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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月18日(2015.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置本体に着脱可能に装着されるレンズ装置であって、
物体の光学像を形成する撮像光学系と、
前記撮像光学系の射出瞳の第１領域からの光束が通過する第１のバンドパスフィルターと、前記撮像光学系の射出瞳の第２領域からの光束が通過する第２のバンドパスフィルターと、
を有し、
前記撮像装置本体は、複数の画素を有する撮像素子を有し、各画素には第１、第２の光電変換部が配置され、前記第１の光電変換部は、前記第１のバンドパスフィルターを介して受光した前記第１領域からの光束を光電変換し、前記第２の光電変換部は、前記第２のバンドパスフィルターを介して受光した前記第２領域からの光束を光電変換し、前記第１のバンドパスフィルターと前記第１の光電変換部は共役な関係で配置され、前記第２のバンドパスフィルターと前記第２の光電変換部は共役な関係で配置され、
前記第１、第２のバンドパスフィルターは互いに異なる分光透過率特性を有することを特徴とするレンズ装置。
【請求項２】
前記撮像光学系は、光量を調整する絞りを有し、
前記第１、第２のバンドパスフィルターは、前記絞りの近傍に設けられることを特徴とする請求項１に記載のレンズ装置。
【請求項３】
前記第１、第２のバンドパスフィルターの分光透過率の情報を保存した記憶手段を更に有することを特徴とする請求項１または２に記載のレンズ装置。
【請求項４】
前記撮像光学系と前記第１、第２のバンドパスフィルターを収納する鏡筒を更に有し、
前記第１、第２のバンドパスフィルターは一つのバンドパスフィルターユニットとして構成され、
前記バンドパスフィルターユニットは前記鏡筒に対して着脱可能であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のレンズ装置。
【請求項５】
物体の光学像を形成する撮像光学系と、
前記撮像光学系の射出瞳の第１領域からの光束が通過する第１のバンドパスフィルターと、前記撮像光学系の射出瞳の第２領域からの光束が通過する第２のバンドパスフィルターと、
複数の画素を有する撮像素子を有し、各画素には第１、第２の光電変換部が配置され、前記第１の光電変換部は、前記第１のバンドパスフィルターを介して受光した前記撮像光学系の射出瞳の前記第１領域からの光束を光電変換し、前記第２の光電変換部は、前記第２のバンドパスフィルターを介して受光した前記撮像光学系の射出瞳の前記第２領域からの光束を光電変換し、前記第１のバンドパスフィルターと前記第１の光電変換部は共役な関係で配置され、前記第２のバンドパスフィルターと前記第２の光電変換部は共役な関係で配置され、
前記第１、第２のバンドパスフィルターは互いに異なる分光透過率特性を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記画素ごとに設けられたマイクロレンズを更に有することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１、第２の光電変換部から得られる第１、第２の画像を合成する画像合成手段を更に有することを特徴とする請求項５または６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１、第２の光電変換部で得られた信号に基づいて、位相差方式の焦点検出を行う焦点検出手段を更に有することを特徴とする請求項５乃至７のうちいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記画素ごとに３つ以上の光電変換部を有し、該３つ以上の光電変換部のうち２つの光電変換部に対応するバンドパスフィルターの分光透過率特性が等しいことを特徴とする請求項５乃至８のうちいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記第１の光電変換部に入射する光束の光量情報に関する像高特性に基づいて軸外の光量低下を補正するように前記第１の光電変換部で取得された信号を変化させる手段を有することを特徴とする請求項５乃至９のうちいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第１、第２のバンドパスフィルターの分光透過率の情報を取得する手段を有し、前記分光透過率を用いて画像合成を行うことを特徴とする請求項５乃至１０のうちいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コモンモードチョークコイルとしてのインダクタンスと、ノーマルモードチョークコイルとしてのインダクタンスとを有する複合型チョークコイルと、
上記複合型チョークコイルの２つの出力端子の間に電気接続されたアクロスザラインコンデンサと、
上記複合型チョークコイルの２つの出力端子それぞれに電気接続された２つのノーマルモードチョークコイルとを有し、
上記複合型チョークコイルのコモンモードチョークコイルとしてのインダクタンスは、３０ｍＨ以上であり、
上記複合型チョークコイルのノーマルモードチョークコイルとしてのインダクタンスは、４７０μＨ以上であり、
上記アクロスザラインコンデンサの静電容量は、０．２２μＦ以下であり、
上記２つのノーマルモードチョークコイルのインダクタンスは、それぞれ、３３０μＨ以上である
ことを特徴とするフィルタ装置。
【請求項２】
上記フィルタ装置は、
２つの出力端子のうち少なくともいずれかに接続した接地コンデンサを有する
ことを特徴とする請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のフィルタ装置と、
上記フィルタ装置を介して外部電源から電力の供給を受け、光源を点灯する電力に変換する点灯装置と
を有することを特徴とする照明装置。
【請求項４】
上記点灯装置は、スイッチング素子を有し、上記スイッチング素子を５０ｋＨｚ超の周波数でオンオフする
ことを特徴とする請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
上記点灯装置は、
コモンモードチョークコイルを備えるフィルタ回路を有し、
上記フィルタ装置の複合型チョークコイルのコモンモードチョークコイルとしてのインダクタンスは、上記点灯装置のコモンモードチョークコイルのインダクタンスの１．５倍以上３倍以下である
ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の照明装置。
【請求項６】
上記照明装置は、
上記フィルタ装置の前段に突入電流抑制回路
を有することを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の照明装置。
【請求項７】
上記照明装置は、
磁性材料により形成され、上記フィルタ装置及び上記点灯装置を搭載した金属板
を有することを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれかに記載の照明装置。
【請求項８】
上記照明装置は、
外部電源に接続する電源端子を有し、
上記フィルタ装置は、上記電源端子に隣接して配置され、
上記点灯装置は、上記電源端子を挟んで、上記フィルタ装置と反対側に配置されていることを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面の一部に絶縁膜を有するとともに、一部にシリコンが露出したゲートチャネルを設けたゲート部を有する基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板に少なくともシリコン含有ガスとリン含有ガスとを供給して前記ゲートチャネルのシリコンが露出している部分にエピタキシャル膜の種となる単結晶のリンドープトシリコン膜を形成するとともに、前記ゲートチャネルのシリコンが露出している部分以外の前記基板の表面上に非晶質のリンドープトシリコン膜を形成する工程と、
前記ゲートチャネルのシリコン露出部分に単結晶のリンドープトシリコン膜を形成後、前記基板を加熱することで前記単結晶のリンドープトシリコンを種として前記非晶質のリンドープトシリコンを単結晶化させてリン濃度が１×１０２０〜１×１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３となるリンドープトシリコン単結晶膜を形成する工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項２】
少なくとも表面の一部に絶縁膜を有するとともに、一部にシリコンが露出したゲートチャネルを設けたゲート部を有する基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板に少なくともシリコン含有ガスとリン含有ガスとを供給して前記ゲートチャネルのシリコンが露出している部分にエピタキシャル膜の種となる単結晶のリンドープトシリコン膜を形成するとともに、前記ゲートチャネルのシリコンが露出している部分以外の前記基板の表面上に非晶質のリンドープトシリコン膜を形成する工程と、
前記ゲートチャネルのシリコン露出部分に単結晶のリンドープトシリコン膜を形成後、前記基板を加熱することで前記単結晶のリンドープトシリコンを種として前記非晶質のリンドープトシリコンを単結晶化させてリン濃度が１×１０２０〜１×１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３となるリンドープトシリコン単結晶膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記単結晶のリンドープトシリコン膜と前記非晶質のリンドープトシリコン膜とを形成する工程は、４５０℃〜６００℃の処理温度帯のいずれかの温度で処理され、
前記非晶質のリンドープトシリコンを単結晶化させる工程は、５００℃〜７００℃の処理温度帯のいずれかの温度で処理される請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記単結晶リンドープトシリコン膜と前記非晶質リンドープトシリコン膜を形成する工程は、前記シリコン含有ガスであるＳｉＨ４ガスを供給し、前記リン含有ガスである１％ＰＨ３を供給する請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記単結晶リンドープトシリコン膜と前記非晶質リンドープトシリコン膜を形成する工程は、前記ＳｉＨ４ガスを２０００ｓｃｃｍ供給し、前記１％ＰＨ３ガスを１００ｓｃｃｍ供給する請求項４に記載の半導体の製造方法。
【請求項６】
前記単結晶リンドープトシリコン膜と前記非晶質リンドープトシリコン膜を形成する工程は、さらに、炭素含有ガスとして、ＣＨ３ＳｉＨ３を供給する請求項２から５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
少なくとも表面の一部に絶縁膜を有するとともに、一部にシリコンが露出したゲートチャネルを設けたゲート部を有する基板を処理する処理室と、
前記処理室を加熱する加熱装置と、
前記処理室に少なくともシリコン含有ガスとリン含有ガスとを供給するガス供給部と、
前記シリコン含有ガスと前記リン含有ガスとを前記処理室に供給して前記ゲートチャネルのシリコンが露出している部分にエピタキシャル膜の種となる単結晶のリンドープトシリコン膜を形成するとともに、前記ゲートチャネルのシリコンが露出している部分以外の前記基板の表面上に非晶質のリンドープトシリコン膜を形成するように少なくとも前記ガス供給部を制御し、前記ゲートチャネルのシリコン露出部分に単結晶のリンドープトシリコン膜を形成後、前記基板を加熱することで前記単結晶のリンドープトシリコン膜を種として前記非晶質のリンドープトシリコンを単結晶化させてリン濃度が１×１０２０〜１×１０２１ａｔｏｍ／ｃｍ３となるリンドープトシリコン単結晶膜を形成するように加熱装置を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記単結晶のリンドープトシリコン膜と前記非晶質のリンドープトシリコン膜とを形成する工程は、４５０℃〜６００℃の処理温度帯のいずれかの温度で処理され、
前記非晶質のリンドープトシリコンを単結晶化させる工程は、５００℃〜７００℃の処理温度帯のいずれかの温度で処理されるように前記加熱装置を制御する請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記ガス供給部は、前記シリコン含有ガスとしてＳｉＨ４ガスを供給し、前記リン含有ガスとして１％ＰＨ３を供給する請求項７または８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記ＳｉＨ４ガスを２０００ｓｃｃｍ供給し、前記１％ＰＨ３ガスを１００ｓｃｃｍ供給するように前記ガス供給部を制御する請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ガス供給部は、さらに、炭素含有ガスとしてＣＨ３ＳｉＨ３を供給する請求項７から１０のいずれか１つに記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月14日(2015.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転位置検出センサを構成するレゾルバステータおよびレゾルバロータと、
弾性部材と、
前記弾性部材を貫通し、前記弾性部材の移動を抑止する段部を外周表面に備えるシャフトと、を有し、
前記弾性部材を前記レゾルバロータに当接させて、前記シャフトの軸方向への前記レゾルバロータの動きを規制する、モータ。
【請求項２】
前記段部は、前記レゾルバロータよりも前記シャフトの軸方向のフロント側にある、請求項１に記載のモータ。
【請求項３】
前記段部は、前記シャフトの外周表面に設けられた溝部であり、
前記弾性部材は該溝部に装着されている、請求項２に記載のモータ。
【請求項４】
前記シャフトは、ウォーム減速機構のウォームと同軸上で連結され、前記ウォームのリア側端部が前記溝部の近傍まで前記シャフトの軸方向に伸びている、請求項１から３のいずれか１項に記載のモータ。
【請求項５】
前記弾性部材は、前記ウォーム減速機構のウォームの一部と接触する位置に配置されている、請求項４に記載のモータ。
【請求項６】
前記弾性部材は、円環状であって、前記シャフトに配置された前記弾性部材の最外径が前記段部から外側にはみ出している、請求項４または５に記載のモータ。
【請求項７】
前記弾性部材は、Ｏリングである、請求項１から６のいずれか１項に記載のモータ。
【請求項８】
前記弾性部材は、弓Ｅ形止め輪である、請求項１から６のいずれか１項に記載のモータ。
【請求項９】
ステアリングに対してウォーム減速機構を介して操舵アシスト力を付与する電動モータを有する電動パワーステアリング装置であって、
前記電動モータとして、請求項１から８のいずれか１項に記載のモータを有する、電動パワーステアリング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の変形材料層と、
第２の変形材料層と、
前記第１の変形材料層と前記第２の変形材料層との間に設けられた中間層とを備え、
前記第１の変形材料層は、酸化還元反応により分子の構造が変わる第１の刺激応答性化合物と、第１の電解質と、を含む第１の変形材料を含み、
前記第２の変形材料層は、酸化還元反応により分子の構造が変わる第２の刺激応答性化合物と、第２の電解質と、を含む第２の変形材料を含み、
前記第１の刺激応答性化合物および前記第２の刺激応答性化合物は、それぞれ、重合性官能基を有する構成単位が重合した重合体であり、
前記中間層は、前記第１の変形材料層と前記第２の変形材料層の間の電子の移動を妨げることを特徴とするアクチュエーター。
【請求項２】
前記変形材料は、ゲルである請求項１に記載のアクチュエーター。
【請求項３】
前記第１の変形材料層および／または前記第２の変形材料層は、電子導電性物質を含むものである請求項１または２に記載のアクチュエーター。
【請求項４】
前記電子導電性物質は、炭素を含むものである請求項３に記載のアクチュエーター。
【請求項５】
前記電子導電性物質は、粒子である請求項３または４に記載のアクチュエーター。
【請求項６】
前記電子導電性物質の平均粒径は、１ｎｍ以上１０μｍ以下である請求項５に記載のアクチュエーター。
【請求項７】
前記重合性官能基が、ビニル基または（メタ）アクリル基である請求項１ないし６のいずれか１項に記載のアクチュエーター。
【請求項８】
前記構成単位は、液晶性を有する官能基を備えるものである請求項１ないし７のいずれか１項に記載のアクチュエーター。
【請求項９】
前記構成単位は、前記液晶性を有する官能基と前記重合性官能基とが連結基を介して配置されたものである請求項８に記載のアクチュエーター。
【請求項１０】
前記構成単位は、炭素数が２および／または３のアルキレンオキシドが重合したポリアルキレンオキシド構造を含むものである請求項１ないし９のいずれか１項に記載のアクチュエーター。
【請求項１１】
前記構成単位は、回転軸として機能する結合を有するユニットＡと、
前記ユニットＡの第１の結合部位に配置された第１のユニットＢと、
前記ユニットＡの第２の結合部位に配置された第２のユニットＢと、
第１のユニットＣと、
第２のユニットＣとを含むものであり、
前記第１のユニットＢと前記第２のユニットＢとが還元反応によって結合し、
前記第１のユニットＣおよび前記第２のユニットＣが前記重合性官能基を有するものである請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のアクチュエーター。
【請求項１２】
前記ユニットＣは、液晶性を有する官能基を有するものである請求項１１に記載のアクチュエーター。
【請求項１３】
前記変形材料は、さらに、フッ化ビニリデン−六フッ化プロピレン共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸メチル、および、有機電解質オリゴマーよりなる群から選択される１種または２種以上を含むものである請求項１ないし１２のいずれか１項に記載のアクチュエーター。
【請求項１４】
前記中間層は、ゲルである請求項１ないし１３のいずれか１項に記載のアクチュエーター。
【請求項１５】
前記中間層は、ゲル化剤を含み、前記ゲル化剤は前記第１の変形材料および／または前記第２の変形材料を構成する成分と同一の成分を含むものである請求項１４に記載のアクチュエーター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のアクチュエーターは、第１の変形材料層と、
第２の変形材料層と、
前記第１の変形材料層と前記第２の変形材料層との間に設けられた中間層とを備え、
前記第１の変形材料層は、酸化還元反応により分子の構造が変わる第１の刺激応答性化合物と、第１の電解質と、を含む第１の変形材料を含み、
前記第２の変形材料層は、酸化還元反応により分子の構造が変わる第２の刺激応答性化合物と、第２の電解質と、を含む第２の変形材料を含み、
前記第１の刺激応答性化合物および前記第２の刺激応答性化合物は、それぞれ、重合性官能基を有する構成単位が重合した重合体であり、
前記中間層は、前記第１の変形材料層と前記第２の変形材料層の間の電子の移動を妨げることを特徴とする。
これにより、低電圧で大きく変位することが可能なアクチュエーターを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月27日(2015.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに絶縁された正極板と負極板とを含む電極体と、
隔壁によって構成され、前記電極体を収容するケースと、
前記隔壁を貫通し、前記ケース内にて前記電極体と電気的に接続される導電性部材とを備え、
前記導電性部材は、
前記隔壁を貫通する方向に中心軸を有する本体部と、
該本体部から前記中心軸と交差する方向に突出する導体接続部とを備え、
前記本体部は、前記隔壁に挿通される側に、かしめ部を備え、反対側に、前記中心軸に対して非円形状となる頭部を備える
蓄電素子。
【請求項２】
前記本体部は、前記かしめ部と前記頭部との間に胴部をさらに備え、
前記隔壁に沿って配置され、前記かしめ部が貫通した状態で前記導電性部材を支持する絶縁部材をさらに備えるとともに、該絶縁部材は、前記胴部を受け入れ可能な凹部を備え、
前記頭部と前記胴部とは、前記中心軸に対して同一乃至略同一の断面形状を有する
請求項１に記載の蓄電素子。
【請求項３】
前記頭部は、角部が丸まった角形状を有する
請求項１又は２に記載の蓄電素子。
【請求項４】
前記本体部は、前記ケースの外側から内側に向かって、前記隔壁に挿通され、
前記導体接続部は、前記ケース外に配置されている
請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の蓄電素子。
【請求項５】
前記本体部は、前記ケースの内側から外側に向かって、前記隔壁に挿通され、
前記導体接続部は、前記ケース内に配置されるとともに、前記電極体と電気的に接続されている
請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載の蓄電素子。
【請求項６】
蓄電素子のケースの隔壁を貫通し、前記ケース内に収容される電極体をケース外に導通接続するための導電性部材であって、
前記隔壁を貫通する方向に中心軸を有する本体部と、
該本体部から前記中心軸と交差する方向に突出する導体接続部とを備え、
前記本体部は、前記隔壁に挿通される側に、かしめ部を備え、反対側に、前記中心軸に対して非円形状となる頭部を備える
導電性部材。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月2日(2014.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る映像表示端末は、自端末と相互に通信可能な端末の処理能力を含むリソースの情報を取得する端末情報管理部と、端末情報管理部で取得した端末のリソースに基づき、自端末の映像表示処理を分担させる場合、処理を行うために端末で必要となるリソースを求めるリソース情報変換部と、端末に対して、リソース情報変換部で求めたリソースでリソース予約とリソース予約解除を行うリソース予約部と、リソース予約部が、端末とリソース予約処理またはリソース解除処理を行う場合、端末とのリソース予約プロトコル通信を行うプロトコル通信部とを備えたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
以上説明したように、実施の形態１の映像表示端末によれば、自端末と相互に通信可能な端末の処理能力を含むリソースの情報を取得する端末情報管理部と、端末情報管理部で取得した端末のリソースに基づき、自端末の映像表示処理を分担させる場合、処理を行うために端末で必要となるリソースを求めるリソース情報変換部と、端末に対して、リソース情報変換部で求めたリソースでリソース予約とリソース予約解除を行うリソース予約部と、リソース予約部が、端末とリソース予約処理またはリソース解除処理を行う場合、端末とのリソース予約プロトコル通信を行うプロトコル通信部とを備えたので、映像表示端末の動作品質を向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自端末と相互に通信可能な端末の処理能力を含むリソースの情報を取得する端末情報管理部と、
前記端末情報管理部で取得した前記端末のリソースに基づき、自端末の映像表示処理を分担させる場合、当該処理を行うために前記端末で必要となるリソースを求めるリソース情報変換部と、
前記端末に対して、前記リソース情報変換部で求めたリソースでリソース予約とリソース予約解除を行うリソース予約部と、
前記リソース予約部が、前記端末とリソース予約処理またはリソース解除処理を行う場合、当該端末とのリソース予約プロトコル通信を行うプロトコル通信部とを備えた映像表示端末。
【請求項２】
自端末と相互に通信可能な端末との間の通信を暗号化する処理と、前記端末が機能連携対象として予め登録されているかを判定する端末認証処理と、自端末を操作するユーザの認証処理のうち、少なくともいずれかの処理を行うことを特徴とする請求項１記載の映像表示端末。
【請求項３】
自端末から端末への出画を行う場合、予め決められた出画条件に基づき前記端末への出画が認められている場合にのみ出画を行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載の映像表示端末。
【請求項４】
自端末と相互に通信可能な端末として複数の端末が存在する場合、
端末情報管理部は、前記複数の端末のリソースの情報として、通信帯域情報および処理能力情報のうち少なくとも一方の情報を取得し、当該情報に基づいて、応答遅延を最小とする端末または処理能力の余裕度が大きい端末のうち、少なくともいずれかを満たす端末を選択することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の映像表示端末。
【請求項５】
自端末と相互に通信可能な端末として複数の端末が存在する場合、
端末情報管理部は、前記複数の端末のリソースの情報として、通信帯域情報および処理能力情報のうち少なくとも一方の情報を取得し、当該情報と予め定められた端末選択ポリシーとに基づいて、当該端末選択ポリシーに最も適合する端末を選択することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の映像表示端末。
【請求項６】
自端末と相互に通信可能な端末として複数の端末が存在する場合、
端末情報管理部は、前記複数の端末のうち、任意の端末に対して空き使用リソース量の問い合わせを行い、当該問い合わせに対する応答に基づいて前記複数の端末のうち少なくとも１つの端末を選択することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の映像表示端末。
【請求項７】
端末情報管理部は、空き使用リソース量に加えてリソース予約可能な時刻の問い合わせを行い、当該問い合わせに対する応答に基づいて複数の端末のうち少なくとも１つの端末を選択することを特徴とする請求項６記載の映像表示端末。
【請求項８】
過去に処理分担した端末のリソース予約情報を記憶するリソース予約履歴テーブルを備え、
リソース予約部は、リソース予約を行う端末のリソース予約情報が前記リソース予約履歴テーブルに記憶されていた場合は、リソース情報変換部で求めたリソースに代えて、前記リソース予約履歴テーブルのリソース予約情報に基づいてリソース予約を行うことを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか１項記載の映像表示端末。
【請求項９】
過去に処理分担した端末の通信帯域情報または処理能力のうち少なくとも一方の値を記憶するリソース予約履歴テーブルを備え、
端末情報管理部は、前記リソース予約履歴テーブルに登録されている端末の情報を含めて複数の端末の中から選択を行うことを特徴とする請求項４または請求項５記載の映像表示端末。
【請求項１０】
過去に処理分担した端末の空き使用リソース量の値を記憶するリソース予約履歴テーブルを備え、
端末情報管理部は、前記リソース予約履歴テーブルに登録されている端末の情報を含めて複数の端末の中から選択を行うことを特徴とする請求項６または請求項７記載の映像表示端末。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数行および複数列に渡って配された複数の画素を含む画素アレイを有し、前記複数の画素は、複数の撮像用画素と複数の測距用画素を含む光電変換装置と、
信号処理部とを有する撮像システムであって、
前記撮像システムは第１の動作と第２の動作とを選択的に行い、
前記第１の動作は、前記測距用画素と前記撮像用画素とのそれぞれの信号を前記光電変換装置から前記信号処理部に読み出して、前記信号処理部が行う前記測距用画素の信号に基づく測距動作と、前記信号処理部が行う前記撮像用画素の信号に基づく画像の生成動作とを含み、
前記第２の動作は、前記測距用画素の信号は前記光電変換装置から前記信号処理部に読み出さずに前記撮像用画素の信号を前記光電変換装置から前記信号処理部に読み出して、前記信号処理部が行う前記撮像用画素の信号に基づく露光制御動作を含むことを特徴とする撮像システム。
【請求項２】
前記第２の動作で信号が読み出される前記画素の数が、
前記第１の動作で信号が読み出される前記画素の数よりも少ないことを特徴とする請求項１に記載の撮像システム。
【請求項３】
さらに前記複数の画素の各々に各々が対応して設けられた複数のマイクロレンズを有し、
前記複数の測距用画素は第１および第２の測距用画素を含み、
前記第１の測距用画素は、前記第１の測距用画素に対応して設けられた前記マイクロレンズの光学中心に対して第１の方向に偏心した開口部を有し、
前記第２の測距用画素は、前記第１の測距用画素に対応して設けられた前記マイクロレンズの光学中心に対して前記第１の方向とは反対の第２の方向に偏心した開口部を有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像システム。
【請求項４】
前記第１の動作によって第１のフレームの読み出しが行われ、前記第２の動作によって第２のフレームの読み出しが行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像システム。
【請求項５】
前記第１の動作を繰り返すことにより、複数の前記第１のフレームの読み出しが行われ、イベントが発生した場合に、前記第２の動作によって前記第２のフレームの読み出しが行われることを特徴とする請求項４に記載の撮像システム。
【請求項６】
前記撮像システムはシャッタスイッチをさらに有し、
前記イベントの発生が、前記シャッタスイッチがオフからオンとなることであることを特徴とする請求項５に記載の撮像システム。
【請求項７】
前記撮像システムは、発光スイッチを備えるストロボをさらに有し、
前記イベントの発生が、前記ストロボの発光スイッチがオフからオンとなることであることを特徴とする請求項５に記載の撮像システム。
【請求項８】
複数行および複数列に渡って配された複数の画素を含む画素アレイを有し、前記複数の画素は、複数の撮像用画素と複数の測距用画素を含む光電変換装置と、
画像を表示する表示部と、を有する撮像システムの駆動方法であって、
前記測距用画素と前記撮像用画素とのそれぞれの信号を前記光電変換装置から読み出して、前記測距用画素の信号に基づく測距動作と、前記撮像用画素の信号に基づく画像を生成して前記表示部が前記画像を表示する動作とを行う第１の動作と、
前記測距用画素の信号を前記光電変換装置から読み出さずに前記撮像用画素の信号を前記光電変換装置から読み出して、前記撮像用画素の信号に基づいて露光制御を行う第２の動作と、を選択的に行うことを特徴とする撮像システムの駆動方法。
【請求項９】
前記第２の動作で信号を読み出す前記画素の数が、
前記第１の動作で信号を読み出す前記画素の数よりも少なくすることを特徴とする請求項８に記載の撮像システムの駆動方法。
【請求項１０】
さらに前記複数の画素の各々に各々が対応して設けられた複数のマイクロレンズを有し、
前記複数の測距用画素は、第１および第２の測距用画素を含み、
前記第１の測距用画素は、前記第１の測距用画素に対応して設けられた前記マイクロレンズの光学中心に対して第１の方向に偏心した開口部を有し、
前記第２の測距用画素は、前記第２の測距用画素に対応して設けられた前記マイクロレンズの光学中心に対して前記第１の方向とは反対の第２の方向に偏心した開口部を有することを特徴とする請求項８または９に記載の撮像システムの駆動方法。
【請求項１１】
前記第１の動作によって第１のフレームの読み出しが行われ、前記第２の動作によって第２のフレームの読み出しが行われることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の撮像システムの駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決する本発明の一つの側面は、複数行および複数列に渡って配された複数の画素を含む画素アレイを有し、前記複数の画素は、複数の撮像用画素と複数の測距用画素を含む光電変換装置と、信号処理部とを有する撮像システムであって、前記撮像システムは第１の動作と第２の動作とを選択的に行い、前記第１の動作は、前記測距用画素と前記撮像用画素とのそれぞれの信号を前記光電変換装置から前記信号処理部に読み出して、前記信号処理部が行う前記測距用画素の信号に基づく測距動作と、前記信号処理部が行う前記撮像用画素の信号に基づく画像の生成動作とを含み、前記第２の動作は、前記測距用画素の信号は前記光電変換装置から前記信号処理部に読み出さずに前記撮像用画素の信号を前記光電変換装置から前記信号処理部に読み出して、前記信号処理部が行う前記撮像用画素の信号に基づく露光制御動作を含むことを特徴とする撮像システムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決する本発明の別の側面は、複数行および複数列に渡って配された複数の画素を含む画素アレイを有し、前記複数の画素は、複数の撮像用画素と複数の測距用画素を含む光電変換装置と、画像を表示する表示部と、を有する撮像システムの駆動方法であって、前記測距用画素と前記撮像用画素とのそれぞれの信号を前記光電変換装置から読み出して、前記測距用画素の信号に基づく測距動作と、前記撮像用画素の信号に基づく画像を生成して前記表示部が前記画像を表示する動作とを行う第１の動作と、前記測距用画素の信号を前記光電変換装置から読み出さずに前記撮像用画素の信号を前記光電変換装置から読み出して、前記撮像用画素の信号に基づいて露光制御を行う第２の動作と、を選択的に行うことを特徴とする撮像システムの駆動方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月2日(2015.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の目的を達成するために、例えば、本発明の画像処理装置は、複数の視点のそれぞれについて、該視点における画像の撮影条件と、該撮影条件に従って該視点において撮影された各フレームの画像と、を取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した画像に対して予測符号化を行う予測符号化手段と
を備え、
前記複数の視点は、前記撮影条件に基づいて定められる基準視点と、撮影条件を表す値が前記基準視点の撮影条件を表す値よりも小さい視点である第１の視点と、撮影条件を表す値が前記基準視点の撮影条件を表す値よりも大きい視点である第２の視点と、を含み、
前記予測符号化手段は、前記第１の視点及び前記第２の視点のうち一方の視点において撮影された画像に対して予測符号化を行う場合、前記第１の視点及び前記第２の視点のうち他方の視点において撮影された画像は参照せずに、前記一方の視点において撮影された画像及び前記基準視点において撮影された画像のうち少なくともいずれかを参照して予測符号化を行う
ことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の視点のそれぞれについて、該視点における画像の撮影条件と、該撮影条件に従って該視点において撮影された各フレームの画像と、を取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した画像に対して予測符号化を行う予測符号化手段と
を備え、
前記複数の視点は、前記撮影条件に基づいて定められる基準視点と、撮影条件を表す値が前記基準視点の撮影条件を表す値よりも小さい視点である第１の視点と、撮影条件を表す値が前記基準視点の撮影条件を表す値よりも大きい視点である第２の視点と、を含み、
前記予測符号化手段は、前記第１の視点及び前記第２の視点のうち一方の視点において撮影された画像に対して予測符号化を行う場合、前記第１の視点及び前記第２の視点のうち他方の視点において撮影された画像は参照せずに、前記一方の視点において撮影された画像及び前記基準視点において撮影された画像のうち少なくともいずれかを参照して予測符号化を行う
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記予測符号化手段は、前記基準視点において撮影された画像に対して予測符号化を行う場合、前記基準視点以外の視点において撮影された画像は参照せずに、前記基準視点において撮影された画像を参照して予測符号化を行うことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
更に、
前記取得手段が前記複数の視点のそれぞれについて取得した撮影条件を用いて、前記複数の視点のうちの１つを前記基準視点として選択する選択手段を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記撮影条件は、露光時間、レンズの絞り、明るさ、レンズの位置、及びセンサ感度のうちの少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記基準視点は、前記複数の視点のそれぞれについて取得した撮影条件を表す値のうち中央値の撮影条件を取得した視点であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記基準視点は、前記複数の視点のそれぞれについて取得した撮影条件を表す値の平均値に最も近い値の撮影条件を取得した視点であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
更に、
前記取得手段が取得した画像に対してイントラ符号化を行うイントラ符号化手段を備えることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
更に、
フレームごとに、前記複数の視点のそれぞれについて、該視点において撮影された該フレームの画像の前記予測符号化手段または前記イントラ符号化手段による符号化結果を出力する出力手段を備えることを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記出力手段は、フレームごとに、前記複数の視点のそれぞれについて、該視点において撮影された該フレームの画像の前記予測符号化手段による符号化結果及び前記イントラ符号化手段による符号化結果のうち、データサイズが小さい方を出力することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記出力手段は、フレームごとに、前記複数の視点のそれぞれについて、該視点において撮影された該フレームの画像の前記予測符号化手段による符号化結果及び前記イントラ符号化手段による符号化結果のうち、符号化の途中段階におけるデータサイズが小さい方を出力することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記予測符号化手段は、前記基準視点の撮影条件により近い撮影条件の視点において撮影された各フレームの画像のうち、前記基準視点においてイントラ符号化がなされたフレームと同フレームの画像に対しては、該視点に最も近く配置されている視点において撮影された該フレームにおける画像を参照して順方向予測符号化を行うことを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
更に、
前記複数の視点と同数の露光時間を取得し、前記複数の視点の配置構成において中央の視点に対しては、前記同数の露光時間の中央値を設定し、該中央の視点以外の視点に対しては、順方向視点間予測における視点間の露光時間の差が最小となるような露光時間を前記同数の露光時間から選択して設定する手段を備えることを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置の取得手段が、複数の視点のそれぞれについて、該視点における画像の撮影条件と、該撮影条件に従って該視点において撮影された各フレームの画像と、を取得する取得工程と、
前記画像処理装置の予測符号化手段が、前記取得工程で取得した画像に対して予測符号化を行う予測符号化工程と
を備え、
前記複数の視点は、前記撮影条件に基づいて定められる基準視点と、撮影条件を表す値が前記基準視点の撮影条件を表す値よりも小さい視点である第１の視点と、撮影条件を表す値が前記基準視点の撮影条件を表す値よりも大きい視点である第２の視点と、を含み、
前記予測符号化工程では、前記第１の視点及び前記第２の視点のうち一方の視点において撮影された画像に対して予測符号化を行う場合、前記第１の視点及び前記第２の視点のうち他方の視点において撮影された画像は参照せずに、前記一方の視点において撮影された画像及び前記基準視点において撮影された画像のうち少なくともいずれかを参照して予測符号化を行う
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１４】
コンピュータを、請求項１乃至１２の何れか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2013258501.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月2日(2015.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
原稿の見開き面を読み取って２ページに分割する見開き２ページモードで読み取られた画像データに基づいてプレビュー画像を表示するプレビュー表示手段と、
前記プレビュー表示手段で表示されたプレビュー画像に対して、前記見開き２ページモードで分割する一方のページの第１領域を指定する指定手段と、
前記指定手段による前記第１領域の指定を、前記見開き２ページモードで分割する他方のページの第２領域の指定に反映させる領域設定手段と、
前記見開き２ページモードで読み取られた画像データから前記第１及び第２領域の画像データを切り出す切り出し手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
プレビュー表示手段が、原稿の見開き面を読み取って２ページに分割する見開き２ページモードで読み取られた画像データに基づいてプレビュー画像を表示するプレビュー表示工程と、
指定手段が、前記プレビュー表示工程で表示されたプレビュー画像に対して、前記見開き２ページモードで分割する一方のページの第１領域を指定する指定工程と、
領域設定手段が、前記指定工程による前記第１領域の指定を、前記見開き２ページモードで分割する他方のページの第２領域の指定に反映させる領域設定工程と、
切り出し手段が、前記見開き２ページモードで読み取られた画像データから前記第１及び第２領域の画像データを切り出す切り出し工程と、
を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る画像処理装置は以下のような構成を備える。即ち、
原稿の見開き面を読み取って２ページに分割する見開き２ページモードで読み取られた画像データに基づいてプレビュー画像を表示するプレビュー表示手段と、
前記プレビュー表示手段で表示されたプレビュー画像に対して、前記見開き２ページモードで分割する一方のページの第１領域を指定する指定手段と、
前記指定手段による前記第１領域の指定を、前記見開き２ページモードで分割する他方のページの第２領域の指定に反映させる領域設定手段と、
前記見開き２ページモードで読み取られた画像データから前記第１及び第２領域の画像データを切り出す切り出し手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図８（Ｃ）は、２回目の読み込みデータに対する原稿の画像プレビュー７１５を表示した見開き２ページモード設定画面を示している。ここでは、１回目の読み込み時に指定された領域の位置やサイズが適用されるため、図７（Ｃ）でユーザが指定した領域の位置やサイズが適用されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月3日(2015.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光によって基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージの位置を制御する位置制御系と、
前記位置制御系を制御する制御部と、
前記位置制御系による前記基板ステージの制御特性を記憶する記憶部と、
を含み、
前記制御部は、前記記憶部により記憶された前記制御特性における前記基板を露光する期間に対応する部分に基づいて前記位置制御系における前記基板ステージの位置の指令値を補正することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記基板は第１基板であって、前記制御部は、前記第１基板とは異なる露光量で露光すべき第２基板を露光する際に、前記制御特性における前記第２基板を露光する期間に対応する部分に基づいて取得された、前記第１基板を露光する際の前記指令値の補正量とは異なる補正量で前記指令値を補正することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御特性は、前記基板ステージの位置と目標位置との制御偏差の時間的な変化に関する特性であることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記露光光における光量の時間的な変化に関する光量特性に基づいて前記制御偏差を重み付けして得られる値に基づいて前記指令値を補正することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記光量特性の立上がり部分および前記光量特性の立下り部分に比べて光量の時間変化の少ない部分の時間の長さを調整し、当該調整した部分を前記立上り部分と前記立下り部分とに接続することによって新たな光量特性を生成することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記露光光の照度が変化したとき、変化した照度における光量特性を測定し直して前記記憶部により記憶させることを特徴とする請求項４又は５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、一定の期間を経過した際に、前記制御特性および前記光量特性のうち少なくとも一方を測定し直して前記記憶部により記憶させることを特徴とする請求項４乃至６のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記基板を露光している際に前記基板ステージの制御特性を取得し、前記取得した制御特性を前記記憶部により記憶させることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
従来の露光装置では、基板に転写されたパターンの位置ずれをショット領域毎に計測し、計測した位置ずれに基づいて基板ステージを制御しながら次のパターンを基板に転写する。これにより、基板に転写されたパターンが位置ずれしていても、次のパターンを高精度に重ね合わせることができる。しかしながら、基板に転写されたパターンの位置ずれをショット領域毎に計測しているため、計測時間がかかり、露光装置のスループットが低下してしまう。更に、基板に転写されたパターンの位置ずれ量は、露光位置や露光時間などの差異によってショット領域毎に異なってしまう。そのため、全てのショット領域において基板の位置ずれが少ないパターンを転写するためには、ショット領域毎に露光位置や露光時間などを考慮して基板ステージの位置を制御する必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
照明系１は、高圧水銀灯などを光源として露光光９を射出し、マスクステージ３に保持されたマスク２を均一に照明する。投影光学系４は、所定の倍率（例えば１倍）を有し、マスク２に形成されたパターンを露光光９を用いて基板５（第１基板）に投影する。基板ステージ６は、基板５を保持する。基板ステージ６の側面には反射板７が備えられており、反射板７は、後述する測定部１０ａから射出されるレーザー光１０ｂを反射する。ステージ駆動部８は、例えば、リニアモータを含み、基板ステージ６を基板面上で互いに直交する方向（Ｘ方向およびＹ方向）に移動可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
以降、図１０のフローチャートの判定を、「露光量の分布による判定」と呼ぶ。Ｓ４０１で、精度判定の処理を開始する。Ｓ４０２で、制御部４０は、振動の区分を定めるトレランス値ｑ１の取得を行う。Ｓ４０３で、制御部４０は、規定の条件となる、露光量の規定(割合)値を記憶部４１から取得する。Ｓ４０４で、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する。Ｓ４０５で、制御部４０は、露光量の分布の作成のため、光量センサ６から露光の開始から終了までの露光量を取得する。Ｓ４０６で、制御部４０は、露光量の分布の作成を行う。このとき、制御部４０は、Ｓ４０２で取得したトレランス値に振幅のピークが収まった箇所を区切りとし、図１１のような露光量の分布を作成する。制御部４０は、振幅のふり幅が小さい時間帯（ＱからＥ）で露光量の分布を積分して振動が小さい時間帯における露光量の面積を算出し、それの露光期間全体の露光量に対する割合を求める。Ｓ４０７で、制御部４０は、算出された割合値がＳ４０２で取得した規定を満たしているか判定する。規定内である場合、制御部４０は、Ｓ４０８からＳ４１１の処理において、図８のＳ２０５からＳ２０８と同じ処理を行うことで、更にＴＰ向上可能かどうかを判定し、Ｓ４１５で、露光精度への影響の判定処理を終了する。Ｓ４０７で規定を満たしていなかった場合、制御部４０は、ユーザーの求める露光精度を満たしていない判定し、Ｓ４１２からＳ４１４の処理において、図８のＳ２０９からＳ２１１と同じ処理を行い、精度向上対策を行うショットを定める。Ｓ４１４の処理後、制御部４０は、Ｓ４１５で露光精度への影響の判定処理を終了する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
以降、図１５のフローチャートの判定を、「複数の露光量の分布による判定」と呼ぶ。Ｓ７０１で、制御部４０は、精度判定の処理を開始する。Ｓ７０２で、制御部４０は、振動の区分を定めるトレランス値（図１６のｑ１〜ｑ３）の取得を行う。Ｓ７０３で、制御部４０は、規定の条件となる、各規定の割合値を記憶部４１から取得する。Ｓ７０４で、制御部４０は、露光中の基板ステージ３０の振動情報をレーザ干渉計１３から取得する。制御部４０は、Ｓ７０５で、露光量の分布作成のため、光量センサ６から露光開始から終了までの露光量を取得し、Ｓ７０６で、露光量の分布の作成を行う。このとき、制御部４０は、Ｓ７０２で取得したトレランス値に振幅のピークが収まった箇所を区切りとし、分布を作成する(図１６)。制御部４０は、各分割期間（Ｓ−Ｑ１、Ｑ１−Ｑ２、Ｑ２−Ｑ３、Ｑ３−Ｅ）で振動が小さい時間帯の露光量の面積を算出し、露光量全体に対する割合を求める。Ｓ７０７で、制御部４０は、各分割期間で算出された割合値がＳ７０２で取得した規定を満たしているか判定する。制御部４０は、算出された割合値が規定内である場合は、Ｓ７０８からＳ７１１において、図８のＳ２０５からＳ２０８と同じ処理を行い、更にＴＰ向上可能かどうかを判定し、Ｓ７１５で、露光精度への影響の判定処理を終了する。Ｓ７０７において、規定を満たしていなかった場合、制御部４０は、ユーザーの求める露光精度を満たしていない判定し、Ｓ７１２からＳ７１４の処理において、図８のＳ２０９からＳ２１１と同じ処理を行い、精度向上対策を行うショットを定める。Ｓ７１４の処理後、制御部４０は、Ｓ７１５で露光精度への影響の判定処理を終了する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
＜ＴＰ向上対策の設定処理＞
図２０のフローチャートは、図５のＳ１０４に対応するＴＰ向上対策の設定処理の詳細である。Ｓ１１０１で、制御部４０は、ＴＰ向上対策の設定処理を開始する。Ｓ１１０２で、制御部４０は、図５のＳ１０２でＴＰ向上を実施するとされたＴＰ向上ショットの振動情報を図４のメモリ領域５５から取得する。Ｓ１１０３で、制御部４０は、Ｓ１１０２で取得した振動情報からＴＰの短縮可能な時間を算出する。Ｓ１１０４で、制御部４０は、求めた時間だけＴＰ向上対策を実行するよう、記憶部４１に実行するＴＰ向上対策と短縮可能な時間とを記憶する。本実施例でのＴＰの短縮時間は、ＴＰ短縮の調査時刻Ｐと、ＴＰ短縮が可能かを判定するトレランス値ｐ内に基板ステージ３０の振幅のピークの値が収まった時刻との差とする。本実施例でのＴＰの短縮時間は、図２５中でＵとして示される。制御部４０は、Ｓ１１０４で、露光光ＩＬの照射を開始する時刻をＳ１１０３で求めたＴＰ短縮時間Ｕだけ前倒して露光処理を行うＴＰ向上対策の内容を設定し、Ｓ１１０５で、ＴＰ向上対策の設定処理を終了する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図９のフローチャートでは、制御部４０は、精度判定に必要な規定とする振動の平均値が２.５以下という条件値を記憶部４１から取得し（Ｓ３０２）、露光中の基板ステージ３０の振動情報（図２１の波形）をレーザ干渉計１３から取得する（Ｓ３０３）。次いで、制御部４０は、Ｓ３０３で取得した振動情報から振動の平均値を算出する（Ｓ３０４）。図２１に示される露光期間中（Ｓ−Ｅ間）の振幅の１０個のピーク値を６、−４、４、−２、２、−１、０.５、−０.５、０.３、−０.２とする。制御部４０は、これらの値から平均値２.０５を算出する(Ｓ３０４)。続いて、制御部４０は、算出した平均値２．０５が規定の平均値２．５内であるか判定する（Ｓ３０５）。本事例では規定を満たしているため、制御部４０は、ＴＰ短縮条件の取得処理であるＳ３０６に処理を移す。以降の処理は図８のフローチャートと同じ処理であるため説明は割愛する。