(57)【要約】  振動制御装置は、加振された構造体の振動を抑制する。振動制御装置は、構造体を支持し、所定の振動方向に関する第１振幅以下の振動の構造体への伝達を抑制する防振装置（２２）と、振動方向に関して第１振幅より大きな第２振幅で加振された構造体の振動を第１振幅以下の振動に減衰させる振動減衰装置（２６）とを備えている。
2010128597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造体の振動を制御する振動制御装置であって、
前記構造体を支持し、所定の振動方向に関する第１振幅以下の振動の前記構造体への伝達を抑制する防振装置と、
前記振動方向に関して前記第１振幅より大きな第２振幅で加振された前記構造体の振動を前記第１振幅以下の振動に減衰させる振動減衰装置と、
を備える振動制御装置。
【請求項２】
前記振動減衰装置は、
前記第２振幅で振動する前記構造体に接続され、該構造体に連動して振動される振動伝達機構と、
前記振動伝達機構の振動を減衰させる減衰機構と、
を含む請求項１に記載の振動制御装置。
【請求項３】
前記振動伝達機構は、前記第２振幅で振動する前記構造体に接続されて該第２振幅で振動する第１部分、及び該第１部分と異なる第２部分を有し、前記第１部分と前記第２部分とを連動して振動させ、
前記減衰機構は、前記第２部分に接続され、該第２部分の振動を減衰させることによって前記第１部分の振幅を前記第１振幅以下に低減させる請求項２に記載の振動制御装置。
【請求項４】
前記振動伝達機構は、前記第１部分に連動させて該第１部分の振幅に対して所定倍率を乗じた振幅で前記第２部分を振動させ、
前記減衰機構は、前記第２部分の振動の振幅を前記第１振幅に前記所定倍率を乗じた振幅以下に低減させる請求項３に記載の振動制御装置。
【請求項５】
前記振動伝達機構は、前記第２部分を前記第１部分よりも大きな振幅で振動させる請求項４記載の振動制御装置。
【請求項６】
前記第１部分は、前記構造体が加振されない状態で前記振動方向に関して該構造体から前記第１振幅に等しい間隔を隔てて配置される請求項３〜５のいずれか一項に記載の振動制御装置。
【請求項７】
前記振動伝達機構は、
一端部及び他端にそれぞれ前記第１部分及び第２部分が設けられたレバー部材と、
前記レバー部材のうちの前記一端部と他端部との間の所定部位を、前記第１部分及び前記第２部分が前記振動方向に回転可能な状態で支持する支持機構と、
を含む請求項３〜６のいずれか一項記載の振動制御装置。
【請求項８】
前記減衰機構は、前記振動方向に対応して伸縮可能に設けられた衝撃吸収機構を含む請求項２〜７のいずれか一項記載の振動制御装置。
【請求項９】
前記防振装置は、所定の支持面に配置されて前記構造体を支持し、
前記振動減衰装置は、前記支持面のうち前記防振装置の配置位置と異なる位置に配置される請求項１〜８のいずれか一項記載の振動制御装置。
【請求項１０】
前記構造体が加振されない状態で前記振動方向に関して該構造体から前記第１振幅より大きい所定間隔を隔てて配置され、前記構造体の前記所定間隔以上の振幅の振動を制限する振幅制限機構を備える請求項１〜９のいずれか一項記載の振動制御装置。
【請求項１１】
前記振動方向は、前記構造体に対する前記防振装置の支持方向に略等しい請求項１〜１０のいずれか一項に記載の振動制御装置。
【請求項１２】
前記振動方向は、鉛直方向に略等しい請求項１〜１０のいずれか一項に記載の振動制御装置。
【請求項１３】
前記振動減衰装置は、
力学的に互いにつながった第１部分と第２部分とを有し、振動する前記構造体に前記第１部分が当接可能な振動伝達機構と、
前記構造体の所定の振幅に基づく減衰率を有し、前記第２部分の運動エネルギーを吸収する減衰機構と、
を備える請求項１に記載の振動制御装置。
【請求項１４】
前記振動伝達機構における前記第２部分の振幅が前記第１部分に比べて大きい、請求項１３記載の振動制御装置。
【請求項１５】
前記第１部分と前記構造体との間には、前記所定の振幅に基づく第１クリアランスが設けられている、請求項１３又は１４記載の振動制御装置。
【請求項１６】
前記構造体の振動を防止する振幅制限機構であり、前記第１クリアランスに比べて大きい第２クリアランスが前記構造体との間に設けられる、前記振幅制限機構をさらに備える請求項１５記載の振動制御装置。
【請求項１７】
前記防振装置は、所定の支持面に配置されて前記構造体を支持し、
前記振動減衰装置は、前記支持面のうち前記防振装置の配置位置と異なる位置に配置される請求項１３〜１６のいずれか一項記載の振動制御装置。
【請求項１８】
構造体の振動を制御する振動制御方法であって、
前記構造体を支持するとともに、所定の振動方向に関する第１振幅以下の振動の前記構造体への伝達を抑制することと、
前記振動方向に関して前記第１振幅より大きな第２振幅で加振された前記構造体の振動を前記第１振幅以下の振動に減衰させることと、
を含む振動制御方法。
【請求項１９】
前記構造体の振動を減衰させることは、
前記第２振幅で振動する前記構造体に連動して所定部材を振動させることと、
前記所定部材の振動を減衰させることと、
を含む請求項１８に記載の振動制御方法。
【請求項２０】
前記所定部材を振動させることは、前記所定部材のうち第１部分を前記第２振幅で振動する前記構造体に接続させて該第２振幅で振動させることと、前記所定部材のうち前記第１部分と異なる第２部分を前記第１部分と連動して振動させることとを含み、
前記所定部材の振動を減衰させることは、前記第２部分の振動を減衰させて前記第１部分の振幅を前記第１振幅以下に低減させることを含む請求項１９に記載の振動制御方法。
【請求項２１】
マスクに形成されたパターンを基板に転写する露光装置であって、
前記マスクを支持する第１支持部と、
前記基板を支持する第２支持部と、
前記パターンの像を前記基板に投影する投影光学系と、
前記第１支持部、前記第２支持部及び前記投影光学系の少なくとも１つを支持する構造体と、
前記構造体の振動を制御する請求項１〜１７のいずれか一項記載の振動制御装置と、を備える露光装置。
【請求項２２】
マスクに形成されたパターンを基板に転写する露光装置であって、
前記マスクを支持する第１支持部と、
前記基板を支持する第２支持部と、
前記第１支持部及び前記第２支持部の少なくとも一方を支持する構造体と、
前記構造体の振動を制御する請求項１〜１７のいずれか一項記載の振動制御装置と、を備える露光装置。
【請求項２３】
請求項２１又は２２記載の露光装置を用いて、前記パターンを前記基板に転写することと、
前記パターンが転写された前記基板を該パターンに対応して加工することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動制御装置、振動制御方法、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
本願は、２００９年５月７日に出願された特願２００９−１１２５５９号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、電子デバイス等の製造工程において、例えば特許文献１に開示されているような露光装置が使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−７７３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば地震等に伴う大きな振動が露光装置に作用した場合、露光装置に重大な損害が発生する可能性がある。【０００５】
本発明の態様は、地震等に伴う大きな振動が発生した場合でも、損害の発生を抑制できる振動制御装置、振動制御方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、構造体の振動を制御する振動制御装置であって、前記構造体を支持し、所定の振動方向に関する第１振幅以下の振動の前記構造体への伝達を抑制する防振装置と、前記振動方向に関して前記第１振幅より大きな第２振幅で加振された前記構造体の振動を前記第１振幅以下の振動に減衰させる振動減衰装置と、を備える振動制御装置が提供される。【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、構造体の振動を制御する振動制御方法であって、前記構造体を支持するとともに、所定の振動方向に関する第１振幅以下の振動の前記構造体への伝達を抑制することと、前記振動方向に関して前記第１振幅より大きな第２振幅で加振された前記構造体の振動を前記第１振幅以下の振動に減衰させることと、を含む振動制御方法が提供される。【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、マスクに形成されたパターンを基板に転写する露光装置であって、前記パターンが設けられたパターン保持部材を支持する第１支持部と、前記基板を支持する第２支持部と、前記パターンの像を前記基板に投影する投影光学系と、前記第１支持部、前記第２支持部及び前記投影光学系の少なくとも１つを支持する構造体と、前記構造体の振動を制御する第１の態様の振動制御装置と、を備える露光装置が提供される。【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、マスクに形成されたパターンを基板に転写する露光装置であって、前記パターンが設けられたパターン保持部材を支持する第１支持部と、前記基板を支持する第２支持部と、前記第１支持部及び前記第２支持部の少なくとも一方を支持する構造体と、前記構造体の振動を制御する第１の態様の振動制御装置と、を備える露光装置が提供される。【００１０】
本発明の第５の態様に従えば、第２又は第３の態様の露光装置を用いて、前記パターンを前記基板に転写することと、前記パターンが転写された前記基板を該パターンに対応して加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。【００１１】
本発明の態様によれば、地震等に伴う大きな振動が発生した場合でも、損害の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る振動制御装置とボディとの位置関係の一例を示す図である。
【図３】本実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る防振装置の一例を示す図である。
【図５】本実施形態に係る振動減衰装置の一例を示す図である。
【図６】本実施形態に係る振動減衰装置の動作の一例を示す図である。
【図７】本実施形態に係る振動減衰装置の動作の一例を示す図である。
【図８】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る振動制御装置６を備えた露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図、図２は、本実施形態に係る振動制御装置６とその振動制御装置６によって振動が抑制されるボディ５との位置関係を示す平面図、図３は、本実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す斜視図である。
【００１５】
図１，図２，及び図３において、露光装置ＥＸは、パターンが設けられたマスクＭを支持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを支持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１を移動する駆動システム３と、基板ステージ２を移動する駆動システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明システムＩＳと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影システムＰＳと、マスクステージ１、基板ステージ２、及び投影システムＰＳの少なくとも一つを支持するボディ５と、ボディ５の振動を抑制する振動制御装置６と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。
【００１６】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置情報を計測する干渉計システム６１と、マスクＭの表面（下面、パターン形成面）の位置情報を検出する第１検出システム７１と、基板Ｐの表面（露光面、感光面）の位置情報を検出する第２検出システム８１と、基板Ｐ上のアライメントマークを検出するアライメントシステム９１とを備えている。
【００１７】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜（塗布された感光剤）とを含む。本実施形態において、基板Ｐは、大型のガラスプレートを含み、その基板Ｐの一辺のサイズは、例えば５００ｍｍ以上である。本実施形態においては、基板Ｐの基材として、一辺が約３０００ｍｍの矩形のガラスプレートを用いる。他の実施形態において、基板Ｐの一辺のサイズは、７５０、１０００、１５００、２０００、２５００、又は３５００ｍｍ以上にできる。
【００１８】
ボディ５は、架台９と、架台９上に配置された定盤１０と、定盤１０上に配置された第１コラム１１と、第１コラム１１上に配置された第２コラム１２とを有する。
【００１９】
本実施形態において、ボディ５は、投影システムＰＳ、マスクステージ１、及び基板ステージ２のそれぞれを支持する。本実施形態において、投影システムＰＳは、定盤１３を介して、第１コラム１１に支持される。マスクステージ１は、第２コラム１２に対して移動可能に支持される。基板ステージ２は、定盤１０に対して移動可能に支持される。
【００２０】
本実施形態において、振動制御装置６は、後に詳述する振動伝達機構２０と、減衰機構２１とを含む振動減衰装置２６を有する。また、振動制御装置６は、例えばクリーンルーム内の支持面（例えば床面）ＦＬに配置されてボディ５を支持し、支持面ＦＬとボディ５との間の振動伝達を抑制する防振装置２２を含む。
【００２１】
振動制御装置６は、架台９、定盤１０、第１コラム１１、及び第２コラム１２を含むボディ５の振動を抑制する。振動抑制装置６は、例えば地震等に伴う大きな振動が露光装置ＥＸのボディ５に作用して、そのボディ５が加振された際、その加振されたボディ５の振動を抑制する。
【００２２】
本実施形態において、投影システムＰＳは、複数の投影光学系ＰＬを有する。照明システムＩＳは、複数の投影光学系ＰＬに対応する複数の照明モジュールＩＬを有する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。
【００２３】
本実施形態において、投影システムＰＳは、７つの投影光学系ＰＬを有し、照明システムＩＳは、７つの照明モジュールＩＬを有する。なお、投影光学系ＰＬ及び照明モジュールＩＬの数は７つに限定されない。他の実施形態において、例えば投影システムＰＳが、投影光学系ＰＬを１１個有し、照明システムＩＳが、照明モジュールＩＬを１１個有することができる。
【００２４】
照明システムＩＳは、所定の照明領域に露光光ＥＬを照射可能である。照明領域は、各照明モジュールＩＬから射出される露光光ＥＬの照射領域に含まれている。本実施形態において、照明システムＩＳは、異なる７つの照明領域のそれぞれを露光光ＥＬで照明する。照明システムＩＳは、マスクＭのうち照明領域に配置された部分を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプ８から射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）を用いる。
【００２５】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域に対して移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。駆動システム３は、例えばリニアモータを含み、第２コラム１２のガイド面１２Ｇ上においてマスクステージ１を移動可能である。本実施形態において、マスクステージ１は、駆動システム３の作動により、マスクＭを保持した状態で、ガイド面１２Ｇ上を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２６】
投影システムＰＳは、所定の投影領域に露光光ＥＬを照射可能である。投影領域は、各投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬの照射領域に相当する。本実施形態において、投影システムＰＳは、異なる７つの投影領域のそれぞれにパターンの像を投影する。投影光学システムＰＳは、基板Ｐのうち投影領域に配置された部分に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。
【００２７】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域に対して移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。駆動システム４は、例えばリニアモータを含み、定盤１０のガイド面１０Ｇ上において基板ステージ２を移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２は、駆動システム４の作動により、基板Ｐを保持した状態で、ガイド面１０Ｇ上を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２８】
干渉計システム６１は、マスクステージ１の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット６１Ａと、基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット６１Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット６１Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計ユニット６１Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒを用いて、基板ステージ２の位置情報を計測可能である。
【００２９】
本実施形態において、干渉計システム６１は、レーザ干渉計ユニット６１Ａ，６１Ｂを用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＸ方向に関するマスクステージ１及び基板ステージ２それぞれの位置情報を計測可能である。
【００３０】
第１検出システム７１は、マスクＭの下面（パターン形成面）のＺ軸方向の位置を検出する。第１検出システム７１は、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムであり、マスクステージ１に保持されたマスクＭの下面と対向配置される複数の検出器を有する。
【００３１】
第２検出システム８１は、基板Ｐの表面（露光面）のＺ軸方向の位置を検出する。第２検出システム８１は、所謂、斜入射方式の多点フォーカス・レベリング検出システムであり、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面と対向配置される複数の検出器を有する。
【００３２】
アライメントシステム９１は、基板Ｐに設けられているアライメントマークを検出する。アライメントシステム９１は、所謂、オフアクシス方式のアライメントシステムであり、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面と対向配置される複数の検出器を有する。
【００３３】
図２に示すように、ＸＹ平面内における定盤１０の形状は、長方形状である。また、本実施形態において、ボディ５は、架台９を２つ有する。以下の説明において、２つの架台９のうち、一方の架台９を適宜、第１架台９Ａ、と称し、他方の架台９を適宜、第２架台９Ｂ、と称する。
【００３４】
本実施形態において、第１架台９Ａは、定盤１０の＋Ｙ側のエッジの近傍において、定盤１０の下面を支持し、第２架台９Ｂは、定盤１０の−Ｙ側のエッジの近傍において、定盤１０の下面を支持する。なお、定盤１０の下面は、ガイド面１０Ｇの逆方向を向く面である。本実施形態において、定盤１０のガイド面１０Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行であり、＋Ｚ方向を向く。定盤１０の下面は、ＸＹ平面とほぼ平行であり、−Ｚ方向を向く。
【００３５】
本実施形態において、振動制御装置６は、４つの防振装置２２を有する。防振装置２２のそれぞれは、支持面ＦＬ上の所定位置に配置される。第１架台９Ａは、２つの防振装置２２に支持され、第２架台９Ｂは、他の２つの防振装置２２に支持される。他の実施形態において、防振装置２２の数は、３以下又は５以上にできる。
【００３６】
以下の説明において、第１架台９Ａを支持する２つの防振装置２２のうち、一方の防振装置２２を適宜、第１防振ユニット２２Ａ、と称し、他方の防振装置２２を適宜、第２防振ユニット２２Ｂ、と称する。また、以下の説明において、第２架台９Ｂを支持する２つの防振装置２２のうち、一方の防振装置２２を適宜、第３防振ユニット２２Ｃ、と称し、他方の防振装置２２を適宜、第４防振ユニット２２Ｄ、と称する。
【００３７】
本実施形態において、第１防振ユニット２２Ａは、第１架台９Ａの−Ｘ側のエッジの近傍において、第１架台９Ａの下面を支持し、第２防振ユニット２２Ｂは、第１架台９Ａの＋Ｘ側のエッジの近傍において、第１架台９Ａの下面を支持する。第３防振ユニット２２Ｃは、第２架台９Ｂの−Ｘ側のエッジの近傍において、第２架台９Ｂの下面を支持し、第４防振ユニット２２Ｄは、第２架台９Ｂの＋Ｘ側のエッジの近傍において、第２架台９Ｂの下面を支持する。なお、第１，第２架台９Ａ，９Ｂの下面は、支持面ＦＬと対向可能な面であり、＋Ｚ方向を向く。第１，第２防振ユニット２２Ａ，２２Ｂは、支持面ＦＬと第１架台９Ａの下面との間に配置される。第３，第４防振ユニット２２Ｃ，２２Ｄは、支持面ＦＬと第２架台９Ｂの下面との間に配置される。
【００３８】
図４は、第１防振ユニット２２Ａの一例を示す図である。なお、第１〜第４防振ユニット２２Ａ〜２２Ｄは、同等の構成である。以下、第１防振ユニット２２Ａについて主に説明し、第２〜第４防振ユニット２２Ｂ〜２２Ｄについての説明は簡略若しくは省略する。
【００３９】
第１防振ユニット２２Ａは、第１マウント２３と、第２マウント２４と、第３マウント２５とを有する。本実施形態において、第１，第２，第３マウント２３，２４，２５は、気体アクチュエータ（気体ばね）を含み、制御装置７によってアクティブ制御される。
【００４０】
第１マウント２３は、支持面ＦＬ上に配置されるプレート部材２３Ａと、プレート部材２３Ａ上に配置された気体ばね２３Ｂと、気体ばね２３Ｂ上に配置されたロッド状の支持部材２３Ｃと、支持部材２３Ｃ上に配置された気体ばね２３Ｄと、気体ばね２３Ｄ上に配置され、第１架台９Ａ（ボディ５）に接続されたプレート部材２３Ｅとを有する。支持部材２３Ｃは、気体ばね２３Ｂと対向する下面、及び気体ばね２３Ｄと対向する上面を有する。気体ばね２３Ｂは、プレート部材２３Ａの上面と、支持部材２３Ｃの下面との間に配置される。気体ばね２３Ｄは、支持部材２３Ｃの上面と、プレート部材２３Ｅの下面との間に配置される。気体ばね２３Ｂは、主に、第１架台９Ａの高さを調整する高さ調整機構として機能する。気体ばね２３Ｄは、主に、支持面ＦＬの振動が第１架台９Ａに伝達することを抑制する除振機構として機能する。プレート部材２３Ａの上面と、支持部材２３Ｃの下面とは、複数の連結部材２３Ｆで連結される。支持部材２３Ｃの上面と、プレート部材２３Ｅの下面とは、ベローズ部材２３Ｇを介して接続される。
【００４１】
第２マウント２４は、支持面ＦＬ上に配置されるロッド状の支持部材２４Ａと、支持部材２４Ａ上に配置された気体ばね２４Ｂと、気体ばね２４Ｂ上に配置され、第１架台９Ａ（ボディ５）に接続されたプレート部材２４Ｃとを有する。支持部材２４Ａは、支持面ＦＬと対向する下面、及び気体ばね２４Ｂと対向する上面を有する。気体ばね２４Ｂは、支持部材２４Ａの上面と、プレート部材２４Ｃの下面との間に配置される。気体ばね２４Ｂは、第１架台９Ａの高さを調整する高さ調整機構、及び支持面ＦＬの振動が第１架台９Ａに伝達することを抑制する除振機構として機能する。
【００４２】
第３マウント２５は、支持面ＦＬ上に配置されるロッド状の支持部材２５Ａと、支持部材２５Ａ上に配置された気体ばね２５Ｂと、気体ばね２５Ｂ上に配置され、第１架台９Ａ（ボディ５）に接続されたプレート部材２５Ｃとを有する。支持部材２５Ａは、支持面ＦＬと対向する下面、及び気体ばね２５Ｂと対向する上面を有する。気体ばね２５Ｂは、支持部材２５Ａの上面と、プレート部材２５Ｃの下面との間に配置される。気体ばね２５Ｂは、第１架台９Ａの高さを調整する高さ調整機構、及び支持面ＦＬの振動が第１架台９Ａに伝達することを抑制する除振機構として機能する。
【００４３】
図１及び図２に示すように、振動制御装置６は、振動伝達機構２０及び減衰機構２１を含む振動減衰装置２６を４つ有する。振動減衰装置２６は、＋Ｙ側の第１架台９Ａの側面と対向する２つの振動減衰装置２６と、−Ｘ側の第２架台９Ｂの側面と対向する他の２つの振動減衰装置２６とを含む。
【００４４】
以下の説明において、第１架台９Ａの側面と対向する２つの振動減衰装置２６のうち、一方の振動減衰装置２６を適宜、第１振動減衰ユニット２６Ａ、と称し、他方の振動減衰装置２６を適宜、第２振動減衰ユニット２６Ｂ、と称する。また、以下の説明において、第２架台９Ｂの側面と対向する２つの振動減衰装置２６のうち、一方の振動減衰装置２６を適宜、第３振動減衰ユニット２６Ｃ、と称し、他方の振動減衰装置２６を適宜、第４振動減衰ユニット２６Ｄ、と称する。
【００４５】
図１及び図２に示すように、振動減衰装置２６は、防振装置２２の配置位置と異なる支持面ＦＬ上の所定位置に配置される。すなわち、振動減衰装置２６は、支持面ＦＬのうち防振装置２２の配置位置と異なる位置に配置される。
【００４６】
図５は、第１振動減衰ユニット２６Ａの一例を示す図である。なお、第１〜第４振動減衰ユニット２６Ａ〜２６Ｄは、同等の構成である。以下、第１振動減衰ユニット２６Ａについて主に説明し、第２〜第４振動減衰ユニット２６Ｂ〜２６Ｄについての説明は簡略若しくは省略する。なお、図５において、ボディ５及び第１防振ユニット２２Ａは、簡略して図示してある。
【００４７】
振動減衰装置２６及び防振装置２２を含む振動制御装置６は、ボディ５が所定の振動方向に加振された場合の、その振動方向におけるボディ５の振動を抑制する。以下の説明において、ボディ５の振動方向が防振装置２２によるボディ５の支持方向（本実施形態ではＺ軸方向）である場合を例にして説明する。なお、振動方向が、θＸ方向など他の方向を含むことができる。
【００４８】
第１振動減衰ユニット２６Ａは、例えば直下型の地震等に起因して振動するボディ５に接続されてボディ５に連動して振動される振動伝達機構２０と、この振動伝達機構２０の振動を減衰させる減衰機構２１とを備えている。振動伝達機構２０は、所定の振動方向に第１振幅Ｈ１（所定の想定振幅Ｈ１）より大きな第２振幅Ｈ２で振動するボディ５に接続されて、そのボディ５の振動に連動して第２振幅Ｈ２で振動する第１部分３１、及びその第１部分３１と異なる第２部分３２を有し、第１部分３１と第２部分３２とを連動して振動させる。減衰機構２１は、第２部分３２に接続され、その第２部分３２の振幅を第１振幅Ｈ１と対応する第３振幅Ｈ３以下に低減させる。減衰機構２１は、第２部分３２の振動を減衰させることによって、この第２部分３２に連動する第１部分３１の振幅を第１振幅Ｈ１以下に低減させる。第１部分３１と第２部分３２とは、実質的に力学的に互いにつながっている。振動するボディ５に第１部分３１が当接可能である。
【００４９】
振動伝達機構２０は、Ｙ軸方向に長いロッド状のレバー部材３３と、レバー部材３３の所定部位３５を回転可能に支持する支持機構３４とを有する。支持機構３４は、回転軸３４Ｒを有し、その回転軸３４Ｒで所定部位３５を回転可能に支持する。第１部分３１は、レバー部材３３のうちボディ５に近い一端部に設けられ、第２部分３２は、レバー部材３３の他端部に設けられている。所定部位３５は、レバー部材３３のうちの一端部（第１部分３１）と他端部（第２部分３２）との間に位置する。
【００５０】
支持機構３４は、プレート部材３０を介して、支持面ＦＬに支持されている。本実施形態において、第１部分３１は、レバー部材３３の−Ｙ側の端部、第２部分３２は、レバー部材３３の＋Ｙ側の端部である。第１部分３１と第２部分３２とは、実質的に堅固に互いにつながり、実質的に一体である。支持機構３４は、第１部分３１と第２部分３２との間の所定部位３５を回転可能に支持することによって、第１部分３１及び第２部分３２を所定の振動方向に回転可能な状態にさせている。すなわち、振動伝達機構２０は、支持機構３４によって回転可能に支持されたレバー部材３３を、そのレバー部材３３の−Ｙ側の端部及び＋Ｙ側の端部をそれぞれ第１部分３１及び第２部分３２として振動方向に振動させる。
【００５１】
本実施形態において、支持機構３４が支持するレバー部材３３の所定部位３５は、第１部分３１と第２部分３２との中間位置（中点）より、第１部分３１に近い位置に設けられている。振動伝達機構２０は、第２部分３２を第１部分３１よりも大きな振幅（換言すると、第１部分３１の振幅に対して所定の拡大倍率を乗じた振幅）で振動させる。すなわち、振動伝達機構２０において、第２部分３２の振幅は、第１部分３１の振幅に比べて大きい。
【００５２】
本実施形態において、レバー部材３３は、第１部分３１に凹部３６を有する。ボディ５は、第１部分３１の凹部３６の内側に配置される凸部５１を有する。凸部５１は、ボディ５のうち、例えば架台９又は定盤１０の側面部に設けられる。ボディ５が加振されていない状態において、凹部３６の内面（内側面）と凸部５１の外面（外側面）とは、所定の間隔Ｇ１（ギャップ、クリアランス（第１クリアランス））を隔てて配置される。本実施形態において、上述の第１振幅Ｈ１と、間隔Ｇ１とは実質的に等しい。すなわち、レバー部材３３の第１部分３１（凹部３６）は、ボディ５が加振されていない状態で、振動方向に関して、ボディ５（凸部５１）から第１振幅Ｈ１に等しい間隔Ｇ１を隔てて配置されている。第１部分３１とボディ５との間には、ボディ５の所定の想定振幅（第１振幅Ｈ１）に基づくクリアランスＧ１（第１クリアランス）が設けられている。
【００５３】
例えば、直下型の地震等に伴う振動がボディ５に作用してそのボディ５がＺ軸方向に加振された場合において、そのボディ５の振動方向の振幅が第１振幅Ｈ１未満の場合、レバー部材３３の第１部分３１（凹部３６の内面）とボディ５（凸部５１の外面）とは接触しない。一方、ボディ５の振動方向の振幅が第１振幅Ｈ１より大きな第２振幅Ｈ２で振動した場合、レバー部材３３の第１部分３１（凹部３６の内面）とボディ５（凸部５１の外面）とは接触する。その場合、レバー部材３３の第１部分３１は、第２振幅Ｈ２で振動するボディ５に接続された状態で、ボディ５の振動に連動して、実質的に第２振幅Ｈ２で振動する。
【００５４】
レバー部材３３の第１部分３１が振動することによって、第２部分３２も、第１部分３１と連動して振動する。その場合、第２部分３２の振幅は、第１部分３１の振幅より大きい。
【００５５】
減衰機構２１は、第２部分３２に接続され、第２部分３２の振幅を低減させる。減衰機構２１は、振動方向に沿って伸縮可能に設けられたショックアブソーバ（衝撃吸収機構）３７を含む。ショックアブソーバ３７は、第２部分３２の振動に応じて伸縮する。
【００５６】
本実施形態において、ショックアブソーバ３７は、第２部分３２の上面に接続された第１ショックアブソーバ３７Ａと、第２部分３２の下面に接続された第２ショックアブソーバ３７Ｂとを含む。減衰機構２１は、第１ショックアブソーバ３７Ａ及び第２ショックアブソーバ３７Ｂを支持する支持機構３８を有する。支持機構３８は、プレート部材３０を介して、支持面ＦＬに支持されている。第１ショックアブソーバ３７Ａは、＋Ｚ方向への第２部分３２の移動を抑制して、第２部分３２の振幅を低減させる。第２ショックアブソーバ３７Ｂは、−Ｚ方向への第２部分３２の移動を抑制して、第２部分３２の振幅を低減させる。
【００５７】
なお、ボディ５の振動方向（Ｚ軸方向）の振幅が第１振幅Ｈ１以下の場合には、ボディ５の振動は、制御装置７による制御のもと、防振装置２２によってアクティブに防振制御されて振動が抑制される。この場合、ボディ５は、振動減衰装置２６の作用を受けることなく、振動減衰装置２６から実質的に独立した状態で、防振装置２２によって防振制御される。
【００５８】
また、本実施形態の振動制御装置６は、ボディ５が加振されない状態で、振動方向に関してボディ５から第１振幅Ｈ１より大きい所定間隔Ｇ２（ギャップ、クリアランス（第２クリアランス））を隔てて配置され、ボディ５の所定間隔Ｇ２以上の振幅の振動を防止する振幅制限機構４０を備えている。振幅制限機構４０とボディ５との間には、第１クリアランスに比べて大きい第２クリアランスが設けられる。振幅制限機構４０は、ボディ５の一部の上面と対向する第１面４１、及びボディ５の一部の下面と対向する第２面４２を有する。第１面４１は、−Ｚ方向を向く面である。第２面４２は、＋Ｚ方向を向く面である。
【００５９】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸの動作の一例について説明する。マスクステージ１にマスクＭが支持され、基板ステージ２に基板Ｐが支持された後、制御装置７は、基板Ｐの露光処理を開始する。制御装置７は、照明システムＩＳより露光光ＥＬを射出して、マスクステージ１に支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する。露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像は、基板ステージ２に支持される基板Ｐに投影される。これにより、基板Ｐにパターンが転写される。
【００６０】
上述したように、露光装置ＥＸは、マルチレンズ型スキャン露光装置である。制御装置７は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭと基板Ｐとを走査方向に同期移動しながらマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターンを介した露光光ＥＬで基板Ｐを露光する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＸ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＸ軸方向とする。制御装置７は、投影システムＰＳの投影領域に対して基板ＰをＸ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＸ軸方向への移動と同期して、照明システムＩＳの照明領域に対してマスクＭをＸ軸方向に移動しながら、照明領域に露光光ＥＬを照射して、マスクＭからの露光光ＥＬを投影装置ＰＳを介して投影領域に照射する。これにより、基板Ｐは、マスクＭ及び投影システムＰＳを介して投影領域に照射された露光光ＥＬで露光され、マスクＭのパターンが基板Ｐに転写される。
【００６１】
基板Ｐの露光中において、支持面ＦＬとボディ５との間の振動伝達が、防振装置２２によって抑制される。これにより、基板Ｐにパターンが良好に転写される。このとき、ボディ５は、振動減衰装置２６の作用を受けずに防振装置２２によって防振制御される。
【００６２】
これに対して、例えば直下型の地震等に伴う大きな振動が支持面ＦＬを介してボディ５に作用し、ボディ５が大きく加振される可能性がある。
【００６３】
本実施形態においては、振動減衰装置２６を含む振動制御装置６が設けられているので、ボディ５が大きく振動されることが抑制される。すなわち、ボディ５が大きく加振された場合でも、振動制御装置６によって、ボディ５の振動が抑制される。具体的には、振動減衰装置２６によって、ボディ５に対する振幅Ｈ１より大きな振幅の振動が効果的に抑制される。
【００６４】
図６は、加振されることによって、支持面ＦＬに対してボディ５が＋Ｚ方向に移動する状態を示す模式図、図７は、−Ｚ方向に移動する状態を示す模式図である。
【００６５】
ボディ５が振動方向に第１振幅Ｈ１より大きな第２振幅Ｈ２で振動することによって、図６及び図７に示すように、第１部分３１の凹部３６の内面と、ボディ５の凸部５１の外面とが接触する。これにより、第１部分３１は、第２振幅Ｈ２で振動するボディ５（凸部５１）に接続されて、ボディ５の振動に連動して、第２振幅Ｈ２で振動する。
【００６６】
第１部分３１が振動することによって、第２部分３２は、第１部分３１よりも大きな振幅で振動する。第１部分３１が第２振幅Ｈ２で振動する場合、第２部分３２は、第２振幅Ｈ２より大きな振幅で振動する。
【００６７】
第２振幅Ｈ２より大きな振幅で振動する第２部分３２の振幅は、減衰機構２１によって低減される。減衰機構２１は、第２部分３２の振幅を、第１振幅Ｈ１と対応する第３振幅Ｈ３以下に低減させる。すなわち、減衰機構２１は、第１ショックアブソーバ３７Ａ及び第２ショックアブソーバ３７Ｂを有しており、第２部分３２が振動方向に移動するエネルギーを吸収し、第２部分３２の振幅を十分に低減することができる。減衰機構２１は、第１振幅Ｈ１に基づく減衰率を有し、第２部分３２の運動エネルギーを吸収する。減衰率は、第２部分３２の振幅を、第１振幅Ｈ１と対応する第３振幅Ｈ３以下に低減させることに対応する。第２部分３２の振幅が十分に低減されることによって、第１部分３１の振幅は、十分に低減される。
【００６８】
第２部分３２の振幅は、所定部位３５と第１部分３１との距離と所定部位３５と第２部分３２との距離との比率（振幅伝達倍率）と、第１部分３１の振幅とに応じて変化する。したがって、減衰機構２１が、第２部分３２の振幅を、第１振幅Ｈ１と対応する第３振幅Ｈ３以下まで低減させることによって、第１部分３１の振幅は、第１振幅Ｈ１より小さくなる。すなわち、減衰機構２１が、第２部分３２の振幅を、第３振幅Ｈ３以下まで低減させることによって、第１部分３１の凹部３６の内面と、ボディ５の凸部５１の外面とは、接触しない状態となる。
【００６９】
このように、本実施形態によれば、振動伝達機構２０及び減衰機構２１を含む振動制御装置６が設けられているので、例えば地震等に伴う大きな振動（第１振幅Ｈ１より大きな振幅の振動）がボディ５に作用した場合でも、ボディ５が過剰に（大きな振幅で）振動することが抑制される。
【００７０】
また、振幅制限機構４０が設けられているので、例えばボディ５が過剰に（大きな振幅で）振動し、第２部分３２が移動するエネルギーを減衰機構２１で十分に吸収しきれなくても、振幅制限機構４０によって、ボディ５が過剰に振動することを抑制することができる。また、第１振幅Ｈ１以下の振幅がボディ５に作用している場合には、防振装置２２によるアクティブな防振制御により、ボディ５に対する振動伝達を抑制することができる。
【００７１】
以上説明したように、本実施形態によれば、振動伝達機構２０及び減衰機構２１を含む振動制御装置６を設けたので、地震等に伴う大きな振動が露光装置ＥＸに作用した場合でも、ボディ５が大きく振動することが抑制される。したがって、露光装置ＥＸに重大な損害が発生することを抑制することができる。
【００７２】
また、本実施形態においては、第１部分３１は、ボディ５が加振されない状態で振動方向に関してボディ５から第１振幅Ｈ１に等しい間隔Ｇ１を隔てて配置される。すなわち、ボディ５が加振されない状態においては、第１部分３１とボディ５とは離れている。したがって、ボディ５が加振されていない状態、すなわち地震等が発生していない通常状態において、防振装置２２の防振作用は、妨げられない。したがって、通常状態においては、防振装置２２でボディ５の振動を抑制しつつ、基板Ｐを良好に露光することができる。
【００７３】
また、本実施形態においては、振動伝達機構２０は、第２部分３２を第１部分３１よりも大きな振幅で振動させる。これにより、ショックアブソーバ３７の性能を十分に発揮させることができる。そして、性能が十分に発揮されたショックアブソーバ３７を用いて、第２部分３２の振幅を十分に低減させることによって、第１部分３１の振幅を更に低減させることができる。なお、振動伝達機構２０は、第２部分３２を第１部分３１よりも大きな振幅で振動させることに限定されず、ショックアブソーバ３７の性能に対応させて、第２部分３２を第１部分３１と同等もしくは同等以下の振幅で振動させることもできる。すなわち、振動制御装置６において、振動伝達機構２０は、第１部分３１に連動させて、第１部分３１の振幅に対して所定倍率（拡大倍率、縮小倍率又は等倍率）を乗じた振幅で第２部分を振動させ、減衰機構２１は、第２部分３２の振動の振幅を第１振幅Ｈ１にその所定倍率を乗じた振幅以下に低減させるものとすることができる。
【００７４】
また、第１部分３１と第２部分３２とを連動させる振動伝達機構２０では、レバー部材３３を回転可能に支持する支持機構３４に代えて、例えばレバー部材３３を揺動可能に支持するヒンジ機構を用いることもできる。この場合、ヒンジ機構は、例えば、レバー部材３３のうち第１部分３１が設けられる一端部と第２部分３２が設けられる他端部との間における底面部を支持する構成とするとよい。
【００７５】
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００７６】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００７７】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００７８】
また、例えば対応米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００７９】
また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。プロキシミティ方式の露光装置の場合、ボディは、マスクステージ及び基板ステージの少なくとも一方を支持することとなる。
【００８０】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００８１】
更に、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載し、露光対象の基板を保持しない計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。
【００８２】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００８３】
また、上述の各実施形態では、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、米国特許第７０２３６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、前述の各照明領域と、投影領域がそれぞれ矩形状であるものとしたが、他の形状、例えば円弧状などでもよい。
【００８４】
なお、上述の各実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。
【００８５】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。
【００８６】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【００８７】
以上のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００８８】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光して、パターンを基板に転写すること、及び露光された基板を現像することを含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。デバイス組立てステップ２０５は、パターンが転写された基板をパターンに対応して加工することを含む。
【００８９】
なお、上述の各実施形態においては、振動制御装置を露光装置に適用する場合を例にして説明したが、露光装置以外のデバイス製造装置に適用することができる。例えば、基板にインクの滴を供給して、その基板上にデバイスパターンを形成するインクジェット装置に、上述の実施形態で説明した振動制御装置を適用することができる。インクジェット装置が、基板を支持して移動する基板ステージと、その基板ステージを移動可能に支持するボディとを備える場合、そのボディの振動を抑制することによって、デバイスを良好に製造することができる。
【００９０】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【００９１】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、５…ボディ、６…振動制御装置、７…制御装置、２０…振動伝達機構、２１…減衰機構、２２…防振装置、２６…振動減衰装置、３１…第１部分、３２…第２部分、３３…レバー部材、３７…ショックアブソーバ、４０…振幅制限機構、ＥＸ…露光装置、ＦＬ…支持面、Ｐ…基板、ＰＳ…投影システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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2010128597.tif 000012
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