号の発明は、平成８年１２月２６日に特許出願され、平成１２年１０月６日にその特許の設定登録がなされたものであり、その後、宍戸　孝雄より特許異議の申立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１１月５日に訂正請求がなされたものである。　
２．訂正の適否についての判断
（１）［訂正の内容］
　訂正請求書による訂正事項は次のとおりである。
訂正事項ａ：
　特許請求の範囲の請求項１を、
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、薄膜部が、ダイヤモンドからなる膜、又は、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。」と訂正する。
訂正事項ｂ：
　特許請求の範囲の請求項２を、
「薄膜部が、窒素を含有したＤＬＣ、ダイヤモンドの内から選ばれるいずれかの構造の膜、あるいは、これらの構造を主として含む膜、これらの構造を複数含む膜、又はこれらの構造の膜を積層した膜、であることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線露光用マスク。」と訂正する。
訂正事項ｃ：
　特許請求の範囲の請求項３を、
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、
　薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなり、かつ、炭素からなるアモルファス構造の膜であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。」と訂正する。
訂正事項ｄ：
　特許請求の範囲の請求項８を、
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスクの製造方法であって、シリコン基板上に炭素系材料からなる薄膜部を減圧下で形成する工程と、炭素系材料からなる薄膜部を、ドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程と、
　シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。」と訂正する。
訂正事項ｅ：
　特許請求の範囲の請求項９を、
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスクの製造方法であって、
　炭素系材料からなる薄膜部を、酸素ガス又は酸素を主ガスとしたドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程と、
　シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。」と訂正する。
（２）［訂正の範囲の適否、拡張・変更の存否］ 
　上記訂正事項ａは、特許明細書の請求項１に記載された「薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる」をより下位概念である「薄膜部が、ダイヤモンドからなる膜、又は、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる」に限定しようとするものである。当該事項は特許明細書の【００１９】欄及び【００２０】欄にこれらを用いることが好ましい理由が記載されていることに基づくものである。
　上記訂正事項ｂは、特許明細書の請求項２に記載された「薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ、グラファイト、ダイヤモンドの内から選ばれるいずれかの構造の膜、」をより下位概念である「薄膜部が、窒素を含有したＤＬＣ、ダイヤモンドの内から選ばれるいずれかの構造の膜、」に限定しようとするものである。当該事項は特許明細書の【００１９】欄及び【００２０】欄にこれらを用いることが好ましい理由が記載されていることに基づくものである。
　上記訂正事項ｃは、従属形式の請求項を独立形式の請求項に訂正し、「ＤＬＣ」を「ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）」と補正するにとどまるものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項の追加には該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　上記訂正事項ｄは、特許明細書の請求項８に記載された「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスク」をより下位概念である「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜こ　のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスク」に減縮しようとするものである。当該「支持枠部がシリコンからなる」ことは特許明細書の実施例１等に記載されていたものであり、「薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる」ことは特許明細書の請求項１に記載されていたものである。
　また、特許明細書の請求項８に記載された「炭素系材料からなる薄膜部を減圧下で形成する」をより下位概念である「シリコン基板上に炭素系材料からなる薄膜部を減圧下で形成する」に限定しようとするものである。当該事項は特許明細書の実施例の【００３３】欄に記載されていたものである。
　また、特許明細書の請求項８において「炭素系材料からなる薄膜部を、ドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程」を含むように限定しようとするものである。当該事項は特許明細書の請求項９に記載されていたものである。
　また、特許明細書の請求項８において「シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程」を含むように限定しようとするものである。当該事項は特許明細書の実施例の【００３７】欄に記載されていたものである。
　上記訂正事項ｅは、特許明細書の請求項９において、上記請求項８と同様の減縮をしようとするものである。
　したがって、本件訂正事項ａ〜ｅは特許明細書に記載した事項の範囲内においてするものであり、新規事項の追加に該当しない。
　また、本件訂正事項ａ〜ｅは、実質上特許請求の範囲を拡張・変更するものではない。
（３）［結び］
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書及び同条第３項において準用する特許法１２６条第２項から第３項までの規定に適合するので、当該訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
（１）［申立ての理由の概要］
特許異議申立人宍戸　孝雄は、下記甲第１〜４号証を提出し、請求項１に係る発明の特許は、甲第１号証に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してなされたものであり、請求項１〜４、７〜１０に係る発明の特許は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、取り消すべき旨主張している。
              Volume 11,Number 6 November/December 1993
　甲第２号証：特開平７−３２６５５６号公報
　甲第３号証：特開平６−２６４２７０号公報
　甲第４号証：ニューケラス１「セラミック機能性膜とその応用」
 　　　　　　（１９８８年、株式会社学献社　発行）
（２）［本件発明］
　特許第３１１８４２９号の請求項１〜４、７〜１０に係る発明（以下、それぞれ「本件発明１〜４、７〜１０」という。）は、平成１３年１１月５日付けの訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４、７〜１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「【請求項１】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、薄膜部が、ダイヤモンドからなる膜、又は、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項２】　薄膜部が、窒素を含有したＤＬＣ、ダイヤモンドの内から選ばれるいずれかの構造の膜、あるいは、これらの構造を主として含む膜、これらの構造を複数含む膜、又はこれらの構造の膜を積層した膜、であることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項３】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、
　薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ(タイヤモンド状カーボン)、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなり、かつ、炭素からなるアモルファス構造の膜であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項４】　支持枠部が、シリコン、ガリウム、インジウムの内から選ばれる少なくとも一種以上を含む材料からなることを特徴とする請求項１〜３記載の荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項７】　転写マスクの照射面、表裏面又は全面に金属層を形成することを特徴とする請求項１〜６記載の荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項８】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ(タイヤモンド状カーボン)、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスクの製造方法であって、シリコン基板上に炭素系材料からなる薄膜部を減圧下で形成する工程と、炭素系材料からなる薄膜部を、ドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程と、
　シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。
　【請求項９】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ(タイヤモンド状カーボン)、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスクの製造方法であって、
　炭素系材料からなる薄膜部を、酸素ガス又は酸素を主ガスとしたドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程と、
　シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。
　【請求項１０】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクの製造方法であって、
　支持基板全面に炭素系材料からなる薄膜層を形成し、この薄膜層を支持基板裏面をウエットエッチングする際のエッチングマスク層として利用することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。」
（３）［引用刊行物記載の発明］
　当審が通知した取消しの理由に引用された刊行物
           Volume 11,Number 6 November/December 1993（甲第１号証）
　刊行物２：特開平７−３２６５５６号公報（甲第２号証）
　刊行物３：特開平６−２６４２７０号公報（甲第３号証）
　刊行物４：ニューケラス１「セラミック機能性膜とその応用」（甲第４号証）
　　　　　　（１９８８年、株式会社学献社　発行）
　刊行物１には、
「I. INTRODUCTION
  Since the invention of integrated circuits (ICs), there was a rapid progress in the level of integration. The number of bits of storage per semiconductor chip roughly quadrupled every three years.
  Today and worldwide, light optical exposure tools define the chip pattern in the resist layer using I-line or deep ultraviolet (DUV) steppers with wavelengths of 365 and 248 nm, respectively. But there are several other lithography technologies in development, like x-ray, electron-, and ion-beam lithography, using much shorter wavelengths.
The reason for this is not only the resolution limit of light optical systems, but also their narrow depth of focus (DOF).
  By using x rays, electron, or ion beams for the exposures instead of a light-optical systems, the resolution and the DOF increase dramatically. These three nonoptical lithography technologies need a special membrane mask technology to transfer a pattern into the resist layer. The substrate of this mask type normally consists of a silicon wafer with a 2-3 μm thick membrane area in the center of the substrate. Various other membrane materials are under investigation (e.g., SiC, SiN, BN, C). The material most used today is silicon itself.」（第２４００頁左欄）
　刊行物２には、
「【請求項１】電子銃から放出された電子ビームを所望の形状に成形するための電子ビーム描画装置用アパチャであって、アパチャ本体を構成する基材と該基材の表裏両面に形成された金属膜とを有していることを特徴とする電子ビーム描画装置用アパチャ。」（第２頁特許請求の範囲）
　刊行物３には、
「【請求項１】基板に硬質カーボン膜を形成し、さらにマスク膜を形成し、露光現像処理を行いレジストをパターニングする工程と、レジストをエッチングマスクにしてマスク膜をエッチングする工程と、マスク膜をエッチングマスクとして酸素、または酸素を主体とするガスをエッチングガスとするドライエッチングにより硬質カーボン膜をエッチングする工程と、マスク膜を除去する工程とを有することを特徴とする硬質カーボン膜のパターニング方法。」（第２頁特許請求の範囲）
　「この膜の形成方法としては、炭化水素ガスをプラズマ分解するプラズマＣＶＤ法が主なものであり、高周波電圧（１３．５６ＭＨｚ）を印加する方法が知られている。その他の硬質カーボン膜形成方法としては、イオンビームスパッタリング法が存在する。」（第２頁段落【０００３】）
　「【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明のパターニング方法を用いることで、硬質カーボン膜の微細パターンを得ることができる。これにより硬質カーボン膜を噴射加工やケミカルエッチングなどのマスク材として利用することや、基板上に部分的に形成することが可能となる。」（第３頁段落【００１５】）
　刊行物４には、
　「析出した非晶質炭素膜およびi−カーボンの赤外吸収スペクトルには、炭素と水素の結合による吸収が認められており、析出膜中にはかなりの量の水素が含まれている。」（第１１頁左欄第１６〜１８行）
　「ダイヤモンドはその量と種類によって　Ia、Ib、IIa 、IIb　に分類されている。I型は窒素含有量が比較的多いもので、たとえば１０２０／cm３のものまで含まれる。さらに、不純物が層状に分散するか一様に分散するかで、Ia型とIb型に分かれる。天然のダイヤモンドは、主としてIa型で、金属触媒を用いた合成ダイヤは主としてIb型である。IIa型は窒素含有量が微量で、IIb型は硼素を含有し、Ｐ型の半導体特性を示すものである。」（第１０２頁左欄第５〜１４行）が記載されている。
（４）［対比・判断］
［本件発明１について］
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、前者では、「薄膜部が、ダイヤモンドからなる膜、又は、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜」という構成を有しているのに対して、後者では、「薄膜部が、シリコンや、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＢＮ、Ｃからなる膜」であるという点で相違する。
　そして、この相違点について、前記刊行物１、４には記載も示唆もなされていない。
　しかも本件発明１は、前記構成を有することで、明細書記載の「ダイヤモンドは、弾性係数が高く、かつ、膜応力のコントロールが可能であるため、マスク加工時及び描画時のパターン位置精度に優れる」、「窒素を含有したＤＬＣ膜では熱伝導性とともに導電性を有するため帯電の問題も同時に防止できる。」といった顕著な効果を奏するものと認められる。
　してみると、本件発明１は、刊行物１、４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認められない。
　また、前記相違点に係る構成は、異議申立人の提出した他の証拠のいずれにも記載されていないから、本件発明１は、甲第１号証に記載された発明と同一であるとも、また甲第１〜４号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明１は、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項のいずれの規定にも違反してなされたものではない。
［本件発明２について］
　本件発明２は、本件発明１の構成要件を全て含み、さらに膜の構造について他の構成要件を付加したものに相当するから、本件発明１について説示したのと同様の理由により、本件発明２は、刊行物１、４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認められない。また、本件発明２は甲第１〜４号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明２は、特許法第２９条第２項の規定にも違反してなされたものではない。
［本件発明３について］
　本件発明３と刊行物１記載の発明を対比すると、前者では、「アモルファス構造の膜」であるのに対して、後者では、そのような構造の膜についてない点で相違する。
　そして、この相違点について、前記刊行物１、４には記載も示唆もなされていない。
　しかも、本件発明３は、前記構成を有することで、特許異議意見書記載の「結晶性の膜に比べ、結晶粒がないためラフネスが良好であり、開口形状が良好である」という効果が期待できる。
　してみると、本件発明３は、刊行物１、４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認められない。
　また、前記相違点に係る構成は、異議申立人の提出した他の証拠のいずれにも記載されていないから、本件発明３は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明３は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではない。
［本件発明４、７について］
　本件発明４、７は、本件発明１または３の構成要件の全てを含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当するから、本件発明１、３について説示したのと同様の理由により、本件発明４、７は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認めることはできない。
　したがって、本件発明４、７は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではない。
［本件発明８について］
　本件発明８と刊行物１記載の発明を対比すると、前者では、「シリコン基板上に炭素系材料からなる薄膜部を減圧下で形成する工程」、「炭素系材料からなる薄膜部を、ドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程と、シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程」を有しているのに対して、後者では、そのような構成を有していない点で相違する。
　そして、この相違点について、前記刊行物１、３、４には記載も示唆もなされていない。
　しかも、本件発明８は、前記構成を有することで、明細書の「膜品質、転写性能等の観点から、炭素系材料からなる薄膜部を、減圧下で形成することが好ましい。」という記載に基づく効果、開口パターンの形成についての「シリコン材はエッチングされないため、ＳＯＩ基板におけるＳＩＯ２層のようなエッチングストッパー層を必要としない。」という効果、裏面側からのエッチング加工についての「炭素系材料膜は、耐薬品性に優れるためシリコン基板材料等をウエットエッチングによりウインド加工（裏面加工）する際のエッチング選択性に優れ、エッチング液によって炭素系材料膜がエッチングにより浸食されることがない。」という効果を奏するものと認められる。
　してみると、本件発明８は、刊行物１、３、４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認められない。
　また、前記相違点に係る構成は、異議申立人の提出した他の証拠のいずれにも記載されていないから、本件発明８は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明８は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではない。
［本件発明９について］
　本件発明９と刊行物１記載の発明を対比すると、前者では、「炭素系材料からなる薄膜部を、酸素ガス又は酸素を主ガスとしたドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程と、シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程」を有しているのに対して、後者では、そのような構成を有していない点で相違する。
　そして、この相違点について、前記刊行物１、３、４には記載も示唆もなされていない。
　しかも、本件発明９は、前記構成を有することで、開口パターンの形成についての「シリコン材はエッチングされないため、ＳＯＩ基板におけるＳＩＯ２層のようなエッチングストッパー層を必要としない。」という効果、裏面側からのエッチング加工についての「炭素系材料膜は、耐薬品性に優れるためシリコン基板材料等をウエットエッチングによりウインド加工（裏面加工）する際のエッチング選択性に優れ、エッチング液によって炭素系材料膜がエッチングにより浸食されることがない。」という効果を奏するものと認められる。
　してみると、本件発明９は、刊行物１、３、４に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認められない。
　また、前記相違点に係る構成は、異議申立人の提出した他の証拠のいずれにも記載されていないから、本件発明９は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明９は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではない。
［本件発明１０について］
　本件発明１０と刊行物１記載の発明を対比すると、前者では、「支持基板全面に炭素系材料からなる薄膜層を形成し、この薄膜層を支持基板裏面をウエットエッチングする際のエッチングマスク層として利用する」という構成を有しているのに対して、後者では、そのような構成を有していない点で相違する。
　そして、この相違点について、前記刊行物１、３には記載も示唆もなされていない。
　しかも本件発明１０は、前記構成を有することで、明細書記載の「炭素系材料膜は、耐薬品性に優れるためシリコン基板材料等をウエットエッチングによりウインド加工（裏面加工）する際のエッチング選択性に優れ、エッチング液によって炭素系材料膜がエッチングにより浸食されることがない。」といった顕著な効果を奏するものと認められる。
　してみると、本件発明１０は、刊行物１、３に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認められない。
　また、前記相違点に係る構成は、異議申立人の提出した他の証拠のいずれにも記載されていないから、本件発明１０は、甲第１〜４号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明１０は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではない。
（５）［結び］
　したがって、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月５日（２００２．３．５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
訂正事項ａ：
　特許請求の範囲の請求項１を、
　「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、薄膜部が、ダイヤモンドからなる膜、又は、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。」と訂正する。
訂正事項ｂ：
　特許請求の範囲の請求項２を、
「薄膜部が、窒素を含有したＤＬＣ、ダイヤモンドの内から選ばれるいずれかの構造の膜、あるいは、これらの構造を主として含む膜、これらの構造を複数含む膜、又はこれらの構造の膜を積層した膜、であることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子線露光用マスク。」と訂正する。
訂正事項ｃ：
　特許請求の範囲の請求項３を、
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、
　薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなり、かつ、炭素からなるアモルファス構造の膜であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。」と訂正する。
訂正事項ｄ：
　特許請求の範囲の請求項８を、
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスクの製造方法であって、シリコン基板上に炭素系材料からなる薄膜部を減圧下で形成する工程と、炭素系材料からなる薄膜部を、ドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程と、
　シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。」と訂正する。
訂正事項ｅ：
　特許請求の範囲の請求項９を、
「支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスクの製造方法であって、
　炭素系材料からなる薄膜部を、酸素ガス又は酸素を主ガスとしたドライエッチング法によりエッチング加工して、関口パターンを形成する工程と、
　シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程と、を有することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
転写マスク及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、
　薄膜部が、ダイヤモンドからなる膜、又は、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項２】　薄膜部が、
窒素を含有した
　【請求項３】　
支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、
　薄膜部が、
カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなり、かつ、
　【請求項４】　支持枠部が、シリコン、ガリウム、インジウムの内から選ばれる少なくとも一種以上を含む材料からなることを特徴とする請求項１〜３記載の荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項５】　薄膜部及び支持枠部が、炭素系材料からなる一体物であることを特徴とする請求項１〜４記載の荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項６】　薄膜部及び支持枠部を炭素系材料で形成するとともに、薄膜部と支持枠部との間に、金属、半導体材料、あるいは無機物からなる層を介在させたことを特徴とする請求項１〜３記載の荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項７】　転写マスクの照射面、表裏面又は全面に金属層を形成することを特徴とする請求項１〜６記載の荷電粒子線露光用マスク。
　【請求項８】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスク
であって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスク
　
シリコン基板上に
工程と
　
炭素系材料からなる薄膜部を、ドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する工程と、
　シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び持された薄膜部を形成する工程と、を有する
　【請求項９】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスク
であって、前記支持枠部がシリコンからなり、前記薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドから選ばれる炭素からなる膜、又は、窒素、水素、あるいはフッ素を他の成分として含む炭素からなる膜、窒素を含有したＤＬＣ膜、のうちのいずれかの炭素系材料の膜からなる転写マスク
　炭素系材料からなる薄膜部を、酸素ガス又は酸素を主ガスとしたドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する
工程と
　
シリコン基板を裏面側からアルカリ系エッチング液を用いたウエットエッチングによりエッチング加工して前記支持枠部及び支持された薄膜部を形成する工程と、を有する
　【請求項１０】　支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクの製造方法であって、
　支持基板全面に炭素系材料からなる薄膜層を形成し、この薄膜層を支持基板裏面をウエットエッチングする際のエッチングマスク層として利用することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、電子線露光、イオンビーム露光などに用いられる転写マスク等に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　現在、次世代の超微細化素子等の製造技術として、電子線リソグラフィー、イオンビームリソグラフィー、Ｘ線リソグラフィー等が注目されているが、いずれが量産技術として主流となるかは未だ不透明な状況にある。
　【０００３】
　この中で、近年、露光パターン中に繰り返して現れる種々の要素的パターンを、マスクを用いた転写方式で部分的に一括露光できるようにし、これら種々の要素的パターン転写を組み合わせることによって所望のパターンの露光を迅速に行えるようにした、部分一括露光（ブロック露光、セルプロジェクション露光あるいはキャラクタプロジェクションという場合もある）と呼ばれる描画方式が提案され、描画時間が短く量産性があり超微細パターンの描画が可能であることから、次世代ＬＳＩ技術、特に０．２μｍ以降のリソグラフィー法として脚光を浴び期待されている。
　【０００４】
　この方法に用いられるマスクは、通常、多数の互いに異なる要素的パターンを１枚のマスクに形成したものであり、このマスクを用いた露光は、要素的パターン（開口）で電子ビームを成形して所定の区画（ブロックまたはセル）を部分的に一括して露光し、一つの要素的パターンの転写が終了すると、電子ビームを偏向させるかもしくはマスクを移動させるかあるいはその双方を行うなどして次の要素的パターンの転写を行い、この操作を繰り返して描画を行う。
　【０００５】
　上述の電子ビームによる部分一括露光等の荷電粒子線露光に用いられる荷電粒子線露光用マスクは、一般に、支持枠部に支持された薄膜部に荷電粒子線を通過させる開口（貫通孔）パターンを形成した、いわゆる穴あきマスク（ステンシルマスク；Ｓｔｅｎｃｉｌ　ｍａｓｋ）である。
　【０００６】
　このような部分一括露光等に用いられる転写マスクは、従来より種々の方法で作製されているが、大きく分けて以下の二方法が挙げられる。
　【０００７】
　第一の方法では、基板として二枚のシリコン板をＳｉＯ２層を介して貼り合わせた構造のＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ〉基板を用い、ＳｉＯ２層をエッチングストッパー層（エッチング停止層）として、シリコン基板裏面をアルカリ水溶液でウエットエッチング加工して、支持枠部とこの支持枠部に支持されたシリコン薄膜部を形成するとともに、シリコン薄膜部にドライエッチング法で開口パターンを形成し、ＳｉＯ２からなるエッチング停止層を除去して転写マスクを作製している。
　【０００８】
　第二の方法では、シリコン基板上にレジストをマスクにしたメッキリフト法によって開口パターンを形成し、続いてシリコン基板裏面をアルカリ水溶液でウエットエッチング加工して支持枠部とこの支持枠部に支持されたメッキ薄膜開口パターン部を形成して転写マスクを作製している。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上述した従来方法には以下に示す問題点がある。
　【００１０】
　まず、ＳＯＩ基板を用いる第一の方法にあっては、得られる転写マスクにおける薄膜部と支持枠部とがＳｉＯ２層で絶縁されているため、ビーム照射時の十分な帯電除去が困難であるという問題がある。また、ＳｉＯ２層は熱伝導性が低いためビーム照射時に発熱してしまう。さらに、ＳＯＩ基板は高価である。また、表裏の薄膜部及び支持枠部の材料が同じシリコンであるため、エッチング選択性等に乏しく、プロセスの困難性を増し、プロセスマージン（余裕度、自由度）が少なく、実用的でない。
　【００１１】
　また、第二の方法では、レジストをマスクとしたメッキ時に、レジスト耐性が十分ではなくレジスト劣化を生じるため開口パターン精度を満足しにくいという問題がある。また、シリコン基板上のメッキ薄膜開口パターン部は、線膨張係数差からビーム照射時にたわみなどの歪みを生じやすく、描画時にパターン位置精度を低下させてしまうという問題がある。
　【００１２】
　本発明は上述した問題点にかんがみてなされたものであり、上記多くの課題を解決した転写マスクの提供等を目的とする。
　【００１３】
　【課題を解決するための手段】
　上記目的を達成するために、本発明の転写マスクは、支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクであって、薄膜部が炭素系材料の膜からなる構成としてある。
　【００１４】
　また、本発明の転写マスクは、上記本発明の転写マスクにおいて、薄膜部が、カーボン、ＤＬＣ、グラファイト、ダイヤモンドの内から選ばれるいずれかの構造の膜、あるいは、これらの構造を主として含む膜、これらの構造を複数含む膜、又はこれらの構造の膜を積層した膜、である構成、
　薄膜部が、炭素からなるアモルファス構造の膜である構成、
　支持枠部が、シリコン、ガリウム、インジウムの内から選ばれる少なくとも一種以上を含む材料からなる構成、
　薄膜部及び支持枠部が、炭素系材料からなる一体物である構成、
　薄膜部及び支持枠部を炭素系材料で形成するとともに、薄膜部と支持枠部との間に、金属、半導体材料、あるいは無機物からなる層を介在させた構成、あるいは、
　転写マスクの照射面、表裏面又は全面に金属層を形成した構成としてある。
　【００１５】
　さらに、本発明の転写マスクの製造方法は、支持枠部に支持された薄膜部に開口を形成してなる転写マスクの製造方法であって、
　炭素系材料からなる薄膜部を、減圧下で形成する構成、
　炭素系材料からなる薄膜部を、酸素ガス又は酸素を主ガスとしたドライエッチング法によりエッチング加工して、開口パターンを形成する構成、あるいは、
　支持基板全面に炭素系材料からなる薄膜層を形成し、この薄膜層を支持基板裏面をウエットエッチングする際のエッチングマスク層として利用する構成としてある。
　【００１６】
　以下、本発明を詳細に説明する。
　【００１７】
　本発明では、転写マスクにおける薄膜部を、炭素系材料で形成する。
　【００１８】
　炭素系材料としては、カーボン、ＤＬＣ（タイヤモンド状カーボン）、グラファイト、ダイヤモンドなどの炭素からなる膜や、炭素からなるアモルファス構造の膜、あるいは、炭素を主成分とする膜等が挙げられる。これらの膜はこれらの構造を主として含む膜、これらの構造を複数含む膜、又はこれらの構造の膜を積層した膜であてもよい。
　炭素系材料に含ませる他の成分としては、例えば、窒素、水素、あるいはフッ素などが挙げられる。
　【００１９】
　これらの材料の中で、ダイヤモンドは、弾性係数が高く、かつ、膜応力のコントロールが可能であるため、マスク加工時及び描画時のパターン位置精度に優れる。
　【００２０】
　形成した炭素系材料膜の熱伝導性はシリコンに近く、発熱の問題を解消できる。また、窒素を含有したＤＬＣ膜では熱伝導性とともに導電性を有するため帯電の問題も同時に防止できる。
　【００２１】
　炭素系材料膜は、耐薬品性に優れるためシリコン基板材料等をウエットエッチングによりウインド加工（裏面加工）する際のエッチング選択性に優れ、エッチング液によって炭素系材料膜がエッチングにより浸食されることがない。
　【００２２】
　本発明では、支持基板全面に炭素系材料からなる薄膜層を形成し、この薄膜層を支持基板裏面をウエットエッチングする際のエッチングマスク層として利用することができる。これは上記のように炭素系材料からなる薄膜層はエッチング選択性に優れることを利用したプロセスである。
　【００２３】
　炭素系材料膜は、酸素ガス等を用いたドライエッチング法により容易に加工できる上、Ｏ２プラズマ下ではシリコン材はエッチングされないため、ＳＯＩ基板におけるＳｉＯ２層のようなエッチングストッパー層を必要としない。
　また、炭素系材料膜はドライエッチング法により容易に加工でき、ドライエッチング法で開口パターンを形成できるので、寸法精度良く加工することが可能である。
　【００２４】
　炭素系材料膜は、支持枠部となる基板上に、ＣＶＤ法やスパッタリング法等で形成できる。
　この場合、膜品質、転写性能等の観点から、炭素系材料からなる薄膜部を、減圧下で形成することが好ましい。
　本発明では、高価なＳＯＩ基板を使用する必要がなく、ＳｉＯ２層による熱伝導性及び導電性の低下がなく、発熱や帯電の問題が生じない。
　【００２５】
　本発明では、支持枠部は、シリコン、ガリウム、インジウムを少なくとも一種以上を含む材料で形成することができる。
　具体的には、例えば、シリコン（Ｐ、Ｂ等をドープしたもの含む）、Ｇａ−Ａｓ、Ｇ−Ｐ、Ｉｎ−Ｐなどの化合物系半導体材料等が挙げられる。
　【００２６】
　薄膜部及び支持枠部は、炭素系材料からなる一体物とすることもできる。これによると、転写マスクにおける薄膜部と支持枠部とがＳｉＯ２層で絶縁されることがないため、ビーム照射時の十分な帯電除去が可能であり、また、熱伝導性が高くビーム照射時に発熱することもない。
　【００２７】
　本発明では、薄膜部及び支持枠部を炭素系材料で形成するとともに、薄膜部と支持枠部との間に、金属、半導体材料、あるいは無機物からなる層を介在させることもできる。
　【００２８】
　このように支持枠部を炭素系材料で形成することによって、支持枠部を酸素ガス等を用いたドライエッチング法で高速エッチングすることが可能となり、垂直なウインド加工が可能となる。したがって、シリコン（１００面）支持枠部をウエットエッチングによりウインド加工する際に問題となっていたテーパーエッチングによるウインドサイズの拡大の問題が解消できる。つまり、テーパーエッチングではその分だけウインドサイズが大きくなるが、垂直なウインドウではその分だけウインドサイズを小さくでき、マスク上でのパターン密度を向上することが可能となり、また、パターンエリア間の間隔を小さくできパターンエリアどうを近接できるため描画スピードの向上を図ることができる。
　【００２９】
　ここで、金属としては、例えば、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ等の材料が挙げられ、これらの金属中間層は良導体かつ良好な熱伝導性を有するため、放熱性に優れるとともに、帯電防止も容易である。
　半導体材料としては、例えば、シリコンの他に、Ｇａ−Ａｓ、Ｉｎ−Ｐ、Ｇ−Ｐ等が挙げられる。
　無機物としては、例えば、ＩＴＯ（インジュウム・スズ酸化物）、ＳｎＯ２等が挙げられる。
　【００３０】
　本発明では、必要に応じ、上記転写マスクの照射面、表裏面又は全面に金属層を形成することができる。
　金属層としては、イリジウム（Ｉｒ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ），銀（Ａｇ）などが挙げられる。
　【００３１】
　【実施例】
　以下、実施例にもとづき本発明をさらに詳細に説明する。
　【００３２】
実施例１
　図１に本発明の一実施例に係る転写マスクの製造工程を示す。
　【００３３】
　両面研磨シリコン基板１上に、ＥＣＰ−ＣＶＤ法により厚さ５μｍのダイヤモンド膜２を形成した（図１（ａ））。
　【００３４】
　上記ダイヤモンド膜上に、ＳｉＯ２膜を１０００オングストロームの厚さで形成した後、ＳｉＯ２膜上にレジストを塗布しこれをパターニングしてレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクにして、ＳｉＯ２膜のエッチングを行いＳｉＯ２パターン２ａを形成した。この際、ＳｉＯ２膜のエッチングガスとして、ＣＦ４／Ｏ２系ガスを使用した。
　【００３５】
　続いて、ＳｉＯ２パターンをマスクにして、エッチングガスとしてＯ２ガスを用いて、ダイヤモンド膜のエッチングを行いダイヤモンド膜に所定の開口パターン２ａを形成した（図１（ｂ））。この際、下地となるシリコン材とダイヤモンド膜とのエッチング選択比は無限大であった。
　【００３６】
　次に、シリコン基板の裏面側にＳｉＯ２膜を形成しこれをエッチングしてＳｉＯ２膜にウインドパターンを形成した。
　【００３７】
　この裏面側ＳｉＯ２膜をマスクにして露出したウインドエリアのシリコンを裏面側からウエットエッチングによりエッチング加工して、ウインド３を形成した。これにより、シリコン支持枠部１ａ及びこのシリコン支持枠部１ａに支持されたダイヤモンド薄膜部２ｂを形成した（図１（ｃ））。なお、エッチング液にはエチレンジアミンを主成分としたアルカリ系エッチング液を用いた。
　【００３８】
　最後に、不要となった表裏のＳｉＯ２膜を除去した後、マスクの表裏面に金属膜を形成して、転写マスクを得た。
　【００３９】
　得られた転写マスクは、熱伝導性及び導電性に優れ、照射耐性及び帯電防止性能に優れ、マスク加工後及びマスク使用時（描画時）におけるパターン位置精度に優れることを確認した。
　【００４０】
　以上好ましい実施例をあげて本発明を説明したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるものではない。
　【００４１】
　例えば、エッチングマスク層としてＳｉＯ２の代わりに、ＳｉＣ、Ｓｉ３Ｎ４、サイアロン（ＳｉとＡｌの複合混合物）、ＳｉＯＮなどの無機材料や、レジスト、感光性フィルムなどの有機材料、チタン、アルミニウム、タングステン、ジルコニウム、クロム、ニッケルなどの金属、これらの金属を含む合金、あるいはこれらの金属または合金と酸素、窒素、炭素等との金属化合物などの金属材料等を用いることができる。
　【００４２】
　また、エッチングマスク層の形成方法は、特に制限させず、例えば、スパッタ法、蒸着法、熱酸化法、ＣＶＤ法や、ＳＯＧ（スピン・オングラス）、感光性ガラス、感光性ＳＯＧなどを用いる方法等の薄膜形成方法などが使用できる。
　【００４３】
　なお、本発明の転写マスクは、電子線露光マスクの他、イオンビーム露光用マスク等としても利用できる。
　【００４４】
　【発明の効果】
　以上説明したように本発明の転写マスクは、薄膜部を炭素系材料で形成しているので、熱伝導性及び導電性に優れ、照射耐性及び帯電防止性能に優れ、マスク加工後及びマスク使用時（描画時）におけるパターン位置精度に優れる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　転写マスクの製造工程を説明するための図である。
　【符号の説明】
　１　　　シリコン基板
　１ａ　　支持枠部
　２　　　ダイヤモンド膜
　２ａ　　開口パターン
　２ｂ　　ダイヤモンド薄膜部
　３　　　ウインド