Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非導電性材料からなる操作部材と、
前記操作部材の回転操作とともに回転する回転部材と、
前記操作部材へのタッチ操作により静電容量が変化する第１の検出電極と、前記回転部材の回転によって電位が変化する複数の第２の検出電極と、を備えた基板と、
前記第１の検出電極の静電容量と、前記複数の第２の検出電極からの出力に基づいて、前記操作部材の回転操作と、を検出する検出部と、を有し、
前記複数の第２の検出電極は、前記基板の前記第１の検出電極が形成されている面と異なる面に形成され、
前記操作部材には、前記第１の検出電極に向けて突出形成される突出部が形成され、
前記突出部の先端は、前記第１の検出電極に対向していることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第１の検出電極は、前記基板に円周方向に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記突出部は、リブ形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記突出部は、前記第１の検出電極に沿って連続的に形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記突出部は、前記第１の検出電極に沿って等間隔に複数形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記突出部は、非導電材料により形成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記操作部材の裏面には、肉抜き部が形成され、
前記突出部は、前記肉抜き部に形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記基板は、前記操作部材と前記回転部材との間に配置されることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記第１の検出電極は、前記操作部材に対向し、
前記複数の第２の検出電極は、前記回転部材に対向していることを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記回転部材は、前記複数の第２の検出電極に対向し、前記回転部材の外周から突出する複数の被検出部と、を備えていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記検出部は、前記被検出部と前記複数の第２の検出電極を用いて、前記操作部材の回転操作を検出することを特徴とする請求項１０に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明の一側面としての電子機器は、非導電性材料からなる操作部材と、前記操作部材の回転操作とともに回転する回転部材と、前記操作部材へのタッチ操作により静電容量が変化する第１の検出電極と、前記回転部材の回転によって電位が変化する複数の第２の検出電極と、を備えた基板と、前記第１の検出電極の静電容量と、前記複数の第２の検出電極からの出力に基づいて、前記操作部材の回転操作と、を検出する検出部と、を有し、前記複数の第２の検出電極は、前記第１の検出電極が形成されている面と異なる面に形成され、前記操作部材には、前記第１の検出電極に向けて突出形成される突出部が形成され、前記突出部の先端は、前記第１の検出電極に対向していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
３００は外装カバー、３０１は回転操作可能な操作部材、３０２は支持部、３０３はプリント基板、３０４は回転板（回転部材）である。３０１ａは操作部３０１に形成された凸部、３０３ａはプリント基板３０３に形成された穴部、３０４ａは回転板３０４に形成された穴部である。３０５は、ボールとバネからなるクリック発生部である。３０６は、回転板３０４の外周部に形成された被検出部である。５０１は決定ボタン固定部材、５０２はねじ、５０３は弾性スイッチ、５１１は保持部材（固定部）、５２１は保持部材５１１上に固定されたフレキシブル基板である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図７（ｂ）は、図６（ｃ）と同様の操作部３０１の肉抜き部３０１ｂの拡大図である。３０１ｅは、肉抜き部３０１ｂと略同一形状の非導電材料部品であり、肉抜き部３０１ｂに固定されている。そのため、操作部３０１の表面（図６（ａ）の上側）に人体が接近すると、検出電極Ａ１〜Ａ４のいずれかの表面の静電容量がより安定して変化し、この変化を検出回路２０６が検出することが可能になる。なお、非導電材料部品３０１ｅは、説明を容易にするため、塗り潰した状態で図示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
１１５ａは決定ボタン１１５に設けられた凸部、５０１ｂは決定ボタン固定部材５０１に設けられた凹部である。凸部１１５ａと凹部５０１ｂを嵌合させて固定することにより、決定ボタン１１５と決定ボタン固定部材５０１は、回転方向に対して位置決めされ、固定される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
１００  デジタルカメラ（電子機器）
２０６  検出回路（検出部）
３０１  操作部（操作部材）
３０３  プリント基板（基板）
３０４  回転板（回転部材）
４００  第１の検出電極群（第１の検出電極）
４０１  第２の検出電極群（第２の検出電極）
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013131421.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性気密容器と、当該透光性気密容器内に配置されたフィラメントと、前記フィラメントに電流を供給するためのリード線とを有する白熱電球であって、
前記フィラメントは、第１の金属材料により構成された基体と、第２の金属材料により構成され、前記基体表面の少なくとも一部を被覆する金属膜とを備え、
前記金属膜を構成する第２の金属材料の融点は、前記基体を構成する第１の金属材料の融点よりも低く、
前記金属膜を構成する第２の金属材料は、前記リード線から電流の供給を受けて前記基体が光を放射する温度で、軟化することを特徴とする白熱電球。
【請求項２】
請求項１に記載の白熱電球において、前記金属膜を構成する第２の金属材料の融点は、前記リード線から電流の供給を受けて前記基体が可視光を放射する温度よりも、高いことを特徴とする白熱電球。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の白熱電球において、前記金属膜を構成する第２の金属材料は、ＴａＣ，ＺｒＣ，Ｃ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｉｒ，および、Ｒｕのうちのいずれかを含有することを特徴とする白熱電球。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の白熱電球において、前記基体を構成する第１の金属材料は、ＨｆＣ，ＴａＣ，ＺｒＣ，Ｃ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｉｒ，および、Ｒｕのうちのいずれかを含有することを特徴とする白熱電球。
【請求項５】
第１の金属材料により構成された基体と、第２の金属材料により構成され、前記基体表面の少なくとも一部を被覆する金属膜とを備え、
前記金属膜を構成する第２の金属材料の融点は、前記基体を構成する第１の金属材料の融点よりも低く、
前記金属膜を構成する第２の金属材料は、前記基体に通電して光を放射する温度で、軟化することを特徴とするフィラメント。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明によれば、透光性気密容器と、当該透光性気密容器内に配置されたフィラメントと、フィラメントに電流を供給するためのリード線とを有する白熱電球が提供される。フィラメントは、第１の金属材料により構成された基体と、第２の金属材料により構成され、基体表面の少なくとも一部を被覆する金属膜とを備える。金属膜を構成する第２の金属材料の融点は、基体を構成する第１の金属材料の融点よりも低い。金属膜を構成する第２の金属材料は、前記リード線から電流の供給を受けて前記基体が光を放射する温度で、軟化する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月18日(2015.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、及び液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極と、
トランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極として機能する、第１の配線と、
前記画素電極へ画像信号を伝達する機能を有する、第２の配線と、
前記トランジスタと電気的に接続された容量素子と、を有する画素は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層を有し、
前記半導体層は、第１の溝部及び第２の溝部を有し、
前記第１の溝部は、前記第１の配線と交差する方向に、前記第１の配線の線幅方向の両端を越えて、延在するように配置され、
前記第２の溝部は、前記容量素子を構成する、第３の配線と交差する方向に、延在するように配置され、
前記第２の溝部は、前記画素電極の両端部を越えて、延在しており、
前記第２の溝部は、前記画素電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画素電極を有する液晶素子と、
トランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極として機能する、第１の配線と、
前記液晶素子へ画像信号を伝達する機能を有する、第２の配線と、
前記トランジスタと電気的に接続された容量素子と、を有する画素は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有する半導体層を有し、
前記半導体層は、第１の溝部及び第２の溝部を有し、
前記第１の溝部は、前記第１の配線と交差する方向に、前記第１の配線の線幅方向の両端を越えて、延在するように配置され、
前記第２の溝部は、前記容量素子を構成する、第３の配線と交差する方向に、延在するように配置され、
前記第２の溝部は、前記画素電極の両端部を越えて、延在しており、
前記第２の溝部は、前記画素電極と重ならないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の溝部及び前記第２の溝部はそれぞれ、前記画素電極と、前記第２の配線との間に配置されることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月30日(2015.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に対して熱処理を行い、
前記熱処理後に、前記絶縁層に対して酸素ドープ処理を行い、
前記酸素ドープ処理後に、前記絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を有するトランジスタを形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に対して第１の酸素ドープ処理を行い、
前記第１の酸素ドープ処理後に、前記絶縁層に対して熱処理を行い、
前記熱処理後に、前記絶縁層に対して第２の酸素ドープ処理を行い、
前記第２の酸素ドープ処理後に、前記絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を有するトランジスタを形成する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に対して第１の熱処理を行い、
前記第１の熱処理後に、前記絶縁層に対して酸素ドープ処理を行い、
前記酸素ドープ処理後に、前記絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に対して第２の熱処理を行って、前記絶縁層から前記酸化物半導体層に酸素を供給する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に対して第１の酸素ドープ処理を行い、
前記第１の酸素ドープ処理後に、前記絶縁層に対して第１の熱処理を行い、
前記第１の熱処理後に、前記絶縁層に対して第２の酸素ドープ処理を行い、
前記第２の酸素ドープ処理後に、前記絶縁層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に対して第２の熱処理を行って、前記絶縁層から前記酸化物半導体層に酸素を供給する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項３において、
前記酸素ドープ処理は、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法、又はプラズマ処理によって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２又は請求項４において、
前記第２の酸素ドープ処理は、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオンインプランテーション法、又はプラズマ処理によって行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
プラズマ化学的気相成長法によって前記絶縁層を形成する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月28日(2015.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に、導電膜を形成し、
前記絶縁膜を介して前記導電膜から前記酸化物半導体膜へ酸素を供給し、
前記導電膜を加工して、ゲート電極を形成し、
前記絶縁膜を加工して、ゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を介して前記導電膜から前記酸化物半導体膜へ酸素を供給し、
前記導電膜を加工して、ゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜を加工して、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を加工して、前記ゲート電極の側面及び前記ゲート絶縁膜の側面に接する側壁絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記側壁絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも酸素を透過させ難いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を介して前記導電膜から前記酸化物半導体膜へ酸素を供給し、
前記導電膜を加工して、ゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜を加工して、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を加工して、前記ゲート電極の側面及び前記ゲート絶縁膜の側面に接する側壁絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記側壁絶縁膜の酸素透過性は、前記ゲート絶縁膜の酸素透過性よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜を介して前記導電膜から前記酸化物半導体膜へ酸素を供給し、
前記導電膜を加工して、ゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜を加工して、ゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極上に、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜を加工して、前記ゲート電極の側面及び前記ゲート絶縁膜の側面に接する側壁絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記側壁絶縁膜の酸素の拡散係数は、前記ゲート絶縁膜の酸素の拡散係数よりも低いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被記録対象領域内の特定位置に記録され且つ前記被記録対象領域に含まれる画素の位置の特定を支援する位置特定支援情報が複数の画素の特定色の有無によって表現された位置特定支援二値図柄、及び前記被記録対象領域内において前記位置特定支援二値図柄と重ならないように記録され且つ解読対象情報が複数の画素の前記特定色の有無によって表現された解読対象二値図柄を有する読取対象図柄と、
前記被記録対象領域内の基準線に沿って該被記録対象領域の予め定められた位置に挿入され且つ前記位置特定支援二値図柄による前記読取対象図柄に含まれる画素の位置の特定の支援を補助する支援補助情報が複数の画素の前記特定色の有無によって表現された支援補助二値図柄と、
を含む二次元コード。
【請求項２】
被記録対象領域内の特定位置に記録され且つ前記被記録対象領域に含まれる画素の位置の特定を支援する位置特定支援情報が複数の画素の特定色の有無によって表現された位置特定支援二値図柄、及び前記被記録対象領域内において前記位置特定支援二値図柄と重ならないように記録され且つ解読対象情報が複数の画素の前記特定色の有無によって表現された解読対象二値図柄を有する読取対象図柄と、
前記被記録対象領域内の基準線に沿って該被記録対象領域の予め定められた位置に各々挿入され且つ前記位置特定支援二値図柄による前記読取対象図柄に含まれる画素の位置の特定の支援を補助する支援補助情報が複数の画素の前記特定色の有無によって各々表現された複数の支援補助二値図柄と、
を含む二次元コード。
【請求項３】
前記被記録対象領域を四角形状とすると共に前記基準線を該被記録対象領域の辺とした請求項１又は請求項２に記載の二次元コード。
【請求項４】
前記支援補助二値図柄を、前記被記録対象領域の一辺単位で該被記録対象領域に複数挿入した請求項３に記載の二次元コード。
【請求項５】
前記複数の支援補助二値図柄を、前記被記録対象領域の一辺単位で前記位置特定支援二値図柄を含めて相互の間隔が揃うように配置した請求項４に記載の二次元コード。
【請求項６】
前記支援補助二値図柄を、前記被記録対象領域の少なくとも一組の対辺の各辺に沿って前記被記録対象領域に挿入した請求項３〜請求項５の何れか１項に記載の二次元コード。
【請求項７】
前記一組の対辺の各辺に沿って前記被記録対象領域に挿入された前記支援補助二値図柄の各々を結ぶ線分上の前記被記録対象領域に挿入され且つ前記支援補助情報に相当する情報が複数の画素の前記特定色の有無によって表現された他の支援補助二値図柄を更に含む請求項６に記載の二次元コード。
【請求項８】
前記支援補助二値図柄の大きさを、前記位置特定支援二値図柄の大きさ未満とした請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の二次元コード。
【請求項９】
前記支援補助二値図柄の大きさを、前記位置特定支援二値図柄の大きさ以上とした請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の二次元コード。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９の何れか１項に記載の二次元コードを記録媒体に記録する記録手段を含む記録装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項９の何れか１項に記載の二次元コードを撮影装置により撮影して得られた撮影画像から前記位置特定支援二値図柄に対応する位置特定支援二値画像及び前記支援補助二値図柄に対応する支援補助二値画像を検出する検出手段と、
前記被記録対象領域における前記位置特定支援二値図柄の位置を特定する位置特定情報として予め定められた第１位置特定情報を前記検出手段によって検出された前記位置特定支援二値画像に付与すると共に前記被記録対象領域における前記支援補助二値図柄の位置を特定する位置特定情報として予め定められた第２位置特定情報を前記検出手段によって検出された前記支援補助二値画像に付与する付与手段と、
前記付与手段によって付与された前記第１位置特定情報及び前記第２位置特定情報に基づいて前記被記録対象領域に含まれる画素の位置を特定する特定手段と、
を含む位置特定装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の位置特定装置と、
前記位置特定装置によって位置が特定された画素の特定色の有無を予め定められた閾値に基づいて識別する識別手段と、
を含む識別装置。
【請求項１３】
コンピュータを、
請求項１〜請求項９の何れか１項に記載の二次元コードを撮影装置により撮影して得られた撮影画像から前記位置特定支援二値図柄に対応する位置特定支援二値画像及び前記支援補助二値図柄に対応する支援補助二値画像を検出する検出手段、
前記被記録対象領域における前記位置特定支援二値図柄の位置を特定する位置特定情報として予め定められた第１位置特定情報を前記検出手段によって検出された前記位置特定支援二値画像に付与すると共に前記被記録対象領域における前記支援補助二値図柄の位置を特定する位置特定情報として予め定められた第２位置特定情報を前記検出手段によって検出された前記支援補助二値画像に付与する付与手段、
並びに、前記付与手段によって付与された前記第１位置特定情報及び前記第２位置特定情報に基づいて前記被記録対象領域に含まれる画素の位置を特定する特定手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の二次元コードを、被記録対象領域内の特定位置に記録され且つ前記被記録対象領域に含まれる画素の位置の特定を支援する位置特定支援情報が複数の画素の特定色の有無によって表現された位置特定支援二値図柄、及び前記被記録対象領域内において前記位置特定支援二値図柄と重ならないように記録され且つ解読対象情報が複数の画素の前記特定色の有無によって表現された解読対象二値図柄を有する読取対象図柄と、前記被記録対象領域内の基準線に沿って該被記録対象領域の予め定められた位置に挿入され且つ前記位置特定支援二値図柄による前記読取対象図柄に含まれる画素の位置の特定の支援を補助する支援補助情報が複数の画素の前記特定色の有無によって表現された支援補助二値図柄と、を含んで構成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項２に記載の二次元コードを、被記録対象領域内の特定位置に記録され且つ前記被記録対象領域に含まれる画素の位置の特定を支援する位置特定支援情報が複数の画素の特定色の有無によって表現された位置特定支援二値図柄、及び前記被記録対象領域内において前記位置特定支援二値図柄と重ならないように記録され且つ解読対象情報が複数の画素の前記特定色の有無によって表現された解読対象二値図柄を有する読取対象図柄と、前記被記録対象領域内の基準線に沿って該被記録対象領域の予め定められた位置に各々挿入され且つ前記位置特定支援二値図柄による前記読取対象図柄に含まれる画素の位置の特定の支援を補助する支援補助情報が複数の画素の前記特定色の有無によって各々表現された複数の支援補助二値図柄と、を含んで構成した。
請求項１又は請求項２に記載の二次元コードを、請求項３に記載の発明のように、前記被記録対象領域を四角形状とすると共に前記基準線を該被記録対象領域の辺としたものとした。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に接続端子と係合部とを有する記憶媒体が第１の方向に挿入される挿入口と、前記第１の方向とは反対側の第２の方向に前記記憶媒体を前記挿入口から排出するための第１のボタンと、を有する筐体と、
前記筐体の内部に配置され、前記接続端子と接続可能な端子電極と、
前記係合部と係合可能なロック位置と前記係合部との係合を解除するアンロック位置との間を移動可能なアーム部材と、前記アーム部材を前記ロック位置へ付勢する付勢部材とを有し、前記アーム部材は、前記第１の方向へ移動する前記記憶媒体と干渉して前記ロック位置から前記アンロック位置側へ移動し、前記接続端子が前記端子電極と接続された位置で前記ロック位置へ復帰して前記第２の方向への前記記憶媒体の移動を規制する、前記挿入口と前記端子電極との間に配置されたロック機構と、
前記第１のボタンへの入力操作に基づいて、前記アーム部材を前記ロック位置から前記アンロック位置へ移動させる駆動ユニットと
を具備する電子機器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子機器であって、
前記ロック機構は、前記第１の方向に移動する前記記憶媒体に当接することで前記アーム部材を前記ロック位置から前記アンロック位置へ向けて回動させる回動軸をさらに有する
電子機器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子機器であって、
前記駆動ユニットは、
前記アーム部材と係合可能なカムと、
前記カムを回転させるモータと、
前記モータの駆動を制御する制御部とを有する
電子機器。
【請求項４】
請求項３に記載の電子機器であって、
前記駆動ユニットは、前記カムの回転位置を検出するセンサをさらに有し、
前記制御部は、前記センサの出力に基づいて前記モータの駆動を制御する
電子機器。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の電子機器であって、
前記筐体に取り付けられ、押圧操作によって前記アーム部材を前記ロック位置から前記アンロック位置へ機械的に移動させる第２のボタンをさらに具備する
電子機器。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の電子機器であって、
前記駆動ユニットは、前記アーム部材を前記ロック位置から前記アンロック位置へ移動させてから所定時間経過した後、前記アーム部材を前記ロック位置へ復帰させる
電子機器。
【請求項７】
請求項６に記載の電子機器であって、
前記駆動ユニットは、前記アーム部材を前記ロック位置へ復帰させた後、電源オフ操作を検出したときは、前記アーム部材を前記ロック位置から前記アンロック位置へ再度移動させる
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月24日(2014.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行方向に互いに隣接する第１画素及び第２画素と、
二つ以上の走査開始信号の入力及び四つ以上のクロック制御信号の入力を受け、複数のゲ−トオン電圧を出力するゲ−ト集積回路チップと、を備え、
前記第１画素は、
第１ゲ−ト線及び第１デ−タ線に接続される第１スイッチング素子と、
前記第１ゲ−ト線及び前記第１デ−タ線に接続される第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子に接続される第１副画素電極と、
前記第２スイッチング素子に接続される第２副画素電極と、
前記第２副画素電極及び第１電荷共有線に接続される第３スイッチング素子と、
前記第３スイッチング素子に接続される第１変換キャパシタと、を含み、
前記第２画素は、
第２ゲ−ト線及び第２デ−タ線に接続される第４スイッチング素子と、
前記第２ゲ−ト線及び前記第２デ−タ線に接続される第５スイッチング素子と、
前記第４スイッチング素子に接続される第３副画素電極と、
前記第５スイッチング素子に接続される第４副画素電極と、
前記第４副画素電極及び第２電荷共有線に接続される第６スイッチング素子と、
前記第６スイッチング素子に接続される第２変換キャパシタと、を含み、
前記四つ以上のクロック制御信号のうちの少なくとも二つは、前記二つ以上の走査開始信号のいずれか一つに基づいて生成され、
前記二つ以上の走査開始信号のタイミングは互いに独立的であり、前記四つ以上のクロック制御信号のうちの少なくとも二つのクロック制御信号のタイミングは互いに独立的であり、前記第１ゲート線及び前記第２ゲート線は前記ゲートオン電圧の印加を同時に受けることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１ゲ−ト線に印加される第１ゲ−トオン電圧は、前記二つ以上の走査開始信号のうちの一つの走査開始信号に基づいて生成される前記少なくとも二つのクロック制御信号のうちの第１クロック制御信号に同期化され、
前記第１電荷共有線に印加される第２ゲ−トオン電圧は、前記二つ以上の走査開始信号のうちの一つの走査開始信号に基づいて生成される前記少なくとも二つのクロック制御信号のうちの第２クロック制御信号に同期化されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１クロック制御信号の上昇タイミングは、前記二つ以上の走査開始信号のうちの第１走査開始信号がハイレベルである区間に位置し、
前記第２クロック制御信号の上昇タイミングは、前記二つ以上の走査開始信号のうちの第２走査開始信号がハイレベルである区間に位置することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１ゲート線に隣接する前記第２ゲート線に印加される第３ゲートオン電圧の上昇タイミングは、前記第１ゲートオン電圧の上昇タイミングと異なり、
前記第１電荷共有線に隣接する前記第２電荷共有線に印加される第４ゲートオン電圧の上昇タイミングは、前記第２ゲートオン電圧の上昇タイミングと異なることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１副画素電極及び前記第２副画素電極は、前記第１データ線に隣接する前記第２データ線と、前記第２データ線に隣接する第３データ線との間の領域の外側に位置することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１ゲート線に隣接する前記第２ゲート線に印加される第３ゲートオン電圧及び前記第１ゲ−ト線に印加される第１ゲートオン電圧は同時に印加され、
前記第１電荷共有線に隣接する前記第２電荷共有線に印加される第４ゲートオン電圧及び前記第１電荷共有線に印加される第２ゲートオン電圧は同時に印加されることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１ゲ−ト線に印加される第１ゲ−トオン電圧と、前記第１ゲ−ト線に隣接して位置する第２ゲ−ト線に印加される第３ゲ−トオン電圧とは互いに重畳することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
１０ｍｍ以下の幅を有するベ−ゼルを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
左眼映像及び右眼映像を含む３Ｄ映像を出力することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１ゲ−ト線に印加される第１ゲ−トオン電圧は、前記二つ以上の走査開始信号のうちの一つの走査開始信号に基づいて生成される前記少なくとも二つのクロック制御信号のうちの第１クロック制御信号に同期化され、
前記第１電荷共有線に印加される第２ゲ−トオン電圧は、前記二つ以上の走査開始信号のうちの一つの走査開始信号に基づいて生成される前記少なくとも二つのクロック制御信号のうちの第２クロック制御信号に同期化されることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１ゲート線に隣接する前記第２ゲート線に印加される第３ゲートオン電圧及び前記第１ゲ−ト線に印加される第１ゲートオン電圧は同時に印加され、
前記第１電荷共有線に隣接する前記第２電荷共有線に印加される第４ゲートオン電圧及び前記第１電荷共有線に印加される第２ゲートオン電圧は同時に印加されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ゲ−トオンタイミング（ｇａｔｅ−ｏｎ  ｔｉｍｉｎｇ）、放電タイミング（ｄｉｓｃｈａｒｇｉｎｇ  ｔｉｍｉｎｇ）を調節してスリムベ−ゼル（ｓｌｉｍ  ｂｅｚｅｌ）、立体映像表示装置に適用されるゲ−ト駆動部を備える液晶表示装置を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無色透明トナーを製造する方法であって、
ａ）低分子量（ＬＭＷ）ラテックス樹脂と低融点ワックスとを含む第１組成物を高剪断力で混合しそして均質化することであって、前記低分子量ラテックス樹脂は、１２  ｘ  １０３〜４５  ｘ  １０３までの重量平均分子量を有すること；
ｂ）前記第１組成物を、選択サイズの粒子が達成されるまで混合しそして加熱すること；
ｃ）前記第１組成物を、第２組成物と接触させて、前記粒子の周りにシェルを形成することであって、前記第２組成物は、前記第１組成物よりも高いＴｇを有し、コア‐シェル粒子を生じること；
ｄ）前記コア‐シェル粒子を、選択サイズ及び選択円形度のコア‐シェル粒子が達成されるまでインキュベートすること；
ｅ）前記コア‐シェル粒子を回収すること；及び
ｆ）前記コア‐シェル粒子を着色剤の非存在下で処理して無色透明トナーを形成することを包含し、ここで、前記無色透明トナーは、８０ｇｇｕ〜１００ｇｇｕの光沢値を有する、方法。
【請求項２】
前記低分子量ラテックス樹脂は、第１モノマーと第２モノマーとを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記低分子量ラテックスは、スチレン及びアクリラートを含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１モノマー及び前記第２モノマーは、スチレン、メチルアクリラート、エチルアクリラート、ブチルアクリラート、イソブチルアクリラート、ドデシルアクリラート、ｎ‐オクチルアクリラート、２‐クロロエチルアクリラート、β‐カルボキシエチルアクリラート（β‐ＣＥＡ）、フェニルアクリラート、メチルα‐クロロアクリラート、メチルメタクリラート、エチルメタクリラート、ｎ‐ブチルアクリラート、ブチルメタクリラート、ブタジエン、イソプレン、メタクリロニトリル、アクリロニトリル、ビニルメチルエーテル、ビニルイソブチルエーテル、ビニルエチルエーテル、ビニルアセタート、ビニルプロピオナート、ビニルベンゾアート、ビニルブチラート、ビニルメチルケトン、ビニルヘキシルケトン、メチルイソプロペニルケトン、ビニリデンクロリド、ビニリデンクロロフルオリド、Ｎ‐ビニルインドール、Ｎ‐ビニルピロリドン、メタクリラート、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニル‐Ｎ‐メチルピリジニウムクロリド、ビニルナフタレン、ｐ‐クロロスチレン、ビニルクロリド、ビニルブロミド、ビニルフルオリド、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記低融点ワックスは、フィッシャー‐トロプシュワックス、カルナウバワックス、日本ろう、シロヤマモモワックス、ライスワックス、サトウキビワックス、キャンデリラワックス、獣脂、及びホホバオイル、蜜ろう、シェラックワックス、マッコウ鯨ろう、鯨ろう、中国ろう、ラノリン；エステルワックス、カプロンアミド、カプリルアミド、ペラルゴン酸アミド、カプリン酸アミド、ラウリルアミド、トリデカン酸アミド、ミリスチルアミド、ステアロアミド、ベヘン酸アミド、エチレン‐ビスステアロアミド、カプロレイン酸アミド、ミリストレイン酸アミド、オレアミド、エライジン酸アミド、リノール酸アミド、エルカミド、リシノール酸アミド、リノレン酸アミド、モンタンワックス、オゾケライト、セレシン、亜炭ワックス、パラフィンワックス、微晶質ワックス、低分子ポリエチレン、低分子ポリプロピレン、低分子ポリブテン、ポリテトラフルオロエチレンワックス、アクラワックス、ジステアリルケトン、カスターワックス、オパールワックス、モンタンワックス誘導体、パラフィンワックス誘導体、微晶質ワックス誘導体並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
低分子量（ＬＭＷ）ラテックス樹脂、低融点ワックス及びポリマーシェルを含有し、前記低分子量ラテックス樹脂が、１２  ｘ  １０３〜４５  ｘ  １０３までの重量平均分子量を有し、前記ポリマーシェルのＴｇが、前記低分子量ラテックス樹脂のＴｇより高い、着色剤を含まないトナー粒子。
【請求項７】
前記トナー粒子は、６０〜１７０ｇ／１０分のメルトフローインデックスを示す、請求項６に記載のトナー粒子。
【請求項８】
前記トナー粒子は、８０ｇｇｕ〜１００ｇｇｕまでの光沢値を有する、請求項６または７に記載のトナー粒子。
【請求項９】
前記低分子量ラテックス樹脂は、スチレン及びアクリラートを含有する、請求項６〜８のいずれか一項に記載のトナー粒子。
【請求項１０】
前記低融点ワックスは、フィッシャー‐トロプシュワックス、カルナウバワックス、日本ろう、シロヤマモモワックス、ライスワックス、サトウキビワックス、キャンデリラワックス、獣脂、及びホホバオイル、蜜ろう、シェラックワックス、マッコウ鯨ろう、鯨ろう、中国ろう、ラノリン；エステルワックス、カプロンアミド、カプリルアミド、ペラルゴン酸アミド、カプリン酸アミド、ラウリルアミド、トリデカン酸アミド、ミリスチルアミド、ステアロアミド、ベヘン酸アミド、エチレン‐ビスステアロアミド、カプロレイン酸アミド、ミリストレイン酸アミド、オレアミド、エライジン酸アミド、リノール酸アミド、エルカミド、リシノール酸アミド、リノレン酸アミド、モンタンワックス、オゾケライト、セレシン、亜炭ワックス、パラフィンワックス、微晶質ワックス、低分子ポリエチレン、低分子ポリプロピレン、低分子ポリブテン、ポリテトラフルオロエチレンワックス、アクラワックス、ジステアリルケトン、カスターワックス、オパールワックス、モンタンワックス誘導体、パラフィンワックス誘導体、微晶質ワックス誘導体及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項６〜９のいずれか一項に記載のトナー粒子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無色透明トナーの製造方法およびトナー粒子
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピロジラクタムポリカーボナートとポリカーボナートとのコポリマーと、
ポリシロキサンと、
任意成分である導電性フィラーと、
を含むポリマー層を備えた、中間体転写部材であって、
前記コポリマーは次式で示される構造を有し、
【化１】
2012242824.tif 000001
；
【化２】
2012242824.tif 000002
又は
【化３】
2012242824.tif 000003
式中、ｘは約２〜約２０モル％、ｙは約８０〜９８モル％、ｘとｙとの合計が１００モル％である、中間体転写部材。
【請求項２】
前記コポリマーは、ゲル透過クロマトグラフィー分析によって測定された重量平均分子量が約５０，０００〜約３００，０００である、請求項１に記載の中間体転写部材。
【請求項３】
前記ポリマー層と接触する離型層をさらに含み、
前記離型層は、フッ化エチレンプロピレンコポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフルオロアルコキシポリテトラフルオロエチレン、フルオロシリコーン、及びビニリデンフルオリドとヘキサフルオロプロピレンとテトラフルオロエチレンとのターポリマーから選択される少なくとも１種の成分からなる、請求項１又は２に記載の中間体転写部材。
【請求項４】
前記ポリシロキサンは、ポリエーテルとポリジメチルシロキサンとのコポリマー、ポリエステルとポリジメチルシロキサンとのコポリマー、ポリアクリラートとポリジメチルシロキサンとのコポリマー、又はポリエステルポリエーテルとポリジメチルシロキサンとのコポリマーである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の中間体転写部材。
【請求項５】
前記ポリマー層の総重量を１００重量％とした場合、前記コポリマーは約６０〜約９５重量％の量で存在し、前記ポリシロキサンは約０．０５〜約１重量％の量で存在し、前記導電性フィラーは約１〜約４０重量％量で存在する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の中間体転写部材。
【請求項６】
次式で示される構造を有するスピロジラクタムポリカーボナートコポリマーと、
任意成分である導電性フィラーと、
を含むポリマー層を備えた、中間体転写部材であって、
【化４】
2012242824.tif 000004
式中、ｘは約６〜約２５モル％、ｙは約７５〜９４モル％である、中間体転写部材。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均径が３μｍ〜１０μｍのトナー粒子を含み、このトナー粒子は、平均質量密度が０．８ｇ／ｃｍ３以下であり、
前記トナー粒子が、下記構造（ａ）または構造（ｂ）：
（ａ）コアがシェルに囲まれたコア−シェル構造であって、前記コアおよび前記シェルが、それぞれ、アモルファス樹脂、結晶性樹脂、低密度コンポジット物質、およびこれらの組み合わせからなる群から独立して選択される樹脂を含み、前記コアが前記樹脂と異なる低密度物質を含み、前記低密度物質が、溶解した気体、低密度油、低密度ポリマー、およびこれらの組み合わせからなる群から選択され、但し、前記溶解した気体は空気ではない、構造、
（ｂ）第１の物質を含むシェルおよび第２の物質を含むコアを有するコア−シェル構造であって、前記第２の物質は、低密度カーボンナノコンポジット、多孔性鉱物および多孔性セラミックから選択され、前記第２の物質は前記第１の物質よりも低密度である、構造、
を有する、トナー組成物。
【請求項２】
前記トナー粒子は、平均径が５μｍ〜７μｍの範囲である、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項３】
前記シェルが多孔性であり、前記コアが多孔性である、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項４】
前記トナー粒子は、空隙率が１％〜８０％である、請求項３に記載のトナー組成物。
【請求項５】
前記トナー粒子が前記構造（ａ）を有する、請求項１に記載のトナー組成物。
【請求項６】
前記コアが、前記低密度物質の孤立した島を備える、請求項５に記載のトナー組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光源（３０４）から第１の光を受け取り（１１４）、音響検出器（１０６）で受け取った音波（１１６）により発生する振動に応答して前記第１の光を反射する（１１８）ように構成されている前記音響検出器（１０６）を有するセンサヘッド（１０２）と、
少なくとも１つの光ファイバ（１０４）と、
少なくとも１つの前記センサヘッドおよび前記少なくとも１つの光ファイバ内の少なくとも１つの蛍光材料であって、前記センサ外部の第２の光源（３２６）から第２の光を受け取り（１２０）、前記第２の光源から受け取った前記第２の光に応答して可視光（２０４）を放出するように構成されている少なくとも１つの蛍光材料と
を備えるセンサ（１００）。
【請求項２】
前記センサヘッド（１０２）が前記音響検出器（１０６）近傍に半透明領域（１２８）を備える、請求項１記載のセンサ（１００）。
【請求項３】
前記少なくとも１つの蛍光材料が前記半透明領域（１２８）内にある、請求項２記載のセンサ（１００）。
【請求項４】
前記少なくとも１つの光ファイバ（１０４）が、前記第１の光源（３０４）からの前記第１の光（１１４）および反射された前記第１の光（１１８）を伝送するための第１の光ファイバと、前記少なくとも１つの蛍光材料から放出された前記可視光（２０４）を伝送するための第２の光ファイバ（２０２）とを備える、請求項１乃至３のいずれかに記載のセンサ（１００）。
【請求項５】
前記音響検出器（１０６）が、音波（１１６）を受け取ったとき振動する振動板であり、前記振動により、前記第１の光源（３０４）からの前記第１の光（１１４）が前記振動板によって反射される、請求項１乃至４のいずれかに記載のセンサ（１００）。
【請求項６】
第１の光源（３０４）から第１の光を受け取り（１１４）、音響検出器（１０６）で受け取った音波（１１６）に応答して前記第１の光を反射する（１１８）ように構成されている音響検出器（１０６）を有するセンサヘッド（１０２）、
少なくとも１つの光ファイバ（１０４）、および
少なくとも１つの前記センサヘッドおよび前記少なくとも１つの光ファイバ内の少なくとも１つの蛍光材料であって、前記センサ外部の第２の光源（３２６）から第２の光を受け取り（１２０）、前記第２の光源から受け取った前記第２の光に応答して可視光（２０４）を放出するように構成されている少なくとも１つの蛍光材料
を備えるセンサ（１００）と、
前記音響検出器によって前記反射された第１の光を表す第１の測定値を受け取り、前記少なくとも１つの蛍光材料から放出された前記可視光を表す第２の測定値を受け取り、受け取った前記反射された第１の光および前記可視光に基づいて、閃光アークの発生を決定するようにプログラムされたプロセッサ（３２０）を有する信号処理装置（３０２）と
を備える、検出システム（３００）。
【請求項７】
前記プロセッサ（３２０）が前記第１の測定値を反射光閾値と比較し、前記第２の測定値を可視光閾値と比較するようにさらにプログラムされている、請求項６記載の検出システム（３００）。
【請求項８】
前記プロセッサ（３２０）が、前記プロセッサが前記第１の測定値を受け取る時間と前記プロセッサが前記第２の測定値を受け取る時間との間の差異を表すタイミングギャップを計算するようにさらにプログラムされている、請求項７記載の検出システム（３００）。
【請求項９】
前記プロセッサ（３２０）が、
前記反射光閾値以上の前記第１の測定値、
前記可視光閾値以上の前記第２の測定値、および
所定のタイミングウィンドウ内のタイミングギャップ
の少なくとも１つを決定したとき閃光アーク（３２６）の発生を決定するようにプログラムされている、請求項８記載の検出システム（３００）。
【請求項１０】
前記プロセッサ（３２０）が、前記閃光アークが発生したと決定したとき前記閃光アーク（３２６）を低減する保護装置（４０４）を活動化するようにさらにプログラムされている、請求項９記載の検出システム（３００）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフレームの特徴点を追跡して正方向の特徴点軌跡情報を決定する特徴点軌跡情報決定部と、
現在フレームの各ブロック別に追跡された特徴点が存在するか否かに基づき、前記現在フレームに対して逆方向の動き推定を実行する動き推定部と、
前記動き推定によって決定された動きベクトルを用いて前記現在フレームと以前フレームとの間の新たな中間フレームを生成するフレーム生成部と、
を含み、
前記フレーム生成部は、
前記複数のフレームに対して正方向に特徴点を追跡する場合に、前記正方向の特徴点軌跡情報とブロック整合エラーを用いて検出されたフレーム間の閉塞領域の種類に応じて前記以前フレームまたは前記現在フレームのうちのいずれか１つを用いて前記中間フレームを生成する、
ことを特徴とする動き軌跡を用いたフレーム率向上装置。
【請求項２】
前記動き推定部は、
現在フレームで動き推定を実行しようとする現在ブロックに追跡された特徴点が存在する場合に、前記特徴点の特徴点軌跡情報を用いて前記現在ブロックに対して逆方向の動き推定を実行し、前記現在ブロックに追跡された特徴点が存在しない場合に、前記現在ブロックの隣接ブロックの動きベクトルを用いて前記現在ブロックに対して逆方向の動き推定を実行する、
ことを特徴とする請求項１に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上装置。
【請求項３】
前記特徴点軌跡情報決定部は、
初期フレームから抽出した特徴点を正方向に現れる複数のフレームに対して連続的に追跡して前記特徴点の特徴点軌跡情報を決定する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上装置。
【請求項４】
前記特徴点は、
映像の局部的な領域内において高周波特性が現れる境界、隅部、またはテクスチャである地点を含む、
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上装置。
【請求項５】
前記特徴点軌跡情報決定部は、
（１）フレーム間の場面変換が発生する場合、
（２）軌跡が追跡された特徴点の個数が予め設定された特徴点の基準個数よりも少ない場合、または
（３）フレームを構成する分割領域のうち予め設定された領域から抽出された特徴点個数が予め設定された特徴点個数よりも少ない場合、
のうちのいずれか１つが発生すれば、特徴点を追加的に抽出する、
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上装置。
【請求項６】
前記フレーム間の閉塞領域を検出する閉塞領域検出部を更に有し、前記閉塞領域検出部は、
ブロックのＳＡＤが予め設定されたＳＡＤ以上であり、以前フレームから抽出された特徴点が現在フレームから抽出されない領域を閉塞領域のうちのカバー領域として決定し、
ブロックのＳＡＤが予め設定されたＳＡＤ以上であり、以前フレームから抽出されない特徴点が現在フレームから抽出された領域を閉塞領域のうちのアンカバー領域として決定する、
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上装置。
【請求項７】
前記フレーム生成部は、
前記カバー領域に対して以前フレームの動きベクトルを用いて中間フレームを生成し、
前記アンカバー領域に対して現在フレームの動きベクトルを用いて中間フレームを生成する、
ことを特徴とする請求項６に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上装置。
【請求項８】
複数のフレームの特徴点を追跡して正方向の特徴点軌跡情報を決定するステップと、
現在フレームの各ブロック別に追跡された特徴点が存在するか否かに基づき、前記現在フレームに対して逆方向の動き推定を実行するステップと、
前記動き推定によって決定された動きベクトルを用いて前記現在フレームと以前フレームとの間の新たな中間フレームを生成するステップと、
を含み、
前記中間フレームを生成するステップは、
前記複数のフレームに対して正方向に特徴点を追跡する場合に、前記正方向の特徴点軌跡情報とブロック整合エラーを用いて検出されたフレーム間の閉塞領域の種類に応じて前記以前フレームまたは前記現在フレームのうちのいずれか１つを用いて前記中間フレームを生成する、
ことを特徴とする動き軌跡を用いたフレーム率向上方法。
【請求項９】
前記逆方向のブロック基盤の動き推定を実行するステップは、
現在フレームで動き推定を実行しようとする現在ブロックに追跡された特徴点が存在する場合に、前記特徴点の特徴点軌跡情報を用いて前記現在ブロックに対して逆方向の動き推定を実行し、前記現在ブロックに追跡された特徴点が存在しない場合に、前記現在ブロックの隣接ブロックの動きベクトルを用いて前記現在ブロックに対して逆方向の動き推定を実行する、
ことを特徴とする請求項８に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上方法。
【請求項１０】
前記正方向の特徴点軌跡情報を決定するステップは、
初期フレームから抽出した特徴点を正方向に現れる複数のフレームに対して連続的に追跡して前記特徴点の特徴点軌跡情報を決定する、
ことを特徴とする請求項８または９に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上方法。
【請求項１１】
前記正方向の特徴点軌跡情報を決定するステップは、
（１）フレーム間の場面変換が発生する場合、
（２）軌跡が追跡された特徴点の個数が予め設定された特徴点の基準個数よりも少ない場合、または
（３）フレームを構成する分割領域のうち予め設定された領域から抽出された特徴点個数が予め設定された特徴点個数よりも少ない場合、
のうちのいずれか１つが発生すれば、特徴点を追加的に抽出する、
ことを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか一項に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上方法。
【請求項１２】
フレーム間の閉塞領域の検出において、
ブロックのＳＡＤが予め設定されたＳＡＤ以上であり、以前フレームから抽出された特徴点が現在フレームから抽出されない領域を閉塞領域のうちのカバー領域として決定し、
ブロックのＳＡＤが予め設定されたＳＡＤ以上であり、以前フレームから抽出されない特徴点が現在フレームから抽出された領域を閉塞領域のうちのアンカバー領域として決定する、
ことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか一項に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上方法。
【請求項１３】
前記中間フレームを生成するステップは、
前記カバー領域に対して以前フレームの動きベクトルを用いて中間フレームを生成し、
前記アンカバー領域に対して現在フレームの動きベクトルを用いて中間フレームを生成する、
ことを特徴とする請求項１２に記載の動き軌跡を用いたフレーム率向上方法。
【請求項１４】
請求項８の方法を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化チタンを含有する白色硬化性組成物を用いて形成される塗膜からなるソルダーレジスト層を２層以上積層してなるプリント配線板用ソルダーレジスト層であって、且つ、各ソルダーレジスト層中の酸化チタンの厚さ方向の分布が、下方と上方とで相対的に、下方は密で上方は疎になっていることを特徴とするプリント配線板用ソルダーレジスト層。
【請求項２】
ソルダーレジスト層の総膜厚が６０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板用ソルダーレジスト層。
【請求項３】
３層以上のソルダーレジスト層が積層されたことを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線板用ソルダーレジスト層。
【請求項４】
各ソルダーレジスト層を形成する前記白色硬化性組成物は同一若しくは異なることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプリント配線板用ソルダーレジスト層
【請求項５】
ソルダーレジスト層の総膜厚が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリント配線板用ソルダーレジスト層。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線板用ソルダーレジスト層を有することを特徴とするプリント配線板用ソルダーレジスト層
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のプリント配線板用ソルダーレジストの形成方法であって、酸化チタンを含有する白色硬化性組成物を塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を固化することを２回以上繰り返すことにより、２層以上のソルダーレジスト層を形成することを特徴とするプリント配線板用ソルダーレジスト層の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリント配線板用ソルダーレジスト層及びその形成方法