【事件の表示】
　特願２０１９−　８４３１３「レーザ加工システム」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年１０月　３日出願公開，特開２０１９−１６９７１９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１１月１６日に出願した特願２０１０−２５６２１７号（以下「原出願」という。）の一部を平成２８年４月２６日に新たな特許出願とした特願２０１６−８７８６６号の一部を平成２８年１１月１４日に新たな特許出願とした特願２０１６−２２１８４１号の一部を平成３０年４月２０日に新たな特許出願とした特願２０１８−８１５２４号の一部を平成３０年６月２８日に新たな特許出願とした特願２０１８−１２３５０５号の一部を平成３０年１０月３日に新たな特許出願とした特願２０１８−１８８４１０号の一部を平成３０年１１月２０日に新たな特許出願とした特願２０１８−２１７６１２号の一部を平成３１年４月２５日に新たな特許出願としたものであり，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
　令和　元年　５月１５日：拒絶理由通知（起案日）
　令和　元年　６月　５日：意見書
　令和　元年　６月２０日：拒絶査定（起案日） 
　令和　元年　９月２４日：審判請求 
第２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　チップ強度の向上を図るレーザ加工システムにおいて，
　観察用光源から出射された照明光を，コンデンスレンズを経てウェハのデバイス面に照射し前記ウェハのアライメントを行う観察光学部と，
　前記ウェハの内部における前記ウェハの厚さの中間位置よりも前記ウェハのデバイス面側の位置であって前記デバイス面から５０μｍよりも前記ウェハの裏面側の位置に集光点を設定し，前記コンデンスレンズを通して前記ウェハの裏面側から照射してレーザ光を集光させ，前記集光点から延びるクラックが前記ウェハの裏面にまで到達しないレーザ改質領域形成手段と，
　前記デバイス面をウェハチャックに真空吸着して前記集光点を含む前記レーザ光が透過した領域を一様に研削除去し，前記集光点から延びた亀裂を残して前記ウェハの最終厚みを５０μｍ以下とするために，前記集光点の深さを正確に制御する前記コンデンスレンズの微動手段と，
　を備える，レーザ加工システム。」
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１に係る発明は，原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて，その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
１．国際公開第０３／７７２９５号
２．特開２００５−１７５１４７号公報
３．特開２００５−８６１１１号公報
４．特開２００７−１６５７０６号公報
５．特開２００６−１２９０２号公報
６．特開２００７−２３５０６８号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１の記載
（１）引用文献１には，以下の事項が記載されている。 
「技術分野 
　本発明は，半導体デバイスの製造工程等において半導体基板等の基板を分割するために使用される基板の分割方法に関する。」（第１ページ３〜５行）
「背景技術 
 
近年の半導体デバイスの小型化に伴い，半導体デバイスの製造工程において，半導体基板が数１０μｍ程度の厚さにまで薄型化されることがある
このように薄型化された半導体基板をブレードにより切断し分割すると，半導体基板が厚い場合に比べてチッピングやクラッキングの発生が増加し，半導体基板を分割することで得られる半導体チップの歩留まりが低下するという問題がある
「図１４は，実施例１に係るレーザ加工装置の概略構成図である。
　・・・
　図２３Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
　図２３Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
　図２４Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。 
　
図２４Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である
　図２５Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である.。
　図２５Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。」（第４ページ第１３行〜第５ページ第２１行）
「さて，
本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域としては，次の（１）〜（３）がある。
　（１）改質領域が１つ又は複数のクラックを含むクラック領域の場合
　＜途中省略＞
　（２）改質領域が溶融処理領域の場合
　＜途中省略＞
　（３）改質領域が屈折率変化領域の場合
「［実施例１］ 
　
本発明に係る基板の分割方法の実施例１について説明する
実施例１では，基板１をシリコンウェハ(厚さ３５０μｍ，外径４インチ）とし （以下，実施例１では「基板１」を「半導体基板１」という），デバイス製作プロセスにおいて半導体基板１の表面３に複数の機能素子がマトリックス状に形成されたものを対象とする
　まず，
半導体基板１の内部に切断起点領域を形成する工程について説明するが，その説明に先立って，切断起点領域を形成する工程において使用されるレーザ加工装置について，図１４を参照して説明する
　
レーザ加工装置１００は，レーザ光 Lを発生するレーザ光源１０１と，レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と，レーザ光 Lの反射機能を有しかつレーザ光 Lの光軸の向きを ９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と，ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光 Lを集光する集光用レンズ１０５と，集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光 Lが照射される半導体基板１が載置される載置台１０７と，載置台１０７を X軸方向に移動させるための X軸ステージ１０９と，載置台１０７を X軸方向に直交する Y軸方向に移動させるための Y軸ステージ１１１と，載置台１０７を X軸及び Y軸方向に直交する Z軸方向に移動させるための Z軸ステージ１１３と，これら３つのステージ１０９，１１１，１１３の移動を制御するステージ制御部１１５とを備える。 
　Z軸方向は半導体基板１の表面３と直交する方向なので，半導体基板１に入射するレーザ光 Lの焦点深度の方向となる。よって，Z軸ステージ１１３を Z軸方向に移動させることにより，半導体基板１の内部にレーザ光 Lの集光点 Pを合わせることができる
　＜途中省略＞
　
レーザ加工装置１００はさらに，載置台１０７に載置された半導体基板１を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９とを備える
観察用光源１１７から発生した可視光線は
半導体基板１の切断予定ライン５等を含む表面３を照明する
　
レーザ加工装置１００はさらに，ビームスプリッタ１１９，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３を備える。
切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反射光は，集光用レンズ１０５，ダイクロイックミラー１０３，ビームスプリッタ１１９を透過し，結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され，撮像データとなる
　レーザ加工装置１００はさらに，撮像素子１２１から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部１２５と，レーザ加工装置１００全体を制御する全体制御部１２７と，モニタ１２９とを備える。撮像データ処理部１２５は，撮像データを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点を表面３上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部１１５がZ軸ステージ１１３を移動制御することにより，可視光の焦点が表面３に合うようにする。よって，撮像データ処理部１２５はオートフォーカスユニットとして機能する。また，撮像データ処理部１２５は，撮像データを基にして表面３の拡大画像等の画像データを演算する。この画像データは全体制御部１２７に送られ，全体制御部で各種処理がなされ，モニタ１２９に送られる。これにより，モニタ１２９に拡大画像等が表示される。 
　全体制御部１２７には，ステージ制御部１１５からのデータ，撮像データ処理部１２５からの画像データ等が入力し，これらのデータも基にしてレーザ光源制御部１０２，観察用光源１１７及びステージ制御部１１５を制御することにより，レーザ加工装置１００全体を制御する。よって，全体制御部１２７はコンピューユニットとして機能する。 
　続いて，上述したレーザ加工装置１００を使用した場合の切断起点領域を形成する工程について，図１４及び図１５を参照して説明する。図１５は，切断起点領域を形成する工程を説明するためのフローチャートである。
　＜途中省略＞ 
　
実施例１では，上述した切断起点領域を形成する工程において，半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成され，この切断起点領域を起点として半導体基板１の厚さ方向に割れが発生している
　＜途中省略＞
なお，「半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成される」とは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板１の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面３側に偏倚して形成されることを意味する
　＜途中省略＞
次に，半導体基板１を研磨する工程について，図１７〜図２１を参照して説明する。図１７〜２１は，半導体基板を研磨する工程を含む各工程を説明するための図である。なお，
実施例１では，半導体基板１が厚さ３５０μｍから厚さ５０μｍに薄型化される
　図１７に示すように，
上記切断起点領域形成後の半導体基板１の表面３に保護フィルム２０が貼り付けられる。
続いて，
半導体基板１の裏面２１が平面研削され，この平面研削後に裏面２１にケミカルエッチングが施されて，半導体基板１が５０μｍに薄型化される。これにより，すなわち半導体基板１の裏面２１の研磨により，切断起点領域を起点として発生した割れ１５に裏面２１が達して，機能素子１９それぞれを有する半導体チップ２５に半導体基板１が分割される
　＜途中省略＞
　また，
半導体基板を研磨する工程においては，半導体基板１の裏面２１にケミカルエッチングを施すため，半導体基板１を分割することで得られる半導体チップ２５の裏面をより平滑化することができる。さらに，切断起点領域を起点として発生した割れ１５による半導体基板１の切断面が互いに密着しているため，
当該切断面の裏面側のエッジ部のみが選択的にエッチングされ面取り２９が形成される。したがって，半導体基板１を分割することで得られる半導体チップ２５の抗折強度を向上させることができる共に，半導体チップ２５におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することが可能となる
半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては
それぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができる
　図２３ A及び図２３ Bに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上する。 
　図２４ A及び
図２４ Bに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効である
　図２５ A及び図２５ Bに示すように，溶融処理領域１３が切断面の裏面側のエッジ部に残存する半導体チップ２５は，当該エッジ部が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５のエッジ部を面取りした場合と同様に，エッジ部におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することができる。また，図２３ A，図２４ A及び図２５ Aに示すように，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合に比べ，図２３ B，
図２４ B
に示すように半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合の方が，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップ２５の切断面の直進性がより向上する
　＜途中省略＞
　[実施例２] 
　＜途中省略＞
また，
レーザ光 Lの照射は，サファイア基板１の表面３側から行ってもよいし，裏面２１側から行ってもよい
　＜途中省略＞
　
なお，サファイア基板１に換えてＡｌＮ基板やＧａＡｓ基板を用いた場合の基板の分割においても，上記同様の効果を奏する
産業上の利用可能性 
　以上説明したように，本発明によれば，チッピングやクラッキングの発生を防止して，基板を薄型化し且つ基板を分割することが可能になる。」（第１４ページ第１９行〜第２６ページ第１４行）
「特許請求の範囲
　１．
基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領域によって，前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程と，
　前記切断起点領域を形成する工程後，前記基板が所定の厚さとなるよう前記基板を研磨する工程と，
を備えることを特徴とする基板の分割方法
　２．
前記基板は半導体基板である
　３．前記改質領域は，溶融処理した領域であることを特徴とする請求の範囲第２項記載の基板の分割方法。
　４．前記基板は絶縁基板であることを特徴とする請求の範囲第１項記載の基板の分割方法。
　５．前記基板の表面には機能素子が形成されており，
　
前記基板を研磨する工程では前記基板の裏面を研磨する
ことを特徴とする請求の範囲第１項〜第４項のいずれか１項記載の基板の分割方法。 
　６．前記基板を研磨する工程は，前記基板の裏面にケミカルエッチングを施す工程を含むことを特徴とする請求の範囲第５項記載の基板の分割方法。」（第２７ページ第１〜２０行）
「
」
「
」
「
」
（２）上記記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されていることが認められる。
　ア　引用文献１に記載された発明は，近年の半導体デバイスの小型化に伴い，半導体デバイスの製造工程において，半導体基板が数１０μｍ程度の厚さにまで薄型化されることがあることを背景技術とするものであること。
　イ　引用文献１の実施例１は，引用文献１の特許請求の範囲に記載された発明の実施例であること。
　ウ　実施例１では，基板１をシリコンウェハ(厚さ３５０μｍ，外径４インチ）とし （以下，実施例１では「基板１」を「半導体基板１」という），デバイス製作プロセスにおいて半導体基板１の表面３に複数の機能素子がマトリックス状に形成されたものを対象とすること。
　エ　レーザ加工装置１００は，半導体基板１の内部に切断起点領域を形成する工程において使用されること。
　オ　レーザ加工装置１００は，レーザ光 Lを発生するレーザ光源１０１と，レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と，レーザ光 Lの反射機能を有しかつレーザ光 Lの光軸の向きを ９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と，ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光 Lを集光する集光用レンズ１０５と，集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光 Lが照射される半導体基板１が載置される載置台１０７と，載置台１０７を X軸方向に移動させるための X軸ステージ１０９と，載置台１０７を X軸方向に直交する Y軸方向に移動させるための Y軸ステージ１１１と，載置台１０７を X軸及び Y軸方向に直交する Z軸方向に移動させるための Z軸ステージ１１３と，これら３つのステージ１０９，１１１，１１３の移動を制御するステージ制御部１１５とを備え，
　Z軸方向は半導体基板１の表面３と直交する方向なので，半導体基板１に入射するレーザ光 Lの焦点深度の方向となることから，Z軸ステージ１１３を Z軸方向に移動させることにより，半導体基板１の内部にレーザ光 Lの集光点 Pを合わせることができること。
　
　カ　レーザ加工装置１００はさらに，載置台１０７に載置された半導体基板１を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９とを備え，観察用光源１１７から発生した可視光線は，半導体基板１の切断予定ライン５等を含む表面３を照明すること。
　キ　レーザ加工装置１００はさらに，ビームスプリッタ１１９，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３を備え，切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反射光は，集光用レンズ１０５，ダイクロイックミラー１０３，ビームスプリッタ１１９を透過し，結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され，撮像データとなること。
　ク　基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領域によって，前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程として，実施例１では，半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成され，この切断起点領域を起点として半導体基板１の厚さ方向に割れが発生しており，ここで，「半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成される」とは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板１の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面３側に偏倚して形成されることを意味すること。
　ケ　実施例１では，半導体基板１が厚さ３５０μｍから厚さ５０μｍに薄型化されること。
　コ　上記切断起点領域形成後の半導体基板１の表面３に保護フィルム２０を貼り付け，続いて，半導体基板１の裏面２１を平面研削し，この平面研削後に裏面２１にケミカルエッチングを施して，半導体基板１を５０μｍに薄型化することにより，すなわち半導体基板１の裏面２１の研磨により，切断起点領域を起点として発生した割れ１５に裏面２１が達して，機能素子１９それぞれを有する半導体チップ２５に半導体基板１が分割されること。
　サ　半導体基板を研磨する工程において，半導体基板１の裏面２１にケミカルエッチングを施すと，半導体基板１を分割することで得られる半導体チップ２５の裏面をより平滑化することができ，さらに，切断起点領域を起点として発生した割れ１５による半導体基板１の切断面が互いに密着しているため，当該切断面の裏面側のエッジ部のみが選択的にエッチングされ面取り２９が形成されることから，半導体基板１を分割することで得られる半導体チップ２５の抗折強度を向上させることができる共に，半導体チップ２５におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することが可能となること。
　シ　本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域としては，「（１）改質領域が１つ又は複数のクラックを含むクラック領域の場合」，「（２）改質領域が溶融処理領域の場合」，及び「（３）改質領域が屈折率変化領域の場合」があり，さらに，半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては，それぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができること。
　　
　ス　図２４Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図であって，図２４Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効であること。
　セ　図２４Ｂから，実施例１に係る半導体基板の研磨において，溶融処理領域１３を含む領域を一様に研削除去すること，及び，当該研磨する工程の後に，前記溶融処理領域１３から延びた割れ１５が研磨後の半導体基板に残っていることを見て取ることができること。
　ソ　レーザ光 Lの照射は，サファイア基板１の表面３側から行ってもよいし，裏面２１側から行ってもよく，サファイア基板１に換えてＡｌＮ基板やＧａＡｓ基板を用いた場合の基板の分割においても，上記同様の効果を奏すること。
（３）引用発明
　したがって，引用文献１には，引用文献１の実施例１において用いられるレーザ加工装置１００として，以下の発明が記載されている。（以下「引用発明」という。）
「レーザ光 Lを発生するレーザ光源１０１と，レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と，レーザ光 Lの反射機能を有しかつレーザ光 Lの光軸の向きを ９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と，ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光 Lを集光する集光用レンズ１０５と，
　集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光 Lが照射されるシリコンウェハが載置される載置台１０７と，
　載置台１０７を X軸方向に移動させるための X軸ステージ１０９と，載置台１０７を X軸方向に直交する Y軸方向に移動させるための Y軸ステージ１１１と，載置台１０７を X軸及び Y軸方向に直交する Z軸方向に移動させるための Z軸ステージ１１３と，これら３つのステージ１０９，１１１，１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と，
　載置台１０７に載置されたシリコンウェハの切断予定ライン５等を含む表面３を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９と，ビームスプリッタ１１９，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３と，
　を備えた，表面３に複数の機能素子がマトリックス状に形成されたシリコンウェハ(厚さ３５０μｍ，外径４インチ）の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し，この改質領域によって，前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程切断起点領域を形成する工程において使用されるレーザ加工装置であって，
　前記切断起点領域を形成する工程において，シリコンウェハの内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成され，この切断起点領域を起点としてシリコンウェハの厚さ方向に割れが発生しており，ここで，シリコンウェハの内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成されるとは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，シリコンウェハの厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面３側に偏倚して形成されることを意味するものであり，
　上記切断起点領域形成後のシリコンウェハの表面３に保護フィルム２０を貼り付けた後のシリコンウェハの裏面２１を研磨する工程の後に，溶融処理領域１３から延びた割れ１５が前記研磨後のシリコンウェハに残るように，溶融処理領域１３を含む領域を一様に平面研削除去し，この平面研削後に裏面２１にケミカルエッチングを施して，シリコンウェハを５０μｍに薄型化することにより，切断起点領域を起点として発生した割れ１５は裏面２１に達して，機能素子１９それぞれを有する半導体チップ２５にシリコンウェハが分割されるものであって，
　前記ケミカルエッチングは，シリコンウェハを分割することで得られる半導体チップ２５の裏面をより平滑化することができ，さらに，切断起点領域を起点として発生した割れ１５によるシリコンウェハの切断面が互いに密着しているため，当該切断面の裏面側のエッジ部のみが選択的にエッチングされ面取り２９が形成されることから，シリコンウェハを分割することで得られる半導体チップ２５の抗折強度を向上させることができる共に，半導体チップ２５におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することを可能とするものであり，
　さらに，溶融処理領域１３が切断面内に残存しないことで，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好ましくない影響を与えない，
　レーザ加工装置。」
２　引用文献２の記載
（１）引用文献２には，以下の事項が記載されている。 
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，半導体装置や電子部品等のチップを製造する
レーザー光を利用したダイシング装置
に関するものである
「【００１５】
　
ウェーハ移動部１１は，レーザーダイシング装置１０の本体ベース１６に設けられたＸＹＺθテーブル１２，ＸＹＺθテーブル１２に載置されダイシングシートＳを介してフレームＦにマウントされたウェーハＷを吸着保持する吸着ステージ１３等からなっている。このウェーハ移動部１１によって，ウェーハＷが図のＸＹＺθ方向に精密に移動される
【００１６】
　レーザー光学部２０は，レーザー発振器２１，コリメートレンズ２２，ハーフミラー２３，コンデンスレンズ（集光レンズ）２４，レーザー光をウェーハＷに対して平行に微小移動させる駆動手段２５等で構成されている。
【００１７】
　また，観察光学部３０は，観察用光源３１，コリメートレンズ３２，ハーフミラー３３，コンデンスレンズ３４，観察手段としてのＣＣＤカメラ３５，画像処理装置３８，テレビモニタ３６等で構成されている。
【００１８】
　レーザー光学部２０では，レーザー発振器２１から発振されたレーザー光はコリメートレンズ２２，ハーフミラー２３，コンデンスレンズ２４等の光学系を経てウェーハＷの内部に集光される。ここでは，集光点におけるピークパワー密度が１×１０８(Ｗ／ｃｍ２ ）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件で，ダイシングシートに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。
集光点のＺ方向位置は，後出のＺ微動手段２７によるコンデンスレンズ２４のＺ方向微動によって調整される
「【００２０】
　
この撮像データは画像処理部３８に入力され，ウェーハＷのアライメントに用いられるとともに，制御部５０を経てテレビモニタ３６に写し出される
「【００２５】
　図２は，駆動手段２５の細部を説明する概念図である。
駆動手段２５は，コンデンスレンズ２４を保持するレンズフレーム２６，レンズフレーム２６の上面に取り付けられレンズフレーム２６を図のＺ方向に微小移動させるＺ微動手段２７，Ｚ微動手段２７を保持する保持フレーム２８，保持フレーム２８をウェーハＷと平行に微小移動させるリニア微動手段であるＰＺ１，ＰＺ２，及び後出のＰＺ３，ＰＺ４，ＰＺ５等からなっている
【００２６】
　
Ｚ微動手段２７には電圧印加によって伸縮する圧電素子が用いられている。この圧電素子の伸縮によってコンデンスレンズ２４がＺ方向に微小送りされて，レーザー光の集光点のＺ方向位置が精密に位置決めされるようになっている
（２）上記記載から，引用文献２には，以下の技術が記載されていると認められる。
　ア　半導体装置や電子部品等のチップを製造する，レーザー光を利用したダイシング装置において，ウェーハＷを，レーザーダイシング装置１０の本体ベース１６に設けられたＸＹＺθテーブル１２によるＸＹＺθ方向への精密に移動させるのに加えて，コンデンスレンズ２４のＺ微動手段２７によるＺ方向微動によって集光点のＺ方向位置を調整すること。
　イ　半導体装置や電子部品等のチップを製造する，レーザー光を利用したダイシング装置において，撮像データが，ウェーハＷのアライメントに用いられること。
３　引用文献３の記載
（１）引用文献３には，以下の事項が記載されている。 
「【請求項１】
　
表面に機能素子が形成された半導体基板を切断予定ラインに沿って切断する半導体基板の切断方法であって
　前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板を第１の厚さにする工程と，
　前記半導体基板を第１の厚さにした後に，前記
半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成し，その改質領域によって，前記切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成する工程
　
前記切断起点領域を形成した後に，前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板を第２の厚さにする工程とを備えることを特徴とする半導体基板の切断方法
「【００４１】
　切断予定ライン５を設定した後，図１４（ｂ）に示すように，
裏面１７をレーザ光入射面としてシリコンウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせて，上述した多光子吸収が生じる条件でレーザ光Ｌを照射し，載置台２０の移動により切断予定ライン５に沿って集光点Ｐを相対移動させる。これにより，図１４（ｃ）に示すように，シリコンウェハ１１の内部には，切断予定ライン５に沿って溶融処理領域１３により切断起点領域８が形成される
【００４２】
　
続いて
シリコンウェハ１１の裏面１７を平面研削
「【００４７】
　以上のようなシリコンウェハ１１の切断方法においては，表面３に機能素子１５が形成された厚さ３５０μｍのシリコンウェハ１１を加工対象物とし，その裏面１７を研磨してシリコンウェハ１１を厚さ１５０μｍ（第１の厚さ）に薄型化する。その後，裏面１７をレーザ光入射面としてシリコンウェハ１１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射する。これにより，シリコンウェハ１１の内部で多光子吸収を生じさせ，切断予定ライン５に沿ってシリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３による切断起点領域８を形成する。このとき，シリコンウェハ１１は厚さ１５０μｍ（第１の厚さ）に薄型化されているため，薄型化されなかった場合に比べ，シリコンウェハ１１内部の所望の位置に精度良く切断起点領域８を形成することができる。また，
シリコンウェハ１１の裏面１７をレーザ光入射面とするため，表面３に形成された機能素子１５によりレーザ光の入射が妨げられるようなこともない
（２）上記記載から，引用文献３には，以下の技術が記載されていると認められる。
　ア　半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成し，その改質領域によって，前記切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し，続いて，前記半導体基板の裏面を平面研削する方法が，表面に機能素子が形成された半導体基板を切断予定ラインに沿って切断する半導体基板の切断方法において行われていたこと。
　イ　シリコンウェハ１１の裏面１７をレーザ光入射面とすると，表面３に形成された機能素子１５によりレーザ光の入射が妨げられるようなことがないこと。
４　引用文献４の記載
（１）引用文献４には，以下の事項が記載されている。 
「【００２８】
　次に，
半導体ウエハの裏面（回路形成面と反対側の面，第２主面）を研削して，半導体ウエハの厚さを所定の厚さ，例えば１００μｍ未満，８０μｍ未満または６０μｍ未満とする（図１のバックグラインド工程Ｐ４）。このバックグラインドでは，以下に説明する粗研削および仕上げ研削を順次行う
【００２９】
　まず，図２に示すように，
半導体ウエハ１の裏面を粗研削する。半導体ウエハ１をグラインダ装置に搬送し，半導体ウエハ１の回路形成面をチャックテーブル２に真空吸着した後，半導体ウエハ１の裏面に回転する第１研削材３（例えば研磨微粉の粒度＃３２０から＃３６０：研磨または研削砥粒の径を表す粒度＃は砥石等を製造する際のダイヤモンド砥石をふるいにかける際のふるいの目の大きさに対応する
【００３０】
　
続いて，半導体ウエハ１の裏面を仕上げ研削する。ここでは前記図２と同様のグラインダ装置を用いて半導体ウエハ１の回路形成面をチャックテーブルに真空吸着した後，半導体ウエハ１の裏面に回転する第２研削材（例えば研磨微粉の粒度＃１５００から＃２０００）を押し当てて仕上げ研削することにより，上記粗研削時に生じた半導体ウエハ１の裏面の歪みを除去すると同時に，半導体ウエハ１の厚さを所定の厚さ（第３の厚さ）まで減少させる
（２）上記記載から，引用文献４には，以下の技術が記載されていると認められる。
　半導体ウエハ１の裏面を研削する際に，グラインダ装置を用いて半導体ウエハ１の回路形成面をチャックテーブルに真空吸着した後，半導体ウエハ１の裏面に回転する研削材を押し当てて所定の厚さまで減少させることが行われていたこと。
５　引用文献５の記載
（１）引用文献５には，以下の事項が記載されている。 
「【請求項１】
　表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が形成されたウエーハを，分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって，
　
ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射し，ウエーハの表面からチップの仕上がり厚さに相当する位置より裏面側に変質層を形成する変質層形成工程
　分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハに外力を付与し，ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と，
　個々のチップに分割されたウエーハの裏面を研削し，チップの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程と，を含む，
　ことを特徴とするウエーハの加工方法。」
「【００１６】
　次に，研磨加工された
半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し，半導体ウエーハ２の内部に分割予定ラインに沿って表面２aからチップの仕上がり厚さに相当する位置より裏面２a側に変質層を形成する変質層形成工程を実施する
「【００３３】
　上述したように分割工程を実施したならば，個々のチップに分割されたウエーハの裏面を研削し，チップの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は，図１４に示す研削装置８によって実施する。即ち，研削装置８のチャックテーブル８１上に個々の半導体チップ２０に分割された半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置し（従って，半導体ウエーハ２は裏面２ｂが上側となる），図示しない吸引手段によってチャックテーブル８１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。そして，チャックテーブル８１を例えば３００ｒｐｍで回転し，研削砥石８２を備えた研削工具８３を例えば６０００ｒｐｍで回転しつつ図１４において下方に所定の速度で研削送りする。この研削送りは，図１５に示すように半導体チップ２０の仕上がり厚さＳに達するまで実施する。
この結果，半導体ウエーハ２に形成された変質層２１０は研削されて除去され，半導体ウエーハ２は半導体チップ２０の仕上がり厚さＳに形成される。従って，図１６に示すように半導体チップ２０の側面には上記変質層形成工程によって形成された変質層が残留しないため，半導体チップ２０の抗折強度が低下することはなく，１０００ＭＰa以上の抗折強度を確保することができる
　以上のようにして裏面研削工程が実施されたならば，個々の半導体チップ２０に分割された半導体ウエーハ２は，半導体チップ２０をピックアップするピックアップ工程に搬送される。」
（２）上記記載から，引用文献５には，以下の技術が記載されていると認められる。
　ア　半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し，半導体ウエーハ２の内部に分割予定ラインに沿って表面２aからチップの仕上がり厚さに相当する位置より裏面２a側に変質層を形成する変質層形成工程を実施すること。
　イ　半導体チップ２０の側面に変質層形成工程によって形成された変質層が残留しないように，半導体ウエーハ２に形成された変質層２１０を研削して除去することで，半導体チップ２０の抗折強度が低下することがなくなり，抗折強度を確保することができること。
６　引用文献６の記載
（１）引用文献６には，以下の事項が記載されている。 
「【０１００】
　先ず，平面加工装置１０Ａを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），厚さＴ２まで加工する（ステップＳ１０）。すなわち，第１の機械加工ステップにおいて，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２までウェーハの裏面を加工する。これにより，ダイシング後のウェーハＷの機械的強度が大幅に向上する。したがって，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，多少の衝撃や振動を受けても，内部の改質領域Ｋを起点として割段されてしまうような不具合は激減又は皆無となる。
【０１０１】
　この厚さＴ２は，最終加工厚さＴ１より１００〜３００μｍ厚いことがより好ましく，最終加工厚さＴ１より１５０〜２５０μｍ厚いことが更に好ましい。
【０１０２】
　図１３は，表面（下面）に既述の保護用シート２１が貼着されたウェーハＷの断面図である。同図において，ウェーハＷは，裏面が加工された後に最終加工厚さＴ１より厚い厚さＴ２になっている。
【０１０３】
　次いで，
レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して，ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して，ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ，Ｋ…を形成する（ステップＳ２０）
【０１０４】
　
次いで，平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工する
（２）上記記載から，引用文献６には，以下の技術が記載されていると認められる。
　レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して，ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して，ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ，Ｋ…を形成し，次いで，平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工すること。
第５　対比 
１　本願発明と引用発明を対比すると，以下のとおりとなる。
（１）引用発明の「レーザ加工装置」は，本願発明の「レーザ加工システム」に相当する。
（２）引用発明の「観察用光源１１７」，「載置台１０７に載置されたシリコンウェハの切断予定ライン５等を含む表面３を可視光線により照明するために可視光線」，「集光用レンズ１０５」，「シリコンウェハ」，及び「『複数の機能素子がマトリックス状に形成された』『表面３』」は，それぞれ，本願発明の「観察用光源」，「照明光」，「コンデンスレンズ」，「ウェハ」，及び「デバイス面」に相当する。
　したがって，引用発明の「載置台１０７に載置されたシリコンウェハの切断予定ライン５等を含む表面３を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９と，ビームスプリッタ１１９，ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３」を含む構造は，本願発明の「観察用光源から出射された照明光を，コンデンスレンズを経てウェハのデバイス面に照射する観察光学部」に相当する。
（３）引用発明の，「集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し」との構成から，引用発明の「改質領域」は，「集光点」の位置に形成されることが理解される。
　そして，引用発明の「切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域」は，「シリコンウェハの厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面３側に偏倚して形成される」のであるから，引用発明の「集光用レンズ１０５」は，その集光点を，シリコンウェハの内部における前記シリコンウェハの厚さの中間位置よりも前記シリコンウェハの表面３側の位置に設定している。
　さらに，引用発明は，「シリコンウェハを５０μｍに薄型化する」ものであって，かつ，「溶融処理領域１３が切断面内に残存しない」のであるから，当該溶融処理領域を形成する際の集光点が，シリコンウェハの表面から５０μｍよりも前記シリコンウェハの裏面側の位置に設定されていることは明らかである。
　しかも，引用発明は，「シリコンウェハの裏面２１を研磨する工程の後に，溶融処理領域１３から延びた割れ１５が前記研磨後のシリコンウェハに残るように，溶融処理領域１３を含む領域を一様に平面研削除去し，この平面研削後に裏面２１にケミカルエッチングを施して，シリコンウェハを５０μｍに薄型化することにより，切断起点領域を起点として発生した割れ１５は裏面２１に達」するものであるから，シリコンウェハの裏面２１を研磨する工程の「前」，すなわち，「集光点を合わせてレーザ光を照射し，前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成し」た時点においては，切断起点領域を起点として発生した割れ１５は裏面２１に達していない。
　上記を総合すると，引用発明の「レーザ光 Lを発生するレーザ光源１０１と，レーザ光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と，レーザ光 Lの反射機能を有しかつレーザ光 Lの光軸の向きを ９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と，ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光 Lを集光する集光用レンズ１０５と」を含む構造と，
　本願発明の「前記ウェハの内部における前記ウェハの厚さの中間位置よりも前記ウェハのデバイス面側の位置であって前記デバイス面から５０μｍよりも前記ウェハの裏面側の位置に集光点を設定し，前記コンデンスレンズを通して前記ウェハの裏面側から照射してレーザ光を集光させ，前記集光点から延びるクラックが前記ウェハの裏面にまで到達しないレーザ改質領域形成手段」とは，
　「前記ウェハの内部における前記ウェハの厚さの中間位置よりも前記ウェハのデバイス面側の位置であって前記デバイス面から５０μｍよりも前記ウェハの裏面側の位置に集光点を設定し，前記コンデンスレンズを通して前記ウェハの一方の面側から照射してレーザ光を集光させ，前記集光点から延びるクラックが前記ウェハの裏面にまで到達しないレーザ改質領域形成手段」である点で一致すると認められる。
（４）引用発明の「Z軸ステージ１１３」は，シリコンウェハの内部に集光点を合わせてレーザ光を照射して改質領域を形成するレーザ加工装置の「集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光 Lが照射されるシリコンウェハが載置される載置台１０７」をZ軸方向に移動させるためのものであるから，集光点の深さを正確に制御する微動手段といえる。
　そして，引用発明は，「切断起点領域形成後のシリコンウェハの表面３に保護フィルム２０を貼り付けた後のシリコンウェハの裏面２１を研磨する工程の後に，溶融処理領域１３から延びた割れ１５が前記研磨後のシリコンウェハに残るように，溶融処理領域１３を含む領域を一様に平面研削除去し，この平面研削後に裏面２１にケミカルエッチングを施して，シリコンウェハを５０μｍに薄型化する」ものであるから，集光点の深さに係る前記制御は，集光点を含む領域を一様に研削除去し，前記集光点から延びた割れを残してシリコンウェハの最終厚みを５０μｍ以下とするために行われているといえる。
　上記を総合すると，引用発明の「Z軸ステージ１１３」と，
　本願発明の「前記デバイス面をウェハチャックに真空吸着して前記集光点を含む前記レーザ光が透過した領域を一様に研削除去し，前記集光点から延びた亀裂を残して前記ウェハの最終厚みを５０μｍ以下とするために，前記集光点の深さを正確に制御する前記コンデンスレンズの微動手段」とは，
　「集光点を含む領域を一様に研削除去し，前記集光点から延びた亀裂を残して前記ウェハの最終厚みを５０μｍ以下とするために，前記集光点の深さを正確に制御する微動手段」である点で一致すると認められる。
２　そうすると，本願発明と引用発明は，以下の構成において一致する。 
「レーザ加工システムにおいて，
　観察用光源から出射された照明光を，コンデンスレンズを経てウェハのデバイス面に照射する観察光学部と，
　前記ウェハの内部における前記ウェハの厚さの中間位置よりも前記ウェハのデバイス面側の位置であって前記デバイス面から５０μｍよりも前記ウェハの裏面側の位置に集光点を設定し，前記コンデンスレンズを通して前記ウェハの一方の面側から照射してレーザ光を集光させ，前記集光点から延びるクラックが前記ウェハの裏面にまで到達しないレーザ改質領域形成手段と，
　前記集光点を含む領域を一様に研削除去し，前記集光点から延びた亀裂を残して前記ウェハの最終厚みを５０μｍ以下とするために，前記集光点の深さを正確に制御する微動手段と，
　を備える，レーザ加工システム。」
　
３　他方，本願発明と引用発明は，以下の点で相違する。
（１）相違点１ 
　本願発明は，「チップ強度の向上を図る」レーザ加工システムであるのに対して，引用発明は，「シリコンウェハを分割することで得られる半導体チップ２５の抗折強度を向上させることができる共に，半導体チップ２５におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することを可能とするものであり，さらに，溶融処理領域１３が切断面内に残存しないことで，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好ましくない影響を与えない」レーザ加工装置である点。
（２）相違点２ 
　観察光学部が，本願発明では，「ウェハのアライメントを行う」ものであるのに対して，引用発明では，そのような特定がされていない点。
（３）相違点３
　レーザ光を，本願発明では，「ウェハの裏面側から」照射し，その後の研削除去を，「レーザ光が透過した領域」に対して行うのに対して，引用発明では，そのような特定がされていない点。
（４）相違点４
　研削を，本願発明では，「デバイス面をウェハチャックに真空吸着して」行うのに対して，引用発明では，そのような特定がされていない点。
（５）相違点５
　集光点の深さの制御を，本願発明では，「コンデンスレンズの微動手段」によって行っているのに対して，引用発明では，「Z軸ステージ１１３」によって行っている点。
第６　判断 
１　相違点１について 
　引用発明は，「シリコンウェハを分割することで得られる半導体チップ２５の抗折強度を向上させることができる共に，半導体チップ２５におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することを可能とするもの」である。そして，「抗折強度」の向上，あるいは，「クラッキング」の発生の防止は，いずれも，本願発明の「チップ強度の向上」に含まれる概念である。したがって，引用発明の「レーザ加工装置」は，「チップ強度の向上」を図るという機能を備えていると認められるから，相違点１は実質的なものではない。
２　相違点２について 
　上記第４の２（２）イのとおり，引用文献２に，半導体装置や電子部品等のチップを製造する，レーザー光を利用したダイシング装置において，撮像データが，ウェーハＷのアライメントに用いられていることに照らして，引用発明において，観察光学部を，「ウェハのアライメントを行う」ものとすること，すなわち，相違点２について，本願発明の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
３　相違点３について
（１）上記第４の１（２）ソのとおり，引用発明が記載されている引用文献１には，レーザ光 Lの照射は，サファイア基板１の表面３側から行ってもよいし，裏面２１側から行ってもよく，サファイア基板１に換えてＡｌＮ基板やＧａＡｓ基板を用いた場合の基板の分割においても，上記同様の効果を奏することが記載されており，当該記載は，引用発明において，レーザ光を，ウェハの表面側から行ってもよいし，裏面側から行ってもよいことを示唆しているものといえる。
（２）さらに，上記第４の３（２）アのとおり，引用文献３に，半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成し，その改質領域によって，前記切断予定ラインに沿って前記レーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し，続いて，前記半導体基板の裏面を平面研削する方法が，表面に機能素子が形成された半導体基板を切断予定ラインに沿って切断する半導体基板の切断方法において行われていたことが記載されており，
　上記第４の５（２）アのとおり，引用文献５に，半導体ウエーハ２の裏面２ｂ側からウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射し，半導体ウエーハ２の内部に分割予定ラインに沿って表面２aからチップの仕上がり厚さに相当する位置より裏面２a側に変質層を形成する変質層形成工程を実施することが記載されており，
　上記第４の６（２）のとおり，引用文献６に，レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して，ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して，ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ，Ｋ…を形成し，次いで，平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工することが記載されており，
　下記の周知例１及び２にも，レーザ光を，ウェハの裏面側から照射することが記載されていることに照らして，レーザ光を，ウェハの裏面側から照射することは周知の技術であると認められる。
　ア　周知例１：特開２００９−２９００５２号公報
「【請求項２】
　基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを，該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって，
　
該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程
　
該変質層形成工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程
　該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と，
　該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と，
　環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と，を含む，
　ことを特徴とするウエーハの分割方法。」　
　イ　周知例２：特開２００５−１６６７２８号公報
「【請求項１】
（Ａ）ウエハー基板の一方の面上に窒化物系半導体からなる積層構造部を形成し，分断後に素子となる部位に個々の素子に必要な構造を付与する工程と，
（Ｂ）
ウエハー基板の一方の面側または他方の面側から，該ウエハー基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，下記（Ｃ）の工程の後もウエハー基板として残存する部分の内部に，分断に利用可能な改質領域を分断予定ラインに沿って形成する工程
（Ｃ）上記（Ａ），（Ｂ）の工程よりも後に，ウエハー基板の他方の面を研削および／または研磨してその厚さを薄くする工程とを，
有することを特徴とする，窒化物系半導体素子の製造方法。」
「【００２９】
　上記（Ｂ）の工程では，ウエハー基板のどちらかの面側からレーザ光を照射すればよいが，
集光点の深さ（照射側表面からの深さ）を深くする程，照射側表面を通過するレーザ光のビームの外径が大きくなる。従って，既にＧａＮ系結晶層が形成されている場合には，ＧａＮ系結晶層を通過するレーザ光のビーム径をより小さくすることや，後述の分断シロの幅を狭くすることを考慮して，図２（ａ）に示すように，ウエハー基板１の裏面１ｂ側からレーザ光を照射することが好ましい
（３）しかも，上記第４の３（２）イのとおり，引用文献３に，シリコンウェハ１１の裏面１７をレーザ光入射面とすると，表面３に形成された機能素子１５によりレーザ光の入射が妨げられるようなことがないことが記載されており，レーザ光を，ウェハの裏面側から照射する動機も知られている。
（４）してみれば，引用発明において，レーザ光を，「ウェハの裏面側から」照射することは，当業者が容易になし得たことである。そして，レーザ光を「ウェハの裏面側から」照射した場合に，その後の研削除去が，「レーザ光が透過した領域」に対して行われることは，その位置関係から必然である。すなわち，相違点３について，本願発明の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
４　相違点４について
　上記第４の４（２）のとおり，引用文献４に，半導体ウエハ１の裏面を研削する際に，グラインダ装置を用いて半導体ウエハ１の回路形成面をチャックテーブルに真空吸着した後，半導体ウエハ１の裏面に回転する研削材を押し当てて所定の厚さまで減少させる技術が記載されていることに照らして，引用発明において，研削を「デバイス面をウェハチャックに真空吸着して」行うこと，すなわち，相違点４について，本願発明の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
５　相違点５について
　上記第４の２（２）アのとおり，引用文献２に，半導体装置や電子部品等のチップを製造する，レーザー光を利用したダイシング装置において，ウェーハＷを，レーザーダイシング装置１０の本体ベース１６に設けられたＸＹＺθテーブル１２によるＸＹＺθ方向への精密に移動させるのに加えて，コンデンスレンズ２４のＺ微動手段２７によるＺ方向微動によって集光点のＺ方向位置を調整する技術が記載されていることに照らして，引用発明において，集光点の深さの制御を，「Z軸ステージ１１３」に加えて，「コンデンスレンズの微動手段」で行うこと，すなわち，相違点５について，本願発明の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
６　効果について 
　上記相違点１ないし５を総合的に勘案しても，本願発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献１ないし６に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
７　請求人の主張について 
　請求人は，審判請求書において，「（キ）しかしながら，令和１年６月５日付け意見書でも主張したとおり，引用文献１の『図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上する。』（第２２頁第４行−第５行）との記載，及び引用文献３の『図１９（ａ），（ｂ）に示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２２は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２２の抗折強度が向上する』（段落［００５０］）との記載に照らしてみれば，かかる引用文献１においては，チップの抗折強度を向上させるためには，チップの切断面にレーザ光が透過した部分が残る方が望ましいものとされており，これとは相反する本願発明１の構成（レーザ光が透過した部分をすべて除去する構成）を採用することについては動機付けを欠くばかりでなく，阻害要因が存在するものであることから，審査官の上記（２）アの（カ）の主張は根拠がない。」と主張する。
　しかしながら，審判請求人の前記主張は，以下の理由によって採用することはできない。
　すなわち，上記第４の１（２）シのとおり，引用文献１には，本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域としては，「（１）改質領域が１つ又は複数のクラックを含むクラック領域の場合」，「（２）改質領域が溶融処理領域の場合」，及び「（３）改質領域が屈折率変化領域の場合」があり，さらに，半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては，それぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができることが記載されている。
　そうすると，引用文献１における，「図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上する。」との記載は，多光子吸収により形成される改質領域が，溶融処理領域の場合において，前記多光子吸収により形成された改質領域である溶融処理領域が，半導体チップ２５の抗折強度に与える影響を説明するものにすぎないと理解される。そして，引用文献１には，多光子吸収により形成された改質領域を除く「レーザ光が透過した部分」が，半導体チップ２５の抗折強度に与える影響については何ら記載されていない。
　したがって，請求人の「かかる引用文献１においては，チップの抗折強度を向上させるためには，チップの切断面にレーザ光が透過した部分が残る方が望ましいものとされており」との主張は，引用文献１の記載に基づかないものであるから採用することはできない。
　
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて，その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。