【事件の表示】
　特願２０１８−　４４５０７「ウェーハ加工方法」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　９月１９日出願公開、特開２０１９−１６０９７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯
　本願は，平成３０年３月１２日の出願であって，その手続の概要は，以下のとおりである。
　平成３１年　４月　２日：拒絶理由通知（起案日）
　平成３１年　４月２４日：意見書，手続補正書
　令和　元年　５月　９日：拒絶査定（起案日） 
　令和　元年　８月　８日：審判請求
　令和　元年　９月２０日：拒絶理由通知（起案日） 
　令和　元年１１月２２日：意見書 
　２　本願発明
　平成３１年４月２４日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　基板の表面にデバイス層が積層されたウェーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウェーハ加工方法であって，
　前記ウェーハの基板内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより，前記ウェーハの基板内部に前記分割予定ラインに沿って改質領域を形成する改質領域形成工程と，
　前記ウェーハの裏面から前記分割予定ラインに沿ってブレイクバーを押し付けることにより，前記ウェーハを撓ませて前記改質領域から生じた亀裂を前記デバイス層に伸展させて前記ウェーハをブレイクするブレイク工程と，
　を備え，
　前記改質領域形成工程と前記ブレイク工程との間に，前記ウェーハの裏面を加工して前記ウェーハを薄化する裏面加工工程を更に備え，
　前記改質領域形成工程は，前記ウェーハの厚さ方向に複数の非改質領域を存在させるように，前記ウェーハの厚さ方向に複数の前記改質領域を形成し，且つ前記裏面加工工程が行われた後の前記ウェーハの基板内部に複数の前記非改質領域が残存するように，複数の前記改質領域を形成する，
　ウェーハ加工方法。」
　３　拒絶の理由
　令和元年９月２０日付けで当審が通知した拒絶理由は，大略，次のとおりのものである。
（進歩性）この出願の請求項１ないし４に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記１ないし３の引用文献に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
１．特開２００５−１６６７２８号公報 
２．特開２００３−３３８６５２号公報 
３．特開２００７−１３０５６号公報 
　４　引用文献の記載及び引用発明
（１）引用文献１には，以下の事項が記載されている。
「【００１１】
　一方，特許文献３または特許文献４に記載された
内部集光法では，厚さ方向に複数の改質領域を形成することで，厚さの大きい加工対象物であっても切断が可能とされている
　しかし，
内部集光法にも次のような問題があることが分かった
　（あ）内部集光法では分断予定ラインに沿ってレーザ光をスキャンして改質領域を形成するが，ウエハー基板が厚いと，分断予定ライン通りにブレーキングを行うために必要なレーザ光のパワーまたは
スキャン回数が多くなり製造効率やコストの問題が生じる
　（い）厚いウエハー基板を分断するために照射するレーザ光のパワーを大きくする，あるいは
スキャンを何度も行うと，レーザ光が入射する側の半導体ウェハー表面が変色したり，レーザ光の一部が直接，または各種界面での反射・散乱を経てＧａＮ系層に到達し，ＧａＮ系層の変色や劣化を引き起こすという問題がある。また，ＳｉＣ，Ｓｉ，ＧａＮ等の半導体基板を用いた場合には，基板の半導体特性が劣化する可能性もある
　特に，サファイア，ＳｉＣ，ＧａＮ等，ＧａＮ系結晶の成長に適したウエハー基板材料は非常に硬いために，上記（あ）の問題が顕著となる。更に，チップの設計寸法がウエハー基板の厚さに比して小さくなる程，割れを発生させるために必要な応力を改質領域に集中させることが困難となり，より分断が難しくなるという問題もある。
【００１２】
　
本発明の課題は，上記問題点を解消し，ＧａＮ系半導体ウエハをチップへと分断するための新たな方法を，ＧａＮ系素子の製造方法に対して提供することにある
「【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
　以下に，
ＧａＮ系発光素子の製造工程を例として用い，本発明を具体的に説明する
　
本発明の上記（１）の態様は，図１，図２に示すように，（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）の工程を有する
　（Ｃ）の工程を加えることによって，上記したように，反りなくＧａＮ系半導体ウエハーが形成できながら，チップへの分断が容易になり，全体としての生産効率も向上する。
【００１７】
　先ず（Ａ）の工程を説明する。
　
（Ａ）の工程は，図１（ａ）に示すように，ウエハー基板１のおもて面１ａ上に窒化物系半導体からなる積層構造部２を形成し，さらに，図１（ｂ）に示すように，分断後に素子となる部位ｅ１〜ｅ３に対して，電極など，個々の素子に必要な構造を付与する工程である
「【００２３】
　次に，（Ｂ）の工程を説明する。
　
（Ｂ）の工程は，図２（ａ）に示すように，ウエハー基板１の内部に集光点を合わせてレーザ光Ｌを照射し，分断予定ライン３に沿ってウエハー基板１の内部に，分断に利用可能な改質領域４を形成する工程である
　
ウエハー基板の内部の集光点の位置は，（Ｃ）の工程で行う研削・研磨後に残るウエハー基板の部分（「残存部分」）１ｄに改質領域４が生じるように定めればよい。集光点の位置は，研削・研磨によって削除される部分１ｃや，残存部分１ｄと削除部分１ｃとの境界面に合わせてもよいが，効果的な改質を得る点からは，残存部分１ｄ内，特に残存部分の厚さの半分の位置に集光点を合わせることが好ましい。集光点の位置は，ＧａＮ系結晶層の存在等を考慮して，厚さ方向に適宜移動させてもよい
「【００２６】
　
レーザ光の照射によってウエハー基板の内部に形成される「分断に利用可能な改質領域」とは，少なくとも，（Ｃ）の工程による研削・研磨を行った後，半導体ウエハーに対して通常の半導体ウエハーのブレーキングに用いる方法で外力を印加したとき，その改質領域を起点として割れが発生して半導体ウエハーが分断に至る程度に，その機械的強度が低下された領域である
　具体的には，ひとつまたは複数のクラックを含む領域や，単結晶からなる基板材料が多結晶構造や非晶質構造，またはこれらの混在する構造に変化した領域が例示される。
【００２７】
　ウエハー基板の厚さ方向についての改質領域の数は１箇所に限定されない。
同じ分断予定ラインに対してウエハー基板内部の集光点の深さを２以上変えてレーザ光を照射し，改質領域を厚さ方向に複数箇所形成することによって，研削・研磨後の厚さが大きくても歩留まりよく分断予定ラインに沿って分断できるようになる
　
図４の例では，（Ｃ）の工程の後で残存する部分において，集光点の深さを３種類変えてレーザ光を照射しており，分断予定ラインに沿って深さの異なる改質領域４ａ〜４ｃを形成している。同図では，ウエハー基板１のうち，（Ｃ）の工程において削除される部分は，ハッチングを施した部分１ｃである
「【００３１】
　ウエハー基板の段階において改質領域を形成する場合，その改質領域を含んだウエハー基板が，本発明による上記（８）のウエハー基板である。当該ウエハー基板の内部には，分断予定ラインに沿って，分断に利用可能な改質領域が形成されている。
　
該改質領域が形成される部位は，後の（Ｃ）の工程において研削・研磨が施されても，ウエハー基板として残存する部位である
　この場合の改質領域の位置・深さなどは，上記（Ｂ）の工程の説明で述べた集光点の位置と同様である。」
「【００４７】
（Ｃ）の工程は，上記（Ａ），（Ｂ）の工程よりも後の工程であって，図２（ａ）に示すウエハー基板１の裏面を研削および／または研磨してハッチング部分１ｃを削除し，図２（ｂ）に示すように，分断のために好適な特定の厚さへと薄くする工程である
「【００４８】
（Ｃ）の工程で，チップ分断を歩留まり良く分断予定ラインに沿って行うための，好ましい研削・研磨後のウエハー基板厚さは２００μｍ以下，より好ましくは１００μｍ以下である。素子のサイズが大きくなると少々厚くても割れるようにはなるが，それでもサファイア，ＳｉＣ，ＧａＮ等の硬いウエハー基板では，前記厚さ以下に薄くすることが望ましい。なお，５０μｍ以下となるまで研削・研磨すると，
研削・研磨の途中あるいはその後のプロセスで割れ易くなったり，チップ分断後の取り扱いが困難になる傾向がある
「【００５３】
（Ｃ）の工程の後にチップへと分断する。
　
分断は，（Ｂ）の工程でウエハー基板の内部に形成した改質領域を起点として割れを生じさせて行う。この分断工程では，半導体ウエハーに外部から人為的な力を印加し，曲げ応力やせん断応力を作用させることによって分断すればよく，従来公知のブレーキングの方法，例えば加圧用のローラやニードルを用いる方法や，半導体ウエハーを三点支持しておいて加圧部材を作用させる方法を採用することができる
「
」
（２）上記記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）及び当該（Ｃ）の工程の後にチップへと分断する工程を有する，ＧａＮ系発光素子の製造工程であって，
　（Ａ）の工程は，ウエハー基板のおもて面上に窒化物系半導体からなる積層構造部を形成し，さらに，分断後に素子となる部位に対して，電極など，個々の素子に必要な構造を付与する工程であり，
　（Ｂ）の工程は，ウエハー基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，分断予定ラインに沿ってウエハー基板の内部に，分断に利用可能な改質領域を形成する工程であって，
　ウエハー基板の内部の集光点の位置は，（Ｃ）の工程で行う研削・研磨後に残るウエハー基板の部分（「残存部分」）に改質領域が生じるように定めればよく，集光点の位置は，研削・研磨によって削除される部分や，残存部分と削除部分との境界面に合わせてもよいが，効果的な改質を得る点からは，残存部分内に集光点を合わせることが好ましいものであり，
　レーザ光の照射によってウエハー基板の内部に形成される「分断に利用可能な改質領域」とは，少なくとも，（Ｃ）の工程による研削・研磨を行った後，半導体ウエハーに対して通常の半導体ウエハーのブレーキングに用いる方法で外力を印加したとき，その改質領域を起点として割れが発生して半導体ウエハーが分断に至る程度に，その機械的強度が低下された領域であり，
　同じ分断予定ラインに対してウエハー基板内部の集光点の深さを２以上変えてレーザ光を照射し，改質領域を厚さ方向に複数箇所形成することによって，研削・研磨後の厚さが大きくても歩留まりよく分断予定ラインに沿って分断できるようになるものであり，
　該改質領域が形成される部位は，後の（Ｃ）の工程において研削・研磨が施されても，ウエハー基板として残存する部位であり，
　（Ｃ）の工程は，上記（Ａ），（Ｂ）の工程よりも後の工程であって，ウエハー基板の裏面を研削および／または研磨して，分断のために好適な特定の厚さへと薄くする工程であり，
　分断工程は，（Ｂ）の工程でウエハー基板の内部に形成した改質領域を起点として割れを生じさせて行うものであり，この分断工程では，半導体ウエハーに外部から人為的な力を印加し，曲げ応力やせん断応力を作用させることによって分断すればよく，従来公知のブレーキングの方法，例えば加圧用のローラやニードルを用いる方法や，半導体ウエハーを三点支持しておいて加圧部材を作用させる方法を採用することができるものである，
　ＧａＮ系発光素子の製造工程。」
（３）引用文献２には，以下の事項が記載されている。
「【００６７】
　ここで，再び図１８を参照すると，ウェハ２の基板１に切断起点領域を形成したのち，切断起点領域に沿ってウェハ２を複数の棒状部材３７に切断する（Ｓ５，図２２（ａ）及び（ｂ））。すなわち，
切断起点領域が形成されたウェハ２に対して例えばナイフエッジをウェハの表面２２または裏面４に押し当てて応力を印加することにより，切断起点領域を起点として基板１を切断する。或いは，エキスパンドテープや，ブレーカー装置，ローラー装置などを用いて応力を印加することにより基板１を切断してもよい
「【００７５】
　図２４は，本実施形態による半導体レーザ素子の製造方法の変形例を説明するための断面図である。本変形例では，基板１の内部において，基板１の厚さ方向に複数の改質領域７を形成する。改質領域７をこのように形成するには，図１９に示されたフローチャートのステップＳ１１１（ウェハ２をＺ軸方向に移動）とステップＳ１１３（改質領域７の形成）とを交互に複数回行うとよい。また，ウェハ２をＺ軸方向に移動するのと改質領域７の形成とを同時に行うことにより，基板１の厚さ方向に連続して改質領域７を形成してもよい。」
「
」
（４）引用文献３には，以下の事項が記載されている。
「【００５７】
　このように，各
改質領域７１，７２を基板４の表面３から遠い順に一列ずつ形成する
【００５８】
　各改質領域７１，７２を形成した後，図２０（ａ）に示すように，エキスパンドテープ２３を拡張させる。そして，この状態で，
図２０（ｂ）に示すように，基板４の裏面２１に対し，エキスパンドテープ２３を介してナイフエッジ（押圧部材）４１を押し当てて，矢印Ｂ方向に移動させる。これにより，加工対象物１には，割れ２４が開くような応力が生じさせられるため，割れ２４が積層部１６及び第１の改質領域７１に向かって伸展することになり，加工対象物１が切断予定ライン５に沿って切断される
「【００６８】
　以上説明したように，本実施形態の加工対象物切断方法においては，中心位置ＣＬから基板４の裏面２１側に偏倚した第１の改質領域７１と，中心位置ＣＬから基板４の表面３側に偏倚した第２の改質領域７２とが切断予定ライン５に沿って基板４の内部に形成されると共に，第２の改質領域７２から基板４の表面３に割れ２４が生じさせられる。そして，この状態で割れ２４が開くように加工対象物１に応力が生じさせられるため，割れ２４が積層部１６及び第１の改質領域７１に向かって伸展することになり，加工対象物１が切断予定ライン５に沿って精度良く切断される。しかも，このとき，基板４の裏面２１に貼り付けられたエキスパンドテープ２３が拡張させられているため，加工対象物１が切断された直後に，隣り合う半導体チップ２５，２５の対向する切断面２５ａ，２５ａが離間することになり（図２１参照），対向する切断面２５ａ，２５ａ同士の接触によるチッピングやクラッキングの発生が防止される。
【００６９】
　これにより，例えば，基板４が厚い場合に，切断予定ライン５に沿った改質領域７１，７２の列数を増やすことによって，加工対象物１を切断予定ライン５に沿って切断する技術に比べ，切断品質を維持した上での加工時間の短時間化を図ることができる。従って，本実施形態の加工対象物切断方法によれば，基板４と，複数の機能素子１５を有して基板４の表面３に形成された積層部１６とを備える加工対象物１を，基板４が厚い場合であっても，切断予定ライン５に沿って機能素子１５毎に短時間で精度良く切断することが可能になる。」
「
」
　図２０は，引用文献３に記載された発明の実施形態の加工対象物切断方法を説明するための加工対象物の部分断面図であり，（ａ）はエキスパンドテープを拡張させた状態，（ｂ）は加工対象物にナイフエッジを押し当てている状態であって，同図から，基板４の裏面２１と第１の改質領域７１との間，及び，第１の改質領域７１と第２の改質領域７２との間に，非改質領域を有する加工対象物１にナイフエッジ（押圧部材）４１を押し当てて，切断する方法を見て取ることができる。
　５　本願発明と引用発明の対比
（１）本願発明と引用発明を対比する。
　ア　引用発明の「ウエハー基板」は，本願発明の「基板」に相当する。そして，引用発明の「ウエハー基板のおもて面」は，本願発明の「基板の表面」に相当する。
　イ　引用発明の「窒化物系半導体からなる積層構造部」は，分断後に素子となる部位であって，ＧａＮ系発光素子というデバイスとして機能する。したがって，引用発明の「窒化物系半導体からなる積層構造部」は，本願発明の「デバイス層」に相当する。
　ウ　上記ア及びイから，引用発明の「ウエハー基板」に「窒化物系半導体からなる積層構造部」を形成した部材は，本願発明の基板の表面にデバイス層が積層された「ウェーハ」に相当する。
　エ　引用発明の「分断」は，「割れを生じさせて行うものであ」るから，本願発明の「分割」に相当する。したがって，引用発明の「分断予定ライン」は，本願発明の「分割予定ライン」に相当する。
　オ　引用発明の「分断工程」は，ウエハー基板の内部に形成した改質領域を起点として割れを生じさせて行うものであり，半導体ウエハーに外部から人為的な力を印加し，曲げ応力やせん断応力を作用させることによって分断するものであって，従来公知のブレーキングの方法，例えば加圧用のローラやニードルを用いる方法や，半導体ウエハーを三点支持しておいて加圧部材を作用させる方法によって行われるものである。
　そして，引用発明の加圧用のローラやニードルを用いる方法や，半導体ウエハーを三点支持しておいて加圧部材を作用させる方法によって行われるブレーキングにおいて，半導体ウエハーの分断を，外部から印加される人為的な力により曲げ応力を作用させることにより行う際に，半導体ウエハーが，当該曲げ応力により撓むことは自明である。
　さらに，引用発明において，ウエハー基板の内部に形成した改質領域を起点として割れを生じさせて行う際に，改質領域から生じた亀裂が積層構造部に伸展してウエハー基板の破断に至ることも明らかである。
　したがって，引用発明の「分断工程」と，本願発明の「前記ウェーハの裏面から前記分割予定ラインに沿ってブレイクバーを押し付けることにより，前記ウェーハを撓ませて前記改質領域から生じた亀裂を前記デバイス層に伸展させて前記ウェーハをブレイクするブレイク工程」とは，ウェーハに加圧用の部材を押し付けることにより，ウェーハを撓ませて改質領域から生じた亀裂をデバイス層に伸展させてウェーハをブレイクするブレイク工程である限りにおいて一致する。
　カ　引用発明の「ウエハー基板の裏面を研削および／または研磨して，分断のために好適な特定の厚さへと薄くする工程」は，本願発明の「ウェーハを薄化する裏面加工工程」に相当する。
　キ　引用発明における改質領域を形成するためのレーザ光の照射は，同じ分断予定ラインに対してウエハー基板内部の集光点の深さを２以上変えて行われるものであって，改質領域を厚さ方向に複数箇所形成することによって，研削・研磨後の厚さが大きくても歩留まりよく分断予定ラインに沿って分断できるようになるものであるから，引用発明の改質領域を形成する工程は，複数の改質領域を形成するものである。
　そして，引用発明の分断工程は，ウエハー基板の裏面を研削および／または研磨した後に行われるものであって，当該分断工程は，半導体ウエハーに外部から人為的な力を印加して，ウエハー基板の内部に形成した改質領域を起点として割れを生じさせて行うものであるから，ウエハー基板の裏面を研削および／または研磨した後であって，分断工程の前の時点では，半導体ウエハーに外部から人為的な力を印加し得る非改質領域が残存することは自明である。そして，研削および／または研磨した後に，非改質領域が残存するのであれば，当該非改質領域が研削および／または研磨の前の時点においても存在することは明らかであるから，引用発明の，複数の改質領域を形成する工程は，非改質領域を存在させるように複数の改質領域を形成するものである。
　したがって，引用発明の「改質領域を形成する工程」と本願発明の「前記ウェーハの厚さ方向に複数の非改質領域を存在させるように，前記ウェーハの厚さ方向に複数の前記改質領域を形成し，且つ前記裏面加工工程が行われた後の前記ウェーハの基板内部に複数の前記非改質領域が残存するように，複数の前記改質領域を形成する」工程とは，ウェーハの厚さ方向に非改質領域を存在させるように，ウェーハの厚さ方向に複数の改質領域を形成し，且つ裏面加工工程が行われた後のウェーハの基板内部に前記非改質領域が残存するように，複数の改質領域を形成する工程である限りにおいて一致する。
　ク　引用発明の「ＧａＮ系発光素子の製造工程」と，本願発明の「ウェーハ加工方法」は，以下の相違点を除いて一致する。
　ケ　以上のことから，本願発明と引用発明との一致点及び一応の相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「基板の表面にデバイス層が積層されたウェーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウェーハ加工方法であって，
　前記ウェーハの基板内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより，前記ウェーハの基板内部に前記分割予定ラインに沿って改質領域を形成する改質領域形成工程と，
　前記ウェーハに加圧用の部材を押し付けることにより，前記ウェーハを撓ませて前記改質領域から生じた亀裂を前記デバイス層に伸展させて前記ウェーハをブレイクするブレイク工程，
　を備え，
　前記改質領域形成工程と前記ブレイク工程との間に，前記ウェーハの裏面を加工して前記ウェーハを薄化する裏面加工工程を更に備え，
　前記改質領域形成工程は，前記ウェーハの厚さ方向に非改質領域を存在させるように，前記ウェーハの厚さ方向に複数の前記改質領域を形成し，且つ前記裏面加工工程が行われた後の前記ウェーハの基板内部に前記非改質領域が残存するように，複数の前記改質領域を形成する，
　ウェーハ加工方法。」 
  
＜相違点＞ 
（相違点１）
　本願発明では，ウェーハをブレイクするブレイク工程は，「ウェーハの裏面から前記分割予定ラインに沿ってブレイクバーを押し付ける」ことにより，前記ウェーハを撓ませて前記改質領域から生じた亀裂を前記デバイス層に伸展させるものであるのに対して，引用発明は，半導体ウエハーに外部から人為的な力を印加し，曲げ応力やせん断応力を作用させることによって分断すればよく，従来公知のブレーキングの方法，例えば加圧用のローラやニードルを用いる方法や，半導体ウエハーを三点支持しておいて加圧部材を作用させる方法を採用することができるものであること。
（相違点２）
　本願発明の改質領域形成工程が，ウェーハの厚さ方向に複数の非改質領域を存在させるように，ウェーハの厚さ方向に複数の改質領域を形成し，且つ裏面加工工程が行われた後のウェーハの基板内部に複数の前記非改質領域が残存するように，複数の改質領域を形成するもの，すなわち，本願発明の「改質領域形成工程」が，裏面加工工程が行われた後においてもウェーハの基板内部に，「複数の前記非改質領域が残存する」ように複数の改質領域を形成するものであるのに対して，引用発明では，残存する非改質領域が「複数」であることが特定されていない点。
　６　判断
（１）相違点１について
　引用文献２，３には，ウェーハの裏面から分割予定ラインに沿ってナイフエッジを押し付けることにより，ウェーハを撓ませて改質領域から生じた亀裂をデバイス層に伸展させる方法が記載されており，当該ナイフエッジは本願発明のブレイクバーに相当する。
　そして，従来公知のブレーキングの方法を採用することができるとする引用発明に，引用文献２，３に記載される前記公知の方法を適用することは当業者が適宜なし得たことである。
　したがって，引用発明において，相違点１に係る本願発明の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
（２）相違点２について
　引用文献１に「【００１１】・・・内部集光法にも次のような問題があることが分かった。・・・スキャン回数が多くなり製造効率やコストの問題が生じる。・・・スキャンを何度も行うと，レーザ光が入射する側の半導体ウェハー表面が変色したり，レーザ光の一部が直接，または各種界面での反射・散乱を経てＧａＮ系層に到達し，ＧａＮ系層の変色や劣化を引き起こすという問題がある。・・・【００１２】本発明の課題は，上記問題点を解消し，ＧａＮ系半導体ウエハをチップへと分断するための新たな方法を，ＧａＮ系素子の製造方法に対して提供することにある。」と記載されるように，引用発明は，スキャン回数が多いことを解決すべき課題とする発明である。
　そうすると，引用文献１に「図４の例では，（Ｃ）の工程の後で残存する部分において，集光点の深さを３種類変えてレーザ光を照射しており，分断予定ラインに沿って深さの異なる改質領域４ａ〜４ｃを形成している。同図では，ウエハー基板１のうち，（Ｃ）の工程において削除される部分は，ハッチングを施した部分１ｃである。」（【００２７】）と記載される当該複数の改質領域４ａ〜４ｃの形成は，引用文献１の【００２６】に記載される「（Ｃ）の工程による研削・研磨を行った後，半導体ウエハーに対して通常の半導体ウエハーのブレーキングに用いる方法で外力を印加したとき，その改質領域を起点として割れが発生して半導体ウエハーが分断に至る程度に，その機械的強度が低下され」るのに必要とされる最小の回数のスキャンによって行われているものといえる。
　してみれば，引用文献１の改質領域４ａ〜４ｃは，裏面加工工程が行われた後のウェーハの基板内部に単一の非改質領域のみが残存するように密に形成されているのではなく，裏面加工工程が行われた後のウェーハの基板内部に，互いの間に非改質領域が残存するように疎に形成されていると理解することが，技術常識に照らして自然かつ合理的といえる。
　すなわち，引用発明においても，改質領域の形成の工程では，裏面の研削および／または研磨工程が行われた後のウエハー基板の内部に複数の非改質領域が残存するように複数の改質領域が形成されているものと認められるから，相違点２は実質的なものではない。
　また，仮に，相違点２が実質的なものであるとしても，非改質領域の個数が，単一であるか複数であるかは単なる設計事項であり，基板内部に複数の改質領域を設けて基板を分断するにあたり，複数の改質領域を，基板内部に複数の非改質領域が存在するように配置することは，引用文献３の図２０に記載されるように格別のことではないから，引用発明において，分断工程の前の時点における基板内部の状態を，基板内部に複数の非改質領域が残存するように，複数の改質領域が形成された状態とすること，すなわち，引用発明において，相違点２に係る本願発明の構成とすることは当業者が適宜なし得たことであり，その効果も格別のものとは認められない。
　なお，本願明細書には，「【０１０２】図１７から図１９に示した各実施例によれば，デバイス面を上側にした場合の抗折強度はデバイス面を下側にした場合の抗折強度よりも高くなった。一方，図２０に示した比較例によれば，デバイス面を上側にした場合の抗折強度はデバイス面を下側にした場合の抗折強度よりも低くなった。【０１０３】これらの結果から分かるように，本発明が適用される各実施例（第１〜第３実施例）によれば，デバイス面を上側にした場合には抗折強度が高く，かつデバイス面を下側にした場合には抗折強度が低くなるので，裏面加工工程が行われる際に亀裂の伸展を効果的に抑制することができる。」とあり，非改質領域の個数が単一である比較例と比較して，非改質領域の個数が複数である第１〜第３実施例が，デバイス面を上側にした場合には抗折強度が高く，かつデバイス面を下側にした場合に抗折強度が低くなるという効果を備えることが説明されている。
　しかしながら，第１〜第３実施例は，いずれも，ウェーハの裏面１０ｂ側に非改質領域（非改質層）が存在するものであるのに対して，比較例は，ウェーハの裏面１０ｂ側に亀裂が到達しているものである。
　そして，３点曲げ抗折強度試験において，試験対象部材の圧子が押し込められる表面とは対向する側の面である裏面に亀裂が存在する場合には，当該亀裂を起点として破断が進行することが容易であり，試験対象部材の圧子が押し込められる側である表面に亀裂が存在する場合と比較して，抗折強度が低くなることは周知の事項である。
　そうすると，本願明細書の「各実施例によれば，デバイス面を上側にした場合の抗折強度はデバイス面を下側にした場合の抗折強度よりも高くなった。」との効果は，ウェーハの裏面１０ｂ側に非改質領域（非改質層）が存在することによって奏された効果であると理解されるから，前記記載は，非改質領域の個数が複数であることによる効果を説明したものであるとはいえない。
　したがって，本願明細書の記載からは，非改質領域の個数が複数であることによる格別の効果は認められないから，非改質領域の個数が，単一であるか複数であるかは単なる設計事項といえる。
（３）そして，これらの相違点１及び２を総合的に勘案しても，本願発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２，３に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
（４）請求人は，令和元年１１月２２日に提出した意見書において，「（キ）そして，本願発明１によれば，発明特定事項Ａと発明特定事項Ｂを併せ備えたことにより，裏面加工工程が行われる際，ウェーハの表面側に形成された亀裂がデバイス層に伸展するのを効果的に抑制することができるという「亀裂伸展抑制効果」が得られるので，ブレイク工程が行われる前にデバイス層に亀裂が伸展しまい，ウェーハが個片化されるのを防ぐことができる。そして，ウェーハを分割予定ラインに沿ってブレイク加工することにより，デバイス層にＬｏｗ−ｋ膜やＴＥＧ等の積層体が含まれる場合でも，デバイスの品質を低下させることなく，ウェーハを分割予定ラインに沿って精度よく確実かつ効率的に分割することが可能となる。このような効果は，引例１〜３には記載も示唆もなく，当業者といえども容易に予測できない顕著な効果である。」と主張する。
　しかしながら，本願明細書には，以下の記載がある。
「【００６５】また，本実施形態では，裏面加工工程が行われる際，ウェーハ１０の厚さ方向に複数の改質領域２０が形成された分割予定ライン１２においては，図１３に示すように，被研削面となるウェーハ１０の裏面１０ｂ側では，研削熱や研磨熱などの加工熱の影響によりシリコン同士を引き離す方向の引張応力２６が作用し，逆に，その反対側となる表面１０ａ側では圧縮応力２８が作用する。この場合，ウェーハ１０の表面１０ａ側に形成された亀裂２２（すなわち，第１改質領域２０ａから生じた第１亀裂２２ａ）がデバイス層１６に伸展するのを効果的に抑制することができるという「亀裂伸展抑制効果」が生じる。この「亀裂伸展抑制効果」により，後述のブレイク工程が行われる前にデバイス層１６に亀裂２２が伸展してしまうことを防止することが可能となっている。」
　上記記載から，「亀裂伸展抑制効果」は，研削熱や研磨熱などの加工熱の影響による圧縮応力によりウェーハの表面側に形成された亀裂がデバイス層に伸展するのを効果的に抑制することができるとの作用機序によって奏されることが理解される。
　そうすると，本願明細書の記載からは，上記作用機序に照らして，「亀裂伸展抑制効果」は，亀裂が形成された位置によってその効果の有無が左右されるものであり，亀裂がウェーハ１０の表面１０ａ側に形成された場合にのみ，「亀裂伸展抑制効果」が奏されることが理解されるとしても，「亀裂伸展抑制効果」と非改質領域が単数であるか複数であるかとの間には何らの関連があるとは認められない。
　したがって，請求人の効果についての前記主張は採用することはできない。
（５）小括
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用発明及び引用文献２，３に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　７　むすび
　本願発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載の発明及び引用文献２，３に記載された技術に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。