【手続補正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度センサーからの検出信号に基づいて、温度に対して１次関数で近似された１次成分信号を出力する１次成分発生回路と、
前記検出信号に基づいて、前記温度に対して３次関数で近似された３次成分信号を出力する３次成分発生回路と、
前記検出信号に基づいて、前記温度に対して高次関数で近似された高次成分信号を出力する高次成分発生回路と、
前記１次成分信号が入力され、前記１次成分信号のゲインを調整して１次出力信号を出力する１次成分ゲイン調整回路と、
前記３次成分信号が入力され、前記３次成分信号のゲインを調整して３次出力信号を出力する３次成分ゲイン調整回路と、
前記高次成分信号が入力され、前記高次成分信号のゲインを調整して高次出力信号を出力する高次成分ゲイン調整回路と、
前記１次出力信号と前記３次出力信号と前記高次出力信号とを加算して温度補償用電圧として出力する加算回路と、
を含み、
前記高次成分発生回路は、
３次関数よりも高次のｉ次関数（ｉは４以上の自然数）で近似された信号と、前記ｉ次関数よりも高次のｊ次関数（ｊはｊ＞ｉの自然数）で近似された信号と、が少なくとも合成された信号を、前記高次成分信号として出力することを特徴とする温度補償回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記高次成分発生回路は、
前記ｉ次関数と、前記ｊ次関数と、１次以上３次以下の関数であるｍ次関数（ｍは１≦ｍ≦３の自然数）とで近似された信号が合成された信号を、前記高次成分信号として出力することを特徴とする温度補償回路。
【請求項３】
請求項１において、
前記高次成分発生回路は、
前記ｉ次関数と、前記ｊ次関数と、前記ｊ次関数よりも高次のｋ次関数（ｋはｋ＞ｊの自然数）とで近似された信号が合成された信号を、前記高次成分信号として出力することを特徴とする温度補償回路。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記高次成分信号は、
前記１次成分信号と前記３次成分信号とにより温度補償対象デバイスの温度特性を補償した場合の残留成分を近似する信号であることを特徴とする温度補償回路。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記温度補償電圧をＶＣＯＭＰとし、
前記１次成分ゲイン調整回路のゲイン値をＡ１とし、前記３次成分ゲイン調整回路のゲイン値をＡ３とし、前記高次成分ゲイン調整回路のゲイン値をＡｈとし、温度をＴとし、基準温度をＴ０とし、αｉ、αｊを所定の係数とし、ｆ（Ｔ−Ｔ０）を温度Ｔの関数として、
ＶＣＯＭＰ＝Ａｈ×（αｉ×（Ｔ−Ｔ０）ｉ＋αｊ×（Ｔ−Ｔ０）ｊ＋
ｆ（Ｔ−Ｔ０））＋Ａ３×（Ｔ−Ｔ０）３＋Ａ１×（Ｔ−Ｔ０）＋Ａ０
の関係を満足することを特徴とする温度補償回路。
【請求項６】
請求項５において、
ｍを１≦ｍ≦３の自然数とし、αｍを所定の係数として、
ｆ（Ｔ−Ｔ０）＝αｍ×（Ｔ−Ｔ０）ｍ
であることを特徴とする温度補償回路。
【請求項７】
請求項５において、
ｋをｋ＞ｊ＞ｉ≧４の自然数とし、αｋを所定の係数として、
ｆ（Ｔ−Ｔ０）＝αｋ×（Ｔ−Ｔ０）ｋ
であることを特徴とする温度補償回路。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記温度補償電圧をＶＣＯＭＰとし、
前記１次成分ゲイン調整回路のゲイン値をＡ１とし、前記３次成分ゲイン調整回路のゲイン値をＡ３とし、前記高次成分ゲイン調整回路のゲイン値をＡｈとし、温度をＴとし、基準温度をＴ０とし、αｉ、αｊを所定の係数として、
ＶＣＯＭＰ＝Ａｈ×（αｉ×（Ｔ−Ｔ０）ｉ＋αｊ×（Ｔ−Ｔ０）ｊ）＋
Ａ３×（Ｔ−Ｔ０）３＋Ａ１×（Ｔ−Ｔ０）＋Ａ０
の関係を満足することを特徴とする温度補償回路。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記ｉ次関数及び前記ｊ次関数のうち一方が奇数次関数であり、他方が偶数次関数であり、
前記高次成分発生回路は、
前記奇数次関数で近似された奇数次成分信号を出力する奇数次成分発生回路と、
前記偶数次関数で近似された偶数次成分信号を出力する偶数次成分発生回路と、
を有することを特徴とする温度補償回路。
【請求項１０】
請求項９において
前記奇数次成分発生回路は、
前記温度センサーからの前記検出信号に基づく検出電圧が入力される第１トランジスターと、所定電圧が入力される第２トランジスターとを有し、前記第１トランジスター及び前記第２トランジスターにより差動動作を行う第１差動回路と、
前記第１差動回路からの出力電圧が入力される第３トランジスターと、前記検出電圧が入力される第４トランジスターとを有し、前記第３トランジスター及び前記第４トランジスターにより差動動作を行い、前記奇数次成分信号を出力する第２差動回路と、
を有することを特徴とする温度補償回路。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記偶数次成分発生回路は、
前記温度センサーからの前記検出信号に基づく検出電圧が入力される第５トランジスターと、所定電圧が入力される第６トランジスターとを有し、前記第５トランジスター及び前記第６トランジスターにより差動動作を行う第３差動回路と、
前記第３差動回路からの出力電圧が入力される第７トランジスターと、前記検出電圧が入力される第８トランジスターとを有し、前記第７トランジスター及び第８トランジスターにより差動動作を行う第４差動回路と、
前記第７トランジスターの出力電流と、前記第８トランジスターの出力電流とを加算した電流に基づいて、前記偶数次成分信号を出力する出力回路と、
を有することを特徴とする温度補償回路。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかにおいて、
前記１次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報と、前記３次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報と、前記高次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報と、が記憶される記憶部を含むことを特徴とする温度補償回路。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載された温度補償回路と、
前記温度補償用電圧により、発振周波数の温度特性が補償される発振回路と、
を含むことを特徴とする回路装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載された回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項１２に記載された温度補償回路が出力する前記温度補償用電圧を調整する調整方法であって、
前記１次成分ゲイン調整回路のゲインと、前記３次成分ゲイン調整回路のゲインとを調整して、温度補償対象デバイスの温度特性を補償する情報を求めて、前記１次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報と、前記３次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報とを前記記憶部に記憶させ、
前記記憶部に記憶させた情報に基づいて補償された前記温度補償対象デバイスの温度特性に基づいて、前記高次成分ゲイン調整回路のゲインを調整して、前記温度後補償対象デバイスの温度特性を補償する情報を求めて、前記高次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報を前記記憶部に記憶させることを特徴とする調整方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載された温度補償回路が出力する前記温度補償用電圧を調整する調整方法であって、
前記１次成分ゲイン調整回路のゲインと、前記３次成分ゲイン調整回路のゲインと、前記高次成分ゲイン調整回路のゲインとを調整して、温度補償対象デバイスの温度特性を補償する情報を求めて、
前記１次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報と、前記３次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報と、前記高次成分ゲイン調整回路のゲインを調整するための情報とを、前記記憶部に記憶させることを特徴とする調整方法。