【事件の表示】
　特願２０１７−５５９４３５「ペルブスカイト材料のチタン酸塩界面層」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１１月１７日国際公開、ＷＯ２０１６／１８３２７３、平成３０年　６月１４日国内公表、特表２０１８−５１５９３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１６年（平成２９年）５月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理　２０１５年５月１３日、米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
平成３０年　５月　７日付け：拒絶理由通知（同年同月１５日発送）
　　　同年１０月　５日　　：手続補正、意見書提出
　　　同年１２月１９日付け：拒絶査定（同年同月２５日謄本送達）
平成３１年　４月２４日　　：審判請求、手続補正書の提出
第２　本願発明
　平成３１年４月２４日の手続補正（以下「本件補正」という。）は、請求項１３，１４、および２５−２８を削除するものであって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　光起電力デバイスであって、
　　第１の電極と、
　　第２の電極と、
　　前記第１の電極と前記第２の電極との間に少なくとも部分的に配置された活性層であって、前記第１の電極が、第１の基板の内側表面上に配置され、且つ、前記第２の電極が
、第２の基板の内側表面上に配置され、前記活性層は、
　　　ペロブスカイト材料を含む光活性材料と、
　　　Ｍ’ＴｉＯ３を含む薄膜界面層と、
を含む、前記活性層と、
を含む、光起電力デバイス。」
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、次のとおりのものである。
１（特許法２９条２項）この出願の請求項１−２９に係る発明は、引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得たものであって、この出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、この出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２（特許法３６条６項１号）この出願の請求項１３−１４，２５−２８に記載された発明は、発明の詳細な説明に記載したものでないから、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
引用文献
１.　国際公開第２０１４／１５１５２２号
２.　Ashok Bera et al.，‘Perovskite Oxide SrTiO3 as an Efficient Electron Transporter for Hybrid Perovskite Solar Cells’，The Journal of Physical Chemistry C，American Chemical Society，２０１４年１１月１９日，Vol.118，p.28494-28501
第４　引用文献の記載及び引用発明
１　引用文献１
（１）引用文献１の記載
　引用文献１には、以下の事項が記載されている（下線は、当審で付した。また、日本語訳は当審で作成した。以下同じ。）。
ア「[00107] The present disclosure in some embodiments provides PVs comprising a photoactive organic compound of the present disclosure and/or other advantageous materials or layers as discussed hereinbelow. In some embodiments, the PV may be an OPV. In some embodiments, the OPV may be a DSSC, wherein the dye comprises a photoactive compound of the present disclosure. In some embodiments, the OPV may be a BHJ, wherein the photoactive layer of the BHJ comprises a photoactive compound of the present disclosure. Any DSSC, BHJ, or OPV generally as known in the art may advantageously incorporate a photoactive organic compound of embodiments of the present disclosure, which may provide substantial benefits over conventional OPVs, particularly greater PCE to cost ratios. 
[00108]
　・・・（中略）・・・
[00112] Solid-state DSSCs according to some embodiments may provide additional advantages. For instance, a solid-state DSSC may not experience leakage and/or corrosion issues that affect DSSCs comprising liquid electrolytes. Furthermore, a solid-state charge carrier may provide faster device physics (e.g., faster charge transport). Additionally, solid-state electrolytes may, in some embodiments, be photoactive and therefore contribute to power derived from a solid-state DSSC device.」
（日本語訳：
［００１０７］
いくつかの実施形態における本開示は、本開示の光活性有機化合物および／または以下で議論されるような他の有利な材料または層を含むＰＶを提供する。いくつかの実施形態では、ＰＶはＯＰＶであり得る。いくつかの実施形態では、ＯＰＶはＤＳＳＣであってもよく、色素は本開示の光活性化合物を含む。いくつかの実施形態では、ＯＰＶはＢＨＪであってもよく、ＢＨＪの光活性層は本開示の光活性化合物を含む。一般に当技術分野で知られている任意のＤＳＳＣ、ＢＨＪ、またはＯＰＶは、本開示の実施形態の光活性有機化合物を有利に組み込むことができ、従来のＯＰＶを上回る実質的な利点、特により大きなＰＣＥ対コスト比を提供し得る。
[００１０８]
　・・・（中略）・・・
［００１１２］いくつかの実施形態による固体ＤＳＳＣは、さらなる利点を提供し得る。たとえば、固体ＤＳＳＣでは、液体電解質を含むＤＳＳＣに影響する漏れや腐食の問題は発生しません。さらに、固体電荷キャリアは、より高速なデバイス物理学（たとえば、より高速の電荷輸送）を提供します。さらに、固体電解質は、いくつかの実施形態では、光活性であり、したがって、固体ＤＳＳＣデバイスから得られる電力に寄与し得る。）
イ「[00127] Interfacial Layers 
 [00128] The present disclosure further provides advantageous materials and designs of one or more interfacial layers within a PV, including: interfacial layers comprising photoactive organic compounds according to aspects of the present disclosure; thin-coat IFLs; and treated asphaltene IFLs. Any one or more of the foregoing may be employed in one or more IFLs of a PV according to various embodiments, and each is discussed in greater detail below.
[00129]
　・・・（中略）・・・
[00130] In addition or instead of a photoactive organic compound SAM IFL, a PV according to some embodiments may include a thin interfacial layer (a thin-coat interfacial layer or thin-coat IFL) coated onto at least a portion of either the first or the second active material of such embodiments (e.g., first or second active material 2810 or 2815 as shown in　FIG. 25) .（後略）」
（日本語訳：
［００１２７］界面層
［００１２８］本開示は、ＰＶ内の１つ以上の界面層の有利な材料および設計をさらに提供し、以下を含む：本開示の態様による光活性有機化合物を含む界面層；薄いコートＩＦＬ；処理されたアスファルテンＩＦＬ。前述のいずれか１つまたは複数を、様々な実施形態によるＰＶの１つまたは複数のＩＦＬで使用することができ、それぞれを以下でより詳細に説明する。
［００１２９］
　・・・（中略）・・・
［００１３０］
光活性有機化合物ＳＡＭ　ＩＦＬに加えて、またはその代わりに、いくつかの実施形態によるＰＶは、そのような実施形態の第１または第２の活物質のいずれかの少なくとも一部にコーティングされた薄い界面層（「薄コート界面層」または「薄コートＩＦＬ」）を含み得る。（例えば、図２５に示される第１または第２の活物質２８１０または２８１５）（後略））
ウ「[00157] Composite Perovskite Device Design  
[00158] In some embodiments, the present disclosure may provide composite design of PV and other similar devices (e.g., batteries, hybrid PV batteries, FETs, LEDs etc.) including one or more perovskite materials. A perovskite may be incorporated into various of one or more aspects of a PV or other device. A perovskite according to some embodiments may be of the general formula CMX 3 , where: C comprises one or more cations (e.g., an amine, ammonium, a Group 1 metal, a Group 2 metal, and/or other cations or cation-like compounds); M comprises one or more metals (exemplars including Fe, Co, Ni, Cu, Sn, Pb, Bi, Ge, Ti, and Zr); and X comprises one or more anions. In some embodiments, C may include one or more organic cations, and X may include one or more halides. In certain embodiments, X may instead or in addition include any Group 16 anion. In some embodiments, each organic cation C may be larger than each metal M, and each anion X may be capable of bonding with both a cation C and a metal M. Examples of perovskites according to various embodiments include CsSnI 3(previously discussed herein) and Csx Sny Iz(with x, y, and z varying in accordance with the previous discussion).Other examples include compounds of the general formula CsSnX3,where X may be any one or more of: I3 , I2.95F0.05;I2 Cl; ICl2 ; and Cl3 . In other embodiments, X may comprise any one or more of I, CI, F, and Br in amounts such that the totalratio of X as compared to Cs and Sn results in the general stoichiometry of CsSnX3 . In some embodiments, the combined stoichiometry of the elements that constitute X may follow the same rules as Iz  as previously discussed with respect to CsxSnyIz . Yet other examples include compounds of the general formula RNH3 PbX3 , where R may be Cn H2n+1,with n ranging from 0-10, and X may include any one or more of F, CI, Br, and I in amounts such that the total ratio of X as compared  to the cation RNH3  and metal Pb results in the general stoichiometry of RNH3 PbX3 . Further, some specific examples of R include H, and alkyl chains (e.g., CH3 , CH3CH2;  CH3 CH2 CH2 , and so on). 
[00159]
　・・・（中略）・・・
[00161] In general, a perovskite device may include a first electrode, a second electrode, and an active layer comprising a perovskite, the active layer disposed at least partially between the first and second electrodes. In some embodiments, the first electrode may be one of an anode and a cathode, and the second electrode may be the other of an anode and cathode. An active layer according to certain embodiments may include any one or more active layer components, including any one or more of: charge transport material; liquid electrolyte;  mesoporous material; photoactive material (e.g., a dye, silicon, cadmium telluride, cadmium sulfide, cadmium selenide, copper indium gallium selenide, gallium arsenide, germanium indium phosphide, semiconducting polymers, other photoactive materials)); and interfacial material. Any one or more of these active layer components may include one or more perovskite materials. In some embodiments, some or all of the active layer components may be in whole or in part arranged in sub-layers. For example, the active layer may comprise any one or more of: an interfacial layer including interfacial material; a mesoporous layer including mesoporous material; and a charge transport layer including charge transport material.　・・・（中略）・・・
[00162] A perovskite device according to some embodiments may optionally include one or more substrates. In some embodiments, either or both of the first and second electrode may be coated or otherwise disposed upon a substrate, such that the electrode is disposed substantially between a substrate and the active layer. The materials of composition of devices (e.g., substrate, electrode, active layer and/or active layer components) may in whole or in part be either rigid or flexible in various embodiments. In some embodiments, an electrode may act as a substrate, thereby negating the need for a separate substrate. 
[00163]
　・・・（中略）・・・
[00164] Description of some of the various materials that may be included in a perovskite device will be made in part with reference to FIG. 36. FIG. 36 is a stylized diagram of a perovskite device 3900 according to some embodiments. Although various components of the device 3900 are illustrated as discrete layers comprising contiguous material, it should be understood that FIG. 36 is a stylized diagram; thus, embodiments in accordance with it may include such discrete layers, and/or substantially intermixed, non-contiguous layers, consistent with the usage of layers previously discussed herein. The device 3900 includes first and second substrates 3901 and 3913. A first electrode 3902 is disposed upon an inner surface of the first substrate 3901, and a second electrode 3912 is disposed on an inner surface of the second substrate 3913. An active layer 3950 is sandwiched between the two electrodes 3902 and 3912. The active layer 3950 includes a mesoporous layer 3904; first and second photoactive materials 3906 and 3908; and a charge transport layer 3910. FIG. 36 furthermore illustrates an example device 3900 according to embodiments wherein each sub-layer of the active layer 3950 is separated by an interfacial layer, and further wherein interfacial layers are disposed upon each electrode 3902 and 3912. In particular, second, third, and fourth interfacial layers 3905, 3907, and 3909 are respectively disposed between each of the mesoporous layer 3904, first photoactive material 3906, second photoactive material 3908, and charge transport layer 3910. First and fifth interfacial layers 3903 and 3911 are respectively disposed between (i) the first electrode 3902 and mesoporous layer 3904; and (ii) the charge transport layer 3910 and second electrode 3912. Thus, the architecture of the example device depicted in FIG. 36 may be characterized as: substrate― electrode― active layer― electrode― substrate. The architecture of the active layer 3950 may be characterized as: interfacial layer― mesoporous layer― interfacial layer― photoactive material― interfacial layer― photoactive material― interfacial layer― charge transport layer― interfacial layer. As noted previously, in some embodiments, interfacial layers need not be present; or, one or more interfacial layers may be included only between certain, but not all, components of an active layer and/or components of a device. 
[00165] A substrate, such as either or both of first and second substrates 3901 and 3913, may be flexible or rigid. If two substrates are included, at least one should be transparent or translucent to electromagnetic (EM) radiation (such as, e.g., UV, visible, or IR radiation). If one substrate is included, it may be similarly transparent or translucent, although it need not be, so long as a portion of the device permits EM radiation to contact the active layer 3950. Suitable substrate materials include any one or more of: glass; sapphire; magnesium oxide (MgO); mica; polymers (e.g., PET, PEG, polypropylene, polyethylene, etc.); ceramics; fabrics (e.g., cotton, silk, wool); wood; drywall; metal; and combinations thereof.  
[00166] As previously noted, an electrode (e.g., one of electrodes 3902 and 3912 of FIG. 36) may be either an anode or a cathode. In some embodiments, one electrode may function as a cathode, and the other may function as an anode. Either or both electrodes 3902 and 3912 may be coupled to leads, cables, wires, or other means enabling charge transport to and/or from the device 3900. An electrode may constitute any conductive material, and at least one electrode should be transparent or translucent to EM radiation, and/or be arranged in a manner that allows EM radiation to contact at least a portion of the active layer 3950. Suitable electrode materials may include any one or more of: indium tin oxide or tin-doped indium oxide (ITO); fluorine-doped tin oxide (FTO); cadmium oxide (CdO); zinc indium tin oxide (ZITO); aluminum zinc oxide (AZO); aluminum (Al); gold (Au); calcium (Ca); magnesium (Mg); titanium (Ti); steel; and combinations thereof.  
[00167]
　・・・（中略）・・・
[00170] As previously noted, devices according to various embodiments may optionally include an interfacial layer between any two other layers and/or materials, although devices according to some embodiments need not contain any interfacial layers. Thus, for example, a perovskite device may contain zero, one, two, three, four, five, or more interfacial layers (such as the example device of FIG. 36, which contains five interfacial layers 3903, 3905, 3907, 3909, and 3911). An interfacial layer may include a thin-coat interfacial layer in accordance with embodiments previously discussed herein (e.g., comprising alumina and/or other metal-oxide particles, and/or a titania/metal-oxide bilayer, and/or other compounds in accordance with thin-coat interfacial layers as discussed elsewhere herein). In other embodiments, an interfacial layer may include treated asphaltenes. An interfacial layer according to some embodiments may include any suitable material for enhancing charge transport and/or collection between two layers or materials; it may also help prevent or reduce the likelihood of charge recombination once a charge has been transported away from one of the materials adjacent to the interfacial layer. Suitable interfacial materials may include any one or more of: any mesoporous material and/or interfacial material discussed elsewhere herein; Al; Bi; In; Mo; Ni; platinum (Pt); Si; Ti; V; Nb; zinc; oxides of any of the foregoing metals (e.g., alumina, silica, titania); a sulfide of any of the foregoing metals; a nitride of any of the foregoing metals; functional ized or non-functionalized alkyl silyl groups; graphite; graphene; fullerenes; carbon nanotubes; and combinations thereof (including, in some embodiments, bilayers of combined materials). In certain embodiments, an interfacial layer may include a tunable photoactive compound comprising an electron donor moiety, a core moiety, and an electron- withdrawing moiety, in accordance with embodiments discussed elsewhere herein. In some embodiments, an interfacial layer may include perovskite material.」
（日本語訳：
［００１５７］
複合ペロブスカイトデバイス設計
［００１５８］
いくつかの実施形態では、本開示は、ＰＶおよび１つ以上のペロブスカイト材料を含む他の同様のデバイス（例えば、電池、ハイブリッドＰＶ電池、ＦＥＴ、ＬＥＤなど）の複合設計を提供し得る。ペロブスカイトは、ＰＶまたは他のデバイスの１つまたは複数のさまざまな側面に組み込むことができます。いくつかの実施形態によるペロブスカイトは、一般式ＣＭＸ３であり得、ここで：Ｃは、１つまたは複数のカチオン（例えば、アミン、アンモニウム、１族金属、２族金属、および／または他のカチオンまたはカチオン様化合物を含む）　；　Ｍは、１つ以上の金属（Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、およびＺｒを含む例示）を含む。およびＸは１つまたは複数のアニオンを含む。いくつかの実施形態では、Ｃは１つ以上の有機カチオンを含み得、Ｘは１つ以上のハロゲン化物を含み得る
［００１５９］
　・・・（中略）・・・
［００１６１］
一般に、ペロブスカイトデバイスは、第１の電極、第２の電極、およびペロブスカイトを含む活性層を含むことができ、活性層は第１および第２の電極の間に少なくとも部分的に配置される。いくつかの実施形態では、第１の電極はアノードおよびカソードの一方であり得、第２の電極はアノードおよびカソードの他方であり得る。
　・・・（中略）・・・
［００１６２］
いくつかの実施形態によるペロブスカイトデバイスは、任意選択で1つまたは複数の基板を含むことができる。いくつかの実施形態では、第１および第２の電極のいずれかまたは両方は、電極がコーティングされるように、基板上にコーティングされ、またはそうでなければ配置されてもよく、実質的に基板と活性層の間に配置される。
［００１６３］
　・・・（中略）・・・
［００１６４］
ペロブスカイトデバイスに含まれ得る様々な材料のいくつかの説明は、図３６を参照して部分的になされる。図３６は、いくつかの実施形態によるペロブスカイトデバイス３９００の様式化された図である。デバイス３９００の様々な構成要素は、連続した材料を含む別個の層として示されているが、図３６は様式化された図であることが理解されるべきである。したがって、本発明による実施形態は、本明細書で前述した「層」の使用と一致する、そのような別個の層、および／または実質的に混合された非連続層を含み得る。デバイス３９００は、第１および第２の基板３９０１および３９１３を含む。第１の電極３９０２は、第１の基板３９０１の内面に配置され、第２の電極３９１２は、第２の基板３９１３の内面に配置される。活性層３９５０は、二つの電極３９０２と３９１２の間に挟まれる。活性層３９５０は、メソポーラス層３９０４；第１および第２の光活性材料３９０６および３９０８；および電荷輸送層３９１０を含む。図３６は、活性層３９５０の各副層が界面層によって分離され、さらに界面層が各電極３９０２および３９１２上に配置される実施形態による例示的なデバイス３９００をさらに示す。特に、第２、第３、および第４の界面層３９０５、３９０７、および３９０９は、メソポーラス層３９０４、第１の光活性材料３９０６、第２の光活性材料３９０８、および電荷輸送層３９１０のそれぞれの間にそれぞれ配置される。第１及び第５の界面層３９０３、３９１１は、それぞれ（ｉ）第１の電極３９０２とメソ多孔質層３９０４との間；及び（ｉｉ）電荷輸送層３９１０および第２の電極３９１２の間に配置される。したがって、図３６に示される例示的なデバイスのアーキテクチャは、基板−電極−活性層−電極−基板として特徴付けられ得る。活性層３９５０のアーキテクチャは、界面層−メソ多孔質層−界面層−光活性材料−界面層−光活性材料−界面層−電荷輸送層−界面層として特徴付けられ得る。前述のように、いくつかの実施形態では、界面層が存在する必要はありません。または、１つまたは複数の界面層が、すべてではありませんが特定のアクティブ層のコンポーネント間および／またはデバイスのコンポーネント間のみに含まれることがあります。
［００１６５］
第１および第２の基板３９０１および３９１３のいずれかまたは両方などの基板は、可撓性または剛性であってもよい。２つの基板が含まれる場合、少なくとも１つは電磁（ＥＭ）放射（ＵＶ、可視、またはＩＲ放射など）に対して透明または半透明でなければなりません。１つの基板が含まれる場合、デバイスの一部がＥＭ放射が活性層３９５０に接触することを可能にする限り、そうである必要はないが、同様に透明または半透明であってもよい。適切な基板材料は、次の任意の1つまたは複数を含む:ガラス；サファイア；酸化マグネシウム（ＭｇＯ）；雲母；ポリマー（ＰＥＴ、ＰＥＧ、ポリプロピレン、ポリエチレンなど）；セラミックス；布地（綿、絹、羊毛など）；木材；乾式壁；金属；およびその組み合わせ。
［００１６６］
前述のように、電極（例えば、図３６の電極３９０２および３９１２の１つ）は、アノードまたはカソードのいずれかであり得る。いくつかの実施形態では、一方の電極はカソードとして機能し、他方はアノードとして機能し得る。電極３９０２および３９１２のいずれかまたは両方は、リード、ケーブル、ワイヤ、またはデバイス３９００へのおよび／またはデバイス３９００からの電荷輸送を可能にする他の手段に結合され得る。電極は、導電性材料を構成し、少なくとも１つの電極は透明または半透明でなければならない。適切な電極材料は、インジウムスズ酸化物またはスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか１つまたは複数を含んでもよい。ＥＭ放射線への、および／またはＥＭ放射線が活性層３９５０の少なくとも一部に接触できるように配置される。）；フッ素ドープ酸化スズ（ＦＴＯ）；酸化カドミウム（ＣｄＯ）；亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）；酸化アルミニウム亜鉛（ＡＺＯ）；アルミニウム（Ａｌ）；金（Ａｕ）；カルシウム（Ｃａ）；マグネシウム（Ｍｇ）；チタン（Ｔｉ）；鋼；およびその組み合わせ。
［００１６７］
　・・・（中略）・・・
［００１７０］
前述のように、いくつかの実施形態によるデバイスは界面層を含む必要はないが、様々な実施形態によるデバイスは、任意の２つの他の層および／または材料の間に界面層を任意に含んでもよい。したがって、例えば、ペロブスカイトデバイスは、０、１、２、３、４、５、またはそれ以上の界面層を含むことができる（５つの界面層３９０３、３９０５、３９０７、３９０９および３９１１を含む図３６のデバイス例など）。
界面層は、本明細書で前述した実施形態による薄層界面層を含んでもよい
いくつかの実施形態による界面層は、２つの層または材料間の電荷輸送および／または収集を強化するための任意の適切な材料を含み得る。また、界面層に隣接する材料の１つから電荷が輸送されると、電荷の再結合の可能性を防止または軽減するのに役立つ場合があります
エ「[00175] FIG. 40 depicts an example device 4300 that omits a mesoporous layer. The device 4300 includes a perovskite photoactive compound 4304 (comprising MAPbI3 ) sandwiched between first and second interfacial layers 4303 and 4305 (comprising titania and alumina, respectively). The titania interfacial layer 4303 is coated upon an FTO first electrode 4302, which in turn is disposed on an inner surface of a glass substrate 4301. The spiro- OMeTAD charge transport layer 4306 is coated upon an alumina interfacial layer 4305 and disposed on an inner surface of a gold second electrode 4307.」
（日本語訳：
［００１７５］
図４０は、メソ多孔質層を省いた例示的なデバイス４３００を示す。デバイス４３００は、第１および第２の界面層４３０３および４３０５（それぞれチタニアおよびアルミナを含む）の間に挟まれたを含む。チタニア界面層４３０３は、ガラス基板４３０１の内面に配置されるＦＴＯ第１電極４３０２上にコーティングされる。スピロ−ＯＭｅＴＡＤ電荷輸送層４３０６は、アルミナ界面層４３０５上にコーティングされ、金の第２電極４３０７の表面の内側に配置される。）
オ　図４０は以下のものである。
カ　ここで、上記エに記載されたデバイス４３００は、ＰＶすなわち光起電力デバイスであることは明らかである。
（２）引用発明
　上記（１）アないし（１）カから、引用文献１には、図４０に示されたものに関して、以下の発明が記載されていると認められる（以下、「引用発明」という。）。
「光起電力デバイス４３００であって、
メソ多孔質層を省いたものであり、
第１のチタニア界面層４３０３および第２のアルミナ界面層４３０５間に挟まれたペロブスカイト光活性化合物４３０４（ＭＡＰｂＩ３を含む）を含み、
チタニア界面層４３０３は、ガラス基板４３０１の内面に配置されるＦＴＯ第１電極４３０２上にコーティングされ、
スピロ−ＯＭｅＴＡＤ電荷輸送層４３０６は、アルミナ界面層４３０５上にコーティングされ、金の第２電極４３０７の表面の内側に配置される、
光起電力デバイス４３００。」
２　引用文献２
（１）引用文献２の記載
　引用文献２には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
ア「In this work, we explored perovskite oxide SrTiO3 (STO)for the first time as the electron-transporting layer in organolead trihalideperovskite solar cells. The steady-state photoluminescence (PL) quenching and transient absorption experiments revealed efficient photoelectron transfer from CH3NH3PbI3-xClx to STO.
　・・・（中略）・・・
These findings suggest STO as a competitive candidate as electron transport material in organometal perovskite solar cells.」（１ページABSTRACT欄。）
（日本語訳：
ここでは、有機鉛３ハロゲン化ペロブスカイト太陽電池の電子輸送層として、ペロイブスカイト酸化物ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）を初めて調査した。定常状態のフォトルミネッセント（ＰＬ）抑消と一時的な吸収実験は、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３−ｘＣｌｘ　からＳＴＯへの効率的な光電子輸送を示した。
　・・・（中略）・・・
これらの発見は、ＳＴＯが、有機金属ペロブスカイト太陽電池における電子輸送材料の有力な候補であることを示唆している。）
イ「The perovskite-structured oxide STO is well-known for its　rich physical properties such as superconductivity,ferroelectricity, and thermoelectricity. Recently, STO has also been　used for photoassisted water splitting. STO has a wide band　gap similar to that of TiO2, but its conduction band edgeis　slightly higher, matching better with the band structureof　CH3NH3PbI3-xClx,which is beneficial for collecting photogenerated　electrons.Notably, the room-temperature electron　mobility of bulk STO is 〜5−8 cm2 V s-1, which is much　higher than that of TiO2 (0.1-4 cm2 V s-1).In addition, STO　has a very high dielectric constant, which helps to reduce　charge recombination at the interface and subsequently　improve device performance.」（２ページ左欄４行〜同欄１６行）
（日本語訳：
ペロブスカイト構造酸化物ＳＴＯは、超伝導、強誘電性、熱電性などの豊富な物理特性によりよく知られている。最近、ＳＴＯは、光アシスト水分解に使用されている。ＳＴＯは、ＴｉＯ２と似て広いバンドギャップを有するが、その導電帯端は少し高く、ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３−ｘＣｌｘのバンド構造によく整合し、光電子の収集に有利である。注目すべきは、バルクＳＴＯの室温における電子移動度が〜５−８　ｃｍ２Ｖｓ-１であり、ＴｉＯ２（０．１−４ｃｍ２Ｖｓ-１）よりもずっと高いことである。さらに、ＳＴＯは、非常に高い誘電率を有し、このことは、界面における電荷再結合を低減し、これによりデバイス性能を改良する。）
（２）引用文献２記載事項
　上記（１）アおよび（１）イの記載を踏まえると、引用文献２には、以下の事項が記載されていると認められる（以下、「引用文献２記載事項」という。）。
「ペロブスカイト構造酸化物ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）は、その物理的特性から、有機金属ペロブスカイト太陽電池における電子輸送材料として、ＴｉＯ２よりも優れた有力な候補であるといえる。」
第５　対比・判断
１　対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明は「メソ多孔質層を省いたもの」であることからすると、引用発明にかかる「第１のチタニア界面層４３０３」は、「メソ多孔質層」でなく「薄膜」であるといえる。よって、引用発明にかかる「第１のチタニア界面層４３０３」と、本願発明の「Ｍ’ＴｉＯ３を含む薄膜界面層」とは、「薄膜界面層」である点で一致する。
イ　引用発明の「ペロブスカイト光活性化合物４３０４（ＭＡＰｂＩ３を含む）」は、本願発明の「ペロブスカイト材料を含む光活性材料」に相当する。
ウ　上記ア及びイから、引用発明の「第１のチタニア界面層４３０３および第２のアルミナ界面層４３０５間に挟まれたペロブスカイト光活性化合物４３０４（ＭＡＰｂＩ３を含む）」と「第１のチタニア界面層４３０３」を合わせたものと、本願発明の「ペロブスカイト材料を含む光活性材料と、Ｍ’ＴｉＯ３を含む薄膜界面層と、を含む、前記活性層」とは、「ペロブスカイト材料を含む光活性材料と、薄膜界面層と、を含む、前記活性層」である点で一致する。
エ　引用発明の「チタニア界面層４３０３は、ガラス基板４３０１の内面に配置されるＦＴＯ第１電極４３０２上にコーティングされ」るから、当該「ガラス基板４３０１」及び「ガラス基板４３０１の内面に配置されるＦＴＯ第１電極４３０２」は、それぞれ、本願発明の「第１の基板」及び「第１の電極」であって「第１の基板の内側表面上に配置され」たものに相当する。
オ　引用発明の「金の第２電極４３０７」は、本願発明の「第２の電極」に相当する。
カ　引用発明においては、「第１のチタニア界面層４３０３および第２のアルミナ界面層４３０５間に挟まれたペロブスカイト光活性化合物４３０４（ＭＡＰｂＩ３を含む）を含み、チタニア界面層４３０３は、ガラス基板４３０１の内面に配置されるＦＴＯ第１電極４３０２上にコーティングされ、スピロ−ＯＭｅＴＡＤ電荷輸送層４３０６は、アルミナ界面層４３０５上にコーティングされ、金の第２電極４３０７の表面の内側に配置される」と特定されている。それゆえ、「第１のチタニア界面層４３０３および第２のアルミナ界面層４３０５間に挟まれたペロブスカイト光活性化合物４３０４（ＭＡＰｂＩ３を含む）」と「第１のチタニア界面層４３０３」を合わせたものが、「ＦＴＯ第１電極４３０２」と「金の第２電極４３０７」の間に配置されることから、前記ウおよびエの対応関係も考慮すると、引用発明の当該構成は、本願発明の「前記第１の電極と前記第２の電極との間に少なくとも部分的に配置された活性層」に相当する。
キ　引用発明の「光起電力デバイス４３００」は、本願発明の「光起電力デバイス」に相当する。
（２）したがって、本願発明と引用発明との間には、以下の一致点及び相違点がある。
ア　一致点
「光起電力デバイスであって、
　　第１の電極と、
　　第２の電極と、
　　前記第１の電極と前記第２の電極との間に少なくとも部分的に配置された活性層であって、前記第１の電極が、第１の基板の内側表面上に配置され、前記活性層は、
　　　ペロブスカイト材料を含む光活性材料と、
　　　薄膜界面層と、
を含む、前記活性層と、
を含む、光起電力デバイス。」
イ　相違点
《相違点１》
　本願発明においては、「前記第２の電極が、第２の基板の内側表面上に配置され」ているのに対し、引用発明は、「第２の基板」に相当するものを備えず、これにより「第２の電極が、第２の基板の内側表面上に配置され」る構成も備えない点。
《相違点２》
　本願発明では、「活性層は、」「Ｍ’ＴｉＯ３を含む薄膜界面層」「を含む」のに対し、引用発明においては、「活性層は、薄膜界面層を含む」ことに対応する構成は備えるものの、当該「薄膜界面層」が「Ｍ’ＴｉＯ３を含む」ものではない点。
２　判断
（１）上記相違点１について検討する。
ア　前記第４　１（１）ウに摘記したとおり、引用文献１には、「複数の基板を含むことができ」、「いくつかの実施形態では、第１および第２の電極のいずれかまたは両方は、電極がコーティングされるように、基板上にコーティングされ」（段落［００１６２］）ることが記載されており、また、当該構成は、上記引用文献１の記載をまつまでもなく、従来より周知の技術である。
イ　そして、引用発明において、当該周知技術を適用して「第２の基板」を備えるとともに「第２の基板の内側表面上に」「金の第２電極４３０７」を配置することに格別な困難は見いだせない。
ウ　したがって、引用発明において相違点１にかかる構成を備えることは、当業者が適宜になし得たことである。
（２）上記相違点２について検討する。
ア　引用発明において、「スピロ−ＯＭｅＴＡＤ電荷輸送層４３０６は、アルミナ界面層４３０５上にコーティングされ、金の第２電極４３０７の表面の内側に配置される」ものであるところ、以下の周知例１にも記載されているように、スピロ−ＯＭｅＴＡＤは、ホール（正孔）を輸送するものとして慣用される材料であるから、「第１のチタニア界面層４３０３および第２のアルミナ界面層４３０５間に挟まれたペロブスカイト光活性化合物４３０４」から、第２のアルミナ界面層４３０５およびスピロ−ＯＭｅＴＡＤ電荷輸送層４３０６を通じて金の第２電極４３０７に至る経路ではホールが輸送されることが明らかである。
イ　したがって、引用発明において、「第１のチタニア界面層４３０３および第２のアルミナ界面層４３０５間に挟まれたペロブスカイト光活性化合物４３０４」から、第１のチタニア界面層４３０３を通じてＦＴＯ第１電極４３０２に至る経路では電子が輸送されることも明らかである。そして、「ペロブスカイト光活性化合物４３０４」を、その一方側から挟み、当該電子が輸送される経路にある「チタニア界面層４３０３」が電子輸送層として作用していることも明らかである。
ウ　ここで、前記第４　２（２）のとおり、引用文献２には、「ペロブスカイト構造酸化物ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）は、その物理的特性から、有機金属ペロブスカイト太陽電池における電子輸送材料として、ＴｉＯ２よりも優れた有力な候補である」旨が記載されているから、有機金属ペロブスカイト太陽電池である引用発明において、性能向上を企図して、電子輸送層となっている「第１のチタニア界面層４３０３」、すなわちＴｉＯ２からなる界面層を、ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）からなる層に置換することは、当業者が容易に想到できたことである。
オ　この際、引用発明は「メソ多孔質層を省いたもの」として構成されているところ、以下の周知例２及び３にも記載されているように、ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）自体を緻密な層（すなわち多孔質ではない層）として形成することは周知の技術であるから、上記ウのとおり、「第１のチタニア界面層４３０３」をＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）からなる層に置換するにあたり、ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）からなる層を緻密な層とすることに何ら困難はない。
カ　また、本願発明の作用効果についても、引用発明、引用文献２記載事項及び周知技術から、当業者が予測し得るものである。
周知例１：国際公開第２０１４／１８４３７９号
　本願の優先日前に、外国において頒布された刊行物又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となったものである国際公開第２０１４／１８４３７９号（以下「周知例１」という。）には、以下の記載がある。
「According to an embodiment of the invention, the conducting medium is a solid state hole conductor. A solid state hole conductor is, for example, a semiconductor. An advantage using a hole conductor is that it is a solid material and accordingly the requirement of sealing of the solar cell is reduced. Examples of semiconductors are inorganic semiconductors, such as CuSCN or CuI, and organic semiconductors, such as, e.g., P3HT or Spiro-OMeTAD. 」（９ページ４〜８行）
（日本語訳：
　この発明の実施具体例によると、導電媒体は、固体正孔伝導体である。固体正孔伝導体は、例えば、半導体である。正孔伝導体を用いることの有利な点は、正孔伝導体が固形物であり、その結果、太陽電池の密封の要件が低減されることである。半導体の例は、ＣｕＳＣＮまたはＣｕＩなどの、無機半導体、およびＰ３ＨＴまたはＳｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤなどの、有機半導体である。）
周知例２：特開２００２−２８０３８０号公報
　本願の優先日前に、日本国内において頒布された刊行物である特開２００２−２８０３８０号公報（以下「周知例２」という。）には、以下の記載がある。
「【要約】
【課題】　
・・・（中略）・・・
【解決手段】強誘電体薄膜や高誘電体薄膜などの誘電体薄膜を容量素子に用いる半導体装置の製造において、誘電体薄膜の成膜後に、酸素存在下の雰囲気中で、１から１００ＧＨｚのマイクロ波を照射して、その誘電加熱により薄膜を熱処理するものである。具体例として、シリコン基板上に電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を利用したプラズマスパッタ法により、チタン酸ストロンチウム  ＳｒＴiＯ3 を数百ｎｍ成膜した後、大気中で２８ＧＨｚのマイクロ波を照射してポストアニーリングしたところ、緻密で数１０ｎｍの微細な結晶を発現できた。」
周知例３：特開２００８−１４３７６０号公報
　本願の優先日前に、日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−１４３７６０号公報（以下「周知例３」という。）には、以下の記載がある。
「【００１０】
　本発明は、このような従来の事情に鑑みて提案されたものであり、ペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜を基体上に均一に成膜することができる複合酸化物膜形成用塗布剤を提供することを目的とする。
　並びに、本発明は、そのような塗布剤を用いたペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法、そのような製造方法を用いて作製されたペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜を含む複合体、そのような複合体を含む誘電材料及び圧電材料、これらの材料を用いたコンデンサ及び圧電素子、これらの電子部品を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
　本発明は、以下の手段を提供する。
（１）基体に塗布することにより成膜し、これを焼成することにより、一般式ＡＴｉＯ３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ又はＰｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜を形成する複合酸化物膜形成用塗布剤であって、β−ジケトンを配位するチタン化合物と、Ａサイトの金属元素を含む化合物との溶液からなる複合酸化物膜形成用塗布剤。
　・・・（中略）・・・
【発明の効果】
【００１２】
　以上のように、本発明によれば、保存安定性がよく、大気中での塗布が可能なため扱いやすく、室温での塗布も可能な複合酸化物膜形成用塗布剤を得ることができる。したがって、このような複合酸化物膜形成用塗布剤を用いて、ペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜を基体上に均一に成膜することができる。」
（３）請求人の主張について
ア　請求人は、審判請求書において、以下の主張をする。
「薄膜Ｍ’ＴｉＯ３層の１つの利点は、それがＭ’ＴｉＯ３層に浸透しない平面薄膜ペロブスカイト層の形成を可能にすることです。引用文献２は、メソまたはナノ多孔質のＭ’ＴｉＯ３層のみを開示しており、図４から、ペロブスカイト層がＳＴＯ層（審査官殿によってＭ’ＴｉＯ３層の意味に解釈されています）に浸透していることが分かります。本願発明１、２は、薄膜のＭ’ＴｉＯ３層を形成することによって、より緻密で平坦なペロブスカイト層を形成することができるという格別な効果を有するものです。」
イ　しかし、前記（２）のとおり、引用発明は、多孔質層を含まないものとして形成されているところ、ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）からなる層を緻密な層とすることにも何ら困難はない。そして、当該ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）からなる緻密な層が、多孔質なものとして形成された層に比べて平坦なことは明らかであるから、当該ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）からなる層の上に形成される層についても、平坦に形成されることは明らかである。
　よって、上記請求人の主張は採用できない。
（４）小括
　よって、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された事項、および周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。