【事件の表示】
　特許第２６８１７３３号「窒素−３族元素化合物半導体発光素子」の請求項１ないし７に係る特許に対する特許異議の申立てについてされた平成１２年３月１３日付け異議の決定に対し、東京高等裁判所において決定取消の判決（平成１２年（行ケ）第１４３号平成１３年１０月９日判決言渡）があったので、さらに審理の結果次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２６８１７３３号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第２６８１７３３号に係る主な手続の経緯は以下のとおりである。
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成４年１０月２９日
　特許権設定登録　　　　　　　　　　　平成９年８月８日
　特許公報発行　　　　　　　　　　　　平成９年１１月２６日
　特許異議の申立て（２件）　　　　　　平成１０年５月２２日
　　　　　　　　　　　　　　　　　及び平成１０年５月２６日
　訂正請求　　　　　　　　　　　　　　平成１０年１１月９日
　異議決定　　　　　　　　　　　　　　平成１２年３月１３日
　高裁判決言渡　　　　　　　　　　　　平成１３年１０月９日
　取消理由通知（訂正拒絶理由通知兼用）平成１３年１２月１１日
　異議意見書　　　　　　　　　　　　　平成１４年２月１９日
　
２．訂正の適否について
2.1.訂正の内容
　訂正事項１
　　特許請求の範囲の請求項１中の「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低い低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、」を
「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、」と訂正する。
　訂正事項２
　　特許明細書段落０００５の「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低い低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、」を
「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、」と訂正する。
　
2.2.訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項１は、低キャリア濃度ｐ層のキャリア濃度を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、特許明細書の【０００８】及び【００２５】の記載に基づくものであり、新規事項に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項２は、上記訂正事項１の特許請求の範囲の訂正に伴い、それとの整合を図るために発明の詳細な説明を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、新規事項を含むものではなく、実質的に特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
2.3.独立特許要件について
2.3.1.特許法第３６条第５項第２号違反について
（１）取消理由の概要
　当審における平成１３年１２月１１日付け取消理由通知（訂正拒絶理由通知兼用）の概要は、本件特許請求の範囲の請求項１には、発明の詳細な説明では望ましくないとされる低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度が高いものも含まれるから、請求項１の記載は、発明の詳細な説明の記載と矛盾し、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項が明確に記載されていない、というにある。
　
（２）訂正明細書の記載事項
　しかるに、訂正明細書には、第１実施例〜第３実施例に各々「正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３の低キャリア濃度ｐ層」を形成することが記載されているとともに、以下の記載が認められる。
「本発明の目的は、窒素−３族元素化合物半導体・・・ 発光ダイオードの発光輝度を向上させること及び駆動電圧を低下させることである。」（【０００４】）、
「・・・ｐ層を、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度 ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋ 層よりも正孔濃度が低い、低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成し、高キャリア濃度ｐ＋ 層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）とすることにより、良好なオーミック性を得ると共に駆動電圧が低下した。又、駆動電圧の低下により同一電圧では注入電流を大きくとることができ、発光輝度が向上した。」（【０００７】）、
「又、低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度を１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３とすることで、発光効率を向上させることができる。・・・」（【０００８】）、
「又、上記低キャリア濃度ｐ層５１の正孔濃度は１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３で膜厚は０．２〜１μｍが望ましい。正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３ 以下となる と、直列抵抗が高くなり過ぎるので望ましくなく、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３ 以上となると、低キャリア濃度ｎ層４とのマッチングが悪くなり発光効率が低下するので望ましくない。又、膜厚が１μｍ以上となると直列抵抗が高くなるので望ましくなく、０．２μｍ以下となると発光輝度が低下するので望ましくない。」（【００２５】）。
　
（３）特許法３６条違反についての判断　
　ア）訂正明細書の記載によれば、低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度は１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３で膜厚は０．２〜１μｍが望ましく、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３ 以上となると、低キャリア濃度ｎ層４とのマッチングが悪くなり発光効率が低下するので望ましくない、即ち、低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度を低く押さえることが望ましいとされていること、
　イ）同じく、低キャリア濃度ｐ層の実施例は、全て正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３であること、
　ウ）本件の出願当初明細書【０００４】【００２５】には、訂正明細書の【０００４】【００２５】と同一の記載があり、低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度は低く押さえることが望ましいとされているが、低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度を高キャリア濃度ｐ＋層の正孔濃度に応じて高くする（キャリア濃度ｐ層の正孔濃度の上限を高キャリア濃度ｐ＋層の正孔濃度とする）という考えは全く開示がないこと、
　を総合的に勘案すると、訂正発明１の
「低キャリア濃度ｐ層」は、正孔濃度が１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３程度のキャリア濃度の低い層、すなわち、『正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上（実施例の１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３）の低キャリア濃度ｐ層』であると認められる。
　又、「正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の低キャリア濃度ｐ層」の記載は、下限値のみを規定した「高キャリア濃度ｐ＋層」及び「低キャリア濃度ｐ層」相互の濃度の関係、すなわち両者の濃度が逆転することはないという当然の事項を限定したものと認められる。
　そして、本件発明が目的とする発光輝度の向上及び駆動電圧の低下は、ｐ層を、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度 ｐ＋層と、その高キャリア濃度 ｐ＋層よりも正孔濃度が低い、低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成し、高キャリア濃度ｐ＋ 層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）とすることにより達成されるものである。
　してみれば、訂正発明１の記載事項は、発明の詳細な説明の記載と矛盾するとはいえず、また、特許を受けようとする発明の構成に欠くことができない事項が明確に記載されていないとまではいえない。
　
2.3.2.特許法第２９条第２項違反について
（１）本件訂正発明
　訂正された本件の請求項１ないし７に係る発明（以下、「訂正発明１」ないし「訂正発明７」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）としたことを特徴とする窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項２】前記ｐ層はマグネシウム（Ｍｇ）が添加されていることを特徴とする請求項１に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項３】前記低キャリア濃度ｐ層は、正孔濃度が１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項４】前記高キャリア濃度ｐ＋層は０．１〜０．５μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１乃至請求項３に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項５】前記低キャリア濃度ｐ層は０．２〜１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１乃至請求項４に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項６】前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する前記電極と前記ｎ層に接合する電極は同一面側に形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【請求項７】前記低キャリア濃度ｐ層及び前記高キャリア濃度ｐ＋層は半絶縁性窒素−３族元素化合物半導体層の一部をｐ型化して形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。」
　
（２）刊行物記載の発明
　刊行物１；特開昭５９−２２８７７６号公報（異議申立人言上恵一の提出した甲第１号証）には、第４図と共に、サファイア基板３上に、ｎ＋層９、１０、ｎ又はｐ型の活性層１１、ｐ＋層１２、Ｉｎオーミック電極５をこの順に積層したＡｌＧａＮ系半導体へテロ素子の発明が記載されている。
　
　刊行物２；特開平２−２８８３７１号公報（同じく、言上恵一の甲第２号証）には、第７図と共に、ＳｉＣ基板７１上に、光反射層７２、ｐ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層７３（Ｍｇドープ、キャリア濃度１×１０１７／ｃｍ３）、ｎ型ＧａＡｌＮ／ＢＰ超格子層７４（Ｓｉドープ、キャリア濃度２×１０１６／ｃｍ３）、ｎ型ＧａＮコンタクト層７５を順次積層したＬＥＤが記載されている。
　
　刊行物３；特開平４−６８５７９号公報（同じく、言上恵一の甲第３号証、異議申立人木村和夫の提出した甲第２号証）には、
　第１の実施例（第１図）に関して、「３はＺｎＯ層（ｎ型）１μｍであり、４はＧａＮエピタキシャル層（ｎ型）膜厚は３μｍであり、５はＧａＮエピタキシャル層（ｐ型）、膜厚１μｍ、６はＡｌ正電極、そして７はＡｌ負電極である。」（第5頁左上欄第4行〜第7行）及び「このようにして形成したＧａＮ：Ｏエピタキシャル膜４はキャリア濃度５×１０１７ｃｍ−３、抵抗率０．１Ω・ｃｍであり、発光中心としては微量のＺｎを添加してある。ｐ型ＧａＮ：Ｚｎエピタキシャル層５は、・・・キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３、抵抗率４Ω・ｃｍである。」（５頁右下欄５〜１２行）と記載され、
　Ａｌ電極に関して、「電極形成用の金属元素としてＡｌに限って説明したがその他Ｉｎ、Ｇａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ等の単体あるいは混合金属膜のいずれもがオーミック用電極として、適用可能であることは明らかである。」（８頁左下欄第１１〜１５行）と記載され、
　第２の実施例（第２図）に関して、「ＧａＮ：Ｍｇ層１３は・・・・にて成膜した２μｍ厚、ｐ型抵抗率１０Ω・ｃｍ、キャリア濃度６×１０１６ｃｍ−３の低抵抗ｐ型エピタキシャル膜である。」（６頁右上欄１６行〜左下欄１行）と記載されている。
　これらによれば、上記刊行物３には、
「ｎ型のＧａＮからなるｎ層と、ｐ型のＧａＮからなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、Ｍｇをドープした前記ｐ層の正孔濃度が６×１０１６ｃｍ−３であり、前記ｐ層に接合する電極は、Ａｌである窒素−３族元素化合物半導体発光素子」の発明が記載されているとともに、上記Ａｌ電極はＮｉでも適用可能であると記載されている。
　
　刊行物４；米国特許第５，００６，９０８号公報（同じく、言上恵一の甲第４号証）明細書１０欄１２行から１３行に、「ｐ型ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ層４５の上に、Ａｕ−Ｚｎ−Ｎｉからなる電極を形成し、その上にＡｕを形成してなるｐ型のオーミック電極４７」が開示されている。
　
　刊行物５；１３８／ＳＰＩＥ　Ｖｏｌ，１３６１：Ｐｈｙｓｉｃａｌ　Ｃｏｎｃｅｐｔｓ　ｏｆ　Ｎｏｖｅｌ　Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ　Ｄｅｖｉｃｅ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ（１９９０）１３８〜１４９頁（同じく、言上恵一の甲第５号証）には、Ｍｇをドープした高抵抗なｉ型ＧａＮに低速電子線照射を行うことにより低抵抗なｐ型ＧａＮに変化させることができることが記載され、そのｐ型ＧａＮのＭｇ濃度とホール濃度の関係がＦｉｇ．８に示されて、低速電子線照射のためのエミッション電流が７０μＡのとき、ホール濃度が１０１６〜１０１７／ｃｍ３の範囲にある４点が示されている。
　
　刊行物６；特開平４−１６３９７２号公報（同じく、言上恵一の甲第６号証）には、サファイア基板１上にバッファ層２，高キャリア濃度ｎ＋層、低キャリア濃度ｎ層、ｉ層を電子線照射したｐ型ＧａＮ層５、Ａｌ電極７が順に形成された発光ダイオードが記載されている。
　
　刊行物７；特開昭４９−２９７７０号公報（異議申立人木村和夫の提出した甲第１号証）には、ドープするｐの気相濃度を変化させることによって、ＧａＮ成長層内に４×１０１７〜１×１０１８ｃｍ−３のキャリア濃度勾配を生ぜしめるＧａＮの結晶成長方法が記載されている。（請求項２及び３頁左下欄９〜１２行参照。）
　
　刊行物８；特開昭５７−１５３４７９号公報（同じく、木村和夫の甲第３号証）には、第３図と共に、サファイア基板１上にｎ−ＧａＮ２，ｉ−ＧａＮ３を積層し、ｉ層の電極として、Ｔｉ，Ｎｉを積層したＭＩＳ型の発光素子が記載されている。
　
　刊行物９；特開昭５７−６２５７９号公報（同じく、木村和夫の甲第４号証）には、基板１上にＧａＮ２、半絶縁性ＧａＮ層３を形成した発光素子において、半絶縁性ＧａＮ層３のうえにＮｉ膜の電極を設けることが記載されている。
　
　刊行物１０；特開平３−２５２１７８号公報（同じく、木村和夫の甲第５号証）には、ＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、Ｉ層を、Ｎ層と接合する側から順に、低不純物濃度層と高不純物濃度層との二層構造としたものにおいて、低不純物濃度層の不純物濃度が１×１０１６／ｃｍ３以下となるとＮ導電型となることが記載されている。（第１図及び２頁左上欄５〜１４行参照。）
　
　刊行物１１；特開平４−２４２９８５号公報には、窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードの電極と接触する部分付近のキャリア濃度を、オーム性電極組成を容易とするために高濃度とすることが記載されている。（【００３８】参照）
　
　刊行物１２；特開昭５８−２１９７９０号公報には、ＧａＡｓ系半導体発光素子の発光層上にｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層として、オーミック接触を良好となすために、キャリア濃度が、２〜３×１０１８／ｃｍ３、６〜７×１０１８／ｃｍ３、１〜１．５×１０１９／ｃｍ３の三層を順次形成したことが記載されている。（特許請求の範囲、２頁左上欄１４行〜右上欄３行、第２図等を参照。）
　
（３）対比・判断
［訂正発明１について］
　訂正発明１と刊行物３（平成１２年３月１３日付け異議決定の理由に引用された）記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　引用発明の「ＧａＮからなるｎ層」、「ＧａＮからなるｐ層」は、訂正発明１の「窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層」、「窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層」に相当し、両者は、
「ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点；訂正発明１のｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）としたのに対し、引用発明のｐ層は、正孔濃度が６×１０１６／ｃｍ３の単一の層であり、前記ｐ層に接合する電極は、Ａｌである点。
　
　上記相違点に付き検討する。
　上記刊行物３には、ｐ層に接合する電極をＡｌに代えてＮｉとすることが記載されているから、窒素−３族元素化合物半導体発光素子のｐ層に接合する電極をＮｉとすることに格別困難性はない。又、オーミック性を良好にするために、電極と接触する層（或いは部分）を高キャリア濃度にすることは、刊行物１１及び刊行物１２（どちらも平成１２年３月１３日付け異議決定の理由に引用された）に記載されているように周知の事項であるから、ｐ層を、電極と接する側のキャリア濃度を高くした２層構造とすること自体は当業者が容易に想到し得るものである。
　しかし、ｐ層を高キャリア濃度ｐ＋層と、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の低キャリア濃度ｐ層（低キャリア濃度ｎ層４とのマッチングを考慮し、正孔濃度を１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３程度の低濃度とした低キャリア濃度ｐ層）との２重層で構成し、かつ、前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）とすることまでは、上記刊行物１ないし刊行物１２のいずれにも記載されていない。そして、窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、このような構成が周知であるとは言えない。
　しかも、訂正発明１は、「ｐ層を、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度 ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋ 層よりも正孔濃度が低い、低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成し、高キャリア濃度 ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）とすることにより、良好なオーミック性を得ると共に駆動電圧が低下した。又、駆動電圧の低下により同一電圧では注入電流を大きくとることができ、発光輝度が向上した。」という、明細書の段落【０００７】記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、訂正発明１は、刊行物１〜刊行物１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
［訂正発明２〜７について］
　訂正発明１の構成を全て引用する訂正発明２〜訂正発明７は、訂正発明１に対すると同様の理由により、刊行物１〜刊行物１２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
2.4.訂正の適否のむすび
　以上のとおり、上記訂正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、同条第２項及び同条第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議申立について
（１）特許異議申立人の主張の概要
　特許異議申立人言上恵一は、甲第１号証〜甲第６号証（上記刊行物１〜６）を提出し、本件の請求項１ないし７に係る発明は、甲第１号証〜甲第６号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである旨、主張している。
　又、特許異議申立人木村和夫は、甲第１号証〜甲第５号証（上記刊行物３，７〜１０）を提出し、本件の請求項１ないし７に係る発明は、甲第１号証〜甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に該当するから、同法第４９条の規定により拒絶すべきものである旨、主張している。
（２）本件発明
　本件の請求項１ないし７に係る発明は、訂正明細書の請求項１ないし７に記載されたとおりのものと認める。（上記2.3.2（１）訂正発明を参照。）
（３）当審の判断
　本件の請求項１ないし７に係る各発明は、上記2.3.2.（３）対比・判断で述べた理由により、刊行物１〜刊行物１０に記載された発明及び刊行物１１，１２に示された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるということはできない。
　
４．むすび
　以上のとおり、特許異議申立人言上恵一及び木村和夫の特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１ないし７に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件請求項１ないし７に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１２年３月１３日（２０００．３．１３）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　▲１▼訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１中の「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低い低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、」を
「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低
く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の
　特許請求の範囲の限定的減縮である。
　▲２▼訂正事項２
　特許明細書段落０００５の「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低い低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、」を
「前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低
く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の
　特許請求の範囲の訂正に伴う、課題解決手段の訂正である。
　よって、明瞭でない記載の釈明である。
（５４）【発明の名称】
窒素−３族元素化合物半導体発光素子
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　前記ｐ層は、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成され、
　前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）としたことを特徴とする窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項２】　前記ｐ層はマグネシウム（Ｍｇ）が添加されていることを特徴とする請求項１に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項３】　前記低キャリア濃度ｐ層は、正孔濃度が１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項４】　前記高キャリア濃度ｐ＋層は０．１〜０．５μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１及至請求項３に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項５】　前記低キャリア濃度ｐ層は０．２〜１．０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１及至請求項４に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項６】　前記高キャリア濃度ｐ＋層に接合する前記電極と前記ｎ層に接合する電極は同一面側に形成されることを特徴とする請求項１及至請求項５に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
　【請求項７】　前記低キャリア濃度ｐ層及び前記高キャリア濃度ｐ＋層は半絶縁性窒素−３族元素化合物半導体層の一部をｐ型化して形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項６に記載の窒素−３族元素化合物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は青色発光の窒素−３族元素化合物半導体発光素子に関する。
　【０００２】
　【従来技術】
　従来、青色の発光ダイオードとしてＧａＮ系の化合物半導体を用いたものが知られている。そのＧａＮ系の化合物半導体は直接遷移型であることから発光効率が高いこと、光の３原色の１つである青色を発光色とすること等から注目されている。
　【０００３】
　最近、ＧａＮの発光ダイオードにおいても、Ｍｇを添加して電子線を照射することによりｐ型のＧａＮが得られることが明らかとなった。この結果、従来のｎ層と半絶縁層（ｉ層）との接合に代えてｐｎ接合を有するＧａＮ発光ダイオードが提案されている。この発光ダイオードの電極は、ｎ層がアルミニウム（Ａｌ）、ｐ層が金（Ａｕ）である。
　【０００４】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、上記のｐｎ接合を有する発光ダイオードであっても、発光輝度は未だ十分ではなく、また、駆動電圧も高い。
　そこで、本発明の目的は、窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）発光ダイオードの発光輝度を向上させること及び駆動電圧を低下させることである。
　【０００５】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の第１の特徴は、ｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｎ層と、ｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなるｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子において、
　ｐ層を、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低く、正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以上の低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成し、高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）とすることである。
　【０００６】
　第２の特徴は、ｐ層はマグネシウム（Ｍｇ）が添加されていることである。
　第３の特徴は、低キャリア濃度ｐ層は、正孔濃度が１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３であることである。
　第４の特徴は、高キャリア濃度ｐ＋層は０．１〜０．５μｍの厚さを有することである。
　第５の特徴は、低キャリア濃度ｐ層は０．２〜１．０μｍの厚さを有することである。
　第６の特徴は、高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極とｎ層に接合する電極は同一面側に形成されることである。
　第７の特徴は、低キャリア濃度ｐ層及び高キャリア濃度ｐ＋層は半絶縁性窒素−３族元素化合物半導体層の一部をｐ型化して形成したことである。
　【０００７】
　【発明の作用及び効果】
　本発明は、ｐ層及びｎ層を有する窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）発光素子において、ｐ層を、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上の高キャリア濃度ｐ＋層と、その高キャリア濃度ｐ＋層よりも正孔濃度が低い低キャリア濃度ｐ層との２重層で構成し、高キャリア濃度ｐ＋層に接合する電極をニッケル（Ｎｉ）とすることにより、良好なオーミック性を得ると共に駆動電圧が低下した。又、駆動電圧の低下により同一電圧では注入電流を大きくとることができ、発光輝度が向上した。
　【０００８】
　又、低キャリア濃度ｐ層の正孔濃度を１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ３とすることで、発光効率を向上させることができる。さらに、高キャリア濃度ｐ＋層の厚さを０．１〜０．５μｍとすることで、直列抵抗を低下させ、正孔の注入効率を向上させることができる。さらに、低キャリア濃度ｐ層を厚さを０．２〜１．０μｍとすることで、直列抵抗を低下させ発光効率を向上させることができる。
　【０００９】
　【実施例】
　第１実施例
　図１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１に５００ÅのＡｌＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約２．２μｍ、電子濃度２×１０１８／ｃｍ３のシリコン添加ＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３、膜厚約１．５μｍ、電子濃度１×１０１６／ｃｍ３の無添加ＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４が形成されている。更に、低キャリア濃度ｎ層４の上には、順に、膜厚約０．５μｍ、正孔濃度１×１０１６／ｃｍ３のマグネシウム（Ｍｇ）添加ＧａＮから成る低キャリア濃度ｐ層５１、膜厚約０．２μｍ、正孔濃度２×１０１７／ｃｍ３の高キャリア濃度ｐ＋層５２が形成されている。そして、高キャリア濃度ｐ＋層５２に接続するニッケルで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ＋層３に接続するニッケルで形成された電極８とが形成されている。電極８と電極７とは、溝９により電気的に絶縁分離されている。
　【００１０】
　次に、この構造の発光ダイオード１０の製造方法について説明する。
　上記発光ダイオード１０は、有機金属化合物気相成長法（以下「ＭＯＶＰＥ」と記す）による気相成長により製造された。
　用いられたガスは、ＮＨ３とキャリアガスＨ２とトリメチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３）（以下「ＴＭＧ」と記す）とトリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ３）３）（以下「ＴＭＡ」と記す）とシラン（ＳｉＨ４）とビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｍｇ（Ｃ５Ｈ５）２）（以下「ＣＰ２Ｍｇ」と記す）である。
　【００１１】
　まず、有機洗浄及び熱処理により洗浄したａ面を主面とする単結晶のサファイア基板１をＭＯＶＰＥ装置の反応室に載置されたサセプタに装着する。次に、常圧でＨ２を流速２ｌｉｔｅｒ／分で反応室に流しながら温度１１００℃でサファイア基板１を気相エッチングした。
　【００１２】
　次に、温度を４００℃まで低下させて、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＡを１．８×１０−５モル／分で供給してＡｌＮのバッファ層２が約５００Åの厚さに形成された。次に、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、Ｈ２で０．８６ｐｐｍまで希釈したシラン（ＳｉＨ４）を２００ｍｉｌｌｉｌｉｔｅｒ／分の割合で３０分間供給し、膜厚約２．２μｍ、電子濃度２×１０１８／ｃｍ３のＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３を形成した。
　【００１３】
　続いて、サファイア基板１の温度を１１５０℃に保持し、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分の割合で２０分間供給し、膜厚約１．５μｍ、電子濃度１×１０１６／ｃｍ３のＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４を形成した。
　【００１４】
　次に、サファイア基板１を１１５０℃に保持して、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、ＣＰ２Ｍｇを２×１０−７モル／分の割合で７分間供給して、膜厚０．５μｍのＧａＮから成る低キャリア濃度ｐ層５１を形成した。この状態では、低キャリア濃度ｐ層５１は、まだ、抵抗率１０８Ωｃｍ以上の絶縁体である。
　【００１５】
　次に、サファイア基板１を１１５０℃に保持したまま、Ｈ２を２０ｌｉｔｅｒ／分、ＮＨ３を１０ｌｉｔｅｒ／分、ＴＭＧを１．７×１０−４モル／分、ＣＰ２Ｍｇを３×１０−６モル／分の割合で３分間供給して、膜厚０．２μｍのＧａＮから成る高キャリア濃度ｐ＋層５２を形成した。この状態では、高キャリア濃度ｐ＋層５２は、まだ、抵抗率１０８Ωｃｍ以上の絶縁体である。
　【００１６】
　次に、反射電子線回析装置を用いて、上記の高キャリア濃度ｐ＋層５２及び低キャリア濃度ｐ層５１に一様に電子線を照射した。電子線の照射条件は、加速電圧１０ＫＶ、試料電流１μＡ、ビームの移動速度０．２ｍｍ／ｓｅｃ、ビーム径６０μｍφ、真空度２．１×１０−５Ｔｏｒｒである。この電子線の照射により、低キャリア濃度ｐ層５１は、正孔濃度１×１０１６／ｃｍ３、抵抗率４０Ωｃｍのｐ伝導型半導体となり、高キャリア濃度ｐ＋層５２は、正孔濃度２×１０１７／ｃｍ３、抵抗率２Ωｃｍのｐ伝導型半導体となった。このようにして、図２に示すような多層構造のウエハが得られた。
　【００１７】
　以下に述べられる図３から図７は、ウエハ上の１つの素子のみを示す断面図であり、実際は、同一構造の素子が連続的に形成されているウエハについて、処理が行われ、その後、そのウエハは各素子毎に切断される。
　【００１８】
　図３に示すように、高キャリア濃度ｐ＋層５２の上に、スパッタリングによりＳｉＯ２層１１を２０００Åの厚さに形成した。次に、そのＳｉＯ２層１１上にフォトレジスト１２を塗布した。そして、フォトリソグラフにより、高キャリア濃度ｐ＋層５２上において、高キャリア濃度ｎ＋層３に至るように形成される孔１５に対応する電極形成部位Ａとその電極形成部を高キャリア濃度ｐ＋層５２の電極と絶縁分離する溝９を形成する部位Ｂのフォトレジストを除去した。
　【００１９】
　次に、図４に示すように、フォトレジスト１２によって覆われていないＳｉＯ２層１１をフッ化水素酸系エッチング液で除去した。次に、図５に示すように、フォトレジスト１２及びＳｉＯ２層１１によって覆われていない部位の高キャリア濃度ｐ＋層５２とその下の低キャリア濃度ｐ層５１、低キャリア濃度ｎ層４、高キャリア濃度ｎ＋層３の上面一部を、真空度０．０４Ｔｏｒｒ、高周波電力０．４４Ｗ／ｃｍ２、ＢＣｌ３ガスを１０ｍｉｌｌｉｌｉｔｅｒ／分の割合で供給しドライエッチングした後、Ａｒでドライエッチングした。この工程で、高キャリア濃度ｎ＋層３に対する電極取出しのための孔１５と絶縁分離のための溝９が形成された。
　【００２０】
　次に、図６に示すように、高キャリア濃度ｐ＋層５２上に残っているＳｉＯ２層１１をフッ化水素酸で除去した。次に、図７に示すように、試料の上全面に、ニッケル層１３を蒸着により形成した。これにより、孔１５には、高キャリア濃度ｎ＋層３に電気的に接続されたニッケル層１３が形成される。そして、そのニッケル層１３の上にフォトレジスト１４を塗布して、フォトリングラフにより、そのフォトレジスト１４が高キャリア濃度ｎ＋層３及び高キャリア濃度ｐ＋層５２に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形成した。
　【００２１】
　次に、図７に示すようにそのフォトレジスト１４をマスクとして下層のニッケル層１３の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングした。この時、絶縁分離のための溝９に蒸着されたニッケル層１３は、完全に除去される。次に、フォトレジスト１４をアセトンで除去し、高キャリア濃度ｎ＋層３の電極８、高キャリア濃度ｐ＋層５２の電極７が残された。その後、上記の如く処理されたウエハは、各素子毎に切断され、図１に示すｐｎ構造の窒化ガリウム系発光素子を得た。
　【００２２】
　また、この発光ダイオード１０に印加する電圧Ｖと流れる電流Ｉとの関係を測定した。その結果を図８に示す。又、比較のためにアルミニウムで電極を形成した場合のＶ−Ｉ特性の測定結果を図９に示す。駆動しきい値電圧は７Ｖから３Ｖに低下した。
　【００２３】
このようにして製造された発光ダイオード１０の駆動電流２０ｍＡにおける発光強度を測定したところ１０ｍｃｄであり、この発光輝度は、従来のｐｎ接合のＧａＮ発光ダイオードの発光輝度に比べて２倍であった。又、素子寿命は、１０４時間であり、従来のｐｎ接合のＧａＮ発光ダイオードの素子寿命に比べて１．５倍であった。
　【００２４】
　尚、上記実施例で用いたマグネシウム（Ｍｇ）のドーピングガスは、上述のガスの他、メチルシクロペンタジエニルマグネシウムＭｇ（Ｃ６Ｈ７）２を用いても良い。また、上記のｐ層を図１０に示すように１層に形成しても良い。その場合にはｐ層５の正孔濃度は１×１０１６〜１×１０１９／ｃｍ３である。又、ｐ層５２に対する電極７のみニッケルとし、高キャリア濃度ｎ＋層３に対する電極８はアルミニウムとしても良い。
　【００２５】
　又、上記低キャリア濃度ｐ層５１の正孔濃度は１×１０１４／ｃｍ３〜１×１０１６／ｃｍ３で膜厚は０．２〜１μｍが望ましい。正孔濃度が１×１０１４／ｃｍ３以下となると、直列抵抗が高くなり過ぎるので望ましくなく、正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３以上となると、低キャリア濃度ｎ層４とのマッチングが悪くなり発光効率が低下するので望ましくない。又、膜厚が１μｍ以上となると直列抵抗が高くなるので望ましくなく、０．２μｍ以下となると発光輝度が低下するので望ましくない。
　【００２６】
　更に、高キャリア濃度ｐ＋層５２の正孔濃度は１×１０１６／ｃｍ３以上で膜厚は０．１〜０．５μｍが望ましい。正孔濃度が１×１０１６／ｃｍ３より小さくなると、直列抵抗が高くなるので望ましくない。又、膜厚が０．５μｍ以上となると、直列抵抗が高くなるので望ましくなく、膜厚が０．１μｍ以下となると、正孔の注入効率が減少するので望ましくない。
　【００２７】
　第２実施例
　図１１において、発光ダイオード１０は、サファイア基板１を有しており、そのサファイア基板１に５００ÅのＡｌＮのバッファ層２が形成されている。そのバッファ層２の上には、順に、膜厚約２．２μｍ、電子濃度２×１０１８／ｃｍ３のシリコン添加ＧａＮから成る高キャリア濃度ｎ＋層３、膜厚約１．５μｍ、電子濃度１×１０１６／ｃｍ３の無添加ＧａＮから成る低キャリア濃度ｎ層４が形成されている。更に、低キャリア濃度ｎ層４の上には、順に、膜厚約０．２μｍ、Ｍｇ濃度１×１０１９／ｃｍ３のＭｇ添加ＧａＮから成る低不純物濃度ｉ層６１、膜厚約０．５μｍ、Ｍｇ濃度２×１０２０／ｃｍ３の高不純物濃度ｉ＋層６２が形成されている。
　【００２８】
　そして、その低不純物濃度ｉ層６１及び高不純物濃度ｉ＋層６２の所定領域には、それぞれ、電子線照射によりｐ伝導型化した正孔濃度１×１０１６／ｃｍ３の低キャリア濃度ｐ層５０１、正孔濃度４×１０１７／ｃｍ３の高キャリア濃度ｐ＋層５０２が形成されている。
　【００２９】
　又、高不純物濃度ｉ＋層６２の上面からは、高不純物濃度ｉ＋層６２、低不純物濃度ｉ層６１、低キャリア濃度ｎ層４を貫通して高キャリア濃度ｎ＋層３に至る孔１５が形成されている。その孔１５を通って高キャリア濃度ｎ＋層３に接合されたニッケルで形成された電極８１が高不純物濃度ｉ＋層６２上に形成されている。又、高キャリア濃度ｐ＋層５０２の上面には、高キャリア濃度ｐ＋層５０２に対するニッケルで形成された電極７１が形成されている。高キャリア濃度ｎ＋層３に対する電極８１は、高キャリア濃度ｐ＋層５０２及び低キャリア濃度ｐ層５０１に対して高不純物濃度ｉ＋層６２及び低不純物濃度ｉ層６１により絶縁分離されている。
　【００３０】
　次に、この構造の発光ダイオード１０の製造方法について説明する。
　製造工程を示す図１２から図１７は、ウエハにおける１素子のみに関する断面図であり、実際には図に示す素子が繰り返し形成されたウエハに関して次の製造処理が行われる。そして、最後に、ウエハが切断されて各発光素子が形成される。
　【００３１】
　第１実施例と同様にして、図１２に示すウエハを製造する。次に、図１３に示すように、高不純物濃度ｉ＋層６２の上に、スパッタリングによりＳｉＯ２層１１を２０００Åの厚さに形成した。次に、そのＳｉＯ２層１１上にフォトレジスト１２を塗布した。そして、フォトリソグラフにより、高不純物濃度ｉ＋層６２において低キャリア濃度ｎ層４に至るように形成される孔１５に対応する電極形成部位Ａのフォトレジストを除去した。
　【００３２】
　次に、図１４に示すように、フォトレジスト１２によって覆われていないＳｉＯ２層１１をフッ化水素酸系エッチング液で除去した。次に、図１５に示すように、フォトレジスト１２及びＳｉＯ２層１１によって覆われていない部位の高不純物濃度ｉ＋層６２とその下の低不純物濃度ｉ層６１と低キャリア濃度ｎ層４と高キャリア濃度ｎ＋層３の上面一部を、真空度０．０４Ｔｏｒｒ、高周波電力０．４４Ｗ／ｃｍ２、ＢＣｌ３ガスを１０ｍｉｌｌｉｌｉｔｅｒ／分の割合で供給しドライエッチングした後、Ａｒでドライエッチングした。この工程で、高キャリア濃度ｎ＋層３に対する電極取出しのための孔１５が形成された。次に、図１６に示すように、高不純物濃度ｉ＋層６２上に残っているＳｉＯ２層１１をフッ化水素酸で除去した。
　【００３３】
　次に、図１７に示すように、高不純物濃度ｉ＋層６２及び低不純物濃度ｉ層６１の所定領域にのみ、反射電子線回析装置を用いて電子線を照射して、それぞれｐ伝導型を示す正孔濃度４×１０１７／ｃｍ３の高キャリア濃度ｐ＋層５０２、正孔濃度１×１０１６／ｃｍ３の低キャリア濃度ｐ層５０１が形成された。
　【００３４】
　電子線の照射条件は、加速電圧１０ＫＶ、試料電流１μＡ、ビームの移動速度０．２ｍｍ／ｓｅｃ、ビーム径６０μｍφ、真空度２．１×１０−５Ｔｏｒｒである。この時、高キャリア濃度ｐ＋層５０２及び低キャリア濃度ｐ層５０１以外の部分、即ち、電子線の照射されなかった部分は、絶縁体の高不純物濃度ｉ＋層６２及び低不純物濃度ｉ層６１のままである。従って、高キャリア濃度ｐ＋層５０２及び低キャリア濃度ｐ層５０１は、縦方向に対しては、低キャリア濃度ｎ層４に導通するが、横方向には、周囲に対して、高不純物濃度ｉ＋層６２及び低不純物濃度ｉ層６１により電気的に絶縁分離されている。
　【００３５】
　次に、図１８に示すように、高キャリア濃度ｐ＋層５０２と、高不純物濃度ｉ＋層６２と、高不純物濃度ｉ＋層６２の上面と孔１５を通って高キャリア濃度ｎ＋層３とに、ニッケル層２０が蒸着により形成された。そして、そのニッケル層２０の上にフォトレジスト２１を塗布して、フォトリングラフにより、そのフォトレジスト２１が高キャリア濃度ｎ＋層３及び高キャリア濃度ｐ＋層５０２に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形成した。次に、そのフォトレジスト２１をマスクとして下層のニッケル層２０の露出部を硝酸系エッチング液でエッチングし、フォトレジスト２１をアセトンで除去した。このようにして、図１１に示すように、高キャリア濃度ｎ＋層３の電極８１、高キャリア濃度ｐ＋層５０２の電極７１を形成した。その後、上述のように形成されたウエハが各素子毎に切断された。
　【００３６】
　このようにして製造された発光ダイオード１０のＶ−Ｉ特性を測定したとろこ、図８と同様な特性が得られた。駆動電圧は３Ｖであった。
　又、発光強度を測定したところ、第１実施例と同様に、１０ｍｃｄであり、素子寿命は１０４時間であった。
　【００３７】
　第３実施例
　図１に示す構造の第１実施例の発光ダイオードにおいて、高キャリア濃度ｎ＋層３、低キャリア濃度ｎ層４、低キャリア濃度ｐ層５１、高キャリア濃度ｐ＋層５２を、それぞれ、Ａｌ０．２Ｇａ０．５Ｉｎ０．３Ｎとした。高キャリア濃度ｎ＋層３は、シリコンを添加して電子濃度２×１０１８／ｃｍ３に形成し、低キャリア濃度ｎ層４は不純物無添加で電子濃度１×１０１６／ｃｍ３に形成した。低キャリア濃度ｐ層５１はマグネシウム（Ｍｇ）を添加して電子線を照射して正孔濃度１×１０１６／ｃｍ３に形成し、高キャリア濃度ｐ＋層５２は同じくマグネシウム（Ｍｇ）を添加して電子線を照射して正孔濃度２×１０１７／ｃｍ３に形成した。そして、高キャリア濃度ｐ＋層５２に接続するニッケルで形成された電極７と高キャリア濃度ｎ＋層３に接続するニッケルで形成された電極８とを形成した。
　【００３８】
　次に、この構造の発光ダイオード１０も第１実施例の発光ダイオードと同様に製造することができる。トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ３）３）がＴＭＧ、ＴＭＡ、シラン、ＣＰ２Ｍｇガスに加えて使用された。生成温度、ガス流量は第１実施例と同じである。トリメチルインジウムを１．７×１０−４モル／分で供給することを除いて他のガスの流量は第１実施例と同一である。
　【００３９】
　次に、第１実施例と同様に、反射電子線回析装置を用いて、上記の高キャリア濃度ｐ＋層５２及び低キャリア濃度ｐ層５１に一様に電子線を照射してｐ伝導型半導体を得ることができた。
　【００４０】
　次に、第１実施例と同様に、高キャリア濃度ｎ＋層３及び高キャリア濃度ｐ＋層５２に対するニッケルで形成された電極７、８を形成した。
　【００４１】
　また、この発光ダイオード１０に印加する電圧Ｖと流れる電流Ｉとの関係を測定した。アルミニウムで電極を形成した場合に比べて、第１実施例と同様に、駆動しきい値電圧は７Ｖから３Ｖに低下した。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の具体的な第１実施例に係る発光ダイオードの構成を示した構成図。
　【図２】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図３】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図４】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図５】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図６】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図７】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図８】
　同実施例の発光ダイオードの電圧−電流特性の測定図。
　【図９】
　従来のアルミニウム電極を用いた発光ダイオードの電圧−電流特性の測定図。
　【図１０】
　第１実施例の変形例にかかる発光ダイオードの構成を示した構成図。
　【図１１】
　本発明の具体的な第２実施例に係る発光ダイオードの構成を示した構成図。
　【図１２】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図１３】
　同実施例の発光ダイ朴の製造工程を示した断面図。
　【図１４】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図１５】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図１６】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図１７】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【図１８】
　同実施例の発光ダイオードの製造工程を示した断面図。
　【符号の説明】
１０…発光ダイオード
　１…サファイア基板
　２…バッファ層
　３…高キャリア濃度ｎ＋層
　４…低キャリア濃度ｎ層
　５１，５０１…低キャリア濃度ｐ層
　５２，５０２…高キャリア濃度ｐ＋層
　６１…低不純物濃度ｉ層
　６２…高不純物濃度ｉ＋層
　７，８，７１，８１…電極
　９…溝