【事件の表示】
　特許第２９６９５９６号「ＣＶＤ装置」の請求項１、３及び４に係る発明の特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第２９６９５９６号の請求項１に係る発明の特許を取り消す。
　同請求項３〜５に係る発明の特許を維持する。
【理　由】
１．本件の経緯
　本件特許第２９６９５９６号は、平成１年１０月６日に出願され、平成１１年８月２７日に設定登録され、同年１１月２日に特許公報に掲載されたところ、平成１２年４月２５日に伊藤路余から特許異議の申立がなされ、その後、平成１２年９月１３日付で取消理由通知（平成１２年９月２６日発送）がなされ、その指定期間内である平成１２年１１月２７日に訂正請求がなされ、更にその後平成１３年３月１５日付で訂正拒絶理由通知（平成１３年３月３０日に発送）がなされ、その指定期間内である平成１３年５月２９日に訂正請求書についての補正がなされたものである。
　
２．設定登録時の本件発明
　設定登録時の本件発明は、本件特許公報に掲載された本件明細書の特許請求の範囲に記載された次のものである。
（１）気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを前記反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、
　前記基体の前面空間に配設され且つ前記基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部は、２種類の前記原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、前記原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、２種類の原料ガスの各々の吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、
　前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの一方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備える、
　ことを特徴とするＣＶＤ装置。
（２）請求項１記載のＣＶＤ装置において、少なくとも１種類の前記原料ガスについてそのガス供給配管を前記ガス吹出し機構部の部屋内部まで延設し、前記ガス供給配管の延設部分を螺旋状に形成し且つその壁にガスを放出する複数の孔を形成したことを特徴とするＣＶＤ装置。
（３）請求項１記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの他方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備えることを特徴とするＣＶＤ装置。
（４）請求項１乃至３のいずれかに記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部は、前記原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の前記原料ガスのうちの前記一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
　
３．特許異議申立人の主張
　特許異議申立人伊藤路余は、甲第１〜４号証を提出して次のような主旨の主張をしている。
（１）本件請求項１に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
（２）本件請求項１に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（３）本件請求項３に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
（４）本件請求項４に係る発明は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証、甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
４．訂正請求における訂正事項
（イ）本件明細書の特許請求の範囲の請求項１及び３の「少なくとも１枚の拡散板」を、「前記原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板」と訂正する。
（ロ）本件明細書の特許請求の範囲の請求項４を次のように訂正する。
［請求項４］請求項１記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部は、前記原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の前記原料ガスのうちの前記一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
［請求項５］請求項２記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部は、前記原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の前記原料ガスのうちの前記一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
（ハ）本件明細書の特許請求の範囲の請求項２の「請求項１記載のＣＶＤ装置において、」を、「気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを前記反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、前記基体の前面空間に配設され且つ前記基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部は、２種類の前記原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、前記原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、２種類の原料ガスの各々の吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの一方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備え、」と訂正する。
（ニ）本件明細書の［課題を解決するための手段］の記載〔平成１１年５月２１日付け手続補正書第２頁第６及び７行（本件特許公報第５欄第４９及び５０行）における、「少なくとも１枚の拡散板を備えるように構成さえる。」を、「原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板を備えるように構成される。」と訂正し、及び、［課題を解決するための手段］の記載における〔平成１１年５月２１日付け手続補正書第２頁第１３行（本件特許公報第６欄第８行）〕における、「少なくとも１枚の拡散板」を、「原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板」と訂正する。
（ホ）本件明細書の［課題を解決するための手段］の記載〔同手続補正書第２頁第８行（本件特許公報第６欄第１行）〕における「前記の構成において、」を、「気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを反応室に導入するためのに設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、基体の前面空間に配設され且つ基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部が、２つの原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、さらに２種類の原料ガスの各吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、加えてガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの一方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備え、更に、」と訂正する。
　
５．訂正請求書についての補正の概要
（ａ）平成１２年１１月２７日付訂正請求において訂正した本件明細書の特許請求の範囲の請求項１を削除し、これに伴い、補正前の請求項２〜５の請求項番号を順次繰り上げ、請求項１〜４とする。
（ｂ）請求項２（補正前の請求項３）における補正前の請求項１の引用を止め、独立形式で記載する。
（ｃ）請求項３（補正前の請求項４）における補正前の請求項１の引用を止め、請求項２（補正前の請求項３）を引用する。
（ｄ）請求項４（補正前の請求項５）における補正前の請求項２の引用を止め、請求項１（補正前の請求項２）を引用する。
（ｅ）上記（ａ）および（ｂ）の特許請求の範囲の補正に伴い、訂正明細書の「課題を解決するための手段」の記載を、上記（ａ）および（ｂ）の補正に合わせて補正する。
　
６．訂正請求書についての補正の適否についての検討
　上記（ａ）の補正事項は、訂正請求において設定登録時の請求項１を減縮した請求項１を削除するものであって、設定登録時の請求項１を減縮する訂正から、それを削除する訂正に変更するものであるから、訂正請求の要旨を変更するものであることは明らかである。
　また、上記（ｃ）の補正事項は、引用する請求項を補正するものであるが、それは、訂正請求時における請求項１から、その記載内容が「他方の前記部屋に・・・少なくとも１枚の拡散板を備える」ことが付加された点でその記載内容が異なる請求項２に、変更するものであって、訂正請求の要旨を変更するものであることは明らかである。
　してみると、その余の補正事項について逐一検討するまでもなく、上記（ａ）及び（ｃ）の補正事項を含む平成１３年５月２９日付けの上記補正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する特許法第１３１条第２項の規定に違反するので、当該補正を認めない。
　
７．訂正請求における訂正の適否についての検討
７−１．訂正の目的
　上記（イ）の訂正は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項１及び３でいう「少なくとも１枚の拡散板」につき、「原料ガスを整流する」ものであることに限定するものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記（ロ）の訂正は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項４において請求項１〜３を引用していたのを、請求項３の引用を削除して、請求項１のみを引用する請求項４と、請求項２のみを引用する請求項５に分けたものであって、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　上記（ハ）の訂正は、本件明細書の特許請求の範囲の請求項２が、訂正前の請求項１を引用していたところ、請求項１が上記（イ）の訂正により減縮されることに伴って、訂正前の請求項１の内容をそのまま請求項２に書き起こして独立形式で表現するものであって、特許請求の範囲の減縮に伴って生じた明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　上記（ニ）及び（ホ）の訂正は、上記（イ）及び（ハ）の訂正に伴い、本件明細書の発明の詳細な説明の項の記載を特許請求の範囲の記載に整合させるものであって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　
７−２．新規事項、及び、拡張・変更
　上記（イ）及び（ニ）の訂正は、本件明細書第２７頁第１１〜１４行（特許公報第１２欄第４〜６行）等の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　また、上記（ロ）、（ハ）及び（ホ）の訂正は、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内のものであることが明らかである。
　そして、上記（イ）〜（ホ）の訂正は、その内容からみて、実質的に特許請求の範囲を拡張したり、変更したりするものではない。
　
７−３．訂正の結論
　上記７−１及び７−２で検討したように、上記訂正は、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　
８．訂正後の本件発明
　本件請求項１〜５に係る発明は、平成１２年１１月２７日付け訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
［請求項１］気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを前記反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、
　前記基体の前面空間に配設され且つ前記基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部は、２種類の前記原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、前記原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、２種類の原料ガスの各々の吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、
　前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの一方の前記部屋に前記原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板を備える、
　ことを特徴とするＣＶＤ装置。
［請求項２］気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを前記反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、　前記基体の前面空間に配設され且つ前記基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部は、２種類の前記原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、前記原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、２種類の原料ガスの各々の吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、
　前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの一方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備え、
　少なくとも１種類の前記原料ガスについてそのガス供給配管を前記ガス吹出し機構部の部屋内部まで延設し、前記ガス供給配管の延設部分を螺旋状に形成し且つその壁にガスを放出する複数の孔を形成したことを特徴とするＣＶＤ装置。
［請求項３］請求項１記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの他方の前記部屋に前記原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板を備えることを特徴とするＣＶＤ装置。
［請求項４］請求項１記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部は、前記原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の前記原料ガスのうちの前記一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
［請求項５］請求項２記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部は、前記原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の前記原料ガスのうちの前記一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
　
９．特許異議申立人の主張および取消理由についての当審の判断
　以下、訂正後の本件請求項に係る発明について検討する。
９−１．本件請求項１に係る発明について
　平成１２年９月１３日付取消理由通知の理由Iで引用した引用例１（特公昭５９−４６０８８号公報、甲第１号証）には、「反応室内の基板群の面上にガスプラズマまたは加熱によりガス体を固体に変換成長させる装置において、固体を形成する２種以上のガス体を互いに分離して導入するためのガス体分離通路を設けると共に、この分離通路のそれぞれと連結されたガス噴出孔を同心状に並べたガス噴出口を中心間の距離が一定値以下となるように隣接して複数個配設したガス噴射面を基板群を載置せる平面と対向するように設け、ガス体を基板群に向ってほぼ垂直に噴出させることを特徴とする気相反応装置。」（特許請求の範囲）が記載されており、また、その第２欄第３７行〜第４欄第１５行には、「第３図は本発明を実施したプラズマシリコン窒化膜成長装置の断面図である。この図においてステンレス製の反応室１は排気管１０を通して真空ポンプにより排気されるが、所定の減圧状態に達した後ガス導入パイプＡ１３およびＢ１４より（図示省略の電磁バルブを開いて）反応ガスを反応室１内に導入する。こゝでＳｉ３Ｎ４膜をＳｉ基板上に成長させる場合を例にとることにすれば、ガス導入管Ａ１３からはＮＨ３（５％Ａｒ希釈）２００ｍｌ／ｍｉｎガスを導入管Ｂ１４からはＳｉＨ４（２％Ｈ２希釈）４００ｍｌ／ｍｉｎをそれぞれ導入する。ＳｉＨ４Ｂガスは周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電源１２からマッチング回路１１を経て高周波電圧が印加されている電極２に導入され、電極のスペース１５から直径２〜２．５ｍｍの円形小孔１６を通って、たとえば磁石を利用した密閉容器内の回転軸を外部から回転させる装置１８によって回転しているアース電極１９上の試料ホルダ（トレイ）２０に平坦にのせてある基板（ウエハ）２１に衝突する。他方ＮＨ３ガスＡは電極２のスペース１７に導入され、円形小孔１６を囲む幅２〜３ｍｍのドーナツ状小孔２２を通って基板２１に衝突する。円形小孔１６とドーナツ状小孔２２は基板２１にほゝ垂直にガスを噴出するように形成されているが、その噴出孔の組合せは、他の組合せとの間隔ｄが１５ｍｍ以上とならぬように電極２の底面上に第４図Ｂのように多数設けておく。第４図はその要領を説明する電極２の底面図で、Ａはスペース１５の下面、Ｂはスペース１７の下面、それぞれ表わしている。また第３図は導入ガスを２種または互いに直接には反応しないガスによって区分した２群の場合であるが、ガスがさらに多種多群になれば、多重管を用いればよく、この場合はたとえば第４図Ｂのように多重心のドーナツ状になるが、ガスの分離導入は同様に達成できる。なお第３図中の２３は反応室１の上部の絶縁体、２４はゲートバルブを表わしている。さて高周波電極２とアース電極１９との間に高周波電界が印加されると、両電極にガスによるグロー放電が発生し、ガスプラズマが形成されてＳｉＨ４とＮＨ３の間で化学反応が起こり、Ｓｉ３Ｈ４（Ｓｉ３Ｎ４の誤り）の薄膜が基板２１上に形成される。このように反応ガスがおのおの分離された状態で反応室に送り込まれ、かつ基板上を流れるガスの分布が均質であって、基板上のスペースで始めて化学反応を起すので、薄膜の堆積速度が大きいばかりでなく均質な膜が得られる、また基板上に固��の集塊が降下する前記のような問題は発生しない。基板２１がヒータ５によって３５０〜４００℃に加熱された状態で得られた厚さ１００〜４００μｍの窒化シリコン膜は化学量論的にＳｉ３Ｎ４に極めて近く、膜表面の屈折率は２．０密度は２．８〜３．０であってクラックのないすぐれた窒化膜であった、」と記載されており、さらに、その第３図にはその発明を実施したプラズマシリコン窒化膜成長装置の断面図、第４図には第３図中の電極面よりのガス噴出口を示す電極面断面図が記載されており、また、図面の簡単な説明には、「１……反応室、２，３……電極、４，１２……高周波発振器、５……加熱体、６，７，８……ガス導入口、８，８ａ，８ｂ……ガス排出口、１０……排気管、１１……マツチング回路、１３……Ａガス導入管、１４……Ｂガス導入管、１５，１７……電極２の空房（スペース）、１６……Ｂガス放出用小孔、１９……アース電極、２０……試料ホルダ、２１……ウエハ、２２……電極２のＡガス放出用小孔」と記載されている。
　ところで、本件請求項１に係る発明でいう「ＣＶＤ装置」の「ＣＶＤ」とは、気相化学成長（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）のことで、反応ガスをプラズマ放電にさらすことにより活性化させるプラズマＣＶＤもその一種であるから、本件請求項１に係る発明において「プラズマＣＶＤ」の態様が排除されているわけではないし、また引用例１に記載された気相反応装置は、その特許請求の範囲に記載されているように、ガスプラズマまたは加熱によりガス体を固体に変換成長させる装置であり、引用例１には、ガスプラズマによりガス体を固体に変換成長させるいわゆるプラズマＣＶＤの場合だけでなく、加熱によりガス体を固体に変換成長させるいわゆるＣＶＤの場合も開示しているものであるから、引用例１でいう「気相反応装置」は、本件請求項１に係る発明でいう「ＣＶＤ装置」に相当するものである。
　そこで、本件請求項１に係る発明のＣＶＤ装置と引用例１に記載された発明の気相反応装置とを、本件請求項１に係る発明の実施例である本件の第１〜３図の記載と引用例１に記載された発明の実施例である引用例１の第３図及び第４図の記載とを突き合わせながら、対比し検討する。
　引用例１の第３図及び第４図における反応室１は、排気管１０を通して真空ポンプにより排気され、所定の減圧状態に達した後ガス導入パイプＡ１３およびＢ１４より反応ガスを導入する（第３欄１〜６行参照）のであるから、この反応室は、本件の第１〜３図における反応室１に相当し、本件請求項１に係る発明でいう「気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室」に相当する。
　引用例１の第３図及び第４図における基板（ウエハ）２１は、反応室１内に収容されて、その上にＳｉＨ４とＮＨ３の間の化学反応によりＳｉ３Ｎ４の薄膜が形成される（第４欄第３〜４行参照）のであるから、この基板は、本件の第１〜３図における基板２に相当し、本件請求項１に係る発明でいう「反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体」に相当する。
　引用例１の第３図及び第４図におけるアース電極１９、試料ホルダ２０およびヒータ５は、試料ホルダ（トレイ）２０がアース電極１９上で基板（ウエハ）２１を平坦にのせており（第３欄第１７及び１８行参照）、また、基板２１は、ヒータ５によって３５０〜４００℃に加熱される（第４欄第１０及び１１行参照）のであるから、引用例１の第３図及び第４図におけるアース電極１９、試料ホルダ２０及びヒータ５からなるものは、本件の第１〜３図における基板ホルダ３及びヒータ（温度調節機構）３ａからなるものに相当し、本件請求項１に係る発明でいう「基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダ」に相当する。
　引用例１の第３図及び第４図におけるガス導入パイプ１３及び１４においては、ガス導入パイプＡ１３からはＮＨ３及びＢ１４からはＳｉＨ４の反応ガスを反応室１に導入する（第３欄第４〜１１行参照）のであるから、これらパイプは、本件の第１〜３図における原料ガス供給用配管１３及び１７に相当し、本件請求項１に係る発明でいう「２種類の原料ガスのそれぞれを反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置」に相当する。
　引用例１の第３図及び第４図における電極２、スペース１５、スペース１７、スペース１５の下面の板に設けられた多数の小パイプ、及びスペース１７の下面の板からなる部材においては、Ｂガス（ＳｉＨ４）が電極２に導入され、電極のスペース１５から直径２〜２．５ｍｍの円形小孔１６を通って、試料ホルダ（トレイ）２０に平坦にのせてある基板（ウエハ）２１に衝突し、他方、Ａガス（ＮＨ３）は電極２のスペース１７に導入され、円形小孔１６を囲む幅２〜３ｍｍのドーナツ状小孔２２を通って基板２１に衝突し、そして、円形小孔１６とドーナツ状小孔２２は基板２１にほぼ垂直にガスを噴出するように形成されていて、その噴出孔の組合せは、電極２の底面上に第４図Ｂのように多数設けられている（第３欄第１１〜２７行を参照）のであるから、上記部材は、本件の第１〜３図における部屋Ｒ１、部屋Ｒ２，複数のパイプ３３ａ、拡散板３５からなるガス吹出し機構部３０に相当するし、本件請求項１に係る発明でいうところの「基体の前面空間に配設され且つ基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部」に相当し、また、それは、本件請求項１に係る発明のように「２種類の原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、原料ガス吹出し面に各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、２種類の原料ガスの各々の吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され」ているものである。
　さらに、引用例１の第３図及び第４図におけるスペース１７の下面の板は、該スペース１７の下面を形成するものであるから、該スペース１７に備えられているし、また、スペース１７の下面の板には、円形小孔１６を囲む幅２〜３ｍｍのドーナツ状小孔２２が設けられていて、そのドーナツ状小孔２２は、円形小孔１６と相俟って、基板２１にほぼ垂直にガスを噴出するように形成されている（第３欄第２０〜２４行を参照）のであって、原料ガスを整流する機能を有するものであり、したがって、引用例１に記載されたところの「スペース１７の下面の板」を有する気相反応装置は、本件請求項１に係る発明でいうところの「ガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの一方の部屋に原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板」を備えているといえる。
　してみると、本件請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明と同一である。
　したがって、本件請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものである。
　
９−２．特許異議申立人の上記（１）及び（２）の主張について
　本件請求項１に係る発明は特許を受けることができないことは、上記９−１の項で説示したとおりであり、したがって、特許異議申立人の上記（１）及び（２）の主張については、もはや必要がないので、これ以上審及しない。
　
９−３．特許異議申立人の上記（３）の主張について
　本件請求項３に係る発明で引用している本件請求項１に係る発明が、甲第１号証（特公昭５９−４６０８８号公報、取消理由で引用された引用例１）に記載された発明と同一であることは、上記９−１の項で既に述べたところである。
　そして、本件請求項３に係るＣＶＤ装置と、甲第１号証に記載された気相反応装置とを比較すると、前者は、ガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの他方の部屋に原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板を備える構成を有しているのに対し、後者は、上記９−１の項で既に述べたように、本件の第１〜３図における拡散板３５に相当するものであるところの、甲第１号証の第３図及び第４図におけるスペース１７の下面の板しか備えておらず、甲第１号証に記載された気相反応装置では、スペース１５の箇所には、本件請求項１および請求項３に係る発明の実施例である本件の第１〜３図に示される拡散板３２に相当するものを備えておらず、したがって、上記構成を満たしておらず、この点で相違している。
　以下、この相違点に関する構成が、当業者の容易に想到できるものであるか否かにつき検討する。
　甲第１号証には、拡散板については、スペース１７の下面の板が記載されているだけで、それ以外の拡散板ないしは原料ガスを整流する拡散板につき示唆するところはない。
　次に、他に引用される甲第２号証の記載をみる。
　甲第２号証（特開昭４９−１１６９５９号公報、取消理由で引用された引用例２）には、
「ベルジヤ１と、気相成長させる半導体ウエハ１２を支持しながら回転するウエハ支持台２と、半導体ウエハ１２を加熱するための上記ウエハ支持台２の下側に付設されたヒーター５と、上記ベルジヤ内に反応ガスを供給するためのベルジヤ上部に設けられたガス供給部とを少なくとも具備した気相成長装置において、上記ガス供給部はウエハ支持台２に対し半径方向に位置し上部に設けたガス注入口７と、中間部に設けたガスを均一に広げるためのガス拡張板８および下部に形成した比較的大きく開口したガス供給孔１１を有する容器形ガス供給部６とから構成されていることを特徴とする気相成長装置。」（特許請求の範囲）及び「気相成長の時ウエハ加熱によるベルジヤ内にガス対流があるのを発見し、その影響による反応ガスが望まざる流れになり、そのため、ベルジヤを大きくして、反応ガスを撹拌してもベルジヤ内のガスは均一にならず、したがって、均一な厚さの成長膜が得られないことが明らかになった。・・・したがって、本発明の第一の目的は、気相成長装置において、ガス対流の影響を受けないようにして半導体ウエハに反応ガスをまんべん無くあてるようにして均一な厚さの気相成長膜を得ることにあり、」（第２頁左上欄第２〜１７行）という発明が記載され、
具体的には、
「このガス供給部６はこの底板１０とウエハ支持台２との間が約１０ｍｍ程度の短い距離になるように付設されている。」（第２頁左下欄第１６〜１８行）、及び
「この気相成長装置を用いて気相成長膜を生成する時、ガス注入孔７から容器形ガス供給部６の室Ａ内に反応ガスを送入し、まず最上部にあるガス拡張板８によつてガスを室Ａ内に一旦広げ、次にガス拡張板８によって作られた室Ｂ，Ｃを迂回させながら通過せしめることによつて、反応ガスを何回か広げたり、しぼつたりして反応ガスが室Ｄに入るときには、反応ガスは極めて正確に均一にガス供給部内に広がるよう、かつ、ガスの流れがほとんど静止した状態にする。」（第２頁右下欄第３〜１２行）ことが記載されている。
　このように、甲第２号証に記載されている気相成長装置の容器形ガス供給部６においては、ガス注入孔７から送入された反応ガス（原料ガス）を拡張板８によって作られた室を迂回させながら通過せしめ、広げたり、絞ったりして、反応ガスは極めて正確に均一にガス供給部内に広がるようにし、ガスの流れがほとんど静止した状態にするものであって、その容器形ガス供給部６では、反応ガスがガス供給部内で均一に広がることとしているものの、最終的には反応ガスの流れをほとんど静止させるというのであるから、反応ガスの流動を静止させないところの整流を意図するとまでは云えない。
　そもそも、甲第２号証に記載される発明は、（ガス供給部ではなく）ベルジヤ内のガス対流の影響による反応ガスの望まざる流れを防止するために、中間部に設けたガスを均一に広げるためのガス拡張板８及び下部に形成した比較的大きく開口したガス供給孔１１を一体に備えた容器形ガス供給部６を用い、この比較的大きく開口したガス供給孔１１を回転するウエハ支持台（基体ホルダ）に接近して配置すること等により、そこでの発明の目的を達成するものであるところ、この容器形ガス供給部６の中から、拡張板８とその周辺部のみを取り出すこと、そして、２種以上のガス体（原料ガス）を互いに分離し基板（基体）に向かって垂直に噴出する等の点で、型式が基本的に異なる甲第１号証に記載されるような気相反応装置において、そのスペース１５の如き箇所に、該拡張板８等を設けてみようとする、その契機（動機付け）が、そもそも、存在しないものである。
　なお、甲第４号証（特開平１−１１９６７４号公報、取消理由で引用された引用例４）には、
「真空に保つことの出来る処理室と；処理室内に設置され基体の保持および温度調整をする基体ホルダーと；該基体ホルダーを通して該基体の温度調整を行う温度調整機構と；所定の気体を該処理室内に導入する気体導入機構と；該処理室内を排気する排気機構と、該処理室内に設置あるいは該処理室を構成する一部分として設けられ、該所定の気体を均一に該基体の表面に供給する分配板と；を含んで構成され、該所定の気体を構成する元素の一部を該基体の表面に堆積させ薄膜を作成する成膜装置において、該分配板の温度調整を行う温度調整機構を備えたことを特徴とする成膜装置。」（特許請求の範囲第１項）等が記載されており、その第１図には、その発明の成膜装置の実施例の正面断面図、第２図には、従来の成膜装置の正面断面図が示されており、また、その（従来の技術）の欄には、第２図に示された従来の装置に関して、「図示しない気体供給装置からバルブ７を通して所定の気体８が処理室１内に導入されるが、この気体８を基体表面に均一性良く供給する為に、多重にしたメッシュ等の、多数のガス透過・吹き出し細孔をそなえた分配板６が設けられている。」と記載されている。
　このように、甲第４号証には、その従来の装置における分配板６が気体８（原料ガス）を基体表面に均一性良く供給することが示され、また、その特許請求の範囲における分配板及び第１図に示されるその発明の成膜装置の実施例における分配板３１も、所定の気体（原料ガス）を均一に基体の表面に供給することが示されるが、そこでは、気体を均一に基体の表面に供給することが示されるに止まり、気体を整流することまでについては示されないものである。
　また、甲第４号証の分配板が、多重にしたメッシュ等の、多数のガス透過・吹き出し細孔をそなえたものであるとしても、整流するためには他の条件も関与するものであり、その多孔構造だけから、それが整流作用を有するとまではいえない。
　以上のとおりであり、甲第２号証の記載をみても、甲第１号証に記載された気相反応装置において、ガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの他方の部屋に原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板を設けることにつき、教示されるところがない。
　そして、本件明細書の記載によれば、本件請求項３に係る発明では、ＣＶＤ装置につき、ガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの「他方の部屋に原料ガスを整流する拡散板を備える」という構成を具備することにより、その余の構成と相俟って、他方の部屋の原料ガスも整流され、薄膜形成に当たってその均一性を高めることができたというものである。
　してみると、本件請求項３に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができず、上記（３）の主張は当たらない。
　
９−４．特許異議申立人の上記（４）の主張について
　甲第１号証（特公昭５９−４６０８８号公報、上記引用例１）および甲第４号証（特開平１−１１９６７４号公報、上記引用例４）については、上記９−１及び９−３の項で既に検討したところであり、また、甲第３号証（特開昭６２−６１３１７号公報、取消理由で引用された引用例３）には、「気体状の有機金属を反応させ結晶を得る方法の気相成長装置おいて、反応槽内にガスを導入するノズルを複数設けたことを特徴とする気相成長装置。」（特許請求の範囲第１項）、及び、「上記供給ノズル部を中空構造とし、内部に冷却媒を流して冷却することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置。」（特許請求の範囲第３項）等が記載されており、その具体例として、供給ノズル部を中空構造とし、内部に冷却媒を流してノズル部に反応生成物ができることを防ぐこと（第２頁右上欄第５〜８行）が記載されているものの、そこでいう「供給ノズル部」は、単なるノズル部であるから、本件請求項４及び５に係る発明でいう「拡散板」に当たるとはいえず、したがって、甲第３号証の記載からは、拡散板との関連で規定されるところの（Ａ）「原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置」が示唆されず、また、当然のこととして、甲第１号証、甲第３号証及び甲第４号証の記載からは、本件請求項４及び５に係る発明でいう（Ａ）「原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置」と、（Ｂ）「２種類の原料ガスのうちの一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置」の両方を備えたものは示唆されない。
　なお、甲第２号証（特開昭４９−１１６９５９号公報）でも、前記（Ａ）及び（Ｂ）の温度調整装置が示唆されない。
　そして、本件明細書の記載によれば、本件請求項４及び５に係る発明が、上記（Ａ）及び（Ｂ）の両方の温度調整装置を備えたことにより、冷却の必要がある原料ガスと加熱の必要のある原料ガスの双方を確実に温度調整することができるという効果を奏することは明らかである。
　してみると、本件請求項４及び５に係る発明は、甲第１号証、甲第３号証及び甲第４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできず、上記（４）の主張は当たらない。
　
１０．結び
　以上のとおりであり、上記補正は認めず、上記訂正は認める。
　そして、本件請求項１に係る発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものである。
　したがって、本件請求項１に係る発明についての特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認める。
　よって、本件請求項１に係る発明は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、取り消すべきものである。
　また、本件請求項３〜５に係る特許は、特許異議申立の理由および証拠によっては取り消すことができない。
　他に、本件請求項３〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年８月２４日（２００１．８．２４）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
　特許第２９６９５９６号の明細書につき、次の（イ）〜（ホ）のとおり訂正する。
（イ）本件明細書の特許請求の範囲の請求項１及び３の「少なくとも１枚の拡散板」を、特許請求の範囲の減縮を目的として、「前記原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板」と訂正する。
（ロ）本件明細書の特許請求の範囲の請求項４を、特許請求の範囲の減縮を目的として、次のように訂正する。
［請求項４］請求項１記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部は、前記原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の前記原料ガスのうちの前記一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
［請求項５］請求項２記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部は、前記原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の前記原料ガスのうちの前記一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
（ハ）本件明細書の特許請求の範囲の請求項２の「請求項１記載のＣＶＤ装置において、」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを前記反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、前記基体の前面空間に配設され且つ前記基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部は、２種類の前記原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、前記原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、２種類の原料ガスの各々の吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの一方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備え、」と訂正する。
（ニ）本件明細書の［課題を解決するための手段］の記載〔平成１１年５月２１日付け手続補正書第２頁第６及び７行（本件特許公報第５欄第４９及び５０行）における、「少なくとも１枚の拡散板を備えるように構成さえる。」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板を備えるように構成される。」と訂正し、及び、［課題を解決するための手段］の記載〔平成１１年５月２１日付け手続補正書第２頁第１３行（本件特許公報第６欄第８行）〕における、「少なくとも１枚の拡散板」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「原料ガスを整流する少なくとも１枚の拡散板」と訂正する。
（ホ）本件明細書の［課題を解決するための手段］の記載〔同手続補正書第２頁第８行（本件特許公報第６欄第１行）〕における「前記の構成において、」を、明瞭でない記載の釈明を目的として、「気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを反応室に導入するためのに設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、基体の前面空間に配設され且つ基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部が、２つの原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、さらに２種類の原料ガスの各吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、加えてガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの一方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備え、更に、」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
ＣＶＤ装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを前記反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、
　前記基体の前面空間に配設され且つ前記基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部は、２種類の前記原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、前記原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、２種類の原料ガスの各々の吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、
　前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの一方の前記部屋に
前記原料ガスを整流する
　ことを特徴とするＣＶＤ装置。
　【請求項２】　
気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを前記反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、
　
前記基体の前面空間に配設され且つ前記基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部は、２種類の前記原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、前記原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、２種類の原料ガスの各々の吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、
　
前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの一方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備え、
　少なくとも１種類の前記原料ガスについてそのガス供給配管を前記ガス吹出し機構部の部屋内部まで延設し、前記ガス供給配管の延設部分を螺旋状に形成し且つその壁にガスを放出する複数の孔を形成したことを特徴とするＣＶＤ装置。
　【請求項３】　請求項１記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部における２種類の前記原料ガスのうちの他方の前記部屋に
前記原料ガスを整流する
　【請求項４】　請求項
１
　
【請求項５】　請求項２記載のＣＶＤ装置において、前記ガス吹出し機構部は、前記原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の前記原料ガスのうちの前記一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えたことを特徴とするＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
　本発明はＣＶＤ装置に関し、特に反応室に供給される少なくとも２種類のＣＶＤ用ガスを反応室のガス吹出し口まで別々に導入し、ガス吹出し口の下流で複数種類のガスを混合・反応させ、基板上に膜厚等につき均一性の高い薄膜を形成するようにしたＣＶＤ装置に関する。
〔従来の技術〕
　従来、ＬＳＩの高密度化に伴い半導体素子のパターンの微細化や、三次元化が進んでいる。このような半導体素子の製造においては、段差や起伏の大きいパターン上に平坦性のある薄膜を形成し、これらの段差及び起伏を平坦化することが重要となり、そのためいかにして平坦性の良好な薄膜を形成するかが問題となる。このような観点から層間絶縁膜としての二酸化ケイ素ＳｉＯ２の平坦化をどのようなプロセスを用いて行うかについては現在種々の方法が考えられている。将来非常に有望視されている技術に、原料としてテトラ・エトキシ・オルソ・シリケート（以下、ＴＥＯＳと略して記す）を用いたＣＶＤ法がある。このＣＶＤ法の中にも種々のものがあり、例えばプラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、オゾンＯ３を用いたＣＶＤ法などがある。この中でオゾンＯ３とＴＥＯＳによるＣＶＤ法は、より低温（〜４００℃）で成膜可能であるため、下地のＡｌ薄膜の特性を劣化させないと共に段差等の被膜形状が良好であるという理由から他の方法に比較して優れている。この方法では、圧力領域として従来１００Ｔｏｒｒから大気圧の範囲で成膜が行われており、成膜速度としては最大３０００Å／ｍｉｎ程度が得られている。
　次に、オゾンＯ３とＴＥＯＳとを用いてＣＶＤによりＳｉＯ２膜を形成する従来装置の構成例を第１０図乃至１２図に基づいて説明する。
　第１０図は第１の従来装置を示し、第１０図において１は反応室であり、反応室１内には基板２を取付け且つ基板２の温度を調整するためヒータ３ａ等を含む温度調整機構を備えた基板ホルダ３が設置されている。反応室１はバルブ４を介して真空ポンプ５に接続されており、反応室１の室内は真空ポンプ５で排気され、所要の真空状態に設定される。反応ガスのＴＥＯＳは常温では液体７であり、バブラー容器６内に収容される。このように設けられたＴＥＯＳ７は、アルゴン（Ａｒ）ボンベ８から供給されるアルゴンガスによってバブリングされ、反応室１に導入される。アルゴンボンベ８から供給されるアルゴンガスの流量はマスフローコントローラ９によって制御される。他の反応ガスのオゾンＯ３は、酸素（Ｏ２）ボンベ１０内の酸素をオゾナイザ１１に供給し、そこで無声放電を生じさせることにより発生させる。ここで発生するオゾンＯ３は、酸素Ｏ２との混合ガスで、オゾンＯ３は３〜１０％が含まれている。混合ガスはマスフローコントローラ１２でその流量が制御され、バブラー容器６と反応室１を接続する配管１３に供給される。この場所で、オゾンＯ３は気化したＴＥＯＳと混合される。混合された２種類のガスは配管１３を通して反応室１に導入され、反応室１の導入口部に設けられたガス拡散板１４で更に混合され且つ整流され、その後対向する基板２に供給されて基板２の上にＳｉＯ２膜を形成する。この従来装置の特徴はオゾンＯ３ガスとＴＥＯＳガスを反応室１の導入口手前の配管１３の箇所で混合している点である。
　第１１図は第２の従来装置を示し、この従来装置では２種類のガスを別々に反応室１に導入して基板２の表面に供給する装置である。基本的構成は第１０図で示した構成と同じであるので、第１０図に示した構成要素と同一の要素には同一の符号を付している。構成上異なる点は、オゾナイザ１１で発生せしめたオゾンＯ３と酸素Ｏ２の混合ガスを、配管１３に供給して反応室１の手前でＴＥＯＳガスと混合させるのではなく、配管１７を経由して反応室１の基板２の前面空間に配設された多数の小孔を有する環状パイプ１５に別途に導入し、多数の小孔のそれぞれから矢印１６に示されるように基板２に混合ガスを吹き付けるように構成した点である。ＴＥＯＳガスの方は、第１０図に示した装置の場合と同様にアルゴンガスでバブリングし配管１３及びガス拡散板１４を経由して基板２に供給するように構成されている。
　第１２図は第３の従来装置を示し、この装置も前記の第２の従来装置と同様に２種類のガスを別々に反応室１内に導入して基板２に供給するように構成されている。この従来装置は文献「ＤＥＮＫＩ　ＫＡＧＡＫＵ，５６，Ｎｏ．７（１９８８）Ｐ５２７」に記載されているものであり、この文献にはＯ３−ＴＥＯＳによる常圧ＣＶＤの実験結果が示されている。第１２図において、２０は基板ホルダ３に取付けられた基板２の前面空間に配設されたガス吹出し部であり、このガス吹出し部２０は、複数の分散板２０ａを有する分散ヘッドとして構成されている。ガス吹出し部２０はその結果各分散板２０ａの間に複数の溝２１が形成され、ＴＥＯＳガスのための配管と、オゾンＯ３と酸素Ｏ２の混合ガスのための配管は、前記溝２１の底部に交互に接続されている。この構成のため、２つのガスは基板２の前面で混合され、基板ホルダ３内の温度調整機構で加熱された基板２上にＳｉＯ２が堆積する。生成反応ガスと未反応ガスはガス吹出し部２０の周囲に設けられた排気管２２を介して反応室外に排気される。
〔発明が解決しようとする課題〕
　前記第１の従来装置によれば、ガス拡散板１４の手前において２種類のガスを混合するようにしたため基板２における膜質の均一性という観点からは優れており、膜厚及び膜質に関し均一性の良好な薄膜を容易に得ることができる。しかしながら、その反面オゾンＯ３とＴＥＯＳの系では両者を混合しただけでミスト状の反応物が気相中で発生し、そのために成膜効率が低下し且つパーティクルが発生するという欠点がある。
　前記第２の従来装置によれば、２種類のガスを混合させることなく反応室１に別々に導入する構成を採用しているので、第１の従来装置に比較してオゾンＯ３とＴＥＯＳの気相中での反応を軽減することができる。しかしながら、その反面基板２の上で均一性の優れた薄膜を得るためにはオゾンＯ３の吹出しを特に均一に行わなければならず、第２の従来技術でこれを実現するには環状パイプ１５の小孔をどのように配置するかということに依存するので、かなり困難であるという欠点を有する。
　また前記第３の従来装置によれば、第２の従来装置と同様に気相中におけるオゾンＯ３とＴＥＯＳとの反応を減少させることができる。しかしながら、その反面膜質等の均一性という観点では十分良好な膜質を得ることができず、そのため図中矢印２３の方向に基板２及び基板ホルダ３を往復運動させて膜質の均一性を確保するように構成しなければならず、構成が複雑となるという不具合を有する。
　以上の説明で明らかなように、従来のＣＶＤ装置においては、気相中の反応を低減しミスト状反応物を少なくする目的で、少なくとも２種類の原料ガスを反応室１に別々に導入するように構成すると、膜厚及び膜質の均一性という面で十分に良好な薄膜を形成することができないという問題が存在した。
　本発明の目的は、上記の従来の問題点を解決すべく、少なくとも２種類の原料ガスを反応室に別々に導入するように構成しても、基板の上において膜厚及び膜質の均一性が極めて良好な薄膜を形成でき、且つ簡素な構造を有したガス吹出し機構部を備えたＣＶＤ装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
　本発明に係るＣＶＤ装置は、気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、基体の前面空間に配設され且つ基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部が、２つの原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、さらに２種類の原料ガスの各吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、加えてガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの一方の前記部屋に
原料ガスを整流する
　本発明に係るＣＶＤ装置は、
気密構造を有し内部空間が真空に保たれる反応室と、この反応室に設置され表面に薄膜が作製される基体と、この基体を保持し且つ基体の温度を調整する温度調整装置を備える基体ホルダと、２種類の原料ガスのそれぞれを反応室に導入するために設けられた２つの原料ガス導入装置とを備えるＣＶＤ装置において、基体の前面空間に配設され且つ基体に対面する原料ガス吹出し面を有するガス吹出し機構部を備え、このガス吹出し機構部が、２つの原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋を有し、原料ガス吹出し面に前記各部屋に通じる各原料ガス専用の吹出し孔が複数形成され、さらに２種類の原料ガスの各吹出し孔が個々に同心的位置関係になるように形成され、加えてガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの一方の前記部屋に少なくとも１枚の拡散板を備え、更に、
　本発明に係るＣＶＤ装置は、前記の構成において、ガス吹出し機構部における２種類の原料ガスのうちの他方の部屋に
原料ガスを整流する
　本発明に係るＣＶＤ装置は、前記の構成において、上記ガス吹出し機構部は、原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の原料ガスのうちの上記の一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置を備えることを特徴とする。
〔作用〕
　本発明のＣＶＤ装置によれば、ガス吹出し機構部の構造により基板のほぼ手前の位置まで２種類の原料ガスが混合されることなく導入され、基板に対して吹出すまでは気相中の反応を抑制することができ、更にガス吹出し面において各原料ガスの吹出し孔を個々に同心的位置関係になるような配置で多数設けるようにしたため、ガス吹出し面から吹出した直後の各原料ガスの混合を良好に行うことができ、基板に形成される薄膜の膜厚及び膜質の均一性を高めることができる。
　特に本発明のＣＶＤ装置によれば、ガス吹出し機構部に、２つの原料ガス導入装置のそれぞれから導入される原料ガスを受け入れる相互に分離された別々の部屋が形成され、かつこの部屋の一方または両方に少なくとも１枚の拡散板を配置するようにしたため、各部屋に導入されたガスは十分に整流される。
　さらに本発明のＣＶＤ装置によれば、原料ガスの供給配管を螺旋状に形成し、且つ原料ガスの放出孔を分散させて多数形成することにより、基板に対して偏ることなく原料ガスが与えられるようにしている。これにより更に薄膜の膜厚等の均一性を向上せしめる。
　さらに本発明のＣＶＤ装置によれば、ガス吹出し機構部が、原料ガス吹出し面を形成する拡散板に形成された水路とこの水路を流れる温水からなる温度調整装置と、２種類の原料ガスのうちの一方の部屋を形成する円筒形ブロックに設けられたヒータを含んでなる温度調整装置とを備えることにより、ヒータを利用した温度調整装置による加熱で一方の原料ガスであるＴＥＯＳガスを他方の原料ガスであるオゾンガスと反応し易くし、温水を利用した温度調整装置でオゾンガスの分解を抑制している。
〔実施例〕
　以下に、本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。
　第１図は本発明の第１実施例を示す。この実施例において、第１０図で説明した従来技術によるＣＶＤ装置と同一の要素には同一の符号を付している。第１図において、反応室１の中には基板２を取付け且つ基板２の温度の状態を調整するヒータ３ａを含む温度調整機構を備えた基板ホルダ３がその上方位置に配設されている。反応室１にはバルブ４を介して真空ポンプ５が設けられ、この真空ポンプ５によって反応室１内は排気され真空状態になる。６は液体状態のＴＥＯＳ７を収容するバブラー容器であり、ＴＥＯＳ７はアルゴン（Ａｒ）ボンベ８から供給され且つマスフローコントローラ（ＭＦＣ）９によってその流量を制御されるアルゴンガスによってバブリングされ、ガス状態にて配管１３を通して反応室１に導入される。他の反応ガスであるオゾンＯ３は、酸素（Ｏ２）ボンベ１０の酸素をオゾナイザ１１に供給し、ここで無声放電により発生させ、酸素との混合ガスとして生じさせる。混合ガスはマスフローコントローラ（ＭＦＣ）１２でその流量を制御され、その後、反応室１内のガス吹出し機構部３０に導入される。本発明によるＣＶＤ装置の場合には、ＴＥＯＳガスと混合ガス（オゾンＯ３と酸素Ｏ２）は別々の原料ガス供給配管によって反応室１内に設置されたガス吹出し機構部３０における相互に分離された部屋に導入される。このガス吹出し機構部３０は反応室１内において基板２の前面空間に配設されている。
　第１図及び第２図に基づいてガス吹出し機構部３０の構成について説明する。第２図はガス吹出し機構部３０を拡大して示す図である。ガス吹出し機構部３０は、底部３１ａと段付き穴３１ｂを有する第１の円筒形ブロック３１と、円筒形ブロック３１の段付き穴３１ｂの段付き部に配設される拡散板３２と、基板２の前面空間に臨む複数のパイプ３３ａを有するガス吹出しパイプ部３３と、第１の円筒形ブロック３１における基板２側の端面に配設されるほぼ同径の第２の円筒形ブロック３４と、この円筒形ブロック３４の基板２側の端面に配設される拡散板３５とから構成される。拡散板３５は、基板２に対面する位置にあり、導入されたすべての原料ガスがこの外面位置から放出されるので、ガス吹出し機構部３０において原料ガス吹出し面として機能する。
　ＴＥＯＳガスを供給するための配管１３はガス吹出し機構部３０における円筒形ブロック３１の底部３１ａに接続され、第１の円筒形ブロック３１と拡散板３２とガス吹出しパイプ部３３はＴＥＯＳガス導入部を構成する。また第２の円筒形ブロック３４と拡散板３５は混合ガス導入部を構成する。拡散板３５は複数の孔３５ａを有しているが、この孔の径は前記ガス吹出しパイプ部３３の各パイプ３３ａの外径よりも大きく形成されており、且つパイプ３３ａの先端が拡散板３５の孔３５ａの中に位置するように同心的に構成されている。ガス吹出し機構部３０の上面部の一部を斜視図で示すと第３図のようになる。第３図において、３５は混合ガス導入部の拡散板であり、拡散板３５には複数の孔３５ａが形成されていると共に、この孔３５ａに対し同心的にガス吹出しパイプ部３３の各パイプ３３ａが配置されている。孔３５ａの内壁面とパイプ３３ａとの間には隙間３６が形成される。孔３５ａは例えば円孔として形成され、これに対応してパイプ３３ａの吹出し口も円形となっている。ただし、吹出し口の形状は円形に限定されない。
　上記の構成において、ＴＥＯＳガスとアルゴンガスは、円筒形ブロック３１の底部３１ａに形成されたガス吹出し機構部３０の第１の導入口３７を通ってガス吹出し機構部３０の部屋Ｒ１に導入され、拡散板３２とガス吹出しパイプ部３３の各パイプ３３ａにより整流された後に基板２に対し吹出される。一方、オゾンＯ３を含む混合ガスは第２の円筒形ブロック３４に設けられたガス吹出し機構部３０の第２の導入口３８を通してガス吹出し機構部３０の部屋Ｒ２に導入され、拡散板３５の孔３５ａの内壁とパイプ３３ａとの間に形成された隙間３６から吹出され、基板２に対し供給される。このような構成において、第１の円筒形ブロック３１の内部に形成された部屋Ｒ１と第２の円筒形ブロック３４の内部に形成された部屋Ｒ２とはガス吹出しパイプ部３３の底壁部で完全に分離され、相互にシールされているので、ＴＥＯＳガスと混合ガスはガス吹出し機構部３０の図中拡散板３５の上面から吹出すまでの間に混合されることはない。
　第１図のＣＶＤ装置を用いて実際にＳｉＯ２膜を形成した例について説明する。
　先ず、バルブ４を開き真空ポンプ５を作動させて反応室１を排気し、所要の真空状態にする。次に基板ホルダ３内部のヒータ３ａを図示しない温度調整機構により発熱させ、基板ホルダ３の上に配設された基板２を３５０〜４００℃の温度に加熱する。その後、図示しない恒温槽の如き加熱装置により約６５℃の温度に加熱されたバブラー容器６に対しアルゴンガスをアルゴンボンベ８から約１００ｃｃ／ｍｉｎの流量で供給し、バブリングを開始する。このバブリングによりＴＥＯＳの気化が促進され、ガス状態のＴＥＯＳが配管１３、導入口３７、拡散板３２を通ってガス吹出しパイプ部３３の各パイプ３３ａから基板２の前面空間に吹出される。一方、オゾナイザ１１において発生したオゾン濃度が約４体積パーセントであるオゾンと酸素の混合ガスはマスフローコントローラ１２の作用により約１０００ｃｃ／ｍｉｎの流量で配管１７を経由してガス吹出し機構部３０の第２の導入口３８に導入され、拡散板３５とパイプ３３ａとの隙間３６から基板２の前面空間に吹出される。以上により基板２の前面空間でガス吹出し機構部３０の上面部から吹出したＴＥＯＳガスと混合ガスとが混合され、その結果基板２の上には約２０００Å／ｍｉｎの速度でＳｉＯ２の膜が堆積する。成膜中、バルブ４の開度を変化させることにより反応室１内の圧力を約５０Ｔｏｒｒに保つようにした。
　なお上記の実施例では各構成部分の寸法として、例えば、ガス吹出し機構部３０の径を１６０ｍｍ、ガス吹出しパイプ部３３のパイプ３３ａの内径を１ｍｍ、隙間３６の隙間幅を０．１ｍｍとした。ここで、隙間３６の寸法を大きくしすぎると、整流効果が薄れるのであまり大きくすることはできない。また、ガス吹出しパイプ部３３の複数のパイプ３３ａは例えば正方格子状に配列されている。
　上記実施例では、混合ガスの吹出し口をＴＥＯＳガスの吹出し口の周囲に同心的に設けるようにしたが、その代わりに周囲以外の別の場所に設けるようにし、ガス吹出し機構部３０の上面においてガスが均一に分布されるようにすることもできる。また、前記第１の実施例では一箇所のみに設けていた第２の導入口３８を円筒径ブロック３４の周囲に等間隔に複数形成することも可能である。
　次に第４図は本発明の第２実施例を示し、ガス吹出し機構部３０のみを拡大して示した第２図と同様の図である。その他の構成は第１図に示した構成と同じであるので、その説明を省略する。この実施例においても、ＴＥＯＳガスの導入部の構成は同じであり、配管１３、円筒形ブロック３１、導入口３７、拡散板３２、ガス吹出しパイプ部３３によってＴＥＯＳガスは導入される。本実施例の特徴はオゾンと酸素の混合ガスの導入機構にある。本実施例による混合ガスの導入機構では、混合ガスの供給用配管１７の先部をガス吹出し用の多数のパイプ３３ａの間をぬって巻設された螺旋状の配管４０として形成したことにある。この配管４０の形状及び配設状態を第５図に示す。この実施例による巻き方によれば、例えば周囲から内側に中心に向かって螺旋状に巻いていき、中心に達したら次には中心から周囲に戻るように巻いている。また第４図に示すように、この配管４０には例えば約２０ｍｍの間隔でガス吹出し用の小孔４０ａが下壁に形成されている。そのため混合ガスは、配管４０の小孔４０ａと、ガス吹出しパイプ部３３と拡散板３５との間に形成された隙間３６とによって２段階で整流される。混合ガスの吹出し状態を第４図において矢印４１によって示す。このように小孔４０ａを下壁に設けて整流の段数を増し、且つ吹出し用の配管４０を螺旋状に配設するようにしたため、混合ガスの吹出しの均一性を向上させることができ、その結果膜質等の均一性を更に向上させることができた。
　第６図は、第４図に示されたガス吹出し機構部を有するＣＶＤ装置を用いて、前記の第１実施例における場合と同一の条件によってＳｉＯ２膜を形成した実験結果を示し、基板２とガス吹出し機構部３０の上面との距離（横軸）と、成膜速度（縦軸）との関係を示すグラフである。このグラフには２つの特性Ａ，Ｂが示されている。＋印で示された特性Ａは第１０図で示された従来装置に基づく特性である。○印で示された特性Ｂは第２実施例のＣＶＤ装置で得られたデータである。特性Ａ，Ｂはいずれも基板２とガス吹出し機構部３０の上面との距離を増していくと、成膜速度は大きくなり、最大値を示した後減少する。しかしながら、特性ＡとＢでは最大値に差があり、本発明によるＣＶＤ装置の最大値の方が従来のものよりも約３０％大きくなっている。このような差が生じるのは、ＴＥＯＳガスとオゾンガスとの混合による気相反応が本発明による場合にはかなり軽減され、その分成膜速度が増加したからである。また、膜厚の均一性については、従来装置によるもの及び本発明の装置によるもののいずれも４インチウェハにおいて±５％以内に収まっていた。従って、２種類の原料ガスを別々に導入する構成を採用する本発明による装置であっても、薄膜の均一性について良好な結果を得ることができる。
　前記の第１実施例と第２実施例において、構成上次のような変更を加えることが可能である。前記各実施例では、拡散板３２と３５をそれぞれ１枚ずつ設けるようにしたが、第７図に示すように３２Ａ，３２Ｂ，３５Ａ，３５Ｂと少なくとも２枚以上、複数配設することも可能である。このようにそれぞれの拡散板を増すと、基板２の上に形成される薄膜の膜厚等の均一性を高めることができる。ＴＥＯＳガス用の拡散板３２Ａ，３２Ｂは２段の段部を有する円筒形ブロック３１の段付き穴３１ｂに平行に配設されている。また混合ガス用の拡散板３５Ａ，３５Ｂについては、拡散板３５Ａの配設位置は前記の拡散板３５と同一であるが、吹出し口の位置をパイプ３３ａの周囲ではなくパイプ３３ａのほぼ中間位置となるように異ならせている。つまり、ガス吹出し機構部３０の上面においてＴＥＯＳガスの吹出し口と混合ガスの吹出し口とは交互に位置を異ならせて配設されている。一方、拡散板３５Ｂは、円筒形ブロック３４の軸方向の寸法を大きくすることにより、その軸方向のほぼ中間位置に配設するようにしている。拡散板３５Ｂに形成された複数の小孔には前記ガス吹出しパイプ部３３の各パイプが挿通しており、この小孔の内壁とパイプ３３ａとの隙間から混合ガスが吹出す。従って、拡散板３５Ａと３５Ｂとではガス吹出し口の位置がずれている。このような構成のため、前記混合ガスを供給する配管１７は円筒形ブロック３４において拡散板３５Ｂの下側に接続され、拡散板３５Ｂの下側に第２の混合ガス用導入口３８が設けられることになる。
　第８図は前記の第３のガス導入口３８の位置を変更した実施例を示す。第８図に示すように、混合ガス用配管１７を第２の円筒形ブロック３４の壁部に接続するのではなく、ＴＥＯＳガス用配管１３の中に挿通させ、ガス吹出しパイプ部３３の底壁部の中央部に直接的に接続するように構成したものである。その他の構成は第２図に示された構成と同じである。この構成によれば第２のガス導入口３８が中央に位置するので、混合ガスの複数の吹出し口に対して距離的関係から比較的に均一にガスを吹出させることができる。
　第９図は本発明の他の実施例を示し、本図もガス吹出し機構部３０のみを示した第２図と同様な図である。その他の構成については第１図に示した構成と同じである。この実施例では、円筒形ブロック３１と拡散板３２は熱伝導性の良い銅等の金属部材で形成され、更に円筒形ブロック３１の内部にはヒータ５０が内蔵されている。ヒータ５０に電力を供給する電源及びヒータ５０の温度を調整する温度調整機構は第９図中示されていないが、この温度調整機構によるヒータ５０の加熱作用により円筒形ブロック３１と拡散板３２は約５００℃の温度に加熱される。また、混合ガス用の拡散板５１は所要の厚みを有し、その厚みの内部には水路５２が設けられている。この拡散板５１に設けられた水路５２は、供給管５３及び排水管５４と接続されており、供給管５３によって矢印５５に示すような方向で温水が供給され、配水管５４によって矢印５６の方向に温水が排出される。この温水によって混合ガスの拡散板５１は一定温度に保持される。また第２の円筒形ブロック３４とガス吹出しパイプ部３３はＳｉＯ２やセラミック等の熱伝導性の悪い材質で構成されている。
　上記構成のガス吹出し機構部を有するＣＶＤ装置によれば、導入口３７から導入されるＴＥＯＳガスはそれ自身の分解温度近くまで加熱され（約６００℃）、そのため次の段階でオゾンガスと反応しやすい状態に変化する。一方、オゾンガスは温度が高いほど分解しやすい特性を有しているので、反対に拡散板５１に形成した水路５２に流れる温水によって温度を低減するようにし、これによりオゾンガスの分解を抑制するようにしている。この結果、この実施例による装置で基板２上に堆積させたＳｉＯ２膜は、上記の膜厚等の均一性が向上するという効果に併せ、特に成膜効率が上昇し、成膜速度を大幅に向上させることができるという効果が生じる。また前記温水において約９０℃のものを使用することによりガス吹出しパイプ部３３におけるＴＥＯＳガスの結露を抑制する効果も生じる。
　上記の各実施例においては、ＴＥＯＳガスとオゾンを含む混合ガスとによるＣＶＤを例にして説明をしてきたが、本発明によるガス吹出し機構部を有する装置構成は、これに限定されるものではなく、複数のガスを用いるその他の薄膜作製装置、例えば熱ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置等に利用することができる。
〔発明の効果〕
　以上の説明で明らかなように、本発明によれば次のような効果が生じる。
　ＣＶＤ装置の反応室にガス吹出し機構部を設け、このガス吹出し機構部の構造により、複数の原料ガスをガス吹出し機構部に分離した状態で別々に導入し、基板の前面空間に各原料ガスを吹出させ、その時複数の原料ガスが適切に混合されるように構成したため、気相中のミスト状の反応物の発生を抑制できると共に、膜厚及び膜質につき均一性の良好な薄膜を作製することができる。
　反応室に導入される原料ガスを２種類とし、基板の前面に配設されたガス吹出し機構部の吹出し面に形成される第１の原料ガス吹出し口と第２の原料ガス吹出し口とを同心状に形成し、これを多数設けるようにしたため、薄膜の均一性を更に高めることができる。
　ガス吹出し機構部に接続される原料ガスを導入するための配管を更にガス吹出し機構部内部に延設し、且つ螺旋状の形状に形成し、基板に対し偏ることなく原料ガスを供給するようにしたため、基板に形成される薄膜の膜厚等の均一性が更に向上する。
　ガス吹出し機構部に設けられる各原料ガスのための拡散板の個数を増すようにしたため、整流が十分に行われ、薄膜形成に当り均一性を高める効果が発揮される。
　更にガス吹出し機構部の所定の箇所に温度調整装置を設けるようにしたため、各原料ガスの反応状態を最適なものとすることができ、成膜効率を高め、成膜速度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
　第１図は本発明に係るＣＶＤ装置の全体構成を示す構成図、第２図は第１実施例のガス吹出し機構部の拡大縦断面図、第３図はガス吹出し機構部の上面の吹出し面を示す部分斜視図、第４図はガス吹出し機構部の第２実施例を示す縦断面図、第５図は配管の形態を示す平面図、第６図は本発明によるＣＶＤ装置と従来のＣＶＤ装置の能力を比較した特性図、第７図と第８図と第９図は本発明によるガス吹出し機構部の他の実施例を示す縦断面図、第１０図と第１１図と第１２図は従来のＣＶＤ装置を示す構成図である。
〔符号の説明〕
　１・・・・・・反応室
　２・・・・・・基板
　３・・・・・・基板ホルダ
　５・・・・・・真空ポンプ
　６・・・・・・バブラー容器
　７・・・・・・液体状ＴＥＯＳ
　９，１２・・・マスフローコントローラ
　１３，１７・・原料ガス供給用配管
　３０・・・・・ガス吹出し機構部
　３１・・・・・円筒形ブロック
　３２・・・・・拡散板
　３３・・・・・ガス吹出しパイプ部
　３４・・・・・円筒形ブロック
　３５・・・・・拡散板
　３５ａ・・・・孔
　３６・・・・・隙間
　３７，３８・・導入口
　４０・・・・・螺旋状の配管
　４０ａ・・・・小孔
　３２Ａ，３２Ｂ，３５Ａ，３５Ｂ
　　　　　・・・拡散板
　５１・・・・・拡散板
　５２・・・・・水路
　５０・・・・・ヒータ
　Ｒ１，Ｒ２・・部屋