【事件の表示】
　特許第３０７５１３０号「マイクロ波プラズマ処理装置」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０７５１３０号の請求項１ないし２に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３０７５１３０号の請求項１〜２に係る発明についての出願は、平成７年３月２９日に出願され、平成１２年６月９日に設定登録され、その後、異議申立人　シャープ株式会社より特許異議の申立てがなされ、取消理由通知がなされ、その指定期間内である平成１３年７月４日に訂正請求がなされ、その後、訂正拒絶理由通知がなされ、平成１３年８月２０日付けで意見書及び手続補正書（訂正請求書）が提出されたものである。
　
２．訂正請求の補正の適否について
　訂正請求書の補正は、訂正拒絶理由に対して、以下のように補正するように訂正請求書を補正するものである。
「（１）(1)訂正請求書の第２頁第１６行、同第２７行〜第２８行、第４頁第４行および同第５行にある「１０ｍｍＴｏｒｒ」を「１０ｍＴｏｒｒ」と補正し、第４頁第５行〜第６行にある「４０ｍｍＴｏｒｒ」を「４０ｍＴｏｒｒ」と補正する。
　　　(2)訂正明細書の第１頁第８行および第３頁第２９行〜第４頁第１行にある「１０ｍｍＴｏｒｒ」を「１０ｍＴｏｒｒ」と補正する。
（２）(1)訂正請求書の第３頁第１０行〜第２１行にある「（３）−４訂正事項４」および第４頁第２２行〜第２５行にある「（４）−４訂正事項４について」を削除する。
　　　(2)訂正明細書の第８頁第２１行にある「４０ｍｍＴｏｒｒ」を「４０ｍＴoｒｒ」と補正する。」
　上記訂正請求書の補正の（１）(1)(2)、（２）(2)は、圧力の単位の誤記を補正するものであり、上記訂正請求書の補正の（２）(1)は、訂正事項を削除するものであるから、これらの訂正請求書の補正は、訂正の要旨を変更するものではない。
　そして、該補正により、平成１３年７月１８日付訂正拒絶の理由は解消された。
　
３．訂正の適否について
ア．訂正の内容
　上記のとおり、訂正請求の補正は認められるから、特許権者が求める訂正の内容は以下のとおりである。　
ａ．訂正事項１
　明細書の特許請求の範囲を下記の通り訂正する。
　『　【請求項１】
　マイクロ波導入窓が開口された反応器と、この窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板と、この封止板を
シール部を介して
圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上とし、前記
　　【請求項２】
　前記中空部に対応して、前記封止板が分割してあることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波プラズマ処理装置。』
　
ｂ．訂正事項２
　明細書の段落【００１１】を下記の通り訂正する。
　『　【課題を解決するための手段】
　第１発明のマイクロ波プラズマ処理装置は、図１に示すように、マイクロ波導入窓が開口された反応器１と、この窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板３とこの封止板３を
シール部を介して
圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上とし、前記
　
ｃ．訂正事項３
　明細書の段落【００１３】を下記の通り訂正する。
　『　【作用】
　第１発明のマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、支持枠は複数の中空部からマイクロ波を反応器内に導入すると共に、封止板を
Ｏリング等のシール部を介して
　
イ．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ａ．訂正事項１について
　この訂正のうち『シール部を介して』との限定は、明細書の段落【００２２】の「支持枠７と封止板３との間には、中空部１７を囲むように０リング８が配置してあり、減圧時に０リング８が支持枠７と封止板３とによって挟持されることによって反応器１の上部は封止される。」との記載並びに図１および図４の開示に基づくものであり、また、『圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上』の限定は、図３の圧力を１０ｍＴｏｒｒとした評価試験および図７の圧力を４０ｍＴｏｒｒとした評価試験の結果に基づくものであり、明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された「マイクロ波プラズマ処理装置」を、より具体的に発明の詳細な説明中に記載された事項と対応するように限定するものである。
　よって、この訂正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする明細書の訂正に該当する。
　また、上記訂正事項ａは、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
ｂ．訂正事項２について
　この訂正は、「発明の詳細な説明」の欄の記載を、上記の特許請求の範囲の減縮に整合させたものである。
　よって、この訂正は、「明りようでない記載の釈明」に相当する。
　また、上記訂正事項ｂは、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
ｃ．訂正事項３について
　この訂正は、「発明の詳細な説明」の欄の記載を、上記の特許請求の範囲の減縮に整合させたものである。
　よって、この訂正は、「明りようでない記載の釈明」に相当する。
　また、上記訂正事項ｃは、願書に添付した明細書または図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
　
ウ．むすび
  以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項および特許法第１２０条の４第３項で準用する特許法第１２６条第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
４．取消理由についての判断
ア．取消理由の概要
　取消理由の理由１の概要は以下の通りである。
　本件請求項１，２に係る発明（以下「本件発明１，２」という。）は、その出願前に国内において頒布された下記刊行物１〜３に記載された発明に基づいて、その発明の属する分野における通常の知識を有するものが、容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
刊行物１：特開昭６２−５６００号公報（異議申立人　シャープ株式会社　提出の甲第１号証）
刊行物２：特開平５−７８８４９号公報（異議申立人　シャープ株式会社　提出の甲第３号証）
刊行物３：特開平５−２４２９９６号公報（異議申立人　シャープ株式会社　提出の甲第２号証）
　
イ．本件発明
　上記のとおり、訂正請求は認められるから、本件の特許請求の範囲の請求項１，２に係る発明（以下「本件発明１，２」という。）は、次のとおりの事項により特定されるものである。
　
「　【請求項１】
　マイクロ波導入窓が開口された反応器と、この窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板と、この封止板を
シール部を介して
圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上とし、前記
　　【請求項２】
　前記中空部に対応して、前記封止板が分割してあることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波プラズマ処理装置。」
　
ウ．引用刊行物等に記載された事項
　当審が平成１３年４月１６日付けで通知した取消の理由において引用した刊行物１〜３にはそれぞれ次の事項が記載されている。
ａ．引用刊行物１：特開昭６２−５６００号公報
　上記引用刊行物１には、
「　３は前記導波管２とその上部において連通された金属製容器であり、例えば石英ガラス板４のような誘電損失の小さい耐熱性板によって上下に仕切られ図示例では上下部室５，７とも高真空を保持できるように密閉構成されている。」（第２頁左下欄第１５〜１９行）
と記載されると共に、第１図に装置の中央縦断面図が示されている。
　
ｂ．引用刊行物２：特開平５−７８８４９号公報
　上記引用刊行物２には、
「本実施例では、円盤状の導電体(29)の中央部に、マイクロ波を通過させる２個の矩形状の石英板(22)を埋め込んで、これらを一体化させた上で、真空容器(1)の上部を気密に閉塞する上蓋の役割を果たさせると共に、この導電体(29)に偏平角筒状の導波管(28)を直接的に連結させた構成としている。
【００２４】上記構成の本実施例のプラズマ装置では、簡易化した構成のもとで、〔図１〕の例と同等の効果を得ることができる。なお、本実施例では、上蓋の役割を果す導電体(29)に、２個の矩形状の石英板(22)を埋め込んだが、この数および形状は、その用途および目的に応じて選定されれば良く、例えば、丸型のものとされても良く、その数は１個ないしは２個以上の複数とされても良い。」（第５頁第左欄第１６〜２９行）
と記載されると共に、図６に第４の実施例の装置の概略説明図が示されている。
　
ｃ．引用刊行物３：特開平５−２４２９９６号公報
　上記引用刊行物３には、
「ＥＣＲ領域のマイクロ波導入部分からの距離とマイクロ波電界強度およびその均一性について図２に示す。この結果から明らかな様に、マイクロ波導入窓直下では、電界強度が高いが、チャンバ中央部分に集中し、均一性が極めて悪い。一方、５ｃｍ以上導入窓からＥＣＲ領域を遠ざけることで、マイクロ波電界強度は若干低下するが、均一性が大幅に向上する。
【０００９】図３に、導入窓直下のプラズマ密度分布を１０ｃｍ離した時のプラズマ密度分布を示す。ＥＣＲ領域を遠ざけることで、生成されるプラズマがマイクロ波電界強度分布に対応して均一になることがわかる。」（第２頁右欄第１６〜２６行）
と記載されると共に、図２にグラフが示されている。
　
　また、周知技術である刊行物４〜７にはそれぞれ次の事項が記載されている。
ｄ．刊行物４：特開昭６４−３０１４２号公報
　上記刊行物４には、
「１４は真空封じ用Ｏリングである。」（第３頁左上欄第１５〜１６行）
と記載されると共に、第１図に構成図が示されている。
　
ｅ．刊行物５：特開平４−４８５９６号公報
　上記刊行物５には、
「第８図に示されるマイクロ波導入用窓は、最も一般的な構造を有する窓である。第８図において、１０１はマイクロ波放電装置の真空容器の一部を示し、１０２は真空容器１０１にマイクロ波を導入するための導波管、１０３はマイクロ波損失の少ない石英等の材質で構成された窓用円板、１０４は真空シールを行うためのＯリング、１０５はＯリング１０４を固定するための溝、１０６はマイクロ波を導入して放電を発生させるため真空容器１０１に形成したマイクロ波結合孔である。」（第２頁左上欄第１３行〜同頁右上欄第２行）
と記載されると共に、第８図にマイクロ波導入用窓の構成を示す断面図が示されている。
　
ｆ．刊行物６：特開昭６３−８９６７０号公報
　上記刊行物６には、
「第２図において、２０１は真空容器、２０２０はマイクロ波透過性物質からなるマイクロ波導入窓、２０３はマイクロ波導入部、２０４はマイクロ波、２０５は排気管、２０６はドラム状基体、２０７はプラズマ発生領域を夫々示している。・・・
　なお、真空シール手段としては、いずれもゴム製Ｏリング（バイトン）を用い、電磁シールド手段としてはステンレス製スパイラルシールド材を用いた。」（第５頁右上欄第１７行〜同頁左下欄第１９行）
と記載されている。
　
ｇ．刊行物７：麻蒔立男著、「薄膜生成の基礎（第２版）」、日刊工業新聞社、昭和５９年７月３０日、ｐ．１９７
　上記刊行物７には、
「ＰＣＶＤで作られた薄膜の例」が表９．４に示されており、反応条件として、圧力が０．２Ｔｏｒｒ、１．０Ｔｏｒｒと記載されていることが見て取れる。
　
エ．対比・判断
ａ．本件発明１について
　本件発明１と上記刊行物１に記載されたものを比較する。
　上記引用刊行物１は「プラズマ処理装置」に関するものであり、上記刊行物１の「金属製容器３」、「石英ガラス板４」は本件発明１の「マイクロ波導入窓が開口された反応器」、「窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板」に相当することは明らかである。
　したがって、両者は、「マイクロ波導入窓が開口された反応器と、この窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板とを備えることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。」で一致し、以下の点で相違する。
相違点
　（１）本件発明１では「封止板をシール部を介して支持する複数の中空部を有する支持枠」を有するのに対し、上記引用刊行物１ではそのように構成されていない点
　（２）本件発明１では「反応器内に試料を載置する載置台とを備え、圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上とし、前記載置台と前記支持枠との距離を１００ｍｍ以上隔て」ているのに対し、上記引用刊行物１ではそのように構成されていない点
　
　上記相違点について検討する。
相違点１について
　上記引用刊行物２には、「円盤状の導電体(29)の中央部に、マイクロ波を通過させる２個の矩形状の石英板(22)を埋め込んで、これらを一体化させた上で、真空容器(1)の上部を気密に閉塞する上蓋の役割を果たさせる」と記載されているから、上記刊行物２には、本件発明１の「封止板」に相当する「石英板(22)」を、本件発明１の「複数の中空部を有する支持枠」に相当する「導電体(29)」により支持することが記載されている。
　そして、窓を封止する石英板を支持するにあたり、Ｏリング等のシール部を介して支持することは、上記刊行物４〜６に記載されるように、本願出願前周知の技術である。
　したがって、上記引用刊行物１のマイクロ波プラズマ処理装置のマイクロ波導入窓に上記引用刊行物２に記載された技術及び上記周知技術を適用することにより、当業者が容易になし得たことと認められる。
　
相違点２について
　プラズマ処理装置において、被処理物を載置する載置台を設けることは周知の技術であり、また、該載置台をプラズマが均一な空間に設けることは、本装置がプラズマを用いて被処理物の表面処理を行うことを考慮すれば、当業者が適宜なし得る設計事項であり、また、前記空間がマイクロ波導入窓から１０ｃｍ程度離れた場所であることは上記引用刊行物３に記載されている。
　さらに、プラズマ処理装置において、圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上とすることは、上記刊行物７にも記載されるように、通常行われることである。
　
　そして、本件発明１の奏する効果は、上記引用刊行物１，２および上記周知技術に基づいて当業者が予測し得る程度のものにすぎない。
　
　したがって、本件発明１は上記刊行物１に記載された発明に上記刊行物２及び上記周知技術を適用して当業者が容易に発明できたものである。
　
ｂ．本件発明２について
　本件発明２は本件発明１を引用し、更に構成を限定したものであるから、限定された構成である「前記中空部に対応して、前記封止板が分割してある」について検討する。
　上記引用刊行物２には、「円盤状の導電体(29)の中央部に、マイクロ波を通過させる２個の矩形状の石英板(22)を埋め込んで、これらを一体化させた上で、真空容器(1)の上部を気密に閉塞する上蓋の役割を果たさせる」と記載されると共に、図６には、本件発明２の「封止板」に相当する「石英板(22)」が「導電体(29)」に設けられた孔に対応して複数分割されていることが見て取れる。
　よって、本件発明２の上記限定された構成は、上記刊行物２に記載されている。
　したがって、本件発明２は、上記本件発明１と同様の理由により、当業者が容易に発明できたたものである。
　
オ．むすび
　以上のとおりであるから、本件請求項１，２に係る発明の特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから、同法第１１３条第２項に該当し、取り消されるべきものである。
　よって結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１３年８月３１日（２００１．８．３１）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．訂正事項１
　明細書の特許請求の範囲を下記の通り訂正する。
　『　【請求項１】
　マイクロ波導入窓が開口された反応器と、この窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板と、この封止板を
シール部を介して
圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上とし、前記
　【請求項２】
　前記中空部に対応して、前記封止板が分割してあることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波プラズマ処理装置。』
ｂ．訂正事項２
　明細書の段落【００１１】を下記の通り訂正する。
　『　【課題を解決するための手段】
　第１発明のマイクロ波プラズマ処理装置は、図１に示すように、マイクロ波導入窓が開口された反応器１と、この窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板３とこの封止板３を
シール部を介して
圧力を１０ｍＴｏｒｒ以上とし、前記
ｃ．訂正事項３
　明細書の段落【００１３】を下記の通り訂正する。
　『　【作用】
　第１発明のマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、支持枠は複数の中空部からマイクロ波を反応器内に導入すると共に、封止板を
Ｏリング等のシール部を介して
（５４）【発明の名称】
マイクロ波プラズマ処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　マイクロ波導入窓が開口された反応器と、この窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板と、この封止板を
シール部を介して
圧力を１０ｍｍＴｏｒｒ以上とし、前記
　【請求項２】
　前記中空部に対応して、前記封止板が分割してあることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、マイクロ波を利用してプラズマを発生させ、このプラズマにて半導体素子基板、液晶ディスプレイ用ガラス基板等の被処理材に、エッチング、アッシング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　例えば、ＬＳＩ製造プロセスでは、反応ガスに外部からエネルギーを与えてプラズマを発生させ、このプラズマを用いてエッチング、アッシング、ＣＶＤ等の処理を施すことが広く行われている。特に、プラズマを用いたドライエッチング技術はこのＬＳＩ製造プロセスにとって不可欠な基本技術となっている。
　【０００３】
　プラズマを発生させる励起手段としては、従来、１３．５６ＭＨｚのＲＦ（高周波）が用いられていたが、装置構成及び操作が複雑であり、低温で高密度のプラズマが得られ難いため、マイクロ波を利用する装置が提案されている。
　【０００４】
　図８は、本出願人によって特開昭６２−５６００号公報に開示された従来のマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図である。図中１は中空直方体の反応器である。反応器１は、その全体がアルミニウム（Ａｌ）等の金属で形成されている。反応器１の周囲壁は二重構造であり、内部に冷却水用の通流路１１が形成されている。反応器１の上部にはマイクロ波導入窓が開口してあり、このマイクロ波導入窓は封止板３にて気密状態に封止されている。なお封止板３は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有し、誘電損失が小さい誘電体で形成される。この種の誘電体として、石英ガラス（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等がある。
　【０００５】
　反応器の上方には金属性容器２０が設けてあり、この金属性容器２０の内部には、封止板３と対向して、反応器１の上面を覆うように誘電体線路２１が形成してある。この誘電体線路２１の誘電体としてテフロン（登録商標）等のフッ素樹脂、ポリスチレン、ポリエチレン等が用いられる。誘電体線路２１の一方には、導波管２２を介してマイクロ波発振器２３を連結してある。マイクロ波発振器２３から発振されたマイクロ波は導波管２２を経て誘電体線路２１に導入され、ここから反応器１内にプラズマ発生に必要な電界が形成される。
　【０００６】
　反応器１の内部は処理室２になっており、この処理室２には周囲壁を貫通してガス導入管６が連結してある。処理室２の底部壁中央を貫通する昇降棒１０の上端には試料Ｓを載置する載置台４が封止板３と平行に設けられている。処理室２の底部壁には図示しない排気装置に接続される排気口５が開口してある。
　【０００７】
　このような装置にて載置台４上に載置された試料Ｓにプラズマ処理を施す方法について説明する。まず、通流路１１内に冷却水を循環させる。排気口５から排気を行って処理室２内を排気した後、ガス導入管６から反応ガスを導入し所要の圧力に設定する。マイクロ波発振器２３にてマイクロ波を発振させ、これを導波管２２を介して誘電体線路２１に導入させ、ここから封止板３を透過させて処理室２内に導入する。このマイクロ波によってプラズマを生成し、このプラズマによって試料Ｓの表面にエッチング等のプラズマ処理を施す。こうすることにより試料Ｓの表面には、その全面に渡って均一にエッチング等のプラズマ処理が施される。
　【０００８】
　【発明が解決しようとする課題】
　このような従来のマイクロ波プラズマ処理装置では、試料に均一にプラズマ処理を行うべく処理面積に応じてマイクロ波を導入するため、処理面積が大きい試料に対してはそれより大きい寸法のマイクロ波導入窓を開口し、開口したマイクロ波導入窓を封止すべく大口径の封止板を用いなければならない。しかし封止板の寸法が大きくなると、減圧に対する物理的強度（減圧時に封止板に加わる反応器内外での圧力差による力に耐える強度）を維持すべく厚い封止板を用いなければならず、装置重量が増大する。また、そのような封止板は高価であり装置のコストが増加するといった問題があった。
　【０００９】
　一方封止板は、その処理室側の面はプラズマにて加熱されて温度が高くなるが、熱伝導率が小さいために反対側の面の温度はあまり上昇しない。そのため厚い封止板を用いると、この封止板の両面の温度差が大きくなり、その熱ひずみによって封止板が破損する虞があった。
　【００１０】
　本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは封止板を複数の中空部を有する支持枠によって支持することにより、厚い封止板を用いることなく所要の物理的強度が保たれ、処理中に破損の虞が無いマイクロ波プラズマ処理装置を提供することにある。
　【００１１】
　【課題を解決するための手段】
　第１発明のマイクロ波プラズマ処理装置は、図１に示すように、マイクロ波導入窓が開口された反応器１と、この窓を封止しかつマイクロ波を反応器内に導入するための封止板３とこの封止板３を
シール部を介して
圧力を１０ｍｍＴｏｒｒ以上とし、前記
　【００１２】
　第２発明のマイクロ波プラズマ処理装置は、第１発明において、前記中空部１７に対応して、前記封止板３が分割してあることを特徴とする。
　【００１３】
　【作用】
　第１発明のマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、支持枠は複数の中空部からマイクロ波を反応器内に導入すると共に、封止板を
Ｏリング等のシール部を介して
　【００１４】
　また、封止板の厚みの増加を抑えることができるので、装置重量の増大および装置コストの増加の問題も解決できる。さらに、後述するように、支持枠から１００ｍｍ以上隔てて載置台を設けるので、プラズマを十分に拡散させて均一にして、試料の表面に供給することができる。
　【００１５】
　第２発明のマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、封止板が、支持枠の中空部に対応して分割してあるため、封止板それぞれの面積は小さくなり、減圧時に要する物理的強度が小さい。そのため薄い封止板を使用し得る。
　【００１６】
　なお、支持枠は個別の部品である必要はなく反応器と一体的に形成しておいても良い。
　【００１７】
　【実施例】
　以下本発明を、その実施例を示す図面に基づいて具体的に説明する。
　【００１８】
　図１は本発明のマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図であり、図中１は中空直方体の反応器である。反応器１は、その全体がアルミニウム（Ａｌ）等の金属で形成されている。反応器１の周囲壁は二重構造であり、内部に冷却水用の通流路１１が形成されている。反応器１の上部にはマイクロ波導入窓が開口してある。このマイクロ波導入窓を取り囲む上部壁には、中空部１７を有する支持枠７が前記上部壁の上に載置された０リング９を挾持するように固定されている。
　【００１９】
　反応器１の上方には金属性容器２０が設けてあり、この金属性容器２０の内部には、封止板３と対向して、反応器１の上面を覆う誘電体線路２１が形成してある。誘電体線路２１の一方の矩形側面には、導波管２２を介してマイクロ波発振器２３を連結してあり、マイクロ波発振器２３から発振されたマイクロ波は導波管２２を経て誘電体線路２０に導入され、ここから反応器１内にプラズマ発生に必要な電界が形成される。
　【００２０】
　反応器１の内部は処理室２になっており、該処理室２には周囲壁を貫通してガス導入管６が連結してある。処理室２の底部壁中央を貫通する昇降棒１０の上端には試料Ｓを載置する載置台４が封止板３と平行に設けられており、処理室２の底部壁には図示しない排気装置に接続される排気口５が開口してある。
　【００２１】
　図２は図１に示した支持枠７を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。なお、この図は封止板３が固定されている状態を示している。支持枠７は、反応器１（図１参照）の上部壁の形状に対応して環状正四辺形の外枠部材７ａと、該外枠部材７ａに内嵌し外枠部材７ａにて囲まれた領域を４等分する内枠部材７ｂとを備えており、外枠部材７ａ及び内枠部材７ｂにて４つの中空部１７が形成されている。そして支持枠７上には、４つの中空部１７に応じて４分割された封止板３が載置してある。
　【００２２】
　支持枠７と封止板３との間には、中空部１７を囲むように０リング８が配置してあり、減圧時に０リング８が支持枠７と封止板３とによって挾持されることによって反応器１の上部は封止される。なお各封止板３は、耐熱性及びマイクロ波透過性を有し、誘電損失が小さい石英ガラス（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の誘電体にて形成されている。
　【００２３】
　本実施例においては、封止板は支持枠７の中空部１７に対応して４分割してあるが、本発明はこれに限らず、支持枠７の外枠部材７ａに対応した大きさにて１枚板としてよいことはいうまでもない。更に支持枠７の中空部の数は、外枠部材７ａの寸法及び封止板の強度に応じて定める。
　【００２４】
　このような装置にてプラズマ処理を行うには、支持枠７から所要距離を隔てて試料Ｓを載置台４上に載置した後、通流路１１内に冷却水を循環させつつ、排気口５から排気を行って処理室２内を排気した後、ガス導入管６から反応ガスを導入し所要の圧力に設定する。そして、マイクロ波発振器２３にてマイクロ波を発振させ、これを導波管２２を介して誘電体線路２１に導入させる。マイクロ波をここから封止板３を透過させ、支持枠７の中空部１７を通過させて、処理室２内に導入することによってプラズマを生成させる。この生成したプラズマによって試料Ｓの表面にプラズマ処理を施す。
　【００２５】
　このような装置にあっては、封止板３を透過したマイクロ波は支持枠７の中空部１７を通過するため、支持枠７の直下ではプラズマは発生しない。しかしながら、後述するように、支持枠７から所要距離を隔てて試料Ｓを載置することによって、プラズマを十分に拡散させて均一にして、試料Ｓの表面に供給することができる。
　【００２６】
　次に、本実施例の装置にて発生させたプラズマの均一性を評価する試験を行った結果について説明する。
　【００２７】
　図３は評価試験の結果を示すグラフである。評価試験に使用した装置の寸法、プラズマ発生条件等は以下の通りである。プラズマ発生面積は５００×５００ｍｍ２である。４つの中空部を有する支持枠の１つの中空部の大きさが２１０×２１０ｍｍ２であり、支持枠の幅が８０ｍｍである。１枚の封止板の寸法が２９０ｍｍ×２９０ｍｍ×２０ｍｍ（厚）であり、材料は石英ガラスである。誘電体線路の寸法は長さ７００ｍｍ、幅５００ｍｍ、厚さ２０ｍｍであり、材料はふっ素樹脂である。そして減圧した後、Ａｒガスを導入し圧力を１０ｍｍＴｏｒｒとし、１ｋＷのマイクロ波電力にてプラズマを発生させ、支持枠から６０ｍｍ（○）、８０ｍｍ（△）、１００ｍｍ（□）離れた各位置において、反応器の対角線上の複数の測定点にてイオン電流を測定した。
　【００２８】
　図３から明らかな如く、支持枠から６０ｍｍ（○）、８０ｍｍ（△）離れた位置においてはプラズマの拡散が十分でないため、反応器の中央から１００ｍｍ以上離れるとイオン電流が急激に大きくなっている。しかし支持枠から１００ｍｍ（□）離れた位置では、測定した全領域にてイオン電流は略均一であった。
　【００２９】
　また同時に、前述した条件において、５分間放電−１分間停止を１サイクルとしてこれを２５回繰り返すことによって封止板に対する熱ひずみの影響を試験したが、破損等は観察されなかった。
　【００３０】
　図４は本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の別の実施例を示す模式的断面図である。図中１は中空直方体の反応器である。本実施例においては、マイクロ波の導入部分が先の実施例と異なっている。このマイクロ波の導入部分について説明する。その他の反応器の部分は先の実施例と構造が同じであるので説明を省略する。
　【００３１】
　反応器１のマイクロ波導入窓を取り囲む上部壁には、先の実施例と同じく、中空部１７を封止板３で気密に封止された支持枠７が処理室２内を気密に保持するように固定されている。図５は本実施例の支持枠７を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。図２に示した先の実施例の支持枠と異なるのは、内枠部材７ｂの断面形状が凸形状でその上面が封止板３の上の面と平坦となる形状である点のみであるので、説明は省略する。なお、この形状としたのは後述するホーンアンテナ２４を封止板３ではなく支持枠７で支えるためである。
　【００３２】
　反応器１のさらに上方には、封止板３と対向して、それを覆うようにそれぞれホーンアンテナ２４が設けられている。ホーンアンテナ２４の一方の側には、導波管２２を介してマイクロ波発振器２３を連結してある。マイクロ波発振器２３から発振されたマイクロ波は導波管２２を経てホーンアンテナ２４に導入され拡げられる。拡げられ均一化されたマイクロ波は封止板３を透過して処理室２内に導入される。２５はホーンアンテナ２４の形状が歪むのを抑えるとともに取り付けを容易にするためのアンテナカバーである。図６はホーンアンテナ２４の図であって、（ａ）は底面図、（ｂ）は断面図である。
　【００３３】
　次に、本実施例の装置にて発生させたプラズマの均一性を評価する試験を行った結果について説明する。
　【００３４】
　図７は評価試験の結果を示すグラフである。評価試験に使用した装置は、プラズマ発生面積が６００×６００ｍｍ２であり、４つの中空部を有する支持枠の１つの中空部の大きさが２６０×２６０ｍｍ２であり、支持枠の幅が８０ｍｍであり、１枚の封止板の寸法が３２０ｍｍ×３２０ｍｍ×２０ｍｍ（厚）の石英ガラス（ＳｉＯ２）である。またホーンアンテナの開口部の寸法は２６０ｍｍ×２６０ｍｍである。そして減圧した後、Ａｒガスを導入し圧力
４０ｍｍＴｏｒｒ
　【００３５】
　図７によれば、支持枠から６０ｍｍ（○）、８０ｍｍ（△）離れた位置においては、プラズマの拡散が十分でないため、ホーン中心部付近のイオン電流が大きく、支持枠直下付近のイオン電流は小さい。しかし、支持枠から１００ｍｍ（□）離れた位置では、測定した全領域にてイオン電流は略均一であった。
　【００３６】
　また同時に、前述した条件において、３分間放電−１分間停止を１サイクルとしてこれを１００回繰り返すことによって封止板に対する熱ひずみの影響を試験したが、破損等は観察されなかった。
　【００３７】
　【発明の効果】
　以上詳述したように、第１発明のマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、その表面の面積が大きい封止板であっても、前記面積が小さい封止板と略同じ厚さにて、減圧時に要する物理的強度が保たれるため、熱ひずみによる破損が防止されるとともに、装置の軽量化、封止板に係るコストを可及的に低減することができる。
　【００３８】
　第２発明のマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、封止板は支持枠の中空部に対応して分割してあるため、薄い封止板を使用でき、封止板の熱ひずみによる破損をより防止できる。また、取付作業中の封止板の取扱いが容易である、支持枠の歪みによる封止板への影響が低減される等、本発明は優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の実施例を示す模式的断面図である。
　【図２】
　図１に示した支持枠を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
　【図３】
　評価試験の結果を示すグラフである。
　【図４】
　本発明のマイクロ波プラズマ処理装置の別の実施例を示す模式的断面図である。
　【図５】
　図４に示した支持枠を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
　【図６】
　図４に示したホーンアンテナを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
　【図７】
　評価試験の結果を示すグラフである。
　【図８】
　従来のマイクロ波プラズマ処理装置を示す模式的断面図である。
　【符号の説明】
　１　反応器
　２　処理室
　３　封止板
　４　載置台
　７　支持枠
　８　０リング
　９　０リング
　２１　誘電体線路
　２２　導波管
　２３　マイクロ波発振器
　２４　ホーンアンテナ
　２５　アンテナカバー