(57)【要約】機能性高分子材料または機能性電子材料を製造する際の原料として有用な特定構造のエーテル化合物、および該化合物の製造方法を提供する。一般式(１)で表される化合物および該化合物の製造方法である。2013179872.tif 000018(式中、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、ニトロ基またはアミノ基を表す)
2013179872.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表される化合物。
2013179872.tif 000013
(式中、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、ニトロ基またはアミノ基を表す)
【請求項２】
塩基の存在下、式（２）で表される化合物と、ジニトロベンゼン及びハロゲン化ニトロベンゼンから選ばれた少なくとも1種の化合物を反応させることを特徴とする一般式（１−Ａ）で表される化合物の製造方法。
2013179872.tif 000014
2013179872.tif 000015
【請求項３】
触媒の存在下、一般式（１−Ａ）で表される化合物と、水素源を作用させることから成る一般式（１−Ｂ）で表される化合物の製造方法。
2013179872.tif 000016
2013179872.tif 000017
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な構造を有するエーテル化合物に関する。
さらに詳しくは、各種の機能性高分子材料（例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリカルボジイミド）、各種の機能性電子材料（例えば、有機電界発光素子材料、有機トランジスタ素子材料、光電変換素子材料）の製造原料として有用なエーテル化合物、および該化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、社会のニーズに伴って、各種の機能性高分子材料、および各種の機能性電子材料の開発が活発に行われている。各種の機能性高分子材料としては、例えば、種々のポリイミド、ポリアミド、ポリカルボジイミドなどが開発されてきている。各種の特性を有するポリイミドの製造原料として、種々のアミン化合物が提案されており、例えば、４,４’−ビス（アミノフェノキシ）ジフェニルスルフォン、４,４’−ビス（アミノフェノキシ）ベンゾフェノンは有用な化合物であることが報告されている（非特許文献１）。【０００３】
また、分子内にエーテル結合を有するアミン化合物、例えば、４,４’−ビス(アミノフェノキシ)ビフェニル、１,３−ビス(アミノフェノキシ)ベンゼン、および１,４−ビス(アミノフェノキシ)ベンゼンも各種ポリイミドの製造原料として有用な化合物であることが報告されている(非特許文献１)。現在では、各種の機能性高分子材料を用いる分野においては、様々な特性の改良が望まれており、その特性の改良を行うためにも、製造原料として新規なアミン化合物が求められている。【０００４】
また、種々のアミン化合物は、各種の機能性電子材料（例えば、有機電界発光素子材料、有機トランジスタ素子材料、光電変換素子材料）として有用であることが知られている。
有機電界発光素子材料として、アミン化合物は、例えば、正孔注入輸送材料、発光材料として有用であることが知られている（非特許文献２）。
また、有機トランジスタ素子材料として、アミン化合物は、例えば、ｐ−型の有機トランジスタ材料として有用であることが知られている（非特許文献３、４）。さらに、光電変換素子（有機太陽電池）材料として、アミン化合物は有用であることが知られている（非特許文献５）。
これら各種の機能性電子材料の分野においても、更なる特性改良が望まれており、それに伴い、新規な有機材料の創出が求められている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】Polymer,３７、３６８３（１９９６）
【非特許文献２】J.Mater.Chem.,１０、１（２０００）
【非特許文献３】Chem.Rev.,１０７、１０６６（２００７）
【非特許文献４】Angew.Chem.Int.Ed.,４７、４０７０(２００８)
【非特許文献５】Chem.Rev.,１１０、６６８９（２０１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、前記特定構造を有するエーテル化合物を提供することである。さらに詳しくは、分子内にエーテル結合およびニトロ基を有する化合物、および分子内にエーテル結合およびアミノ基を有する化合物、および該化合物の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、各種の化合物に関し、鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、
（ｉ）一般式(１)で表される化合物であり、
2013179872.tif 000003
(式中、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、ニトロ基またはアミノ基を表す)【０００８】
（ii）塩基の存在下、式(２)で表される化合物と、ジニトロベンゼン及びハロゲン化ニトロベンゼンから選ばれた少なくとも1種の化合物を反応させることを特徴とする一般式(１−Ａ)で表される化合物の製造方法であり、
2013179872.tif 000004
2013179872.tif 000005
【０００９】
（iii）触媒の存在下、一般式(１−Ａ)で表される化合物と、水素源を作用させることから成る一般式(１−Ｂ)で表される化合物の製造方法に関するものである。
2013179872.tif 000006
2013179872.tif 000007
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、各種の機能性高分子材料（例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリカルボジイミド）、および各種の機能性電子材料（例えば、有機電界発光素子材料、有機トランジスタ素子材料、光電変換素子材料）を製造する際に有用な原料であるエーテル化合物、および該化合物の製造方法を提供することが可能になった。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明に関し詳細に説明する。
本発明は、一般式(１)で表される化合物である。
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(式中、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、ニトロ基またはアミノ基を表す)
【００１２】
一般式(１)で表される化合物において、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、ニトロ基またはアミノ基を表し、より好ましくは、Ａ１およびＡ２が同時に、ニトロ基またはアミノ基を表す。また、一般式(１)で表される化合物において、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、エーテル結合(−Ｏ−)に対して、オルト位、メタ位またはパラ位を表し、より好ましくは、メタ位またはパラ位を表し、さらに好ましくは、Ａ１およびＡ２が同時に、メタ位またはパラ位を表す。
【００１３】
一般式(１)で表される化合物は、より好ましくは、一般式(１−Ａ)または一般式(１−Ｂ)で表される化合物である。
2013179872.tif 000009
2013179872.tif 000010
一般式(１−Ａ)で表される化合物において、ニトロ基は、エーテル結合
（−Ｏ−）に対して、オルト位、メタ位またはパラ位を表し、より好ましくは、二つのニトロ基は同時に、メタ位またはパラ位を表す。
一般式(１−Ｂ)で表される化合物において、アミノ基は、エーテル結合
（−Ｏ−）に対して、オルト位、メタ位またはパラ位を表し、より好ましくは、二つのアミノ基は同時に、メタ位またはパラ位を表す。
【００１４】
一般式(１)において、Ａ１およびＡ２が同時にニトロ基である一般式(１−Ａ)で表される化合物の製造方法に関しては、塩基の存在下、式(２)で表される化合物と、ジニトロベンゼン及びハロゲン化ニトロベンゼンから選ばれる少なくとも１種の化合物を反応させることにより製造することができる。
2013179872.tif 000011
【００１５】
式(２)で表される化合物は、例えば、１,３−ビス(４’−メトキシフェニル）ベンゼンと、ヨウ化水素酸、または三臭化ホウ素を作用させることにより製造することができる［例えば、J.Amer.Chem.Soc.,66,６２８(1944)、
J.Mater.Chem.,９、６６１(1999)、J.Med.Chem.,５１、６７２５(2008)に記載の方法を参考にすることができる］。
【００１６】
ジニトロベンゼンの具体例としては、１,２−ジニトロベンゼン、１,３−ジニトロベンゼン、１,４−ジニトロベンゼンが挙げられ、１,３−ジニトロベンゼン、１,４−ジニトロベンゼンが好ましい。
ハロゲン化ニトロベンゼンの具体例としては、クロロニトロベンゼン、ブロモニトロベンゼン、フルオロニトロベンゼンが挙げられ、クロロニトロベンゼン、フルオロニトロベンゼンが好ましく、クロロニトロベンゼンがより好ましい。
【００１７】
ハロゲン化ニトロベンゼンの好ましい具体例としては、例えば、２−クロロニトロベンゼン、３−クロロニトロベンゼン、４−クロロニトロベンゼン、２−ブロモニトロベンゼン、３−ブロモニトロベンゼン、４−ブロモニトロベンゼン、２−フルオロニトロベンゼン、３−フルオロニトロベンゼン、４−フルオロニトロベンゼンなどが挙げられる。
【００１８】
なお、一般式（１−Ａ）で表される化合物において、ニトロ基がエーテル結合に対してメタ位である化合物を製造する場合、より好ましくは、塩基の存在下、式（２）で表される化合物とジニトロベンゼンを反応させる。
また、一般式（１−Ａ）で表される化合物において、ニトロ基がエーテル結合に対してオルト位またはパラ位である化合物を製造する場合、より好ましくは、塩基の存在下、式（２）で表される化合物とハロゲン化ニトロベンゼンを反応させる。
【００１９】
一般式（１−Ａ）で表される化合物の製造において使用するジニトロベンゼン及びハロゲン化ニトロベンゼンの量は、一般には、当該化合物を１種類のみ反応させる場合は、式（２）で表される化合物１モルに対して、１.８〜２.２モル程度、より好ましくは、１.９〜２.１モル程度、さらに好ましくは、１.９５〜２.０５モル程度使用する。又、当該化合物から２種類選択して反応させる場合は、式（２）で表される化合物１モルに対して、それぞれ０.８〜１.２モル程度、より好ましくは、０.９〜１.１モル程度、さらに好ましくは、０.９５〜１.０５モル程度使用する。
【００２０】
一般式(１−Ａ)で表される化合物の製造において使用する塩基としては、
例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムなどの無機塩基、
例えば、ナトリウムメトキシド、カリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムエトキシド、ナトリウム−tert−ブトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム（２,４,６−トリ−tert−ブチルフェノラート）、カリウム（２,４,６−トリ−tert−ブチルフェノラート）、カリウム（２,６−ジ−tert−ブチル−４−メチルフェノラート）などの金属アルコキシド、
例えば、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、トリエチルアミン、トリイソプロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、キノリン、ピコリン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、１,８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン(ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４.３.０］−５−ノネン(ＤＢＮ）、Ｎ,Ｎ,Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミンなどの有機塩基などを挙げることができ、より好ましくは、無機塩基である。
係る塩基は１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。塩基の使用量は、一般には、使用するジニトロベンゼン及びハロゲン化ニトロベンゼンの総量に対して、０.８〜４.０当量であり、好ましくは、１.０〜３.０当量使用する。
【００２１】
一般式(１−Ａ)で表される化合物の製造においては、有機溶媒の非存在下で実施することも可能であるが、好ましくは有機溶媒の存在下で実施する。
係る有機溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、
例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、混合キシレン、メシチレン、クメン、プソイドクメン、テトラリンなどの芳香族炭化水素溶媒、
例えば、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、アニソール、ジフェニルエーテルなどのエーテル系溶媒、
例えば、ジメチルスルフォキサイド、ジメチルスルフォン、スルフォラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジ−ｎ−ブチル−２−イミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホルアミド、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリルなどの非プロトン性極性溶媒などの有機溶媒を挙げることができ、より好ましくは、非プロトン性極性溶媒である。
これらの有機溶媒は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
【００２２】
一般式(１−Ａ)で表される化合物の製造において、有機溶媒の使用量は、特に制限するものではないが、一般には式(２)で表される化合物の濃度が０.０５〜６Ｍ程度、より好ましくは０.０８〜５Ｍ程度となる量に調製する。
尚、塩基として無機塩基を用いて一般式（１−Ａ）で表される化合物を製造する場合、生成する水を反応系外に留去しながら反応を実施することは好ましいことである。
【００２３】
一般式（１−Ａ）で表される化合物の製造において、式（２）で表される化合物、ジニトロベンゼン及びハロゲン化ニトロベンゼン、塩基、および有機溶媒の供給方法に関しては、特に制限するものではないが、例えば、
（ア）有機溶媒の存在下、式（２）で表される化合物および塩基の混合物に、ジニトロベンゼン及び／又はハロゲン化ニトロベンゼンを供給する方法、
（イ）有機溶媒の存在下、ジニトロベンゼン及び／又はハロゲン化ニトロベンゼンに、式（２）で表される化合物および塩基を供給する方法、
（ウ）有機溶媒の存在下、式（２）で表される化合物、ジニトロベンゼン及び／又はハロゲン化ニトロベンゼンおよび塩基を、一括で供給する方法、などを挙げることができる。
このように、一般式(１−Ａ)で表される化合物は、塩基の存在下、式(２)で表される化合物と、ジニトロベンゼン及びハロゲン化ニトロベンゼンから選ばれた少なくとも1種を反応させることにより製造することができるが、ハロゲン化ニトロベンゼンを用いる場合には、所望により、さらに金属化合物を存在させてもよい。
【００２４】
係る金属化合物としては、好ましくは、周期律表の第１０〜１１族から選ばれる金属化合物であり、より好ましくは、銅化合物、パラジウム化合物、またはニッケル化合物であり、さらに好ましくは、銅化合物、またはパラジウム化合物である。
尚、金属化合物としては、０価の金属、または１価〜２価の金属イオンを含有して成る金属化合物が挙げられ、より好ましくは、分子内に銅原子または銅イオンを含有して成る銅化合物、分子内にパラジウム原子またはパラジウムイオンを含有して成るパラジウム化合物、あるいは分子内にニッケル原子またはニッケルイオンを含有して成るニッケル化合物であり、さらに好ましくは、分子内に銅原子または銅イオンを含有して成る銅化合物、あるいは分子内にパラジウム原子またはパラジウムイオンを含有して成るパラジウム化合物である。
【００２５】
係る金属化合物としては、例えば、金属銅、塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第一銅、酸化第一銅、酢酸第一銅、塩化第二銅、臭化第二銅、ヨウ化第二銅、酸化第二銅、酢酸第二銅、硫酸銅、炭酸銅、トリフルオロメタンスルフォン酸銅、トリフルオロメタンスルフォン酸銅のベンゼン錯体、ビス(２,４−ペンタンジオナート)銅、ビス(トリフルオロ−２,４−ペンタンジオナート)銅、ビス(ヘキサフルオロアセチルアセトナート)銅、グルコン酸銅、安息香酸銅、ナフテン酸銅、フタル酸モノブチル銅、ジエチルジチオカルバミン酸銅などの銅化合物、
【００２６】
あるいは、例えば、塩化パラジウム、臭化パラジム、ヨウ化パラジウム、酢酸パラジム、ビス（２，４−ペンタジオナート）パラジウム、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、ビス（ベンゾニトリル）パラジウムジクロライド、アリルパラジウムクロライドのダイマー、Ｋ２ＰｄＣｌ４、Ｋ２ＰｄＣｌ６、Ｋ２Ｐｄ(ＮＯ３)４、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（エチレン）パラジウム、Ｐｄ（π−Ｃ５Ｈ５）２などの無機、有機配位錯体、
例えば、ビス（エチレンジアミン）パラジウムジクロライド、ＰｄＣｌ２（ＮＨ３）２、ＰｄＣｌ２［Ｎ（Ｃ２Ｈ５)３］２、Ｐｄ（ＮＯ３)２（ＮＨ３)６などのＮ−配位錯体、
例えば、ビス［１,２−ビス(ジフェニルホスフィノ)エタン］パラジウム、Ｐｄ［Ｐ(ＣＨ３)３］４、Ｐｄ［Ｐ(Ｃ２Ｈ５）３］４、Ｐｄ［Ｐ(ｎ−Ｃ３Ｈ７)３］４、Ｐｄ［Ｐ(iso−Ｃ３Ｈ７)３］４、Ｐｄ［Ｐ(ｎ−Ｃ４Ｈ９)３］４、Ｐｄ［Ｐ(tert−Ｃ４Ｈ９)３］４、Ｐｄ［Ｐ(Cyc−Ｃ６Ｈ１１)３］４、Ｐｄ［Ｐ(Ｃ６Ｈ５)３］４、Ｐｄ［Ｐ(ｏ−ＣＨ３−Ｃ６Ｈ４)３］４、ＰｄＣＯ２［Ｐ(Ｃ６Ｈ５）３］４、Ｐｄ（Ｃ２Ｈ４）［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］２、ＰｄＣｌ２［Ｐ(Ｃ６Ｈ５)３］２、ＰｄＣｌ２［Ｐ(ｎ−Ｃ４Ｈ９)３］２、ＰｄＣｌ２［Ｐ(tert−Ｃ４Ｈ９）３］２、ＰｄＢｒ２［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］２、ＰｄＢｒ２［Ｐ(ｎ−Ｃ４Ｈ９)３］２、ＰｄＢｒ２［Ｐ(tert−Ｃ４Ｈ９)３］２、ＰｄＣｌ２［Ｐ(ＯＣＨ３)３］２、ＰｄＢｒ２［Ｐ(ＯＣＨ３)３］２、ＰｄＩ２［Ｐ(ＯＣＨ３)３］２、ＰｄＣｌ(Ｃ６Ｈ５)［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］２などのホスフィン配位錯体、さらにはＰｄ／炭素などのパラジウム化合物、
【００２７】
また、例えば、塩化ニッケル、臭化ニッケル、ビス（２,４−ペンタジオナート)ニッケルなどの無機、有機配位錯体、例えば、Ｎｉ［Ｐ(Ｃ６Ｈ５)３］４、ＮｉＣｌ２［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］２などのホスフィン配位錯体などのニッケル化合物を挙げることができる。より好ましい金属化合物は、塩化第一銅、臭化第一銅、ヨウ化第一銅などのハロゲン化第一銅、あるいは、酢酸パラジウムなどの無機、有機配位錯体パラジウムである。
金属化合物は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。また、金属化合物の使用量に関しては特に制限されるものではないが、ハロゲン化ニトロベンゼンの総量に対して、一般には、０.０１〜５０モル％程度であり、より好ましくは、０.１〜３０モル％程度である。
【００２８】
一般式（１−Ａ）で表される化合物を製造する際の反応温度に関しては、特に制限するものではないが、一般には、２０〜２２０℃程度、好ましくは、４０〜２００℃程度、より好ましくは、５０〜１８０℃程度で実施する。
一般式（１−Ａ）で表される化合物を製造する際の反応時間に関しては、特に制限するものではないが、一般には、１〜４０時間程度、より好ましくは、２〜３０時間程度で実施することができる。
【００２９】
また、一般式（１−Ａ）で表される化合物を製造する際の反応は、大気雰囲気下で実施することができるが、一般には、不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム）存在下で実施することが好ましい。
一般式(１−Ａ)で表される化合物の製造に際して、反応は、常圧下で実施してもよく、所望により、減圧下または加圧下で実施することも可能である。
【００３０】
このような方法で製造される一般式(１−Ａ)で表される化合物は、反応終了後、例えば、必要に応じ、有機溶媒を留去した後に、水の存在下で結晶として単離することができる。また、一般式（１−Ａ）で表される化合物は、所望により、再結晶法、クロマトグラフィー法などの公知の方法により単離、精製することができる。
【００３１】
尚、一般式（１）において、Ａ１およびＡ２が同時にアミノ基である一般式（１−Ｂ）で表される化合物の製造方法に関しては、特に制限するものではないが、好ましくは、一般式（１−Ａ）で表される化合物中のニトロ基を還元し、アミノ基へ変換することにより製造することができる。
【００３２】
一般式（１−Ｂ）で表される化合物の製造方法としては、好ましくは、一般式（１−Ａ）で表される化合物と、水素源を作用させる（水素化反応）ことから成る製造方法であり、
より好ましくは、触媒の存在下、一般式（１−Ａ）で表される化合物と、水素源を作用させることから成る製造方法である。
【００３３】
水素源としては、例えば、プロトン酸（例えば、塩化水素、臭化水素）と還元剤（例えば、鉄、スズ、塩化第一スズなど)との組み合わせを包含するものであるが、より好ましくは、水素源自体が、水素供給能力を有するものであり、より好ましくは、水素、ヒドラジンを挙げることができ、より好ましくは、水素である。
【００３４】
尚、水素源として水素を用いる場合、水素は気体状態で使用してもよく、また有機溶媒に溶解させた溶液状態で使用してもよい。
水素源の使用量は、特に制限するものではないが、一般式（１−Ａ）で表される化合物中のニトロ基をアミノ基に変換するに充分な量を使用するものであり、過剰量の水素源の存在下で実施することも可能であるが、一般には、水素源は、水素１モルに換算して、一般式(１−Ａ)で表される化合物１モルに対して、４〜８モル程度使用し、より好ましくは、６モル程度使用する。
【００３５】
触媒としては、好ましくは、周期律表の第８〜第１０族から選ばれる金属原子を含有して成る金属触媒であり、より好ましくは、鉄、ロジウム、ニッケル、パラジウム、ルテニウム、コバルトまたは白金原子を含有して成る金属触媒であり、さらに好ましくは、パラジウム原子を含有して成るパラジウム触媒である。
【００３６】
なお、触媒としては、該金属原子を、例えば、炭素、アルミナ、シリカ、ゼオライト、硫酸バリウムなどの担体に坦持させた形態で使用することは好ましい。係る触媒としては、例えば、塩化第二鉄／活性炭、パラジウム／炭素、パラジウム／アルミナ、パラジウム／硫酸バリウム、白金、酸化白金、白金／炭素、白金／シリカ、ロジウム／炭素、ロジウム／アルミナ、ルテニウム／炭素、ラネーニッケル、ラネーコバルトなどを挙げることができ、より好ましくは、パラジウム／炭素、パラジウム／アルミナなどのパラジウム触媒である。
触媒の使用量は、特に制限するものではないが、一般には、一般式(１−Ａ)で表される化合物に対して、０.０１〜４０質量％程度、より好ましくは、０.１〜３０質量％程度である。
【００３７】
触媒の存在下、一般式（１−Ａ）で表される化合物と、水素源を作用させる際には、好ましくは、有機溶媒の存在下で実施する。
係る有機溶媒としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、
例えば、ベンゼン、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、混合キシレン、メシチレン、クメン、プソイドクメン、テトラリンなどの芳香族炭化水素溶媒、
例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール、シクロヘキサノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、
例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、
【００３８】
例えば、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジイソブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、アニソール、ジフェニルエーテルなどのエーテル系溶媒、
例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジ−ｎ−ブチル−２−イミダゾリジノン、ヘキサメチルホスホルアミドなどの非プロトン性極性溶媒などの有機溶媒を挙げることができる。
これらの有機溶媒は、１種を単独で使用してもよく、あるいは複数併用してもよい。
尚、有機溶媒の使用量は、特に制限するものではないが、一般には、一般式（１−Ａ）で表される化合物の濃度が、０.０５〜６Ｍ程度、より好ましくは、０.０８〜５Ｍ程度となる量に調製する。
【００３９】
一般式（１−Ｂ）で表される化合物の製造において、一般式（１−Ａ）で表される化合物、触媒、有機溶媒および水素源の供給方法に関しては、特に制限するものではないが、例えば、
（エ）有機溶媒の存在下、一般式（１−Ａ）で表される化合物および触媒の混合物に、水素源を供給する方法、
（オ）有機溶媒の存在下、予め触媒を存在させて、一般式（１−Ａ）で表される化合物の供給と共に、水素源を供給する方法、などを挙げることができる。
【００４０】
一般式（１−Ａ）で表される化合物と、水素源を作用させる際の反応温度に関しては、特に制限するものではないが、一般には、０〜２００℃程度、好ましくは、１０〜１５０℃程度、より好ましくは、２０〜１２０℃程度で実施する。
また、一般式（１−Ａ）で表される化合物と、水素源を作用させる際の反応時間に関しては、特に制限するものではないが、一般には、１〜１００時間程度、より好ましくは、２〜６０時間程度で実施することができる。
また、一般式（１−Ａ）で表される化合物と水素源との反応は、水素源と共に、例えば、不活性ガス（例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム）の共存下で実施することができる。
一般式（１−Ａ）で表される化合物と、水素源を作用させる際、該反応は、常圧下で実施してもよく、所望に応じ、減圧下または加圧下で実施することも可能である。
【００４１】
このような方法で製造される一般式（１−Ｂ）で表される化合物は、分子中にアミノ基を有していることから、例えば、酸（例えば、塩化水素、臭化水素、硫酸）を作用させて、塩（例えば、塩酸塩、臭酸塩、硫酸塩）として単離することもできる。
その一般式（１−Ｂ）で表される化合物の塩は、塩基（例えば、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム）を作用させることにより、一般式（１−Ｂ）で表される化合物へと変換することができる。
また、一般式（１−Ｂ）で表される化合物は、所望により、再結晶法、クロマトグラフィー法などの公知の方法により単離、精製することができる。
また、一般式（１−Ｂ）で表される化合物および該化合物の塩は、有機溶媒および／または水の存在下、例えば、活性炭、ゼオライトなどを作用させて、精製することもできる。
【００４２】
なお、一般式（１−Ａ）および一般式（１−Ｂ）で表される化合物の構造は、元素分析、ＭＳ（ＦＤ−ＭＳ）分析、ＩＲ分析、１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲなどの各種分析方法により同定することができる。
一般式（１−Ａ）および一般式（１−Ｂ）で表される化合物を製造するに際して、使用する反応装置の種類、形態に関しては特に制限するものではないが、一般には、槽型、管型、塔型の反応装置を用いることができる。また、各製造工程を、回分式（バッチ式）で実施することができ、さらには、連続的に実施することも可能である。
また一般式(１−Ａ)および一般式(１−Ｂ)で表される化合物を製造するに際して、使用する反応装置は、様々な撹拌装置を備えることができる。係る撹拌装置としては、例えば、パドル型撹拌機、プロペラ型撹拌機、タービン型撹拌機、ホモジナイザー、ホモミキサー、ラインミキサー、ラインホモミキサーなどの高速撹拌機、さらにはスタティックミキサー、コロイドミル、オリフィスミキサー、フロージェットミキサーなどを挙げることができる。
尚、各製造工程における反応の進行は、例えば、薄層クロマトグラフィー、高速液体クロマトグラフィー、ガスクロマトグラフィーなどの方法で追跡することができる。
【００４３】
本発明により、各種の機能性高分子材料（例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリカルボジイミド）、各種の機能性電子材料（例えば、有機電界発光素子材料、有機トランジスタ素子材料、光電変換素子材料）を製造する際の有用な原料であるニトロ化合物およびアミン化合物を提供することが可能になった。さらには、該化合物の製造方法を提供することが可能になった。すなわち、例えば、本発明の化合物であるジアミン化合物中の二つのアミノ基を、公知の方法に従って、テトラアリール化して製造されるテトラアリールジアミン化合物は、有機トランジスタ素子材料として好適に用いることができる。
【実施例】
【００４４】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
窒素雰囲気下、１，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ベンゼン２６．２ｇ（０．１０モル）、１,３−ジニトロベンゼン３４．２ｇ（０．２０３モル）および微粉末状の炭酸カリウム１７．１ｇ（０．１２４モル）を、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（１３０ｍｌ）およびトルエン（１０ｍｌ）の混合溶媒に加えた後、反応混合物からトルエンおよび水を留去しながら、１４０〜１４５℃で２時間撹拌した。さらに、反応混合物からトルエンおよび水を留去しながら、１４５〜１５０℃で４時間撹拌した。
その後、Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミドを減圧下で濃縮し、残渣に水（２００ｍｌ）、およびトルエン（５００ｍｌ）を加え抽出した。トルエン層を分離後、トルエンを減圧下で留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン）で分離して、目的とする１，３−ビス［４’−（３”−ニトロフェニルオキシ）フェニル］ベンゼン４５.５ｇを黄色の結晶として得た（収率９０％）。尚、この化合物はトルエンから再結晶することができた。融点１１３〜１１５℃。この化合物の純度は、高速液体クロマトグラフィーの分析の結果、９９.８％以上（面積比）であった。【００４５】
（実施例２）
実施例１で製造した１,３−ビス［４’−(３”−ニトロフェニルオキシ)フェニル］ベンゼン３５.３ｇ（０.０７モル）を含有するトルエン（８０ｍｌ）溶液を、常圧下、水素ガス雰囲気下で、５質量％パラジウム／炭素（５０質量％含水品、４.２４ｇ）を含むトルエン（５０ｍｌ）溶液に撹拌下、６５℃で、３時間を要して加えた。さらに常圧下、水素ガス雰囲気下、６０〜６８℃で1時間撹拌し、水素化を行った（この間に、反応混合物は、水素０.４２モルを吸収した）。
反応混合物を熱濾過（６５℃）し、パラジウム／炭素を濾別した後、濾液のトルエン溶液からトルエンを濃縮した。トルエン溶液から、析出している結晶を濾過し、目的とする１，３−ビス［４’−（３”−アミノフェニルオキシ）フェニル］ベンゼン２９．２ｇをほぼ無色の結晶として得た（収率９４％）。尚、この化合物はトルエンから再結晶することができた。融点１１８〜１２０℃
この化合物の純度は、高速液体クロマトグラフィーの分析の結果、９９．８％以上（面積比）であった。【００４６】
（実施例３）
窒素雰囲気下、１，３−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）ベンゼン２６．２ｇ（０．１０モル）、および８５質量％水酸化カリウム１３．６ｇ（０．２０６モル）をジメチルスルフォキサイド（８０ｍｌ）に加え、７０℃で３０分間撹拌した。
この混合物に、４−クロロニトロベンゼン３２.５ｇ(０.２０６モル)、ジメチルスルフォキサイド(１００ｍｌ）、およびトルエン(２０ｍｌ)を加えた後、反応混合物からトルエンおよび水を留去しながら、１００〜１１５℃で８時間撹拌した。
その後、ジメチルスルフォキサイドを減圧下で濃縮し、残渣に水（２００ｍｌ）、およびトルエン（７００ｍｌ）を加え、抽出した。
トルエン層を分離後、トルエンを減圧下で留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：トルエン）で分離して、目的とする１,３−ビス［４’−（４”−ニトロフェニルオキシ）フェニル］ベンゼン３０.７ｇを黄色の結晶として得た（収率６１％）。融点１５１〜１５３℃  
この化合物の純度は、高速液体クロマトグラフィーの分析の結果、９９.７％以上（面積比）であった。【００４７】
（実施例４）
窒素雰囲気下、１,３−ビス(４’−ヒドロキシフェニル)ベンゼン２６.２ｇ(０.１０モル）、４−クロロニトロベンゼン３２.０ｇ(０.２０３モル)および微粉末状の炭酸カリウム１７.１ｇ(０.１２４モル)を、Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド(１３０ｍｌ)およびトルエン(１０ｍｌ)の混合溶媒に加えた後、反応混合物からトルエンおよび水を留去しながら、１４０〜１４５℃で２時間撹拌した。さらに、反応混合物からトルエンおよび水を留去しながら、１４５〜１５０℃で８時間撹拌した。その後、トルエン、および一部のＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド(１０ｍｌ)を減圧下で留去し、７０℃で熱濾過した。濾液に水(６００ｍｌ)を加え、室温に冷却した。
析出した結晶を濾過、水洗後、６０℃で乾燥し、目的とする１,３−ビス［４’−（４”−ニトロフェニルオキシ）フェニル］ベンゼン４９.２ｇを黄色の結晶として得た（収率９７％）。尚、この化合物は融点１５１〜１５３℃であった。この化合物の純度は、高速液体クロマトグラフィーの分析の結果、９９.７％以上（面積比）であった。【００４８】
（実施例５）
実施例４で製造した１,３−ビス［４’−(４”−ニトロフェニルオキシ)フェニル］ベンゼン３５.３ｇ(０.０７モル)を含有するＮ,Ｎ-ジメチルホルムアミド（３０ｍｌ）溶液を、常圧下、水素ガス雰囲気下で、５質量％パラジウム／アルミナ（０.５ｇ）を含むＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（１２０ｍｌ）溶液に撹拌下、７０℃で加えた。さらに常圧下、水素ガス雰囲気下、７０〜８５℃で７時間撹拌し、水素化を行った(この間に、反応混合物は、水素０.４２モルを吸収した）。反応混合物を８５℃で熱濾過し、パラジウム／アルミナを濾別した後、濾液に水(１５０ｍｌ)を加え、室温に冷却した。析出している結晶を濾過し、目的とする１，３−ビス［４’−（４”−アミノフェニルオキシ）フェニル］ベンゼン２９．４ｇをほぼ無色の結晶として得た（収率９４％）。尚、この化合物はトルエンから再結晶することができた（融点２２７〜２２９℃）。この化合物の純度は、高速液体クロマトグラフィーの分析の結果、９９.８％以上（面積比）であった。【００４９】
（応用例１）
実施例２で製造した１,３−ビス［４’−(３”−アミノフェニルオキシ)フェニル］ベンゼン４.４４ｇ(０.０１モル）、４−ヨードビフェニル１４ｇ(０.０５モル）、ヨウ化第一銅０.０５７ｇ(０.０００３モル）、およびカリウム−tert−ブトキシド５.６ｇ(０．０５モル)をトルエン(１５０ｍｌ)に加え、さらにトリ−tert−ブチルホスフィン０.１２ｇ(０.０００６モル)を加えた後、反応混合物を、１０５℃で１４時間撹拌した。反応混合物を濾過し、濾液のトルエン溶液からトルエンを留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶出液：トルエン)で分離して、式(ａ)で表される化合物６.６ｇをほぼ無色の結晶として得た(収率６３％)。この化合物のガラス転移温度は８４℃であった。
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【００５０】
（応用例２）
ゲート電極としての抵抗率０.０２Ω・ｃｍのシリコン基板に、厚さ２００ｎｍの熱酸化膜（ＳｉＯ2）を形成した。ここで、シリコン基板自体がゲート電極となり、シリコン基板表面に形成されたＳｉＯ2層がゲート絶縁層となる。このシリコン基板を６０℃に加温し、その上に、応用例１で製造した式(ａ)で表される化合物のトルエン溶液(濃度：０.７質量％)を塗布し、トルエンを蒸発させて、式(ａ)で表される化合物から成る有機半導体層(厚み：８０ｎｍ)を形成した。さらに、この上に、マスクを用いて、金を蒸着してソース電極およびドレイン電極を形成した。尚、ソース電極およびドレイン電極の厚みは８０ｎｍであり、チャネル幅は２ｍｍ、チャネル長は５０μｍであった。以上のように作製した有機トランジスタは、ｐ−型の有機トランジスタ素子としての特性を示した。有機トランジスタの電流−電圧(Ｉ−Ｖ）特性の飽和領域から、電荷移動度を求めたところ、２×１０−３(ｃｍ２／Ｖｓｅｃ)であった。さらに、ドレインバイアス−５０Ｖとし、ゲートバイアス−５０Ｖおよび０Ｖにした時のドレイン電流値を測定し、電流のオン／オフ比を求めたところ、４.７×１０３であった。尚、この有機トランジスタの閾値電圧は、−１２Ｖであった。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明により、一般式(１)で表される新規なエーテル化合物を提供することが可能になった。本発明により、各種の機能性高分子材料(例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリカルボジイミド）、各種の機能性電子材料(例えば、有機電界発光素子材料、有機トランジスタ素子材料、光電変換素子材料)を製造する際に有用な原料となる化合物、および該化合物の製造方法を提供することが可能になった。
【国際調査報告】
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