【手続補正書】
【提出日】平成27年8月26日(2015.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面から前記第１面とは反対側の第２面までを貫通する第１開口部を有し、補強材入りの絶縁性樹脂からなるコア基板と、
前記コア基板の第１面上において、電子部品よりも薄く形成されるとともに、前記第１開口部の前記コア基板の第１面側の開口端を覆うように形成され、且つ前記コア基板の第１面の外縁を露出するとともに、該外縁を除く前記コア基板の第１面を覆うように形成された金属板と、
前記コア基板の第２面上において、前記第１開口部と連通する開口部を有し、且つ前記コア基板の第２面の外縁を露出するとともに、該外縁及び前記第１開口部を除く前記コア基板の第２面を覆うように形成された導電層と、
前記第１開口部に露出された前記金属板の第１面上に接合された前記電子部品と、
前記金属板の前記第１面とは反対側の第２面と前記金属板の側面と前記コア基板の第１面の外縁を被覆する第１絶縁層と、
前記第１開口部を充填するとともに、前記コア基板の第２面の外縁と、前記導電層の前記コア基板の第２面と対向する面とは反対側の面と、前記導電層の前記第１開口部側の側面と、前記導電層の外縁側の側面と、前記電子部品とを被覆する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に積層され、前記電子部品と電気的に接続された第１配線層を含む第１配線構造と、を有し、
前記導電層と前記コア基板を含む厚さは、前記電子部品と同じ厚さに、又は前記電子部品よりも厚く形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記コア基板の前記第１面から前記第２面まで貫通して形成され、前記第１開口部の周囲に設けられた貫通孔を充填して形成された貫通電極と、
前記コア基板の第１面において、前記貫通電極の一端と電気的に接続され、且つ前記金属板と分離された第１配線パターンと、
前記コア基板の第２面において、前記貫通電極の他端と電気的に接続され、且つ前記導電層と分離された第２配線パターンと、
を有し、
前記第１配線パターンは、前記金属板に形成された開口部内に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記貫通電極の断面形状は、前記コア基板の厚さ方向の中途位置から両開口端に向かうに連れて開口径が大きくなる鼓形状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第１絶縁層上に積層され、前記第１配線パターンと電気的に接続された第２配線層を含む第２配線構造を有し、
前記第２配線構造が有する最外層の第２配線層は、他の半導体パッケージと接続されるパッドを有することを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第１配線構造は、前記第１配線層と該第１配線層上に積層される層間絶縁層とが交互に積層された構造を有し、
前記第１絶縁層とは反対側の最外層の前記層間絶縁層は、補強材入りの絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
第１面から前記第１面とは反対側の第２面まで貫通する第１開口部及び第２開口部を有し、補強材入りの絶縁性樹脂からなるコア基板と、
前記コア基板の第１面上において、内蔵される第１電子部品よりも薄く形成されるとともに、前記第２開口部の前記コア基板の第１面側の開口端を覆うように形成され、且つ前記コア基板の第１面の外縁を露出するとともに、該外縁及び前記第１開口部を除く前記コア基板の第１面を覆うように形成された第１金属板と、
前記コア基板の第２面上において、内蔵される第２電子部品よりも薄く形成されるとともに、前記第１開口部の前記コア基板の第２面側の開口端を覆うように形成され、且つ前記コア基板の第２面の外縁を露出するとともに、該外縁及び前記第２開口部を除く前記コア基板の第２面を覆うように形成された第２金属板と、
前記第２開口部に露出された前記第１金属板の第１面上に接合された前記第１電子部品と、
前記第１開口部に露出された前記第２金属板の第１面上に接合された前記第２電子部品と、
前記第１開口部を充填するとともに、前記コア基板の第１面の外縁と、前記第２電子部品と、前記第１金属板の前記第１面とは反対側の第２面と、前記第１金属板の側面とを被覆する第１絶縁層と、
前記第２開口部を充填するとともに、前記コア基板の第２面の外縁と、前記第１電子部品と、前記第２金属板の前記第１面とは反対側の第２面と、前記第２金属板の側面とを被覆する第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に積層され、前記第１電子部品と電気的に接続された第１配線層を含む第１配線構造と、
前記第１絶縁層上に積層され、前記第２電子部品と電気的に接続された第２配線層を含む第２配線構造と、
を有し、
前記第１金属板と前記コア基板を含む厚さは、前記第２電子部品と同じ厚さに、又は前記第２電子部品よりも厚く形成され、
前記第２金属板と前記コア基板を含む厚さは、前記第１電子部品と同じ厚さに、又は前記第１電子部品よりも厚く形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項７】
前記コア基板の前記第１面から前記第２面まで貫通して形成され、前記第１開口部及び前記第２開口部の周囲に設けられた貫通孔を充填して形成された貫通電極と、
前記コア基板の第１面において、前記貫通電極の一端と電気的に接続され、且つ前記第１金属板と分離された第１配線パターンと、
前記コア基板の第２面において、前記貫通電極の他端と電気的に接続され、且つ前記第２金属板と分離された第２配線パターンと、
を有し、
前記第１配線パターンは、前記第１金属板に形成された開口部内に形成され、
前記第２配線パターンは、前記第２金属板に形成された開口部内に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージと、
前記半導体パッケージ上に積層された他の半導体パッケージと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
コア基板の第１面に第１金属層が積層され、前記コア基板の前記第１面とは反対側の第２面に第２金属層が積層された構造体を準備する工程と、
前記第１金属層をパターニングし、内蔵される電子部品よりも薄く、且つ前記コア基板の第１面の外縁を露出するとともに、該外縁を除く前記コア基板の第１面を覆う金属板を形成する工程と、
前記第２金属層をパターニングし、厚さ方向に貫通する開口部を有し、前記コア基板の第２面の外縁を露出するとともに、該外縁を除く前記コア基板の第２面を覆う導電層を形成する工程と、
前記開口部に露出された前記コア基板を該コア基板の第２面側から除去し、前記コア基板に前記第１面から前記第２面まで貫通する第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部に露出された前記金属板の第１面上に前記電子部品を接合する工程と、
前記金属板の前記第１面とは反対側の第２面と、前記金属板の側面と、前記コア基板の第１面の外縁とを被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１開口部を充填するとともに、前記コア基板の第２面の外縁と、前記導電層の前記コア基板の第２面と対向する面とは反対側の面と、前記導電層の前記第１開口部側の側面と、前記導電層の外縁側の側面と、前記電子部品とを被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上に、前記電子部品と電気的に接続される配線層を含む配線構造を形成する工程と、を有し、
前記導電層と前記コア基板を含む厚さが、前記電子部品と同じ厚さに、又は前記電子部品よりも厚くなるように形成されることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記金属板を形成する工程及び前記導電層を形成する工程は、
前記第１開口部の周囲において、前記コア基板の前記第１面から前記第２面まで貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に貫通電極を形成する工程と、
前記第１金属層をパターニングし、前記金属板を形成するとともに、前記貫通電極の一端に接続され、且つ前記金属板と分離された第１配線パターンを形成する工程と、
前記第２金属層をパターニングし、前記導電層を形成するとともに、前記貫通電極の他端に接続され、且つ前記導電層と分離された第２配線パターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項９に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
前記第１開口部を形成する工程の前に前記第１絶縁層を形成する工程が実施され、
前記第１絶縁層を形成する工程では、前記第１絶縁層上に該第１絶縁層の第１面の全面を被覆する支持体が積層され、
前記第２絶縁層を形成する工程の後であって前記配線構造を形成する工程の前に、前記支持体を除去する工程を有することを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
コア基板の第１面に第１金属層が積層され、前記コア基板の前記第１面とは反対側の第２面に第２金属層が積層された構造体を準備する工程と、
前記第１金属層をパターニングし、内蔵される第１電子部品よりも薄く形成され、且つ前記コア基板の第１面の外縁を露出し、該外縁を除く前記コア基板の第１面を覆うとともに、厚さ方向に貫通する開口部を有する第１金属板を形成する工程と、
前記第２金属層をパターニングし、内蔵される第２電子部品よりも薄く形成され、且つ前記コア基板の第２面の外縁を露出し、該外縁を除く前記コア基板の第２面を覆うとともに、厚さ方向に貫通する開口部を有する第２金属板を形成する工程と、
前記第１金属板の開口部に露出された前記コア基板を該コア基板の第１面側から除去し、前記コア基板に厚さ方向に貫通する第１開口部を形成する工程と、
前記第１開口部に露出された前記第２金属板の第１面上に前記第２電子部品を接合する工程と、
前記第２金属板の開口部に露出された前記コア基板を該コア基板の第２面側から除去し、前記コア基板に厚さ方向に貫通する第２開口部を形成する工程と、
前記第２開口部に露出された前記第１金属板の第１面上に前記第１電子部品を接合する工程と、
前記第１開口部を充填するとともに、前記コア基板の第１面の外縁と、前記第２電子部品と、前記第１金属板の前記第１面とは反対側の第２面と、前記第１金属板の側面とを被覆する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第２開口部を充填するとともに、前記コア基板の第２面の外縁と、前記第１電子部品と、前記第２金属板の前記第１面とは反対側の第２面と、前記第２金属板の側面とを被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層上に、前記第１電子部品と電気的に接続される第１配線層を含む第１配線構造を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、前記第２電子部品と電気的に接続される第２配線層を含む第２配線構造を形成する工程と、を有し、
前記第１金属板と前記コア基板を含む厚さは、前記第２電子部品と同じ厚さに、又は前記第２電子部品よりも厚く形成され、
前記第２金属板と前記コア基板を含む厚さは、前記第１電子部品と同じ厚さに、又は前記第１電子部品よりも厚く形成されることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、第１面から前記第１面とは反対側の第２面までを貫通する第１開口部を有し、補強材入りの絶縁性樹脂からなるコア基板と、前記コア基板の第１面上において、電子部品よりも薄く形成されるとともに、前記第１開口部の前記コア基板の第１面側の開口端を覆うように形成され、且つ前記コア基板の第１面の外縁を露出するとともに、該外縁を除く前記コア基板の第１面を覆うように形成された金属板と、前記コア基板の第２面上において、前記第１開口部と連通する開口部を有し、且つ前記コア基板の第２面の外縁を露出するとともに、該外縁及び前記第１開口部を除く前記コア基板の第２面を覆うように形成された導電層と、前記第１開口部に露出された前記金属板の第１面上に接合された前記電子部品と、前記金属板の前記第１面とは反対側の第２面と前記金属板の側面と前記コア基板の第１面の外縁を被覆する第１絶縁層と、前記第１開口部を充填するとともに、前記コア基板の第２面の外縁と、前記導電層の前記コア基板の第２面と対向する面とは反対側の面と、前記導電層の前記第１開口部側の側面と、前記導電層の外縁側の側面と、前記電子部品とを被覆する第２絶縁層と、前記第２絶縁層上に積層され、前記電子部品と電気的に接続された第１配線層を含む第１配線構造と、を有し、前記導電層と前記コア基板を含む厚さは、前記電子部品と同じ厚さに、又は前記電子部品よりも厚く形成されている。