(57)【要約】  弾性境界波装置において、フィルタ特性や共振子特性などの特性を向上する。  弾性境界波装置１は、圧電体からなる第１の媒質２１と、第２の媒質２２と、第３の媒質２３と、ＩＤＴ電極２０と、配線電極２４とを備えている。第２の媒質２２は、第１の媒質２１の上に形成されている。第３の媒質２３は、第２の媒質２２の上に形成されている。ＩＤＴ電極２０は、第１の媒質２１と第２の媒質２２との境界に形成されている。第２の媒質２２は、第１及び第３の媒質２１，２３よりも音速が低い。第１の媒質２１の音速より第３の媒質２３の音速が高い。配線電極２４は、第３の媒質２３の上に、ＩＤＴ電極２０と平面視において少なくとも一部が重なるように形成されている。第３の媒質２３の厚みは、ＩＤＴ電極２０において励振される弾性境界波の波長の０．７倍以上である。
2010131606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体からなる第１の媒質と、
前記第１の媒質の上に形成されている第２の媒質と、
前記第２の媒質の上に形成されている第３の媒質と、
前記第１の媒質と前記第２の媒質との境界に形成されているＩＤＴ電極と、
配線電極とを備え、前記第２の媒質の音速が前記第１及び第３の媒質の音速よりも低く、前記第１の媒質の音速より前記第３の媒質の音速が高い弾性境界波装置であって、
前記配線電極は、前記第３の媒質の上に、前記ＩＤＴ電極と平面視において少なくとも一部が重なるように形成されており、
前記第３の媒質の厚みは、前記ＩＤＴ電極において励振される弾性境界波の波長の０．７倍以上である、弾性境界波装置。
【請求項２】
前記第１の媒質は、ＬｉＮｂＯ３からなり、前記第２の媒質は、酸化珪素からなり、前記第３の媒質は、窒化珪素からなる、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項３】
前記配線電極は、外部端子電極を含む、請求項１または２に記載の弾性境界波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性境界波を利用した弾性境界波装置に関し、詳細には、圧電基板の上に形成された第１及び第２の誘電体層を有する３媒質型の弾性境界波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話用のＲＦフィルタやＩＦフィルタ、ＶＣＯ用共振子、テレビジョン用ＶＩＦフィルタなどに弾性波装置が用いられている。弾性波装置としては、従来、弾性表面波を利用した弾性表面波装置が一般的に用いられていたが、近年、弾性表面波装置よりも小型化が可能であることより、例えば下記の特許文献１に記載されているような、弾性境界波装置が用いられるようになってきている。【０００３】
図１５は、特許文献１に記載されている弾性境界波装置の略図的断面図である。図１５に示すように、弾性境界波装置１００は、第１の媒質層１０１を備えている。第１の媒質層１０１の上には、第２の媒質層１０２が形成されている。さらに、第２の媒質層１０２の上には、第３の媒質層１０３が形成されている。さらに、第３の媒質層１０３の上には、吸音層１０４が形成されている。第１の媒質層１０１と第２の媒質層１０２との境界には、ＩＤＴ電極１０５が形成されている。また、第２の媒質層１０２と第３の媒質層１０３との境界や、第３の媒質層１０３と吸音層１０４との境界には、配線電極１０６，１０７が形成されている。【０００４】
配線電極１０６，１０７は、弾性境界波装置１００の外側面に引き出されている。平面視において、配線電極１０６，１０７は、ＩＤＴ電極１０５と重なるように形成されている。このため、弾性境界波装置を小型化することができる。【０００５】
特許文献１には、吸音層１０４が設けられているため、この吸音層１０４によりスプリアスとなるモードが減衰され、その結果、共振周波数よりも高域側や通過帯域の高域側における複数のスプリアス応答を効果的に抑圧することができる旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００５／０６９４８６  Ａ１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されている弾性境界波装置１００では、吸音層１０４が配線電極１０６，１０７の上に設けられていた。スプリアスとなる高次モードは、吸音層１０４と第２の媒質１０２や第３の媒質１０３との間に設けられた配線電極１０６，１０７によって反射され、吸音層１０４に移行することができない。このため、吸音層１０４を、吸音媒質として作用させることができない。【０００８】
従って、高次モードのエネルギーは、再度、第２、第３の媒質層１０２、１０３に戻り、不要なスプリアスとなる。【０００９】
よって、平面視において、配線電極１０６，１０７がＩＤＴ電極１０５と重なるように形成された弾性境界波装置１００では、十分に良好なフィルタ特性や共振子特性などの特性が得られないという問題があった。【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、弾性境界波装置において、フィルタ特性や共振子特性などの特性を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る弾性境界波装置は、第１の媒質と、第２の媒質と、第３の媒質と、ＩＤＴ電極と、配線電極とを備えている。第１の媒質は、圧電体からなる。第２の媒質は、第１の媒質の上に形成されている。第３の媒質は、第２の媒質の上に形成されている。ＩＤＴ電極は、第１の媒質と第２の媒質との境界に形成されている。第２の媒質は、第１及び第３の媒質よりも音速が低い。第１の媒質の音速より第３の媒質の音速が高い。配線電極は、第３の媒質の上に、ＩＤＴ電極と平面視において少なくとも一部が重なるように形成されている。第３の媒質の厚みは、ＩＤＴ電極において励振される弾性境界波の波長の０．７倍以上である。【００１２】
本発明に係る弾性境界波装置のある特定の局面では、第１の媒質は、ＬｉＮｂＯ３からなり、第２の媒質は、酸化珪素からなり、第３の媒質は、窒化珪素からなる。【００１３】
本発明に係る弾性境界波装置の他の特定の局面では、配線電極は、外部端子電極を含んでいる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、第２の媒質の音速が第１及び第３の媒質の音速よりも低く、かつ第３の媒質の厚みがＩＤＴ電極において励振される弾性境界波の波長の０．７倍以上とされている。このため、ＩＤＴ電極において発生する弾性境界波の高次モードを、第３の媒質の表面に存在しないように第２及び第３の媒質内に閉じ込めることができる。このため、第３の媒質の上に、ＩＤＴ電極と平面視において重なるように配線電極を形成した場合においても、高次モードが配線電極により反射されることがない。従って、高次モードに起因する特性低下を防止しつつ、弾性境界波装置の小型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、弾性境界波装置の等価回路図である。
【図２】図２は、弾性境界波装置の一部分の模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）は、実験例において作製した第１の弾性境界波装置の略図的平面図である。図３（ｂ）は、実験例において作製した第１の弾性境界波装置の一部分の模式的断面図である。
【図４】図４は、実験例において作製した第２の弾性境界波装置の略図的平面図である。
【図５】図５は、実験例において作製した第３の弾性境界波装置の略図的平面図である。
【図６】図６は、第１〜第３の弾性境界波装置のフィルタ特性を表すグラフである。
【図７】図７は、第４の弾性境界波装置におけるＳＨ型の弾性境界波の変位分布を表すグラフである。
【図８】図８は、第４の弾性境界波装置における第１の高次モードの変位分布を表すグラフである。
【図９】図９は、第４の弾性境界波装置における第２の高次モードの変位分布を表すグラフである。
【図１０】図１０は、第５の弾性境界波装置におけるＳＨ型の弾性境界波の変位分布を表すグラフである。
【図１１】図１１は、第５の弾性境界波装置における第１の高次モードの変位分布を表すグラフである。
【図１２】図１２は、第５の弾性境界波装置における第２の高次モードの変位分布を表すグラフである。
【図１３】図１３（ａ）は、ＩＤＴ電極と配線電極とが平面視において重ならないようにした弾性境界波装置の模式的平面図である。図１３（ｂ）は、ＩＤＴ電極と配線電極の一部分とが平面視において重なるようにした弾性境界波装置の模式的平面図である。
【図１４】図１４は、変形例に係る弾性境界波装置の模式的断面図である。
【図１５】図１５は、特許文献１に記載されている弾性境界波装置の略図的断面図である。
【図１６】図１６（ａ）及び（ｂ）は、特許文献１に記載されている、ＳｉＯ２／Ａｕ／ＬｉＮｂＯ３構造の弾性境界波装置において、Ａｕの厚みを０．０５λ、ＳｉＯ２膜の厚みを１．５λとした時の各スプリアスモードの変位分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１７】
図１は、弾性境界波装置の等価回路図である。図２は、本実施形態に係る弾性境界波装置のＩＤＴ電極が形成されている部分の模式的断面図である。本実施形態では、本発明を実施した弾性境界波装置について、図１に示す弾性境界波フィルタとしての弾性境界波装置１を例に挙げて説明する。但し、本発明において、弾性境界波装置は、弾性境界波フィルタに限定されない。本発明の弾性境界波装置は、例えば、弾性境界波共振子や複数個の弾性境界波共振子で構成されたラダー型フィルタなどであってもよい。
【００１８】
なお、図１及び下記の図３〜５，１３においては、ＩＤＴ電極や共振子は、模式的に記載している。
【００１９】
図１に示すように、弾性境界波装置１は、不平衡入力端子１０と、第１及び第２の平衡出力端子１１ａ、１１ｂとを備えている。不平衡入力端子１０と、第１及び第２の平衡出力端子１１ａ、１１ｂとの間には、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタ部１２が接続されている。弾性境界波フィルタ部１２は、５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性境界波フィルタ部である。
【００２０】
具体的には、弾性境界波フィルタ部１２は、弾性境界波の伝搬方向に沿って配列された第１〜第５のＩＤＴ電極１３ａ〜１３ｅと、第１〜第５のＩＤＴ電極１３ａ〜１３ｅが形成されている領域の弾性波伝搬方向両側に配置されている反射器（図示せず）とを備えている。第１，第３及び第５のＩＤＴ電極１３ａ、１３ｃ、１３ｅのそれぞれの一方側は、不平衡入力端子１０に接続されている。一方、第１，第３及び第５のＩＤＴ電極１３ａ、１３ｃ、１３ｅのそれぞれの他方側は、グラウンド電極に接続されている。第２及び第４のＩＤＴ電極１３ｂ、１３ｄのそれぞれの一方側は、グラウンド電極に接続されている。第４のＩＤＴ電極１３ｄの他方側は、第１の平衡出力端子１１ａに接続されている。第２のＩＤＴ電極１３ｂの他方側は、第２の平衡出力端子１１ｂに接続されている。
【００２１】
第１，第３及び第５のＩＤＴ電極１３ａ、１３ｃ、１３ｅのそれぞれの一方側と、不平衡入力端子１０との間には、直列トラップとしての弾性境界波共振子１４が接続されている。弾性境界波共振子１４は、ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向の両側に配置されている反射器とを備えている。
【００２２】
また、図１に示すように、第１，第３及び第５のＩＤＴ電極１３ａ、１３ｃ、１３ｅのそれぞれの一方側の接続点と、グラウンド電位との間には、並列容量１５が接続されている。並列容量１５は、一対の互いに間挿し合うくし歯電極により構成されている。
【００２３】
第２のＩＤＴ電極１３ｂと第２の平衡出力端子１１ｂとの間の接続点と、第４のＩＤＴ電極１３ｄと第１の平衡出力端子１１ａとの間の接続点との間には、並列トラップとしての弾性境界波共振子１６が接続されている。弾性境界波共振子１６は、ＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向の両側に配置されている反射器とを備えている。
【００２４】
次に、弾性境界波装置１の具体的構成について、図２を参照して詳細に説明する。なお、図２は、弾性境界波装置１に含まれる第１〜第５のＩＤＴ電極１３ａ〜１３ｅなどのＩＤＴ電極のうちのひとつが形成されている部分の断面図であり、図２においては、ＩＤＴ電極を符号「２０」で参照している。
【００２５】
図２に示すように、弾性境界波装置１は、所謂３媒質型の弾性境界波装置である。弾性境界波装置１は、第１の媒質２１を備えている。第１の媒質２１は、圧電体からなる圧電基板である。第１の媒質２１の形成に用いる圧電体は、特に限定されず、弾性境界波装置１に求められる特性に応じて適宜選択することができる。圧電体の具体例としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などが挙げられる。
【００２６】
第１の媒質２１の上には、上述のＩＤＴ電極２０が形成されている。
【００２７】
第１の媒質２１の上には、ＩＤＴ電極２０を覆うように第２の媒質２２が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極２０は、第１の媒質２１と第２の媒質２２との境界に形成されている。
【００２８】
第２の媒質２２の上には、第３の媒質２３が形成されている。第２の媒質２２の音速は、第１及び第３の媒質２１，２３の音速よりも低い。第３の媒質２３の音速は、第１の媒質２１の音速よりも高い。
【００２９】
第２及び第３の媒質２２，２３の材料は、第２の媒質２２の音速が、第１及び第３の媒質２１，２３の音速よりも遅くなる材料であれば特に限定されない。例えば、第２及び第３の媒質２２，２３は、誘電体により形成することができる。具体的には、例えば、第２の媒質２２をＳｉＯ２などの酸化珪素から形成し、第３の媒質２３をＳｉＮなどの窒化珪素により形成することができる。
【００３０】
第２の媒質２２の厚みは、特に限定されず、弾性境界波装置１に要求される特性などに応じて適宜設定することができる。一方、第３の媒質２３の厚みは、ＩＤＴ電極２０において励振される弾性境界波の波長（λ）の０．７倍以上である。
【００３１】
また、本実施形態では、第３の媒質２３の上に、保護膜２５が形成されている。この保護膜２５は、後述する配線電極２４を保護するための保護膜である。保護膜２５は、例えば、ポリイミドにより形成することができる。
【００３２】
また、弾性境界波装置１には、ＩＤＴ電極２０に接続されている配線電極２４を備えている。配線電極２４は、第１の媒質２１と第２の媒質２２との境界と、第３の媒質２３と保護膜２５との境界とに形成されており、第２の媒質２２と第３の媒質との境界には、形成されていない。すなわち、配線電極２４は、ＩＤＴ電極２０が形成されている第１の媒質２１と第２の媒質２２との境界以外では、第３の媒質２３の上にのみ形成されている。配線電極２４の少なくとも一部は、平面視において、ＩＤＴ電極２０と重なっている。
【００３３】
なお、図２に示すように、配線電極２４には、保護膜２５から露出する外部端子電極としてのバンプ電極２６が含まれている。
【００３４】
本実施形態では、上述のように、第１の媒質２１の上に、第２及び第３の媒質２２，２３が形成されており、かつ第３の媒質２３の厚みがＩＤＴ電極２０において励振される弾性境界波の波長（λ）の０．７倍以上とされている。このため、ＩＤＴ電極２０において発生する弾性境界波の高次モードを、第３の媒質の表面に存在しないように第２及び第３の媒質２２，２３内に閉じ込めることができる。すなわち、本実施形態では、基本モードのみならず、高次モードも第３の媒質２３の表面にまでは到達しない。従って、第３の媒質２３の上に形成されている配線電極２４によって高次モードの形状が変化することに起因して、フィルタ特性や共振子特性などの特性が低下することがない。
【００３５】
以下、この効果について、具体例に基づいてさらに詳細に説明する。
【００３６】
まず、第３の媒質２３を設けずに、第２の媒質２２の上に配線電極２４を設けたこと、及び第２の媒質２２上の配線電極２４とＩＤＴ電極とが平面視において重ならないようにしたこと以外は、図１及び図２に示す弾性境界波装置１と同様の弾性境界波装置（ＧＳＭ９００受信フィルタ用、通過帯域：９２５ＭＨｚ〜９６０ＭＨｚ）を、第１の弾性境界波装置として、下記の設計パラメータで作製した。
【００３７】
図３（ａ）は、第１の弾性境界波装置の略図的平面図である。図３（ｂ）は、第１の弾性境界波装置の一部分の模式的断面図である。
【００３８】
なお、この図３（ａ）及び下記の図４，５，１３においては、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照している。また、図３〜図５及び図１３において、符号１７は、グラウンド電極を表している。
【００３９】
第１の媒質２１：カット角が１５°のＬｉＮｂＯ３
ＩＤＴ電極２０：第１の媒質側からＴｉ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））／Ｐｔ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））／Ａｕ膜（厚さ１３０ｎｍ（０．０３７λ））／Ｐｔ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））／Ｔｉ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））／ＮｉＣｒ膜（厚さ１０ｎｍ（０．００２９λ））
ＩＤＴ電極２０の電極指のピッチで定まる波長（λ）：約３．５μｍ
ＩＤＴ電極２０のデューティー：０．６０
第２の媒質２２：ＳｉＯ２（厚さ５５００ｎｍ（１．５７λ））
配線電極２４：第２の媒質２２側からＴｉ膜（厚さ２０ｎｍ（０．００５７λ））／ＡｌＣｕ膜（厚さ１０００ｎｍ（０．２９λ））／Ｔｉ膜（厚さ５０ｎｍ（０．０１４λ））／Ｐｔ膜（厚さ２０ｎｍ（０．００５７λ））
保護膜２５：ポリイミド膜（厚さ７０００ｎｍ、２．０λ）
【００４０】
また、弾性境界波フィルタ１３および弾性境界波共振子１４，１６における全てのＩＤＴ電極２０の上に、ダミー電極３０を形成したこと以外は、上記第１の弾性境界波装置と同様にして図４に示す第２の弾性境界波装置を作製した。
【００４１】
さらに、弾性境界波フィルタ部のＩＤＴ電極の上のみにダミー電極３０を形成したこと以外は、上記第１の弾性境界波装置と同様にして図５に示す第３の弾性境界波装置を作製した。
【００４２】
上記第１〜第３の弾性境界波装置のフィルタ特性を測定した。測定結果を図６に示す。なお、図６において、「Ａ」で示すデータは、第１の弾性境界波装置のフィルタ特性を表している。「Ｂ」で示すデータは、第２の弾性境界波装置のフィルタ特性を表している。「Ｃ」で示すデータは、第３の弾性境界波装置のフィルタ特性を表している。
【００４３】
図６に示すように、厚さが１．５７λの第２の媒質２２のみを形成し、第３の媒質２３を形成しない場合は、ＩＤＴ電極２０の上にダミー電極３０が位置していると、図６に点線で示す領域Ｘ１，Ｘ２などに位置する帯域外スプリアスが大きくなる傾向にある。
【００４４】
次に、本発明者らは、この帯域外スプリアスの原因を探求すべく、カット角が１５°であるＬｉＮｂＯ３基板の上に、厚みが０．６λであるＳｉＯ２膜（第２の媒質２２）及び厚みが２．４λであるＳｉＮ膜（第３の媒質２３）を形成した第４の弾性境界波装置と、カット角が１５°であるＬｉＮｂＯ３基板の上に、厚みが０．６λであるＳｉＯ２膜、厚みが２．４λであるＳｉＮ膜及びＡｌからなる配線電極（厚み：０．１λ）を形成した第５の弾性境界波装置とを作製し、弾性境界波の変位分布を測定した。なお、第４及び第５の弾性境界波装置においてＩＤＴ電極（厚み：０．０６λ）はＡｕにより形成した。
【００４５】
図７は、第４の弾性境界波装置におけるＳＨ型の弾性境界波の変位分布を表すグラフである。図８は、第４の弾性境界波装置における第１の高次モードの変位分布を表すグラフである。図９は、第４の弾性境界波装置における第２の高次モードの変位分布を表すグラフである。
【００４６】
また、図１０は、第５の弾性境界波装置におけるＳＨ型の弾性境界波の変位分布を表すグラフである。図１１は、第５の弾性境界波装置における第１の高次モードの変位分布を表すグラフである。図１２は、第５の弾性境界波装置における第２の高次モードの変位分布を表すグラフである。
【００４７】
ここで、第１の高次モードとは、Ｙ成分を主体とする高次モードで、第２の高次モードとは、Ｚ成分を主体とする高次モードである。
【００４８】
なお、図７〜図１２において、横軸は変位であり、縦軸は、第１の媒質の表面を基準）（０）とした場合の深さ（λ）である。また、「△」は、弾性波伝搬方向（Ｘ）における変位を表し、「○」は、第１の媒質２１の表面上において弾性波伝搬方向（Ｘ）に垂直な方向（Ｚ）における変位を表し、「×」は、方向（Ｘ）及び方向（Ｚ）に垂直な厚み方向（Ｙ）における変位を表す。
【００４９】
図７に示す結果から、ＳＨ型の弾性境界波（基本モード）は、第２の媒質２２内に閉じ込められており、第３の媒質２３にはほとんど浸み出していないことが分かる。図１０に示す結果から、第３の媒質２３の上に配線電極が設けられている場合についても同様に、ＳＨ型の弾性境界波は、第２の媒質２２内に閉じ込められており、第３の媒質２３にはほとんど浸み出していないことが分かる。
【００５０】
図８及び図１１に示す結果から、第１の高次モードについても、配線電極の存否に関わらず、第２の媒質２２内に閉じ込められており、第３の媒質２３にはほとんど浸み出していないことが分かる。
【００５１】
それに対して、図９及び図１２に示す結果から、第２の高次モードについては、配線電極の存否に関わらず、第３の媒質２３に浸み出していることが分かる。具体的には、第２の高次モードは、深さ１．３λにまで浸み出している。このため、第２の媒質２２の厚みが０．６λであることを勘案すると、第３の媒質２３の深さ０．７λの部分にまで第２の高次モードが浸み出していることが分かる。このことから、第３の媒質２３が設けられていなかったり、第３の媒質２３の厚みが０．７λ未満であったりする場合は、ＩＤＴ電極２０の上に位置している配線電極２４にまで第２の高次モードが到達する。そして、第２の高次モードが配線電極２４において変形し、反射されることに起因して帯域外スプリアスが発生するものと考えられる。
【００５２】
第３の媒質２３を設けない場合の高次モードの変位分布は、例えば、図１６のように、特許文献１に示されている。
【００５３】
図１６（ａ）及び（ｂ）は、特許文献１に記載されている、ＳｉＯ２／Ａｕ／ＬｉＮｂＯ３構造の弾性境界波装置において、Ａｕの厚みを０．０５λ、ＳｉＯ２膜の厚みを１．５λとした時の各スプリアスモードの変位分布を示す図である。
【００５４】
図１６に示すように、第２の媒質２２の表面まで高次モードの変位が存在する。従って、第２の媒質２２の表面に配線電極２４を設け、及び第２の媒質２２上の配線電極２４とＩＤＴ電極とが平面視において重なるようにしたとすると、高次モードが配線電極２４において変形し、反射されることに起因して帯域外スプリアスが発生する。
【００５５】
帯域外スプリアスを抑圧する方法としては、図１３（ａ）に示すように、ＩＤＴ電極２０と配線電極２４とが高さ方向に重畳しないように配線電極２４を形成することが考えられる。しかしながら、ＩＤＴ電極２０と配線電極２４とが平面視において重ならないようにした場合、例えば、ＩＤＴ電極２０と配線電極２４の一部分とが平面視において重なるようにした図１３（ｂ）に示す場合と比較して、弾性境界波装置の寸法が大きくなる。従って、帯域外スプリアスの抑圧と、弾性境界波装置の小型化とを両立させることが困難である。
【００５６】
それに対して、上述のように、第２の高次モードは、第３の媒質２３の深さ０．７λの部分にまでしか浸み出していないため、上記実施形態のように、第３の媒質２３の厚さを０．７λ以上とすることによって、第２の高次モードが第３の媒質２３の表面にまで到達しないようにすることができる。従って、第３の媒質２３の厚みが０．７λ以上である場合は、ＩＤＴ電極２０と平面視において重なるように配線電極２４を形成した場合であっても帯域外スプリアスを効果的に抑圧することができる。すなわち、第３の媒質２３の厚みを０．７λ以上とし、第３の媒質２３の表面に配線電極２４を形成するとによって、帯域外スプリアスの抑圧と、弾性境界波装置の小型化との両立を図ることができる。
【００５７】
なお、第３の媒質を設けない２媒質型の弾性境界波装置においては、第２の媒質を厚くした場合であっても、上述の帯域外スプリアスを抑圧できるという効果は得難い。なぜならば、２媒質型の弾性境界波装置では、第２の媒質の上に、第２の媒質よりも音速の高い媒質がないため、高次モードにおいて、第２の媒質の厚さ方向における全体が大きく振動し、第２の媒質を厚くした場合であっても、高次モードが第２の媒質の表面にまで達するからである。
【００５８】
それに対して、高音速の第３の媒質２３を設けた所謂３媒質型の弾性境界波装置においては、図８，９，１１，１２に示す結果からも分かるように、高次モードにおいて、圧電体により形成されている第１の媒質２１の厚さ方向における全体が大きく振動し、かつ、第２の媒質２２の音速が低くされている。このため、第３の媒質２３の第２の媒質２２側の部分には、高次モードが浸み出すものの、高次モードは第３の媒質２３内において減衰する。よって、第３の媒質２３の第２の媒質２２から離れた部分までは高次モードが達しない。従って、３媒質型の弾性境界波装置においては、第３の媒質２３の厚さを０．７λ以上にすることによって、上述のように、帯域外スプリアスを効果的に抑圧することができる。
【００５９】
図８，９，１１，１２に示す結果から高次モードが第１の媒質２１側へ浸み出していることが分かる。これは、第３の媒質２３の音速より第１の媒質２１の音速が遅いことによる。すなわち、高次モードの音速を、第１の媒質２１を構成するＬｉＮｂＯ３の速い横波音速より高音速とすることにより、高次モードをＬｉＮｂＯ３側へ浸み出させることができる。これによって、第３の媒質２３の表面は振動しないことになる。このため、第３の媒質２３の表面に配線を設けることが可能となり、良好な特性を実現できる。
【００６０】
（変形例）
図１３（ｂ）に示す例では、グラウンド電極１７が２つ設けられているが、図１４に示すように、グラウンド電極１７は、ひとつのみ形成されていてもよい。このようにすることによって、弾性境界波装置をさらに小型化することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１…弾性境界波装置
１０…不平衡入力端子
１１ａ…第１の平衡出力端子
１１ｂ…第２の平衡出力端子
１２…弾性境界波フィルタ部
１３…弾性境界波フィルタ
１３ａ…第１のＩＤＴ電極
１３ｂ…第２のＩＤＴ電極
１３ｃ…第３のＩＤＴ電極
１３ｄ…第４のＩＤＴ電極
１３ｅ…第５のＩＤＴ電極
１４…弾性境界波共振子
１５…並列容量
１６…弾性境界波共振子
１７…グラウンド電極
２０…ＩＤＴ電極
２１…第１の媒質
２２…第２の媒質
２３…第３の媒質
２４…配線電極
２５…保護膜
２６…バンプ電極
３０…ダミー電極
【図１】
2010131606.tif 000003
【図２】
2010131606.tif 000004
【図３】
2010131606.tif 000005
【図４】
2010131606.tif 000006
【図５】
2010131606.tif 000007
【図６】
2010131606.tif 000008
【図７】
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【図８】
2010131606.tif 000010
【図９】
2010131606.tif 000011
【図１０】
2010131606.tif 000012
【図１１】
2010131606.tif 000013
【図１２】
2010131606.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2010131606.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2010131606.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成24年8月1日(2012.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体からなる第１の媒質と、
前記第１の媒質の上に形成されている第２の媒質と、
前記第２の媒質の上に形成されている第３の媒質と、
前記第１の媒質と前記第２の媒質との境界に形成されているＩＤＴ電極と、
配線電極とを備え、
前記第２の媒質の音速が前記第１及び第３の媒質の音速よりも低く、前記第１の媒質の音速より前記第３の媒質の音速が高い弾性境界波装置であって、
前記配線電極は、前記第３の媒質の上に、平面視において一方側から他方側にわたって前記ＩＤＴ電極を横切るように形成されており、
前記第３の媒質の厚みは、前記ＩＤＴ電極において励振される弾性境界波の波長の０．７倍以上である、弾性境界波装置。
【請求項２】
前記第１の媒質は、ＬｉＮｂＯ３からなり、前記第２の媒質は、酸化珪素からなり、前記第３の媒質は、窒化珪素からなる、請求項１に記載の弾性境界波装置。
【請求項３】
前記配線電極は、外部端子電極を含む、請求項１または２に記載の弾性境界波装置。
【国際調査報告】
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