Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月3日(2015.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
立方晶窒化ホウ素と結合材と金属の触媒元素とを備える立方晶窒化ホウ素焼結体であって、
前記立方晶窒化ホウ素の含有率が５０体積％以上８５体積％以下であり、
前記触媒元素の含有率が０．５質量％以上５質量％以下であり、
前記結合材は、周期律表第４ａ族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化物、ホウ化物、酸化物およびこれらの固溶体からなる群の中から選択された少なくとも１種と、アルミニウム化合物とを含む、立方晶窒化ホウ素焼結体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の立方晶窒化ホウ素焼結体は、立方晶窒化ホウ素と結合材と金属の触媒元素とを備える立方晶窒化ホウ素焼結体であって、立方晶窒化ホウ素の含有率が５０体積％以上８５体積％以下であり、触媒元素の含有率が０．５質量％以上５質量％以下である。また、結合材は、周期律表第４ａ族元素、第５ａ族元素、第６ａ族元素の窒化物、炭化物、ホウ化物、酸化物およびこれらの固溶体からなる群の中から選択された少なくとも１種と、アルミニウム化合物とを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
これについては、本実施の形態に係る立方晶窒化ホウ素焼結体の組織を走査型透過電子顕微鏡で観察して得られた画像において線分析を行うことにより確認することができる。図１を参照して、具体的には、立方晶窒化ホウ素焼結体の８μｍ×８μｍの領域を走査型透過電子顕微鏡で観察して得られた画像を４行４列の部分領域に分割する（１６等分割する）線分上でＥＤＸ等の組成分析を行う。得られたスペクトルにおいて、窒素（Ｎ）の検出ピーク値とホウ素（Ｂ）の検出ピーク値との合計値が、合計値の全測定点における最大値の半分以下である測定点を結合部測定点と決定する。つまり、Ｎの検出ピーク値とＢの検出ピーク値との合計値が、その全測定点中の最大値に対して半分より大きい領域をｃＢＮが存在するｃＢＮ測定点と決定し、その全測定点中の最大値に対して半分以下である領域をＴｉ、ＮおよびＡｌからなる結合材が配置された結合部測定点と決定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、工程（Ｓ０３）にて、先の工程（Ｓ０２）にて作製した、ＣｏＣｒ（５０：５０）で被覆されたｃＢＮ粉末と結合材とを混合する。このとき、結合材は、ＴｉＮとＡｌの混合粉末を真空中において温度１２００℃で３０分間熱処理することによって得られた化合物を、遊星ボールミルを用いて粉砕、混合した粉末として準備する。触媒付ｃＢＮ粉末と結合材粉末との配合率は、作製するｃＢＮ焼結体において所定のｃＢＮ含有率となるように決められるが、本実施の形態では、ｃＢＮ含有率が８０体積％となるように配合する。触媒付ｃＢＮ粉末および結合材粉末を配合した後、内壁がテフロン（登録商標）製のポットとＳｉ3Ｎ4製ボールとを用いた遊星ボールミルにより、これらを均一に混合する。さらに、混合された触媒付ｃＢＮ粉末および結合材粉末は、真空炉において、温度９００℃で２０分間保持されることにより、脱ガスされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
表１を参照して、実施例試料は、ｃＢＮ含有率が６０体積％〜９０体積％の範囲において、抗折力が１１５ｋｇｆ／ｍｍ2以上であった。また、実施例試料は、ｃＢＮ含有率が同程度であって、触媒元素を同程度添加した比較例試料と比べて、高い抗折力を示すことが確認できた。さらに、触媒元素を１．５質量％添加した実施例試料は、ｃＢＮ含有率が同程度であって触媒元素を５質量％添加した比較例試料と比べても、抗折力が高かった。また、ｃＢＮ含有率が７０体積％以上８０体積％以下であれば、抗折力は１２５ｋｇｆ／ｍｍ2を越えており、比較例試料と比較して、特に高い抗折力を有することが確認できた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
表２を参照して、実施例試料は、欠損するまでの時間が１．５分以上であった。また、実施例試料は、ｃＢＮ含有率が同程度であって、触媒元素を同程度添加した比較例試料と比べて、欠損に至るまでの時間が５％以上長く、靭性が優れていることが確認できた。さらに、触媒元素を１．５質量％添加した実施例試料は、ｃＢＮ含有率が同程度であって触媒元素を５質量％添加した比較例試料と比べても、欠損に至るまでの時間が長く、靭性が優れていることが確認できた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
（実験３）
まず、上述のように、ＳＴＥＭによりｃＢＮ焼結体中の結合材および触媒元素のばらつきの程度を観察した。さらに、ＳＴＥＭにより、ｃＢＮ焼結体の８μｍ×８μｍの領域の画像を取得し、当該画像を４行４列の部分領域に分割する各線分上でＥＤＸによる組成分析を行い、結合材中における触媒元素の分散の程度を評価した。なお、組成分析は、日本電子製  ＪＥＭ−２１００Ｆを用いて、ビームスポットサイズを０．４ｎｍとして行った。組成分析の結果に基づいた結合材中における触媒元素の分散評価は、以下の方法で行った。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
次に、結合部測定点において、触媒元素の検出ピーク値が０であり、触媒元素が検出されなかった測定点の総数を求め、結合部測定点の総数に対する比率を算出した。つまり、当該比率が小さいほど、結合材中に触媒元素が分散している。本実施例において、実施例試料および比較例試料には、触媒元素としてＣｏとＣｒがそれぞれ２種添加されているが、触媒元素が２種同時には検出されなかった測定点を、触媒元素が検出されなかった測定点としてその総数を求めた。これは、ＣｏとＣｒ（またはＮｉとＭｏ）はｃＢＮに対して異なる作用効果を奏するため、ＣｏとＣｒ（またはＮｉとＭｏ）がそれぞれ同時に作用することで優れた耐欠損性を得ることができるためである。具体的には、ＣｏはｃＢＮにおけるＢに作用し、ＣｒはｃＢＮにおけるＮに作用すると考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月7日(2015.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このようなシラン化合物としては、フェニルトリメトキシシラン、ナフチルトリメトキシシラン、アントラセニルトリメトキシシラン、フェナントリルトリメトキシシラン、ピレニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ナフチルトリエトキシシラン、アントラセニルトリエトキシシラン、フェナントリルトリエトキシシラン、ピレニルトリエトキシシラン等のアルコキシシラン；フェニルトリアセトキシシラン、ナフチルトリアセトキシシラン、アントラセニルトリアセトキシシラン、フェナントリルトリアセトキシシラン、ピレニルトリアセトキシシラン等のアシロキシシラン；フェニルトリクロロシラン、ナフチルトリクロロシラン、アントラセニルトリクロロシラン、フェナントリルトリクロロシラン、ピレニルトリクロロシラン等のハロシラン；フェニルトリヒドロキシシラン、ナフチルトリヒドロキシシラン、アントラセニルトリヒドロキシシラン、フェナントリルトリヒドロキシシラン、ピレニルトリヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
一般式（II−２）：
Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＸ
で表されるシラン化合物も、オルガノポリシロキサンに、式：Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ１/２で表されるシロキサン単位を導入するための原料である。式中、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、メチル基である。また、式中、Ｒ２は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、フェニル基またはナフチル基である。また、式中、Ｒ３は炭素数２〜１２のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくは、ビニル基である。また、式中、Ｘはアルコキシ基、アシロキシ基、ハロゲン原子、または水酸基であり、前記と同様の基が例示される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記の調製方法では、必要に応じて、オルガノポリシロキサンに、式：Ｒ４２ＳiＯ２/２で表されるシロキサン単位を導入するためのシラン化合物もしくは環状シリコーン化合物、または、式：Ｒ１３ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ１Ｒ２２ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ１２Ｒ２ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ１Ｒ３２ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位、式：Ｒ１ＳiＯ３/２で表されるシロキサン単位、もしくは式：ＳiＯ４/２で表されるシロキサン単位を導入するためのシラン化合物もしくはシランオリゴマーを反応させることができる。式中、Ｒ１は炭素数１〜１２のアルキル基であり、前記と同様の基が例示される。また、式中、Ｒ２は炭素数６〜２０のアリール基または炭素数７〜２０のアラルキル基であり、前記と同様の基が例示される。また、式中、Ｒ３は炭素数２〜１２のアルケニル基であり、前記と同様の基が例示される。また、式中、Ｒ４は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基であり、前記と同様の基が例示される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、本組成物において、（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化を促進するために有効な量である。具体的には、（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化反応を十分に促進できることから、本組成物に対して、質量単位で、（Ｄ）成分中の触媒金属が０.０１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、さらには、０.０１〜１００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特には、０.０１〜５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
［実施例１］
合成例１で調製したオルガノポリシロキサン  ７７.９質量部、式：
Ｈ(ＣＨ３)２ＳiＯ(Ｃ６Ｈ５)２ＳiＯＳi(ＣＨ３)２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン  ２１.９質量部（上記オルガノポリシロキサン中のビニル基１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有）  ０.２質量部を混合して、粘度８,３００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
［実施例２］
合成例１で調製したオルガノポリシロキサン  ６４.７質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン  １５.２質量部、式：
Ｈ(ＣＨ３)２ＳiＯ(Ｃ６Ｈ５)２ＳiＯＳi(ＣＨ３)２Ｈ
で表されるオルガノトリシロキサン  ２０.０質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有）  ０.２質量部を混合して、粘度４,３００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
［比較例２］
合成例１で調製したオルガノポリシロキサン  ５３.６質量部、粘度３,０００ｍＰa・ｓの分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖メチルフェニルポリシロキサン  １５.２質量部、平均式：
Ｈ(ＣＨ３)２ＳiＯ(Ｃ６Ｈ５)２.５ＳiＯＳi(ＣＨ３)２Ｈ
で表されるオルガノポリシロキサン  ３１.２質量部（上記オルガノポリシロキサン中と上記メチルフェニルポリシロキサン中のビニル基の合計１モルに対し、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１モルとなる量）、および白金−１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン溶液（白金を０.１質量％含有）  ０.２質量部を混合して、粘度１２,３００ｍＰa・ｓの硬化性シリコーン組成物を調製した。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月7日(2015.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このようなシラン化合物としては、ジメチルジメトキシシラン、メチルエチルジメトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、テトラメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、メチルエチルジエトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、テトラエトキシシラン等のアルコキシシラン；ジメチルジアセトキシシラン、メチルフェニルジアセトキシシラン、ジフェニルジアセトキシシラン、テトラアセトキシシラン等のアセトキシシラン；ジメチルジクロロシラン、メチルフェニルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、テトラクロロシラン等のハロシラン；ジメチルジヒドロキシシラン、メチルフェニルジヒドロキシシラン、ジフェニルジヒドロキシシラン等のヒドロキシシランが例示される。また、このような環状シリコーン化合物としては、環状ジメチルシロキサンオリゴマー、環状フェニルメチルシロキサンオリゴマー、環状ジフェニルシロキサンオリゴマーが例示される。さらに、シランオリゴマーとしては、テトラメトキシシランの部分加水分解物、テトラエトキシシランの部分加水分解物が例示される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
核磁気共鳴スペクトル分析（以下、ＮＭＲ分析）の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ１/２)０.２１０(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.０１５(ＰhＳiＯ３/２)０.７７５
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,４３９であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.２２であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ１/２)０.１８４(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.０４６(ＰhＳiＯ３/２)０.７７
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,３７６であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.１６であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ１/２)０.１３８(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.０９２(ＰhＳiＯ３/２)０.７７
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,７８６であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.１５であった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ１/２)０.３２(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.０８(ＮaphＳiＯ３/２)０.６０
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は９６０であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.０２であり、屈折率は１.６１９であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ１/２)０.２４(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.１６(ＮaphＳiＯ３/２)０.６０
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は９８０であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.０２であり、屈折率は１.６１７であった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ＮＭＲ分析の結果、この液体は、平均単位式：
(ＭeＰhＶiＳiＯ１/２)０.２１(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.０２(Ｐh２ＳiＯ１/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４７
で表されるオルガノポリシロキサンであることがわかった。このオルガノポリシロキサンの質量平均分子量（Ｍｗ）は１,１０３であり、分散度（Ｍｗ／Ｍｎ）は１.１８であった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
平均単位式：
(Ｒ１３ＳiＯ１/２)ａ(Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＳiＯ１/２)ｂ(Ｒ５２ＳiＯ２/２)ｃ(Ｒ３ＳiＯ３/２)ｄ
（式中、Ｒ１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基、但し、一分子中の少なくとも一つのＲ１は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ２は炭素数１〜１２のアルキル基；Ｒ３は同じかまたは異なる、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基；Ｒ４は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ５は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基；ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.４５、０.０１≦ｂ≦０.４５、０≦ｃ≦０.７、０.１≦ｄ＜０.９、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
（Ａ）平均単位式：
(Ｒ１３ＳiＯ１/２)ａ(Ｒ２Ｒ３Ｒ４ＳiＯ１/２)ｂ(Ｒ５２ＳiＯ２/２)ｃ(Ｒ３ＳiＯ３/２)ｄ
（式中、Ｒ１は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基もしくは炭素数２〜１２のアルケニル基、但し、一分子中の少なくとも一つのＲ１は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ２は炭素数１〜１２のアルキル基；Ｒ３は同じかまたは異なる、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数７〜２０のアラルキル基；Ｒ４は炭素数２〜１２のアルケニル基；Ｒ５は同じかまたは異なる、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアルケニル基、もしくはフェニル基；ａ、ｂ、ｃ、およびｄは、それぞれ、０.０１≦ａ≦０.４５、０.０１≦ｂ≦０.４５、０≦ｃ≦０.７、０.１≦ｄ＜０.９、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中に少なくとも２個のアルケニル基を有し、ケイ素原子結合水素原子を有さない直鎖状オルガノポリシロキサン（本組成物に対して、０〜７０質量％）、
（Ｃ）一分子中に少なくとも２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分と（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜５モルとなる量｝、および
（Ｄ）有効量のヒドロシリル化反応用触媒
から少なくともなる硬化性シリコーン組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明の変速機の同期装置は、回転軸の外周上に一体的に回転するハブと、前記ハブの一側又は両側に位置して前記回転軸に対して相対回転可能に配置したギヤと、内周に形成したスプラインによって前記ハブの外周上に相対回転不能かつ軸方向に変位可能に設けると共に、同軸方向の変位時に前記スプラインが前記ギヤに形成したスプラインに噛み合って当該ギヤに結合する環状のスリーブと、前記ハブと前記ギヤの間に配置して外周にスプラインを有すると共に、前記ハブに対して所定角度だけ相対回転可能に組み付けた環状のシンクロナイザリングとを備え、前記スリーブのスプラインと前記ギヤのスプラインの対向する端部に、それぞれチャンファを形成すると共に、前記シンクロナイザリングのスプラインにおける前記ハブ側の端部にチャンファを形成し、前記シンクロナイザリングのチャンファの先端部は、前記スリーブのチャンファのエッジに対して退避する面を有すると共に、回転軸線を通過する垂直面に対する側面視で台形状をなし、該シンクロナイザリングのチャンファの先端部は、前記シンクロナイザリングのスプラインの根元から所定の高さ位置を境界稜線として外周側に形成した第一チャンファと、前記境界稜線より内周側に形成し且つ稜線角が前記第一チャンファの稜線角より小さい第二チャンファとからなり、該第一チャンファ及び第二チャンファを、上記回転軸線を通過する垂直面に直交する平面視で台形状に形成することにより、前記境界稜線も該平面視で台形に形成したことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記シンクロナイザリングのチャンファの稜線角が変わる位置であるボーク径を、前記スリーブの小径より大きく設定したものとしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記シンクロナイザリングの第一チャンファの稜線角を、前記スリーブのチャンファの稜線角より大きく設定したものとしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記シンクロナイザリングの第一チャンファの稜線角と、前記スリーブのチャンファの稜線角との差が、０．１°以上で、かつ、３０°以下であるものとしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記シンクロナイザリングの第二チャンファの稜線角が、前記スリーブのチャンファの稜線角より小さく設定されたものとしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記シンクロナイザリングの第二チャンファの稜線角と、前記スリーブのチャンファの稜線角との差が、０．１°以上で、かつ、１０°以下であるものとしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記シンクロナイザリングのチャンファ面の各稜線は、０．１ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下のＲ曲線で形成しているものとしてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変速機の同期装置であって、
回転軸の外周上に一体的に回転するハブと、
前記ハブの一側又は両側に位置して前記回転軸に対して相対回転可能に配置したギヤと、
内周に形成したスプラインによって前記ハブの外周上に相対回転不能かつ軸方向に変位可能に設けると共に、同軸方向の変位時に前記スプラインが前記ギヤに形成したスプラインに噛み合って当該ギヤに結合する環状のスリーブと、
前記ハブと前記ギヤの間に配置して外周にスプラインを有すると共に、前記ハブに対して所定角度だけ相対回転可能に組み付けた環状のシンクロナイザリングとを備え、
前記スリーブのスプラインと前記ギヤのスプラインの対向する端部に、それぞれチャンファを形成すると共に、前記シンクロナイザリングのスプラインにおける前記ハブ側の端部にチャンファを形成し、
前記シンクロナイザリングのチャンファの先端部は、前記スリーブのチャンファのエッジに対して退避する面を有すると共に、回転軸線を通過する垂直面に対する側面視で台形状をなし、
該シンクロナイザリングのチャンファの先端部は、
前記シンクロナイザリングのスプラインの根元から所定の高さ位置を境界稜線として外周側に形成した第一チャンファと、
前記境界稜線より内周側に形成し且つ稜線角が前記第一チャンファの稜線角より小さい第二チャンファとからなり、
該第一チャンファ及び第二チャンファを、上記回転軸線を通過する垂直面に直交する平面視で台形状に形成することにより、前記境界稜線も該平面視で台形に形成した
ことを特徴とする変速機の同期装置。
【請求項２】
前記シンクロナイザリングのチャンファの稜線角が変わる位置であるボーク径を、前記スリーブの小径より大きく設定した
ことを特徴とする請求項１に記載の変速機の同期装置。
【請求項３】
前記シンクロナイザリングの第一チャンファの稜線角を、前記スリーブのチャンファの稜線角より大きく設定した
ことを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の変速機の同期装置。
【請求項４】
前記シンクロナイザリングの第一チャンファの稜線角と、前記スリーブのチャンファの稜線角との差が、０．１°以上で、かつ、３０°以下である
ことを特徴とする請求項３に記載の変速機の同期装置。
【請求項５】
前記シンクロナイザリングの第二チャンファの稜線角が、前記スリーブのチャンファの稜線角より小さく設定された
ことを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の変速機の同期装置。
【請求項６】
前記シンクロナイザリングの第二チャンファの稜線角と、前記スリーブのチャンファの稜線角との差が、０．１°以上で、かつ、１０°以下である
ことを特徴とする請求項４に記載の変速機の同期装置。
【請求項７】
前記シンクロナイザリングのチャンファ面の各稜線は、０．１ｍｍ以上で、かつ、１０ｍｍ以下のＲ曲線で形成している
ことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の変速機の同期装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気デバイス（２０）内の絶縁流体に熱的に結合されるように構成された熱伝達体（８）と、
周囲温度センサ（４）と、
前記熱伝達体（８）および前記周囲温度センサ（４）に結合され、かつ
前記周囲温度センサ（４）から前記電気デバイス（２０）の外部環境に関する温度指標を取得し、
前記温度指標に基づいて前記絶縁流体の温度限界を計算し、
前記熱伝達体（８）の温度に対する目標温度を示す基準温度を計算し、
前記熱伝達体（８）の温度を修正して、前記基準温度に基づいて前記絶縁流体の温度を調節する、
ように構成された制御システム（６）と、
を備え、
前記基準温度は、前記温度限界と前記電気デバイス（２０）の外部環境に関する温度指標に基づいて、前記温度限界まで下降する、
熱伝達体温度変更システム（２）。
【請求項２】
前記電気デバイス（２０）が変圧器を含む、請求項１に記載の熱伝達体温度変更システム（２）。
【請求項３】
前記絶縁流体が油を含む、請求項２に記載の熱伝達体温度変更システム（２）。
【請求項４】
前記電気デバイス（２０）がサーキットブレーカである、請求項１に記載の熱伝達体温度変更システム（２）。
【請求項５】
前記制御システム（６）が、前記絶縁流体の温度の変更量を判定するように構成されている、請求項１に記載の熱伝達体温度変更システム（２）。
【請求項６】
前記制御システム（６）が、前記周囲温度センサ（４）からの前記温度指標に基づいて前記絶縁流体の前記温度の変更量を判定する、請求項５に記載の熱伝達体温度変更システム（２）。
【請求項７】
絶縁流体を含むハウジング（２２）と、
前記ハウジング（２２）の外部の温度の指標を取得するように構成された周囲温度センサ（４）と、
電気デバイス（２０）内の絶縁流体に熱的に結合するように構成された熱伝達体（８）と、
前記熱伝達体（８）および前記周囲温度センサ（４）に結合され、かつ
前記周囲温度センサ（４）から前記電気デバイス（２０）の外部環境に関する温度指標を取得し、
前記温度指標に基づいて前記絶縁流体の温度限界を計算し、
前記熱伝達体（８）の温度に対する目標温度を示す基準温度を計算し、
前記熱伝達体（８）の温度を修正して、前記基準温度に基づいて前記絶縁流体の温度を調節する、
ように構成された制御システム（６）と、
を備え、
前記基準温度は、前記温度限界と前記電気デバイス（２０）の外部環境に関する温度指標に基づいて、前記温度限界まで下降する、
電気デバイス（２０）。
【請求項８】
前記電気デバイス（２０）が変圧器を含む、請求項７に記載の電気デバイス。
【請求項９】
前記電気デバイス（２０）がサーキットブレーカである、請求項７に記載の電気デバイス。
【請求項１０】
電気デバイス（２０）の外部の場所に関する周囲温度指標を取得するステップと、
前記周囲温度指標を、前記電気デバイス（２０）内に含まれる絶縁流体のために設定された温度設定のセットと比較するステップと、
前記周囲温度指標に基づいて、設定された温度設定の前記セット内の少なくとも１つの温度設定が変更を必要とするかどうかを判定するステップと、
設定された温度設定の前記セット内の前記少なくとも１つの温度設定が変更を必要とすることに応答して、前記電気デバイス（２０）内に含まれる絶縁流体に熱的に接続された熱伝達体（８）の温度を変更するための命令を提供するステップと、
を含むプロセスを実行するように構成された少なくとも１つのコンピューティングデバイス（１０４）を備え、
前記反転するステップが、前記周囲温度指標に基づいて、前記熱伝達体（８）の前記温度の変更量を決定するステップを含む、
熱伝達体温度変更システム（２）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月18日(2014.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックからなり、且つ平面視が矩形の表面および裏面を有する複数の配線基板部を縦横に隣接して併有する製品領域と、
上記と同じセラミックからなり、上記製品領域の周囲に位置する平面視が矩形枠状の表面および裏面を有する耳部と、
隣接する上記配線基板部同士の境界、および上記製品領域と耳部との境界に沿って、表面および裏面の少なくとも一方に平面視が格子状に形成された分割溝と、を備えた多数個取り配線基板の製造方法であって、
グリーンシートにおける上記耳部の表面上および裏面上の少なくとも一方にレーザ光を遮蔽する遮蔽板を配置する工程と、
上記グリーンシートの製品領域および遮蔽板にレーザ光を照射しつつ走査することで、上記製品領域に分割溝を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記遮蔽板を配置する工程において、かかる遮蔽板の本体枠における外側の各辺は、前記グリーンシートの各側面と平面視で一致するか、あるいは、かかる各側面よりも外側に位置するように配置される、
ことを特徴とする請求項１に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記遮蔽板を配置する工程において、かかる遮蔽板における前記製品領域側の端部と、該製品領域および耳部の境界に形成される分割溝との距離が、０．５ｍｍ以下となるように上記遮蔽板が配置される、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記遮蔽板は、金属あるいはセラミックからなる、
ことを特徴とする請求項乃至３の何れか一項に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記遮蔽板は、格子枠状である、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記分割溝を形成する工程の後に、かかる分割溝が形成されたグリーンシートを焼成する工程を有する、
ことを特徴とする請求項乃１至５の何れか一項に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記焼成工程の後に、該焼成工程後における前記配線基板部の導体部分に金属メッキを施す工程を有する、
ことを特徴とする請求項６に記載の多数個取り配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明には、前記遮蔽板を配置する工程において、かかる遮蔽板の本体枠における外側の各辺は、前記グリーンシートの各側面と平面視で一致するか、あるいは、かかる各側面よりも外側に位置するように配置される、多数個取り配線基板の製造方法（請求項２）も含まれる。
更に、本発明には、前記遮蔽板を配置する工程において、かかる遮蔽板における前記製品領域側の端部と、該製品領域および耳部の境界に形成される分割溝との距離が、０．５ｍｍ以下となるように上記遮蔽板が配置される、多数個取り配線基板の製造方法（請求項３）も含まれる。
これによれば、上記分割溝の外側の位置でもレーザ光が遮られないので、該遮蔽板における製品領域側の端部と平行で且つ該端部に最接近する分割溝についても確実に形成することができる。しかも、製品領域の外側に位置する耳部の領域に進入する分割溝の各端部の長さは、平面視において０．５ｍｍ以下に抑制される。その結果、前記破損や割れなどの不具合を確実に防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更に、本発明には、前記遮蔽板は、金属あるいはセラミックからなる、多数個取り配線基板の製造方法（請求項４）も含まれる。
これによれば、金属板を所要形状に打ち抜き加工するか、複数の所要形状にしたグリーンシートを積層して焼成した遮蔽板を、前記グリーンシートの耳部上に配置することで、該遮蔽板とグリーンシートの製品領域との双方に対して、連続してレーザ光を照射しつつ走査する前記分割溝の形成工程が行える。その結果、レーザ光が直に照射されるグリーンシートの製品領域に対して分割溝を形成できる共に、上記遮蔽板によりレーザ光から遮蔽された耳部では、該遮蔽板から外れた当該耳部の製品領域側に沿った部分のみに、長さ０．５ｍｍ以下の分割溝の端部だけを進入するに留められる。従って、前記破損や割れを確実に防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明には、前記遮蔽板は、格子枠状である、多数個取り配線基板の製造方法（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記グリーンシートにおいて、複数の配線基板部を縦横に隣接して併設した平面視が矩形（正方形または長方形）である複数の製品領域を、該矩形と相似形で且つ該製品領域を囲み得る複数の開口部を有する遮蔽板を、上記グリーンシートの表面上などに配置することで、複数の製品領域に対して、前記分割溝を形成する工程を連続して行えるので、一層生産効率を向上せられる。
尚、前記格子枠状には、口の字形、日の字形、目の字形、あるいは田の字形などが含まれる。
更に、本発明には、前記分割溝を形成する工程の後に、かかる分割溝が形成されたグリーンシートを焼成する工程を有する、多数個取り配線基板の製造方法（請求項６）も含まれる。
加えて、本発明には、前記焼成工程の後に、該焼成工程後における前記配線基板部の導体部分に金属メッキを施す工程を有する、多数個取り配線基板の製造方法（請求項７）も含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月26日(2015.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリンタドライバとアダプタから構成される情報処理装置であって、
前記プリンタドライバは、
標準ポートモニターを介して印刷データを前記アダプタに送信する送信手段を有し、
前記アダプタは、
前記標準ポートモニターを介して前記プリンタドライバから前記印刷データを受信する受信手段と、
前記印刷データをスプールするスプール手段と、
画像形成装置のメモリの確認を行う確認手段と、
前記画像形成装置のメモリの状況に応じて前記印刷データをバンド単位で前記画像処理装置に送信する送信手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記アダプタは、
前記画像形成装置にステータスメッセージを要求する要求手段と、
前記要求への応答として前記ステータスメッセージを取得する取得手段と、を有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記画像形成装置からキャリブレーション結果を取得する取得手段と、
前記キャリブレーション結果を用いてレンダリングするレンダリング手段と、を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記画像形成装置と双方向通信を行うことができず、かつインストーラが起動した場合に、前記アダプタがインストールされることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記画像形成装置と双方向通信を行うことができても、必要な機能について双方向通信を行うことができず、かつインストーラが起動した場合に、前記アダプタがインストールされることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
プリンタドライバとアダプタをコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記コンピュータに、
前記プリンタドライバは、
標準ポートモニターを介して印刷データを前記アダプタに送信する送信工程を実行させ、
前記アダプタは、
前記標準ポートモニターを介して前記プリンタドライバから前記印刷データを受信する受信工程と、
前記印刷データをスプールするスプール工程と、
画像形成装置のメモリの確認を行う確認工程と、
前記画像形成装置のメモリの状況に応じて前記印刷データをバンド単位で前記画像処理装置に送信する送信工程と、を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項７】
前記コンピュータに、
前記アダプタは、
前記画像形成装置にステータスメッセージを要求する要求工程と、
前記要求への応答として前記ステータスメッセージを取得する取得工程と、を実行させることを特徴とする請求項６に記載のプログラム。
【請求項８】
前記コンピュータに、
前記画像形成装置からキャリブレーション結果を取得する取得工程と、
前記キャリブレーション結果を用いてレンダリングするレンダリング工程と、を実行させることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のプログラム。
【請求項９】
前記画像形成装置と双方向通信を行うことができず、かつインストーラが起動した場合に、前記アダプタがインストールされることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項１０】
前記画像形成装置と双方向通信を行うことができても、必要な機能について双方向通信を行うことができず、かつインストーラが起動した場合に、前記アダプタがインストールされることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載のプログラム。
【請求項１１】
プリンタドライバとアダプタから構成される情報処理装置であって、
前記プリンタドライバは、
標準ポートモニターを介して印刷データを前記アダプタに送信する送信工程を有し、
前記アダプタは、
前記標準ポートモニターを介して前記プリンタドライバから前記印刷データを受信する受信工程と、
前記印刷データをスプールするスプール工程と、
画像形成装置のメモリの確認を行う確認工程と、
前記画像形成装置のメモリの状況に応じて前記印刷データをバンド単位で前記画像処理装置に送信する送信工程と、を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明の情報処理装置は、プリンタドライバとアダプタから構成され、
前記プリンタドライバは、
標準ポートモニターを介して印刷データを前記アダプタに送信する送信手段を有し、
前記アダプタは、
前記標準ポートモニターを介して前記プリンタドライバから前記印刷データを受信する受信手段と、
前記印刷データをスプールするスプール手段と、
画像形成装置のメモリの確認を行う確認手段と、
前記画像形成装置のメモリの状況に応じて前記印刷データをバンド単位で前記画像処理装置に送信する送信手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月15日(2015.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光モジュール部と、
前記発光モジュール部上に配置された放熱体と、
前記放熱体上に配置された放熱ファンと、
前記発光モジュール部、前記放熱体及び前記放熱ファンを収納し、互いに分離された空気流入口と空気流出口とを有し、前記空気流入口と前記空気流出口とを分離させる隔壁を有するハウジングと、を備え、
前記空気流入口は、前記放熱ファンと前記ハウジングとの間の空間と連結され、前記空気流出口は、前記放熱体と前記放熱ファンとの間の空間と連結され、
前記放熱体は、複数の放熱フィンを含み、
前記複数の放熱フィンは、前記放熱ファンから排出される空気を前記空気排出口に案内する、照明装置。
【請求項２】
前記発光モジュール部は、基板と前記基板上に配置された発光素子とを備え、
前記空気流入口と前記空気流出口は、前記発光モジュール部に隣接して配置されている、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記空気流入口及び空気流出口は、前記ハウジングの縁部分に配置されている、請求項２に記載の照明装置。
【請求項４】
前記空気流入口と前記空気流出口は、交互になるように配置されている、請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記空気流入口は、前記ハウジングの中心に配置され、前記空気流出口は、前記ハウジングの縁部分に配置されている、請求項２ないし４のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項６】
前記空気流入口は、前記空気流出口より前記ハウジングの中心にさらに近く配置されている、請求項２ないし４のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項７】
前記空気流入口は、前記照明装置の光が放出される方向に向かい、前記空気流出口は、前記照明装置の外周方向に向かっている、請求項２または３に記載の照明装置。
【請求項８】
前記放熱体は、
ベースプレートを含み、
前記ベースプレートの一面には、前記発光モジュール部が配置され、他の面には、前記複数の放熱フィンが配置された、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項９】
前記複数の放熱フィンは、所定の長さを有し、前記空気流出口方向に配列されている、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１０】
前記複数の放熱フィンの中の一部は、前記空気流入口に隣接して配置されて、前記放熱ファンからの風を防ぐものである、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１１】
前記複数の放熱フィンは、前記ベースプレートと垂直であるか、前記ベースプレートの中央部に向かって傾くように配置されている、請求項８に記載の照明装置。
【請求項１２】
前記複数の放熱フィンの一つ以上の放熱フィンの一部分は、前記空気流出口に露出するように配置されている、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１３】
前記ハウジングは、
前記放熱体と前記発光モジュール部とを収納する下部ケースと、前記放熱ファンを収納し、前記下部ケースと結合する上部ケースとを備える、請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の照明装置。
【請求項１４】
前記放熱ファン上に配置され、前記上部ケースに収納される駆動部をさらに備える、請求項１３に記載の照明装置。
【請求項１５】
前記上部ケース、前記下部ケース及び前記放熱ファンの各々は、互いに対応する穴を有し、前記穴にスクリューが挿入されて、前記上部ケース、前記下部ケース及び前記放熱ファンが結合されている、請求項１３または１４に記載の照明装置。
【請求項１６】
前記ハウジングの空気流入口は、第１空気流入口と第２空気流入口とを備え、
前記第１空気流入口は、前記上部ケースに配置され、
前記第２空気流入口は、前記空気流出口とともに前記下部ケースに配置されている、請求項１３ないし１５のいずれか１項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月2日(2014.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御装置と、演算装置と、緩衝記憶装置とを有し、
前記緩衝記憶装置は、主記憶装置から、或いは前記演算装置から送られてきたデータを、前記制御装置からの命令に従って記憶し、
前記緩衝記憶装置は複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタと、前記トランジスタを介して前記データの値に従った量の電荷が供給される記憶素子とを有する信号処理回路。
【請求項２】
制御装置と、演算装置と、緩衝記憶装置と、主記憶装置とを有し、
前記緩衝記憶装置は、前記主記憶装置から、或いは前記演算装置から送られてきたデータを、前記制御装置からの命令に従って記憶し、
前記緩衝記憶装置は複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタと、前記トランジスタを介して前記データの値に従った量の電荷が供給される記憶素子とを有する信号処理回路。
【請求項３】
制御装置と、演算装置と、緩衝記憶装置とを有し、
前記緩衝記憶装置は、主記憶装置から送られてきた命令を含むデータを記憶し、
前記制御装置は、前記緩衝記憶装置から前記データを読み出し、前記命令に従って前記演算装置及び前記緩衝記憶装置の動作を制御し、
前記緩衝記憶装置は複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタと、前記トランジスタを介して前記データの値に従った量の電荷が供給される記憶素子とを有する信号処理回路。
【請求項４】
制御装置と、演算装置と、緩衝記憶装置と、主記憶装置とを有し、
前記緩衝記憶装置は、前記主記憶装置から送られてきた命令を含むデータを記憶し、
前記制御装置は、前記緩衝記憶装置から前記データを読み出し、前記命令に従って前記演算装置及び前記緩衝記憶装置の動作を制御し、
前記緩衝記憶装置は複数のメモリセルを有し、
前記メモリセルは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むトランジスタと、前記トランジスタを介して前記データの値に従った量の電荷が供給される記憶素子とを有する信号処理回路。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月8日(2015.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷システム内の回動可能部材間に画成されるニップ幅を検出する装置であって、
回転軸と表面とを有する第１の回動可能部材と、
前記第１の回動可能部材の回転軸に実質平行な回転軸を有する第２の回動可能部材であって、所定の幅を有するニップにおいて、該第２の回転部材の表面が前記第１の回転可能部材の表面に圧力を作用させるよう配置された、少なくとも１つの第２の回動可能部材と、
前記第２の回動可能部材の端部に配置され、前記ニップの始端と前記ニップの終端において電気信号を生成する少なくとも１個のセンサであって、前記ニップに関連する機械的な圧力に感応するセンサと、を備え、
前記少なくとも１個のセンサは荷重計と圧電結晶とそれらの組み合わせとからなるグループから選択され、前記少なくとも１個のセンサが生成する電気信号は信号送信器と通信ケーブルの少なくとも一方により回路に送られ、前記通信ケーブルは、ばね荷重ブラシに静止接触状態にある、装置。
【請求項２】
前記通信ケーブルは、リング型コネクタに結合したケーブルである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
印刷システム内で、回転軸と表面とを有する第１の回動可能部材と前記第１の回動可能部材の前記回転軸に実質平行な回転軸を有する第２の回動可能部材との間に画成されるニップ幅を検出する方法であって、
前記第２の回動可能部材の端部に少なくとも１個のセンサを配置し、前記ニップの始端と終端において電気信号を生成するステップであって、前記少なくとも１個のセンサが前記ニップに関連する機械的な圧力に感応するステップと、
前記少なくとも１個のセンサによって生成される電気信号を回路で処理し、タイミングパルスと、前記第２の回動可能部材が前記第１の回動可能部材の表面に作用させた圧力を示す振幅信号と、を生成するステップと、
前記タイミングパルスからニップ幅と滞留時間の少なくとも一方を割り出すステップと、を含み、
前記少なくとも１個のセンサは荷重計と圧電結晶とそれらの組み合わせとからなるグループから選択され、前記少なくとも１個のセンサが生成する電気信号は信号送信器と通信ケーブルの少なくとも一方により回路に送られ、前記通信ケーブルは、ばね荷重ブラシに静止接触状態にある、方法。
【請求項４】
前記通信ケーブルは、リング型コネクタに結合したケーブルである、請求項３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ニップ幅の検出装置、および、その検出方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月5日(2015.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側圧力部材を含み、前記内側圧力部材を外側圧力部材に係合および解放させるべく移動可能で、前記内側圧力部材が係合されるときニップを画定するベルトロール式定着モジュールと、
前記ベルトロール式定着モジュールに接する固定点であって、前記内側圧力部材が係合されるとき前記ニップの荷重ベクトルの経路内に置かれる固定点に選択的に係合可能な固定部材と、
を含み、前記固定部材は、前記内側圧力部材に接する前記固定点に固定する係合部に蝶番を介して接続された取手を含み、
前記蝶番の軸は、前記内側圧力部材の長軸に実質的に直交する、
ベルトロール式定着システム。
【請求項２】
請求項１に記載のベルトロール式定着システムであって、さらに、
外側圧力部材と、前記内側圧力部材が係合されるとき前記外側圧力部材および前記内側圧力部材により画定される前記ニップとを含むベルトロール式定着メインフレームを含む、ベルトロール式定着システム。
【請求項３】
顧客による保守が可能なベルトロール式定着器であって、
内側圧力部材を含み、移動可能で外側圧力部材と係合および解放するベルトロール式定着モジュールであって、前記ベルトロール式定着モジュールが係合するとき前記内側圧力部材が定着ニップを画定するベルトロール式定着モジュールと、
前記ベルトロール式定着モジュールを移動させて前記モジュールを前記外側圧力部材に係合および解放する固定具であって、内側圧力部材上の中心縦軸に取り付けられる固定具と、
を含み、前記固定具は、前記内側圧力部材に接する固定点に固定する係合部に蝶番を介して接続された取手を含み、
前記蝶番の軸は、前記内側圧力部材の長軸に実質的に直交する、
ベルトロール式定着器。
【請求項４】
請求項３に記載のベルトロール式定着器であって、さらに、
ベルトロール式定着器のメインフレームであって、前記ベルトロール式定着モジュールが当該ベルトロール式定着器のメインフレームに係合するとき、前記内側圧力部材と前記定着ニップを画定する外側圧力部材を含むベルトロール式定着器のメインフレームを含む、ベルトロール式定着器。
【請求項５】
請求項３に記載のベルトロール式定着器であって、さらに、
ベルト部材、清掃部材、および引張部材のうちの少なくとも１つの部材と、を含むベルトロール式定着器。
【請求項６】
加熱された前記ベルト部材、加熱された前記清掃部材、および加熱された前記引張部材のうちの少なくとも１つの部材をさらに含む、請求項５に記載のベルトロール式定着器。
【請求項７】
前記ベルト部材、前記清掃部材、および前記引張部材は回転可能な円筒形ロールである、請求項５に記載のベルトロール式定着器。
【請求項８】
前記内側圧力部材は前記中心縦軸の周りを回転する円筒形のロールである、請求項３に記載のベルトロール式定着器。
【請求項９】
前記固定具が固定点でベルトロール式定着モジュールに取り付けられ、前記固定点は内側圧力部材の中心縦軸の周りに接して置かれる、請求項３に記載のベルトロール式定着器。
【請求項１０】
前記ベルトロール式定着モジュールが前記ベルトロール式定着器のメインフレームに係合すると、これにより前記内側圧力部材および前記外側圧力部材が前記定着ニップを画定し、ニップ荷重ベクトルが前記固定点と交差する、請求項９に記載のベルトロール式定着器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ベルトロール式定着器を固定する装置およびシステム