【事件の表示】
　特願２０１８−　４７２０６「基板処理装置および半導体装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　９月１９日出願公開、特開２０１９−１６１０７１、請求項の数（２０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
理　由
第１　手続の経緯
　本願は，平成３０年３月１４日にされた特許出願であって，平成３１年２月２０日に手続補正書が提出され，令和元年５月２３日付けで拒絶理由通知がされ，同年７月２５日に意見書及び手続補正書が提出され，同年８月２１日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，令和元年１１月５日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和元年８月２１日付け拒絶査定）の概要は,本願の請求項１〜２０に係る発明は，以下の引用例１〜３に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，というものである
引用例一覧
１．特開２００７−１３８２９５号公報
２．米国特許出願公開第２０１２／０２３１６２８号明細書
３．特開平０３−２８１７８０号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時（令和元年１１月５日）にされた補正は，特許法１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正によって請求項１に「プラズマを生成する一つの工程の中で」，「前記一つの工程の中で」との事項を追加する補正，及び，請求項１２に「前記プラズマを生成する工程の際に，当該プラズマを生成する一つの工程の中で」，「当該ガスの」，「前記一つの工程の中で」との事項を追加する補正は，いずれも特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，以下の「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」において示すとおり，上記補正後の請求項１〜２０に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願の請求項１〜２０に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明２０」という。）は，令和元年１１月５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜２０に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基板を処理する処理室と，
　前記基板を支持する基板支持部と，
　前記基板支持部を昇降させる昇降部と，
　前記基板にガスを供給するガス供給口と，
　前記ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と，
　前記ガス供給口からガスを供給してプラズマを生成する一つの工程の中で前記プラズマの生成を開始した直後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔と，前記一つの工程の中で前記プラズマの生成開始から一定時間経過後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔とを異ならせるように，前記昇降部の昇降動作を制御する制御部と，
　を有する基板処理装置。」
　本願発明２〜２０の概要は，以下のとおりである。
・本願発明２〜１１は，本願発明１を減縮した発明である。
・本願発明１２は，本願発明１のうち，特に制御部における制御に対応する「半導体装置の製造方法」の発明であって，本願発明１とカテゴリ表現が異なる発明である。
・本願発明１３〜２０は，本願発明１２を減縮した発明である。
第５　引用例の記載と引用発明
１．引用例１について
（１）引用例１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には，次の事項が記載されている。（下線は当審による。以下同じ。）
「【０００２】
　本発明は，堆積システムおよびその操作方法に関し，より詳しくは，本発明は，材料堆積のための複数の処理空間を有する堆積システムに関する。」
「【００１４】
　図面を参照すると，参照番号がいくつかの図の全体にわたって同一であるか対応する部品を示すようになされ，図１は，
蒸着プロセス，例えば化学気相成長（ＣＶＤ）プロセス，プラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）プロセス，原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス，またはプラズマ増強ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）プロセスを使用して，基板上に薄膜，例えばバリア膜を堆積させるための堆積システム１を示す
「【００１８】
　図１において，本発明の１つの実施形態に係る
堆積システム１は，薄膜が形成される基板２５を支持するように構成された基板ステージ２０を有する処理チャンバ１０を含む
堆積システム１は，処理チャンバ１０および基板ステージ２０に組み合わせられ，並びに，基板２５に隣接する処理空間のボリュームを調整するように構成されたプロセスボリューム調整システム８０を含む
プロセスボリューム調整システム８０は，第１のボリュームを有する第１の処理空間８５（ 図１を参照） を形成する第１の位置と，第２のボリュームを有する第２ の処理空間８５’（ 図２を参照） を形成する第２の位置との間で基板ステージ２０を垂直に移動するように構成されることができる
「【００２２】
　処理チャンバ１０は，
第１のプロセス材料ガス供給システム４０と，第２のプロセス材料ガス供給システム４２と，パージガス供給システム４４とに組み合わせられる上部チャンバアセンブリ３０を更に含むことができる。このように，上部チャンバアセンブリ３０は，処理空間８５に第１のプロセス材料および第２のプロセス材料を提供することができる
「【００２４】
　本発明の１つの実施形態に係る，第１のプロセス材料ガス供給システム４０と，第２のプロセス材料ガス供給システム４２とは，
基板２５に第１および第２の膜をシーケンシャルに，および，任意に交互に堆積させるために，処理チャンバ１０に第１のプロセスガス材料を，処理チャンバ１０に第２のプロセスガス材料を，シーケンシャルに，および，任意に交互に導入するように構成されることができる
「【００２７】
　さらに図１を参照して，本発明の１つの実施形態の堆積システム１は，
処理チャンバ１０に第１のプロセスガス材料および第２のプロセスガス材料のシーケンシャルおよびオプションの交互導入の少なくとも一部の間，プラズマを生成するように構成されたプラズマ発生システムを含むことができる
「【００３５】
　ここで図５を参照すると，
堆積システム１または１ ’は，複数の蒸着プロセス，例えば熱的にアクティブにされた蒸着プロセス（すなわちプラズマを利用しない堆積プロセス）に続いて，プラズマ増強蒸着プロセス（すなわちプラズマ利用する堆積プロセス）を実行するように構成されることができる
「【００３６】
　図５にて図示したように，
第１の堆積プロセスを実行するときに，第１のプロセスガス材料は，処理チャンバに導入され
「【００３９】
　次に，図５にて図示したように，
第２の堆積プロセスを実行するときに，第２のプロセスガス材料は処理チャンバに導入される
「【００５７】
　さらに，図５に示される上記の交互プロセスで，
プロセスボリュームは，第１の時間の間の第１のプロセスガス材料の導入および任意に第２の時間の間のパージガスの導入の間の第１のボリューム（Ｖ１）と，第３の時間の間の第２のプロセスガス材料の導入および任意に第４の期間の間のパージガスの導入の間の第２のボリューム（Ｖ２）と，の間に変化することができる。
【００５８】
　例えば，
第１のプロセスガス材料が処理空間を通り抜け，そして第１のプロセスガス材料のある割合いが基板の表面上に吸着されるように，第１のボリューム（Ｖ１）は十分に小さくされ得る
【００５９】
　さらに，例えば，
第２のボリューム（Ｖ２） は，第２のプロセス材料からのプラズマの形成が基板より上に均一なプラズマの形成に至るボリュームにセットされ得る
【００６０】
　本発明の一実施態様において，処理空間の第２のボリュームＶ２は，０．１を超え，好ましくは０．５を超える，幅に対する高さのアスペクト比を有する処理空間を規定する。例えば，アスペクト比が減少するとき，プラズマ均一性が悪化するように観測され，一方，アスペクト比が増加させるとき，プラズマ均一性は，改良するように観測された。
【００６１】
　半導体ウェハを含む基板を処理するとき，処理空間は，実質的に円筒状であり，そして，基板と，上部アセンブリとの間の直径，および，高さまたは間隔によって特徴づけられる。
間隔（または高さ）が，処理空間のボリュームを調整するための変数パラメータであり得るのに反して，直径は，基板のサイズに関連する。第１のプロセス材料の導入の間の第１のボリュームは，例えば，基板ステージ２０から上部アセンブリ３０まで２０ｍｍ以下の間隔に，および，第２のプロセス材料の導入の間の第２のボリュームは，例えば，２０ｍｍより大きい間隔を有することができる
「【００７１】
　図１−図４に示すように，
堆積システム１および１’は，処理チャンバ１０に組み合わせられることができるコントローラ７０と，基板ステージ２０と，上部アセンブリ３０と，第１のプロセス材料供給システム４０と，第２のプロセス材料供給システム４２と，パージガス供給システム４４と，第１の電源５０と，基板温度コントロールシステム６０と，および／またはプロセスボリューム調整システム８０とをを含む
【００７２】
　コントローラ７０は，マイクロプロセッサ，メモリ，および，膜堆積のための上記で議論されたプロセスを制御しモニタするために堆積システム１（１’）と通信し，堆積システム１（１’）への入力をアクティブにし，同じく堆積システム１（１’）からの出力をモニタするために十分な制御電圧を生成することが可能なデジタルＩ／Ｏポートを含むことができる。
コントローラ７０は，処理チャンバ１０，基板ステージ２０，上部アセンブリ３０，第１のプロセス材料ガス供給システム４０，第２のプロセス材料供給ガスシステム４２，パージガス供給システム４４，第１の電源５０，第２の電源５２，基板温度コントローラ６０，および／または圧力制御システム３２に組み合わせられることができ，それらと情報を交換することができる
（２）摘記の整理と引用発明
　以上の摘記を整理すると，引用例１には次の事項が記載されているものと理解できる。
ア　堆積システム１が，蒸着プロセスを使用して基板２５上に薄膜を堆積させるためのものであること（段落［００１４］）。
イ　堆積システム１が，処理チャンバ１０に組み合わせられることができるコントローラ７０，基板ステージ２０と，上部アセンブリ３０と，第１のプロセス材料供給システム４０と，第２のプロセス材料供給システム４２と，パージガス供給システム４４と，第１の電源５０と，基板温度コントロールシステム６０と，および／またはプロセスボリューム調整システム８０とを含むこと（段落[００７１]）。
ウ　基板ステージ２０が基板２５を支持するように構成されていること（段落［００１８］）。
エ　プロセスボリューム調整システム８０が，基板２５に隣接する処理空間のボリュームを調整するように構成されていること（段落［００１８］）。また，処理空間のボリュームを調整するための変数パラメータが，基板ステージ２０から上部アセンブリ３０までの距離であること（段落［００６１］）。
オ　処理チャンバ１０が，上部チャンバアセンブリ３０を含むこと，及び，上部チャンバアセンブリ３０が，処理空間８５に第１のプロセス材料ガス及び第２のプロセス材料ガスを提供するものであること（段落［００２２］）。
カ　堆積システム１が，処理チャンバ１０に第１のプロセス材料ガス及び第２のプロセス材料ガスを導入する少なくとも一部の間，プラズマを生成するプラズマ発生システムを含むこと（段落［００２７］）。
キ　第１の堆積プロセスを実行するときに，第１のプロセスガス材料が処理チャンバ１０に導入され，第２の堆積プロセスを実行するときに，第２のプロセスガス材料が処理チャンバ１０に導入されること（段落［００３６］，［００３９］）。
ク　第１の時間の間の第１のプロセスガス材料の導入の間の第１のボリューム（Ｖ１）と，第３の時間の間の第２のプロセスガス材料の導入の間の第２のボリューム（Ｖ２）と，の間にプロセスボリュームを変化させること（段落［００５７］）。
ケ　第２のボリューム（Ｖ２）が，第２のプロセス材料からのプラズマ形成が基板より上に均一なプラズマの形成に至るボリュームにセットされ得ること（段落［００５９］）
コ　コントローラ７０が，プロセスを制御するために堆積システム１と通信すること。また，コントローラ７０が，基板ステージ２０に組み合わせられることができ，それらと情報を交換することができること（段落［００７２］）。
　上記オについて，第１のプロセス材料ガス及び第２のプロセス材料ガスは，基板２５に第１及び第２の膜を堆積させるためのものであるから（段落［００２４］），上部チャンバアセンブリ３０は,基板２５に第１のプロセス材料ガス及び第２のプロセス材料ガスを提供するものであるといえる。
　上記クについて，上記キから，上記「第１の時間の間の第１のプロセスガス材料の導入の間」が，「第１の堆積プロセスを実行する時」であり，上記「第２の時間の間の第２のプロセスガス材料の導入の間」が，「第２の堆積プロセスを実行する時」であることが理解できる。また，上記ケから，第２のボリュームで実行される第２の堆積プロセスが，プラズマプロセスであることが理解できる。
　上記ク，コから，コントローラ７０は，第１の堆積プロセスを実行する時には第１のボリューム，第２の堆積プロセスを実行する時には第２のボリュームとなるように基板ステージ２０を制御しているものと理解できる。また，上記エから，プロセスボリュームを変化させることとは，基板ステージ２０から上部アセンブリ３０までの距離を変化させることであると理解できる。
　以上によれば，上記引用例１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「処理チャンバ１０と，
基板２５を支持するように構成された基板ステージ２０と，
前記基板２５に第１のプロセス材料ガス及び第２のプロセス材料ガスを提供する上部チャンバアセンブリ３０と，
前記基板ステージ２０から前記上部チャンバアセンブリ３０までの距離を調整するプロセスボリューム調整システム８０と，
前記処理チャンバ１０に前記第１のプロセス材料ガス及び前記第２のプロセスガス材料を導入する少なくとも一部の間，プラズマを生成するように構成されたプラズマ発生システムと，
前記第１のプロセス材料ガスを用いた第１の堆積プロセスの間の第１のボリューム（Ｖ１）と，前記第２のプロセスガス材料を用いたプラズマプロセスである第２の堆積プロセスの間の第２のボリューム（Ｖ２）とにプロセスボリュームを変化させるように，前記基板ステージ２０から前記上部チャンバアセンブリ３０までの距離を変化させるように前記プロセスボリューム調整システム８０を制御するコントローラ７０と，
を含む堆積システム１。」
２．引用例２について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例２には次の記載がある。（和訳は当審による。）
“［0018］Referring now to FIGS. 1 and 2, an example of a processing chamber 100 according to the present disclosure is shown. 
The processing chamber 100 reduces process volume, which reduces the cost of process chemicals (such as precursor) that are used during substrate processing
The processing chamber 100 further includes a pedestal 116 that moves between a loading position (as shown in FIG. 1) and a processing position (as shown in FIG. 2)
（当審訳：次に，図１及び図２を参照すると，本開示による処理チャンバ１００の一例が示されている。
処理チャンバ１００はプロセス容積を削減し，それによりプロセスで用いる化学物質(例えば前駆体)のコストを削減する
処理チャンバ１００は，さらに，ローディング位置(図１に示す)と処理位置(図２に示す)との間を移動する基台１１６を含む
“[0022] In FIG.1, a first inert volume 142 is defined between the lift actuator 120, the adjustable seal structure 124, the bottom surface of the pedestal 116 and the bottom surface 106 of the processing chamber 100. A first process volume 144 is defined between the lid 112, side walls 104, the bottom surface 106 of the processing chamber and the adjustable seal structure 124. As can be seen, the first inert volume 142 of FIG. 1 is smaller than a second inert volume 142 of FIG.2 
while the first process volume 144 of FIG.1 is larger than a second process volume 144 in FIG.2.
（当審訳：図１において，第1の不活性容積１４２は，リフトアクチュエータ１２０，調節可能なシール構造１２４と，基台１１６の下面と処理チャンバ１００の底面１０６との間に画定される。第1処理容積１４４は，蓋１１２と，側壁１０４と，処理チャンバの底部表面１０６と，調節可能なシール構造１２４との間に画定される。図から分かるように，図１の第1の不活性容積１４２は，図２の第２の不活性容積１４２よりも小さく，
これに対し，図１の第1処理容積１４４は図２の第２の処理容積１４４よりも大きい。
“[0023] To move from
 the substrate processing position shown in FIG.2 to the substrate loading position shown in FIG.1
（当審訳：
図２に示された基板処理位置から図１に示された基板のローディング位置
“[0024] In other words, 
the processing chamber 100 reduces processing volume by adding a secondary and isolated(sealed) inert volume under the pedestal 116 that expands from that shown in FIG.1 as the pedestal 116 is raised into the substrate processing position.
（当審訳：つまり，
処理チャンバ１００は，基台１１６が基板処理位置に持ち上げられるにつれて図１に見られる状態から拡張する，基台１１６下方の副次的かつ隔離（封止）された不活性容積が付加することで処理容積を削減する。
“［0030］Referring now to FIG.4, an example ofa method 300 is shown. At 302, control adjusts a pressure difference between the inert volume and the process volume. At 304, control determines whether a position change is needed. 
At 306, if the pedestal is being moved to a loading position, control moves the lift actuator to the extended position at 310
If 306 is false and if the pedestal is being moved to the process position, control moves the actuator to the contracted position at 320
（当審訳： ここで図４を参照すると，方法３００の一例が示されている。３０２で，制御は，不活性容積および処理容積との間の圧力差を調整する。３０４で，制御は，位置変更が必要であるか否かを判定する。
３０６では，基台がローディング位置に移動されている場合，制御は，３１０でリフトアクチュエータを伸張位置へ動かす
３０６が偽，かつ基台が処理位置に移動されている場合，制御は，３２０でアクチュエータを収縮位置に動かす
　以上の記載から，引用例２には，基板処理位置において基台をローディング位置よりも持ち上げて，基板処理位置における処理容積をローディング位置における処理容積よりも削減し，基板処理時に用いる化学物質の量を削減する技術が，公知技術として記載されているものと理解できる。
３．引用例３について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用例３には，次の記載がある。
「〔発明が解決しようとする課題〕
上述した反応管形状，サセプタ形状及び両者間の距離による幾何学的なガスフローの均一化は，特定の条件下においてのみ有効で，全ガス圧やサセプタ温度の影響を受けるので汎用的とは言い離い。
本発明の目的は広範囲なガス圧領域，サセプタ温度領域に対応して均一なガスフローを得ることが可能なＣＶＤ装置を提供することにある
。
〔課題を解決するための手段〕
ＣＶＤ装置において，
反応管内にサセプタと対向し且つ同心円状に分布したガスノズルを設け，該半径方向に分割した複数のノズル群毎にガス流量及びコンダクタンスを調整できる機能を有するＣＶＤ装置を採用することにより上記課題を解決した
〔作用〕
円筒型反応管においてガスの流れに垂直に置かれたサセプタ上におけるガス分圧の分布は同心円状の分布になっている。そこでサセプタと対向し同心円状に分布したガスノズルを用い，
ガス流量及びコンダクタンスを複数の同心円状ノズル群毎に調整して，前記ガス分圧の分布を補正し，均一化を図ることが可能なＣＶＤ装置を用いることにより，広範囲のガス圧力下及び広範囲の温度領域において試料表面におけるガス圧を均一にすることができる。
「リアクタ１５内には加熱が可能なサセプタ１６と対向したガスノズル１７が具備されている。ガスノズルのガス供給面は第２図に示したように円状であり同心円状に分布した複数の細孔よりなるガス供給用開孔部を有している。同心円状に分布したガス供給用開孔群は３種類のガス系統（ａ），（ｂ），（ｃ）に割り当ててガス系統（ａ）に対応する供給孔群２１，ガス系統（ｂ）に対応する供給孔群２２．ガス系統（ｃ）に対応する供給孔群２３に分類できる。
該供給孔群を流れるガスは各々独立に流量制御，コンダクタンス制御を行っている。
　ガス系統（ａ）にはＷＦ６を２ＳＣＣＭ，ガス系統（ｂ）にはＳｉＨ４を１ＳＣＣＭ及びガス系統（ｃ）にはＨ２を１０ＳＣＣＭ各々のガス流量制御装置１３（マスフローコントローラ：日本タイランＦＣ２６０）及びコンダクタンスバルブ１４を通して上記ガスノズル１７からコールドウオール型リアクタに流した。サセプタ１６は抵抗加熱により２８０〜３２０℃の間で制御した。
またサセプタ１６とガスノズル１７間の距離１１１は５〜１５ｍｍとした
「実施例２
　実施例１では反応ガスの混合をガスノズルから流出させた後リアクタ内で行っている。本実施例では第４図に示すように各々のガス流量制御装置群４２を通した後，ガス混合用配管４３を通して反応ガスの混合を行った。その際，ガスの逆流防止弁を適所に設置したことは言うまでもない。然る後，コンダクタンスバルブ群４４及び第２図と同様のガスノズル４５を通して反応ガスをリアクタ４７に導入した。その他のＣＶＤ条件は実施例１と同じで同様な結果を得た。本実施例を用いると各反応ガス流量に対応させて各反応ガス用コンダクタンスバルブを調整する煩雑さが無くなる。この場合，全反応ガス流量のみに注目して各ガスノズル開孔部分に対応してコンダクタンスバルブを調整すれば良い。またサセプタ４６とガスノズル４５間の距離４１１が成膜特性に与える影響が小さい。
　
本実施例では全反応ガス流量と全反応ガスの圧力に応じてガス供給系のコンダクタンスバルブ並びにサセプタとノズル間の距離を調整する必要がある。これらの調整をコンピュータ制御により自動化を図ることが可能であることは言うまでもない
実施例３
　
上述した実施例では全反応ガス流量と全反応ガスの圧力に応じてガス供給系のコンダクタンスバルブ並びにサセプタとノズル間の距離等のパラメータを設定し開ループ制御で膜形成を行っている
本実施例では第５図に示すようにガスノズル５５のガス供給面半径方向に複数の圧力センサ５６及び複数の膜厚センサ５７を具備させて非破壊で試料表面近傍のガス圧並びＣＶＤ膜厚をモニタしてガス流量調整装置５２並びにコンダクタンスバルブ５４にフィードバックをかけてＷ膜を形成した
本実施例を用いて５インチ−ウェファ上でのＷ膜厚分布を±０．５〜１．０％以下に低減できた。」（第３頁左上欄第２行〜右上欄第１８行）
　以上の記載から，引用例３には次の事項が開示されているものと理解できる。
（ア）均一なガスフロー及びガス圧分布を得るために，反応管内にサセプタと対向し且つ同心円状に分布したガスノズルを設け，該半径方向に分割した複数のノズル群毎にガス流量及びコンダクタンスを調整できる機能を有するＣＶＤ装置を採用すること。（第２頁左上欄第５行〜右上欄第６行）
（イ）当該ＣＶＤ装置において，全反応ガス流量と全反応ガスの圧力に応じてガス供給系のコンダクタンスバルブ並びにサセプタとノズル間の距離等のパラメータを設定し，それらをコンピュータ制御により自動的に調整し，開ループ制御で膜形成を行うこと。（第３頁左上欄第２０行〜右上欄第１０行）
（ウ）当該ＣＶＤ装置において，複数の圧力センサ５６及び複数の膜厚センサ５７を具備させて非破壊で試料表面近傍のガス圧並びＣＶＤ膜厚をモニタしてガス流量調整装置５２並びにコンダクタンスバルブ５４にフィードバックをかけて膜形成を行うこと。（第３頁右上欄第１１行〜第１６行）
第６　対比・判断
１．本願発明１について
１．１　対比
　本願発明１と引用発明１とを比較する。
ア　引用発明１の「基板２５」が本願発明１の「基板」に相当し，以下同様に，「基板ステージ２０」が「基板支持部」に，「プロセスボリューム調整システム８０」が「昇降部」に，「上部チャンバアセンブリ３０」が「ガス供給口」に，「プラズマ発生システム」が「プラズマ生成部」に，「堆積システム１」が「基板処理装置」に，それぞれ相当する。
イ　引用発明１における「処理チャンバ１０」は，基板２５を収容し，第１のプロセス材料ガスを用いた第１の堆積プロセス及び第２のプロセス材料ガスを用いた第２の堆積プロセスを実行する場であるから，本願発明１における「基板を処理する処理室」に相当する。
ウ　引用発明１における「コントローラ７０」は，本願発明１における「制御部」に対応し，引用発明１における「前記基板ステージ２０から前記上部アセンブリ３０までの距離を変化させるように前記プロセスボリューム調整システム８０を制御する」ことは，本願発明１における「前記昇降部の昇降動作を制御する」ことに対応する。
　そうすると，本願発明１と引用発明１は「前記ガス供給口からガスを供給してプラズマを生成する一つの工程の中で前記プラズマの生成を開始した直後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔と，前記一つの工程の中で前記プラズマの生成開始から一定時間経過後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔とを異ならせるように，前記昇降部の昇降動作を制御する」との事項について，「前記昇降部の昇降動作を制御する」点で共通する。
　以上ア〜ウによれば，本願発明１と引用発明１の一致点，相違点は以下のとおりである。
＜一致点＞
「基板を処理する処理室と，
　前記基板を支持する基板支持部と，
　前記基板支持部を昇降させる昇降部と，
　前記基板にガスを供給するガス供給口と，
　前記ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と，
　前記昇降部の昇降動作を制御する制御部と，
　を有する基板処理装置。」
＜相違点＞
　本願発明１は，「前記ガス供給口からガスを供給してプラズマを生成する一つの工程の中で前記プラズマの生成を開始した直後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔と，前記一つの工程の中で前記プラズマの生成開始から一定時間経過後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔とを異ならせるように，前記昇降部の昇降動作を制御する制御部」を有するのに対し，引用発明１では，「コントローラ７０」が「前記第２のプロセスガス材料を用いたプラズマプロセスである第２の堆積プロセス」の中で「前記基板ステージ２０から前記上部アセンブリ３０までの距離」を変化させるように制御することは特定されていない点。
１．２　相違点についての判断
（１）引用発明１及び引用例３からの容易想到性について
　引用例３には，ＣＶＤ装置においてサセプタとノズル間の距離をコンピュータ制御で自動的に調整し，当該距離をパラメータとして設定する開ループ制御で膜形成を行う技術が公知技術として記載されている（第５の３．（イ））。
　しかしながら，当該公知技術では，サセプタとノズル間の距離は開ループ制御におけるパラメータとして設定されるものであるところ，引用例３において当該距離を膜形成中に所定の関数に従って変動させることは記載されていない。
　また，上記第５の３．（ウ）で述べたとおり，引用例３には，試料表面近傍のガス圧並びにＣＶＤ膜厚をモニタして，ガス流量調整装置５２並びにコンダクタンスバルブ５４にフィードバックをかけることは記載されているが，当該モニタ結果をサセプタとノズル間の距離を調整する手段にフィードバックすることは記載されていない。
　そうすると，引用例３に記載された上記公知技術には，膜形成中にサセプタとノズル間の距離を調整する，との技術的事項は含まれていないものと認められる。
　さらに，上記第５の３．（ア）で述べたとおり，引用例３の課題は，均一なガスフロー及びガス圧を得ることであり，その解決手段は，反応管内にサセプタと対向し且つ同心円状に分布したガスノズルを設け，該半径方向に分割した複数のノズル群毎にガス流量及びコンダクタンスを調整できる機能を有することであるところ，サセプタとノズル間の距離を調整することと，均一なガスフロー及びガス圧を得ることとの関係は，引用例３において特に示されていない。すなわち，引用例３には，膜形成中にサセプタとノズル間の距離を調整することについての示唆は見られない。
　よって，引用例３に記載された公知技術から，引用発明１において上記相違点に係る構成，すなわち，
「前記ガス供給口からガスを供給してプラズマを生成する一つの工程の中で前記プラズマの生成を開始した直後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔と，前記一つの工程の中で前記プラズマの生成開始から一定時間経過後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔とを異ならせるように，前記昇降部の昇降動作を制御する制御部」
との構成を有するようにすることが，当業者にとって容易に想到し得たことであるとはいえない。
　したがって，本願発明１は，引用発明１と引用例３に記載された公知技術から，当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（２）引用例２について
　上記第５の２．での検討のとおり，引用例２には，基板処理位置において基台をローディング位置よりも持ち上げて，基板処理位置における処理容積をローディング位置における処理容積よりも削減し，基板処理時に用いる化学物質の量を削減する技術は記載されているものの，一つの基板処理工程の中で基台の位置を異ならせる技術については記載も示唆もされていない。
１．３　小括
　以上のとおり，本願発明１は，引用発明１と，引用例２及び引用例３に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
２．本願発明２〜２０について
（１）本願発明２〜１１について
　本願発明２〜１１も，上記相違点に係る構成，すなわち，本願発明１の
「前記ガス供給口からガスを供給してプラズマを生成する一つの工程の中で前記プラズマの生成を開始した直後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔と，前記一つの工程の中で前記プラズマの生成開始から一定時間経過後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔とを異ならせるように，前記昇降部の昇降動作を制御する制御部」
との構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，引用発明１及び引用例２〜３に基づいて当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（２）本願発明１２〜２０について
　本願発明１２における
「前記プラズマを生成する工程の際に，当該プラズマを生成する一つの工程の中で，前記ガス供給口からガスを供給して当該ガスのプラズマの生成を開始した直後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔と，前記一つの工程の中で前記プラズマの生成開始から一定時間経過後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔とを異ならせるように，前記基板支持部を昇降させる工程」
との構成は，上記相違点に係る構成に対応するものであり，上記１．２で検討したのと同様にして，引用例２〜３から当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　したがって，本願発明１２は，引用例１〜３に記載された発明から当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　本願発明１３〜２０は，本願発明１２を減縮したものであり，上記本願発明１２の構成と同一の構成を有するものであるから，本願発明１２と同じ理由により，引用例１〜３に記載された発明から当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
第７　原査定について
　審判請求時の補正により，本願発明１〜１１は，
「前記ガス供給口からガスを供給してプラズマを生成する一つの工程の中で前記プラズマの生成を開始した直後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔と，前記一つの工程の中で前記プラズマの生成開始から一定時間経過後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔とを異ならせるように，前記昇降部の昇降動作を制御する制御部」
という事項を，本願発明１２〜２０は，
「前記プラズマを生成する工程の際に，当該プラズマを生成する一つの工程の中で，前記ガス供給口からガスを供給して当該ガスのプラズマの生成を開始した直後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔と，前記一つの工程の中で前記プラズマの生成開始から一定時間経過後の前記ガス供給口と前記基板支持部に支持される前記基板との間隔とを異ならせるように，前記基板支持部を昇降させる工程」
という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用例１〜３に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。
　したがって，原査定の理由１を維持することはできない。
第８　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。