【事件の表示】
　特許第３１２６７１５号「シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ」の請求項１ないし１０に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２６７１５号の請求項１ないし９に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１２６７１５号は、平成１２年４月６日（優先権主張平成１１年４月１６日）に特許出願され、平成１２年１１月２日に特許権の設定登録がされた。その後、異議申立人加藤修一により特許異議の申立てがされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年５月２０日に訂正請求が請求されている。
　なお、平成１３年１２月３日付訂正請求書は取り下げられている。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　平成１４年５月２０日付訂正請求書による訂正の内容は次のとおりである。
｛特許請求の範囲について｝
Ａ．特許請求の範囲の請求項１，２，７を削除する。
Ｂ．もとの請求項１を引用する請求項７をさらに引用する請求項８に発明特定事項を追加して次のように訂正し、新たな請求項１とする。
「投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、
　前記保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、
　前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆することを特徴とするシンチレータパネル。」
Ｃ．もとの請求項２を引用する請求項７をさらに引用する請求項８に発明特定事項を追加して次のように訂正し、新たな請求項２とする。
「投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、
　前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、
　前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆することを特徴とするシンチレータパネル。」
Ｄ．もとの請求項１を引用する請求項７をさらに引用する請求項９に発明特定事項を追加して次のように訂正し、新たな請求項３とする。
「投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、
　前記保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、
　前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の全体を被覆することを特徴とするシンチレータパネル。」
Ｅ．もとの請求項２を引用する請求項７をさらに引用する請求項９に発明特定事項を追加して次のように訂正し、新たな請求項４とする。
「投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、
　前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、
　前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の全体を被覆することを特徴とするシンチレータパネル。」
Ｆ．もとの請求項３〜６の項数を繰り下げて請求項５〜８とし、もとの請求項１０の項数を繰り上げて請求項９とする。
　
｛発明の詳細な説明について｝
Ｇ．段落番号［０００６］を次のように訂正する。
「【課題を解決するための手段】
　請求項１記載のシンチレータパネルは、投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、基板上に設けられた反射性金属薄膜と、反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、を備え、反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、シンチレータにおいて発光した光を反射し、保護膜は、シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、シンチレータは有機膜で被覆されており、シンチレータの表面に形成された有機膜は、基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆することを特徴とする。」
Ｈ．段落番号［０００７］を次のように訂正する。
「この請求項１記載のシンチレータパネルによれば、保護膜により反射性金属薄膜の全体が覆われていることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能の減退を防止することができる。従って、増大したシンチレータパネルの光出力を維持することができる。また、シンチレータおよび基板が有機膜で被覆されているので、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。また、有機膜が更に基板の少なくとも一部を被覆していることにより、有機膜によりシンチレータのみを被覆するものに比較してシンチレータの耐湿性を更に向上させることができる。」
Ｉ．段落番号［０００８］を次のように訂正する。
「また、請求項２記載のシンチレータパネルは、投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、基板上に設けられた反射性金属薄膜と、反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、保護膜の周縁部が露出するようにして保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、を備え、反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、シンチレータにおいて発光した光を反射し、保護膜は、シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、シンチレータは有機膜で被覆されており、シンチレータの表面に形成された有機膜は、基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆することを特徴とする」
Ｊ．段落番号［０００９］を次のように訂正する。
「この請求項２のシンチレータパネルによれば、シンチレータと反射性金属薄膜が離間していることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能の減退を防止することができる。従って、増大したシンチレータパネルの光出力を維持することができる。また、シンチレータおよび基板が有機膜で被覆されているので、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。また、有機膜が更に基板の全部を被覆していることにより、有機膜によりシンチレータのみを被覆するものに比較してシンチレータに耐湿性をさらに向上させることができる。
　また、請求項３記載のシンチレータパネルは、投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、基板上に設けられた反射性金属薄膜と、反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、を備え、反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、シンチレータにおいて発光した光を反射し、保護膜は、シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、シンチレータは有機膜で被覆されており、シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に基板の放射線入射面の全体を被覆することを特徴とする。
　また、請求項４記載のシンチレータパネルは、投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、基板上に設けられた反射性金属薄膜と、反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、保護膜の周縁部が露出するようにして保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、を備え、反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、保護膜は、シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、シンチレータは有機膜で被覆されており、シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に基板の放射線入射面の全体を被覆することを特徴とする。
　請求項３及び請求項４記載のシンチレータパネルによれば、有機膜によりシンチレータ及び基板表面の少なくとも一部を被覆するものに比較して耐湿性を更に向上させることができる。」
Ｋ．段落番号［００１０］第１行目の「請求項３」を「請求項５」に訂正する。
Ｌ．段落番号［００１１］第１行目の「請求項４」を「請求項６」に訂正する。
Ｍ．段落番号［００１２］第１行目の「請求項５」を「請求項７」に訂正する。
Ｎ．段落番号［００１３］第１行目の「請求項６」を「請求項８」に訂正する。
Ｏ．段落番号［００１４］〜［００１６］を削除する。
Ｐ．段落番号［００１７］第１行目の「請求項１０」を「請求項９」に訂正する。
Ｑ．段落番号［００１８］第１行目の「請求項１０」を「請求項９」に訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項Ａは請求項１，２，７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするもので、新規事項の追加には該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項Ｂは、もとの請求項１を引用する請求項７をさらに引用する請求項８に発明特定事項を追加して新たな請求項１とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、特許明細書には段落番号［００３１］に「この実施の形態にかかる放射線イメージセンサ２によれば、基板１０側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出する。」と、段落番号［００２６］に「図１に示すように、シンチレータパネル１のアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）（グラッシーカーボン又はガラス状カーボン）製の基板１０の一方の表面には、光反射膜（反射性金属薄膜）としてのＡｇ膜１２が形成されている。・・・（中略）・・・このＳｉＮ膜１４の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されている。」と、段落番号［０００７］に「この請求項１記載のシンチレータパネルによれば、保護膜により反射性金属薄膜の全体が覆われていることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能の減退を防止することができる。」と、段落番号［００２９］に「次に、ＳｉＮ膜１４の表面にＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長（堆積）させてシンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。このシンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シンチレータ１６が形成された基板１０をＣＶＤ装置に入れ、ポリパラキシリレン膜１８を１０μｍの厚さで成膜する。これによりシンチレータ１６及び基板１０の表面全体（シンチレータ等が形成されず露出している基板表面全体）にポリパラキシリレン膜１８が形成される。」と記載されていることから、発明特定事項を追加した点は新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項Ｃは、もとの請求項２を引用する請求項７をさらに引用する請求項８に発明特定事項を追加して新たな請求項２とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、訂正事項Ｂと同様の理由で新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項Ｄは、もとの請求項１を引用する請求項７をさらに引用する請求項９に発明特定事項を追加して新たな請求項３とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、訂正事項Ｂと同様の理由で新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項Ｅは、もとの請求項２を引用する請求項７をさらに引用する請求項９に発明特定事項を追加して新たな請求項４とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、訂正事項Ｂと同様の理由で新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項Ｆは、訂正事項Ａの請求項１，２，７の削除、及び訂正事項Ｂ〜Ｅの請求項の移動に伴って、もとの請求項３〜６，１０の項数を繰り下げ又は繰り上げるものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　発明の詳細な説明の欄についての上記訂正事項Ｇ〜Ｑは、特許請求の範囲についての上記訂正事項Ａ〜Ｆによる訂正に伴ってこれと整合するように発明の詳細な説明を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、訂正事項Ｂと同様の理由で新規事項の追加には該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものでもない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記各訂正は、特許法第１２０条の４第２項ただし書、並びに同条第３項で準用する同法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合しているので、訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
３−１．異議申立て理由の概要
　特許第３１２６７１５号の請求項１〜５，７，１０に記載の本件特許発明は、本件特許の出願前に日本国内において頒布された甲第１号証（特開平４−１７４４００号公報、以下、「刊行物１」という）の刊行物に記載された発明と同一であり、また、請求項６，８，９に記載の本件特許発明は、本件特許の出願前に日本国内において頒布された前記甲第１号証、甲第２号証（特開平１−１３１４９６号公報、以下、「刊行物２」という）、甲第３号証（国際公開第９８／３６２９１号、以下、「刊行物３」という）、甲第４号証（特開平５−６０８７１号公報、以下、「刊行物４」という）、甲第５号証（特開平５−９３７８０公報、以下、「刊行物５」という）及び甲第６号証（特開平１０−９３０６１号公報、以下「刊行物６」という）の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は同条第２項の規定に該当し特許を受けることができず、同法第１１３条第１項第２号に規定により取り消されるべきものである。
　
３−２．本件発明
　上記「２．訂正の適否についての判断」で示したように訂正が認められるから、本件特許の請求項１〜９に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載によれば、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された次の事項により特定されるものである。（以下、「本件発明１」〜「本件発明９」という。）
【請求項１】（本件発明１）
　投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、
　前記保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、
　前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆することを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】（本件発明２）
　投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、
　前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、
　前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆することを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項３】（本件発明３）
　投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、
　前記保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、
　前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の全体を被覆することを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項４】（本件発明４）
　投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過するアモルファスカーボン製の基板と、
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、
　前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上に蒸着によって堆積された柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータと、
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する機能を有し、
　前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の全体を被覆することを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項５】（本件発明５）
　前記反射性金属薄膜は、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質を含む材料からなる膜であることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れか一項に記載のシンチレータパネル。
【請求項６】（本件発明６）
　前記保護膜は、ＬｉＦ，ＭｇＦ2，ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＳｉＮ及びポリイミドからなる群の中の物質を含む材料からなる膜であることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか一項に記載のシンチレータパネル。
【請求項７】（本件発明７）
　前記保護膜は、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ及びＰｔからなる群の中の物質を含む材料からなる酸化膜であることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか一項に記載のシンチレータパネル。
【請求項８】（本件発明８）
　前記保護膜は、無機膜及び有機膜により形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか一項に記載のシンチレータパネル。
【請求項９】（本件発明９）
　請求項１〜請求項８の何れか一項に記載のシンチレータパネルの前記シンチレータに対向して撮像素子を配置したことを特徴とする放射線イメージセンサ。
　
３−３．刊行物記載の発明
３−３−１．刊行物１（特開平４−１７４４００号公報）
　刊行物１には、特に第１図及び第３図とともに、次の記載がある。
（ア）「第１図は、本発明の放射線画像変換パネルの一例を示し、１は支持体、２は透明薄膜層、３は輝尽性蛍光体層、４は保護層である。
　支持体１は、非金属製の基板１Ａと、この基板１Ａの一面側に設けられた金属層１Ｂとを備えてなり、この金属層１Ｂが支持体１の金属表面を構成している。この金属層１Ｂは、光反射層および遮光層としての機能を発揮するものである。・・・（中略）・・・
　支持体１の金属層１Ｂ上に、透明薄膜層２が設けられ、この透明薄膜層２上に輝尽性蛍光体層３が設けられている。すなわち、透明薄膜層２は支持体１の金属表面である金属層１Ｂと輝尽性蛍光体層３との間に設けられていて、両者の接触を防止している。そして、輝尽性蛍光体層３の上に空隙４Ａを介して保護層４が設けられている。この空隙４Ａには、乾燥された窒素ガス等が封入されている。」（公報第３頁左上欄第８行から右上欄第６行）
（イ）「透明薄膜層２の構成材料としては、酸化物、窒化物、フッ化物、炭化物、あるいはポリマー、ゼラチン等が好適である。具体的には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の酸化物、ＭｇＦ２、ＣａＦ２等のフッ化物、ＳｉＣ等の炭化物、ＳｉＮ等の窒化物、ＰＥＴ、ビニルアルコールフィルム等のポリマー、ゼラチン等が好ましい。」（公報第２頁左下欄第７〜１３行）
（ウ）「第１図は非金属製の基板１Ａを用いる例であるが、非金属材料としては、ガラス、セラミクス、あるいは各種高分子材料等を用いることができる。具体的には、石英ガラス、化学強化ガラス等のガラス、結晶化ガラス、アルミナあるいはジルコニアの結晶板等のセラミクス、あるいはセルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルムを挙げることができる。」（公報第４頁左上欄第１〜１１行）
（エ）「輝尽性蛍光体層３は、真空蒸着法（以下適宜単に「蒸着法」と記す）、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等の気相堆積法・・・（中略）・・・によって形成することが好ましい。」（公報第４頁右上欄第１〜７行）
（オ）「保護層４は、輝尽性蛍光体層３を物理的にまたは化学的に保護するために設けられるものである。この保護層４は、第１図または第２図のように空隙４Ａを介して設けてもよいし、保護層用の塗布液を輝尽性蛍光体層上に直接塗布して形成してもよい。・・・（中略）・・・
　保護層４を輝尽性蛍光体層３上に直接設ける場合、当該保護層の構成材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、塩化ビニリデン、ナイロン等を用いることができる。」（公報第６頁左上欄第４行から右上欄第１４行）
（カ）「第３図は本発明の放射線画像変換パネルを用いて構成された放射線画像変換装置の概略を示し、５は放射線発生装置、６は被写体、７は放射線画像変換パネル、８は輝尽励起光源、９は放射線画像変換パネル７より放射された輝尽発光を検出する光電変換装置、１０は光電変換装置９で検出された信号を画像として再生する再生装置、１１は再生装置１０より再生された画像を表示する表示装置、１２は輝尽励起光と輝尽発光とを分離し、輝尽発光のみを透過させるフィルターである。
　第３図の放射線画像変換装置においては、放射線発生装置５からの放射線Ｒは被写体６を通して放射線画像変換パネル７に入射する。この入射した放射線ＲＩは放射線画像変換パネル７の輝尽性蛍光体層３に吸収され、そのエネルギーが蓄積され、放射線透過像の蓄積像が形成される。次に、この蓄積像を輝尽励起光源８からの輝尽励起光で励起して輝尽発光として放射させる。
　放射される輝尽発光の強弱は、蓄積された放射線エネルギー量に比例するので、この光信号を例えば光電子増倍管等の光電変換装置９で光電変換し、再生装置１０によって画像として再生し、表示装置１１によって表示することにより、被写体６の放射線透過像を観察することができる。」（公報第８頁左下欄第７行から右下欄第１０行）
（キ）「本発明の放射線画像変換パネルによれば、支持体の金属表面と輝尽性蛍光体層との間に透明薄膜層を設けたので、支持体の金属表面が、輝尽性蛍光体層の輝尽性蛍光体によって腐食されるおそれがなく、長期間にわたり物理的および化学的に安定しており、放射線感度および画像の鮮鋭性が初期から良好であり、しかもこの良好な特性が長期間にわたり安定に発揮される。」（公報第１１頁右下欄第４〜１１行）
　上記記載事項（ア）乃至（キ）から、刊行物１には、「投射された放射線を光電変換装置９（本件発明の「撮像素子」に相当）に検出される光に変換する放射線画像変換装置（本件発明の「放射線イメージセンサ」に対応）に用いられる放射線画像変換パネル７（本件発明の「シンチレータパネル」に対応）であって、放射線を透過するガラス、セラミクス、各種高分子材料等の非金属製の基板１Ａ（本件発明の「基板」に相当）と、前記基板上に設けられた光反射層及び遮光層として機能する金属層１Ｂ（本件発明の「反射性金属薄膜」に相当）と、前記金属層１Ｂの全体を覆う透明保護層２（本件発明の「保護膜」に相当）と、前記透明保護層２上に蒸着法等によって堆積された入射した放射線を可視光に変換する輝尽性蛍光体層３（本件発明の「シンチレータ」に対応）とを備え、前記金属層１Ｂは放射線を透過すると共に、前記輝尽性蛍光体層３において発光した光を反射し、前記透明保護層２は、輝尽性蛍光体による金属層１Ｂの表面の腐食を防止する機能を有し、前記輝尽性蛍光体層３の表面に透明の保護層４（本件発明の「有機膜」に対応）が形成され、前記輝尽性蛍光体層３は前記保護層４で被覆されている放射線画像変換パネル。」（刊行物１記載の発明）が記載されていると認められる。
                       　
３−３−２．刊行物２（特開平１−１３１４９６号公報）
　刊行物２には、第１図（ｂ）及びその説明箇所に、支持体１上に設けた蛍光体層２の上に酸窒化硅素層３を形成し、その上に有機高分子化合物などの第２の保護層４を設けた蛍光体パネル、が記載されていると認められる。
　また、「支持体として１５μｍ厚のＰＥＴを用いた。」（第５頁左上欄第８行）との記載がある。
                       　
３−３−３．刊行物３（国際公開第９８／３６２９１号パンフレット）
　刊行物３には、次の記載がある。
（ク）「図１、図２を参照して本実施形態の構成を説明する。絶縁性、例えばガラス製の基板１上に、光電変換を行う受光素子２が２次元上に配列されて、受光部を形成している。・・・（中略）・・・受光素子アレイ６の受光部上には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ７が形成されている。シンチレータ７には、各種の材料を用いることができるが、発光効率が良いＴｌドープのＣｓＩ等が好ましい。また、受光素子アレイ６の受光部の外周を囲み、ボンディングパッドの内側位置には、細長い枠状に形成された樹脂製の樹脂枠８が配置されている。・・・（中略）・・・樹脂枠８の枠内のシンチレータ７上には、いずれもＸ線を透過し、水蒸気を遮断する第１の有機膜９と、無機膜１０と、第２の有機膜１１とがそれぞれ積層されて保護膜１２を形成している。」（第７頁第２１行から第８頁１６行）
（ケ）「シンチレータ７層を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く、露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して溶解してしまう。そこで、これを防止するために、図６に示されるように、ＣＶＤ法により厚さ１０μｍのパリレンで基板全体を包み込んで第１の有機膜９を形成する。ＣｓＩの柱状結晶には隙間があるが、パリレンはこの狭い隙間にある程度入り込むので、第１の有機膜９は、シンチレータ７層に密着する。さらに、パリレンコーティングにより、凹凸のあるシンチレータ７層表面に均一な厚さの精密薄膜コーティングが得られる。また、パリレンのＣＶＤ形成は、前述したように、金属蒸着時よりも低真空で、かつ常温で行うことができるため、加工が容易である。
　さらに、図７に示されるように、入射面側の第１の有機膜９表面に０．２μｍ厚さのＡｌ膜を蒸着法により積層して無機膜１０を形成する。そして、再度ＣＶＤ法により、パリレンを基板全体の表面に１０μｍ厚さで被覆して第２の有機膜１１を形成する（図８参照）。この第２の有機膜１１には、無機膜１０の腐食による劣化を防ぐ。」（第１０頁第２１行から第１１頁第６行）
（コ）「図１２、図１３に示されるこの実施形態では、保護膜１２は受光素子アレイ６の受光面側および裏面側の前面（「全面」の誤記と認められる。）に形成されており、ボンディングアレイ４部分のみが露出されている。そして、露出されたボンディングアレイ４部分を囲むように、樹脂枠８が形成されており、この樹脂枠８上で保護膜１２の境界（縁）に沿って被覆樹脂１３がコーティングされている。本実施形態でも、ボンディングパッド４部が確実に露出されるとともに、保護膜１２は樹脂枠８と被覆樹脂１３により受光素子アレイ６に確実に密着されるのでシンチレータ７層が密封されて、吸湿による劣化を防止することができる。」（第１３頁第１２〜１９行）
　上記記載事項（ク）乃至（コ）から、刊行物３には、「柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータ」及び「シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、該シンチレータは該有機膜で被覆されており、前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更にシンチレータが形成される基板を含めて被覆すること」が記載されていると認められる。
                       　
３−３−４．刊行物４（特開平５−６０８７１号公報）
　刊行物４には、シンチレータパネルと、複数の画素を有する光検出パネル（撮像素子）とを対向させ、貼り合わせて一体化した放射線検出素子、が記載されていると認められる。
                       　
３−３−５．刊行物５（特開平５−９３７８０号公報）
　刊行物５には、特に第３頁左欄第２４〜３１行に、シンチレータとして、ＣｓＩ（Ｎａ）、ＣｓＩ（Ｔｌ）、輝尽性蛍光体等を用いることが記載されている。
　
３−３−６．刊行物６
　刊行物６には、特に第８頁左欄第３〜８行に、蛍光体層１０６を形成、乾燥した後、蛍光体層１０６上にシリコーンなどの弾性材料から保護層１０８を形成し、画像検出基板１０１と貼り付けることが記載されている。
　また、第７頁右欄第２８〜３２行には、「支持基板１０５の材料としては、画像検出基板１０１の熱膨張率と同一あるいは、近い値を有する材料を用いるようにすればよい。画像検出基板１０１をガラス基板を用いたプロセスで作成する場合には、支持基板１０５にもガラス基板を用いるようにしてもよい。」と記載されている。
  
３−４．対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１記載の発明とを対比すると、両者は「投射された放射線を撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられる放射線画像変換パネルであって、放射線を透過する基板と、前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、前記保護膜上に蒸着によって堆積された放射線画像変換層とを備え、前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記放射線画像変換層において発光した光を反射し、前記保護膜は、放射線画像変換層による前記反射性金属薄膜の変質を防止する機能を有し、前記放射線画像変換層の表面に透明の第２の保護膜が形成され、前記放射線画像変換層は前記第２の保護膜で被覆されている放射線画像変換パネル。」である点では一致するが、刊行物１には、本件発明１の構成要件である、(1)基板がアモルファスカーボン製である点（相違点１）、(2)放射線画像変換層が、柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータである点（相違点２）、(3)第２の保護膜が、透明の有機膜で構成され、該有機膜がＣＶＤ法によって形成されている点（相違点３）、(4)シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に基板の放射線入射面を被覆する点（相違点４）、は記載も示唆もされていない。
　また、刊行物２には、支持体１上に設けた蛍光体層２の上に酸窒化硅素層３を形成し、その上に有機高分子化合物などの第２の保護層４を設けた蛍光体パネルが記載されており、有機膜から成る保護膜は示唆されているが、上記相違点１，２，４については記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物３には、「柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換するシンチレータ」及び「シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、該シンチレータは該有機膜で被覆されており、前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更にシンチレータが形成される基板を含めて被覆すること」が記載されており、上記相違点２乃至相違点４は示唆されているが、相違点１については記載も示唆もされていない。
　さらに、刊行物４乃至刊行物６にも、放射線画像変換パネルの基板として、アモルファスカーボン製の基板を用いること（相違点１）は記載も示唆もされていない。
　したがって、異議申立ての証拠である刊行物１乃至刊行物６にはその何れにも、本件発明１の構成要件である、放射線画像変換パネルの基板として「アモルファスカーボン製の基板」を用いることは記載も示唆もされていないから、刊行物１乃至刊行物６記載の発明をどのように組み合わせても、本件発明１が容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、上記相違点１の構成により、平成１４年５月２０日付特許異議意見書に記載された「本件発明１は、基板としてアモルファスカーボン製のものを用いております。このようなアモルファスカーボン製の基板を有することにより、高い放射線透過性を発揮するという効果を奏するものであります。」という効果を奏するものである。
　
（２）本件発明２〜４について
　本件発明２乃至４と刊行物１記載の発明とを対比すると、本件発明１と同様に上記相違点１乃至相違点４について相違すると認められる。
　してみると、本件発明１と同様の理由で、異議申立ての証拠である刊行物１乃至刊行物６にはその何れにも、本件発明２乃至本件発明４の構成要件である、放射線画像変換パネルの基板として「アモルファスカーボン製の基板」を用いることは記載も示唆もされていないから、刊行物１乃至刊行物６記載の発明をどのように組み合わせても、本件発明２乃至本件発明４が容易であるとすることはできない。
　
（３）本件発明５〜９について
　本件発明５乃至本件発明９は、本件発明１乃至４を引用して限定するものであるから、本件発明１乃至４が刊行物１乃至刊行物６記載の発明から容易でない以上、本件発明５乃至本件発明９も刊行物１乃至刊行物６記載の発明から容易に発明をすることができたとすることはできない。
　
３−５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては請求項１〜９に係る本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月２７日（２００２．６．２７）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
｛特許請求の範囲について｝
Ａ．特許請求の範囲の請求項１，２，７を削除する。
Ｂ．もとの請求項１を引用する請求項７をさらに引用する請求項８に発明特定事項を追加して次のように訂正し、新たな請求項１とする。
「
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過する
アモルファスカーボン製の
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、
　前記保護膜上に蒸着によって堆積された
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、
前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する
し、
　
前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　
前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆する
Ｃ．もとの請求項２を引用する請求項７をさらに引用する請求項８に発明特定事項を追加して次のように訂正し、新たな請求項２とする。
「
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過する
アモルファスカーボン製の
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、
　前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上に蒸着によって堆積された
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、
前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する
し、
　
前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　
前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆する
Ｄ．もとの請求項１を引用する請求項７をさらに引用する請求項９に発明特定事項を追加して次のように訂正し、新たな請求項３とする。
「
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過する
アモルファスカーボン製の
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、
　前記保護膜上に蒸着によって堆積された
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、
前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する
し、
　
前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　
前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の全体を被覆する
Ｅ．もとの請求項２を引用する請求項７をさらに引用する請求項９に発明特定事項を追加して次のように訂正し、新たな請求項４とする。
「
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過する
アモルファスカーボン製の
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、
　前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上に蒸着によって堆積された
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、
前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する
し、
　
前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　
前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の全体を被覆する
Ｆ．もとの請求項３〜６の項数を繰り下げて請求項５〜８とし、もとの請求項１０の項数を繰り上げて請求項９とする。
｛発明の詳細な説明について｝
Ｇ．段落番号［０００６］を次のように訂正する。
「【課題を解決するための手段】
　請求項１記載のシンチレータパネルは、
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
アモルファスカーボン製の
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する
透明の
ＣＶＤ法によって
シンチレータの表面に形成された
放射線入射面の
Ｈ．段落番号［０００７］を次のように訂正する。
「この請求項１記載のシンチレータパネルによれば、保護膜により反射性金属薄膜の全体が覆われていることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能の減退を防止することができる。従って、増大したシンチレータパネルの光出力を維持することができる。
また、シンチレータおよび基板が有機膜で被覆されているので、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。また、有機膜が更に基板の少なくとも一部を被覆していることにより、有機膜によりシンチレータのみを被覆するものに比較してシンチレータの耐湿性を更に向上させることができる。」
Ｉ．段落番号［０００８］を次のように訂正する。
「また、請求項２記載のシンチレータパネルは、
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
アモルファスカーボン製の
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する
透明の
ＣＶＤ法によって
シンチレータの表面に形成された
放射線入射面の
Ｊ．段落番号［０００９］を次のように訂正する。
「この請求項２のシンチレータパネルによれば、シンチレータと反射性金属薄膜が離間していることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能の減退を防止することができる。従って、増大したシンチレータパネルの光出力を維持することができる。
また、シンチレータおよび基板が有機膜で被覆されているので、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。また、有機膜が更に基板の全部を被覆していることにより、有機膜によりシンチレータのみを被覆するものに比較してシンチレータに耐湿性をさらに向上させることができる。
　また、請求項３記載のシンチレータパネルは、
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
アモルファスカーボン製の
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する
し、シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、シンチレータは有機膜で被覆されており、シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に基板の放射線入射面の全体を被覆する
　また、請求項４記載のシンチレータパネルは、
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
アモルファスカーボン製の
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する
シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、シンチレータは有機膜で被覆されており、シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に基板の放射線入射面の全体を被覆する
　請求項３及び請求項４記載のシンチレータパネルによれば、有機膜によりシンチレータ及び基板表面の少なくとも一部を被覆するものに比較して耐湿性を更に向上させることができる。」
Ｋ．段落番号［００１０］第１行目の「請求項３」を「請求項５」に訂正する。
Ｌ．段落番号［００１１］第１行目の「請求項４」を「請求項６」に訂正する。
Ｍ．段落番号［００１２］第１行目の「請求項５」を「請求項７」に訂正する。
Ｎ．段落番号［００１３］第１行目の「請求項６」を「請求項８」に訂正する。
Ｏ．段落番号［００１４］〜［００１６］を削除する。
Ｐ．段落番号［００１７］第１行目の「請求項１０」を「請求項９」に訂正する。
Ｑ．段落番号［００１８］第１行目の「請求項１０」を「請求項９」に訂正する。
（５４）【発明の名称】
シンチレータパネル及び放射線イメージセンサ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過する
アモルファスカーボン製の
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、
　前記保護膜上に蒸着によって堆積された
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、
前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する
し、
　
前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　
前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆する
　【請求項２】　
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過する
アモルファスカーボン製の
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、
　前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上に蒸着によって堆積された
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、
前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する
し、
　
前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　
前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の少なくとも一部を被覆する
　【請求項３】　
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過する
アモルファスカーボン製の
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜の全体を覆う保護膜と、
　前記保護膜上に蒸着によって堆積された
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、
前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する
し、
　
前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　
前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の全体を被覆する
　【請求項４】　
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
　放射線を透過する
アモルファスカーボン製の
　前記基板上に設けられた反射性金属薄膜と、
　前記反射性金属薄膜上に設けられた保護膜と、
　前記保護膜の周縁部が露出するようにして前記保護膜上に蒸着によって堆積された
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
　を備え、
　前記反射性金属薄膜は放射線を透過すると共に、前記シンチレータにおいて発光した光を反射し、
　前記保護膜は、
前記シンチレータに含まれる水分に基づく前記反射性金属膜の変質を防止する
　
前記シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、前記シンチレータは前記有機膜で被覆されており、
　
前記シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に前記基板の放射線入射面の全体を被覆する
　【
請求項５
〜請求項４の何れか一項
　【
請求項６
請求項５
　【
請求項７
請求項５
　【
請求項８
請求項５
　【請求項９】　請求項１〜
請求項８
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　この発明は、医療用のＸ線撮影等に用いられるシンチレータパネル及び放射線イメージセンサに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来、医療、工業用のＸ線撮影では、Ｘ線感光フィルムが用いられてきたが、利便性や撮影結果の保存性の面から放射線検出器を用いた放射線イメージングシステムが普及してきている。このような放射線イメージングシステムにおいては、放射線検出器により２次元の放射線による画素データを電気信号として取得し、この信号を処理装置により処理してモニタ上に表示している。
　【０００３】
　従来、代表的な放射線検出器として、アルミニウム、ガラス、溶融石英等の基板上にシンチレータを形成したシンチレータパネルと撮像素子とを貼り合わせた構造を有する放射線検出器が存在する。この放射線検出器においては、基板側から入射する放射線をシンチレータで光に変換して撮像素子で検出している（特公平７−２１５６０号公報参照）。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで放射線検出器において鮮明な画像を得るためには、シンチレータパネルの光出力を十分に大きくすることが必用になるが、上述の放射線検出器においては光出力が十分でなかった。
　【０００５】
　この発明の課題は、光出力を増大させたシンチレータパネル及び光出力を増大させたシンチレータパネルを用いた放射線イメージセンサを提供することである。
　【０００６】
　【課題を解決するための手段】
　請求項１記載のシンチレータパネルは、
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
アモルファスカーボン製の
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する
透明の
ＣＶＤ法によって
シンチレータの表面に形成された
放射線入射面の
　【０００７】
　この請求項１記載のシンチレータパネルによれば、保護膜により反射性金属薄膜の全体が覆われていることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能の減退を防止することができる。従って、増大したシンチレータパネルの光出力を維持することができる。
また、シンチレータおよび基板が有機膜で被覆されているので、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。また、有機膜が更に基板の少なくとも一部を被覆していることにより、有機膜によりシンチレータのみを被覆するものに比較してシンチレータの耐湿性をさらに向上させることができる。
　【０００８】
　また、請求項２記載のシンチレータパネルは、
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する
透明の
ＣＶＤ法によって
シンチレータの表面に形成された
放射線入射面の
　【０００９】
　この請求項２のシンチレータパネルによれば、シンチレータと反射性金属薄膜が離間していることから、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく変質等を防止でき反射性金属薄膜の反射膜としての機能の減退を防止することができる。従って、増大したシンチレータパネルの光出力を維持することができる。
また、シンチレータおよび基板が有機膜で被覆されているので、シンチレータの耐湿性を向上させることができる。また、有機膜が更に基板の全部を被覆していることにより、有機膜によりシンチレータのみを被覆するものに比較してシンチレータの耐湿性をさらに向上させることができる。
　【００１０】
　また、請求項３記載のシンチレータパネルは、
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
アモルファスカーボン製の
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
シンチレータに含まれる水分に基づく反対性金属膜の変質を防止する
し、シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、シンチレータは有機膜で被覆されており、シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に基板の放射線入射面の全体を被覆する
　【００１１】
　また、請求項４記載のシンチレータパネルは、
投射された放射線を、撮像素子に検出される光に変換する放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルであって、
柱状構造を有し、入射した放射線を可視光に変換する
シンチレータに含まれる水分に基づく反射性金属膜の変質を防止する
シンチレータの表面に透明の有機膜がＣＶＤ法によって形成され、シンチレータは有機膜で被覆されており、シンチレータの表面に形成された有機膜は、更に基板の放射線入射面の全体を被覆する
　【００１２】
　
請求項３及び請求項４記載のシンチレータパネルによれば、有機膜によりシンチレータ及び基板表面の少なくとも一部を被覆するものに比較して耐湿性を更に向上させることができる。
　【００１３】
　また、
請求項５
　【００１４】
　また、
請求項６
　【００１５】
　また、
請求項７
　【００１６】
　また、
請求項８
　【００１７】
　また、
請求項９
請求項８
　【００１８】
　この
請求項９
　【００１９】
　【発明の実施の形態】
　以下、図１及び図２を参照して、この発明の第１の実施の形態の説明を行う。図１はシンチレータパネル１の断面図であり、図２は放射線イメージセンサ２の断面図である。
　【００２０】
　図１に示すように、シンチレータパネル１のアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）（グラッシーカーボン又はガラス状カーボン）製の基板１０の一方の表面には、光反射膜（反射性金属薄膜）としてのＡｇ膜１２が形成されている。このＡｇ膜１２の表面は、Ａｇ膜１２を保護するためのＳｉＮ膜１４により覆われている。このＳｉＮ膜１４の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されている。なお、シンチレータ１６には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。このシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。
　【００２１】
　また、放射線イメージセンサ２は、図２に示すように、シンチレータパネル１のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子２０を貼り付けた構造を有している。
　【００２２】
　次に、シンチレータパネル１の製造工程について説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡｇ膜１２を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成する。次に、Ａｇ膜１２上にプラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜１４を２００ｎｍの厚さで形成してＡｇ膜１２の全体を覆う。
　【００２３】
　次に、ＳｉＮ膜１４の表面にＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長（堆積）させてシンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。このシンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シンチレータ１６が形成された基板１０をＣＶＤ装置に入れ、ポリパラキシリレン膜１８を１０μｍの厚さで成膜する。これによりシンチレータ１６及び基板１０の表面全体（シンチレータ等が形成されず露出している基板表面全体）にポリパラキシリレン膜１８が形成される。
　【００２４】
　また、放射線イメージセンサ２は、完成したシンチレータパネル１のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子（ＣＣＤ）２０の受光部を対向させて貼り付けることにより製造される（図２参照）。
　【００２５】
　このの実施の形態にかかる放射線イメージセンサ２によれば、基板１０側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセンサ２を構成するシンチレータパネル１には、反射性金属薄膜としてのＡｇ膜１２が設けられていることから撮像素子２０の受光部に入射する光を増加させることができ放射線イメージセンサ２により検出された画像を鮮明なものとすることができる。また、このＡｇ膜１２は、Ａｇ膜１２の保護膜として機能するＳｉＮ膜１４により全体が覆われていることから、Ａｇ膜１２の腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止することができる。
　【００２６】
　次に、この発明の第２の実施の形態の説明を行う。なお、この第２の実施の形態の説明においては、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明を行う。
　【００２７】
　図３はシンチレータパネル３の断面図である。図３に示すように、シンチレータパネル３のａ−Ｃ製の基板１０の一方の表面には、反射膜としてのＡｌ膜１３が形成されている。このＡｌ膜１３の表面は、Ａｌ膜１３を保護するためのポリイミド膜２２により覆われている。このポリイミド膜２２の表面には、入射した放対線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されている。なお、シンチレータ１６には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。このシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。
　【００２８】
　なお、このシンチレータパネル３は、シンチレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることにより放射線イメージセンサを構成する。
　【００２９】
　次に、シンチレータパネル３の製造工程について説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡｌ膜１３を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成する。次に、Ａｌ膜１３上にスピンコート処理を施すことによりポリイミド膜２２を１０００ｎｍの厚さで形成してＡｌ膜１３の全体を覆う。
　【００３０】
　次に、ポリイミド膜２２の表面にＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させてシンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。このシンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シンチレータ１６及び基板１０の表面全体にポリパラキシリレン膜１８を形成する。
　【００３１】
　また、放射線イメージセンサは、完成したシンチレータパネル３のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子（ＣＣＤ）２０の受光部を対向させて貼り付けることにより製造される。
　【００３２】
　この実施の形態にかかるシンチレータパネル３を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセンサを構成するシンチレータパネル３には、反射性金属薄膜としてのＡｌ膜１３が設けられていることから撮像素子の受光部に入射する光を増加させることができ放射線イメージセンサにより検出された画像を鮮明なものとすることができる。また、このＡｌ膜１３は、Ａｌ膜１３の保護膜として機能するポリイミド膜２２により全体が覆われていることから、Ａｌ膜１３の腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止することができる。
　【００３３】
　次に、この発明の第３の実施の形態の説明を行う。なお、この第３の実施の形態の説明においては、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明を行う。
　【００３４】
　図４はシンチレータパネル４の断面図である。図４に示すように、シンチレータパネル４のａ−Ｃ製の基板１０の一方の表面には、光反射膜としてのＡｇ膜１２が形成されている。このＡｇ膜１２の表面には、Ａｇ模１２を保護するためのＳｉＮ膜１４がＡｇ膜１２の表面全体に形成されている。また、ＳｉＮ膜１４の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されている。
　【００３５】
　ここでシンチレータ１６は、ＳｉＮ膜１４上の縁部を除いた位置に形成されて、外側に位置するシンチレータ１６とＡｇ膜１２の縁部とを離間させている。なお、シンチレータ１６には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。このシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。
　【００３６】
　なお、このシンチレータパネル４は、シンチレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることにより放射線イメージセンサを構成する。
　【００３７】
　この実施の形態にかかるシンチレータパネル４を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセンサを構成するシンチレータパネル４には、反射性金属薄膜としてのＡｇ膜１２が設けられていることから撮像素子２０の受光部に入射する光を増加させることができ放射線イメージセンサにより検出された画像を鮮明なものとすることができる。また、このＡｇ膜１２の縁部をシンチレータ１６と離間させていることから、Ａｇ膜１２の腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止することができる。
　【００３８】
　なお、この第３の実施にかかるシンチレータパネル４においては、ＳｉＮ膜１４がＡｇ膜１２の表面全体に形成されているが、図５に示すシンチレータパネル５のようにＡｇ膜１２の縁部を除く位置にＳｉＮ膜１４を形成し、ＳｉＮ膜１４の縁部を除く位置にシンチレータ１６を形成するようにしてもよい。この場合においても、Ａｇ膜１２の縁部がシンチレータ１６と離間していることから、Ａｇ膜１２の腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止することができる。
　【００３９】
　次に、この発明の第４の実施の形態の説明を行う。なお、この第４の実施の形態の説明においては、第１の実施の形態のシンチレータパネル１、放射線イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１の実施の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明する。
　【００４０】
　図６はシンチレータパネル６の断面図である。図６に示すように、シンチレータパネル６のａ−Ｃ製の基板１０の一方の表面には、Ａｌ膜２４ａ及びＡｌ２Ｏ３膜（酸化膜）２４ｂにより構成されるＡｌ膜２４が形成されている。このＡｌ膜２４の表面のＡｌ２Ｏ３膜２４ｂ上に入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が形成されている。なお、シンチレータ１６には、ＴｌドープのＣｓＩが用いられている。このシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。
　【００４１】
　なお、このシンチレータパネル６は、シンチレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることにより放射線イメージセンサを構成する。
　【００４２】
　次に、シンチレータパネル６の製造工程について説明する。まず、矩形又は円形のａ−Ｃ製の基板１０（厚さ１ｍｍ）の一方の表面に光反射膜としてのＡｌ膜２４を真空蒸着法により１５０ｎｍの厚さで形成する。引き続き、酸素ガスを導入しながらＡｌを蒸発させＡｌ膜２４ａの表面全体にＡｌ２Ｏ３膜２４ｂを３０ｎｍの厚さで形成する。
　【００４３】
　次に、Ａｌ２Ｏ３膜２４ｂの表面にＴｌをドープしたＣｓＩの柱状結晶を蒸着法によって成長させてシンチレータ１６を２５０μｍの厚さで形成する。このシンチレータ１６を形成するＣｓＩは、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止するためにＣＶＤ法によりポリパラキシリレン膜１８を形成する。即ち、シンチレータ１６及び基板１０の表面全体にポリパラキシリレン膜１８を形成する。
　【００４４】
　なお、このシンチレータパネル６は、シンチレータ１６の先端部側に撮像素子を貼り付けることにより放射線イメージセンサを構成する。
　【００４５】
　この実施の形態にかかるシンチレータパネル６を用いた放射線イメージセンサによれば、基板１０側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセンサを構成するシンチレータパネル６には、反射性金属薄膜として機能するＡｌ膜２４ａが設けられていることから撮像素子２０の受光部に入射する光を増加させることができ放射線イメージセンサにより検出された画像を鮮明なものとすることができる。
　【００４６】
　また、このＡｌ膜２４ａは、Ａｌ膜２４ａの保護膜として機能するＡｌ２Ｏ３膜２４ｂにより全体が覆われていることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止することができる。更に、このＡｌ膜２４の縁部をシンチレータ１６と離間させていることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止することができる。
　【００４７】
　なお、この第４の実施の形態にかかるシンチレータパネル６においては、Ａｌ２Ｏ３膜２４ｂがＡｌ膜２４ａの表面全体に形成されているが、図７に示すシンチレータパネル７のようにＡｌ膜２４ａの縁部を除く位置にＡｌ２Ｏ３膜２４ｂを形成するようにしてもよい。この場合においても、Ａｌ膜２４の縁部がシンチレータ１６と離間していることから、Ａｌ膜２４ａの腐食等の変質により反射膜としての機能が損なわれるのを防止することができる。
　【００４８】
　なお、上述の実施の形態においては、ａ−Ｃ製の基板を用いているが放射線を透過する基板であればよいことから、グラファイト製の基板、Ａｌ製の基板、Ｂｅ製の基板、ガラス製の基板等を用いてもよい。
　【００４９】
　また、上述の実施の形態において、基板上のＡｌ膜の酸化膜を保護膜として用いる場合には、酸化膜上に更に保護膜としてのポリイミド膜を形成することが望ましい。この場合には、酸化膜及びポリイミド膜によりＡｌ膜の保護を完全なものとすることができる。
　【００５０】
　また、上述の実施の形態においては、保護膜として、ＳｉＮ膜又はポリイミド膜を用いているが、これに限らずＬｉＦ，ＭｇＦ２，ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＭｇＯ，ＳｉＮの透明無機膜及びポリイミド等の透明有機膜からなる群の中の物質を含む材料からなる膜を用いてもよい。更に、図８に示すように無機膜及び有機膜により形成される保護膜を用いてもよい。即ち、図８に示すシンチレータパネルは、ａ−Ｃ製の基板１０の一方の表面には、光反射膜としてのＡｇ膜１２が形成されている。このＡｇ膜１２の表面は、Ａｇ膜１２を保護するためのＳｉＮ膜（無機膜）１４により覆われており、ＳｉＮ膜１４の表面がポリイミド膜（有機膜）２２により覆われている。このポリイミド膜２２の表面には、柱状構造のシシンチレータ１６が形成されており、このシンチレータ１６は、基板１０と共にポリパラキシリレン膜１８で覆われている。この図８に示すシンチレータパネルのように無機膜及び有機膜により形成される保護膜を用いる場合には、光反射膜を保護する効果を更に高めることができる。
　【００５１】
　また、上述の各実施の形態においては、反射性金属薄膜として、Ａｇ膜、Ａｌ膜を用いているが、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質を含む材料からなる膜を用いてもよい。更に、Ｃｒ膜上にＡｕ膜を形成する等、反射性金属薄膜を２層以上形成するようにしても良い。
　【００５２】
　また、上述の実施の形態において、反射性金属薄膜としてＡｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ及びＰｔからなる群の中の物質を含む材料からなる膜を用いる場合には、その酸化膜を保護膜として用いること可能である。
　【００５３】
　また、上述の実施の形態においては、ポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板の表面全体（シンチレータが形成されている面と反対側の面、即ち放射線入射面）を覆うことによりシンチレータの耐湿性をより完全なものとしているが、図９に示すようにポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ１３の全面及び基板１０の表面の少なくとも一部を覆うことによりシンチレータの耐湿性をシンチレータのみを覆う場合に比較して高くすることができる。
　【００５４】
　次に、この発明の第５の実施の形態の説明を行う。なお、この第５の実施の形態の説明においては、第１、第２の実施の形態のシンチレータパネル１，３、放射線イメージセンサ２の構成と同一の構成には、第１、第２の実施の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明を行う。
　【００５５】
　図１０に示すように、シンチレータパネル８は、平面形状を有するガラス製の基板２６を備えており、その一方の表面には、真空蒸着法により１００ｎｍの厚さで形成された反射膜としてのＡｌ膜１３が形成されている。このＡｌ膜１３の表面には、入射した放射線を可視光に変換する柱状構造のシンチレータ１６が２５０μｍの厚さで形成されている。このシンチレータ１６には、蒸着法によって成長させたＴｌドープのＣｓＩが用いられている。
　【００５６】
　また、シンチレータ１６は、その全面が基板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さのポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆われている。
　【００５７】
　また、放射線イメージセンサは、図１１に示すように、シンチレータパネル８のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子２０を対向させて貼り付けた構造を有している。
　【００５８】
　この実施の形態にかかる放射線イメージセンサによれば、基板２６側から入射した放射線をシンチレータ１６で光に変換して撮像素子２０により検出する。この放射線イメージセンサを構成するシンチレータパネル８には、反射膜としてのＡｌ膜１３が設けられていることから撮像素子２０の受光部に入射する光を増加させることができ、放射線イメージセンサにより検出された画像を鮮明なものとすることができる。
　【００５９】
　また、シンチレータパネル８に用いられている基板は、放射線の透過率を高くするため薄く形成することが望まれるが、ガラス製の基板を用いることにより胸部用の放射線イメージセンサに用いられるシンチレータパネルのように大面積化した場合においても、Ａｌ製基板やａ−Ｃ製基板に比較して剛性を確保することができることから、ガラス製の基板上にシンチレータを形成する場合の基板の撓みを防止することができる。従って、シンチレータを基板上に形成することが容易になると共に製造されたシンチレータパネルの品質を保持することができる。なお、この実施の形態のガラス基板に用いられるガラスの種類としては、放射線を吸収する成分の含有量が少ないことやコスト面からパイレックスガラスが好適である。
　【００６０】
　次に、この発明の第６の実施の形態の説明を行う。なお、この第６の実施の形態の説明においては、第５の実施の形態のシンチレータパネル８、放射線イメージセンサの構成と同一の構成には、第５の実施の形態の説明で用いたのと同一の符号を付して説明する。
　【００６１】
　図１２に示すように、シンチレータパネル９は、平面形状を有するガラス製の基板２６を備えており、その一方の表面には、真空蒸着法により１００ｎｍの厚さで形成された反射膜としてのＣｒ膜２８が形成されている。このＣｒ膜２８の表面には、Ａｕ膜３０が形成されており、このＡｕ膜３０の表面に柱状構造のシンチレータ１６が２５０μｍの厚さで形成されている。このシンチレータ１６には、蒸着法によって成長させたＴｌドープのＣｓＩが用いられている。
　【００６２】
　また、シンチレータ１６は、その全面が基板２６と共にＣＶＤ法により形成された１０μｍの厚さのポリパラキシリレン膜（透明有機膜）１８により覆われている。なお、放射線イメージセンサは、シンチレータパネル９のシンチレータ１６の先端部側に撮像素子２０を対向させて貼り付けた構造を有している。
　【００６３】
　この実施の形態にかかるシンチレータパネルの反射膜は、ガラス基板との密着性の良いＣｒ膜２８及びＣｒとの結合性の良いＡｕ膜３０により構成されていることから、反射膜を安定性の高いものとすることができる。
　【００６４】
　なお、上述の各実施の形態において、反射性金属薄膜として、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ及びＡｕからなる群の中の物質を含む材料からなる膜を用いてもよい。
　【００６５】
　また、上述の各実施の形態においては、シンチレータ１６としてＣｓＩ（Ｔｌ）が用いられているが、これに限らずＣｓＩ（Ｎａ）、ＮａＩ（Ｔｌ）、ＬｉＩ（Ｅｕ）、ＫＩ（Ｔｌ）等を用いてもよい。
　【００６６】
　また、上述の実施の形態においては、ポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板の表面全体（シンチレータが形成されている面と反対側の面、即ち放射線入射面）を覆うことによりシンチレータの耐湿性をより完全なものとしているが、図１３に示すようにポリパラキシリレン膜１８によりシンチレータ１６及び基板の表面の少なくとも一部を覆うことによりシンチレータの耐湿性をシンチレータのみを覆う場合に比較して高くすることができる。
　【００６７】
　また、上述の各実施の形態における、ポリパラキシリレンには、ポリパラキシリレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等を含む。
　【００６８】
　【発明の効果】
　この発明のシンチレータパネルによれば、シンチレータに僅かながら含まれる水分に基づく反射性金属薄膜の変質等を防止でき、反射性金属薄膜の反射膜としての機能の減退を防止することができる。従って、増大したシンチレータパネルの光出力を維持することができる。また、ガラス製基板を用いる場合には、大面積化した場合においてもシンチレータパネルの性能を高く保つことができる。
　【００６９】
　また、この発明の放射線イメージセンサによれば、シンチレータパネルが増大した光出力を維持することができるため放射線イメージセンサの出力を維持することができる。また、シンチレータパネルにガラス製基板を用いる場合には、大面積化した場合においても放射線イメージセンサの性能を高く保つことができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　第１の実施の形態にかかるシンチレータパネルの断面図である。
　【図２】
　第１の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
　【図３】
　第２の実施の形態にかかるシンチレータパネルの断面図である。
　【図４】
　第３の実施の形態にかかるシンチレータパネルの断面図である。
　【図５】
　第３の実施の形態にかかるシンチレータパネルの変形例の断面図である。
　【図６】
　第４の実施の形態にかかるシンチレータパネルの断面図である。
　【図７】
　第４の実施の形態にかかるシンチレータパネルの変形例の断面図である。
　【図８】
　実施の形態にかかるシンチレータパネルの変形例の断面図である。
　【図９】
　実施の形態にかかるシンチレータパネルの変形例の断面図である。
　【図１０】
　第５の実施の形態にかかるシンチレータパネルの断面図である。
　【図１１】
　第５の実施の形態にかかる放射線イメージセンサの断面図である。
　【図１２】
　第６の実施の形態にかかるシンチレータパネルの断面図である。
　【図１３】
　実施の形態にかかるシンチレータパネルの変形例の断面図である。
　【符号の説明】
　１，３〜９…シンチレータパネル、２…放射線イメージセンサ、１０…基板、１２…Ａｇ膜、１３…Ａｌ膜、１４…ＳｉＮ膜、１６…シンチレータ、１８…ポリパラキシリレン膜、２０…撮像素子、２２…ポリイミド膜、２６…ガラス基板。