(57)【要約】  銅イオンの溶出を抑制することで、エレクトロケミカルマイグレーションの発生を防止することができる高熱伝導のプリント配線板を提供する。樹脂絶縁層と、銅箔層とを順次積層したベース金属板を備え、前記樹脂絶縁層が、平均粒子径（Ｄ５０）が１ｎｍ〜３００ｎｍであり、かつ、粒子径が０．１ｎｍ〜６００ｎｍの無機粒子からなる第１の無機フィラーと、平均粒子径（Ｄ５０）が５００ｎｍ〜２０μｍであり、かつ、粒子径が１００ｎｍ〜１００μｍの無機粒子からなる第２の無機フィラーと、を含み、前記第１の無機フィラーと前記第２の無機フィラーが、前記樹脂絶縁層中で均一に分散している金属ベースプリント配線板。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂絶縁層と、銅箔層とを順次積層したベース金属板を備え、
前記樹脂絶縁層が、平均粒子径（Ｄ５０）が１ｎｍ〜３００ｎｍであり、かつ、粒子径が０．１ｎｍ〜６００ｎｍの無機粒子からなる第１の無機フィラーと、平均粒子径（Ｄ５０）が５００ｎｍ〜２０μｍであり、かつ、粒子径が１００ｎｍ〜１００μｍの無機粒子からなる第２の無機フィラーと、を含み、
前記第１の無機フィラーと前記第２の無機フィラーが、前記樹脂絶縁層中で均一に分散している金属ベースプリント配線板。
【請求項２】
前記樹脂絶縁層に用いられる樹脂が、エポキシ樹脂である請求項１記載の金属ベースプリント配線板。
【請求項３】
前記樹脂絶縁層中の前記第１の無機フィラーの含有量が、１質量％〜１０質量％である請求項１または請求項２記載の金属ベースプリント配線板。
【請求項４】
前記樹脂絶縁層中の前記第２の無機フィラーの含有量が、１質量％〜９５質量％である請求項１または請求項２記載の金属ベースプリント配線板。
【請求項５】
前記第１の無機フィラーが、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮのいずれかまたはこれらの組み合わせからなる無機粒子であり、前記第２の無機フィラーが、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯ２のいずれかまたはこれらの組み合わせからなる無機粒子である請求項１または請求項２記載の金属ベースプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロケミカルマイグレーションの発生を防止することができる金属ベースプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板は、電子機器、電機機器の構成部品として必須である。プリント配線板の構造としては、片面プリント配線板、両面プリント配線板、多層プリント配線板等の各種のものがあり、抵抗、コンデンサ、リアクトル、トランス等のデバイスをはんだ付けにより実装することで構成されている。【０００３】
また、近年パワー半導体やＬＥＤ素子を動作させた場合に発生する熱を放熱させるため、銅箔層と樹脂絶縁層およびベース金属板とを備えた、金属ベースプリント配線板の使用が増えてきている。省エネルギー化の推進にともない、電力のコントロールを行うパワー半導体や、電球に比べ電力量が少なく発光できるＬＥＤの採用が進んでいる。【０００４】
金属ベースプリント配線板は、一例を挙げると、厚さ約１ｍｍ〜約２ｍｍのベース金属板に、厚さ約１００μｍ〜約３００μｍの樹脂絶縁層と、厚みが約３５μｍ〜約１４０μｍの銅箔層が、順次積層するという構造により構成されている。【０００５】
樹脂絶縁層は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの無機フィラーをエポキシ樹脂に添加したものを、銅箔層もしくはＰＥＴ性フィルムなどに塗工して、厚み５０μｍ程度のプリプレグとする。これをベース金属板上に１枚から数枚重ね合わせて、さらにその上に銅箔層を積層し、これらを加熱プレスによって貼り合わせている。この銅箔層を任意の配線パターンにエッチング加工することによって、金属ベースプリント配線板を得ている。このような金属ベースプリント配線板としては、例えば特許文献１に記載のプリント配線板が知られている。【０００６】
金属ベースプリント配線板にパワー半導体などを実装する場合に、ポイントとなるのが、その動作時に適切に放熱（冷却）してくれることである。パワー半導体としては、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）や、ＭＯＳ−ＦＥＴ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）などが用いられるが、発生する電力は数Ｗ〜数十Ｗに達する。この熱を効率よく放熱するため、樹脂絶縁層にはできるだけ高い熱伝導率が求められる。【０００７】
これまでの一般的な金属ベースプリント配線板の樹脂絶縁層の場合、その熱伝導率は１Ｗ/ｍ・Ｋ〜３Ｗ/ｍ・Ｋ程度である。近年では、より熱伝導率の高いものが求められており、５Ｗ/ｍ・Ｋ〜６Ｗ/ｍ・Ｋ程度まで高めたものも開発され、用いられてきている。【０００８】
１Ｗ/ｍ・Ｋ〜３Ｗ/ｍ・Ｋ程度の金属ベースプリント配線板の場合では、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３などの無機フィラーを概略８０質量％程度充填する。熱伝導率を５Ｗ/ｍ・Ｋ〜６Ｗ/ｍ・Ｋ程度まで高める場合は，Ａｌ２Ｏ３などをさらに８０質量％〜９５質量％程度まで充填する。もしくは，高熱伝導率のＢＮやＡｌＮなどを充填する。【０００９】
通常、樹脂絶縁層は８０μｍ〜２００μｍのものを用いる。銅箔層とベース金属板には電圧が印加されることになる。印加電圧は機器の目的によって様々であるが、例えば１２００ＶのＩＧＢＴ素子を用いている場合は、約１０００Ｖ程度の電圧が樹脂絶縁層に加わることになり、長期に渡って絶縁信頼性が必要となる。【００１０】
特に、銅箔層の配線パターン間で生じる絶縁劣化現象のひとつであるエレクトロケミカルマイグレーションの発生を防止する必要がある。この現象は、機器を使用する際、吸湿又は結露が生じて、銅箔層の配線パターン間の絶縁抵抗が低下し、銅箔から銅イオンが溶出して対極で還元析出することで導電路が形成され、短絡に至る現象である。【００１１】
このようなエレクトロケミカルマイグレーションは、金属ベースプリント配線板の樹脂絶縁層でも生じることがある。したがって、エレクトロケミカルマイグレーションの防止が必要となる。特に、電界強度が高い銅箔層端部やその端部の近傍では、銅イオンが溶出しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平６−３１８７７０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
エレクトロケミカルマイグレーションを防ぐためには、いくつかの要因を抑制しなければならない。特に樹脂絶縁層中に銅箔層から、銅イオンが溶出しないことが重要である。そのためには、通常、樹脂絶縁層中のイオン性成分の低減を行い、銅イオン自身が銅箔層などから溶出しないようにする。または、樹脂絶縁層を形成する樹脂の架橋密度を高め銅イオンの移動を抑制するといった方法が試みられている。【００１４】
しかしながら、これらの方法では、材料自身の検討を繰り返し、改良を行わなければならず、容易に行えるわけではなかった。【００１５】
本発明は以上のような事情に鑑み、耐エレクトロケミカルマイグレーション性に優れたプリント配線板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは、ナノサイズの無機フィラーを樹脂に添加したものを樹脂絶縁層とすることにより、樹脂絶縁層中への銅イオン自身の移動、すなわち銅イオンの溶出を抑制することができるという知見に到達し、本発明を想到した。【００１７】
前記目的を達成するため、本発明に係る形態は、樹脂絶縁層と、銅箔層とを順次積層したベース金属板を備え、前記樹脂絶縁層が、平均粒子径（Ｄ５０）が１ｎｍ〜３００ｎｍであり、かつ、粒子径が０．１ｎｍ〜６００ｎｍの無機粒子からなる第１の無機フィラーと、平均粒子径（Ｄ５０）が５００ｎｍ〜２０μｍであり、かつ、粒子径が１００ｎｍ〜１００μｍの無機粒子からなる第２の無機フィラーと、を含み、前記第１の無機フィラーと前記第２の無機フィラーが、前記樹脂絶縁層中で均一に分散している金属ベースプリント配線板である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、銅イオンが銅箔層から樹脂絶縁層へ溶出することを抑制することができ、その結果として、エレクトロケミカルマイグレーションの発生を防止することができる金属ベースプリント配線板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明にかかる金属ベースプリント配線板の一実施の形態について、その構造を説明する断面図である。
【図２】本発明にかかる金属ベースプリント配線板の空間電荷分布の測定結果を示すグラフである。
【図３】実施例１の金属ベースプリント配線板について、電界印加開始から１０時間経過後の断面図である。
【図４】実施例２の金属ベースプリント配線板について、電界印加開始から１０時間経過後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施の形態について、その一態様を説明する。ただし、本発明は、以下に説明する実施の形態によって限定されるものではない。
【００２１】
本発明の金属ベースプリント配線板は、樹脂絶縁層と、銅箔層と、ベース金属板を基本構成とする。前記樹脂絶縁層と前記銅箔層は、前記ベース金属板に順次積層している。金属ベースプリント配線板としては、それぞれの厚みは、前記ベース金属板が１００μｍ〜２ｍｍ、前記樹脂絶縁層が１００μｍ〜３００μｍ、前記銅箔層が９μｍ〜１４０μｍであることが一般的である。前記ベース金属板は、アルミニウム製、銅製、鉄製等のものを使用することができる。
【００２２】
前記樹脂絶縁層は、平均粒子径（Ｄ５０）が１ｎｍ〜３００ｎｍであり、かつ、粒子径が０．１ｎｍ〜６００ｎｍの無機粒子からなる第１の無機フィラーと、平均粒子径（Ｄ５０）が５００ｎｍ〜２０μｍであり、かつ、粒子径が１００ｎｍ〜１００μｍの無機粒子からなる第２の無機フィラーとを含む。そして、前記第１の無機フィラーと前記第２の無機フィラーは、前記樹脂絶縁層中で均一に分散している。このように粒子径の異なる２種類の無機フィラーを含み、かつ、これらの無機フィラーが均一に分散していることにより、銅箔層からの銅イオンの溶出を抑制することが可能となり、エレクトロケミカルマイグレーションの発生を防止することができるからである。
【００２３】
ここで、平均粒子径（Ｄ５０）とは、レーザー回折式粒度分布測定装置で測定して得られた平均粒子径をいうものとする。また、粒子径の上限値と下限値は、同粒度分布測定装置の測定結果から導き出すことができる。
【００２４】
金属ベースプリント配線板の樹脂絶縁層は、銅箔層の熱をベース金属板へ放熱することが要求されることから、樹脂絶縁層も耐熱性が求められる。このような樹脂絶縁層には、熱可塑性樹脂を用いることは難しく、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル系樹脂を用いることができる。
【００２５】
前記樹脂絶縁層に用いられる樹脂は、エポキシ樹脂であることが好ましい。熱硬化性樹脂のなかでも、特にエポキシ樹脂が好ましいのは、コスト面のみならず、銅箔層やベース金属板といった金属への密着性が良好であり、また、無機フィラーの分散が容易な樹脂であるからである。
【００２６】
エポキシ樹脂の主剤としては、液状エポキシ樹脂を用いることが好ましい。無機フィラーの分散が容易であるからである。ガラス転移温度（Ｔｇ）でいうと、１００℃〜２５０℃のエポキシ樹脂が好適である。主剤としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂等を、単独でまたは複数組み合わせて用いることができる。
【００２７】
このようなエポキシ樹脂に対し、硬化剤を用いる。硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤、フェノール系硬化剤、トリアジン骨格含有ナフトール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル樹脂等を、単独でまたは複数組み合わせて用いることができる。
【００２８】
また、エポキシ樹脂の硬化反応を制御するために、必要に応じて硬化促進剤を含むこともできる。硬化促進剤としては、例えば、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール類、ベンジルジメチルアミン等の３級アミン類、トリフェニルフォスフィン等の芳香族フォスフィン類、三フッ化ホウ素モノエチルアミン等のルイス酸、ホウ酸エステル等を用いることができるが、これらには限定されない。
【００２９】
硬化剤の配合割合は、エポキシ樹脂主剤のエポキシ当量及び硬化剤のアミン当量もしくは酸無水物当量から決定することができる。また、硬化促進剤を用いる場合には、硬化促進剤の配合割合は、エポキシ樹脂主剤の質量を１００％としたときに、０．１質量％〜５質量％とすることが好ましい。
【００３０】
前記樹脂絶縁層中の前記第１の無機フィラーの含有量は、１質量％〜１０質量％であることが好ましい。１質量％よりも少ないと、銅イオンの溶出を抑制することが難しくなる。また、１０質量％よりも多く含有しても、銅イオンの溶出防止の効果は向上しないだけでなく、フィラーの凝集による絶縁性の低下や熱伝導性の高い第２の無機フィラーを十分量含有させることが難しくなる。銅イオンの溶出防止効果および樹脂絶縁層の熱伝導率を考慮すると、前記第１の無機フィラーの含有量は、１質量％〜７質量％であることが、より好ましい。
【００３１】
前記樹脂絶縁層中の前記第２の無機フィラーの含有量は、１質量％〜９５質量％であることが好ましい。１質量％よりも少ないと、樹脂絶縁層としての放熱効果が十分に得られない。また、９５質量％よりも多いと、前記第１の無機フィラーを十分量含有させることが難しくなり、銅イオンの溶出防止効果が低下する。また、樹脂の割合が減ることによる機械的強度の低下も起こる。銅イオンの溶出防止効果および樹脂絶縁層の熱伝導率を考慮すると、前記第２の無機フィラーの含有量は、３０質量％〜８０質量％であることが、より好ましい。
【００３２】
前記第１の無機フィラーは、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮのいずれかまたはこれらの組み合わせからなる無機粒子であることが好ましい。これらの無機フィラーは、銅イオンの溶出を効果的に防止できるだけでなく、樹脂絶縁層とした場合に熱伝導率を低下させることがないため、放熱効果を阻害しないからである。
【００３３】
前記第２の無機フィラーは、Ａｌ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯ２のいずれかまたはこれらの組み合わせからなる無機粒子であることが好ましい。これらの無機フィラーは、熱伝導率が高いことから、樹脂絶縁層とした場合の放熱効果を向上させることができるからである。
【００３４】
次に、本発明の金属ベースプリント配線板について、製造方法の一態様を例示することにより、製造方法の観点から説明する。図１は、本発明にかかる金属ベースプリント配線板の一実施の形態について、その構造を説明する断面図である。金属ベースプリント配線板１００は、樹脂絶縁層１０１と銅箔層１０２がベース金属板１０３に順次積層している構造となっている。
【００３５】
樹脂絶縁層１０１は、エポキシ樹脂等に第１の無機フィラーおよび第２の無機フィラー等を分散させたもの（以下、樹脂絶縁層組成物とする場合がある）を、銅箔層１０２あるいはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）性フィルム等に塗付してプリプレグとし、このプリプレグを１枚から数枚重ね合わせたものである。この樹脂絶縁層１０１をベース金属板１０３の上に載せ、さらに銅箔層１０２を積層した上で加熱プレスすることにより貼り合わせて金属ベースプリント配線板１００とする。銅箔層１０２は、任意の配線パターンにエッチング加工することができる。
【００３６】
なお、このような図１で例示される金属ベースプリント配線板だけではなく、本発明の趣旨に反しない形態のプリント配線板であれば、本発明の適用の対象となる。また、封止用樹脂も本発明の適用対象とすることができる。
【００３７】
次に樹脂絶縁層組成物の製造方法の一態様について説明する。ただし、この一態様に限定されない。
【００３８】
樹脂絶縁層組成物は、例えば上記したエポキシ樹脂の主剤に、まず、粒子径の小さい第１の無機フィラーを撹拌投入し、その後、粒子径の大きい第２の無機フィラーを撹拌投入する。目視にて粗粒が無いことを確認した後、市販の微粒化装置、粉体混合装置、もしくは超微粒子複合化装置を用いて分散することができる。例えば、シンキー社製の自転・公転ミキサー、ナノマイザー株式会社製のナノマイザー（高圧湿式メディアレス微粒化装置）、ホソカワミクロン株式会社製のノビルタやナノキュラ等を用いることができるが、これらには限定されない。ナノマイザーを用いる場合の処理条件としては、処理圧力を１００ＭＰａ〜１５０ＭＰａとし、５分〜１０分の処理を２回〜５回繰り返すことで分散を行うことができる。また、自転・公転ミキサーを用いる場合の条件としては回転速度を１０００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍとし、１分〜３分の処理を２回〜５回繰り返すことで分散を行うことができる。なお、処理圧力や処理時間は適宜変更することは可能である。
【００３９】
エポキシ樹脂主剤に無機フィラーを分散させた後、この樹脂混合物に硬化剤や硬化促進剤を混合し、樹脂絶縁層組成物とする。樹脂絶縁層組成物は、無機フィラーの分散や分散の際に発生する泡の消泡、およびプリプレグとした場合の平滑性等を考慮して、分散剤や消泡剤、レベリング剤等を適宜配合することができる。
【００４０】
プリプレグは、樹脂絶縁層組成物を銅箔層あるいはＰＥＴ性フィルム等に熱風吹き付け等により加熱することによって、半硬化状態になるまで乾燥させる方法により製造することができる。吹き付け等を容易にするために、樹脂絶縁層組成物をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の溶剤で希釈することによってスラリー状ワニスに調製することもできる。
【実施例】
【００４１】
以下、本発明を実施例と比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、以下の実施例は本発明を限定するものではない。【００４２】
［１．樹脂絶縁層組成物の作製］
［製造例１］
ビスフェノールＡエポキシ樹脂主剤（三菱化学  ８１６Ｂ）２０ｇに、シリカナノ粒子（ＡＥＲＯＳＩＬ  Ａ２００）（平均粒子径７ｎｍ、粒子径１ｎｍ〜３００ｎｍ）を０．８ｇ撹拌投入し、続いて、アルミナマイクロフィラー（Ａｄｍａｔｅｃｈｓ  ＡＯ−８０２）（平均粒子径０．７μｍ、粒子径０．１ｎｍ〜５μｍ）を４０ｇ撹拌投入した。目視にて粗粒が無いことを確認した後、自転・公転ミキサー（シンキー製）を用いて分散させた。回転速度は２０００ｒｐｍとし、１回２分の分散処理を５回繰り返した。分散後、手動撹拌にて、この樹脂混合物にアミン系硬化剤である４，４’−メチレンビス（２−メチルシクロヘキサンアミン）（三菱化学  １１３）を６ｇ混合した。【００４３】
［製造例２］
シリカナノ粒子に代えて、チタニアナノ粒子（富士チタン工業、ＴＡＦ−５００）（平均粒子径５０ｎｍ、粒子径１ｎｍ〜１００ｎｍ）を０．８ｇ撹拌投入した他は、製造例１と同様に樹脂絶縁層組成物を作製した。【００４４】
２．金属ベースプリント配線板の作製
製造例１により作製した樹脂絶縁層組成物を、銅箔（縦１２ｃｍ、横１２ｃｍ、厚さ約１０〜３５μｍ程度）の銅箔に膜厚１００μｍとなるように塗付し、恒温槽内で、７０℃で３時間加熱して１次硬化させ、さらに１２０℃で３時間加熱して２次硬化させた。その後、銅箔を縦４ｃｍ、横４ｃｍとなるように切断し、銅箔面の１箇所を直径１ｃｍのセロハンテープでマスキングした後、エッチング処理によりマスキングした部分以外の銅箔を除去することにより、試料１を作成した。製造例２により作製した樹脂絶縁層組成物を用いた場合についても、同様に試料２を作製した。【００４５】
３．銅イオンの溶出防止性能の評価
銅イオンの溶出の有無について、試料１および試料２を用いて、ＰＥＡ空間電荷測定装置（ファイブラボ株式会社製電荷分布測定器）を用い、試料の空間電荷を測定することにより評価した。ＰＥＡ装置の原理は、試料を電極に挟み、パルス電圧を加えることによって内部の電荷を振動させ、その振動圧力波をセンサーで捉えるものである。試料の樹脂絶縁層面が、ＰＥＡ空間電荷測定装置のアルミニウム陰極と接触し、かつ試料の銅箔面がＰＥＡ空間電荷測定装置の陽極と接触するように試料をＰＥＡ空間電荷測定装置へ設置し、温度８５℃、湿度８５％の条件下にて、５ｋＶ／ｍｍの電界を１０時間印加した。電界印加前、および電界を印加して２時間経過後、４時間経過後、６時間経過後、８時間経過後、１０時間経過後に試料を恒温恒湿槽から取り出し、試料にかかる平均電界が５ｋＶ／ｍｍとなる電圧を印加しながら空間電荷分布を測定した。この試験において、アルミニウム陰極はベース金属板に相当し、陽極と接触する銅箔が陽極となる。試料１を用いて実施した実験を実施例１、試料２を用いて実施した実験を実施例２とした。【００４６】
図２（ａ）は、実施例１の空間電荷分布の測定結果を示すグラフである。縦軸は電荷密度を示しており、横軸はサンプリングタイムを示している。グラフには、電荷密度が大きく変化した部分に２つの点線を付している。このような電荷密度の大きい変化は、層の境目や電荷の反射においてみられる現象である。左側の点線は、アルミニウム陰極と樹脂絶縁層との境目であり、右側の点線は、樹脂絶縁層と銅箔層との境目に相当する。なお、Ａで示すピークは、銅箔層から反射した信号を示すものであり、層の境目においてみられる電荷密度の変化ではない。左側の点線から左の領域は、アルミニウム陰極板であり、右側の点線から右に１０ｎｓまでの斜線で示す領域は、銅箔層である。銅箔層の右側の領域が陽極板であり、点線で挟まれた領域が樹脂絶縁層となる。【００４７】
銅イオンが銅箔層から樹脂絶縁層へ溶出した場合、銅箔層と樹脂絶縁層との境目におけるＢで示すピークが樹脂絶縁層側へシフトする現象がみられる。図２（ａ）では、試験前および電界の印加を開始してから２時間後〜１０時間後のいずれにおいても、Ｂで示すピークが樹脂絶縁層側へシフトしなかった。すなわち、実施例１では、銅イオンの溶出はみとめられなかった。【００４８】
図２（ｂ）は、実施例２の空間電荷分布の測定結果を示すグラフである。Ｃで示すピークは、銅箔層から反射した信号を示す。この測定結果においても、銅箔層と樹脂絶縁層との境目におけるＤで示すピークが樹脂絶縁層側へシフトしなかった。すなわち、実施例２においても、銅イオンの溶出はみとめられなかった。【００４９】
図３は、上記実施例１にて電界を１０時間印加した後の試料１の断面を示す図である。図３（ａ）は、ＳＥＭにより撮影した断面図であり、白く表された層が銅箔層であり、銅箔層の下の層が樹脂絶縁層である。また、図３（ｂ）は、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）により、銅元素の分布を測定したものである。白く表された層が銅箔層であり、銅箔層の下の層が樹脂絶縁層である。図３（ａ）、図３（ｂ）のいずれにおいても、銅イオンの溶出はみとめられず、耐エレクトロケミカルマイグレーション性に優れた金属ベースプリント配線板であることが確認できた。【００５０】
図４は、上記実施例２にて電界を１０時間印加した後の試料２の断面を示す図である。図３と同様に、図４（ａ）は、ＳＥＭにより撮影した断面図である。また、図４（ｂ）は、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）により、銅元素の分布を測定したものである。図４（ａ）、図４（ｂ）のいずれにおいても、銅イオンの溶出はみとめられず、耐エレクトロケミカルマイグレーション性に優れた金属ベースプリント配線板であることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、エレクトロケミカルマイグレーションの発生を防止することができる金属ベースプリント配線板を提供することができるため、産業上有用である。
【符号の説明】
【００５２】
１００  金属ベースプリント配線板
１０１  銅箔
１０２  樹脂絶縁層
１０３  ベース金属板
【図１】
2014021427.tif 000003
【図２】
2014021427.tif 000004
【図３】
2014021427.tif 000005
【図４】
2014021427.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月4日(2014.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、本発明の金属ベースプリント配線板について、製造方法の一態様を例示することにより、製造方法の観点から説明する。図１は、本発明にかかる金属ベースプリント配線板の一実施の形態について、その構造を説明する断面図である。金属ベースプリント配線板１００は、樹脂絶縁層１０２と銅箔層１０１がベース金属板１０３に順次積層している構造となっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
樹脂絶縁層１０２は、エポキシ樹脂等に第１の無機フィラーおよび第２の無機フィラー等を分散させたもの（以下、樹脂絶縁層組成物とする場合がある）を、銅箔層１０１あるいはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）性フィルム等に塗付してプリプレグとし、このプリプレグを１枚から数枚重ね合わせたものである。この樹脂絶縁層１０２をベース金属板１０３の上に載せ、さらに銅箔層１０１を積層した上で加熱プレスすることにより貼り合わせて金属ベースプリント配線板１００とする。銅箔層１０１は、任意の配線パターンにエッチング加工することができる。
【国際調査報告】
2014021427.tif 000007
2014021427.tif 000008
2014021427.tif 000009
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