【事件の表示】
　特許第３１１７８３６号「集束イオンビーム装置」の請求項１ないし１１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１１７８３６号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１１７８３６号は、平成５年３月２日に特許出願され、平成１２年１０月６日に特許権の設定登録がされた。その後、異議申立人田中旭により請求項１〜１１に係る特許について特許異議の申立てがされ、請求項１〜３，６，７、９〜１１に係る特許について取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年１２月２８日に訂正請求がされている。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正の内容
　平成１３年１２月２８日付訂正請求書による訂正の内容は次のとおりである。
ア．特許請求の範囲の請求項１の「前記試料表面の前記液体金属イオンビームの照射により性質の変化した領域をスパッタエッチングする気体イオンビーム照射装置とが、」という記載を、明りょうでない記載の釈明あるいは減縮を目的として、「前記試料表面への前記液体金属イオンビームの照射に伴ってイオン注入されたことにより性質の変化した領域をスパッタエッチングする気体イオンビーム照射装置とが、」に訂正する。
イ．特許請求の範囲の請求項６の「前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射する工程よりなり、」という記載を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射することにより先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去する工程よりなり、」に訂正する。
ウ．特許請求の範囲の請求項７を削除する。
エ．特許請求の範囲の請求項９の「前記試料表面の前記液体金属イオンビームの照射位置に金属を堆積する」という記載を、明りょうでない記載の釈明あるいは減縮を目的として、「前記試料表面の前記液体金属イオンビームの照射によりイオンが注入され性質の変化した領域に金属を堆積する」に訂正する。
オ．特許請求の範囲の請求項１１の「前記収束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行うことによって試料に注入されたイオンの分布する領域を、」を、明りょうでない記載の釈明あるいは減縮を目的として、「前記収束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行うことによって試料に注入されたイオンにより性質の変化した領域を、」に訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記訂正事項アのうち「前記試料表面の」という記載を「前記試料表面への」とする訂正は、「前記試料表面の」という用語が「イオンビームの照射」に係るのか「性質の変化した領域」に係るのか不明瞭であったものを、「前記試料表面への」とすることにより「イオンビームの照射」に係ることを明りょうにしたものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。また、上記訂正事項アのうち「前記液体金属イオンビームの照射により性質の変化した領域」を「前記液体金属イオンビームの照射に伴ってイオン注入されたことにより性質の変化した領域」とする訂正は、性質の変化した領域の内容を明りょうにするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、特許明細書に「気体元素のイオンビーム１２は、試料５の表面を微細に除去するためのものではなく、液体金属のイオンビーム１１の試料５への照射により、照射された試料５の所定領域の表面がイオン注入され、そして変質したその極表面部分を、さらにスパッタリングにより深く除去するものである。」（特許公報第４頁左欄第３７〜４２行）と記載されているから、明細書に記載した事項の範囲内のものであり、また、特許請求の範囲を実質上拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項イは「イオンビームで照射する工程」を「イオンビームで照射することにより先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去する工程」と訂正するもので、イオンビームで照射することにより行う加工内容を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして、特許明細書には「気体元素のイオンビーム１２は、試料５の表面を微細に除去するためのものではなく、液体金属のイオンビーム１１の試料５への照射により、照射された試料５の所定領域の表面がイオン注入され、そして変質したその極表面部分を、さらにスパッタリングにより深く除去するものである。」（特許公報第４頁左欄第３７〜４２行）と記載されているから、明細書に記載した事項の範囲内のものであり、また、特許請求の範囲を実質上拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項ウは請求項７を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするもので、新規事項の追加には該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項エは「前記液体金属イオンビームの照射位置に金属を堆積する」を「前記液体金属イオンビームの照射によりイオンが注入され性質の変化した領域に金属を堆積する」と訂正するもので、金属を堆積する場所を明りょうにするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、特許明細書には「そのＧａイオンが注入されている領域全体をＡｒビームで照射すると同時にガス吹き出しノズルよりガスリザーバーに蓄えられているタングステンヘキサカルボニルをＡｒビーム照射部分に局所的に吹き付け、タングステンを堆積させる。」（特許公報第５頁左欄第１０〜１５行）と記載されているから、明細書に記載した事項の範囲内のものであり、また、特許請求の範囲を実質上拡張又は変更するものではない。
　
　上記訂正事項オは「試料に注入されたイオンの分布する領域」を「試料に注入されたイオンにより性質の変化した領域」と訂正するものであり、高融点金属を堆積させて覆う領域の内容を明りょうにするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして、特許明細書には「そのＧａイオンが注入されている領域全体をレーザービーム（１８）で照射すると同時にガス吹き出しノズルよりガスリザーバーに蓄えられているタングステンヘキサカルボニルをレーザービーム照射部分に局所的に吹き付け、タングステンを堆積させる。」（特許公報第５頁左欄第３１〜３５行）と記載されているから、明細書に記載した事項の範囲内のものであり、また、特許請求の範囲を実質上拡張又は変更するものではない。
　
２−３．むすび
　以上のとおりであるから、上記各訂正は、特許法第１２０条の４第２項、並びに同条第３項で準用する第１２６条第２項及び第３項の規定に適合しているので、訂正を認める。
　
３．特許異議申立てについて
３−１．異議申立て理由の概要
　特許第３１１７８３６号の請求項１〜１１に係る発明は、甲第１号証（特開平５−１５９８１号公報、以下、「刊行物１」という）、甲第２号証（特開昭５４−３４７５号公報、以下、「刊行物２」という）、甲第３号証（特開平４−３７３２１５号公報、以下、「刊行物３」という）、甲第４号証（特開平４−１１６８４３号公報、以下、「刊行物４」という）、甲第５号証（特開平４−３４３０４０号公報、以下、「刊行物５」という）、甲第６号証（特開平３−７７３２３号公報、以下、「刊行物６」という）、甲第７号証（特開平５−２８９５０号公報、以下、「刊行物７」という）、甲第８号証（特開昭６３−２１１６２０号公報、以下、「刊行物８」という）、甲第９号証（特開昭５９−１６３５０５号公報、以下、「刊行物９」という）、甲第１０号証（特開昭６４−４２８２２号公報、以下、「刊行物１０」という）、甲第１１号証（特開平２−２４８０４２号公報、以下、「刊行物１１」という）、甲第１２号証（特開平３−１６３８２５号公報、以下、「刊行物１２」という）、甲第１３号証（特開昭６２−２２９９５６号公報、以下、「刊行物１３」という）、甲第１４号証（日本学術振興会荷電粒子ビームの工業への応用第１３２委員会第１０１回研究会資料（62.11.13〜14），p.40-45、以下、「刊行物１４」という）、甲第１５号証（精密工学会誌53/6/1987，p.15-18、以下、「刊行物１５」という）、甲第１６号証（月刊Semiconductor　Worid　1987.9，p.27-32、以下、「刊行物１６」という）の刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものであり、当該特許は特許法第１１３条第２号の規定により取り消されるべきものである。
　
３−２．本件発明
　上記「２．訂正の適否についての判断」で示したように訂正が認められるから、本件特許の請求項１〜１０に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載によれば、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された次のとおりのものである。（以下、「本件発明１」〜「本件発明１０」という。）
【請求項１】（本件発明１）
　十分に集束された液体金属のイオンビームを試料の所定領域を繰り返し走査しながら照射する液体金属イオンビーム照射装置と、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームを照射し、前記試料表面への前記液体金属イオンビームの照射に伴ってイオンの注入されたことにより性質の変化した領域をスパッタエッチングする気体イオンビーム照射装置とが、同一試料室に装備されており、かつ前記液体金属のイオンビームと前記気体元素のイオンビームの照射位置が前記試料表面上の略同一位置に照射するように配置されていることを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項２】（本件発明２））
　前記気体元素イオンビームのイオンビーム径が、前記液体金属イオンビームのイオンビーム径よりも大きいことを特徴とする請求項1記載の集束イオンビーム装置。
【請求項３】（本件発明３）
　前記気体元素イオンビームのイオン種はＡｒイオン、酸素イオン、酸素ラジカルのいずれかであることを特徴とする請求項１または２記載の集束イオンビーム装置。
【請求項４】（本件発明４）
　前記気体元素イオンビームを試料に照射するときに、前記試料の所定領域の材質と反応する反応ガスを前記試料所定領域に吹付けるノズルを持つことを特徴とする請求項1から３のいずれかに記載の集束イオンビーム装置。
【請求項５】（本件発明５）
　前記反応ガスは、前記集束イオンビームのイオン種がＧａイオンの時、塩素ガスであることを特徴とする請求項４に記載の集束イオンビーム装置。
【請求項６】（本件発明６）
　十分に集束された液体金属のイオンビームを試料表面の所定領域に繰り返し走査しながら照射して、イオンスパッタにより、前記試料の所定領域を除去する工程と、前記試料の所定領域より広い領域を、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射することにより先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去する工程よりなり、前記気体元素のイオンビーム径は、前記液体金属イオンのイオンビーム径よりも大きいことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。
【請求項７】（本件発明７）
　前記気体元素のイオンビームを試料に照射する時に、前記試料の所定領域の材質と反応する反応ガスをノズルで前記領域に吹きつける請求項６又は７記載の集束イオンビーム加工方法。
【請求項８】（本件発明８）
　十分に集束された液体金属のイオンビームを試料の所定領域を繰り返し走査しながら照射する液体金属イオンビーム照射装置と、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームを照射する気体イオンビーム照射装置と、金属有機化合物蒸気を前記試料の所定領域に吹き付ける有機金属蒸気吹き付け装置とが、同一試料室に装備されており、かつ液体金属のイオンビームと気体元素のイオンビームの照射位置が前記試料表面の略同一位置に照射するように配置されていて、前記金属有機化合物蒸気と気体元素イオンビームを同時に照射することによりイオンビームアシストＣＶＤ法により前記試料表面の前記液体金属イオンビームの照射によりイオンが注入され性質の変化した領域に金属を堆積することを特徴とする集束イオンビーム装置。
【請求項９】（本件発明９）
　前記金属有機化合物蒸気はタングステンヘキサカルボニルであり、前記金属はタングステンであることを特徴とする請求項９記載の集束イオンビーム装置。
【請求項１０】（本件発明１０）
　十分集束されたＧａなどのイオンビームを照射する装置と、レーザーや電子などのエネルギービームを照射する装置と、前記エネルギービーム照射により高融点金属膜付けを行うための化合物ガスを吹き付ける装置とを同一試料室に装着し、前記試料に、前記集束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行うことによって試料に注入されたイオンにより性質の変化した領域を、前記化合物ガスを吹き付けながら前記エネルギービームを照射して高融点金属を堆積させて覆うことを特徴とする集束イオンビーム装置。
　
３−３．刊行物記載の発明
（１）刊行物１（特開平５−１５９８１号公報、甲第１号証）
　刊行物１には、次の記載がある。
（ア）「集束イオンビーム（Focused　Ion　Beam：略してＦＩＢ）を利用してデバイスに断面を形成する加工方法であって、該加工断面を下記の手順で形成することを特徴とする断面加工方法。」（第２頁左欄第２〜５行）
（イ）「図２は実施例で用いたＦＩＢ加工装置の構成図である。液体金属イオン源１００から放出したイオンビームはコンデンサーレンズ１０１と対物レンズ１０７により資料１１２上に集束する。・・・ＦＩＢ照射により資料１１２から発生した二次電子は、二次電子検出器１０９により検出・増幅され、偏向制御と同期させることにより、コンピュータのＣＲＴ上にＳＩＭ像として表示される。」（第２頁右欄第４６行から第３頁左欄第７行）
（ウ）「断面観察の前処理としてアルゴン・イオンビームにより断面を少しスパッタ加工すると、走査型電子顕微鏡やＳＩＭによりコントラストの良い観察像が得られる。」（第３頁右欄第７〜１０行）
（エ）また、図１には、断面加工手順を示すデバイス上面図が、図２には、集束イオンビーム加工装置を示す図が記載されている。
　以上をまとめると、刊行物１には、「集束された液体金属のイオンビームを試料１１２の所定領域を繰り返し走査しながら照射する液体金属イオンビーム照射装置と、アルゴンのイオンビームを照射し、前記試料表面への前記液体金属イオンビームの照射により性質の変化した試料の断面をスパッタ加工するアルゴン・イオンビーム装置とが装備されており、かつアルゴン・イオンビームの照射位置が、液体金属イオンビームの照射により加工した試料の断面となるように配置されている集束イオンビーム加工装置。」（刊行物１記載の発明１）、及び「集束された液体金属のイオンビームを試料表面の所定領域に繰り返し走査しながら照射して、イオンスパッタにより、前記試料の所定領域を除去する工程と、前記試料の加工された断面を、アルゴンのイオンビームで照射する工程よりなる集束イオンビーム加工方法。」（刊行物１記載の発明２）が記載されていると認められる。
　
（２）刊行物２（特開昭５４−３４７５号公報、甲第２号証）
　刊行物２には、次の記載がある。
（オ）「イオンを固体に打ち込み半導体素子を作製する装置に於いて、打ち込むためのイオンビームのほかに、固体表面付着物を除去するイオンエッチング用イオンビームを備えたことを特徴とするイオン打ち込み装置。」（第１頁左下欄第４〜８行）
（カ）「次に試料表面吸着物をスパッタするイオンビームにつき検討する。用いるイオンビームの種類としては、試料内に浸入したとしても半導体素子に影響を及ぼさないことまたは熱処理により脱ガスの容易であることの条件から、不活性（希有）気体が最適である。」（第４頁左上欄第１０〜１５行）
（キ）「第９図は本発明の原理的構成を示す。放電気体１がイオン源２でイオンとなり、加速されイオンビーム３が放出される。このイオンビーム３は質量分析器４により質量分離された後、特定の所望するイオンビーム５を試料６に打ち込む。イオンビーム５の照射と同時に、試料表面付着物をエッチングするためのイオンビーム１４を試料６に照射させることができる。試料６の近傍についての詳細な構成を第１０図で示す。第１０図で、イオンビーム５はエネルギーが大きいために試料６の中に打ち込むことができる。このさいに、従来法では、散乱粒子１３、残留気体の粒子１２等が試料６の表面に付着する。これらの付着粒子がイオンビーム５により、試料６の内部へ打ち込まれる場合が僅かではあるが存在する。しかし、本発明の場合に、イオンビーム１４をイオンビーム５の照射する表面と同じ箇所に衝突させることにより、試料表面の付着物はスパッタされる。従って付着物が試料６の内部に打ち込まれる量は、ほぼ零になる。」（第４頁右上欄第１２行から左下欄第１１行）
（ク）また、第９，１０，１２図には、イオンの打ち込み室に、金属イオン打ち込み用のイオンビーム照射装置に加えてスパッタエッチング用の希ガスイオンビーム装置を設けることが記載されている。
　以上をまとめると、刊行物２には、「イオンを試料に打ち込むためのイオンビーム照射装置と、試料に影響を及ぼさない不活性気体のイオンビームを照射し、試料表面付着物をスパッタエッチングする不活性気体イオンビーム照射装置とが、同一試料室に装備されており、かつイオン打ち込み用のイオンビームと不活性気体のイオンビームの照射位置が試料表面上の略同一位置に照射するように配置されているイオン打ち込み装置。」（刊行物２記載の発明１）、及び「イオンビームを試料表面の所定領域に照射してイオンを試料に打ち込むと同時に、試料表面の前記所定領域に、試料の特性に影響を及ぼさない不活性気体のイオンビームを照射して試料表面付着物をスパッタエッチングするようにしたイオン打ち込み方法。」（刊行物２記載の発明２）が記載されていると認められる。
　
（３）刊行物３（特開平４−３７３１２５号公報、甲第３号証）
　刊行物３には、大電流イオンビームを試料面に垂直に照射する主イオンビーム系と、主イオンビーム系とは照射角度を異にし、微細電流イオンビームを試料面に照射する副イオンビーム系とを備え、主イオンビーム系から照射された大電流イオンビームによる粗加工および主イオンビーム系から照射された微細電流イオンビームによる仕上げ加工が終了した後に、副イオンビーム系から照射された微細電流イオンビームを観察面に照射して断面観察を行うようにした「集束イオンビーム装置およびそれによる加工方法」（刊行物３記載の発明）が記載されていると認められる。
　
（４）刊行物４（特開平４−１１６８４３号公報、甲第４号証）
　刊行物４には、「第１図（ａ）から（ｄ）は、イオンビーム加工観察方法の実施例である。第１図は半導体ＬＳＩの断面で下層配線１、コンタクトホール２、上層配線３、層間絶縁膜４、保護膜５から成っている。例えば図示のＡＡ断面によりコンタクトホールの状態を断面ＳＥＭで見る場合は、第１図（ｂ）に示すように下層配線の下まで集束イオンビーム６により加工する。通常太いビームで粗加工をした後、細いビームで仕上げ加工を行い、加工穴側壁への再付着を出来るだけ少なくする方法がとられる。しかしこの方法によっても、若干の再付着層７が形成される。そこで第１図（ｃ）に示すように、アルゴンイオンビームにより側壁をスパッタエッチする。この時、アルゴンビームが加工穴の底面にあたると底面をスパッタエッチし、そのスパッタ物が側壁に付着してしまう。そこでアルゴンイオンビームの向きは、底面に当たらないように設定する。再付着層が十分とれるまでスパッタエッチした後、第１図（ｄ）に示すように、電子ビームにより走査し、２次電子顕微鏡（ＳＥＭ）像を得る。この様にすれば、層間絶縁膜と配線材料との２次電子放出率の違いによりコントラストのはっきりしたＳＥＭ像を得ることが出来る。」（第２頁左下欄第１４行から右下欄第１６行）との記載があり、集束イオンビームにより試料を加工し、その後、アルゴンイオンビームにより側壁をスパッタエッチして再付着層を除去した後に、２次電子顕微鏡によりＳＥＭ像を観察するようにした「試料断面観察方法及び装置」（刊行物４記載の発明）が記載されていると認められる。
　
（５）刊行物５（特開平４−３４３０４０号公報、甲第５号証）
　刊行物５には、アルゴン等の不活性ガスのエッチング用イオンガン５により試料表面のエッチングを行った後、酸素ガスの仕上げ用イオンガン４により試料表面を滑らかに仕上げるようにした「仕上げ用イオンガン付イオンミリング装置」（刊行物５記載の発明）が記載されていると認められる。
　
（６）刊行物６（特開平３−７７３２３号公報、甲第６号証）
　刊行物６には、液体金属イオン源を使用したイオンビーム加工装置において、大面積にイオンビームを照射する場合にはビーム径を大きくし（第３頁右下欄第９〜１８行）、小面積にイオンビームを照射する場合にはビーム径を小さくする（第４頁右上欄第１〜１４行）ことが記載されていると認められる。（刊行物６記載の発明）
　
（７）刊行物７（特開平５−２８９５０号公報、甲第７号証）
　刊行物７には、集束イオンビームを利用して断面を加工する加工方法において、矩形孔を粗く加工するときは電流２〜５ｎＡのビーム（太いビーム）を用い、観察断面近傍を仕上げ加工するときは電流４００ｐＡのビーム（細いビーム）を用いること（第２頁左欄第３７〜４２行）が記載されていると認められる。（刊行物７記載の発明）
　
（８）刊行物８（特開昭６３−２１１６２０号公報、甲８号証）
　刊行物８には、イオンビーム加工方法及びその装置において、保護膜３５を加工するとき（大面積を加工するとき）は０．５μｍのビーム径とし、欠陥部４０を加工するとき（小面積加工をするとき）は０．１μｍのビーム径とすること（第５頁右上欄第２〜５行）が記載されていると認められる。（刊行物８記載の発明）
　
（９）刊行物９（特開昭５９−１６３５０５号公報、甲第９号証）
　刊行物９には、ホトレジストをスパッタ除去するイオンビームとしてＯ＋またはＯ２＋イオンを用いること（第４頁右下欄第１３〜２０行）が記載されていると認められる。（刊行物９記載の発明）
　
（１０）刊行物１０（特開昭６４−４２８２２号公報、甲第１０号証）
　刊行物１０には、液体金属イオン源による集束イオンビームを用いたＧａＡｓ基板の加工において、Ｃｌ２ガス（反応性ガス）又はＣｌラジカルを供給しながら加工を行うことによりスパッタされたＧａ粒子と反応させること（第２頁右下欄第８行から第３頁左下欄第１３行）が記載されていると認められる。（刊行物１０記載の発明）
　
（１１）刊行物１１（特開平２−２４８０４２号公報、甲第１１号証）
　刊行物１１には、ＧａＡｓ試料をドライエッチングする際に、エッチングガスとして塩素ガスを用いること（第３頁左下欄第１１〜１７行）が記載されていると認められる。（刊行物１１記載の発明）
　
（１２）刊行物１２（特開平３−１６３８２５号公報、甲第１２号証）
　刊行物１２には、クラスター構成物質としてアルゴンを照射するとともに、反応性ガスとして塩素を用いること（第５頁右上欄第１３行から左下欄第１１行）が記載されていると認められる。（刊行物１２記載の発明）
　
（１３）刊行物１３（特開昭６２−２２９９５６号公報、甲第１３号証）
　刊行物１３には、次の記載がある。
（ケ）「第２図は本発明による配線接続装置の一実施例を示すものである。配線接続箇所を有するＩＣチップ１８が取付けられた反応容器１６は、バルブ２１を介して修正物質（・・・等の有機金属化合物）が納められた修正物質容器１９と・・・配管により接続されている。
　レーザ発振器８ａで発振されたレーザ光は、・・・反応容器１６に設けた窓１５を通ってＬＳＩアルミ配線修正箇所に照射できるようになっており、・・・。
　・・・反応容器１６の隣にイオンビーム加工用真空容器３９がとりつけられており、その上部にはイオンビーム鏡筒用真空容器２６がとりつけられている。・・・この位置において上部のイオンビーム鏡筒２６中の高輝度イオン源（例えばＧａ等の液体金属イオン源）２７からその下部に設置された引出し電極３０により引出されたイオンビーム４０が・・・集束偏向されて、試料１８ａに照射されるようになっている。・・・
　・・・
　・・・第１図に示したようにイオンビームを接続すべき箇所のみ照射して絶縁膜の加工を行う。・・・
　・・・この後、シャッタ３０ａを開き、配線修正箇所にレーザ光を照射し、一定時間後シャッタ３０ａを閉じる。このレーザ照射により、レーザ照射部近傍の有機金属ガスは分解され、ＡｌあるいはＣｄ，Ｍｏ等の金属薄膜が析出して配線修正が行なわれる。・・・」（第４頁左下欄第３行から第５頁左下欄第１５行）
（コ）「第３図は反応容器とイオンビーム加工用真空容器との間のゲートバルブをとり除き、一体としたものであって、二つの容器の間の移動にともなう排気操作をゲートバルブの開閉が不要となり、操作性が向上している。・・・反応ガスは局所的にノズル５１，５２により、試料近辺へ吹付けるようにし、・・・。」（第５頁左下欄第１６行から右下欄第７行）
（サ）「前記実施例ではレーザ照射の場合について説明したが、このようにイオンビーム照射に換えることもできることは明らかである。」（第８頁右上欄第４〜６行）
（シ）また、第２、３図には、ＩＣの配線接続装置を示す図が記載されている。
　以上まとめると、刊行物１３には、「Ｇａ等の液体金属のイオンビームを試料の所定領域に照射する液体金属イオンビーム照射装置と、レーザ光を照射する装置又はイオンビームを照射する装置と、有機金属ガスを試料の所定領域に吹き付ける有機金属ガス吹き付け装置とが装備されており、有機金属ガスを吹き付けると同時にレーザ光又はイオンビームを照射することによりＣＶＤ法により試料表面に金属を堆積するようにしたイオンビーム装置。」（刊行物１３記載の発明）が記載されていると認められる。
　
（１４）刊行物１４（日本学術振興会荷電粒子ビームの工業への応用第１３２委員会第１０１回研究会資料（62.11.13〜14）、甲第１４号証）
　刊行物１４の第４２頁には、集束イオンビームＣＶＤ法でタングステン膜を形成する場合に、原料ガスとしてＷ（ＣＯ）６を用いることが記載されていると認められる。（刊行物１４記載の発明）
　
（１５）刊行物１５（精密工学会誌53/6/1987、甲第１５号証）
　刊行物１５の第１７頁には、集束イオンビームＣＶＤ法でタングステン膜を形成する場合に、原料ガスとしてＷ（ＣＯ）６を用いることが記載されていると認められる。（刊行物１５記載の発明）
　
（１６）刊行物１６（月刊Semiconductor　World　1987.9、甲第１６号証）
　刊行物１６の第２８〜２９頁には、集束イオンビームによりＷのデポジションを行う際に、金属有機化合物としてＷ（ＣＯ）６を用いることが記載されていると認められる。（刊行物１６記載の発明）
  
３−４．対比・判断
（１）本件発明１について
　本件発明１と刊行物１記載の発明１とを対比すると、両者は「集束された液体金属のイオンビームを試料の所定領域を繰り返し走査しながら照射する液体金属イオンビーム照射装置と、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームを照射し、前記試料表面への前記液体金属イオンビームの照射により性質の変化した領域をスパッタエッチングする気体イオンビーム照射装置とが装備されている集束イオンビーム加工装置。」である点では一致するが、刊行物１記載の発明１においてスパッタエッチングするのは、液体金属イオンビームの照射により加工した試料の断面であるから、刊行物１には、本件発明１の構成要件である、気体イオンビーム照射装置が「試料表面への液体金属イオンビームの照射に伴ってイオン注入されたことにより性質の変化した領域をスパッタエッチングする」ことは記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物２記載の発明１は、試料に影響を及ぼさない不活性気体のイオンビームを照射して試料をスパッタエッチングするものであるが、スパッタエッチングするのは試料表面付着物であって、本件発明１のように、試料表面への液体金属イオンビームの照射に伴ってイオン注入されたことにより性質の変化した領域をスパッタエッチングするものではない。また、上記刊行物４記載の発明も、アルゴンイオンビームにより側壁をスパッタエッチするものであるが、スパッタエッチするのは再付着層であって、本件発明１のように、試料表面への液体金属イオンビームの照射に伴ってイオン注入されたことにより性質の変化した領域をスパッタエッチングするものではない。
　さらに、刊行物３、刊行物５乃至刊行物１６にも上記「３−３．刊行物記載の発明」にみられるように本件発明の構成要件である、気体イオンビーム装置が「試料表面への液体金属イオンビームの照射に伴ってイオン注入されたことにより性質の変化した領域をスパッタエッチングする」ことは記載も示唆もされていない。
　したがって、異議申立ての証拠である刊行物１乃至刊行物１６にはその何れにも、本件発明の構成要件である、気体イオンビーム装置が「試料表面への液体金属イオンビームの照射に伴ってイオン注入されたことにより性質の変化した領域をスパッタエッチングする」ことは記載も示唆もされていないから、刊行物１記載の発明乃至刊行物１６記載の発明をどのように組み合わせても、本件発明１が容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、この構成により「照射された集束イオンビームによって汚染され、再び製造ラインに戻すことのできなかった試料を、再び製造ラインに戻すことができる。」という作用効果を奏するものである。
　
（２）本件発明２乃至本件発明５について
　本件発明２乃至本件発明５は、本件発明１を引用し本件発明１を限定するものであるから、本件発明１が刊行物１乃至刊行物１６記載の発明から容易でない以上、本件発明２乃至本件発明５も容易であるとすることはできない。
　
（３）本件発明６について
　本件発明６と刊行物１記載の発明２とを対比すると、両者は「集束された液体金属のイオンビームを試料表面の所定領域に繰り返し走査しながら照射して、イオンスパッタにより、前記試料の所定領域を除去する工程と、前記試料を、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射する工程よりなる集束イオンビーム加工方法。」である点で一致するが、刊行物１には、本件発明６の構成要件である「試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射することにより先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去する工程」は記載も示唆もされていない。
　また、上記刊行物２記載の発明２は、試料の特性に影響を及ぼさない不活性気体のイオンビームを照射して試料をスパッタエッチングするものであるが、スパッタエッチングするのは試料表面付着物であって、本件発明６のように、先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去するものではない。また、上記刊行物４記載の発明も、アルゴンイオンビームにより側壁をスパッタエッチするものであるが、スパッタエッチするのは再付着層であって、本件発明６のように、先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去するものではない。
　さらに、刊行物３、刊行物５乃至刊行物１６にも上記「３−３．刊行物記載の発明」にみられるように、本件発明６の構成要件である「試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射することにより先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去する工程」は記載も示唆もされていない。
　したがって、異議申立ての証拠である刊行物１乃至刊行物１６にはその何れにも、本件発明６の構成要件である「試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射することにより先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去する工程」は記載も示唆もされていないから、刊行物１記載の発明乃至刊行物１６記載の発明をどのように組み合わせても、本件発明１が容易であるとすることはできない。
　そして、本件発明６は、この構成により「照射された集束イオンビームによって汚染され、再び製造ラインに戻すことのできなかった試料を、再び製造ラインに戻すことができる。」という作用効果を奏するものである。
　
（４）本件発明７について
　本件発明７は、本件発明６を引用し本件発明６に他の構成を付加するものであるから、本件発明６が刊行物１乃至刊行物１６記載の発明から容易でない以上、本件発明７も容易であるとすることはできない。
　
（５）本件発明８について
　先ず、本件発明８と、有機金属ガス吹き付け装置を有する刊行物１３記載の発明とを対比すると、両者は、「液体金属のイオンビームを試料の所定領域に照射する液体金属イオンビーム照射装置と、イオンビームを照射する装置と、有機金属ガスを試料の所定領域に吹き付ける有機金属ガス吹き付け装置とが装備されており、有機金属ガスを吹き付けると同時にイオンビームを照射することによりＣＶＤ法により試料表面に金属を堆積するようにしたイオンビーム装置。」である点で一致するが、刊行物１３には、本件発明８の構成要件である「試料表面の前記液体金属イオンビームの照射によりイオンが注入され性質の変化した領域に金属を堆積すること」は記載も示唆もされていない。
　また、刊行物１乃至刊行物１２、刊行物１４乃至刊行物１６にも上記「３−３．刊行物記載の発明」にみられるように、本件発明８の構成要件である「試料表面の前記液体金属イオンビームの照射によりイオンが注入され性質の変化した領域に金属を堆積すること」は記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明８は、この構成により「照射された集束イオンビームによって汚染され、再び製造ラインに戻すことのできなかった試料を、再び製造ラインに戻すことができる。」という、刊行物１乃至刊行物１６記載の発明からは予測できない作用効果を奏するものである。
　したがって、異議申立ての証拠である刊行物１乃至刊行物１６記載の発明から本件発明８が容易とすることはできない。
　
（６）本件発明９について
　本件発明９は、本件発明８を引用し本件発明８の材料を限定するものであるから、本件発明８が刊行物１乃至刊行物１６記載の発明から容易でない以上、本件発明９も容易であるとすることはできない。
　
（７）本件発明１０について
　本件発明１０と、有機金属ガスを吹き付ける装置を有する刊行物１３記載の発明とを対比すると、両者は「Ｇａなどのイオンビームを照射する装置と、レーザ光を照射する装置と、レーザ光により金属膜付けを行うための化合物ガスを吹き付ける装置とを装着し、前記試料に前記化合物ガスを吹き付けながらレーザ光を照射して金属を堆積させるイオンビーム装置。」である点では一致するが、刊行物１３には、本件発明１０の構成要件である「前記集束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行うことによって試料に注入されたイオンにより性質の変化した領域を、・・・高融点金属を堆積させて覆うこと」は記載も示唆もされていない。
　また、刊行物１乃至刊行物１２、刊行物１４乃至刊行物１６にも上記「３−３．刊行物記載の発明」にみられるように、本件発明１０の構成要件である「前記集束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行うことによって試料に注入されたイオンにより性質の変化した領域を、・・・高融点金属を堆積させて覆うこと」は記載も示唆もされていない。
　そして、本件発明１０は、この構成により「照射された集束イオンビームによって汚染され、再び製造ラインに戻すことのできなかった試料を、再び製造ラインに戻すことができる。」という、刊行物１乃至刊行物１６記載の発明からは予測できない作用効果を奏するものである。
　したがって、異議申立ての証拠である刊行物１乃至刊行物１６記載の発明から本件発明１０が容易とすることはできない。
　
３−５．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては請求項１〜１０に係る本件特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年１月２１日（２００２．１．２１）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
ア．特許請求の範囲の請求項１の「前記試料表面の前記液体金属イオンビームの照射により性質の変化した領域をスパッタエッチングする気体イオンビーム照射装置とが、」という記載を、「前記試料表面
への
に伴ってイオン注入されたこと
イ．特許請求の範囲の請求項６の「前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射する工程よりなり、」という記載を、「前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射する
ことにより先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去する
ウ．特許請求の範囲の請求項７を削除する。
エ．特許請求の範囲の請求項９の「前記試料表面の前記液体金属イオンビームの照射位置に金属を堆積する」という記載を、「前記試料表面の前記液体金属イオンビームの照射
によりイオンが注入され性質の変化した領域
オ．特許請求の範囲の請求項１１の「前記収束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行うことによって試料に注入されたイオンの分布する領域を、」を、「前記収束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行うことによって試料に注入されたイオン
により性質の変化した
（５４）【発明の名称】
集束イオンビーム装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　十分に集束された液体金属のイオンビームを試料の所定領域を繰り返し走査しながら照射する液体金属イオンビーム照射装置と、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームを照射し、前記試料表面
への
に伴ってイオン注入されたこと
　【請求項２】　前記気体元素イオンビームのイオンビーム径が、前記液体金属イオンビームのイオンビーム径よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の集束イオンビーム装置。
　【請求項３】　前記気体元素イオンビームのイオン種はＡｒイオン、酸素イオン、酸素ラジカルのいずれかであることを特徴とする請求項１または２記載の集束イオンビーム装置。
　【請求項４】　前記気体元素イオンビームを試料に照射するときに、前記試料の所定領域の材質と反応する反応ガスを前記試料所定領域に吹付けるノズルを持つことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の集束イオンビーム装置。
　【請求項５】　前記反応ガスは、前記集束イオンビームのイオン種がＧａイオンの時、塩素ガスであることを特徴とする請求項４に記載の集束イオンビーム装置。
　【請求項６】　十分に集束された液体金属のイオンビームを試料表面の所定領域に繰り返し走査しながら照射して、イオンスパッタにより、前記試料の所定領域を除去する工程と、前記試料の所定領域より広い領域を、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームで照射する
ことにより先の工程でイオンが注入され性質の変化した領域を除去する
　【請求項７】　前記気体元素のイオンビームを試料に照射する時に、前記試料の所定領域の材質と反応する反応ガスをノズルで前記領域に吹きつける請求項６に記載の集束イオンビーム加工方法。
　【請求項８】　十分に集束された液体金属のイオンビームを試料の所定領域を繰り返し走査しながら照射する液体金属イオンビーム照射装置と、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームを照射する気体イオンビーム照射装置と、金属有機化合物蒸気を前記試料の所定領域に吹き付ける有機金属蒸気吹き付け装置とが、同一試料室に装備されており、かつ液体金属のイオンビームと気体元素のイオンビームの照射位置が前記試料表面の略同一位置に照射するように配置されていて、前記金属有機化合物蒸気と気体元素イオンビームを同時に照射することによりイオンビームアシストＣＶＤ法により前記試料表面の前記液体金属イオンビームの照射
によりイオンが注入され性質の変化した領域
　【請求項９】　前記金属有機化合物蒸気はタングステンヘキサカルボニルであり、前記金属はタングステンであることを特徴とする請求項８記載の集束イオンビーム装置。
　【請求項１０】　十分集束されたＧａなどのイオンビームを照射する装置と、レーザーや電子などのエネルギービームを照射する装置と、前記エネルギービーム照射により高融点金属膜付けを行うための化合物ガスを吹き付ける装置とを同一試料室に装着し、前記試料に、前記集束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行うことによって試料に注入されたイオン
により性質の変化した
　【請求項１１】　試料を液体金属イオン源の集束イオンビームで加工観察を行った跡を、前記試料の特性に影響を及ぼさない気体元素のイオンビームを照射してスパッタリングすることによってクリーニングを行い、前記試料に照射されたイオンを除去し、該イオンを除去した試料を洗浄した後、自然酸化膜のエッチングを行うことを特徴とする集束イオンビーム加工方法。
　【請求項１２】　十分に集束された液体金属のイオンビームを試料の所定領域を繰り返し走査しながら照射する液体金属イオンビーム照射装置と、前記試料の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビームを照射する気体元素イオンビーム照射装置と、前記液体金属イオンビームに用いられるイオンと化学反応してガス状の物質となる反応性ガスを試料室に導入する装置とを同一の試料室に装着し、前記液体金属イオンビームで配線変更や断面加工観察を行った後に、前記反応性ガスを試料室に導入しながら、前記配線変更や断面観察を行った領域に前記気体元素のイオンビームを照射しスパッタリングすることによってクリーニングを行い、除去されたイオンが前記反応性ガスと化学反応してガス状の物質にして排気することを特徴とする集束イオンビーム加工方法。
　【請求項１３】　前記反応性ガスは塩素ガスであることを特徴とする請求項１２記載の集束イオンビーム加工方法。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明は集束イオンビームを試料の所定領域を走査させながら照射することにより、試料表面の所定領域を加工する、または／及び、集束イオンビーム照射により発生する２次粒子を検出することにより試料表面を観察する集束イオンビーム装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】従来の集束イオンビーム装置の例を図５に基づいて説明する。従来の集束イオンビーム装置は特開昭５９−１６８６５２号公報に示されているように、Ｇａ等の液体金属イオン源から引き出し電極によりイオンを引き出し、そのイオンをアパーチャ及び静電レンズにより集束イオンビームにし、その集束イオンビームを偏向電極により試料表面の所定領域を照射するように偏向走査させるイオンビーム照射装置２が試料室１に装着されている。走査された集束イオンビーム１１の試料５表面への繰り返し照射により、試料の所定領域は、集束イオンビームによりスパッタリングされる。この性質を用い、試料表面に垂直な側壁を持つエッチング加工を行う。つまり、試料５の表面部は断面加工される。そして、断面への集束イオンビームの照射により発生する２次粒子を検出器６によって検出し画像表示装置７によってその断面を観察する。
　【０００３】
　【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の装置では試料加工用の集束イオンビームに用いられたイオンが試料に注入され、そのイオンの化学的性質によってイオンビーム照射領域では、試料の性質が変化してしまう。次にＧａを集束イオンビームを照射するイオン照射装置２のイオン源に用い、試料５としてＳｉ基板３６に照射した例を示す。照射されたＧａイオンビーム１１が高エネルギーを持ってＳｉ基板３６に衝突し、一部のＧａイオン３７がＳｉ基板３６に注入されるため、加工観察された試料が汚染される。特に、Ｇａは３族の元素であるため、Ｓｉ基板内ではＰ型不純物として振る舞い、不純物拡散領域３５を形成し、試料の不純物濃度分布を変えてしまう。このように汚染された試料を製造工程に戻したとき、加熱工程によって注入されているＧａがオートドーピング（ａｕｔｏ　ｄｏｐｉｎｇ）して、これらの工程に用いられる製造装置をＧａによって汚染する可能性もある。そのため、集束イオンビームによって加工観察された試料は再び製造ラインに戻すことはできないという課題があった。（図６Ａ参照）
　【０００４】
　【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、この発明は開発されたものである。第１の手段として、従来装置に更に半導体基板の特性に顕著な影響を及ぼさない粒子（例えば、Ａｒイオン、酸素イオン、酸素ラジカルなど）のビームを照射する装置とを同一の試料室に装着し、集束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行った跡を、半導体基板の特性に顕著な影響を及ぼさない粒子のビームを照射しスパッタリングすることによってクリーニングを行い、試料に照射されたイオンを除去する。
　【０００５】第２の手段として、前記手段によって注入されたイオンを除去した試料を、洗浄し、試料表面の自然酸化膜をエッチング除去する。第３の手段として、従来装置に更に半導体基板の特性に顕著な影響を及ぼさない粒子（例えば、Ａｒイオン、酸素イオン、酸素ラジカルなど）のビームを照射する装置と、集束イオンビームに用いられるイオンと化学反応してガス状の物質となる反応性ガス（例えば、Ｇａの場合塩素ガス）を試料室に導入する装置とを同一の試料室に装着し、集束イオンビームで配線変更や断面加工観察を行った後、前記反応性ガスを試料室に導入しながら、半導体基板の特性に顕著な影響を及ぼさない粒子のビームを照射しスパッタリングすることによってクリーニングを行い、除去されたイオンが反応性ガスと化学反応してガス状の物質になり排気されることによって試料表面に再付着することなく、試料に照射されたイオンを除去する。
　【０００６】第４の手段として、従来装置に更に半導体基板の特性に顕著な影響を及ぼさない粒子（例えば、Ａｒイオン、酸素イオンなど）のビームを照射する装置と、高融点金属堆積の材料となる化合物ガスを試料に吹き付ける装置とを同一の試料室に装着し、集束イオンビームで加工観察した試料の表面に、化合物ガスを吹き付け半導体基板の特性に顕著な影響を及ぼさない粒子のビームを照射することによるイオンビームアシストＣＶＤ法によって高融点金属を堆積する。
　【０００７】第５の手段として、従来装置に更にレーザーまたは電子などのエネルギービーム照射装置と、高融点金属堆積の材料となる化合物ガスを試料の表面に吹き付ける装置とを同一の試料室に装着し、集束イオンビームで加工観察した試料の表面に、化合物ガスを吹き付け、エネルギービームを照射してエネルギービームアシストＣＶＤ法によって高融点金属を堆積する。
　【０００８】
　【作用】上記第１の手段のように構成された装置において、集束イオンビームとして試料に照射されたイオンの一部は試料の表面から比較的浅い部分に注入され、Ｇａイオンは図６Ａのように分布する。その部分を図６Ｂに示したように、Ａｒイオンビーム１２によってスパッタリングする。イオンは表面に近い浅い領域に分布するため、その部分を除去したことによる試料への損傷は少ない。また、Ａｒは不活性元素であるため、Ａｒが注入されることによって試料の特性に顕著な影響を及ぼすことはない。また、酸素を用いた場合でも、酸素はＳｉと反応して２酸化珪素を形成するが、そのことによる試料への影響は少ない。
　【０００９】上記第２の手段のように構成された装置及び方法において、図６Ｃに示したようにＡｒイオンビーム１２によってスパッタリングされたＧａイオン３７などを含む物質が試料表面に再付着物質３８として再付着することがある。これは、試料表面に乗っている状態であるので、洗浄し、フッ酸水溶液などを用いた自然酸化膜のエッチング工程により一緒に除去することができる。
　【００１０】上記第３の手段のように構成された装置において、図７Ｄに示したように塩素ガス導入装置３９を用いて塩素ガス４０を微量導入しながら、Ａｒイオンビーム３４によってスパッタリングし、除去されたＧａイオンは塩素ガス４０と化学反応して３塩化ガリウム４１を形成する。３塩化ガリウム４１は蒸気圧が高いためガス状となり、排気されるため、除去されたＧａイオンは試料表面に再付着しない。
　【００１１】上記第４の手段のように構成された装置において、図７Ｅに示すように、化合物ガス吹き付け装置４２より有機金属化合物ガス４３を注入されたＧａイオン３７の分布している不純物拡散領域３５を覆うように吹き付け、Ａｒイオンビーム３４のアシストで高融点金属４４を堆積することによって、Ｓｉ基板３６に注入されたＧａイオン３７がオートドーピングされることはなくなる。高融点金属４４中には堆積に用いられたＡｒビームのＡｒが含まれるが、これらは不活性元素であるためＳｉ基板３６に影響を及ぼさない。従って、その粒子が他の製造装置においてオートドーピングした場合でも問題とはならない。
　【００１２】上記第５の手段においてエネルギービームとしてレーザービームを用いて構成された装置において、図７Ｆに示すように、化合物ガス吹き付け装置４２より化合物ガス４３を注入されたＧａイオン３７の分布している不純物拡散領域３５を覆うように吹き付け、レーザービーム４６のアシストで高融点金属４４を堆積することによって、Ｓｉ基板３６に注入されたＧａイオン３７がオートドーピングされることがなくなる。高融点金属はレーザーアシストによって堆積されたため、不純物を含まない。
　【００１３】
　【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説明する。図１は本発明による一実施例である集束イオンビーム装置を示した概略図である。試料５はＸＹ方向に移動可能な試料ステージ４に載置される。試料室１に、十分集束された液体金属（Ｇａ）のイオンビーム１１を発生し、試料５の所定領域を走査させなから照射する液体金属イオンビーム照射装置２と、気体元素のイオンビーム１２を発生し、試料５の所定領域を走査させなから照射する気体イオンビーム照射装置３とが装着されている。
　【００１４】各イオンビーム照射装置２、３の出力、オンオフ、走査範囲等は、液体金属イオンビーム制御装置８および気体イオンビーム制御装置９により、制御される。そして、各イオンビーム照射により、試料５から放出される２次荷電粒子は、試料５近傍に設けられた検出器６にて検出され、検出器６からの信号に基づいて画像表示装置７に試料５の画像は表示される。
　【００１５】液体金属イオンビーム照射装置２には、試料５の表面の所定領域を微細にそして深く除去するため、液体金属のイオンビーム１１を非常に細く集束する図示しない集束レンズが備えられている。液体金属のイオンビーム１１は、非常に細く絞ることができ、そして高エネルギーのイオンビームが得るため、液体金属イオン源が必要である。そして、液体金属のイオンビーム１１のビーム径は、１ミクロン以下に集束されており、当然試料５の大きさより十分に小さく集束されている。
　【００１６】また、気体イオンビーム照射装置３は、液体金属のイオンビーム１１の試料５表面の照射領域方向に、試料５の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビーム１２を試料５の液体金属のイオンビーム１１照射領域に照射するように、試料室１に設置されている。なお、気体元素のイオンビーム１２は、試料５の表面を微細に除去するためのものではなく、液体金属のイオンビーム１１の試料５への照射により、照射された試料５の所定領域の表面がイオン注入され、そして変質したその極表面部分を、さらにスパッタリングにより深く除去するものである。従って、気体元素のイオンビーム１２を、試料５の所定領域を厳密に限定して、照射する必要がなく、そのビーム径は液体金属のイオンビーム１１より多少大きくてもよく、そして試料５より当然小さいものである。
　【００１７】液体金属イオンビーム照射装置２から発生した液体金属の集束イオンビーム１１は試料ステージ４上に置かれた試料５に照射される。液体金属イオンビーム照射装置１に含まれる図示しない走査電極およびブランキング電極により、液体金属の集束イオンビーム１１は試料５の所定領域を繰り返し走査される。そして、試料５の所定領域の表面はイオンスパッタリングにより、除去される。そして、試料５の所定領域の境界線には、試料５の表面部の断面が露出することになるし、試料５の所定領域が配線の場合は、配線が切断され、配線断面が露出することになる。
　【００１８】液体金属の集束イオンビーム１１のイオン種をＧａイオンにして試料５に照射した、試料５の所定領域では、液体金属イオンであるＧａイオンの一部は試料の表面から比較的浅い部分に注入され分布することになる。つぎに、その部分に、気体イオンビーム照射装置３により、試料５の特性に顕著な影響を及ぼさない気体元素のイオンビーム１２を照射する。この気体元素のイオンビーム１２のイオン種をＡｒイオンとする。Ａｒビーム１２によって、Ｇａイオンを注入された試料５の極表面は、スパッタリングして除去される。
　【００１９】この方法によって、スパッタリング除去されたイオンを含む物質が試料表面に再付着した場合、洗浄、およびフッ酸水溶液によるエッチングを行う。これによって、集束イオンビームによって加工観察された試料を再び製造工程に戻すことができる。
　【００２０】図２は本発明による別の実施例である集束イオンビーム装置を示した概略図である。一つの試料室１に、十分集束されたＧａイオンビームを照射する液体金属イオンビーム照射装置２と、Ａｒビームを照射する気体イオンビーム照射装置３と、塩素ガスを試料室に導入する塩素ガス導入装置１３とが装着されている。液体金属の集束イオンビーム１１は試料ステージ４上に置かれた試料５を照射する。Ｇａイオンの集束イオンビーム１１が試料に照射されるとＧａイオンの一部は試料の表面から比較的浅い部分に注入された層が形成される。次に、その部分に気体イオンビーム照射装置３からＡｒイオンビーム１２を照射する。このＡｒイオンビーム１２の照射により、その注入された層がスパッタリングにて除去される。この時、Ａｒイオンビーム１２の試料５への照射と同時に微量の塩素ガスを塩素ガス導入装置１３により試料室に導入する。Ａｒイオンビーム１２によってスパッタリングされたＧａイオンは塩素ガスと反応して蒸気圧の高い三塩化ガリウムとなり、試料室から排気される。その結果、試料５からＧａイオンは除去され、集束イオンビームによって加工観察された試料を再び製造工程に戻すことができる。
　【００２１】図３は本発明による別の実施例である集束イオンビーム装置を示した概略図である。一つの試料室１に、十分に集束されたＧａイオンビームを照射する金属イオンビーム照射装置２と、Ａｒイオンビームを照射する気体イオンビーム照射装置３と、タングステンヘキサカルボニルが蓄えられているガスリザーバー１６とバルブ１５を介してガスリザーバ１６に接続されているガス吹き出しノズル１４とが装着されている。
　【００２２】ガス吹き出しノズル１４は、タングステンヘキサカルボニル蒸気を試料５の液体金属イオンビーム照射位置に局所的に吹き付ける為に、ノズル先端は、試料５の表面に接近して設けられている。液体金属集束イオンビーム１１が試料ステージ４上に置かれた試料５の所定領域を繰り返し照射するようにイオン光学制御電源８は、イオン光学系を制御する。試料５に照射されたＧａイオンの一部は試料の表面から比較的浅い部分に注入され、その部分にＧａイオンが分布するようになる。そのＧａイオンが注入されている領域全体をＡｒビームで照射すると同時にガス吹き出しノズルよりガスリザーバーに蓄えられているタングステンヘキサカルボニルをＡｒビーム照射部分に局所的に吹き付け、タングステンを堆積させる。これによって、タングステンの下にあるＧａイオンがオートドーピングすることがなくなるため、集束イオンビームによって加工観察された試料を再び製造工程に戻すことができる。
　【００２３】図４は本発明による別の実施例である集束イオンビーム装置を示した概略図である。一つの試料室１に、十分集束されたＧａイオンビームを照射する液体金属イオンビーム照射装置２と、レーザービームを照射するレーザビーム照射装置１７と、タングステンヘキサカルボニルを蓄えているガスリザーバー１６とバルブ１５を介してガスリサーバー１６と接続されているガス吹き出しノズル１４が装着されている。液体金属集束イオンビーム１１は試料ステージ４上に置かれた試料５に照射され、試料の加工観察が行われる。集束イオンビームが試料に照射されるとＧａイオンの一部は試料の表面から比較的浅い部分に注入され、そこにＧａイオンが分布することになる。そのＧａイオンが注入されている領域全体をレーザービーム（１８）で照射すると同時にガス吹き出しノズルよりガスリザーバーに蓄えられているタングステンヘキサカルボニルをレーザービーム照射部分に局所的に吹き付け、タングステンを堆積させる。これによって、タングステンの下にあるＧａイオンがオートドーピングすることがなくなるため、集束イオンビームによって加工観察された試料を再び製造工程に戻すことができる。
　【００２４】なお、図１、図２、図３及び図４の実施例における液体金属イオンビーム照射装置が照射するイオンビームのイオン種は、Ｇａイオンの他、Ｃｓイオン等の液体金属イオンにおいても同様の効果を得ることができる。また、図１、図２及び図３の実施例において気体イオンビーム照射装置が照射するイオン種は、酸素イオンでもよく、更には、イオンではなく酸素ラジカルの照射でもよい。
　【００２５】
　【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば、照射された集束イオンビームによって汚染され、再び製造ラインに戻すことのできなかった試料を、再び製造ラインに戻すことができる。その結果、従来完成品にしかできなかった断面構造の管理を、製造工程途中の試料についても適用できるようになった。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明による実施例の概略断面図を示す。
　【図２】本発明による別の実施例の概略断面図を示す。
　【図３】本発明によるまた別の実施例の概略断面図を示す。
　【図４】本発明による更なる別の実施例の概略断面図を示す。
　【図５】従来の装置の例の概略断面図を示す。
　【図６】本発明に用いられている作用に関する説明のための断面図である。
　【図７】本発明に用いられている作用に関する説明のための断面図である。
　【符号の説明】
　１　試料室　　　　　　　　　　　　　１２　Ａｒイオンビーム
　２　液体金属イオンビーム照射装置　　１３　塩素ガス導入装置
　３　気体イオンビーム照射装置　　　　１４　ガス吹き出しノズル
　４　試料ステージ　　　　　　　　　　１５　バルブ
　５　試料　　　　　　　　　　　　　　１６　ガスリザーバー
　６　検出器　　　　　　　　　　　　　１７　レーザービーム照射装置
　７　画像表示装置　　　　　　　　　　１８　レーザービーム
　８　イオン光学系制御電源　　　　　　３５　不純物拡散領域
　９　気体イオンビーム制御電源　　　　３６　Ｓｉ基板
　１０　ステージ駆動装置　　　　　　　３７　Ｇａイオン
　１１　液体金属イオンビーム　　　　　３８　再付着物