【事件の表示】
　特許第３０１２０９１号「シールリング及びその製造方法」の請求項１、２に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０１２０９１号の請求項１、２に係る発明の特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３０１２０９１号に係る発明についての出願は、平成４年６月８日に特許出願され、平成１１年１２月１０日に設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人竹宮茂文により特許異議の申立てがなされ、平成１２年１０月４日に取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年１月９日に訂正請求書が提出され、平成１３年２月１６日に審尋がなされ、その指定期間内である平成１３年４月１３日に回答書が提出されたものである。
 　　　　　　　　　　　　
ＩＩ．訂正請求の適否についての判断
１．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を平成１３年１月９日付けの訂正請求書に添付された明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
　　　　
（１ー１）訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１中の「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが弧形状となっている」を「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが半径５０μ以下の弧形状となっている」と訂正する。　　　　　　　　　　　　　
（１ー２）訂正事項ｂ　　　　　　
　特許明細書の請求項２中の「打ち抜き加工した後、バレル研磨する」を「打ち抜き加工した後、バレル研磨により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とする」と訂正する。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
 （１ー３）訂正事項ｃ　　　　　
　段落番号【００１０】中の「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが弧形状となっている」を「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが半径５０μ以下の弧形状となっている」と訂正する。　　　　　　　　　　　　　 
（１ー４）訂正事項ｄ　　　　　
　段落番号【００１１】中の「打ち抜き加工した後、バレル研磨する」を「打ち抜き加工した後、バレル研磨により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とする」と訂正する。　
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否の各要件についての判断
（２ー１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、半導体パッケージ部品であるシールリングの主面と側面部とで構成される稜線部について「すべてが弧形状」としていたものを「すべてが半径５０μ以下の弧形状」とその稜線部の弧の半径を明確にし、かつ技術的に限定するものであるから特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、上記数値限定した根拠は、特許明細書第３頁【００１４】の「尚、稜線部の弧形状を円弧と近似した場合、その半径は、５０μ以下、特に３０μ以下が望ましい。打ち抜き加工時のバリ無し側稜線部の半径が通常３０μ程度であるし、５０μを越えると接合面積が狭小となるからである。」との記載にある。
　したがって、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。　
　
（２ー２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、半導体パッケージ部品であるシールリングの主面と側面部とで構成される稜線部の製造方法について「打ち抜き加工した後、バレル研磨する」としていたものを「打ち抜き加工した後、バレル研磨により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とする」とその稜線部のこの半径を明確にし、かつ技術的に限定するものであるから特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、上記数値限定した根拠は、上記（２ー１）と同様に、特許明細書第３頁【００１３】の打ち抜き加工した後のバレル研磨の半径を具体的に示した【００１４】の「尚、稜線部の弧形状を円弧と近似した場合、その半径は、５０μ以下、特に３０μ以下が望ましい。打ち抜き加工時のバリ無し側稜線部の半径が通常３０μ程度であるし、５０μを越えると接合面積が狭小となるからである。」との記載にある。
　したがって、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
（２ー３）訂正事項ｃ、ｄについて
　訂正事項ｃは、上記訂正事項ａと整合性を図るために【００１０】を、訂正事項ｄは、上記訂正事項ｂと整合性を図るために【００１１】を、訂正したものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項および第３項で準用する第１２６条第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断
１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１、２に係る発明は、訂正請求書に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのもの（以下、「本件発明１」、「本件発明２」という）である。
「【請求項１】半導体パッケージの部品であって、一主面が、半導体を搭載する絶縁基体に鑞付けされ、これと反対の主面が、蓋体に溶接されるものにおいて、主面と側面とで形成される稜線部のすべてが半径５０μ以下の弧形状になっていることを特徴とするシールリング。
【請求項２】金属板を打ち抜き加工した後、バレル研磨により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とすることを特徴とする請求項１記載のシールリングの製造方法。」
　
２．引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取り消しの理由で引用した本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物１、２（以下、「引用例１、２」という）には、以下のような事項が記載されている。
　
（２ー１）引用例１（特開平３−１６３８５６号公報）には、
（ａ）「また、最近では、半導体素子の大型化、半導体装置の小型化に対応するため、第４図に示すように…中略…（以下、フェイスアップという。）が用いられるようになってきた。この構造では配線パターンを有する絶縁基板２と半導体素子搭載用基板３は、例えばアルミナ系セラミックによって一体に形成したものが用いられていた。」（第２頁左上欄第１４行〜右上欄第２行及び第４図）
　
（ｂ）「第１図は、本発明の第１の実施例を示す縦断面図である。本実施例の半導体装置においては、外形は約４３ｍｍ×４３ｍｍであり、配線パターンを有する絶縁基板２には、アルミナ系セラミックを用いており、配線パターンと外部端子５のロウ付部とシールリング１０のロウ付部、さらに、半導体素子搭載用基板３のロウ付部を形成するため、タングステンメタライズを印刷後、焼成している。その後、ニッケルメッキを施こし、外部端子５、シールリング１０、半導体素子搭載用基板３をＡｇ／Ｃｕロウ材でロウ付している。その後、ニッケルメッキと、金メッキを施こしている。半導体素子搭載用基板３として窒化アルミナ系セラミックを用いた。次に、半導体素子７をＡｕ／Ｓｉロウ材で半導体素子搭載用基板３に固着し、ワイヤー８で半導体素子７と配線パターンを有する電気絶縁基板２上の配線パターンと電気的に接続した後、ニッケルクラッドコバール製のキャップ９をシールリング１０にシームウェルド法により溶接し、気密封止している。」（第２頁左下欄１５行〜右下欄第１４行及び第１図）と記載されており、
　
　そして、上記（ａ）（ｂ）を考慮すれば、第４図には、
「（ａ）ヒートシンク１、（ｂ）配線パターンを有する絶縁基板２と半導体素子搭載用基板３を、それぞれ、アルミナ系セラミック等によって形成し、かつ、一体化した後焼成し、中央凹部に半導体素子７が接着可能と成った多層セラミックパッケージ基体、（ｃ）該パッケージ基体上にメタライズした後、Ａｇ／Ｃｕロウ材でロウ付けされるシールリング１０、（ｄ）ワイヤボンディング後、シールリング１０にシームウェルド法により溶接することによって気密封止するニッケルクラッドコバール製のキャップ９、（ｅ）上記セラミックパッケージに突設された外部端子５、（ｆ）上記セラミックパッケージ基体とヒートシンクとを接着している接着剤６から成るヒートシンク搭載型半導体装置」が記載されているものと認められる。
　
（２ー２）引用例２（特開平１−３０５５４２号公報）には、
（ａ）「２セラミックスパッケージに集積回路チップを封入するためのキャップと該パッケージ間に介在させるＡｇろう付きシールリングの製造方法において、板材からシールリング素材を打ち抜き成形後に、機械研磨を施し、さらに、化学研磨を施した後、該素材が嵌入可能な溝を有する治具に収容し、該素材のＡｇろうの被着予定表面上の任意位置に、任意形状かつ所要量のＡｇろう材を載せて、ろう材の溶融温度に加熱することを特徴とすることを特徴とする集積回路用Ａｇろう付きシールリングの製造方法。」（特許請求の範囲請求項２）
　
（ｂ）「この発明において、シールリング用素材は、他のセラミックス部品との熱膨張係数を整合するために、ＦｅーＮｉ系合金（例えば４２％ＦｅーＮｉ合金）やＮｉーＣｏーＦｅ系合金（コバール）が用いられる。また、セラミックスパッケージからの放熱性を高めるためにＣｕ系合金などが用いられる場合もある。シールリング用素材は、冷間加工によって、０．３〜２．０ｍｍ厚さにした後、所定のリング形状にプレス加工を行う。この発明において、プレス加工を行う場合、得られたシールリングの周辺端面に破断面が生じても、その後に行う機械研磨により除去でき、さらに化学研磨によって、該破断面の金属粉及び機械研磨用砥粒が除去できるため、特に、金型の寿命を縮めるが如き金型クリアランスを限界まで狭めて使用する必要がない。この発明において、機械研磨は、プレス加工後のシールリングの破断面に生じるバリや金属粉を除去できれば、公知のいいずれの機械研磨でよく、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）を砥粒とするバレル研磨が適宜利用できる。」（第３頁左上欄第１５行〜右上欄第１５行）と、記載されている。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比・判断
〈本件発明１に対して〉
　本件発明１と引用例１に記載の発明とを対比すると、本件発明１（以下、前者という）に記載の「半導体パッケージの絶縁基体」は、引用例１（以下、後者という）に記載の「セラミックパッケージ基体」に、同様に、前者の「半導体を搭載する絶縁基体に鑞付けされたシールリング」は、後者の「Ａｇ／Ｃｕでセラミックパッケージ基体にロウ付けされたシールリング」に、「主面と反対の面に溶接された蓋体」は、「シームウェルド法によりシールリングに溶接したキャップ」にそれぞれ相当するから、両者は、「半導体パッケージの部品であって、一主面が、半導体を搭載する絶縁基体に鑞付けされ、これと反対の面が蓋体に溶接されるシールリング」で一致し、以下の点で相違している。
　
（３ー１）前者が、「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが半径５０μ以下の弧形状になっている」としているのに対して後者ではこの点について何ら記載がない点。
　
〈検討ー１〉
　前記相違点（３ー１）について検討すると、
　引用例２には、半導体パッケージの部品であるシールリングの製造において、板材を打ち抜き加工した際にその周辺端面に生じるバリや金属粉を除去するため、バレル研磨を行うことが記載されており、そして、バレル研磨を行えば該バリ、金属粉の除去にともなって、シールリングの主面と側面とで形成される稜線部のすべてが次第に弧形状となるのは自明のことといえる。
　ところで、本件発明１では、「稜線部のすべてが半径５０μ以下」と弧形状の曲率を定めているが、その技術的な理由は、本件明細書の段落【００１４】に「…略…その半径は５０μ以下、特に３０μ以下が望ましい…中略…５０μを越えると接合面積が狭小となるからである。」と記載されているように、シールリングの接合に際して所定の接合面積を確保するためであると認められるところ、シールリングに封止機能が要求されること、そして、封止機能の良否が接合部の接合面積に依存することは当業者にとっての技術常識といえる。
　してみれば、引用例２に記載されるバレル研磨によって稜線部が弧形状とされたシールリングにおいて、その曲率を５０μ以下とすることは、確保すべき接合面積に応じて当業者が適宜定めうることと認められる。
　そして、本件発明１により奏される効果も、引用例１、引用例２の記載から予想される域をこえるものではない。
　よって、本件発明１は、引用例１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから本件発明１についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
〈本件発明２に対して〉
　本件発明２と引用例１に記載の発明とを対比すると、 
 （３ー２）前者が、「金属板を打ち抜き加工した後、バレル研磨により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とする」としているのに対し、後者には、この点の記載がない。
　
〈検討ー２〉　
　前記相違点（３ー２）について検討すると、
　上記相違点（３ー２）については、上記（３ー１）で述べたとおりのものである。
　よって、本件発明２は、引用例１、２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから本件発明２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
４．むすび
　上記のとおりであるから、本件発明１、２についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年６月１３日（２００１．６．１３）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
（１ー１）訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１中の「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが弧形状となっている」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが半径５０μ以下の弧形状となっている」と訂正する。
（１ー２）訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項２中の「打ち抜き加工した後、バレル研磨する」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「打ち抜き加工した後、バレル研磨により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とする」と訂正する。
（１ー３）訂正事項ｃ
　段落番号【００１０】中の「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが弧形状となっている」を明りょうでない記載の釈明を目的として、「主面と側面とで形成される稜線部のすべてが半径５０μ以下の弧形状となっている」と訂正する。
（１ー４）訂正事項ｄ
　段落番号【００１１】中の「打ち抜き加工した後、バレル研磨する」を明りょうでない記載の釈明を目的として、「打ち抜き加工した後、バレル研磨により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とする」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
シールリング及びその製造方法
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　半導体パッケージの部品であって、一主面が、半導体を搭載する絶縁基体に鑞付けされ、これと反対の主面が、蓋体に溶接されるものにおいて、主面と側面とで形成される稜線部のすべてが
半径５０μ以下の
　【請求項２】　金属板を打ち抜き加工した後、バレル研磨
により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とする
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、半導体パッケージの部品としてのシールリングに関するもので、特に水晶製品、ＳＡフィルター用パッケージなどの量産品に好適に利用され得る。
　【０００２】
　【従来の技術】
　半導体パッケージの種類のなかで、シールリングを用いて封止するタイプのものがある。このタイプの半導体パッケージは、図２に示すように、ほぼ中央に半導体素子（図示省略）を搭載するキャビティ２３が形成された絶縁基体２２と、このキャビティ２３を囲む周壁上に枠状に形成されたメタライズパターン２４と、メタライズパターン２４にＡｇ鑞２５などによって一主面が接合されるシールリング２６と、半導体素子搭載後にシールリング２６の他の主面に溶接される蓋体（図示省略）とを具備しており、必要に応じて、絶縁基体２２の側面に金属リードが接合されている。
　【０００３】
　そして、この種の半導体パッケージにおいて、半導体素子搭載後にこれを気密封止する手段としての溶接は、溶接部近辺にしか熱が加わらないから、封止時に半導体素子に及ぼす熱影響が少ない。この点、低融点ガラスや半田等を用いて半導体パッケージ全体を加熱しながら封止する手段に比べて、特に熱に弱い半導体装置に対して好適な封止手段である。
　【０００４】
　ところで、従来、上記シールリング２６としては、一般にコバール、４２Ｎｉ等の金属の板を打ち抜き加工したものを用いていた。従って、シールリング２６のいずれか一方の主面の稜線部には、打ち抜き方向にバリ２６ａが付いていた。このようなバリ２６ａは、通常尖っていてその肉厚も一様でないから、バリ２６ａの付いている側の主面を溶接面とすると、溶接強度がばらつくほか、手にふれたりするとけがをするという危険もある。
　【０００５】
　従って、従来は、バリ２６ａの付いている側の主面を絶縁基体２２との鑞付け面とし、バリ２６ａの付いていない側の主面を蓋体との溶接面としていた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００７】
　しかし、上記のバリ付着面の選別は、目視に頼るしかないため、シールリング２６と絶縁基体２２との接合工程の自動化ができず、人手がかかっていた。
　【０００８】
　本発明は、このような従来技術の課題を解決し、バリの選別を不要とし、工程の自動化を達成し得るシールリングを提供することを目的とする。
　【０００９】
　【課題を解決するための手段】
　【００１０】
　その手段は、
　半導体パッケージの部品であって、一主面が、半導体を搭載する絶縁基体に鑞付けされ、これと反対の主面が、蓋体に溶接されるものにおいて、主面と側面とで形成される稜線部のすべてが
半径５０μ以下の
　【００１１】
　上記シールリングを製造する望ましい手段は、
　金属板を打ち抜き加工した後、バレル研磨
により稜線部のすべてを半径５０μ以下の弧形状とする
　【００１２】
　ここで、絶縁基体とは、例えばセラミック、ガラス、耐熱性樹脂等をいう。蓋体の材質は、通常、コバール、４２Ｎｉ−Ｆｅ合金等の金属であるが、溶接可能なものであれば、金属に限らない。
　【００１３】
　【作用】
　金属板を打ち抜き加工した場合、打ち抜き型の進行方向にはバリが発生するが、逆方向の稜線部は金属の塑性によってもともと弧状に変形している。従って、例えば、上記のように打ち抜き加工後に、バレル研磨することによって、バリが除去されたシールリングは、稜線部のすべてが弧形状となっているから、どちらの主面を溶接面としても蓋体と良好に溶接できる。しかも、いずれの主面も同じ表面性状をもっているから、溶接前に絶縁基体とシールリングとを鑞付けするに当たって、鑞付け面を選別する必要がない。
　【００１４】
　尚、稜線部の弧形状を円弧と近似した場合、その半径は、５０μ以下、特に３０μ以下が望ましい。打ち抜き加工時のバリ無し側稜線部の半径が通常３０μ程度であるし、５０μを越えると接合面積が狭小となるからである。
　【００１５】
　【実施例】
　［シールリング付き半導体パッケージの構造］
　図１は、本発明の一実施例に係わるシールリングを用いた半導体パッケージの縦断面図である。半導体パッケージ１１は、ほぼ中央に半導体素子１８を搭載するキャビティ１３が形成された絶縁基体１２と、このキャビティ１３を囲む周壁上に枠状に形成されたメタライズパターン１４と、メタライズパターン１４にＡｇ鑞１５などによって一主面が接合されるシールリング１６と、半導体素子搭載後にシールリング１６の他の主面に溶接される蓋体１７とを具備している。
　【００１６】
　シールリング１６は、その両主面と内側面又は外側面との稜線部が、一様に半径約３０μ程度の弧形状となっているものの、両主面に依然として幅０．８ｍｍ程度の平坦部を有しており、接合面積を確保している。
　【００１７】
　そして、半導体素子１８は、絶縁基体１２の内部パッド１２ａとボンディングワイヤー１９にて電気的に接続しており、シールリング１６と蓋体１７との溶接によって気密封止されている。
　【００１８】
　［シールリング付き半導体パッケージの製造法］
　シールリング１６を製作するには、まずコバール、４２Ｎｉ−Ｆｅ合金等の金属よりなり肉厚０．２５ｍｍの板を、外寸７．０×４．６ｍｍ、内寸５．４×３．０ｍｍの枠形状に金型にて打ち抜き、これをアルミナ系もしくはシリカ系の研磨材でバレル研磨する。研磨時間は、当初３０分としていたが、実験の結果、回転数２２０ｒｐｍ×５分でシールリングのバリが除去され、その稜線部に半径３０μ程度の丸みが形成されることが判った。
　【００１９】
　バレル研磨後、水洗し、２．５％の塩酸水溶液で１０分間処理し、粒度５．〜７μの過酸化水素系の研磨剤を２５％含む液で化学研磨処理をした。この化学研磨処理は、シールリングに付着したバレル研磨剤を除去するための処理である。次いで、２％の塩酸水溶液で３０秒間処理し、２％の重炭酸ソーダ水溶液で３０秒間中和処理し、温水洗し、乾燥した。その後、Ｎｉ鍍金をすることによって、接合前のシールリング１６を製作した。
　【００２０】
　他方、絶縁基体１２は、アルミナ、ムライト、窒化アルミニウム等を主成分とするセラミックグリーンシートを打ち抜き加工し、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズインクを印刷して内部配線を形成し、所定形状に切断後、３枚積層し、高温焼成し、表面に露出しているメタライズ部分をＮｉ鍍金することによって、製作された。
　【００２１】
　３枚積層構造をなす絶縁基体１２の最上層表面に露出している鍍金部分は、シールリング１６を接合するメタライズパターン１４であり、最上層と中間層との間からキャビティ１３側に露出している鍍金部分は、パッド１２ａである。
　【００２２】
　シールリング１６と絶縁基体１２とは、絶縁基体１２のメタライズパターン１４の上にＡｇ鑞１５の箔を載せ、その上にシールリング１６を載せた状態で、８００℃の加熱処理をすることによって、鑞付け接合された。その後、半導体素子搭載工程、ワイヤボンディング工程を省略し、シールリング１６の上に更にコバール製蓋体１７を載せ、シールリング１６と蓋体１７とをシーム溶接することによって、前記半導体パッケージ１１（但し、半導体素子は、収納されていない）が製造された。
　【００２３】
　上記製造工程において、Ａｇ鑞１５の上にシールリング１６を載せる際、バリが発生した側の主面を下にして接合したもの１００個と、バリが発生しなかった側の主面を下にして接合したもの１００個とを区別して合計２００個の半導体パッケージ１１を製造し、気密性及び接合強度をそれぞれ評価したところ、両者の間に差は認められなかった。
　【００２４】
　【発明の効果】
　以上のように、シールリングの接合工程でシールリングの表裏両主面の選別をする必要がなくなったので、この工程の自動化が可能となり、工数を１／１０以下に短縮することができる。また、シールリングの稜線部が弧形状となっているので、手で触ってもけがをすることがない。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明の一実施例に係わるシールリングを用いた半導体パッケージの縦断面図である。
　【図２】
　従来のシールリングを用いた半導体パッケージの縦断面図である。
　【符号の説明】
１１，２１　半導体パッケージ
１２，２２　絶縁基体
１３，２３　キャビティ
１４，２４　メタライズパターン
１５，２５　Ａｇ鑞
１６，２６　シールリング
１７，２７　蓋体