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【手続補正書】
【提出日】平成27年8月3日(2015.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
すりガラス状の陰影およびコア領域を有する病変を画像から抽出する画像処理装置であって、
前記画像の高画素値領域の画素値と当該高画素値領域よりも画素値の低い背景領域の画素値との間の画素値を有する画像領域である前記すりガラス状の陰影の候補領域の画素値の範囲を所定の画素値の範囲に変更する変更手段と、
前記変更手段で画素値の範囲が変更された画像から第一の特徴量を得る第一の特徴量抽出手段と、
前記画素値の範囲を変更する前の前記画像のコア領域から第二の特徴量を得る第二の特徴量抽出手段と、
前記第一の特徴量および前記第二の特徴量に基づいて前記画像から前記病変を抽出する抽出手段と、
を備え、
前記抽出手段は、前記第一の特徴量に対応する第一の値を出力する第一の識別手段と、前記第二の特徴量に対応する第二の値を出力する第二の識別手段とを備え、
前記抽出手段は、前記第一の値および前記第二の値に基づく合成データを生成し、前記合成データから前記病変の領域を抽出することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記変更手段は、前記候補領域を前記画像の高画素値領域と当該高画素値領域よりも画素値の低い背景領域に基づいて抽出することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第一の特徴量は、前記画素値を変更した領域から画素毎に算出される複数のテクスチャ特徴量であり、前記画素を含む所定の範囲の画素値の統計量に基づいて得られ、
前記第二の特徴量は前記高画素値領域から画素毎に算出される複数のテクスチャ特徴量であり、前記画素を含む所定の範囲の画素値の統計量に基づいて得られることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第一の特徴量および前記第二の特徴量はハラリックのテクスチャ統計量であることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第一の識別手段は、すりガラス状の陰影領域から算出された前記第一の特徴量を正解として予め学習したことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第二の識別手段は、高画素値領域から算出された前記第二の特徴量を正解として予め学習したことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記抽出手段は強調画像の情報に基づいてグラフカットを用いて前記病変の領域を抽出する領域抽出手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記病変の領域を含む画像を注目画像領域として被写体の画像から取得する取得手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
すりガラス状の陰影およびコア領域を有する病変を画像から抽出する画像処理方法であって、
変更手段が、前記画像の高画素値領域の画素値と当該高画素値領域よりも画素値の低い背景領域の画素値との間の画素値を有する画像領域である前記すりガラス状の陰影の候補領域の画素値の範囲を所定の画素値の範囲に変更する変更工程と、
第一の特徴量抽出手段が、前記変更工程で画素値の範囲が変更された画像から第一の特徴量を得る第一の特徴量抽出工程と、
第二の特徴量抽出手段が、前記画素値の範囲を変更する前の前記画像のコア領域から第二の特徴量を得る第二の特徴量抽出工程と、
抽出手段が、前記第一の特徴量および前記第二の特徴量に基づいて前記画像から前記病変を抽出する抽出工程と、
を有し、
前記抽出工程は、前記第一の特徴量に対応する第一の値を出力する第一の識別工程と、前記第二の特徴量に対応する第二の値を出力する第二の識別工程とを有し、
前記抽出工程は、前記第一の値および前記第二の値に基づく合成データを生成し、前記合成データから前記病変の領域を抽出する
ことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプログラムを記憶したコンピュータにより読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の一つの側面にかかる画像処理装置は、すりガラス状の陰影およびコア領域を有する病変を画像から抽出する画像処理装置であって、
前記画像の高画素値領域の画素値と当該高画素値領域よりも画素値の低い背景領域の画素値との間の画素値を有する画像領域である前記すりガラス状の陰影の候補領域の画素値の範囲を所定の画素値の範囲に変更する変更手段と、
前記変更手段で画素値の範囲が変更された画像から第一の特徴量を得る第一の特徴量抽出手段と、
前記画素値の範囲を変更する前の前記画像のコア領域から第二の特徴量を得る第二の特徴量抽出手段と、
前記第一の特徴量および前記第二の特徴量に基づいて前記画像から前記病変を抽出する抽出手段と、
を備え、
前記抽出手段は、前記第一の特徴量に対応する第一の値を出力する第一の識別手段と、前記第二の特徴量に対応する第二の値を出力する第二の識別手段とを備え、
前記抽出手段は、前記第一の値および前記第二の値に基づく合成データを生成し、前記合成データから前記病変の領域を抽出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月15日(2015.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動条件が成立したことに基づいて、各々を識別可能な複数種類の識別情報の可変表示を行って表示結果を導出する可変表示手段に識別情報の表示結果として予め定められた特定表示結果が導出されたときに、遊技者にとって有利な特定遊技状態に制御する遊技機であって、
前記始動条件が成立したにもかかわらず未だ開始されていない識別情報の可変表示について、前記特定表示結果とするか否かを決定するための情報を所定の上限記憶数の範囲内で保留情報として記憶可能な保留記憶手段と、
識別情報の可変表示を開始するときに前記保留記憶手段から読み出した保留情報に基づいて、当該識別情報の可変表示結果を前記特定表示結果とするか否かを決定するとともに前記可変表示が開始されてから表示結果が導出されるまでの時間が異なる複数の可変表示パターンの内から１の可変表示パターンを決定する開始時決定手段と、
前記開始時決定手段の決定結果に基づいて、識別情報の可変表示を実行する可変表示実行手段と、
前記始動条件が成立したことに基づいて、該成立した始動条件に対応する可変表示において前記特定表示結果となるか否かを前記開始時決定手段による決定前に判定する開始前判定手段と、
前記開始前判定手段の決定結果に基づいて、前記保留記憶手段に記憶されている保留情報に対応する可変表示において前記特定表示結果となる可能性を、当該保留情報に対応する識別情報の可変表示が開始されるまでに示唆する先読み予告演出を実行する先読み予告演出実行手段と、
前記保留記憶手段に記憶されている保留情報数の増加に関連する所定の特定条件が成立したことにより、特定演出を実行する特定演出実行手段と、
を備え、
前記開始時決定手段は、所定条件が成立したときには、前記特定条件が成立しやすい長い可変表示時間の特定表示パターンを他の表示パターンよりも高い割合にて決定し、
前記先読み予告演出実行手段は、前記開始時決定手段により決定された特定表示パターンの可変表示中においては、前記先読み予告演出を実行しない、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の遊技機は、
始動条件（例えば、始動入賞口１３、１４への始動入賞）が成立したことに基づいて、各々を識別可能な複数種類の識別情報（例えば、特別図柄）の可変表示を行って表示結果を導出する可変表示手段（第１特別図柄表示器８ａ、第２特別図柄表示器８ｂ）に識別情報の表示結果として予め定められた特定表示結果（例えば、大当り図柄）が導出されたときに、遊技者にとって有利な特定遊技状態（例えば、大当り遊技状態）に制御する遊技機（パチンコ遊技機１）であって、
前記始動条件が成立したにもかかわらず未だ開始されていない識別情報の可変表示について、前記特定表示結果とするか否かを決定するための情報を所定の上限記憶数（例えば８個）情報として記憶可能な保留記憶手段（第１保留記憶バッファ、第２保留記憶バッファ）と、
識別情報の可変表示を開始するときに前記保留記憶手段から読み出した保留情報に基づいて、当該識別情報の可変表示結果を前記特定表示結果とするか否かを決定するとともに前記可変表示が開始されてから表示結果が導出されるまでの時間が異なる複数の可変表示パターンの内から１の可変表示パターンを決定する開始時決定手段（遊技制御用マイクロコンピュータ５６０がステップＳ３００の特別図柄通常処理やステップＳ３０１におけるステップＳ１０５を実行する部分）と、
前記開始時決定手段の決定結果に基づいて、識別情報の可変表示を実行する可変表示実行手段（遊技制御用マイクロコンピュータ５６０がステップＳ３０１のステップＳ１０７乃至ステップ３０２〜ステップＳ３０４を実行する部分）と、
前記始動条件が成立したことに基づいて、該成立した始動条件に対応する可変表示において前記特定表示結果となるか否かを前記開始時決定手段による決定前に判定する開始前判定手段（遊技制御用マイクロコンピュータ５６０が入賞時判定処理を実行する部分）と、
前記開始前判定手段の決定結果に基づいて、前記保留記憶手段に記憶されている保留情報に対応する可変表示において前記特定表示結果となる可能性を、当該保留情報に対応する識別情報の可変表示が開始されるまでに示唆する先読み予告演出を実行する先読み予告演出実行手段（演出制御用マイクロコンピュータ１００が保留記憶表示更新処理を実行する部分）と、
前記保留記憶手段に記憶されている保留情報数の増加に関連する所定の特定条件（例えば、合算保留記憶数が８個となること）が成立したことにより、特定演出を実行する特定演出実行手段（例えば、演出制御用マイクロコンピュータ１００が、ステップＳ８００〜ステップＳ８０３において、スペシャルＣＰ１のプロセステーブルによる演出を８回の可変表示に跨って実行する部分）と、
を備え、
前記開始時決定手段は、所定条件が成立したとき（例えば、大当り遊技終了後１回目の変動表示であるとき）には、前記特定条件が成立しやすい長い可変表示時間の特定表示パターン（非リーチＰＡ１−５）を他の表示パターンよりも高い割合にて決定し、
前記先読み予告演出実行手段は、前記開始時決定手段により決定された特定表示パターンの可変表示中においては、前記先読み予告演出を実行しない（演出制御用マイクロコンピュータ１００がステップＳ９３７でＹｅｓと判定したことを条件にステップＳ９４２を実行する部分）、
ことを特徴としている。
この特徴によれば、特定表示パターンの可変表示が実施されているときには先読み予告演出が実施されないため、これら特定表示パターンの可変表示において特定条件が成立する以前に、先読み予告演出によって特定表示結果となる可能性が示唆されることよって遊技が中止されてしまい、特定条件が成立せずに特定演出が実行されなくなって遊技機の興趣が低下してしまうことを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月30日(2015.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技に関するコマンドを決定し、決定されたコマンドを送信する第１制御基板と、
前記第１制御基板から前記コマンドを受信し、受信したコマンドを実行する第２制御基板と、
を備えた遊技機であって、
前記第１制御基板は、
遊技に関するコマンドを順次決定するコマンド決定手段と、
前記コマンドを前記第２制御基板に順次送信するコマンド送信手段と、
前記コマンドが送信される毎に、該コマンドを記憶手段に蓄積してコマンド群を形成するコマンド蓄積手段と、
電源切断後の電源の再投入を契機に、前記コマンド蓄積手段が蓄積した前記コマンド群を再度送信するコマンド群送信手段と、
を備え、
前記第２制御基板は、
前記コマンドを受信するコマンド受信手段と、
前記コマンドに応じて、遊技の演出を決定する演出決定手段と、
前記コマンドに応じて、決定した演出を実行する演出実行手段と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技媒体のベットを条件としたスタートスイッチの操作から、複数種類の図柄がそれぞれ配列された複数の回転リールそれぞれに対応して設けられた、該回転リールを停止制御させるための複数のストップスイッチ全ての操作が完了するまでの間に前記電源切断が生じた場合に、
前記コマンド群送信手段が前記コマンド群を再度送信する、または、前記コマンド受信手段が前記コマンド群を有効なコマンドとして受信することを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記コマンド送信手段は、当該遊技機における、複数種類の図柄がそれぞれ配列された複数の回転リールそれぞれに対応して設けられた、該回転リールを停止制御させるための複数のストップスイッチが操作されたこと、および、操作された該ストップスイッチを示す停止コマンドを送信し、
前記コマンド蓄積手段は、前記停止コマンドもコマンド群として蓄積し、
前記演出実行手段は、前記停止コマンドに応じて演出態様を変動可能であり、前記コマンド群送信手段が前記コマンド群を再度送信すると、送信された前記コマンド群に含まれる前記停止コマンドに応じて演出態様を変動させることを特徴とする請求項１または２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記コマンド送信手段は、遊技媒体のベットを条件としたスタートスイッチの操作に基づき当選役およびハズレのうちのいずれかを決定する当選役抽選の抽選結果を示す当選役コマンドを送信し、
前記当選役コマンドに基づいて遊技者に有利な特定遊技に関する利益の付与の可否を特定遊技抽選により決定する特定遊技抽選手段をさらに備え、
前記コマンド群送信手段は、前記コマンド群の各コマンドに、該コマンドが再度送信されたコマンドであることを示す識別子を付して送信し、
前記特定遊技抽選手段は、前記当選役コマンドが、再度送信されたコマンドであることを示す識別子を含むと前記特定遊技抽選を行わないことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項５】
前記コマンド群送信手段は、前記コマンド群の各コマンドを蓄積された順に送信することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項６】
前記コマンド送信手段は、遊技媒体のベットを条件としたスタートスイッチの操作に基づき当選役およびハズレのうちのいずれかを決定する当選役抽選の抽選結果を示す当選役コマンドを送信し、
前記演出実行手段は、前記コマンド受信手段が受信した前記当選役コマンドが、ストップスイッチの操作態様が所定の操作態様であることが入賞条件として設定された当選役に当選したことを示すものであった場合に、前記第２制御基板で管理される遊技状態が、ストップスイッチの操作態様が所定の操作態様であることが入賞条件として設定された当選役に当選したときに該ストップスイッチの操作順または操作タイミングを報知する補助演出を実行するＡＴ遊技状態である場合には、該補助演出を実行することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の遊技機。
【請求項７】
遊技に関するコマンドを決定するコマンド決定手段と、
決定された前記コマンドを記憶するコマンド記憶手段と、
前記コマンドに応じて、遊技の演出を決定する演出決定手段と、
前記コマンドに応じて、決定した演出を実行する演出実行手段と、
電源切断後の電源の再投入を契機に、前記コマンド記憶手段が記憶している前記コマンドを再度処理させるコマンド再処理手段と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項８】
遊技の演出を決定する演出決定手段と、
決定された前記演出を実行し、遊技者の操作に応じて演出態様を変動させる演出実行手段と、
電源切断後の電源の再投入を契機に、電源切断前の演出状態を復元する演出復元部と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
コマンド送信手段は、遊技媒体のベットを条件としたスタートスイッチの操作に基づき当選役およびハズレのうちのいずれかを決定する当選役抽選の抽選結果を示す当選役コマンドを送信し、演出実行手段は、コマンド受信手段が受信した当選役コマンドが、ストップスイッチの操作態様が所定の操作態様であることが入賞条件として設定された当選役に当選したことを示すものであった場合に、第２制御基板で管理される遊技状態が、ストップスイッチの操作態様が所定の操作態様であることが入賞条件として設定された当選役に当選したときにストップスイッチの操作順または操作タイミングを報知する補助演出を実行するＡＴ遊技状態である場合には、補助演出を実行してもよい。
また、上記課題を解決するために、本発明の他の遊技機は、遊技に関するコマンドを決定するコマンド決定手段と、決定された前記コマンドを記憶するコマンド記憶手段と、前記コマンドに応じて、遊技の演出を決定する演出決定手段と、前記コマンドに応じて、決定した演出を実行する演出実行手段と、電源切断後の電源の再投入を契機に、前記コマンド記憶手段が記憶している前記コマンドを再度処理させるコマンド再処理手段と、を備えたことを特徴とする。
また、上記課題を解決するために、本発明の他の遊技機は、遊技の演出を決定する演出決定手段と、決定された前記演出を実行し、遊技者の操作に応じて演出態様を変動させる演出実行手段と、電源切断後の電源の再投入を契機に、電源切断前の演出状態を復元する演出復元部と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月26日(2015.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極上に絶縁体を挟んで互いに離れて形成されたＰ型及びＮ型熱電変換部と、
各熱電変換部上にそれぞれ形成された第２及び第３電極とを備え、
前記Ｐ型及びＮ型熱電変換部は、少なくともグラファイト層を有する積層構造と、前記積層構造から前記グラファイトがはみ出してなる延在部とを備え、前記延在部上に前記電極を備えることを特徴とする熱電変換素子。
【請求項２】
前記Ｐ型及びＮ型熱電変換部は、少なくともグラファイト層及び断熱材料からなる断熱層を有する積層構造を備えることを特徴とする請求項１に記載の熱電変換素子。
【請求項３】
第１電極と、
前記第１電極上に絶縁体を挟んで互いに離れて形成されたＰ型及びＮ型熱電変換部と、
各熱電変換部上にそれぞれ形成された第２及び第３電極とを備え、
前記Ｐ型及びＮ型熱電変換部は、下部熱電変換材料層、下部グラファイト層、上部グラファイト層、上部熱電変換材料層の順で積層された積層構造を有し、
下部グラファイト層及び上部グラファイト層は一定の間隔を開けて繋がる一枚のシートからなることを特徴とする熱電変換素子。
【請求項４】
前記Ｐ型及びＮ型熱電変換部は、下部熱電変換材料層、下部グラファイト層、断熱層、上部グラファイト層、上部熱電変換材料層の順で積層された積層構造を有し、
下部グラファイト層及び上部グラファイト層は前記断熱層の側面で繋がる一枚のシートからなることを特徴とする請求項３に記載の熱電変換素子。
【請求項５】
熱電変換発電素子とペルチェ素子を組み合わせてなる熱電変換発電装置であり、
前記ペルチェ素子により前記熱電変換発電素子の低温作用部を吸熱し、且つ該熱電変換発電素子の高温作用部あるいは高温作用部に接触する熱だめとなる対象物に放熱し、該熱電変換発電素子で発電することを特徴とする熱電変換発電装置。
【請求項６】
前記熱電変換素子及び前記ペルチェ素子は、請求項１〜４のいずれか１つに記載の熱電変換素子であることを特徴とする請求項５に記載の熱電変換発電装置。
【請求項７】
前記請求項５又は６に記載の熱電変換発電装置により発電することを特徴とする発電方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】熱電変換素子、熱電変換発電装置及び発電方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、熱電変換素子、熱電変換発電装置及び発電方法に関し、特にゼーベック効果を利用した発電用素子又はペルチェ効果を利用した冷却・加熱用素子、熱電変換発電装置及び前記熱電変換発動装置により発電する発電方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月26日(2015.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性を有する基板と、
前記基板上の第１の導電層と、
前記第１の導電層上の、側面がテーパー形状の複数の島状の領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の前記島状の領域の上面上の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上及び前記第２の導電層上の、ゲート絶縁層としての機能を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して前記酸化物半導体層の前記島状の領域の側面と重畳する、ゲート電極としての機能を有する第３の導電層と、
前記第１の絶縁層上及び前記第３の導電層上の第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層が有する開口部を介して前記第２の導電層に電気的に接続される第４の導電層と、を有する半導体装置。
【請求項２】
導電性を有する基板と、
前記基板上の第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の、側面がテーパー形状の複数の島状の領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の前記島状の領域の上面上の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上及び前記第２の導電層上の、ゲート絶縁層としての機能を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を介して前記酸化物半導体層の前記島状の領域の側面と重畳する、ゲート電極としての機能を有する第３の導電層と、
前記第１の絶縁層上及び前記第３の導電層上の第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層が有する開口部を介して前記第２の導電層に電気的に接続される第４の導電層と、を有する半導体装置。
【請求項３】
導電性を有する基板と、
前記基板上の第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第５の導電層と、
前記第５の導電層上の、側面がテーパー形状の複数の島状の領域を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の前記島状の領域の上面上の第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上及び前記第２の導電層上の、ゲート絶縁層としての機能を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に接し、且つ前記酸化物半導体層の前記島状の領域の側面と重畳する、ゲート電極としての機能を有する第３の導電層と、
前記第１の絶縁層に接し、且つ前記第１の絶縁層が有する開口部を介して前記第２の導電層に電気的に接続される第４の導電層と、を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記第２の導電層及び前記第５の導電層は、リンまたはボロンを有する酸化物半導体層である半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、隣接する、前記酸化物半導体層の前記島状の領域の間では、前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層を介して前記第３の導電層と重畳する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、隣接する、前記酸化物半導体層の前記島状の領域の間では、前記第３の導電層は、前記第１の絶縁層及び前記酸化物半導体層を介して前記第１の導電層と重畳する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記第１の導電層は、タングステンを有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月4日(2015.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーオーバレイ（ＰＯＬ）構造（１０）において、
ＰＯＬサブモジュール（１４）であって、
その中を通って形成された複数のビアを有し、誘電体積層または誘電体フィルムを備える誘電体層（３０）と、
前記誘電体層（３０）に取り付けられ、それぞれが半導体材料から成る基板および前記基板上に形成された複数の接続パッドを含む、少なくとも１つの半導体デバイス（１２）と、
前記少なくとも１つの半導体デバイス（１２）の前記複数の接続パッドに電気的に結合された金属相互接続構造（３８）であって、前記誘電体層（３０）を通って形成された前記ビア（３６）を通って延在し、その結果、前記複数の接続パッドに接続される、金属相互接続構造（３８）と、
を備えるＰＯＬサブモジュール（１４）と、
前記ＰＯＬサブモジュール（１４）に電気的に結合されたリードフレーム（２６）であって、外部回路構造（２７）への相互接続を行うように構成された複数のリード（２８）を備えるリードフレーム（２６）と、
第１の表面および第２の表面を有する多層基板（１８）と、
を備え、
前記ＰＯＬサブモジュール（１４）と、前記リードフレーム（２６）の前記複数のリード（２８）のそれぞれは、前記多層基板（１８）の前記第１の表面に取り付けられ、多層基板面で前記ＰＯＬサブモジュール（１４）が外部回路構造に電気的に結合する、
パワーオーバレイ（ＰＯＬ）構造（１０）。
【請求項２】
前記ＰＯＬを前記多層基板（１８）に固着するために前記多層基板（１８）と前記ＰＯＬ構造（１０）との間に配置されたはんだ材料、導電接着剤、または焼結銀のうちの１つをさらに備える、請求項１に記載のＰＯＬ構造（１０）。
【請求項３】
前記はんだ材料、前記導電接着剤、または前記焼結銀によって前記多層基板（１８）に取り付けられた受動デバイス（１６）をさらに備える、請求項２に記載のＰＯＬ構造（１０）。
【請求項４】
前記多層基板（１８）が直接接合銅（ＤＢＣ）基板を備え、前記ＤＢＣ基板の前記第１の表面が前記リードフレーム（２６）を前記ＰＯＬサブモジュール（１４）に電気的に結合するように構成された銅またはアルミニウム板（２２）を備える、請求項１に記載のＰＯＬ構造（１０）。
【請求項５】
前記多層基板（１８）の前記第１の表面上に、前記ＰＯＬサブモジュール（１４）の近くに、および前記リードフレーム（２６）の一部分の上に形成された封入（４４）をさらに備える、請求項１に記載のＰＯＬ構造（１０）。
【請求項６】
前記多層基板（１８）に取り付けられたキャップ（４６）をさらに備え、前記キャップ（４６）が気密キャップおよび非気密キャップのうちの１つを備え、
前記キャップ（４６）が気密キャップを備える場合は、前記気密キャップが前記多層基板（１８）と共に、周囲の空気から前記ＰＯＬサブモジュール（１４）を気密的に封止する、
請求項１に記載のＰＯＬ構造（１０）。
【請求項７】
前記リードフレーム（２６）がＰＯＬサブモジュール（１４）の前記少なくとも１つの半導体デバイス（１２）に直接取り付けられる、請求項１に記載のＰＯＬ構造（１０）。
【請求項８】
前記ＰＯＬサブモジュール（１４）は、ワイヤボンド接続がない、請求項１に記載のＰＯＬ構造（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月30日(2015.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板（１０５）と；
前記プリント回路基板（１０５）の外部表面に対して１つまたは複数の対応する回路トレース（１４０ａ〜ｆ）によって装着された複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）と；
前記プリント回路基板（１０５）に設けられ、前記複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）による監視を受ける少なくとも１つの導体を受け容れるように構成された円形の開口部（１３５）と；
前記プリント回路基板（１０５）に設けられ、前記開口部（１３５）と前記プリント回路基板（１０５）のエッジを接続する連続したギャップと；
を備え、
前記回路トレース（１４０ａ〜ｆ）は、前記複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）を確保し、前記複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）がほどけるのを防止し、前記複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）を接続し、帰還電流経路（１４５）を形成し、
前記帰還電流経路（１４５）は、前記複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）が装着させる表面と反対の表面上に形成され、
前記連続したギャップの直径が前記開口部（１３５）の直径よりも小さい、
ロゴスキーコイルアセンブリ（１１０）。
【請求項２】
前記複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）の各々は開口部（１３５）から概ね等しい距離に位置決めされている、請求項１に記載のロゴスキーコイルアセンブリ（１１０）。
【請求項３】
前記複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）は開口部（１３５）の周囲に位置決めされている、請求項１または２に記載のロゴスキーコイルアセンブリ（１１０）。
【請求項４】
前記プリント回路基板（１０５）と少なくとも１つの導体の間で開口部（１３５）の内部に位置決めされた容量性シールド（１８０）をさらに備える請求項１乃至３のいずれかに記載のロゴスキーコイルアセンブリ（１１０）。
【請求項５】
前記プリント回路基板（１０５）に取り付けられると共に、複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）が収集した計測値データを外部の計測値処理回路に提供するように構成された少なくとも１つのコネクタ（１６０）をさらに備える請求項１乃至４のいずれかに記載のロゴスキーコイルアセンブリ（１１０）。
【請求項６】
前記プリント回路基板（１０５）に取り付けられると共に、複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）が収集した計測値データを受け取りかつ該受け取った計測値データを処理するように構成された計測値処理回路（１５０）をさらに備える請求項１乃至５のいずれかに記載のロゴスキーコイルアセンブリ（１１０）。
【請求項７】
前記複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）は３個から１２個のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載のロゴスキーコイルアセンブリ（１１０）。
【請求項８】
前記帰還電流経路（１４５）は、（ｉ）プリント回路基板上の回路トレース、または（ｉｉ）複数のロゴスキーコイルセクション（１３０ａ〜ｆ）を通過する導体のうちの一方を含む、請求項１乃至７のいずれかに記載のロゴスキーコイルアセンブリ（１１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月16日(2015.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性シリコン基板と、
前記結晶性シリコン基板の一方の面に部分的に形成された、第１のシリコン半導体層、第２のシリコン半導体層、及び第１の電極を有する積層体と、
前記結晶性シリコン基板の一方の面、及び前記積層体を覆う透光性半導体層と、
前記結晶性シリコン基板の他方の面に形成された、第３のシリコン半導体層、第４のシリコン半導体層、及び第２の電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
結晶性シリコン基板と、
前記結晶性シリコン基板の一方の面に形成された第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上に部分的に形成された、第２のシリコン半導体層、及び第１の電極を有する積層体と、
前記第１のシリコン半導体層、及び前記積層体を覆う透光性半導体層と、
前記結晶性シリコン基板の他方の面に形成された、第３のシリコン半導体層、第４のシリコン半導体層、及び第２の電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のシリコン半導体層、及び前記第３のシリコン半導体層の導電型は、ｉ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記結晶性シリコン基板の導電型はｎ型であり、
前記第２のシリコン半導体層の導電型はｐ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記結晶性シリコン基板の導電型はｎ型であり、
前記第４のシリコン半導体層の導電型はｎ型であり、
前記第４のシリコン半導体層は、前記結晶性シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記結晶性シリコン基板の導電型はｎ型であり、
前記透光性半導体層はｐ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記無機化合物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、及び酸化レニウムのいずれか一であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、及びジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれか一であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記第２のシリコン半導体層は、前記透光性半導体層よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月27日(2015.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の太陽モジュール支持フレーム（１０）であって、それと一体化した、マイクロインバータコネクタ（１８）と複数のプラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）の両方と、それと一体化した複数のプラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）とを備え、前記第１の太陽モジュール支持フレーム（１０）が、第１の太陽電気モジュール（３１）と第１のマイクロインバータ（３６）の両方と、太陽熱モジュール（３３）とを受容するように、かつ、電力を前記複数のプラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）に搬送するように構成される前記第１の太陽モジュール支持フレーム（１０）と、
前記複数のプラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）と流体連通し、温度熱伝達液体を流す冷却パイプ（３０）であって、前記第１の太陽電気モジュール（３１）の背面に直接接触し、前記第１の太陽電気モジュール（３１）からの熱を伝達する冷却パイプ（３０）を備え、前記モジュール支持フレーム（１０）により支持される、熱冷却ブレース（３０）と、
を含む装置。
【請求項２】
前記第１の太陽モジュール支持フレーム（１０）が、第１のレール区間（２６）および第２のレール区間（２８）をさらに備え、前記電気コネクタ（１４）、（１６）が、前記第１のレール区間（２６）に一体化される、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１の太陽モジュール支持フレーム（１０）が、前記第２のレール区間（２８）に一体化される、複数のプラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）をさらに備える、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記第１の太陽モジュール支持フレーム（１０）が、それと一体化した電力配線（２０）を、対応するマイクロインバータ（３６）を前記第１の太陽モジュール支持フレームの電気コネクタ（１４）、（１６）と結合するためにさらに備える、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記第１の太陽モジュール支持フレーム（１０）が、それと一体化した複数のプラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）をさらに備える、請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
対応する複数のプラグアンドプレイコネクタ（１４）、（１６）、（２２）、（２４）を介して、前記第１のモジュール支持フレーム（１０）と直列型で、または並列に接続される、少なくとも１つの追加的な太陽モジュール支持フレーム（１２）をさらに備える、請求項１乃至５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
複数の太陽モジュール支持フレーム（１０）と、
各太陽モジュール支持フレーム（１０）に一体化された、マイクロインバータ（３６）と、
各太陽モジュール支持フレーム（１０）に一体化された、プラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）であって、前記複数の太陽モジュール支持フレーム（１０）が前記プラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）を介して直接互いに接続し、複数の太陽モジュールを介して電力を搬送し、マイクロインバータ（３６）が、前記プラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）を介して互いに接続される、前記プラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）と、
各太陽モジュール支持フレーム（１０）に一体化された、プラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）であって、前記複数の太陽モジュール支持フレーム（１０）が前記プラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）を介して互いに直接接続され、前記複数の太陽モジュールを通して熱液体を搬送し、１以上の太陽熱モジュール（３３）が、前記プラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）を介して互いに接続され、各太陽モジュール支持フレーム（１０）は、前記複数のプラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）と流体連通し、温度熱伝達液体を流す冷却パイプ（３０）であって、前記第１の太陽電気モジュール（３１）の背面に直接接触し、前記第１の太陽電気モジュール（３１）からの熱を伝達する冷却パイプ（３０）を備え、前記複数のモジュール支持フレーム（１０）から選択されたモジュール支持フレーム（１０）により支持され、前記冷却パイプ（３０）が前記選択されたモジュール支持フレーム（１０）にに挿入される、熱冷却ブレース（３０）を備える、前記プラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）と、
を含む装置。
【請求項８】
太陽モジュールラック（２１）と、
前記太陽モジュールラック（２１）に搭載される複数の太陽モジュール支持フレーム（１０）、（１２）とを備え、各個の太陽モジュール支持フレーム（１０）、（１２）が、それと一体化した、マイクロインバータコネクタ（１８）と複数のプラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）の両方を備え、前記複数の太陽モジュール支持フレーム（１０）、（１２）が、前記複数のプラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）から選択された対応する複数のプラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）を介して一緒に接続されて、前記複数の太陽モジュール支持フレーム（１０）、（１２）に搭載される、複数の太陽電気モジュール（３１）および対応するマイクロインバータ（３６）を通して電力を搬送し、
各太陽モジュール支持フレーム（１０）、（１２）が、それらと一体化した複数のプラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）をさらに備え、
前記太陽モジュール支持フレーム（１０）、（１２）が、複数のプラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）から選択された対応するプラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）を介して互いに直接接続され、前記複数の太陽モジュールに熱液体を搬送し、
太陽熱モジュールが、前記複数のプラグアンドプレイ配管コネクタ（２２）、（２４）を介して互いに接続され、
各太陽モジュール支持フレーム（１０）、（１２）が、前記複数のプラグアンドプレイ電気コネクタ（１４）、（１６）と流体連通し、温度熱伝達液体を流す冷却パイプ（３０）であって、前記第１の太陽電気モジュール（３１）の背面に直接接触し、前記第１の太陽電気モジュール（３１）からの熱を伝達する冷却パイプ（３０）を備え、前記複数のモジュール支持フレーム（１０）から選択されたモジュール支持フレーム（１０）により支持され、前記冷却パイプ（３０）が前記選択されたモジュール支持フレーム（１０）にに挿入される、熱冷却ブレース（３０）を備える、
装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチの設けられた酸化物絶縁層と、
前記トレンチの底部及び側部に接する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、
前記トレンチの側部は前記酸化物絶縁層上面と略垂直な側面を含み、
前記トレンチの上端の幅は、前記トレンチの側面の幅の１倍以上１．５倍以下であり、
前記トレンチの底部、または前記トレンチの底部と前記トレンチの側部とが交わる下端コーナ部は曲面を含む半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記下端コーナ部は曲率半径が２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トレンチの上端コーナ部は曲面を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記トレンチの側面の幅は０．２μｍ以上０．３μｍ以下である半導体装置。
【請求項５】
酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層に、バイアス電圧を印加する第１のプラズマエッチング処理を行って酸化物絶縁層上面に対して略垂直な側面を有する凹部を形成し、
前記凹部に、前記第１のプラズマエッチング処理よりも低いバイアス電圧を印加する第２のプラズマエッチング処理を行って下端コーナ部に曲面を有するトレンチを形成し、
前記トレンチの底部、前記下端コーナ部、及び側部に接する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項６】
酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層に、バイアス電圧を印加する第１のプラズマエッチング処理を行って酸化物絶縁層上面に対して略垂直な側面を有する凹部を形成し、
前記凹部に、前記第１のプラズマエッチング処理よりも低いバイアス電圧を印加する第２のプラズマエッチング処理と、希ガス雰囲気による第３のプラズマエッチング処理と、を行って下端コーナ部及び上端コーナ部に曲面を有するトレンチを形成し、
前記トレンチの底部、前記下端コーナ部、及び側部に接する酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第２のプラズマエッチング処理において印加するバイアス電圧の電力密度は０Ｗ／ｃｍ２以上０．０３Ｗ／ｃｍ２以下とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層と、
前記第１の層上に接して設けられた酸化物半導体層と、
前記第１の層の側面と接する領域と、前記酸化物半導体層の側面と接する領域と、を有し、前記酸化物半導体層上に接して設けられた第２の層と、
前記第２の層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート電極層上に設けられ、第１の開口部及び第２の開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第１の開口部を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第２の開口部を介して前記酸化物半導体層と電気的に接続するドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、インジウム、チタン、及び亜鉛を含み、
前記第１の層及び前記第２の層はそれぞれ、前記酸化物半導体層の構成元素から選択された一以上の元素の酸化物を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域と前記第３の領域に挟まれ、
前記第２の領域と前記第３の領域の抵抗は、前記第１の領域の抵抗よりも低く、
前記第１の領域は、トランジスタのチャネル形成領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月19日(2015.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱電変換材料で形成される熱電変換材料層と、少なくとも半導体の性質を有する異方性導電材料層が積層された熱電変換部を備え、積層方向に対して該熱電変換部の上部と下部に電極を有することを特徴とする熱電変換素子。
【請求項２】
前記異方性導電材料層は、電荷輸送材料を含み、且つ電荷輸送層として機能する、請求項１に記載の熱電変換素子。
【請求項３】
前記異方性導電材料層は、層面内方向の電気伝導率が厚さ方向の電気伝導率よりも大きい特性を有することを特徴とする請求項１または２に記載の熱電変換素子。
【請求項４】
少なくとも熱電変換材料層と異方性導電材料層が積層された熱電変換部において、前記異方性導電材料層が積層構造からはみ出してなる延在部を有し、前記延在部に電極を有する請求項１〜３のいずれか１つに記載の熱電変換素子。
【請求項５】
前記異方性導電材料層がグラファイトであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の熱電変換素子。
【請求項６】
前記電荷輸送材料は、半導体の性質を有する電子輸送材料及び／或いは正孔輸送材料より選択される電荷輸送材料であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の熱電変換素子。
【請求項７】
少なくとも熱電変換材料層と異方性導電材料層が積層された、ｎ型熱電変換部とｐ型熱電変換部とを備え、積層方向に対して前記ｎ型及びｐ型熱電変換部の下部に、前記ｎ型及びｐ型熱電変換部に跨る第１電極と、前記ｎ型及びｐ型熱電変換部の上部に、それぞれ第２及び第３電極を備える熱電変換素子であり、
第２電極は、ｎ型熱電変換部の上部の一部分に設けられ、第３電極は、ｐ型熱電変換部の上部の一部分に設けられることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の熱電変換素子。
【請求項８】
少なくとも熱電変換材料層と異方性導電材料層が積層された、ｎ型熱電変換部とｐ型熱電変換部とを備え、積層方向に対して前記ｎ型及びｐ型熱電変換部の下部に、前記ｎ型及びｐ型熱電変換部に跨る第１電極と、前記ｎ型及びｐ型熱電変換部の上部に、それぞれ第２及び第３電極を備える熱電変換素子であり、
ｎ型熱電変換部の異方性導電材料層は積層構造からはみ出してなる延在部を有し、第２電極はｎ型熱電変換部の延在部の一部分に設けられ、
ｐ型熱電変換部の異方性導電材料層は積層構造からはみ出してなる延在部を有し、第３電極は、ｐ型熱電変換部の延在部の一部分に設けられることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の熱電変換素子。
【請求項９】
熱電変換発電素子とペルチェ素子を組み合わせてなる熱電変換発電装置であり、
該ペルチェ素子により該熱電変換発電素子の低温作用部を吸熱し、且つ該熱電変換発電素子の高温作用部あるいは高温作用部に接触する熱だめとなる対象物に放熱し、該熱電変換発電素子で発電することを特徴とする熱電変換発電装置。
【請求項１０】
熱電変換発電素子とペルチェ素子を組み合わせてなる熱電変換発電装置を使用する発電
方法であり、該ペルチェ素子により該熱電変換発電素子の低温作用部を吸熱し、且つ該熱電変換発電素子の高温作用部あるいは高温作用部に接触する熱だめとなる対象物に放熱し、該熱電変換発電素子で発電することを特徴とする発電方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の熱電変換発電装置及び／或いは請求項１０に記載の発電方法において、
前記ペルチェ素子は、請求項４〜８のいずれか１つに記載の前記異方性導電材料層が積層構造からはみ出してなる延在部を有する熱電変換素子であることを特徴とする熱電変換発電装置及び／或いは発電方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月9日(2015.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通する特徴を有する複数の番組間の関連性を示すシリーズ情報が付与された番組情報と、前記シリーズ情報の名称情報を含む前記シリーズ情報に関するシリーズ関連情報を記憶している記憶部と、
前記番組情報と前記シリーズ関連情報を送信する送信部と
を備える
送信装置。
【請求項２】
共通する特徴を有する複数の番組間の関連性を示すシリーズ情報が付与された番組情報と、前記シリーズ情報の名称情報を含む前記シリーズ情報に関するシリーズ関連情報を受信する受信部と、
前記受信部が受信した前記番組情報と前記シリーズ情報の名称情報を出力する出力部と
を備える
受信装置。
【請求項３】
前記受信部は、同一の前記シリーズ情報が付与された複数の番組に関する一覧情報である関連番組リスト情報をさらに受信する、
請求項２記載の受信装置。
【請求項４】
前記関連番組リスト情報は、前記関連番組リスト情報に含まれる各番組の放送日時に関する情報を含むことを特徴とする、
請求項３記載の受信装置。
【請求項５】
共通する特徴を有する複数の番組間の関連性を示すシリーズ情報が付与された番組情報と、前記シリーズ情報の名称情報を含む前記シリーズ情報に関するシリーズ関連情報を受信する受信部と、
前記番組情報と前記シリーズ情報の名称情報を出力する出力部と、
前記出力部から出力された前記シリーズ情報の名称情報を表示する表示部と
を備える
受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の画素と、第２の画素と、トランジスタと、を有し、
前記第１の画素は、第１のフォトダイオードと、第１の回路と、を有し
前記第２の画素は、第２のフォトダイオードと、第２の回路と、を有し、
前記トランジスタの第１の端子は、前記第１のフォトダイオードと電気的に接続され、
前記トランジスタの第２の端子は、前記第２のフォトダイオードと電気的に接続され、
前記第１の回路は、前記第１のフォトダイオードにおいて生じる電流を増幅する機能を有し、
前記第２の回路は、前記第２のフォトダイオードにおいて生じる電流を増幅する機能を有し、
前記トランジスタがオン状態となることにより、前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオードが並列に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の回路は、第１のトランジスタを有し、
前記第２の回路は、第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記トランジスタがオン状態であるとき、前記第１のフォトダイオード及び前記２のフォトダイオードに入射した光に応じて、前記第１の回路から電荷が流出することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
グローバルシャッタ方式を用いて撮像を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
ローリングシャッタ方式を用いて撮像を行うことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イメージセンサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、フォトダイオードと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の電極は、前記フォトダイオードと電気的に接続され、
前記容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、半導体基板上方に設けられていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、容量素子と、フォトダイオードと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記フォトダイオードと電気的に接続され、
前記容量素子の第１の電極は、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記容量素子の第２の電極は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、半導体基板上方に設けられていることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体基板には、ｐチャネル型トランジスタ又はｎチャネル型トランジスタが設けられていることを特徴とするイメージセンサ。