【事件の表示】
　特許第３００９９２５号「軸外照明を用いたリソグラフィックパターンニング用マスク」の請求項１、２、５ないし８、１１および１２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３００９９２５号の請求項１、２、５ないし８、１１および１２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本件特許第３００９９２５号は、平成７年２月９日に特許出願（優先権主張１９９４年２月９日、米国）され、平成１１年１２月３日にその特許の設定登録がなされ、その後、異議申立人友野宏から特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年４月２７日に意見書が提出されたものである。
１．１　異議申立ての概要
　異議申立人友野宏は、甲第１号証（特開平４−２６８７１４号公報）、甲第２号証（ＫＴＩ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｓｅｍｉｎａｒ　Ｎｏ．６−７　１９８９　Ｓａｎ　Ｄｉｅｇｏ）及び甲第３号証（ＰＣＴ国際公開ＷＯ９３／１４４４５号）を提出し、本件請求項１、２、５〜８、１１及び１２に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基いて容易に発明できたものであるから、本件請求項１、２、５〜８、１１及び１２に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本件請求項１、２、５〜８、１１及び１２に係る特許を取り消すべき旨主張している。
１．２　異議申立人友野宏が提出した甲第１〜３号証の記載内容
１．２．１　甲第１号証の記載内容
　甲第１号証の第３頁左欄第５０行目〜右欄第６行目には、「射出部７ａ，７ｂから射出した複数の光束は、レンズ系８、反射鏡９、及びレンズ系１０を介して夫々所定の入射角を以てレチクル１１を照明する。…レチクル１１上のパターン１２で発生した回折光は、投影光学系１３を介してウエハ１４上に結像し、パターン１２の像を転写する。」と記載されている。
　第４頁左欄第１行目〜第６行目には、「レチクル１１には所謂孤立ラインパターンとしての遮光部１２ｄ，１２ｅ，１２ｆがパターニングされている。上記パターンのうち、透過部１２ａ及び遮光部１２ｄが転写されるべき回路パターンであり、透過部１２ｂ，１２ｃ及び遮光部１２ｅ，１２ｆは、投影光学系の解像限界以下の幅の補助パターンである。」と記載され、また、第４頁左欄第２７行目〜第３０行目には、「何れの例においても補助パターンの幅（短辺）は使用する投影型露光装置の投影光学系の解像限界以下程度であり、また回路パターンとの距離も使用する投影型露光装置の投影光学系の解像限界程度とする。」と記載されている。
　第４頁左欄第４５行目〜右欄第４行目には、「このとき、照明光学系の瞳面において照明光学系の光軸から偏心した位置に中心を有する局所領域を通過するように制限された光束でレチクルを照明すれば、照明光束Ｌ２はパターンに対して所定の角度だけ傾いた（垂直でない）方向から入射する。この角度、及び方向が回路パターン１２ａ及び補助パターン１２ｂ，１２ｃの線幅や方向性に対して最適となるように、上述の光束の通過する局所領域の中心位置を決定すれば、回路パターン１２ａは+の振幅で照明され、補助パターン１２ｂ，１２ｃは共に-の振幅で照明される。」と記載され、さらに、第４頁右欄第１３行目〜第３３行目には、「図９（ｂ）は、図（ａ）に示すような露光方法をとった場合のパターン部を透過する光の振幅分布を示す図である。このとき回路パターン１２ａ、及び補助パターン１２ｂ，１２ｃを透過する光の複素振幅は、上述のように夫々、+，-，-である。その結果ウエハ上では正の振幅分布Ａａと負の振幅分布Ａｂ，Ａｃとが生じている。…このため、回路パターンからの振幅分布Ａａ（＞０）と補助パターンからの振幅分布Ａｂ，Ａｃ（＜０）は夫々相殺し、従って像の強度分布は図９（ｃ）に示すＥａのような鋭いピークとして現れる。この強度分布Ｅａのうち、ウエハ上のレジストを感光させる強度（現像によって完全に除去、又は保存される露光量）を持った幅は、図１０（ｃ）に示す幅Ｗ１よりも狭い幅Ｗ２で示される。従って、従来の方法で得られる幅Ｗ１よりも微細な幅Ｗ２のパターンを転写することが可能である。」と記載されている。
１．２．２　甲第２号証の記載内容
　甲第２号証の第２１８頁左欄第３５行目〜第３８行目には、「我々の研究は、最初の探求であり、半導体リソグラフィに関して照明系を革新的に変更するとどうなるか、に関するものである。」と記載されている。
　第２１９頁右欄第３行目〜第２８行目には、「ＮＡ＝０．２８、１０分の１縮小のｇ線露光装置を用いる。規格に基づく照射器は、シグマ＝０．６８のケラー照明を有する。照明器においては、３５０ワットのアークランプから照射される４３６ｎｍの光が４つの互いに分離した光ファイバ束により集光されて単一の任意の光束をなす。この単一の環状光束は、コンデンサ光学系の有効な光源である。改良された照射器では、互いに分離した４つの光束が集まって、しかる後にラッパ状に広がって任意の環状光束となり、集光レンズに入射するように、光ファイバが形成されている。改良された光源は、中央が空洞であり、かつ、１０倍レンズの入射瞳に溢れるばかりに入射する細い環状光を結像するように設計される。この環は、内径が入射瞳の半径の９２％であり、その外径が入射瞳の半径の１０５．５％であるように設計される。レチクル平面のいずれの点においても、このような設計に基づく入射光は、中空の円錐状の光でなる入射光をレチクル平面に対して垂直から約１６０°の平均角度で入射し、約３０°の角度で広がる。入射瞳で溢れるため、回折しない光の多くは失われる。環状入射光の露光時間は、従来の入射光の露光時間の１．６倍であると期待される。」と記載されている。
　第２２１頁右欄第３４行目〜第４２行目には、「第８図は、１．０のレーリー（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）焦点深度にまでイメージをデフォーカスしたときの同様の比較結果を示す。デフォーカスした場合であっても、軸外照明は、１．６μｍ未満の格子のピッチにおいて優れている。０．９μｍにおける見かけのＭＴＦは、従来における０．４８ＮＡのｇ線レンズまたは０．４０ＮＡｉ線レンズで照明したときの見かけＭＴＦにほほ等しい。しかし、我々の軸外照明による焦点深度は、ｇ線システムの約３倍である。」と記載されている。
　第２２１頁右欄第２５行〜第３３行には、「第７図において、環状入射光の見かけのＭＴＦは、ネガティブパターンまたはポジティブパターンに対する従来の入射光の見かけのＭＴＦと比較される。いずれの測定結果も非焦点結像に関するものである。高周波領域においては、環状入射光は、理論による予測通りに、ずっと高い見かけＭＴＦを有している。１．０μｍと０．９μｍピッチの格子パターンも環状入射光で解像されるが、従来の入射光では解像されない。」と記載されている。
１．２．３　甲第３号証の記載内容
　甲第３号証の第７クレームには、「集積回路（ＩＣ）に対応するリソグラフィパターンをマスクから半導体基板に光学的に転写するためのマスクであって、前記リソグラフィパターンが臨界寸法を有し、各々の形状が関連するエッジを有する複数の形状を含み、前記エッジの第１の部分は、光の回折によりパターンに依存する変化を生じるようお互いに隣接しており、前記エッジの第２の部分は、前記形状の他のどのエッジからも比較的離れており、前記マスクは、各々の追加線が、前記第２の部分の前記エッジの１つに対応して、前記第２の部分の前記エッジの１つから所定距離離れて前記マスクに配置され、前記エッジの前記第２の部分のエッジ強度の勾配を前記エッジの前記第１の部分のエッジ強度の勾配に近づけるように変化させる、複数の追加線を備えることを特徴とするマスク。」と記載されている。
　また、第１３頁第２５行目〜第１４頁５行目には、「図５Ａはマスクテストパターン例であり、本発明で開示される均一化バーを有している。線３０〜３４は全て幅０．５ミクロン，間隔０．５ミクロンで設計されている。線３２では、３つのエッジ条件が生じるように設計されている。すなわち、３２Ａで示される線３２の部分は均一化されていない孤立エッジを表わし、部分３２Ｂは密集エッジ、部分３２Ｃは２つの均一化バー３５および３６を持つ孤立エッジである。」と記載されている。
　また、第１４頁第８行目〜第１２行目には、「均一化されていない孤立エッジ３２Ａでは、エッジ強度レベルの傾きは３．４である。一方、密集エッジ３２Ｂ及び均一化エッジ３２Ｃでは、傾きはそれぞれ３．８と３．７である。このように、エッジ強度均一化バーは、孤立エッジと密集エッジとのエッジ強度勾配を一致させることができる。」と記載されている。
２．特許異議申立てについての判断
２．１　異議申立てに係る本件請求項１、２、５〜８、１１及び１２
請求項１
　集積回路に対応するリソグラフィックパターンをマスクから半導体基板に光学的に転写する装置であって、前記パターンが、少なくとも1つのエッジが前記パターン中の他のエッジから相対的に孤立している第1タイプの形状と、全てのエッジが前記パターン中の前記他のエッジに相対的に近接している第2タイプの形状とを含み、前記第2タイプの形状の焦点深度の範囲が前記第1のタイプの形状の焦点深度の範囲より大きくなる軸外照明を使う装置における、改善されたマスクであって、
複数の追加線を備え、
前記複数の追加線の各々が、前記孤立エッジに対応して前記孤立エッジから所定距離の前記マスク上に配置され、
前記追加線の幅が、軸外照明下で、前記第1タイプの形状の焦点深度の範囲を増やして、前記第1タイプの形状の焦点深度の範囲を前記第2タイプの形状の焦点深度の範囲に近づけるように、選択されていることを特徴とするマスク。
請求項２
　前記複数の追加線の幅は前記半導体基板に転写されないように十分狭い幅であることを特徴とする請求項1記載のマスク。
請求項５
　前記軸外照明はクラドラポール型照明であることを特徴とする請求項4記載のマスク。
請求項６
　前記軸外照明は環状型照明であることを特徴とする請求項4記載のマスク。
請求項７
　孤立形状と密に詰め込まれた形状との間の近接効果の差を減らすために前記孤立形状の孤立エッジに隣接して追加線を含むマスクから半導体基板に、集積回路に対応するパターンを転写するための軸外照明を用いるリソグラフイック装置で、前記孤立形状と前記密に詰め込まれた形状との間のDOFの差と前記近接効果の差とを減らすように、軸外照明を用いるリソグラフィック装置のための前記マスクを最適化する方法であって、
前記孤立エッジのエッジ勾配が前記密に詰め込まれた形状のエッジ勾配に実質的に一致するように、前記追加線を前記孤立エッジから所定距離をおいて配置し、
前記孤立形状のDOFの範囲が前記密に詰め込まれた形状のDOFの範囲に近くなるように、前記追加線の幅を調整することを特徴とする方法。
請求項８
　前記追加線の幅は前記基板上に転写されないように十分狭い幅に調整することを特徴とする請求項7記載の方法。
請求項１１
　前記軸外照明はクラドラポール型照明であることを特徴とする請求項10記載の方法。
請求項１２
　前記軸外照明は環状型照明であることを特徴とする請求項10記載の方法。
２．２　異議申立ての理由の概要
　上記１．１に記載のとおり。
２．３　本件請求項１、２、５〜８、１１及び１２に係る発明と甲第１〜３号証との対比、判断
　本件請求項１に係る発明が、「パターン中の他のエッジから相対的に孤立している第1タイプの形状と、全てのエッジが前記パターン中の前記他のエッジに相対的に近接している第2タイプの形状とを含み、前記第2タイプの形状の焦点深度の範囲が前記第1のタイプの形状の焦点深度の範囲より大きくなる軸外照明を使う装置における、改善されたマスクであって、複数の追加線を備え、前記複数の追加線の各々が、前記孤立エッジに対応して前記孤立エッジから所定距離の前記マスク上に配置され、前記追加線の幅が、軸外照明下で、前記第1タイプの形状の焦点深度の範囲を増やして、前記第1タイプの形状の焦点深度の範囲を前記第2タイプの形状の焦点深度の範囲に近づけるように、選択されている」構成（以下、「本件請求項１に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、上記甲第１〜３号証に記載された発明は、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　また、本件請求項１に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成を有することにより、「本発明は、孤立形状に対するDOF範囲を拡張する一方で、軸外照明での近接効果を軽減する」（特許明細書第８頁第２７行〜第９頁第１行）及び「本発明は、本発明に係るスキャタリングバー幅と孤立エッジからの距離を調整することで、両方の近接効果が減らされ、イメージングツールの全体のDOF範囲が軸外照明で増加する」（特許明細書第９頁第１行〜第９頁第４行）という、上記甲第１〜３号証のいずれにもない効果を有する。
　従って、上記本件請求項１に係る発明は、上記甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとすることができない。
　本件請求項１に係る発明を構成要件とする本件請求項２、５及び６に係る発明は、上記本件請求項１に係る発明の特徴的構成を有しているから、本件請求項１に係る発明に対する上記判断と同様に、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとすることができない。
　本件請求項７に係る発明が、「孤立エッジのエッジ勾配が前記密に詰め込まれた形状のエッジ勾配に実質的に一致するように、前記追加線を前記孤立エッジから所定距離をおいて配置し、前記孤立形状のDOFの範囲が前記密に詰め込まれた形状のDOFの範囲に近くなるように、前記追加線の幅を調整する」構成（以下、「本件請求項７に係る発明の特徴的構成」という。）を有するのに対し、上記甲第１〜３号証に記載された発明は、上記本件請求項７に係る発明の特徴的構成について記載又はその示唆をするものではない。
　また、本件請求項７に係る発明は、上記本件請求項７に係る発明の特徴的構成を有することにより、「本発明は、孤立形状に対するDOF範囲を拡張する一方で、軸外照明での近接効果を軽減する」（特許明細書第８頁第２７行〜第９頁第１行）及び「本発明は、本発明に係るスキャタリングバー幅と孤立エッジからの距離を調整することで、両方の近接効果が減らされ、イメージングツールの全体のDOF範囲が軸外照明で増加する」（特許明細書第９頁第１行〜第９頁第４行）という、上記甲第１〜３号証のいずれにもない効果を有する。
　従って、本件請求項７に係る発明は、上記甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとすることができない。
　本件請求項７に係る発明を構成要件とする本件請求項８、１０及び１１に係る発明は、上記本件請求項７に係る発明の特徴的構成を有しているから、本件請求項１に係る発明に対する上記判断と同様に、上記甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明できたものであるとすることができない。
３．むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、本件請求項１、２、５〜８、１１及び１２に係る発明の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、２、５〜８、１１及び１２に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　従って、本件請求項１、２、５〜８、１１及び１２に係る発明についての特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、特許法の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、上記のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１１月６日（２００１．１１．６）