【事件の表示】
　特願２０１７−１５９３５３「エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１２月２１日出願公開、特開２０１７−２２４８５０、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１３年（平成２５年）３月１４日に出願された特願２０１３−５２４７９号（以下「原出願」という。）の一部を２０１３年（平成２５年）１１月２１日に新たな特許出願（特願２０１３−２４０７４０号）とし，さらに，その一部を２０１７年（平成２９年）８月２２日に新たな特許出願（特願２０１７−１５９３５３号）としたものであり，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
　平成２９年　８月２３日　　：上申書の提出
　平成３０年　６月１８日付け：拒絶理由通知書（起案日）
　平成３０年１２月２５日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和　元年　５月１５日付け：拒絶査定（起案日）（以下「原査定」という。）
　令和　元年　９月２２日　　：審判請求書，手続補正書の提出（以下この手続補正書による補正を「本件補正」という。）
第２　補正の却下の決定
１．補正の却下の決定の結論
　本件補正を却下する。
２．補正の却下の決定の理由
（１）本件補正の内容
　本件補正は，補正前の特許請求の範囲の【請求項１】を，補正後の【請求項１】に変更する補正事項（以下，「補正事項」という。）を含むものである。
　補正前の【請求項１】及び補正後の【請求項１】は，それぞれ以下のとおりである。
ア　本件補正前の【請求項１】
「【請求項１】
　天井板と，基板を支持するサセプタと，下部側壁部と上部側壁部を含む側壁部を有する反応室内で基板表面にエピタキシャル成長による成膜を行う方法であって，
　反応ガス供給路を画定する第１凸部と第１凹部との間に形成される間隙内において前記反応室に反応ガスを供給するステップと，
　中心軸を有する下部側壁部の壁面に形成された複数の溝部に沿って前記反応ガスを流すことにより，反応ガス供給路において，前記反応ガスを整流するステップであって，前記第１凹部で連続的に形成された溝部は前記下部側壁部の周方向に沿って前記中心軸と実質的に平行に配置されるステップと，
　　前記天井板と前記サセプタの間の領域に向かって対向して，前記第１凸部と前記第１凹部の間に形成されている第１開口部の中心から延びる水平方向に対応する第１フロー方向に前記反応ガスを流すステップと，
　　前記壁面の底部から前記壁面の上部まで延びる垂直方向に対応する第２フロー方向で前記複数の溝部内に前記反応ガスを流すステップであって，各々の前記溝部は断面湾曲形状を有し，前記複数の溝部の第１の溝部と前記複数の溝部の最後の溝部の断面湾曲形状は前記中心軸に沿って放射状に配置され，これによって，前記反応ガスは前記壁面の上部の上方で前記複数の溝部から排出され，前記水平方向に対応する第１フロー方向で整流されるステップと，
　　前記天井板と前記基板表面との間に画定される約１０ｍｍ未満の間隔を通して流れる前記反応ガスにより形成された境界層を狭くするステップを含む前記反応ガスを整流するステップと，
　前記第１凸部と前記第１凹部との間に形成される前記第１開口に対向する，前記反応室の第２凸部と第２凹部との間に形成される第２開口を介して，前記反応室から前記反応ガスを排出するステップとを含むことを特徴とするエピタキシャル成長による成膜方法。」
イ　本件補正後の【請求項１】
「【請求項１】
　天井板と，基板を支持するサセプタと，第１凹部と第２凹部を有する下部側壁部と，第１凸部と第２凸部を有する上部側壁部を備える反応室内で基板表面にエピタキシャル成長による成膜を行う方法であって，
　前記上部側壁部の前記第１凸部と前記下部側壁部の前記第１凹部との間に形成される第１開口に反応ガスを供給するステップであって，前記第１開口は，
　　前記サセプタの厚さ方向に実質的に垂直な，水平方向に延びる第１供給路と，
　　前記サセプタの厚さ方向に実質的に平行な，垂直方向に延びる第２供給路と，
　　前記水平方向に延び，前記反応室と流体的に連通している第３供給路とを含んでいるステップと，
　前記第１開口において，前記反応ガスを整流するステップであって，前記反応ガスを整流するステップは，
　　前記第１供給路に前記反応ガスを流すステップと，
　　前記第２供給路に前記反応ガスを流すステップであって，
　　　前記第２供給路は，前記下部側壁部の前記第１凹部に形成された複数の溝部を備え，
　　　前記複数の溝部は，前記垂直方向に延び，前記下部側壁部の周方向に列になって配置され，
　　　前記列の両端に配置された，前記複数の溝部のうちの２つの溝部のみが，前記下部側壁部の半径方向に，前記下部側壁部の前記第１凹部の壁面まで延びる壁部分を備えているステップと，
　　前記天井板と前記基板表面との間に画定される約１０ｍｍ未満の間隔を通して流れる前記反応ガスにより形成された境界層を狭くするステップとを含んでいるステップと，
　前記上部側壁部の前記第２凸部と前記下部側壁部の前記第２凹部との間に形成される第２開口を介して，前記反応室から前記反応ガスを排出するステップであって，前記第２開口は，前記下部側壁部の前記第１開口に対向して配置されているステップとを含むことを特徴とするエピタキシャル成長による成膜方法。」
（２）本件補正の適否の判断
　本件補正の補正事項は特許請求の範囲の【請求項１】に「前記上部側壁部の前記第１凸部と前記下部側壁部の前記第１凹部との間に形成される第１開口に反応ガスを供給するステップであって，前記第１開口は，
　　前記サセプタの厚さ方向に実質的に垂直な，水平方向に延びる第１供給路と，
　　前記サセプタの厚さ方向に実質的に平行な，垂直方向に延びる第２供給路と，
　　前記水平方向に延び，前記反応室と流体的に連通している第３供給路とを含んでいるステップ」という事項を追加する補正を含むものである。
　審判請求の理由において請求人は『４．補正の根拠の明示』として『請求項１の「前記第１開口は，前記サセプタの厚さ方向に実質的に垂直な，水平方向に延びる第１供給路と，前記サセプタの厚さ方向に実質的に平行な，垂直方向に延びる第２供給路と，前記水平方向に延び，前記反応室と流体的に連通している第３供給路とを含んでいる」の補正事項は，出願当初の明細書段落００４４の記載に基づく。』と説明している。
　本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面には，
「【００４４】反応ガス供給路４１に設けられたガイド部について，図５から図７を用いて詳細に説明する。前述のとおり，反応ガス供給路４１は，下部側壁部３２の第１凹部３４と上部側壁部３１の第１凸部３６とから形成されて，供給側連通路５２内のガス導入チューブ５５を介して反応ガス導入部５４まで連通している。また，反応ガス供給路４１は，反応ガス導入部５４からのガスの導入方向と一致する方向（水平方向）に延設された第１供給路７１と，第１供給路７１に連通し，ガスの導入方向に対して垂直な方向（鉛直方向）に延設された第２供給路７２と，第２供給路７２に連通し，ガスの導入方向に一致する方向（水平方向）に延設された第３供給路７３とを有している。そして，第３供給路７３は，反応室２に連通している。」
と記載がされている。
　さらに，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面には，
「【００２７】下部側壁部３２の上面は外周部の一部が切り欠かれ，この切り欠きが設けられていない領域は，上部側壁部３１が載置される載置面３３として構成されている。下部側壁部３２の切り欠きにより，下部側壁部３２には第１凹部３４が形成されている。即ち，第１凹部３４は，下部側壁部３２の上面の載置面３３が形成されていない部分に形成された凹部である。上部側壁部３１には，下部側壁部３２への載置時にこの第１凹部３４に対応する位置に，第１凹部３４の形状に対応し，かつ，この第１凹部３４との間に間隙３５が形成されるように，第１凸部３６が設けられている。そして，この第１凸部３６と第１凹部３４との間の間隙３５が反応ガス供給路４１（供給路）として機能する。」
「【図１】
」
「【図２】
」
「【図５】
」
との記載がされている。そして，図２から，下部側壁部３２の上面の内側部分が，全周にわたって切り欠かれていないこと，すなわち，第３供給路７３の下側の面が，下部側壁部３２の切り欠かれていない上面によって構成されていることが見てとれる。
　さらに，図５から，ガス排出路４２が，上部側壁部３１の下面に設けられた切り欠きにより形成された凹部と，下部側壁部３２の切り欠きが設けられていない上面との間に形成されていることが見てとれる。
　そうすると，図２及び図５のこれらの記載及び第１開口と第２開口とが対向するとの記載及び図１の記載を総合すると，第３供給路７３は，上部側壁部３１の下面に設けられた切り欠きによって形成された凹部と，下部側壁部３２の切り欠きが設けられていない上面との間に形成されているものと理解される。
　すなわち，【００２７】，【００４４】，【図１】，【図２】，【図５】の記載からすると，第１凹部３４は，下部側壁部３２の上面の外周側の一部に設けられており，第１供給路７１と第２供給路７２は，第１凸部３６と第１凹部３４との間に形成されているといえるものの，反応室２に連通している第３供給路７３は，第１凸部３６と第１凹部３４との間に形成されているとはいえない。
　したがって，「反応室と流体的に連通している第３供給路」を含んでいる第１開口が「前記上部側壁部の前記第１凸部と前記下部側壁部の前記第１凹部との間に形成」されているとする，上記の事項は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項とはいえない。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないので，上記のとおり本件補正を却下する。
第３　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１．（進歩性）本願請求項１−４，６−９に係る発明は，以下の引用文献１−６に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２００２−２３１６４１号公報
２．特開２００４−２８８８９９号公報
３．特開２０１０−０２７８６８号公報
４．特開２０００−０６８２１５号公報
５．特開２０１２−２２７４７１号公報
６．米国特許出願公開第２００６／０２４９６９５号明細書
第４　本願発明
　本件補正は，上記「第２　補正の却下の決定」のとおり，却下された。
したがって，本願請求項１−９に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明９」という。）は，平成３０年１２月２５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−９に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　天井板と，基板を支持するサセプタと，下部側壁部と上部側壁部を含む側壁部を有する反応室内で基板表面にエピタキシャル成長による成膜を行う方法であって，
　反応ガス供給路を画定する第１凸部と第１凹部との間に形成される間隙内において前記反応室に反応ガスを供給するステップと，
　中心軸を有する下部側壁部の壁面に形成された複数の溝部に沿って前記反応ガスを流すことにより，反応ガス供給路において，前記反応ガスを整流するステップであって，前記第１凹部で連続的に形成された溝部は前記下部側壁部の周方向に沿って前記中心軸と実質的に平行に配置されるステップと，
　　前記天井板と前記サセプタの間の領域に向かって対向して，前記第１凸部と前記第１凹部の間に形成されている第１開口部の中心から延びる水平方向に対応する第１フロー方向に前記反応ガスを流すステップと，
　　前記壁面の底部から前記壁面の上部まで延びる垂直方向に対応する第２フロー方向で前記複数の溝部内に前記反応ガスを流すステップであって，各々の前記溝部は断面湾曲形状を有し，前記複数の溝部の第１の溝部と前記複数の溝部の最後の溝部の断面湾曲形状は前記中心軸に沿って放射状に配置され，これによって，前記反応ガスは前記壁面の上部の上方で前記複数の溝部から排出され，前記水平方向に対応する第１フロー方向で整流されるステップと，
　　前記天井板と前記基板表面との間に画定される約１０ｍｍ未満の間隔を通して流れる前記反応ガスにより形成された境界層を狭くするステップを含む前記反応ガスを整流するステップと，
　前記第１凸部と前記第１凹部との間に形成される前記第１開口に対向する，前記反応室の第２凸部と第２凹部との間に形成される第２開口を介して，前記反応室から前記反応ガスを排出するステップとを含むことを特徴とするエピタキシャル成長による成膜方法。
【請求項２】
　前記反応ガス供給路は，
　前記水平方向に対応する第１フロー方向に延設された第１供給路と，
　前記第１供給路に連通し，前記垂直方向に対応する第２フロー方向に延設された第２供給路と，
　前記第２供給路に連通し，前記水平方向に対応する第１フロー方向に延設された第３供給路とを含む請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
　前記複数の溝部の各々の溝部の深さは，１ｍｍ以上５ｍｍ以下とする請求項１又は２記載の成膜方法。
【請求項４】
　ガス排出路は，前記側壁部の外側に配置されたガス排出部に接続されており，該ガス排出部は，前記ガス排出路と接続される内側から外側に向かうにしたがって開口が狭くなるように形成されており，
　前記成膜方法は，該ガス排出路を通じて前記反応ガスを外部に排出するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項５】
　反応室を加熱するステップをさらに含み，前記反応室を加熱するステップは，前記反応室内に配置されたサセプタの外周に設けられたサセプタリング部の使用によって前記反応ガスを予熱するステップを含み，
　前記サセプタリング部は，前記側壁部に配置されたフランジ部に載置される第１リング部と，該第１リング部の上面に配置された凹部に載置される第２リング部を含み，該第２リング部は，前記サセプタの周縁部と前記第１リング部の内側周縁部との間の離間部が狭くなるような内径を有するものであり，
　前記成膜方法が，第２リング部の使用により，前記反応ガスが前記サセプタの周縁から該サセプタの下面側に流れ込むのを阻止するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の成膜方法。
【請求項６】
　基板表面に成膜を行うエピタキシャル成長装置であって，
　天井板と，前記基板を支持するサセプタと，下部側壁部と上部側壁部を含む側壁部と，前記天井板と前記基板表面との間の約１０ｍｍ未満の空間を備えた反応室と，
　前記側壁部に形成された反応ガス供給路であって，前記反応ガス供給路は，第１凸部と第１凹部との間に画定される反応ガス供給路と，
　中心軸を有する下部側壁部の壁面に形成された複数の溝部であって，前記第１凹部で連続的に形成された複数の溝部は，前記下部側壁部の周方向に沿って前記中心軸に実質的に平行に配置され，各々の前記溝部は断面湾曲形状を有し，前記複数の溝部の第１の溝部と前記複数の溝部の最後の溝部の断面湾曲形状は中心軸に沿って放射状に配置され，
　前記反応ガス供給路と対向する前記側壁部の位置に形成されたガス排出路であって，ガス排出路は，前記第１凸部と前記第１凹部との間に形成された第１開口に対向する，第２凸部と第２凹部との間に形成された第２開口を介して前記反応室を通過するガス排出路を備えたことを特徴とするエピタキシャル成長装置。
【請求項７】
　前記サセプタは，多数の貫通穴を有することを特徴とする請求項６に記載のエピタキシャル成長装置。
【請求項８】
　前記ガス排出路は，前記側壁部の外側に配置されたガス排出部に接続されており，該ガス排出部は，前記ガス排出路と接続される内側から外側に向かうにしたがって開口が狭くなるように形成されることを特徴とする請求項６又は７に記載のエピタキシャル成長装置。
【請求項９】
　前記反応室の上方に配置された，前記反応室を所定の成長温度に加熱する第１の加熱手段と，
　前記第１の加熱手段の上方に配置された第１のリフレクタと，
　前記反応室の下方に配置された，前記反応室を所定の成長温度に加熱する第２の加熱手段と，
　前記第２の加熱手段の下方に配置された第２のリフレクタとをさらに備え，
　前記第１のリフレクタは，前記第１の加熱手段からの熱線を前記反応室の中心に向かって反射させる第１の傾斜部と，前記第１の加熱手段からの熱線を鉛直下向きに反射させる第１の平坦部とを含み，前記第１の傾斜部と前記第１の平坦部の面積比が所定の比率となるように，かつ，前記第１の傾斜部と前記第１の平坦部の分布が偏らないように，前記第１の傾斜部と前記第１の平坦部とが配列されたものであり，
　前記第２のリフレクタは，前記第２の加熱手段からの熱線を前記反応室の中心に向かって反射させる第２の傾斜部と，前記第２の加熱手段からの熱線を鉛直上向きに反射させる第２の平坦部とを含み，前記第２の傾斜部と前記第２の平坦部の面積比が所定の比率となるように，かつ，前記第２の傾斜部と前記第２の平坦部の分布が偏らないように，前記第２の傾斜部と前記第２の平坦部とが配列されたものであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載のエピタキシャル成長装置。」
第５　引用文献，引用発明等
１．引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，シリコン単結晶基板の主表面にシリコン単結晶薄膜を気相成長させるための気相成長装置と，それを用いて実現されるエピタキシャルウェーハの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶基板（以下，単に「基板」と略称する）の表面に，気相成長法によりシリコン単結晶薄膜（以下，単に「薄膜」と略称する）を形成したシリコンエピタキシャルウェーハは，バイポーラＩＣやＭＯＳ−ＩＣ等の電子デバイスに広く使用されている。そして，電子デバイスの微細化等に伴い，素子を作りこむエピタキシャルウェーハ主表面のフラットネスに対する要求がますます厳しくなりつつある。フラットネスに影響を及ぼす因子としては，基板の平坦度と薄膜の膜厚分布とがある。ところで，近年，例えば直径が２００ｍｍないしそれ以上のエピタキシャルウェーハの製造においては，複数枚のウェーハをバッチ処理する方法に代えて，枚葉式気相成長装置が主流になりつつある。これは，反応容器内に１枚の基板を水平に回転保持し，反応容器の一端から他端へ原料ガスを略水平かつ一方向に供給しながら薄膜を気相成長させるものである。
【０００３】
上記のような枚葉式気相成長装置において，形成される薄膜の膜厚均一化を図る上で重要な因子として，反応容器内における原料ガスの流量あるいは流量分布がある。枚葉式気相成長装置においては，通常，ガス供給管を介して反応容器の一端部に形成されたガス導入口から原料ガスが供給され，基板表面に沿って原料ガスが流れた後，容器他端側の排出口から排出される構造となっている。このような構造の場合，ガス流量はガス導入口もしくはその延長線上において局所的に高くなりやすく，ガス流方向に対し水平に直交する向き（以下，幅方向という）に流量のムラが生じやすい問題がある。これを解消するために，従来より，ガス導入口の下流側に多数の孔を形成した分散板を設けたり，あるいはガス流を幅方向に仕切る仕切板を設けたりした装置が提案されている。
【０００４】また，特開平７−１９３０１５号公報には，
ガス導入口からの原料ガスを，基板を支持するサセプタの周囲に配置された堤部材の外周面に向けて流し，堤部材を乗り越えさせる形で基板Ｗの表面に原料ガスを供給する装置が開示されている。この方法の主旨は，原料ガス流を堤部材の外周面に当てることで分散させ，流量のムラを解消しようというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記特開平７−１９３０１５号公報に記載される装置の場合，
堤部材の外周面に当たった原料ガスは，堤部材を乗り越えようとする流れと，外周面に沿って横方向に向かおうとする流れとを生ずる形になる。この場合，その横方向の流れにより，堤部材の外周面ひいては上記の幅方向に沿って原料ガスが均等に分散することが，流量ムラを解消する上で重要である。しかしながら，堤部材の外周面形状によっては原料ガスが必ずしも幅方向に均等に分散せず，流れに偏りを生じてしまうことがある。特に，図７に示すように，堤部材の外周面２３ｂの形状が円筒面状である場合，幅方向ＷＬにおける両端付近は，外周面２３ｂが大きく傾斜しているため，当たったガスＧが外側へ逃げやすく，流量ムラひいては膜厚の不均一を生じやすい問題がある。
【０００６】
本発明の課題は，比較的単純な機構によりながら，反応容器内の幅方向の流量分布のムラを効果的に解消することができ，ひいては良好な膜厚分布精度を確保できる気相成長装置と，それを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法とを提供することにある。
「【００１６】図１に示すように，反応容器本体２の内部空間５には，垂直な回転軸線Ｏの周りにモータ１３により回転駆動される円盤状のサセプタ１２が配置され，その上面に形成された浅い座ぐり１２ｂ内に，シリコンエピタキシャルウェーハを製造するための基板Ｗが１枚のみ配置される。すなわち，該気相成長装置１は水平枚葉型気相成長装置として構成されている。基板Ｗは，例えば直径が１００ｍｍあるいはそれ以上のものである。また，基板Ｗの配置領域に対応して容器本体２の上下には，基板加熱のための赤外線加熱ランプ１１が所定間隔にて配置されている。
【００１７】内部空間５内には，図３に示すようにサセプタ１２を取り囲むように堤部材２３が配置されている。図２に示すように，堤部材２３は，その上面２３ａがサセプタ１２の上面１２ａ（ひいては基板Ｗの主表面）と略一致する位置関係にて配置される。図１に示すように，ガス導入口２１は，堤部材２３の外周面２３ｂに対向する形にて開口しており，該ガス導入口２１からの原料ガスＧは，図２あるいは図４に示すように，堤部材２３の外周面２３ｂに形成されたガス受入領域６０に当たって上面２３ａ側に乗り上げた後，サセプタ１２上の基板Ｗの主表面に沿って流れるようになっている。なお，堤部材２３の内周縁に沿って，板状に形成された均熱用の予熱リング２２が配置され，その内側に配置されるサセプタ１２の上面１２ａが，該予熱リング２２の上面２２ａと略面一となっている。
【００１８】次に，図１に示すように，反応容器本体２の第一端部３１からサセプタ１２の回転軸線Ｏと直交して第二端部３２に至る原料ガスＧの流れ方向に沿った仮想的な中心線を水平基準線ＨＳＬとして定める。また，図３に示すように，該水平基準線ＨＳＬと回転軸線Ｏとの双方に直交する方向を幅方向ＷＬとして定義する。さらに，図１に示すように，該水平基準線ＨＳＬを含んで回転軸線Ｏと直交する仮想的な平面を基準平面ＲＰとして定める。
【００１９】図４は，本実施形態の気相成長装置１の堤部材２３のガス受入領域６０及びその周辺の詳細を示すもので，（ａ）は斜視図，（ｂ）は水平基準線ＨＳＬ近傍に位置するガス受面セグメント（ｓｅｇｍｅｎｔ）６１ｓを抜き出して示す平面図，（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ断面図，（ｄ）は（ｃ）のＢ−Ｂ断面である。該図は，気相成長装置１が本発明の第一の構成を具備することを示す。すなわち，
堤部材２３のガス受入領域６０には，基準平面ＲＰと平行な任意の仮想平面ＲＰＡ（図４（ｃ））による断面において，（ｄ）に示すように，水平基準線ＨＳＬと垂直となる外形線６１ｓ’を有する，垂直ガス受面６１が形成されている。
【００２０】また，気相成長装置１は，前記した本発明の第二の構成も具備するものである。すなわち，堤部材２３のガス受け入れ領域６０は，（ｃ）に示す仮想平面ＲＰＡによる断面において，（ｄ）に示すように，
幅方向ＷＬにおける中央位置ＣＱが両縁位置ＥＱ，ＥＱよりもガス排出口３１（図３）側に引っ込んだ凹状の外形線を有するガス受入凹部７０からなる。これらのガス受入凹部７０は，堤部材２３の周方向に沿って隣接する形で複数形成されている。
【００２１】
各垂直ガス受面６１の幅方向ＷＬにおける両端部に隣接して，ガス導入口２１（図１）側に延出するガス案内面６２，６２が形成され，それらガス案内面６２，６２と垂直ガス受面６１とがガス受入凹部７０を形成している。幅方向ＷＬに沿って横方向に逃げようとする原料ガスの流れは，ガス案内面６２，６２により有効に抑制される。その結果，個々のガス受入凹部７０に分配された原料ガスの流れが，垂直ガス受面６１を乗り越えた後も良好に保存され，幅方向ＷＬにおける流速ムラが軽減される。
【００２２】また，垂直ガス受面６１は，幅方向ＷＬにおいて水平基準線の左右両側に階段状に配列するガス受面セグメント（以下，ガス受面セグメント６１ｓともいう）により形成されている。階段状に隣接するガス受面セグメント６１ｓ，６１ｓの間には，水平基準線に沿う連結面部６１ｊが必ず形成される。そして，それら隣接するガス受面セグメント６１ｓ，６１ｓのガス排出口に近い側，つまりガス流方向下流側に位置するものから見て，該連結面部６１ｊは，幅方向ＷＬへのガス流の逃げを阻止ないし抑制するガス案内面（６２）としても機能する。換言すれば，階段状のガス受面セグメント６１ｓにより副産物的に形成される連結面部６１ｊを，ガス案内面６２として流用することで，堤部材の構造の簡略化あるいはコンパクト化を図ることができる。
【００２３】本実施形態においてガス受面セグメント６１ｓは，図３に示すように，水平基準線ＨＳＬから離れるに従いガス排出口３１側に近づく階段状に配列されている。この構成によれば，堤部材２３の形状が，サセプタ１２の外周縁に対応した単純なものとなるので作製が容易であり，かつ，ガス受面セグメント６１ｓをこれに倣う階段状に形成することで，幅方向ＷＬにおけるガスの流速ムラの解消を効果的に図ることができる。この場合，
ガス受面セグメント６１ｓは，図３のように，サセプタ１２の回転軸線Ｏを中心とする円周状経路に沿って配列しておくとなお望ましい。
【００２４】図４（ｂ）に示すように，隣接するガス受面セグメント６１ｓ，６１ｓのガス排出口３１に近い側に位置するもの，例えば図４（ｂ）において中央のガス受面セグメント６１ｓから見た場合，その左右両側に隣接するガス受面セグメント６１ｓには，幅方向ＷＬにおいて連結面部６１ｊが位置しているのと反対側の端部に，ガス導入口２１（図１）側に突出するガス案内壁部６３が形成されている。該ガス案内壁部６３の内面と連結面部６１ｊとは，それぞれガス案内面６２を形成している。ガス受面セグメント６１ｓの階段状の形態を利用すれば，ガス案内壁部６３を１つ追加するだけで，横方向の流速分布ムラの解消に有効なガス受入凹部７０を簡単に形成することができる。
【００２５】また，ガス受入領域６０には，水平基準線ＨＳＬに沿う方向にてガス導入口２１（図１）側にガス導入口側に下り勾配となる傾斜ガス受面６１が形成されている。傾斜ガス受面６１の形成により原料ガスを堤部材２３の上面２３ａにスムーズに乗り上げさせることができ，ガス流の分散を適度に図ることが可能となる。本実施形態では，前記した垂直ガス受面（あるいはガス受面セグメント）６１が傾斜ガス受面として形成されている。」
「【００３０】また，図１に示すように，
容器本体部２は，下部ケース３と上部ケース４とからなり，堤部材２３は下部ケース３の内周面に沿って配置されている。
「【００３６】以上，本発明の気相成長装置の実施形態について説明したが，本発明は上記実施形態に限定されるものではなく，請求項に記載した概念を逸脱しない範囲にて種々の変形を加えることができる。以下，そのいくつかの例を示す（図１〜図５と概念的に共通する要素には同一の符号を付与して詳細な説明を省略する）。まず，図９は，垂直ガス受面（ガス受面セグメント）を，傾斜面ではなく切立面（水平面に対して垂直な面）２６１ｓとして形成した例である。
また，図１０は，ガス受入凹部７５の内周面底部を垂直ガス受面とせず，湾曲面６５として形成した例である。
「【図４】
」
「【図１０】
」
（２）上記（１）から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「上部ケース４，堤部材２３，及び，基板Ｗが配置されるサセプタ１２により形成される内部空間５において気相成長を行うエピタキシャルウェーハの製造方法であって，
　上部ケース４と堤部材２３の間を通って原料ガスが内部空間５に供給され，
　堤部材２３には複数のガス受入凹部が形成され，
　原料ガスＧはガス導入面２３ｃと第三面４ｃとの間において水平方向に流れ，
　堤部材２３に形成される凹部は垂直方向に延在する湾曲面を有し，当該凹部に沿ってガスが垂直方向に流れ，
　基板Ｗの主表面に沿って流れた原料ガスは排出側の上部ケース４と堤部材２３の間を通って排出される，
　方法。」
２．引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】 【発明の属する技術分野】 
本発明は，成膜方法および基板処理装置に係り，特には被処理基板上に金属酸化膜を成膜する成膜方法および基板処理装置に関する。
「【００１３】 【発明が解決しようとする課題】 そこで，吸着工程を含むような成膜プロセス装置において，原料をより効率的に吸着させることが必要である。
【００１４】 前記基板処理装置５００では，ガスＡおよびガスＢを供給する際，前記シャワーヘッド５１１ｂから前記被処理基板Ｗｆまでは，距離Ｈだけ離れていてガスの拡散領域があるため，当該ガスＡおよびガスＢは，前記シャワーヘッド５１１ｂから前記被処理基板Ｗｆまで到達するまでの間に前記処理容器内を拡散し，
供給されたガスＡおよびガスＢの大半は，前記被処理基板Ｗｆに到達する事無く，前記排気口５１１Ｃより排出されてしまう。そのために，高価なガスであるＴＭＡの大半が成膜に利用されること無く消費され，成膜のためのコストがかかる要因となっていた。
「【００６８】 
図８を参照するに，このような構造において前記被処理基板Ｗと前記天井部３０４との間の狭い空間を，前記処理ガス供給口３０４から供給されるＴＭＡやＯ３／Ｏ２などの処理ガス流Ｆを通過させた場合，前記被処理基板Ｗの表面および前記天井部３０４の表面には境界層Ｂが形成され，処理ガス流Ｆ中をキャリアガスに乗って輸送されているＴＭＡ分子やＯ３／Ｏ２分子などの処理ガス分子は，かかる境界層Ｂ中を拡散することで前記被処理基板Ｗの表面に到達する。
【００６９】 
このような境界層Ｂの厚さδは前記処理ガス流Ｆの流速によって変化し，厚さδは流速が減少すると増大し，流速が増大すると減少する。前記境界層Ｂの厚さδが減少すると，前記処理ガス流Ｆから放出された処理ガス分子が前記境界層Ｂ中を拡散して前記被処理基板Ｗの表面に到達するまでの時間が短縮され，所定時間により多くの処理ガス分子が被処理基板の表面に到達することになる。その結果，原料の利用効率が向上する。
【００７０】 
このような処理ガス流Ｆの流速は，前記プロセス空間３０１Ａの高さ，すなわち前記ギャップＧを減少させることにより増大させることができる。
【００７１】 図９は，このようなギャップＧと，前記被処理基板Ｗの表面がＴＭＡ分子で飽和するまでのＴＭＡガス供給時間との関係を示す。ただし図９中，横軸は前記処理容器３０１内の前記プロセス空間３０１Ａの容積を示しているが，前記プロセス空間３０１Ａの径は同一に維持されるので，前記プロセス空間３０１Ａの容積は前記キャップＧに対応する。一方図９中，縦軸は被処理基板表面が吸着したＴＭＡ分子で飽和するまでのＴＭＡガスの供給時間を示しており，この値が小さい程，短時間で飽和吸着が実現され，また供給したＴＭＡガスのうち基板表面に吸着したものの割合を示す吸着率が増大する。
【００７２】 図９を参照するに，ギャップＧが４０ｍｍの場合にＴＭＡ分子の吸着率は１３％であるのに対し，ギャップＧが２０ｍｍの場合には吸着率は１４％に向上するのがわかる。さらに前記ギャップＧが８ｍｍまで減少した場合，吸着率は３０％にまで向上する。図９中，▲１▼は被処理基板Ｗに吸着されるＴＭＡ分子の割合を，▲２▼は被処理基板Ｗに吸着されずに排出されるＴＭＡ分子の割合を示している。
【００７３】 
このように，前記ギャップＧを減少させることにより前記プロセス空間において被処理基板Ｗの表面に形成される境界層Ｂの厚さδが減少し，吸着率が向上することで成膜工程の際の処理ガスの利用効率が向上することが確認される。
【００７４】 
例えば，前記被処理基板Ｗ上にＴＭＡが飽和吸着する時間は，ギャップＧが４０ｍｍの場合，０．５秒であったのに対して，ギャップＧを２．５ｍｍとすると０．０５秒に短縮することが可能になっており，処理ガスの利用効率を向上させると共に，成膜時間を短縮して効率のよい成膜を行う事が可能となる。」
「【００７９】 
このため，前記第１の処理ガスおよび第２の処理ガスを前記プロセス空間に前記被処理基板Ｗ上を流れるように供給する場合，ギャップＧを０．５〜８ｍｍの範囲とするのが好ましく，処理ガスの利用効率が向上する。
「【０１２９】 さらに前記内側反応容器２０２内には，石英ガスノズル１３Ａおよび１３Ｂが，それぞれ前記排気溝部２０１ａおよび２０１ｂに，前記ウェハ１２を隔てて対向するように設けられている。そこで前記ガスノズル１３Ａから導入された第１の処理ガスは，前記内側反応容器２０２内を前記被処理基板１２の表面に沿って流れ，対向する排気口１４Ａから前記コンダクタンスバルブ１５Ａを介して排気される。同様に前記ガスノズル１５Ｂから導入された第２の処理ガスは，前記内側反応容器２０２内を前記被処理基板Ｗの表面に沿って流れ，対抗する排気口１４Ｂから前記コンダクタンスバルブ１５Ｂを介して排気される。このように第１および第２の処理ガスを交互に前記ガスノズル１３Ａから排気口１４Ａへと，あるいは前記ガスノズル１３Ｂから排気口１４Ｂへと流すことにより，先に説明した分子層を基本単位とする膜形成が可能になる。」
（２）上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　被処理基板上に金属酸化膜を成膜する成膜方法であって，被処理基板と天井部との間の狭い空間に処理ガスを通過させた場合，ギャップを減少させることにより被処理基板の表面に形成される境界層の厚さが減少し，吸着率が向上することで成膜工程の際の処理ガスの利用効率が向上する。
３．引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００４】
本発明は，目的とする場所以外での反応を抑制した，複数の原料ガスを使用する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。」
「【０００９】
（第１の実施の形態） 図１は，本発明の第１の実施形態に係る気相成長装置の構成を例示する模式図である。図１に表したように，本発明の第１の実施形態に係る気相成長装置１０は，複数の原料ガス，すなわち，第１原料ガス２１０と，第１原料ガス２１０と異なる第２原料ガス２２０と，を用いて基板１６０の上に成膜する気相成長装置である。気相成長装置１０は，基板１６０が設置される反応室１５０と，反応室１５０に連通し，第１原料ガス２１０を導入する第１原料ガス導入路１１０と，反応室１５０に連通し，第２原料ガス２２０を導入する第２原料ガス導入路１２０と，第１及び第２原料ガス導入路１１０，１２０の間に設けられ，第１及び第２原料ガス２１０，２２０との反応速度が遅い分離ガス２３０を導入する分離ガス導入路１３０と，を備える。
【００１０】
　本具体例の気相成長装置１０は，水平フロー型のＭＯＣＶＤ気相成長装置であり，反応室１５０は，反応室１５０の内部に設けられ基板１６０を載置する基板載置部１７０を有し，第１及び第２原料ガス導入路１１０，１２０と，分離ガス導入路１３０と，は，基板載置部１７０の側方に設けられている。ただし，後述するように，縦型の構造の気相成長装置としても良い。
【００１１】
　また，基板載置部１７０には，加熱部１８０を設けることができ，加熱部１８０により基板１６０を加熱し，上記の原料ガスを反応させて成膜を行う。また，反応室１５０には，排出部１９０が設けられ，反応が終了したガスを排出する。」
「【図１】
」
４．引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体基板の表面に高度な面内膜厚均一性をもって薄膜を気相成長させることが可能な気相薄膜成長方法と，これに好適に用いられる気相薄膜成長装置に関する。」
「【０００４】図５に，従来の枚葉式の気相薄膜成長装置の構成例を示す。この装置は，長手方向の一端に原料ガス供給管１２，他端に排気口３を備えた偏平な反応容器１と，この反応容器１の下方側に位置し，半導体基板Ｗを載置するためのサセプタ５を収容するサセプタ収容部４と，このサセプタ収容部４の底部中央に接続され，上記サセプタ５の回転軸６を挿通させるための脚部７と，この脚部７の末端にて上記回転軸６に接続され，該回転軸６を矢印ｆ方向に回転可能とする回転アセンブリ８とを備える。この他に図示されない構成要素としては，反応容器１の天井面の外部に配列され，半導体基板Ｗを均一に加熱するための複数の赤外線ランプ，上記脚部７の内部から上記サセプタ収容部４の内部に向けてパージガスを供給するためのパージガス供給系統，サセプタ５表面の温度を測定することにより半導体基板Ｗの温度を検出するための放射温度計がある。」
「【図５】
」
５．引用文献５について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献５には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は，基板にエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハの製造におけるサセプタに載置する基板の載置位置の偏心量を評価する方法，及びこの評価結果を用いたエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。」
「【００１６】
　以下，本発明について実施の形態を説明するが，本発明はこれに限定されるものではない。図１は本発明の偏心量の評価方法における工程を示すフロー図である。また，図２は本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法で用いるエピタキシャル成長装置の一例の概略図である。図２に示すように，エピタキシャル成長装置１は，例えばＳＵＳからなるチャンバーベース２１と，チャンバーベース２１を上下から挟む透明石英部材２２と，チャンバーベース２１をカバーする不透明石英部材２３とからなるチャンバー２を備え，チャンバー２内には，エピタキシャル成長させる基板９を載置するための例えば黒鉛製のサセプタ３が配置されている。
【００１７】
　サセプタ３の縁部の内側には基板径よりも数ミリ程度大きい凹形状のポケット部３１が形成されており，このポケット部３１に基板９が収まることにより，サセプタ３を回転させても基板９が特定の載置位置に留まることができるようになっている。チャンバー２には，チャンバー２内に原料ガス及びキャリアガス（例えば，水素）を含むエピタキシャル成長ガス（反応ガス）をサセプタ３の上側の領域に導入して，サセプタ３上に載置された基板９の主表面上に反応ガスを供給する，反応ガス供給手段４が接続されている。また，チャンバー２の反応ガス供給手段４が接続された側の反対側には，チャンバー２内から反応後のガスを排出する，反応ガス排出手段５が接続されている。
【００１８】
　サセプタ３には，オートドープを防止するための複数の貫通孔が設けられており，この貫通孔を後述する本発明の偏心量の評価方法において基板にサセプタ貫通孔パターンを転写するための複数の貫通孔６として利用することができる。ここで，この複数の貫通孔６の配置は，転写するサセプタ貫通孔パターンの位置を測定して基板の載置位置の偏心量を特定できるように形成されていれば特に限定されず，例えば，図３に示すように，ウェーハの周辺部に円状のパターンが形成されるように設けることができる。或いは，図５に示すように，ウェーハ全面にパターンが形成されるようにしても良い。また，サセプタ３は，主支柱７１の上端に副支柱７２が溶接されたサポートシャフト７により支持されており，サポートシャフト７は，ウェーハ回転機構８に接続されている。」
６．引用文献６について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献６には，図面とともに次の事項が記載されている。
「［００２５］Referring first to FIG. 1, a substrate processing apparatus of the present invention includes a substrate support 10, e.g., a susceptor, on which a substrate is to be placed, a chamber 20 in which the substrate support 10 is disposed, heaters 30 disposed above and below the chamber 20, respectively, and heat reflectors 40 which reflect the heat generated by the heaters 30 toward the substrate support 10. The substrate support 10 is disposed at approximately the center of the chamber 20. Walls of the chamber 20 that form the upper and lower portions 21 and 22 of the chamber 20 are of quartz, namely a material that is permeable with respect to radiant heat. The walls are hermetically sealed so that a vacuum can be maintained within the chamber 20 while a substrate disposed on the substrate support 10 is being processed.」（日本語訳は当合議体で作成した。以下同じ。：［００２５］まず図1を参照すると，本発明の基板処理装置は，基板が載置される基板支持体10，例えば，サセプタと，基板支持体10が配置されるチャンバ20と，このチャンバ20の上方及び下方にそれぞれ配置されたヒータ30と，ヒータ30で発生した熱を基板支持体10に向けて反射する熱反射器40とを備えている。基板支持体10はチャンバ20のほぼ中央に配置されている。チャンバ20の上部21及び下部22を形成するチャンバ20の壁は，石英，即ち放射熱に対して透過性を有する材料からなる。基板支持体10上に配置された基板が処理されている間チャンバ20内が真空状態を維持できるように，壁は気密封止されている。）
「［００３０］
FIG. 3 is a bottom view of the upper heat reflector 40 according to the invention. As shown in FIG. 3, the heat reflector 40 comprises an annular body having first and second sections 41 and 42. Thermally reflective surfaces making up the first section 41 of the heat reflector 40 are oriented to face the outer peripheral region of the substrate support 10, and thermally reflective surfaces making up the second section 42 of the heat reflector 40 are oriented to face the inner or central region of the substrate support 10. The thermally reflective surfaces of the first section 41 of the heat reflector may be polished surfaces of the annular body such that the surfaces are especially thermally reflective, unlike the surfaces of the annular body that make up the second section 42.
［００３１］
The total surface area of the first section 41 of the heat reflector 40 is the same as the sum of the areas circumscribed by the sets of outside heating lamps 33, respectively. Also, the first section 41 is vertically aligned with the sets of outside heating lamps 33, respectively. More specifically, a projection of the first section 41 of the heat reflector 40 coincides with areas that are circumscribed by the sets of outside heating lamps 33, respectively. Similarly, the second section 42 of the heat reflector 40 is vertically aligned with the sets of inside heating lamps 32. More specifically, a projection of the thermally reflective surfaces of the second section 42 of the heat reflector 40 coincides with the areas that are circumscribed by the inside heating lamps 32,respectively. Moreover, whereas the surfaces of the first section 41 of the heat reflector 40 lie in a horizontal plane, i.e., a plane perpendicular to the direction in which the sections 41 and 42 are aligned with the inside and outside heating lamps 32 and 31, respectively, the surfaces of the second section 42 of the heat reflector 40 are inclined relative to the horizontal.
［００３２］
Furthermore, the first section 41 of the heat reflector is made up of a plurality of discrete surfaces that are coplanar. Each of these discrete surfaces, therefore, is associated with an entire set of the outside heating lamps 33 in the manner described above. On the other hand, the second section 42 of the heat reflector 40 comprises the same number of surfaces as the number of inside heating lamps 32. That is, each of the discrete surfaces making up the second section 42 of the heat reflector 40 is associated with a respective one of the inside heating lamps 32.
図3は，本発明による上部熱反射器40の底面図である。図3に示すように，熱反射器40は，第1の部分41および第2の部分42を有する環状本体を備えている。熱反射器40の第1部分41を構成する熱反射面が基板支持部10の外周領域に対向するように配置され，熱反射板40の第2の部分42を構成する熱反射面が基板支持体10の内側または中央領域に対向するように配置される。熱反射器の第1の部分41の熱反射性表面は，特に熱反射性を有するように環状の磨かれた表面であってもよく，第2の部分42を構成する環状体の表面とは異なっている。
［００３１］
熱反射器40の第1の部分41の総面積が，外側の加熱ランプ33の組によって囲まれる面積の合計と同じである。また，第1の部分41は，外側の加熱ランプ33の組と各々垂直方向に整列される。より具体的には，熱反射器40の第1部分41の投影領域は外側の加熱ランプ33のセットによって囲まれている領域と一致している。同様に，熱反射器40の第2の部分42は，内側の加熱ランプ32の組と各々垂直方向に整列される。より具体的には，熱反射器40の第2の部分42の投影領域は，内側の加熱ランプ32のセットによって囲まれている領域と一致している。また，熱反射器40の第1の部分41の面は，水平面，すなわち，内側および外側の加熱ランプ32，31と整列している部分41および42の方向に垂直な平面内にそれぞれ位置しているが，熱反射器40の第2の部分42の表面は，水平に対して傾斜している。
［００３２］
さらに，熱反射器の第1の部分41は，同一平面上にある複数の離散的な面で構成されている。これらの離散的な面の各々は，従って，上述したように全セットの外側の加熱ランプ33に対応している。一方，熱反射器40の第2部分42は内側の加熱ランプ32の個数と同数の面を有している。つまり，熱反射器40の第2の部分42を構成する離散的な面の各々は，内側の加熱ランプ32のそれぞれ1つに対応している。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明の「サセプタ１２」は基板Ｗが配置されるものであるので，本願発明１の「基板を支持するサセプタ」に相当する。
　また，引用発明の「内部空間５」は，本願発明１の「反応室内」に相当する。
　引用発明の「堤部材２３」は，内部空間５の下方で側方を画定するものであるので，本願発明１の「下部側壁部」に相当する。
　引用発明の「上部ケース４」は内部空間５の上方を画定するとともに，堤部材２３の上方で側方を画定するものであるので，本願発明１の「天井板」と「上部側壁部」の両方を含むものである。
　また，引用発明の基板Ｗはエピタキシャルウェーハを製造するためのものである。
　したがって，引用発明の「上部ケース４，堤部材２３，及び，基板Ｗが配置されるサセプタ１２により形成される内部空間５において気相成長を行うエピタキシャルウェーハの製造方法」は，本願発明１の「天井板と，基板を支持するサセプタと，下部側壁部と上部側壁部を含む側壁部を有する反応室内で基板表面にエピタキシャル成長による成膜を行う」方法に相当する。
イ　引用発明において，堤部材２３には外周面２３ｂ及びガス導入面２３ｃからなる凹部が形成されており，当該凹部は本願発明１の「第１凹部」に相当する。
　また，引用発明において，上部ケース４には第二面４ｂと第三面４ｃとからなる凸部が形成されており，当該凸部は本願発明１の「第１凸部」に相当する。
　さらに，引用発明の「原料ガス」は，本願発明１の「反応ガス」に相当する。
　そして，引用発明において「原料ガス」は外周面２３ｂ及びガス導入面２３ｃからなる凹部と第二面４ｂと第三面４ｃとからなる凸部との間を通って内部空間５に至るものであるから，引用発明の「上部ケース４と堤部材２３の間を通って原料ガスが内部空間５に供給され」る点は本願発明１の「反応ガス供給路を画定する第１凸部と第１凹部との間に形成される間隙内において前記反応室に反応ガスを供給するステップ」に相当する。
ウ　引用発明において堤部材に形成されるガス受け入れ凹部は，本願発明１の「複数の溝部」に相当する。
　また，引用発明において，堤部材２３は円盤状の部材であるため，中心軸を有するといえる。
　そして，引用発明において，ガス受入凹部は円盤状である堤部材２３の表面に対して垂直方向に形成され，円盤状の堤部材２３の周方向に沿って複数配置されているので，引用発明の「堤部材２３には複数のガス受入凹部が形成され」る点と本願発明１の「中心軸を有する下部側壁部の壁面に形成された複数の溝部に沿って前記反応ガスを流すことにより，反応ガス供給路において，前記反応ガスを整流するステップであって，前記第１凹部で連続的に形成された溝部は前記下部側壁部の周方向に沿って前記中心軸と実質的に平行に配置されるステップ」は，後記の点で相違するものの，「中心軸を有する下部側壁部の壁面に形成された複数の溝部に沿って前記反応ガスを流すステップであって，前記第１凹部で連続的に形成された溝部は前記下部側壁部の周方向に沿って前記中心軸と実質的に平行に配置されるステップ」である点で一致する。
エ　引用発明の「原料ガスＧはガス導入面２３ｃと第三面４ｃとの間において水平方向に流れ」る点は，本願発明１の「前記天井板と前記サセプタの間の領域に向かって対向して，前記第１凸部と前記第１凹部の間に形成されている第１開口部の中心から延びる水平方向に対応する第１フロー方向に前記反応ガスを流すステップ」に相当する。
オ　引用発明の「堤部材２３に形成される凹部は垂直方向に延在する湾曲面を有し，当該凹部に沿ってガスが垂直方向に流れ」る点は，本願発明１の「前記壁面の底部から前記壁面の上部まで延びる垂直方向に対応する第２フロー方向で前記複数の溝部内に前記反応ガスを流すステップであって，各々の前記溝部は断面湾曲形状を有」する点に相当する。
カ　引用発明の「基板Ｗの主表面に沿って流れた原料ガスは排出側の上部ケース４と堤部材２３の間を通って排出される」る点は，本願発明１の「前記第１凸部と前記第１凹部との間に形成される前記第１開口に対向する，前記反応室の第２凸部と第２凹部との間に形成される第２開口を介して，前記反応室から前記反応ガスを排出するステップ」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「天井板と，基板を支持するサセプタと，下部側壁部と上部側壁部を含む側壁部を有する反応室内で基板表面にエピタキシャル成長による成膜を行う方法であって，
　反応ガス供給路を画定する第１凸部と第１凹部との間に形成される間隙内において前記反応室に反応ガスを供給するステップと，
　中心軸を有する下部側壁部の壁面に形成された複数の溝部に沿って前記反応ガスを流すステップであって，前記第１凹部で連続的に形成された溝部は前記下部側壁部の周方向に沿って前記中心軸と実質的に平行に配置されるステップと，
　前記天井板と前記サセプタの間の領域に向かって対向して，前記第１凸部と前記第１凹部の間に形成されている第１開口部の中心から延びる水平方向に対応する第１フロー方向に前記反応ガスを流すステップと，
　前記壁面の底部から前記壁面の上部まで延びる垂直方向に対応する第２フロー方向で前記複数の溝部内に前記反応ガスを流すステップであって，各々の前記溝部は断面湾曲形状を有するステップと，
　前記第１凸部と前記第１凹部との間に形成される前記第１開口に対向する，前記反応室の第２凸部と第２凹部との間に形成される第２開口を介して，前記反応室から前記反応ガスを排出するステップとを含む，
　エピタキシャル成長による成膜方法」
＜相違点＞
（相違点１）
　本願発明１は，複数の溝部に沿って前記反応ガスを流すことにより，反応ガス供給路において，「反応ガスを整流する」ものであるのに対し，引用発明は複数のガス受入凹部に沿って原料ガスが流れることは記載されているものの，「原料ガスを整流する」点については特定されていない点。
（相違点２）
　本願発明１は，「前記複数の溝部の第１の溝部と前記複数の溝部の最後の溝部の断面湾曲形状は前記中心軸に沿って放射状に配置され，これによって，前記反応ガスは前記壁面の上部の上方で前記複数の溝部から排出され，前記水平方向に対応する第１フロー方向で整流される」ものであるのに対し，引用発明においては，複数の凹部のうち両端の凹部が放射状ではなく水平基準線ＨＳＬに対して平行に配置されている点。
（相違点３）
　本願発明１は，「前記天井板と前記基板表面との間に画定される約１０ｍｍ未満の間隔を通して流れる前記反応ガスにより形成された境界層を狭くするステップを含む前記反応ガスを整流するステップ」を有するのに対し，引用発明においては，上部ケース４と基板Ｗとの間隔について特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　事案にかんがみ，最初に上記相違点２について検討する。
　引用発明において，堤部材の外周面の形状が円筒面状であることから，幅方向における両端付近は外周面が大きく傾斜しているため，当たった原料ガスが外側に逃げやすく，流量ムラが生じてしまう点を課題としており，ガス流方向に対し垂直となるガス受け面とすることにより，幅方向外側にガス流が逃げる傾向を抑制するものであり，凹部を形成することでさらにガス流が逃げようとする傾向を和らげるものである。（引用文献１の【０００５】，【０００６】）
　そうすると，引用発明において，ガス受け面を有する凹部の向きをガス流の向きと平行とすることが必須であるから，引用発明において，ガス受け面を有する凹部の向きを，平行ではない向きである「放射状」に，すなわち「中心軸方向」とする動機はない。
　さらに，凹部の向きが平行であるところ，中心軸方向とすることは，ガス流が中心軸方向に集まってしまうことにより「流量ムラ」をかえって増加させてしまう可能性もあることから，引用発明において凹部の向きを中心軸方向とすることには阻害要因が存在する。
　したがって，当業者といえども，引用発明から，相違点２に係る「前記複数の溝部の第１の溝部と前記複数の溝部の最後の溝部の断面湾曲形状は前記中心軸に沿って放射状に配置され，これによって，前記反応ガスは前記壁面の上部の上方で前記複数の溝部から排出され，前記水平方向に対応する第１フロー方向で整流される」との構成を容易に想到することはできない。
　そして，上記引用文献２−６に記載された上記技術的事項によっても，上記判断は左右されるものではない。
　また，本願発明１は，このような構成を備えることにより，本願明細書に記載された顕著な効果を奏するものと認められる。
（３）小括
　上記（１），（２）のとおりであるから，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は当業者であっても引用発明と引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２．本願発明２−５について
　本願発明２−５は，本願発明１の発明特定事項を全て含み，さらに限定したものであるから，本願発明１が，引用発明と引用文献２−６に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえないことから，本願発明２−５も，引用発明と引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３．本願発明６について
　本願発明６は，本願発明１に対応する装置の発明であり，本願発明１の「前記複数の溝部の第１の溝部と前記複数の溝部の最後の溝部の断面湾曲形状は前記中心軸に沿って放射状に配置され」に対応する構成を備えるものであるから，本願発明１と同様の理由により，当業者であっても，引用発明及び引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
４．本願発明７−９について
　また，本願発明７−９は，本願発明６の発明特定事項を全て含み，さらに限定したものであるから，本願発明６が，引用発明と引用文献２−６に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえないことから，本願発明７−９も，引用発明と引用文献２−６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明１−９は，当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。