【手続補正書】
【提出日】平成27年8月17日(2015.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されているソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、酸化窒化シリコン膜と、前記酸化窒化シリコン膜に積層された第１の酸素放出型の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する領域を有する半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されているソース電極及びドレイン電極と、
無機絶縁膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜と前記無機絶縁膜との間の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、酸化窒化シリコン膜と、前記酸化窒化シリコン膜に積層された第１の酸素放出型の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する領域を有する半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されているソース電極及びドレイン電極と、
無機絶縁膜と、
有機絶縁膜と、
導電膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜と前記無機絶縁膜との間の領域を有し、
前記無機絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と前記有機樹脂膜との間の領域を有し、
前記有機樹脂膜は、前記無機絶縁膜と前記導電膜との間の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、酸化窒化シリコン膜と、前記酸化窒化シリコン膜に積層された第１の酸素放出型の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する領域を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記導電膜は、前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続されている半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、
前記無機絶縁膜は、第２の酸素放出型の絶縁膜と、前記第２の酸素放出型の絶縁膜に積層された金属酸化膜と、を有し、
前記第２の酸素放出型の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記金属酸化膜は、酸化アルミニウムを有し、
前記金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上の領域を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法による、酸素原子に換算した酸素の放出量が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である領域を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は、酸化シリコンを有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積あたりに含む領域を有する半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は、水素濃度が第１の値である領域を有し、
前記酸化窒化シリコン膜は、水素濃度が第２の値である領域を有し、
前記第１の値は、前記第２の値よりも低い半導体装置。
【請求項９】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されているソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、酸化窒化シリコン膜と、前記酸化窒化シリコン膜に積層された第１の酸素放出型の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する領域を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化窒化シリコン膜を形成した後に第１の加熱処理を施す工程と、
前記第１の加熱処理が施された前記酸化窒化シリコン膜上に前記第１の酸素放出型の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜上に前記酸化物半導体膜を形成する工程と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜と、前記酸化物半導体膜とを、減圧下において連続して形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されているソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、酸化窒化シリコン膜と、前記酸化窒化シリコン膜に積層された第１の酸素放出型の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する領域を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化窒化シリコン膜を形成した後に第１の加熱処理を施す工程と、
前記第１の加熱処理が施された前記酸化窒化シリコン膜上に前記第１の酸素放出型の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜上に前記酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜を形成した後に第２の加熱処理を施す工程と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜と、前記酸化物半導体膜とを、減圧下において連続して形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜と、
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されているソース電極及びドレイン電極と、
無機絶縁膜と、
有機絶縁膜と、
導電膜と、を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜と前記無機絶縁膜との間の領域を有し、
前記無機絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と前記有機樹脂膜との間の領域を有し、
前記有機樹脂膜は、前記無機絶縁膜と前記導電膜との間の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、酸化窒化シリコン膜と、前記酸化窒化シリコン膜に積層された第１の酸素放出型の絶縁膜と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は前記酸化物半導体膜と接する領域を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化窒化シリコン膜を形成した後に第１の加熱処理を施す工程と、
前記第１の加熱処理が施された前記酸化窒化シリコン膜上に前記第１の酸素放出型の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜上に前記酸化物半導体膜を形成する工程と、
前記酸化物半導体膜を形成した後に第２の加熱処理を施す工程と、
前記酸化物半導体膜上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成した後に前記無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜を形成した後に前記有機絶縁膜を形成する工程と、
前記有機絶縁膜を形成した後に第３の加熱処理を施す工程と、を有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜と、前記酸化物半導体膜とを、減圧下において連続して形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記無機絶縁膜は、第２の酸素放出型の絶縁膜と、前記第２の酸素放出型の絶縁膜に積層された金属酸化膜と、を有し、
前記第２の酸素放出型の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜と接する領域を有し、
前記金属酸化膜は、酸化アルミニウムを有し、
前記金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上の領域を有する半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は、昇温脱離ガス分光法による、酸素原子に換算した酸素の放出量が１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である領域を有する半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は、酸化シリコンを有し、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は、シリコン原子数の２倍より多い酸素原子を単位体積あたりに含む領域を有する半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜を、スパッタリング法にて形成する半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１の酸素放出型の絶縁膜は、水素濃度が第１の値である領域を有し、
前記酸化窒化シリコン膜は、水素濃度が第２の値である領域を有し、
前記第１の値は、前記第２の値よりも低い半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１６のいずれか一において、
前記第１の加熱処理は、窒素雰囲気下、酸素雰囲気下、または減圧下にて２００℃以上４５０℃以下の温度で施す半導体装置の作製方法。