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【手続補正書】
【提出日】平成27年8月18日(2015.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
汚染されたホウ素粉末から汚染物質を除去する方法であって、
有機汚染物質と混じり合っている汚染されたホウ素粉末を準備するステップと、
前記汚染されたホウ素粉末およびそれと混じり合っている前記汚染物質を不活性容器に配置するステップと、
前記不活性容器、前記汚染されたホウ素粉末、およびそれと混じり合っている前記汚染物質を密閉空間に入れるステップと、
前記密閉空間に熱源を準備するステップと、
前記汚染されたホウ素粉末およびそれと混じり合っている前記汚染物質を高温に加熱するステップと、
前記有機汚染物質の量を減少させるように前記汚染物質を変質させるステップと、
を含み、
前記高温が約５００℃である、
方法。
【請求項２】
前記汚染物質を変質させる前記ステップが、前記有機汚染物質を形成する炭素鎖を分解するステップである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記汚染物質を変質させる前記ステップが、前記有機汚染物質を気化させるステップである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記密閉空間内に特別な選択された気体の雰囲気を供給するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記密閉空間から前記ホウ素粉末を取り出すのに先立って前記ホウ素粉末を約１００℃未満に冷却するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
汚染されたホウ素粉末から汚染物質を除去する方法であって、
有機汚染物質と混じり合っている汚染されたホウ素粉末を準備するステップと、
前記汚染されたホウ素粉末およびそれと混じり合っている前記汚染物質を不活性容器に配置するステップと、
前記不活性容器、前記汚染されたホウ素粉末、およびそれと混じり合っている前記汚染物質を密閉空間に入れるステップと、
前記密閉空間に熱源を準備するステップと、
前記汚染されたホウ素粉末およびそれと混じり合っている前記汚染物質を高温に加熱するステップと、
処理サイクルの後の前記ホウ素粉末中の前記有機汚染物質の量が可溶性残留物の約０．１重量パーセント以下となるように前記汚染物質を変質させるステップと、
を含み、
前記高温が約５００℃である、
方法。
【請求項７】
前記汚染物質を変質させる前記ステップが、前記有機汚染物質を形成する炭素鎖を分解するステップである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記汚染物質を変質させる前記ステップが、前記有機汚染物質を気化させるステップである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記密閉空間内に特別な選択された気体の雰囲気を供給するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記特別な選択された気体の雰囲気が水素である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記密閉空間から前記ホウ素粉末を取り出すのに先立って前記ホウ素粉末を約１００℃未満に冷却するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジスルフィラム若しくはその薬理学的に許容される塩またはそれらの溶媒和物からなる肝がん幹細胞阻害剤。
【請求項２】
請求項１に記載の肝がん幹細胞阻害剤を含む肝がん治療用組成物。
【請求項３】
ジスルフィラム若しくはその薬理学的に許容される塩またはそれらの溶媒和物からなる肝がん幹細胞阻害剤に、さらに付加的な抗がん活性成分を含む肝がん治療用組成物。
【請求項４】
ジスルフィラム若しくはその薬理学的に許容される塩またはそれらの溶媒和物の肝がん幹細胞の阻害における使用。
【請求項５】
ジスルフィラム若しくはその薬理学的に許容される塩またはそれらの溶媒和物の肝がん治療における使用。
【請求項６】
ジスルフィラム若しくはその薬理学的に許容される塩またはそれらの溶媒和物の、肝がん幹細胞阻害剤の製造における使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
［実施例１９〜２９、比較例１１〜１８］
表４〜表５に示す配合比となるように、使用する原料の種類および配合量を変更した以外は実施例１８と同様にして、実施例１９〜２９、比較例１１〜１８の水溶性加工液を調製した。
得られた水溶性加工液について、上記分離・回収試験を行い、切削屑の分離効率（％）、上層の回収率（％）、回収した上層中の切削屑含有率（％）を求めた。結果を表４〜表５に示す。
なお、比較例１１〜１８については、２５℃で１時間放置した時点で明確な２層には分離しなかったため、沈殿層と見られる部分を下層と見なして上層の回収を行った。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
表４〜表５の結果に示すとおり、実施例１８〜２９の水溶性加工液は、切削屑の分離効率が高く、回収した上層中の切削屑含有率が低く、水溶性加工液の回収効率に優れていた。
一方、比較例１１〜１８の水溶性加工液は、分離しないために沈殿層と見られる部分が少なく、上層の回収率は高かったが、切削屑の分離効率が非常に悪く、回収した上層中に切削屑が大量に残存していた。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｇ１）で表される化合物。
【化１】
2013100341.tif 000001
（式中、Ａｒは少なくともアントラセン骨格を含む炭素数１４乃至炭素数３０のアリール基を表す。また、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項２】
下記式（Ｇ２）で表される化合物。
【化２】
2013100341.tif 000002
（式中、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表し、αは置換又は無置換のフェニレン基を表し、βは置換又は無置換のアントリル基を表す。）
【請求項３】
下記式（Ｇ３）で表される化合物。
【化３】
2013100341.tif 000003
（式中、Ｒ５は水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１０のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１乃至Ｒ４及びＲ６乃至Ｒ９はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基のいずれかを表し、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表し、αは置換又は無置換のフェニレン基を表す。）
【請求項４】
下記式（Ｇ４）で表される化合物。
【化４】
2013100341.tif 000004
（式中、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表し、αは置換又は無置換のフェニレン基を表し、βは置換又は無置換のアントリル基を表す。但し、αを構成する炭素数と、βを構成する炭素数の合計は２０乃至３０である。）
【請求項５】
下記式（Ｇ５）で表される化合物。
【化５】
2013100341.tif 000005
（式中、Ｒ５は水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１０のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１乃至Ｒ４及びＲ６乃至Ｒ９はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基のいずれかを表し、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表し、αは置換又は無置換のフェニレン基を表す。但し、Ｒ１〜Ｒ９を構成する炭素数と、αを構成する炭素数の合計は６以上１６以下である。）
【請求項６】
下記式（Ｇ６）で表される化合物。
【化６】
2013100341.tif 000006
（式中、αは置換又は無置換のフェニレン基を表し、Ｒ５は水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１０のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表す。但し、Ｒ５を構成する炭素数と、αを構成する炭素数の合計は６以上１６以下である。）
【請求項７】
下記式（Ｇ７）で表される化合物。
【化７】
2013100341.tif 000007
（式中、αは置換又は無置換のフェニレン基を表し、Ｒ５は水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１０のアリール基のいずれかを表す。但し、Ｒ５を構成する炭素数と、αを構成する炭素数の合計は６以上１６以下である。）
【請求項８】
下記式（１２７）で表される化合物。
【化８】
2013100341.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐチャネル型の第１のトランジスタと、ｎチャネル型の第２のトランジスタと、容量素子と、を有し、
ビット線に、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と、が電気的に接続され、
第１のワード線に、前記第２のトランジスタのゲートが電気的に接続され、
ソース線に、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの他方が電気的に接続され、
第２のワード線に、前記容量素子の一方の電極が電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの他方と、前記容量素子の他方の電極とが電気的に接続されて、電荷が保持されるノードが構成された半導体装置の駆動方法であって、
書き込み期間において、
前記第１のワード線の電位を前記第２のトランジスタがオン状態となる電位とし、前記第２のワード線の電位を低電位とし、前記ソース線の電位を低電位とし、前記ビット線の電位を高電位として前記ノードにデータ”１”を書き込み、
または、
前記第１のワード線の電位を前記第２のトランジスタがオン状態となる電位とし、前記第２のワード線の電位を低電位とし、前記ソース線の電位を低電位とし、前記ビット線の電位を低電位として前記ノードにデータ”０”を書き込み、
保持期間において、前記第１のワード線の電位を低電位とし、前記第２のワード線の電位を高電位とし、前記ソース線および前記ビット線の電位を中間電位（低電位＜中間電位＜高電位）とすることで、前記ノードの電位を保持し、
読み出し期間において、
前記第１のワード線の電位を低電位とし、前記第２のワード線の電位を低電位とし、前記ソース線の電位を低電位とすることで、
前記ノードにデータ”１”が書き込まれているときに、前記第１のトランジスタはオフ状態に保持され、前記ビット線の電位が中間電位に保持されることでデータ”１”を読み出し、
または、
前記ノードにデータ”０”が書き込まれているときに、前記第１のトランジスタがオン状態となって、前記ビット線の電位が低下することでデータ”０”を読み出すことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体で形成されていることを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向に延びる天板であって一方の面に相手部品と係合する天板側係合部が形成された天板と、前記天板側係合部が形成された前記一方の面から起立し、前記長手方向に延びる前記天板に対して前記長手方向に延びる側面をなす第１の側板と、前記第１の側板に対向する第２の側板であって、前記一方の面から起立し、前記長手方向に延びる前記天板に対して前記長手方向に延びる側面をなす第２の側板とを有するケースと、
前記第１の側板と前記第２の側板との間の前記一方の面の側で前記長手方向に延びる平坦部である前記天板の天板側平坦部に、ＬＥＤが実装された実装面の裏面が対向して配置されると共に、前記天板の前記長手方向を長手方向とするＬＥＤ基板と、
前記天板側係合部と係合する前記相手部品である固定側係合部と、前記固定側係合部が前記天板側係合部と係合すると前記ＬＥＤ基板の前記実装面を押し圧することで前記ＬＥＤ基板の前記裏面を前記天板側平坦部に押し当てて、前記ＬＥＤ基板を前記天板側平坦部に固定する押当部とを有するＬＥＤ基板固定部材と、
前記天板の前記長手方向にわたって前記第１の側板と、第２の側板との起立方向の端部の間を塞ぐ側板間カバーと、
前記側板間カバーと前記第１の側板の端部との間を封止する第１の側板パッキン及び前記側板間カバーと前記第２の側板の端部との間を封止する第２の側板パッキンと、
前記天板と、前記第１の側板と、前記第２の側板と、前記側板間カバーとから形成される前記天板の前記長手方向における手前側と向こう側とのそれぞれの開口を封止する手前側パッキン及び向こう側パッキンと、
前記手前側パッキン及び前記向こう側パッキンのそれぞれを前記ケースに取り付ける手前側パッキン取付具、及び向こう側パッキン取り付け具と
を備えたことを特徴とする防浸形ＬＥＤユニット。
【請求項２】
前記ケースの前記天板は、
前記一方の面の裏側となる外側面に前記天板の前記長手方向に延びる放熱フィンを有することを特徴とする請求項１記載の防浸形ＬＥＤユニット。
【請求項３】
前記ＬＥＤ基板固定部材は、
前記ＬＥＤの発する光を反射する反射部を有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の防浸形ＬＥＤユニット。
【請求項４】
長手方向に延びる天板であって一方の面に相手部品と係合する天板側係合部が形成された天板と、前記天板側係合部が形成された前記一方の面から起立し、前記長手方向に延びる前記天板に対して前記長手方向に延びる側面をなす第１の側板と、前記第１の側板に対向する第２の側板であって、前記一方の面から起立し、前記長手方向に延びる前記天板に対して前記長手方向に延びる側面をなす第２の側板とを有するケースと、
前記第１の側板と前記第２の側板との間の前記一方の面の側で前記長手方向に延びる平坦部である前記天板の天板側平坦部に、ＬＥＤが実装された実装面の裏面が対向して配置されると共に、前記天板の前記長手方向を長手方向とするＬＥＤ基板と、
前記天板側係合部と係合する前記相手部品である固定側係合部と、前記固定側係合部が前記天板側係合部と係合すると前記ＬＥＤ基板の前記実装面を押し圧することで前記ＬＥＤ基板の前記裏面を前記天板側平坦部に押し当てて、前記ＬＥＤ基板を前記天板側平坦部に固定する押当部とを有するＬＥＤ基板固定部材と、
前記天板の前記長手方向にわたって前記第１の側板と、前記第２の側板との起立方向の端部の間を塞ぐ側板間カバーと、
前記側板間カバーと前記第１の側板の端部との間を封止する第１の側板パッキン及び前記側板間カバーと前記第２の側板の端部との間を封止する第２の側板パッキンと、
細長の中空形状をなし、内部空間に前記ＬＥＤ基板の前記ＬＥＤを点灯させる点灯装置が収納され、前記中空形状の長手方向の両端が開口であると共に前記天板の前記一方の面の裏側となる裏面の上方に前記中空形状の長手方向が前記天板の前記長手方向となるように配置された点灯装置収納ケースであって、
前記第１の側板の上方から前記裏面の近傍まで前記裏面との間に若干の隙間を残して起立し、前記天板の前記長手方向に前記第１の側板と略同じ長さ延びる第１の起立部と、
前記第２の側板の上方から前記裏面の近傍まで前記裏面との間に若干の隙間を残して起立し、前記天板の前記長手方向に前記第２の側板と略同じ長さ延びる第２の起立部とを有する点灯装置収納ケースと、
前記点灯装置収納ケースの前記両端の開口と、前記点灯装置収納ケースの前記天板の前記長手方向における手前側と向こう側とのそれぞれの前記第１の起立部と前記第２の起立部との端部と、前記天板と前記第１の側板と第２の側板と前記側板間カバーとから形成される前記天板の前記長手方向における手前側と向こう側とのそれぞれの開口と、が存在する前記長手方向における手前側と向こう側との両端を塞ぐそれぞれの端部パッキンと、
前記それぞれの端部パッキンを前記両端に取り付ける前記端部パッキンごとの取り付け具と
を備えたことを特徴とする防浸形ＬＥＤ照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月27日(2015.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のX線発生装置1は、X線を発生するX線管101に電力を供給する高電圧変換部102と、高電圧変換部102の入力段に設置したキャパシタ103と、高電圧変換部102及びキャパシタ103に電力を供給する電力供給部104と、電力供給部104とは別にキャパシタ103に対し電力を供給し充電するキャパシタ充電部105と、X線管101に印加されている管電圧を検出するX線管電圧検出部106と、キャパシタ103に印加されているキャパシタ電圧を検出するキャパシタ電圧検出部107と、これらの動作を制御する制御部108と、を備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
制御部108は、高電圧変換部102内のインバータ回路109を制御するインバータ制御回路201と、キャパシタ充電部105を制御するキャパシタ充電部制御回路202と、電力供給部104を制御する電力供給部制御回路203と、X線管電圧検出部106によって検出されたX線管101に印加されている管電圧を判定するX線管電圧判定回路204と、キャパシタ電圧検出部107によって検出されたキャパシタ103に印加されているキャパシタ電圧を判定するキャパシタ電圧判定回路205と、後述する閾値電圧Vth、及び設定電圧Vsetの各電圧値を設定する電圧条件設定部206と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、この場合、キャパシタ充電部105による充電時間を短縮することができる。緊急の場合などは、操作者により電圧条件設定部206を用いて閾値電圧Vthを低くするよう調整することができる。閾値電圧Vth、及び設定電圧Vsetの各電圧値を設定する電圧条件設定部206と、を有する。キャパシタ充電部105によりキャパシタ103を充電するか、電力供給部104によりキャパシタ103を充電するかは、電圧条件設定部206により設定された閾値電圧Vthと、キャパシタ電圧検出部107により検出されたキャパシタ電圧Vcと、の電圧値に基づいて制御部108内に設置されたキャパシタ電圧判定回路205に判定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
判定結果は、電力供給部制御回路203と、キャパシタ充電部制御回路202と、に伝えられ、電力供給部制御回路203、及びキャパシタ充電部制御回路202により電力供給部104、及びキャパシタ充電部105が制御される。キャパシタ電圧Vcがキャパシタ充電部105により閾値電圧Vth以上となるまで充電されると、キャパシタ充電部105は停止し、変わりに昇圧回路303の動作が開始される。図7の期間2に相当する。昇圧回路303はその後、キャパシタ電圧Vcが電圧条件設定部206により予め設定された設定電圧Vsetとなるまでキャパシタ103に対し充電を行う。設定電圧Vset(Vset＞Vth)とは、X線管101に対し、予め設定した管電圧を印加するために必要となるインバータ回路109に入力する電圧値である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
キャパシタ電圧Vcが設定電圧Vsetに到達すると、インバータ制御回路201によりインバータ回路109が動作を開始する。図7の期間3に相当する。インバータ回路109の動作開始に伴い、X線管101から被検体に対しX線が照射される。この際、インバータ回路109は、管電圧が予め設定した値に保つようにインバータ制御回路201により制御される。管電圧はX線管電圧検出部106にて検出され、検出された値はX線管電圧判定回路204により判定され、判定結果はインバータ制御回路201に通知される。また、インバータ回路109が動作している間は、キャパシタ電圧Vcが設定電圧Vsetより小さくならないように昇圧回路303は動作制御される。これにより、管電圧を保持することができ、安定したX線がX線管101から照射される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ステップS409では、インバータ制御回路201によりインバータ回路109が動作を開始する。この際、インバータ回路109は、管電圧が予め設定した値に保つようにインバータ制御回路201により制御される。管電圧はX線管電圧検出部106にて検出され、検出された値はX線管電圧判定回路204により判定され、判定結果はインバータ制御回路201に通知される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
1  X線発生装置、2  移動型X線撮影装置、101  X線管、102  高電圧変換部、103  キャパシタ、104  電力供給部、105  キャパシタ充電部、106  X線管電圧検出部、107  キャパシタ電圧検出部、108  制御部、109  インバータ回路、110  高電圧発生回路、111  外部電源、201  インバータ制御回路、202  キャパシタ充電部制御回路、203  電力供給部制御回路、204  X線管電圧判定回路、205  キャパシタ電圧判定回路、206  電圧条件設定部、302  整流回路、303  昇圧回路、304  充電用直流電源、305  トランス、501  電力供給部、502  キャパシタ充電部、503  充電用直流電源、504  充電用直流電源、505  トランス、601  本体、602  X線画像処理部、603  記憶部、604  表示部、605  制御部、606  入力部、607  車輪、608  台車、609  アーム、610  支柱、611  電源コード
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月4日(2015.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ガスと酸化剤ガスとを利用して発電する燃料電池装置において、
内部に下端から上端に向かって燃料ガスを流す燃料ガス流路を形成する燃料電池セルを複数備え、前記燃料電池セル同士の間で下端から上端に向かって酸化剤ガスを流す酸化剤ガス流路を形成する燃料電池セルスタックと、
前記燃料電池セルスタックの一対の対向する側面にそれぞれ内向き面で対向する一対の拡散防止壁と、
前記燃料電池セルスタックの上方に配置され、供給された被改質ガスを燃料ガスに改質する改質器と、
前記改質器の一端に接続されて前記改質器に前記被改質ガスを流入させるガス流入管と、
前記改質器の他端に接続されて前記改質器から前記燃料ガスを流出させるガス流出管と、を備える燃料電池装置であって、
前記拡散防止壁は前記燃料電池セルスタックの上方に配置され、前記改質器が一端及び他端で前記拡散防止壁にそれぞれ固定されることにより、各前記拡散防止壁と前記改質器との間には、前記燃料電池セルスタックから流出するガスを流通させる空気流路が形成されることを特徴とする燃料電池装置。
【請求項２】
前記空気流路は、前記改質器と一方の前記拡散防止壁との間、及び、前記改質器と他方の前記上板との間にそれぞれ挟み込まれる少なくとも一対のスペーサによって形成され、
すべての前記スペーサが同一の形状及び同一の大きさを有することを特徴とする請求項１に記載の燃料電池装置。
【請求項３】
一方の前記拡散防止壁に配置される一対の前記スペーサと他方の前記拡散防止壁に配置される一対の前記スペーサとは、前記燃料電池セルスタックの一対の前記側面から等距離に規定される中間面に対して前記空気流路が相互に面対称に形成されるように、配置されることを特徴とする請求項２に記載の燃料電池装置。
【請求項４】
一方の前記拡散防止壁に配置される一対の前記スペーサと他方の前記拡散防止壁に配置される一対の前記スペーサとは、前記燃料電池セルスタックの一対の前記側面を相互に接続するもう一対の側面から等距離に規定される第２の中間面に対して相互に面対称の位置に配置されることを特徴とする請求項３に記載の燃料電池装置。
【請求項５】
前記ガス流入管及び前記ガス流出管の少なくともいずれか一方は、前記ガス流入管及び前記ガス流出管の少なくともいずれか一方と前記拡散防止壁との間の熱膨張の差分による相対変位を許容する伸縮部分を備えることを特徴とする請求項４に記載の燃料電池装置。
【請求項６】
前記ガス流入管及び前記ガス流出管のそれぞれは、対応の前記拡散防止壁の外向き面に対向して配置され、
前記伸縮部分は前記空気流路よりも下方に配置されることを特徴とする請求項５に記載の燃料電池装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
燃料ガスと酸化剤ガスとを利用して発電する燃料電池装置において、
内部に下端から上端に向かって燃料ガスを流す燃料ガス流路を形成する燃料電池セルを複数備え、前記燃料電池セル同士の間で下端から上端に向かって酸化剤ガスを流す酸化剤ガス流路を形成する燃料電池セルスタックと、
前記燃料電池セルスタックの一対の対向する側面にそれぞれ内向き面で対向する一対の拡散防止壁と、
前記燃料電池セルスタックの上方に配置され、供給された被改質ガスを燃料ガスに改質する改質器と、
前記改質器の一端に接続されて前記改質器に前記被改質ガスを流入させるガス流入管と、
前記改質器の他端に接続されて前記改質器から前記燃料ガスを流出させるガス流出管と、を備える燃料電池装置であって、
前記拡散防止壁は前記燃料電池セルスタックの上方に配置され、一端及び他端で前記拡散防止壁にそれぞれ固定されることにより、各前記拡散防止壁と前記改質器との間には、前記燃料電池セルスタックから流出するガスを流通させる空気流路が形成されることを特徴とする燃料電池装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
こうした燃料電池装置では、被改質ガスの改質にあたって改質器は加熱されるので、改質器に被改質ガスを流入させるガス流入管の温度と、改質器から燃料ガスを流出させるガス流出管との温度との間に非常に大きな温度差が生じる。その結果、ガス流入管とガス流出管との間に熱膨張の差分が生じる。本発明に係る燃料電池装置では、改質器が拡散防止壁に固定されているので、空気流路の流路断面積は変化しない。その結果、燃料電池セルスタックの燃料ガス流路及び酸化剤ガス流路を流れるガスの流れに乱れは生じないので、すべての燃料電池セルで均一に発電することができる。従って、燃料電池装置では、長期間にわたって安定した発電性能を確保することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月30日(2015.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子増幅用ガラス基板およびその製造方法並びに検出器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のガラス材に貫通孔が形成されてなり、前記貫通孔内で電子雪崩増幅を起こすために用いられる電子増幅用ガラス基板であって、
平面１００ｃｍ２あたりにおける板厚方向の絶縁抵抗が１０７〜１０11Ωとなるように、前記電子増幅用ガラス基板の形状および前記ガラス材の材質が構成され、
前記形状には、前記貫通孔の内壁面における表面粗さの状態が含まれる
ことを特徴とする電子増幅用ガラス基板。
【請求項２】
前記形状は、前記ガラス材に形成された前記貫通孔の数と、当該貫通孔の孔径と、当該ガラス材の板厚との少なくとも一つによって特定される
ことを特徴とする請求項１記載の電子増幅用ガラス基板。
【請求項３】
前記ガラス材の材質として、感光性ガラスを用いる
ことを特徴とする請求項１または２記載の電子増幅用ガラス基板。
【請求項４】
板状のガラス材に貫通孔が形成されてなり、前記貫通孔内で電子雪崩増幅を起こすために用いられる電子増幅用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス材に前記貫通孔が形成されてなる電子増幅用ガラス基板を準備し、
前記貫通孔の内壁面に対して表面状態の粗化を行うことによって、前記電子増幅用ガラス基板の平面１００ｃｍ２あたりにおける板厚方向の絶縁抵抗を１０７〜１０11Ωとする
ことを特徴とする電子増幅用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記表面状態の粗化は、エッチング処理にて行われる
ことを特徴とする請求項４記載の電子増幅用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記電子増幅用ガラス基板を測定対象品として、当該測定対象品の平面１００ｃｍ２あたりにおける当該測定対象品の板厚方向の絶縁抵抗値を測定する抵抗測定工程と、
前記抵抗測定工程での前記絶縁抵抗値の測定結果が１０７〜１０11Ωの範囲に属しているか否かに基づいて、当該測定結果を得た前記測定対象品に対する良否判定を行う良否判定工程と
を備えることを特徴とする請求項４または５記載の電子増幅用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか１項に記載の電子増幅用ガラス基板と、
検出ガスが充填されたチャンバとを備え、
前記検出ガス中で前記電子増幅用ガラス基板が起こす電子雪崩増幅により増倍された電子の測定を行うように構成された
ことを特徴とする検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温超伝導線材を絶縁層で被覆した高温超伝導被覆線において、
上記高温超伝導線材は、断面矩形状であり、
上記絶縁層は、ポリイミドの電着被膜であり、
上記絶縁層は、ポリイミドの主鎖中にシロキサン結合を含有し、分子中にアニオン
基を有するブロック共重合ポリイミドの電着被膜である
ことを特徴とする高温超伝導被覆線。
【請求項２】
請求項１に記載の高温超伝導被覆線において、
上記高温超伝導線材は、ＲｅＢＣＯ線材である
ことを特徴とする高温超伝導被覆線。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の高温超伝導被覆線において、
上記絶縁層は、上記高温超伝導線材の角部分を含む外周の一部又は全体を略均一に覆っている
ことを特徴とする高温超伝導被覆線。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の高温超伝導被覆線において、
上記高温超伝導線材は、テープ状金属基板上に中間層を介して高温超伝導層が形成され、該高温超伝導層表面に形成された安定化層を有する多層構造体である
ことを特徴とする高温超伝導被覆線。
【請求項５】
請求項４に記載の高温超伝導被覆線において、
上記テープ状金属基板は、ニッケル又はニッケル合金からなる
ことを特徴とする高温超伝導被覆線。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の高温超伝導被覆線において、
上記安定化層は、銀層である
ことを特徴とする高温超伝導被覆線。
【請求項７】
請求項４又は５に記載の高温超伝導被覆線において、
上記安定化層は、銀層上に銅層が積層されたものである
ことを特徴とする高温超伝導被覆線。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１つに記載の高温超伝導被覆線を用いた
ことを特徴とする高温超伝導コイル。
【請求項９】
請求項８に記載の高温超伝導コイルにおいて、
上記高温超伝導被覆線は、任意の形状の巻枠の内側、外側又は溝に巻き付けられている
ことを特徴とする高温超伝導コイル。
【請求項１０】
請求項９に記載の高温超伝導コイルにおいて、
上記高温超伝導被覆線は、少なくとも断面円弧状外周面を一部に含む巻枠の内側、外側又は溝に巻き付けられている。
ことを特徴とする高温超伝導コイル。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の高温超伝導コイルにおいて、
上記巻枠の一部又はすべてが除去された
ことを特徴とする高温超伝導コイル。
【請求項１２】
請求項８乃至１０のいずれか１つに記載の高温超伝導コイルにおいて、
含浸剤で含浸して硬化されている
ことを特徴とする高温超伝導コイル。
【請求項１３】
請求項１２に記載の高温超伝導コイルにおいて、
上記含浸剤が、上記絶縁層を覆うと共に上記高温超伝導線材に対して該絶縁層により完全に遮断されている
ことを特徴とする高温超伝導コイル。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれか１つに記載の高温超伝導コイルにおいて、
上記高温超伝導線材の間に
支持体に樹脂を含浸し半硬化状態に処理したテープを挟み込み硬化させた
ことを特徴とする高温超伝導コイル。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系によって結像された試料を撮像素子により撮像する撮像装置におけるデフォーカス量推定方法であって、
透過光に対して位相変化および振幅変化の少なくとも一方を与えるマークを有する透光性部材を介して前記試料を撮像することで得られる、前記試料の像と前記マークの像とが混在した撮像画像を評価する撮像画像評価ステップと、
前記撮像画像評価ステップでの評価結果に基づいてデフォーカス量を推定する推定ステップと、
を有することを特徴とするデフォーカス量推定方法。
【請求項２】
前記撮像画像評価ステップの前に、前記透光性部材を撮像することで得られる、前記試料の像を含まない複数の基準画像を評価する基準画像評価ステップを有しており、
前記推定ステップは、前記撮像画像評価ステップ及び前記基準画像評価ステップでの評価結果に基づいて前記デフォーカス量を推定するステップであることを特徴とする請求項１に記載のデフォーカス量推定方法。
【請求項３】
前記基準画像評価ステップおよび前記撮像画像評価ステップは、
取得した画像を夫々が前記マークの像を含む複数の分割領域に分割する分割工程と、
前記複数の分割領域の夫々におけるマークの画像の平均値を算出する第１平均化工程と、
前記複数の分割領域の夫々における画像全体の平均値を算出する第２平均化工程と、
前記第１平均化工程で算出した平均値の夫々を、前記第２平均化工程で算出した平均値の夫々により除算する除算工程と、
前記複数の分割領域のうち同一のマークを含む分割領域間で、前記除算工程で取得した値を平均化して評価量を算出する第３平均化工程と、
を含む評価量算出工程を有することを特徴とする請求項２に記載のデフォーカス量推定方法。
【請求項４】
前記推定ステップは、前記基準画像評価ステップにおける前記評価量算出工程によって前記複数の基準画像から算出した複数の評価量と、前記撮像画像評価ステップにおける前記評価量算出工程によって前記撮像画像から算出した評価量と、に基づいて前記デフォーカス量を推定するステップであることを特徴とする請求項３に記載のデフォーカス量推定方法。
【請求項５】
前記推定ステップの後に、前記撮像画像および前記基準画像を演算処理することにより、前記撮像画像から前記マークの像を除去する画像回復ステップを有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のデフォーカス量推定方法。
【請求項６】
前記複数の基準画像は、複数のデフォーカス量に対応するスルーフォーカス画像であることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載のデフォーカス量推定方法。
【請求項７】
前記透光性部材は、透過光に対して位相変化および振幅変化を与えるマークを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のデフォーカス量推定方法。
【請求項８】
試料を結像する撮像光学系と、該撮像光学系を介して前記試料を撮像する撮像素子と、請求項１乃至７のいずれか１項に記載のデフォーカス量推定方法によってデフォーカス量を推定する演算部と、を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するための、本発明の一側面としてのデフォーカス量推定方法は、撮像光学系によって結像された試料を撮像素子により撮像する撮像装置におけるデフォーカス量推定方法であって、透過光に対して位相変化および振幅変化の少なくとも一方を与えるマークを有する透光性部材を介して前記試料を撮像することで得られる、前記試料の像と前記マークの像とが混在した撮像画像を評価する撮像画像評価ステップと、前記撮像画像評価ステップでの評価結果に基づいてデフォーカス量を推定する推定ステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、マトリクス状に配置された複数の画素を有する液晶表示装置であって、
前記第２基板は、タッチパネルの検出電極を有し、
前記各画素は前記第１基板に形成され、画素電極と対向電極とを有し、
前記対向電極は、複数のブロックに分割されており、
前記分割された各ブロックの対向電極は、連続する複数の表示ラインの各画素に対して共通に設けられており、
前記分割された各ブロックの対向電極は、前記タッチパネルの走査電極を兼用し、
前記液晶表示パネルを駆動し、前記分割された各ブロックの対向電極に対して、対向電圧とタッチパネル走査電圧を供給する駆動回路を有し、
前記駆動回路は、タイミング設定レジスタを有し、前記分割された各ブロックの対向電極に対して、順次供給する前記タッチパネル走査電圧の供給開始タイミングを前記タイミング設定レジスタに設定されたデータに基づき調整可能であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、マトリクス状に配置された複数の画素を有する液晶表示装置であって、
前記第２基板は、タッチパネルの検出電極を有し、
前記各画素は前記第１基板に形成され、画素電極と対向電極とを有し、
前記対向電極は、複数のブロックに分割されており、
前記分割された各ブロックの対向電極は、連続する複数の表示ラインの各画素に対して共通に設けられており、
前記分割された各ブロックの対向電極は、前記タッチパネルの走査電極を兼用し、
前記液晶表示パネルを駆動し、前記分割された各ブロックの対向電極に対して、対向電圧とタッチパネル走査電圧を供給する駆動回路を有し、
前記駆動回路は、走査パルス幅レジスタを有し、前記分割された各ブロックの対向電極に対して、順次供給する前記タッチパネル走査電圧の振幅値を前記走査パルス幅レジスタに設定されたデータに基づき調整可能であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
第１基板と、
第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持される液晶とを有する液晶表示パネルを備え、マトリクス状に配置された複数の画素を有する液晶表示装置であって、
前記第２基板は、タッチパネルの検出電極を有し、
前記各画素は前記第１基板に形成され、画素電極と対向電極とを有し、
前記対向電極は、複数のブロックに分割されており、
前記分割された各ブロックの対向電極は、連続する複数の表示ラインの各画素に対して共通に設けられており、
前記分割された各ブロックの対向電極は、前記タッチパネルの走査電極を兼用し、
前記液晶表示パネルを駆動し、前記分割された各ブロックの対向電極に対して、対向電圧とタッチパネル走査電圧を供給する駆動回路を有し、
前記駆動回路は、タイミング設定レジスタと走査パルス幅レジスタを有し、前記分割された各ブロックの対向電極に対して、順次供給する前記タッチパネル走査電圧の供給開始タイミングを前記タイミング設定レジスタに設定されたデータに基づき調整可能であるとともに、前記分割された各ブロックの対向電極に対して供給する前記タッチパネル走査電圧の振幅値を前記走査パルス幅レジスタに設定されたデータに基づき調整可能であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１基板は、前記各画素に映像電圧を入力する複数の映像線を有し、
前記駆動回路は、前記映像線上の映像電圧の電圧遷移タイミング時点から所定時間遅延させて、前記分割された各ブロックの対向電極に対して前記タッチパネル走査電圧を供給することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１基板は、前記各画素に走査電圧を入力する複数の走査線を有し、
前記駆動回路は、前記走査電圧の立ち上がり時点、あるいは、前記走査電圧の立ち下がり時点から所定時間遅延させて、前記分割された各ブロックの対向電極に対して前記タッチパネル走査電圧を供給することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記駆動回路は、前記タイミング設定レジスタに設定されたデータに基づき所定時間遅延させて、前記分割された各ブロックの対向電極に対して前記タッチパネル走査電圧を供給することを特徴とする請求項１または請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、前記対向電圧と、前記走査パルス幅レジスタに設定されたデータに基づき、前記分割された各ブロックの対向電極に対して供給するタッチパネル走査電圧の振幅値を決定することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置に着脱可能なカートリッジであって、前記カートリッジの長手方向と交差する短手方向において前記カートリッジの中心を通る中心線からずれた位置に設けられた、前記カートリッジを把持するための把持部を有するカートリッジを梱包する梱包部材であって、
（ａ）開口と、前記開口から進入した前記カートリッジを収納する第一凹部と、を有する枠体部と、
（ｂ）前記開口を開放可能に塞ぐ、ヒンジ部によって前記枠体部に対して回転可能に、前記枠体部の短手方向の端に結合した蓋部と、
を有し、
前記第一凹部は、短手方向において、前記ヒンジ部に対して前記把持部が前記カートリッジの中心線よりも遠い位置に前記カートリッジを位置するように、短手方向における前記カートリッジの位置を規制可能とするため、短手方向に複数の規制部を有することを特徴とする梱包部材。
【請求項２】
前記蓋部は、前記開口を塞いだ際に、前記把持部を収容し、前記第一凹部とともに前記カートリッジを収納する空間を形成する第二凹部を有することを特徴とする請求項１に記載の梱包部材。
【請求項３】
前記ヒンジ部は、前記枠体部、及び、前記蓋部と一体成形されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の梱包部材。
【請求項４】
前記ヒンジ部は、前記長手方向に沿って設けられたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の梱包部材。
【請求項５】
前記カートリッジは、静電潜像が形成される感光体ドラムを有し、前記長手方向は前記感光体ドラムの軸線方向であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の梱包部材。
【請求項６】
画像形成装置に着脱可能なカートリッジであって、前記カートリッジを把持するための把持部を有する第一枠体と、前記第一枠体と結合する第二枠体と、有するカートリッジを梱包する梱包部材であって、
（ａ）開口と、前記開口から進入した前記カートリッジを収納する第一凹部と、を有する枠体部と、
（ｂ）前記開口を開放可能に塞ぐ、ヒンジ部によって前記枠体部に対して回転可能に、前記枠体部の短手方向の端に結合した蓋部と、
を有し、
前記第一凹部は、短手方向において、前記ヒンジ部に対して前記把持部が前記第二枠体よりも遠い位置に位置するように、短手方向における前記カートリッジの位置を規制可能とするため、短手方向に複数の規制部を有することを特徴とする梱包部材。
【請求項７】
前記蓋部は、前記開口を塞いだ際に、前記把持部を収容し、前記第一凹部とともに前記カートリッジを収納する空間を形成する第二凹部を有することを特徴とする請求項６に記載の梱包部材。
【請求項８】
前記ヒンジ部は、前記枠体部、及び、前記蓋部と一体成形されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の梱包部材。
【請求項９】
前記ヒンジ部は、前記長手方向に沿って設けられたことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の梱包部材。
【請求項１０】
前記第一枠体は、静電潜像が形成される感光体ドラムを支持し、前記第二枠体は、前記静電潜像を現像する現像ローラを支持し、前記長手方向は前記感光体ドラムの軸線方向であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の梱包部材。
【請求項１１】
画像形成装置に着脱可能なカートリッジであって、
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の梱包部材に梱包されたことを特徴とするカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板と、
前記アレイ基板上に形成された映像信号線と走査信号線により区画された複数の画素と、
前記画素毎に配置されるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と、
前記画素内に配置される画素電極と、
を有し、
前記ＴＦＴのチャネル半導体層と前記画素電極は一続きに連続する酸化物半導体の層であり、
ゲート電圧が印加されていない状態において、前記チャネル半導体層の電気伝導率より前記画素電極の電気伝導率が大きく、
平面視において、前記走査信号線の外形線が囲む領域内において前記チャネル半導体層と前記映像信号線とが接する表示装置。
【請求項２】
前記酸化物半導体は、Ｉｎ、Ｇａ，Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｃｄから選択された１つ乃至複数の金属元素を含む金属酸化物である請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
平面視において、前記チャネル半導体層は、ゲート絶縁膜を介して前記走査信号線と重なり合い、
前記走査信号線は、前記ＴＦＴのゲート電極として機能する請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
アレイ基板を用意する工程と、
前記アレイ基板上に走査信号線を形成する工程と、
前記アレイ基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記アレイ基板上に酸化物半導体の層を形成する工程と、
平面視において、前記走査信号線の外形線が囲む領域内において前記酸化物半導体の層の一部分と重なり合うように映像信号線を形成する工程と、
前記酸化物半導体の層の一部分にエネルギー線を照射して画素電極を形成する工程と、
を有する表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記酸化物半導体の層は、平面視において、その一部分が前記ゲート絶縁膜を介して前記走査信号線と重なり合うように形成される請求項４記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記エネルギー線を照射して画素電極を形成する工程は、前記アレイ基板とカラーフィルタ基板を液晶層を狭持するよう貼り合わせた後に実施される請求項４または５記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
アレイ基板と、
前記アレイ基板上に形成された映像信号線と走査信号線により区画された複数の画素と、
前記画素内に配置された透明電極によって構成された共通電極と、
前記画素毎に配置されるＴＦＴと、
前記画素内に前記共通電極上に絶縁層を介して重畳するように配置された画素電極と、
前記映像信号線上に絶縁層を介して重畳する遮蔽電極を有し、
前記ＴＦＴのチャネル半導体層と前記画素電極は一続きに連続する酸化物半導体の層であり、
平面視において、前記走査信号線の外形線が囲む領域内において前記チャネル半導体層と前記映像信号線とが接する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記目的を達成するために、請求項１の情報処理装置は、ミラーリング機能、及び自己診断機能を備えた記憶手段と、前記記憶手段に関する情報を予め定められた電子機器に通知する通知手段と、前記記憶手段に備わる前記自己診断機能により得られた前記記憶手段の状態を示す状態情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記状態情報から、前記記憶手段が故障するか否かを予測する予測手段と、前記予測手段により前記記憶手段が故障することが予測され、かつ前記ミラーリング機能が無効であれば、前記記憶手段の交換が必要であることを前記電子機器に通知するように前記通知手段を制御するとともに、前記ミラーリング機能が有効であれば、前記記憶手段の交換が必要であることを前記電子機器へ通知しないように前記通知手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミラーリング機能、及び自己診断機能を備えた記憶手段と、
前記記憶手段に関する情報を予め定められた電子機器に通知する通知手段と、
前記記憶手段に備わる前記自己診断機能により得られた前記記憶手段の状態を示す状態情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記状態情報から、前記記憶手段が故障するか否かを予測する予測手段と、
前記予測手段により前記記憶手段が故障することが予測され、かつ前記ミラーリング機能が無効であれば、前記記憶手段の交換が必要であることを前記電子機器に通知するように前記通知手段を制御するとともに、前記ミラーリング機能が有効であれば、前記記憶手段の交換が必要であることを前記電子機器へ通知しないように前記通知手段を制御する制御手段と
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記予測手段により前記記憶手段が故障することが予測され、かつ前記ミラーリング機能が有効であれば、前記予測手段により前記記憶手段が故障することが予測されたことを前記電子機器へ通知するように前記通知手段を制御することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記電子機器は、前記情報処理装置の監視に用いられる監視機器、または前記情報処理装置のユーザに対して情報を表示する表示装置であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記予測手段により前記記憶手段が故障することが予測され、かつ前記ミラーリング機能が有効であるときに、前記表示装置に前記記憶手段に保存されている情報を外部記憶装置にバックアップするためのボタンを表示し、当該ボタンがユーザにより押下されたときには、前記外部記憶装置に前記情報をバックアップすることを特徴とする請求項３記載の情報処理装置。
【請求項５】
ミラーリング機能、及び自己診断機能を備えた記憶手段と、前記記憶手段に関する情報を予め定められた電子機器に通知する通知手段とを備えた情報処理装置の制御方法であって、
前記記憶手段に備わる前記自己診断機能により得られた前記記憶手段の状態を示す状態情報を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された前記状態情報から、前記記憶手段が故障するか否かを予測する予測ステップと、
前記予測ステップにより前記記憶手段が故障することが予測され、かつ前記ミラーリング機能が無効であれば、前記記憶手段の交換が必要であることを前記電子機器に通知するように前記通知手段を制御するとともに、前記ミラーリング機能が有効であれば、前記記憶手段の交換が必要であることを前記電子機器へ通知しないように前記通知手段を制御する制御ステップとを備えたこと
を特徴とする制御方法。
【請求項６】
ミラーリング機能、及び自己診断機能を備えた記憶手段と、前記記憶手段に関する情報を予め定められた電子機器に通知する通知手段とを備えた情報処理装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記制御方法は、
前記記憶手段に備わる前記自己診断機能により得られた前記記憶手段の状態を示す状態情報を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された前記状態情報から、前記記憶手段が故障するか否かを予測する予測ステップと、
前記予測ステップにより前記記憶手段が故障することが予測され、かつ前記ミラーリング機能が無効であれば、前記記憶手段の交換が必要であることを前記電子機器に通知するように前記通知手段を制御するとともに、前記ミラーリング機能が有効であれば、前記記憶手段の交換が必要であることを前記電子機器へ通知しないように前記通知手段を制御する制御ステップとを備えたこと
を特徴とするプログラム。