【事件の表示】
　特許第３１５２３４４号「セラミック回路基板」の請求項１、２に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１５２３４４号の請求項１、２に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第３１５２３４４号の請求項１、２に係る発明についての出願は、平成８年８月２２日になされ、それら発明について特許の設定登録が平成１３年１月２６日になされ、その後、高橋喜美夫より、その請求項１、２に係る発明の特許について、特許異議の申立てがなされたものである。
　
２．申立て理由の概要
　特許異議申立人高橋喜美夫は、それぞれ本件出願の出願前に頒布された刊行物である
甲第１号証　：　刊行物「特開平８−８３８６７号公報」、
甲第２号証　：　刊行物「特開平３−１２５４６３号公報」、
甲第３号証　：　刊行物「特開平６−２１６４８１号公報」、及び
参考資料１　：　刊行物「日本工業規格「アルミニウム合金ろう及びブレージングシート」平成４年７月３１日財団法人日本規格協会発行」
を提出するとともに、本件出願の出願後に頒布された刊行物である
参考資料２　：　刊行物「特開平９−６９５９０号公報」
を提出して、概略以下の２−１，２の主張をなしている。
　
２−１　本件明細書の記載に係る主張
　本件特許の請求項１の記載は、「９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されたＡｌ−Ｓｉ系ろう材」を用いて、「Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板の両面に第１及び第２アルミニウム板を積層接着したセラミック回路基板」である旨発明を特定する記載となっている。
　しかしながら、「Ａｌ−Ｓｉ系ろう材」の構成成分の組成（合金組成）にしては、本件明細書の【発明の詳細な説明】には、「Ａｌ−７．５重量％Ｓｉ合金」の例示と、「Ａｌ−Ｓｉ系ろう材は９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとの合金により形成される」との記載のみであり、各成分の組成比についての技術的意義は示されていないため、どのような観点から「６．５〜８．５重量％のＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ合金」を用いているのかを記載するものではなく、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材の合金組成は構成が不明瞭である。
　さらに、本件明細書の実施例１〜３及び比較例は、「Ａｌ−７．５重量％Ｓｉ合金」からなるＡｌ−Ｓｉ系ろう材を用いたセラミック回路基板しか記載されていないため、「Ａｌ−７．５重量％Ｓｉ合金」比以外のＡｌ−Ｓｉ系ろう材が同等の作用・効果を示すかどうかについては不明であり、本件請求項１に係る発明の構成について、本件明細書の【発明の詳細な説明】欄中に明確かつ十分に記載されているとは認められない。
　したがって、本件明細書の発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項の規定を満たしておらず、あるいはそのような発明の詳細な説明の記載に基づく本件請求項１および請求項２に係る発明は特許法第３６条第６項の規定を満たしていないものである。
　また、比較例は、実施例１〜３とアルミニウム板のＡｌ純度が異なるのであるから、Ａｌ純度が９９．９８重量％以上のアルミニウム板が必須の構成となるべきところ、本件請求項１には「第１及び第２アルミニウム板」としか記載されていないので、本件請求項１には、発明を特定するために必要と認められる事項の全てが記載されているとは認められず、あるいは、本件請求項１に係る発明は発明の詳細な説明に記載されたものであるとは認められない。
　したがって、本件請求項１に係る発明は特許法第３６条第５項および第６項の規定を満たしていない。
　
２−２　本件各請求項に係る発明の進歩性に係る主張
　異議申立人は、本件各請求項の記載を
【請求項１】
Ａ．Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板と、
Ｂ．前記セラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介して
Ｃ．それぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板とを備えたセラミック回路基板であって、
Ｄ．前記Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成された
ことを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項２】
Ｃ′．第１及び第２アルミニウム板のＡｌの純度が９９．９８重量％以上である　請求項１記載のセラミック回路基板。
とおり分節し、概略以下の主張をなしている。
　甲第１号証には、
「基板両面に第１アルミニウム板及び第２アルミニウム板をそれぞれＡｌ−Ｓｉ系ろう材により接着した放熱用セラミック基板が前記第１アルミニウム板を介してセラミック多層配線基板の片面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材により接着され、前記セラミック基板（１３）と前記セラミック多層配線基板（１１）とが同種又は互いに異種のセラミックスにより構成され、前記セラミックスがアルミナ、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム、ムライト又は炭化珪素のいずれかである高放熱性セラミックパッケージ」（請求項１）と、
「図１〜図４に示すように、・・・基板両面に第１アルミニウム板３１及び第２アルミニウム板３２又は７２をそれぞれ接着した放熱用セラミック基板１３・・・」（段落番号【０００７】）と、
「本発明で接着材として用いられるＡｌ−Ｓｉ系ろう材には、Ａｌ−７．５％Ｓｉ箔（重量％）・・・等が例示される・・・（段落番号【００１４】）と
記載され、更に、実施例として、
「・・・図１に示すように、セラミックパッケージ３０は基板両面にアルミニウム板３１及び３２を接着した放熱用セラミック基板１３と、セラミック多層配線基板１１と、複数のＩ／Ｏピン１８とを同時に接着して作られる・・・」（段落番号【００１７】）と
「アルミニウム板３１及び３２はこれらのアルミニウム板と同形同大の厚さ３０μｍのＡｌ−７．５％Ｓｉ箔を介してセラミック基板１３の両面に配置して重ね合わせた後、これらに２ｋｇｆ／ｃｍ２の荷重を加えて真空炉中で６３０℃、３０分間加熱することにより接着される・・・」（段落番号【００ｌ９】）と、
甲第１号証に記載されている。
　
　次に、甲第２号証には、
「（１）絶縁板材が、・・・表面酸化層を有する窒化アルミニウム系焼結板材・・・からなり、かつ、上記絶縁板材の一方面にはＡｌまたはＡｌ合金からなるヒートシンク板材が、また上記絶縁板材の他方面には同じくＡｌまたはＡｌ合金からなる回路形成用薄板材が、それぞれＡｌ−Ｓｉ系合金・・・からなるろう材にて積層接合され、・・・ことを特徴とする半導体装置用軽量基板」（特許請求の範囲第１項）と
記載され、実施例として、
「ヒートシンク板材として、いずれも幅：５０ｍｍ×厚さ：３ｍｍ×長さ：７５ｍｍの寸法を有し、また薄板材として、いずれも幅：４５ｍｍ×厚さ：１ｍｍ×長さ：７０ｍｍを有し、かつ（ａ）純Ａｌ、・・・（ｅ）Ａｌ−０．００５％Ｂ合金、以上の（ａ）〜（ｅ）のうちのいずれかからなる板材を用意し、またろう材として、厚さ：５０μｍを有し、かつ・・・（ｂ）Ａｌ−７．５％Ｓｉ合金、・・・以上の（ａ）〜（ｃ）のうちのいずれかからなる箔材を用意し、・・・ついでこれらの構成部材を・・・第１図に示される状態に積み重ね、この状態で・・・ろう付けして積層接合体とし、・・・本発明基板１〜２２をそれぞれ製造した」（第４頁右下欄第１２行〜第５頁右下欄第９行）と、
「一方、比較の目的で、第２図に示されるように、・・・Ａｌ２０３焼結体からなる絶縁板材を用い、これの両側から・・・無酸素銅薄板材（２枚）ではさんだ状態で重ね合わせ、この状態で・・・接合・・・」（第５頁右下欄第ｌ０〜１９行）と
記載され、これらの基板の繰り返し加熱試験の結果が第６頁の第２表に、例えば「絶縁板材：ＡｌＮ系焼結板材Ａ，薄板材：純Ａｌ，ろう材：Ａｌ−７．５％Ｓｉ合金」の構成を有する本発明基板１は「２００サイクル後も割れなし」であり、従来基板は「割れ発生までのサイクル数＝２０」であるとして記載されている。
　
　したがって、本件請求項１に係る発明と甲第１号証に記載された発明とを対比すると、甲第１号証には、両面に「第１アルミニウム板及び第２アルミニウム板」をそれぞれ「Ａｌ−Ｓｉ系ろう材」により接着した「放熱用セラミック基板」が記載されているから、甲第１号証に記載の発明は、本件請求項１に記載の構成Ｂ．Ｃ．を具備し、さらに、甲第１号証には「Ａｌ−Ｓｉ系ろう材」として「Ａｌ−７．５％Ｓｉ箔（重量％）」が例示されているので、本件請求項１に係る発明の構成要件Ｄ．も具備している。
　なお、甲第１号証は「６．５〜８．５重量％のＳｉを含むＡｌ−Ｓｉ合金」の組成範囲を明確には示していないものの「Ａｌ−７．５％Ｓｉ箔（重量％）」が記載され、参考資料１にあるように、アルミニウム合金ろうのＪＩＳ規格にある「合金番号４３４３」として「Ｓｉ６．８〜８．２重量％、残部Ａｌ」からなるアルミニウム合金ろうが記載されているように、構成Ｄ．は、ＪＩＳ規格のアルミニウム合金ろうと同等の組成を規定しているにすぎず、２−１に述したように本件明細書には、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材の各成分量の技術的意義を記載していないのであるから、本件特許発明におけるＡｌ−Ｓｉ系ろう材の組成範囲は単なる設計事項にすぎなものである。
　また、甲第１号証にはセラミックス基板の構成材料として「アルミナ、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム、ムライト又は炭化珪素」としか記載されておらず、本件請求項１の構成Ａで規定する「Ｓｉ３Ｎ４」は示されていないものの、構成Ａにおける「セラミック基板」については満足するものであり、甲第１号証記載の「セラミック基板」は、本件請求項１の構成Ａで規定する基板構成材料（Ｓｉ３Ｎ４）を除いて、広義の意味で構成Ａに該当している。
　よって、本件請求項１に係る発明と甲第１号証記載の発明とは、「セラミック基板の材質」のみが相違し、残余の点で両発明は一致している。
　
　また、甲第２号証には前述したように、「窒化アルミニウム系焼結板材からなる絶縁板材の一方面にはＡｌまたはＡｌ合金からなるヒートシンク板材が、また絶縁板材の他方面には同じくＡｌまたはＡｌ合金からなる回路形成用薄板材が、それそれＡｌ−Ｓｉ系合金からなるろう材にて積層接合された半導体装置用軽量基板」が記載されており、この半導体装置用軽量基板は甲第１号証と同様に、本件請求項１に係る発明の構成Ｂ．Ｃ．を具備しており、甲第２号証には「Ａｌ−Ｓｉ系合金からなるろう材」として「Ａｌ−７．５％Ｓｉ合金」が例示されいるから、本件請求項１に係る発明の構成Ｄ．を具備している。
　加えて、甲第２号証ではヒートシンク板材や回路形成用薄板材として「ＡｌまたはＡｌ合金」が用いられており、このＡｌの材質について、「純ＡｌやＡｌ−０．００５％Ｂ合金」などが示されているので、甲第２号証には「Ａｌ純度が９９．９８重量％以上のアルミニウム板」、すなわち本件請求項２に係る発明の構成Ｃ′．を満足するアルミニウム板が示されている。
　このように、本件請求項１および請求項２に係る発明は、甲第２号証に記載の発明とセラミック基板（絶縁板材）の材質のみで相違し、残余の点では一致している。
　よって、本件請求項１に係る発明は、甲第１号証および甲第２号証に記載の発明のセラミック基板（絶縁板材）の材質を「Ｓｉ３Ｎ４」に変更したにすぎないものであり、本件請求項２に係る発明の構成Ｃ′については、甲第２号証に明確に記載されているため、本件請求項２に係る発明も甲第２号証記載の発明のセラミック基板（絶縁板材）の材質を「Ｓｉ３Ｎ４」に変更したにすぎないものである。
　さらに、甲第３号証には、
「熱伝導率が６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋである窒化けい素基板表面に、活性金属を含有する接合材を介して、銅回路板を一体に接合したことを特徴とするセラミックス銅回路基板」（請求項１）と
記載されるとともに、従来のセラミックス銅回路基板における問題点として、
「ＡｌＮ基板を使用した場合には、熱伝導率が高く充分な放熱性が得られるが、ＡｌＮ基板自体の強度が低いため、繰り返して作用する熱負荷によってクラックが生じ易く、いわゆる耐熱サイクル性が小さいという問題点があった」（段落番号【０００７】）」と
記載した上で、
「・・・特に優れた放熱性・耐熱サイクル性および接合強度を有し、半導体パワーモジュール用部品として好適なセラミックス銅回路基板を提供することを目的とする」（段落番号【０００９】）と
記載し、実施例及び比較例として
「・・・窒化けい素基板上に銅回路板を一体に接合して実施例１〜５に係る窒化けい素銅回路基板をそれぞれ製造した（段落番号【００３９】）」と、
「セラミックス基板として、実施例１〜５と同一寸法のＡｌ２０３焼結体基板（比較例１用）、ＡｌＮ焼結体基板（比較例２用）およびＢｅＯ焼結体基板（比較例３用）をそれぞれ使用し、・・・それぞれ比較例１〜３に係る各種セラミックス銅回路基板を多数調製した」（段落番号【００４０】）」と、
「こうして調製した実施例１〜５および比較例１〜３に係る各セラミックス銅回路基板について、室温（２５°Ｃ）における熱伝導率、３点曲げ強度、銅回路板の接合強度、撓み量等の特性値を計測した。・・・また実施例１〜５および比較例１〜３に係るセラミックス銅回路基板について上記熱衝撃試験を５００回（サイクル）繰り返し、各ｌ００回終了毎に銅回路板のビール強度の経時変化を測定し、基板の耐熱サイクル性を評価した。また５００回の熱衝撃試験終了後において、・・・セラミックス基板に微小クラックが発生した割合を計測した」（段落番号【００４１】、【００４２】）と
記載されており、さらに以上の測定結果は段落番号【００４４】の表１および図１に示されており、
「表１および図１に示す結果から明らかなように、実施例１〜５に係る窒化けい素銅回路基板によれば、活性金属を含有する接合材を介して銅回路板を高熱伝導性窒化けい素基板表面に強固に接合しているため、ヒートサイクル試験後においても銅回路板の接合強度の経時的な低下が少なく、耐久性（耐熱サイクル性）および放熱性に優れた窒化けい素銅回路基板が得られた。特に実施例１〜５に係る窒化けい素銅回路基板においては、５００回の熱衝撃試験終了後においても、窒化けい素基板自体に割れが発生することもなく、いずれも優れた耐熱サイクル性を示すことが確認された」（段落番号【００４５】）」と
記載されている。
　したがって、甲第３号証には「熱伝導率が６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋである窒化けい素基板の表面に活性金属を含有する接合材を介して銅回路板を一体に接合したセラミックス回路基板」が記載されており、「従来のセラミックス銅回路基板にＡｌＮ基板にかわる「放熱性・耐熱サイクル性および接合強度に優れるセラミックス回路基板」として、「熱伝導率が６０〜１８０Ｗ／ｍ・Ｋである窒化けい素基板」を記載している。
　一方、本件特許発明は、熱サイクルを繰返し付加してもセラミック基板にクラックが発生しないセラミック回路基板を提供することを目的として成されたものであり、甲第３号証と同様に耐熱サイクル性の向上を目的として成されたものであるから、甲第１、２号証記載のにおけるセラミック基板の材質として、本件特許発明と同様の目的を達成している甲第３号証記載のセラミックス基板の代替技術に基づいて、「窒化けい索（Ｓｉ３Ｎ４）」に変更する程度のことは、当業者が容易に成し得たものである。
　したがって、本件特許の請求項１および請求項２に係る発明は、甲第１号証、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易に成し得た発明であるため、特許法第２９条第２項の規定ににより、特許を受けることができないものである。
　
３．異議申立の判断
３−１　本件明細書の記載及び本件各請求項に係る発明
３−１−１　本件明細書の記載について
　本件特許明細書の請求項１には、「Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板(13)と、前記セラミック基板(13)の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板(11,12)とを備えたセラミック回路基板であって、前記Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されたことを特徴とするセラミック回路基板。」と記載されており、同記載は、発明を、セラミック基板がＳｉ３Ｎ４により形成されること、セラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板とを備えること、及び、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されることを少なくとも併せ持つことにより特定している。
　そして、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材に関しては、９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含むと明確に記載している。
　また、これらを併せ持つ発明に関して、発明の詳細な説明の欄中の段落番号【０００５】には、「【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、図１に示すように、Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板１３と、セラミック基板１３の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板１１，１２とを備えたセラミック回路基板であって、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されたことを特徴とする。・・」と、段落番号【０００７】に、「【発明の実施の形態】・・図１に示すように、セラミック回路基板１０はＳｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板１３と、このセラミック基板１３の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材（図示せず）を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板１１，１２とを備える。第１及び第２アルミニウム板１１，１２はＡｌの純度が９９．９８重量％以上の高純度のＡｌ合金により形成され、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材は９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとの合金により形成される。」と、段落番号【０００９】に、「【実施例】・・＜実施例１＞図１に示すように、・・Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板１３と、・・Ａｌ−Ｓｉ系ろう材とを用意した。第１及び第２アルミニウム板１１，１２のＡｌの純度はともに９９．９９９重量％であり、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材はＡｌ−７．５重量％Ｓｉ合金であった。また第１及び第２アルミニウム板はＡｌの他に・・とを含んでいた。第１アルミニウム板１１の上にＡｌ−Ｓｉ系ろう材、セラミック基板１３、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材及び第２アルミニウム板１２を重ねた状態で、これらに荷重５ｋｇｆ／ｃｍ2を加え、真空中で６３０℃に加熱することにより、セラミック基板１３の両面に第１及び第２アルミニウム板１１，１２を積層接着した。積層接着後、第２アルミニウム板１２をエッチング法により所定のパターンの回路として、セラミック回路基板１０を得た。」と記載されていることから、９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金は、実施例のＡｌ−７．５重量％Ｓｉ合金により裏付けられており、その全体として奏する作用・効果として、段落番号【００１５】に、「表１から明らかなように、実施例１〜３ではセラミック基板に全くクラックが発生しなかったのに対し、比較例１〜６では温度サイクル７００回後、４００回後及び２００回後にセラミック基板にそれぞれクラックが発生していた。この結果、第１及び第２アルミニウム板のＡｌの純度が９９．９８重量％以上であれば、セラミック基板にクラックが発生しないことが判った。またセラミック基板の両面に第１及び第２銅板を積層接着した比較例４の回路基板では、温度サイクル１００回後にセラミック基板にクラックが既に発生していた。」と記載されるとともに、段落番号【００１６】に、「【発明の効果】・・セラミック基板をＳｉ３Ｎ４により形成し、このセラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介して第１及び第２アルミニウム板をそれぞれ積層接着し、更にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉ��を含む合金により形成したので、この回路基板に熱サイクルを付加しても、セラミック基板と第１及び第２アルミニウム板との熱膨張係数の差による歪みが従来のＣｕやＣｕ合金等にて形成された金属部材と比べて変形抵抗の小さい第１及び第２アルミニウム板の弾性変形により吸収される。またこのときのセラミック基板に作用する熱応力は小さいので、セラミック基板にクラックが発生することはない。また第１及び第２アルミニウム板のＡｌの純度が９９．９８重量％以上であれば、第１及び第２アルミニウム板の０．２％耐力が２９ＭＰａと小さくなる。この結果、第１及び第２アルミニウム板の変形抵抗が小さくなるので、回路基板に熱サイクルを付加しても、セラミック基板に作用する熱応力はこのセラミック基板にクラックが発生しない範囲となる。」とそれぞれ記載されている。
　このように、前記の各構成を併せ持つものの作用効果が明らかである以上、その一部の数値の上下限の意味が記載されていないことのみをもって、当業者が実施をすることができないとすることはできないとともに、請求項１、２に記載された発明が発明の詳細な説明の欄中に記載されたものではないとすることもできない。
　また、上記段落番号【００１５】に、比較例４が、セラミック基板の両面に第１及び第２銅板を積層接着したものであると記載され、表１をみれば、Ａｌを用いたものと銅を用いるものとの比較がなされているのであるから、Ａｌ純度が９９．９８重量％以上のアルミニウム板が必須の構成であるとする異議申立人の主張は採用できない。
　以上の通り、本件明細書の記載には、特許異議申立人の主張する不備は認められない。
　
３−１−２　本件請求項１、２に係る発明
　３−１−１に述べたように、本件明細書には、特段の不備は認められず、請求項１、２に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１、２に記載された以下の事項により、それぞれ特定されるものである。　
【特許請求の範囲】
【請求項１】 Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板(13)と、前記セラミック基板(13)の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板(11,12)とを備えたセラミック回路基板であって、前記Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されたことを特徴とするセラミック回路基板。
【請求項２】 第１及び第２アルミニウム板(11,12)のＡｌの純度が９９．９８重量％以上である請求項１記載のセラミック回路基板。
　
３−２　甲各号証の刊行物に記載された発明
　特許異議申立人が提出した甲第１、２号証の刊行物には、２−２に述べた記載があり、甲第１、２号証に記載のＡｌ−Ｓｉ系ろう材は、Ａｌ−７．５％Ｓｉ箔（重量％）が例示されることより、同ろう材は、９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金と特段の差異はなく、
甲第１号証には、
　アルミナ、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム、ムライト又は炭化珪素のいずれかで形成されたセラミック基板と、前記セラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板とを備えたセラミック回路基板であって、前記Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されたセラミック基板。
の発明が記載され、甲第２号証には、
窒化アルミニウム系焼結板材で形成されたセラミックの基板である絶縁板材と、前記絶縁板材の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された、Ａｌ純度が９９．９８重量％以上のアルミニウムの板とを備えたセラミックの回路基板であって、前記Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されたセラミックの回路基板である半導体装置用軽量基板。
の発明が記載されるものと認める。
　また、甲第３号証の刊行物には、２−２に述べた記載があるので、
ＡｌＮ焼結体基板の問題点を改良するものとして、窒化けい素基板表面に、活性金属を含有する接合材を介して、銅回路板を一体に接合したセラミックス銅回路基板
の発明が記載されるものと認める。
　
３−３対比・判断
３−３−１　本件請求項１に係る発明について
　本件請求項１に係る発明は、上記の通り特定されるものであるから、少なくとも、
Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板（以下、「構成Ａ」という。）
をその構成の一部とするものである。
　同構成は、３−１−１に述べたように、セラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板とを備えること、及び、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されることとともにその発明の構成の一部をなすものである。
　これに対して、上記甲第１号証には、３−２に述べたように、
アルミナ、ガラスセラミックス、窒化アルミニウム、ムライト又は炭化珪素のいずれかで形成されたセラミック基板と、前記セラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板とを備えたセラミック回路基板であって、前記Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されたセラミック基板。
の発明が記載されるものと認められ、特許異議申立人も認めるようにセラミック基板を用いるものの、Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板を用いるものではない。
　したがって、本件請求項１に係る発明と上記甲第１号証に記載の発明とを比較すると、本件請求項１に係る発明が、上記の構成Ａを有するものであるのに対して、甲第１号証のものは、その点を開示していない点で少なくとも相違している。
　特許異議申立人は、この点は、甲第３号証に記載された発明に基づいて、当業者が容易になしえた事項である旨主張しているので、以下、甲第３号証の開示について検討する。
　３−２に記載するように、甲第３号証には、
ＡｌＮ焼結体基板の問題点を改良するものとして、窒化けい素基板表面に、活性金属を含有する接合材を介して、銅回路板を一体に接合したセラミックス銅回路基板
の発明が記載されるものの、甲第３号証に示される技術は、窒化けい素基板と銅回路板とを組合せることを開示するものであるのに対して、本件請求項１に係る発明を特定する構成Ａは、セラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板とを備えること、及び、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されることと一体をなすものであり、換言すれば、Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板と、その両面に積層接着されるアルミニウム板との組合せを前提として、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成されたことを特定するものである。
　これに対して、甲第３号証に記載される窒化けい素により形成された基板は、その両面に積層接着されるアルミニウム板との組合せとして用いることを開示又は示唆するものではなく、甲第１号証に記載されるもののＡｌ−Ｓｉ系ろう材の採用も、Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板とアルミニウム板との組合せを前提とするものではなく、それを示唆するものでもないので、上記構成Ａを甲第１，３号証に記載された発明に基づいて、容易になしえたとすることはできない。
　また、本件請求項１係る発明と甲第２号証に記載された発明とを対比すると、甲第２号証のものも、上記構成Ａを開示するものではなく、本件請求項１に係る発明が、上記の構成Ａを有するものであるのに対して、甲第２号証のものは、その点を開示していない点で少なくとも相違している。
　そして、甲第３号証の開示は、上述のとおりであり、甲第２号証のものは、Ｓｉ３Ｎ４により形成されたセラミック基板とアルミニウム板との組合せを前提とするものではなく、それを示唆するものでもないので、上記構成Ａを甲第２，３号証に記載された発明に基づいて、容易になしえたとすることはできない。
　また、各参考資料も、上記構成Ａを、セラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板とを備えること、及び、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成することを前提に採用することを開示又は示唆をなすものではない。
　しかも、本件請求項１に係る発明は、セラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介してそれぞれ積層接着された第１及び第２アルミニウム板とを備えること、及び、Ａｌ−Ｓｉ系ろう材が９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成することを前提として、構成Ａを有することにより、特許明細書の段落番号【００１６】に記載された、「【発明の効果】・・セラミック基板をＳｉ３Ｎ４により形成し、このセラミック基板の両面にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を介して第１及び第２アルミニウム板をそれぞれ積層接着し、更にＡｌ−Ｓｉ系ろう材を９３．５〜９１．５重量％のＡｌと６．５〜８．５重量％のＳｉとを含む合金により形成したので、この回路基板に熱サイクルを付加しても、セラミック基板と第１及び第２アルミニウム板との熱膨張係数の差による歪みが従来のＣｕやＣｕ合金等にて形成された金属部材と比べて変形抵抗の小さい第１及び第２アルミニウム板の弾性変形により吸収される。またこのときのセラミック基板に作用する熱応力は小さいので、セラミック基板にクラックが発生することはない。また第１及び第２アルミニウム板のＡｌの純度が９９．９８重量％以上であれば、第１及び第２アルミニウム板の０．２％耐力が２９ＭＰａと小さくなる。この結果、第１及び第２アルミニウム板の変形抵抗が小さくなるので、回路基板に熱サイクルを付加しても、セラミック基板に作用する熱応力はこのセラミック基板にクラックが発生しない範囲となる。」という効果を奏するものであるから、構成Ａを設計上の事項に属するとすることはできない。
　よって、本件請求項１に係る発明を、その構成の一部を開示も示唆もしない甲第１〜３号証の刊行物に記載された発明とすることはできないとともに、それらの刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　
３−３−２　本件請求項２に係る発明について
　本件請求項２に係る発明は、上記請求項１に係る発明を、引用することにより、構成Ａをそれらの発明の構成の一部とするものであるから、３−３−１に述べたように、それら発明を、その構成の一部を開示も示唆もしない上記甲第１〜３号証の刊行物に記載された発明とすることはできないとともに、それらの刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとすることもできない。
　　
４．むすび
　以上説示の通り、各特許異議申立の理由及び証拠によっては、本件請求項１、２に係る発明についての特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、２に係る発明についての特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成１３年１２月１２日（２００１．１２．１２）