【事件の表示】
　特許第３１０５４０９号「金属配線基板および半導体装置およびそれらの製造方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１０５４０９号の請求項１ないし４に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成６年１０月２４日の出願であって、その請求項１乃至４にかかる発明は、特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された次の事項によって特定されるとおりのものである。
「【請求項１】絶縁基板上に設けられた金属配線を有する金属配線基板において、上記金属配線は、陽極酸化可能な金属からなる第１金属層と、第２金属層とから構成されると共に、上記第１金属層は、陽極酸化によって酸化膜に覆われた陽極酸化部と、上記第２金属層とのコンタクト部となる未陽極酸化部とを有しており、該未陽極酸化部は、第１金属層上にレジストを、第１金属層の幅よりも小さく、且つ第１金属層上からはみださないようにパターニングした状態で第１金属層を陽極酸化することで形成されていることを特徴とする金属配線基板。
【請求項２】絶縁基板上に、第１金属層と第２金属層とからなる金属配線を有する金属配線基板の製造方法において、絶縁基板上に陽極酸化可能な金属で第１金属層を形成する工程と、第１金属層上における第２金属層とのコンタクト部を覆うようにレジストをパターニングする工程と、レジストがパターニングされた第１金属層を陽極酸化する工程と、陽極酸化後の第１金属層上のレジストパターンを剥離する工程と、レジストパターンが剥離された第１金属層上に第２金属層を形成する工程とを包含し、上記第１金属層上に形成されるレジストを、第１金属層の幅よりも小さく、且つ第１金属層上からはみださないようにパターニングすることを特徴とする金属配線基板の製造方法。
【請求項３】絶縁基板上に設けられた複数個の薄膜トランジスタを有する半導体装置において、上記薄膜トランジスタは、陽極酸化可能な金属からなるゲート電極と、ソースおよびドレイン電極とから構成されると共に、上記ゲート電極は、陽極酸化によって酸化膜に覆われた陽極酸化部と、ソースおよびドレイン電極とのコンタクト部となる未陽極酸化部とを有しており、該未陽極酸化部は、ゲート電極上にレジストを、ゲート電極の幅よりも小さく、且つゲート電極上からはみださないようにパターニングした状態でゲート電極を陽極酸化することで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】絶縁基板上に、ゲート電極とソースおよびドレイン電極とを有する複数個の薄膜トランジスタが設けられた半導体装置の製造方法において、絶縁基板上に陽極酸化可能な金属でゲート電極を形成する工程と、ゲート電極上におけるソースおよびドレイン電極とのコンタクト部を覆うようにレジストをパターニングする工程と、レジストがパターニングされたゲート電極を陽極酸化する工程と、陽極酸化後のゲート電極上のレジストパターンを剥離する工程と、レジストパターンが剥離されたゲート電極上にソースおよびドレイン電極を形成する工程とを包含し、上記ゲート電極上に形成されるレジストを、ゲート電極の幅よりも小さく、且つゲート電極上からはみださないようにパターニングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、それぞれ「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」及び「本件発明４」という。）
　
２．刊行物記載の発明
　平成１３年６月２８日付けの取消理由通知書において引用した、特開平６−１８９１２号公報（以下、「刊行物１」という。）には、
「図１(a),図２(a) に示すように、ガラス基板１の上にアルミニウム膜を数千Åの厚さに堆積し、これをパターニングして薄膜トランジスタ（不図示）のゲートやドレインに繋がるバスライン２を形成する。このバスライン２の先端は、図示しない外部リードに接続される引出端子２ａとなる。
【００２５】この後に、フォトレジストを塗布してこれを露光現像し、これにより図２(b)に示すように、引出端子２ａの上面を覆い、かつその縁部及び側面を露出するマスク３を形成する。この場合、その他の領域は、マスク３で覆った状態にする。
【００２６】この後に、図２(c) に示すように、引出端子２ａの露出部分を陽極酸化してAl2O3膜（バリア型酸化膜）４を形成し、ついでマスク３を溶剤により除去する。その平面形状は、図１(b) に示すようになる。
【００２７】次に、図３(d) に示すように、スパッタ法によって全体にＩＴＯ膜５を堆積する。この場合、引出端子２ａの側部のAl2O3膜４は陽極酸化によっているので、その突出量は、成長する酸化膜厚の２割以下であり（ＣＶＤでは堆積する膜厚と同一の段差を生ずる）、極めて少ない。」（段落００２４〜００２７）と記載され、
また、図１乃至図３には、バスラインの引出端子２ａ上にマスク３を形成した後、陽極酸化を行って引出端子２ａに陽極酸化部を形成し、マスクで覆われた未陽極酸化部をコンタクト部としてＩＴＯ膜５３を形成した液晶表示装置が示されている。
　そして、上記段落００２５の「引出端子２ａの上面を覆い、かつその縁部及び側面を露出するマスク３を形成する」との記載並びに図１及び図２の記載からみて、刊行物１記載の発明は、引出端子上面にマスクを、引出端子の幅よりも小さく、かつ引出端子からはみださないようにパターニングした状態で引出端子を陽極酸化していると認められる。
　よって、上記によれば、刊行物１には、「ガラス基板１上に設けられたバスラインとＩＴＯ膜とを有する基板において、バスラインは陽極酸化可能であり、バスラインは、陽極酸化によってAl2O3膜に覆われた陽極酸化部と、ＩＴＯ膜とのコンタクト部となる未陽極酸化部とを有しており、未陽極酸化部は、バスライン上にマスクを、バスラインの幅よりも小さく、かつバスラインからはみださないようにパターニングした状態でバスラインを陽極酸化することで形成されていることを特徴とする配線基板または装置」及び「ガラス基板１上に設けられたバスラインとＩＴＯ膜とを有する基板の製造方法において、バスライン上におけるＩＴＯ膜とのコンタクト部を覆うようにマスクをパターニングする工程と、マスクがパターニングされたバスラインを陽極酸化する工程と、陽極酸化後のバスライン上のマスクパターンを剥離する工程と、マスクパターンが剥離されたバスライン上にＩＴＯ膜を形成する工程とを包含し、バスライン上に形成されるマスクをを、バスラインの幅よりも小さく、かつバスラインからはみださないようにパターニングすることを特徴とする配線基板または装置の製造方法」が記載されていると認められる。
　また、同じく特開平６−８２８２３号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「図３（ａ）に示すように、ガラス板からなる絶縁性基板20上に、厚さ500〜9000オングストロームのベース絶縁膜21をＣＶＤまたはスパッタにより形成する。ベース絶縁膜21の材料としては、Ｔａ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4などを用いることができる。ベース絶縁膜21の形成は省略することもできるが、設けられている場合には、ガラスの凹凸またはピットを緩和することができる。
【００１６】その上に、Ｔａからなる1000〜7000オングストロームの金属層23ａ、27ａをスパッタにより形成する。次に、金属層23ａ上に、高い耐電圧と高い密着性とを有するゴム系ネガレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニングして、レジスト25ａを形成する。上記ゴム系ネガレジストとしては、例えば、ポリイソプレン系または環化ポリブタジエン系のものを用いることができる。
【００１７】この状態で、電解液中にて金属層23ａ、27ａを陽極酸化することにより、図３（ｂ）に示すように、レジストの形成されていないＴａ表面が陽極酸化されて、Ｔａ０xからなる陽極酸化膜23となる。・・・・・・その後、ネガレジスト25ａを剥離することにより、上層配線26と下層配線22との導通部17が形成される。
【００１９】次に、陽極酸化膜23上のＴＦＴ11となる部分に、ＣＶＤにより真性アモーファスＳｉからなる厚さ500オングストロームの半導体層28を形成する。さらに、ｎ+アモーファスＳｉからなる厚さ300オングストロームのｎ+半導体層29をＣＶＤにより形成し、ソースおよびドレイン側にパターン形成した。・・・・・この上に、スパッタによりＴｉを厚さ3000オングストロームに積層し、フォトリソグラフィーによりパターニングして、上層配線26を形成する。これにより、ＴＦＴ11が形成されると共に、陽極酸化膜23の形成を省略した下層配線22の上に導通部17が形成される。」（段落００１５〜００２０）と記載され、
また、図１には、表面にベース絶縁膜２１が形成された絶縁性基板２０上に、陽極酸化膜が表面に形成されたＴＦＴのゲート電極２７と、該ＴＦＴのソース・ドレイン電極となっており、ゲート電極２７に接続された上層配線２６とが形成された論理・駆動回路が、図２には、ＴＦＴのゲート電極が上層配線へのコンタクト部に伸びている点が、図３には、ＴＦＴのゲート電極２７及び下層配線２２の陽極酸化工程であって、下層配線２２ａの上面にレジスト２５ａを形成してから陽極酸化を行う点が、それぞれ示されている。
　
３．対比・判断
(1) 本件発明１について
　刊行物１記載の発明（以下、「引用発明１」という。）における「ガラス基板」、「バスライン」、「Al2O3膜」、「マスク」及び「配線基板」は、それぞれ本件発明１における「絶縁基板」、「第１金属層」、「酸化膜」、「レジスト」及び「金属配線基板」に相当し、引用発明１における「ＩＴＯ膜」及び本件発明１における「第２金属層」は、それぞれ「バスライン」及び「第１金属層」とのコンタクトにおいて上層に配されており、いずれも「上層配線」であるということができるから、本件発明１と引用発明１とは、
絶縁基板上に設けられた金属配線を有する金属配線基板において、金属配線は、陽極酸化可能な金属からなる第１金属層で構成されると共に、第１金属層は、陽極酸化によって酸化膜に覆われた陽極酸化部と、上層配線とのコンタクト部となる未陽極酸化部とを有しており、未陽極酸化部は、第１金属層上にレジストを、第１金属層の幅よりも小さく、且つ第１金属層上からはみださないようにパターニングした状態で第１金属層を陽極酸化することで形成されていることを特徴とする金属配線基板である点で一致し、
第１金属層とコンタクトされる上層配線が、本件発明１では、金属配線であり、引用発明１では、ＩＴＯ膜である点で相違する。
　しかしながら、第１金属層とコンタクトされる上層配線を金属配線とすることは、刊行物２に記載されており、引用発明１、刊行物２記載の発明（以下、「引用発明２」という。）はともに、表面に陽極酸化膜が形成された下層金属膜に上層配線をコンタクトする技術という点で、共通する技術であるから、刊行物２記載の上記点を引用発明１に適用して本件発明１を構成することに、格別の困難性が認められない。
　
(2) 本件発明２について
　引用発明１における「ガラス基板」、「バスライン」、「Al2O3膜」、「マスク」及び「配線基板」は、それぞれ本件発明２における「絶縁基板」、「第１金属層」、「酸化膜」、「レジスト」及び「金属配線基板」に相当し、引用発明１における「ＩＴＯ膜」及び本件発明２における「第２金属層」は、それぞれ「バスライン」及び「第１金属層」とのコンタクトにおいて上層に配されており、いずれも「上層配線」であるということができるから、本件発明２と引用発明１は、
絶縁基板上に、第１金属層を有する金属配線基板の製造方法において、絶縁基板上に陽極酸化可能な金属で第１金属層を形成する工程と、第１金属層上における上層配線とのコンタクト部を覆うようにレジストをパターニングする工程と、レジストがパターニングされた第１金属層を陽極酸化する工程と、陽極酸化後の第１金属層上のレジストパターンを剥離する工程と、レジストパターンが剥離された第１金属層上に上層配線を形成する工程とを包含し、上記第１金属層上に形成されるレジストを、第１金属層の幅よりも小さく、且つ第１金属層上からはみださないようにパターニングすることを特徴とする金属配線基板の製造方法である点で一致し、
第１金属層とコンタクトされる上層配線が、本件発明２では、金属配線であり、引用発明１では、ＩＴＯ膜である点で相違する。
　しかしながら、第１金属層とコンタクトされる上層配線を金属配線とすることは、刊行物２に記載されており、引用発明１、引用発明２はともに、表面に陽極酸化膜が形成された下層金属膜に上層配線をコンタクトする技術という点で、共通する技術であるから、刊行物２記載の上記点を引用発明１に適用して本件発明２を構成することに、格別の困難性が認められない。
　
(3) 本件発明３について
　引用発明１における「ガラス基板」、「バスライン」、「Al2O3膜」、「マスク」及び「配線基板」は、それぞれ本件発明３における「絶縁基板」、「ゲート電極」、「酸化膜」、「レジスト」及び「金属配線基板」に相当し、引用発明１における「ＩＴＯ膜」及び本件発明３における「ソース及びドレイン電極」は、それぞれ「バスライン」及び「ゲート電極」とのコンタクトにおいて上層に配されているから、いずれも「上層配線」であるということができ、同様に、引用発明１における「バスライン」及び本件発明３における「ゲート電極」は、それぞれ「ＩＴＯ膜」及び「ソース及びドレイン電極」とのコンタクトにおいて下層に配されているから、いずれも「下層配線」であるということができるので、本件発明３と引用発明１は、
絶縁基板上に設けられた陽極酸化可能な金属からなる下層配線が、陽極酸化によって酸化膜に覆われた陽極酸化部と、上層配線とのコンタクト部となる未陽極酸化部とを有しており、未陽極酸化部は、下層配線上のレジストを、下層配線の幅よりも小さく、且つ下層配線上からはみださないようにパターニングした状態で下層配線を陽極酸化することで形成されている装置である点で一致し、
（ア）本件発明３は、薄膜トランジスタを複数個設けているのに対し、引用発明１は、薄膜トランジスタが設けられている（刊行物１の段落００２４の記載より明らか。）ものの、その個数は明記されていない点、
（イ）陽極酸化可能な下層配線にコンタクトする上層配線が、本件発明３は、薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極であるのに対し、引用発明１は、ＩＴＯ膜である点で相違している。
　以下、これら相違点について検討する。
（ア）の点について
　液晶表示装置に複数個の薄膜トランジスタを用いることは、当業界では極めて慣用的に行われている技術である。そして、本件発明３、引用発明１はともに、液晶表示装置であり、かつ、引用発明１も、その個数こそ明記されていないとはいえ薄膜トランジスタが用いられているから、当然、引用発明１は複数個の薄膜トランジスタが用いられているものと認められるので、この点は相違点ではない。
（イ）の点について
　薄膜トランジスタのゲート電極（引用発明２では、「ゲート電極２７」がこれに相当。）を陽極酸化して、ソース及びドレイン電極（引用発明２では、「上層配線２６」がこれに相当。）とコンタクトする技術は、刊行物２に記載されており、引用発明１、引用発明２はともに、表面に陽極酸化膜が形成された下層配線上に上層配線をコンタクトする点で、共通する技術であるから、引用発明１を、引用発明２のように薄膜トランジスタのゲート電極、ソース及びドレイン電極に適用することは、当業者の通常の創意工夫で可能なことである。
　
(4) 本件発明４について
　引用発明１における「ガラス基板」、「バスライン」、「Al2O3膜」、「マスク」及び「配線基板」は、それぞれ本件発明４における「絶縁基板」、「ゲート電極」、「酸化膜」、「レジスト」及び「金属配線基板」に相当し、引用発明１における「ＩＴＯ膜」及び本件発明４における「ソース及びドレイン電極」は、それぞれ「バスライン」及び「ゲート電極」とのコンタクトにおいて上層に配されているから、いずれも「上層配線」であるということができ、同様に、引用発明１における「バスライン」及び本件発明４における「ゲート電極」は、それぞれ「ＩＴＯ膜」及び「ソース及びドレイン電極」とのコンタクトにおいて下層に配されているから、いずれも「下層配線」であるということができるので、本件発明４と引用発明１は、
絶縁基板上に、下層配線と上層配線とを有する装置の製造方法において、絶縁基板上に陽極酸化可能な金属で下層配線を形成する工程と、下層配線上における上層配線とのコンタクト部を覆うようにレジストをパターニングする工程と、レジストがパターニングされた下層配線を陽極酸化する工程と、陽極酸化後のゲート電極上のレジストパターンを剥離する工程と、レジストパターンが剥離されたゲート電極上に上層配線を形成する工程とを包含し、下層配線上に形成されるレジストを、下層配線の幅よりも小さく、且つ下層配線上からはみださないようにパターニングすることを特徴とする装置の製造方法である点で一致し、
（ア）本件発明４は、薄膜トランジスタを複数個設けているのに対し、引用発明１は、薄膜トランジスタが設けられている（刊行物１の段落００２４の記載より明らか。）ものの、その個数は明記されていない点、
（イ）陽極酸化可能な下層配線とコンタクトする上層配線が、本件発明４は、薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極であるのに対し、引用発明１は、ＩＴＯ膜である点で相違している。
　以下、これら相違点について検討する。
（ア）の点について
　液晶表示装置に複数個の薄膜トランジスタを用いることは、当業界では極めて慣用的に行われている技術である。そして、本件発明４、引用発明１はともに、液晶表示装置であり、かつ、引用発明１も、その個数こそ明記されていないとはいえ薄膜トランジスタが用いられているから、当然、引用発明１は複数個の薄膜トランジスタが用いられているものと認められるので、この点は相違点ではない。
（イ）の点について
　薄膜トランジスタのゲート電極（引用発明２では、「ゲート電極２７」がこれに相当。）を陽極酸化して、ソース及びドレイン電極（引用発明２では、「上層配線２６」がこれに相当。）とコンタクトする技術は、刊行物２に記載されており、引用発明１、引用発明２はともに、表面に陽極酸化膜が形成された下層配線上に上層配線をコンタクトする点で、共通する技術であるから、引用発明１を、引用発明２のように薄膜トランジスタのゲート電極、ソース及びドレイン電極に適用することは、当業者の通常の創意工夫で可能なことである。
　
４．特許権者の主張について
　特許権者は、平成１３年９月１０日付けの特許異議意見書において、取消理由通知書で提示した各刊行物には、陽極酸化されるのを防ぐためのマスクとして使用するレジストの密着性が悪いために、陽極酸化時にレジストで覆われている部分にまで陽極酸化が進行するしみ込みの発生についてはなんら言及されていない旨主張している。
　しかしながら、上記作用は、陽極酸化時に下層配線上に形成するレジストを、下層配線の幅よりも小さく、且つ下層配線上からはみ出さないようにパターニングすることにより達成するものと認められ、この点が刊行物１に記載されている以上、引用発明１も同様の作用を奏するものと認められるので、特許権者の主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１乃至４は、引用発明１及び２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１乃至４の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　よって、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６条）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１０月２９日（２００１．１０．２９）