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【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動支持部（６８）と、
前記可動支持部（６８）に結合されたブラシ（４６）と、
前記可動支持部（６８）に結合された付勢要素（７８）と、
を含むブラシシールセグメント（４０）を備えるシステムであって、
前記付勢要素（７８）が、同じ軸方向に前記可動支持部（６８）全体を付勢してロータ（２２）とステータ（４２）との間のスペース（８６）内のブラシクリアランス（８４）を変更するよう構成され、
前記ステータ（４２）は、角度付き底部を有するチャンバを備え、
前記可動支持部（６８）の一部は、前記チャンバ内に配置され、
前記付勢要素（７８）は、前記角度付き底部とともに、同じ軸方向及び半径方向に前記可動支持部（６８）を付勢して、前記ロータ（２２）と前記ステータ（４２）との間のスペース（８６）内の前記ブラシクリアランス（８４）を変更するよう構成されている、
システム。
【請求項２】
前記可動支持部（６８）が、前記ロータ（２２）の回転軸（４４）に対して角度付き移動経路を有し、該角度付き移動経路が、約０度よりも大きく且つ約９０度よりも小さい角度（１４６）を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記付勢要素（７８）が、前記角度付き移動経路に沿ってのみ移動するよう前記可動支持部（６８）を付勢するように構成されている、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記可動支持部（６８）が、前記ロータ（２２）の回転軸（４４）に沿った軸方向移動経路を有する、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記付勢要素（７８）が、軸方向移動経路の後に前記角度付き移動経路に沿って移動するよう前記可動支持部（６８）を付勢するように構成されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記付勢要素（７８）が、同じ軸方向に前記可動支持部（６８）を付勢して、前記ブラシ（４６）を前記ロータ（２２）上の溝（１２０）内に移動させるよう構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記付勢要素（７８）が、前記可動支持部（６８）を第１の位置から第２の位置に付勢し、前記ブラシ（４６）と前記ロータ（２２）との間のスペース（８６）内の前記ブラシクリアランス（８４）を増大させるよう構成され、前記可動支持部（６８）が、流体流に応答して、前記第２の位置から前記第１の位置に移動して前記ブラシクリアランス（８４）を減少させるよう構成され、前記流体流が、前記付勢要素（７８）とは反対方向に前記可動支持部（６８）を付勢するよう構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記付勢要素（７８）がバネを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記システムが、前記ロータ（２２）、前記ステータ（４２）及び前記ブラシシールセグメント（４０）を有するターボ機械（３８）を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ロータ（２２）と前記ステータ（４２）との間で環状配列の複数のシールセグメント（４０）を更に備え、前記複数のシールセグメント（４０）の隣接するセグメントが中間付勢要素（５６）を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
溝（１２０）を有するロータ（２２）と、チャンバ（６６）を有するステータ（４２）とを含むターボ機械（３８）と、
ブラシシールセグメント（４０）と、
を備えたシステムであって、
前記ブラシシールセグメント（４０）が、
前記チャンバに結合され、第１の位置と第２の位置との間で前記ロータ（２２）の回転軸に沿った軸方向移動経路を有する可動支持部（６８）と、
前記可動支持部（６８）に結合されたブラシ（４６）と、
前記チャンバ（６６）内で、前記可動支持部（６８）に結合された付勢要素（７８）と、
を含み、
前記付勢要素（７８）は、前記チャンバ（６６）内に配置され、前記可動支持部（６８）を前記チャンバ（６６）内で前記軸方向移動経路に沿って前記第１の位置から前記第２の位置に付勢して、前記ブラシ（４６）を前記溝（１２０）内に移動させるよう構成され、
前記可動支持部（６８）は、前記軸方向移動経路に沿って前記第２の位置から前記第１の位置に移動して、前記ブラシ（４６）を前記溝（１２０）の外に移動させるよう構成されている、
システム。
【請求項１２】
前記ターボ機械（３８）の過渡状態中に、前記付勢要素（７８）が、前記可動支持部（６８）を前記チャンバ（６６）内で第１の位置から第２の位置に付勢して、前記ブラシ（４６）を前記溝（１２０）内に移動させるよう構成され、前記ターボ機械（３８）の定常状態中に、前記可動支持部（６８）が、前記第２の位置から前記第１の位置に移動して、前記ブラシ（４６）を前記溝（１２０）の外に移動させるよう構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記付勢要素（７８）が、前記可動支持部（６８）を前記チャンバ（６６）内で前記第１の位置から前記第２の位置に付勢して前記ブラシ（４６）を前記溝（１２０）内に移動させ、前記ブラシ（４６）と前記ロータ（２２）との間のブラシクリアランス（８４）を増大させるよう構成され、前記可動支持部（６８）が、前記チャンバ（６６）内で前記第２の位置から前記第１の位置に移動して前記ブラシ（４６）を前記溝（１２０）の外に移動させ、前記ブラシ（４６）と前記ロータ（２２）との間の前記ブラシクリアランス（８４）を減少させるよう構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部に対して揺動支点部材を中心に揺動自在に取り付けられている揺動部材と、
前記揺動部材の一端部に回転可能に設けられる検出ローラと、
搬送される基板が前記検出ローラを押し下げて、前記基板が前記検出ローラに当たる前の前記揺動部材の初期位置から前記揺動部材が回転方向へ回転すると、前記基板を検出したことを示す検出信号を出す検出センサと、
を有する基板検出装置において、
前記揺動部材の前記初期位置では、前記揺動部材を前記基板の搬送方向と交差する垂直線に対して傾斜して保持する揺動ストッパを有し、
この揺動ストッパは、前記揺動部材を、前記初期位置において、前記垂直線に対して３０度から５０度の範囲の傾斜角度で保持することを特徴とする基板検出装置。
【請求項２】
前記揺動部材は、他端部にウエイトが設けられ、
前記検出ローラの取り付け軸部と前記揺動支点部材との間の距離が、前記揺動支点部材と前記ウエイト間の距離にくらべて、短いことを特徴とする請求項１記載の基板検出装置。
【請求項３】
前記揺動部材の前記初期位置における傾斜方向は、前記揺動部材の前記一端部が前記基板の搬送方向上流側に傾斜する方向であることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の基板検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の基板検出装置と、
前記基板を搬送する搬送ローラを備えた搬送シャフトと、
前記搬送シャフトを回転させる駆動部と、
を有する基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の実施形態に係る基板検出装置は、基部と、前記基部に対して揺動支点部材を中心に揺動自在に取り付けられている揺動部材と、前記揺動部材の一端部に回転可能に設けられる検出ローラと、搬送される基板が前記検出ローラを押し下げて、前記基板が前記検出ローラに当たる前の前記揺動部材の初期位置から前記揺動部材が回転方向へ回転すると、前記基板を検出したことを示す検出信号を出す検出センサと、を有する基板検出装置において、前記揺動部材の前記初期位置では、前記揺動部材を前記基板の搬送方向と交差する垂直線に対して傾斜して保持する揺動ストッパを有し、この揺動ストッパは、前記揺動部材を、前記初期位置において、前記垂直線に対して３０度から５０度の範囲の傾斜角度で保持することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１と図２に示す検出ローラ６は、例えば樹脂製であり、取り付け軸部１２を用いて揺動部材５の一端部５Ａに、回転可能に取り付けられている。揺動部材５の他端部５Ｂは、金属製のウエイト５Ｃを固定している。ウエイト５Ｃは、検出ローラ６との重量バランスを取るために設けられている。マグネット７は、好ましくはウエイト５Ｃの中に取り付けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このように、基板Ｂが検出ローラ６から離れると、揺動部材５が重力の力で検出位置Ｐ２から初期位置Ｐ１に逆回転方向Ｒ１に回転するので、レスポンス良く直ちに初期位置Ｐ１に復帰できる。しかも、揺動部材５の下側側面部５Ｄは、揺動ストッパ１１に当接する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月10日(2015.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロアクチュエータであって、
基板と、
前記基板上のサンドイッチ構造とを備え、前記サンドイッチ構造は、底部電極と、圧電層と、頂部電極とからなり、さらに、
前記基板および前記サンドイッチ構造上方のパシベーション層を備え、
前記マイクロアクチュエータはさらに、前記底部電極と前記パシベーション層との間に存在する底部接着層および前記頂部電極と前記パシベーション層との間に存在する頂部接着層のうち一方または両方を備える、マイクロアクチュエータ。
【請求項２】
前記底部接着層および前記頂部接着層の両方を備える、請求項１に記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項３】
前記パシベーション層は、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、炭素、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化チタン（ＴｉＮ）、亜酸化チタン（ＴｉＯｘ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）、または窒酸化ケイ素（Ｓｉ２Ｎ２Ｏ）を含む、請求項１または請求項２に記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項４】
前記接着層の一方または両方は、チタン、タンタル、またはクロムを含む、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のマイクロアクチュエータと、サスペンションアセンブリと、ヘッドジンバルアセンブリとを備える、ディスクドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月31日(2015.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重ねられた複数の半導体チップを備える半導体装置であって、
各半導体チップは、
該半導体チップが不良であるか否かの判定結果に応じて該半導体チップの識別情報を設定する設定回路と、
前記設定回路によって設定された識別情報を使用する処理回路と、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくともひとつの半導体チップの設定回路は、該半導体チップが不良であると判定された場合、識別情報の設定処理をスキップするよう構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
不良であると判定された半導体チップの識別情報は、他の半導体チップのうちのひとつの識別情報と一致することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
少なくともひとつの半導体チップの設定回路は、他の半導体チップの設定回路によって設定された識別情報を参照することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
少なくともひとつの半導体チップは揮発性メモリを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
重ねられた複数の半導体チップを備える半導体装置の制御方法であって、
各半導体チップが不良であるか否かの判定結果に応じて該半導体チップの識別情報を設定することと、
各半導体チップにおいて、設定された識別情報を使用することと、を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、表示モジュール及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部を有し、
前記画素部は、基板上方の半導体層を有し、
前記画素部は、前記半導体層上方の第１の絶縁層を有し、
前記画素部は、前記第１の絶縁層上方の第１の導電層を有し、
前記画素部は、前記第１の導電層上方の第２の絶縁層を有し、
前記画素部は、前記第２の絶縁層上方の第２の導電層を有し、
前記画素部は、前記第２の絶縁層上方の第３の導電層を有し、
前記画素部は、前記第２の導電層上方及び前記第３の導電層上方の第３の絶縁層を有し、
前記画素部は、前記第３の絶縁層上方の第４の導電層を有し、
前記画素部は、前記第４の導電層上方の第４の絶縁層を有し、
前記画素部は、前記第４の絶縁層上方の第５の導電層を有し、
前記画素部は、前記第５の導電層上方の配向膜を有し、
前記画素部は、前記第５の導電層上方又は前記配向膜上方のスペーサを有し、
前記半導体層は、第１のチャネル形成領域を有し、
前記半導体層は、第２のチャネル形成領域を有し、
前記半導体層は、第１の不純物領域を有し、
前記半導体層は、第２の不純物領域を有し、
前記半導体層は、第３の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記第１のチャネル形成領域を介して前記第２の不純物領域と電気的に接続され、
前記第２の不純物領域は、前記第２のチャネル形成領域を介して前記第３の不純物領域と電気的に接続され、
前記第１の絶縁層は、前記基板の表面に垂直な方向において、前記第１の導電層と前記第１のチャネル形成領域とに挟まれている領域を有し、
前記第１の絶縁層は、前記基板の表面に垂直な方向において、前記第１の導電層と前記第２のチャネル形成領域とに挟まれている領域を有し、
前記第２の絶縁層は、前記基板の表面に垂直な方向において、前記第１の導電層と前記第２の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記第２の導電層は、前記第１の不純物領域と電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第３の不純物領域と電気的に接続され、
前記第３の絶縁層は、前記基板の表面に垂直な方向において、前記第２の導電層と前記第４の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記第４の絶縁層は、前記基板の表面に垂直な方向において、前記第４の導電層と前記第５の導電層とに挟まれている領域を有し、
前記第５の導電層は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記スペーサは、有機材料を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第５の導電層は、前記基板の表面に垂直な方向において、前記第３の絶縁層と前記配向膜とに挟まれ且つ前記第４の絶縁層と前記配向膜とに挟まれていない領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２の絶縁層は、前記基板の表面に垂直な方向において、前記第２の不純物領域と前記第４の導電層とに挟まれ且つ前記第２の不純物領域と前記第２の導電層とに挟まれていない領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層は、前記基板の表面に垂直な方向において、前記第１のチャネル形成領域と前記第２の導電層の端部とに挟まされている領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第４の絶縁層は、前記基板の表面に水平な方向において、前記第４の導電層と前記第５の導電層とに挟まれている領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第５の導電層は、前記基板の表面に水平な方向において、前記第３の絶縁層と前記配向膜とに挟まれている領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第５の導電層は、前記基板の表面に水平な方向において、前記第４の絶縁層と前記配向膜とに挟まれている領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の表示装置と、
ＦＰＣと、を有することを特徴とする表示モジュール。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の表示装置と、
操作スイッチ、バッテリー又はスピーカ部と、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線と第２配線との間の電圧を検出する電圧検出回路を有する半導体装置であって、前記電圧検出回路は第１トランジスタと第２トランジスタとを備え、前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは前記第１配線と前記第２配線との間に直列に接続され、
第１参照電圧は前記第１トランジスタのゲートに与えられ、前記第２トランジスタのゲートとドレインとは短絡しており、前記第１トランジスタのドレインと前記第２トランジスタのソースとの接続点から検出信号が出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタはいずれもＮチャンネルＭＯＳトランジスタであり、前記第１トランジスタのソースは前記第１配線に接続され、前記第１配線に印加される電位は前記第２配線に印加される電位よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタはいずれもＰチャンネルＭＯＳトランジスタであり、前記第１トランジスタのソースは前記第１配線に接続され、前記第１配線に印加される電位は前記第２配線に印加される電位よりも高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１トランジスタのサイズと前記第２トランジスタのサイズとは同じであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電圧検出回路は、前記第２配線と前記第２トランジスタとの間に接続された第３トランジスタをさらに備え、
前記第３トランジスタのゲートとドレインとは短絡していることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電圧検出回路は、前記検出信号と第２参照電圧とを比較する比較器をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電圧検出回路は、前記第１配線と前記第１トランジスタとの間、または前記第２配線と前記第２トランジスタとの間に接続された第３トランジスタをさらに備え、
前記比較器の出力は前記第３トランジスタのゲートに与えられることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタはいずれもＮチャンネルＭＯＳトランジスタであり、前記第３トランジスタは前記第２配線と前記第２トランジスタとの間に接続され、前記第１参照電圧は前記第２参照電圧より高いことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタはいずれもＰチャンネルＭＯＳトランジスタであり、前記第３トランジスタは前記第１配線と前記第１トランジスタとの間に接続され、前記第１参照電圧は前記第２参照電圧より低いことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
第１配線および第２配線と、
前記第１配線または前記第２配線に印加されるべき電位を生成する内部電圧生成回路と、
前記第１配線と前記第２配線との間の電圧を検出し検出信号を生成する電圧検出回路であって第１トランジスタと第２トランジスタとを備え、前記第１トランジスタおよび前記第２トランジスタは前記第１配線と前記第２配線との間に直列に接続され、第１参照電圧は前記第１トランジスタのゲートに与えられ、前記第２トランジスタのゲートとドレインとは短絡しており、前記第１トランジスタのドレインと前記第２トランジスタのソースとの接続点から前記検出信号が出力される電圧検出回路と、
前記検出信号と前記第２参照電圧とを比較する比較器と、を備え、
前記内部電圧生成回路は、前記比較器の出力に基づいて制御されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、及び前記基材上の透明導電性層を含む物品であって、
前記透明導電性層が、少なくとも部分的に結合したナノ粒子で形成されている導電性配線のネットワーク状パターンを含み、且つ前記導電性配線が光に透明な不規則形状のセルを画定しており、
前記セルの少なくとも一部が少なくとも部分的に透明な接着性フィラー材料で充填されている、
物品。
【請求項２】
前記フィラー材料が、導電性である、請求項１の物品。
【請求項３】
前記フィラー材料の抵抗が、１０２〜１０８ｏｈｍ／ｓｑの範囲内である、請求項２の物品。
【請求項４】
前記接着剤が、エポキシ又はＵＶ硬化アクリレートを含む、請求項１の物品。
【請求項５】
前記物品の一つの表面を被覆する少なくとも一つの基材層をさらに有する、請求項１の物品。
【請求項６】
前記物品が、フレキシブルである、請求項１の物品。
【請求項７】
前記フィラー材料が、完全に前記セルを充填し、そして前記セルの上方に広がっている、請求項１の物品。
【請求項８】
前記フィラー材料が、前記セルの上部以下の水準まで充填している、請求項１の物品。
【請求項９】
基材、及び前記基材上の透明導電性層を含む物品であって、
前記透明導電性層が、少なくとも部分的に結合したナノ粒子で形成されている導電性配線のネットワーク状パターンを含み、且つ前記導電性配線が光に透明な不規則形状のセルを画定しており、
前記セルの少なくとも一部が少なくとも部分的に透明なフィラー材料で充填されており、かつ前記フィラー材料が、完全に前記セルの少なくとも一部を充填し、そして前記セルの少なくとも一部の上方に広がっている、
物品。
【請求項１０】
前記フィラー材料が、導電性である、請求項９の物品。
【請求項１１】
前記フィラー材料の抵抗が、１０２〜１０８ｏｈｍ／ｓｑの範囲内である、請求項１０の物品。
【請求項１２】
前記フィラー材料が、金属酸化物を含む、請求項９の物品。
【請求項１３】
前記金属酸化物が、インジウム−スズ酸化物又はアンチモン−スズ酸化物である、請求項１２の物品。
【請求項１４】
前記フィラー材料が導電性ポリマーを含む、請求項９の物品。
【請求項１５】
前記導電性ポリマーが、ＰＥＤＯＴ、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリピロール、又はこれらの誘導体若しくは混合物である、請求項１４の物品。
【請求項１６】
前記フィラー材料が、カーボンナノチューブ、又は金属ナノ粒子若しくはナノワイヤーの低密度マトリクス若しくは配列を含む、請求項９の物品。
【請求項１７】
前記フィラー材料が、非導電性又は半導体性である、請求項９の物品。
【請求項１８】
前記フィラー材料が、反射防止材料を含む、請求項９の物品。
【請求項１９】
前記反射防止材料が、ガラスフリット、窒化シリコン、一酸化シリコン、二酸化チタン、又は酸化亜鉛を含む、請求項１８の物品。
【請求項２０】
前記物品の一つの表面を被覆する少なくとも一つの基材層をさらに有する、請求項９の物品。
【請求項２１】
前記物品が、フレキシブルである、請求項９の物品。
【請求項２２】
請求項１又は９に記載の物品、蛍光体層、誘電体層、及び対電極を含む、エレクトロルミネセントデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月28日(2015.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶シリコンのスライス片を混酸を主成分とするエッチング液でエッチングする太陽電池用シリコンウエハーの製造方法であって、
前記スライス片が固定砥粒方式のワイヤーソーでスライスされたスライス片であり、
前記混酸が、化学式ＨＦで表わされるフッ酸、化学式ＨＮＯ３で表わされる硝酸及び化学式Ｈ２ＳＯ４で表わされる硫酸からなり、
前記混酸の組成範囲が、これらの組成を重量％で表わす三角図において、
前記フッ酸が２．８２重量％、前記硝酸が０．１８重量％、前記硫酸が９７重量％である点Ａと、
前記フッ酸が０．１８重量％、前記硝酸が２．８２重量％、前記硫酸が９７重量％である点Ｂと、
前記フッ酸が８．４７重量％、前記硝酸が０．５３重量％、前記硫酸が９１重量％である点Ｃと、
前記フッ酸が０．５３重量％、前記硝酸が８．４７重量％、前記硫酸が９１重量％である点Ｄと
をこの順で結ぶ４本の線分で囲まれた領域内にあり、
前記エッチング液の水の濃度が０〜１０．５重量％であり、
前記固定砥粒方式のワイヤーソーでスライスされた多結晶シリコンのスライス片を前記エッチング液でエッチングすることにより、表面に複数の略椀底形状の凹孔が全面にわたって形成されてなる凹凸を有し、前記凹孔の開口径が２〜１５μｍであり、かつ、各前記凹孔の内壁に開口径が０．１〜１．５μｍの１または複数個の微孔を形成する
太陽電池用シリコンウエハーの製造方法。
【請求項２】
前記固定砥粒方式のワイヤーソーに用いるソーワイヤーがレジンボンドソーワイヤーである請求項１に記載の太陽電池用シリコンウエハーの製造方法。
【請求項３】
前記エッチングする際のエッチング液の温度が０〜４５℃である請求項１または２に記載の太陽電池用シリコンウエハーの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池用シリコンウエハーの製造方法によって、表面に複数の略椀底形状の凹孔が全面にわたって形成されてなる凹凸を有し、前記凹孔の開口径が２〜１５μｍであり、かつ、各前記凹孔の内壁に開口径が０．１〜１．５μｍの１または複数個の微孔が形成された、太陽電池用シリコンウエハー。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面及び前記第１の主面とは反対側の第２の主面を有する半導体基板と、前記半導体基板を前記第１の主面から前記第２の主面に貫通して設けられ、前記第１の主面側に位置する第１の端部と前記第２の主面側に位置する第２の端部をそれぞれ含む複数の貫通電極と、前記第２の主面側に設けられた複数の第１のバッファ回路と、前記第２の主面側に設けられ、前記貫通電極の前記第２の端部と前記第１のバッファ回路との間に設けられた第１の切替回路とを有する第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップの前記半導体基板の前記第１の主面側に搭載された第２の半導体チップであって、対応する前記第１のバッファ回路によって駆動された信号をそれぞれ駆動するよう前記第１のバッファ回路にそれぞれ対応して設けられた複数の第２のバッファ回路と、前記貫通電極の前記第１の端部と前記第２のバッファ回路との間に設けられた第２の切替回路と有する第２の半導体チップと、を備え、
それぞれ前記第１のバッファ回路のいずれか及びこれに対応する前記第２のバッファ回路のいずれかの間で電気経路を形成する所定の貫通電極を選択する切替信号によって、前記第１及び第２の切替回路が共通に制御される、半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体チップは、前記半導体基板を前記第１の主面から前記第２の主面に貫通して設けられた追加貫通電極をさらに有し、
前記切替信号は、前記追加貫通電極を介して前記第２の半導体チップの前記第２の切替回路に転送される、請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の切替回路は、前記切替信号によって選択されない１又はそれ以上の前記貫通電極をハイインピーダンスとするよう共通に制御される、請求項１の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の切替回路は、前記切替信号の第１の制御ビットによって制御される第１の回路部分と、前記切替信号の第２の制御ビットによって制御される第２の回路部分とを含み、
前記切替信号の前記第１及び第２の制御ビットは、前記追加貫通電極を介してシリアルに転送される、請求項２又は３の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の半導体チップは、前記第１の半導体チップの前記追加貫通電極に電気的に接続されたシリアルパラレル変換回路を含み、
前記シリアルパラレル変換回路は、前記第１及び第２の制御ビットをシリアルに受け、前記第１及び第２の制御ビットを前記第２の切替回路にパラレルに出力する、請求項４の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の半導体チップは、前記半導体基板を前記第１の主面から前記第２の主面に貫通して設けられた別の追加貫通電極をさらに有し、
前記切替信号は、前記追加貫通電極及び前記別の追加貫通電極によって構成されるパラレルな電気経路を介して前記第２の半導体チップの前記第２の切替回路に転送される、請求項２又は３の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の半導体チップは、外部装置とのインターフェースを構成するフロントエンド部が集積されたインターフェースチップであり、
前記第２の半導体チップは、メモリコアを含むバックエンド部が集積されたコアチップである、請求項１乃至６のいずれか一項の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月20日(2015.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置で使用される基板ホルダの製造方法であって、
表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールとを設けるステップと、
前記本体の表面及び前記バール上に平坦化層を塗布するステップと、
前記平坦化層が前記本体表面の少なくとも一部上に配置され、かつ、少なくとも前記バールの前記端面を覆わないように配置されるように、前記バールの前記端面から前記平坦化層の一部を除去するステップと、
を含む製造方法。
【請求項２】
前記バールの端面から前記平坦化層の一部を除去するステップは、機械加工、レーザによる化学プロセス、及び／又は、化学機械的研磨により行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
リソグラフィ装置で使用される基板ホルダの製造方法であって、
表面を有する本体と、前記表面から突出し、基板を支持する端面を有する複数のバールとを設けるステップと、
前記バールのみを覆うレジストの層を形成するステップと、
前記本体表面上に平坦化層を塗布するステップと、
前記平坦化層が前記本体表面の少なくとも一部上に配置され、かつ、少なくとも前記バールの前記端面を覆わないように配置されるように、前記バールから前記レジストの層を除去するステップと、
を含む製造方法。
【請求項４】
前記平坦化層を塗布するステップは、ポリマー又はポリマー前駆体溶液を塗布するステップを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記平坦化層を塗布するステップは、第１の副層と第２の副層とを塗布するステップを含み、前記第２の副層が前記第１の副層とは異なる成分を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記平坦化層を塗布するステップが、第１の副層を塗布するステップと、前記第１の副層をベーキングしてこれを硬化させるステップと、前記第１の副層上に第２の副層を塗布するステップと、を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記平坦化層上に電子コンポーネントを形成する薄膜積層体を形成する工程をさらに有する、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法により製造された、基板ホルダ。
【請求項９】
リソグラフィ装置であって、
パターニングデバイスを支持する支持構造と、
前記パターニングデバイスによってパターニングされたビームを基板上に投影する投影システムと、
前記基板を保持する、請求項８に記載の基板ホルダと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項１０】
基板テーブルをさらに備え、前記基板ホルダが前記基板テーブルに統合される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月21日(2014.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者から採取された血球細胞から単核球を分離するステップと、Ｔ細胞を前記単核球から除去するステップと、前記Ｔ細胞が除去された残りの細胞集団を、ＧＭ−ＣＳＦ及びＳＣＦを含む培地で培養するステップとを含む調製方法によって調製される樹状細胞集団を含むことを特徴とする、樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項２】
前記樹状細胞集団は、ＣＤ１１ｃ陽性細胞の割合が高められたものであることを特徴とする、請求項１に記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項３】
前記Ｔ細胞を前記単核球から除去するステップは、ＣＤ３を表面に発現する細胞を除去することによって達成されることを特徴とする、請求項１に記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項４】
前記ＧＭ−ＣＳＦ及びＳＣＦを含む培地で培養するステップは、少なくとも３週間実行されることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項５】
前記ＧＭ−ＣＳＦ及びＳＣＦを含む培地で培養するステップは、少なくとも４週間実行され、その後、ＧＭ−ＣＳＦ及びＩＬ−４を含む培地に切り替えて培養するステップを含むことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項６】
前記血球細胞は、末梢血、臍帯血、骨髄及び／又はリンパ節から採取されることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか１つに記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項７】
前記血球細胞は末梢血からアフェレーシス法により採取されることを特徴とする、請求項６に記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項８】
がん又は感染症を治療するためであることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項９】
自己免疫疾患、アレルギー疾患又は１型糖尿病を治療するためであることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか１つに記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項１０】
請求項１ないし７のいずれか１つに記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物に含まれる樹状細胞と異なるＨＬＡ遺伝子型を有する患者に移植されることを特徴とする、請求項７又は８に記載の樹状細胞移植療法用医薬品組成物。
【請求項１１】
樹状細胞集団の調製方法であって、
被検者から採取された血球細胞から単核球を分離するステップと、
Ｔ細胞を前記単核球から除去するステップと、
前記Ｔ細胞が除去された残りの細胞集団を、ＧＭ−ＣＳＦ及びＳＣＦを含む培地で培養するステップとを含む、
方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記ＧＭ−ＣＳＦ及びＳＣＦを含む培地で培養するステップにおいて、前記Ｔ細胞が除去された残りの細胞集団に占めるＣＤ１１ｃ陽性細胞の割合が高められることを特徴とする、
方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の方法であって、
前記Ｔ細胞を前記単核球から除去するステップは、ＣＤ３を表面に発現する細胞を除去することによって達成されることを特徴とする、
方法。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれか１つに記載の方法であって、
前記ＧＭ−ＣＳＦ及びＳＣＦを含む培地で培養するステップは、少なくとも３週間実行されることを特徴とする、
方法。
【請求項１５】
請求項１１ないし１４のいずれか１つに記載の方法であって、
前記ＧＭ−ＣＳＦ及びＳＣＦを含む培地で培養するステップは、少なくとも４週間実行され、その後、ＧＭ−ＣＳＦ及びＩＬ−４を含む培地に切り替えて培養するステップを含むことを特徴とする、
方法。
【請求項１６】
請求項１１ないし１５のいずれか１つに記載の方法であって、
前記血球細胞は、末梢血、臍帯血、骨髄及び／又はリンパ節から採取されることを特徴とする、
方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記血球細胞は末梢血からアフェレーシス法により採取されることを特徴とする、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ATCC寄託番号PTA-6557を有するハイブリドーマにより産生される、抗インターフェロンアルファ抗体。
【請求項２】
ATCCに寄託番号PTA-6557で寄託されたハイブリドーマにより産生される抗インターフェロンアルファ抗体のヒト化形又はキメラ形である、ヒト化抗体又はキメラ抗体。
【請求項３】
ATCCに寄託番号PTA-6557で寄託されたハイブリドーマにより産生される抗インターフェロンアルファ抗体のヒト化形又はキメラ形である、ヒト化抗体又はキメラ抗体であって、
前記ヒト化抗体又はキメラ抗体において、前記ハイブリドーマにより産生される抗インターフェロンアルファ抗体のVL1のアミノ酸配列の1つ以上のアミノ酸が欠失しているか、付加されているか、置換されているか、及び/又は挿入されており、
前記ヒト化抗体又はキメラ抗体において、前記ハイブリドーマにより産生される抗インターフェロンアルファ抗体のVH1のアミノ酸配列の1つ以上のアミノ酸が欠失しているか、付加されているか、置換されているか、及び/又は挿入されており、
前記ヒト化抗体又はキメラ抗体が、インターフェロンアルファ（“IFNα”）タンパク質サブタイプA、2、B2、C、F、G、H2、I、J1、K、4a、4b及びWAから成る群から選択される少なくとも10のIFNαタンパク質サブタイプの生物活性を特異的に中和するが、IFNαタンパク質サブタイプDの少なくとも1つの生物活性の40%未満を中和し、前記生物活性がMxAプロモーターの活性化又は抗ウイルス活性である、
ヒト化抗体又はキメラ抗体。
【請求項４】
前記抗体が、配列番号:2の重鎖可変ドメイン及び配列番号:10の軽鎖可変ドメインを含む、請求項１に記載の抗体。
【請求項５】
インターフェロンアルファ（“IFNα”）タンパク質サブタイプA、2、B2、C、F、G、H2、I、J1、K、4a、4b及びWAから成る群から選択される少なくとも10のIFNαタンパク質サブタイプの生物活性を特異的に中和するが、IFNαタンパク質サブタイプDの少なくとも1つの生物活性の40%未満を中和する、抗体フラグメントであり、
前記生物活性がMxAプロモーターの活性化又は抗ウイルス活性である、請求項２に記載の抗体。
【請求項６】
抗インターフェロンアルファ抗体又はその抗原結合フラグメントであって、前記抗体又はその抗原結合フラグメントが、少なくとも1つの軽鎖又はその抗原結合フラグメント及び少なくとも1つの重鎖又はその抗原結合フラグメントを含み、
ここで前記軽鎖又はその抗原結合フラグメントが以下のCDRを含み：
配列番号:12のアミノ酸配列を有するVL1；
配列番号:14のアミノ酸配列を有するVL2；及び
配列番号:16のアミノ酸配列を有するVL3、
ここで前記重鎖又はその抗原結合フラグメントが以下のCDRを含む、前記抗体又はその抗原結合フラグメント：
配列番号:4のアミノ酸配列を有するVH1；
配列番号:6のアミノ酸配列を有するVH2；及び
配列番号:8のアミノ酸配列を有するVH3。
【請求項７】
前記抗原フラグメントが、Fab、Fab'、F(ab')2、Fv又はsFVフラグメントである、請求項５又は６に記載の抗体又はその抗原結合フラグメント。
【請求項８】
前記抗体が直鎖状抗体である、請求項５又は６に記載の抗体。
【請求項９】
前記抗体がIFNβを中和しない、請求項５又は６に記載の抗体。
【請求項１０】
前記抗体がモノクローナル抗体である、請求項２、３、５、６、７、８又は９に記載の抗体。
【請求項１１】
請求項２、３、５、６、７、８又は９に記載の抗体をコードする核酸を含む宿主細胞。
【請求項１２】
前記宿主細胞がハイブリドーマである、請求項１１に記載の宿主細胞。
【請求項１３】
請求項２、３、５、６、７、８、９又は１０に記載の抗体を産生するハイブリドーマ。
【請求項１４】
インターフェロンアルファ（“IFNα”）タンパク質サブタイプA、2、B2、C、F、G、H2、I、J1、K、4a、4b及びWAから成る群から選択される少なくとも1つのIFNαタンパク質サブタイプの異常な発現に付随する疾患又は症状を治療するための医薬組成物であって、請求項２、３、５、６、７、８、９又は１０に記載の抗体を含む、前記医薬組成物。
【請求項１５】
前記疾患又は症状が、全身性紅斑性狼瘡（SLE）、対宿主性移植片病（GVHD）、1型糖尿病、エイズ、狼瘡、乾癬、及び自己免疫甲状腺炎から成る群から選択される、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記疾患がSLEである、請求項１５に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記疾患が乾癬である、請求項１５に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
ATCCアクセッション番号PTA-6557を有するハイブリドーマに由来する抗体。
【請求項１９】
請求項１８に記載の抗体に由来するヒト化抗体。
【請求項２０】
前記生物活性がMxAプロモーターの活性化であり、かつ、RGmaxのIFN量及び2μg/mLの抗体を用いて測定される、請求項５に記載の抗体。
【請求項２１】
IgG4アイソタイプ抗体である、請求項２、３、５、６、７、８、９又は１０のいずれかに記載の抗体。
【請求項２２】
前記疾患がエイズである、請求項１５に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月20日(2015.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
沈砂池の集砂ピットに溜まった沈砂を沈砂分離装置へ揚砂する揚砂設備であって、
本体部に加圧水を通じることにより前記集砂ピットに溜まった前記沈砂を吸込管を通して吸い込み前記加圧水と共に前記沈砂分離装置へ揚砂管を通して揚砂するジェットポンプと、
前記揚砂管から分岐し、砂没発生時に、前記吸込管に吸い込まれた前記沈砂を前記加圧水と共に前記沈砂池に戻す砂没時機能回復管と、を備え、
前記砂没時機能回復管の揚程は、前記揚砂管の揚程よりも低い、揚砂設備。
【請求項２】
前記砂没時機能回復管の直径は、前記吸込管の直径以上である、請求項１記載の揚砂設備。
【請求項３】
前記吸込管に吸い込まれた前記沈砂が流れる管を前記揚砂管と前記砂没時機能回復管との間で選択的に切り替える切替え手段と、
前記沈砂分離装置の状態に基づいて前記切替え手段を制御する制御部と、を備える、請求項１または２記載の揚砂設備。
【請求項４】
請求項３記載の揚砂設備の運転方法であって、
通常時は、前記切替え手段を操作することにより、前記吸込管に吸い込まれた前記沈砂が前記揚砂管に流れるように、且つ前記砂没時機能回復管に流れないように運転し、
前記沈砂分離装置の状態が正常でない場合は、前記吸込管に吸い込まれた前記沈砂が前記砂没時機能回復管に流れるように、且つ前記揚砂管に流れないように前記切替え手段を操作する、揚砂設備の運転方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、沈砂池の集砂ピットに溜まった沈砂を沈砂分離装置へ揚砂する揚砂設備であって、本体部に加圧水を通じることにより集砂ピットに溜まった沈砂を吸込管を通して吸い込み加圧水と共に沈砂分離装置へ揚砂管を通して揚砂するジェットポンプと、揚砂管から分岐し、砂没発生時に、吸込管に吸い込まれた沈砂を加圧水と共に沈砂池に戻す砂没時機能回復管と、を備え、砂没時機能回復管の揚程は、揚砂管の揚程よりも低い、揚砂設備を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この揚砂設備では、揚砂管により通常の揚砂を行い、集砂ピットに溜まった沈砂を沈砂池の外に排出する。ジェットポンプが閉塞状態となった場合には逆洗処理を行うのが一般的であるが、逆洗処理では閉塞状態の解消が不十分な場合がある。本発明の揚砂設備では、沈砂を加圧水と共に沈砂池に戻すことができる。このように砂没時機能回復管により揚砂を行うと、その揚程が低い分、揚砂管による通常の揚砂時よりも強い力で揚砂を行うことができるため、逆洗処理では解消できないような閉塞状態を解消することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ここで、上記揚砂設備の砂没時機能回復管の直径は、吸込管の直径以上であることが好ましい。これによれば、吸込管に吸い込まれた沈砂により目詰まりを起こす虞が小さいため、比較的大きな沈砂が集砂ピットに多く溜まっている場合であっても、砂没時機能回復管の目詰まりを考慮することなく、ジェットポンプの閉塞状態を解消することができる。さらに、上記揚砂設備は、吸込管に吸い込まれた沈砂が流れる管を揚砂管と砂没時機能回復管との間で選択的に切り替える切替え手段と、沈砂分離装置の状態に基づいて切替え手段を制御する制御部を備えることが好ましい。これによれば、切替え手段を操作することで、吸込管により吸い込まれた沈砂が流れる管を、揚砂管よりも揚程の低い砂没時機能回復管に切り替えて揚砂を行い、沈砂分離装置の状態に基づいてジェットポンプの閉塞の有無を認識して、吸込管に吸い込まれた沈砂が流れる管を揚砂管と砂没時機能回復管との間で選択的に切り替えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービンロータに適用される第１のディスク及び第２のディスクのうち少なくとも一方に凹溝を形成する溝形成ステップであって、前記第１のディスク及び前記第２のディスクの各々は、動翼を支持可能な本体及び前記本体から軸線方向に突出する環状部を有し、前記第１のディスク及び前記第２のディスクの環状部は前記軸線方向にて先端に継手面を有し、前記継手面は相互に当接可能な突合せ面及び前記突合せ面よりも径方向外側に外周溝を形成可能な開先部を有し、前記凹溝は、前記第１のディスク及び前記第２のディスクのうち一方又は両方の環状部の先端側且つ内周側に、前記環状部の周方向に沿って延びるよう形成される、溝形成ステップと、
前記外周溝を通じて前記突合せ面同士を初層溶接し、溶込み部を形成する初層溶接ステップと、
前記初層溶接ステップの後、前記環状部の径方向にて外側から前記溶込み部に対しＸ線を照射し、前記溶込み部を透過したＸ線によって感光用フィルムに像を形成させる撮像ステップと、
前記撮像ステップで得られた像に基づいて、前記溶込み部における溶け込み不足の有無を判定する判定ステップと、
前記判定ステップで溶け込み不足が無いと判定されたときに、前記溶込み部の周囲にて前記開先部同士を溶接する２次溶接ステップと、
前記判定ステップで溶け込み不足が有ると判定されたとき、前記溶込み部を修復する修復ステップと
を備えることを特徴とするタービンロータの製造方法。
【請求項２】
前記第１のディスクの環状部に、前記突合せ面に段差を形成するよう前記軸線方向に突出する第１の凸部を形成するとともに、前記第２のディスクの環状部に、前記突合せ面に段差を形成するよう前記軸線方向に突出し且つ前記第１の凸部よりも小径の第２の凸部を形成する凸部形成ステップと、
前記初層溶接ステップの前に、前記第１の凸部及び前記第２の凸部を同心上に相互に嵌合させる突合せステップと
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のタービンロータの製造方法。
【請求項３】
前記凹溝は、前記第２のディスクの環状部にのみ形成され、前記第２の凸部の径方向内側に位置している
ことを特徴とする請求項２に記載のタービンロータの製造方法。
【請求項４】
前記凹溝の断面積は、前記初層溶接ステップが失敗したとき、前記判定ステップで前記凹溝の存在を確認可能な大きさであって、且つ、前記初層溶接ステップが成功したときに、前記初層溶接により埋めることが可能な大きさに設定されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のタービンロータの製造方法。
【請求項５】
タービンロータに適用される第１のディスク及び第２のディスクを準備する工程であって、前記第１のディスク及び前記第２のディスクの各々は、動翼を支持可能な本体及び前記本体から軸線方向に突出する環状部を有し、前記第１のディスク及び前記第２のディスクの環状部は前記軸線方向にて先端に継手面を有し、前記継手面は相互に当接可能な突合せ面及び前記突合せ面よりも径方向外側に外周溝を形成可能な開先部を有し、前記第１のディスク及び前記第２のディスクのうち一方又は両方の環状部の先端側且つ内周側に、前記環状部の周方向に沿って延びる凹溝が形成されている、準備ステップと、
前記外周溝を通じて前記突合せ面同士を初層溶接し、溶込み部を形成する初層溶接ステップと、
前記初層溶接ステップの後、前記環状部の径方向にて外側から前記溶込み部に対しＸ線を照射し、前記溶込み部を透過したＸ線によって感光用フィルムに像を形成させる撮像ステップと、
前記撮像ステップで得られた像に基づいて、前記溶込み部における溶込み不足の有無を判定する判定ステップと、
前記判定ステップで溶け込み不足が無いと判定されたときに、前記溶込み部の周囲にて前記開先部同士を溶接する２次溶接ステップと、
前記判定ステップで溶け込み不足が有ると判定されたとき、前記溶込み部を修復する修復ステップと
を備えることを特徴とするタービンロータの製造方法。
【請求項６】
前記第１のディスクの環状部に、前記突合せ面に段差を形成するよう前記軸線方向に突出する第１の凸部を形成するとともに、前記第２のディスクの環状部に、前記突合せ面に段差を形成するよう前記軸線方向に突出し且つ前記第１の凸部よりも小径の第２の凸部を形成する凸部形成ステップと、
前記初層溶接ステップの前に、前記第１の凸部及び前記第２の凸部を同心上に相互に嵌合させる突合せステップと
を更に備えることを特徴とする請求項５に記載のタービンロータの製造方法
【請求項７】
前記凹溝は、前記第２のディスクの環状部にのみ形成され、前記第２の凸部の径方向内側に位置している
ことを特徴とする請求項６に記載のタービンロータの製造方法。
【請求項８】
前記凹溝の断面積は、前記初層溶接ステップが失敗したとき、前記判定ステップで前記凹溝の存在を確認可能な大きさであって、且つ、前記初層溶接ステップが成功したときに、前記初層溶接により埋めることが可能な大きさに設定されることを特徴とする請求項５乃至７の何れか一項に記載のタービンロータの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タービンロータの製造方法