(57)【要約】  半導体素子の基板への実装において、接合補助剤の残存量の把握を容易にし、接合補助剤の供給量を安定させ、接合補助剤の不足を防止する。また、実装装置のメンテナンスを効率よく行えるようにするために、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒に、着色剤を溶解させることにより調整される、金属同士の接合を補助する接合補助剤を用いる。接合補助剤は、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、溶媒に対する溶解性を有する着色剤と、を混合する工程を有する製造方法により得られる。
2013175692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属同士の接合を補助する接合補助剤であって、
金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、前記溶媒に溶解する着色剤と、を含む、接合補助剤。
【請求項２】
前記着色剤が、前記溶媒とともに揮発する性質を有する、請求項１記載の接合補助剤。
【請求項３】
前記溶媒の沸点Ｔｂと、前記着色剤の融点Ｔｍとが、Ｔｂ＞Ｔｍを満たす、請求項１または２記載の接合補助剤。
【請求項４】
目視により認識できる色相、彩度および明度を有する、請求項１〜３のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項５】
２５℃における粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓである、請求項１〜４のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項６】
前記着色剤が、有機色素である、請求項１〜５のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項７】
前記有機色素が、アゾ化合物、シアニン化合物およびスチリル化合物よりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項６記載の接合補助剤。
【請求項８】
前記着色剤の含有量が、０．０１〜５０質量％である、請求項１〜７のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項９】
前記溶媒が、プロトン供与性溶媒である、請求項１〜８のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項１０】
前記プロトン供与性溶媒が、アルコールおよび有機酸よりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項９記載の接合補助剤。
【請求項１１】
前記アルコールが、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、カルビトールおよびセロソルブアルコールよりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１０記載の接合補助剤。
【請求項１２】
金属同士の接合を補助する接合補助剤の製造方法であって、
金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、前記溶媒に対する溶解性を有する着色剤と、を混合する工程、を有する、接合補助剤の製造方法。
【請求項１３】
前記溶媒の沸点Ｔｂと前記着色剤の融点Ｔｍとが、Ｔｂ＞Ｔｍの関係を有し、
前記溶媒の沸点Ｔｂより低く、かつ前記着色剤の融点Ｔｍより高い温度で、前記混合された溶媒と着色剤とを同時に加熱する工程、を有する、請求項１２記載の接合補助剤の製造方法。
【請求項１４】
前記溶媒と着色剤との混合物に、前記溶媒と前記着色剤に対する両親媒性物質を含ませる、請求項１２または１３記載の接合補助剤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属同士の接合を補助する還元性を有する接合補助剤およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の電極を基板の電極に接合する実装方法として、半導体素子に形成されたＡｕバンプを、基板の配線に形成されたＡｕ電極に押し付けた状態で、接触界面に対して超音波振動を付与し、ＡｕバンプとＡｕ電極とを金属接合する方法が知られている（特許文献１、２参照）。【０００３】
また、半導体素子が実装された基板に対するコスト削減の要求から、高価なＡｕ電極を安価なＣｕ電極に置き換えることも提案されている。このとき、Ａｕ−Ｃｕ間およびＣｕ−Ｃｕ間の金属接合に対して、Ａｕ−Ａｕ間の金属接合と同等の接合信頼性を確保することができれば、電極間の接合の品質を維持したままで、大幅なコスト削減が可能となる。【０００４】
ところが、Ｃｕは酸化しやすく、その表面は、通常の状態では酸化膜により覆われている。Ａｕ−Ｃｕ間およびＣｕ−Ｃｕ間の金属接合の接合信頼性を向上させるためには、接合の際にＣｕ電極表面の酸化膜を予め除去するとともに、接合界面への金属酸化物の混入を排除することが望ましい。Ｃｕ電極表面の酸化膜は、事前のプラズマ処理等で、予め除去することが可能である。ただ、事前に除去しておいても、接合時に熱が加わることにより接合部の電極表面は酸化してしまう。それを防止するには、例えば、基板の第１電極が覆われるように接合補助剤を供給し、半導体素子の第２電極を、接合補助剤を介して第１電極に押し付けて、第１電極と第２電極とを接合することが有効である。ここで、第１電極と第２電極との接合信頼性を安定させるためには、接合補助剤の基板への供給量のばらつきを防止し、供給量を安定させる必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−６８３２７号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７２７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、接合補助剤として利用可能な材料は、無色透明であることから、基板に供給された接合補助剤の状態を確認することができず、接合補助剤の供給量を把握することは困難である。【０００７】
また、実装装置は、常に正常に作動するわけではなく、半導体素子や基板の認識エラー、半導体素子や基板の供給エラーなどにより、停止と起動とが繰り返されるのが一般的である。基板に接合補助剤が供給された状態で実装装置が停止し、復旧するまでに長時間が経過した場合、基板に接合補助剤が供給されてから半導体素子が実装されるまでの時間は通常よりも長くなる。そのような場合、接合補助剤が基板上から徐々に揮散し、半導体素子を実装する際には接合補助剤が必要量未満となってしまう場合がある。しかし、接合補助剤が無色透明であることから、接合補助剤の残存量を正確に把握することができず、接合補助剤の再供給が必要かどうかを判断することが困難である。【０００８】
さらに、電極間の接合処理以外の段階で予期せず揮散した接合補助剤は、実装装置内の金属部品の腐食を促進したり、稼動部に塗布されている潤滑油やグリースを劣化させたりするため、実装装置が不具合を起こす原因ともなる。従って、実装装置内の設備を定期的に掃除するメンテナンスが必要となる。しかし、接合補助剤が無色透明であることから、汚染の程度を把握することができず、清掃を行うタイミングを決定することが困難である。また、接合補助剤で汚染された箇所を目視で確認することが困難であり、拭き残された接合補助剤が残存し易く、残存した接合補助剤は実装装置の不具合を発生させる可能性がある。【０００９】
上記のような接合補助剤の揮散は、実装装置内に存在する様々な熱源によって促進される。例えば、実装ユニットが半導体素子を加熱する加熱ヘッドを具備する場合、ヘッドが基板に近接する際に、接合補助剤の揮散が促進される。また、半導体素子を実装する際に基板を保持する基板ステージが加熱される場合にも、接合補助剤の揮散が促進される。特に、基板ステージに載置された基板に既に接合補助剤が塗布されている状態で、エラーにより実装装置が停止した場合、復旧されるまでの期間、基板が加熱され続けるため、揮散する接合補助剤の量は非常に多くなる。【００１０】
本発明は、上記に鑑み、基板上における接合補助剤の残存量を容易に把握できるようにして、接合補助剤の供給量を安定させるとともに、接合補助剤が不足している状態で半導体素子の実装が行われるのを防止することを目的の一つとする。また、本発明は、実装装置内の接合補助剤が付着した箇所を容易に認識できるようにして、実装装置のメンテナンスを効率よく行えるようにすることを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、第１電極を有する基板を、前記第１電極を上方に向けて保持する基板ステージと、前記基板ステージに保持された前記基板に、前記第１電極が覆われるように、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性かつ有色の接合補助剤を供給するディスペンサユニットと、第２電極を有する半導体素子を供給する半導体素子供給ユニットと、前記半導体素子供給ユニットより供給された前記半導体素子の前記第２電極を、前記基板ステージに保持され、前記接合補助剤が供給された前記基板の前記第１電極に押し付けて、前記第１電極と前記第２電極とを接合させることにより、前記基板に前記半導体素子を実装する実装ユニットと、を備える実装装置に適用可能である。【００１２】
本発明は、（i）第１電極を有する基板を、前記第１電極を上方に向けて基板ステージに保持する工程と、（ii）前記基板ステージに保持された前記基板に、前記第１電極が覆われるように、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性かつ有色の接合補助剤を供給する工程と、（iii）第２電極を有する半導体素子を供給する工程と、（iv）前記供給された半導体素子の前記第２電極を、前記基板ステージに保持され、前記接合補助剤が供給された前記基板の前記第１電極に押し付けて、前記第１電極と前記第２電極とを接合させることにより、前記基板に前記半導体素子を実装する工程と、を備える実装方法に適用可能である。【００１３】
上記実装方法の一態様では、前記工程（iv）が、前記基板に前記半導体素子を実装する前に、前記基板と前記半導体素子との位置合わせを行う基板認識の工程と、前記基板認識のタイミングで前記基板に供給された前記接合補助剤の残存量を検出する工程と、を含む。そして、接合補助剤の残存量が不足すると判断される場合には、接合補助剤の基板への再供給が行われる。【００１４】
上記実装方法の別の一態様では、前記工程（ii）が、少なくとも１つの前記基板に、複数の前記半導体素子に対応する複数の前記第１電極が覆われるように、前記接合補助剤を供給する工程を含み、前記工程（iv）が、前記少なくとも１つの基板に、複数の前記半導体素子を、それぞれ対応する前記第１電極が前記接合補助剤で覆われている間に実装する工程を含む。ただし、前記工程（iv）は、前記複数の半導体素子から選ばれる２つ以上の実装を完了する毎に、前記基板に供給された前記接合補助剤の残存量を検出する工程を含むことが好ましい。【００１５】
本発明の一局面は、金属同士の接合を補助する接合補助剤に関し、より詳しくは、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性かつ有色の接合補助剤であって、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、前記溶媒に溶解する着色剤と、を含む接合補助剤に関する。【００１６】
本発明の他の一局面は、金属同士の接合を補助する接合補助剤の製造方法に関し、より詳しくは、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性かつ有色の接合補助剤の製造方法であって、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、前記溶媒に対する溶解性を有する着色剤と、を混合する工程、を有する接合補助剤の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、接合補助剤が有色であるため、目視により、または実装装置が具備する認識装置（検査ユニット）により、基板上における接合補助剤の存在量を容易に把握できる。よって、基板への接合補助剤の供給量を安定化させることが容易となり、さらに、接合補助剤が不足している状態で半導体素子の実装が行われるのを防止することができる。また、予期せず揮散した接合補助剤が実装装置内のどこに付着しているかを容易に把握できるため、実装装置のメンテナンスが容易となる。【００１８】
本発明の新規な特徴を添付の請求の範囲に記述するが、本発明は、構成および内容の両方に関し、本発明の他の目的および特徴と併せ、図面を照合した以下の詳細な説明によりさらによく理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】半導体素子を基板に実装する実装装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】図１のＬ１−Ｌ２線による、実装装置の矢視側面図である。
【図３】実装装置の制御系統を示すブロック図である。
【図４】基板の移送機構の詳細を示す、実装装置の一部正面図である。
【図５】実装装置による半導体素子の実装手順を示すフローチャートである。
【図６Ａ】図５のフローチャートの各工程の説明図であって、酸化膜除去処理の前の状態の基板の断面図である。
【図６Ｂ】図５のフローチャートの各工程の説明図であって、酸化膜除去処理および接合補助剤供給処理が終了した後の状態の基板の断面図である。
【図６Ｃ】図５のフローチャートの各工程の説明図であって、接合補助剤供給処理後に半導体素子の電極を基板電極に接触させた状態の基板および半導体素子の断面図である。
【図６Ｄ】図５のフローチャートの各工程の説明図であって、半導体素子の電極を基板の電極に接合した後、接合補助剤を除去した状態の基板および半導体素子の断面図である。
【図６Ｅ】図５のフローチャートの各工程の説明図であって、接合補助剤を除去した後、半導体素子を樹脂で封止した状態の実装基板の断面図である。
【図７】実装装置による半導体素子の別の実装手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明が適用される実装装置は、第１電極を有する基板に、第２電極を有する半導体素子を実装する実装装置である。実装装置は、第１電極を有する基板を、第１電極を上方に向けて保持する基板ステージ（第１基板ステージ）と、基板ステージに保持された基板に、第１電極が覆われるように、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性かつ有色の接合補助剤を供給するディスペンサユニットとを備える。
【００２１】
接合補助剤が有色であることから、目視により、または実装装置が具備する認識装置（検査ユニット）により、基板上における接合補助剤の存在量を容易に把握できる。従って、随時、接合補助剤の基板上における残存量を容易に把握することが可能であり、接合補助剤の供給量を安定化させることができる。例えば、基板に供給された接合補助剤の残存量を検出する検査ユニットを具備する実装装置においては、基板上の実装位置に接合補助剤を供給した後、半導体素子を実装する前に、接合補助剤の供給量を確認することができる。そして、ディスペンサユニットによる接合補助剤の供給を制御する制御装置を具備する実装装置においては、接合補助剤が不足する場合には、不足分の接合補助剤を供給するようにディスペンサユニットを制御する。これにより、接合補助剤の供給量が安定化する。
【００２２】
また、実装装置が正常に作動せず、各種認識カメラによる半導体素子や基板の認識エラー、半導体素子や基板の供給エラーなどにより停止し、基板に接合補助剤を供給してから長時間が経過した場合でも、基板に残存する接合補助剤の量を容易に把握できる。そして、接合補助剤が不足していると判断した場合には、接合補助剤を再供給することができる。従って、接合補助剤が不足している状態で半導体素子の実装が行われるのを防止することができる。
【００２３】
さらに、予期せぬ段階で接合補助剤が揮散して実装装置内に付着した場合には、接合補助剤の付着箇所が変色することから、清掃などの実装装置のメンテナンスが容易となる。例えば、一日分の作業が終了した時点で、実装装置の着色された箇所を清掃することにより、接合補助剤が徐々に堆積することによる実装装置の不具合を防止することができる。また、着色の程度に応じて清掃を行うタイミングを決定することも容易となる。
【００２４】
本発明が適用される実装装置は、第２電極を有する半導体素子を供給する半導体素子供給ユニットと、半導体素子供給ユニットより供給された半導体素子の第２電極を、基板ステージに保持され、接合補助剤が供給された基板の第１電極に押し付けて、第１電極と第２電極とを接合させることにより、基板に半導体素子を実装する実装ユニットとを備える。
【００２５】
半導体素子供給ユニットにより供給された半導体素子は、例えば、実装ユニットが備える実装ツールにより保持され、その状態で、第２電極が第１電極に対して所定圧力で押し付けられる。そして、その状態で、実装ユニットが備える実装ヘッドから実装ツールを介して半導体素子に超音波振動や熱が加えられ、これにより、半導体素子の第２電極が、基板の第１電極に金属接合される。基板は、第１電極に第２電極を接合する間、第１基板ステージにより保持される。
【００２６】
第１基板ステージは、基板を加熱する加熱手段（第１加熱手段）を具備してもよい。これにより、接合補助剤の還元作用が促進されるとともに、金属接合が促進されるため、実装に要する時間を短縮することができる。よって、実装基板の生産効率を向上させることができる。また、処理時間の短縮により、接合部における金属酸化物の生成を抑えて、接合信頼性を向上させることができる。さらに、第１基板ステージが第１加熱手段を具備する場合、接合処理の終了後に基板を加熱することが可能であり、接合処理の終了後に残存する余分な接合補助剤を速やかに除去することができる。
【００２７】
本発明が適用される実装装置は、上記のように、基板に供給された接合補助剤の残存量を検出する検査ユニットを具備することができる。接合補助剤が有色であるため、接合補助剤の残存量の検出は目視でも可能であるが、実装プロセスの効率を向上させる観点からは、検査ユニットにより自動的に接合補助剤の残存量を検出することが望ましい。
【００２８】
検査ユニットとしては、基板に供給された接合補助剤の残存量を、基板に残存する接合補助剤の分布状態により検出できるものが好ましい。検査ユニットは、例えば、基板に残存する有色の接合補助剤の分布状態を撮像する画像認識カメラを具備する。画像認識カメラにより得られる接合補助剤の分布面積の大きさは、接合補助剤の残存量にほぼ比例するため、接合補助剤の分布状態から残存量を検出することができる。残存量の検出に必要な演算は、画像認識カメラを制御する制御装置により行えばよい。このような制御装置は、ＣＰＵ、ＭＰＵなどの中央演算装置、揮発性または不揮発性メモリ、各種インターフェースなどにより構成すればよい。
【００２９】
なお、実装装置には、一般に、基板に半導体素子を実装する際の基板と半導体素子との位置合わせを行うための半導体素子認識カメラと基板認識カメラとが設けられている。検査ユニットを構成する画像認識カメラは、このような基板認識カメラと共通であってもよい。
【００３０】
接合補助剤が、赤外線および紫外線の少なくとも一方を発光または吸収可能である場合、検査ユニットは、基板に供給された接合補助剤の残存量を、接合補助剤が発光または吸収する赤外線または紫外線を利用して検出するものでもよい。このような検査ユニットは、例えば、赤外線センサ、紫外線センサなどを具備している。
【００３１】
検査ユニットによる、基板に供給された接合補助剤の残存量の検出は、基板に半導体素子を実装する前および基板に半導体素子を実装した後の少なくとも一方のタイミングで行えばよい。接合補助剤の残存量の検出を、基板に半導体素子を実装する前に行う場合には、接合補助剤が不足している状態での接合処理を避けることができる。
【００３２】
また、予め基板の複数の実装位置に接合補助剤を塗布し、その後、複数の実装位置に順次、半導体素子を実装する場合には、２つ以上（例えば１００個程度）の半導体素子の実装を終了した時点で接合補助剤の残存量を検出してもよい。例えば、複数の半導体素子を幾つかのグループに区分し、グループ毎に、半導体素子の供給、基板認識および半導体素子の実装を繰り返し、１つのグループ内の半導体素子の実装が完了する毎に、接合補助剤の残存量を検出する。このような方法によれば、接合補助剤の残存量の検出に多くの時間をかけずに、複数の半導体素子を基板に実装できるため、実装プロセスの効率を向上させることができる。１つのグループの半導体素子の実装を完了した時点で、残りの第１電極を覆う接合補助剤の残存量が不足すると考えられる場合には、残りの第１電極を覆うように接合補助剤が再供給される。なお、接合補助剤の残存量の検出のタイミングは上記に限られない。
【００３３】
接合補助剤は、目視により認識できる色相、彩度および明度を有することが望ましい。このような接合補助剤を用いることで、接合補助剤が揮散して実装装置内を汚染した場合でも、汚染箇所を容易に目視で把握することができる。よって、実装装置のメンテナンスを容易に効率良く行うことができる。その結果、実装装置に不具合が発生する確率を小さくすることができる。
【００３４】
本発明が適用される実装装置は、さらに、基板に接合補助剤を供給する前に、基板の第１電極をプラズマ処理するプラズマ処理ユニットを具備することができる。実装装置が、プラズマ処理ユニットを備えることにより、基板の第１電極から酸化膜の少なくとも一部を除去した後、直ちに、第１電極に半導体素子の第２電極を接合することができる。これにより、第１電極が酸化しやすいＣｕを含むような場合にも、酸素を含む通常雰囲気中（例えば大気中）で半導体素子の実装を行っても、第１電極に酸化膜が再生されるのを防止することができる。よって、第１電極に酸化膜が極力存在しない状態で接合処理を実行することができ、接合信頼性を向上させることが容易となる。
【００３５】
また、基板の第１電極をプラズマ処理する場合、酸化膜がほとんど存在しない状態で金属接合のプロセスが進行することから、超音波の付与や加熱の時間が短縮される。これにより、接合処理中における金属酸化物の新たな生成がさらに抑制される。
【００３６】
さらに、プラズマ処理により第１電極の酸化膜を除去することで、第１電極の表面に微細な凹凸が形成される。これにより、第１電極の濡れ性も良好になるために、接合補助剤により第１電極の表面を効果的に覆うことができる。その結果、第１電極と雰囲気中の酸素との接触が抑えられ、接合処理中の金属酸化物の生成を抑える効果が高められる。
【００３７】
ここで、プラズマ処理ユニットには、第１電極をプラズマ処理するときに基板を保持する第２基板ステージを含ませることができる。これにより、例えば、第２基板ステージでプラズマ処理により１つの基板の酸化膜を除去する処理を実行している間に、同時に、第１基板ステージでは、プラズマ処理後の別の基板に半導体素子を実装することができる。したがって、実装基板の生産効率を向上させることができる。
【００３８】
さらに、実装装置は、基板を第２基板ステージから第１基板ステージに移送する移送機構を備えるのが好ましい。これにより、プラズマ処理と、半導体素子の実装処理とを連続的に実行することが容易となる。あるいは、プラズマ処理の終了後に、基板を保持した状態の第２基板ステージをそのまま第１基板ステージの位置に移動させて、実装処理を行うこともできる。
【００３９】
同様に、実装装置は、第２基板ステージを加熱する第２加熱手段を備えてもよい。これにより、第１電極のプラズマ処理を実行している間に、第１電極の温度を望ましい温度まで上昇させることができる。これにより、半導体素子の実装処理に要する時間が短縮され、実装基板の生産効率を向上させることができる。あるいは、第２加熱手段により基板を予め加熱することで、第１加熱手段による加熱時間を短縮することができる。
【００４０】
実装装置が具備する実装ユニットの一態様は、第１電極と第２電極とを接合させるときに、半導体素子を基板に対して押し付けるとともに、半導体素子に超音波を付与する超音波印加手段もしくは超音波ヘッド（実装ヘッド）を具備する。超音波ヘッドを用いる場合、電極間の摩擦により、接合部の温度が局所的に上昇し、金属接合が促進される。また、摩擦による温度上昇により、接合補助剤による還元作用が活性化されるため、接合部で金属酸化物が生成されるのを防止することができる。なお、超音波ヘッドは、摩擦熱以外の方法で半導体素子を加熱する機能を更に備えてもよい。
【００４１】
実装装置が具備する実装ユニットの一態様は、第１電極と第２電極とを接合させるときに、半導体素子を基板に対して押し付けるとともに、半導体素子を加熱する加熱手段もしくは加熱ヘッド（実装ヘッド）を具備する。加熱ヘッドを具備する実装ユニットは、第１電極および第２電極の少なくとも一方が、はんだ（低融点金属）を有する場合に適している。例えば、基板の第１電極が、プリコートはんだを具備する電極である場合や、半導体素子の第２電極が、はんだバンプを具備する電極である場合には、加熱ヘッドを用いることが望ましい。この場合、加熱ヘッドによる加熱により、接合補助剤による還元作用が活性化されるため、はんだ表面の酸化膜が除去されるとともに、接合部で金属酸化物が生成されるのを防止することができる。
【００４２】
一方、本発明が適用される実装方法は、（i）第１電極を有する基板を、第１電極を上方に向けて基板ステージに保持する工程と、（ii）基板ステージに保持された基板に、第１電極が覆われるように、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性かつ有色の接合補助剤を供給する工程と、（iii）第２電極を有する半導体素子を供給する工程と、（iv）供給された半導体素子の第２電極を、基板ステージに保持され、接合補助剤が供給された基板の第１電極に押し付けて、第１電極と第２電極とを接合させることにより、基板に半導体素子を実装する工程と、を備える。
【００４３】
上記のように、第１電極と第２電極との間の接合を、少なくとも第１電極と第２電極との間の接合界面の周囲に接合補助剤が存在する状態で行うことにより、第１電極と第２電極との接合界面（接触界面）に形成されている酸化膜が還元されるとともに、新たな酸化膜の形成も抑制される。よって、Ａｕ−Ｃｕ間およびＣｕ−Ｃｕ間の金属接合の接合信頼性を向上させることができる。従って、高価な金の代わりに銅を電極として使用することができ、半導体素子が実装された基板（実装基板）の製造コストを削減することができる。
【００４４】
上述したとおり、本発明は、第１電極がＣｕ（銅）を含み、第２電極がＡｕ（金）を含むような場合に、電極間の接合の品質を向上させる効果をより顕著に発揮する。特に第１電極に銅を使用することで、大幅なコスト削減が可能となる。すなわち、本発明の実装装置および実装方法は、第１電極と第２電極の少なくとも一方が銅を含む電極（Ｃｕ電極またはＣｕ合金電極）である場合に使用するのに適しており、特にフリップチップボンディングを行う実装装置や実装方法に適用するのに適している。
【００４５】
上記工程（iv）では、基板に半導体素子を実装する前に、基板と半導体素子との位置合わせを行う基板認識の工程が行われるのが一般的である。このような制御は、例えば、基板認識カメラと、これを制御する制御装置により行われる。具体的には、基板認識カメラにより基板を撮像し、基板と半導体素子の相対的な位置関係が正しくない場合には、第１基板ステージを移動させる移動機構などを利用して、基板の位置合わせが行われる。
【００４６】
なお、既に述べたように、基板認識カメラは、接合補助剤の残存量を検出する検査ユニットを構成する画像認識カメラと共通であってもよい。また、基板認識の制御を行う制御装置も、接合補助剤の残存量の検出に必要な演算を行う制御装置と共通であってもよい。通常は、接合補助剤の検出や基板認識に必要な制御は、実装装置を全体的に制御する制御装置により行われる。
【００４７】
上記工程（ii）においても、基板に接合補助剤を供給する前に、基板と、接合補助剤を供給するディスペンサなどの供給手段との位置合わせを行う基板認識の工程を行ってもよい。ただし、そのような基板認識を行わずに、接合補助剤を基板に供給しても問題ない。接合補助剤を供給する位置が正しい位置から多少外れたとしても、接合補助剤による第１電極の濡れ性が良好であるため、接合補助剤が基板上の第１電極に濡れ広がり、位置ずれは解消される。接合補助剤を供給する前に第１電極をプラズマ処理する場合には、特に良好な接合補助剤の濡れ広がりを期待できる。
【００４８】
接合補助剤が基板に供給された後、第２電極を有する半導体素子が基板上に供給され、半導体素子の実装が行われる。その際、半導体素子は、吸引ノズルを兼ねる実装ツールにより保持された状態で基板上に供給される。実装ツールにより保持される半導体素子の位置や角度についても、所定の素子認識カメラにより認識され、必要に応じて微調整が行われる。
【００４９】
基板に供給された接合補助剤の残存量を検出する場合、実装プロセスの効率化の観点から、基板と半導体素子との位置合わせを行う基板認識のプロセスを利用することが望ましい。例えば、１つの基板の複数の実装位置に複数の半導体素子を、順次、実装する場合、まず、第１の接合補助剤供給位置に、基板認識を行わずに、接合補助剤が供給される。その後、第１の接合補助剤供給位置に供給された接合補助剤の残存量を検出するとともに、基板と半導体素子との位置合わせのための基板認識を行い、半導体素子を基板に実装する。引き続き、第２の接合補助剤供給位置に、基板認識を行わずに、接合補助剤が供給される。その後、第２の接合補助剤供給位置に供給された接合補助剤の残存量を検出するとともに、基板と半導体素子との位置合わせのための基板認識を行い、半導体素子を基板に実装する。以降、同様の操作が繰り返される。
【００５０】
上記工程（ii）では、予め、少なくとも１つの基板に、複数の半導体素子に対応する複数の第１電極が覆われるように、接合補助剤を供給してもよい。その後、複数の半導体素子が、それぞれ対応する第１電極が接合補助剤で覆われている間に実装される。ただし、このような実装方法では、接合補助剤が供給されてから最初に実装される半導体素子と、最後に実装される半導体素子とで、対応する第１電極を覆う接合補助剤の揮散の程度が大きく異なり得る。具体的には、後に実装される半導体素子ほど、接合補助剤の残存量が不足する可能性が高くなる。このような場合には、複数の半導体素子から選ばれる２つ以上、好ましくは１０個以上、更に好ましくは５０個以上の実装が完了する毎に、基板に供給された接合補助剤の残存量を検出する。そして、残りの第１電極を覆う接合補助剤の残存量が不足すると考えられる場合には、接合補助剤の再供給を行うようにする。
【００５１】
本発明は、第１電極および第２電極より選ばれる少なくとも一方が、Ｃｕを含む電極である場合に特に優れた効果を発揮する。Ｃｕは安価で低抵抗である反面、酸化されやすいため、接合補助剤に不足のない状態で接合することが望まれるからである。また、Ｃｕは酸化されやすいため、Ｃｕを含む電極を採用する場合には、基板に接合補助剤を供給する前にＣｕを含む電極をプラズマ処理することが望ましい。
【００５２】
次に、本発明の接合補助剤について説明する。
本発明に係る接合補助剤は、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性かつ有色の材料であり、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、溶媒に溶解する着色剤とを含んでいる。還元性の溶媒は、通常は無色透明であるが、溶媒に着色剤を溶解させることで有色の接合補助剤が得られる。
【００５３】
溶媒に溶解した着色剤は、溶媒とともに揮散する。従って、実装が完了した後、基板から接合補助剤を完全に揮散させると、着色剤は基板に残存せず、意図しない色に基板が着色されることがない。また、揮散した接合補助剤が付着した実装装置内の箇所には、接合補助剤とともに着色剤が付着している。従って、着色された箇所を着色剤が除去される程度に清掃すれば、接合補助剤のほとんどが除去されることになるため、実装装置のメンテナンスが容易となる。
【００５４】
接合補助剤は、目視により認識できる色相、彩度および明度を有することが望ましい。このような色であれば、分光装置を要さずに、目視で接合補助剤の存在を確認できる。よって、基板に塗布された接合補助剤の残存量の把握やメンテナンスに有利である。
【００５５】
着色剤は、共沸現象により、溶媒とともに揮発する性質を有するものが好ましい。このような性質を有する着色剤は、特に基板上に残存しにくいため、基板が意図しない色に着色される可能性をより低減することができる。従って、外観のきれいな実装基板を得ることができる。なお、プリンタなどに用いられるインクの場合、溶媒だけが揮散して、着色剤がインクの塗布面に沈着することが要求される。従って、インクの着色剤は、溶媒に完全に溶解する必要もない。換言すれば、本発明の接合補助剤は、インクとは逆の特性を有する。
【００５６】
溶媒の沸点Ｔｂと、着色剤の融点Ｔｍとは、Ｔｂ＞Ｔｍを満たすことが好ましい。このような関係を有する場合、着色剤を溶媒に溶解する際に、溶解を促進するために、溶媒と着色剤との混合物を、着色剤の融点Ｔｍ以上、かつ溶媒の沸点Ｔｂ未満の温度で加熱することができる。よって、有色の接合補助剤の調製が容易である。また、Ｔｂ＞Ｔｍを満たす場合には、共沸現象が起り易く、基板上に着色剤が残存する確率をより小さくすることができる。着色剤が沸点Ｔｂｃを有する場合には、溶媒の沸点Ｔｂと、着色剤の沸点Ｔｂｃとは、Ｔｂ＞Ｔｂｃを満たすことが好ましい。
【００５７】
接合補助剤の２５℃における粘度は、０．１〜１０Ｐａ・ｓであることが好ましく、１〜５Ｐａ・ｓであることがより好ましい。この程度の粘度であれば、取り扱いが容易であるため、ディスペンサなどを用いて基板に供給しやすい。また、上記粘度の接合補助剤は、基板に供給した際には第１電極に濡れ広がりやすく、かつ基板の所望の位置にとどまりやすい。
【００５８】
接合補助剤における着色剤の好ましい含有量は、溶媒や着色剤の種類により異なり、特に限定されないが、０．０１〜５０質量％が好適であり、１〜１０質量％がより好適である。着色剤の量を多くすると、接合補助剤の粘度は高くなる傾向がある。着色剤の量を少なくすると、粘度は低くなるが、色が薄くなる傾向がある。
【００５９】
着色剤は、特に限定されないが、有機色素を用いることが好ましく、中でも油溶性染料が好ましい。また、着色剤自身が揮発性を有することが好ましい。このような着色剤としては、例えば、アゾ化合物（特にジスアゾ化合物）、シアニン化合物およびスチリル化合物よりなる群から選択される少なくとも１種を挙げることができる。アゾ化合物としては、ソルベントイエロー５６、ソルベントレッド２７などが溶媒に溶解しやすく、かつ溶媒とともに揮散しやすい点で好ましい。シアニン化合物としては、アントシアニン、メロシアニン、ローダシアニンなどが好ましい。スチリル化合物としては、スチリルフェノールなどが好ましい。これらは１種を単独で用いてもよく、複数種を混合して用いてもよい。着色剤は、目視で確認できる可視光領域の吸収や発光を呈するものに限らず、赤外領域や紫外領域の吸収や発光を呈するものでもよい。このような領域の吸収や発光は、例えば赤外線センサや紫外線センサなどを用いることにより検出することができる。
【００６０】
溶媒は、例えば後の封止工程（図６Ｅ）を確実に行う観点から、揮発性溶媒であることが望ましく、中でもプロトン供与性溶媒が好ましい。プロトン供与性溶媒は、金属の表面酸化膜を除去する能力が高く、金属接合の信頼性を確保しやすいからである。プロトン供与性溶媒としては、例えば、アルコールおよび有機酸よりなる群から選択される少なくとも１種を用いることができる。
【００６１】
アルコールとしては、分子量が５０〜２００である多官能アルコールが好ましい。より具体的には、例えば、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、カルビトールおよびセロソルブアルコールよりなる群から選択される少なくとも１種が挙げられる。有機酸としては、蟻酸、酢酸、安息香酸などが挙げられる。また、プロトン供与性を有さないアルカン、アミン化合物などを用いることもできる。アルカンとしては、デカン、テトラデカンなどを用いることができ、アミン化合物としては、ホルムアミド、ジメチルホルムアミドなどを用いることができる。また、多官能アルコールのアルキルエーテルを用いてもよい。具体的には、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルなどを用いることができる。これらは単独で用いてもよく、複数種を混合して用いてもよい。プロトン供与性溶媒の一部として水を用いてもよい。
【００６２】
上記のような接合補助剤は、例えば、還元性の溶媒と、溶媒に対する溶解性を有する着色剤とを混合するシンプルな方法により製造することができる。また、溶媒の沸点Ｔｂより低く、かつ着色剤の融点Ｔｍ以上の温度で、混合された溶媒と着色剤とを同時に加熱することで、接合補助剤の製造をより迅速に行うことができる。さらに、溶媒と着色剤との混合物には、着色剤の溶解を促進させるために、溶媒と着色剤に対する両親媒性物質（界面活性剤）を含ませてもよい。
【００６３】
例えば、接合補助剤として利用できるグリセリン（溶媒、沸点２９０℃）とソルベントイエロー５６（着色剤、融点９３〜９５℃）との混合物は、グリセリンを調製用容器内に投入し、その中に所定量のソルベントイエロー５６を直接投入し、容器内の混合物を攪拌することで得ることができる。攪拌中の混合物は、９５〜１００℃で加熱してもよい。ソルベントイエロー５６が完全に溶解すれば、有色の接合補助剤が得られる。接合補助剤は、必要に応じて、室温まで冷却し、密閉容器に保存すればよい。
【００６４】
接合補助剤には、必要に応じて、可塑剤、帯電防止剤、粘度調整剤、表面張力調整剤、消泡剤などの添加剤を含ませてもよい。ただし、フィラー（例えば無機酸化物などのセラミックス）は接合補助剤に含めないことが望ましい。
【００６５】
なお、半導体素子供給ユニットは、装置の小型化、ないしは装置筐体の内部空間の有効利用の観点から、第１基板ステージよりも下方に配置された、複数の半導体素子が載置される半導体素子載置部を含むのが好ましい。この場合、半導体素子供給ユニットは、半導体素子載置部から半導体素子をピックアップし、上方に移動させて、超音波ヘッド、加熱ヘッドなどの実装ヘッドに受け渡す上方移動機構を含むのが好ましい。そして、上方移動機構は、一端側に回転中心部があり他端側に半導体保持部がある軸状部、並びに、半導体保持部により半導体素子を保持する軸状部を回転中心部により半回転させる回転機構を含むのが好ましい。
【００６６】
上記の構成では、半導体素子載置部には、複数の半導体素子が、例えば第２電極を上に向けて載置される。そして、上方移動機構の回転機構の動作により、半導体素子は上下が反転されて実装ヘッドに受け渡される。実装ヘッドは第２電極を下に向けた状態で半導体素子を受け取る。これにより、第１基板ステージにより第１電極を上に向けて保持されている基板に、容易に半導体素子をフリップチップボンディングすることができる。このように、上方移動機構が回転機構を含むために、上方移動機構により半導体素子をピックアップするときの半導体素子の吸着面と、実装ヘッドが半導体素子を保持するときの半導体素子の吸着面とを反対側にすることができる。よって、半導体素子をスムーズに受け渡すことができる。
【００６７】
第１電極に第２電極を超音波接合するときには、基板を、第１基板ステージにより８０〜１５０℃に加熱することが好ましい。基板を８０℃以上に加熱することで、超音波接合処理の時間を短縮することができ、電極間の接合界面に酸化物が介在するのを抑制することができる。よって、電極間の接合信頼性を向上させることができる。また、基板を加熱することにより、接合補助剤による還元の効果も促進することができる。さらに、加熱の上限を１５０℃とすることで、沸点が２００℃以上であるような溶媒を接合補助剤に使用した場合に、実装処理中に接合補助剤が直ちに完全に蒸発してしまうのを防止することができる。
【００６８】
さらに、第１電極をプラズマ処理するときには、基板を、第２基板ステージにより５０〜１００℃に加熱することが好ましい。このような温度で基板を加熱することにより、酸化膜を除去する処理の間に、基板を十分に予熱することができ、生産効率の更なる向上を図ることができる。
【００６９】
第１電極に第２電極を接合するときには、超音波ヘッドや加熱ヘッドもしくは実装ツールを、２００〜３００℃に加熱することが好ましい。これにより、接合処理の時間を短縮することができ、電極間の接合信頼性を向上させることができる。さらに、加熱により第２電極が軟化することで、実装に必要な荷重または超音波の強度を低減させることが可能になる。このため、各電極へのダメージを減少させることが可能となるという効果も期待できる。
【００７０】
さらに、本発明の製造方法では、通常雰囲気中で、第２電極を第１電極に接合するのが好ましい。Ｎ2雰囲気等の低酸素雰囲気の実現は、コスト上昇の要因となるからである。本発明によれば、通常雰囲気中であっても、接合中の電極間における金属酸化物の生成を抑えることが十分に可能である。
【００７１】
以下、本発明が適用される実施形態を、図面を参照して詳細に説明する。
（実施形態１）
図１に半導体素子を基板に実装する実装装置の一実施形態を斜視図により示す。図２に、実装装置の図１の矢視側面図を示す。図３に、実装装置の制御系統のブロック図を示す。図４に、基板を移送する移送機構の概略構成を示す。
【００７２】
図示例の実装装置１０は、基板１２に半導体素子１４を実装するための装置であり、例えば半導体素子１４としての発光素子を基板１２にフリップチップ実装するフリップチップボンディング装置として構成されている。実装装置１０は、１つの基台２を備えており、その基台２が下記の全てのユニットを支持している。
【００７３】
そして、実装装置１０は、１つの筐体３により上記の全てのユニットを内包した、独立の装置として構成される。なお、図１においては、実装装置１０の内部構造の理解を容易にするために、筐体３は、一部分だけを示している。図中、Ｘ軸方向は実装装置１０の前後方向を示し、Ｙ軸方向は実装装置１０の左右方向を示し、Ｚ軸方向は鉛直上下方向を示す。
【００７４】
実装装置１０は、基板１２の電極１２ａ（第１電極、図６Ａ等参照）に、半導体素子１４の電極（バンプ）１４ａ（第２電極）を超音波接合するための実装ユニット１６と、基板１２に実装される半導体素子１４を供給する半導体素子供給ユニット１８と、基板１２の電極１２ａをプラズマ処理することで電極１２ａの酸化膜を除去するプラズマ処理ユニット２０と、プラズマ処理された電極１２ａに、金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性を有する有色の接合補助剤を供給するディスペンサユニット２２と、樹脂封止ユニット７０と、制御装置８０と、を備える。なお、制御装置８０は、図１には示しておらず、実装装置１０の制御系統を示す図３にだけ示している。
【００７５】
半導体素子供給ユニット１８は、水平方向（Ｘ−Ｙ軸方向）に移動可能な素子供給ステージ２４（素子載置部）と、素子供給ステージ移動機構２５と、素子ピックアップユニット２６とを備える。半導体素子供給ユニット１８は、他に、素子供給ステージカメラ１０２と、エジェクタ１０６とを含む。
【００７６】
素子供給ステージ２４の上面には、複数の半導体素子１４を含むウェハ１０４が、シート状部材１０５に貼り付けられ、バンプ１４ａを上に向けた状態で、載置される。素子供給ステージ移動機構２５は、例えばＸＹテーブル装置から構成されている。素子供給ステージカメラ１０２の光軸は、素子供給ステージ２４上で素子ピックアップユニット２６により半導体素子１４をピックアップすべき位置（素子ピックアップ位置Ｐ１という）と交叉している。
【００７７】
エジェクタ１０６は、素子ピックアップ位置Ｐ１の下方に配置され、ウェハ１０４から、素子ピックアップユニット２６によりピックアップされる半導体素子１４を上に押し出すように動作する。
【００７８】
素子ピックアップユニット２６は、ピックアップヘッド２６ａと、ピックアップツール２６ｂと、ピックアップヘッド２６ａを支持するアーム２６ｃと、ピックアップヘッド移動機構２８と、ピックアップヘッド回転機構２９とを含む。
【００７９】
ピックアップツール２６ｂは軸状部を有し、その軸状部の一端部には、例えば、素子供給ステージ２４から１つの半導体素子１４をピックアップするための吸着ノズルが開口している。ピックアップツール２６ｂの他端部はピックアップヘッド２６ａに接続されている。
【００８０】
ピックアップヘッド２６ａは、水平方向に延びる長軸状のアーム２６ｃの一端部に接続されている。アーム２６ｃの他端部は、ピックアップヘッド移動機構２８およびピックアップヘッド回転機構２９に接続されている。ピックアップヘッド移動機構２８は、図示しないＹ−Ｚ軸方向移動機構を含んでおり、ピックアップヘッド２６ａをＹ軸方向およびＺ軸方向に所定範囲で移動させる。
【００８１】
ピックアップヘッド回転機構２９は、アーム２６ｃを、その軸芯を回転中心として１８０度（半回転）させる機構である。ピックアップツール２６ｂは、軸状部がアーム２６ｃの延びる方向と直交するように、ピックアップヘッド２６ａに取り付けられている。アーム２６ｃが半回転することで、ピックアップツール２６ｂは、先端部が上を向いた状態と下を向いた状態との間で回転される。これにより、ピックアップツール２６ｂにより保持された半導体素子１４は、上下が反転するように回転される。ピックアップツール２６ｂがピックアップする半導体素子１４は、素子供給ステージ２４のＸ−Ｙ軸方向の移動により選択され、エジェクタ１０６によりウェハ１０４から押し上げられる。
【００８２】
実装ユニット１６は、実装ヘッド３０と、実装ヘッド３０に取り付けられて半導体素子１４を保持する実装ツール３０ａと、実装ヘッド３０を移動する実装ヘッド移動機構３２と、基板１２の電極１２ａに半導体素子１４のバンプ１４ａを接合する間、基板１２を保持する実装ステージ（第１基板ステージ）３４と、実装ステージ移動機構１１２（例えばＸＹテーブル）とを含む。実装ユニット１６は、さらに、チップ認識カメラ１０８と、基板認識カメラ１１０とを備えている。実装ヘッド移動機構３２は、実装ヘッド３０をＹ軸方向に移動するＹ軸方向移動機構３２ａと、実装ヘッド３０をＺ軸方向に移動するＺ軸方向移動機構３２ｂとを含む。
【００８３】
実装ヘッド３０は、公知の超音波発振器、加圧手段、トランスデューサー、あるいは超音波ホーン等を含む超音波ヘッドであってもよく、所定の加熱装置、加圧手段等を含む加熱ヘッドであってもよい。実装ツール３０ａは、例えば、半導体素子１４を吸着して保持する吸着ノズルを含む。チップ認識カメラ１０８は、その上方の素子認識位置Ｐ２にて、実装ツール３０ａにより保持された半導体素子１４の画像を撮像して、その保持姿勢を認識する。その保持姿勢が所定の姿勢からずれている場合には、そのずれは、実装ツール３０ａの回転等により修正される。
【００８４】
基板認識カメラ１１０は、基板１２の電極１２ａや位置合せマーク等の画像を撮像して、基板１２上の半導体素子１４の実装位置Ｐ４を認識する。その撮像の際には、実装ステージ移動機構１１２により、実装ステージ（第１基板ステージ）３４がＸ−Ｙ平面内で適宜の位置に移動される。制御装置８０は、認識された実装位置Ｐ４に基づいて、各電極１２ａと、対応する各バンプ１４ａとを接合し得るように位置決めをして、実装ステージ移動機構１１２により実装ステージ３４を移動させる。それと対応して、制御装置８０は、チップ認識カメラ１０８の認識結果に基づいて、実装ヘッド移動機構３２により実装ヘッド３０を移動させる。
【００８５】
本実施形態では、基板認識カメラ１１０は、基板１２に供給された接合補助剤の残存量を検出する検査ユニットとしても機能している。具体的には、基板認識カメラ１１０が実装位置Ｐ４の認識を行う際に基板１２を撮像すると、撮像された画像には、基板１２に供給された有色の接合補助剤の分布状態の映像も含まれている。従って、制御装置８０は、接合補助剤の分布状態（例えば分布面積）から接合補助剤の残存量を検出することが可能である。また、接合補助剤が有色であることから、接合補助剤の分布状態の映像が鮮明に把握されるため、基板認識カメラ１１０の性能によらず、接合補助剤の残存量を比較的正確に算出することが可能である。
【００８６】
実装ヘッド移動機構３２のＹ軸方向移動機構３２ａは、Ｙ軸方向に延びる２本のＹ軸レール３２ｃと、リニアモータの可動子であるＹ軸スライダ３２ｄとを含む。Ｚ軸方向移動機構３２ｂは、Ｙ軸スライダ３２ｄに取り付けられた昇降機構３２ｅと、昇降機構３２ｅにより上下される実装ヘッド支持プレート３２ｆとを含む。実装ヘッド３０は、実装ヘッド支持プレート３２ｆの下端部に取り付けられている。
【００８７】
制御装置８０は、素子ピックアップユニット２６から実装ヘッド３０への半導体素子１４の受け渡し動作が所定の受け渡し位置Ｐ３で行われ、チップ認識カメラ１０８による半導体素子１４の撮像動作が素子認識位置Ｐ２で行われるように、実装ヘッド移動機構３２により実装ヘッド３０の位置決めをする。実装ステージ３４は、加熱手段であるヒータ３４ａを内蔵しており、これにより基板１２を所定の温度（例えば８０〜１５０℃の温度）まで加熱する。
【００８８】
プラズマ処理ユニット２０は、基板１２の電極１２ａの酸化膜を除去するために大気圧プラズマを生成するプラズマヘッド３６と、電極１２ａをプラズマ処理する間、基板１２を保持するプラズマ処理ステージ３８（第２基板ステージ）と、プラズマヘッド移動機構４０と、基板認識カメラ１１４と、プラズマ処理ステージ移動機構３９（図４参照）とを備えている。プラズマヘッド３６は、高圧エアー等を使用して大気圧プラズマを発生させる公知の大気圧プラズマ発生機構を含む。
【００８９】
プラズマヘッド移動機構４０は、Ｘ軸方向に延びる２本のＸ軸レール４０ａと、リニアモータの可動子であるＸ軸スライダ４０ｂとを含む。プラズマヘッド３６は、Ｘ軸スライダ４０ｂに直接的に取り付けられている。
【００９０】
ディスペンサユニット２２は、基板１２の電極１２ａに有色の接合補助剤を塗布して供給する接合補助剤供給ヘッド（ディスペンサ）４２と、接合補助剤供給ヘッド移動機構４４とを備えている。接合補助剤供給ヘッド移動機構４４は、Ｙ軸方向移動機構４４ａおよびＺ軸方向移動機構４４ｂを含む。Ｙ軸方向移動機構４４ａは、上述したＹ軸レール３２ｃと、リニアモータの可動子であるＹ軸スライダ４４ｃとを含む。Ｚ軸方向移動機構４４ｂは、Ｙ軸スライダ４４ｃに取り付けられた昇降機構４４ｄと、昇降機構４４ｄにより上下される接合補助剤供給ヘッド支持プレート４４ｅとを含む。接合補助剤供給ヘッド４２は、接合補助剤供給ヘッド支持プレート４４ｅの下端部に取り付けられている。接合補助剤供給ヘッド（ディスペンサ）４２からは、必要に応じて、基板認識カメラ１１０を利用して、接合補助剤供給位置の位置決め（基板認識）を行った後、基板１２の電極１２ａに有色の接合補助剤を塗布して供給する。
【００９１】
樹脂封止ユニット７０は、封止用樹脂を供給する樹脂供給ヘッド（ディスペンサ）７２と、樹脂供給ヘッド移動機構７４とを備えている。なお、樹脂供給ヘッド７２は接合補助剤供給ヘッド４２とともに接合補助剤供給ヘッド支持プレート４４ｅに取り付けられている。このため、樹脂供給ヘッド移動機構７４は接合補助剤供給ヘッド移動機構４４と共通のＹ軸方向移動機構４４ａおよびＺ軸方向移動機構４４ｂを含む。
【００９２】
図３に、実装装置の制御系統をブロック図により示す。図３に示すように、実装装置１０に備えられる制御装置８０は、素子供給ステージ移動機構２５の作動制御を行って、素子供給ステージ２４を基台２に対してＸ軸方向およびＹ軸方向（水平方向）に移動させる。制御装置８０は、実装ステージ移動機構１１２の作動制御を行って、実装ステージ３４を基台２に対して水平方向に移動させる。制御装置８０は、プラズマ処理ステージ移動機構３９の作動制御を行って、プラズマ処理ステージ３８を基台２に対して水平方向に移動させる。制御装置８０は、プラズマヘッド移動機構４０の作動制御を行って、プラズマヘッド３６をＸ軸方向に移動させる。
【００９３】
制御装置８０は、ピックアップヘッド移動機構２８およびピックアップヘッド回転機構２９の作動制御も行い、ピックアップヘッド２６ａをＹ軸方向およびＺ軸方向に移動させるとともに、Ｘ軸回りに回転させる。制御装置８０は、図示しないピックアップヘッド吸着機構の作動制御を行って、ピックアップツール２６ｂにより半導体素子１４を吸着させる。
【００９４】
制御装置８０は、実装ヘッド移動機構３２のＹ軸方向移動機構３２ａおよびＺ軸方向移動機構３２ｂの作動制御も行い、実装ヘッド３０をＹ軸方向およびＺ軸方向に移動させる。制御装置８０は、図示しない実装ヘッド吸着機構の作動制御を行って、実装ツール３０ａにより半導体素子１４を吸着させる。
【００９５】
制御装置８０は、接合補助剤供給ヘッド（ディスペンサ）移動機構４４のＹ軸方向移動機構４４ａおよびＺ軸方向移動機構４４ｂの作動制御も行い、接合補助剤供給ヘッド４２および樹脂供給ヘッド７２をＹ軸方向およびＺ軸方向に移動させる。制御装置８０は、図示しないディスペンサ機構の作動制御を行って、接合補助剤供給ヘッド４２により接合補助剤の供給を行わせるとともに、樹脂供給ヘッド７２により樹脂の供給を行わせる。
【００９６】
制御装置８０は、さらに、エジェクタ１０６を駆動し、素子ピックアップ位置Ｐ１にある半導体素子１４を上方に突き上げさせる。
【００９７】
制御装置８０は、さらに、素子供給ステージカメラ１０２の作動制御を行って、素子ピックアップ位置Ｐ１を含む所定領域の撮像動作を行わせる。制御装置８０は、基板認識カメラ１１０の作動制御を行って、実装位置Ｐ４を含む所定領域の撮像動作を行わせる。更に、制御装置８０は、必要なタイミングで撮像された画像を分析して、接合補助剤の残存量をその分布状態から算出し、残存量が不足する場合には、接合補助剤供給ヘッド４２により接合補助剤の基板１２への再供給を行わせる。さらに、制御装置８０は、素子認識カメラ１０８の作動制御を行って、チップ認識位置Ｐ２を含む所定領域の撮像動作を行わせる。上記の各撮像動作により得られた画像は制御装置８０に入力される。
【００９８】
以下、図５のフローチャートならびに図６Ａ〜図６Ｅの説明図を参照して、図１の実装装置１０により半導体素子１４を基板１２に実装する手順を説明する。
【００９９】
図６Ａに示すように、基板１２の上面には複数の配線１１が形成されており、配線１１の端部が電極１２ａ（第１電極）として形成されている。図６Ｃ〜図６Ｅに示すように、半導体素子１４の一例である発光素子（ＬＥＤチップ）は、それぞれの電極に接続されたバンプ１４ａ（第２電極）を備えている。ここで、基板１２の配線１１は、例えば銅（Ｃｕ）から形成され、電極１２ａは、同様にＣｕから形成される。半導体素子１４のバンプ１４ａは、例えば金（Ａｕ）から形成される。図６Ａに示すように、基板１２の電極１２ａは、酸化膜１３により覆われている。なお、図６Ａにおいては、視認性の観点から、酸化膜１３の厚みのスケールを大きくしている。
【０１００】
（酸化膜除去処理）
基板１２に半導体素子１４を実装する前の準備工程として、プラズマ処理ステージ３８で、基板１２の電極１２ａをプラズマ処理して、電極１２ａから酸化膜１３を除去する（Ｓ１）。
【０１０１】
具体的には、基板１２を、電極１２ａを上に向けて、プラズマ処理ステージ３８（第２基板ステージ）により保持した状態で、プラズマヘッド３６により大気圧プラズマを発生させる。プラズマヘッド３６により発生された大気圧プラズマは、プラズマヘッド３６の下面に設けたプラズマ照射部を介して基板１２の各電極１２ａに照射される。これにより、電極１２ａおよびその近傍の配線１１の酸化膜１３が除去される。このとき、プラズマ処理ステージ３８の内部に備えられたヒータ３８ａ（図４参照）により、基板１２を、例えば５０〜１００℃の温度となるまで加熱する。また、このとき同時に、酸化膜除去処理された他の基板１２に対して、図６Ｃ〜図６Ｄにより示すように、半導体素子１４の超音波接合処理が実行される。
【０１０２】
プラズマ処理が終了すると、図４に示すように、プラズマ処理ステージ３８に備えられた基板昇降機構３７により基板１２の左右の端部を支持し、基板１２を上昇させる。これにより、基板１２がプラズマ処理ステージ３８から持ち上げられ、その状態で、移送機構３５が備える移送ツメ３５ａを、基板１２のＸ軸方向における前側の端部に接触させる。そして、移送ツメ３５ａにより基板１２をＸ軸方向における後側に押圧することにより、基板１２が実装ステージ３４（第１基板ステージ）の方に押し出されて移送される。なお、移送ツメ３５ａは、基板１２を移送するとき以外は異なる場所に退避している。
【０１０３】
（接合補助剤供給工程）
移送機構３５により基板１２がプラズマ処理ステージ３８から実装ステージ３４へ移送されると、実装ステージ３４により基板１２が保持される。その状態で、基板認識カメラ１１０による認識結果に基づいて、実装ステージ移動機構１１２により実装ステージ３４を移動させることで、基板１２の位置決めを行う。その後、図６Ｂに示すように、基板２の配線１１および電極１２ａに、接合補助剤供給ヘッド４２により接合補助剤７を供給する（Ｓ２）。
【０１０４】
ここで、接合補助剤は、グリセリン１００質量部に対してソルベントイエロー５６を５質量部溶解した液状またはペースト状の色素溶液である。接合補助剤を、超音波接合処理の前に電極１２ａに供給することで、酸化膜除去処理で未処理の酸化膜１３があれば、その酸化膜１３が除去される。さらに、電極１２ａとバンプ１４ａとの接触部の周囲が接合補助剤７により覆われることで、両電極を超音波接合する際に生成される金属酸化物（銅の酸化物）を除去することができ、両電極の接合界面に金属酸化物が介在されるのを防止することができる。接合補助剤は、超音波接合が行われた後は、後述する接合補助剤除去処理により、接合界面およびその近傍から蒸発して除去される。
【０１０５】
（半導体素子供給工程）
素子供給ステージ２４から１個の半導体素子１４を、素子ピックアップユニット２６のピックアップツール２６ｂにより吸着して、保持する。その状態で、ピックアップヘッド移動機構２８によりピックアップヘッド２６ａを移動させるとともに、ピックアップヘッド回転機構２９によりアーム２６ｃを半回転（１８０°回転）させる。これにより、半導体素子１４の上下が反転されて、半導体素子１４が受け渡し位置Ｐ３まで移動され、実装ツール３０ａに受け渡される。このようにして、半導体素子１４が実装ツール３０ａにより保持される（Ｓ３）。
【０１０６】
（基板認識／接合補助剤残存量検出処理）
実装ツール３０ａは、半導体素子１４を保持した状態で、各バンプ１４ａが各電極１２ａと対応するように、半導体素子１４を実装位置Ｐ４の上方に移動させる。その状態で、基板認識カメラ１１０による認識結果に基づいて、実装ステージ移動機構１１２により実装ステージ３４を移動させることで、基板１２の位置決めを行う。同時に、基板認識カメラ１１０により撮像された画像内の接合補助剤の分布状態（例えば分布面積）から接合補助剤の残存量が検出される（Ｓ４）。
【０１０７】
制御装置８０が、接合補助剤の残存量が十分であると判断すると、次の超音波接合処理に移行する。一方、制御装置８０が、接合補助剤の残存量が不足していると判断した場合には、接合補助剤供給ヘッド４２による接合補助剤７の供給が再度行われる（Ｓ５）。その後、次の超音波接合処理に移行する。
【０１０８】
（超音波接合処理）
制御装置８０は、接合補助剤７の残存量が確認された後、実装ヘッド３０を下降させ、各バンプ１４ａを、対応する各電極１２ａに押し付けようにして接触させる。このとき、各電極１２ａおよびその近傍の配線１１上には、接合補助剤７が供給されているために、バンプ１４ａと電極１２ａとの接触面の周囲は、接合補助剤７により覆われた状態となっている（図６Ｃ参照）。
【０１０９】
図６Ｃの状態で、実装ヘッド３０において発生された超音波振動を、実装ツール３０ａを通して半導体素子１４に付与する。これにより、バンプ１４ａと電極１２ａとの接触面に摩擦が発生して、バンプ１４ａと電極１２ａとが金属接合（すなわち、超音波接合）される（Ｓ６）。その後、実装ヘッド３０における超音波振動の発生を停止し、実装ツール３０ａによる半導体素子１４の保持を解除する。その後、実装ヘッド３０を上昇させて、実装ツール３０ａを半導体素子１４から離脱させる。
【０１１０】
基板１２に対する全ての半導体素子１４の実装が完了すると、次の接合補助剤除去処理に移行する（Ｓ７のＹｅｓ）。一方、基板１２に対する全ての半導体素子１４の実装が完了していない場合には（Ｓ７のＮｏ）、ステップＳ２に戻り、基板１２の次の実装位置に接合補助剤の供給が行われ、ステップＳ３以降が繰り返される。
【０１１１】
（接合補助剤除去処理）
次に、基板１２と半導体素子１４との間に残存している接合補助剤７の除去を行う（Ｓ８）。具体的には、ヒータ３４ａにより実装ステージ３４を介して基板１２を加熱することにより、接合補助剤７の蒸発を促進させて、接合補助剤７の除去を行う。あるいは、図示しないファンにより、熱風を吹き付けることで、接合補助剤７の蒸発を促進させてもよい。以上の処理により、図６Ｄに示すように、基板１２と半導体素子１４との間に残存していた接合補助剤７が除去される。
【０１１２】
なお、接合補助剤除去処理は、超音波接合処理後に残存する接合補助剤を、後述する樹脂封止工程に先立って除去することが目的であるため、残存する接合補助剤の量に応じて接合補助剤除去処理の実施の必要性を検討し、場合によっては接合補助剤除去処理を省略しても良い。
【０１１３】
（樹脂封止処理）
次に、基板１２と半導体素子１４との接合部分などを樹脂によって封止して、半導体素子実装基板１を完成させる（Ｓ９）。具体的には、電極１２ａとバンプ１４ａとの接合部を含めて、配線１１、電極１２ａ、およびバンプ１４ａの表面を覆うように樹脂供給ヘッド７２により樹脂２１を塗布する。これにより、図６Ｅに示すように、半導体素子１４と基板１２との間を樹脂２１により封止する。半導体素子１４が発光素子であれば、樹脂２１には、光透過性を有する樹脂を用いるのが好ましい。
【０１１４】
上述のように、超音波接合では、バンプ１４ａが電極１２ａに押し付けられた状態で、半導体素子１４に超音波振動が付与される。このため、摩擦熱により、バンプ１４ａと電極１２ａとの接触部は局所的に高温になる。これにより、例えば電極１２ａがＣｕを含んでいるような場合に電極１２ａのバンプ１４ａとの接触面が酸化しても、還元性を有する接合補助剤により摩擦面の周囲が覆われているので、金属酸化物の生成を抑制することができ、接合界面に金属酸化物が混入するのを防止することができる。これにより、十分な接合強度を確保することができる。このとき、接合補助剤７による還元反応は、上記の摩擦熱により促進される。したがって、より効果的に、超音波接合中の金属酸化物の生成を抑制することができる。また、酸化膜除去処理で、処理量の制御が容易なプラズマ処理により酸化被膜を除去することから、酸化被膜の除去が不十分であることに起因して、接合の信頼性が低下するのを防止することもできる。
【０１１５】
なお、基板１２に複数の半導体素子１４を実装する場合には、上記の接合補助剤供給処理（Ｓ２）において、複数の半導体素子１４に対応する電極１２ａが覆われるように、基板１２に接合補助剤７を供給してもよい。ただし、上記の基板認識／接合補助剤残存量検出処理（Ｓ４）では、半導体素子を実装する際に毎回、接合補助剤の残存量を確認すると、実装プロセスの効率を向上させることが困難となる場合がある。
【０１１６】
そこで、図７のフローチャートに示すように、複数の半導体素子１４を幾つかのグループに区分し、グループ毎に、半導体素子１４の供給（Ｓ３）と、基板１２と半導体素子１４との位置合わせのための基板認識（Ｓ４ａ）と、半導体素子１４の実装（Ｓ５ａ）とを複数回繰り返し、１つのグループ内の半導体素子１４の実装が完了する毎に、接合補助剤の残存量を検出する（Ｓ６ａ）。例えば、基板１２に２００個の半導体素子１４を実装する場合には、１００個の半導体素子１４の実装を完了する毎に、残りの電極１２ａを覆う接合補助剤の残存量を検出する。
【０１１７】
直近に実装が完了した半導体素子１４の近傍における接合補助剤の残存量が十分である場合には、そのまま次のグループの実装に移行する。一方、直近に実装が完了した半導体素子１４の近傍における接合補助剤の残存量が不十分である場合には、残りの半導体素子１４を実装する際に、接合補助剤が不足するおそれがあると考えられる。従って、実装が完了していない残りの電極１２ａに対し、接合補助剤供給ヘッド４２による接合補助剤７の再供給が行われる（Ｓ７ａ）。その後、次のグループの半導体素子１４の供給（Ｓ３）と、基板１２と半導体素子１４との位置合わせのための基板認識（Ｓ４ａ）と、半導体素子１４の実装（Ｓ５ａ）とが、グループ内の全ての半導体素子１４の実装を完了するまで繰り返される。そして、そのグループの半導体素子１４の実装を完了した時点で、接合補助剤の残存量が検出される。
【０１１８】
以上のように、本発明によれば、有色の接合補助剤を用いていることから、実装装置が具備する認識装置（検査ユニット）により、基板上における接合補助剤の存在量を容易に把握できる。よって、基板への接合補助剤の供給量を安定化させることが容易となり、さらに、接合補助剤が不足している状態で半導体素子の実装が行われるのを防止することができる。また、目視で接合補助剤の存在を確認できることから、予期せず揮散した接合補助剤が実装装置内に付着した場合でも、実装装置のメンテナンスが容易となるという付随的効果も得られる。
【０１１９】
本発明を現時点での好ましい実施態様に関して説明したが、そのような開示を限定的に解釈してはならない。種々の変形および改変は、上記開示を読むことによって本発明に属する技術分野における当業者には間違いなく明らかになるであろう。したがって、添付の請求の範囲は、本発明の真の精神および範囲から逸脱することなく、すべての変形および改変を包含する、と解釈されるべきものである。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明は、Ａｕ−Ｃｕ接合やＣｕ−Ｃｕ接合を行う半導体素子の実装、特にフリップチップ実装の分野において有用である。
【符号の説明】
【０１２１】
７：接合補助剤、１０：実装装置、１２：基板、１２ａ：第１電極、１４：半導体素子、１４ａ：バンプ、１６：実装ユニット、１８：半導体素子供給ユニット、２０：プラズマ処理ユニット、２２：接合補助剤供給ユニット、３０：実装ヘッド、３５：移送機構、３６：プラズマヘッド、４２：接合補助剤供給ヘッド
【図１】
2013175692.tif 000003
【図２】
2013175692.tif 000004
【図３】
2013175692.tif 000005
【図４】
2013175692.tif 000006
【図５】
2013175692.tif 000007
【図６Ａ】
2013175692.tif 000008
【図６Ｂ】
2013175692.tif 000009
【図６Ｃ】
2013175692.tif 000010
【図６Ｄ】
2013175692.tif 000011
【図６Ｅ】
2013175692.tif 000012
【図７】
2013175692.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月18日(2013.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属同士の接合を補助する接合補助剤であって、
金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、前記溶媒に溶解する着色剤と、を含み、
前記溶媒は、分子量５０〜２００の多官能アルコールを含み、
前記着色剤は、前記溶媒とともに揮発する性質を有する、接合補助剤。
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
前記溶媒の沸点Ｔｂと、前記着色剤の融点Ｔｍとが、Ｔｂ＞Ｔｍを満たす、請求項１記載の接合補助剤。
【請求項４】
目視により認識できる色相、彩度および明度を有する、請求項１または３記載の接合補助剤。
【請求項５】
２５℃における粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓである、請求項１、３〜４のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項６】
前記着色剤が、有機色素である、請求項１、３〜５のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項７】
前記有機色素が、アゾ化合物、シアニン化合物およびスチリル化合物よりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項６記載の接合補助剤。
【請求項８】
前記着色剤の含有量が、０．０１〜５０質量％である、請求項１、３〜７のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項９】
（削除）
【請求項１０】
（削除）
【請求項１１】
前記多官能アルコールが、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、カルビトールおよびセロソルブアルコールよりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１０記載の接合補助剤。
【請求項１２】
金属同士の接合を補助する接合補助剤の製造方法であって、
金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、前記溶媒に対する溶解性を有する着色剤と、を混合する工程、を有し、
前記溶媒は、分子量５０〜２００の多官能アルコールを含み、
前記着色剤は、前記溶媒とともに揮発する性質を有する、接合補助剤の製造方法。
【請求項１３】
前記溶媒の沸点Ｔｂと前記着色剤の融点Ｔｍとが、Ｔｂ＞Ｔｍの関係を有し、
前記溶媒の沸点Ｔｂより低く、かつ前記着色剤の融点Ｔｍより高い温度で、前記混合された溶媒と着色剤とを同時に加熱する工程、を有する、請求項１２記載の接合補助剤の製造方法。
【請求項１４】
前記溶媒と着色剤との混合物に、前記溶媒と前記着色剤に対する両親媒性物質を含ませる、請求項１２または１３記載の接合補助剤の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月17日(2014.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属同士の接合を補助する接合補助剤であって、
金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、前記溶媒に溶解する着色剤と、を含み、
前記溶媒は、分子量５０〜２００の多官能アルコールを含み、
前記着色剤は、前記溶媒とともに揮発する性質を有する、接合補助剤。
【請求項２】
前記溶媒の沸点Ｔｂと、前記着色剤の融点Ｔｍとが、Ｔｂ＞Ｔｍを満たす、請求項１記載の接合補助剤。
【請求項３】
目視により認識できる色相、彩度および明度を有する、請求項１または２記載の接合補助剤。
【請求項４】
２５℃における粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓである、請求項１〜３のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項５】
前記着色剤が、有機色素である、請求項１〜４のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項６】
前記有機色素が、アゾ化合物、シアニン化合物およびスチリル化合物よりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項５記載の接合補助剤。
【請求項７】
前記着色剤の含有量が、０．０１〜５０質量％である、請求項１〜６のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項８】
前記多官能アルコールが、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、カルビトールおよびセロソルブアルコールよりなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜７のいずれか１項記載の接合補助剤。
【請求項９】
金属同士の接合を補助する接合補助剤の製造方法であって、
金属の表面酸化膜を除去する作用を有する還元性の溶媒と、前記溶媒に対する溶解性を有する着色剤と、を混合する工程、を有し、
前記溶媒は、分子量５０〜２００の多官能アルコールを含み、
前記着色剤は、前記溶媒とともに揮発する性質を有する、接合補助剤の製造方法。
【請求項１０】
前記溶媒の沸点Ｔｂと前記着色剤の融点Ｔｍとが、Ｔｂ＞Ｔｍの関係を有し、
前記溶媒の沸点Ｔｂより低く、かつ前記着色剤の融点Ｔｍより高い温度で、前記混合された溶媒と着色剤とを同時に加熱する工程、を有する、請求項９記載の接合補助剤の製造方法。
【請求項１１】
前記溶媒と着色剤との混合物に、前記溶媒と前記着色剤に対する両親媒性物質を含ませる、請求項９または１０記載の接合補助剤の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、実装装置には、一般に、基板に半導体素子を実装する際の基板と半導体素子との位置合わせを行うための半導体素子認識カメラと基板認識カメラとが設けられている。検査ユニットを構成する画像認識カメラは、このような半導体素子または基板認識カメラと共通であってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
（接合補助剤供給工程）
移送機構３５により基板１２がプラズマ処理ステージ３８から実装ステージ３４へ移送されると、実装ステージ３４により基板１２が保持される。その状態で、基板認識カメラ１１０による認識結果に基づいて、実装ステージ移動機構１１２により実装ステージ３４を移動させることで、基板１２の位置決めを行う。その後、図６Ｂに示すように、基板１２の配線１１および電極１２ａに、接合補助剤供給ヘッド４２により接合補助剤７を供給する（Ｓ２）。
【国際調査報告】
2013175692.tif 000014
2013175692.tif 000015
2013175692.tif 000016
2013175692.tif 000017