【事件の表示】
　特許第３０９４４４５号「光ディスク」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０９４４４５号の請求項１ないし２に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３０９４４４５号の発明についての出願は、平成２年１１月３０日に特許出願され、平成１２年８月４日にその発明について特許権の設定登録がなされ、その後、その特許について、異議申立人・日本ゼオン株式会社により特許異議の申立がなされ、取消しの理由が通知され、その指定期間内である平成１３年８月１７日に訂正請求がなされたものである。
　
ＩＩ．訂正の適否
１．訂正の内容
　　特許権者が求めている訂正の内容は、訂正請求及びそれに添付された訂正明細書の記載からみて、次の（ａ）〜（ｅ）のとおりである。
　（ａ）特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する。　なお、下線の箇所が訂正された個所である。
　「【請求項１】　下記一般式（Ｉ）で表されるトリシクロデカンを基本骨格とし、固有粘度〔η〕inh （３０℃、クロロホルム中）が０．３〜１．５dl／g、ゲル含有量が０．０１重量％以下、かつ
ハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下
　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　・・・（Ｉ）
〔
式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ
2
）
n
ＣＯＯＲ
1
、−（ＣＨ
2
）
n
ＯＣＯＲ
1
、−（ＣＨ
2
）
n
ＯＲ
1
−、−（ＣＨ
2
）
n
ＣＮ、−（ＣＨ
2
）
n
ＣＯＮＲ
3
Ｒ
2
、−（ＣＨ
2
）
n
Ｗ、またはＢとＤから構成された−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ
4
−ＣＯ−もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ、Ｂ、ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の基を含む。
　ここで、Ｒ
1
、Ｒ
2
、Ｒ
3
およびＲ
4
は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ
5
p
Ｆ
3-p
（Ｒ
5
は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ
6
または−ＯＲ
6
（Ｒ
6
は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。
　（ｂ）特許公報第４欄４４行の「ハロゲン含有量が５００ｐｐｍ以下」を、「ハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下」と訂正する。
　（ｃ）特許公報第５欄１０行〜第６欄１６行及び特許公報第５欄３７行〜第６欄４８行の「〔式中、・・・・ｎは０〜１０の整数を示す。〕」を、「〔式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ2）nＣＯＯＲ1、−（ＣＨ2）nＯＣＯＲ1、−（ＣＨ2）nＯＲ1−、−（ＣＨ2）nＣＮ、−（ＣＨ2）nＣＯＮＲ3Ｒ2、−（ＣＨ2）nＷ、またはＢとＤから構成された−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ4−ＣＯ−もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ、Ｂ、ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の基を含む。　　ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ5pＦ3-p（Ｒ5は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ6または−ＯＲ6（Ｒ6は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。〕」と訂正する。
　（ｄ）特許公報第７欄１〜２６行の「８−メチルテトラシクロ・・・・およびそのアルキル置換体、」を削除する。
　（ｅ）特許公報第１２欄３２〜３６行の「５００ｐｐｍ・・・・耐熱性が得られる。」を、「２ｐｐｍ以下に抑えることにより、加熱時の水添重合体のゲルの発生や着色に対しては良好な結果を与えることができ、より良好な耐熱性が得られる。」と訂正する。
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記（ａ）の訂正の（ｉ）「ハロゲン含有量が５００ｐｐｍ以下」を「ハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下」と訂正することは、実施例に用いられる参考例２の製造により得られる熱可塑性樹脂Ｂのハロゲン含有量が２ｐｐｍの記載に基づき行うものであり、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。　同じく上記（ａ）の訂正の（ｉｉ）「〔
式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ
2
）
n
ＣＯＯＲ
1
、−（ＣＨ
2
）
n
ＯＣＯＲ
1
、−（ＣＨ
2
）
n
ＯＲ
1
−、−（ＣＨ
2
）
n
ＣＮ、−（ＣＨ
2
）
n
ＣＯＮＲ
3
Ｒ
2
、−（ＣＨ
2
）
n
Ｗ、またはＢとＤから構成された−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ
4
−ＣＯ−もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ、Ｂ、ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の基を含む。
　ここで、Ｒ
1
、Ｒ
2
、Ｒ
3
およびＲ
4
は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ
5
p
Ｆ
3-p
（Ｒ
5
は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ
6
または−ＯＲ
6
（Ｒ
6
は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。
　上記（ｂ）〜（ｅ）の訂正は、上記（ａ）の訂正により付随的に生じる記載の不備を解消するものであり、明瞭でない記載の釈明に該当する。
　そして、こられの訂正はいずれも、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
ＩＩＩ．特許異議申立について
１．特許異議の申立の概要
　　特許異議申立人・日本ゼオン株式会社は、下記の甲第１〜５号証を提出し、
　（ｉ）第１異議理由として、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものであり、その特許は取り消されるべきである旨主張し、
　（ｉｉ）第２異議理由として、請求項１に係る発明は、甲第１号証に記載された発明に基づいて、若しくは甲第１号証と甲第２号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をし得たものであるから、また、請求項２に係る発明は、甲第１号証乃至甲第３号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をし得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、その特許は取り消されるべきである旨主張し、
　（ｉｉｉ）第３異議理由として、請求項１，２に係る発明は、甲第４号証の実験証明書（甲第５号証）の記載を勘案して、本件出願の出願日前に出願され、本件出願の出願日後に公開された他人の出願である甲第４号証の当初明細書に記載された発明であって、特許法第２９条の２の規定に違反してなされたものであるから、その特許は取り消されるべきである旨主張し、
　（ｉｖ）第４異議理由として、本願明細書は、その記載に不備があり、特許法第３６条の規定に違反して特許されたものであるから、その特許は取り消されるべきである旨主張している。
　　　　　　　　　　　　記
甲第１号証：特開平２−２２７４２４号公報（以下「刊行物１」という。）
甲第２号証：特開平１−２４０５１７号公報（以下「刊行物２」という。）
甲第３号証：特開平２−２５３９０９号公報（以下「刊行物３」という。）
甲第４号証：特願平２−２９５４３８号（特開平４−１７０４２５号公報）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（以下、「先願Ａ」という。）
甲第５号証：「実験成績証明書」　異議申立人日本ゼオン株式会社提示の
　　　　甲第４号証の追試実験報告書（以下「実験成績証明書」という。）
　
２．本件発明
　　特許第３０９４４４５号の請求項１〜２に係る発明（以下順に、「本件発明１」、「本件発明２」という。）は、それぞれ、平成１３年８月１７日付け訂正明細書の請求項１〜２に記載された事項により特定される次とおりのものである。
　「【請求項１】　下記一般式（Ｉ）で表されるトリシクロデカンを基本骨格とし、固有粘度〔η〕inh （３０℃、クロロホルム中）が０．３〜１．５dl／g、ゲル含有量が０．０１重量％以下、かつハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下である熱可塑性樹脂からなる光ディスク基板を用いた光ディスク。
　　  
　　　　　　　　　　　　　　・・・（Ｉ）
〔式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ2）nＣＯＯＲ1、−（ＣＨ2）nＯＣＯＲ1、−（ＣＨ2）nＯＲ1−、−（ＣＨ2）nＣＮ、−（ＣＨ2）nＣＯＮＲ3Ｒ2、−（ＣＨ2）nＷ、またはＢとＤから構成された−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ4−ＣＯ−もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ、Ｂ、ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の基を含む。　　　ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ5pＦ3-p（Ｒ5は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ6または−ＯＲ6（Ｒ6は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。〕」
　「【請求項２】」　樹脂温度２６０〜３７０℃、金型温度１００〜１６５℃、射出速度８０〜３００ｍｍ／秒で、請求項１記載の熱可塑性樹脂を射出成形して得た光ディスク基板を用いた光ディスク。」
　
３．異議申立人が提出した甲各号証の記載および発明
　刊行物１（特開平２−２２７４２４号公報、甲第１号証）には、       
　（1-i）「１）下記一般式（Ｉ）’（注：本件の（Ｉ）式との混乱を避けるため「’」を付与した）で表わされる少なくとも１種の単量体またはこの単量体とこれと共重合可能な他の単量体とを、下記溶媒Ａおよび／または溶媒Ｂを用いてメタセシス重合触媒の存在下にメタセシス開環重合させて得られる重合反応液に、アルコ−ルを加え、これにより、触媒成分および低分子量体を含有するアルコ−ル相と重合体溶液相とを分離させ、この重合体溶液相の重合体溶液から重合体を得ることを特徴とする透明性重合体の製造方法。
　一般式（Ｉ）’        
 　〔式中ＡおよびＢは水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基であり、ＸおよびＹは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＣＮ、−（ＣＨ２）ｎＣＯＮＲ２Ｒ３、−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＺ、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＺ、−（ＣＨ２）ｎＯＺ、−（ＣＨ２）ｎＷまたはＸとＹから構成された−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−　若しくは　−ＣＯ−ＮR４−ＣＯ−を示し、ＸおよびＹの少なくとも１つは水素原子および炭化水素基から選ばれる基以外の基（ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｚはハロゲン原子で置換された炭化水素基、ＷはＳｉＲ５ｐＤ３−ｐ（Ｒ５は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｄはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ６または−ＯＲ６（Ｒ６は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示す）、ｎは０〜１０の整数を示す。）であり、ｍは０または１である。〕。
　　　溶媒Ａ：（１）脂環族飽和炭化水素および／または脂肪族飽和炭化水素と、（２）ジアルキルグリコ−ルエ−テルとの混合物溶媒　　　Ｂ：芳香族炭化水素」（特許請求の範囲第１項）、
　（1-ii）「２）メタセシス開環重合反応の溶媒として溶媒Ａのみを用い、分離した重合体溶液をそのまま水素添加反応に供することにより水素添加重合体を得ることを特徴とする請求項１に記載の透明性重合体の製造方法。」（特許請求の範囲第２項）、及び、
　（1-iii）透明重合体の分子量に関し、「一般に、これらの重合体の分子量は、ポリスチレン換算による重量平均分子量で２０,０００から７００,０００、特に３０,０００から５００,０００である。」（第３頁左下欄第４〜６行）こと、
　（1-iv）触媒に関し、「上記メタセシス重合触媒とは、通常、次の（a）成分と（b）成分との組合せからなる触媒であるが、触媒活性を高めるために更に後述する活性化剤が添加されることがある。
　（a）成分：Ｗ、ＭｏおよびＲeの化合物から選ばれた少なくとも１種
　（b）成分：デミングの周期律表の　ＩA、IIＡ、IIＢ、IIIＡ、IVＡあるいはIVＢ族元素の化合物であって少なくとも１つの当該元素−炭素結合あるいは当該元素−水素結合を有するものから選ばれた少なくとも１種」（第６頁左下欄第８〜１８行）こと、
　（1-v）溶媒Aに関し、「溶媒成分（１）としては、炭素数が１０以下、好ましくは５〜８の脂環族飽和炭化水素および／または肪族飽和炭化水素が用いられる。ここに、脂環族飽和炭化水素の具体例としては、シクロベンタン、メチルシクロベンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、デカリンなどを挙げることができ、また脂肪族飽和炭化水素の具体例としては、ｎ−ペンタン、イソベンタン、ｎ−へキサン、ｎ−へブタン、ｎ−オクタンなどを挙げることができる。　　溶媒成分（２）としてはジアルキルグリコ−ルエ−テルが用いられる。その具体例としては、エチレングリコ−ルジメチルエ−テル、エチレングリコ−ルジエチルエ−テル、エチレングリコ−ルジブチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジメチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジエチルエ−テル、ジエチレングリコ−ルジブチルエ−テル、トリエチレングリコ−ルジメチルエ−テルなどを挙げることができる。」（第８頁左上欄第１７行〜右上欄第１６行）こと、
　（1-vi）脱触媒剤に関し、「このメタセシス開環重合反応の終了後であって後述するアルコ−ルによる抽出分離操作を行う前に、得られた重合反応液に脱触媒剤を添加することが好ましい。これにより、分離する重合体溶液における触媒成分の含有量を低減することができるので、触媒成分の含有量の低い重合体を得ることができる。　斯かる脱触媒剤としては、トリエタノ−ルアミン、ジエタノ−ルアミン、モノエタノ−ルアミン、トリエチルアミン、ジエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ジブチルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ポリエチレンジアミン、ピリジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどの有機アミン類；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム.炭酸ナトリウムなどの無機アルカリ類などを挙げることができる。」（第８頁左下欄第１３行〜右下欄第９行）こと、
　（1-vii）アルコール抽出処理に関し、「本発明においては、以上のようにして得られる重合反応液にアルコ−ルを加え、これによって抽出分離を行う。すなわち、重合反応液にアルコ−ルを添加して攪拌し、その後静置することにより、上相のアルコ−ル相と下相の重合体溶液相とに分離させる。ここにアルコ−ルとしては、メタノ一ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、ブタノ−ルなどの炭素数１〜１０、好ましくは１〜４のアルコ−ルが用いられる。このアルコールは１種のみではなく、２種以上を用いることもできる。」（第８頁右下欄第１４行〜第９頁左上欄第４行）こと、
　（1-viii）作用効果に関し、「以上のァルコ−ルによる抽出分離操作により、重合反応液中の触媒成分および未反応単量体などの低分子量重合体は高い分離効率でアルコ−ル相に抽出され、その結果、分離した重合体溶液相の重合体溶液は、触媒成分および低分子量体の含有量がきわめて低いものとなり、結局、それらの不純物を実質的に含有しない重合体溶液が単独に得られることとなる。」（第９頁右上欄第１１〜１８行）こと、
　（1-ix）水素添加に関し、「一方、生成重合体に対して水素添加を行うことにより、一層優れた特性を有する水素添加重合体を得ることができる。」（第９頁左下欄第６〜８行）こと、
　（1-x）透明性重合体の用途に関し、「ここに得られる重合体は、触媒成分および低分子量体の含有量がきわめて低いものであるので、例えば光学材料としてきわめて好適なものである。」（第９頁左下欄第２〜５行）こと、さらに、「本発明の方法によって製造される透明性重合体はきわめて高純度であるので、特に光学特性、耐熱性、耐候性、機械的性質等の諸特性に優れ、これらの特性を利用する一般成形材料の他、光学式ビデオディスク、オ−ディオディスク、文書ファイル用ディスク、メモリディスク、カメラ用レンズ、レ−ザビ−ム用レンズなどの光学材料として好適に使用することができる。」（第１０頁左下欄第２０行〜右下欄第７行）こと、
　（1-xi）「本発明の方法においては、メタセシス開環重合反応の終了後あるいは水素添加反応の終了後に、必要に応じて種々の添加剤、例えば酸化防止剤を添加することができる。」（第１０頁右上欄第９〜１２行）こと、
　　この水素添加重合体をゲルパ−ミェイションクロマトグラフィ−により分析して得られたポリスチレン換算による重量平均分子量は１５５,０００であり、Ｈ−ＮMＲより分析した水素添加率は９９％以上であった。この水素添加重合体は光学材料用の透明性重合体として非常に好適なものであった。
　実施例２
　　実施例１で用いた単量体８−メチル−８−カルボキシメチルテトラシクロ[４.４.０.１２，５.１７，１０]−３−ドデセン６.４kgと、構造式　　・・・（構造式略）・・・　で表わされる単量体５−メチル−５−カルボキシメチルビシクロ[２.２.１]−２−へプテン１.６kgとを実施例１の単量体の代わりに用いた他は実施例１と同様にして、メタセシス開環重合反応、メタノ−ルによる合計３回の抽出分離操作および水素添加反応を行って純白の水素添加重合体６.１kgを得た。　　最終的に分離された重合体溶液の分析の結果、重合体中に残存する単量体は０.１重量％以下、タングステンの含有量およびアルミニウム含有量は共に５ｐｐｍ以下であった。また、水素添加重合体の重量平均分子量は１４５,０００、水素添加率は９９％以上であった。」（第１０頁右下欄第２０行〜第１２頁左上欄第８行）」こと、が記載されている。
　　これらの記載から、及び本件発明１と同じ出発原料を用い同じメタセシス重合を行い水素添加を行っていることから（Ｉ）式のトリシクロデカン基本骨格の重合体が得られているものと認められるので、刊行物１には、「（Ｉ）式［上記ＩＩＩ．２．の（Ｉ）式参照、基Ａ、Ｅは水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｂ、Ｄは本件発明１の定義と同義（但し、（多）環状アルキレン基の場合を除く）の基］のトリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂からなる光ディスク基板を用いた光ディスク。」の発明が記載されているものと認める。　
　
　刊行物２（特開平１−２４０５１７号公報、甲第２号証）には、
　（2-i）「２）下記一般式（ＩＩ）’（注：本件の（ＩＩ）式との混乱を避けるため「’」を付与した）で表わされる繰り返し単位を５０重量％以上含有する、ポリスチレン換算による数平均分子量が５,０００〜１,０００,０００であることを特徴とする重合体。
　一般式（ＩＩ）’　　　　
　（式中、Ｒ１およびＲ２は各々炭素数１〜６の鎖状炭化水素基を示す。）」（特許請求の範囲第２項）、及び、
　（2-ii）従来技術の問題点に関し、「例えば、光学材料としての光ディスクの基板材料としては、ポリカ−ボネ−ト樹脂、ポリメチルメタクリレ−ト樹脂、…（中略）…などが提案されている。　　しかしながら、上記の透明樹脂は、高度の機能を有した光学材料として、例えば、光ディスク基板樹脂に要求される低複屈折性、低吸湿性、機械的強度、記録層に対する接着性の全てを満足するものではない。　　例えば、ポリスチレン樹脂やポリカ−ボネ−ト樹脂は複屈折性が大きく、レ−ザ−光による情報再生時にエラ−が多くなる欠点を有している。また、ポリメチルメタクリレ−ト樹脂は、吸湿性が大きく、吸湿によって変形が生ずるために情報再生時にエラ−が多くなると共に、吸湿による記録膜の変質が生ずる可能性がある。」（第２頁左上欄第１３行〜左下欄第１行）こと、
　（2-iii）公知技術とその問題点に関連して、「また、極性基を有するノルボルネン誘導体の開環（共）重合体からなる樹脂は、複屈折性が小さくて極性基の存在により記録層との接着性は改善されるものの、ガラス転移温度を高くするような極性置換基を選択したときは、飽和吸水率が高くなり、一方、飽和吸水率を低くするような極性置換基を選択すれば、ガラス転移温度が低くなってしまうため、高いガラス転移温度と低吸水性の両者を共に満足することが困難であった。さらに、重合体の主鏡に不飽和二重結合を含むため、長期の耐久性が懸念される問題を有していた。」（第２頁右下欄第１〜１２行）こと、
　（2-iv）その発明に関して、「そこで本発明者らは、上記の高度な機能を備えた光学樹脂材料を関発すべ〈鋭意研究を重ねた結果、特定の極性基と多環状構造を有する不飽和化合物の関環重合体を水素添加した重合体が、従来提案されてきた樹脂材料では得られない高い透明性に加え、低吸水性、高いガラス転移温度と熱分解温度、優れた機械的性質、良好な成形性、記録層との優れた接着性を有し、プラスチックレンズを始めとする一般の光学用途のみならず、光ディスク基板や光ファイバ−などの高機能の光学用途に極めて有用であること、さらに当該水素添加重合体は、その前駆体である不飽和結合を有する未水素添加重合体に比して吸水率が大幅に低下したものであり、従って従来困難であった低吸水性と高いガラス転移温度の両特性をバランスさせた一連の新規な重合体が得られることを見出し、本発明に到達した。」（第２頁右下欄第２０行〜第３頁左上欄第１６行）こと、
　（2-v）重合体の分子量と固有粘度に関して、「上記のメタセシス触媒で得られる重合体の分子量の値は、GPC測定によるポリスチレン換算による数平均分子量で５,０００〜１,０００,０００、好ましくは１０,０００〜５００,０００、更に好ましくは１２,０００〜２００,０００、特に好ましくは１５,０００〜１００,０００の範囲が好適である。分子量が５,０００以下では成形材料として用いることができず、また分子量が１,０００,０００以上では流動性に乏しく成形が困難となる。　　また重合体の固有粘度ηinhについては、好ましくは０.２〜１dl／g、更に好ましくは０.３〜０.９dl／g、特に好ましくは０.４〜０.８dl／gである。」（第８頁左下欄第３〜１４行）こと、
　（2-vi）用途に関連して、「本発明の重合体を光学材料として用いる場合には、公知の酸化防止剤、例えば２,６−ジ−t−ブチル−４−メチノレフェノール、２,２’−ジオキシ−３,３’−ジ−t−プチル−５,５’−ジメチルジフェニルメタン、フェニル−β−ナフチルアミン、あるいは紫外線吸収剤、例えば２,４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２’−ヒドロキシ−４−メトキシ−２’−カルボキシベンゾフェノンなどを添加することによって安定化することができる。」（第９頁左上欄第１４行〜右上欄第３行）こと、
　（2-vii）「本発明の新規な水素添加重合体の用途は特に制限されるものではなく、透明性の要求される広い範囲の分野に使用されるが、なかでも光学レンズなどの一般的光学材料の他、高度の機能を要求される光ディスク基板に最適である。」（第９頁右上欄第１０〜１４行）こと、
　（2-viii）「実施例１　　攪拌機、還流冷却器および三方コックを備えたセパラブルフラスコ内を窒素ガスで置換し、窒素気流下で、モノマ−として８−メチル−８−カルボキシメチルテトラシクロ[４.４.０.１２，５.１７，１０]−３−ドデセン１００重量部、分子量調節剤として１−へキセン１２.１重量部、溶媒として１,２−ジクロロエタン４００重量部を加え、さらに溶媒としてジエチルアルミニウムクロライドのｎ−へキサン溶液（１０重量％）１.７重量部、六塩化タングステンのクロロベンゼン溶液（２重量％）１.８重量部、パラアルデヒドの１,２−ジクロロエタン溶液（１０重量％）０.１重量部を加え、６０℃で５時間反応させた。　　重合反応終了後、重合溶液に大量のメタノ−ルを加えて重合体を析出させ、これを濾別して回収し、真空乾燥して収率９４％で重合体を得た。この重合体の固有粘度は０.５６、数平均分子量は２９,０００であった。この重合体の帰属は、第１図に示す赤外線吸収スペクトルによって行った。得られた重合体を射出成形し、試験片を作製して諸特性を測定した。結果を第１表に示す。」（第９頁左下欄第４行〜右下欄第６行）こと、
　（2-ix）「実施例８　　　耐圧反応容器中において、実施例１で得られた不飽和結合を有する開環重合体１００重量部をテトラヒドロフラン２,０００重量部に溶解し、これに触媒として活性炭に担持させたパラジウム（パラジウム濃度５％）１０重量部を加え、仕込み水素圧を１５０kg／cm３とし、１５０℃で４時間水素添加反応を行なった。冷却後、容器中の水素ガスを放圧し、さらに反応溶液から触媒を濾別した後メタノ−ルを添加することにより、水素添加重合体を凝固させ、乾燥させて回収した。　　得られた水素添加重合体の数平均分子量を測定したところ４４,０００と水素添加前と同一であった。水素添加率は第１２図に示す赤外吸収スペクトルおよび第１３図に示すＮＭＲスペクトルから定量したところ１００％であった。得られた重合体を射出成形し、試験片を作製して諸特性を測定した。結果を第１表に示す。」（第１０頁右下欄第９行〜第１１頁左上欄第６行）こと、
　（2-x）「比較例１　　　光ディスク用途に使用されるポリメチルメタアクリレ−ト樹脂（数平均分子量２４,０００）を射出成形して試験片を作製し、諸特性を測定した。結果を第１表に示す。
　　　比較例２　　　光ディスク用途に使用されるポリカ−ボネ−ト樹脂（数平均分子量１５,０００）を射出成形して試験片を作製し、諸特性を測定した。結果を第１表に示す。」（第１１頁右下欄第５〜１４行）こと、
　（2-xi）第１表には、実施例８で調製した８−メチル−８−カルボキシメチルテトラシクロドデセン開環重合体の水素添加重合体を射出成形して成る試験片の固有粘度が０.５２dl／g、熱分解温度が４２５℃、全光線透過率が９０％、複屈折が＜１０ｎｍ、引張強度が６９８kg／cm２、破断伸びが３５％、ダインシュタット衝撃強度が６５６kg／cm２ 、表面硬度がＨ、接着性がＯ、耐候性もＯであることが示されていて、更にポリメチルメタクリレ−ト樹脂を用いた場合（比較例１）には、衝撃強度などが不十分であり、ポリカ−ボネ−ト樹脂を用いた場合（比較例２）には、複屈折が＜６０ｎmで不十分であることなどが示されている。
　　これらの記載から、刊行物２には、「（Ｉ）式［上記ＩＩＩ．２．の（Ｉ）式参照、基ＡとＢが水素原子、ＤとＥが炭素数１〜６の鎖状炭化水素基と−ＣＯＯＲ（Ｒは炭素数１〜６の鎖状炭化水素基）を示す］のトリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂からなる光ディスク基板を用いた光ディスク。」の発明が記載されているものと認める。
　
　刊行物３（特開平２−２５３９０９号公報、甲第３号証）には、
　（3-i）「１.ポリカ−ボネ−ト製光ディスク基板の射出成形において、金型温度を８０〜１２０℃、射出シリンダ−温度を３００〜３８０℃、保圧力を５５MPa以下、保圧時間を０.５秒以下、ゲ−トカット待時間を０.２秒以上の条件により成形したことを特徴とする光ディスク基板。」（特許請求の範囲）、及び、
　（3-ii）「光ディスク基板の特性として、複屈折、転写性、形状精度において厳しい要求がなされている。これらの特性は、金型や成形条件に大きく依存している。特に成形条件は、その条件因子が多く、その設定により特性が大きく変わる。」（第１頁左下欄第１９行〜右下欄第３行）こと、
　（3-iii）「第３図に、射出速度と面振れ量およびチルトの関係を示す。射出速度が６ ０〜１５０mm／secの時、面振れ量およびチルトとももまぼ一定して小さく、そり変形の少ない基板を得ることができる。また射出速度６ ０〜１５０mm／secを射出率に換算すると、３７〜９２cm３／secとなる。よって、射出速度は６ ０〜１５０mm／sec、射出率は、３ ７〜９ ２cm３／secがそり変形の少ない光ディスク基板を成形するための条件範囲である。」（第２頁左下欄第７〜１５行）こと、が記載されている。
　
　先願Ａ（特願平２−２９５４３８号（特開平４−１７０４２５号公報参照）、甲第４号証）の願書に最初に添付した明細書には、
　（A-i）「１.ノルボルネン系モノマ−の開環重合体の水素添加物であって、該水素添加物の高速液体クロマトグラフィにより測定した数平均分子量（Ｍn）が２０,０００〜５０,０００、重量平均分子量（Mw）４０,０００〜８０,０００、分子量分布（Mw／Ｍn）が２.５以下、該水素添加物中に含まれる揮発成分０.３重量％以下であり、かつ、０.５μｍ以上の異物量が１×１０５／g以下であることを特徴とする成形用材料。
　２.請求項１記載の成形用材料を成形したディスク基板。
　３.請求項２記載のディスク基板に金属反射膜を蒸着した光学式記録媒体ディスク。
　４.ノルボルネン系開環重合体を溶液中で水素添加触媒の存在下で水素添加反応する過程（A）、前記過程（A）の反応液を孔径が０.５μｍ以下のフィルタ−で濾過し、水素添加物を濾液として分離する過程（B）、該濾液を減圧下に加熱して揮発成分を蒸発させることにより水素添加物を取得する過程（C）から成ることを特徴とするノルボルネン系関環重合体水素添加物の製造方法。」（特許請求の範囲）、及び、
　（A-ii）「本発明のベ−スポリマ−は、ノルボルネン系モノマ−の関環重合体の水素添加物である。　　該水素添加物は、高速液体クロマトグラフィ−により測定した数平均分子量（Ｍn）が２０,０００〜５０,０００、重量平均分子量（Mw）が４０,０００〜８０,０００、分子量分布（Ｍw／Ｍn）が２.５以下であり、かつ、該水素添加物中に含まれる揮発成分が０.３重量％以下であり、かつ、０.５μｍ以上の異物量が１×１０５個／g以下のものである。　　数平均分子量（Ｍn）および重量平均分子量（Mw）が上記範囲より大きいと、複屈折が劣り、かつ、成形性が悪くなり、グル−プ転写性も不良となる。　数平均分子量（Ｍn）が小さいと、機械的強度が劣り、また、分子量分布（Ｍw／Ｍｎ）が大きいと、複屈折が大きくなる。　　揮発成分の含有量が上記範囲より多いと、投影面積が大きく、厚みの薄い光ディスク基板などを射出成形により成形した場合に、ボイドやシルバ−ストリ−クの発生が見られる。さらに異物量が多くなると光学式記録媒体ディスクとしたときの記録再生時のノイズや信号エラ−を起こしやすくなる。」（第２頁右下欄第４行〜第３頁左上欄第５行）こと、
　（A-iii）モノマ−に関し、「ノルボルネン系モノマ−としては、例えば、ノルボルネン、ジメタノオクタヒドロナフタレン、トリメタノドデカヒドロアントラセン、およびそれらの置換体；・・・（中略）・・・　置換基は、従来から周知のものであれば、炭化水素基、極性基のいずれでもよく、例えば、アルキル基、アリール基、シアノ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、ピリジル基などが例示される。」（第３頁左上欄第１１〜右上欄３行）と記載されている。
　（A-iv）異物の除去法に関し、「孔径が０.５μｍ以下、好ましくは０.３μｍ以下のフィルタ−で濾過することにより、異物を除去する。孔径が０.５μｍより大きいフィルタ−を用いると水素添加物溶液中の異物含有量が減少せず光学記録式光学材料として記録再生時のノイズレベルが増大する。」（第４頁左上欄第１０〜１５行）こと、
　（A-v）「揮発成分の除去はポリマ−溶液を減圧下に加熱することにより行われる。…（中略）…この際、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で処理することが望ましい。水素添加物は酸素存在下で加熱すると、熱劣化により着色しやすく、光学記録式光学材料に対する処理として好ましくない。この工程では必要に応じて酸化防止剤、熱安定性剤、滑剤、紫外線吸収剤などを添加してもよい。」（第４頁右上欄第１８行〜左下欄第１９行）こと、
　（A-vi）「これらの方法によって製造されたポリマ−（水素添加物）は、実質的に非晶性であり、透明性、寸法安定性、耐熱性、吸水性に優れ、透湿性がほとんど認められない。」（第４頁右下欄第４〜７行）こと、
　（A-vii）「本発明において、前記水素添加物１００重量部に対して、酸化防止剤を０.０１〜５重量部の割合で配合すると、成形加工時のポリマ−の分解や着色を効果的に防止することができる。」（第４頁右下欄第９〜１２行）こと、
　（A-viii）「本発明の成形材料は、通常の成形法により各種成形物に成形できるが、特に射出成形により光ディスク基板を作成するのに適している。」（第５頁左上欄第１４〜１６行）こと、
　（A-ix）「本発明の成形材料は、射出成形、プレス成形、押出成形、回転成形など一般的な熱可塑性樹脂の加工方法が可能である。」（第５頁右上欄第１４〜１６行）、
　（A-x）「また、光記録媒体としては、光ディスク、ＣＤ、ＣＤ−ＲＯＭ、レ−ザ−ディスク、光カ一ド、光フロッピ−、光テ−プ等を挙げることができる。」（第５頁左下欄第５〜８行）こと、
　（A-xi）「〔参考例１〕　　　６ −エチル−１, ４：５ , ８−ジメタノ−１,４,４a, ５,６,７,８,８a−オクタヒドロナフタレン（以下、ETDという）３０部をシクロヘキサン２００部に溶解し、分子量調節剤として１−へキセンを１部、トリエチルアルミニウムの１５％シクロヘキサン溶液１０部、およびトリエチルアミン５部を添加した。この溶液を、３０℃に保ちながらETD３０部、および四塩化チタンの２０％シクロヘキサン溶液１０部を１時間にわたって連続的に反応系に添加して、開環重合を行った。　　ETDと四塩化チタンの全量を添加し、３０分後、転化率８５％の時点で六塩化タングステンの０.８％シクロヘキサン溶液５部を添加し、更に３０分間攪拌した。単量体の重合体への転化率は９８％であった。」（第５頁左下欄第１５行〜右下欄第１０行）こと、
　（A-xii）「〔実施例１〕
　（水添工程）
　　参考例１の方法で得られた重合体溶液１００部に、インプロピルアルコ−ル１部を添加し、室温で１０分間攪拌した。さらに蒸留水を１部添加して、８０℃で１時間攪拌した。反応終了後、無水硫酸マグネシウム３部を添加して攪拌しながら溶液を室温まで冷却し、珪藻土（ラジオライト#８００昭和化学製）を濾過層として不溶化物を含んだ溶液を２.５kg／ｃｍ２加圧濾過し、淡黄色透明のポリマ−溶液を得た。上記のポリマ−溶液１００部に、ニッケル−珪藻土触媒１部を添加して、オートクレーブ中に入れ、攪拌混合後に中の空気を水素で置換して、水素圧を４５kg／cm２にて攪拌しながら温度１９０℃まで加温した後、４時間不均一系で反応させた。
　（濾過工程）
　　不溶化物を含んだポリマ−含量２０％の反応液をラジオライト#８００をろ過床として、加圧ろ過器（フンダフィルタ−、石川島播磨重工社製）を使用し、圧力 ２．５ｋｇ／ｃｍ２で加圧濾過して、無色透明な溶液を得た。この溶液１００部に酸化防止剤としてペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３,５−ジ−t−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネ−ト〕０.０１部を加えて溶解し、クリ−ン度クラス１００の環境下で、この濾液をさらに０．２μｍのフィルターにて濾過し、異物を除去した。
　（揮発成分除去工程）
　　上記溶液１００部を用いて、揮発成分であるシクロヘキサン及び残留モノマ−の蒸発を縦置円筒型濃縮器日立コント口（日立製作所製）によって行った。運転条件は、ポリマ−溶液温度２５１℃、圧力５７torr、ポリマ−溶液流量５.９kg／ｈｒにて行い、水素添加物１９部を得た。残留溶剤およびモノマ−は水素添加物を１０％含むトルエン溶液をガスクロマトグラフィで分析した結果、得られた水素添加物中のシクロヘキサン含量０.０８wt％、残留モノマ−水素添加物含量０.７３％であった。この回収した水素添加物溶融物１００部を同濃縮器を用いて、水素添加物溶融物温度２６０℃、圧力５torr、水素添加物溶融物流量１６.８kg／ｈｒで処理した。　溶融物をダイから押し出し、ベレタイザ−（OSP−２、長田製作所製）でカッテイングし、ベレット７３部（ポリマ−A）を得た。得られたべレットを１０％含むトルエン溶液をガスクロマトグラフィで分析した結果、残留シクロヘキサン量、残留モノマ−水素添加物量共に、測定限界以下であった。最終的に回収された水素添加物は、無色透明で、Ｍnは２９,０００、Mwは５９,５００、Mw／Ｍnは２.０５であった。また、示差走査熱量分析（DSC）により測定したTgは１４０℃であった。さらに、四塩化炭素溶液として１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより測定した水素添加率はほぼ１００％であった。得られた水素添加物を０.１カ−トリッジフィルタ−にて濾過精製したシクロヘキサンを用いて０.２％溶液に調整し、光散乱式粒子検出器（KS−５８、リオン社製）を用いて異物個数を測定した結果、１μｍ以上の異物量２１０個／g、０.５μｍ以上の異物量８×１０４個／gであった。」（第５頁右下欄第１１行〜第６頁左下欄第９行）こと、
　（A-xiii）「〔実施例３〕　　　モノマ−として ６−メチル−１,４：５,８−ジメタノ−１,４,４a,５,６,７,８,８a−オクタヒドロナフタレンを使用する以外は参考例１、実施例１と同様にして、開環重合体水素添加物べレット（ポリマ−C）を得た。得られた水素添加物のノベレットは無色透明で、Ｍnは３１,０００、Mwは６３,０００、Mw／Ｍnは２.０３、Tgは１４９℃であり水素添加率はほぼ１００％であった。　　また残留シクロヘキサン量、残留モノマ−水素添加物量は検出限界以下であった。水素添加物中の１μｍ以上の異物量は３２０個／g、０.５μg以上の異物量は６×１０４個／gであった。」（第６頁右下欄第３〜１５行）こと、
　（A-xiv）「〔実施例６〕　（光ディスク基板の作成）　　　前記の各べレットを用い、射出成形機（住友重機械工業社製、DISC５MIII）により、樹脂温度３３０℃、金型温度１１０℃の条件で射出成形を行い、直径１３０mm、厚さ１.２mmの光ディスク基板を成形した。波長８３０ｎmにおける光線透過率はいずれも９０％以上であった。　　この光ディスク基板について、目視検査による外観、分子量（Mw）変化率、顕微鏡観察によるボイドの有無、複屈折値（半径：２５〜６０mmの範囲）、オ−ブン中で、１１０℃、４８時間加熱した後の着色の状況（目視検査）を測定した。結果を第１表に示した。」（第７頁左下欄第１８行〜右下欄）こと、
　（A-xv）第１表には、各実施例で作製した光ディスク基板の複屈折が２０ｎｍ以下（く２０）で、ミクロボイドがなく、無色であることなどが示されており、そして、「第１表から明らかなように、本発明の光ディスク基板は、複屈折が小さく、ミクロボイドやシルバ−ストリ−クの発生がない。また、酸化防止剤を配合すると、成形時の分子量低下がなく、長期にわたって着色を生じない。」（第８頁左下欄第１〜５行）こと、
　（A-xvi）「〔実施例７〕　　　第２表に示す材料を用いて得た光ディスク基板を、クリ−ンル−ム内でインプロピルアルコ−ルで超音波洗浄を行なった後、フレオン蒸気で乾燥を行なった。その後、日本真空技術社製ＲFマグネトロンスパッタリング装置を用い記録膜としてＳｉ３Ｎ４／TbFeCo／Ｓｉ３Ｎ４　３層膜（膜厚は各層とも５００オングストロ−ム）を成膜した。　得られた光ディスクについて、各種物性試験を行ない、その結果を第２表に示す。」（第８頁左下欄第１０〜１９行）こと、が記載されている。
　　これらの記載から、及び本件発明１と同じ出発原料を用い同じメタセシス重合を行い水素添加を行っていることから（Ｉ）式のトリシクロデカン基本骨格の重合体が得られているものと認められるので、先願Ａの当初明細書には、「（Ｉ）式［上記ＩＩＩ．２．の（Ｉ）式参照、基Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅとして、水素原子、アルキル基、シアノ基、アルコキシカルボニル基を示す］のトリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂からなる光ディスク基板を用いた光ディスク。」の発明、及び、「（Ｉ）式［前記参照］のトリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂を３３０℃の樹脂温度で、１１０℃の金型温度で射出成形して得た光ディスク基板を用いた光ディスク。」の発明が記載されているものと認める。
　
　実験成績証明書（甲第４号証の追試実験報告書、甲第５号証）は、
　異議申立人日本ゼオン株式会社の総合開発センターの小原禎二による甲第４号証の実施例１及び３の追試実験報告書（平成１３年３月２７日付け）であって、追試結果として、６−エチル−１，４；５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレンを出発原料として製造したポリマーＡ（実施例１相当）、及び６−メチル−１，４；５，８−ジメタノ−１，４，４ａ，５，６，７，８，８ａ−オクタヒドロナフタレンを出発原料として製造したポリマーＢ（実施例３相当）の物性値として、ゲル含量（０．０１％以下，０．０１％以下）、ハロゲン（塩素原子）含量（１ｐｐｍ以下，１ｐｐｍ以下）、分子量（５９０００，６３０００）、水分量（３０ｐｐｍ，３５ｐｐｍ）、水添率（１００％，１００％）、ガラス転移温度（１４０℃，１４９℃）について測定して、ポリマーＡとＢについて（）内に順に示した値の結果を得たことが記載されている。
　
４．対比、判断
　（１）本件発明１の特許について
　（Ａ）刊行物１〜２記載の発明との対比、判断（第１および第２異議理由に関して）
　　本件発明１と刊行物１，２記載の発明とを対比すると、両者は、「（Ｉ）式［上記ＩＩＩ．２．の（Ｉ）式参照；刊行物１記載の発明に対し、基Ａ、Ｅは水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｂ、Ｄは本件発明１の定義と同義（但し、（多）環状アルキレン基の場合を除く）の基である；刊行物２記載の発明に対し、基ＡとＢが水素原子、ＤとＥが炭素数１〜６の鎖状炭化水素基と−ＣＯＯＲ（Ｒは炭素数１〜６の鎖状炭化水素基）である］のトリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂からなる光ディスク基板を用いた光ディスク。」の発明である点で一致しているけれども、少なくとも、本件発明１がハロゲン含有量を特定しているのに対して、刊行物１，２記載の発明ではその点について明示していない点で相違している。
　この相違点について検討すると、
  刊行物１，２には、製造して得られた（Ｉ）式のトリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂に含有されるハロゲン含有量について記載されておらず、また、ハロゲン含有量を２ｐｐｍ以下とすることによって、本件発明１の目的・効果とされる着色に対して良好な結果を与えることは何ら示唆されていない。
　一方、平成１３年８月１７日付け意見書第６〜８頁において、ジエチルアルミニウムクロライドのトルエン溶液量を倍量使用した以外は本件参考例２と同様の操作で得たハロゲン含有量が５ｐｐｍのものは、本件実施例に用いる参考例２の２ｐｐｍのものに比べ、８５℃、相対湿度８５％で１０００時間後の記録膜の状態観察により、腐蝕と思われる変色があり、Ｃ／Ｎが劣っていることが示され、前記作用効果について釈明がなされている。　なお、この釈明の追加実験は、同様なアルコール抽出処理や水素添加触媒を行っても、必ずしもハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下になるわけではないことを示唆するものといえる。
　ところで、（ｉ）刊行物１の実施例１には、単量体を重合後メタノール抽出処理して回収された重合体に関して、タングステンとアルミニウムの含有量がいずれも５ｐｐｍ以下と記載（なお、同実施例２では、水素添加後に５ｐｐｍ以下と記載されている）されているけれども、塩素（ハロゲン）の含有量について言及されていないし、また、アルコール抽出処理により触媒や未反応単量体の含有量が極めて低いものとなる旨が刊行物１に記載（摘示（1-viii））はされているけれども、ハロゲンについて具体的に言及していない。　更に、実施例では該触媒以外に塩素の供給源となる可能性のあるクロロベンゼンが触媒の溶媒に用いられていることをも勘案すると、水素添加時に更に塩素が除去される（本件明細書には、水添触媒に吸着されると記載されている）としても、製造されたポリマー中にハロゲンがどの程度の量含有されるのかは定かではなく、また追試データも提示されていないので２ｐｐｍ以下になるとまでは断言できない。 　また、（ｉｉ）刊行物２には、ハロゲンの含有量について言及する記載がなく、実施例のものは、製造時に塩素の供給源となる可能性のある１，２−ジクロロエタンを溶媒として用いてもいることをも勘案すると、製造された重合体がどの程度の量でハロゲンを含有しているのか不明というしかなく、また追試データも提示されていないので２ｐｐｍ以下になるとまでは断言できない。
　してみると、前記ハロゲン含有量の相違点は、実質的な相違点というしかなく、かつ、ハロゲン含有量を２ｐｐｍ以下とすることは当業者が容易に想到し得ると言うことが出来ない。
　なお、刊行物３記載の発明は、ポリカーボネートを材料とするものであって、（Ｉ）式のトリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂に関するものではないから、前記判断を左右するものではない。
　よって、本件発明１は、他の構成の一致点について認定するまでもなく、刊行物１，２記載の発明と同一ではなく、また、刊行物１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得るものということができない。
　
（Ｂ）先願Ａ記載の発明との対比、判断（第３異議理由に関して）
　本件発明１と先願Ａ記載の発明を対比すると、両者は、「（Ｉ）式［上記ＩＩＩ．２．の（Ｉ）式参照、基Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｅとして、水素原子、アルキル基、シアノ基、アルコキシカルボニル基から選ばれる］のトリシクロデカンを基本骨格とする熱可塑性樹脂からなる光ディスク基板を用いた光ディスク」の発明である点で一致しているけれども、少なくとも、本件発明１がハロゲン含有量を特定しているのに対して、先願Ａ記載の発明ではその点について言及していない点で相違している。
　この相違点に関しては、異議申立人により、実験成績証明書によって先願Ａの実施例１と３の追試データにより、ハロゲン含有量が１ｐｐｍ以下であって、本件発明１で特定される数値限定２ｐｐｍ以下を満たしていることが示された。
　しかしながら、先願Ａの実施例１と３のポリマーは、（Ｉ）式の置換基Ａ，Ｂ，Ｄ，Ｅに関して水素原子とメチル基又はエチル基から選ばれるものであって、「少なくとも水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の基を含む」ものではない点で、本件発明１の熱可塑性樹脂材料とは相違している。
　先願Ａの明細書を検討すると、ノルボルネン系モノマーの置換基は、「従来から周知のものであれば、炭化水素基、極性基のいずれでもよく、例えば、アルキル基・・・シアノ基、・・アルコキシカルボニル基・・などが例示される。」と記載されていて、「水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の基を含む」場合があること記載されているけれども、これらの極性基を有するノルボルネン系モノマー（なお、先願Ａの明細書にはこのモノマーを用いた実施例は示めされていない）を用いた場合に、先願Ａの実施例１，３で追試されたようにハロゲン含有量が本件発明１で特定する数値限定を満たすとまでは断言できない。
　よって、本件発明１は、他の構成の一致点について認定するまでもなく、先願Ａ記載の発明と同一ということができない。
　
（２）本件発明２の特許について（第１〜３異議理由に関して）
　　本件発明２は、本件発明１の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する。　そうであるから、上記（１）で説示したと同様の理由により、刊行物１，２記載の発明と同一ではなく、刊行物３の記載を勘案しても刊行物１〜３記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る発明であるとも認められず、また、先願Ａの当初明細書に記載された発明ということもできない。
　
（３）第３６条違反について（第４異議理由に関して）
　　特許異議申立人は、「本件明細書の比較例１の（ｃ）〜（ｆ）（第２表）、比較例２の（ｊ）〜（ｍ）（第３表）、及び比較例４の各光ディスクは、本件請求項１に係る構成要件を全て充足するものでありるにもかかわらず、複屈折やビット転写性などが劣悪であり、比較例とされている。　このように、本件請求項１に係る特許発明は、所期の目的を達成し得ない比較例をも包含するものである。　この点で矛盾している。」点で記載不備がある旨主張しているので、この点について検討する。
　特許権者は、取消理由に対する意見書（平成１３年８月１７日付け）において、ハロゲン含有量が２ｐｐｍの場合に比べ５ｐｐｍの場合に８５℃、相対湿度８５％で１０００時間後の記録膜の、状態観察により、腐蝕と思われる変色があり、Ｃ／Ｎが劣っていることを示した。　これによって、本件発明１の構成の意義が釈明されたものと認める。　本件特許明細書の第２表、第３表のデータは、本件発明２についての作用効果を示すものであって、光ディスクの製造手段によっては劣った結果が得られる場合があるとしても、前記釈明を勘案すれば、矛盾しているとまではいえない。
　したがって、特許異議申立人の申し立てる記載不備の主張は失当であり、本件特許がその主張している記載不備の点で特許法第３６条第各項の規定に違反しているということができない。
　
ＩＶ．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由および証拠によっては、本件発明１乃至２の特許を取り消すことができない。
　また、他に本件発明１乃至２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月９日（２００１．１０．９）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（ｉ）特許請求の範囲の請求項１を減縮を目的として次のとおり訂正する。（　なお、下線の箇所が訂正された個所である。）
　「【請求項１】　下記一般式（Ｉ）で表されるトリシクロデカンを基本骨格とし、固有粘度〔η〕ｉｎｈ（３０℃、クロロホルム中）が０．３〜１．５ｄｌ／ｇ、ゲル含有量が０．０１重量％以下、かつ
ハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下
〔
式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＲ１−、−（ＣＨ２）ｎＣＮ、−（ＣＨ２）ｎＣＯＮＲ３Ｒ２、−（ＣＨ２）ｎＷ、またはＢとＤから構成された−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ４−ＣＯ−もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ、Ｂ、ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の基を含む。
　ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ５ｐＦ３−ｐ（Ｒ５は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ６または−ＯＲ６（Ｒ６は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。〕
（ｉｉ）上記訂正事項（ｉ）の訂正に付随的に生じる記載の不備を解消するため、
　（イ）特許公報第４欄４４行の「ハロゲン含有量が５００ｐｐｍ以下」を、「ハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下」と訂正する。
　（ｃ）特許公報第５欄１０行〜第６欄１６行及び特許公報第５欄３７行〜第６欄４８行の「〔式中、・・・・ｎは０〜１０の整数を示す。〕」を、「〔式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＲ１−、−（ＣＨ２）ｎＣＮ、−（ＣＨ２）ｎＣＯＮＲ３Ｒ２、−（ＣＨ２）ｎＷ、またはＢとＤから構成された−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＯ−ＮＲ４−ＣＯ−もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ、Ｂ、ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の基を含む。　　ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ５ｐＦ３−ｐ（Ｒ５は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ６または−ＯＲ６（Ｒ６は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。〕」と訂正する。
　（ロ）特許公報第７欄１〜２６行の「８−メチルテトラシクロ・・・・およびそのアルキル置換体、」を削除する。
　（ハ）特許公報第１２欄３２〜３６行の「５００ｐｐｍ・・・・耐熱性が得られる。」を、「２ｐｐｍ以下に抑えることにより、加熱時の水添重合体のゲルの発生や着色に対しては良好な結果を与えることができ、より良好な耐熱性が得られる。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
光ディスク
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　下記一般式（Ｉ）で表されるトリシクロデカンを基本骨格とし、固有粘度〔η〕ｉｎｈ（３０℃、クロロホルム中）が０．３〜１．５ｄｌ／ｇ、ゲル含有量が０．０１重量％以下、かつ
ハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下
〔式中、Ａ，Ｂ，ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、
−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＲ１−、−（ＣＨ２）ｎＣＮ、−（ＣＨ２）ｎＣＯＮＲ３Ｒ２、−（ＣＨ２）ｎＷ、またはＢとＤから構成された
もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ，Ｂ，ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の上記の基を含む。
　
ここで、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ５ｐＦ３−ｐ（Ｒ５は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ６または−ＯＲ６（Ｒ６は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。〕
　請求項２：　樹脂温度２６０〜３７０℃、金型温度１００〜１６５℃、射出速度８０〜３００ｍｍ／秒で、請求項１記載の熱可塑性樹脂を射出成形して得た光ディスク基板を用いた光ディスク。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明は、耐熱性、成形性、転写性、寸法安定性、反射膜や記録膜の密着性などに優れ、複屈折が小さく、光学特性に優れた光ディスク基板を用いた光ディスクに関する。
〔従来の技術〕
　最近に至り、従来の磁気方式に較べ、非接触、単位体積あたりの情報量の多さなどから、情報を光によって読み書きするメディアとして、光ディスクが大きく伸長してきている。光ディスクとしては情報をあらかじめ光ディスクに導入し、それを音や画像として再生するコンパクトディスク（ＣＤ）、レーザーディスク（ＬＤ）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｉなど、また光ディスク基板に記録膜などを付着させ、レーザーによって情報を書き込んで用いるＣＤ−ＲやＤＲＡＷ、または情報の読み書きが繰り返しできるＥ−ＤＲＡＷディスクなどがある。
　これらの光ディスクは、それぞれの要求性能に応じて、プラスチック材料で成形された基板が用いられている。例えば、コンパクトディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｉ、ＣＤ−Ｒ、ＤＲＡＷ、Ｅ−ＤＲＡＷなどのディスクでは、基板材料としてポリカーボネートが用いられ、レーザーディスクでは、ポリメチルメタクリレートが一般に用いられている。
〔発明が解決しようとする課題〕
　しかしながら、これらの光ディスクでは、基板材料において、必ずしも満足されているわけではなく、それぞれ種々の欠点を有している。
　すなわち、コンパクトディスクでは、基板材料としてポリカーボネートが用いられているが、この材料の表面硬度の低さ、複屈折の大きさ、成形性の悪さなどの特有の欠点によって、光ディスクの表面が傷ついたり、音が歪んだり、成形の歩留まりが悪いなどの欠点を有している。
　レーザーディスクでは、ポリメチルメタクリレートの吸水性の大きさによって、変形が生じたり、あるいはこの変形を防止するために２枚を貼り合わせるなど、余分の工程が必要となっている。また、耐熱性が不充分であるため、反射膜であるアルミニウムを低温による真空蒸着で実施せねばならず、この工程はバッチ方式となり、生産性に問題がある。
　ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｉ、ＤＲＡＷなどの光ディスクにおいても、通常、ポリカーボネートが用いられているが、複屈折が大きく、読み取りミスが生じたり、表面の傷つきなどに問題がある。
　Ｅ−ＤＲＡＷでも、ポリカーボネートを用いることが試みられているが、基板の複屈折が大きく、かつ熱や応力によって、複屈折が大きく変化するため、情報の読み取りミスが生じたり、レーザーによる読み書きの繰り返しにともなって、ポリカーボネートの耐熱性の問題から、ピットが変形するなどの長期使用のための信頼性が不足する欠点がある。また、表面硬度が低いために、保護膜の付着が必要であったり、保護膜を付着させない場合には、傷つきの問題などが生じる。
　本発明は、前記従来技術の課題を背景になされたもので、耐熱性、成形性、転写性、寸法安定性、反射膜や記録膜の密着性などに優れ、複屈折が小さく、光学特性に優れた光ディスクを提供するものである。また、本発明は、吸湿や高温における寸法変化や反りが小さく、従って貼り合わせの必要のない単面の優れた性能を有するレーザーディスク用の光ディスクを提供することを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるトリシクロデカンを基本骨格とし、固有粘度〔η〕ｉｎｈ（３０℃、クロロホルム中）が０．３〜１．５ｄｌ／ｇ、ゲル含有量が０．０１重量％以下、かつ
ハロゲン含有量が２ｐｐｍ以下
〔式中、Ａ，Ｂ，ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、
−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＲ１−、−（ＣＨ２）ｎＣＮ、−（ＣＨ２）ｎＣＯＮＲ３Ｒ２、−（ＣＨ２）ｎＷ、またはＢとＤから構成された
もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ，Ｂ，ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の上記の基を含む。
　
ここで、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ５ｐＦ３−ｐ（Ｒ５は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ６または−ＯＲ６（Ｒ６は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。〕
　この熱可塑性樹脂としては、例えば下記一般式（ＩＩ）で表される少なくとも１種のテトラシクロドデセン誘導体または該テトラシクロドデセンと共重合可能な不飽和環状化合物とをメタセシス重合して得られる重合体を水素添加して得られる水添重合体を用いることができる。
〔式中、Ａ，Ｂ，ＤおよびＥは水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、
−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＲ１、−（ＣＨ２）ｎＯＲ１−、−（ＣＨ２）ｎＣＮ、−（ＣＨ２）ｎＣＯＮＲ３Ｒ２、−（ＣＨ２）ｎＷ、またはＢとＤから構成された
もしくは（多）環状アルキレン基を示し、かつＡ，Ｂ，ＤおよびＥのうちに、上記水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基以外の上記の基を含む。
　
ここで、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３およびＲ４は炭素数１〜２０の炭化水素基、ＷはＳｉＲ５ｐＦ３−ｐ（Ｒ５は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｆは−ＯＣＯＲ６または−ＯＲ６（Ｒ６は炭素数１〜１０の炭化水素基を示す）、ｐは０〜３の整数を示し、ｎは０〜１０の整数を示す。〕
　前記一般式（ＩＩ）で表されるテトラシクロドデセン誘導体の
具体例としては、８−メトキシカルボニルテトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕ドデカ−３−エン、
　これらのシクロドデセン誘導体は、単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、前記テトラシクロドデセン誘導体は、これと共重合可能な不飽和環状化合物を９５モル％以下、好ましくは５０モル％以下程度使用して共重合体とすることもできる。この不飽和環状化合物としては、例えば一般式（ＩＩＩ）
〔式中、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥは、一般式（Ｉ）および（ＩＩ）と同じ〕で表されるビシクロ（２．２．１）ヘプト−２−エン誘導体、シクロブテン、シクロペンテン、シクロオクテン、１，５−シクロオクタジエン、１，５，９−シクロドデカトリエン、ノルボルネン、４−エチリデンノルボルネン、５−メチルノルボルネン、ジシクロペンタジエン、テトラシクロ〔４．４．１２，５．１７，１０．０１，６〕ドデカ−３−エン、８−エチリデン−テトラシクロ〔４．４．１２，５．１７，１０．０１，６〕ドデカ−３−エンなどを挙げることができる。
　前記一般式（ＩＩ）で表されるテトラシクロドデセン誘導体または一般式（ＩＩＩ）で表される不飽和環状化合物において、Ａ、Ｂ、ＤおよびＥのうちに極性基を含むことが、成形して得た光ディスク基板に反射膜や記録膜を形成させる際、膜の密着性が優れたものとなる点で好ましい。さらに、この極性基が−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１で表されるカルボン酸エステル基であることが、得られる水添重合体が高いガラス転移温度を有するものとなる点で好ましい。
　特に、このカルボン酸エステル基よりなる極性置換基は、一般式（ＩＩ）のテトラシクロドデセン誘導体または一般式（ＩＩＩ）の不飽和環状化合物の１分子あたりに１個含有されることが、得られる水添重合体の高い耐熱性を保持したまま、吸湿性を低くできる点で好ましい。
　また、−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１で表されるカルボン酸エステル基のうち、ｎの値が小さいものほど、得られる水添重合体のガラス転移温度がさらに高くなるので好ましい。
　前記一般式において、Ｒ１は炭素数１〜２０の炭化水素基であるが、炭素数が多くなるほど得られる水添重合体の吸湿性が小さくなる点では好ましいが、得られる水添重合体のガラス転移温度とのバランスの点から、炭素数１〜４の鎖状アルキル基または炭素数５以上の（多）環状アルキル基であることが好ましく、特にメチル基、エチル基、シクロヘキシル基であることが好ましい。
　さらに、カルボン酸エステル基が結合した炭素原子に、同時に炭素数１〜１０の炭化水素基が置換基として結合されている一般式（ＩＩ）のテトラシクロドデセン誘導体または一般式（ＩＩＩ）の不飽和環状化合物は、得られる水添重合体のガラス転移温度を低下させずに、吸湿性を低下させるので好ましい、特に、この置換基がメチル基またはエチル基である一般式（ＩＩ）のテトラシクロドデセン誘導体または一般式（ＩＩＩ）の不飽和環状化合物は、その合成が容易な点で好ましい。
　これらのテトラシクロドデセン誘導体、あるいはこれと共重合可能な不飽和環状化合物の混合物は、例えば特開平−７７５２０号公報第４頁右上欄第１２行〜第６頁右下欄第６行に記載された方法によって、メタセシス重合、水素添加され、本発明に使用される熱可塑性樹脂とすることができる。
　本発明において、熱可塑性樹脂として使用される水添重合体の分子量は、クロロホルム中、３０℃で測定される固有粘度（〔η〕ｉｎｈ）が、０．３〜１．５ｄｌ／ｇの範囲、ポリスチレン換算の重量平均分子量では、１０，０００〜７００，０００である。
　〔η〕ｉｎｈまたは重量平均分子量が上記範囲にあることによって、成形加工性、耐熱性、耐水性、耐薬品性、機械的特性などが良好である。
　また、水添重合体の水素添加率は、６０ＭＨｚ、１Ｈ−ＮＭＲで測定した値が５０％以上、好ましくは９０％以上、さらに好ましくは９８％以上である。水素添加率が高いほど、熱や光に対する安定性が優れたものとなる。
　なお、本発明の熱可塑性樹脂として使用される水添重合体は、該水添重合体中に含まれるゲル含有量が０．０１重量％以下である。
　ゲル含有量が０．０１重量％を超えると、射出成形ではいかなる成形条件の変更を行っても、成形品表面のシルバーストリークやフィッシュアイの発生を防止することができなくなる。ゲル含有量が０．０１重量％を下回るにつれて、射出成形の成形条件の制御により、これらの成形不良を少なく抑えることができるようになる。
　特に、ゲル含有量を０．０１重量％以下に抑えることにより、より高い温度、高い射出速度などの厳しい条件で射出成形を行うことができる。より精密な光学部品を成形する場合には、ゲル含有量０．０１重量％以下に抑える。
　このようなゲル含有量の少ない水添重合体を得る方法としては、例えば下記のような方法を挙げることができる。
　▲１▼仕上げ（溶媒の除去）工程を、すべて不活性雰囲気下で行う方法。
　この仕上げ工程、特に溶媒の除去は、加熱して行われるので、ゲル化を防止するためにはチッ素雰囲気下で操作することが望ましい。具体的には、仕上げ工程に入る前の（水添）重合体溶液の取り扱いをすべてチッ素雰囲気下で行う。溶媒の除去を減圧下で行う場合においても、装置の漏れをできる限り減らすとともに、万一、漏れがあっても空気ではなくチッ素が漏れるように装置全体をチッ素雰囲気下に設置する、などの操作が挙げられる。
　▲２▼適当な酸化防止剤を、例えば重合体の水添工程後に添加する方法。
　ここで、ゲルの発生を防止するために用いることのできる酸化防止剤としては、フェノール系などの一般によく知られている酸化防止剤が適用できる。具体的には、ペンタエリスリトール−テトラキス〔３−（３−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、３，９−ビス〔２−（３−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ〕１，１−ジメチルエチル〕２，４，８，１０−テトラオキサスピロ〔５，５〕ウンデカン、トリス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、１，３，５−トリス（４−ｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２，６−ジメチルベンジルイソシアヌレートなどが挙げられる。これらのフェノール系酸化防止剤に、さらにリン系酸化防止剤を組み合わせて使用してもよい、例えば、このリン系酸化防止剤としては、ビス−（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルホスファイト）、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホネートジエチルエステルなどが挙げられる。
　▲３▼仕上げ（溶媒の除去）時の温度をできるだけ下げる方法。
　この方法としては、次のような（イ）〜（ハ）の方法が挙げられる。
　（イ）溶媒をできるだけ沸点の低いものを用いる。
　しかしながら、あまり沸点の低い溶媒を用いると、重合時、水添時の内圧が高くなり、装置の耐圧を上げる必要が生じたり、溶媒そのものが高価なものになるなどの多の要因を考慮しなければならない。
　（ロ）溶媒の除去を減圧下で行う。この方法は、充分に効果が期待できる。
　（ハ）処理される（水添）重合体溶液が、できるだけ薄い膜となって効率よく溶媒が揮発できるような装置を用いる。
　以上のような方法により、溶媒の除去の際の温度は、酸化防止剤を用いない条件では３００℃以下に保つことが好ましい。また、適当な酸化防止剤を用いた場合では、３８０℃以下に保つことが好ましい。
　また、前記▲１▼〜▲３▼の方法によってもゲルが発生してしまった場合や、前記▲１▼〜▲３▼の方法を行わなかった場合などでゲルが発生してしまった場合には、ろ過により除去してもよい。
　発生したゲルのろ過による除去は、次のような方法で行われる。すなわち、（水添）重合体を適当な良溶媒に２０重量％以下、好ましくは１５重量％以下の濃度に溶かし、この溶液を孔径が１μｍ程度のフィルターでろ過する。より完全にゲルを除去する必要がある場合には、孔径が０．５μｍ程度のフィルターを用いることができる。
　本発明においては、これらの方法のいずれも有効に活用することができるし、これらの方法を組み合わせて水添重合体を製造するとさらに効果的である。
　また、本発明において、熱可塑性樹脂として使用される前記水添重合体は、該水添重合体中に含まれる水分量を１，０００ｐｐｍ以下に抑えた場合には、射出成形時のシルバーストリークおよびフィッシュアイの発生、成形品の表面の剥離などがさらに抑制され、より安定した成形を行うことができる。
　より高い温度、高い射出速度などの厳しい条件で射出成形を行う場合には、水添重合体の水分量を３００ｐｐｍ以下に抑えると良好な結果が得られる。
　さらに、長期にわたって安定に成形を行いたい場合には、水添重合体の水分量を１００ｐｐｍ以下に抑えることが望ましい。
　このように、水分の含有量の少ない水添重合体を得る方法としては、一般の重合体の乾燥に用いられている方法、例えば真空乾燥法、乾燥空気もしくは乾燥チッ素による気流乾燥法などが挙げられる。
　特に、水添重合体の酸化劣化を嫌う場合には、真空乾燥法あるいは乾燥チッ素を用いた気流乾燥法が好ましい。
　さらに、本発明の熱可塑性樹脂として使用される前記水添重合体は、該水添重合体中に含まれるハロゲン含有量を
２ｐｐｍ以下に抑えることにより、加熱時の水添重合体のゲルの発生や着色に対しては良好な結果を与えることができ、より良好な耐熱性が得られる。
　ハロゲン含有量の少ない水添重合体を得る方法としては、
　▲１▼ハロゲン原子を含まない触媒や溶媒を使用して、（水添）重合体を得る方法（以下「方法▲１▼」という）、
　▲２▼（水添）重合体製造時に、ハロゲン原子を除く工程を取り入れる方法（例えば、抽出法および／または水添触媒への吸着方法、以下「方法▲２▼」という）、などが挙げられる。
　前記方法▲１▼は、最も簡便で、ハロゲン原子が本質的に（水添）重合体に取り込まれないことから効果が大きい。しかしながら、方法▲１▼は、触媒が高価であることなどの問題点もある。この方法▲１▼で使用する触媒としては、メタセシス重合触媒として、（ａ）タングステンまたはモリブデンのアルコシキ誘導体と、（ｂ）有機リチウム化合物、有機マグネシウム化合物、有機亜鉛化合物、トリアルキルアルミニウム誘導体またはテトラアルキルスズ化合物などの組合せが挙げられる。
　また、方法▲１▼における重合触媒としては、トルエン、キシレン、ペンタン、シクロペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、デカリンなどの芳香族炭化水素、１，２−ジメトキシエタン、ジメチレングリコールジメチルエーテル、アニソールなどのエーテル系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチルなどのエステル系溶媒などが挙げられる。これらの重合溶媒は、混合系として使用することもできる。
　さらに、方法▲１▼における水素添加反応のための溶媒としては、前記重合に用いられる好ましい溶媒のうち、水素添加される危険性のある芳香族系化合物を除いたすべての溶媒を使用することができる。
　一方、前記方法▲２▼における抽出法は、特開平２−３６２２４号公報に開示されているように、重合後または水素添加後の（水添）重合体溶液に、（水添）重合体の貧溶媒を加えて（水添）重合体を回収する方法が挙げられる。この抽出法でハロゲン原子を除く場合には、貧溶媒としてメタノール、エタノール、プロパノールなどの低級アルコール、ギ酸メチル、ギ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチルなどの低級アルコールのエステル類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類などが好ましい。これらの貧溶媒は、組み合わせて用いることもできる。
　また、前記方法▲２▼における水添触媒への吸着方法は、パラジウム、ロジウム、ルテニウムおよびプラチニウムの群から選ばれた少なくとも１種の金属触媒を用いて、重合体を水素添加反応させることにより、重合体中のハロゲン原子を除去する方法である。この際、金属触媒は、担体に担持させて使用することが好ましい。
　この担体としては、カーボン、シリカ、アルミナ、シリカマグネシア、チタニア、ジルコニア、ゼオライト、シリカ−アルミナなどが挙げられる。
　担持率は、０．０１〜２０重量％、好ましくは０．１〜１０重量％、さらに好ましくは０．２〜７重量％である。この金属触媒のなかでは、塩素除去率が高いことから、特にパラジウムが好ましい。また、担体としては、比重、触媒、調製のし易さから、アルミナ、シリカ、シリカマグネシアが好ましい。
　この水添触媒への吸着方法の詳細については、特開平３−１０６９０４号公報において記述されている。
　本発明に使用される熱可塑性樹脂は、前記のような水添重合体より構成されるが、これに公知の酸化防止剤、紫外線吸収剤などを添加してさらに安定化することができる。また、加工性を向上させるために、滑剤などの従来の樹脂加工において用いられる添加剤を添加することもできる。
　次に、本発明の熱可塑性樹脂を用いた光ディスクの成形法について説明する。
　まず、熱可塑性樹脂を必要に応じて本発明の効果を損なわない量の他の安定剤、帯電防止剤などの添加剤とともに、リボンブレンダー、タンブラーブレンダー、ヘンシェルミキサーなどで混合あるいは混合後、押し出し機、バンバリーミキサー、二本ロールなどで溶融混合するか、炭化水素や芳香族溶媒に溶解してポリマー溶液の状態で混合し、その後、単軸押し出し機、ベント付き押し出し機、二本スクリュー押し出し機、三本スクリュー押し出し機、円錐型二本スクリュー押し出し機、コニーダー、プラティフィケーター、ミクストケーター、二軸コニカルスクリュー押し出し機、遊星ねじ押し出し機、歯車型押し出し機、スクリューレス押し出し機などを用いて、射出成形を行い、ディスク成形用の金型（情報ピットや案内溝を形成するためのスタンパーのセットされたものも含む）によって成形する。
　すなわち、これらの押し出し機の加熱シリンダ内でスクリューより均一に溶融可塑化された適量の樹脂を、高速で金型内に射出保持し、冷却固化させるものである。
　射出成形によって得られた光ディスク基板は、その後、記録層あるいはレーザー光線を反射するための金属層を、蒸着法、スパッタ法などの公知の方法によって形成し、さらに必要に応じて保護層を設けて完成される。より具体的には、前記のように情報ピットに対応する凹凸を有するスタンパーをセットした金型内に、熱可塑性樹脂を射出成形して得られた基板に、反射率の高い金属、例えばＮｉ、Ａｌ、Ａｕなどをコーティングし、さらに、これを保護するために公知のアクリル系などの紫外線硬化樹脂などを塗布、硬化させ、レーザー光の反射を利用して情報を読み出すＣＤ、ＬＤなどの再生専用ディスク、同じく１μｍ以下の案内溝の付いた光ディスク基板に、Ｔｅ系やＴａ系金属などの記録媒体をスパッタなどでコートしたものに、レーザー光を照射し、その媒体を融解させて記録する追記型のディスク（ＤＲＡＷ）、また記録媒体として、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系のようにレーザー光照射による非晶−結晶の相変化からくる光反射率、光透過率の変化を利用したり、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏに代表されるアモルファス希土類・遷移金属合金型膜のように、レーザー光照射により磁化反転を利用したりする書換え型ディスクなどとすることができる。
　本発明の熱可塑性樹脂を用いて、射出成形により成形性、透明性、複屈折、機械的強度、反り、転写性、寸法安定性などにおいて優れた光ディスク基板を得るためには、本発明の熱可塑性樹脂を用い、樹脂温度と金型温度を特定するのが好ましい。すなわち、本発明の熱可塑性樹脂を用い、樹脂温度を２６０〜３７０℃、好ましくは２８０〜３５０℃、金型温度を１００〜１６５℃、好ましくは１１０〜１４０℃、射出速度８０〜３００ｍｍ／秒、好ましくは８０〜２００ｍｍ／秒の範囲で組み合わせることが、優れた光ディスク基板を得るために好ましい。従って、樹脂温度、金型温度および射出速度の三条件のいずれが上記の範囲を外れても、目的とする光ディスク基板が得難い。
　例えば、樹脂温度が２６０℃未満の場合、成形されたディスクには歪みが生じ、複屈折が大きくなり、光学特性が劣るものとなり、またピットの転写性が悪くなる。一方、樹脂温度が３７０℃を超えると、樹脂が黄色に着色したり、分解、焼けを起こしたりする恐れがある。
　また、金型温度が１００℃未満の場合、樹脂温度が低い場合と同様、光学特性、ピットの転写性が劣るものとなる。一方、金型温度が１６５℃を超えると、成形後の冷却の過程で、樹脂の内部歪みが増大することによる光学特性の低下を招き、また場合によっては、得られるディスクの強度低下が生じる。
　なお、金型温度については、可動側の金型温度を固定側よりもやや低め、特に１〜１０℃低くコントロールすることが好ましい。
　一方、射出速度については、８０ｍｍ／秒未満で射出成形を行った場合、得られる光ディスク基板の複屈折が大きくなり易い。一方、射出速度が３００ｍｍ／秒を超えると、成形された光ディスク基板の機械的強度が低下する場合がある。
き、下記の式で計算することができる。
　（イ）ゲート形状が長方形の場合；
ゲートの厚み（ｃｍ）を表す。〕
　（ロ）ゲート形状が円形の場合；
に好ましくは１×１０４〜１×１０３（ｓｅｃ−１）である。
外観の優れたものが得られる。
　また、射出速度を多段に変化させて成形する場合、成形品の半分以上は上記歪み速度で成形すればよい。
　射出成形は、通常の大気雰囲気下で行うことができるが、熱可塑性樹脂の分解、着色やゲルの発生を防止するためには、熱可塑性樹脂の成形機への供給をチッ素ガスの雰囲気下で行うことができる。特に、水素添加率の低い樹脂を用いる場合には、チッ素ガスの雰囲気下で供給することが好ましい。
　本発明の光ディスクは、前記の射出成形を行ったのち、レーザー光を反射するための金属層あるいは書き込み、読み取りのための記録膜が形成される。Ａｌなどの金属層を形成する場合、本発明の光ディスク基板は耐熱性が高いため、蒸着法ばかりでなく、スパッタ法を用いることができる。
　また、従来のポリカーボネートを用いた基板の場合に較べ、より高温でのスパッタ条件を選べるので、反射膜や記録膜の密着性がよくなる点でもメリットがある。さらに、レーザーディスクにおいては、バッチ式の真空蒸着しかできなかったポリメチルメタクリレートの場合と異なり、高温スパッタリングによる連続生産が可能となり、生産性を大幅に高めることができる。また、高温で膜形成されるため、樹脂基板と金属反射膜層との密着性も優れたものとなる。
　反射膜や記録膜をスパッタリングによって形成させる場合、通常行われるスパッタリング条件で行えばよい。特に、密着性に優れた膜を形成するためには、基板温度としては、常温から用いた熱可塑性樹脂のガラス転移温度より１０℃以上低い範囲で選ばれ、高いほど好ましい。真空度（スパッタ圧力）としては、１〜５０Ｔｏｒｒが好ましい。膜厚としては、反射膜の場合、１００〜２，０００Å、記録膜の場合、２００〜５，０００Åの範囲が好ましい。
〔実施例〕
　以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
　なお、実施例中、部および％は、特に断らないかぎり重量基準である。また、実施例中の各種の測定は、次のとおりである。
　固有粘度（〔η〕ｉｎｈ）
　溶媒にクロロホルムを使用し、０．５ｇ／ｄｌの重合体濃度で３０℃の条件下、ウベローデ粘度計にて測定した。
　ゲル含有量
　２５℃の温度で、水添重合体５０ｇを１％濃度になるようにクロロホルムに溶解し、この溶液をあらかじめ重量を測定してある孔径０．５μｍのメンブランフィルター〔アドバンテック東洋（株）製〕を用いてろ過し、ろ過後のフィルターを乾燥後、その重量の増加量からゲル含有量を算出した。
　水分量
　カールフィッシャー水分測定装置（三菱化成（株）製、ＣＡ−５、ＶＡ−２１）により、水添重合体を乾燥チッ素気流下で２００℃に加熱して発生する水分量を定量した。
　ハロゲン原子含有量の定量
　水添重合体中のハロゲン原子（塩素）の含有量を、蛍光Ｘ線法により定量した。
　水添率
　水添単独重合体の場合には、６０ＭＨｚ、１Ｈ−ＮＭＲを測定し、エステル基のメチル水素とオレフィン系水素のそれぞれの吸収強度の比から水添率を測定した。また、水添重合体の場合には、重合後の共重合体の１Ｈ−ＮＭＲ吸収と水添後の水添共重合体のそれを比較して算出した。
　ガラス転移温度
　走査熱量計（ＤＳＣ）により、チッ素雰囲気下において、１０℃／分の昇温速度で測定した。
　光ディスク基板の複屈折
　日本電子光学（株）製、複屈折自動測定装置を用い、波長６３３ｎｍで測定した。
　ピット転写性
　走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、良好なものを５、不良のものを１とする５段階評価を行った。
　参考例１
　８−メチル−８−メトシキカルボニルテトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕ドデカ−３−エン１００ｇ、１，２−ジメトキシエタン６０ｇ、シクロヘキサン２４０ｇ、１−ヘキセン２５ｇ、およびジエチルアルミニウムクロライド０．９６モル／Ｌのトルエン溶液３．４ｍｌを、内容積１Ｌのオートクレーブに加えた。
　一方、別のフラスコに、六塩化タングステンの０．０５モル／Ｌの１，２−ジメトキシエタン溶液２０ｍｌとパラアルデヒドの０．１モル／Ｌの１，２−ジメトキシエタン溶液１０ｍｌを混合した。
　この混合溶液４．９ｍｌを、前記オートクレーブ中の混合物に添加した。密栓後、混合物を８０℃に加熱して３時間攪拌を行った。
　得られた重合体溶液に、１，２−ジメトキシエタンとシクロヘキサンの２／８（重量比）の混合溶媒を加えて重合体／溶媒が１／１０（重量比）にしたのち、トリエタノールアミン２０ｇを加えて１０分間攪拌した。
　この重合溶液に、メタノール５００ｇを加えて３０分間攪拌して静置した。２層に分離した上層を除き、再びメタノールを加えて攪拌、静置後、上層を除いた。同様の操作をさらに２回行い、得られた下層をシクロヘキサン、１，２−ジメトキシエタンで適宜希釈し、重合体濃度が１０％のシクロヘキサン−１，２−ジメトキシエタン溶液を得た。
　この溶液に２０ｇのパラジウム／シリカマグネシア（日揮化学（株）製、パラジウム量＝５％）を加えて、オートクレーブ中で水素圧４０ｋｇ／ｃｍ２として１６５℃で４時間反応させたのち、水添触媒をろ過によって取り除き、水添重合体溶液を得た。
　また、この水添重合体溶液に、酸化防止剤であるペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕を、水添重合体に対して０．１％加えてから、３８０℃で減圧下に脱溶媒を行った。
　次いで、溶融した樹脂を、チッ素雰囲気下で押し出し機によりペレット化し、熱可塑性樹脂Ａを得た。熱可塑性樹脂Ａの分析結果を第１表に示す。
　参考例２
　８−メチル−８−メトシキカルボニルテトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕ドデカ−３−エン１００ｇの代わりに、８−メチル−８−メトシキカルボニルテトラシクロ〔４．４．０．１２，５．１７，１０〕ドデカ−３−エン８５ｇと、５−メチル−シクロヘキシルオキシカルボニルビシクロ〔２．２．１〕−２−ヘプテン１５ｇ、１−ヘキセン２５ｇの代わりに同８ｇを用いた以外は、参考例１と同様の操作を行い、熱可塑性樹脂Ｂを得た。熱可塑性樹脂Ｂの分析結果を第１表に示す。
　なお、以下の実施例および比較例において、金型温度は、固定側の温度を表し、可動側はこれよりも５℃低くした。
　実施例１
　（ａ）；参考例１で得られた熱可塑性樹脂Ａのペレットを原料として、住友重機械工業（株）製、射出成形機「Ｄｉｓｋ　５Ｍ　ＩＩＩ型機」を用い、ＣＤ（コンパクトディスク）のためのピット形成用スタンパーを金型に装着し、樹脂温度３４０℃、金型温度１２０℃、射出速度１００ｍｍ／秒で射出成形し、厚み１．２ｍｍの１２０ｍｍφ光ディスク基板を得た。
　この光ディスク基板の複屈折およびピット転写性を評価した。結果を第２表に示す。
　また、射出成形した光ディスク基板のピット形成面上に、日本真空技術（株）製、真空蒸着装置を用いて真空度２×１０−６Ｔｏｒｒの条件下、Ａｌを１，０００Å厚に蒸着した。
　次いで、Ａｌ面上に紫外線硬化型のアクリレート樹脂を塗布、硬化し、１０μｍ厚の硬化膜を形成させ、ＣＤを作製した。
　（ｂ）；参考例２で得られた熱可塑性樹脂Ｂのペレットを原料とする以外は、実施例１と同様にして光ディスク基板の作製および評価を行い、ＣＤを得た。
　前記（ａ）〜（ｂ）で得られたＣＤを、ソニー（株）製、ＣＤプレーヤーにかけたところ、極めて良好な音質が得られた。
　比較例１
　（ｃ）〜（ｆ）；熱可塑性樹脂Ａのペレットを原料とし、樹脂温度、金型温度の条件を第２表中に示すように変更して光ディスク基板を作製、評価した。
　（ｇ）；帝人化成（株）製、ポリカーボネート（ＰＣ）「パンライト」を原料とし、樹脂温度３３０℃、金型温度１１０℃として、実施例１と同様に光ディスク基板を作製、評価した。なお、前記温度条件は、このポリカーボネートにおいては最良の光学特性を与えるものであった。
　結果を併せて第２表に示す。
実施例２
　（ｈ）；熱可塑性樹脂Ａのペレットを原料として、名機製作所（株）製、射出成形機「Ｍ−２００」を用い、ＬＤ（レーザーディスク）のためのピット形成用スタンパーを金型に装着し、樹脂温度３５０℃、金型温度１３０℃、射出速度１２０ｍｍ／秒で射出成形し、厚み１．２ｍｍの２００ｍｍφ光ディスク基板を得た。
　この光ディスク基板について、実施例１（ａ）と同様の測定を行った。
　次に、射出成形した基板のピット形成面上に、中外炉工業（株）製、インラインスパッタリング装置を用いて、真空度８×１０−３Ｔｏｒｒ、スパッタリング開始時の基板温度７０℃の条件下で、Ａｌを６００Åの厚みに成膜させた。次いで、Ａｌ面上に紫外線硬化型のアクリレート樹脂を塗布、硬化し、１０μｍ厚の硬化膜を形成させた。
　このように処理された光ディスク基板と無処理の基板を張り合わせてＬＤを作製した。
　（ｉ）；熱可塑性樹脂Ｂのペレットを原料とする以外は、（ｈ）と同様にして光ディスク基板の作製、評価を行い、ＬＤを得た。
　前記（ｈ）〜（ｉ）の光ディスク基板の評価結果を第３表に示す。また、（ｈ）〜（ｉ）で得られたＬＤを、パイオニア（株）製、ＬＤプレーヤーにかけたところ、極めて良好な画質と音質が得られた。
　比較例２
　（ｊ）〜（ｍ）；熱可塑性樹脂Ｂのペレットを原料とし、樹脂温度、金型温度の条件を第３表中に示すように変更して、光ディスク基板を作製、評価した。
　（ｎ）；帝人化成（株）製、ポリカーボネート（ＰＣ）「パンライト」を原料とし、樹脂温度３３０℃、金型温度１１０℃として、実施例２と同様に光ディスク基板を作製、評価を行った。なお、前記温度条件が、このポリカーボネートにおいては、最良の光学特性を与えるものであった。
　結果を第３表に示す。
　（ｏ）；三菱レイヨン（株）製、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）「アクリペットＶＨ」を原料として、樹脂温度２４０℃、金型温度６０℃の条件として、実施例２と同様にして光ディスク基板を作製、評価した。なお、前記温度条件が、このポリメチルメタクリレートにおいては、最良の光学特性を与えるものであった。
　結果を第３表に示す。
　また、このポリメチルメタクリレート製基板について、実施例２と同様にしてＡｌのスパッタリングを試みたが、基板が熱により変形してしまい、良好な膜が得られなかった。
　一方、成形したポリメチルメタクリレート製基板について、実施例１と同様にして真空蒸着法によりＡｌを１，０００Å厚に蒸着した。
　得られたＡｌ蒸着基板を、５５℃、相対湿度９０％の雰囲気下に２４時間放置したところ、基板に大きな反りが生じた。
　これに対し、実施例２の（ｈ）〜（ｉ）で得られた基板に、前記条件でＡｌを蒸着したものについて、同様に加湿試験を行ったが、まったく反りは認められなかった。従って、本発明の光ディスク基板を用いれば、単面のレーザーディスクを製造することも可能である。
　実施例３
　（ｐ）；熱可塑性樹脂Ａのペレットを原料として、住友重機械工業（株）製、射出成形機「Ｄｉｓｋ　５Ｍ　ＩＩＩ型機」を用い、スタンパー（鏡面）に金型に装着し、樹脂温度３４０℃、金型温度１２０℃、射出速度１４０ｍｍ／秒で射出成形し、厚み１．２ｍｍの１３０ｍｍφ光ディスク基板を得た。
　この光ディスク基板について、実施例１（ａ）と同様の測定を行った。
　次に、この基板について、中外炉工業（株）製、インラインスパッタリング装置を用いて、真空度６×１０−３Ｔｏｒｒ、スパッタリング開始時の基板温度８０℃の条件下で、Ｓｉ３Ｎ４／ＴｂＦｅＣｏ／Ｓｉ３Ｎ４の３層の記録膜（膜厚は、いずれも５００Å）を形成させた。
　（ｑ）；熱可塑性樹脂Ｂのペレットを原料とする以外は、（ｐ）と同様にして光ディスク基板の作製、評価を行った。また、（ｐ）と同様にして、スパッタリングにより３層の記録膜を形成させた。
　（ｐ）〜（ｑ）の記録膜を形成させた光ディスク基板を顕微鏡で観察したところ、成膜状態は良好であった。また、これらを温度８５℃、相対湿度８５％の恒温、恒湿槽中に１週間放置したのち、記録膜の状態を顕微鏡で観察したが、テスト前と較べて変化はみられず、膜の密着性も良好であった。
　比較例３
　（ｒ）；帝人化成（株）製、ポリカーボネート（ＰＣ）「パンライト」を原料とし、樹脂温度３３０℃、金型温度１１０℃として、実施例３と同様に光ディスク基板を作製、評価を行った。なお、前記温度条件が、このポリカーボネートにおいては、最良の光学特性を与えるものであった。
　結果を第４表に示す。
　実施例４、比較例４
　熱可塑性樹脂Ａのペレットを用い、射出速度を変化させた以外は、実施例２の（ｈ）と同様の条件で光ディスク基板を成形した。射出速度と複屈折の関係を第４表に示す。
　＊）成形条件；樹脂温度＝３５０℃、金型温度＝１３０℃
　なお、射出速度が１６０ｍｍ／秒以上では、複屈折はほとんど一定の値を示した。
　しかしながら、射出速度が３００ｍｍ／秒を超えると、得られた基板は脆く、クラックが入りやすいものであった。
　以上の実施例および比較例より、本発明において熱可塑性樹脂の種類、樹脂温度、金型温度および射出速度の条件がすべて組み合わされてはじめて目的とする優れた光ディスクが得られることが理解される。
　実施例５
　参考例１で得られた熱可塑性樹脂Ａのペレットを原料として、φ１３０ｍｍのＩＳＯ準拠光ディスク基板を射出成形機を用いて成形した。この光ディスク基板のプリフォーマット部分のピット成形性を走査型電子顕微鏡で観察したところ、スタンパーのピット形状が極めて忠実に転写されていることが分かった。
　比較例５
　ポリカーボネートを原料とし、射出成形法によって作製したφ１３０ｍｍのＩＳＯ準拠光ディスク基板のプリフォーマット部分を走査型電子顕微鏡で観察したところ、ピットエッジに傾斜がみられ充分に転写されていないことが分かった。
〔発明の効果〕
　本発明の光ディスクは、基板の耐熱性、成形性、転写性、寸法安定性、記録膜の密着性などに優れ、複屈折が小さく、光学特性に優れている。
　このため、ＣＤ用途に使用すると、成形性、転写性に優れ、複屈折が小さく、高温でのスパッターが可能で、金属膜の密着性が良好となり、また傷つき難いという利点がある。
　また、ＬＤ用途に使用すると、吸水性が小さいため反りが小さく、片面ＬＤが製造でき、高温による金属スパッターが可能である。すなわち、ポリメチルメタクリレートでは、真空蒸着しかできず、バッチ方式であったが、本発明ではスパッターが可能であるため、連続生産が可能であり、生産効率が大幅に向上する。しかも、高温でスパッターが可能であるため、金属膜の密着性に優れる。
　さらに、Ｅ−ＤＲＡＷ用途に使用すると、成形性、転写性、複屈折が優れ、高温による記録膜（例えば、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ）の付着が可能であるため、記録膜の密着性に優れる。また、耐熱性に優れ、高速回転による熱発生により光学特性が変化せず、繰り返し読み書きしてもピットの変形がない、などの長所を有する。