【事件の表示】
　特許第３１６６８１２号「ハーフトーン型位相シフトマスク」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１６６８１２号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３１６６８１２号に係る発明は、平成６年９月９日に特許出願され、平成１３年３月９日にその特許の設定登録がされ、その後、異議申立人田辺まさ子より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１４年３月２５日に意見書が提出されたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人田辺まさ子は、甲第１号証（特願平５−２７４６１６号（特開平７−１２８８４０号公報参照））、甲第２号証（特願平５−６８５５０号（特開平６−２８２０６３号公報参照））、甲第３号証（特開平６−２３０５５６号公報）及び甲第４号証（特開平６−７５３６１号公報）を提出し、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないものであり、又、本件請求項１に係る発明は、甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるので、本件請求項１に係る特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人田辺まさ子が提出した甲第１号証の内容
　甲第１号証の特許請求の範囲には、「【請求項１】微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半透光部とを有し、この半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、前記透光部と半透光部との境界近傍を通過した光の相殺作用を利用して境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、少なくとも前記マスクパターン転写領域内であって、前記透光部と半透光部との境界近傍における光の相殺作用に実質的に寄与しない半透光部の上又は下に遮光層を備えたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。
【請求項２】請求項１に記載のハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光層を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」の発明が記載されている。
１．３　異議申立人田辺まさ子が提出した甲第２号証の内容
１．３．１　甲第２号証の記載１
　甲第２号証の特許請求の範囲には、【請求項１】 微細パターン転写用のマスクであって、透明基板上の転写領域に形成するマスクパターンを、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光部と実質的に露光に寄与しない強度の露光光を透過させる半透光部とで構成し、かつこの半透光部を通過する光の位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相と前記透光部を通過した光の位相とを異ならしめることにより、
前記透光部と半透光部との境界部近傍を通過した光が互いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良好に保持できるようにしたハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、前記マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を実質的に露光に寄与しない強度の露光光を透過させる半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光部を設けたことを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」と記載されている。
１．３．２　甲第２号証の記載２
　甲第２号証の【００２８】段落には、また、上述の一実施例では、半透光膜を低透過率膜と高透過率膜との２層の膜で構成した例を示したが、実質的に露光に寄与しない強度の光を透過する光透過特性と、この透過光の位相を所定量ずらす位相シフト特性との双方の特性を兼ね備えた膜であれば１層の膜で構成してもよい。この場合、半透光膜の光透過率は、レジスト等の被転写体の露光感度にもよるが、通常、１〜５０％の範囲であればよい。さらに、半透光膜を２層の膜で構成した場合において、低透過率膜としては、Ｃｒ膜以外にも、例えば、クロムに、酸化クロムもしくは窒化クロムもしくは炭化クロムが含まれるものでもよく、あるいは、モリブデンシリサイド、タンタルシリサイド、タングステンシリサイドのうちの１又は２以上を含むもの、あるいは、これらに窒素及び／又は酸素を含ませたものであってもよい。なお、低透過率膜をＣｒ膜で構成した場合には、その膜厚を１０〜２００ｎｍとすればよい。また、半透光膜を２層の膜で構成した場合において、２層の膜の形成順序は上記一実施例の場合と逆であってもよいが、その場合には、遮光部を構成する材料と低透過率膜を構成する材料との組み合わせを選定して、一方をエッチングする際に他方がエッチングされないようにする必要がある。」と記載されている。
１．３．３　甲第２号証の記載３
　甲第３号証の【００１３】段落には、「【００１３】図１及び図２において、符号１はハーフトーン型位相シフトマスク、符号２は透明基板、符号５は半透光膜、符号６は透光部、符号７は半透光部、符号８は遮光部である。」と記載され、同号証の図１、図２には、半透光膜５の上層に、転写領域１の外側に遮光部８を枠状に形成したもので、かつ、転写領域１の外周部に設けた遮光部８のエッジが転写領域１の外周部に設けた半透光膜５のエッジよりも外側に設けられている、実施例にかかるハーフトーン型位相シフトマスクが図示されている。
１．４　異議申立人田辺まさ子が提出した甲第３号証の内容
　甲第３号証の特許請求の範囲には、「【請求項１】遮光領域、及び、第１の光透過部と、該第１の光透過部と遮光領域との間に形成された第２の光透過部とを備え、該第２の光透過部の光透過率が０より大きくかつ被露光感光性組成物を感光させない程度に小さく、かつ第２の光透過部の位相が第１の光透過部と位相を異ならせた位相シフト部分であることを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項２】遮光領域、及び、第１の光透過部と、該第１の光透過部と遮光領域との間に形成された第２の光透過部とを備え、該第２の光透過部の光透過率が０より大きくかつ被露光感光性組成物を感光させない程度に小さく、かつ第２の光透過部の位相が第１の光透過部と位相が異なる位相シフト部分であって、更に第２の光透過部である位相シフト部分の一部分に、第１の光透過部と位相が等しくなる第３の部分を具備し、かつ該第３の部分の光透過率が第２の光透過部の光透過率と等しいことを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項３】遮光領域、及び、第１の光透過部と、該第１の光透過部と遮光領域との間に形成された第２の光透過部とを備え、該第２の光透過部の光透過率が０より大きくかつ被露光感光性組成物を感光させない程度に小さく、かつ第２の光透過部の位相が第１の光透過部と位相が異なる位相シフト部分であって、更に第２の光透過部である位相シフト部分の一部分に、第１の光透過部と位相が等しくなる第３の部分を具備し、かつ該第３の部分の光透過率が第２の光透過部の光透過率と異なっていることを特徴とする位相シフトマスク。
【請求項４】遮光領域、及び、第１の光透過部と、該第１の光透過部と遮光領域との間に形成された第２の光透過部とを備え、該第２の光透過部の光透過率が０より大きくかつ被露光感光性組成物を感光させない程度に小さく、かつ第２の光透過部の位相が第１の光透過部と位相を異ならせた位相シフト部分である位相シフトマスクを用いて露光を行うことを特徴とする位相シフトマスクを用いた露光方法。」の発明が記載されている。
１．５　異議申立人田辺まさ子が提出した甲第４号証の内容
　甲第４号証の特許請求の範囲の請求項１８には、「【請求項１８】透光性基板と、前記透光性基板上に配設されたマスクパターンを具備したマスクに於いて、前記マスクパターンとして半透明膜と遮光膜を含み、且つ半透明膜を含むパターン形成領域とパターン非形成領域の境界に沿って、パターン非形成領域の部分的或いは全域に遮光膜が配置されていることを特徴とする露光用マスク。」の発明が記載されている。
２．異議申立に対する判断
２．１　異議申立に係る、本件請求項１に係る発明
請求項1
「透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、ハーフトーン材料膜の膜厚方向の全域に対して選択的にエッチングが可能な遮光性を有する金属膜をハーフトーン材料膜の上層であってメインパターンの外周部に枠状に設け、前記メインパターンの外周部に設けた前記金属膜のエッジは、前記メインパターンの外周部に設けた前記ハーフトーン材料膜のエッジよりも外側に設けられることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク。」
２．２　取消理由通知の概容
（１）本件特許第３１６６８１２号の請求項１に係る発明は、その請求項１に記載されたとおりのものである。
（２）第２９条の２違反について
　本件請求項１に係る発明は、特許異議申立人田辺まさ子が提出した特許異議申立書に記載された理由により、その出願の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された下記の出願（以下「先願」という。）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であると認められる。
　　　　　　　　　　記
先願（甲第２号証）：  特願平５−６８５５０号（特開平６−２８２０６３号公報参照）
２．３　引用例の内容
　１．３〜１．３．３に記載のとおり。
２．４　本件請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と取消理由に引用した引用例との対比
２．４．１　本件発明と取消理由に引用した引用例との対比
　上記甲第２号証の記載３を考慮すると、甲第２号証記載の発明は、「透明基板の上にハーフトーン材料膜を積層して成るハーフトーン型位相シフトマスク」の構成を有しており、又、上記甲第２号証の記載２を考慮すると、甲第２号証記載の発明は、「ハーフトーン材料膜の膜厚方向の全域に対して選択的にエッチングが可能な遮光性を有する金属膜」なる構成を有している。
　更に、上記甲第２号証の記載１の「マスクパターン転写領域と非転写領域との境界に隣接する非転写領域を実質的に露光に寄与しない強度の露光光を透過させる半透光部とし、かつ、この非転写領域の半透光部に所定以上の幅を有する遮光部を設けた」点及び図１を参照すると、甲第２号証記載の発明は、「ハーフトーン材料膜の上層であってメインパターンの外周部に枠状に設け」た金属膜の構成を有している。
　本件発明の「メインパターン」の意味するところを検討すると、「金属膜のエッジは、前記メインパターンの外周部に設けた前記ハーフトーン材料膜のエッジよりも外側に設けられる」から、「メインパターン」の外周にハーフトーン材料膜が設けられており、さらに、「ハーフトーン材料膜」の外側に金属膜が設けられているものである。
　甲第２号証記載の「転写領域」の意味するところを検討すると、甲第２号証の図１、２をみると、「転写領域」の外周の外側に隣接して遮光部が設けられており、「転写領域」の外周の内側に隣接して半透光膜が設けられているものであるから、「転写領域」は、遮光部で囲まれた領域を意味する。
　ここで、上記「遮光部」は、本発明の「金属膜」に対応するものであり、上記「半透光膜」は、本発明の「ハーフトーン材料膜」に対応するものである。
　そうすると、本件発明の「メインパターン」は、その外周にハーフトーン材料膜を含まない領域で定義されているのに対し、甲第２号証記載の「転写領域」は、その外周にハーフトーン材料膜を含む領域で定義されている。
　甲第２号証には、本件発明の「メインパターン」それ自体に対応する文言はないが、上記甲第２号証の記載１及び３を考慮すると、本件発明では、甲第２号証記載の転写領域からその外周半透光膜を除いた領域を「メインパターン」と呼称したにすぎず、本件発明及び甲第２号証に実質上の差異はないから、本件発明の「金属膜のエッジは、前記メインパターンの外周部に設けた前記ハーフトーン材料膜のエッジよりも外側に設けられる」構成は、甲第２号証記載の発明も実質的に備えている。
　従って、甲第２号証記載の発明は、本件発明の構成を実質的に備えている。
３．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本件請求項１に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１及び２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月２３日（２００２．４．２３）