【事件の表示】
　特願２０１６−１９７８２７「プラズマ処理装置の制御方法、プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　４月　６日出願公開、特開２０１７−　６９２０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２５年５月２９日（優先権主張　平成２５年２月１２日）に出願した特願２０１３−１１２５６２号（以下「原出願」という。）の一部を平成２８年１０月６日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯の概要は以下のとおりである。 
  
　平成２９年　８月１６日付け：拒絶理由通知書 
　平成２９年１１月２７日　　：意見書、手続補正書の提出 
　平成３０年　４月２５日付け：拒絶査定 
　平成３０年　８月　８日　　：審判請求書、手続補正書の提出 
 
第２　平成３０年８月８日にされた手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成３０年８月８日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
  
［理由］ 
 
１　本件補正について（補正の内容） 
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載 
  
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１０の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。 
  
「【請求項１０】
　被処理物がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室の内部に高周波を放射する平板状の第一の電極と、前記第一の電極に高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記第一の電極と対向し前記被処理物が載置される第二の電極と、前記第二の電極に高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第二の電極
から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路上の
に印加される
第一の
第一の
え、
前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流の値は、前記第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流の値から、前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値を減じた値である
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 
  
　本件補正前の、平成２９年１１月２７日の手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１０の記載は次のとおりである。 
  
「【請求項１０】
　被処理物がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室の内部に高周波を放射する平板状の第一の電極と、前記第一の電極に高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記第一の電極と対向し前記被処理物が載置される第二の電極と、前記第二の電極に高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
前記第二の電極に印加される第一の高周波電圧の位相と前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路上の第二の高周波電圧の位相との差である位相差を検知し、前記検知された位相差が前記第二の高周波電圧の極大値に対応する位相差の値となるように前記第二の高周波電圧を制御するためのリアクタンスを制御する制御部をさらに備えることを特徴とするプラズマ処理装置。」
２　補正の適否 
　本件補正のうち請求項１０についての補正は、本件補正前の請求項１０に記載された発明を特定するために必要な事項である「第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流」について、「
前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流の値は、前記第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流の値から、前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値を減じた値である
　また、本件補正前の請求項１０の「第二の電極に印加される第一の高周波電圧の位相」を「第二の電極
から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路上の
に印加される
第一の
第一の
　そこで、本件補正後の請求項１０に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下に検討する。   
（１）本件補正発明 
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 
  
（２）引用文献の記載事項 
ア　原査定の拒絶の理由で引用された原出願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、「特開２００２−３４３７６８号公報」（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同様。）。 
  
「【００１５】また、本発明は、
サセプタに接続されサセプタと電界発生手段との間にバイアスを印加する電源と、電界発生手段と接地との間に接続され回路特性が変更自在な第２のフィルタとを更に備え、制御手段は、センサから出力される検出結果により第２のフィルタの回路特性を制御する
サセプタから電界発生手段及び第２のフィルタを経て接地に至る第２の経路のインピーダンスをプラズマの状態に応じて調整できるので
正確な制御ができる。
センサは、
第２のフィルタの
電圧とサセプタの
電圧との位相差
を検出する
「【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。ここでは、本発明をエッチング装置に適用した場合を例に説明する。
（第１の実施の形態）
図１
【００２１】この
エッチング装置の処理室１１
サセプタ２１はエッチング対象のウェーハ（被処理体）Ｗを置くための水平な載置面を有している。サセプタ２１は下部電極を兼ねており
【００２２】
処理室１１の上部空間に
円盤状の上部電極３１
サセプタ２１の載置面と平行に配置されている
【００２３】また、上部電極３１と同電位の支持体３２には高周波電源３４が接続されている。この高周波電源３４は、数十ＭＨｚ程度の周波数で、電力値が５ｋＷ程度の高周波電力を出力するものであればよい。ここでは周波数が６０ＭＨｚ、電力値が３．３ｋＷの高周波電力を出力するものとする。また、この高周波電源３４と支持体３２との間には、これらのインピーダンスを整合させるマッチング回路３５が接続されている。このマッチング回路３５は例えば可変コンデンサで構成され、その容量はコントローラ３６で制御される。
【００２４】一方、サセプタ２１は、リアクタンスが変更自在な共振回路からなる第１のフィルタ２７を介して接地されている。上部電極３１からサセプタ２１及びフィルタ２７を経て接地に至る経路を第１の経路と呼ぶ。フィルタ２７のリアクタンスを変更することにより、上部電極３１に供給される高周波電力の周波数（６０ＭＨｚ）に対する第１の経路のインピーダンスを調整することができる。さらに、
処理室１１内で発生するプラズマＰ
「【００３７】この状態で高周波電源３４から周波数が６０ＭＨｚ、電力値が３．３ｋＷの高周波電力を上部電極３１に供給する。この
高周波電力は
処理容器１２から接地に抜ける。
「【００５０】（第３の実施の形態）
図６
において、図１と同一部分を同一符号をもって示し
【００５１】図６に示した
エッチング装置
プラズマＰを励起するための高周波電力を供給する高周波電源３４
上部電極３１とサセプタ２１との間にバイアスを印加するための高周波電力を供給する高周波電源２４を有する
エッチング装置
ここでは周波数が２ＭＨｚ
の高周波電力を出力するものとする
【００５２】一方、上部電極３１と同電位の支持体３２は、リアクタンスが変更自在な共振回路からなる第２のフィルタ３７とを介して接地されている。
サセプタ２１から上部電極３１，支持体３２，フィルタ３７を経て接地に至る経路を第２の経路
フィルタ３７のリアクタンスを変更することにより、
第２の経路のインピーダンスを調整する
【００５３】さらに、
フィルタ３７に流れる電気信号を検出するセンサ３８と、このセンサ３８から出力される検出結果によりフィルタ３７のリアクタンスを制御する制御手段が設けられ
フィルタ３７の制御手段の機能をマッチング回路２５のコントローラ２６にもたせている。
【００５４】ここで、フィルタ３７について更に説明する。図７は、フィルタ３７の構成を示す回路図である。この
フィルタ３７は、
サセプタ２１に供給される高周波電力の周波数に対するリアクタンスが変更自在な第２のモジュール３７Ｂ
を有し
【００５５】また、
第２のモジュール３７Ｂは、
コイル３７ｒのインダクタンス及びコンデンサ３７ｑの容量の少なくとも一方を可変とすればよい
【００５６】第１，第２のモジュール３７Ａ，３７Ｂと第３のモジュール３７Ｃとの間には、静電的遮蔽又は電磁的遮蔽を行うアルミニウム製又は鉄製の遮蔽板３７Ｄが配置されている。第３のモジュール３７Ｃと第１，第２のモジュール３７Ａ，３７Ｂとの間に電気的な干渉が発生した場合、第３のモジュール３７Ｃの帯域阻止能力が大幅に低下し、フィルタ３７によるパワーロスが発生して電力効率の低下を招くばかりか、場合によってはフィルタ３７に過度の電流が流れてフィルタ３７を焼損することも起こりうる。遮蔽板３７Ｄを設けることにより、このような問題を防ぐことができる。
【００５７】このような構成の
フィルタ３７のリアクタンスは、所定のプロセス条件の下で
第２の経路の共振周波数
がサセプタ２１に供給される高周波電力の周波数
と等しくなり、その周波数に対するインピーダンスが最小となるように設計される
プロセス条件に応じてイオンシース
によるインダクタンス
及び容量
が変化した場合でも
第２の経路のインピーダンスを最小とする
リアクタンスの範囲が設定され
【００５８】例えば、次のようなプロセス条件の下でｆ2 ＝２ＭＨｚとするためには、Ｃ＝１５００ｐＦ、１μＨ≦Ｌ≦５０μＨとすればよい。
・上部電極３１に供給される高周波電力
周波数：６０ＭＨｚ、電力値：１．０〜５．０ｋＷ
・サセプタ２１に供給される高周波電力
周波数：２ＭＨｚ、電力値：１．０〜５．０ｋＷ
・処理圧力：０．６〜１０Ｐａ
・プロセスガス：Ａｒ＝２００〜４００sccm、Ｏ2 ＝５〜２０sccm
あるいは、イオンシースＳＨによるインダクタンスＬSHの変動範囲上限よりも十分に大きい固定インダクタンスＬ（例えば５μＨ以上）、又はイオンシースＳＨによる容量ＣSHの変動範囲下限よりも十分に小さい固定容量Ｃ（例えば２００ｐＦ以下）を用いて、フィルタ３７を構成してもよい。
【００５９】なお、高周波電源２４からサセプタ２１に供給された２ＭＨｚの高周波電力が、やはりサセプタ２１に接続されたフィルタ１２７に流入しないように、フィルタ１２７は図２に示した第１，第２のモジュール２７Ａ，２７Ｂに、２ＭＨｚの周波数の通過を阻止する第３のモジュール（図示せず）が直列接続された構成をしている。この場合、フィルタ１２７のリアクタンスは、第３のモジュールを含めた第１の経路全体の共振周波数ｆ1 が上部電極３１に供給される高周波電力の周波数（６０ＭＨｚ）と等しくなるように設計される。また、第１，第２のモジュール２７Ａ，２７Ｂと第３のモジュールとの間に、静電的遮蔽又は電磁的遮蔽を行うアルミニウム製又は鉄製の遮蔽板を配置することにより、電力効率の低下と焼損を防止できる。また、図８に示すように、フィルタ１２７を含んだマッチング回路１２５を用いてもよい。
【００６０】エッチング装置に上述した構成をもたせ、フィルタ３７を通過する電流に基づいて上記
第２の経路全体の２ＭＨｚに対するインピーダンスが小さくなる方向に制御することにより、サセプタ２１に供給された高周波電力のうち処理容器１２に向かう割合が減少し、上部電極３１に向かう割合が増大する
イ　したがって、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
 
「プラズマＰが発生する処理室１１と、処理室１１の上部空間にサセプタ２１の載置面と平行に配置されている円盤状の上部電極３１と、エッチング対象のウェーハ（被処理体）Ｗを置くための水平な載置面を有し、下部電極を兼ねているサセプタ２１と、プラズマＰを励起するための高周波電力を供給する高周波電源３４と、上部電極３１とサセプタ２１との間にバイアスを印加するための２ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源２４を有するエッチング装置であって、
　第２のフィルタ３７のリアクタンスを変更することにより、サセプタ２１から上部電極３１，支持体３２，第２のフィルタ３７を経て接地に至る第２の経路のインピーダンスを調整し、
　センサ３８は、第２のフィルタ３７の電圧とサセプタの電圧との位相差を検出し、
　センサ３８から出力される検出結果により第２のフィルタ３７のリアクタンスを制御する制御手段が設けられ、第２のフィルタ３７の制御手段の機能をコントローラ２６にもたせており、
　第２のフィルタ３７は、変更自在な第２のモジュール３７Ｂを有し、
　第２のモジュール３７Ｂは、コイル３７ｒのインダクタンス及びコンデンサ３７ｑの容量の少なくとも一方を可変とし、
　第２のフィルタ３７のリアクタンスは、所定のプロセス条件の下で第２の経路の共振周波数がサセプタ２１に供給される高周波電力の周波数と等しくなり、その周波数に対するインピーダンスが最小となるように設計され、
　プロセス条件に応じてイオンシースによるインダクタンス及び容量が変化した場合でも第２の経路のインピーダンスを最小とするリアクタンスの範囲が設定され、
　第２の経路全体の２ＭＨｚに対するインピーダンスが小さくなる方向に制御することにより、サセプタ２１に供給された高周波電力のうち処理容器１２に向かい接地に抜ける割合が減少し、上部電極３１に向かう割合が増大するエッチング装置。」
（３）引用発明との対比 
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。 
（ア）引用発明の「プラズマＰが発生する処理室１１」は、本件補正発明の「被処理物がプラズマ処理されるプラズマ処理室」に、
　引用発明の「処理室１１の上部空間にサセプタ２１の載置面と平行に配置されている円盤状の上部電極３１」は、本件補正発明の「プラズマ処理室の内部に高周波を放射する平板状の第一の電極」に、
　引用発明の「『サセプタ２１の載置面』は『上部電極３１』『と平行に配置され』、『エッチング対象のウェーハ（被処理体）Ｗを置くための水平な載置面を有し、下部電極を兼ねているサセプタ２１』」は、本件補正発明の「第一の電極と対向し前記被処理物が載置される第二の電極」に、
　引用発明の「プラズマＰを励起するための高周波電力を供給する高周波電源３４」は、本件補正発明の「第一の電極に高周波電力を供給する第一の高周波電源」に、
　引用発明の「上部電極３１とサセプタ２１との間にバイアスを印加するための２ＭＨｚの高周波電力を供給する高周波電源２４」は、本件補正発明の「第二の電極に高周波電力を供給する第二の高周波電源」に、
　引用発明の「エッチング装置」は、本件補正発明の「プラズマ処理装置」に、
　引用発明の「『リアクタンスを制御する制御手段』『の機能を』『もたせて』いる『コントローラ２６』」は、本件補正発明の「リアクタンスを制御する制御部」に、
に、それぞれ相当する。
（イ）引用発明の「センサ３７は、第２のフィルタ３７の電圧とサセプタの電圧との位相差を検出し」は、本件補正発明の「前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路上の第一の高周波電圧の位相と前記第二の電極に印加される第二の高周波電圧の位相との差である位相差を検知し」とは、「第一の高周波電圧の位相と前記第二の電極に印加される第二の高周波電圧の位相との差である位相差を検知し」の点で一致する。
 
（ウ）電力は、電流と電圧の積で表される。
　そうすると、引用発明の「『サセプタ２１に供給された高周波電力』における電流の値」は、本件補正発明の「前記第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流の値」に、
　引用発明の「『上部電極３１に向かう割合』の『高周波電力』における電流の値」は、本件補正発明の「前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流の値」に、
　引用発明の「『サセプタ２１に供給された高周波電力のうち処理容器１２に向かい接地に抜ける割合』の『高周波電力』における電流の値」は、本件補正発明の「前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値」に、それぞれ相当する。
  
（エ）引用発明の「第２の経路全体の２ＭＨｚに対するインピーダンスが小さくなる方向に制御することにより、サセプタ２１に供給された高周波電力のうち処理容器１２に向かい接地に抜ける割合が減少し、上部電極３１に向かう割合が増大する」との特定から、「サセプタ２１に供給された高周波電力」における電流は、「サセプタ２１に供給された高周波電力のうち処理容器１２に向かい接地に抜ける」電力における電流と「『サセプタ２１に供給された高周波電力のうち』『上部電極３１に向かう』」電力における電流に分かれることが把握できる。
　そうすると、引用発明の「第２の経路全体の２ＭＨｚに対するインピーダンスが小さくなる方向に制御することにより、サセプタ２１に供給された高周波電力のうち処理容器１２に向かい接地に抜ける割合が減少し、上部電極３１に向かう割合が増大する」は、本件補正発明の「前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流の値は、前記第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流の値から、前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値を減じた値である」に、相当する。
　なお、補足すれば、平成３０年８月８日付けで提出された審判請求書において、「『前記第二の高周波電流の値は、前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値と前記第一の高周波電流の値の和である』の補正の根拠は、同上書の段落[００２１]、添付図面の図１等の記載にあると思料する。例えば、段落[００２１]には、『このようなウェハステージ１２０に印加された高周波バイアスの電流は、Ｓｉウェハ１１７上のプラズマシースを介して、エッチングチャンバー１０８の内壁に存在するアースとして設置されているアース内筒１０７に向かってプラズマ内を伝播する。』と記載されている。」と補正の根拠が記載されていることからも、前記第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流（ウェハステージ１２０に印加された高周波バイアスの電流）は、前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流（Ｓｉウェハ１１７上のプラズマシースを介して、エッチングチャンバー１０８の内壁に存在するアースとして設置されているアース内筒１０７に向かってプラズマ内を伝播する電流）と前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流に分かれて伝播している。
イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。 
  
【一致点】 
「被処理物がプラズマ処理されるプラズマ処理室と、前記プラズマ処理室の内部に高周波を放射する平板状の第一の電極と、前記第一の電極に高周波電力を供給する第一の高周波電源と、前記第一の電極と対向し前記被処理物が載置される第二の電極と、前記第二の電極に高周波電力を供給する第二の高周波電源とを備えるプラズマ処理装置において、
　第一の高周波電圧の位相と前記第二の電極に印加される第二の高周波電圧の位相との差である位相差を検知し、リアクタンスを制御する制御部をさらに備え、
　前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流の値は、前記第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流の値から、前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値を減じた値であるプラズマ処理装置。」 
  
【相違点１】 
　本件補正発明では「第一の高周波電圧」が、「第二の電極から第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路上」の電圧であるのに対し、引用発明では「第２のフィルタ３７の電圧」が、そのようなものであるのか明らかでない点で一応相違する。
【相違点２】 
　リアクタンスを制御する制御部について、本件補正発明では「検知された位相差」が、「第一の高周波電圧の極大値に対応する位相差の値となるように前記第一の高周波電圧を制御する」ものであるのに対し、引用発明では「『検出』された『位相差』」を用いて、そのような制御をするものであるのか明らかでない点。 
  
（４）判断 
　以下、上記相違点について検討する。 
ア　相違点１について
（ア）本願発明には「前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流の値は、前記第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流の値から、前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値を減じた値である」と特定されている。
　そうすると、「前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流」は、第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流の値から、第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値を減じた結果、流れる電流であり、第二の電極から第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路は、前記減じた結果の電流が流れる経路と考えられる。
　そして、引用発明において、上部電極３１に向かう電流は、サセプタ２１から上部電極３１，支持体３２，第２のフィルタ３７を経て接地に至る経路に電流が流れることから、引用発明の「第２のフィルタ３７の電圧」は、本件補正発明の「第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路上の第一の高周波電圧」に相当する。
（イ）また、当該電流が流れる経路上の第一の高周波電圧について、本願の明細書を参酌した場合についても、更に検討する。
　本願の明細書の【００４８】には「なお、実施例１と同様、バイアス電流の位相差だけでなくバイアス電圧同士の位相差で制御しても制御方法は同様である。ただし、共振点となる位相差は、測定する電圧の場所に応じて変化するため、必ずしも−９０°ではないので使用する装置の構成に応じて事前に調査しておく必要がある。」と記載され、また、本願の明細書の【００３５】には「対向バイアス電流が流れる経路上の地点（例えば図２中の符号２０８）とアースとの間の電圧や共振用コイル２０１両端の電圧をモニタ、図４に示すように対向バイアスのピーク間電圧４０２と可変コンデンサ２０２は対向バイアス電流の挙動とまったく同じになる。したがって、モニタ信号として、対向バイアス電圧値を用いても同様に制御できる。」、【００６３】には「対向バイアス制御機構内の電圧測定ポイント２０８での対向バイアス電圧Ｖｐｐ３０４もプロットしてあるが、対向バイアス電流Ｉｐｐ３０２との挙動は一致するので、以下、対向バイアス電圧Ｖｐｐ３０４を検知する場合に置き換えて説明する。」、【００６６】には「ＲＦバイアス整合器１２１で検知したＲＦバイアス電圧Ｖｐｐ５１３、対向バイアス制御機構内の電圧測定ポイント２０８で検知した対向バイアス電圧Ｖｐｐ５１４」と記載されていることから、当該電流が流れる経路上の第一の高周波電圧は、対向バイアス電流が流れる経路上の地点（例えば図２中の符号２０８）とアースとの間の電圧、共振用コイル２０１両端の電圧、又は、対向バイアス制御機構内の電圧測定ポイント２０８での対向バイアス電圧Ｖｐｐ３０４である。
　そうすると、引用発明のサセプタ２１から上部電極３１，支持体３２，第２のフィルタ３７を経て接地に至る経路上の「第２のフィルタ３７の電圧」は、対向バイアス電流が流れる経路上の地点の電圧に相当し、本件補正発明の「第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路上の第一の高周波電圧」に相当する。
（ウ）上記（ア）、（イ）からして、本件補正発明の「第二の電極から第一の電極に向かって流れる高周波電流が流れる経路上」の電圧である「第一の高周波電圧」と、引用発明の「第２のフィルタ３７の電圧」との事項は実質的な相違点にならない。
イ　相違点２について
（ア）引用発明において「第２の経路全体の２ＭＨｚに対するインピーダンスが小さくなる方向に制御することにより、サセプタ２１に供給された高周波電力のうち処理容器１２に向かい接地に抜ける割合が減少し、上部電極３１に向かう割合が増大する」ように制御していることから、サセプタ２１から上部電極３１，支持体３２，第２のフィルタ３７を経て接地に至る第２の経路の高周波電力が増大するように制御しているものと認められる。
 
（イ）引用発明における「第２のフィルタ３７のリアクタンスは、所定のプロセス条件の下で第２の経路の共振周波数がサセプタ２１に供給される高周波電力の周波数と等しくなり、その周波数に対するインピーダンスが最小となるように設計され、プロセス条件に応じてイオンシースによるインダクタンス及び容量が変化した場合でも第２の経路のインピーダンスを最小とするリアクタンスの範囲が設定され」との事項は、共振点となるように制御していることにほかならない。
（ウ）引用発明は「第２のフィルタ３７は、変更自在な第２のモジュール３７Ｂを有し、第２のモジュール３７Ｂは、コイル３７ｒのインダクタンス及びコンデンサ３７ｑの容量の少なくとも一方を可変とし」と特定していることから、共振点となるように制御する場合には、「コイル３７ｒのインダクタンス」「を可変と」すると「第２のフィルタ３７の電圧」の極小値に対応するような制御をし、「コンデンサ３７ｑの容量」「を可変と」すると「第２のフィルタ３７の電圧」の極大値に対応するような逆の制御をすることとなる。
　そうすると、コンデンサ３７ｑの容量を可変とし「第２のフィルタ３７の電圧」の極大値に対応するように制御することは、当業者が適宜選択する事項にすぎない。
（エ）上記ア及び上記（ア）〜（ウ）から考えて、引用発明における「第２のフィルタ３７は、変更自在な第２のモジュール３７Ｂを有し、第２のモジュール３７Ｂは、コイル３７ｒのインダクタンス及びコンデンサ３７ｑの容量の少なくとも一方を可変とし、」「センサ３８は、第２のフィルタ３７の電圧とサセプタの電圧との位相差を検出し、センサ３８から出力される検出結果により第２のフィルタ３７のリアクタンスを制御する制御手段が設けられ、第２のフィルタ３７の制御手段の機能をコントローラ２６にもたせており」での制御を、センサ３８は、第２のフィルタ３７の電圧とサセプタの電圧との位相差を検出し、センサ３８から出力される検出結果により第２のフィルタ３７の電圧の極大値に対応するように制御するようになすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
   
ウ　そして、相違点を総合的に勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。 
  
エ　したがって、本件補正発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
  
（５）請求人の主張について 
ア　本件請求人は、平成３０年８月８日付けで提出された審判請求書において、 
（ア）「 『前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流』は、引用文献１に開示も示唆も無いと言える。」、 
（イ）「引用文献１の段落［００３１］には、『コントローラ３６は、センサ２８が検出した電流及び電圧から両者の位相差を求めてフィルタ２７の消費電力値を算出する機能と、検出した電流値又は電圧値と算出した電力値とを基にフィルタ２７のリアクタンスを制御する機能とを有している。』と記載されており、この記載によれば、引用文献１における『位相差』は、『センサ２８が検出した電流及び電圧から両者の位相差を求めてフィルタ２７の消費電力値を算出する』ことのために用いられているだけであり、リアクタンスの制御に用いられていないと解釈できる。」、 
（ウ）「引用文献１の段落［００１６］には、『センサが第２のフィルタに流れる電流の値を検出するものである場合、制御手段は、電流の値が大きくなる方向に第２のフィルタの回路特性を制御するようにしてもよい。また、センサが第２のフィルタにかかる電圧の値を検出するものである場合、制御手段は、電圧の値が小さくなる方向に第２のフィルタの回路特性を制御するようにしてもよい。』と記載されており、引用文献１において電圧制御する場合は、電圧の値が小さくなる方向に第２のフィルタの回路特性を制御することになっているが、本願発明の電圧制御の場合、極大値を基に制御しているため、本願発明と引用文献１では電圧制御の方向性が異なっている。」、と本件補正発明の進歩性に関し、主張している。 
  
イ　上記主張について以下検討する。 
（ア）上記（ア）については、上記（３）ア（ウ）の対比で検討したとおりである。
（イ）引用文献１の【００３１】に記載の「位相差」は、
電流及び電圧
の位相差
３７
電圧と
電圧との位相差
２７
３７
３７
電圧と
電圧との位相差
（ウ）上記（ウ）については、上記（４）の判断で検討したとおり、引用発明において、第２のフィルタ３７は共振回路であり、共振点で制御していること、第２のモジュール３７Ｂは、コンデンサ３７ｑの容量を可変とすることも含むから、第２のフィルタ３７の電圧の極大値に対応するように制御するようになすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　なお、参考までに、本願の明細書の【００２５】〜【００２７】には、
可変リアクタンス素子が、コンデンサの場合とコイルの場合
対向バイアス電流Ｉｐｐ３０２
バイアス電流が最大となる点が共振点であるので可変コンデンサ２０２の容量に対して、対向バイアス電流値は極大値を持つ
符号３０３は共振点
電圧測定ポイント２０８での対向バイアス電圧Ｖｐｐ３０４もプロットしてあるが、対向バイアス電流Ｉｐｐ３０２との挙動は一致する
　
　してみれば、請求人の上記主張は、採用することができない。 
  
３　本件補正についてのむすび 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
  
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 
  
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成３０年８月８日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２９年１１月２７日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１０に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、その請求項１０に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。 
２　原査定の拒絶の理由 
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項２、３、５、１０、１１に係る発明は、その原出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。 
  
引用文献１：特開２００２−３４３７６８号公報
  
３　引用文献 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。 
  
４　対比・判断 
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明の「第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流」について、「前記第二の電極から前記第一の電極に向かって流れる高周波電流の値は、前記第二の高周波電源から前記第二の電極に向かって流れる電流の値から、前記第二の電極から前記プラズマ処理室の内壁に配置されたアースに向かって流れる電流の値を減じた値である」との限定事項を削除し、明りょうでない記載にしたものである。 
  
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加し明りょうにしたものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）、（４）に記載したとおり、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
  
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
  
　よって、結論のとおり審決する。