Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月3日(2015.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露出条件を変えて撮影される複数枚の画像を合成する画像処理装置において、
所定の値よりも露光量が小さい画像を検出対象の画像として、画像内の位置に応じた露出誤差を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された露出誤差を補正するための補正情報を算出する算出手段と、
前記補正情報に応じて、前記検出対象の画像の露光量に応じたレベル調整を行う調整手段と、
前記レベル調整が行われた画像を含む複数枚の画像を合成して合成画像を生成する画像合成手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記複数枚の画像のうち、前記露光量が所定の値以上の画像を基準画像とし、当該基準画像と前記検出対象の画像とを比較することにより、画像の露出誤差を検出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記基準画像は、露光量が最も大きい画像であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記検出手段は、
前記基準画像と前記検出対象の画像を小領域に分割し、小領域毎の輝度値から小領域毎に測定値を求める測定手段と、
前記基準画像と前記検出対象の画像の同じ位置にある小領域単位で前記測定値を比較することで当該小領域単位の比較値を求める比較手段と、
前記比較値を集計する集計手段と、を有し、
前記集計手段の集計結果から、前記検出対象の画像について露出誤差を検出することを特徴とする請求項２または３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記検出手段は、前記基準画像と前記検出対象の画像とを比較するときに、予め設定された撮影時の露光量を含めて比較を行うことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記所定の値よりも露光量が小さい画像は、高速シャッターを用いて撮影した低露出画像であることを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記画像内の位置とは、前記検出対象の画像の垂直方向または水平方向のいずれか一方の位置であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記画像内の位置とは、前記検出対象の画像の中心からの距離であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記算出手段は、前記検出対象の画像の垂直方向の位置のみに対応した補正情報と、水平方向の位置のみに対応した補正情報を算出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記露出条件を変えて複数枚の画像を撮影する撮影手段を更に有することを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
露出条件を変えて撮影される複数枚の画像を合成する画像処理方法であって、
検出手段が、所定の値よりも露光量が小さい画像を検出対象の画像として、画像内の位置に応じた露出誤差を検出する検出ステップと、
算出手段が、前記検出ステップにより検出された露出誤差を補正するための補正情報を算出する算出ステップと、
調整手段が、前記補正情報に応じて、前記検出対象の画像の露光量に応じたレベル調整を行う調整ステップと、
画像合成手段が、前記レベル調整が行われた画像を含む複数枚の画像を合成して合成画像を生成する画像合成ステップと、を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
コンピュータを、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載された画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１３】
コンピュータを、請求項１ないし１０のいずれか１項に記載された画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラムを格納したコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、露出条件を変えて撮影される複数枚の画像を合成する画像処理装置において、所定の値よりも露光量が小さい画像を検出対象の画像として、画像内の位置に応じた露出誤差を検出する検出手段と、前記検出手段により検出された露出誤差を補正するための補正情報を算出する算出手段と、前記補正情報に応じて、前記検出対象の画像の露光量に応じたレベル調整を行う調整手段と、前記レベル調整が行われた画像を含む複数枚の画像を合成して合成画像を生成する画像合成手段と、を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開閉ドアにより開閉する搬送口の口縁部にＦＯＵＰの基板取り出し口の口縁部を密着させ、前記開閉ドアに設けられた蓋体取り外し機構により前記ＦＯＵＰの蓋体を取り外す蓋体開閉装置であって、
前記蓋体取り外し機構は、前記ＦＯＵＰの蓋体と係合するラッチキーと、該ラッチキーを駆動する駆動機構と、該駆動機構を収容する収容部とを含み、
該収容部内の空間を排気する排気手段を備えた蓋体開閉装置。
【請求項２】
前記排気手段は、前記収容部内の空間に連通する排気ポートと、
該排気ポートに接続された排気ポンプを含む請求項１に記載の蓋体開閉装置。
【請求項３】
前記排気ポートを複数有する請求項２に記載の蓋体開閉装置。
【請求項４】
前記開閉ドアと、前記搬送口の口縁部に密着したＦＯＵＰとの間には閉塞空間が形成され、
該閉塞空間を排気するための閉塞空間排気口を有する請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蓋開閉装置。
【請求項５】
前記閉塞空間にパージガスを供給するためのパージガス吐出口を有する請求項４に記載の蓋体開閉装置。
【請求項６】
前記ラッチキーは、周辺の空間を排気するためのラッチキー排気口を有する請求項２乃至５のいずれか一項に記載の蓋体開閉装置。
【請求項７】
前記ラッチキー排気口は、前記ＦＯＵＰの前記蓋体と係合したときに前記蓋体の内部空間を排気する請求項６に記載の蓋体開閉装置。
【請求項８】
前記ラッチキー排気口は、ラッチキー用排気ポートに接続され、該ラッチキー用排気ポートは、前記排気ポンプに共通に接続された請求項７に記載の蓋体開閉装置。
【請求項９】
基板の熱処理を行う熱処理炉と、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の蓋体開閉装置と、
該蓋体開閉装置により蓋体が取り外され、取り出し可能となった基板を取り出して前記熱処理炉に搬入するための基板保持具に搬送する搬送手段と、
該基板保持具に保持された基板を前記熱処理炉内に搬入する昇降機構と、を有する熱処理装置。
【請求項１０】
開閉ドアにより開閉する搬送口の口縁部にＦＯＵＰの基板取り出し口の口縁部を密着させ、前記開閉ドアに設けられた蓋体取り外し機構により前記ＦＯＵＰの蓋体を取り外す蓋体開閉方法であって、
前記ＦＯＵＰの蓋体を取り外す前に、前記蓋体取り外し機構の駆動機構を収容する収容部内の空間を排気する蓋体開閉方法。
【請求項１１】
前記蓋体取り外し機構による前記ＦＯＵＰの前記蓋体の取り外しは、前記蓋体取り外し機構が前進し、前記蓋体に接触してロックを解除した後、前記蓋体を保持して後退することにより行われ、
前記収容部内の空間の排気は、前記蓋体のロックを解除する前に開始される請求項１０に記載の蓋体開閉方法。
【請求項１２】
前記蓋体取り外し機構が前記蓋体に接触した際、前記蓋体取り外し機構が前記蓋体を真空吸着し、
前記収容部内の空間の排気は、前記真空吸着と同時又は前記真空吸着後に開始される請求項１１に記載の蓋体開閉方法。
【請求項１３】
前記開閉ドアと、前記搬送口の口縁部に密着したＦＯＵＰとの間には閉塞空間が形成され、
前記ＦＯＵＰの前記蓋体を取り外す前に、前記閉塞空間を排気する請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の蓋体開閉方法。
【請求項１４】
前記ＦＯＵＰの前記蓋体を取り外した後は、前記閉塞空間にパージガスを供給する請求項１３に記載の蓋体開閉方法。
【請求項１５】
前記蓋体取り外し機構は、前記ＦＯＵＰの前記蓋体と係合するラッチキーを有し、前記蓋体を取り外すために前記蓋体と係合した際に、前記蓋体の内部空間を排気する請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の蓋体開閉方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の態様に係る熱処理装置は、基板の熱処理を行う熱処理炉と、
前記蓋体開閉装置と、
該蓋体開閉装置により蓋体が取り外され、取り出し可能となった基板を取り出して前記熱処理炉に搬入するための基板保持具に搬送する搬送手段と、
該基板保持具に保持された基板を前記熱処理炉内に搬入する昇降機構と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図７（Ａ）において、対向板６１は、ラッチキー６７と、レジストレーションピン６０１と、排気ポート６０２ａ、６０２ｂ、６０２と、排気口６０３ａ、６０３ｂと、真空ポンプ６０４と、シリンダ６１１と、ピストン６１２と、回転軸部材６１３と、連結部材６１４と、回動円板６１５とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図１１は、キャリアＣが搬送口２０に密着した状態を示した図である。図１１に示すように、第２の載置台１６が隔壁２に向けて移動することにより、まず、キャリアＣの開口縁部３４が隔壁２の搬送口２０の周りの口縁部にあるシール部材５１に気密に当接する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
ステップＳ１２０では、ＦＯＵＰの口縁部が、搬送口２０の口縁部にシール部材５１を介して密着し、固定される。なお、この段階で、ガス供給口５３から窒素ガスの供給が開始されることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
ステップＳ２００では、ウエハの移載が行われ、熱処理炉２２への所定の搬入位置、つまりウエハボート２３に移載される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
Ｗ    ウエハ
Ｃ    キャリア
Ｓ１    キャリア搬送領域
Ｓ２    ウエハ搬送領域
２    隔壁
２０    搬送口
３１    キャリア本体
３３    取り出し口
４１    蓋体
４２    内部空間
４８    側面側の開口部
４９    前面側の開口部
５    開閉ドア
５４    閉塞空間
５５    排気口
６    取り外し機構
６１    対向板
６７    ラッチキー
６８    排気口
６９    配管
６０２、６０２ａ、６０２ｂ    排気ポート
６０３ａ、６０３ｂ    排気口
６０４、６０５    真空ポンプ
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2014053417.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域および周辺回路領域を有する固体撮像装置の製造方法であって、
半導体基板の上に酸化膜を形成する工程と、
前記酸化膜の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記周辺回路領域において前記絶縁膜および前記酸化膜に第１開口を形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして使って前記第１開口を通して前記半導体基板をエッチングすることによって前記周辺回路領域において前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記酸化膜を貫通しないように前記画素領域において前記絶縁膜に第２開口を形成する工程と、
前記溝および前記第２開口の中に絶縁体を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
画素領域および周辺回路領域を有する固体撮像装置の製造方法であって、
半導体基板の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記周辺回路領域において前記絶縁膜に第１開口を形成する工程と、
前記絶縁膜をマスクとして使って前記第１開口を通して前記半導体基板をエッチングすることによって前記周辺回路領域において前記半導体基板に溝を形成する工程と、
前記画素領域において前記絶縁膜に第２開口を形成する工程と、
前記溝および前記第２開口の中に絶縁体を形成する工程と、を含み、
前記溝を形成する工程において前記絶縁膜が薄くなり、
前記第２開口を形成する工程は、前記溝を形成する工程の後に実施される、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜を形成する工程の前に前記半導体基板の上に酸化膜が形成され、前記絶縁膜を形成する工程では、前記酸化膜の上に前記絶縁膜を形成し、
前記溝を形成する工程では、前記第１開口を通して前記酸化膜をエッチングした後に前記半導体基板をエッチングする、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２開口を形成する工程では、前記酸化膜が露出するように前記絶縁膜に前記第２開口を形成する、
ことを特徴とする請求項１又は３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１開口および前記第２開口が形成される前記絶縁膜を第１絶縁膜として、
前記絶縁体を形成する工程では、前記溝、前記第１開口および前記第２開口を埋めるように第２絶縁膜を形成し、前記第２絶縁膜のうち第１絶縁膜の上面よりも上に存在する部分を除去する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記絶縁膜を形成する工程では、前記溝の深さの１／２以上の厚さを有するように前記絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記溝を形成する工程において、前記絶縁膜の厚さは、前記溝を形成する工程の実施前における厚さの４／５以下まで薄くなる、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記画素領域において前記半導体基板に前記第２開口を通してイオンを注入してチャネルストップ領域を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記絶縁体を形成する工程の前に、熱酸化により、前記溝の側面および底面に絶縁膜を形成する工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記画素領域において、前記半導体基板に前記第２開口を通してイオンを注入して第１チャネルストップ領域を形成する工程と、
前記画素領域において、前記半導体基板に前記第２開口を通してイオンを注入して、前記第１チャネルストップ領域と前記半導体基板の表面との間に、第２チャネルストップ領域を形成する工程と、
前記第１チャネルストップ領域を形成する工程と前記第２チャネルストップ領域を形成する工程との間に、熱酸化により、前記溝の側面および底面に絶縁膜を形成する工程と、を差に含む、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、画素領域および周辺回路領域を有する固体撮像装置の製造方法に係り、前記製造方法は、半導体基板の上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜の上に絶縁膜を形成する工程と、前記周辺回路領域において前記絶縁膜および前記酸化膜に第１開口を形成する工程と、前記絶縁膜をマスクとして使って前記第１開口を通して前記半導体基板をエッチングすることによって前記周辺回路領域において前記半導体基板に溝を形成する工程と、前記酸化膜を貫通しないように前記画素領域において前記絶縁膜に第２開口を形成する工程と、前記溝および前記第２開口の中に絶縁体を形成する工程と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月23日(2015.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗素子の製造方法において、
第一の磁性体膜を成膜し、
予めパターンニングされたマスクを用いて前記第一の磁性体膜をプラズマエッチングした後、前記プラズマエッチングされた第一の磁性体膜の上方に障壁層を成膜し、
前記成膜された障壁層の上方に第二の磁性体膜を成膜することを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記障壁層は、前記第二の磁性体膜の成膜後、プラズマエッチングされることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第二の磁性体膜の寸法は、前記第一の磁性体膜の寸法より大きくなるようにプラズマエッチングされることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記障壁層は、ＭｇＯであり、
前記第一の磁性体膜および前記第二の磁性体膜は、ＣｏＦｅＢであることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気抵抗素子の製造方法において、
前記第一の磁性体膜は、フリー層であり、
前記第二の磁性体膜は、固定層であることを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、磁気抵抗素子の製造方法において、第一の磁性体膜を成膜し、予めパターンニングされたマスクを用いて前記第一の磁性体膜をプラズマエッチングした後、前記プラズマエッチングされた第一の磁性体膜の上方に障壁層を成膜し、前記成膜された障壁層の上方に第二の磁性体膜を成膜することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
同様に、ステップＳ２０８において、第２測定条件（Ｔｅｓｔ（Ｗｏｒｓｔ））で抽出された安定パスビットアドレスＰＢＡｓで選択されるメモリセルは、第２測定条件よりもＳＮＭが大きく設定される第３測定条件（ＩＤ生成時）においても、確実に、パスビット（書込みデータと読出しデータが一致）と判定される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図５に示される処理ステップＳ２の詳細な処理フローにおいて、ステップＳ２０２で設定する第１測定条件（Ｔｅｓｔ（Ｂｅｓｔ））、およびステップＳ２０７で設定する第２測定条件（Ｔｅｓｔ（Ｗｏｒｓｔ））を、図６（ｂ）に変更した場合も、上記の関係は維持される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
図７（ｃ）は、安定パスビットアドレスＰＢＡｓを抽出する場合に設定される第２測定条件（Ｔｅｓｔ（Ｗｏｒｓｔ））を説明するタイミング図である。測定温度および電源電圧ＶＤＤは、各々、−４０℃および０．９Ｖに設定される。時刻ｔ０にワード線ＷＬが活性化された後、時刻ｔＷに、センスアンプＳＡが活性化される。時刻ｔＷから所定時間経過後に、メモリセルのパス・フェイルが判定される。このセンスアンプ活性化タイミングｔＷでパスするメモリセルのアドレスは、安定パスビットアドレスＰＢＡｓとして抽出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図７（ａ）は、チップ識別情報ＩＤを生成する処理ステップＳ４で設定される第３測定条件（ＩＤ生成時）を説明するタイミング図である。測定温度および電源電圧ＶＤＤは、−２０℃〜６０℃および０．９Ｖに設定される。時刻ｔ０にワード線ＷＬが活性化された後、時刻ｔＴに、センスアンプＳＡが活性化される。時刻ｔＴから所定時間経過後に、メモリセルのパス・フェイルが判定される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４２】
ＥＣＣコード格納部１０５ｃは、メモリアドレスＲａｄｄｒに対応するパリティーデータを、エラー訂正コードＥｃｃｄとして、格納する。メモリアドレスＲａｄｄｒが入力されると、ＥＣＣコード格納部１０５ｃは、メモリアドレスＲａｄｄｒで選択されたエラー訂正コードＥｃｃｄを、エラー訂正回路１１０へ出力する。ＳＲＡＭマクロ１０３は、メモリＢＩＳＴ１０４が出力するメモリアドレスＲａｄｄｒで選択されたメモリセルの読出しデータＤｏｕｔをエラー訂正回路１１０へ出力する。エラー訂正回路１１０は、読出しデータＤｏｕｔをエラー訂正コードＥｃｃｄに基づきエラー訂正し、読出しデータＤｏｕｔｃを出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月18日(2015.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極とを有する放電灯を駆動する駆動装置であって、
前記第１電極と前記第２電極との間に交流電流を供給する供給部を備え、
前記供給部は、
第１期間において、１ｋＨｚより高い第１周波数の第１交流電流と、１ｋＨｚより高く前記第１周波数と異なる第２周波数の第２交流電流と、を前記第１電極と前記第２電極との間に供給し、
前記第１期間を繰り返して前記放電灯を駆動することを特徴とする駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載の駆動装置において、
前記第１交流電流および前記第２交流電流は、波形が矩形状の直流交番電流であることを特徴とする駆動装置。
【請求項３】
請求項２に記載の駆動装置において、
前記第１交流電流および前記第２交流電流のうち少なくとも一方は、半周期の長さで前記第１電極と前記第２電極との間に供給される直流電流であることを特徴とする駆動装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の駆動装置において、
前記供給部は、
前記放電灯の立ち上げ時に前記第１期間を繰り返し、
所定の条件が満たされた場合に前記第１期間を終了させ、前記第１期間の後に第２期間と第３期間とを交互に繰り返して前記放電灯を駆動し、
前記第２期間において、１ｋＨｚより高い第３周波数の第３交流電流と、１ｋＨｚより高く前記第３周波数と異なる第４周波数の第４交流電流と、を前記第１電極と前記第２電極との間に供給し、
前記第３期間において、１ｋＨｚ以下の第５周波数の第５交流電流を前記第１電極と前記第２電極との間に供給する、
ことを特徴とする駆動装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の駆動装置において、
前記供給部は、前記放電灯の点灯中に前記第１期間を繰り返すことを特徴とする駆動装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれかに記載の駆動装置と、
前記放電灯と、
を備えたことを特徴とする光源装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出された光を画像情報に基づいて変調する変調装置と、
前記変調装置により変調された光を投射する投射装置と、
を備えたことを特徴とするプロジェクター。
【請求項８】
第１電極と第２電極とを有する放電灯の駆動方法であって、
第１期間において、１ｋＨｚより高い第１周波数の第１交流電流と、１ｋＨｚより高く前記第１周波数と異なる第２周波数の第２交流電流と、を前記第１電極と前記第２電極との間に供給するステップと、
前記第１期間を繰り返すステップと、
を備えることを特徴とする放電灯の駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図４に、交流電流の周波数と放電灯５００の光量の標準偏差との関係の一例を示す。光量のピークは共鳴現象によって発生し、周波数が低下するにつれ光量変化も次第に低下する。そして、低周波駆動（１ｋＨｚ未満）では、共鳴現象の影響がなくなっており、高周波駆動で問題となる音響共鳴によるコイル部や電極の破損、更には光量変化を低減する観点から、交流電流の周波数は、共鳴現象が発生しない周波数に設定することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
そして、周波数ｆ１の波形を２周期分、生成すると、ステップＳ１１の判定結果は「ＹＥＳ」となり、制御部３３は、第２周期Ｔ２（周波数ｆ２）の波形を選択し（ステップＳ１２）、この後、所定周期が経過したか否かを判定する（ステップＳ１３）。周波数ｆ２の波形を２周期分、生成すると、ステップＳ２３の判定結果は「ＹＥＳ」となり、制御部３３は、第３周期Ｔ３（周波数ｆ３）を選択し（ステップＳ１４）、この後、所定周期が経過したか否かを判定する（ステップＳ１５）。周波数ｆ３の波形を２周期分、生成すると、ステップＳ２５の判定結果は「ＹＥＳ」となり、制御部３３は、第４周期Ｔ４（周波数ｆ４）の波形を選択し（ステップＳ１６）、この後、所定周期が経過したか否かを判定する（ステップＳ１７）。周波数ｆ４の波形を２周期分、生成すると、ステップＳ１７の判定結果は「ＹＥＳ」となり、制御部３３は、処理をステップＳ１０に戻す。これにより、周波数ｆ１の波形→周波数ｆ２の波形→周波数ｆ３の波形→周波数ｆ４の波形が繰り返し選択される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
なお、この例では、所定周期は２周期であったが、図５に示す波形例１を生成する場合は所定周期は１周期であり、図５に示す波形例３を生成する場合は所定周期は半周期である。更に、複数種類の周波数において、所定周期は同一でなくてもよく任意である。例えば、周波数ｆ１を１周期、周波数ｆ２を１.５周期、周波数ｆ３を２周期、周波数ｆ４を２．５周期としてもよい。くわえて、複数種類の周波数を選択する順序は、単位期間ごとに一定なくてもよく、ランダムであってもよいし、予め定められた順序であってもよい。例えば、第１番目の単位期間では、周波数ｆ１→周波数ｆ２→周波数ｆ３→周波数ｆ４、第２番目の単位期間では、周波数ｆ２→周波数ｆ３→周波数ｆ４→周波数ｆ１であってもよい。また、同一周波数を連続させない観点から、ある単位期間の終わりに選択する周波数と、次の単位期間の最初に選択する周波数とが異なるように設定することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月3日(2015.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直管型ＬＥＤランプであって、
長尺状に形成されＬＥＤ発光素子を実装し、長手方向の少なくとも一端に端子部を有するＬＥＤ基板と、
前記直管型ＬＥＤランプの両端に取付けられた口金と、
前記口金に設けられた口金ピンと、
少なくとも一方の前記口金ピンと前記端子部の双方に接続する端子台と、
を備えることを特徴とする直管型ＬＥＤランプ。
【請求項２】
前記口金に雄端子を、前記端子台に前記口金の前記雄端子と接続される雌端子を設けたか、または前記口金に雌端子を、前記端子台に前記口金の前記雌端子と接続される雄端子を設けたことを特徴とする請求項１記載の直管型ＬＥＤランプ。
【請求項３】
前記端子台は、前記ＬＥＤ基板端子部と接続する基板接続端子を有することを特徴とする請求項１または２に記載の直管型ＬＥＤランプ。
【請求項４】
前記基板接続端子は前記端子台を介して前記口金ピンと電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の直管型ＬＥＤランプ。
【請求項５】
前記ＬＥＤ基板を支持する支持基材をさらに備え、
前記口金に、前記支持基材と前記端子台とを係止する係止部材を設けたことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の直管型ＬＥＤランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１に記載の発明にあたっては、直管型ＬＥＤランプであって、長尺状に形成されＬＥＤ発光素子を実装し、長手方向の少なくとも一端に端子部を有するＬＥＤ基板と、直管型ＬＥＤランプの両端に取付けられた口金と、口金に設けられた口金ピンと、少なくとも一方の口金ピンと端子部の双方に接続する端子台と、を備えることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２に記載の発明にあたっては、口金に雄端子を、端子台に口金の雄端子と接続される雌端子を設けたか、または口金に雌端子を、端子台に口金の雌端子と接続される雄端子を設けたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３に記載の発明にあたっては、ＬＥＤ基板端子部と接続する基板接続端子を有することを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４に記載の発明にあたっては、基板接続端子は端子台を介して口金ピンと電気的に接続されていることを特徴とするものである。また、請求項５に記載の発明にあたってはＬＥＤ基板を支持する支持基材をさらに備え、口金に、支持基材と端子台とを係止する係止部材を設けたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
温度モニタ部ＴＳ１１は、オンチップトランスフォーマＯＣＴ１の直下領域、中央部、、および外周部に配置される各ダイオードを、４つの配線系統（配線ｓａ１／ｓｃ１、配線ｓａ２／ｓｃ２、配線ｓａ３／ｓｃ３、配線ｓａ４／ｓｃ４）に分割して並列接続した構成を有する。ダイオードを並列接続する配線系統を増加させることで、オンチップトランスフォーマＯＣＴ１で絶縁破壊が発生し、いずれかの配線系統が熔断された場合であっても、温度モニタ部ＴＳ１１は、異常温度上昇を検出する機能を保持することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
移動局が第１無線基地局配下の第１セル及び第２無線基地局配下の第２セルを介してキャリアアグリゲーションを行うことができるように構成されている移動通信システムにおける移動通信方法であって、
前記移動局と前記第１無線基地局との間で第１論理チャネルが設定されており、該移動局と前記第２無線基地局との間で第２論理チャネルが設定されており、該第１無線基地局及び該第２無線基地局の各々によって該移動局に対してスケジューリング要求送信用リソースが割り当てられており、該移動局において該第２論理チャネルにて送信すべき上りデータが発生した場合、該移動局が、該第１無線基地局によって割り当てられた該スケジューリング要求送信用リソースを用いて該第１無線基地局に対してスケジューリング要求を送信せず、該第２無線基地局によって割り当てられた該スケジューリング要求送信用リソースを用いて該第２無線基地局に対してスケジューリング要求を送信する工程と、
前記第２無線基地局が、前記移動局に対して、バッファ滞留量送信用リソースを通知する工程と、
前記移動局が、前記バッファ滞留量送信用リソースを用いて、該第２無線基地局に対して、前記第２論理チャネルにおけるバッファ滞留量を送信する工程と、
前記第２無線基地局が、前記バッファ滞留量に応じて、前記移動局に対して、前記上りデータを送信するためのリソースを割り当てる工程とを有することを特徴とする移動通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の第２の特徴は、移動局が第１無線基地局配下の第１セル及び第２無線基地局配下の第２セルを介してキャリアアグリゲーションを行うことができるように構成されている移動通信システムにおける移動通信方法であって、前記移動局と前記第１無線基地局との間で第１論理チャネルが設定されており、該移動局と前記第２無線基地局との間で第２論理チャネルが設定されており、該第１無線基地局及び該第２無線基地局の各々によって該移動局に対してスケジューリング要求送信用リソースが割り当てられており、該移動局において該第２論理チャネルにて送信すべき上りデータが発生した場合、該移動局が、該第１無線基地局によって割り当てられた該スケジューリング要求送信用リソースを用いて該第１無線基地局に対してスケジューリング要求を送信せず、該第２無線基地局によって割り当てられた該スケジューリング要求送信用リソースを用いて該第２無線基地局に対してスケジューリング要求を送信する工程と、前記第２無線基地局が、前記移動局に対して、バッファ滞留量送信用リソースを通知する工程と、前記移動局が、前記バッファ滞留量送信用リソースを用いて、該第２無線基地局に対して、前記第２論理チャネルにおけるバッファ滞留量を送信する工程と、前記第２無線基地局が、前記バッファ滞留量に応じて、前記移動局に対して、前記上りデータを送信するためのリソースを割り当てる工程とを有することを要旨とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月1日(2015.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体からの光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードと接続されるオーバーフロードレイン部とを備えるセンサと、
前記被写体の輝度に基づいて前記フォトダイオードの飽和電圧を変更するように前記オーバーフロードレイン部を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記オーバーフロードレイン部は、前記フォトダイオードをリセット電圧にリセットするリセットスイッチであって、
前記リセット電圧を生成するリセット電圧生成手段と、
前記オーバーフロードレイン部のゲート電圧を生成するゲート電圧生成手段とをさらに備え、
前記制御手段は、前記リセット電圧あるいは前記ゲート電圧を制御することで前記飽和電圧を変更することを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記フォトダイオードで生成された電荷の蓄積中に、前記センサから出力される信号電圧が停止電圧に達したときに電荷の蓄積を停止する蓄積制御手段をさらに備え、
前記停止電圧は、前記飽和電圧よりも小さくなるように設定されることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記被写体の輝度が第１の所定値以上の場合は、前記飽和電圧を第１の値に設定し、前記被写体の輝度が前記第１の所定値より低い場合は、前記飽和電圧を前記第１の値よりも小さい第２の値に設定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記被写体のコントラストが第２の所定値以上の場合は、前記飽和電圧を前記第１の値に設定することを特徴とする請求項４に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記被写体の輝度は、前記センサにおける電荷の蓄積時間に基づいて判定されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記被写体のコントラストは、前記センサから出力される信号に基づいて判定されることを特徴とする請求項５に記載の光電変換装置。
【請求項８】
被写体からの光を光電変換するフォトダイオードであって、複数の異なる感度に切り替え可能なフォトダイオードと、前記フォトダイオードと接続されるオーバーフロードレイン部とを備えるセンサと、
前記フォトダイオードの感度に基づいて前記フォトダイオードの飽和電圧を変更するように前記オーバーフロードレイン部を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
前記オーバーフロードレイン部は、前記フォトダイオードをリセット電圧にリセットするリセットスイッチであって、
前記リセット電圧を生成するリセット電圧生成手段と、
前記オーバーフロードレイン部のゲート電圧を生成するゲート電圧生成手段とをさらに備え、
前記制御手段は、前記リセット電圧あるいは前記ゲート電圧を制御することで前記飽和電圧を変更することを特徴とする請求項８に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記フォトダイオードで生成された電荷の蓄積中に、前記センサから出力される信号電圧が停止電圧に達したときに電荷の蓄積を停止する蓄積制御手段をさらに備え、
前記停止電圧は、前記飽和電圧よりも小さくなるように設定されることを特徴とする請求項８又は９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、前記フォトダイオードの感度が第１の感度の場合は、前記飽和電圧を第１の値に設定し、前記フォトダイオードの感度が前記第１の感度よりも高い第２の感度の場合は、前記飽和電圧を前記第１の値よりも小さい第２の値に設定することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
被写体からの光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードと接続されるオーバーフロードレイン部とを備えるセンサと、
前記センサにおける電荷の蓄積時間に基づいて前記フォトダイオードの飽和電圧を変更するように前記オーバーフロードレイン部を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係わる光電変換装置は、被写体からの光を光電変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードと接続されるオーバーフロードレイン部とを備えるセンサと、前記被写体の輝度に基づいて前記フォトダイオードの飽和電圧を変更するように前記オーバーフロードレイン部を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月19日(2015.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＶ光を用いて、インク画像をデジタル走査し、画素単位ベースで前記画像のインクを選択的に硬化する、デジタル硬化方法であって、
第１の出力レベルでＬＥＤにより発光される光を用いて、前記インク画像のインクの第１の部分を走査するステップであって、前記第１の部分が前記インク画像の第１の画素に対応し、前記インク画像に対応するデジタル画像データに基づいて前記第１の出力レベルで前記ＬＥＤから光を発光するよう前記ＬＥＤを制御し、前記インクの第１の部分を走査するステップが、多面鏡又は走査レンズを用いて、前記ＬＥＤから発光された光を回転させるステップと、前記鏡又は前記走査レンズを用いて、前記鏡からの光を前記インク画像に転送するステップと、を含む、前記インク画像のインクの第１の部分を走査するステップと、
第２の出力レベルでＬＥＤにより発光される光を用いて、前記インク画像のインクの第２の部分を走査するステップであって、前記第２の部分が前記インク画像の第２の画素に対応し、デジタル画像データに基づいて前記第２の出力レベルで前記ＬＥＤから光を発光するよう前記ＬＥＤを制御し、前記第１の画像部分が、第１の厚さ又は第１の色を有するインク層を備え、前記第２の画像部分が、第２の厚さ又は第２の色を有するインク層を備え、前記第１の出力レベルが、前記第１の厚さ又は前記第１の色を有する層のインクを硬化させるために適しており、前記第２の出力レベルが、前記第２の厚さ又は前記第２の色を有する層のインクを硬化させるために適しており、前記インクの第２の部分を走査するステップが、多面鏡又は走査レンズを用いて、前記ＬＥＤから発光された光を回転させるステップと、前記鏡又は前記走査レンズを用いて、前記鏡からの光を前記インク画像に転送するステップと、を含む、前記インク画像のインクの第２の部分を走査するステップと、
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デジタル硬化方法
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを支持する昇降可能なトレイと、前記トレイの上方に設けられたシート給送部とを備え、前記トレイの上昇により給送可能位置に達したシートを前記シート給送部によりシート給送方向に給送するシート給送装置において、
前記トレイに支持されたシートのシート給送方向と反対方向への移動を規制する規制面を有する規制部と、
前記規制部に上下に移動可能に設けられ、前記トレイに支持されたシートが前記給送可能位置に達したときに、前記規制部と前記トレイに支持されたシートとの間に隙間が生じている場合には、前記隙間に位置してシートの前記シート給送方向と反対方向への移動を規制し、前記隙間が所定の寸法よりも狭い場合及び前記隙間がない場合には、前記トレイに支持されたシートの最上面に押されて退避するストッパ部と、
を備えたことを特徴とするシート給送装置。
【請求項２】
前記規制部は、前記トレイが上昇する際、前記トレイに支持されたシートに当接して上昇する上面規制部を備え、
前記上面規制部に前記ストッパ部を、前記上面規制部の底面よりも下方で、支持されているシート側に突出させて設けたことを特徴とする請求項１に記載のシート給送装置。
【請求項３】
前記規制部とシートとの間の隙間が所定距離以上であることを検知するセンサと、前記隙間が所定距離以上の場合には、前記センサの検知に基づいて前記規制部のセットをやり直させる通知を行う通知手段と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のシート給送装置。
【請求項４】
前記シート給送部は、前記給送可能位置に達した前記トレイに支持されたシートの側端にエアを吹き付けてシートを浮上させるエア吹き付け部と、浮上させたシートを吸着して給送する吸着搬送部とを備え、エアの吹き付けで浮上した最上位のシートを前記吸着搬送部により吸着して搬送を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項５】
前記シート給送部は、前記トレイに支持されたシートを送り出すピックアップローラと、シート給送方向に回転するフィードローラと、シート給送方向と逆方向に回転可能に設けられ、前記フィードローラに圧接して前記フィードローラとの間でシートを１枚ずつ分離する分離ニップ部を形成するリタードローラとを備え、前記分離ニップ部に給送されたシートを前記フィードローラと前記リタードローラとにより１枚ずつ分離して給送することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項６】
前記ストッパ部は、複数の規制爪を有し、前記複数の規制爪においてシートを規制する各規制部分と前記規制部の前記規制面との距離が異なるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のシート給送装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載のシート給送装置と、前記シート給送装置から給送されるシートに画像を形成する画像形成部と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、シートを支持する昇降可能なトレイと、前記トレイの上方に設けられたシート給送部とを備え、前記トレイの上昇により給送可能位置に達したシートを前記シート給送部によりシート給送方向に給送するシート給送装置において、前記トレイに支持されたシートのシート給送方向と反対方向への移動を規制する規制面を有する規制部と、前記規制部に上下に移動可能に設けられ、前記トレイに支持されたシートが前記給送可能位置に達したときに、前記規制部と前記トレイに支持されたシートとの間に隙間が生じている場合には、前記隙間に位置してシートの前記シート給送方向と反対方向への移動を規制し、前記隙間が所定の寸法よりも狭い場合及び前記隙間がない場合には、前記トレイに支持されたシートの最上面に押されて退避するストッパ部と、を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
この後端規制爪１８Ｈ，１８Ｉは、支持軸１８Ｂに、後端上面規制部１８の突出部１８Ｄの底面よりも下方に、シート側に突出して、かつ回動可能に取り付けられている。また、この後端規制爪１８Ｈ，１８Ｉは、昇降台１２の上昇に伴ってシートが下方より圧接するまでは、図８の（ａ）に示すように自重により下方回動し、それぞれ規制部分である先端部が後端規制面１３Ｃから距離Ｌ１，Ｌ２だけ離れた位置に移動している。なお、後端規制パッド１８Ｅは、後端規制面１３Ｃから距離Ｌ３だけ突出して設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記化学式（1）で表示される化合物:
【化１】
2013095751.tif 000001
前記化学式（1）中、
R1ないしR10は、各々独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、置換または非置換のC1-C60のアルキル基、置換または非置換のC2-C50のアルケニル基、置換または非置換のC5-C60のアリール基、C5-C50のアリール基で置換されたアミノ基、置換または非置換のC3-C60のヘテロアリール基、または、置換または非置換のC6-C60の縮合多環基を表し、
X1及びX2は、-N(R20)-または-S-を表し、
選択的に、R1ないしR5のうち隣接した置換基またはR6ないしR10のうち隣接した置換基は、連結されて環を形成し、
R20は、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、置換または非置換のC1-C60のアルキル基、置換または非置換のC2-C50のアルケニル基、置換または非置換のC5-C60のアリール基、C5-C50のアリール基で置換されたアミノ基、置換または非置換のC3-C60のヘテロアリール基、または、置換または非置換のC6-C60の縮合多環基を表す。
【請求項２】
前記化学式（1）中、R1ないしR10及びR20は、各々独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、置換または非置換のC1-C20のアルキル基、置換または非置換のC2-C20のアルケニル基、置換または非置換のC5-C30のアリール基、C5-C30のアリール基で置換されたアミノ基、置換または非置換のC3-C30のヘテロアリール基、または、置換または非置換のC6-C30の縮合多環基を表す請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記置換または非置換のC5-C30のアリール基、C5-C30のアリール基で置換されたアミノ基、置換または非置換のC3-C30のヘテロアリール基、または、置換または非置換のC6-C30の縮合多環基が下記化学式2aないし2jからなる群から選択される請求項２に記載の化合物:
【化２】
2013095751.tif 000002
前記化学式2aないし2jのうち、
Q1は、-C(R30)(R31)-、-N(R32)-、-N(-*)-、-S-または-O-で表され;
Y1、Y2及びY3は、互いに独立して、-N=、-N(-*)-、-S-、-O-、-C(R33)=または-C(-*)=で表され;
Z1、Ar12、Ar13、R30、R31、R32及びR33は、互いに独立して、水素原子、重水素、ハロゲン基、シアノ基、置換または非置換のC1-C20のアルキル基、置換または非置換のC5-C20のアリール基、置換または非置換のC3-C20のヘテロアリール基、置換または非置換のC6-C20の縮合多環基、ニトロ基、ヒドロキシ基及びカルボン酸基からなる群から選択され;
Ar11は、置換または非置換のC1-C20のアルキレン基、置換または非置換のC5-C20のアリーレン基、及び置換または非置換のC3-C20のヘテロアリーレン基からなる群から選択され;
pは、1ないし10の整数であり;
rは、0ないし5の整数であり;
*は、結合手を表す。
【請求項４】
前記置換または非置換のC5-C30のアリール基、C5-C30のアリール基で置換されたアミノ基、置換または非置換のC3-C30のヘテロアリール基、または、置換または非置換のC6-C30の縮合多環基が下記化学式3aないし3hからなる群から選択される請求項３に記載の化合物:
【化３】
2013095751.tif 000003
前記化学式3aないし3h中、
Y1は、-N=、-S-、-O-または-C(R34)=で表され;
Z1及びZ2は、水素原子、重水素、ハロゲン基、シアノ基、置換または非置換のC1-C20のアルキル基、置換または非置換のC5-C20のアリール基、置換または非置換のC3-C20のヘテロアリール基、置換または非置換のC6-C20の縮合多環基、ニトロ基、ヒドロキシ基及びカルボン酸基からなる群から選択され;
p及びqは、1ないし7の整数であり;
*は、結合手を表す。
【請求項５】
化合物の構造が点対称の形態である請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項６】
前記化学式（1）中、R1ないしR10及びR20は、各々独立して、水素、重水素、ハロゲン基、シアノ基、置換または非置換のC1-C20のアルキル基、置換または非置換のC2-C20のアルケニル基及び下記化学式2aないし2jからなる群から選択され、
前記化合物の構造が点対称の形態である請求項１に記載の化合物:
【化４】
2013095751.tif 000004
前記化学式2aないし2jのうち、
Q1は、-C(R30)(R31)-、-N(R32)-、-N(-*)-、-S-または-O-で表され;
Y1、Y2及びY3は、互いに独立して、-N=、-N(-*)-、-S-、-O-、-C(R33)=または-C(-*)=で表され;
Z1、Ar12、Ar13、R30、R31、R32及びR33は、互いに独立して、水素原子、重水素、置換または非置換のC1-C20のアルキル基、置換または非置換のC5-C20のアリール基、置換または非置換のC3-C20のヘテロアリール基、置換または非置換のC6-C20の縮合多環基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基及びカルボン酸基からなる群から選択され;
Ar11は、置換または非置換のC1-C20のアルキレン基、置換または非置換のC5-C20のアリーレン基、及び置換または非置換のC3-C20のヘテロアリーレン基からなる群から選択され;
pは、1ないし10の整数であり;
rは、0ないし5の整数であり;
*は、結合手を表す。
【請求項７】
前記化合物が、下記化合物のうち、１つである請求項１〜４のいずれか１項に記載の化合物:
【化５−１】
2013095751.tif 000005
【化５−２】
2013095751.tif 000006
。
【請求項８】
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極及び第2電極間に介在された有機層と、を備えた有機発光素子であって、
前記有機層が請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物を含む第1層を含む有機発光素子。
【請求項９】
前記第1層が発光層であり、前記化学式（1）で表示される化合物が蛍光または燐光ホストとして用いられる請求項８に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の有機発光素子を備え、
前記有機発光素子の第1電極が薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と電気的に連結された平板表示装置。