【事件の表示】
　上記当事者間の特許第５８３９５２７号発明「超高感度マイクロ磁気センサ」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５８３９５２７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−８〕について訂正することを認める。
　請求項１、３−８についての本件審判の請求は、成り立たない。
　請求項２についての本件審判の請求を却下する。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１  手続の経緯
　本件特許無効審判請求に係る特許第５８３９５２７号（以下「本件特許」という。）は、被請求人によって平成２７年２月１６日にされた特許出願である特願２０１５−０２７０９２号の請求項１ないし請求項８に係る発明について、同年１１月２０日に特許権の設定登録がなされたものである。
　これに対し、請求人より、平成３０年９月２７日に本件特許無効審判の請求がされた。本件特許無効審判の主な経緯は、次のとおりである。
平成３０年　９月２７日付け　審判請求書提出（請求人）
平成３０年１２月２１日付け　答弁書提出（被請求人）
平成３０年１２月２５日付け　訂正請求書提出（被請求人）
平成３１年　１月１５日付け　手続補正指令（訂正請求書について）
平成３１年　１月１５日付け　審尋（被請求人に対して）
平成３１年　２月　８日付け　手続補正書（訂正請求書について）提出（被請求人）
平成３１年　２月　８日付け　回答書提出（被請求人）
平成３１年　３月２９日付け　弁駁書提出（請求人）
令和　元年　５月１４日付け　審理事項の通知
令和　元年　７月１０日付け　口頭審理陳述要領書提出（請求人）
令和　元年　７月１０日付け　口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
令和　元年　７月２４日　　　第１回口頭審理
令和　元年　７月２６日付け　上申書提出（請求人）
令和　元年　７月２６日付け　上申書提出（被請求人）
第２  本件訂正の請求について
１  本件訂正の内容
　被請求人が平成３０年１２月２５日付け訂正請求書により請求する訂正（以下、「本件訂正」という。）は、本件特許の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、請求項１ないし請求項８からなる一群の請求項ごとに訂正しようとするものであって、その内容は以下の訂正事項１ないし訂正事項７のとおりである。
　　　
（１）  訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１及び請求項２の
「【請求項１】
基板上に導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤとそれに巻回した周回コイルとワイヤ通電用の電極２個とコイル電圧検出用電極２個を設置した磁界検出素子および前記磁性ワイヤにパルス電流を流す手段とパルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路とコイル電圧を外部磁界Ｈに変換する手段とからなる磁気センサにおいて、
前記磁性ワイヤは、１０Ｇ以下の異方性磁界を有し、かつ円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してなり、
前記磁性ワイヤに通電するパルス電流は、該周波数は０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚで、該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上とし、
前記コイルはコイルピッチ１０μｍ以下でコイル内径を２５μｍ以下とすることを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。
【請求項２】
請求項１に記載の超高感度マイクロ磁気センサにおいて、
前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式（１）を使って磁界Ｈに変換することを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。
Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）　　（１）
ここで、Ｖｓはコイル出力電圧、Ｖｏは比例定数、制御因子定数としては、Ｌはワイヤの長さ、Ｄはワイヤの直径、ｐはパルス電流の表皮深さ、Ｎｃはコイルの巻き数、ｆはパルス周波数、Ｈｍはコイル出力電圧が最大値を取る時の外部磁界強度。」
との記載において、請求項２を削除してその内容をそのまま請求項１に加え、請求項１の記載を
「【請求項１】
基板上に導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤとそれに巻回した周回コイルとワイヤ通電用の電極２個とコイル電圧検出用電極２個を設置した磁界検出素子および前記磁性ワイヤにパルス電流を流す手段とパルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路とコイル電圧を外部磁界Ｈに変換する手段とからなる磁気センサにおいて、
前記磁性ワイヤは、１０Ｇ以下の異方性磁界を有し、かつ円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してなり、
前記磁性ワイヤに通電するパルス電流は、該周波数は０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚで、該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上とし、
前記コイルはコイルピッチ１０μｍ以下でコイル内径を２５μｍ以下と
し、
前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式（１）を使って磁界Ｈに変換
Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）　　（１）
ここで、Ｖｓはコイル出力電圧、Ｖｏは比例定数、制御因子定数としては、Ｌはワイヤの長さ、Ｄはワイヤの直径、ｐはパルス電流の表皮深さ、Ｎｃはコイルの巻き数、ｆはパルス周波数、Ｈｍはコイル出力電圧が最大値を取る時の外部磁界強度。
との記載に訂正する。
　また、請求項１を直接又は間接的に引用する請求項３ないし８も同様に訂正する。
　　　
（２）  訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項３の
「請求項１または請求項２に記載の超高感度マイクロ磁気センサにおいて、」
との記載を、
「
請求項１に
との記載に訂正する。
　また、請求項３を直接又は間接的に引用する請求項６ないし８も同様に訂正する。
　　　
（３）  訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項４の
「請求項１または請求項２に記載の超高感度マイクロ磁気センサにおいて、」
との記載を、
「
請求項１に
との記載に訂正する。
　また、請求項４を直接又は間接的に引用する請求項６ないし８も同様に訂正する。
　　　
（４）  訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項５の
「請求項１または請求項２に記載の超高感度マイクロ磁気センサにおいて、」
との記載を、
「
請求項１に
との記載に訂正する。
　また、請求項５を直接又は間接的に引用する請求項６ないし８も同様に訂正する。
　　　
（５）  訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項６の
「請求項１ないし請求項５のいずれかに記載された超高感度磁気マイクロ磁気センサにおいて、」
との記載を、
「
請求項１、請求項３ないし請求項５のいずれかに
との記載に訂正する。
　また、請求項６を直接又は間接的に引用する請求項７及び８も同様に訂正する。
　　　
（６）  訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項７の
「請求項１ないし請求項６のいずれかに記載された超高感度磁気マイクロ磁気センサにおいて、」
との記載を、
「
請求項１、請求項３ないし請求項６のいずれかに
との記載に訂正する。
　また、請求項７を引用する請求項８も同様に訂正する。
　　　
（７）  訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項８の
「請求項１ないし請求項７のいずれかに記載された超高感度磁気マイクロ磁気センサにおいて、」
との記載を、
「
請求項１、請求項３ないし請求項７のいずれかに
との記載に訂正する。
２  訂正の適否の判断
（１）  訂正の目的
　訂正事項１は、本件訂正前の請求項１に係る発明の「超高感度マイクロ磁気センサ」が備える「パルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路」及び「コイル電圧を外部磁界Ｈに変換する手段」の機能を本件訂正前の請求項２に記載された事項によって具体化し、かつ本件訂正前の請求項２を削除する訂正であるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものといえる。
　また、訂正事項２ないし７は、いずれも多数項を引用する請求項の引用請求項数を削減する訂正であるから、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものといえる。
（２）  新規事項の有無
　本件訂正後の請求項１に係る発明は、本件訂正前の請求項２に係る発明と実質的に同一であり、本件訂正後の請求項３ないし７に係る発明も、それらと実質的に同一のものが本件訂正前の請求項３ないし７に係る発明の中に存在する。よって、訂正事項１ないし７は、いずれも願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてする訂正であり、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
（３）  特許請求の範囲の拡張、変更の存否
　訂正事項１ないし７は、いずれも特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないことが明らかであるから、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
３  小括
　以上のとおり、本件訂正は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第１号に掲げる事項を目的とし、同法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
　よって、本件訂正を認める。
第３  本件特許に係る発明
１  本件訂正後の特許発明
　上記第２のとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１ないし８に係る発明（以下、請求項の番号に従って「本件訂正発明１」などという。また、これらを総称して「本件訂正発明」という。）は、本件訂正後の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。 
「【請求項１】
基板上に導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤとそれに巻回した周回コイルとワイヤ通電用の電極２個とコイル電圧検出用電極２個を設置した磁界検出素子および前記磁性ワイヤにパルス電流を流す手段とパルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路とコイル電圧を外部磁界Ｈに変換する手段とからなる磁気センサにおいて、
前記磁性ワイヤは、１０Ｇ以下の異方性磁界を有し、かつ円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してなり、
前記磁性ワイヤに通電するパルス電流は、該周波数は０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚで、該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上とし、
前記コイルはコイルピッチ１０μｍ以下でコイル内径を２５μｍ以下とし、
前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式（１）を使って磁界Ｈに変換することを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。
Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）　　（１）
ここで、Ｖｓはコイル出力電圧、Ｖｏは比例定数、制御因子定数としては、Ｌはワイヤの長さ、Ｄはワイヤの直径、ｐはパルス電流の表皮深さ、Ｎｃはコイルの巻き数、ｆはパルス周波数、Ｈｍはコイル出力電圧が最大値を取る時の外部磁界強度。
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
請求項１に記載の超高感度マイクロ磁気センサにおいて、
基板上に右巻きコイルの検出素子と左巻きコイルの検出素子の一対または複数対を設置し、左巻コイルと右巻コイルに反対向きに前記パルス電流が流れるように、ワイヤ通電用の電極２個とワイヤ端子を接続し、またコイル電圧検出用電極２個とコイル端子は前記ワイヤには前記パルス電流を通電した時に、右巻きコイルと左巻きコイルの出力電圧が外部磁界に比例した出力電圧が同符号になり、かつ外部磁界がゼロの場合にパルス通電が作る円周方向磁界によって発生する出力電圧が異符号になるように接続することを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。
【請求項４】
請求項１に記載の超高感度マイクロ磁気センサにおいて、
　前記基板上の前記磁性ワイヤ１本に、パルス電流の流れてくる方向に向けて一対の左巻きコイルの第１コイルと右巻きコイルの第２コイルとを取り付け、
　また、前記第１コイルと前記第２コイルのそれぞれに、パルス電流の流れてくる方向に向けて、第１コイル端子と第２コイル端子とを設けて、
　第１コイルの第１コイル端子と第２コイルの第１コイル端子とを接続し、
コイル出力電極と第１コイルの第２コイル端子とを接続するとともにコイルグランド電極と第２コイルの第２コイル端子を接続し、
かつ、
前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記第１コイル端子と前記第１コイルおよび前記第２コイルの前記第２コイル端子とは前記磁性ワイヤの両側に配置し、
前記コイル出力電極から前記第１コイルの第２コイル端子への配線とコイルグランド電極から前記第２コイルの第２コイル端子への配線が交差していることを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。
【請求項５】
請求項１に記載の超高感度マイクロ磁気センサにおいて、
　前記基板上の２本の前記磁性ワイヤは、並列かつパルス電流がお互いに反対方向に流れるように接続して配置し、
一の前記磁性ワイヤにパルス電流の流れてくる方向に向けて一対の左巻きコイルの第１コイルと右巻きコイルの第２コイルとを取り付け、
他の前記磁性ワイヤにパルス電流の流れてくる方向に向けて一対の左巻きコイルの第３コイルと右巻きコイルの第４コイルとを取り付け、
また、前記第１コイルと前記第２コイルと前記第３コイルと前記第４コイルのそれぞれに、パルス電流の流れてくる方向に向けて、第１コイル端子と第２コイル端子とを設けて、
該コイルのコイル端子間の接続は、前記磁性ワイヤの２本の間に配置し、前記第１コイルの第１コイル端子と前記第４コイルの第２コイル端子を接続し、前記第４コイルの第１コイル端子と前記第２コイルの第１コイル端子を接続し、前記第１コイルの第２コイル端子と前記第３コイルの第２コイル端子を接続し、
前記コイルのコイル端子と接続する電極は、前記２本の磁性ワイヤの両側に配置し、コイル出力電極から前記第３コイルの第１コイル端子への配線とコイルグランド電極から前記第２コイルの第２コイル端子への配線が前記２本の磁性ワイヤの間で交差していることを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。
【請求項６】
請求項１、請求項３ないし請求項５のいずれかに記載された超高感度磁気マイクロ磁気センサにおいて、
プログラミング演算電子回路またはソフトプログラム演算の手段を用いて、磁界Ｈにおけるコイル電圧の測定値から、磁界ゼロにおけるコイル誘導電圧を差し引くことを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。
【請求項７】
請求項１、請求項３ないし請求項６のいずれかに記載された超高感度磁気マイクロ磁気センサにおいて、
内蔵した温度センサと温度依存性補正プログラムを使ったＶｓに対する温度の影響を補正する手段を有することを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。
【請求項８】
請求項１、請求項３ないし請求項７のいずれかに記載された超高感度磁気マイクロ磁気センサにおいて、
前記磁界検出素子に使用されている前記磁性ワイヤとして、アモルファス構造またはナノ結晶構造を有していて、小さな結晶磁気異方性とゼロまたは弱負磁歪特性を持つ磁性合金からなる高透磁率磁性ワイヤに対して、引張応力を負荷し軸方向と円周方向に異方性を発生させて、円周方向スピン配列を持つ円周表面磁区と軸方向スピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を形成せしめ、さらに十分大きなパルス電流でパルス磁界アニーリング処理を測定毎に行い円周方向に磁化飽和させて磁化履歴を消去することができる磁性ワイヤを用いることを特徴とする超高感度マイクロ磁気センサ。」
２  本件特許に係る発明について明細書の記載から把握できる事項
（１）  明細書の記載事項
　本件特許の明細書には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  「【技術分野】
【０００１】
本発明は、超高速スピン回転効果
ＧＳＲ効果
を基礎にした超高感度マイクロ磁気センサ
ＧＳＲセンサ
に関する
イ  「【０００４】
ＭＩセンサ
ＭＩ現象（ｍａｇｎｅｔｏ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ現象）
この現象は
表面磁区
コア磁区
二つの磁区の間にある９０度磁壁を振動させる
９０度磁壁がコア磁区に浸透することでコア磁区内のスピンが円周方向に回転、すなわち磁化が回転することで磁化が変化するので、反磁界の影響はＦＧセンサに比べて小さい。その結果磁性ワイヤの長さを５０ｍｍから５ｍｍと大幅に縮小することが実現した。
また、出力特性は、ワイヤのヒステリシスの影響を強く受け、しかも反対称性かつ非直線的であるという欠点があった。これらの問題は、負帰還回路を用いて解決したが、消費電力の点で問題であった。ＭＩセンサ技術については、毛利教授の著作「磁気センサ理工学」（コロナ社出版、毛利佳年雄著、１９９８年）において詳しく紹介されている。
【０００５】
コイル検出型のＭＩセンサ
ＭＩ現象をコイルで検知した
直線的出力を実現した
コイル型ＭＩセンサについて、構造がＦＧセンサと同じであるので、ＦＧセンサの改良タイプという意見があるが、適用周波数が高く９０度磁壁の振動という電磁現象を検出している点を考えれば、ＭＩセンサの改良タイプというべきである。しかし、ヒステリシス低減のために負帰還回路を使用しており、消費電力が大きくなり問題であった。」
ウ  「【発明が
解決しようとする課題
【００１４】
本発明の課題は、ＭＩセンサの１００倍程度の性能向上を実現する磁気センサ
【００１５】
ワイヤについては、従来のテンション熱処理ワイヤに変えて、ガラス付ワイヤを採用した。磁界検出素子は、コイルピッチを３０μｍから１０μｍ以下、コイル内径を従来の３０μｍから１５μｍ以下、つまりワイヤ径の１．５倍以下と微細化、パルスは、形状は台形状で、立上りの周波数は０．５ＧＨｚから４ＧＨｚ、パルス電流強度は、５０ｍＡから３００ｍＡ、パルス電流が誘起する電磁現象とコイル電圧との関係およびコイル電圧と磁界との関係、さらにはコイル電圧とコイル誘起電流による電圧降下の問題、高周波パルスによる誘導電圧の問題、信号検波方式の見直し、温度補正法の検討およびコイル電圧と磁界との数学的関係の調査など全面的な検討を行うことであった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者は、コイル出力電圧と外部磁界Ｈの関係に及ぼすワイヤの磁気特性、磁性ワイヤの大きさ、コイル巻き数およびパルス電流特性の影響を詳細に調査した結果、本発明センサにおいて、表面磁区とコア磁区の２相構造で異方性磁界が５Ｇの磁性ワイヤを使った微細コイルに０．５ＧＨｚ以上の周波数の台形状パルスを与えた時、
コイルの発生する電圧と外部磁界との間に、式（１）なる実験式が存在する
Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）　　　　（１）
【００１７】
ここで、
Ｖｓはコイル出力電圧
Ｈは外部磁界
【００１８】
磁性ワイヤの表面磁区内に存在する円周方向の内部磁界によって円周方向に強制されていたスピンが、外部磁界Ｈによってθだけ傾いたとする。この状態に周波数０．５ＧＨｚ以上のパルス電流が印加されると、スピンは円周方向に一斉にθ回転する。この磁気変化をコイル電圧として検知すると、
Ｖ＝Ｖｏｓｉｎ２θ　　（２）
となる。したがって実験式（１）はこのスピンの一斉高速回転を検知していると考えることができる。つまり同じ表皮効果でもＭＩセンサは９０度磁壁の移動による磁化回転を検知するが、
本発明センサは表面磁区内のスピンの回転のみを純粋に検知する全く新しい原理、つまり
超高速スピン回転現象に基づく新型のＧＳＲセンサであると考えられる
この原理に基づくと、以下の実施例１で詳細に紹介するように、ＭＩセンサに比較して、コイル出力が大幅に向上し、性能指数で試算すると、Ｋ＝０．２ｍＧ、Ｗ＝４０Ｇ、Ｌ＝０．２ｍｍ、Ｄ＝０．０１ｍｍでＳ＝１０万となって、コイル式ＭＩセンサの１２０倍程度の飛躍的改善が実現できることを見出した。」
エ  「【００２３】
パルス電流
パルス周波数は、ｆ＝１／２ｄｔで定義した
立上り、立下り瞬間の遷移時間をｄｔとした
【００２４】
上記の２相の磁区構造を持つアモルファスワイヤに、ワイヤ軸方向の外部磁界Ｈをかけると、円周表面磁区内の円周方向スピンは軸方向にθ角度ほど傾斜し軸方向に磁化Ｍｓ（＝Ｎｓ・ｍｓ・ｓｉｎθ）が生じる。Ｎｓは、表面磁区内の単位体積当たりのスピン数、ｍｓはスピンが持つ磁化である。中央部のコア磁区では磁壁が移動し磁化Ｍｃが発生する。
【００２５】
この状態のワイヤに上記パルス電流を通電すると、パルスが作る６０Ｇ程度の大きな円周磁界によって、超高速（パルスの遷移時間ｄｔ内をいう。）でスピンが円周方向に一斉回転する。その際に生じるワイヤの磁化変化をコイル出力電圧Ｖｓとして検知する。そのコイル出力電圧は、周波数に比例するが、一方、表皮深さがｆ−１／２で小さくなり、両効果を合わせてコイル出力はｆ／ｐ＝ｆ１／２　に比例して増加する。コイル巻き数Ｎｃに比例し両者を合わせると驚異的な出力となる。
この超高速スピン回転効果は将来の超高感度マイクロ磁気センサの新原理と期待される。なおコア磁区部の磁化Ｍｃは、表皮効果により影響を受けず、また磁壁の移動は生じない。」
オ  「【００３８】
（６）次に、新電磁現象である
超高速スピン回転現象が発現する条件
発現条件は、表面に円周方向スピン配列を持った表面磁区が存在す磁性ワイヤを用いて、ＧＨｚの周波数を持つ十分大きな電流の励磁パルスを印加して、表皮深さｐが表面磁区の厚さｄよりも小さくして、円周方向スピンの一斉回転を惹起し
【００３９】
コイル出力電圧の原因としては、９０度磁壁の移動による磁化回転と表面磁区のスピン回転が考えられる。９０度磁壁は小さな磁界で移動できるが、周波数が高くなると渦電流による電磁ブレーキのため著しく遅くなる。一方表面磁区内のスピン回転は、集団で一斉回転しその移動は瞬時に完了する。回転に参加するスピン数が限られ出力信号は微弱である。
【００４０】
ＭＩ現象は、表面磁区とコア磁区の境界である９０度磁壁が
１ＭＨｚから３０ＭＨｚの周波数域で表皮深さｐ（この場合、１μｍ〜４μｍである。）の幅で振動する
表面磁区の厚みは０．２μｍ〜０．８μｍと考えられる
周波数が０．５ＧＨｚ以上と増加すると、９０度磁壁の移動は渦電流による電磁ブレーキのため著しく遅くなる
しかも表皮深さｐが０．２μｍ〜０．８μｍとなって、表面磁区の厚み程度となり、磁壁振動は停止する
一方
ＧＳＲ現象は、表面磁区の厚みを１μｍとして、周波数０．５ＧＨｚ以上、磁性ワイヤの透磁率を３０００以上として、表皮深さを０．２μｍ程度にして、表面スピンの一斉回転を惹起せしめる
【００４１】
式（１）から分かるように、表面磁区の厚みｄが１μｍ程度あり、表皮深さｐが０．１μから１μ以下の場合、コイル出力電圧は周波数の平方根に比例する。理由はスピン回転する深さである表皮深さｐが周波数の平方根の逆数に比例するためである。
一方厚みｄが０．２μｍと表皮深さｐより小さい場合、スピン回転する深さはｐまでは浸透せず、９０度磁壁の位置ｄで固定されるので、ｐ＝ｄと一定となって、コイル出力電圧は周波数に一次比例する。ガラス付ワイヤを使った実験では、コイル出力電圧は周波数の平方根に比例しており、表面磁区の厚みは１μｍ程度と十分な深さを有していると考えられる。
【００４２】
使用した磁性ワイヤは、直径１０μｍで、アモルファス構造を有し、弱負磁歪特性を持つ磁性Ｃｏ合金からなり、磁気異方性は１Ｇまたは５Ｇ、比透磁率は２万と３０００の高透磁率磁性ワイヤである。そのワイヤに、引張応力を負荷し軸方向と円周方向にそれぞれ磁気異方性Ｋｕと磁気異方性Ｋθを発生させて、円周方向スピン配列を持つ円周表面磁区と軸方向スピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を形成した。パルス電流の表皮深さｐは０．５μｍを考慮して、表面磁区の厚みｄを１μｍ程度に制御した。
さらに
十分大きなパルス電流で
パルス磁界アニーリング処理を
行い
【００４３】
以上の条件で、
スピンの一斉回転現象のみを惹起することができる
【００４４】
（７）超高速スピン回転効果型のＧＳＲセンサと
コイル検出型のＭＩセンサ
ＭＩセンサは外部磁界Ｈ中にある磁性ワイヤまたは磁性薄膜に周波数１ＭＨｚから３０ＭＨｚの高周波電流またはパルス電流を通電した時、インピーダンスが表皮効果のため大きく変化する現象を利用したものである。表面磁区とコア磁区の境界に存在する９０度磁壁が振動した時に、透磁率が外部磁界Ｈに大きく依存して変化し、表皮深さを小さくして大きなインピーダンス変化が起こる。その変化量から外部磁界Ｈを検知する。センサ長さを５ｍｍのセンサで１ｍＧの優れた感度を実現した。
【００４５】
出力は外部磁界に対して正負対称でしかも外部磁界の大きさに対して単調増加し、ある臨界磁界以上では漸減するという非線形特性を持つ。さらに出力は、磁性ワイヤのヒステリシスの影響も強く受けるので、負帰還回路を利用して、そのフィードバック電流の強さから直線的でヒステリシスに小さな出力を得ることが前提となっている。
先行技術であるＦＧセンサは、一般的な磁区構造を持つパーマロイ等の磁性材料を用いて、周波数３０ＫＨｚの交流を使って外部磁界Ｈに比例したコイル出力電圧を取る。ＭＩセンサは３０ＭＨｚの高周波を活用して１０００倍程度の高性能化を実現した画期的な発明であった。表面磁区とコア磁区の境界に存在する９０度磁壁が振動するという画期的な発明がその基礎にあった。
【００４６】
発明者らが開発したコイル付の改良型ＭＩセンサは、台形状のパルス電流を与えてパルス磁界アニーリングを施して負帰還回路を省略して消費電流の低減に成功したタイプである。またＭＩ素子をＭＥＭＳプロセスで製作して長さを３ｍｍから０．６ｍｍへと小型化している。パルス周波数を２００ＭＨｚにあげることによってコイル出力の向上を図った。同時に磁性ワイヤの異方性磁界を２０Ｇと著しく大きくして測定レンジを拡大した。以上のように小型化と測定レンジの拡大を図ったために、トレードオフ関係にある感度が２ｍＧと大幅に低下している。今後感度の改善とさらなる小型化・測定レンジ拡大が今後の課題となっている。
【００４７】
２００ＭＧｚの周波数は、ＭＩ現象を現出する周波数域を超えている。そこで、台形形状のパルス電流のパルスの立下りを利用して、９０度磁壁の移動を可能にした。コア内部に浸透した９０度磁壁はパルス遮断時に円周方向磁界が消失に伴って、外部磁界の力で９０度磁壁がゆっくり表面方向に移動していく。
一方、パルスの立下り時に、表面磁区内のスピンは円周方向磁界の消失に伴って傾斜し始めるが、強い異方性磁界によって傾斜が小さくまた回転速度も遅いものとなってコイル出力の増化が抑制されている。
コイル出力は主にＭＩ現象である９０度磁壁の移動に起因するが、一部ＧＳＲ現象であるスピン回転の影響も検出している
【００４８】
ＭＩ効果を基礎にしたコイル出力電圧の最大値は外部磁界Ｈに比例する。
本方式はＭＩ現象とＧＳＲ現象が混合しているため、直線域が測定領域の１/３程度までに小さくなっている
ＧＳＲセンサの出力は明確な数学的式が成立している
演算処理によって測定領域のすべての範囲で使用することができる
【００４９】
ＭＩセンサの電子回路は、積分回路のコンデンサにコイル電流を蓄積してコイル信号を受けて、その積分電圧を求め、その最大値をピークホールド回路で求めて出力する。ＭＥＭＳコイルにしたためコイルの抵抗が増加し、積分電圧を獲得する過程で電圧降下（ＩＲドロップ）が生じてしまい問題である。またコイルをメッキプロセスで形成し膜厚を厚くし抵抗を下げる対処しているため、大幅のコストアップになってしまっている。
【００５０】
さらに本発明者は、上記ＭＥＭＳコイル型ＭＩセンサにおいて、パルス周波数を０．２ＧＨｚから１ＧＨｚと高めることを検討した（特許文献６）。０．５ＧＨｚとすると出力を２倍程度向上することができるが、１ＧＨｚ以上では逆に出力が低下する。これは、ＭＩ現象を前提に周波数を高めていくと、コア磁区の９０度磁壁の移動による磁化回転と表面磁区の傾斜スピンの一斉回転の両方をコイル電圧として検知するようになる。高周波化しても磁壁の移動は緩慢のままで、表面磁区のスピン回転の影響の方が大きくなる。しかしスピン回転は高速回転が可能であるが磁気信号は微弱であり、内径３０μｍのコイルではワイヤとコイル間が１０μｍもあり、電磁結合が弱く十分検知することが出来なかった。スピン回転現象を検知するためには、コイルとワイヤ間の距離を１０μｍから３μｍ以下と接近させ、かつ単位長さ当たりのコイルピッチを増やしてワイヤ表面のスピン回転とコイルとの電磁結合を強化する必要がある。
【００５１】
また感度と測定レンジの背反問題が存在する中で、ＭＩセンサでは測定レンジは直線近似できる範囲に限られているため広くすることが困難であった。高周波化によって２倍程度の改善はなされている。しかし、それ以上に高周波化に伴う技術課題が噴出し商品化にまでは至らなかった。
高周波パルス発振回路の技術的課題は、コイルと配線回路に付随する寄生容量が増加して、パルス立ち上がりの平滑化、ＩＲドロップによる出力の減衰が発生し、大出力回路が必要となり実用的でなかった。高周波化に伴う電磁誘導電圧の増加は、表面の磁化変化によるコイル電圧よりも大きくなり、その除去が最大の問題となっている。大きな電磁誘導電圧は、信号の増幅度の制約、検出信号の直線性と精度の低下、温度特性の劣化などに大きな誤差を生じさせてしまい、実用的な感度はむしろ低下した。ＭＩセンサを前提にして、周波数を高めるという発想ではトレードオフの網の目に迷い込み性能アップに向けた改善策は発見できないと発明者は判断した。
【００５２】
（８）
ＧＳＲセンサ
ＭＩセンサ
違い
ＭＩ現象は、周波数を１ＭＨｚから３０ＭＨｚで発現し、表面磁区とコア磁区の境界に存在する９０度磁壁の振動に起因するが、ＧＳＲ現象は０．５ＧＨｚから４ＧＨｚで生じて、表面磁区のスピン回転に起因する。
ＭＩセンサのコイル出力
電圧と磁界との比例関係から磁界を求める
ＧＳＲセンサは
電圧と磁界とが式（１）の数学的関係にある
【００５３】
一方ＧＳＲ現象を基礎にしたＧＳＲセンサは、駆動パルス周波数を０．５ＧＨｚから３ＧＨｚと高めて、表面磁区内のスピンを一斉に高速回転させ、発生する高速信号を微細コイルで検出することによって、周波数とコイル巻き数に比例して大きな出力を実現すること
ができる。具体的にはパルスの表皮深さｐより表面磁区の深さｄを大きくすることで、コイル出力が周波数の平方根に比例して増加することを発見し、かつ微細コイル製作技術と融合することで、驚異的な出力を引出すことに成功した。
【００５４】
さらにコイル出力電圧と外部磁界Ｈは、測定領域±Ｈｍの範囲で、式（１）に示すような明瞭な数学的関係が存在し、ヒステリシスもほとんど生じないので、図３に示すように広い測定範囲の優れた出力特性と低消費電流特性を得ることができる。図３−ａ）は、外部磁界とコイル出力電圧Ｖｓとの関係を示した。図３−ｂ）は、コイル出力電圧Ｖｓのａｒｃｓｉｎ変換した換算値と外部磁界Ｈとの関係を示した。換算電圧値と外部磁界とは測定範囲（最大値から最小値までの範囲）で直線的関係が存在することが良く分かる。
【００５５】
この数学的関係の成立は、外部磁界Ｈに対する表面の円周方向スピンをもつ表面磁区と中央コア部の軸方向スピン磁区の２相の磁区の持つ磁化挙動の違いに着目して、異方性磁界を８Ｇ以下にして表面磁区深さを表皮深さ以上に調整し、パルス電流の周波数を０．５ＧＨ以上、表皮効果深さを１μｍ以下として、超高速で円周方向スピン回転のみを純粋に検知できる条件を設定したことに起因している。」
カ  「【
発明の効果
【００７７】
超高速スピン回転効果を基礎にした超高感度マイクロ磁気センサは、
ＦＧセンサ、ＭＩセンサおよびコイル検出式の改良型ＭＩセンサなどに比べて、センサ出力電圧、センサ感度とセンサ検出力の向上、ノイズ低減、測定レンジの拡大、低消費電流化、温度安定性改善、ヒステリシス特性と直線性の改善およびマイクロサイズ化を実現し
キ  「【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明の超高速スピン回転現象を基礎とした超高感度マイクロ磁気センサは、微小磁界検知能力、高速測定、高感度、低消費電流、および良質な磁気信号を提供し、電子コンパス、磁気ジャイロ等の微小な地磁気を測定して、３次元方位計およびリアルタイム三次元方位計への応用、生体磁気を測定した医療用センサ、マイクロサイズ化して生体内部での応用、高速測定能力を活用した磁気マッピング応用、さらに測定範囲を拡大した産業用磁気センサなど、幅広い用途で、その使用が期待される
（２）  明細書の記載から把握できる事項
　上記（１）によれば、本件訂正発明について次の事項が把握できる。
ア  技術分野について
「本件訂正発明は、超高速スピン回転効果（ＧＳＲ効果）を基礎にした超高感度マイクロ磁気センサ（ＧＳＲセンサ）に関する（段落０００１）。本件訂正発明の超高感度マイクロ磁気センサは、微小磁界検知能力、高速測定、高感度、低消費電流、及び良質な磁気信号を提供し、電子コンパス、磁気ジャイロ等の微小な地磁気を測定して、３次元方位計及びリアルタイム三次元方位計への応用、生体磁気を測定した医療用センサ、マイクロサイズ化して生体内部での応用、高速測定能力を活用した磁気マッピング応用、さらに測定範囲を拡大した産業用磁気センサなど、幅広い用途で、その使用が期待される（段落０１２３）。」
イ  解決しようとする課題及び効果について
「本件訂正発明の解決しようとする課題は、ＭＩセンサの１００倍程度の性能の磁気センサを実現することである（段落００１４）。本件訂正発明の効果は、ＦＧセンサ、ＭＩセンサ及びコイル検出式の改良型ＭＩセンサなどに比べて、センサ出力電圧、センサ感度とセンサ検出力の向上、ノイズ低減、測定レンジの拡大、低消費電流化、温度安定性改善、ヒステリシス特性と直線性の改善及びマイクロサイズ化を実現したことである（段落００７７）。」
ウ  超高速スピン回転現象について
「ＭＩセンサは、表面磁区とコア磁区の間にある９０度磁壁の振動であるＭＩ現象（ｍａｇｎｅｔｏ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ現象）を検知するものであり、特にコイル検出型のＭＩセンサは、ＭＩ現象をコイルで検知することで直線的出力を実現したものであるが、本件訂正発明のセンサは、それとは違い、表面磁区内のスピンの回転のみを純粋に検知する全く新しい原理、つまり超高速スピン回転現象（ＧＳＲ現象）に基づく新型のＧＳＲセンサであると考えられる（段落０００１、０００４、０００５、００１８、００５２）。ＧＳＲ現象においては、コイル出力電圧Ｖｓと外部磁界Ｈとが、関係式（１）（実験式）を満たす（段落００１６、００１７、００１８）。
　関係式（１）：　Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）　
ＭＩ現象では、表面磁区（厚み０．２μｍ〜０．８μｍと考えられる）とコア磁区の境界である９０度磁壁が、１ＭＨｚから３０ＭＨｚの周波数域で表皮深さｐ（１μｍ〜４μｍ）の幅で振動するが、周波数が０．５ＧＨｚ以上に増加すると、９０度磁壁の移動は渦電流による電磁ブレーキのため著しく遅くなり、しかも表皮深さｐが０．２μｍ〜０．８μｍとなって表面磁区の厚み程度となるため、磁壁振動が停止してしまうのに対し、ＧＳＲ現象では、表面磁区の厚みを１μｍとして、周波数０．５ＧＨｚ以上、磁性ワイヤの透磁率を３０００以上、表皮深さを０．２μｍ程度にして、表面スピンの一斉回転を惹起せしめる（段落００４０）。つまり、ＧＳＲ現象は、表面に円周方向スピン配列を持った表面磁区が存在する磁性ワイヤを用いて、ＧＨｚの周波数を持ち、かつパルス磁界アニーリング処理を行うのに十分な大きさの電流の励磁パルスを印加し、表皮深さｐを表面磁区の厚さｄよりも小さくして、円周方向スピンの一斉回転を惹起することで発現する（段落００３８、００４２、００４３）。コイル検出型のＭＩセンサでは、コイル出力が主にＭＩ現象である９０度磁壁の移動に起因し、コイル出力電圧と磁界との比例関係から磁界を求めるものであるが、一部ＧＳＲ現象であるスピン回転の影響も検出しており、つまりＭＩ現象とＧＳＲ現象が混合しているために、直線域が測定領域の１/３程度までに小さくなっているのに対し、ＧＳＲセンサでは、電圧と磁界とが関係式（１）の数学的関係にあるので、演算処理によって測定領域のすべての範囲で使用することができる（段落００４４、００４７、００４８、００５２）。」
エ  パルス電流の周波数について
「本件訂正発明におけるパルス電流の周波数は、ｆ＝１／２ｄｔ（ただし、ｄｔは立上り、立下り瞬間の遷移時間）で定義される（段落００２３）。」
第４  当事者の主張及び証拠方法
１  請求人の主張及び証拠方法
　請求人は、「特許第５８３９５２７号の特許請求の範囲の請求項１ないし請求項８に係る発明についての特許を無効にする、審判費用は被請求人の負担とする」との審決を求めており、その無効理由の概要は、審判請求書、弁駁書、口頭審理陳述要領書、第１回口頭審理調書及び上申書の記載内容を総合すれば、以下の理由１及び理由２のとおりである。
理由１（甲第１号証に記載された発明を引用発明とする無効理由）：
　本件訂正発明１ないし８は、後記の甲第１号証に記載された発明、並びに甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づき、本件特許の出願前に当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
理由２（甲第４号証に記載された発明を引用発明とする無効理由）：
　本件訂正発明１ないし８は、後記の甲第４号証に記載された発明、並びに甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づき、本件特許の出願前に当業者が容易に発明できたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件特許は特許法第１２３条第１項第２号に該当し、無効とすべきである。
　請求人は、証拠物件として以下の文書を提出した。
甲第１号証：　特開２００６−３００９０６号公報
甲第２号証：　国際公開第２００９／１１９０８１号
甲第３号証：　特開２００９−１３３７８９号公報
甲第４号証：　国際公開第２０１０／０９７９３２号
甲第５号証：　Ｓ．Ｓａｎｄａｃｃｉほか、“Ｏｆｆ−Ｄｉａｇｏｎａｌ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ ｉｎ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｗｉｒｅｓ ａｎｄ Ｉｔｓ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｔｏ Ｌｉｎｅａｒ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅｎｓｏｒｓ”、ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ、ＩＥＥＥ、平成１６年１１月発行、Ｖｏｌ．４０、Ｎｏ．６、ｐ．３５０５−３５１１
甲第６号証：　Ｔ．Ｕｃｈｉｙａｍａほか、“Ｒｅｃｅｎｔ Ａｄｖａｎｃｅｓ ｏｆ Ｐｉｃｏ−Ｔｅｓｌａ Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ｓｅｎｓｏｒ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｗｉｒｅ ＣＭＯＳ ＩＣ ＭＩ Ｓｅｎｓｏｒ”、ＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ ＯＮ ＭＡＧＮＥＴＩＣＳ、ＩＥＥＥ、平成２４年１０月１８日掲載、Ｖｏｌ．４８、Ｎｏ．１１、ｐ．３８３３−３８３９
甲第６号証の２：　甲第６号証のダウンロードページ（ＩＥＥＥ Ｘｐｌｏｒｅ）
甲第７号証：　特開２００９−２３６８０３号公報
甲第８号証：　毛利佳年雄、“新たな計測制御の世界を開くアモルファスマイクロ磁気センサー”、機能材料、ＣＭＣ出版、平成１２年発行、Ｖｏｌ．２０、Ｎｏ．６、ｐ．４２−６１
甲第９号証：　Ａ．Ｚｈｕｋｏｖほか、“Ｈｉｇｈ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ｅｆｆｅｃｔ ｏｆ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｍｉｃｒｏｗｉｒｅｓ ｆｏｒ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｓｅｎｓｏｒｓ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ｔｈｅ ８ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｅｎｓｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、平成２６年９月４日掲載、ｐ．６２４−６２９
甲第９号証の２：　甲第９号証のダウンロードページ（Ｇｏｏｇｌｅ）
甲第１０号証：　Ｌ．Ｖ．Ｐａｎｉｎａほか、“Ｍａｇｎｅｔｏｉｍｐｅｄａｎｃｅ ｉｎ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｗｉｒｅｓ ａｎｄ ｍｕｌｔｉｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ： ｆｒｏｍ ｓｅｎｓｏｒｓ ｔｏ ｔｕｎａｂｌｅ ａｒｔｉｆｉｃｉａｌ ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ”、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｇｎｅｔｉｓｍ ａｎｄ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ２７２−２７６、ＥＬＳＥＶＩＥＲ、平成１６年発行、ｐ．１４５２−１４５９
甲第１１号証：　特開２０１０−２５６１０９号公報
甲第１２号証：　郡司智行ほか、“アモルファスワイヤの非対称磁気−インピーダンス効果”、日本応用磁気学会誌、（社）日本応用磁気学会、平成９年４月１５日発行、Ｖｏｌ．２１、Ｎｏ．４−２、ｐ．７９３−７９６
甲第１３号証：　国際公開第２０１４／０５４３７１号
甲第１４号証：　国際公開第０３／０７１２９９号
甲第１５号証：　特開２００６−１８４１２２号公報
甲第１６号証：　特開２００１−２２１８３９号公報
甲第１７号証：　特開２０１０−２７３７９９号公報
甲第１８号証：　李昇珍ほか、“ナノ結晶のランダム磁気異方性のシミュレーション”、第３８回日本磁気学会学術講演概要集、公益財団法人日本磁気学会、平成２６年８月１９日発行、ｐ．８７
甲第１９号証：　Ｍａｎｈ−Ｈｕｏｎｇ Ｐｈａｎほか、“Ｇｉａｎｔ ｍａｇｎｅｔｏｉｍｐｅｄａｎｃｅ ｍａｔｅｒｉａｌｓ： Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ ａｎｄ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”、Ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｉｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ５３、ＥＬＳＥＶＩＥＲ、平成１９年９月２１日掲載、ｐ．３２３−４２０
甲第１９号証の２：　甲第１９号証のダウンロードページ（Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｄｉｒｅｃｔ）
甲第２０号証：　特開２０１０−２７１０８１号公報
甲第２１号証：　国際公開第２０１２／０８１３７７号
甲第２２号証：　毛利佳年雄監修、「新しい磁気センサとその応用」、株式会社トリケップス、平成２５年９月１１日発行
（以上、審判請求書に添付して提出された。）
甲第２３号証：　“磁気センサーで自動運転　愛知製鋼　２０年度めど事業化”、日本経済新聞、日本経済新聞社、平成３１年２月２７日発行、地方経済面、中部
甲第２４号証：　特許第６２５４３２６号公報
甲第２５号証：　国際公開第２０１４／１１５７６５号
甲第２６号証：　Ｗｉｋｉｐｅｄｉａ、“検量線”、平成３１年３月２２日出力
甲第２７号証：　島谷信ほか、“指数関数による磁化曲線の近似法”、電気学会論文誌Ａ、社団法人電気学会、昭和５６年９月２０日発行、Ｖｏｌ．１０１、Ｎｏ．９、ｐ．４６３−４７０
甲第２８号証：　特開２００８−１３４２３６号公報
（以上、弁駁書に添付して提出された。）
甲第２９号証：　毛利佳年雄、“ＭＩマイクロ磁気センサの開発システム−産学官連携のありかた−”、日本応用磁気学会誌、（社）日本応用磁気学会、平成１１年８月１日発行、Ｖｏｌ．２３、Ｎｏ．８、ｐ．１８８７−１８９４
甲第３０号証：　特開昭５９−７２６９号公報
甲第３１号証：　特開２０１２−０４８９６２号公報
（以上、口頭審理陳述要領書に添付して提出された。）
　なお、甲第２４号証は、本件特許の出願後に発行された文献である。
　また、甲第１１号証は、後記乙第５号証である特許第４６５５２４７号公報に対応する公開特許公報であり、甲第２５号証は、後記乙第６号証である特許第５６７８３５８号公報に対応する国際公開である。
２  被請求人の主張及び証拠方法
　被請求人は、「本件審判請求は成り立たない、審判費用は請求人の負担とする」との審決を求めており、上記請求人の主張する無効理由の理由１及び理由２について、答弁書、口頭審理陳述要領書、第１回口頭審理調書及び上申書の記載内容を総合すれば、概略、以下のとおり主張している。
理由１及び理由２について：
　本件訂正発明は、新たに発見した「ＧＳＲ効果」に基づいて実現されたものであって、従来のＭＩセンサとは原理的に大きく異なり、かつ顕著な効果を有するものであるから、従来のＭＩセンサを開示する、請求人が証拠物件として提出した文書に記載された発明に基づいて、本件特許の出願前に当業者が本件訂正発明を容易に発明できたということはできない。
　被請求人は、証拠物件として以下の文書を提出した。
乙第１号証：　Ｖ．Ｅ．ＭＡＫＨＯＴＫＩＮほか、“Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｆｉｅｌｄ Ｓｅｎｓｏｒｓ Ｂａｓｅｄ ｏｎ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｒｉｂｂｏｎｓ”、Ｓｅｎｓｏｒｓ ａｎｄ Ａｃｔｕａｔｏｒｓ Ａ、平成３年発行、Ｎｏ．２５−２７、ｐ．７５９−７６２
乙第２号証：　特許第２６１７４９８号公報
乙第３号証：　特許第３６４５１１６号公報
乙第４号証：　特許第３８０１１９４号公報
乙第５号証：　特許第４６５５２４７号公報
乙第６号証：　特許第５６７８３５８号公報
乙第７号証：　特許第５７４７２９４号公報
乙第８号証：　本藏義信、“ＧＳＲ効果を活用した高感度マイクロ磁気センサの開発”、磁性材料・部品の最新開発事例と応用技術、株式会社技術情報協会、平成３０年３月３０日発行、第５節、ｐ．２２１−２２９
乙第９号証：　Ｙ．Ｈｏｎｋｕｒａほか、“Ｔｈｅ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ＡＳＩＣ Ｔｙｐｅ ＧＳＲ Ｓｅｎｓｏｒ Ｄｒｉｖｅｎ ｂｙ ＧＨｚ Ｐｕｌｓｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ”、ＳＥＮＳＯＲＤＥＶＩＣＥＳ２０１８：Ｔｈｅ Ｎｉｎｔｈ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｓｅｎｓｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ、平成３０年発行
乙第１０号証：　上原祐二、「マイクロマグネティックスの手法によるアモルファスワイヤーの動的磁化過程の解析」、第１回日本磁気学会超高感度マイクロ磁気センサ専門研究会、平成２７年６月２６日公開
乙第２１号証：　愛知製鋼株式会社第１１４回定時株主総会招集ご通知、平成３０年発行
乙第２２号証：　ＡＩＣＨＩ ＳＴＥＥＬ、“株主・投資家の皆様へ”（愛知製鋼株式会社ホームページ）、平成３０年１２月１３日出力
乙第２３号証：　ＡＩＣＨＩ ＭＩ（アイチ・マイクロ・インテリジェント株式会社ホームページ）、平成３０年１２月１３日出力
乙第２４号証：　売上高の推移（ローム株式会社ホームページ）、平成３０年１２月１３日出力
（以上、答弁書に添付して提出された。）
乙第１１号証：　Ｙ．Ｈｏｎｋｕｒａほか、“Ｔｈｅ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ａ Ｈｉｇｈ Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ Ｍｉｃｒｏ Ｓｉｚｅ Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅｎｓｏｒ Ｎａｍｅｄ ａｓ ＧＳＲ Ｓｅｎｓｏｒ Ｅｘｃｉｔｅｄ ｂｙ ＧＨｚ Ｐｕｌｓｅ Ｃｕｒｒｅｎｔ”、２０１８ ＰＩＥＲＳ Ｔｏｙａｍａ、ＩＥＩＣＥ、平成３０年発行
乙第１２号証：　菅野崇樹ほか、“Ｃ−ＭＯＳマルチバイブレータ発振形アモルファスワイヤＭＩマイクロ磁界センサ”、電気学会論文誌Ｅ、電気学会、平成８年発行、Ｖｏｌ．１１６、Ｎｏ．１０、ｐ．４３５−４４０
乙第１３号証：　ＡＩＣＨＩ ＭＩ（アイチ・マイクロ・インテリジェント株式会社ホームページ）、令和元年６月８日出力
乙第１４号証：　文部科学省ナノテクノロジープラットフォーム平成２８年度利用６大成果賞（賞状）、平成２９年２月１７日表彰
乙第１５号証：　ＡＩＣＨＩ ＳＴＥＥＬ Ｎｅｗｓ Ｒｅｌｅａｓｅ、“超高感度“ＭＩセンサ”を用いた「磁気マーカシステム」自動運転実証実験開始−国土交通省推進の道の駅「奥永源寺渓流の里」実証実験　同システムで全国初の公道走行−”、愛知製鋼株式会社ホームページ、平成２９年１１月１０日掲載
乙第１６号証：　上原祐二、“ＬＬＧ方程式を使ったＧＳＲ効果の理論的検証”、令和元年６月２８日作成
乙第１７号証：　特許第６５０６４６６号公報
乙第１８号証：　毛利佳年雄著、「磁気センサ理工学」、株式会社コロナ社、平成１０年３月１０日発行、ｐ．６３−６４
乙第１９号証：　ＲＯＨＭ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ、“インドアナビで最高性能を実現する新型地磁気センサ（ＭＩセンサ）を開発　業界最高精度と最小消費電流で、モバイル機器アプリに進化を提供”、ローム株式会社ホームページ、平成２７年６月１７日掲載
（以上、口頭陳述要領書に添付して提出された。）
第５  請求人が証拠物件として提出した文書の記載事項
１  甲第１号証について
（１）  記載事項
　甲第１号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、作用する磁界の大きさに応じて特性が変化する感磁体を用いて
微小な磁界を高い感度で検出するマグネト・インピーダンス・センサ素子
イ  「【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
　本発明（請求項１）において、上記
感磁体は
アモルファスワイヤによって構成することができる
感磁体の直径
３０μｍ以下であることが好ましい
マグネト・インピーダンス・センサ素子の小型化を図ることができる
感磁体の材質としては、例えば、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅ等を採用することができる
【００１７】
　また、上記
マグネト・インピーダンス・センサ素子は
いわゆるＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）現象を利用して磁気センシングを行うものである
このＭＩ現象は、供給する電流方向に対して周回方向に電子スピン配列を有する磁性材料からなる感磁体
感磁体の通電電流を急激に変化させると、周回方向の磁界が急激に変化し、その磁界変化の作用によって周辺磁界に応じて電子のスピン方向の変化が生じる
感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化が生じる現象が上記のＭＩ現象である
【００１８】
　また、上記
マグネト・インピーダンス・センサ素子は
感磁体に通電する電流を１０ナノ秒以下で
立ち下げたときに、上記検出コイルの両端に発生する誘起電圧の大きさを計測することで作用する磁界強度を計測し得るように構成することが好ましい
　この場合には、上記のような急激な通電電流の変化により、上記感磁体について、電子スピン変化の伝播速度に近い速度に見合う周回方向の磁場変化を生じさせることができ、それにより充分なＭＩ現象を発現させることができる。
【００１９】
　
１０ナノ秒以下で通電電流の
立ち下げを実施すれば、およそ０．１ＧＨｚの高周波成分を含む電流変化を上記感磁体に作用することができる
ここで、通電電流の
立ち下げとは、例えば、感磁体に通電する電流の電流値を、定常電流値の
９０％以上
１０％以下
に変化させることをいう
【００２０】
　また、上記マグネト・インピーダンス・センサ素子は、上記感磁体に通電する電流を立ち下げたときに上記検出コイルの両端に発生する誘起電圧を計測するように構成されていることが好ましい。
　通電電流を立ち上げる場合に比べて、通電電流を急激に立ち下げる場合は、磁界の強さに対してマグネト・インピーダンス・センサ素子による計測信号の直線性が良好になる。」
ウ  「【００２７】
（実施例１）
　本発明の実施例に係るマグネト・インピーダンス・センサ素子につき、図１〜図７を用いて説明する。
　本例の
マグネト・インピーダンス・センサ素子１は
作用する磁界の大きさに応じて特性が変化する感磁体２と、該感磁体２の外周に巻回した検出コイル３１、３２とを有する
感磁体２に通電する電流の変化に伴い検出コイル３１、３２のそれぞれの両端に上記磁界の大きさに応じた電位差を発生する
【００２８】
　該マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、第１磁界検出部１１及び第２磁界検出部１２を有する。第１磁界検出部１１及び第２磁界検出部１２は、
１本の感磁体２
感磁体２４の
検出コイル３１を巻回した部分が第１磁界検出部１１となり、検出コイル３２を巻回した部分が第２磁界検出部１２となる
【００２９】
　
第１磁界検出部１１における検出コイル３１の一端は、第２磁界検出部１２における検出コイル３２の一端と接続されている
第１磁界検出部１１における検出コイル３１と第２磁界検出部１２における検出コイル３２とは、逆向きに巻回してある
この巻回の仕方は、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とのそれぞれに同じ磁界が作用したときに第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに逆向きの出力電圧が生じるような巻回の仕方となっている
【００３０】
　また、図２、図３に示すごとく、マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、感磁体２を貫通させるように形成された絶縁体１３を有し、上記検出コイル３１、３２は、絶縁体１３の外周面に配設されている。
　上記
感磁体としては、長さ１．０ｍｍ、線径２０μｍのアモルファスワイヤを利用する
【００３１】
　本例のマグネト・インピーダンス・センサ素子１は、上述したＭＩ現象を利用したものである。そして、本例では、
感磁体２に
パルス状の電流
パルス電流
を通電したときに検出コイル３１、３２の両端の電極３４１と電極３４２との間に生じる誘起電圧ｅ
を計測することで、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２との間の磁界の強度の差を検出している
　この磁気検出方法は、図７に示すごとく、感磁体２に通電した
パルス電流
の立ち下がり時に、検出コイル３１、３２に発生する誘起電圧ｅ
を計測する
　なお、図７（ｂ）において、実線の曲線と破線の曲線とは、それぞれ一様な磁界が作用したときの第１磁界検出部１１及び第２磁界検出部１２の検出コイル３１、３２に生ずる
出力電圧を表す。
【００３２】
　また、
マグネト・インピーダンス・センサ素子１は
深さ５〜２００μｍの断面略矩形状を呈する溝状の凹部１５を設けた素子基板１４上に形成してある
この凹部１５の内周面のうちの相互に対面する各溝側面１５ａには、溝の深さ方向の導電パターン３ａを均一ピッチで複数、配設してある
また、凹部１５の溝底面１５ｂには、同一ピッチの導電パターン３ａを電気的に接続する導電パターン３ｂを、溝の幅方向に対して若干斜めとなる方向に設けてある
【００３３】
　図２、図３に示すごとく、
各溝側面１５ａ及び溝底面１５ｂに導電パターン３ａ、３ｂを配設した凹部１５の内部には、エポキシよりなる絶縁体１３中に、感磁体２を埋設してある
そして、凹部１５に充填した絶縁体１３の外表面には、相互に対面する溝側面１５ａの１ピッチずれた導電パターン３ａを電気的に接続する導電パターン３ｃを、溝の幅方向に対して若干斜めとなる方向に設けてある
このようにして、導電パターン３ａ、３ｂ、３ｃが一体となることにより、ら旋状に巻回された検出コイル３１、３２が形成されている
　ただし、図１、図２に示すごとく、検出コイル３１と検出コイル３２とは、巻回方向転換部３３を境にコイルの巻き線方向が反転するように形成されている。
【００３４】
　なお、検出コイル３１、３２を形成する方法としては、例えば以下のような方法がある。即ち、凹部１５の内周面１５ａ、１５ｂの全面に、導電性の金属薄膜を蒸着したのち、エッチング処理を実施して導電パターン３ａ及び３ｂを形成する。そして、導電パターン３ｃは、絶縁体１３の表面全面に、導電性の金属薄膜（図示略。）を蒸着したのち、エッチング処理を実施することにより形成する。
【００３５】
　本例の
検出コイル３１、３２の捲線内径は、凹部１５の断面積と同一断面積を呈する円の直径である円相当内径として６６μｍを有する
検出コイル３１、３２の線幅及び線間幅は共に２５μｍとしてある
【００３６】
　また、
第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに作用する磁界の感磁体２の軸方向成分に差が生じたとき、連続形成された検出コイル３１、３２の両端の電極３４１、３４２に電位差を生じるよう構成してある
　即ち、上記
マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とを対称性を持たせた状態で形成しており、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに同じ磁界が作用したときには、連続形成された検出コイル３１、３２の両端における電極２５１、２５３には、電位差が生じない
【００３７】
　これは、図４の破線Ｂ１、Ｂ２に示すごとく、周辺磁界が第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とのそれぞれに同様に作用した場合には、同じ大きさであると共に互いに反対符号の出力電圧が生じる。これらの出力電圧（Ｂ１、Ｂ２）は、それぞれ、電極３４１と巻回方向転換部３３との間、巻回方向転換部３３と電極３４２との間において生じる電圧である。
　ところが、図１、図２に示すごとく、第１磁界検出部１１の検出コイル３１の一端と第２磁界検出部１２の検出コイル３２の一端とが巻回方向転換部３３において接続されているため、上記二つの出力電圧は打ち消し合い、結局、図４の実線Ｂ０に示すごとく、マグネト・インピーダンス・センサ素子１全体としての出力電圧は生じないこととなる。
【００３８】
　そして、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに作用する磁界の感磁体２４の軸方向成分に差が生じたとき、図１に示す検出コイル３１、３２の両端の電極３４１、３４２に電位差を生じる。即ち、例えば、周辺磁界以外の磁界として、計測対象磁界が、第１磁界検出部１１に作用し、第２磁界検出部１２に作用しないとき、マグネト・インピーダンス・センサ素子１における検出コイル３１、３２の両端の電極３４１、３４２に電位差を生じる。
【００３９】
　上記マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、図６に示すような電子回路５に組み込まれる。即ち、該
電子回路５は、マグネト・インピーダンス・センサ素子１と信号発生器５２と信号処理部５３とからなる
　
信号発生器５２から発生させたパルス信号は、マグネト・インピーダンス・センサ素子１の感磁体２に入力される
信号処理部５３は、マグネト・インピーダンス・センサ素子１の検出コイル３１、３２からの出力電圧を、パルス信号の入力に連動して開閉する同期検波５３１を介して取出し、増幅器５３２にて増幅する
【００４０】
　また、
マグネト・インピーダンス・センサ素子１は
加速度センサに組み込んで用いることができる
　加速度センサは、図５に示すごとく、加速度計測の対象物に固定された支持部材４１と、該支持部材４１に片持梁状に固定端４２１を固定したカンチレバー４２と、該カンチレバー４２の自由端４２２に設けた磁石体４３とからなる加速度感知部品４を有する。」
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
　「感磁体２」にパルス電流が通電される（段落００３１）ということを踏まえて図１を見ると、「マグネト・インピーダンス・センサ素子１」の左右端部近傍の網かけ部分は、「感磁体２」にパルス電流を通電するための「
感磁体２の両端の２つの電極
検出コイル３１、３２の両端の電極３４１と電極３４２
感磁体２の両端の２つの電極
素子基板１４
上に形成される
　段落００３６には「電極３４１、３４２」及び「電極２５１、２５３」との記載があるが、両者とも図１に示された電極「
３４１、３４２
２
エ  「【００４３】
　次に、本例の作用効果につき説明する。
　上記マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、上記第１磁界検出部１１と上記第２磁界検出部１２とを有する。そして、第１磁界検出部１１における検出コイル３１と第２磁界検出部１２における検出コイル３２とは、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とのそれぞれに同じ磁界が作用したときに第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに逆向きの出力電圧が生じるような向きに巻回されている。
【００４４】
　
地磁気等の周辺磁界がマグネト・インピーダンス・センサ素子１に作用する場合、周辺磁界は第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２との双方に同様に作用する
第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とには、互いに逆向きの出力電圧が生じることとなる
【００４５】
　特に、同じ磁界が作用したときに第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに逆向きの同じ大きさの出力電圧が生じるように、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とが形成されていれば、周辺磁界が一様に作用したときに、マグネト・インピーダンス・センサ素子１全体からの出力電圧は出ないこととなる。
【００４６】
　それ故、
第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とのいずれか一方を計測対象磁界が作用する位置に配置し、他方を計測対象磁界が作用しない或いは作用しにくい位置に配置して
使用することができる
これにより、周辺磁界の影響を抑制した状態で、計測対象磁界を高精度で計測することができる
オ  「【００５５】
　また、本発明の
マグネト・インピーダンス・センサ素子は、上述した加速度センサの他にも、例えば、圧力センサ、加重センサ等、種々のセンサに用いることができる
（２）  甲第１号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１号証には、以下の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
「　微小な磁界を高い感度で検出するマグネト・インピーダンス・センサ素子１を組み込んだセンサであって（段落０００１、００４０、００５５）、
　マグネト・インピーダンス・センサ素子１、信号発生器５２及び信号処理部５３からなる電子回路５を備え（段落００３９）、
　マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、作用する磁界の大きさに応じて特性が変化する１本の感磁体２と、該感磁体２の外周に巻回した検出コイル３１、３２とを有し、感磁体２に通電する電流の変化に伴い検出コイル３１、３２のそれぞれの両端に上記磁界の大きさに応じた電位差を発生するものであり（段落００２７、００２８）、
　感磁体２の検出コイル３１を巻回した部分が第１磁界検出部１１となり、検出コイル３２を巻回した部分が第２磁界検出部１２となり、第１磁界検出部１１における検出コイル３１の一端は、第２磁界検出部１２における検出コイル３２の一端と接続され、第１磁界検出部１１における検出コイル３１と第２磁界検出部１２における検出コイル３２とは、逆向きに巻回してあり、この巻回の仕方は、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とのそれぞれに同じ磁界が作用したときに第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに逆向きの出力電圧が生じるような巻回の仕方であって（段落００２８、００２９）、
　マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とを対称性を持たせた状態で形成しており、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに同じ磁界が作用したときには、連続形成された検出コイル３１、３２の両端における電極３４１、３４２に電位差が生じず、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに作用する磁界の感磁体２の軸方向成分に差が生じたときに、連続形成された検出コイル３１、３２の両端の電極３４１、３４２に電位差を生じるよう構成してあり（段落００３５、００３６）、
　感磁体２は、マグネト・インピーダンス・センサ素子の小型化を図るために直径３０μｍ以下であることが好ましいことから、長さ１．０ｍｍ、線径２０μｍのアモルファスワイヤとし、その材質としては、例えば、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅ等を採用することができ（段落００１６、００３０）、
　マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、深さ５〜２００μｍの断面略矩形状を呈する溝状の凹部１５を設けた素子基板１４上に形成してあり、この凹部１５の内周面のうちの相互に対面する各溝側面１５ａには、溝の深さ方向の導電パターン３ａを均一ピッチで複数、配設してあり、また、凹部１５の溝底面１５ｂには、同一ピッチの導電パターン３ａを電気的に接続する導電パターン３ｂを、溝の幅方向に対して若干斜めとなる方向に設けてあり、各溝側面１５ａ及び溝底面１５ｂに導電パターン３ａ、３ｂを配設した凹部１５の内部には、エポキシよりなる絶縁体１３中に、感磁体２を埋設してあり、そして、凹部１５に充填した絶縁体１３の外表面には、相互に対面する溝側面１５ａの１ピッチずれた導電パターン３ａを電気的に接続する導電パターン３ｃを、溝の幅方向に対して若干斜めとなる方向に設けてあり、このようにして、導電パターン３ａ、３ｂ、３ｃが一体となることにより、ら旋状に巻回された検出コイル３１、３２が形成され、更に、検出コイル３１、３２の両端の電極３４１と電極３４２及び感磁体２の両端の２つの電極が、素子基板１４上に形成されており、検出コイル３１、３２の捲線内径は、凹部１５の断面積と同一断面積を呈する円の直径である円相当内径として６６μｍを有し、検出コイル３１、３２の線幅及び線間幅は共に２５μｍとしてあり（段落００３２、００３３、００３５、図１、３）、
　マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、いわゆるＭＩ（Ｍａｇｎｅｔｏ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）現象を利用して磁気センシングを行うものであり、感磁体２にパルス状の電流（パルス電流）を通電して、パルス電流の立ち下がり時に検出コイル３１、３２の両端の電極３４１と電極３４２との間に生じる誘起電圧ｅを計測することで、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２との間の磁界の強度の差を検出しており、このＭＩ現象は、供給する電流方向に対して周回方向に電子スピン配列を有する磁性材料からなる感磁体の通電電流を急激に変化させると、周回方向の磁界が急激に変化し、その磁界変化の作用によって周辺磁界に応じて電子のスピン方向の変化が生じて、感磁体の内部磁化及びインピーダンス等の変化が生じる現象であって（段落００１７、００３１）、
　マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、感磁体に通電する電流を１０ナノ秒以下で立ち下げたときに、検出コイルの両端に発生する誘起電圧の大きさを計測することで作用する磁界強度を計測し得るように構成することが好ましく、１０ナノ秒以下で通電電流の立ち下げを実施すれば、およそ０．１ＧＨｚの高周波成分を含む電流変化を感磁体に作用することができ、ここで、通電電流の立ち下げとは、例えば、感磁体に通電する電流の電流値を、定常電流値の９０％以上から１０％以下に変化させることをいい（段落００１８、００１９）、
　信号発生器５２から発生させたパルス信号が、マグネト・インピーダンス・センサ素子１の感磁体２に入力され、信号処理部５３が、マグネト・インピーダンス・センサ素子１の検出コイル３１、３２からの出力電圧を、パルス信号の入力に連動して開閉する同期検波５３１を介して取出し、増幅器５３２にて増幅するようになっており（段落００３９）、
　第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とのいずれか一方を計測対象磁界が作用する位置に配置し、他方を計測対象磁界が作用しない或いは作用しにくい位置に配置して使用することで、地磁気等の周辺磁界がマグネト・インピーダンス・センサ素子１に作用する場合、周辺磁界は第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２との双方に同様に作用するため、第１磁界検出部１１と第２磁界検出部１２とに、互いに逆向きの出力電圧が生じて打ち消し合うこととなり、これにより、周辺磁界の影響を抑制した状態で、計測対象磁界を高精度で計測することができる（段落００４４、００４６）、
センサ。」
２  甲第２号証について
（１）  記載事項
　甲第２号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
「技術分野
［０００１］　本発明は、ヒステリシス特性に優れた感磁ワイヤ、その感磁ワイヤを用いたマグネトインピーダンス素子（以下、「ＭＩ素子」と記す）およびマグネトインピーダンスセンサ（以下、「ＭＩセンサ」と記す）に関する。
背景技術
［０００２］　ＣｏＦｅＳｉＢ系合金のアモルファスワイヤに高周波のパルス電流を流すと表皮効果により、インピーダンスが磁界によって変化するマグネトインピーダンス効果（以下、「ＭＩ効果」と記す）が知られている。この変化をアモルファスワイヤに巻回した検出コイルによって検出するＭＩ素子を利用した高感度磁気センサ、すなわちＭＩセンサは、現在、携帯電話などに使用されている。しかし、従来のセンサは、ヒステリシス特性が悪いという問題がある。この問題は、感磁ワイヤであるアモルファスワイヤの磁区構造に起因する。
［０００３］　
従来のＭＩセンサに使用されていた感磁ワイヤ
　このような従来の感磁ワイヤを構成するアモルファスワイヤ内部の磁区構造を模式的に示した斜視図を図６に示す。
感磁ワイヤ９は、磁区構造の違いにより表層部９１とコア部９２の２層に分かれる
表層部９１では、スピンが一定の円周方向へ向いている
スピン全体が円周として閉じた状態となっているため、表層部９１に磁壁は全く存在しない
　一方、
表層部９１の内周側にあるコア部９２では、多磁区構造を有し、多くの磁壁が存在する
　このように従来の感磁ワイヤ９は、表層部９１ではスピンが一定の円周方向を向いたスピン構造（配列）をもつが、コア部９２では多磁区構造を有し、全体として磁気的複合構造となっていた。そして、コア部９２の多磁区構造部分に存在する磁壁および表層部９１とコア部９２の界面に存在する
磁壁が、感磁ワイヤ９またはそれを用いたセンサのヒステリシス特性を劣化させる原因となっていた
　特許文献１：再公表特許ＷＯ２００５／０１９８５１号公報
発明の開示
発明が解決しようとする課題
［０００４］　本発明は、磁気センサなどに好適なヒステリシス特性に優れる感磁ワイヤと、それを用いたＭＩ素子およびＭＩセンサを提供する。
課題を
解決するため
［０００５］　ヒステリシスの発現は、多磁区構造をもつ感磁ワイヤ内部の磁壁が、磁場印加時に移動することに起因する。そこで本発明者は、先ず、磁壁を有する多磁区構造を、
磁壁を全く有しないボルテックススピン構造
《感磁ワイヤ》
（１）本発明の
感磁ワイヤ
ボルテックススピン構造
　ここで「
ボルテックススピン構造
ワイヤ表層部で各スピンが一定の円周方向に連続的に配列していると共に、その表層部の内周側である内側部では各スピンがアモルファスワイヤの中心に近づくに従って徐々に円周方向から軸方向に回転していきそのワイヤ中心では軸方向に向く、連続的なスピン配列となる構造
［０００６］（２）図１は、ボルテックススピン構造を有する感磁ワイヤを模式的に説明する斜視断面図である。断面Ａはワイヤの軸方向に垂直な面であり、断面Ｂはワイヤの軸方向に沿った中央部で切断した面である。
　感磁ワイヤ１は、スピン配列の異なる表層部１１と内側部１２の２層からなる。先ず表層部１１について説明する。断面Ａの表層部１１では、スピンが一定の円周方向へ向いている。それゆえ、スピンは全体として連続的に配列し円周方向に閉じて（循環または還流して）おり、表層部１１に磁壁は全く存在しない。そして表層部１１を構成する断面ＢのＸ１−Ｘ２−Ｘ３−Ｙ１領域（図１では、代表例としてＸ１−Ｘ５線で示す）に存在する各スピンは、表層部１１の最表面と同じスピン配列となっている。
［０００７］　次に内側部１２のスピン配列を説明する。断面Ｂ上のＹ１−Ｘ３−Ｘ６−Ｙ３領域（図１では、代表例としてＸ５−Ｘ６線で示す）で、表層部１１と内側部１２との境界（Ｘ５）でのスピンは、表層部１１のスピンと同じ向きである。Ｘ５からＸ６に向かうにつれて、すなわち、軸中心に近づくにつれて、スピンはその向きを円周方向から軸方向に向けて徐々に傾斜していき、軸中心（Ｘ６）において軸方向（感磁ワイヤ１の中心線方向）に向きが一致する。このようなスピン傾斜配列は、断面Ｂ上のＹ１−Ｙ２線上においても、さらには断面ＢのＹ１−Ｘ３−Ｘ６−Ｙ３領域中のいずれの部分でも同様に存在する。
　このように本発明に係る感磁ワイヤ１の内側部１２には磁壁が存在しない。また、表層部１１と内側部１２の界面でも、スピンは連続的に配列しており磁壁が存在しない。このようなスピン配列全体を本発明ではボルテックスピン構造と呼んでいる。なお、本明細書でいう「スピン配列」は、主に、各スピンの磁気モーメントの分布状況を意味するが、適宜単に「スピン配列」を「スピン」とも呼ぶ。
［０００８］（３）本発明の
感磁ワイヤ
ＭＩセンサに使用される
　すべてのスピンは、印加された磁場である印加磁場の大きさに応じて、その印加磁場の方向に傾く。感磁ワイヤにパルス電流が流れると、そのパルス電流により、感磁ワイヤの円周方向に磁場が形成され、感磁ワイヤ中のスピンは円周方向に向く。この感磁ワイヤのスピンの回転による変化を、ＭＩセンサは、ピックアップコイルで検出したり、ワイヤのインピーダンス変化を検出したりする。
［０００９］《感磁ワイヤの付加的構成》
　本発明をより具体的にする付加的構成について説明する。なお、以下に述べる内容は、本発明に係る感磁ワイヤのみならず、それを用いたＭＩ素子やＭＩセンサにも適宜適用される。そして本発明の感磁ワイヤは、下記の内容から任意に選択した一つまたは二つ以上の構成が、上述した構成に加えられ得る。なお、いずれの実施形態が最良であるか否かは、対象、要求性能等によって異なる。
（１）ここで内側部の厚さ（図１の内側部１１の「ｄ」）は、最大でワイヤの半径までを取ることができる。
　本発明のボルテックススピン構造は、薄膜などの２次元の構造（ナノドットの分野）ではなく、３次元の構造である。この３次元のボルテックススピン構造に関する知見は本発明が初めてである。
　スピンの回転だけでなく磁壁の移動も検出していた従来の３次元の構造と異なり、本発明のボルテックススピン構造では磁壁（磁区）が存在しない。このため、本発明のＭＩセンサでは、完全にスピンの回転だけが検出され、ヒステリシスがゼロという優れた効果を有する。よって、本発明は磁壁（磁区）を有しない感磁ワイヤでもある。」
【図６】
【図１】
（２）  甲第２号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第２号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「従来のＭＩセンサに使用されていた感磁ワイヤは、磁区構造の違いにより表層部とコア部の２層に分かれ、表層部では、スピンが一定の円周方向へ向いて、スピン全体が円周として閉じた状態となっているため、表層部に磁壁は全く存在しないのに対し、表層部の内周側にあるコア部では、多磁区構造を有し、多くの磁壁が存在しており、これが感磁ワイヤまたはそれを用いたセンサのヒステリシス特性を劣化させる原因となっていたことから、これを解決するため、磁壁を全く有さず、ワイヤ表層部で各スピンが一定の円周方向に連続的に配列していると共に、その表層部の内周側である内側部では各スピンがアモルファスワイヤの中心に近づくに従って徐々に円周方向から軸方向に回転していきそのワイヤ中心では軸方向に向く、連続的なスピン配列となる構造（ボルテックススピン構造）の感磁ワイヤをＭＩセンサに使用する（段落０００３、０００４、０００５、０００８）。」
３  甲第３号証について
（１）  記載事項
　甲第３号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、高精度に磁気を検出することが可能な磁気センサを用いた外部磁界の測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　微小な磁界を高精度に検出する磁気センサとして、
磁気インピーダンス効果素子（ＭＩ素子）を利用したＭＩセンサ
【０００３】
　このタイプの磁気センサの精度を向上させるために、帰還回路を利用したり、通電電流の遮断に同期して誘起電圧を測定する（例えば特許文献１を参照）等の方法が取られてきた。
【特許文献１】特許第３８０１１９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　通電電流の遮断に同期して誘起電圧を測定する場合、図１に示すように、磁化の向きが一方向に揃っている通電状態（図１（ａ）参照）から、電流遮断により一斉に磁化の回転が起こる（図１（ｂ）参照）ので、リニアリティやヒステリシスが向上すると考えられる。遮断とは逆に、電流印加のタイミングで誘起電圧を測定する場合は、磁化の向きが統一されていない無通電状態（図２（ａ）参照）から、電流印加により磁化の回転が起こる（図２（ｂ）参照）ので、リニアリティやヒステリシスが悪い。
【０００５】
　しかし、パルス電流の遮断に同期して誘起電圧を測定する場合、磁化の向きの初期状態は通電により一方向に揃っている状態となるが、遮断後の磁化の状態は統一されていない。よって、より高い精度を求める場合には限界がある。
【０００６】
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、より高精度に磁気を検出することが可能な磁気センサを用いた外部磁界の測定方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　前記課題を解決するため、本発明は、外部磁界により磁気特性が変化する感磁体と、前記感磁体に電流を供給する駆動回路と、前記感磁体の周囲または近傍に配され、前記感磁体の磁気特性の変化を電圧の変化として誘起する検出コイルと、前記検出コイルに誘起された電圧の大きさである
誘起電圧値をサンプルホールドするサンプルホールド回路
前記駆動回路から前記感磁体に供給される電流は、通電方向が第１の方向からその反対である第２の方向に逆転する波形を有するパルス電流であり
前記通電方向が前記第１の方向からその反対である第２の方向に逆転する期間のうち前記第２の方向に反転しているときに同期して前記誘起電圧値をサンプルホールドする
　本発明において、
前記パルス電流は、前記通電方向が逆転される前および後において前記感磁体が単磁区構造となる電流値をとる波形を有するものである
イ  「【００２９】
　図７に示すように電流遮断のタイミングで磁気検出を行う方法は、図６に示すように電流印加のタイミングで磁気検出を行う方法に比べ、リニアリティ特性およびヒステリシス特性がともに優れているが、図８に示すように、通電方向を逆転させ、反転のタイミングで磁気検出を行う方法では、
リニアリティ特性およびヒステリシス特性がさらに向上しており
【００３０】
　このような磁気センサは、
通電する電流値が高いほど高感度になるが、必要な感度、リニアリティおよびヒステリシス特性が得られる場合、通電電流値を落とすこと
消費電力も
低減することが可能になる
（２）  甲第３号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第３号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「磁気インピーダンス効果素子（ＭＩ素子）を利用したＭＩセンサにおいて、駆動回路から感磁体に供給される電流を、通電方向が第１の方向からその反対である第２の方向に逆転する波形を有するパルス電流とし、通電方向が第２の方向に反転しているときに同期して誘起電圧値をサンプルホールド回路によりサンプルホールドするようにし、パルス電流を、通電方向が逆転される前及び後において感磁体が単磁区構造となる電流値をとる波形を有するものとすることで、リニアリティ特性及びヒステリシス特性を向上させることができ、また、通電する電流値が高いほど高感度になるが、必要な感度、リニアリティ及びヒステリシス特性が得られる場合は、通電電流値を落とすことで消費電力を低減することも可能である（段落０００２、０００７、００２９、００３０）。」
４  甲第４号証について
（１）  記載事項
　甲第４号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  「技術分野
［０００１］　本発明は、磁気センサに用いられるアモルファスワイヤを組み込んだ
マグネトインピーダンスセンサ素子
ＭＩ素子
背景技術
［０００２］　図１２に、従来のＭＩ素子の構造を示す（特許文献１）。
　ＭＩ素子９は、基板上９１の中心部にアモルファスワイヤ９２を固定し、その基板周辺を検出コイル９３が巻きつけられている。アモルファスワイヤ９２は長さ４ｍｍ、直径３０μｍを使用し、ＭＩ素子の大きさは幅３ｍｍ、高さ２ｍｍ、長さ４ｍｍなどが一般的である。
　上記従来のＭＩ素子は、磁気センサとして適用すると高感度化、小型化はある程度達成したが、
高性能磁気センサ
ＭＩセンサ
　ＭＩ素子の磁性体コアであるアモルファスワイヤは加熱によるはんだ接合では結晶化がおこるために、アモルファスワイヤの両端と電極との間には超音波ボンディングなどによる電気的結合を行っている。アモルファスワイヤの両端にこの電気的結合部を必要とするためにアモルファスワイヤは長くなる。
　また、アモルファスワイヤの磁気的性質は外部応力による歪みの影響を受けやすいのでアモルファスワイヤをゲル状物質で被覆している。そして、検出コイルは基板の上にてゲル状物質で被覆したアモルファスワイヤと基板とを外周から巻く構造のため太くなる。
そのためにＭＩ素子のサイズは大きなものとなり、小型化には困難であった。
　特許文献１：特開２００１−２９６１２７号公報」
イ  「［００３０］　本発明の
ＭＩ素子は、小型化、薄型化を達成するために基板の厚さを薄くするとともに基板上に配設されるバルクのアモルファスワイヤの大きさを小さくする必要がある
　すなわち、バルクの
アモルファスワイヤの直径
を小さくする
　また、ＭＩセンサのヒステリシスは少ない方が好ましいためにアモルファスワイヤの直径は２０μｍ以下とすることがよい。」
ウ  「［００３９］　（実施例１）
　本発明の平面型ＭＩ素子の第１実施例について、図１および図２を用いて説明する。図１は、平面型ＭＩ素子１の正面を示す概念図であり、図２は、第１図のＢ−Ｂ矢視図である。
［００４０］　図１、図２に示すごとく、本発明の
マグネトインピーダンスセンサ素子１は、非磁性体からなる基板１１を備える
基板表面の平坦面に配列された複数の第１導体膜３１１からなる平面パターン３１を備える
複数の第１導体膜３１１を横断するように平面パターン３１の配列方向に沿って配設された断面円形状のアモルファスワイヤ２を備える
アモルファスワイヤ２の外周面を覆うとともに、アモルファスワイヤ２を平面パターン３１上に固定する絶縁体４を備える
　また、
絶縁体４の外表面と平面パターン３１の表面とに渡って形成されると共にアモルファスワイヤ２を横断するように配列された複数の第２導体膜３２１からなる立体パターン３２を備える
　また、
平面パターン３１と立体パターン３２とは、第１導体膜３１１の端部と第２導体膜３２１の端部とを積層した状態で接合してなる積層接合部を基板表面の平坦面上におけるアモルファスワイヤ２の両脇に形成することにより、平面パターン３１と立体パターン３２とが一体化してなる検出コイル３を絶縁体４の周囲に形成してなる
　絶縁体４は、アモルファスワイヤ２の軸線に垂直な断面において、平面パターンに平行な方向の幅寸法が、平面パターンに近づくほど大きくなる裾広がり形状を呈している。
［００４１］　また、図２に示すごとく、絶縁体４は、アモルファスワイヤ２の軸線に垂直な断面における平面パターン３１に平行な方向の幅寸法の最大値をＬとし、アモルファスワイヤ２の直径をｄとした場合、Ｌ／ｄが１．３〜５の範囲内に収まる形状に構成されている。
［００４２］　また、図２に示すごとく、
絶縁体４は、平面パターン３１の表面を覆う平面絶縁部４１と、平面絶縁部４１とアモルファスワイヤ２との間に介在し、アモルファスワイヤ２を基板１１に対して固定するワイヤ固定部４２と、アモルファスワイヤ２と立体パターン３２との間に介在し両者の間を絶縁する立体絶縁部４３との３部分を有し
［００４３］　また、平面絶縁部４１は、ワイヤ固定部４２形成前にワイヤ固定部４２とは別個に形成された膜状形状を呈する。
　また、立体絶縁部４３は、ワイヤ固定部４２とは別個に形成された膜状形状を呈する。
［００４４］　図１、図２に示すごとく、基板１１は、非磁性かつ絶縁性を有するアルミナ基板にて幅０．３ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ、長さ１．０ｍｍの大きさからなる。
　
アモルファスワイヤ２は零磁歪であり、合金組成は（Ｃｏ
９４
Ｆｅ
６
）
７２．５
Ｓｉ
１２．５
Ｂ
１５
）であって、主相がアモルファス相からなり
アモルファスワイヤ２は回転液中紡糸法で作製した
［００４５］　検出コイル３は、平面パターン３１と立体パターン３２とからなり螺旋状に形成されている。
　平面パターン３１は、基板１１の平坦面上に導電性を有する幅１５μｍ、厚さ２μｍのリボン状の第１導体膜３１１を１５本配列されている。
一方、立体パターン３２はアモルファスワイヤ２を内包するように形成された立体絶縁部４３の外表面と平面パターン３１の表面に渡って形成されると共に第１導体膜３１１と同じ方向に配列された１５本の導電性を有する幅１５μｍ、厚さ２μｍのリボン状の第２導体膜３２１からなる。
［００４６］　すなわち、平面パターン３１と立体パターン３２とは、第１導体膜３１１の端部と第２導体膜３２１の端部とを積層した状態で接合してなる積層結合部をアモルファスワイヤ２の両脇に形成することにより、
平面パターン３１と立体パターン３２とが一体となって１５回の巻数からなる螺旋状の検出コイル３を形成する
…（略）…
［００４８］　絶縁体４は、基板表面１１の平坦面上に形成された平面パターン３１とアモルファスワイヤ２との絶縁のために平面パターン３１の上面に形成する平面絶縁部４１と、平面絶縁部の上面にアモルファスワイヤ２を固定するワイヤ固定部４２と、ワイヤ固定部４２の上面に配設したアモルファスワイヤ２と立体パターン３２との絶縁のためにアモルファスワイヤ２を内包する立体絶縁部４３とから形成されている。
…（略）…
［００５２］　
電極５は基板１１の平坦面上にアモルファスワイヤ２の端子５１と検出コイル３の端子５２の計４個が焼き付けられている
［００５３］　前記のように構成されているＭＩ素子の大きさは、基板１１の大きさである幅０．３ｍｍ、長さ１．０ｍｍと、厚さは基板１１の厚さ０．３ｍｍにアモルファスワイヤ２の直径３０μｍ、長さ０．９ｍｍ、平面絶縁部４１の厚さ２μｍ、立体絶縁部４３の厚さ２μｍと平面パターン３１および立体パターン３２の厚さ２μｍの和からなる約０．３５ｍｍである。検出コイルの捲線数は１５回である。
［００５４］　本発明のマグネトインピーダンスセンサ素子（ＭＩ素子）を使用したＭＩセンサ６の電子回路を図３を用いて説明する。
ＭＩセンサ６は、ＭＩ素子１、パルス発振回路６１、信号処理回路６２からなる
パルス発振回路６１により発生した約２００ＭＨｚ相当の高周波のパルス電流をＭＩ素子１中の感磁ワイヤ２へ供給すると、検出コイル３に外部磁場とパルス電流によるワイヤ円周方向の磁場との作用による外部磁場に対応した電圧が発生する
ここでの周波数は
パルス電流波形７中のパルスの立ち上がり、若しくは、立り下りの時間Δｔを求め、そのΔｔを
波の４分の１周期に相当するとして求めたものである
次に、サンプルタイミング調整回路６２１により前記パルス電流
所定のタイミングでアナログスイッチ６２２を短時間スイッチをオンーオフする
これによりアナログスイッチ６２２は、検出コイル３に発生した外部磁場に対応した電圧をサンプリングし増幅器６２３に伝える
立ち下がりのとき
立下り時
　本例においてはアモルファスワイヤ２に
２００ＭＨｚに相当する１７０ｍＡのパルス信号
　なお、溝方式のＭＩ素子における基板の大きさは、基板の大きさは幅０．５ｍｍ、厚さ（高さ）０．５ｍｍ、長さ１．０ｍｍである。なお、基板上の溝の深さ０．０５ｍｍ、幅０．０７ｍｍである。そして、アモルファスワイヤは長さ０．９ｍｍ、直径３０μｍと実施例１と同じ物を使用し、検出コイルの巻線数は実施例１と同じ１５回である。
　…（略）…
　ここで、実施例１の検出コイルの円相当径は約４３μｍである。ここで円相当径は、検出コイル厚さの中心部で囲まれる断面と同一面積となる円の直径をいう。また、アモルファスワイヤに対する検出コイルの近接度を示す近接指数ｎ＝検出コイルの円相当径／アモルファスワイヤ直径は、実施例１において、ｎ＝１．４となった。
　一方、従来例においての検出コイルの円相当径は６７μｍである。アモルファスワイヤに対する検出コイルの近接度を示す近接指数ｎ＝検出コイルの円相当径／アモルファスワイヤ直径は、従来例において、ｎ＝２．２となった。
　両者を比較すると本発明は従来例に比べ非常に近接して巻くことできた。更に、本実施例においては、Ｌ／ｄは２．２と１．３〜５の範囲内である。
　本明細書において、ＭＩ素子の能力は、±３Ｇの交番磁界を印加したときの±の出力から求めた感度で評価した。
　実施例１におけるＭＩ素子の感度は５１ｍＶ／Ｇａｕｓｓであった。一方、従来例の溝型のＭＩ素子の感度は４０ｍＶ／Ｇａｕｓｓであった。
　以上の結果より、本発明の実施例は、小型化・薄型化しているにも係わらず従来のＭＩ素子以上の感度が得られた。」
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
　図３では、「サンプルタイミング調整回路６２１」、「アナログスイッチ６２２」及び「増幅器６２３」が「信号処理回路６２」の構成であることが示されている。
エ  「［００６０］（実施例２）
　実施例２は、実施例１及び従来例のアモルファスワイヤの材質は同じまま、
ワイヤの直径を
１０μｍと小径化し
長さを
０．５７ｍｍへと短く
　
その結果、
円相当径
　更に、Ｌ／ｄ＝２．８と１．３〜５の範囲内である。
　また、実施例２におけるＭＩ素子の感度は４９ｍＶ／Ｇａｕｓｓであり、従来例の溝型のＭＩ素子の感度の４０ｍＶ／Ｇａｕｓｓを超える優れた特性が得られた。
…（略）…」
オ  「［００６８］（実施例６）
　本発明の平面型ＭＩ素子の第６実施例について、図１０を用いて説明する。図１０は、第６実施例における図１のＢ−Ｂ矢視図である。
［００６９］　本例においては、図１０に示すように第１実施例における
立体パターン３２を構成する第２導体膜３２１の一部は、アモルファスワイヤ２の外周面に膜状に形成された立体絶縁部４３を介してアモルファスワイヤ２の外周面の形状に沿った形状に形成されている
　また、
第２導体膜３２１の円弧状の部分から第１導体膜に渡って、アモルファスワイヤ２から離れる曲面状ではなく平面状に形成されている
…（略）…
［００７３］　前記のように構成されているＭＩ素子の大きさは、基板１１の大きさである幅０．３ｍｍ、長さ０．６ｍｍと、厚さは基板１１の厚さ０．３ｍｍにアモルファスワイヤ２の
直径１０μｍ
長さ０．５７ｍｍ
［００７４］　次に、本発明の超小型ＭＩ素子の特性を評価した。アモルファスワイヤ２に２００ＭＨｚに相当する１７０ｍＡのパルス信号を入力し、検出コイル３に外部磁界により発生する電圧を測定した。
　本実施例６は、実施例１を変形した実施例２の絶縁部の材質、厚さ、形状を変化させ、その他は同一緒元、同一条件であり、検出コイルを最近接構造としたものである。本実施例６の
円相当径は１６μｍと
小径化され
　その結果、本実施例のＭＩ素子の感度は５３ｍＶ／Ｇａｕｓｓであり、比較対象である実施例２の感度４９ｍＶ／Ｇａｕｓｓよりセンサ特性が向上している。」
【図１０】
（２）  甲第４号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第４号証には、以下の発明（以下「甲４発明」という。）が記載されていると認められる。
「　ＭＩ素子（マグネトインピーダンスセンサ素子）１、パルス発振回路６１、信号処理回路６２からなるＭＩセンサ（高性能磁気センサ）６であって（段落０００１、０００２、００５４）、
　ＭＩ素子１は、非磁性体からなる基板１１、基板表面の平坦面に配列された複数の第１導体膜３１１からなる平面パターン３１、複数の第１導体膜３１１を横断するように平面パターン３１の配列方向に沿って配設された断面円形状のアモルファスワイヤ２、アモルファスワイヤ２の外周面を覆うとともに、アモルファスワイヤ２を平面パターン３１上に固定する絶縁体４、絶縁体４の外表面と平面パターン３１の表面とに渡って形成されると共にアモルファスワイヤ２を横断するように配列された複数の第２導体膜３２１からなる立体パターン３２、及び基板１１の平坦面上に焼き付けられているアモルファスワイヤ２の端子５１と検出コイル３の端子５２とからなる計４個の電極５を備え、平面パターン３１と立体パターン３２とは、第１導体膜３１１の端部と第２導体膜３２１の端部とを積層した状態で接合してなる積層接合部を基板表面の平坦面上におけるアモルファスワイヤ２の両脇に形成することにより、平面パターン３１と立体パターン３２とが一体となって１５回の巻数からなる螺旋状の検出コイル３を絶縁体４の周囲に形成し（段落００４０、００４６、００５２）、
　絶縁体４は、平面パターン３１の表面を覆う平面絶縁部４１と、平面絶縁部４１とアモルファスワイヤ２との間に介在し、アモルファスワイヤ２を基板１１に対して固定するワイヤ固定部４２と、アモルファスワイヤ２と立体パターン３２との間に介在し両者の間を絶縁する立体絶縁部４３との３部分を有し、立体パターン３２を構成する第２導体膜３２１の一部は、アモルファスワイヤ２の外周面に膜状に形成された立体絶縁部４３を介してアモルファスワイヤ２の外周面の形状に沿った形状に形成され、第２導体膜３２１の円弧状の部分から第１導体膜に渡って、アモルファスワイヤ２から離れる曲面状ではなく平面状に形成され（段落００４２、００６９）、
　アモルファスワイヤ２は零磁歪であり、合金組成は（Ｃｏ９４Ｆｅ６）７２．５Ｓｉ１２．５Ｂ１５）であって、主相がアモルファス相からなり、回転液中紡糸法で作製され（段落００４４）、
　ＭＩ素子の小型化、薄型化を達成するためには基板の厚さを薄くするとともに基板上に配設されるバルクのアモルファスワイヤの大きさを小さくする必要があるため、アモルファスワイヤの直径を１０μｍと小径化し、長さを０．５７ｍｍと短くし、その結果、検出コイルの円相当径は１６μｍと小径化され（段落００３０、００６０、００７３、００７４）、
　パルス発振回路６１により発生した約２００ＭＨｚ相当の高周波で１７０ｍＡのパルス電流をＭＩ素子１中の感磁ワイヤであるアモルファスワイヤ２へ供給すると、検出コイル３に外部磁場とパルス電流によるワイヤ円周方向の磁場との作用による外部磁場に対応した電圧が発生し、ここでの周波数は、パルス電流波形７中のパルスの立ち上がり、若しくは、立ち下りの時間Δｔを求め、そのΔｔを波の４分の１周期に相当するとして求めたものであり、次に、信号処理回路６２では、サンプルタイミング調整回路６２１により前記パルス電流の立下り時に、所定のタイミングでアナログスイッチ６２２を短時間スイッチをオンーオフし、これによりアナログスイッチ６２２は、検出コイル３に発生した外部磁場に対応した電圧をサンプリングして増幅器６２３に伝える（段落００５４）、
ＭＩセンサ６。」
５  甲第５号証について
（１）  記載事項
　甲第５号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものであり、訳文は請求人が記載したものを参考に合議体が作成したものである。
ア  第３５０５頁右欄第８行ないし第３５０６頁第４行
「 Generally, impedance Zw in a wire is understood as a ratio of voltage Vw measured across it to a passing ac current i, as shown in Fig. 1(a). In wires with a circumferential anisotropy this quantity is very sensitive to 
a dc axial magnetic field Hex
HK is the characteristic anisotropy field
These field characteristics can be used in linear sensing
a sensor
the wire element is exited by a pulse current
the output signal is measured in a pickup coil wound on the wire
the sensor operation is based on the off-diagonal impedance Zc(Hex)
（訳文：　一般に、ワイヤにおけるインピーダンスＺｗは、図１（ａ）に示されるように、それを横切って測定される電圧Ｖｗの、通過する交流電流ｉに対する比として理解される。周方向に異方性を有するワイヤにおいて、この量は、表皮効果及び交流横磁化の結果として、
直流の軸方向磁界Ｈｅｘ
ＨＫは特有の異方性磁界である
これらの磁界特性を線形のセンシングに使用することができる
センサ
ワイヤ要素
パルス電流によって励起され、出力信号はワイヤに巻回されたピックアップコイルにおいて測定される
センサ動作は、非対角インピーダンスＺｃ（Ｈｅｘ）に基づいている
【図１】
イ  第３５０６頁左欄第２４行ないし右欄第５０行  
「II. VOLTAGE RESPONSE AND IMPEDANCE TENSOR
 …（略）…Equations (1) and (2) can be understood as generalized Ohm's law introducing the impedance tensor Z^, which relates the voltage vector V=(Vw,Vc) to the current vector i=(i,i~c)
In the terms of the previous designations, the tensor components are Zzz≡Zw,Zzφ≡Z~w, and Zφz≡Zc. The second diagonal component Zφφrelates the ac current i~c in the excitation (primary) coil with the induced voltage Vc in the pickup (secondary) coil. This impedance component (coil-to-coil) is not considered in our present work; however, some experimental and theoretical results can be found in [11] and [12].
 …（略）…The diagonal components Zzz and Zφφ do not change when the direction of the equilibrium dc magnetization M0 is reversed. To the contrary, the off-diagonal components Zzφ and Zφz have the same functional dependence on the angle θ and change the sign together with M0. Therefore, the off-diagonal impedances are antisymmetrical with respect to M0. In fact, the permeability parameter may also depend on the magnetization angle θ but this does not alter the conclusion made.
 In a wire with a circumferential anisotropy, the axial magnetic field is a hard axis field that will produce a linear magnetization curve in 
the range of -H
K
H
ex
H
K
H
K
 is the anisotropy field
we can expect a linear field behavior of the off-diagonal impedances in this field interval
（訳文：　２．電圧応答とインピーダンステンソル
　…（略）…式１及び２は、電圧ベクトルＶ＝（Ｖｗ，Ｖｃ）を電流ベクトルｉ＝（ｉ，ｉ~ｃ）に関連付けるインピーダンステンソルＺ^を導入する、一般化したオームの法則として理解することができる。
先の記号で言えば、テンソル成分は、Ｚｚｚ≡Ｚｗ、Ｚｚφ≡Ｚ~ｗ及びＺφｚ≡Ｚｃである。第２の対角成分Ｚφφは、励起（一次）コイルにおける交流電流ｉ~ｃを、ピックアップ（二次）コイルにおける誘導電圧Ｖｃとを関係づける。このインピーダンス成分（コイル対コイル）は、我々の今回の研究では考慮されないが、いくつかの実験的及び理論的結果は［１１］及び［１２］に見出すことができる。
　…（略）…対角線成分Ｚｚｚ及びＺφφは、平衡直流磁化Ｍ０の方向が反転しても変化しない。これに対し、非対角成分ＺｚφおよびＺφＺは、角度θに対して同じ関数依存性を有しており、その符号をＭ０と共に変化させる。したがって、非対角のインピーダンスは、Ｍ０に対して反対称である。　実際は、透磁率パラメータが磁化角度θに依存することもあるが、このことは上の結論を変更しない。
　周方向に異方性を有するワイヤにおいて、軸方向の磁界は、
−Ｈ
Ｋ
＜Ｈ
ｅｘ
＜Ｈ
Ｋ
の範囲
Ｈ
Ｋ
は異方性磁界である
この磁界の区間において、非対角インピーダンスの直線的な磁界挙動を期待することができる
【図２】
ウ  第３５０８頁右欄第４行ないし第３５１０頁左欄第１３行 
「IV. CMOS SENSOR - 
PULSE EXCITATION OF MI WIRES
 …（略）…Analyzing the MI characteristics obtained under a sinusoidal excitation the optimal frequency of 50 MHz has been identified, for which the maximal sensitivity (and the best linearity in the case of the off-diagonal impedance) has been achieved. In the case of a pulsed excitation, such parameters as a rise time and a fall time determine the frequency of the principle harmonic. The time parameter of 5 ns corresponds to the optimal frequency of 50 MHz. …（略）…
 …（略）…Fig. 12 shows the integrated diagonal (Vw) and off-diagonal (Vc) responses after the rectification and amplification as a function of Hex. In the case of the diagonal response [Fig. 12(a)], the field characteristics are symmetrical showing two maximums at Hex=±4 Oe. This behavior is very similar to that shown in Fig. 6 for the diagonal impedance. 
The off-diagonal voltage output as a function of Hex
has almost linear portion in the field range H
ex
=±2 Oe
a circumferential anisotropy obtained under pulsed excitation
（訳文：　４．ＣＭＯＳセンサ−
ＭＩワイヤのパルス励起
　…（略）…正弦波励起下で得られたＭＩ特性を分析すると、最大感度（及び非対角インピーダンスの場合における最良の線形性）が達成される、最適周波数の５０ＭＨｚが同定される。パルス励起の場合には、立ち上がり時間や立ち下がり時間のようなパラメータが、基本調波の周波数を決定する。５ｎｓの時間パラメータは、５０ＭＨｚの最適周波数に対応する。…（略）…
　…（略）…図１２は、Ｈｅｘの関数としての整流及び増幅後の積分された対角（Ｖｗ）及び非対角（Ｖｃ）の成分の応答を示す。対角成分の応答の場合（図１２（ａ））、磁界特性は対称で、Ｈｅｘ＝±４Ｏｅにおいて２つの最大値を示す。この挙動は、図６に示した対角インピーダンスの挙動と非常に類似している。
Ｈｅｘの関数としての非対角成分の電圧出力は
Ｈ
ｅｘ
＝±２Ｏｅの間の磁界範囲においてほぼ直線的な部分を有する
パルス励起のもとで得られる周方向の異方性を有するアモルファスワイヤ
【図１２】
（２）  甲第５号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第５号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「周方向に異方性を有するワイヤをパルス電流によって励起し、出力信号をワイヤに巻回されたピックアップコイルにおいて測定するセンサにおいて、出力信号は非対角インピーダンスＺｃ（Ｈｅｘ）に基づくところ、−ＨＫ＜Ｈｅｘ＜ＨＫ（ＨＫはワイヤ特有の異方性磁界、Ｈｅｘは直流の軸方向磁界）の範囲で、インピーダンスの非対角成分の直線的な磁界挙動を期待することができ、このような特性を線形のセンシングに使用することができる。」
６  甲第６号証について
（１）  記載事項
　甲第６号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものであり、訳文は請求人が記載したものを参考に合議体が作成したものである。
第３８３３頁左欄第１２行ないし右欄第１行
「 We have summarized three principal advantageous 
features of the amorphous wire MI sensor
1) submillimeter size sensor head is realized with a high sensitivity of several nT resolution. Thus, we designed 3-axis electronic compass chips having 0.4 mm length with 10 μm diameter amorphous wire heads, compatible with the advanced integrated circuitry for smart phones, in which a power consumption is around 0.8 mW [24];
2) 
ultrahigh sensitivity
3) 
ultraquick response
 The three 
features are based on the magnetoimpedance effect originated from the skin effect in amorphous wires with a circular domain structure
（訳文：　
アモルファスワイヤＭＩセンサ
特徴
１）　数ｎＴの分解能を有する高感度でサブミリメータサイズのセンサヘッドを実現。これにより、我々は、消費電力が約０．８ｍＷであり、スマートフォン用の先進集積回路にも対応する、長さ０．４ｍｍ、直径１０μｍのアモルファスワイヤヘッドを備えた３軸電子コンパスチップを設計した。
２)　室温で動作する携帯型ＭＩセンサにおいて、磁気シールドなしで１ｐＴの分解能を有する
超高感度性
３)　０から数ＧＨｚの範囲の磁場信号周波数に対する
超高速応答性
　上記３つの
特徴は
周方向の磁区構造を有するアモルファスワイヤの表皮効果に起因するＭＩ効果に基づいている
【図１】
（訳文：　図１．
アモルファスワイヤの磁区構造
外側領域に円形磁区が存在し、内部コアは軸方向の磁化を有する
（２）  甲第６号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第６号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「アモルファスワイヤＭＩセンサの超高感度性、超高速応答性などの特徴は、周方向の磁区構造を有するアモルファスワイヤの表皮効果に起因するＭＩ効果に基づいている。アモルファスワイヤは、外側領域に円形磁区が存在し、内部コアが軸方向の磁化を有する、磁区構造を有している。」
７  甲第７号証について
（１）  記載事項
　甲第７号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
 「【００１８】
　Ｚ軸用ＭＩ素子に用いられるバルクの磁性アモルファスワイヤは、ＭＩ効果を発揮できるゼロ磁歪のアモルファスワイヤである。
ＭＩセンサのヒステリシスはない方が好ましい
（２）  甲第７号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第７号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「ＭＩセンサのヒステリシスはない方が好ましい。」
８  甲第８号証について
（１）  記載事項
　甲第８号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
第４４頁右欄第１５行ないし第４５頁左欄第５行
「　図１は，
零磁歪アモルファスワイヤー（ＦｅＣｏＳｉＢ：３０μｍ径，２ｋｇ／ｍｍ
２
張力・５２０℃・２ｓアニール，Ｈ
ｃ
＝０．２Ｏｅ，５ｍｍ長）の磁気インピーダンス効果
１ＭＨｚ
通電時の外部磁界Ｈ
ｅｘ
に対する変化特性
１０ＭＨｚ通電時の特性
　…（略）…
　（ｂ）では，
１０％／Ｏｅ程度の減少率を示す
インピーダンスの減少は
磁壁振動によると考えられる
　一方，（ｃ）のように
高周波（１０ＭＨｚ）通電では磁壁移動は抑制されて磁化は主として磁化ベクトルの回転で生じ，Ｈ
ｅｘ
≒Ｈ
ｋ
（異方性磁界）でインピーダンスは最大となる
直流を重畳させると
インピーダンス変化は１００％／Ｏｅ以上になり，高感度のＭＩ効果となる
（２）  甲第８号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第８号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「零磁歪アモルファスワイヤー（ＦｅＣｏＳｉＢ：３０μｍ径、２ｋｇ／ｍｍ２張力・５２０℃・２ｓアニール、Ｈｃ＝０．２Ｏｅ、５ｍｍ長）の磁気インピーダンス効果において、１ＭＨｚ通電時の外部磁界Ｈｅｘに対するインピーダンス変化は磁壁振動によると考えられ、１０％／Ｏｅ程度であるが、１０ＭＨｚの高周波通電時には磁壁移動は抑制されて磁化は主として磁化ベクトルの回転で生じることとなり、Ｈｅｘ≒Ｈｋ（異方性磁界）でインピーダンスは最大となり、直流を重畳させることで１００％／Ｏｅ以上の高感度のＭＩ効果が得られる。」
９  甲第９号証について
（１）  記載事項
　甲第９号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものであり、訳文は請求人が記載したものを参考に合議体が作成したものである。
ア  第６２４頁左欄第１行ないし第８行
「Abstract - We studied the 
Giant magnetoimpedance (GMI) effect
amorphous
magnetic microwires
（訳文：　要約　−　我々は、Ｔａｙｌｏｒ−Ｕｌｉｔｏｖｓｋｉの技術によって作製された
アモルファス
磁気マイクロワイヤの巨大磁気インピーダンス（ＧＭＩ）効果
イ  第６２５頁右欄第１１行ないし第４６行
「
Depending on the frequency f of the driving AC current Iac
the giant magnetoimpedance can be
roughly four different regimes might be considered
(i) 
At low frequency range of 1-10 kHz when the skin depth is larger than the radius or half thickness of the sample (rather weak skin effect) the Matteucci effect and magnetoinductive effect have been observed
(ii) 
At frequencies, ranging from 10-100 kHz to 1-10 MHz
It is widely believed that in this case both domain walls and magnetization rotation contribute
 to the skin effect
(iii) 
For frequencies ranging in the MHz band (from 1-10 MHz to 100-1000 MHz depending on the geometry of the sample),
at these frequencies the domain walls are strongly damped
Therefore the magnetization rotation must be considered as responsible for the magnetic permeability change induced by an external magnetic field
(iv) 
At high frequencies, of the order of GHz, the magnetization rotation is strongly influenced by the gyromagnetic effect
At this frequency range strong changes of the sample's impedance have been attributed to the ferromagnetic resonance (FMR)
Recently major attention is focused on high frequencies(GHz range) GMI applications owing to the development of thin magnetically soft materials and recent tendency in miniaturization of magnetic field sensors
（訳文：試料に流す
駆動交流電流Ｉａｃの周波数によって、巨大磁気インピーダンスは、大まかに４つの異なるモードに分けられる
（ｉ）
１−１０ｋＨｚの低い周波数範囲では、表皮深さが試料の半径または半厚さよりも大きく（弱い表皮効果）、マテウチ効果及び磁気誘導効果が観察されている
（ｉｉ）
１０−１００ｋＨｚから１−１０ＭＨｚまでの範囲の周波数は
この場合、磁壁と磁化回転の両方が
表皮効果に寄与すると広く信じられている
（ｉｉｉ）
ＭＨｚ帯（試料の幾何学的形状に応じて１−１０ＭＨｚから１００−１０００ＭＨｚまで）の周波数では
これらの周波数では磁壁が強く減衰される
したがって、磁化回転が外部磁界に誘起される透磁率変化の原因となるものとして考慮されなければならない
（ｉｖ）
ＧＨｚオーダーの高周波数領域では、磁化回転が、磁気回転効果の影響を強く受ける
この波数範囲では、試料のインピーダンスの大きな変化が、強磁性共鳴（ＦＭＲ）に起因している
最近、薄くて磁気的に柔らかい材料の開発と最近の磁場センサの小型化の傾向に起因して、高周波（ＧＨｚ範囲）のＧＭＩ用途に大きな注目が集まっている
（２）  甲第９号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第９号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「アモルファス磁気マイクロワイヤの巨大磁気インピーダンス（ＧＭＩ）効果は、駆動交流電流Ｉａｃの周波数によって大まかに４つの異なるモードに分けられ、１−１０ｋＨｚの低い周波数範囲では、表皮深さが試料の半径または半厚さよりも大きく（弱い表皮効果）、マテウチ効果及び磁気誘導効果が観察され、１０−１００ｋＨｚから１−１０ＭＨｚまでの範囲の周波数では、磁壁と磁化回転の両方が表皮効果に寄与すると考えられ、ＭＨｚ帯（試料の幾何学的形状に応じて１−１０ＭＨｚから１００−１０００ＭＨｚまで）の周波数では、磁壁が強く減衰され、したがって、磁化回転が外部磁界に誘起される透磁率変化の原因となり、ＧＨｚオーダーの高周波数領域では、磁化回転が、磁気回転効果の影響を強く受け、試料のインピーダンスの大きな変化は強磁性共鳴（ＦＭＲ）に起因し、最近、薄くて磁気的に柔らかい材料の開発と最近の磁場センサの小型化の傾向に起因して、高周波（ＧＨｚ範囲）のＧＭＩ用途に大きな注目が集まっている。」
１０  甲第１０号証について
（１）  記載事項
　甲第１０号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものであり、訳文は請求人が記載したものを参考に合議体が作成したものである。
ア  第１４５３頁右欄第２２行ないし第３９行
「First experiments on MI dated to 1993 utilized a simple concept of measuring the AC voltage across the wire subjected to an AC current i=i0 exp(-jωT) and a DC magnetic field Hex applied in parallel with the current. 
It was found, that even in the case of a circumferential anisotropy the MI behavior can be completely different depending on the current amplitude i
0
 and frequency ω
（訳文：１９９３年に行われたＭＩに関する最初の実験は、交流電流ｉ＝ｉ０ｅｘｐ（−ｊωＴ）及びその電流に平行な直流磁界Ｈｅｘが印加されたワイヤを横切る交流電圧を測定するという単純な考え方に基づくものであった。
周方向に異方性を有する場合におけるＭＩの挙動は、電流強度ｉ
０
及び周波数ωに依存して完全に異なりうるということが分かった
【図１】
【図２】
イ  第１４５４頁左欄第１行ないし第２２行
「 
Recently, MI at much higher frequencies was investigated
H
K
 is the effective anisotropy field
 
We can conclude that the MI effect remains very sensitive in a wide frequency range
the field-plot appearance may change substantially
Megahertz frequency MI characteristics, for which extremely high sensitivity can be reached, are utilized in various magnetic, current and stress sensors
Microwave MI is very promising for remote sensing and tunable microwave materials
（訳文：　
最近、より高い周波数でのＭＩが調査されている
Ｈ
Ｋ
は実効的な異方性磁界である
　
ＭＩ効果は広い周波数範囲において非常に敏感なままであると結論づけることができる
磁界によるプロットの外観は実質的に変化し得る
メガヘルツ周波数のＭＩ特性は、特に高い感度を達成することができ、様々な磁気、電流及び応力センサに利用される
マイクロ波のＭＩは、リモートセンシング及び同調可能なマイクロ波材料にとって非常に有望である
【図３】
ウ  第１４５４頁右欄第４７行ないし第１４５５頁左欄第１０行
「 
It has been recently proposed to utilize for sensor applications the voltage response V
c
 detected in the coil mounted around the wire whilst the wire is still driven by the passing current i
The output signal Vc is
After rectification, antisymmetrical MI characteristic can be obtained with almost linear region within field interval ±H
K
（訳文：　
最近、ワイヤが通過電流ｉによって駆動されている間にワイヤの周囲に取り付けられたコイルで検出された電圧応答Ｖ
ｃ
をセンサ用途に利用することが提案されている
出力信号Ｖ
ｃ
は
整流後、磁界±Ｈ
Ｋ
の間のほぼ直線的な領域において、反対称的なＭＩ特性を得ることができる
（２）  甲第１０号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１０号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「周方向に異方性を有する場合におけるＭＩの挙動は、電流強度ｉ０及び周波数ωに依存して完全に異なりうるということが知られているところ、最近、より高い周波数でのＭＩが調査されており、その結果、ＭＩ効果は広い周波数範囲において非常に敏感なままであると結論づけることができるが、磁界によるプロットの外観は実質的に変化し、メガヘルツ周波数のＭＩ特性は、特に高い感度を達成することができ、様々な磁気、電流及び応力センサに利用される一方、マイクロ波のＭＩは、リモートセンシング及び同調可能なマイクロ波材料にとって非常に有望である。最近、ワイヤが通過電流ｉによって駆動されている間にワイヤの周囲に取り付けられたコイルで検出された電圧応答Ｖｃをセンサ用途に利用することが提案されており、この場合、出力信号Ｖｃの整流後、磁界±ＨＫ（ＨＫは実効的な異方性磁界）の間のほぼ直線的な領域において、反対称的なＭＩ特性を得ることができる。」
１１  甲第１１号証について
（１）  記載事項
　甲第１１号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  「【０００３】
従来、
ＭＩセンサ
パルス電流
ここで、
高周波電流を更に高周波化することにより、感度を高めることが試みられている
高周波化により感度の向上は見受けられるが
高周波化しても測定レンジが広がらない問題があり
イ  「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は、小型で磁気センサとして感度が高く、測定レンジの大きなＭＩセンサを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明者らは、高周波電流の周波数、波形、検出方式、感磁ワイヤ等に関して種々の検討を加えた結果、スピンの回転現象を直接検出する検出コイルを使用する方式においてアモルファス感磁ワイヤに対し従来より高い高周波の電流を印加することにより、スピン回転運動を電流印加とともに均一かつ一斉に、かつ、鋭く首ふり運動させることで、高感度化と高測定レンジ化を達成することができるのではないかと着想した。そして、具体的にはアモルファスワイヤへの印加する電流を従来より高い所定の周波数としつつ、
出力の方式を検出コイル方式とする
【０００８】
具体的には請求項１に記載の発明の
マグネトインピーダンスセンサは、零磁歪となる軟磁性合金のアモルファスからなる感磁ワイヤ
前記感磁ワイヤは少なくともワイヤの円周方向にスピン配列した表面層を有し、前記高周波電流は０．３以上、１．０ＧＨｚ以下の周波数を有する
【０００９】
　本発明の構成を取ることによって、優れた効果を得ることができた理由はさだかではないが、得られた結果から次のように推論する。
　まず、高周波電流における周波数が０．３以上、１．０ＧＨｚの範囲内で優れた感度がえられる理由について推論する。
検出コイルで検知される電圧はｄφ／ｄｔに比例することが知られている。まず、感磁ワイヤに高周波電流が印加されると感磁ワイヤの円周方向に磁場が作られる。ワイヤ中のスピンは外部磁場の向きから電流により作られた円周方向磁場の方向に回転する。電流により作られる円周方向磁場（Ｈφ）の時間変化ｄＨφ／ｄｔが大きいほど、すなわち、大きい周波数の電流が印加されるほどワイヤ中のスピンの回転は速くなる。このスピンの回転速度はｄφ／ｄｔに相当するため、検出コイルに検知される電圧は大きくなり高感度となると思われる。
【００１０】
しかしながら、一般的には、高周波になるほど表皮深さが浅くなるため、そこを流れる表皮電流により形成される円周方向磁場に反応するスピンの絶対量、つまりφが小さくなり、検出コイルで検知される電圧ｄφ／ｄｔが小さくなる作用を有するため、感度が周波数
に対してどのような挙動をしめすかは予測は難しかった。
【００１１】
　結果的に、後述するように０から０．５ＧＨｚまでは周波数を上げていくと、感度が上昇していることを考慮すると、以下のような感磁ワイヤ内の内部応力が作用していたのではないかと思われる。
一般的に、感磁ワイヤ中の内部応力は径方向に対し、表層部では大きく内部では小さくなる。スピンの首ふり運動は印加されている高周波電流の周波数に応じた表皮深さ内で起こるが、ある程度までの高周波の場合では、表皮深さが厚いため、その表皮深さ内の内部応力分布の不均一さにより、そこでの各スピンが異なる振る舞いで運動する。各スピンが異なる振る舞いで首ふり運動を行えば、センサとしての感度は小さくなると思われる。逆に、０．３ＧＨｚ以上の高周波の場合では、表皮深さが薄くなり内部応力の不均一さが減少するため、スピン回転運動が電流印加とともに均一かつ一斉に、かつ、鋭く首ふり運動をする現象が発現すると思われる。
【００１２】
以上のように、メカニズムはさだかではないが、一つの推論として周波数を上げれば上げるほど感度が上昇する点は説明することができるが、現実には周波数が０．５ＧＨｚを超えるとピークを迎え、その後は減少している。これは、このようなピークの存在は予想外のことであり、これはスピン共鳴現象によるスピンの波化によると思われる。スピン全体が波化することで、スピンの一斉回転が阻害されることで周波数の向上による効果が失われ、１ＧＨｚを超えたところで十分な感度か得られなくなったものと思われる。
本発明者等は、このような複数の作用が交錯する予測性の困難な現象において、感度において１ＧＨｚ近傍において周波数において最適領域の存在を初めて発見したものである。
【００１３】
一方、高周波電流における周波数が０．３以上、１．０ＧＨｚの範囲内で優れた測定レンジがえられる理由について推論する。
　測定レンジは高周波化しても変わらないと思われていたが、実際は、かなり広い領域で上昇を発見した。これは、後から考えるに以下の理由ではないかと推測する。
例えば、感磁ワイヤにおいて、高周波電流が高周波になるほど、表皮効果により感磁ワイヤに流れる電流の表皮深さが浅くなる。表皮深さが浅くなるほど、上述のように感磁ワイヤの表面付近の内部応力の作用が大きくなる。内部応力が大きいほど異方性磁界が大きいため測定レンジが大きくなるためと思われる。また、周波数が０．５ＧＨｚ以上で測定レンジの増加がほぼ飽和するのは、その周波数以上では表皮深さが非常に薄くなっていため、内部応力の変化が飽和したためと思われる。
【発明の効果】
【００１４】
　請求項１に記載の発明は、出力の検出方式として検出コイルを採用し、零磁歪となる軟磁性合金のアモルファスからなる感磁ワイヤが、少なくともワイヤの円周方向にスピン配列した表面層を有する状態で、
周波数換算で０．３以上、１．０ＧＨｚ以下と従来より高い周波数の高周波電流を印加することにより、従来のマグネトインピーダンスセンサのおける感度と測定レンジを同時に向上することができる
ウ  「【００２１】
ここでの周波数は
パルス電流波形１０中のパルスの立ち上がり、若しくは、立ち下りの時間Δｔを求め、そのΔｔを
波の４分の１周期に相当するとして求めたものである
【図３】
エ  「【００２２】
本実施例でのＭＩ特性の測定、及び、感度と測定レンジの算出方法について説明する。図４は試料１のアモルファスワイヤをＭＩセンサに組み込み最大磁場±０．３ｋＡ／ｍ、１０Ｈｚ中に設置し、感磁ワイヤに周波数０．３ＧＨｚに相当する８０ｍＡのパルス電流を入力し、検出コイルに発生した電圧信号を上記センサにより信号処理された電圧を測定したものである。なお、ここではパルスの立ち上がり部で検出したが、立ち下がり部でもよく、両方でも良い。測定レンジは、ゼロ磁場を中心に直線性が１％Ｆ．Ｓ．以下になる磁場とした。なお、直線性の評価の方法は、ＪＩＳＢ０１５５の番号２６２３の方法を用いた。感度は測定レンジ間における出力電圧の傾きとした。」
【図４】
（２）  甲第１１号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１１号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「ＭＩセンサにおいて、パルス電流を高周波化することにより、感度を高めることが試みられていたが、高周波化により感度の向上は見受けられるが測定レンジが広がらないという問題があったところ、出力の方式を検出コイル方式として、少なくともワイヤの円周方向にスピン配列した表面層を有する、零磁歪となる軟磁性合金のアモルファスからなる感磁ワイヤを用いることとし、換算周波数（パルスの立ち上がり、若しくは、立ち下りの時間Δｔを、波の４分の１周期に相当するとして求めた周波数）が０．３以上、１．０ＧＨｚ以下という従来より高い周波数の高周波電流を印加することで、ＭＩセンサにおける感度と測定レンジを同時に向上することができた。」
１２  甲第１２号証について
（１）  記載事項
　甲第１２号証には、以下の記載がある。なお、丸中に数字の記載は「（１）」のように表した。下線は合議体が付したものである。
第７９３頁左欄第３８行ないし右欄第１９行
「２．　アモルファスワイヤおよび実験回路
　Ｆｉｇ．１は，
零磁歪アモルファスワイヤ（Ｆｅ
４．３５
Ｃｏ
６８．１５
Ｓｉ
１２．５
Ｂ
１５
，λ≒−１０
−７
，３０μｍ径，２ｍｍ長，４０ｋｇ／ｍｍ
２
張力下４７５℃１分間アニール）に被覆導線を３０ターン直接巻にしてパルス列電流をワイヤとコイルに直列に通電する
　本実験では以上の回路を用い，基礎特性を調べるためワイヤ長さ方向に直流外部磁界Ｈｅｘを印加しその時のワイヤ両端電圧を測定する実験を行った。
３．　実験結果
　Ｆｉｇ．２は，Ｆｉｇ．１の回路でパルス発振電源を使用し，パルス半値幅１０ｎｓ，パルス電流高さ５０ｍＡ，パルス繰り返し周波数ｆ＝１ＭＨｚにおける
ワイヤ両端パルス電圧高さ｜ｅ
ｐ
｜とワイヤ長さ方向直流磁界Ｈｅｘの関係を測定した結果
（１）はコイル電流がワイヤ電流の向きに対して左廻りの場合
（２）は右回り
の場合である。（３）はコイルを短絡した場合である
　この結果，
（３）ではＨ
ｅｘ
の正負に対して｜ｅ
ｐ
｜は対称であるが，（１）と（２）では互いに逆の非対称ＭＩ効果となっている
（２）  甲第１２号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１２号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「零磁歪アモルファスワイヤ（Ｆｅ４．３５Ｃｏ６８．１５Ｓｉ１２．５Ｂ１５、λ≒−１０−７、３０μｍ径、２ｍｍ長、４０ｋｇ／ｍｍ２張力下４７５℃１分間アニール）に被覆導線を３０ターン直接巻にしてパルス列電流をワイヤとコイルに直列に通電し、（１）コイル電流がワイヤ電流の向きに対して左廻りの場合、（２）右回りの場合、（３）コイルを短絡した場合のそれぞれについて、ワイヤ両端パルス電圧高さ｜ｅｐ｜とワイヤ長さ方向直流磁界Ｈｅｘの関係を測定した結果、（３）ではＨｅｘの正負に対して｜ｅｐ｜は対称であるが、（１）と（２）では互いに逆の非対称ＭＩ効果となった。」
１３  甲第１３号証について
（１）  記載事項
　甲第１３号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
「［０００５］　特許文献１は、基板上に形成した平面パターンと、該平面パターン上に設けたアモルファスワイヤー（感磁ワイヤー）を固定する絶縁体上に山なりに形成した立体パターンとからなる検出コイルを備えたＭＩ素子を提案している。これにより、基板に感磁ワイヤーを収納する溝を機械加工していたときよりも、
検出コイルを感磁ワイヤーへより安定的に近接させる
ＭＩ素子全体の小型化
が図れる
［０００６］　もっとも、素子の小型化の要求は益々高度化している。
検出コイルを備えたＭＩ素子において、さらなる小型化を図りつつ従来と同等以上の出力を確保するには、検出コイルを密に巻くファインピッチ化が必要となる
（２）  甲第１３号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１３号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「検出コイルを感磁ワイヤーへ近接させることでＭＩ素子全体の小型化が図れるが、検出コイルを備えたＭＩ素子において、さらなる小型化を図りつつ従来と同等以上の出力を確保するには、検出コイルを密に巻くファインピッチ化が必要となる。」
１４  甲第１４号証について
（１）  記載事項
　甲第１４号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  明細書第５頁第４行ないし第７行
「 上記構成より成る第７発明の
電磁コイル付マグネト・インピ一ダンス・センサ素子
高感度化を実現するという効果を奏する
イ  明細書第１３頁第１行ないし第６行
「　電磁コイル３の捲線内径に対するアモルファスワイヤの径の比は、１．００５ないし１０の範囲内に設定され、アモルファスワイヤの径がφ１０μｍ〜１００μｍの範囲内において設定されるので、
アモルファスワイヤの径がφ１０μｍの時は電磁コイル３の捲線内径は１０．０５μｍ〜１００μｍの範囲内で設定され
（２）  甲第１４号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１４号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「電磁コイル付マグネト・インピ一ダンス・センサ素子において、アモルファスワイヤの径がφ１０μｍの時、電磁コイルの捲線内径を１０．０５μｍ〜１００μｍの範囲内で設定すれば、高感度化を実現できる。」
１５  甲第１５号証について
（１）  記載事項
　甲第１５号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  「【００４０】
　（第１の実施の形態）
　図３は、本発明の第１の実施の形態に係る磁気センサ回路のブロック図である。図３の磁気センサ回路は、半導体装置、例えば、一つのＩＣチップに搭載されるのが好ましいものである。図３は、半導体装置に接続されるＭＩ素子を合わせて示している。
【００４１】
　図３を参照するに、本実施の形態に係る
磁気センサ回路１０は、パルス発生回路１１、パルス電流供給回路１２、
サンプルホールド回路１４、
から構成される
ＭＩ素子２６は、その入力側がパルス電流供給回路１２
に接続され、その出力側がサンプルホールド回路１４に接続されている
【００４２】
　パルス発生回路１１は、パルス信号をパルス電流供給回路１２に定期的に出力する。パルス発生回路１１は、例えばマルチバイブレータや水晶発振器を用いた発振回路等から構成される。パルス信号は、パルス幅が数十ｎｓｅｃ程度であり、パルス間隔は所望の応答速度に応じて適宜設定される。
【００４３】
　パルス電流供給回路１２は、パルス信号を電流増幅し、半導体装置に接続されたＭＩ素子２６のアモルファスワイヤ２７に励磁電流を供給する。励磁電流は、パルス信号と同じ時間幅のパルス状の電流である。また、パルス電流供給回路１２は、励磁電流と同時に遅延回路１３にタイミング信号を出力する。
【００４４】
　
ＭＩ素子２６は、アモルファスワイヤ２７と、その回りを巻回する検知コイル２８から構成される
【００４５】
　アモルファスワイヤ２７に励磁電流が流れるとＭＩ効果により検知コイル２８に検知信号が誘起される。検知信号の波高値は、アモルファスワイヤ２７に印加される磁界のうち、アモルファスワイヤ２７の長手方向に沿った成分の強度に比例する。後述するように、検知信号は、励磁電流の立ち上がりと立ち下がりの各々に対応するピークを有する。いずれのピークを用いてもよいが、波高値が大きなピークを用いることがＳ／Ｎ比が良好な点でよい。本実施の形態では、励磁電流の立ち上がりに対応する検知信号のピークを用いる。
【００４６】
　一方、遅延回路１３では、タイミング信号を所定の遅延時間だけ遅らせて、スイッチ回路２０の制御入力部２０ａに出力する。遅延時間は、例えば、数ｎｓｅｃ〜数十ｎｓｅｃに設定する。
【００４７】
　
サンプルホールド回路１４は、スイッチ回路２０と、基準電圧源２１と、ホールド用のコンデンサ２２から構成される
【００４８】
　コンデンサ２２は一端が基準電圧源２１および検知コイルの一端に接続され、他端がスイッチ回路２０に接続されている。コンデンサ２２は検知信号を保持する機能を有する。
【００４９】
　図４（Ａ）〜（Ｄ）は、動作タイミングおよび波形を示す図である。図４（Ａ）は励磁電流、図４（Ｂ）は遅延回路により遅延されたタイミング信号、図４（Ｃ）は検知コイルに誘起された検知信号、図４（Ｄ）はホールド信号を示す。
【００５０】
　図４（Ａ）〜（Ｄ）を参照するに、図４（Ａ）に示す励磁電流に対して、図４（Ｂ）に示すタイミング信号は、励磁電流の立ち上がりから所定時間Δｔだけ遅延されて“Ｈｉｇｈ”から“Ｌｏｗ”になる。スイッチ回路２０はタイミング信号の状態に応じてオン−オフが制御される。すなわち、タイミング信号が“Ｈｉｇｈ”の状態で、スイッチ回路２０がオン（導通）となり、タイミング信号が“Ｈｉｇｈ”の間は、検知コイル２８から、図４（Ｃ）に示す検知信号がコンデンサ２２に供給されコンデンサ２２の電位が上昇する。
【００５１】
　そして、タイミング信号が“Ｌｏｗ”になると、スイッチ回路がオフとなり、図４（Ｄ）に示すように、その時点の検知コイル２８の電圧がコンデンサ２２に保持される。コンデンサ２２は、他方の電極が基準電圧（ＶDD／２）に設定されているので、コンデンサ２２の電圧は、（検知信号の保持された波高値）＋ＶDD／２となる（以下、コンデンサ２２の電圧を「ホールド信号」という。）。
【００５２】
　ところで、
スイッチ回路２０のオン抵抗やオンオフの閾値が温度特性により変化する場合、ホールド信号の電圧変動が生じ、磁気センサ回路の出力信号が変動するおそれがある
問題
【００５３】
　本実施の形態に係る磁気センサ回路１０は、
サンプルホールド回路１４の出力側に温度検出回路１６および温度補償回路１８を設け、ホールド信号の電圧変動を補償する
【図３】
【図４】
イ  「【００５９】
　磁気センサ回路１０は、その温度特性、例えば磁気センサ回路のスイッチ回路２０のオン抵抗の温度特性やスイッチ回路２０のオンオフの閾値の温度特性等によりホールド信号の電圧変動が生じることがある。本実施の形態に係る磁気センサ回路１０は、このような場合であっても、温度変化に起因するホールド信号の電圧変動を、サンプルホールド回路１４の出力側に接続した温度検出回路１６および温度補償回路１８により温度補償する。温度検出回路１６には、温度変化に対して、出力する温度信号の変化方向を切換える温度信号極性切換回路１７が設けられている。温度信号極性切換回路１７を設けることで、温度変化方向に対してホールド信号の電圧値の変化方向に応じて温度信号の電圧値の増減方向を設定できるので、磁気センサ回路の特性に応じて確実に温度補償が可能となる。
【００６０】
　また、本実施の形態に係る磁気センサ回路１０は、ホールド信号がほぼ直流の信号なので温度補償が容易となり、かつ高精度の温度補償が可能となる。次に本実施の形態に係る実施例を説明する。
【００６１】
　［実施例］
　図５は、本発明の第１の実施の形態に係る実施例の磁気センサ回路の回路図である。図５の磁気センサ回路は、半導体装置、例えば一つのＩＣチップに搭載されるのが好ましいものである。図５は、磁気センサ回路のうち、サンプルホールド回路から下流の回路を示しており、磁気センサ回路に接続されたＭＩ素子を合わせて示している。図５に示す磁気センサ回路は、温度上昇にしたがって、ホールド信号の電圧が増加する場合の設定になっている。
…（略）…
【００６９】
　
温度検出回路４３
…（略）…
【００７５】
　演算増幅器Ａ１８は、先に説明した演算増幅器Ａ１１と同様に電源電圧ＶDDの１／２の電圧を出力する。すなわち、演算増幅器Ａ１８の非反転入力端子は、直列抵抗Ｒ２２とＲ２３の接続点に接続されている。直列に接続された抵抗Ｒ２２とＲ２３は一端が電源に接続され、他端が接地されている。抵抗Ｒ２２またはＲ２３のどちらか一方、または両方に
トリミング手段
基準温度において、抵抗Ｒ２２またはＲ２３をトリミングすることにより、零磁界におけるサンプルホールド電圧を電源電圧ＶDDの１／２に調整するオフセット調整を行うため
【図５】
（２）  甲第１５号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１５号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「アモルファスワイヤ２７とその回りを巻回する検知コイル２８から構成されるＭＩ素子２６と、ＭＩ素子２６の入力側に接続されるパルス電流供給回路１２と、ＭＩ素子２６の出力側に接続され、スイッチ回路２０、基準電圧源２１及びホールド用のコンデンサ２２から構成されるサンプルホールド回路１４とを備えた磁気センサ回路１０において（段落００４１、００４４、００４７）、
スイッチ回路２０のオン抵抗やオンオフの閾値が温度特性により変化する場合、ホールド信号の電圧変動が生じ、磁気センサ回路の出力信号が変動するおそれがあるため、この問題点を解決するため、サンプルホールド回路１４の出力側に温度検出回路１６および温度補償回路１８を設け、ホールド信号の電圧変動を補償するようにし（段落００５２、００５３）、
更に、温度検出回路に、基準温度において零磁界におけるサンプルホールド電圧を電源電圧ＶDDの１／２に調整するオフセット調整を行うため、抵抗のトリミング手段を設ける（段落００６９、００７５）。」
１６  甲第１６号証について
（１）  記載事項
　甲第１６号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、高感度の磁界センサは、概ね地磁気以下の微小磁界を検出することを目的としているのであるが、設計された検出磁界に比べて遙かに大きい磁界を磁気的外乱として、一度受けてしまうと、その外乱磁界が無くなった後であっても、外乱を受ける前、本来、検出できていた微少磁界に対する出力、検出感度が変化してしまうことがある。あるいは、パルス的な不要な出力成分が本来の出力に混入してしまう状態になることがある。前者の時間的に継続するゼロ点からのズレがオフセットと呼ばれ、後者のパルス的な短時間の出力変化はノイズと呼ばれている。ノイズの発生原因の１つとしては、磁性薄膜の磁区構造によるバルクハウゼンノイズが知られている。
【０００８】例えば、方位計として地磁気センサを用いたカーナビゲーション装置を有する自動車が、鉄道線路の踏切を通過した際には、地磁気の１０倍以上の磁界（外乱磁界）を受けることになる。すると、正しい方位を示さなくなるおそれがある。これは強い外部磁界により、磁界センサの心臓部である、磁性体コアの磁区構造が安定構造では無く、準安定構造に変化し、そのままの状態を維持しているためと考えられる（オフセットの状態）。
【０００９】このような
オフセット
磁気インピーダンスセンサにおいて
【００１０】このような実状のもとに本発明は創案されたものであって、その目的は、磁性体コア薄膜に直接電流を通電する直交フラックス方式の磁界センサ、及び
磁気インピーダンス効果磁界センサにおいて、一時的に大きな外乱磁界を受けたことにより発生する
除去する
イ  「【００２２】本発明の磁界センサ１は、磁性体コア１０の長手方向（α方向）と同一方向の外部磁界成分Ｈexを検出することができるようになっており、そのため、磁性体コア１０周辺近傍には、図１に示されるように外部磁界Ｈexを検出するための検出コイル２０が巻回されている。なお、本発明における検出コイルとは、誘導電流、電圧を直接検出するコイルとしては、従来の磁界センサで磁界検出のために用いられている負帰還検出コイルとして使用することも、もちろん可能である。さらに、
磁性体コア１０周辺近傍には、
前記磁性体コア１０を長手方向に強制的に磁化させて、一旦生じたオフセットを消去させるためのオフセット消去用コイル７０が巻回されている
【図１】
（２）  甲第１６号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１６号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「磁気インピーダンス効果磁界センサにおいて、一時的に大きな外乱磁界を受けたことにより発生するオフセットを除去するため、磁性体コア周辺近傍に、前記磁性体コアを長手方向に強制的に磁化させて、一旦生じたオフセットを消去させるためのオフセット消去用コイルを巻回する。」
１７  甲第１７号証について
（１）  記載事項
　甲第１７号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
 「【００２１】
　磁石からの磁力を検知して予め設定された閾値を超えた磁力を検知した場合に磁石を検出したと判定する磁石検知装置２４又は２４ａにおいて、パチンコ遊技機３に対する不正磁石を広範囲に検出しようとすると磁石検知装置２４又は２４ａの検知感度を高くする必要がある。
【００２２】
　検知感度を高くするために、磁石検出装置２４又は２４ａの出力の検出閾値を低くしていくと磁石検知装置２４又は２４ａを設置する環境の温度変化が無視できなくなる。この
温度変化による
磁気出力値が変化してしまう
磁気検出素子
ＭＩ素子など
【００２３】
　磁石検知装置２４又は２４ａは、磁気がない状態の磁気検出素子の磁気出力値と磁気がある状態（磁石を近づけた状態）の磁気出力値の差が閾値を超えた場合に磁石を検出したと判定してオン出力をする装置なので、検知感度を高くするために検出閾値を低くしていくと、周辺温度の変化により、磁気がない状態にもかかわらず磁気検出素子の磁気出力値が変わることがあり、正しく磁石を検知してオン出力ができなくなるという課題がある。
【００２４】
　特に本願における磁石検知装置は、パチンコ遊技機に取り付けることを目的としており、パチンコ遊技機の主基盤や大型液晶などの影響で周辺温度の変化は無視できない。
【００２５】
　…（略）…
【００２６】
　
一般的には、温度センサなどを使って温度変化をモニタしてこの温度ドリフト特性を補正する方法がある
（２）  甲第１７号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１７号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「ＭＩ素子などの磁気検出素子において、温度変化により磁気出力値が変化してしまうため、これを補正するため、温度センサなどを使って温度変化をモニタしてこの温度ドリフト特性を補正する方法が一般的である。」
１８  甲第１８号証について
（１）  記載事項
　甲第１８号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
第８７頁第１行ないし第３行
 「はじめに
　
ナノ結晶磁性材料に発現する軟磁性特性は、Ｈｅｒｚｅｒによって提唱されたランダム磁気異方性
で解釈され
（２）  甲第１８号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１８号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「ナノ結晶磁性材料に発現する軟磁性特性は、Ｈｅｒｚｅｒによって提唱されたランダム磁気異方性で解釈される。」
１９  甲第１９号証について
（１）  記載事項
　甲第１９号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものであり、訳文は請求人が記載したものを参考に合議体が作成したものである。
第３７３頁第３行ないし第５行
「6.3.4 Conventional stress annealing
 The conventional annealing method with the presence of an applied stress during the annealing process is known as the conventional stress annealing method [182,183].
（訳文：　慣用の応力アニール法
　
慣用の応力アニール法として、慣用のアニール法をアニール処理中に応力を印加して行う方法が知られている
（２）  甲第１９号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第１９号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「アニール法において、アニール処理中に応力を印加することが慣用となっている。」
２０  甲第２０号証について
（１）  記載事項
　甲第２０号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
「【０００３】
　フラックスゲートセンサのうち、平行フラックスゲートセンサは、磁気コアおよびピックアップコイルの他に、磁気コアを励磁するための励磁コイルを有している。このような平行フラックスゲートセンサでは、励磁コイルに例えば交流電流を通電することにより、励磁コイルに電流の変化に対応して磁束が発生し、この磁束によって磁気コアが周期的に飽和する。
　この平行フラックスゲートセンサは、このように磁気コアと、励磁コイルおよびピックアップコイルの２つのコイルを有することから構造が複雑になる。また、平行フラックスゲートセンサは、磁気コアを励磁する際に反磁界の影響を受けることから励磁効率が低くなる。このため、反磁界による励磁効率の低下を補うべく素子サイズを大きくする必要があり、小型化が難しい。
【０００４】
　…（略）…
【０００５】
　一方、
直交フラックスゲートセンサや、表皮効果によるインピーダンス変化を利用した磁気インピーダンス型磁気センサ（ＭＩセンサ）は
【０００６】
　ところで、このように直交フラックスゲートセンサは、平行フラックスゲートセンサに比べて利点を有するが、いずれのセンサにおいても次のような問題がある。
　すなわち、
これらのセンサでは、磁気コアのヒステリシス特性に起因して、センサ出力にも僅かではあるがヒステリシスが生じ、そのままではリニアリティが悪い
　そこで、フラックスゲートセンサについて、ヒステリシスの影響を回避した磁界検出方法として以下のような方法が開示されている（例えば、特許文献４、５、非特許文献３、４参照）。」
（２）  甲第２０号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第２０号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「直交フラックスゲートセンサや、表皮効果によるインピーダンス変化を利用した磁気インピーダンス型磁気センサ（ＭＩセンサ）では、磁気コアのヒステリシス特性に起因して、センサ出力にも僅かではあるがヒステリシスが生じ、そのままではリニアリティが悪い。」
２１  甲第２１号証について
（１）  記載事項
　甲第２１号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
第３８３３頁左欄第１２行ないし右欄第１行
「［０００４］　ところで、
磁気センサの測定精度の向上のためには、オフセットの低減、出力信号のバラツキの低減、及びリニアリティ（出力線形性）の向上が必要となる
リニアリティの向上のためには、磁気抵抗効果素子のヒステリシスの低減が必要となる
磁気抵抗効果素子の
磁気センサ
（２）  甲第２１号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第２１号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「磁気抵抗効果素子を用いた磁気センサにおいて、測定精度の向上のためには、オフセットの低減、出力信号のバラツキの低減、及びリニアリティ（出力線形性）の向上が必要となり、リニアリティの向上のためには、磁気抵抗効果素子のヒステリシスの低減が必要となる。」
２２  甲第２２号証について
（１）  第１章の記載事項
　甲第２２号証の第１章（毛利佳年雄執筆“新しい磁気センサの基礎（１）　アモルファス磁気合金ワイヤの大バルクハウゼン効果と磁気インピーダンス効果・ＭＩセンサ”）には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  第１５頁第１３行ないし第１７頁第２行
「大バルクハウゼン効果の発見とセキュリティセンサへの実用化ものがたり
　
アモルファス合金ワイヤ
　この水中急冷法のアモルファス合金ワイヤの作成法は、ワイヤの物性研究とともに、東北大学の増本研究室で実用レベルまで発展した。そして１９８１年に、繊維会社のユニチカ（株）によって実用化され市販が開始された。…（略）…
　このあっという間の実用化への開発研究の中で、ハンフリー教授との集中的な議論を通して、新素材アモルファス磁性ワイヤの
磁区構造モデル
水中超急冷過程でアモルファスワイヤの表面層から固化して表面に圧縮応力が残留する
アモルファスワイヤは強靱弾性体のため強い応力を残留し
この磁区モデルは、
アモルファスワイヤ断面のカー効果磁区観察によって検証されている
イ  第１７頁第７行ないし第１５行
「　図４は、筆者とハンフリー教授、山崎次郎教授で確立した
アモルファスワイヤの磁区モデルである
以下の考察に拠っている
１）　
水中急冷過程において、アモルファスワイヤの表面層から固化して表面に圧縮応力が残留する
２）　
ワイヤの内心部は徐冷されてワイヤ長さ方向に張力が残留する
【図４】
　図４には、
アモルファス合金ワイヤの表面層には概ね周方向の磁区が存在し、内心部には軸方向の磁区が存在する
ウ  第２５頁第２４行ないし第３５行
「（２）　ピコテスラ分解能の超高感度マイクロ磁気センサ
　磁気センサの内部磁気雑音は、磁壁移動のバルクハウゼン跳躍で生じる。図４の
アモルファスワイヤの磁区構造においては、ワイヤの長さ方向に磁気異方性をもつ内心部で、磁壁が発生し易くとくにワイヤ両端部で静磁エネルギーを緩和するための多数のスパイク磁区が発生し、その磁壁変動が内部磁気雑音の発生源になる
　これに対して、
ＭＩセンサは表皮効果によってアモルファスワイヤの内心部の磁化変化を使用しないため、内部磁気雑音の発生が極めて小さい
エ  第２６頁第２０行ないし第３５行
「（３）　超高感度（高線形性・無ヒステリシス性）
　磁気センサの磁界検出性能は、高感度と高精度の２面があり、感度は磁界の変化量に対する出力電圧の変化量で表され、磁界の検出特性の直線性（線形性）や磁界の増減に対するヒステリシス性とは独立に評価される場合がある。…（略）…
　
アモルファスワイヤのパルス通電磁気インピーダンス効果では、ワイヤの円周方向に一軸異方性と単磁区状態を付与し、その中でワイヤ長さ方向の外部磁界Ｈｅｘで傾斜した磁化ベクトルを、ワイヤ通電パルスの円周パルス磁界で円周方向に回転させるため、ワイヤ検出コイルの誘起パルス電圧の高さが正確にＨｅｘに比例する
原理的に高線形磁界検出特性を持っている
したがって、無ヒステリシスであり
オ  第２７頁第４行ないし第２５行
「（４）　直流磁界（０Ｈｚ）からＧＨｚの磁界が検出可能な超高速応答特性
　
磁気インピーダンス効果は、アモルファスワイヤ合金の表皮効果（表皮厚さはδ＝（２ρ／ωμ）
１／２
；ρは電気抵抗率で１３０μΩ-ｃｍ、ωは通電電流の角周波数、μはワイヤ断面円周方向の最大微分透磁率）を利用するため、ωの理論的上限がない
とくにパルス通電磁気インピーダンス効果は、ワイヤの単磁区状態で動作するため、磁壁共振域での損失がなく高周波動作に適している
高周波通電でのアモルファスワイヤの実験も多く報告されており、１０ＧＨｚ通電の磁気インピーダンス効果の測定や５０ＧＨｚ通電での測定も行われている
　ＦＧセンサやＭＩセンサは、通信技術での搬送波（キャリア）に対応する交流やパルスなどの通電を利用するため、「変調型センサ」と呼ばれているが、
一般的には、この搬送波の周波数の１０分の１程度までの周波数の信号（磁界）が検出（復調）される
ＭＩセンサの搬送波が１０ＧＨｚとすれば、数ＧＨｚまでの周波数の磁界が検出可能である
　したがって、ＭＩセンサは、超小型・超高感度・超高精度・
超高速応答
（２）  第５章の記載事項
　甲第２２号証の第５章（内山剛執筆“ピコテスラＭＩセンサと医用生体計測”）には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
第１２１頁第１０行ないし第１２３頁第２７行
「１　高周波ＭＩ効果
　渦電流により磁壁移動が抑制される高周波励磁により、ＭＩ素子のインピーダンス変化は顕著に生ずる。携帯電話やスマートフォンに内蔵されている、電子コンパスとしてＩＣ化されている、ＣＭＯＳ回路ではパルス通電による高周波励磁を実現している。アモルフスワイヤ素子の高周波通電による磁束変化を説明するために、図１に
アモルファスワイヤ素子
外部磁界Ｈ
ｅｘ
交流磁束密度Ｂ
φ
ａｃ
Ｈ
ｅｘ
を印加しない状態では、ワイヤ表面層の磁化ベクトルＭ
０
は、円周方向（磁化容易軸方向）を向いている
ワイヤ長手方向
にＨ
ｅｘ
を与えると、Ｍ
０
はワイヤ軸（ｚ軸）からθの角度へ向きが変化する
さらに、
Ｈ
ｅｘ
を印加した状態で、アモルファスワイヤに微小交流電流
を通電すると、Ｍ
０
の回転（横方向）および磁壁移動に応じた磁化の変化により、Ｂ
φ
ａｃ
が生ずることを示している
　
磁壁移動よりも、回転磁化に依存したインピーダンスの変化を利用していると考えられる高周波ＭＩ効果の理論解析として、横方向の透磁率（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）μ
ｔ
を用いた解析方法
　Ｚｗ＝Ｚｗ０ｃｏｓ２θ
　Ｚｗ０＝（１＋ｊ）Ｒｄｃ（ａ／２δ）　　　　　　　　　（５．１）
　δ＝（２ρ／μｔω）１・２
　ここで、μｔの方向性を考慮すれば、図２（ａ）のワイヤ円周方向の磁界ｈφとＭ０横方向の磁界ｈｔの関係、および図２（ｂ）の、ワイヤ円周方向の磁束変化ΔＢφとΔＢｔの関係から、ΔＢφ＝μｔｈｔｃｏｓ２θとなるため、円周方向の磁束変化に比例するＺｗにｃｏｓ２θの項が表れる。この式より、Ｈｅｘにより決定される磁化ベクトルの向き（角度θ）に依存して、高周波通電によるインピーダンス変化が生ずることが考えられる。一方、μｔ（＝１＋４πχ）の磁界に対する変化は、（５．２）式により与えられる。
　…（略）…、Ｈｋは異方性磁界、…（略）…。ω１とω２は、Ｈｅｘ（あるいはＨｅｘによる磁化ベクトルの角度（θ）に依存するが、ω１およびω２よりωが十分に高い、高周波励磁の場合は、μｔが外部磁界にほとんど依存しないことになる。例えば、ＦｅＣｏＳｉＢ張力アニールワイヤでは、通電周波数を２０ＭＨｚ以上とすれば、ＨｅｘがＨｋ（≒１Ｏｅ）以下の範囲でμｔの変化は小さい。
　…（略）…これまで、アモルファスワイヤの表面インピーダンスの解析に使用されている、τ＝０．２の場合に５０ＭＨｚ以上の高周波領域で、実験値とμｔによる理論解析値との一致が良いことが確認できる。したがって、高周波励磁によるＭＩセンサを設計する上で
μ
ｔ
を用いた解析方法は定量的に参考になる
【図１】
（３）  甲第２２号証についてのまとめ
　上記（１）及び（２）によれば、甲第２２号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「アモルファス合金ワイヤの水中急冷過程においてワイヤの表面層から固化して表面に圧縮応力が残留し、ワイヤの内心部は徐冷されてワイヤ長さ方向に張力が残留するという考察に基づき、アモルファス合金ワイヤの磁区モデルとして、表面層に概ね周方向の磁区が存在し、内心部に軸方向の磁区が存在するという磁区モデルが確立され、このモデルはアモルファスワイヤ断面のカー効果磁区観察によって検証されている（第１５頁第１３行ないし第１７頁第２行、第１７頁第７行ないし第１５行）。
このモデルの磁区構造においては、ワイヤの長さ方向に磁気異方性をもつ内心部で、磁壁が発生し易くとくにワイヤ両端部で静磁エネルギーを緩和するための多数のスパイク磁区が発生し、その磁壁変動が内部磁気雑音の発生源となるが、ＭＩセンサは表皮効果によってアモルファスワイヤの内心部の磁化変化を使用しないため、内部磁気雑音の発生が極めて小さい（第２５頁第２４行ないし第３５行）。
また、アモルファスワイヤのパルス通電磁気インピーダンス効果では、ワイヤの円周方向に一軸異方性と単磁区状態を付与し、その中でワイヤ長さ方向の外部磁界Ｈｅｘで傾斜した磁化ベクトルを、ワイヤ通電パルスの円周パルス磁界で円周方向に回転させるため、ワイヤ検出コイルの誘起パルス電圧の高さが正確にＨｅｘに比例して原理的に高線形磁界検出特性を持つこととなり、したがって、無ヒステリシスとなる（第２６頁第２０行ないし第３５行）。
更に、磁気インピーダンス効果は、アモルファスワイヤ合金の表皮効果（表皮厚さはδ＝（２ρ／ωμ）１／２；ρは電気抵抗率で１３０μΩ-ｃｍ、ωは通電電流の角周波数、μはワイヤ断面円周方向の最大微分透磁率）を利用するため、ωの理論的上限がなく、とくにパルス通電磁気インピーダンス効果は、ワイヤの単磁区状態で動作するため、磁壁共振域での損失がなく高周波動作に適しており、一般的には、この周波数の１０分の１程度までの周波数の信号（磁界）が検出（復調）されることから、１０ＧＨｚの通電によって数ＧＨｚまでの周波数の磁界が検出可能となって超高速応答性を実現でき、１０ＧＨｚ通電の磁気インピーダンス効果の測定や５０ＧＨｚ通電での測定など、高周波通電でのアモルファスワイヤの実験も多く報告されている（第２７頁第４行ないし第２５行）。
アモルファスワイヤ素子に外部磁界Ｈｅｘを印加しない状態では、ワイヤ表面層の磁化ベクトルＭ０は、円周方向（磁化容易軸方向）を向いており、これにワイヤ長手方向のＨｅｘを与えると、Ｍ０はワイヤ軸（ｚ軸）からθの角度へ向きが変化し、さらに、Ｈｅｘを印加した状態で、アモルファスワイヤに微小交流電流を通電すると、Ｍ０の回転（横方向）及び磁壁移動に応じた磁化の変化により、交流磁束密度Ｂφａｃが生ずる。磁壁移動よりも、回転磁化に依存したインピーダンスの変化を利用していると考えられる高周波ＭＩ効果の理論解析として、横方向の透磁率（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ ｐｅｒｍｅａｂｉｌｉｔｙ）μｔを用いた解析方法が定量的に参考になる（第１２１頁第１０行ないし第１２３頁第２７行）。」
２３  甲第２５号証について
（１）  記載事項
　甲第２５号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
ア  「技術分野
［０００１］　本発明は、高感度、低ノイズ、省電力を可能とする磁気検出装置に関する。
背景技術
［０００２］　異物検出、地磁気検出、姿勢把握等のために磁気検出装置が用いられている。最近では、携帯電話、スマートフォンなどの携帯端末等にも超小型の磁気検出装置が搭載されている。このような磁気検出装置の代表例として、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）のパルス駆動型検出コイル式磁気インピーダンスセンサがある。
［０００３］　ここで磁気インピーダンスセンサとは、ＣｏＦｅＳｉＢ系合金等からなる感磁ワイヤ（特にアモルファスワイヤ）に高周波電流を流すと、表皮効果により、そのインピーダンスが外部磁界に応じて変化するというマグネトインピーダンス効果（ＭＩ効果）を利用したセンサである。検出コイル式とは、そのインピーダンス変化を感磁ワイヤの周囲に巻回した検出コイルに生じる誘起電圧により検出する方式である。パルス駆動型とは、その感磁ワイヤへ流す高周波電流として、パルス電流を流す型式である。以下では、磁気インピーダンスセンサのみならず
パルス駆動型検出コイル式磁気インピーダンスセンサ
先行技術文献
特許文献
［０００４］　特許文献１：特開２００８−１３４２３６号公報
　特許文献２：特開２００９−２５２８０号公報
発明の概要
発明が解決しようとする課題
［０００５］　基本的に、感磁ワイヤへパルス電流を流すＭＩセンサの場合、外部磁界に応じて変化する感磁ワイヤのインピーダンス変化を、検出コイルに生じる誘起電圧（信号電圧）に基づき検出する必要がある。従来のＭＩセンサでは、特許文献１の図２または特許文献２の図２を観れば明らかなように、検出コイルが電子スイッチを介してホールドコンデンサに直結されている。この場合、誘起電圧によって検出コイルを含む回路に流れる電流がホールドコンデンサへ直接充電され、その
ホールドコンデンサの両端電圧（ホールド電圧）
［０００６］　ところが最近では、小型化を維持しつつ、さらなるＭＩセンサの高感度化、低ノイズ化等が要求されるようになってきた。
ＭＩセンサの高感度化を図る方策の一つとして、検出コイルの巻線間隔（コイルピッチ）を狭小化するファインピッチ化が考えられる
蒸着プロセスによる
このようにファインピッチ化された検出コイルの電気抵抗は、その断面積の減少と長さの増大に応じて、指数関数的に大きくなる
その結果、検出コイルに生じる誘起電圧の増加分よりも、その誘起電圧に基づき検出コイルを含む回路を流れる電流（Ｉ）によって生じる電圧降下（ＩＲドロップ）分が大きくなり、ホールド電圧が逆に低下するという現象が生じる
［０００７］　また、ＭＩセンサの低ノイズ化を図る方策の一つとして、ホールドコンデンサの静電容量を増大させることが考えられる。現在販売されているＭＩセンサに搭載されているホールドコンデンサの静電容量は６ｐＦであるが、これを少なくとも１０ｐＦぐらいまで増大させることができれば、ノイズを１０〜３０％程度低減可能である。しかし、従来のアナログ型信号検波回路のまま静電容量を増大させると、パルス電流に対応した極短時間内にホールドコンデンサが十分に充電されず、ホールド電圧が逆に低下し、やはりＭＩセンサの感度低下を招く。
［０００８］　さらにＭＩセンサの省電力化を図る方策の一つとして、感磁ワイヤへ供給する駆動電流の低減化（例えば、パルス幅の狭小化やパルス数の低減化）が考えられる。しかし、従来のアナログ型信号検波回路では、やはり、ホールドコンデンサの充電不足を招き、ＭＩセンサの感度を維持しつつ省電力化を図ることは難しかった。
［０００９］　本発明はこのような事情に鑑みて為されたものであり、高感度化、低ノイズ化または省電力化等を図れる新タイプの信号検波回路を備えた磁気検出装置を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
［００１０］　本発明者はこの課題を
解決すべく
パルス駆動型検出コイル式ＭＩセンサの検出コイルとホールドコンデンサの間にバッファー回路を介在させ、その検出コイル側回路のみならずホールドコンデンサ側回路のインピーダンスも大きくすることにより、検出コイル側に生じた高い周波数（換算周波数）の入力信号電圧に追従した出力信号電圧をホールドコンデンサ側回路に生じさせる
イ  「［００１７］　上述した内容を踏まえて、本発明に係るパルス電流の換算周波数は０．３〜３ＧＨｚさらには０．４〜２ＧＨｚであると好ましい。なお、本明細書でいう換算周波数は、パルス電流波形におけるパルスの
立上り、若しくは立ち下りの時間Δｔ
ウ  「実施例
［００２７］　本発明に係る一実施例である磁気検出装置１の回路図を図１に示した。磁気検出装置１は、感磁部１０と、パルス発信回路部２０と、バッファー回路部３０と、サンプルホールド回路部４０と、増幅回路部５０とからなる。
［００２８］　感磁部１０は、ＣｏＦｅＳｉＢ系合金のアモルファスワイヤからなる感磁ワイヤ１１（感磁体）と、その周囲に巻回された検出コイル１２とを有するＭＩ素子からなる。
感磁ワイヤ１１に
パルス電流が供給される
検出コイル１２に生じた誘起電圧を
検出する
［００２９］　パルス発信回路部２０は、パルス発信器２１からなり、所定のパルス電流を感磁ワイヤ１１に供給している。またパルス発信回路部２０は、そのパルス電流を発信するタイミングにほぼ同期した制御信号（電圧）を後述する電子スイッチ４１へ供給している。
［００３０］　バッファー回路部３０は、増幅器３１からなり、フィードバック（負帰還）回路となっている。増幅器３１の入力側は、インピーダンスが実質的に無限大となっている。このため、検出コイル１２で生じた誘起電圧は、ほとんど電圧降下することがなく、ほぼそのまま増幅器３１へ入力される。一方、増幅器３１の出力側は、それ自体のインピーダンスは小さいが、後述するホールドコンデンサ４２の静電容量が非常に小さいため、その出力側に接続される回路のインピーダンスも非常に大きくなっている。
［００３１］　サンプルホールド回路部４０は、電子スイッチ４１とホールドコンデンサ４２からなる。電子スイッチ４１は、パルス発信器２１からの制御信号に基づき開閉を行う。例えば、電子スイッチ４１は、パルス電流が立ち上がる所定時間だけＯＮ状態となり、誘起電圧がピーク値となるＯＦＦされる。この電子スイッチのＯＦＦ時に、ホールドコンデンサ４２の両端に生じていた電圧がホールド電圧として保持される。
［００３２］　増幅回路部５０は、差動増幅器５１からなり、接地電圧に対するホールドコンデンサ４２のホールド電圧を増幅して出力する。なお、適宜、増幅回路部５０の入力側に高周波フィルタ回路を設けたり、その出力側に低周波フィルタ回路を設けてもよい。
［００３３］《試験》
　上述したようなバッファー回路部を設けた磁気検出装置（以下、実施例という。）とそれを設けない磁気検出装置（以下、比較例という。）とによる感度およびノイズを測定した一例を以下に示す。この際、感磁ワイヤには、
直径：１０μｍ、長さ：０．６ｍｍのＣｏＦｅＳｉＢ系合金からなるアモルファスワイヤ
パルス電流は、パルス幅：１０ｎｓ、立上り時間若しくは立下り時間：０．５ｎｓ、
パルス電流の換算周波数
４Δｔを１周期としたときの周波数
５００ＭＨｚ（０．５ＧＨｚ）
［００３４］　
コイル幅：０．６ｍｍ、コイル巻数：４０回、コイルピッチ：７．５μｍとした検出コイル
［００３５］　以上からバッファー回路部を設けることにより、磁気検出装置の
高感度化
【図１】
（２）  甲第２５号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第２５号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「パルス駆動型検出コイル式磁気インピーダンスセンサにおいて、センサの高感度化を図る方策の一つとして、蒸着プロセスにより検出コイルの巻線間隔（コイルピッチ）を狭小化するファインピッチ化が考えられるが、このようにファインピッチ化された検出コイルの電気抵抗は、その断面積の減少と長さの増大に応じて、指数関数的に大きくなり、その結果、検出コイルに生じる誘起電圧の増加分よりも、その誘起電圧に基づき検出コイルを含む回路を流れる電流（Ｉ）によって生じる電圧降下（ＩＲドロップ）分が大きくなり、ホールドコンデンサのホールド電圧が逆に低下するという現象が生じてしまうことから（段落０００３、０００５、０００６）、
これを解決するため、センサの検出コイルとホールドコンデンサの間にバッファー回路を介在させ、検出コイル側回路のみならずホールドコンデンサ側回路のインピーダンスも大きくすることで、検出コイル側に生じた高い周波数（換算周波数）の入力信号電圧に追従した出力信号電圧をホールドコンデンサ側回路に生じさせるようにし（段落００１０）、
その結果、直径：１０μｍ、長さ：０．６ｍｍのＣｏＦｅＳｉＢ系合金からなるアモルファスワイヤに、パルス幅：１０ｎｓ、立上り時間若しくは立下り時間Δｔ：０．５ｎｓ、換算周波数（４Δｔを１周期としたときの周波数）：５００ＭＨｚ（０．５ＧＨｚ）であるパルス電流を供給し、コイル幅：０．６ｍｍ、コイル巻数：４０回、コイルピッチ：７．５μｍとした検出コイルに生じた誘起電圧を検出するようにした場合にも、高感度が実現できる（段落００１７、００２８、００３３、００３４、００３５）。」
２４  甲第２７号証について
（１）  記載事項
　甲第２７号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
第４６３頁左欄第３行ないし第８行
「回路の設計や解析には
鉄心の磁化特性を正確な数式で表現できる
Ｆｒｏｈｌｉｃｈ，Ｗｉｄｇｅｒ氏らによる有理関数近似や，べき関数，指数関数，双曲線関数，フーリエ級数などで近似する方法が一般に用いられている
（２）  甲第２７号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第２７号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「鉄心の磁化特性を数式で表現するため、Ｆｒｏｈｌｉｃｈ，Ｗｉｄｇｅｒ氏らによる有理関数近似や，べき関数，指数関数，双曲線関数，フーリエ級数などで近似する方法が一般に用いられている。」
２５  甲第２８号証について
（１）  記載事項
　甲第２８号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
「【背景技術】
【０００２】
　食品工場あるいは衣料品工場などの製品検査工程において、製品の中に混入する微小な鉄製の異物を検査する必要がある。この異物検査の手段として、製品中の微小な異物が有するわずかな磁気がコンベアで搬送されるとき、その周辺に微弱な磁場変動が生じるのを磁気センサを利用した磁気検出装置で検出することが一般的に知られている。
【０００３】
　しかし、上記鉄片のような微小物体が発する磁場は地磁気と異なって、局部的であるため、フラックスゲート磁気センサのような体積の大きなセンサでは空間分解能が低いので検出が困難である。一方、
磁気インピーダンスセンサ素子
ＭＩ素子
からなるＭＩ磁気センサは非常に小型であるため空間分解能が高く、微小物体の検出に適している
　ここで、ＭＩ素子は、感磁体であるアモルファスワイヤにパルス電流または高周波電流を印加したときに上記アモルファスワイヤの周囲に巻回した検出コイルに周辺の磁場に対応する電圧を出力するものである。
【０００４】
　一方、
例えば、０．２ｍｍ前後の大きさの異物を見つけるためには、所定の距離離れたところから磁気検出装置は地磁気の影響を排除しつつ、さらに地磁気の数千分の一程度に相当する１００μＧ（マイクロガウス）あるいはそれ以下の磁気変動を検出する必要がある
（２）  甲第２８号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第２８号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「磁気インピーダンスセンサ素子（ＭＩ素子）からなるＭＩ磁気センサは非常に小型であるため空間分解能が高く、微小物体の検出に適している。例えば、０．２ｍｍ前後の大きさの異物を見つけるためには、所定の距離離れたところから磁気検出装置は地磁気の影響を排除しつつ、さらに地磁気の数千分の一程度に相当する１００μＧ（マイクロガウス）あるいはそれ以下の磁気変動を検出する必要がある。」
２６  甲第２９号証について
（１）  記載事項
　甲第２９号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
第１８９１頁左欄第５行ないし第２０行
「　Ｆｉｇ．９は、ＣＭＯＳインバータを６個内蔵した市販のＩＣチップを使用し、
２個のインバータでマルチバイブレータ形パルス励磁回路を構成したＭＩセンサ回路
　
２個のＭＩ素子には、
パルス磁界バイアスが印加され、バイアスコイルの巻方向を組み合わせることにより、２個のＭＩ素子に印加されるＨ
ｅｘ
の和をＥ
ｏｕｔ
にすることも、それぞれの印加磁界の差をＥ
ｏｕｔ
（磁界差センサ）にすることもできる
【Ｆｉｇ．９】
（２）  甲第２９号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第２９号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「２個のインバータでマルチバイブレータ形パルス励磁回路を構成したＭＩセンサ回路において、２個のＭＩ素子にパルス磁界バイアスが印加されるようにし、それらのバイアスコイルの巻方向を組み合わせることにより、２個のＭＩ素子に印加されるＨｅｘの和をＥｏｕｔにすることも、差をＥｏｕｔ（磁界差センサ）にすることもできる。」
２７  甲第３０号証について
（１）  記載事項
　甲第３０号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
第１頁左欄第３行ないし第１７行
「２　特許請求の範囲
１）　検出すべき電流によって発生される
磁界内に配置された第１および第２の少なくも２個の磁電変換素子
前記第１の変換素子から電気的出力を取り出すためのリード部材
前記磁界の変動により電磁誘導電圧が
誘起される
前記第２の変換素子から電気的出力を取り出すためのリード部材
前記磁界の変動により電磁誘導電圧が
誘起される
該誘導電圧が相殺されるように前記両リード部材を接続する
（２）  甲第３０号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第３０号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「磁界内に配置された２個の磁電変換素子のそれぞれから電気的出力を取り出すためのリード部材において、磁界の変動により誘起される電磁誘導電圧が相殺されるように両リード部材を接続する。」
２８  甲第３１号証について
（１）  記載事項
　甲第３１号証には、以下の記載がある。なお、下線は合議体が付したものである。
「【００２７】
　以下に本発明に係る
誘導加熱装置
【００２８】
　本実施形態では、
複数の誘導加熱コイル５６の相互誘導電圧の影響（干渉）により生ずる干渉起電力（相互誘導起電力）を
逆極性の相互インダクタンスを発生させる逆結合トランス６４により相殺（抑制）し
【００２９】
　前記逆結合トランス６４は、隣り合う誘導加熱コイル５６を有する負荷コイル部２２等に備えられ、例えばコイルの巻き方向が逆向きである等により各々の極性が逆になるように向かい合わせに、あるいは図２に示すように直線上に並べて備えられる調整コイル６３ａ，６３ｂにより構成される。つまり、トランスの一次巻線と二次巻線の双方に、対向する方向の電流を流すようにすれば、一次巻線を構成する調整コイル６３ａと二次巻性を構成する調整コイル６３ｂとの間には、コイルの巻方向、電流の向きを同一とする隣接配置された誘導加熱コイル５６間に生ずる相互インダクタンスと逆極性の相互インダクタンスが生ずることとなり、結果として相互誘導電圧（磁場による起電力）の発生を抑制することができるという原理である。」
（２）  甲第３１号証についてのまとめ
　上記（１）によれば、甲第３１号証には、以下の技術事項が記載されていると認められる。
「誘導加熱装置において、複数の誘導加熱コイルの相互誘導電圧の影響（干渉）により生ずる干渉起電力（相互誘導起電力）を、逆極性の相互インダクタンスを発生させる逆結合トランスにより相殺（抑制）する。」
第６  無効理由の理由１（甲第１号証に記載された発明を引用発明とする無効理由）について
１  本件訂正発明１について
（１）  対比
　本件訂正発明１と甲１発明（上記第５の１（２）参照。）とを対比すると、以下のとおりである。 
ア  甲１発明における「深さ５〜２００μｍの断面略矩形状を呈する溝状の凹部１５を設けた素子基板１４」が、本件訂正発明１における「基板」に相当する。
イ  甲１発明における「長さ１．０ｍｍ、線径２０μｍのアモルファスワイヤとし、その材質としては、例えば、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅ等を採用することができ」るとされ、「パルス状の電流（パルス電流）を通電」される「感磁体２」が、本件訂正発明１における「導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤ」に相当する。
ウ  甲１発明における「該感磁体２の外周に巻回した検出コイル３１、３２」が、本件訂正発明１における「それ（合議体注：磁界検出用磁性ワイヤ）に巻回した周回コイル」に相当する。
エ  甲１発明における「素子基板１４上に形成され」る「感磁体２の両端の２つの電極」が、本件訂正発明１における「ワイヤ通電用の電極２個」に相当する。
オ  甲１発明における「素子基板１４上に形成され」る「検出コイル３１、３２の両端の電極３４１と電極３４２」が、本件訂正発明１における「コイル電圧検出用電極２個」に相当する。
カ  上記アないしオによれば、甲１発明における「深さ５〜２００μｍの断面略矩形状を呈する溝状の凹部１５を設けた素子基板１４上に形成してあ」る、「感磁体２」と「該感磁体２の外周に巻回した検出コイル３１、３２」とを有する「マグネト・インピーダンス・センサ素子１」、「感磁体２の両端の２つの電極」及び「検出コイル３１、３２の両端の電極３４１と電極３４２」を合わせたものが、本件訂正発明１における「基板上に導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤとそれに巻回した周回コイルとワイヤ通電用の電極２個とコイル電圧検出用電極２個を設置した磁界検出素子」に相当するといえる。
キ  甲１発明における「マグネト・インピーダンス・センサ素子１の感磁体２に入力され」る「パルス信号」を発生する「信号発生器５２」が、本件訂正発明１における「前記磁性ワイヤにパルス電流を流す手段」に相当する。
ク  甲１発明における「マグネト・インピーダンス・センサ素子１の検出コイル３１、３２からの出力電圧を、パルス信号の入力に連動して開閉する同期検波５３１を介して取出し、増幅器５３２にて増幅するようになって」いる「信号処理部５３」が、本件訂正発明１における「パルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路」に相当する。
ケ  甲１発明では、「感磁体２」について、「長さ１．０ｍｍ、線径２０μｍのアモルファスワイヤとし、その材質としては、例えば、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＮｉＦｅ等を採用することができ」るとされているが、その磁区構造については特定されていない。
　ところで、甲第２号証によれば、ＭＩセンサに使用される感磁ワイヤとして、少なくとも、「磁区構造の違いにより表層部とコア部の２層に分かれ」る構造のものと、「磁壁を全く有さず、ワイヤ表層部で各スピンが一定の円周方向に連続的に配列していると共に、その表層部の内周側である内側部では各スピンがアモルファスワイヤの中心に近づくに従って徐々に円周方向から軸方向に回転していきそのワイヤ中心では軸方向に向く、連続的なスピン配列となる構造（ボルテックススピン構造）」のものの２種類が知られている（上記第５の２（２）参照。）。そうすると、甲１発明における「感磁体２」は、それらのいずれでもあり得るものであり、つまり、甲１発明における「感磁体２」が、「２相の磁区構造を有してな」るものであるのかどうかは明らかでない。
　よって、本件訂正発明１では、「磁性ワイヤ」は「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してな」るのに対し、甲１発明では、「感磁体２」が「２相の磁区構造を有してな」るかどうかが不明である点で、両者は相違する。
コ  甲１発明では、「マグネト・インピーダンス・センサ素子１は、感磁体に通電する電流を１０ナノ秒以下で立ち下げたときに、検出コイルの両端に発生する誘起電圧の大きさを計測することで作用する磁界強度を計測し得るように構成することが好ましく、１０ナノ秒以下で通電電流の立ち下げを実施すれば、およそ０．１ＧＨｚの高周波成分を含む電流変化を感磁体に作用することができ」るとされているが、この「感磁体に通電する電流を１０ナノ秒以下で立ち下げ」るという事項は、本件特許の明細書に記載された「パルス電流の周波数」の定義である「ｆ＝１／２ｄｔ（ただし、ｄｔは立上り、立下り瞬間の遷移時間）」（上記第３の２（２）エ参照。）に当てはめると、「パルス電流の周波数」が「５０ＭＨｚ以上」ということに相当する。よって、甲１発明における「感磁体に通電する電流を１０ナノ秒以下で立ち下げ」るという事項と、本件訂正発明１における「前記磁性ワイヤに通電するパルス電流は、該周波数は０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚで」あるという事項とは、「前記磁性ワイヤに通電するパルス電流の周波数は５０ＭＨｚ以上である」という点で共通する。
サ  甲１発明における「検出コイル３１、３２の捲線内径」が、本件訂正発明１における「コイル内径」に相当し、甲１発明における「検出コイル３１、３２の線幅及び線間幅」の合計が、本件訂正発明１における「コイルピッチ」に相当する。
　よって、本件訂正発明１では、「コイルピッチ１０μｍ以下でコイル内径を２５μｍ以下とする」のに対し、甲１発明では、「検出コイル３１、３２の線幅及び線間幅は共に２５μｍ」（「コイルピッチ」が５０μｍであることに相当する。）で「検出コイル３１、３２の捲線内径」を「６６μｍ」とする点で、両者は相違する。
シ  甲１発明の「微小な磁界を高い感度で検出するマグネト・インピーダンス・センサ素子１を組み込んだセンサ」は、「計測対象磁界を高精度で計測することができる」ものであり、本件訂正発明１の「超高感度マイクロ磁気センサ」とは、「磁気センサ」である点で共通する。
（２）  一致点及び相違点
　上記（１）の対比の結果をまとめると、本件訂正発明１と甲１発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 
ア  一致点 
「基板上に導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤとそれに巻回した周回コイルとワイヤ通電用の電極２個とコイル電圧検出用電極２個を設置した磁界検出素子および前記磁性ワイヤにパルス電流を流す手段とパルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路とからなる磁気センサにおいて、
前記磁性ワイヤに通電するパルス電流の周波数は５０ＭＨｚ以上である磁気センサ。」
イ  相違点 
（ア）  相違点１
　本件訂正発明１の磁気センサは、「超高速スピン回転現象」を利用した「超高感度マイクロ磁気センサ」であるのに対して、甲１発明の磁気センサは、そのようなものではない点。
　すなわち、本件訂正発明１では、磁性ワイヤが「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してなり」、磁性ワイヤに通電するパルス電流が「該周波数は０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚで、該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とされ、「前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」、「コイル電圧を外部磁界Ｈに変換する手段」が設けられているのに対して、甲１発明では、磁性ワイヤが「２相の磁区構造を有してな」るかどうかが不明であり、磁性ワイヤに通電するパルス電流の周波数が「５０ＭＨｚ以上」であって「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」であるとは特定されておらず、該パルス電流が「該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」であるとは特定されておらず、「前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出」すとは特定されておらず、また、「コイル電圧を外部磁界Ｈに変換する手段」が設けられているかどうかも不明である点。
　なお、上記「関係式（１）」は、「Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）　（１）」「ここで、Ｖｓはコイル出力電圧、Ｖｏは比例定数、制御因子定数としては、Ｌはワイヤの長さ、Ｄはワイヤの直径、ｐはパルス電流の表皮深さ、Ｎｃはコイルの巻き数、ｆはパルス周波数、Ｈｍはコイル出力電圧が最大値を取る時の外部磁界強度。」である。
（イ）  相違点２
　磁性ワイヤが、本件訂正発明１では、「１０Ｇ以下の異方性磁界」を有するのに対して、甲１発明では、どの程度の異方性磁界を有するかが不明である点。
（ウ）  相違点３
　本件訂正発明１では、「コイルピッチ１０μｍ以下でコイル内径を２５μｍ以下とする」のに対し、甲１発明では、「検出コイル３１、３２の線幅及び線間幅は共に２５μｍ」（「コイルピッチ」が５０μｍであることに相当する。）で「検出コイル３１、３２の捲線内径」を「６６μｍ」とする点。
（３）  相違点についての判断
ア  相違点１について
（ア）  甲１発明が相違点１に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにするには、甲１発明において、「長さ１．０ｍｍ、線径２０μｍのアモルファスワイヤ」である「感磁体２」として「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造」を有するものを採用し、「感磁体２」に通電するパルス電流の周波数を「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」、大きさを「ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とし、「感磁体２」に該パルス電流を通電することによって「超高速スピン回転現象」を生じさせ、それによる「感磁体２」の「軸方向の磁化変化のみ」をコイル出力として取り出し、「関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」ようにする必要がある。
（イ）  ところで、甲９号証には、「アモルファス磁気マイクロワイヤの巨大磁気インピーダンス（ＧＭＩ）効果は、駆動交流電流Ｉａｃの周波数によって大まかに４つの異なるモードに分けられ」、駆動交流電流の周波数によってＧＭＩ効果の挙動が大きく異なるということも記載され、甲第１０号証には、「周方向に異方性を有する場合におけるＭＩの挙動」が電流の「周波数ωに依存して完全に異なりうる」ということも記載されていることに鑑みれば、甲１発明で「５０ＭＨｚ以上」とされているパルス電流の周波数を、本件訂正発明１のように「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」とした場合には、磁気センサの挙動が大きく変化することが考えられるため、そのようにした場合にそのまま磁気センサの機能が維持できるということは直ちには認められない。実際、本件特許の明細書には、ＭＩ現象では「周波数が０．５ＧＨｚ以上に増加すると、９０度磁壁の移動は渦電流による電磁ブレーキのため著しく遅くなり、しかも表皮深さｐが０．２μｍ〜０．８μｍとなって表面磁区の厚み程度となるため、磁壁振動が停止してしまう」という問題があったのに対し、「表面に円周方向スピン配列を持った表面磁区が存在する磁性ワイヤを用いて、ＧＨｚの周波数を持ち、かつパルス磁界アニーリング処理を行うのに十分な大きさの電流の励磁パルスを印加し、表皮深さｐを表面磁区の厚さｄよりも小さくして、円周方向スピンの一斉回転を惹起することで」「超高速スピン回転現象」を「発現」させ、この場合に、「コイル出力電圧Ｖｓと外部磁界Ｈ」は、「コイル検出型のＭＩセンサ」のような「比例関係」ではなく、「関係式（１）：　Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）」「を満たす」ようになるということが記載されているから （上記第３の２（２）ウ参照。）、本件訂正発明１は、パルス電流の周波数を「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」とすることとあわせて、磁性ワイヤとして「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造」を有するものを採用し、パルス電流の大きさを「ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とすることで「超高速スピン回転現象」を発現させ、これによる「ワイヤの軸方向の磁化変化のみ」をコイル出力として取り出せるようにし、更に「コイル出力」を「Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）　　（１）」という「関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」ことで、「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」という高い周波数でも機能する磁気センサを実現したものと理解することができる。
　このことを踏まえると、本件訂正発明１における、磁性ワイヤが「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してな」るという事項、磁性ワイヤに通電するパルス電流の「周波数は０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚで」あるという事項、パルス電流が「該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とされる事項、及び「前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」という事項は、これら全てが相まって初めて、新たな「超高速スピン回転現象」を発現させ、それを検出して磁気センサとして機能させることができるものと理解されるため、かかる「超高速スピン回転現象」を基礎とする本件訂正発明１と従来の「ＭＩセンサ」である甲１発明との対比においては、上記の４つの事項は一体をなすものというべきである。
（ウ）  しかしながら、上記４つの事項が相まって新たな「超高速スピン回転現象」を発現させ、それを検出して磁気センサとして機能させるということは、甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証のいずれにおいても記載も示唆もされておらず、また、本件特許の出願前に技術常識であったということもできない。特に、甲第９号証、甲第１０号証、甲第１１号証及び甲第２２号証では、ＭＩセンサの高速応答や高感度を実現するために、磁性ワイヤに流す電流を高周波化することが記載されているが、周波数を具体的に「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」の範囲とし、かつ、磁性ワイヤを「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してな」るものとし、パルス電流を「該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とし、「前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」ということは、記載も示唆もされていない。更に、甲第６号証及び甲第２２号証には、上記４つの事項のうち、磁性ワイヤが「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してな」るという事項が開示されていると認められるが、その他の事項は開示されておらず、また、甲第３号証には、上記４つの事項のうち、パルス電流が「該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とされる事項に関連して、「通電する電流値が高いほど高感度になる」という事項が開示されているものの、その他の事項は開示されていない。
（エ）  なお、請求人は弁駁書において、本件訂正発明１の磁気センサの基礎とされるいわゆる「ＧＳＲ効果」について、これが従来の「ＭＩ効果」と異なるものであるならば、「磁性ワイヤに流すパルス電流の周波数を数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚオーダーの周波数から、ＧＨｚオーダーの周波数に上げる途中に、「ＭＩ効果」ではなく「ＧＳＲ効果」が発現するポイントが存在するはずであるが、この点についても本件特許明細書には、何らデータの記載がされていない」とし、「被請求人がいう「新現象ＧＳＲ効果」が従来のＭＩ効果の延長線上に位置づけられる現象である」、「「ＧＳＲセンサ」が従来のＭＩセンサの範疇に含まれるものである」などの主張をしており（弁駁書第２５頁第１１行ないし第２６頁第９行）、審判請求書、弁駁書等では、上記４つの事項を一体のものとして扱うことなく、従来のＭＩセンサとの個別の相違点として、その容易想到性を論じている。
　この点について検討するに、例えば甲第２２号証には、「Ｈｅｘを印加した状態で、アモルファスワイヤに微小交流電流を通電すると、Ｍ０の回転（横方向）及び磁壁移動に応じた磁化の変化により、交流磁束密度Ｂφａｃが生ずる」が、「高周波ＭＩ効果」では「磁壁移動よりも、回転磁化に依存したインピーダンスの変化を利用していると考えられ」、また、「アモルファス合金ワイヤ」では「ワイヤの長さ方向に磁気異方性をもつ内心部で、磁壁が発生し易く」、「その磁壁変動が内部磁気雑音の発生源となるが、ＭＩセンサは表皮効果によってアモルファスワイヤの内心部の磁化変化を使用しないため、内部磁気雑音の発生が極めて小さ」く、また、「アモルファスワイヤのパルス通電磁気インピーダンス効果では、ワイヤの円周方向に一軸異方性と単磁区状態を付与し、その中でワイヤ長さ方向の外部磁界Ｈｅｘで傾斜した磁化ベクトルを、ワイヤ通電パルスの円周パルス磁界で円周方向に回転させる」といったことが記載されており（上記第５の２２（３）参照。）、ＭＩセンサにおいても、本件特許の明細書に記載された「表面磁区とコア磁区の間にある９０度磁壁の振動であるＭＩ現象（ｍａｇｎｅｔｏ−ｉｍｐｅｄａｎｃｅ現象）」ではなく、「ＧＳＲ現象」のように「表面磁区内のスピンの回転」を検出するものが存在することが把握できるから、請求人が主張するように、「被請求人がいう「新現象ＧＳＲ効果」が従来のＭＩ効果の延長線上に位置づけられる現象である」という可能性も否定はできない。
　しかしながら、仮に上記４つの事項が一体をなすものではなく個別に論じることができるものであるとしても、少なくとも４つの事項のうちの「関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」という事項については、甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証のいずれにも開示されていない。
（オ）  「関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」という事項について、請求人は審判請求書において、「外部磁界と誘起電圧との間の関係を実験的に確認し、関係式として記述することは、当業者が適宜なし得る事項である」との主張をし（審判請求書第４５頁第２８行）、更に弁駁書においては、「「超高感度マイクロ磁気センサ」は、コイル出力電圧から外部磁界強度を測定するセンサであるから、発明の実施に際して、個別の具体的な「超高感度マイクロ磁気センサ」について、既知の外部磁界強度と該「超高感度マイクロ磁気センサ」に生ずるコイル出力の関係を実験により求め、いわゆる検量線を作成することは当然のこと」であり、「検量線は量による感度（量が一定変化した場合に測定値がどの程度変化するか）の変化を可能な限り小さくするために、サンプル測定の範囲では直線に近いのが望ましいが、そうならない場合は適切な曲線に回帰する等の方法を用いることは周知」であり、「感度の変化を許容し、測定可能な外部磁界強度の範囲を広く取るためには、適切な曲線で近似することが周知技術であり、近似曲線をサイン曲線とすることも常套手段」であるとの主張（弁駁書第１４頁第４行ないし第１８行）、「コイル電圧をａｒｃｓｉｎ変換して外部磁界Ｈを算出することは、従来、直線近似できる領域に限定していた測定範囲を、直線近似から外れる領域にまで単に広げただけであるともいえ、進歩性を肯定する材料にはならない」との主張（弁駁書第１６頁第２１行ないし第１７頁第３行）、甲第２７号証の記載によれば「コイル電圧Ｖｓと外部磁界Ｈとの間に数学的関係式で表される関係を見出すことだけでは特徴とはいえず、進歩性を肯定する材料にならない」との主張（弁駁書第１９頁第１１行）、及び「甲第１１号証の図４には、従来のＭＩセンサにおいて、印加磁場とセンサ出力電圧との間に正弦関数関係があることを示唆するグラフが記載されている」との主張（弁駁書第１９頁第１４行）をしている。
　ところが、甲第５号証には、「周方向に異方性を有するワイヤをパルス電流によって励起し、出力信号をワイヤに巻回されたピックアップコイルにおいて測定するセンサにおいて、出力信号は非対角インピーダンスＺｃ（Ｈｅｘ）に基づくところ、−ＨＫ＜Ｈｅｘ＜ＨＫ（ＨＫはワイヤ特有の異方性磁界、Ｈｅｘは直流の軸方向磁界）の範囲で、インピーダンスの非対角成分の直線的な磁界挙動を期待することができ、このような特性を線形のセンシングに使用することができる」ということが記載され（上記第５の５（２）参照。）、甲第２２号証には、「アモルファスワイヤのパルス通電磁気インピーダンス効果では、ワイヤの円周方向に一軸異方性と単磁区状態を付与し、その中でワイヤ長さ方向の外部磁界Ｈｅｘで傾斜した磁化ベクトルを、ワイヤ通電パルスの円周パルス磁界で円周方向に回転させるため、ワイヤ検出コイルの誘起パルス電圧の高さが正確にＨｅｘに比例して原理的に高線形磁界検出特性を持つこととなり、したがって、無ヒステリシスとなる」ということが記載され（上記第５の２２（３）参照。）、また、請求人も審判請求書において「その関係式は、外部磁界（Ｈ）の値はｓｉｎ関数の引数であり、外部磁界とコイルの誘起電圧とが比例するといった本件特許の出願時における技術常識とは異なるものである」と述べているように（審判請求書第４６頁第１１行）、甲１発明のようなコイル検出型のＭＩセンサでは、コイルによる検出電圧が外部磁界に比例するということが広く知られており、このようなセンサにおいて、敢えて正弦関数の「検量線」を作成することや、「測定範囲を、直線近似から外れる領域にまで」広げるといったことは、甲１発明及び各甲号証のいずれからも示唆されない。また、甲第１１号証の図４が「印加磁場とセンサ出力電圧との間に正弦関数関係があることを示唆する」という請求人の主張については、確かに甲第１１号証の図４が正弦関数に近い形状を有していることは見て取れるが、これが「正弦関数」であるということは甲第１１号証に記載されていないから、これによって「印加磁場とセンサ出力電圧との間に正弦関数関係があることを示唆する」とまではいうことができない。
　そもそも、本件訂正発明１における「関係式（１）」は、単に正弦関数を含むということのみならず、より具体的に、「外部磁界Ｈ」及び「コイル出力電圧が最大値を取る時の外部磁界強度Ｈｍ」を引数に含む正弦関数に「パルス周波数ｆ」などを掛け合わせた数式として特定されており、そのような「関係式（１）」は、甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証のいずれからも示唆されるものではない。
（カ）  更に、「関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」という事項について、請求人は審判請求書において、「その関係式は、外部磁界（Ｈ）の値はｓｉｎ関数の引数であり、外部磁界とコイルの誘起電圧とが比例するといった本件特許の出願時における技術常識とは異なるもの」であり、「このような技術常識から予想される関係とは異なる関係の存在は、そのような関係の存在の根拠となった具体的な実験結果を開示することによって、はじめて、当業者がその関係の存在を理解できるものである」が、「本件特許明細書には、上記式（１）の根拠となり得るような実験結果が一切記載されていない」ため、この関係式は、「進歩性を肯定する材料として考慮されるべきものではない」との主張もしている（審判請求書第４６頁第１１行ないし第２０行）。
　しかし、「技術常識から予想される関係とは異なる」、「実験結果が一切記載されていない」などの事情は、請求項に記載されている事項を、進歩性の判断における考慮の対象から除外することの理由とはならない。
（キ）  したがって、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は、甲１発明、並びに甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。 
イ  相違点２について
（ア）  甲第５号証には、「周方向に異方性を有するワイヤをパルス電流によって励起し、出力信号をワイヤに巻回されたピックアップコイルにおいて測定するセンサにおいて、出力信号は非対角インピーダンスＺｃ（Ｈｅｘ）に基づくところ、−ＨＫ＜Ｈｅｘ＜ＨＫ（ＨＫはワイヤ特有の異方性磁界、Ｈｅｘは直流の軸方向磁界）の範囲で、インピーダンスの非対角成分の直線的な磁界挙動を期待することができ、このような特性を線形のセンシングに使用することができる」ということが記載され（上記第５の５（２）参照。）、また、甲第１０号証には、「最近、ワイヤが通過電流ｉによって駆動されている間にワイヤの周囲に取り付けられたコイルで検出された電圧応答Ｖｃをセンサ用途に利用することが提案されており、この場合、出力信号Ｖｃの整流後、磁界±ＨＫ（ＨＫは実効的な異方性磁界）の間のほぼ直線的な領域において、反対称的なＭＩ特性を得ることができる」ということが記載されている（上記第５の１０（２）参照。）ことから、ワイヤをパルス電流によって励起し、出力信号をワイヤに巻回されたピックアップコイルにおいて測定するセンサにおいて、出力信号が−ＨＫ＜Ｈｅｘ＜ＨＫ（ＨＫはワイヤ特有の異方性磁界、Ｈｅｘは直流の軸方向磁界）の範囲で直線的な磁界挙動を示すこと、換言すれば、出力信号が直線的な挙動を示す磁界の範囲が、ワイヤ特有の異方性磁界に依存するということが、本件特許の出願前において周知であったと認められる。ここで、センサの測定レンジが、センサの出力信号が直線的な挙動を示す磁界の範囲に依存するということも明らかである。
（イ）  よって、甲１発明の「微小な磁界を高い感度で検出するマグネト・インピーダンス・センサ素子１を組み込んだセンサ」において、測定レンジを所望のものとするため、つまり、センサの出力信号が直線的な挙動を示す磁界の範囲を所望のものとするために、「マグネト・インピーダンス・センサ素子１」の「感磁体２」である「アモルファスワイヤ」の異方性磁界を選択するということは、当業者が適宜なし得る設計的な事項であって、これを具体的に「１０Ｇ以下」とすることも、当業者であれば容易になし得たことである。
（ウ）  なお、被請求人は口頭審理陳述要領書において、「Ｈｋが１０Ｇ以下と言うことの臨界的意義について、市販のＭＩセンサ（ＡＭＩ３０６）の磁性ワイヤのＨｋは２０Ｇ（本件訂正発明１の【０００６】）であることを考慮して、本件訂正発明１においては、測定レンジ２Ｇから２００Ｇの範囲の用途に対応するためには、最大１０Ｇが望ましいと判断しています」等の説明をしているが（口頭陳述要領書第６頁第２７行）、これらの説明において臨界的意義を示す具体的な検証データ等は何ら示されていないから、これらの説明から、磁性ワイヤの異方性磁界を「１０Ｇ以下」とすることに臨界的意義があるということを把握することはできない。 
（エ）  したがって、相違点２に係る本件訂正発明１の構成は、甲１発明、並びに甲第５号証及び甲第１０号証に記載された周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものである。 
ウ  相違点３について
（ア）  甲第４号証には、「検出コイル３」を備える「ＭＩ素子（マグネトインピーダンスセンサ素子）１、パルス発振回路６１、信号処理回路６２からなるＭＩセンサ（高性能磁気センサ）６」において「ＭＩ素子の小型化、薄型化を達成するためには基板の厚さを薄くするとともに基板上に配設されるバルクのアモルファスワイヤの大きさを小さくする必要があるため、アモルファスワイヤの直径を１０μｍと小径化し、長さを０．５７ｍｍと短くし、その結果、検出コイルの円相当径は１６μｍと小径化され」るという技術事項が記載されている（上記第５の４（２）参照。）。
　そして、甲１発明及び甲第４号証に記載された技術事項は、いずれも「パルス駆動型検出コイル式磁気インピーダンスセンサ」に関するものであり、センサの小型化という共通の課題を有するものでもあるため、甲１発明において、センサの小型化という課題を解決するために、甲第４号証に記載された技術事項を採用し、「感磁体２」の「アモルファスワイヤ」の「線径」を「２０μｍ」から「１０μｍ」に小径化し、「検出コイル３１、３２」の「円相当内径」を「６６μｍ」から「１６μｍ」に小径化することは、当業者であれば容易に想到し得たことといえる。
（イ）  また、甲第２５号証には、「パルス駆動型検出コイル式磁気インピーダンスセンサにおいて、センサの高感度化を図る方策の一つとして、蒸着プロセスにより検出コイルの巻線間隔（コイルピッチ）を狭小化するファインピッチ化が考えられるが、このようにファインピッチ化された検出コイルの電気抵抗は、その断面積の減少と長さの増大に応じて、指数関数的に大きくなり、その結果、検出コイルに生じる誘起電圧の増加分よりも、その誘起電圧に基づき検出コイルを含む回路を流れる電流（Ｉ）によって生じる電圧降下（ＩＲドロップ）分が大きくなり、ホールドコンデンサのホールド電圧が逆に低下するという現象が生じてしまうことから、これを解決するため、センサの検出コイルとホールドコンデンサの間にバッファー回路を介在させ、検出コイル側回路のみならずホールドコンデンサ側回路のインピーダンスも大きくすることで、検出コイル側に生じた高い周波数（換算周波数）の入力信号電圧に追従した出力信号電圧をホールドコンデンサ側回路に生じさせるようにし、その結果、直径：１０μｍ、長さ：０．６ｍｍのＣｏＦｅＳｉＢ系合金からなるアモルファスワイヤに、パルス幅：１０ｎｓ、立上り時間若しくは立下り時間Δｔ：０．５ｎｓ、換算周波数（４Δｔを１周期としたときの周波数）：５００ＭＨｚ（０．５ＧＨｚ）であるパルス電流を供給し、コイル幅：０．６ｍｍ、コイル巻数：４０回、コイルピッチ：７．５μｍとした検出コイルに生じた誘起電圧を検出するようにした場合にも、高感度が実現できる」という技術事項が記載されている（上記第５の２３（２）参照。）。
　そして、甲１発明及び甲第２５号証に記載された技術事項は、いずれも「パルス駆動型検出コイル式磁気インピーダンスセンサ」に関するものであり、センサの高感度化という共通の課題を有するものでもあるため、甲１発明において、センサの高感度化という課題を解決するために、甲第２５号証に記載された技術事項を採用し、「検出コイル３１、３２」の「コイルピッチ」つまり「線幅及び線間幅」の合計を、「５０μｍ」から「７．５μｍ」にファインピッチ化することは、当業者であれば容易に想到し得たことといえる。
（ウ）  なお、被請求人は答弁書において、「請求人の指摘する先行技術（甲第１号証、甲第４号証、甲第１３号証および甲第２２号証）はすべてＭＨｚパルスとコイル抵抗が１Ω程度のメッキ式コイルの組み合わせである。これらの先行技術においては、メッキプロセスによって形成されたメッキ式コイルが採用されている。メッキプロセスによる微細化には限界があり、メッキ式コイルの場合はコイル内径３０μｍ、コイルピッチ１５μｍが限界である。ＭＨｚパルスを通電する場合は十分信号を検出できる大きさであるが、ＧＨｚパルスを通電する場合には、コイル内径が大きすぎて信号検出には十分ではない。」、「本件発明者は、ＧＨｚパルスを通電する場合、電子スピンが作る磁化は、高速回転することはできるが、その変化量は小さくなるので、マイクロコイルすなわちコイルピッチが密でコイル内径が小さいコイルでワイヤとの電磁結合を強化する必要があり、ＧＨｚパルスとマイクロコイルの組み合わせは必須であると気づいた。２０１３年から２０１５年までの２年間にかけて名古屋大学と共同で蒸着膜プロセスによる蒸着式マイクロコイル製作技術の開発に成功し、これによりコイル内径２５μｍ以下、コイルピッチ１０μｍ以下のマイクロコイルを実現した。」、「本件発明者は、パルス対応型バッファー回路と言う特別な回路を発明、採用して初めてＧＨｚパルスとマイクロコイルの組み合わせを実現したのである。この点に進歩性がある。」等の主張をしている（答弁書第６頁第１５行ないし第７頁第２行）。
　しかしながら、被請求人の主張にある「蒸着膜プロセスによる蒸着式マイクロコイル製作技術」及び「パルス対応型バッファー回路と言う特別な回路」は、いずれも甲第２５号証で示唆されており、上記（イ）で述べたように、甲１発明において甲第２５号証に記載された技術事項を採用することは、当業者が容易に想到し得たことといえるから、被請求人の上記主張は採用することができない。
（エ）  上記（ア）及び（イ）のように、甲１発明において、甲第４号証に記載された技術事項及び甲第２５号証に記載された技術事項をそれぞれ採用した場合に、相違点３に係る本件訂正発明１の構成を備えるようになることは明らかである。
　したがって、相違点３に係る本件訂正発明１の構成は、甲１発明、甲第４号証に記載された技術事項及び甲第２５号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものである。 
（４）  本件訂正発明１についてのまとめ
　上記（３）アのとおり、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は、甲１発明、並びに甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。　
　よって、本件訂正発明１は、甲１発明、並びに甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
２  本件訂正発明３ないし本件訂正発明８について
　本件訂正発明３ないし本件訂正発明８は、本件訂正発明１の構成を全て含むから、少なくとも本件訂正発明１と甲１発明との相違点１ないし相違点３（上記１（２）イ（ア）ないし（ウ）参照。）の点で、甲１発明と相違する。
　そして、上記１（３）アのとおり、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は、甲１発明、並びに甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではないから、相違点１に係る本件訂正発明３ないし本件訂正発明８の構成も同様である。 
　したがって、本件訂正発明３ないし本件訂正発明８は、甲１発明、並びに甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
３  小括
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１及び本件訂正発明３ないし本件訂正発明８は、甲１発明、並びに甲第２号証ないし甲第１９号証、甲第２２号証、甲第２５号証及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　したがって、本件訂正発明１及び本件訂正発明３ないし本件訂正発明８についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。
第７  無効理由の理由２（甲第４号証に記載された発明を引用発明とする無効理由）について
１  本件訂正発明１について
（１）  対比
　本件訂正発明１と甲４発明（上記第５の４（２）参照。）とを対比すると、以下のとおりである。 
ア  甲４発明における「非磁性体からなる基板１１」が、本件訂正発明１における「基板」に相当する。
イ  甲４発明における「ＭＩ素子１中の感磁ワイヤ」であって、「パルス電流」を「供給」され、かつ「零磁歪であり、合金組成は（Ｃｏ９４Ｆｅ６）７２．５Ｓｉ１２．５Ｂ１５）であって、主相がアモルファス相からなり、回転液中紡糸法で作製され」る「アモルファスワイヤ２」が、本件訂正発明１における「導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤ」に相当する。
ウ  甲４発明における「基板表面の平坦面に配列された複数の第１導体膜３１１からなる平面パターン３１」と「絶縁体４の外表面と平面パターン３１の表面とに渡って形成されると共にアモルファスワイヤ２を横断するように配列された複数の第２導体膜３２１からなる立体パターン３２」とが「一体となって」形成される「１５回の巻数からなる螺旋状の検出コイル３」が、本件訂正発明１における「それ（合議体注：磁界検出用磁性ワイヤ）に巻回した周回コイル」に相当する。
エ  甲４発明における「基板１１の平坦面上に焼き付けられているアモルファスワイヤ２の端子５１と検出コイル３の端子５２とからなる計４個の電極５」が、本件訂正発明１における「ワイヤ通電用の電極２個とコイル電圧検出用電極２個」に相当する。
オ  上記アないしエによれば、甲４発明における「非磁性体からなる基板１１、基板表面の平坦面に配列された複数の第１導体膜３１１からなる平面パターン３１、複数の第１導体膜３１１を横断するように平面パターン３１の配列方向に沿って配設された断面円形状のアモルファスワイヤ２、アモルファスワイヤ２の外周面を覆うとともに、アモルファスワイヤ２を平面パターン３１上に固定する絶縁体４、絶縁体４の外表面と平面パターン３１の表面とに渡って形成されると共にアモルファスワイヤ２を横断するように配列された複数の第２導体膜３２１からなる立体パターン３２、及び基板１１の平坦面上に焼き付けられているアモルファスワイヤ２の端子５１と検出コイル３の端子５２とからなる計４個の電極５を備え」る「ＭＩ素子（マグネトインピーダンスセンサ素子）１」が、本件訂正発明１における「基板上に導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤとそれに巻回した周回コイルとワイヤ通電用の電極２個とコイル電圧検出用電極２個を設置した磁界検出素子」に相当するといえる。
カ  甲４発明における「ＭＩ素子１中の感磁ワイヤであるアモルファスワイヤ２へ供給」される「パルス電流」を発生する「パルス発振回路６１」が、本件訂正発明１における「前記磁性ワイヤにパルス電流を流す手段」に相当する。
キ  甲４発明における「サンプルタイミング調整回路６２１により前記パルス電流の立下り時に、所定のタイミングでアナログスイッチ６２２を短時間スイッチをオンーオフし、これによりアナログスイッチ６２２は、検出コイル３に発生した外部磁場に対応した電圧をサンプリングして増幅器６２３に伝える」ようになっている「信号処理回路６２」が、本件訂正発明１における「パルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路」に相当する。
ク  甲４発明では、「アモルファスワイヤ２」について、「合金組成は（Ｃｏ９４Ｆｅ６）７２．５Ｓｉ１２．５Ｂ１５）であって、主相がアモルファス相からなり、回転液中紡糸法で作製され」、「直径を１０μｍと」するとされているが、その磁区構造については特定されていない。
　ところで、甲第２号証によれば、ＭＩセンサに使用される感磁ワイヤとして、少なくとも、「磁区構造の違いにより表層部とコア部の２層に分かれ」る構造のものと、「磁壁を全く有さず、ワイヤ表層部で各スピンが一定の円周方向に連続的に配列していると共に、その表層部の内周側である内側部では各スピンがアモルファスワイヤの中心に近づくに従って徐々に円周方向から軸方向に回転していきそのワイヤ中心では軸方向に向く、連続的なスピン配列となる構造（ボルテックススピン構造）」のものの２種類が知られている（上記第５の２（２）参照。）。そうすると、甲４発明における「アモルファスワイヤ２」は、それらのいずれでもあり得るものであり、つまり、甲４発明における「アモルファスワイヤ２」が、「２相の磁区構造を有してな」るものであるのかどうかは明らかでない。
　よって、本件訂正発明１では、「磁性ワイヤ」は「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してな」るのに対し、甲４発明では、「アモルファスワイヤ２」が「２相の磁区構造を有してな」るかどうかが不明である点で、両者は相違する。
ケ  甲４発明では、「パルス発振回路６１により発生した約２００ＭＨｚ相当の高周波で１７０ｍＡのパルス電流をＭＩ素子１中の感磁ワイヤであるアモルファスワイヤ２へ供給」し、「ここでの周波数は、パルス電流波形７中のパルスの立ち上がり、若しくは、立ち下りの時間Δｔを求め、そのΔｔを波の４分の１周期に相当するとして求めたものであ」るとされているが、この「パルス電流波形７中のパルスの立ち上がり、若しくは、立ち下りの時間Δｔを求め、そのΔｔを波の４分の１周期に相当する」とする「周波数」の定義と、本件特許の明細書に記載された「ｆ＝１／２ｄｔ（ただし、ｄｔは立上り、立下り瞬間の遷移時間）」という「パルス電流の周波数」の定義（上記第３の２（２）エ参照。）とを比べると、甲４発明の定義による周波数を２倍にしたものが、本件特許の明細書に記載された定義による周波数に相当するということが理解できる。すなわち、甲４発明における「パルス電流」の周波数である「約２００ＭＨｚ相当」は、本件特許の明細書に記載された定義によれば「約４００ＭＨｚ」であり、よって、磁性ワイヤに通電するパルス電流の周波数が、本件訂正発明１では「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」であるのに対し、甲４発明では「約４００ＭＨｚ」である点で、両者は相違する。
コ  甲４発明における「検出コイルの円相当径は１６μｍと小径化され」るという事項が、本件訂正発明１における「コイル内径を２５μｍ以下とする」という事項に相当する。
サ  甲４発明では、「アモルファスワイヤ」の「長さ」が「０．５７ｍｍ」であり、その周囲に形成される「螺旋状の検出コイル３」が「１５回の巻数からなる」とされているから、「螺旋状の検出コイル３」の「コイルピッチ」は、０．５７／１５＝０．０３８ｍｍよりは小さいと理解できる。
　よって、「コイルピッチ」が、本件訂正発明１では、それぞれ「１０μｍ以下」であるのに対し、本件訂正発明１では、「０．０３８ｍｍよりは小さい」とされている点で、両者は相違する。
シ  甲４発明の「ＭＩセンサ（高性能磁気センサ）６」と本件訂正発明１の「超高感度マイクロ磁気センサ」とは、「磁気センサ」である点で共通する。
（２）  一致点及び相違点
　上記（１）の対比の結果をまとめると、本件訂正発明１と甲４発明との一致点及び相違点は、以下のとおりである。 
ア  一致点 
「基板上に導電性を有する磁界検出用磁性ワイヤとそれに巻回した周回コイルとワイヤ通電用の電極２個とコイル電圧検出用電極２個を設置した磁界検出素子および前記磁性ワイヤにパルス電流を流す手段とパルス電流を流した時に生じるコイル電圧を検知する回路とからなる磁気センサにおいて、
前記コイルはコイル内径を２５μｍ以下とする磁気センサ。」
イ  相違点 
（ア）  相違点１
　本件訂正発明１の磁気センサは、「超高速スピン回転現象」を利用した「超高感度マイクロ磁気センサ」であるのに対して、甲４発明の磁気センサは、そのようなものではない点。
　すなわち、本件訂正発明１では、磁性ワイヤが「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してなり」、磁性ワイヤに通電するパルス電流が「該周波数は０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚで、該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とされ、「前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」、「コイル電圧を外部磁界Ｈに変換する手段」が設けられているのに対して、甲４発明では、磁性ワイヤが「２相の磁区構造を有してな」るかどうかが不明であり、磁性ワイヤに通電するパルス電流の周波数が「約４００ＭＨｚ」であって「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」ではなく、該パルス電流が「該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」であるとは特定されておらず、「前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出」すとは特定されておらず、また、「コイル電圧を外部磁界Ｈに変換する手段」が設けられているかどうかも不明である点。
　なお、上記「関係式（１）」は、「Ｖｓ＝Ｖｏ・Ｌ・πＤ・ｐ・Ｎｃ・ｆ・ｓｉｎ（πＨ／２Ｈｍ）　（１）」「ここで、Ｖｓはコイル出力電圧、Ｖｏは比例定数、制御因子定数としては、Ｌはワイヤの長さ、Ｄはワイヤの直径、ｐはパルス電流の表皮深さ、Ｎｃはコイルの巻き数、ｆはパルス周波数、Ｈｍはコイル出力電圧が最大値を取る時の外部磁界強度。」である。
（イ）  相違点２
　磁性ワイヤが、本件訂正発明１では、「１０Ｇ以下の異方性磁界」を有するのに対して、甲４発明では、どの程度の異方性磁界を有するかが不明である点。
（ウ）  相違点３
　コイルの「コイルピッチ」が、本件訂正発明１では、「１０μｍ以下」であるのに対し、甲４発明では、「０．０３８ｍｍよりは小さい」とされている点。
（３）  相違点についての判断
ア  相違点１について
（ア）  甲４発明が相違点１に係る本件訂正発明１の構成を備えるようにするには、甲４発明において、「アモルファスワイヤ２」として「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造」を有するものを採用し、「アモルファスワイヤ２」に通電するパルス電流の周波数を「０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚ」、大きさを「ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とし、「アモルファスワイヤ２」に該パルス電流を通電することによって「超高速スピン回転現象」を生じさせ、それによる「アモルファスワイヤ２」の「軸方向の磁化変化のみ」をコイル出力として取り出し、「関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」ようにする必要がある。
（イ）  ここで、上記第６の１（３）ア（イ）で述べたのと同様に、本件訂正発明１における、磁性ワイヤが「円周方向スピン配列を持つ表面磁区と軸方向にスピン配列を持つ中央部コア磁区の２相の磁区構造を有してな」るという事項、磁性ワイヤに通電するパルス電流の「周波数は０．５ＧＨｚ〜４．０ＧＨｚで」あるという事項、パルス電流が「該ワイヤ表面に異方性磁界の１．５倍以上の円周方向磁界を発生させるのに必要な電流強度以上」とされる事項、及び「前記磁性ワイヤに前記パルス電流を通電することによって、前記表面磁区内のワイヤ軸方向の磁界により軸方向に傾斜した円周方向スピンを超高速に一斉回転させて、その時に生じる超高速スピン回転現象による前記ワイヤの軸方向の磁化変化のみをコイル出力として取り出し、関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」という事項は、これら全てが相まって初めて、新たな「超高速スピン回転現象」を発現させ、それを検出して磁気センサとして機能させることができるものと理解されるため、かかる「超高速スピン回転現象」を基礎とする本件訂正発明１と従来の「ＭＩセンサ」である甲４発明との対比においては、上記の４つの事項は一体をなすものというべきである。
（ウ）  しかしながら、上記４つの事項が相まって新たな「超高速スピン回転現象」を発現させ、それを検出して磁気センサとして機能させるということは、甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証のいずれにおいても記載も示唆もされておらず、また、本件特許の出願前に技術常識であったということもできない。
（エ）  なお、上記第６の１（３）ア（エ）及び（オ）で述べたのと同様、仮に上記４つの事項が一体をなすものではなく個別に論じることができるものであるとしても、少なくとも４つの事項のうちの「関係式（１）を使って磁界Ｈに変換する」という事項については、甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証のいずれにも開示されていない。
（オ）  したがって、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は、甲４発明、並びに甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。
イ  相違点２について
（ア）  上記第６の１（３）イ（ア）で述べたように、ワイヤをパルス電流によって励起し、出力信号をワイヤに巻回されたピックアップコイルにおいて測定するセンサにおいて、出力信号が直線的な挙動を示す磁界の範囲が、ワイヤ特有の異方性磁界に依存するということが、本件特許の出願前において周知であったと認められる。ここで、センサの測定レンジが、センサの出力信号が直線的な挙動を示す磁界の範囲に依存するということも明らかである。
（イ）  よって、甲４発明の「ＭＩセンサ（高性能磁気センサ）６」において、測定レンジを所望のものとするため、つまり、センサの出力信号が直線的な挙動を示す磁界の範囲を所望のものとするために、「ＭＩ素子１」の「アモルファスワイヤ２」の異方性磁界を選択するということは、当業者が適宜なし得る設計的な事項であって、これを具体的に「１０Ｇ以下」とすることも、当業者であれば容易になし得たことである。
（ウ）  なお、上記第６の１（３）イ（ウ）で述べたように、被請求人の口頭審理陳述要領書における説明からは、磁性ワイヤの異方性磁界を「１０Ｇ以下」とすることに臨界的意義があるということを把握することはできない。 
（エ）  したがって、相違点２に係る本件訂正発明１の構成は、甲４発明、並びに甲第５号証及び甲第１０号証に記載された周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものである。 
ウ  相違点３について
（ア）  甲第２５号証には、「パルス駆動型検出コイル式磁気インピーダンスセンサにおいて、センサの高感度化を図る方策の一つとして、蒸着プロセスにより検出コイルの巻線間隔（コイルピッチ）を狭小化するファインピッチ化が考えられるが、このようにファインピッチ化された検出コイルの電気抵抗は、その断面積の減少と長さの増大に応じて、指数関数的に大きくなり、その結果、検出コイルに生じる誘起電圧の増加分よりも、その誘起電圧に基づき検出コイルを含む回路を流れる電流（Ｉ）によって生じる電圧降下（ＩＲドロップ）分が大きくなり、ホールドコンデンサのホールド電圧が逆に低下するという現象が生じてしまうことから、これを解決するため、センサの検出コイルとホールドコンデンサの間にバッファー回路を介在させ、検出コイル側回路のみならずホールドコンデンサ側回路のインピーダンスも大きくすることで、検出コイル側に生じた高い周波数（換算周波数）の入力信号電圧に追従した出力信号電圧をホールドコンデンサ側回路に生じさせるようにし、その結果、直径：１０μｍ、長さ：０．６ｍｍのＣｏＦｅＳｉＢ系合金からなるアモルファスワイヤに、パルス幅：１０ｎｓ、立上り時間若しくは立下り時間Δｔ：０．５ｎｓ、換算周波数（４Δｔを１周期としたときの周波数）：５００ＭＨｚ（０．５ＧＨｚ）であるパルス電流を供給し、コイル幅：０．６ｍｍ、コイル巻数：４０回、コイルピッチ：７．５μｍとした検出コイルに生じた誘起電圧を検出するようにした場合にも、高感度が実現できる」という技術事項が記載されている（上記第５の２３（２）参照。）。
　そして、甲４発明及び甲第２５号証に記載された技術事項は、いずれも「パルス駆動型検出コイル式磁気インピーダンスセンサ」に関するものであり、センサの高感度化という共通の課題を有するものでもあるため、甲４発明において、センサの高感度化という課題を解決するために、甲第２５号証に記載された技術事項を採用し、「検出コイル３」の「コイルピッチ」を「７．５μｍ」にファインピッチ化することは、当業者であれば容易に想到し得たことといえる。
（ウ）  なお、上記第６の１（３）ウ（エ）で述べたように、被請求人の答弁書における主張は採用することができない。
（エ）  したがって、相違点３に係る本件訂正発明１の構成は、甲４発明及び甲第２５号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものである。 
（４）  本件訂正発明１についてのまとめ
　上記（３）アのとおり、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は、甲４発明、並びに甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではない。　
　よって、本件訂正発明１は、甲４発明、並びに甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
２  本件訂正発明３ないし本件訂正発明８について
　本件訂正発明３ないし本件訂正発明８は、本件訂正発明１の構成を全て含むから、少なくとも本件訂正発明１と甲４発明との相違点１ないし相違点３（上記１（２）イ（ア）ないし（ウ）参照。）の点で、甲４発明と相違する。
　そして、上記１（３）アのとおり、相違点１に係る本件訂正発明１の構成は、甲４発明、並びに甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に想到し得るものではないから、相違点１に係る本件訂正発明３ないし本件訂正発明８の構成も同様である。 
　したがって、本件訂正発明３ないし本件訂正発明８は、甲４発明、並びに甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
３  小括
　以上のとおりであるから、本件訂正発明１及び本件訂正発明３ないし本件訂正発明８は、甲４発明、並びに甲第１号証ないし甲第３号証、甲第５号証ないし甲第１３号証、甲第１５号証ないし甲第２２号証、甲第２５号及び甲第２７号証ないし甲第３１号証に記載された技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるということができない。
　したがって、本件訂正発明１及び本件訂正発明３ないし本件訂正発明８についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるということはできない。
第８  むすび
　以上のとおり、本件訂正を認める。
　また、本件訂正発明１及び本件訂正発明３ないし本件訂正発明８についての特許は、請求人の主張する無効理由によって無効とすることはできない。
　請求項２は、本件訂正により削除されたので、請求項２についての本件審判の請求は、特許法第１３５条の規定により却下すべきものである。
　本件審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人の負担とする。
　よって、結論のとおり審決する。