【事件の表示】
　特許第３１５０３０６号「還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法」の請求項１ないし２５に係る特許に対する特許異議の申立てについて、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第３１５０３０６号の請求項１ないし２５に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本件特許第３１５０３０６号は、平成５年７月９日（パリ条約による優先権主張１９９２年７月９日および１９９３年６月２１日、アメリカ合衆国、）に出願した特願平５−１９３９４０号出願の一部を新たな特許出願として出願され、平成１３年１月１９日にその発明について特許の設定登録がなされた。　
　本件特許公報は、平成１３年３月２６日に発行され、その特許に対して、東京応化工業株式会社より特許異議の申立がなされた。　
II．特許異議申立について　
１．本件発明
　本件請求項１〜２５に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜２５に記載された次のとおりのものである。　
「【請求項１】　下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む、レジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去することができる除去用組成物：
（ａ）下記化学式１及び２で示す化合物及び下記化学式３で示すヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する求核アミン化合物の１種または２種以上を約５〜約５０重量％，　
　　
［式中、Ｒ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ は、それぞれ独立に，水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ５ ，Ｒ６ 及びＲ７ の全部が水素であることはない］　
  
   
 　
［式中、Ｒ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０の全部が水素であることはない］及び　
 
 　　
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４の全部が水素であることはない］；　
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上を約１０〜約８０重量％；及び　
（ｃ）水、　
であって，前記求核アミン化合物と有機溶剤とが、基板からレジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去するのに十分な量で存在している組成物。　
【請求項２】　前記求核アミン化合物がヒドロキシルアミンの誘導体である請求項１記載の組成物。　
【請求項３】　前記求核アミン化合物がヒドラジンの誘導体である請求項１記載の組成物。　
【請求項４】　基板からレジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去することができる、レジスト及び／又はエッチング残留物を有する基板に下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む組成物を接触させることを含む方法であって、　
（ａ）下記化学式４及び５で示す化合物及び下記化学式６で示すヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する求核アミン化合物の１種または２種以上を約５〜約５０重量％、　
    
［式中、Ｒ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり，かつ、式中のＲ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ の全部が水素であることはない］　
　　
［式中、Ｒ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０は，それぞれ独立に、水素、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり，かつ式中のＲ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０の全部が水素であることはない］及び　
　　
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４の全部が水素であることはない］；　
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上を約１０〜約８０重量％；及び　
（ｃ）水、　
であって、前記組成物を前記基板から前記エッチング残留物及びレジストのいずれをも除去するのに十分な温度及び時間で前記基板と接触させる方法。　
【請求項５】　前記求核アミン化合物がヒドロキシルアミンの誘導体である請求項４記載の方法。　
【請求項６】　前記求核アミン化合物がヒドラジンの誘導体である請求項４記載の方法。　
【請求項７】　前記求核アミン化合物が、レジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去するために、前記組成物が、レジスト及び／又はエッチング残留物を有する基板と接触されるために使用されるまでは，前記有機溶剤から分離した状態に維持しておく請求項４記載の方法。　
【請求項８】　前記有機溶剤がアルカノールアミンである請求項４記載の方法。　
【請求項９】　前記アルカノールアミンがアミノアルコキシアルカノールである請求項８記載の方法。　
【請求項１０】　前記アルカノールアミンが炭素分子１から５を含有するアルカノール基を少なくとも１種有する請求項８記載の方法。　
【請求項１１】　前記アルカノールアミンがモノアミンまたはジアミンである請求項８記載の方法。　
【請求項１２】　前記アルカノールアミンが下記化学式；　
　　　　　Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ　
［式中、Ｒ１ 及びＲ２ は、Ｈ、ＣＨ３ 、ＣＨ３ ＣＨ２ 、またはＣＨ２ ＣＨ２ ＯＨである］を有する請求項８記載の方法。　
【請求項１３】　前記基板が半導体ウエフアーである請求項４記載の方法。　
【請求項１４】　前記温度が室温から約１００℃の範囲である請求項４記載の方法。　
【請求項１５】　前記時間が約２分から約６０分の範囲である請求項４記載の方法。　
【請求項１６】　Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを約５〜約５０重量％、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも１種の有機溶剤を約１０〜約８０重量％、及び水を含み、前記Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン及び前記少なくとも１種の有機溶剤が、基板からエッチング残留物及びレジストのいずれをも除去するのに十分な量で存在する、レジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去することができる除去用の組成物。
【請求項１７】　前記有機溶剤がジグリコールアミンである請求項１６の組成物。　
【請求項１８】　前記ジグリコールアミンが約６０重量％またはそれ以上存在する請求項１７記載の組成物。　
【請求項１９】　前記Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンが約１７．５重量％存在し，前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上存在し、水が約１７．５重量％存在する請求項１７の組成物。
【請求項２０】　基板からレジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去する方法であって、レジスト及び／又はエッチング残留物を有する基板に、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを約５〜約５０重量％、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも１種の有機溶剤を約１０〜約８０重量％、及び水を含む組成物を接触させることを含み、前記組成物を前記基板からレジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去するのに十分な温度及び時間で前記基板と接触させる方法。　
【請求項２１】　前記有機溶剤がジグリコールアミンである請求項２０記載の方法。　
【請求項２２】　前記ジグリコールアミンは約６０重量％又はそれ以上存在する請求項２１記載の方法。　
【請求項２３】　Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンが約１７．５重量％存在し，ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上存在し，水が約１７．５重量％存在する請求項２１記載の方法。　
【請求項２４】　前記有機溶剤がモノエタノールアミンである請求項２０記載の方法。　
【請求項２５】　前記有機溶剤がモノイソプロパノールアミンである請求項２０記載の方法。」　
２．特許異議申立の理由の概要　
　特許異議申立人は、　
甲第１号証　ヨーロッパ特許出願公開第４８５１６１号明細書　
甲第２号証　「化学大辞典　２　縮刷版」共立出版（１９８９年８月１５日縮刷第３４２版発行）　　　　　　第８７５〜８７６頁　
甲第３号証　特開昭６０−２１０８４３号公報　
甲第４号証　特許第３０４８２０７号公報　
を提出して、　
請求項１〜２５に係る発明は、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項に規定する発明に該当すること、並びに、　
請求項１〜６、８〜１５に係る発明は、甲第４号証に係る発明と同一であるから、特許法第３９条第１項に規定する発明に該当すること、　
により、これらの請求項に係る特許は、拒絶しなければならない特許出願に対して特許されたものであるからその特許を取り消すべき旨主張する。
３．甲号各証の検討　
　甲第１号証には、　
ａ．「（請求項１）　レジストを基板から除去するための組成物であって、ヒドロキシルアミンと、該ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくとも１種のアルカノールアミンを含み、前記ヒドロキシルアミンと前記アルカノールアミンがレジストを基板から除去するに十分な量で存在する組成物。　
（請求項２）　前記ヒドロキシルアミンが約５〜９０重量％存在する請求項１記載の組成物。　
（請求項３）　前記少なくとも１種のアルカノールアミンが約１０〜９５重量％存在する請求項１または２記載の組成物。　
（請求項４）　少なくとも１種の極性溶媒をさらに含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。　
（請求項５）　前記少なくとも１種の極性溶媒が約５〜８５重量％存在する請求項４記載の組成物。　
（請求項６）　前記少なくとも１ 種の極性溶媒が、エチレングリコール、エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、ブロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリドン、エチレンジアミンおよびエチレントリアミンからなる群から選択される請求項４または５記載の組成物。　
（請求項７）　前記少なくとも１種のアルカノールアミンのアルカノール基が炭素原子数１〜　５を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。　
（請求項８）　前記少なくとも１種のアルカノールアミンが、モノアミン、ジアミンおよびトリアミンからなる群から選択される請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。　
（請求項９）　前記少なくとも１種のアルカノールアミンが　
　　　Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｒ３　　（式中のＲ１およびＲ２は、Ｈ、ＣＨ３，ＣＨ３ＣＨ２またはＣＨ２ＣＨ２ＯＨであり、Ｒ３はＣＨ２ＣＨ２ＯＨである）で示される請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。　
（請求項１０）　レジストで覆われた基板に、ヒドロキシルアミンと、該ヒドロキシルアミンと混和性のある少なくとも１種のアルカノールアミンを含む組成物を，前記レジストを基板から除去するに十分な温度と時間で接触させる工程を含む、基板からレジストを除去する方法。
（請求項１１）　前記レジストがホトレジストである請求項１０記載の方法。　
（請求項１２）　前記レジストがポリイミド被膜である請求項１０記載の方法。　
（請求項１３）　前記基板が半導体ウエファーである請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。　
（請求項１４）　前記温度が５０〜１５０℃である請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の方法。　
（請求項１５）　前記時間が２〜３０分間である請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の組成物。　
（請求項１６）　前記組成物が請求項２〜９のいずれか１項に記載の組成物である請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の方法。」（特許請求の範囲）に関する発明が記載され、　
ｂ．従来技術の課題として、半導体微細回路の製造工程において、「基板にエッチングその他の方法で回路パターンを形成するためのパターン形成用マスキング材としてポジ型のホトレジストが広く使用されてきた。基板加工の最終段階の工程で、該マスキング用レジスト材（非露光部）を基板から除去する。しかし、基板へのパターン形成に、プラズマエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリングが盛んに行われるようになり、従来からレジスト除去の目的で一般的に使用されているレジスト剥離剤、例えば塩化メチレンまたはテトラクロルエチレン等のハロゲン化炭化水素；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ピロリドン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアミン及びその誘導体；エチレングリコ一ルモノエチルエーテル、２−ブトキシエタノール、２−（ブトキシ−エトキシ）エタノール等のグリコールエーテル；ジエチルスルホン等のアルキルスルホンの１種または２種以上の溶剤を含む剥離剤によってレジストマスクを除去することは，実質的に不可能となっている。」（第２頁第９〜１８行）こと、　
ｃ．「さらに、上記したようなエッチング過程において、有機金属化合物がサイドウオール（側壁）ポリマー材として形成される。上記した各溶剤は、このサイドウオール有機金属ポリマーを除去するのにも効果的でない。ホトレジストの除去に効果があるとして最近開発された技術に、プラズマアッシングとしても知られるプラズマ酸化法がある。しかしながら，このプラズマアッシング法は、ホトレジストの剥離には効果的であるが、エッチング過程で形成されるサイドウオール有機金属ポリマーを除去するのには効果的でない。」（第２頁第１９〜２３行）こと、　
ｄ．そのために甲第１号証の発明では、「第１に、本発明は、基板からレジストを除去するに十分な量のヒドロキシルアミンと，それと混和可能な少なくとも１つのアルカノールアミンを含む剥離組成物を提供する。上記剥離組成物は，１種または２種以上の極性溶媒を含有してもよい。極性溶媒の添加により該剥離組成物の効果が強められる。該剥離組成物によって基板からレジストがきれいに除去される。本発明の剥離組成物は、基板からホトレジスト材を除去するのに特に適しており、より詳細には、半導体集積回路の製造工程において、後続の作業に悪影響や妨害をすることなく，基板からホトレジスト材を除去するのに特に適している。さらに、本発明の剥離組成物は、硬化されたポリマーレジスト（例えば、部分的あるいは完全に硬化されたポリイミド被膜）を基板から除去するのに適しており、また、プラズマエッチング工程で形成された有機金属ポリマーを除去するのに適している。」（第２頁第３１〜４４行）こと、　
ｅ．「本発明で用いるのに好適なアルカノールアミンは、前記ヒドロキシルアミンとの混和性を有し、水溶性であることが好ましい。」（第２頁第５４〜５５行）こと、　
ｆ．アルカノールアミンは具体的には、「アルカノールアミンとしては第１、第２、または第３アミン類が適しており、好くましくはモノアミン、ジアミンまたはトリアミンであり、なかでもモノアミンが特に好ましい。アミンのアルカノール基には１〜５の炭素原子を有するものが好ましい。　
　本発明に用いるのに好適なアルカノールアミンは、式　
　　　　Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−Ｒ３（式中のＲ１およびＲ２は、Ｈ、ＣＨ３、ＣＨ３ＣＨ２またはＣＨ２ＣＨ２ＯＨであり、Ｒ３はＣＨ２ＣＨ２ＯＨである）で示すことができる。　
　本発明に適するアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第三ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミン、２−アミノ−２−プロパノール、３−アミノ−１−プロパノール、イソブタノールアミン、２−アミノ（２−エトキシエタノール）及び２−アミノ（２−エトキシ）プロパノールが例示される。」（第２頁第５７行〜第３頁第６行）こと、　
ｇ．極性溶媒については、「本発明で用いるのに適する極性溶媒として、エチレングリコール，エチレングリコールアルキルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエーテル，Ｎ−置換ピロリドン、エチレンジアミン及びエチレントリアミンが挙げられる。本発明組成物には当業分野で知られている極性溶媒を添加することができる。」（第３頁第７〜１１行）こと、　
ｈ．適用される基板については、「本発明剥離組成物が、基板自体を損傷することなく、ホトレジストを除去できる基板として、アルミニウム、チタン／タングステン、アルミニウム／ケイ素、アルミニウム／ケイ素／銅などの金属基板や、酸化ケイ素、窒化ケイ素、およびガリウム／ヒ素等の基板が挙げられる。」（第３頁第２４〜２７行）こと、　
ｉ．適用条件として、「本発明剥離組成物を用いてレジストや他の物質を除去する方法において，レジストを有する基板に、本発明剥離組成物を、該レジス卜を除去するに十分な時間と温度で接触させる工程を含む。この時間と温度は、基板から除去される物質により定められるが、通常、温度は約５０〜１５０℃の範囲で、接触時間は約２〜３０分間である。」（第３頁第２８〜３２行）こと、が記載されている。　
　甲第２号証には、　
ｊ．極性溶媒の代表的なものは、水、アルコールであることが記載されている。　
　甲第３号証には、　
ｋ．「基板に被着した未露光のポジ型フォトレジストを除去するに際し、（イ）水加ヒドラジン４０％〜９５％（重量）、（ロ）ケトンの少なくとも一種５％〜２０％（重量）および（ハ）水またはアルコールの少なくとも一種０％〜５５％（重量）を含有する溶液と接触させることを特徴とするポジ型フォトレジストの除去方法。」（特許請求の範囲第１項）に関する発明が記載され、　
ｌ．除去される未露光のポジ型フォトレジストについては、「従来、この写真食刻法において、露光、現像、ポストベーク工程を経、エッチングされた後の基板に被着した未露光のポジ型フォトレジストの除去工程の剥離剤としては、たとえば、イソプロピルアルコール、アセトン、メチルエチルケトンメチルイソブチルケトン、メチルセロソルブなどの有機溶剤；コリン溶液；あるいは硫酸−過酸化水素液がさらにはアンモニア水が知られている。　
　上記したポストベーク工程の温度が１８０℃以上の如き比較的高温である場合には、上述の有機溶剤系、コリン系ごとき剥離剤では充分に剥離、除去できないか、または剥離、除去に長時間を要するなどの難点がある。また、硫酸−過酸化水素水液は、アルミ蒸着したものには使用し得ないなど対象が限定される難点がある。本発明者らは、上記の事情に鑑み、特に１３０℃以上の高温でポストベークされたポジ型フォトレジストの除去につき種々検討し、本発明を為した。すなわち本発明は基板に被着した未露光のポジ型フォトレジストを除去するに際し、・・・・・から成る溶液と接触させることを特徴とし、さらに超音波洗浄を併用する方法である。」（第２頁左上欄第８行〜右上欄第１５行）と記載され、　
ｍ．具体的には、ポジ型フォトレジストを基板上に塗布、熱処理（プリベーク）後、露光、現像したパターンを、（イ）水加ヒドラジン４０％〜９５％（重量），（ロ）ケトンの少なくとも一種５％〜２０％（重量）および（ハ）水またはアルコールの少なくとも一種０％〜５５％（重量）を含有する溶液に接触させて，未露光部を除去したこと（第３頁左上欄第４行〜左下欄第１４行）が記載されている。　
　甲第４号証の特許請求の範囲には、　
「【請求項１】　下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を含む、レジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去するための組成物であって、　
（ａ）化学式１を有する化合物、化学式２を有する化合物、化学式３を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する１種又は２種以上の求核アミン化合物を約５〜約５０重量％，　
　【化１】　
　
［式中、Ｒ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ は、それぞれ独立に，水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩及びそれらの誘導体である］　
  【化２】　
    
［式中、Ｒ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０の全部が水素であることはない］及び　
【化３】　
　　
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩である］；　
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上を約１０〜約８０重量％；及び　
（ｃ）化学式４を有する化合物、化学式５を有する化合物、化学式６を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式７で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の１種または２種以上を約２．５〜約３０重量％、　  
【化４】　
　　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］　
【化５】　
　　
［式中、Ｒ１７は、ＯＨ又はＣＯＯＨである］　  
【化６】　
　
［式中、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、Ｈ又はＮＨ４ のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である］　
　　Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＮＯＨ　
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 又はＲ４ は、それぞれ独立に．水素、または炭素原子１から５を有する短鎖アルキル基である］及び　
（ｄ）水、　
であって，前記求核アミン化合物、有機溶剤及び化合物（ｃ）が、基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するのに十分な量で存在している組成物。　
【請求項２】　前記求核アミン化合物がヒドロキシルアミンの誘導体である請求項１記載の組成物。　
【請求項３】　前記求核アミン化合物がヒドラジン又はそのの誘導体である請求項１記載の組成物。　
【請求項４】　前記１種または２種以上の化合物（ｃ）がジヒドロキシベンゼン又はその誘導体である請求項１記載の組成物。　
【請求項５】　前記１種または２種以上の化合物（ｃ）が下記化学式；　
　　Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＮＯＨ　
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 又はＲ４ は、それぞれ独立に．水素、または炭素原子１から５個を有する短鎖アルキル基である］　
で示されるアルキルアンモニウム水酸化物である請求項１記載の組成物。　
【請求項６】　前記有機溶剤がアルカノールアミンである請求項１記載の組成物。　
【請求項７】　前記アルカノールアミンが炭素分子１から５個を有する少なくとも１種のアルカノール基を含有する請求項６記載の組成物。　
【請求項８】　前記アルカノールアミンがモノアミンまたはジアミンである請求項６記載の組成物。　
【請求項９】　前記アルカノールアミンが下記化学式；　
　　【化７】Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ　
［式中Ｒ１及びＲ２は、Ｈ、ＣＨ２、ＣＨ３ＣＨ２、またはＣＨ２ＣＨ２ＯＨである］を有する請求項６記載の組成物。　
【請求項１０】　前記アルカノールアミンがアミノアルコキシアルカノールである請求項６記載の組成物。　
【請求項１１】　前記有機溶剤がモノエタノールアミンである請求項１記載の組成物。　
【請求項１２】　基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去する、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を有する基板に下記（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を含む組成物を接触させることを含む方法であって、　
（ａ）化学式８を有する化合物、化学式９を有する化合物、化学式１０を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化及び還元電位を有する１種又は２種以上の求核アミン化合物を約５〜約５０重量％、　  
【化８】　
    
［式中、Ｒ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩及びそれらの誘導体である。］　  
【化９】　
　　
［式中、Ｒ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０は，それぞれ独立に、水素、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり，かつ式中のＲ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０の全部が水素であることはない］及び　  
【化１０】　
　　
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又はアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩である。］；　
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上を約１０〜約８０重量％；及び　
（ｃ）化学式１１を有する化合物、化学式１２を有する化合物、化学式１３を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式１４で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の１種または２種以上を約２．５〜約３０重量％、　
【化１１】　
　　　
  　　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］　  
【化１２】　
　　
  　　
［式中、Ｒ１７は、ＯＨ又はＣＯＯＨである］　
【化１３】　
　　
  　　
［式中、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、Ｈ又はＮＨ４ のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である］　
　　【化１４】Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＮＯＨ　
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 又はＲ４ は、それぞれ独立に．水素、または炭素原子１から５を有する短鎖アルキル基である］及び　
（ｄ）水、　
であって、前記組成物をレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を基板から除去するのに十分な温度及び時間で前記基板と接触させる方法。
【請求項１３】　前記求核アミン化合物がヒドロキシルアミンまたはその誘導体である請求項１２記載の方法。　
【請求項１４】　前記求核アミン化合物がヒドラジンまたはその誘導体である請求項１２記載の方法。　
【請求項１５】　前記１種又は２種以上の化合物（ｃ）がジヒドロキシベンゼンまたはその誘導体である請求項１２記載の方法。　
【請求項１６】　前記１種又は２種以上の化合物（ｃ）が下記化学式；　
　　Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＮＯＨ　
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 又はＲ４ は、それぞれ独立に．水素、または炭素原子１から５を有する短鎖アルキル基である］で示されるアルキルアンモニウム水酸化物である請求項１２記載の方法。　
【請求項１７】　前記有機溶剤がアルカノールアミンである請求項１２記載の方法。　
【請求項１８】　前記アルカノールアミンがアミノアルコキシアルカノールである請求項１７記載の方法。　
【請求項１９】　前記アルカノールアミンが炭素分子１から５を有するアルカノール基を少なくとも１種有する請求項１７記載の方法。　
【請求項２０】　前記アルカノールアミンがモノアミン又はジアミンである請求項１７記載の方法。　
【請求項２１】　前記アルカノールアミンが下記化学式；　
　　　　　Ｒ１Ｒ２−Ｎ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ　
［式中、Ｒ１ 及びＲ２ は、Ｈ、ＣＨ３ 、ＣＨ３ ＣＨ２ 、またはＣＨ２ ＣＨ２ ＯＨである］を有する請求項１７記載の方法。　
【請求項２２】　前記溶剤がモノエタノールアミンだる請求項１２記載の方法。　
【請求項２３】　前記基板が半導体ウエファーである請求項１２記載の方法。　
【請求項２４】　前記温度が室温から約１００℃の範囲である請求項１２記載の方法。　
【請求項２５】　前記時間が約２分から約６０分の範囲である請求項１２記載の方法。　
【請求項２６】　ヒドロキシルアミンを約５〜約５０重量％、前記ヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも１種の有機溶剤を約１０〜約８０重量％、化学式１５で示す少なくとも１種の化合物を約２．５〜約３０重量％、　
【化１５】　
　　
  　　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］及び水を含むレジスト及びエッチング残留物少なくとも一種を除去するための組成物であって、前記ヒドロキシルアミン、少なくとも１種の有機溶剤及び化学式１５で示す少なくとも１種の化合物が、基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去するのに十分な量で存在する組成物。　
【請求項２７】　前記有機溶剤はジグリコールアミンであり、化学式１５で示す前記化合物がカテコールである請求項２６の組成物。　
【請求項２８】　前記ヒドロキシルアミンと水とが約５０：５０の割合で存在する請求項２６記載の組成物。　
【請求項２９】　前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約２．５重量％又はそれ以上の量で存在する請求項２７記載の組成物。　
【請求項３０】　前記ヒドロキシルアミンが約１７．５重量％の量で存在し、前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約２．５重量部又はそれ以上の量で存在し、及び前記水が約１７．５重量％の量で存在する請求項２８記載の組成物。　【請求項３１】　前記有機溶剤はモノエタノールアミンである請求項２６記載の組成物。　
【請求項３２】　前記有機溶剤はモノイソプロパノールアミンである請求項２６記載の組成物。　
【請求項３３】　基板からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去する方法であって、レジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を有する基板に、ヒドロキシルアミンを約５〜約５０重量％、前記ヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも１種の有機溶剤を約１０〜約８０重量％、化学式１６で示す少なくとも１種の化合物を約２．５〜約３０重量％、　
　【化１６】　
　　 
 　　
［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］及び水を含む組成物を接触させることを含み、前記組成物を基板からレジストまたはエッチング残留物の少なくとも一つを除去するのに十分な温度及び時間で基板と接触させる方法。　
【請求項３４】　前記ヒドロキシルアミンと水とが約５０：５０の割合で存在する請求項３３記載の方法。　
【請求項３５】　前記有機溶剤がジグリコールアミンであり、化学式１６で示す前記化合物がカテコールである請求項３３記載の方法。　
【請求項３６】　前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約２．５重量％又はそれ以上存在する請求項３５記載の方法。　
【請求項３７】　前記ヒドロキシルアミンが約１７．５重量％の量で存在し、前記ジグリコールアミンが約６０重量％又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約２．５重量部又はそれ以上の量で存在し、及び前記水が約１７．５重量％の量で存在する請求項３５記載の方法。　
【請求項３８】　前記有機溶剤がモノエタノールアミンである請求項３３記載の方法。　
【請求項３９】　前記有機溶剤がモノイソプロパノールアミンである請求項３３記載の方法。　
【請求項４０】　下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む組成物。　
（ａ）化学式１７を有する化合物、化学式１８を有する化合物、化学式１９を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸化および還元電位を有する１種又は２種以上の求核アミン化合物を約５〜約５０重量％，　
【化１７】　
　　
［式中、Ｒ５ 、Ｒ６ 及びＲ７ は、それぞれ独立に，水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩及びそれらの誘導体である］　
  【化１８】　
    
［式中、Ｒ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０は、それぞれ独立に、水素、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ８ 、Ｒ９ 及びＲ１０の全部が水素であることはない］及び　
　【化１９】　
　　  　
　
［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシル基、置換されたＣ１ −Ｃ６ 直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩である］；　
（ｂ）前記求核アミン化合物と混和可能な有機溶剤の１種または２種以上を約１０〜約８０重量％；及び　
（ｃ）化学式２０を有する化合物、化学式２１を有する化合物、化学式２２を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及び下記化学式２３で示すアルキルアンモニウム水酸化物からなる群の１種または２種以上を約２．５〜約３０重量％、　  
【化２０】　
　　  
　　［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、水素、ｔ−ブチル、ＯＨ又はＣＯＯＨのいずれかである］　
　【化２１】　
　　  
［式中、Ｒ１７は、ＯＨ又はＣＯＯＨである］　
【化２２】　
　  
　　
［式中、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、Ｈ又はＮＨ４ のいずれかであり、又はこれらのアンモニウム塩である］　
　　Ｒ１Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＮＯＨ　
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ 又はＲ４ は、それぞれ独立に．水素、または炭素原子１から５を有する短鎖アルキル基である］及び　
（ｄ）水。　　」　
とする発明が記載されている。　
４．判断　
４．１　特許法第２９条２項違反について　
４．１．１　請求項１に係る発明について　
（１）　請求項１に係る発明（以下、「第１発明」という）と、甲第１号証に記載された発明とを対比すると、両者は、還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む除去用組成物であって、レジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去できる除去用組成物である点で一致し、その組成において、両者は、本件第１発明で規定する（ｂ）成分および（ｃ）成分を必須とする点において一致している。　
　しかし、甲第１号証では、第１発明の（ａ）成分に対応する物質として、ヒドロキシルアミンのみを使用しており、それに対して、第１発明においては、成分（ａ）の化学式１で示される化合物について、Ｒ５ 〜Ｒ７ のすべてが水素原子であるもの、すなわち、ヒドロキシルアミンは、明確に除外されている点で相違する。　
　相違点について検討する。　
　一般論として、ヒドロキシルアミンと、アルキル置換ヒドロキシルアミンとは、その化学性において類似する性質を発揮することがあることは知られているものの、いかなる場合にも必ずしも同一の挙動を示すものとはいえず、まして、本件特許の出願以前に、レジストおよびエッチング残留物の除去において、それらが同等の効果を奏するとすべき根拠は、認められない。そのことは、本件特許異議の申立の証拠においてもなんら示されていない。してみれば、本件第１発明の奏する効果は、甲第１号証に記載された発明の奏する効果から、予測することができたものではない。　
　したがって、第１発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
（２）　次に、第１発明と、甲第３号証に記載された発明とを対比すると、両者は、還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む除去用組成物であって、レジストを除去できる除去用組成物である点で一致し、その組成において、両者は、本件第１発明で規定する（ｂ）成分および（ｃ）成分を必須とする点において一致している。　
　しかし、甲第３号証では、第１発明の（ａ）成分に対応する物質として、水和ヒドラジンのみを使用しており、それに対して、第１発明においては、成分（ａ）の化学式３で示される化合物について、Ｒ１１〜Ｒ１４のすべてが水素原子であるもの、すなわち、ヒドラジンは、明確に除外されている点で相違する。また、本件発明でいう「エッチング残留物」の除去について記載していない点でも相違する。　
　相違点について検討する。　
  上記、甲第１号証との対比で示したのと同様に、一般論として、ヒドラジンと、アルキル置換ヒドラジンとは、その化学性において類似する性質を発揮することがあることは知られているものの、いかなる場合にも必ずしも同一の挙動を示すものとはいえず、まして、本件特許の出願以前に、レジストおよびエッチング残留物の除去において、それらが同等の効果を奏するとすべき根拠は、認められない。そのことは、本件特許異議の申立の証拠においてもなんら示されていない。してみれば、本件第１発明の奏する効果は、甲第３号証に記載された発明の奏する効果から、予測することができたものではない。　
　　特許異議申立人は、上記の摘示事項ｌ．の前半部の記載を引用して、甲第３号証に係る発明は、基板のエッチング工程後の物質の剥離除去に関するものである旨主張するが、その後の記載とも併せて読めば、従来技術として、写真食刻法の一連の工程を述べ、ポストベーク工程を経、基板のエッチング工程後の物質の除去には、イソプロピルアルコール以下の剥離剤が使用されることが記載されているだけである。そして、甲第３号証に係る発明は、それらの工程のうちの、エッチングされる以前、ポストベーク後の基板に被着した未露光のポジ型レジストを除去するための除去方法であり、そのための除去剤に関するものであって、本件発明でいう「エッチング残留物」を認識していないことは明らかである。したがって、甲第３号証には、本件発明の有する目的・効果についても記載されていない。　
　したがって、第１発明は、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
４．１．２　請求項２，３に係る発明について　
　第１発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの（ａ）成分化合物について特定する請求項２，３に係る発明は、第１発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
４．１．３　請求項４に係る発明について　
　請求項４に係る発明は、第１発明の組成物を、レジスト及び／又はエッチング残留物を有する基板に接触させる方法であり、その組成物そのものに主要な特徴を有するものであるから、請求項１に係る発明と同様の理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
４．１．４　請求項５〜１５に係る発明について　
　請求項４に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの（ａ）成分化合物について特定する請求項５，６に係る発明、使用状態を特定する請求項７に係る発明、（ｂ）成分の化合物を特定する請求項８〜１２に係る発明、基板の材質について規定する請求項１３に係る発明、接触させる条件について特定する請求項１４，１５に係る発明についても、請求項４に係る発明に対する判断と同じ理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
４．１．５　請求項１６に係る発明について　
　請求項１６に係る発明は、第１発明の構成のうちの（ａ）成分化合物について特定するものであり、その余の構成は変わらないものである。第１発明が、上記のとおり、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない以上、その構成のうちの（ａ）成分についてさらに下位概念で表現したにすぎない、請求項１６に係る発明は、第１発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
４．１．６　請求項１７〜１９に係る発明について　
　請求項１６に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの（ａ）成分化合物について特定する請求項１７〜１９に係る発明は、請求項１６に係る発明についての判断と全く同じ理由により、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
４．１．７　請求項２０に係る発明について　
　請求項２０に係る発明は、請求項１６に係る発明の組成物を、レジスト及び／又はエッチング残留物を有する基板に接触させる方法であり、その組成物そのものに主要な特徴を有するものであるから、請求項１６に係る発明と同様の理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
４．１．８　請求項２１〜２５に係る発明について　
　請求項２０に係る発明の構成をすべて引用し、さらにその構成のうちの（ｂ）成分化合物について特定する請求項２１〜２５に係る発明についても、請求項２０に係る発明に対する判断と同じ理由で、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が、甲第１〜３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとすることはできない。　
４．２　特許法第３９条第１項違反について　
　第１発明と、甲第４号証の請求項１に係る発明（以下、「原第１発明」という）とを対比すると、第１発明が、（ａ）（ｂ）および（ｃ）の３成分を要件とするのに対して、原第１発明は、（ａ）（ｂ）（ｃ）および（ｄ）の４成分を要件とするものである。ここで、第１発明は、（ａ）、（ｂ）および（ｃ）成分と規定され、原第１発明は、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）成分と規定されていて、第１発明の、（ａ）（ｂ）（ｃ）成分が、原第１発明の、（ａ）（ｂ）（ｄ）成分に、それぞれ該当するので、両発明の相違点は、原第１発明で規定する（ｃ）成分、すなわち、化学式４〜７で示される４種類の化合物（キレート剤）を、必須成分として規定しない（第１発明）か、規定する（原第１発明）か、の点に帰結される。　
　相違点について検討する。　
　第１発明の表現を見ると、「下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を含む、レジスト及びエッチング残留物のいずれをも除去することができる除去用組成物」となっており、「〜を含む」との記載からすれば、文言上は、（ａ）（ｂ）（ｃ）以外の他の成分を任意に含有しうるものではある。　
　しかしながら、第１発明においては、キレート剤を含まない（ａ）（ｂ）（ｃ）の３成分のみで発明として完結するものであり、原第１発明においては、（ｃ）成分のキレート剤を含むことで基板上に残留物が再沈殿するのを回避するという新たな効果を奏し、（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）の４成分がすべて組み合わされることで初めて、完結するものである。してみれば、両者は、発明としての技術思想が異なるものであり、互いに別異の発明とすべきものである。　
　また、本件請求項２〜６、８〜１５に係る発明と、甲第４号証の各請求項に係る発明との間の関係も同様に、同一の発明とすべきものではない。　
III．むすび　
  以上のとおりであるから、特許異議申立の理由及び証拠によっては本件請求項１〜２５に係る発明の特許を取り消すことはできない。　
  また、他に本件請求項１〜２５に係る発明の特許を取り消すべき理由を発見しない。　
　したがって、本件請求項１〜２５に係る発明の特許は、拒絶の査定をしなければならない特許出願に対して付与されたものと認めないから、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第１４条の規定に基づく、特許法等の一部を改正する法律の一部の施行に伴う経過措置を定める政令（平成７年政令第２０５号）第４条第２項の規定により、結論のとおり決定する。　
【異議決定日】
平成１４年１月３０日（２００２．１．３０）