(57)【要約】  樹脂を基板に塗布して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層に所定形状とされたテンプレートを接触させるテンプレート接触工程と、前記樹脂層から前記テンプレートを離脱させるテンプレート離脱工程と、を具備し、前記樹脂層を硬化させるインプリント方法であって、前記樹脂の周囲の雰囲気を、第１の圧力まで減圧する第１の減圧工程と、前記第１の圧力より高い第２の圧力に昇圧する第１の昇圧工程と、前記第２の圧力より低い第３の圧力まで減圧する第２の減圧工程と、前記第３の圧力より高い第４の圧力に昇圧する第２の昇圧工程と、を少なくとも含む脱気工程を、前記樹脂層に前記テンプレートを接触させる以前に行う。
2013183262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂を基板に塗布して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層に所定形状とされたテンプレートを接触させるテンプレート接触工程と、
前記樹脂層から前記テンプレートを離脱させるテンプレート離脱工程と、
を具備し、前記樹脂層を硬化させるインプリント方法であって、
前記樹脂の周囲の雰囲気を、第１の圧力まで減圧する第１の減圧工程と、前記第１の圧力より高い第２の圧力に昇圧する第１の昇圧工程と、前記第２の圧力より低い第３の圧力まで減圧する第２の減圧工程と、前記第３の圧力より高い第４の圧力に昇圧する第２の昇圧工程と、を少なくとも含む脱気工程を、前記樹脂層に前記テンプレートを接触させる以前に行う
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
請求項１記載のインプリント方法であって、
前記テンプレート接触工程を、減圧雰囲気下で行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項３】
請求項２記載のインプリント方法であって、
前記テンプレート接触工程の減圧雰囲気の圧力より、前記脱気工程における圧力の最小値の方が低いことを特徴とするインプリント方法。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載のインプリント方法であって、
前記基板上に前記樹脂を滴下した後、前記樹脂を前記基板に塗り拡げる前に、前記脱気工程を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載のインプリント方法であって、
前記基板上に前記樹脂を滴下する前に前記樹脂を気密容器内に収容し、前記脱気工程を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載のインプリント方法であって、
前記樹脂が光を照射することによって硬化する樹脂であり、前記樹脂層に、前記樹脂を硬化させる波長域の光を照射して硬化させる
ことを特徴とするインプリント方法。
【請求項７】
樹脂を基板に滴下する滴下機構と、
前記基板に滴下された前記樹脂を前記基板に塗布して樹脂層を形成する塗布機構と、
前記樹脂層に所定形状とされたテンプレートを接触及び離脱させるインプリント機構と、
前記樹脂層を硬化させる硬化機構と、
前記樹脂の周囲の雰囲気を、減圧及び昇圧する圧力調整機構と、
前記滴下機構と、前記塗布機構と、前記インプリント機構と、前記硬化機構と、前記圧力調整機構とを制御する制御プログラムが格納された記憶手段を有する制御器と
を具備したインプリント装置であって、
前記制御器は、前記インプリント機構により前記樹脂層に前記テンプレートを接触させる以前に、前記圧力調整機構により、前記樹脂の周囲の雰囲気を、第１の圧力まで減圧する第１の減圧工程と、前記第１の圧力より高い第２の圧力に昇圧する第１の昇圧工程と、前記第２の圧力より低い第３の圧力まで減圧する第２の減圧工程と、前記第３の圧力より高い第４の圧力に昇圧する第２の昇圧工程と、を少なくとも含む脱気工程を実施して前記樹脂の脱気を行う
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項８】
請求項７記載のインプリント装置であって、
前記樹脂が光を照射することによって硬化する樹脂であり、
前記硬化機構は、前記樹脂層に、当該樹脂を硬化させる波長域の光を照射する
ことを特徴とするインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント方法及びインプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば、半導体ウエハ、ＬＣＤ用のガラス基板等の基板上に、光、例えば紫外線の照射により重合して固化する樹脂等からなる樹脂層を形成し、所定形状のパターンを形成されたテンプレートを接触させ、この状態で樹脂層に紫外線を照射して固化し、テンプレートのパターン形状を樹脂層に転写するインプリント方法が知られている。【０００３】
このようなインプリント方法では、樹脂層とテンプレートとを接触させる際に、周囲の空気が樹脂層とテンプレートとの間に入り込む可能性がある。そして、このように樹脂層とテンプレートとの間に周囲の空気が入り込むと、樹脂層に転写されるパターンの形状が不良となってしまう。このため、周囲の雰囲気を減圧雰囲気として樹脂層とテンプレートとを接触させる方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０１２８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、減圧雰囲気下で樹脂層とテンプレートとを接触させる方法では、樹脂層とテンプレートとを接触させる際に、周囲の空気が樹脂層とテンプレートとの間に入り込むことは防止できる。しかしながら、基板に塗布する以前や、樹脂を基板に塗布する際にも周囲の空気が樹脂層内に入り込む可能性がある。このため、従来の技術では、気泡の除去が十分ではなく、形成された樹脂製パターンの形状が不良になる場合があるという問題があった。【０００６】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたものであり、良好な形状の樹脂製パターンを確実に形成することのできるインプリント方法及びインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のインプリント方法の一態様は、樹脂を基板に塗布して樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層に所定形状とされたテンプレートを接触させるテンプレート接触工程と、前記樹脂層から前記テンプレートを離脱させるテンプレート離脱工程と、を具備し、前記樹脂層を硬化させるインプリント方法であって、前記樹脂の周囲の雰囲気を、第１の圧力まで減圧する第１の減圧工程と、前記第１の圧力より高い第２の圧力に昇圧する第１の昇圧工程と、前記第２の圧力より低い第３の圧力まで減圧する第２の減圧工程と、前記第３の圧力より高い第４の圧力に昇圧する第２の昇圧工程と、を少なくとも含む脱気工程を、前記樹脂層に前記テンプレートを接触させる以前に行うことを特徴とする。【０００８】
本発明のインプリント装置の一態様は、樹脂を基板に滴下する滴下機構と、前記基板に滴下された前記樹脂を前記基板に塗布して樹脂層を形成する塗布機構と、前記樹脂層に所定形状とされたテンプレートを接触及び離脱させるインプリント機構と、前記樹脂層を硬化させる硬化機構と、前記樹脂の周囲の雰囲気を、減圧及び昇圧する圧力調整機構と、前記滴下機構と、前記塗布機構と、前記インプリント機構と、前記硬化機構と、前記圧力調整機構とを制御する制御プログラムが格納された記憶手段を有する制御器とを具備したインプリント装置であって、前記制御器は、前記インプリント機構により前記樹脂層に前記テンプレートを接触させる以前に、前記圧力調整機構により、前記樹脂の周囲の雰囲気を、第１の圧力まで減圧する第１の減圧工程と、前記第１の圧力より高い第２の圧力に昇圧する第１の昇圧工程と、前記第２の圧力より低い第３の圧力まで減圧する第２の減圧工程と、前記第３の圧力より高い第４の圧力に昇圧する第２の昇圧工程と、を少なくとも含む脱気工程を実施して前記樹脂の脱気を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、良好な形状の樹脂製パターンを確実に形成することのできるインプリント方法及びインプリント装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態のインプリント方法の工程を説明するための図。
【図２】実施形態に係る脱気機構の構成を示す図。
【図３】実施形態に係る脱気機構における圧力の変化の状態を示すグラフ。
【図４】実施形態に係る滴下／塗布モジュールの構成を示す図。
【図５】実施形態に係るインプリントモジュールの構成を示す図。
【図６】第１実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【図７】実施形態に係る滴下／脱気モジュールの構成を示す図。
【図８】実施形態に係る塗布モジュールの構成を示す図。
【図９】第２実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【図１０】実施形態に係る脱気モジュールの構成を示す図。
【図１１】第３実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【図１２】滴下／脱気／塗布モジュールの構成を示す図。
【図１３】第４実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【図１４】第５実施形態のインプリント装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態に係るインプリント方法の工程を模式的に示す図である。このインプリント方法は、半導体ウエハ、ＬＣＤ用のガラス基板等の基板１上に、樹脂層３を所定形状とした樹脂製パターン４、例えば、エッチングマスク或いは光学素子用のレンズ等を形成するためのものである。
【００１３】
本実施形態のインプリント方法では、図１に示すように、先ず、基板１の略中心上に、光硬化性樹脂２を滴下する（図１（ａ））。光硬化性樹脂２は、光、例えば紫外線を照射することによって重合し、硬化する樹脂であり、例えば、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等からなる光硬化性樹脂２を用いることができる。
【００１４】
次に、基板１上に滴下した光硬化性樹脂２を、基板１の全面に塗布し塗り拡げて、光硬化性樹脂２からなる樹脂層３を形成する（図１（ｂ））。なお、この場合、後述するように、基板１を回転させて遠心力により拡散させるスピンコーティング装置を使用することができる。また、樹脂層３の厚さは、例えば、数ミクロン（例えば、１〜１０μｍ）程度とする。
【００１５】
次に、樹脂層３にテンプレート６を対向させて位置決めを行い（図１（ｃ））、樹脂層３にテンプレート６を接触させ、この状態で紫外線５を樹脂層３に照射して樹脂層３における重合による固化を進行させる（図１（ｄ））。なお、紫外線５の照射は、図１（ｄ）に示すように、テンプレート６の上方からテンプレート６を介して行う方法の他、側方から照射する方法を用いてもよい。
【００１６】
そして、樹脂層３における重合による固化が進行し、テンプレート６を離脱させても樹脂層３に転写された形状（樹脂製パターン４）が維持される状態となった後、樹脂層３（樹脂製パターン４）からテンプレート６を離脱させる離型工程を行う（図１（ｅ））。
【００１７】
また、本実施形態では、上記のように樹脂層３にテンプレート６を接触させる前に、光硬化性樹脂２の周囲の雰囲気の圧力を調整することによって、光硬化性樹脂２の脱気を行う。本実施形態における脱気工程では、例えば、図２に示すように構成された脱気機構１５を使用する。この脱気機構１５は、内部に光硬化性樹脂２を収容するタンク１５０を具備している。
【００１８】
タンク１５０の天井部には、樹脂導入ライン１５１が接続されており、この樹脂導入ライン１５１には、樹脂導入バルブ１５１ａが介挿されている。また、タンク１５０の底部には、樹脂排出ライン１５２が接続されており、この樹脂排出ライン１５２には、樹脂排出バルブ１５２ａが介挿されるとともに、樹脂排出ライン１５２の先端にはノズル１３が接続されている。
【００１９】
タンク１５０の側壁部には、ガス導入ライン１５３と、ガス排気ライン１５４が接続されている。ガス導入ライン１５３には、ガス導入バルブ１５３ａが介挿されている。また、ガス排気ライン１５４には、排気バルブ１５４ａが介挿されるとともに、排気ライン１５４の先端には、真空ポンプ１５５が接続されている。
【００２０】
上記構成の脱気機構１５では、樹脂導入バルブ１５１ａを開けて樹脂導入ライン１５１からタンク１５０内に光硬化性樹脂２を導入する。そして、真空ポンプ１５５を作動させ、排気バルブ１５４ａを開けることによって、光硬化性樹脂２の脱気を行う。この際、タンク１５０内の圧力が、縦軸を雰囲気圧力、横軸を時間とした図３のグラフに示すように、一定の低い圧力である第１の圧力とする第１の減圧工程と、第１の圧力より高い第２の圧力とする第１の昇圧工程と、第２の圧力より低い第３の圧力とする第２の減圧工程と、第３の圧力より高い第４の圧力と第２の昇圧工程と、を含む脱気工程が実施されるように制御される。
【００２１】
上記第１の圧力としては、例えば、大気圧の１／１００程度（１ｋＰａ程度）とすることが好ましく、第２の圧力としては、例えば、大気圧より若干高い程度の圧力とすることが好ましい。第１の圧力と第３の圧力は同一の圧力であっても、異なる圧力であってもよい。同様に、第２の圧力と第４の圧力は同一の圧力であっても、異なる圧力であってもよい。
【００２２】
第１の圧力と第３の圧力は同一であり、第２の圧力と第４の圧力は同一の圧力で有る場合は、実質的にタンク１５０内の圧力が、第１の圧力となった状態と、第１の圧力より高い第２の圧力となった状態とが交互に複数回繰り返されることになる。
【００２３】
この場合、ガス排気ライン１５４によるタンク１５０内からの排気と、ガス導入ライン１５３からのタンク１５０内へのガス導入とを制御することによって、上記の工程が実現される。
【００２４】
このように、圧力が低い状態と、圧力が高い状態とを交互に繰り返すことによって、単に一定圧力に減圧した状態を一定時間維持する場合に比べて、より効率的に光硬化性樹脂２の脱気を行うことができる。これは、周囲の雰囲気の圧力が変動することにより、光硬化性樹脂２内の気泡が膨張、収縮状態を動的に繰り返すためと推測される。この場合、減圧する際に圧力を下げ過ぎないようにし、昇圧する際に圧力を上げ過ぎないようにすることによって、より短時間で効率的に脱気を行うことができる。
【００２５】
例えば、光硬化性樹脂２を目視しながら、一定圧力に減圧した状態を一定時間維持する方法で脱気を行ったところ、３分間減圧した状態を維持しても、光硬化性樹脂２内に存在する気泡を除去することができなかった。一方、圧力が低い状態と、圧力が高い状態とを交互に繰り返す上記の脱気工程を実施したところ、３分間の脱気工程により、光硬化性樹脂２内に存在する気泡を完全に除去することができた。
【００２６】
次に、本実施形態に係るインプリント装置について説明する。上記の本実施形態のインプリント方法の各工程のうち、基板１に光硬化性樹脂２を滴下する工程、及び、滴下した光硬化性樹脂２を基板１に塗布して樹脂層３を形成する塗布工程には、例えば、図４に示す構成の滴下／塗布モジュール１０を使用することができる。
【００２７】
図４に示す滴下／塗布モジュール１０では、処理室１１内に、基板１を載置して回転可能とされた回転ステージ１２と、光硬化性樹脂２を供給するためのノズル１３とが配設されている。そして、回転ステージ１２上に載置された基板１の略中心上に、ノズル１３から光硬化性樹脂２を滴下し、回転ステージ１２によって基板１を回転させることによって、基板１上に滴下した光硬化性樹脂２を遠心力によって拡散させ、基板１の全面に光硬化性樹脂２を塗布して樹脂層を形成する。本実施形態では、前述した脱気機構１５と上記構成の樹脂塗布モジュール１０とを組み合わせて使用し、脱気機構１５によって脱気された光硬化性樹脂２を、ノズル１３から基板１に供給する。
【００２８】
また、樹脂層３にテンプレート６を接触させる工程と、樹脂層３に紫外線５を照射する工程、及び樹脂層３からテンプレート６を脱離させる工程（インプリント工程）には、例えば、図５に示すインプリントモジュール３０を用いることができる。このインプリントモジュール３０では、処理室３１内に、所定のパターン６ａが形成されたテンプレート６を保持する上側ステージ３２と、基板１を保持する下側ステージ３３とが配設されており、これらのうちの少なくとも一方に上下動可能とする駆動機構（図示せず。）が配設されている。また、駆動機構には、基板１とテンプレート６を位置合せする位置合わせ機構が配設されている。
【００２９】
また、処理室３１の天井部には、紫外線を照射するためのＵＶ光源２３が配設されている。このＵＶ光源２３としては、例えばＬＥＤからなり、波長が３６５ｎｍ程度、３００ｍＷ程度のＵＶランプ等を用いることができる。さらに、処理室３１には、ガス排気ライン２４と窒素ガス等のガスを供給するためのガス供給ライン２５が接続されている。ガス排気ライン２４には、真空ポンプ２４ａが接続されており、排気バルブ２４ｂが介挿されている。また、ガス供給ライン２５には、供給バルブ２５ａが介挿されている。
【００３０】
上記構成のインプリントモジュール３０では、基板１とテンプレート６を所定の位置に位置合せし、基板１の樹脂層３にテンプレート６を接触させる。そして、ＵＶ光源２３から紫外線５を照射することによって樹脂層３を硬化させる。この際、光硬化性樹脂（ＵＶ硬化樹脂）の中には、雰囲気中に酸素が存在すると硬化し難いものがある。このため、処理室３１の内部を減圧雰囲気或いは窒素充填雰囲気等とすることができるようになっている。そして、樹脂層３の硬化が進行した後、基板１の樹脂層３からテンプレート６を脱離させることによって、テンプレート６に形成された所定のパターン６ａを、樹脂層３に転写する。なお、本実施形態では、樹脂層３にテンプレート６を接触させる際に、樹脂層３に気泡が混入することを防止するため、処理室３１の内部を減圧雰囲とした状態で、インプリント工程を実施する。
【００３１】
次に、上記構成の滴下／塗布モジュール１０と、脱気機構１５と、インプリントモジュール３０等を組み合わせて構成したインプリント装置１００の実施形態について図６を参照して説明する。
【００３２】
図６に示す第１実施形態のインプリント装置１００では、図中左側端部にロード／アンロードポート１０１が配設されており、このロード／アンロードポート１０１に搬送モジュール１０２が接続されている。そして、搬送モジュール１０２に沿って図中左側から、滴下／塗布モジュール１０及び脱気機構１５と、インプリントモジュール３０が配設されている。
【００３３】
また、インプリント装置１００は、制御器１１０を備えている。そして、上記のロード／アンロードポート１０１、搬送モジュール１０２、滴下／塗布モジュール１０及び脱気機構１５、インプリントモジュール３０等は、制御器１１０によって統括的に制御される。
【００３４】
制御器１１０には、ＣＰＵを備えインプリント装置１００の各部を制御するプロセスコントローラ１１１と、ユーザインターフェース部１１２と、記憶部１１３とが設けられている。
【００３５】
ユーザインターフェース部１１２は、工程管理者がインプリント装置１００を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、インプリント装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００３６】
記憶部１１３には、インプリント装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ１１１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部１１２からの指示等にて任意のレシピを記憶部１１３から呼び出してプロセスコントローラ１１１に実行させることで、プロセスコントローラ１１１の制御下で、インプリント装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３７】
上記ロード／アンロードポート１０１には、例えば半導体ウエハを収容したフープ又はカセットが載置される。そして、搬送モジュール１０２に配設された搬送ロボットによって、フープ又はカセットから半導体ウエハが取り出され、まず、滴下／塗布モジュール１０に搬入される。そして、滴下／塗布モジュール１０において、半導体ウエハに光硬化性樹脂が塗布され、樹脂層が形成される。この際、光硬化性樹脂は、脱気機構１５によって脱気された後、半導体ウエハに滴下される。したがって、気泡を含まない状態で光硬化性樹脂が半導体ウエハに供給され、塗布される。
【００３８】
次に、半導体ウエハは、搬送モジュール１０２の搬送ロボットによってインプリントモジュール３０に搬入される。そして、ここで、半導体ウエハ上の樹脂層にテンプレートを接触させ、紫外線を照射することによって樹脂層を硬化して、テンプレートの形状を半導体ウエハ上の樹脂層に転写する。なお、前述したとおり、このインプリントモジュール３０によるインプリント工程は、減圧雰囲気下で実施される。この場合、インプリント工程を実施する際の周囲の雰囲気の圧力よりも、前述した脱気機構１５による脱気工程における一定の低い圧力である第１の圧力及び第３の圧力のうちの少なくともいずれか一方の方が低くなるように圧力を調整する。これによって、脱気工程において出現しなかった気泡が、インプリント工程において出現することを防止することができる。
【００３９】
そして、樹脂層の硬化が進行した後、樹脂層からテンプレートを離脱させ、樹脂製パターンが形成された半導体ウエハを、搬送モジュール１０２の搬送ロボットによってロード／アンロードポート１０１に載置されたフープ又はカセット内に収容する。
【００４０】
以上の工程により、インプリント装置１００によって、半導体ウエハに樹脂製パターン（図１に示した樹脂製パターン４）が形成される。
【００４１】
なお、上記したインプリント装置１００では、光硬化性樹脂を脱気機構１５によって脱気した後、半導体ウエハに滴下するよう構成したが、光硬化性樹脂を半導体ウエハに滴下した後に脱気するようにしてもよい。この場合、例えば図７に示す構成の滴下／脱気モジュール４０を使用することができる。
【００４２】
図７に示す滴下／脱気モジュール４０は、内部を気密に保持可能とされたチャンバー４１を具備しており、チャンバー４１内には、基板保持ステージ４２と、光硬化性樹脂２を基板１に滴下するためのノズル１３が配設されている。また、チャンバー４１には、ガス排気ライン２４とガスを供給するためのガス供給ライン２５が接続されている。ガス排気ライン２４には、真空ポンプ２４ａが接続されており、排気バルブ２４ｂが介挿されている。また、ガス供給ライン２５には、供給バルブ２５ａが介挿されている。そして、ノズル１３から基板１に光硬化性樹脂２を滴下した後、ガス排気ライン２４からの排気とガス供給ライン２５からのガス供給とを交互に行うことにより、チャンバー４１内の圧力が図３に示したように変動するようにして脱気を行う。
【００４３】
上記のように、滴下／脱気モジュール４０において、基板１への光硬化性樹脂２の滴下及び脱気を行った後、図８に示すような塗布モジュール５０によって光硬化性樹脂２を基板１上に塗布する。塗布モジュール５０は、処理室５１内に、基板１を載置して回転可能とされた回転ステージ１２が配設された構成となっている。そして、光硬化性樹脂２が滴下された基板１を、回転ステージ１２により回転させることによって、基板１上の光硬化性樹脂２を遠心力によって拡散させ、基板１の全面に光硬化性樹脂２を塗布して樹脂層を形成する。この後、図５に示したインプリントモジュール３０によって、樹脂膜３へのパターンの転写が行われる。
【００４４】
図９は、上記の滴下／脱気モジュール４０と、塗布モジュール５０と、インプリントモジュール３０とを組み合わせた第２実施形態のインプリント装置１００ａの構成を示すものである。図９に示すように、インプリント装置１００ａでは、搬送モジュール１０２に沿って、図中左側から、滴下／脱気モジュール４０、塗布モジュール５０、インプリントモジュール３０がこの順で配設されている。なお、図６に示したインプリント装置１００と対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。そして、搬送モジュール１０２に配設された図示しない搬送ロボットにより、半導体ウエハを、滴下／脱気モジュール４０、塗布モジュール５０、インプリントモジュール３０に順次搬送することによって、光硬化性樹脂の滴下、脱気、塗布及びインプリント工程を順次実施するようになっている。
【００４５】
上記の第２実施形態のインプリント装置１００ａでは、滴下／脱気モジュール４０と、塗布モジュール５０とを組み合わせた場合について説明したが、図１０に示すように、光硬化性樹脂２を滴下した複数の基板１を収容して脱気を行う脱気モジュール６０を用いることもできる。図１０に示す脱気モジュール６０は、内部を気密に閉塞可能なチャンバー６１を具備しており、チャンバー６１内には、複数の基板１を保持可能とされた基板保持機構６２が配設されている。
【００４６】
また、チャンバー６１には、ガス排気ライン２４とガスを供給するためのガス供給ライン２５が接続されている。ガス排気ライン２４には、真空ポンプ２４ａが接続されており、排気バルブ２４ｂが介挿されている。また、ガス供給ライン２５には、供給バルブ２５ａが介挿されている。そして、光硬化性樹脂２を滴下された複数の基板１を基板保持機構６２に保持した状態で、ガス排気ライン２４からの排気とガス供給ライン２５からのガス供給とを交互に行うことにより、チャンバー６１内の圧力が図３に示したように変動するようにして脱気を行う。
【００４７】
図１１は、上記の脱気モジュール６０と、滴下／塗布モジュール１０と、インプリントモジュール３０とを組み合わせた第３実施形態のインプリント装置１００ｂの構成を示すものである。図１１に示すように、インプリント装置１００ｂでは、搬送モジュール１０２に沿って、図中左側から、脱気モジュール６０、滴下／塗布モジュール１０、インプリントモジュール３０がこの順で配設されている。なお、図６に示したインプリント装置１００と対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。
【００４８】
上記構成のインプリント装置１００ｂでは、搬送モジュール１０２に配設された図示しない搬送ロボットにより、半導体ウエハを、先ず滴下／塗布モジュール１０に搬送し、ここで半導体ウエハに光硬化性樹脂を滴下した後、脱気モジュール６０に搬送する工程を繰り返し、脱気モジュール６０内に複数の半導体ウエハを収容した状態とする。この後、脱気モジュール６０における脱気を行う。しかる後、半導体ウエハを、滴下／塗布モジュール１０、インプリントモジュール３０に順次搬送し、光硬化性樹脂の塗布、インプリント工程を実施するようになっている。
【００４９】
図１２は、光硬化性樹脂の滴下、脱気、塗布を行う滴下／脱気／塗布モジュール７０の構成を示すものである。この滴下／脱気／塗布モジュール７０は、内部を気密に閉塞可能とされたチャンバー７１を具備しており、チャンバー７１内には、基板１を載置して回転可能とされた回転ステージ１２と、光硬化性樹脂２を供給するためのノズル１３とが配設されている。また、チャンバー７１には、ガス排気ライン２４とガスを供給するためのガス供給ライン２５が接続されている。ガス排気ライン２４には、真空ポンプ２４ａが接続されており、排気バルブ２４ｂが介挿されている。また、ガス供給ライン２５には、供給バルブ２５ａが介挿されている。
【００５０】
上記構成の滴下／脱気／塗布モジュール７０では、先ず、回転ステージ１２上に載置された基板１の略中心上に、ノズル１３から光硬化性樹脂２を滴下する。次に、光硬化性樹脂２が滴下された基板１を回転ステージ１２上に保持した状態で、ガス排気ライン２４からの排気とガス供給ライン２５からのガス供給とを交互に行うことにより、チャンバー７１内の圧力が図３に示したように変動するようにして光硬化性樹脂２の脱気を行う。この後、回転ステージ１２によって基板１を回転させることによって、基板１上に滴下した光硬化性樹脂２を遠心力によって拡散させ、基板１の全面に光硬化性樹脂２を塗布して樹脂層を形成する。
【００５１】
図１３は、上記の滴下／脱気／塗布モジュール７０とインプリントモジュール３０とを組み合わせた第４実施形態のインプリント装置１００ｃの構成を示すものである。図１３に示すように、インプリント装置１００ｃでは、搬送モジュール１０２に沿って、図中左側から、滴下／脱気／塗布モジュール７０、インプリントモジュール３０がこの順で配設されている。なお、図６に示したインプリント装置１００と対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。
【００５２】
上記構成のインプリント装置１００ｃでは、搬送モジュール１０２に配設された図示しない搬送ロボットにより、半導体ウエハを、先ず滴下／脱気／塗布モジュール７０に搬送し、ここで半導体ウエハに光硬化性樹脂を滴下し、光硬化性樹脂の脱気及び塗布を行う。この後、半導体ウエハをインプリントモジュール３０に搬送し、インプリント工程を実施するようになっている。
【００５３】
また、図１４は、図４に示した滴下／塗布モジュール１０と図５に示したインプリントモジュール３０とを組み合わせて構成した第５実施形態のインプリント装置１００ｄの構成を示すものである。図１４に示すように、インプリント装置１００ｄでは、搬送モジュール１０２に沿って、図中左側から、滴下／塗布モジュール１０、インプリントモジュール３０がこの順で配設されている。なお、図６に示したインプリント装置１００と対応する部分には、同一の符号を付して重複した説明は省略する。
【００５４】
この第５実施形態のインプリント装置１００ｄでは、滴下／塗布モジュール１０において、半導体ウエハに光硬化性樹脂を滴下し、塗布した後、インプリントモジュール３０において、図５に示した下側ステージ３３に半導体ウエハを載置した状態で、ガス排気ライン２４からの排気とガス供給ライン２５からのガス供給とを交互に行うことにより、チャンバー３１内の圧力が図３に示したように変動するようにして光硬化性樹脂の脱気を行う。そして、この後テンプレート６を樹脂層に接触させ、紫外線５を照射し、この後樹脂層からテンプレートを離脱させてインプリント工程を実施する。
【００５５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。例えば、光硬化性樹脂からの脱気は、基板への滴下前、基板への滴下後、基板への塗布後、インプリント前等の各工程における脱気を組み合わせて行ってもよい。また、例えば、テンプレートのパターン形状が転写される樹脂として、光硬化性樹脂以外の樹脂（例えば熱硬化性の樹脂）を用いてもよい。熱硬化性の樹脂を用いる場合には、例えば、図５に示すインプリントモジュール３０において、上側ステージ３２と下側ステージ３３に抵抗発熱式のヒータを埋設し、当該ヒータ（熱硬化性樹脂を用いる場合の硬化機構の例）によって樹脂層３を加熱して硬化させればよい。この場合には、ＵＶ光源２３（光硬化性樹脂を用いる場合の硬化機構の例）を設ける必要はない。また、当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００５６】
１……基板、２……光硬化性樹脂、３……樹脂層、４……樹脂製パターン、５……紫外線、６……テンプレート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【国際調査報告】
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