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　特願２０１７−　４６２３３「積層型キャパシター及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１０月１９日出願公開、特開２０１７−１９１９２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２９年３月１０日（パリ条約による優先権主張２０１６年４月１５日、韓国、２０１６年１２月２１日、韓国）に出願したものであって、平成３０年５月３０日付け拒絶理由通知に対して同年８月１６日付けで手続補正がなされたが、同年１０月２４日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、平成３１年２月２７日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　平成３１年２月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　平成３１年２月２７日付けの手続補正を却下する。 
［理由］
１．本件補正について
　平成３１年２月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、
　本件補正前に、
「　　【請求項１】
　誘電体層及び内部電極を含む本体と、前記本体の一面に配置される外部電極と、を含み、
　前記外部電極は、
　前記本体の一面に配置され、前記内部電極と接触する第１電極層と、
　前記第１電極層上に配置され、複数の金属粒子、前記複数の金属粒子を囲む導電性接続部、ベース樹脂、及び前記第１電極層及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物を含む導電性樹脂層と、
　前記導電性樹脂層上に配置され、前記導電性接続部と接触する第２電極層と、を含む、積層型キャパシター。
　　【請求項２】
　誘電体層及び内部電極を含む本体と、前記本体の一面に配置される外部電極と、を含み、
　前記外部電極は、
　前記本体の一面に配置され、前記内部電極と接触する第１電極層と、
　前記第１電極層上に配置され、低融点金属を含む導電性接続部、前記第１電極層及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物、及び前記導電性接続部及び前記金属間化合物をカバーするベース樹脂を含む導電性樹脂層と、
　前記導電性樹脂層上に配置され、前記導電性接続部と接触する第２電極層と、を含む、積層型キャパシター。
　　【請求項３】
　前記第１電極層が銅を含む、請求項１または２に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項４】
　前記導電性接続部は前記ベース樹脂の硬化温度より低い融点を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項５】
　前記導電性接続部の融点が３００℃以下である、請求項４に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項６】
　前記導電性樹脂層は、素材となる金属粒子が、銅、ニッケル、銀、銀がコーティングされた銅、及びスズがコーティングされた銅のうち少なくとも一つであり、
　前記金属間化合物が銅−スズを含んで形成されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項７】
　前記導電性樹脂層の前記導電性接続部がＡｇ３Ｓｎを含んで形成されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項８】
　前記導電性樹脂層の素材となる金属粒子のサイズが０．２〜２０μｍである、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項９】
　前記金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される、請求項１から８のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項１０】
　前記複数の島が層（ｌａｙｅｒ）状からなる、請求項９に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項１１】
　前記本体は、互いに対向する第１及び第２面、前記第１及び第２面と接続され、互いに対向する第３及び第４面、及び第１面及び第２面と接続され、第３及び第４面と接続され、且つ互いに対向する第５及び第６面を含み、
　前記内部電極が、前記本体の第３及び第４面に交互に露出するように配置され、
　前記第１電極層が、前記本体の第３及び第４面に、前記内部電極が露出している部分とそれぞれ電気的に接続されるように形成される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項１２】
　前記外部電極は、前記本体の第３及び第４面にそれぞれ形成される接続部と、前記接続部から前記本体の第１及び第２面の一部を覆う位置まで延在するように形成されるバンド部と、を含む、請求項１１に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項１３】
　前記導電性樹脂層は、前記接続部の中央部分の厚さをｔ１、コーナー部の厚さをｔ２、バンド部の中央部分の厚さをｔ３と定義すると、ｔ２／ｔ１≧０．０５及びｔ３／ｔ１≦０．５である、請求項１２に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項１４】
　前記導電性樹脂層は、前記導電性樹脂層の素材となる金属粒子が、球状、フレーク（ｆｌａｋｅ）状、及び球状とフレーク状の混合形態のうち一つである、請求項１から１３のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項１５】
　前記金属間化合物の厚さは２．０〜５．０μｍである、請求項１から１４のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項１６】
　誘電体層及び内部電極を含む本体を設ける段階と、
　前記内部電極の一端と電気的に接続されるように前記本体の一面に導電性金属及びガラスを含むペーストを塗布してから焼成して第１電極層を形成する段階と、
　前記第１電極層上に、金属粒子、熱硬化性樹脂、及び前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い融点を有する低融点金属を含む導電性樹脂組成物を塗布する段階と、
　前記導電性樹脂組成物を硬化処理する際の前記硬化温度において溶融した低融点金属が金属粒子を囲む導電性接続部となり、第１電極層と導電性接続部との間に金属間化合物が形成されるように導電性樹脂層を形成する段階と、
　前記導電性樹脂層上に第２電極層をめっきで形成する段階と、を含む、積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項１７】
　前記導電性樹脂層を形成する段階は、
　熱硬化性樹脂内に含まれる金属粒子及び低融点金属粒子の表面の酸化膜を除去する段階と、
　酸化膜が除去された金属粒子と酸化膜が除去された低融点金属粒子が反応して導電性接続部を形成し、且つ前記低融点金属粒子が流動性を有しながら第１電極層の周りに流れて第１電極層と接触する金属間化合物を形成する段階と、を含む、請求項１６に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項１８】
　前記金属粒子は銅であり、前記低融点金属粒子はＳｎ／Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、及びＳｎ−Ａｇ−Ｃｕのうち少なくとも一つである、請求項１７に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項１９】
　前記金属粒子のサイズが０．２〜２０μｍである、請求項１７または１８に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項２０】
　前記低融点金属の含量が全体の金属含量に対して１０〜９０ｗｔ％である、請求項１７から１９のいずれか一項に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項２１】
　前記低融点金属粒子はＳｎ／Ｂｉであり、Ｓｎｘ−ＢｉｙにおいてＳｎの含量（ｘ）が全体の金属含量に対して１０ｗｔ％以上である、請求項１８に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項２２】
　前記導電性接続部の融点が３００℃以下である、請求項１６から２１のいずれか一項に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項２３】
　前記第１電極層が銅を含み、
　前記導電性樹脂層は、前記金属粒子が、銅、ニッケル、銀、銀がコーティングされた銅、及びスズがコーティングされた銅のうち少なくとも一つであり、
　前記金属間化合物が銅−スズである、請求項１６から２２のいずれか一項に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項２４】
　前記導電性樹脂層を形成する段階において、前記金属間化合物を複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に形成する、請求項１６から２３のいずれか一項に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項２５】
　前記複数の島（ｉｓｌａｎｄ）を層（ｌａｙｅｒ）状に形成する、請求項２４に記載の積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項２６】
　本体上に導電性金属を含む第１電極層を形成する段階と、
　前記第１電極層上に、前記第１電極層と導電性接続部との間の金属粒子を囲む導電性接続部及び金属間化合物を含む導電性樹脂層を形成する段階と、
　前記導電性樹脂層上に第２電極層を形成する段階と、を含む、製造方法。
　　【請求項２７】
　前記導電性樹脂層を形成する段階は、
　前記第１電極層上に、金属粒子、熱硬化性樹脂、及び前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い融点を有する低融点金属を含む導電性樹脂組成物を塗布する段階と、
　前記導電性樹脂組成物を前記硬化温度において硬化させる段階と、を含む、請求項２６に記載の製造方法。
　　【請求項２８】
　前記導電性樹脂層を形成する段階は、
　前記金属粒子及び低融点金属の表面から酸化膜を除去する段階と、
　酸化膜が除去された金属粒子と酸化膜が除去された低融点金属粒子が反応して導電性接続部を形成し、前記低融点金属粒子が流動性を有し、第１電極層の周りに流れ込んで第１電極層と接触する金属間化合物を形成する段階と、を含む、請求項２７に記載の製造方法。」とあったところを、
　本件補正により、 
「　　【請求項１】
　誘電体層及び内部電極を含む本体と、前記本体の一面に配置される外部電極と、を含み、
　前記外部電極は、
　前記本体の一面に配置され、前記内部電極と接触する第１電極層と、
　前記第１電極層上に配置され、複数の金属粒子、前記複数の金属粒子を囲む導電性接続部、ベース樹脂、及び前記第１電極層及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物を含む導電性樹脂層と、
　前記導電性樹脂層上に配置され、前記導電性接続部と接触する第２電極層と、を含
み、
　
前記金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される
　積層型キャパシター。
　　【請求項２】
　誘電体層及び内部電極を含む本体と、前記本体の一面に配置される外部電極と、を含み、
　前記外部電極は、
　前記本体の一面に配置され、前記内部電極と接触する第１電極層と、
　前記第１電極層上に配置され、低融点金属を含む導電性接続部、前記第１電極層及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物、及び前記導電性接続部及び前記金属間化合物をカバーするベース樹脂を含む導電性樹脂層と、
　前記導電性樹脂層上に配置され、前記導電性接続部と接触する第２電極層と、を含
み、
　
前記金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される
　積層型キャパシター。
　　【請求項３】
　前記第１電極層が銅を含む、請求項１または２に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項４】
　前記導電性接続部は前記ベース樹脂の硬化温度より低い融点を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項５】
　前記導電性接続部の融点が３００℃以下である、請求項４に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項６】
　前記導電性樹脂層は、素材となる金属粒子が、銅、ニッケル、銀、銀がコーティングされた銅、及びスズがコーティングされた銅のうち少なくとも一つであり、
　前記金属間化合物が銅−スズを含んで形成されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項７】
　前記導電性樹脂層の前記導電性接続部がＡｇ３Ｓｎを含んで形成されている、請求項１から６のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項８】
　前記導電性樹脂層の素材となる金属粒子のサイズが０．２〜２０μｍである、請求項１から７のいずれか一項に記載の積層型キャパシター。
　　【請求項９】
　前記複数の島が層（ｌａｙｅｒ）状からなる、請求項
１から８のいずれか一項
　　【請求項１０】
　前記本体は、互いに対向する第１及び第２面、前記第１及び第２面と接続され、互いに対向する第３及び第４面、及び第１面及び第２面と接続され、第３及び第４面と接続され、且つ互いに対向する第５及び第６面を含み、
　前記内部電極が、前記本体の第３及び第４面に交互に露出するように配置され、
　前記第１電極層が、前記本体の第３及び第４面に、前記内部電極が露出している部分とそれぞれ電気的に接続されるように形成される、請求項１から
９
　　【請求項１１】
　前記外部電極は、前記本体の第３及び第４面にそれぞれ形成される接続部と、前記接続部から前記本体の第１及び第２面の一部を覆う位置まで延在するように形成されるバンド部と、を含む、請求項
１０
　　【請求項１２】
　前記導電性樹脂層は、前記接続部の中央部分の厚さをｔ１、コーナー部の厚さをｔ２、バンド部の中央部分の厚さをｔ３と定義すると、ｔ２／ｔ１≧０．０５及びｔ３／ｔ１≦０．５である、請求項
１１
　　【請求項１３】
　前記導電性樹脂層は、前記導電性樹脂層の素材となる金属粒子が、球状、フレーク（ｆｌａｋｅ）状、及び球状とフレーク状の混合形態のうち一つである、請求項１から
１２
　　【請求項１４】
　前記金属間化合物の厚さは２．０〜５．０μｍである、請求項１から
１３
　　【請求項１５】
　誘電体層及び内部電極を含む本体を設ける段階と、
　前記内部電極の一端と電気的に接続されるように前記本体の一面に導電性金属及びガラスを含むペーストを塗布してから焼成して第１電極層を形成する段階と、
　前記第１電極層上に、金属粒子、熱硬化性樹脂、及び前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い融点を有する低融点金属を含む導電性樹脂組成物を塗布する段階と、
　前記導電性樹脂組成物を硬化処理する際の前記硬化温度において溶融した低融点金属が金属粒子を囲む導電性接続部となり、第１電極層と導電性接続部との間に金属間化合物が形成されるように導電性樹脂層を形成する段階と、
　前記導電性樹脂層上に第２電極層をめっきで形成する段階と、を含
み、
　
前記導電性樹脂層を形成する段階において、前記金属間化合物を複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に形成する
　積層型キャパシターの製造方法。
　　【請求項１６】
　前記導電性樹脂層を形成する段階は、
　熱硬化性樹脂内に含まれる金属粒子及び低融点金属粒子の表面の酸化膜を除去する段階と、
　酸化膜が除去された金属粒子と酸化膜が除去された低融点金属粒子が反応して導電性接続部を形成し、且つ前記低融点金属粒子が流動性を有しながら第１電極層の周りに流れて第１電極層と接触する金属間化合物を形成する段階と、を含む、請求項
１５
　　【請求項１７】
　前記金属粒子は銅であり、前記低融点金属粒子はＳｎ／Ｂｉ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ、及びＳｎ−Ａｇ−Ｃｕのうち少なくとも一つである、請求項
１６
　　【請求項１８】
　前記金属粒子のサイズが０．２〜２０μｍである、請求項
１６
１７
　　【請求項１９】
　前記低融点金属の含量が全体の金属含量に対して１０〜９０ｗｔ％である、請求項
１６
１８
　　【請求項２０】
　前記低融点金属粒子はＳｎ／Ｂｉであり、Ｓｎｘ−ＢｉｙにおいてＳｎの含量（ｘ）が全体の金属含量に対して１０ｗｔ％以上である、請求項
１７
　　【請求項２１】
　前記導電性接続部の融点が３００℃以下である、請求項
１５
２０
　　【請求項２２】
　前記第１電極層が銅を含み、
　前記導電性樹脂層は、前記金属粒子が、銅、ニッケル、銀、銀がコーティングされた銅、及びスズがコーティングされた銅のうち少なくとも一つであり、
　前記金属間化合物が銅−スズである、請求項
１５
２１
　　【請求項２３】
　前記複数の島（ｉｓｌａｎｄ）を層（ｌａｙｅｒ）状に形成する、請求項
１５から２２のいずれか一項
　　【請求項２４】
　本体上に導電性金属を含む第１電極層を形成する段階と、
　前記第１電極層上に、前記第１電極層と導電性接続部との間の金属粒子を囲む導電性接続部及び金属間化合物を含む導電性樹脂層を形成する段階と、
　前記導電性樹脂層上に第２電極層を形成する段階と、を含
み、
　
前記金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される
　製造方法。
　　【請求項２５】
　前記導電性樹脂層を形成する段階は、
　前記第１電極層上に、金属粒子、熱硬化性樹脂、及び前記熱硬化性樹脂の硬化温度より低い融点を有する低融点金属を含む導電性樹脂組成物を塗布する段階と、
　前記導電性樹脂組成物を前記硬化温度において硬化させる段階と、を含む、請求項
２４
　　【請求項２６】
　前記導電性樹脂層を形成する段階は、
　前記金属粒子及び低融点金属の表面から酸化膜を除去する段階と、
　酸化膜が除去された金属粒子と酸化膜が除去された低融点金属粒子が反応して導電性接続部を形成し、前記低融点金属粒子が流動性を有し、第１電極層の周りに流れ込んで第１電極層と接触する金属間化合物を形成する段階と、を含む、請求項
２５
　上記の補正は、
・本件補正前の請求項９及び２４を削除し、
・金属間化合物について「前記金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される」と限定し（本件補正後の請求項１、２及び２４）、
・導電性樹脂層を形成する段階について「前記金属間化合物を複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に形成する」と限定し（本件補正後の請求項１５）、
・請求項の削除に伴い、項番を整理（本件補正後の請求項９ないし１４、１６ないし２３、２５及び２６）
したものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除及び同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許法第１７条の２第３項及び第４項に違反するところはない。
　そこで、特許請求の範囲の減縮を目的とする本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
２．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１５−２６８４０号公報（以下「引用文献」という。）には、「セラミック電子部品及びテーピング電子部品連」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
（１）「【０００２】
　従来、種々の電子装置に、
積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品
・・・（中略）・・・
【００２０】
　図１及び図２に示す
セラミック電子部品１は、セラミックコンデンサであってもよい
（２）「【００２１】
　
セラミック電子部品１は、
セラミック素体１０を備える。
セラミック素体１０は、
端面１０ｅ、１０ｆ
を有する。
・・・（中略）・・・
【００２４】
　セラミック素体１０は、セラミック電子部品１の機能に応じた適宜のセラミックスからなる。具体的には、
セラミック電子部品１がコンデンサである場合は、セラミック素体１０を誘電体セラミックスにより形成することができる。
・・・（中略）・・・
【００２８】
　（内部電極）
　図２に示すように、
セラミック素体１０の内部には、
内部電極１１と
内部電極１２とが設けられる。
・・・（中略）・・・
【００３４】
　（外部電極）
　図１及び図２に示すように、
セラミック電子部品１は、
外部電極１３、１４を備えている。
【００３５】
　第１の
外部電極１３は、
端面１０ｅ
に形成されている。
外部電極１４は、
端面１０ｆ
に形成されている。
（３）「【００３６】
　第１及び第２の
外部電極１３、１４は、適宜の導電材料により構成することができる。
【００３７】
　詳しくは、第１の
外部電極１３は
焼成電極層１３ａを備える。
外部電極１４は
焼成電極層１４ａを備える。
【００３８】
　第１の
焼成電極層１３ａは、セラミック素体１０の端面１０ｅを覆うように
設けられている。
焼成電極層１４ａは、セラミック素体１０の端面１０ｆを覆うように
設けられている。
【００３９】
　第１の
焼成電極層１３ａの上には、
樹脂電極層１３ｂが設けられている。
焼成電極層１４ａの上には、
樹脂電極層１４ｂが設けられている。
樹脂電極層１３ｂの上には、
めっき膜１３ｃが設けられている。
樹脂電極層１４ｂの上には、
めっき膜１４ｃが設けられている。
【００４０】
　第１及び第２の
焼成電極層１３ａ、１４ａは、
導電性金属及びガラスを含む
ペーストを塗布して焼き付けることで形成される。
焼成電極層１３ａ、１４ａの上記導電性金属としては、
Ｎｉ
を用いることができる。
（４）「【００４５】
　第１及び第２の
樹脂電極層１３ｂ、１４ｂは、導電材及び樹脂を含む。
【００４６】
　
導電材としては、
Ａｇまたは金属粉の表面にＡｇコーティングされたものを使用することができる。
・・・（中略）・・・
【００６７】
　次に、焼成後のセラミック素体１０の両端面に導電性
ペーストを塗布して焼き付けを行うことにより、
焼成電極層１３ａ、１４ａを形成する。
【００６８】
　次いで、第１及び第２の
焼成電極層１３ａ、１４ａを覆うように
導電性樹脂ペーストを塗布し、
熱処理を行い、
熱硬化させる。これにより、
樹脂電極層１３ｂが形成され、
樹脂電極層１４ｂが形成される。
（５）
　図２によると、焼成電極層１３ａ、１４ａは、内部電極１１、１２と接触するものである。また、セラミック電子部品１は、内部電極１１、１２を多数積み重ねた構成が見てとれるので、該セラミック電子部品１は、積層セラミック電子部品であるといえる。
・上記（１）及び（５）によれば、セラミック電子部品１は、積層セラミックコンデンサである。
・上記（２）によれば、セラミック電子部品１は、セラミック素体１０と、外部電極１３、１４とを備えるものである。また、セラミック素体１０は、誘電体セラミックスにより形成され、内部に内部電極１１、１２が設けられるものである。そして、外部電極１３、１４は、セラミック素体１０の端面１０ｅ、１０ｆに形成されるものである。
・上記（３）によれば、外部電極１３、１４は、セラミック素体１０の端面１０ｅ、１０ｆを覆うように設けられた焼成電極層１３ａ、１４ａを備えるものである。また、焼成電極層１３ａ、１４ａの上には、樹脂電極層１３ｂ、１４ｂが設けられ、樹脂電極層１３ｂ、１４ｂの上には、めっき膜１３ｃ、１４ｃが設けられるものである。
・上記（４）によれば、樹脂電極層１３ｂ、１４ｂは、Ａｇまたは金属粉の表面にＡｇコーティングしたものである導電材、及び樹脂を含むものである。
・上記（５）によれば、焼成電極層１３ａ、１４ａは、内部電極１１、１２と接触するものである。
　上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
「セラミック素体１０と、外部電極１３、１４とを備えた、積層セラミックコンデンサであって、
　前記セラミック素体１０は、誘電体セラミックスにより形成され、内部に内部電極１１、１２が設けられ、
　前記外部電極１３、１４は、前記セラミック素体１０の端面１０ｅ、１０ｆに形成され、
　前記外部電極１３、１４は、前記セラミック素体１０の前記端面１０ｅ、１０ｆを覆うように設けられ、前記内部電極１１、１２と接触する焼成電極層１３ａ、１４ａを備え、
　前記焼成電極層１３ａ、１４ａの上には、樹脂電極層１３ｂ、１４ｂが設けられ、前記樹脂電極層１３ｂ、１４ｂの上には、めっき膜１３ｃ、１４ｃが設けられ、
　前記樹脂電極層１３ｂ、１４ｂは、Ａｇまたは金属粉の表面にＡｇコーティングしたものである導電材、及び樹脂を含む、
　積層セラミックコンデンサ。」
３．対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「誘電体セラミックスにより形成され、内部に内部電極１１、１２が設けられ」た「セラミック素体１０」、「前記セラミック素体１０の端面１０ｅ、１０ｆに形成され」た「外部電極１３、１４」、及び「積層セラミックコンデンサ」は、本願補正発明の「誘電体層及び内部電極を含む本体」、「前記本体の一面に配置される外部電極」、及び「積層型キャパシター」にそれぞれ相当する。
（２）引用発明の「前記セラミック素体１０の前記端面１０ｅ、１０ｆを覆うように設けられ、前記内部電極１１、１２と接触する焼成電極層１３ａ、１４ａ」は、本願補正発明の「前記本体の一面に配置され、前記内部電極と接触する第１電極層」に相当する。
（３）引用発明の「Ａｇまたは金属粉の表面にＡｇコーティングしたものである導電材」、及び「樹脂」は、本願補正発明の「複数の金属粒子」、及び「ベース樹脂」にそれぞれ相当する。よって、引用発明の「前記焼成電極層１３ａ、１４ａの上に」「設けられ、」「Ａｇまたは金属粉の表面にＡｇコーティングしたものである導電材、及び樹脂を含む」「樹脂電極層１３ｂ、１４ｂ」は、本願補正発明の「前記第１電極層上に配置され、複数の金属粒子、」及び「ベース樹脂」「を含む導電性樹脂層」に相当する。
　ただし、導電性樹脂層について、本願補正発明は「前記複数の金属粒子を囲む導電性接続部、」「及び前記第１電極層及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物を含む」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない点で相違する。
（４）引用発明の「前記樹脂電極層１３ｂ、１４ｂの上に」「設けられ」た「めっき膜１３ｃ、１４ｃ」は、本願補正発明の「前記導電性樹脂層上に配置され」た「第２電極層」に相当する。
　ただし、第２電極層について、本願補正発明は「前記導電性接続部と接触する」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない点で相違する。
（５）本願補正発明は「前記金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない点で相違する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、
「誘電体層及び内部電極を含む本体と、前記本体の一面に配置される外部電極と、を含み、
　前記外部電極は、
　前記本体の一面に配置され、前記内部電極と接触する第１電極層と、
　前記第１電極層上に配置され、複数の金属粒子及びベース樹脂を含む導電性樹脂層と、
　前記導電性樹脂層上に配置された第２電極層と、を含む
　積層型キャパシター。」の点で一致し、
以下の点で相違する。
＜相違点１＞ 
　導電性樹脂層について、本願補正発明は「前記複数の金属粒子を囲む導電性接続部、」「及び前記第１電極層及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物を含む」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない点。
＜相違点２＞ 
　第２電極層について、本願補正発明は「前記導電性接続部と接触する」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない点。
＜相違点３＞ 
　本願補正発明は「前記金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない点。
４．判断 
　上記相違点について検討する。 
（１）＜相違点１＞について
　例えば、国際公開第２０１４／９７８２３号（要約、段落【００１４】ないし【００３４】、及び図３を参照。以下「周知例１」という。）には、Ｓｎ粉末、Ｃｕ粉末、及び熱硬化性樹脂等を含むペースト状の熱硬化型導電性樹脂組成物を硬化して外部電極を形成する際に、前記Ｓｎ粉末と前記Ｃｕ粉末の間の拡散でＣｕ３Ｓｎ合金を生成し、前記Ｃｕ３Ｓｎ合金と内部電極のニッケルの金属接合でＣｕＳｎＮｉ合金相を形成することで、積層セラミックコンデンサにおいて、ニッケルを含む内部電極に対して外部電極が良好な接合性を有するようにすることが記載されている。
　また、国際公開第２００９／９８９３８号（段落【００１７】、【００２０】ないし【００２９】、【００５８】ないし【００６２】、【００７４】、及び図３を参照。以下「周知例２」という。）には、（Ａ）銀粉末、（Ｂ）スズ銀合金粉末、（Ｃ）銀及び／又は銀スズ合金微粉末、及び（Ｄ）熱硬化性樹脂を含む熱硬化性導電ペーストを硬化して外部電極を形成する際に、前記ペースト中の金属粉末間で拡散し、前記ペースト由来の銀、スズと内部電極のニッケルの間の拡散でＳｎ−Ａｇ−Ｎｉ化合物を形成することで、積層セラミックコンデンサにおいて、ニッケルを含む内部電極と外部電極とが良好な接合性を得るようにすることが記載されている。
　以上のように、金属粉末、及び熱硬化性樹脂を含むペーストを硬化して外部電極を形成する際に、前記ペースト中の金属粉末間で拡散し（金属粉末間の拡散により複数の金属粒子を囲んで金属粒子間を接続する合金層、すなわち本願における「導電性接続部」が形成されることは技術常識である。）、前記ペースト由来の金属粉末と内部電極のニッケルから、それらと接触する金属間化合物を形成することで、内部電極と外部電極とが良好な接合性を有するようにすることは、周知の技術事項である。
　よって、複数の金属粒子を囲む導電性接続部、及び内部電極及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物を含む外部電極を形成することで、内部電極と外部電極とが良好な接合性を有するようにすることは、周知の技術事項であるといえる。
　ここで、引用発明の焼成電極層１３ａ、１４ａは、上記周知の技術事項の内部電極と同様に、ニッケルを含むものである。そうすると、引用発明の外部電極１３、１４は上記「２．（３）段落【００３６】」によれば、適宜の導電材料により構成すれば良いのだから、上記周知の技術事項のように、ニッケルを含む焼成電極層１３ａ、１４ａに対して外部電極１３、１４の樹脂電極層１３ｂ、１４ｂが良好な接合性を有するようにするため、該樹脂電極層１３ｂ、１４ｂを、複数の金属粒子を囲む導電性接続部、及び焼成電極層１３ａ、１４ａ及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物を含む層を形成する材料により構成して上記相違点１の構成とすることは、当業者が容易になし得た事項である。
　この点について、審判請求人は、審判請求書にて「引用文献１の導電ペーストの層は、内部電極上に直接形成するためのものであり、仮に引用文献３に適用するのであれば、当業者は引用文献１の導電ペーストの層を、内部電極に接触する第１層目に適用する。引用文献１の導電ペーストを引用文献３において２層目に適用しても、内部電極との間にＳｎ−Ａｇ−Ｎｉ化合物は当然形成できない。従って、引用文献１，３から本願発明の上記構成に想到することは不可能である。また、引用文献２には、Ｃｕ３Ｓｎ合金を含む金属粒子と熱硬化性樹脂とを含む導通層が記載されているが、・・・（中略）・・・当該導通層は、内部電極と直接接続されることが必須のものである。従って、当業者は、当該導通層を、仮に引用文献３に適用するとしても内部電極と直接接続される第１層目に適用する。以上のように、引用文献１，２の層を引用文献３の２層目として適用すると、引用文献１，２の発明の目的を実現できないことになり、引用文献１，２の層を引用文献３の２層目として適用することには阻害要因がある。」旨を主張している。ここで、引用文献１とは上記の周知例２であり、引用文献２とは上記の周知例１であり、引用文献３とは上記の引用文献である。
　しかしながら、引用文献（上記「２．（４）段落【００４５】及び【００４６】（５）図２」を参照。）の樹脂電極層１３ｂ、１４ｂ（第２層目）、周知例１（段落【００３３】、図１を参照。）の導通層１０、及び周知例２（段落【００５８】ないし【００６１】、図１を参照。）の外部電極（導電ペーストの層）は、いずれも金属を含む樹脂層であり、当業者が周知例１及び２に記載された樹脂層に関する上記周知の技術事項を引用発明に適用しようとする場合、同じ樹脂層である樹脂電極層１３ｂ、１４ｂ（第２層目）に適用するのが自然であり、敢えて樹脂層ではない焼成電極層１３ａ、１４ａ（第１層目）に適用する動機付けはないといえる。
　よって、請求人の上記主張は採用できない。
（２）＜相違点２＞について
　引用発明のめっき膜１３ｃ、１４ｃは、樹脂電極層１３ｂ、１４ｂの上に設けられるものである。
　したがって、めっき膜１３ｃ、１４ｃと樹脂電極層１３ｂ、１４ｂが導通することを考慮すれば、上記（１）のように、引用発明の樹脂電極層１３ｂ、１４ｂを、複数の金属粒子を囲む導電性接続部、及び焼成電極層１３ａ、１４ａ及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物を含む層を形成する材料により構成した場合、めっき膜１３ｃ、１４ｃが該導電性接続部と接触して上記相違点２の構成になるものである。
（３）＜相違点３＞について
　本願明細書には、金属間化合物を第１電極層上に複数の島状に配置させるための条件は特段記載されておらず、段落【０１４９】ないし【０１５８】に、ニッケル及びガラスを含むペーストを塗布して焼成することで形成した第１電極層に、金属間化合物を含む導電性樹脂層を形成することが記載されているのみである。よって、ニッケル及びガラスを含むペーストを塗布して焼成することで形成した第１電極層に導電性樹脂層を形成した場合には、「金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される」ものと認められる。
　これに対し、引用文献（上記「２．（３）段落【００４０】（４）段落【００６７】及び【００６８】」を参照。）には、ニッケル及びガラスを含むペーストを塗布して焼き付けることで形成した焼成電極層１３ａ、１４ａに、樹脂電極層１３ｂ、１４ｂを形成することが記載されている。
　そうすると、本願発明の第１電極層と引用発明の焼成電極層１３ａ、１４ａは、同じ材料で同じ方法によって形成されたものであるから、上記（１）のように、引用発明の樹脂電極層１３ｂ、１４ｂを、複数の金属粒子を囲む導電性接続部、及び焼成電極層１３ａ、１４ａ及び前記導電性接続部と接触する金属間化合物を含む層を形成する材料により構成したものは、本願発明と同様に、金属間化合物を焼成電極層１３ａ、１４ａ上に複数の島状に配置させた上記相違点３の構成になるものである。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が容易になし得たものである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用文献及び周知の技術事項から当業者が予測できる範囲のものである。
５．むすび 
　以上のとおり、本件補正の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
第３　本願発明について 
１．本願発明 
　平成３１年２月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２８に係る発明は、平成３０年８月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２８に記載された事項により特定されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は上記「第２［理由］１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりものである。
２．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献の記載事項及び引用発明は、上記「第２［理由］２．」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２［理由］」で検討した本件補正発明から「前記金属間化合物が複数の島（ｉｓｌａｎｄ）状に配置される」という事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２［理由］３．及び４．」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術事項から当業者が容易になし得たものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明及び周知の技術事項から当業者が容易になし得たものである。 
４．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。