【事件の表示】
　特許第３０８６３６２号「プラズマ処理装置」の請求項１〜４に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　訂正を認める。
　特許第３０８６３６２号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本件特許第３０８６３６２号（平成５年５月１９日出願、平成１２年７月７日設定登録）は、特許異議申立人　高橋　哲夫より、請求項１〜４に係る特許について特許異議の申立てがなされ、取消理由が通知され、その指定期間内である平成１３年９月６日に訂正請求がなされた後、新たに取消理由が通知され、その指定期間内である平成１４年１月１１日に上記訂正請求を取り下げるとともに、新たに訂正請求がなされたものである。
　　
［２］訂正の適否についての判断
（１）訂正事項
（１−１）訂正事項ａ
　本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１中の「手段を、前記処理ガス供給ヘッダ内に設けるように」を、「ために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段を、前記電極に接触した状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となるように」と訂正する。
　　
（１−２）訂正事項ｂ
　特許明細書の請求項２及び４を削除する。
　　
（１−３）訂正事項ｃ
　特許明細書の請求項３を１つ繰り上げて請求項２とし、「請求項１又は２記載」を「請求項１記載」と訂正する。
　　
（１−４）訂正事項ｄ
　特許明細書の段落番号０００７の「手段を、前記処理ガス供給ヘッダ内に設ける」を「ために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段を、前記電極に接触した状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となる」と訂正する。
　　
（１−５）訂正事項ｅ
  特許明細書の段落番号００３０の「ガス孔の直径を１２０ｍｍ、ガス孔のピッチを３．１７５ｍｍ、抵抗プレートの厚さを１１ｍｍとし、本実施例の装置の場合は、ガス孔の直径を従来装置と同じ１２０ｍｍ、ガス孔」を「ガス孔のピッチを３．１７５ｍｍ、抵抗プレートの厚さを１１ｍｍとし、本実施例の装置の場合は、ガス孔」と訂正する。
　　
（１−６）訂正事項ｆ
　図面の図２中の「Ｈ」を「Ｈ１」と訂正する。
　　
（２）訂正の目的の適否、新規事項の追加の有無、及び拡張・変更の存否
（２−１）訂正事項ａについて
　訂正事項ａは、特許明細書の請求項１中の「圧力差を与える手段」を、より下位概念である「圧力差を与えるために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段」に限定するとともに、同請求項中の「前記処理ガス供給ヘッダ内に設けるように」という構成要件に、「前記電極に接触した状態で‥‥‥‥、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となる」という構成要件を直列的に付加して、より下位概念である「前記電極に接触した状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となるように」に限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして、上記「圧力差を与えるために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段」の構造は、訂正前の特許明細書の段落番号００１８の第９〜１４行「このプレート７４は上記ヘッダ室６４の開口端縁と上部電極２０との間に介設されて、ボルト７６等により取り付け固定される。この抵抗プレート７４には、上記上部電極２０に形成された第１のガス孔７０と対応して連通するように等ピッチになされた多数の第２のガス孔７８が形成されている。」と、段落番号００１９の第１〜１４行「ヘッダ室６４内の雰囲気状態は、プラズマ放電が生ずる限界を示すパッシェン（Ｐａｓｃｈｅｎ）の法則を外れるような状態に設定される。‥‥‥‥‥‥‥‥具体的には、ヘッダ室６４内の圧力を上昇させるために第１のガス孔７０の直径Ｄ１は０．５ｍｍに、第２のガス孔７８の直径Ｄ２は２．０ｍｍ程度に設定されると共に第２のガス孔７８のピッチＬ１は６．３５ｍｍ程度に設定され、また、上部電極２０からの距離を決定する抵抗プレート７４の厚さＨ１は１７ｍｍ程度に設定され、、プラズマ放電が生じないように構成している。」に記載されていたものであるから、当該訂正事項は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−２）訂正事項ｂについて
　訂正事項ｂは、本件特許の請求項２及び４を削除するものであって、特許請求の範囲の減縮に該当する。また、当該訂正は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−３）訂正事項ｃについて
　訂正事項ｃは、特許明細書の請求項３を請求項２に繰り上げるとともに、引用する請求項を「請求項１又は２」から「請求項１」に訂正するものであって、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、当該訂正は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−４）訂正事項ｄについて
　訂正事項ｄは、訂正事項ａの請求項１の訂正に対応して、これに関連する発明の詳細な説明の中の請求項１に対応する記載事項を訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、当該訂正は、訂正事項ａと同じく特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−５）訂正事項ｅについて
　訂正事項ｅは、従来装置と本実施例装置の試験条件が明確になるように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。また、当該訂正は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（２−６）訂正事項ｆについて
　訂正事項ｆは、特許明細書の段落番号００１８に記載されている「Ｈ１」に一致させて図２に示すために、図２中の誤記「Ｈ」を「Ｈ１」に訂正するものであるから、誤記の訂正に該当する。また、当該訂正は、特許明細書又は図面の範囲内においてした訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　　
（３）まとめ
　以上のとおりであるから、上記訂正事項ａ〜ｆは、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、特許法第１２０条の４第３項において準用する平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１２６条第１項ただし書、及び第２項の規定に適合するので、当該訂正を認める。
　　
［３］特許異議の申立てについて
（１）特許異議申立ての理由の概要
　特許異議申立人　高橋　哲夫は、本件出願前に頒布された刊行物である甲第１号証及び甲第２号証を提示して、本件特許の請求項１〜４に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、上記請求項１〜４に係る発明についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであり、特許法第１１３条第１項第２号の規定に該当するので、取り消されるべきである旨主張している。
　　
（２）本件発明
　上述したように、本件訂正は適法なものであるから、本件特許の請求項１、２に係る発明（以下、「本件発明１、２」という。）は、訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１、２に記載されたとおりの次のものと認める。
「【請求項１】　処理ガス供給ヘッダを有する電極に形成した第１のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給しつつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガス供給ヘッダ内にプラズマ放電が生じないように、前記処理ガス供給ヘッダ内の圧力と前記処理空間の処理圧力との間に圧力差を与えるために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段を、前記電極に接触した状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となるように構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】　前記処理空間の処理圧力は、０．５Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。」
　　
（３）甲各号証の記載事項
（３−１）甲第１号証（特開昭６２−２１８５７７号公報）
　甲第１号証には、「金属電極の放電面側の孔端部で異常放電が発生し、」（第２頁左下欄１３〜１４行）、
「この発明は、上部電極と接地基板電極とからなる気相反応装置用平行平板電極において、前記上部電極は成膜用反応ガスを吹き出すための多数の貫通孔を有する金属板と、該金属板の放電面側に密着された有孔絶縁薄板とからなり、前記絶縁薄板に配設された孔の直径が前記金属板に配設された貫通孔の直径よりも小さいことを特徴とする気相反応装置用電極を提供する。」（第３頁左上欄１１〜１８行）、
「理由は明らかでないが、絶縁板に配設された孔の直径を金属板の貫通孔の直径よりも小さくすると、異常放電の発生を効果的に抑制することができる。」（第３頁右上欄７〜１０行）、
「第１図は上部電極の部分拡大断面図であり、第２図は該上部電極を有するプラズマＣＶＤ薄膜形成装置の一実施例を示す概略的断面図である。第１図に示されるように、電極用金属板１１０は、成膜用反応ガスを吹き出すための多数の貫通孔１２０を有する。該電極用金属板の放電面側には開孔部１３０を有する絶縁薄板１４０が密着されている。絶縁薄板１４０に配設された開孔部１３０の直径φＢは、電極用金属板１１０の貫通孔１２０の直径φＡよりも小さい。理由は明らかでないが、φＢ＜φＡの場合には異常放電が殆ど発生しないが、φＢ≧φＡの場合には、異常放電を抑制することはできない。一般的に、貫通孔の直径が小さいほど異常放電が発生しにくく、反応室内に送入されるガスのフローパターンが均一になる。貫通孔の直径は特に限定されないが、例えば、約０．５ｍｍ程度にし、絶縁板開孔部の直径を例えば、０．４−０．３ｍｍ程度にすることができる。しかし、貫通孔および絶縁板開孔部の直径は、使用されるウエハの口径に応じて変化させることができる。電極用金属板１１０の材質は例えば、耐食性の高いアルミニウムである。これ以外の金属材料も使用できる。金属板の厚さはプラズマ放電の熱で反らないだけの必要十分な厚さであればよい。あくまでも一例であるが、約１０ｍｍ程度の厚さのアルミニウム板を使用できる。」（第３頁左下欄１行〜右下欄８行）、
「絶縁板１４０の厚さは特に限定されないが、例えば、約０．５ｍｍ−約５ｍｍ、好ましくは、約２ｍｍ未満の厚さのものを使用できる。」（第３頁右下欄１５〜１８行）、
「第２図は本発明の電極を使用したプラズマＣＶＤ薄膜形成装置の概念的断面図である。第２図に示されるように、本発明の電極は上部電極１００と接地基板電極２００とからなる、いわゆる、平行平板電極である。上部電極１００は、成膜用反応ガスを吹き出すための多数の貫通孔１２０を有する電極用金属板１１０と、この電極板の放電面側に密着された有孔絶縁薄板１４０とからなる。」（第４頁３〜１１行）、
「上部電極１００は電極支持機構３００により支持されている。電極支持機構３００は高周波電源３１０が接続されている。また、電極支持機構３００の内部には反応ガス導入路３２０が配設されている。電極支持機構３００により支持された金属板１１０と有孔絶縁薄板１４０とは絶縁リング３３０により包囲されている。絶縁リング３３０の側部３４０に有孔絶縁薄板１４０の外周縁を乗せ、この薄板の上面に金属板１１０の放電面を押し付ける。金属板１１０の上面と絶縁リング３３０の内面との間に反応ガス供給空間３５０を設ける。反応ガス導入路３２０から送入されたＳｉＨ４，Ｎ２ＯおよびＮ２などの反応ガスはこの供給空間３５０に吹き出される。プラズマＣＶＤ法は約１−約０．４Ｔｏｒｒ程度の真空度を維持しながら実施されるので供給空間３５０内に吹き出された反応ガスは金属板の貫通孔１２０を通過し、絶縁薄板の孔１３０を通り、接地基板電極２００上のウエハ５００に均一に降り懸かる。」（第４頁左下欄１〜２０行）、
「上部電極１００と接地基板電極２００との間隙は例えば約２０ｍｍ程度である。電極は密閉可能な反応室６００内に配置される。反応室６００は上部電極１００の配設されたトップカバー６１０と、側壁６２０および底壁６３０とからなる。接地基板電極に限らず、反応室、ヒータ、ウエハ載置台など、上部電極以外のものは全てアースをとることが好ましい。本発明の電極の実施例をプラズマＣＶＤ装置について説明してきたが、本発明の電極は反応ガスをエッチング用の、例えば、ＣＦ４などに変更すれば、そのままプラズマエッチング装置に使用できる。」（第４頁右下欄１６行〜第５頁左上欄１０行）、
「理由は明らかではないが、絶縁板に配設された開孔部の直径を金属板の貫通孔の直径よりも小さくすると、異常放電の発生を効果的に抑制することができる。」（第５頁左上欄１７〜２０行）、
「従来のような貫通孔付金属板のみからなる電極では反応ガスのフローパターンは均一になるが、孔の周辺部で異常放電が発生し、放電密度が一定にならないばかりか、放電集中も変化する。その結果、大口径ウエハについては膜厚分布が均一で膜質的にもすぐれたＣＶＤ膜は得られない。」（第５頁右上欄４〜９行）と記載され、
そして、上述の記載に対応させて第１図、第２図が示されている。
　これらの記載及び図示されたものを総合すると、甲第１号証 には、反応ガス供給空間３５０より反応ガスを電極用金属板１１０の貫通孔１２０を介して反応室６００に供給しつつ対向する接地基板電極２００に保持したウエハ５００に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記貫通孔１２０の周辺部で異常放電が発生しないように、前記電極用金属板１１０の前記反応室６００側に、前記貫通孔１２０と連通する開孔１３０を有する絶縁薄板１４０を密着させて設け、該電極用金属板１１０と絶縁薄板１４０とで上部電極１００を形成し、前記開孔１３０の直径を前記貫通孔の直径よりも小さく設定したプラズマ処理装置の発明が記載されている。
　
（３−２）甲第２号証（実願平３−１４８８号（実開平４−９９５３１号）のＣＤ−ＲＯＭ）
　甲第２号証には、「図５はかかる従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構成図である。この図において、形成されるべき薄膜の種類によって選択される生成ガスは、０．０１−１．０Ｔｏｒｒの減圧下に置かれた反応容器１０内に、ガス供給口１から導入され、かつ反応を終えたガスは、適宜ガス排出口２より外部に排出される。また、反応容器１０内の上部には、上部電極３が配置されると共に、被処理対象物としての基板７は、この上部電極３に対向して下方に設けられた、それ自体が下部電極となる基板台４上に載置されている。この電極３，４間に１０ＫＨｚ−１４ＫＨｚ程度の高周波電源６により高周波電圧が印加され、内部の生成ガスをプラズマ化すると共に、このプラズマに運動エネルギーを与えて、被処理対象である基板７にこのプラズマを衝突させ、薄膜形成反応を進行させる。また、この基板７はヒータ５により、反応容器１０の外部から所定の温度、例えば、基板温度３００℃程度までに加熱保持することができるようになっている。‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥反応ガス導入孔の径が大きくなると、ホロカソード放電が発生し、形成すべき薄膜の材質が低下あるいは不良になってしまう。このガス導入孔の径は小さい方が望ましいが、‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥
　従って、従来のプラズマＣＶＤ装置では、ホロカソード放電が発生しない、限られた成膜条件（反応ガス流量、圧力、温度、ＦＲ電力、電極間距離、電極面積等）の下でのみ薄膜の製作が可能であった。」（段落【０００３】〜【０００６】）
「更に、本実施例のユニット電極への切り込み加工方法においては、反応ガス流の状態を考慮して、反応ガス導入孔の断面を、図１３乃至図１５に示すように、テーパを付けることも可能である。即ち、図１３に示すように、ユニット電極９３の側面に上部から下部へと次第狭くなる溝９３ａを形成したり、図１４に示すように、ユニット電極９４の側面に上部から下部へと次第狭くなり、出口付近で逆に広がる溝９４ａを形成したり、図１５に示すように、ユニット電極９５の側面に上部から下部へと切り込み量が減っていく面取り９５ａを有するように構成することができる。」（段落【００１９】〜【００２０】）
「そして、ホロカソード放電のない、安定したプラズマ放電を発生するプラズマＣＶＤ装置を得ることができる。また、このユニット電極の反応ガス導入孔の加工は、従来の電極製造に用いられている孔あけ加工よりも安価である。更に、反応ガス流の状態を考慮して、反応ガス導入孔の断面にテーパを付けることも可能であり、プラズマ反応の、より精密な制御を行うことができる。」（段落【００２３】）と記載され、
そして、上述の記載に対応させて図５、１３〜１５が示されている。
　　
（４）対比・判断
（４−１）本件発明１について
　 本件発明１と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、後者における「反応室６００」、「反応ガス」、「反応ガス供給空間３５０より反応ガスを電極用金属板１１０の貫通孔１２０を介して反応室６００に供給する構造」、「上部電極１００の一部を形成する絶縁薄板１４０」、「電極用金属板１１０」、「開孔１３０」、「貫通孔１２０」はそれぞれ、前者における「処理空間」、「処理ガス」、「処理ガス供給ヘッダ」、「処理ガス供給ヘッダを有する電極」、「抵抗プレート」、「第１のガス孔」、「第２のガス孔」に相当し、両者は、処理ガス供給ヘッダを有する電極に形成した第１のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給しつつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートを、前記電極に接触させた状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定したプラズマ処理装置」の点で一致するが、下記の点で相違する。
（イ）本件発明１が、第２のガス孔を有する抵抗プレートを、処理ガス供給ヘッダ内の圧力と処理空間の処理圧力との間に圧力差を与えるための抵抗付与手段として前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となるように構成しているのに対し、甲第１号証記載の発明では、前記抵抗プレートに相当する電極用金属板を、上部電極の一部を形成する部材として前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、該電極用金属板の厚さを、プラズマ放電の熱で反らないだけの必要十分な厚さとしている点。
　　
　そこで、相違点（イ）について検討する。
　本件発明１と甲第１号証記載の発明とは、異常放電を抑制する点では共通するものの、甲第１号証記載の発明では、電極用金属板の処理空間側を絶縁薄板で被覆することにより、そのガス孔端部周辺部の異常放電を、処理ガス供給ヘッダの処理空間との境界面において抑制しようとするものであって、本件発明１のように、処理ガス供給ヘッダ内の異常放電を該ヘッダ内において抵抗プレートによって抑制しようとするものではない。また同甲第１号証には、本件発明１の抵抗プレートに相当する前記電極用金属板の厚さについて、「金属板の厚さはプラズマ放電の熱で反らないだけの必要十分な厚さであればよい。あくまでも一例であるが、約１０ｍｍ程度の厚さのアルミニウム板を使用できる。」（第３頁右下欄５〜８行）と記載されるのみであって、処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となるように圧力差を与える厚さに構成する点についての記載は見当たらず、示唆するところもない。一方、甲第２号証には、プラズマＣＶＤ装置の電極の反応ガス導入孔の径を小さく形成して、或いはテーパ状に形成して、導入孔内のホロカソード放電の発生を防止することが記載されてはいるが、該電極を処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となるように圧力差を与える厚さに構成する点についての記載は見当たらず、示唆するところもない。そして、同甲第２号証記載のホロカソード放電を防止する技術を、甲第１号証に記載された前記絶縁薄板を具備する上部電極に適用したとしても、それによって直ちに、本件発明１の抵抗プレートに相当する前記電極用金属板が、処理ガス供給ヘッダ内の圧力と処理空間の処理圧力との間に、該ヘッダ内にプラズマ放電が生じないような圧力差を与える抵抗付与手段として働くことになるものとはいえず、また同金属板の厚さを、処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となるように圧力差を与える厚さに構成することにもならないので、甲第１、２号証に記載された発明を組み合わせても、相違点（イ）に係る本件発明１の構成を想到することは、当業者にとって容易であるとすることはできない。
  そして、本件発明１は、相違点（イ）に係る構成を採用することにより、処理ガス供給ヘッダ内にプラズマ微小放電が生ずることを抑制することができ、パーティクルの発生を大幅に抑制することができるという、訂正明細書に記載されたとおりの効果を奏するものである。
　してみると、本件発明１は、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（４−２）本件発明２について
  本件発明２は、本件発明１を引用し、更にその処理空間の処理圧力を、特定の圧力以下に限定した発明であるから、（４−１）において述べた本件発明１についての判断と同様の理由により、甲第１、２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１、２の特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１、２の特許を取り消すべき理由を発見しない。
　したがって、本件発明１、２の特許は拒絶の査定をしなければならない特許出願に対してされたものと認めない。
　よって、平成６年法律第１１６号附則第１４条の規定に基づく、平成７年政令第２０５号第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１４年３月２８日（２００２．３．２８）
【訂正の要旨】
訂正の要旨
（１）訂正事項ａ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、本件特許に係る願書に添付した明細書（以下、「特許明細書」という。）の請求項１中の「手段を、前記処理ガス供給ヘッダ内に設けるように」を、「ために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段を、前記電極に接触した状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となるように」と訂正する。
（２）訂正事項ｂ
　特許請求の範囲の減縮を目的として、特許明細書の請求項２及び４を削除する。
（３）訂正事項ｃ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の請求項３を１つ繰り上げて請求項２とし、「請求項１又は２記載」を「請求項１記載」と訂正する。
（４）訂正事項ｄ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号０００７の「手段を、前記処理ガス供給ヘッダ内に設ける」を「ために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段を、前記電極に接触した状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となる」と訂正する。
（５）訂正事項ｅ
　明りょうでない記載の釈明を目的として、特許明細書の段落番号００３０の「ガス孔の直径を１２０ｍｍ、ガス孔のピッチを３．１７５ｍｍ、抵抗プレートの厚さを１１ｍｍとし、本実施例の装置の場合は、ガス孔の直径を従来装置と同じ１２０ｍｍ、ガス孔」を「ガス孔のピッチを３．１７５ｍｍ、抵抗プレートの厚さを１１ｍｍとし、本実施例の装置の場合は、ガス孔」と訂正する。
（６）訂正事項ｆ
　誤記の訂正を目的として、図面の図２中の「Ｈ」を「Ｈ１」と訂正する。
（５４）【発明の名称】
プラズマ処理装置
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】　処理ガス供給ヘッダを有する電極に形成した第１のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給しつつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガス供給ヘッダ内にプラズマ放電が生じないように、前記処理ガス供給ヘッダ内の圧力と前記処理空間の処理圧力との間に圧力差を与える
ために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段を、前記電極に接触した状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となる
　【請求項
２
１記
【発明の詳細な説明】
　【０００１】
　【産業上の利用分野】
　本発明は、プラズマ処理装置の改良に関する。
　【０００２】
　【従来の技術】
　一般に、半導体製品の製造工程においては、半導体ウエハにＣＶＤ処理、エッチング処理、スパッタ処理等を施すことが行われるが、このような各種の処理を施す装置としてプラズマ処理装置が用いられる場合がある。
　この種の従来のプラズマ処理装置の一例としては、例えばアルミニウム等よりなる処理容器内に２つの平板型の電極を平行に設置し、その内の上部電極を接地し、他方、下部電極に高周波電源としてＲＦパワーを印加すると共にこれにウエハを支持させるようになっている。そして、両電極間にエッチングガスを導入してプラズマを誘起し、ウエハにプラズマ処理を施すようになっている。
　【０００３】
　これを図４に基づいて説明すると、アルミニウム等よりなる処理容器２内に上部電極４が配置されると共にその下方にはサセプタとしての下部電極６が設置され、この下部電極６には高周波電源８が接続されている。この下部電極６の上面には、静電チャック１０が設けられており、この表面に半導体ウエハＷを静電吸着するようになっている。下部電極６は、冷却ジャケット１２を有するサセプタ支持台１４上に支持され、プラズマ処理時に加熱した下部電極６を冷却するようになっている。
　【０００４】
　また、上部電極４には、処理ガスを処理空間Ｓへ供給するための処理ガス供給ヘッダ１６が設けられており、ここに形成した多数のガス孔１８から処理空間Ｓへシャワー状に処理ガスを供給するようになっている。
　プラズマ処理を行う場合には、上下の電極４、６間に高周波電力を供給しつつ処理空間Ｓに処理ガスを供給し、所定の減圧下に維持することによりこの処理空間Ｓにプラズマが立ち、ウエハ表面にエッチング等のプラズマ処理が施されることになる。
　【０００５】
　【発明が解決しようとする課題】
　ところで、プラズマ処理として例えばエッチングを行う場合を例にとると、このエッチング処理にあっては処理空間Ｓにおけるガス雰囲気の圧力（プロセス圧力）は低ければ低い程、微細加工に適していることが知られており、例えば４ＭＤＲＡＭのメモリを形成する場合には線幅が０．８μｍ程度のエッチングを行う必要があることからプロセス圧力は約１．７Ｔｏｒｒ程度に維持されている。
　そして、加工の微細化に伴って、例えば１６ＭＤＲＡＭのメモリの製造を行う場合には線幅が約０．５μｍ程度の微細加工を行わなければならず、この場合にはプロセス圧力を約０．２５Ｔｏｒｒ程度に設定する必要がある。
　【０００６】
　通常、処理ガスが処理ガス供給ヘッダ１６からガス孔８を介して処理空間Ｓに流出する際には、ガス孔１８等より受ける抵抗によりヘッダ１６内のガス圧力が処理空間Ｓ側よりもある程度高くなってはいるが、しかしながら上述のようにプロセス圧力を約０．２５Ｔｏｒｒもの低圧にするとヘッダ１６内の雰囲気圧力もそれに対応してかなり低圧となり、このためにプラズマ放電が処理空間Ｓのみならずヘッダ１６内においても生ずるようになってしまう。このように、ヘッダ１６内にてプラズマの微小放電が生ずるとヘッダ１６を構成するアルミニウム材表面がプラズマによる活性イオン等によりたたかれてパーティクルが発生し、これが処理空間Ｓ側へ流れてウエハに付着するという問題点があった。
　本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、処理ガスが流出する時の抵抗を高めることによりヘッダ内のプラズマ放電を抑制したプラズマ処理装置を提供することにある。
　【０００７】
　【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記問題点を解決するために、処理ガス供給ヘッダを有する電極に形成した第１のガス孔を介して処理空間に処理ガスを供給しつつ対向する電極に保持した被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理ガス供給ヘッダ内にプラズマ放電が生じないように、前記処理ガス供給ヘッダ内の圧力と前記処理空間の処理圧力との間に圧力差を与える
ために、前記第１のガス孔と連通される第２のガス孔を有する抵抗プレートよりなる抵抗付与手段を、前記電極に接触した状態で前記処理ガス供給ヘッダ内に設け、前記第２のガス孔の直径を前記第１のガス孔の直径よりも大きく設定すると共に、前記抵抗プレートの厚さを、前記処理ガス供給ヘッダ内の雰囲気状態がパッシェンの法則の放電領域外となる
　【０００８】
　【作用】
　本発明は、以上のように構成したので、処理ガス供給ヘッダからは処理ガスが圧力差を与える手段、すなわち抵抗付与手段によりその圧力が抑制された状態で第１のガス孔を介して処理空間内に流出することになる。この抵抗付与手段は例えば第２のガス孔を有する冷却板よりなり、この冷却板の厚さや第２のガス孔或いは第１のガス孔の孔径等を変化させることにより流出する処理ガスに対する抵抗を任意に選択することができる。
　この場合、微細加工を行うために処理空間Ｓにおけるプロセスガス圧を０．５Ｔｏｒｒ以下に設定しても、抵抗付与手段による抵抗により上記ヘッダ内の圧力は０．５Ｔｏｒｒよりも僅かに高い値となってこのヘッダ内の状態が、プラズマ放電を生ずるための状態を示すパッシェン（Ｐａｓｃｈｅｎ）の法則から外れることとなり、このヘッダ内でのプラズマの発生を抑制することが可能となる。
　【０００９】
　【実施例】
　以下に、本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
　図１は本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示す断面図、図２は図１に示す装置の上部電極の近傍を示す拡大断面図、図３は図２に示す抵抗付与手段を示す平面図である。本実施例においては、プラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置を例にとって説明する。
　【００１０】
　図示するようにこのプラズマエッチング装置は、例えばアルミニウム等の導体により筒体状に成形された処理容器１８を有しており、この処理容器１８は接地されている。この処理容器１８内には、上下方向に例えば２０〜３０ｍｍ程度離間された一対の電極、すなわち上部電極２０と下部電極２２とが平行に配置されており、これら電極間がプラズマ処理空間Ｓとして構成される。
　サセプタとしての下部電極２２は、例えばアルマイト処理したアルミニウム等により略円柱状に成形されており、その上端平面部に被処理体である、例えば半導体ウエハＷを載置し得るようになされている。そして、この下部電極２２の上部周辺部にはリング状のクランパ部材２４が設けられており、ウエハＷの周縁部と係合してこれを下部電極２２へ固定し得るように構成されている。
　【００１１】
　この下部電極２２には、処理容器の下部より貫通された例えば絶縁性の管２６が連結されており、この中に下部電極２２に接続した配線２８を挿通させると共にこの配線２８にマッチングユニット３０及び例えば１３．５６ＭＨｚの第１の高周波電源３２が接続される。尚、この絶縁性の管２６自体を導体で形成し、これに表皮効果により高周波電力を流すようにしてもよい。この場合には、この管２６と管２６が貫通する各部材との間の絶縁性を確保するように構成する。
　そして、下部電極２２の下部は、例えば厚さが数１０ｍｍのセラミックス等よりなる絶縁体３４を介して接地強化用の第１の接地電極３６が設けられ、この電極３６は確実に接地される。この第１の接地電極３６は、例えば厚さが数１０ｍｍの良導体のアルミニウム等よりなり、下部電極２２の略下部全体を、上記絶縁体３４を介して被うように容器状に成形される。
　【００１２】
　また、絶縁体３４の下面と第１の接地電極３６の上面との間には、僅かな間隙Ｓ１が形成され、この絶縁体３４の周縁部下面と第１の接地電極３６の周縁部上端との間にはＯリング３８が環状に介在されて間隙Ｓ１内をシールしている。そして、この間隙Ｓ１には、その下方より絶縁用気体を導入するための気体導入通路４０が連結されており、この間隙Ｓ１に例えば１気圧の空気を充填することにより上記下部電極２２と第１の接地電極３６との間の絶縁性を向上させるための絶縁気体層４２が形成される。
　【００１３】
　この下部電極２２の下部には金属製のサセプタ支持台４４が介設されると共にこの下部は、容器に取り付けられた環状のチャンバボトムリング４６により支持されている。サセプタ支持台４４は例えば導電性部材であるアルミニウム部材を、相互に面接触となるように複数個組み合わせて構成されており、全体として接地ラインにおけるインピーダンスを可能な限り小さくして接地を強力なものとしている。
　また、上記下部電極２２内には、その周方向に沿って冷媒を流すための下部冷却ジャケット４８が形成されており、このジャケット４８には、下方より冷却用の冷媒を導入及び排出するための冷媒導入通路５０及び冷媒排出通路（図示せず）が接続されている。
　【００１４】
　一方、上部電極２０は、例えばアモルファスカーボン或いはアルミニウム等により円板状に成形されると共に、その上部には例えばアルミニウムよりなる処理ガス供給ヘッダ５１が設けられ、その側部には係合凹部５２が形成されている。そして、この上部電極２０及び供給ヘッダ５１の側部全体は、例えばセラミック或いは石英等よりなる電気的絶縁体５４により被われており、上部電極全体が処理容器１８側に支持されている。
　【００１５】
　この上部電極２０は、例えば可変コンデンサ等を含むマッチングユニット５６を介して例えば４０ＭＨｚの高周波を発生する第２の高周波電源５８が接続されており、上部電極２０に対して高周波電力を印加するように構成されている。従って、本実施例にあっては上部電極２０と下部電極２２の両方に高周波電力が供給されて、いわゆるトップアンドボトム方式のプラズマ処理装置として構成される。
　また、この上部電極２０の側部には、絶縁体５４を介して例えばアルミニウム等よりなるリング状の接地強化用の第２の接地電極６０が処理容器１８の側壁との間で設けられており、この接地電極６０は確実に接地されている。
　【００１６】
　この第２の接地電極６０の下面であって処理空間Ｓに臨む面は、例えばアルマイト処理が施されており、プラズマ放電によりこの接地電極６０がダメージを受けることを防止するために、耐食性、絶縁性の良好な例えばＡｌ２Ｏ３よりなる保護層６２が形成されている。そして、この接地電極６０の下端部は、その内側に位置する上部電極２０の下端部と略同一平面となるように設定されており、不要な付着物が発生することを防止している。
　【００１７】
　また、この第２の接地電極６０は、処理容器１８の天井部１８Ａを取り外すことにより、上方向へ挿脱可能になされており、必要時にはこの接地電極６０を容易に交換し得るように構成されている。
　また、前記処理ガス供給ヘッダ５１は、前記プラズマ処理空間Ｓへ処理ガス（プロセスガス）を供給するためのものであり、これにはエッチングガス源６６からエッチングガスを導入するためのガス導入通路６８が連結される。また、このヘッダ５１の先端には板状の上部電極２０の広がりに沿って水平方向へ拡大された中空のヘッダ室６４が形成されている。図２にも示すようにこのヘッダ室６４の下端開口端には、上記板状の上部電極２０が取り付けられており、上部電極２０に等ピッチで多数形成した第１のガス孔７０を介してヘッダ室６４から処理空間Ｓに向けて流出するようになっている。
　【００１８】
　本実施例においては、例えば１６ＭＤＲＡＭを製造するために必要とされる超微細加工を行うために処理空間Ｓの雰囲気圧力を０．５Ｔｏｒｒ以下に設定するが、この場合にヘッダ室６４内の圧力低下を防止するために流出する処理ガスに抵抗を付与する本発明の特長とする圧力差を与える手段としての抵抗付与手段７２が形成される。具体的にはこの抵抗付与手段７２は、例えばアルミニウム等よりなる板状の抵抗プレート７４を有し、このプレート７４は上記ヘッダ室６４の開口端縁と上部電極２０との間に介設されて、ボルト７６等により取り付け固定される。この抵抗プレート７４には、上記上部電極２０に形成された第１のガス孔７０と対応して連通するように等ピッチになされた多数の第２のガス孔７８が形成されている。この時の平面図は図３に示される。第１のガス孔７０及び第２のガス孔７８はそれぞれ上部電極２０及び抵抗プレート７４の略全面に渡って等ピッチで形成されており、これを流通する処理ガスに対する抵抗は、第１のガス孔７０の直径Ｄ１、第２のガス孔７８及び抵抗プレート７４の厚さＨ１等により決定され、これらの値を適宜選択することにより処理空間Ｓのプロセス圧力よりもヘッダ室６４内の圧力を所定の圧力差だけ高く設定することができる。
　【００１９】
　そして、この場合、ヘッダ室６４内の雰囲気状態は、プラズマ放電が生ずる限界を示すパッシェン（Ｐａｓｃｈｅｎ）の法則を外れるような状態に設定される。このパッシェンの法則は、放電開始電圧Ｖと、放電空間の圧力Ｐと電極から放電空間までの距離Ｌとの関係を示すものであり、これらの関係で表される放電発生領域外となるように上記パラメータを設定する。具体的には、ヘッダ室６４内の圧力を上昇させるために第１のガス孔７０の直径Ｄ１は０．５ｍｍに、第２のガス孔７８の直径Ｄ２は２．０ｍｍ程度に設定されると共に第２のガス孔７８のピッチＬ１は６．３５ｍｍ程度に設定され、また、上部電極２０からの距離を決定する抵抗プレート７４の厚さＨ１は１７ｍｍ程度に設定され、プラズマ放電が生じないように構成している。また、この抵抗プレート７４は、冷媒を流すために処理ガス供給ヘッダ５１に設けた上部冷却ジャケット８０からの冷熱により、上部電極２０を冷却するためのクーリングプレートとしての機能も有するように構成されている。
　また、ヘッダ室６４内には、多数の流通孔８２を有して水平方向に配置された２枚のバッフル板８４が上下に適宜離間させて設けられており、ガス導入通路６８より導入した処理ガスをヘッダ室６４内にて均一拡散するようになっている。
　【００２０】
　そして、処理容器１８の側壁の一部には、容器内の雰囲気を排出するための排気通路８６が接続されている。また、この容器の他の側壁には、ゲート弁８８を介して内部に搬送アーム９０を有するロードロック室９２が連通されており、上記処理容器１８内の真空を破ることなくウエハＷの搬入及び搬出を行い得るように構成されている。また、このロードロック室９２の反対側壁にもゲート弁９４が設けられており、図示しないウエハ搬送系との間でウエハの受け渡しを行うようになっている。
　【００２１】
　次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
　まず、ロードロック室９２内及び処理容器１８内はともに真空状態になされており、ロードロック室９２内の搬送アーム９０に保持された未処理のウエハＷは、ゲート弁８８を介して処理容器１８内に搬入され、このウエハＷは下部電極２２上にクランパ部材２４により確実に固定される。
　【００２２】
　そして、ガス導入通路６８へエッチングガスを送り込むことにより処理ガス供給ヘッダ５１のヘッダ室６０へ供給された処理ガスを抵抗プレート７４に設けた第２のガス孔７８及び上部電極２０に設けた第１のガス孔７０を介して処理容器１８内へ導入させると共に排気通路８６を介して処理容器１８内を真空引きしてこの容器１８内を所定の低圧雰囲気に維持しつつ上部電極２０に第２の高周波電源５８より例えば４０ＭＨｚの高周波を、下部電極２２に第１の高周波電源３２より、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力をそれぞれ印加する。これにより、上部電極２０と下部電極２２との間にプラズマ放電が発生し、処理空間Ｓ内にエッチングガスからプラズマが誘起され、生成したプラズマ中のラジカルをウエハＷの表面に付着させて化学的反応によるエッチングを行うと共にプラズマ中で分解したイオンを両電極２０、２２間に形成される電界によって加速してウエハＷに衝突させ、例えばポリシリコン膜のエッチングを行う。
　【００２３】
　ところで、上部及び下部電極２０、２２間に放電を生ぜしめてプラズマを立ち上げるときには、各高周波電源３２、５８の有するインピーダンスと放電系、例えば上部及び下部電極間で形成される容量性のインピーダンス、上部電極２０とこの外周側に配置した第２の接地電極６０との間に形成される容量性のインピーダンス、下部電極３２とこの外周側に配置した第１の接地電極３６との間に形成される容量性のインピーダンス或いは更に遠い所に位置する容器壁との間に形成される容量性のインピーダンス等の結合インピーダンスが等しくなければ安定して放電が生じないので、放電開始時においては各高周波電源３２、５８に直列接続した例えば可変コンデンサよりなるマッチングユニット３０、５６を適宜調整し、インピーダンスのマッチングが行われる。この場合、メインの放電は従来装置と同様に上部及び下部電極２０、２２間において生ずるが、避けることのできない好ましくない不要な放電は、上部電極２０と容器壁よりも近くに設けられた第２の接地電極６０との間及び下部電極２２と容器壁よりも近くに設けられた第１の接地電極３６との間でそれぞれ生じることになる。
　【００２４】
　このように、上部電極２０及び下部電極２２の近傍に容器内壁よりも近い所にそれぞれ第１及び第２の接地電極３６、６０を配置して接地を強化することにより、これらの間に不要な放電を発生させるようにしたので、放電開始時におけるマッチングのリターン効率が良好となり、インピーダンスが変動することなくこれを迅速に安定化させることが可能となる。従って、マッチングユニット３０、５６によるインピーダンス調整を従来装置の場合と比較して迅速に行うことができ、直ちにエッチング処理に移行することができるので、エッチング処理効率を大幅に向上させることができる。
　【００２５】
　また、下部電極２２に関しては、上述のように絶縁体３４を介してその下部を第１の接地電極３６で被ってグランドを強化しているので、下部電極２２の不要な電荷が所定の誘電率を有するセラミック製の絶縁体３４を介して或いは不要な放電として両部材間に直接放電が生じることにより第１の接地電極３６から逃げることになる。従って、インピーダンス調整を迅速に行うことができるのみならず、安定したプラズマ放電を維持することが可能となる。
　また、絶縁体３４とこの下部を被う第１の接地電極３６との間隙Ｓ１には、例えば１気圧の気体（空気）を充填した絶縁気体層４２を介在させたのでこれらの間の絶縁性を一層良好にすることが可能となる。
　【００２６】
　更に、本実施例にあっては、例えば１６ＭＤＲＡＭを製造するために必要とされる超微細加工を行うために処理空間Ｓの雰囲気圧力を、従来のプロセスの場合よりも低い例えば０．５Ｔｏｒｒ以下に設定するが、このため第１及び第２のガス孔７０、７８を介して連通するヘッダ室６４内もそれに対応してプロセス圧力よりも僅かに高い圧力ではあるが減圧状態となり、このヘッダ室６４内でもプラズマ微小放電が生ずる恐れが発生する。しかしながら、本実施例においては、上部電極２０に形成した第１のガス孔７０や抵抗プレート７４に形成した第２のガス孔７８の直径Ｄ１、Ｄ２、これらガス孔７０、７８のピッチＬ１、抵抗プレート７４の厚さＨ１等の値を適宜選択することにより、ガス流に抵抗を付与してヘッダ室６４内の雰囲気圧を僅かに高め、しかもこのガス状態をパッシェンの法則によるプラズマ放電領域から外れた所に位置させている。これにより、ヘッダ室６４内にてプラズマ微小放電が生ずることがなく、従って従来装置によればヘッダ室内のプラズマ放電に起因して発生していた容器内壁材料であるアルミニウムのパーティクルも発生することはなく、製品の歩留まりも向上させることができる。
　【００２７】
　ここで、プロセス圧力（処理空間Ｓの圧力）を０．５７Ｔｏｒｒに設定した場合における、従来装置と本実施例の装置のヘッダ室内の圧力をシュミレートした時の結果を記す。
　設定条件は、従来装置において、上部電極の板厚、ガス孔の直径はそれぞれ３ｍｍ、０．８ｍｍ、抵抗プレートの板厚、ガス孔の直径はそれぞれ７ｍｍ、１．８ｍｍになされ、本実施例においては、上部電極の板厚、ガス孔の直径はそれぞれ３ｍｍ、０．５ｍｍ、抵抗プレートの板厚、ガス孔の直径はそれぞれ１７ｍｍ、２．０ｍｍになされた。
　ガス流量を５０〜６００ＳＣＣＭまで種々変化させたところ、下記の表１に示すような結果を得た。
　【００２８】
　【表１】
　【００２９】
　表１においてカッコ内は、プロセス圧力に対する昇圧値（差圧）を示す。これによれば、本実施例は各流量において、プロセス圧力に対するヘッダ室内の差圧は、従来装置の場合よりも全てにおいてかなり高くなっており、プラズマ微小放電が発生し難い状態となっているのが判明する。
　【００３０】
　また、実際に従来装置と本実施例の装置を用いて試験をしたところ、以下に示す結果を得た。
　試験条件は、従来装置の場合は
、ガ
、ガ
　【００３１】
　この結果、アルミニウムの不純物濃度は、従来装置の場合は１３５０×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であったが、本実施例の場合は６２×１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であった。この結果、本実施例の汚染量は従来装置と比較して２桁下がっており、プラズマの微小放電が抑制された結果、パーティクル発生の抑制効果が顕著に表れたことが判明した。
　上記実施例においては、各ガス孔の直径、これらガス孔のピッチ、抵抗プレートの厚さ等は単に一例を示したにすぎず、ヘッダ室内にプラズマ微小放電が生じないような数値を種々選択できるのは勿論である。
　【００３２】
　また、上記実施例にあっては、上部電極２０に４０ＭＨｚの高周波を、下部電極２２に１３．５６ＭＨｚの高周波をそれぞれ印加したが、これらの周波数の組は限定されず、例えば、上部電極の周波数と下部電極の周波数の組をそれぞれ、例えば１ＭＨｚと３８０ＫＨｚ、１３．５６ＭＨｚと１３．５６ＭＨｚ、３８０ＫＨｚと３８０ＫＨｚ等のように種々変更することができる。
　【００３３】
　更に、上記実施例にあっては、上部電極２０と下部電極２２の相方に高周波電源を印加する、いわゆるトップアンドボトム方式の場合について説明したが、これに限定されず、例えば下部電極２２のみに高周波電源を印加して上部電極２０は接地する、いわゆるボトムオンリー方式や、この逆に上部電極２０のみに高周波電源を印加して下部電極２２は接地する、いわゆるトップオンリー方式にも適用し得るのは勿論である。
　【００３４】
　尚、上記実施例においては、プラズマ処理装置としてプラズマエッチング装置を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されず、他のプラズマ処理装置、例えばプラズマアッシング装置、プラズマＣＶＤ装置、プラズマスパッタ装置等にも適用し得るのは勿論である。
　【００３５】
　【発明の効果】
　以上説明したように、本発明のプラズマ処理装置によれば次のような優れた作用効果を発揮させることができる。
　抵抗付与手段を設けて供給ヘッダ内の圧力を処理空間よりも高くしたので、処理空間の圧力を０．５Ｔｏｒｒ以下に設定しても供給ヘッダ内にプラズマ微小放電が生ずることを抑制することができ、パーティクルの発生を大幅に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
　【図１】
　本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示す断面図である。
　【図２】
　図１に示す装置の上部電極の近傍を示す拡大断面図である。
　【図３】
　図２に示す抵抗付与手段を示す平面図である。
　【図４】
　従来のプラズマ処理装置を示す概略断面図である。
　【符号の説明】
　１８　　　処理容器
　２０　　　上部電極
　２２　　　下部電極
　３２　　　第１の高周波電源
　５１　　　処理ガス供給ヘッダ
　５８　　　第２の高周波電源
　６４　　　ヘッダ室
　６６　　　エッチングガス源
　６８　　　ガス導入通路
　７０　　　第１のガス孔
　７２　　　抵抗付与手段
　７４　　　抵抗プレート
　７８　　　第２のガス孔
　８２　　　バッフル板
　Ｓ　　　　処理空間
　Ｗ　　　　被処理体（半導体ウエハ）
【図面】