(57)【要約】  複数のガラス基板の接合面同士が接合材料を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、前記接合材料の吸収帯域波長の光を照射する第１レーザーを前記切断予定線に沿って照射して、前記切断予定線上の前記接合材料を前記接合面から剥離する第１レーザー照射工程と、前記接合ガラスの吸収帯域波長の光を照射する第２レーザーを前記切断予定線に沿って照射して、前記接合ガラスの前記一方の面に溝を形成する第２レーザー照射工程と、前記接合ガラスの前記切断予定線に対して割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
2010097908.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のガラス基板の接合面同士が接合材料を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、
前記接合材料の吸収帯域波長の光を照射する第１レーザーを前記切断予定線に沿って照射して、前記切断予定線上の前記接合材料を前記接合面から剥離する第１レーザー照射工程と、
前記接合ガラスの吸収帯域波長の光を照射する第２レーザーを前記切断予定線に沿って照射して、前記接合ガラスの前記一方の面に溝を形成する第２レーザー照射工程と、
前記接合ガラスの前記切断予定線に対して割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項２】
請求項１記載の接合ガラスの切断方法であって、
前記接合材料は、導電性を有する金属材料からなり、
前記接合ガラスは、前記複数のガラス基板の前記接合面同士が陽極接合され、
前記第１レーザー照射工程では、前記第１レーザーの波長を５３２ｎｍに設定することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の接合ガラスの切断方法であって、
前記ガラス基板は、ソーダ石灰ガラスからなり、
前記第２レーザー照射工程では、前記第２レーザーの波長を２６６ｎｍに設定することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３の何れか１項に記載の接合ガラスの切断方法であって、
前記切断工程では、前記接合ガラスの他方の面から前記溝に沿って割断応力を加えることを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４の何れか１項に記載の接合ガラスの切断方法であって、
前記接合ガラスは、前記切断予定線上の一部のみに前記接合材料を配置して接合され、
前記第１レーザー照射工程では、前記切断予定線上に配置された前記接合材料のみに前記第１レーザーの光を照射することを特徴とする接合ガラスの切断方法。
【請求項６】
接合材料を介して互いに接合された複数のガラス基板と、前記複数のガラス基板の内側に形成されたキャビティと、を備え、前記キャビティ内に電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、
請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の接合ガラスの切断方法を用いて、前記パッケージの形成領域毎に前記複数のガラス基板を切断することを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項７】
接合材料を介して互いに接合された複数のガラス基板と、前記複数のガラス基板の内側に形成されたキャビティと、を備え、前記キャビティ内に電子部品が封入されたパッケージであって、
前記パッケージは、請求項１ないし請求項５の何れか１項に記載の接合ガラスの切断方法を用いて切断されてなり、
前記パッケージにおける前記第２レーザーの照射面側の外周縁部には、前記第２レーザーによって形成された前記溝が割断されてなる面取り部を有していることを特徴とするパッケージ。
【請求項８】
請求項７記載のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴とする圧電振動子。
【請求項９】
請求項８に記載の前記圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項１０】
請求項８に記載の前記圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項８記載の前記圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号等のタイミング源、リファレンス信号源等として水晶等を利用した圧電振動子（パッケージ）が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが知られているが、その１つとして、表面実装（ＳＭＤ）型の圧電振動子が知られている。この種の圧電振動子としては、例えば互いに接合されたベース基板及びリッド基板と、両基板の間に形成されたキャビティと、キャビティ内に気密封止された状態で収納された圧電振動片（電子部品）とを備えている。【０００３】
ここで、上述した圧電振動子を製造する際には、リッド基板用ウエハにキャビティ用の凹部を形成する一方、ベース基板用ウエハ上に圧電振動片をマウントした後、両ウエハを接合層を介して陽極接合し、複数のパッケージがウエハの行列方向に形成されたウエハ接合体とする。そして、ウエハ接合体に形成された各パッケージ毎（キャビティ毎）にウエハ接合体を切断することで、キャビティ内に圧電振動片が気密封止された複数の圧電振動子（パッケージ）を製造するものである。【０００４】
ところで、ウエハ接合体の切断方法としては、例えば歯先にダイヤモンドが付着したブレードを用い、ウエハ接合体を厚さ方向に沿って切断（ダイシング）する方法が知られている。
しかしながら、ブレードによる切断方法では、ブレードの幅を考慮した切断代をキャビティ間に設ける必要があるため、１枚のウエハ接合体から取り出せる圧電振動子の数が少ないこと、また切断時におけるチッピングの発生、切断面が粗いこと等の問題があった。また、加工速度が遅いため、生産効率が悪いという問題もあった。【０００５】
また、金属棒の先端にダイヤモンドを埋め込み、このダイヤモンドによってウエハ接合体の表面における切断予定線に沿って傷（スクライブライン）を付けた後、スクライブラインに沿って割断応力を加えて切断する方法も知られている。
しかしながら、上述の方法では、スクライブラインに無数のチッピングが発生するため、ウエハが割れやすく、また切断面の表面精度も粗くなるという問題がある。【０００６】
そこで、上述のような問題に対応するために、ウエハ接合体をレーザーにより切断する方法が開発されている。このような方法としては、例えば特許文献１に示されるように、ウエハ接合体の内部に集光点を合わせてレーザー光を照射し、ウエハ接合体の切断予定線に沿って多光子吸収による改質領域を形成する。そして、ウエハ接合体に割断応力（衝撃力）を加えることにより、改質領域を起点としてウエハ接合体を切断するものである。
【特許文献１】特許第３４０８８０５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１の構成では、ウエハ接合体の内部にレーザーのパルス痕が無数に発生し、このパルス痕がダメージ層となってウエハ接合体の内部に残存する。そして、このダメージ層に応力が集中することで、ウエハ接合体の切断時にウエハ接合体の面方向へのクラックが発生するという問題がある。また、ウエハ接合体の切断後に形成される圧電振動子の機械的耐久性が低下するという問題がある。【０００８】
また、ウエハ接合体は、上述したように接合層を介して陽極接合することにより形成されるが、ウエハの接合時には接合層の全体に一括して電圧を印加する必要がある。そのため、接合層はウエハ接合体の接合面に連続的に形成されている必要がある。そして、接合面に連続的に接合層が形成された状態、すなわち各圧電振動子間で接合層が繋がった状態でウエハ接合体を切断しようとすると、ブレーキング時においてウエハ接合体の厚さ方向へのクラック進行が妨げられる。これにより、ウエハ接合体の面方向へのクラック等が発生して、各圧電振動子毎の所望のサイズにウエハ接合体を切断することができないという問題がある。
その結果、最悪の場合にはキャビティと外部とが連通してキャビティ内の気密を保てなくなるという問題がある。これらの製品は、不良品として扱われるため、１枚のウエハ接合体から取り出される良品の数が減少し、歩留まりが低下するという問題がある。【０００９】
そこで、本発明は、上述した問題に鑑みてなされたものであり、接合ガラスを所定サイズ毎に切断することで、歩留まりを向上させることができる接合ガラスの切断方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
本発明に係る接合ガラスの切断方法は、複数のガラス基板の接合面同士が接合材料を介して接合されてなる接合ガラスを、切断予定線に沿って切断する接合ガラスの切断方法であって、前記接合材料の吸収帯域波長の光を照射する第１レーザーを前記切断予定線に沿って照射して、前記切断予定線上の前記接合材料を前記接合面から剥離する第１レーザー照射工程と、前記接合ガラスの吸収帯域波長の光を照射する第２レーザーを前記切断予定線に沿って照射して、前記接合ガラスの前記一方の面に溝を形成する第２レーザー照射工程と、前記接合ガラスの前記切断予定線に対して割断応力を加えることで、前記切断予定線に沿って前記接合ガラスを切断する切断工程とを有することを特徴としている。【００１１】
この構成によれば、切断工程に先立って、ガラス基板の表層部分に切断予定線に沿って溝を形成した後、切断予定線に沿って割断応力を加えることで、接合ガラスを切断することができる。この場合、従来のようなブレードによる切断方法に比べて、切断代が非常に小さい、切断速度が速い、切断面の表面精度が良好、チッピングの発生がない等のメリットがある。また、接合ガラスの内部にダメージ層が形成される虞もないので、接合ガラスの切断時における接合ガラスの面方向へのクラックの発生や、切断後における接合ガラスの機械的耐久性が低下することがない。
特に、第２レーザー照射工程に先立って切断予定線上の接合材料を剥離しておくことで、切断時に接合ガラスの厚さ方向へのクラック進行を促進するとともに、に接合ガラスの面方向へのクラック進行を防ぐことができる。したがって、接合ガラスが切断予定線に沿ってスムーズに切断されることになる。これにより、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時に接合ガラスの割れ等を防ぎ、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。【００１２】
また、前記接合材料は、導電性を有する金属材料からなり、前記接合ガラスは、前記複数のガラス基板の前記接合面同士が陽極接合され、前記第１レーザー照射工程では、前記第１レーザーの波長を５３２ｎｍに設定することを特徴としている。
この構成によれば、金属材料を介してガラス基板同士を陽極接合することで、接着剤等でガラス基板同士を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれや、接合ガラスの反り等を防ぎ、ガラス基板同士を強固に接合することができる。
特に、第１レーザー照射工程において、波長が５３２ｎｍの第１レーザーを用いることで、レーザー光の出力が全て接合材料で吸収され加熱されるため、接合材料が速やかに溶融し、レーザー光の照射領域の接合材料がレーザー光の照射領域より外側へ収縮する。これにより、切断予定線上における接合材料を良好に剥離することができる。【００１３】
また、前記ガラス基板は、ソーダ石灰ガラスからなり、前記第２レーザー照射工程では、前記第２レーザーの波長を２６６ｎｍに設定することを特徴としている。
この構成によれば、ソーダ石灰ガラスからなるガラス基板に対して、波長が２６６ｎｍの第２レーザーを照射することで、接合ガラスの表層部分においてレーザー光が完全吸収されることになり、接合ガラスの表層部分に所望の溝を形成することができた。すなわち、チッピングやデブリの発生が少なく、直線性が良好な溝を形成することができるので、その後の切断工程において、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。【００１４】
また、前記切断工程では、前記接合ガラスの他方の面から前記溝に沿って割断応力を加えることを特徴としている。
この構成によれば、接合ガラスの他方の面から溝に沿って割断応力を加えることで、接合ガラスをよりスムーズ、かつ容易に切断することができるため、より良好な切断面を得ることができる。【００１５】
また、前記接合ガラスは、前記切断予定線上の一部のみに前記接合材料を配置して接合され、前記第１レーザー照射工程では、前記切断予定線上に配置された前記接合材料のみに前記第１レーザーの光を照射することを特徴としている。
この構成によれば、第１レーザー照射工程において、第１レーザーによって剥離する接合材料の面積を減少させることができる。これにより、第１レーザー照射工程の作業時間を短縮して、作業効率を向上させることが可能である。【００１６】
また、本発明に係るパッケージの製造方法は、接合材料を介して互いに接合された複数のガラス基板と、前記複数のガラス基板の内側に形成されたキャビティと、を備え、前記キャビティ内に電子部品を封入可能なパッケージの製造方法であって、上記本発明の接合ガラスの切断方法を用いて、前記パッケージの形成領域毎に前記複数のガラス基板を切断することを特徴としている。
この構成によれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を用いてガラス基板を切断することで、切断時に接合ガラスの厚さ方向へのクラック進行を促進するとともに、に接合ガラスの面方向へのクラック進行を防ぐことができる。したがって、切断時にガラス基板がパッケージ形成領域毎の切断予定線に沿ってスムーズに切断されることになる。これにより、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時にガラス基板の割れ等を防ぎ、ガラス基板を所望のサイズに切断することができる。
これにより、キャビティの気密が確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。したがって、良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。【００１７】
また、本発明に係るパッケージは、接合材料を介して互いに接合された複数のガラス基板と、前記複数のガラス基板の内側に形成されたキャビティと、を備え、前記キャビティ内に電子部品が封入されたパッケージであって、前記パッケージは、上記本発明の接合ガラスの切断方法を用いて切断されてなり、前記パッケージにおける前記第２レーザーの照射面側の外周縁部には、前記第２レーザーによって形成された前記溝が割断されてなる面取り部を有していることを特徴としている。
この構成によれば、切断されたパッケージを取り出す際に、パッケージを取り出すための器具がパッケージの角部に接触した場合であっても、チッピングの発生を抑制することができるので、パッケージを良品の状態で取り出すことができる。
なお、面取り部は、第２レーザーにより溝を形成した後、溝（切断予定線）に沿って切断することで自動的に形成することができるので、切断後のパッケージにそれぞれ面取り部を形成する場合に比べて迅速、かつ容易に面取り部を形成することができる。その結果、作業効率を向上させることができる。
さらに、このように溝に沿って接合ガラスを切断することで、パッケージの切断面の表面精度を向上させ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。【００１８】
また、本発明に係る圧電振動子は、上記本発明のパッケージの前記キャビティ内に、圧電振動片が気密封止されてなることを特徴としている。
この構成によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた圧電振動子を提供することができる。【００１９】
また、本発明に係る発振器は、上記本発明の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。【００２０】
また、本発明に係る電子機器は、上記本発明の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。【００２１】
また、本発明に係る電波時計は、上記本発明の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。【００２２】
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に係る接合ガラスの切断方法によれば、第２レーザー照射工程に先立って切断予定線上の接合材料を剥離しておくことで、切断時に接合ガラスの厚さ方向へのクラック進行を促進するとともに、に接合ガラスの面方向へのクラック進行を防ぐことができる。したがって、接合ガラスが切断予定線に沿ってスムーズに切断されることになる。これにより、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、切断時に接合ガラスの割れ等を防ぎ、接合ガラスを所望のサイズに切断することができる。
また、本発明のパッケージの製造方法及びパッケージによれば、上記本発明の接合ガラスの切断方法を用いてガラス基板を切断することで、キャビティの気密が確保することができ、信頼性の高いパッケージを提供することができる。したがって、良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明に係る圧電振動子によれば、キャビティ内の気密性を確保し、振動特性に優れた信頼性の高い圧電振動子を提供することができる。
本発明に係る発振器、電子機器及び電波時計においては、上述した圧電振動子を備えているので、圧電振動子と同様に信頼性の高い製品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る圧電振動子の一実施形態を示す外観斜視図である。
【図２】図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図である。
【図３】図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。
【図４】図１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図５】図１に示す圧電振動子を製造する際の流れを示すフローチャートである。
【図６】図５に示すフローチャートに沿って圧電振動子を製造する際の一工程を示す図であって、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態でベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ接合体の分解斜視図である。
【図７】個片化工程の流れを示すフローチャートである。
【図８】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体の断面図である。
【図９】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体の断面図である。
【図１０】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体の断面図である。
【図１１】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体の断面図である。
【図１２】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体の断面図である。
【図１３】個片化工程を説明するための図であって、ウエハ接合体の断面図である。
【図１４】トリミング工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体のリッド基板用ウエハを取り外した状態を示すベース基板用ウエハの平面図である。
【図１５】波長（ｎｍ）に対する透過率（％）の関係を示したグラフである。
【図１６】第１レーザー選定試験においてＹＡＧレーザーを用いてトリミングラインを形成した場合の接合層の状態を示した図である。
【図１７】第１レーザー選定試験において第２高調波レーザーを用いてトリミングラインを形成した場合の接合層の状態を示した図である。
【図１８】本発明に係る発信器の一実施形態を示す構成図である。
【図１９】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図２０】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【図２１】本実施形態における他の構成であるパターニング工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体のリッド基板用ウエハを取り外した状態を示すベース基板用ウエハの平面図である。
【符号の説明】
【００２５】
１…圧電振動子（パッケージ）  ５…圧電振動片（電子部品）  ２３…接合層（接合材料）  ４０…ベース基板用ウエハ（ガラス基板）  ５０…リッド基板用ウエハ  ６０…ウエハ接合体（接合ガラス）  ８７…第１レーザー  ８８…第２レーザー  ９０…面取り部  １００…発振器  １０１…発振器の集積回路  １１０…携帯情報機器（電子機器）  １１３…電子機器の計時部  １３０…電波時計  １３１…電波時計のフィルタ部  Ｃ…キャビティ  Ｍ…輪郭線（切断予定線）  Ｍ’…スクライブライン（溝）
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面に基づいて、本発明の実施形態を説明する。
（圧電振動子）
図１は、本実施形態における圧電振動子の外観斜視図であり、図２は圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態で圧電振動片を上方から見た図ある。また、図３は図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図であり、図４は圧電振動子の分解斜視図である。
図１〜４に示すように、圧電振動子１は、ベース基板２とリッド基板３とで２層に積層された箱状に形成されており、内部のキャビティＣ内に圧電振動片５が収納された表面実装型の圧電振動子１である。そして、圧電振動片５とベース基板２の外側に設置された外部電極６，７とが、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極８，９によって電気的に接続されている。
【００２７】
ベース基板２は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板で板状に形成されている。ベース基板２には、一対の貫通電極８，９が形成される一対のスルーホール（貫通孔）２１，２２が形成されている。スルーホール２１，２２は、ベース基板２の外側端面（図３中下面）から内側端面（図３中上面）に向かって漸次径が縮径した断面テーパ形状をなしている。
【００２８】
リッド基板３は、ベース基板２と同様に、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板であり、ベース基板２に重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。そして、リッド基板３のベース基板２が接合される接合面側には、圧電振動片５が収容される矩形状の凹部３ａが形成されている。
この凹部３ａは、ベース基板２及びリッド基板３が重ね合わされたときに、圧電振動片５を収容するキャビティＣを形成する。そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して後述する接合層（接合材料）２３を介して陽極接合されている。なお、リッド基板３の上部周縁には、圧電振動子１の製造工程の後述するスクライブ工程時において、リッド基板３の角部が面取りされた面取り部９０が形成されている。
【００２９】
圧電振動片５は、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウム等の圧電材料から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。
この圧電振動片５は、平行に配置された一対の振動腕部２４，２５と、一対の振動腕部２４，２５の基端側を一体的に固定する基部２６とからなる平面視略コの字型で、一対の振動腕部２４，２５の外表面上には、振動腕部２４，２５を振動させる図示しない一対の第１の励振電極と第２の励振電極とからなる励振電極と、第１の励振電極及び第２の励振電極に電気的に接続された一対のマウント電極とを有している（何れも不図示）。
【００３０】
このように構成された圧電振動片５は、図３，４に示すように、金等のバンプＢを利用して、ベース基板２の内側端面に形成された引き回し電極２７，２８上にバンプ接合されている。より具体的には、圧電振動片５の第１の励振電極が、一方のマウント電極及びバンプＢを介して一方の引き回し電極２７上にバンプ接合され、第２の励振電極が他方のマウント電極及びバンプＢを介して他方の引き回し電極２８上にバンプ接合されている。これにより、圧電振動片５は、ベース基板２の内側端面から浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極と引き回し電極２７，２８とがそれぞれ電気的に接続された状態となっている。
【００３１】
そして、ベース基板２の内側端面側（リッド基板３が接合される接合面側）には、導電性材料（例えば、アルミニウム）からなる陽極接合用の接合層２３が形成されている。この接合層２３は、リッド基板３に形成された凹部３ａの周囲を囲むようにベース基板２の周縁に沿って形成されている。そして、ベース基板２とリッド基板３とは、凹部３ａをベース基板２の接合面側に対向させた状態でベース基板２に対して接合層２３を介して陽極接合されている。
【００３２】
また、外部電極６，７は、ベース基板２の外側端面面における長手方向の両端に設置されており、各貫通電極８，９及び各引き回し電極２７，２８を介して圧電振動片５に電気的に接続されている。より具体的には、一方の外部電極６は、一方の貫通電極８及び一方の引き回し電極２７を介して圧電振動片５の一方のマウント電極に電気的に接続されている。また、他方の外部電極７は、他方の貫通電極９及び他方の引き回し電極２８を介して、圧電振動片５の他方のマウント電極に電気的に接続されている。
【００３３】
貫通電極８，９は、焼成によってスルーホール２１，２２に対して一体的に固定された筒体３２及び芯材部３１によって形成されたものであり、スルーホール２１，２２を完全に塞いでキャビティＣ内の気密を維持しているとともに、外部電極６，７と引き回し電極２７，２８とを導通させる役割を担っている。具体的に、一方の貫通電極８は、外部電極６と基部２６との間で引き回し電極２７の下方に位置しており、他方の貫通電極９は、外部電極７の上方で引き回し電極２８の下方に位置している。
【００３４】
筒体３２は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体３２は、両端が平坦で且つベース基板２と略同じ厚みの円筒状に形成されている。そして、筒体３２の中心には、芯材部３１が筒体３２の中心孔３２ｃを貫通するように配されている。また、本実施形態ではスルーホール２１，２２の形状に合わせて、筒体３２の外形が円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体３２は、スルーホール２１，２２内に埋め込まれた状態で焼成されており、これらスルーホール２１，２２に対して強固に固着されている。
上述した芯材部３１は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体３２と同様に両端が平坦で、かつベース基板２の厚みと略同じ厚さとなるように形成されている。
なお、貫通電極８，９は、導電性の芯材部３１を通して電気導通性が確保されている。
【００３５】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極６，７に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片５の各励振電極に電流を流すことができ、一対の振動腕部２４，２５を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部２４，２５の振動を利用して、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源等として利用することができる。
【００３６】
（圧電振動子の製造方法）
次に、上述した圧電振動子の製造方法について、図５に示すフローチャートを参照しながら説明する。
初めに、図５に示すように、圧電振動片作製工程を行って図１〜４に示す圧電振動片５を作製する（Ｓ１０）。また、圧電振動片５を作製した後、共振周波数の粗調を行っておく。なお、共振周波数をより高精度に調整する微調に関しては、マウント後に行う。
【００３７】
（第１のウエハ作成工程）
図６は、圧電振動片をキャビティ内に収容した状態で、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハとが陽極接合されたウエハ接合体の分解斜視図である。
次に、図５，６に示すように、後にリッド基板３となるリッド基板用ウエハ５０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ２０）。具体的には、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のリッド基板用ウエハ５０を形成する（Ｓ２１）。次いで、リッド基板用ウエハ５０の内側端面５０ａ（図６における下面）に、エッチング等により行列方向にキャビティＣ用の凹部３ａを複数形成する凹部形成工程を行う（Ｓ２２）。
次に、後述するベース基板用ウエハ４０との間の気密性を確保するために、ベース基板用ウエハ４０との接合面となるリッド基板用ウエハ５０の内側端面５０ａ側を少なくとも研磨する研磨工程（Ｓ２３）を行い、内側端面５０ａを鏡面加工する。以上により、第２のウエハ作成工程（Ｓ２０）が終了する。
【００３８】
（第２のウエハ作成工程）
次に、上記工程と同時或いは前後のタイミングで、後にベース基板２となるベース基板用ウエハ４０を、陽極接合を行う直前の状態まで作製する第１のウエハ作製工程を行う（Ｓ３０）。まず、ソーダ石灰ガラスを所定の厚さまで研磨加工して洗浄した後に、エッチング等により最表面の加工変質層を除去した円板状のベース基板用ウエハ４０を形成する（Ｓ３１）。次いで、例えばプレス加工等により、ベース基板用ウエハに一対の貫通電極８，９を配置するためのスルーホール２１，２２を複数形成するスルーホール形成工程を行う（Ｓ３２）。具体的には、プレス加工等によりベース基板用ウエハ４０の一方の面から凹部を形成した後、ベース基板用ウエハ４０の他方の面側から研磨することで、凹部を貫通させ、スルーホール２１，２２を形成することができる。
【００３９】
続いて、スルーホール形成工程（Ｓ３２）で形成されたスルーホール２１，２２内に貫通電極８，９を形成する貫通電極形成工程（Ｓ３３）を行う。これにより、スルーホール２１，２２内において、芯材部３１がベース基板用ウエハ４０の両端面４０ａ，４０ｂ（図６における上下面）に対して面一な状態で保持される。以上により、貫通電極８，９を形成することができる。
【００４０】
次に、ベース基板用ウエハ４０の内側端面４０ａに導電性材料をパターニングして、接合層２３を形成する接合層形成工程を行う（Ｓ３４）とともに、引き回し電極形成工程を行う（Ｓ３５）。なお、接合層２３はベース基板用ウエハ４０におけるキャビティＣの形成領域以外の領域、すなわちリッド基板用ウエハ５０の内側端面５０ａとの接合領域の全域に亘って形成する。このようにして、第２のウエハ製作工程（Ｓ３０）が終了する。
【００４１】
次に、第２のウエハ作成工程（Ｓ３０）で作成されたベース基板用ウエハ４０の各引き回し電極２７，２８上に、圧電振動片作成工程（Ｓ１０）で作成された圧電振動片５を、それぞれ金等のバンプＢを介してマウントする（Ｓ４０）。そして、上述した各ウエハ４０，５０の作成工程で作成されたベース基板用ウエハ４０及びリッド基板用ウエハ５０を重ね合わせる、重ね合わせ工程を行う（Ｓ５０）。具体的には、図示しない基準マーク等を指標としながら、両ウエハ４０，５０を正しい位置にアライメントする。これにより、マウントされた圧電振動片５が、リッド基板用ウエハ５０に形成された凹部３ａとベース基板用ウエハ４０とで囲まれるキャビティＣ内に収納された状態となる。
【００４２】
重ね合わせ工程後、重ね合わせた２枚のウエハ４０，５０を図示しない陽極接合装置に入れ、図示しない保持機構によりウエハの外周部分をクランプした状態で、所定の温度雰囲気で所定の電圧を印加して陽極接合する接合工程を行う（Ｓ６０）。具体的には、接合層２３とリッド基板用ウエハ５０との間に所定の電圧を印加する。すると、接合層２３とリッド基板用ウエハ５０との界面に電気化学的な反応が生じ、両者がそれぞれ強固に密着して陽極接合される。これにより、圧電振動片５をキャビティＣ内に封止することができ、ベース基板用ウエハとリッド基板用ウエハ５０とが接合したウエハ接合体６０を得ることができる。そして、本実施形態のように両ウエハ４０，５０同士を陽極接合することで、接着剤等で両ウエハ４０，５０を接合した場合に比べて、経時劣化や衝撃等によるずれや、ウエハ接合体６０の反り等を防ぎ、両ウエハ４０，５０をより強固に接合することができる。
【００４３】
その後、一対の貫通電極８，９にそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極６，７を形成し（Ｓ７０）、圧電振動子１の周波数を微調整する（Ｓ８０）。
【００４４】
（個片化工程）
図７は、ウエハ接合体の個片化工程の手順を示すフローチャートである。また、図８〜１３はウエハ接合体の断面図であり、個片化工程を説明するための工程図である。
周波数の微調が終了後、接合されたウエハ接合体６０を切断して個片化する個片化工程を行う（Ｓ９０）。
個片化工程（Ｓ９０）では、図７，８に示すように、まずＵＶテープ８０及びリングフレーム８１を用いて、ウエハ接合体６０を保持するためのマガジン８２を作成する（Ｓ９１）。リングフレーム８１は、その内径がウエハ接合体６０の直径よりも大径に形成されたリング状の部材であり、厚さがウエハ接合体６０と同等に形成されている。また、ＵＶテープ８０はポリオレフィンからなるシート材にアクリル系の粘着剤が塗布されたものであり、具体的には電気化学工業製のＵＨＰ−１５２５Ｍ３や、リンテック製のＤ５１０Ｔ等が好適に用いられている。また、ＵＶテープのシート材の厚さは、１７０μｍ程度のものを用いることが好ましい。シート材の厚さが１７０μｍより薄いＵＶテープを用いると、後述するブレーキング工程（Ｓ１０３）において、ウエハ接合体６０とともにＵＶテープ８０が切断されてしまう虞があるため好ましくない。
【００４５】
マガジン８２は、リングフレーム８１の一方の面８１ａから、貫通孔８１ｂを塞ぐようにＵＶテープ８０を貼り付けることで作成することができる。そして、リングフレーム８１の中心軸とウエハ接合体６０の中心軸とを一致させた状態で、ＵＶテープ８０の粘着面にウエハ接合体６０を貼着する（Ｓ９２）。具体的には、ベース基板用ウエハ４０の外側端面４０ｂ側（外部電極側）を、ＵＶテープ８０の粘着面に貼着する。これにより、ウエハ接合体６０がリングフレーム８１の貫通孔８１ｂ内にセットされた状態となる。この状態で、ウエハ接合体６０をレーザースクライブ装置（不図示）に搬送する（Ｓ９３）。
【００４６】
図１４は、トリミング工程を説明するための説明図であり、ウエハ接合体のリッド基板用ウエハを取り外した状態を示すベース基板用ウエハの平面図である。
ここで、図９，１４に示すように、リッド基板用ウエハ５０とベース基板用ウエハ４０とを接合している接合層２３を剥離するトリミング工程（第１レーザー照射工程）を行う（Ｓ９４）。トリミング工程（Ｓ９４）では、接合層２３の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が５３２ｎｍの第２高調波レーザーからなる第１レーザー８７を用い、レーザー光Ｒ１の照射領域の接合層２３を溶融させる。この場合、第１レーザー８７から出射されたレーザー光Ｒ１は、ビームスキャナ（ガルバノメーター）によって反射された後、Ｆθレンズを介して集光される。そして、集光されたレーザー光Ｒ１をウエハ接合体６０におけるリッド基板用ウエハ５０の外側端面５０ｂ側から照射しながら、レーザー光Ｒ１とウエハ接合体６０とを平行に相対移動させる。具体的には、各キャビティＣを仕切る隔壁上、すなわち圧電振動子１の輪郭線（切断予定線）Ｍ（図６参照）に沿って第１レーザー８７を走査する。
なお、トリミング工程（Ｓ９４）におけるレーザー光Ｒ１のスポット径は、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下程度が好ましく、本実施形態では２０μｍ程度になるように設定されている。また、トリミング工程（Ｓ９４）のその他の条件としては、例えば第１レーザー８７の加工点平均出力が１．０Ｗ、周波数変調が２０ｋＨｚ、走査速度が２００ｍｍ／ｓｅｃ程度に設定することが好ましい。
これにより、輪郭線Ｍ上の接合層２３がレーザー光Ｒ１を吸収して加熱されることで、接合層２３が溶融し、レーザー光Ｒ１の照射領域（輪郭線Ｍ）より外側へ収縮する。その結果、両ウエハ４０，５０の接合面（リッド基板用ウエハ５０の内側端面５０ａ及びベース基板用ウエハ４０の内側端面４０ａ）上に、接合面から接合層２３が剥離されてなるトリミングラインＴが形成される。
【００４７】
次に、図１０に示すように、リッド基板用ウエハ５０における外側端面５０ｂの表層部分にレーザー光Ｒ２を照射し、ウエハ接合体６０にスクライブラインＭ’を形成する（Ｓ９５：スクライブ工程（第２レーザー照射工程））。スクライブ工程（Ｓ９５）では、リッド基板用ウエハ５０（ソーダ石灰ガラス）の吸収帯域波長の光を出射するレーザー、例えば波長が２６６ｎｍのＵＶ−Ｄｅｅｐレーザーからなる第２レーザー８８を用い、レーザー照射領域のリッド基板用ウエハ５０の表層部分を溶融させる。具体的には、トリミング工程（Ｓ９４）と同様に、第２レーザー８８とウエハ接合体６０とを平行に相対移動させ、圧電振動子１の輪郭線Ｍに沿ってレーザーを走査する。すると、リッド基板用ウエハ５０の表層部分がレーザー光Ｒ２を吸収して加熱されることで、リッド基板用ウエハ５０が溶融し、Ｖ溝状のスクライブラインＭ’が形成される。なお、上述したように第１レーザー８７と第２レーザー８８とは、各圧電振動子１の輪郭線Ｍに沿って走査される。これにより、接合層２３が剥離されたトリミングラインＴとスクライブラインＭ’とは、ウエハ接合体６０を厚さ方向からみて重なるように配置されることになる。
【００４８】
なお、スクライブ工程（Ｓ９５）において、リッド基板用ウエハ５０の表層部分でのレーザー光Ｒ２のスポット径は、例えば１０μｍ以上３０μｍ以下程度が好ましく、本実施形態では２０μｍ程度になるように設定されている。これは、スクライブラインＭ’の幅（ウエハ接合体６０の切断代）と深さとを考慮して設定されており、スポット径が１０μｍ未満であると、スクライブラインＭ’を所望の深さに形成することができず、一方スポット径が３０μｍより大きいと、スクライブラインＭ’の幅が広すぎてウエハ接合体６０の切断代が大きくなってしまうため好ましくない。また、スクライブ工程（Ｓ９５）のその他の条件としては、例えば第２レーザー８８の加工点出力が２５０ｍＷ〜６００ｍＷ、パルスエネルギーが１００μＪ、加工閾値フルーエンスが３０Ｊ／（ｃｍ２・ｐｕｌｓｅ）、走査速度が４０ｍｍ／ｓｅｃ〜６０ｍｍ／ｓｅｃに設定することが好ましい。
【００４９】
次に、スクライブラインＭ’が形成されたウエハ接合体６０を、１つ１つの圧電振動子１に切断する切断工程を行う（Ｓ１００）。
切断工程（Ｓ１００）では、まず図１１に示すように、リングフレーム８１の他方の面８１ｃに、貫通孔８１ｂを塞ぐようにセパレーター８３を貼り付ける（Ｓ１０１）。なお、セパレーター８３の材料としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム（いわゆる、ＰＥＴ材）、例えば東レ製のルミラーＴ６０（２０μｍｔ〜６０μｍｔ）が好適に用いられている。これにより、ウエハ接合体６０は、ＵＶテープ８０とセパレーター８３とにより挟持された状態で、リングフレーム８１の貫通孔８１ｂ内に保持される。そして、この状態でウエハ接合体６０をブレーキング装置内に搬送する（Ｓ１０２）。
【００５０】
次いで、ブレーキング装置内に搬送されたウエハ接合体６０に対して、割断応力を加えるブレーキング工程を行う（Ｓ１０３）。ブレーキング工程（Ｓ１０３）では、刃の長さがウエハ接合体６０の直径よりも長い切断刃７０（刃先角度が例えば６０度〜９０度）を用意し、この切断刃７０をベース基板用ウエハ４０の外側端面４０ｂ側からスクライブラインＭ’（トリミングラインＴ）に合わせ、ウエハ接合体６０に押し当てる。これにより、ウエハ接合体６０の厚さ方向に沿ってクラックが発生し、ウエハ接合体６０は、リッド基板用ウエハ５０上に形成されたスクライブラインＭ’に沿って折れるように切断される。そして、各スクライブラインＭ’毎に切断刃７０を押し当てることで、ウエハ接合体６０を輪郭線Ｍ毎のパッケージに一括して分離することができる。その後、ウエハ接合体６０に貼り付けられたセパレーター８３を剥離する（Ｓ１０４）。なお、本実施形態のようにブレーキング工程（Ｓ１０３）において、スクライブラインＭ’の形成面の反対側、すなわちベース基板用ウエハ４０の外側端面４０ｂからスクライブラインＭ’に沿って割断応力を加えることで、ウエハ接合体６０をよりスムーズ、かつ容易に切断することができる。そのため、より良好な切断面を得ることができる。また、上述した割断応力とはスクライブラインＭから離間する方向（各圧電振動子１が離間する方向）に発生する引張応力である。
【００５１】
次に、個片化された圧電振動子１を取り出すためのピックアップ工程を行う（Ｓ１１０）。まず、マガジン８２のＵＶテープ８０に対してＵＶ照射し、ＵＶテープ８０の粘着力を低下させる（Ｓ１１１）。次に、図１２に示すように、リングフレーム８１の貫通孔８１ｂ内に、グリップリング８５のうち、内側リング８５ａをウエハ接合体６０の周囲を取り囲むようにセットする（Ｓ１１２）。なお、グリップリング８５はウエハ接合体６０の外径よりも大きく、リングフレーム８１の貫通孔８１ｂの内径よりも小さく形成された樹脂製のリングであり、内側リング８５ａと、内径が内側リング８５ａの外径と同等に形成された外側リング８５ｂ（図１３参照）とで構成されている。すなわち、内側リング８５ａは外側リング８５ｂの内側に嵌まり込むようになっている。
【００５２】
続いて、個片化された圧電振動子１を取り出しやすくするため、圧電振動子１間のスペースを拡大するエクスパンド工程を行う（Ｓ１１３）。具体的には、内側リング８５ａをＵＶテープ８０側に向けてウエハ接合体６０ごと押し込む（図１２中矢印参照）。すると、ＵＶテープ８０がウエハ接合体６０の径方向外側に向かって延伸することで、ＵＶテープ８０に貼着された圧電振動子１同士が離間し、圧電振動子１間のスペースが拡大する。そして、図１３に示すように、この状態で内側リング８５ａの外側に外側リング８５ｂをセットする。具体的には、内側リング８５ａと外側リング８５ｂとの間にＵＶテープ８０を挟んだ状態で、両者を嵌め合わせる。これにより、ＵＶテープ８０が延伸された状態でグリップリング８５に保持される。そして、グリップリング８５の外側のＵＶテープ８０を切断し、リングフレーム８１とグリップリング８５とを分離する。
【００５３】
その後、ＵＶテープ８０に対して再びＵＶ照射し、ＵＶテープ８０の粘着力をさらに低下させる。これにより、ＵＶテープ８０から圧電振動子１が分離される。そして、ＵＶテープから分離された圧電振動子１を１つ１つ取り出していく。なお、本実施形態では上述したブレーキング工程（Ｓ１０３）おいて、リッド基板用ウエハ５０のスクライブラインＭ’に沿って個片化を行うため、個片化された圧電振動子１のリッド基板３の上部周縁にはスクライブラインＭ’によってＣ面取りが施された面取り部９０が形成される（例えば、Ｃ１０μｍ程度）。
以上により、互いに陽極接合されたベース基板２とリッド基板３との間に形成されたキャビティＣ内に圧電振動片５が封止された、図１に示す２層構造式表面実装型の圧電振動子１を一度に複数製造することができる。
【００５４】
その後、図５に示すように、内部の電気特性検査を行う（Ｓ１２０）。すなわち、圧電振動片５の共振周波数、共振抵抗値、ドライブレベル特性（共振周波数及び共振抵抗値の励振電力依存性）等を測定してチェックする。また、絶縁抵抗特性等を併せてチェックする。そして、最後に圧電振動子１の外観検査を行って、寸法や品質等を最終的にチェックする。これをもって圧電振動子１の製造が終了する。
【００５５】
このように、本実施形態では、圧電振動子１の個片化工程（Ｓ９０）において、輪郭線Ｍ上の接合層２３を両ウエハ４０，５０から剥離するトリミング工程（Ｓ９４）を行った後、スクライブ工程（Ｓ９５）を経て切断刃７０によりウエハ接合体６０をブレーキングする構成とした。
この構成によれば、ブレーキング工程（Ｓ１０３）に先立って、リッド基板用ウエハ５０の表層部分に輪郭線Ｍに沿ってスクライブラインＭ’を形成することで、従来のようなブレードによる切断方法に比べて、切断代が非常に小さい、切断速度が速い、切断面の表面精度が良好、チッピングの発生がない等のメリットがある。また、ウエハ接合体６０の内部にダメージ層が形成される虞もないので、ウエハ接合体６０の切断時におけるウエハ接合体６０の面方向へのクラックの発生や、切断後における圧電振動子１の機械的耐久性が低下することがない。
【００５６】
特に、スクライブ工程（Ｓ９５）に先立って輪郭線Ｍ上の接合層２３を剥離しておくことで、ブレーキング時にウエハ接合体６０の厚さ方向へのクラック進行を促進するとともに、ウエハ接合体６０の面方向へのクラック進行を防ぐことができる。したがって、ウエハ接合体６０が輪郭線Ｍに沿ってスムーズ、かつ容易に切断されることになる。これにより、切断面の表面精度を向上させることができるとともに、ブレーキング時にウエハ接合体６０の割れ等を防ぎ、ウエハ接合体６０を所望のサイズに切断することができる。これにより、キャビティＣの気密が確保することができ、振動特性の優れた信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。
したがって、一枚のウエハ接合体６０から良品として取り出される圧電振動子１の数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
【００５７】
また、本実施形態の圧電振動子１のリッド基板３は、その周縁部に面取り部９０が形成されている構成とした。
この構成によれば、ピックアップ工程（Ｓ１１０）において、個片化された圧電振動子１を取り出す際に、圧電振動子１を取り出すための器具が、圧電振動子１の角部に接触した場合であっても、チッピングの発生を抑制することができるので、圧電振動子１を容易に取り出すことができる。
また、面取り部９０は、第２レーザー８８によりスクライブラインＭ’を形成した後、スクライブラインＭ’に沿って切断することで自動的に形成することができるので、切断後の圧電振動子１にそれぞれ面取り部９０を形成する場合に比べて迅速、かつ容易に面取り部９０を形成することができる。その結果、作業効率を向上させることができる。
さらに、このようにスクライブラインＭ’に沿ってウエハ接合体６０を切断することで、圧電振動子１の切断面の切断精度を向上させ、信頼性の高い圧電振動子１を提供することができる。
【００５８】
（第１レーザー選定試験）
ここで、本願発明者は、トリミング工程に最適な第１レーザーを選定するために、第１レーザー選定試験を行った。図１５は波長（ｎｍ）に対する透過率（％）の関係を示したグラフである。
まず、本実施形態のトリミング工程では、上述したように両ウエハ４０，５０（図９参照）から接合層２３を剥離するため、リッド基板用ウエハ５０を透過して接合層２３まで到達するレーザーを用いる必要がある。そのため、本試験では図１５に示すように、透過率が４０％程度以上あるレーザーとして、波長１０３０ｎｍのＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｇａｒｎｅｔ）レーザー、及び本実施形態で用いた波長５３２ｎｍの第２高調波レーザーを用い、これらのレーザーにより接合層２３を剥離した。そして、各レーザーによるトリミング能力、すなわちレーザー照射領域の接合層２３の状態を測定した。
【００５９】
図１６，１７は第１レーザー選定試験における、レーザー照射領域の接合層２３の状態を示す図であり、図１６はＹＡＧレーザー、図１７は本実施形態で用いた第２高調波レーザーを用いた場合を示している。
図１６に示すように、ＹＡＧレーザーを用いて接合層２３のトリミングを行うと、トリミングラインＴの幅方向に沿って筋状のクラック（いわゆる、マイクロクラック（図１６中符号Ｋ参照））が発生する結果となった。マイクロクラックが発生した状態で、その後のブレーキング工程を行うと、ウエハ接合体６０を所望の輪郭線Ｍに沿って切断できず、不良品となる圧電振動子１が多く発生する結果となった。なお、図１６におけるトリミング幅は１２４μｍに設定した。
これに対して、図１７に示すように、第２高調波レーザーを用いると、トリミングラインＴには上述したマイクロクラックの発生はなく、良好なトリミング状態であることがわかる。これは、接合層２３の吸収帯域波長の光を出射する第２高調波レーザーを用いることで、レーザー光の出力が全て接合層２３で吸収され加熱されるため、接合層２３が速やかに溶融し、レーザー光の照射領域の接合層２３がレーザー光の照射領域より外側へ収縮したものと考えられる。
【００６０】
以上により、トリミング工程（Ｓ９４）を行う第１レーザー８７に第２高調波レーザーを採用することで、輪郭線Ｍ上の接合層２３が完全に剥離された、所望のトリミングラインＴを形成することができる。したがって、その後のブレーキング工程（Ｓ１０３）において、ウエハ接合体６０を所望のサイズに切断することができる。
【００６１】
（第２レーザー選定試験）
次に、本願発明者は、上述したスクライブ工程（Ｓ９５）に用いる第２レーザー８８を選定するための第２レーザー選定試験を行った。具体的に、本願発明者は、波長の異なる複数のレーザーをガラス基板の表層にそれぞれ照射し、ガラス基板の表層にスクライブラインを形成した。そして、形成されたスクライブラインの品質や、スクライブラインを形成するために費やした時間、コスト等を測定した。
【００６２】
本願発明者は、以下に示すレーザーを用いて第２レーザー選定試験を行った。
＜実施例１＞
ＵＶ−Ｄｅｅｐレーザー
波長    ２６６ｎｍ
＜比較例１＞
ＡｒＦエキシマレーザー
波長    １９３ｎｍ
＜比較例２＞
ＫｒＦエキシマレーザー
波長    ２４８ｎｍ
＜比較例３＞
ＵＶ−Ｄｅｅｐレーザー
波長    ３５５ｎｍ
＜比較例４＞
第２高調波レーザー（グリーンレーザー）
波長    ５３２ｎｍ
＜比較例５＞
ＹＡＧレーザー
波長    １０３０ｎｍｏｒ１０６４ｎｍ
＜比較例６＞
ＣＯ２レーザー
波長    １０．６μｍ
【００６３】
以上のレーザーを用いてスクライブラインを形成した結果、以下の表１のような結果が得られた。表１は波長の異なる複数のレーザーを用いてスクライブラインを形成した場合の品質、速度、装置費用、及びこれらの試験結果に基づいた総合評価を示している。
【００６４】
【表１】
2010097908.tif 000003
【００６５】
表１に示すように、本実施形態で用いたＵＶ−Ｄｅｅｐレーザーよりも波長の短いレーザー（比較例１，２）によりスクライブラインを形成すると、スクライブラインにチッピングやデブリ（発塵）が多く発生した。さらに、比較例１，２のレーザーは、レーザー出力を増加することができず、スクライブラインの形成速度（レーザーの走査速度）が遅く、また装置コストも高いという結果が得られた。
また、波長が３５５ｎｍのＵＶ−Ｄｅｅｐレーザーを用いた場合（比較例３）には、チッピングが多く発生するとともに、直線性が悪く、スクライブラインが蛇行してしまうという結果が得られた。
そして、グリーンレーザーやＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザーを用いた場合（比較例４〜６）には、図１５に示すように、ガラス基板に対する透過率が大きいため、ガラス基板にレーザーが吸収されずに透過してしまう。その結果、ガラス基板の表層に所望のスクライブラインを形成することができなかった。
【００６６】
以上のような比較例に対して、実施例１のようにスクライブ工程に波長２６６ｎｍのＵＶ−Ｄｅｅｐレーザーを採用することで、ガラス基板の表層部分においてレーザー光が完全吸収されることになり、ガラス基板の表層部分に所望のスクライブラインを形成することができた。すなわち、チッピングやデブリの発生が少なく、直線性が良好なスクライブラインを形成することができるので、その後のブレーキング工程（Ｓ１０３）において、ウエハ接合体６０を所望のサイズに切断することができる。
【００６７】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１８を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１００は、図１８に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１００は、コンデンサ等の電子部品１０２が実装された基板１０３を備えている。基板１０３には、発振器用の上述した集積回路１０１が実装されており、この集積回路１０１の近傍に、圧電振動子１が実装されている。これら電子部品１０２、集積回路１０１及び圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００６８】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片５が振動する。この振動は、圧電振動片５が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加することができる。
【００６９】
上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、発振器１００自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
【００７０】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１９を参照して説明する。なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。始めに本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【００７１】
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。この携帯情報機器１１０は、図１９に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１１１には、各種制御を行う制御部１１２と、時刻等のカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とが並列に接続されている。そして、電源部１１１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００７２】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００７３】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片５が振動し、この振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００７４】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００７５】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００７６】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００７７】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【００７８】
上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、携帯情報機器自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
【００７９】
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２０を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図２０に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００８０】
（電波時計）
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【００８１】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００８２】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００８３】
上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、高品質化された圧電振動子１を備えているので、電波時計自体も同様に高品質化を図ることができる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
【００８４】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
例えば、上述した実施形態では、音叉型の圧電振動片５を例に挙げて説明したが、音叉型に限られるものではない。例えば、厚み滑り振動片としても構わない。
【００８５】
また、上述した実施形態では、切断工程においてリッド基板用ウエハ５０の外側端面５０ｂにスクライブラインＭ’を形成する一方、ベース基板用ウエハ４０の外側端面４０ｂから切断刃７０を押し当てる場合について説明したが、これに限られない。例えば、ベース基板用ウエハ４０の外側端面４０ｂにスクライブラインＭ’を形成する一方、リッド基板用ウエハ５０の外側端面５０ｂから切断刃７０を押し当ててもよい。
さらに、ベース基板用ウエハ４０に凹部３ａを形成してもよく、両ウエハ４０，５０に凹部３ａをそれぞれ形成してもよい。
【００８６】
さらに、上述した第１レーザーや第２レーザーは一例に過ぎず、材料によって適宜選択可能である。
また、接合層２３は、接合工程（Ｓ６０）での電気的導通を確保するために、両ウエハ４０，５０上において連続的に形成されていなければならないが、必ずしも上述した実施形態のように、両ウエハ４０，５０の接合面の全域に接合層２３を形成した状態で両ウエハ４０，５０を接合する必要はない。すなわち、上述した実施形態では、トリミング工程（Ｓ９４）において輪郭線Ｍ上の接合層２３を一括して両ウエハ４０，５０から剥離する場合について説明したが、接合工程（Ｓ６０）に先立って、不要な接合層２３を予め除去するパターニング工程を行うことも可能である。具体的には、図２２に示すように、接合工程（Ｓ６０）に先立って、輪郭線Ｍ上の接合層２３をパターニングし、接合層２３を所定間隔毎に除去し、接合層２３間が一部のみで接続されるようにしておいても構わない。
このように、接合工程（Ｓ６０）の前に予め不要な接合層２３を除去しておくことで、接合後のトリミング工程（Ｓ９４）において、第１レーザー８７によって剥離する接合層２３の面積を減少させることができる。これにより、トリミング工程（Ｓ９４）の作業時間を短縮して、作業効率を向上させることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
ウエハ接合体から良品として取り出されるパッケージの数を増加することができ、歩留まりを向上させることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【国際調査報告】
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