【事件の表示】
　特許第３１２８８７６号「パターン作成方法、及びパターン作成システム」の請求項１ないし３、６、９、１２、１９ないし２３、２７、３５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１２８８７６号の請求項１ないし３、６、９、１２、１８ないし２２、２６、３３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１２８８７６号の発明は、平成３年８月２２日に特許出願され、平成１２年１１月１７日にその特許の設定登録がなされたものであり、その後、吉川　喜一郎より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１２月２５日に訂正請求がなされた後、再度取消理由がなされ、その指定期間内である平成１４年７月２６日に、平成１３年１２月２５日付けの訂正請求を取り下げるとともに、新たに訂正請求がなされたものである。　
　
２．訂正の適否についての判断
（１）［訂正の内容］
　訂正請求書による訂正事項は次のとおりである。
訂正事項ａ：
　特許明細書の請求項１３、２８を削除するとともに、特許明細書の請求項１４ないし２７を請求項１３ないし２６に繰り上げ、同じく特許明細書の請求項２９ないし３５を請求項２７ないし３３に繰り上げて、特許請求の範囲の請求項１、３ないし５、１３ないし３３を以下のとおり訂正する。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否か、及び該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定し、
　前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とするパターン作成方法。
【請求項３】
　前記作成データは、前記一定間隔以上離れているエッジを拡張するための修正量、又は前記対象となるパターン要素の前記拡張後の線幅に関連する情報を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項４】
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開し、該展開された２値化画像の情報に基づいて、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素に存在するか否かを判定することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン作成方法。
【請求項５】
　前記対象となるパターン要素の少なくとも一部のエッジが他のパターン要素から一定画素数以上離れているとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに対して前記画素単位で外側に拡張されるように、前記２値化画像を修正することを特徴とする請求項４に記載のパターン作成方法。
【請求項１３】
　前記長手終端近傍であるエッジが更に他のパターン要素から一定間隔以上離れているとき、前記長手終端近傍であるエッジを拡張するための修正量と、前記一定間隔以上離れるエッジを拡張するための修正量との合成で決まる量だけ前記長手終端近傍のエッジが拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項１４】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定し、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが前記終端近傍であるときは、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定することを特徴とするパターン作成方法。
【請求項１５】
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記直線部の短手方向の線幅が中心部よりも終端近傍で相対的に太くなるように、前記作成データが決定されることを特徴とする請求項１又は１４に記載のパターン作成方法。
【請求項１６】
　前記複数のパターン要素は孤立部と密集部との少なくとも一方を含み、前記直線部は、前記孤立部又は前記密集部の少なくとも一部を構成する線状パターンであることを特徴とする請求項１５に記載のパターン作成方法。
【請求項１７】
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記直線部の長さを規定するエッジが前記設計データに比べて前記長手方向に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項１８】
　前記マスクは、前記感光基板に照射される露光用照明光が透過する透過型であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項１９】
　前記決定された作成データに基づいて、前記原版上に前記対象となるパターン要素を形成する露光工程を含むことを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項２０】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定する第１検定手段と、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段と、
　前記第１検定手段によって、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在すると検定されたとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備えたことを特徴とするパターン作成システム。
【請求項２１】
　前記パターンデータ作成手段は、前記対象となるパターン要素に該当する前記設計データの一部を修正する修正手段を有することを特徴とする請求項２０に記載のパターン作成システム。
【請求項２２】
　前記作成データは、前記一定間隔以上離れているエッジを拡張するための修正量、又は前記対象となるパターン要素の前記拡張後の線幅に関連する情報を含むことを特徴とする請求項２０又は２１に記載のパターン作成システム。
【請求項２３】
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開する２値化展開手段を更に備え、前記第１検定手段は、前記展開された２値化画像の情報に基づいて、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素に存在するか否かを検定することを特徴とする請求項２０〜２２のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
【請求項２４】
　前記パターンデータ作成手段は、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部のエッジが他のパターン要素から一定画素数以上離れているとき、前記少なくとも一部のエッジが前記設計データに対して前記画素単位で外側に拡張されるように、前記２値化画像を修正することを特徴とする請求項２３に記載のパターン作成システム。
【請求項２５】
　前記パターンデータ作成手段は、前記少なくとも一部のエッジの拡張量が前記対象となるパターン要素の線幅の１０〜１５％程度となるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項２０〜２４のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
【請求項２６】
　前記パターンを前記感光基板上に転写する露光装置の解像限界の線幅値に対応して前記一定間隔が定められることを特徴とする請求項２０〜２５のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
【請求項２７】
　前記長手終端近傍であるエッジが更に他のパターン要素から一定間隔以上離れているとき、前記パターンデータ作成手段は、前記長手終端近傍であるエッジを拡張するための修正量と、前記一定間隔以上離れるエッジを拡張するための修正量との合成で決まる量だけ前記長手終端近傍のエッジが拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項２０〜２６に記載のパターン作成システム。
【請求項２８】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定する検定手段と、
　前記対象となるパターン要素の着目するエッジが終端近傍であるとき、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備えたことを特徴とするパターン作成システム。
【請求項２９】
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開する２値化展開手段を更に備え、前記検定手段は、前記展開された２値化画像の情報に基づいて、前記着目するエッジが終端近傍であるか否かを検定することを特徴とする請求項２８に記載のパターン作成システム。
【請求項３０】
　前記パターンデータ作成手段は、前記着目するエッジが終端近傍であるとき、前記着目するエッジが他のエッジに対して前記画素単位で外側に拡張されるように、前記２値化画像を修正することを特徴とする請求項２９に記載のパターン作成システム。
【請求項３１】
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記パターンデータ作成手段は、前記直線部の短手方向の線幅が中心部よりも終端近傍で相対的に太くなるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項２６又は２８に記載のパターン作成システム。
【請求項３２】
　前記対象となるパターン要素が所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含むとき、前記パターンデータ作成手段は、前記直線部の長さを規定するエッジが前記設計データに比べて前記長手方向に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項２０〜３１のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
【請求項３３】
　前記決定された作成データに基づいて、前記原版上に前記対象となるパターン要素を形成する露光装置を更に備えることを特徴とする請求項２０〜３２のいずれか一項に記載のパターン作成システム。」
訂正事項b：
　本件特許明細書の段落番号【００１１】を、以下のように訂正する。
「【課題を解決する為の手段】
　上記目的のために請求項１に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否か、及び該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定し、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定することとした。
　また、請求項１４に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定し、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが前記終端近傍であるときは、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定することとした。
　また、請求項２０に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定する第１検定手段と、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段と、前記第１検定手段によって、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在すると検定されたとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段ととした。
　また、請求項２８に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定する検定手段と、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが終端近傍であるとき、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備える構成とした。」
　
（２）［訂正の範囲の適否、拡張・変更の存否］ 
　訂正事項ａ
　Ａ．請求項１
　ア）訂正前の請求項１に係る発明の「前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定し」を、「前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否か、及び該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定し」と限定するものである。また、訂正前の請求項１に係る発明の「該一定間隔以上となるエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、該少なくとも一部のエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定する」を、「前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定する」と限定するものである。
　イ）当該「該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定し」及び「前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定する」は、訂正前の特許請求の範囲の請求項１３、段落【００２４】及び段落【００２５】の記載に基づくものである。
　Ｂ．請求項２１（訂正後の請求項２０に対応）
　ア）訂正前の請求項２１に係る発明に「前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段」を記載した。
　さらに、訂正前の請求項２１に係る発明の「前記一定間隔以上となるエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するとき、前記少なくとも一部のエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定するパターンデータ作成手段」を「前記第１検定手段によって、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在すると検定されたとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段」と限定するものである。
　イ）当該「前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段」及び「前記第１検定手段によって、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在すると検定されたとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段」は、訂正前の特許請求の範囲の請求項２８、段落【００２４】及び段落【００２５】の記載に基づくものである。
　Ｃ．上記Ａ、Ｂの訂正に伴い、請求項１に従属する請求項３、４、５、１３、請求項２０に従属する請求項２２、２３、２７の記載を、訂正後の請求項１、２０の記載と整合をとるために訂正する。
　従ってこの訂正は、特許請求の範囲の減縮または、明瞭でない記載の釈明に相当するものである。
　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂについては、特許請求の範囲の訂正に伴い、課題を解決する為の手段を特許請求の範囲の記載と整合をとるため、明瞭でない記載の釈明を目的とした訂正である。この訂正は、明瞭でない記載の釈明に相当するものである。
　上記訂正事項ａ、ｂは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
（３）独立特許要件
　上記訂正事項ａの訂正明細書の請求項４、５、１３、２３、２７に係る訂正は、特許異議の申立てがされていない請求項についての訂正であって、特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するから、独立特許要件について検討する。
　訂正明細書の請求項４、５、１３に係る発明は、訂正明細書の請求項１に係る発明の構成要件を全て含むものである。
　そして、当該請求項１に係る発明が、下記３．特許異議の申立てについて、（４）［対比・判断］、［本件発明１について］で述べているように、申立人が提出した甲第１号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることができないので、同様の理由により、訂正明細書の請求項４、５、１３に係る発明は、申立人が提出した甲第１号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　訂正明細書の請求項２３、２７に係る発明は、訂正明細書の請求項２０に係る発明の構成要件を全て含むものである。
　そして、当該請求項２０に係る発明が、下記３．特許異議の申立てについて、（４）［対比・判断］、［本件発明２０について］で述べているように、申立人が提出した甲第１号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認めることができないので、同様の理由により、訂正明細書の請求項２３、２７に係る発明は、申立人が提出した甲第１号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　したがって、訂正明細書の請求項４、５、１３、２３、２７に係る発明は、出願の際、独立して特許を受けることができるものである。
　
（４）［結び］
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法１２６条第１項ただし書、第２項、第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについて
（１）［申立ての理由の概要］
　特許異議申立人吉川　喜一郎は、下記甲第１号証刊行物を提出し、請求項１ないし３、６、９、１２、１９ないし２３、２７、３５に係る発明の特許は、甲第１号証刊行物に記載された発明あるいは甲第１号証刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第１項第３号又は同法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから取り消すべき旨主張している。
　甲第１号証刊行物：「1987 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY」
DIGEST OF TECHNICAL PAPERS, IEEE CAT. No. 87, 1987,　第１３，１４頁
　
（２）［本件発明］
　異議申立ての対象となる訂正後の請求項は、訂正前の請求項１ないし３、６、９、１２、１９ないし２３、２７、３５をそれぞれ訂正した請求項１ないし３、６、９、１２、１８ないし２２、２６、３３であり、これらの請求項に係る発明は、平成１４年７月２６日付けの訂正明細書に記載された次のとおりのものである。（以下、「本件発明１ないし３、６、９、１２、１８ないし２２、２６、３３」という。）
【請求項１】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否か、及び該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定し、
　前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とするパターン作成方法。
【請求項２】
　前記作成データは、前記対象となるパターン要素に該当する前記設計データの一部を修正したものであることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項３】
　前記作成データは、前記一定間隔以上離れているエッジを拡張するための修正量、又は前記対象となるパターン要素の前記拡張後の線幅に関連する情報を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項６】
　前記対象となるパターン要素は、線幅を規定する一対のエッジが共に前記一定間隔以上となる孤立部を少なくとも一部に含み、前記一対のエッジがそれぞれ拡張されるように前記作成データが決定されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項９】
　前記複数のパターン要素は少なくとも一部が前記一定間隔よりも狭い間隔で配列される密集部となり、該密集部の両端のパターン要素でそれぞれ外側のエッジが拡張されるように、前記作成データが決定されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項１２】
　前記パターンを前記感光基板上に転写する露光装置の解像限界の線幅値に対応して前記一定間隔が定められることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項１８】
　前記マスクは、前記感光基板に照射される露光用照明光が透過する透過型であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項１９】
　前記決定された作成データに基づいて、前記原版上に前記対象となるパターン要素を形成する露光工程を含むことを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
【請求項２０】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定する第１検定手段と、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段と、
　前記第１検定手段によって、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在すると検定されたとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備えたことを特徴とするパターン作成システム。
【請求項２１】
　前記パターンデータ作成手段は、前記対象となるパターン要素に該当する前記設計データの一部を修正する修正手段を有することを特徴とする請求項２０に記載のパターン作成システム。
【請求項２２】
　前記作成データは、前記一定間隔以上離れているエッジを拡張するための修正量、又は前記対象となるパターン要素の前記拡張後の線幅に関連する情報を含むことを特徴とする請求項２０又は２１に記載のパターン作成システム。
【請求項２６】
　前記パターンを前記感光基板上に転写する露光装置の解像限界の線幅値に対応して前記一定間隔が定められることを特徴とする請求項２０〜２５のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
【請求項３３】
　前記決定された作成データに基づいて、前記原版上に前記対象となるパターン要素を形成する露光装置を更に備えることを特徴とする請求項２０〜３２のいずれか一項に記載のパターン作成システム。」
　
（３）［刊行物記載の発明］
　特許異議申立人の提出した甲第１号証刊行物には、
 「The windage, or proximity bias , is selective and adjustable to the distance between features. Isolated features get full windage, features in intermediate proximity get a smaller and space size dependent windage, while minimum size spaces and features remain unchanged. 」（第１３頁左欄最下行から６行目〜最下行）が記載され、
　そして、フォトリソグラフィに使用される感光用のマスクに係るもので、スペース幅、ライン幅が、解像限界である０．７μｍに近い値となる場合に近接効果によりエッチングされた後のpoly Si　の孤立部（isolated features）におけるパターン幅が減少すること、そして、これを解消するために修正関数（correction function）に基づいて設計スペース幅が所定値を越える場合のラインのパターン幅を拡張するようなマスクパターンの補正をすることが示され、Ｆｉｇ．４に関する記載には、設計ライン幅が０．８〜２．０μｍの範囲で最大０．０５μｍの補正量とすることが示され、また、Ｆｉｇ．５，（ａ）に関する記載には、同図におけるラインＡの幅方向だけではなく、長手方向にも拡張するような補正を加える場合、矩形状パターンの直交２方向について幅の補正を加える場合が示されている。
　
（４）［対比・判断］
［本件発明１について］
　本件発明１と甲第１号証刊行物記載の発明とを対比すると、甲第１号証刊行物記載の発明は、本件発明１が具備する、
　「前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定する」という構成を具備していないし、また、かかる点について示唆もされていない。
　しかも本件発明１は、前記構成を有することで、明細書記載の「孤立パターンや、周期パターン部での線幅の部分的な細りを解決し、設計値通りの大きさのレジストパターン、及び回路パターン等を得ることができる。」といった顕著な効果を奏するものと認められる。
　してみると、本件発明１は、甲第１号証刊行物に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認められないから、本件発明１は、甲第１号証刊行物に記載された発明と同一であるとも、また甲第１号証刊行物に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明１は、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項のいずれの規定にも違反してなされたものではない。
　
［本件発明２、３、６、９、１２、１８、１９について］
　本件発明２、３、６、９、１２、１８、１９は、本件発明１の構成要件を全て含み、さらに設計データの修正や露光工程について他の構成要件を付加したものに相当するから、本件発明１について説示したのと同様の理由により、甲第１号証刊行物に記載された発明と同一であるとも、また甲第１号証刊行物に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明２、３、６、９、１２、１８、１９は、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項のいずれの規定にも違反してなされたものではない。
　
［本件発明２０について］
　本件発明２０と甲第１号証刊行物記載の発明とを対比すると、甲第１号証刊行物記載の発明は、本件発明２０が具備する、
　「前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段」という構成を具備していないし、また、かかる点について示唆もされていない。
　しかも本件発明２０は、前記構成を有することで、明細書記載の「孤立パターンや、周期パターン部での線幅の部分的な細りを解決し、設計値通りの大きさのレジストパターン、及び回路パターン等を得ることができる。」といった顕著な効果を奏するものと認められる。
　してみると、本件発明２０は、甲第１号証刊行物に記載された発明に基づき当業者が容易に発明することができたものとは認められないから、本件発明２０は、甲第１号証刊行物に記載された発明と同一であるとも、また甲第１号証刊行物に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明２０は、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項のいずれの規定にも違反してなされたものではない。
　
［本件発明２１、２２、２６、３３について］
　本件発明２１、２２、２６、３３は、本件発明１の構成要件を全て含み、さらに設計データの修正や露光装置について他の構成要件を付加したものに相当するから、本件発明１について説示したのと同様の理由により、甲第１号証刊行物に記載された発明と同一であるとも、また甲第１号証刊行物に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明することができたとも認めることはできない。
　したがって、本件発明２１、２２、２６、３３は、特許法第２９条第１項第３号または同法第２９条第２項のいずれの規定にも違反してなされたものではない。
　
（５）［結び］
　したがって、特許異議申立ての理由および証拠によっては、本件発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年８月２１日（２００２．８．２１）
【訂正の要旨】
（１）［訂正の内容］
　訂正請求書による訂正事項は次のとおりである。
訂正事項ａ：
　特許明細書の請求項１３、２８を削除するとともに、特許明細書の請求項１４ないし２７を請求項１３ないし２６に繰り上げ、同じく特許明細書の請求項２９ないし３５を請求項２７ないし３３に繰り上げて、特許請求の範囲の請求項１、３ないし５、１３ないし３３を以下のとおり訂正した。
「【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否か、及び該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定し、
　前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とするパターン作成方法。
　【請求項３】
　前記作成データは、前記一定間隔以上離れているエッジを拡張するための修正量、又は前記対象となるパターン要素の前記拡張後の線幅に関連する情報を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
　【請求項４】
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開し、該展開された２値化画像の情報に基づいて、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素に存在するか否かを判定することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン作成方法。
　【請求項５】
　前記対象となるパターン要素の少なくとも一部のエッジが他のパターン要素から一定画素数以上離れているとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに対して前記画素単位で外側に拡張されるように、前記２値化画像を修正することを特徴とする請求項４に記載のパターン作成方法。
　【請求項１３】
　前記長手終端近傍であるエッジが更に他のパターン要素から一定間隔以上離れているとき、前記長手終端近傍であるエッジを拡張するための修正量と、前記一定間隔以上離れるエッジを拡張するための修正量との合成で決まる量だけ前記長手終端近傍のエッジが拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
　【請求項１４】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定し、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが前記終端近傍であるときは、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定することを特徴とするパターン作成方法。
　【請求項１５】
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記直線部の短手方向の線幅が中心部よりも終端近傍で相対的に太くなるように、前記作成データが決定されることを特徴とする請求項１又は１４に記載のパターン作成方法。
　【請求項１６】
　前記複数のパターン要素は孤立部と密集部との少なくとも一方を含み、前記直線部は、前記孤立部又は前記密集部の少なくとも一部を構成する線状パターンであることを特徴とする請求項１５に記載のパターン作成方法。
　【請求項１７】
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記直線部の長さを規定するエッジが前記設計データに比べて前記長手方向に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
　【請求項１８】
　前記マスクは、前記感光基板に照射される露光用照明光が透過する透過型であることを特徴とする請求項１〜１７のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
　【請求項１９】
　前記決定された作成データに基づいて、前記原版上に前記対象となるパターン要素を形成する露光工程を含むことを特徴とする請求項１〜１８のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
　【請求項２０】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定する第１検定手段と、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段と、
　前記第１検定手段によって、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在すると検定されたとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備えたことを特徴とするパターン作成システム。
　【請求項２１】
　前記パターンデータ作成手段は、前記対象となるパターン要素に該当する前記設計データの一部を修正する修正手段を有することを特徴とする請求項２０に記載のパターン作成システム。
　【請求項２２】
　前記作成データは、前記一定間隔以上離れているエッジを拡張するための修正量、又は前記対象となるパターン要素の前記拡張後の線幅に関連する情報を含むことを特徴とする請求項２０又は２１に記載のパターン作成システム。
　【請求項２３】
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開する２値化展開手段を更に備え、前記第１検定手段は、前記展開された２値化画像の情報に基づいて、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素に存在するか否かを検定することを特徴とする請求項２０〜２２のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
　【請求項２４】
　前記パターンデータ作成手段は、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部のエッジが他のパターン要素から一定画素数以上離れているとき、前記少なくとも一部のエッジが前記設計データに対して前記画素単位で外側に拡張されるように、前記２値化画像を修正することを特徴とする請求項２３に記載のパターン作成システム。
　【請求項２５】
　前記パターンデータ作成手段は、前記少なくとも一部のエッジの拡張量が前記対象となるパターン要素の線幅の１０〜１５％程度となるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項２０〜２４のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
　【請求項２６】
　前記パターンを前記感光基板上に転写する露光装置の解像限界の線幅値に対応して前記一定間隔が定められることを特徴とする請求項２０〜２５のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
　【請求項２７】
　前記長手終端近傍であるエッジが更に他のパターン要素から一定間隔以上離れているとき、前記パターンデータ作成手段は、前記長手終端近傍であるエッジを拡張するための修正量と、前記一定間隔以上離れるエッジを拡張するための修正量との合成で決まる量だけ前記長手終端近傍のエッジが拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項２０〜２６に記載のパターン作成システム。
　【請求項２８】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定する検定手段と、
　前記対象となるパターン要素の着目するエッジが終端近傍であるとき、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備えたことを特徴とするパターン作成システム。
　【請求項２９】
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開する２値化展開手段を更に備え、前記検定手段は、前記展開された２値化画像の情報に基づいて、前記着目するエッジが終端近傍であるか否かを検定することを特徴とする請求項２８に記載のパターン作成システム。
　【請求項３０】
　前記パターンデータ作成手段は、前記着目するエッジが終端近傍であるとき、前記着目するエッジが他のエッジに対して前記画素単位で外側に拡張されるように、前記２値化画像を修正することを特徴とする請求項２９に記載のパターン作成システム。
　【請求項３１】
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記パターンデータ作成手段は、前記直線部の短手方向の線幅が中心部よりも終端近傍で相対的に太くなるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項２６又は２８に記載のパターン作成システム。
　【請求項３２】
　前記対象となるパターン要素が所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含むとき、前記パターンデータ作成手段は、前記直線部の長さを規定するエッジが前記設計データに比べて前記長手方向に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項２０〜３１のいずれか一項に記載のパターン作成システム。
　【請求項３３】
　前記決定された作成データに基づいて、前記原版上に前記対象となるパターン要素を形成する露光装置を更に備えることを特徴とする請求項２０〜３２のいずれか一項に記載のパターン作成システム。」
訂正事項ｂ：
　本件特許明細書の段落番号【００１１】を、以下のように訂正する。
「【課題を解決する為の手段】
　上記目的のために請求項１に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否か、及び該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定し、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定することとした。
　また、請求項１４に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定し、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが前記終端近傍であるときは、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定することとした。
　また、請求項２０に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定する第１検定手段と、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段と、前記第１検定手段によって、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在すると検定されたとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段ととした。
　また、請求項２８に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定する検定手段と、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが終端近傍であるとき、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備える構成とした。」
（５４）【発明の名称】
パターン作成方法、及びパターン作成システム
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否か
、及び該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否か
　
前記一定間隔以上離れている
前記一定間隔以上離れている
すると共に、
　前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定すること
　【請求項２】
　前記作成データは、前記対象となるパターン要素に該当する前記設計データの一部を修正したものであることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
　【請求項３】
　前記作成データは、前記
一定間隔以上離れている
パターン要素
　【請求項４】
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開し、該展開された２値化画像の情報に基づいて、前記一定間隔以上
離れている
　【請求項５】
　前記対象となるパターン要素の少なくとも一部のエッジが他のパターン要素から一定画素数以上離れているとき、前記
一定間隔以上離れている
　【請求項６】
　前記対象となるパターン要素は、線幅を規定する一対のエッジが共に前記一定間隔以上となる孤立部を少なくとも一部に含み、前記一対のエッジがそれぞれ拡張されるように前記作成データが決定されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
　【請求項７】
　前記一対のエッジの各拡張量は前記孤立部の線幅の１０〜１５％程度であることを特徴とする請求項６に記載のパターン作成方法。
　【請求項８】
　前記対象となるパターン要素は、前記一対のエッジの延設方向が長手方向となる線状パターンであることを特徴とする請求項７に記載のパターン作成方法。
　【請求項９】
　前記複数のパターン要素は少なくとも一部が前記一定間隔よりも狭い間隔で配列される密集部となり、該密集部の両端のパターン要素でそれぞれ外側のエッジが拡張されるように、前記作成データが決定されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
　【請求項１０】
　前記外側のエッジの拡張量はそのパターン要素の線幅の１０〜１５％程度であることを特徴とする請求項９に記載のパターン作成方法。
　【請求項１１】
　前記密集部内のパターン要素はその線幅を規定する一対のエッジの延設方向を長手方向とする線状パターンであることを特徴とする請求項９又は１０に記載のパターン作成方法。
　【請求項１２】
　前記パターンを前記感光基板上に転写する露光装置の解像限界の線幅値に対応して前記一定間隔が定められることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のパターン作成方法。
　【請求項
１３
　前記
長手終端近傍であるエッジ
長手終端近傍であるエッジ
前記長手終端近傍のエッジ
１から１２のいずれか一項
　【請求項
１４
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定し、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが前記終端近傍であるときは、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定することを特徴とするパターン作成方法。
　【請求項
１５
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記直線部の短手方向の線幅が中心部よりも終端近傍で相対的に太くなるように、前記作成データが決定されることを特徴とする請求項
１
１４
　【請求項
１６
　前記複数のパターン要素は孤立部と密集部との少なくとも一方を含み、前記直線部は、前記孤立部又は前記密集部の少なくとも一部を構成する線状パターンであることを特徴とする請求項
１５
　【請求項
１７
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記直線部の長さを規定するエッジが前記設計データに比べて前記長手方向に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項１〜
１６
　【請求項
１８
　前記マスクは、前記感光基板に照射される露光用照明光が透過する透過型であることを特徴とする請求項１〜
１７
　【請求項
１９
　前記決定された作成データに基づいて、前記原版上に前記対象となるパターン要素を形成する露光工程を含むことを特徴とする請求項１〜
１８
　【請求項
２０
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定する第１検定手段と、
　
前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段と、
　前記第１検定手段によって、
離れている
と検定されたとき
一定間隔以上離れている
決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定する
　【請求項
２１
　前記パターンデータ作成手段は、前記対象となるパターン要素に該当する前記設計データの一部を修正する修正手段を有することを特徴とする請求項
２０
　【請求項
２２
　前記作成データは、前記
一定間隔以上離れている
パターン要素
２０
２１
　【請求項
２３
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開する２値化展開手段を更に備え、前記第１検定手段は、前記展開された２値化画像の情報に基づいて、前記一定間隔以上
離れている
２０
２２
　【請求項
２４
　前記パターンデータ作成手段は、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部のエッジが他のパターン要素から一定画素数以上離れているとき、前記少なくとも一部のエッジが前記設計データに対して前記画素単位で外側に拡張されるように、前記２値化画像を修正することを特徴とする請求項
２３
　【請求項
２５
　前記パターンデータ作成手段は、前記少なくとも一部のエッジの拡張量が前記対象となるパターン要素の線幅の１０〜１５％程度となるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項
２０
２４
　【請求項
２６
　前記パターンを前記感光基板上に転写する露光装置の解像限界の線幅値に対応して前記一定間隔が定められることを特徴とする請求項
２０
２５
　【請求項
２７
　前記
長手終端近傍であるエッジ
長手終端近傍であるエッジ
長手終端近傍のエッジ
２０
２６
　【請求項
２８
　感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、
　前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定する検定手段と、
　前記対象となるパターン要素の着目するエッジが終端近傍であるとき、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備えたことを特徴とするパターン作成システム。
　【請求項
２９
　前記設計データに基づいて、前記対象となるパターン要素の少なくとも一部を含む設計上のパターン要素の画像を微小な画素の集合から成る２値化画像に展開する２値化展開手段を更に備え、前記検定手段は、前記展開された２値化画像の情報に基づいて、前記着目するエッジが終端近傍であるか否かを検定することを特徴とする請求項
２８
　【請求項
３０
　前記パターンデータ作成手段は、前記着目するエッジが終端近傍であるとき、前記着目するエッジが他のエッジに対して前記画素単位で外側に拡張されるように、前記２値化画像を修正することを特徴とする請求項
２９
　【請求項
３１
　前記対象となるパターン要素は、所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含み、前記パターンデータ作成手段は、前記直線部の短手方向の線幅が中心部よりも終端近傍で相対的に太くなるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項
２６
２８
　【請求項
３２
　前記対象となるパターン要素が所定方向に長手方向を有する直線部を少なくとも一部に含むとき、前記パターンデータ作成手段は、前記直線部の長さを規定するエッジが前記設計データに比べて前記長手方向に拡張されるように、前記作成データを決定することを特徴とする請求項
２０
３１
　【請求項
３３
　前記決定された作成データに基づいて、前記原版上に前記対象となるパターン要素を形成する露光装置を更に備えることを特徴とする請求項
２０
３２
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体集積回路等の回路パターン等の露光転写、特に投影式露光転写に用いられるレチクル（フォトマスク）及びその製造方法に関し、特にそのパターン作成方法、作成システムに関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　従来のレチクルでは、露光転写後に得られるフォトレジスト像パターン、すなわち回路パターンの形状が、そのままレチクル上でのパターンとなっていた。従って、得たい回路パターンの線幅が同一の複数のパターンがあれば、各パターンの周囲にどのようなパターンが存在しようとも、各パターンの線幅は同一とされていた。
　【０００３】
　また、従来は投影露光装置の照明光学系のσ値が０．５〜０．７と比較的大きく、従ってレチクルパターン面での照明光の可干渉性が低かった。このため、特定のパターンの周囲にどのようなパターンがあっても、パターン間で相互に影響をおよぼし合うことは少なかった。ただし、従来においても、例えば微小四角形透過パターン（コンタクトホールパターン）の４隅をより角張らせるために、四角形の頂点近傍に補助パターンを追加する手法は報告されているが、これは、必要なパターン間の相互作用を考慮した補正ではない。
　【０００４】
　また最近、特公昭６２−５０８１１号公報に開示されているような位相部材付きのマスクを使った露光方法、いわゆる位相シフト法の効果を高める為に、本来のパターンの近傍に補助パターンを設ける方法等が報告されているが、これもやはり必要パターン間の相互作用を考慮して補正するものではない。また、上記方法の補正方法は、人手と経験等にたよるものであり、アルゴリズムの確立された自動補正方法とは言えないものであった。さらに、照明光学系のフーリエ変換面での照明光分布を輪帯状等に変更した投影型露光装置によって、パターンの解像度と焦点深度を改善できることが報告されている。
　【０００５】
　図１は照明光学系によるレチクルへの照明を特殊な方法に変更した装置の例を示し、レチクルＲと感光基板（ウェハ）Ｗとの間には投影光学系ＰＬが配置され、レチクルＲ上のパターンはウェハＷ上に結像される。このとき、レチクルＲは照明光学系内のコンデンサーレンズＣＬを介して露光用の照明光の照射を受けるが、照明光学系内のフーリエ変換面には照明光ＩＬを輪帯状に制御する空間フィルターＳＦ１、もしくはフーリエ変換面内の離散的な２〜４ヶ所に微小円形開口を有する空間フィルターＳＦ２が配置される。これらの空間フィルターＳＦ１、又はＳＦ２によって、レチクルＲには、投影レンズＰＬの光軸と平行な光線成分が除去され、特定の角度の光線成分のみをもった照明光が達する。空間フィルターＳＦ１、ＳＦ２は照明光学系のフーリエ変換面に配置されるが、空間フィルターＳＦは投影光学系ＰＬの瞳面ｅｐとも共役となる。
　【０００６】
　このように、照明光学系によってレチクルＲに対する照明光束の配向特性を特殊なものにすると、パターンの解像度と焦点深度とを１０〜４０％程度改善することが可能である。
　【０００７】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、図１のように照明光学系に変更を施した露光装置を使用する場合、レチクルに対する照明光束の入射方向が、従来とは異なる方向で制限される。このため、従来とは異なる可干渉性がレチクル上の照明光束に生じ、近接パターン同士の相互作用が無視できない状態となってしまう。このため、レチクル上で同一寸法のパターンが数個存在する場合、そのウェハへの露光転写像（フォトレジスト像）は、それぞれのパターンの周辺のパターンによって、線幅が太く、あるいは細くなるという問題が生じてしまう。
　【０００８】
　実験等によって得られた結論から述べると、図１のような特殊な照明光学系を使う場合においては、周期的パターンのレジスト線幅に比べ、孤立的パターン及び、周期的パターンの周期方向の終端部のレジスト線幅が細くなる傾向にある。これはもちろん、比較すべきパターンがレチクル上同一サイズであり、同一露光量で露光転写されることを前提としている。さらに、孤立的なパターンがライン状であるとすると、そのラインの長手方向についても寸法が若干短くなることがわかった。
　【０００９】
　従って、上述の如き露光技術を使用する場合に、レジスト像として（すなわち、パターンエッチング後の回路パターンサイズとして）、周期的パターンと孤立的パターンの両者を共に所望の線幅及び長さとする為には、レチクルパターン上の各パターンの形状に予め修正を加えておく必要がある。
　しかしながら従来においては、そのような修正を自動的に行なう為のアルゴリズム（補正方法）及び修正装置は確立されていなかった。
　【００１０】
　本発明は、このような補正を自動的に行なう為のアルゴリズム及び修正処理装置を備えたマスクパターンの作成システムの提供を目的とし、かつ補正の施されたレチクルの量産を可能とすることを目的とする。
　【００１１】
　【課題を解決する為の手段】
　上記目的のために
請求項１に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否か、及び該対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定し、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在するときは、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であるときは、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定することとした。
　また、請求項１４に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成方法において、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定し、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが前記終端近傍であるときは、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定することとした。
　また、請求項２０に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素のエッジが他のパターン要素から一定間隔以上離れているか否かを検定する第１検定手段と、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが該パターン要素の長手終端近傍であるか否かを検定する第２検定手段と、前記第１検定手段によって、前記一定間隔以上離れているエッジが前記対象となるパターン要素の少なくとも一部に存在すると検定されたとき、前記一定間隔以上離れているエッジが前記設計データに比べて外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定すると共に、前記第２検定手段によって、前記対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが前記長手終端近傍であると検定されたとき、該長手終端近傍のエッジが前記パターン要素の線幅を規定する他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記作成データを決定するパターンデータ作成手段ととした。
　また、請求項２８に係る本発明では、感光基板上に転写すべきパターンの少なくとも一部に含まれる複数のパターン要素を、マスクとなる原版上に形成するために、前記複数のパターン要素の設計データに基づいて前記各パターン要素の作成データを決定するパターン作成システムにおいて、前記複数のパターン要素のうち対象となるパターン要素の線幅を規定するエッジが終端近傍であるか否かを検定する検定手段と、前記対象となるパターン要素の着目するエッジが終端近傍であるとき、該着目するエッジが他のエッジに対して外側に拡張されるように、前記対象となるパターン要素の作成データを決定するパターンデータ作成手段とを備える構成とした。
　【００１２】
　【作用】
　図２は従来のパターン形状の一例を示し、図２（Ａ）はレチクル上の設計値に基づいたパターン形状を示す。このパターン形状は、５本のラインアンドスペースであり、ここでは５本のライン部（閉領域）ＰＣ１、ＰＣ２、ＰＣ３、ＰＣ４、ＰＣ５が露光光に対する透明部であり、その周囲（下地）は遮光部であるものとする。もちろん、透明部と遮光部の関係はその逆であっても同じである。
　【００１３】
　図２（Ａ）において、５本のライン部のうち中央の１本のライン部ＰＣ３は他のライン部に比べて２倍程度長い。このため、ライン部ＰＣ３の一部は、他のライン部との周期的な相関を持たない孤立的な部分になっている。また、周期方向の両端に位置する２本のライン部ＰＣ１、ＰＣ５についても、周期方向の片側のみにライン部ＰＣ２、ＰＣ４が隣接するだけなので、部分的に孤立的とも言える。尚、図２（Ａ）のライン幅は投影露光装置の解像限界に近い値とする。
　【００１４】
　このようなレチクルパターンを、図１に示した特殊照明光学系をもつ投影露光装置によって感光基板上に投影露光し、露光された基板を現像すると、図２（Ｂ）のようなレジスト像が得られる。図２（Ｂ）において中央のライン部ＰＣ３に対応したレジスト像は、先端の孤立的な部分でライン幅が設計値よりも細くなり、同時に両端の２本のライン部ＰＣ１、ＰＣ５の夫々に対応したレジスト像も、全体に細くなっている。さらに、５本のライン部の夫々は、ラインの長手方向についても若干短くなっている。
　【００１５】
　そこで、図２（Ａ）に示した設計上のレチクルパターンを、図３（Ａ）に示すように、ライン部の一部のパターン線幅及びライン長さを修正して、最終的に得られるレジスト像を、図３（Ｂ）のように設計上の形状、寸法と一致させるのである。
　図３（Ａ）において、中央のライン部ＰＣ３はライン部ＰＣ３’のように、周囲パターンとの相関から周期性の強い中央部以外はライン終端にいくに従って線幅を所定量だけ太らせるとともに、ライン長手方向にも拡張する。但し、ライン長手方向の拡張は必ずしも必要ではない。さらに、両端の２本のライン部ＰＣ１、ＰＣ５は夫々ライン部ＰＣ１’、ＰＣ５’のように、全体の線幅を太らせるとともに、終端部でさらに所定量太らせる。但し、ライン部ＰＣ１’、ＰＣ５’については、隣接するライン部ＰＣ２、ＰＣ４が存在しない側のエッジのみを太らせるようにする。そして、ライン部ＰＣ２、ＰＣ４については、ラインの両終端部で一定量だけ線幅を太らせる。これらライン部ＰＣ１’、ＰＣ５’、ＰＣ２’、ＰＣ４’は、いずれも長手方向の寸法も一定量だけ拡張される。
　【００１６】
　このようなパターン修正を自動的に行うために、図４に示すように、鳥が翼を広げて滑空しているような形状の検定子を用意する。この検定子は、例えば図２（Ａ）に示した設計上のパターンの２値化されたビットイメージ上を画素（ビット）単位で走査して、着目するパターンエッジを修正すべきか否かを判断するために使われる一種のテンプレートでもある。
　【００１７】
　図４において、画素点Ａｐｘは着目すべきレチクルパターン上の点であり、直線状の領域Ｃｐｘ、長方形、又は楕円形の領域Ｂｐｘ、２枚の羽根状の領域ＤＡｐ、ＥＡｐ、及び４つの円形状の領域ＤＢｐ、ＤＣｐ、ＥＢｐ、ＥＣｐは、点Ａｐｘのパターンエッジ部を修正するか否かを決定するための検定子である。図４の検定子テンプレートは着目点Ａｐｘに対して直線状の検定子Ｃｐｘを先頭にして、ビットイメージに対し同図中右方向に走査される。図４に示すようにＸＹ座標系を定めると、直線状検定子Ｃｐｘは着目点Ａｐｘと同一のＹ座標上に設定され、着目点Ａｐｘとは＋Ｘ方向に距離Ｌだけ隔てられ、かつＸ方向の長さも距離Ｌに定められる。この距離Ｌは図１に示した投影露光装置で得られる解像限界の線幅値に対応して定められ、例えばウェハＷ上での解像限界を０．４μｍとし、投影レンズＰＬの縮小倍率を１／５とすると、距離Ｌはレチクルパターン上で約２μｍの寸法に対応する。
　【００１８】
　楕円状の検定子Ｂｐｘは、その中心が着目点Ａｐｘから−Ｘ方向に距離３Ｌ／２だけ隔てられ、かつＸ方向の幅がほぼＬに定められる。さらに、検定子ＢｐｘのＹ方向の幅はほぼ２Ｌに定められ、着目点Ａｐｘを通るＸ軸と平行な中心線ＣＣに関して対称な大きさとなっている。
　２枚のほぼ同じ大きさの羽根状の検定子ＤＡｐ、ＥＡｐは中心線ＣＣに対して対称に配置され、Ｘ方向の幅がＬ／２、Ｙ方向の幅が３Ｌ／２程度に定められる。２枚の羽根状検定子ＤＡｐ、ＥＡｐは中心線ＣＣ上で一部重複しており、その位置は着目点Ａｐｘから＋Ｘ方向にＬ／２の距離に設定される。
　【００１９】
　さらに４つの円形状の検定子ＤＢｐ、ＤＣｐ、ＥＢｐ、ＥＣｐの各中心は、中心線ＣＣから±Ｙ方向にいずれも距離Ｌの位置に設定され、さらに検定子ＤＢｐとＥＢｐの各中心は着目点Ａｐｘから＋Ｘ方向に距離３Ｌ／２だけ隔てられ、検定子ＤＣｐとＥＣｐの各中心は着目点Ａｐｘから−Ｘ方向に距離Ｌ／２だけ隔てられる。また、４つの検定子ＤＢｐ、ＤＣｐ、ＥＢｐ、ＥＣｐの大きさは半径がＬ／２〜Ｌ／４程度の円形に内包されるものとする。
　【００２０】
　これらの検定子Ｂｐｘ、Ｃｐｘ、ＤＡｐ、ＤＢｐ、ＤＣｐ、ＥＡｐ、ＥＢｐ、ＥＣｐは、着目点ＡｐｘにＹ方向に伸びたパターンエッジが位置したときに、各検定子に内包されるビットイメージの論理値「０」、「１」の状態を判断するように働く。従って、各検定子は、それらの領域内の全ての画素（ビット）をチェックするのではなく、その領域内の離散的な点を選んでチェックするだけで良い。また、距離Ｌは投影光学系ＰＬの解像限界程度の値（レチクル側での値）とするが、図１のような特殊な照明法によって解像力を上げた場合は、その向上した解像力によって得られる限界の線幅値（レチクル側での値）とほぼ等しくなるように定められる。また、円形状の検定子ＤＢｐ、ＤＣｐ、ＥＢｐ、ＥＣｐは、ここでは面積（半径Ｌ／２〜Ｌ／４）を有するものとしたが、それぞれの中心位置の１画素の点のみで判断するようにしても良い。
　【００２１】
　この図４の検定子のテンプレートは、パターンの２次元ビットイメージに対して相対的に＋Ｘ方向、すなわち線状検定子Ｃｐｘ側を先頭にしてスキャンされる。ただし実際は、テンプレート側をビットイメージ上で走査することは難しいので、テンプレートに対してビットイメージの方を１画素ずつＸ方向に１ライン分走査したら、Ｙ方向に１画素だけステップさせて再びＸ方向に走査することを繰り返していく。
　【００２２】
　次に、図４の検定子テンプレートを用いたパターン修正の判断アルゴリズムの原理を図５、図６を参照して説明する。まず、図５（Ａ）、（Ｂ）は、線幅が解像限界程度のＬ、長さが６Ｌ程度の孤立したラインパターンＰＡ（斜線部）を修正する例を示し、ラインパターンＰＡはここではレチクル上で遮光部となり、ビットイメージ上では論理値「１」をとるものとする。そして、その周辺部は全て透明部（下地）であり、論理値「０」をとるものとする。
　【００２３】
　図５（Ａ）は、このようなパターンＰＡのＹ方向に伸びるパターンエッジに着目点Ａｐｘが＋Ｘ方向に矢印のようにスキャンしながら当たった状態を示す。このとき、楕円状検定子Ｂｐｘ中に設定された検定ビットは全て論理値「０」（下地）であるので、着目点Ａｐｘに位置するパターンエッジ部は孤立的であると判断する。このとき着目点Ａｐｘのスキャン方向の逆方向（−Ｘ方向）にパターンエッジを一定量だけ拡張する。この拡張する量ΔＬは、図１の特殊照明法による露光の際は、寸法Ｌ（解像限界値）の１０〜１５％程度とする。
　【００２４】
　次に、検定子ＤＡｐ、ＤＢｐ、ＤＣｐ、検定子ＥＡｐ、ＥＢｐ、ＥＣｐ、及び直線状検定子Ｃｐｘを用いて、着目点のエッジ部がパターンＰＡの長辺側終端部近傍（以下、長手終端部と呼ぶ）か否かを判断する。図５（Ａ）の場合、２枚の羽根状検定子ＤＡｐ、ＥＡｐ内の検定ビットは全て論理「１」（パターン）であるので、着目点Ａｐｘのエッジ部は長手終端部近傍とは判断しない。従って、着目点Ａｐｘのエッジ部に対する線幅の補正量（太らせ量）はΔＬとなる。
　【００２５】
　次に、図５（Ｂ）のように、着目点ＡｐｘがパターンＰＡの長手終端部近傍のＹ方向に伸びたエッジ部に位置したものとする。この場合も、楕円状検定子Ｂｐｘ内の検定ビットは全て「０」（下地）であるので、着目点Ａｐｘのエッジ部は孤立的であると判断し、そのエッジ部の線幅がΔＬだけ太るように修正する。
　さらにここでは、羽根状検定子ＤＡｐ内に論理「０」（下地）と論理「１」（パターン）とが混在している。このときは、着目点Ａｐｘのエッジ部が長手終端部近傍である可能性があるので、同時に検定子ＤＢｐ、ＤＣｐ内のビットデータを検査する。ここでは検定子ＤＢｐ、ＤＣｐ共に全て論理「０」（下地）であるので、着目点Ａｐｘのエッジ部が長手終端部である可能性がまだある。そこで、さらに直線状検定子Ｃｐｘ内のビットデータを検査する。ここでは検定子Ｃｐｘ内の少なくとも一部（又は全部）に論理「０」（下地）のビットを含むので、最終判断として着目点Ａｐｘでのエッジ部は長手終端部近傍と判断し、着目点Ａｐｘのエッジ部の線幅をさらにΔＬ（合計２・ΔＬ）だけ太らせる。
　【００２６】
　図５（Ｃ）、（Ｄ）はラインパターンＰＡの２本を間隔Ｌで平行に並べた場合である。２本のラインパターンＰＡの長さはともに６Ｌである。図５（Ｃ）のように２本のラインパターンＰＡのうち右側のパターンの左エッジに着目点Ａｐｘが位置すると、検定子Ｂｐｘは全て論理「１」であるので、着目点Ａｐｘのエッジ部は孤立的ではないと判断される。同時に、羽根状検定子ＤＡｐ、ＥＡｐ内も全て論理「１」であるので、着目点Ａｐｘのエッジ部は長手終端部でもないと判断される。従って、図５（Ｃ）中の着目点Ａｐｘの位置では、パターンの線幅は変更されない。
　【００２７】
　さらに、図５（Ｄ）のように着目点Ａｐｘが位置すると、検定子Ｂｐｘ内には論理「０」と「１」とが混在するので、着目点Ａｐｘのエッジ部は孤立的ではないと判断する。このとき、羽根状検定子ＤＡｐは論理「０」を含み、かつ検定子ＤＢｐ、ＤＣｐは全て論理「０」、かつ直線状検定子Ｃｐｘは論理「０」を含むので、着目点Ａｐｘのエッジ部は長手終端部と判断され、線幅をΔＬだけ太らせる補正を行う。
　【００２８】
　図６（Ａ）、（Ｂ）は幅Ｌ、間隔Ｌのラインパターンが９０°のコーナーを形成する２つのパターンＰＭ、ＰＮの例である。図６（Ａ）の場合、検定子Ｂｐｘ内は全て論理「０」であるので、着目点Ａｐｘのエッジ部は孤立的であると判断され、そのエッジ部をΔＬだけ拡張する。このとき、羽根状検定子ＤＡｐ内には「０」が含まれるので、検定子ＤＢｐ、ＤＣｐについても検査するが、検定子ＤＢｐが「１」を含むので、結局着目点Ａｐｘのエッジ部はパターンＰＮの長手終端部とは判断されない。従って、合計の補正量（線幅の太らせ量）は、ΔＬ（孤立的と判断された分）となる。
　【００２９】
　また、図６（Ｂ）の場合、検定子Ｂｐｘ内には「１」が含まれるので、着目点Ａｐｘのエッジ部は孤立的ではないと判断される。この図６（Ｂ）のときも、図６（Ａ）と同様に、羽根状検定子ＤＡｐは「０」を含み、かつ検定子ＤＢｐ、ＤＣｐには「１」が含まれない（全て「０」）が、直線状検定子Ｃｐｘ内は全て「１」であるので、着目点Ａｐｘのエッジ部はパターンＰＭの長手終端部とは判断されない。従って、図６（Ｂ）の場合、着目点Ａｐｘのエッジ部は孤立でも長手終端部でもないので、線幅の補正は行わない。
　【００３０】
　さて、図６（Ｃ）、（Ｄ）は以上と異なり、検定子テンプレートを今までの状態から時計回りに９０°回転させたものであり、かつスキャン方向も−Ｙ方向となっている。図６（Ｃ）の場合、孤立した１本のラインパターンＰＡの長手端部のエッジに着目点Ａｐｘが位置するが、このとき検定子Ｂｐｘ内は全て「０」（「１」を含まない）ので、着目点Ａｐｘのエッジ部はとりあえず孤立と判断され、ΔＬだけ補正される。同時に、検定子ＤＡｐ、ＥＡｐ内には共に「０」が含まれるが、検定子ＤＡｐに対してスキャン方向の前後に位置する検定子ＤＢｐ、ＤＣｐを検査すると、これらの検定子ＤＢｐ、ＤＣｐはいずれも「１」を含まず、さらに検定子ＥＡｐに対してスキャン方向の前後に位置する検定子ＥＢｐ、ＥＣｐを検査すると、これらの検定子ＥＢｐ、ＥＣｐはいずれも「１」を含まない。さらに検定子Ｃｐｘを検査すると、検定子Ｃｐｘは「０」を含まない（全て「１」）なので、結局、着目点ＡｐｘのエッジはラインパターンＰＡの長手方向を規定するエッジと判断される。ただしこの場合、ライン幅を規定するエッジの長手終端部ではないので、そのことによる線幅の補正は行わない。
　【００３１】
　従って、着目点Ａｐｘのエッジ部における線幅（ここでは長さ）はそのエッジ部が孤立した部分であることから、＋Ｙ方向（スキャン方向の−Ｙ方向の逆方向）に＋ΔＬ（孤立的と判断された分）だけ拡張される。
　次に、図６（Ｄ）のように、幅Ｌ、長さ６Ｌの２本のラインパターンＰＡ、ＰＢが、Ｔの字状に間隔Ｌだけ離れて位置している場合を考える。このとき、図６（Ｃ）のように検定子テンプレートを−Ｙ方向にスキャンし、着目点がパターンＰＡの長手端部のエッジにきたものとする。このとき、検定子Ｂｐｘは「１」を含むので、着目点のエッジは孤立でないと判断される。また、検定子Ｃｐｘ、ＤＡｐ、ＤＢｐ、ＤＣｐ、ＥＡｐ、ＥＢｐ、ＥＣｐの各状態は図６（Ｃ）と同じであり、従ってパターンＰＡ、ＰＢの全体からみて、着目点Ａｐｘのエッジは長手終端でもないと判断する。従って、図６（Ｄ）の着目点ではパターンは補正されない。
　【００３２】
　以上のアルゴリズムを整理すると以下のようになる。
（Ａ）孤立判断
　楕円状検定子Ｂｐｘ内に「１」を含まないとき。
（Ｂ）長手終端判断
　▲１▼第１判断
　検定子ＤＡｐｘが「０」を含み、かつ検定子ＤＢｐ、ＤＣｐが「１」を含まず、かつ検定子Ｃｐｘが「０」を含むとき。
　【００３３】
　▲２▼第２判断
　検定子ＥＡｐが「０」を含み、かつ検定子ＥＢｐ、ＥＣｐが「１」を含まず、かつ検定子Ｃｐｘが「０」を含むとき。
　以上の長手終端判断は▲１▼か▲２▼の少なくとも一方が成立すれば、着目点のエッジ部は長手終端近傍と判断される。ただし▲１▼、▲２▼の両方が同時に成立しても修正量（拡張量）を倍にする必要はない。
　【００３４】
　以上のような修正を、図４に示した検定子テンプレートを＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ、−Ｙの４方向にスキャンして実行した結果を図７に示す。この際各方向のスキャン時には、検定子テンプレートは回転した位置関係となり、直線検定子Ｃｐｘがスキャンの前方を向くように設定される。
　図７（Ａ）は図５（Ａ）、（Ｂ）及び図６（Ｃ）に示す孤立ラインパターンＰＡの修正後の形状を示す。図７（Ａ）においてパターンＰＡの長手方向の中央部分は線幅がＬからＬ＋２ΔＬに拡張され、長手終端部から長さ３Ｌ／２の部分は線幅がＬからＬ＋４ΔＬに拡張される。さらに長手方向の終端エッジも、長手方向にΔＬだけ修正される。この結果、修正後のパターンは全長が６Ｌ＋２ΔＬに拡張される。
　【００３５】
　図７（Ｂ）は図５（Ｃ）、（Ｄ）に示した２本の平行なラインパターンＰＡの修正後の形状を示す。図７（Ｂ）に示すように、２本のラインパターンの間隔（スペース部）の値Ｌは修正後も保存され、２本のラインパターンはともに孤立性の高いエッジ側が特に強く拡張される。ここでも２本のラインパターンの全長は６Ｌ＋２ΔＬに伸びる。この２本のラインパターンは、その１本についてみると、Ｘ方向に関して非対称に拡張されるが、２本のラインパターンを一体のパターンとしてみると、Ｘ方向の対称性は保たれている。従って、２本のラインパターンのうち例えば左側のラインパターンは左側のエッジが全体にΔＬだけ拡張され、長手終端部近傍ではさらにΔＬだけ（計２ΔＬ）拡張される。従って、図７（Ｂ）の場合、長手終端部での線幅はＬ＋３ΔＬに修正される。
　【００３６】
　図７（Ｃ）は、図６（Ａ）、（Ｂ）に示した２つのＬ字状のパターンＰＮ、ＰＭの修正後の形状を示す。まず２つのパターンＰＮ、ＰＭの間のスペース部（設計間隔Ｌ）を規定するエッジのうち、長手終端部近傍以外は修正されない。そしてパターンＰＮ、ＰＭの長手終端近傍では、互いに対向する内側のエッジ部がΔＬだけ拡張される。またパターンＰＮ、ＰＭの長手終端を規定する各エッジ部も、その長手方向にΔＬだけ拡張される。さらにパターンＰＮの左側と上側の各エッジは全長に渡ってΔＬだけ拡張され、その各エッジの長手終端部側の３Ｌ／２の部分はさらにΔＬだけ太らせられる。同様にパターンＰＭの右側と下側のエッジに関しては、その長手終端部近傍で２ΔＬで一様に、又はΔＬと２ΔＬの段階状に修正される。段階状にパターンエッジが拡張される場合、図４の検定子テンプレートの条件ではΔＬの拡張はエッジ方向にＬ／２に渡って行われ、２ΔＬの拡張はエッジ方向にＬに渡って行われる。
　【００３７】
　図７（Ｄ）は図６（Ｄ）のパターンＰＡ、ＰＢの修正後の形状を示す。ここでもパターンＰＡは幅方向（Ｘ方向）に関して図７（Ａ）のように修正されるが、長手方向に関してはパターンＰＢに隣接した側のエッジ部は何も修正しない。パターンＰＢについては、長手方向について２ΔＬだけ修正され、パターンＰＢのパターンＰＡと反対側のエッジ（同図中で上側のエッジ）については全長に渡ってΔＬだけ修正され、さらに長手終端近傍ではΔＬだけ修正される。またパターンＰＢの下側のエッジでは隣接してパターンＰＡが存在するので、そのエッジの全長の中央部分は何も修正されない。
　【００３８】
　以上のように、本発明によるアルゴリズムに従うと、図１のような特殊な照明方を採用した投影露光装置を用いたとしても、ウェハＷ上に転写される解像限界程度の線幅の微細パターンは先細りもなく、設計値通りになる。そこで、上述の原理に従った具体的な装置の一例を以下の実施例で説明する。
　【００３９】
　【実施例】
　図８は本発明の実施例によるマスク（レチクル）製造システムを模式的に表したブロック図である。一般に縮小投影露光装置（ステッパー等）で使われるマスクはレチクルと呼ばれ、レチクルにはその縮小率の逆数倍だけ拡大されたパターンが形成される。レチクルの製造にあたっては、磁気テープに記録された形成すべきパターンのＣＡＤ情報（設計データ）がテープリーダ（ＭＴＲ）１で読み出され、その情報はビットイメージ展開用のハードウエアロジック（展開手段）２によって２値化されたイメージ（画像）に変換される。そのビットイメージ情報はフレームメモリ３に蓄積されるが、レチクル上の全面のイメージが一度に変換されるのではなく、ある一部分の局所領域（例えば５ｍｍ角）毎に変換される。この局所領域は電子ビーム（ＥＢ）露光装置４のビーム走査によって一度に露光できる基板Ｍ上の大きさに対応している。そして、１つの局所領域の露光が終わったら、隣りの局所領域が露光エリア内に入るように、感応性の基板Ｍを保持するステージ７をステージ制御系６によって精密に一定量だけ送るのである。同時にフレームメモリ３には、隣りの局所領域内のパターンに対応したビットイメージが変換されて蓄積されている。ビーム制御系５はフレームメモリ３からのビットイメージのデータに応じて、電子ビームのスポットを基板Ｍ上の定められた点（画素）に照射するか否かを、ビーム走査中に高速に切り替えていく。電子ビームによる基板Ｍへのパターン描画には、ラスタースキャン、ベクタースキャン、可変矩形ビーム等、いくつかの方式が実用化されているが、いずれの場合も、パターンのＣＡＤ情報はフレームメモリ３上にビットイメージとして展開されている。そこで本実施例では、フレームメモリ３に展開された設計上のビットイメージに対して所望の修正を行うための修正装置（ハードウエアとソフトウエア）１０を付加した。
　【００４０】
　フレームメモリ３内には、１画面分の画素として例えば５万×５万個分用意されている。従って、ＥＢ露光装置４の１回の露光エリアを５ｍｍ角とすると、フレームメモリ３内の１画素（ビット）は基板Ｍ上で０．２μｍ角に相当し、さらにこの基板Ｍがレチクルとして１／５縮小ステッパーに搭載されると、その１画素はウエハ上で０．０４μｍ角に相当する。今、ウエハ上で要求されている最小線幅が０．４μｍとすると、これはレチクル上では２μｍになり、ビットイメージ上では１０画素分に相当する。
　【００４１】
　通常、レチクル上のパターン要素の多くは、ビットイメージ内の画素の配列方向（ＸＹ方向）と平行なエッジで構成され、４５°（１３５°）等の傾いたエッジは少ない。また、以下の説明では、パターン要素はレチクル上でクロム等の遮光層として形成されるものとし、遮光層となる画素内には論理値「１」が記憶され、それ以外の透明部となる画素内には論理値「０」が記憶されるものとする。従って、基板Ｍの表面にクロム層が蒸着され、さらにその上に電子ビーム用のポジタイプのレジストが塗布されている場合、ビーム制御系５はフレームメモリ３からの画素の値が「１」のときはビームスポットのその位置での照射をオフにし、「０」のときはスポット照射をオンにする。
　【００４２】
　さて、図９は本発明のパターン作成システムに対応し、図８中の修正装置１０の概略的な構成を示すブロック図である。フレームメモリ３上に展開された１画面分のビットイメージのデータは、「０」、「１」のシリアルデータに変換されて端子ＴＰに印加される。フレームメモリ３から読み出されたビットシリアルなデータは端子ＴＰとスイッチＳＷ１を介して切り出し窓用のシフトレジスタ群ＳＲ１の初段のシフトレジスタＷＲ１に入力する。このシフトレジスタＷＲ１からの出力デ一夕は、次のシフトレジスタ群ＳＲ２の初段のシフトレジスタＤＲ１に入力する。そして、シフトレジスタＤＲ１の出力データは再びシフトレジスタ群ＳＲ２の２段目のシフトレジスタＷＲ２に入力する。こうして、フレームメモリ３からのビットシリアルなデータは、各シフトレジスタＷＲ１、ＤＲ１、ＷＲ２、ＤＲ２、・・・ＷＲｍ、ＤＲｍの順に次々に１ビットずつシフトされていく。
　【００４３】
　ここで、シフトレジスタ群ＳＲ１の各シフトレジスタＷＲ１〜ＷＲｍのビット数ｂｗは、４０ビット〜６０ビット程度に定められ、シフトレジスタ群ＳＲ２の各シフトレジスタＤＲ１〜ＤＲｍのビット数はいずれもｎ−ｂｗに定められる。すなわち、シフトレジスタＷＲ１とＤＲ１とのビット数の合計が１画面内の１ライン分のビット数ｎ（例えば５０，０００）に等しくなるように設定される。また、各シフトレジスタ群ＳＲ１、ＳＲ２を構成するシフトレジスタＷＲｍ、ＤＲｍの段数ｍは、シフトレジスタＷＲ１〜ＷＲｍのビット数ｂｗと等しく定められ、ビット数ｂｗが４０のときはｍ＝４０である。これは、シフトレジスタ群ＳＲ１による切り出し窓（ｂｗ×ｂｗビット）をビットイメージ上で正方形にするためであるが、必ずしも正方形である必要はない。
　【００４４】
　さて、切り出し窓内の着目点Ａｐｘに相当する中心ビットのシリアルデータＤＣｏは、所定ビット数分だけ遅延させるシフトレジスタ１００によって遅延されたシリアルデータＤＣｏ’となってオア回路１０４に入力する。一方、切り出し窓内の複数の検定用ビットからのシリアルデータの群ＤＣｓとデータＤＣｏは、図４のようなテンプレートを有する検定ロジック回路１０２に入力し、ここで着目する中心ビットに位置するパターンエッジに修正を加えるかどうかが判断され、修正が必要なときはビット単位で修正データ（論理値「１」か「０」のいずれか一方）ＤＰをオア回路１０４に出力する。オア回路１０４は、設計上のオリジナルのビットイメージデータ（ＤＣｏ’）と修正部分のみのデータ（ＤＰ）との論理和を取り、その修正結果のシリアルデータを、少なくとも２画面分のフレームメモリ１１０Ａと書き込み、読み出し制御部１１０Ｂとで構成される一時記憶部１１０に出力する。
　【００４５】
　先にも述べたように検定子テンプレートとビットイメージとは、＋Ｘ，−Ｘ，＋Ｙ，−Ｙの計４方向について相対スキャンを行う必要がある。そこで本実施例では、例えば＋Ｘ方向のスキャンによる修正については、フレームメモリ３からスイッチＳＷ１を介してビットイメージデータを読み込む際に行い、その修正結果を一時記憶部１１０のフレームメモリ１１０Ａの１画面目に一時的に格納する。そして、次に−Ｘ方向のスキャンによって修正を行うときは、スイッチＳＷ１を図示の状態から切り換えて、その一時記憶部１１０からのビットイメージデータの読み出し方が−Ｘ方向となるように制御し、再び切り出し窓を通して修正されたデータをメモリ１１０Ａの２画面目に記憶する。＋Ｙ方向、−Ｙ方向のスキャン時も同様である。
　【００４６】
　４つのスキャンモードは同時にはできないので、結局、一時記憶部１１０からの１画面分のビットシリアルデータの読み出しは２画面分のメモリを順次切り替えて合計３回行われる。このように１画面当たり４回のスキャンが必要なのは、本実施例における検定ロジック回路１０２の特性によるものである。従って、検定ロジックのアルゴリズムを工夫すれば、１回のスキャンのみで２次元に修正された修正データを得ることは可能である。
　【００４７】
　こうして、１回のスキャン方向について一時記憶部１１０に格納された修正ビットイメージデータは、スイッチＳＷ２とスイッチＳＷ１と介してビットシリアルなデータとなって再びシフトレジスタ群ＳＲ１に送られ、別のスキャン方向について同様の修正が行われる。こうして４方向のスキャンが終了すると、一時記憶部１１０内の最終的な修正ビットイメージデータ（シリアル）はスイッチＳＷ２を介してフレームメモリ３へ戻される。以上によりフレームメモリ３内の設計データに基づいたビットイメージは、所定のパターン修正が行われた後のビットイメージに変換される。
　【００４８】
　尚、実際のレチクル製造時には、以上のような修正作業（ＭＴＲ１→展開手段２→フレームメモリ３→修正装置１０→フレームメモリ３）を各画面毎に繰り返して行い、各画面毎に得られた修正ビットイメージデータを、フレームメモリ３内から別のＭＴＲへ順次転送しておき、ＥＢ露光装置４による基板Ｍへの描画時に、その別のＭＴＲから画面毎に修正ビットイメージデータをフレームメモリ３へ読み出すようにする。
　【００４９】
　以上、図９のブロック図は概略的なものであり、実際はシフトレジスタ群ＳＲ１、ＳＲ２のシフト動作、検定ロジック回路１０２の検定タイミング、あるいはフレームメモリ３、一時記憶部１１０の各アドレス指定タイミング等を統括的にコントロールするためのプロセッサーやクロックジェネレータが用意されている。
　【００５０】
　図１０は、図９のシフトレジスタ群ＳＲ１による切り出し窓を表し、図１０中の１つの枡目がシフトレジスタ上の１ビットに相当し、ここでは左上隅のビットがシフトレジスタＷＲ１の１ビット目に対応する。この切り出し窓はＸ方向に４１ビット、Ｙ方向に４１ビットで構成されるため、図９のシフトレジスタＷＲ１、ＷＲ２―ＷＲｍはいずれも４１ビットであり、その段数ｍも４１である。■印で示した着目点（ビット）Ａｐｘは、切り出し窓の画素配列を左上隅の画素を原点（１、１）としたＸＹ座標系で規定したとき、座標（２１、２１）に設定される。また、図１０は、図４で示した検定子用テンプレートを着目ビットＡｐｘを中心に１８０°回転させたものである。従って直線状検定子Ｃｐｘは着目点Ａｐｘの左側に位置する。これは、切り出し窓内に現れるビットイメージが、図１０中で常に左から右へ（＋Ｘ方向へ）１ビットずつシフトしていくからである。
　【００５１】
　さて本実施例では、解像限界の寸法値Ｌがビットイメージ上で１０画素に対応するものとし、エッジの修正量（太らせ量）ΔＬは線幅Ｌの１０〜１５％程度ということから、１画素分ということにする。そこで、切り出し窓内で着目ビットＡｐｘから−Ｘ方向に１０ビットの間隔をあけたビット（１０、２１）から窓内の左側のビット（１、２１）までの１０ビットの直線状領域を検定子Ｃｐｘとする。この検定子Ｃｐｘ内にはＸ方向に１０ビットが並ぶが、そのうち４つのビット（１、２１）、（４、２１）、（７、２１）、（１０、２１）を検定ビットとする。
　【００５２】
　楕円状検定子Ｂｐｘは、着目ビットＡｐｘから＋Ｘ方向に１０ビットの間隔をあけた検定ビット（３２、２１）と、このビット（３２、２１）から＋Ｘ方向の９番目に位置する検定ビット（４１、２１）とによって、スキャン方向の幅（ほぼＬ）が規定される。さらに楕円状検定子ＢｐｘのＹ方向の寸法（ほぼ２Ｌ）は４つの検定ビット（３４、１１）、（３９、１１）、（３４、３１）、（３９、３１）によって規定される。その他、検定子Ｂｐｘの輪郭を規定するために４つの検定ビット（３２、１６）、（４１、１６）、（３２、２６）、（４１、２６）が規定される。
　【００５３】
　羽根状検定子ＤＡｐは、図４の寸法に従ってＸ方向にＬ／２の幅でＹ方向に３Ｌ／２の長さをしめるように、９つの検定ビット（１５、２１）、（１４、１９）、（１６，１９）、（１３，１６）、（１７，１６）、（１３，１１）、（１７、１１）（１４、６）、（１７、６）で輪郭が規定される。羽根状検定子ＥＡｐを規定する検定ビットは、Ｙ座標値＝２１の中心ラインに関して検定子ＤＡｐと対称に配置され、ビット（１５、２１）、（１４、２３）、（１６、２３）、（１３、２６）、（１７、２６）、（１３、３１）、（１７、３１）、（１４、３６）、（１７、３６）の９つで構成される。これらの検定ビットのうちビット（１５、２１）が２つの羽根状検定子ＤＡｐ、ＥＡｐの重複部である。
　【００５４】
　さらに４つの円形状検定子ＤＢｐ、ＤＣｐ、ＥＢｐ、ＥＣｐについては、本実施例ではいずれも１ビットで構成するものとし、その座標値はそれぞれ（６、３１）、（２６、３１）（６、１１）、（２６、１１）とする。尚、本実施例では着目ビットＡｐｘ（２１、２１）にパターンのＹ方向に伸びたエッジが位置したか否かを検知するために、着目ビットＡｐｘの右隣りに検定ビット（２１、２２）を設定する。従って、着目ビットＡｐｘが論理「１」（パターン側）で、隣のビット（２１、２２）が論理「０」（下地側）であるとき、着目ビットにパターンエッジが位置したと判断できる。
　【００５５】
　以上の各検定ビットからのシリアルビットデータの群は、図９のようにデータＤＣＳとして検定ロジック回路１０２へ出力される。検定ロジック回路１０２内には各検定子の働きに対応したロジック演算器が設けられている。
　図１１（Ａ）は楕円状検定子Ｂｐｘを構成する１０ビットの各データの論理和を算出するノア（ＮＯＲ）回路２００を示し、図１１（Ｂ）は直線状検定子Ｃｐｘを構成する４ビットの各データの論理積を算出するナンド（ＮＡＮＤ）回路２０２を示す。ノア回路２００は、入力する１０ビットのデータの全てが「０」（透明部）になっていれば、出力ＬＧＢを「１」にして、着目ビットＡｐｘに位置するパターンエッジ部が図１０中の右側からみて孤立的であると判定する。同様にナンド回路２０２は入力する４ビットのうちいずれか１ビットでも「０」になっていれば、出力ＬＧＣを「１」にして、着目ビットＡｐｘに位置するパターンエッジ部が図１０中の左側からみて孤立的であると判定する。
　【００５６】
　図１１（Ｃ）は着目ビットでのエッジの有無を検知する回路を示し、着目ビット（２１、２１）からのデータＤＣ０はアンド回路２０３とエクスクルーシブオア（ＥＸオア）回路２０４との一方の入力に印加される。着目ビットの隣のビット（２２、２１）からのデータはＥＸオア回路２０４の他方の入力に印加され、ＥＸオア回路２０４の出力はアンド回路２０３の他方の入力に印加される。この図１１（Ｃ）の回路において、着目ビットＡＰＸが「１」で隣りのビット（２２、２１）が「０」のとき、ＥＸオア回路２０４は論理「１」を出力するから、アンド回路２０３の出力ＥＤは「１」になる。それ以外の入力条件のとき出力ＥＤは「０」のままである。
　【００５７】
　図１２は２つの羽根状検定子ＤＡｐ、ＥＡｐの働きをロジックとして表したものである。羽根状検定子ＤＡｐ、ＥＡｐはいずれもその領域内に何らかのパターンエッジが存在するか否かを検知すればよいので、それぞれ９ビット入力のナンド（ＮＡＮＤ）回路２０５、２０６で構成し、ナンド回路２０５は検定子ＤＡｐ内が全てパターン（論理「１」）のときのみ出力ＬＧＤａを「０」にし、何らかの透明部（論理「０」）が混在するときは出力ＬＧＤａを「１」にする。ナンド回路２０６も同様に、検定子ＥＡＰ内が全てパターンのときのみ出力ＬＧＥａを「０」にし、それ以外のときは「１」にする。
　【００５８】
　図１３は、図１０にした各検定子からの情報を総合的に判定するロジック回路を示す。まずエッジ判定用のアンド回路２０３からの出力信号ＥＤは、２つのアンド回路２０７、２０８の夫々の一方の入力に印加される。アンド回路２０７の他方の入力には、ノア回路２００からの出力信号ＬＧＢが印加される。従ってアンド回路２０７は，着目ビットがエッジ位置と一致して信号ＥＤが「１」になった時点で、楕円状検定子Ｂｐｘ内に何もパターンがないとして信号ＬＧＢが「１」になっているとき、出力ＫＡを「１」にして、そのエッジが孤立的であることを表す。
　【００５９】
　一方、アンド回路２０８の他方の入力には、オア回路２１１を介して、２つのアンド回路２０９、２１０の出力信号が印加される。４入力のアンド回路２０９は、インバータ（ＮＯＴ）を介して切り出し窓内の検定子ＤＢｐ（６、３１）のデータと、検定子ＤＣｐ（２６、３１）のデータとを入力するとともに、ナンド回路２０５の出力信号ＬＧＤａとナンド回路２０２の出力信号ＬＧＣとを入力し、それら４つの信号の論理積をオア回路２１１の一方の入力に印加する。同様に、４入力のアンド回路２１０は、インバータ（ＮＯＴ）を介して切り出し窓内の検定子ＥＢｐ（６、１１）のデータと検定子ＥＣｐ（２６、１１）のデータとを入力するとともに、ナンド回路２０６の出力信号ＬＧＥａとナンド回路２０２の出力信号ＬＧＣとを入力し、それら４つの信号の論理積をオア回路２１１の他方の入力に印加する。この２つのアンド回路２０９、２１０は先に原理説明した長手終端部判断（Ｂ）の▲１▼、▲２▼の各条件式を演算するものである。
　【００６０】
　従って、信号ＥＤが「１」のときにオア回路２１１が「１」を出力していれば、着目ビットＡｐｘに位置するエッジ部が長手終端部近傍であるとして、アンド回路２０８の出力ＫＢは「１」になる。
　図１４は、孤立的なエッジの判定結果を表す信号ＫＡと長手終端部近傍のエッジの判定結果を表す信号ＫＢとに基づいて、切り出し窓を介して得られるビットイメージ上の着目ビットのエッジに対して修正ビットデータを印加する回路の一例を示す。この回路も図９中の検定ロジック回路１０２内に設けられる。
　【００６１】
　まず図１４において、信号ＫＡと信号ＫＢは、２入力のオア回路２２０を介してダイミング制御回路２２１へ印加される。オア回路２２０の出力は、さらにプリセット可能な４ビットのシフトレジスタ２２２のＬＳＢ（最下位ビット）にプリセットデータとして印加されるとともに、スイッチＳＷａを介してシフトレジスタ２２２の２ビット目にもプリセットデータとして入力可能となっている。
　【００６２】
　先にも述べたように、パターンエッジの太らせ量ΔＬがビットイメー上で１ビット（１画素）であるものとすると、シフトレジスタ２２２のプリセット用の３つのスイッチＳＷａ、ＳＷｂ、ＳＷｃはいずれも図１４に示した位置に設定される。このため、長手終端部の判定結果である信号ＫＢは、通常、アンド回路２２３によって信号ＫＡとの論理積がとられた後、スイッチＳＷａを介してシフトレジスタ２２２の２ビット目にプリセットデータとして印加される。３つのスイッチＳＷａ、ＳＷｂ、ＳＷｃは太らせ量を意識的に変えたいときに、それぞれ図１４の位置から切り替えられる。詳しくは後で述べることにする。
　【００６３】
　さて、図９に示したように、着目ビットＡｐｘからのシリアルビットデータＤＣ０は各シフトレジスタのシフト動作用のクロックパルスＣＫに応答して、１ビットずつ４ビットのシフトレジスタ１００へ導かれる。シフトレジスタ１００を４ビットにしたのは、修正データ付加用のシフトレジスタ２２２を４ビットにしたからである。そのシフトレジスタ２２２もクロックパルスＣＫに応答してプリセットされたデータを１ビットずつＭＳＢ（最上位ビット）側へシフトしていき、ＭＳＢからデータが修正データＤＰとしてオア回路１０４へ出力される。
　【００６４】
　クロックパルスＣＫは装置内の全てのシフトレジスタのシフト動作を行うために、常時シフトレジスタ２２２にも印加されるので、プリセットされたデータはクロックパルスＣＫの４パルス分で全てはき出されてしまう。プリセットされたデータがはき出された後、次のプリセット動作が生じるまでシフトレジスタ２２２内には論理「０」が全ビットに現れるように設定される。
　【００６５】
　そのプリセット動作は制御回路２２１からのストローブパルスＳＴＢに応答して行われる。制御回路２２１はオア回路２２０の出力が「０」から「１」に反転した後で、かつ次のクロックパルスＣＫが発生する直前に、ストローブパルスＳＴＢを出力する。シフトレジスタ２２２はストローブパルスＳＴＢを受けたときだけ、プリセット動作を行う。
　【００６６】
　今、２つの信号ＫＡ、ＫＢのうちいずれか一方が「０」から「１」に反転した状態を考える。その場合、制御回路２２１は次のクロックパルスＣＫが発生する前に、ストローブパルスＳＴＢを出力する。これに応答して、図１４の３つのスイッチの状態ではシフトレジスタ２２２にＬＳＢ側から「１０００」のデータ列がプリセットされる。一方、この状態のとき着目ビットＡｐｘにはパターンエッジの最外のビット（論理「１」）が位置し、シフトレジスタ１００の４ビット内は全て「０」のはずである。
　【００６７】
　そして、次のクロックパルスＣＫが発生すると、シフトレジスタ１００のＬＳＢには着目ビットＡｐｘのデータ（論理「１」）がシフトされるので、シフトレジスタ１００内のデータはＬＳＢ側からみて「１０００」となる。このとき同時にシフトレジスタ２２２もＬＳＢ側からＭＳＢ側へ１ビットだけシフトされているから、シフトレジスタ２２２内のデータはＬＳＢ側からみて、「０１００」となる。
　【００６８】
　こうして順次クロックパルスＣＫが発生すると、シフトレジスタ１００がパターンエッジ外周の１ビット目（論理「１」）をＭＳＢから出力する１シフト前の段階で、シフトレジスタ２２２は信号ＫＡに対応した１ビット分のデータ「１」をＭＳＢ側から出力することになり、オア回路１０４からはパターンエッジが１画素分だけ太ったシリアルビットデータが出力される。
　【００６９】
　また、信号ＫＡ、ＫＢがともに「０」から「１」になったときは、同様にストローブパルスＳＴＢが発生するとともに、アンド回路２２３は「１」を出力するのでシフトレジスタ２２２にはＬＳＢ側からみて、「１１００」のデータ列がプリセットされる。このため着目ビットＡｐｘからのシリアルビットデータＤＣ０’には、オア回路１０４を介してパターンエッジに対し２画素分だけ太るような修正データが付加される。
　【００７０】
　ところで、３つのスイッチＳＷａ、ＳＷｂ、ＳＷｃを図示の状態から切り替えると、太らせ量を意識的に変えられる。例えば、スイッチＳＷａだけを図示の状態から切り替えると、シフトレジスタ２２２にプリセットされるデータは信号ＫＡ又は信号ＫＢに対応して、ＬＳＢ側から常に「１１００」となる。従ってこの場合、アンド回路２２３の出力が全く使われないので、パターンの長手終端部で線幅を太らせるといった操作が禁止される。
　【００７１】
　また、スイッチＳＷｂのみを図示の状態から切り替えると、信号ＫＡとＫＢのいずれか一方に応答して１画素分（ΔＬ）だけパターンが太るとともに、信号ＫＡとＫＢの同時性に応答してシフトレジスタ２２２の２ビット目、３ビット目に「１」がセットされ、２画素分（２×ΔＬ）だけ太ることになり、長手終端部の孤立的なパターンエッジ部を、スキャン方向と逆方向に合計３画素分だけ太らせることができる。
　【００７２】
　さらに、３つのスイッチＳＷａ、ＳＷｂ、ＳＷｃを全て切り替えると、孤立的、あるいは長手終端近傍のいずれかの判断結果によって、パターンエッジ部は２画素分拡張され、さらにそのパターンエッジ部が孤立的で、かつ長手終端近傍という判断結果によって２画素分拡張され、最大４画素分まで太らせることができる。
　【００７３】
　このように信号ＫＡ，ＫＢ及びスイッチ群によって、シフトレジスタ２２２へプリセットすべきデータ列の内容を変えることにより、修正後のパターン線幅や長さをある程度自由に調整することができる。
　ところで本実施例では、切り出し窓内に現れるビットイメージは窓内の左から右（＋Ｘ方向）へ流れており、これに対して検定子テンプレートは窓内で着目ビットの左側に直線状検定子Ｃｐｘが位置するように設定した。これは、切り出し窓内に現れる論理「１」の集合体であるパターンエッジのうち、Ｙ方向に伸びた右側のエッジを修正するからである。
　【００７４】
　しかしながら、検定子テンプレートを着目ビットを中心として切り出し窓内で図１０の状態から１８０°回転させた状態に設定した場合は、図９、図１４に示したディレー用のシフトレジスタ１００を省略することができる。この場合、着目ビットに隣接するエッジ検知用のビットは、切り出し窓内で着目ビットの左側のビット（２０、２１）に設定されるので、修正されるパターンエッジは、図１５に斜線で示すように切り出し窓内でＹ方向に伸びた左側のエッジになる。
　【００７５】
　このとき図１５に示したビットイメージパターンは、やはりシフトレジスタの働きで＋Ｘ方向に矢印のようにシフトしていく。従って、図１５のように着目ビット（２１、２１）がパターンの左側エッジに位置し、そのエッジが修正すべきものであると判断されたときは、図１５の状態から次にシフト動作が行われた時点で着目ビットからのシリアルビットデータＤＣ０に論理「１」を修正データとして加算していけば良い。このためには原理的に、図１４の回路において、着目ビットからのデータＤＣ０を直接、オア回路１０４の一方の入力に印加し、シフトレジスタ２２２のシフト動作はＭＳＢ側からＬＳＢ側へ行うようにし、さらにＬＳＢの出力をオア回路１０４の他方の入力に印加するようにすればよい。
　次に、図９〜図１４に示した装置構成の具体的な動作の一例を説明するが、ここでは先にも述べたように、修正する単位太らせ量ΔＬは１画素分とするので、図１４中の３つのスイッチＳＷａ、ＳＷｂ、ＳＷｃは図示の状態に設定される。また検定子テンプレートは図１０に示したものとする。さらに、以下においては説明を簡単にするため、図１６に斜線で示すようなコの字状のパターンＰＱ（論理「１」の集合）を使う。
　【００７６】
　まず始めに、設計上のパターンデータが図９のフレームメモリ３上にビット展開された後、フレームメモリ３から設計上のビットシリアルデータが切り出し窓内に順次シフトされてくるときに切り出し窓内に現れるパターンＰＱのビットイメージが図１６のようにコの字状であるものとする。パターンＰＱは線幅が解像限界程度であり、ビットイメージ上では１０画素分とする。また、パターンＰＱは３つのライン部ＰＱ１、ＰＱ２、ＰＱ３で構成され、互いに平行なライン部ＰＱ１、ＰＱ３の間隔（スペース部）も１０画素とする。
　【００７７】
　ここで、Ｘ方向に伸びたライン部ＰＱ１は、終端となる１０画素分のエッジＥｇ１と、Ｘ方向に２９画素分のエッジＥｇ２と、Ｘ方向に１９画素分のエッジＥｇ８とで区画され、Ｙ方向に伸びたライン部ＰＱ２はＹ方向に３０画素分のエッジＥｇ３とＹ方向に１０画素分のエッジＥｇ６とで区画され、さらにＸ方向に伸びたライン部ＰＱ３は終端となる１０画素分のエッジＥｇ５と、Ｘ方向に２１画素分のエッジＥｇ４と、Ｘ方向に１１画素分のエッジＥｇ７とで区画される。
　【００７８】
　このようなパターンＰＱは、切り出し窓内を＋Ｘ方向に１ビットずつｎビット（例えば５０，０００ビット）だけシフトしたら、全体に１ビットだけ−Ｙ方向にシフトして再び＋Ｘ方向にシフトしていく。そのため、図１０に示した検定子テンプレートを使うと、まず始めにエッジＥｇ３が修正されることになる。
　図１７はビットイメージのスキャン中に最初にエッジＥｇ３が着目ビットＡｐｘに位置した状態を示す。このとき、図１１（Ｃ）のエッジ検知回路の出力ＥＤは「１」になるため、図１３中の２つのアンド回路２０７、２０８の夫々は開いた状態に設定される。さらに、図１０は検定ビット配置から、楕円状検定子Ｂｐｘ内は全て透明部（「０」）であるため、図１１（Ａ）のノア回路２００の出力ＬＧＢは「１」となり、アンド回路２０７の出力ＫＡも「１」になる。
　【００７９】
　一方、切り出し窓内で上側の羽根状検定子ＥＡｐは全てパターンにかかっているため、図１２のナンド回路２０６の出力ＬＧＥａは「０」であり、図１３中のアンド回路２１０は他の入力条件に関わらず「０」を出力する。また、切り出し窓内の下側の羽根状検定子ＤＡｐについては、検定子ＥＡｐと重複しているビット（１５、２１）のみがパターン（「１」）にかかり、他の８つの検定ビットは全て透明部（「０」）にある。このため、図１２のナンド回路２０５の出力ＬＧＤａは「１」となり、同時に２つの円形検定子ＤＢｐ、ＤＣｐも「０」である。このため、図１３のアンド回路２０９の４入力のうち３つの入力は「１」になる。
　【００８０】
　ところが、直線状検定子Ｃｐｘは全てパターン（「１」）上に位置するので、図１１（Ｂ）のナンド回路２０２の出力ＬＧＣは「０」となり、結局、図１３のアンド回路２０９の出力は「０」である。以上により、図１３のオア回路２１１の出力は「０」となり、アンド回路２０８の出力ＫＢも「０」のままである。
　従って、図１４の回路によって出力ＫＡが「１」、出力ＫＢが「０」のもとで、図１７の着目ビットに位置するエッジ部は１画素分だけ太ることになる。こうして順次ビットイメージのスキャンが行われ、修正されたビットイメージデータは、図９中の一時記憶部１１０内の１ページ目のフレームメモリ部１１０Ａへ格納される。
　【００８１】
　図１８は図１７の状態からさらにスキャンが進み、エッジＥｇ３が着目ビットに位置した状態を示す。この場合も楕円状検定子Ｂｐｘは全て透明部であるので、出力ＫＡは「１」になる。また、上側の羽根状検定子ＥＡｐは全てパターン上にあるので出力ＬＧＥａは「０」であり、アンド回路２１０の出力も「０」である。
　【００８２】
　一方、下側の羽根状検定子ＤＡｐｘには一部パターンがかかっているので出力ＬＧＥａは「１」であり、直線状検定子Ｃｐｘは全て透明部上にあるので出力ＬＧＣも「１」である。ところが、円形検定子ＤＰｐはパターン上に位置するので、アンド回路２０９の出力は「０」である。この結果、出力ＫＢは「０」のままである。従って、図１８の状態においてもエッジＥｇ３は１画素分だけ拡張されることになる。
　【００８３】
　尚、図１８において、エッジＥｇ３に隣接したビットのうち×印をつけたビットは、修正後のビットイメージ上で拡張されることを表す。以上のようにして、ビットイメージの＋Ｘ方向スキャンモードにより、パターンＰＱのエッジＥｇ３は全て１画素分だけ拡張される。
　次に、図９のスイッチＳＷ２を図示の状態にし、スイッチＳＷ１を図示の状態から切り替える。一時記憶部１１０内の制御部１１０Ｂは、１ページ目のフレームメモリ１１０Ａからのシリアルビットデータの読み出し順序を変更して、切り出し窓内に現れるビットイメージを図１６の状態から１８０°回転させる。従って、次の−Ｘ方向スキャンモードにおいては、パターンＰＱのエッジＥｇ１、Ｅｇ５、Ｅｇ６が修正される。
　【００８４】
　図１９は−Ｘ方向スキャンモードによって最初にエッジＥｇ１が着目ビットに位置した状態を示す。この場合も、楕円状検定子Ｂｐｘ内は全て透明部であるので出力ＫＡは「１」になる。また直線状検定子Ｃｐｘは全てパターン部であるので、出力ＬＧＣは「０」となり、図１３の２つのアンド回路２０９、２１０はともに「０」を出力する。従って図１９の場合、出力ＫＡは「１」、出力ＫＢは「０」となり、エッジＥｇ１は１画素分だけ拡張される。
　【００８５】
　さらに−Ｘ方向スキャンモードによってパターンＰＱが切り出し窓をシフトしていくと、エッジＥｇ６が図２０のように着目ビットに位置する。尚、図２０中でエッジＥｇ３に隣接した×印のビットは修正によって拡張された部分を表す。この修正されたビットは切り出し窓内のビットイメージとして現れている。またエッジＥｇ１に隣接した×印のビットは、この段階では切り出し窓内に現れていない。
　【００８６】
　さて、図２０の場合、楕円状検定子Ｂｐｘ内にはパターン部と透明部とが混在するため、出力ＫＡは「０」になる。同時に直線状検定子Ｃｐｘ内は全て透明部であるため、出力ＬＧＣは「１」になる。さらに上側の羽根状検定子ＥＡｐ内は全てパターン部であるから、出力ＬＧＥａは「０」になる。一方、下側の羽根状検定子ＤＡｐ内にはパターン部と透明部とが混在し、出力ＬＧＤａは「１」になる。ところが検定子ＤＣｐはパターン上にあるため、結局２つのアンド回路２０９、２１０はいずれも「０」を出力し、出力ＫＢも「０」になる。従って、図２０の状態ではエッジＥｇ６の修正は行われない。
　【００８７】
　以上のようにして、さらにエッジＥｇ５についても１画素分の拡張が行われ、修正されたビットイメージのシリアルデータは一時記憶部１１０内の２ページ目のフレームメモリ１１０Ａへ順次書き込まれる。その後、２ページ目のメモリ１１０Ａからは制御部１１０Ｂによって見かけ上ビットイメージの−Ｙ方向スキャンが行われるように、シリアルビットデータの読み出しが行われ、順次切り出し窓に通される。これによって切り出し窓内に現れるパターンＰＱは、図１６の状態から時計回りに９０°回転したものになり、修正され得るエッジはエッジＥｇ２とＥｇ７になる。
　【００８８】
　図２１は−Ｙ方向スキャンモード中にエッジＥｇ２が着目ビットの１つ手前に位置した状態を示す。この場合、実際にはエッジＥｇ３の修正部分のビット（×印）が着目ビットの１つ手前に位置する。この状態は先の図１７と全く同じなので、結局、エッジＥｇ２は修正によって伸びた部分を含めて全体に１画素分だけ拡張される。ところが、図２２に示すようにエッジＥｇ２が着目ビットに位置すると、上側の羽根状検定子ＥＡｐの先端（上端）の２つの検定ビットがエッジＥｇ１に対する修正部（×印のビット）からはみ出すことになり、出力ＬＧＥａは「１」になる。このとき同時に、２つの円形検定子ＥＢｐ、ＥＣｐは「０」になり、直線状検定子Ｃｐｘ内には「０」と「１」が混在することになるから、図１３のアンド回路２１０は「１」を出力し、その結果出力ＫＢも「１」になる。従って、図２２の状態からエッジＥｇ２には先端に渡って２画素分の拡張が行われる。
　【００８９】
　尚、図２２においてエッジＥｇ１、Ｅｇ３、Ｅｇ５に隣接した×印ビットは修正部分であり、この段階で切り出し窓内に現れている。しかしながらエッジＥｇ２に隣接した×印のビットはこの段階では現れてこない。
　また、エッジＥｇ７については、スキャンの過程で図２３に示すように着目ビットに位置する。この図２３の場合、楕円状検定子Ｂｐｘは全てパターン部にかかっているため、出力ＫＡは「０」のままである。このとき、直線状検定子Ｃｐｘは全て透明部上に位置するから出力ＬＧＣは「１」になり、上側の羽根状検定子ＥＡｐ内にはパターン部と透明部とが混在するので出力ＬＧＥａも「１」になる。さらに２つの検定子ＥＢｐ、ＥＣｐはともに「０」であるから、図１３のアンド回路２１０は「１」を出力し、この結果出力ＫＢが「１」になる。従って、出力ＫＡが「０」、出力ＫＢが「１」の条件のもとで、図１４の回路によってエッジＥｇ７はエッジＥｇ５の修正ビット分を含めて全長に渡って１画素分だけ拡張される。
　【００９０】
　以上のようにして修正されたシリアルビットデータは一時記憶部１１０の１ページ目のメモリ１１０Ａへ記憶される。このとき１ページ目にはすでに＋Ｘ方向スキャンモード時に生成された修正ビットイメージが格納されているが、最早不要であるので消去してしまって構わない。
　次に、その１ページ目のビットイメージデータを切り出し窓を＋Ｙ方向スキャンモードで通し、修正してデータを２ページ目のメモリ１１０Ａへ記憶する。このとき切り出し窓内を通るビットイメージは図１６の状態から反時計方向に９０°回転しているように、メモリ１１０Ａからのシリアルビットデータの読み出しが制御される。このため修正され得るエッジはＥｇ４とＥｇ８になる。
　【００９１】
　図２４は、＋Ｙ方向スキャンモード中にエッジＥｇ８が着目ビットに位置した場合であり、このとき楕円状検定子Ｂｐｘ内にはパターン部と透明部とが混在するので出力ＫＡは「０」である。さらに、下側の羽根状検定子ＤＡｐｘ内と直線状検定子Ｃｐｘ内には「０」と「１」が混在し、２つの円形検定子ＤＢｐ、ＤＣｐはいずれも「０」である。このため出力ＬＧＣは「１」、出力ＬＧＤａは「１」となり、図１３のアンド回路２０９は「１」を出力し、出力ＫＢも「１」になる。従って、エッジＥｇ８に対して図２４の状態では１画素分だけ拡張される。
　【００９２】
　さらにスキャンが進み、着目ビットが図２５のようにエッジＥｇ８上に位置したものとする。このとき楕円状検定子Ｂｐｘ内には「０」と「１」が混在するので出力ＫＡは「０」である。また上側の羽根状検定子ＥＡｐと下側の羽根状検定子ＤＡｐとはいずれもパターン内に含まれてしまうため、出力ＫＢも「０」となる。従って、図２５の位置からパターンＰＱが下方ヘスキャンされていく間は、何ら修正が行われない。尚、図２５においてエッジＥｇ８に隣接する修正ビットのうち×印のものは、この段階では切り出し窓内に現れていない。他のエッジについての修正ビットはこの段階で現れている。
　【００９３】
　図２６はエッジＥｇ４が着目ビットに位置した場合を示す。この場合、楕円状検定子Ｂｐｘ内には何もパターンがないので、出力ＫＡは「１」となる。さらに下側の羽根状検定子ＤＡｐには「０」と「１」が混在するので出力ＬＧＤａも「１」となる。同時に直線状検定子Ｃｐｘ内にも「０」と「１」が混在するので、出力ＬＧＣも「１」になる。そして２つの検定子ＤＢｐ、ＤＣｐの位置には何もパターンがないので、図１３のアンド回路２０９は「１」を出力し、出力ＫＢは「１」になる。従って、図２６の状態ではエッジＥｇ４は２画素分だけ拡張される。尚、図２６においてエッジＥｇ８とＥｇ４に隣接した×印の修正ビットは、この段階では切り出し窓内に現れていない。
　【００９４】
　さらにパターンＰＱが下方へスキャンされて、図２７のようにエッジＥｇ８が着目ビットに位置したとする。このとき、直線状検出子Ｃｐｘ内は全てパターンになるため、出力ＬＧＣは「０」となり、その結果出力ＫＢは「０」になる。ただし出力ＫＡは「１」であるため、ここからは１画素分だけの拡張が行われる。
　以上で全ての方向についての修正が終了し、２ページ目のメモリ１１０Ａには、その修正ビットイメージが生成される。後は先に述べたようにスイッチＳＷ２を切り替えて、ＥＢ露光用のフレームメモリ３へ修正ビットイメージデータを転送すればよい。こうして生成された修正ビットイメージを図２８に示す。図２８において、■で示したビットが修正によって付加された部分である。
　【００９５】
　以上、本発明の実施例を説明したが、それ以外にいくつかの変形例が考えられる。まず第１にビットイメージのスキャンは＋Ｘ、−Ｘ、＋Ｙ、−Ｙ方向の４回から１回にすることができる。そのためには図１０に示した検定子テンプレートを着目ビットを中心に９０°ずつ回転させたものを同一切り出し窓内に設定し、着目ビットに何らかのエッジが位置したら、そのエッジの方向性を検知し、その方向性に合った検定子テンプレートを使ってエッジの修正を行うようにすればよい。
　【００９６】
　第２に、図１０のテンプレートではパターンの長手終端を規定するエッジについても、ライン長手方向をのばすために、１画素分だけ拡張するようにした。しかしながら、パターンの長手方向の寸法は変えずに、線幅のみを修正したい場合もある。その際は楕円状検定子Ｂｐｘが何らかのパターン内に包含されていないこと、すなわち出力ＬＧＢが「１」であり、直線状検定子Ｃｐｘが何らかのパターン内に全て包含されていること、すなわち出力ＬＧＣが「０」であり、かつ２つの羽根状検定子ＤＡｐ、ＥＡｐの両方に何らかのパターンのエッジがかかっているとき、すなわち出力ＬＧＤａ、ＬＧＥａがともに「１」のとき、出力ＫＡ等を強制的に「０」にするようなロジック回路を設ければよい。具体的には、出力ＬＧＢ、出力ＬＧＣを反転したもの、及び出力ＬＧＤａ、ＬＧＥａの４つを入力するアンド回路を設ける。そしてこのアンド回路の出力が「１」のとき、ストローブパルスＳＴＢが発生しないように、オア回路２２０の出力の制御回路２２１への伝達を阻止するゲートを設ければよい。
　【００９７】
　第３に、実施例ではパターンを遮光部として考えたが、逆に透明部として扱うこともできる。その場合、透明部によるラインパターン等の長手終端近傍の線幅を太らせることになる。このときは、フレームメモリ３から切り出し窓へ設計上のビットイメージデータが流れてくる部分、すなわち図９中の端子ＴＰの位置にインバータ（ＮＯＴ）を設け、同時にスイッチＳＷ２とフレームメモリ３との間にもインバータを設ければ良い。
　【００９８】
　第４に、実施例では図１４に示すように、修正データ付加用のシフトレジスタ２２２のＬＳＢには、常にオア回路２２０の出力が印加され、着目エッジが孤立的であること（出力ＫＡ＝「１」）、又は長手終端近傍であること（出力ＫＢ＝「１」）のいずれか一方で、１画素分の修正を行ったが、単に長手方向終端近傍という条件のみを使って所定画素数分の修正を行っても良い。この場合は、孤立的であるという判定結果を使わなくてもよいので、図１４中アンド回路２２３を省略し、オア回路２２０の出力とシフトレジスタ２２２のＬＳＢとの接続をはずし、さらに出力ＫＢを直接ＬＳＢとスイッチ群ＳＷａ、ＳＷｂ、ＳＷｃとへ接続すれば良い。但し、互いに隣接するパターン間で対向した平行なエッジ部分では、それが長手終端近傍のときに修正量を少なくするか、あるいは修正しなくてもよいこともある。そこで、出力ＫＢが「１」となったときに出力ＫＡが「０」であれば、修正量を１画素分（又は、０画素）とし、出力ＫＡが「１」であれば、修正量を２画素（又は、１画素）とするようにアルゴリズムを変更すれば良い。この場合、出力ＫＢが「０」のときは出力ＫＡの状態にかかわらず修正は行われないようにする。このようなアルゴリズムの変更は、図１４中のオア回路２２０、アンド回路２２３、スイッチ群ＳＷａ、ＳＷｂ、ＳＷｃ等の各接続、及びシフトレジスタ２２２の各ビットへのプリセットデータの与え方を変更するだけで容易に実現できる。
　【００９９】
　第５に、本実施例では対象となるパターン要素は切り出し窓内でＸ方向（ビットシフト方向）とＹ方向（ラインシフト方向）との夫々に伸びたエッジのみを有するとしたが、Ｘ方向、Ｙ方向の夫々に対して交差する方向、例えば４５°方向に伸びたエッジに対して図１０の検定子を±Ｘ方向、±Ｙ方向の夫々に相対走査させて修正を行っても良い。あるいは図１０中の検定子の方向性を４５°だけ回転させるように各検定ビットを配置しても良い。尚、図１に示した空間フィルターＳＦ２を使って照明光学系中のフーリエ変換面内の４ヶ所に光源からの照明光束を集中させる際、その４ヶ所の中心点を結んでできる矩形の各辺がＸ、Ｙ方向と特定の関係（例えば平行）になっていると、斜め４５°のエッジを持つライン状パターン（あるいはシェブロンパターン等）は先端での先細りがほとんどない状態で転写され得る。このため、斜め４５°（あるいは３０°〜６０°程度）のエッジを持つパターンに対しては修正動作を禁止するようにしても良い。この場合は、着目ビットＡｐｘを通るエッジのうちＹ方向（又はＸ方向）に伸びたエッジを検出するためのいくつかの検定ビットを新たに切り出し窓内に設定し、これらの検定ビットによって検出されたエッジ（Ｙ、又はＸ方向に所定画素数以上に渡って伸びる）に対してのみ上述の修正を行うようにする。その一例としては、例えば図１０において、着目ビット（２１、２１）から上に２〜３画素の位置（２１、１９）又は（２１、１８）と、着目ビットから下に２〜３画素の位置（２１、２３）又は（２１、２４）とに検定ビットを設定し、着目ビット（２１、２１）によってエッジが検出されるとき（論理「１」のとき）、さらにその上と下との検定ビットが共に論理「１」になっているか否かを判定すれば良い。ロジック回路としては、その上下の２つの検定ビットの夫々からのデータと図１１（ｃ）に示した信号ＥＤとを共に入力する３入力のアンド回路を設け、このアンド回路の出力を図１３中の信号ＥＤとして印加すれば良い。
　【０１００】
　また、以上の実施例ではパターンの孤立的な部分で幅を太らせるとしたが、逆に孤立的な部分以外の幅を設計値から所定量だけ細らせるような修正にしても同様の結果が得られる。この場合の検定も、図１０の各検定子がそのまま利用でき、着目画素があるパターンのエッジ部に位置したとき、そのエッジ部が孤立的でないこと、及び／又は長手終端近傍でないことを判定し、着目画素のエッジ位置から所定個の画素分だけエッジを内側に細らせるように、すなわち設計上で論理値「１」の部分を強制的に「０」に置き換えるようなアルゴリズムにすれば良い。
　【０１０１】
　また、以上の修正は１枚のレチクル中の全パターンデータに対して行なわずに、特定の部分のパターンのデータに対してのみ行なってもよい。
　また、本装置で一度に持つパターンデータは、補正を行なう部分の全データである必要はなく、部分的なデータブロックのみを持ち、上記部分を処理（修正後）に、修正後データを補助装置にストアし、次のブロックのデータをリードして処理（修正）を行なうようにしてもよい。この場合、本装置が一度に読み出すデータは修正を行うエリア分よりも、判断テンプレート（検定子、又はそのための切り出し窓）分だけ大きいことが望ましい。
　【０１０２】
　また、同一形状のパターン群を含むレチクルパターンの場合、例えばメモリ用のレチクルパターンの場合、１つのパターン群を上述の方法で修正し、他の同一形状のものはこの修正結果をそのまま利用（コピー）すればよく、処理時間の大幅な短縮が図れる。
　以上の実施例では、図１１〜図１４に示したハードウエアによりパターン修正を行ったが、同様の機能を達成するソフトウエアにより修正を行うようにしても構わない。
　【０１０３】
　【発明の効果】
　以上、本発明によれば、マスクの遮光パターン部、透過パターン部の形状補正を自動的に行なうことができる。従って、特殊な照明方法を用いた投影露光で問題となる孤立パターンや、周期パターン部での線幅の部分的な細りを解決し、設計値通りの大きさのレジストパターン、及び回路パターン等を得ることができる。
　【０１０４】
　また、本発明により得られるレチクルパターンを持つレチクルは、基本的には従来と同様に透過部と遮光部とからのみ成るレチクル（すなわち位相シフトレチクルではない）であり、従来の確立された描画、エッチング、検査、欠陥修正、及び洗浄技術等をそのまま利用することができる。
　さらに、上述の特殊な照明方法を用いた露光装置を使用すれば、製造、検査、欠陥修正等が共に困難な位相シフトレチクルを使用するのと同様の解像度及び焦点深度の向上が得られる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　特殊な照明方法を採用した投影露光装置の原理的な構成を示す図。
　【図２】
　図１の装置で従来のレチクルパターンを露光したときの不都合を説明する図。
　【図３】
　図２の不都合を解消するためのパターン修正例を説明する図。
　【図４】
　パターン修正のための検定子（判断テンプレート）の形状を説明する図。
　【図５】
　図４の検定子を用いた各種パターンの修正の原理的な説明に供する図。
　【図６】
　図４の検定子を用いた各種パターンの修正の原理的な説明に供する図。
　【図７】
　図５、図６中の各種パターンの修正後の形状を示す図。
　【図８】
　本実施例におけるパターン作成システムを含むレチクル製造装置の全体構成を示す図。
　【図９】
　パターン修正装置の概略的な構成を示す図。
　【図１０】
　切り出し窓内に設定される検定子のビット配置を示す図。
　【図１１】
　各検定ビットに対応した判断ロジック回路を示す図。
　【図１２】
　各検定ビットに対応した判断ロジック回路を示す図。
　【図１３】
　孤立的エッジの判定と長手終端部近傍エッジの判定とを実行する回路を示す図。
　【図１４】
　判定結果に応じて設計上のビットイメージデータに修正ビットデータを付加する回路を示す図。
　【図１５】
　図１０の検定子配置を１８０°回転させた場合のビット配置を示す図。
　【図１６】
　修正すべき設計上のビットイメージパターンの一例を示す図。
　【図１７】
　図１６のパターンのエッジＥｇ３に対する修正の様子を示す図。
　【図１８】
　図１６のパターンのエッジＥｇ３に対する修正の様子を示す図。
　【図１９】
　図１６のパターンのエッジＥｇ１に対する修正の様子を示す図。
　【図２０】
　図１６のパターンのエッジＥｇ６に対する修正の様子を示す図。
　【図２１】
　図１６のパターンのエッジＥｇ２に対する修正の様子を示す図。
　【図２２】
　図１６のパターンのエッジＥｇ２に対する修正の様子を示す図。
　【図２３】
　図１６のパターンのエッジＥｇ７に対する修正の様子を示す図。
　【図２４】
　図１６のパターンのエッジＥｇ８に対する修正の様子を示す図。
　【図２５】
　図１６のパターンのエッジＥｇ８に対する修正の様子を示す図。
　【図２６】
　図１６のパターンのエッジＥｇ４に対する修正の様子を示す図。
　【図２７】
　図１６のパターンのエッジＥｇ４に対する修正の様子を示す図。
　【図２８】
　図１６のパターンの修正後のパターン形状を示す図。
　【符号の説明】
　１　　　ＭＴＲ
　２　　　ビット展開装置
　３　　　フレームメモリ
　４　　　ＥＢ露光機
　１０　　修正装置
　１０２　検定ロジック回路
　１１０　一時記憶部
　２００　ノア回路
　２０２、２０５、２０６　ナンド回路
　２２２　シフトレジスタ
　ＳＲ１　切り出し窓用のシフトレジスタ群
　Ａｐｘ　着目画素
　Ｂｐｘ　楕円状検定子
　Ｃｐｘ　直線状検定子
　ＤＡｐ、ＥＡｐ　羽根状検定子