【事件の表示】
　特願２０１４−２３５４１１号「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１１月１９日出願公開、特開２０１５−２０７７５４号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年１１月２０日（特許法第４１条に基づく国内優先権主張　平成２５年１２月１３日、平成２６年４月９日）を出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　６月　９日　　：手続補正書の提出
　平成３０年　３月２３日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年　４月２０日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年　９月２６日付け：拒絶理由（最後）通知書
　平成３０年１１月２６日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３１年　４月２６日付け：補正の却下の決定（平成３０年１１月
　　　　　　　　　　　　　　　２６日付け手続補正書）、拒絶査定（以下
　　　　　　　　　　　　　　　「原査定」という。）
　　令和元年　８月　７日　　：審判請求書、手続補正書の提出
　
第２　令和元年８月７日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和元年８月７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線部は下線は当審が付した。補正箇所を示す。）。
「【請求項１】
　少なくとも第１主面上に
、突出パターンがそれぞれ配置された
　前記接続端子と接続された
正負電極を有する
　前記発光素子を封止し、該発光素子の側面に接触する封止部材と、
　前記正負電極と前記突出パターンとを接続し、かつ前記突出パターンの側面を被覆する接合部材と
　前記母材は、線膨張係数が、前記発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であり、
　
前記接続端子は、前記突出パターンが配置された部位よりも幅狭の部位を有しており、
　前記封止部材は、遮光性材料によって形成されており、かつその端面が前記基体の端面と同一面を形成している発光装置。」（以下「本願補正発明」という。）
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　平成３０年１１月２６日にされた手続補正は平成３１年４月２６日付け補正の却下の決定で却下されたため、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載は、平成３０年４月２０日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載であって、当該請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　少なくとも第１主面上に一対の接続端子を有する母材を備える基体と、
　前記接続端子と接続された発光素子と、
　前記発光素子を封止し、該発光素子の側面に接触する封止部材と、を備える発光装置であって、
　前記母材は、線膨張係数が、前記発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であり、
　前記封止部材は、遮光性材料によって形成されており、かつその端面が前記基体の端面と同一面を形成している発光装置。」
　
２　補正の適否
　本件補正は、補正前の請求項１において、「接続端子」に関して、「突出パターンがそれぞれ配置された」及び「前記突出パターンが配置された部位よりも幅狭の部位を有しており、」と限定し、「発光素子」に関して「正負電極を有する」と限定し、「前記正負電極と前記突出パターンとを接続し、かつ前記突出パターンの側面を被覆する接合部材と」を備えるとの構成を追加する限定を付加するものであり、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本願補正発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか否か）について検討する。
（１）本願補正発明の認定
　本願補正発明は、上記「１」「（１）」に記載したとおりである。
　
（２）引用文献及び引用発明
（２−１）引用文献１に記載された事項及び引用発明について
ア　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１３−１６５８８号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審が付した。以下同じ。）。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、ＬＥＤ素子の発光面上に、蛍光体板を積層し、さらに拡散板を透明接着剤にて積層して接着し、
ＬＥＤ素子の側面
を反射性の白色部材で充填封止したＬＥＤ発光装置
ＬＥＤ発光装置
　
（イ）「【００２１】
　図１（ａ）において、
ＬＥＤ素子１０の光出射面には蛍光体板２０が積層され、さらに蛍光体板２０からの出射光が入射する拡散板３０が透明接着剤にて積層して接着され
ＬＥＤ素子１０の一方の面には電極が設けられており、バンプ９０により回路基板８０の配線電極７０上にフリップチップ実装され導通可能とな
ＬＥＤ素子１０と蛍光体板２０および拡散板３０の側面は反射性の白色部材４０が充填され
ＬＥＤ素子１０の下面側もバンプ９０など接続部を除いた空間は反射性の白色部材４０が充填され
・・・（途中省略）・・・
【００２５】
　本実施形態によれば、
ＬＥＤ素子１０および蛍光体板２０の側面方向を覆った反射性の白色部材４０の光もどし作用により側面方向への漏洩光が著しく減少
【００２６】
　なお、本発明に係るＬＥＤ発光装置１００は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、
ＬＥＤ素子１０は
ＧａＮ系半導体であ
回路基板８０は少なくとも表面がＬＥＤ素子１０の電極と接続される配線電極７０を形成したもので
基材は熱伝導性が高いもの
　
（ウ）図１及び５は次のとおりである。
　
（エ）上記（イ）の記載を踏まえて、上記（ウ）の図１を見ると、ＬＥＤ素子１０は１対のバンプ９０により回路基板８０の配線電極７０上にフリップチップ実装されているから、当該ＬＥＤ素子１０が、１対の電極を有するとともに、当該回路基板８０が一対の配線電極７０を有すること、及び、反射性の白色部材４０の端面が配線電極７０を有する回路基板８０の端面と同一面を形成している点が見てとれる。
　
イ　上記「ア」「（エ）」によれば、ＬＥＤ素子１０は一対のバンプ９０により回路基板８０の配線電極７０上にフリップチップ実装され、一対の電極を有し、また、一般にＬＥＤは正負の電極を備えるものであるから、当該ＬＥＤ素子１０が、一対の正負電極を有することは明らかである。
　したがって、上記アによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「ＬＥＤ素子１０の光出射面には蛍光体板２０が積層され、さらに蛍光体板２０からの出射光が入射する拡散板３０が透明接着剤にて積層して接着され、
　前記ＬＥＤ素子１０の一方の面には一対の正負電極が設けられており、バンプ９０により回路基板８０の一対の配線電極７０上にフリップチップ実装され導通可能となり、
　前記ＬＥＤ素子１０と蛍光体板２０および拡散板３０の側面は反射性の白色部材４０が充填され、
　前記ＬＥＤ素子１０の下面側もバンプ９０など接続部を除いた空間は反射性の白色部材４０が充填され、
　前記ＬＥＤ素子１０および蛍光体板２０の側面方向を覆った反射性の白色部材４０の光もどし作用により側面方向への漏洩光が著しく減少し、
　前記ＬＥＤ素子１０はＧａＮ系半導体であり、
　前記回路基板８０は少なくとも表面がＬＥＤ素子１０の電極と接続される配線電極７０を形成したもので、基材は熱伝導性が高いものであり、
　前記反射性の白色部材４０の端面が配線電極７０を有する前記回路基板８０の端面と同一面を形成している、
　前記ＬＥＤ素子１０の側面を反射性の白色部材４０で充填封止したＬＥＤ発光装置。」
　
（２−２）引用文献２〜４に記載された事項及び周知の技術事項１について
ア　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１２−１６９１８９号公報（以下「引用文献２」という。）には、次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、発光ダイオードなどの発光素子を備えた
発光モジュール
「【００８０】・・・
　（４：実装基板）
　［線膨張係数］
　発光モジュールは、１枚の実装基板上に多くのＬＥＤチップを搭載する。そこで、発光モジュールの熱サイクル試験で実装基板にクラックを発生させないために、
実装基板の線膨張係数をＬＥＤチップの熱膨張係数の±５ｐｐｍ／℃の範囲内に規定する
ＬＥＤチップがＧａＮの場合、その熱膨張係数は約７ｐｐｍ／℃である
　
イ　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００６−９３７１１号公報（以下「引用文献３」という。）には、次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体発光素子のパッケージに関し、具体的に、複合基板とフレキシブル接着剤を含む
半導体発光素子ユニット
「【００２３】
　凹部１３は、配線レイアウトキャリヤ１１に形成され、配線レイアウトキャリヤ１１は、接続構造１２により複合基板１０と接続される。半導体発光素子１４は、凹部１３に固定され、導線１７は、配線レイアウトキャリヤ１１に形成される電気接点２０と半導体発光素子１４とを接続するために使用される。
半導体発光素子１４と複合基板１０の熱膨張係数の差は実質的に10×10−６／℃以下である
【００２４】
　半導体発光素子１４は、例えば、LEDまたはLDである。本発明の半導体発光素子１４は、基本的にダイであり、パッケージされていないダイであることが好ましい。よって、ダイより生成された熱が比較的短い距離で複合基板１０に伝達されることできる。半導体発光素子１４としてのダイの熱膨張係数は、1×10−６／℃と10×10−６／℃との間の値である。例えば、
GaNの熱膨張係数は、5.4×10−６／℃であり
【００２５】
　半導体発光素子１４の熱膨張係数とマッチングし、半導体発光素子１４とそのコンタクト材料との間に生じる余分な熱応力を抑えるために、本発明は、複合基板１０を半導体発光素子ユニット１のサポートベースとして使用する。配線レイアウトキャリヤ１１と半導体発光素子１４をサポートする他に、複合基板１０は、放熱媒体としても使用される。複合基板１０の材料は、半導体発光素子１４と複合基板１０の熱膨張係数の差を10×10−６／℃以下にするために適切に選択される。これにより、半導体発光素子１４と複合基板１０との間における熱応力による影響が小さくなる。」
　
ウ　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１３−１２６０７号公報（以下「引用文献４」という。）には、次の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は、例えばガラスからなる封止部材によって封止された発光素子を備えた発光装置に関する。」
「【００２９】
　
素子搭載基板２０は、熱膨張率を例えば７×１０−６／℃とする酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のセラミックス材料からなる平面略正方形状の板部材によって形成されている。
【００３０】
　素子搭載基板２０の素子搭載面（表面）２０ａには、図３及び図４に示すように、ＬＥＤ素子２１のｐ側パッド電極２１０ａ（後述）に接続する表面パターン２００、及びｎ側電極２１１（後述）に接続する表面パターン２０１が設けられている。素子搭載基板２０の実装側面（裏面）２０ｂには、ＬＥＤ素子２１に対して電源電圧を供給するための裏面パターン２０２，２０３が設けられている。
【００３１】
　表面パターン２００と裏面パターン２０２とは素子搭載基板２０を貫通するビアホール２０４内に充填されたビアパターン２０５により、また表面パターン２０１と裏面パターン２０３とは素子搭載基板２０を貫通するビアホール２０６内に充填されたビアパターン２０７によりそれぞれ電気的に接続されている。表面パターン２００及び裏面パターン２０２はビアパターン２０５に、また表面パターン２０１及び裏面パターン２０３はビアパターン２０７にそれぞれ例えばタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属によって一体に形成されている。
【００３２】
　なお、表面パターン２００，２０１及び裏面パターン２０２，２０３の表面には、ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ），白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）などの材料による単数又は複数の金属層あるいは半田材料による金属層が必要に応じて形成される。
【００３３】
　図４及び図５に示すように、ＬＥＤ素子２１は、ｐ側電極２１０及びｎ側電極２１１を有し、ｐ側電極２１０（ｐ側パッド電極２１０ａ）を表面パターン２００に、またｎ側電極２１１を表面パターン２０１にそれぞれバンプ２１２を介してフリップチップ接続することにより素子搭載基板２０における素子搭載面２０ａの略中央部に搭載されている。
ＬＥＤ素子２１としては、熱膨張率を例えば７×１０−６／℃とする平面略正方形状の青色ＬＥＤ素子が用いられる
【００３４】
　そして、ＬＥＤ素子２１は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）からなる基板２１３の表面にIII族窒化物系半導体を例えば７００℃の温度でエピタキシャル成長させることにより、バッファ層２１４，ｎ型半導体層２１５，発光層としてのＭＱＷ（Multiple Quantum Well：重量子井戸）層２１６，及びｐ型半導体層２１７が順次形成され、発光面２１８からピーク発光波長が例えば４６０ｎｍ〜４６３ｎｍである青色光を発するように構成されている。ＬＥＤ素子２１は、その耐熱温度は６００℃以上であり、後述する低融点のガラスを用いた素子封止加工における加工温度に対して安定である。」
　
エ　上記アによれば、引用文献２には、「発光モジュール」において、「ＬＥＤチップがＧａＮの場合」等において、「実装基板の線膨張係数をＬＥＤチップの熱膨張係数の±５ｐｐｍ／℃の範囲内に規定する」ことが記載され、上記イによれば、引用文献３には、「半導体発光素子ユニット」において、「半導体発光素子」が「GaN」の場合等において、「半導体発光素子と複合基板の熱膨張係数の差」を「実質的に１０ｐｐｍ／℃（10×10−６／℃）以下」とすることが記載され、上記ウによれば、引用文献４には、「発光装置」において、「素子搭載基板」が「熱膨張率を例えば７×１０−６／℃とする酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）のセラミックス材料からなる平面略正方形状の板部材によって形成されている」場合には、「ＬＥＤ素子としては、熱膨張率を例えば７×１０−６／℃とする平面略正方形状の青色ＬＥＤ素子が用いられる」こと、つまり、素子搭載基板とＬＥＤ素子の熱膨張率はほぼ同じとすることが記載されている。
　ここで、熱膨張率と線膨張係数は別異のパラメータであるが、特に引用文献２の記載を踏まえて上記引用文献２ないし４に記載された事項に照らせば、「発光装置において、母材の線膨張係数を発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲の適宜の小さい値の線膨張係数差とすること。」（以下「周知の技術事項１という」）が、本願の優先日当日には周知の技術事項であったと認められる。
　
（２−３）引用文献５〜７に記載された事項及び周知の技術事項２について
ア　本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００９−１４１０３０号公報（以下「引用文献５」という。）には、次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、発光装置に係り、特に、照明器具、バックライト、車載用発光装置、ディスプレイ、動画照明補助光源、その他の一般的民生用光源などに用いられる高輝度、高信頼性の
発光装置
「【００２１】
内部接続部１３ａは、開口部の内壁から離れて配置されており、発光素子チップ１１の電極１１ａと導電性ペースト１４を介して電気的に接続されている。内部接続部１３ａは、図１に示すように、発光素子チップ１１と対向する領域内に配置されていることが好ましい。これにより、内部接続部１３ａと後述する透光性樹脂１５との接触面積を小さくすることができ、透光性樹脂１５から外部のガスが透過した際における内部接続部１３ａの酸化や硫化による変色を防ぐことができる。これにより長時間において高出力を保持することが可能となる。また、
内部接続部１３ａの突出高さ
により、製造時における発光素子チップと内部接続部１３ａとの接合不良や、内部接続部１３ａ間へ導電ペースト１４が多く這い上がることによる短絡を防止することができる。
・図１は次のとおりである。
　
イ　本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００１−２２３３９１号公報（以下「引用文献６」という。）には、次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対のリード電極を有するパッケージ上にＬＥＤチップが配置された発光ダイオードの形成方法に係わり、特に、前記各リード電極の一部分に突起部を形成する工程を有する
発光ダイオード
「【００３６】
【発明の効果】本発明の、
発光ダイオードのパッケージ電極部にＬＥＤチップを直接接続させるための突起部分
ＬＥＤチップ
の接合部は、
半田を溶融・凝固させることでＬＥＤチップを固定させるので、接合部の面積を広くとることができ、ゆえに接合部の安定感を増すことができる
・図１は次のとおりである。
　
ウ　本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００６−３１３８９７号公報（以下「引用文献７」という。）には、次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、発光素子パッケージ用サブマウントに係り、詳細には発光素子のショートを防止できる
発光素子パッケージ用サブマウント
「【００２０】
　
前記第１及び第２ボンディング層１１２ａ、１１２ｂの上面には、それぞれ前記第１及び第２バリア層１１４ａ、１１４ｂ
が形成され
フリップチップ工程時に第１及び第２ハンダ１１６ａ、１１６ｂが溶融されて流れて、第１及び第２ボンディング層１１２ａ、１１２ｂの露出された上面に取り付けられることによって接合性を向上させるためのものである。
・図５は次のとおりである。
　
エ　上記アによれば、引用文献５には、「発光装置」において、「内部接続部の突出高さにより、製造時における発光素子チップと内部接続部との接合不良や、内部接続部間へ導電ペーストが多く這い上がることによる短絡を防止することができる」ことが記載され、上記イによれば、引用文献６には、「発光ダイオード」において、「発光ダイオードのパッケージ電極部にＬＥＤチップを直接接続させるための突起部分」を設け、「ＬＥＤチップ」「の接合部は、」「半田を溶融・凝固させることでＬＥＤチップを固定させるので、接合部の面積を広くとることができ、ゆえに接合部の安定感を増すことができる」ことが記載され、上記ウによれば、引用文献７には、「発光素子パッケージ用サブマウント」において、「前記第１及び第２ボンディング層１１２ａ、１１２ｂの上面には、それぞれ前記第１及び第２バリア層１１４ａ、１１４ｂ」「が形成され」、「フリップチップ工程時に第１及び第２ハンダ１１６ａ、１１６ｂが溶融されて流れて、第１及び第２ボンディング層１１２ａ、１１２ｂの露出された上面に取り付けられることによって接合性を向上させるためのものである」ことが記載されていることに照らして、「発光装置において、電極部にＬＥＤチップを直接接続させるための突起部分を設け、ＬＥＤチップを当該電極部の突起部分と接続すること。」（以下「周知の技術事項２という」）が、本願の優先日当日には周知の技術事項であったと認められる。
　
（２−４）引用文献８〜９に記載された事項及び周知の技術事項３について
ア　本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１３−２３９６４４号公報（以下「引用文献８」という。）には、次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。」
「【００６１】
　（第５実施形態）　
　図１３は、第５実施形態に係る半導体発光装置６００を表す模式図である。図１３（ａ）は、半導体発光装置６００の外観を模式的に表す斜視図であり、図１３（ｂ）は、その正面図である。
【００６２】
　半導体発光装置６００は、絶縁性のベース８０と、半導体発光素子４５と、半導体発光素子４５を封止する樹脂３０と、を備える。半導体発光素子４５は、その下面に第１電極と第２電極と（図示しない）を備えるフリップチップ構造を有する。
【００６３】
　図１３（ａ）に示すように、ベース８０の第１の面８０ａには、電極３と、電極５と、が並設される。さらに、第１の面８０ａには、側面電極７ａと、側面電極７ｂと、が設けられる。側面電極７ａは電極３につながり、側面電極７ｂは電極５につながる。
【００６４】
　半導体発光素子４５は、例えば、ハンダボール等を介して、電極３および電極５に固着される。例えば、電極３にハンダボールを介して第１電極が接続され、電極５にハンダボールを介して第２電極が接続される。第１電極は、側面電極７ａおよび凹部１７の金属層３３を介して裏面メタル１３に電気的に接続され、第２電極は、側面電極７ｂおよび凹部１７の金属層３３を介して裏面メタル１５に電気的に接続される。
【００６５】
　本実施形態では、金属ワイヤによる接続が無いため、樹脂３０の厚みを薄くできる。これにより、パッケージの低背化が可能である。」
・図１３は次のとおりである。
　
イ　本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２０１１−２３４８４号公報（以下「引用文献９」という。）には、次の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、発光素子等の素子を半導体絶縁基板等の実装基板に実装した発光装置に関する。」
「【００６７】
　また、図１０に示すように、第１基板電極５２と第２基板電極５３がほぼ同じ大きさで隣接して配置された構成であっても、第１基板電極５２と第２基板電極５３にそれぞれ第１延出部５２ｂ、５３ｂが形成されていれば、ハンダボールの発生を防止することが可能となる。
【００６８】
　第１基板電極５２及び第２基板電極５３の構成では、使用する発光素子１０Ｅも矩形状であり外側周縁ｇｓより内側に並列に形成された第１素子電極及び第２素子電極（図示せず）が形成されている。そして、すでに説明した構成と同じように、加熱溶融接続材ｋｈ（図５参照）を介してセルフアライメントにより発光素子を実装するものとなる。なお、第１基板電極５２及び第２基板電極５３がほぼ同じ大きさである場合には、電極の正負を誤認しないように、ここでは、一方の電極体５３ａに直線部分を有する形状とし、他方の電極体５２ａには曲線を有する形状に形成している。そして、矩形の発光素子１０Ｅの長辺側において、外側周縁ｇｓから外側に延出する第１延出部５２ｂ，５３ｂが発光素子１０Ｅの一辺に対して２つ延出となるように配置している。このように、第１基板電極５２及び第２基板電極５３では、長辺に対する第１延出部５２ｂ，５３ｂの幅の割合を増やしてハンダボールの発生の防止を図っている。このように発光素子１０Ｅの一辺に対して２つ配置される場合には、当該辺の中央に対して対称となる位置であることが望ましい。」
・図１０は次のとおりである。
　
ウ　上記アによれば、引用文献８（特に図１３）には、「半導体発光装置」において、電極は、半導体発光素子と電極を接続する部位よりも幅狭の部位を有する点が記載され、上記イによれば、引用文献９（特に図１０）には、「発光装置」において、電極は、発光素子と電極を接続する部位よりも幅狭の部位を有する点が記載され、引用文献１（特に上記「（２−１）」「ア」「（ウ）」の図５）には、「ＬＥＤ発光装置」（上記「（２−１）」「ア」「（ア）」）において、配線電極は、ＬＥＤ素子と配線電極を接続する部位よりも幅狭の部位を有する点が記載されていることに照らして、「発光装置において、電極は、発光素子と電極を接続する部位よりも幅狭の部位を有すること。」（以下「周知の技術事項３という」）が、本願の優先日当日には周知の技術事項であったと認められる。
　
（３）対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ＬＥＤ素子１０」、「正負電極」、「バンプ９０」、「回路基板８０」、「配線電極７０」、「反射性の白色部材４０」、「基材」及び「ＬＥＤ発光装置」は、本願補正発明の「発光素子」、「正負電極」、「接合部材」、「基体」、「接続端子」、「封止部材」、「母材」及び「発光装置」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明の「前記ＬＥＤ素子１０の一方の面には一対の正負電極が設けられており、バンプ９０により回路基板８０の一対の配線電極７０上にフリップチップ実装され導通可能となり」、「少なくとも表面がＬＥＤ素子１０の電極と接続される配線電極７０を形成したもので、基材は熱伝導性が高いものであ」る「回路基板８０」は、一方の面に一対の正負電極を有する基材を備える回路基板８０であるから、本願補正発明の「少なくとも第１主面上に、突出パターンがそれぞれ配置された一対の接続端子を有する母材を備える基体」と、「第１主面上に、一対の接続端子を有する母材を備える基体」の点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「一方の面には一対の正負電極が設けられており、バンプ９０により回路基板８０の一対の配線電極７０上にフリップチップ実装され導通可能とな」る「ＬＥＤ素子１０」は、配線電極７０と接続された正負電極が設けられているＬＥＤ素子１０であるから、本願補正発明の「前記接続端子と接続された正負電極を有する発光素子」に相当する。
　
（エ）引用発明の「前記ＬＥＤ素子１０と蛍光体板２０および拡散板３０の側面は反射性の白色部材４０が充填され」、「前記ＬＥＤ素子１０の側面を反射性の白色部材４０で充填封止した」「反射性の白色部材４０」は、ＬＥＤ素子１０を充填封止し、前記ＬＥＤ素子１０の側面に接触する反射性の白色部材４０であるから、本願補正発明の「前記発光素子を封止し、該発光素子の側面に接触する封止部材」に相当する。
　
（オ）引用発明の「前記ＬＥＤ素子１０の一方の面には一対の正負電極が設けられており、バンプ９０により回路基板８０の一対の配線電極７０上にフリップチップ実装され導通可能とな」る「ＬＥＤ発光装置」は、正負電極と配線電極７０とを接続し、配線電極７０するバンプ９０を備えるＬＥＤ発光装置であるから、本願補正発明の「前記正負電極と前記突出パターンとを接続し、かつ前記突出パターンの側面を被覆する接合部材とを備える発光装置」と、「前記正負電極と配線電極７０を接続する接合部材とを備える発光装置」の点で一致する。
　
（カ）引用発明の「前記ＬＥＤ素子１０および蛍光体板２０の側面方向を覆った反射性の白色部材４０の光もどし作用により側面方向への漏洩光が著しく減少し」、「前記反射性の白色部材４０の端面が配線電極７０を有する前記回路基板８０の端面と同一面を形成している」「反射性の白色部材４０」は、漏洩光が著しく減少する反射性の白色の材料によって形成されており、かつその端面が配線電極７０を有する前記回路基板８０の端面と同一面を形成しているから、本願補正発明の「遮光性材料によって形成されており、かつその端面が前記基体の端面と同一面を形成している」「封止部材」に相当する。
　
（キ）上記（ア）ないし（カ）によれば、本願補正発明と引用発明は、
「第１主面上に、それぞれ配置された一対の接続端子を有する母材を備える基体と、
　前記接続端子と接続された正負電極を有する発光素子と、
　前記発光素子を封止し、該発光素子の側面に接触する封止部材と、
　前記正負電極と配線電極７０を接続する接合部材とを備える発光装置であって、
　前記封止部材は、遮光性材料によって形成されており、かつその端面が前記基体の端面と同一面を形成している発光装置。」
の点で一致し、以下の各点で相違するものと認められる。
　
＜相違点１＞
　「接続端子」に関して、本願補正発明では、「突出パターン」がそれぞれ接続端子に配置され、接合部材が、正負電極と接続端子の「前記突出パターン」とを接続し、かつ「前記突出パターンの側面を被覆する」ものであって、接続端子は「前記突出パターンが配置された部位よりも幅狭の部位を有して」いるのに対して、引用発明は、このように特定されない点。
　
＜相違点２＞
　「母材」に関して、本願補正発明では、「線膨張係数が、前記発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であ」るのに対して、引用発明は、このように特定されない点。
　
イ　判断
（ア）相違点１について
　引用発明のＬＥＤ素子１０は、「一方の面には一対の正負電極が設けられており、バンプ９０により回路基板８０の一対の配線電極７０上にフリップチップ実装され導通可能とな」るものであるところ、当該配線電極７０に関して、「発光装置において、電極部にＬＥＤチップを直接接続させるための突起部分を設け、ＬＥＤチップを当該電極部の突起部分と接続すること」（周知の技術事項２）が、本願の優先日当日には周知の技術事項であったこと、及び、「発光装置において、電極は、発光素子と電極を接続する部位よりも幅狭の部位を有すること」（周知の技術事項３）が、本願の優先日当日には周知の技術事項であったことを踏まえると、必要に応じて、一対の配線電極７０上にフリップチップ実装される箇所に突起部分を設けるとともに、さら、必要に応じて、発光素子と電極を接続する部位よりも幅狭の部位を有する構成となすことは当業者が容易になし得たことである。
　
（イ）相違点２について
　引用発明の「ＬＥＤ素子１０」は「ＧａＮ系半導体であり」、「回路基板８０」の「基材は熱伝導性が高いものであ」るところ、当該「回路基板８０」の「基材」に関して「発光装置において、母材の線膨張係数を発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲の適宜の小さい値の線膨張係数差とすること」（周知の技術事項１）が本願の優先日当日には周知の技術事項であったことを踏まえると、「熱伝導性が高い」「回路基板８０」の「基材」を具体的に選ぶに際して、基材の線膨張係数をＬＥＤ素子１０の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲の適宜の小さい値の線膨張係数差の素材を選ぶことは当業者が容易になし得たことである。
　
（ウ）よって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないから、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび（補正の却下の決定のむすび）
　上記２のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和元年８月７日付け手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし２９に係る発明は、平成３０年４月２０日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２９に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に記載された発明は、上記「１」「（２）」のとおりのものであると認められる（以下「本願発明」という。）。
　
２　原査定における拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１、５−７、１２−１３、１７、２１に係る発明は、本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１ないし４に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない等、というものである。
　
引用文献１．特開２０１３−１６５８８号公報
引用文献２．特開２０１２−１６９１８９号公報
引用文献３．特開２００６−０９３７１１号公報
引用文献４．特開２０１３−０１２６０７号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶理由で引用された、引用文献１の記載事項及び引用発明は、前記「第２」［理由］「（２）」「（２−１）」のとおりであり、引用文献２〜４の記載事項及び周知の技術事項（周知の技術事項１）は、前記「第２」［理由］「（２）」「（２−２）」のとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は、前記「第２」［理由］「２」で検討した本願補正発明から、「接続端子」に関して、「突出パターンがそれぞれ配置された」及び「前記突出パターンが配置された部位よりも幅狭の部位を有しており、」と限定し、「発光素子」に関して「正負電極を有する」と限定し、「前記正負電極と前記突出パターンとを接続し、かつ前記突出パターンの側面を被覆する接合部材と」を備えるとの構成を追加する限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明と引用発明は、本願発明では、「前記母材は、線膨張係数が、前記発光素子の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲であ」ると特定されるのに対して、引用発明は、このように特定されない点で相違する（以下「相違点３」という。）。
　しかしながら、上記相違点３は実質的に相違点２と同じ相違点であるから、上記前記「第２」［理由］「２」「（３）」「イ」「（イ）」で検討した理由と同じ理由により、「熱伝導性が高い」「回路基板８０」の「基材」を具体的に選択するに際して、基材の線膨張係数をＬＥＤ素子１０の線膨張係数の±１０ｐｐｍ／℃以内の範囲の適宜の小さい値の線膨張係数差の素材を選ぶことにより、上記相違点３に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得たことである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献２ないし４に記載された周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　　
　よって、結論のとおり審決する。