【事件の表示】
　特許第３０４６９６５号「非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法」の請求項１ないし５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０４６９６５号の請求項１ないし４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０４６９６５号の請求項１〜５に係る発明は、平成１１年２月２６日に出願され、平成１２年３月１７日にその設定登録がなされ、その後、佐藤 正より特許異議申立がなされ、取消理由通知に対して平成１３年４月１３日に訂正請求がなされたものである。
　　
２．訂正の適否についての判断
2．1　訂正の要旨
　特許権者が求めている訂正の内容は、以下のとおりである。
　訂正事項ａ：
　特許請求の範囲の請求項１の記載の末尾、
「・・・を形成することを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「・・・を形成し、前記対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ2以下であることを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」と訂正する。
　訂正事項ｂ：
　特許許請求の範囲の請求項２の記載の末尾、
「・・・を形成することを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、
「・・・を形成し、前記対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ2以下であることを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」と訂正する。
　訂正事項ｃ：
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許請求の範囲の請求項３を削除する。
　訂正事項ｄ：
　上記訂正事項ａ〜ｃに伴い、訂正前の特許請求の範囲の請求項４と５は、それぞれ項数を繰り上げ、請求項３と４とし、これらの請求項が引用する請求項の項数も、それぞれ 請求項１または２ 、請求項１〜３、とする。
　　　
2．2　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａ及びｂは、訂正前の特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された「シラン系ガス」の流量を、「前記対向電極面での単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ2 以下であること」と限定しようとするものであり、特許請求の範囲の減縮に該当するものである。
　そして、上記訂正事項ａ及びｂは、特許明細書の【００１７】段落及び【００３２】段落の記載に基づくものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　　
　上記訂正事項ｃは、訂正前の請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当するものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　　
　上記訂正事項ｄは、上記訂正事項ｃの訂正に伴い、それとの整合を図るため、訂正前の特許請求の範囲の請求項４と５の項数及びこれらの請求項が引用する請求項の項数、を各々訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明に該当するものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　　
2．3　むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項及び第３項で準用する特許法第１２６条第２項及び第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
３．特許異議の申立てについて
3．1　特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人は、以下の刊行物並びに参考資料を示して、本件の訂正前の請求項１及び２に係る発明は、参考資料３の記載を参照すれば、刊行物１又は５に記載の発明と同一であるか、刊行物１〜５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、本件の訂正前の請求項３に係る発明は、刊行物１に記載の発明、刊行物５に記載の発明又は刊行物１〜５に記載の発明、の各々と、参考資料１及び２に参照される周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、本件の訂正前の請求項４に係る発明は、刊行物１又は５に記載の発明と同一であるか、刊行物１〜５に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであり、本件の訂正前の請求項５に係る発明は、刊行物５に記載の発明と同一であるか、刊行物１に記載の発明、刊行物５に記載の発明、刊行物１と３に記載の発明又は刊行物１〜５に記載の発明、に基づいて当業者が容易に発明できたものである旨主張している。　
　刊行物１．特公平5-56850号公報（申立人の提出した甲第１号証） 
　刊行物２．特開平8-306944号公報（申立人の提出した甲第２号証）
　刊行物３．特公平7-105354号公報（申立人の提出した甲第３号証）
　刊行物４．JOURNAL OF APPLIED PHYSICS（米）OCTOBER 1998 Vol.84,No.7
　　　　　　ｐ．３９４９−３９５３（申立人の提出した甲第４号証）
　刊行物５．「最新アモルファスＳｉハンドブック」（株）サイエンスフォ　　　　　　ーラム，昭５８−３−３１，ｐ．７２−７４（申立人の提出し　　　　　　た甲第５号証）
　参考資料１．特開平6-5522号公報（申立人の提出した参考資料１） 
　参考資料２．特開平6-140347号公報（申立人の提出した参考資料２） 
　参考資料３．特開平5-275346号公報（申立人の提出した参考資料３） 
　　　
　なお、本件の訂正前の請求項１及び２は、訂正後の請求項１及び２に対応し、訂正前の請求項４及び５は、訂正後の請求項３及び４に対応し、訂正前の請求項３は削除された。よって、以下では、訂正後の請求項１〜４に係る発明の新規性・進歩性について検討する。　
　　　　
3．2　本件発明
　本件特許の訂正後の請求項１〜４に係る発明は、訂正された特許明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものである。
　　
「　【請求項１】　ｐ型半導体層とｉ型の非晶質シリコン系光電変換層とｎ型半導体層との積層構造を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマＣＶＤ法を利用して製造する方法であって、
　プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスと、水素を含む希釈ガスとが用いられ、かつ前記シラン系ガスに対する希釈ガスの流量を４倍以下とし、前記プラズマＣＶＤ反応室内の圧力のうちシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下とし、かつ一方電極上に載置された基板表面と前記一方電極に対向する他方電極面との距離を８ｍｍ以上１５ｍｍ以下とする条件下で、前記ｐ型半導体層、前記ｉ型の非晶質シリコン系光電変換層および前記ｎ型半導体層の少なくとも１層を形成し、
　前記対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ2 以下であることを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
　　【請求項２】　ｐ型半導体層とｉ型の非晶質シリコン系光電変換層とｎ型半導体層との積層構造を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマＣＶＤ法を利用して製造する方法であって、
　プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスを用いて希釈ガスを用いず、前記プラズマＣＶＤ反応室内の圧力のうちシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下とし、かつ一方電極上に載置された基板表面と前記一方電極に対向する他方電極面との距離を８ｍｍ以上１５ｍｍ以下とする条件下で、前記ｐ型半導体層、前記ｉ型の非晶質シリコン系光電変換層および前記ｎ型半導体層の少なくとも１層を形成し、
　前記対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ2 以下であることを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
　　【請求項３】　前記条件下で形成される層の成膜速度が１２ｎｍ／分以上であることを特徴とする、請求項１または２に記載の非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。
　　【請求項４】　前記一方電極は、成膜中に加熱されるアノード電極であり、前記他方電極はカソード電極である、請求項１〜３のいずれかに記載の非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」（以下、「本件発明１」、「本件発明２」、「本件発明３」及び「本件発明４」という。）
　　
3．3　刊行物等に記載された発明
3．3．1　刊行物１
「本発明は、シランガスあるいは・・・などの不純物ガスを含むシランガスなどをプラズマ反応させることによって、基板上に複数の導電型の異なる非晶質シリコン層または・・・シリコンを主成分とする非晶質層を順次堆積して半導体素子を製造する方法の改良に関する。」（第２頁第３欄第１６行〜第２５行）、
「（１）電極間距離を短くする。こうすると堆積速度が増大する。
　（２）ある程度堆積速度が増大すると膜厚にバラツキが生じるが、真空度を大きくしてやると均一な堆積速度が得られる最適値が存在する。
　（３）堆積速度が増大すると、通常の堆積速度で最適であった基板温度では半導体素子作成後の信頼性が低下した。基板温度設定値を従来よりも高めることによってこの問題点を解決することができた。」（第３頁第６欄第１８行〜第２７行）、
「（１）電極間距離を短くするとａ−Ｓｉ堆積速度が増大する。第２図は高周波電力を５０Ｗとし、電極間距離を横軸に堆積速度を縦軸にとった図である。真空度は１Ｔｏｒｒである。この条件では電極間距離が３３ｍｍ以上では放電しなくなる。１５〜３０ｍｍでは距離が短い方が少し堆積速度が大きいがほぼ平坦で４〜５Å／ｓｅｃ程度である。１５ｍｍより短くなると急激に堆積速度が増大し、８ｍｍで約７Å／ｓｅｃになる。もっと短くすると放電しなくなる。このように左上がりの結果が得られたのは、電極間距離を短くするとａ−Ｓｉの成長種が主に発生する高周波電極表面と基板の距離が短くなるために効率良く基板に上記成長種が到達するためである。
（２）真空度と堆積速度および膜厚の均一性　第３図は、電極間距離を１８ｍｍとし高周波電力を７０Ｗとしたときの堆積速度３０を真空度を横軸にとって図示したものである。真空度２Ｔｏｒｒのところで電極間距離を１０ｍｍの場合３１および５ｍｍの場合３２も示した。真空度を増大させてもａ−Ｓｉの成長種の密度が増大するから堆積速度は増大する。しかし、２Ｔｏｒｒのところで減少してしまう。真空度を２Ｔｏｒｒに保ち、電極間距離を１０ｍｍ３１、５ｍｍ３２とすると堆積速度も変化する。・・・すなわち第３図の２Ｔｏｒｒの真空度のところでは電極間距離が１８ｍｍの条件では第４図ａのようにａ−Ｓｉ４１が堆積され、１０ｍｍの条件では第４図ｂのように、５ｍｍでは第４図ｃのような膜厚分布をしている。すなわち膜圧を均一にかつ高速に堆積しようとすれば上述した手順に従って電極間距離と真空度とを変化させて最適値を求めれば良い。第３図からもわかるように、堆積速度は従来のものに比べ１０倍以上に高速化できることがわかる。・・・第５図の実験データから、ここで用いた装置で、この堆積条件ならば基板温度の設定値を５０〜１００℃上げれば良いことがわかる。」（第４頁第７欄第７行〜第５頁第９欄第３４行）、
「光起電力素子の製造方法
　以下、本発明に従って半導体素子の典型である光起電力素子、具体的には基板上にｐ型層５，ｉ型層６及びｎ型層７を順次形成する例を第１図に示した装置によって説明する。・・・ｐ型層５を堆積後、放電を止めＳｉＨ4ガスの供給のみを行ない、基板設定温度を第２反応室１０ｂのそれと同じにする。こうすることによって、第１反応室１０ａ中の原料ガスは第２反応室１０ｂのそれと同種になり、基板温度は第２反応室１０ｂのそれに昇温される。第１反応室１０ａのガス圧（真空度）を第２反応室１０ｂのそれと同圧になるように調節（増大）させた後、第２シヤツタ１９ｂを開けて第２反応室１０ｂに基板１を導入する。・・・第２反応室１０ｂでは前述のとおり電極間距離５１ｂは短くなっており基板温度設定値も他の反応室よりは高くしかも真空度も大きくなっている。高速度でｉ型層６を堆積した後、第３シヤツタ１９ｃを開け、第３反応室１０ｃへ基板１を導入する。」（第５頁第９欄第４３行〜第６頁第１１欄第１２行）と、記載されており、
　第８頁の第２図には、高周波電力が５０Ｗ、真空度が１Ｔｏｒｒにおける、電極間距離が８ｍｍ〜３３ｍｍの場合のａ−Ｓｉの堆積速度が図示され（刊行物１の第４頁第７欄第７行〜同欄第２１行及び第２図）、
　第９頁の第３図には、高周波電力７０Ｗ、真空度２Ｔｏｒｒにおける、電極間距離が５ｍｍ、１０ｍｍ、１８ｍｍの各場合のａ−Ｓｉの堆積速度が図示されている（刊行物１の第４頁第７欄第２２行〜同欄第３２行及び第３図）。
　　　　　
3．3．2　刊行物２
「【００２７】（実施例１）図１は本発明の実施例１における薄膜太陽電池の概略構造を示す断面図である。
　【００２８】図１において、透光性絶縁基板１１上に凹凸を有する透明導電膜１２を設け、この透明導電膜１２上に半導体光電変換活性層としてａ−ＳｉＣ：Ｈのｐ層１３、ａ−Ｓｉ：Ｈのｉ層１４、さらに、その下地層としてのｉ層１４の凹凸よりも大きく、光散乱効果の大きい適切な光散乱用凹凸のある、１．７ｅＶ以上のバンドギャップを持つ凹凸微結晶ｎ層１５を設ける。さらに、この凹凸微結晶ｎ層１５に接して透明導電膜１６さらに裏面金属電極１７が順次設けられて薄膜太陽電池が構成されている。・・・次に、プラズマＣＶＤ装置により気相成長法で、この凹凸状の透明導電膜１２上に半導体光電変換活性層としてｐ層１３、ｉ層１４、ｎ層１５を順次それぞれ形成する。これらｐ層１３、ｉ層１４およびｎ層１５は透明導電膜１２の凹凸が順次反映されて形成されることになるが、このｎ層１５については、光散乱に最適な凹凸形状を付けて形成する。このときのガス流量条件を下記の（表１）に示している。・・・ここで、ｐ層１３およびｉ層１４のガス流量条件は従来の一般的なガス流量条件と同じであり、ｐ層１３のガス流量条件では、ＳｉＨ4とＨ2のガス流量比が高々１：２．５であった」（【００２７】〜【００３２】）と、記載されている。
　　　
3．3．3　刊行物３
「本発明の目的は、欠陥数の増加無しに、或は通常の方法によって得られる付着膜に比して欠陥数の少ない場合においてすら、付着速度を増大するように、上述したような公知の方法を完全なものとすることのできる簡単かつ効果的な手段を提供することである。」（第３頁左欄第２行〜第６行）、
「第一図に概略図示した装置は、一般的に周知の構成を有し、プラズマ反応器１、その真空チャンバー２内には、接地された・・・第一電極３、および・・・第二電極４とを備える。・・・平板状の基板７が第一電極３の表面に固定されており、基板７の自由面が第二電極４と距離ｄになるように位置づけられている。・・・チャンバー２にガスが存在する場合、両電極間に起る高周波放電によって、プラズマ８が発生される。」（第３頁右欄第２３行〜第３５行）、
「−（Ｃ）膜を付着形成する。・・・これ等基板の厚さは０．８ｍｍである。・・・電極３および基板支持体２５とが２３０−３５０℃範囲内の温度に加熱される。・・・段階Ｃにおいては、ガス供給手段１０は、純粋な酸素または少なくとも一個のシリコン化合物を含むガス混合物、例えば、シラン（ＳｉＨ4）と水素Ｈ2の混合物をチャンバー２内へ供給すべく接続されている。・・・圧力が安定されるや、発生器５に給電されて、両電極間に、精細に云えば基板と第二電極との間でプラズマが発生する。ここで、関係する要因、例えば、圧力ｐ、距離ｄおよび電力密度の適切な選定により、プラズマは両電極間領域に限局されることが重要である。・・・本発明の基礎として役立った実施例において、無定形水素化シリコン膜の形成についてこれ等要因の有利な値が次の通りであることが実証された。
電極間距離　　　　　　　　　ｄ＝10−30ｍｍ　　　　 　　　　　
基板の温度　　　　　　　　　Ｔ＝230−350℃　　　　 　　　　　
絶対圧力　　　　　　　　　　ｐ＝0．1−0．5ｍｂａｒ 　　　　　
ＳｉＨ4およびＨ2の混合物　　10−100％ＳｉＨ4　　　　　　　　　　　　　　　
ガス導入流量（Ｖｒ）　　　　 0．3−5．0ｓｃｃｍ／Ｌ　　　 　　
電力密度　　　　　　　　　　Ｐ／ｖｐ0．02−0．2Ｗ／ｃｍ3」（第４頁左欄第４４行〜右欄４８行）と、記載されている。
　　　　
3．3．4　刊行物４
　刊行物４には、プラズマＣＶＤ法による非晶質シリコンの形成方法について記載され、その第３９５０頁の表１には、非晶質シリコン膜の生成条件として、電極間距離が１．２ｃｍの場合の例が記載され、又、同頁の図１には、原料ガスとしてＳｉＨ4およびＨ2の混合物（Ｈ2の希釈割合0−50％超）を使用した場合の、非晶質シリコン膜の堆積速度が図示されている。
　　
3．3．5　刊行物５
　刊行物５には、グロー放電による非晶質シリコン膜の製造方法について記載され、その第７３頁の表−１には、「実験規模炉」におけるａ−Ｓｉ膜の生成条件として、反応ガスがＳｉＨ4（4〜100％）／Ｈ2、生成圧力が0．5〜２Ｔｏｒｒ、生成速度が100〜500Å／ｍｉｎ、発振器出力が10ｗ〜100ｗ（生成時）又は500ｗ〜１ｋｗ（エッチング時）、なる場合が記載され、又、第７４頁の図−４には、「量産規模炉」におけるａ−Ｓｉ膜の生成条件として、ａ−Ｓｉ膜生成速度分布と電極間距離の関係が図示され、電極間距離が10ｍｍ、20ｍｍ、30ｍｍの各場合について、Temp　300℃、Power　2ｋｗ、Pressure　1Ｔｏｒｒ、ＳｉＨ4　500ｃｃ／min +Ｈ2、の条件下でのａ−Ｓｉ膜の生成速度が図示されている。
　　
3．3．6　参考資料１
「本発明は前記問題点を解決するためになされたものであり、大面積の基板上に均一に膜質の良好な薄膜を形成できる高周波プラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】本発明の高周波プラズマＣＶＤ装置は、反応容器内に、カソード電極と、・・・アノード電極とを有するとともに、・・・前記電極間に高周波電力を供給することにより前記反応容器内でプラズマを発生させる高周波プラズマＣＶＤ装置において、前記カソード電極の表面に波状の凹凸を設けたことを特徴とするものである。」（【０００６】〜【０００７】）、
「実際に本発明の装置を用い、基板表面にａ−Ｓｉ薄膜を堆積させた。実験は、電極の大きさ１２００ｍｍ×１２００ｍｍ、ガラス基板の大きさ１０００ｍｍ×１０００ｍｍ、反応ガス流量５０ｃｃ／ｍｉｎ、圧力０．３Ｔｏｒｒ、高周波電力２００Ｗという条件で実施した。その結果、図５に示すように、一様な膜厚分布を示すａ−Ｓｉ薄膜が得られた。」（【００１７】）、
　　　　　
3．3．7　参考資料２
「【発明が解決しようとする課題】本発明は、多量生産性を有し、かつ被膜成長速度が大きいプラズマ気相反応方法を成就することを目的としたものである。
　【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために一対の電極を互いに離間して配設する平行平板型プラズマ・グロー放電を用いて被形成面上に被膜を形成する気相反応方法において、反応空間と逆方向に曲面を設けた開孔又は開溝を形成した平板状電極を用いて、前記開孔又は開溝より反応性気体を前記反応空間に供給し、前記開孔又は開溝により反応空間に電界を集中させつつプラズマ気相反応せしめることとした。」（【０００５】〜【０００６】）、
「一対を為す電極（２）（３）には外部より高周波エネルギが供給され、平等電界が形成される領域（20）に放電がされる。この図面では電極面積は25cmφ（電極間隔15cm）または70cm×70cm（電極間隔35cm）の形状を有せしめ、」（【００１３】）、
「即ち、基板温度210 ℃、圧力0.1torr,シラン30cc／分、放電出力30Ｗとし、」（【００１７】）と、記載されている。　
　　　　
3．3．8　参考資料３
「１３．５６ＭＨｚのプラズマＣＶＤ法において、原料ガス流量・圧力・投入電力等の製造条件の改良が一般に試みられているが、成膜速度を上げると、ａ−Ｓｉ薄膜特性を低下させると推定されている膜内水素の増加、歩留低下を引き起こす異物（ポリシラン）の発生等がある。」（【００３０】）、
「Ｐ＞２．５Ｔｏｒｒになると歩留を低下させる異物（ポリシラン）の発生が起こる。」（【００７０】）、
「成膜圧力が０．２５〜２．５Ｔｏｒｒの範囲では同図より高品位なａ−Ｓｉ膜が得られるが、それ以外の成膜圧力で高品位なａ−Ｓｉ膜が得られないのは、・・・ｐ＞２．５の範囲ではポリシランの発生が始まるためと考えられる。」（【００７３】）、
と、記載されている。　
　　　
3．4　対比・判断
3．4．1　本件発明１及び２について
　本件発明１及び２と刊行物１〜５記載の発明とを対比すると、本件発明１及び２は、何れも「対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ2 以下であること」を必須の構成として規定しているのに対して、刊行物１〜５は、上記の点について、何も記載しておらず、示唆もしていない。
　この点について、特許異議申立人は、参考資料１及び２を参照すれば、プラズマＣＶＤ法を利用した非晶質シリコン系薄膜の製造において、「対向電極面の単位面積当たりのシラン系ガスの流量を０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ2 以下の条件下で成膜すること」は周知であったから、本件発明１及び２は、刊行物１〜５に記載された発明に上記周知技術を適用したに過ぎないものであり、刊行物１〜５に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである、と主張する（異議申立書の第１６頁第２９行〜１７頁第２３行及び第２２頁第１３行〜第２３行）。そこで検討すると、
（１）本件発明１及び２は、「原料ガスの流量が少ない範囲でも、プラズマを電極間に効率よく閉じ込めることができ、これにより、成膜速度が向上し、ガスの利用効率を高めることを目的として、希釈条件、圧力条件及び基板−電極間距離、を所定範囲としたこと」に特徴を有するものである（本件特許明細書【０００９】）。
（２）一方、参考資料１に記載の発明は、「大面積の基板上に均一に膜質の良好な薄膜を形成できる高周波プラズマＣＶＤ装置の提供を目的として、高周波プラズマＣＶＤ装置のカソード電極の表面に波状の凹凸を設けたこと」に特徴を有するものであり（参考資料１の【０００６】〜【０００７】）、本件発明１及び２とは、発明の目的及び解決手段を異にするものである。
　また、参考資料２に記載の発明は、「反応空間と逆方向に曲面を設けた開孔又は開溝を形成した平板状電極」という「特定の電極構造」を用いた点に特徴を有するものであって（参考資料２の【０００５】〜【０００６】）、「希釈条件、圧力条件、基板−電極間距離」という「製造条件」に特徴を有する本件発明１及び２とは明らかに相違するものである。
（３）このように、参考資料１、２のシラン系ガス流量に係る記載は、本件発明１及び２のそれとは別の条件下のものであり、しかも、「良好な光電変換特性を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置」を製造するための条件下のものでもない。
　したがって、参考資料１及び２からは、「対向電極面の単位面積当たりのシラン系ガスの流量を０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ2 以下の条件下で成膜すること」が、本件出願前に周知であるとすることは相当でないから、当該事項が周知であることを前提とした、特許異議申立人の上記主張は認められない。
（４）因みに、刊行物１〜５に記載された発明と参考資料１、２に記載された発明を組み合わせて本件発明１及び２を想到し得るか否かについても、刊行物１〜５に記載された発明と参考資料１、２に記載された発明とでは、成膜条件（圧力条件、高周波電力条件等）が整合しておらず、したがって、これらを単純に組み合わせて本件発明１及び２を想到することは、当業者といえども容易であるとはいえない（平成１３年４月１３日付け特許異議意見書第１０頁第１８行〜第１４頁第１９行参照）。
（５）そして、本件発明１及び２は、上記構成を具備することにより、「原料ガスの流量が少ない範囲でも、プラズマを効率よく閉じ込めることができ、これにより、成膜速度が向上し、ガスの利用効率を高めることができ、しかもパウダー状の生成物やダストなどの発生を抑制することができる」旨の効果を奏すると認められる。
　したがって、本件発明１及び２は、刊行物１〜５に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである、とすることはできない。
　　　　　
3．4．2　本件発明３及び４について
　本件発明３及び４は、本件発明１又は２の構成を全て引用し、「成膜速度」及び「一方電極、他方電極」の各構成を夫々具体的に限定するものであるから、本件発明１及び２に対すると同様の理由で、刊行物１〜５に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件の訂正後の請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　又、他に本件の訂正後の請求項１〜４に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年２月２６日（２００２．２．２６）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　（ａ）特許請求の範囲の請求項１の記載の末尾、
「・・・を形成することを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」を、
「・・・を形成し、前記対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ２以下であることを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」と訂正する。
　（ｂ）特許請求の範囲の請求項２の記載の末尾、
「・・・を形成することを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」を、
「・・・を形成し、前記対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ２以下であることを特徴とする、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」と訂正する。
　（ｃ）特許請求の範囲の請求項３を削除する。
　（ｄ）上記（ａ）〜（ｃ）に伴い、訂正前の特許請求の範囲の請求項４と５は、それぞれ項数を繰り上げ、請求項３と４とし、これらの請求項が引用する請求項の項数も、それぞれ請求項１または２、請求項１〜３、とする。
（５４）【発明の名称】
非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　ｐ型半導体層とｉ型の非晶質シリコン系光電変換層とｎ型半導体層との積層構造を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマＣＶＤ法を利用して製造する方法であって、
　プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスと、水素を含む希釈ガスとが用いられ、かつ前記シラン系ガスに対する希釈ガスの流量を４倍以下とし、前記プラズマＣＶＤ反応室内の圧力のうちシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下とし、かつ一方電極上に載置された基板表面と前記一方電極に対向する他方電極面との距離を８ｍｍ以上１５ｍｍ以下とする条件下で、前記ｐ型半導体層、前記ｉ型の非晶質シリコン系光電変換層および前記ｎ型半導体層の少なくとも１層を形成
し、
　
前記対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ２以下であることを特徴とする
　【請求項２】　ｐ型半導体層とｉ型の非晶質シリコン系光電変換層とｎ型半導体層との積層構造を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマＣＶＤ法を利用して製造する方法であって、
　プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスを用いて希釈ガスを用いず、前記プラズマＣＶＤ反応室内の圧力のうちシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下とし、かつ一方電極上に載置された基板表面と前記一方電極に対向する他方電極面との距離を８ｍｍ以上１５ｍｍ以下とする条件下で、前記ｐ型半導体層、前記ｉ型の非晶質シリコン系光電変換層および前記ｎ型半導体層の少なくとも１層を形成
し、
　
前記対向電極面の単位面積当りの前記シラン系ガスの流量が、０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ２以下であることを特徴とする
　【請求項３】　前記条件下で形成される層の成膜速度が１２ｎｍ／分以上であることを特徴とする、請求項１
または２
　【請求項４】　前記一方電極は、成膜中に加熱されるアノード電極であり、前記他方電極はカソード電極である、請求項１〜
３
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の属する技術分野】
　本発明は、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法に関し、特に非晶質シリコン系薄膜光電変換装置として良好な性能を得るとともに、生産コストおよび効率を改善し得る製造方法に関するものである。
　【０００２】
　【従来の技術】
　薄膜光電変換装置の代表的なものとして非晶質シリコン系太陽電池があり、非晶質光電変換材料は通常２００℃前後の低い成膜温度の下でプラズマＣＶＤ法によって形成されるので、ガラス、ステンレス、有機フィルムなどの安価な基板上に形成することができ、低コストの光電変換装置のための有力材料として期待されている。また、非晶質シリコンにおいては可視光領域での吸収係数が大きいので、５００ｎｍ以下の薄い膜厚の非晶質光電変換層を用いた太陽電池において１５ｍＡ／ｃｍ２以上の短絡電流が実現されている。
　【０００３】
　この非晶質シリコン系太陽電池を構成するｐ型半導体層、ｉ型非晶質光電変換層およびｎ型半導体層の各々は、通常プラズマＣＶＤ法によって形成され、従来のプラズマＣＶＤ反応室内の圧力は１Ｔｏｒｒ以下であった。
　【０００４】
　また比較的高い圧力条件下で非晶質シリコン系太陽電池を製造する方法は、たとえばＵＳＰ５，６４６，０５０に開示されている。この文献には、非晶質シリコン系太陽電池中の非晶質シリコン層を、圧力が１．０Ｔｏｒｒより高く１０Ｔｏｒｒ以下、希釈ガスの原料ガスに対する希釈比が５：１〜２００：１などの条件で形成することが示されている。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　しかし、反応室内の圧力が１Ｔｏｒｒ以下では成膜速度が遅くなる。
　【０００６】
　またＵＳＰ５，６４６，０５０に開示された非晶質シリコン層の成膜条件では、原料ガスに対する希釈ガスの量が多すぎる。言い換えれば、希釈ガスに対する原料ガスの量が少なすぎる。このため、プラズマＣＶＤ反応室内に供給される原料ガス量が少なくなり、この場合も成膜速度が遅くなるという問題点があった。
　【０００７】
　本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、原料ガスの利用効率を高めて成膜速度を向上させることにより生産のコストおよび効率を改善するとともに、良好な性能を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法を提供することである。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の一の局面に従う非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、ｐ型半導体層とｉ型の非晶質シリコン系光電変換層とｎ型半導体層との積層構造を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマＣＶＤ法を利用して製造する方法であって、プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスと、水素を含む希釈ガスとを用い、かつシラン系ガスに対する希釈ガスの流量を４倍以下とし、プラズマＣＶＤ反応室内の圧力のうちシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下とし、かつ一方電極上に載置された基板表面と一方電極に対向する他方電極面との距離（以下、単に電極間距離と称する）を８ｍｍ以上１５ｍｍ以下とする条件下で、ｐ型半導体層、ｉ型の非晶質シリコン系光電変換層およびｎ型半導体層の少なくとも１層を形成することを特徴とする。
　【０００９】
　本発明の一の局面に従う非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法では、希釈条件、圧力条件および電極間距離を所定範囲としているため、プラズマを電極間に効率よく閉じ込めることができる。これにより、成膜速度が向上しシラン系ガスなどの原料ガスの利用効率も高くなるため、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造コストを低下させることができる。また従来方法で作製した光電変換装置（たとえば太陽電池）とほぼ同性能のものが得られ、かつ長期間の光照射による光電変換特性の劣化、つまり光劣化率も抑制できる。
　【００１０】
　なお、シラン系ガスに対する希釈ガスの流量を４倍以下としたのは、４倍を超えると従来例と同様、反応室内の原料ガス量が少なくなり、成膜速度が遅くなるからである。
　【００１１】
　またシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下としたのは、１．２Ｔｏｒｒ未満では反応室内の原料ガス量が少なく成膜速度が遅くなり、５．０Ｔｏｒｒを超えると反応室内にパウダー状の生成物やダストなどが大量に発生するからである。
　【００１２】
　また、電極間距離を８ｍｍ以上１５ｍｍ以下としたのは、８ｍｍ未満ではプラズマ放電が困難になるとともに電極間距離を電極面内で均一にすることが困難となるため成膜が面内で不均一となり、１５ｍｍを超えると放電を維持することができなくなるからである。
　【００１３】
　本発明の他の局面に従う非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、ｐ型半導体層とｉ型の非晶質シリコン系光電変換層とｎ型半導体層との積層構造を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置をプラズマＣＶＤ法を利用して製造する方法であって、プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスを用いて希釈ガスを用いず、プラズマＣＶＤ反応室内の圧力のうちシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下とし、かつ一方電極上に載置された基板表面と一方電極に対向する他方電極面との距離を８ｍｍ以上１５ｍｍ以下とする条件下で、ｐ型半導体層、ｉ型の非晶質シリコン系光電変換層およびｎ型半導体層の少なくとも１層を形成することを特徴とする。
　【００１４】
　本発明の他の局面に従う非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法においても、上述した一の局面と同様、希釈条件、圧力条件および電極間距離を所定範囲としているため、プラズマを電極間に効率よく閉じ込めることができる。これにより、成膜速度が向上しシラン系ガスなどの原料ガスの利用効率も高くなるため、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造コストを低下させることができる。また従来方法で作製した光電変換装置とほぼ同性能のものが得られ、光劣化率も抑制することができる。
　【００１５】
　また希釈ガスを用いないため、反応室内に原料ガスを多く供給することが可能となり、成膜速度を向上させることができる。
　【００１６】
　またシラン系ガス分圧および電極間距離の規定理由については上述した一の局面と同様である。
　【００１７】
　上記一および他の局面において好ましくは、対向電極面の単位面積当りのシラン系ガスの流量が０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ２以下である。
　【００１８】
　これにより、反応室内のパウダー状の生成物やダストなどの発生を抑制することができる。
　【００１９】
　上記一および他の局面において好ましくは、上記条件下で形成される層の成膜速度が１２ｎｍ／分以上である。
　【００２０】
　これにより、成膜速度を速くすることができる。
　上記一および他の局面において好ましくは、一方電極は、成膜中に加熱されるアノード電極であり、他方電極はカソード電極である。
　【００２１】
　これにより、プラズマを用いた成膜を良好に行なうことができる。
　【００２２】
　【発明の実施の形態】
　以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
　【００２３】
　図１は、本発明の一実施の形態により製造される非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の構成を概略的に示す断面図である。
　【００２４】
　図１を参照して、たとえばガラスよりなる透明の基板１上に、透明導電膜２が成膜される。透明導電膜２は、たとえばＳｎＯ２よりなるが、これ以外にＩＴＯやＺｎＯなどの透明導電性酸化膜より形成されてもよい。
　【００２５】
　透明導電膜２上に、ｐ型半導体層１１とｉ型非晶質光電変換層１１２とｎ型半導体層１１３とがプラズマＣＶＤ法により順次形成される。これにより、非晶質型光電変換ユニット１１が形成される。
　【００２６】
　これらのｐ型半導体層１１１、ｉ型非晶質光電変換層１１２およびｎ型半導体層１１３のうちの少なくとも１層は、プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスと、水素を含む希釈ガスとが用いられ、かつシラン系ガスに対する希釈ガスの流量が４倍以下で、プラズマＣＶＤ反応室内の圧力のうちシラン系ガスの分圧が１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下で、かつ加熱されたアノード電極（接地電極）に密着して配置された基板の表面と対向側カソード電極面との距離が８ｍｍ以上１５ｍｍ以下の条件下で形成される。
　【００２７】
　なお、プラズマＣＶＤ反応室内の圧力は１．５Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下とされることが好ましい。
　【００２８】
　このｐ型半導体層１１１としては、たとえば導電型決定不純物原子であるボロンが０．０１原子％以上ドープされたｐ型非晶質シリコン薄膜などが用いられ得る。しかし、ｐ型半導体層１１１についてのこれらの条件は限定的なものではなく不純物原子としてはたとえばアルミニウムなどでもよく、また非晶質シリコンカーバイドや非晶質シリコンゲルマニウムなどの合金材料の層が用いられてもよい。
　【００２９】
　またｉ型非晶質光電変換層１１２としては、ノンドープのｉ型非晶質シリコン薄膜や微小の不純物を含む弱ｐ型もしくは弱ｎ型で光電変換効率を十分に備えているシリコン系薄膜材料が使用され得る。また、ｉ型非晶質光電変換層１１２はこれらの材料に限定されず、非晶質シリコンカーバイドや非晶質シリコンゲルマニウムなどの合金材料の層が用いられてもよい。
　【００３０】
　またｎ型半導体層１１３としては、たとえば導電型決定不純物原子であるリンが０．０１原子％以上ドープされたｎ型非晶質シリコン薄膜などが用いられ得る。しかし、ｎ型半導体層１１３についてのこれらの条件は限定的なものではなく、非晶質シリコンカーバイドや非晶質シリコンゲルマニウムなどの合金材料の層が用いられてもよい。
　【００３１】
　また、上記の成膜条件においては、希釈ガスを用いた場合について説明したが、反応室内に導入される原料ガスの主成分としてシラン系ガスを用い、希釈ガスを用いなくともよい。
　【００３２】
　また上記条件の下での成膜速度は１２ｎｍ／分以上であることが好ましい。
　また上記条件の下での対向電極面（カソード電極面）の単位面積当りのシラン系ガスの流量は０．０５ｓｃｃｍ／ｃｍ２以下であることが好ましい。
　【００３３】
　本実施の形態では、希釈条件、圧力条件および電極間距離を所定範囲内としているため、プラズマを電極間に効率よく閉じ込めることができる。これにより、成膜速度が向上しシラン系ガスなどの原料ガスの利用効率も高くなるため、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造コストを低下させることができる。また従来方法で作製した光電変換装置（たとえば太陽電池）とほぼ同性能のものが得られ、長期間の光照射による光電変換特性の劣化、つまり光劣化率も抑制することができる。
　【００３４】
　シラン系ガスに対する希釈ガスの流量を４倍以下としたのは、４倍を超えると従来例と同様、反応室内の原料ガス量が少なくなり、成膜速度が遅くなるからである。
　【００３５】
　またシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上としたのは、１．２Ｔｏｒｒ未満では反応室内の原料ガス量が少なく、成膜速度が遅くなるからである。またシラン系ガスの分圧を５．０Ｔｏｒｒ以下としたのは、５．０Ｔｏｒｒを超えると反応室内にパウダー状の生成物やダストなどが大量に発生するからである。
　【００３６】
　また電極間距離を８ｍｍ以上としたのは、８ｍｍ未満ではプラズマ放電が困難になるとともに、電極間距離を電極面内で均一にすることが困難となるため成膜が面内で不均一となるからである。また電極間距離を１５ｍｍ以下としたのは、１５ｍｍを超えると放電を維持することができなくなるからである。
　【００３７】
　【実施例】
　以下、本発明の実施例について説明する。
　【００３８】
　（実施例１）
　図１に示す構成のアモルファス（非晶質）シリコン太陽電池を作製した。基板１にはガラスを用い、透明導電膜２にはＳｎＯ２を用いた。この上に、ボロンドープのｐ型アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）層１１１を１０ｎｍ、ノンドープのアモルファスシリコン光電変換層１１２を３５０ｎｍ、リンドープのｎ型アモルファスシリコン層１１３を２０ｎｍの膜厚で、それぞれプラズマＣＶＤ法により成膜した。これにより、ｐ−ｉ−ｎ接合のアモルファスシリコン光電変換ユニット１１を形成した。さらに、裏面電極部１２として、ＺｎＯ膜１２１を８０ｎｍ、Ａｇ膜１２２を３００ｎｍの膜厚で、それぞれスパッタ法により形成した。
　【００３９】
　アモルファスシリコン光電変換層１１２は、平行平板型プラズマＣＶＤ法で堆積した。そのときの成膜条件については、下地温度を２００℃、反応室内圧力を２．０Ｔｏｒｒ、単位電極面積当りのシランガス流量を０．０３ｓｃｃｍ／ｃｍ２、単位電極面積当りの水素ガス流量を０．０１５ｓｃｃｍ／ｃｍ２（シランガスと水素ガスとの流量比を２：１、シランガス分圧を１．３３Ｔｏｒｒ）、放電電力密度を４０ｍＷ／ｃｍ２、成膜速度を２０ｎｍ／分とした。
　【００４０】
　このアモルファスシリコン太陽電池に入射光３としてＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２光量を用いたときの光電変換効率は１０．１％であった。また、この太陽電池に長時間（５５０時間）連続してＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２光量の光を照射した後の安定化効率は８．０％であった。
　【００４１】
　なお、希釈ガスとしての水素ガスを用いず、かつそれ以外の条件を上述と同様にした場合に得られたアモルファスシリコン太陽電池も上記と同様の光電変換効率および安定化効率を示した。
　【００４２】
　（比較例１）
　同じく図１に示す構成のアモルファスシリコン太陽電池を作製した。ｉ型光電変換層１１２の成膜条件以外は実施例１と全く同じとした。
　【００４３】
　アモルファスシリコン光電変換層１１２は、平行平板型プラズマＣＶＤ法で堆積した。そのときの成膜条件については、下地温度を１８０℃、反応室内圧力を０．１Ｔｏｒｒ、単位電極面積当りのシランガス流量を０．０６ｓｃｃｍ／ｃｍ２、水素ガスは用いず、放電電力密度を１５ｍＷ／ｃｍ２、成膜速度を６ｎｍ／分とした。
　【００４４】
　このアモルファスシリコン太陽電池に入射光３としてＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２光量を用いたときの光電変換効率は１０．６％であった。また、この太陽電池に長時間（５５０時間）連続してＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２光量の光を照射した後の安定化効率は実施例１とほぼ同じく８．０％であった。
　【００４５】
　ただし、実施例１と比べてシランガス流量は２倍、成膜時間は３．３倍要していることから、シランガスの利用効率は非常に悪くなった。
　【００４６】
　【発明の効果】
　本発明の非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法では、希釈条件、圧力条件および電極間距離を所定範囲としているため、プラズマを電極間に効率よく閉じ込めることができる。これにより、成膜速度が向上しシラン系ガスなどの原料ガスの利用効率も高くなるため、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造コストを低下させることができる。また従来方法で作製した光電変換装置（たとえば太陽電池）とほぼ同性能のものが得られ、かつ長期間の光照射による光電変換特性の劣化、つまり光劣化率も抑制できる。
　【００４７】
　なお、シラン系ガスに対する希釈ガスの流量を４倍以下としたのは、４倍を超えると従来例と同様、反応室内の原料ガス量が少なくなり、成膜速度が遅くなるからである。
　【００４８】
　またシラン系ガスの分圧を１．２Ｔｏｒｒ以上５．０Ｔｏｒｒ以下としたのは、１．２Ｔｏｒｒ未満では反応室内の原料ガス量が少なく成膜速度が遅くなり、５．０Ｔｏｒｒを超えると反応室内にパウダー状の生成物やダストなどが大量に発生するからである。
　【００４９】
　また、電極間距離を８ｍｍ以上１５ｍｍ以下としたのは、８ｍｍ未満ではプラズマ放電が困難になるとともに電極間距離を電極面内で均一にすることが困難となるため成膜が面内で不均一となり、１５ｍｍを超えると放電を維持することができなくなるからである。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施の形態における方法で製造された非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の構成を概略的に示す断面図である。
　【符号の説明】
　１　基板
　２　透明導電膜
　１１　非晶質型光電変換ユニット
　１２　裏面電極部
　１１１　ｐ型半導体層
　１１２　ｉ型の非晶質光電変換層
　１１３　ｎ型半導体層
　１２１　導電膜
　１２２　金属薄膜