【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に設けられた第３の領域と、を含む基板と、
前記第１の領域の上に設けられた第１部分と、前記第２の領域の上に設けられた第２部分と、を含む第１導電形の第１半導体層と、
前記第１部分の上に設けられた第３部分と、前記第２部分の上に設けられた第４部分と、を含む発光層と、
前記第３部分の上に設けられた第５部分と、前記第４部分の上に設けられた第６部分と、を含む第２導電形の第２半導体層と、
前記第３の領域の上において、前記第１部分と前記第２部分との間、及び、前記第３部分と前記第４部分との間に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられた第７部分と、前記第５部分の前記第６部分に対向する第１側面に接する第８部分と、前記第６部分の前記第５部分に対向する第２側面に接する第９部分と、を含む第２電極と、
前記第１部分に接する第１電極と、
を備え、
前記絶縁層の上面の、前記第１領域から前記第２領域に向かう第１方向の幅は、前記第２電極の下面の前記第１方向の幅よりも広い半導体発光素子。
【請求項２】
第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に設けられた第３の領域と、を含む基板と、
前記第１の領域の上に設けられた第１部分と、前記第２の領域の上に設けられた第２部分と、を含む第１導電形の第１半導体層と、
前記第１部分の上に設けられた第３部分と、前記第２部分の上に設けられた第４部分と、を含む発光層と、
前記第３部分の上に設けられた第５部分と、前記第４部分の上に設けられた第６部分と、を含む第２導電形の第２半導体層と、
前記第３の領域の上において、前記第１部分と前記第２部分との間、及び、前記第３部分と前記第４部分との間に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層の上に設けられた第７部分と、前記第５部分の前記第６部分に対向する第１側面に接する第８部分と、前記第６部分の前記第５部分に対向する第２側面に接する第９部分と、を含む第２電極と、
前記第１部分に接する第１電極と、
を備え、
前記絶縁層は、前記絶縁層の下面に設けられた凹部を有し、
前記第１電極の前記第３領域の少なくとも一部は、前記凹部の内面に沿う半導体発光素子。
【請求項３】
前記絶縁層の上面の、前記第１領域から前記第２領域に向かう第１方向の幅は、前記第２電極の下面の前記第１方向の幅よりも広い請求項２記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第５部分の上に設けられた第１０部分、及び、前記第６部分の上に設けられた第１１部分と、を含む第３半導体層をさらに備え、前記第３半導体層の不純物濃度は、前記第５部分及び前記第６部分の不純物濃度よりも低い請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第３半導体層は、前記第３半導体層の上面に設けられた凹凸を有し、
前記凹凸の深さは、前記発光層から放出される光のピーク波長の０．８倍以上５倍以下である請求項４記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第８部分は、前記第１側面とオーミック接触しており、
前記第９部分は、前記第２側面とオーミック接触している請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記絶縁層は、前記第１半導体層と前記第２電極とを電気的に絶縁し、前記発光層と前記第２電極とを電気的に絶縁する請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第２電極は、前記発光層から放出される光に対して反射性である請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１電極は、前記発光層から放出される光に対して反射性である請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第２半導体層は、前記第２半導体層の上面に設けられた凹凸を有し、
前記凹凸の深さは、前記発光層から放出される光のピーク波長の０．８倍以上５倍以下である請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
導電性の支持基板であって、前記支持基板と前記第１半導体層との間に前記第１電極が配置される支持基板と、
前記支持基板と前記第１電極との間に設けられた第１中間導電層と、
前記支持基板と前記第１中間導電層との間に設けられた第２中間導電層と、
をさらに備えた請求項１〜１０のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１領域及び前記第２領域は複数設けられ、
前記複数の第１領域は、前記第１領域から前記第２領域に向かう方向に対して非平行な第２方向に並び、
前記複数の第２領域は、前記第２方向に沿って並ぶ請求項１〜１１のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記第１部分と前記第３部分との間の界面と前記第１電極との距離は、前記第２部分と前記第４部分との間の界面と前記第１電極との距離と同じである請求項１〜１２のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記第１部分の結晶方位は、前記第２部分の結晶方位と同じである請求項１〜１３のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
成長用基板と、第１導電形の第１半導体膜と、前記成長用基板と前記第１半導体膜との間に設けられた第２導電形の第２半導体膜と、前記第１半導体膜と前記第２半導体膜との間に設けられた発光膜と、を含む積層体を準備し、
前記第１半導体膜及び前記発光膜を分断する第１溝を形成し、
前記第１溝内において露出する、前記第１半導体膜の側面の上及び前記発光膜の側面の上に絶縁層を形成し、
前記第１半導体膜の上面の上、及びに、前記絶縁層の上に、第１電極を形成し、
前記第１電極に導電性の支持基板を接合し、
前記成長用基板を除去し、
前記第２半導体膜を分断し前記絶縁層に到達する第２溝を形成し、
前記第２溝内において露出する前記第２半導体膜の側面上に第２電極を形成し、
前記絶縁層の上面の、前記第１領域から前記第２領域に向かう第１方向の幅は、前記第２電極の下面の前記第１方向の幅よりも広い半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第２電極の形成は、前記第２電極の一部が前記絶縁層に接するように前記第２電極を形成することを含む請求項１５記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記成長用基板はシリコン基板であり、
前記第１半導体膜、前記第２半導体膜及び前記発光膜は、窒化物半導体を含む請求項１５または１６に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記成長用基板を除去した後に第３半導体膜の表面に凹凸を形成することをさらに実施し、
前記第３半導体膜は、前記積層体に含まれ、前記第３半導体膜は、前記成長用基板と前記第２半導体膜との間に設けられ、前記第３半導体膜の不純物濃度は、前記第２半導体膜の不純物濃度よりも低い請求項１５〜１７のいずれか１つに記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記第１溝は、前記第１半導体膜及び前記発光膜を格子状に分断する請求項１５〜１８のいずれか１つに記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第１半導体膜の主面に対して平行な平面に投影したときに前記第２溝は前記第１溝に沿う請求項１５〜１９のいずれか１つに記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、基板と、第１電極と、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、絶縁層と、第２電極と、を含む半導体発光素子が提供される。前記基板は、第１の領域と、第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間に設けられた第３の領域と、を含む。前記第１半導体層は、前記第１の領域の上に設けられた第１部分と、前記第２の領域の上に設けられた第２部分と、を含み、第１導電形である。前記発光層は、前記第１部分の上に設けられた第３部分と、前記第２部分の上に設けられた第４部分と、を含む。前記第２半導体層は、前記第３部分の上に設けられた第５部分と、前記第４部分の上に設けられた第６部分と、を含み、第２導電形である。前記絶縁層は、前記第３の領域の上において、前記第１部分と前記第２部分との間、及び、前記第３部分と前記第４部分との間に設けられる。前記第２電極は、前記絶縁層の上に設けられた第７部分と、前記第５部分の前記第６部分に対向する第１側面に接する第８部分と、前記第６部分の前記第５部分に対向する第２側面に接する第９部分と、を含む。前記第１電極は、前記第１の領域に接する。前記絶縁層の上面の、前記第１領域から前記第２領域に向かう第１方向の幅は、前記第２電極の下面の前記第１方向の幅よりも広い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
半導体発光素子１１０においては、第１半導体層１０、発光層３０及び第２半導体層２０を含む積層半導体層１５が設けられる。なお、第３半導体層２３が設けられる場合は、積層半導体層１５は、第３半導体層２３も含む。半導体発光素子１１０においては、積層半導体層１５が、Ｘ−Ｙ平面内で複数の領域に分断される。具体的には、発光層３０及び第１半導体層１０は、絶縁層６０により分断され、第２半導体層２０は、第２電極５０（すなわち、第２溝２０ｔ）により分断される。このため、積層半導体層１５の複数の領域のそれぞれの面積は、分断されない場合に比べて小さくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、積層半導体層１５（第１半導体層１０、発光層３０及び第２半導体層２０）を分断せず、例えば、第１半導体層１０及び発光層３０が分断され、第２半導体層２０が分断されない構成も考えられる。また、例えば、第１半導体層１０が分断され、発光層３０及び第２半導体層２０が分断されない構成も考えられる。しかしながら、積層半導体層１５に含まれる層のいずれかが分断されない構成においては、分断されないその層において応力が緩和されず、クラックの発生の抑制が困難である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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