【事件の表示】
　特許第３１６６２４１号「半導体レーザー装置」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６６２４１号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１６６２４１号の請求項１〜５に係る発明についての出願は、平成３年１０月１８日の出願であって、平成１３年３月９日にその発明についての特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、異議申立人シャープ株式会社により特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年３月２５日に訂正請求がなされ、再度取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年７月１日に先の訂正請求が取り下げられるとともに新たな訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
(1) 訂正の内容
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下訂正事項ａ〜ｃのとおりである。
・訂正事項a
　特許請求の範囲の請求項１を削除し、以下項数を繰り上げる。すなわち、特許請求の範囲
「【請求項１】　活性層よりレーザー光を発生するレーザーダイオード素子が、そのレーザー光を照射する少なくとも１つの発光端面を少なくともそのレーザー光を透過する耐熱性の端面破壊防止層により保護された状態で、前記レーザー光を少なくとも透過する封止樹脂層により封止された半導体レーザー装置において、前記活性層の屈折率をｎ1 ，前記端面破壊防止層の屈折率をｎ2 ，前記封止樹脂層の屈折率をｎ3 とすると、ｎ1 ＞ｎ3 ＞ｎ2 なる屈折率の大小関係が成立していることを特徴とする半導体レーザー装置。
【請求項２】　請求項１において、前記端面破壊防止層のうち前記レーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と前記封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いていることを特徴とする半導体レーザー装置。
【請求項３】　請求項２において、前記端面破壊防止層は、前記前方出射面から前記レーザーダイオード素子を搭載するサブマウントにかけて形成され、前記封止樹脂層に向かって凸面を有しており、前記前方部分はその凸面の周縁側の部分となっていることを特徴とする半導体レーザー装置。
【請求項４】　請求項３において、前記端面破壊防止層は、液状樹脂材料を滴状外形のまま硬化させて成る滴状成形体であることを特徴とする半導体レーザー装置。
【請求項５】　請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記端面破壊防止層はジメチルポリシロキサンを主体とする樹脂であることを特徴とする半導体レーザー装置。」を
【請求項２】　請求項１において、前記端面破壊防止層は、前記前方出射面から前記レーザーダイオード素子を搭載するサブマウントにかけて形成され、前記封止樹脂層に向かって凸面を有しており、前記前方部分はその凸面の周縁側の部分となっていることを特徴とする半導体レーザー装置。
【請求項３】　請求項２において、前記端面破壊防止層は、液状樹脂材料を滴状外形のまま硬化させて成る滴状成形体であることを特徴とする半導体レーザー装置。
【請求項４】　請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記端面破壊防止層はジメチルポリシロキサンを主体とする樹脂であることを特徴とする半導体レーザー装置。」（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明４」という。）と訂正する。
・訂正事項ｂ
　段落番号【０００８】欄の末尾の「ことが望ましい。」を「こととする。」と訂正する。
・訂正事項ｃ
　段落番号【００３３】欄の「成立していることを特徴とするもの」を「成立していること、さらには端面破壊防止層のうちレーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いていることを特徴とするもの」と訂正する。
　
(2) 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項aは、請求項１を削除した上で、請求項２〜５の項数を繰り上げて請求項１〜４としたものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　上記訂正事項b、ｃは、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるためのものであり、誤記の訂正または明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
(3) むすび
　したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立て
(1) 申立ての理由の概要
　申立人は、下記の甲第１、２号証を提出し、特許第３１６６２４１号の請求項１〜５に係る発明は、甲第１，２号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない発明であって、当該発明に係る特許は取り消されるべきものである旨主張している。
　甲第１号証：特開平２−２０９７８６号公報（以下、「刊行物１」という。）
　甲第２号証：特開昭６１−５６４７２号公報（以下、「刊行物２」という。）
　
(2) 本件発明
　上記２．で示したように訂正が認められるから、本件の請求項１〜４に係る発明は、平成１４年７月１日付けの訂正請求書により訂正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載されたとおりのものである。（上記２．(1)参照）
　
(3) 引用刊行物に記載された発明
　申立人が提出した刊行物１には、
「本発明半導体レーザ装置によれば、レーザチップが耐熱性樹脂で被覆されているので樹脂が熱により変色する虞れがなく、延いては長期信頼性が高くなる。」（２頁左下欄１５行〜１８行）、
「９は耐熱性樹脂であるシリコーンで、レーザチップ４の表面にコーティングされており、膜厚は６μｍ以上である。
　１０はエポキシ樹脂からなる透明な封止用樹脂であり、レーザチップ４、サブマウント２、基板１のサブマウントボンディング部分、そしてリード５、６のコネクトワイヤ７、８と接続された部分を封止するように形成されている。この封止は例えばコンプレッションモールディングあるいはポッティング等による型成形で行うようにしても良いが、金型を用いない方法によって行うようにしても良い。
　このような半導体レーザ装置によれば、レーザチップ４と封止用樹脂であるエポキシ樹脂１０との間にシリコンからなる耐熱性樹脂９が介在せしめられているので、エポキシ樹脂１０のレーザチップ４で生じる熱からの影響が少なくなる。」（３頁左上欄２〜１８行）、及び、
「尚、耐熱性樹脂９としてシリコーンに代えてポリイミドを用いるようにしても良い。」（３頁左下欄１０〜１１行）と記載され、
第２図には、レーザチップ４の表面をシリコンからなる耐熱性樹脂９でコーティングし、さらに封止用樹脂１０で封止したレーザ装置が示されている。
　同じく刊行物２には、
「本発明による発光ダイオード装置は、二本のリードを備えたステムと、該ステムの一方のリードの先端にマウントされた発光ダイオードチップと、該発光ダイオードチップ表面に形成されている電極を前記ステムの他方のリードに接続するボンディングワイヤと、このワイヤボンディングを施された前記発光ダイオードチップの表面を覆う半球状の透明なエンキャップ樹脂層と、該エンキャップ樹脂層で覆われた前記発光ダイオードチップ、前記ボンディングワイヤ及び前記二本のリードを封止する透明なキャスティング樹脂層とからなり、該キャスティング樹脂層の屈折率が前記エンキャップ樹脂層の屈折率よりも大きいことを特徴とするものである。
　本発明におけるエンキャップ樹脂層を形成するための材料としては、シリコーン樹脂が適当であるが、屈折率等の条件を満たすものであればシリコーン以外のどのような樹脂を用いてもよい。
　上記本発明による発光ダイオード装置では、発光ダイオードチップから放射された光がチップ表面を覆っているエンキャップ樹脂層のレンズ効果で集光される結果、軸上放射強度は従来よりも著しく強くなる。従って、光はより遠くまで到達することとなり、リモコン送信機や光電スイッチ等の光源として極めて有効である。
［発明の実施例］
　第１図（A）は本発明の一実施例になる発光ダイオード装置の断面図で、同図において第２図（A）と同じ部分には同一の参照番号を付し、その説明は省略する。図から明らかなように、この実施例では発光ダイオードチップ３の表面が半球状の透明なエンキャップ樹脂層６で覆われており、それ以外は第２図（A）の従来の発光ダイオード装置の場合と全く同じ構成になっている。
　なお、上記実施例における発光ダイオードチップ３としては、発光波長940nm、寸法0.3mm×0.3mmの赤外LEDが用いられている。また、エンキャップ樹脂層６には東レシリコーン株式会社製になる商品名JC6109（屈折率1.5）が用いられ、キャスティング樹脂層５には日東化学株式会社製になるエポキシ樹脂（商品名NT80055：屈折率1.55）が用いられている。エンキャップ樹脂層６を形成するに際しては、注射器を用いて10mgまたはそれ以下だけ上記のシリコーン樹脂を滴下すればよく、樹脂自信の表面張力によりきれいにレンズ状のエンキャップ層６を付着させることができる。」（２頁右上欄４行〜右下欄１０行）と記載され、
第１図には、発光ダイオードチップ３上をエンキャップ樹脂層６で覆い、さらにキャスティング樹脂層５で封止した発光ダイオード装置が示されている。
　
(4) 対比・判断
ａ．本件発明１について
　本件発明１と刊行物１、２記載の発明とを比較すると、本件発明１の構成要件である「端面破壊防止層のうち前記レーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と前記封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いている」点が、刊行物１、２のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１は、上記点により、特許明細書記載の「端面破壊防止層のうちレーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と封止樹脂層との」「界面で拡射光束が封止樹脂層へ非対称状に偏向出射することになるため、拡射光束の光密度の高い中心光線束に対しても封止樹脂層内で拡射化を促すことができるので、封止樹脂層内での光密度の大幅な低減により溶解穿孔損傷を有効的に防止できる」（特許明細書段落番号【００３５】欄）という効果を奏するものである。
　よって、本件発明１は、申立人が提出した刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に違反しているとはいえない。
　なお、申立人は、上記点は、刊行物１記載の発明より当業者が容易に想定しうる設計的事項であると主張しているが、上述のように刊行物１には上記点が記載も示唆もされていないから、上記点は刊行物１記載の発明から当業者が容易に想定しうる設計的事項であるとはいえない。
　
ｂ．本件発明２〜４について
　本件発明２〜４は、その構成要件に本件発明１の構成要件を全て含むものであるから、上記ａ．で述べた理由と同じ理由により、申立人が提出した刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではなく、特許法第２９条第２項の規定に違反しているとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜４の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月１６日（２００２．７．１６）
【訂正の要旨】
・訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を削除し、以下項数を繰り上げる。すなわち、特許請求の範囲
「【請求項１】　活性層よりレーザー光を発生するレーザーダイオード素子が、そのレーザー光を照射する少なくとも１つの発光端面を少なくともそのレーザー光を透過する耐熱性の端面破壊防止層により保護された状態で、前記レーザー光を少なくとも透過する封止樹脂層により封止された半導体レーザー装置において、前記活性層の屈折率をｎ１　，前記端面破壊防止層の屈折率をｎ２，前記封止樹脂層の屈折率をｎ３とすると、ｎ１＞ｎ３＞ｎ２なる屈折率の大小関係が成立していることを特徴とする半導体レーザー装置。
　【請求項２】　請求項１において、前記端面破壊防止層のうち前記レーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と前記封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いていることを特徴とする半導体レーザー装置。
　【請求項３】　請求項２において、前記端面破壊防止層は、前記前方出射面から前記レーザーダイオード素子を搭載するサブマウントにかけて形成され、前記封止樹脂層に向かって凸面を有しており、前記前方部分はその凸面の周縁側の部分となっていることを特徴とする半導体レーザー装置。
　【請求項４】　請求項３において、前記端面破壊防止層は、液状樹脂材料を滴状外形のまま硬化させて成る滴状成形体であることを特徴とする半導体レーザー装置。
　【請求項５】　請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記端面破壊防止層はジメチルポリシロキサンを主体とする樹脂であることを特徴とする半導体レーザー装置。」を
「【請求項１】活性層よりレーザー光を発生するレーザーダイオード素子が、そのレーザー光を照射する少なくとも１つの発光端面を少なくともそのレーザー光を透過する耐熱性の端面破壊防止層により保護された状態で、前記レーザー光を少なくとも透過する封止樹脂層により封止された半導体レーザー装置において、前記活性層の屈折率をｎ１，前記端面破壊防止層の屈折率をｎ２，前記封止樹脂層の屈折率をｎ３とすると、ｎ１＞ｎ３＞ｎ２なる屈折率の大小関係が成立している半導体レーザー装置であって、前記端面破壊防止層のうち前記レーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と前記封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いていることを特徴とする半導体レーザー装置。
　【請求項２】　請求項１において、前記端面破壊防止層は、前記前方出射面から前記レーザーダイオード素子を搭載するサブマウントにかけて形成され、前記封止樹脂層に向かって凸面を有しており、前記前方部分はその凸面の周縁側の部分となっていることを特徴とする半導体レーザー装置。
　【請求項３】　請求項２において、前記端面破壊防止層は、液状樹脂材料を滴状外形のまま硬化させて成る滴状成形体であることを特徴とする半導体レーザー装置。
　【請求項４】　請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記端面破壊防止層はジメチルポリシロキサンを主体とする樹脂であることを特徴とする半導体レーザー装置。」（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」、「本件発明４」という。）と訂正する。
・訂正事項ｂ
　段落番号【０００８】欄の末尾の「ことが望ましい。」を「こととする。」と訂正する。
・訂正事項ｃ
　段落番号【００３３】欄の「成立していることを特徴とするもの」を「成立していること、さらには端面破壊防止層のうちレーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いていることを特徴とするもの」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体レーザー装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】活性層よりレーザー光を発生するレーザーダイオード素子が、そのレーザー光を照射する少なくとも１つの発光端面を少なくともそのレーザー光を透過する耐熱性の端面破壊防止層により保護された状態で、前記レーザー光を少なくとも透過する封止樹脂層により封止された半導体レーザー装置において、
　前記活性層の屈折率をｎ１，前記端面破壊防止層の屈折率をｎ２，前記封止樹脂層の屈折率をｎ３とすると、ｎ１＞ｎ３＞ｎ２なる屈折率の大小関係が成立してい
る半
であって、
　
前記端面破壊防止層のうち前記レーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と前記封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いていることを特徴とする半導体レーザー装置。
　【請求項２】
　請求項１において、前記端面破壊防止層
は、前記前方出射面から前記レーザーダイオード素子を搭載するサブマウントにかけて形成され、前記封止樹脂層に向かって凸面を有しており、前記前方部分はその凸面の周縁側の部分となって
　【請求項３】請求項２において、前記端面破壊防止層は、
液状樹脂材料を滴状外形のまま硬化させて成る滴状成形体である
　【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記端面破壊防止層はジメチルポリシロキサンを主体とする樹脂で
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、レーザーダイオード素子を樹脂封止して形成したモールドタイプの半導体レーザー装置に関し、特にレーザーの照射される発光端面に形成された樹脂破壊防止層および封止樹脂層の屈折率の関係に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、半導体レーザー装置として、製造コストが低く、形状の自由度の大きな半導体レーザー装置である特開平２−１２５６８７で提案されているような樹脂封止タイプ（モールドタイプ）のものが開発されている。この半導体レーザー装置は、図３に示すように、レーザーダイオード素子１をサブマウント層２３の上に取り付け、周囲を透明なエポキシ樹脂等の封止樹脂層９で封止したものであり、リードフレーム２０を介して操作される。樹脂封止タイプの装置は、ＬＥＤなどの単位面積当たりの光密度が低い発光デバイスとしては従来から知られているものである。
　【０００３】
　この樹脂封止タイプの装置は製造コスト、形状の自由度という面で優れているタイプの装置である。しかし、このタイプの装置は、発光する光の密度が低い場合は問題ないが、光密度の高いレーザーダイオード素子に採用する場合は、封止樹脂の光損傷が問題となる。そのため、このような光損傷に伴う特性の劣化を防止するために、端面破壊防止層を形成することが提案されている。詳細は、本出願人により出願された特願平２−３０２２５８に詳しいが、その一例を、図４または図５に示してある。本図に示したレーザーダイオード素子１は、ＤＨ構造（ダブルヘテロ接合構造）のレーザーダイオート素子１であり、ｎ型のＧａＡｓ基板２の上に、ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム−ガリウム−砒素）からなるｎ型クラッド層３、ＧａＡｓ（ガリウム−砒素）からなる活性層４、ｐ型クラッド層５、及びｐ型キャップ層６を積層し、更にｐ型キャップ層６の開口部の表面側に選択的に電極７を被着する一方、ＧａＡｓ基板２の裏面側に背面電極８を被着している。そして、レーザー光の照射される発光端面ａに、レーザー光の波長帯において光の吸収係数が低く、耐熱性の高い有機樹脂による端面破壊防止層１０を備えるようにしている。この端面破壊防止層１０の厚みは、５μｍ以上が望ましく、この高耐熱の端面破壊防止層１０により発光端面ａ近傍の樹脂の分解を防止できる。そして、図４に示すように、このレーザーダイオード素子１が、３本のリードフレーム２０のうち中央部のリードフレームの先端側にシリコンサブマウント層２３を介して固着され、このシリコンサブマウント層２３およびｐ型キャップ層６から金ワイヤ６などのボンディングワイヤが各リードフレーム２０に配線されて半導体レーザー装置が形成されている。従って、この端面破壊防止層１０の形成されたレーザーダイオード素子１０の採用された樹脂封止タイプの半導体レーザー装置においては、封止樹脂の熱分解が抑制されるので、発光特性が長時間に
亘
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　上記のような耐熱性の端面破壊防止層１０を形成することにより発光端面近傍の封止樹脂層９の破壊を防止することができる。しかしながら、ＬＥＤなどと異なり、半導体レーザー装置においては、発光端面ａ近傍の熱負荷と共に、レーザー光自体の熱エネルギーも問題となる。すなわち、レーザー光の光密度が高いと、レーザー光自体により封止樹脂層１０および端面破壊防止層９に溶融穿孔損傷が生じ、半導体レーザー装置から照射されるレーザー光の遠視野像などの特性が劣化してしまうのである。従って、長期間に亘って良好な光特性を維持し、さらに寿命の長い半導体レーザー装置を実現するためには、封止樹脂層１０および端面破壊防止層９内におけるレーザー光の光密度が高くならないようにすることが重要である。
　【０００５】
　そこで、本発明においては、上記の問題に鑑みて、端面破壊防止層および封止樹脂層における光密度の増加を防止し、これらの層の損傷を抑制することにより、光特性の安定した長寿命の半導体レーザー装置を実現することを目的としている。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　上記の課題を解決するために、本発明においては、端面破壊防止層および封止樹脂層の屈折率に着目し、これらの屈折率がレーザーダイオード素子の活性層の屈折率より低い端面破壊防止層および封止樹脂層とすることにより光密度が増加することを防止している。すなわち、本発明に係る活性層よりレーザー光を発生するレーザーダイオード素子が、そのレーザー光を照射する少なくとも１つの発光端面を少なくともそのレーザー光を透過する耐熱性の端面破壊防止層により保護された状態で、レーザー光を少なくとも透過する封止樹脂層により封止された半導体レーザー装置においては、端面破壊防止層は活性層より屈折率の低い低屈折率破壊防止層であり、封止樹脂層も活性層より屈折率の低い低屈折率封止層である。
　【０００７】
　特に、活性層の屈折率をｎ１，端面破壊防止層の屈折率をｎ２，封止樹脂層の屈折率をｎ３とすると、ｎ１＞ｎ３＞ｎ２なる屈折率の大小関係が成立している。
　【０００８】
　ここで、端面破壊防止層のうちレーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いていること
とする
　【０００９】
　更に、端面破壊防止層は、前方出射面からレーザーダイオード素子を搭載するサブマウントにかけて形成され、封止樹脂層に向かって凸面を有しており、前方部分はその凸面の周縁側の部分となっていることが望ましい。
　【００１０】
　このような凸面を持つ端面破壊防止層は、液状樹脂材料を滴状外形のまま硬化させて成る滴状成形体とすることができる。
　【００１１】
　端面破壊防止層の材質としては、ジメチルポリシロキサンを主体とする樹脂を採用するのが好適である。
　【００１２】
　【作用】
　上記のように、活性層より屈折率の低い低屈折率破壊防止層および低屈折率封止樹脂層を用いることにより、活性層より照射されるレーザー光束の端面破壊防止層および封止樹脂層の内部における拡射度合いが高まるので、相対的に層内の光密度を下げることができる。すなわち、上記のような低屈折率破壊防止層および低屈折率封止樹脂層内においては、レーザー光の光束は常に広がるので、収束して光が高密度となることがない。従って、端面破壊防止層および封止樹脂層を溶解穿孔損傷から防護することができる。そして、レーザー光特性の安定した長寿命の半導体レーザー装置を実現することができる。
　【００１３】
　特に、本発明では、端面破壊防止層の屈折率は活性層の屈折率より低く、また封止樹脂層の屈折率より低くしてある。このため、端面破壊防止層内での拡射度合いが封止樹脂層の拡射度合いよりも大きく、また、端面破壊防止層内での拡射光束の周縁部分が封止樹脂層との界面に斜向入射する際にも封止樹脂層へ出射し易く全反射成分を抑制できるので、その分、端面破壊防止層内の多重反射が減ることになり、光密度の減少により端面破壊防止層内での溶解穿孔損傷を防止できる。
　【００１４】
　ここで、封止樹脂層の屈折率が端面破壊防止層の屈折率より低い場合、封止樹脂層の拡射光束の周縁部分が外部との境界に斜向入射する際、その境界面で全反射成分が生じ易く、封止樹脂層内での多重反射による光密度上昇又は光出力の実質的低下を招き易いが、本発明では封止樹脂層の屈折率が端面破壊防止層の屈折率よりも高くしてあるため（但し、活性層の屈折率よりも低い）、封止樹脂層での拡射光束の拡射度合いが端面破壊防止層でのそれよりも弱くしてあるので、拡射光束の周縁部分が外部との境界に斜向入射する際、その境界面での全反射成分を抑制することができ、封止樹脂層内での多重反射による光密度上昇又は光出力の実質的低下が減り、それ故、封止樹脂層内での溶解穿孔損傷も防止できる。
　【００１５】
　端面破壊防止層のうちレーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いている構成では、その界面で拡射光束が封止樹脂層へ非対称状に偏向出射することになるため、拡射光束の光密度の高い中心光線束に対しても封止樹脂層内で拡射化を促すことができるので、封止樹脂層内での光密度の大幅な低減により溶解穿孔損傷を有効的に防止できる。
　【００１６】
　更に、端面破壊防止層は、前方出射面からレーザーダイオード素子を搭載するサブマウントにかけて形成され、封止樹脂層に向かって凸面を有しており、前方部分はその凸面の周縁側の部分となっている構成では、偏向作用に加え凸面による拡射作用が増し、封止樹脂層での溶解穿孔損傷の防止効果が顕著となる。ここで、前方部分が凸面の中心ではなく周縁側の部分とするのは、上記の偏向作用を兼備させるためである。耐熱性の端面破壊防止層のうち前方出射面に面した前方部分が前方出射面からの熱伝導と光照射量により昇温するが、前方部分よりもその余の部分の方が熱容量が大きく、しかもその余の部分はサブマウント上にかかっているため、ヒートシンク効果のための熱逃がし路として機能し、溶解穿孔損傷の防止に役立つ。また、封止樹脂層とその前方部分との境界で反射した成分は迷光としてその余の部分へ導光されるため、迷光トラップとして機能する。
　【００１７】
　このような凸面を有する端面破壊防止層はいわば凸レンズに相当するものと言えるが、その凸レンズの光軸が前方出射面の法線上に揃っているのではなく、凸レンズの周縁部分に前方出射面が面している状態であるから、凸レンズの周縁部分はいわば偏向拡射プリズムとして機能するものである。従って、収差のない精巧な凸レンズを形成する必要は特にない。そこで、本発明では、この凸面を持つ端面破壊防止層としては、液状樹脂材料を滴状外形のまま硬化させて成る滴状成形体としている。ディップ法又は滴下法で前方出射面からサブマウントにかけて液状樹脂材料を滴状に盛って硬化させることにより滴状成形体を簡単に得ることができるので、低コストの半導体レーザー装置を提供できる。
　【００１８】
　端面破壊防止層の材質として、ジメチルポリシロキサンを主体とする樹脂を用いると、高耐熱性であり、また上記屈折率関係を満足するｎ１を得ることができ、さらに、上記の滴状成形体を得る材料として好適である。
　【００１９】
　【実施例】
　次に、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
　【００２０】
　図１に出射されたレーザー光束１４がレーザーダイオード素子１、端面破壊防止層１０、封止樹脂層９、さらに、大気１１を通過する様子を模式的に示してある。各層の界面における屈折を示す式は以下のようになる。
　【００２１】
　　ｓｉｎθ１／ｓｉｎθ２＝ｎ１２＝ｎ２／ｎ１　…（１）
　　ｓｉｎθ２／ｓｉｎθ３＝ｎ２３＝ｎ３／ｎ２　…（２）
　　ｓｉｎθ３／ｓｉｎθ４＝ｎ３４＝ｎ４／ｎ３　…（３）
ここで、θ１はレーザーダイオード素子１の活性層４と端面破壊防止層１０との界面Ｓ１における入射角、θ２は界面Ｓ１における出射角および端面破壊防止層１０と封止樹脂層９との界面Ｓ２における入射角、θ３は界面Ｓ２における出射角および封止樹脂層９と大気１１との界面Ｓ３における入射角、θ４は界面Ｓ３における出射角である。また、ｎ１２は界面Ｓ１における屈折率、ｎ２３は界面２における屈折率、ｎ３４は界面Ｓ３における屈折率である。また、ｎ１は活性層４の屈折率、ｎ２は端面破壊防止層１０の屈折率、ｎ３は封止樹脂層９の屈折率、ｎ４は大気１１の屈折率である。
　【００２２】
　図１において、光束１４が端面破壊防止層１０と封止樹脂層９において常に広がるためには、レーザー光の出射角θ１よりそれぞれの層１０、９における光束１４の入射角θ２、θ３が大きければ良い。すなわち、以下の式が成立すれば良い。
　【００２３】
　　ｓｉｎθ１＜ｓｉｎθ２　…（４）
　　ｓｉｎθ１＜ｓｉｎθ３　…（５）
これらの式と上記に示した式（１）〜（３）より
　　ｎ２＜ｎ１かつｎ３＜ｎ１　…（６）
が成立すれば良いことがわかる。すなわち、端面破壊防止層１０の屈折率ｎ２が活性層４の屈折率ｎ１より小さく、さらに、封止樹脂層９の屈折率ｎ３が活性層４の屈折率ｎ１より小さければ、これらの層１０、９内において光束１４が収束することがない。従って、レーザー光のエネルギーの集中を避けることができるので、端面破壊防止層１０および封止樹脂層９における溶融穿孔損傷の発生を防止することができる。そして、レーザー光特性の安定した寿命の長い半導体レーザー装置を実現することができる。
　【００２４】
　図２に、本発明の実施例に係る半導体レーザー装置のレーザーダイオード素子１の取付け部分を拡大して示してある。本例の装置は、先に図５に基づき説明した半導体レーザー装置と同一の構成であるので、装置の構成については同じ符号を付して説明を省略する。
　【００２５】
　本装置においてシリコンサブマウント層２３に装着されたレーザーダイオード素子１の活性層４の屈折率ｎ１は、３．６５５である。その前方照射面１２からサブマウント層２３にかけて端面破壊防止層１０が形成されている。この端面破壊防止層１０は、液状とした樹脂材料の特性を活かしたコーディング方法を用いて形成された形状となっている。すなわち、本装置の端面破壊防止層１０は、量産性に優れたディップ法、あるいは滴下法により形成された滴状の外形をなしており、素子１の前方照射面１２からサブマウント層２３にかけて封止樹脂層９に向かって凸状の平面を有する層となっている。本例においては、端面破壊防止層１０は、ジメチルポリシロキサンを主体とした樹脂であって、屈折率ｎ２は１．４１である。そして、レーザーダイオード素子１の前方出射面１２に形成された端面破壊防止層１０と封止樹脂層９との界面が、前方出射面１２となす角度αは略１７°である。また、この端面破壊防止層１０の形成されたレーザーダイオード素子１を封止する封止樹脂層９は、透明なエポキシ樹脂で形成されており、その屈折率ｎ３は、１．５６である。
　【００２６】
　本例の装置において本例の装置において、レーザー光が、レーザー装置の前方出射面１２と直角の法線１３となす角度を測定すると、封止樹脂層９内のレーザー光の角度β１は１．６５２°、また、大気１１内における角度β２は２．５７４°であった。また、周囲温度６０°Ｃ、光出力３ｍＷのＡＰＣ（オートマチックパワーコントロール）動作下において寿命試験を行うと、１００時間経過した段階においても、遠視野像などの光学特性に劣化は見られず、端面破壊防止層１０および封止樹脂層９にも穿孔痕状の穴は発生しない。
　【００２７】
　この封止樹脂層９に用いられているエポキシ樹脂は、３００°Ｃ付近にて熱分解を起こす。従って、レーザー照射時に発熱するレーザーダイオード素子１の出射面から熱遮蔽する必要がある。このため、本例の装置においては、ジメチルポリシロキサンを主成分とする端面破壊防止層１０を前方出射面１２に形成していおり、この層厚はほぼ３０μｍあれば、レーザーダイオード素子１の発光時おける熱負荷を遮断できることが判っている。そして、本例の装置に用いられた活性層４と端面破壊防止層１０との屈折率ｎ１２は、０．３９であり、図１から判るように、ｎ１２は充分に１より小さいため、発散型の端面破壊防止層１０となっている。また、活性層４と封止樹脂層９との屈折率ｎ１３は、０．４３であるので、封止樹脂層９においてもレーザー光は発散する。このように、本例の装置においては、封止樹脂層９および端面破壊防止層１０内においてレーザー光は常に法線１３から広がり、層内での収束が避けられていることがわかる。
　【００２８】
　このように本例の装置においてはレーザー光の収束が避けられているので、樹脂内におけるエネルギー密度の上昇に起因する溶融などの不具合が防止できる。
　【００２９】
　この時、現実のデバイスにおいて問題となる点は、ディップ法、あるいは滴下法などの量産に適した液状の樹脂により形成された端面破壊防止層１０が、熱硬化処理時に樹脂の表面張力により表面が半球状に成る点である。すなわち、前方出射面１２からサブマウント層２３にかけて形成された端面破壊防止層１０と封止樹脂層９との界面が球面となると、前方出射面１２の前方の界面はレーザー光の出射方向と直角とならないため、この界面における屈折が問題となるのである。
　【００３０】
　従って、レーザー光の軸ずれを少なくするために、端面破壊防止層１０と封止樹脂層９との屈折率ｎ２３を略１となるようにすることが必要となる。本例の装置においては、屈折率ｎ２３は１．１１であり、それぞれの層の屈折率は充分に近い。
　【００３１】
　このため、液滴を用いて形成された端面破壊防止層１０の界面が大きな角度αを成しているにも係わらず、出射されるレーザー光の角度β１およびβ２の角度は充分に小さく、レーザー光の軸ずれの小さな半導体レーザー装置を実現している。
　【００３２】
　このように、本例の半導体レーザー装置においては、屈折率ｎ１２およびｎ１３が１より小さいため、端面破壊防止層および封止樹脂層内においてレーザー光は常に広がるように導かれる。そのため、各層内においてレーザー光のエネルギー密度が上昇することが避けられ、溶融による穿孔などの損傷を受け難い。従って、光特性の維持された、寿命の長い半導体装置を実現することができる。さらに、本装置の屈折率ｎ２３は略１に近く、端面破壊防止１０と封止樹脂層９との界面の角度が法線に対し直角となっていない場合においても、その界面における屈折角は小さい。従って、レーザー光と法線のなす角度を充分に小さく維持できるので、液状の樹脂を用いて曲面状の界面を有する端面破壊防止層が形成された装置においても、レーザー光の特性に影響を与えない。このため、量産性に優れた液状の樹脂を用いた端面破壊防止の製造方法を採用することができ、熱に対する耐性が強く光特性が安定した長寿命で、かつ、安価に製造できる半導体装置を実現することができる。
　【００３３】
　【発明の効果】
　以上に説明したように、本発明に係る半導体レーザー装置においては、活性層の屈折率をｎ１，端面破壊防止層の屈折率をｎ２，封止樹脂層の屈折率をｎ３とすると、ｎ１＞ｎ３＞ｎ２なる屈折率の大小関係が成立していること、さらには端面破壊防止層のうちレーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いていることを特長とするものであるから、次の効果を奏する。
　【００３４】
▲１▼　活性層より屈折率の低い低屈折率破壊防止層および低屈折率封止樹脂層を用いることにより、両層内での拡射度合いが高まるので、相対的に層内の光密度を下げることができ、溶解穿孔損傷を防止できる。特に、端面破壊防止層の屈折率は活性層の屈折率より低く、また封止樹脂層の屈折率より低くしてあるため、端面破壊防止層内での拡射度合いが封止樹脂層の拡射度合いよりも大きく、また、端面破壊防止層内での拡射光束の周縁部分が封止樹脂層との界面に斜向入射する際にも封止樹脂層へ出射し易く全反射成分を抑制できるので、その分、端面破壊防止層内の多重反射が減ることになり、光密度の減少により端面破壊防止層内での溶解穿孔損傷を防止できる。他方、封止樹脂層での拡射光束の拡射度合いが端面破壊防止層でのそれよりも弱くしてあるので、拡射光束の周縁部分が外部との境界に斜向入射する際、その境界面での全反射成分を抑制することができ、封止樹脂層内での多重反射による光密度上昇又は光出力の実質的低下が減り、それ故、封止樹脂層内での溶解穿孔損傷も防止できる。
　【００３５】
▲２▼　端面破壊防止層のうちレーザーダイオード素子の前方出射面に面する前方部分と封止樹脂層との界面が前方出射面に対し偏角αを以て傾いている構成では、その界面で拡射光束が封止樹脂層へ非対称状に偏向出射することになるため、拡射光束の光密度の高い中心光線束に対しても封止樹脂層内で拡射化を促すことができるので、封止樹脂層内での光密度の大幅な低減により溶解穿孔損傷を有効的に防止できる。
　【００３６】
▲３▼　端面破壊防止層は、前方出射面からレーザーダイオード素子を搭載するサブマウントにかけて形成され、封止樹脂層に向かって凸面を有しており、前方部分はその凸面の周縁側の部分となっている構成では、偏向作用に加え凸面による拡射作用が増し、封止樹脂層での溶解穿孔損傷の防止効果が顕著となる。耐熱性の端面破壊防止層のうち前方出射面に面した前方部分が前方出射面からの熱伝導と光照射量により昇温するが、前方部分よりもその余の部分の方が熱容量が大きく、しかもその余の部分はサブマウント上にかかっているため、ヒートシンク効果のための熱逃がし路として機能し、溶解穿孔損傷の防止に役立つ。また、封止樹脂層とその前方部分との境界で反射した成分は迷光としてその余の部分へ導光されるため、迷光トラップとして機能する。
　【００３７】
▲４▼　この凸面を持つ端面破壊防止層としては、液状樹脂材料を滴状外形のまま硬化させて成る滴状成形体とした構成では、ディップ法又は滴下法で前方出射面からサブマウントにかけて液状樹脂材料を滴状に盛って硬化させることにより滴状成形体を簡単に得ることができるので、低コストの半導体レーザー装置を提供できる。
　【００３８】
▲５▼　端面破壊防止層の材質として、ジメチルポリシロキサンを主体とする樹脂を用いると、高耐熱性であり、また上記屈折率関係を満足するｎ１を得ることができ、さらに、上記の滴状成形体を得る材料として好適である。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係る半導体レーザー装置におけるレーザー光の光路を示し説明図である。
　【図２】
　実施例に係る半導体レーザー装置におけるレーザーダイオード素子の取付け部分を示す拡大図である。
　【図３】
　一般的なモールドタイプの半導体レーザー装置の構成を示す説明図である。
　【図４】
　端面破壊防止層の形成されたレーザーダイオード素子の構成を示す説明図である。
　【図５】
　図４に示すレーザーダイオード素子の取付け方法を示す説明図である。
　【符号の説明】
　ａ…発光端面
　１…レーザーダイオード素子
　２…ＧａＡｓ基板
　３…ｎ型クラッド層
　４…発光層
　５…ｐ型クラッド層
　６…ｐ型キャップ層
　７…電極
　８…背面電極
　９…封止樹脂層
　１０…端面破壊防止層
　１１…大気
　１２…前方出射面
　１３…法線
　１４…光束