【事件の表示】
　特許第３００２４９６号「半導体ウェハのドライエッチング方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３００２４９６号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３００２４９６号（平成２年４月９日出願、平成１１年１１月１２日設定登録）は、特許異議申立人　高柳　馨より、請求項１、２に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年７月９日に訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１中の「ガス」を、「ＣＦ４ガス」と訂正する。
　　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１中の「石英部材を設けることで、」を、「石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、」と訂正する。
　　
（１−３）訂正事項ｃ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２中の「ガス」を、「ＣＦ４ガス」と訂正する。
　　
（１−４）訂正事項ｄ
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２中の「石英部材を設けることで、」を、「石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、」と訂正する。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の特許請求の範囲の第１項中の「ガス」をより下位概念である「ＣＦ４ガス」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、ＣＦ４ガスをチャンバ内に導入する記載は、訂正前の特許明細書第５頁１３行に記載されていたものであるから、上記訂正事項ａは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、特許明細書の特許請求の範囲の第１項中の「石英部材を設けることで、」を、これに「該石英部材をエッチングする」という構成要件を直列的に付加することにより、より下位概念である「石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、半導体ウエハに形成されたシリコン酸化膜のエッチング速度を石英部材を設けない場合に比較して小さくする記載は、訂正前の特許明細書第６頁２〜８行に記載されていたものであるから、上記訂正事項ｂは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−３）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、特許明細書の特許請求の範囲の第２項中の「ガス」をより下位概念である「ＣＦ４ガス」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、ＣＦ４ガスをチャンバ内に導入する記載は、訂正前の特許明細書第５頁１３行に記載されていたものであるから、上記訂正事項ｃは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−４）訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、特許明細書の特許請求の範囲の第２項中の「石英部材を設けることで、」を、これに「該石英部材をエッチングする」という構成要件を直列的に付加することにより、より下位概念である「石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、半導体ウエハに形成されたシリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を石英部材を設けない場合に比較して大きくする記載は、訂正前の特許明細書第６頁２〜８行に記載されていたものであるから、上記訂正事項ｄは、特許明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ〜ｄは、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについて
（１）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人　高柳　馨は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証、及び参考資料１、２を提示して、以下に示したとおり、本件特許の請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１、２」という。）についての特許は、特許法第１１３条第１項第２、４号の規定に該当するので、同法第１１４条第２項の規定により取り消されるべきである旨主張している。
　　
（理由１）本件発明１、２は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１、２についての特許は、同法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
（理由２）本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載には不備があり、本件発明１、２についての特許は、同法第３６条第３項の規定に違反してされたものである。
　　
（２）本件発明
　上述したように、本件訂正は適法なものであるから、本件発明１、２は、訂正請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりの次のものと認める。
「１、チャンバ内で半導体ウエハをドライエッチングする方法において、シリコン酸化膜と該シリコン酸化膜を覆ってシリコン酸化膜よりもエッチング選択比の小さい膜が形成された上記半導体ウエハを第１の電極に載置する工程と、上記チャンバ内を真空排気する工程と、ＣＦ４ガスを上記チャンバ内に導入する工程と、上記第１の電極に対向配置された第２の電極に高周波電力を印加し、上記半導体ウエハをエッチングする工程からなり、上記第２の電極の周辺に石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、上記エッチング選択比の小さい膜がエッチングされ上記シリコン酸化膜が露呈した際に、上記半導体ウエハに形成されたシリコン酸化膜のエッチング速度を石英部材を設けない場合に比較して小さくすることを特徴とする半導体ウエハのドライエッチング方法。
　２．チャンバ内で半導体ウエハをドライエッチングする方法において、シリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜を覆ってシリコンナイトライド膜とが形成された上記半導体ウエハを第１の電極に載置する工程と、上記チャンバ内を真空排気する工程と、ＣＦ４ガスを上記チャンバ内に導入する工程と、上記第１の電極に対向配置された第２の電極に高周波電力を印加し、上記半導体ウエハをエッチングする工程からなり、上記第１の電極と第２の電極の間の近傍に石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、上記シリコンナイトライド膜がエッチングされ上記シリコン酸化膜が露呈した際に、上記半導体ウエハに形成されたシリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を石英部材を設けない場合に比較して大きくすることを特徴とする半導体ウエハのドライエッチング方法。」
　　
（３）甲第１号証、及び参考資料１、２の記載事項
（３−１）甲第１号証
　甲第１号証の特開昭６０−１１５２３１号公報には、半導体ウエハのドライエッチング方法に関する発明が第１〜４図とともに開示され、更に以下の事項が記載されている。
　従来技術について
「半導体デバイスの微細化、高集積化のため、近年、ドライエッチングによる微細加工が盛んに用いられている。」（第１頁右下欄１〜３行）
「Ｓｉ３Ｎ４の微細加工においては、従来より、円筒形のプラズマエッチング装置や第１図に示すような平行平板形の反応性スパッタエッチング装置に、ＣＦ４，ＣＦ４＋Ｏ２，ＳＦ６，ＣＨＦ３，ＣＦ４＋Ｈ２などのガスが用いられてきた。しかし、プラズマエッチング装置にＣＦ４＋Ｏ２やさらにこれにＣＢｒＦ３を添加したガスを用いた場合には、ＳｉＯ２に対しＳｉ３Ｎ４を選択的にエッチングできるがＳｉに対する選択性がなく、‥‥」（第１頁右下欄７〜１５行）
「Ｓｉ３Ｎ４はＳｉの選択酸化のマスク材料などとして重要な材料であり、特に選択酸化を行う際には下部材料が薄いＳｉＯ２であることが多いので、ＳｉＯ２に対する高選択かつ異方性のエッチング技術が強く望まれていた。」（第２頁左上欄２〜６行）
　　
　実施例について
「‥‥電極２，３の直径は約５０ｃｍであり、その表面は石英７，８で被覆している。また、電極間には石英の円筒９を挿入した。エッチングガスとしてＣＨ２Ｆ２をガス導入口１０より導入し、石英円筒９に設けた排気口１１を経て真空容器の排気口１２より排気した。ＲＦ電源５の周波数を１３．５６ＧＨｚとし、マッチングボックス１３を経てウエーハ側の電極３に電力を印加した。ＲＦ電力０．３Ｗ／ｃｍ２、ガス流量１０ｃｃ／ｍｉｎ、ガス圧力４Ｐａ、の条件でエッチングすると、Ｓｉ３Ｎ４は約３０ｎｍ／ｍｉｎの速度でエッチングされ、一方、ＳｉＯ２とＳｉのエッチング速度は１ｎｍ／ｍｉｎ以下であった。つまり、ＳｉＯ２やＳｉに対する選択比は３０以上であった。」（第２頁右上欄７〜２０行）
「ＣＨ２Ｆ２ガスではエッチング面に堆積物が生じ易く、この堆積物を制御することによって上記のような高選択性が得られる。堆積物はウエーハ表面の分析の結果、Ｃ，Ｈ，Ｆから成る物質であり、ＳｉやＳｉＯ２に比べＳｉ３Ｎ４上にはあまり堆積しないことがわかった。」（第２頁左下欄４〜９行）
「一般に用いられている第１図に示した構造の装置では、‥‥‥実効的な電極面積比（Ａ２／Ａ１）は４程度になる。一方、第２図に示した装置では石英の円筒９によってプラズマがさえぎられるため、実効的な電極面積比は１．５〜２程度になる。‥‥‥以上のようにして形成した電極面積比（Ａ２／Ａ１）が１〜４の構造でエッチング特性を調べると次のようにまとめることができた。（表中において）『電極面積比〜４→選択比小』、『電極面積比〜２→選択比大』‥‥‥」（第２頁右下欄１０行〜第３頁左上欄１２行）
「電極面積比が大きくなりすぎると、ウエーハ側電極での電界が強くなりすぎて堆積物が生じにくくなるために、従来のＣＦ４やＣＨＦ３ガスと同程度に選択比が小さくなってしまう‥‥‥」（第３頁左上欄１７行〜右上欄１行）
　　
（３−２）参考資料１
　参考資料１の特開昭５９−１３９６２８号公報には、ドライエッチングに関し、次のように記載されている。
「ＳｉＯ２のエッチングにおいてはこれと同時に電極カバーの石英がエッチングされることによりＳｉＯ２膜のエッチングをモニタするための発光スペクトルを正確に検出することができない‥‥‥‥‥‥したがって本発明の目的は電極カバーのエッチングを防止することにより対レジスト選択比を向上し、横方向のエッチングを防止すると共に、エッチングの均一性、モニタ機能の向上を達成することができるドライエッチング装置を提供することにある。」（第２頁左上欄１８行〜右上欄１３行）
　　
（３−３）参考資料２
  参考資料２の特開昭６３−９１２０号公報には、ドライエッチングに関し、次のように記載されている。
「１、エッチング対象物質上のレジストに対するエッチング種となるプラズマ中の活性ラジカルまたはイオンを消費する物質を、表面の少なくともエッチング中に露呈する部分に有することを特徴とするドライエッチング用ウエハステージ。」（特許請求の範囲）
「‥‥エッチング対象物質上のレジストに対するエッチング種となるプラズマ中の活性ラジカルまたはイオンを消費する物質、例えばシリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）またはそれらの化合物を、表面の少なくともエッチング中に露呈する部分に有している。前記活性ラジカルまたはイオンを消費する物質は、好ましくはエッチング対象物質とはエッチング種が異なる物質である。」（第２頁左上欄２０行〜右上欄８行）
「エッチング中に露呈する表面に、レジストのエッチング種となる活性ラジカルまたはイオンを消費する物質を有するので、この物質に消費される分だけレジストのエッチングレートが低下する。この場合前記物質としてエッチング対象物質の主要エッチング種に対してはこれを消費しない。あるいは消費しても比較的低消費率の物質を用いると、エッチング対象物質のレジストに対するエッチング選択比はさらに向上するようになる。」（第２頁右上欄１７行〜左下欄７行）
「フォトレジストのエッチング種がウエハステージ表面の特定の物質によって消費されるので、エッチング対象物質のレジストに対するエッチング選択比が向上する。」（第５頁左上欄７〜１１行）
　　
（４）特許法第２９条第２項違反についての対比・判断
（４−１）本件発明１について、
  本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証における「Ｓｉ３Ｎ４」、「石英円筒９」は、それぞれ本件発明１における「シリコン酸化膜よりもエッチング選択比の小さい膜」、「石英部材」に該当し、両者は、「チャンバ内で半導体ウエハをドライエッチングする方法において、シリコン酸化膜と該シリコン酸化膜を覆ってシリコン酸化膜よりもエッチング選択比の小さい膜が形成された上記半導体ウエハを第１の電極に載置する工程と、上記チャンバ内を真空排気する工程と、ＣＦ４ガスを上記チャンバ内に導入する工程と、上記第１の電極に第２の電極を対向配置し、電極に高周波電力を印加し、上記半導体ウエハをエッチングする工程からなり、上記第２の電極の周辺に石英部材を設けて、上記エッチング選択比の小さい膜がエッチングされ上記シリコン酸化膜が露呈した際に、上記半導体ウエハに形成されたシリコン酸化膜のエッチング速度を石英部材を設けない場合に比較して小さくする半導体ウエハのドライエッチング方法」である点で一致するが、下記の点で相違する。
（イ）本件発明１が、石英部材をエッチングすることで、シリコン酸化膜のエッチング速度を小さくするのに対し、甲第１号証に記載された発明は、石英部材を設けることにより堆積物の生成を制御し、シリコン酸化膜のエッチング速度を小さくする点。
（ロ）本件発明１では、高周波電力を第２の電極に印加するのに対し、甲第１号証に記載された発明では、高周波電力を第１の電極に印加する点。
　　
　そこで、上記相違点（イ）（ロ）について検討する。
　甲第１号証に記載された発明では、第１電極と第２電極の電極面積比を石英部材により調節し、Ｃ、Ｈ、Ｆからなる堆積物をエッチング表面上に生成させることにより、シリコン酸化膜のエッチング速度を小さくしようとするものであるから、そのドライエッチングの処理条件は、上記堆積物が石英部材表面にも生成するものであって、本件発明１のように石英部材の石英を積極的にエッチングしようとするものではない。そして、甲第１号証に記載された処理条件下において石英部材表面上で生起する反応、該反応によって生成する物質、及び該表面から周囲の気相中に放出される物質は、いずれも本件発明１のものと異なるものといえるので、甲第１号証に記載された発明に基づいて相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することは、当業者にとって容易であるとすることはできない。なお、甲第１号証には、電極を石英（石英板７、８）で被覆する点も記載されているが、該石英により半導体ウエハに形成されたシリコン酸化膜のエッチング速度を小さくすることを記載乃至示唆するところはない。
　また、参考資料１には、ドライエッチング装置の電極カバーの石英がドライエッチング中にエッチングされることが記載されてはいるが、該石英により半導体ウエハに形成されたシリコン酸化膜のエッチング速度を小さくすることを記載乃至示唆するところはない。
　更にまた、参考資料２には、レジストに対してエッチング種となるプラズマ中の活性ラジカルまたはイオンを消費する物質、例えばシリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）またはそれらの化合物をエッチング中に露呈する表面をウエハステージに設けることが記載されてはいるが、半導体ウエハに形成されたシリコン酸化膜のエッチング速度を小さくすることを記載乃至示唆するところはない。
  そして、本件発明１は、相違点（イ）に係る構成を採用することにより、堆積性のガスを導入することなくシリコン酸化膜のエッチング速度を小さくできるので、ドライエッチング工程が簡単で、チャンバが汚れることがなく、装置の構造が簡単になるという、明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　してみると、相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することが、甲第１号証に記載された発明及び参考資料１、２に記載されたものを組み合わせても、当業者にとって容易であるとすることはできないので、本件発明１は、相違点（ロ）について検討するまでもなく、甲第１号証に記載された発明及び参考資料１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（４−２）本件発明２について
  本件発明２と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第２号証における「Ｓｉ３Ｎ４」、「石英円筒９」は、それぞれ本件発明１における「シリコンナイトライド膜」、「石英部材」に該当し、両者は、「チャンバ内で半導体ウエハをドライエッチングする方法において、シリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜を覆ってシリコンナイトライド膜が形成された上記半導体ウエハを第１の電極に載置する工程と、上記チャンバ内を真空排気する工程と、ＣＦ４ガスを上記チャンバ内に導入する工程と、上記第１の電極に第２の電極を対向配置し、電極に高周波電力を印加し、上記半導体ウエハをエッチングする工程からなり、上記第１の電極と第２の電極の間の近傍に石英部材を設けて、上記シリコンナイトライド膜がエッチングされ上記シリコン酸化膜が露呈した際に、上記半導体ウエハに形成されたシリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を石英部材を設けない場合に比較して大きくする半導体ウエハのドライエッチング方法」である点で一致するが、下記の点で相違する。                                
（ハ）本件発明２が、石英部材をエッチングすることで、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を大きくするのに対し、甲第１号証に記載された発明は、石英部材を設けることにより堆積物の生成を制御し、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を大きくする点。
（ニ）本件発明２では、高周波電力を第２の電極に印加するのに対し、甲第１号証に記載された発明では、高周波電力を第１の電極に印加する点。
    
　そこで、上記相違点（ハ）（ニ）について検討する。  
　甲第１号証に記載された発明では、第１電極と第２電極の電極面積比を石英部材により調節し、Ｃ、Ｈ、Ｆからなる堆積物をエッチング表面上に生成させることにより、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を大きくしようとするものであるから、そのドライエッチングの処理条件は、上記堆積物が石英部材表面にも生成するものであって、本件発明２のように石英部材の石英を積極的にエッチングしようとするものではなく、甲第１号証に記載された処理条件下において石英部材表面上で生起する反応、該反応によって生成する物質、及び該表面から周囲の気相中に放出される物質は、いずれも本件発明２のものと異なるものといえるので、甲第１号証に記載された発明に基づいて相違点（ハ）に係る本件発明２の構成を想到することは、当業者にとって容易であるとすることはできない。なお、甲第１号証には、電極を石英（石英板７、８）で被覆する点も記載されているが、該石英により半導体ウエハに形成されたシリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を大きくすることを記載乃至示唆するところはない。
　また、参考資料１には、ドライエッチング装置の電極カバーの石英がドライエッチング中にエッチングされることが記載されてはいるが、該石英により半導体ウエハに形成されたシリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を大きくすることを記載乃至示唆するところはない。
　更にまた、参考資料２には、レジストに対してエッチング種となるプラズマ中の活性ラジカルまたはイオンを消費する物質、例えばシリコン（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）またはそれらの化合物をエッチング中に露呈する表面をウエハステージに設けることが記載されてはいるが、半導体ウエハに形成されたシリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を大きくすることを記載乃至示唆するところはない。
　そして、本件発明２は、相違点（ハ）に係る構成を採用することにより、堆積性のガスを導入することなくシリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を大きくできるので、ドライエッチング工程が簡単で、チャンバが汚れることがなく、装置の構造が簡単になるという、明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　してみると、相違点（ハ）に係る本件発明２の構成を想到することが、甲第１号証に記載された発明及び参考資料１、２に記載されたものを組み合わせても、当業者にとって容易であるとすることはできないので、本件発明２は、相違点（ニ）について検討するまでもなく、甲第１号証に記載された発明及び参考資料１、２の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（５）特許法第３６条第３項違反についての判断
 特許異議申立人　高柳　馨は、本件特許明細書には、種々の処理条件下で、石英材料のエッチングとシリコンナイトライドのエッチング速度との関係が示されておらず、請求項２の「石英部材を設けて、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を石英部材を設けない場合に比較して大きくする」構成の技術的内容が、本件特許明細書中に開示されていない旨の主張をしている。
　しかしながら、本件訂正明細書には、「シリコン酸化膜とともにシールド１４、クランプ９、リング１５がエッチングされるので、シリコン酸化膜のエッチング速度が小さくなるため、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が大きくなる。発明者等の実験によれば、シールド１４、クランプ９、リング１５を使用しない場合と比較して選択比が約２．５倍であった。」（訂正明細書第４頁１〜５行）との記載により、実施例のドライエッチングの処理条件下で、石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることにより、該部材を設けない場合に比較して、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を約２．５倍にできたことが示されている以上、種々の処理条件下での、石英材料のエッチングとシリコンナイトライドのエッチング速度の直接の関係が示されなくても、本件訂正明細書に「石英部材を設けて、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比を石英部材を設けない場合に比較して大きくする」構成の技術的内容は示されているといえるので、上記申立人の主張は採用できない。
　　
（６）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立人　高柳　馨の特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１、２についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、２についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものとは認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２１日（２００２．２．２１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１中の「ガス」を、「ＣＦ４ガス」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項１中の「石英部材を設けることで、」を、「石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、」と訂正する。
（３）訂正事項ｃ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項２中の「ガス」を、「ＣＦ４ガス」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項２中の「石英部材を設けることで、」を、「石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体ウエハのドライエッチング方法
（５７）【特許請求の範囲】
　１．チャンバ内で半導体ウエハをドライエッチングする方法において、シリコン酸化膜と該シリコン酸化膜を覆ってシリコン酸化膜よりもエッチング選択比の小さい膜が形成された上記半導体ウエハを第１の電極に載置する工程と、上記チャンバ内を真空排気する工程と、
ＣＦ４ガス
石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、
　２．チャンバ内で半導体ウエハをドライエッチングする方法において、シリコン酸化膜と、該シリコン酸化膜を覆ってシリコンナイトライド膜とが形成された上記半導体ウエハを第１の電極に載置する工程と、上記チャンバ内を真空排気する工程と、
ＣＦ４ガス
石英部材を設けて、該石英部材をエッチングすることで、
【発明の詳細な説明】
　〔産業上の利用分野〕
　この発明はシリコン酸化膜上に形成された膜をエッチングするドライエッチング方法に関するものである。
　〔従来の技術〕
　ドライエッチング装置によりシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）上に形成されたシリコンナイトライド膜（Ｓｉ３Ｎ４）をエッチングする場合には、シリコンナイトライド膜のエッチング速度のシリコン酸化膜のエッチング速度に対する比すなわちシリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が小さいから、シリコンナイトライド膜をオーバエッチングしたときに、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなってしまう。
　そこで、従来のドライエッチング装置（特開昭６３−１０２２３２号公報、プラズマエッチング：選択性と非ダメージ性（Ｊ．Ｄｉｅｌｅｍａｎ，Ｆ．Ｈ　Ｍ．Ｓａｎｄｅｒｓ，Ｊｕｎｅ，１９８４，Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／日本版））においては、エッチングガスの他に堆積性のガスを導入して、選択比を大きくしている。
　〔発明が解決しようとする課題〕
　しかし、このようなドライエッチング装置においては、ドライエッチング工程が複雑になり、また堆積性のガスによってチャンバが汚れやすく、さらに堆積性のガスの導入装置を設ける必要があるから、装置の構造が複雑になる。
　この発明は上述の課題を解決するためになされたもので、選択比が大きく、しかもドライエッチング工程が簡単であり、チャンバが汚れることがなく、装置の構造が簡単であるドライエッチング方法を提供することを目的とする。
　〔課題を解決するための手段〕
　この目的を達成するため、この発明においては、シリコン酸化膜上に形成された膜をエッチングするドライエッチング装置において、上部電極と下部電極との間の近傍に石英からなる石英部材を設け、ドライエッチングを行う。
　〔作用〕
　このドライエッチング装置においては、シリコン酸化膜が露出したときに、石英部材とシリコン酸化膜とは同じ材料であるから、シリコン酸化膜とともに石英部材がエッチングされる。
　〔実施例〕
　第１図はこの発明に係るドライエッチング装置の一部を示す断面図、第２図は同じく全体を示す概略断面図である。図においては、１はアルミニウムからなるチャンバ、５はチャンバ１に取り付けられた絶縁性のインシュレータ、４はインシュレータ５に取り付けられた導電性の上部電極サポート、２は上部電極サポート４に取り付けられたカソード電極としての上部電極、６は上部電極サポート４を介して上部電極２に接続された高周波電源、３はチャンバ１に取り付けられたアノード電極としての下部電極で、下部電極３は上部電極２に対向して設けられており、下部電極３は接続状態に保持されている。１３は下部電極３に設けられた排気口、７は上部電極サポート４に設けられた温調用通路、８は下部電極３に設けられた温調用通路、１０は上部電極サポート４に設けられたガス供給通路、１９はガス供給通路１０に接続されたガスボンベ、１１はガスボンベ１９とガス供給通路１０との間に設けられたマスフローコントローラ、１２はマスフローコントローラ１１とガス供給通路１０との間に設けられたガスバルブ、１６は上部電極２に設けられたガス導入口で、ガス導入口１６はガス供給通路１０と連通している。２０はチャンバ１に取り付けられた真空予備室、２１はチャンバ１、真空予備室２０に接続された真空排気システム、２２はローダ、２３はアンローダ、１４はインシュレータ５に取り付けられたシールドで、シールド１４は石英からなる。２４は下部電極３上に載置された半導体ウェハ、９は半導体ウェハ２４を押さえるためのクランプで、クランプ９は石英からなる。１５は下部電極３上に設けられたリングで、リング１５は石英からなる。
　このドライエッチング装置においては、シリコン酸化膜上にシリコンナイトライド膜が形成された半導体ウェハ２４を下部電極３上に載置し、真空排気システム２１によりチャンバ１内を真空排気し、ガスバルブ１２を開放するとともに、マスフローコントローラ１１によって流量制御して、ＣＦ４ガス、Ｏ２ガスをチャンバ１内に導入し、高周波電源６により高周波電力を印加すると、上部電極２、下部電極３間に発生したイオン、ラジカル、分子が半導体ウェハ２４の表面に衝突、反応して、シリコンナイトライドがエッチングされる。この場合、シリコンナイトライドはＳｉＦ４、ＮＯ、ＮＯ２となって排気される。そして、シリコン酸化膜が露出したときには、シリコン酸化膜はＳｉＦ４、ＣＯ、ＣＯ２となって排気される。この場合、シールド１４、クランプ９、リング１５とシリコン酸化膜とは同じ材料であるから、シリコン酸化膜とともにシールド１４、クランプ９、リング１５がエッチングされるので、シリコン酸化膜のエッチング速度が小さくなるため、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が大きくなる。発明者等の実験によれば、シールド１４、クランプ９、リング１５を使用しない場合と比較して選択比が約２．５倍であった。したがって、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることはない。しかも、エッチングガスの他に堆積性のガスを導入する必要がないから、ドライエッチング工程が簡単になり、またチャンバ１が汚れることがなく、さらに堆積性のガスの導入装置を設ける必要がないから、装置の構造が簡単になる。また、シールド１４を設けているので、エッチング速度を均一にかつ大きくすることができる。
　第３図はこの発明に係る他のドライエッチング装置の一部を示す断面図である。図において、１７は上部電極２に取り付けられた拡散板で、拡散板１７は石英からなる。１８は拡散板１７に設けられた拡散口で、拡散口１８はガス導入口１６と連通している。
　このドライエッチング装置においては、シリコン酸化膜が露出したときに、シリコン酸化膜とともにシールド１４、拡散板１７がエッチングされるから、シリコン酸化膜のエッチング速度が小さくなるので、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が大きくなるため、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることはない。
　第４図はこの発明に係る他のドライエッチング装置の一部を示す断面図である。図において、２５はシールド１４に取り付けられた拡散板で、拡散板２５は石英からなる。２６は拡散板２５に設けられた拡散口である。
　このドライエッチングにおいては、シリコン酸化膜が露出したときに、シリコン酸化膜とともにシールド１４、拡散板２５がエッチングされるから、シリコン酸化膜のエッチング速度が小さくなるので、シリコンナイトライド膜のシリコン酸化膜に対する選択比が大きくなるため、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることはない。
　なお、上述実施例においては、石英部材としてシールド１４、クランプ９、リング１５、拡散板１７、２５を用いたが、他の石英部材を用いてもよい。
〔発明の効果〕
　以上説明したように、この発明に係るドライエッチング装置においては、シリコン酸化膜が露出したときに、シリコン酸化膜とともに石英部材がエッチングされるから、選択比が大きくなり、シリコン酸化膜の膜厚が小さくなることはない。しかも、エッチングガスの他に堆積性のガスを導入する必要がないから、ドライエッチング工程が簡単に、チャンバが汚れることがなく、装置の構造が簡単になる。このように、この発明の効果は顕著である。
【図面の簡単な説明】
　第１図はこの発明に係るドライエッチング装置の一部を示す断面図、第２図は同じく全体を示す概略断面図、第３図、第４図はそれぞれこの発明に係る他のドライエッチング装置の一部を示す断面図である。
　２……上部電極
　３……下部電極
　９……クランプ
　１４……シールド
　１５……リング
　１７……拡散板
　２５……拡散板