【事件の表示】
　特許第２９３２４８８号「ドライエッチング方法」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９３２４８８号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
（Ｉ）手続きの経緯
　本件特許第２９３２４８８号の請求項１、２に係る発明は、平成１年３月１６日に特許出願され、平成１１年５月２８日に設定登録され、平成１２年２月９日に加瀬　敬子（以下、申立人という。）から特許異議の申立がなされ、その後の取消理由通知に対し、その指定期間内である平成１３年１月３０日付けで訂正請求がなされ、再度の取消理由通知に対し、特許異議意見書が提出され、再再度の取消理由通知に対しその指定期間内である平成１４年４月２２日付けで前記訂正請求が取り下げられるとともに新たに訂正請求がなされたものである。
（ＩＩ）訂正請求について
（ＩＩ−１）訂正事項
（ａ）特許請求の範囲の請求項１の記載を、
「【請求項１】下地層上に形成されたフォトレジストを選択的にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスに塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることによって、ＣＣｌｘからなる側壁保護膜を堆積させかつ当該側壁保護膜を酸素ガスで除去しながらエッチングを行なうことを特徴とするドライエッチング方法。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲に記載の【請求項２】を削除する。
（ｃ）〔産業上の利用分野〕の欄を、
「本発明は、ドライエッチング方法に関し、更に詳しくは、下地層上に形成された有機層であるフォトレジストを選択的にエッチングするドライエッチング方法に係るものである。」と訂正する。
（ｄ）〔発明の概要〕の欄を、
「本発明は、下地層上に形成されたフォトレジストを選択的にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングカスに塩素ガスと酵素ガスの混合ガスを用いることにより、フォトレジストの異方性加工を高速化すると共に、エッチング条件である圧力，流量等の条件の範囲を拡げることが可能となる。」と訂正する。
（ｅ）〔課題を解決するための手段〕の欄を、
「そこで、本発明は、下地層上に形成されたフォトレジストを選択的にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスに塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることを構成とする。本発明におけるエッチングガスは、酸素ガス（Ｏ２）を塩素ガスに対して１〜９９流量％の割合で添加してなる。本発明において、エッチングされるのは下地層上に形成されたフォトレジストである。　ここで、下地層とは、エッチングされるフォトレジストが形成されるべき下地であれば任意であり、その種類や材料には限定されず、例えば配線層，層間絶縁膜，半導体層，マスク材料等であってもよい。また、本発明において、選択的にエッチングされるべきフォトレジストとしては、適宜任意のものを用いることができるが、例えば、フォトレジストパターンを形成するためのフォトレジスト、即ち、露光・現像によってパターニング可能な物質を被エッチング物として用いることができる。」と訂正する。
（ｆ）〔作用〕の欄を、
　「本発明においては、エッチングガスとして塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることにより、塩素ガスと有機層であるフォトレジストとの反応生成物ＣＣｌｘの堆積を酸素ガス（０２）で除去しながらエッチングが進行するという反応メカニズムとなる。このため、通常は酸素ラジカル（ＯＸ）によりアンダーカットを生ずるような圧力領域においても、ＣＣｌｘ系の側壁保護膜による異方性加工が可能となり、低圧下でのイオンのみによる物理的な反応でのエッチングに比べて、はるかに高速でフォトレジストの異方性加工が達成される。」と訂正する。
（ｇ）〔実施例〕の欄の記載中、〔第１実施例〕の欄の「図中、１０は下地層としてのシリコン基板であり、このシリコン基板１０上に有機層である下層レジスト１１が形成されている。」（公報５欄１２〜１４行）および「なお、本発明において、選択的にエッチングされるべき有機膜としては、適宜任意のものを用いることができるが、例えば、フォトレジストパターンを形成するためのフォトレジスト、即ち露光・現像によってパターニング可能な物質を被エッチング物として用いることができる。」（公報６欄３〜８行）なる記載を、それぞれ、「図中、１０は下地層としてのシリコン基板であり、このシリコン基板１０上にフォトレジストである下層レジスト１１が形成されている。」および「なお、本発明において、選択的にエッチングされるべきフォトレジストとしては、適宜任意のものを用いることができるが、例えば、フォトレジストパターンを形成するためのフォトレジスト、即ち露光・現像によってパターニング可能な物質を被エッチング物として用いることができる。」と訂正し、〔第２実施例〕の欄の「即ち、ドライエッチングにより、緩衝層１７まで有機層と同一条件で連続してエッチングすることができる。」（公報６欄２４〜２６行）なる記載を、「即ち、ドライエッチングにより、緩衝層１７までフォトレジストと同一条件で連続してエッチングすることができる。」と訂正する。
（ｈ）〔発明の効果〕の欄を、
「以上の説明から明らかなように、本発明に係るドライエッチング方法にあっては、従来イオンによる物理的な反応主体でしか達成されなかったフォトレジストの異方性加工が、側壁保護膜利用のプロセスで達成可能となり、また、広いエッチング条件下での高速化を図れる効果がある。」と訂正する。
（ＩＩ−２）訂正の適否            
　訂正事項（ａ）は、特許明細書の請求項１に「有機層」および「混合ガスを用いることを特徴とする」とあるのを、同明細書の［課題を解決するための手段］および［作用］の欄の記載（公報４欄１９行〜５欄１行）に基づいて、それぞれ、「フォトレジスト」および「混合ガスを用いることによって、ＣＣｌ×からなる側壁保護膜を堆積させかつ当該側壁保護膜を酸素ガスで除去しながらエッチングを行なうことを特徴とする」とその内容を限定したものであるから、訂正事項（ａ）に係る訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　訂正事項（ｂ）は、請求項２を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　訂正事項（ｃ）〜（ｈ）は、いずれも、訂正事項（ａ）と整合させるべく発明の詳細な説明の欄の記載を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、訂正事項（ａ）に対すると同様の理由で、願書に添付した明細書又は図面にに記載した事項の範囲内のものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　したがって、本件の訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号。以下「平成６年改正法」という。）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年改正法による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び同条第２項の規定に適合するものであり、適法なものと認める。
（ＩＩＩ）特許異議申立について
（ＩＩＩ−１）本件発明
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の請求項１［前記（ＩＩ−１）の（ａ）参照］に記載されたとおりのものである。
　
（ＩＩＩ−２）特許異議申立の理由
　申立人は、甲第１号証（特開昭６４−２４２４４号公報）および甲第２号証（特開昭５９−１６２２７６号公報）を提示し、
（１）本件の訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明であるから、特許を受けることができないものである、
（２）本件の訂正前の請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、
（３）本件の訂正前の請求項２に係る発明は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである、
との理由で、本件の訂正前の請求項１、２に係る発明の特許は取り消されるべきである旨を主張する。
　
（ＩＩＩ−３）甲各号証の記載
甲第１号証：
「（１）ポリメチルメタアクリレート層（２）を下層とし、ノボラック系フォトレジスト層（３）を上層として２層膜を形成し、前記上層（３）を露光・現像してパターニングし、前記下層（２）を、酸素と稀釈剤との混合ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチング法を使用してパターニングすることを特徴とするフォトレジストの窓あけ方法。
（２）前記稀釈剤は、窒素、塩素、ブロム、酸化二窒素、またはアルゴンであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフォトレジストの窓あけ方法。」（特許請求の範囲）、
「高分子化合物のうち、環式構造より直鎖式構造の方が、反応性イオンエッチング法をもってエッチングしやすい。そこで、本発明にあっては、下地材には、代表的な直鎖式高分子化合物であるポリメチルメタアクリレートを使用することゝし、これをパターニングするパターニング法は反応性イオンエッチング法を使用することゝし、一方、上層材には、解像度のすぐれたノボラック系フォトレジストを使用することゝしてある。そして、下地材のポリメチルメアクリレートをパターニングするには、これをエッチングするに適する反応性イオンエッチング法、すなわち、酸素を反応性ガスとする反応性イオンエッチング法を使用し、上層をなすノボラック系フォトレジスト膜の破損を防止するため、稀釈剤を使用してある。稀釈剤は、下地材に応じて選択することが望ましいが上記の窒素、塩素、ブロム、酸化二窒素、アルゴン等が代表的である。」（２頁右上欄１８行〜左下欄１６行）、
「第１ａ図参照　　被エッチング材の多結晶シリコン１上に、ポリメチルメタアクリレートの膜２を厚さ１μｍに形成する。　つゞいて、ノボラック系フォトレジストをスピンコートして厚さ１μｍのノボラック系フォトレジスト膜３を形成する。　　第１ｂ図参照　フォトマスク４を使用して、紫外線露光をなしてノボラック系フォトレジスト膜３を露光する。　第１ｃ図参照　現像する。　パターニングされたノボラック系フォトレジスト膜３をマスクとして、酸素と塩素との混合ガス容量比６０：４０を反応性ガスとして反応性イオンエッチングをなして、ＰＭＭＡをエッチする。ＰＭＭＡは、酸素と塩素との混合ガス（６０：４０）を反応性ガスとして反応性イオンエッチングによって、正確にエッチングでき、しかも、上層のノボラック系フォトレジスト膜は破損しないから解像度も十分満足しうる。」（２頁右下欄第２行〜第３頁左上欄第３行）。
　
甲第２号証：
「排気系を有する真空容器内に高周波電力を印加し得る相対向する電極を有し、反応性ガス雰囲気中で上記高周波電力を印加した側の電極上に載置された試料をエッチングする反応性イオンエッチング方法において、モリブデンおよびモリブデン化合物の少なくとも一方をエッチングする際、導入する反応性ガスとして塩素と酸素との混合ガスであって酸素が塩素と酸素との総流量のほほ３０％以下である混合ガスを使用することを特徴とする反応性イオンエッチング方法。」（特許請求の範囲）。
　
（ＩＩＩ−４）比較・検討
（ＩＩＩ−４−１）異議申立の理由（１）及び（２）について
　本件の訂正前の請求項１は、前記訂正により本件発明となった。
　したがって、異議申立の理由（１）及び（２）における本件の訂正前の請求項１に係る発明は、本件発明と読み替えて、以下、検討する。
　甲第１号証には、前記の記載内容からみて、上層のノボラック系フォトレジスト層を露光・現像してパターニングし、その後、下層のポリメチルメタアクリレート層を酸素と塩素との混合ガスで反応性イオンエッチングしてフォトレジストの窓あけを行う方法の発明（以下、甲第１号証発明）が記載されていると認められる。
　そこで、本件発明と甲第１号証発明とを比較すると、両者は、「下地層上に形成されたレジストを選択的にドライエッチング方法」である点で共通するものの、
　本件発明は、レジストを選択的にドライエッチングするに際し、レジストをフォトレジストとするとともに「エッチングガスに塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることによって、ＣＣｌｘからなる側壁保護膜を堆積させかつ当該側壁保護膜を酸素ガスで除去しながらエッチングを行なう」ものであるのに対して、
　甲第１号証発明は、レジストをポリメチルメタアクリレート層とノボラック系フォトレジスト層の２層から形成し、上層のノボラック系フォトレジスト層は露光・現像してパターニングし、下層のポリメチルメタアクリレート層は酸素と塩素との混合ガスで反応性イオンエッチングするとしている点、で相違する。
　そこで、相違点ついて検討するに、
　甲第１号証発明において、酸素と塩素との混合ガスで反応性イオンエッチングするのは、ポリメチルメタアクリレート層であり、フォトレジスト層でなく、フォトレジスト層は、別途、露光・現像してパターニングするものであるところ、甲第１号証には、ポリメチルメタアクリレート層について「高分子化合物のうち、環式構造より直鎖式構造の方が、反応性イオンエッチング法をもってエッチングしやすい。そこで、本発明にあっては、下地層には、代表的な直鎖式高分子化合物であるポリメチルメタアクリレートを使用することゝし、これをパターニングするパターニング法は反応性イオンエッチング法を使用することゝし、」と記載されていることから、下地層として使用する前記ポリメチルメタアクリレートがフォトレジストを示唆しているとすることはできず、また、甲第１号証には、ノボラック系フォトレジスト層、即ちフォトレジスト層の一種、は前記混合ガスによっては破損されないと記載されていることからみて、ノボラック系フォトレジスト層に係る記載がフォトレジスト層を前記混合ガスによってエッチングすることを示唆しているとすることもできない。
　したがって、甲第１号証には、フォトレジストを酸素と塩素との混合ガスでエッチングすることが記載又は示唆されているとすることはできない。
　そして、本件発明は、前記相違点に係る構成を採用することにより、特許明細書に記載されたとおりの、アンダーカットのない高速の異方性加工を行なうという効果を有するものである。
　してみると、本件発明１が、甲第１号証に記載された発明であるとすることはできないだけでなく、甲第１号証に記載された発明に基づいて当業者に容易に発明することができたものであるとすることもできない。
　
（ＩＩＩ−４−２）異議申立の理由（３）について
　本件の訂正前の請求項２は削除された。
したがって、異議申立の理由（３）は、その前提となる発明が存在しないこととなり、採用することができない。
　
（ＩＶ）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由および証拠によっては、本件発明に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月２０日（２００２．５．２０）
【訂正の要旨】
訂正事項
（ａ）特許請求の範囲の請求項１の記載を、
「【請求項１】下地層上に形成されたフォトレジストを選択的にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスに塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることによって、ＣＣ１ｘからなる側壁保護膜を堆積させかつ当該側壁保護膜を酸素ガスで除去しながらエッチングを行なうことを特徴とするドライエッチング方法。」と訂正する。
（ｂ）特許請求の範囲に記載の【請求項２】を削除する。
（ｃ）〔産業上の利用分野〕の欄を、
「本発明は、ドライエッチング方法に関し、更に詳しくは、下地層上に形成された有機層であるフォトレジストを選択的にエッチングするドライエッチング方法に係るものである。」と訂正する。
（ｄ）〔発明の概要〕の欄を、
「本発明は、下地層上に形成されたフォトレジストを選択的にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングカスに塩素ガスと酵素ガスの混合ガスを用いることにより、フォトレジストの異方性加工を高速化すると共に、エッチング条件である圧力，流量等の条件の範囲を拡げることが可能となる。」と訂正する。
（ｅ）〔課題を解決するための手段〕の欄を、
「そこで、本発明は、下地層上に形成されたフォトレジストを選択的にエッチングするドライエッチング方法において、エッチングガスに塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることを構成とする。本発明におけるエッチングガスは、酸素ガス（Ｏ２）を塩素ガスに対して１〜９９流量％の割合で添加してなる。本発明において、エッチングされるのは下地層上に形成されたフォトレジストである。　ここで、下地層とは、エッチングされるフォトレジストが形成されるべき下地であれば任意であり、その種類や材料には限定されず、例えば配線層，層間絶縁膜，半導体層，マスク材料等であってもよい。また、本発明において、選択的にエッチングされるべきフォトレジストとしては、適宜任意のものを用いることができるが、例えば、フォトレジストパターンを形成するためのフォトレジスト、即ち、露光・現像によってパターニング可能な物質を被エッチング物として用いることができる。」と訂正する。
（ｆ）〔作用〕の欄を、
　「本発明においては、エッチングガスとして塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることにより、塩素ガスと有機層であるフォトレジストとの反応生成物ＣＣｌｘの堆積を酸素ガス（０２）で除去しながらエッチングが進行するという反応メカニズムとなる。このため、通常は酸素ラジカル（Ｏｘ）によりアンダーカットを生ずるような圧力領域においても、ＣＣｌｘ系の側壁保護膜による異方性加工が可能となり、低圧下でのイオンのみによる物理的な反応でのエッチングに比べて、はるかに高速でフォトレジストの異方性加工が達成される。」と訂正する。
（ｇ）〔実施例〕の欄の記載中、〔第１実施例〕の欄の「図中、１０は下地層としてのシリコン基板であり、このシリコン基板１０上に有機層である下層レジスト１１が形成されている。」（公報５欄１２〜１４行）および「なお、本発明において、選択的にエッチングされるべき有機膜としては、適宜任意のものを用いることができるが、例えば、フォトレジストパターンを形成するためのフォトレジスト、即ち露光・現像によってパターニング可能な物質を被エッチング物として用いることができる。」（公報６欄３〜８行）なる記載を、それぞれ、「図中、１０は下地層としてのシリコン基板であり、このシリコン基板１０上にフォトレジストである下層レジスト１１が形成されている。」および「なお、本発明において、選択的にエッチングされるべきフォトレジストとしては、適宜任意のものを用いることができるが、例えば、フォトレジストパターンを形成するためのフォトレジスト、即ち露光・現像によってパターニング可能な物質を被エッチング物として用いることができる。」と訂正し、〔第２実施例〕の欄の「即ち、ドライエッチングにより、緩衝層１７まで有機層と同一条件で連続してエッチングすることができる。」（公報６欄２４〜２６行）なる記載を、「即ち、ドライエッチングにより、緩衝層１７までフォトレジストと同一条件で連続してエッチングすることができる。」と訂正する。
（ｈ）〔発明の効果〕の欄を、
「以上の説明から明らかなように、本発明に係るドライエッチング方法にあっては、従来イオンによる物理的な反応主体でしか達成されなかったフォトレジストの異方性加工が、側壁保護膜利用のプロセスで達成可能となり、また、広いエッチング条件下での高速化を図れる効果がある。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ドライエッチング方法
（５７）【特許請求の範囲】
（１）下地層上に形成された
フォトレジスト
　エッチングガスに塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いる
ことによって、ＣＣｌｘからなる側壁保護膜を堆積させかつ当該側壁保護膜を酸素ガスで除去しながらエッチングを行なう
【発明の詳細な説明】
　［産業上の利用分野］
　本発明は、ドライエッチング方法に関し、更に詳しくは、下地層上に形成された有機層
であるフォトレジスト
　［発明の概要］
　本発明は、下地層上に形成された
フォトレジスト
　エッチングガスに塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることにより、
　
フォトレジスト
　［従来の技術］
　近年、半導体装置におけるパターンの微細化に伴ない、単層レジストでは微細化への対応が困難となり、多層レジスト技術が普及している。この多層レジスト技術は、一般に段差を有する下地の上に、下地平坦化層としてのフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層上に、もう１層又は２層乃至更に多くの層を形成してパターニングを行い、これをマスクに下地平坦化層であるレジストを現像しようというものである。この下地平坦化層であるレジスト現像手段として、パターニングされた上層の膜をマスクに下地をドライエッチングしている。
　この方法としては、例えば第７図Ａに示すように段差１ａを有する下地層１（基板，配線など）に平坦化層２を形成し、更にその上にフォトレジストにより有機膜３を形成し、次いで、第７図Ｂに示すように、上層の有機膜３をパターニングし、次いで、第７図Ｃに示すように、この有機膜３をマスクにして平坦化層２をドライエッチングするものである（このような２層レジスト法については「電子材料」１９８６年４月号第４７頁及び第４８頁に記載されている）。
　また、第８図Ａ〜第８図Ｅは、３層レジスト法を示している。この方法は、基板などの下地層４上に平坦化膜としての機能も有するフォトレジストからなる下層有機膜５を形成し（第８図Ａ）、この上にＣＶＤによるＳｉＯ２や、スピンコーティング等によるＳＯＧなどの中間層６を形成し、更に通常のレジストから成る上層７を形成し（第８図Ｂ）、該上層７を通例の手法により露光・現像して第８図Ｃの如くし、該上層７をマスクとしてＲＩＥ等で中間層６をパターニングして第８図Ｄのようにし、次いで酸素ガス等をエッチングガスとするＲＩＥでフォトレジストから成る下地有機膜５をパターニングする（第８図Ｅ）技術である（「ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＷｏｒｌｄ」（プレスジャーナル社）１９８７年１１月号第１０１頁〜第１０５頁参照）。
　そのほか多層レジスト技術として、所謂ＰＣＭ法などがある。
　上記のような技術においては、エッチングマスクとなるべきフォトレジストとしてはドライエッチング耐性のよい物質を用いることが好ましいわけであるが、一般に従来より提案されている２層レジスト技術では、このマスク用レジストとして、例えばＳｉ含有レジストと呼ばれるレジスト材料が用いられる。通常、このレジストを酸素ガス等で反応性イオンエッチングして、所望のパターンを得る。この原理は、上層のＳｉ含有レジストをＯ２プラズマにより酸化（ＳｉＯｘ化）することによるものと考えられている。
　上述したように通常、多層レジストの下層エッチングプロセスでは、３層レジストの中間層であるＳｉＯ２や、２層レジストのＳｉ含有レジストをマスクに、Ｏ２ガスでのエッチングを行う。この場合、充分な異方性の確保には、低圧、高Ｖｄｃ条件が必須となる。下地レジスト層の加工は、用いる酸素Ｏ２について、酸素ラジカルＯｘとレジスト等の有機膜の反応性の問題から、エッチングを低い圧力、高いイオンエネルギー下で行い、イオンによるスパッタ反応に近いモードでのエッチングを行わなくてはならないからである。
　［発明が解決しようとする課題］
　しかしながら、このような低圧、高Ｖｄｃ条件下では、通常エッチングに寄与するラジカル種の濃度が低下するため、充分なエッチング速度が得られない。しかし一方、エッチング速度向上のためにラジカル濃度を高くするような条件、即ち高圧、低Ｖｄｃである条件を用いると、かかる条件下では異方性形状が得られず、アンダーカットが生じてしまうという問題がある。
　従って異方性形状を確保しながら、しかもエッチング速度を高められるドライエッチング方法が切望されている。
　本発明は、上記従来技術の問題点に着目して創案されたものであり、エッチング形状を異方性形状に保ちながら、特にアンダーカットの無い異方性形状に保ちながら、しかもエッチング速度を充分高速にできるドライエッチング方法を得んとするものである。
　［課題を解決するための手段］
　そこで、本発明は、下地層上に形成された
フォトレジスト
　本発明におけるエッチングガスは、酸素ガス（Ｏ２）を塩素ガスに対して１〜９９流量％の割合で添加してなる。
　本発明において、エッチングされるのは下地層上に形成された
フォトレジスト
　ここで、下地層とは、エッチングされる
フォトレジスト
　また、本発明において、選択的にエッチングされるべき
フォトレジスト
　［作用］
　本発明においては、エッチングガスとして塩素ガスと酸素ガスの混合ガスを用いることにより、塩素ガスと有機層である
フォトレジスト
フォトレジスト
　［実施例］
　以下、本発明に係るドライエッチング方法の詳細を図面に示す実施例に基づいて説明する。
　（第１実施例）
　第１図〜第３図は、本発明を３層レジスト法に適用した実施例を示している。
　図中、１０は下地層としてのシリコン基板であり、このシリコン基板１０上に
フォトレジスト
　次に、下層レジスト１１の上にスピンコーティングによりＳＯＧ（ｓｐｉｎ‐ｏｎ‐ｇｌａｓｓ）を塗布して中間層１２を形成し、更に通常のレジストから成る上層レジスト１３を形成し、通常の露光・現像を行ない該上層レジスト１３をマスクとしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等により中間層１２をパターニングする（第１図）。
　次に、下層レジスト１１を下記の条件でドライエッチングする。
　エッチングガスの流量比は、塩素ガス（Ｃｌ２）：酸素ガス＝２：（２０ＳＣＣＭ）：３（３０ＳＣＣＭ）で、圧力を１０ｍＴｏｒｒ，Ｖｄｃを−３００Ｖとした。
　第２図は、その結果得られたエッチング形状を示す断面図であり、アンダーカットの無い完全な異方性を示した。
　また、本実施例において、圧力，Ｖｄｃ，エッチングガス総流量（５０ＳＣＣＭ）を同一とし、その流量比を塩素ガス：酸素ガス＝１：４にして、エッチングを行なうと、第３図に示すように、ほぼアンダーカットの無い異方性となる。
　圧力，Ｖｄｃ及びエッチングガス総量を同一で、エッチングガスを酸素（Ｏ２）ガスのみにすると、第４図に示すように、アンダーカットが生じ、異方性のエッチング形状が得られなかった（比較例１）。
　また、本実施例におけるエッチレートは、約９３００Å／分であり、高速なエッチングが達成された。これに対し、上記比較例１のように酸素ガスのみを用いた場合、アンダーカットの無い異方性形状のエッチングを達成しようとすると、ガス流量を上記実施例の１／１０程度にし、圧力を１０−４Ｔｏｒｒ台とする必要があり、その時のエッチレートは約６００〜８００Å／分となり、上記実施例の１／５程度しかなく著しく遅いエッチングとなる。
　ところで、本実施例における反応プロセスとしては、エッチングに伴ない、塩素ガスのＣｌがレジストと反応して、反応生成物ＣＣｌｘが下層レジスト１１の側壁を保護し、アンダーカットの無い異方性エッチング形状を達成している。
　なお、異方性加工達成の為のエッチング条件は適宜変更可能であり上記条件に限定されるものではない。
　なお、本発明において、選択的にエッチングされるべき
フォトレジスト
　（第２実施例）
　次に、本発明の第２実施例を、第５図Ａ及びＢに基づいて説明する。
　本実施例は、段差を有する配線層上に３層レジストを設けた例である。
　先ず、シリコン基板１０上に、ＳｉＯ２膜１４，１５が形成され、ＳｉＯ２膜１５により段差が形成されており、この上にアルミニウムで成る配線層１６（下地層）が形成されている。そして、第５図Ａに示すように、配線層１６上にモリブデン（Ｍｏ）でなる緩衝層１７を形成した後、上記第１実施例と同様なパターニングされた３層レジスト構造を形成する（下層レジスト１１，中間層１２，上層レジスト１３）。
　そして、エッチングガスとしてＣｌ２ガス：Ｏ２ガス＝２：３の流量比（総流量５０　ＳＣＣＭ）で、圧力１０ｍＴｏｒｒ、Ｖｄｃ−３００Ｖの条件でドライエッチングを行なうと、第５図Ｂに示すような形状となる。即ち、ドライエッチングにより、緩衝層１７まで
フォトレジスト
　本実施例においては、緩衝層１７のモリブデンがエッチングによりエッチングガスと反応してオキシ塩化物ＭｏｘＯｙＣｌｚの形ですみやかに除去される。このため、エッチングされる側壁に再付着物が生じることがない。
　また、アルミニウムで成る配線層１６での塩素ガスによるオーバーエッチでは、配線層１６がエッチングされてもアンダーカットを生じてしまう。しかし、Ｍｏを緩衝層１７として配したことにより、オーバーエッチ時にエッチングされるのは緩衝層１７のみとなり、配線層１６に影響は与えない。なお、残った緩衝層１７は、配線層１６のパターニング後、フッ素ラジカルＦｘによって除去すればよい。
　なお、第６図Ａ及びＢは、この実施例において、緩衝層１７が無い場合を示す比較例である。
　この比較例においては、第６図Ｂに示すように、エッチングにより側壁（浅い側）に付着物（Ａｌ２Ｏ３）１８が付着し、塩素ガスを加えてもこの付着物１８の生成を防止することはできない。
　また、通常の３層プロセスでオーバーエッチ時のＡｌ２Ｏ３化を防ぐには、オーバーエッチ時のエッチングガスを塩素ガスのみとすることが必要となるが、これだと、エッチングが２工程化され煩雑となる。
　上記第２実施例においては、緩衝層１７としてモリブデンを採用したが、これに限定されるものではなく、反応生成物としてオキシ塩化物を生じる材料であれば適宜変更可能である。
　この実施例においては、多層レジストパターニング工程でのオーバーエッチ時の下地アルミ配線の再付着を防止出来、オーバーエッチ時の下地アルミ層（配線層）のアンダーカットを防止できる。
　なお、この第２実施例で用いられるレジスト材料等は、第１実施例と同様である。
　［発明の効果］
　以上の説明から明らかなように、本発明に係るドライエッチング方法にあっては、従来イオンによる物理的な反応主体でしか達成されなかった
フォトレジスト
【図面の簡単な説明】
　第１図〜第３図は本発明に係るドライエッチング方法の第１実施例を示す断面図、第４図は比較例を示す断面図、第５図Ａ及び第５図Ｂは第２実施例を示す断面図、第６図Ａ及び第６図Ｂは比較例を示す断面図、第７図Ａ〜第７図Ｃは２層レジスト法を説明する断面図、第８図Ａ〜第８図Ｅは３層レジスト法を説明する断面図である。
　１０…シリコン基板、１１…下層レジスト、１２…中間層、１３…上層レジスト、１６…配線層、１７…緩衝層。