【事件の表示】
　特許第３０４６３６２号「塗布方法」の請求項１ないし４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０４６３６２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３０４６３６２号は、平成３年１月２３日に特許出願され、平成１２年３月１７日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人吉成迪夫及び高橋友之輔から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年４月１０日に訂正請求（後日取り下げ）がなされ、再度の取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年７月１８日に訂正請求がなされたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人吉成迪夫は、甲第１号証（特開平4−113612号公報）を提出し、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものであり、本件請求項１〜３に係る特許を取り消すべき旨主張している。
　また、異議申立人高橋友之輔は、甲第１号証（特開昭60−235130号公報）、甲第２号証（特開昭49−107678号公報）、甲第３号証（特公昭55−27367号公報）、甲第４号証（特開平2−260415号公報）及び参考資料（特開昭62−119921号公報）を提出し、本件請求項１〜３に係る発明は、甲第１〜３号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであり、また、請求項４に係る発明は、甲第１及び第４号証記載の発明に基いて当業者が容易に発明できたものであり、従って、本件請求項１〜３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされ、本件請求項４に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、本件特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人吉成迪夫が提出した甲第１号証の記載内容
　甲第1号証の第1図および第3図には、加熱処理部41、冷却処理部43、搬送ロボット5およびコーティング処理部13が示されている。
　甲第1号証の第5頁左上欄第1行〜右上欄第13行には、ウエハが搬送ロボット5によって加熱処理部41、冷却処理部43、コーティング処理部13の順に搬送される旨記載されている。
　また、第4頁右下欄第8行〜第11行には、コーティング処理部13はウエハにフオトレジスト等の塗布液を塗布する旨記載されている。
　また、甲第1号証の第4頁右下欄第12行〜第19行には、搬送ロボット5がコントローラ15によって制御される旨記載されている。
　第6頁左上欄第8行〜第15行には、搬送に要する時間は全て等しく8秒とする旨記載されている。
　第5頁左上欄第1行〜第13行には、ウエハが加熱処理部41、冷却処理部43、コーティング処理部13の順に搬送される旨記載されている。
　第4頁右下欄第8行〜第11行には、コーティング処理部13でフォトレジスト等の塗布が行われる旨記載されいる。
１．３　異議申立人高橋友之輔が提出した甲第１号証〜甲第４号証及び参考資料の記載内容
１．３．１　異議申立人高橋友之輔が提出した甲第１号証の記載内容
　甲第1号証の第1頁右下欄第1行〜第2頁左上欄第8行には、ウエーハ3上にフォトレジスト膜7を形成するに際し、まず最初にウエーハ3のフォトレジストに対する接着性を向上するため化学的に脱水を行う前処理を行った後、ウエーハ3に吸着されている水分を完全に除去するため、約200℃程度に加熱し脱水を行う前べ一ク(脱水べ一ク)処理を行い、次いで常温まで冷却した後にフォトレジスト膜7を形成する旨記載されている。
　甲第1号証の第2頁左下欄第20行〜第3頁左上欄第4行に、真空チャックを備えたウエーハ3の冷却ユニット11と、冷却水循環形の温度調整装置12と、冷却ユニット11と温度調整装置12との間を結合させかつ冷却ユニット11に冷却水を巡回させる循環パイプ13とを設け、ウエーハ3は真空チャックに吸着保持されて冷却ユニット11上に配置され、フォトレジストの溶媒蒸発温度(約20℃)以下の温度に冷却されている旨記載され、フォトレジスト塗布前には、ウエーハ3は冷却ユニット11上に配置され、この冷却ユニット11によりフォトレジストの溶媒蒸発温度以下に冷却され、塗布直前にはスピンモータ1の真空チャック2上に矢印方向に移動して吸着保持され、フォトレジスト塗布時にはウエーハ3は冷却された低温状態でフォトレジストが滴下されスピンモータ1が回転してフォトレジスト膜が形成される旨記載されている。
１．３．２　異議申立人高橋友之輔が提出した甲第２号証の記載内容
　甲第2号証の第10頁左上欄第1〜17行に、ウエハ輸送装置2は、レール10上に搭載された1乃至それ以上の可動ウエハ・キャリッジ即ちハンドラ9より成り、キャリッジ9はサービス・ケーブル27によってハンドラ制御装置111に接続され、各プロセス・セクタの一連の人力および出力ペデスタルが、輸送装置のレールに沿って分布され、センサ・ベース基制御装置112により、種々のプロセス・セクタのペデスタルからペデスタルへの部品の移動を制御する旨記載されている。
　甲第2号証の第14頁右上欄第1行〜第15頁左上欄第2行に、制御方法の第1のモードとして、輸送装置がフリーの状態で利用可能である場合、（1）セクタ(K)の搬出部に加工片がある（2）次のセクタ(K+1)が動作可能である（3）このセクタ(K+1)の搬人部が利用可能であるといった3つの条件が満たされるときにセクタ(K)からセクタ(K+1)へ加工片を搬送するように制御する旨記載されている。
１．３．３　異議申立人高橋友之輔が提出した甲第３号証の記載内容
　甲第3号証の第4頁第8欄第6行〜第7頁第13欄第9行に、隣接作業工程間の作業物転送の正常な順序として、上流の作業工程プログラム・セグメントが作業物処理完了の後、下流の作業工程プログラム・セグメントから作業物要求があったときに、上流の作業工程プログラム・セグメントから下流の作業工程プログラム・セグメントへ作業物を転送する旨記載されている。
１．３．４　異議申立人高橋友之輔が提出した甲第４号証の記載内容
　甲第4号証の第2頁右下欄第5行〜第3頁左上欄第18行には、半導体基板7は、搬送装置1によりウエーハチャック4の近傍まで搬送され、その位置で半導体基板7を周辺部で真空吸着する真空チャック6により速やかにウエーハチャック4の上に搭載される旨記載され、また、ウエーハチャック4の上に搭載された半導体基板7にレジストがノズル5から滴下されて供給される旨記載され、さらに、このようなレジスト塗布装置に用いられる搬送装置1は、内部にヒータlbを内蔵し、これらのヒータlbをそれぞれ独立して制御する温度調節器lcが設けられて、搬送装置1の表面温度が均一になるように制御されている旨記載されている。
１．３．５　異議申立人高橋友之輔が提出した参考資料の記載内容
　参考資料1の第2頁右上欄第20行〜右下欄第11行には、ウエハを150〜200℃に加熱した後、センタリング搬送部(3)の右端部(3a)に保持し、所定の温度分布になったことを赤外線センサ(6)が感知すると駆動回路(9)に駆動された図示しない移載手段がウエハをレジスト塗布部(4)へ移載し、レジストの塗布処理を行う旨記載されている。
２．訂正の適否について
  本件訂正請求は、本件特許第３０４６３６２号の明細書（以下、「特許明細書」という。）を、本件訂正請求書に添付した訂正明細書のとおりに、訂正しようとするものである。
２．１　訂正事項
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１における「塗布液」を、「フォトレジスト液」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項１の「半導体ウエハをプレ温調部において温度調整する第１の工程」を、「半導体ウエハをプレ温調部において、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、温度調整する第１の工程」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項１の「半導体ウエハの搬送時間を一定に制御する第２の工程」を、「半導体ウエハの搬送時間を一定に制御して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にする第２の工程」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項２を削除する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項３を削除する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項４を削除する。
訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項１における訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明における段落番号【０００９】を「【課題を解決するための手段】本発明の方法は、フォトレジスト液が塗布される前の半導体ウエハをプレ温調部において、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、温度調整する第１の工程と、前記半導体ウエハを前記プレ温調部から塗布処理部へ搬送する搬送部に設けられた制御部により、前記半導体ウエハの搬送時間を一定に制御して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にする第２の工程と、前記搬送部を通じて前記塗布処理部へ搬送された前記半導体ウエハの表面にフォトレジスト液を塗布する第３の工程とを有している。」と訂正する。
２．２　訂正後の特許請求の範囲
請求項１
「フォトレジスト液が塗布される前の半導体ウエハをプレ温調部において、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、温度調整する第１の工程と、前記半導体ウエハを前記プレ温調部から塗布処理部へ搬送する搬送部に設けられた制御部により、前記半導体ウエハの搬送時間を一定に制御して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にする第２の工程と、前記搬送部を通じて前記塗布処理部へ搬送された前記半導体ウエハの表面にフォトレジスト液を塗布する第３の工程とを有することを特徴とする塗布方法。」
３．　訂正の適否
３．１　訂正事項ａ
　上記訂正事項ａについては、特許明細書の請求項１の「塗布液」を、下位概念である「フォトレジスト液」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「フォトレジスト液」は、特許明細書の【０００１】段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるから、上記訂正事項aは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．２　訂正事項ｂ
　上記訂正事項ｂについては、特許明細書の請求項１の「半導体ウエハをプレ温調部において温度調整する第１の工程」を、下位概念である「半導体ウエハをプレ温調部において、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、温度調整する第１の工程」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「半導体ウエハをプレ温調部において、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、温度調整する第１の工程」は、特許明細書の【００１０】、【００１２】及び【００１３】段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるから、上記訂正事項ｂは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．３　訂正事項ｃ
　上記訂正事項ｃについては、特許明細書の請求項１の「半導体ウエハの搬送時間を一定に制御する第２の工程」を、下位概念である「半導体ウエハの搬送時間を一定に制御して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にする第２の工程」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮に相当する。
　また、当該「半導体ウエハの搬送時間を一定に制御して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にする第２の工程」は、特許明細書の【０００７】、【００１８】及び【００２６】段落から、直接かつ一義的に導き出されるものであるから、上記訂正事項ｃは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．４　訂正事項ｄ〜ｆ
　上記訂正事項ｄ〜ｆは、特許明細書の請求項２〜４を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたる。
　また、上記訂正事項ｄ〜ｆは、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．５　訂正事項ｇ
 上記訂正事項g
　上記訂正事項ｇは、上記訂正事項ａ及びｂの特許請求の範囲の訂正による、明細書の発明の詳細な説明の記載と特許請求の範囲との不一致を解消するものである。
　従って、訂正事項ｇについては、明りょうでない記載の釈明に相当する。
　また、上記訂正事項ｇは、出願当初の明細書又は図面に記載された事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張または変更するものではない。
３．６　訂正の適否の判断
　上記訂正事項ａ１〜ｅは、上記３．１〜３．５のとおりであるから、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項の規定に適合する。
　従って、当該請求を認める。
４．特許異議申立てについての判断
４．１　本件請求項１に係る発明
　上記２．２に記載のとおり。
４．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
４．２．１　本件請求項１に係る発明と異議申立人吉成迪夫が提出した甲１号証並びに異議申立人高橋友之輔が提出した甲１号証甲第４号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「フォトレジスト液が塗布される前の半導体ウエハをプレ温調部において、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、温度調整する第１の工程と、前記半導体ウエハを前記プレ温調部から塗布処理部へ搬送する搬送部に設けられた制御部により、前記半導体ウエハの搬送時間を一定に制御して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にする第２の工程」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、異議申立人吉成迪夫が提出した甲１号証並びに異議申立人高橋友之輔が提出した甲１号証〜甲第４号証のいずれにも、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成の記載及びその記載を示唆する記載がない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の構成を有することにより、「フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にすることができる」（特許明細書【発明の効果】）という上記異議申立人吉成迪夫が提出した甲１号証並びに異議申立人高橋友之輔が提出した甲１号証〜甲第４号証記載のいずれの発明にもない効果を有する。
　従って、本件請求項１に係る発明は、異議申立人吉成迪夫が提出した甲第１号証記載の発明と同一ではなく、また、異議申立人高橋友之輔が提出した甲１号証〜甲第４号証に基づいて当業者が容易に発明できたものでもない。
５．むすび
 したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年７月２４日（２００１．７．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　訂正事項ａ〜ｆは、特許請求の範囲の減縮を目的とし、訂正事項ｇは、明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１における「塗布液」を、「フォトレジスト液」と訂正する。
訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項１の「半導体ウエハをプレ温調部において温度調整する第１の工程」を、「半導体ウエハをプレ温調部において、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、温度調整する第１の工程」と訂正する。
訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項１の「半導体ウエハの搬送時間を一定に制御する第２の工程」を、「半導体ウエハの搬送時間を一定に制御して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にする第２の工程」と訂正する。
訂正事項ｄ
　特許明細書の請求項２を削除する。
訂正事項ｅ
　特許明細書の請求項３を削除する。
訂正事項ｆ
　特許明細書の請求項４を削除する。
訂正事項ｇ
　特許明細書の請求項１における訂正に伴い、特許明細書の発明の詳細な説明における段落番号【０００９】を「【課題を解決するための手段】本発明の方法は、フォトレジスト液が塗布される前の半導体ウエハをプレ温調部において、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、温度調整する第１の工程と、前記半導体ウエハを前記プレ温調部から塗布処理部へ搬送する搬送部に設けられた制御部により、前記半導体ウエハの搬送時間を一定に制御して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にする第２の工程と、前記搬送部を通じて前記塗布処理部へ搬送された前記半導体ウエハの表面にフォトレジスト液を塗布する第３の工程とを有している。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
塗布方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　
フォトレジスト液
、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、
して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定に
フォトレジスト
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、塗布技術に関し、特に半導体ウエハの表面へのフォトレジスト液の塗布に適用して有効な技術に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体集積回路装置のレジストプロセスでは、酸化膜、窒化膜、金属膜などの薄膜を堆積した半導体ウエハの表面にフォトレジストを塗布し、光や電子線などの露光光を用いて上記フォトレジストにマスクパターンを転写する。
　【０００３】
　半導体ウエハの表面にフォトレジストを塗布するには、スピン塗布装置が使用される。スピン塗布装置を用いたフォトレジスト塗布工程では、ウエハ表面に塗布されるフォトレジストの膜厚を均一にすることが重要な課題となる。フォトレジストの膜厚は、ウエハ温度、ウエハ回転速度、フォトレジスト温度、フォトレジスト滴下量などのパラメータによって規定されるため、これらのパラメータを精密に制御する必要がある。なお、フォトレジストの塗布技術については、工業調査会、昭和６３年１２月１０日発行の「電子材料別冊、超ＬＳＩ製造・試験装置ガイドブック」や、特開昭６２−１１９９２１号公報などに記載がある。特開昭６２−１１９９２１号公報には、高温ぺークプレートにおいて加熱されたウエハの温度を搬送部で検知し、この検知した温度に応じて駆動回路が作動し、ウエハを所定の温度でレジスト塗布部に移送するようにしたレジスト塗布装置が開示されているが、高温べークを行ってからレジスト塗布部に移送するまでの時間を制御することについては記載されていない。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　スピン塗布装置では、フォトレジスト塗布前のウエハ温度を制御する手段として恒温プレートを使用している。すなわち、スピン塗布装置に搬送されてきたウエハをいったん恒温プレート上に吸着、保持し、ここでウエハの温度調整を行った後に塗布処理部へ搬送している。
　【０００５】
　このとき、ウエハの温度調整を行ってから塗布処理を開始するまでの時間がウエハ間で異なる場合がある。例えば連続塗布処理中のウエハと、ロット先頭でフォトレジストの空出しを行ったウエハとでは、上記した時間に差が生じる。空出しを行っている時間だけ塗布処理開始までの時間が長くなるからである。
　【０００６】
　ところが、ウエハの温度調整を行ってから塗布処理を開始するまでの時間がウエハ間で異なると、搬送系で待機する時間がウエハ間で異なってくるため、恒温プレートの温度と雰囲気温度とが異なる場合は、塗布開始時のウエハ温度に差が生じ、ウエハ間で膜厚が変動したり、同一ウエハ面内で膜厚が不均一になったりするという問題があった。
　【０００７】
　本発明の目的は、フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にすることのできる技術を提供することにある。
　【０００８】
　本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の塗布方法は、
フォトレジスト液
、加熱し、冷却用恒温プレート上で、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上で、ウエハ間でフォトレジスト膜の膜厚の変動が防止されるような一定の温度に冷却して、
して前記フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定に
フォトレジスト液
　【００１０】
　【作用】
　上記した手段によれば、ウエハをプレ温調部から塗布処理部へと搬送する時間を一定に制御することにより、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上でプレ温調部での温度調整を行うことができるので、フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にすることができる。仮に塗布処理前にフォトレジストの空出しを行うウエハがプレ温調部にある場合、このウエハは、塗布処理部が塗布開始可能状態になるまでプレ温調部で待機を続ける。制御部は、空出し終了後または搬送中に空出しが終了するタイミングで搬送部に上記ウエハの搬送開始を指示する。
　【００１１】
　【実施例】
　図１に本実施例のフォトレジスト塗布装置の構成を示す。このフォトレジスト塗布装置は、フォトレジスト塗布前のウエハの温度を一定に制御するプレ温調部（Ａ）と、ウエハの表面にフォトレジストを塗布する塗布処理部（Ｃ）と、ウエハを上記プレ温調部（Ａ）から上記塗布処理部（Ｃ）へと搬送する搬送部（Ｂ）とからなり、さらに上記搬送部（Ｂ）には、ウエハをプレ温調部（Ａ）から塗布処理部（Ｃ）へと搬送する時間を一定に制御する制御部（Ｄ）が設けられている。
　【００１２】
　プレ温調部（Ａ）は、例えば第一および第二の恒温プレートを有している。第一の恒温プレートに吸着、保持されたウエハは、加熱処理され、その表面に吸着した水分が除去される。ウエハの表面に水分が吸着していると、フォトレジストの接着性が低下するので、現像処理中などにフォトレジストがウエハから剥離する虞れがあるからである。このとき、ウエハ表面の接着性を強化するため、例えばヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）を用いた疎水化処理を行ってもよい。
　【００１３】
　第一の恒温プレートでの脱水処理が完了したウエハは、第二の恒温プレートに吸着、保持される。第二の恒温プレートは、第一の恒温プレートで加熱されたウエハをフォトレジスト塗布に最適な温度になるまで冷却する。この最適温度は、例えば２３℃程度である。
　【００１４】
　ウエハの温度が一定になると、搬送部（Ｂ）に設けられた制御部（Ｄ）が塗布処理部（Ｃ）の作動状態を確認する。このとき、塗布処理部（Ｃ）が別のウエハの塗布処理中であったり、フォトレジストの空出し中であったりした場合は、搬送部（Ｂ）は作動せず、ウエハを第二の恒温プレート上にて待機させる。制御部（Ｄ）は、塗布処理部（Ｃ）の作動状態を常時監視しており、塗布処理部（Ｃ）の空出しが終了した後、または搬送中に空出しが終了するタイミングを見計らって、搬送部（Ｂ）にプレ温調部（Ａ）で待機しているウエハの搬送を開始するように指示する。搬送部（Ｂ）は、制御部（Ｄ）の上記指示に従い、プレ温調部（Ａ）のウエハを正確に一定の時間で塗布処理部（Ｃ）に搬送する。
　【００１５】
　図２に上記塗布処理部（Ｃ）の構成を示す。上下が開口された略円筒形の塗布カップ１の中央には、ウエハ２を水平に保持するスピンチャック３が配置されている。スピンチャック３は、モータ４の駆動によって水平面内を高速で回転する。スピンチャック３に保持されたウエハ２の上方においてスピンチャック３の回転軸上には、ウエハ２の表面にフォトレジストを供給するノズル５が配置されている。また、塗布カップ１の壁面においてウエハ２とほぼ同じ高さの位置には、傾斜部６が設けられ、ウエハ２から飛散したフォトレジストが下方に落下し易いようになっている。
　【００１６】
　ウエハ２の表面にフォトレジストを塗布するには、ウエハ２を真空吸着によりスピンチャック３に保持した後、モータ４に通電し、ウエハ２を所定の速度で回転させる。続いて、ノズル５の先端からフォトレジストを吐出することにより、高速で回転するウエハ２の表面に被着したフォトレジストが遠心力によって円周方向に流動し、ウエハ２の表面全体に均一に濡れ広がる。
　【００１７】
　ウエハ２の周辺部に達したフォトレジストの余剰分は、ウエハ２を離れて塗布カップ１に向かって飛散し、その内壁に被着する。塗布カップ１の内壁に被着したフォトレジストの大部分は、傾斜部６に沿って落下するが、一部は跳ね返ってミストとなり、これがウエハ２に向かって飛散する。塗布カップ１には、上方からエアー排気口７に向かって流れるエアーが供給されており、これのエアーが上記ミストのウエハ２への再付着を防ぐようになっている。
　【００１８】
　このように、本実施例のフォトレジスト塗布装置は、ウエハをプレ温調部（Ａ）から塗布処理部（Ｃ）へと搬送する時間を一定に制御しているので、フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にすることができる。これにより、ウエハ間での膜厚の変動を防止することができ、また同一ウエハ面内での膜厚分布を均一にすることができるので、半導体集積回路装置の製造歩留りを向上させることができる。
　【００１９】
　図３に本発明の他の実施例であるフォトレジスト塗布装置の構成を示す。このフォトレジスト塗布装置は、フォトレジスト塗布前のウエハの温度を一定に制御するプレ温調部（Ａ）と、ウエハの表面にフォトレジストを塗布する塗布処理部（Ｃ）と、ウエハを上記プレ温調部（Ａ）から上記塗布処理部（Ｃ）へと搬送する搬送部（Ｂ）とからなり、さらに上記搬送部（Ｂ）には、ウエハの温度を一定に制御する温調部（Ｅ）が設けられている。
　【００２０】
　プレ温調部（Ａ）および塗布処理部（Ｃ）の構成は、前記実施例のそれと同一である。搬送部（Ｂ）に設けられた温調部（Ｅ）は、プレ温調部（Ａ）での温調が完了したウエハの温度を一定に制御するものである。すなわち、温調部（Ｅ）は、プレ温調部（Ａ）から塗布処理部（Ｃ）に搬送されるウエハの温度をプレ温調部（Ａ）の第二の恒温プレートの温度（例えば２３℃）と正確に同じ温度となるように制御する。
　【００２１】
　本実施例のフォトレジスト塗布装置では、例えば連続塗布処理中のウエハと、ロット先頭でフォトレジストの空出しを行ったウエハとでは、プレ温調部（Ａ）で温調を行ってから塗布処理部（Ｃ）でフォトレジストの塗布を開始するまでの時間がウエハ間で異なる場合がある。すなわち、搬送部（Ｂ）で待機する時間がウエハ間で異なる場合がある。
　【００２２】
　しかし、搬送部（Ｂ）で待機中のウエハは、プレ温調部（Ａ）で温調が完了した時と同じ温度に維持されるので、搬送部（Ｂ）で待機している時間の長短にかかわらず、フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度は、ウエハ間で常に一定になる。
　【００２３】
　これにより、前記実施例同様、ウエハ間での膜厚の変動を防止することができ、また同一ウエハ面内での膜厚分布を均一にすることができるので、半導体集積回路装置の製造歩留りを向上させることができる。
　【００２４】
　以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
　【００２５】
　【発明の効果】
　本願によって開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下の通りである。
　ウエハをプレ温調部から塗布処理部へと搬送する時間を一定に制御する本発明のフォトレジスト塗布方法によれば、搬送過程でのウエハの温度変化量を予め考慮に入れた上でプレ温調部での温度調整を行うことができるので、フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にすることができる。これにより、ウエハ間での膜厚の変動を防止することができ、また同一ウエハ面内での膜厚分布を均一にすることができる。
　【００２６】
　ウエハをプレ温調部から塗布処理部へと搬送する時間を一定に制御するための制御部を備えた本発明のスピン塗布装置によれば、フォトレジスト塗布開始時のウエハ温度をウエハ間で一定にすることができるので、ウエハ間での膜厚の変動を防止することができ、また同一ウエハ面内での膜厚分布を均一にすることができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例であるフォトレジスト塗布装置の全体構成図である。
　【図２】
　このフォトレジスト塗布装置の塗布処理部を示す概略図である。
　【図３】
　本発明の他の実施例であるフォトレジスト塗布装置の全体構成図である。
　【符号の説明】
　１　塗布カップ
　２　半導体ウエハ
　３　スピンチャック
　４　モータ
　５　ノズル
　６　傾斜部
　７　エアー排気口
　Ａ　プレ温調部
　Ｂ　搬送部
　Ｃ　塗布処理部
　Ｄ　制御部
　Ｅ　温調部