【事件の表示】
　特許第３０５０４５９号「ハレーション止め組成物」の請求項１ないし１９に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０５０４５９号の請求項１ないし１９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０５０４５９号の手続きの経緯の概要は以下の通りである。
　平成４年１１月１３日　　　特許出願（パリ条約による優先権主張、１９　　　　　　　　　　　　　　９１年１１月１５日、米国）
　平成１２年３月３１日　　　特許権の設定の登録
　平成１２年６月１２日　　　特許掲載公報発行
　平成１２年１２月１２日　　特許異議の申立て
　平成１３年４月２５日付　　取消理由通知
　平成１３年１１月１５日　　意見書及び訂正請求書提出
　平成１４年１月３０日付　　申立人への審尋
　
２．訂正の適否
２−１．訂正事項
　訂正を請求する事項は、次のとおりである。
訂正事項ａ：
　特許請求の範囲の請求項１９に「前記ハレーション止め組成物は樹脂バインダー、架橋剤化合物、及び酸又は酸発生化剤を含んでいる」とあるのを「前記ハレーション止め組成物は樹脂バインダー、架橋剤化合物、及び熱酸発生剤を含んでいる」に訂正する。
　
訂正事項ｂ：
　特許請求の範囲の請求項１９に「熱処理して前記層を少なくとも部分的に硬化させる段階、」とあるのを「熱処理して熱酸発生剤から酸を発生させて、前記層を少なくとも部分的に硬化させる段階、」に訂正する。
　
２−２．新規事項追加の有無、訂正の目的の適否、及び特許請求の範囲の実質上の拡張又は変更の存否
(１)上記訂正事項ａは、明細書の段落【００２５】の「適切な酸発生剤化合物は、光分解又は熱処理によって酸を遊離する化合物を含む。例えば熱処理によって酸を発生する化合物のような、熱酸発生剤（thermal　acid　generator）が使用されることが好ましい。」との記載に基づき、「酸又は酸発生化剤」を「熱酸発生剤」に限定するものである。
　よって、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、また、特許請求の範囲を実質的に拡張し又は変更するものでもない。
(２)上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａにおいて（ａ）工程の「酸又は酸発生化剤」を「熱酸発生剤」に限定したことに対応させて、後続の（ｂ）工程の内容をより具体的に記載するものである。
　よって、この訂正も、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正に該当し、また、特許請求の範囲を実質的に拡張し又は変更するものでもない。
　
２−３．訂正の適否の結論
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書き及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
３−１．本件発明
　前述のとおり、本件明細書の訂正請求は認められるので、本件発明は、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】基板上にレリーフ画像を形成する方法であって、
　基板上に、アントラセンユニットを有する樹脂バインダーと架橋剤を含むハレーション止め組成物層を塗布する段階、および
　前記ハレーション止め組成物層の上に、樹脂バインダーと放射感受性成分を含むフォトレジスト組成物の層を塗布する段階
を含むことを特徴とする前記方法。
【請求項２】前記ハレーション止め組成物層中の樹脂バインダーが少なくとも１０モル％のアントラセンユニットを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記ハレーション止め組成物層中の樹脂バインダーがコポリ
マーである請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】前記コポリマーが式：
　　（式及び式中の説明の記載を省略）
に相当する請求項３に記載の方法。
【請求項５】前記ハレーション止め組成物が熱酸発生剤を更に含む請求項
１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】前記架橋剤化合物がアミンを主成分とした材料である請求項
１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】前記架橋剤化合物がメラミン樹脂又はグリコールウリル?ホ
ルムアルデヒド樹脂である請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】前記基板がマイクロ電子ウェーハーである請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】基板上に設けられたハレーション止め組成物被覆層と、前記ハレーション止め組成物被覆層上に設けられたフォトレジスト被覆層を有する基板を含んでなる被覆基板であって、前記ハレーション止め組成物被覆層がアントラセンユニットを有する樹脂バインダーと架橋剤化合物を含み、前記フォトレジストが樹脂バインダーと放射感受性成分を含むことを特徴とする被覆基板。
【請求項１０】前記ハレーション止め組成物被覆層中の樹脂バインダーが少なくとも１０モル％のアントラセンユニットを含む請求項９に記載の被覆基板。
【請求項１１】前記樹脂バインダーがコポリマーである請求項９又は１０
に記載の被覆基板。
【請求項１２】前記コポリマーが式：
　　（式及び式中の説明の記載を省略）
に相当する請求項１１に記載の被覆基板。
【請求項１３】前記ハレーション止め組成物が熱酸発生剤を更に含む請求
項９〜１２のいずれか１項に記載の被覆基板。
【請求項１４】前記架橋剤化合物がアミンを主成分とした材料である請求
項９〜１３のいずれか１項に記載の被覆基板。
【請求項１５】前記架橋剤化合物がメラミン樹脂又はグリコールウリル?ホルムアルデヒド樹脂である請求項９〜１３のいずれか１項に記載の被覆基板。
【請求項１６】前記基板がマイクロ電子ウェーハーである請求項９〜１５のいずれか１項に記載の被覆基板。
【請求項１７】上塗りフォトレジスト組成物とともに使用される架橋ハレーション止め被覆組成物であって、前記ハレーション止め組成物は少なくとも１０モル％のアントラセンユニットを含む樹脂バインダー、前記樹脂バインダーと熱活性化架橋反応を引き起こすことが可能な架橋剤、及び酸又は酸発生剤化合物を含むことを特徴とする組成物。
【請求項１８】　前記樹脂が式：
　　（式及び式中の説明の記載を省略）
に相当する請求項１７に記載のハレーション止め被覆組成物。
【請求項１９】フォトレジスト被覆層に対する露光放射の望ましくない反
射を減少させる方法であって、
（ａ）基板上にハレーション止め組成物層を塗布し、前記ハレーション止め組成物は樹脂バインダー、架橋剤化合物、及び熱酸発生化剤を含んでいる段階、
（ｂ）前記ハレーション止め組成物層を放射処理によらず、熱処理して熱酸発生剤から酸を発生させて、前記層を少なくとも部分的に硬化させる段階、
（ｃ）前記ハレーション止め組成物上にフォトレジスト組成物層を塗布し、前記フォトレジスト組成物は樹脂バインダー及び放射感受性組成物を含んでいる段階、並びに
（ｄ）前記フォトレジスト組成物を図案化された放射線に暴露し、露光されたフォトレジスト層を現象する段階を含む上記方法。」
　
３−２．特許異議申立の理由の概要
　特許異議申立人は、
　甲第１号証　特開昭６０−２２０９３１号公報
　甲第２号証　特開昭６３−１１０４４７号公報
　甲第３号証　Arnost　Reiser著「ＰＨＯＴＯＲＥＡＣＴＩＶＥ　ＰＯＬＹ              ＭＥＲＳ」１９８９年発行、第３６３頁第１８〜２３行
　甲第４号証　ＡＣＳ　ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ　ＳＥＲＩＥＳ　４１２「Ｐｏ　　　　　　　ｌｙｍｅｒｓ　ｉｎ　Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　　　　　　　　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ」１９８　　　　　　　９年４月９〜１４日テキサス州、ダラス開催、第２０章（第　　　　　　　３３２〜３４８頁）
を提出して、以下の(１)及び(２)の理由により、本件特許を取り消すべき旨主張する。
(１)本件の請求項１ないし１９に係る発明は、甲第１号証ないし甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
(１)本件の請求項１９に係る発明は、甲第２号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。
　
　なお、申立人に対して、特許権者が提出した意見書及び訂正請求書の副本を送付するとともに、期間を指定して回答を求めたが、期間内にはなんの応答もなかった。
　
３−３．書証の検討
甲第１号証には、
(1a)「（イ）一般式で表わされる少なくとも１種のジフェニルアミン誘導体と（ロ）ホルマリン又はホルマリン−アルコ−ル変性メラミン誘導体とを、酸触媒の存在下に縮合させて得られた縮合体から成る感光性樹脂用下地材料。」に関し、
(1b)「前記の縮合体はそれのみでも感光性樹脂用下地材料として有効であるが、特に、基板からの反射によって生じる定在波や基板表面の凹凸による乱反射を防ぐために、使用する感光性樹脂の感光特性波長域に吸収能を有する物質を該縮合体に混合して成るものはより高い反射防止効果をもつ下地材料として優れている。前記の感光特性波長に吸収能を有する物質としては、例えば、クマリン７、クマリン３１４、クマリン３３８、キノリンイエロー、マグネゾン、バリフアストイエローＡＵＭ［オリエンタル化学(株)製］」、ｐ−ヒドロキシ−ｐ´−ジメチルアミノアゾベンゼンなどの染料を挙げることができる。」（第４頁左下欄第１１行〜右下欄第３行）
と記載され、
(1c)下地材料の使用方法について「本発明の下地材料の使用方法については、例えば基板上に該下地材料の有機溶媒溶液をスピンナーなどにより回転塗布したのち、９０〜１８００Ｃ、・・の温度で乾燥処理して下地材料皮膜を形成する。・・・このような基板上に形成された本発明の下地材料から成る層の上に設ける感光性樹脂層としては、現在市販されているレジストを用いることかでき、このようなものとしては、例えはＯＦＰＲシリーズ［東京応化工業（株）製］、ＯＭＲシリーズ［東京応化工業（株）製］、ＯＮＮＲ［東京応化工業（株）製］、ＡＺシリーズ（シップレー社製）、ＫＰＲ（コダック社製）ＯＥＢＲシリーズ［東京応化工業（株）製］、などを挙げることができる。特にキノンジアジド系又はナフトキノンジアジド系のポジ型レジストやゴム系のネガ型レジストが好ましい。・・・該下地材料を特定の有機溶剤に溶かして基板上に塗布し、皮膜を形成させ、その上にアルカリ可溶性のポジ型レジスト層を形成した場合、１回のみの現像処理により、基板上にエッチングマスクパターンを形成することかでき、・・・本発明の下地材料は、・・反射防止効果の特に高い膜を形成しうるため、定在波を発生しやすいステップアンドリピート方式の露光において効果的である上に、・・・さらに乱反射による寸法変換差を抑えるために、パターン寸法精度を向上させる等の効果を有している。」（第４頁右下欄１８行〜第５頁右下欄２行）と記載され、
(1d)実施例では、前記基板としてシリコンウェーハやＳｉＯ２のパターン上にアルミニウムを蒸着したシリコンウェーハ等が使用されることが記載されている。
　
甲第２号証：
(2a)「ポジチブ作用写真エレメントを製造するために、
ａ）次の組成：組成物の固体分の重量に対して、
ｉ）式１（式及び式中の説明の記載を省略）を有する感光性化合物　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　約１〜２５％
ii）ノボラック及び／又はポリビニルフェノール樹脂　　約７５〜９９％　iii）ジアジドか化学線に露呈される際に発生する酸の量及び濃度の存在　で、（ｄ）工程の加熱条件の適用下に前記樹脂を架橋することのできる架橋化合）物　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　約０．５〜２０％及び
iv）前記組成物成分を溶かすのに充分な量の溶剤
より成る第１感光性組成物を形成し、
ｂ）前記の第１感光性組成物を適当な基板上にコーティングし、　　　　ｃ）前記のコーティングされた基板を約２ ０〜１０ ０℃の温度で、前記溶剤を乾燥除去して、これに非粘着性を与えるのに充分な時間熱処理し、
ｄ）前記組成物を全体的に充分な化学線ご画像なしで露呈し・前記組成物を充分に加熱して部分的に架橋させ、その間実質的にその感光性を維持し、
ｅ）前記の第１感光性組成物に、ｏ−キノンジアジド及びノポラック及び／又はポリビニルフエノール樹脂より成る第２感光性組成物でコーティングし（ここで、前記の第１感光性組成物と第２感光性組成物とは、実質的に異なる波長の紫外線に対して反応性である）、
ｆ）前記第２感光性組成物を画像に応じて化学線に露呈し、現像してイメージマスクを形成させ、
ｇ）前記第１感光性組成物を前記イメージマスクを通して化学線に露呈し、現像して前記第１感光性組成物の露呈部分を除去することを特徴とするポジチブ作用写真エレメントの製法。」（特許請求の範囲第１項）に関し、
(2b)「架橋化合物は、ジアジドを化学線に露呈する際に生じる酸の量及び濃度の存在で前記ノボラック、パラビニルフェノール又はポリビニルフェノール樹脂を架橋することの可能な化合物である。これは、酸を架橋剤に拡散するのに充分であるが、ジアジドを分解するよりより少ない熱の適用時に起こる。このような化合物の一般的な群は、前記酸及び加熱条件下にカルボニウムイオンを形成することのできるものである。有利な化合物は、・・・例えば商品名シメル（cymel)なる名称でアメリカン・シアナミド(American　Cyanamid)及びレジメン(Resimene) なる名称でモンサント・カンパニイ(Monsant　Company )から市販されている典型的なもの、例えば、ヘキサメチロールメラミンヘキサメチルエーテル、レゾール樹脂及びエポキシクレゾールノボラック樹脂である。ある場合には、これらの添加物は充分に反応性で、架橋を誘導するためには化学線への露呈は必要でなく、熱処理が必要なだけである。これは特にシメル樹脂に関して認められている。」（第１２頁右下欄第７行〜第１３頁左上欄第１２行）
(2c)「本発明のフォトレジストと一緒に使用してもよい染料添加物の例はメチル　バイオレット(Methyl　Violet)２Ｂ(Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．４２５３５)、クリスタル　バイオレット(Crystal　Violet)(Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．４２５５５)」、マラカイト　グリーン(Malachite　Green)(Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．４２０００)、ビクトリア　ブルー(Victoria　Blue)Ｂ(Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．４４０４５)およびニュートラル　レッド(Neutral　Red)(Ｃ．Ｉ．Ｎｏ．５００４０)を組成物の固形物部分の重量に対し、１〜１０重量％で包含する。染料添加物は基板からの光の背面散乱を阻止することにより増大した解像度を生じることを助ける。」（第１３頁左下欄末行〜右下欄１２行）
にと記載され、
(2d)実施例４には、「ボトム層フオトレジストを用いて、シリコーンウエハを２０００ｒｐｍでコーテイングし、次いで出口のあけられた対流オープン中で９０℃で３０分間ソフトベーキングする。このコーテイングされたウエハを再び出口のあけられた対流オーブン中１００℃で１０分間ベーキングする。ウエハを室温まで冷却した後、トップ層フオトレジストを２０００ｒｐｍでボトム層フオトレジスト上に塗布し、次いで出口のあけられた対流オーブン中９０℃で３０分間ソフト−ベーキングする。」（第１８頁右下欄末行〜１９頁左上欄第１０行）
と記載されている。
　
甲第３号証：
「平坦化層上のノポラック樹脂キャップは平坦化層を現像がポラック樹脂を攻撃しない溶媒（即ち、クロロベンゼン又はトルエン）を使用するか、又はノポラック樹脂を架橋することにより保持できる。第２溶液は架橋した樹脂か良好なｄｅｅｐ−ＵＶ吸収性を有し、良好な耐プラズマ性を有す好ましい」と、架橋したノポラック樹脂がｄｅｅｐ−ＵＶ吸収能を有することが記載されている。
甲第４号証
　「マイクロリソグラフィにおける高分子　材料と方法」と題し、第２０章では「アントラセンを含有するポリマーの光褪色の化学」について記載され、そこでは「この論文は、レジストに形成される画像を改良するために光褪色を用いることから、Photochemical　 Image　Enhancementと呼ばれているプロセスの化学について記述するものである。」（第３３３頁第９〜１１行）旨の記載がある。
　
３−４．当審における判断
３−４−１．請求項１に係る発明について　
　請求項１に係る発明は、基板にレリーフ画像を形成する方法に係る発明であるが、ハレーション止め組成物に含まれる樹脂バインダーがアントラセンユニットを有していることを特徴とするものである。
　これに対して、甲第１号証ないし甲第４号証の何れにも、アントラセンユニットを有する樹脂をハレーション止め組成物に用いることについては、記載も示唆もない。
　すなわち、甲第１号証には、感光性樹脂用下地材料に関する記載があり、該下地材料に染料を混合するとハレーション止めが向上することが記載されいる（摘記事項(1b)参照）が、アントラセン自体は染料ではなく、しかも例示されている染料の中にアントラセンを含むものは記載されていない。
　また、甲第２号証には、マルチレベルポジチブ作用感光性エレメントの製法において基板に積層される２層のフォトレジストのボトム層に染料を添加すると、基板からの光の背面散乱が阻止されることが記載されている（摘記事項(2c)参照）が、アントラセン自体は染料ではなく、また例示された染料の中にアントラセンを含むものは記載されていない。
　また、甲第３号証にも、ハレーション止め組成物にアントラセンユニットを含有させる点については、何等示唆する記載もない。
　さらに、甲第４号証には、アントラセンを含有する樹脂が光褪色剤として使用できることが記載されてはいるものの、該号証に記載された技術は、Photochemical　 Image　Enhancement（光化学的画像向上）に関する技術を記載したものであって、該樹脂は、ポジ型レジスト層の上に塗布されるものであるから、該甲第４号証記載の技術は、フォトレジスト層と基板の間に配置されるハレーション止め層とは関係のないものである。よって、当業者といえども、甲第４号証に記載された樹脂を、甲第１号証又は甲第２号証に記載されたハレーション止め層に適用することが容易であるとすることはできない。
　したがって、請求項１に係る発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３−４−２．請求項２ないし８に係る発明について
　請求項２ないし８に係る発明は、請求項１を引用する形式ないしは引用する形式で記載された請求項を更に引用する形式で記載されており、請求項１に係る発明の構成に加えて、更に別の構成を付加するものであるから、前項に記載したと同じ理由で、請求項２ないし８に係る発明も、甲第１号証ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３−４−３．請求項９に係る発明について
　請求項９に係る発明は、被覆基板に係る発明であるが、ハレーション止め組成物に含まれる樹脂バインダーがアントラセンユニットを有していることを特徴とするものである。
　しかしながら、前項「３−４−１−１」に記載したごとく、甲第１号証ないし甲第４号証の何れにも、前項に記載したとおり、アントラセンユニットを有する樹脂をハレーション止め組成物に用いることについては、記載も示唆もない。
　よって、請求項９に係る発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
３−４−４．請求項１０ないし１６に係る発明について
　請求項１０ないし１６に係る発明は、請求項９を引用する形式ないしは引用する形式で記載された請求項を更に引用する形式で記載されており、請求項９に係る発明の構成に加えて、更に別の構成を付加するものであるから、前項に記載したと同じ理由で、請求項１０ないし１６に係る発明も、甲第１号証ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３−４−５．請求項１７に係る発明について
　請求項１７に係る発明は、架橋ハレーション止め被覆組成物に係る発明であるが、ハレーション止め組成物に含まれる樹脂バインダーがアントラセンユニットを有していることを特徴とするものである。
　しかしながら、前項「３−４−１−１」に記載したごとく、甲第１号証ないし甲第４号証の何れにも、前項に記載したとおり、アントラセンユニットを有する樹脂をハレーション止め組成物に用いることについては、記載も示唆もない。
　よって、請求項１７に係る発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３−４−６．請求項１８に係る発明について
　請求項１８に係る発明は、請求項１７を引用する形式で記載されており、請求項１７に係る発明の構成に加えて、更に別の構成を付加するものであるから、前項に記載したと同じ理由で、請求項１８に係る発明も、甲第１号証ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
３−４−７．請求項１９に係る発明について
　請求項１９に係る発明は、フォトレジスト被覆層に対する露光放射の好ましくない反射を減少させる方法であって、基板上に塗布するハレーション止め組成物中に、熱酸発生剤を含有させるとともに、熱処理して熱酸発生剤から酸を発生させることを特徴とするものである。
  これに対して、甲第２号証には、「ある場合には、これらの添加物は充分に反応性で、架橋を誘導するためには化学線への露呈は必要でなく、熱処理が必要なだけである。これは特にシメル樹脂に関して認められている。」（摘記事項(2b)参照）と記載され、実施例４では化学線放射によらずに熱処理のみのよってボトムレジスト層を硬化されることが記載されているが、該号証に記載された酸発生剤であるキノンジアジド化合物は、化学線放射によって酸を発生する化合物であって、本件の請求項１９に係る発明における「熱酸発生剤」とは異なるものである。そして、該号証には、ハレーション止め組成物中に、熱酸発生剤を含有させること、及び熱処理して熱酸発生剤から酸を発生させることについては何等記載がない。
　よって、請求項１９に係る発明は、甲第２号証に記載された発明ではない。
　また、甲第１号証、甲第３号証及び甲第４号証のいずれにも、ハレーション止め組成物中に、熱酸発生剤を含有させること、及び熱処理して熱酸発生剤から酸を発生させることについては、記載も示唆もない。
　よって、請求項１９に係る発明は、甲第１ないし４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　
４．むすび
  以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては本件の請求項１ないし１９についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件の請求項１ないし１９についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件の請求項１ないし１９についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して付与されたものと認めないから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年５月１日（２００２．５．１）
【訂正の要旨】
訂正事項ａ：
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１９に「前記ハレーション止め組成物は樹脂バインダー、架橋剤化合物、及び酸又は酸発生化剤を含んでいる」とあるのを「前記ハレーション止め組成物は樹脂バインダー、架橋剤化合物、及び熱酸発生剤を含んでいる」に訂正する。
訂正事項ｂ：
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項１９に「熱処理して前記層を少なくとも部分的に硬化させる段階、」とあるのを「熱処理して熱酸発生剤から酸を発生させて、前記層を少なくとも部分的に硬化させる段階、」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
ハレーション止め組成物
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板上にレリーフ画像を形成する方法であって、
　基板上に、アントラセンユニットを有する樹脂バインダーと架橋剤を含むハレーション止め組成物層を塗布する段階、および
　前記ハレーション止め組成物層の上に、樹脂バインダーと放射感受性成分を含むフォトレジスト組成物の層を塗布する段階
を含むことを特徴とする前記方法。
　【請求項２】　前記ハレーション止め組成物層中の樹脂バインダーが少なくとも１０モル％のアントラセンユニットを含む請求項１に記載の方法。
　【請求項３】　前記ハレーション止め組成物層中の樹脂バインダーがコポリマーである請求項１又は２に記載の方法。
　【請求項４】　前記コポリマーが式：
　【化１】
（式中、ｘは０．１〜１．０であり、Ｒは水素またはアルキルであり、Ｒ’は水素、ハロ、アルコキシおよびアルキルからなる群から選択される）に相当する請求項３に記載の方法。
　【請求項５】　前記ハレーション止め組成物が熱酸発生剤を更に含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項６】　前記架橋剤化合物がアミンを主成分とした材料である請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項７】　前記架橋剤化合物がメラミン樹脂又はグリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂である請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項８】　前記基板がマイクロ電子ウェーハーである請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項９】　基板上に設けられたハレーション止め組成物被覆層と、前記ハレーション止め組成物被覆層上に設けられたフォトレジスト被覆層を有する基板を含んでなる被覆基板であって、前記ハレーション止め組成物被覆層がアントラセンユニットを有する樹脂バインダーと架橋剤化合物を含み、前記フォトレジストが樹脂バインダーと放射感受性成分を含むことを特徴とする被覆基板。
　【請求項１０】　前記ハレーション止め組成物被覆層中の樹脂バインダーが少なくとも１０モル％のアントラセンユニットを含む請求項９に記載の被覆基板。
　【請求項１１】　前記樹脂バインダーがコポリマーである請求項９又は１０に記載の被覆基板。
　【請求項１２】　前記コポリマーが式：
　【化２】
（式中、ｘは０．１〜１．０であり、Ｒは水素またはアルキルであり、Ｒ’は水素、ハロ、アルコキシおよびアルキルからなる群から選択される）に相当する請求項１１に記載の被覆基板。
　【請求項１３】　前記ハレーション止め組成物が熱酸発生剤を更に含む請求項９〜１２のいずれか１項に記載の被覆基板。
　【請求項１４】　前記架橋剤化合物がアミンを主成分とした材料である請求項９〜１３のいずれか１項に記載の被覆基板。
　【請求項１５】　前記架橋剤化合物がメラミン樹脂又はグリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂である請求項９〜１３のいずれか１項に記載の被覆基板。
　【請求項１６】　前記基板がマイクロ電子ウェーハーである請求項９〜１５のいずれか１項に記載の被覆基板。
　【請求項１７】　上塗りフォトレジスト組成物とともに使用される架橋ハレーション止め被覆組成物であって、前記ハレーション止め組成物は少なくとも１０モル％のアントラセンユニットを含む樹脂バインダー、前記樹脂バインダーと熱活性化架橋反応を引き起こすことが可能な架橋剤、及び酸又は酸発生剤化合物を含むことを特徴とする組成物。
　【請求項１８】　前記樹脂が式：
　【化３】
（式中、ｘは０．１〜１．０であり、Ｒは水素またはアルキルであり、Ｒ’は水素、ハロ、アルコキシおよびアルキルからなる群から選択される）に相当する請求項１７に記載のハレーション止め被覆組成物。
　【請求項１９】　フォトレジスト被覆層に対する露光放射の望ましくない反射を減少させる方法であって、
　（ａ）基板上にハレーション止め組成物層を塗布し、前記ハレーション止め組成物は樹脂バインダー、架橋剤化合物、及び
熱酸発生剤
　（ｂ）前記ハレーション止め組成物層を放射処理によらず、熱処理して
熱酸発生剤から酸を発生させて、
　（ｃ）前記ハレーション止め組成物上にフォトレジスト組成物層を塗布し、前記フォトレジスト組成物は樹脂バインダー及び放射感受性組成物を含んでいる段階、並びに
　（ｄ）前記フォトレジスト組成物を図案化された放射線に暴露し、露光されたフォトレジスト層を現象する段階
を含む上記方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、上塗りされたレジスト層の背後にある基板からの露光放射の反射を低減させる組成物に係わる。更に特に、本発明は、熱によって活性化される架橋剤を含むことによって１つの側面において特徴付けられる、ハレーション止め組成物に係わる。
　【０００２】
　【従来の技術】
　基板に画像を転写するためにフォトレジストが使用される。フォトレジストの被覆層が基板上に形成され、その後で、そのレジスト層は、活性化放射の放射源にフォトマストを通して選択的に露光される。フォトマスクは、活性化放射に対して不透明である区域と、活性化放射に対して透明である他の区域を有する。活性化放射に対する露光は、光によって誘発されるフォトレジスト被覆の化学変化をもたらし、それによってフォトマスクのパターンをレジスト被覆基板上に転写する。露光の後で、基板の選択的な処理を可能にするレリーフ画像を与えるために、フォトレジストが現像される。
　【０００３】
　フォトレジストは、ポジ型とネガ型のどちらであってもよい。ネガ型のフォトレジストの大半では、活性化放射に露光されるこうした被覆層部分は、そのレジスト組成物の光活性化化合物と重合可能試薬との間の反応の形で重合又は架橋する。従って、露光された被覆部分の現像剤溶液中での溶解度は、その非露光部分の現像剤溶液中での溶解度よりも低くなる。ポジ型フォトレジストの場合には、露光部分では現像剤溶液中の溶解度がより高くなるが、一方、非露光区域では現像剤溶液中の溶解度が相対的に低いままである。フォトレジストの従来技術は、Ｄｅｆｏｒｅｓｔによってその著書「フォトレジスト材料と処理（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）」（ＭｃＧｒａｗ　Ｈｉｌｌ　Ｂｏｏｋ　Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ，ｃｈ．２，１９７５）において、及び、Ｍｏｒｅａｙによってその著書「半導体リソグラフィー、その原理と実際と材料（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ，Ｐｒａｃｔｉｃｅｓ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」（Ｐｌｅｎｕｍ　Ｐｒｅｓｓ，Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ，ｃｈ．２，ｃｈ．４）において説明されており、これらの説明は両方とも、フォトレジストとその作製方法と使用方法に関して、本書に参照事項として組み入れられている。
　【０００４】
　フォトレジストは主として半導体製造において使用され、こうした半導体の製造では、ケイ素やヒ化ガリウムのような高度に研磨された半導体スライスを、回路機能を果たす好ましくはミクロンの又はミクロンより小さい幾何構造の電子伝導経路の複雑なマトリックスに変換することが目的とされる。適正なフォトレジスト処理がこの目的を達するための重要な手段である。個々のフォトレジスト処理段階の間には強い相互依存があるが、高解像度のフォトレジスト画像を得る上で、露光が最重要な段階の１つであると考えられている。
　【０００５】
　フォトレジストを露光するために使用される活性化放射の反射は、レジスト層内にパターン形成される画像の解像度に対して大きな制限を与えることが多い。基板／レジスト界面からの放射の反射は、露光中のレジストにおける放射強度の変動を発生させ、その結果として現像時に不均一なフォトレジスト線幅を生じさせる可能性がある。放射が基板／レジスト界面から散乱して、露光が意図されていないレジスト領域内に入り、その結果として、同様に線幅の変動を生じさせる可能性もある。散乱と反射の量は典型的には領域毎に異なり、その結果として更なる線幅の変動を生じさせるだろう。
　【０００６】
　活性化放射の反射は、当業では「定在波効果（ｓｔａｎｄｉｎｇ　ｗａｖｅ　ｅｆｆｅｃｔ）」として知られるものにも寄与する。露光機器レンズにおける色収差の影響を除去するために、レジスト投写技術では単色又は準単色の放射が使用される。しかし、フォトレジスト露光のために単色又は準単色の放射が使用される時には、基板／レジスト界面における放射反射の故に、積極的で有害な干渉が大きい。そうした場合には、反射された光が入射光を妨害し、その結果として、そのレジスト内に定在波を生じさせる。高度に反射的な基板領域の場合には、大振幅の定在波がその最小波において露出不足のレジスト薄層を生じさせるが故に、問題は悪化させられる。こうした露光不足の層は、完全なレジスト現像を妨げ、レジスト断面におけるエッジ尖鋭化問題を引き起こす可能性がある。レジスト量が増大すればするほどそのレジストを露光するのに必要とされる放射の合計量が増大するが故に、フォトレジストを露光するのに必要とされる時間は、一般的に、レジスト厚さの増加関数である。しかし、定在波効果の故に、その露光時間は、レジスト厚さに応じて最大値と最小値の間で連続的に変化する調和成分も含む。レジスト厚さが非均一であるならば、その問題は一層深刻になり、可変的な線幅の調整を結果的に生じさせる。
　【０００７】
　基板形状の変動も、解像度を制限する反射の問題を生じさせる。基板上のどんな画像も、それに衝突する放射が様々な抑制不可能な方向に散乱又は反射することを引き起こし、レジスト現像の均一性に悪影響を与える。より複雑な回路を設計しようとする努力に伴って基板形状がより複雑になるにつれて、反射された放射の影響はより重大になる。例えば、多くのマイクロ電子基板上で使用される金属配線は、その構造的特徴と高反射率領域の故に特に問題を孕んでいる。
　【０００８】
　そうした放射反射の問題は、フォトレジストを露光するのに使用される波長の又はその波長に近い放射を吸収する特定の染料をフォトレジスト組成物に添加することによって対処されてきた。そのように使用されてきた染料の例は、クマリン群、メチルオレンジ、メタニルイエローを含む。幾人かの研究者は、そうした染料の使用がパターン形成されたレジスト画像の解像度を制限する可能性があることを発見している。
　【０００９】
　別の解決策は、基板表面とフォトレジスト被覆層の間に挿入された放射吸収層を使用することであった。例えば、反射防止（ハレーション止め）組成物とその使用に関するそれら全ての説明が参照事項として本書に組み入れられている、ＰＣＴ出願ＷＯ　９０／０３５９８、米国特許第４，９１０，１２２号、同第４，３７０，４０５号、同第４，３６２，８０９号を参照されたい。しかし、少なくとも幾つかの従来の反射防止被覆は、上塗りフォトレジスト層及び／又はその下に位置する基板表面に対する接着性の不足という欠点を有する。そうした接着性の問題は、パターン形成されたフォトレジスト画像の解像度を著しく低下させる可能性がある。
　【００１０】
　従って、入射露光放射と反射露光放射を著しく吸収し、且つ、定在波の著しい減衰をもたらす、ハレーション止め被覆組成物を得ることが望ましいだろう。更に、マイクロ電子基板上に被覆可能であり、且つ、そのハレーション止め被覆上に塗布されるフォトレジスト被覆層とそのハレーション止め被覆の下の基板表面との両方に適切に接着することが可能な、ハレーション止め被覆組成物を得ることが望ましいだろう。
　【００１１】
　【発明が解決しようとする課題と課題を解決するための手段】
　本発明は、フォトレジストと共に使用するのに適したハレーション止め組成物を提供し、このハレーション止め組成物は、一般的に、樹脂バインダと、熱によって誘発される前記樹脂バインダの架橋反応を引き起こすことが可能な化合物を含む。好ましくは、このハレーション止め組成物の成分は、フォトレジスト組成物の上塗り層と架橋することが可能であり、それによって、上記の２つの被覆層の間の接着を増大させ、少なくとも幾つかの従来の反射防止系の顕著な問題点を回避する。更に、本発明のハレーション止め組成物は、前記樹脂バインダーと前記架橋化合物の間の反応を触媒して相対的により低い温度で架橋反応が進行することを可能にする酸又は酸発生剤化合物を含む。本書で使用される術語「酸発生剤（ａｃｉｄ　ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）」は、その化合物の適切な処理によって、例えば活性化放射への露光又は熱処理によって、酸を発生する化合物を意味する。熱によって活性化する架橋剤は、様々な材料であることが可能であり、好ましくは、ベンゾグアナミンを主成分とする樹脂か、メラミンを主成分とする樹脂のような、アミンを主成分とする材料である。更に、放射吸収特性を強化するために、本発明のハレーション止め組成物は、上塗りフォトレジストの露光波長の放射又はその波長に近い放射を吸収する、１つ以上の染料化合物を含むことが可能である。
　【００１２】
　更に、本発明は、前記ハレーション止め組成物を塗布し、フォトレジストと共に前記ハレーション止め組成物を使用するための方法を提供する。従って、その好ましい側面では、（ａ）本発明のハレーション止め組成物の層を基板上に塗布する段階と、（ｂ）このハレーション止め組成物被覆層を少なくとも部分的に硬化させる段階と、（ｃ）この被覆された基板の上にフォトレジスト層を塗布する段階と、（ｄ）そのフォトレジスト層の選択部分を露光する段階と、（ｅ）塗布されたハレーション止め被覆層とフォトレジスト被覆層を加熱乾燥する段階と、（ｆ）露光されたフォトレジスト層を現像する段階を含む方法が提供される。適切なフォトレジストが使用される時には、上記の２つの被覆層の加熱乾燥は、ハレーション止め組成物成分とフォトレジスト組成物成分の間の架橋に結果する。本発明のハレーション止め組成物が、マイクロ電子用途で使用される基板を含む基板表面に良好に接着することも発見されている。
　【００１３】
　更に、本発明は、本発明のハレーション止め組成物だけで被覆された、又は、フォトレジスト組成物と組み合わされた前記ハレーション止め組成物で被覆された基板から成る、レリーフ画像と新規の製造物品の形成方法を提供する。特に、その基板上に本発明のハレーション止め組成物が被覆され、前記ハレーション止め組成物上にフォトレジストが被覆され、且つ、前記フォトレジストが樹脂バンイダーと放射感受性成分を含む、被覆基板が提供される。
　【００１４】
　本発明の好ましいハレーション止め組成物は、熱処理によって架橋し、硬化又は固化することが可能な材料の混合物を含む。更に特に、好ましい組成物は、樹脂バインダーと、前記樹脂バインダーとの熱活性化架橋反応を受けることが可能な材料を含む。この樹脂バインダーと熱架橋化合物は、未硬化状態では、非反応性の溶媒又は溶媒混合物中に溶解することが可能であり、且つ、前記バインダーと前記熱架橋化合物がその表面上に塗布される基板表面の上に、均質で非粘着性の接着薄膜を形成することが可能であることが好ましい。
　【００１５】
　特に好ましいハレーション止め組成物は、アミンを主成分とする熱架橋剤と、フェノールを主成分とする樹脂バインダーを含む。アミンを主成分とする適切な熱架橋剤は、メラミン−ホルムアルデヒド樹脂と、グリコールウリル−ホルムアルデヒド樹脂と、尿素を主成分とする樹脂を含む。適切なメラミン樹脂は、Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｙａｎａｍｉｄ　Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｗａｙｎｅ，Ｎｅｗ　Ｊｅｒｓｅｙによって製造され、商品名ＣｙｍｅｌＲ　３００、３０１、３０３、３５０、３７０、３８０、１１１６、１１３０で販売されるメラミン樹脂を含む。適切なグリコールウリル樹脂は、ＣｙｍｅｌＲ　１１７０、１１７１、１１７２の商品名でＡｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｙａｎａｍｉｄ　Ｃｏｍｐａｎｙによって販売されるグリコールウリル樹脂を含む。尿素を主成分とする適切な樹脂は、ＢｅｅｔｌｅＲ　６０、６５、８０の商品名でＡｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｙａｎａｍｉｄ　Ｃｏｍｐａｎｙによって販売されるそうした樹脂を含む。アミンを主成分とする特に好ましい架橋剤は、ＣｙｍｅｌＲ　１１２３、１１２５の商品名でＡｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｙａｎａｍｉｄ　Ｃｏｍｐａｎｙによって販売されるベンゾグアナミン樹脂を含む、ベンゾグアナミンを主成分とする材料である。これに加えて、ベンゾグアナミンを主成分とする材料を含む組み合わせを含む、アミンを主成分とする上記の架橋剤の組み合わせが適切だろう。Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｙａｎａｍｉｄ　Ｃｏｍｐａｎｙから入手可能な上記の樹脂に加えて、多数の類似の樹脂が他の供給者から商業的に入手可能である。これに加えて、アミンを主成分とするそうした樹脂は、含アルコール溶液中でのアクリルアミドコポリマー又はメタクリルアミドコポリマーとホルムアルデヒドとの反応によって、又は、その代わりに、Ｎ−アルコキシメチルアクリルアミド又はメタクリルアミドと他の適切なモノマーとの共重合によって調製されることが可能である。本発明のハレーション止め組成物の架橋剤成分は、一般的にその組成物の固体合計重量の約５〜５０重量％の量で使用され、更に典型的には、その組成物の固体合計重量の約３０重量％の量で使用される。
　【００１６】
　上記のように、このハレーション止め組成物のアミンを主成分とする架橋剤化合物は、フェノールを主成分とする樹脂バインダーと組み合わせて使用されることが好ましい。フェノールを主成分とする適切な樹脂バインダーは、例えば、ノボラック樹脂；ポリ（ビニルフェノール）と、スチレン又はα−メチルスチレンとポリ（ビニルフェノール）とのコポリマー；アクリル樹脂；ポリグルタルイミド；ポリアクリル酸又はポリメタクリル酸コポリマー；アルカリ可溶性ポリアクリルアミドコポリマーとポリメタクリルアミドコポリマー；２‐ヒドロキシエチルメタクリラートと２‐ヒドロキシプロピルメタクリラートを含むコポリマー；部分的にヒドロキシル化されたポリ酢酸ビニルから調製されるポリビニルアルコールのようなポリビニルアルコール；アルカリ可溶性スチレン−アリルアルコールコポリマー；これらの混合物を含む。
　【００１７】
　上記の中で好ましいものは、ポリ（ビニルフェノール）とそのコポリマーと、ヒドロキシル基を有し、且つ、そのヒドロキシル基に対してオルト位置又はパラ位置に芳香族環の求電子置換のための部位を有する、ノボラック樹脂である。酸硬化樹脂系においてアミンを主成分とする樹脂と組み合わせて使用可能なノボラック樹脂は、約３００〜約１００，０００ドルトンの範囲内の、好ましくは約１０００〜２０，０００ドルトンの範囲内の（重量平均）分子量を有する、アルカリ可溶性薄膜形成フェノール樹脂である。これらのノボラック樹脂は、フェノールかナフトールか置換フェノール（例えばクレゾール、キシレノール、エチルフェノール、ブチルフェノール、オキシプロピルメトキシフェノール、クロロフェノール、ブロモフェノール、レゾルシノール、ナフトール、クロロナフトール、ブロモナフトール、ヒドロキノン）と、ホルムアルデヒドかアセトアルデヒドかベンズアルデヒドかフルフラールかアクロレインかその類似物との縮合反応によって調製されることが可能である。適切なノボラック樹脂のブレンドも、塩基性水溶液中での露光被覆の溶解速度を調節するために、更には、その被覆の粘度と硬さとその他の物理的特性を調節するために、使用されることが可能である。適切なノボラック樹脂は、米国特許第３，１４８，９８３号、同第４，４０４，３５７号、同第４，１１５，１２８号、同第４，３７７，６３１号、同第４，４２３，１３８号、同第４，４２４，３１５号を含む数多くの特許で開示されており、これらの特許の開示内容は本書に参照事項として組み入れられている。
　【００１８】
　ポリ（ビニルフェノール）は、カチオン触媒が存在する中での対応するモノマーのブロック重合か乳化重合か溶液重合によって形成されることが可能な熱可塑性材料である。ポリ（ビニルフェノール）樹脂の生成のために使用されるビニルフェノールは、例えば、商業的に入手可能なクマリン又は置換クマリンの加水分解と、それに続く、その結果として得られたヒドロキシケイ皮酸の脱カルボキシルによって、調製されることが可能である。使用可能なビニルフェノールは、その対応するヒドロキシアルキルフェノールの脱水によって、又は、置換又は非置換ヒドロキシベンズアルデヒドとマロン酸の反応の結果として得られるヒドロキシケイ皮酸の脱カルボキシルによって、調製されることも可能である。そうしたビニルフェノールから調製される好ましいポリ（ビニルフェノール）樹脂は、約２，０００〜約１００，０００ドルトンの分子量範囲を有する。ポリ（ビニルフェノール）樹脂の生成方法は、本書に参照事項として組み入れられた米国特許第４，４３９，５１６号に見い出されることが可能である。
　【００１９】
　本発明のハレーション止め組成物中で使用するための、フェノールを主成分とする別の適切な樹脂バインダーは、ノボラック樹脂とポリ（ビニルフェノール）樹脂に構造的に類似した、フェノールユニットと環状アルコールユニットのコポリマーである。そうしたコポリマーは、本書に参照事項として組み入れられた米国特許出願出願番号０７／３５４，８００に説明されている。これらのコポリマーは幾つかの方法で生成されることが可能である。例えば、ポリ（ビニルフェノール）樹脂の従来の調製においては、重合反応中にコモノマーとして環状アルコールがその反応混合物に加えられ、この重合反応はその後では通常の仕方で行われる。この環状アルコールは脂肪族であることが好ましいが、１〜２つの二重結合を含んでもよい。この環状アルコールは、構造的にフェノールユニットに最も近い環状アルコールであることが好ましい。例えば、その樹脂がポリ（ビニルフェノール）であるならば、そのコモノマーはビニルシクロヘキサノールだろう。
　【００２０】
　このコポリマーの生成のための好ましい方法は、予め生成されたポリ（ビニルフェノール）樹脂の水素化を含む。水素化は、当業で公知の水素化方法を使用して、例えば、フェノール樹脂の溶液を、白金又はパラジウムで被覆された炭素基体のような還元触媒の上を通過させることによって、又は、好ましくは、高圧力且つ高温度でラネーニッケル触媒上を通過させることによって、行われることが可能である。その具体的な諸条件は、水素化されるべきポリマーによって決まる。更に特に、このポリマーは、エチルアルコールか酢酸のような適切な溶媒中に溶解され、その後で、その溶液が、約５０〜３００気圧かそれより高い気圧の圧力下で、約１００〜３００℃の温度で、微粉砕されたラネーニッケル触媒と接触させられる。この微粉砕されたニッケル触媒は、水素化されるべき樹脂に応じて、「シリカ上ニッケル」触媒でも「アルミナ上ニッケル」触媒でも、「炭素上ニッケル」触媒のいずれであってもよい。
　【００２１】
　本発明のハレーション止め組成物のための別の適切な樹脂バインダーは、アントラセンユニットを含むポリマーである。このポリマーは、ポリマー骨格から懸垂したカルボキシ及び／又はアルキルエステルユニントのような他のユニットを含んでよい。特に、好ましい樹脂バインダーは、次式（Ｉ）の構造を有し、
　【００２２】
　【化１】
　前式中で、Ｒが１つの水素、又は、１つのアルキル基（例えば、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基）であり、ｘがそのポリマー中のアントラセンエステルユニットのモル分率であり、このｘは０．１〜１．０の値であることが適切である。こうしたアントラセン基は、置換されていなくてもよく、又は、例えばハロかアルコキシかアルキルのような置換基によって１つ以上の置換可能な位置で置換されてもよい。適切には、このアントラセン部分は、式（Ｉ）において上記で示されたように、そのアントラセン環の任意の置換可能位置において、１つのカルボキシル基に置換されることが可能である。この樹脂バインダーが９‐アントラセンエステルユニットを含むことが好ましい。こうしたアントラセン樹脂バインダーは、例えば、アントラノールと塩化メタクリロイルとの縮合と、それに続く、そのホモポリマーを生成するためのビニルアントラセンエステル反応生成物の縮合、又は、混合ポリマーを生成するための他の重合可能化合物とのビニルエステル反応生成物の縮合によって、調製されることが可能である。
　【００２３】
　ハレーション止め組成物の耐エッチング性を増強するために、ポリ（ビニルシルセスキオキサン）のようなケイ素含有材料が使用可能である。そうしたケイ素含有樹脂は、ハレーション止め組成物の樹脂バインダーとして単独で使用されることが可能であり、又は、上記のフェノール樹脂のような他の樹脂バインダーと組み合わされて使用されることが可能である。
　【００２４】
　本発明のハレーション止め組成物の樹脂バインダー成分の濃度は、比較的広い範囲内で変化することが可能であり、この樹脂バインダーは、一般的には、その組成物の乾燥成分の合計重量の約５０〜９５重量％の濃度で、より典型的には、その乾燥成分合計重量の約６０〜８０重量％の濃度で使用される。
　【００２５】
　前述のように、本発明のハレーション止め組成物は、更に、前記樹脂バインダーと前記架橋剤化合物の間の架橋反応を触媒するための酸又は酸発生剤化合物（ａｃｉｄ　ｇｅｎｅｒａｔｏｒ　ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含んでよい。酸発生剤化合物が使用されることが好ましい。適切な酸発生剤化合物は、光分解又は熱処理によって酸を遊離する化合物を含む。例えば熱処理によって酸を発生する化合物のような、熱酸発生剤（ｔｈｅｒｍａｌ　ａｃｉｄ　ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）が使用されることが好ましい。例えば２，４，４，６‐テトラブロモシクロヘキサジエノンや、ベンゾイントシラートや、２‐ニトロベンジルトシラートや、有機スルホン酸のアルキルエステルのような、公知の様々な熱酸発生剤化合物が、本発明の反射防止組成物中で適切に使用される。典型的には、ハレーション止め組成物中の熱酸発生剤の含量は、その組成物の乾燥成分の合計重量の約１〜１５重量％であり、更に好ましくは乾燥成分合計重量の約５重量％である。オニウム塩や、１，１‐ビス［ｐ‐クロロフェニル］‐２，２，２‐トリクロロエタンのようなハロゲン化非イオン性光酸発生剤や、フォトレジスト組成物中で使用するための本書で開示される他の光酸発生剤のような光酸発生剤（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ　ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）も、ハレーション止め組成物中で使用されてもよい。ハレーション止め組成物中の光酸発生剤の適切な量は、一般的に、その組成物の乾燥成分の合計重量の約１〜１５重量％である。光酸発生剤を含むハレーション止め組成物の場合には、その組成物の被覆層は、その光酸（ｐｈｏｔｏａｃｉｄ）を発生させるのに有効な量の活性化放射に曝され、その後で、その被覆層を少なくとも部分的に硬化させるのに十分な温度で後露光の加熱乾燥が行われる。
　【００２６】
　本発明のハレーション止め組成物が、例えば酸触媒を使用しないことによって、又は、熱酸発生剤のような非光活性の酸触媒を使用することによって、非光画像形成性（ｎｏｎ‐ｐｈｏｔｏｉｍａｇｅａｂｌｅ）であることが可能であるということが理解されるべきである。或いは、有効量の適切な光酸発生剤をその組成物中に混入することと、その後でフォトマスクを通してその組成物の被覆層を露光することによって、そのハレーション止め組成物を光画像形成性にする（従って現像可能にする）ことが可能である。適切な光酸発生剤は、本書で説明されるような非イオン性のハロゲン化された光酸発生剤を含む。
　【００２７】
　本発明の組成物の別の任意の添加物は、上塗りフォトレジスト層を露光するために使用される放射を吸収する、染料として働く化合物である。この染料は、上塗りフォトレジストを露光する放射の波長において良好に吸光すべきであり、従って、特定のハレーション止め組成物に適した染料の選択は、使用される特定のフォトレジストによって主として決定されるだろう。例えば、反射防止組成物が深Ｕ．Ｖ．フォトレジスト（即ち、１００〜３００ｎｍの間で露光されるレジスト）と組み合わされて使用される場合には、その染料化合物は、深Ｕ．Ｖ．領域において強力に吸光すべきである。適切な染料が当業で公知であり、例えば、クルクミン群とその誘導体や、アントラセンや、アントラロビンや、スーダンオレンジや、ベンゾフェノチアジンや、ナフトール‐ＡＳを含む。ハレーション止め組成物中に含まれる染料の濃度は、典型的には、その組成物の乾燥成分の合計重量の約２〜３０重量％であり、より好ましくは、その組成物の乾燥成分の合計重量の５〜１５量％である。
　【００２８】
　他の任意の添加物は、例えばＵｎｉｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅから商品名Ｓｉｌｗｅｔ　７６０４として入手可能な水平化剤（ｌｅｖｅｌｉｎｇ　ａｇｅｎｔ）のような、水平化剤を含む。
　【００２９】
　液体被覆組成物を作るために、前記ハレーション止め組成物の成分が、例えば、２‐メトキシエチルエーテル（ダイグライム）やエチレングリコールモノメチルエーテルやプロピレングリコールモノメチルエーテルのような１つ以上のグリコールエーテル；Ｎ‐メチルピロリジノン；メチルセロソルブアセタートやエチルセロソルブアセタートやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートやジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタートのようなエステル；二塩基酸エステルや炭酸プロピレンやγ−ブチロラクトンのような他の溶媒のような、適切な溶媒の中に溶解される。こうした溶媒中の乾燥成分の濃度は、塗布方法のような幾つかの要素によって決定されるだろう。ハレーション止め組成物の固体含量は、一般的には、そのハレーション止め組成物の合計重量の約１〜５０重量％であり、好ましくは、そのハレーション止め組成物の合計重量の約５〜３５重量％である。
　【００３０】
　様々なフォトレジストが本発明のハレーション止め組成物と共に使用されることが可能である。ハレーション止め組成物の薄膜層の上に塗布される時にその２つの被覆層の界面においてそのハレーション止め組成物と架橋することが可能なフォトレジストが、使用されることが好ましい。更に特に、本発明のハレーション止め組成物と共に使用するための好ましいフォトレジストは、ハレーション止め組成物の１つ以上の成分と架橋することが可能な樹脂系を含む、ポジ型とネガ型の光酸発生組成物を含む。
　【００３１】
　本発明のハレーション止め組成物と共に使用するための特に好ましいフォトレジストのグループは、光酸発生剤化合物と、加熱と酸との接触によって硬化か架橋か固化する材料の混合物を含む。好ましい混合物は、フェノールを主成分とする樹脂バンイダーと、アミンを主成分とする架橋剤である。フェノールを主成分とする適切な樹脂は、ノボラック樹脂と、ポリ（ビニルフェノール）とその様々なコポリマーを含む。アミンを主成分とする適切な架橋剤は、ハレーション止め組成物用の上記の架橋剤、特に、Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｙａｎａｍｉｄから入手可能なメラミン−ホルムアルデヒドＣｙｍｅｌ樹脂である。適切な光酸発生剤化合物は、本書に参照事項として各々が組み入れられている米国特許第４，４４２，１９７号、同第４，６０３，１０１号、同第４，６２４，９１２号に開示されるオニウム塩のようなオニウム塩と、下記で参照される欧州特許出願で開示されるハロゲン化光活性化合物のような非イオン性有機光活性化合物を含む。これらの光活性化合物は、活性化放射に露光された後での被覆層の現像を可能にするのに十分な量だけ、フォトレジスト中に存在しなければならない。本発明による使用のための好ましいネガ型フォトレジストは、例えば、その両方が参照事項として本書に組み入れられている欧州特許出願第０４０１４９９号と同第０４２３４４６号に開示されるような酸固化フォトレジストを含む。本書で使用される場合の術語「酸固化フォトレジスト（ａｃｉｄ−ｈａｒｄｅｎｉｎｇ　ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）」は、上記で説明され、参照された前記欧州特許出願で説明されている一般的なタイプのフォトレジスト組成物を意味する。
　【００３２】
　他の好ましいフォトレジストは、本発明のハレーション止め組成物の１つ以上の成分と架橋することが可能な成分を含むポジ型フォトレジストを含む。そうしたフォトレジストは、放射感受性成分と組み合わされた、フェノールを主成分とする樹脂バインダーを含む。適切な樹脂バインダーは、ノボラック樹脂と、ポリ（ビニルフェノール）とその様々なコポリマーを含む。適切な放射感受成分は、２，１，４‐ジアゾナフトキノンスルホン酸エステルと２，１，５‐ジアゾナフトキノンスルホン酸エステルのようなナフトキノンジアジドスルホン酸エステルと、オニウム塩と、その両方が参照事項として本書に組み入れられている欧州特許出願第０１６４２４８号と同第０２３２９７２号に開示されている酸発生剤のような他の公知の酸発生剤を含む、様々な光酸発生剤化合物を含むことが可能である。「従来の」ポジ型レジストに加えて、化学的に強化されたポジ型レジストが、本発明のハレーション止め組成物と共に使用するのに特に適している。上記の酸固化レジストの場合と同様に、化学的に強化されたポジ型レジストは、活性放射への露光によって触媒性の光生成物（ｐｈｏｔｏｐｒｏｄｕｃｔ）を発生させる。ポジ型系では、この光生成物（例えば酸）は、例えば、１つ以上のレジスト成分の脱保護反応を触媒してカルボキシのような極性官能基を遊離させることによって、そのレジストの露光領域を現像液中でより溶解し易くする。本書に参照事項として組み入れられているＬａｍｏｌａ他「化学的に強化されたレジスト（Ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｄ　Ｒｅｓｉｓｔｓ）」、Ｓｏｌｉｄ　Ｓｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、５３‐６０（１９９１年８月）を参照されたい。
　【００３３】
　【実施例】
　さて、本発明のハレーション止め組成物の好ましい使用方法を示す添付図面の図が参照される。ステップＡでは、ハレーション止め被覆層１２を与えるために、ハレーション止め組成物を基板１０に塗布する。このハレーション止め組成物を、スピン塗りを含む殆ど全ての標準的な手段によって塗布することが可能である。この反射防止組成物を、一般的に約０．０５〜０．５μｍの、好ましくは約０．１０〜０．２０μｍの乾燥層厚さで、基板上に塗布する。この基板は、適切には、フォトレジストを含む処理において従来的に使用されるいずれの基板であってよい。例えば、この基板は、ケイ素のマイクロ電子ウェーハか、二酸化ケイ素のマイクロ電子ウェーハか、アルミニウム−酸化アルミニウムのマイクロ電子ウェーハであることが可能である。ヒ化ガリウム基板か、セラミック基板か、石英基板か、銅基板を使用することも可能である。例えばガラス基板や、インジウム／スズ被覆基板や、その類似物のような、液晶ディスプレイ用途のために使用される基板も、適切に使用される。
　【００３４】
　ステップＢでは、ハレーション防め層を少なくとも部分的に硬化させる。その硬化条件は、反射防止組成物の成分に応じて変化するだろう。例えば、その組成物が酸触媒を含まない場合には、硬化の温度と条件は、酸又は酸発生剤化合物を含む組成物の硬化の温度と条件よりも高いだろう。例えば、ノボラック樹脂バインダーと、架橋剤としてのベンゾグアナミン−ホルムアルデヒド樹脂Ｃｙｍｅｌ　１１２３を含む組成物の場合には、典型的な硬化条件は、約３０分間に亙っての約２００℃の加熱である。熱酸発生剤２，４，４，６‐テトラブロモシロヘキサジエノンをこの組成物に加える場合には、約３０分間に亙っての約１５０℃の硬化温度が、その組成物被覆層を少なくとも部分的に硬化させるために適しているだろう。硬化条件が、被覆層１２を現像液に対して実質的に不溶性にすることが好ましい。これに加えて、前述のように、ハレーション止め組成物が光酸発生剤を含む場合には、その組成物被覆層を有効量の活性化放射（例えば約１０〜３００ｍＪ／ｃｍ２）に露光させることと、その後で５０〜１４０℃の後露光の加熱乾燥を行うことによって、その組成物被覆層を少なくとも部分的に硬化させることが可能である。
　【００３５】
　ステップＣでは、フォトレジストを、架橋されたハレーション止め層１２の表面上に塗布する。そのハレーション止め組成物の塗布の場合と同様に、フォトレジストを、スピン塗りか、浸し塗りか、ローラ塗りのような標準的な手段で塗布することが可能である。スピン塗りの場合には、使用される特定のスピン装置と、その溶液の粘度と、そのスピン装置の速度と、スピン塗りに使用可能な時間量とに基づいて、望ましい薄膜厚さを与えるようにフォトレジスト組成物の固体含量を調節することが可能である。塗布に続いて、好ましくは層１４が不粘着性になるまで溶媒を除去するために、そのフォトレジスト被覆層１４を典型的には加熱によって乾燥させる。最適には、ハレーション止め層とフォトレジスト層の相互混合が生じるべきではない。
　【００３６】
　ステップＤでは、従来の方法でマスクを介して活性化放射によって被覆層１４に画像形成する。その露光エネルギーは、層１４中にパターン形成画像１６を生じさせるために、放射感受系の光活性成分を有効に活性化するのに十分な大きさであり、更に特に、その露光エネルギーは典型的には、その露出器具に応じて約１０〜３００ｍＪ／ｃｍ２の範囲である。
　【００３７】
　ステップＥは光学的ステップであり、被覆層の露光領域と非露光領域の間の溶解度の差異を生じさせるために、フォトレジストに後露光の加熱を行うことが必要である場合に、このステップＥが使用される。例えば、酸固化フォトレジストは、典型的には、ステップＥ′に示されるように、酸で触媒された架橋反応を引き起こすために、後露光加熱を必要とし、化学的に強化されたポジ型レジストの多くは、ステップＥ”に示されるように、酸で触媒された脱保護反応を引き起こすために、後露光加熱を必要とする。その被覆された基板１０に対して、典型的には約５０℃以上の温度で、更に特に約５０〜１４０℃の温度で、後露光の加熱乾燥を行う。
　【００３８】
　ステップＦでは、露光されたレジスト被覆層１４を、無機アルカリ（例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、又は、その類似物）のような、水性塩基性現像剤を用いて現像することが好ましい。この代わりに、コリンを主成分とする溶液；水酸化テトラアルキルアンモニウムのような水酸化第四アンモニウム；エチルアミンかｎ‐プロピルアミンかジエチルアミンかジ‐ｎ‐プロピルアミンかトリエチルアミンかメチルジエチルアミンのような様々なアミン溶液；ジエタノールアミンかトリエタノールアミンのようなアルコールアミン；ピロールやピペリジン等のような環状アミンといった有機現像剤を使用することが可能である。一般的に、現像は当業で公知の方法に従う。
　【００３９】
　多くの場合、現像に続いて、その現像された露光区域１６を更に硬化させるために、約１００〜１５０℃の温度において数分間に亙って、酸固化フォトレジストの最終的な加熱乾燥が行われる。
　【００４０】
　その後で、現像した基板を、フォトレジストが除去された基板区域上において選択的に処理することが可能であり、例えば、フォトレジストを除去した基板区域を、当業で公知の方法によって化学エッチング又はめっきすることが可能である。適切なエッチング剤は、フッ化水素酸エッチング液や、酸素プラズマエッチングのようなプラズマガスエッチングを含む。特に、プラズマガスエッチングは、架橋されたハレーション止め被覆層を容易に穿孔する。
　【００４１】
　本発明のハレーション止め組成物と、このハレーション止め組成物に組み合わされて使用される数多くのフォトレジストの両方を除去するために、同一の除去化学作用を使用することが可能であるということに留意されたい。例えば、フェノールを主成分とする前記樹脂バインダーとアミンを主成分とする前記架橋剤をを含む、本発明の好ましいハレーション止め組成物と組み合わせて使用される酸固化フォトレジストは、選択的な基板処理の後で、１つの除去剤溶液を用いて容易に除去されることが可能である。そうした被覆層を除去するために、好ましい除去剤溶液は、約９０重量％のジメチルスルホキシドと約１０重量％のパラトルエンスルホン酸を含む。この組成物を約７０〜９０℃で使用することが好ましい。
　【００４２】
　本発明をより適切に例示するために以下の実施例が示されるが、これらの実施例は、開示された特定の具体例だけに本発明を限定するように構成されているのではない。これらの実施例で開示されるハレーション止め組成物では、そのノボラック樹脂成分は、ホルムアルデヒド−フェノール縮合物であり、そのフェノール成分は９５重量％のクレゾールと５重量％のエチルフェノールであり、その樹脂は約１１，０００ドルトンの（重量平均）分子量と約２０の分散度を有する。
　【００４３】
実施例１
　好ましいハレーション止め組成物を、下記で説明される成分を混合することによって調製した。尚、これらの成分の量は重量割合で表されている。
　【００４４】
　
成分
量
　樹脂バインダー
　　ノボラック樹脂　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　５．５９
　架橋剤材料
　　ヘキサメトキシメチルメラミン（Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｙａｎａｍｉｄ製）　１．６７
　熱酸発生剤
　　２，４，４，６‐テトラブロモシクロヘキサジエノン　　　　　　　　　　　０．２８
　表面水平化剤
　　Ｓｉｌｗｅｔ　７６０４（Ｕｎｉｏｎ　Ｃａｒｂｉｄｅ　製）　　　　　　　０．０１５
　溶媒
　　ダイグライム　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３３．９６
　　アニソール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１１．３１
　このハレーション止め組成物の薄膜層を水性現像剤中において不溶性にするために必要な硬化温度を決定するために、このハレーション止め組成物を試験した。その溶液を、７つの蒸気地膚塗り（ＨＭＤＳ蒸気、室温、室圧、３分間）された４インチのケイ素ウェーハの上に、４０００ｒ．ｐ．ｍでスピン塗りした。これらのウェーハの各々を、真空ホットプレート上で６０秒間に亙って、各々に異なった温度で軟加熱乾燥（ｓｏｆｔ　ｂａｋｉｎｇ）した。特に、各々のウェーハを、８０〜２００℃の温度範囲内で２０℃の温度増分で加熱乾燥した。１．６４の屈折率を使用するＮａｎｏｍｅｔｒｉｃｓ　Ｎａｎｏｓｐｅｃ　２１５による７つの測定から、薄膜厚さを決定した。これらの７つのウェーハを、規定度０．２１の室温のＭｉｃｒｏｐｏｓｉｔＲ　ＭＦ‐３２１現像剤（Ｓｈｉｐｌｅｙ　Ｃｏ．，Ｎｅｗｔｏｎ，Ｍａｓｓａｃｈｕｓｅｔｔｓから入手可能な水性水酸化テラトメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）溶液）中で、６０秒間に亙ってバッチ現像し、その後で、Ｎａｎｏｓｐｅｃ　２１５を使って再び上記の通りに薄膜厚さを測定した。１２０℃以上の加熱乾燥温度が、０．２１ＮのＴＭＡＨ現像剤中でハーション止め被覆層を不溶性にするようにそのハーション止め被覆層を架橋するのに十分な温度であることが発見された。
　【００４５】
実施例２
　実施例１のハレーション止め組成物を、深Ｕ．Ｖ．領域における吸光に関して試験した。その組成物を、３インチの石英ウェーハ上に３０００ｒ．ｐ．ｍでスピン塗りし、真空ホットプレートによって６０秒間に亙って１２０℃で軟加熱乾燥した。同一条件下で４インチのケイ素ウェーハを被覆し、上記の実施例１で説明された通りにＮａｎｏｓｐｅｃ　２１５を使って、その被覆層厚さを測定することによって、その被覆層厚さを評価した。その被覆ウェーハをＨｅｗｌｅｔｔ‐Ｐａｃｋａｒｄ　ＨＰ８４５２Ａ　ＵＶ‐Ｖｉｓｉｂｌｅ　Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒによって分析し、その後でその石英ウェーハの吸光度に関して補正した。２４８ｎｍの露光波長では、その調合物が厚さ１ミクロン当たり１．３７１の吸光度単位の吸光度を有することを発見した。
　【００４６】
実施例３
　実施例１のハレーション止め組成物を、４つの蒸気地膚塗り（ＨＭＤＳ蒸気、実施例１に説明された通りの手順）された４インチのケイ素ウェーハの上に、３０００ｒ．ｐ．ｍ．でスピン塗りした。これらのウェーハの各々を、真空ホットプレート上で６０秒間に亙って軟加熱乾燥した。２つのウェーハを１４０℃で加熱乾燥し、他の２つのウェーハを１６０℃で加熱乾燥した。その後で、これら４つのウェーハの各々を、３６６０ｒ．ｐ．ｍ．における３０秒間のスピンを使用して、Ｍｅｇａｐｏｓｉｔ　ＳＮＲ２４８‐１．０深ＵＶフォトレジスト（Ｓｈｉｐｌｅｙ　Ｃｏ．によって販売される酸固化フォトレジスト）で上塗りし、それに続いて、約１．０２５ミクロンのレジスト層厚さを生じさせるために真空ホットプレート上で９０℃で６０秒間に亙って軟加熱乾燥した。これらのウェーハを、２４８ｎｍの波長で働くＧＣＡ　Ｌａｓｅｒｓｔｅｐ　エキシマーレーザーステッパーを用いて露光した。最適の露光が得られることを確実なものにするために、広範囲の露光と焦点整合の両方を包括する８×８配列のパターンを使用した。これらのウェーハを２つのグループに分け、その各々のグループは、１４０℃で硬化させられた一方の被覆ウェーハと、１６０℃で硬化させられた他方の被覆ウェーハを含んでいた。一方のウェーハのグループに対して、１１０℃において真空ホットプレート上で６０秒間に亙って後露光加熱乾燥を行い、他方のグループを１４０℃で加熱乾燥した。これらのウェーハの全てを、２５秒と５０秒のパドリングと合計１００秒の現像剤接触時間とを使用して、二重パドリングモードで０．１４ＮのＴＭＡＨ　ＭＦ‐３１９現像剤（Ｓｈｉｐｌｅｙ　Ｃｏ．）を使用して現像した。そのハレーション止め被覆層の上に、０．３４μｍまでの高解像度の線／間隔（概ね垂直な側壁を有する線を含む）がパターン形成された。
　【００４７】
実施例４
　別の好ましいハレーション止め組成物を、下記で説明される成分を混合することによって調製した。尚、これらの成分の量は重量割合で表されている。
　【００４８】
　
成分
量
　樹脂バインダー
　　ノボラック　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　３．４６２
　架橋剤材料
　　（Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｙａｎａｍｉｄによって商品名Ｃｙｍｅｌ　１１２３で
　　販売される）エチル化／メチル化ベンゾグアナミン−
　　ホルムアルデヒド樹脂　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　１．０３９
　溶媒
　　ジエチレングリコールジメチルエーテル　　　　　　　　　　　　　　　　２５．５００
　このハレーション止め組成物を、蒸気地膚塗り（ＨＭＤＳ蒸気、室温、室圧、３分間）された４インチのケイ素ウェーハと、地膚塗りされていない４インチの石英ウェーハの上に、４６００ｒ．ｐ．ｍ．でスピン塗りした。各々のウェーハを、真空ホットプレート上で６０秒間に亙って１２５℃において軟加熱乾燥した。その後で、それらのウェーハをＢｌｕｅ　Ｍ　対流炉の中で３０分間に亙って加熱乾燥した。Ｎａｎｏｍｅｔｒｉｃｓ　Ｎａｎｏｓｐｅｃ　２１５によるハレーション止め組成物被覆ケイ素ウェーハの厚さ分析は、１７３３オングストロームの平均薄膜厚さを示した。石英ウェーハをＣａｒｙ３　ＵＶ‐Ｖｉｓｉｂｌｅ　Ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒによって分析した。その石英ウェーハの吸光度に関する補正の後に、その厚さ１７３３オングストロームのハレーション止め被覆石英ウェーハの吸光度が、２４８ｎｍの波長において０．７１９（吸光度単位）であることを発見した。その次に、１つの被覆ケイ素ウェーハをＭｅｇａｐｏｓｉｔＲ　ＳＮＲ２４８‐１．０フォトレジストで上塗りし、別の被覆ケイ素ウェーハをＭｉｃｒｏｐｏｓｉｔＲ　ＸＰ‐８９１３１フォトレジストで上塗りした。尚、前記フォトレジストの各々は共にＳｈｉｐｌｅｙ　Ｃｏ．から入手可能である。Ｍｅｇａｐｏｓｉｔ　ＳＮＲ２４８レジストの被覆は、約１．０１４ミクロンの厚さを生じさせるためには、３６８０ｒ．ｐ．ｍ．における３０秒間のスピンと、真空ホットプレート上での６０秒間の９０℃の第２の軟加熱乾燥を必要とし、一方、Ｍｉｃｒｏｐｏｓｉｔ　ＸＰ‐８９１３１レジストは、１．０１７ミクロンの厚さの被覆層を得るためには、３７６０ｒ．ｐ．ｍ．のスピンと１１０℃の柔加熱乾燥温度を必要とした。これらの２つのウェーハを、２４８ｎｍの波長で働くＧＣＡ　Ｌａｓｅｒｓｔｅｐエキシマーレーザーステッパーを用いて露光した。最適の露光が得られることを確実なものにするために、広範囲の露光と焦点整合の両方を包括する７×１５配列のパターンを使用した。これら全てのウェーハに対して、真空ホットプレート上で６０秒間に亙って１３０℃で後露光の加熱乾燥を行い、その後で、２５秒と５０秒のパドリングと、合計１００秒の現像剤接触時間を使用して、二重パドリングモードで、ＸＰ‐８９１１４水性現像剤（Ｓｈｉｐｌｅｙ　Ｃｏ．から入手可能なＴＭＡＨ現像液）を用いて現像した。そのハレーション止め被覆層の上に、０．３６μｍまでの高解像度の線／間隔（概ね垂直な側壁を有する線を含む）がパターン形成された。
　【００４９】
　本発明の上記の説明は本発明を単に例示するにすぎないのであって、本特許請求項に述べられる通りの本発明の範囲又は思想から逸脱することなしに、その変形と改変が行われることが可能であることが理解される。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のプロセスを概略的に示す説明図である。
　【符号の説明】
　１０　基板
　１２　ハレーション止め被覆層
　１４　フォトレジスト被覆層
　１６　パターン形成画像