【事件の表示】
　特許第３１９５３０２号「炭素系被膜を有する基材の作製方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１９５３０２号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１９５３０２号の請求項１〜４に係る発明についての出願は、平成１年２月１６日に特許出願した特願平１−３６８９６号の一部を平成１１年２月１日に新たな特許出願とし、平成１３年６月１日にその特許権の設定登録がなされ、その後、平成１４年２月６日に特許異議申立人西田穣（以下、「申立人」という）より特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．本件発明
　本件の請求項１〜４に係る発明（以下、「本件発明１」〜「本件発明４」という。）は、特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される次の通りのものである。
「【請求項１】　不活性気体を用いて、下地基材の表面をクリーニングし、前記表面上に接して第一の被膜を形成し、前記第一の被膜の上に、プラズマＣＶＤ法により、反応温度１５０〜３５０℃で炭素又は炭素を主成分とする膜を形成することを有し、前記第一の被膜の内部応力は、前記炭素又は炭素を主成分とする膜の内部応力よりも小さいことを特徴とする炭素系被膜を有する基材の作製方法。
【請求項２】　請求項１において、前記下地基材に負のセルフバイアス電圧をかけて、前記炭素又は炭素を主成分とする被膜を形成することを特徴とする炭素系被膜を有する基材の作製方法。
【請求項３】　請求項１又は２において、前記第一の被膜は窒化珪素被膜であることを特徴とする炭素系被膜を有する基材の作製方法。
【請求項４】　請求項１乃至請求項３のいずれか1項に記載の下地基材において、クリーニングする前は酸化物表面を有することを特徴とする炭素系被膜を有する基材の作製方法。」
　
３．特許異議申立ての理由の概要
　申立人は、下記の甲第１〜３号証を提出して、本件発明１、２、４は甲第１、２号証に記載された発明に基づき容易に発明することができ、また本件発明３は甲第１〜３号証に記載された発明に基づき容易に発明することができたものであるから、本件発明１〜４に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、取り消されるべきものであると主張している。
　甲第１号証：特開昭６２−１５７６０２号公報
　甲第２号証：特開昭６０−７０１７８号公報
　甲第３号証：特開昭５６−４１３７２号公報
　
４．甲各号証刊行物について
　申立人が提示した甲各号証には、以下のような事項が記載されている。
（１）甲第１号証
（１−ａ）「１　プラズマまたはイオンを用いた製膜方法により金属基板上に堆積させたIVＡ族元素を０．０１〜２０ａｔｍ％含む硬質カーボン膜。………
８　硬質カーボン膜が１０〜５０００Åの厚さで、さらにその上にIVＡ族元素を実質的に含まないカーボン膜が形成される膜である特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、第５項、第６項または第７項記載の硬質カーボン膜。
９　硬質カーボン膜がダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素からなる………硬質カーボン膜。」（特許請求の範囲第１〜９項）、
（１−ｂ）「プラズマＣＶＤなどの方法により、ダイヤモンド、ダイヤモンド状炭素、ｉ−カーボンなどからなる高硬度のカーボン膜が合成され………ダイヤモンド状炭素とは、ダイヤモンドとアモルファスカーボン、ダイヤモンドとグラファイトあるいはダイヤモンドとグラファイトとアモルファスカーボンとが混合している膜のことである。」（第２頁左上欄第１３行〜第２頁右上欄第２行）
（１−ｃ）「このようにして製造される高硬度のカーボン膜は、内部応力が大きく、基板に対する選択性がある」（第２頁右上欄第９〜１１行）、
（１−ｄ）「ＳＵＳ、Ａｌ、Ａｌ合金……の基板に対しては内部応力が大きく、付着力が小さく、剥離が起こったりして寿命が短くなるなどの問題がある」（第２頁右上欄第１４〜１７行）、
（１−ｅ）「本発明は、この剥離の問題を解決し、付着力を大きくし、内部応力を減少させること、さらに硬質カーボン膜の堆積速度を増加させることを目的としてなされたものである。」（第２頁左下欄第３〜６行）、
（１−ｆ）「前記IVＡ族元素としては、シリコン………これらは膜中に２種以上含有されていてもよい。これらはいずれも膜の内部応力を緩和し、金属に対する付着性をよくするなどの働きをする。」（第３頁左上欄第２〜６行）、
（１−ｇ）「本発明の硬質カーボン膜の前記IVＡ族元素以外の成分としては、従来の高硬度のカーボン膜を形成する成分である炭素、水素、膜表面にある酸素などがあげられ………程度である。」（第３頁右上欄第１４〜２０行）、
（１−ｈ）「また本発明の硬質カーボン膜をＳＵＳのごとき金属基板状に……厚さで形成し、そらにその上にIVＡ族元素を実質的に含まないカーボン膜を形成して中間層として用いてもよい。このばあいには付着力の大きい中間層の働きで、金属基板および実質的にIVＡ族元素を含まないカーボン膜を付着性よく形成できるという効果がえられる。」（第３頁右下欄第９〜１６行）、
（１−ｉ）「製膜を通常のプラズマＣＶＤ法で行なってもよいが、基板をカソードに設置し、基板にさらに−３００Ｖ〜−１ＫＶの電圧を印加した………硬度も電気抵抗率も大きくなり好ましい。」（第４頁右上欄第１８行〜同頁左下欄第３行）
（１−ｊ）「本発明の硬質カーボン膜の製膜条件としては、たとえばＣＨ４　１〜５０ＳＣＣＭ、ＳｉＨ４　０．０１〜１ＳＣＣＭ、……基板温度　室温〜４００℃、印加電圧−２００Ｖ〜−１ＫＶ、……ＤＣプラズマＣＶＤのごとき条件や、ＣＨ４　１〜５０ＳＣＣＭ、ＧｅＨ４　０．０１〜１ＳＣＣＭ、……基板温度　室温〜５００℃、印加電圧−３００Ｖ〜−２ＫＶ、電流　０．１４〜６ｍＡ／ｃｍ２のＤＣプラズマＣＶＤ法のごとき条件が例示されうる。」（第４頁左下欄第１５行〜同頁右下欄第４行）
（１−ｋ）「作製した膜中のシリコン含量は第１表のとおりであった。えられた膜について膜中のシリコン含量とビッカース硬度、付着力、内部応力のそれぞれとの関係を測定した結果をそれぞれ第４図〜第６図に示す。」（第６頁第右下欄最終行〜第７頁左上欄第５行、第４図〜第６図）
　
（２）甲第２号証
（２−ａ）「第１図に上記硬質カーボン膜を形成する方法の一例としてプラズマＣＶＤ法による場合の装置例の概略を示す。図において、………　次に、基板３に高圧電源４により負の高電圧（−１〜−３ｋＶ）を印加してＡｒ＋イオンによるスパッタクリーニングを１０〜３０分間行ない、基盤クリーニングを終了する。」（第２頁左上欄第３行〜同頁右上欄第３行）
　
（３）甲第３号証
（３−ａ）「周期律表の４ａ、５ａ、および６ａ族の金属、Ｓｉ、およびＡｌの炭化物、窒化物、酸化物、および硼化物、並びにこれら２種以上の固溶体からなる群のうちの１種の単層または２種以上の多重層からなる被覆層を有する表面被覆超硬質合金部材の表面に、耐摩耗性にすぐれた透明ないし半透明の蒸着炭素からなる層厚０．１〜５μｍの被覆層を形成したことを特徴とする切削工具用表面被覆超硬質合金部材。」（特許請求の範囲）
（３−ｂ）「従来、例えばＷＣ基超硬合金部材、ＴｉＣ基焼結合金部材、およびＴｉＮ基焼結合金部材など（以下これらを総称して超硬質合金部材という）の表面に、通常の化学蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、プラズマ化学蒸着法などにより、周期律表の４ａ、５ａ、および６ａ族の金属、Ｓｉ、およびＡｌの炭化物、窒化物、酸化物、および硼化物、並びにこれら２種以上の固溶体からなる群のうちの１種の単層または２種以上の多重層からなる層厚０．５〜２０μｍの被覆層を形成した表面被覆超硬質合金部材が鋼材、および鋳鉄などの重切削に切削工具として使用されていることはよく知られているところである。」（第１頁右下欄第３〜１５行）
　
５．当審の判断
（１）本件発明１について
　甲第１号証の「金属基板」（摘示記載（１−ａ））、「IVＡ族元素を０．０１〜２０ａｔｍ％含む硬質カーボン膜」（摘示記載（１−ａ））、および「IVＡ族元素を実質的に含まない硬質カーボン膜（摘示記載（１−ａ）、（１−ｈ））」は、それぞれ本件発明１の「下地基材」、「第一の被膜」、「炭素又は炭素を主成分とする膜」に相当するものと認められる。
　したがって、本件発明１と甲第１号証の発明は、下地基材表面上に接して第一の被膜を形成し、前記第一の被膜上にプラズマＣＶＤ法により炭素又は炭素を主成分とする膜を形成してなる炭素系被膜を有する基材の作製方法である点で一致し、以下の点で相違する。
相違点ａ．本件発明１は、下地基材の表面を不活性気体を用いてクリーニングしているが、甲第１号証には該クリーニングを行うことについては記載されていない点。
相違点ｂ．本件発明１は、プラズマＣＶＤ法による反応温度を１５０〜３５０℃と特定しているが、甲第１号証の発明ではそのような特定をしていない点。
相違点ｃ．本件発明１では、第一の被膜の内部応力は、炭素又は炭素を主成分とする膜の内部応力よりも小さいと特定しているが、甲第１号証の発明ではそのような特定をしていない点。
　上記相違点について検討する。
（相違点ａについて）
　甲第２号証には、硬質カーボン膜を下地基材上に蒸着させるプラズマＣＶＤ法の前処理として、不活性ガスを用いて下地基材の表面クリーニングを行うことが記載（摘示記載（２−ａ））されており、このようなことは、本件特許明細書に記載されているように「下地基材によっては、プラズマクリーニングが必要である」（段落【００１０】）程度のものであり、当業者であれば必要に応じて適宜なしうる設計的事項と認められる。
　したがって、相違点ａ．は当業者が容易になしうるものと認める。
（相違点ｂについて）
　甲第１号証には、基板温度として「室温〜４００℃」あるいは「室温〜５００℃」という広範囲の温度が記載（摘示記載（１−ｊ））されているのみであり、反応温度を１５０〜３５０℃と特定することについては記載も示唆もない。
　これに対して、本件特許明細書の記載、「本実施例において、製膜条件は、窒化珪素被膜では、反応温度１５０℃〜３５０℃、反応圧力０．０１〜０．５ｔｏｒｒ、高周波電力密度０．１〜０．３ｗ／ｃｍ２セルフバイアス電圧−１５０〜−２５０Ｖであり、原料気体であるＳｉＨ４、Ｎ２はＳｉＨ４／Ｎ２比を０．０５〜０．５の範囲で可変し、化学量論的組成比を制御し膜中水素含有量も同様に膜応力との兼ね合いにおいてコントロールすることができた。」（段落【００１３】）から明らかなように、製膜条件には、反応温度以外に多くの因子が関与するものであり、他の因子との関係で反応温度が設定されることからすると、温度範囲が重複するからといって、直ちに１５０〜３５０℃と導き出せるものではない。
　また、甲第２号証は、摘示記載（２−ａ）によれば、相違点ｂ．について記載も示唆もしていない。
　したがって、相違点ｂは、当業者が容易に想到しうるものということはできない。
（相違点ｃについて）
　甲第１号証における第一の被膜は、IVＡ族元素を含ませることで、付着力を大きくし、内部応力を減少させている旨の記載（摘示記載（１−ｃ）〜（１−ｆ））があるが、これは、下地基材上に接する膜同士の内部応力を比較した結果（摘示記載（１−ｋ））に基づくものであって、本件発明１のように下地基材上に接する第一の被膜の内部応力と、この第一の被膜上に密着した被膜の内部応力とを比較しての記載ではない。
　また、摘示記載（１−ｈ）から、中間層（＝第一の被膜）の奏する効果は、付着力が大きいことに起因する旨記載されているが、第一の被膜とこの被膜上に密着した炭素または炭素を主成分とする被膜との内部応力の関係については記載されていない。
　さらに、摘示記載（１−ｋ）、特に第５、６図の記載から明らかなように、第一の被膜はIVＡ族元素の含量の増大に伴って特定の含量までは内部応力の減少と付着力の増大は同時に進行するが、特定の含量を境にして内部応力が増大しているにも拘わらず付着力が増大する範囲が存在し、付着力増大と内部応力の減少が常に同時に達成されないことから、甲第１号証の発明においては、第一の被膜の内部応力が炭素または炭素を主成分とする被膜よりも小さくなるとも言えない。
　したがって、甲第１号証には、第一の被膜の内部応力を第一の被膜に密着した炭素または炭素を主成分とする被膜の内部応力よりも小さくするという技術思想は記載されていないと認められる。
　また、甲第２号証は、摘示記載（２−ａ）によれば、相違点ｃ．について記載も示唆もしていない。
　よって、相違点ｃは、当業者が容易に想到し得るものということはできない。
　そして、本件発明１は、上記相違点ｂ．、ｃ．により、炭素系被膜を主成分とする被膜を非形成面上に密着性よく設けるという顕著な効果を奏する（段落【０００５】〜【０００７】）ものである。
　これらのことより、本件発明１は、甲第１、２号証に記載のものから当業者が容易に発明できたとはいえない。
　
（２）本件発明２、４について
　本件発明２、４は、本件発明１にさらに発明を特定する事項を付加したものであって、上述５．（１）で示したように、本件発明１は甲第１、２号証に記載のものから当業者が容易に発明できたものではないから、本件発明２、４は甲第１、２号証に記載のものから当業者が容易に発明できたとはいえない。
　
（３）本件発明３について
　本件発明３は、本件発明１または２にさらに発明を特定する事項として、第一の被膜として窒化珪素被膜を採用することを付加したものである。
　この点に関し、申立人は、甲第３号証を提示し、「プラズマＣＶＤ法によりＳｉ窒化物上に炭素系被膜を形成することは、甲第３号証に記載されている」、本件発明３は甲第１〜３号証に記載の発明を組み合わせることによって容易に想到することができる旨主張している。
　しかしながら、甲第３号証は、単に窒化珪素被膜上に炭素または炭素を主成分とする被膜を密着させるという被膜種類の組み合わせを記載（摘示記載（３−ａ）、（３−ｂ））しているに過ぎず、甲第１〜３号証に記載の発明を組み合わせても上述５．（１）で示した相違点ｂ．、ｃ．は当業者が容易に想到しうるものとは認められない。
　したがって、本件発明３は上記甲第１〜３号証に記載のものから当業者が容易に発明をすることができたとはいえない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１〜４に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件特許１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１０月１５日（２００２．１０．１５）