【手続補正書】
【提出日】平成27年3月19日(2015.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソースに第１の電源電圧が供給される第１導電型の第１のトランジスターと、
ソースに第２の電源電圧が供給され、ドレインに前記第１のトランジスターのドレインが接続される第２導電型の第２のトランジスターと、
第１のバイアス電圧を生成して前記第１のトランジスターのゲートに出力する第１の電圧生成回路と、
第２のバイアス電圧を生成して前記第２のトランジスターのゲートに出力する第２の電圧生成回路と、
入力信号が入力される入力ノードと前記第１のトランジスターのゲートとを容量結合する第１の容量と、
前記入力ノードと前記第２のトランジスターのゲートとを容量結合する第２の容量とを含むことを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のバイアス電圧は、
前記第１のトランジスターのゲート・ソース間電圧であることを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第２のバイアス電圧は、
前記第２のトランジスターのゲート・ソース間電圧であることを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１の電圧生成回路は、
第１の電極及び第２の電極を有し、該第１の電極に前記第１の電源電圧が供給される第１の電圧源と、
一端に前記第１の電圧源の前記第２の電極が接続され、他端に前記第１のトランジスターのゲートが接続される第１の抵抗回路と、を含むことを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の電圧生成回路は、
第１の電極及び第２の電極を有し、該第２の電極に前記第２の電源電圧が供給される第２の電圧源と、
一端に前記第２の電圧源の前記第１の電極が接続され、他端に前記第２のトランジスターのゲートが接続される第２の抵抗回路と、を含むことを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
電流源と、
ソースに前記第２の電源電圧が供給される第２導電型の第３のトランジスターと、を含み、
前記第１の電圧生成回路は、
ソースに前記第１の電源電圧が供給され、ゲート及びドレインに前記第３のトランジスターのドレインが接続される第１導電型の第４のトランジスターと、
一端に前記第４のトランジスターのゲート及びドレインが接続され、他端に前記第１のトランジスターのゲートが接続される第１の抵抗回路と、を含み、
前記第２の電圧生成回路は、
ソースに前記第２の電源電圧が供給され、ゲート及びドレインに前記第３のトランジスターのゲートが接続される第２導電型の第５のトランジスターと、
一端に前記第３のトランジスターのゲートが接続され、他端に前記第２のトランジスターのゲートが接続される第２の抵抗回路と、を含むことを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記第１の抵抗回路の抵抗値及び前記第２の抵抗回路の抵抗値が、同一となるように形成されることを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記第１の電圧生成回路は、
基準電圧に基づいて前記第１のバイアス電圧を生成する第１の電圧レギュレーター回路と、
一端に前記第１の電圧レギュレーター回路の出力が接続され、他端に前記第１のトランジスターのゲートが接続される第３の抵抗回路と、を含み、
前記第２の電圧生成回路は、
前記基準電圧に基づいて前記第２のバイアス電圧を生成する第２の電圧レギュレーター回路と、
一端に前記第２の電圧レギュレーター回路の出力が接続され、他端に前記第２のトランジスターのゲートが接続される第４の抵抗回路と、を含むことを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項９】
請求項８において、
前記第３の抵抗回路の抵抗値及び前記第４の抵抗回路の抵抗値が、同一となるように形成されることを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記第１の容量の容量値及び前記第２の容量の容量値が、同一となるように形成されることを特徴とするレベルシフト回路。
【請求項１１】
共振子を駆動して発振信号を出力する共振子駆動回路と、
前記発振信号が前記入力信号として入力される請求項１乃至１０のいずれか記載のレベルシフト回路とを含むことを特徴とする発振回路。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか記載のレベルシフト回路を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１１記載の発振回路を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（１）本発明の第１の態様は、レベルシフト回路が、ソースに第１の電源電圧が供給される第１導電型の第１のトランジスターと、ソースに第２の電源電圧が供給され、ドレインに前記第１のトランジスターのドレインが接続される第２導電型の第２のトランジスターと、第１のバイアス電圧を生成して前記第１のトランジスターのゲートに出力する第１の電圧生成回路と、第２のバイアス電圧を生成して前記第２のトランジスターのゲートに出力する第２の電圧生成回路と、入力信号が入力される入力ノードと前記第１のトランジスターのゲートとを容量結合する第１の容量と、前記入力ノードと前記第２のトランジスターのゲートとを容量結合する第２の容量とを含む。
本態様によれば、入力信号が入力される入力ノードと、第１のトランジスター及び第２のトランジスターの各々のゲートとを容量結合するようにしたので、各トランジスターのゲートに、個別のバイアス電圧を印加することができるようになる。これにより、第１の電源電圧と第２の電源電圧との間の電圧にかかわらず一定の消費電流で、第１の容量及び第２の容量を介して入力される入力信号の振幅レベルを変換することができるようになる。また、入力ノードと容量結合することにより、ディーティー比が５０パーセントの出力信号を生成しやすくなる。従って、本態様によれば、電源電圧を変更しても、低消費電流を実現するとともに、波形のパルス整形を安定化させ、位相雑音の悪化を抑えることができるようになる。これにより、低消費電力化と低い位相雑音とを両立しながら、広い電圧範囲で動作可能なレベルシフト回路を提供することができる。
（２）本発明の第２の態様に係るレベルシフト回路では、第１の態様において、前記第１のバイアス電圧は、前記第１のトランジスターのゲート・ソース間電圧であってもよい。
本態様によれば、第１のトランジスターに適正なバイアスを印加して入力信号の振幅レベルを変換し、電源電圧を変更しても、低消費電流を実現するとともに、波形のパルス整形を安定化させ、位相雑音の悪化を抑えることができるようになる。
（３）本発明の第３の態様に係るレベルシフト回路では、第１の態様又は第２の態様において、前記第２のバイアス電圧は、前記第２のトランジスターのゲート・ソース間電圧であってもよい。
本態様によれば、第２のトランジスターに適正なバイアスを印加して入力信号の振幅レベルを変換し、電源電圧を変更しても、低消費電流を実現するとともに、波形のパルス整形を安定化させ、位相雑音の悪化を抑えることができるようになる。
（１）本発明の第１の態様は、レベルシフト回路が、ソースに第１の電源電圧が供給される第１導電型の第１のトランジスターと、ソースに第２の電源電圧が供給され、ドレインに前記第１のトランジスターのドレインが接続される第２導電型の第２のトランジスターと、前記第１のトランジスターの第１のバイアス電圧を生成する第１の電圧生成回路と、前記第２のトランジスターの第２のバイアス電圧を生成する第２の電圧生成回路と、入力信号が入力される入力ノードと前記第１のトランジスターのゲートとを容量結合する第１の容量と、前記入力ノードと前記第２のトランジスターのゲートとを容量結合する第２の容量とを含む。