【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンを作成する際に用いるセルのパターンをコンピュータを用いて作成するパターン作成方法であって、
前記セルのパターンのデータを取得する取得工程と、
マスクに前記セルのパターンがある場合の前記マスクを照明して基板に前記セルのパターンの像を投影して前記基板を露光するときの露光条件のパラメータ値と、前記セルのパターンのパラメータ値と、を繰り返し変更して、前記セルのパターンの像を計算して前記像の評価値を求める計算工程と、
前記変更した前記セルのパターンのパラメータ値のうち、前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記セルのパターンのパラメータ値を決定する決定工程とを有することを特徴とするパターン作成方法。
【請求項２】
前記決定工程において、前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記露光条件のパラメータ値と前記セルのパターンのパラメータ値とを決定することを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項３】
前記セルのパターンは矩形状のパターン要素を含むパターンであることを特徴とする請求項１又は２に記載のパターン作成方法。
【請求項４】
前記セルのパターンのパラメータは、前記パターン要素の線幅やシフト量であることを特徴とする請求項３に記載のパターン作成方法。
【請求項５】
前記取得工程において、複数の前記セルのパターンのデータを取得し、
前記計算工程において、前記取得工程において取得した前記複数のセルの全てのセルのパターンの像の評価値を求めることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のパターン作成方法。
【請求項６】
前記計算工程において複数の評価指標を用いて前記像の評価値を求め、
前記複数の評価指標について、前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記セルのパターンのパラメータ値を決定することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のパターン作成方法。
【請求項７】
それぞれの評価指標について決定された前記セルのパターンのパラメータ値は互いに異なることを特徴とする請求項６に記載のパターン作成方法。
【請求項８】
前記取得工程において、複数の前記セルのパターンのデータを取得し、
前記計算工程において、前記複数のセル同士が光学的な近接効果を及ぼさない距離に前記複数のセルを離して、前記複数のセルのパターンの像を計算することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のパターン作成方法。
【請求項９】
前記取得工程において、複数の前記セルのパターンのデータを取得し、
前記計算工程において、前記評価値は、前記複数のセルの各セルのパターンの像を評価した値を前記複数のセルについて合計した値、及び、前記複数のセルのパターンの像を評価した値のうち最小値または最大値のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載のパターン作成方法。
【請求項１０】
前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記セルのパターンをセルライブラリに記憶する記憶工程とを有することを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載のパターン作成方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のパターン作成方法により作成された複数のセルのパターンを、セルライブラリから取得し、または、ユーザーにより入力されることで取得して、ラインアンドスペースのパターンをカットまたは接続するためのマスクパターンを作成する工程を有することを特徴とするマスクパターンの作成方法。
【請求項１２】
請求項２に記載のパターン作成方法により作成された複数のセルのパターンを記憶したセルライブラリからセルを選択して、ラインアンドスペースのパターンをカットまたは接続するためのマスクパターンを作成する工程において、
前記セルライブラリから選択したセルのパターンを含むマスクパターンのパラメータ値を繰り返し変更して、前記決定した露光条件のパラメータ値を用いて、該選択したセルのパターンの像を計算して前記像の評価値を求める工程と、
前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記マスクパターンのパラメータ値を決定する工程とを有することを特徴とするマスクパターンの作成方法。
【請求項１３】
請求項２に記載のパターン作成方法により作成された複数のセルのパターンを記憶したセルライブラリからセルを選択して、ラインアンドスペースのパターンをカットまたは接続するためのマスクパターンを作成する工程において、
前記セルライブラリから選択したセルのパターンを含むマスクパターンのパラメータ値と、前記決定した露光条件のパラメータ値より所定量だけ異なる範囲において前記露光条件のパラメータ値と、を繰り返し変更して、該選択したセルのパターンの像を計算して前記像の評価値を求める工程と、
前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記マスクパターンのパラメータ値を決定する工程とを有することを特徴とするマスクパターンの作成方法。
【請求項１４】
コンピュータに請求項１乃至１０の何れか１項に記載のパターン作成方法を実行させるプログラム。
【請求項１５】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載のパターン作成方法を実行する情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の一側面としてのパターン作成方法は、マスクのパターンを設計する際に用いるセルのパターンをコンピュータを用いて作成するパターン作成方法であって、前記セルのパターンのデータを取得する取得工程と、マスクに前記セルのパターンがある場合の前記マスクを照明して基板に前記セルのパターンの像を投影して前記基板を露光するときの露光条件のパラメータ値と、前記セルのパターンのパラメータ値と、を繰り返し変更して、前記セルのパターンの像を計算して前記像の評価値を求める計算工程と、前記評価値が所定の評価基準を満たす場合の前記セルのパターンのパラメータ値を決定する決定工程とを有することを特徴とすることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図７に露光条件のパラメータを示す。本実施例では、露光装置の有効光源分布の形状をパラメータ化したものを露光条件のパラメータと定義している。図７の左側の図は、照明光学系の４重極照明の瞳空間を図示したもので、光強度分布（黒表示）は外σＳＯと内σＳＩとの間に挟まれ、Ｉｎｔｘという表示のＰｏｌｅの開口角Ａｘ、Ｉｎｔｙという表示のＰｏｌｅの開口角Ａｙで表される。ＩｎｔｘとＩｎｔｙの光強度は、Ｉｎｔｘの光強度を１でノーマライズした値で表され、各Ｐｏｌｅの光強度は均一な分布であるとしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
また、図１１に、ＯＰＣのための光学計算の計算回数とマスクパターンのＣＤのＲＭＳ（ＣＤＲＭＳ）をプロットした。図１１は横軸にＯＰＣのための光学計算の計算回数、縦軸に残さＣＤＲＭＳをプロットしている。Ｉは、本実施例のように、ＯＰＣ済みのセルをセルライブラリから選択してチップに配置して、チップ全体にＯＰＣを施した場合の結果である。ＩＩは、ＯＰＣを施していない設計値のセルをセルライブラリから選択してチップに配置して、チップ全体にＯＰＣを施した場合の比較例１の結果である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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