【事件の表示】
　特願２０１４−５３４９２５号「光源システムおよびレーザ光源」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年４月１８日国際公開、ＷＯ２０１３／０５３２６４、平成２７年１月１５日国内公表、特表２０１５−５０１５０８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１２年（平成２４年）８月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１１年１０月１１日　（ＣＮ）中華人民共和国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年５月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月２１日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２９年２月１７日付けで拒絶査定（以下「原査定」という。）がされ、これに対して、同年６月２０日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正書が提出され、その後、当審において平成３０年１１月２７日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成３１年４月２６日に意見書及び手続補正書が提出され、令和１年８月７日付けで審尋が通知され、同年８月３０日に回答書が提出されたものである。
第２　本願発明
　本願の請求項１〜２５に係る発明は、平成３１年４月２６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜２５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項２０に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「　【請求項２０】
　２つのレーザ群であってこのうち少なくとも１つのレーザ群が少なくとも２つのレーザを含み且つこの２つのレーザによって発生された各光束が同一方向であってかつ平行する、２つのレーザ群を含み、
　前記２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群の、第１の方向に垂直な断面への第２の投影は、部分的に重なっており、前記第２の投影は線分であり、前記第１の方向は、１つのレーザ群内の少なくとも２つのレーザのベースの中心を結ぶ線の方向であり、
　前記２つのレーザ群のそれぞれの第１の投影が、レーザ群内のレーザのベースの中心を通る直線であるそれぞれのラインに沿ってそれらの方向である第１の方向に互いにオフセットし、且つ、２つの隣接するレーザのそれぞれの第１投影は互いに接触し、又は互いに分離しており、
　前記２つのレーザ群内の群間のレーザによって発生される間隔を有した状態で隣り合う光束が反射鏡によって反射された後に形成された光スポットは、第２の方向で間隔がゼロで隣接しており、前記第２の方向は、当該反射鏡の入射光束の断面と出射光束の断面の両方に平行する方向である
　ことを特徴とするレーザ光源。」
第３　当審拒絶理由
　当審拒絶理由は、以下の理由を含むものであり、その概要は、以下のとおりである。
［理由］
　この出願の請求項１〜２５に係る発明は、その優先日前日本国内又は外国において頒布された以下の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献等一覧
１：特開２００７−１７９２５号公報
２：特表２０１１−５０５５９３号公報
３：特開平２−６１６１１号公報
　以下、それぞれ「引用文献１ないし３」という。
第４　引用文献
１　引用文献１について
（１）引用文献１に記載された事項
　引用文献１には、図面とともに以下の事項が記載されている（なお、下線は当審が付した。以下、同様である。）。
（１ａ）
「【００１０】
　なお、上記の半導体レーザが列設された構成においては、高輝度化のために、半導体レーザ同士およびコリメートレンズ同士の間隔を極力小さくして高密度に配置することが有効である。しかし、あまりに高密度に配置すると、半導体レーザやコリメートレンズを実装するための空間を十分にとれず、構成部品や調整にとって大きな制約となり、部品コストや調整装置、調整工数にとって不利となり、コストアップにつながる。
・・・
【００１４】
　本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、低コストで高輝度の合波レーザ光源を提供することを目的とする。」
（１ｂ）
「【００４２】
　半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４は全て、発振波長が４０５ｎｍ、出力５０ｍＷであり、発光素子が個別に気密封止されたφ５．６ｍｍのｃａｎ型のパッケージ構造を有する。このパッケージ構造は、図４に示すように、頂部に出射窓１が設けられた
略円筒型のキャップ２
ステム６
・・・
【００４５】
　３つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３は、集光レンズ２０の光軸から所定距離離れた位置にビームの出射方向がｘ方向に平行になるように、ｚ方向に１０ｍｍの間隔をもって配置され、そのｙ方向の高さはそれぞれビームスポットＳ１、Ｓ２、Ｓ３の中心の高さと同じである。
【００４６】
　本実施形態においては、３つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３のｚ方向の間隔は１０ｍｍであるが、これに限定するものではなく、半導体レーザおよびコリメートレンズの実装および調整作業が十分な値となるように間隔を決めることが望ましい。
・・・
【００５５】
　本実施形態の合波レーザ光源によれば、φ５．６ｍｍのパッケージに実装された半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４およびコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は容易に実装、調整できる間隔を保つとともに、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４からのビームを近接して集光レンズ２０に入射させており、低コストで高輝度化を実現したものとなっている。
・・・
【００６３】
　実際に上記光源を作製する際の調整工程では、各部材を配置した後、半導体レーザのｃａｎ型パッケージをビームの光軸の周りに回転させてビームスポットの長軸方向を決定した後、各コリメートレンズをそれぞれビームの光軸方向に調整して平行光化し、ビームが偏向部材の有効範囲に入り、且つビームが遮光されることがないことを確認し、集光レンズ２０の面上で所定のビームパターンＢＰ１が形成され、最終的には４つのビームが集光レンズで１点に集まるように、各軸の方向を合わせるべくコリメートレンズｘｙ位置を調整して固定する。この調整は偏向部材を調整することによって行ってもよい。」
（１ｃ）
「【００８３】
　次に、本発明の第４の実施形態による合波レーザ光源について説明する。図１２、図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）はそれぞれ、本実施形態による合波レーザ光源の斜視図、平面図、側面図である。ただし、図１３（Ｂ）においては、半導体レーザとコリメートレンズの図示を省略している。なお、図１２、図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）および以下の説明では、
集光レンズ２０の光軸方向をｚ方向として、ｚ方向に垂直な２つの方向をｘ方向およびｙ方向とし、図１３（Ａ）をｙ方向に垂直な面内の図、図１３（Ｂ）をｘ方向に垂直な面内の図としている。
【００８４】
　本実施形態における
合波レーザ光源
８個の半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８と、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８に対してそれぞれの出射端近傍に配設されたコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８と、各半導体ＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８からのビームを偏向するために各半導体に対してそれぞれ設けられた偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８と、１つの集光レンズ２０と、集光されたビームが入射するファイバ３０とから構成される
【００８５】
　本実施形態では、上記
８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射されたビームに対応する８つのビームスポット
集光レンズ２０の光軸に垂直な面内で２×４の行列状のビームパターンＢＰ４が形成され
各ビームスポットは略楕円形状を有し、その長軸方向は行方向であるｘ方向とほぼ平行であり、隣接して配列されている
【００８６】
　なお、図１２においては、集光レンズ２０の形状は概念的に示してあり、各コリメートレンズから集光レンズ２０までの光路の光軸を一点鎖線で示し、上記ビームスポットからファイバ３０までのビームの一部を実線および破線で示している。また、図１２および図１３（Ｂ）では、各偏向部材の面上におけるビームスポットの形状を模式的に示している。
【００８７】
　上記ビームパターンを形成するために、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は活性層がｙ方向に平行になるように図１４に示すように出射ビームの光軸周りの角度を調整されている。なお、図１４は代表的に半導体レーザＬＤ１とコリメートレンズＣ１を示し、図１２（Ａ）と同じくｙ方向に垂直な面内の図であり、内部を示すためキャップ２を切開した状態を示す図である。
【００８８】
　
半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は、その出射方向がｘ方向となるように集光レンズ２０の光軸の一側に調整可能な間隔をもって並列配置され、その発光点のｙ方向の高さは集光レンズ２０の光軸に垂直な面内に投影される各ビームスポットの中心位置に合わせた高さとなるように配置され
【００８９】
　
４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７
第１の半導体レーザ組
構成
４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８
第２の半導体レーザ組
構成
第２の半導体レーザ組は、第１の半導体レーザ組からｙ方向およびｚ方向に偏位した位置に配置された第１の半導体レーザ組と同数の半導体レーザからなるもの
【００９０】
　
偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８は
４５度の傾斜角を有する直角プリズムからなり、傾斜面に
反射面が形成され、
その反射面内に反射するビームのビームスポットが入る大きさとなっている
【００９１】
　第１の実施形態の偏向部材Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３と同様に、本実施形態の偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８も
光路をｘ方向からｚ方向に９０度折り曲げて所定のビームパターンを形成すべく、
半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８から出射されたビームを集光レンズ２０に入射させるようにその反射面はｚ方向と４５度の角度をなす
偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８は、反射するビームが有効範囲に入り、且つ後方から進行するビームを遮らないような形状、大きさ、配置となっている
（１ｄ）
　図４及び図１２〜１４は、以下のとおりである。
（２）引用文献１に記載された発明
　摘記（１ｃ）から、以下の構成が認められる。
ア
　上記（１）の摘記において、「半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８」等に対して用いられている「８個」という記載は、同様に用いられている「８つ」という記載との混同を避けるため、以下、「８つ」と読み替えて記載する。また、同様の理由により、「各半導体」という記載も、「各半導体レーザ」に読み替えて記載する。
　「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８と、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８に対してそれぞれの出射端近傍に配設されたコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８と、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８からのビームを偏向するために各半導体レーザに対してそれぞれ設けられた偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８と、１つの集光レンズ２０と、集光されたビームが入射するファイバ３０とから構成される」、「合波レーザ光源」（段落【００８４】）
イ
　「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」で「構成」される「第１の半導体レーザ組」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」で「構成」される「第２の半導体レーザ組」（段落【００８９】）
ウ
　８つの「半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は、その出射方向がｘ方向となるように集光レンズ２０の光軸の一側に調整可能な間隔をもって並列配置され、その発光点のｙ方向の高さは集光レンズ２０の光軸に垂直な面内に投影される各ビームスポットの中心位置に合わせた高さとなるように配置され」る（段落【００８８】）
エ
　「第２の半導体レーザ組は、第１の半導体レーザ組からｙ方向およびｚ方向に偏位した位置に配置された第１の半導体レーザ組と同数の半導体レーザからなる」（段落【００８９】）構成が認められるところ、図１３（Ａ）及び（Ｂ）を併せて参照すると、当該構成は、 実質的に、「第２の半導体レーザ組は、第１の半導体レーザ組からｘ方向、ｙ方向およびｚ方向に偏位した位置に配置された第１の半導体レーザ組と同数の半導体レーザからなる」構成であると認められる。
オ
　「偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８は」、それぞれ「４５度の傾斜角を有する直角プリズムからなり」、各「傾斜面に」「反射面が形成され」、「その反射面内に反射するビームのビームスポットが入る大きさとなっている」（段落【００９０】）
カ
　「光路をｘ方向からｚ方向に９０度折り曲げて所定のビームパターンを形成すべく」、８つの「半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８から出射された各ビームを集光レンズ２０に入射させるようにその反射面はｚ方向と４５度の角度をなす」（段落【００９１】）
キ
　「偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８は、反射するビームが有効範囲に入り、且つ後方から進行するビームを遮らないような形状、大きさ、配置となっている」（段落【００９１】）
　さらに、摘記（１ａ）〜（１ｃ）及び図４、１２〜１４（摘記（１ｄ）を参照）から、以下の構成が認められる。
ク
　摘記（１ｃ）の段落【００９１】及び図１２、１３（Ａ）（Ｂ）から、４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７に対応してそれぞれ反射面が形成された４つの偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７及び４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８に対応してそれぞれ反射面が形成された偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８の構成が認められる。
ケ
　摘記（１ｃ）の段落【００８３】、【００８５】及び図１２、図１３（Ａ）（Ｂ）を参照して、集光レンズ２０の光軸方向をｚ方向とし、ｚ方向に垂直な方向であり、かつ、集光レンズ２０に形成される略楕円形状のビームスポットの長軸方向とほぼ平行な行方向（すなわち図１３（Ａ）の図面の上下方向）をｘ方向とし、ｚ方向及びｘ方向に垂直な方向（すなわち図１３（Ｂ）の図面の上下方向）をｙ方向として定義する。
　なお、各方向は、軸方向を意味しているが、摘記（１ｃ）の段落【００８３】〜【００９１】の各方向の記載に併せて、軸は省略した。
コ
　摘記（１ｂ）の段落【００４２】には、「略円筒画型のキャップ２」と記載されており、併せ図４を参照すると、「ステム６」は、当該「略円筒画型のキャップ２」と同心円状に配置されていることが明らかであるから、「ステム６」は、円形状であるといえる。
　そして、さらに、摘記（１ｂ）の段落【００４２】及び図４、１２〜１４を参照すると、８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影は、対応する８つのコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８のｘ方向に垂直な面への投影、すなわち、対応する８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれから出射されたビームのｘ方向に垂直な面への略楕円形状の投影を、中央に含むことができる大きさの円形状の投影であり、その円形状の直径は前記略楕円状の長軸の長さより大きいものである構成が認められる。
サ
　段落【００８９】及び図１３（Ａ）（Ｂ）を参照すると、第１の半導体レーザ組の４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７は、ｘ方向とｙ方向の位置が同じであり、第２の半導体レーザ組の４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８は、ｘ方向とｙ方向の位置が同じである構成が認められる。
シ
　摘記（１ｃ）の段落【００８５】及び図１２、１３（Ａ）（Ｂ）を参照しつつ、「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射された各ビーム」及び「２×４の行列状のビームパターンＢＰ４」に着目すると、上記８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射された各ビームは互いに間隔をおいて隔たり（図１３（Ａ））、これらの各ビームに対応する偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された８つのビームスポットにより（図１２）、集光レンズ２０の光軸に垂直な面内で２×４の行列状のビームパターンＢＰ４（段落【００８５】）すなわちｙ方向の下側の行となる偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット及びｙ方向の上側の行となる偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポットの２×４の行列状のビームパターンＢＰ４が形成され（図１２）、各ビームスポットは略楕円形状を有し、その長軸方向は行方向であるｘ方向とほぼ平行であり、その短軸方向は列方向であるｙ方向とほぼ平行であり、各ビームスポットはｘ方向とｙ方向とで接するように隣接して配列される（段落【００８５】及び図１２）構成が認められる。
　補足すると、段落【００８５】には、「隣接して配列される」と記載されており、これに併せて、図１２の各ビームスポットの配列を参照すると、各ビームスポットはｘ方向とｙ方向とで接するような態様で、すなわち接するように、隣接して配列されることが明らかである。
ス
　上記ク、ケ、シ（偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８に係る構成、ｘ方向、ｙ方向及びｚ方向の定義等）と、図１２、図１３（特に図１３（Ａ））とを併せて参照すると、偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８の反射面部（図１２）のｙ方向に垂直な断面における断面形状は、４５度の傾斜角を有する傾斜面である反射面の前記断面における辺を長辺とする、二等辺直角三角形であり、その二等辺直角三角形のｚ方向に延びる辺の長さは、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８から出射されたビームのｘ方向に垂直な面への投影のｚ方向の長さとほぼ等しいものと認められる。
セ
　上記ア〜ス、摘記（１ａ）〜（１ｃ）及び図４、１２〜１４（摘記（１ｄ参照）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　なお、本願発明との対比・判断等での説明を補足するために、引用発明をＡ〜Ｈに分説し（以下「構成Ａ」〜「構成Ｈ」ということもある。）、【　】内は、上記ア〜スの符号を記載した。
　［引用発明］
 「Ａ：
　８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８と、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８に対してそれぞれの出射端近傍に配設されたコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８と、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８からのビームを偏向するために各半導体レーザに対してそれぞれ設けられた偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８と、１つの集光レンズ２０と、集光されたビームが入射するファイバ３０とから構成される、合波レーザ光源であって【ア】、
　Ｂ： 
　４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７で構成される第１の半導体レーザ組及び４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８で構成される第２の半導体レーザ組と【イ】、
　４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７に対応してそれぞれ反射面が形成された４つの偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７及び４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８に対応してそれぞれ反射面が形成された偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８と【ク】、
　を含み、 
　Ｃ：
　集光レンズ２０の光軸方向をｚ方向とし、ｚ方向に垂直な方向であり、かつ、集光レンズ２０に形成される略楕円形状のビームスポットの長軸方向とほぼ平行な行方向をｘ方向とし、ｚ方向及びｘ方向に垂直な方向をｙ方向として定義すると【ケ】、
　Ｄ：
　第２の半導体レーザ組は、第１の半導体レーザ組からｘ方向、ｙ方向およびｚ方向に偏位した位置に配置された第１の半導体レーザ組と同数の半導体レーザからなり【エ】、
　第１の半導体レーザ組の４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７は、ｘ方向とｙ方向の位置が同じであり、第２の半導体レーザ組の４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８は、ｘ方向とｙ方向の位置が同じであり【サ】、
　８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は、その出射方向がｘ方向となるように集光レンズ２０の光軸の一側に調整可能な間隔をもって並列配置され、その発光点のｙ方向の高さは集光レンズ２０の光軸に垂直な面内に投影される各ビームスポットの中心位置に合わせた高さとなるように配置され【ウ】、
　Ｅ：
　８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影は、対応する８つのコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８のｘ方向に垂直な面への投影、すなわち、対応する８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれから出射されたビームのｘ方向に垂直な面への略楕円形状の投影を、中央に含むことができる大きさの円形状の投影であり、その円形状の直径は前記略楕円形状の長軸の長さより大きいものであり【コ】、
　Ｆ：
　上記８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射された各ビームは互いに間隔をおいて隔たり、これらの各ビームに対応する偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された８つのビームスポットにより、集光レンズ２０の光軸に垂直な面内で２×４の行列状のビームパターンＢＰ４すなわちｙ方向の下側の行となる偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット及びｙ方向の上側の行となる偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポットの２×４の行列状のビームパターンＢＰ４が形成され、各ビームスポットは略楕円形状を有し、その長軸方向は行方向であるｘ方向とほぼ平行であり、その短軸方向は列方向であるｙ方向とほぼ平行であり、各ビームスポットはｘ方向とｙ方向とで接するように隣接して配列され【シ】、
　Ｇ：
　偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８は、それぞれ４５度の傾斜角を有する直角プリズムからなり、各傾斜面に反射面が形成され、その反射面内に反射するビームのビームスポットが入り【オ】、光路をｘ方向からｚ方向に９０度折り曲げて所定のビームパターンを形成すべく、８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８から出射された各ビームを集光レンズ２０に入射させるように各反射面はｚ方向と４５度の角度をなし【カ】、
　偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８の反射面部のｙ方向に垂直な断面における断面形状は、４５度の傾斜角を有する傾斜面である反射面の前記断面における辺を長辺とする、二等辺直角三角形であり、その二等辺直角三角形のｚ方向に延びる辺の長さは、８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８から出射されたビームのｘ方向に垂直な面への投影のｚ方向の長さとほぼ等しく【ス】、
　偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８は、その反射面内に反射するビームのビームスポットが入る大きさとなっており、反射するビームが有効範囲に入り、且つ後方から進行するビームを遮らないような形状、大きさ、配置となっている【オ、キ】、
　Ｈ：
　合波レーザ光源。」
第５　対比
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）本願発明の「レーザ群」について
ア
　引用発明の構成Ｂの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」は、いずれも、本願発明の「少なくとも２つのレーザ」に相当する。
イ
　引用発明の構成Ｄの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は、その出射方向がｘ方向となるように」「並列配置され」ている構成は、「並列配置され」ている「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８」によって発生された各光束がｘ方向という同一方向となることから（例えば、２つの「半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３」によって発生された各光束がｘ方向という同一方向となることから）、引用発明のＤの前記構成は、本願発明の「２つのレーザによって発生された各光束が同一方向であってかつ平行する」という構成に相当する。
ウ
　引用発明の構成Ｂの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７で構成される第１の半導体レーザ組」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８で構成される第２の半導体レーザ組」は、いずれも、本願発明の１つの「レーザ群」に相当する。
　そして、引用発明の構成Ｂの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７で構成される第１の半導体レーザ組」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８で構成される第２の半導体レーザ組」の両者は、本願発明の「２つのレーザ群」に相当する。
 エ
　上記ア〜ウを踏まえると、引用発明の構成Ｄの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は、その出射方向がｘ方向となるように」「並列配置され」る、構成Ｂの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７で構成される第１の半導体レーザ組及び４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８で構成される第２の半導体レーザ組」は、本願発明の「２つのレーザ群であってこのうち少なくとも１つのレーザ群が少なくとも２つのレーザを含み且つこの２つのレーザによって発生された各光束が同一方向であってかつ平行するようにする、２つのレーザ群」に相当する。
（２）本願発明の「第２の投影」について
ア
　引用発明の構成Ｄにおいて、「第１の半導体レーザ組の４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７は、ｘ方向とｙ方向の位置が同じであり、第２の半導体レーザ組の４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８は、ｘ方向とｙ方向の位置が同じであ」ることから、「第１の半導体レーザ組の４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」及び「第２の半導体レーザ組の４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」は、それぞれの組における各半導体レーザが、ｚ方向の直線上に位置しているといえる。
　このことと、引用発明の構成Ｄの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は」、「その発光点のｙ方向の高さは集光レンズ２０の光軸に垂直な面内に投影される各ビームスポットの中心位置に合わせた高さとなるように配置され」る構成、及び、構成Ｆの「ｙ方向の下側の行となる偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット及びｙ方向の上側の行となる偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポットの２×４の行列状のビームパターンＢＰ４が形成され、各ビームスポットは略楕円形状を有し、その長軸方向は行方向であるｘ方向とほぼ平行であ」る構成（図１２及び１３も参照）を踏まえると、引用発明の「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の発光点を結ぶ線の方向すなわちそれら各半導体レーザの「円形状のステム６」の中心を結ぶ線の方向、及び、「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の発光点を結ぶ線の方向すなわちそれら各半導体レーザの「円形状のステム６」の中心を結ぶ線の方向は、いずれも、引用発明の「ｚ方向」と一致していることが、明らかである（図１３及び後述するウも参照。）。
　そして、引用発明の「円形状のステム６」は、本願発明の「レーザの円形のベース」に相当する（令和１年８月３０日付けの回答書も参照。）。
　したがって、引用発明の「ｚ方向」は、「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の各「円形状のステム６」（レーザの円形のベース）の中心を結ぶ線の方向であり、「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の各「円形状のステム６」（レーザの円形のベース）の中心を結ぶ線の方向であり、１つのレーザ群内の少なくとも２つのレーザのベースの中心を結ぶ線の方向であるといえるから、引用発明の「ｚ方向」は、本願発明の「１つのレーザ群内の少なくとも２つのレーザのベースの中心を結ぶ線の方向であ」る、「第１の方向」に相当する。
イ
　引用発明の構成Ｄの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は、その出射方向がｘ方向となる」という構成から、引用発明の「ｘ方向」は、出射光からなる光束の方向であることが明らかであり、引用発明の構成Ｅの「ｘ方向に垂直な面」は、本願発明の「出射光からなる光束に垂直な１つの断面」に相当する。
　そして、引用発明の「円形状のステム６」は、本願発明の「レーザの円形のベース」に相当するから（上記ア）、引用発明の構成Ｅの「円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」は、本願発明の「出射光からなる光束に垂直な１つの断面への」「レーザのベースの第１の投影」に相当する。
　このことに併せて、引用発明の構成Ｂの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７で構成される第１の半導体レーザ組」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８で構成される第２の半導体レーザ組」の両者は、本願発明の「２つのレーザ群」に相当すること（上記（１）ウ）を踏まえると、引用発明の構成Ｅの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」、すなわち、「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」は、本願発明の「前記２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群」に相当する。
ウ
　引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を、「ｚ方向」に垂直な面に投影したものは、それぞれｙ方向の長さを有する線分となり、同様に、引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を、「ｚ方向」に垂直な面に投影した投影したものは、それぞれｙ方向の長さを有する線分となる。
　したがって、上記ア及びイを踏まえると、引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を「ｚ方向」に垂直な面に投影した各ｙ方向の長さを有する線分、及び、構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を「ｚ方向」に垂直な面に投影した各ｙ方向の長さを有する線分の構成と、本願発明の「前記２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群の、第１の方向に垂直な断面への第２の投影は、部分的に重なっており、前記第２の投影は線分であり、前記第１の方向は、１つのレーザ群内の少なくとも２つのレーザのベースの中心を結ぶ線の方向であ」る構成とは、「前記２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群の、第１の方向に垂直な断面への第２の投影は線分であり、前記第１の方向は、１つのレーザ群内の少なくとも２つのレーザのベースの中心を結ぶ線の方向であ」る構成の限りで共通している。
（３）本願発明の「オフセット」について
ア
　引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」は、それぞれ、本願発明の「前記２つのレーザ群のそれぞれの第１投影」に相当する（上記（２）イ。）。
イ
　引用発明の「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の発光点を結ぶ線すなわちそれら各半導体レーザの「円形状のステム６」の中心を結ぶ線、及び、「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の発光点を結ぶ線すなわちそれら各半導体レーザの「円形状のステム６」の中心を結ぶ線は、本願発明の「レーザ群内のレーザのベースの中心を通る直線であるそれぞれのライン」に相当する。
　そして、引用発明の上記の各線の方向は、「ｚ方向」すなわち本願発明の「第１の方向」である（上記（２）ア。）。
ウ
　引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」（上記ア）は、それぞれ、「ｚ方向」の「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の発光点を結ぶ線すなわちそれら各半導体レーザの「円形状のステム６」の中心を結ぶ線、及び、「ｚ方向」の「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の発光点を結ぶ線すなわちそれら各半導体レーザの「円形状のステム６」の中心を結ぶ線（上記イ）に沿っていることが明らかである（図１３（Ｂ）も参照）。
　また、引用発明の構成Ｄの「第２の半導体レーザ組は、第１の半導体レーザ組からｘ方向、ｙ方向およびｚ方向に偏位した位置に配置された第１の半導体レーザ組と同数の半導体レーザからな」る構成を踏まえると、上記アの構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」と、構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」との関係も、同様に、ｙ方向およびｚ方向に偏位した位置となることが明らかである。
エ
　そうすると、引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」（上記ア）は、対応する「投影」同士の位置関係（例えば、「半導体レーザＬＤ１」の「円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」と、「半導体レーザＬＤ２」の「円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」との位置関係）が、ｙ方向にもｚ方向にも偏位した位置関係となっており、「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の発光点を結ぶ線すなわちそれら各半導体レーザの「円形状のステム６」の中心を結ぶ線、及び、「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の発光点を結ぶ線、すなわちそれら各半導体レーザの「円形状のステム６」の中心を結ぶ線に沿ってそれらの方向であるｚ方向に偏位した位置関係となっている（上記ウ）。
　要するに、引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」（上記ア）は、対応する「投影」同士の関係が、レーザ群内のレーザのベースの中心を通る直線であるそれぞれのラインに沿ってそれらの方向である第１の方向（上記（２）ア参照）に互いにオフセットして配置されているといえる。
オ
　したがって、引用発明の構成Ｄの「第２の半導体レーザ組は、第１の半導体レーザ組からｘ方向、ｙ方向およびｚ方向に偏位した位置に配置された第１の半導体レーザ組と同数の半導体レーザからな」る構成を前提とする、構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」の構成と、本願発明の「前記２つのレーザ群のそれぞれの第１の投影が、レーザ群内のレーザのベースの中心を通る直線であるそれぞれのラインに沿ってそれらの方向である第１の方向に互いにオフセットし、且つ、２つの隣接するレーザのそれぞれの第１投影は互いに接触し、又は互いに分離して」いる構成とは、「前記２つのレーザ群のそれぞれの第１の投影が、レーザ群内のレーザのベースの中心を通る直線であるそれぞれのラインに沿ってそれらの方向である第１の方向に互いにオフセットし」ている構成の限りで共通している。
（４）本願発明の「光スポット」について
ア
　引用発明は、構成Ｄにおいて「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は、その出射方向がｘ方向となる」ものであり、構成Ｇにおいて「偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８は、それぞれ４５度の傾斜角を有する直角プリズムからなり、各傾斜面に反射面が形成され、その反射面内に反射するビームのビームスポットが入り、光路をｘ方向からｚ方向に９０度折り曲げて所定のビームパターンを形成すべく、８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８から出射された各ビームを集光レンズ２０に入射させるように各反射面はｚ方向と４５度の角度をな」すことから、「各反射面」に入射する「各ビーム」は、入射方向が「ｘ方向」となっており、その「各ビーム」が、「光路をｘ方向からｚ方向に９０度折り曲げて」、「各反射面」から出射する「各ビーム」は、出射方向が「ｚ方向」となっているといえる。
　引用発明の「ビーム」は、本願発明の「光束」に相当する。
　そうすると、引用発明の入射方向が「ｘ方向」となっている「各反射面」に入射する「各ビーム」に垂直な断面、及び、出射方向が「ｚ方向」となっているは「各反射面」から出射する「各ビーム」に垂直な断面は、それぞれ、本願発明の「反射鏡」への「入射光束の断面」及び「反射鏡」からの「出射光束の断面」に相当する。
イ
　引用発明は、構成Ｃにおいて「集光レンズ２０の光軸方向をｚ方向とし、ｚ方向に垂直な方向であり、かつ、集光レンズ２０に形成される略楕円形状のビームスポットの長軸方向とほぼ平行な行方向をｘ方向とし、ｚ方向及びｘ方向に垂直な方向をｙ方向として定義する」ことから、引用発明の「ｘ方向」に垂直な断面及び「ｚ方向」に垂直な断面の両方に平行する方向は、「ｙ方向」となる。
　そして、上記アを踏まえると、引用発明の「ｘ方向」に垂直な断面及び「ｚ方向」に垂直な断面の両方に平行する方向である「ｙ方向」は、本願発明の「反射鏡の入射光束の断面と出射光束の断面の両方に平行する方向である」「第２の方向」に相当する。 
ウ
　引用発明において、２つのレーザ群内の群間のレーザである「半導体レーザＬＤ１」と「半導体レーザＬＤ２」とが（上記（１）ウ）、隣り合っていることは明らかであり（図１２及び１３も参照）、同様のことは、「半導体レーザＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」のそれぞれと、「半導体レーザＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」のそれぞれとについてもいえることから、引用発明の構成Ｆの「上記８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射された各ビームは互いに間隔をおいて隔た」る構成の「上記８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射された」「互いに間隔をおいて隔た」る「各ビーム」は、本願発明の「前記２つのレーザ群内の群間のレーザによって発生される間隔を有した状態で隣り合う光束」に相当する。 
　そうすると、引用発明の構成Ｆの「上記８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射された各ビームは互いに間隔をおいて隔たり、これらの各ビームに対応する偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された」、「ｙ方向の下側の行となる偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット」及び「ｙ方向の上側の行となる偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット」は、本願発明の「前記２つのレーザ群内の群間のレーザによって発生される間隔を有した状態で隣り合う光束が反射鏡によって反射された後に形成された光スポット」に相当する。 
エ
　引用発明の構成Ｆにおいて「各ビームスポットはｘ方向とｙ方向とで接するように隣接して配列され」ていることから、「ｙ方向の下側の行となる偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット」のそれぞれと、「ｙ方向の上側の行となる偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット」のそれぞれとは、ｙ方向で隣接している。
　このことと、引用発明の「ｙ方向」が本願発明の「第２の方向」であり（上記イ）、引用発明の「下側」及び「上側」それぞれの「４つのビームスポット」が、本願発明の「反射された後に形成された光スポット」であること（上記ウ）を踏まえると、引用発明の構成Ｆの「上記８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射された各ビームは互いに間隔をおいて隔たり、これらの各ビームに対応する偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された８つのビームスポットにより、集光レンズ２０の光軸に垂直な面内で２×４の行列状のビームパターンＢＰ４すなわちｙ方向の下側の行となる偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット及びｙ方向の上側の行となる偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポットの２×４の行列状のビームパターンＢＰ４が形成され、各ビームスポットは略楕円形状を有し、その長軸方向は行方向であるｘ方向とほぼ平行であり、その短軸方向は列方向であるｙ方向とほぼ平行であり、各ビームスポットはｘ方向とｙ方向とで接するように隣接して配列され」る構成と、本願発明の「前記２つのレーザ群内の群間のレーザによって発生される間隔を有した状態で隣り合う光束が反射鏡によって反射された後に形成された光スポットは、第２の方向で間隔がゼロで隣接しており、前記第２の方向は、当該反射鏡の入射光束の断面と出射光束の断面の両方に平行する方向である」構成とは、「前記２つのレーザ群内の群間のレーザによって発生される間隔を有した状態で隣り合う光束が反射鏡によって反射された後に形成された光スポットは、第２の方向で隣接しており、前記第２の方向は、当該反射鏡の入射光束の断面と出射光束の断面の両方に平行する方向である」の構成の限りで共通している。
（５）本願発明の「レーザ光源」について
　引用発明の構成Ａの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８と、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８に対してそれぞれの出射端近傍に配設されたコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８と、各半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８からのビームを偏向するために各半導体レーザに対してそれぞれ設けられた偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８と、１つの集光レンズ２０と、集光されたビームが入射するファイバ３０とから構成される、合波レーザ光源」は、本願発明の「レーザ光源」に相当する。
２　一致点及び相違点
　上記１から、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
「２つのレーザ群であってこのうち少なくとも１つのレーザ群が少なくとも２つのレーザを含み且つこの２つのレーザによって発生された各光束が同一方向であってかつ平行する、２つのレーザ群を含み、
　前記２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群の、第１の方向に垂直な断面への第２の投影は線分であり、前記第１の方向は、１つのレーザ群内の少なくとも２つのレーザのベースの中心を結ぶ線の方向であり、
　前記２つのレーザ群のそれぞれの第１の投影が、レーザ群内のレーザのベースの中心を通る直線であるそれぞれのラインに沿ってそれらの方向である第１の方向に互いにオフセットしており、
　前記２つのレーザ群内の群間のレーザによって発生される間隔を有した状態で隣り合う光束が反射鏡によって反射された後に形成された光スポットは、第２の方向で隣接しており、前記第２の方向は、当該反射鏡の入射光束の断面と出射光束の断面の両方に平行する方向である
　レーザ光源。」
＜相違点１＞
　第２の投影及び光スポットに関して、
　本願発明は、２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群の、第１の方向に垂直な断面への第２の投影は、「部分的に重なって」いる構成、及び、２つのレーザ群内の群間のレーザによって発生される間隔を有した状態で隣り合う光束が反射鏡によって反射された後に形成された光スポットは、第２の方向で「間隔がゼロで」隣接している構成を備えるのに対して、
　引用発明は、構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」と「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」との構成、及び、構成Ｆの「上記８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８それぞれから出射された各ビームは互いに間隔をおいて隔たり、これらの各ビームに対応する偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された８つのビームスポットにより、集光レンズ２０の光軸に垂直な面内で２×４の行列状のビームパターンＢＰ４すなわちｙ方向の下側の行となる偏向部材Ｐ４１、Ｐ４３、Ｐ４５、Ｐ４７の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポット及びｙ方向の上側の行となる偏向部材Ｐ４２、Ｐ４４、Ｐ４６、Ｐ４８の各反射面で反射されたビームが投影された４つのビームスポットの２×４の行列状のビームパターンＢＰ４が形成され、各ビームスポットは略楕円形状を有し、その長軸方向は行方向であるｘ方向とほぼ平行であり、その短軸方向は列方向であるｙ方向とほぼ平行であり、各ビームスポットはｘ方向とｙ方向とで接するように隣接して配列され」る構成を備える点。
＜相違点２＞
　本願発明は、「２つの隣接するレーザのそれぞれの第１投影は互いに接触し、又は互いに分離して」いる構成を備えるのに対して、
　引用発明は、構成Ｄの「第２の半導体レーザ組は、第１の半導体レーザ組からｘ方向、ｙ方向およびｚ方向に偏位した位置に配置された第１の半導体レーザ組と同数の半導体レーザからな」る構成を前提とする、構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」の構成を備える点。
第６　判断
１　相違点についての検討
　以下、相違点について検討する。
（１）相違点１について
ア
　引用発明は、構成Ｄの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は、その出射方向がｘ方向となるように集光レンズ２０の光軸の一側に」「並列配置され」、「その発光点のｙ方向の高さは集光レンズ２０の光軸に垂直な面内に投影される各ビームスポットの中心位置に合わせた高さとなるように配置され」る構成、及び、構成Ｇの「偏向部材Ｐ４１、Ｐ４２、Ｐ４３、Ｐ４４、Ｐ４５、Ｐ４６、Ｐ４７、Ｐ４８は、それぞれ４５度の傾斜角を有する直角プリズムからなり、傾斜面に反射面が形成され、その反射面内に反射するビームのビームスポットが入り、光路をｘ方向からｚ方向に９０度折り曲げて所定のビームパターンを形成すべく、８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８から出射された各ビームを集光レンズ２０に入射させるようにその反射面はｚ方向と４５度の角度をな」す構成を備えていることから、引用発明の構成Ｅの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれから出射されたビームのｘ方向に垂直な面への略楕円形状の投影」の各「略楕円形状の投影」と、「光路をｘ方向からｚ方向に９０度折り曲げ」た結果得られるｚ方向に垂直な面への各略楕円形状の投影と、構成Ｆの「略楕円形状を有」する「各ビームスポット」とは、大きさ及び形状が実質的に同一であるといえる。 
イ
　引用発明の構成Ｆに関して、「２×４の行列状のビームパターンＢＰ４」は、「各ビームスポットはｘ方向とｙ方向とで接するように隣接して配列され」ていることから、「ｙ方向の下側の行となる」「４つのビームスポット」と、「ｙ方向の上側の行となる」「４つのビームスポット」とは、それぞれのビームスポットがｙ方向で接するように隣接しているといえる。
　そして、接することは間隔がゼロと理解することができるから、引用発明の「接するように隣接している」構成は、本願発明の「間隔がゼロで」隣接している構成ということもできる。
　そうすると、引用発明の構成Ｆは、実質的に、上記相違点１に係る本願発明の、２つのレーザ群内の群間のレーザによって発生される間隔を有した状態で隣り合う光束が反射鏡によって反射された後に形成された光スポットは、第２の方向で「間隔がゼロで」隣接している構成となっているということもできる。
ウ
　引用発明の構成Ｅにおいて、「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影は、対応する８つのコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｃ５、Ｃ６、Ｃ７、Ｃ８のｘ方向に垂直な面への投影、すなわち、対応する８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれから出射されたビームのｘ方向に垂直な面への略楕円形状の投影を、中央に含むことができる大きさの円形状の投影であり、その円形状の直径は前記略楕円形状の長軸の長さより大きいものであ」ることから、引用発明の構成Ｅの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」の各ｙ方向の長さは、「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれから出射されたビームのｘ方向に垂直な面への略楕円形状の投影」の各ｙ方向の長さを、当該長さ方向の中央に含む、長さであるといえる。
エ
　上記ウに併せ、引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を、「ｚ方向」に垂直な面に投影したものは、それぞれｙ方向の長さを有する線分となり、同様に、引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を、「ｚ方向」に垂直な面に投影した投影したものは、それぞれｙ方向の長さを有する線分となること、及び、引用発明の構成Ｅの「８つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８のそれぞれから出射されたビームのｘ方向に垂直な面への略楕円形状の投影」の各「略楕円形状の投影」と、構成Ｆの「略楕円形状を有」する「各ビームスポット」とは、大きさ及び形状が実質的に同一であるといえること（上記ア）を踏まえると、引用発明の「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を「ｚ方向」に垂直な面に投影した各ｙ方向の長さを有する線分は、それらの線分に対応する「各ビームスポット」のｙ方向の長さを中央に含む長さとなっており、同様に、「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を「ｚ方向」に垂直な面に投影した各ｙ方向の長さを有する線分も、それらの線分に対応する「上側」の「各ビームスポット」のｙ方向の長さを中央に含む長さとなっているといえる。
オ
　そして、上記エで述べた、「ステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を「ｚ方向」に垂直な面に投影したｙ方向の長さを有する線分が、ビームスポットのｙ方向の長さを中央に含む関係において（すなわち、ビームスポットのｙ方向の長さよりも、ステム６を投影した線分のｙ方向の長さが、上下ともに長い状態において）、「下側」の「各ビームスポット」と「上側」の「各ビームスポット」とは、ｙ方向で間隔がゼロであるといえることから（上記イ）、引用発明の構成Ｅにおいて、「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を、「ｚ方向」に垂直な面に投影した、ｙ方向の長さを有する線分と、「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられているステム６のｘ方向に垂直な面への投影」を、「ｚ方向」に垂直な面に投影した投影した、ｙ方向の長さを有する線分とは、部分的に重なっており、引用発明は、上記相違点１に係る本願発明の、２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群の、第１の方向に垂直な断面への第２の投影は、「部分的に重なって」いる構成を備えているといえる。
カ
　上記イ及びオのとおりであるから、上記相違点１は相違点とはいえない。
キ
　仮に、上記相違点１が実質的な相違点であるとしても、引用文献１の段落【００５５】には、「・・・半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４およびコリメートレンズＣ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４は容易に実装、調整できる間隔を保つとともに、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４からのビームを近接して集光レンズ２０に入射させており、低コストで高輝度化を実現したものとなっている。」と記載され、段落【００６３】には、「実際に上記光源を作製する際の調整工程では、各部材を配置した後、半導体レーザのｃａｎ型パッケージをビームの光軸の周りに回転させてビームスポットの長軸方向を決定した後、各コリメートレンズをそれぞれビームの光軸方向に調整して平行光化し、ビームが偏向部材の有効範囲に入り、且つビームが遮光されることがないことを確認し、集光レンズ２０の面上で所定のビームパターンＢＰ１が形成され、最終的には４つのビームが集光レンズで１点に集まるように、各軸の方向を合わせるべくコリメートレンズｘｙ位置を調整して固定する。この調整は偏向部材を調整することによって行ってもよい。」と記載されているとおり、引用発明は、高輝度化を実現するために、偏向部材等を調整することで、ビームを近接させることができるから、引用発明において、一層の高輝度化を実現できるように、各ビームスポットを集中させ、各ビームスポットはｘ方向とｙ方向とで間隔がゼロで接するように隣接して配列されるようにすることで、上記オの関係を満たし、上記相違点１に係る本願発明の構成とすることは、当業者であれば適宜になし得たといえる。
（２）相違点２について
ア
　引用文献１の段落【００４２】には、「半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４は全て、・・・発光素子が個別に気密封止されたφ５．６ｍｍのｃａｎ型のパッケージ構造を有する。このパッケージ構造は、・・・キャップ２のフランジ部５がステム６とハーメチックシールされることにより気密封止されたものである。」と記載されていることから、引用発明の「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」も、それらの各直径となる各「円形状のステム６」の直径が、φ５．６ｍｍ程度のものを採用できることが示唆されているといえる。
イ
　また、引用文献１の【００４５】には、「３つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３は、集光レンズ２０の光軸から所定距離離れた位置にビームの出射方向がｘ方向に平行になるように、ｚ方向に１０ｍｍの間隔をもって配置され、そのｙ方向の高さはそれぞれビームスポットＳ１、Ｓ２、Ｓ３の中心の高さと同じである。」と記載されていることから、引用発明の「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」も、それぞれ、ｚ方向に１０ｍｍ程度の間隔をもって配置できることが示唆されているといえる。
ウ
　さらに、引用文献１の段落【００４６】には、「本実施形態においては、３つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３のｚ方向の間隔は１０ｍｍであるが、これに限定するものではなく、半導体レーザおよびコリメートレンズの実装および調整作業が十分な値となるように間隔を決めることが望ましい。」と記載されている。
エ
　上記ア〜ウ（特に、上記ウ）を踏まえることで、引用発明の構成Ｄの「第２の半導体レーザ組は、第１の半導体レーザ組からｘ方向、ｙ方向およびｚ方向に偏位した位置に配置された第１の半導体レーザ組と同数の半導体レーザからな」る構成を前提とする、構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」及び「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」の構成（すなわち、本願発明の「前記２つのレーザ群のそれぞれの第１の投影が、レーザ群内のレーザのベースの中心を通る直線であるそれぞれのラインに沿ってそれらの方向である第１の方向に互いにオフセットし」ている構成（上記第５　１（３）オを参照）において、各半導体レーザのｙ方向およびｚ方向に偏位した位置を調整することで、引用発明の構成Ｅの「４つの半導体レーザＬＤ１、ＬＤ３、ＬＤ５、ＬＤ７」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」と、「４つの半導体レーザＬＤ２、ＬＤ４、ＬＤ６、ＬＤ８」の「それぞれに設けられている円形状のステム６のｘ方向に垂直な面への投影」とが、互いに接触し、又は互いに分離しているように構成すること、すなわち、上記相違点２に係る本願発明の「２つの隣接するレーザのそれぞれの第１投影は互いに接触し、又は互いに分離して」いる構成を想到することは、当業者が容易になし得たといえる。
２　審判請求人の主張について
（１）審判請求人の主張
　審判請求人は、当審拒絶理由に対する平成３１年４月２６付けの意見書の「【意見の内容】」「２．本願発明が特許されるべき理由」「［２］進歩性欠如の拒絶理由について」において、以下のとおり主張している。
　「引用文献１の図１２、１３に示す構成において、集光レンズ２０に８個の楕円形状のビームスポットからなる４（ｘ方向）×２（ｙ方向）のパターンＢＰ４が形成されているように見えるが、本願発明の「２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群の、第１の方向に垂直な断面への第２の投影は、部分的に重なっている」ことについて、引用文献１には、一切記載されていません。」（以下「主張１」という。）及び、
　「引用文献１明細書段落［００８７］には、さらに『上記ビームパターンを形成するために、半導体レーザＬＤ１、ＬＤ２、ＬＤ３、ＬＤ４、ＬＤ５、ＬＤ６、ＬＤ７、ＬＤ８は活性層がｙ方向に平行になるように図１４に示すように出射ビームの光軸周りの角度を調整されている』と記載されています。この記載からもわかるように、引用文献１に係る発明では、引用文献１の図１２に示すビームスポットの行列状のパターンは、出射ビームの光軸周りの角度（即ち、半導体レーザ又は台座３などを回転させて、台座３の光軸周りの角度）を調整することにより、形成されたものです（また、引用文献１の他の図面に示す実施例では、同様に、各図面に示す集光レンズ上におけるビームパターンを形成するために、出射ビームの光軸周りの角度を調整することが記載されているので、同時にご参照ください）。」（以下「主張２」という。）
（２）検討
ア　主張１について
　引用発明は、ビームスポットのｙ方向の長さよりも、ステム６を投影した線分のｙ方向の長さが、上下ともに長い状態において（上記１（１）オ）、上記１（１）イのとおり、各楕円形状のビームスポットが「間隔ゼロで」接しているから、本願発明の、２つのレーザ群の、それぞれの出射光からなる光束に垂直な１つの断面への、各レーザのベースの第１の投影の２つの投影群の、第１の方向に垂直な断面への第２の投影は、「部分的に重なって」いる構成を備えているといえるし（上記１（１）オ）、仮にそうではないとしても、引用発明において、各楕円形状のビームスポットが「間隔ゼロで」接する構成を想到して、上記の「部分的に重なって」いる構成とすることは、当業者が適宜になし得たといえる（上記１（１）カ）。
　したがって、上記の主張１は、採用できない。
イ　主張２について
　審判請求人は、「引用文献１の図１２に示すビームスポットの行列状のパターンは、出射ビームの光軸周りの角度（即ち、半導体レーザ又は台座３などを回転させて、台座３の光軸周りの角度）を調整することにより、形成されたものです」と主張しており、この主張のとおり、引用文献１の図１２に示すビームスポットの行列状のパターンは、既に出射ビームの光軸周りの角度が調整された１つの実施態様を示しているといえるから、引用文献１の図１２のビームスポットの構成に関しては、引用発明において認定したとおりであり、既に調整がされた上記の角度を、さらに調整したり変化させたりすることはないといえる。
　したがって、上記の主張２は、引用発明の認定や対比・判断に影響するものではない。
３　まとめ
　以上から、本願発明は、引用発明及び引用文献１に記載された技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。