(57)【要約】  ４つに分割された分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）と分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）とで構成され、分割電極Ｐ４がこれに隣接する画素（右、下、右下の３箇所）のＰ’４と同一構造であり、隣接する４つの画素内にある同一構造の４つの分割電極Ｐ４（Ｐ’４）を囲む領域を、同一の分割配向（Ｏ４）で処理することにより、高精細画素であっても良好な視野角特性を維持するとともに、効率良い配向分割処理が可能な、液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
2014064751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置であって、  前記一画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つの画素の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成された、  液晶表示装置。
【請求項２】
前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接する画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成された分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成された、  請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域内の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置であって、  前記画素は複数のサブ画素から構成され、  前記サブ画素を少なくとも一つ以上組み合わせて一単位のサブ画素領域とし、  前記一単位のサブ画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つのサブ画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つのサブ画素領域の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成された、  液晶表示装置。
【請求項４】
前記一単位のサブ画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接するサブ画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成された分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成された、  請求項３記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記液晶配向は横電界方式のモードある、  請求項１乃至４のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ｍが４である、  請求項１乃至５のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置を製造する方法であって、  前記一画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つの画素の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成され、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接する画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成される分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成されており、  前記分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）を、任意のマスクサイズを露光エリアとし、前記配向分割の各領域の配向方位に対応した方向にステップ送りする、光配向処理で形成する、  液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域内の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置を製造する方法であって、  前記画素は複数のサブ画素から構成され、  前記サブ画素を少なくとも一つ以上組み合わせて一単位のサブ画素領域とし、  前記一単位のサブ画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つのサブ画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つのサブ画素領域の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成され、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接するサブ画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成される分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成され、  前記分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）を、任意のマスクサイズを露光エリアとし、前記配向分割の各領域の配向方位に対応した方向にステップ送りする、光配向処理で形成する、  液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記光配向処理に使用するマスクは１種類又は２種類である、  請求項７又は８記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ｍが４である、  請求項７乃至９のいずれか一つに記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、高精細画素であっても良好な視野角特性を維持するとともに、効率良い配向分割処理が可能な、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  液晶表示ディスプレイは、高表示品質、薄型、低消費電力、低コストなどの特徴があり、様々な用途に急激に普及している。例えば、携帯端末用のモニター、デジタルスチルカメラ用モニターなどの小型サイズから、ノートパソコンやデスクトップパソコン用モニター、グラフィックデザイン用モニター、医療用モニターなどの中型サイズ、更には、液晶テレビ、デジタルサイネージ用モニターなどの大型サイズの多様な表示製品に適用されている。【０００３】  近年、ハイエンド向けの液晶表示ディスプレイは、表示品位の改良を求めるニーズが高まっており、高精細かつ高開口率（高透過）化による高輝度高画質化が進む中で、表示画面の均一性（ユニフォミティ）の向上や高コントラストで色再現性の良好な広い視野角特性を有する性能が求められている。【０００４】  表示画面の均一性を向上するには、画素内の液晶配向を均一にする必要がある。これを改善する手段としては、配向膜にエネルギービームを照射するラビングレスの配向処理が知られており、Ｈｅ原子やＡｒ原子のイオンビーム配向処理やＵＶ（Ultra Violet）光照射による光配向処理がある。特に、光配向処理は、真空処理を必要としないプロセスであり、ＶＡ（VerticalAlignment）方式の製品に適用され、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＩＰＳ（In-plane Switching）方式又はＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式などへ適用するための開発検討も行われている。【０００５】  光配向処理は、光照射の入射方向や偏光方位に応じて、配向膜の分子間結合を分子レベルで切断、分子の配位位置を変える又は分子レベルで結合させることで液晶分子の配向に有効な異方性を配向膜に与えることにより、液晶分子の配向を分子レベルで制御できるため配向均一性が極めて高い。また、光配向処理は、ラビング方式で見られるようなラビングクロスの擦りによる傷や筋状の配向むら又は配向膜やラビングクロスなどの削れ屑からなる異物に起因する、明点や暗点などの問題も発生しないため、特に高精細化に対して有効である。ただし、光配向処理は、配向膜に配向性を付与するために比較的大きなエネルギ照射が必要なため、光照射のプロセス改善、画素構造の改良、配向膜材料の開発などによる処理能力の向上が望まれる。【０００６】  広い視野角特性を得る技術には、ＩＰＳ方式又はＦＦＳ方式などの横電界方式がある。この方式は、水平配向させたネマティック液晶分子を横電界で水平方向に回転させるもので、分子軸の立ち上がりに伴う視野角方向による画質の変化を抑制することができるため、視野角特性を改善することができる。更に、横電界方式では、画素内の櫛歯状の電極形状を２分割又は４分割の領域に分けて動作させる分割電極方式にすることで、各電極領域内の視野角特性で補償することができ、斜視の色付き変化特性や階調反転を改善することができる。また、この改善は、画素内の同じ櫛歯電極領域を異なる配向方位の領域に分割する分割配向方式でも同様の効果が得られる。ただし、前述した分割電極方式や分割配向方式は、分割された電極領域又は配向領域の境界において液晶配向が不連続になる。これにより、ディスクリネーション線が発生するため、黒表示での光漏れのよりコントラストが低下したり、液晶を回転させるために必要��電界をかけることができないため、白表示での透過率低下により輝度が低下したり、することがある。この対策は、電極構造の工夫による遮光などの対策が有効であるが、高精細な画素においての適用が困難になってくる。【０００７】  以下の特許文献１乃至５（関連技術）に開示されているように、分割配向の提案は、ＴＮ方式の方が横電界方式よりも以前になされている。なお、以下の図２６、図２７、図２８、図２９及び図３０は、それぞれ各特許文献からそのまま引用したものである。そのため、これらの図面のそれぞれに付された符号は、その図面においてのみ有効であり、他の図面の符号とは無関係である。【０００８】  特許文献１に記載の技術を図２６に示す。特許文献１には、電極と液晶配向膜とが形成された対向する二枚の基板の間にネマティック液晶が挟持され、マトリクス状に配列された複数の絵素６を有する液晶表示装置において、それぞれの絵素６上にて、液晶分子の視角方向が互いに異なる領域１８，１９に分割され、任意の行の絵素６上の下部領域と次行の絵素６上の上部領域とが同一の視角方向を有しており、かつ任意の列の絵素６上の下部領域と次列の絵素６上の下部領域とが同一の視角方向を有する技術が開示されている。これにより、配向分割状態が安定して維持され、視角方向によるコントラストむら及び押圧によるコントラストむらが防止されるということである。なお、図２６には、ゲート電極１３、ソース電極１７、アクティブマトリクス基板２０が記載されている。【０００９】  特許文献２に記載の技術を図２７に示す。特許文献２には、電極を設置した面を対向させ複数の画素ａを形成する二枚の基板の間に液晶層を挟み、画素ごとに画素内に分子配列状態の異なる二つの領域Ａ，Ｂを有する液晶表示素子に関し、隣接する画素間において、任意の画素の一方の領域に隣接する他の画素の領域が同一分子配列領域であるように配列する技術が開示されている。これにより、画素を異なる配向の二領域Ａ，Ｂに分割する場合に生じるディスクリネーション線の発生数が低減され、高品位表示の液晶表示素子が得られるということである。なお、図２７には、画素電極２１、ＴＦＴ駆動素子２２が記載されている。【００１０】  特許文献３に記載の技術を図２８に示す。特許文献３には、視角範囲を広げるために一つの画素上のツイステッドネマチック層を１８０°配向方向が異なる二領域Ａ，Ｂに分割し、更に、ノーマリホワイト黒表示時におけるツイステッドネマチック層の境界からの光モレを、遮光膜を用いて防ぎ、高コントラストを実現する技術が開示されている。これにより、一画素内に、配向方向の異なるツイステッドネマチック液晶を有する液晶表示装置のコントラスト低下が抑制されるということである。なお、図２８（ａ）はカラーフィルタＲ，Ｇ，Ｂの一般的な平面配置を示し、図２８（ｂ）（ｃ）は特許文献３に記載の技術を図２８（ａ）に適用した例を示し、〜線で示した区分２５は一画素を分割することを意味している。【００１１】  特許文献４に記載の技術を図２９に示す。特許文献４には、視野角特性に優れ、高品位の表示が可能な液晶表示装置を提供する技術が開示されている。絵素は、液晶層３０の厚さ方向の中央付近に位置する液晶分��の配向方向が互いに異なる第１、第２、第３及び第４ドメイン（Ｄ１〜Ｄ４）がある方向に沿ってこの順に配列された４分割ドメインＤを含む。第１基板１０は、液晶分子を第１方向Ｒ１に配向させる規制力を有する二つの第１領域Ａ１と、第１方向Ｒ１と反対の第２方向Ｒ２に配向させる規制力を有し、二つの第１領域Ａ１の間に設けられた第２領域Ａ２とを有する。第２基板２０は、第１方向Ｒ１と交差する第３方向Ｒ３に配向させる規制力を有する第３領域Ａ３と、第３方向Ｒ３と反対の第４方向Ｒ４に配向させる規制力を有する第４領域Ａ４とを有する。各ドメイン（Ｄ１〜Ｄ４）間の境界は、各ドメイン（Ｄ１〜Ｄ４）の配列方向に直交する方向に延びている。なお、図２９中のｘ，ｙ，Ｐは長さを示している。【００１２】  特許文献５に記載の技術を図３０に示す。特許文献５には、液晶表示装置にどのような方向の線分や、単色の領域又は文字を表示させても、表示像の視野角依存性を改善する技術が開示されている。第１の配向特性を有する第１の単位配向領域６及びその第１の配向特性と異なる第２の配向特性を有する第２の単位配向領域８がマトリクスの行列位置に混在して配置された配向膜１０を含み、第１及び第２の単位配向領域６，８があらゆる方向の直線に沿って混在するように、第１及び第２の単位配向領域６，８が配設した配向膜１０を含む。異なる配向特性を有する複数種類の配向領域を配向膜１０に形成するのに適した、マスクを使用したということである。なお、図３０には、単位配向領域６からなる配向領域１２、単位配向領域８からなる配向領域１４、配向領域１２，１４からなる基準パターン１６が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開平０８−０４３８２６号公報
【特許文献２】特開平０６−１１００６０号公報
【特許文献３】特開平０５−２２４２１０号公報
【特許文献４】特開２００６−０８５２０４号公報
【特許文献５】特開２００１−３０５５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】  しかしながら、上述した関連技術には、次のような問題点がある。【００１５】  第１の問題点として、光配向処理による分割配向方式では、画素の高精細化と広視野角特性が両立できないことにある。分割配向は、上下左右だけでなく斜め視野の視野角特性を改善するために、液晶の配向方位の対称性が作り出せる４分割配向が特に有効である。一方、分割配向の境界部は、液晶配向が不連続となるためにディスクリネーションが発生するので、表示に有効な領域といえない。ディスクリネーションの発生する領域は、分割配向の分割数が多くなる程、また高精細（画素サイズが小さく）になる程、画素領域に対する面積比率が増えてしまい、表示品位の悪化や実質的な開口率が低下につながる。【００１６】  第２の問題点として、光配向処理による分割配向方式では、画素の高精細化や広視野角特性に対して光配向処理が効率的でないことにある。分割配向は、上下左右だけでなく斜め視野の視野角特性を改善するために、液晶の配向方位の対称性が作り出せる４分割配向が特に有効である。また、分割配向の光配向処理方法は、ワーク基板を複数のＵＶ照射エリアに分割し、その分割領域をステップ送りでマスク露光を行う方式が主流であり、マスクとワーク基板との隙間を数μｍから数十μｍ程度とるプロキシミティ露光である。分割配向では、一つの配向方位の領域が小さくなることに加えて、高精細化によってその領域がより小さくなってしまう。更にプロキシミティ露光の光の広がりや合わせ精度が問題となってしまう。したがって、分割配向の光照射エリアは、できる限り大きくする方が有利である。この点については、いずれの特許文献にも言及されていない。【００１７】  第３の問題点として、表示品位の悪化がある。分割配向は、特許文献１，２及び４に開示されているように画素間を跨ぐエリアで同一の配向処理となっている。しかしながら、その配向処理は、一方向のみに連続的レイアウトで処理されているために、配向処理部境界の表示ムラが連続的に視認されるので、表示品位が悪化する。この連続的に視認される配向処理部境界の表示ムラを解決するために、特許文献５に開示される技術では、１画素又は１サブ画素単位で配向状態が異なる画素パターンを複数組合せたマスク単位を設けて、そのマスク単位での配向処理を行っている。しかし、この特許文献５の例では、連続性を有する配向処理境界に起因する表示ムラに効果があるかもしれないが、マスクパターンが非常に複雑になり、各配向処理パターンごとにマスクを準備することが必要とるので、効率的な配向処理を行うことができない。【００１８】  また、いずれの特許文献においても、画素内の分割電極レイアウトと分割配向レイアウトとの組合せを周期的に変えるような技術は全く開示されておらず、効率的な配向処理を行うことができない。【００１９】  そこで、本発明の目的は、高精細画素であっても良好な視野角特性を維持するとともに、効率良い配向分割処理が可能な、液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】  本発明に係る液晶表示装置は、  マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置であって、  前記一画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つの画素の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成された、  ものである。【００２１】  本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、  マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置を製造する方法であって、  前記一画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つの画素の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成され、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接する画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成される分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成されており、  前記分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）を、任意のマスクサイズを露光エリアとし、前記配向分割の各領域の配向方位に対応した方向にステップ送りする、光配向処理で形成する、  ものである。
【発明の効果】
【００２２】  本発明によれば、画素内を光配向処理により分割配向する際、隣接する画素領域を共有した広い配向パターンを有するため、高精細画素であっても良好な視野角特性を維持するとともに、効率良い配向分割処理が可能な、液晶表示装置及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施形態１における、分割電極と分割配向とを組み合わせた構成の一例を示す模式図である。
【図２】実施形態１における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す平面図（その１）である。
【図３】実施形態１における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す平面図（その２）である。
【図４】実施形態１における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す平面図（その３）である。
【図５】実施形態１における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す平面図（その４）である。
【図６】実施形態１における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す平面図（その５）である。
【図７】実施形態１における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す断面図（その１）である。
【図８】実施形態１における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す断面図（その２）である。
【図９】実施形態１における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す断面図（その３）である。
【図１０】実施形態１における、表示領域の各画素の分割電極のレイアウトの例を示す模式図である。
【図１１】実施形態１における、表示領域の各画素の分割配向のレイアウトの例を示す模式図である。
【図１２】実施形態１における、同一のマスクを使用した分割マスク露光の方法を具体的に示す模式図である。
【図１３】実施形態１における、表示領域の各画素の分割電極のレイアウトの異なる周期性の例を示す模式図である。
【図１４】実施形態１における、表示領域の各画素の分割配向のレイアウトの異なる周期性の例を示す模式図である。
【図１５】実施形態１における、表示領域の各画素の分割電極のレイアウトの異なる周期性のもう一つの例を示す模式図である。
【図１６】実施形態１における、表示領域の各画素の分割配向のレイアウトの異なる周期性のもう一つの例を示す模式図である。
【図１７】実施形態２における、分割電極と分割配向を組み合わせた構成の一例を示す模式図である。
【図１８】実施形態２における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す平面図（その１）である。
【図１９】実施形態２における、一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示す平面図（その２）である。
【図２０】実施形態２における、表示領域の各画素の分割電極のレイアウトの一例を示す模式図である。
【図２１】実施形態２における、表示領域の各画素の分割配向のレイアウトの一例を示す模式図である。
【図２２】実施形態３における、表示領域の各サブ画素の分割電極のレイアウト周期の一例を示す模式図である。
【図２３】実施形態３における、表示領域の各サブ画素の分割配向のレイアウト周期の一例を示す模式図である。
【図２４】実施形態４における、表示領域の各２サブ画素の分割電極のレイアウト周期の一例を示す模式図である。
【図２５】実施形態４における、表示領域の各２サブ画素の分割配向のレイアウト周期の一例を示す模式図である。
【図２６】特許文献１に記載の技術を示す図である。
【図２７】特許文献２に記載の技術を示す図である。
【図２８】特許文献３に記載の技術を示す図である。
【図２９】特許文献４に記載の技術を示す図である。
【図３０】特許文献５に記載の技術を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】  以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態（以下「実施形態」という。）について説明する。なお、以下の記載において、実質的に同一の構成要素については同一の符号を用いる。図面に描かれた形状は、当業者が理解しやすいように描かれているため、実際の寸法及び比率とは必ずしも一致していない。
【００２５】  ［実施形態１］  図１は、実施形態１の液晶表示装置における、分割電極と分割配向とを組み合わせた構成の一例を示す模式図である。本実施形態１の液晶表示装置は、図１［Ａ］に示すように４つに分割された分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）と、図１［Ｂ］に示すように４つに分割された分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）との配置関係で構成されている。更に、図１［Ｃ］には、分割電極と分割配向との位置関係を示している。図には、隣接する４つの画素が示されており、１つの画素は４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）で構成されている。また、ある画素のある分割電極が他の画素の分割電極に隣接するとき、これらの分割電極は同一構造となっている。図示する例では、分割電極Ｐ４が隣接する３つの画素（右、下、右下の３箇所）の分割電極Ｐ’４と同一構造である。更に、隣接する４つの画素内にある同一構造の４つの分割電極Ｐ４（Ｐ’４）を囲む領域は、同一の分割配向（Ｏ４）で処理される。
【００２６】  換言すると、本実施形態１の液晶表示装置は、４つに分割された分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）と、４つに分割された分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）と、を備える構成である。例えば分割電極Ｐ４は、これに隣接する画素（右、下、右下の３箇所）のＰ’４と同一構造である。隣接する４つの画素内にある同一構造の４つの分割電極Ｐ４（Ｐ’４）を囲む領域は、同一の分割配向（Ｏ４）で処理される。
【００２７】  図２乃至図６は、前述した内容に基づいて一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せを具体的に示した平面図である。分割電極はＦＦＳ方式を、分割配向はホモジニアス配向させた液晶の配向方位と傾斜角（プレチルト角）とを、更にＴＦＴ基板の偏光軸１１ａとＣＦ基板の偏光軸１２ａとを、それぞれ一例として示してある。本実施形態１ではＦＦＳ方式で示しているが、本発明はＩＰＳ方式や更にＦＦＳ方式とＩＰＳ方式とを組み合わせた方式などの横電界方式のデバイスに好適である。更に、本発明は上記以外の方式であっても適用が可能である。
【００２８】  図２及び図６では、４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）が互いに異なり、４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）も互いに異なる。図３では、４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）のうち、Ｏ１とＯ２が同一の配向であり（Ｏ１＝Ｏ２）、Ｏ３とＯ４も同一の配向である（Ｏ３＝Ｏ４）。図４では、４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）のうち、Ｐ１とＰ２が同一の電極構造であり（Ｐ１＝Ｐ２）、Ｐ３とＰ４も同一の電極構造である（Ｐ３＝Ｐ４）。図５では、４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）のうち、Ｐ１とＰ２が同一の電極構造であり（Ｐ１＝Ｐ２）、Ｐ３とＰ４も同一の電極構造であり（Ｐ３＝Ｐ４）、かつ、４つの分割配向（Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３、Ｏ４）のうち、Ｏ１とＯ２が同一の配向であり（Ｏ１＝Ｏ２）、Ｏ３とＯ４も同一の配向である（Ｏ３＝Ｏ４）。
【００２９】  図７乃至図９は、前述した一つの画素内での分割電極と分割配向との組合せのうち図２の平面図を元に、断面方向の液晶分子の配向状態を示した図である。分割電極が形成される基板であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板１１と、ＴＦＴ基板１１に対向する基板であるＣＦ（Color Filter）基板１２との間に、液晶層１３が挟まれている。分割配向の状態は、ＴＦＴ基板１１の液晶層１３との界面での液晶配向、及び、ＣＦ基板１２側の液晶層１３との界面での液晶配向によって、断面方向（厚み方向）の液晶配向が決まる。図２におけるａ−ａ’断面（図７［Ａ］、図８［Ａ］及び図９［Ａ］）並びにｂ−ｂ’断面（図７［Ｂ］、図８［Ｂ］及び図９［Ｂ］）の液晶配向については、ＴＦＴ基板１１とＣＦ基板１２の配向処理方位の選択により、３つの状態をつくることができる。
【００３０】  図７は、ＴＦＴ基板１１側とＣＦ基板１２側の配向方位を１８０度変えたアンチパラレル配向の状態である。図８は、ＴＦＴ基板１１側とＣＦ基板１２側の配向方位を同じにしたスプレイ配向の状態である。図９は、ＴＦＴ基板１１側が画素面内の配向を０度と１８０度で分割するのに対して、ＣＦ基板１２側の配向方位を０度又は１８０度で固定している。
【００３１】  なお、上述する分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）は、断面方向の平均的な液晶配向の方位を示すものであって、断面方向の液晶配向の種類（アンチパラレル、スプレイ又は両者の混在）を特に限定するものでない。断面方向の液晶配向を任意に制御するには、配向膜界面の液晶分子のプレチルト角を付ける必要がある。その方法として、配向膜中に無偏光又は直線偏光のＵＶ光を斜めの入射角度で照射することで、配向膜のＸ−Ｙ平面方向だけでなく厚み方向（Ｚ方向）も含めた３次元的な光学異方性を発現することができ、任意のプレチルト角を制御できる。
【００３２】  また、分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）は、電圧が無印加の状態で平均的な液晶配向の方位が同じであっても、分割電極との組合せによって、バルク中の液晶分子のツイストの程度やその方向を変えることで、電圧印加後の液晶配向の方位を実質的に異なるようにできる。この場合には、液晶分子のプレチルト角が、ゼロであっても構わない。この場合には、配向膜のＸ−Ｙ平面方向の２次元的な光学異方性を発現させるように、垂直方向から直線偏光のＵＶ光を照射すればよい。
【００３３】  上述したように、分割配向にはいくつかの選択肢があるが、視野角特性、分割配向間のディスクリネーション抑制、各基板の配向処理にかかわる量産性、などを考慮し任意に選択することができる。また、横電界モードでは、分割電極を有するＴＦＴ基板側の配向処理が重要である。分割電極側近傍の液晶分子にはパネル駆動時に大きな電界がかかるため、基板界面の液晶と配向膜との間に安定した強いアンカリングが必要である。そのため、分割配向（Ｏ１、Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）は、分割電極を有する基板側の配向処理が最も重要である。
【００３４】  図１０乃至図１６は、表示領域の各画素の分割電極のレイアウトと分割配向のレイアウトとの周期性の異なる３つの例を示した模式図である。
【００３５】  図１０及び図１１の例について説明する。図１０に示すように、画素は４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）で構成され、表示領域は４種類の画素内の分割電極レイアウトの組合せで構成されている。更に、画素の分割電極レイアウト周期は、Ｘ方向が２画素ピッチ、Ｙ方向が２画素ピッチとなっている。隣接する分割電極同士が同一となる領域に対して、同じ照射軸又は同じ偏光軸（両者を組合せる場合もある）の分割配向がなされる。図１１に示すように、液晶配向は一つ一つが画素と実質的に同一形状、同一面積となる４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）で構成され、分割配向レイアウト周期はＸ方向が２画素ピッチかつＹ方向が２画素ピッチとなっている。なお、図１０及び図１１の破線で囲む領域は、実質的に同一の領域を示している。
【００３６】  分割配向の光配向処理方法は、ワーク基板を複数のＵＶ照射エリアに分割し、その分割領域をステップ送りでマスク露光を行う方式が主流である。上述の図１１の例の分割配向の組合せは、表示領域内での４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）の繰り返し周期と、パターンが全く同一である。そのため、１つのマスクで４つの分割配向処理が可能である。一例として、表示領域（ワーク基板）の分割領域をカバーする分割露光マスクと、照射軸又は偏光軸（両者を組合せる場合もある）を任意に決められる光配向処理の光学系と、を準備する。また、光学系は、各分割配向領域の液晶分子のプレチルト角を制御するために、配向膜中に無偏光又は直線偏光のＵＶ光を斜めの入射角度で照射する。あるいは、光学系は、液晶分子のプレチルト角をゼロにするために、配向膜中に垂直方向から直線偏光のＵＶ光を照射すればよい。
【００３７】  図１２に示すように、４つの分割配向の位相を９０度回転（０，９０，１８０，２７０度）で配向処理したい場合、光配向処理の光学系に対してワーク基板をそれぞれの角度（０，９０，１８０，２７０度）でステップ送りによる分割露光を行えばよい。例えば、分割配向Ｏ１となる全ての領域にステップ送りによって配向方向「←」の分割露光をし、ワーク基板を回転させ、分割配向Ｏ２となる全ての領域にステップ送りによって配向方向「→」の分割露光をし、ワーク基板を回転させ、分割配向Ｏ３となる全ての領域にステップ送りによって配向方向「↓」の分割露光をし、ワーク基板を回転させ、分割配向Ｏ４となる全ての領域にステップ送りによって配向方向「↑」の分割露光をする。このときに使用するマスクは一種類である。
【００３８】  図１３及び図１４の例について説明する。図１３に示すように、画素は４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）で構成され、表示領域は４種類の画素内の分割電極レイアウトの組合せで構成されている。更に、画素の分割電極レイアウト周期は、Ｘ方向が４画素ピッチ、Ｙ方向が２画素ピッチとなっている。隣接する分割電極同士が同一となる領域に対して、同じ照射軸又は同じ偏光軸（両者を組合せる場合もある）の分割配向がなされる。図１４に示すように、液晶配向は一つ一つが画素と実質的に同一形状、同一面積の４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）で構成され、分割配向レイアウト周期はＸ方向が４画素ピッチかつＹ方向が２画素ピッチとなっている。なお、図１３及び図１４の破線で囲む領域は、実質的に同一の領域を示している。
【００３９】  前述の図１４の例の分割配向の組合せは、図１４に示すようにＸ方向とＹ方向の分割配向の配列周期が異なる。そのため、４つの分割配向の位相を９０度回転（０，９０，１８０，２７０度）で配向処理したい場合、光配向処理の光学系に対してワーク基板を、０度回転させたときと１８０度回転させたときとで配列周期が同一となり、９０度回転させたときと２７０度回転させたときとで配列周期が同一となる。したがって、Ｘ方向の送り処理用とＹ方向の送り処理用との２つのマスクで、４つの分割配向処理が可能である。
【００４０】  図１５及び図１６の例について説明する。図１５に示すように、画素は４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）で構成され、表示領域は４種類の画素内の分割電極レイアウトの組合せで構成されている。更に、画素の分割電極レイアウト周期は、Ｘ方向が２画素ピッチ、Ｙ方向が４画素ピッチとなっている。隣接する分割電極同士が同一となる領域に対して、同じ照射軸又は同じ偏光軸（両者を組合せる場合もある）の分割配向がなされる。図１６に示すように、液晶配向は一つ一つが画素と実質的に同一形状、同一面積の４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）で構成され、分割配向レイアウト周期はＸ方向が２画素ピッチかつＹ方向が４画素ピッチとなっている。なお、図１５及び図１６の破線で囲む領域は、実質的に同一の領域を示している。
【００４１】  前述の図１６の例の分割配向の組合せは、図１６に示すようにＸ方向とＹ方向の分割配向の配列周期が異なる。そのため、４つの分割配向の位相を９０度回転（０，９０，１８０，２７０度）で配向処理したい場合、光配向処理の光学系に対してワーク基板を、０度回転させたときと１８０度回転させたときとで配列周期が同一となり、９０度回転させたときと２７０度回転させたときとで配列周期が同一となる。したがって、Ｘ方向の送り処理用とＹ方向の送り処理用との２つのマスクで、４つの分割配向処理が可能である。
【００４２】  ［実施形態２］  図１７は、本発明の液晶表示装置の実施形態２における、分割電極と分割配向を組み合わせた構成の一例を示す模式図である。
【００４３】  本実施形態２の液晶表示装置は、図１７［Ａ１］［Ａ２］に示すように４つに分割された分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）と、図１７［Ｂ１］［Ｂ２］に示すように４つに分割された分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）とを備え、実施形態１とは異なる面付け方向の配置関係で構成されている。更に、図１７［Ｃ］は、分割電極と分割配向との位置関係を示している。図１７［Ｃ］には、隣接する４つの画素が示されており、１つの画素は４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）で構成されている。また、画素（図１７［Ａ１］）に隣接する画素の分割電極は、右側と下側が図１７［Ａ２］の構造、右下斜めが図１７［Ａ１］の構造となっている。図１７［Ｃ］に示す例では、分割電極Ｐ４は、隣接する画素（右、下、右下の３箇所）の分割電極Ｐ’４と同一構造である。更に、隣接する４つの画素内にある同一構造の４つの分割電極Ｐ４（Ｐ’４）を囲む領域は、同一の分割配向（Ｏ４）で処理される。
【００４４】  図１８及び図１９は、前述した内容に基づいて一つの画素内での分割電極と分割配向の組合せを具体的に示した平面図である。分割電極はＦＦＳ方式を、分割配向はホモジニアス配向させた液晶の配向方位と傾斜角（プレチルト角）とを、更にＴＦＴ基板の偏光軸１１ａとＣＦ基板の偏光軸１２ａとを、それぞれ一例として示してある。本実施形態２ではＦＦＳ方式で示しているが、本発明はＩＰＳ方式やＦＦＳ方式とＩＰＳ方式とを組み合わせた方式などの横電界方式のデバイスへも好適である。更に、本発明は上記以外の方式であっても適用が可能である。
【００４５】  図１８では、４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）が互いに異なり、４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）が互いに異なる。図１９では、４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）のうち、分割配向Ｏ１と分割配向Ｏ２とが同一の配向であり（Ｏ１＝Ｏ２）、分割配向Ｏ３と分割配向Ｏ４とが同一の配向である（Ｏ３＝Ｏ４）。
【００４６】  図２０及び図２１は、表示領域の各画素の分割電極のレイアウトと分割配向のレイアウトとの周期の一例を示した模式図である。以下、本実施形態２について説明する。
【００４７】  図２０に示すように、画素は４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）で構成され、表示領域は４種類の画素内の分割電極レイアウトの組合せで構成されている。更に、画素の分割電極レイアウト周期は、Ｘ方向が２画素ピッチ、Ｙ方向が２画素ピッチとなっている。隣接する分割電極同士が同一となる領域に対して、同じ照射軸又は同じ偏光軸（両者を組合せる場合もある）の分割配向がなされる。図２１に示すように、液晶配向は横向きの凹形状の２つの分割配向（Ｏ１，Ｏ３）と横向きの凸形状の２つの分割配向（Ｏ２，Ｏ４）とで構成され、分割配向レイアウト周期はＸ方向が２画素ピッチかつＹ方向が２画素ピッチとなっている。なお、図２０及び図２１の破線で囲む領域は、実質的に同一の領域を示している。
【００４８】  前述の図２１の例における分割配向の組合せは、図２１に示すようにＸ方向とＹ方向の分割配向の配列周期が２画素ピッチで同じである。また、分割配向（Ｏ１）と分割配向（Ｏ３）との位相、及び、分割配向（Ｏ２）と分割配向（Ｏ４）との位相は、それぞれ互いに１８０度ずれている。したがって、４つの分割配向の位相を９０度回転（０、９０、１８０、２７０度）で配向処理したい場合、光配向処理の光学系に対してワーク基板を、０度回転させたときと１８０度回転させたときとの配列周期が同一となり、９０度回転させたときと２７０度回転させたときとの配列周期が同一となる。したがって、Ｘ方向の送り処理用とＹ方向の送り処理用との２つのマスクで、４つの分割配向処理が可能である。
【００４９】  ［実施形態３］  本発明の液晶表示装置は、画素単位だけでなくカラーフィルター（ＣＦ）との組合せで構成するサブ画素単位でも適用できる。図２２及び図２３は、実施形態３の液晶表示装置における、表示領域の各サブ画素の分割電極のレイアウトと分割配向のレイアウトとの周期の一例を示した模式図である。以下、本実施形態３について説明する。
【００５０】  図２２に示すように、サブ画素（図中の太実線の単位で長方形状）は４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）で構成され、表示領域は４種類のサブ画素内の分割電極レイアウトの組合せで構成されている。更に、サブ画素の分割電極レイアウト周期は、Ｘ方向が２サブ画素ピッチ、Ｙ方向が２サブ画素ピッチとなっている。隣接する分割電極同士が同一となる領域に対し、同じ照射軸又は同じ偏光軸（両者を組合せる場合もある）の分割配向がなされる。図２３に示すように、液晶配向は一つ一つがサブ画素と実質的に同一形状、同一面積となる４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）で構成され、分割配向レイアウト周期はＸ方向が２サブ画素ピッチかつＹ方向が２サブ画素ピッチとなっている。なお、図２２及び図２３の破線で囲む領域は、実質的に同一の領域を示している。図２２においてＲ，Ｇ，Ｂはそれぞれカラーフィルタの色（Red,Green,Blue）示す。
【００５１】  前述の図２３の例における分割配向の組合せは、表示領域内での４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）の繰り返し周期と、パターンが全く同一である。そのため、１つのマスクで４つの分割配向処理が可能である。一例として、表示領域（ワーク基板）の分割領域をカバーする分割露光マスクと、照射軸又は偏光軸（両者を組合せる場合もある）を任意に決められる光配向処理の光学系と、を準備する。また、光学系は、各分割配向領域の液晶分子のプレチルト角を制御するために、配向膜中に無偏光又は直線偏光のＵＶ光を斜めの入射角度で照射する。あるいは、光学系は、液晶分子のプレチルト角をゼロにするために、配向膜中に垂直方向から直線偏光のＵＶ光を照射すればよい。４つの分割配向の位相を９０度回転（０，９０，１８０，２７０度）で配向処理したい場合、光配向処理の光学系に対してワーク基板をそれぞれの角度（０，９０，１８０，２７０度）で回転させ、ステップ送りによる分割露光を行えばよい。
【００５２】  ［実施形態４］  本発明の液晶表示装置は、更にカラーフィルタ（ＣＦ）のサブ画素を複数組み合わせた単位でも適用できる。図２４及び図２５は、実施形態４液晶表示装置における、表示領域の各２サブ画素の分割電極のレイアウトと分割配向のレイアウトとの周期の一例を示した模式図である。以下、本実施形態４について説明する。
【００５３】  図２４に示すように、本実施形態４では横方向の２サブ画素を１単位とし、２サブ画素（図中の太実線の単位で長方形状）が４つの分割電極（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４）で構成され、表示領域は４種類の２サブ画素内の分割電極レイアウトの組合せで構成されている。更に、２サブ画素の分割電極レイアウト周期は、Ｘ方向が４サブ画素ピッチ、Ｙ方向が２サブ画素ピッチとなっている。隣接する分割電極同士が同一となる領域に対して、同じ照射軸又は同じ偏光軸（両者の組合せる場合もある）の分割配向がなされる。図２５に示すように、液晶配向は一つ一つが２サブ画素と実質的に同一形状、同一面積の４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）で構成され、分割配向レイアウト周期はＸ方向が４サブ画素ピッチかつＹ方向が４サブ画素ピッチとなっている。なお、図２４及び図２５の破線で囲む領域は、実質的に同一の領域を示している。図２４においてＲ，Ｇ，Ｂはそれぞれカラーフィルタの色（Red,Green,Blue）示す。
【００５４】  前述の図２５の例における分割配向の組合せは、表示領域内での４つの分割配向（Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４）の繰り返し周期と、パターンが全く同一である。そのため、１つのマスクで４つの分割配向処理が可能である。一例として、表示領域（ワーク基板）の分割領域をカバーする分割露光マスクと、照射軸又は同じ偏光軸（両者を組合せる場合もある）を任意に決められる光配向処理の光学系と、を準備する。４つの分割配向の位相を９０度回転（０，９０，１８０，２７０度）で配向処理したい場合、光配向処理の光学系に対してワーク基板をそれぞれの角度（０，９０，１８０，２７０度）で回転させ、ステップ送りによる分割露光を行えばよい。
【００５５】  ［補足説明］  以上、上記各実施形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細については、当業者が理解し得るさまざまな変更を加えることができる。例えば、上記各実施形態では特許請求の範囲における「ｍ」が主に４の場合を示したが、本発明には「ｍ」が２、３又は５以上の場合も含まれる、また、本発明には、上記各実施形態の構成の一部又は全部を相互に適宜組み合わせたものも含まれる。
【００５６】  ここで、本発明の効果について詳しく説明する。
【００５７】  本発明の液晶表示装置は、画素内を光配向処理により分割配向する際、隣接する画素領域を共有した広い配向パターンを有するため、画素を高精細化しても広視野角特性を維持できる。特に、分割配向は、上下左右だけでなく斜め視野の視野角特性を改善するために、液晶の配向方位の対称性が作り出せる４分割配向が有効である。
【００５８】  また、本発明の液晶表示装置は、分割配向の分割数を少なくすることができるため、分割配向による液晶配向が不連続となって発生するディスクリネーション領域を低減することができ、高精細でも表示品位の悪化を防止できる。分割電極及び分割配向のレイアウトが周期的に変わっているので、電極構造や分割配向等に起因する表示ムラが連続的に視認されないため、表示品位を向上できる。隣接する画素領域を共有した広い配向パターンを有するため、プロキシミティ露光の光の広がりやマスクとの合わせ精度に対する表示品位の悪化が抑制できる。
【００５９】  更に、本発明の液晶表示装置は、分割配向処理を効率的に行うことができる。特に、本発明の分割配向処理は、上下左右だけでなく斜め視野の視野角特性を改善に有効な４分割配向に対し、４分割配向であっても各分割配向処理に使用するマスクの共通化が図れる。そして、ワーク基板に対して必要な配向方位を得るために、ワーク基板に対するマスクの面内角度を４分割配向の方位に合わせるように、マスク露光の方位を回転させることで、一台の光配向装置のステップ露光で処理できる製造方法を提供できる。
【００６０】  上記の実施形態の一部又は全部は以下の付記のようにも記載され得るが、本発明は以下の構成に限定されるものではない。
【００６１】  ［付記１］マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置であって、  前記一画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つの画素の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成された、  液晶表示装置。
【００６２】  ［付記２］前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接する画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成された分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成された、  付記１記載の液晶表示装置。
【００６３】  ［付記３］マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域内の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置であって、  前記画素は複数のサブ画素から構成され、  前記サブ画素を少なくとも一つ以上組み合わせて一単位のサブ画素領域とし、  前記一単位のサブ画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つのサブ画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つのサブ画素領域の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成された、  液晶表示装置。
【００６４】  ［付記４］前記一単位のサブ画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接するサブ画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成された分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成された、  付記３記載の液晶表示装置。
【００６５】  ［付記５］前記液晶配向は横電界方式のモードある、  付記１乃至４のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【００６６】  ［付記６］前記ｍが４である、  付記１乃至５のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【００６７】  ［付記７］マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置を製造する方法であって、  前記一画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つの画素の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成され、  前記一画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接する画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成される分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成されており、  前記分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）を、任意のマスクサイズを露光エリアとし、前記配向分割の各領域の配向方位に対応した方向にステップ送りする、光配向処理で形成する、  液晶表示装置の製造方法。
【００６８】  ［付記８］マトリクス状に配列する画素に対し一画素領域内の電極パターンと液晶配向領域とがそれぞれ分割配置される液晶表示装置を製造する方法であって、  前記画素は複数のサブ画素から構成され、  前記サブ画素を少なくとも一つ以上組み合わせて一単位のサブ画素領域とし、  前記一単位のサブ画素領域は、電極パターンが複数に分割された分割電極Ｐｎ（Ｐ１，Ｐ２，・・・，Ｐｍで構成、ｍは２以上の整数）と、液晶配向が複数に分割された分割配向Ｏｎ（Ｏ１，Ｏ２，・・・，Ｏｍで構成、ｍは２以上の整数）とが、それぞれ互いに対応した組合せになっており、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割電極Ｐｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つのサブ画素領域の分割電極Ｐ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一構造であり、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割配向Ｏｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）と、それに隣接する少なくとも一つのサブ画素領域の分割配向Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）とは、同一配向領域で形成され、  前記一単位のサブ画素領域の前記分割配向Ｏｎとそれに隣接するサブ画素領域の前記分割配向Ｏ’ｎとで形成される分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎは、それぞれ同一形状でかつ同一面積の繰り返しパターンで形成され、  前記分割配向領域Ｏｎ＋Ｏ’ｎ（ｎは１〜ｍで任意の整数、ｍは２以上の整数）を、任意のマスクサイズを露光エリアとし、前記配向分割の各領域の配向方位に対応した方向にステップ送りする、光配向処理で形成する、  液晶表示装置の製造方法。
【００６９】  ［付記９］前記光配向処理に使用するマスクは１種類又は２種類である、  付記７又は８記載の液晶表示装置の製造方法。
【００７０】  ［付記１０］前記ｍが４である、  付記７乃至９のいずれか一つに記載の液晶表示装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００７１】  本発明に係る液晶表示装置は、表示画面の均一性（ユニフォミティ）が高く、高コントラストで色再現性の良好な広い視野角特性を求められる液晶ディスプレイとして、特にハイエンド向けのニーズの高い横電界方式のアクティブマトリクス型液晶ディスプレイを搭載する任意の機器に利用可能である。
【符号の説明】
【００７２】  Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４  分割電極  Ｏ１，Ｏ２，Ｏ３，Ｏ４  分割配向  １１  ＴＦＴ基板  １１ａ  ＴＦＴ基板の偏光軸  １２  ＣＦ基板  １２ａ  ＣＦ基板の偏光軸  １３  液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【国際調査報告】
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