【事件の表示】
　特許第３１３９０９３号「被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基材」の請求項１〜４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１３９０９３号の請求項１〜４に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１３９０９３号の請求項１〜４に係る発明は、平成３年１２月１２日に特許出願され、平成１２年１２月１５日にその特許権の設定登録がなされ、その後、特許異議申立人黒神朱砂より特許異議の申立てがなされ、取消の理由が通知され、その指定期間内である平成１４年６月２４日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　ａ．特許請求の範囲の請求項１の記載について、「から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが、」とあるのを「から選ばれ、分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である、少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが、」と訂正する。
　ａ’．明細書の段落【００１２】の記載について、「から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが」とあるのを「から選ばれ、分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である、少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが」と訂正する。
　ｂ．特許請求の範囲の請求項１の記載について、「１．０ミリモル／リットル以下である」とあるのを、「１．０ミリモル／リットル以下であり、かつ全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２．０重量％の範囲にある」と訂正する。
　ｂ’．明細書の段落【００１２】の記載について、「１．０ミリモル／リットル以下である」とあるのを、「１．０ミリモル／リットル以下であり、かつ全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２．０重量％の範囲にある」と訂正する。
　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
　上記訂正事項ａは、発明を特定する事項である「から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが、」をこれに含まれる事項である「から選ばれ、分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である、少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが、」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項ａ’は、上記訂正事項ａとの整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　上記訂正事項ｂは、発明を特定する事項である「１．０ミリモル／リットル以下である」をこれに含まれる事項である「１．０ミリモル／リットル以下であり、かつ全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２．０重量％の範囲にある」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、上記訂正事項ｂ’は、上記訂正事項ｂとの整合を図るものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とした明細書の訂正に該当する。
　そして、「分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である」ことについては、願書に添付された明細書の段落【００２９】に記載されており、「全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２．０重量％の範囲にある」ことについては、願書に添付された明細書の段落【００５２】〜【０１０９】に記載される実施例１〜１０のものの全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２．０重量％の範囲にあることから、いずれも、新規事項の追加に該当せず、実質的に特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。
　
（３）むすび
　したがって、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．特許異議の申立てについての判断
（１）申立て理由の概要
　特許異議申立人黒神朱砂は、甲第１号証（特開昭５６−１０４９７３号公報）、甲第２号証（「エマルジョン・ラテックス・ハンドブック」）及び甲第３号証（特開昭５６−３８３６２号公報）の各刊行物を提示し、訂正前の請求項１〜４に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をなし得る程度のものにすぎず、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、訂正前の請求項１〜４に係る特許を取り消すべきと主張している。
　
（２）本件発明
　上記２．で示したように上記訂正が認められるから、本件請求項１〜４に係る発明は、上記訂正請求に係る訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　無機化合物コロイド粒子（ａ）と、アセチルアセトナトキレートの部分加水分解物、アルコキシシランの部分加水分解物および金属アルコキシドの部分加水分解物から選ばれ、分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である、少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが、有機溶媒（ｃ）中に含まれ、この被膜形成用塗布液中のイオン濃度が１．０ミリモル／リットル以下であり、かつ全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２．０重量％の範囲にあることを特徴とする均一な凹凸を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液。
【請求項２】
　被膜形成用塗布液の製造過程で、少なくとも前記無機化合物コロイド粒子（ａ）を含むゾル、前記被膜形成成分（ｂ）を含む液および被膜形成用塗布液のいずれかに、陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交換樹脂による処理とを行なって、得られる被膜形成用塗布液の中のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下とすることを特徴とする請求項１記載の均一な凹凸を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液の製造方法。
【請求項３】
　請求項１記載の均一な凹凸を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液から形成された被膜が基材上に積層されていることを特徴とする被膜付基材。
【請求項４】
　ディスク基板と、その上に形成された磁性層とを含み、前記ディスク基板と前記磁性層との間および／または前記磁性層上に、請求項１記載の均一な凹凸を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液から形成された被膜を有する磁気記録媒体。」
　
（３）刊行物に記載された事項
　特許異議申立人が提示した甲第１号証（特開昭５６−１０４９７３号公報）の第２頁左上欄第２〜３行には「本発明は被覆組成物に関するもので、特に可染性、可とう性、高硬度の被覆組成物に関する。」と記載され、第５頁右下欄第１５〜１８行には「たとえば、陶磁器、ガラスなどに対し、簡便な着色、模様付け、絵付け方法を提供し、しかもその表面硬度は実用上基材に匹敵させることができる。」と記載されている。
　同甲第２号証（「エマルジョン・ラテックス・ハンドブック」）の第１９頁第１４〜１６行には「多価の陽イオンなどを加えることにより、・・・ついに凝集を起こす。」と記載されている。
　同甲第３号証（特開昭５６−３８３６２号公報）の第１頁左下欄第１５行〜右下欄第１行には「本発明は、電子部品用絶縁膜や金属表面又はめっき面の保護膜、液晶セル用配向板などを形成するために使用されるシリカ系被覆形成用塗布液を高い純度のものとして製造する方法に関するものである。」と記載され、第２頁左上欄第１８行〜右上欄第３行には「イオン交換樹脂で処理すれば、触媒が除去されると同時にイオン交換樹脂の触媒作用によりシリカ形成剤の生成反応が完結し、非常に高純度のシリカ被覆形成用塗布液を得ることができることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。」と記載されている。
　
（４）対比・判断
　本件請求項１に係る発明は、「均一な凹凸を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液」に関するものであって、「被膜形成用塗布液中のイオン濃度が１．０ミリモル／リットル以下である」ことにより、「均一な凹凸を有し、表面に凝集粒子の痕跡がほとんど観察されず、耐擦傷性などの耐久性に優れ、しかも光反射防止性能に優れている被膜を基材上に形成することができる。・・・この被膜上に均一な凹凸が形成されているため、・・・磁気ヘッドが摺動する際の静摩擦係数が小さく、また磁気ヘッドが損傷することもなく」（特許公報第１１欄第４〜２１行）という顕著な作用効果を奏するに至ったものである。
　
　これに対して、甲第１号証には、陶磁器等に対し簡便な着色、模様付け等を提供できる被覆組成物に関する発明が記載されているところ、「均一な凹凸を有する被膜」が形成されること及び「被膜形成用塗布液のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下」にすることについては示唆を含めて記載がない。
　
　また、甲第２号証には、陽イオンを加えることで粒子の凝集が起きることについての一般的な記載があるものの、被膜形成用塗布液に関する教示は見あたらず、「均一な凹凸を有する被膜」が形成されること及び「被膜形成用塗布液のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下」にすることについては示唆を含めて記載がない。
　
　次に、甲第３号証には、触媒を除去するために塗布液をイオン交換樹脂で処理する発明が記載されているが、「均一な凹凸を有する被膜」を形成すること及びこのための臨界的数値範囲として「被膜形成用塗布液中のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下」にすることについては示唆を含めて記載がない。
　
　したがって、本件請求項１に係る発明は甲第１号証〜甲第３号証に記載される発明から当業者が容易に推考し得るものではない。そして、本件請求項２〜４に係る発明は本件請求項１に係る発明をさらに限定したものであるから、上記請求項１に係る発明の判断と同様の理由により、甲第１号証〜甲第３号証に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　また、当審で通知した取消理由に引用した刊行物１（国際公開第９１／１６９９９号パンフレット）には、「表面に凹凸を形成すること」、「アセチルアセトナトキレートの部分加水分解物、アルコキシシランの部分加水分解物および金属アルコキシドの部分加水分解物の分子量の数値範囲」及び「無機コロイド粒子濃度を０．１〜２重量％という極めて薄い数値範囲にすること」に関して記載がないので、当該刊行物１に記載される発明をもってしても本件請求項１〜４に係る発明の新規性ないし進歩性を否定することはできない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１〜４に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に本件請求項１〜４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年７月５日（２００２．７．５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１の記載について、「から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが、」とあるのを「から選ばれ、分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である、少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが、」と訂正する。
（２）訂正事項ａ’
　明細書の段落【００１２】の記載について、「から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが」とあるのを「から選ばれ、分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である、少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが」と訂正する。
（３）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の請求項１の記載について、「１．０ミリモル／リットル以下である」とあるのを、「１．０ミリモル／リットル以下であり、かつ全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２．０重量％の範囲にある」と訂正する。
（４）訂正事項ｂ’
　明細書の段落【００１２】の記載について、「１．０ミリモル／リットル以下である」とあるのを、「１．０ミリモル／リットル以下であり、かつ全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２．０重量％の範囲にある」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基材
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　無機化合物コロイド粒子（ａ）と、アセチルアセトナトキレートの部分加水分解物、アルコキシシランの部分加水分解物および金属アルコキシドの部分加水分解物
から選ばれ、分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である、少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが、
１．０ミリモル／リットル以下であり、
　
かつ全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２重量％の範囲にある
　【請求項２】
　被膜形成用塗布液の製造過程で、少なくとも前記無機化合物コロイド粒子（ａ）を含むゾル、前記被膜形成成分（ｂ）を含む液および被膜形成用塗布液のいずれかに、陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交換樹脂による処理とを行なって、得られる被膜形成用塗布液の中のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下とすることを特徴とする請求項１記載の均一な凹凸を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液の製造方法。
　【請求項３】
　請求項１記載の均一な凹凸を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液から形成された被膜が基材上に積層されていることを特徴とする被膜付基材。
　【請求項４】
　ディスク基板と、その上に形成された磁性層とを含み、前記ディスク基板と前記磁性層との間および／または前記磁性層上に、請求項１記載の均一な凹凸を有する被膜を形成するための被膜形成用塗布液から形成された被膜を有する磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【発明の技術分野】
　本発明は、被膜形成用塗布液、その製造方法およびこの塗布液から形成された被膜を基材上に有する被膜付基材に関し、さらに詳しくは、均一な凹凸を有すると同時に耐久性に優れている被膜を形成できるような被膜形成用塗布液、その製造方法およびこのような被膜が基材上に積層された磁気ディスク、光磁気ディスク、反射防止板などの被膜付基材に関する。
　【０００２】
　【発明の技術的背景】
　従来より、ガラス、プラスチック、金属などの基板の表面に耐久性、耐擦傷性などを付与すると同時にグレアを防止できるような凹凸付被膜形成用コーティング組成物が開発されている。たとえば、特開平２−３４６８号公報には、一般式ＲＳｉ（ＯＲ１）３（式中、Ｒは炭素数１〜６の炭化水素基であり、Ｒ１は炭素数１〜６のアルキル基である。）で表わされるトリアルコキシシラン１００重量部と一般式Ｓｉ（ＯＲ２）４（式中、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基である。）で表わされるテトラアルコキシシラン２０〜１３０重量部とからなる有機ケイ素化合物の部分縮合物と、シリカ微粒子とを含むこのようなコーティング組成物が記載されている。
　【０００３】
　また、磁気ディスクなどの磁気記録媒体を製造する際にも、無機酸化物微粒子を含むコロイド溶液とテトラヒドロキシシランとの混合溶液からなる被膜形成用塗布液（特開昭６１−２２９２２７号公報、特開昭６４−３３７２４号公報、特開平２−１３７１２０号公報等）が用いられている。このような被膜形成用塗布液を用いて形成された磁気ディスク、光磁気ディスクなどの被膜付磁気記録媒体は、表面に微細な凹凸を有し、表面が平滑である磁気記録媒体に比較して記録装置または再生装置内で磁気ヘッドとの間に生じる摩擦力の大きさを表わす静摩擦係数が低い。
　【０００４】
　しかしながら、上記のような従来の被膜形成用塗布液から得られた被膜付基材は、被膜中に含まれている無機酸化物微粒子の分布が不均一であり、しかもこの無機酸化物微粒子同士が凝集していることがあり、このため、この被膜付基材の表面に形成された凹凸が不均一になってしまうという問題点がある。すなわち無機酸化物微粒子によって形成される凸部の間隔および高さが不均一になってしまうという問題点がある。
　【０００５】
　なお被膜付磁気記録媒体の表面に形成された凹凸が不均一であると、記録装置または再生装置内で磁気ヘッドが磁気記録媒体表面上を摺動する際に生じる静摩擦係数および磁気ディスクの表面粗さが増大する傾向がある。特に最近では磁気記録媒体の記録密度が高密度化され、これに伴って磁気ヘッドの浮上高さ、すなわち記録再生中の磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間隔は、小さくなっており、最近では０．３μｍ以下に設定されている。このため、より一層均一な凹凸が表面に形成された被膜付磁気記録媒体が求められている。
　【０００６】
　このような情況下で、本発明者らは、均一な凹凸を有すると同時に耐久性に優れている被膜を基板上に形成できるような被膜形成用塗布液およびこのような被膜付基板を用いて高密度記録が可能な磁気記録媒体を提供するため、鋭意研究を行なったところ、従来、注目されていなかった被膜形成用塗布液中に存在する微量のイオン（陰イオンおよび陽イオン）が、均一な凹凸を有する被膜の形成に重要な因子として作用していることを見出し、本発明を完成するに至った。
　【０００７】
　すなわち、本発明者が従来の被膜形成用塗布液を分析したところ、通常、分散媒として有機溶媒を用いた無機化合物コロイド溶液には、コロイドの安定化のためにアルカリ金属が添加され、このためＮａ＋イオンなどのイオンが約１０〜３０ミリモル／リットル程度含まれている。またアセチルアセトナトキレート、アルコキシシラン、金属アルコキシドなどの部分加水分解物を製造する際に、酸またはアンモニア水が用いられるために、得られた被膜形成成分を含む液中にも多量のイオンが存在している。このため、このような無機化合物コロイド溶液および被膜形成成分を含む液を原料として用いて得られたほとんどの被膜形成塗布液のイオン濃度は、１．０ミリモル／リットルを超えている。
　【０００８】
　ところが被膜形成用塗布液を製造する際に、有機溶媒中に、無機化合物コロイド粒子と、アセチルアセトナトキレート、アルコキシシラン、金属アルコキシドなどから得られた部分加水分解物とを配合して調製された被膜形成用塗布液中のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下に減少させた場合、この塗布液から形成された被膜中に含まれている無機酸化物微粒子の分化は均一となり、しかもこの被膜の表面には、ほとんど凝集粒子の痕跡が観察されず、その上このようにして得られた被膜は、耐擦傷性に優れていることが見出された。
　【０００９】
　本発明は、上記知見に基づいて完成されたものである。
　【００１０】
　【発明の目的】
　本発明は、上記従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、均一な凹凸を有すると同時に耐擦傷性などのような耐久性に優れている被膜を、ガラス、プラスチック、金属、セラミックスなどの基材上に形成できるような被膜形成用塗布液およびその製造方法を提供することを目的としている。
　【００１１】
　また、本発明は、このような被膜が基材上に積層された被膜付基材、特に被膜付磁気記録媒体を提供することをも目的としている。
　【００１２】
　【発明の概要】
　本発明に係る被膜形成用塗布液は、無機化合物コロイド粒子（ａ）と、アセチルアセトナトキレートの部分加水分解物、アルコキシシランの部分加水分解物および金属アルコキシドの部分加水分解物から
から選ばれ、分子量（ポリスチレン換算）が５００〜２００００である、少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが
１．０ミリモル／リットル以下であり、かつ全固形分に対する無機化合物コロイド粒子濃度が０．１〜２重量％の範囲に
　【００１３】
　上記被膜形成用塗布液は、被膜形成用塗布液の製造過程で、被膜形成用塗布液の原料として用いられる無機化合物コロイド粒子（ａ）を含むゾルおよび被膜形成成分（ｂ）を含む液ならびにこれらの原料から得られた被膜形成用塗布液のいずれかに、陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交換樹脂による処理とを行なって、被膜形成用塗布液中のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下とすることによって製造できる。
　【００１４】
　また、本発明に係る被膜付基材は、上記のような被膜形成用塗布液から形成された被膜が基材上に積層されていることを特徴としている。特にディスク基板と、その上に形成された磁性層とを含み、前記ディスク基板と磁性層との間または前記磁性層上に、このような被膜を有する磁気記録媒体は、高密度記録用磁気ディスクまたは高密度記録用光磁気ディスクとして好ましい。
　【００１５】
　【発明の具体的説明】
　以下、本発明に係る被膜形成用塗布液、その製造方法および被膜付基板について具体的に説明する。
　【００１６】
　　　
被膜形成用塗布液
　まず、本発明に係る被膜形成用塗布液について具体的に説明する。本発明に係る被膜形成用塗布液は、無機化合物コロイド粒子（ａ）と、アセチルアセトナトキレート、アルコキシシランおよび金属アルコキシドの部分加水分解物から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）とが有機溶媒（ｃ）中に含有されている。
　【００１７】
　本発明に係る被膜形成用塗布液中に用いられる無機化合物コロイド粒子（ａ）としては、具体的には、シリカ、チタニア、ジルコニア、アルミナ、酸化鉄、酸化タングステンなどの無機化合物のコロイド粒子、これら無機化合物の２種以上からなる複合化合物のコロイド粒子およびこれらコロイド粒子の混合物が挙げられる。また、本発明に係る被膜形成用塗布液は、これら以外の無機化合物コロイド粒子を含んでいてもよい。
　【００１８】
　本発明で用いられる無機化合物コロイド粒子は、平均粒子径が１０〜３００ｎｍ、好ましくは１０〜１００ｎｍであり、粒子径の変動係数が３０％以下、好ましくは２０％以下、さらに好ましくは１０％以下であることが望ましい。
　【００１９】
　また本発明に係る被膜形成用塗布液中には、アセチルアセトナトキレート、アルコキシシランおよび金属アルコキシドの部分加水分解物から選ばれた少なくとも１種の被膜形成成分（ｂ）が含まれている。
　【００２０】
　前記成分（ｂ）として用いられるアセチルアセトナトキレートの部分加水分解物は、アセチルアセトンを配位子とするキレート化合物で、下記化学式１で表される化合物の縮合体である。
　【００２１】
　【化１】
　【００２２】
〔ただし、式中、ａ＋ｂは２〜４であり、ａは０〜３であり、ｂは１〜４であり、Ｒは−ＣｎＨ２ｎ＋１（ｎ＝３または４）であり、Ｘは−ＣＨ３、−ＯＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５または−ＯＣ２Ｈ５である。Ｍ１は周期率表第ＩＢ族、第ＩＩＡ、Ｂ族、第ＩＩＩＡ、Ｂ族、第ＩＶＡ、Ｂ族、第ＶＡ、Ｂ族、第ＶＩＡ族、第ＶＩＩＡ族、第ＶＩＩＩ族から選ばれる元素またはバナジル（ＶＯ）である。この内、これらの元素などとａ、ｂの好ましい組み合わせば、次表の通りである。〕
　【００２３】
　【表１】
　【００２４】
　このようなアセチルアセトナトキレートの具体例としては、たとえばジブトキシ−ビスアセチルアセトナトジルコニウム、トリブトキシ−モノアセチルアセトナトジルコニウム、ビスアセチルアセトナト鉛、トリスアセチルアセトナト鉄、ジブトキシ−ビスアセチルアセトナトハフニウム、モノアセチルアセトナト−トリブトキシハフニウムなどが挙げられる。
　【００２５】
　また前記成分（ｂ）として用いられるアルコキシシランの部分加水分解物は、加水分解性を示す任意のアルコキシシランから得られるが、本発明では、一般式Ｒ１ｎＳｉ（ＯＲ２）４−ｎ（式中、Ｒ１、Ｒ２は、同一であっても異なっていてもよく、アリール基、アクリル基、ビニル基、炭素数１〜８のアルキル基および−Ｃ２Ｈ４ＯＣｍＨ２ｍ＋１から選ばれる基であり、ｍは１〜４の整数であり、ｎは０〜３の整数である）で表わされるアルコキシシランから得られた部分加水分解物が好ましい。
　【００２６】
　上記一般式で表わされるアルコキシシランとしては、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラオクチルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランなどが挙げられる。
　【００２７】
　さらに前記成分（ｂ）として金属アルコキシドの部分加水分解物を用いることもできる。金属アルコキシドの部分加水分解物は、Ｍ２（ＯＲ）ｎ（式中、Ｍ２は金属原子であり、Ｒはアルキル基または−ＣｍＨ２ｍＯ２であり、ｍは３〜１０の整数であり、ｎはＭ２の原子価と同じ整数である。）で表わされる化合物の縮合体であり、これらの縮合体から選ばれる１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。上記式中のＭ２は、金属原子であれば特に限定されないることはないが、好ましいＭ２は、Ｂｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＣｅまたはＣｕである。
　【００２８】
　このような加水分解性を示す金属アルコキシドとしては、具体的には、テトラブトキシジルコニウム、テトラオクチルオキシチタニウム、ジイソプロポキシ−ジオクチルオキシチタニウムなどが挙げられる。
　【００２９】
　アセチルアセトナトキレート、アルコキシシランおよび金属アルコキシドの部分加水分解物は、公知の方法、例えばメタノールまたはエタノールなどのアルコールに加水分解性のアセチルアセトナトキレート、アルコキシシランおよび金属アルコキシドから選ばれた１種または２種以上の化合物を混合し、この混合液に水と酸またはアンモニア水を加える方法によって得られる。前記成分（ｂ）として用いられる部分加水分解物の分子量は、約５００〜２００００、好ましくは１０００〜７０００（ポリスチレン換算分子量）であることが均一な膜厚を有する薄膜を形成する上で望ましい。
　【００３０】
　本発明に係る被膜形成用塗布液に含まれている無機化合物コロイド粒子（ａ）と被膜形成成分（ｂ）との配合比率は、それぞれの成分を酸化物で換算した際の重量％、すなわち、次式｛成分（ａ）／〔成分（ａ）＋成分（ｂ）〕｝×１００で表わされる値が０．０００５〜５５、好ましくは０．０１〜２５の範囲にあることが望ましい。
　【００３１】
　また、本発明に係る被膜形成用塗布液では、無機化合物コロイド粒子および被膜形成成分（ｂ）を良好に分散し得るような有機溶媒（ｃ）が用いられる。このような有機溶媒（ｃ）としては、具体的には、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブなどのエチレングリコールエーテル類、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのグリコール類、酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸メチルなどのエステル類、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類、ブチルエーテル、テトラヒドロフランなどエーテル類等が挙げられる。
　【００３２】
　本発明に係る被膜形成用塗布液は、上述したように有機溶媒中（ｃ）に無機化合物コロイド粒子（ａ）および被膜形成成分（ｂ）を含んでなり、その固形分濃度は、０．１〜３０重量％、好ましくは０．５〜１０重量％の範囲にあることが望ましい。
　【００３３】
　また、本発明に係る被膜形成用塗布液のイオン濃度は、前記固形分濃度に関係なく、１．０ミリモル／リットル以下、好ましくは０．６ミリモル／リットル以下、さらに好ましくは０．１ミリモル／リットル以下である。
　【００３４】
　このイオン濃度は、陽イオンおよび陰イオンの合計イオン濃度を意味し、本発明では陽イオン濃度および陰イオン濃度は、次のようにして測定される。被膜形成用塗布液１０ｍｌを９０ｍｌの精製蒸留水と混合し、室温で１時間攪拌した後、この混合液を濾過し、さらに濾過後の濾材に１００ｍｌの精製蒸留水を通して濾液を回収する。
　【００３５】
　この回収濾液に含まれている金属イオン濃度を原子吸光法で測定し、アンモニウムイオン濃度および陰イオン濃度をイオンクロマトグラフィー法で測定する。このような方法で測定される被膜形成用塗布液中のイオン濃度が１．０ミリモル／リットルを超えると、このような被膜形成用塗布液を基板上に塗布して得られた被膜には凝集粒子の痕跡および瘡蓋状の隆起が観察され、また被膜表面には均一な凹凸が形成されていない。被膜形成過程でこのような凝集粒子の痕跡が生じる原因は、塗布液中に存在するイオンにより無機化合物コロイド粒子の表面電位が小さくなり、このため反発力が小さくなり、このため塗布液中で無機化合物コロイド粒子同士の凝集が起こりやすくなるためと推定される。また被膜形成過程でこのような瘡蓋状の隆起が生じる原因は、乾燥過程で溶媒が除去されるに従って、上記のようなコロイド粒子同士の凝集に加えて被膜形成成分による膜厚の不均一化が起こるためと推定される。これに対し、被膜形成用塗布液中のイオン濃度が１．０ミリモル／リットル以下の場合には、このような被膜形成用塗布液を基板上に塗布して得られた被膜には凝集粒子の痕跡は観察されず、また被膜の膜厚は均一になり、被膜表面に均一な凹凸が形成されている。
　【００３６】
　　　
被膜形成用塗布液の製造方法
　以下に本発明に係る被膜形成用塗布液の製造方法について具体的に説明する。本発明に係る被膜形成用塗布液は、被膜形成用塗布液の製造過程で、被膜形成用塗布液の原料として用いられる無機化合物コロイド粒子（ａ）を含むゾルおよび被膜形成成分（ｂ）を含む液ならびにこれらの原料から得られた被膜形成用塗布液のいずれかに、陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交換樹脂による処理とを行なって、被膜形成用塗布液中のイオン濃度を１．０ミリモル／リットル以下とすることによって製造することができる。
　【００３７】
　上記本発明に係る被膜形成用塗布液の製造方法を具体的に示すと以下の通りである。本発明に係る被膜形成用塗布液は、例えば、以下の方法で製造される。
　【００３８】
　先ずアルコール系の有機溶媒を分散媒とする無機化合物コロイド粒子の分散液を陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂で交互に処理し、該分散液の分散媒中に存在する陽イオンおよび陰イオンを除去し、必要に応じて、イオン濃度が１．０ミリモル／リットル以下であるアルコール系以外の有機溶媒と混合または置換して所望の有機溶媒を分散媒とする無機化合物コロイド粒子の分散液を得る。
　【００３９】
　次にアセチルアセトナキレート、アルコキシシランおよび金属アルコキシドから選ばれる１種または２種以上の加水分解性化合物を有機溶媒に溶解し、水と酸とを加えて反応させるか、あるいはアンモニア水を加えて反応させ、所望の分子量を有する部分加水分解物が得られたところで、この部分加水分解物を含む液を陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂で処理する。
　【００４０】
　上記のような工程を経て得られた無機化合物コロイド粒子の分散液と部分加水分解物を含む液とを混合する。また、本発明に係る被膜形成用塗布液は、以下の方法でも製造できる。
　【００４１】
　有機溶媒を分散媒とする無機化合物コロイド粒子の分散液と上記のようにして得られた部分加水分解物を含む未処理の液とを混合するか、あるいは無機化合物コロイド粒子の分散液と前記加水分解性化合物とを混合した後にこの加水分解性化合物を部分加水分解し、得られた混合液を陽イオン交換樹脂および陰イオン交換樹脂で処理する。この混合液の処理は、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂とを交互に用いてもよく、また陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂との混合樹脂を用いてもよい。
　【００４２】
　　　
被膜付基材
　以下に本発明に係る被膜付基材について具体的に説明する。本発明に係る被膜付基材は、上記のような被膜形成用塗布液から形成された被膜が基材上に積層されている。
　【００４３】
　このような被膜付基材の基材として、被膜付基材の用途などに応じて、適宜、ガラス、プラスチック、金属、セラミックなどからなる平板、立体物、フィルムなどを用いることができる。
　【００４４】
　特にディスク基板と、その上に形成された磁性層とを含み、ディスク基板と磁性層との間および／または磁性層上に、このような被膜を有する磁気記録媒体は、高密度記録用磁気ディスクまたは高密度記録用光磁気ディスクとして用いられる。
　【００４５】
　本発明に係る被膜付基材は、基材上に、直接または磁性層などを形成した後、基材の形状などに応じて、上記本発明に係る被膜形成用塗布液をディッピング法、スピナー法、スプレー法、ロールコーター法、フレキソ印刷などの方法で塗布し、次いで常温〜９０℃で乾燥し、さらに２００℃以上、好ましくは３００℃以上に加熱して硬化するなどの方法で被膜を形成して得られる。さらに必要に応じて、上記塗布工程または乾燥工程の後に、あるいは乾燥工程中に、未硬化段階の被膜に可視光線よりも波長の短い電磁波を照射するかあるいは未硬化段階の被膜を硬化反応を促進するガス雰囲気に晒すことにより、得られた被膜の硬化が促進され、被膜硬度が高められる。このガス処理は、加熱硬化後に行なっても同様の効果が得られる。
　【００４６】
　このような加熱前の未硬化段階の被膜に照射する電磁波としては、具体的には紫外線、電子線、Ｘ線、ν線などが例示されるが、紫外線が好ましい。たとえば、発光強度が約２５０ｎｍと３６０ｎｍとにおいて極大となり、光強度が１０ｍＷ／ｃｍ２以上である高圧水銀ランプを紫外線源として使用し、１００ｍＪ／ｃｍ２以上、好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ２以上のエネルギー量の紫外線を未硬化段階の被膜に照射すると、未硬化段階の被膜の硬化反応が促進される。
　【００４７】
　また、加熱前の未硬化段階の被膜の硬化反応を促進するガスとしては、たとえばアンモニア、オゾンなどが例示される。またこのようなガス雰囲気による被膜の硬化促進は、未硬化段階の被膜を、ガス濃度が１００〜１００，０００ｐｐｍ、好ましくは１０００〜１０，０００ｐｐｍであるような上記活性ガス雰囲気下で、１〜６０分処理することによって達成される。
　【００４８】
　本発明に係る被膜付基材は、さらに必要に応じて、このようにして形成された被膜上に別の被膜が形成される。例えばディスク基板上に、上記本発明に係る被膜形成用塗布液を塗布・乾燥して被膜を形成し、得られた被膜上に磁性層を形成することによっても磁気ディスク、光磁気ディスクなどの磁気記録媒体が製造される。
　【００４９】
　【発明の効果】
　本発明に係る被膜形成用塗布液によれば、均一な凹凸を有し、表面に凝集粒子の痕跡がほとんど観察されず、耐擦傷性などの耐久性に優れ、しかも光反射防止性能に優れている被膜を基材上に形成することができる。
　【００５０】
　また、本発明に係る被膜形成用塗布液の製造方法によれば、このような優れた性質を有する被膜を形成することができる被膜形成用塗布液を簡単かつ確実に製造できる。
　【００５１】
　本発明に係る被膜付基材は、基材上に上記のような優れた性質を有する被膜が形成されており、磁気ディスク、光磁気ディスクなどの磁気記録媒体、表示装置の表示パネル、カメラのレンズなどとして好適である。このような被膜が表面に設けられた磁気ディスク、光磁気ディスクなどの磁気記録媒体では、この被膜上に均一な凹凸が形成されているため、記録装置または再生装置内で磁気記録媒体上を磁気ヘッドが摺動する際の静摩擦係数が小さく、また磁気ヘッドが損傷することもなく、浮上高さを小さい値に維持することができる。
　【００５２】
　【実施例】
　以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
　【００５３】
　【実施例１】
　イオン濃度が２０ミリモル／リットルの市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数９．０％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、コロイド溶液中のイオン除去を行なった。次いでコロイド溶液の溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
　【００５４】
　一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ２換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキシレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ２換算で１０重量％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ２換算で１０重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）を得た。
　【００５５】
　この部分加水分解物と上記シリカコロイド分散液８０．８ｇとを混合し、この混合物に、イソプロパノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇをさらに混合して、固形分濃度が１．９重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【００５６】
　この被膜形成用塗布液中に含まれている全イオン濃度を前述の方法で測定した結果、０．９ミリモル／リットルであった。次いで、この被膜形成用塗布液を外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２０ｍｍ、表面平均粗さ５０オングストロームのソーダライムガラス製ディスク基板上にスピンコーターで塗布し、８０℃で乾燥した後、４００ｍＪの紫外線を照射し、さらに３００℃の温度で１時間焼成することにより、被膜平坦部の膜厚が２７０オングストロームである被膜付基材を得た。
　【００５７】
　この被膜付基材の被膜特性を次のようにして測定評価したところ、表２に示す結果が得られた。
Ａ．粒子の凝集状態；
　被膜表面の電子顕微鏡写真を撮影し、得られた写真から、被膜表面上に観察された粒子の凝集状態を次の４段階に分けて表示した。
　【００５８】
　　◎…凝集粒子の痕跡がほとんど観察されず、粒子の分布が均一である。
　　○…観察された凝集粒子の痕跡が少なく、粒子の分布が均一である。
　　△…凝集粒子の痕跡が多少観察されるが、３個以上の凝集粒子の痕跡は少なく、粒子の分布が均一である。
　【００５９】
　　×…凝集粒子の痕跡が多く観察され、粒子の分布が不均一である。
Ｂ．平均凸部間隔；
　電子顕微鏡写真で隣接する凸部間の距離をノギスで測定し、その平均値（ｄ）および標準偏差（σ）を求めた。なお測定数は１００個である。
Ｃ．被膜の硬度；
　ＪＩＳ　Ｄ　０２１２−８８により鉛筆硬度で評価した。
Ｄ；被膜の耐擦傷性；
　事務用消しゴム（ＬＩＯＮ製Ｎｏ．５０−５０）を被膜上に置き、２ｋｇの荷重をかけて往復回数で３００回摺動させた後、被膜の剥離状態を目視と光学顕微鏡で観察した。
Ｅ．静摩擦係数；
　ＪＩＳ　Ｋ　７１２５に従って測定した。
　【００６０】
　次いで実施例１の被膜付基材に直流マグネトロンスパッタで厚さ１５００オングストロームのＣｒからなる下地膜と、厚さ７００オングストロームのＣｏＮｉからなる磁性膜と、厚さ３００オングストロームのカーボンからなる保護膜を積層した。さらにパーフロロポリエーテルからなる潤滑剤を保護膜上にスピンコーターで厚さ３０オングストローム塗布し、実施例１の磁気ディスクを得た。
　【００６１】
　この磁気ディスクの表面粗さ［表面の平均凹凸差；トンネル顕微鏡で測定］と、初期の静摩擦係数を求めて特性を評価した。結果を表２に併記する。
　【００６２】
　【実施例２】
　実施例１と同様にして、市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数９．０％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、コロイド溶液中のイオン除去を行なった後、コロイド溶液の溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
　【００６３】
　一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ２換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキシレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ２換算で１０重量％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ２換算で１０重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）を得た。
　【００６４】
　この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ２回通し、イオン除去を行なった。
　【００６５】
　このイオン除去を行なった部分加水分解物と上記シリカコロイド分散液８０．８ｇを混合し、この混合物に、イソプロパノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇをさらに混合して、固形分濃度が１．９重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【００６６】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【００６７】
　結果を表２に併記する。
　【００６８】
　【実施例３】
　市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数９．０％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］をコロイド粒子中の陽イオンを溶出させるために、オートクレーブを使用して１５０℃で２時間、熱処理を行なった後、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を行なった後、溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
　【００６９】
　一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ２換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキシレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ２換算で１０重量％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ２換算で１０重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）を得た。
　【００７０】
　この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ２回通し、イオン除去を行なった。
　【００７１】
　このイオン除去を行なった部分加水分解物と上記シリカコロイド分散液８０．８ｇを混合し、この混合物に、イソプロパノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇをさらに混合して、固形分濃度が１．９重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【００７２】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【００７３】
　結果を表２に併記する。
　【００７４】
　【実施例４】
　実施例３で得られた被膜形成用塗布液をさらに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中に通し、被膜形成用塗布液中のイオン濃度が０．０５ミリモル／リットルになるまでイオン除去を行ない、実施例４の被膜形成用塗布液を得た。なお、この実施例４の被膜形成用塗布液の固形分濃度は１．９重量％であり、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％であった。
　【００７５】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【００７６】
　結果を表２に併記する。
　【００７７】
　【実施例５】
　市販のチタニアゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「ネオサンベール」；平均粒径１５ｎｍ、粒径の変動係数１９．０％、濃度１０重量％、溶剤イソプロパノール］を陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を行なった後、溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のチタニアコロイド分散液を得た。
　【００７８】
　一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工業（株）製、商品名「エチルシリケート２８」；ＳｉＯ２換算で２８重量％］３１ｇ、濃硝酸０．５ｇ、ヘキシレングリコール２０３ｇおよびイオン交換水１０ｇを混合した後、これにジブトキシ−ビスアセチルアセトナトチタンのブタノール溶液（ＴｉＯ２換算で１０重量％）１２ｇを混合し、室温で１２時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量３０００）を得た。
　【００７９】
　この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ３回通し、イオン除去を行なった。
　【００８０】
　この部分加水分解物と上記チタニアコロイド分散液０．２ｇを混合し、この混合物に、イソプロパノール３８５ｇ、ブタノール３８５ｇ、ヘキシレングリコール３８５ｇを混合し、さらに前記イオン交換樹脂でイオン除去して、固形分が０．７重量％、全固形分中に占めるチタニアコロイドの割合が０．１重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【００８１】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【００８２】
　結果を表２に併記する。
　【００８３】
　【実施例６】
　市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径２５ｎｍ、粒径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を行なった後、溶媒をプロピレングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
　【００８４】
　一方、テトラメトキシシラン［多摩化学工業（株）製、商品名「メチルシリケート５１」；ＳｉＯ２換算で５１重量％］２７，６ｇ、モノメチルトリメトキシシラン（ＳｉＯ２換算で４０重量％）１９．５ｇ、濃硝酸０．５ｇ、プロピレングリコール７３０ｇおよびイオン交換水２８ｇを混合した後、これにジブトキシ−ビスアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ２換算で１０重量％）７７９ｇを混合し、室温で２４時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４０００）を得た。
　【００８５】
　この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ３回通し、イオン除去を行なった。
　【００８６】
　このイオン除去を行なった部分加水分解物と上記シリカコロイド分散液４．０ｇを混合し、この混合物に、イソプロパノール２６５０ｇ、ブタノール２６５０ｇ、プロピレングリコール３１１１ｇをさらに混合して、固形分濃度が１．０重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が０．２重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【００８７】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２０ｍｍ、表面平均粗さ８０オングストロームのアルミニウム製ディスク基板上に実施例１と同様に塗布して得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【００８８】
　結果を表２に併記する。
　【００８９】
　【実施例７】
　市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径８０ｎｍ、粒径の変動係数１０．０％、濃度５重量％、溶媒エタノール］を陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を行ない、濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
　【００９０】
　一方、ジブトキシ−ビスアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ２換算で１０重量％）９９０ｇ、濃硝酸０．２ｇ、イオン交換水１２８ｇを混合した後、室温で１２時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量３０００）を得た。
　【００９１】
　この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ３回通し、イオン除去を行なった。
　【００９２】
　この部分加水分解物と上記シリカコロイド分散液２０．０ｇを混合し、固形分濃度が３．０重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が１．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【００９３】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【００９４】
　結果を表２に併記する。
　【００９５】
　【実施例８】
　市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径１００ｎｍ、粒径の変動係数９．８％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ１０回通し、イオン除去を行なった後、溶媒をプロピレングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
　【００９６】
　一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工業（株）製、商品名「エチルシリケート２８」；ＳｉＯ２換算で２８重量％］７１４．３ｇ、酢酸２ｇ、プロピレングリコール２５５４ｇおよびイオン交換水６０ｇを混合した後、４０℃で５時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量５０００）を得た。
　【００９７】
　この部分加水分解物を直ちに陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］にそれぞれ３回通し、イオン除去を行なった。
　【００９８】
　この部分加水分解物と上記シリカコロイド分散液８３．４ｇを混合し、この混合物にヘキシレングリコール６７０ｇをさらに混合して、固形分濃度が５．０重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が０．４重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【００９９】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【０１００】
　結果を表２に併記する。
　【０１０１】
　【実施例９】
　外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．２０ｍｍ、表面平均粗さ５０オングストロームのソーダライムガラス製のディスク基板に直流マグネトロンスパッタで厚さ１５００オングストロームのＣｒからなる下地膜と、厚さ７００オングストロームのＣｏＮｉからなる磁性膜とを順次積層し、得られた積層膜上に実施例４の被膜形成用塗布液をスピンコーターで塗布し、８０℃で乾燥した後、４０００ｍＪの紫外線を照射し、さらに３００℃の温度で１時間焼成することにより、被膜平坦部の膜厚が３００オングストロームである被膜付基材を得た。
　【０１０２】
　次いでこの被膜付基材の被膜上にさらにパーフロロポリエーテルからなる潤滑剤をスピンコーターで厚さ３０オングストローム塗布し、磁気ディスクを得た。得られた被膜付基材の被膜特性、および得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【０１０３】
　結果を表２に併記する。
　【０１０４】
　【実施例１０】
　市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］の溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、イオン除去処理を行っていない濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
　【０１０５】
　一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ２換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸０．８ｇ、ヘキシレングリコール２０２０ｇおよびイオン交換水６３．７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ２換算で１０重量％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ２換算で１０重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量４５００）を得た。
　【０１０６】
　この部分加水分解物と上記シリカコロイド分散液８０．８ｇを混合し、この混合物にイソプロピノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇを混合して、固形分濃度が１．９重量％、全固形分中に占めるシリカコロイド粒子の割合が２．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【０１０７】
　この被膜形成用塗布液を、陽イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名［ダイヤイオンＳＫ−１Ｂ」］と陰イオン交換樹脂［三菱化成工業（株）製、商品名「ダイヤイオンＳＡ−２０」］中にそれぞれ２０回通して、被膜形成用塗布液中のイオン濃度を０．２ミリモル／リットルとした。
　【０１０８】
　このようにして得られた被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【０１０９】
　結果を表２に併記する。また上記被膜付基材の被膜表面における電子顕微鏡写真を図１に示す。
　【０１１０】
　【比較例１】
　実施例１０で陽イオン交換樹脂による処理と陰イオン交換樹脂による処理とを行なう前の被膜形成用塗布液のイオン濃度は、２．０ミリモル／リットルであった。
　【０１１１】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【０１１２】
　結果を表２に併記する。
　また上記被膜付基材の被膜表面における電子顕微鏡写真を図２に示す。
　【０１１３】
　【比較例２】
　市販のオルガノシリカゾル［触媒化成工業（株）製、商品名「オスカル」；平均粒径４５ｎｍ、粒径の変動係数９．５％、濃度１０重量％、溶媒イソプロパノール］の溶媒をヘキシレングリコールに加熱減圧蒸留法で溶媒置換して、イオン除去処理を行っていない濃度５重量％のシリカコロイド分散液を得た。
　【０１１４】
　一方、テトラエトキシシラン［多摩化学工業（株）製、商品名「エチルシリケート４０」；ＳｉＯ２換算で４０重量％］１９８ｇ、濃硝酸２．４ｇ、ヘキシレングリコール１８４６．９ｇおよびイオン交換水６３．７ｇを混合した後、これにテトラオクチルオキシチタニウムのイソプロパノール溶液（ＴｉＯ２換算で１０重量％）９９０ｇおよびトリブトキシ−モノアセチルアセナトジルコニウムのブタノール溶液（ＺｒＯ２換算で１０重量％）１９８ｇを混合し、室温で４８時間攪拌して、部分加水分解物（ポリスチレン換算で分子量５０００）を得た。
　【０１１５】
　この部分加水分解物と上記シリカコロイド分散液２５２．２ｇを混合し、この混合物に、イソプロパノール２３８０ｇ、ブタノール２３８０ｇ、ヘキシレングリコール２３８０ｇを混合して、固形分濃度が２．０重量％、全固形分中に占める無機化合物コロイド粒子の割合が６．０重量％である被膜形成用塗布液を得た。
　【０１１６】
　この被膜形成用塗布液のイオン濃度、この塗布液を用いて実施例１と同様にして得られた被膜付基材の被膜特性、およびこの基材から実施例１と同様にして得られた磁気ディスクの特性を実施例１と同様にして測定評価した。
　【０１１７】
　結果を表２に併記する。
　【０１１８】
　【表２】
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　図１は、本発明に係る被膜付磁気ディスクの被膜表面状態を示す電子顕微鏡写真である。
　【図２】
　図２は、比較例の被膜付磁気ディスクの被膜表面状態を示す電子顕微鏡写真である。