【事件の表示】
　特願２０１５−１９１７５９「高電流パルスアーク溶接方法及びフラックス入り溶接ワイヤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　４月　６日出願公開、特開２０１７−　６４７４２、請求項の数（８）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　主な手続の経緯
　本願は、平成２７年９月２９日の出願であって、平成３０年１０月３１日付けで拒絶理由通知がされ、平成３０年１２月２０日に手続補正書及び意見書が提出され、令和元年５月２０日付けで拒絶査定（以下、「原査定」という。）がされ、これに対し、令和元年６月２０日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正書が提出されたものである。
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１．本願の請求項１及び８に係る発明は、以下の引用文献１に基づいて、本願の請求項２及び９に係る発明は、以下の引用文献１及び２に基づいて、本願の請求項３及び１０に係る発明は、以下の引用文献１ないし３に基づいて、本願の請求項４に係る発明は、以下の引用文献１ないし４に基づいて、本願の請求項５に係る発明は、以下の引用文献１ないし５に基づいて、本願の請求項６及び７に係る発明は、引用文献１ないし６に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特開２０１１−２１８４３７号公報
２．特開２００３−３２０４７９号公報
３．特開２０１５−１１０２４７号公報
４．特開昭５４−５０４４３号公報（周知技術を示す文献）
５．特開２０１０−１４２８２３号公報
６．特開２００２−２５４１７２号公報
第３　本願発明
　本願請求項１−８に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」−「本願発明８」という。）は、令和元年６月２０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−８に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１は、以下のとおりの発明である。
「　【請求項１】
　溶接電源、溶接トーチ及び送給機を含む溶接システムを用い、前記溶接トーチを介して前記送給機により消耗式電極を送給し、シールドガスを流しながら溶接を行うパルスアーク溶接方法であって、
　前記消耗式電極は外皮内にフラックスが充填されたフラックス入り溶接ワイヤであり、
　前記フラックス入り溶接ワイヤは、Ｃを０．３０質量％以下、Ｓｉを０．３０〜１．６０質量％、Ｍｎを１．００〜２．８０質量％、Ｐを０．０５０質量％以下、Ｓを０．０５０質量％以下、並びに、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＭｇからなる群より選ばれる少なくとも１の元素を合計で０．０５〜１．５０質量％含み、
　前記フラックス入り溶接ワイヤに含まれるＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＭｇの総質量％とＳｉ及びＭｎの総質量％との比が、０．１１≦（Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｍｇ）／（Ｓｉ＋Ｍｎ）≦０．６０の関係を満たし、
　前記フラックス入り溶接ワイヤがＡｌ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｚｒ酸化物及びＭｇ酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１の酸化物を含み、Ａｌ酸化物をＡｌ２Ｏ３換算、Ｔｉ酸化物をＴｉＯ２換算、Ｚｒ酸化物をＺｒＯ２換算、かつＭｇ酸化物をＭｇＯ換算した場合の前記酸化物の合計が、前記フラックス入り溶接ワイヤの全質量に対して、０．２０質量％≦（Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＭｇＯ）≦１．５０質量％の関係を満たし、
　溶接時のパルスピーク電流を５５０〜９５０Ａ、パルスベース電流を５５０Ａ以下、及び前記パルスピーク電流と前記パルスベース電流との差を２００〜６００Ａとすることを特徴とする高電流パルスアーク溶接方法。」
　なお、本願発明２ないし８の概要は以下のとおりである。
　本願発明２ないし６は、本願発明１を引用する発明である。
　本願発明７及び８は、本願発明１のパルスアーク溶接方法における「フラックス入り溶接ワイヤ」を特定する事項と実質的に同じ事項によって特定されるフラックス入り溶接ワイヤに係る発明である。
第４　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付与した。
ア．「【請求項１】
　フラックス入りワイヤを電極ワイヤとしてパルスアーク溶接を行なう高電流密度ガスシールドアーク溶接方法であって、
　
前記パルスアーク溶接のパルス電流において、パルスピーク期間Ｔｐのパルスピーク電流密度を４００〜９５０Ａ／ｍｍ２、パルスベース期間Ｔｂのパルスベース電流密度を２００Ａ／ｍｍ２以上、かつ、そのときのパルスピーク電流密度との差を２００〜４００Ａ／ｍｍ２、平均電流密度を３５０〜７５０Ａ／ｍｍ２として溶接する
【請求項２】
　前記シールドガスとして、ＣＯ２：５〜３５体積％で残部がＡｒである混合ガスを用いることを特徴とする請求項１に記載の高電流密度ガスシールドアーク溶接方法。
【請求項３】
　前記フラックス入りワイヤは、鋼製外皮に充填されるフラックスの充填率がワイヤ全質量に対して１０〜２５質量％であり、
ワイヤ全質量に対して、Ｃ：０．０８質量％以下、Ｓｉ：０．５〜１．５質量％、Ｍｎ：１．５〜２．５質量％、Ｔｉ：０．１〜０．３質量％を含有する
イ．「【００１２】
　そこで、本発明は、このような問題を解決すべく創案されたもので、その目的は、高溶着量を得ながら、大幅なスパッタ低減を実現することが可能な高電流密度ガスシールドアーク溶接方法を提供することにある。」
ウ．「【００２４】
　例えば、図３に示すように、
溶接装置１００は、消耗電極となるフラックス入りワイヤ１０８とそのフラックス入りワイヤ１０８の外周部にシールドガスを供給するシールドガスノズル（図示せず）とを先端に備える溶接トーチ１０６と、溶接トーチ１０６が先端に取り付けられ、その溶接トーチ１０６を被溶接材１０７の溶接線に沿って移動させるロボット１０４と、溶接トーチ１０６にフラックス入りワイヤ１０８を供給するワイヤ供給部１０１と、ワイヤ供給部１０１を介してフラックス入りワイヤ１０８にパルス電流を供給してフラックス入りワイヤ１０８と被溶接材１０７との間でパルスアークを発生させる溶接電源部１０２と、溶接電源部１０２のパルス電流を制御する電源制御部１０３とを備える。
エ．「【００３０】
　一方、フラックス入りワイヤは、筒状に形成された鋼製外皮部と、その筒内に充填されたフラックスとからなるものである。したがって、フラックス入りワイヤでは、中心にフラックスが存在する不均一断面であるため、ワイヤ断面の温度分布が不連続となり、高電流密度時でも突出し部が軟化・溶融して先端が伸びる現象を低減できる。また、これにパルスアークを適用すると、自身が形成する磁場およびプラズマ気流によりアークの硬直性を高めることができ、高電流密度時でも不安定アークを抑制できるため、ローテーティング現象のきっかけを生まない。その結果、高電流密度時でもパルススプレー移行が可能となり、その溶滴はパルスピーク期間Ｔｐの高い電磁ピンチ力によってワイヤ先端からスムーズに離脱し、溶融池に吸収される。さらに、パルス電流を用いることにより、ワイヤ突出し部におけるジュール発熱効果が高くなるため、同一平均電流において溶着量を増加させることができる。故に、本発明では、フラックス入りワイヤを用いる。」
オ．「【００３３】
　そして、その最適な電流密度範囲は、パルスピーク期間Ｔｐのパルスピーク電流密度が４００〜９５０Ａ／ｍｍ２、パルスベース期間Ｔｂのパルスベース電流密度が２００Ａ／ｍｍ２以上、かつ、そのときのパルスピーク電流密度との差が２００〜４００Ａ／ｍｍ２、平均電流密度が３５０〜７５０Ａ／ｍｍ２である。このような電流密度範囲で溶接を行うことによって、鋼製外皮部が均一に溶融し、溶融したフラックスと共にワイヤ先端で溶滴が形成され、パルスピーク期間Ｔｐの電磁ピンチ力がこの溶滴をスムーズに離脱させる安定したスプレー移行が実施されるため、スパッタ発生量が極めて少ない。更にパルス化による溶着量向上効果も得られる。以下に、電流密度範囲の限定理由について述べる。」
カ．「【００４０】
　好ましい例としては、
フラックス入りワイヤを、鋼製外皮に充填されるフラックスの充填率がワイヤ全質量に対して１０〜２５質量％であり、ワイヤ全質量に対して、Ｃ：０．０８質量％以下、Ｓｉ：０．５〜１．５質量％、Ｍｎ：１．５〜２．５質量％、Ｔｉ：０．１〜０．３質量％を含有するものとする。なお、フラックス入りワイヤは、前記したＣ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｔｉを含有し、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるものである。そして、フラックス入りワイヤが前記した成分組成であることによって、スパッタ発生量およびスラグ発生量が低減されると共に、ビード形状が良好な溶接部を得ることができる。また、前記したＣ、Ｓｉ、Ｍｎ、ＴｉおよびＦｅは、鋼製外皮部およびフラックスの少なくとも一方に含有されている。
キ．「【００４２】
（Ｃ：０．０８質量％以下）
　Ｃは、黒鉛の他、鋼製外皮、フェロマンガン、フェロシリコンマンガンおよび鉄粉等に含まれ、溶接金属の強度を確保するために重要な成分である。また、特にＡｒ−ＣＯ２混合ガスを用いた高電流密度ガスシールドアーク溶接では、アークの安定性に及ぼす影響が大きく、アークの集中性と安定性を確保するためにはＣが必要となる。ただし、Ｃが０．０８質量％を超えると、シールドガス中の酸素と反応してガス化したＣＯが溶滴内から放出され、溶滴移行を乱しやすく、スパッタ発生量が増大し易くなる。また、Ｃは、アーク安定性の観点から０．０２質量％以上であることがさらに好ましい。
【００４３】
（Ｓｉ：０．５〜１．５質量％）
　Ｓｉは、鋼製外皮、金属シリコン、フェロシリコンおよびフェロシリコンマンガン等から添加され、溶接金属の強度を確保するために必要な成分であり、脱酸剤としても必要である。また、ビードのなじみを良好にする効果もある。Ｓｉが０．５質量％未満であると、溶接金属の強度が不足する上、３５０Ａ／ｍｍ２以上の高電流密度ガスシールアーク溶接では脱酸不足となり、ブローホール等の欠陥が発生し易くなる。また、溶滴の離脱性が劣化して先端が伸び易く、スパッタ発生量がやや多くなる。更にビードのなじみが劣化し、美しいビード形状が得難くなる。一方、Ｓｉが１．５質量％を超えると、スラグ発生量が増加し易くなる。
【００４４】
（Ｍｎ：１．５〜２．５質量％）
　Ｍｎは、鋼製外皮、金属マンガン、フェロマンガンおよびフェロシリコンマンガン等により添加され、溶接金属の強度および靭性を確保するために必要な成分であり、脱酸剤としても必要である。３５０Ａ／ｍｍ２以上の高電流密度ガスシールドアーク溶接において、Ｍｎが１．５質量％未満であると脱酸不足となり、ブローホール等の欠陥が発生し易くなる。また、溶滴の離脱性が劣化して先端が伸び易く、スパッタ発生量がやや多くなる。一方、Ｍｎが２．５質量％を超えるとスラグ発生量が増加し易くなる。
【００４５】
（Ｔｉ：０．１〜０．３質量％）
　Ｔｉは、鋼製外皮、金属チタン、フェロチタンおよびＴｉＯ２等により添加される強脱酸剤である。また、溶接金属の強度および靭性を確保するために必要な成分である。特に、Ｔｉが０．１質量％未満であると、溶滴の離脱性が劣化して先端が伸びやすく、スパッタ発生量がやや多くなる。一方、Ｔｉが０．３質量％を超えると、スラグ発生量が増加する上、スラグ剥離性も劣化し易くなる。なお、Ｔｉ含有量はメタルＴｉとして換算する。
ク．「【００５４】
（溶接条件）
ワイヤ径：１．４ｍｍ
シールドガス：Ａｒ−２０体積％ＣＯ２
試験板（母材）：ＳＳ４００  ２５ｍｍｔ
チップ母材間距離：２５ｍｍ
溶接速度：６０ｃｍ／分
パルスピーク電流密度：５２０Ａ／ｍｍ２
パルスベース電流密度：２８０Ａ／ｍｍ２
平均電流密度：４６０Ａ／ｍｍ２」
ケ．「
」
　
コ．上記ク．の記載から、ワイヤ径は１．４ｍｍであり、パルスピーク電流密度は５２０Ａ／ｍｍ２、パルスベース電流密度は２８０Ａ／ｍｍ２であるから、パルスピーク電流は８００Ａ（＝５２０×（１．４／２）２×π）、パルスベース電流は４３０Ａ（＝２８０×（１．４／２）２×π）であり、パルスピーク電流とパルスベース電流との差が３７０Ａとなることがわかる。
サ．上記ケ．の表２における実施例Ｎｏ．３１のＳｉ、Ｍｎ及びＴｉの成分組成（質量％）の値から、Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｍｎ）の値は０．０５であることがわかる。
サ．したがって、上記引用文献１には表２のＮｏ．３１の実施例について、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「溶接電源部１０２、溶接トーチ１０６及びワイヤ供給部１０１を含む溶接装置を用い、前記溶接トーチ１０６を介して前記ワイヤ供給部１０１により消耗電極を供給し、シールドガスを流しながら溶接を行うパルスアーク溶接方法であって、
　前記消耗電極は鋼製外皮にフラックスが充填されたフラックス入りワイヤ１０８であり、
　前記フラックス入りワイヤ１０８は、Ｃを０．０３質量％、Ｓｉを０．７質量％、Ｍｎを２．２質量％、Ｔｉを０．１５質量％含み、
　前記フラックス入りワイヤ１０８に含まれるＴｉの質量％とＳｉ及びＭｎの総質量％との比であるＴｉ／（Ｓｉ＋Ｍｎ）の値は０．０５であり、
　溶接時のパルスピーク電流を８００Ａ、パルスベース電流を４３０Ａ、及び前記パルスピーク電流と前記パルスベース電流との差を３７０Ａとする高電流密度ガスシールドアーク溶接方法。」
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると、次のことがいえる。
　引用発明の「溶接電源部１０２」は、本願発明１の「溶接電源」に相当する。同様に、「溶接トーチ１０６」は「溶接トーチ」に、「ワイヤ供給部１０１」は「送給機」に、「溶接装置」は「溶接システム」に、「消耗電極」は「消耗式電極」に、「鋼製外皮」は「外皮」に、「フラックス入りワイヤ１０８」は「フラックス入り溶接ワイヤ」に、それぞれ相当する。
　引用発明の「前記フラックス入りワイヤ１０８は、Ｃを０．０３質量％、Ｓｉを０．７質量％、Ｍｎを２．２質量％、Ｔｉを０．１５質量％含」むことと、本願発明１の「前記フラックス入り溶接ワイヤは、Ｃを０．３０質量％以下、Ｓｉを０．３０〜１．６０質量％、Ｍｎを１．００〜２．８０質量％、Ｐを０．０５０質量％以下、Ｓを０．０５０質量％以下、並びに、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＭｇからなる群より選ばれる少なくとも１の元素を合計で０．０５〜１．５０質量％含」むこととを対比すると、「前記フラックス入り溶接ワイヤは、Ｃを０．３０質量％以下、Ｓｉを０．３０〜１．６０質量％、Ｍｎを１．００〜２．８０質量％、並びに、Ｔｉの元素を０．０５〜１．５０質量％含」むということを限度として一致している。
　引用発明の「溶接時のパルスピーク電流を８００Ａ、パルスベース電流を４３０Ａ、及び前記パルスピーク電流と前記パルスベース電流との差を３７０Ａとする」ということと、本願発明１の「溶接時のパルスピーク電流を５５０〜９５０Ａ、パルスベース電流を５５０Ａ以下、及び前記パルスピーク電流と前記パルスベース電流との差を２００〜６００Ａとする」こととを対比すると、引用発明のパルスピーク電流、パルスベース電流及びパルスピーク電流とパルスベース電流の差の値は、本願発明１の数値範囲を満たしているから、両者は一致している。
　引用発明の「高電流密度ガスシールドアーク溶接方法」は、パルスアーク溶接を行っていることから、本願発明１の「高電流パルスアーク溶接方法」に相当する。
　そうすると、両発明は以下の点で一致し、また相違する。
（一致点）
「溶接電源、溶接トーチ及び送給機を含む溶接システムを用い、前記溶接トーチを介して前記送給機により消耗式電極を送給し、シールドガスを流しながら溶接を行うパルスアーク溶接方法であって、
　前記消耗式電極は外皮内にフラックスが充填されたフラックス入り溶接ワイヤであり、
　前記フラックス入り溶接ワイヤは、Ｃを０．３０質量％以下、Ｓｉを０．３０〜１．６０質量％、Ｍｎを１．００〜２．８０質量％、並びに、Ｔｉの元素を０．０５〜１．５０質量％含み、
　溶接時のパルスピーク電流を５５０〜９５０Ａ、パルスベース電流を５５０Ａ以下、及び前記パルスピーク電流と前記パルスベース電流との差を２００〜６００Ａとする高電流パルスアーク溶接方法。」
（相違点）
　フラックス入り溶接ワイヤの成分に関し、本願発明１は、「Ｐを０．０５０質量％以下、Ｓを０．０５０質量％以下含み、
前記フラックス入り溶接ワイヤに含まれるＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＭｇの総質量％とＳｉ及びＭｎの総質量％との比が、０．１１≦（Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｍｇ）／（Ｓｉ＋Ｍｎ）≦０．６０の関係を満たし、
　前記フラックス入り溶接ワイヤがＡｌ酸化物、Ｔｉ酸化物、Ｚｒ酸化物及びＭｇ酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１の酸化物を含み、Ａｌ酸化物をＡｌ２Ｏ３換算、Ｔｉ酸化物をＴｉＯ２換算、Ｚｒ酸化物をＺｒＯ２換算、かつＭｇ酸化物をＭｇＯ換算した場合の前記酸化物の合計が、前記フラックス入り溶接ワイヤの全質量に対して、０．２０質量％≦（Ａｌ２Ｏ３＋ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２＋ＭｇＯ）≦１．５０質量％の関係を満た」すのに対し、引用発明では、ＰやＳの含有量について記載されておらず、Ｔｉの含有量が０．１５質量％であるものの、Ｔｉ／（Ｓｉ＋Ｍｎ）の値は０．０５であり、フラックス入り溶接ワイヤの金属酸化物の含有量についても特段記載されていない点。
（２）相違点についての判断
　上記相違点について検討する。
　本願発明１は、０．１１≦（Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｍｇ）／（Ｓｉ＋Ｍｎ）≦０．６０を満たすという事項が特定されているところ、引用発明はこれについては何ら開示されておらず、上記第２の２．〜６．の引用文献２ないし６にも、上記事項については開示されていない。
　そして、本願発明１は上記事項を備えることで、本願明細書の段落【００３２】、【００３３】に記載された「脱酸元素のＳｉ、Ｍｎを添加することで、酸素による気孔欠陥をＳｉ及びＭｎによって防止し、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ及びＭｇは脱酸元素としてよりも脱窒元素としての効果をより発揮させ、Ｎとの反応を促進させること」が可能となるとともに、「アーク安定性が増し、かつスラグの剥離性がより良好となる」という効果を奏することとなる。
　したがって、引用発明において、０．１１≦（Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｍｇ）／（Ｓｉ＋Ｍｎ）≦０．６０を満たすように各元素の組成量を調整することは設計事項ではなく、当業者が容易に想到したものとは言えない。
（３）本願発明１のむすび
　したがって、本願発明１は、引用発明及び引用文献２ないし６に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。
２．本願発明２ないし６について
　本願発明２ないし６は本願発明１を引用するものであり、本願発明２ないし６も、本願発明１と同じ相違点を有するから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３．本願発明７及び８について
　本願発明７及び８は、本願発明１のパルスアーク溶接方法における「フラックス入り溶接ワイヤ」を特定する事項と実質的に同じ事項によって特定される発明であり、上記相違点に対応する構成を備えるものであるから、本願発明１と同様の理由により、当業者であっても、引用発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明１−８は、当業者が引用発明及び引用文献２ないし６に記載された技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。