【事件の表示】
　特許第３０７１５９１号「光磁気記録媒体の再生方法および光磁気再生装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７１５９１号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　　特許第３０７１５９１号の請求項１乃至２に係る発明についての出願は、平成５年１月７日に特許出願され、平成１２年５月２６日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、村戸良至より特許異議の申し立てがなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年６月２５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　ア．訂正事項ａ
　　　　特許請求の範囲の請求項１，２の記載について、
「　【請求項１】
　情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、
　光磁気記録媒体上に光ビームを集光する上記光ヘッドの集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを上記集光レンズに入射させることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
　　【請求項２】
　情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気再生装置であって、
　光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光させる集光レンズと、上記光源からの光ビームを、上記集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームに変換し、上記集光レンズに入射させる光変換手段とを備えていることを特徴とする光磁気再生装置。」とあるのを
　「　【請求項１】
　情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、
　上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、光磁気記録媒体上に光ビームを集光する上記光ヘッドの集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを上記集光レンズに入射させることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
　　【請求項２】
　情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気再生装置であって、
　光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光させる集光レンズと、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、上記光源からの光ビームを、上記集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームに変換し、上記集光レンズに入射させる光変換手段とを備えていることを特徴とする光磁気再生装置。」
と訂正する。
　イ．訂正事項ｂ
明細書の段落【０００５】、【０００６】、【０１０５】、【０１０６】の記載について、それぞれ
　　「【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　……再生方法であって、光磁気記録媒体上に……。」
　　「【０００６】
　……集光レンズと、上記光源からの光ビームを、……。」
　　「【０１０５】
　……再生方法であって、光磁気記録媒体上に……。」
　　「【０１０６】
　……集光レンズと、上記光源からの光ビームを、……。」
とあるのを、
　　「【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　……再生方法であって、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、光磁気記録媒体上に……。」
　　「【０００６】
　……集光レンズと、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、上記光源からの光ビームを、……。」
　　「【０１０５】
　……再生方法であって、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、光磁気記録媒体上に……。」
　　「【０１０６】
　……集光レンズと、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、上記光源からの光ビームを、……。」
と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　　上記訂正事項ａは、発明を特定する事項である「光磁気記録媒体上に光ビームを集光する光ヘッドの集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビーム」を、このような光ビームを用いた場合に照射部位の周囲に付随して発生することが明らであるサイドローブについて、この部位は、読み出し層が「所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する」照射部位とは異なることを明りょうにするために「光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すような……光ビーム」に変更するものであり、しかも、「光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すような……光ビーム」は、特許明細書の段落【０００７】、【００２２】、【００２８】に記載された事項であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、また、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申し立てについての判断
（１）申立の理由の概要
　　　　申立人村戸良至は、請求項１乃至２に係る発明は、甲第１号証（特開平２−３０６４４１号公報）、甲第２号証（光ディスク技術　第２２〜２９頁　表紙及び奥付の写し）、甲第３号証（第１６回日本応用磁気学会学術講演会予稿集「面内磁化層を用いた超解像光磁気ディスク」の写し）、甲第４号証（MAGNETO-OPTICAL　RECORDING　INTERNATIONAL　SYMPOSIUM　1992　Digests　of　papers　presented　at　MORIS'92の写しとその翻訳文）をもとに容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものであるから、特許を取り消すべきと主張している。
　
（２）本件の請求項１乃至２に係る発明
　　　　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件の請求項１乃至２に係る発明（以下「本件発明」という。）は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１乃至２に記載されたとおりのものである。
　
（３）刊行物等
　　　　特許異議申立人が証拠として提出した刊行物には、それぞれ、以下のような発明が記載されている。
　刊行物１：特開平２−３０６４４１号公報（甲第１号証）
　　　　　この公報の第２頁左上欄第３〜１５行には、「これは原理的には、光源から放射された光ビームが、垂直異方性をもつアモルファス垂直磁化膜から構成される情報記録媒体に照射され、キュリー点近傍まで昇温されると磁化を失ない……、再生時には、情報記録媒体表面の磁気光学効果により、……」と記載され、同頁右上欄第８〜２０行目には、「第６図に示すように対物レンズ６に入射される光ビームを対物レンズ６の有効径より大きくして入射させれば、対物レンズ６により絞られた光ビームは回折効果によりエアリーディスク分布を示し、ビーム径は小さく絞られる。……情報記録媒体７においてビーム径が円ビームとなり、かつ小さく絞ることができれば、記録再生特性も良好になると同時に高密度記録再生が可能となる。」という、光磁気記録媒体の再生方法及び再生装置に関する発明が記載されている。
　刊行物２：光ディスク技術　第２２〜２９頁　表紙及び奥付の写し（甲第２号証）
　　　　　この第２６頁第２２行〜第２７頁第４行目には、円形開口によるけられに関して「光ディスクでは、対物レンズの入射ビームは太くし、けられを多くして使うのが一般的です。……また、入射するガウス・ビームを太くしてけられが多くなれば、それだけ光の損失が多くなりますが、平面波に近づき、また同心円状の光の輪が生じますが、スポットは小さくなって深度が浅くなります。」と記載され、強度分布に関して、第２７頁第１２〜１４行目に、「けられの計数ｍの値が０に近づくと、平面波（強度分布は波面内で一定）を集光したときのような同心円状の光の輪（サイドローブ）を持つ強度分布を示すようになります。」という記載および、第２８頁の（スポットサイズ）の欄には、入射ビームを大きくしてけられを大きくすればスポットは小さくなるが、レンズを透過する光の割合が減るので、設計時には適当なけられの係数を選ぶ必要がある旨の記載がされている。
　刊行物３：第１６回日本応用磁気学会学術講演会予稿集「面内磁化層を用いた超解像光磁気ディスク」の写し（甲第３号証）
　　　　　これには、低温領域では再生層が面内磁化を示し、高温領域では再生層が記録層の磁化方向に従って垂直磁化を示す。従って、スポット中心付近でのみ再生層に記録層の情報が転写され、それ以外の領域では再生層の面内磁化により記録層の情報がマスクされることとなり再生分解能が向上する。という面内磁化層を用いた超解像光磁気ディスクの発明が記載されている。
　刊行物４：MAGNETO-OPTICAL　RECORDING　INTERNATIONAL　SYMPOSIUM　1992　Digests　of　papers　presented　at　MORIS'92の写しとその翻訳文（甲第４号証）
　　　　　これには、室温で面内磁化を示し高温で垂直磁化となる読み出し層を用いた超解像光磁気ディスクの発明が記載されている。
　
（４）対比・判断
　本件発明と上記刊行物１〜４に記載の発明とを対比すると、これら刊行物に記載の発明は、室温で面内磁化を示し高温で垂直磁化となる読み出し層を用いた超解像光磁気ディスクの発明、および読み出し層を用いない光（磁気）ディスクの再生時に光スポットを小さく絞る発明は記載されているものの、本件発明の構成に欠くことのできない事項である、「光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、光磁気記録媒体上に光ビームを集光する上記光ヘッドの集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを上記集光レンズに入射させる」という、読み出し層による超解像効果を用いた再生方法における、サイドローブによる影響の除去手段の思想を記載も示唆もしておらず、当該構成により本件発明は、超解像光磁気記録媒体の再生時に、径の小さくなったメインローブの中心付近の読み出し層のみが垂直磁化となるような高温領域の分布とすることにより記録情報の単位であるピットを小さくして記録密度を向上できるという顕著な効果を奏するものであり、本件発明が上記刊行物１乃至４に記載のものから容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１乃至２に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１乃至２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年９月７日（２００１．９．７）
【訂正の要旨】
　訂正事項
ａ．特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１，２を、
「【請求項１】　情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、
　上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、光磁気記録媒体上に光ビームを集光する上記光ヘッドの集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを上記集光レンズに入射させることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
　【請求項２】　情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射しで情報の再生を行う光磁気再生装置であって、
　光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光させる集光レンズと、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、上記光源からの光ビームを、上記集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームに変換し、上記集光レンズに入射させる光変換手段とを備えることを特徴とする光磁気再生装置。」と訂正する。
ｂ．上記訂正事項ａに伴い、特許請求の範囲と発明の詳細な説明との整合をとるため、明瞭でない記載の釈明又は誤記の訂正を目的として、明細書の段落【００５】、【０００６】、【０１０５】、【０１０６】を、
「【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の光磁気記録媒体の再生方法は、上記の課題を解決するために、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射しで情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、光磁気記録媒体上に光ビームを集光する上記光ヘッドの集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを上記集光レンズに入射させることを特徴としている。
　【０００６】
　また、本発明の光磁気再生装置は、上記の課題を解決するために、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射しで情報の再生を行う光磁気再生装置であって、光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光させる集光レンズと、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、上記光源からの光ビームを、上記集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームに変換し、上記集光レンズに入射させる光変換手段とを備えていることを特徴としている。
　【０１０５】
　【発明の効果】
　本発明の光磁気記録媒体の再生方法は、以上のように、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドローブが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、光磁気記録媒体上に光ビームを集光する上記光ヘッドの集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを上記集光レンズに入射させる方法である。
　【０１０６】
　また、本発明の光磁気再生装置は、以上のように、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気再生装置であって、光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光させる集光レンズと、上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、上記光源からの光ビームを、上記集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームに変換し、上記集光レンズに入射させる光変換手段とを備えている構成である。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光磁気記録媒体の再生方法および光磁気再生装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、
　
上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、
　【請求項２】
　情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気再生装置であって、
　光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光させる集光レンズと、
上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、光磁気記録装置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体の再生方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　光磁気ディスク等の光磁気記録媒体の記録密度は、記録・再生に使用される光ビームの記録媒体上での大きさ（以下、スポット径と称する）に依存する。このため、光ビームのスポット径を小さくすることにより記録密度を高密度化する方法が提案されている。
　【０００３】
　従来より、スポット径を小さくする方法としては、例えば、▲１▼光ビームの波長を短くし、集光レンズによる回折を大きくする、▲２▼集光レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）を大きくし、光ビームの絞り込み角度を大きくする、等が行われている。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記従来の▲１▼の方法では、高出力半導体レーザの入手が難しく、例えば短波長半導体レーザ等を用いて光ビームの波長を短くすると、光ビーム強度が低くなってしまい、光磁気記録媒体の記録に使用することが困難となるか、或いは記録速度の低下を招くこととなる。また、上記従来の▲２▼の方法では、集光レンズに対する光磁気記録媒体の傾きが大きくなると、記録媒体上でのスポット径は逆に大きくなってしまう。このため、集光レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）を大きくするには、光磁気記録装置の組み立て精度、あるいは光磁気記録媒体の反り量をより一層厳密に管理する必要が生じ、光磁気記録装置や光磁気記録媒体の製造工程が煩雑となるという問題を有している。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の光磁気記録媒体の再生方法は、上記の課題を解決するために、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、
上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、
　【０００６】
　また、本発明の光磁気再生装置は、上記の課題を解決するために、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気再生装置であって、光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光させる集光レンズと、
上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、
　【０００７】
　【作用】
　上記の光磁気記録媒体の再生方法、ならびに光磁気再生装置によれば、光磁気記録媒体に照射する光ビームのメインロープの径を小さくしてサイドロープが大きくなっても、サイドロープの照射部分では読み出し層が面内磁化状態を示すようにできるため、サイドロープ照射部位を再生に関与させず、光ビームスポットの中心部付近のみ再生に関与させることができる。これにより、高密度記録された光磁気記録媒体から高品質の再生信号を得ることができる。
　【０００８】
　【実施例】
　本発明の一実施例について図１ないし図３０に基づいて説明すれば、以下の通りである。尚、以下の説明においては、光磁気記録媒体としての光磁気ディスクを例に挙げることとする。
　【０００９】
　本実施例にかかる光磁気ディスクは、図１に示すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、保護層５、オーバーコート層６がこの順に積層された構成を有している。
　【００１０】
　上記の読み出し層３として使用される希土類遷移金属合金の磁気状態図は、図２に示すようになり、光磁気ディスクが垂直磁化を示す組成範囲（図中、Ａで示す）が非常に狭い。これは、希土類金属と遷移金属の磁気モーメントが釣り合う補償組成（図中、Ｐで示す）の近辺でしか垂直磁化が現れないからである。
　【００１１】
　ところで、希土類金属と遷移金属の磁気モーメントは、それぞれ温度特性が異なり、高温では遷移金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて大きくなる。このため、室温の補償組成よりも希土類金属の含有量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面内磁化を示すようにしておく。すると、光ビームが照射されることにより、照射部位の温度が上昇すると、遷移金属の磁気モーメントが相対的に大きくなって、希土類金属の磁気モーメントと釣り合うようになり、全体として垂直磁化を示すようになる。
　【００１２】
　次に、図３ないし図６に、読み出し層３の膜面に垂直方向に印加された外部印加磁界Ｈｅｘ（図中、横軸）と、膜面に垂直方向から光ビームを入射させたときの磁気カー回転角θＫ（図中、縦軸）との関係、即ちヒステリシス特性を示す。図３は、図２における補償組成Ｐでの、室温から温度Ｔ１までのヒステリシス特性を示しており、図４ないし図６は、この順に、温度Ｔ１から温度Ｔ２までのヒステリシス特性、温度Ｔ２から温度Ｔ３までのヒステリシス特性、および温度Ｔ３からキュリー温度Ｔｃまでのヒステリシス特性を示している。
　【００１３】
　図３ないし図６から明らかなように、温度Ｔ１から温度Ｔ３までの範囲では、外部印加磁界Ｈｅｘに対して磁気カー回転角θＫの立ち上がりが急峻なヒステリシス特性を示すが、一方、室温から温度Ｔ１までの範囲、および、温度Ｔ３からキュリー温度Ｔｃまでの範囲では、磁気カー回転角θＫは殆ど０となっていることがわかる。
　【００１４】
　以上のような特性を備えた希土類遷移金属合金の薄膜を読み出し層３に使用することで、本実施例の光磁気ディスクは記録密度を高くしている。尚、本実施例では、読み出し層３として、例えばＧｄ０．２６（Ｆｅ０．８２Ｃｏ０．１８）０．７４を使用しており、膜厚は５０ｎｍである。また、そのキュリー温度Ｔｃは約３００℃である。そして、上記した理由で希土類金属の含有量を室温での補償組成よりも多くしており、読み出し層３の磁化が、温度Ｔ１で面内磁化から垂直磁化に移行するような補償組成としている。
　【００１５】
　上記の記録層４として、例えばＤｙ０．２３（Ｆｅ０．７８Ｃｏ０．２２）０．７７を使用しており、膜厚は５０ｎｍである。また、そのキュリー温度Ｔｃは約２００℃である。これら読み出し層３および記録層４を組み合わせることにより、読み出し層３の磁化は、室温では面内磁化となり、１００℃〜１２５℃程度の温度で面内磁化から垂直磁化に移行するようになっている。尚、ＤｙＦｅＣｏは、その垂直磁気異方性が小さく、そのため、記録時に用いる外部印加磁界Ｈｅｘを低くすることができ、例えば磁界変調オーバーライトによる記録方式においては、記録用外部磁界発生装置の小型化、消費電力の低減化を可能とする。
　【００１６】
　上記の基板１として、例えば直径８６ｍｍ、内径１５ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの円盤状のガラスを使用しており、透明誘電体層２の側の表面には、例えば反応性イオンエッチング法により、光ビーム案内用のガイドトラックがピッチ１．６μｍ（グルーブ幅０．８μｍ、ランド幅０．８μｍ）で形成されている。
　【００１７】
　上記の透明誘電体層２として、屈折率２．０の透明なＡｌＮを使用しており、膜厚は８０ｎｍである。このＡｌＮは、窒化膜の一種であり、非常に耐湿性に優れている。また、保護層５として、屈折率２．０のＡｌＮを使用しており、膜厚は２０ｎｍである。尚、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、および保護層５は、例えばスパッタリングにより形成されている。即ち、透明誘電体層２および保護層５は、ＡｌターゲットをＮ２ガス雰囲気、もしくはＡｒガスとＮ２ガスの混合ガス雰囲気でスパッタする、いわゆる反応性ＤＣスパッタリングを行うことにより形成されている。読み出し層３および記録層４は、ＦｅＣｏ合金ターゲット上にＧｄあるいはＤｙのチップを並べた、いわゆる複合ターゲット、もしくは、ＧｄＦｅＣｏおよびＤｙＦｅＣｏの３元合金ターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気でスパッタすることにより形成されている。
　【００１８】
　上記のオーバーコート層６として、ポリウレタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂を使用しており、膜厚は５μｍである。この紫外線硬化型樹脂は、例えばスピンコーターにより保護層５上に塗布された後、紫外線照射装置により紫外線が照射されて硬化されている。
　【００１９】
　尚、上記の読み出し層３の膜厚は、勿論、５０ｎｍに限定されるものではなく、２０ｎｍ〜１００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ以上であればよい。読み出し層３の膜厚が２０ｎｍよりも薄いと、読み出し層３の面内磁化による記録層４のマスク効果が小さくなるために好ましくなく、また、１００ｎｍよりも厚いと、記録層４の情報が転写され難くなるために好ましくない。また、上記の記録層４の膜厚は、勿論、５０ｎｍに限定されるものではなく、２０ｎｍ〜１００ｎｍであればよい。さらに、透明誘電体層２の屈折率は、例えばスパッタ時における雰囲気ガスの圧力、あるいはＡｒガスとＮ２ガスの混合比率等を変えることにより変化させることが可能であり、１．８〜２．１が好適である。
　【００２０】
　次に、上記構成の光磁気ディスクに情報の記録・再生を行う光磁気記録装置の光ヘッドについて説明する。図７に示すように、光ヘッド５０は、光源である半導体レーザ５１、コリメータレンズ（光変換手段）５２、整形プリズム５３、ビームスプリッタ５４・５６、対物レンズ（集光レンズ）５５、レンズ５７・６１、シリンドリカルレンズ５８、光検出器５９・６３・６４、１／２波長板６０、および偏光ビームスプリッタ６２で構成されている。
　【００２１】
　半導体レーザ５１から出射された光ビームは、コリメータレンズ５２により、対物レンズ５５の開口径ａよりも大きい直径ｗを有する平行光とされる。コリメータレンズ５２を透過した光ビームは、整形プリズム５３により円形となされた後、ビームスプリッタ５４および対物レンズ５５を介して光磁気ディスク７０上の所定位置に集光される。また、光磁気ディスク７０で反射された反射光は、対物レンズ５５を透過した後、ビームスプリッタ５４で反射され、ビームスプリッタ５６に入射される。ビームスプリッタ５６にて２分割された反射光のうちの一方の光は、レンズ５７およびシリンドリカルレンズ５８を介して光検出器５９に導かれ、ここでフォーカスサーボおよびラジアルサーボを行うための信号が検出される。２分割された反射光のうちのもう一方の光は、１／２波長板６０およびレンズ６１を介して偏光ビームスプリッタ６２に入射され、再度２分割されて光検出器６３・６４に導かれ、光磁気信号、即ち光磁気ディスク７０に記録されている情報が検出される。尚、光ヘッドの構成は、勿論、上記の光ヘッド５０の構成に限定されるものではなく、後述の如く、ａ／ｗを小さくして、メインロープの半径を小さくすることが可能な構成であればよい。
　【００２２】
　次に、光ビームの直径ｗと、対物レンズ５５の開口径ａとの関係について説明する。図８および図９に示すように、光ビームを集光すると、光ビーム強度分布がガウス分布をなしている円形のメインロープと、このメインロープの外側に同心円状に発生するサイドロープとを有するスポットが形成される。ここで、開口径ａよりも光ビームの直径ｗを大きくすればするほど、即ち、ａ／ｗを小さくすればするほど、メインロープの半径は小さくなるが、逆に、サイドロープは大きくなり、かつ、その光ビーム強度も大きくなる。例えば、図１０に示すように、ａ／ｗ＝１．１の場合には、サイドロープは殆ど形成されないが、ａ／ｗ＝０．５の場合には、サイドロープの形成が顕著となる。尚、ａ／ｗ＝０．５の場合のメインロープの半径（スポットの中心から光ビーム強度が１／ｅ２となるまでの距離）は、ａ／ｗ＝１．１の場合のメインロープの半径の約８７％となっている。
　【００２３】
　上記の構成において、図１１に示すように、再生動作時には、基板１の側から対物レンズ５５を介して再生光ビームが、読み出し層３の膜面に垂直に照射される。このとき、例えば図１１に示す磁化の向きに記録層４が記録されているとする。再生光ビームが照射された読み出し層３は、スポットの中心部付近の部位の温度が最も上昇する。これは、再生光ビームが、対物レンズ５５により回折限界まで絞り込まれているため、その光ビーム強度分布がガウス分布となり、光磁気ディスク上の再生部位の温度分布も略ガウス分布となるからである。
　【００２４】
　ここで、スポットの中心部付近の部位の温度が先述の温度Ｔ１（図２）以上に達するような光ビーム強度を有する再生光ビームが照射されたとする。このとき、スポットの中心部付近以外の部位の温度は温度Ｔ１未満となる。即ち、読み出し層３において、再生光ビームが照射されたときに温度Ｔ１以上に達する部位の大きさは、再生光ビームのスポットの大きさよりも小さくなっている。本実施例では、上記の温度Ｔ１以上の温度を有する部位のみを再生に関与させるので、再生光ビームのスポットの径よりも小さい記録ビットの再生が行え、記録密度は著しく向上することになる。
　【００２５】
　そして、温度Ｔ１以上の温度を有する部位の磁化は、面内磁化から垂直磁化（即ち、図３の状態から図４もしくは図５の状態）に移行する。このとき、読み出し層３および記録層４の２層間に作用する交換結合力により、記録層４の磁化の向きが読み出し層３に転写される。一方、スポットの中心部付近以外の、温度Ｔ１未満の温度を有する部位の磁化は、面内磁化の状態が保持される。この結果、読み出し層３の膜面に垂直に照射された再生光ビームに対しては、磁気カー効果を示さない。
　【００２６】
　このようにして、温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、再生光ビームの中心部付近のみが磁気カー効果を示すようになり、該部位からの反射光に基づいて記録層４に記録された情報が再生される。そして、光磁気ディスクが回転することにより再生光ビームが移動して、次の記録ビットを再生するときには、先の再生部位の温度は低下して温度Ｔ１未満となり、垂直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気カー効果を示さなくなる。従って、該温度の低下した部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣接の記録ビットからの信号の混入（いわゆるクロストーク）がなくなる。
　【００２７】
　この光磁気ディスクを使用して、情報の記録・再生を行えば、再生光ビームの中心部付近のみが磁気カー効果を示すので、隣接する記録ビットの影響を受けずに再生光ビームのスポット径よりも小さい記録ビットの再生が行え、記録密度を著しく高めることが可能である。つまり、本実施例の構成によれば、再生光ビームが照射されている部位の温度が温度Ｔ１以上まで上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する一方、周辺の部位を含むその他の部位の温度は温度Ｔ１まで上昇しないので、面内磁化の状態が保持される。従って、再生光ビームのスポット径よりも小さい記録ビットの再生が確実に行えると共に、上記の温度Ｔ１に達していない部位からは情報が再生されなくなり、雑音の原因である隣接の記録ビットからの信号の混入を回避できる。
　【００２８】
　また、光磁気ディスクにおける記録密度は、記録・再生に使用される光ビームのスポットの大きさに左右されるが、上記したようにメインロープの半径を小さくするとサイドロープが大きくなる。しかしながら、上記の光磁気ディスクは、例えば、上述の如くａ／ｗを１以下の値とした光ヘッドを用いても、サイドロープによって記録ビットが再生される虞れはない。これは、読み出し層３における、サイドロープが照射されている部位に多少の温度上昇が生じても、この部位の磁化は面内磁化の状態が保持され、磁気カー効果を示さないためである。従って、メインロープによって再生された記録ビットの信号に、サイドロープが照射された記録ビットからの信号が混入することはない。これにより、ａ／ｗを小さくして、即ち、対物レンズ５５の開口径ａよりも光ビームの直径ｗを大きくし、メインロープの半径を小さくしても、良好な記録・再生が行えるので、光磁気ディスクにおける記録密度を高密度化することが可能となっている。
　【００２９】
　次に、上記構成の光磁気ディスクを使用して、情報の記録・再生を行った具体例を示す。先ず、上記構成の光磁気ディスクの磁気特性について説明する。読み出し層３のヒステリシス特性を、温度を変えて測定した測定結果を図１２および図１３に示す。室温（２５℃）でのヒステリシス特性を示す図１２から、室温においては、外部印加磁界Ｈｅｘが０のときに、磁気カー回転角θＫが殆ど０であることがわかる。これは、読み出し層３の磁化が、面内磁化となっていることを示している。また、１２０℃でのヒステリシス特性を示す図１３から、１２０℃においては、外部印加磁界Ｈｅｘが０のときに、磁気カー回転角θＫが約０．５ｄｅｇであることがわかる。これは、読み出し層３の磁化が、垂直磁化に移行していることを示している。
　【００３０】
　次に、ａ／ｗ＝１．１、光ビームの波長７８０ｎｍ、対物レンズ５５の開口数（Ｎ．Ａ．）０．５５の光ヘッドを用いて再生信号の振幅を測定した測定結果について説明する。先ず、光磁気ディスクの中心から２６．５ｍｍのところに形成されているランドに、回転数１８００ｒｐｍ（線速５ｍ／ｓ）で、長さ０．７６５μｍの単一周波数記録ビットを予め記録した。この記録は、記録層４の磁化の向きを一方向に揃えて消去状態とし、その後、記録用外部磁界の方向をこれとは逆方向に固定して、長さ０．７６５μｍに相当する記録周波数（約３．３ＭＨｚ）で光ビームを変調することにより行った。また、記録光ビーム強度は、約８ｍＷであった。この記録ビット列を再生光ビーム強度を変えて再生し、再生信号の振幅を測定した測定結果を図１４に示す。尚、図中、再生光ビーム強度を横軸、再生信号の振幅を縦軸とし、０．５ｍＷ〜３ｍＷの範囲で測定して、０．５ｍＷのときの振幅で規格化した。同図において、曲線Ａが本実施例の光磁気ディスクの測定結果である。また、曲線Ｂは以下に示す比較光磁気ディスクの測定結果である。
　【００３１】
　上記の比較光磁気ディスクは、基板１に、ＡｌＮ層８０ｎｍ、ＤｙＦｅＣｏからなる磁性層２０ｎｍ、ＡｌＮ層２５ｎｍ、ＡｌＮｉ層３０ｎｍ、オーバーコート層６をこの順に積層した構成となっている。即ち、希土類遷移金属合金であるＤｙＦｅＣｏの薄膜の両側に誘電体層であるＡｌＮ層を形成し、反射層であるＡｌＮｉ層を設けた構成（いわゆる反射膜構造）となっている。また、磁性層は、室温から高温までの間で垂直磁化を有している。
　【００３２】
　また、直線Ｃは、原点および０．５ｍＷでの振幅規格値を通り、再生光ビーム強度と再生信号の振幅との比例関係を表しており、次式で示される。即ち、
再生信号の振幅∝媒体反射光量×磁気カー回転角θＫ
（但し、媒体反射光量は再生光ビーム強度に比例して増加する値である。）光磁気ディスクの再生信号の振幅は、再生光ビーム強度の増加に伴い増大し、２ｍＷ〜２．２５ｍＷで最大となる。また、曲線Ａが直線Ｃよりも上側に存在することから、再生光ビーム強度の増加量以上に再生信号の振幅が増加していることがわかる。このことは、読み出し層３が、温度の低いときには磁気カー回転角θＫが殆ど０であり、温度の上昇に伴い急激に面内磁化から垂直磁化に移行することを示している。一方、比較光磁気ディスクの再生信号の振幅（曲線Ｂ）が直線Ｃよりも下側に存在するのは、以下の理由による。即ち、再生光ビーム強度を増加させると、媒体反射光量は増加するが、反面、磁性層の温度も上昇する。磁性層の磁化は、一般に温度の上昇に伴い減少し、キュリー温度Ｔｃで０になる性質を有している。従って、比較光磁気ディスクにおいては、温度の上昇に伴い磁気カー回転角θＫが小さくなり、直線Ｃよりも常に下側の値となる。
　【００３３】
　続いて、記録ビットをより小さくしたときの再生信号の品質の変化を測定した測定結果について説明する。先ず、先程と同一の条件・装置で、記録周波数を変更して記録を行い、記録ビット長さに対する再生信号の信号品質（Ｃ／Ｎ）を測定した測定結果を図１５に示す。同図において、曲線Ａが再生光ビーム強度を２．２５ｍＷとした本実施例の光磁気ディスクの測定結果である。また、曲線Ｂは再生光ビーム強度を１ｍＷとした比較光磁気ディスクの測定結果である。長さが０．６μｍ以上の記録ビットにおいては、両者に殆ど差が見られないものの、長さが０．６μｍ未満の記録ビットにおいては、曲線Ａが曲線Ｂよりも上側に存在しており、本実施例の光磁気ディスクの再生信号の品質が良好であることがわかる。特に、光学的分解能（後述する）の限界である０．３５５μｍよりも短い記録ビットにおいても、凡そ３０ｄＢの信号品質Ｃ／Ｎが得られた。
　【００３４】
　一方、比較光磁気ディスクは、長さが０．６μｍ未満の記録ビットにおいて急激に信号品質Ｃ／Ｎが低下している。これは、記録ビット長さが小さくなるに伴い、再生光ビームのスポットの中に存在する記録ビットの数（あるいは面積）が増加し、個々の記録ビットを識別できなくなるためである。一般に、光ヘッドの光学的分解能を表す指標として、カットオフ空間周波数があり、この値は、光ビームの波長と対物レンズの開口数Ｎ．Ａ．により定まる。例えば、上記の測定に用いた光ヘッドのそれぞれの値（波長７８０ｎｍ、開口数（Ｎ．Ａ．）０．５５）を用いてカットオフ空間周波数を算出し、記録ビット長さに換算すると、
　　　　７８０ｎｍ／（２×０．５５）／２＝０．３５５μｍ
となる。即ち、上記の測定に用いた光ヘッドの光学的分解能の限界は、記録ビット長さが０．３５５μｍである。従って、比較光磁気ディスクでは、記録ビット長さ０．３５５μｍにおいて、信号品質Ｃ／Ｎが略０となっている。
　【００３５】
　以上のことから、本実施例の光磁気ディスクは、光学的回折限界よりも小さな記録ビットの再生が可能となり、記録密度を向上させることが可能となる。
　【００３６】
　また、ａ／ｗ＝０．８の光ヘッドを用い、上記と同様にして信号品質Ｃ／Ｎを測定したところ、本実施例の光磁気ディスクでは、上述のメインロープの半径がａ／ｗ＝１．１の光ヘッドを用いたときの半径よりも小さくなったことにより、記録ビット長さが０．３５５μｍにおいて、信号品質Ｃ／Ｎが５ｄＢ以上改善された。尚、ａ／ｗ＝０．５の光ヘッドを用いた場合も、同様の測定結果が得られた。
　【００３７】
　続いて、再生光ビーム強度とクロストーク量との関係を測定した測定結果について説明する。測定結果を図１６に示す。同図において、曲線Ａが本実施例の光磁気ディスクの測定結果であり、曲線Ｂが比較光磁気ディスクの測定結果である。一般に、光磁気ディスクにおいては、例えばランド仕様であれば、ランドの幅を広くし、グルーブの幅を狭くしたガイドトラックを形成して、ランドのみを記録・再生に用いる。そして、クロストークは、ランド仕様であれば、任意のランドの情報を再生しているときに、その両隣のランドの情報が再生されて混入することにより発生する。例えばＩＳ　１００８９規格では、ピッチ１．６μｍのガイドトラックにおいて、長さが０．７６５μｍの記録ビットに対するクロストーク量が−２６ｄＢ以下であることが定められている。そこで、上記のＩＳ　１００８９規格に定められたクロストーク測定法に基づき、長さが０．７６５μｍの記録ビットに対するクロストーク量を、グルーブ幅０．８μｍ、ランド幅０．８μｍの基板１を用いて測定した。本実施例の光磁気ディスクでは、略−３０ｄＢで上記のＩＳ　１００８９規格をクリアする値が得られたのに対し、比較光磁気ディスクでは、略−１５ｄＢとなり、ＩＳ　１００８９規格をクリアする値が得られなかった。この理由を以下に説明する。
　【００３８】
　光磁気ディスクには、図１７に示すように、ランド７１…およびグルーブ７２…にそれぞれ記録ビット７３…が形成されている。ここで、或るランド７１にサーボを掛けると、再生光ビームのスポット７４内には、７個の記録ビット７３…が入ることになる（但し、スポット７４の直径を１．７３μｍ（エアリーディスク径：１．２２×７８０ｎｍ／０．５５）、また、説明の便宜上、記録ビット７３…の直径を０．３５５μｍとする）。本実施例の光磁気ディスクでは、スポット７４中心部付近の、周囲よりも温度の高い部分７４ａが照射されている記録ビット７３ａの磁化のみが垂直磁化に移行し、スポット７４におけるそれ以外の部分７４ｂが照射されている記録ビット７３…の磁化は面内磁化のまま保持される。従って、このようにスポット７４内に複数の記録ビット７３…が入っていても、再生されるのは記録ビット７３ａだけとなる。即ち、スポット７４よりも記録ビット７３が小さくてもクロストーク量を小さくすることが可能となる。
　【００３９】
　一方、比較光磁気ディスクでは、スポット７４が照射されている全ての記録ビット７３…の磁化が垂直磁化に移行し、磁気カー効果を示すようになるため、これら記録ビット７３…からの信号を個々に分離することができなくなる。即ち、スポット７４よりも記録ビット７３…が小さいと、クロストーク量が大きくなってしまう。
　【００４０】
　以上のことから、本実施例の光磁気ディスクは、比較光磁気ディスクよりも、クロストーク量の値等から明らかなように、少なくとも２倍以上に記録密度を高密度化することが可能であることがわかる。
　【００４１】
　また、ａ／ｗ＝０．８の光ヘッドを用い、上記と同様にしてクロストーク量を測定したところ、本実施例の光磁気ディスクでは、−３０ｄＢ以下の値が得られ、クロストークが殆ど起こっていないことがわかった。これに対し、比較光磁気ディスクでは、−１０ｄＢ〜−１２ｄＢとなり、ａ／ｗを小さくした光ヘッドを用いると、上述のサイドロープによる隣接の記録ビットの再生が行われ、信号の混入が一層大きくなることがわかった。尚、ａ／ｗ＝０．５の光ヘッドを用いた場合も、同様の測定結果が得られた。従って、サイドロープの出現が顕著となるａ／ｗ＜１の範囲において、特に、本実施例の光磁気ディスクと比較光磁気ディスクとの効果の差が顕著に現れることがわかる。
　【００４２】
　以上の種々の測定結果から、本実施例の光磁気ディスクは、再生時に、ａ／ｗを小さく、即ちメインロープの半径を小さくした光ヘッドを用いることにより、読み出し層３における、メインロープの中心部付近の温度の高い部分が照射された部位の磁化のみが面内磁化から垂直磁化に移行され、記録層４の情報が読み出されると共に、サイドロープによる信号の混入が低減される。これにより、記録密度を高密度化することが可能となる。
　【００４３】
　尚、上記種々の測定においては、光ヘッドの対物レンズの開口数（Ｎ．Ａ．）０．５５、光ビームの波長７８０ｎｍとしたが、開口数Ｎ．Ａ．や波長は、これら値に限定されるものではない。開口数Ｎ．Ａ．を０．６〜０．９５としたり、あるいは波長６７０ｎｍ〜６８０ｎｍの半導体レーザ光や、波長４８０ｎｍのＡｒレーザ光、第二高周波発生素子（ＳＨＧ素子）を用いた波長３３５ｎｍ〜６００ｎｍのレーザ光を使用することにより、光ビームのスポット径を小さくすれば、光磁気ディスクの記録密度は更に向上する。
　【００４４】
　また、読み出し層３は、上記のＧｄ０．２６（Ｆｅ０．８２Ｃｏ０．１８）０．７４に限定されるものではない。読み出し層３としては、室温以上に補償温度を有し、該補償温度付近で垂直磁化を示すものが良く、上記したように、希土類遷移金属合金が好適である。所定の組成範囲の希土類遷移金属アモルファス合金は、希土類の磁化と遷移金属の磁化が釣り合う補償温度を有する。
　【００４５】
　ここで、Ｇｄｘ（Ｆｅ０．８２Ｃｏ０．１８）１−ｘにおいて、キュリー温度Ｔｃと補償温度Ｔｃｏｍｐの組成依存性について図１８を参照しながら以下に説明する。但し、補償温度Ｔｃｏｍｐは、保磁力（Ｈｃ）が無限大となる温度であり、キュリー温度Ｔｃは、保磁力Ｈｃが０となり磁化が消失する温度である。
　【００４６】
　図１８から明らかなように、補償温度Ｔｃｏｍｐが室温（２５℃）以上となる組成範囲は、ｘ≧０．１８であり、好ましくは、０．１９＜ｘ＜０．２９である。この範囲であれば、読み出し層３の磁化が面内磁化から垂直磁化に移行する温度が室温〜２００℃となる。尚、この温度が高くなると、再生光ビーム強度を記録光ビーム強度と同程度の強度にしなければならず、記録層４への記録がなされる虞れが生じるために好ましくない。
　【００４７】
　次に、Ｇｄｘ（Ｆｅ１−ｙＣｏｙ）１−ｘにおいて、キュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔｃｏｍｐの組成依存性とについて図１９および図２０を参照しながら以下に説明する。先ず、Ｃｏの組成比ｙが０の場合、即ち、ＧｄｘＦｅ１−ｘの場合は、図１９に示すようなキュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔｃｏｍｐの組成依存性とを示し、同図より明らかなように、Ｇｄの組成比ｘが０．２４＜ｘ＜０．３５で補償温度Ｔｃｏｍｐが室温以上となり、例えばＧｄの組成比ｘが０．３のときには、キュリー温度Ｔｃは約２００℃、補償温度Ｔｃｏｍｐは約１２０℃である。また、Ｆｅの組成比（１−ｙ）が０の場合、即ち、ＧｄｘＣｏ１−ｘの場合は、図２０に示すようなキュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔｃｏｍｐの組成依存性とを示し、同図より明らかなように、Ｇｄの組成比ｘが０．２０＜ｘ＜０．３５で補償温度Ｔｃｏｍｐが室温以上となり、例えばＧｄの組成比ｘが０．３のときには、キュリー温度Ｔｃは約４００℃、補償温度Ｔｃｏｍｐは約２２０℃である。
　【００４８】
　以上のことから、Ｇｄの組成比ｘを同一としても、Ｃｏの組成比ｙが大きくなると、キュリー温度Ｔｃおよび補償温度Ｔｃｏｍｐが上昇することがわかる。そして、再生時の磁気カー回転角θＫが大きいほど、高い信号品質Ｃ／Ｎが得られることから、読み出し層３のキュリー温度Ｔｃは高いほうが有利となるが、反面、Ｃｏの組成比ｙを大きくすると面内磁化から垂直磁化に移行する温度が高くなる。このため、Ｇｄｘ（Ｆｅ１−ｙＣｏｙ）１−ｘにおけるＣｏの組成比ｙは、０．１＜ｙ＜０．５が好ましい。但し、読み出し層３の特性は、読み出し層３および記録層４間に働く磁気的な交換結合力により、記録層４の材料や組成、膜厚等の影響を受ける。従って、読み出し層３は、記録層４に応じた最適の組成や膜厚等となるようにすればよい。
　【００４９】
　同様に、Ｔｂｘ（ＦｅｙＣｏ１−ｙ）１−ｘは、Ｔｂの組成比ｘが０．２０＜ｘ＜０．３０（このとき、Ｆｅの組成比ｙは任意）で補償温度Ｔｃｏｍｐが室温以上となる。また、Ｄｙｘ（ＦｅｙＣｏ１−ｙ）１−ｘは、Ｄｙの組成比ｘが０．２４＜ｘ＜０．３３（このとき、Ｆｅの組成比ｙは任意）で補償温度Ｔｃｏｍｐが室温以上となる。さらに、Ｍｏｘ（ＦｅｙＣｏ１−ｙ）１−ｘは、Ｍｏの組成比ｘが０．２５＜ｘ＜０．４５（このとき、Ｆｅの組成比ｙは任意）で補償温度Ｔｃｏｍｐが室温以上となる。
　【００５０】
　また、希土類遷移金属合金の磁気カー回転角θＫは、波長依存性を有しており、一般に、光ビームの波長が短くなると磁気カー回転角θＫは減少するが、上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｎｄ、Ｐｒ、ＰｔおよびＰｄのうちの少なくとも一種類の元素を微量に添加することにより、希土類遷移金属合金の特性を損なうことなく、光ビームの波長が短い場合においても、磁気カー回転角θＫの大きさを維持することが可能となる。さらに、上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの少なくとも一種類の元素を微量に添加することにより、水分や酸素の侵入による希土類遷移金属合金の酸化を低減することが可能となり、希土類遷移金属合金の耐環境性が向上する。
　【００５１】
　また、記録層４は、上記のＤｙＦｅＣｏに限定されるものではない。記録層４としては、室温およびキュリー温度Ｔｃ間で垂直磁化を示し、そのキュリー温度Ｔｃが１５０℃〜２５０℃であればよい。例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、およびＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金が好適である。また、上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの少なくとも一種類の元素を微量に添加することにより、希土類遷移金属合金の耐環境性が向上する。
　【００５２】
　次に、上記の透明誘電体層２の膜厚は、勿論、８０ｎｍに限定されるものではなく、その屈折率や、再生光ビームの波長等により適宜設定すればよい。透明誘電体層２の膜厚は、読み出し層３の磁気カー回転角θＫを光ビームの干渉効果を用いて増大させる、いわゆるカー効果エンハンスメントを考慮して決定すればよく、また、再生時の信号品質Ｃ／Ｎを大きくするには、磁気カー回転角θＫを大きくすればよい。例えば、波長７８０ｎｍの再生光ビームに対しては、透明誘電体層２の膜厚は３０ｎｍ〜１２０ｎｍ、好ましくは７０ｎｍ〜１００ｎｍとすればよい。また、例えば、波長４００ｎｍの再生光ビームに対しては、透明誘電体層２の膜厚を上記の略半分とすればよい。さらに、透明誘電体層２の材質、あるいは屈折率が異なる場合には、屈折率に膜厚を乗じた値である光路長（例えば、屈折率２．０、膜厚８０ｎｍのときには１６０ｎｍとなる）が等しくなるように、上記の膜厚を設定すればよい。そして、屈折率が大きければ膜厚を薄くすることができ、また、カー効果エンハンスメントを大きくすることができる。
　【００５３】
　また、上記の保護層５の膜厚は、勿論、２０ｎｍに限定されるものではなく、１ｎｍ〜２００ｎｍとすればよい。但し、保護層５および透明誘電体層２の熱伝導率および熱容量（比熱）が記録層４の記録感度に影響を与えるので、例えば記録感度を上げるためには保護層５の膜厚を薄くすればよい。
　【００５４】
　尚、透明誘電体層２および保護層５は、上記のＡｌＮに限定されるものではなく、ＡｌＮ以外に、例えば、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３等が好適である。透明誘電体層２および保護層５を同一の材料で形成することにより、光磁気ディスクの生産性を向上させることができる。
　【００５５】
　さらに、基板１は、上記のガラスに限定されるものではなく、例えば、化学強化されたガラス、ガラス表面に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる２Ｐ層付きガラス、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、エポキシ樹脂等を用いることができる。そして、化学強化されたガラスを基板１として使用した場合には、▲１▼硬度が大きいので傷が付き難く割れ難いこと、▲２▼化学的に安定で各種溶剤に不溶であること、▲３▼帯電し難いので埃・塵が付着し難いこと、▲４▼面振れ、偏心、反り、傾き等の機械的特性、耐湿性、耐酸化性、耐熱性に優れていることから、光磁気ディスクの信頼性が向上すると共に、▲５▼光学特性に優れていることから、高い信号品質Ｃ／Ｎを得ることが可能となる。尚、化学強化されたガラスにガイドトラックおよびプリピットを形成するには、例えば反応性ドライエッチング法を行えばよい。また、２Ｐ層付きガラスにガイドトラック等を形成するには、例えばスタンパを紫外線硬化型樹脂層に押圧した後、紫外線を照射して樹脂層を硬化させればよい。また、上記の各種プラスチックを基板１として使用した場合には、これらプラスチックは射出成型可能なため大量生産することができ、生産性が向上する。
　【００５６】
　尚、基板１に用いられる材料は、以下に示す各種光学特性および機械的特性を満足すれば、上記の材料に限定されない。即ち、▲１▼屈折率：１．４４〜１．６２、▲２▼複屈折（平行光で測定された往復複屈折）：１００ｎｍ以下、▲３▼透過率：９０％以上、▲４▼厚さ変動：±０．１ｍｍ、▲５▼チルト：１０ｍｒａｄ以下（好ましくは５ｍｒａｄ以下）、▲６▼面振れ加速度：１０ｍ／ｓ２以下、▲７▼径方向加速度：３ｍ／ｓ２以下。
　【００５７】
　次に、上記構成の光ヘッドにおいて、対物レンズにより集光された光ビームを光磁気ディスクの所定位置に導く方法としては、スパイラル状もしくは同心円状のガイドトラックを用いた連続サーボ方式、あるいは、スパイラル状もしくは同心円状のピット列を用いたサンプルサーボ方式が一般的である。
　【００５８】
　通常、連続サーボ方式が行われる光磁気ディスクは、図２１に示すように、基板１上に、例えば、幅０．２μｍ〜０．６μｍ、深さλ／（８ｎ）のグルーブ８２…と、記録ビット７３…を有するランド８１…とからなるピッチｄ　１．２μｍ〜１．６μｍのガイドトラックが形成されている（但し、λは光ビームの波長、ｎは基板１の屈折率である）。しかしながら、本実施例の光磁気ディスクは、スポット７４内における隣接の記録ビット７３…によるクロストーク量が小さいため、グルーブ８２…の幅を０．１μｍ〜０．４μｍ、ガイドトラックのピッチｄを０．５μｍ〜１．２μｍとしても、良好な記録・再生を行うことができ、記録密度を高密度化することが可能となっている。また、図２２に示すように、基板１上に、例えば、同一の幅を有するグルーブ８４…とランド８３…とからなるピッチｄ　０．８μｍ〜１．６μｍのガイドトラックが形成され、グルーブ８４…およびランド８３…にそれぞれ記録ビット７３…が設けられている場合においても、本実施例の光磁気ディスクは、良好な記録・再生を行うことができる。さらに、図２３に示すように、グルーブ８８…をウォブリングさせることによりディスクの位置情報を得る場合においても、本実施例の光磁気ディスクは、ランド８７を挟んでウォブリング状態が逆位相となった隣接のグルーブ８８の記録ビットからのクロストークが発生しないので、良好な記録・再生を行うことができる。
　【００５９】
　また、通常、サンプルサーボ方式が行われる光磁気ディスクは、図２４に示すように、基板１上に、例えば、ピッチ１．２μｍ〜１．６μｍ、深さλ／（４ｎ）のウォブルピット８５…が形成されており、光ビームが図中の一点鎖線上を常に走査するようになっている。しかしながら、本実施例の光磁気ディスクは、スポット７４内における隣接の記録ビット７３…によるクロストーク量が小さいため、ウォブルピット８５…のピッチを０．５μｍ〜１．２μｍとしても、良好な記録・再生を行うことができ、記録密度を高密度化することが可能となっている。また、図２５に示すように、基板１上に、例えば、ピッチ０．８μｍ〜１．６μｍのウォブルピット８５…が形成され、ウォブルピット８５…が逆極性で存在する位置に記録ビット７３…が設けられている場合においても、本実施例の光磁気ディスクは、良好な記録・再生を行うことができる。
　【００６０】
　ここで、本実施例にかかる光磁気ディスクの記録方法について説明すると、以下の通りである。上述のように本実施例の光磁気ディスクは、記録・再生・消去を行うことができ、磁界変調オーバーライトや光変調オーバーライト等による記録方法が可能となっている。
　【００６１】
　先ず、磁界変調オーバーライトによる記録方法について説明する。図２６に示すように、磁界変調オーバーライトを行う光磁気記録装置は、記録・再生時に光ビームを照射する光源および光磁気ディスク７０からの反射光を受光する受光素子を内蔵した光ヘッド９０と、この光ヘッド９０と機械的もしくは電気的に連結された浮上型磁気ヘッド９１とを備えている。浮上型磁気ヘッド９１は、浮上スライダー９２と、ＭｎＺｎフェライト等からなるコアにコイルが巻回された磁気ヘッド９３とを有しており、サスペンション９４により光磁気ディスク７０側に付勢されて、光磁気ディスク７０から数μｍ〜数十μｍ程度離れた位置に浮上している。
　【００６２】
　この状態で光ヘッド９０および浮上型磁気ヘッド９１を光磁気ディスク７０の所定位置に移動させ、光ヘッド９０から光磁気ディスク７０の記録層に２ｍＷ〜１０ｍＷの光ビームを照射し、記録層をキュリー温度Ｔｃ近傍まで昇温させた後、浮上型磁気ヘッド９１により上向きと下向きとに反転する外部印加磁界Ｈｅｘ（５０Ｏｅ〜数百Ｏｅ）を印加して情報を記録する。これにより、光磁気ディスク７０は、既に記録されている情報の消去過程を経ることなく、新しい情報をオーバーライト（重ね書き）することができる。尚、光ビーム出力を一定にして記録する代わりに、浮上型磁気ヘッド９１の外部印加磁界Ｈｅｘの極性が切り替わるときに光ビーム出力を低下させて記録がなされないようにすると、記録ビットの形状がより鮮明となり、再生信号の品質が向上する。
　【００６３】
　本実施例の光磁気ディスクは、記録層４を垂直磁気異方性の小さなＤｙＦｅＣｏで形成すると共に、キュリー温度Ｔｃを１５０℃〜２５０℃としているので、記録時の外部印加磁界Ｈｅｘが弱くとも良好な記録を行うことが可能となっている。
　【００６４】
　次に、光変調オーバーライトによる記録方法について説明する。先ず、本実施例の光磁気ディスクに対して、低レベルに強度変調された光ビーム（以下、簡単のために、低レベルの光ビームと称する）、あるいは高レベルに強度変調された光ビーム（以下、簡単のために、高レベルの光ビームと称する）を照射した場合の記録動作、および再生動作について、図２７および図２８を参照しながら以下に詳細に説明する。尚、図２７は、上記の光磁気ディスクにおける読み出し層３および記録層４の膜面に対して垂直方向の保磁力Ｈｃの温度依存性、および記録磁界ＨＷを示している。
　【００６５】
　記録磁界ＨＷを印加しながら、高・低２レベルに強度変調された光ビームを照射することによって、記録動作が行われる。即ち、図２８中にＩで示す高レベルの光ビーム（以下、光ビームＩと称する）が照射されると、読み出し層３および記録層４が共にキュリー温度Ｔ１、Ｔ２付近、またはそれ以上となる温度ＴＨまで昇温する（このとき、読み出し層３の保磁力Ｈ１が記録層４の保磁力Ｈ２よりも大きい付近まで昇温する）ようになっている。一方、図２８中にＩＩで示す低レベルの光ビーム（以下、光ビームＩＩと称する）が照射されると、記録層４のみがキュリー温度Ｔ２以上となる温度ＴＬまで昇温する（面内磁化から垂直磁化に移行する温度以上、かつ、補償温度Ｔｃｏｍｐ以下の範囲で昇温する）ようになっている。
　【００６６】
　光ビームＩＩが照射されると、読み出し層３の照射部位の保磁力Ｈ１は充分小さいので、該照射部位の磁化の向きは記録磁界ＨＷの向きに従い、冷却の過程で２層間に作用する交換結合力によって記録層４に転写される（即ち、図１１中、上向きになる）。これにより、記録層４の所望の部位に情報を記録できる。
　【００６７】
　一方、光ビーム１が照射されると、読み出し層３の照射部位は温度上昇し、その補償温度Ｔｃｏｍｐに達するに伴って、上向きだった該照射部位の磁化は略０になる。そして、光ビームＩが照射され続けて、やがて補償温度Ｔｃｏｍｐを越えると、該照射部位の磁化は０から徐々に下向きに大きくなる。つまり、光ビームＩを照射することによって、読み出し層３の磁化の向きは、光ビームＩＩを照射しながら記録磁界ＨＷにより記録された場合とは逆向き（即ち、下向き）になる。
　【００６８】
　そして、光ビームＩの照射が停止されると、読み出し層３は、その冷却過程で、光ビームＩＩが照射された場合に相当する温度まで下がる。しかし、このとき、読み出し層３と記録層４の冷却過程における温度変化が異なる（記録層４の方が読み出し層３よりも速く冷却される）ので、先ず記録層４のみが低レベルの光ビームが照射された温度ＴＬとなり、読み出し層３の磁化の向き（下向き）が記録層４に転写される（図１１中の下向きになる）。
　【００６９】
　その後、読み出し層３は、光ビームＩＩが照射された場合に相当する温度まで下がり、記録磁界ＨＷの向きに従って上向きになる（図１１参照）。このとき、記録層４の照射部位の磁化の向きは、その保磁力Ｈ２が記録磁界ＨＷより充分大きいので、記録磁界ＨＷの向きには従わない（下向きの状態を保持する）。これにより、照射部位の情報の消去動作が完了する。尚、消去部位に新たに別の情報を記録する（重ね書きする）場合、前述のように、記録磁界ＨＷを印加しながら、再度、光ビームＩＩを照射すればよい。
　【００７０】
　上記のようにして記録された情報は、以下のようにして再生される。つまり、再生動作時の再生光ビーム（図２８中のＩＩＩで示す強度）が照射されると、読み出し層３の温度は上昇して温度ＴＲ（図２７）前後に達する。つまり、読み出し層３が面内磁化から垂直磁化に移行する温度となるので、記録層４および読み出し層３の両層とも垂直磁気異方性を示すようになる。このとき、記録磁界ＨＷは印加されないか、あるいは印加されても記録層４の保磁力Ｈ２よりも充分小さいので、再生動作時には読み出し層３の磁化の向きは界面に作用する交換結合力によって記録層４の対応する部位の磁化の向きと一致するようになる。そして、読み出し層３からの反射光の偏光面の回転を検出することによって、情報の再生動作が完了する。
　【００７１】
　以上のように、本実施例の光磁気ディスクの記録方法によれば、重ね書き時に初期化磁界Ｈｉｎｉを印加する必要がなくなる。また、読み出し層３にキュリー温度Ｔｃの高い材料を使用しているので磁気カー回転角θＫが大きくとれ、読み出される信号レベルが大きくなるので、信頼性が著しく向上する。さらに、再生動作時の読み出し層３は再生光ビーム中心部付近に対応する部位の温度のみが上昇するので、読み出し層３の面内磁化から垂直磁化に移行する温度となる部位は、光ビームのスポット径よりも小さくなり、従って光ビームのスポット径よりも小さい記録ビットの再生が行え、記録密度が著しく向上する。尚、読み出し層３において、再生光ビームの中心部付近に対応する部位以外は、温度上昇が生じず、従って面内磁化の状態が保持されることになる。この結果、垂直入射光に対して磁気光学効果を示さなくなる。
　【００７２】
　このようにして、温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、再生光ビームの中心部付近のみが磁気光学効果を示すようになり、該部位からの反射光に基づいて記録層４に記録された情報が再生される。そして、再生光ビームが移動して次の記録ビットを再生するときには、先の再生部位の温度が低下し、垂直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学効果を示さなくなり、雑音の原因である隣接の記録ビットからの信号が混入することがなくなる。
　【００７３】
　ここで、前述の光磁気ディスクを使用して行う他の記録方法について、図２９を参照しながら以下に説明する。記録動作は、記録磁界ＨＷを印加しながら、図２９に示すような強度変調された２種類の光ビームＩ、光ビームＩＩを照射することにより行われる。即ち、光ビームＩが照射されると、読み出し層３および記録層４が共にキュリー温度Ｔ１、Ｔ２付近またはそれ以上となる温度ＴＨまで昇温するようになっている。一方、光ビームＩＩが照射されると、記録層４のみがキュリー温度Ｔ２以上となる温度ＴＬまで昇温するようになっている。尚、上記の光ビームＩは、図２９に示すように、第１パルス部（同図のＩで示すパルスのうちの最初のパルス）と第２パルス部（同図のＩで示すパルスのうちの２つ目のパルス）とからなり、第２パルス部は、第１パルス部に対して所定の時間だけ遅れて照射されるようになっている。
　【００７４】
　光ビームＩＩが照射されると、読み出し層３の照射部位の磁化の向きは記録磁界ＨＷの向き（例えば、上向き）に従い、その冷却過程で交換結合力により記録層４に転写される（即ち、上向き）。これにより、情報を記録層４の所望の部位に記録できる。光ビームＩの第１パルス部が照射されると、読み出し層３の照射部位は温度上昇し、補償温度Ｔｃｏｍｐを越えると該照射部位の磁化は徐々に逆向きに大きくなる。つまり、光ビームＩを照射することによって、読み出し層３の磁化の向きは、光ビームＩＩを照射しながら記録磁界ＨＷにより記録された場合とは逆向き（即ち、下向き）になる。
　【００７５】
　そして、第１パルス部の照射が停止されると、読み出し層３は、その冷却過程で、光ビームＩＩが照射された場合に相当する温度まで下がる。しかし、このとき、読み出し層３には、光ビームＩの第２パルス部（高レベル以下の強度）が照射されるので、記録層４のみが光ビームＩＩを照射した場合に相当する温度ＴＬになり、読み出し層３の磁化の向きが記録層４に転写される（例えば、下向き）。その後、読み出し層３が光ビームＩＩを照射した場合に相当する温度まで下がり、記録磁界ＨＷの向きに従う（例えば、上向き）。このとき、記録層４の磁化の向きは、その保磁力Ｈ２が記録磁界ＨＷより充分大きいので、記録磁界ＨＷの向きに従わない。これにより、照射部位の情報の消去動作が完了する。尚、消去部位に新たに別の情報を重ね書きする場合、前述のように、記録磁界ＨＷを印加しながら、再度、光ビームＩＩを照射すればよい。
　【００７６】
　以上のように本記録方法によれば、特に高レベルの光ビームが照射されたときの読み出し層３と記録層４の冷却過程における温度変化が大きく異なるようにできる（記録層４の方がより速く冷却される）ため、遥かに容易に重ね書きが行える。
　【００７７】
　ここで、前述の光磁気ディスクを使用して行うさらに他の記録方法について、図３０を参照しながら以下に説明する。記録動作は、記録磁界ＨＷを印加しながら、図３０に示すような強度変調された２種類の光ビームＩ、光ビームＩＩを照射することにより行われる。即ち、光ビームＩが照射されると、読み出し層３および記録層４が共にキュリー温度Ｔ１、Ｔ２付近またはそれ以上となる温度ＴＨまで昇温するようになっている。一方、光ビームＩＩが照射されると、記録層４のみがキュリー温度Ｔ２以上となる温度ＴＬまで昇温するようになっている。尚、上記の光ビームＩは、図３０に示すように、第１パルス部（同図のＩで示すパルスのうちの最初のパルス）と第２パルス部（同図のＩで示すパルスで上記の第１パルス部に後続するパルス）とからなり、例えば第２パルス部は、第１パルス部より光強度が小さくなっている。
　【００７８】
　光ビームＩＩが照射されると、読み出し層３の照射部位の磁化の向きは記録磁界ＨＷの向き（例えば、上向き）に従い、その冷却過程で交換結合力により記録層４に転写される（即ち、上向き）。これにより、情報を記録層４の所望の部位に記録できる。光ビームＩの第１パルス部が照射されると、照射部位は補償温度Ｔｃｏｍｐを越える。そして、該照射部位の磁化の向きは、記録磁界ＨＷによって光ビームＩＩの照射時とは逆向き（下向き）になる。冷却過程において、光ビームＩＩを照射した場合に相当する温度まで下がるが、ここで読み出し層３には、光ビームＩの第２パルス部が引続き暫く照射されるので、記録層４のみが光ビームＩＩを照射した場合に相当する温度ＴＬになり、読み出し層３の磁化の向きが記録層４に転写される（即ち、下向き）。
　【００７９】
　その後、読み出し層３が光ビームＩＩを照射した場合に相当する温度まで下がり、記録磁界ＨＷの向きに従う（例えば、上向き）。このとき、記録層４の磁化の向きは、その保磁力Ｈ２が記録磁界ＨＷより充分大きいので、記録磁界ＨＷの向きに従わない。これにより、照射部位の情報の消去動作が完了する。尚、消去部位に新たに別の情報を重ね書きする場合、前述のように、記録磁界ＨＷを印加しながら、再度、光ビームＩＩを照射すればよい。また、上記の第２パルス部の光強度は、第１パルス部の光強度以下であればよい。
　【００８０】
　以上のように本記録方法によれば、特に高レベルの光ビームが照射されたときの読み出し層３と記録層４の冷却過程における温度変化が大きく異なるようにできる（記録層４の方がより速く冷却される）ため、遥かに容易に重ね書きが行える。
　【００８１】
　ところで、上記種々の記録方法は、放熱層が設けられた光磁気ディスクに対しても適用できる。つまり、この光磁気ディスクは、図３１に示すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、放熱層１５、オーバーコート層６がこの順に積層された構成である。
　【００８２】
　上記の放熱層１５は、膜厚１００ｎｍのＡｌからなる。尚、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、およびオーバーコート層６のそれぞれの構成、膜厚、および諸特性は、図１で説明した光磁気ディスクの各層と同じであるので、ここでは詳細な説明を省略する。
　【００８３】
　上記構成の光磁気ディスクを使用すれば、特に高レベルの光ビームが照射されたときの読み出し層３と記録層４との冷却過程における温度変化に明確な差を付与することができる。つまり、記録層４が放熱層１５上に設けられているので、記録層４の方が読み出し層３よりも一層速く冷却されることになる。これにより、放熱層１５が設けられていない光磁気ディスクを使用して行う記録方法よりも、遥かに容易に重ね書きを行うことができる。
　【００８４】
　また、上記構成の光磁気ディスクを使用すれば、記録時に形成される記録ビットの形状をより鮮明にすることができる。つまり、記録層４が放熱層１５上に設けられているので、特に高レベルの光ビームが照射されて記録ビットが形成されたときに、記録層４の熱を放熱層１５（即ち、記録層４における厚さ方向）へ逃がすことができ、ディスクの横方向（即ち、記録層４における膜内方向）への熱の拡がりを低減することができる。これにより、隣接して形成される次の記録ビットに熱干渉等の熱的な悪影響が及ぶことはなく、従って記録ビットがガイドトラックの幅方向に拡がったり、所望の長さ以上に長く形成されることはない。よって、放熱層１５が設けられていない光磁気ディスクを使用して行う記録方法よりも、遥かに高速に重ね書きを行うことができると共に、高精度・高密度に情報の再生が行える。
　【００８５】
　尚、放熱層１５の材料は上記のＡｌに限定されるものではなく、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ等、あるいはＳＵＳからなるものでもよく、読み出し層３および記録層４よりも熱伝導率が大きい材料が好ましい。そして、上記の各材料は、耐酸化性、耐湿性、耐孔蝕性等に優れているので、光磁気ディスクの信頼性をより一層向上させることができる。また、放熱層１５の膜厚は上記の１００ｎｍに限定されるものではなく、５ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。さらに、記録層４および放熱層１５間に、透明誘電体層２と同一の材料からなる膜厚１０ｎｍ〜１００ｎｍの誘電体層を形成してもよい。
　【００８６】
　さらに、上記種々の記録方法は、反射層が設けられた光磁気ディスクに対しても適用できる。つまり、この光磁気ディスクは、図３２に示すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、透明誘電体層２２、反射層２５、オーバーコート層６がこの順に積層された構成である。
　【００８７】
　上記の透明誘電体層２２は、膜厚３０ｎｍのＡｌＮからなる。また、反射層２５は、膜厚３０ｎｍのＡｌからなる。上記のＡｌは、光ビーム波長での反射率が約８０％となっている。尚、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４、およびオーバーコート層６のそれぞれの構成、膜厚、および諸特性は、読み出し層３および記録層４の膜厚をそれぞれ１５ｎｍとした以外は、図１で説明した光磁気ディスクの各層と同じであるので、ここでは詳細な説明を省略する。
　【００８８】
　上記構成の光磁気ディスクを使用すれば、入射された光ビームのうち、読み出し層３、記録層４および透明誘電体層２２を透過した光ビームは、反射層２５によって反射される。これにより、反射層２５によって反射され、再び記録層４および読み出し層３を透過した反射光と、読み出し層３表面で反射された反射光とが干渉して、磁気光学効果をエンハンスする。従って、磁気カー回転角θＫが大きくなるので、反射層２５が設けられていない光磁気ディスクを使用して行う記録方法よりも、高精度に情報の再生が行え、再生信号の品質が向上する。
　【００８９】
　尚、透明誘電体層２２の屈折率を透明誘電体層２の屈折率よりも大きくすれば、磁気光学効果をより一層エンハンスすることができる。また、透明誘電体層２２の膜厚は上記の３０ｎｍに限定されるものではなく、反射率等を考慮して１５ｎｍ〜５０ｎｍとすることができる。さらに、反射層２５の膜厚は上記の３０ｎｍに限定されるものではなく、磁気光学効果のエンハンス等を考慮して２０ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。また、読み出し層３および記録層４を合わせた膜厚は、１０ｎｍ〜５０ｎｍが好適である。膜厚が５０ｎｍ以上になると光ビームが透過しなくなるので、上記の効果が期待できなくなる。
　【００９０】
　尚、反射層２５は、Ａｌに限定されるものではなく、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｃｒ等、あるいはＳＵＳからなるものでもよく、光ビーム波長での反射率が５０％以上の材料が好ましい。そして、上記の各材料は、耐酸化性、耐湿性、耐孔蝕性等に優れているので、光磁気ディスクの信頼性を一層向上させることができる。
　【００９１】
　さらに、上記種々の記録方法は、以下に示す各層を設けた光磁気ディスクに対しても適用できる。つまり、これらの光磁気ディスクは、▲１▼オーバーコート層６表面にハードコート層がさらに積層された構成、▲２▼基板１裏面およびオーバーコート層６表面にハードコート層がさらに積層された構成、▲３▼上記の、▲１▼、▲２▼で形成されたハードコート層表面に帯電防止層がさらに積層された構成、▲４▼オーバーコート層６表面に潤滑層がさらに積層された構成、▲５▼基板１裏面に透湿防止層、オーバーコート層がこの順でさらに積層された構成である。
　【００９２】
　上記▲１▼の構成の光磁気ディスクにおけるハードコート層は、例えば膜厚３μｍのアクリレート系の紫外線硬化型樹脂からなり、高硬度で、耐摩耗性に優れている。このハードコート層を設けることにより、傷が一層付き難くなる。尚、ハードコート層を設ける代わりに、オーバーコート層６にハードコート機能を付与させて１層としてもよい。そして、上記▲２▼の構成の光磁気ディスクは、上記の光磁気ディスクの基板１裏面にもハードコート層が設けられるので、傷がより一層付き難くなる。
　【００９３】
　上記▲３▼の構成の光磁気ディスクにおける帯電防止層は、例えば膜厚２μｍ〜３μｍの、導電性フィラーを混入したアクリル系のハードコート樹脂からなり、表面抵抗率を低下させる。この帯電防止層を設けることにより、埃・塵等が一層付着し難くなる。尚、帯電防止層を設ける代わりに、ハードコート層に帯電防止機能を付与させて１層としてもよい。
　【００９４】
　上記▲４▼の構成の光磁気ディスクにおける潤滑層は、例えば膜厚２μｍのフッ素系樹脂からなる。この潤滑層を設けることにより、例えば浮上型磁気ヘッドを用いて記録等を行った場合に、該磁気ヘッドと光磁気ディスクとの潤滑性が向上し、吸着による磁気ヘッドの破損を防止できる。尚、潤滑層に耐湿機能を付与させてもよい。
　【００９５】
　上記▲５▼の構成の光磁気ディスクにおける透湿防止層は、透明誘電体層２と同一の材料からなり、例えば膜厚５ｎｍである。また、オーバーコート層は、オーバーコート層６と同一の材料からなる。透湿防止層を設けることにより、基板１の吸湿がなくなり、湿度の変化に対する光磁気ディスクの反り量を低減させることができる。尚、オーバーコート層にハードコート機能や帯電防止機能を付与させてもよい。
　【００９６】
　尚、上記の実施例では、図３３に示すように、基板１、記録媒体層３０（即ち、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層４および保護層５を示す）、オーバーコート層６がこの順に積層されて構成された、いわゆる片面型の光磁気ディスクについて説明したが、図３４に示すように、基板１、記録媒体層３０、接着層３１、記録媒体層３０、基板１がこの順で積層されて構成された、いわゆる両面型の光磁気ディスクに対しても適用できる。
　【００９７】
　上記の接着層３１は、例えばポリウレタンアクリレート系の接着剤からなり、耐湿性を有する。光磁気ディスクを両面型とすることにより、より一層高密度に情報の記録・再生が行える。
　【００９８】
　以上のように、本発明に係る光磁気記録媒体の記録再生方法によれば、記録層に対して光入射側に配された読み出し層に光ビームが照射されると、この光ビームの光強度分布はガウス分布となっているので、照射された部位の温度分布もほぼガウス分布になる。このため、或る温度以上の温度を有する部位は、光ビームの直径よりも小さくなっている。即ち、光ビームの直径よりも小さい部位のみが温度上昇する。
　【００９９】
　この温度上昇に伴って、温度上昇部位の磁化は、面内磁化から垂直磁化に移行する。このとき、記録磁界が印加されていると、上記の照射部位は記録磁界の向きに従う。そして、その冷却過程において、読み出し層および記録層の２層間に作用する交換結合力により、読み出し層の磁化の向きが記録層に転写される。これにより、情報を記録層の所望の部位に記録できる。一方、温度上昇部位近傍の部位の磁化は、面内磁化の状態が保持される。この結果、光ビームに対しては磁気光学効果を示さず、記録には関与しない。
　【０１００】
　従って、集光レンズの開口よりも大きな直径を有する光ビームを上記集光レンズに入射し、スポット径（即ち、光ビームの記録媒体上での大きさ）を小さくすることにより記録密度を高密度化することが可能となる。
　【０１０１】
　尚、再生時は、再生光ビームが読み出し層の所望の部位に照射され、該照射部位が温度上昇する。この温度上昇に伴って、温度上昇部位は、面内磁化から垂直磁化に移行する。つまり、読み出し層および記録層の２層間に作用する交換結合力により、記録層の磁化の向きが読み出し層に転写される。
　【０１０２】
　温度上昇部位が面内磁化から垂直磁化に移行すると、温度上昇部位のみが磁気光学効果を示すようになり、該部位からの反射光に基づいて記録層に記録された情報が再生される。そして、光ビームが移動して次の部位（記録ビット）を再生するときには、先の再生部位の温度は低下し、垂直磁化から面内磁化に移行する。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学効果を示さなくなり、記録層に記録された磁化は読み出し層の面内磁化にマスクされて読み出されることがなくなる。これにより、雑音の原因である隣接の記録ビットからの信号の混入（いわゆるクロストーク）がなくなる。
　【０１０３】
　以上のように、所定温度以上の温度を有する部位のみを記録・再生に関与させるので、スポット径よりも小さい記録ビットの記録・再生が行え、記録密度は著しく向上することになる。
　【０１０４】
　尚、上記の実施例では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気カード等にも適用できる。また、発明の詳細な説明の項においてなした具体的な実施態様、または実施例は、あくまでも本発明の技術内容を明らかにするものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではなく、本発明の精神と前記特許請求事項の範囲内で、いろいろと変更して実施することができるものである。
　【０１０５】
　【発明の効果】
　本発明の光磁気記録媒体の再生方法は、以上のように、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体を使用し、光ヘッドから光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気記録媒体の再生方法であって、
上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、
　【０１０６】
　また、本発明の光磁気再生装置は、以上のように、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録層に対して光入射側に配され、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層とを備えた光磁気記録媒体に対し、光ビームを照射して情報の再生を行う光磁気再生装置であって、光ビームを出射する光源と、光ビームを上記光磁気記録媒体上に集光させる集光レンズと、
上記光学ヘッドから光ビームを照射して形成された光スポットのサイドロープが照射された上記読み出し層の部位が面内磁化状態を示すように、
　【０１０７】
　これにより、光磁気記録媒体に照射する光ビームのメインロープの径を小さくしてサイドロープが大きくなっても、サイドロープの照射部分では読み出し層が面内磁化状態を示すようにできるため、サイドロープ照射部位を再生に関与させず、光ビームスポットの中心部付近のみ再生に関与させることができる。よって、高密度記録された光磁気記録媒体から高品質の再生信号を得ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明にかかる光磁気記録媒体としての光磁気ディスクの構成を示す説明図である。
　【図２】
　上記の光磁気ディスクの読み出し層の磁気状態図である。
　【図３】
　室温から温度Ｔ１において、上記の読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明図である。
　【図４】
　温度Ｔ１から温度Ｔ２において、上記の読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明図である。
　【図５】
　温度Ｔ２から温度Ｔ３において、上記の読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明図である。
　【図６】
　温度Ｔ３からキュリー温度Ｔｃにおいて、上記の読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明図である。
　【図７】
　上記の光磁気ディスクに情報を記録・再生する光ヘッドの構成を示すブロック図である。
　【図８】
　光ビームのメインロープとサイドロープとの関係を示す説明図である。
　【図９】
　光ビームのメインロープとサイドロープとの関係および両者の光ビーム強度を示す説明図である。
　【図１０】
　ａ／ｗを変えた場合において、光ビームの強度分布を示す説明図である。
　【図１１】
　図１の光磁気ディスクに対して、再生動作を行っている状態を示す説明図である。
　【図１２】
　室温において、図２の読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を測定したグラフである。
　【図１３】
　１２０℃において、図２の読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を測定したグラフである。
　【図１４】
　図２の読み出し層において、再生光ビーム強度と再生信号の振幅との関係を測定したグラフである。
　【図１５】
　図２の読み出し層において、記録ビット長さと再生信号の信号品質との関係を測定したグラフである。
　【図１６】
　図２の読み出し層において、再生光ビーム強度とクロストーク量との関係を測定したグラフである。
　【図１７】
　図１の光磁気ディスクに光ビームが照射された状態を示す説明図である。
　【図１８】
　Ｇｄｘ（Ｆｅ０．８２Ｃｏ０．１８）１−ｘのキュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔｃｏｍｐの組成依存性とを示す説明図である。
　【図１９】
　ＧｄｘＦｅ１−ｘのキュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔｃｏｍｐの組成依存性とを示す説明図である。
　【図２０】
　ＧｄｘＣｏ１−ｘのキュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔｃｏｍｐの組成依存性とを示す説明図である。
　【図２１】
　光磁気ディスクの基板上に形成されたランドおよびグルーブの形状の一例を示す説明図である。
　【図２２】
　光磁気ディスクの基板上に形成されたランドおよびグルーブの形状の他の例を示す説明図である。
　【図２３】
　光磁気ディスクの基板上に形成されたランドおよびグルーブの形状のさらに他の例を示す説明図である。
　【図２４】
　光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブルピットの配置の一例を示す説明図である。
　【図２５】
　光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブルピットの配置の他の例を示す説明図である。
　【図２６】
　磁界変調オーバーライトを行う光磁気記録装置の概略の構成を示すブロック図である。
　【図２７】
　図１の光磁気ディスクの読み出し層と記録層の保磁力の温度依存性を示す説明図である。
　【図２８】
　図１の光磁気ディスクに対して、記録・再生の各動作時に照射される光ビームの強度の一例を示す説明図である。
　【図２９】
　図１の光磁気ディスクに対して、記録・再生の各動作時に照射される光ビームの強度の他の例を示す説明図である。
　【図３０】
　図１の光磁気ディスクに対して、記録・再生の各動作時に照射される光ビームの強度のさらに他の例を示す説明図である。
　【図３１】
　本発明にかかる光磁気記録媒体としての光磁気ディスクの他の構成を示す説明図である。
　【図３２】
　本発明にかかる光磁気記録媒体としての光磁気ディスクのさらに他の構成を示す説明図である。
　【図３３】
　片面型の光磁気ディスクの構成を示す説明図である。
　【図３４】
　両面型の光磁気ディスクの構成を示す説明図である。
　【符号の説明】
１　　基板
２　　透明誘電体層
３　　読み出し層
４　　記録層
５　　保護層
６　　オーバーコート層
１５　　放熱層
２２　　透明誘電体層
２５　　反射層
５０　　光ヘッド
５２　　コリメータレンズ（光変換手段）
５５　　対物レンズ（集光レンズ）
７３　　記録ビット
７４　　スポット