【事件の表示】
　特願２０１４−　５２８３５「リード内蔵型回路パッケージの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１０月　５日出願公開、特開２０１５−１７７０８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２６年３月１５日の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　８月１４日付け：拒絶理由通知
　同　　　年１０月　７日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年　１月３０日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知
　同　　　年　３月１５日　　：意見書、手続補正書の提出
　同　　　年　６月２８日付け：平成３０年３月１５日付け手続補正につい
　　　　　　　　　　　　　　　ての補正の却下の決定、拒絶査定
　同　　　年　９月２１日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　令和　１年　９月　３日付け：当審による拒絶理由通知
　同　　　年１０月３１日　　：意見書、手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和１年１０月３１日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　アキシャルリードタイプのリードを備えたリードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、対向する上記リードの端子部上に直接、回路素子を配置、接続した集合体を形成し、該集合体の上記リードの延出方向に直交するように配置された上記回路素子及び上記リードとの接続部の周囲に第１のモールド樹脂を形成すると共に、上記回路素子が配置されているリードの端子部の端部から反対側に延出するリードの下面を上記第１のモールド樹脂の裏面側に露出し、
　上記第１のモールド樹脂から露出する上記リードは、上下面を除く側面部に第２のモールド樹脂が形成されるように、上記集合体のリードフレームをモールド金型を用いて樹脂モールドし、
　該樹脂モールドされた上記集合体をダイシングにより個片化する際、上記リードの延出方向に平行に上記リード間の上記第１のモールド樹脂及び上記第２のモールド樹脂を切断し、上記リードの延出方向に直交する方向に上記リードと該リードの側面部に形成された上記第２のモールド樹脂とが所望の長さとなるように切断することで、上記リードの長さを変更することを特徴とするリード内蔵型回路パッケージの製造方法。」
第３　当審が通した拒絶の理由
　令和１年９月３日に当審が通知した拒絶理由の理由１及び理由２の概要は、次のとおりである。
１．理由１について
　本件出願の請求項１及び２に係る発明は、その出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．理由２について
　本件出願の請求項２における「対向する上記リードの端子部上に直接、回路素子を配置、接続した」という記載について、「対向する」が「端子部」を修飾し、回路素子が双方の端子部上にわたるように配置、接続されたものであることが特定されていると解釈したとしても、また、本件出願の請求項１においてそのような趣旨の特定がなされたとしても、請求項１及び２に係る発明は、下記の引用文献１に記載された発明及び周知の技術事項（下記の引用文献２に記載された技術事項）に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１．特開２０１３−１６１９０３号公報 
引用文献２．特開２００３−２２９５８１号公報
第４　引用文献の記載
　当審の拒絶の理由で引用された上記引用文献１には、「半導体装置の製造方法」について次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与したものである。
（１）「【０００９】
  （第１実施形態）  
　図１は、第１実施形態に係る半導体装置１００を表す模式図である。図１（ａ）は、半導体装置１００の平面図であり、図１（ｂ）は、Ａ−Ａ線に沿った断面図である。  
【００１０】
　図１（ａ）に示すように、
半導体装置１００は、半導体素子１０と、それを封じた樹脂を有する成形体２０を備える。成形体２０は、半導体素子１０に対向する方形の上面２０ａと、上面２０ａにつながる４つの側面２０ｂ、２０ｃ、２０ｄおよび２０ｅを有する。さらに、半導体装置１００は、４つの側面のうちの側面２０ｄおよび２０ｅからそれぞれ延出したフランジ部３０を備える。
・・・（中略）・・・
【００１３】
　
成形体２０の上面２０ａとは反対側の裏面には、リードフレーム２の裏面２ｂと、リードフレーム３の裏面３ｂとが露出し
半
【００１４】
　さらに、本実施形態では、成形体２０の側面２０ｄおよび２０ｅからそれぞれ延出する２つのフランジ部３０を備える。
リードフレーム２および３は、成形体２０からそれぞれのフランジ部３０に延在し、フランジ部３０の裏面および端面３０ｆに露出する。
（２）「【００２３】
　次に、図４および図５を参照して、
半導体装置１００の製造方法
【００２４】
　
リードフレームシート５０には、複数のリードフレーム２および３が設けられる（図５参照）
リードフレームシート５０の上に、複数の半導体素子１０が固着され、
リードフレーム２となる部分に半導体素子１０がダイボンディングされ、半導体素子１０と、リードフレーム３となる部分と、の間に金属ワイヤ１３がボンディングされる。
【００２５】
　
次に、リードフレームシート５０の上に、半導体素子１０を封じた樹脂層２３を形成する。続いて、樹脂層２３を選択的に薄層化し、第１の方向に延在するストライプ状の第１の薄層部Ｆ１を形成する。
【００２６】
　例えば、図４（ａ）に示すように、ダイシングブレード５３を用いて、第１の方向に樹脂層２３を研削する。これにより、成形体２０から延出するフランジ部３０となる第１の薄層部Ｆ１が形成される。
【００２７】
　例えば、
樹脂層２３をリードフレームシート５０に達する深さまで研削することにより、半導体装置１００が製造される。
【００２８】
　本実施形態の方法では、ダイシングピッチを変更することにより、半導体装置のサイズに合わせて第１の薄層部Ｆ１を形成することができる。すなわち、半導体装置ごとに金型を準備する必要がないため、製造方法としての自由度が大きく製造コストを低減することができる。すなわち、別の方法として、
例えば、射出成型法により、樹脂層２３を第１の薄層部Ｆ１を有する形状に成形することもできる。
【００２９】
　
次に、ダイシングブレード５５を用いて、樹脂層２３およびリードフレームシート５０を切断し、個々の半導体装置１００を分離すると共にそのパッケージを形成する。
　図４（ｂ）に示すように、第１の薄層部Ｆ１では、薄層化された樹脂層２３と、リードフレームシート５０と、を第１の方向に沿って切断する。ダイシングブレード５５のブレード幅は、ダイシングブレード５３のブレード幅よりも狭い。したがって、成形体２０から延出するフランジ部３０を残して、第１の薄層部Ｆ１を切断することができる。
【００３０】
　次に、図５を参照して、リードフレームシート５０の切断方法を具体的に説明する。  
　図５に示すように、例えば、リードフレームシート５０には、複数のリードフレーム２および３が設けられる。そして、それぞれのリードフレームをつなぐ吊ピン５０ａおよび５０ｂが設けられる。
【００３１】
　リードフレーム２および３は、
第１の方向であるＸ方向
第１の方向に直交する第２の方向であるＹ方向
【００３２】
　Ｘ方向に並んで配置されたリードフレーム２の間、および、リードフレーム３の間は、吊ピン５０ａにより接続される。一方、Ｙ方向に交互に配置されたリードフレーム２とリードフレーム３との間には、吊ピン５０ｂにより接続された部分と、リードフレーム２とリードフレーム３とが離間して配置された部分と、が設けられる。
【００３３】
　リードフレーム２と、リードフレーム３と、が離間して設けられた部分には、半導体素子１０と、リードフレーム３と、の間に金属ワイヤ１３がボンディングされる。そして、リードフレーム２とリードフレーム３とを吊ピン５０ｂで接続した部分において、第１の薄層部Ｆ１が、Ｘ方向に延在するストライプ状に設けられる。
【００３４】
　
第１の薄層部Ｆ１をＸ方向に切断する際には、リードフレーム２および３のそれぞれの端を含むダイシング領域Ｄ１が切断される。これにより、リードフレーム２および３のそれぞれの端と、吊ピン５０ｂと、が除かれる。
【００３５】
　さらに、
Ｙ方向において並列に配置されたリードフレーム２の間、および、リードフレーム３の間の樹脂層２３を切断する。
【００３６】
　これにより、半導体素子１０に対向する方形の上面２０ａと、上面２０ａにつながる４つの側面と、を有した成形体２０と、成形体２０の側面から延出するフランジ部３０と、を有するパッケージを形成することができる。
【００３７】
　上記の製造方法では、樹脂層２３が薄層化されているダイシング領域Ｄ１において、リードフレーム２および３の端が切断される。そして、樹脂層２３が厚いダイシング領域Ｄ２において、リードフレーム２および３が切断されることはなく、吊ピン５０ａが切断される。
【００３８】
　また、リードフレームシート５０を切断する際には、図４（ｂ）に示すように、リードフレームシート５０の裏面側から切断する方法を用いても良いし、図４（ａ）に示す例のように、樹脂層２３の側から切断しても良い。」
（３）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（４）「【図５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
・段落【００１０】、【００１３】及び【００１４】並びに図１（ａ）及び（ｂ）によれば、半導体素子１０と、半導体素子１０を封じた樹脂を有する成形体２０であって、半導体素子１０に対向する方形の上面２０ａと、上面２０ａにつながる４つの側面２０ｂ、２０ｃ、２０ｄおよび２０ｅを有する成形体２０と、当該４つの側面のうちの対向する側面２０ｄおよび２０ｅからそれぞれ延出したフランジ部３０とを備え、成形体２０の上面２０ａと反対側の裏面には、リードフレーム２の裏面２ｂと、リードフレーム３の裏面３ｂとが露出し、リードフレーム２およびリードフレーム３は、成形体２０からそれぞれのフランジ部３０に延在し、フランジ部３０の裏面に露出する半導体装置１００が記載されている。
・段落【００２３】及び【００２４】によれば、半導体装置１００の製造方法において、複数のリードフレーム２およびリードフレーム３が設けられたリードフレームシート５０の上に複数の半導体素子１０が固着されて、リードフレーム２となる部分に半導体素子１０がダイボンディングされ、半導体素子１０とリードフレーム３となる部分との間に金属ワイヤ１３がボンディングされることが記載されている。ここで、図５によれば、リードフレーム２及びリードフレーム３は互いに対向しており、また、リードフレーム２及びリードフレーム３は直線状に並んでいるからアキシャルリードタイプのリードと認められる。
　したがって、引用文献１には、半導体装置１００の製造方法において、アキシャルリードタイプのリードであり、互いに対向するリードフレーム２およびリードフレーム３が複数設けられたリードフレームシート５０の上に複数の半導体素子１０が固着されて、リードフレーム２となる部分に半導体素子１０がダイボンディングされ、半導体素子１０とリードフレーム３となる部分との間に金属ワイヤ１３がボンディングされることが記載されている。
・段落【００２５】及び【００２７】によれば、ダイボンディングと金属ワイヤ１３のボンディングの次に、リードフレームシート５０の上に半導体素子１０を封じた樹脂層２３を形成し、続いて、樹脂層２３をリードフレームシート５０に達する深さまで研削（すなわち、リードフレーム５０の上面が露出するまで研削）することにより選択的に薄層化し、第１の方向に延在するストライプ状の第１の薄層部Ｆ１を形成することが記載されている。ここで、第１の薄層部Ｆ１においてリードフレーム２及びリードフレーム３となる部分の側面部に樹脂（以下「薄層部樹脂」という。）が残っているのは明らかである。また、樹脂層２３のうち研削されていない部分、すなわち、第１の薄層部Ｆ１以外の部分は相対的に樹脂が厚い部分（以下「樹脂厚膜部」という。）となる。
　そして、段落【００２８】によれば、射出成型法により、樹脂層２３を第１の薄層部Ｆ１を有する形状に成形することもできるから、引用文献１には、ダイボンディングと金属ワイヤ１３のボンディングの次に、リードフレームシート５０の上に半導体素子１０を封じた樹脂層２３を射出形成法により第１の方向に延在するストライプ状に選択的に薄層化された第１の薄層部Ｆ１を有するように成形することによって、第１の薄層部Ｆ１においてリードフレームシート５０の上面が露出するようにリードフレーム２及びリードフレーム３となる部分の側面部に形成された薄層部樹脂と、第１の薄層部Ｆ１以外の部分において形成された樹脂厚膜部とからなる樹脂層２３が成形されることが記載されているといえる。ここで、段落【００３１】によれば、「第１の方向」は「Ｘ方向」である。
・段落【００３１】、図１（ｂ）及び図５によれば、樹脂厚膜部は、リードフレーム２及びリードフレーム３の延出方向であるＹ方向に直交するＸ方向に配置された複数の半導体素子１０及びリードフレーム２との接続部の周囲に形成されている。
・段落【００２９】によれば、樹脂層２３を成形した次に、ダイシングブレード５５を用いて、樹脂層２３およびリードフレームシート５０を切断し、個々の半導体装置１００を分離すると共にそのパッケージを形成することが記載されている。
・段落【００３４】及び【００３５】によれば、第１の薄層部Ｆ１をＸ方向に切断する際には、リードフレーム２およびリードフレーム３のそれぞれの端を含むダイシング領域Ｄ１が切断されることにより、リードフレーム２およびリードフレーム３のそれぞれの端が除かれ、Ｙ方向に切断する際には、並列に配置されたリードフレーム２の間、および、リードフレーム３の間の樹脂層２３を切断する。ここで、図５によれば、ダイシング領域Ｄ１が切断されることにより薄層部樹脂のダイシング領域Ｄ１も除かれ、また、Ｙ方向において切断される樹脂層２３には薄層部樹脂及び樹脂厚膜部の双方が含まれる。
　上記摘示事項および図面を総合勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体素子１０と、
　半導体素子１０を封じた樹脂を有する成形体２０であって、半導体素子１０に対向する方形の上面２０ａと、上面２０ａにつながる４つの側面２０ｂ、２０ｃ、２０ｄおよび２０ｅを有する成形体２０と、
　当該４つの側面のうちの対向する側面２０ｄおよび２０ｅからそれぞれ延出したフランジ部３０とを備え、
　成形体２０の上面２０ａと反対側の裏面には、リードフレーム２の裏面２ｂと、リードフレーム３の裏面３ｂとが露出し、リードフレーム２およびリードフレーム３は、成形体２０からそれぞれのフランジ部３０に延在し、フランジ部３０の裏面に露出する
　半導体装置１００の製造方法において、
　アキシャルリードタイプのリードであり、互いに対向するリードフレーム２およびリードフレーム３が複数設けられたリードフレームシート５０の上に複数の半導体素子１０が固着されて、リードフレーム２となる部分に半導体素子１０がダイボンディングされ、半導体素子１０とリードフレーム３となる部分との間に金属ワイヤ１３がボンディングされ、
　次に、リードフレームシート５０の上に半導体素子１０を封じた樹脂層２３を射出形成法によりＸ方向に延在するストライプ状に選択的に薄層化された第１の薄層部Ｆ１を有するように成形することによって、第１の薄層部Ｆ１においてリードフレームシート５０の上面が露出するようにリードフレーム２及びリードフレーム３となる部分の側面部に形成された薄層部樹脂と、第１の薄層部Ｆ１以外の部分において形成された樹脂厚膜部とからなる樹脂層２３が成形され、当該樹脂厚膜部は、リードフレーム２及びリードフレーム３の延出方向であるＹ方向に直交するＸ方向に配置された複数の半導体素子１０及びリードフレーム２との接続部の周囲に形成されており、
　次に、ダイシングブレード５５を用いて、樹脂層２３およびリードフレームシート５０を切断し、個々の半導体装置１００を分離すると共にそのパッケージを形成し、
　第１の薄層部Ｆ１をＸ方向に切断する際には、リードフレーム２およびリードフレーム３のそれぞれの端を含むダイシング領域Ｄ１が切断されることにより、リードフレーム２およびリードフレーム３のそれぞれの端が除かれると共に薄層部樹脂のダイシング領域Ｄ１が除かれ、Ｙ方向に切断する際には、並列に配置されたリードフレーム２の間、および、リードフレーム３の間の薄層部樹脂及び樹脂厚膜部を切断する、製造方法。」
第５　当審の判断
１．特許法第２９条第１項第３号について
１−１．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）本願発明の「対向する上記リードの端子部上に直接、回路素子を配置、接続した」という記載について、「対向する」が修飾しているのは「リード」であると解し、当該記載は、「端子部」を有する「リード」が「対向」し、「リードの端子部上に直接、回路素子を配置接続し」ていることを特定していると認め、対比する（「対向する」が「端子部」を修飾し、「対向する」「端子部上に直接、回路素子を配置、接続した集合体を形成」した、すなわち、回路素子が双方の端子部上にわたるように配置、接続されたものであることが特定されたと解する場合については、後述の「２．」を参照されたい。）。
　引用発明の「リードフレームシート５０」及び「半導体素子１０」が、各々本願発明の「リードフレーム」及び「回路素子」に相当する。また、引用発明で「リードフレーム２」の「半導体素子１０がダイボンディング」される部分（以下「端子部」という。）は本願発明の「端子部」に相当する。さらに、引用発明の「複数の半導体素子１０」が「固着されて」、「ダイボンディングされ」る点は、本願発明の「直接、回路素子を配置、接続」することに相当する。
　そうすると、引用発明の「アキシャルリードタイプのリードであり、互いに対向するリードフレーム２およびリードフレーム３が複数設けられたリードフレームシート５０の上に複数の半導体素子１０が固着されて、リードフレーム２となる部分に半導体素子１０がダイボンディングされ」たものは、本願発明の「アキシャルリードタイプのリードを備えたリードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、対向する上記リードの端子部上に直接、回路素子を配置、接続した集合体」に相当する。
（２）引用発明の「樹脂厚膜部」は、「リードフレーム２及びリードフレーム３の延出方向であるＹ方向に直交するＸ方向に配置された複数の半導体素子１０及びリードフレーム２との接続部の周囲に形成され」るから、本願発明の「該集合体の上記リードの延出方向に直交するように配置された上記回路素子及び上記リードとの接続部の周囲に」形成する「第１のモールド樹脂」に相当する。
（３）引用発明は、「樹脂層２３を射出形成法によりＸ方向に延在するストライプ状に選択的に薄層化された第１の薄層部Ｆ１を有するように成形」したあと、「ダイシングブレード５５を用いて、樹脂層２３およびリードフレームシート５０を切断」することよって「個々の半導体装置１００」が分離される（すなわち、裏面に対する樹脂層２３の除去工程は特段行われていない）ところ、完成品である半導体装置１００は「成形体２０の上面２０ａと反対側の裏面には、リードフレーム２の裏面２ｂと、リードフレーム３の裏面３ｂとが
露出
露出
　したがって、引用発明では、「樹脂厚膜部」の裏面にリードフレーム２の裏面２ｂとリードフレーム３の裏面３ｂが露出され、「第１の薄層部Ｆ１」においてリードフレーム２の裏面２ｂ及びリードフレーム３の裏面３ｂが露出されている。
（４）引用発明における「リードフレーム２」の「半導体素子１０がダイボンディングされ」た部分である端子部（上記（１）参照。）のリードフレーム３側の端部が本願発明の「端子部の端部」に相当し、引用発明の「リードフレーム２」が「成形体（樹脂厚膜部）からそれぞれのフランジ部３０（第１の薄層部Ｆ１）に延在」することは、本願発明の「リード」が「端子部の端部から反対側に延出する」ことに相当する。
　そして、引用発明では、上記（３）のとおり、リードフレーム２の裏面２ｂが樹脂厚膜部の裏面に露出しているところ、「樹脂厚膜部」は、上記（２）のとおり本願発明の「第１のモールド樹脂」に相当するから、引用発明と本願発明とは、「上記回路素子が配置されているリードの端子部の端部から反対側に延出するリードの下面を上記第１のモールド樹脂の裏面側に露出」する点で一致する。
（５）引用発明の「リードフレーム２」は、上記（３）のとおり、樹脂厚膜部から露出しており、「樹脂厚膜部」は、上記（２）のとおり本願発明の「第１のモールド樹脂」に相当することから、引用発明の「リードフレーム２」は、本願発明の「上記第１のモールド樹脂から露出する上記リード」に相当する。
　また、上記（３）によれば、引用発明では、第１の薄層部Ｆ１においてリードフレーム２の裏面２ｂが露出していることから、第１の薄層部Ｆ１において形成された「薄層部樹脂」は、リードフレーム２の裏面２ｂを除いて設けられていることは明らかである。さらに、引用発明の「薄層部樹脂」は、「第１の薄層部Ｆ１においてリードフレームシート５０の上面が露出するようにリードフレーム２及びリードフレーム３となる部分の側面部に形成された」ものであるから、リードフレーム２の上面を除く側面部に形成されている。
　したがって、引用発明の「薄層部樹脂」は、本願発明の「上記第１のモールド樹脂から露出する上記リード」の「上下面を除く側面部に」形成される「第２のモールド樹脂」に相当する。
（６）射出成形法は通常、モールド金型を用いて行われるものであるから、引用発明の「樹脂層２３を射出形成法によりＸ方向に延在するストライプ状に選択的に薄層化された第１の薄層部Ｆ１を有するように成形する」ことは、本願発明の「上記集合体のリードフレームをモールド金型を用いて樹脂モールド」することに相当する。
（７）引用発明の「ダイシングブレード５５を用いて、樹脂層２３およびリードフレームシート５０を切断し、個々の半導体装置１００を分離する」ことは、本願発明の「該樹脂モールドされた上記集合体をダイシングにより個片化」することに相当する。
（８）引用発明の「リードフレーム２及びリードフレーム３の延出方向であるＹ方向」は、本願発明の「上記リードの延出方向」に相当するから、引用発明の「Ｙ方向に切断する際には、並列に配置されたリードフレーム２の間、および、リードフレーム３の間の薄層部樹脂及び樹脂厚膜部を切断する」ことは、本願発明の「上記リードの延出方向に平行に上記リード間の上記第１のモールド樹脂及び上記第２のモールド樹脂を切断」することに相当する。
（９）引用発明の「リードフレーム２及びリードフレーム３の延出方向であるＹ方向に直交するＸ方向」は、本願発明の「上記リードの延出方向に直交する方向」に相当する。
　そして、引用発明の「第１の薄層部Ｆ１をＸ方向に切断する際には、リードフレーム２およびリードフレーム３のそれぞれの端を含むダイシング領域Ｄ１が切断されることにより、リードフレーム２およびリードフレーム３のそれぞれの端が除かれると共に薄層部樹脂のダイシング領域Ｄ１が除かれ」た結果として半導体装置１０が得られるのであるから、「第１の薄層部Ｆ１をＸ方向に切断する」ことによって、薄層部樹脂、リードフレーム２及びリードフレーム３が「所望の長さ」となっているのは明らかである。
　さらに、引用発明では「リードフレーム２およびリードフレーム３のそれぞれの端が除かれ」ることによって、「端が除かれ」る前に比べてリードフレーム２及びリードフレーム３の長さが「変更」されている。
　したがって、引用発明と本願発明とは、「上記リードの延出方向に直交する方向に上記リードと該リードの側面部に形成された上記第２のモールド樹脂とが所望の長さとなるように切断することで、上記リードの長さを変更する」点で一致する。
（１０）引用発明の「半導体装置１００」は、「成形体２０の上面２０ａと反対側の裏面には、リードフレーム２の裏面２ｂと、リードフレーム３の裏面３ｂとが露出し、リードフレーム２およびリードフレーム３は、成形体２０からそれぞれのフランジ部３０に延在し、フランジ部３０の裏面に露出する」ものであるから、リードを内蔵しているのは明らかである。
　また、引用発明の「半導体装置１００の製造方法」は、「ダイシングブレード５５を用いて、樹脂層２３およびリードフレームシート５０を切断し、個々の半導体装置１００を分離すると共にそのパッケージを形成」するから、「回路パッケージの製造方法」であるといえる。
　したがって、引用発明の「半導体装置１００の製造方法」は、本願発明の「リード内蔵型回路パッケージの製造方法」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは
「アキシャルリードタイプのリードを備えたリードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、対向する上記リードの端子部上に直接、回路素子を配置、接続した集合体を形成し、該集合体の上記リードの延出方向に直交するように配置された上記回路素子及び上記リードとの接続部の周囲に第１のモールド樹脂を形成すると共に、上記回路素子が配置されているリードの端子部の端部から反対側に延出するリードの下面を上記第１のモールド樹脂の裏面側に露出し、
　上記第１のモールド樹脂から露出する上記リードは、上下面を除く側面部に第２のモールド樹脂が形成されるように、上記集合体のリードフレームをモールド金型を用いて樹脂モールドし、
　該樹脂モールドされた上記集合体をダイシングにより個片化する際、上記リードの延出方向に平行に上記リード間の上記第１のモールド樹脂及び上記第２のモールド樹脂を切断し、上記リードの延出方向に直交する方向に上記リードと該リードの側面部に形成された上記第２のモールド樹脂とが所望の長さとなるように切断することで、上記リードの長さを変更するリード内蔵型回路パッケージの製造方法。」
である点で一致し、相違するところがない。
１−２．小括
　したがって、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当する。
＜＜予備的見解＞＞
２．特許法第２９条第２項について
２−１．対比
　本願発明と引用発明とを対比した上記「１．１−１．（１）」において、本願発明の「対向する上記リードの端子部上に直接、回路素子を配置、接続した」という記載について、「対向する」が「端子部」を修飾していると解し、当該記載が、「対向する」「端子部上に直接、回路素子を配置、接続した集合体を形成」したこと、すなわち、回路素子が双方の端子部上にわたるように配置、接続されたものであることを特定している場合、引用発明と本願発明とは、「アキシャルリードタイプのリードを備えたリードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、上記リードの端子部上に直接、回路素子を配置、接続した集合体を形成」する点と共通するものの、直接、回路素子を配置、接続する端子部が、本願発明では「対向する」端子部であるのに対し、引用発明ではその旨特定されていない点で相違する。
　また、上記「１．１−１．（９）」において、「上記リードの延出方向に直交する方向に上記リードと該リードの側面部に形成された上記第２のモールド樹脂とが所望の長さとなるように切断することで、上記リードの長さを変更する」を、審判請求人が令和１年１０月３１日付け意見書で主張するように、「リードの長さを用途によって適切な長さに切断」するという意味に解すると、本願発明と引用発明とは、「上記リードの延出方向に直交する方向に上記リードと該リードの側面部に形成された上記第２のモールド樹脂と」を「切断する」点で一致するものの、リードと第２のモールド樹脂とを切断する際に、本願発明は「所望の長さとなるように」切断して、「上記リードの長さを変更する」のに対し、引用発明ではその旨特定されていない点で相違する。
　その他の構成については、上記「１．１−１．」の（２）ないし（８）及び（１０）と同様である。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
「アキシャルリードタイプのリードを備えたリードフレームの表裏面のいずれかを上面とし、上記リードの端子部上に直接、回路素子を配置、接続した集合体を形成し、該集合体の上記リードの延出方向に直交するように配置された上記回路素子及び上記リードとの接続部の周囲に第１のモールド樹脂を形成すると共に、上記回路素子が配置されているリードの端子部の端部から反対側に延出するリードの下面を上記第１のモールド樹脂の裏面側に露出し、
　上記第１のモールド樹脂から露出する上記リードは、上下面を除く側面部に第２のモールド樹脂が形成されるように、上記集合体のリードフレームをモールド金型を用いて樹脂モールドし、
　該樹脂モールドされた上記集合体をダイシングにより個片化する際、上記リードの延出方向に平行に上記リード間の上記第１のモールド樹脂及び上記第２のモールド樹脂を切断し、上記リードの延出方向に直交する方向に上記リードと該リードの側面部に形成された上記第２のモールド樹脂とを切断するリード内蔵型回路パッケージの製造方法。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　直接、回路素子を配置、接続する端子部が、本願発明では「対向する」端子部であるのに対し、引用発明ではその旨特定されていない点。
［相違点２］
　リードと第２のモールド樹脂とを切断する際に、本願発明は「所望の長さとなるように」切断して、「上記リードの長さを変更する」のに対し、引用発明ではその旨特定されていない点。
２−２．相違点についての判断
（１）相違点１について
　アキシャルリードタイプのリードの対向する端子部上に直接、回路素子を配置、接続する技術事項は、例えば引用文献２（段落【００５９】、【００６０】及び図２２を参照。リードフレーム５８の対向する電極端子間にダイオードチップを乗せ、ダイオードチップのアノード電極とカソード電極をリードフレームの各々の電極端子６０上でハンダ付着させる点。）に記載されているように、周知である。
　したがって、引用発明の半導体素子１０、リードフレーム２及びリードフレーム３の接続構造として上記周知の技術事項を採用することで、相違点１に係る構成とすることは当業者にとって適宜なし得たことである。
（２）相違点２について
　リードを所望の長さに切断して、リードの長さを変更する技術事項は、例えば特開平５−３１５４９３号公報（段落【００２３】及び図４を参照。アウターリード４２の切断の際、切断部４２ａの位置を変えることで、アウターリード４２の長さを調節できる点。）及び特開平５−２３７５３号公報（段落【０００２】及び図３（ａ）（ｂ）を参照。同一パッケージで長さが異なるリードの切断方法として、打抜きパンチ２とダイ１の寸法によって切断するリード長さが規制される点。）に記載されているように、周知である。
　したがって、引用発明の「第１の薄層部Ｆ１をＸ方向に切断する際」に、上記周知の技術事項を採用することで相違点２に係る構成とすることは当業者が適宜なし得たことである。
　そして、上記相違点１及び２を総合的に勘案しても、本願発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項の奏する効果から予測できる範囲内のものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
　よって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が容易に想到できたものである。
２−３．小括
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１に記載された発明及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
第６　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法２９条１項３号に該当し、同条第１項の規定により特許を受けることができない。また、仮に相違点が認められるとしても、同条２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。