【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４６７３４４８号「非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット」の特許無効審判事件についてされた平成２７年１１月２４日付け審決に対し、知的財産高等裁判所において審決取消しの判決（平成２７年（行ケ）第１０２６１号、平成２８年１２月２１日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第４６７３４４８号の特許請求の範囲を、令和１年１０月２日付け手続補正書に添付された訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔４、９−１３〕について訂正することを認める。
　特許第４６７３４４８号の請求項１ないし３、５ないし８に係る発明についての特許を無効とする。
　特許第４６７３４４８号の請求項４、９ないし１３に係る発明についての審判請求は、成り立たない。
　審判費用は、その１３分の６を請求人の負担とし、１３分の７を被請求人の負担とする。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　特許第４６７３４４８号（以下、「本件特許」という。）は、平成２２年３月８日（優先権主張　平成２１年３月２７日）を国際出願日として特許出願がされ、平成２３年１月２８日に請求項１〜８に係る発明についての特許の設定登録がされたものであり、その後、請求項１〜８に係る発明の特許に対して、請求人田中貴金属工業株式会社から無効審判が請求されたものである。以下、審判請求以後の経緯を整理して示す。
　
１　手続の経緯
　平成２６年　９月１８日　　　審判請求
　　　　　　１２月１５日　　　答弁書の提出
　平成２７年　２月１７日付け　審理事項通知書
　　　　　　　　３月６日　　　口頭審理陳述要領書（請求人）提出
　　　　　　　３月２７日　　　口頭審理陳述要領書（被請求人）提出
　　　　　　　　４月８日付け　審理事項通知書
　　　　　　　４月１４日　　　口頭審理陳述要領書（２）(被請求人)提出
　　　　　　　４月１４日　　　口頭審理
　　　　　　　　６月３日付け　審決の予告
　　　　　　　　８月３日　　　訂正請求書及び意見書（被請求人）提出
　　　　　　　９月１４日　　　弁駁書（請求人）提出
　　　　　　１１月２４日付け　一次審決
　平成２８年１２月２１日　　　判決
　平成２９年１２月２１日付け　審理再開通知書
　平成３０年　８月２４日付け　審決の予告（２回目）
　　　　　　１０月２６日　　　訂正請求書及び意見書（被請求人）提出
　　　　　　１２月１２日　　　手続補正書（被請求人）提出
　平成３１年　２月１８日　　　弁駁書（請求人）提出
　　　　　　　３月２８日付け　訂正拒絶理由通知書
　　　　　　　３月２８日付け　職権審理結果通知書
　　　　　　　４月２６日　　　意見書及び手続補正書（被請求人）提出
　令和１年　　８月３０日付け　訂正拒絶理由通知書（２回目）
　　　　　　　８月３０日付け　職権審理結果通知書（２回目）
　　　　　　　９月１１日　　　手続補正書（被請求人）提出
　　　　　　　１０月２日 　 　手続補正書（被請求人）提出
　　　　　　　１０月４日　　　意見書（請求人）提出
　　　　　　１１月１９日　　　意見書（被請求人）提出
　　　　　　１１月２２日　　　意見書（請求人）提出
　　　
　上記手続における平成２７年８月３日付けの訂正請求による訂正の請求は、特許法１３４条の２第６項の規定により取り下げられたものとみなす。
　
２　審決（一次審決）　
　審決の結論は、「特許第４６７３４４８号の請求項１ないし８に係る発明についての特許を無効とする。」というものである。
　
３　審決取消訴訟 
　被請求人は、上記審決の取消しを求めて、平成２７年１２月２８日に知的財産高等裁判所に訴えを提起した。上記訴えは、知的財産高等裁判所において、平成２７年（行ケ）第１０２６１号事件として審理され、主文を
「１　特許庁が無効２０１５−８００１５８号事件について平成２７年１１月２４日にした審決のうち、特許第４６７３４４８号の請求項４に係る部分を取り消す。
２　原告のその余の請求を棄却する。
３　訴訟費用は、これを８分し、その７を原告の負担とし、その余は被告の負担とする。」とする判決の言渡しが平成２８年１２月２１日にあった。 
　そして、上記判決はその後確定したところ、特許法第１８１条第２項の規定により、特許第４６７３４４８号の請求項１ないし３、５ないし８に係る部分についても取り消すものとして、更に審理を行うことになったので、平成２９年１２月２１日付けの審理再開通知書を請求人及び被請求人に通知した。
　
第２　訂正の適否について 
２−１　判決後の訂正の経緯
　被請求人は、審決の予告（２回目）に対して、平成３０年１０月２６日に訂正請求書（以下、「本件訂正請求書」という。）を提出し、次いで、同年１２月１２日に本件訂正請求書に係る手続補正書を提出し、また、平成３１年３月２８日付け訂正拒絶理由通知書に対して、同年４月２６日に本件訂正請求書に係る手続補正書を提出し、さらに、令和１年８月３０日付け訂正拒絶理由通知書に対して、同年９月１１日及び同年１０月２日に本件訂正請求書に係る手続補正書を提出した。
　そして、令和１年１０月２日提出の手続補正書に添付された訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項１〜１３は、平成３０年１０月２６日提出の訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項１〜８について引用関係の解消などを行うものであって要旨を変更するものではないことからして、令和１年１０月２日の手続補正は、認められるものである。
　したがって、令和１年１０月２日提出の手続補正書に添付された訂正請求書（以下、この訂正請求書による訂正を「本件訂正」という。）が本件訂正請求書となり、訂正特許請求の範囲は、この訂正請求書に添付されたものとなる。
　
２−２　訂正の趣旨  
　被請求人は、特許第４６７３４４８号の特許請求の範囲を本件訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項１〜１３について訂正することを求めるものである。  
　
２−３　訂正の理由
　被請求人は、訂正前の請求項４について、同請求項１、２、３の引用関係を解消して独立請求項とした訂正後の請求項４、９、１０及び訂正後の４、９、１０を引用する訂正後の請求項１１、１２、１３と、これら以外の訂正後の請求項１、２、３、５、６、７、８とを別の訂正単位とすることを求めるものである。
　
２−４　本件訂正の内容 
［訂正事項１］
　請求項１に「前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有している」とあるのを「前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、前記球形の合金相（Ｂ）はＣｏ濃度の高い領域と低い領域及びＣｒ濃度の高い領域と低い領域をそれぞれ有し、Ｃｏ又はＣｒのいずれか一つの濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであり、前記球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が５％以上向上していること」と訂正する。
　
［訂正事項２］
　請求項２に「前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有している」とあるのを「前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、前記球形の合金相（Ｂ）はＣｏ濃度の高い領域と低い領域及びＣｒ濃度の高い領域と低い領域をそれぞれ有し、Ｃｏ又はＣｒのいずれか一つの濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであり、前記球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が５％以上向上していること」と訂正する。
　
［訂正事項３］
　請求項３に「前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有している」とあるのを「前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、前記球形の合金相（Ｂ）はＣｏ濃度の高い領域と低い領域及びＣｒ濃度の高い領域と低い領域をそれぞれ有し、Ｃｏ又はＣｒのいずれか一つの濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域かおり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであり、前記球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が５％以上向上していること」と訂正する。
　
［訂正事項４］
　請求項４に「請求項１〜３のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」とあるうち、請求項１を引用するものについて、独立請求項に改め、「Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
　このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、
　前記球形の合金相（Ｂ）は、中心部がＣｒ２５ｍｏｌ％以上であって、中心部から外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」に訂正する。
　
［訂正事項５］
　請求項５に「請求項１〜４のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」とあるうち、請求項１〜４を引用するものについて、請求項１〜３を引用するものに改め、「球形の合金相（Ｂ）の直径が、５０〜２００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」に訂正する。
　
［訂正事項６］
　請求項６に「請求項１〜５のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」とあるうち、請求項１〜５を引用するものについて、請求項１〜３を引用するものに改め、「非磁性材料が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂからなる酸化物、窒化物若しくは炭化物又は炭素から選択した１成分以上含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」に訂正する。
　
［訂正事項７］
　請求項７を削除する。
　
［訂正事項８］
　請求項８を削除する。
　
［訂正事項９］
　請求項４に「請求項１〜３のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」とあるうち、請求項２を引用するものについて、独立請求項に改め、「Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
　このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、
　前記球形の合金相（Ｂ）は、中心部がＣｒ２５ｍｏｌ％以上であって、中心部から外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」に訂正し、新たな請求項９とする。
　
［訂正事項１０］
　請求項４に「請求項１〜３のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」とあるうち、請求項３を引用するものについて、独立請求項に改め、「Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｂが０．５ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
　このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、
　前記球形の合金相（Ｂ）は、中心部がＣｒ２５ｍｏｌ％以上であって、中心部から外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパックリングターゲット。」に訂正し、新たな請求項１０とする。
　
［訂正事項１１］
　請求項５に「請求項１〜４のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」とあるうち、請求項４を引用するものについて、請求項１を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項４）、請求項２を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項９）、請求項３を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項１０）のいずれかを引用する請求項５を、「前記球形の合金相（Ｂ）の直径が、５０〜２００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項４、９、１０のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」に訂正し、新たな請求項１１とする。
　
［訂正事項１２］
　請求項６に「請求項１〜５のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」とあるうち、請求項４を引用するものについて、請求項１を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項４）、請求項２を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項９）、請求項３を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項１０）のいずれかを引用する請求項６を、「前記非磁性材料が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂからなる酸化物、窒化物若しくは炭化物又は炭素から選択した１成分以上含むことを特徴とする請求項４、９、１０　のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」に訂正し、新たな請求項１２とする。
　
［訂正事項１３］
　請求項８に「請求項１〜７のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」とあるうち、請求項４を引用するものについて、請求項１を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項４）、請求項２を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項９）、請求項３を引用する請求項４（独立請求項に改められた訂正後の請求項１０）のいずれかを引用する請求項８を、「相対密度が９８％以上であることを特徴とする請求項４、９、１０のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」に訂正し、新たな請求項１３とする。
　
２−５　訂正の適否についての判断 
２−５−１　訂正後の請求項〔１−３、５−８〕について
（１）訂正後の請求項１〜３、５〜８は、訂正事項１〜３、５〜８に係る訂正がなされたものであるところ、訂正後の請求項５、６は、訂正後の請求項１〜３のいずれかを引用するものであり、また、訂正後の請求項１〜３は、いずれも、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット中の球形の合金相（Ｂ）に関し、「Ｃｏ」「の濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであり、球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が５％以上向上している」との事項（以下、「訂正事項’」という。）を有するものであることからして、訂正後の請求項５、６も、訂正事項’を有するものであるといえる。
　
（２）上記訂正事項’が新規事項の追加にあたるか否かについて、該訂正事項’を訂正内容とする訂正事項１〜３をもって、以下の判断基準にしたがって検討することとする。
　特許法第１３４条の２第９項で準用する第１２６条第５項に規定されるとおり、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）の訂正は、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしなければならず、本件明細書等に記載した事項とは、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（当業者）を基準として、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項のことであり、上記のようにして導かれる技術的事項との関係で新たな技術的事項を導入しないものであるときは、当該訂正は本件明細書等に記載した事項の範囲内であると解されるというものである。
　
　本件明細書の【００１６】には、「球形の合金相（Ｂ）には、少なからずＣｒの濃度が低い領域と高い領域が存在し、このような濃度変動の大きな場所では格子歪みが存在すると考えられる」との記載があり、そして、Ｃｏ濃度も球形の合金相（Ｂ）と相（Ａ）との間で相互拡散が生じるから、球形の合金相（Ｂ）には、少なからずＣｏの濃度が低い領域と高い領域も存在することも事実上記載されているといえる。また、同【００１８】には、「球形は、その重心から外周までの長さの最小値に対する最大値の比が２以下であると言い換えることもできる。この範囲であれば、外周部に多少の凹凸があっても、組成不均一な相（Ｂ）を形成することができる。」との記載があり、そして、組成不均一な相（Ｂ）とは、球形の合金相（Ｂ）を構成する元素に濃淡があることを意味している。さらに、同【００１９】には、「上記数値範囲より小さい場合には、十分な焼結温度で高密度のターゲットを得ようとすると、金属元素同士の拡散が進み、Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）が形成され難くなる。」及び同【００３５】には、「図２に示すように、ＥＰＭＡの元素分布画像で白く見えている箇所が、当該元素の濃度の高い領域である。すなわち、球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高く（白っぽく）なっている。」との記載もあることからして、「球形の合金相（Ｂ）には、Ｃｏの濃度が低い領域と高い領域が存在する」という事項は、本願明細書等に記載されている事項であるということはできる。
　しかしながら、訂正事項’については、本件明細書等に記載した事項の範囲内のものであるとはいえないことを、以下で示すこととする。
　本件明細書の【００１５】には、「上記非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいて、ターゲット組織に含まれる球形の合金相（Ｂ）が、中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることが有効である。本願発明は、このようなターゲットを提供する。すなわち、このようなターゲットでは、球形の合金相（Ｂ）は、中心部と外周部にかけて顕著な不均一性を有している。これは電子線プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）を用いてターゲットの研磨面の元素分布を測定すると明確に確認できる。球形の合金相（Ｂ）におけるＣｒ濃度の分布状態は、焼結温度や原料粉の性状によって変化するが、上記の通り、球形の合金相（Ｂ）の存在は、本願発明ターゲットの独特の組織構造を示すものであり、本願ターゲットの漏洩磁束を高める大きな要因となっている。」（当審注：スペースについてはこれを省略し、字詰めを行った。以下同じ。）との記載があるところ、「球形の合金相（Ｂ）におけるＣｒ濃度の分布状態は、焼結温度や原料粉の性状によって変化するが、上記の通り、球形の合金相（Ｂ）の存在は、本願発明ターゲットの独特の組織構造を示すものであり、本願ターゲットの漏洩磁束を高める大きな要因となっている」との文言は、段落全体からみて、「中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることが有効である」とされる球形の合金相（Ｂ）の存在を受けたものであって、訂正事項’までも意図するものではないと解するのが自然である。
　
　実施例１、２、４、５、８をみてみると、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末におけるＣｒの組成は、４０ｍｏｌ％であるのに対して、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末以外の他の粉末（全体）におけるＣｒの組成は０ｍｏｌ％であり、また、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末におけるＣｏの組成は、６０ｍｏｌ％であるのに対して、ターゲットにおけるＣｏの組成は、７７．５ｍｏｌ％（実施例１、４）、６０ｍｏｌ％（実施例２、５、８）であることからして、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の外へのＣｒ拡散は生じているといえる一方、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の外へのＣｏ拡散は生じていないといえるところ、球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が、１５％（実施例１、４）、７％（実施例２）、５％（実施例５）向上するのは、上記で示したように、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の外へのＣｏ拡散は生じていないといえることからして、そもそも、「Ｃｏ」「の濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであ」ることによるのではないというべきである。
　したがって、実施例１、２、４、５、８は、訂正事項’までも意図するものではないと解するのが当然である。
　
　実施例３、６をみてみると、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末におけるＣｒの組成は、４０ｍｏｌ％であるのに対して、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末以外の他の粉末（全体）におけるＣｒの組成は０ｍｏｌ％であり、また、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末におけるＣｏの組成は、６０ｍｏｌ％であるのに対して、ターゲットにおけるＣｏの組成は、５６ｍｏｌ％（実施例３）、５８ｍｏｌ％（実施例６）であることからして、実施例３、６では、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の外へのＣｒ拡散は生じているといえる一方、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の外へのＣｏ拡散はほぼ生じていないといえるところ、球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が、８％（実施例３）、７％（実施例６）向上するのは、上記で示したように、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の外へのＣｏ拡散はほぼ生じていないといえることからして、「Ｃｏ」「の濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであ」ることによるのではないというべきである。
　したがって、実施例３、６についても、実施例１、２、４、５、８と同じく、訂正事項’までも意図するものではないと解するのが当然である。
　
　実施例７、９をみてみると、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末におけるＣｒの組成は、４０ｍｏｌ％であるのに対して、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末以外の他の粉末（全体）におけるＣｒの組成は０ｍｏｌ％であり、また、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末におけるＣｏの組成は、６０ｍｏｌ％であるのに対して、ターゲットにおけるＣｏの組成は、４５．６６ｍｏｌ％（実施例７）、４４ｍｏｌ％（実施例９）であることからして、実施例７、９では、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の外へのＣｒ拡散とＣｏ拡散の両方が生じているとみることができる。     
　しかし、本件明細書には、「球形の合金相（Ｂ）の存在による漏洩磁束を高めるメカニズムは、必ずしも明確ではないが、以下のような理由が推測される。第一に、球形の合金相（Ｂ）には、少なからずＣｒの濃度が低い領域と高い領域が存在し、このような濃度変動の大きな場所では格子歪みが存在すると考えられる。格子歪みがあると、Ｃｏ原子が持つ磁気モーメントは互いに非平衡状態をとるため、これらの磁気モーメントの向きを揃えるためには、より強力な磁場が必要となる。従って、金属元素が均一に拡散し、格子歪みのない状態と比較すると、透磁率が低くなるため、マグネトロンスパッタ装置の磁石からの磁束は、ターゲット内部を通過する量が減って、ターゲット表面に漏れ出てくる量が増す。」（【００１６】）、「第二に、球形の合金相（Ｂ）中のＣｒ濃度の高い領域は、析出物として磁壁の移動を妨げていると考えられる。その結果、ターゲットの透磁率が低くなり漏洩磁束が増す。圧延加工可能な強磁性材ターゲットでは、冷間圧延でターゲット中に転位を付与し、漏洩磁束を向上させる方法が広く知られているが、それと同様の効果が球形の合金相（Ｂ）によってもたらされていると推測される。さらに該相（Ｂ）中のＣｒ濃度の高い領域は、母相である強磁性相内の磁気的相互作用を遮断するので、Ｃｒ濃度の高い領域の存在が漏洩磁束に影響を与えている可能性が考えられる。」（【００１７】）及び「ここで、本願発明において使用する球形とは、真球、擬似真球、扁球（回転楕円体）、擬似扁球を含む立体形状を表す。いずれも、長軸と短軸の差が０〜５０％であるものを言う。すなわち、球形は、その重心から外周までの長さの最小値に対する最大値の比が２以下であると言い換えることもできる。この範囲であれば、外周部に多少の凹凸があっても、組成不均一な相（Ｂ）を形成することができる。球形そのものを確認することが難しい場合は、相（Ｂ）の断面の重心と外周までの長さの最小値に対する最大値の比が２以下であることを目安としてもよい。このように、合金相（Ｂ）が球形であると、焼結時に相（Ａ）と相（Ｂ）の境界面に空孔が生じにくく、密度が上がり易い。また、同一体積では、球形の方が表面積が小さくなるので、周囲の金属粉（Ｃｏ粉、Ｐｔ粉など）との拡散が進みにくく、組成不均一な相（Ｂ）、すなわち中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が容易に形成されるようになる。」（【００１８】）との記載があり、これらからして、球形の合金相（Ｂ）におけるＣｒ濃度の高い領域において漏洩磁束が増すという事項（推論）が示され（【００１７】）、合金相（Ｂ）が球形であることにより、中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が容易に形成されるという事項が示され（【００１８】）、少なからずＣｒの濃度が低い領域と高い領域が存在し、このような濃度変動の大きな場所では格子歪みが存在することで漏洩磁束が増すという事項（推論）が示されている（【００１６】）ので、漏洩磁束を増加させる主要因は、Ｃｒ濃度の高い領域（大きな濃度変動）を存在させることにあるとみるのが妥当であり、また、【００１６】において、「格子歪みがあると、Ｃｏ原子が持つ磁気モーメントは互いに非平衡状態をとるため、これらの磁気モーメントの向きを揃えるためには、より強力な磁場が必要となる」という事項が示されているとしても、これは、Ｃｏの濃度変動による格子歪みにより漏洩磁束が増加することを明示するものではなく、さらに、仮に、Ｃｏの濃度変動による格子歪みにより漏洩磁束が増加するとしても、実施例７、９における「Ｃｏの濃度変動に基づく漏洩磁束の増加の程度」を把握することはできず、そして、本件明細書の【０００８】には、「一般に、上記のようなマグネトロンスパッタ装置で非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタしようとすると、磁石からの磁束の多くは強磁性材であるターゲット内部を通過してしまうため、漏洩磁束が少なくなり、スパッタ時に放電が立たない、あるいは放電しても放電が安定しないという大きな問題が生じる。この問題を解決するには、ターゲット中の非磁性材粒子の体積比率を増やすことや、Ｃｏの含有割合を減らすことが考えられる。しかし、この場合、所望のグラニュラー膜を得ることができないため本質的な解決策ではない。」との記載があることからして、Ｃｏの含有割合を低くすると漏洩磁束は増加するといえるものの、この【０００８】を基にして、実施例７、９における「Ｃｏの濃度変動に基づく漏洩磁束の増加の程度」を把握することもできない。
　そうすると、実施例７、９のターゲットは、仮に、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮されたＣｏ濃度の高い領域があり外周に近づくにつれてＣｏ濃度が低くなるものであるとしても、「球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が、６％（実施例７、９）向上」するのは、「Ｃｒの濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであ」ることによるとみるのが妥当である。
　したがって、実施例７、９は、訂正事項’までも意図するものではないと解するのが自然である。
　
　そして、本件明細書等の他の箇所をみたとしても、訂正事項’は示されていない。
　
　上記からして、訂正事項’、つまり、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット中の球形の合金相（Ｂ）に関し、「Ｃｏ」「の濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであり、球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が５％以上向上している」との事項を訂正内容とする訂正事項１〜３は、本件明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係で新たな技術的事項を導入するものであるといえるので、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものとは認められない。  
　上記に関連して、被請求人は、令和１年１１月１９日提出の意見書において、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット中の球形の合金相（Ｂ）に関し、「Ｃｏ」「の濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであ」ることは、【００１５】【００１６】【００１８】【００８３】【図】等からして、本件明細書等に記載された事項であり、さらに、「球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が５％以上向上している」ものに限定されているので、新規事項の追加に該当せず、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものである旨の主張をしているが、上記で検討したように、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット中の球形の合金相（Ｂ）に関し、「Ｃｏ」「の濃度変動の程度は、中心付近に濃度が２５ｍｏｌ％以上に濃縮された濃度の高い領域があり外周に近づくにつれて濃度が低くなるものであり、球形の合金相（Ｂ）が存在しないときと比べて平均漏洩磁束が５％以上向上している」との事項は、新規事項の追加に該当するといわざるを得ないので、上記被請求人の主張を採用することはできない。
　　
（３）小括
　したがって、訂正事項１〜３は、特許法第１３４条の２第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものではない。
　そして、上記「２−４　訂正の内容」で示したように、訂正後の請求項５〜８は、訂正事項５〜８に係る訂正がなされたものであり、上記「２−３　訂正の理由」で示したように、訂正後の請求項１〜３、５〜８は、一群の訂正単位であることからして、訂正事項５〜８について、及び、他の訂正要件について検討するまでもなく、訂正後の請求項〔１−３、５−８〕についての訂正を認めることはできない。
　
２−５−２　訂正後の請求項〔４、９−１３〕について
（１）訂正後の請求項４、９〜１３は、訂正事項４、９〜１３に係る訂正がなされたものであるところ、以下、訂正事項４、訂正事項９〜１３が訂正要件を満たすものであるか否かについて検討する。
［訂正事項４］について
　訂正事項４は、訂正前の請求項４が、同請求項１〜３の記載を引用する記載であるところ、同請求項２、３を引用しないものとした上で同請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第１３４条の２第１項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項４の内容は、訂正前の特許請求の範囲に記載された事項の範囲内のものであることからして、本件明細書等の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。
　
［訂正事項９］について
　訂正事項９は、訂正前の請求項４が、同請求項１〜３の記載を引用する記載であるところ、新たに請求項９として新設して、同請求項１、３を引用しないものとした上で同請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第１３４条の２第１項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項９の内容は、訂正前の特許請求の範囲に記載された事項の範囲内のものであることからして、本件明細書等の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。
　
［訂正事項１０］について
　訂正事項１０は、訂正前の請求項４が、同請求項１〜３の記載を引用する記載であるところ、新たに請求項１０として新設して、同請求項１、２を引用しないものとした上で同請求項３を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めるための訂正であって、特許法第１３４条の２第１項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること。」を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項１０の内容は、訂正前の特許請求の範囲に記載された事項の範囲内のものであることからして、本件明細書等の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。
　
［訂正事項１１］について
　訂正事項１１は、訂正前の請求項５が、同請求項１〜４の記載を引用する記載であるところ、新たに請求項１１として新設して、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項２、３を引用しないものとした上で同請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めた請求項４」、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項１、３を引用しないものとした上で同請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めて新設した請求項９」、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項１、２を引用しないものとした上で同請求項３を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めて新設した請求項１０」を選択的に引用するための訂正であって、特許法第１３４条の２第１項ただし書き第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項１１の内容は、訂正前の特許請求の範囲に記載された事項の範囲内のものであることからして、本件明細書等の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。
　　
［訂正事項１２］について
　訂正事項１２は、訂正前の請求項６が、同請求項１〜５の記載を引用する記載であるところ、新たに請求項１２として新設して、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項２、３を引用しないものとした上で同請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めた請求項４」、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項１、３を引用しないものとした上で同請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めて新設した請求項９」、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項１、２を引用しないものとした上で同請求項３を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めて新設した請求項１０」を選択的に引用するための訂正であって、特許法第１３４条の２第１項ただし書き第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項１２の内容は、訂正前の特許請求の範囲に記載された事項の範囲内のものであることからして、本件明細書等の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。
　
［訂正事項１３］について
　訂正事項１３は、訂正前の請求項８が、同請求項１〜７の記載を引用する記載であるところ、新たに請求項１３として新設して、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項２、３を引用しないものとした上で同請求項１を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めた請求項４」、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項１、３を引用しないものとした上で同請求項２を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めて新設した請求項９」、「訂正前の請求項１〜３の記載を引用する同請求項４を、同請求項１、２を引用しないものとした上で同請求項３を引用するものについて請求項間の引用関係を解消して独立形式請求項へ改めて新設した請求項１０」を選択的に引用するための訂正であって、特許法第１３４条の２第１項ただし書き第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。
　そして、訂正事項１３の内容は、訂正前の特許請求の範囲に記載された事項の範囲内のものであることからして、本件明細書等の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項に適合するものである。
　
（２）一群の請求項に関する説明
　上記「２−３　訂正の理由」で示したように、訂正後の請求項４、９〜１３は、一群の訂正単位である。
（３）特許独立要件について 
　訂正事項４、９〜１３は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第４号に掲げる事項を目的とするものであり、同ただし書第１号又は第２号に掲げる事項を目的にするものではないから、訂正後の請求項４、９〜１３について、特許法第１３４条の２第９項で読み替えて準用する特許法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
（４）小括
　したがって、訂正事項４、９〜１３は、特許法第１３４条の２第１項ただし書第４号の規定に適合し、かつ、特許法第１３４条の２第９項で準用する特許法第１２６条第５項及び第６項にも適合するので、訂正後の請求項〔４、９−１３〕について訂正することを認める。
２−５ー３　まとめ
　以上のとおり、訂正後の請求項〔４、９−１３〕について訂正することを認め、訂正後の請求項〔１−３、５−８〕について訂正することは認められない。
　
第３　本件発明  
　上記「第２　訂正の適否について」で示したとおり、訂正後の請求項〔４、９−１３〕について訂正することを認め、訂正後の請求項〔１−３、５ー８〕について訂正することは認められないので、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜３、５〜８に係る発明は、特許設定登録時の特許請求の範囲の請求項１〜３、５〜８の記載により特定され、本件特許の特許請求の範囲の請求項４、９〜１３に係る発明は、令和１年１０月２日提出の手続補正書に添付された訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲の請求項４、９〜１３の記載により特定される次のとおりのものである（以下、請求項の項番に従って、「本件発明１」などといい、全体をまとめて「本件発明」という。）。 
「【請求項１】
　Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項２】
　Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項３】
　Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｂが０．５ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項４】
　
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
　
このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、
　
前記
非
【請求項５】
　球形の合金相（Ｂ）の直径が、５０〜２００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項６】
　非磁性材料が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂからなる酸化物、窒化物若しくは炭化物又は炭素から選択した１成分以上含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項７】
　ターゲット中で、非磁性材料の体積比率が３０％以下であることを特徴とする請求項６に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項８】
　相対密度が９８％以上であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項９】
　
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
　
このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、
　
前記球形の合金相（Ｂ）は、中心部がＣｒ２５ｍｏｌ％以上であって、中心部から外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項１０】
　
Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、Ｂが０．５ｍｏｌ％以上８ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットであって、
　
このターゲットの組織が、合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し、
前記球形の合金相（Ｂ）は、中心部がＣｒ２５ｍｏｌ％以上であって、中心部から外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることを特徴とする非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項１１】
　
前記球形の合金相（Ｂ）の直径が、５０〜２００μｍの範囲にあることを特徴とする請求項４、９、１０のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項１２】
前記非磁性材料が、Ｃｒ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｂからなる酸化物、窒化物若しくは炭化物又は炭素から選択した１成分以上含むことを特徴とする請求項４、９、１０のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
【請求項１３】
相対密度が９８％以上であることを特徴とする請求項４、９、１０のいずれか一項に記載の非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。
　
第４　請求人の主張  
４−１　請求人が審判請求時において主張する無効理由 （概要） 
（１）無効理由１  
　特許請求の範囲の請求項２、４〜８に係る発明は、本件特許の優先日前に日本国内において頒布された甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当するので、無効とされるべきものである。  
（当審注：上記「特許請求の範囲の請求項４〜８」は、同請求項２を引用することを意味しており、「無効理由２」についても同様である。）
　　
（２）無効理由２  
　特許請求の範囲の請求項２、４〜８に係る発明は、本件特許の優先日前に日本国内において頒布された甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当するので、無効とされるべきものである。  
　
（３）無効理由３  
　特許請求の範囲の請求項１〜８の記載は、特許を受けようとする発明が発明の詳細な説明に記載したものであるといえず、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合しないので、特許法第１２３条第１項第４号に該当するので、無効とされるべきものである。  
　
４−２　請求人の提出した証拠方法  
　請求人は、次の甲各号証を提出した（以下、「甲１」などという。）  
○甲第１号証：特開２００８−１６３４３８号公報  
○甲第２号証：実験成績報告書（平成２６年８月２８日、田中貴金属工業株式会社　山本俊哉作成）  
○甲第３号証：特開２００８−１６９４６４号公報  
○甲第４号証：特開２００９−１８６０号公報  
○甲第５号証：特開２００９−１３２９７５号公報  
○甲第６号証：製品安全データシート（２００３年１１月７日改訂　株式会社アドマテックス製造「アドマファインシリカ」）  
○甲第７号証：単体の密度（理科年表平成１５年、丸善（株）、国立天文台編）  
○甲第８号証：大阪特殊合金株式会社　合金粉末の知識  
　　　　http://www.gasatomize.com/knowledge.html　2013/06/24印刷 
○甲第９号証：高橋研、斉藤伸、角田匡清、機能性薄膜作製のためのスパッタリングターゲット　−技術課題と今後への指針−、J.Vac.Soc.Jpn.(真空)、Vol.50、No.1、2007、22-2頁  
○甲第１０号証：篩目開きと粒度メッシュ  
　　　　http://www.calgoncarbon-jp.com/product/catalog/list.html　2015/02/03印刷  
○甲第１１号証：用語集　メッシュ計算  
　　　　http://www.kansai-kakou.com/yougoshyuu.html　2015/03/02印刷  
○甲第１２号証：ＪＩＳ試験篩いメッシュ換算表  
○甲第１３号証：石田恒雄著、「焼結材料工学」、第１版第２刷、森北出版株式会社、１９９８年１２月１８日、ｐ．７３−７５　
　
第５　被請求人の主張  
５−１　被請求人の答弁書における主張（概要）  
（１）無効理由１について  
　特許請求の範囲の請求項２、４〜８に係る発明は、本件特許の優先日前に日本国内において頒布された甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第１２３条第１項第２号に該当しないので、無効とされるべきものではない。
　
（２）無効理由２について  
　特許請求の範囲の請求項２、４〜８に係る発明は、本件特許の優先日前に日本国内において頒布された甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、特許法第１２３条第１項第２号に該当しないので、無効とされるべきものではない。　
（３）無効理由３について  
　特許請求の範囲の請求項１〜８の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合し、同法第１２３条第１項４号に該当しないので、無効とされるべきものではない。  
　
５−２　被請求人の提出した証拠方法  
○乙第１号証：漏洩磁束の数値計算に関する陳述書（２０１４年７月１５日、桃井元作成）  
　
第６　無効理由１について  
６−１　はじめに
　請求人が審判請求時に主張する無効理由１は、上記「第４、４−１、（１）」で示した「特許請求の範囲の請求項２、４〜８に係る発明は、本件特許の優先日前に日本国内において頒布された甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当するので、無効とされるべきものである。」というものであるところ、甲第２号証（以下、単に「甲２」ということもある。他の甲号証についても同じ。）は、本件優先日前に日本国内において頒布された刊行物に該当しないことは明らかであり、また、甲２に記載された発明が、本件優先日前に公然知られた発明であるとも、公然実施された発明であるとすることもできない。
　このため、甲２を、無効理由１の証拠とすることはできないので、以下では、無効理由１の主張は、甲第１号証に記載された発明に基く容易想到性の主張であるとする。  
　ここで、審判請求時の無効理由１の対象となる発明は、特許設定登録時の請求項２に係る発明、及び同請求項２を引用する請求項４〜８に係る発明であるところ、本件発明１〜１３における無効理由１の対象になる発明は、本件発明２、及び特許設定登録時の請求項２に係る発明に関連する本件発明５〜９、１１〜１３になるので、上記「特許請求の範囲の請求項２、４〜８に係る発明」を、以下、「本件発明２、５〜９、１１〜１３」に置き換えて検討することとする。　
　
６−２　刊行物に記載された発明  
（１）甲１について  
　甲１には、次の事項が記載されている。  
ア　甲１の記載事項  
（ア）「【特許請求の範囲】  
【請求項１】  
　コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するスパッタリングターゲットであって、該スパッタリングターゲット内に偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子の最大差し渡し径が４０μｍ以下であることを特徴とするＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲット。」  
　
（イ）「【０００９】  
　したがって、本発明では、コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲット内に偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子のサイズおよび発生量を低減することにより、ターゲットの均質性を高め、かつノジュールまたはアーキングの発生を抑制するとともに、目標とする組成比を有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。」  
　
（ウ）「【００２３】  
　ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットにおいては、一般にクロム原子を高濃度で含んだ高クロム含有粒子が偏在している、いわゆるクロムリッチ相が存在している。本発明のスパッタリングターゲットでは、この高クロム含有粒子の大きさまたは存在数を抑制したものである。  
【００２４】  
　図１および図２は、コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットの表面を、走査型分析電子顕微鏡で捉えた画像である。図１はセラミックスである二酸化ケイ素を黒色表示したものであり、図２はクロムリッチ相を白色表示したものである。図２から、白色で示された高クロム含有粒子が偏在していることがわかる。」  
　
（エ）「【００２６】  
　図３は、図２における高クロム含有粒子を模式的に表したものである。本明細書において、高クロム含有粒子の「差し渡し径」とは、高クロム含有粒子が占める領域のうち、最も長い径を意味し、具体的には図３の１０に示される径である。したがって、「最大差し渡し径」とは、複数の高クロム含有粒子が有する差し渡し径のうち、最も大きい値を示す差し渡し径を意味する。」
　
（オ）「【００２９】  
　本発明では、ターゲット内に偏在する複数の高クロム含有粒子のうち、その最大差し渡し径が４０μｍ以下であるので、高クロム含有粒子を一定以下の大きさに抑制して、スパッタリングの際のノジュールまたはアーキングの発生を低減することが可能となる。また、このように高クロム含有粒子を一定以下の大きさに抑制することで、より均質性の高いＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットを得ることができる。」  
　
（カ）「【００３５】  
　《第一の方法》  
　第一の方法は、コバルトとクロムとを含む合金をアトマイズし、次いで粉砕することにより粉末（１）を得るＡ工程と、  
　コバルトとセラミックスとをメカニカルアロイングすることにより粉末（２）を得るＢ工程と、  
　粉末（１）と粉末（２）と白金とを混合し、粉末（３）を得るＣ工程と、
　粉末（３）を焼成するＤ工程とを  
有することを特徴としている。」  
　
（キ）「【実施例】  
【００６６】  
　以下、本発明を実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。  
　［実施例１］：第一の方法によるＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットの製造  
　Ｃｏ６０Ｃｒ４０の合金１．５ｋｇを超小型ガスアトマイズ装置（日新技研社製）を用い、出湯温度１６５０℃（放射温度計で測定）下、５０ｋｇ／ｃｍ２のＡｒガスを噴射してガスアトマイズすることにより粉末を得た。得られた粉末は平均粒径１５０μｍ以下の球状粉末であった。  
【００６７】  
　次いで、得られた粉末を大気雰囲気下、ジルコニアボールミルにて、ボールと粉末との重量比を２０：１とし、回転速度５０ｒｐｍ、回転時間６時間に設定して粉砕し、粉末（１）を得た。  
【００６８】  
　Ｃｏ粉末（添川理化学社製：平均粒径約２μｍ、Ｄ９０６．７１、Ｄ５０４．２９）とＳｉＯ２粉末（アドマテックス社製：平均粒径約２μｍ、Ｄ９０２．８７、Ｄ５０１．５２）とを重量比で１：２となるようにメカニカルアロイングした。メカニカルアロイングは、容積２Ｌの樹脂製ミル容器内に、該容器にφ５ｍｍのジルコニア製ボールと、前記Ｃｏ粉末とＳｉＯ２粉末とを投入して、ボールとこれらの粉末との重量比を１：４０とし、回転速度５０ｒｐｍ、回転時間１２０時間に設定して行い、粉末（２）を得た。  
【００６９】  
　これら得られた粉末（１）および粉末（２）に、さらにＰｔ粉末（田中貴金属社製：平均粒径約０．５μｍ、Ｄ９０１．７８、Ｄ５００．５８）および上記と同様のＣｏ粉末を投入して、Ｃｏ６４Ｃｒ１０Ｐｔ１６(ＳｉＯ２)１０の組成比となるように混合し、粉末（３）を得た。混合にはボールミルを用いた。  
【００７０】  
　得られた粉末（３）は、さらに振動ふるいを用いて整粒した。  
　次いで、粉末（３）を成形型に入れ、Ａｒ雰囲気下、焼結温度１１５０℃、焼結時間１時間、面圧力２００ｋｇｆ／ｃｍ２に設定し、ホットプレスを行った。得られた焼結体を切削加工することにより、φ４インチのスパッタリングターゲットを得た。」  
　
（ク）「【００７２】  
　［比較例１〜２］  
　粉末（１）を得るためのジルコニアボールミルを用いた粉砕工程において、回転時間を０時間または３時間に設定した以外は、実施例１と同様の方法によりスパッタリングターゲットを得た。」  
　
（ケ）「【００８６】  
　上記結果を表１に示す。  
【００８７】  
【表１】
【図面の簡単な説明】  
【００８８】  
【図１】走査型分析電子顕微鏡で捉えたコバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットの表面において、セラミックス（ＳｉＯ２）を黒色表示した画像である。  
【図２】走査型分析電子顕微鏡で捉えたコバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットの表面において、高クロム含有粒子を白色表示した画像である。  
【図３】図２における高クロム含有粒子を模式的に表したものである。」　
　
（コ）「 
　【図１】
　
　
　【図２】
　
　
　【図３】
　
　　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」　 
イ　甲１に記載された発明  
ａ　ターゲットの組成について  
　記載事項（ア）によれば、甲１には、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ及びセラミックスを含有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットに関する発明が記載されている。そして、同（キ）（ク）によれば、比較例１で製造されたターゲットは、Ｃｏ６４Ｃｒ１０Ｐｔ１６(ＳｉＯ２)１０の組成式を有し、セラミックスとしてはＳｉＯ２が使用され、同（ケ）によれば、ターゲットのＣｒ最大差し渡径は７０μｍ、高クロム含有粒子のＣｒ濃度は２１．３原子％である。  
　そして、ターゲットの組成式から、合金中のＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔのモル比は、７１：１１：１８（６４÷（６４＋１０＋１６）：１０÷９０：１６÷９０）となるので、甲１の比較例１には、Ｃｒが１１ｍｏｌ％、Ｐｔが１８ｍｏｌ％、残余がＣｏである合金とセラミックスを含む焼結体からなるＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットが記載されている。
　
ｂ　ターゲットの組織について  
　甲１には、比較例１で製造されたターゲットのＳＥＭによる組織写真は示されていないので、甲１に記載された比較例１の発明（以下、「甲１発明」という。）に係るターゲットの組織は具体的には明らかではない。このため、甲１発明に係るターゲットの組織を本件発明２に係る組織と直接比較することはできない。  
　しかし、次の理由により、甲１発明に係るターゲットの組織は、【図１】〜【図３】で示される組織に近似したものと理解することが合理的である。
　すなわち、甲１の記載事項（イ）によれば、甲１に記載された発明は、コバルト、クロム、セラミックスおよび白金を含有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットにおいて、該スパッタリングターゲット内に偏在する、クロム原子を高濃度で含有する高クロム含有粒子のサイズ及び発生量を低減することを解決すべき課題にするものであり、同（ウ）によれば、高クロム含有粒子は偏在する領域を形成し、この領域がクロムリッチ相である。そして、甲１においては、高クロム含有粒子が占める領域のうち最も長い径が高クロム含有粒子の「差し渡し径」であり、複数の高クロム含有粒子が有する差し渡し径のうち最大の値を「最大差し渡し径」と定義し（同（エ））、さらに、甲１に記載された発明では、高クロム含有粒子の最大差し渡し径を４０μｍ以下に抑制することを解決手段とするものである（同（オ））。  
　ここで、【図１】〜【図３】（同（コ））は、甲１に記載されたＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲット表面のＳＥＭ画像及び模式図であるが（同（ウ））、その組織は、ＳｉＯ２が微細分散したマトリックス中に、微細な高クロム含有粒子が偏在した領域（クロムリッチ相）が形成されたものであることを確認できる。  
　そして、甲１発明（比較例１）は、実施例１とは、その製造工程においてＣｏＣｒ合金粉末の粉砕を行うか否かのみが相違し（同（キ）（ク））、甲１に記載された発明の実施例と比較例をまとめた表１（同（ケ））によれば、比較例１ではＣｒ最大差し渡し径が７０μｍであり、甲１に記載された発明が課題解決手段とする最大差し渡し径が４０μｍ以下の数値範囲から逸脱するために比較例とされている。  
　したがって、甲１発明（比較例１）のターゲットの組織は、甲１に記載された発明の実施例の図１〜３（同（コ））に示される組織に近似したものであって、ＳｉＯ２が微細分散したマトリックス中に、微細な高クロム含有粒子が偏在した領域が形成された組織であるということができる。  
　
ｃ　甲１発明  
　以上のとおりであるので、甲１発明は、次のものである。  
「Ｃｒが１１ｍｏｌ％、Ｐｔが１８ｍｏｌ％、残余がＣｏである合金とセラミックスを含むＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットであって、そのターゲット組織が、ＳｉＯ２が微細分散したマトリックス中に、微細な高クロム含有粒子が偏在した領域を有しているＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲット。」  
　
（２）甲２について  
　甲２は、請求人が甲１の比較例１を追試したと主張する実験成績報告書であり、該比較例１を再現したと請求人が主張するターゲット（以下、「甲２発明」という。）について、その組織、高クロム含有粒子の形状及びクロムの濃度分布等が記載されている。特に、第５頁には、ＥＰＭＡで観察したＳＥＭ写真が図１２として以下のとおり示され、「ＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックス合金相の中に、ＳｉＯ２粒子を含まない大きな球形の合金相が分布している」（第５頁５〜７行）。また、甲２の７頁の表１等の記載からすれば、この球形の合金相はＣｏ−Ｃｒ合金である。  
「  
　
　　　　　　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」  
 　　　　 
６−３　対比と判断  
（１）対比  
　甲１発明の「セラミックス」、「ＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲット」は、それぞれ、本件発明２の「非磁性材粒子」、「非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット」に相当することは明らかであり、甲１発明のターゲットを構成する合金の組成比は、本件発明２の合金の組成比の数値範囲に包含されるので、本件発明２と甲１発明とは、「Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットである、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」である点で一致し、少なくとも、次の点で相違する。  
　本件発明２のターゲットの組織が、「合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し」ているのに対し、甲１発明のターゲットの組織は、「ＳｉＯ２が微細分散したマトリックス中に、微細な高クロム含有粒子が偏在した領域を有している」点（以下、「相違点１」という）。 
　
（２）判断  
　上記相違点１について検討する。  
　甲１発明のターゲットの組織は、ＳｉＯ２が微細分散したマトリックス中に、「微細な高クロム含有粒子が偏在した領域」が形成された組織であり、同（ケ）の段落【００８８】によれば、高クロム含有粒子は【図２】の白色表示されたものであり、【図２】では微細な高クロム含有粒子が偏在して存在していることが確認でき、【図３】ではこの領域が模式的に示されているところ、【図３】を参照すれば、甲１発明における「微細な高クロム含有粒子が偏在した領域」の高クロム含有粒子は、球形をしているといえないことは明らかである。また、甲１には、甲１発明の「微細な高クロム含有粒子が偏在した領域」を球形に変更することについて、記載されていないばかりでなく、これを示唆する記載もない。  
　したがって、本件発明２は、他の相違点について検討するまでもなく、甲１発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。  
　
６−４　請求人の主張について  
（１）甲１’発明について  
ア　請求人の主張
　請求人は、本件発明２、５〜９、１１〜１３に関する無効理由１の主張において、甲１発明の「高クロム含有粒子」の偏在により形成される記載事項（ウ）の「クロムリッチ相」が１つの巨大な粒子であり、本件発明２の「球形の合金相（Ｂ）」に相当するものであると主張する（口頭審理陳述要領書第２１頁５〜１５行）。  
　
イ　甲１’発明の認定  
　上記甲１発明では、ターゲット組織は、「微細な高クロム含有粒子が偏在した領域」を有しているとしたが、記載事項（ケ）の【００８８】に記載された【図２】、【図３】に関する説明によれば、白色表示された高クロム含有粒子は微細な粒子が偏在したものではなく一つの高クロム含有粒子であると解することもできる。その場合には、甲１に記載された比較例１のターゲット組織は、ＳｉＯ２が微細分散したマトリックス中に、一つの高クロム含有粒子を有する組織となる。  
　そうすると、甲１に記載された発明を次のとおり認定することができる（以下、「甲１’発明」という。）。  
「Ｃｒが１１ｍｏｌ％、Ｐｔが１８ｍｏｌ％、残余がＣｏである合金とセラミックスを含むＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲットであって、そのターゲット組織が、ＳｉＯ２が微細分散したマトリックス中に、一つの高クロム含有粒子を有するＣｏＣｒＰｔ系スパッタリングターゲット。」  
　
ウ　判断  
　ターゲット組織に関し、甲１発明と甲１’発明は、甲１発明では「微細な高クロム含有粒子が偏在した領域」を有するのに対し、甲１’発明では「一つの高クロム含有粒子」を有する点でのみ相違するものである。  
　したがって、本件発明２と甲１’発明とは、本件発明２と甲１発明との一致点と同一の点で一致し、少なくとも、次の点で相違する。  
　本件発明２のターゲットの組織が、「合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し」ているのに対し、甲１’発明のターゲットは、その組織が、「ＳｉＯ２が微細分散したマトリックス中に、高クロム含有粒子を有している」点（以下、「相違点１’」という）。  
　そこで、相違点１’について判断するに、甲１の【図３】に示されるような高クロム含有粒子を、一つの高クロム含有粒子と理解したとしても、上記【図３】において、高クロム含有粒子が球形であるとすることはできないし、これを球形とすることが甲１に示唆されているとすることもできない。  
　したがって、本件発明２は、他の相違点について検討するまでもなく、甲１’発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとすることもできない。　　　  
　よって、甲１’発明に関する請求人の主張を採用することはできない。
　
（２）甲２について  
ア　請求人の主張　
　請求人は、甲１の比較例１を追試したと主張する実験成績報告書（甲２）を提出し、甲２の記載を参酌して甲１発明を理解すべきであり、甲２に示されるターゲットは本件発明２と実質的な差異はないので、本件発明２は甲１発明及び甲２発明に基いて当業者が容易に想到し得たものであると主張する（口頭審理陳述要領書１２、１３頁）。  
　
イ　判断
　甲２発明のターゲットの組織は、甲２の図１２を参照すると、Ｃｏ−Ｃｒ合金からなる球形の合金相が観察され、差し渡し径を甲１の定義（記載事項（エ））にそって測定すると概ね１００μｍ以上となっており、甲１発明（比較例１）において観察されるはずの７０μｍよりかなり大きな値となっている。また、甲２発明のターゲットの組織には、甲２の図１２〜１５をみても、甲１発明において観察されるはずの、最大差し渡し径が７０μｍである微細な高クロム含有粒子が偏在した領域は、その存在を確認できない。  
　これらの点から、甲１の記載から想定される甲１発明のターゲットの組織と、甲２発明のターゲットの組織は全く相違するものであるので、甲２発明は、甲１に比較例１として実質的に記載された発明とすることもできない。
　したがって、甲２の記載を参酌して甲１発明を理解すべきであるという請求人の主張は、採用することができない。  
　
（３）弁駁書（平成２７年９月１４日提出）における主張 
ア　請求人の主張
　請求人は、弁駁書の第２、１．（１）ア（第８〜９頁）において、一次審決の予告で示された上記判断に対し、概ね次の２点を主張する。 
ａ．審判官合議体は、甲１実施例の写真である【図１】〜【図３】と本件発明２との判断手法を採っている点で適切ではなく、甲１比較例１と本件発明２とを対比して進歩性を判断すべきであった。 
ｂ．審判官合議体は、甲２の図１２に観察される粒子の差渡し径が７０μｍを超えているという一事をもって、甲２に基づく請求人の主張を排斥しているが、甲１においては、０．６×０．５ｍｍ２視野内での観察結果に過ぎないので、甲１比較例１のターゲットに大きな差渡し径の粒子が含まれていたとしても不自然ではないことを考慮すべきである。 
　
イ　判断
　まず、主張ａについて検討する。 
　甲１には、比較例１で製造したターゲット組織を示す図面は示されていないので、請求人が主張するような甲１比較例と本件発明２のターゲット組織を直接対比することはできない。そこで、上記第６、６−３、（２）で述べたとおり、甲１比較例１のターゲットの組織を、実施例のターゲット組織の示す【図１】〜【図３】に近似したものと合理的に認定したものである。
　したがって、請求人の主張ａは失当である。 
　次に、主張ｂについて検討する。 
　甲１比較例１のターゲット組織は、甲１の【図１】〜【図３】に示される組織に近似したものであるので、微細な高クロム含有粒子が偏在した領域が存在しなければならない。しかし、甲２では、ＳｉＯ２粒子が微細分散したマトリックス合金相中の球形の合金相１〜５（第５頁３〜７行、図１２）について、Ｃｏ、Ｃｒ等の濃度分布の分析（第６〜７頁、図１３、１４、表１）、長軸と短軸の測定（第７頁、表２）が行われているものの、微細な高クロム含有粒子が偏在した領域について観察されていない。 
　このため、甲２発明のターゲット組織は甲１発明のターゲット組織とは全く相違するものと解釈するほかなく、この解釈は、甲２発明のターゲット組織には、最大差渡し径が７０μｍである微細な高クロム含有粒子が偏在した領域の確認ができないこと以前のものであり、これしか挙げなかったことをもって、上記解釈が否定されることにはならないといえるので、請求人の主張ｂも失当である。 
　したがって、無効理由１に関する請求人の弁駁書の主張ａ、ｂは、いずれも採用することができない。
　
６−５　無効理由１のまとめ  
　したがって、本件発明２は、他の相違点を検討するまでもなく、甲１発明あるいは甲１’発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　また、本件発明５〜９、１１〜１３についても、上記相違点１に係る特定事項を有するので、上記と同様の理由により、甲１発明あるいは甲１’発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。 
　よって、無効理由１には理由がない。  
　
第７　無効理由２について  
７−１  はじめに
　請求人が審判請求時に主張する無効理由２は、上記第４、４−１、（２）で示した「特許請求の範囲の請求項２、４〜８に係る発明は、本件特許の優先日前に日本国内において頒布された甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、同法第１２３条第１項第２号に該当するので、無効とされるべきものである。」というものである。
　ここで、無効理由２の対象となる発明は、「第６　無効理由１について」と同じく、本件発明２、及び特許設定登録時の請求項２に係る発明に関連する本件発明５〜９、１１〜１３となるので、上記「特許請求の範囲の請求項２、４〜８に係る発明」を、以下、「本件発明２、５〜９、１１〜１３」に置き換えて検討することとする。　
　
７−２　刊行物に記載された発明  
（１）甲３について  
　甲３には、次の事項が記載されている。  
ア　甲３の記載事項  
（サ）「【技術分野】  
　【０００１】  
　本発明は、スパッタターゲット及びその製造方法に関し、特に、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又は鉄（Ｆｅ）から成る第１の物質と、炭素（Ｃ）、炭素（Ｃ）含有物質、炭化物、窒素（Ｎ）含有物質、窒化物、珪素（Ｓｉ）、珪素（Ｓｉ）含有物質、珪化物、酸素（Ｏ）含有物質、酸化物、ホウ素（Ｂ）、ホウ素（Ｂ）含有物質又はホウ化物から成る第２の物質とを、少なくとも含有する複数の物質から成るスパッタターゲットに関し、更に、前記スパッタターゲットの製造方法及び前記スパッタターゲットよって製造される製造物に関する。」  
　
（シ）「【００４２】  
　図２は、１つの態様として、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉスパッタターゲットの代表的なミクロ組織を示したものである。前記スパッタターゲットは、１００メッシュのコバルト（Ｃｏ）粉末を２９．５３ｗｔ．％、１００メッシュのＣｏ−２４．２２Ｃｒ粉末を２７．７３ｗｔ．％、０ミクロンより大きいながら５ミクロンより小さいＳｉＯ２粉末を６．１３ｗｔ．％及び白金（Ｐｔ）粉末を３６．６１ｗｔ．％用いて製造される。製造したスパッタターゲットは、例えば、第１の物質、第２の物質及び第３の物質を含む。前記第１の物質は、Ｃｏ（例えばＣｏ−Ｃｒ母合金又はＣｏ）から成る。前記第２の物質は、酸化物から成り、さらに具体的には、この例ではＳｉＯ２から成る。前記第３の物質は、白金（Ｐｔ）から成る。前記第１の物質は第１の相を構成し、前記第２の物質は第２の相を構成し、そして、前記第３の物質は第３の相を構成する。前記第２の物質の第２の相は、５０ミクロン以下の平均サイズを有する。  
　【００４３】  
　前記スパッタターゲットは、図２において、色の暗い部分で示されたＣｏ相、Ｃｏ−Ｃｒ母合金相及びＳｉＯ２化合物相、並びに色の明るい部分で示されたＰｔ相を含む。この例では、ＳｉＯ２化合物相は、１０ミクロン以下（例えば、５ミクロン以下）の平均サイズを有する。」  
　
（ス）「【図面の簡単な説明】  
　【００５８】  
　・・・。  
【図２】本発明の一態様による圧密化された（Ｃｏ７４Ｃｒ１０Ｐｔ１６）９２−（ＳｉＯ２）８合金の典型的なミクロ組織を示す図である。」  
　
（セ）「　【図２】  
　
  　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」  
　
（２）甲３に記載された発明  
　記載事項（サ）によれば、甲３には、コバルト（Ｃｏ）等の第１の物質と炭素（Ｃ）や酸化物等の第２の物質を少なくとも有するスパッタターゲットに関する発明が記載されており、その１つの態様として、同（シ）には、【図２】に示されるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉスパッタターゲットが記載されている。該ターゲットの組成は、同（ス）によれば、（Ｃｏ７４Ｃｒ１０Ｐｔ１６）９２−（ＳｉＯ２）８合金であるので、金属成分の割合は、Ｃｒが１０ｍｏｌ％、Ｐｔが１６ｍｏｌ％、残余がＣｏである。また、そのミクロ構造は、同（シ）によれば、Ｃｏ−Ｃｒ母合金相、Ｃｏ相、ＳｉＯ２化合物相及びＰｔ相からなる。この４相からなることは、同（セ）の【図２】からも確認することができる。  
　したがって、甲３には次の発明が記載されている（以下、「甲３発明」という。）。  
　「Ｃｒが１０ｍｏｌ％、Ｐｔが１６ｍｏｌ％、残余がＣｏである合金と、ＳｉＯ２の混合体からなる焼結体スパッタターゲットであって、このターゲットの組織が、Ｃｏ−Ｃｒ母合金相、ＳｉＯ２化合物相、Ｃｏ相及びＰｔ相からなるＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉスパッタターゲット。」  
　
（３）甲４について  
　甲４には、発明の名称を「比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット」とする発明が記載されている。  
　
７−３　対比と判断  
（１）対比  
　甲３発明のＣｒ、Ｐｔ及びＣｏの組成割合は、本件発明２のそれぞれの組成割合に包含される。また、甲３発明の「ＳｉＯ２化合物相」及び「Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉスパッタターゲット」が、本件発明２の「非磁性材粒子」及び「非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット」に相当することは明らかである。このため、本件発明２と甲３発明とは、「Ｃｒが５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏである合金と非磁性材粒子との混合体からなる焼結体スパッタリングターゲットである、非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲット。」である点で一致し、少なくとも、次の点で相違する。  
　本件発明２のターゲットの組織が、「合金の中に前記非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）と、前記相（Ａ）の中に、ターゲット中に占める体積の比率が４％以上４０％以下であり、長軸と短軸の差が０〜５０％である球形の合金相（Ｂ）とを有し」ているのに対し、甲３発明のターゲットの組織は、Ｃｏ−Ｃｒ母合金相、ＳｉＯ２化合物相、Ｃｏ相及びＰｔ相からなり、本件発明２の上記相（Ａ）及び合金相（Ｂ）に対応する相を有するか明らかではない点（以下、「相違点２」という。）  
　
（２）判断  
　上記相違点２について検討する。  
　本件発明２のターゲットは、相（Ａ）と球形の合金相（Ｂ）の２相からなり、甲３発明のものは、Ｃｏ−Ｃｒ母合金相、ＳｉＯ２化合物相、Ｃｏ相及びＰｔ相の４相からなる。そして、甲３発明の「Ｃｏ−Ｃｒ母合金相」は、請求人の主張によれば直径５０μｍ以上の球形であるので（口頭審理陳述要領書第３５〜３６頁の項目３．）、仮に、本件発明２の「球形の合金相（Ｂ）」に対応するとして、甲３発明のＳｉＯ２化合物相、Ｃｏ相及びＰｔ相からなる「Ｃｏ−Ｃｒ合金相以外の領域」が、本件発明２の「相（Ａ）」に対応するかを検討する。  
　甲３発明のターゲットの組織で「Ｃｏ−Ｃｒ母合金相以外の領域」は、ＳｉＯ２化合物相、Ｃｏ相及びＰｔ相からなる。しかし、相とは、一般に化学組成及び原子の集合状態が同じになっていて、境界面によって周りと区分された領域のことである（この点について必要なら、(１)小林俊郎、梶野利彦、新家光雄訳、ホルンボーゲン　材料、１９８９年２月２０日、共立出版株式会社、第５９頁、あるいは(２)化学大辞典５、１９９７年９月２０日、共立出版株式会社、第４８７頁の「そう　相」の項目を参照。）。そして、本件発明２の相（Ａ）は、合金の中に非磁性材粒子が均一に微細分散しているので、化学組成及び原子の集合状態が同じになっていて、境界面によって周りと区分された領域であるといえ、このため、上記した一般の「相」の定義に合致する「相」であるといえる。そうすると、甲３発明のＣｏ相とＰｔ相からなる領域も、それぞれが相であり、均一な合金相であるとすることはできない。  
　また、甲３発明のターゲットは、使用した第１〜第３の物質である原料粉末に由来する第１〜第３の相から構成されるので、ＳｉＯ２化合物相は、個々のＣｏ相とＰｔ相の界面やＣｏ相中に分散することになる。このことは、【図２】（同（セ））をみても確認することができる。このため、ＳｉＯ２化合物相は、Ｃｏ相とＰｔ相からなる領域に均一に分散しているとはいえない。
　そして、仮に、甲３発明のターゲットにＣｏ−Ｐｔ合金相が存在するとしても、Ｃｏ−Ｃｒ母合金相は、Ｃｏ相とＰｔ相の界面に存在することが考えられ、当該Ｃｏ−Ｐｔ合金相中にＣｒ−Ｃｏ母合金相が存在することにはならない。  
　したがって、甲３発明におけるＣｏ−Ｃｒ母合金相以外の領域は、「合金の中に非磁性材粒子が均一に微細分散した相」であるといえないので、甲３発明のターゲットは、本件発明２の相（Ａ）に相当する相を有しない。また、甲３発明のターゲットにおけるＣｏ−Ｃｒ母合金相以外の領域を、合金の中に非磁性材粒子が均一に微細分散した相とすることについて、甲３には記載されていないし、これを示唆する記載もない。また、甲４には、スパッタリングターゲットの組織を、合金の中に非磁性材粒子が均一に微細分散した相と、該相の中に球形の合金相を有する組織とすることは記載されていないし、これを示唆する記載もない。  
　
７−４　請求人の主張について  
（１）請求人は、甲３の【図２】全体における配置をみれば、ＳｉＯ２粒子がＣｏ−Ｃｒ母合金相以外の部分に均一に微細分散していると評価できるし、Ｃｏ相とＰｔ相は、それぞれＣｏリッチな領域とＰｔリッチな領域を保って存在しているが、ＣｏとＰｔを含む合金の一部であることは明らかであると主張する（口頭審理陳述要領書第３３頁下から６行〜同第３４頁１２行）。  
　しかし、甲３発明のターゲット組織におけるＣｏ相とＰｔ相は均一な合金相を形成していないことは、上記したとおりである。そして、該均一な合金相が存在しない以上、非磁性材粒子が微細分散した合金相も存在しない。  
　したがって、請求人の上記主張は、採用することができない。 
　
（２）弁駁書（平成２７年９月１４日提出）における主張 
ア　請求人の主張 
　請求人は、弁駁書の第１０、１１頁において、一次審決の予告で示された上記判断に対し、概ね、次の２つの点を主張する。 
ａ．審判官合議体は甲３のＣｏ相とＰｔ相は均一な合金相と評価できないとするが、本件発明２の効果に影響を与えるか否かという観点から見れば、全体としてＣｏ-Ｐｔ合金中にＳｉＯ２粒子が均一に分散した相と評価できる。
ｂ．本願の【図４】及び【図７】は、実施例２及び３のターゲット面のＳＥＭ観察画像であるが、相（Ａ）中に直径が５０μｍ未満の小さな球形がみられ、一次審決の予告が認定する相の定義によれば、相（Ａ）は「合金中に非磁性材粒子が均一に微細分散した相」とはいえない。 
　
イ　判断 
　まず、主張ａについて検討する。 
　本件明細書中には、相（Ａ）について、合金中に非磁性材粒子が均一に微細分散した相としての説明があるのみで、請求人が主張するような「本件発明２の効果に影響を与えるか否かという観点」からの均一性については記載も示唆もない。また、技術常識を考慮しても、甲３の相（Ａ）（Ｃｏ−Ｃｒ合金相以外の領域）が、本件発明２の効果に影響を与えるか否かという観点から見て全体としてＣｏ-Ｐｔ合金中にＳｉＯ２粒子が均一に分散した相とすることはできない。 
　したがって、請求人の主張に根拠はないというべきである。 
　次に、主張ｂについて検討するに、たしかに、本願の【図４】及び【図７】には、相（Ａ）に相当する相に小さな球形がいくつか存在する。しかし、これらの小さな球形が存在するとしても、この相（Ａ）は、合金中に非磁性材粒子が微細分散した相と評価することができ、この点で、甲３の【図２】に示されるターゲット組織とは異なることは明らかである。 
　したがって、請求人の弁駁書の主張は、採用することができない。 
　
７−５　無効理由２のまとめ  
　したがって、本件発明２は、他の相違点を検討するまでもなく、甲３発明及び甲４発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　また、本件発明５〜９、１１〜１３についても、上記相違点２に係る特定事項を有するので、上記と同様の理由により、甲３発明及び甲４発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたとすることはできない。
　よって、無効理由２には理由がない。  
　
第８　無効理由３（サポート要件）について  
８−１　請求人が審判請求時において主張するサポート要件違反について
　請求人は、特許請求の範囲の請求項１〜８の記載がサポート要件に適合していない理由として、次の４つを挙げている（口頭審理陳述要領書第３６〜４０頁、第１回口頭審理調書の請求人の陳述の要領７）。  
（ｉ）球形の合金相（Ｂ）の組成及び濃度勾配が特定されていない、すなわち、球形の合金相（Ｂ）は、Ｃｏ−Ｃｒ合金であって、中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成であることが特定されていない。  
（ｉｉ）球形の合金相（Ｂ）の粒径が特定されていないこと。  
（ｉｉｉ）球形の合金相（Ｂ）が相（Ａ）に包囲されていること。  
（ｉｖ）特許請求の範囲の請求項６に係る発明における非磁性材料が、具体的に効果が確認できないものを含むこと。  
　ここで、訂正請求（適否）からして、上記「特許請求の範囲の請求項１〜８」及び「特許請求の範囲の請求項６に係る発明」を、「特許請求の範囲の請求項１〜１３」及び「本件発明６、１２」に置き換えた上で、以下、次の規範にそって検討することとする。　 
　発明の特許請求の範囲の記載がサポート要件に適合するか否かは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載とを対比し、特許請求の範囲に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、その記載により当業者が当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否か、また、その記載や示唆がなくとも当業者が出願時の技術常識に照らし当該発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるか否かを検討して判断する。         
　
８−２　発明が解決しようとする課題
　本件明細書の「本発明は上記問題を鑑みて、漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られ、かつ、高密度でスパッタ時に発生するパーティクルの少ない非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。」（【００１８】）との記載からして、本件発明は、「漏洩磁束を向上させて、マグネトロンスパッタ装置で安定した放電が得られ、かつ、高密度でスパッタ時に発生するパーティクルの少ない非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットを提供する」ことを発明が解決しようとする課題（以下、「発明の課題」という。）にするものであると認める。
　
８−３　無効理由３の（ｉｉ）ないし（ｉｖ）について
　上記（ｉｉ）の球形の合金相（Ｂ）の粒径については、本件明細書の「また、球形の合金相（Ｂ）の直径は５０〜２００μｍの範囲にあるのが好ましい。ターゲット全体の中で球形の合金相（Ｂ）の占める体積比率には上限があるので、上記数値範囲より大きい場合には、漏洩磁束の向上に寄与する球形の合金相（Ｂ）の個数が減少してしまい、漏洩磁束の向上が少なくなる。
　また、上記数値範囲より小さい場合には、十分な焼結温度で高密度のターゲットを得ようとすると、金属元素同士の拡散が進み、Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）が形成され難くなる。従って、本発明においては、上記数値範囲内の直径を有する球形の合金相（Ｂ）が生ずるようにするのが望ましいと言える。」（【００１９】）によれば、直径が５０〜２００μｍの範囲外にあると、漏洩磁束の向上が少なくなったり、Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）が形成され難くなるからであるとされている。このため、球形の合金相（Ｂ）の粒径には、本件発明の効果を達成する上で好ましい範囲があるものの、当該数値範囲の上限と下限に臨界的意義があるといえないので、本件発明の課題を解決する上で必須の事項であるとは認められない。
　次に、（ｉｉｉ）の球形の合金相（Ｂ）が相（Ａ）に包囲されている点については、同「このように、合金相（Ｂ）が球形であると、焼結時に相（Ａ）と相（Ｂ）の境界面に空孔が生じにくく、密度が上がり易い。また、同一体積では、球形の方が表面積が小さくなるので、周囲の金属粉（Ｃｏ粉、Ｐｔ粉など）との拡散が進みにくく、組成不均一な相（Ｂ）、すなわち中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が容易に形成されるようになる。」（【００１８】）からして、球形の合金相（Ｂ）の組成を上記したとおりに限定した場合には、そのような組成は、相（Ａ）と球形の合金相（Ｂ）との界面の相互拡散で生じたものであるので、実質的に球形の合金相（Ｂ）は相（Ａ）に包囲されて存在していることを規定したことになる。このため、この点について本件発明の特定事項とする必要があるとはいえない。  
　最後に（ｉｖ）の非磁性材料の特定に関しては、本件明細書の実施例において非磁性材料としてＳｉＯ２やＴｉＯ２を使用した場合に本件発明の作用効果が達成されることが記載されているので、非磁性材料粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットにおいて通常使用される他の非磁性材料においても、同等の作用効果を達成できると解することができる。  
　したがって、これら（ｉｉ）〜（ｉｖ）の点に関しては、サポート要件に違反するものではない。  
 　 
８−４　無効理由３の（ｉ）について
（１）はじめに
　「球形の合金相（Ｂ）がＣｏ濃度の高い領域と低い領域及びＣｒ濃度の高い領域と低い領域をそれぞれ有している」ことをもって、本件発明の課題が解決されるのか否か、「球形の合金相（Ｂ）が中心付近にＣｒが約２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成を有している」ことをもって、本件発明の課題が解決されるのか否かについて、以下、検討する。　
（２）発明の詳細な説明に記載された発明の課題解決手段について
ア　本件明細書の【００１８】の記載
　本件明細書の【００１８】には、「組成不均一な相（Ｂ）、すなわち中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相」との記載がある。
　そして、本件発明１は、少なくとも、非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）の中に、全体との体積比率で４％以上４０％以下の球形の合金相（Ｂ）を有するようにターゲットの組織構造を調整したものであるところ、【００１８】には、かかる合金相（Ｂ）の「球形」という文言の定義付けと、本件発明の技術的事項である合金相（Ｂ）が球形でなければならないことの理由付けがされている。その上で、「合金相（Ｂ）が球形であると…組成不均一な相（Ｂ）、すなわち中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が容易に形成されるようになる」と記載されている。
　したがって、本件発明の構成要件である合金相（Ｂ）が球形であることは、「中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相」を形成するために求められているものと理解できる。
　
イ　本件明細書の発明を実施するための形態に関する記載
　本件明細書の発明を実施するための形態のうち【００２７】には、球形の合金相（Ｂ）の原料粉末となるＣｏ−Ｃｒ球形粉末のＣｒ含有量について、「Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末は、ターゲットの組織において観察される球形の合金相（Ｂ）に対応するものである。Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の組成はＣｒの含有量が２５ｍｏｌ％以上７０ｍｏｌ％以下とすることが望ましい。Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の組成を上記範囲に限定する理由は、Ｃｒの含有量が上記範囲より少ないと、球形の合金相（Ｂ）中にＣｒが濃縮された領域が形成されにくくなり、漏洩磁束の向上が期待できない」と記載されている。
　そして、原料粉末を焼結すると金属元素同士の拡散が進むところ、上記記載は、焼結によって、球形の合金相（Ｂ）中にＣｒが濃縮された領域を形成させるために、原料粉末となるＣｏ−Ｃｒ球形粉末のＣｒの含有量が２５ｍｏｌ％以上であることが望ましいとするものである。そして、球形の合金相（Ｂ）中にＣｒが濃縮された領域を形成させることを前提に、ターゲット全体としてＣｒの含有量が５ｍｏｌ％以上２０ｍｏｌ％以下の合金の中で、Ｃｒの含有量を２５ｍｏｌ％以上とする球形の合金相（Ｂ）を焼結させるのであるから、結果として、中心付近にＣｒが約２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が形成されることが想定されるものである。
　このように、結果として、中心付近にＣｒが約２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が形成されることを想定して、本件明細書の発明を実施するための形態には、原料粉末となるＣｏ−Ｃｒ球形粉末のＣｒの含有量が２５ｍｏｌ％以上であることが望ましいと記載されているということができる。
　
ウ　本件明細書の実施例の記載
　焼結後の球形の合金相（Ｂ）中のＣｒの濃度分布について、本件明細書の実施例１〜９に、どのような記載があるかについて検討する。
（ア）［実施例１〜３］
　本件明細書の実施例１〜３には、球形の合金相（Ｂ）中のＣｒの濃度分布について、「球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された。」と記載されている（【００３５】、【００４３】、【００５１】）。
（イ）［実施例４〜６、８及び９］
　本件明細書の実施例４〜６、８及び９には、球形の合金相（Ｂ）中のＣｒの濃度分布について、「球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。」と記載されている（【００５９】、【００６７】、【００７５】、【００９１】、【００９９】）。
　そして、これらの実施例４〜６、８及び９においては、球形の合金相の中心付近のＣｒ濃度は明記されていないものの、実施例２と比較すれば、これらの実施例における球形の合金相中のＣｒの濃度分布は、「Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっている」ものと合理的に推定される。
　すなわち、実施例２では、球形の合金相（Ｂ）の原料粉末として、「直径が５０〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末」（【００３７】）を用い、「真空雰囲気中、温度１１５０℃、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件」（【００４０】）の焼結条件でターゲットを作製している。これに対し、実施例４〜６、８及び９における球形の合金相の原料粉末は、いずれも「直径が７５〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末」（【００５３】、【００６１】、【００６９】、【００８５】、【００９３】）であって、Ｃｒの濃度（４０ｍｏｌ％）は同一で、直径の下限値（７５μｍ）は実施例２の直径の下限値（５０μｍ）を上回っており、焼結温度（【００５４】、【００６２】、【００７０】、【００８６】、【００９４】）は、いずれの実施例においても、実施例２の焼結温度（１１５０℃）を下回り、その他の焼結条件（焼結時間、加圧力）は同一である。そして、Ｃｏ−Ｃｒ球形粉末の直径が大きい程、体積に対する表面積の割合が小さくなることから、焼結時におけるＣｒの拡散は起こりにくく、また、焼結時の温度が低い程、焼結時におけるＣｒの拡散は起こりにくいものである。そうすると、実施例４〜６、８及び９における球形の合金相（Ｂ）は、実施例２の球形の合金相（Ｂ）よりもＣｒの拡散が起こりにくいといえる。そして、実施例２では、「Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっている」という球形の合金相（Ｂ）を作製するに至っていることからすれば、実施例４〜６、８及び９の球形の合金相（Ｂ）中のＣｒの濃度分布もまた、「Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっている」ものと推定できる。
（ウ）［実施例７］
　本件明細書の実施例７には、球形の合金相（Ｂ）中のＣｒの濃度分布について、「球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高くなっていることが確認された。」と記載されている（【００８３】）。
　実施例７においては、球形の合金相の中心付近のＣｒ濃度は明記されていない。もっとも、実施例２と比較した場合、実施例７における球形の合金相の原料粉末は、「直径が７５〜１５０μｍの範囲にありＣｒを４０ｍｏｌ％含有するＣｏ−Ｃｒ球形粉末」（【００７７】）であって、実施例２のＣｒの濃度（４０ｍｏｌ％）と同一で、直径の下限値（７５μｍ）は実施例２の直径の下限値（５０μｍ）を上回っており、焼結条件のうち焼結時間、加圧力は同一である。一方、焼結温度（１３００℃、【００７８】）は、実施例２の焼結温度（１１５０℃）を上回る。そうすると、実施例７は、原料粉末の直径の下限値が大きい点では、実施例２よりもＣｒの拡散が起こりにくいといえる一方、焼結温度の点では、実施例２よりもＣｒの拡散が起こりやすいといえる。したがって、実施例７の球形の合金相（Ｂ）の濃度分布は、実施例２と同様に「Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっている」とまではいえないものの、中心部のＣｒの濃度が２５ｍｏｌ％を下回るか否かは明らかではなく、少なくとも、それに近い程度に濃縮されたものというべきである。
（エ）したがって、本件明細書には実施例１〜９の記載があるところ、その球形の合金相（Ｂ）中のＣｒの濃度分布について、実施例１〜６、８、９には、いずれも「Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっている」ものが記載されており、実施例７についても、中心部のＣｒの濃度は不明であるもののＣｒが「濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっている」ものが記載されている。
　
エ　球形の合金相（Ｂ）について濃度変動の程度が小さい場合
　他方、Ｃｒの濃度変動の程度が小さい球形の合金相（Ｂ）であっても、漏洩磁束の向上という本件発明の課題を解決できるか否かは明らかではない。
　例えば、Ｃｒ濃度について周囲から中心部に向かって低くなる濃度分布となるような球形の合金相（Ｂ）の場合を検討するに、かかる濃度分布とするためには、球形の合金相（Ｂ）について周囲から内部に向かってＣｒを拡散させる必要があるから、その製法は、球形の合金相（Ｂ）の原料粉末となる球形粉にはＣｒを含有させず、相（Ａ）となる原料粉末中にＣｒ粉末を含有させて混合粉を準備し、これを焼結することで、相（Ａ）から、球形の合金相（Ｂ）にＣｒを拡散させることになる。しかし、相（Ａ）のターゲット中に占める体積の比率は６０〜９６％と、球形の合金相（Ｂ）に比べて大きいから、焼結前の相（Ａ）中のＣｒ濃度は比較的低いものとならざるを得ず、結果として、焼結によって金属元素同士の拡散が生じたとしても、球形の合金相（Ｂ）に生じるＣｒの濃度変動の程度は大きなものにはならず、そのような濃度分布によって漏洩磁束の向上を見込めるか否かについては不明である。このように、球形の合金相（Ｂ）の具体的組成の典型例として想定されるＣｒ濃度が周囲から中心部に向かって低くなる濃度分布の場合に、本件発明の課題を解決できるか否かは明らかではない。
　また、その他、球形の合金相（Ｂ）において、単にＣｒの濃度変動があることのみで、漏洩磁束の向上に至ったことを示す具体例もない。
　このように、本件明細書の全ての記載を考慮しても、球形の合金相（Ｂ）について、Ｃｒの濃度変動の程度が小さい場合に、漏洩磁束の向上という本件発明の課題を解決できるか否かは明らかではない。　
オ　まとめ
　以上のとおり、発明の詳細な説明に記載された発明の課題解決手段を勘案したとしても、「球形の合金相（Ｂ）がＣｏ濃度の高い領域と低い領域及びＣｒ濃度の高い領域と低い領域をそれぞれ有している」ことをもって、本件発明の課題が解決されるとは言い難く、上記課題解決手段からみて、「球形の合金相（Ｂ）が中心付近にＣｒが約２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成を有している」ことをもって、本件発明の課題が解決されるとみるのが妥当である。
（３）第１のメカニズム及び第２のメカニズムについて     
ア　本件明細書の【００１６】及び【００１７】の記載
　球形の合金相（Ｂ）内において濃度変動が存在し、球形の合金相（Ｂ）と相（Ａ）との組成が異なる場合、第１のメカニズムに関する記載（【００１６】）及び第２のメカニズムに関する記載（【００１７】）により、当業者が発明の課題を解決できると認識できる範囲のものであるとみることもでき得る。
　確かに、本件明細書の【００１６】及び【００１７】に記載された第１及び第２のメカニズムによれば、定性的には、球形の合金相（Ｂ）中にＣｒの濃度が低い領域と高い領域の存在により生じた濃度変動があれば（第１のメカニズム）、あるいは、球形の合金相（Ｂ）中に析出物としてＣｒが存在すれば（第２のメカニズム）、ターゲットの透磁率は低くなると解することは可能である。
　しかし、第１のメカニズムについては、ターゲットの透磁率を低くするために必要な格子歪みを発生させるためには、Ｃｒの濃度について「濃度変動の大きな場所」の存在が必要とされており、単にＣｒの濃度変動があれば足りると解することまではできない。そして、【００１６】の記載からでは、定量的に、第１のメカニズムに関し、どの程度のＣｒの濃度変動を有する場所が、ターゲットの透磁率を低くするために必要な程度の「格子歪み」を発生させる「濃度変動の大きな場所」に該当するのかについて明らかではない。
　また、第２のメカニズムについても「Ｃｒ濃度の高い領域」が必要とされており、Ｃｒ濃度が一定程度以上であることが求められている。しかしながら、【００１７】の記載からでは、単に析出物としてＣｒがあれば足りると解することまではできず、定量的に、どの程度のＣｒ濃度であれば「Ｃｒ濃度の高い領域」に該当するのかについて明らかではない。
　そうすると、球形の合金相（Ｂ）の存在により、第１のメカニズム及び第２のメカニズムによってターゲットの透磁率が低くなるとしても、当業者は、球形の合金相（Ｂ）が存在するだけで、漏洩磁束が高められると認識するまでは至らないから、Ｃｒの濃度変動があるだけで、その濃度変動の程度が何ら特定されていない球形の合金相（Ｂ）を含むターゲットは、当業者が本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものということはできない。
　
イ　本件明細書の【００１５】の記載
　本件明細書の【００１５】には、「ターゲット組織に含まれる球形の合金相（Ｂ）が、中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることが有効である。本願発明は、このようなターゲットを提供する。すなわち、このようなターゲットでは、球形の合金相（Ｂ）は、中心部と外周部にかけて顕著な不均一性を有している。…球形の合金相（Ｂ）におけるＣｒ濃度の分布状態は、焼結温度や原料粉の性状によって変化するが、上記の通り、球形の合金相（Ｂ）の存在は、本願発明ターゲットの独特の組織構造を示すものであり、本願ターゲットの漏洩磁束を高める大きな要因となっている。」と記載されているところ、「球形の合金相（Ｂ）の存在」それ自体が「本願ターゲットの独特の組織構造を示す」とあるから、当業者は、上記記載の球形の合金相（Ｂ）の具体的な組成のみを前提に、漏洩磁束が向上すると限定して理解することはないとみることもでき得る。
　しかし、【００１５】には、「球形の合金相（Ｂ）におけるＣｒ濃度の分布状態は、焼結温度や原料粉の性状によって変化するが、上記の通り、球形の合金相（Ｂ）の存在は、本願発明ターゲットの独特の組織構造を示すもの」とされ、「上記の通り、球形の合金相（Ｂ）の存在は」との文言は、「中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相を形成していることが有効である」とされる球形の合金相（Ｂ）の存在を受けたものである。そして、「球形の合金相（Ｂ）におけるＣｒ濃度の分布状態は、焼結温度や原料粉の性状によって変化するが」との文言は、あくまでも「中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成」の範囲内で、Ｃｒ濃度の分布状態が変化するという趣旨のものと解するのが自然である。
　したがって、【００１５】の記載をもって、「球形の合金相（Ｂ）の存在」それ自体が「本願ターゲットの独特の組織構造を示す」と解釈するのは相当ではないというべきである。
　
ウ　本件発明の課題との関係
　本件発明は、漏洩磁束を大きくすることを解決すべき技術的課題として、従来技術とは異なる新たな観点に基づき、ターゲット中に球形の合金相（Ｂ）を存在させるという新規な組織構造を採用することによって漏洩磁束を向上させるというものであるから、ＣｏとＣｒの濃度範囲について、必ずしも実施例で具体的な測定結果をもって裏付けられる必要はなく、また、本件明細書の実施例に記載された具体的な測定結果は、より効率的に漏洩磁束を高める観点から望ましいものとして記載されたものにすぎないということもでき得る。
　確かに、本件発明は、非磁性材粒子が均一に微細分散した相（Ａ）の中に、球形の合金相（Ｂ）を有するようにしたという技術的事項を含むものであって、マグネトロンスパッタ装置でスパッタを行う非磁性材粒子分散型強磁性材スパッタリングターゲットの分野において、このような組織構造を有する従来技術が存在したと認めるに足りる証拠はない。
　しかし、前記アのとおり、定性的には、球形の合金相（Ｂ）中にＣｒの濃度が低い領域と高い領域の存在により生じた濃度変動があれば、あるいは、球形の合金相（Ｂ）中に析出物としてＣｒが存在すれば、ターゲットの透磁率は低くなると解することは可能であるものの、球形の合金相（Ｂ）が存在するだけで、漏洩磁束をどの程度高められるかについては明らかではなく、必要とする程度に漏洩磁束を高めるには、球形の合金相（Ｂ）のＣｒの濃度変動の程度をも考慮せざるを得ないというべきである。
　よって、このような濃度変動の程度を斟酌しない観点は、技術的合理性を欠くものである。
　
エ　本件明細書の【００１８】の記載
　本件明細書の【００１８】には、「ここで、本願発明において使用する球形とは…いずれも、長軸と短軸の差が０〜５０％であるものを言う。…この範囲であれば、外周部に多少の凹凸があっても、組成不均一な相（Ｂ）を形成することができる。…同一体積では、球形の方が表面積が小さくなるので、周囲の金属粉（Ｃｏ粉、Ｐｔ粉など）との拡散が進みにくく、組成不均一な相（Ｂ）、すなわち中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相が容易に形成されるようになる」と記載されており、「組成不均一な相（Ｂ）」として、「すなわち中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相」と説明されている。
　したがって、当業者は、本件発明の課題を解決するに当たり、「組成不均一な相（Ｂ）」との記載をもって、球形の合金相（Ｂ）中においてＣｒの濃度変動等があれば十分であると認識するとはいえない。
　
オ　本件明細書の【００３５】の記載
　本件明細書の【００３５】には、「図２に示すように…球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており、特にＣｒは周辺部から中心部に向かって、より濃度が高く（白っぽく）なっている。…球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された。」と記載されており、球形の合金相（Ｂ）の部分において「ＣｏとＣｒの濃度が高くなっている」とされた後に「球形の合金相では、Ｃｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮されたＣｒリッチ相が中心付近に存在し、外周に近づくにつれてＣｒの濃度が低くなっていることが確認された」と説明されている。
　したがって、当業者は、本件発明の課題を解決するに当たり、「球形の合金相の部分においてＣｏとＣｒの濃度が高くなっており」との記載をもって、球形の合金相（Ｂ）中においてＣｒの濃度変動等があれば十分であると認識するとはいえない。
　
カ　本件明細書の【００１９】の記載
　本件明細書の【００１９】には、「球形の合金相（Ｂ）の直径は５０〜２００μｍの範囲にあるのが好ましい。…上記数値範囲より小さい場合には、十分な焼結温度で高密度のターゲットを得ようとすると、金属元素同士の拡散が進み、Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）が形成され難くなる。」と記載されているところ、「Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）」との記載があることから、球形の合金相（Ｂ）中の濃度分布が任意である旨記載されているみることもでき得る。
　しかし、本件明細書の【００１８】には「ここで、本願発明において使用する球形とは、真球、擬似真球、扁球（回転楕円体）、擬似扁球を含む立体形状を表す。」と記載された上で、【００１９】には「また、球形の合金相（Ｂ）の直径は５０〜２００μｍの範囲にあるのが好ましい。」と記載されているのであるから、【００１９】は、【００１８】で指摘された球形の合金相（Ｂ）の大きさに関する記載であることは明らかである。そして、【００１８】では球形の合金相（Ｂ）について「中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成の合金相」と記載されているのであるから、【００１９】の「Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）」とは、【００１８】に記載された球形の合金相（Ｂ）の具体的組成を前提とするものといえる。
　したがって、当業者は、本件発明の課題を解決するに当たり、「Ｃｒの濃度分布をもつ球形の合金相（Ｂ）」との記載があることをもって、球形の合金相（Ｂ）中においてＣｒの濃度変動等があれば十分であると認識するとはいえない。
　
キ　まとめ
　以上のとおり、第１のメカニズム及び第２のメカニズムを勘案したとしても、「球形の合金相（Ｂ）がＣｏ濃度の高い領域と低い領域及びＣｒ濃度の高い領域と低い領域をそれぞれ有している」ことをもって、本件発明の課題が解決されるとは言い難く、上記メカニズムからみて、「球形の合金相（Ｂ）が中心付近にＣｒが約２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成を有している」ことをもって、本件発明の課題が解決されるとみるのが妥当である。
（４）小括（無効理由（ｉ）について）
　上記「（２）発明の詳細な説明に記載された発明の課題解決手段」及び「
（３）第１のメカニズム及び第２のメカニズムについて」で示したように、球形の合金相（Ｂ）がＣｏ濃度の高い領域と低い領域及びＣｒ濃度の高い領域と低い領域をそれぞれ有している」ことをもって、本件発明の課題が解決されるとは言い難く、「球形の合金相（Ｂ）が中心付近にＣｒが約２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成を有している」ことをもって、本件発明の課題が解決されるとみるのが妥当であることからして、「（ｉ）球形の合金相（Ｂ）の組成及び濃度勾配が特定されていない、すなわち、球形の合金相（Ｂ）は、Ｃｏ−Ｃｒ合金であって、中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成であることが特定されていない」本件発明１〜３、５〜８は、当業者が本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものということはできない。
　一方、本件発明４、９〜１３は、「中心付近にＣｒが２５ｍｏｌ％以上濃縮し、外周部にかけてＣｒの含有量が中心部より低くなる組成」を有する球形の合金相（Ｂ）である点を特定するものであることからして、当業者が本件発明の課題を解決できると認識できる範囲のものである。
　
８−５　無効理由３のまとめ
　よって、本件特許の特許請求の範囲の請求項４、９〜１３の記載は、サポート要件を満たすものであり、本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜３、５〜８の記載は、サポート要件を満たすものではない。
　
第９　結論
　以上のとおり、無効理由１、２には、理由がなく、本件特許の特許請求の範囲の請求項４、９〜１３の記載は、同法第３６条第６項第１号の規定に適合し、不備はないから、同請求項４、９〜１３に係る特許は、特許法第１２３条第１項第４号に該当せず、無効理由３により無効とすべきものではなく、同請求項１〜３、５〜８の記載は、特許法第３６条第６項第１号の規定に適合しないから、同請求項１〜３、５〜８に係る特許は、特許法第１２３条第１項第４号に該当し、無効理由３により無効とすべきものである。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定において準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が１３分の６を負担し、被請求人が１３分の７を負担すべきものとする。 
　よって、結論のとおり審決する。