【事件の表示】
　特許第３０４９４１０号「半導体パッケージ」の請求項１、２に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０４９４１０号の請求項１、２に係る発明の特許を取り消す。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　特許第３０４９４１０号に係る発明についての出願は、平成６年８月４日に特許出願され、平成１２年３月３１日に設定登録がなされた後、その特許について、特許異議申立人京セラ株式会社により特許異議の申立てがなされ、平成１３年２月８日に取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年４月２４日に訂正請求書が提出されたものである。
　
ＩＩ．訂正請求の適否についての判断
１．訂正の内容
　訂正請求は、本件特許の願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という）を平成１３年４月２４日付けの訂正請求書に添付された明細書のとおりに訂正しようとするものであって、その訂正の内容は次のとおりである。
　
（１）訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１、２中の「前記半導体素子のチップ面の一部だけを前記ベース基板と接着する」を「前記半導体素子がベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていない」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の【００１６】欄の「チップの大きさは１５ｍｍ２であり、ロウ材１はセラミックベース基板４との接着が１２ｍｍφの円状になるように制御されている」を「チップの大きさは１５ｍｍ□であり、ロウ材１はセラミックベース基板４との接着が１２ｍｍφの円状になるように制御されている」と訂正する。　
　
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、拡張・変更の存否の各要件についての判断
（２ー１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、半導体素子がベース基板に接着される際「チップ面の一部だけ」としていたものを「チップ面の外周部は接着されない」とその接着状態を明確にし、かつ技術的に限定するものであるから特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、半導体素子がベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていないことは、特許明細書第４頁【００１５】、【００１６】の「ロウ材１の量を従来よりも少なくしてチップの裏面の中央に盛ることで、５．０ｍｍ×４．２ｍｍの大きさの半導体チップをセラミックベース基板４との接着面積がチップ面積の約６０％になるよう取り付けている。」および、「半導体チップ３とベース基板４の接着面積は、全面で接着していた従来に比べて６０％以下である。」の記載から明らかである。したがって、この訂正は、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内でなされたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。　
　
（２ー２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、第２実施例として、「ロウ材１はベース基板４との接着がチップの中央で１２ｍｍφの円状になるように制御」されているものである。この際、チップの大きさを「１５ｍｍ２　」とするとチップの一辺は約３．９ｍｍとなって該チップの一辺よりもロウ材の径の方が大きくなり、ベース基板の接着面積の１００％となってしまい、「半導体チップ３とベース基板４との接着面積が６０％以下」の記載と矛盾する。そしてこれが１５ｍｍ□であれば、その面積比は、０．５０２となってロウ材が１２ｍｍφの時「半導体チップ３とベース基板４との接着面積が６０％以下」となることは当業者にとって自明の事項であるから、単なる誤記の訂正に該当し、また、上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａと整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当し、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項および第３項で準用する第１２６条第２項および第３項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
ＩＩＩ．特許異議の申立てについての判断
１．本件発明
　前述のように、本件訂正は適法なものであるので、本件請求項１、２に係る発明は、訂正請求書に添付された明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載された次のとおりのもの（以下、「本件発明１」、「本件発明２」という）である。
「【請求項１】気密性を保った内部に半導体素子を収容するための空所を有する気密封止型セラミック製半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージは前記空所を形成するベース基板とキャップを有し、
前記半導体素子が前記ベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていないことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】ベース基板およびキャップで半導体チップを囲み、ガラスで封止する気密封止型セラミック製半導体パッケージであって、
前記半導体素子が前記ベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていないことを特徴とする半導体パッケージ。」
　
２．引用刊行物に記載された発明
　当審で通知した取り消しの理由で引用した本件特許に係る出願の出願前に頒布された刊行物１、２、５（以下、「引用例１、２、５」という）には、以下のような事項が記載されている。
（２ー１）引用例１（特開平６−１７７７０１号公報）
（ａ）「【請求項１】 パッケージベース及びパッケージキャップとで構成されるチップキャリアと、前記パッケージベースに接着固定される弾性表面波素子チップとを備えた弾性表面波装置において、前記弾性表面波素子チップを前記パッケージベースへ接着固定する際に、弾性表面波素子チップの中央部でのみ接着固定したことを特徴とする弾性表面波装置。」（特許請求の範囲請求項１）
（ｂ）「…略…【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置の構造に関し、詳述すればチップキャリアのパッケージベースに対する弾性表面波素子チップの接着固定構造に関するものである。」（【０００１】欄）
 （ｃ）「 …略…図５にリードレスチップキャリアの一例を示す。同図において、３はパッケージベースであり、これはアルミナなどのセラミックからなるキャビティ部分３ａと、この上にロー接されたキャップ溶接用金属リング３ｂと、パッケージ電極３ｃとで構成される。リードレスチップキャリアの場合、チップ上の電極と接合される前記パッケージ電極３ｃは、厚膜形成されている。…中略…さらに１は弾性表面波素子チップであり、パッケージベース３上に接着固定される。また、４はパッケージキャップであり、パッケージベース３のキャップ溶接用金属リング３ｂ上に溶融接合される。」（【０００３】〜【０００４】欄及び第５図）
（ｄ）「…略…リードレスチップキャリアの気密封止方法には、このシーム溶接以外にも金ー錫や半田によるロー接や、低融点ガラスあるいは接着剤による封止などが行われている。封止時の温度は、ロー接やガラス封止では３００〜４００℃程度、接着では１５０〜２００℃程度である。」（【００１０】欄）
（ｅ）「 …略…そして、図８にチップの接着固定の様子を示す。図８は弾性表面波素子チップ１が接着固定されたパッケージベース３を上から見たものである。尚、接着の様子が分かり易いように、接着面積すなわち弾性表面波素子チップ１の裏面とパッケージベース３との間における接着剤２ａの広がりの様子を、弾性表面波素子チップ１を透視してハッチングで表している。…中略… 接着剤２ａは、通常、銀などの導電フィラーを体積比で５０％程度混合したエポキシ樹脂が用いられる。これらの導電性樹脂の硬化後の硬度は導電フィラーの混合により、一般に高い。…中略…【発明が解決しようとする課題】 従来の弾性表面波素子チップの接着固定は、図８に示すように弾性表面波素子チップ全面にわたって行われている。パッケージの気密封止の際、例えばリードレスチップキャリアの場合、キャップ接合時の温度上昇による熱膨張によって、封止後常温にもどった時、パッケージには図９に示すような変形応力が加わる。…中略… 即ち、シーム溶接の際にはキャビティ部分３ａよりもパッケージキャップ４の温度上昇の方が高く、その結果、溶接時にはパッケージキャップ４の熱膨張の方が大きくなり、封止終了後、パッケージが常温にもどった時には、図９に示すような変形応力が加わる。」（【００１３】〜【００１６】欄及び第８、９図）
（ｆ）「…略…【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために本発明では、パッケージベース及びパッケージキャップとで構成されるチップキャリアと、前記パッケージベースに接着固定される弾性表面波素子チップとを備えた弾性表面波装置において、前記弾性表面波素子チップを前記パッケージベースへ接着固定する際に、弾性表面波素子チップの中央部でのみ接着固定した弾性表面波装置を提供せんとするものである。」（【００１８】欄）　
（ｇ）「…略…【作用】上記の如く構成したので、チップキャリアの封止後においても、弾性表面波素子チップに曲げ応力が加わらず、弾性表面波素子の特性が変化することがない。…中略…【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の実施例について詳述する。先ず、図１に本発明の第１の実施例を示すが、従来と同一の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は割愛する。図１（ａ）は前記図８と同様に、弾性表面波素子チップ１とパッケージベース３との間の導電性接着剤２ａの広がりの様子を弾性表面波素子チップ１を透視してハッチングで表したものであり、図１（ｂ）はその側面図である。…中略…本実施例では弾性表面波素子チップ１のパッケージベース３への接着は、弾性表面波素子チップ１の中央部のみで行い、その接着面積はチップ面積の１／２〜１／５となっている。この接着はパッケージベース３上に導電性接着剤２ａを１点適量ディスペンスし、その上に弾性表面波素子チップ１を加圧しつつ載せることにより達成される。」（【００２２】〜【００２４】欄及び第１図）
（ｈ）「…略…【発明の効果】 以上、詳述した如く本発明に依れば、パッケージベース及びパッケージキャップとで構成されるチップキャリアと、前記パッケージベースに接着固定される弾性表面波素子チップとを備えた弾性表面波装置において、前記弾性表面波素子チップを前記パッケージベースへ接着固定する際に、弾性表面波素子チップの中央部でのみ接着固定したので、パッケージに加わる変形応力を、弾性表面波素子チップの接着層によって吸収、そして応力の弾性表面波素子チップへの伝達を抑制することで素子の特性変化を効果的に抑え、封止前あるいは弾性表面波素子チップ状態での特性検査を可能とするなど、生産工程の効率化や歩留まり向上に効果があり、極めて有益である。」（【００３９】欄）　
（２ー２）引用例２（特開昭５６−６４４４８号公報）
（ａ）「セラミック基板上の半導体チップ載置部に金属焼結体、ニッケルメッキ、金メッキの三層からなる金属体層が設けられ、該金メッキ面積は半導体チップ面積より小さく設けられ、該金メッキ部分に金属ロウ材を介して半導体チップ裏面の一部だけが固定されていることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲）
（ｂ）「本発明は半導体装置の構造に関し、特に大型の半導体チップを実装した半導体装置の構造に関する。従来のこの種の半導体装置のダイ・アタッチ部（半導体チップ載置部）の構造は、第１図の断面図に示すようにアルミナ、ベリリア等のセラミック基板１上にタングステン、モリブデン、マンガン等の金属焼結体２ａを設け、該金属焼結体２ａ上にニッケルメッキ３ａ、金メッキ４ａを施したものであり、該３層から成る金属体層の上に、金ーシリコン、金ー錫ーアルミニウム等の金属ロウ材５ａを用いて半導体チップ６をロウ付したものであった。しかしながら、近年、半導体チップ特に集積回路チップの大型化に伴って、前記半導体チップ６とセラミック基板１の熱膨張率の差に基づいて、前記半導体チップ６に発生する熱応力が問題になっている。すなわち、半導体チップが固着されているセラミック基板１の熱膨張率と半導体チップ６の熱膨張率が異るため、半導体装置に温度変化を与えると前記半導体チップに熱応力が発生する。この熱応力は、従来の半導体装置のように、半導体チップの寸法が小さい場合には大きな問題にはならないが、半導体チップの寸法が大きくなるとこの熱応力は半導体チップの電気的特性に悪影響を及ぼすばかりでなく、半導体チップにクラックを発生させることもある。」（第１頁左下欄１２行〜第２頁左上欄第１行及び第１図）
（ｃ）「第２図は本発明の第１の実施例を示す断面図で、半構体チップ６の中央部を金属焼結体２ｂ、ニッケルメッキ３ｂ、金メッキ４ｂから成る金属体層（以下中央金属体層と言う）に金属ロウ材５ｂを介して固着し、該中央金属体層の周囲に設けた金属焼結体２ｃ、ニッケルメッキ３ｃから成る金属体層（以下周囲金属体層と言う）で半導体チップ６を支持する構造とした半導体装置である。本発明による半導体装置において、中央金属体層は、タングステン、モリブデン、マンガン等の金属粉末を焼結した金属焼結体２ｂの上にニッケルメッキ３ｂ、金メッキ４ｂを施すことにより得られる。この部分の構造、製造方法は従来のこの種の半導体装置と全く同じであるが、本発明による半導体装置では、半導体チップの中央部の一部だけをセラミック基板１に固着してある。このような構造にすることにより、前記半導体チップ６に発生する熱応力を小さくすることができる。」（第２頁左上欄第９行〜第２頁右上欄第６行及び第２図）
（ｄ）「本発明による半導体装置は、大型半導体チップを実装した際に、半導体チップに発生する熱応力が極めて小さくなる構造となっている。」（第２頁右下欄第１０〜１３行）
（２ー３）引用例５（実願昭５９−１６７６８９号（実開昭６１−８３０３９号）のマイクロフィルム）
（ａ）「半導体装置の製造過程に於いて、電極が形成された半導体チップは、リードフレーム上に固着され、ボンディング配線が行われた後、樹脂封止されて製品化される。従来、そのマウント工程は、第３図及び第４図に示すように行われていた。すなわち、リードフレーム１１のベッド部１２上に銀ペースト又は半田のマウント剤１３を付着し、このマウント剤１３上に半導体チップ１４を載せる。その後、マウント剤１３が固化して半導体チップ１４が固着された後、この半導体チップ１４の電極部１４ａとリードフレーム１１のリード部１５とを金ワイヤ１６によりボンディング接続を行ない配線を行なうものである。」（第１頁２０行〜第２頁第１２行及び第３、４図）
（ｂ）第３、４図として、従来の半導体リードフレームを用いたマウント工程を示す断面図、平面図が示され、特に第４図によれば、リードフレーム１１のベッド部１２上に半導体チップを付着させるに際し、チップの中心から端縁までの最短距離をＲとし、同じくマウント剤１３が付着された円の半径をｒとしたとき、ベッド部上のマウント剤の中心とチップの中心は一致し、かつ、（ｒ＜Ｒ）の関係を満足する構成が読みとれる。
　
３．対比・判断
　記載事項（２ー１）の（ａ）〜（ｈ）を総合すれば、　引用例１には、
（ａ）キャップ４とキャビティ３ａとの熱膨差により生ずる変形応力がチップに及ぶことを防止することを目的としている点。
（ｂ）セラミックからなるキャビティ部分３ａと、この上にロー接されたキャップ接続用リング３ｂと、パッケージ電極３ｃとで構成されるパッケージベース３の構成の点。
（ｃ）上記キャップ接続用リング３ｂの上に溶融接合されて構成されるパッケージキャップ４によって気密封止がされている点。
（ｄ）チップ１をパッケージベースへ接着固定する際にチップの中央部でのみ接着固定した点。
（ｅ）リードレスチップキャリアの気密封止方法には、低融点ガラスによる封止が行われている点。
　以上、（ａ）〜（ｅ）の点が記載されているといえる。
　
（３ー１）本件発明１に対して
　本件発明１と引用例１に記載の発明とを対比すると、両者は、「気密性を保った内部に半導体素子を収容するための空所を有する気密封止型セラミック製半導体パッケージであって、前記半導体パッケージは前記空所を形成するベース基板とキャップを有し、前記半導体素子が前記ベース基板と接着されたことを特徴とする半導体パッケージ。」で一致し、下記の点で相違している。
（ア）前者では、半導体素子がベース基板と接着される際、「前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていない」のに対し、後者では、単に「半導体素子がベース基板と接着される際、前記半導体素子の中央部で前記接着がなされている」としているのみで「半導体素子の外周部では、接着がなされていない」の記載がない。
　そこで、上記相違点（ア）について検討する。
　引用例５には、従来技術として、リードフレーム１１のベッド部１２上に銀ペースト又は半田のマウント剤１３を付着し、このマウント剤１３上に半導体チップ１４を載せることが記載されており（記載事項（２ー３）（ａ）参照）、これは、本件発明１でいうところの半導体素子がベース基板に接着されている状態に相当する。
しかもその接着状態は、半導体素子がその中央部分のみでベース基板に接着していることは記載事項（２ー３）（ｂ）から明らかであるから、引用例５の従来法における半導体素子とベース基板の接着状態は、本件発明１におけるそれらの接着状態と何らの差異もない。
　ところで引用例５においては前記引用例の従来法による接着では、半導体素子にボンディングに起因するクラックが生じるから採用すべきでない接着状態として挙げられているが、引用例２にも記載されるごとく、半導体素子の一部をベース基板に接着させた場合には、ボンディングによるクラック発生の可能性はあるにしても、少なくとも熱応力の緩和が図れることは知られている。
　してみれば、引用例５の従来法による接着状態を採用するか否かはボンディングによるクラック発生を防止する必要性の有無に応じて当業者が適宜に定めうることと認められる。　
　したがって、上記相違点（ア）は、引用例２の記載を考慮すれば引用例５の記載から当業者が容易に想到しうるものと認められ、しかも、本件発明１により奏される効果も当業者が当然に予想しうる程度のものと認められる。
　よって、本件発明１は、引用例１、２、５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから本件発明１についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
（３ー２）本件発明２に対して
　本件発明２と引用例１に記載の発明とを対比すると、両者は、「ベース基板およびキャップで半導体チップを囲み、ガラスで封止する気密封止型セラミック製半導体パッケージであって、
前記半導体素子が前記ベース基板と接着されることを特徴とする半導体パッケージ。」で一致し、下記の点で相違している。
（イ）前者では、半導体素子がベース基板と接着される際、「前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていない」のに対し、後者では、単に「半導体素子がベース基板と接着される際、前記半導体素子の中央部で前記接着がなされている」としているのみで「半導体素子の外周部では、接着がなされていない」の記載がない。
　しかしながら、上記相違点（イ）は、前記「３．（３ー１）」で述べたとおりであり、相違点（イ）は格別のものではない。
　よって、本件発明２は、引用例１、２、５に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから本件発明２についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
　
４．むすび
　上記のとおりであるから、本件発明１、２についての特許は、特許法第１１３条第２号に該当し、取り消されるべきものである。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年５月２４日（２００１．５．２４）
【訂正の要旨】
　訂正の要旨
　（１）訂正事項ａ
　特許明細書の請求項１、２中の「前記半導体素子のチップ面の一部だけを前記ベース基板と接着する」を特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記半導体素子がベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていない」と訂正する。
　（２）訂正事項ｂ
　特許明細書の【００１６】欄の「チップの大きさは１５ｍｍ２であり、ロウ材１はセラミックベース基板４との接着が１２ｍｍφの円状になるように制御されている」を明りょうでない記載の釈明を目的として、「チップの大きさは１５ｍｍ□であり、ロウ材１はセラミックベース基板４との接着が１２ｍｍφの円状になるように制御されている」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
半導体パッケージ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　気密性を保った内部に半導体素子を収容するための空所を有する気密封止型セラミック製半導体パッケージであって、
前記半導体パッケージは前記空所を形成するベース基板とキャップを有し、
前記半導体素子が前記ベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていないこと
　【請求項２】　ベース基板およびキャップで半導体チップを囲み、ガラスで封止する気密封止型セラミック製半導体パッケージであって、
前記半導体素子が前記ベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていないこと
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】本発明はガラス封止による気密封止型セラミック製半導体パッケージの構造に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】図４に従来の気密封止型半導体パッケージの一例を示す。半導体チップ３を搭載したセラミック製のベース基板４とキャップ５とでリードフレーム６をはさみ、ガラス７で気密封止したもので、チップ３は全面に塗られたロウ材１によってベース基板に十分接着されている。
　【０００３】製作過程としては、中央部を除いたベース基板４の表面にあらかじめガラス７を印刷し、このガラス７上にリードフレーム６を加熱・圧着する。次に、加熱によってロウ材１を溶融させ、ベース基板４の中央部に半導体チップ３を接着する。このチップ上の電極とリードフレーム６はボンディングワイヤー８で接続する。一方、中央部を除くキャップ５の表面にガラス７を印刷し、先の半導体チップを搭載したベース基板にかぶせて、ガラス７を加熱・溶融して気密封止する。
　【０００４】なお、これらの気密封止したセラミック製パッケージは、−１５０℃などの極低温に冷却する信頼性試験中にセラミックベース基板４が割れる事故２が生じることがあった。これは、半導体チップ３とセラミック基板４の熱膨張係数が異なるためにパッケージが熱変形し、セラミック基板４に高い応力が生じたためである。このパッケージ割れ２は、半導体チップ３が大きいほど生じやすかった。
　【０００５】これに対し従来から、例えば発明協会公開技報番号９３−６０７８に記載のＩＣパッケージのように、ベース基板の熱膨張係数が半導体チップのそれと近くなるようにセラミック基板４の材質を選んだり、特開昭６４−８００２９号公報に開示されているように、半導体チップ３とセラミックベース基板４の間に熱膨張係数がそれらの中間の値を有するモリブデン板を介在させたりして、温度変化によるパッケージ変形を小さくすることによりパッケージ割れ２を回避してきた。
　【０００６】
　【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来のように半導体チップとセラミックベース基板の間にモリブデン板を用いる方法では、材料および組み立て工程が増えることになり、価格の上昇を招くという欠点があった。また、ベース基板材料に熱膨張係数が半導体チップのそれに近いものを使用する方法も、ベース材料が熱伝導率や材料強度の条件も満足する必要があるために、材料選択が容易ではないという問題点があった。
　【０００７】本発明の目的は、新たな材料および組み立て工程を増やすことなく、現状の材料を用いてパッケージの熱変形を抑え、セラミック基板の割れ２を防止し、チップの大型化、信頼性の向上、低価格化を実現したパッケージを提供することにある。
　【０００８】
　【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明の半
導体パッケージは、気密性を保った内部に半導体素子を収容するための空所を有する気密封止型セラミック製半導体パッケージであって、前記半導体パッケージは前記空所を形成するベース基板とキャップを有し、
前記半導体素子が前記ベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていないこと
　【０００９】第２の発明は、ベース基板およびキャップで半導体チップを囲み、ガラスで封止する気密封止型セラミック製半導体パッケージであって、
前記半導体素子が前記ベース基板と接着され、前記半導体素子の外周部では、前記接着がなされていないこと
　【００１０】
　【作用】図３は、半導体チップのベース基板との接着面積と、ベース基板に生じる応力との関係を説明するための図である。パッケージを−１５０℃に冷却したときに生じるベース基板の応力を有限要素法解析によって求め、求めた結果を図３（ｂ）に示す。尚、図３（ｂ）には解析結果の一例として、図４に示す半導体パッケージの構成の右半分における結果を示してある。図３（ａ）に、有限要素法解析により求められた半導体チップの接着面積と生じる応力との関係を示す。同じ大きさの半導体チップであっても、接着面積が小さいほどベース基板の応力が低くなることがわかる。これは、接着面積が小さいほど、表面の応力を生じさせるベース基板の変形が小さくなるためである。
　【００１１】従来のパッケージは図４にその構成を示したように、半導体チップ３の全面をロウ材１を用いてベース基板４に接着しているため、ベース基板４に生じる応力が高い。将来、チップの大型化によりベース基板４に生じる応力が材料強度を越えれば、セラミック基板の割れ２が生じるという問題点がある。
　【００１２】図１に本発明の半導体パッケージの一実施例の構成を示す。本発明においては、半導体チップ３の面の一部だけにロウ材１を塗り、ベース基板４に接着している。こうすることによりベース基板４に生じる応力を低く抑えることができ、セラミック基板４の割れ２を防止して信頼性を向上させることができる。また、半導体チップ３を大きくしたい場合も、ロウ材１の量や塗り方を制御することで半導体チップ３とベース基板４の接着面積を加減すれば、セラミック基板４の割れ２を防止できる。
　【００１３】また本発明では現状の材料を用いてパッケージの熱変形を抑えているため、従来のように材料や組み立て工程を増やす必要がなく、価格の上昇を招く心配はない。
　【００１４】
　【実施例】次に、図１および図２を参照して本発明の一実施例について説明する。
　【００１５】（実施例１）図１は本発明の一実施例を示す半導体パッケージの構成断面図である。ロウ材１の量を従来よりも少なくしてチップの裏面の中央に盛ることで、５．０ｍｍ×４．２ｍｍの大きさの半導体チップ３を、セラミックベース基板４との接着面積がチップ面積の約６０％になるように取り付けている。この場合、−１５０℃の冷却試験において、セラミック基板の割れ２は全くなかった。有限要素法解析で求めたベース基板４の応力は１５ｋｇｆ／ｍｍ２以下であったのに対して、ベース材料であるアルミナの破壊強度は約３０ｋｇｆ／ｍｍ２であり、セラミック基板４が割れる可能性はない。
　【００１６】（実施例２）図２は、ＰＧＡ（Ｐｉｎ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）パッケージの場合の本発明の一実施例である。半導体チップ３を搭載したセラミック製のベース基板４とキャップ５がガラス７で気密封止されており、ロウ材１によってチップ３の面の一部がベース基板に接着されている。チップの大きさは１５ｍｍ
□
　【００１７】こうすることでパッケージの変形は少なくなり、−１５０℃での冷却試験においても、セラミック基板４の溝からの割れば生じなくなった。
　【００１８】また、半導体チップが大きな場合には、上記円状の接着面積の径を大きくしたり、あるいは円状の数を適宜増やすなど、ロウ材の量や塗り方を制御することで、先の実施例と同様に基板の割れを防止することができる。
　【００１９】
　【発明の効果】以上のように本発明は、気密封止型半導体パッケージのチップ面の一部だけをベース基板と接着するものであり、これにより材料や組み立て工程を増やすことなくパッケージの熱変形を抑えてセラミック基板の割れを防止し、チップの大型化、信頼性の向上、低価格化を実現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
　【図１】本発明の半導体パッケージの一実施例を示した構成断面図である。
　【図２】本発明の半導体パッケージの別の一実施例を示した構成断面図である。
　【図３】（ａ）は、チップの基板との接着面積と、生じる応力との関係を示し、本発明の効果を説明するための図であり、（ｂ）は、有限要素法による応力解析結果を示す図である。
　【図４】従来の半導体パッケージの構成を示した断面図である。
　【符号の説明】
１　ロウ材
２　ベース基板の割れ
３　半導体チップｓ
４　セラミックベース基板
５　キャップ
６　リードフレーム
７　封止ガラス
８　ボンディングワイヤー