(57)【要約】  コンデンサは、有機フィルムよりなる基材と、基材の上面に設けられた第１の導電層と、第１の導電層の上面に設けられた第１の誘電体層と、第１の誘電体層の上面に設けられた第２の誘電体層と、第２の誘電体層の上面に設けられた第２の導電層とを備える。第１の誘電体層は、第１の導電層の上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる。第２の誘電体層は、第２の導電層の下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる。
2010143410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機フィルムよりなる基材と、
前記基材の上面に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層の上面に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上面に設けられた第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層の上面に設けられた第２の導電層と、
を備え、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサ。
【請求項２】
前記基材の前記上面は、第１の方向の端に位置する第１の導体非形成部を有し、
前記第１の導電層は、第１の導体非形成部を除く前記基材の前記上面の部分に設けられ、
前記第２の誘電体層の前記上面は、前記第１の方向の反対の第２の方向の端に位置する第２の導体非形成部を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の導体非形成部を除く前記第２の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第１の導電層の前記上面は前記第２の方向の端に位置する第１の誘電体非形成部を有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の誘電体非形成部を除く前記第１の導電層の前記上面の部分に設けられている、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記第１の誘電体層は、前記第１の方向の端に前記第２の誘電体非形成部を除く前記基材の前記上面の部分に設けられている、請求項２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
基材と、
前記基材の上面に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層の上面に設けられた第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上面に設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層の上面に設けられた第２の誘電体層と、
を備え、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサ。
【請求項５】
前記第１の誘電体層の前記上面は、第１の方向の端に位置する第１の導体非形成部を有し、
前記第２の誘電体層の前記上面は、前記第１の方向の反対の第２の方向の端に位置する第２の導体非形成部を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の導体非形成部を除く前記第１の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第２の導電層は、前記第２の導体非形成部を除く前記第２の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第１の導電層の前記上面は、前記第１の方向と前記第２の方向のうちの一方の端に位置する誘電体非形成部を有し、
前記第２の誘電体層は、前記誘電体非形成部を除く前記第１の導電層の前記上面の部分に設けられている、請求項４に記載のコンデンサ。
【請求項６】
前記第１の誘電体層の厚みと前記第２の誘電体層の厚みは０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項７】
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層の比誘電率は３０以上である、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の内、少なくとも一方は、その一部又は全部が導電性高分子よりなる、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項９】
前記第１の導電層と前記第２の導電層のうちの少なくとも一方の表面は凹凸部を有している、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項９に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
前記基材の表面は凹凸部を有している、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項１１に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
前記基材の上面と下面のうちの少なくとも一方の少なくとも一部を被覆する絶縁コート層をさらに備えた、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項１４】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、前記第１の導電層の上面に第１の誘電体層を設けることにより第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
前記第２の導電層を設けるステップの後で、第２の誘電体層を前記第２の導電層の下面に設けることにより第２の構造体を作製するステップと、
前記第１の導電層と前記第２の導電層が前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とを介して対向するように、前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１５】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、前記第１の導電層の上面に第１の誘電体層を設けるステップと、
前記第１の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
前記第２の導電層を設けるステップの後で、第２の誘電体層を前記第２の導電層の下面に設けるステップと、
を含む第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を設けるステップと、
前記第３の導電層を設けるステップの後で、第３の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の基材の下面に第４の導電層を設けるステップと、
前記第４の導電層を設けるステップの後で、第４の誘電体層を前記第４の導電層の下面に設けるステップと、
を含む第２の構造体を作製するステップと、
前記第２の誘電体層と前記第４の誘電体層とを介して前記第２の導電層と前記第４の導電層とが対向するように、前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第３の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第４の誘電体層は、前記第４の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１６】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、第１の誘電体層を前記第１の導電層の上面に設けるステップと、
前記第１の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
を含む第１の構造体を設けるステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を設けるステップと、
前記第３の導電層を設けるステップの後で、第２の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の基材の下面に第４の導電層を設けるステップと、
を含む第２の構造体を設けるステップと、
前記第１の導電層が、前記第１の誘電体層を介して、前記第４の導電層と対向するように前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１７】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を配置するステップと、
第１の誘電体層を前記第１の導電層の上面に設けるステップと、
前記第１の誘電体層を設けるステップの後で、前記第１の誘電体層の上面に第２の導電層を設けるステップと、
を含む、第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を配置するステップと、
第２の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の誘電体層を設けるステップの後で、前記第２の誘電体層の上面に第４の導電層を設けるステップと、
を含む、第２の構造体を作製するステップと、
前記第２の導電層の上面が、前記第２の基材を介して、前記第３の導電層と対向するように前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１８】
前記第１の導電層と前記第２の導電層と前記第３の導電層と前記第４の導電層のうちの少なくとも１つは導電性高分子を含有する、請求項１５から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１９】
前記第１の導電層と前記第２の導電層と前記第３の導電層と前記第４の導電層のうちの少なくとも１つの表面に凹凸部が形成されている、請求項１５から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２０】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項１９に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２１】
前記第１の基材の表面に凹凸部が形成されている、請求項１５から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２２】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている請求項２１に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２３】
前記第１の基材は、前記第１の誘電体層の上面と下面のうち少なくとも一方の表面の少なくとも一部に設けられた絶縁コート層を有する、請求項１４から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２４】
前記第１の導電層と前記第２の導電層のうちの少なくとも一方の表面の少なくとも一部は絶縁コート層により被覆されている、請求項１４から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２５】
前記第１の誘電体層の表面の少なくとも一部は絶縁コート層により被覆されている、請求項１４から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄型化が可能であり、結果、大容量化が可能となるコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は特許文献１に記載されている従来のコンデンサ９００の断面図である。コンデンサ９００はフィルムコンデンサであり、柔軟性を有する樹脂フィルムである誘電体層９０１と、誘電体層９０１の上面に蒸着形成されたアルミ等の導体より為る導電層９０２と、導電層９０２の上面に設けられ、柔軟性を有する樹脂フィルムより為る誘電体層９０３と、誘電体層９０３の上面に蒸着形成されたアルミ等の導体より成る導電層９０４とを有する。【０００３】
導電層９０２の一端側は端子９０５と電気的に接続されており、導電層９０２の他端側は開放されている。それに対し、導電層９０４の一端側は開放されており、他端側は端子９０６と電気的に接続されている。【０００４】
尚、端子９０５は、従来のコンデンサ９００の一端側に形成されると共に、端子９０６は、端子９０５の反対側の他端側に形成されている。そして、端子９０５、９０６とは直流的には導通していない。【０００５】
コンデンサ９００の最上面には最上面誘電体層９０７が設けられ、導電層９０４が露出することを防止している。しかし、コンデンサ９００は大きな容量を確保することが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１２４０６１号公報
【発明の概要】
【０００７】
コンデンサは、有機フィルムよりなる基材と、基材の上面に設けられた第１の導電層と、第１の導電層の上面に設けられた第１の誘電体層と、第１の誘電体層の上面に設けられた第２の誘電体層と、第２の誘電体層の上面に設けられた第２の導電層とを備える。第１の誘電体層は、第１の導電層の上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる。第２の誘電体層は、第２の導電層の下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる。
【０００８】
このコンデンサは大きな容量を確保することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】図１Ａは本発明の実施の形態１に係るコンデンサの断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは実施の形態１に係るコンデンサの誘電体層の拡大模式図である。
【図２】図２は本発明の実施の形態２に係るコンデンサの断面図である。
【図３】図３は本発明の実施の形態３に係るコンデンサの断面図である。
【図４】図４は本発明の実施の形態４に係るコンデンサの断面図である。
【図５】図５は本発明の実施の形態５に係るコンデンサの断面図である。
【図６】図６は本発明の実施の形態６に係るコンデンサの断面図である。
【図７】図７は本発明の実施の形態７に係るコンデンサの断面図である。
【図８】図８は本発明の実施の形態８に係るコンデンサの断面図である。
【図９】図９は本発明の実施の形態９に係るコンデンサの拡大断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは実施の形態９に係る他のコンデンサの拡大断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは実施の形態９に係るさらに他のコンデンサの拡大断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは実施の形態９に係るさらに他のコンデンサの拡大断面図である。
【図１１】図１１は本発明の実施の形態１０に係るコンデンサの拡大断面図である。
【図１２】図１２は実施の形態１０に係る他のコンデンサの拡大断面図である。
【図１３】図１３は従来のフィルムコンデンサの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施の形態１）
図１Ａは本発明の実施の形態１に係るコンデンサ１００１の断面図である。コンデンサ１００１は、コンデンサ素子２００１と、端子５、６を備える。コンデンサ素子２００１は方向１００１Ｃに向く側面２００１Ｃと、側面２００１Ｃの反対側の側面２００１Ｄとを有する。側面２００１Ｄは、方向１００１Ｃの反対の方向１００１Ｄを向く。端子５、６はコンデンサ素子２００１の側面２００１Ｃ、２００１Ｄにそれぞれ設けられている。基材２の上面２Ａは方向１００１Ｃの端に位置する導体非形成部７を有する。導体非形成部７を除く基材２の上面２Ａの部分には導電層３が形成されている。導電層３の上面３Ａには誘電体層４が形成されている。誘電体層４の上面４Ａには誘電体層１０４が設けられている。基材１０２の下面１０２Ｂは方向１００１Ｄの端に位置する導体非形成部１０７を有する。導体非形成部１０７を除く基材１０２の下面１０２Ｂの部分には導電層１０３が形成されている。導電層１０３の下面１０３Ｂには誘電体層１０４が形成されている。誘電体層１０４の下面１０４Ｂは誘電体層４の上面４Ａ上に位置する。導電層１０３が誘電体層４、１０４を介して導電層３に対向する。導電層１０３、３は端子５、６にそれぞれ接続されている。誘電体層４、１０４の厚みが０．３〜５０．０ｎｍであり、かつ、比誘電率が３０以上である。基材２、１０２は有機フィルムなどの絶縁材料からなる。
【００１１】
図１Ｂは誘電体層４（１０４）の拡大模式図である。誘電体層４（１０４）は、導電層３、１０３の上面３Ａや下面１０３Ｂに敷き詰められた複数の金属酸化物片７００よりなるナノシートである。金属酸化物片７００は、チタン酸ナノシートやニオブ酸ナノシート等の酸化物ナノシートよりなる。金属酸化物片７００は、数原子の厚みを有し、その厚さは概ね０．３ｎｍ〜２ｎｍ、好ましくは０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、長さと幅は１０ｎｍから１ｍｍ程度である。複数の金属酸化物片７００は、導電層の上面や下面に配置されたカチオンよりなる付着補助層により導電層の上面や下面に接着して敷き詰められている。
【００１２】
実施の形態１に係るコンデンサ１００１の製造方法を以下に説明する。
【００１３】
＜第１工程＞
基材２の上面２Ａの導体非形成部７を除く部分で且つ基材２の上面２Ａに導電層３を配置する。導電層３は蒸着やスパッタ等の薄膜形成技術により基材２の上面２Ａに形成され、アルミニウム等の金属よりなる。導電層３の厚みは、例えば２０ｎｍ程度である。例えば、基材２の厚みは数μｍであり、比誘電率１０以下である。
【００１４】
＜第２工程＞
第１工程の後、導電層３の上面３Ａに、厚みが０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、比誘電率が３０以上となる誘電体層４を配置する。誘電体層４は、１２５程度の比誘電率を有するチタン酸化物ナノシートや、３００程度の比誘電率を有するニオブ酸化物ナノシート等で構成されている。このように、基材２と誘電体層４と導電層３とで金属化フィルムである構造体５０を作製する。構造体５０の基材２と誘電体層４と導電層３は基材１０２と誘電体層１０４と導電層１０３とそれぞれ同じであり、構造体１５０も構成する。すなわち、構造体５０は上下反転することで構造体１５０として機能する。
【００１５】
尚、導体非形成部７（１０７）に面した導電層３（１０３）の側面や、基材２（１０２）の面２Ａ（１０２Ｂ）の導体非形成部７（１０７）にも誘電体層４（１０４）が形成されても良い。これにより、後の工程において、導電層３、１０３が短絡しにくい構成を実現することができる。また、後の工程において、導電層３、１０３と端子５または端子６とが短絡することをも回避できる。
【００１６】
＜第３工程＞
第２工程で得られた構造体５０、１５０を重ね合わせて積層する。誘電体層１０４の下面１０４Ｂが誘電体層４の上面４Ａ上に位置し、導電層３、１０３が誘電体層４、１０４を介して対向し、且つ、導体非形成部７、１０７が互いに逆の方向１００１Ｃ、１００１Ｄに設けられる。
【００１７】
図１Ａに示すコンデンサ１００１では、構造体５０、１５０の３つの組が積層されているが、必要な容量やコンデンサ１００１の所望サイズ等を勘案してその組の数を決定する。
【００１８】
第３工程の後、コンデンサ素子２００１の側面２００１Ｃ、２００１Ｄに端子５、６を溶射工法によりそれぞれ形成する。導電層３、１０３は端子６、５にそれぞれ直流的に接続されている。
【００１９】
図１３に示す従来のフィルムコンデンサ９００では、誘電体層９０１、誘電体層９０３の厚さは数μｍ程度であり、また、その比誘電率は概ね１０以下であるので、大きな容量を確保することが困難である。
【００２０】
コンデンサ１００１は、導電層３、１０３が０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みの高い比誘電率を有した強度的に単体では扱う事が困難な２つのナノシート（誘電体層４、１０４）を介して狭い間隔で対向しているので、大きな容量を確保することが可能となる。
【００２１】
尚、図１Ａに示すコンデンサ１００１は、構造体５０、１５０を積層して形成したが、これに限る必要はなく、構造体５０、１５０を巻回することで重ね合わせ、巻回された構造体５０の一端側に端子６を溶射工法により形成し、巻回された構造体１５０の他端側に端子５を溶射工法により形成しても良い。
【００２２】
図１Ａに示す実施の形態１のコンデンサ１００１は、同一形状の構造体５０、１５０を所定の向きで積層することで実現できるので、生産効率を高くすることもできる。
【００２３】
尚、基材２は樹脂フィルム等の有機フィルムで構成され、その厚みは誘電体層４よりも厚いものが用いられる。これにより、基材２（１０２）を基材として使用し、その上面に導電層３（１０３）、誘電体層４（１０４）を形成することが可能となる。
【００２４】
また、基材２、１０２は有機化合物により実現され、図１Ａ中の誘電体層４、１０４は無機化合物により実現されている。
【００２５】
更に、上記においては、導電層３、１０３が２つの誘電体層４、１０４を介して対向するように第２工程の後に得られた構造体５０、１５０を積層する。構造体５０に、誘電体層１０４と導電層１０３とを有する第１工程の後に得られる構造体を積層してもよい。この場合には、導電層３、１０３が誘電体層４のみを介して対向するので、容量値を増大させることができる。
【００２６】
尚、図１Ａに示すコンデンサ１００１の断面図は、上記工程後、上下方向から加圧し、各層を密着させた後のものを記載している。図１Ａにおいては、誘電体層４（１０４）の上面４Ａ（下面１０４Ｂ）が平坦であるが、これに限る必要はなく、凹凸を有した形状のものであってもよい。
【００２７】
前述のように、コンデンサ１００１は、構造体５０、１５０を少なくとも備える。構造体５０は、有機フィルムから成る基材２と、基材２の上面２Ａに形成された導電層３と、導電層３の上面３Ａに形成された誘電体層４とを備える。導電層３は、基材２の少なくとも一端辺に達した接続部３Ｔを有する。構造体１５０は、有機フィルムから成る基材１０２と、基材１０２の下面１０２Ｂに形成された導電層１０３と、導電層１０３の下面１０３Ｂに形成された誘電体層１０４とを備える。導電層１０３は、基材１０２の少なくとも一端辺に達した接続部１０３Ｔを有する。誘電体層４、１０４は、数原子分程度の厚みを有した金属酸化物または、この金属酸化物の積層体である。接続部３Ｔ、１０３Ｔは互いに逆方向に位置する。構造体５０、１５０は、誘電体層４、１０４が当接した状態で積層または巻回されている。
【００２８】
また、前述のように、有機フィルムから成る基材２、１０２を用意する。基材２、１０２の少なくとも片面に導電層３、１０３をそれぞれ形成する。導電層３は基材２の少なくとも一端辺に達した接続部３Ｔを有する。導電層１０３は基材２の少なくとも一端辺に達した接続部１０３Ｔを有する。導電層３、１０３の表面に誘電体層４、１０４をそれぞれ形成する。これにより、構造体５０、１５０を製造する。その後、接続部３Ｔ、１０３Ｔが互い逆方向に位置し、かつ誘電体層４、１０４が当接するように、構造体５０、１０５を重ねて積層または巻回することによりコンデンサ１００１を製造する。
【００２９】
（実施の形態２）
図２は実施の形態２に係るコンデンサ１００２の断面図である。コンデンサ１００２は、コンデンサ素子２００２と、端子５、６とを備える。コンデンサ素子２００２は方向１００２Ｃに向く側面２００２Ｃと、側面２００２Ｃの反対側の側面２００２Ｄとを有する。側面２００２Ｄは、方向１００２Ｃの反対の方向１００２Ｄを向く。端子５、６はコンデンサ素子２００２の側面２００２Ｃ、２００２Ｄにそれぞれ設けられている。基材２の上面２Ａは方向１００２Ｃの端に位置する導体非形成部１３を有する。導体非形成部１３を除く基材２の上面２Ａの部分には導電層８が形成されている。導電層８の上面８Ａには誘電体層４が形成されている。基材２の下面２Ｂは方向１００２Ｄの端に位置する導体非形成部１４を有する。導体非形成部１４を除く基材２の下面２Ｂの部分には導電層９が形成されている。導電層９の下面９Ｂには誘電体層１０が設けられている。誘電体層１０の下面１０Ｂは誘電体層４の上面４Ａ上に位置する。導電層８は誘電体層４、１０を介して導電層９に対向する。誘電体層４、１０の厚みは０．３〜５０．０ｎｍであり、かつ、比誘電率が３０以上である。誘電体層１０は誘電体層４と同様の構造を有する酸化物ナノシートよりなる。
【００３０】
実施の形態２に係るコンデンサ１００２の製造方法を以下に説明する。
【００３１】
＜第１工程＞
導体非形成部１３を除く基材２の上面２Ａの部分に導電層８を配置する。導電層８は蒸着やスパッタ等の薄膜形成技術により基材２の上面２Ａに形成される。導電層８はアルミニウム等の金属よりなり、導電層８の厚みは、例えば２０ｎｍ程度である。例えば、基材２の厚みは数μｍであり、比誘電率１０以下である。
【００３２】
また、導体非形成部１３を除く部分に導電層８を形成するのは、後の工程においてコンデンサ１の一端側に端子５が形成される際に、導電層８と端子５とが直流的に導通することを防止するためである。
【００３３】
＜第２工程＞
第１工程の後、導電層８の上面８Ａに、厚みが０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、比誘電率が３０以上となる誘電体層４を配置する。
【００３４】
誘電体層４は、１２５程度の比誘電率を有するチタン酸化物ナノシートや、３００程度の比誘電率を有するニオブ酸化物ナノシート等で構成されている。
【００３５】
尚、導体非形成部１３に面した導電層８の側面や、基材２の上面２Ａの導体非形成部１３にも誘電体層４が形成されても良い。これにより、後の工程において、対向する導電層８と導電層９とが短絡しにくい構成を実現できる。
【００３６】
また、後の工程において、コンデンサ素子２００２の側面２００２Cに端子５が形成される際に、導電層８と端子５とが短絡することをも回避できる。
【００３７】
＜第３工程＞
第２工程の後、方向１００２Ｄの端に位置する導体非形成部１４を除く基材２の下面２Ｂの部分に導電層９を配置する。導電層９は蒸着やスパッタ等の薄膜形成技術により基材２の下面２Ｂに形成される。導電層９はアルミニウム等の金属よりなり、導電層９の厚みは、例えば２０ｎｍ程度である。
【００３８】
導体非形成部１４を除く部分に導電層９を形成するのは、後の工程においてコンデンサ素子２００２の側面２００２Ｄに端子６が形成される際に、導電層９と端子６とが直流的に導通することを防止するためである。
【００３９】
＜第４工程＞
第３工程の後、導電層９の下面に、厚みが０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、比誘電率が３０以上となる誘電体層１０を設けることにより金属化フィルムである構造体５１を作製する。
【００４０】
誘電体層１０は、１２５程度の比誘電率を有するチタン酸化物ナノシートや、３００程度の比誘電率を有するニオブ酸化物ナノシート等で構成されている。
【００４１】
尚、導体非形成部１４に面した導電層９の側面や、基材２の下面の導体非形成部１４にも誘電体層１０が形成されても良い。これにより、後の工程において、対向する導電層８と導電層９とが短絡しにくい構成を実現できる。
【００４２】
また、後の工程において、コンデンサ素子２００２の側面２００２Ｄに端子６が形成される際に、導電層９と端子６とが短絡することをも回避できる。
【００４３】
＜第５工程＞
構造体５１の誘電体層１０の下面１０Ｂを別の構造体５１の誘電体層１０の上面１０Ａに位置させて、誘電体層４、１０を介して導電層８と導電層９とが対向するように構造体５１を重ね合わせて積層する。
【００４４】
図２のコンデンサ１００２は、３つの構造体５１からなる。構造体５１の数は、必要な容量やコンデンサ１００２の所望サイズ等を勘案して決定する。
【００４５】
第５工程の後、最上層に絶縁コート層１１が設けられ、最下層に絶縁コート層１２が設けられる。これにより、導電層８、９および誘電体層４、１０を外部環境から保護することができる。
【００４６】
その後、コンデンサ素子２００２の側面２００２Ｃに端子５を溶射工法により形成し、コンデンサ素子２００２の側面２００２Ｄに端子６を溶射工法により形成する。コンデンサ素子２００２内に設けられた複数の導電層８は、側面２００２Ｄにおいて端子６と直流的に接続されており、複数の導電層９は側面２００２Ｃにおいて端子５と直流的に接続されている。
【００４７】
コンデンサ１００２は、導電層８、９がそれぞれ０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みで且つ高い比誘電率を有しているナノシートである誘電体層４、１０を介して対向するので、大きな容量を確保することが可能となる。
【００４８】
尚、図２に示すコンデンサ１００２では、３つの構造体５１が積層されて形成されているが、これに限る必要はなく、1つの構造体５１を巻回することで重ね合わせ、巻回された構造体５１の一端側に端子５を溶射工法により形成し、巻回された構造体の他端側に端子６を溶射工法により形成しても良い。
【００４９】
図２に示す実施の形態２のコンデンサ１００２は、同一形状の構造体５１を積層するだけで実現できるので、生産効率を高くすることもできる。
【００５０】
尚、基材２は、樹脂フィルム等の有機フィルムで構成され、その厚みは誘電体層４や誘電体層１０よりも厚いものが用いられる。これにより、基材２の上面２Ａに導電層３、誘電体層４を形成することが可能となる。
【００５１】
また、図２中の基材２は有機化合物により実現され、図２中の誘電体層４と、図２中の誘電体層１０とは無機化合物により実現されている。
【００５２】
尚、図２に示すコンデンサ１００２の断面図は、上記工程後、図２における上下方向から加圧し、各層を密着させた後のものを記載している。図２においては、誘電体層４、誘電体層１０が平坦なものとして表現されているが、これに限る必要はなく、凹凸を有した形状のものであっても問題ない。
【００５３】
前述のように、コンデンサ１００２は、複数の構造体５１と、一対の外部電極５、６とを備える。各構造体５１は、有機フィルムから成る基材２と、基材の両面２Ａ、２Ｂにそれぞれ形成された一対の導電層８、９と、導電層８、９のうち少なくとも一方の導電層の表面に形成された誘電体層４（１０）とを備える。導電層８は基材２の少なくとも一端辺に達した接続部８Ｔを有する。導電層９は基材２の少なくとも一端辺に達した接続部９Ｔを有する。外部電極５、６は導電層９，４とそれぞれ電気的に接続されている。誘電体層４（１０）は、数原子分程度の厚みを有した金属酸化物または、この金属酸化物の積層体である。接続部８Ｔ、９Ｔは互いに逆方向に位置する。複数の構造体５１は同方向に重ねられて巻回または積層されている。
【００５４】
また、前述のように、有機フィルムから成る基材２を用意する。基材２の両面に一対の導電層８、９をそれぞれ形成する。導電層８は基材２の少なくとも一端辺に達した接続部８Ｔを有する。導電層９は基材２の少なくとも一端辺に達した接続部９Ｔを有する。接続部８Ｔ、９Ｔは互いに逆方向に配置される。一対の導電層８、９の少なくとも一方に誘電体層４（１０）を形成する。これにより、複数の構造体６１を製造する。その後、複数の構造体６１を同方向に重ねて積層または巻回することによりコンデンサ１００２を製造する。
【００５５】
（実施の形態３）
図３は実施の形態３に係るコンデンサ１００３の断面図である。コンデンサ１００３は、コンデンサ素子３００１と、端子５、６とを備える。コンデンサ素子３００１は方向１００３Ｃに向く側面３００１Ｃと、側面３００１Ｃの反対側の側面３００１Ｄとを有する。側面３００１Ｄは、方向１００３Ｃの反対の方向１００３Ｄを向く。端子５、６はコンデンサ素子３００１の側面３００１Ｃ、３００１Ｄにそれぞれ設けられている。基材２の上面２Ａは方向１００３Ｃの端に位置する導体非形成部１３を有する。導体非形成部１３を除く基材２の上面２Ａの部分に導電層８が形成されている。導電層８の上面８Ａ上に誘電体層４が形成されている。基材２の下面２Ｂは方向１００３Ｄの端に位置する導体非形成部１４を有する。導体非形成部１４を除く基材２の下面２Ｂの部分に導電層９が形成されている。基材２と誘電体層４と導電層８、９は構造体６０を構成する。導電層９の下面９Ａが誘電体層４の上面４Ａに位置して、導電層８、９が誘電体層４を介して対向するように、複数の構造体６０が積層されている。端子５、６は導電層９、８にそれぞれ接続されている。誘電体層４の厚みが０．３〜５０．０ｎｍであり、かつ、比誘電率が３０以上である。
【００５６】
実施の形態３に係るコンデンサ１００３の製造方法を以下に説明する。
【００５７】
＜第１工程＞
導体非形成部１３を除く基材２の上面２Ａの部分に導電層８を配置する。
【００５８】
導電層８は蒸着やスパッタ等の薄膜形成技術により基材２の上面２Ａに形成される。導電層８はアルミニウム等の金属よりなり、導電層８の厚みは、例えば２０ｎｍ程度である。例えば、基材２の厚みは数μｍであり、比誘電率１０以下である。
【００５９】
また、導体非形成部１３を除く部分に導電層８を形成するのは、後の工程において端子５が形成される際に、導電層８と端子５とが直流的に導通することを防止するためである。
【００６０】
＜第２工程＞
第１工程の後、導電層８の上面８Ａに厚みが０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、比誘電率が３０以上となる誘電体層４を配置する。
【００６１】
誘電体層４は、１２５程度の比誘電率を有するチタン酸化物ナノシートや３００程度の比誘電率を有するニオブ酸化物ナノシート等で構成されている。
【００６２】
尚、導体非形成部１３に面した導電層８の側面や、基材２の上面の導体非形成部１３にも誘電体層４が形成されても良い。これにより、後の工程において、対向する導電層８と導電層９とが短絡しにくい構成を実現できる。
【００６３】
また、後の工程において、導電層８と端子５とが短絡することをも回避できる。
【００６４】
＜第３工程＞
第２工程の後、導体非形成部１４を除く基材２の下面２Ｂの部分に導電層９を配置することにより構造体６０を作製する。
【００６５】
導電層９は蒸着やスパッタ等の薄膜形成技術により基材２の下面に形成される。材料としては、アルミニウム等が用いられ、導電層９の厚みは、例えば２０ｎｍ程度である。
【００６６】
導体非形成部１４を除く部分に導電層９を形成するのは、後の工程において端子６が形成される際に、導電層９と端子６とが直流的に導通することを防止するためである。
【００６７】
＜第４工程＞
第３工程で得られた複数の構造体６０を、導電層８、９が誘電体層４を介して対向するように重ね合わせて積層する。
【００６８】
図３のコンデンサ１００３では、３つの構造体６０が積層されているが、構造体６０の数は、必要な容量やコンデンサ１００３の所望サイズ等を勘案して決定する。
【００６９】
第４工程の後、最上層に絶縁コート層１１が設けられ、最下層に絶縁コート層１２が設けられる。これにより、導電層８および導電層９、誘電体層４を外部環境から保護することができる。
【００７０】
その後、コンデンサ素子３００１の側面３００１Ｃに端子５を溶射工法により形成し、同様に、コンデンサ素子３００１の側面３００１Ｄに端子６を溶射工法により形成する。コンデンサ素子３００１内に配置された複数の導電層８は、側面３００１Ｄにおいて端子６と直流的に接続されており、複数の導電層９は、側面３００１Ｄにおいて端子５と直流的に接続されている。
【００７１】
コンデンサ１００３は、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有し高い比誘電率を有している１つのナノシートである誘電体層４を介して導電層８と導電層９とが対向するので、大きな容量を確保することが可能となる。
【００７２】
尚、図３のコンデンサ１００３は、３つの構造体６０を積層して形成したが、これに限る必要はなく、１つの構造体６０を巻回することで重ね合わせ、巻回された構造体６０の一端側に端子５を溶射工法により形成し、巻回された構造体６０の他端側に端子６を溶射工法により形成しても良い。
【００７３】
図３に示す実施の形態３のコンデンサ１００３は、同一形状の構造体６０を積層するだけで実現できるので、生産効率を高くすることもできる。
【００７４】
尚、基材２は、樹脂フィルム等の有機フィルムで構成され、その厚みは誘電体層４よりも厚いものが用いられる。これにより、基材２の上面２Ａと下面２Ｂに導電層８、９、誘電体層４を形成することが可能となる。
【００７５】
また、図３中の基材２は有機化合物により実現され、図３中の誘電体層４は無機化合物により実現されている。
【００７６】
尚、図３に示すコンデンサ１００３の断面図は、上記工程後、図３における上下方向から加圧し、各層を密着させた後のものを記載している。図３においては、誘電体層４が平坦なものとして表現されているが、これに限る必要はなく、凹凸を有した形状のものであっても問題ない。
【００７７】
（実施の形態４）
図４は実施の形態４に係るコンデンサ１００４の断面図である。コンデンサ１００４は、コンデンサ素子４００１と、端子５、６とを備える。コンデンサ素子４００１は方向１００４Ｃに向く側面４００１Ｃと、側面４００１Ｃの反対側の側面４００１Ｄとを有する。側面４００１Ｄは、方向１００４Ｃの反対の方向１００４Ｄを向く。端子５、６はコンデンサ素子４００１の側面４００１Ｃ、４００１Ｄにそれぞれ設けられている。基材２の上面２Ａは方向４００１Ｃの端に位置する導体非形成部１３を有する。導体非形成部１３を除く基材２の上面２Ａの部分に導電層８を形成する。導電層８の上面８Ａに誘電体層４を形成する。誘電体層４の上面４Ａは方向１００４Ｄの端に位置する導体非形成部１４を有する。導体非形成部１４を除く誘電体層４の上面４Ａの部分に導電層９を形成することで構造体６１を形成する。基材２の下面２Ｂが導電層９の上面９Ａ上に位置するように、複数の構造体６１を積層する。誘電体層４の厚みが０．３〜５０．０ｎｍであり、かつ、比誘電率が３０以上である。
【００７８】
実施の形態４に係るコンデンサ１００４の製造方法を以下に説明する。
【００７９】
＜第１工程＞
導体非形成部１３を除く基材２の上面２Ａの部分に導電層８を配置する。導電層８は蒸着やスパッタ等の薄膜形成技術により基材２の上面２Ａに形成される。導電層８はアルミニウム等の金属よりなり、導電層８の厚みは、例えば２０ｎｍ程度である。例えば、基材２の厚みは数μｍであり、比誘電率１０以下である。
【００８０】
また、導体非形成部１３を除く部分に導電層８を形成するのは、後の工程においてコンデンサ素子４００１の側面４００１Ｃに端子５が形成される際に、導電層８と端子５とが直流的に導通することを防止するためである。
【００８１】
＜第２工程＞
第１工程の後、導電層８の上面８Ａに、厚みが０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、比誘電率が３０以上となる誘電体層４を配置する。
【００８２】
誘電体層４は、１２５程度の比誘電率を有するチタン酸化物ナノシートや、３００程度の比誘電率を有するニオブ酸化物ナノシート等で構成されている。
【００８３】
尚、導体非形成部１３に面した導電層８の側面や、基材２の上面の導体非形成部１３にも、誘電体層４が形成されても良い。これにより、後の工程において、対向する導電層８と導電層９とが短絡しにくい構成を実現できる。
【００８４】
＜第３工程＞
第２工程の後、導体非形成部１４を除く誘電体層４の上面４Ａの部分に導電層９を設けることにより構造体６１を作製する。導電層９は蒸着やスパッタ等の薄膜形成技術により誘電体層４の上面４Ａに形成される。導電層９は、アルミニウム等の金属よりなり、導電層９の厚みは、例えば２０ｎｍ程度である。尚、誘電体層４が破損することを極力避けるために、導電層９は、常温での蒸着プロセスにより形成してもよい。
【００８５】
導体非形成部１４を除く部分に導電層９を形成するのは、後の工程においてコンデンサ素子４００１の側面４００１Ｄに端子６が形成される際に、導電層９と端子６とが直流的に導通することを防止するためである。
【００８６】
尚、導体非形成部１４を導体非形成部１３よりも大きく設計しても良い。導電層９の方向１００４Ｄの端には端子６との絶縁性を保つための誘電体層が配置されないので、導電層８と端子５との間隔よりも導電層９と端子６との間隔を広くしておいた方が、導電層９と端子６とが短絡するリスクを低減できる。
【００８７】
＜第４工程＞
導電層８、９が基材２を介して対向するように、第３工程で得られた複数の構造体６１を重ね合わせて積層する。
【００８８】
図４のコンデンサ１００４は４つの構造体６１積層して実現しているが、構造体６１の数は、必要な容量やコンデンサ１００４の所望サイズ等を勘案して決定する。
【００８９】
第４工程の後、最上層に絶縁コート層１１が配置される。これにより、導電層８および導電層９を外部環境から保護することができる。
【００９０】
その後、コンデンサ素子４００１の側面４００１Ｃに端子５を溶射工法により形成し、同様に、コンデンサ４００１の側面４００１Ｄに端子６を溶射工法により形成する。コンデンサ素子４００１内に配置された複数の導電層８は、側面４００１Ｃにおいて端子５と直流的に接続されており、コンデンサ素子４００１内に配置された複数の導電層９は、側面４００１Ｄにおいて端子６と直流的に接続されている。
【００９１】
コンデンサ１００４は、導電層８、９が、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みで且つ高い比誘電率を有している１つのナノシートである誘電体層４を介して対向するので、大きな容量を確保することが可能となる。
【００９２】
尚、図４のコンデンサ１００４は、４つの構造体６１を積層して形成したが、これに限る必要はなく、１つの構造体６１を巻回すことで重ね合わせ、巻回された構造体６１の一端側に端子５を溶射工法により形成し、巻回された構造体６１の他端側に端子６を溶射工法により形成しても良い。
【００９３】
図４に示す実施の形態４のコンデンサ１００４は、同一形状の構造体６１を積層するだけで実現できるため、生産効率を高くすることもできる。
【００９４】
尚、基材２は、樹脂フィルム等の有機フィルムで構成され、その厚みは誘電体層４よりも厚いものが用いられる。これにより、基材２の上面２Ａに導電層８、誘電体層４を形成することが可能となる。
【００９５】
また、図４中の基材２は有機化合物により実現され、図４中の誘電体層４は無機化合物により実現されている。
【００９６】
尚、図４に示すコンデンサ１００４の断面図は、上記工程後、図４における上下方向から加圧し、各層を密着させた後のものを記載している。図４においては、誘電体層４が平坦なものとして表現されているが、これに限る必要はなく、凹凸を有した形状のものであっても問題ない。
【００９７】
前述のように、コンデンサ１００４は複数の構造体６１を少なくとも備える。それぞれの構造体６１は、有機フィルムから成る基材２と、基材２の片面２Ａに形成された導電層８と、導電層８の表面８Ａに形成された誘電体層４と、誘電体層４の表面４Ａに形成された導電層９とを備える。導電層８は、基材２の少なくとも一端辺に達する接続部８Ｔを有する。導電層９は、基材２の少なくとも一端辺に達する接続部９Ｔを有する。誘電体層４は、数原子分程度の厚みを有した金属酸化物または、この金属酸化物の積層体である。接続部８Ｔ、９Ｔは互いに逆方向に位置する。複数の構造体６１は、同方向に重ねられて巻回または積層されている。
【００９８】
また、前述のように、有機フィルムから成る基材２を用意する。基材２の片面に導電層８を形成する。導電層８は、基材２の少なくとも一端辺に達した接続部８Ｔを有する。導電層８の表面に誘電体層４を形成する。誘電体層４の表面に導電層９を形成する。導電層９は基材２の少なくとも一端辺に達した接続部９Ｔを有する。これにより複数の構造体６１を製造する。接続部８Ｔ、９Ｔは互いに逆方向に配置されている。複数の構造体６１を同方向に重ねて積層または巻回することによりコンデンサ１００４を製造することができる。
【００９９】
（実施の形態５）
図５は実施の形態５に係るコンデンサ１００５の断面図である。図５において、図１Ａに示す実施の形態１におけるコンデンサ１００１と同じ部分には同じ参照番号を付す。
【０１００】
図５に示す実施の形態５に係るコンデンサ１００５では、導電層３の下面３Ｂは方向１００１Ｃの端に位置する誘電体非形成部１５を有し、導電層１０３の上面１０３Ａは方向１００１Ｄの端に位置する誘電体非形成部１６を有する。誘電体層４は、誘電体非形成部１６を除く導電層３の上面３Ａの部分に形成されている。誘電体層１０４は、誘電体非形成部１５を除く導電層１０３の下面１０３Ｂの部分に形成されている。
【０１０１】
図５に示すように、誘電体非形成部１５に誘電体層４、１０４を形成しないことにより、導電層３の側面まで誘電体層１０４が回り込み、端子６と導電層３とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。また、誘電体層１０４の影響で、導電層１０３と端子５とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。
【０１０２】
同様に、誘電体非形成部１６に誘電体層４、１０４を形成しないことにより、導電層１０３の側面まで誘電体層４、１０４が回り込み、端子５と導電層１０３とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。また、誘電体層４、１０４の影響で、導電層３と端子６とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。
【０１０３】
（実施の形態６）
図６は実施の形態６に係るコンデンサ１００６の断面図である。図６において、図２に示す実施の形態２におけるコンデンサ１００２と同じ部分には同じ参照番号を付す。
【０１０４】
図６に示す実施の形態６に係るコンデンサ１００６では、導電層９の下面９Ｂは方向１００２Ｃの端に位置する誘電体非形成部１５を有し、導電層９の上面９Ａは方向１００２Ｄの端に位置する誘電体非形成部１６を有する。誘電体層４、１０は導電層８の上面８Ａの誘電体非形成部１５を除く部分に形成され、誘電体層４、１０が導電層８の上面８Ａの誘電体非形成部１６を除く部分に形成されている。
【０１０５】
図６に示すように、誘電体非形成部１５に誘電体層４を形成しないことにより、導電層８の側面まで誘電体層４が回り込み、端子６と導電層８とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。また、誘電体層４の影響で、導電層９と端子５とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。
【０１０６】
同様に、誘電体非形成部１６に誘電体層１０を形成しないことにより、導電層９の一端部側面まで誘電体層１０が回り込み、端子５と導電層９とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。また、誘電体層１０の影響で、導電層８と端子６とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。
【０１０７】
（実施の形態７）
図７は、実施の形態７に係るコンデンサ１００７の断面図である。図７において、図３に示す実施の形態３におけるコンデンサ１００３と同じ部分には同じ参照番号を付す。
【０１０８】
図７に示す実施の形態７に係るコンデンサ１００７では、導電層８の上面８Ａは方向１００３Ｄの端に位置する誘電体非形成部１１７を有し、導電層９の下面９Ｂは方向１００３Ｃの端に位置する誘電体非形成部１７を有する。誘電体層４は、誘電体非形成部１１７を除く導電層８の上面８Ａの部分と、誘電体非形成部１７を除く導電層９の下面９Ｂの部分に形成されている。
【０１０９】
図７に示すように、誘電体非形成部１７、１１７に誘電体層４を形成しないことにより、導電層８の側面まで誘電体層４が回り込み、端子６と導電層８とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。また、誘電体層４の影響で、導電層９と端子５とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。
【０１１０】
（実施の形態８）
図８は実施の形態８に係るコンデンサ１００８の断面図である。図８において、図４に示す実施の形態４のコンデンサ１００４と同じ部分には同じ参照符号を付す。
【０１１１】
図８に示す実施の形態８に係るコンデンサ１００８では、導電層８の上面８Ａは方向１００４Ｄの端に位置する誘電体非形成部１１７を有し、導電層９の下面９Ｂは方向１００４Ｃの端に位置する誘電体非形成部１７を有する。誘電体層４は、誘電体非形成部１１７を除く導電層８の上面８Ａの部分と、誘電体非形成部１７を除く導電層９の下面９Ｂの部分に形成されている。
【０１１２】
図８に示すように、誘電体非形成部１７に誘電体層４を形成しないことにより、導電層８の側面まで誘電体層４が回り込み、端子６と導電層８とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。また、誘電体層４の影響で、導電層９と端子５とが直流的に導通しないという不良の発生を抑圧できる。
【０１１３】
尚、図１Ａから図８はコンデンサ１００１〜１００８を概念的に示したものであり、厳密に、現実のコンデンサの断面図を示すものではない。また、誘電体層４、１０４、１０、１１０は、多層のナノシートの積層体であってもよいし、単層のナノシートであってもよい。
【０１１４】
（実施の形態９）
図９は実施の形態９に係るコンデンサ１００９の拡大断面図である。図９は、実施の形態１〜８のコンデンサ１００１〜１００８の基材２、導電層８、誘電体層４、導電層９の界面を示す。
【０１１５】
導電層８が設けられた基材２の上面２Ａには多数の凸凹部が形成されている。このような多数の凸凹部の表面に、スパッタや蒸着等のプロセスにより導電層８を形成する事により、基材２と導電層８との接着強度を増す事ができる。
【０１１６】
基材２の上面２Ａに多数の凸凹部を形成する方法としては、ドライエッチングや湿式エッチング等により、基材２の表面を荒らす方法が考えられる。
【０１１７】
誘電体層４が設けられる導電層８の上面８Ａにも、多数の凸凹部が形成されている。これにより、導電層８の表面積を増やす事が可能となり、コンデンサの容量を向上させることができる。
【０１１８】
導電層８の表面の多数の凸凹部は、基材２の表面上に形成された多数の凸凹部を基に形成してもよいし、導電層８の形成プロセス（スパッタや蒸着）の条件を調整する事のみで形成してもよい。また、これらの２つの方法を組合わせて、導電層８の表面に多数の凸凹部を形成してもよい。
【０１１９】
チタン酸化物やニオブ酸化物等のナノシートからなる誘電体層４は、導電層８の多数の凸凹部の表面上を概ね一定の厚みで覆うように形成される。
【０１２０】
図９において、導電層９は、誘電体層４の上面４Ａ上に設けられた導電性高分子層１８と、導電性高分子層１８の上面１８Ａに設けられたバックアップ金属層１９とで構成されている。導電性高分子層１８は、導電性を有した樹脂であり、金属と比較して、硬度が低く、柔軟性を有している。
【０１２１】
よって、導電層８の表面に形成された多数の凹凸部を変形させることを極力回避しながら誘電体層４の凹部に入り込む事ができる。これにより、コンデンサの電極間（導電層８と導電層９の間）に空域が発生する事を極力回避しつつ、電極間の対向面積を向上させることが可能となる。
【０１２２】
導電性高分子層１８を形成する方法としては、例えば、導電性高分子の粒子と分散剤とを含む分散液を誘電体層４上に配置した後、分散剤を少なくとも部分的に除去または／および硬化させる方法が考えられる。また、モノマーを誘電体層４上に配置した後、酸化剤や陽極酸化等の方法を用いて重合し、導電性高分子層１８を実現してもよい。
【０１２３】
図９において、導電性高分子層１８とバックアップ金属層１９との界面は平坦ではなく、適度に粗面化されている。これにより、導電性高分子層１８とバックアップ金属層１９の接着強度を向上させることができると共に、両者の接触面積が増えるため、抵抗率を下げる事ができる。導電性高分子層１８とバックアップ金属層１９との界面を粗面化する方法としては、導電性高分子層１８の上面をエッチングする方法が考えられる。エッチング剤としては、過マンガン酸カリなどが用いられる。尚、バックアップ金属層１９は、スパッタ、蒸着等により形成される。
【０１２４】
図９において、導電性高分子層１８の上面にバックアップ金属層１９を設けたのは、導電層９の実効的な導電率を高くするためである。通常、導電性高分子の導電率は、金属の導電率の数百分の一であり、バックアップ金属層１９を配置する事により、導電層９の実効的な導電率を小さくすることができる。
【０１２５】
具体的には、実施の形態４における第３工程の導電層９を形成するプロセスを実施の形態５における導電層９の形成に置き換えた構成が考えられる。
【０１２６】
図９においては、導電層９がバックアップ金属層１９を有した構成としたが、これに限る必要はなく、バックアップ金属層１９が無く、導電性高分子層１８のみで導電層９が構成されていてもよい。これにより、製造プロセスを簡略化できる。
【０１２７】
図１０Ａは、実施の形態９における他のコンデンサ１００９Ａの拡大断面図である。図１０Ａにおいて、図９に示す実施の形態９におけるコンデンサ１００９と同じ部分には同じ参照番号を付す。図１０Ａに示す導電層９はバックアップ金属層１９を備えず、導電層９は導電層８よりも柔らかい。導電層８と比較して導電層９が柔らかいので、図１０Ａにおける上下方向に加圧すると、導電層８が概ね形状変化しない反面、導電層９のみが概ね形状変化し、誘電体層４の凹部に入り込む。これにより、コンデンサの電極間（導電層８と導電層９の間）に空域が発生する事を極力回避しつつ、電極間の対向面積を向上させることが可能となる。
【０１２８】
図１０Ａにおいて、導電層８と導電層９とは異なる金属を用いてもよいし、同一の金属を用いても良い。同一の金属を用いる場合には、導電層９が導電層８よりも柔らかくなるように導電層８と導電層９との形成プロセスの条件を異ならせる。
【０１２９】
実施の形態１におけるコンデンサ１００１では、第２工程で得られる一対の構造体５０、１５０での導電層３、１０３の硬度は概ね同様の値となっているが、上記のように、対となる構造体５０、１５０の導電層３、１０３の硬度を異ならせると共に、誘電体層の表面に多数の凸凹部を設け、さらに導電層３の表面に多数の凸凹部を設けることにより、導電層８、９の表面積を増大させて高容量化を図る事ができると共に、構造体５０、１６０の接着強度を向上させることもできる。
【０１３０】
実施の形態２においても、導電層８の硬度と導電層９の硬度を異ならせると共に、誘電体層４、１０の少なくとも１つの表面に多数の凸凹部を設けることで、導電層８．９の表面積を増大させて高容量化を図る事ができると共に、各層の密着性を向上できる。
【０１３１】
実施の形態３においても、導電層８の硬度と導電層９の硬度を異ならせると共に、誘電体層４と導電層９の少なくとも１つの表面に多数の凸凹部を設けることで、導電層８、９の表面積を増大させて高容量化を図る事ができると共に、各層の密着性を向上できる。
【０１３２】
実施の形態４においても、導電層８の硬度と導電層９の硬度を異ならせると共に、誘電体層４の表面に多数の凸凹部を設ければ、導電層８、９の表面積を増大させて高容量化を図る事ができると共に、各層の密着性を向上できる。
【０１３３】
尚、ナノシートを形成する上で用いられる酸化物ナノシート単体は、数原子相当の厚さしか有しておらず、その厚さは概ね０．３ｎｍ〜２ｎｍ、長さと幅は１０ｎｍから１ｍｍ程度のサイズを有している。例えば、導電層８の表面に配置された付着補助層（具体的にはカチオン等の層）を接着層として、導電層８の表面に多数の酸化物ナノシート単体が敷き詰められていき、誘電体層４は形成される。ここで、図９において、導電層８の表面に形成された凹凸部の凸部間の平均距離は、上記の酸化物ナノシート単体の長さ及び幅よりも大きく設定されても良い。これにより、凹部にも酸化物ナノシート単体が入り込みやすくなり、誘電体層４に小孔が形成される事を防止できる。
【０１３４】
尚、図９においては、導電層８が形成される基材２の上面２Ａのみに多数の凸凹部を形成したが、基材２の下面２Ｂにも多数の凸凹部を形成してもよい。
【０１３５】
図１０Ｂは、実施の形態９におけるさらに他のコンデンサ１００９Ｂの拡大断面図である。図１０Ｂにおいて、図９に示す実施の形態９におけるコンデンサ１００９と同じ部分には同じ参照番号を付す。図１０Ｂに示すコンデンサ１００９Ｂでは、導電層８の上面８Ａには、上面８Ａ全体を被覆する絶縁コート層６８が設けられている。これにより、もしもナノシートにより実現された誘電体層４に小孔が空いていた場合に、導電層８と導電層９とが短絡する事を防止できる。
【０１３６】
図１０Ｃは、実施の形態９におけるさらに他のコンデンサ１００９Ｃの拡大断面図である。図１０Ｃにおいて、図９に示す実施の形態９におけるコンデンサ１００９と同じ部分には同じ参照番号を付す。図１０Ｃに示すコンデンサ１００９Ｃでは、ナノシートにより実現された誘電体層４の上面４Ａ全体を被覆する絶縁コート層６４が設けられている。これによっても、もしもナノシートにより実現された誘電体層４に小孔が空いていた場合に、ナノシートの小孔に絶縁コート層６４が入り込み、結果、導電層８の一部表面が絶縁コート剤で被覆され、導電層８と導電層９とが短絡する事を防止できる。また、この場合に、導電層８の上面に塗布された絶縁コート層の表面を平坦化すれば、導電層８の小孔や凹部を中心に絶縁コート層が入り込み、誘電体層４の一部表面にのみ絶縁コート層が被覆された状態となる。これにより、導電層８と導電層９との間に空域が発生する事を回避でき、コンデンサの容量が低減されることを防止できる。
【０１３７】
尚、絶縁コート層６４、６８は、被覆対象に塗布する前はペースト状又は液体状で、塗布後、硬化させる事が可能な絶縁材料からなる。その絶縁材料として例えば、ポリプロピレンやポリフェニレンサルファイドなどが挙げられるが、これら材料に限定されない。
【０１３８】
（実施の形態１０）
図１１は実施の形態１０に係るコンデンサ１０１０の拡大断面図である。図１１は、実施の形態１〜８におけるコンデンサ１００１〜１００８の基材２、導電層８、誘電体層４、導電層９の界面を示す。
【０１３９】
基材２の上面２Ａ、下面２Ｂには、その製造プロセス上において、凹凸が発生している。これを平坦化するため、基材２の上面２Ａには絶縁コート層２０が形成されており、基材２の下面２Ｂには絶縁コート層２１が形成されている。
【０１４０】
平坦化された絶縁コート層２０の上面には、導電層８がスパッタや蒸着により形成され、平坦化された絶縁コート層２１の下面には、導電層９がスパッタや蒸着により形成される。平坦化された絶縁コート層２０や絶縁コート層２１の表面に導電層８や導電層９が形成されるので、導電層８や導電層９の表面も概ね平坦なものとなる。
【０１４１】
更に、導電層８の表面には誘電体層４が形成され、導電層９の表面には誘電体層１０が形成されている。誘電体層４と誘電体層１０は、概ね平坦な導電層８と導電層９の表面に形成されるので、誘電体層４と誘電体層１０の表面も概ね平坦なものとなる。
【０１４２】
図１１に示した構成を積層してコンデンサを実現した場合、相互に密着される面が概ね平坦なものとなるため、導電層８と導電層９の間に空域が発生しにくく、コンデンサの容量が低減されることを防止できる。
【０１４３】
図１２は実施の形態１０における他のコンデンサ１０１０Ａの拡大断面図である。図１２において、図１１に示すコンデンサ１０１０と同じ部分には同じ参照番号を付す。図１２に示すコンデンサ１０１０Ａは、絶縁コート層２０、２１を有しておらず、導電層８、９が導電性高分子よりなり、基材２の表面の凹凸を平坦化することができ、製造工程を簡略化できる。また、図９に示すコンデンサ１００９と同様に、導電層８、９のそれぞれが導電性高分子層とバックアップ金属層よりなっていてよく、これにより導電層８、９の導電率を大きくすることができる。
【０１４４】
上記の実施の形態において、「上面」「下面」等の方向を示す用語は誘電体層や導電層等のコンデンサの構成部品の相対的な位置関係にのみ依存する相対的な方向を示し、鉛直方向等の絶対的な方向を示すものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明のコンデンサは小型でありながら大きな容量を有しているので、移動体通信用携帯電話やノートパソコン等の小型の電子機器に利用する事ができる。
【符号の説明】
【０１４６】
２    基材
３    導電層（第１の導電層）
４    誘電体層（第１の誘電体層）
７    導体非形成部
８    導電層（第１の導電層）
９    導電層（第２の導電層）
１０    誘電体層（第２の誘電体層）
１３    導体非形成部
１４    導体非形成部
１５    誘電体非形成部
１６    誘電体非形成部
１７    誘電体非形成部
１８    導電性高分子層
１９    バックアップ金属層
２０    絶縁コート層
２１    絶縁コート層
５０    構造体（第１の構造体、第２の構造体）
５１    構造体（第１の構造体、第２の構造体）
６０    構造体（第１の構造体、第２の構造体）
６１    構造体（第１の構造体、第２の構造体）
１０３    導電層（第２の導電層）
１０４    誘電体層（第２の誘電体層）
【図１Ａ】
2010143410.tif 000003
【図１Ｂ】
2010143410.tif 000004
【図２】
2010143410.tif 000005
【図３】
2010143410.tif 000006
【図４】
2010143410.tif 000007
【図５】
2010143410.tif 000008
【図６】
2010143410.tif 000009
【図７】
2010143410.tif 000010
【図８】
2010143410.tif 000011
【図９】
2010143410.tif 000012
【図１０Ａ】
2010143410.tif 000013
【図１０Ｂ】
2010143410.tif 000014
【図１０Ｃ】
2010143410.tif 000015
【図１１】
2010143410.tif 000016
【図１２】
2010143410.tif 000017
【図１３】
2010143410.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成22年10月18日(2010.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機フィルムよりなる基材と、
前記基材の上面に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層の上面に設けられた、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上面に設けられた、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層の上面に設けられた第２の導電層と、
を備え、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサ。
【請求項２】
前記基材の前記上面は、第１の方向の端に位置する第１の導体非形成部を有し、
前記第１の導電層は、第１の導体非形成部を除く前記基材の前記上面の部分に設けられ、
前記第２の誘電体層の前記上面は、前記第１の方向の反対の第２の方向の端に位置する第２の導体非形成部を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の導体非形成部を除く前記第２の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第１の導電層の前記上面は前記第２の方向の端に位置する第１の誘電体非形成部を有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の誘電体非形成部を除く前記第１の導電層の前記上面の部分に設けられている、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記第１の誘電体層は、前記第１の方向の端に前記第２の誘電体非形成部を除く前記基材の前記上面の部分に設けられている、請求項２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
基材と、
前記基材の上面に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層の上面に設けられた、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上面に設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層の上面に設けられた、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第２の誘電体層と、
を備え、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサ。
【請求項５】
前記第１の誘電体層の前記上面は、第１の方向の端に位置する第１の導体非形成部を有し、
前記第２の誘電体層の前記上面は、前記第１の方向の反対の第２の方向の端に位置する第２の導体非形成部を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の導体非形成部を除く前記第１の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第２の導電層は、前記第２の導体非形成部を除く前記第２の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第１の導電層の前記上面は、前記第１の方向と前記第２の方向のうちの一方の端に位置する誘電体非形成部を有し、
前記第２の誘電体層は、前記誘電体非形成部を除く前記第１の導電層の前記上面の部分に設けられている、請求項４に記載のコンデンサ。
【請求項６】
（削除）
【請求項７】
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層の比誘電率は３０以上である、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の内、少なくとも一方は、その一部又は全部が導電性高分子よりなる、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項９】
前記第１の導電層と前記第２の導電層のうちの少なくとも一方の表面は凹凸部を有している、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項９に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
前記基材の表面は凹凸部を有している、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項１１に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
前記基材の上面と下面のうちの少なくとも一方の少なくとも一部を被覆する絶縁コート層をさらに備えた、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項１４】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、前記第１の導電層の上面に０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第１の誘電体層を設けることにより第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
前記第２の導電層を設けるステップの後で、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第２の誘電体層を前記第２の導電層の下面に設けることにより第２の構造体を作製するステップと、
前記第１の導電層と前記第２の導電層が前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とを介して対向するように、前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１５】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、前記第１の導電層の上面に第１の誘電体層を設けるステップと、
前記第１の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
前記第２の導電層を設けるステップの後で、第２の誘電体層を前記第２の導電層の下面に設けるステップと、
を含む第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を設けるステップと、
前記第３の導電層を設けるステップの後で、第３の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の基材の下面に第４の導電層を設けるステップと、
前記第４の導電層を設けるステップの後で、第４の誘電体層を前記第４の導電層の下面に設けるステップと、
を含む第２の構造体を作製するステップと、
前記第２の誘電体層と前記第４の誘電体層とを介して前記第２の導電層と前記第４の導電層とが対向するように、前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層と前記第４の誘電体層とはそれぞれ０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第３の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第４の誘電体層は、前記第４の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１６】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、第１の誘電体層を前記第１の導電層の上面に設けるステップと、
前記第１の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
を含む第１の構造体を設けるステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を設けるステップと、
前記第３の導電層を設けるステップの後で、第２の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の基材の下面に第４の導電層を設けるステップと、
を含む第２の構造体を設けるステップと、
前記第１の導電層が、前記第１の誘電体層を介して、前記第４の導電層と対向するように前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とはそれぞれ０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１７】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を配置するステップと、
第１の誘電体層を前記第１の導電層の上面に設けるステップと、
前記第１の誘電体層を設けるステップの後で、前記第１の誘電体層の上面に第２の導電層を設けるステップと、
を含む、第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を配置するステップと、
第２の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の誘電体層を設けるステップの後で、前記第２の誘電体層の上面に第４の導電層を設けるステップと、
を含む、第２の構造体を作製するステップと、
前記第２の導電層の上面が、前記第２の基材を介して、前記第３の導電層と対向するように前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とはそれぞれ０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１８】
前記第１の導電層と前記第２の導電層と前記第３の導電層と前記第４の導電層のうちの少なくとも１つは導電性高分子を含有する、請求項１５から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１９】
前記第１の導電層と前記第２の導電層と前記第３の導電層と前記第４の導電層のうちの少なくとも１つの表面に凹凸部が形成されている、請求項１５から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２０】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項１９に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２１】
前記第１の基材の表面に凹凸部が形成されている、請求項１５から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２２】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている請求項２１に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２３】
前記第１の基材は、前記第１の誘電体層の上面と下面のうち少なくとも一方の表面の少なくとも一部に設けられた絶縁コート層を有する、請求項１４から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２４】
前記第１の導電層と前記第２の導電層のうちの少なくとも一方の表面の少なくとも一部は絶縁コート層により被覆されている、請求項１４から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２５】
前記第１の誘電体層の表面の少なくとも一部は絶縁コート層により被覆されている、請求項１４から１７のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年9月15日(2011.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
実施の形態１におけるコンデンサ１００１では、第２工程で得られる一対の構造体５０、１５０での導電層３、１０３の硬度は概ね同様の値となっているが、上記のように、対となる構造体５０、１５０の導電層３、１０３の硬度を異ならせると共に、誘電体層の表面に多数の凸凹部を設け、さらに導電層３の表面に多数の凸凹部を設けることにより、導電層８、９の表面積を増大させて高容量化を図る事ができると共に、構造体５０、１５０の接着強度を向上させることもできる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機フィルムよりなる基材と、
前記基材の上面に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層の上面に設けられた、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上面に設けられた、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第２の誘電体層と、
前記第２の誘電体層の上面に設けられた第２の導電層と、
を備え、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサ。
【請求項２】
前記基材の前記上面は、第１の方向の端に位置する第１の導体非形成部を有し、
前記第１の導電層は、第１の導体非形成部を除く前記基材の前記上面の部分に設けられ、
前記第２の誘電体層の前記上面は、前記第１の方向の反対の第２の方向の端に位置する第２の導体非形成部を有し、
前記第２の導電層は、前記第２の導体非形成部を除く前記第２の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第１の導電層の前記上面は前記第２の方向の端に位置する第１の誘電体非形成部を有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の誘電体非形成部を除く前記第１の導電層の前記上面の部分に設けられている、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
前記基材の前記上面は、前記第１の方向の端に位置する第２の導体非形成部をさらに有し、
前記第１の誘電体層は、前記第２の誘電体非形成部を除く前記基材の前記上面の部分に設けられている、請求項２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
基材と、
前記基材の上面に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層の上面に設けられた、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第１の誘電体層と、
前記第１の誘電体層の上面に設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層の上面に設けられた、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第２の誘電体層と、
を備え、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサ。
【請求項５】
前記第１の誘電体層の前記上面は、第１の方向の端に位置する第１の導体非形成部を有し、
前記第２の誘電体層の前記上面は、前記第１の方向の反対の第２の方向の端に位置する第２の導体非形成部を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の導体非形成部を除く前記第１の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第２の導電層は、前記第２の導体非形成部を除く前記第２の誘電体層の前記上面の部分に設けられ、
前記第１の導電層の前記上面は、前記第１の方向と前記第２の方向のうちの一方の端に位置する誘電体非形成部を有し、
前記第２の誘電体層は、前記誘電体非形成部を除く前記第１の導電層の前記上面の部分に設けられている、請求項４に記載のコンデンサ。
【請求項６】
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層の比誘電率は３０以上である、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項７】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の内、少なくとも一方は、その一部又は全部が導電性高分子よりなる、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記第１の導電層と前記第２の導電層のうちの少なくとも一方の表面は凹凸部を有している、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項９】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項５に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
前記基材の表面は凹凸部を有している、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項１０に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
前記基材の上面と下面のうちの少なくとも一方の少なくとも一部を被覆する絶縁コート層をさらに備えた、請求項１または４に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、前記第１の導電層の上面に０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第１の誘電体層を設けることにより第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
前記第２の導電層を設けるステップの後で、０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有する第２の誘電体層を前記第２の導電層の下面に設けることにより第２の構造体を作製するステップと、
前記第１の導電層と前記第２の導電層が前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とを介して対向するように、前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１４】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、前記第１の導電層の上面に第１の誘電体層を設けるステップと、
前記第１の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
前記第２の導電層を設けるステップの後で、第２の誘電体層を前記第２の導電層の下面に設けるステップと、
を含む第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を設けるステップと、
前記第３の導電層を設けるステップの後で、第３の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の基材の下面に第４の導電層を設けるステップと、
前記第４の導電層を設けるステップの後で、第４の誘電体層を前記第４の導電層の下面に設けるステップと、
を含む第２の構造体を作製するステップと、
前記第２の誘電体層と前記第４の誘電体層とを介して前記第２の導電層と前記第４の導電層とが対向するように、前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層と前記第３の誘電体層と前記第４の誘電体層とはそれぞれ０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第２の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第３の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第４の誘電体層は、前記第４の導電層の前記下面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１５】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を設けるステップと、
前記第１の導電層を設けるステップの後で、第１の誘電体層を前記第１の導電層の上面に設けるステップと、
前記第１の基材の下面に第２の導電層を設けるステップと、
を含む第１の構造体を設けるステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を設けるステップと、
前記第３の導電層を設けるステップの後で、第２の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の基材の下面に第４の導電層を設けるステップと、
を含む第２の構造体を設けるステップと、
前記第１の導電層が、前記第１の誘電体層を介して、前記第４の導電層と対向するように前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とはそれぞれ０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１６】
有機フィルムよりなる第１の基材の上面に第１の導電層を配置するステップと、
第１の誘電体層を前記第１の導電層の上面に設けるステップと、
前記第１の誘電体層を設けるステップの後で、前記第１の誘電体層の上面に第２の導電層を設けるステップと、
を含む、第１の構造体を作製するステップと、
有機フィルムよりなる第２の基材の上面に第３の導電層を配置するステップと、
第２の誘電体層を前記第３の導電層の上面に設けるステップと、
前記第２の誘電体層を設けるステップの後で、前記第２の誘電体層の上面に第４の導電層を設けるステップと、
を含む、第２の構造体を作製するステップと、
前記第２の導電層の上面が、前記第２の基材を介して、前記第３の導電層と対向するように前記第１の構造体と前記第２の構造体とを重ね合わせるステップと、
を含み、
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とはそれぞれ０．３ｎｍ以上５０ｎｍ以下の厚みを有し、
前記第１の誘電体層は、前記第１の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなり、
前記第２の誘電体層は、前記第３の導電層の前記上面に敷き詰められた複数の金属酸化物片よりなる、コンデンサの製造方法。
【請求項１７】
前記第１の導電層と前記第２の導電層と前記第３の導電層と前記第４の導電層のうちの少なくとも１つは導電性高分子を含有する、請求項１４から１６のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１８】
前記第１の導電層と前記第２の導電層と前記第３の導電層と前記第４の導電層のうちの少なくとも１つの表面に凹凸部が形成されている、請求項１４から１６のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１９】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている、請求項１８に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２０】
前記第１の基材の表面に凹凸部が形成されている、請求項１４から１６のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２１】
前記第１の導電層と前記第２の導電層の硬度は異なっている請求項２０に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２２】
前記第１の基材は、前記第１の誘電体層の上面と下面のうち少なくとも一方の表面の少なくとも一部に設けられた絶縁コート層を有する、請求項１３から１６のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２３】
前記第１の導電層と前記第２の導電層のうちの少なくとも一方の表面の少なくとも一部は絶縁コート層により被覆されている、請求項１３から１６のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【請求項２４】
前記第１の誘電体層の表面の少なくとも一部は絶縁コート層により被覆されている、請求項１３から１６のいずれか１つに記載のコンデンサの製造方法。
【国際調査報告】
2010143410.tif 000019
2010143410.tif 000020
2010143410.tif 000021
2010143410.tif 000022