【事件の表示】
　特許第３０９１６５５号「半導体レーザ素子」の請求項１ないし６に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３０９１６５５号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
１．出願の経緯・本件発明
　本件特許第３０９１６５５号に係る出願は、平成６年１２月２２日に出願されたものであって、平成１２年７月２１日にその設定登録がなされ、その後特許異議申立人木村和夫、同山本直子より、請求項１ないし６に係る発明につき特許異議の申立てがなされたものである。
　そして、その請求項１ないし請求項６に係る発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし請求項６に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】第１導電型のＧａＡｓ半導体基板と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に形成され量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層と、該活性層上に形成された前記第１導電型とは逆導電型である第２導電型のクラッド層と、を備えたＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、前記量子井戸層が圧縮歪みを有し、且つ前記基板の前記一主面が｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度以上１７度以下に傾斜した面であり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】第１導電型のＧａＡｓ半導体基板と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に形成され互いに逆の歪みを有する量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層と、該活性層上に形成された前記第１導電型とは逆導電型である第２導電型のクラッド層と、を備えたＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、前記基板の一主面が｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度以上１７度以下に傾斜した面であり、且つ共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項３】前記基板の前記一主面は、｛１００｝面から＜０１１＞方向に１１度以上１７度以下に傾斜した面であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】前記基板の前記一主面は、｛１００｝面から＜０１１＞方向に略１３度に傾斜した面であることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】前記第１導電型のクラッド層が（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ1）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなり、前記第２導電型のクラッド層が（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなり、前記量子井戸層が（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐからなり、前記量子障壁層が（Ａｌｘ４Ｇａ１−ｘ４）ｙ４Ｉｎ１−ｙ４Ｐからなると共に、前記組成比ｘ１、ｘ２、ｘ３、及びｘ４が１≧ｘ１、ｘ２＞ｘ４＞ｘ３≧０、及び１＞ｙ３、ｙ４＞０の関係を満足することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】前記共振器長が２００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の半導体レーザ素子。」
（なお、請求項５における量子障壁層の組成式の明らかな誤記については、上記のとおり認定した。以下、請求項１ないし６に係る発明を「本件発明１」ないし「本件発明６」という。）
　
２．取消理由の概要
　本件発明１ないし６は、下記刊行物１ないし５に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に違反してなされたものである。
　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開平６−７７５９２号公報
刊行物２：特開平６−６９５８９号公報
刊行物３：J.Appl.Phys. 
５４
刊行物４：Appl.Phys.Lett. 
６２
刊行物５：Appl.Phys.Lett. 
５９
　
３．刊行物の記載事項
　刊行物１には、
「【請求項１】半導体基板上に、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法により成長された禁制帯幅の大きな光導波層（Ａｌｙ２Ｇａ１−ｙ２）αＩｎ１−αＰ（０＜ｙ２≦１、０．２＜α＜０．８）に挾まれた多重量子井戸構造（量子障壁層（Ａｌｙ１ＧＡ１−ｙ１）βＩｎ１−βＰ（０＜ｙ１＜ｙ２≦１、０．１＜β＜０．８）と量子井戸層（ＡｌｘＧａ１−ｘ）γＩｎ１−γＰ（０≦ｘ＜ｙ１＜ｙ２≦１、０．１＜γ＜０．８）の周期構造からなる）において、該量子井戸層における組成γを半導体基板と格子整合しない組成に変えて歪量を導入するが、圧縮歪を導入する０．１＜γ＜０．５の範囲では格子不整を０．３％から２．５％の範囲、望ましくは０．５％以上２．０％以下とし、引張歪を導入する０．５＜γ＜０．８の範囲では格子不整を０．３％から１．８％の範囲、望ましくは０．４％以上１．２％以下として、かつ該量子井戸層の繰返し層数を２層以上１０層以内に設定することを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ素子において、該半導体基板に用いる基板面方位が（００１）面から〔１１０〕〔−１−１０〕方向又は〔１−１０〕〔−１１０〕方向に０°から５４．７°の範囲、望ましくは５°以上３０°以下の傾いた基板面を有することを特徴とする半導体レーザ素子。・・・
【請求項４】請求項１、２又は３記載の半導体レーザ素子において、該量子障壁層は無歪とするか或は歪を導入するが、上記歪量子井戸層個々に導入した歪と反対方向に応力が加わる歪を導入するときにはその歪量は個々の該量子井戸層と全く同じかそれ以上の歪量をとるように設定されたことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項５】請求項１、２、３又は４記載の半導体レーザ素子において、該量子障壁層は無歪とするか或は歪を導入するが、上記歪量子井戸層個々に導入した歪と同じ方向に応力が加わる歪を導入するときにはその歪量は個々の該量子井戸層の歪量よりも小さい値をとるように設定され、歪を導入した該量子井戸層及び該量子障壁層が繰り返された多重量子井戸構造全体の膜厚が臨界膜厚を超えない範囲であることを特徴とする半導体レーザ素子。」（特許請求の範囲、請求項１〜請求項５）、
「【００１７】【実施例】実施例１
　本発明の一実施例を図１，図２により説明する。まず図１において、（００１）面から〔１１０〕〔−１−１０〕方向に１５．８°傾いた面を有するｎ型ＧａＡｓ基板１を用いて、その上にｎ型ＧａＩｎＰバッファ層２（ｄ＝０．５μｍ、ＮＤ＝１×１０１８ｃｍ−３）、ｎ型（Ａｌｙ２Ｇａ１−ｙ２）αＩｎ１−αＰ光導波層３（ｄ＝２．０μｍ、ＮＤ＝１×１０１８ｃｍ−３、ｙ２＝０．７、αはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５１）、膜厚５ｎｍのアンドープ（ＡｌｘＧａ１−ｘ）γＩｎ１−γＰ（Ｘ＝０、γ＝０．２９、格子不整１．７％）歪量子井戸層３層と、膜厚８ｎｍのアンドープ（Ａｌｙ１Ｇａ１−ｙ１）βＩｎ１−βＰ（ｙ１＝０．５、βはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５１）量子障壁層２層、及び量子井戸層両側にＡｌ組成を階段状に設定した光分離閉じ込め層（障壁層から光導波層に至るまでＡｌ組成ｙ３を０．５から０．７まで０．０５ずつ段階的に変化させ、それぞれの膜厚を７ｎｍに設定したアンドープ（Ａｌｙ３Ｇａ１−ｙ３）βＩｎ１−βＰ層（ｙ３＝０．５、０．５５、０．６、０．６５、βはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５１）から構成される（多重量子井戸層周辺の伝導帯バンド構造概略は図２のようになる）多重量子井戸活性層４，ｐ型（Ａｌｙ２Ｇａ１−ｙ２）αＩｎ１−αＰ光導波層５（ｄ＝１．８μｍ、ＮＡ＝７〜８×１０１７ｃｍ−３、ｙ２＝０．７、αはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５１）、ｐ型Ｇａ０．５１Ｉｎ０．４９Ｐバッファ層６（ｄ＝０．０５μｍ、ＮＡ＝２×１０１８ｃｍ−３）を成長温度７６０℃において有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長した。この後、ホトリソグラフィーによりＳｉＯ２マスク（膜厚ｄ＝０．２μｍ、ストライプ幅４μｍ）を形成し、ケミカルエッチングにより層５を０．１〜０．２μｍ残すところまで層６と層５をエッチング除去してリッジストライプを形成する。次に、ＳｉＯ２マスクを残したまま、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄兼光吸収層７（ｄ＝１．３μｍ、ＮＤ＝２×１０１８ｃｍ−３）を選択成長する。さらに、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８（ｄ＝２〜３μｍ、ＮＡ＝５×１０１８〜１×１０１９ｃｍ−３）を埋め込み成長した後、ｐ電極９及びｎ電極１０を蒸着する。さらに、劈開スクライブして素子の形に切り出し、図１の断面を有する素子を得る。
【００１８】本実施例における歪多重量子井戸構造活性層の光閉じ込め係数は０．０２５から０．０３５の範囲である。共振器長６００μｍの素子において室温における閾値電流が２０〜３０ｍＡで直流動作し６７０〜６８０ｎｍの発振波長を有するレーザ素子を得た。最高レーザ発振温度は１３０〜１５０℃が得られ、動作温度６０℃における光出力５０ｍＷの定出力動作で２０００時間以上の長期信頼性が達成された。」（段落【００１７】〜【００１８】）と記載されている。
　
　また、刊行物２には、
「【請求項１】半導体基板上に、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法によりエピタキシャル成長された禁制帯幅の大きな光導波層と、それらに挾まれた該半導体基板又は該光導波層とは格子整合しない歪活性層を設けたダブルヘテロ構造において、該光導波層内に上記歪活性層とは別に歪薄膜層が平行して設けられており、かつ該歪薄膜層が該歪活性層に近接して上側か下側の片側又は上下両側に挿入されて構成されることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】請求項１記載の半導体レーザ素子において、該歪活性層に近接して設けられる該歪薄膜層が薄膜層を数周期にわたって繰り返された超格子構造をとることを特徴とする半導体レーザ素子。
・・・
【請求項５】請求項１，２，３又は４記載の半導体レーザ素子において、該歪活性層に圧縮歪を導入するとき、ストライプ作製後に横方向に見て該歪薄膜層を該ストライプ幅に相当する領域に残し、この場合該歪薄膜層には圧縮歪を導入するものとし、一方該歪活性層に引張歪を導入する場合には、横方向に見て該歪薄膜層を該ストライプの両側に残し、この場合該歪薄膜層に引張歪を導入するものとし、該歪薄膜層を設けることによりストライプ領域又はその両側の領域において歪活性層に加わる応力とは逆方向に応力が作用することを特徴とする半導体レーザ素子。
・・・
【請求項１０】請求項１，２，３，４，５，６，７，８又は９記載の半導体レーザ素子において、該歪活性層は多重量子井戸構造とし、量子井戸層に対しては圧縮歪或いは引張歪のどちらかを導入し、量子障壁層に対しては無歪か又は歪を導入するが該量子井戸層に導入した歪量を打ち消さないものとすることを特徴とする半導体レーザ素子。
・・・
【請求項１３】請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２記載の半導体レーザ素子において、該半導体基板に用いる基板面方位が（００１）面から［１１０］［−１−１０］方向又は［１−１０］［−１１０］方向に０°から５４．７°の範囲、望ましくは０°以上２５°以下の傾いた基板面を有することを特徴とする半導体レーザ素子。」（特許請求の範囲）、
「【００１７】（実施例３）
　本発明の一実施例を図５、図６により説明する。まず図５において、（００１）面から〔１１０〕〔−１−１０〕方向に１５．８°傾いた面を有するｎ型ＧａＡｓ基板１’を用いて、その上にｎ型ＧａＩｎＰバッファ層３（ｄ＝０．５μｍ、ＮＤ＝１×１０１８ｃｍ−３）、ｎ型（Ａｌｙ２Ｇａ１−ｙ２）αＩｎ１−ｙαＰ光導波層３（ｄ＝１．２０μｍ、ＮＤ＝１×１０１８ｃｍ−３、ｙ２＝０．７、αはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５）、膜厚７ｎｍのアンドープ（ＡｌｘＧａ１−ｘ）γＩｎ１−γＰ（Ｘ＝０．１０、γ＝０．４４、格子不整＋０．６％）歪量子井戸層５層と、膜厚５ｎｍのアンドープ（Ａｌｙ１Ｇａ１−ｙ１）βＩｎ１−βＰ（ｙ１＝０．５、βはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５）量子障壁層４層、及び量子井戸層両側にＡｌ組成を階段状に設定した光分離閉じ込め層（障壁層から光導波層に至るまでＡｌ組成ｙ３を０．５から０．７まで０．０５ずつ段階的に変化させ、それぞれの膜厚を７ｎｍに設定したアンドープ（Ａｌｙ３Ｇａ１−ｙ３）βＩｎ１−βＰ層（ｙ３＝０．５、０．５５、０．６、０．６５、βはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５）から構成される（多重量子井戸層周辺の伝導帯バンド構造概略は図６のようになる）多重量子井戸活性層１９、ｐ型（Ａｌｙ２Ｇａ１−ｙ２）αＩｎ１−αＰ光導波層１５（ｄ＝０．１５μｍ、ＮＡ＝５〜７×１０１７ｃｍ−３、ｙ２＝０．７、αはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５）、ｐ型ＧａδＩｎ１−δＰ／（Ａｌｙ２Ｇａ１−ｙ２）αＩｎ１−αＰ歪光導波層２０（ＧａδＩｎ１−δＰ４層（ｄ＝０．００１５μｍ、ＮＡ＝７〜８×１０１７ｃｍ−３、δは０．２０であり格子不整＋２．３％）、ｙ２＝０．７、αはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５）、ｐ型（Ａｌｙ２Ｇａ）αＩｎ１−αＰ光導波層１７（ｄ＝１．０５μｍ、ＮＡ＝８〜９×１０１７ｃｍ−３、ｙ２＝０．７、αはＧａＡｓ基板と格子整合する値０．５）、ｐ型Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐバッファ層１８（ｄ＝０．０３μｍ、ＮＡ＝２×１０１８ｃｍ−３）を成長温度７６０℃において有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長した。次に、ホトリソグラフィーによりＳｉＯ２マスク（膜厚ｄ＝０．２μｍ、ストライプ幅４μｍ）を形成し、ケミカルエッチングにより層１５に到るまで層１８と層１７及び層２０をエッチング除去してリッジストライプを形成する。この後は、実施例１及び２と同様にして、素子を作製して図５の断面を有する素子を得る。
【００１８】本実施例における圧縮歪を導入した多重量子井戸構造活性層１９に対して、圧縮歪を導入した歪超格子層２０を設けることにより、ストライプ領域における歪活性層横方向のバンドギャップエネルギー差が従来ほぼ０であったのに対し約１４０ｍｅＶ設定することができた。その結果、共振器長６００μｍの素子において室温における閾値電流は従来７０〜８０ｍＡであったが４０〜５０ｍＡの低閾値で直流動作し、発振波長６３０〜６４０ｎｍを有するレーザ素子を得た。最高レーザ発振温度は９０〜１００℃が得られ、動作温度５０℃における光出力２０ｍＷの定出力動作で２０００時間以上の長期信頼性が達成された。」（段落【００１７】〜【００１８】）と記載されている。
　
　さらに刊行物３には、Ｉｎ０．４９Ｇａ０．３１Ａｌ０．２０Ｐ／Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１−ｘＡｌｘＰ／Ｉｎ０．４９Ｇａ０．３１Ａｌ０．２０Ｐ（ｘ＝０．００〜０．０３）からなるダブルヘテロ（ＤＨ）構造の半導体レーザ素子が記載され、６９６２頁左欄３行〜５行に、共振器長が２００μｍであることが記載されている。
　刊行物４には、ＧａＩｎＰ／ＡｌＧａＩｎＰ歪多重量子井戸レーザに関し、量子井戸活性層の圧縮歪が＋０．５％であり、共振器長が１５０μｍ、１８０μｍ、３５０μｍ、７００μｍ及び１０００μｍのときの、共振器長と量子効率、閾値電流との関係がＦＩＧ．３に示されている。
　刊行物５には、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａｘＩｎ１−ｘＰ歪多重量子井戸レーザに関し、量子井戸活性層の圧縮歪が＋０．６５％であり、共振器長が１６０μｍ、３００μｍ、５００μｍ及び７００μｍのときの、共振器長と閾値電流との関係がＦＩＧ．４に示されている。
　
４．対比・判断
＜本件発明１について＞
　刊行物１には、「基板面方位が（００１）面から〔１１０〕方向に５°以上３０°以下傾いた基板面を有するｎ型ＧａＡｓ半導体基板上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ光導波層、アンドープＡｌＧａＩｎＰ歪量子井戸層３層と、アンドープＡｌＧａＩｎＰ量子障壁層２層、及び量子井戸層両側にＡｌ組成を階段状に設定した光分離閉じ込め層から構成される多重量子井戸活性層、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ光導波層とを備えた半導体レーザ素子であって、量子井戸層における組成を半導体基板と格子整合しない組成に変えて圧縮歪を導入し、量子障壁層は無歪とするか或は引張歪を導入する半導体レーザ素子」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。刊行物２記載のものは、引用発明と同様の技術を開示するものであるから、以下においては刊行物１の引用発明と対比する。
　本件発明１と引用発明とを対比すると、両者は、「第１導電型のＧａＡｓ半導体基板と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に形成され量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層と、該活性層上に形成された前記第１導電型とは逆導電型である第２導電型のクラッド層と、を備えたＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、前記量子井戸層が圧縮歪みを有し、且つ前記基板の前記一主面が｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度以上１７度以下に傾斜した面である半導体レーザ素子」である点で一致しており、次の点で相違する。
　
相違点：
　本件発明１では、「共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下である」のに対して、引用発明では、実施例における共振器長は６００μｍである点。
　
（判断）
　上記相違点について検討するに、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、共振器長を１５０μｍ以上３００μｍ以下としたものは、刊行物３ないし５に記載されているように一応周知であることが示されているが、刊行物３ないし５の周知技術を刊行物１の発明に適用して本件特許発明を導こうとした場合に、共振器長は２倍以上相違するものであって、サイズの違いからその動機付けを欠く。また譬え、周知技術を適用して共振器長を１５０μｍ以上３００μｍ以下としたにしても、本件特許発明は、該適用に伴い、基板の一主面のなす角度を｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度以上１７度以下と、引用例記載の数値範囲（０°から５４．７°の範囲、望ましくは５°以上３０°以下）をさらに限定することにより、共振器長との関係で基板の一主面のなす角度の適切な範囲を限定したものであり、その結果両方の限定が相まって、特許明細書記載の「最高発振温度を高く且つ発振しきい値電流を小さくできる。従って、消費電力を小さく且つ信頼性を高くできる。」との格別の作用効果を奏するものである。
　
　よって、本件発明１は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
＜本件発明２について＞
　本件発明２と引用発明とを対比すると、両者は、「第１導電型のＧａＡｓ半導体基板と、該基板の一主面上に形成された第１導電型のクラッド層と、該第１導電型のクラッド層上に形成され互いに逆の歪みを有する量子井戸層と量子障壁層とが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層と、該活性層上に形成された前記第１導電型とは逆導電型である第２導電型のクラッド層と、を備えたＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、前記基板の一主面が｛１００｝面から＜０１１＞方向に９度以上１７度以下に傾斜した面である半導体レーザ素子」である点で一致しており、次の点で相違する。
　
相違点：
　本件発明２では、「共振器長が１５０μｍ以上３００μｍ以下である」のに対して、引用発明では、実施例における共振器長は６００μｍである点。
　
　上記相違点についての判断は、上記＜本件発明１について＞の判断と同様である。。
　
　よって、本件発明２は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
＜本件発明３及び４について＞
　本件発明３及び４は、本件発明１又は２を、「基板の前記一主面は、｛１００｝面から＜０１１＞方向に１１度以上１７度以下に傾斜した面である」、「基板の前記一主面は、｛１００｝面から＜０１１＞方向に略１３度に傾斜した面である」と限定したものであるから、上記＜本件発明１について＞及び＜本件発明２について＞と同様の理由で、本件発明３及び４は、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
＜本件発明５について＞
　本件発明５は、本件発明１ないし４に対して、「第１導電型のクラッド層が（Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ1）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなり、第２導電型のクラッド層が（Ａｌｘ２Ｇａ１−ｘ２）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなり、量子井戸層が（Ａｌｘ３Ｇａ１−ｘ３）ｙ３Ｉｎ１−ｙ３Ｐからなり、量子障壁層が（Ａｌｘ４Ｇａ１−ｘ４）ｙ４Ｉｎ１−ｙ４Ｐからなると共に、前記組成比ｘ１、ｘ２、ｘ３、及びｘ４が１≧ｘ１、ｘ２＞ｘ４＞ｘ３≧０、及び１＞ｙ３、ｙ４＞０の関係を満足する」と限定したものであるから、上記＜本件発明１について＞（判断）と同様の理由で、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
＜本件発明６について＞
　本件発明６は、本件発明１ないし５に対して、「共振器長が２００μｍ以上３００μｍ以下である」と限定したものであるから、上記＜本件発明１について＞と同様の理由で、引用発明及び周知の技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることができない。
　
５．異議申立について
＜特許異議申立人木村和夫の申立について＞
　該異議申立は、本件発明１ないし６は、取消理由に示した刊行物１ないし３である甲第１ないし３号証に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に違反してなされたものである、と主張するものであるが、該刊行物の記載事項は上記３．に記載したとおりであり、それについての対比・判断も上記４．に記載したと同様である。
　
＜特許異議申立人山本直子の申立について＞
　該異議申立は、本件発明１ないし６は、取消理由に示した刊行物１，４，５である甲第１ないし３号証に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に違反してなされたものである、と主張するものであるが、該刊行物の記載事項は上記３．に記載したとおりであり、それについての対比・判断も上記４．に記載したと同様である。
　
６．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし６に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月１９日（２００２．８．１９）