(57)【要約】本発明は、高温かつ長時間の加熱処理を伴うことなく、導電性の良好な導電パターンを得ることができ、生産効率を顕著に向上させることが可能である、導電パターンの製造方法を提供することを目的とする。本発明は、導電性粒子Ａ及び有機化合物Ｂを含む、基板上の膜又はパターンを、ブロードスペクトラムを有する光で露光して、導電膜又は導電パターンを得る、露光工程を備える、導電パターンの製造方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子Ａ及び有機化合物Ｂを含む、基板上の膜又はパターンを、ブロードスペクトラムを有する光で露光して、導電膜又は導電パターンを得る、露光工程を備える、導電パターンの製造方法。
【請求項２】
前記膜を現像して、導電パターンを得る、現像工程と、を備える、請求項１記載の導電パターンの製造方法。
【請求項３】
前記導電パターンを、さらにブロードスペクトラムを有する光で露光する、第２の露光工程と、を備える、請求項１又は２記載の導電パターンの製造方法。
【請求項４】
前記ブロードスペクトラムを有する光は、その最小波長及び最大波長が２００ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内にある、請求項１〜３のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項５】
前記ブロードスペクトラムを有する光は、キセノンランプの光、キセノンフラッシュランプの光及びハロゲンランプの光からなる群から選ばれる光である、請求項１〜４のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項６】
前記露光工程は、４００ｎｍ未満の波長の光を遮光する、請求項１〜５のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項７】
前記導電性粒子Ａの体積平均粒子径は、０．０５〜５μｍである、請求項１〜６のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項８】
前記導電性粒子Ａの体積平均粒子径は、１〜５μｍである、請求項１〜７のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項９】
前記有機化合物Ｂは、不飽和二重結合、グリシジル基又はカルボキシル基を有する、請求項１〜８のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１０】
前記膜又はパターンは、４００ｎｍ以上の波長域に吸収帯を有する、請求項１〜９のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１１】
前記露光工程は、ブロードスペクトラムを有する光をパルス照射する、請求項１〜１０のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１２】
前記基板は、ガラス板又はフィルムである、請求項１〜１１のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１３】
前記基板の表面は、透明導電膜加飾膜及び絶縁膜からなる群から選ばれる膜で被覆されている、請求項１〜１２のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１４】
前記導電パターンは、膜厚が１〜３０μｍである、請求項１〜１３のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１５】
前記導電パターンは、ライン幅が１０〜１００μｍである、請求項１〜１４のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１６】
前記導電パターンは、有機成分の含有量が５質量％以上４０質量％未満である、請求項１〜１５のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項記載の導電パターンの製造方法により製造された導電パターンを具備する、タッチセンサー。
【請求項１８】
請求項１７記載のタッチセンサーを具備する、タッチパネル。
【請求項１９】
請求項１８記載のタッチセンサーを具備する、ディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電パターンの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、タッチパネル、太陽電池及びコンデンサ等の分野で使用される回路基板等の電子部品には、薄膜化、軽量化又は環境負荷低減といった要求に加えて、価格競争力を向上すべく、徹底的な歩留まり改善が要求されている。【０００３】
回路基板上に導電パターンを形成する方法、すなわち、導電パターンの製造方法としては、樹脂に導電性粒子を分散させたペーストを塗布、乾燥、露光、現像して、微細パターンを形成した後、加熱をして形成したパターンを収縮させて導電性粒子を互いに接触させ、導電性を発現させる方法が知られている（特許文献１〜３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特願平４−３２７４２３号公報
【特許文献２】特願２００９−２８６０９５号公報
【特許文献３】特願２００９−２７６１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の導電パターンの製造方法は、導電性粒子を互いに接触させて導電性を発現させるための加熱処理を、高温かつ長時間行う必要があり、これを実生産に適用した場合の生産効率は、著しく低いものであった。また、高温かつ長時間の加熱処理が、基板等の部材を劣化させる可能性も高いことから、これら問題を回避しつつ、微細な導電パターンを得るための製造方法が求められているのが現状であった。【０００６】
そこで本発明は、ブロードスペクトラムを有する光での露光によって、高温かつ長時間の加熱処理を伴うことなく、導電性の良好な導電パターンを得ることができ、生産効率を顕著に向上させることが可能である、導電パターンの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は以下の（１）〜（１１）の構成を有する。
（１）  導電性粒子Ａ及び有機化合物Ｂを含む、基板上の膜又はパターンを、ブロードスペクトラムを有する光で露光して、導電膜又は導電パターンを得る、露光工程を備える、導電パターンの製造方法。
（２）  上記膜を現像して、導電パターンを得る、現像工程と、を備える、上記（１）に記載の導電パターンの製造方法。
（３）  上記導電パターンを、さらにブロードスペクトラムを有する光で露光する、第２の露光工程と、を備える、上記（１）又は（２）に記載の導電パターンの製造方法。
（４）  上記ブロードスペクトラムを有する光は、その最小波長及び最大波長が２００〜３０００ｎｍの範囲内にある、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（５）上記ブロードスペクトラムを有する光は、キセノンランプの光、キセノンフラッシュランプの光及びハロゲンランプの光からなる群から選ばれる光である、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（６）  上記露光工程は、４００ｎｍ未満の波長の光を遮光する、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（７）  上記導電性粒子Ａの体積平均粒子径は、０．０５〜５μｍである、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の製造方法。
（８）  上記導電性粒子Ａの体積平均粒子径は、１〜５μｍである、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（９）上記有機化合物Ｂは、不飽和二重結合、グリシジル基又はカルボキシル基を有する、上記（１）〜（８）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（１０）  上記膜又はパターンは、４００ｎｍ以上の波長域に吸収帯を有する、上記（１）〜（９）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（１１）  上記露光工程は、ブロードスペクトラムを有する光をパルス照射する、上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（１２）  基板は、ガラス板又はフィルムである、上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（１３）  上記基板の表面は、透明導電膜加飾膜及び絶縁膜からなる群から選ばれる膜で被覆されている、上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（１４）  上記導電パターンは、膜厚が１〜３０μｍである、上記（１）〜（１３）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（１５）  上記導電パターンは、ライン幅が１０〜１００μｍである、上記（１）〜（１４）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（１６）  導電パターンは、有機成分の含有量が５質量％以上４０質量％未満である、上記（１）〜（１５）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法。
（１７）  上記（１）〜（１６）のいずれかに記載の導電パターンの製造方法により製造された導電パターンを具備する、タッチセンサー。
（１８）  上記（１７）に記載のタッチセンサーを具備する、タッチパネル。
（１９）  上記（１８）に記載のタッチセンサーを具備する、ディスプレイパネル。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ブロードスペクトラムを有する光での露光によって、高温かつ長時間の加熱処理を伴うことなく、導電性の良好な導電パターンを得ることができ、生産効率を顕著に向上させることが可能である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の第一の態様の導電パターンの製造方法は、導電性粒子Ａ及び有機化合物Ｂを含む膜を、ブロードスペクトラムを有する光で露光して、導電膜を得る、露光工程を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の第二の態様の導電パターンの製造方法は、導電性粒子Ａ及び有機化合物Ｂを含むパターンを、ブロードスペクトラムを有する光で露光して、導電パターンを得る、露光工程を備えることを特徴とする。
【００１１】
導電性粒子Ａとしては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、酸化ルテニウム、Ｃｒ、Ｔｉ若しくはインジウム又はこれら金属の合金の粒子が挙げられるが導電性の観点からＡｇ、Ｃｕ又はＡｕの粒子が好ましく低コスト及び安定性の観点からＡｇの粒子がより好ましい。
【００１２】
導電性粒子Ａの体積平均粒子径は０．０１〜１０μｍが好ましく、０．０５〜５μｍがより好ましく、１〜５μｍがさらに好ましい。体積平均粒子径が０．０５μｍ以上であれば、導電性粒子Ａ同士の接触確率が向上し、得られる導電パターンの比抵抗値及び断線確率が低くなる。また、露光のための光が乾燥膜中をスムーズに透過するため、微細なパターン形成が容易となる。さらに体積平均粒子径が１μｍ以上であれば、より均一な分散状態が得られ易く、比抵抗値がさらに低くなる。一方で、体積平均粒子径が５μｍ以下であれば、得られる導電パターンの表面平滑度、パターン精度及び寸法精度が向上する。なお、導電性粒子Ａの体積平均粒子径は、光散乱式粒度分布計（例えば、ＨＯＲＩＢＡ社製）を用いた、動的光散乱法により測定することができる。
【００１３】
導電性粒子Ａの添加量は、露光工程に供される膜又はパターンの原料となる、導電ペースト中の全固形分に対して７０〜９５質量％が好ましく、８０〜９０質量％がより好ましい。７０質量％以上であれば、硬化収縮における導電性粒子Ａ同士の接触確率が特に向上し、得られる導電パターンの比抵抗値及び断線確率が低くなる。９５質量％以下であれば、露光のための光が乾燥膜中をスムーズに透過するため、微細なパターン形成が容易となる。ここで、導電ペースト中の全固形分とは、有機溶剤を除く、導電ペーストの全成分をいう。
【００１４】
有機化合物Ｂとしては、不飽和二重結合、グリシジル基又はカルボキシル基を有する化合物が好ましい。不飽和二重結合を有する化合物としては、感光性有機化合物が好ましい。感光性有機化合物としては、例えば、重合性不飽和基を有するモノマー、オリゴマー又はポリマーが挙げられる。
【００１５】
重合性不飽和基としては、例えば、ビニル基、アリル基、アクリレート基、メタクリレート基等のエチレン性不飽和基又はアクリルアミド基が挙げられる。
【００１６】
重合性不飽和基を有するモノマーとしては、例えば、アリル化シクロヘキシルジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、グリセロールジアクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリグリセロールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡ、ジアクリレート、プロピレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、２−（２−エトキシエトキシ）エチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、イソデシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、トリデシルアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、ビスフェノールＦジアクリレート又はビスフェノールＡ−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート、ビスフェノールＦ−エチレンオキサイド付加物のジアクリレート若しくはビスフェノールＡ−プロピレンオキサイド付加物のジアクリレート等のエポキシアクリレート、あるいは、上記化合物のアクリル基の１部若しくは全てをメタクリル基に置換した化合物が挙げられる。
【００１７】
重合性不飽和基を有するモノマーの添加量は、導電ペースト中の全固形分に対して１〜１５質量％が好ましく、２〜１０質量％がより好ましい。１質量％未満であると、感度が低下し、微細なパターン形成が困難になる。１５質量％を超えると、生じたタックに露光マスクが接触して汚染され、性能劣化等の問題が生じる。
【００１８】
エチレン性不飽和基をオリゴマー又はポリマーに導入する方法としては、例えば、オリゴマー又はポリマーが有するメルカプト基、アミノ基、水酸基又はカルボキシル基に対して、グリシジル基若しくはイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物又はアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライド若しくはアリルクロライドを０．０５〜１モル当量付加反応させる方法が挙げられる。
【００１９】
グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、例えば、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル酸グリシジル、クロトニルグリシジルエーテル、クロトン酸グリシジルエーテル又はイソクロトン酸グリシジルエーテルが挙げられる。イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルイソシアナート又は（メタ）アクリロイルエチルイソシアネートが挙げられる。
【００２０】
また、有機化合物Ｂには、導電性粒子Ａ同士を接触させるため、また基板との密着性を向上するために、不飽和二重結合を有しない非感光性モノマー、オリゴマー又ポリマーが含まれることが好ましい。これら不飽和二重結合を有しない非感光性モノマー等は、より効率的な光吸収をさせるために、環状構造を有することがより好ましい。不飽和二重結合を有しない非感光性ポリマーとしては、例えば、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、シリコン樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド前駆体又は既閉環ポリイミドが挙げられる。エポキシ樹脂としては、例えば、エチレングリコール変性エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂又は複素環式エポキシ樹脂が挙げられる。
【００２１】
上記のような感光性の有機化合物Ｂを光反応によって光硬化させるために、導電ペーストには、光重合開始剤Ｃが含まれることが好ましい。光重合開始剤Ｃとしては、例えば、光ラジカル重合開始剤又は光カチオン重合開始剤が挙げられるが、露光工程で用いる光によって適宜選択すればよい。
【００２２】
光ラジカル重合開始剤としては、例えば、ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、２−メチル−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルホリノプロパン−１−オン、２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−２−ベンジル−ブタノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチル−ジフェニルサルファイド、アルキル化ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、４−ベンゾイル−Ｎ，Ｎ−ジメチル−Ｎ−［２−（１−オキソ−２−プロペニルオキシ）エチル］ベンゼンメタナミニウムブロミド、（４−ベンゾイルベンジル）トリメチルアンモニウムクロリド、２−ヒドロキシ−３−（４−ベンゾイルフェノキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロペンアミニウムクロリド一水塩、２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２ーヒドロキシ−３−（３，４−ジメチル−９−オキソ−９Ｈ−チオキサンテン−２−イロキシ）−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−１−プロパナミニウムクロリド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオサイド、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，５，４’，５’−テトラフェニル−１，２−ビイミダゾール、１０−ブチル−２−クロロアクリドン、２−エチルアンスラキノン、ベンジル、９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、メチルフェニルグリオキシエステル、η５−シクロペンタジエニル−η６−クメニル−アイアン（１＋）−ヘキサフルオロフォスフェイト（１−）、ジフェニルスルフィド誘導体、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム、４，４−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、チオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、４−ベンゾイル−４−メチルフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、２，３−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニル−２−フェニルアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、ｐ−ｔ−ブチルジクロロアセトフェノン、ベンジルメトキシエチルアセタール、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズスベロン、���チレンアントロン、４−アジドベンザルアセトフェノン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）シクロヘキサン、２，６−ビス（ｐ−アジドベンジリデン）−４−メチルシクロヘキサノン、２−フェニル−１，２−ブタジオン−２−（ｏ−メトキシカルボニル）オキシム、１，３−ジフェニルプロパントリオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、Ｎ−フェニルグリシン、テトラブチルアンモニウム（＋１）ｎ−ブチルトリフェニルボレート（１−）、ナフタレンスルフォニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、Ｎ−フェニルチオアクリドン、４，４−アゾビスイソブチロニトリル、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン若しくは過酸化ベンゾイル又はエオシン若しくはメチレンブルー等の光還元性の色素とアスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等の還元剤との組み合わせが挙げられる。また、近紫外に吸収を持つ陽イオン染料とボレート陰イオンとの錯体、近赤外増感色素で増感されたハロゲン化銀と還元剤との組み合わせ、チタノセン、鉄アレーン錯体、有機過酸化物、ヘキサアリール、ビイミダゾール、Ｎ−フェニルグリシン若しくはジアリールヨードニウム塩等のラジカル発生剤、又は３−置換クマリン、シアニン色素、メロシアニン色素、チアゾール系色素若しくはピリリウム系色素等の増感色素が挙げられる。
【００２３】
光カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスフェート塩又はアンチモネート塩が挙げられる。
【００２４】
光重合開始剤Ｃの添加量は、光硬化性及び相溶性の観点から、導電ペーストに対して０．０５〜１０質量％が好ましく、０．１〜１０質量％がより好ましい。
【００２５】
光重合開始剤と共に増感剤を使用することで感度を向上させ、反応に有効な波長範囲を拡大することができる。
【００２６】
増感剤の具体例としては、２，３−ビス（４−ジエチルアミノベンザル）シクロペンタノン、４，４−ビス（ジメチルアミノ）カルコン、ｐ−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、２−（ｐ−ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３−ビス（４−ジメチルアミノベンザル）アセトン３，３−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−トリルジエタノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル又は３−フェニル−５−ベンゾイルチオテトラゾール、１−フェニル−５−エトキシカルボニルチオテトラゾール等が挙げられる。
【００２７】
増感剤の添加量は、光硬化性及び相溶性の観点から、有機化合物Ｂに対して０．０５〜１０質量％が好ましく、は０．１〜１０質量％がより好ましい。
【００２８】
導電ペーストに不飽和二重結合を有しない非感光性ポリマーが含まれる場合には、それらを硬化させるために、導電ペーストには、カルボキシル基を有する化合物、多価アルコール等の水酸基を有する化合物、変性アミン、多官能フェノール、イミダゾール、メルカプタン、イソシアネート、メラミン又は酸無水物等が含まれることが好ましい。カルボキシル基を含む化合物としては、例えば、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、また、構造式（１）に該当する化合物としては２−メチルマロン酸、２−エチルマロン酸、２−プロピルマロン酸、２−ブチルマロン酸、２−（３−メトキシプロピル）マロン酸、２−（３−プロポキシプロピル）マロン酸、２−（３−プロポキシブチル）マロン酸、（Ｅ）−２−（ヘキサ−４−エチル）マロン酸、２−メチルサクシン酸、２−エチルサクシン酸、２−プロピルサクシン酸、２−ブチルサクシン酸、２−（３−メトキシプロピル）サクシン酸、２−（３−プロポキシプロピル）サクシン酸、２−（３−プロポキシブチル）サクシン酸、（Ｅ）−２−（ヘキサ−４−エチル）サクシン酸、２−メチルジオイック酸、２−エチルジオイック酸、２−プロピルジオイック酸、２−ブチルジオイック酸、２−（３−メトキシプロピル）ジオイック酸、２−（３−プロポキシプロピル）ジオイック酸、２−（３−プロポキシブチル）ジオイック酸、（Ｅ）−２−（ヘキサ−４−エチル）ジオイック酸、２−ヘキシルペンタンジオイック酸、３−ヘキシルペンタンジオイック酸、２−メチルマレイン酸、２−エチルマレイン酸、２−プロピルマレイン酸、２−ブチルマレイン酸、２−（３−メトキシプロピル）マレイン酸、２−（３−プロポキシプロピル）マレイン酸、２−（３−プロポキシブチル）マレイン酸又は（Ｅ）−２−（ヘキサ−４−エチル）マレイン酸等のカルボン酸が挙げられる。また、上記のカルボン酸２分子が脱水縮合した化合物を用いても構わない。多価アルコールとしては、例えば、１，２−デカンジオール、１，１０−デカンジオール、１，２−デカンジオール、１，１２−ドデカンジオール、１，２−ドデカンジオール、１，１４−テトラデカンジオール、１，２−テトラデカンジオール、１，１６−ヘキサデカンジオール、１，２−ヘキサデカンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルキレン二価アルコール、トリメチロールオクタン、ジペンタエリスリトール又はトリペンタエリスリトールセルロースが挙げられる。
【００２９】
導電ペーストは、粘度調整及び塗布膜の表面平滑性向上の観点から、有機溶剤を含むことが好ましい。導電ペースト粘度（ブルックフィールド型粘度計で３ｒｐｍ測定した値）は、導電性粒子Ａの沈降による塗布不良や液垂れ防止又は被覆性向上の観点から、１０〜１００Ｐａ・ｓが好ましく、１０〜５０Ｐａ・ｓがより好ましい。
【００３０】
有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、γ−ブチロラクトン、ブロモベンゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ安息香酸等、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、２−エチル−１，３−ヘキサンジオール、テルピネオール、３−メチル−３−メトキシブタノール、テキサノール、ベンジルアルコール、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル又はプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートが挙げられる。
【００３１】
導電ペーストには、例えば、有機系若しくは無機系の顔料、ガラス粉末、フィラー、可塑剤、特殊ビニル系重合物若しくは特殊アクリル系重合物等のレベリング剤、界面活性剤、シランカップリング剤、消泡剤又は酸化防止剤等の添加剤が配合されていても構わない。
【００３２】
有機系顔料としては、例えば、活性炭、アセチレンブラック、ケッチェンブラック、カーボンブラック、チタンブラック、カーボンウイスカー若しくはカーボンナノチューブ等の炭素系材料、染料、色素、紫外線吸収剤、可視光線吸収剤又は赤外線吸収剤が挙げられる。
【００３３】
紫外線吸収剤、可視光線吸収剤又は赤外線吸収剤としては、例えば、アゾ系染料、アミノケトン系染料、キサンテン系染料、キノリン系染料、アントラキノン系染料、ベンゾフェノン系染料、トリアジン系染料、ｐ−アミノ安息香酸系染料シアノアクリレート系化合物、サリチル酸系化合物又はインドール系化合物が挙げられるが、アゾ系染料、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物又はインドール系化合物が好ましい。これらの化合物の具体例としては、例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ−５−スルホベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−２’−カルボキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノントリヒドレート、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクタデシロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ドデシロキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−（２−ヒドロキシ−３−メタクリロキシ）プロポキシベンゾフェノン、２−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート、２−エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリレート又は２−（１−メチル−２−フェニル−１Ｈ−インドール−３−イルメチレン）−マロノニトリルが挙げられる。
【００３４】
無機系顔料としては、例えば、Ｒｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｕ若しくはＮｉ又はそれら金属の酸化物が挙げられる。黒色粉末であるこれら無機系顔料が配合されていることにより、露光工程における光の吸収と散乱を制御することができる。
【００３５】
ガラス粉末又はフィラーは、露光工程における光の散乱を制御する観点から、体積平均粒子径が０．０５〜５μｍであることが好ましく、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２若しくはＺｎＯあるいはアルカリ金属類、アルカリ土類金属類若しくはセリウム等の希土類の金属又はこれら金属の酸化物が配合されたものがより好ましい。
【００３６】
可塑剤としては、例えば、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ポリエチレングリコール又はグリセリンが挙げられる。
【００３７】
シランカップリング剤としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン又はビニルトリメトキシシランが挙げられる。
【００３８】
導電ペーストは、必要な材料を混合した後、例えば、三本ローラーで混練して作製することができる。
【００３９】
本発明の露光工程に供される膜又はパターンは、塗布工程により得ることができる。ここで塗布工程は、導電ペーストを、基板上に塗布して塗布膜又は塗布パターンを得る工程である。
【００４０】
導電ペーストを塗布する基板としては、例えば、ＰＥＴフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム若しくはアラミドフィルム等のフィルム、エポキシ樹脂基板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板、アルカリガラス基板、無アルカリガラス基板若しくはガラス・エポキシ樹脂複合基板のガラス板、シリコンウエハー、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板又は炭化ケイ素基板が挙げられるが、フィルム又はガラス板が好ましい。またこれらの基板の表面は、透明導電膜若しくはパターン、加飾膜又は絶縁膜の一以上で被覆されていても構わない。透明導電膜又はパターンとしては、例えば、スズドープ酸化インジウムで構成されたＩＴＯ、フッ素ドープ酸化スズで構成されたＦＴＯ、銅、酸化亜鉛、酸化チタン、ナノ銀ワイヤー、カーボンナノチューブ、グラフェン、導電性高分子の膜又はパターンが挙げられる。
【００４１】
ガラス基板のガラスとしては、強化処理を施した強化ガラスが好ましい。ここで強化ガラスとしては、例えば、ガラス表面層の分子をイオン交換してガラス表面に大きな分子を形成し、ガラス表面層に圧縮応力を形成した化学強化ガラス、又は、ガラスを残留応力が残る温度まで加熱後、急冷することによりガラス表面層に圧縮応力を形成した物理強化ガラスが挙げられる。
【００４２】
導電パターンを形成する基板は、連続した長尺の基板であっても構わない。長尺の基板の場合、例えば、リール・トウ・リール又はロール・トウ・ロール法を用いて、導電パターンを製造することができる。ロール・トウ・ロール法等の方式を用いた場合、照射光を中央にしてその前面及び背面に基板を並列させれば、一度に複数のラインを得ることができ、効率的である。
【００４３】
導電ペーストを、基板上に塗布して塗布膜又は塗布パターンを得る方法としては、例えば、スピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、活版印刷、フレキソ印刷又はブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター若しくはバーコーターを用いる方法が挙げられる。得られる塗布膜又は塗布パターンの厚みは、塗布膜又は塗布パターンを乾燥して得られる乾燥膜又は乾燥パターンの厚みが、１〜２０μｍの範囲内になるように調整するのが一般的である。
【００４４】
塗布工程により得られた膜又はパターンは、必要に応じて、乾燥工程に供しても構わない。ここで乾燥工程は、塗布工程で得られた塗布膜又は塗布パターンを乾燥して、乾燥膜又は乾燥パターンを得る工程である。乾燥工程における乾燥により、塗布膜から有機溶剤等が除去される。
【００４５】
乾燥工程における乾燥の方法としては、例えば、オーブン若しくはホットプレートを用いた熱処理、赤外線等の光の照射若しくは減圧乾燥又はこれらの組み合わせが挙げられる。ここで、熱処理温度は５０〜１８０℃が好ましく、熱処理時間は１分〜数時間が好ましい。
【００４６】
塗布工程により得られた塗布膜は、必要に応じて、プレ露光工程に供しても構わない。ここでプレ露光工程は、塗布工程で得られた塗布膜を、輝線を有する光で露光して、導電膜にパターン形状が記録された露光膜を得る工程である。
【００４７】
輝線を有する光としては、例えば、紫外線領域に線スペクトルを持つ水銀ランプ又は近赤外領域に線スペクトルを持つキセノンランプが挙げられる。輝線はｉ線（３６５ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）又はｇ線（４３６ｎｍ）が好ましく、有機化合物や光重合開始剤Ｃの吸収スペクトルと合致することがより好ましい。
【００４８】
プレ露光工程により得られた露光膜は、必要に応じて、プレ現像工程に供しても構わない。ここでプレ現像工程は、プレ露光工程で得られた露光膜を現像して、パターンを得る工程である。現像、すなわち、現像液を用いて非露光部を除去することによって、露光膜に記録されたパターン形状が露出し、所望のパターンが形成される。現像としては、例えば、アルカリ性の現像液を用いるアルカリ現像又は有機溶媒を用いる有機現像が挙げられるが、アルカリ現像が好ましい。現像としては、例えば、アルカリ性の現像液を用いるアルカリ現像又は有機溶媒を用いる有機現像が挙げられるが、アルカリ現像が好ましい。アルカリ性の現像液としては、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、ジエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミン、ジエチルアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、酢酸ジメチルアミノエチル、ジメチルアミノエタノール、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン又はヘキサメチレンジアミンの水溶液が挙げられる。また、これらの水溶液には、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド若しくはγ−ブチロラクトン等の極性溶媒、メタノール、エタノール若しくはイソプロパノール等のアルコール類、乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソブチルケトン若しくはメチルイソブチルケトン等のケトン類又は界面活性剤が添加されていても構わない。
【００４９】
現像は、基板を静置又は回転させながら、現像液で露光膜をシャワーする、又は、基板を露光膜ごと現像液中に浸漬する等の方法によって行うことができる。
【００５０】
現像後、得られたパターンに、リンス液によるリンス処理を施してもよい。リンス液としては、例えば、水あるいはエタノール若しくはイソプロピルアルコール等のアルコール類又は乳酸エチル若しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル類等を水に加えたものが挙げられる。
【００５１】
本発明における露光工程は、塗布工程、プレ露光工程、プレ現像工程若しくは乾燥工程を経て得られた膜又はパターンを露光して、導電膜又は導電パターンを得る工程である。例えば、膜又はパターンに含まれる有機化合物Ｂが感光性有機化合物を含む場合、露光工程における露光及び光重合開始剤Ｃの存在により、感光性有機化合物が光反応して膜又はパターンが収縮するため、導電性粒子Ａが互いに接触して、導電性が発現する。膜又はパターンの収縮効果を高める観点から、露光の前後又は露光と同時に、熱処理を行っても構わない。この熱処理方法としては、例えば、オーブン、イナートオーブン若しくはホットプレートを用いた加熱又は赤外線の照射が挙げられる。なお、露光マスクを介し、露光の光を所望のパターン形状で遮光することによって、膜にパターン形状を記録することができる。なお、基板の光吸収により発生する熱を放散させるため、基板を冷却しながら露光工程を行っても構わない。
【００５２】
露光工程における露光の光は、好適な導電性を得るために、ブロードスペクトラムを有する光である必要があるが、その最小波長及び最大波長がいずれも２００〜３０００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、その最小波長又は最大波長のいずれかが４００〜１５００ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。ブロードスペクトラムを有する光の余分な波長領域は、光学フィルター又はプリズム等で遮光しても構わない。例えば、基板が４００ｎｍ未満の光をよく吸収する場合には、基板又は基板表面の加飾膜や絶縁膜若しくはＩＴＯ薄膜等の劣化を防ぐため、４００ｎｍ未満の光を遮光することが好ましい。
【００５３】
ブロードスペクトラムを有する光の光源としては、例えば、キセノンランプ、ハロゲンランプ、重水素ランプ、ＬＥＤ、レーザー、プラズマ、発光ダイオード、白熱球又はフィラメントにカンタル線、タングステン若しくはカーボン等を使用した光源が挙げられるが、近赤外線領域を含む光を照射することが可能な、キセノンランプ又はハロゲンランプが好ましく、キセノンランプがより好ましい。ここでキセノンランプとは、キセノン、ネオン、アルゴン、ヘリウム又はクリプトン等の希ガス中での放電による発光を利用するランプをいう。
【００５４】
キセノンランプの光は、パルス照射することが好ましい。ここでパルス照射とは、連続照射と間欠照射とを瞬時に繰り返す光の照射方法、すなわち、光を周期的に照射する方法をいう。連続照射と間欠照射との繰り返し条件、パルス照射における光を照射する周期すなわちパルス照射条件は、１秒間当たりのパルス繰り返し数である、周波数により制御することができる。また、照射される光のエネルギー量は、パルス幅及びパルス数により制御することができる。パルス照射は、単純な連続照射に比べて、強い光又は弱い光を瞬時に光照射することが可能であるため、導電パターンや基板の急激な変性を防ぐ上で好ましい。なお、パルス照射時間や回数は、導電パターンの組成や基板の種類によって適宜選択すればよい。パルス照射は生産効率の向上、余剰の光散乱の防止、基材の劣化損傷防止等を目的とする場合において、有効な手段となる。パルス照射時間は、より具体的には、キセノンフラッシュランプを使って露光する場合の合計のパルス照射時間は、０．０３ｍｓｅｃ〜１００ｍｓｅｃであることが好ましい。合計のパルス照射時間が１００ｍｓｅｃを超えると、フィルム基材に歪みが生じる場合がある。０．０５ｍｓｅｃ未満であると、得られる導電膜又は導電パターンの導電性が不十分となる。
【００５５】
また、ハロゲンランプでは１〜６０ｓｅｃの合計のパルス照射時間で、パルス照射を組み合わせることが好ましい。
【００５６】
キセノンランプ又はハロゲンランプ以外の、近赤外線領域を含む光を照射することが可能な光源では、５分以内の合計のパルス照射時間が好ましい。照射時間が過度に長いと、基材の劣化が著しくなる。
【００５７】
ブロードスペクトラムを有する光と併せて、輝線を有する光を照射しても構わない。ここで、ブロードスペクトラムを有する光及び輝線を有する光を同時に照射するためには、例えば、水銀キセノンランプを用いても構わないし、キセノンランプと水銀ランプとの光を同時に照射しても構わない。この場合、プレ露光工程と露光工程を同時に行うことが可能となる。
【００５８】
露光工程における露光の光は、基板の前面又は背面のいずれから照射しても構わない。前面と背面とに、同時に露光の光を照射することで、照射光をより緻密に制御することができ、生産効率の向上や、基板と導電パターンとの密着性向上が期待できる。前面と背面の露光の光は、同一であっても、異なっていても構わない。
【００５９】
なお、上記の乾燥工程における乾燥を光の照射により行う場合には、その光が露光工程における露光の光と一致するのであれば、乾燥工程と露光工程とを一括で行うことが可能となる。
【００６０】
本発明の第一の態様における現像工程は、露光工程で得られた導電膜を現像して、導電パターンを得る工程である。なお、本発明の第二の態様の導電パターンの製造方法では、塗布工程、又は、プレ露光工程及びプレ現像工程において既に所望のパターンが形成されており、露光工程を終えた時点で導電パターンが得られることから、現像工程は不要である。
【００６１】
現像によって、導電膜に記録された導電パターン形状が露出し、所望の導電パターンが形成される。現像としては、プレ現像工程と同様に、アルカリ現像が好ましい。
【００６２】
現像は、プレ現像工程と同様に、基板を静置又は回転させながら、現像液で導電膜をシャワーする、又は、基板を導電膜ごと現像液中に浸漬する等の方法によって行うことができる。
【００６３】
現像後、プレ現像工程と同様に、得られた導電パターンに、リンス液によるリンス処理を施してもよい。
【００６４】
得られた導電ペーストの導電性が十分でない場合には、導電パターンを、さらにブロードスペクトラムを有する光で露光する、第２の露光工程を行っても構わない。より具体的には、例えば、輝線を有する光で露光して、現像をし、微細な導電パターンを形成した上で、第２の露光工程においてさらにブロードスペクトラムを有する光で露光して、微細かつ高導電性の導電パターンを得ることが可能となる。
【００６５】
本発明の製造方法により製造された導電パターンと、基板表面の透明導電膜又はパターンとは、導通のために接触していることが好ましい。基板表面の透明導電膜又はパターンは、さらに加飾膜、絶縁膜又は遮光膜等の部材と接触していても構わない。ここで加飾膜とは、白色や黒色の顔料、硬化剤及び添加剤を混合して形成された、樹脂膜をいう。加飾膜の表面は、Ｍｏ、Ｎｉ、Ａｌ又はＮｄ等の金属薄膜で被覆されていても構わない。絶縁膜は、導電パターンの絶縁が必要な部位に形成すればよい。絶縁膜としては、例えば、アクリル樹脂若しくはシロキサン系樹脂又はこれら樹脂にシリカ若しくはチタニア等の微粉末を混合して形成された、樹脂膜をいう。
【００６６】
本発明の製造方法により得られた導電パターンを用いて製造されたタッチパネルは、基板上に形成された加飾膜、遮光膜の全部若しくは一部を被う絶縁膜、保護膜又は透明導電膜等で構成される。導電パターンは、それら遮光膜、絶縁膜、保護膜又は透明導電膜の全部若しくは一部に接しており、特には、タッチパネルの引き出し配線として機能する。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明をさらに詳しく説明する。【００６８】
（導電ペーストの材料）
導電性粒子（Ａ−１）  ：  湿式還元法により製造されたＡｇ粉末（体積平均粒径１．１９μｍ、比表面積１．１２ｍ２／ｇ、タップ密度４．８ｇ／ｃｍ３）
導電性粒子（Ａ−２）  ：  湿式還元法により製造されたＡｇ粉末（体積平均粒径０．４μｍ、比表面積２．５０ｍ２／ｇ、タップ密度３．１ｇ／ｃｍ３）
導電性粒子（Ａ−３）  ：  湿式還元法により製造されたＡｇ粉末（体積平均粒径３．６５μｍ、比表面積０．１７ｍ２／ｇ、タップ密度６．２ｇ／ｃｍ３）
導電性粒子（Ａ−４）  ：  湿式還元法により製造されたＡｇ粉末（体積平均粒径６．１μｍ、比表面積０．１７ｍ２／ｇ、タップ密度４．２ｇ／ｃｍ３）
有機化合物（Ｂ−１）  ：  ６０ｇのバインダーポリマー（ＴＲ−２５００；根上工業社製）及び１００ｇのジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを、６０℃で加熱溶解させたもの
有機化合物（Ｂ−２）  ：  酸価＝８５、重量平均分子量＝３２，０００の感光性アクリルポリマー（ＡＰＸ−７１６；東レ社製）
有機化合物（Ｂ−３）  ：  エチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（ＦＡ−３２４Ａ；日立化成工業株式会社製）／ＥＡ／ＡＡの共重合体（共重合比率：５０質量部／１０質量部／１５質量部）に、５質量部のグリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）を付加反応させたもの；より具体的には、まず、窒素雰囲気の反応容器中に１５０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを仕込み、オイルバスを用いて８０℃まで昇温してから、５０ｇのエチレンオキサイド変性ビスフェノールＡジアクリレート（ＦＡ−３２４Ａ）、２０ｇのエチルアクリレート、１５ｇのアクリル酸、０．８ｇの２，２’−アゾビスイソブチロニトリル及び１０ｇのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートからなる混合物を１時間かけて滴下し、さらに６時間重合反応を行った。その後、１ｇのハイドロキノンモノメチルエーテルを添加して重合反応を停止してから、５ｇのグリシジルメタクリレート、１ｇトリエチルベンジルアンモニウムクロライド及び１０ｇジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートからなる混合物を０．５時間かけて滴下し、さらに２時間付加反応を行った。最後に、得られた反応溶液をメタノールで精製して未反応不純物を除去し、さらに２４時間真空乾燥したものを有機化合物Ｂ−３とした。
有機化合物（Ｂ−４）  ：  イソオクチルアクリレート
有機化合物（Ｂ−５）  ：  ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート
有機化合物（Ｂ−６）  ：  ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート
光重合開始剤（Ｃ−１）：  １−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
光重合開始剤（Ｃ−２）：  ２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−２−ベンジル−１−ブタノン
（導電ペーストＸの作製）
１００ｇの有機化合物（Ｂ−１）、５ｇの有機化合物（Ｂ−４）及び２５ｇの有機化合物（Ｂ−５）に、０．１ｇの１，６−ヘキサンジオール−ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、５ｇの光重合開始剤（Ｃ−１）及び２ｇの分散剤（フローレン  Ｇ−７００ＤＭＥＡ；共栄社化学社製）を加え、２時間撹拌して、感光性樹脂溶液Ｘを得た。１２０ｇの感光性樹脂溶液Ｘと３８０ｇの導電性粒子（Ａ−１）を混合し、３本ローラー（ＥＸＡＫＴ  Ｍ−５０；ＥＸＡＫＴ社製）で混練して、導電ペーストＸを得た。【００６９】
（導電ペーストＹの作製）
２５ｇの有機化合物（Ｂ−２）及び１０ｇの有機化合物（Ｂ−６）に、２．５ｇの光重合開始剤（Ｃ−２）、２ｇのベンゾインイソプロピルエーテル、０．０５ｇの１，６−ヘキサンジオール−ビス［（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］及び３０ｇの３−メトキシ−３−メチルブタノールを加え、２時間撹拌して、感光性樹脂溶液Ｙを得た。得られた感光性樹脂溶液Ｙに８０ｇの導電性粒子（Ａ−１）を混合し、３本ローラーで混練して、導電ペーストＹを得た。【００７０】
（導電ペーストＺの作製）
１７．５ｇの有機化合物（Ｂ−３）に、３．５ｇの光重合開始剤（Ｃ−２）及び１７．０ｇのジエチレングリコールモノブチルエーテルを加え、２時間攪拌して、感光性樹脂溶液Ｚを得た。得られた感光性樹脂溶液Ｚに１４０．５ｇの導電性粒子（Ａ−１）を混合し、３本ローラーで混練して、導電ペーストＺを得た。【００７１】
（導電ペーストＰの作製）
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液Ｚに１４０．５ｇの導電性粒子（Ａ−２）を混合し、３本ローラーで混練して、導電ペーストＰを得た。【００７２】
（導電ペーストＱの作製）
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液Ｚに１４０．５ｇの導電性粒子（Ａ−３）を混合し、３本ローラーで混練して、導電ペーストＱを得た。【００７３】
（導電ペーストＲの作製）
上記と同様の方法で得られた感光性樹脂溶液Ｚに１４０．５ｇの導電性粒子（Ａ−４）を混合し、３本ローラーで混練して、導電ペーストＲを得た。【００７４】
（実施例１）
ガラス基板上に、導電ペーストＸをスクリーン印刷で塗布して塗布膜を得た。【００７５】
得られた塗布膜を、１００℃の通風オーブンで１時間熱処理して乾燥し、乾燥膜を得た。【００７６】
得られた乾燥膜を、露光マスクを介して、キセノンフラッシュランプを備える露光機（ＬＡ３０００Ｆ；大日本スクリーン製造株式会社製）の光をパルス照射して露光（印加電圧３２００Ｖ；照射時間０．６ｍｓｅｃ）して、導電膜を得た。【００７７】
得られた導電膜を、３０℃の０．３質量％炭酸ナトリウムの水溶液で３０秒間シャワーして現像し、その後、水でリンス処理して非露光部分を除去し、ストライプ状の導電パターンを得た。【００７８】
得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍで、抵抗率計（ロレスタ（登録商標）ＧＰ；三菱化学製）を用いてライン抵抗を測定したところ、１０５Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００７９】
（実施例２）
ガラス基板上に、導電ペーストＸをスクリーン印刷でストライプ状に塗布して、ストライプ状の塗布パターンを得た。【００８０】
得られたストライプ状の塗布パターンを、１００℃の通風オーブンで１時間熱処理して乾燥し、ストライプ状の乾燥パターンを得た。【００８１】
得られたストライプ状の乾燥パターンを、キセノンフラッシュランプを備える露光機の光をパルス照射して露光（印加電圧３２００Ｖ；照射時間０．８ｍｓｅｃ）して、して、ストライプ状の導電パターンを得た。【００８２】
得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、９５Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００８３】
（実施例３）
ガラス基板上に、導電ペーストＹをスクリーン印刷で塗布して、塗布膜を得た。【００８４】
得られた塗布膜を、１００℃の通風オーブンで１時間熱処理して乾燥し、乾燥膜を得た。【００８５】
得られた乾燥膜を、露光マスクを介して、水銀ランプを備える露光機（ＰＥＭ−６Ｍ；ユニオン光学（株）製）の光を露光量２００ｍＪ／ｃｍ２（波長３６５ｎｍ換算）で照射して露光して、露光膜を得た。【００８６】
得られた露光膜を、実施例１の導電膜と同様に現像し、その後、水でリンス処理して非露光部分を除去し、ストライプ状の導電パターンを得た。【００８７】
得られた導電パターンは、さらに、キセノンフラッシュランプを備える露光機（ＬＡ３０００Ｆ；大日本スクリーン製造株式会社製）の光をパルス照射して露光した。【００８８】
最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、９０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００８９】
（実施例４）
導電ペーストＹに代えて導電ペーストＺを用いた以外は実施例３と同様の操作をし、ストライプ状の導電パターンを得た。最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、９５Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００９０】
（実施例５）
導電ペーストＹに代えて導電ペーストＰを用いた以外は実施例３と同様の操作をし、ストライプ状の導電パターンを得た。最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、１３０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００９１】
（実施例６）
導電ペーストＹに代えて導電ペーストＱを用いた以外は実施例３と同様の操作をし、ストライプ状の導電パターンを得た。最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、８０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００９２】
（実施例７）
導電ペーストＹに代えて導電ペーストＲを用いた以外は実施例３と同様の操作をし、ストライプ状の導電パターンを得た。最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／１５μｍで、狙いのライン幅である２０μｍよりやや大きかった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍでのライン抵抗は、１７０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００９３】
（実施例８）
ガラス基板に代えてＰＥＴフィルム基板を用い、さらに光源に光波長４００ｎｍカットフィルターを使用した以外は実施例３と同様の操作をし、導電パターンを得た。
最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、７０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００９４】
（実施例９）
ガラス基板に代えてＰＥＴフィルム基板を用いた以外は実施例３と同様の操作をし、露光膜を得た。得られた露光膜を、実施例１の導電膜と同様に現像し、その後、水でリンス処理して非露光部分を除去し、ストライプ状の導電パターンを得た。【００９５】
得られた導電パターンは、さらに、キセノンフラッシュランプを備える露光機（ヘレウス株式会社製）の光をパルス照射して露光（印加電圧４００Ｖ；照射時間０．２ｍｓｅｃ）した。【００９６】
最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、１３０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【００９７】
（実施例１０）
実施例３と同様の操作をし、露光膜を得た。得られた露光膜を、実施例１の導電膜と同様に現像し、その後、水でリンス処理して非露光部分を除去し、ストライプ状の導電パターンを得た。【００９８】
得られた導電パターンは、さらに短波長赤外線発生装置（最大エネルギー波長１．２μｍ；ヘレウス株式会社製）の光を照射して露光（エネルギー密度２０ｋＷ／ｍ２；照射時間５分）した。【００９９】
最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、８０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【０１００】
（実施例１１）
実施例３と同様の操作をし、露光膜を得た。得られた露光膜を、実施例１の導電膜と同様に現像し、その後、水でリンス処理して非露光部分を除去し、ストライプ状の導電パターンを得た。【０１０１】
得られた導電パターンは、さらに短中波長赤外線発生装置（カーボン型；最大エネルギー波長２．０μｍ；ヘレウス株式会社製）の光を照射して露光（エネルギー密度２０ｋＷ／ｍ２；照射時間３分）した。【０１０２】
最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、８０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【０１０３】
（実施例１２）
実施例３と同様の操作をし、露光膜を得た。得られた露光膜を、実施例１の導電膜と同様に現像し、その後、水でリンス処理して非露光部分を除去し、ストライプ状の導電パターンを得た。【０１０４】
得られた導電パターンは、さらに中波長赤外線発生装置（最大エネルギー波長２．６μｍ；ヘレウス株式会社製）の光を照射して露光（エネルギー密度２５ｋＷ／ｍ２；照射時間２分）した。【０１０５】
最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、８０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【０１０６】
（実施例１３）
ガラス基板に代えてＰＥＴフィルム基板を用いた以外は実施例３と同様の操作をし、露光膜を得た。得られた露光膜を、実施例１の導電膜と同様に現像し、その後、水でリンス処理して非露光部分を除去し、ストライプ状の導電パターンを得た。【０１０７】
得られた導電パターン得は、さらに中波長赤外線発生装置の光を照射して露光（エネルギー密度２５ｋＷ／ｍ２；照射時間１分）した。【０１０８】
最終的に得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、５０Ωであった。また基板の歪みや色変化なども発生せず、良好であった。【０１０９】
（比較例１）
ガラス基板上に、導電ペーストＸをスクリーン印刷でストライプ状に塗布して、ストライプ状の塗布パターンを得た。【０１１０】
得られたストライプ状の塗布パターンを、１００℃の通風オーブンで１時間熱処理して乾燥し、ストライプ状の乾燥パターンを得た。【０１１１】
得られたストライプ状の乾燥パターンを、１４０℃の通風オーブンで１０分間熱処理して、ストライプ状の導電パターンを得た。【０１１２】
得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、５００Ω以上であり、抵抗値が高く、実用的でなかった。【０１１３】
（比較例２）
ストライプ状の乾燥パターンの熱処理時間を３０分に変更した以外は、比較例１と同様の操作をし、ストライプ状の導電パターンを得た。得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍで、残渣や剥がれはなく、良好な微細配線となった。また、ライン幅５０μｍ、ライン長４５ｍｍのライン抵抗は、２００Ωでああり、抵抗値が高く、実用的でなかった。【０１１４】
（比較例３）
ガラス基板に代えてＰＥＴフィルム基板を用い、さらにストライプ状の乾燥パターンの熱処理時間を１時間に変更した以外は、比較例１と同様の操作をし、ストライプ状の導電パターンを得た。得られた導電パターンは、膜厚６μｍ、Ｌ／Ｓ＝５０μｍ／５０μｍで、残渣や剥がれはなかったが、基板の一部に歪みや気泡の発生と見られる斑点が観測され、実用的でなかった。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明は、タッチパネルの回路基板等への導電パターンの製造方法として有用である。
【国際調査報告】
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