(57)【要約】  絶縁基板を使用することなく、コイル部品を作製する。転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、反転コイル素子パターンが食刻された転写金型を準備するステップと、転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、絶縁膜上の反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、レジスト膜をマスクとして絶縁膜をエッチング除去するステップと、レジスト膜を除去した後、反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、中心導体膜を転写金型から剥離するステップと、中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、中心導体膜と表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有する。
2014068611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、
反転コイル素子パターンが食刻された転写金型を準備するステップと、
前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、
前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、
反転コイル素子パターンが食刻された転写金型を準備するステップと、
前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記絶縁膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記絶縁膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、
前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、
前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項３】
転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、
反転コイル素子パターンが食刻された転写金型を準備するステップと、
前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記転写金型内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、
前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項４】
転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、
反転コイル素子パターンが食刻された金属製の転写金型を準備するステップと、
前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域に、レジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記レジスト膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、
前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
前記絶縁膜上にわずかに突出した前記中心導体膜の端部を電解逆めっき処理により除去することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項３に記載の方法において、
前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、
前記絶縁膜上に離形剤膜を形成し、
露出した前記中心導体膜表面と前記離形剤膜とを覆うように接着剤膜を被着し、前記接着剤膜と共に前記中心導体膜を前記転写金型から剥離した後、
前記接着剤膜を除去することにより行なわれることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項３に記載の方法において、
前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、
露出した前記中心導体膜表面と前記絶縁膜とを覆うように金属膜を被着し、前記金属膜と共に前記中心導体膜を前記転写金型から剥離した後、前記金属膜を除去することにより行なわれることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法において、
前記離形剤膜がシリコーン又はテフロンであることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法において、
前記接着剤膜がアクリルであり、前記接着剤膜の除去がＭＥＫ、又はアセトンにより行なわれることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法において、
前記金属膜がＳｎ，Ｎｉ，Ａｇ又はＡｌのいずれかであることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記転写金型は、マスタ金型からマザー金型を経て転写により作製されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記転写金型は前記反転コイル素子パターンの形成されている表面部が金属製であることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、
前記表面部はＮｉで、前記剥離膜がＮｉＯであることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法において、
前記表面部はＮｉで、前記剥離膜がＰＶＡ、ＰＥＴ、又はＰＭＭＡのいずれかであることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記絶縁膜がＳｉＯ２、ＳＯＧ又は樹脂であることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記絶縁膜をＣＶＤ又はスパッタにより形成することを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１、２又は４のいずれかに記載の方法において、
前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、ＵＶシート、熱剥離シート、バキュームチャック又は静電チャックのいずれかを用いて行なわれることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記レジスト膜は、フォトレジスト膜、熱レジスト膜又はグラビアインキ膜のいずれかであることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記第１の電気めっき及び第２の電気めっきは銅めっきであることを特徴とする方法。
【請求項２０】
転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法であって、
それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、
前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離するステップと、
前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２１】
転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法であって、
それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、
前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記絶縁膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記絶縁膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、
前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離するステップと、
前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２２】
転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法であって、
それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、
前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記転写金型内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離するステップと、
前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２３】
転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法であって、
それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、
前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記レジスト膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離するステップと、
前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２０乃至２３のいずれかに記載の方法において、
前記第１及び第２の電気めっきが銅めっきであり、第３の電気めっきが錫めっきであることを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２０乃至２３のいずれかに記載の方法において、
前記複数の転写金型は行列状に配列されていることを特徴とする方法。
【請求項２６】
コイル素子集合体を用いてコイル部品を製造する方法であって、
請求項２０乃至２５のいずれかの方法で製造された複数枚のコイル素子集合体を準備するステップと、
前記複数枚のコイル素子集合体中の対応する前記コイル素子同士が整合するように前記複数枚のコイル素子集合体を積層し、加熱及び／又は加圧して互いに接合し、各層のコイル素子同士を接続してコイルを形成するステップと、
いずれか一方に前記コイルの中心部を貫通する突起部を有する上部コアと下部コアとを用いて電極引出し部を露出させて、前記コイルを密閉するステップと、
前記上部コアと下部コアとの隙間から絶縁物質を充填し、前記コイルを固定するステップと、
前記積層されたコイル素子集合体を前記コイル単位で切断し、前記電極引出し部に外部電極を取付けてコイル部品を形成するステップと、を有することを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法において、
前記複数枚のコイル素子集合体中の対応するコイル素子同士が、互いに異なるコイルパターンを含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は転写金型を用いたコイル部品の製造方法に係り、より詳細には転写金型を用いたコイル素子、転写金型基板を用いたコイル素子集合体、及びコイル素子集合体を用いたコイル部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のスマートフォンやタブレット端末などのモバイル機器の多機能化に伴い、小型で高い定格電流を扱うことの出来るコイル部品（インダクタ）の必要性が高まっている。このようなコイル部品の製造方法として、特許文献１には、絶縁基板上に下地導電層を形成し、その下地導電層の表面に螺旋状にレジストパターンを形成し、下地導電層を下地として第１の電気めっきを行うことにより、断面がほぼ矩形の中心導体を形成し、レジストパターンを剥離した後、前記中心導体を下地として第２の電気めっきを行って前記中心導体を太らせて平面コイルを作製することが記載されている。【０００３】
また、コイルパターン幅が細く、かつ厚さの大きい、いわゆるハイアスペクトの導体パターンを持ったコイル部品の必要性も高い。このようなコイル部品の製造方法として、特許文献２には、ポジ型フォトレジストを用いて、めっき処理後に活性線照射により導体パターン間のフォトレジストを追加的に除去し、かつ、めっきにより形成されたコイル導体の上に施した保護薄膜層を保ったままコイル導体間のめっき下地薄膜層を選択的に除去することにより、細幅で、厚さの大きい複数のハイアスペクト導体パターンを狭い間隔で並列的に設ける技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２６７１６６号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４３６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来技術によるコイル部品の製造方法では、コイル部品はいずれも絶縁基板上に形成され、コイル部品の形成後に、この絶縁基板を取り除くことができなかった。したがって、コイル部品形成後に磁性コア材をコイル中心部に挿入して高インダクタンス化を図ろうとする場合、絶縁基板に開口を設けるか、絶縁基板の一方の面からのみコア材を挿入するしかなかった。
本発明の発明者等は鋭意研究を重ねた結果、転写金型を用いることにより、絶縁基板を使用することなく、コイル部品を作製することができる知見を得、本発明を完成させた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、以下の本発明によって達成することができる。本発明の第１の手段は、転写金型を用いてコイル素子を製造する方法に係り、反転コイル素子パターンが食刻された転写金型を準備するステップと、前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする。【０００７】
本発明の第２の手段は、転写金型を用いてコイル素子を製造する方法に係り、反転コイル素子パターンが食刻された転写金型を準備するステップと、前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記絶縁膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記絶縁膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする。【０００８】
本発明の第３の手段は、転写金型を用いてコイル素子を製造する方法に係り、反転コイル素子パターンが食刻された転写金型を準備するステップと、前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記転写金型内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする。【０００９】
本発明の第４の手段は、転写金型を用いてコイル素子を製造する方法に係り、反転コイル素子パターンが食刻された金属製の転写金型を準備するステップと、前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域に、レジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記レジスト膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする。【００１０】
第１の手段において、前記絶縁膜上にわずかに突出した前記中心導体膜の端部を電解逆めっき処理により除去することを特徴とする。
また、第３の手段においては、前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、前記絶縁膜上に離形剤膜を形成し、露出した前記中心導体膜表面と前記離形剤膜とを覆うように接着剤膜を被着し、前記接着剤膜と共に前記中心導体膜を前記転写金型から剥離した後、前記接着剤膜を除去することにより行なわれることを特徴とする。【００１１】
第３の手段において、前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、露出した前記中心導体膜表面と前記絶縁膜とを覆うように金属膜を被着し、前記金属膜と共に前記中心導体膜を前記転写金型から剥離した後、前記金属膜を除去することにより行なわれることを特徴とする。
さらに、第３の手段において、前記離形剤膜がシリコーン又はテフロン（登録商標）であり、前記接着剤膜がアクリルであり、前記接着剤膜の除去がＭＥＫ、又はアセトンにより行なわれ、前記金属膜がＳｎ，Ｎｉ，Ａｇ又はＡｌのいずれかであることを特徴とする。【００１２】
第１乃至４のいずれかの手段において、前記転写金型は、マスタ金型からマザー金型を経て転写により作製され、前記転写金型は前記反転コイル素子パターンの形成されている表面部が金属製であり、前記表面部はＮｉで、前記剥離膜がＮｉＯであることを特徴とする。
また、第１乃至４のいずれかの手段において、前記表面部はＮｉで、前記剥離膜がＰＶＡ、ＰＥＴ、又はＰＭＭＡのいずれかであり、前記絶縁膜がＳｉＯ２、ＳＯＧ又は樹脂であり、前記絶縁膜をＣＶＤ又はスパッタにより形成することを特徴とする。【００１３】
第１、２又は４のいずれかの手段において、前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、ＵＶシート、熱剥離シート、バキュームチャック又は静電チャックのいずれかを用いて行なわれることを特徴とする。
また、第１乃至４のいずれかの手段において、前記レジスト膜は、フォトレジスト膜、熱レジスト膜又はグラビアインキ膜のいずれかであり、前記第１の電気めっき及び第２の電気めっきは銅めっきであることを特徴とする。【００１４】
本発明の第５の手段は、転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法に係り、それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離するステップと、前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする。【００１５】
本発明の第６の手段は、転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法に係り、それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記絶縁膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記絶縁膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離するステップと、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離するステップと、前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする。【００１６】
本発明の第７の手段は、転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法に係り、それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記転写金型内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離するステップと、前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする。【００１７】
本発明の第８の手段は、転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法に係り、それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記レジスト膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離するステップと、前記中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする。【００１８】
第５乃至８のいずれかの手段において、前記第１及び第２の電気めっきが銅めっきであり、第３の電気めっきが錫めっきであり、前記複数の転写金型は行列状に配列されていることを特徴とする。【００１９】
本発明の第９の手段は、コイル素子集合体を用いてコイル部品を製造する方法に係り、第５乃至８のいずれかの手段で、製造された複数枚のコイル素子集合体を準備するステップと、前記複数枚のコイル素子集合体中の対応する前記コイル素子同士が整合するように前記複数枚のコイル素子集合体を積層し、加熱及び／又は加圧して互いに接合し、各層のコイル素子同士を接続してコイルを形成するステップと、いずれか一方に前記コイルの中心部を貫通する突起部を有する上部コアと下部コアとを用いて電極引出し部を露出させて、前記コイルを密閉するステップと、前記上部コアと下部コアとの隙間から絶縁物質を充填し、前記コイルを固定するステップと、前記積層されたコイル素子集合体を前記コイル単位で切断し、前記電極引出し部に外部電極を取付けてコイル部品を形成するステップと、を有することを特徴とする。【００２０】
第９の手段において、前記複数枚のコイル素子集合体中の対応するコイル素子同士が、互いに異なるコイルパターンを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、転写金型を用いてコイル素子やコイル素子集合体が作製された後に、転写金型から剥離されるため、コイル素子やコイル集合体を支持するための絶縁基板を必要としない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】コイル素子をめっきで作製するための導電化処理（前処理）工程を示す図。
【図２】前処理済み金型を用いて中心導体膜を作製する工程を示す図（その１）。
【図３】前処理済み金型を用いて中心導体膜を作製する工程を示す図（その２）。
【図４】前処理済み金型を用いて中心導体膜を作製する工程を示す図（その３）。
【図５】前処理済み金型を用いて中心導体膜を作製する工程を示す図（その４）。
【図６】作製された中心導体膜の断面形状を示す図。
【図７】第１の電気めっきで作製された中心導体膜の断面形状を示す図。
【図８】第２の電気めっきで作製された表面導体膜で被覆された中心導体膜の断面形状を示す図。
【図９】第２の電気めっき後の導体膜の断面形状を示す図。
【図１０】第３の電気めっき後の導体膜の断面形状を示す図。
【図１１】転写金型基板を用いて作製されたコイル素子集合体の平面図。
【図１２】複数枚のコイル素子集合体を積層した状態を示す図。
【図１３】複数枚のコイル素子集合体を積層し、各層のコイル素子同士を接続してコイルを形成する説明図。
【図１４】上部コアと下部コアとを用いてコイルを密閉した状態を示す図。
【図１５】コイル内に絶縁物質を充填した状態を示す図。
【図１６】積層されたコイル素子集合体を、コイル単位で切断するダイシングを示す図。
【図１７】電極引出し部に外部電極を取り付けコイル部品を形成する工程を示す図。
【図１８】転写金型基板の一例を示す図。
【図１９】マスタ金型の作製工程を示す図。
【図２０】マスタ金型からマザー金型を経て転写により、サン金型を複製する工程を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付図面に従って、本発明を詳細に説明する。
図１８は本発明に用いられる転写金型基板の一例を示す図である。
転写金型基板１００は、（Ａ）に示すように複数の転写金型１００ｍ，ｎ（ｍ，ｎ＝１，２，…）を備えており、これらの転写金型１００ｍ，ｎは通常、行列状に配列されている。そして、これらの転写金型１００ｍ，ｎには（Ｂ）に示すような種々の形状のコイル素子パターン１００ａ、１００ｂが食刻されて形成されている。コイル素子パターン１００ａ、１００ｂの形状は直線や曲線を組み合わせて構成することができ、また部分的に線幅を変えたりして、任意の形状に設計することができる。
【００２４】
これらのコイル素子パターン１００ａ、１００ｂは、フォトマスクを用いて、周知のフォトリソグラフィ技術により転写金型基板１００上に反転コイル素子パターンとして食刻される。（Ｃ）は反転コイル素子パターンが食刻された転写金型基板の一部を示す模式図である。このように転写金型基板には、複数の転写金型が備えられているが、以下では説明の便宜上、一個の転写金型に着眼して、その作製方法を説明する。  一般に、実際の素子の作製に使用される転写金型はワーキング金型あるいはサン金型と呼ばれるものであるが、これらのワーキング金型や、サン金型は、マスタ金型から転写によって作製される。
図１９はマスタ金型の作製工程を示す図である。
【００２５】
まず、（Ａ）に示すようにＳｉ（シリコン）やＮｉ（ニッケル）などを基材とするマスタ基板２００を準備する。そして、（Ｂ）に示すようにその表面に液レジストや、ドライフィルムレジストなどの感光性のレジスト２０２を塗布する。
なお、液体タイプのレジストの場合、レジスト２０２の塗布前に密着剤を下塗りするとレジスト２０２の密着性が向上する。次いで（Ｃ）に示すように、素子パターンの形成されたフォトマスク２０４を介してＵＶ露光を行うことにより素子パターンをレジスト２０２に焼付ける。そして、レジスト２０２を現像することにより、（Ｄ）に示すように素子パターンが形成される。
【００２６】
次いで、周知のエッチング技術を用いてマスタ基板２００を選択エッチングし、その後、レジスト２０２を除去することにより、（Ｅ）に示すように反転素子パターン２０６が食刻されたマスタ金型が完成する。
なお、図１９の（Ｅ）において、パターンの側壁が傾斜して示されているが、エッチングにドライプロセスを使用すれば、側壁はほぼ重直な形状とすることができる。
ここで、作製されたマスタ金型は高価なものなので、元金型として残し、このマスタ金型からめっき技術を用いて転写、複製によりマザー金型、サン金型を作製する。
マザー金型やサン金型は通常数十枚の複製が可能である。
【００２７】
図２０は、マスタ金型からマザー金型を経て転写によりサン金型を複製する工程を示す図である。
まず（Ａ）に示すようにマスタ金型３００を準備する。次いで、（Ｂ）に示すようにめっき技術を用いてマスタ金型３００にＮｉなどの金属を所望の厚さに電着させ、これをマスタ金型３００から剥離してマザー金型３０２を作製する。マスタ金型３００とマザー金型３０２とはパターン形状が反転している。さらに（Ｃ）に示すように、マザー金型３０２にＮｉなどの金属を電着させ、その後、これをマザー金型３０２から剥離して（Ｄ）に示すように、サン金型３０４を作製する。マザー金型３０２とサン金型３０４とはパターン形状が反転するため、サン金型３０４のパターン形状はマスタ金型３００のパターン形状と同一となる。
以下、このサン金型３０４を転写金型として用いてコイル素子を製造することになる。
【００２８】
本発明では、転写金型を用いて電気めっきによりコイル素子を製造するが、電気めっきを行うために転写金型に導電化処理を行う必要がある。ここでは、転写金型への導電化処理を前処理と呼ぶこととするが、図１は前処理工程を示す図である。
【００２９】
まず、図２０（Ｄ）で複製されたサン金型３０４を転写金型４００として（Ａ）に示すように準備する。
この転写金型４００には、その表面部に反転コイル素子パターン４０２が食刻されて形成されている。転写金型４００は全体が金属製であっても良いが、その表面部だけが金属製で、基体部が非金属性の材料であっても良い。次に（Ｂ）に示すように、転写金型４００の表面に剥離膜４０４を形成する。これは後に、反転コイル素子パターン４０２にめっきにより電着された金属の剥離を容易にするためである。剥離膜４０４としては、通常、転写金型４００の材料としてＮｉ（ニッケル）を使用する場合、酸化ニッケル（ＮｉＯ）が使用される。
ＮｉＯはＮｉを熱酸化することにより容易に形成することができ、また導電性を有しているため、電気めっき時に転写金型４００の表面にそのまま残しておくことができるからである。
【００３０】
また、剥離膜４０４として、ＰＶＡ（ポリビニールアルコール）、ＰＥＴ、ＰＭＭＡ（アクリル）などの熱により軟化、もしくは溶融する材料からなる非導電性の材料膜を使用することができる。
この場合には、後続のめっき工程による導電膜の電着に備えて、この非導電性膜の材料層上に銅などで金属薄膜を形成しておく必要がある。
【００３１】
次に（Ｃ）に示すように、剥離膜４０４の表面に絶縁膜４０６を重畳して形成する。絶縁膜４０４としては、ＳｉＯ２、ＳＯＧ又は樹脂などが使用される。
この絶縁膜４０４の成膜には、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）やスパッタを用いることができる。絶縁膜４０４は後続の工程で反転コイル素子パターンの形成されていない領域４０８だけに残して導電性を無くし、この領域４０８にめっきが電着されないようにするために用いられる。
【００３２】
次に（Ｄ）に示すように、絶縁膜４０６上の反転コイル素子パターンの形成されていない領域４０８にレジスト膜４１０を形成する。レジスト膜４１０としては、フォトレジスト膜、熱レジスト膜又はグラビアインキ膜などが使用できる。
レジスト膜４１０の形成に当たっては、ロールコートを用いて塗布することにより、領域４０８上のみに塗布することができる。また、領域４０８のみにレジスト膜４１０を塗布することが困難な場合、全面に塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いてエッチングし、領域４０８のみにレジスト膜４１０を残すようにしても良い。
【００３３】
次に（Ｅ）に示すように、レジスト膜４１０をマスクとして、露出した絶縁膜４０６をエッチング除去する。
これにより、反転コイル素子パターン４０２が形成されている領域のみが導電性を有しているようになるため後続のめっき工程により、導電膜が電着される。
その後、（Ｆ）に示すようにレジスト膜４１０を除去する。以上で、前処理工程を終了する。
【００３４】
次に、図２を参照して、前処理済み転写金型を用いてコイル素子の中心導体膜を作製する工程を説明する。
まず、（Ａ）に示すように、前処理済みの転写金型１０００（４００）を準備する。
そして、（Ｂ）に示すように、第１の電気めっき（電解めっき）により反転コイル素子パターン４０２の形成されている領域を埋め尽くし、絶縁膜４０６上にわずかに突出するように中心導体膜４１２を電着する。通常、この第１の電気めっきは銅めっきであるが、他の金属材料をめっきしても良い。
ここで、中心導体膜４１２を絶縁膜４０６上にわずかに突出させるのは、後続の工程で、粘着シートなどを中心導体膜４１２に貼り付けるのを容易にするためである。また、中心導体膜４１２を絶縁膜４０６上にわずかに突出させると、中心導体膜４１２の端部４１３がわずかに絶縁膜４０６上に乗り掛かるように張り出す。
【００３５】
次いで、（Ｃ）に示すように中心導体膜４１２の全面に粘着シート４１４を貼り付け、引きはがすことにより、中心導体膜４１２が粘着シート４１４に接着された状態で転写金型１０００から剥離される。なお、複数の転写金型を備えた転写金型基板から中心導体膜４１２を剥離させる場合には、中心導体膜４１２は複数の転写金型から一体として剥離される。中心導体膜４１２の転写金型１０００からの剥離に、粘着シート４１４に替えて、ＵＶシート、熱剥離シートも使用することができ、また剥離用シートを使用せず、バキュームチャックや静電チャックを用いて行うこともできる。
【００３６】
なお、剥離膜４０４として前述の非導電性の材料膜を使用した場合には、転写金型１０００からの引きはがし前に加熱することにより、上記材料層が軟化もしくは溶融するため、中心導体膜４１２と転写金型１０００との密着性が緩和され剥離が容易となる。
【００３７】
その後、（Ｄ）に示すように、粘着シート４１４を加熱などにより取り外す。
なお、中心導体膜４１２の形成に際して、絶縁膜４０６上への突出を無くし、矩形状の中心導体膜とし、これを転写金型４００から剥離するためには、以下のような種々の方法がある。
【００３８】
第１の方法を図３に示す。
まず、（Ａ）に示すように、前処理済みの転写金型１０００（４００）を準備する。
そして（Ｂ）に示すように、第１の電気めっきにより反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、絶縁膜４０６内に留まるように中心導体膜４１２ａを電着する。
このようにすると、中心導体膜４１２ａは絶縁膜４０６内に留まって上部に突出することがないため、中心導体膜４１２ａの形状は上面が平坦な矩形状となる。
【００３９】
次いで、（Ｃ）に示すように絶縁膜４０６をエッチングなどの方法で除去する。
すると、中心導体膜４１２ａは、上面が剥離膜４０４の上面よりわずかに上方に突出した状態となる。そこで、中心導体膜４１２ａの上面に粘着シート４１４を貼り付け引きはがす。その後、（Ｄ）に示すように粘着シート４１４を取り外す。
【００４０】
第２の方法を図４に示す。
第１の方法と同様に、（Ａ）に示すように前処理済みの転写金型１０００（４００）を準備する。そして、（Ｂ）に示すように第１の電気めっきにより反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、転写金型４００内に留まるように中心導体膜４１２ｂを電着する。このようにすると、中心導体膜４１２ｂは転写金型４００内に留まって上部に突出することがないため、中心導体膜４１２ｂの形状は上面が平坦な矩形状となる。
この点では第１の方法の場合と同様であるが、第１の方法に比較してコイル素子のアスペクト比が若干小さくなる。
【００４１】
次いで、（Ｃ）に示すように、絶縁膜４０６上にシリコーンやテフロンなどの離形剤をコーティングし、離形剤膜４２０を形成する。この離形剤膜４２０は、後続の工程で上面に形成される接着剤膜が絶縁膜４０６と強固に接着されて、剥離出来なくなるのを防止するためである。
次いで、（Ｄ）に示すように、露出した中心導体膜４１２ｂの表面と離形剤膜４２０とを覆うようにアクリルなどの接着剤を被着させ、接着剤膜４２２を形成する。これにより、中心導体膜４１２ｂは接着剤膜４２２と強固に接着される。
この状態で、（Ｅ）に示すように、接着剤膜４２２と共に中心導体膜４１２ｂを転写金型４００から剥離する。その後、（Ｆ）に示すように、接着剤膜４２２をＭＥＫやアセトンなどの有機溶剤によって溶解させて除去する。
【００４２】
第３の方法を図５に示す。
（Ａ）、（Ｂ）に示すように、中心導体膜４１２ｂを転写金型４００内に留まるように電着する工程までは、図４（Ａ）、（Ｂ）に示す第２の方法と同一である。
その後、図５（Ｃ）に示すように、露出した中心導体膜４１２ｂの表面と絶縁膜４０６とを覆うように金属膜４３０を被着する。金属膜４３０の被着は、めっき又はスパッタなどの方法で行うことができる。
被着する金属膜４３０としては、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｌなどの金属が使用できる。好ましくは、中心導体膜４１２ｂとの密着性が良く、かつ、中心導体膜４１２ｂの金属との間で選択エッチング可能な金属が良い。
【００４３】
次いで、（Ｄ）に示すように、金属膜４３０と共に中心導体膜４１２ｂを転写金型４００から剥離する。その後、（Ｅ）に示すように、金属膜４３０を選択エッチングにより除去する。
第４の方法は特に図示しないが、図１に示す前処理工程で、（Ｅ）に示すようにエッチングで絶縁膜４０６を除去した後、レジスト膜４１０を着けたままで、図２の（Ｂ）に示す第１の電気めっきを行い、その後、レジスト膜４１０を除去すればよい。この方法によれば、コイル素子のアスペクト比が高くなる。
【００４４】
図６は、図２の工程を経て作製された中心導体膜４１２の断面形状を示す図である。本実施例の場合、（Ａ）に示すように中心導体膜４１２の高さ（Ｈ）は１５０μｍ、幅（Ｗ）は５０μｍ、中心導体膜４１２間の間隔は５０μｍである。また、絶縁膜４０６上への突出は２μｍ、左右への張り出しは１．５μｍであった。
【００４５】
この中心導体膜４１２の端部４１３の張り出しは後続の工程での表面導体膜の均一形成に障害となるため、電解逆めっき処理により、除去する。
なお、電解逆めっき処理とは、電界方向を逆にし、めっきされた金属を逆エッチングして取り除く処理をいう。ここで端部４１３には、他の部分に比較して電界が集中するため、エッチング速度が上がり、選択的にエッチングが行なわれる。
その結果（Ｂ）に示すように、均一な形状の中心導体膜４１２が形成される。
【００４６】
本発明では、次に中心導体膜４１２を均一に太らせて導体間の間隔を狭小化する。図７は、第１のめっき処理によって作製された中心導体膜４１２の断面形状を示したものである。この実施例では、高さ（Ｈ）は１５０μｍ、幅（Ｗ）は５０μｍ、導体間隔は５０μｍである。
このような中心導体膜４１２を下地として第２の電気めっきにより、この中心導体膜４１２を均一に被覆するように表面導体膜４１６を形成する。これは太らせめっきと呼ばれるもので、この太らせめっきも本実施例の場合、第１の電気めっきと同様に銅めっきである。
【００４７】
図８は、第２の電気めっき（太らせめっき）で作製された表面導体膜４１６で被覆された、中心導体膜４１２の断面形状を示した図である。
中心導体膜４１２の周囲に、全体的に２１μｍの厚さに第２の電気めっき処理を施すと、導体膜の高さ（Ｈ）は１９２μｍ、幅（Ｗ）９２μｍ、導体間隔は８μｍとなり、ハイアスペクトで高定格電流を扱うことのできるコイル素子が形成される。
【００４８】
以上の説明では、一個の転写金型に着眼して、一個のコイル素子を作製する場合を説明したが、複数のコイル素子を有するコイル素子集合体を一括して作製する場合には、それぞれに反転コイル素子パターンが食刻された複数の転写金型を備えた転写金型基板を用いて、同様に作製することができる。
次に、このように作製されたコイル素子集合体を用いてコイル部品を作製する方法について説明する。後述するように、コイル部品はコイル素子集合体を複数枚積層して作製される。
そこで、各層のコイル素子同士を接合して接続するために、予めコイル素子の周囲に接合膜を形成しておく必要がある。
【００４９】
そこで、図９に示す第２の電気めっき後の中心導体膜４１２と表面導体膜４１６からなる導体膜の周囲に図１０に示すように第３の電気めっきにより接合膜４１８を形成する。この接合膜４１８は通常錫めっきにより形成され、その膜厚は２μｍ程度とする。
なお、導体間隔がこの第３の電気めっきによって狭くなりすぎる恐れのある場合、第２のめっきでの表面導体膜４１６の厚さを少し減らすようにしても良い。
【００５０】
図１１は、転写金型基板を用いて作製されたコイル素子集合体２０００の平面図である。このコイル素子集合体２０００を作製するための転写金型基板も、この形状と同一の形状となっている。複数のコイル素子５００ｍ，ｎ（ｍ，ｎ＝１，２…）の導体パターンを補強するため、リブ５０２、ゲート５０４、ランナ５０６が設けられている。また、リブ５０２の４隅には孔５０８が設けられ、この孔５０８を貫通するピン５１０を用いて、複数枚のコイル素子集合体２０００各層に形成されたコイル素子５００ｍ，ｎの導体パターンの位置合わせを行う。
【００５１】
図１２に示すように複数枚のコイル素子集合体２０００−１、２０００−２、…２０００−Ｎを、ピン５１０を介して、各コイル素子集合体中の対応するコイル素子同士が整合するように積層し、加熱及び／又は加熱して互いに接合し、各層のコイル素子同士を接続してコイルを形成する。加熱及び／又は加熱することで、図７に示す結合膜４１８を構成する錫めっきが溶融し、はんだとして作用して各層のコイル素子同士が接合される。
【００５２】
図１３は、複数枚のコイル素子集合体を積層し、各層のコイル素子同士を接続してコイルを形成することを説明する図である。図１３に示す実施例では、６層のコイル素子集合体を積層して、各層中のコイル素子同士を接続して、１個のコイルを作製する場合を示している。複数枚のコイル素子集合体中の対応するコイル素子同士は互いに異なるコイルパターンを含むように構成することができる。
【００５３】
図１３に示す例では、第１層（Ｌａｙｅｒ １）、第３層（Ｌａｙｅｒ ３）、及び第６層（Ｌａｙｅｒ ６）はそれぞれ相異なるコイルパターンとなっており、第２層（Ｌａｙｅｒ ２）と第４層（Ｌａｙｅｒ ４）とは同一コイルパターン及び第３層（Ｌａｙｅｒ ３）と第５層（Ｌａｙｅｒ５）とはそれぞれ同一コイルパターンとなっている。（Ｂ）、（Ｃ）は、６層のコイル素子集合体を積層し、各層中の対応するコイル素子同士が整合するように接合し、コイル素子同士を接続して１個のコイルを形成した状態を示したものである。
【００５４】
なお、前述の説明におけるコイル素子の作製においては、コイル素子を構成する中心導体層の高さ（Ｈ）を揃えているようなイメージで説明をしたが、実際には図１３（Ａ）に示すように各層の接続部においては高さの異なるものを使用している。（Ａ）に示す例では、通常のコイル素子のパターンにおいては高さ（Ｈ）は１００μｍであるが、層間の接続部分においては、高さ（Ｈ）は１５０μｍとなっている。
このような高さ（Ｈ）の異なるコイルパターンの同一層中での作製は、転写金型に形成される食刻パターンの深さを接続部分において深くし、フィールドビア用の特殊な銅めっき液を用いることで、深くなった部分を、選択的に充填めっきを行ったり、マスクを２回用いて銅めっきを行ったりすることで実現できる。
【００５５】
以上のようにして、各層のコイル素子同士を接続してコイルを形成した後は、図１４に示すように、いずれか一方にコイルの中心部を貫通する突起部６０４を有する磁性体の上部コア６００と下部コア６０２とを用いて電極引出し部６０６を外部に露出させてコイルを密閉する。この際、上部コア６００と下部コア６０２とは図１１に示すパターン補強のためのゲート５０４をかわすように取り付ける。なお、上部コア６００と下部コア６０２とは後続のダイシング工程でダイシングライン６０８に沿って切断される。次いで、図１５に示すように上部コア６００と下部コア６０２との隙間（図示せず）から絶縁物質６１２を充填し、コイルを固定する。
【００５６】
次いで、図１６に示すように積層されたコイル素子集合体をコイル単位でカッター７００を用いて切断する。（Ａ）はコイル素子集合体を、（Ｂ）は１個のコイル部品を示すもので、電極引出し部６０６は、第１層（Ｌａｙｅｒ １）の一部として形成されている。
最後に、図１７に示すように、電極引出し部６０６にはんだディップ法などの方法により、外部電極６１０を取付け、その後のはんだ付けのための前処理としてはんだ上げを行い、コイル部品３０００を完成する。
【符号の説明】
【００５７】
２００：マスタ基板
２０２：レジスト
２０６：反転素子パターン
３００：マスタ金型
３０２：マザー金型
３０４：サン金型
４００：転写金型
４０２：反転コイル素子パターン
４０４：剥離膜
４０６：絶縁膜
４０８：反転コイル素子パターンの形成されていない領域
４１０：レジスト膜
４１２：中心導体膜
４１３：中心導体膜の端部
４１６：表面導体膜
４１８：接合膜
６００：上部コア
６０２：下部コア
６０４：突起部
６０６：電極引出し部
６０８：ダイシングライン
６１０：外部電極
１０００：前処理済みの転写管型
２０００：コイル素子集合体
３０００：コイル部品
【図１】
2014068611.tif 000003
【図２】
2014068611.tif 000004
【図３】
2014068611.tif 000005
【図４】
2014068611.tif 000006
【図５】
2014068611.tif 000007
【図６】
2014068611.tif 000008
【図７】
2014068611.tif 000009
【図８】
2014068611.tif 000010
【図９】
2014068611.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2014068611.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2014068611.tif 000015
【図１４】
2014068611.tif 000016
【図１５】
2014068611.tif 000017
【図１６】
2014068611.tif 000018
【図１７】
2014068611.tif 000019
【図１８】
2014068611.tif 000020
【図１９】
2014068611.tif 000021
【図２０】
2014068611.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面部が金属性の転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、
前記表面部に反転コイル素子パターンが食刻された前記転写金型を準備するステップと、
前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記中心導体膜を前記転写金型から剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、
前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも表面部が金属性の転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、
前記表面部に反転コイル素子パターンが食刻された前記転写金型を準備するステップと、
前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記絶縁膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記絶縁膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、
前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項３】
少なくとも表面部が金属性の転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、
前記表面部に反転コイル素子パターンが食刻された前記転写金型を準備するステップと、
前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記転写金型内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記中心導体膜を前記転写金型から剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、
前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項４】
少なくとも表面部が金属性の転写金型を用いてコイル素子を製造する方法であって、
前記表面部に反転コイル素子パターンが食刻された前記転写金型を準備するステップと、
前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域に、レジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記レジスト膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、
前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
前記絶縁膜上にわずかに突出した前記中心導体膜の端部を電解逆めっき処理により除去することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項３に記載の方法において、
前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、
前記絶縁膜上に離形剤膜を形成し、
露出した前記中心導体膜表面と前記離形剤膜とを覆うように接着剤膜を被着し、前記接着剤膜と共に前記中心導体膜を前記転写金型から剥離した後、
前記接着剤膜を除去することにより行なわれることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項３に記載の方法において、
前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、
露出した前記中心導体膜表面と前記絶縁膜とを覆うように金属膜を被着し、前記金属膜と共に前記中心導体膜を前記転写金型から剥離した後、前記金属膜を除去することにより行なわれることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法において、
前記離形剤膜がシリコーン又はテフロン（登録商標）であることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項６に記載の方法において、
前記接着剤膜がアクリルであり、前記接着剤膜の除去がＭＥＫ、又はアセトンにより行なわれることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の方法において、
前記金属膜がＳｎ，Ｎｉ，Ａｇ又はＡｌのいずれかであることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記転写金型は、マスタ金型からマザー金型を経て転写により作製されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記表面部はＮｉで、前記剥離膜がＮｉＯであることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記表面部はＮｉで、前記剥離膜がＰＶＡ、ＰＥＴ、又はＰＭＭＡのいずれかであることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記絶縁膜がＳｉＯ２、ＳＯＧ又は樹脂であることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記絶縁膜をＣＶＤ又はスパッタにより形成することを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１、２又は４のいずれかに記載の方法において、
前記中心導体膜の前記転写金型からの剥離は、ＵＶシート、熱剥離シート、バキュームチャック又は静電チャックのいずれかを用いて行なわれることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記レジスト膜は、フォトレジスト膜、熱レジスト膜又はグラビアインキ膜のいずれかであることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１乃至４のいずれかに記載の方法において、
前記第１の電気めっき及び第２の電気めっきは銅めっきであることを特徴とする方法。
【請求項１９】
転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法であって、
それぞれ表面部に反転コイル素子パターンが食刻された複数の少なくとも前記表面部が金属性の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、
前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、
前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２０】
転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法であって、
それぞれ表面部に反転コイル素子パターンが食刻された複数の少なくとも前記表面部が金属性の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、
前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記絶縁膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記絶縁膜を除去した後、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、
前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２１】
転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法であって、
それぞれ表面部に反転コイル素子パターンが食刻された複数の少なくとも前記表面部が金属性の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、
前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記転写金型内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、
前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２２】
転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法であって、
それぞれ表面部に反転コイル素子パターンが食刻された複数の少なくとも前記表面部が金属性の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、
前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、
前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、
前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、
前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記レジスト膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、
前記レジスト膜を除去した後、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、
前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１９乃至２２のいずれかに記載の方法において、
前記第１及び第２の電気めっきが銅めっきであり、第３の電気めっきが錫めっきであることを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項１９乃至２２のいずれかに記載の方法において、
前記複数の転写金型は行列状に配列されていることを特徴とする方法。
【請求項２５】
コイル素子集合体を用いてコイル部品を製造する方法であって、
請求項１９乃至２４のいずれかの方法で製造された複数枚のコイル素子集合体を準備するステップと、
前記複数枚のコイル素子集合体中の対応する前記コイル素子同士が整合するように前記複数枚のコイル素子集合体を積層し、加熱及び／又は加圧して互いに接合し、各層のコイル素子同士を接続してコイルを形成するステップと、
いずれか一方に前記コイルの中心部を貫通する突起部を有する上部コアと下部コアとを用いて電極引出し部を露出させて、前記コイルを密閉するステップと、
前記上部コアと下部コアとの隙間から絶縁物質を充填し、前記コイルを固定するステップと、
前記積層されたコイル素子集合体を前記コイル単位で切断し、前記電極引出し部に外部電極を取付けてコイル部品を形成するステップと、を有することを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法において、
前記複数枚のコイル素子集合体中の対応するコイル素子同士が、互いに異なるコイルパターンを含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題は、以下の本発明によって達成することができる。本発明の第１の手段は、少なくとも表面部が金属性の転写金型を用いてコイル素子を製造する方法に係り、前記表面部に反転コイル素子パターンが食刻された前記転写金型を準備するステップと、前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第２の手段は、少なくとも表面部が金属性の転写金型を用いてコイル素子を製造する方法に係り、前記表面部に反転コイル素子パターンが食刻された前記転写金型を準備するステップと、前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記絶縁膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記絶縁膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第３の手段は、少なくとも表面部が金属性の転写金型を用いてコイル素子を製造する方法に係り、前記表面部に反転コイル素子パターンが食刻された前記転写金型を準備するステップと、前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記転写金型内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第４の手段は、少なくとも表面部が金属性の転写金型を用いてコイル素子を製造する方法に係り、前記表面部に反転コイル素子パターンが食刻された前記転写金型を準備するステップと、前記転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域に、レジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記レジスト膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記中心導体膜を前記転写金型から剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜とからなるコイル素子を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第１乃至４のいずれかの手段において、前記転写金型は、マスタ金型からマザー金型を経て転写により作製され、前記表面部はＮｉで、前記剥離膜がＮｉＯであることを特徴とする。
また、第１乃至４のいずれかの手段において、前記表面部はＮｉで、前記剥離膜がＰＶＡ、ＰＥＴ、又はＰＭＭＡのいずれかであり、前記絶縁膜がＳｉＯ２、ＳＯＧ又は樹脂であり、前記絶縁膜をＣＶＤ又はスパッタにより形成することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第５の手段は、転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法に係り、それぞれ表面部に反転コイル素子パターンが食刻された複数の少なくとも前記表面部が金属性の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記絶縁膜上にわずかに突出するように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第６の手段は、転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法に係り、それぞれ表面部に反転コイル素子パターンが食刻された複数の少なくとも前記表面部が金属性の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記絶縁膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記絶縁膜を除去した後、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第７の手段は、転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法に係り、それぞれ表面部に反転コイル素子パターンが食刻された複数の少なくとも前記表面部が金属性の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め、前記転写金型内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第８の手段は、転写金型基板を用いてコイル素子集合体を製造する方法に係り、それぞれ表面部に反転コイル素子パターンが食刻された複数の少なくとも前記表面部が金属性の転写金型を備えた転写金型基板を準備するステップと、前記複数の転写金型の表面に剥離膜と絶縁膜とを重畳して形成するステップと、前記絶縁膜上の前記反転コイル素子パターンの形成されていない領域にレジスト膜を形成するステップと、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチング除去するステップと、前記反転コイル素子パターンの形成されている領域を埋め尽くし、前記レジスト膜内に留まるように第１の電気めっきにより中心導体膜を形成するステップと、前記レジスト膜を除去した後、前記中心導体膜を前記複数の転写金型から一体として剥離し、前記中心導体膜のみを取出すステップと、前記取出した中心導体膜を下地として第２の電気めっきにより表面導体膜を、第３の電気めっきにより前記表面導体膜を覆う接合膜を形成し、前記中心導体膜と前記表面導体膜と前記接合膜とからなるコイル素子集合体を形成するステップとを有することを特徴とする。
【国際調査報告】
2014068611.tif 000023
2014068611.tif 000024
2014068611.tif 000025
2014068611.tif 000026