【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、
前記シリコン基板の表面に形成された単結晶炭化シリコン膜と、
前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に形成された、前記面に圧縮応力を加えて前記シリコン基板の応力を緩和する応力緩和膜と、を含み、
前記単結晶炭化シリコン膜の前記シリコン基板の側の部分には、前記単結晶炭化シリコン膜と前記シリコン基板との間の界面に沿って複数の空隙が存在し、
前記空隙の幅が、前記空隙の上部の前記単結晶炭化シリコン膜の高さの２倍以下であることを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
前記応力緩和膜は、第１の応力緩和膜と第２の応力緩和膜との積層構造となっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
【請求項３】
前記応力緩和膜の形成材料は、酸化珪素、窒化珪素、ポリシリコン、アモルファスシリコンのうちいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板。
【請求項４】
シリコン基板の表面にマスク材を形成する第１の工程と、
前記マスク材に複数の開口部を形成し、前記シリコン基板の一部を露出させる第２の工程と、
露出した前記シリコン基板の表面を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、前記単結晶炭化シリコンのエピタキシャル成長を前記マスク材の表面が一部露出した状態で止める第３の工程と、
前記マスク材の少なくとも一部を除去する第４の工程と、
前記第４の工程の後に前記単結晶炭化シリコンの前記エピタキシャル成長を再開させ、単結晶炭化シリコン膜を形成する第５の工程と、
前記第５の工程の前に、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に、前記面に圧縮応力を加えて前記シリコン基板の応力を緩和する応力緩和膜を形成する第６の工程と、
を含み、
前記第６の工程は、
前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に第１の応力緩和膜を形成する工程と、
前記第１の応力緩和膜の表面に第２の応力緩和膜を形成する工程と、
を含み、
前記第３の工程の前に、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に前記第１の応力緩和膜を形成し、
前記第３の工程と前記第５の工程との間に、前記第１の応力緩和膜の表面に前記第２の応力緩和膜を形成することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項５】
シリコン基板の表面にマスク材を形成する第１の工程と、
前記マスク材に複数の開口部を形成し、前記シリコン基板の一部を露出させる第２の工程と、
露出した前記シリコン基板の表面を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、前記単結晶炭化シリコンのエピタキシャル成長を前記マスク材の表面が一部露出した状態で止める第３の工程と、
前記マスク材の少なくとも一部を除去する第４の工程と、
前記第４の工程の後に前記単結晶炭化シリコンの前記エピタキシャル成長を再開させ、単結晶炭化シリコン膜を形成する第５の工程と、
前記第５の工程の前に、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に、前記面に圧縮応力を加えて前記シリコン基板の応力を緩和する応力緩和膜を形成する第６の工程と、
を含み、
前記第３の工程の前に、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に前記応力緩和膜を形成し、
前記第３の工程と前記第５の工程との間に、前記応力緩和膜の膜厚を調整することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程において、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に前記応力緩和膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記マスク材の形成材料は、酸化珪素、窒化珪素のいずれかを含むことを特徴とする請求項４〜６のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記応力緩和膜の形成材料は、酸化珪素、窒化珪素、ポリシリコン、アモルファスシリコンのうちいずれかを含むことを特徴とする請求項４〜７のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明にかかるひとつの半導体基板は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面に形成された単結晶炭化シリコン膜と、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に形成された、前記面に圧縮応力を加えて前記シリコン基板の応力を緩和する応力緩和膜と、を含み、前記単結晶炭化シリコン膜の前記シリコン基板の側の部分には、前記単結晶炭化シリコン膜と前記シリコン基板との間の界面に沿って複数の空隙が存在し、前記空隙の幅が、前記空隙の上部の前記単結晶炭化シリコン膜の高さの２倍以下であることを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明にかかるひとつの半導体基板の製造方法は、シリコン基板の表面にマスク材を形成する第１の工程と、前記マスク材に複数の開口部を形成し、前記シリコン基板の一部を露出させる第２の工程と、露出した前記シリコン基板の表面を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、前記単結晶炭化シリコンのエピタキシャル成長を前記マスク材の表面が一部露出した状態で止める第３の工程と、前記マスク材の少なくとも一部を除去する第４の工程と、前記第４の工程の後に前記単結晶炭化シリコンの前記エピタキシャル成長を再開させ、単結晶炭化シリコン膜を形成する第５の工程と、前記第５の工程の前に、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に、前記面に圧縮応力を加えて前記シリコン基板の応力を緩和する応力緩和膜を形成する第６の工程と、を含み、前記第６の工程は、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に第１の応力緩和膜を形成する工程と、前記第１の応力緩和膜の表面に第２の応力緩和膜を形成する工程と、を含み、前記第３の工程の前に、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に前記第１の応力緩和膜を形成し、前記第３の工程と前記第５の工程との間に、前記第１の応力緩和膜の表面に前記第２の応力緩和膜を形成することを特徴とする。
上記課題を解決するために、本発明にかかるひとつの半導体基板の製造方法は、シリコン基板の表面にマスク材を形成する第１の工程と、前記マスク材に複数の開口部を形成し、前記シリコン基板の一部を露出させる第２の工程と、露出した前記シリコン基板の表面を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、前記単結晶炭化シリコンのエピタキシャル成長を前記マスク材の表面が一部露出した状態で止める第３の工程と、前記マスク材の少なくとも一部を除去する第４の工程と、前記第４の工程の後に前記単結晶炭化シリコンの前記エピタキシャル成長を再開させ、単結晶炭化シリコン膜を形成する第５の工程と、前記第５の工程の前に、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に、前記面に圧縮応力を加えて前記シリコン基板の応力を緩和する応力緩和膜を形成する第６の工程と、を含み、前記第３の工程の前に、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に前記応力緩和膜を形成し、前記第３の工程と前記第５の工程との間に、前記応力緩和膜の膜厚を調整することを特徴とする。
上記の課題を解決するため、本発明の半導体基板は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面に形成された単結晶炭化シリコン膜と、前記シリコン基板の前記単結晶炭化シリコン膜が形成された側とは反対側の面に形成された、前記面に圧縮応力を加えて前記シリコン基板の応力を緩和する応力緩和膜と、を含み、前記単結晶炭化シリコン膜の前記シリコン基板の側の部分には、前記単結晶炭化シリコン膜と前記シリコン基板との間の界面に沿って複数の空隙が存在していることを特徴とする。