【事件の表示】
　特許第３１７３４６４号「半導体装置の製造方法」の請求項１〜３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１７３４６４号の請求項１〜３に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３１７３４６４号は、平成１０年７月１日の出願であって、特許権の設定登録の後、特許異議申立人　渡辺　紀子より、請求項１〜３に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明３」という。）について特許異議の申立てがなされたものである。
　　
［２］特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人　渡辺　紀子は、証拠として甲第１号証（特開平８−１６７５８２号公報）、甲第２号証（特開平６−５５４３５号公報）、甲第３号証（特開平５−１０９８８９号公報）、参考資料１（特開平７−１９３０２８号公報）、参考資料２（特開平９−３６１４３号公報）を提出し、本件発明１は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて、また、本件発明２、３は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項に該当するものであるため、本件発明１〜３に係る特許は、特許法第１１３条第１項第２号の規定により取り消されるべき旨主張している。
　　
［３］本件発明
　本件発明１〜３は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】ボールバンプが表面に配置されている半導体装置の当該ボールバンプ及び当該ボールバンプが形成されているウェハ基板面に、基材の一表面に少なくとも当該ボールバンプの全球面を被覆しえる厚みを持つ接着剤層が形成されている被覆材を、当該ボールバンプの全球面及び当該ボールバンプが形成されているウェハ基板面とが当該接着材で被覆される様に当接させ、その後当該半導体装置を当該接着剤付きの被覆材と共にダイシング処理する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】当該ダイシング処理後、後処理により当該接着剤層を構成する接着材の粘性を劣化させた後、当該基材及び当該接着材を除去する事を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】当該後処理は、光エネルギーを使用する処理である事を特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。」
　　
［４］証拠の記載事項
［４−１］甲第１号証（特開平８−１６７５８２号公報）の記載事項
　甲第１号証には、半導体装置の製造方法に関して、
「【請求項１】はんだバンプを設けた半導体デバイスが形成してあるウェーハを、該ウェーハに設けてあるスクライブラインに沿ってダイシングし、個々のチップに分離する半導体装置の製造方法において、該ウェーハ上にはんだフラックスを被覆し、前記はんだバンプを埋めて硬化させた状態で、該ウェーハをダイシングした後、溶剤洗浄により前記フラックスを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前項記載のフラックスがロジン系フラックスであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）、
「転写法により複数のはんだバンプを形成したウェーハにスピンコート法によりレジストを被覆してはんだバンプを隠し、加熱乾燥を行ってはんだバンプを固定し、次に、予め形成してあるダイシング・ラインに沿ってダイシングし、個々のチップに分離する。」（段落【０００９】）、
「ダイシング（‥‥）工程においてはチップに対する切り屑の付着，特性の劣化，静電破壊などの問題がある。‥‥‥‥‥‥
　また、フリップチップ・タイプの端子構造をとる場合は不純物の侵入による特性の劣化や端子間の短絡が生じ易いことから、この発生を防ぎ、また、機械的な損傷を防ぐために、ウェーハの集積回路形成面に予めレジストを被覆して半導体デバイスを保護した状態でダイシングする方法が採られている。」（段落【００１１】〜【００１２】）、
「本発明はレジストの代わりにフラックスを使用することにより工数を短縮するものである。
　すなわち、今まで使用されてきたレジストは写真蝕刻（‥‥）を目的として使用されているものではなく、ウェーハ上に形成されているデバイスとはんだバンプの保護のためである。」（段落【００１７】〜【００１８】）、
「この目的に適する代表的なフラックスはロジン系フラックスである。‥‥‥‥転写法により複数のはんだバンプを形成したウェーハにスピンコート法によりフラックスを厚めに塗布してはんだバンプを隠し、加熱乾燥を行ってはんだバンプを固定するが、この熱処理により酸化皮膜は溶解除去される。
　次に、従来と同様にダイシングを行って、個々のチップに分離した後、溶剤を用いてフラックスを溶解除去し、次に、アルコールなどを用いてチップ洗浄を行い、乾燥することにより製品ができ上がる。
【実施例】ウェーハ上に多数のＩＣがスクライブ・ラインを介してマトリックス状に形成れれており、各ＩＣには高さが１００μｍ のはんだバンプが転写法により１６０μｍ ピッチで配列して設けられている。‥‥‥‥‥‥ウェーハをスピンナーにセットし、ウェーハを高速回転させている状態でディスペンサを用いてロジン系非活性フラックス（‥‥）を３００μｍ の厚さに塗布し、ホットプレートにより３６０℃に加熱した。
　この処理によってはんだバンプの表面に形成されている酸化皮膜は溶解除去されており、ホットプレートにより下ろすと冷却して固化する。次に、従来と同様にダイシングブレードを用いてウェーハをダイシングし、個々のチップに分離した。」（段落【００２０】〜【００２４】）と記載されている。
　　
［４−２］甲第２号証（特開平６−５５４３５号公報）の記載事項
　甲第２号証には、半導体装置の製造方法に関して、
「【請求項１】　半導体基板の上面に設けたバンプを含む表面に熱硬化性樹脂を含む接着剤膜を塗布したシートを貼付ける工程と、前記接着剤膜を硬化させた後前記半導体基板の下面を研磨して鏡面を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）、
「図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための工程順に示した断面図である。
　図２（ａ）に示すように、半導体基板１の上面に設けたバンプ２を含む表面に熱硬化性樹脂からなる接着剤膜４を厚く塗布したシート５を貼付け、シート５の上面から紫外線６を照射して接着剤膜４を硬化させる。
　次に、図２（ｂ）に示すように、半導体基板１の下面を鏡面研磨する。
　次に、図２（ｃ）に示すように、シート５を剥離する。」（段落【００１７】〜【００２０】）と記載されており、
そして、上述の記載に対応させて【図２】（ａ）〜（ｃ）が示されている。
　　
［４−３］甲第３号証（特開平５−１０９８８９号公報）の記載事項
　甲第３号証には、ウエハの分割方法に関して、
「【請求項１】　ウエハの表面に複数の電極を設けた半導体ウエハを分割するウエハ分割方法において、該ウエハの裏面を第１の粘着テープに固定し、
　該ウエハの表面の分割する位置に微細な傷を形成し、該ウエハの表面に紫外線照射により付着力の低下する第２の粘着テープを貼り付け、弾性体ローラーにより前記ウエハの裏面を前記第１の粘着テープを介して該ウエハが完全に分割される圧力で加圧し、紫外線照射後に前記第２の粘着テープを剥離することを特徴としたウエハの分割方法。」（【特許請求の範囲】）、
「図１（ａ）に示すように、ＧａＡｓ半導体からなるウエハ１の表面に複数のＭＥＳ−ＦＥＴ（‥‥）を構成する電極２を作成する。ウエハ１の裏面に粘着テープ３（８０μｍ厚）を貼付けて固定する。‥‥‥‥‥‥‥‥
　次に、図１（ｂ）に示すように、ウエハ１の表面にＵＶテープ５（‥‥）を貼付ける。このＵＶテープ５は、厚さ約２００μｍの合成樹脂製のテープ上に粘着剤が塗布されているもので、紫外線光の照射により粘着剤が硬化し、粘着力が低下する特性を持つ。
　平坦な弾性体であるシリコンゴムシート６にＵＶテープ５を介してウエハ１の表面を接触させ、その裏面を粘着テープ３を介して空気圧：１．０Ｋｇ／ｃｍ２（ゲージ圧）の圧力でローラー７（直径１．５ｍｍ、合成ゴム製）を回転させながら加圧する。この時、スクライブ線４はその傷がウエハ１の深さ方向に深く伸びて微細な傷が拡大してウエハ１は完全に分割される。
　その後、ウエハ１の表面のＵＶテープ５に紫外線を照射する。光量５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射すると、粘着力は４００ｇから１０ｇに低下する。これにより、ＵＶテープ５の剥離が容易になるとともに、破断面から生じた微細なＧａＡｓの断片は、粘着剤の硬化時に粘着剤中に取り込まれ除去される。」（段落【０００９】〜【００１３】）と記載されており、
そして、上述の記載に対応させて【図１】（ａ）（ｂ）が示されている。
　　
［４−４］参考資料１（特開平７−１９３０２８号公報）の記載事項
　参考資料１には、半導体ウエハダイシング用粘着テープに関して、
「回路パターンの形成された半導体ウエハを素子小片に切断分離するダイシング加工を行う際は、放射線硬化性粘着テープを用いるピックアップ方式が提案されている。これは放射線、例えば紫外線のような光、または電子線のような電離性放射線を透過する基材フィルムと、この基材フィルム上に塗工された放射線照射により硬化する性質を有する粘着剤層とからなる、半導体ウエハダイシング用粘着テープを用いる方法である。これは、より詳しくはダイシング加工時の素子固定粘着力を強粘着力とし、半導体ウエハを素子小片に切断分離後、基材フィルム側より放射線照射を行い放射線重合性粘着剤層を硬化させて、素子固定粘着力を大幅に低下させて素子小片の大きさに関係なく、例えば２５ｍｍ２以上の大きな素子であっても容易にピックアップすることができるようにした方式である。」（段落【０００２】）と記載されている。
　　
［４−５］参考資料２（特開平９−３６１４３号公報）の記載事項
　参考資料２には、半導体装置およびその製造方法並びにその実装方法に関して、
「【請求項４】一の面に突起電極が設けられたウエハの一の面にスピンコートにより異方導電性接着剤層を前記突起電極を覆うように形成し、次いで前記ウエハを切断して個々のチップに分割することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（【特許請求の範囲】）、
「図示しないディスペンサを用いて溶剤を含有する液状の異方導電性接着剤をウエハ１１の上面中央部に滴下し、次いでウエハ１１を高速回転させ、次いで溶剤を蒸発させて乾燥させると、図４に示すように、ウエハ１１の上面に異方導電性接着剤層１８が突起電極１２およびショート防止壁１７を覆うように形成される。‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
　‥‥‥‥‥‥‥ウエハ１１の上面にスピンコートにより異方導電性接着剤層１８を突起電極１２を覆うように形成しているので、ウエハ１１の状態におけるチップと異方導電性接着剤層１８との間に空気が取り残されないようにすることができ、‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
　次に、ウエハ１１上の異方導電性接着剤層１８のみをダイシングストリート１３に沿って接着剤層切断用のダイシングブレード（図示せず）によってダイシングし、次いでウエハ１１をダイシングストリート１３に沿ってダイヤモンドブレード等のウエハ切断用のダイシングブレード（図示せず）によってダイシングして切断し、個々のチップに分割すると、図５に示すように、個々のチップからなる半導体装置２１が得られる。この場合、２回に分けてダイシングするのは、ウエハ切断用のダイシングブレードの劣化を防止するためである。‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
　‥‥‥‥‥半導体チップ２２の上面に異方導電性接着剤層１８が突起電極１２およびショート防止壁１７を覆うように設けられた構造となっている。この場合、異方導電性接着剤層１８が外周雰囲気からの汚染や破損から半導体チップ２２の上面（突起電極形成面）を十分に保護することができる。」（段落【０００９】〜【００１２】）と記載されており、
そして、上述の記載に対応させて【図４】【図５】が示されている。
　　
［５］対比・判断
［５−１］本件発明１について
　［４−１］に摘記した事項を総合すると、甲第１号証には、はんだバンプを設けた半導体デバイスが形成してあるウェーハを、該ウェーハに設けてあるスクライブラインに沿ってダイシングし、個々のチップに分離する半導体装置の製造方法において、該ウェーハ上にレジスト、又ははんだフラックスを厚めに塗布して該はんだバンプを隠し、加熱乾燥を行って該はんだバンプを固定した後、該ウェーハをダイシングする半導体装置の製造方法の発明が記載されているといえる。
　そこで、本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、後者における「はんだバンプ」、「半導体デバイス」、「ウェーハ」はそれぞれ、前者における「ボールバンプ」、「半導体装置」、「ウエハ基板」に相当し、両者は、「ボールバンプが表面に配置されている半導体装置の当該ボールバンプ及び当該ボールバンプが形成されているウエハ基板面に、被覆材を、当該ボールバンプ及び当該ボールバンプが形成されているウエハ基板面が当該被覆材で被覆される様に当接させ、その後当該半導体装置を当該被覆材と共にダイシング処理する半導体装置の製造方法」の点で一致するが、以下の点で相違する。
（イ）ダイシング処理する半導体装置の、ボールバンプ及び当該ボールバンプが形成されているウエハ基板面を被覆する被覆材が、本件発明１では、被覆材の基材の一表面に、少なくともボールバンプの全球面を被覆しえる厚みを持つように接着剤層が形成されたものであるのに対して、甲第１号証に記載された発明では、ウェーハ上に直接塗布され、加熱乾燥させて形成された、厚みが不明なレジスト、又ははんだフラックスである点。
　　
　そこで、相違点（イ）について、以下検討する。
　甲第２号証には、半導体基板の上面に設けたバンプを含む表面に、接着剤膜を厚く塗布したシートを貼付け、該接着剤膜を硬化させることが記載されてはいるが、かかる接着剤膜を塗布したシートは、半導体基板の下面を鏡面研磨する際に、該半導体基板の上面に設けたバンプを含む表面を被覆するものであって、該鏡面研磨後に除去することが明記されており、その一方、半導体装置のボールバンプ及び当該ボールバンプが形成されているウエハ基板面に、接着剤層が形成されている被覆材を当接させ、その後、当該半導体装置を当該接着剤付きの被覆材と共にダイシング処理することについては、同甲第２号証には記載も示唆もされていないので、かかる接着剤膜を塗布したシートを、甲第１号証に記載されたレジスト、又ははんだフラックスに代えて、ダイシング処理の被覆材として適用することは、当業者にとって容易に想到することができたものとはいえない。
  また、甲第３号証には、ウエハの表面に紫外線照射により付着力の低下する粘着テープを貼り付け、ウエハを分割する方法の発明が記載されてはいるが、該粘着テープの粘着剤層の厚みについては記載されておらず、また、参考資料１には、半導体ウエハのダイシング加工時の素子固定粘着力を強粘着力とし、半導体ウエハの素子小片に切断分離後、放射線照射により素子固定粘着力を低下させるダイシング用粘着テープが記載されてはいるが、該粘着テープの粘着剤層をボールバンプの全球面を被覆しえる厚みとすることについては記載されておらず、また、参考資料２には、ウエハの表面に異方導電性接着剤層を突起電極を覆うように形成し、該ウエハをダイシングすることが記載されてはいるが、該異方導電性接着剤層は、被覆材の基材に被覆してウエハ上に当接させ、該基材とともにダイシング処理されるものではないので、甲第１号証に記載された発明に、甲第２、３号証に記載された発明及び参考資料１、２に記載された事項を組み合わせてみても、相違点（イ）に係る本件発明１を特定する事項を具備するものにはならない。
　そして、本件発明１は、相違点（イ）に係る事項を採用することにより、ウエハ等の凹凸部に接着剤層が容易に流動して完全に凹凸部を埋めることができ、その結果、ボールバンプが形成されたウエハの表面に、保護シートを完全に密着して貼り付けるので、ダイシング処理における歩留りを向上させることができるという、明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　してみると、本件発明１は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて、又は甲第１〜３号証に記載された発明及び参考資料１、２に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
［５−２］本件発明２について
  甲第３号証及び参考資料１に、ダイシング処理後の接着剤層を構成する接着材の粘性を劣化させた後、基材及び接着剤を除去することが開示されているにしても、本件発明２は本件発明１を引用するものであるから、本件発明２は、本件発明１と同様に、甲第１〜３号証に記載された発明及び参考資料１、２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
［５−３］本件発明３について
  甲第３号証及び参考資料１に、ダイシング処理後の接着剤層を構成する接着材の粘性を光エネルギーを使用して劣化させた後、基材及び接着剤を除去することが開示されているにしても、本件発明３は本件発明２を引用するものであるから、本件発明３は、本件発明２と同様に、甲第１〜３号証に記載された発明及び参考資料１、２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜３についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月９日（２００２．７．９）