(57)【要約】撮像装置１０の製造方法は、受光部３１と電極パッド３２とが第１の主面３０ＳＡに形成された撮像チップ基板３０Ｗを切断し複数の撮像チップ３０を作製する工程と、撮像チップ３０をラスウエハ２０Ｗに接着し接合ウエハ４０Ｗを作製する工程と、複数の撮像チップ３０の間を封止部材４２で充填する工程と、接合ウエハ４０Ｗを第２の主面３０ＳＢ側から加工し厚さを薄くする工程と、撮像チップ３０に貫通ビア３３Ｓを形成する工程と、撮像チップ３０の第２の主面３０ＳＢおよび封止部材４２の表面および貫通ビア３３Ｓの壁面を覆う絶縁層４３を形成する工程と、貫通配線３３を形成する工程と、貫通配線３３と接続された外部接続電極３４を第２の主面３０ＳＢに形成する工程と、接合ウエハ４０Ｗを切断する工程と、を具備する。
2013179767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の受光部が第１の主面に形成され、それぞれの受光部の周囲に電極パッドが形成された撮像チップ基板を切断し、複数の撮像チップを作製する工程と、
撮像チップの前記第１の主面を、透明な接着層を介して透明な支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の撮像チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記撮像チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記撮像チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項２】
検査により良品と判断された撮像チップが、前記支持基板に接着されることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記支持基板に形成された第１のアライメントマークと、前記撮像チップの前記第１の主面に形成された第２のアライメントマークと、を位置合わせされた状態で、前記撮像チップが前記支持基板に接着されることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項４】
複数の半導体回路部が第１の主面に形成され、それぞれの半導体回路部の周囲に電極パッドが形成された半導体チップ基板を切断し、複数の半導体チップを作製する工程と、
半導体チップの第１の主面を、接着層を介して支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の半導体チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記半導体チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記半導体チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面、を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
検査により良品と判断された前記半導体チップが、前記支持基板に接着されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記エッチングマスクを形成する工程の前に、前記第２の主面に露出した前記封止部材を覆うカバー層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチングマスクを剥離する工程において、前記封止部材を覆う領域の前記エッチングマスクは剥離しないことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記支持基板および前記接着層が透明であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の撮像チップ（半導体チップ）が支持基板に接合された接合ウエハを切断する工程を具備する撮像装置の製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化のため、チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）技術が用いられている。ＣＳＰでは、第１の主面に半導体回路部が形成された半導体チップに、第２の主面に到達する貫通配線が形成され、第２の主面の外部接続端子が配線板と接続される。【０００３】
ここで、小型の撮像装置では、半導体回路部である受光部が形成された撮像チップの第１の主面には受光部を保護する透明支持部材が接合されている。複数の撮像装置を一括して作製するために、ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ）技術が用いられている。ＷＬ−ＣＳＰでは、複数の受光部が形成された撮像チップ基板と透明支持基板とが接着層を介して接着された接合ウエハの状態で貫通配線形成等の加工がされた後に、個々の撮像装置に個片化される。【０００４】
しかし、従来のＷＬ−ＣＳＰでは、撮像チップ基板の撮像チップの歩留まりが低い場合には、不良受光部のある撮像チップも撮像装置として加工されるため、製造コストが増大する。また、半導体ウエハの大口径化に伴い、加工設備も全て大口径に対応する必要があり、設備投資費が増大し製造コストが増大するため、生産性が低下する。【０００５】
なお、日本国特開２０１１−２４３５９６号公報には、シリコンウエハの実装面に実装した半導体チップを封止樹脂で封止した後に、シリコンウエハを実装面と反対面から研磨加工等を行い、さらに個々のパッケージ部品に個片化するＣＳＰ法によるパッケージ部品の製造方法が開示されている。【０００６】
すなわち、上記製造方法では、半導体チップは加工されず、シリコンウエハが加工され半導体チップのインターポーザーとなる。【０００７】
上記パッケージ部品の製造方法では、半導体チップが実装された面と対向する面に対して、貫通配線形成等のウエハプロセスが行われる。これに対して、半導体チップと封止樹脂とが露出した面に対してウエハプロセスを行う半導体装置の製造方法では、封止樹脂がウエハプロセスにおいて劣化し、信頼性が低下するおそれがあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の実施形態は、信頼性の高い撮像装置の製造方法および信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態の撮像装置の製造方法は、複数の受光部が第１の主面に形成され、それぞれの受光部の周囲に電極パッドが形成された撮像チップ基板を切断し、複数の撮像チップを作製する工程と、撮像チップの前記第１の主面を、透明な接着層を介して透明な支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、前記接合ウエハに接着された前記複数の撮像チップの間を封止部材で充填する工程と、前記接合ウエハを、第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記撮像チップに貫通ビアを形成する工程と、前記エッチングマスクを剥離する工程と、前記撮像チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面を覆う絶縁層を形成する工程と、前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、前記接合ウエハを切断する工程と、を具備する。【００１０】
また、別の実施形態の半導体装置の製造方法は、複数の半導体回路部が第１の主面に形成され、それぞれの半導体回路部の周囲に電極パッドが形成された半導体チップ基板を切断し、複数の半導体チップを作製する工程と、半導体チップの前記第１の主面を、接着層を介して支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、前記接合ウエハに接着された前記複数の半導体チップの間を封止部材で充填する工程と、前記接合ウエハを、第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記半導体チップに貫通ビアを形成する工程と、前記エッチングマスクを剥離する工程と、前記半導体チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面、および前記貫通ビアの壁面、を覆う絶縁層を形成する工程と、前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、前記接合ウエハを切断する工程と、を具備する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態の撮像装置の断面図である。
【図２】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための斜視図である。
【図３Ａ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３Ｂ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図４】実施形態の撮像装置の透明基板の平面図および部分拡大図である。
【図５】実施形態の撮像装置の撮像チップの斜視図である。
【図６Ａ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｃ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｄ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｅ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｆ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｇ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｈ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｉ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｊ】実施形態の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】変形例１の撮像装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】変形例１の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】変形例１の撮像装置の断面図および部分拡大断面図である。
【図１０】変形例２の撮像装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１１Ａ】変形例２の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１１Ｂ】変形例２の撮像装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】変形例２の撮像装置の断面図および部分拡大断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
＜実施形態＞
図１に示すように、半導体装置である撮像装置１０は、撮像チップ（イメージャチップ）３０と、支持基板部（透明平板部）であるカバーガラス２０と、が透明樹脂からなる接着層４１を介して接着されている。撮像チップ３０の第１の主面３０ＳＡには、半導体回路部である受光部３１が形成されており、さらに、第１の主面３０ＳＡの受光部３１の周囲には、受光部３１と配線（不図示）により接続された複数の電極パッド３２が形成されている。そして、電極パッド３２は、貫通配線３３を介して、第２の主面３０ＳＢの外部接続電極３４および外部接続端子３５と接続されている。すなわち、複数の電極パッド３２は、受光部３１へ電力を供給するとともに、受光部３１との間で入出力信号を送受信する。さらに、撮像チップ３０の外周部および接着層４１の外周部は、封止部材４２により隙間なく覆われている。【００１３】
絶縁層４３は、貫通ビアの壁面を覆うことで撮像チップ３０の母材であるシリコンと貫通配線３３とを絶縁するだけでなく、封止部材４２の表面および撮像チップ３０の第２の主面３０ＳＢを覆い保護している。さらに、第２の主面３０ＳＢの外部接続電極形成領域以外は、保護層４４により覆われている。【００１４】
すなわち、撮像装置１０では、カバーガラス２０の平面視寸法は、撮像チップ３０の平面視寸法よりも大きい。これは、図２に示すように、撮像装置１０が、複数の撮像チップ３０を接着層４１を介してカバーガラス２０となる透明支持基板であるガラスウエハ２０Ｗに所定間隔離して接着された接合ウエハ４０Ｗの切断（個片化）により作製されているためである。後述するように、ガラスウエハ２０Ｗには、それぞれの撮像チップ３０を所定位置に配置するためのアライメントマーク２１が形成されている。すなわち、ガラスウエハ２０Ｗは、透明であるため、アライメントマーク２１形成面の反対面から、アライメントマーク（第１のアライメントマーク）２１と、撮像チップ３０のアライメントマーク（第２のアライメントマーク）３６（図５参照）の位置合わせができる。【００１５】
次に、図３Ａおよび図３Ｂのフローチャートに従い、実施形態の撮像装置１０の製造方法を詳細に説明する。【００１６】
＜ステップＳ１０＞ガラスウエハ作製工程
図４に示すように、透明支持基板であるガラスウエハ２０Ｗに、撮像チップ３０を所定位置に配置するためのアライメントマーク２１が形成される。なお、図４には、説明のため、撮像チップ配置領域３０Ｓを破線で示している。切断されカバーガラス２０となるガラスウエハ２０Ｗは、撮像する光の波長帯域において透明であればよく、例えば、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、または単結晶サファイア等を用いる。【００１７】
なお、アライメントマーク２１形成時に、同時に、アライメントマーク２２およびアライメントマーク２３が形成される。アライメントマーク２２は個片化のときのダイシング用であり、アライメントマーク２３は撮像チップ３０の貫通配線３３形成等の加工用である。アライメントマーク２１等は、例えば、全面にＡｌ等からなる金属層を成膜したのちに、フォトリソグラフィによりパターニングすることにより形成される。正確な位置決めのためには、それぞれのアライメントマークは、１回の位置決め処理用に２個あることが好ましい。なお、アライメントマーク２１等は、ガラスウエハ２０Ｗを部分的にエッチングすることにより形成してもよい。【００１８】
なお、以降の工程において加工されない、ガラスウエハ２０Ｗの裏面（アライメントマーク２１形成面の反対面）をフォトレジストなどによって覆うことにより保護してもよい。【００１９】
＜ステップＳ１１＞撮像チップ作製工程
シリコンウエハ等の半導体ウエハの第１の主面３０ＳＡに、公知の半導体プロセスにより、複数の半導体回路部である受光部３１と、それぞれの受光部３１と接続された複数の電極パッド３２と、複数のアライメントマーク３６と、が形成されることで、撮像チップ基板３０Ｗ（図２参照）が作製される。そして、撮像チップ基板（半導体チップ基板）３０Ｗが切断され、図５に示す複数の撮像チップ（半導体チップ）３０が作製される。【００２０】
製作しようとする撮像装置の形態および仕様等に応じて、撮像チップ基板およびガラスウエハ２０Ｗのサイズは、使用可能な製造設備等に合わせて選択される。また、撮像チップ基板とガラスウエハ２０Ｗを、異なるサイズとすることもできる。例えば、大口径の１２インチ（３００ｍｍ）φ、または、さらに大きい基板で形成された撮像チップであっても、個片化した個々の撮像チップ３０を８インチ（２００ｍｍ）φのガラスウエハ２０Ｗに再配列（接着）して加工を行うことで、大口径ウエハ対応の設備等を用いることなく、８インチ（２００ｍｍ）φ用の設備で製造することが可能となる。さらに、設備および装置等に応じて、例えば８インチ（２００ｍｍ）φの撮像チップ基板と６インチ（１５０ｍｍ）角のガラスウエハ２０Ｗという異なる形状の基板およびウエハを用いてもよい。このように、使用可能な製造設備等（製造装置、治具および工具等）に適した大きさまたは形状の、撮像チップ基板およびガラスウエハ２０Ｗを使用できるので、現有設備等を有効に活用して撮像装置を製造することが可能となる。【００２１】
また、以降の工程では、検査工程で良品と判断された撮像チップ３０だけが使用される。すなわち、良品ではない「不良チップ」は以降の工程において使用されることがないので、撮像チップ基板３０Ｗの撮像チップ３０の歩留まりが低い場合であっても、再配列され再加工されて得られる撮像チップの歩留まり低下につながることはない。なお、撮像チップの良否を判断する検査は、個片化された状態の個々の撮像チップ３０毎に行ってもよいが、作業効率上、撮像チップ基板３０Ｗの状態で行うのが好ましい。【００２２】
アライメントマーク３６は、ガラスウエハ２０Ｗのアライメントマーク２１と対応している。図５に示すように、アライメントマーク３６は、撮像チップ３０の中心をはさんで対向する外周部に、それぞれ形成されていることが好ましい。ガラスウエハ２０Ｗと撮像チップ３０とに、それぞれアライメントマークを形成しておくことで、実装装置を用いて高精度に自動で撮像チップ３０の搭載ができる。【００２３】
また、撮像チップ３０の第１の主面３０ＳＡの外周部には、段差部３７が形成されている。段差部３７は、撮像チップ基板３０Ｗをステップカットにてダイシングすることで作製される。段差部３７がある撮像チップ３０は、ガラスウエハ２０Ｗとの接着時に接着剤４１Ｌの撮像チップ３０の外側への広がり（フィレット）を防止するために、隣接チップとの間隔Ｌを小さくできる。また、受光部３１の上に、マイクロレンズ群が配設されていてもよい。【００２４】
＜ステップＳ１２＞接着工程
図６Ａに示すように、複数の撮像チップ３０が、ガラスウエハ２０Ｗに、所定の間隔Ｌだけ離して接着され接合ウエハ４０Ｗが作製される。すなわち、撮像チップ基板３０Ｗに所定の配列条件で形成された複数の撮像チップ３０が、切断後に、今度はガラスウエハ２０Ｗに再配列される。【００２５】
間隔Ｌは、後述するダイシング工程にて用いるダイシングブレードの厚みよりも長い必要がある。しかし、間隔Ｌが長すぎると、１枚のガラスウエハ２０Ｗから作製できる撮像装置の数が少なくなると同時に、後述する封止部材充填工程において封止部材の体積が大きくなり、硬化収縮応力が大きくなることでクラックが生じやすくなる。このため、間隔Ｌは、ダイシングブレードの厚みよりも少し長い１５μｍ以上５００μｍ以下が好ましい。【００２６】
また、間隔Ｌは全ての撮像チップ３０の間で一定とすることにより、後述の封止部材充填工程において、作業性を良くできるとともに、封止部材を均一に充填することが可能となり、硬化収縮応力の不均一によるクラックを防ぐことができる。【００２７】
例えば、最初に、液体状の接着剤４１Ｌが、ガラスウエハ２０Ｗの撮像チップ配置領域３０Ｓの５箇所に適量が塗布される。撮像チップ配置領域３０Ｓは、対角線上に配置されている２つのアライメントマーク２１により把握可能である。塗布方法としては、例えば、ディスペンサの先端ノズルから溶液を押し出して塗布するディスペンス法を用いる。【００２８】
接着剤４１Ｌは、透明性が高い（例えば可視波長での透過率が９０％以上）、接着力が強い、および後工程における熱等により劣化しない、などの特性を満足する、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂、エポキシ系樹脂、またはシリコーン系樹脂等を用いる。【００２９】
そして、例えば、フリップチップボンダを用いて、ガラスウエハ２０Ｗの第１のアライメントマーク２１と、撮像チップ３０の第１の主面３０ＳＡの第２のアライメントマーク３６と、が位置合わせされた状態で、撮像チップ３０がガラスウエハ２０Ｗに接着される。第１のアライメントマーク２１と第２のアライメントマーク３６とは位置合わせしやすいように設定されている。例えば、図４に示すように第１のアライメントマーク２１は十字形であり、図５に示すように第２のアライメントマーク３６は、４つの矩形からなる。【００３０】
なお、それぞれの撮像チップ専用のアライメントマークを形成しないで、ガラスウエハ２０Ｗに基準マークを形成しておき、基準マークをもとに、所定のピッチで撮像チップ３０を配置してもよい。このような方法を用いるとスループットを上げることができる。また、第２のアライメントマーク３６に替えて、撮像チップ３０に形成された電極パッド３２等のパターンを用いて位置合わせを行ってもよい。【００３１】
液状の接着剤４１Ｌは、アライメントマークが位置合わせされた状態で、硬化され、接着層４１となる。ウエハ状の押さえ冶具により、撮像チップの第２の主面を所定の圧力で押圧しながら完全硬化させると、撮像チップの主面とガラスウエハ２０Ｗの主面との平行度が高くなる。【００３２】
接着剤４１Ｌの硬化方法も、所望の特性を満足すれば、樹脂に応じて、熱硬化法、ＵＶ硬化法、ＵＶ硬化法＋熱硬化法、ＵＶ硬化法＋湿気硬化法、または、常温硬化法等のいずれでもよい。加熱部またはＵＶ照射部等の接着剤４１Ｌの硬化手段を備えたフリップチップボンダを用いることで、撮像チップ３０の所定位置への配置と、接着剤４１Ｌの硬化とを同時に行うことができる。【００３３】
なお、フリップチップボンダにより接着剤４１Ｌを完全硬化してもよいが、急速な硬化により、ボイドが生じやすい接着剤４１Ｌの場合には注意が必要である。この場合には、例えば、フリップチップボンダによる硬化は、所定位置に配設した撮像チップ３０が移動して位置ずれを起こさない程度の半硬化とし、ガラスウエハ２０Ｗに複数の撮像チップ３０を配設した後に、一括して接着剤４１Ｌを完全硬化し接着層４１とすることが好ましい。【００３４】
＜ステップＳ１３＞封止部材充填工程
図６Ｂに示すように、ガラスウエハ２０Ｗの上に、配設された複数の撮像チップ３０の間に、例えばディスペンス法により充填された液状の封止樹脂４２Ｌが硬化されて封止部材４２となる。ディスペンス法に替えて封止樹脂４２Ｌを隙間に流し込んでもよい。【００３５】
複数の撮像チップ３０の配置間隔Ｌを１５μｍ以上５００μｍ以下とすることで、複数の撮像チップ３０の間に毛細管現象により封止部材を充填できる。なお、複数の撮像チップ３０の頂点が対峙する領域は、封止樹脂４２Ｌを充填したときに高さ（厚さ）が低くなりやすい。このため、封止樹脂を一度硬化させた後、複数の撮像チップ３０の頂点が対峙する部分にだけ封止樹脂を再度、塗布しても良い。【００３６】
封止部材４２は、撮像装置１０の耐湿性向上のために透湿度が低く、また、後工程における熱またはプラズマにより劣化しにくいことが好ましく、例えば、ＢＣＢ樹脂またはポリイミド等を用いる。なお、封止部材４２は接着層４１と同じものでもよいし、異なる材料でもよい。【００３７】
また、封止部材４２は、外光が受光部に入射するのを防止する遮光部材の機能を有することが好ましい。このためには、封止部材４２は接着層４１と同じ樹脂であっても、染料または黒色系顔料等の遮光材料を混合して用いることが好ましい。なお、封止部材４２は絶縁体である必要があるので、顔料等を用いる場合には非導電性材料が用いられる。【００３８】
封止部材４２の厚さ、すなわち充填する高さは、ステップＳ１４で薄厚化した後の撮像チップ３０の厚さよりも大きければよい。すなわち、封止部材４２は、薄厚化加工前の複数の撮像チップ３０の間の空間を完全に充填している必要はない。逆に、封止部材４２が、撮像チップ３０の間の空間から、はみ出していてもよい。【００３９】
なお、封止樹脂４２Ｌの硬化時の収縮応力によるクラック発生防止のために、封止樹脂４２Ｌの硬化においては急加熱、急冷却を行わないことが好ましい。また、ボイド発生防止のためには、硬化前に真空中で脱泡したり、真空中で硬化したりすることが好ましい。【００４０】
なお、封止部材４２としては、硬化された液状の樹脂に限られるものではない。例えば、シート状の樹脂部材を、真空熱プレスまたは真空ラミネートによって撮像チップ３０を埋め込みながら撮像チップ３０の間の空間を充填した後に、硬化してもよい。【００４１】
＜ステップＳ１４＞撮像チップ加工工程
撮像チップ加工サブルーチンを、図３Ｂに示す。【００４２】
＜ステップＳ２０＞厚さ減少加工工程
図６Ｃに示すように、接合ウエハ４０Ｗが薄厚化されることで、撮像チップ接着面（第２の主面３０ＳＢ）側が平坦化される。すなわち、第２の主面３０ＳＢ側からバックグラインド工程とＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程とが行われる。【００４３】
バックグラインド工程では、バックグラインディングホイールと呼ばれるダイヤモンドホイールが用いられる。ＣＭＰ工程は、バックグラインド処理により研削された表面の表面粗さを小さくするために行われる。【００４４】
なお、封止部材充填後の接合ウエハ４０Ｗの表面の凹凸が大きい場合は、バックグラインド工程の前に別の手段による前処理を行うことが好ましい。例えば前処理として、撮像チップ３０の間からはみ出した封止部材４２が刃物により削られる。【００４５】
なお、バックグラインド工程およびＣＭＰ工程によって、封止部材４２の表面の中央部が凹となるディッシングが生じることがある。しかし、凹部分はダイシング工程において除去されるため、問題とはならない。【００４６】
薄厚化後の接合ウエハ４０Ｗの撮像チップ３０の第２の主面３０ＳＢと封止部材４２の表面とは、平坦面を形成している。このため、薄厚化された接合ウエハ４０Ｗに対しては、通常の半導体ウエハと同様のプロセスを行うことができる。【００４７】
すなわち、図６Ｄに示すように、撮像チップ３０の第１の主面３０ＳＡに形成された電極パッド３２と接続された貫通配線３３を形成するための貫通ビア３３Ｓが、通常の半導体ウエハプロセスで、形成される。【００４８】
＜ステップＳ２１＞エッチングマスク形成工程
図６Ｄに示すように、貫通ビア形成のために、電極パッド３２の直上領域に開口のあるエッチングマスク３９が、撮像チップ３０上と封止部材４２上に成膜される。エッチングマスク３９は、後の工程で用いられる薬品およびプラズマから撮像チップ３０および封止部材４２を保護する保護膜でもある。【００４９】
エッチングマスク３９としては、シリコン酸化膜、もしくはシリコン窒化膜等の無機膜、または、フォトレジスト、ポリイミド、もしくはＢＣＢ等の有機膜を用いる。エッチングマスク３９として無機膜を用いる場合には、プラズマＣＶＤまたは光ＣＶＤなどを用いて成膜する。これらの成膜法は低温であるため、撮像チップ３０に形成された半導体回路部（受光部３１）等にダメージを与えることがない。シリコン酸化膜を形成する場合の原料ガスとしては、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）、または、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）などを用いる。また、シリコン窒化膜を形成する場合の原料ガスとしては、ＳｉＨ４＋ＮＨ３、ＳｉＨ２ＣＬ２＋ＮＨ３、ＳｉＨ４＋Ｎ２、またはＳｉＨ４＋ＮＨ３＋Ｎ２などの混合ガスを用いる。【００５０】
一方、エッチングマスク３９として有機膜を用いる場合には、スピンコート、スプレーコートまたはスクリーン印刷等によって形成する。【００５１】
エッチングマスク３９は、後の工程で剥離するため、エッチングマスク３９は封止部材４２と異なる材質のものを用いる。例えば、封止部材４２がポリイミドの場合には、エッチングマスク３９としては、例えば、シリコン酸化膜またはシリコン窒化膜を用いる。エッチングマスク３９の成膜方法として低温で成膜することができ、撮像チップ３０に形成された半導体回路部等にダメージを与えることがないため、プラズマＣＶＤを好ましく用いる。【００５２】
なお、エッチングマスク３９に開口を形成するためのパターニングマスク（不図示）を形成するときのフォトマスクの位置合わせにはガラスウエハ２０Ｗに形成しておいた貫通配線形成用のアライメントマーク２３が用いられる。【００５３】
エッチングマスク３９としてシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、または非感光性樹脂を用いた場合には、開口パターンのあるフォトレジストをマスクにエッチングすることで開口を形成する。シリコン酸化膜等では、ＣＦ４、ＣＨＦ３、またはＣ２Ｆ６等のフッ素系ガスを用いたドライエッチングを行う。一方、感光性樹脂を用いた場合には、フォトリソグラフィパターニングにより、開口のあるエッチングマスク３９を形成できる。【００５４】
＜ステップＳ２２＞貫通ビア形成工程
エッチングマスク３９を用いて貫通ビア３３Ｓが、通常の半導体ウエハプロセスで形成される。【００５５】
例えば、ＫＯＨまたはＴＭＡＨ等のアルカリ溶液によるウェットエッチング、または、ＩＣＰ-ＲＩＥ法等によるドライエッチングにより電極パッド３２まで達する貫通ビア３３Ｓが形成される。【００５６】
ウェットエッチングにより形成された貫通ビア３３Ｓは、第２の主面３０ＳＢの開口サイズよりも第１の主面３０ＳＡの開口サイズが小さいテーパ形状である。撮像チップ３０が単結晶シリコン（１００）からなる場合には、＜１００＞面方向のエッチング速度が＜１１１＞面方向のエッチング速度より相対的に早い異方性エッチングとなるためである。【００５７】
さらに、貫通ビア３３Ｓエッチングでは、第２の主面３０ＳＢの開口サイズがエッチングマスク３９の開口サイズよりも大きくなるサイドエッチングが生じる。このため、エッチングマスク３９の開口サイズは目標の第２の主面３０ＳＢの開口サイズよりも小さくしておく。貫通ビア形成工程において、エッチングマスク３９は、アルカリ溶液から封止部材４２を保護する。【００５８】
なお、貫通ビア３３Ｓは、ＩＣＰ-ＲＩＥ等のドライエッチングまたはレーザー加工等の物理的加工方法により形成してもよい。【００５９】
＜ステップＳ２３＞エッチングマスク剥離工程
エッチングマスク３９が剥離される。剥離方法としては、エッチングマスク３９と封止部材４２とのエッチング選択比が高い除去方法が選択される。例えば、封止部材４２がポリイミドで、エッチングマスク３９がシリコン酸化膜の場合には、ＢＨＦ等のフッ酸系溶液を用いたウェット剥離法を用いる。【００６０】
＜ステップＳ２４＞絶縁層形成工程
図６Ｅに示すように、撮像チップ３０の第２の主面３０ＳＢおよび封止部材４２の表面および貫通ビア３３Ｓの壁面を覆いながら、電極パッド３２は露出するように、貫通ビア３３Ｓの底面に開口がパターニングされている絶縁層４３が形成される。絶縁層４３には、エッチングマスク３９と同様の絶縁性材料を用いる。絶縁層形成方法および開口パターニング方法は、エッチングマスク３９と同様の形成方法でも良く、または異なる形成方法であってもよい。【００６１】
絶縁層４３は、以降の工程で剥離されることはないため、以降の工程において封止部材４２を保護する。例えば、絶縁層４３は、ステップＳ２５の貫通配線形成工程における、パターニング時の薬品処理またはプラズマ処理等から封止部材４２を保護する。【００６２】
＜ステップＳ２５＞貫通配線形成工程
図６Ｆに示すように、貫通ビア３３Ｓの壁面等に絶縁層４３が形成された後に、貫通ビア３３Ｓの内部に導電体からなる貫通配線３３が形成される。貫通配線３３は、アルミニウムまたは銅などの導電膜をスパッタ法または蒸着法を用いて成膜した後に、パターニングすることで形成される。なお、貫通配線形成工程においては、めっきプロセスを用いてもよい。【００６３】
＜ステップＳ２６＞外部接続電極形成工程
そして、貫通配線形成後に撮像チップ３０の第２の主面３０ＳＢに貫通配線３３と接続された外部接続電極３４が形成される。なお、貫通配線形成時に、外部接続電極３４を同時に形成してもよい。【００６４】
＜ステップＳ２７＞保護層形成工程
図６Ｇに示すように、外部接続電極３４の一部が露出する開口のある保護層４４が形成される。保護層４４は、エッチングマスク３９等と同様の材料および形成方法でも良く、または異なる材料および形成方法であってもよい。【００６５】
＜ステップＳ２８＞外部接続端子形成工程
外部接続電極３４の上の保護層４４の開口に、外部と電気的接続を行うための凸状の外部接続端子３５が配設される。なお、貫通配線形成工程等においては、めっきプロセスを用いてもよいし、外部接続端子３５には、はんだボールなどを用いてもよい。【００６６】
＜ステップＳ１５＞個片化工程（ダイシング工程）
接合ウエハ４０Ｗを、切断する個片化工程により、１枚の接合ウエハ４０Ｗから、多数の撮像装置１０が作製される。【００６７】
切断は、図６Ｆおよび図６Ｇに示す、二段ダイシング法が好ましい。すなわち、ガラスウエハ２０Ｗの表面（図中上側）から１０〜２００μｍ程度までをハーフカットした後、ガラスウエハ２０Ｗをフルカットダイシングすることで、応力によるクラックの発生および封止部材４２の剥離を防止できる。さらに、二段ダイシング法では、封止部材４２のダイシングには、樹脂に適したブレード品種（ボンド材、砥粒径、集中度）および加工条件（送り速度、回転数）を用い、ガラスウエハ２０Ｗのダイシングにはガラスに適したブレード品種および加工条件を用いることで、加工品質（樹脂のバリ、ガラスのチッピング、樹脂層のデラミネーション）を向上できる。また、樹脂用ブレードをガラス用ブレードより厚みの大きいものにして、個片化後の撮像チップ３０端部に段差ができるステップカットとしてもよい。【００６８】
また、ダイシングライン上の封止部材４２をレーザーダイシングまたはエッチングにより除去したのち、ガラス用のブレードダイシングまたはレーザーダイシングによりガラスウエハ２０Ｗをフルカットダイシングすることで、個片化してもよい。【００６９】
ダイシングのアライメントには、最初にガラスウエハ２０Ｗに形成したアライメントマーク２２を用いる。なお、アライメントマーク２２に替えて、貫通配線形成工程等において、撮像チップ３０の第２の主面３０ＳＢ、または撮像チップ３０の間の封止樹脂上にダイシング用のアライメントマークを形成してもよい。【００７０】
実施形態の製造方法では、撮像チップ基板３０Ｗの撮像素子の歩留まりが低い場合であっても、良品の撮像チップ３０だけを用いて接合ウエハ４０Ｗを作製する。このため、不良チップが撮像装置になることがないため、低コストで撮像装置１０を製造でき、生産性が高い。【００７１】
また、実施形態の製造方法では、撮像チップ基板３０Ｗの口径に関係なく、所定の口径の接合ウエハ４０Ｗにより製造できる。大口径に対応した加工設備が不要であるため、生産性が高い。【００７２】
さらに、ガラスウエハ２０Ｗに接着するのは、加工前の厚さが厚い撮像チップであるため、ハンドリングが容易である。すなわち、貫通配線を形成するために薄厚化された撮像チップは、破損しやすく、また接着時の応力等で変形しやすい。しかし、実施形態の製造方法では、厚い状態で撮像チップをガラスウエハ２０Ｗに接着できる。【００７３】
また、支持基板が透明なガラスウエハ２０Ｗであるため、図２に示したように撮像チップ接合面の反対面からアライメントマークによる位置合わせができる。【００７４】
さらに、接合ウエハ４０Ｗを第２の主面３０ＳＢ側からウエハプロセスにより加工するときに、封止部材４２はエッチングマスク３９または絶縁層４３により覆われて保護されている。このため、封止部材４２が劣化することがないため、本実施形態の撮像装置の製造方法は、信頼性の高い撮像装置を製造できる。【００７５】
また、チップ配置間隔を一定にしているために、封止樹脂４２Ｌの充填が容易であり、封止樹脂４２Ｌのクラックを防止できるため、製造歩留まりが高い。【００７６】
さらに、ＣＭＰによって撮像チップ３０の外面と封止部材４２の外面とを面一に揃えることにより、１枚のウエハとして扱うことが可能となり、チップ状部品に対しても半導体ウエハ工程を施すことができ、高精度・高密度な加工が行える。【００７７】
そして、撮像装置１０は、半導体回路部である受光部３１が第１の主面３０ＳＡに形成された半導体チップである撮像チップ３０と、撮像チップ３０よりも平面視寸法が大きい支持基板部であるカバーガラス２０と、撮像チップ３０の第１の主面３０ＳＡと撮像チップ３０とを接着する透明な接着層４１と、撮像チップ３０の側面および接着層４１の側面を覆う、カバーガラス２０と同じ外寸の絶縁材料からなる封止部材４２と、を具備する。【００７８】
すなわち、撮像チップ３０の側面が封止部材４２により覆われ、撮像チップ３０が外部に露出していない。このため、撮像装置１０は、電気絶縁性および耐湿性に優れている。【００７９】
なお、上記実施形態の撮像装置１０に、さらに機能部材を付加してもよい。例えば、ガラスウエハ２０Ｗの撮像チップ３０が接着されている面と反対の面に、対物レンズユニットを撮像チップ３０に対して位置合わせして接合してもよい。また、撮像チップ３０の第２の主面３０ＳＢに、撮像信号を処理するデジタルシグナルプロセッサ （ＤＳＰ ：Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）チップを接合してもよい。【００８０】
また、支持基板に撮像チップ３０の配線層側を接着し、撮像チップ３０の間に封止樹脂を充填し、撮像チップ３０を３μｍ程度に薄厚化して受光部３１を露出させた後、受光部３１の上にカラーフィルタおよびマイクロレンズを形成し、電極上のシリコン層を除去して電極を露出させる工程を経て、裏面照射型撮像装置を製造することもできる。【００８１】
また、半導体チップは撮像チップに限らず、一般的な半導体チップ、各種センサまたはアクチュエータ等、その種類は問わず、製造される半導体装置も撮像装置に限られるものではない。【００８２】
上記実施形態および変形例の撮像装置は、超小型でありながら信頼性が高いため、特に電子内視鏡の先端部に配設される撮像装置に好ましく用いることができる。【００８３】
＜変形例＞
次に本発明の実施形態の変形例１、２の撮像装置１０Ａ、１０Ｂの製造方法について説明する。撮像装置１０Ａ、１０Ｂの製造方法は撮像装置１０の製造方法と類似し同じ効果を有しているため、同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。【００８４】
図７のフローチャートに示すように、変形例１の撮像装置１０Ａの製造方法では、ウエハプロセスの最初のステップＳ２１Ｐにおいて、カバー層４５が形成される。【００８５】
図８に示すように、カバー層４５はステップＳ２０の厚さ減少加工工程において第２の主面３０ＳＢに露出した封止部材４２の表面を覆うように形成される。そして、図９に示すように、以降の工程で剥離されることなく、封止部材４２を保護し続ける。【００８６】
エッチングマスク３９は、後の工程で剥離するため、カバー層４５はエッチングマスク３９と異なる材質のものを用いる。また、カバー層４５は、絶縁層４３、保護層４４と、同様の材料および形成方法でも良く、または異なる材料および形成方法であってもよい。【００８７】
変形例１の撮像装置１０Ａの製造方法は、撮像装置１０の製造方法の効果を有し、さらに確実に封止部材４２を保護できる。【００８８】
図１０のフローチャートに示すように、変形例２の撮像装置１０Ｂの製造方法では、エッチングマスク剥離工程Ｓ２３Ｂに特徴がある。【００８９】
実施形態のステップＳ２３のエッチングマスク剥離工程では、エッチングマスク３９を全て剥離していた。これに対して図１１Ａに示すように、エッチングマスク剥離工程Ｓ２３Ｂでは、封止部材４２を覆う領域のエッチングマスク３９Ｂは剥離されない。【００９０】
そして、図１１Ｂに示すように、絶縁層形成工程Ｓ２４では、撮像チップ３０の第２の主面３０ＳＢ、封止部材４２を覆うエッチングマスク３９Ｂの表面、および貫通ビア３３Ｓの壁面、を覆う絶縁層４３が形成される。そして、図１２に示すように、カバー層４５、エッチングマスク３９Ｂおよび絶縁層４３は、以降の工程で剥離されることがない。このため、封止部材４２は、カバー層４５および絶縁層４３だけでなくエッチングマスク３９Ｂによっても保護されている。【００９１】
変形例２の撮像装置１０Ｂの製造方法は、撮像装置１０の製造方法等の効果を有し、さらに、より確実に封止部材４２を保護できる。【００９２】
すなわち、本発明は上述した実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変、組み合わせ等ができる。【００９３】
本出願は、２０１２年５月３０日に日本国に出願された特願２０１２−１２３２２５号を優先権主張の基礎として出願するものであり、上記の開示内容は、本願明細書、請求の範囲、図面に引用されたものとする。
【図１】
2013179767.tif 000003
【図２】
2013179767.tif 000004
【図３Ａ】
2013179767.tif 000005
【図３Ｂ】
2013179767.tif 000006
【図４】
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【図５】
2013179767.tif 000008
【図６Ａ】
2013179767.tif 000009
【図６Ｂ】
2013179767.tif 000010
【図６Ｃ】
2013179767.tif 000011
【図６Ｄ】
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【図６Ｅ】
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【図６Ｆ】
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【図６Ｇ】
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【図６Ｈ】
2013179767.tif 000016
【図６Ｉ】
2013179767.tif 000017
【図６Ｊ】
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【図７】
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【図８】
2013179767.tif 000020
【図９】
2013179767.tif 000021
【図１０】
2013179767.tif 000022
【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年8月7日(2015.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の実施形態の撮像装置の製造方法は、第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の受光部が前記第１の主面に形成され、それぞれの受光部の周囲に電極パッドが形成された撮像チップ基板を切断し、複数の撮像チップを作製する工程と、撮像チップの前記第１の主面を、透明な接着層を介して透明な支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、前記接合ウエハに接着された前記複数の撮像チップの間を封止部材で充填する工程と、前記接合ウエハを、前記複数の撮像チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、前記第２の主面に露出した前記封止部材を覆うカバー層を形成する工程前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記撮像チップに貫通ビアを形成する工程と、前記エッチングマスクを剥離する工程と、前記撮像チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面を覆う絶縁層を形成する工程と、前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、前記接合ウエハを切断する工程と、を具備する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、別の実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の半導体回路部が前記第１の主面に形成され、それぞれの半導体回路部の周囲に電極パッドが形成された半導体チップ基板を切断し、複数の半導体チップを作製する工程と、半導体チップの第１の主面を、接着層を介して支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、前記接合ウエハに接着された前記複数の半導体チップの間を封止部材で充填する工程と、前記接合ウエハを、前記複数の半導体チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、前記第２の主面に露出した前記封止部材を覆うカバー層を形成する工程と、前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記半導体チップに貫通ビアを形成する工程と、前記エッチングマスクを剥離する工程と、前記半導体チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面、を覆う絶縁層を形成する工程と、前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、前記接合ウエハを切断する工程と、を具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の受光部が前記第１の主面に形成され、それぞれの受光部の周囲に電極パッドが形成された撮像チップ基板を切断し、複数の撮像チップを作製する工程と、
撮像チップの前記第１の主面を、透明な接着層を介して透明な支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の撮像チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、前記複数の撮像チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記撮像チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記撮像チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備し、
前記封止部材は、遮光材料が混合されていることを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項２】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の受光部が前記第１の主面に形成され、それぞれの受光部の周囲に電極パッドが形成された撮像チップ基板を切断し、複数の撮像チップを作製する工程と、
撮像チップの前記第１の主面を、透明な接着層を介して透明な支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の撮像チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、前記複数の撮像チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記撮像チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記撮像チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備し、
前記封止部材は、ベンゾシクロブテン樹脂またはポリイミドであることを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項３】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の受光部が前記第１の主面に形成され、それぞれの受光部の周囲に電極パッドが形成された撮像チップ基板を切断し、複数の撮像チップを作製する工程と、
撮像チップの前記第１の主面を、透明な接着層を介して透明な支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の撮像チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、前記複数の撮像チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記撮像チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記撮像チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備し、
前記複数の撮像チップの配置間隔が１５μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項４】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の受光部が前記第１の主面に形成され、それぞれの受光部の周囲に電極パッドが形成された撮像チップ基板を切断し、複数の撮像チップを作製する工程と、
撮像チップの前記第１の主面を、透明な接着層を介して透明な支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の撮像チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、前記複数の撮像チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面に露出した前記封止部材を覆うカバー層を形成する工程
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記撮像チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記撮像チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備することを特徴とする撮像装置の製造方法。
【請求項５】
検査により良品と判断された撮像チップが、前記支持基板に接着されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持基板に形成された第１のアライメントマークと、前記撮像チップの前記第１の主面に形成された第２のアライメントマークと、を位置合わせされた状態で、前記撮像チップが前記支持基板に接着されることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置の製造方法。
【請求項７】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の半導体回路部が前記第１の主面に形成され、それぞれの半導体回路部の周囲に電極パッドが形成された半導体チップ基板を切断し、複数の半導体チップを作製する工程と、
半導体チップの第１の主面を、接着層を介して支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の半導体チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、前記複数の半導体チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記半導体チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記半導体チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面、を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備し、
前記封止部材は、遮光材料が混合されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の半導体回路部が前記第１の主面に形成され、それぞれの半導体回路部の周囲に電極パッドが形成された半導体チップ基板を切断し、複数の半導体チップを作製する工程と、
半導体チップの第１の主面を、接着層を介して支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の半導体チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、前記複数の半導体チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記半導体チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記半導体チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面、を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備し、
前記封止部材は、ベンゾシクロブテン樹脂またはポリイミドであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の半導体回路部が前記第１の主面に形成され、それぞれの半導体回路部の周囲に電極パッドが形成された半導体チップ基板を切断し、複数の半導体チップを作製する工程と、
半導体チップの第１の主面を、接着層を介して支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の半導体チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、前記複数の半導体チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記半導体チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記半導体チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面、を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備し、
前記複数の半導体チップの配置間隔が１５μｍ以上５００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
第１の主面と前記第１の主面と対向する第２の主面とを有し、複数の半導体回路部が前記第１の主面に形成され、それぞれの半導体回路部の周囲に電極パッドが形成された半導体チップ基板を切断し、複数の半導体チップを作製する工程と、
半導体チップの第１の主面を、接着層を介して支持基板に接着し接合ウエハを作製する工程と、
前記接合ウエハに接着された前記複数の半導体チップの間を封止部材で充填する工程と、
前記接合ウエハを、前記複数の半導体チップの前記第２の主面側から加工し厚さを薄くする工程と、
前記第２の主面に露出した前記封止部材を覆うカバー層を形成する工程と、
前記第２の主面にエッチングマスクを形成する工程と、
前記エッチングマスクを用いて前記半導体チップに貫通ビアを形成する工程と、
前記エッチングマスクを剥離する工程と、
前記半導体チップの前記第２の主面および前記封止部材の表面および前記貫通ビアの壁面、を覆う絶縁層を形成する工程と、
前記貫通ビアを介して、前記電極パッドと接続された貫通配線を形成する工程と、
前記貫通配線と接続された外部接続電極を前記第２の主面に形成する工程と、
前記接合ウエハを切断する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
検査により良品と判断された前記半導体チップが、前記支持基板に接着されることを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記エッチングマスクを剥離する工程において、前記封止部材を覆う領域の前記エッチングマスクは剥離しないことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記支持基板および前記接着層が透明であることを特徴とする請求項７から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【国際調査報告】
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