【事件の表示】
　特許第３１６４４８９号「液晶表示パネル」の請求項１、３に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１６４４８９号の請求項１、３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１６４４８９号は、平成７年４月２８日に出願され、平成１３年３月２日に特許権の設定登録がなされたが、請求項１及び３に係る特許について古川京子より特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年３月２６日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　訂正の内容は、次のａ〜ｄのとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項１を
「基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備え、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に等しくなっているアクティブマトリクス基板を含み、
　該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される液晶表示パネルであって、
　前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有し、該付加部分は、前記スイッチング素子及び信号線の配置部分を隠すためのブラックマトリクスで隠される部分の下に形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲請求項３を
「前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有する請求項２記載の液晶表示パネル。」と訂正する。
ｃ．明細書の発明の詳細な説明の欄の段落００１５の部分の記載を
「該アクティブマトリクス基板では、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に等しくなっている。」と訂正する。
ｄ．明細書の発明の詳細な説明の欄の段落００２０の部分の記載を
「この発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記データ信号線を、これと前記液晶駆動電極あるいは導体膜との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有する構造としたものである。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａにおいて、特許請求の範囲の請求項１の「結合容量が概ね等しくなっている」との記載を「結合容量が、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に等しくなっている」とする訂正は、その内容を明瞭・明確なものとするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、この訂正後の内容は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落００４０の「結合容量３５，３６が概ね等しいため、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素電位の変動を相殺できる。」との記載に基づくものであり、新規事項を追加するものではない。
　また、上記訂正事項ａにおいて、請求項１に「前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有し、該付加部分は、前記スイッチング素子及び信号線の配置部分を隠すためのブラックマトリクスで隠される部分の下に形成されている」との記載を追加する訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、当該追加内容は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落００４７の「データ信号線３１ａ，３１ｂは、図６に示す従来のアクティブマトリクス基板２０２における直線形状のデータ信号線１１ａ，１１ｂに、絵素電極６４と重なる部分１１ｃを付加した構造となっている。ここでデータ信号線の，絵素電極６４と重なる部分の面積は、前記絵素電極６４とデータ信号線３１ａとの間の結合容量ＣSD1と、絵素電極６４とデータ信号線３１ｂとの間の結合容量ＣSD2とが等しくなるように調整されている。この容量調整のためのデータ信号線へ付加した部分１１ｃは、本実施例では開口率低下をさけるためブラックマトリクスで隠される部分の下に形成している。」との記載に基づくものであり、新規事項を追加するものではない。
　上記訂正事項ｂにおいて、特許請求の範囲の請求項３中に記載された「容量調整部」との記載を「付加部分」とする訂正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、また、この訂正後の内容は、本件特許明細書の発明の詳細な説明の欄の段落００４７及び００４８の「データ信号線を、絵素電極と重なる付加部分１１ｃを有する構造とした」との記載に基づくものであり、新規事項を追加するものではない。
　また、上記訂正事項ｂにおいて、請求項３を「請求項１及び２の従属請求項」から「請求項２のみの従属請求項」にする訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項を追加するものではない。
　上記訂正事項ｃ及びｄは、特許請求の範囲の欄の記載と発明の詳細な説明の欄の課題を解決するための手段の項の記載との整合をとるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、新規事項を追加するものではない。
　さらに、上記ａ〜ｄの訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定並びに同条第３項で準用する平成６年改正前特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについての判断
（１）申立ての理由の概要
　申立人古川京子は、甲第１号証：特開平４−２５６９３０号公報及び甲第２号証：特開平７−３０８３６号公報を提出し、本件の請求項１及び３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるか、あるいは、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第１項第３号あるいは第２項に規定する発明に該当し、特許を受けることができないものであるとの主張をするとともに、訂正前の請求項１における「結合容量が概ね等しい」との記載は不明瞭であり、また、訂正前の請求項３における「容量調整部」を有するものは本件明細書又は図面に記載されておらず、それぞれ、特許法第３６条第６項第２号及び第１号に規定する要件を満たしていない旨の主張をし、請求項１及び３についての特許を取り消すべきと主張している。
（２）本件発明
　本件の請求項１及び３に係る発明は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備え、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に等しくなっているアクティブマトリクス基板を含み、
　該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される液晶表示パネルであって、
　前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有し、該付加部分は、前記スイッチング素子及び信号線の配置部分を隠すためのブラックマトリクスで隠される部分の下に形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有する請求項２記載の液晶表示パネル。」　
（３）請求項３に係る発明について
　まず、請求項３に係る発明について検討する。
　請求項３に係る発明は、訂正により、特許異議の申立ての対象となっていない請求項２に従属する発明となったから、特許法第２９条第１項第３号又は第２項の発明に該当することを理由としてその特許を取り消すことはできない。
　また、申立人が特許法第３６条第６項第１号の要件を満たしていないとする「容量調整部を有する」という記載についても、発明の詳細な説明に記載される「付加部分を有する」と訂正されたので、この点についての申立人の主張は採用できない。
　以上のとおりであるから、請求項３に係る特許については、もはや取消理由がなく、維持されるべきものである。
（４）請求項１に係る発明について
　甲第１号証（特開平４−２５６９３０号公報）には、絶縁基板１１上に、画素電極１と信号線１４及び隣接信号線１５と走査線とスイッチングトランジスタが設けられ、各列の画素電極１が、信号線１４と層間絶縁膜１３を介して重なる部分と、隣接信号線１５と層間絶縁膜１３を介して重なり合う部分を有しており、両重なり部分の面積が概ね等しく、信号電圧及び隣接信号電圧極性がフレーム毎に反転され、隣接する信号電圧の極性が異なっている液晶表示パネルが記載され、また、甲第２号証（特開平７−３０８３６号公報）には、保持容量について記載されているものの、訂正後の本件請求項１に係る発明の「前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有し、該付加部分は、前記スイッチング素子及び信号線の配置部分を隠すためのブラックマトリクスで隠される部分の下に形成されている」という構成については、何れの証拠にも記載されておらず、また、当業者に示唆されているともいえない。
　したがって、本件請求項１に係る発明が特許法第２９条第１項第３号あるいは第２項に規定する発明に該当するとはいえない。
　また、申立人が特許法第３６条第６項第２号の要件を満たしていないとする請求項１の「概ね等しい」という記載についても、「それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に等しくなっている」と訂正されたので、この点についての申立人の主張も採用できない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては本件請求項１及び３に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年４月８日（２００２．４．８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨　２００１−７３０４６　特許３１６４４８９
　訂正の内容は、次のａ〜ｄのとおりである。
ａ．特許請求の範囲の請求項１を
「基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備え、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に等しくなっているアクティブマトリクス基板を含み、
　該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される液晶表示パネルであって、
　前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有し、該付加部分は、前記スイッチング素子及び信号線の配置部分を隠すためのブラックマトリクスで隠される部分の下に形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。」と訂正する。
ｂ．特許請求の範囲請求項３を
「前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有する請求項２記載の液晶表示パネル。」と訂正する。
ｃ．明細書の発明の詳細な説明の欄の段落００１５の部分の記載を
「該アクティブマトリクス基板では、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に等しくなっている。」と訂正する。
ｄ．明細書の発明の詳細な説明の欄の段落００２０の部分の記載を
「この発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記データ信号線を、これと前記液晶駆動電極あるいは導体膜との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有する構造としたものである。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
液晶表示パネル
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備え、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が、
それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に等しくなっている
　該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される
液晶表示パネルであって、
　
前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための付加部分を有し、該付加部分は、前記スイッチング素子及び信号線の配置部分を隠すためのブラックマトリクスで隠される部分の下に形成されていることを特徴とする
　【請求項２】　基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極と接続された導体膜と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線とを備え、該各列の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極に接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあるデータ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量と等しくなっているアクティブマトリクス基板を含み、
　該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される液晶表示パネル。
　【請求項３】　前記データ信号線は、これと前記液晶駆動電極との重なりによる結合容量を調整するための
付加部分を有する請求項２
　【請求項４】　前記データ信号線は、これと前記導体膜との重なりによる結合容量を調整するための容量調整部を有する請求項２記載の液晶表示パネル。
　【請求項５】　前記スイッチング素子は薄膜トランジスタから構成されており、
　前記導体膜はその一部が該薄膜トランジスタのチャネル部を覆う遮光膜となっている請求項４記載の液晶表示パネル。
　【請求項６】　基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列ごとに設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該液晶駆動電極ごとに設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行ごとに設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン、オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備え、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が概ね等しくなっており、かつ該データ信号線の下側に該蓄積付加容量が形成されているアクティブマトリクス基板を含み、
　該アクティブマトリクス基板へのデータ信号の極性をフィールド毎あるいはフレームごとに反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される液晶表示パネル。
　【請求項７】　基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の駆動電極と、該液晶駆動電極と接続された導体膜と、該液晶駆動電極の各列ごとに設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該液晶駆動電極ごとに設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行ごとに設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン、オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備え、該各列の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極に接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあるデータ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量と概ね等しくなっており、かつデータ信号線の下側に該蓄積付加容量が形成されているアクティブマトリクス基板を含み、
　該アクティブマトリクス基板のデータ信号の極性をフィールド毎あるいはフレームごとに反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、アクティブマトリクス基板を用いた液晶表示パネルに関し、特にアクティブマトリクス基板の構造に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　近年、液晶表示パネルは、コンピュータ用ディスプレイを中心にプロジェクタなどのＡＶ（オーディオビジュアル）からゲーム機などのアミューズメントの分野にいたるまで幅広く利用されている。今後、多彩なメディアに対応するため液晶表示パネルの高精細化が望まれている。
　【０００３】
　図５は従来の液晶表示パネルに用いられているアクティブマトリクス基板の構造を説明するための平面図であり、前記基板の、液晶を駆動する１絵素の部分を示している。また図７は１絵素の回路構成を示す回路模式図である。
　【０００４】
　図５において、２０１はアクティブマトリクス基板で、その基板本体である石英基板１上には、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極（以下、絵素電極と称す。）５４が碁盤目状に配置されている。前記石英基板１上には、該絵素電極５４にデータを供給するデータ信号線１１ａおよび隣接絵素電極にデータを供給するデータ信号線１１ｂが設けられており、このデータの供給は、薄膜トランジスタ（以降、ＴＦＴと略記する。）を用いたスイッチング素子１３により制御されるようになっている。また前記石英基板１には、前記データ信号線１１ａ，１１ｂと直交する複数の走査信号線１２が設けられており、該走査信号線１２の一部が前記スイッチング素子１３のゲートとなっている。該スイッチング素子１３のソース１３ａはコンタクトホール３ａを介してデータ信号線１１ａに接続され、そのドレイン１３ｂはコンタクトホール３ｂを介して絵素電極５４に接続されている。
　【０００５】
　また、２３は蓄積付加容量（ＣＳ）で、この蓄積付加容量（ＣＳ）と、前記絵素電極５４と対向基板電極（図示せず）の間の液晶容量（ＣＬＣ）との和が絵素容量（ＣＰ）３４となる。また前記絵素電極５４とデータ信号線１１ａとの間には結合容量（ＣＳＤ１）３５が形成されており、前記絵素電極５４と隣接する絵素電極に対応するデータ信号線１１ｂとの間には結合容量（ＣＳＤ２）３６が形成されている。
　【０００６】
　ここで、前記薄膜トランジスタ１３のソース，ドレイン及びチャネルは、前記石英基板１上に形成された半導体層１１３の一部からなり、前記走査信号線１２及び蓄積付加容量２３の一方の共通電極１２３は、該半導体層１１３上に層間絶縁膜を介して形成された、例えばリンをドープしたポリシリコン層からなる。そして、上記半導体層１１３の、該電極１２３と対向する部分１３ｃが、蓄積付加容量の他方の電極となっている。さらにデータ信号線１１ａ，１１ｂは、該共通電極層上に層間絶縁膜を介して形成されたアルミ層から構成され、前記絵素電極５４は、該アルミ層上に層間絶縁膜を介して形成されたインジウム酸化錫膜（以下ＩＴＯ膜とも言う。）から構成されている。
　【０００７】
　次に動作について説明する。
　【０００８】
　前記ＴＦＴ１３が、走査信号線１２から供給される走査信号によって選択され、導通状態になると、データ信号線１１ａから供給されるデータ信号がＴＦＴ１３を通じて絵素容量３４に書き込まれる。このようにして各走査信号線１２毎に絵素容量３４への書き込みが行われて、１フィールドあるいは１フレームの画面が完成される。
　【０００９】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところが、図５に示す従来のアクティブマトリクス基板２０１では、絵素電極５４上の液晶にかかる電界の方向が、データ信号線１１ａ，１１ｂ及び走査信号線１２からの異なる電位の影響を受けて乱れ、その結果、液晶の配向が乱れてディスクリネーションが発生したり、ノーマリホワイト表示では光洩れが生じてコントラストが低下したりするという問題があり、これに対しては、液晶の配向が乱れる部分を、対向基板に形成されるブラックマトリクスで隠して表示品位の劣化を防止するという対策を講じていた。
　【００１０】
　さらに、特公平４−７４７１４号公報、特開昭６３−３０１９２４号公報、特開昭５８−１７２６８５号公報には、前記アクティブマトリクス基板２０１における問題の対策として、例えば、図６に示すように絵素電極６４の一部をデータ信号線１１ａに層間絶縁膜を挟んで重ねることにより電界の乱れを低減することが提案されている。この場合、絵素電極の周辺部の、層間絶縁膜を介してデータ信号線と重なっている部分では、絵素電極上でのデータ信号線の電位による電界の方向が絵素電極と垂直な方向となり、これによって、各絵素電極上の液晶の配向乱れが抑制される。
　【００１１】
　また、従来のアクティブマトリクス基板２０１においてはクロストークの問題もあった。つまり、ＴＦＴ１３が非導通状態となって、絵素容量３４に書き込まれたデータ信号が保持されている状態では、絵素電位が前記結合容量３５，３６を介してデータ信号の影響を受けることから、通常行われるデータ信号の極性をフィールド毎或はフレーム毎に反転する駆動法では、前記結合容量３５，３６が絵素容量３４に比べ無視できない大きさである場合、縦方向にクロストークが発生することとなる。このクロストークの問題の対策として、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号を供給して液晶を駆動する方法（特開平５−４３１１８号公報参照）が知られている。つまりこの駆動方法では、隣接するデータ信号線に印加されるデータ信号の極性が異なるため、データ信号による絵素電位の変動がキャンセルされることとなる。
　【００１２】
　しかしながら、図６に示す構造のアクティブマトリクス基板２０２では、絵素電極６４とこれに対応するデータ信号線１１ａとの間の結合容量ＣＳＤ１が、該絵素電極６４とその隣の列の絵素電極に対応するデータ信号線１１ｂとの間の結合容量ＣＳＤ２より大きくなってしまい、逆極性の信号が供給される、隣接するデータ信号線から絵素電極に及ぶ影響を十分に相殺できないので、前記駆動法を用いても十分にクロストークをなくすことができない。したがって、従来のアクティブマトリクス基板において、高精細化を進めるにあたり液晶の配向乱れとクロストークの発生をともに防止することはできなかった。
　【００１３】
　本発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、液晶配向の乱れとクロストークの発生をともに防止することができる液晶表示パネルを提供することが本発明の目的である。
　【００１４】
　【課題を解決するための手段】
　この発明に係る液晶表示パネルは、基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備えたアクティブマトリクス基板を含んでいる。
　【００１５】
　該アクティブマトリクス基板では、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が
、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素単位の変動を相殺できる程度に
　【００１６】
　そしてこの液晶表示パネルでは、データ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことにより上記目的が達成される。
　【００１７】
　この発明に係る液晶表示パネルは、基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極と接続された導体膜と、該液晶駆動電極の各列毎に設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該各液晶駆動電極毎に設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行毎に設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン，オフを制御する複数の走査信号線とを備えたアクティブマトリクス基板を含んでいる。
　【００１８】
　該アクティブマトリクス基板では、該各列の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極に接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあるデータ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量と等しくなっている。
　【００１９】
　そして、この液晶表示パネルでは、データ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことにより上記目的が達成される。
　【００２０】
　この発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記データ信号線を、これと前記液晶駆動電極あるいは導体膜との重なりによる結合容量を調整するための
付加部分
　【００２１】
　この発明は、上記液晶表示パネルにおいて、前記スイッチング素子を薄膜トランジスタから構成し、前記導体膜を、その一部が遮光膜として該薄膜トランジスタのチャネル部を覆う構造としたものである。
　【００２２】
　この発明に係る液晶表示パネルは、基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の液晶駆動電極と、該液晶駆動電極の各列ごとに設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該液晶駆動電極ごとに設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行ごとに設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン、オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備えたアクティブマトリクス基板を含んでいる。
　【００２３】
　該アクティブマトリクス基板では、該各列の液晶駆動電極が、対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分と、隣接する列の液晶駆動電極に対応するデータ信号線と層間絶縁膜を介して重なる部分とを有し、該両重なり部分での結合容量が概ね等しくなっており、かつデータ信号線の下側に蓄積付加容量が形成されている。
　【００２４】
　そして、この液晶表示パネルでは、データ信号の極性をフィールド毎あるいはフレームごとに反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことにより上記目的が達成される。
　【００２５】
　この発明に係る液晶表示パネルは、基板本体と、該基板本体上にマトリクス状に配置され、液晶を駆動する複数の駆動電極と、該液晶駆動電極と接続された導体膜と、該液晶駆動電極の各列ごとに設けられ、対応する列の液晶駆動電極にデータを供給する複数のデータ信号線と、該液晶駆動電極ごとに設けられ、該データ信号線から液晶駆動電極へのデータの供給を制御するスイッチング素子と、該液晶駆動電極の各行ごとに設けられ、対応する行のスイッチング素子のオン、オフを制御する複数の走査信号線と、該スイッチング素子の液晶駆動電極側の端子に付加された蓄積付加容量とを備えたアクティブマトリクス基板を含んでいる。
　【００２６】
　該アクティブマトリクス基板では、該各列の液晶駆動電極が、その両側のデータ信号線の一方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極に接続された導体膜が、該液晶駆動電極の両側にあるデータ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有し、該液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量と概ね等しくなっており、かつデータ信号線の下側に蓄積付加容量が形成されている。
　【００２７】
　そして、この液晶表示パネルでは、データ信号の極性をフィールド毎あるいはフレームごとに反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に逆極性のデータ信号が供給される。そのことにより上記目的が達成される。
　【００２８】
　【作用】　本発明においては、絵素電極が層間絶縁膜を介してデータ信号線と重なっているため、絵素電極上の液晶にかかる電界の方向が、絵素電極周辺の信号線からの異なる電位の影響を受けて乱れるのを防止できる。つまり、この場合、絵素電極の、層間絶縁膜を介して重なっているデータ信号線と重なっている部分では、絵素電極上でのデータ信号線の電位による電界の方向が絵素電極と垂直な方向となり、これによって、各絵素電極上の液晶の配向乱れが抑制される。
　【００２９】
　また、絵素電極とこれに対応するデータ信号との結合容量が、該絵素電極とその隣の絵素電極に対応するデータ信号線との結合容量と概ね等しいため、前記データ信号線に、１ライン毎に逆極性のデータ信号を供給することにより、絵素電極両側のデータ信号線に印加されるデータ信号による絵素電位の変動がキャンセルされることとなり、これによりデータ信号線と絵素電極との間の結合容量に起因するクロストークをなくすことができる。
　【００３０】
　したがって、液晶の配向の乱れを防ぐことができかつクロストークのない、微細絵素からなる液晶表示を実現できる。
　【００３１】
　この発明においては、マトリクス状配置の各列の液晶駆動電極を、その両側のデータ信号線の一方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有する構造とするとともに、該液晶駆動電極の下側にこれと電気的に接続された導体膜を設け、該導体膜を、該液晶駆動電極の両側にあるデータ信号線の他方と層間絶縁膜を介して重なる部分を有する構造としているので、データ信号線の一方側の絵素では、液晶駆動電極とデータ信号線との間で結合容量が形成され、該データ信号線の他方側の絵素では、液晶駆動電極に接続されたその下側の導体膜とデータ信号線との間で結合容量が形成されることとなる。このため、液晶配向の乱れ及びクロストークの発生をともに防止できるだけでなく、絵素サイズが小さくなっても、隣接する絵素電極間に一定のスペースを確保しつつ、液晶駆動電極の一方側のデータ信号線との間の結合容量が、その他方側のデータ信号線との間の結合容量と等しくなるようにすることができる。
　【００３２】
　この発明においては、データ信号線の下側に蓄積付加容量を形成しているため、該蓄積付加容量を構成する共通電極層を例えばポリサイド層（金属層とポリシリコンの２層構造）や金属層で形成して遮光部材として用いることにより、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコントラストの低下を抑制できる。
　【００３３】
　また、上記電極層により遮光される部分では、ブラックマトリクス等の遮光部材の面積を縮小する、もしくは該遮光部材を一部不要とすることができ、該ブラックマトリクス等の絵素に対する位置合わせマージンを削減して、開口率を向上することができる。
　【００３４】
　具体的には、ブラックマトリクスは通常、アクティブマトリクス基板に対向する対向基板側に形成されるが、この場合特に上記位置合わせマージンとしてアクティブマトリクス基板と対向基板との貼り合わせマージンが要求され、開口率の低下は大きなものとなる。このような場合、上記蓄積付加容量を構成する共通電極層を遮光部材として用いることにより、上記データ信号線の配置部分ではブラックマトリクスの面積を縮小する、もしくはこれを不要にすることができ、上記貼り合わせマージンによる開口率の大きな劣化を回避することができる。
　【００３５】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について説明する。
　【００３６】
（実施例１）
　図１は本発明の第１の実施例の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を示している。
　【００３７】
　図において、図５と同一符号は、従来のアクティブマトリクス基板２０１と同一のものを示し、１０１は本実施例の液晶駆動パネルを構成するアクティブマトリクス基板で、この基板１０１では、絵素電極１４は、その一部が該絵素電極両側のデータ信号線１１ａ及び１１ｂに、該絵素電極とデータ信号線が短絡しないように層間絶縁膜を挟んで重なった構造となっている。ここで前記絵素電極１４は、図７の結合容量ＣＳＤ１，つまり絵素電極とデータ信号線１１ａとの間の結合容量と、図７の結合容量ＣＳＤ２，つまり絵素電極とデータ信号線１１ｂとの間の結合容量とがほぼ等しくなるよう、データ信号線１１ａに重ねる面積とデータ信号線１１ｂに重ねる面積を調整して形成されている。
　【００３８】
　そして本実施例の液晶表示パネルは、データ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転して液晶の駆動を行うとともに、データ信号線の１ライン毎に、図１ではデータ信号線１１ａとデータ信号線１１ｂに、逆極性のデータ信号が供給されるようになっている。
　【００３９】
　次に作用効果について説明する。前記構成のアクティブマトリクス基板１０１では、絵素電極１４がその両側のデータ信号線１１ａ，１１ｂと層間絶縁膜を介して重なっているため、絵素電極１４の側辺部上の液晶にかかる電界の方向がその周辺のデータ信号線の電位の影響を受けて乱れることはない。
　【００４０】
　また、絵素電極１４とその両側のデータ信号線１１ａ，１１ｂとの間の結合容量３５，３６が概ね等しいため、それぞれ隣接するデータ信号線からの結合容量を通じた絵素電位の変動を相殺できる。したがって、データ信号の極性をフィールド毎あるいはフレーム毎に反転する駆動法において、データ信号線１１ａとデータ信号線１１ｂに逆極性のデータ信号を供給することにより、縦方向のクロストークの発生もなくすことができる。
　【００４１】
　このように本実施例では、絵素電極両側のデータ信号線からの電界の乱れによる液晶の配向の乱れを防ぐとともに、縦方向のクロストークの発生もなくすことができる。
　【００４２】
　なお、この実施例では、隣接する絵素電極１４の、データ信号線との重なり部分は、該データ信号線上でその幅方向に並んでいるため、絵素サイズがより小さくなった時、それに伴い開口率を確保するためデータ信号線の幅も縮小すると、隣接する絵素電極１４の間のスペースが確保できなくなってくる。
　【００４３】
　そこでさらに微細絵素に有効な実施例を本発明の第２〜第４の実施例として以下に示す。
　【００４４】
（実施例２）
　図２は本発明の第２の実施例の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を示している。図において、１０２はこの実施例のアクティブマトリクス基板である。
　【００４５】
　この実施例では、図６に示す従来の絵素電極６４の，データ信号線に対して平行な側辺を、図２に示すように絵素電極の一部がデータ信号線に重なるようくびれさせてある。また、絵素電極２４とデータ信号線１１ａとの結合容量ＣＳＤ１と、絵素電極２４とデータ信号線１１ｂとの結合容量ＣＳＤ２が等しくなるように、絵素電極２４がデータ信号線１１ａに重なる部分の面積と、該絵素電極２４がデータ信号線１１ｂに重なる部分の面積とを調整し、隣接データ信号線と絵素電極間の結合容量をできるだけ等しくしている。さらに絵素電極２４のくびれ部分２４ａは電界の乱れの影響を少なくするために、できるだけ開口部，つまりトランジスタや信号線の配置部分を隠すブラックマトリクスの開口部から離して配置し、開口部内には、絵素電極２４の，データ信号線に平行な部分（本実施例の場合は直線的な形状の部分）が位置するようにすることが望ましい。その他の構成は、前記第１の実施例と同一である。
　【００４６】
　このような構成の本実施例では、絵素電極２４と隣接するデータ信号線との重なり部分を非開口部にくびれさせて形成しているので、第１の実施例のように絵素サイズがより小さくなると、隣接する絵素電極間のスペースが確保できなくなってくるというようなことはなく、例えば絵素ピッチ５０μｍ以下の微細な絵素電極に有効なアクティブマトリクス基板を提供できる。
　【００４７】
（実施例３）
　次に本発明の第３の実施例について説明する。図３は本発明の第３の実施例の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を示している。１０３はこの実施例のアクティブマトリクス基板で、この基板１０３では、データ信号線３１ａ，３１ｂは、図６に示す従来のアクティブマトリクス基板２０２における直線形状のデータ信号線１１ａ，１１ｂに、絵素電極６４と重なる部分１１ｃを付加した構造となっている。ここでデータ信号線の，絵素電極６４と重なる部分の面積は、前記絵素電極６４とデータ信号線３１ａとの間の結合容量ＣＳＤ１と、絵素電極６４とデータ信号線３１ｂとの間の結合容量ＣＳＤ２とが等しくなるように調整されている。この容量調整のためのデータ信号線へ付加した部分１１ｃは、本実施例では開口率低下をさけるためブラックマトリクスで隠される部分の下に形成している。その他の構成は、図６に示す従来のアクティブマトリクス基板２０２と同一である。
　【００４８】
　このような構成の第３の実施例では、データ信号線を、絵素電極と重なる付加部分１１ｃを有する構造としたので、前記第２実施例と同様、微細な絵素電極に有効なアクティブマトリクス基板を提供できる。
　【００４９】
（実施例４）
　次に本発明の第４の実施例について説明する。図４はこの第４の実施例の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するための図で、図４（ａ）は該基板の一絵素部分を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＩＶｂ−ＩＶｂ線部分の断面構造を示す図である。図において、１０４は第４の実施例のアクティブマトリクス基板で、これは、データ信号線１１ａ，１１ｂと同じ材料例えばＡ１等でこれと同時に形成されたドレイン電極１９と、該ドレイン電極１９と絵素電極６４との間に層間絶縁膜４１ｂ，４１ｃを挟んで形成された，例えばＴｉＷからなる金属膜１８とを有している。前記ドレイン電極１９は、コンタクトホール３ｃによりＴＦＴ１３のドレイン１３ｂと接続され、また前記金属膜１８は、コンタクトホール３ｄによりドレイン電極１９と接続され、コンタクトホール３ｅにより絵素電極６４に接続されている。
　【００５０】
　ここで、前記絵素電極６４がデータ信号線１１ａと重なる部分の面積と、前記金属膜１８がデータ信号線１１ｂと重なる部分の面積とは、絵素電極６４とデータ信号線１１ａとの間の結合容量ＣＳＤ１と、絵素電極６４とデータ信号線１１ｂとの間の結合容量ＣＳＤ２が等しくなるよう調整してある。また、ここでは前記金属膜１８を、図４（ａ）に示すようにＴＦＴ１３の遮光用としてＴＦＴ１３を覆う構造としているが、これは、ＴＦＴ１３を覆っていない構造としてもよい。
　【００５１】
　なお、４１ａはデータ信号線１１ａ，１１ｂとその下側の走査信号線１２とを絶縁する層間絶縁膜、４１ｂはデータ信号線１１ａ，１１ｂとその上側の金属膜１８とを絶縁する層間絶縁膜、４１ｃは絵素電極６４を構成するＩＴＯ膜と、その下側の金属膜１８とを絶縁する層間絶縁膜である。
　【００５２】
　このような構成の第４の実施例では、絵素電極６４の下側に、金属膜１８をその一部がデータ信号線１１ｂと重なるよう設けるとともに、コンタクトホール３ｅにより前記絵素電極６４と金属膜１８とを接続し、前記絵素電極６４がデータ信号線１１ａと重なる部分の面積と、前記金属膜１８がデータ信号線１１ｂと重なる部分の面積とを調整して、絵素電極６４とその両側のデータ信号線１１ａ，１１ｂとの間の結合容量ＣＳＤ１，ＣＳＤ２が等しくなるようにしたので、前記第２実施例と同様、微細な絵素電極に有効なアクティブマトリクス基板を提供できる。
　【００５３】
　また、この実施例においては、上記第３の実施例におけるデータ信号線の、絵素電極と重なる容量調整用の付加部分１１ｃを、該絵素電極に接続された金属膜１８と重なる構成とすることもできる。
　【００５４】
　また、本実施例では、図４（ｂ）に示すように、アルミ等で形成された、例えば６００ｎｍ〜１μｍの膜厚を持つデータ信号線のエッジ部分が上記金属膜１８により覆われているため、該金属膜１８を例えば５０ｎｍ〜１５０ｎｍの膜厚で形成することにより、基板１上での、ブラックマトリクスの開口部付近の段差を大幅に減らすことが可能となり、液晶の配向乱れを防止でき、コントラストの低下を防止できる。
　【００５５】
（実施例５）
　図８は本発明の第５の実施例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するための平面図で、該基板の一絵素部分を示している。
　【００５６】
　図において、図１と同一符号は同一のものを示し、１０５は本実施例のアクティブマトリクス基板で、これは、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側に、該データ信号線の幅よりやや広い幅で蓄積付加容量２３の一部２３ａを形成したものである。その他の構成は、第１実施例のアクティブマトリクス基板を同一である。
　【００５７】
　ここで、蓄積付加容量２３の一方の電極を構成する共通電極層１２３は、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側にこれに沿って位置するよう延長され、上記ＴＦＴ１３を構成する半導体層１１３は、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側にこれに沿って位置するよう延長されている。そして、該共通電極層１２３の延長部分（データ信号線下側部分）１２３ａ及び上記半導体層１１３の延長部分（データ信号線下側部分）１１３ａは、上記蓄積付加容量２３の、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側に位置する部分２３ａの上下の電極を構成している。
　【００５８】
　この実施例では、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側に蓄積付加容量２３の一部２３ａを形成しているため、該蓄積付加容量の一部を構成する電極，つまり該共通電極層１２３の延長部分１２３ａを遮光部材として用いることにより、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコントラストの低下を抑制できる。
　【００５９】
　また、上記蓄積付加容量の一部を構成する電極により遮光される部分では、対向基板に形成されるブラックマトリクス等の遮光部材の面積が縮小され、あるいは該遮光部材が不要となり、該ブラックマトリクス等の絵素に対する位置合わせマージンを削減して、開口率を向上することができる。但しこの場合、データ信号線１１ａ，１１ｂのみを遮光膜として用いた場合に比べると、上記共通電極層１２３の延長部分１２３ａが、データ信号線よりはみ出しているため、開口率はその分小さくなっているが、データ信号線のエッジ部分の段差による液晶配向の乱れや、絵素電極側辺部の、データ信号線のエッジ部分に近接する部分での液晶配向の乱れを上記蓄積付加容量の電極によりマスクすることができ、液晶配向の乱れによるコントラストの低下を抑制できる。
　【００６０】
　従って、上記蓄積付加容量の、データ信号線の下側に形成した部分を構成する電極を遮光部材として用いることにより、開口率の大きな劣化を回避しつつ、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコントラスト低下を低減できる。
　【００６１】
（実施例６）
　図９は、本発明の第６の実施例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するための図であり、図９（ａ）は該基板の一絵素部分を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＩＸｂ−ＩＸｂ線部分の断面構造を示す図である。
　【００６２】
　図において、図４と同一符号は同一のものを示し、１０６は本実施例のアクティブマトリクス基板で、これは、データ信号線１１ａ，１１ｂの下側に、該データ信号線及び金属膜１８の配置領域の幅よりやや広い幅で蓄積付加容量２３の一部２３ｂを形成したものである。
　【００６３】
　ここで、蓄積付加容量２３の一方の共通電極１２３は、データ信号線１１ａ，１１ｂ及び金属膜１８の下側にこれに沿って位置するよう延長され、上記ＴＦＴ１３を構成する半導体層１１３は、データ信号線１１ａ，１１ｂ及び金属膜１８の下側にこれに沿って位置するよう延長されている。そして、該共通電極層１２３の延長部分（データ信号線下側部分）１２３ｂ及び上記半導体層１１３の延長部分（データ信号線下側部分）１１３ｂは、上記蓄積付加容量２３の、データ信号線１１ａ，１１ｂ及び金属膜１８の下側に位置する部分２３ｂの上下の電極を構成している。
　【００６４】
　また、４１ａ１は上記延長部分１１３ｂを含む半導体層１１３と、その上側の上記延長部分１２３ｂ及び走査信号線１２及び共通電極層１２３とを絶縁する層間絶縁膜、４１ａ２は、該共通電極層１２３とその上側のデータ信号線１１ａ，１１ｂとを絶縁する層間絶縁膜である。なお図４では、上記層間絶縁膜４１ａ１及び４１ａ２は１つの層間絶縁膜４１ａとして示している。
　【００６５】
　その他の構成は、第４実施例のアクティブマトリクス基板と同一である。
　【００６６】
　このような構成の第６の実施例では、上記第４の実施例の効果に加えて、上記第５の実施例と同様、開口率の大きな劣化を回避しつつ、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコントラスト低下を低減できるという効果がある。
　【００６７】
　なお、前記各実施例では、アクティブマトリクス基板として、複数の絵素が碁盤目状に配列されたものについて説明したが、絵素の配列は、これに限るものではなく、例えば、奇数行の絵素が偶数行の絵素の間に位置するデルタ配列などの絵素配列であってもよく、この場合、データ信号線は、各列の絵素の配列に沿って折れ曲がったものとなるが、前記各実施例と同様の効果を得ることができる。
　【００６８】
　【発明の効果】
　本発明のアクティブマトリクス基板を用いることにより、液晶の配向の乱れを防ぐことができかつクロストークのない、微細絵素からなる液晶表示を実現できる。
　【００６９】
　つまり本発明によれば、絵素電極が層間絶縁膜を介してデータ信号線と重なっているため、絵素電極上の液晶にかかる電界の方向が、データ信号線からの異なる電位の影響を受けて乱れるのを防止できるとともに、絵素電極とこれに対応するデータ信号との結合容量が、該絵素電極とその隣の絵素電極に対応するデータ信号線との結合容量と概ね等しいため、前記データ信号線に、１ライン毎に逆極性のデータ信号を供給する駆動法を用いることによって、逆極性の信号が供給されるデータ信号線から絵素電極への影響を十分に相殺できることとなり、クロストークをなくすことができる。
　【００７０】
　この結果、微細絵素においてもデータ信号線からの電界の乱れから生じる液晶の配向乱れによるコントラスト低下、及び絵素電極とデータ信号線との結合容量によるクロストークを防止することができ、これによって、コントラストの高い、良好な液晶表示を実現することができる効果がある。
　【００７１】
　また、この発明によれば、データ信号線の下側に蓄積付加容量を形成しているため、該蓄積付加容量を構成する電極層を遮光部材として用いることにより、データ信号線付近の液晶の配向乱れに起因するコントラストの低下を抑制できる。
　【００７２】
　また、上記電極層により遮光される部分には、ブラックマトリクス等の遮光部材が不要となり、該ブラックマトリクス等の絵素に対する位置合わせマージンを削減して、開口率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の第１の実施例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
　【図２】
　本発明の第２の実施例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
　【図３】
　本発明の第３の実施例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
　【図４】
　本発明の第４の実施例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するための図であり、図４（ａ）は該基板の１絵素に対応する部分を示す平面図、図４（ｂ）は図４（ｂ）のＩＶｂ−ＩＶｂ線部分の構造を示す断面図である。
　【図５】
　従来の液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
　【図６】
　従来の液晶表示パネルを構成する他のアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
　【図７】
　前記１絵素部分の等価回路を示す回路模式図である。
　【図８】
　本発明の第５の実施例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板の１絵素部分を示す平面図である。
　【図９】
　本発明の第６の実施例による液晶表示パネルを構成するアクティブマトリクス基板を説明するための図であり、図９（ａ）は該基板の１絵素に対応する部分を示す平面図、図９（ｂ）は図９（ｂ）のＩＸｂ−ＩＸｂ線部分の構造を示す断面図である。
　【符号の説明】
　１　石英基板
　３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ　コンタクトホール
　１１ａ，１１ｂ，３１ａ，３１ｂ　データ信号線
　１１ｃ　データ信号線の付加部分
　１２　走査信号線
　１３　ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）
　１３ａ　ＴＦＴのソース
　１３ｂ　ＴＦＴのドレイン
　１３ｃ　蓄積付加容量の他方の電極
　１４，２４，６４　液晶駆動電極（絵素電極）
　１８　金属膜（導体膜）
　１９　ドレイン電極
　２３　蓄積付加容量
　２３ａ，２３ｂ　蓄積付加容量の一部
　２４ａ　絵素電極のくびれ部分
　３４　絵素容量
　３５，３６　絵素電極とデータ信号線間の結合容量
　１０１，１０２，１０３，１０４，１０５，１０６　アクティブマトリクス基板
　１１３　半導体層
　１１３ａ，１１３ｂ　半導体層のデータ信号線下側部分
　１２３　共通電極層
　１２３ａ，１２３ｂ　共通電極層のデータ信号線下側部分