【事件の表示】
　特許第３１５６４００号「反射型液晶表示デバイス」の請求項１に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３１５６４００号の請求項１に係る特許を取り消す。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３１５６４００号は、平成４年１１月９日に出願され、平成１３年２月９日に特許権の設定登録がなされたが、中川徹より特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年３月５日に訂正請求がなされたものである。
　
２．訂正の適否
（１）訂正の内容
　訂正の内容は次のａ〜ｄのとおりである。
ａ．明細書の特許請求の範囲の「前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極」を「前記ＭＯＳＦＥＴの光反射性の材料からなるゲート電極」と訂正する。
ｂ．明細書の段落番号【０００４】の「【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、マトリクス状に配置されたＭＯＳＦＥＴと、前記ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を覆う、光反射性金属からなるデータバスと、前記ＭＯＳＦＥＴのソースに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極および前記データバスを覆う、光反射性金属からなる表示電極と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極に接続するスキャンバスとがその表面に形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板上に液晶層を介して前記シリコン基板と一定間隔を隔てて設けられ、透明な電極が被着された透明基板と、を有する反射型液晶表示デバイスにより達成される。」を「【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、マトリクス状に配置されたＭＯＳＦＥＴと、前記ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴの光反射性の材料からなるゲート電極を覆う、光反射性金属からなるデータバスと、前記ＭＯＳＦＥＴのソースに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極および前記データバスを覆う、光反射性金属からなる表示電極と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極に接続するスキャンバスとがその表面に形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板上に液晶層を介して前記シリコン基板と一定間隔を隔てて設けられ、透明な電極が被着された透明基板と、を有する反射型液晶表示デバイスにより達成される。」と訂正する。
ｃ．明細書の段落番号【００１２】の「図２は本発明の実施例２の断面図である。表示電極５とデータ書き込み電極４を重ね合わすように形成して、ＭＯＳＦＥＴとその周辺を光から遮蔽し、光によるリーク電極を低減し、表示品質の向上を図っている。」を「図２は参考例である反射型液晶表示デバイスの断面図である。表示電極５とデータ書き込み電極４が蓄積容量電極１０を覆うように形成して、ＭＯＳＦＥＴとその周辺を光から遮蔽し、光によるリーク電流を低減し、表示品質の向上を図っている。」と訂正する。
ｄ．明細書の段落番号【００１６】の「【発明の効果】本発明により、反射型液晶表示装置における駆動素子のＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート電極下部のチャネルには光の入射が防止され光によるリーク電流が低減され、また、素子の表面が平坦化されることにより画像の品質が向上する。」を「【発明の効果】本発明により、反射型液晶表示装置における駆動素子のＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート電極下部のチャネルには光の入射が防止され光によるリーク電流が低減されることにより画像の品質が向上する。」と訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の有無
　上記訂正事項ａは、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、特許明細書の段落番号【０００８】の「上記構成において、ゲート電極３を単にポリシリコン膜だけを用いて形成すると、わずかな光でも通してしまうため、光を反射するあるいは不透明な材料を使用することで、ゲート電極３下のチャネル領域を光から完全に遮蔽し、ＭＯＳＦＥＴのリーク電流を低減して画質の向上を図ることができる。このようなゲート電極材料としては、金属、金属珪化物、金属珪化物とポリシリコンの複合膜等がある。」との記載に基づくものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　上記訂正事項ｂは、上記訂正事項ａの訂正に伴い、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　上記の訂正事項ｃ及びｄは、特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るものであって、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであり、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
（３）むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正は、特許法第１２０条の４第２項の規定並びに同条第３項で準用する平成６年改正前特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
３．本件発明
　本件の請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲に記載される次のとおりのものである。
「マトリクス状に配置されたＭＯＳＦＥＴと、前記ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴの光反射性の材料からなるゲート電極を覆う、光反射性金属からなるデータバスと、前記ＭＯＳＦＥＴのソースに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極および前記データバスを覆う、光反射性金属からなる表示電極と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極に接続するスキャンバスとがその表面に形成されたシリコン基板と、
　前記シリコン基板上に液晶層を介して前記シリコン基板と一定間隔を隔てて設けられ、透明な電極が被着された透明基板と、
　を有する反射型液晶表示デバイス。」
　
４．引用発明
　これに対して取消理由に引用された特開昭５８−９３０３１号公報（以下、「引用例１」という。）には、液晶表示装置について次のように記載されている。
「第１図は全体構成を示した側面図で、１はスイッチング用トランジスタなどをマトリクス状に配置した半導体基板、２は液晶、３は透明電極を設けたガラス基板、４はスペーサである。
　この第１図から明らかなように、このアクテイブマトリクス方式の液晶表示装置では、従来の２枚のガラス基板を用いるものとは異なり、一方の基板が不透明な半導体基板となるため、表示形式を透過形とすることができず反射形に限られてしまう。」（第２頁左上欄第２〜１１行）
「このような画像表示用に適したアクテイブマトリクス方式のゲスト・ホスト形液晶表示装置の一例を第２図ないし第４図について説明すると、まず第２図はその等価回路で、５はスイッチング用ＭＯＳトランジスタ、６は蓄積用コンデンサ、７は液晶セルを表すもの、８は走査電極、９は信号電極である。」（第２頁左上欄第２０行〜右上欄第６行）
「第３図は第２図に示す単位画素をシリコン基板に集積回路化して構成した半導体基板１の断面構造図で、ＭＯＳトランジスタ５は、ソース拡散層１０、ドレイン拡散層１１、ゲート酸化膜１２、およびゲート電極１３（ポリシリコン電極）から構成され、コンデンサ６はコンデンサ用拡散層１４、コンデンサ用酸化膜１５、およびコンデンサ電極１６（ポリシリコン電極）から構成されている。また、ゲート電極１３は走査電極８も兼ねている。１７は、１層目のアルミニウム配線であり、ドレイン拡散層１１とコンデンサ電極１６の配線、および信号電極９に用いられている。１８は２層目のアルミニウム配線で、液晶セル７の一方の画素電極を形成している。また、１９はＳｉＯ２等の層間絶縁膜、２０はシリコン基板、２１は液晶分子を配向させるための配向制御膜である。
　次に、このような集積回路が形成されたシリコン基板２０を第４図に示すように、透明電極２２の付いたガラス板２３と平行に対向させ、その間にゲスト・ホスト形液晶を封入することにより、画素電極１８と透明電極２２からなる前記液晶セル７が構成される。」（第２頁左下欄第９行〜右下欄第１０行）
　そして、第３図によれば、１層目のアルミニウム配線１７で形成される信号電極９がゲート電極１３を覆うと共に、これらの信号電極９及びゲート電極１３が２層目のアルミニウム配線１８で形成される画素電極により覆われていることがみてとれる。
　以上の記載によれば、引用例１には、
「マトリクス状に配置されたスイッチング用ＭＯＳトランジスタ５と、前記ＭＯＳトランジスタ５のソース拡散層１０に接続され、前記ＭＯＳトランジスタ５のゲート電極１３（ポリシリコン電極）を覆う、アルミニウムからなる信号電極９と、前記ＭＯＳトランジスタ５のドレイン拡散層１１に接続され、前記ＭＯＳトランジスタ５のゲート電極１３および前記信号電極９を覆う、アルミニウムからなる画素電極１８と、前記ＭＯＳトランジスタ５のゲート電極１３に接続する走査電極８とがその表面に形成されたシリコン基板２０と、前記シリコン基板２０上に液晶２を介して前記シリコン基板２０と一定間隔を隔てて設けられ、透明電極２２が被着されたガラス板２３とを有する反射型液晶表示装置。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
５．対比
　本件発明と引用発明を比較するに、両者はともに反射形液晶デバイスの発明であって、引用発明の「ＭＯＳトランジスタ５」、「ソース拡散層１０」、「ゲート電極１３」、「信号電極９」、「ドレイン拡散層１１」、「画素電極１８」、「走査電極８」、「シリコン基板２０」、「液晶２」、「透明電極２２」及び「ガラス板２３」がそれぞれ、本件発明の「ＭＯＳＦＥＴ」、「ドレイン」、「ゲート電極」、「データバス」、「ソース」、「表示電極」、「スキャンバス」、「シリコン基板」、「液晶層」、「透明な電極」及び「透明基板」に対応していることが明らかであり、また、引用発明の「信号電極９」及び「画素電極１８」を形成するアルミニウムが光反射性金属であることも明らかであるから、両者は、ともに
「マトリクス状に配置されたＭＯＳＦＥＴと、前記ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を覆う、光反射性金属からなるデータバスと、前記ＭＯＳＦＥＴのソースに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極および前記データバスを覆う、光反射性金属からなる表示電極と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極に接続するスキャンバスとがその表面に形成されたシリコン基板と、
　前記シリコン基板上に液晶層を介して前記シリコン基板と一定間隔を隔てて設けられ、透明な電極が被着された透明基板と、
　を有する反射型液晶表示デバイス。」の発明である点で一致するものの、本件発明では、ゲート電極が光反射性の材料からなるとされているのに対し、引用発明では、ゲート電極がポリシリコン電極とされている点で相違する。
　
６．判断
　当該相違点について検討するに、取消理由に引用された特開昭５５−１２９２０号公報（以下、「引用例２」という。）には、「一般に半導体基板を用いたスタテイック型の液晶表示体装置における液晶駆動回路は、第一図にて示される。図中の１１はアドレス用トランジスタであり、１２はコンデンサーである。１３は液晶である。ゲートライン１４にクロック信号が入ると、トランジスタ１１はオンとなりビデオライン１５から映像信号に対応した電荷がコンデンサーに蓄積され液晶を駆動する」（第２頁右上欄第１２〜１９行）、また、「図中２１はシリコン基板である」（第２頁右下欄第１行）と記載されるように、本件発明及び引用発明と同様に、基板にシリコン基板を用いた液晶表示体装置について記載されている。
　そして、そこで用いられるＭＯＳＦＥＴのゲート電極について
「従来のアドレス用トランジスタはアルミニウムゲートＭＯＳ電解効果型トランジスタが用いられていた。」（第２頁右上欄第１９行〜左下欄第１行）と記載され、また、その特許請求の範囲には、
「（１）表示セルを構成する一方の基板に、複数個の液晶駆動用トランジスタ及び複数個のコンデンサを配置した半導体基板を用いた液晶表示体装置において、該液晶駆動用トランジスタのゲート電極は、高融点金属（融点１６００℃以上）もしくは高融点金属化合物にて構成されていることを特徴とする液晶表示体装置。
（２）高融点金属は、Ｍｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａ中の一元素であることを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の液晶表示体装置」（第１頁左下欄第５〜１４行）と記載され、さらに、これについて、
「ポリシリコンゲートＭＯＳ型トランジスタを駆動素子とした液晶表示体装置と比べて、ゲートラインが金属及び金属化合物であるために、ゲートラインの抵抗が低く、周波数特性が良好である。」（第３頁右上欄第３〜７行）と記載されている。
　このように、引用例２には、シリコン基板を用いた液晶表示体装置のＭＯＳＦＥＴのゲート電極について、ポリシリコンゲートに代えてＭｏ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｔａのような金属を用いること、また、アルミニウムのゲートが従来用いられていたことが記載されているのであるから、引用発明におけるゲート電極において、ポリシリコンに代えてこれらの高融点金属やアルミニウムとすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　なお、この時、これらの高融点金属やアルミニウムが光反射性の材料であることは明らかである。
　また、このように、引用発明におけるゲート電極を引用例２に記載される高融点金属やアルミニウムとしたものが、本件訂正明細書に記載される作用効果を奏することは、当業者に自明の事項であって、本件発明が奏するとする効果についても、格別のものとはいえない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、本件発明は、上記引用例１におけるゲート電極を引用例２に記載されるゲート電極で置き換えることにより当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件特許は、拒絶の査定をしなければならない出願に対してされたものであり、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第１項及び第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月１５日（２００２．３．１５）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
ａ．明細書の特許請求の範囲の「前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極」を「前記ＭＯＳＦＥＴの光反射性の材料からなるゲート電極」と訂正する。
ｂ．明細書の段落番号【０００４】の「【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、マトリクス状に配置されたＭＯＳＦＥＴと、前記ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を覆う、光反射性金属からなるデータバスと、前記ＭＯＳＦＥＴのソースに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極および前記データバスを覆う、光反射性金属からなる表示電極と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極に接続するスキャンバスとがその表面に形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板上に液晶層を介して前記シリコン基板と一定間隔を隔てて設けられ、透明な電極が被着された透明基板と、を有する反射型液晶表示デバイスにより達成される。」を「【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、マトリクス状に配置されたＭＯＳＦＥＴと、前記ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴの光反射性の材料からなるゲート電極を覆う、光反射性金属からなるデータバスと、前記ＭＯＳＦＥＴのソースに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極および前記データバスを覆う、光反射性金属からなる表示電極と、前記ＭＯＳＦＥＴのゲート電極に接続するスキャンバスとがその表面に形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板上に液晶層を介して前記シリコン基板と一定間隔を隔てて設けられ、透明な電極が被着された透明基板と、を有する反射型液晶表示デバイスにより達成される。」と訂正する。
ｃ．明細書の段落番号【００１２】の「図２は本発明の実施例２の断面図である。表示電極５とデータ書き込み電極４を重ね合わすように形成して、ＭＯＳＦＥＴとその周辺を光から遮蔽し、光によるリーク電極を低減し、表示品質の向上を図っている。」を「図２は参考例である反射型液晶表示デバイスの断面図である。表示電極５とデータ書き込み電極４が蓄積容量電極１０を覆うように形成して、ＭＯＳＦＥＴとその周辺を光から遮蔽し、光によるリーク電流を低減し、表示品質の向上を図っている。」と訂正する。
ｄ．明細書の段落番号【００１６】の「【発明の効果】本発明により、反射型液晶表示装置における駆動素子のＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート電極下部のチャネルには光の入射が防止され光によるリーク電流が低減され、また、素子の表面が平坦化されることにより画像の品質が向上する。」を「【発明の効果】本発明により、反射型液晶表示装置における駆動素子のＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート電極下部のチャネルには光の入射が防止され光によるリーク電流が低減されることにより画像の品質が向上する。」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
反射型液晶表示デバイス
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　マトリクス状に配置されたＭＯＳＦＥＴと、前記ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴの
光反射性の材料からなる
　前記シリコン基板上に液晶層を介して前記シリコン基板と一定間隔を隔てて設けられ、透明な電極が被着された透明基板と、
　を有する反射型液晶表示デバイス。
【発明の詳細な説明】
　【産業上の利用分野】
　本発明は反射型液晶表示デバイスに関する。
　現在、表示装置として液晶表示デバイス（ＬＣＤ）が注目されているが、アクティブマトリクス型ＬＣＤにおいては、液晶を駆動するために個々の画素にスイッチング素子としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やポリシリコンＴＦＴが設けられている構造が主流である。
　【従来の技術】
　上記のＴＦＴはオン抵抗が高く、また、動作速度も遅いため、画素数の大きい精細な表示に使用するには限界があり、表示品質を向上させることは難しかった。
　【発明が解決しようとする課題】
　本発明は液晶駆動用のスイッチング素子の高性能化によって表示品質の向上を図ることを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　上記課題の解決は、マトリクス状に配置されたＭＯＳＦＥＴと、前記ＭＯＳＦＥＴのドレインに接続され、前記ＭＯＳＦＥＴの
光反射性の材料からなる
　【作用】
　本発明では、光反射性金属からなるデータバスがゲート電極を覆い、さらに、光反射性金属からなる表示電極が上記データバスとゲート電極を覆っているので、隣り合う表示電極の間から光が進入しても、データバスと表示電極との間で反射を繰り返し、ゲート電極へ光が到達する可能性が低い。また、仮に、進入した光がゲート電極に到達したとしても、到達した光はデータバスと表示電極の間で複数回の反射により減衰しているため、光リークなどに影響を与えることがほとんどない。したがって、良好な表示を可能にする。
　【実施例】
　図１は本発明の実施例１の断面図である。
　シリコン基板１上にＭＯＳＦＥＴがマトリクス状に配置され、その間をフィールド酸化膜２によって分離している。ＭＯＳＦＥＴのドレインには、ゲート電極３を覆うように反射性金属からなるデータ書き込み電極（データバス）４が接続され、ＭＯＳＦＥＴのソースには、ゲート電極３とデータ書き込み電極４を覆うように光反射性金属からなる表示電極５が接続されている。また、ゲート電極３には図示しないスキャンバスが形成され、さらに、この上に液晶層を介して透明な電極が被着された図示しない透明基板がシリコン基板１と一定間隔を隔てて設けられている。
　この例では、データ書き込み電極４と表示電極５は厚さ１μｍのアルミニウム（Ａｌ）膜を用いている。図１に見られるように、データ書き込み電極４がゲート電極３を覆い、さらに、表示電極５がデータ書き込み電極４とゲート電極３を覆っているので、隣り合う表示電極５の間から光が進入しても、データ書き込み電極４と表示電極５との間で反射を繰り返し、ゲート電極３へ光が到達する可能性が低い。また、仮に、進入した光がゲート電極３に到達したとしても、到達した光はデータ書き込み電極４と表示電極５の間で複数回の反射により減衰しているため、光リークなどに影響を与えることがほとんどない。
　上記構成において、ゲート電極３を単にポリシリコン膜だけを用いて形成すると、わずかな光でも通してしまうため、光を反射するあるいは不透明な材料を使用することで、ゲート電極３下のチャネル領域を光から完全に遮蔽し、ＭＯＳＦＥＴのリーク電流を低減して画質の向上を図ることができる。このようなゲート電極材料としては、金属、金属珪化物、金属珪化物とポリシリコンの複合膜等がある。
　さらに、ゲート電極３に接続され且つゲート電極３に垂直に配線される図示しないスキャンバスがデータ書き込み電極４を跨ぐ部分には、厚さ１２００Åのポリシリコン膜と厚さ１８００ÅのＷＳｉ膜の複合膜を用いれば光の遮断には充分であり、これにより配線の低抵抗化と表示品質の一層の向上が図られる。
　上記構成では、ＭＯＳＦＥＴを覆って表示電極５が形成されているため、表示電極５に凹凸が生じ画質が低下する。そこで、表示電極５として厚さ３μｍのＡｌ膜で形成し、表面を研磨して平坦化することで画質のより一層の向上を図ることができる。
　研磨は粒径５０ｎｍのコロイダルシリカ（ｐＨ９〜１０）を研粒として用い、９０ｒｐｍで１３分間行う。
　また、表示電極と表示電極との間にも凹凸が発生すると、液晶層を厚みがその部分だけ変化して画質が低下するため、表示電極の上に堆積する保護膜を、例えば始めに気相成長（ＣＶＤ）による二酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜を３μｍの厚さだけ堆積し、粒径５０ｎｍのコロイダルシリカ（ｐＨ９〜１０）を使用して、荷重１００ｇ／ｃｍ２、９０ｒｐｍで１３分間行った。この結果、シリコン基板の表面は平坦化され画質の向上が可能となった。
　図２は
参考例である反射型液晶表示デバイス
　表示電極５とデータ書き込み電極４
が蓄積容量電極１０を覆うように
流
　この例においても、データ書き込み電極４と表示電極５は厚さ１μｍのＡｌ膜を用い、また、ゲート電極３に接続され且つゲート電極３に垂直に配線される図示しないスキャンバスがデータ書き込み電極４を跨ぐ部分には、厚さ１２００Åのポリシリコン膜と厚さ１８００ÅのＷＳｉ膜の複合膜を用いている。
　また、図２に見られるように、ＭＯＳＦＥＴのソース領域に接続されているソース電極１２を厚さ２０００Åのポリシリコン膜で、その表面に厚さ５００Åの熱酸化膜を形成し、その上に厚さ１２００Åのポリシリコン膜と厚さ１８００ÅのＷＳｉ膜の複合膜からなる蓄積容量電極１０を形成してスタックト容量を形成する。表示電極５はソース電極１２に接続して最表面に形成される。
　なお、いずれの実施例においても、表示電極を駆動するＭＯＳＦＥＴは、場合によってはソース／ドレイン間の耐圧が１０Ｖ以上必要となるので、ソース／ドレイン領域のイオン注入をりんイオン（Ｐ＋）〔エネルギー１２０ＫｅＶ、ドーズ量１×１０１４／ｃｍ２〕と砒素イオン（Ａｓ＋）〔エネルギー７０ＫｅＶ、ドーズ量４×１０１５／ｃｍ２〕と２度行うことにより、高耐圧化が可能となる。
　【発明の効果】
　本発明により、反射型液晶表示装置における駆動素子のＭＯＳＦＥＴにおいて、ゲート電極下部のチャネルには光の入射が防止され光によるリーク電流が低減さ
れる
【図面の簡単な説明】
　【図１】　本発明の実施例１の断面図
　【図２】　
参考例である反射型液晶表示デバイス
　【符号の説明】
　１　シリコン基板
　２　フィールド酸化膜
　３　ゲート電極
　４　データ書き込み電極
　５　表示電極
　６　保護膜
１０　蓄積容量電極
１２　ソース電極