【事件の表示】
　特許第２９１３９３６号「半導体装置の製造方法」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第２９１３９３６号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第２９１３９３６号（以下「本件特許」という。）は、平成３年１０月８日に特許出願され、平成１１年４月１６日に特許権の設定登録の後、平成１１年１２月２８日に坂本典子、同年１２月２４日に相田秀雄、及び同年１２月２８日に渡辺紀子の各特許異議申立人より、その請求項１に係る特許について特許異議の申立がなされたものである。
　その後、平成１２年９月２０日付け付けで審判官合議体より特許取消理由の通知がなされ、これに対して、指定期間内である平成１２年１２月４日に特許権者より訂正請求書及び特許異議意見書が提出され、続いて、平成１３年４月２７日付けで審判官合議体より訂正拒絶理由の通知、及び、同日付けで審判官合議体より各特許異議申立人３名に対して審尋がなされ、これに対して、平成１３年７月１１日に特許権者より意見書が提出され、他方、平成１３年７月１３日に坂本典子、同年６月２９日に相田秀雄、及び同年７月１６日に渡辺紀子の各特許異議申立人より回答書が提出され、次いで、平成１３年１０月２２日付けで審判官合議体より特許権者及び各特許異議申立人３名に対して審尋がなされ、これに対して、平成１３年１２月２７日に特許権者、並びに、同年１２月１８日に坂本典子、同年１２月２５日に相田秀雄、及び同年１２月２８日に渡辺紀子の各特許異議申立人より回答書の提出がなされたものである。
　　
II．訂正の適否について
(II-1)訂正請求後の本件発明
　上記訂正請求による訂正後の明細書（以下「訂正明細書」という。）の請求項１に係る発明（以下「訂正発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のものである。
「【請求項１】半導体基板の一主面に層間絶縁膜を堆積する工程と、電極間隔を１５ｍｍ以下とするナローギャップ方式の枚葉型ドライエッチング装置に用いて、前記半導体基板の温度を６０℃以下に保ち、エッチングガスとしてフルオロカーボンおよびフルオロカーボンの水素置換体のうち１つ以上とＡｒとを混合したガス系を用い、Ａｒの分圧を９０％より小さく、エッチング圧力は６００ｍＴｏｒｒより小さく設定して前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、０．６マイクロメートル以下の微細コンタクトホールを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　　
(II-2)証拠の記載事実
　上記の訂正拒絶理由の通知に引用した、本件出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記の引用例には、以下の記載がある。
引用例１（米国特許第５０２１１２１号明細書；特許異議申立人坂本典子による特許異議申立の甲第１号証）
(1-1)「１．約４００〜約１０００wattの範囲内の出力レベルで室内にプラズマを保ちながらＲＩＥ室中へ約１５〜約１８５sccmの不活性ガス及び約１５〜約６０sccmのCHF3を流入させる工程を含む、ほぼ垂直な接触角及びシリコンに対する高度選択性を特徴とするシリコン酸化物をエッチングするためのＲＩＥ方法。
２．ＲＩＥ室中へ該不活性ガス及び該CHF3ガスを流入させる該工程が該ガスの比を不活性ガス：CHF3の約１：１〜約１０：１の範囲内に保ちながら該ガスを該ＲＩＥ室中へ流入させることをも含む請求項１記載の方法。
３．該ＲＩＥ室中へのガスの全流量が約２００sccmを越えない請求項２記載の方法。
４．該不活性ガスがヘリウム及びアルゴンからなる群から選ばれる請求項３記載の方法。
５．該不活性ガスがアルゴンを含む請求項４記載の方法。
６．該ＲＩＥ室が該エッチング中約１０〜約１２０mTorrの範囲内の圧力に保たれる請求項３記載の方法。
７．該エッチング工程中、該ＲＩＥ室内の該ウエハの温度が約１５〜約２５℃の範囲内に保たれる請求項３記載の方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
９．該室中へ該ガスを流入させる該工程が CF4を約１〜約１０sccmの範囲内の量で該室中へ流入させることをも含む請求項３記載の方法。
１０．該室中への該 CF4の該量が約２〜約６sccmの範囲内である請求項９記載の方法。
１１．(a)ＲＩＥ室中へ不活性ガス、CHF3及び CF4を、該それぞれのガス流を約３０〜約１４０sccmの該不活性ガス、約１５〜約６０sccmの該CHF3及び約１〜約１０sccmの該CF4の範囲に保ちかつ該ガスの全量が約２００sccmを越えないようにしながら流入させる工程、及び(b)該ガスが流入している間、約４００〜約１０００ワットの範囲内の出力レベルでプラズマを該ＲＩＥ室内に保つ工程を含む、シリコン酸化物層の平面に関して少なくとも８０°の接触角及びシリコンに対する高度選択性を特徴とする、シリコン酸化物層中に１個以上の開口をエッチングするための改良ＲＩＥ方法。
１２．該ＲＩＥ室中へ該ガスを流入させる工程が該不活性ガスと該CHF3の比を約２：１〜約５：１の範囲内に保ちながら該ガスを該室中へ流入させることをも含む請求項１１記載の方法。
１３．該不活性ガスがヘリウム及びアルゴンからなる群から選ばれる請求項１２記載の方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
１５．該室中への該 CF4ガスの該量が約２〜約６sccmの範囲内である請求項１２記載の方法。
１６．シリコン酸化物層中に１個以上の開口をエッチングするための改良ＲＩＥ方法であって、(a)アルゴン、CHF3及び CF4をＲＩＥ室中へ、該それぞれのガス流を約３０〜約１４０sccmの該アルゴン、約１５〜約６０sccmの該CHF3及び約２〜約６sccmの該 CF4の範囲内に保ちかつ該ガスの全量が約２００sccmを越えないようにしながら、かつ該アルゴンと該CHF3の比を約２：１〜約５：１の範囲内に保ちながら流入させる工程、(b)該ガスの流入中、該ＲＩＥ室内にプラズマを約４００〜約１０００ワットの範囲内の出力レベルに保つ工程、及び(c)該室中への該ガスの流入を続けかつ該室内に該プラズマを保って、該シリコン酸化物を下にあるシリコン層に達するまでエッチングする工程を含む、該酸化物層の平面に関して少なくとも８０°の接触角及びシリコンに対する高度の選択性を特徴とする改良ＲＩＥ方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
１８．該エッチング中、該ＲＩＥ室が約１０〜約１２０mTorr の範囲内の圧力に保たれる請求項１６記載の方法。
１９．該ＲＩＥ室内の該ウエハの温度が該エッチング工程中約１５〜約２５℃の範囲内に保たれる請求項１６記載の方法。」（第５欄第４６行〜第７欄第１２行　クレーム欄）
(1-2)「本発明は二酸化シリコンのエッチング方法に関する。特に、本発明はシリコンに対する高度選択性を保ちながらほぼ垂直な側壁を有する開口を二酸化シリコン内に異方的にエッチングするシリコン半導体上の二酸化シリコンの選択的プラズマエッチング方法に関する。」（第１欄第７〜１３行）
(1-3)「しかしながら、全く驚くべきことには、今回、シリコンに対して高度に選択的なエッチングの化学作用、すなわちシリコンよりはむしろ二酸化シリコンを優先的にエッチングするエッチングの化学作用を用いて、二酸化シリコンをエッチングしてテーパー状開口よりはむしろほぼ垂直な側壁を与えることができ、かつエッチングの化学作用を変えることによって、垂直に近いエッチングを依然として与えながら選択性の量を変えることができることが発見された。」（第１欄第２０〜２７行）
(1-4)「従って、本発明の目的はほぼ垂直なエッチ勾配又は接触角及びシリコンに対する高度の選択性を特徴とする二酸化シリコンの改良プラズマエッチング方法を提供することである。
　本発明のもう１つの目的は酸素を用いないで不活性ガスとＣＨＦ３との混合物を用いてほぼ垂直なエッチング勾配とシリコンに対する高度の選択性とを与える二酸化シリコンの改良プラズマエッチング方法を提供することである。
　本発明のさらにもう１つの目的は酸素を用いないで不活性ガス、ＣＨＦ３及びＣＦ４の混合物を用いてほぼ垂直なエッチング勾配又は接触角及びシリコンに対する制御可能な選択性を与える二酸化シリコンの改良プラズマエッチング方法を提供することである。」（第１欄第３１〜４５行）
(1-5)「本発明は不活性ガスとＣＨＦ３との組み合わせを用いてシリコンに対して高度に選択性でありかつほぼ垂直なエッチング勾配又は接触角を与える酸化物エッチング方法を提供する半導体ウエハ上の酸化物層の改良プラズマエッチング方法を含む。」（第２欄第４〜９行）
(1-6)「本発明の方法の実施に用いられるエッチング装置は、エッチングされるべき所望のサイズのウエハを支持することができ、本発明で用いられる型のガスを以下に述べる流速で導入することができかつプラズマを本発明の方法のために所要な出力レベルで保つことができる任意の市販の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置又は磁気増強式反応性イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）装置を含むことができる。本明細書中では、かかる装置を、磁気増強式又は非増強式のいずれかのＲＩＥ装置と一般的に呼ぶことにする。かかる市販の装置の例には、Applied Materials, Inc.から市販されているPrecision 5000磁気増強式反応性イオンエッチャー、LamによるRainbow反応性イオンエッチャー、Tegal Companyによる反応性イオン装置、及びDrytekによるQuad反応性イオンエッチャーが含まれる。」（第２欄第３１〜４６行）
(1-7)「好ましくは、ほとんどの場合、その不活性ガスはアルゴンである」（第３欄第２１〜２２行）
(1-8)「かかる磁界増強式ＲＩＥ装置は１９８９年６月２７日に発行されかつ本発明の譲受人に譲渡され、かつここにそれについてクロスリファレンスがなされる米国特許第４,８４２,６８３号中に記載されかつ特許請求されている。」（第４欄第１８〜２２行）
(1-9)「本発明をさらに説明するため、それぞれその上に成長した１μm の熱成長酸化物（Tox)層又はその上に付着した１μｍのホウリンケイ酸塩ガラス（ＢＰＳＧ）層を有する２個の直径５″のシリコンウエハであって、各ウエハ上に直径0.８μｍの開口が中に形成されているフォトレジストパターンを有する２個のウエハを本発明の方法でＲＩＥエッチングを行った。」（第４欄第６７行〜第５欄第６行） 
(1-10)「かくして、本発明は、ほぼ垂直な接触角及びシリコンに対する高度の選択性を特徴とし・・・酸素の不在下で不活性ガス／CHF3／CF4混合物を含む改良シリコン酸化物エッチング方法を提供する。」（第５欄第３８〜４５行）
　　
引用例２（特開平１−１２７６８７号公報；特許異議申立人渡辺紀子による特許異議申立の甲第１号証）
(2-1)「１．酸化物層上に形成されたレジスト層をパターニングしてエッチング領域を画定する工程、および前記エッチング領域において少なくとも前記レジスト層の側壁に堆積を行ないながら該酸化物層をエッチングする工程、を具備することを特徴とする酸化物層のテーパーエッチング方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
４．前記堆積およびエッチングは２電極平行平板型エッチャーにて行われ、前記酸化物層が形成された基板の温度を制御して反応種の吸着効率を調節することにより前記堆積およびエッチング速度を調節する特許請求の範囲第１項に記載の酸化物層のテーパーエッチング方法。
５．前記レジスト層により画定されるエッチング領域はテーパーコンタクトホールを形成するためのエッチング領域である特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１項に記載の酸化物層のテーパーエッチング方法。」（特許請求の範囲）
(2-2)「本発明は・・・例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりその側壁に堆積を行ないながら該酸化物層をエッチングすることによりテーパーエッチングを行なう方法に関する。」（第１頁右下欄第１５行〜第２頁左上欄第１行）
(2-3)第７、８図とともに、「最近、半導体集積回路装置はその集積度をますます高めつつあり、パターンルールが１ミクロン程度のものが製造され、さらにサブミクロンルールのものが検討されている。このような高集積度の半導体製造装置の製造上重要な技術の一つとして配線技術があげられ、特に基板と配線材料または配線材同士を繋ぐコンタクトホールの形成は製品の歩留りや信頼性を向上する上で最も重要なプロセス技術の一つである。
　このようなコンタクトホールは、パターンルールが厳しくなるにつれて・・・ドライエッチング技術により作製されるようになってきている。ところが、ドライエッチング技術は、酸化膜などの絶縁層を垂直にエッチングするため、例えば、第７図に示すように、酸化物層１で画定されるコンタクトホールが微細になってくると配線材料であるアルミニウム３のステップカバレッジが悪くなり断線の危険性が生じてくる。さらに、パターンが微細になり、コンタクトホールの縦横の比すなわちアスペクト比が１に近づいてくると、第８図に示すようにアルミニウム３はコンタクトホール中に堆積しなくなる。」（第２頁左上欄第３行〜右上欄第４行）
(2-4)「本発明の目的は、前述の従来例の方法における問題点に鑑み、極めて微細な例えばサブミクロンオーダーまでのパターンサイズにも適用可能な酸化物層のテーパーエッチング方法を提供することにある。」（第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第１行）
(2-5)「具体的実施例−２」において、「エッチング装置は第５図に示す平行平板型エッチャーを使用した。・・・アノード電極55とカソード電極51の間隔は１．０cmである。」（第５頁右下欄第４〜１２行）、及び、「エッチング−１」において、「ＣＨＦ３ガスを３５sccm、ＣＦ４ガスを４５sccm、Ａｒガスを５００sccm流し、チェンバ内圧力を２．４Torr、下部電極51を３０℃に制御し」たこと（第５頁右下欄第４〜１９行）。
(2-6)「反応系がデポジションの系に近いことからレジストの膜べりも少なく、基板シリコンとの選択比も高くすることができる。このため、高精度かつ安定にテーパーエッチングを行なうことが可能となる。また、テーパー角を制御することも極めて容易であり、所望形状のコンタクトホールその他を極めて的確に開口することが可能となる。」（第６頁右上欄第１〜７行）
　　
引用例３（「半導体・集積回路技術　第２２回シンポジウム講演論文集」電気化学協会電子材料委員会（昭和５７年５月３１日）第４２〜４７頁；同上、甲第２号証）
(3-1)「半導体集積回路のパターンの微細化にともなって、ドライエッチングもより高精度な方法が望まれている。それにともない、等方性エッチングからサイドエッチングの少ない異方性エッチングへと移行する傾向にある。」（第４３頁「１．目的」の欄）
(3-2)「本実験に用いた装置はphoto.１に示した枚葉式自動プラズマエッチング装置・・・を用いた。」（第４３頁「２．方法」の欄）
(3-3)Fig.２と共に、「Fig.2は電極間隔をかえた場合のＳｉＯ２のエッチング速度を示している。・・・・プラズマエッチングの圧力領域（０.３〜１.０Torr）にて、電極間隔を極めて小さくする事によって、エッチングが進行する領域がある事がわかった。この時の酸化膜（ＳiＯ２）のエッチング型状はサイドエッチングのない、異方性エッチングである（Photo.２参照）。エッチングされる領域は５〜１０ｍｍの間隔と、極めて狭い領域であり」（第４４頁「３．結果」の欄）
(3-4)「ＣＨＦ３に比べてＣ２Ｆ６＋Ａr混合ガスにてエッチングした場合には、Ｓi表面に生じる残渣物、処理室内の汚れが少ない。」（第４６頁左欄）
(3-5)「Ｃ２Ｆ６（２５％）＋Ａｒ（７５％）＝４８sccm」でエッチングを行った例が示されている。（第４６頁中程　Table１）
　　
引用例４（特公昭６３−３７１９３号公報；同上、甲第３号証）
(4-1)「１　反応室内に平板状のグランド電極と平板状の対向電極とを平行に配設した平行平板型プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法において、上記グランド電極上に被エッチング物を載置するとともに上記両電極間の距離を３ｍｍ〜１０ｍｍとして放電を行なうようにしたことを特徴とするプラズマエッチング方法。」（特許請求の範囲第１項）
(4-2)「本発明は、平行平板型プラズマエッチング装置を用いたプラズマエッチング方法のうち、特にそのエッチングが異方性となるものに関する。
　ＬＳＩ或いは超ＬＳＩなどの大集積回路を製造するにあたって、半導体膜、絶縁膜、又は金属膜を微細なパターンに忠実にエッチングする必要があり、そのため現在ではＬＳＩ等の製造にはプラズマエッチング方法、即ち放電を利用してガスを活性化し、このガスによりエッチングする方法が採用されている。」（第１欄第１３〜２５行）
(4-3)「斯る目的を達成すべく本発明は、平行平板型のプラズマエッチング装置を用いたエッチング方法において、従来の如くエッチングの均一性を考慮して電極間の距離を３０mm〜１００mmとせず、あえて電極間の距離を３mm〜１０mmとして放電を行なうようにしたことを要旨とし」（第３欄第２５〜３０行）
(4-4)第７、９図とともに「第７図は、6000Å厚のＳｉＯ２膜を形成した４インチシリコンウエハー上にＣ２Ｆ２を流し、反応室内の圧力を０．６Torrとし、３００Ｗの出力で電極間で放電せしめた場合のエッチング速度と、電極間の距離との関係について示したものであり、・・・第９図は電極間を７ｍｍとした場合の、エッチング速度と反応室内の圧力との関係を示したものである。
　これらの図から明らかなように電極間隔を３mm・・１０mmとした場合にはエッチング速度は2000〜3200Å／mmにも達し、従来方法に比べ倍以上の速度であることが分かる。」（第４欄第５〜１７行）。
　そして、上記第７図を見ると、電極間隔が約６〜８ｍｍの間にかけてエッチング速度が最大となる山形のピークを有することが示され、また、第９図においては、電極間隔が７ｍｍである場合につき、０．４〜０．９Torr（即ち、４００〜９００mTorr）の圧力範囲でエッチング速度が最大となる山形のピークを有することが示されている。（第５、６頁）
(4-5)第１０図とともに、「第１０図は、３５００Å厚のPolySi膜を形成した４インチシリコンウエハーを、０．６TorrのＣＦ４を処理ガスとし、出力２００Ｗでエッチングを行なった場合の電極間の距離とエッチング速度との関係を示したものであり、図から明らかなように、電極間距離を３ｍｍ以下とした場合には全くエッチングがなされず、また電極間距離を１０ｍｍ以上とした場合には急激にエッチング速度が低下することが分る。そして電極間距離を３mm〜１０mmとして行った場合には、リアクティブイオンエッチングの如き異方性エッチングがなされており、電極間距離を１０mm以上とした場合には等方性エッチングの割合が増加することが判明した。」（第４欄第２７〜４０行）
(4-6)「各種被エッチング物を夫々に応じた処理ガスでエッチングを行なった結果、上記と同様に電極間隔を３ｍｍ〜１０ｍｍとした場合にはピーク効果が現われた。これは電極を近づけることにより電界の効果が高くなり方向性が強くなるため、エッチング速度が速くなるとともにイオン的反応によってエッチングがなされるからと解される。」（第５欄第７〜１４行）
　　
引用例５（特開平１−１８９１２５号公報；同上、甲第４号証）
(5-1)「電極間に電圧を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマ雰囲気に被処理体を設けてエッチングするに際し、上記電極の間隔を０．７ｃｍ以上１．５ｃｍ以下としたことを特徴とするエッチング方法。」（特許請求の範囲）
(5-2)「近年、半導体素子の複雑な製造工程の簡略化、工程の自動化を可能とし、しかも微細なパターンを高精度で形成することが可能な各種薄膜のエッチング方法として、ガスプラズマ中の反応成分を利用したプラズマエッチング方法が注目されている。」（第１頁左下欄第１４〜１９行）
(5-3)「本発明のエッチング方法では、電極の間隔を０．７cm以上１．５cm以下とすることにより、電極間隔の変化に対するエッチング速度の変化の依存性を小さくしたので、電極全面における電極間隔の高精度な位置調整を不要とし、所望のエッチング速度と均一性を被処理体全面で実現でき、しかも、エッチング処理の再現性を容易に実現できる。」（第２頁左上欄第１８行〜右上欄第４行）
(5-4)「真空容器(1)は・・・真空ポンプで所望の真空状態例えば数１０mTorr〜数１０Torr程度とすることが可能となっている。」（第２頁左下欄第１９行〜右下欄第２行）
(5-5)「電極間隔０.６cm付近では電極間隔が狭すぎて半導体基板(12)のエッチング処理面上の反応ガスが排出されず、エッチング速度が急激に低下し、また、電極間隔１.６cm付近では電極間隔が広すぎてプラズマ化した反応ガスの拡散が顕著となりエッチング速度が急激に低下する。」（第３頁右下欄第９〜１４行）
　　
引用例６（特開昭６２−２６８２１号公報；同上、甲第５号証）
(6-1)「(1)部分的に包囲された中空陰極小室を有し、・・・である電極構造体と、上記電極構造体にＲＦ電圧を供給するするための手段と、上記中空陰極小室の領域にイオン化可能なガスを供給するための手段と、上記中空陰極小室の領域に発生する中空陰極グローと近接して被処理物体を支持するための手段と、を有するＲＦスパッタ／エッチング装置。」（特許請求の範囲(1)）
(6-2)「電極は２枚の金属ディスク・・・より成り、その間隔は数ｃｍ（１乃至３ｃｍ）である。」（第４頁左上欄第１３〜１５行）
(6-3)「動作圧力を０．１乃至４００ミリトルの範囲にする」（第４頁右上欄第１５〜１６行）
(6-4)「本発明は・・・・通常ＲＦ反応性イオン・エッチング・スパッタもしくはエッチング過程を使用していた多層半導体構造体を形成する半導体の製造分野で広く応用できる。」（第８頁左下欄第１８行〜右下欄第３行）
(6-5)「高電流密度のために、本発明の原理を使用して高い処理率が可能となり、製造のスループットが高くなる。」（第８頁右下欄第４〜６行）
　　
引用例７（特開昭６２−２０４５２９号公報；同上、甲第６号証）
(7-1)「(1)被エッチング基体が載置される第１の電極及びこの電極に対向配置される第２の電極を備えた容器と、この容器内に反応性ガスを供給する手段と、・・・前記第１の電極又は前記第１及び第２の電極に高周波電力を印加する手段と、前記第２の電極の前記第１の電極に対向する側と反対側に配置され前記各電極間に磁界を印加する磁界印加手段とを具備したドライエッチング装置を用い、表面にエッチングマスクが選択的に形成された被エッチング基体をエッチングするに際し、前記容器内のガス圧を２×１０-4〜８×１０-3［torr］に設定したことを特徴とするドライエッチング方法。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
(4)前記第１及び第２の電極間の距離を、１０〜１００［ｍｍ］に設定したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のドライエッチング方法。」（特許請求の範囲第１、４項）
(7-2)「近年、高集積デバイス製造のための微細加工には、主として反応性イオンエッチング技術が使用されている。」（第２頁左上欄第１５〜１７行）
(7-3)「本発明によれば・・・・アスペクト比の大きな溝を垂直且つ高速でエッチングすることができる。このため、今後の半導体製造技術における有用性は絶大である。」（第６頁右下欄第７〜１５行）
　　
引用例８（米国特許第４,８４２,６８３号明細書；坂本典子による特許異議申立の「参考資料１」）
(8-1)Ｆｉｇ.６〜１０と共に、「ウエハ交換装置74は縦型可動ウエハリフトフィンガー79からなり、このフィンガー79はチャンバーへ挿入される外部手動あるいは駆動ブレード76、好ましくは外部ロードロックロボットブレード76から一枚のウエハ75をピックアップし、処理のためにチャンバ内の電極72へウエハ75を移送し、そして、チャンバから処理したウエハ75をロボットブレード76へ戻す」（第７欄第１４〜２１行）
　　
(II-3)対比、判断
　訂正発明と引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１には、シリコン半導体上の二酸化シリコンの選択的エッチング方法に関するものであることが記載され（摘記1-2）、併せて、ウエハの温度が約１５〜約２５℃の範囲内に保たれること（摘記1-1）、処理ガスとして、不活性ガスであるアルゴンとフルオロカーボンの水素置換体であるCHF3、又は更にCF4の混合ガスを用いること（摘記1-1、1-4、1-5、1-7）、 ＲＩＥ室がエッチング中に約１０〜約１２０mTorrの範囲内の圧力に保たれること（摘記1-1）、及び、シリコン酸化物層中に開口をエッチングするためのＲＩＥ方法であること（摘記1-1）が記載されており、さらに、不活性ガス（Ａｒ）とCHF3の比を約２：１〜約５：１の範囲内に保ちながら該室中へ流入させること（摘記1-1）が記載され、これを換算すると、不活性ガス（Ａｒ）の分圧は約６７〜約８３％に相当する。
　してみれば、訂正発明は、引用例１に記載された発明と、「半導体基板の一主面に層間絶縁膜を堆積する工程と、ドライエッチング装置に用いて、前記半導体基板の温度を６０℃以下に保ち、エッチングガスとしてフルオロカーボンおよびフルオロカーボンの水素置換体のうち１つ以上とＡｒとを混合したガス系を用い、Ａｒの分圧を９０％より小さく、エッチング圧力は６００ｍＴｏｒｒより小さく設定して前記層間絶縁膜をエッチングすることにより、コンタクトホールを形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法」の点で一致し、
　そして、（イ）ドライエッチング装置の被処理物の供給機構ついて、訂正発明では枚葉型のものであるのに対して、引用例１には当該供給機構についての明記がなされていない点、（ロ）ドライエッチング装置の電極間隔について、訂正発明では「１５ｍｍ以下とするナローギャップ方式」としているのに対して、引用例１には電極間隔についての記載がない点、及び、（ハ）形成するコンタクトホールの大きさについて、訂正発明では「０．６マイクロメートル以下の微細コンタクトホール」としているのに対して、引用例１にはその記載がない点、において訂正発明は引用例１に記載された発明と相違している。
　　
　そこで、これら相違点（イ）〜（ハ）について、以下検討する。
相違点（イ）について
　引用例１には、具体的実施例において用いたエッチング装置が、米国特許を引用して説明されており（摘記1-8）、そしてその米国特許（引用例８）の明細書及び図面（摘記8-1）を見ると、そのエッチング装置が枚葉型のエッチング装置であることが認められる。引用例１の当該記載箇所は磁界増強式の場合につき具体例を挙げて説明したものであるが、引用例１に記載された発明は、「任意の市販の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置又は磁気増強式反応性イオンエッチング（ＭＥＲＩＥ）装置を含むことができる。本明細書中では、かかる装置を、磁気増強式又は非増強式のいずれかのＲＩＥ装置と一般的に呼ぶことにする。」（摘記1-6）と記載のとおり、磁気増強式及び非増強式のいずれの場合をも対象としたものであって、磁気増強式のものに限定されるとは解されないこと、及び、引用例１の記載を見ても、当エッチング技術分野で周知の枚葉型のエッチング装置（他に例えば、引用例３第４３頁を参照。）を、磁気非増強式の場合には用いないと解すべき特段の理由も見当たらない。
　なお、この点に関して、特許権者は、平成１３年７月１１日付けの「意見書」において、「引用例１の発明は磁場励起型のエッチング装置に関するものであり・・・本件発明の「ナローギャップ方式」のドライエッチング装置とは異なるもの」である旨、及び、「本件発明と磁場励起型のエッチング装置である引用例１の発明とはそもそも比較することができないもの」である旨主張している（「（Ｂ）引用例１」の欄）。しかし、上記のとおり、引用例１には磁場励起型の他、磁場非励起型のエッチング装置についても記載されており、なおかつ、訂正発明におけるエッチング装置も、特段、非磁場励起型のものに限定されているとも認められないので、特許権者の上記主張は採用できない。
　以上のとおりであるから、引用例１には、磁気増強式の場合の他、磁気非増強式における枚葉型のエッチング装置が用いられることが実質的に記載されていると認めることができ、あるいは、引用例１に記載された磁気非増強式の場合において、枚葉型のエッチング装置を用いることは、当業者が容易になし得ることと認められる。（なお、「１５ｍｍ以下」の電極間隔が磁気非増強式エッチング装置に特有なものでないことは、エッチング方法において磁界印加手段を具備すると共に、電極間距離を１０〜１００ｍｍとした引用例７の記載（摘記7-1）からみても明らかである。）
　　
相違点（ロ）について
　引用例３には、半導体集積回路のエッチングにおいて（摘記3-1）、枚葉式エッチング装置を用いてエッチングを行なうに際し、電極間隔を極めて小さくすることによって、サイドエッチングのない異方性エッチングが得られることが記載されており（摘記3-2、3-3）、具体的にはその時の電極間隔が、訂正発明と重複する５〜１０ｍｍであることが記載されている。（摘記3-3）。同様に、引用例２には、半導体集積回路酸化物層のエッチング方法において、平行平板型エッチャーを用い（摘記2-1、2-3、2-5）、その電極間隔を１．０cmとしたことが記載されており（摘記2-5）、引用例４には、大集積回路の平行平板型プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法において（摘記4-1、4-2）、電極間の距離を３ｍｍ〜１０ｍｍとしたプラズマエッチング方法が記載され（摘記4-1、4-3）、併せて、当該電極間隔とすることにより、高速の異方性エッチングが行われることが記載されており（摘記4-2、4-4〜4-6）、引用例５には、半導体素子のプラズマ雰囲気でのエッチングにおいて（摘記5-1、5-2）、電極間隔を「０．７ｃｍ以上１．５ｃｍ以下」としたエッチング方法が記載され（摘記5-1）、併せて、当該電極間隔とすることにより、エッチング速度と均一性を被処理体全面で実現でき、エッチング処理の再現性を容易に実現できること（摘記5-3）、及び、反応ガスの排出及びエッチング速度の面から有利であること（摘記5-5）が記載されており、引用例６には、多層半導体構造体の形成に用いるＲＦスパッタ／エッチング装置において（摘記6-1、6-4）、電極間隔を「１乃至３ｃｍ」（摘記6-2）とすることが記載され、また、引用例７には、高集積デバイス等の半導体製造における磁界印加手段を具備したドライエッチング装置において（摘記7-1〜7-3）、電極間の距離を１０〜１００mm（摘記7-1）に設定したドライエッチング方法が記載されている。これら引用例２〜７はいずれも半導体製造におけるエッチング装置において、電極間隔を訂正発明における電極間隔（即ち「１５mm以下」）と重複・一致する間隔としたものであり、また、その構成を具備することにより、微細パターンのエッチング、異方性エッチング、高アスペクト比、又は、エッチング高速化、均一化（摘記2-3、2-4、2-6、3-3、4-2〜4-6、5-3、5-5、6-5、7-3）を図るものである。
　なお、電極間隔について開示したこれら引用例２〜７においては、上記のとおりの電極間隔についての他、併せて、引用例２には、「ＣＨＦ３ガスを３５sccm、ＣＦ４ガスを４５sccm、Ａｒガスを５００sccm」（即ち、Ａｒ８６％）を流してエッチングを行ったこと（摘記2-5）、引用例３には圧力領域が０．３〜１．０Torr（摘記3-3）であり、Ａｒの混合比が７５％（摘記3-5）であること、引用例４には、０．４〜０．９Torr（即ち４００〜９００mTorr）の圧力範囲でエッチング速度が最大となる山形のピークを有したこと（摘記4-4）、引用例５には、「数１０mTorr〜数１０Torr程度」の真空状態が可能な真空容器を用いたこと（摘記5-4）、引用例６には、動作圧力が「０．１乃至４００ミリトルの範囲」であったこと（摘記6-3）、及び、引用例７には、容器内のガス圧力を「２×１０-4〜８×１０-3［torr］」に設定したこと（摘記7-1）が記載されているとおり、これら引用例２〜７には、上記電極間隔の他、訂正発明と重複する圧力ないしＡｒ分圧についても記載されており、したがって、訂正発明における電極間隔と圧力ないしＡｒ分圧との組合せについても、本件出願前から既に知られていた事項であると認められる。しかも、上記したとおり、訂正発明における圧力及びＡｒ分圧は、引用例１に記載された圧力及びＡｒ分圧と重複・一致している。
　してみれば、引用例１に記載された半導体装置のエッチング方法において、エッチングに用いるエッチング装置の電極の間隔について検討し、もって上記相違点（ロ）のとおり「１５mm以下とするナローギャップ方式」とすることに格別の困難性があったということはできない。
　なお、特許権者は、平成１３年７月１１日付けの「意見書」において、引用例１の発明は磁場励起型のエッチング装置に関するものであり・・・本件発明の「ナローギャップ方式」のドライエッチング装置とは異なるものである旨、及び、本件発明と磁場励起型のエッチング装置である引用例１の発明とはそもそも比較することができないものである旨主張しているが（上記「意見書」の「（Ｂ）引用例１」の欄）、上記「相違点（イ）について」の欄でこの点について記載したとおり、特許権者の上記主張は採用できない。
　　
相違点（ハ）について
(ハ-2)　一方、エッチングの開口の形状及びサイズに関して引用例１の記載をみると、引用例１には、ほぼ垂直な側壁を有する開口を異方的にエッチングする方法であることが記載され（摘記1-2〜1-5）、そして、その具体例においては、直径０．８μｍの開口を形成したフォトレジストパターンを有するウエハのエッチングを行ったことが記載されている（摘記1-9）。ただ、この記載箇所には、さらに小さい開口サイズについての具体的記載は見当たらない。
(ハ-3)　しかし、上記「相違点（ロ）について」の欄にも記載したとおり、引用例３には、半導体集積回路のエッチングにおいて（摘記3-1）、電極間隔を極めて小さく、具体的には訂正発明と重複する５〜１０ｍｍすることによって、サイドエッチングのない異方性エッチングが得られることが記載されており（摘記3-3）、同様に、引用例４には、平行平板型プラズマエッチング装置を用いたエッチング方法において（摘記4-1、4-2）、電極間の距離を３ｍｍ〜１０ｍｍ（摘記4-1、4-3）とすることにより異方性エッチングが行われることが記載されていて（摘記4-2、4-4〜4-6）、半導体製造におけるエッチング装置の電極間隔につき、訂正発明における間隔（「１５mm以下」）と重複・一致した電極間隔において、異方性エッチング、特に、サイドエッチングのない異方性エッチングを得ることができることが開示されている。
(ハ-4)　してみれば、引用例１に記載されたエッチング方法において、エッチング装置の電極間の間隔につき検討し、「１５mm以下とするナローギャップ方式」とすることにより、エッチングの異方性が向上し、その結果、引用例１に具体例に具体的に示された「０．８μｍ」よりも小さい開口サイズのエッチングに適用できることは、当業者が容易に想到できたことと認められる。なおかつ、その際、コンタクトホールの具体的サイズにつき、「０．６μｍ以下」と特定することについては、上記（ハ-1）欄に記載したとおり、そのサイズ自体、本件出願前から既に知られていたサブミクロンサイズに含まれるものであり、しかも、上記のとおり、引用例１に記載の発明において、これと同オーダーの「０．８μｍ」の開口サイズが得られていたこと、及び、引用例１には、それよりも小さい開口サイズの形成には適用できないとすべき特段の記載が見当たらないことからすると、上記訂正発明のとおり「０．６μｍ以下」と特定することについては、当業者が容易に想到し得ないことであったと言うことはできない。
　　
　以上のとおりであるから、上記相違点（イ）〜（ハ）の各点については、当業者が容易に想到できたもの、あるいは実質的に引用例に記載されていた事項であると認められ、なおかつ、そうしたことによる効果についても、各引用例の記載からみて、当業者が予期し得なかったほど格別に顕著であると認めることはできない。したがって、訂正発明は、引用例１〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と認められる。よって、訂正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものということはできない。
　以上のとおりであるから、本件訂正は、平成１１年改正前の特許法第１２０条の４第３項で準用する、平成６年改正前の同法第１２６条第３項の規定に違反するので、これを認めることはできない。
　　
III．本件発明
　上記のとおり訂正は認められず、そして、その訂正前の請求項１に係る発明は、特許権設定登録時の明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものである。
「【請求項１】半導体基板の一主面に層間絶縁膜を堆積する工程と、電極間隔を１５ｍｍ以下とするナローギャップ方式の枚葉型ドライエッチング装置を用いて前記半導体基板の温度を６０℃以下に保ち、エッチングガスとしてフルオロカーボンおよびフルオロカーボンの水素置換体のうち１つ以上とＡｒとを混合したガス系を用い、Ａｒの分圧を９０％以下、エッチング圧力は６００ｍＴｏｒｒ以下に設定して前記層間絶縁膜をエッチングする工程とを含む半導体装置の製造方法。」
　　
IV．取消理由について
(IV-1)取消理由
　先に通知した取消理由のうち、特許法第２９条第２項の規定に係る理由の概要は、以下のとおりのものである。
「Ｉ）本件特許の特許請求の範囲第１項に記載された発明は、その出願前日本国内において頒布された刊行物である下記引用例１〜８に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　　　　　　　          　　           記
引用例１．米国特許第５０２１１２１号明細書
引用例２．特開平１−１２７６８７号公報
引用例３．「半導体・集積回路技術　第２２回シンポジウム講演論文集」電気化学協会電子材料委員会（昭和５７年５月３１日）第４２〜４７頁
引用例４．特公昭６３−３７１９３号公報
引用例５．特開平１−１８９１２５号公報
引用例６．特開昭６２−２６８２１号公報
引用例７．特開昭６２−２０４５２９号公報
引用例８．米国特許第４８４２６８３号明細書」
　　
（IV-2)引用例の記載事実
　上記引用例１〜８は、上記の訂正拒絶理由通知で引用した引用例１〜８に夫々対応した同じ刊行物であり、そしてそれら引用例１〜８には、上記「II．訂正の適否について」の「(II-2)証拠の記載事実」の欄に摘記した事項が記載されている。
　　
(IV-3)対比・判断
　特許権設定登録時の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）と訂正発明との関係についてみると、訂正発明は、本件発明における、「Ａｒの分圧を９０％以下」を「Ａｒの分圧を９０％より小さく」に、「エッチング圧力は６００mTorr以下」を「エッチング圧力は６００mTorrより小さく」に、及び、「層間絶縁膜をエッチングする工程とを含む」を「層間絶縁膜をエッチングすることにより、０．６マイクロメートル以下の微細コンタクトホールを形成する工程とを含むことを特徴とする」に訂正しようとしたものであり、技術内容的には、訂正前の本件発明につき、Ａｒの分圧、エッチング圧力、及びエッチングによる形成物の点で、その特許請求の範囲を減縮するものである。
　そして、上記「II．訂正の適否について」の欄に記載したとおり、本件発明を技術内容的に減縮した訂正発明が、引用例１〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と認められるので、その訂正発明よりもさらに拡張された技術内容を含む本件発明は、訂正発明と同じく、引用例１〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と認められる。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、引用例１〜８に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明であって、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許を受けたものであるから、本件発明に係る特許は、拒絶をすべき旨の査定をしなければならない特許出願についてなされたものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月６日（２００２．２．６）