(57)【要約】  占有面積の縮小化及び低背化が図れる信号伝達用通信体及びカプラを構成する。  信号伝達用通信体（２０１）には、基板（１１）の下面のグランド電極（１２）、上面の信号伝送用線路（１３）、及び基板（１１）による基底部（１０）が構成されている。信号伝達用通信体（２０１）には、前記基底部（１０）に対して平行な矩形板状の結合用平面導体（２１）が構成されている。結合用平面導体（２１）と基底部（１０）との間には、柱状導体（２２）によるインダクタ回路が設けられている。また、結合用平面導体（２１）と基底部（１０）との間には、柱状導体（３２，４２）によるインダクタと平面導体（３１，４１）によるキャパシタとでＬＣ直列回路（ＬＣ１，ＬＣ２）がそれぞれ構成されている。
2010113776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号伝送用線路及びグランド電極が形成された基底部と、
前記基底部に対して平行な平面状の結合用平面導体と、
前記結合用平面導体と前記信号伝送用線路との間に接続されるインダクタ回路と、
前記結合用平面導体の一部と前記グランド電極との間に接続され、且つキャパシタとインダクタとが直列接続されたＬＣ直列回路と、
を備え、
前記インダクタ回路が前記結合用平面導体と前記基底部との間に配置され、
前記ＬＣ直列回路が前記結合用平面導体と前記基底部との間に配置された、信号伝達用通信体。
【請求項２】
前記基底部、前記結合用平面導体、前記インダクタ回路、及び前記ＬＣ直列回路は、複数の誘電体層と複数の導体層との積層による多層基板に構成された、請求項１に記載の信号伝達用通信体。
【請求項３】
前記基底部は、前記結合用平面導体、前記インダクタ回路、及び前記ＬＣ直列回路を実装する実装基板であり、前記結合用平面導体が対向する領域に開口部を有するグランド電極が前記実装基板に形成された、請求項１に記載の信号伝達用通信体。
【請求項４】
前記結合用平面導体、前記インダクタ回路、及び前記ＬＣ直列回路が一つのモジュールとして構成された、請求項３に記載の信号伝達用通信体。
【請求項５】
前記グランド電極が形成された層が２層以上あり、各グランド電極の開口部のうち前記結合用平面導体に最も近い開口部の大きさが最小である、請求項３または４に記載の信号伝達用通信体。
【請求項６】
前記ＬＣ直列回路の前記キャパシタは、前記結合用平面導体に対して平行に対向する平面導体を備え、前記平面導体が前記結合用平面導体の中心に対して回転対称形に形成され、前記インダクタ回路が前記平面導体の中心に対して対称位置に配置された、請求項１〜５のいずれかに記載の信号伝達用通信体。
【請求項７】
前記インダクタ回路は、前記基底部に対して平行または垂直な面に沿って旋回するスパイラル状の導体を備えた、請求項１〜６のいずれかに記載の信号伝達用通信体。
【請求項８】
前記ＬＣ直列回路の前記インダクタは、前記基底部に対して平行または垂直な面に沿って旋回するスパイラル状の導体を備えた、請求項１〜７のいずれかに記載の信号伝達用通信体。
【請求項９】
前記ＬＣ直列回路の前記キャパシタは、前記基底部に対して平行な面状に広がり、対向する部分でキャパシタンスを生じさせる複数の平面導体を備えた、請求項１〜８のいずれかに記載の信号伝達用通信体。
【請求項１０】
前記インダクタ回路または前記ＬＣ直列回路の少なくとも一方は、前記基底部に実装されたチップ部品で構成された、請求項１〜９のいずれかに記載の信号伝達用通信体。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の前記信号伝達用通信体を送信側と受信側にそれぞれ少なくとも一つずつ備え、前記結合用平面導体同士を非接触状態で対向させたカプラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、近接状態で通信を行う信号伝達装置用の通信体及び近接状態で互いに結合するカプラに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この発明の先行技術文献として特許文献１を挙げる。
図１は特許文献１に示されている通信体の斜視図である。絶縁体のスペーサ１０９の上下の各表面に結合用電極１０８と折り畳み状のスタブ１０３が形成され、結合用電極１０８はスペーサ１０９内のスルーホール（plated through hole）１１０を介してスタブ１０３の中央部分に接続されている。プリント基板１０１上には、送受信回路モジュール１０５から引き出された信号線パターンと、プリント基板１０１内のスルーホール１０６を介してグランド導体１０２と接続した導体パターン１１２が形成されている。スペーサ１０９をプリント基板１０１上に実装すると、スタブ１０３の両端は信号線パターン１１１と導体パターン１１２にそれぞれ接続される。【０００３】
図２は、図１に示した通信体を二つ用いて構成した通信装置の等価回路図である。送受信回路モジュール１０５と結合用電極１０８との間のインダクタＬ１１０は、図１に示したスルーホール１１０によって形成されるインダクタである。またインダクタＬ１１０がつながるラインとグランドとの間にシャントに接続されるインダクタＬ１０３は、図１に示したスタブ１０３によって生じるインダクタである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１５４２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、図１に示したような従来の通信装置においては次のような問題がある。
（ａ）周波数調整のためにプリント基板上に折り畳み状のスタブを形成する必要があり、プリント基板上にその分のスペースが必要である。【０００６】
（ｂ）送受で良好な結合特性を得るためには、結合用電極に接続するスルーホール（柱状導体）に所定の高さ（長さ）が必要である。例えば４．５ＧＨｚ帯で高さは３ｍｍ以上となって、低背化が困難である。【０００７】
そこで、この発明の目的は、占有面積の縮小化及び低背化が図れる信号伝達用通信体及びカプラを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の信号伝達用通信体は、信号伝送用線路及びグランド電極が形成された基底部と、前記基底部に対して平行な平面状の結合用平面導体と、前記結合用平面導体と前記信号伝送用線路との間に接続されるインダクタ回路と、前記結合用平面導体の一部（所定位置）と前記グランド電極との間に接続され、且つキャパシタとインダクタとが直列接続されたＬＣ直列回路と、を備え、
前記インダクタ回路が前記結合用平面導体と前記基底部との間に配置され、前記ＬＣ直列回路が前記結合用平面導体と前記基底部との間に配置されたことを特徴としている。【０００９】
前記基底部、前記結合用平面導体、前記インダクタ回路構成部、及び前記ＬＣ直列回路構成部は、例えば複数の誘電体層と複数の導体層とが積層された多層基板に構成されている。【００１０】
前記基底部は、例えば前記結合用平面導体、前記インダクタ回路、及び前記ＬＣ直列回路を実装する実装基板であり、前記結合用平面導体が対向する領域に開口部を有するグランド電極が前記実装基板に形成されている。【００１１】
前記結合用平面導体、前記インダクタ回路、及び前記ＬＣ直列回路は、例えば一つのモジュールとして構成されている。【００１２】
例えば、前記グランド電極が形成された層は２層以上あり、各グランド電極の開口部のうち前記結合用平面導体に最も近い開口部の大きさは最小である。【００１３】
前記ＬＣ直列回路の前記キャパシタは、前記結合用平面導体に対して平行に対向する平面導体を備え、前記平面導体が前記結合用平面導体の中心に対して回転対称形に形成され、前記インダクタ回路が前記平面導体の中心に対して対称位置に配置される。【００１４】
前記インダクタ回路構成部は、例えば前記基底部に対して平行または垂直な面に沿って旋回するスパイラル状の導体を備える。【００１５】
前記ＬＣ直列回路構成部は、例えば前記基底部に対して平行または垂直な面に沿って旋回するスパイラル状の導体を備える。【００１６】
前記ＬＣ直列回路構成部は、例えば前記基底部に対して平行な面状に広がり、対向する部分でキャパシタンスを生じさせる複数の平面導体を備える。【００１７】
前記インダクタ回路構成部または前記ＬＣ直列回路構成部の少なくとも一方は、例えば前記基底部に実装されたチップ部品で構成される。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、次のような効果を奏する。
（ａ）ＬＣ直列回路構成部のキャパシタンス成分とインダクタンス成分の大きさによって得られる共振周波数により、送受信透過特性の所望の周波数に減衰極を設けることができる。通信で使用する周波数帯域外の低周波数側または高周波数側またはその両方に減衰極を設定することで所望の使用周波数の通過帯域特性を得ることができる。【００１９】
（ｂ）前記基底部、前記結合用平面導体、前記インダクタ回路、及び前記ＬＣ直列回路が、複数の誘電体層と複数の導体層との積層による多層基板に構成されることによって、一般的な多層基板の工程で容易に製造できるようになる。【００２０】
（ｃ）特許文献１に示されているような折り畳み状スタブを誘電体基板上に形成する必要がなく、占有面積が縮小化できる。【００２１】
（ｄ）実装基板のグランド電極が、結合用平面導体と対向する領域に開口部を有することにより、結合用平面導体とグランド電極との間に発生する寄生容量が低減される。そのため、実装基板の厚さ寸法及び誘電率の違いによる特性変動を抑えることができる。【００２２】
（ｅ）特に、グランド電極が形成された層が２層以上あって、各グランド電極の開口部のうち結合用平面導体に最も近い開口部の大きさが最小であると、実装基板の厚さ寸法及び誘電率の違いによる特性変動がより効果的に低減される。【００２３】
（ｆ）前記ＬＣ直列回路のキャパシタが、前記結合用平面導体に対して平行に対向する平面導体を備え、その平面導体が前記結合用平面導体の中心に対して回転対称形に形成され、前記インダクタ回路が前記平面導体の中心に対して対称位置に配置されることにより、二つの信号伝達用通信体の結合用平面導体同士が対向した状態で面内方向の位置ずれに対する特性変動が抑えられる。【００２４】
（ｇ）前記インダクタ回路構成部または前記ＬＣ直列回路構成部にスパイラル状の導体を備えることにより、単位体積当たりのインダクタンス成分が大きくなり、結合用平面導体の位置を低くでき、通信体を低背化できる。また、減衰極形成のためのインダクタンス成分を単位体積内でより広範囲に亘って設定可能となる。【００２５】
（ｈ）前記ＬＣ直列回路構成部に複数の平面導体を構成することにより、単位体積当たりのキャパシタンス成分が大きくなり、結合用平面導体の位置を低くでき、通信体を低背化できる。また、減衰極形成のためのキャパシタンス成分を単位体積内でより広範囲に亘って設定可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】特許文献１に示されている通信体の斜視図である。
【図２】図１に示した通信体を二つ用いて構成した通信装置の等価回路図である。
【図３】図３（Ａ）は信号伝達用通信体２０１の斜視図、図３（Ｂ）はその主要部の断面図である。
【図４】図３に示した信号伝達用通信体２０１の等価回路図である。
【図５】図５（Ａ）は第２の実施形態に係るカプラ３０１の主要部の斜視図である。図５（Ｂ）はカプラ３０１の主要部の断面図である。
【図６】図５に示したカプラ３０１の等価回路図である。
【図７】図７（Ａ）は、第１の信号伝達用通信体２０１のマイクロストリップラインからカプラ３０１を見た反射特性の周波数特性を示す図である。図７（Ｂ）は、第１の信号伝達用通信体２０１のマイクロストリップラインから第２の信号伝達用通信体２０２のマイクロストリップラインへの透過特性の周波数特性を示す図である。
【図８】図８（Ａ）は第３の実施形態に係るカプラ３０２の主要部の斜視図である。図８（Ｂ）はカプラ３０２の主要部の断面図である。
【図９】図８に示したカプラ３０２の等価回路図である。
【図１０】図１０（Ａ）は、第１の信号伝達用通信体２０３のマイクロストリップラインからカプラ３０２を見た反射特性（ＳパラメータのＳ１１）の周波数特性を示す図である。図１０（Ｂ）は、第１の信号伝達用通信体２０３のマイクロストリップラインから第２の信号伝達用通信体２０４のマイクロストリップラインへの透過特性の周波数特性を示す図である。
【図１１】図１１（Ａ）は第４の実施形態に係るカプラ３０３の部分斜視図である。図１１（Ｂ）はカプラ３０３の主要部の断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は、第１の信号伝達用通信体２０５のマイクロストリップラインからカプラ３０３を見た反射特性（ＳパラメータのＳ１１）の周波数特性を示す図である。図１２（Ｂ）は、第１の信号伝達用通信体２０５のマイクロストリップラインから第２の信号伝達用通信体２０６のマイクロストリップラインへの透過特性の周波数特性を示す図である。
【図１３】図１３（Ａ）は第５の実施形態に係る信号伝達用通信体２０７の斜視図である。図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）においてＸ−Ｚ面からＹ軸方向を見た透視図である。また図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）においてＹ−Ｚ面から−Ｘ軸方向を見た透視図である。
【図１４】図１４（Ａ）は第６の実施形態に係るカプラ３０４の主要部の斜視図である。また図１４（Ｂ）はカプラ３０４の主要部の断面図である。
【図１５】図１４に示したカプラ３０４の等価回路図である。
【図１６】図１６（Ａ）は、第６の実施形態に係るカプラ３０４における第１の信号伝達用通信体２０８に対する第２の信号伝達用通信体２０９の位置ずれ量を示す図である。図１６（Ｂ）は、第３の実施形態に係るカプラ３０２における第１の信号伝達用通信体２０３に対する第２の信号伝達用通信体２０４の位置ずれ量を示す図である。
【図１７】図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）は、透過特性（ＳパラメータのＳ２１）の周波数特性が位置ずれ量（ｄｘ、ｄｙ、ｄｚ）に応じてどのように変化するかを示す図である。
【図１８】図１８（Ａ）は第７の実施形態に係る信号伝達用通信体２１０の斜視図である。図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）の向きで手前から見た透視図である。
【図１９】第８の実施形態に係る信号伝達用通信体２１１の斜視図である。
【図２０】図２０（Ａ）は第９の実施形態に係る信号伝達用通信体２１２の斜視図、図２０（Ｂ）はその主要部の断面図である。
【図２１】図２１（Ａ）は第１０の実施形態に係る信号伝達用通信体２１３の斜視図、図２１（Ｂ）はその主要部の断面図である。
【図２２】図２２（Ａ）は、第１０の実施形態に係る信号伝達用通信体で構成されるカプラの透過特性の周波数特性を示す図である。図２２（Ｂ）は、図５に示したカプラ３０１の透過特性の周波数特性を示す図である。
【図２３】実装基板の下面グランド電極開口部ＲＡ２と上面グランド電極開口部ＲＡ３の大きさの関係が異なる３つの信号伝達用通信体の主要部の断面図である。
【図２４】図２４（Ａ）は、図２３（Ａ）に示した信号伝達用通信体を用いたカプラの透過特性（Ｓ２１）の周波数特性である。図２４（Ｂ）は、図２３（Ｂ）に示した信号伝達用通信体を用いたカプラの透過特性（Ｓ２１）の周波数特性である。同様に、図２４（Ｃ）は、図２３（Ｃ）に示した信号伝達用通信体を用いたカプラの透過特性（Ｓ２１）の周波数特性である。
【図２５】図２５（Ａ）は信号伝達用通信体２１４の斜視図、図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）を、信号伝送用線路１３の向きに見た透視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
《第１の実施形態》
第１の実施形態に係る信号伝達用通信体２０１の構成を図３・図４を参照して説明する。
図３（Ａ）は信号伝達用通信体２０１の斜視図、図３（Ｂ）はその主要部の断面図である。信号伝達用通信体２０１には基板１１を備えている。基板１１の下面にはグランド電極１２、上面には信号伝送用線路１３がそれぞれ形成されている。この基板１１、グランド電極１２、及び信号伝送用線路１３によってマイクロストリップラインが構成されている。この例では、前記マイクロストリップラインが構成されている層が基底部１０に相当する。
【００２８】
信号伝達用通信体２０１には、前記基底部１０に対して平行な矩形板状の結合用平面導体２１を備えている。結合用平面導体２１と基底部１０との間には、結合用平面導体２１と前記信号伝送用線路１３との間を接続する柱状導体２２が設けられている。この柱状導体２２によってインダクタ回路が構成されている。
【００２９】
結合用平面導体２１と基底部１０との間には、結合用平面導体２１の一部とグランド電極１２との間に接続されるＬＣ直列回路ＬＣ１，ＬＣ２が構成されている。すなわち、結合用平面導体２１の一部と所定の間隙を隔てて対向する平面導体３１，４１及びこの平面導体３１，４１とグランド電極１２との間を接続する柱状導体３２，４２が設けられている。
【００３０】
図４は、図３に示した信号伝達用通信体２０１の等価回路図である。図４において抵抗Ｒoは前記マイクロストリップラインの特性インピーダンスに相当する抵抗である。また、図４においてインダクタＬ２２は、図３に示した柱状導体２２に相当するインダクタである。またキャパシタＣ３１は前記平面導体３１と結合用平面導体２１とで構成されるキャパシタである。インダクタＬ３２は前記柱状導体３２によるインダクタである。同様に、インダクタＬ４２は前記柱状導体４２によるインダクタである。また、キャパシタＣ４１は前記平面導体４１と結合用平面導体２１とで構成されるキャパシタである。
【００３１】
このようにして、インダクタＬ２２と結合用平面導体２１とが接続されるラインに対して、二つのＬＣ直列回路ＬＣ１，ＬＣ２がそれぞれシャントに接続された回路が構成されている。従って、ＬＣ直列回路ＬＣ１，ＬＣ２はそれぞれトラップフィルタとして作用する。
【００３２】
図３に示した各部の寸法などの具体例は次のとおりである。
［結合用平面導体２１］
１２×１２ｍｍ
［平面導体３１］
５．０×５．０ｍｍ
［平面導体４１］
３．０×３．０ｍｍ
［柱状導体２２］
高さ３．０ｍｍ
［柱状導体３２］
高さ２．８ｍｍ
［柱状導体４２］
高さ２．５ｍｍ
図４に示したキャパシタＣ３１は平面導体３１と結合用平面導体２１との対向面積、間隙及び対向部分の比誘電率によって定まるので、それらの設定によってキャパシタンスを定めることができる。同様に、キャパシタＣ４１は平面導体４１と結合用平面導体２１との対向面積、間隙及び対向部分の比誘電率によって定まるので、それらの設定によってキャパシタンスを定めることができる。
【００３３】
また、図４に示したインダクタＬ３２は図３における柱状導体３２の高さおよび直径によって定まるので、それらの設定によってインダクタンスを定めることができる。同様に、もう一方のインダクタＬ４２は柱状導体４２の高さおよび直径によって定まるので、それらの設定によってインダクタンスを定めることができる。
このように多くのパラメータによってＬＣ直列回路ＬＣ１，ＬＣ２の直列共振周波数を広範囲に亘って設定できる
このように信号伝送用のラインに、共振周波数の異なった二つのトラップ回路を設けることによって、その二つの共振周波数を減衰極とすることができ、この二つの減衰極で挟まれる周波数帯域を使用可能な信号伝達用通信体が構成できる。
【００３４】
《第２の実施形態》
図５（Ａ）は第２の実施形態に係るカプラ３０１の主要部の斜視図である。また図５（Ｂ）は前記カプラ３０１の主要部の断面図である。カプラ３０１は第１の信号伝達用通信体２０１及び第２の信号伝達用通信体２０２で構成される。第１の信号伝達用通信体２０１は第１の実施形態で図３に示した信号伝達用通信体２０１と同一である。第２の信号伝達用通信体２０２についても、構造上は第１の信号伝達用通信体２０１と同一であり、結合用平面導体２１同士が対向(対面）するように二つの信号伝達用通信体２０１，２０２が配置されることによってカプラ３０１が構成される。
【００３５】
なお、結合用平面導体２１の表面には絶縁体または誘電体の層が形成されていてもよい。そのような構造であっても、互いに対向する二つの結合用平面導体２１の間に所定のキャパシタンスが生じる。
【００３６】
図６は、図５に示したカプラ３０１の等価回路図である。図６においてキャパシタＣ０は、図５に示した第１の信号伝達用通信体２０１の結合用平面導体２１と第２の信号伝達用通信体２０２の結合用平面導体２１とで構成されるキャパシタである。
【００３７】
図７（Ａ）は、第１の信号伝達用通信体２０１のマイクロストリップラインからカプラ３０１を見た反射特性（ＳパラメータのＳ１１）の周波数特性を示す図である。また、図７（Ｂ）は、第１の信号伝達用通信体２０１のマイクロストリップラインから第２の信号伝達用通信体２０２のマイクロストリップラインへの透過特性（ＳパラメータのＳ２１）の周波数特性を示す図である。いずれの図も、互いに対向する二つの結合用平面導体２１間の間隙ｄｚの寸法（ｍｍ）をパラメータとしている。
【００３８】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）においてＴｒｐ１で示す周波数帯は、図６で示したＬＣ直列回路ＬＣ１の共振周波数に相当する。同様にＴｒｐ２は、ＬＣ直列回路ＬＣ２の共振周波数に相当する。この例では二つのトラップ周波数の間の周波数４．５ＧＨｚが通信用の周波数帯の設計中心である。前記間隙ｄｚが１〜３０ｍｍ変化しても、ほぼ４．５ＧＨｚで低反射特性及び低挿入損失特性が得られることがわかる。
【００３９】
なお、前記間隙ｄｚの値によってトラップ周波数が変化するのは、互いに対向する二つの結合用平面導体２１の間に形成されるキャパシタンスが変化することに起因している。
【００４０】
このように、使用する通信周波数帯に応じて低域側と高域側のトラップ周波数をそれぞれ適宜定めることによって反射特性及び透過特性について最適な特性が得られる。
【００４１】
《第３の実施形態》
図８（Ａ）は第３の実施形態に係るカプラ３０２の主要部の斜視図である。また図８（Ｂ）は前記カプラ３０２の主要部の断面図である。カプラ３０２は第１の信号伝達用通信体２０３及び第２の信号伝達用通信体２０４で構成される。
【００４２】
第１の信号伝達用通信体２０３と第２の信号伝達用通信体２０４はいずれも、第１の実施形態で図３に示した信号伝達用通信体２０１の平面導体４１及び柱状導体４２が無い構造である。
【００４３】
図９は、図８に示したカプラ３０２の等価回路図である。図９においてキャパシタＣ０は、図８に示した第１の信号伝達用通信体２０３の結合用平面導体２１と第２の信号伝達用通信体２０４の結合用平面導体２１とで構成されるキャパシタである。
【００４４】
図１０（Ａ）は、第１の信号伝達用通信体２０３のマイクロストリップラインからカプラ３０２を見た反射特性（ＳパラメータのＳ１１）の周波数特性を示す図である。また、図１０（Ｂ）は、第１の信号伝達用通信体２０３のマイクロストリップラインから第２の信号伝達用通信体２０４のマイクロストリップラインへの透過特性（ＳパラメータのＳ２１）の周波数特性を示す図である。いずれの図も、互いに対向する二つの結合用平面導体２１間の間隙ｄｚの寸法（ｍｍ）をパラメータとしている。
【００４５】
図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）においてＴｒｐ１で示す周波数帯は、図９で示したＬＣ直列回路ＬＣ１の共振周波数に相当する。この例では周波数４．５ＧＨｚが通信用の周波数帯の設計中心である。前記間隙ｄｚが１〜３０ｍｍ変化しても、ほぼ４．５ＧＨｚで低反射特性及び低挿入損失特性が得られることがわかる。
【００４６】
このように、使用する通信周波数帯に応じて低域側のトラップ周波数を適宜定めることによって反射特性及び透過特性について最適な特性が得られる。
同様に、使用する通信周波数帯に応じて高域側のトラップ周波数を適宜定めることによって反射特性及び透過特性について最適な特性を得るようにしてもよい。
【００４７】
《第４の実施形態》
図１１（Ａ）は第４の実施形態に係るカプラ３０３の部分斜視図である。また図１１（Ｂ）は前記カプラ３０３の主要部の断面図である。カプラ３０３は第１の信号伝達用通信体２０５及び第２の信号伝達用通信体２０６で構成される。
【００４８】
第１の信号伝達用通信体２０５と第２の信号伝達用通信体２０６のそれぞれの結合用平面導体２１同士が対向(対面）するように二つの信号伝達用通信体２０５，２０６が配置されることによってカプラ３０３が構成される。
【００４９】
信号伝達用通信体２０５には基板１１を備えている。基板１１の下面にはグランド電極１２、上面には信号伝送用線路１３がそれぞれ形成されている。この基板１１、グランド電極１２、及び信号伝送用線路１３によってマイクロストリップラインが構成されている。前記マイクロストリップラインが構成されている層が基底部１０に相当する。
【００５０】
信号伝達用通信体２０５には、前記基底部１０に対して平行な矩形板状の結合用平面導体２１を備えている。結合用平面導体２１と基底部１０との間には、結合用平面導体２１と前記信号伝送用線路１３との間を接続する柱状導体２２が設けられている。この柱状導体２２によってインダクタ回路が構成されている。
【００５１】
結合用平面導体２１と基底部１０との間には、結合用平面導体２１の一部とグランド電極１２との間に接続されるＬＣ直列回路ＬＣ１が構成されている。すなわち、結合用平面導体２１、キャパシタ用平面導体２１ｂ，２１ｃと、キャパシタ用平面導体３１ａ，３１ｂ，３１ｃとが交互に配置されて、互いに隣接するキャパシタ用平面導体間に容量を生じさせている。したがって結合用平面導体２１の一部及びキャパシタ用平面導体２１ｂ，２１ｃ，３１ａ，３１ｂ，３１ｃによって、限られた面積内に比較的大容量のキャパシタが構成できる。このキャパシタと柱状導体３２とによってＬＣ直列回路ＬＣ１が構成されている。
信号伝達用通信体２０６の構成も信号伝達用通信体２０５の構成と同様である。
【００５２】
図１２（Ａ）は、第１の信号伝達用通信体２０５のマイクロストリップラインからカプラ３０３を見た反射特性（ＳパラメータのＳ１１）の周波数特性を示す図である。また、図１２（Ｂ）は、第１の信号伝達用通信体２０５のマイクロストリップラインから第２の信号伝達用通信体２０６のマイクロストリップラインへの透過特性（ＳパラメータのＳ２１）の周波数特性を示す図である。いずれの図も、互いに対向する二つの結合用平面導体２１間の間隙ｄｚの寸法（ｍｍ）をパラメータとしている。
【００５３】
図１２（Ａ）および図１２（Ｂ）においてＴｒｐ１で示す周波数帯は、図１１で示したＬＣ直列回路ＬＣ１の共振周波数に相当する。この例では周波数４．５ＧＨｚが通信用の周波数帯の設計中心である。前記間隙ｄｚが１〜３０ｍｍ変化しても、ほぼ４．５ＧＨｚで低反射特性及び低挿入損失特性が得られることがわかる。
【００５４】
このように、使用する通信周波数帯に応じて低域側のトラップ周波数を適宜定めることによって反射特性及び透過特性について最適な特性が得られる。
《第５の実施形態》
図１３（Ａ）は第５の実施形態に係る信号伝達用通信体２０８の斜視図である。図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）においてＸ−Ｚ面からＹ軸方向を見た透視図である。また図１３（Ｃ）は、図１３（Ａ）においてＹ−Ｚ面から−Ｘ軸方向を見た透視図である。
【００５５】
第５の実施形態に係る信号伝達用通信体２０８は複数の誘電体層と複数の導体層とが積層された多層基板５０に構成されている。多層基板５０の下面にはグランド電極１２が形成されている。また、多層基板５０の内部には信号伝送用線路１３が形成されている。この信号伝送用線路１３、グランド電極１２及びその間の誘電体層によってマイクロストリップラインが構成されている。
【００５６】
また多層基板５０の内部には矩形板状の結合用平面導体２１が形成され、そのほぼ中央に第１の端部が接する柱状導体２２Ａ、また第１の端部が信号伝送用線路１３に導通する柱状導体２２Ｂが形成されている。また、柱状導体２２Ａの第２の端部と柱状導体２２Ｂの第２の端部との間にスパイラル状インダクタＳＰ２２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ２２は、基底部１０に対して平行な導体層と垂直なビアによって、基底部１０の平行な面に沿って旋回する複数のスパイラル状の導体パターンによって構成されている。
【００５７】
また多層基板５０の内部には、結合用平面導体２１の一部、キャパシタ用平面導体２１ｂ、２１ｃ、及びキャパシタ用平面導体３１ａによってキャパシタが構成されている。
【００５８】
また、多層基板５０の内部には、第１の端部がグランド電極１２に導通する柱状導体３２が形成されている。さらに柱状導体３２の第２の端部と前記キャパシタ用平面導体２１ｃとの間にスパイラル状インダクタＳＰ３２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ３２も、基底部１０に対して平行な導体層と垂直なビアによって、基底部１０の平行な面に沿って旋回するスパイラル状の導体パターンによって構成されている。
【００５９】
多層基板５０の寸法は、例えば３．５〜４．５ｍｍ×３．５〜４．５ｍｍ×０．９５ｍｍである。比誘電率は例えば６．０である。
【００６０】
このようにして多層基板５０の内部に基底部１０、結合用平面導体２１、インダクタ回路、ＬＣ直列回路が設けられて、信号伝達用通信体２０８が構成される。この信号伝達用通信体２０８の等価回路は、第３の実施形態で図９に示したカプラ３０２のうち一方の信号伝達用通信体の等価回路と同様である。
【００６１】
この第５の実施形態によれば、インダクタをスパイラル状の導体パターンで構成したことにより、単位体積あたりのインダクタンス成分が向上し、そのため信号伝達用通信体２０７全体が低背化できる。また、多層基板５０の誘電率による波長短縮効果により、信号伝達用通信体２０７を小面積化できる。さらに、多層基板工法で製造できるので工業化が容易である。
【００６２】
多層基板５０の内部には、同様にして二つまたはそれ以上のＬＣ直列回路を構成してもよい。
【００６３】
《第６の実施形態》
図１４（Ａ）は第６の実施形態に係るカプラ３０４の主要部の斜視図である。また図１４（Ｂ）は前記カプラ３０４の主要部の断面図である。カプラ３０４は第１の信号伝達用通信体２０８及び第２の信号伝達用通信体２０９で構成される。
【００６４】
第１の信号伝達用通信体２０８には基板１１を備えている。基板１１の下面にはグランド電極１２、上面には信号伝送用線路１３がそれぞれ形成されている。この基板１１、グランド電極１２、及び信号伝送用線路１３によって、基底部１０にマイクロストリップラインが構成されている。
【００６５】
第１の信号伝達用通信体２０８には、基底部１０に平行な矩形板状の結合用平面導体２１を備えている。また、結合用平面導体２１と所定の間隙を隔てて対向する平面導体３１が設けられている。この平面導体３１の中央には矩形の開口ＲＡが形成されている。この平面導体３１は結合用平面導体２１の中心に対して回転対称形に形成されている。
【００６６】
結合用平面導体２１と基底部１０との間には、結合用平面導体２１と信号伝送用線路１３との間を接続する柱状導体２２が設けられている。柱状導体２２は平面導体３１の開口ＲＡを貫通し、平面導体３１には導通しない。この柱状導体２２によってインダクタ回路が構成されている。このインダクタ回路は平面導体３１の中心に対して対称位置に配置されている。
【００６７】
結合用平面導体２１と基底部１０との間には、結合用平面導体２１の一部とグランド電極１２との間に接続されるＬＣ直列回路ＬＣ１，ＬＣ２が構成されている。すなわち、結合用平面導体２１の一部と所定の間隙を隔てて対向する平面導体３１及びこの平面導体３１とグランド電極１２との間を接続する柱状導体３２，４２が設けられている。
【００６８】
第２の信号伝達用通信体２０９についても、構造上は第１の信号伝達用通信体２０８と同一であり、結合用平面導体２１同士が対向(対面）するように二つの信号伝達用通信体２０８，２０９が配置されることによってカプラ３０４が構成される。
【００６９】
図１４に示した各部の寸法などの具体例は次のとおりである。
［結合用平面導体２１］
１５×１５ｍｍ
［平面導体３１］
１５×１５ｍｍ
［開口ＲＡ］
２．０×２．０ｍｍ
［柱状導体２２］
高さ３．０ｍｍ
［柱状導体３２］
高さ２．８ｍｍ
［柱状導体４２］
高さ２．８ｍｍ
図１５は、図１４に示したカプラ３０４の等価回路図である。図１５において抵抗Ｒoは前記マイクロストリップラインの特性インピーダンスに相当する抵抗である。また、図１５においてインダクタＬ２２は、図３に示した柱状導体２２に相当するインダクタである。また、キャパシタＣ３１は、平面導体３１の柱状導体３２近傍と結合用平面導体２１とで構成されるキャパシタである。同様に、キャパシタＣ４１は、平面導体３１の柱状導体４２近傍と結合用平面導体２１とで構成されるキャパシタである。インダクタＬ３２は前記柱状導体３２によるインダクタ、インダクタＬ４２は前記柱状導体４２によるインダクタである。
【００７０】
このようにして、インダクタＬ２２と結合用平面導体２１とが接続されるラインに対して、ＬＣ直列回路ＬＣ１２がシャントに接続された回路が構成されている。従って、ＬＣ直列回路ＬＣ１２はトラップフィルタとして作用する。ここで、キャパシタＣ３１とインダクタＬ３２とによって第１のトラップフィルタとして作用し、キャパシタＣ４１とインダクタＬ４２とによって第２のトラップフィルタとして作用する。
【００７１】
図１５においてキャパシタＣ０は、図１４に示した第１の信号伝達用通信体２０８の結合用平面導体２１と第２の信号伝達用通信体２０９の結合用平面導体２１とで構成されるキャパシタである。
【００７２】
図１６・図１７は、第６の実施形態に係るカプラの特性と第３の実施形態に係るカプラの特性を比較するための図である。
図１６（Ａ）は、第６の実施形態に係るカプラ３０４における第１の信号伝達用通信体２０８に対する第２の信号伝達用通信体２０９の位置ずれ量を示す図である。また、図１６（Ｂ）は、第３の実施形態に係るカプラ３０２における第１の信号伝達用通信体２０３に対する第２の信号伝達用通信体２０４の位置ずれ量を示す図である。
【００７３】
第１の信号伝達用通信体２０８と第２の信号伝達用通信体２０９は、何れもｘ−ｙ平面に平行であり、ｘ−ｙ平面の面内方向の位置ずれ量を（ｄｘ、ｄｙ、ｄｚ）で表す。
【００７４】
図１７（Ａ）、図１７（Ｂ）は、透過特性（ＳパラメータのＳ２１）の周波数特性が位置ずれ量（ｄｘ、ｄｙ、ｄｚ）に応じてどのように変化するかを示す図である。ここでは、次の４つの位置ずれを例にしている。
【００７５】
［ａ］（ｄｘ，ｄｙ，ｄｚ）＝（−１０ｍｍ，    ０ｍｍ，  １０ｍｍ）
［ｂ］（ｄｘ，ｄｙ，ｄｚ）＝（  １０ｍｍ，    ０ｍｍ，  １０ｍｍ）
［ｃ］（ｄｘ，ｄｙ，ｄｚ）＝（    ０ｍｍ，−１０ｍｍ，  １０ｍｍ）
［ｄ］（ｄｘ，ｄｙ，ｄｚ）＝（    ０ｍｍ，  １０ｍｍ，  １０ｍｍ）
図１７（Ｂ）において、曲線Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃ，Ｃｄはそれぞれ上記ずれ［ａ］［ｂ］［ｃ］［ｄ］での特性である。また、図１７（Ａ）においても、上記ずれ［ａ］［ｂ］［ｃ］［ｄ］での特性をプロットしているが、曲線は全て重なっている。
【００７６】
第３の実施形態に係るカプラ３０２では、図１７（Ｂ）のように、面内方向の位置ずれ量を（ｄｘ，ｄｙ，ｄｚ）に応じて、透過特性が変動する。これに対して、第６の実施形態に係るカプラ３０４では、図１７（Ａ）のように、ｘ−ｙ平面内の１０ｍｍ程度のずれでは特性変動がないことが分かる。
【００７７】
《第７の実施形態》
図１８（Ａ）は第７の実施形態に係る信号伝達用通信体２１０の斜視図である。図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）の向きで手前から見た透視図である。
【００７８】
第７の実施形態に係る信号伝達用通信体２１０は複数の誘電体層と複数の導体層とが積層された多層基板５０に構成されている。多層基板５０の下面にはグランド電極１２が形成されている。また、多層基板５０の内部には信号伝送用線路１３が形成されている。
【００７９】
多層基板５０の内部には矩形板状の結合用平面導体２１が形成され、そのほぼ中央に第１の端部が接する柱状導体２２Ａ、また第１の端部が前記信号伝送用線路１３に導通する柱状導体２２Ｂが形成されている。また、柱状導体２２Ａの第２の端部と柱状導体２２Ｂの第２の端部との間にスパイラル状インダクタＳＰ２２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ２２は、基底部１０に対して平行な導体層と垂直なビアによって、基底部１０の平行な面に沿って旋回する複数のスパイラル状の導体パターンによって構成されている。
【００８０】
また、多層基板５０の内部には、第１の端部がグランド電極１２に導通する柱状導体３２が形成されている。さらに柱状導体３２の第２の端部と平面導体３１との間にスパイラル状インダクタＳＰ３２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ３２も、基底部１０に対して平行な導体層と垂直なビアによって、基底部１０の平行な面に沿って旋回するスパイラル状の導体パターンで構成されている。
【００８１】
同様に、多層基板５０の内部には、第１の端部がグランド電極１２に導通する柱状導体４２が形成されている。さらに柱状導体４２の第２の端部と平面導体３１との間にスパイラル状インダクタＳＰ４２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ４２も、基底部１０に対して平行な導体層と垂直なビアによって、基底部１０の平行な面に沿って旋回するスパイラル状の導体パターンによって構成されている。
【００８２】
多層基板５０の寸法は、例えば４．０ｍｍ×４．０ｍｍ×１．０ｍｍである。比誘電率は例えば６．０である。
【００８３】
このようにして多層基板５０の内部に基底部１０、結合用平面導体２１、インダクタ回路、ＬＣ直列回路が設けられて、信号伝達用通信体２１０が構成される。この信号伝達用通信体２１０の等価回路は第６の実施形態で示したものと同様である。
【００８４】
第７の実施形態によれば、インダクタをスパイラル状の導体パターンで構成したことにより、単位体積あたりのインダクタンス成分が向上し、そのため信号伝達用通信体２１０全体が低背化できる。また、多層基板５０の誘電率による波長短縮効果により、信号伝達用通信体２１０を小面積化できる。さらに、多層基板工法で製造できるので工業化が容易である。
【００８５】
《第８の実施形態》
図１９は第８の実施形態に係る信号伝達用通信体２１１の斜視図である。第８の実施形態においても、信号伝達用通信体２１１は、複数の誘電体層と複数の導体層とが積層された多層基板５０に構成されている。
【００８６】
この第８の実施形態では、結合用平面導体２１と信号伝送用線路１３との間に接続されるインダクタ回路が、基底部の面（多層基板５０の下面）に対して垂直な面に沿って旋回するスパイラル状インダクタＳＰ２２を備えている。このスパイラル状インダクタＳＰ２２は、複数の線状下部導体ＳＰ２２Ｂ、複数の線状上部導体ＳＰ２２Ｕ、及び複数のビアＳＰ２２Ｖで構成されている。すなわち、線状下部導体ＳＰ２２Ｂの端部と線状上部導体ＳＰ２２Ｕの端部がビアＳＰ２２Ｖで順次接続されることによって、全体にスパイラル状の導体によるインダクタが構成されている。
【００８７】
信号伝送用線路１３とスパイラル状インダクタＳＰ２２との間には柱状導体２２Ｂが形成されている。また、スパイラル状インダクタＳＰ２２と結合用平面導体２１との間には柱状導体２２Ａが形成されている。これらの柱状導体２２Ａ、２２Ｂとスパイラル状インダクタＳＰ２２とによって、結合用平面導体２１と信号伝送用線路１３との間のインダクタ回路が構成されている。
【００８８】
また、多層基板５０の内部には、第１の端部がグランド電極に導通する柱状導体４２が形成されている。この柱状導体４２の第２の端部と平面導体３１との間にスパイラル状インダクタＳＰ４２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ４２は、基底部に対して平行な導体層と垂直なビアによって、基底部の平行な面に沿って旋回するスパイラル状の導体パターンを構成している。
【００８９】
同様に、多層基板５０の内部には、第１の端部がグランド電極に導通する柱状導体が形成されている。この柱状導体の第２の端部と平面導体３１との間にスパイラル状インダクタＳＰ３２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ３２も、基底部に対して平行な導体層と垂直なビアによって、基底部の平行な面に沿って旋回するスパイラル状の導体パターンを構成している。
上記スパイラル状インダクタＳＰ３２，ＳＰ４２の構成は第７の実施形態で示したものと同様である。
【００９０】
このように、結合用平面導体２１と信号伝送用線路１３との間に接続されるインダクタ回路の一部を、基底部の面に対して垂直な面に沿って旋回するスパイラル状インダクタＳＰ２２で構成することができる。同様に、結合用平面導体２１の一部とグランド電極との間に接続されるＬＣ直列回路のインダクタについても、その全部又は一部を、基底部の面に対して垂直な面に沿って旋回するスパイラル状インダクタで構成してもよい。
【００９１】
《第９の実施形態》
第９の実施形態に係る信号伝達用通信体及びカプラの構成について、図２０を参照して説明する。
図２０（Ａ）は信号伝達用通信体２１２の斜視図、図２０（Ｂ）はその主要部の断面図である。信号伝達用通信体２１２は実装基板６０を備えている。
【００９２】
実装基板６０は、基材６１と、この基材６１の下面に形成されている下面グランド電極６２と、基材６１の上面に形成されている上面グランド電極６３と、同じく基材６１の上面に形成されている信号伝送用線路１３とで構成されている。下面グランド電極６２には方形の下面グランド電極開口部ＲＡ２が形成されていて、上面グランド電極６３には概略形状が方形である上面グランド電極開口部ＲＡ３が形成されている。
【００９３】
信号伝送用線路１３は、上面グランド電極開口部ＲＡ３より外方に延びていて、この信号伝送用線路１３と上面グランド電極６３及び下面グランド電極６２とによってグラウンデッドコプレーナ線路が構成されている。
【００９４】
信号伝達用通信体２１２には、実装基板６０に対して平行な矩形板状の結合用平面導体２１を備えている。結合用平面導体２１と実装基板６０との間には、結合用平面導体２１と信号伝送用線路１３との間を接続する柱状導体２２が設けられている。この柱状導体２２によってインダクタ回路が構成されている。
【００９５】
結合用平面導体２１と実装基板６０との間には、結合用平面導体２１の一部と上面グランド電極６３との間に接続されるＬＣ直列回路ＬＣ１，ＬＣ２が構成されている。すなわち、結合用平面導体２１の一部と所定の間隙を隔てて対向する平面導体３１，４１及びこの平面導体３１，４１とグランド電極１２との間を接続する柱状導体３２，４２が設けられている。
【００９６】
下面グランド電極開口部ＲＡ２及び上面グランド電極開口部ＲＡ３は、結合用平面導体２１と対向する領域に形成されている。特に、この例では、下面グランド電極開口部ＲＡ２の中心と上面グランド電極開口部ＲＡ３の中心は柱状導体２２の中心軸と一致している。すなわち、これらがほぼ同軸関係にある。
【００９７】
信号伝達用通信体２１２の等価回路は、第１の実施形態で示した信号伝達用通信体２０１の等価回路（図４参照）と同じである。
【００９８】
図２０に示した信号伝達用通信体２１２を二つ用い、それぞれの結合用平面導体２１同士が対向(対面）するように配置されることによってカプラが構成される。
【００９９】
このように、結合用平面導体２１と下面グランド電極開口部ＲＡ２とが対向しているので、結合用平面導体２１と下面グランド電極６２との間に発生する寄生容量が低減される。そのため、実装基板６０の厚さ寸法ｄｔの変化に対する信号伝達用通信体としての特性及びカプラとしての特性の変動を抑えることができる。すなわち、誘電率及び厚みの異なる種々の実装基板を用いても、安定した特性が得られる。
【０１００】
《第１０の実施形態》
第１０の実施形態に係る信号伝達用通信体及びカプラの構成と特性について、図２１〜図２４を参照して説明する。
図２１（Ａ）は信号伝達用通信体２１３の斜視図、図２１（Ｂ）はその主要部の断面図である。信号伝達用通信体２１３は、多層基板で構成されたモジュール７０とそれを実装する実装基板６０とによって構成されている。
【０１０１】
第９の実施形態で図２０に示した信号伝達用通信体２１２と異なり、結合用平面導体２１、インダクタ回路、及びＬＣ直列回路が一つのモジュール７０として構成されている。このモジュール７０は、複数の誘電体層と複数の導体層との積層による多層基板に構成されている。第９の実施形態の信号伝達用通信体２１２と第１０の実施形態の信号伝達用通信体２１３とは電気的には等価である。
【０１０２】
図２１に示した各部の寸法などの具体例は次のとおりである。
［結合用平面導体２１］
１２×１２ｍｍ
［平面導体３１］
５．０×５．０ｍｍ
［平面導体４１］
２．５×２．５ｍｍ
［柱状導体２２］
高さ２．１ｍｍ
［柱状導体３２］
高さ１．８ｍｍ
［柱状導体４２］
高さ１．５ｍｍ
［実装基板６０］
厚み０．５〜１．５ｍｍ
［下面グランド電極開口部ＲＡ２］
１４×１４ｍｍ
［上面グランド電極開口部ＲＡ３の外形］
１２×１２ｍｍ
図２２（Ａ）は、第１０の実施形態に係る信号伝達用通信体で構成されるカプラの透過特性（ＳパラメータのＳ２１）の周波数特性を示す図である。図２２（Ｂ）は、図５に示したカプラ３０１の透過特性（ＳパラメータのＳ２１）の周波数特性を示す図である。この図２２（Ｂ）は比較例である。いずれの図も、実装基板６０の厚み寸法ｄｔをパラメータとしている。
【０１０３】
結合用平面導体と対向する領域にグランド開口部が形成されていないと、実装基板６０の厚さ寸法ｄｔを０．５〜１．５ｍｍの範囲で変化させると、図２２（Ｂ）のように透過特性（Ｓ２１）が大きく変化する。これに対して、第９の実施形態によれば、図２２（Ａ）のように、透過特性（Ｓ２１）は殆ど変動しない。
【０１０４】
次に、実装基板の下面グランド電極開口部ＲＡ２と上面グランド電極開口部ＲＡ３の大きさと前記透過特性との関係について、図２３・図２４を用いて説明する。
実装基板の２層以上のグランドが形成されている場合、各グランド層の開口部の大きさの関係によって、前述の浮遊容量の変化の抑制効果が異なる。図２３（Ａ）のように、下面グランド電極開口部ＲＡ２より上面グランド電極開口部ＲＡ３が小さいと、結合用平面導体２１と下面グランド電極６２との間に生じる浮遊容量は小さい。図２３（Ｂ）のように、下面グランド電極開口部ＲＡ２と上面グランド電極開口部ＲＡ３が同じ大きさである場合も、結合用平面導体２１と下面グランド電極６２との間に生じる浮遊容量は小さい。しかし、図２３（Ｃ）のように、下面グランド電極開口部ＲＡ２より上面グランド電極開口部ＲＡ３が大きいと、結合用平面導体２１と下面グランド電極６２との間に生じる浮遊容量が大きい。
【０１０５】
このように、実装基板にグランド電極が２層以上設けられた場合は、結合用平面導体２１に近い上面グランド電極開口部ＲＡ３が、全てのグランド電極開口部の中で最小となるように定めておく。この構造により、上面グランド電極６３によって、結合用平面導体２１と下面グランド電極６２との間に生じる寄生容量が抑制される。
【０１０６】
図２４（Ａ）は、図２３（Ａ）に示した信号伝達用通信体を用いたカプラの透過特性（Ｓ２１）の周波数特性である。図２４（Ｂ）は、図２３（Ｂ）に示した信号伝達用通信体を用いたカプラの透過特性（Ｓ２１）の周波数特性である。同様に、図２４（Ｃ）は、図２３（Ｃ）に示した信号伝達用通信体を用いたカプラの透過特性（Ｓ２１）の周波数特性である。
【０１０７】
このように、図２３（Ａ）、図２３（Ｂ）の構造であれば、上面グランド電極６３によって、結合用平面導体２１と下面グランド電極６２との寄生容量が遮断されるため、基板厚さの変化に対する特性変動が抑制される。
【０１０８】
なお、以上に示した例では、実装基板６０に２層のグランド電極層を備えたが、グランド電極が３層以上存在する場合についても、結合用平面導体２１に最も近いグランド電極の開口が、全てのグランド電極開口部の中で最小となるように定めておく。この構造により、結合用平面導体２１に最も近いグランド電極によって、結合用平面導体２１と下面グランド電極６２との間に生じる寄生容量が抑制される。
【０１０９】
《第１１の実施形態》
第１１の実施形態に係る信号伝達用通信体及びカプラについて、図２５を参照して説明する。
図２５（Ａ）は信号伝達用通信体２１４の斜視図、図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）を、信号伝送用線路１３の向きに見た透視図である。信号伝達用通信体２１４は、多層基板で構成されたモジュール７０とそれを実装する実装基板６０とによって構成されている。
【０１１０】
第１０の実施形態で図２１に示した信号伝達用通信体２１３と異なるのはモジュール７０の構成である。多層基板で構成されるモジュール７０の内部には矩形板状の結合用平面導体２１が形成され、そのほぼ中央に第１の端部が接する柱状導体２２Ａ、また第１の端部が信号伝送用線路１３に導通する柱状導体２２Ｂが形成されている。また、柱状導体２２Ａの第２の端部と柱状導体２２Ｂの第２の端部との間にスパイラル状インダクタＳＰ２２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ２２は、実装基板６０に対して平行な導体層と垂直なビアによって、実装基板６０の平行な面に沿って旋回する複数のスパイラル状の導体パターンによって構成されている。
【０１１１】
また、モジュール７０の内部には、結合用平面導体２１の一部を含む積層キャパシタＣ３１が構成されている。また、モジュール７０の内部には、第１の端部が実装基板の上面グランド電極６３に導通する柱状導体３２が形成されている。さらに柱状導体３２の第２の端部と積層キャパシタＣ３１との間にスパイラル状インダクタＳＰ３２が形成されている。このスパイラル状インダクタＳＰ３２も、実装基板６０に対して平行な導体層と垂直なビアによって、実装基板６０の平行な面に沿って旋回するスパイラル状の導体パターンによって構成されている。
【０１１２】
このようにして、結合用平面導体２１、インダクタ回路、及びＬＣ直列回路が設けられたモジュール７０と実装基板６０とによって信号伝達用通信体２１４が構成される。この信号伝達用通信体２１４を二つ用い、それぞれの結合用平面導体２１同士が対向(対面）するように配置されることによってカプラが構成される。
そのカプラの等価回路は、第３の実施形態で図９に示した等価回路と同様である。
【０１１３】
実装基板６０の上面グランド電極開口部ＲＡ３はモジュール７０の底面とほぼ同じ大きさであり、この上面グランド電極開口部ＲＡ３は下面グランド電極開口部ＲＡ２より小さい。そのため、結合用平面導体２１と下面グランド電極６２との間に発生する寄生容量が低減され、実装基板６０の厚さ寸法ｄｔの変化に対する信号伝達用通信体としての特性及びカプラとしての特性の変動を抑えることができる。
【０１１４】
《他の実施形態》
以上に示した各実施形態では、ＬＣ直列回路のインダクタ部分及びインダクタ回路を柱状導体で構成し、ＬＣ直列回路のキャパシタ部分を平面導体で構成したが、インダクタ回路、ＬＣ直列回路のインダクタ部分またはキャパシタ部分の少なくともいずれかは、チップ部品で構成してもよい。また、そのチップ部品を前記基底部に実装してもよい。
【０１１５】
また、以上に示した各実施形態で示したカプラは、いずれも同一構成の２つの信号伝達用通信体が対を成すようにしたが、平面導体同士が非接触状態で対向（対面）して容量結合するカプラであれば、その一方にのみ本発明の信号伝達用通信体を適用してもよい。
【符号の説明】
【０１１６】
ＬＣ１，ＬＣ２…ＬＣ直列回路
ＳＰ２２，ＳＰ３２…スパイラル状インダクタ
ＲＡ２…下面グランド電極開口部
ＲＡ３…上面グランド電極開口部
１０…基底部
１１…基板
１２…グランド電極
１３…信号伝送用線路
２１…結合用平面導体
２１ｂ，２１ｃ…キャパシタ用平面導体
２２…柱状導体
２２Ａ，２２Ｂ…柱状導体
３１，４１…平面導体
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ…キャパシタ用平面導体
３２，４２…柱状導体
５０…多層基板
６０…実装基板
６１…実装基板の基材
６２…下面グランド電極
６３…上面グランド電極
７０…モジュール
２０１〜２１４…信号伝達用通信体
３０１〜３０４…カプラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図１３】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２５】
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【国際調査報告】
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