【事件の表示】
　特許第３１５０１４１号「高周波用チップインダクタ」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５０１４１号の請求項１ないし５に係る特許を維持する。
【理　由】
１，手続の経緯
　  本件特許の出願日　      平成２年８月２４日
　　特許権設定登録　　      平成１３年１月１９日
　　特許異議の申立て（申立人：三浦次郎）
　　　　　　　　　　　      平成１３年９月２６日
　　取消理由通知　　　      平成１４年１月１７日
　　訂正請求　　　　　      平成１４年３月２７日
　　
２，訂正の適否
（訂正の内容）
　特許権者は、特許請求の範囲請求項１について、「絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備えたチップインダクタであって、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリ力、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。」の記載に、「１０００℃以下の温度で同時焼成された」と「単一機能のコイル部品が構成されており、」を追加して、「 絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備え、１０００℃以下の温度で同時焼成されたチップインダクタであって、
　単一機能のコイル部品が構成されており、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリ力、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。」とする訂正を請求し、また、発明の詳細な説明の＜課題を解決するための手段＞において、「（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備えたチップインダクタであって、
　絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリ力、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。」の記載に、「１０００℃以下の温度で同時焼成された」と「単一機能のコイル部品が構成されており、」を追加して、「（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備え、１０００℃以下の温度で同時焼成されたチップインダクタであって、
　単一機能のコイル部品が構成されており、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリ力、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。」とする訂正を請求した。
（訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否）
　願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、「更に、本発明では、1000℃程度以下で焼成可能な低温焼成材料で基板を形成するので、低抵抗ではあるが、焼成温度が低いために、従来アルミナ基板等には使用できなかった、Ag、Ag-Pd、Cu、Au、Pt等を導体材料として使用できる。この為、高周波帯域での使用に際して問題となる表皮効果による抵抗値増加の影響を少なくすることができる。」（明細書第６頁第４〜１１行）、「コイルの導体材料およびコンデンサの電極材料に特に制限はないが、本発明によれば、Au、Ag、Ag-Pd、Cu、Pt等、1000℃程度以下の温度で焼成する必要がある低抵抗の導電性材料を使用することができる。」（明細書第１０頁第２〜６行）、「第１図及び第２図は、本発明のチップインダクタのコイルパターンを示す分解斜視図である。
　１ａ〜１ｃは絶縁体グリーンシート、２ａ〜２ｃは導体パターン、３ａ〜３ｂは、スルーホール部導体を示す。
　第１図のパターンは、各絶縁体グリーンシート（１ａ〜１ｃ）上に、ヘリカル状コイルの一部を分割したパターン（２ａ〜２ｃ）を設け、各層を、スルーホール部導体（３ａ〜３ｂ）で直列に接続したものである。これにより、一体として、基板に対し、縦方向に、ヘリカル状コイルを形成している。　第２図は、絶縁基板の第１層（１ａ）と第３層（１ｃ）に複数の直線状導電体パターンを（２ａ、２ｃ）形成し、各導体パターンを第２層（１ｂ）に設けたスルーホール部導体（３ａ、３ｂ）で直列に接続したものである。
　これにより一体として、基板に対し横方向にヘリカルコイルを形成している。」（明細書第１２頁第１６行〜第１３頁第１４行）が記載されており、これらの記載と第１図及び第２図によれば、特許請求の範囲請求項１において、「１０００℃以下の温度で同時焼成された」と、「単一機能のコイル部品が構成されており、」を追加する訂正は、特許請求の範囲を減縮するものであって、実質上特許請求の範囲を拡張し、変更するものではなく、また、発明の詳細な説明の＜課題を解決するための手段＞における、「１０００℃以下の温度で同時焼成された」と、「単一機能のコイル部品が構成されており、」を追加する訂正は、願書に添付した明細書に記載されている事項を明記したにすぎないものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当しない。
 したがって、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成6年法律第116号）附則第6条第1項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法120条の4第2項及び同条第3項で準用する改正前の同法第126条第2項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
３，特許異議の申立てについての判断
（本件発明）
　本件請求項１〜５に係る発明は、訂正明細書の請求項１〜５に記載された事項により特定される次のとおりのものである（以下、訂正明細書の請求項１〜５に係る発明を「本件請求項１〜５に係る発明」という）。
「（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備え、１０００℃以下の温度で同時焼成されたチップインダクタであって、
　単一機能のコイル部品が構成されており、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリ力、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。
（２）少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１０以下である請求項１の高周波用チップインダクタ。
（３）前記絶縁体基板中におけるガラスの含有率が５０〜７０体積％である請求項１または２の高周波用チップインダクタ。
（４）前記ガラスが、５０〜６５重量％のＳｉＯ２と、５〜１５重量％のＡｌ２Ｏ３と、８重量％以下のＢ２Ｏ３と、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＭｇＯの１〜４種１５〜４０重量％とを含む請求項１〜３のいずれかの高周波用チップインダクタ。
（５）１００ＭＨｚ以上の周波数帯域において使用される請求項１〜４のいずれかの高周波用チップインダクタ。
（申立の理由の概要）
　異議申立人は甲第１号証（特開平２−７４０５号公報、以下「刊行物１」という）、甲第２号証（特開平１−１３２１９４号公報、以下「刊行物２」という）、甲第３号証（特開昭４８−８１０５７号公報、以下「刊行物３」という）及び甲第４号証（特開昭６２−１１３７５８号公報、以下「刊行物４」という）を提出し、本件特許の請求項１〜５に係る発明は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから特許は取り消されるべき旨主張している。
（引用刊行物記載の発明）
　上記刊行物１には、以下の事項が記載されている。
「本発明は、一般に回路基板等に設置されるものであって、層状の誘電体の両側に電極膜がパターン形成され、この外側がシールドされているインダクター及び、バンドパスフィルタ、デュプレクサ等のインダクターを含む複合部品、並びにそれらの製造方法に関する。」（第２頁右上欄第６〜１１行）、「第１図は本発明に係るインダクターを示す外観斜視図、第２図は第１図のII―II線による断面図である。このインダクターは、図示の如く複数の層を積層して直方体形状となっており、最下層の２と最上層の８は、誘電体又は絶縁体からなる厚さが２０〜５０μmのシート状をした保護層である。その内側の３と７は、シールド電極層、４と６は誘電体からなる厚さ１〜１．５mmのシート層、中央部の５は例えばＢａＯ―ＳｉＯ２―ＺｒＯ２系誘電体からなる厚さが２０〜５０μmであるシート状の誘電体層５１，５２，５３，５４，５５，５６を６枚重ね、これらの間に電極膜がパターン形成されてなるインダクター本体である。また、図中１１は入力端子、１２は出力端子である。
　上記インダクター本体５は、第３図に示すように、上から５つの誘電体層５１，…，５５の下面に順次Ｃ形の電極膜パターン５１ａ，…，５５ａが向きを逆にして交互に形成されている。この電極膜パターン５１ａ等は、最上の誘電体層５１に形成してある電極膜パターン５１ａの一端側（図中左側）に設けた入力端子片Ａとは左右方向に順次位置を変えて誘電体層５２，…、５５に貫通させて設けたバイヤホール５２ｂ，…，５５ｂに導電材（図示せず）を充填して上下の電極膜パターン５１ａ等の端部が接続され、前記入力端子片Ａから誘電体層５５に設けた出力端子片Ｂまでが一体的に繋がった螺線状のコイルとなされてある。なお、５７は充填した導電材と、接続すべき下側の電極膜パターンとを確実に接続するための接合用電極である。また、前記入力端子Ａおよび出力端子Ｂとは誘電体層５１等の端面に露出させてあり、インダクターの左右端部に形成した入力端子１１及び出力端子１２と接続されている。」（第３頁左下欄第１７行〜第４頁左上欄第９行）、「第５図は本発明に係るバンドパスフィルタを示す外観斜視図、」（第４頁右下欄第１〜２行）、「先ず、中心周波数が所望の値より高い場合には、シート層２７を厚くする。これによりバンドパスフィルタ本体がシールド電極層２８から離隔するので中心周波数が低下する。これによって第１１図（周波数特性曲線）に示す如く曲線１から曲線３に周波数特性の調整を行なうことができる。」（第６頁右下欄第６〜１１行、この記載中の「第１１図」は、実際は「第１０図」の誤記である。）
　以上の各記載と第１図、第３図及び第１０図によれば、第１図の形状はチップ型の単一インダクタ部品を示しており、また、第１０図には、第１図に示されているインダクタとほぼ同一の構造のインダクタを含む第５図に示されたバンドパスフィルタ複合部品の周波数特性が３００MHz以上であることを示しているから、刊行物１には、ＢａＯ―ＳｉＯ２―ＺｒＯ２からなる誘電体のシート層（本件請求項１〜５に係る発明における「絶縁体基板」に相当する）に、電極膜パターン（本件請求項１〜５に係る発明における「厚膜コイル導体パターン」に相当する）を備えた単一コイルからなる高周波用チップインダクタが記載されている。
　上記刊行物２には、以下の事項が記載されている。
「アルミナ成分３０〜５０重量％及びガラス成分７０〜５０重量％とを含み、かつ該ガラス成分がＳｉＯ２４６〜６０重量％、Ｂ２Ｏ３０．５〜５重量％、Ａｌ２Ｏ３６〜１７．５重量％及びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有し、該アルカリ土類金属酸化物中の少なくとも６０重量％がＳｒＯである絶縁性磁器から成る配線基板」（第１頁左欄第３〜９行）、「本発明は、アルミナ質とガラス質から成る新規な配線基板に関するものである。さらに詳しくいえば、本発明は、１０００℃以下という低温での焼結で得られ、結晶化を容易にコントロールでき、耐マイグレーション性に優れ、低誘電率であり、しかも高強度を有する絶縁性基板に関するものである。」（第１頁左欄第１２〜末行）、「近年、電子応用機器の急激な発展とともに、半導体チップ用の絶縁性配線基板の需要が急激に増大してきている。」（第１頁右欄第２〜４行）、「また、添付図面はガラス成分とアルミナ成分とを含む絶縁性磁器から成る配線基板の誘電率を、ガラス成分中に含まれるＳｒＯとＢａＯとＣａＯの三成分に基づく三元図で示したものである。これからみて、ＳｒＯの割合が多くなるほど誘電率が低下することが明らかであり、本発明の配線基板が誘電率においても優れていることが分る。　
発明の効果
　本発明に従えば、１０００℃以下という低い焼結温度を用いて、結晶化を容易にコントロールでき、耐マイグレーション性に優れ、ＣａＯ系やＢａＯ系のものに比し低誘電率であり、しかも２４００kgf／cm２というアルミナ基板に匹敵する抗折強度等の高強度を有する絶縁性配線基板が得られるので、導体、碍子などの絶縁材、チップ低抗体などの抵抗体、オーバーコート、サーミスターなどの厚膜ペーストとの同時焼成による各種電子装置の製造に好適に利用することができ、これらの工業的な生産に大きなメリットをもたらすことができる。」（第３頁左下欄第３行〜同右下欄第１行）、「各参考例で得たガラス試料を粗粉砕後、ボールミルで２４時間微粉砕し、平均粒径２μmのガラス粉末を調製した。次にこのガラス粉末とアルミナ粉末（平均粒径１．５μm）とを、第４表に示す割合で混合し、水を加えてペースト化し、ドクターブレードで厚さ０．５ｍｍに展延し、シート状に成形後、第４表に示す温度で０．５時間焼成し、配線基板を作成した。」（第６頁左上欄第９〜１６行）
　これらの記載と第１〜４表及び添付図面とによれば、添付図面には誘電率（比誘電率）が最大で７．６の値が示されているから、刊行物２には、平均粒径が１．５μmのアルミナ成分（本件請求項１〜５に係る発明における「セラミック骨材」に相当する）を３０〜５０重量％、平均粒径が２μmのガラス成分を７０〜５０重量％含み、かつ、その内のガラス成分は、ＳｉＯ２４６〜６０重量％、Ｂ２Ｏ３０．５〜５重量％、Ａｌ２Ｏ３６〜１７．５重量％及びアルカリ土類金属酸化物２５〜４５重量％の組成を有し、全体の比誘電率が８以下であり、焼成温度が１０００℃以下である低温焼成誘電体材料で形成された、導体や抵抗体、サーミスターなどと同時焼成ができる電子応用機器の絶縁性配線基板が示されている。
　刊行物３には、「本発明は受動素子としてのコイルを内部上下方向に有するセラミックプリント基板に関する。」（第１頁右欄第１０〜１１行）、「上記セラミックとしてはアルミナ・フォルステライト、ステアタイト、ベリリアまたはフェライト等の絶縁特性のすぐれたセラミック材料から基板の用途に照して適当なものを選択すればよい。つぎに上記基板素材６をそのセラミックの焼成条件にて加熱する。例えばアルミナセラミックの場合は１６００〜１７００℃で還元性雰囲気下で焼成する。」（第２頁右下欄第８〜１５行）というような記載があり、これらの記載及び第２〜４図によれば、同刊行物には、焼成温度が１６００℃〜１７００℃の高温焼成誘電体を基板材料に用いたインダクタ部品が記載されている。
　刊行物４には、「本発明は、特に電子工業用部品に適し、その他耐熱工業部品、食器、厨房部品、装飾品などに用いられる低温焼成セラミックスに関する。」（第１頁左欄第１７〜末行）、「そのＢＥＴ比表面積が４．０m２／g以上の粒度を有するガラス粉末４０〜５０％と、アルミナ粉末６０〜５０％とを用いて低温焼成して得られた低温焼成セラミックスである。」（第２頁左上欄末行〜右上欄第３行）というような記載があり、これらの記載と表１によれば、同刊行物には、ガラス粉末４０〜５０％と、アルミナ粉末（本件請求項１〜５に係る発明における「セラミック骨材」に相当する）６０〜５０％とを用いて１０００℃以下の低温で焼成を行って得られた電子工業部品等に用いられる低温焼成セラミックスについて記載されている。
　（対比・判断）
　本件請求項１に係る発明と上記刊行物１記載の発明とを比較すると、両者は、「絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備え、焼成されたチップインダクタであって、前記絶縁体基板が誘電体材料で形成され、単一機能のコイル部品が構成された、高周波用チップインダクタ。」という点で一致する。しかしながら、本件請求項１に係る発明が、「絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを１０００℃以下で低温同時焼成して形成されたものであり、前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリ力、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上であり、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率は１５以下」であるものに対して、刊行物１には、それらが示されていない点で、両者は相違する。
　一方、上記刊行物２には、上述したように、平均粒径が１．５μmのアルミナ成分（本件請求項１〜５に係る発明における「セラミック骨材」に相当する）を３０〜５０重量％、平均粒径が２μmのガラス成分を７０〜５０重量％含み、全体の比誘電率が８以下であり、焼成温度が１０００℃以下である低温焼成誘電体材料で形成された、導体や抵抗体、サーミスターなどと同時焼成ができる電子応用機器の絶縁性配線基板が示されているので、同刊行物には、前記本件請求項１〜５に係る発明と刊行物１に記載の発明との相違点である、前記「絶縁体基板が粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを１０００℃以下で低温同時焼成して形成されたものであり、前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリ力、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上であり、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率は１５以下である」点は示されている。しかしながら、刊行物２に記載のものは、抵抗体などの部品を搭載する電子応用機器の絶縁性配線基板に関する発明であり、単一機能のコイル部品、あるいはチップインダクタの基板に関するものではない。本件請求項１に係る発明におけるチップインダクタの基板と刊行物２記載の発明における配線用の基板とは、その目的・用途が全く異なるものであり、また、その属する技術分野も大きく異なっているから、刊行物２記載の発明を刊行物１記載の発明に組み合わせることが、当業者にとって容易であるとすることはできない。また、上記刊行物３記載の発明は、インダクタに関するものであるが、使用されている誘電体基板は従来の高温焼成型であり、また、刊行物４記載の発明は、セラミック骨材とガラスとを組み合わせた低温焼成型のセラミックスに関するものであるが、チップインダクタの基板として用いる点についての記載または示唆は示されていない。
　よって、本件請求項１に係る発明は、上記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　また、本件請求項２〜５に係る発明は、本件請求項１を引用した発明であって、本件請求項１に係る発明が上記刊行物１〜４に記載された発明から容易に想到し得たものとすることができない以上、本件請求項２〜５に係る発明も、上記刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。
　
　４，むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１〜５に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるとすることはできない。また、他に本件請求項１〜５に係る発明の特許を拒絶する理由を発見できない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年６月６日（２００２．６．６）
【訂正の要旨】
（１）特許請求の範囲の請求項１に係る記載
「（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備えたチップインダクタであって、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され．少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリカ、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。」
を、
「（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備え、１０００℃以下の温度で同時焼成されたチップインダクタであって、単一機能のコイル部品が構成されており、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下てあり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリカ、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。」
と訂正する。
（２）特許公報第２頁第４欄第２５行〜第３７行の記載
「（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備えたチップインダクタであって、
　絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリカ、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上でる高周波用チップインダクタ。」
を
「（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備え、１０００℃以下の温度で同時焼成されたチップインダクタであって、
　単一機能のコイル部品が構成されており、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリカ、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
高周波用チップインダクタ
（５７）【特許請求の範囲】
（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備え
、１０００℃以下の温度で同時焼成された
　
単一機能のコイル部品が構成されており、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリカ、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。
（２）少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１０以下である請求項１の高周波用チップインダクタ。
（３）前記絶縁体基板中におけるガラスの含有率が５０〜７０体積％である請求項１または２の高周波用チップインダクタ。
（４）前記ガラスが、５０〜６５重量％のＳｉＯ２と、５〜１５重量％のＡｌ２Ｏ３と、８重量％以下のＢ２Ｏ３と、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＭｇＯの１〜４種１５〜４０重量％とを含む請求項１〜３のいずれかの高周波用チップインダクタ。
（５）１００ＭＨｚ以上の周波数帯域において使用される請求項１〜４のいずれかの高周波用チップインダクタ。
【発明の詳細な説明】
　＜産業上の利用分野＞
　本発明は、インダクタ、特に高周波用のチップインダクタに関する。
　＜従来の技術＞
　高周波用に用いるチップインダクタとしては、従来、高周波用に改良されたバルク体フェライトコアに巻線したチップインダクタや非磁性コアに巻線した空芯チップインダクタが使用されている。
　フェライトコアを使用するチップインダクタは、空芯チップインダクタに較べコア材の比透磁率が大きいため、コイル巻線を少なくできるので小型化が一般に可能である。しかしながら、高周波用に用いる場合には、コイル巻線を流れる高周波電流がμｒｅｆｆ（フェライトコアの巻線が実効的に受ける比透磁率）とεｒｅｆｆ（巻線が、フェライトコア、及び保護等の目的でチップインダクタの外装用にモールドされる樹脂等から実効的に受ける比誘電率）により、下記式に示す波長短縮効果を受けるため、例えば１００ＭＨｚ、特に３００ＭＨｚ以上の高周波帯域ではインダクタとして機能しなくなる。
　式λｇ＝λ０／（εｒｅｆｆ・μｒｅｆｆ）１／２一般的にフェライトの透磁率は周波数特性を有し、１００ＭＨｚ以上の高周波帯においてはインダクタのＱを劣化させる磁気損失が増加するため、そのような帯域で使用することには不向きである。このため、従来、フェライトコアを用いる場合には、透磁率を下げてその周波数特性を広帯域化させるように改良したフェライト材料を使用して、高周波化をはかっていた。しかし、５００ＭＨｚ以上の周波数では、透磁率の低下と磁気損失の増加とは避けられないものであった。
　一方、非磁性コアを用いた空芯チップインダクタの場合は、巻線が受ける実効比透磁率は１であり、実効比誘電率は上記フェライトコアを使ったチップインダクタと同等としても巻線を流れる高周波電流の波長短縮の影響は多少小さくなり、かつフェライトコアのような磁気の周波数特性を持たないため、インダクタとしての周波数特性は良好となる。しかし、必要なインダクタンス値を得るためには、フェライトコアを使用した場合に比べコイル巻線の巻回数を増やすか、あるいはコア径を大きくする必要があり、フェライトコアを使ったインダクタよりチップ部品としての小型化が困難であった。
　更に、高周波用チップインダクタではコイル巻線間に起因する浮遊容量（ストレー・キャパシタンス）が無視できなくなるため、小型化のためにコイル巻線をフェライトコア、または非磁性コアに緻密に巻き付けるとインダクタンス値により自己共振が比較的低周波側（例えば１ＧＨｚ以下の帯域）で発生してしまう。従って、前記の様なチップインダクタは１ＧＨｚ帯域程度の高周波域ではインダクタとして機能しなくなるという問題点があった。
　その上、フェライトコアあるいは非磁性コアのいずれを用いたインダクタでも、インダクタンス値の調整は、使用するコア径とコイル巻線の巻数により調整を行っているが、Ｅ２４系（ＪＩＳ規格）のようにインダクタンス値を細かくシリーズ化させる場合には、コイル巻線の巻回数を無段階に制御するか径の異なるコアを複数設ける必要があり、量産時はインダクタンス値の設定により複雑な工程を伴うという問題があった。
　他方、従来のチップインダクタとして、特開昭５５−９１８０４号公報に示されるごとく、フェライト薄板にスルーホールを設け、このスルーホールを通してコイルパターンを設けたチップインダクタも知られている。しかしながら、このようなグリーンシート法によるフェライト素材を用いたチップインダクタでは、材料の周波数特性の制約から従来１００ＭＨｚ以上の周波数で使用できるものはなかった。また、アルミナ等を用いて、仮りに、同様なチップインダクタを構成した場合も、アルミナの焼成温度が高いことから、使用できる導体材料は導電率の低いタングステン・モリブデン等に限られてしまうため、インダクタの高Ｑ化を図ることができなかった。
　＜発明が解決しようとする課題＞
　本発明の目的は、高周波帯（例えば１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ帯）で使用可能であり、小型であり、極めて良好な周波数特性を示し、高Ｑであるチップインダクタを提供することである。
　＜課題を解決するための手段＞
　このような目的は下記（１）〜（５）のいずれかの構成により達成される。
（１）絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備え
、１０００℃以下の温度で同時焼成された
　
単一機能のコイル部品が構成されており、
　前記絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１５以下であり、
　前記絶縁体基板が、粒径が１〜８μｍのセラミック骨材と粒径が０．１〜５μｍのガラスとを低温焼成して形成されたものであり、
　前記セラミック骨材は、アルミナ、マグネシア、スピネル、シリカ、フォルステライト、ステアタイトおよびジルコニアから選択される１種または２種以上である高周波用チップインダクタ。
　（２）　少なくとも前記厚膜コイル導体パターン付近の前記絶縁体基板の比誘電率が１０以下である上記（１）の高周波用チップインダクタ。
　（３）　前記絶縁体基板中におけるガラスの含有率が５０〜７０体積％である上記（１）または（２）の高周波用チップインダクタ。
　（４）　前記ガラスが、５０〜６５重量％のＳｉＯ２と、５〜１５重量％のＡｌ２Ｏ３と、８重量％以下のＢ２Ｏ３と、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＭｇＯの１〜４種１５〜４０重量％とを含む上記（１）〜（３）のいずれかの高周波用チップインダクタ。
　（５）　１００ＭＨｚ以上の周波数帯域において使用される上記（１）〜（４）のいずれかの高周波用チップインダクタ。
　＜作用および効果＞
　本発明の高周波用チップインダクタは、絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成されており、少なくとも厚膜コイル導体パターン付近の絶縁体基板の比誘電率が所定値以下である。これにより、従来のフェライトコアに巻線をしたインダクタに比べ、実効比透磁率（μｒｅｆｆ）が１となり、また実効比誘電率（εｒｅｆｆ）も低下させることができる。そもそもフェライトコアに巻線を行うインダクタの場合、フェライトに導線を巻きつけた後、樹脂等で巻線部を含めて外装モールドを行うため、特にその樹脂等による巻線に対する実効比誘電率の上昇が心配されるが、本発明では、それらの材料定数による前記式に示される波長短縮効果の影響を低下させることができる。従って、本発明の高周波用チップインダクタは、例えば１００ＭＨｚ以上、更には３００ＭＨｚ程度以上、１ＧＨｚ程度までの帯域でインダクタとして十分な機能を示す。
　また、高周波信号の波長短縮の影響が小さくなるので、所望のインダクタンス値の設計が容易となる。
　更に、インダクタの厚膜コイル導体パターン付近の基板の誘電率を低下させたことは、インダクタ内で複数巻かれるコイル導体パターン間の浮遊静電容量を低減させるため、インダクタ自身の自己共振周波数を１ＧＨｚ以上の高周波側へシフトさせることが可能となり、インダクタとして使用できる高周波帯での帯域を広くすることが可能となる。
　また、コア材料としてのフェライトは、１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚあるいはそれ以上の帯域では周波数の上昇とともに材料定数である比透磁率が低下してゆき、更にインダクタとしてのＱを劣化させる磁気損失が増加するため、上記周波数帯ではフェライトコアによるインダクタは一般的に適していない。また、フェライト自身の比誘電率はだいたい１０１〜１５程度にある。従って、本発明で使用される絶縁体基板で厚膜コイル導体パターン付近の基板の比誘電率は高くても１５以下、好ましくは１０以下でなくては、フェライトを使った時よりも明瞭な効果が得られにくい。
　更に、本発明では、１０００℃以下で焼成可能な低温焼成材料で基板を形成するので、低抵抗ではあるが、焼成温度が低いために、従来アルミナを使った多層基板等には使用できなかったＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ等を導体材料として使用できる。このような低抵抗の導体材料を使用することにより、高周波帯域での使用に際して問題となる表皮効果（高周波電流が導体の表面付近に集中して流れる現象）による高周波実抵抗値の増加を抑えることができる。
　また、コアに巻線するインダクタと異なり厚膜コイル導体パターンによりインダクタンスを発生するため、インダクタンス調整のための多数のコアを用意する必要はなく、また外装モールドの必要がないためモールド用の樹脂金型も不要である。
　さらに、本発明で用いる基板は磁性体ではないため比透磁率は１でありその周波数特性の影響は受けないが、比誘電率が低いことによりインダクタを構成する厚膜コイル導体間の浮遊容量の発生を小さくすることができるため、インダクタの見掛けのインピーダンス｛１／（１／ωＬｏ−ωＣｐ）Ｌｏ：インダクタの持つ本来のインダクタンス値、Ｃｐ：厚膜コイル導体間に発生する浮遊容量、ω：角周波数、但し、導体パターンの高周波実抵抗は無視｝の浮遊容量（Ｃｐ）による周波数特性の非直線性を低下させることができ、広帯域にわたって（Ｘ≒ωＬｏ）直線性の良好な周波数特性が得られる。
　これらに加え、チップインダクタの強度もきわめて高い。
　＜具体的構成＞
　以下、本発明の具体的構成を詳細に説明する。
　本発明に係わる高周波用チップインダクタは、絶縁体基板と、この絶縁体基板に設けられた厚膜コイル導体パターンとを備える。本発明では、絶縁体基板が低温焼成誘電体材料で形成され、少なくとも厚膜コイル導体パターン付近の絶縁体基板の比誘電率が１５以下、好ましくは１０以下である。なお、この比誘電率は、本発明のチップインダクタの使用周波数帯域（通常、１００ＭＨｚ〜１ＧＨｚ）における値である。基板の誘電率をこのような範囲とするのは、下記の理由による。
　高周波帯域でチップインダクタを使用する場合、信号である高周波電流がインダクタ内のコイル導体中でその波長による影響を受けないようにするためには、コイルパターンを構成する導体の長さが前記高周波信号の波長の１／８程度以下、好ましくは１／１０程度以下とする必要がある。
　ところが、コイルパターンを構成する導体付近の基板の誘電率に依存して、前記高周波信号は波長短縮の効果を受ける。このため、磁気的周波数特性を持たない非磁性誘電体をチップインダクタの基板として使用する場合に、高誘電率の基板を用いると、著しく導体を短くしなければ前記信号の波長短縮による影響を防ぐことはできない。しかし、コイル導体の長さが余り短くなると、必要とされるチップインダクタとしてのインダクタンス値を得るためのコイルの巻線等のパターンニングが自由にできなくなる。
　しかし、低誘電率の基板を用いれば、コイル導体の長さをそれほど短くしなくても前記高周波信号の波長短縮による影響を低下させることができるため、コイル導体パターンの形成が前記基板に比べ、自由になる。本発明が適用される１ＧＨｚ程度までの帯域では、チップインダクタのインダクタンス値は、例えば３０ｎＨ程度以下で、その程度のインダクタンスが上記の様な問題を生じない比誘電率の上限が１５であることが判明した。
　更に、上記周波数帯ではフェライトによるインダクタは一般的に適していないが高周波用に改良されたフェライトを考慮した場合、フェライト自身の比誘電率はだいたい１０〜１５程度にあるため、本発明で使用される絶縁体基板で厚膜コイル導体パターン付近の基板の比誘電率は少なくとも１５以下でなくてはフェライトを使ったときよりも明瞭な効果が得られにくく、上記基板の比誘電率としては１０以下が良好であった。また、インダクタの基板の比誘電率を１５以下とすることにより、インダクタ内の複数のコイル導体間に発生する浮遊容量が低下するため、インダクタ自身の自己共振周波数を使用周波数より高周波側（例えば１ＧＨｚ以上の帯域）にでき、また、使用周波数帯において浮遊容量の影響の少ない直線性の良好なインピーダンスの周波数特性が得られた。
　なお、基板の誘電率は、ＪＩＳ　Ｃ　２１４１やキャビティを用いる共振法に基づいて測定すればよい。
　基板の構成材料に制限はないが、上記比誘電率を実現し、また、後述するような低温にて焼成可能とするためには、セラミック骨材とガラスとのコンポジット構造であることが好ましい。セラミック骨材には特に制限はなく、目的とする比誘電率（εｒ）や焼成温度等に応じ、例えば、アルミナ（εｒ≒１０）、マグネシア（εｒ≒９）、スピネル（εｒ≒９）、シリカ（εｒ≒４）、フォルステライト（εｒ≒６）、ステアタイト（εｒ≒６）、ジルコニア（εｒ≒１０）等から１種類以上を適宜選択すればよい。なお、かっこ内のεｒは、各材料の上記使用周波数帯域での比誘電率のおおよその値である。従って、これらの骨材を用いた基板の比誘電率の下限は、通常は４程度、特に５程度である。
　基板中におけるガラスの含有率は、５０体積％以上、特に６０〜７０体積％であることが好ましい。ガラスの含有率が前記範囲未満であると、コンポジット構造となりにくく、強度および成形性が低下し、また、後述するような低温焼成が困難となる。
　本発明で用いるガラスとしては、セラミック骨材と同等程度の比誘電率を有する、ホウケイ酸ガラス、鉛ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリウムカリウム、ホウケイ酸カルシウムガラス酸、ホウケイ酸ストロンチウムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス等の一般にガラスフリットとして用いられているものが挙げられ、特に鉛ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ストロンチウムガラス等が好適である。そして、ガラス組成としては、ＳｉＯ２：５０〜６５重量％、Ａｌ２Ｏ３：５〜１５重量％、Ｂ２Ｏ３：８重量％以下、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯおよびＭｇＯの１〜４種：１５〜４０重量％、ＰｂＯ：３０重量％以下が好ましい。
　なお、上記組成には、さらにＢｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２およびＹ２Ｏ３から選ばれる１種以上が５重量％以下含有されていてもよい。
　このようなセラミック骨材とガラスとを含有する基板材料は低温焼成が可能であり、コイルの導体やコンデンサ電極と同時焼成することができる。
　コイルの導体材料およびコンデンサの電極材料に特に制限はないが、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｐｔ等、１０００℃程度以下の温度で焼成する必要がある低抵抗の導電性材料を使用することが好ましい。
　コイルの導体パターンに特に制限ななく、例えばスパイラル状やヘリカル状等いずれであってもよい。コイルのインダクタンス値はコイル導体の巻数、およびコイル導体で囲まれた部分の開口面積によって所望の値に設定することができる。
　本発明のチップインダクタの製造方法には特に制限はなく、絶縁体グリーンシート上に導体パターンを形成し積層するグリーンシート法や、絶縁体ペーストと導体ペーストとを交互に厚膜印刷する印刷多層法等を用いる事ができる。但し、本発明のチップインダクタでは浮遊容量の増加を防止するためにコイルパターンの層間を適当に大きくとる必要があり、層間を簡易安定に形成できるグリーンシート法が好ましい。
　グリーンシート法では、まず、基板材料となるグリーンシートを作製する。前述した基板構成材料、すなわち、セラミック骨材の粒子およびガラスのフリットを混合し、これにバインダー、溶剤等のビヒクルを加え、これらを混練してペースト（スラリー）とし、このペーストを用いて、例えばドクターブレード法、押し出し法等により、好ましくは０．１〜１．０ｍｍ程度の厚さのグリーンシートを所定枚数作製する。
　この場合、ガラスの粒径は、０．１〜５μｍ、セラミック骨材粒子の粒径は１〜８μｍである。
　ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポリビニルブチラールや、メタクリル樹脂、ブチルメタアクリレート等のアクリル系樹脂等のバインダー、テルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤、その他各種分散剤、活性剤、可塑剤等から、目的に応じて適宜選択すればよい。
　次に、パンチングマシーンや金型プレスを用いて、グリーンシートに必要に応じてスルーホールを形成する。その後、導体ペーストを各グリーンシート上に、例えばスクリーン印刷法により１０〜３０μｍ程度の厚さに印刷し、コイル導体パターンを形成するとともにスルーホール内に充填する。このような導体ペーストは、前記したような導電性粒子とガラスフリットとを混合し、これに前記と同様のビヒクルを加え、これらを混練してスラリー化することにより作製することが好ましい。なお、導電性粒子の含有率は、８０〜９５重量％程度であることが好ましい。また、導電性粒子の平均粒径は、０．０１〜５μｍ程度であることが好ましい。焼成後の導体や電極の厚さは、通常、５〜２０μｍ程度である。
　第１図及び第２図は、本発明のチップインダクタのコイルパターンを示す分解斜視図である。１ａ〜１ｃは絶縁体グリーンシート、２ａ〜２ｃは導体パターン、３ａ〜３ｂは、スルーホール部導体を示す。
　第１図のパターンは、各絶縁体グリーンシート（１ａ〜１ｃ）上に、ヘリカル状コイルの一部を分割した導体パターン（２ａ〜２ｃ）を設け、各層を、スルーホール部導体（３ａ〜３ｂ）で直列に接続したものである。これにより、一体として、基板に対し、縦方向に、ヘリカル状コイルを形成している。
　第２図は、絶縁体基板の第１層（１ａ）と第３層（１ｃ）に複数の直線状導体パターン（２ａ、２ｂ）を形成し、各導体パターンを第２層（１ｂ）に設けたスルーホール部導体（３ａ、３ｂ）で直列に接続したものである。これにより一体として、基板に対し横方向にヘリカルコイルを形成している。
　パターンニングは、この他スパイラル状の導体パターンを内部層となるグリーンシート上に設けても良い。しかし、高いインダクタンスとチップの小型化を図る点では、第１図に示す、縦形のヘリカルパターンが好ましい。
　次に、各グリーンシートを重ね合わせ、約４０〜１２０℃、５０〜１０００Ｋｇｆ／ｃｍ２程度で熱プレスし、グリーンシートの積層体とする。
　尚、チップインダクタの表面には、コイルパターンが露出しない事がマイグレーション及び、部品実装時の半田の付着をさける等の点で好ましく最外層には導体パターンのないグリーンシート層を設けることが好ましい。
　次いで、必要に応じ脱バインダー処理、切断用溝の形成等を行なう。
　その後、導体ペーストが印刷されたグリーンシートの積層体を、下記の条件で同時焼成する。焼成温度は、１０００℃以下、好ましくは８００〜１０００℃程度、さらに好ましくは８５０〜９００℃程度である。焼成時間は、１〜３時間程度、最高温度での保持時間は、１０〜１５分間程度が好ましい。焼成雰囲気としては、空気、Ｏ２、あるいはＮ２等の不活性ガス等を挙げることができるが、特に、簡易で、低コストであるという点で空気が好ましい。ただし、導電体材料としてＣｕを用いるときには、不活性ガス中で焼成することが好ましい。
　この後、端子電極を、厚膜印刷焼成、めっき等の手法で形成する。
　＜変形例＞
　本発明では、以上の他にも種々の変形例が可能である。
　（Ａ）第１図、第２図では、各グリーンシートにスルーホール充填、導体印刷後に積層を行っているが、これに替えて、第３図に示す如く、絶縁体グリーンシート（１ａ、１ｂ、１ｃ）をスタックし積層体（４）とした後、両面貫通スルーホール（３）を形成して、その後、導体ペースによるスルーホール充填、パターン（２）印刷を行うこともできる。また更に、焼成した絶縁体ブロックを用い、その周囲を周回するコイルパターンを厚膜印刷形成する事も適用可能である。
　（Ｂ）また、最外層を、グリーンシートによる絶縁層で設けるかわりに、オーバーグレーズガラス焼付や、樹脂コートにより、表面の導体パターンを被覆する事もできる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は、本発明のコイルパターン構成を示す分解斜視図である。
　第２図は、本発明の他のコイルパターン構成を示す分解斜視図である。
　第３図は、本発明の他の例の製造方法を示す斜視図である。
符号の説明
　１ａ、１ｂ、１ｃ……絶縁体グリーンシート
　２、２ａ、２ｂ、２ｃ……導体パターン
　３、３ａ、３ｂ……スルーホール
　４……グリーンシート積層体