【事件の表示】
　特願２０１５−１２３１８７「ニオブ酸リチウム単結晶基板とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　１月１２日出願公開、特開２０１７−　　７８８２、請求項の数（５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２７年６月１８日の出願であって、平成３０年１１月２日付けで拒絶理由通知がされ、平成３０年１２月６日付けで手続補正がされ、平成３０年１２月２７日付けで拒絶査定（原査定）がされ、これに対し、平成３１年４月２日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（平成３０年１２月２７日付け拒絶査定）の理由の概要は次のとおりである。
　本願請求項２〜５に係る発明は、以下の引用文献１、２に記載された発明に基いて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（引用文献等一覧）
　１　特開２００５−３１４１３７号公報
　２　特開２００５−１７９１７７号公報
第３　本願発明
　本願請求項１〜５に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」〜「本願発明５」という。）は、平成３０年１２月６日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定されるとおりの発明であり、その本願発明２〜５は以下のとおりの発明である。
「【請求項２】
　チョコラルスキー法で育成したニオブ酸リチウム単結晶を用いてニオブ酸リチウム単結晶基板を製造する方法において、
　単結晶中のＦｅ濃度が５０質量ｐｐｍ以上、１０００質量ｐｐｍ以下でかつ基板の状態に加工されたニオブ酸リチウム単結晶を、Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ2Ｏ3の混合粉末に埋め込み、４５０℃以上、５００℃未満の温度で熱処理して、体積抵抗率が１×１０8Ω・ｃｍ以上、１×１０10Ω・ｃｍ以下の範囲に制御され、かつ、ニオブ酸リチウム単結晶基板面内における体積抵抗率のバラつき（σ／Ａｖｅ）が３％未満であるニオブ酸リチウム単結晶基板を製造することを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法。
　但し、Ａｖｅはニオブ酸リチウム単結晶基板の中心部１点と外周部４点の面内５点測定の体積抵抗率の平均値、σはそれらの標準偏差であり、体積抵抗率はＪＩＳＫ−６９１１に準拠した３端子法により測定した数値である。
　【請求項３】
　前記基板の状態に加工されたニオブ酸リチウム単結晶表面の算術平均粗さＲａが０．２μｍ以上、０．４μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法。
　【請求項４】
　上記熱処理を、真空雰囲気若しくは不活性ガスの減圧雰囲気下で行うことを特徴とする請求項２または３に記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法。
　【請求項５】
　上記熱処理を、１時間以上行うことを特徴とする請求項２、３または４に記載のニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法。」
第４　引用文献、引用発明等
１　引用文献１について
（１）原査定の拒絶理由に引用された上記引用文献１には、次の事項が記載されている。（下線は当審が付した。以下、同じ。）
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　タンタル酸リチウム単結晶または
ニオブ酸リチウム単結晶から作製されたウエーハと、
　
アルカリ金属化合物を含む還元剤と、を処理容器に収容し、
　
該処理容器内を減圧下、２００℃以上１０００℃以下の温度に保持することにより、該ウエーハを還元することを特徴とする圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法。
・・・
【請求項４】
　
前記アルカリ金属化合物は、リチウム化合物である
【請求項５】
　
前記還元剤は前記アルカリ金属化合物からなり、
　該還元剤と前記ウエーハとを別々に配置して、または
該ウエーハを該還元剤に埋設して該ウエーハの還元を行う
　イ　「【００１０】
　本発明は、このような実状を鑑みてなされたものであり、
圧電性を損なうことなく、
ニオブ酸リチウム単結晶の帯電を抑制することのできる処理方法を提供する
　ウ　「【００１３】
　
還元によりウエーハの抵抗は低下する
　エ　「【００１７】
　上述したように、ＬＴ単結晶は、６００℃を超える高温に曝されると、その圧電性が失われるおそれがある。よって、ＬＴ単結晶から作製されたウエーハを還元する場合には、６００℃以下の比較的低温で処理することが望ましい。
本発明の帯電抑制処理方法では、還元性の高いアルカリ金属化合物を用いるため、６００℃以下の温度でもウエーハ全体を充分に還元することができる。
比較的低温で還元処理を行うことで、圧電性を損なうことなく、ＬＴ単結晶およびＬＮ単結晶の帯電を抑制することができる。
　オ　「【００１９】
　（４）ＬＴ単結晶やＬＮ単結晶中の酸素は、リチウムとの結合力が強い。このため、
還元処理では、酸素はリチウムと結合した状態、つまり酸化リチウムの状態で放出され易い。
【００２０】
　したがって、
還元剤として用いるアルカリ金属化合物をリチウム化合物とすることが望ましい。これより、還元剤から供給されるリチウム原子で、単結晶中の酸素を反応させることができる。このため、単結晶中のリチウム原子は放出され難い。よって、リチウム：タンタル（ニオブ）比は変化せず、圧電性が低下することはない。
　カ　「【００２１】
　（５）本発明の帯電抑制処理方法では、アルカリ金属化合物からなる還元剤を用い、還元剤とウエーハとを別々に配置して、または
ウエーハを還元剤に埋設してウエーハの還元を行う態様を採用することができる。本態様では、還元剤としてアルカリ金属化合物の粉末、ペレット等を用いることができる。
　キ　「【００４３】
　例えば、上記実施形態では、ＬＴ単結晶から作製されたウエーハに対して帯電抑制処理を行った。しかし、ＬＮ単結晶から作製されたウエーハを処理してもよく、また、各々の単結晶から作製されたウエーハを同時に処理してもよい。さらに、
鉄等の金属が添加されたＬＴ単結晶あるいはＬＮ単結晶から作製されたウエーハを処理してもよい。
その添加量は、単結晶の重量全体を１００ｗｔ％とした場合の、０．０１ｗｔ％以上１．００ｗｔ％以下であるとよい。
（２）引用文献１に記載された発明
　上記（１）ア、ウ〜キの記載を本願請求項２の記載ぶりに則して整理すると、引用文献１には、
「鉄の添加量が０．０１ｗｔ％以上１．００ｗｔ％以下のニオブ酸リチウム単結晶から作製されたウエーハを、リチウム化合物からなる還元剤粉末に埋設して、減圧下、２００℃以上６００℃以下の温度に保持することにより、該ウエーハを還元して、ウエーハの抵抗を低下させる圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法。」
の発明（以下、「引用１発明」という。）が記載されていると認められる。
２　引用文献２について
（１）原査定の拒絶理由に引用された上記引用文献２には、次の事項が記載されている。
　ア　「【請求項５】
　
チョコラスキー法で育成したニオブ酸リチウム結晶を用いてニオブ酸リチウム基板を製造する方法において、
　
ニオブ酸リチウム結晶を、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃからなる群より選択される少なくとも１種の元素で構成された粉末に埋め込んだ状態で、
３００℃以上、５００℃未満の温度で熱処理することを特徴とするニオブ酸リチウム基板の製造方法。
　イ　「【０００８】
　そこで、この問題を解決するため特許文献１〜２においては、ＬＮ結晶を５００〜１１４０℃の範囲内で、アルゴン、水、水素、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素およびこれ等の組合せから選択されたガスといった
化学的還元性雰囲気に晒して黒化させることにより、
電気伝導度を高くし
焦電性を低減させる方法が提案されている。
【０００９】
　ところで、特許文献１〜２に記載された方法は、ＬＮ結晶を５００℃以上の高い温度に加熱するため処理時間は短い反面、処理バッチ間の黒化のばらつきが生じ易く、また、熱処理した基板に黒化による色ムラ、すなわち
体積抵抗率の面内分布が生じ易く、素子製造プロセスでの歩留まり低下が依然として十分に防止できない問題点があった。
・・・
【００１０】
　本発明はこのような問題点に着目してなされたもので、その課題とするところは、
５００℃未満の低温での処理にも拘わらず、処理した基板に黒化による色ムラ、すなわち体積抵抗率の面内分布が少ないニオブ酸リチウム基板とその製造方法を提供することにある。
　ウ　「【００２２】
　ところで、焦電効果（焦電性）は、結晶の温度が変化することによって生ずる格子の変形に起因する。電気双極子を持つ結晶では、双極子間の距離が温度で変わるために生じると理解できる。
焦電効果は、電気抵抗の高い材料でのみで生じる。
電気抵抗の低い材料ではこの電荷は結晶自身の持つ電気伝導性のために中和されてしまう。通常の透明なＬＮ結晶は、上述したようにその体積抵抗率が１０１５ Ω・ｃｍのレベルであるために焦電効果が顕著に現れる。しかし、黒化した不透明ＬＮ結晶ではその体積抵抗率が１０１２Ω・ｃｍ以下に向上するため、焦電性が見られなくなる。
　エ　「【００２４】
　また、ＬＮ結晶の熱処理は、
酸化物生成自由エネルギーの低いＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃからなる群より選択される少なくとも１種の元素で構成された粉末に埋め込まれた状態
Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｚｎの元素で構成された粉末が選択された場合、これ等元素の粉末とこれ等元素の酸化物との混合物を用いることも有効である。
（２）引用文献２に記載された技術的事項
　上記（１）ア〜エの記載から、引用文献２には、
「チョコラスキー法で育成したニオブ酸リチウム結晶を、酸化物生成自由エネルギーの低いＡｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃからなる群より選択される少なくとも１種の元素で構成された粉末、又は、これ等元素の粉末とこれ等元素の酸化物との混合物に埋め込んだ状態で、３００℃以上、５００℃未満の温度で熱処理することによって、ニオブ酸リチウム基板の体積抵抗率を１０１２Ω・ｃｍ以下にして、焦電性を低下させ、体積抵抗率の面内分布も少なくする」
という技術的事項が記載されていると認められる。
第５　対比・判断
１　本願発明２について
（１）対比
　本願発明２と引用１発明とを対比すると、引用１発明の「ニオブ酸リチウム単結晶から作製されたウエーハ」は、本願発明２の「基板の状態に加工されたニオブ酸リチウム単結晶」に相当し、さらに、引用１発明の「該ウエーハを還元する圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法」は、ニオブ酸リチウム単結晶から還元処理されたニオブ酸リチウム単結晶ウエーハを得る方法といえるから、本願発明２の「ニオブ酸リチウム単結晶を用いてニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法」に相当する。
　また、引用１発明の「２００℃以上６００℃以下の温度に保持すること」は、本願発明２の「熱処理」に相当する。
　さらに、引用１発明の「鉄の添加量が０．０１ｗｔ％以上１．００ｗｔ％以下のニオブ酸リチウム単結晶」は、本願発明２と「単結晶中」に「Ｆｅ」を含有する点で共通し、また、引用１発明の「ウエーハを、リチウム化合物からなる還元剤粉末に埋設」することは、本願発明２と「基板の状態に加工されたニオブ酸リチウム単結晶」を「粉末に埋め込」む点で共通している。
　したがって、本願発明２は、引用１発明と、
「ニオブ酸リチウム単結晶を用いてニオブ酸リチウム単結晶基板を製造する方法において、
　単結晶中にＦｅを含有し、かつ基板の状態に加工されたニオブ酸リチウム単結晶を粉末に埋め込み、熱処理して、ニオブ酸リチウム単結晶基板を製造することを特徴とするニオブ酸リチウム単結晶基板の製造方法」である点で一致し、以下の点で相違している。
（相違点１）
　本願発明２のニオブ酸リチウム単結晶は、「チョコラルスキー法で育成した」単結晶であるのに対して、引用１発明のニオブ酸リチウム単結晶は、その点が明らかでない点。
（相違点２）
　本願発明２の単結晶中のＦｅ濃度は、「５０質量ｐｐｍ以上、１０００質量ｐｐｍ以下」であるのに対して、引用１発明の単結晶中のＦｅ濃度（添加量）は、０．０１ｗｔ％（１００質量ｐｐｍ）以上１．００ｗｔ％（１００００質量ｐｐｍ）以下である点。
（相違点３）
　本願発明２の粉末は、「Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ2Ｏ3の混合粉末」であるのに対して、引用１発明の粉末は、「リチウム化合物からなる還元剤粉末」である点。
（相違点４）
　本願発明２の熱処理の温度は、「４５０℃以上、５００℃未満」であるのに対して、引用１発明の熱処理の温度は、「２００℃以上６００℃以下」である点。
（相違点５）
　本願発明２の熱処理後のニオブ酸リチウム単結晶基板は、「体積抵抗率が１×１０8Ω・ｃｍ以上、１×１０10Ω・ｃｍ以下の範囲に制御され、かつ、ニオブ酸リチウム単結晶基板面内における体積抵抗率のバラつき（σ／Ａｖｅ）が３％未満である（但し、Ａｖｅはニオブ酸リチウム単結晶基板の中心部１点と外周部４点の面内５点測定の体積抵抗率の平均値、σはそれらの標準偏差であり、体積抵抗率はＪＩＳＫ−６９１１に準拠した３端子法により測定した数値である。）」のに対して、引用１発明の熱処理後のウエーハは、その抵抗が低下しているものの、その物性値は明らかでない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み、まず上記相違点３について検討すると、上記相違点３に係る本願発明２のニオブ酸リチウム単結晶基板を「Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ2Ｏ3の混合粉末」に埋め込んで熱処理することは、上記第４の２（２）に記載のとおり、引用文献２に記載された技術的事項である。
　しかしながら、引用１発明において、「リチウム化合物からなる還元剤粉末」を用いることは、上記第４の１（１）イ及びオに摘示したとおり、ニオブ酸リチウム単結晶中のＬｉ原子が還元処理により酸化リチウムの状態で放出されることを防止し、リチウム：ニオブ比が変化して圧電性が低下することを防止するためであるから、引用１発明の「リチウム化合物からなる還元剤粉末」を、引用文献２に記載された「Ａｌ粉末若しくはＡｌとＡｌ2Ｏ3の混合粉末」に置き換えることには阻害要因がある。
　したがって、上記相違点１、２、４及び５について判断するまでもなく、本願発明２は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２に記載された技術的事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
２　本願発明３〜５について
　本願発明３〜５は、本願発明２を減縮した発明であって、本願発明２の特定事項を備えるものであるから、本願発明２と同じ理由により、当業者であっても、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献２に記載された技術的事項に基いて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、原査定の理由によっては本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。