【事件の表示】
　特願２０１４−１５８２１０「回路基板及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　３月１７日出願公開、特開２０１６−　３５９６９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２６年８月１日の出願であって、平成２９年１２月２８日付けの拒絶理由の通知に対し、平成３０年１月２５日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年７月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年１０月３０日に審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
第２　本願発明  
　本願の請求項１ないし１９に係る発明は、平成３０年１０月３０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項により特定されるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
 
「【請求項１】
　導体層と該導体層を覆う絶縁層とを備え、該絶縁層から前記導体層の一部分を露出させるビアホールを備える回路基板であって、
　前記導体層の表面の算術平均粗さが、３５０ｎｍ以下であり、
　前記ビアホールの深さが、２５μｍ未満であり、
　前記ビアホールのトップ径（Ｚ）が、５０μｍ以下であり、
　前記ビアホールのトップ径（Ｚ）と前記ビアホールの最小径（Ｙ）と前記ビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たしている、回路基板。」
第３　原査定における拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の下記の請求項に係る発明は、本願の出願前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献２ないし４に記載された技術的事項に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１．特開２００９−１８８１４６号公報
引用文献２．特開２００６−２８２２５号公報
引用文献３．特開２０１２−６７１５６号公報
引用文献４．特開２０１３−７７５９０号公報
・請求項１ないし３について引用文献１及び２
・請求項４ないし１５について引用文献１ないし３
・請求項１６ないし１９について引用文献１ないし４
第４　引用文献、引用発明等
１．引用文献１について
　原査定の拒絶の理由で引用された上記引用文献１には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与したものである。
ア．「【００１０】
　
ビアランドには、後述するレーザーを乱反射させるための乱反射加工が施されている。
乱反射加工として、ビアランドを凸形状とする場合だけでなく、ビアランドの表面に微小な凹凸を形成してもよい。
このような凹凸は、レーザー光の波長より十分に大きいので、乱反射させることが可能である。
イ．「【００１８】
　図１は本発明にかかる配線基板の第１実施例の構造を示す断面図である。本実施例の
配線基板Ａは、基材であるコア基板１と、回路部品７を内蔵した樹脂層１０との２層構造となっている
【００１９】
　
コア基板１の表面には配線パターンを構成する複数のランド２ａ，２ｂと配線２ｃとが形成され、
ランド２ｂはビアランドであり、後述するビアホール内に充填される導電材料１２と接続されている。ビアランド２ｂの表面には、レーザーを乱反射させるための乱反射面２ｂ１が形成されている。乱反射面２ｂ１は、例えば微小な凹凸面で構成されている。
【００２０】
　コア基板１として例えばＬＴＣＣ（低温焼結セラミック）よりなるセラミック多層基板１を用いた場合には、その表裏面の配線パターン２ａ〜２ｃ、３ａ，３ｂ及び内層電極４、ビア５として導電性ペーストを用い、これをセラミック多層基板１と一体焼成してなる焼結金属（厚膜電極）で構成することができる。このような焼結金属の場合、導電ペースト中の樹脂成分が消失することにより、ビアホール２ｂの表面には微小な凹凸２ｂ１が形成される。そのため、格別な加工を施さなくてもレーザーを乱反射させることが可能になる。なお、
ビアランド２ｂがめっき膜や銅箔で構成されている場合でも、その表面を粗面加工することにより、レーザーを乱反射させることができる
　　　　　　　　　・・・（中略）・・・
【００２３】
　
樹脂層１０のビアランド２ｂと対応する位置には、表裏方向に貫通するビアホール１１が形成されている
ビアホール１１はレーザー加工により形成され、その入射側の口径が底部側（ビアランド側）の口径より大きなテーパ形状となるが、
ビアホール１１の底部には口径が拡大した拡径部１１ａが形成されている
上述のようにビアホール１１をレーザー加工した場合、その底部口径は入射側の口径より小さくなり、例えばアスペクト比が５のビアホールの場合、その底部口径は入射側の口径の約６０％になる。そのため、拡径部１１ａの口径は、接続信頼性を確保するため入射側の口径に対して８０〜１２０％の大きさであることが好ましい。小型化および接続信頼性の観点から、９０〜１００％の範囲であることがさらに好ましい。
ウ．「【００３１】
　次の表は、
ビア径とアスペクト比が異なるサンプルを作成し、ビアとビアランドとの接続信頼性（ＯＰＥＮ／ＳＨＯＲＴ）を検証したもので、◎は不良発生なし、△はＰＰＭ不良発生、×は接続不良多発を示す。表１はビアホール１１の底部に拡径部１１ａを設けた場合（本発明）、
ビアホール１１の口径（レーザー入射側のビア口径）
【００３２】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
・段落【００１８】によれば、引用文献１には、基材であるコア基板１と樹脂層１０との２層構造となっている配線基板Ａが記載されている。
・段落【００１９】によれば、コア基板１の表面にはビアランド２ｂを含む配線パターンが形成されている。
・段落【００２３】によれば、樹脂層１０のビアランド２ｂと対応する位置には、レーザー加工により、表裏方向に貫通するビアホール１１が形成されている。
・段落【００１９】によれば、ビアランド２ｂの表面には、レーザーを乱反射させるための微小な凹凸面が形成されている。また、段落【００１０】によれば、このような凹凸は、レーザー光の波長より十分に大きいので乱反射させることが可能である。
　したがって、引用文献１には、ビアランド２ｂの表面に、レーザー光の波長より十分に大きい微小な凹凸面が形成されることが記載されている。
・段落【００１９】によれば、ビアランド２ｂは、ビアホール内に充填される導電材料１２と接続されている。
・段落【００３２】の表１には、ビア径５０μｍでアスペクト比が０．５であるサンプルが示されている。ここで、「ビア径」は、ビアホールの口径を意味することが明らかである。そして、表１の説明として段落【００３１】には「ビアホール１１の口径（レーザー入射側のビア口径）」とあることから、「ビア径」とは、「レーザー入射側のビア口径」である。
　したがって、上記表１には、レーザー入射側のビア口径が５０μｍであり、アスペクト比が０．５、すなわち、深さが２５μｍのビアホールが示されている。
・段落【００２３】によれば、ビアホール１１は、レーザー入射側の口径が底部側（ビアランド側）の口径より大きなテーパ形状となるが、ビアホール１１の底部には口径が拡大した拡径部１１ａが形成される。ここで、「テーパー」とは、「円錐状に直径が次第に減少している状態。また、その勾配。尖錐。」（[株式会社岩波書店 広辞苑第六版]）であるから、ビアホール１１は円錐状に直径が次第に減少するものである。また、このようにビアホールの口径が次第に小さくなる様子は、引用文献１の図１や図８にも示されている。そして、このとき、ビアホール１１のテーパーを有する部分は、直径に沿った断面が台形になる。
　また、同段落【００２３】によれば、ビアホール１１をレーザー加工した場合、その底部口径は入射側の口径より小さくなり、例えばアスペクト比が５のビアホールの場合、その底部口径は入射側の口径の約６０％になるため、拡径部１１ａの口径は、小型化および接続信頼性の観点から、入射側の口径に対して９０〜１００％の範囲とされる。
　したがって、引用文献１には、ビアホール１１は、レーザー入射側から底部側（ビアランド側）に向けて円錐状に直径が次第に減少して、直径に沿った断面が台形になり、ビアホールのアスペクト比が５であれば底部口径が入射側のビア口径の約６０％になるテーパ形状となるが、ビアホール１１の底部には口径が拡大して入射側のビア口径に対して９０〜１００％の口径をもつ拡径部１１ａが形成されることが記載されている。
　上記摘示事項および図面を総合勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基材であるコア基板１と樹脂層１０との２層構造となっている配線基板Ａであって、
　前記コア基板１の表面にはビアランド２ｂを含む配線パターンが形成され、
　前記樹脂層１０の前記ビアランド２ｂと対応する位置には、レーザー加工により、表裏方向に貫通するビアホール１１が形成され、
　前記ビアランド２ｂの表面には前記レーザーの波長より十分に大きい微小な凹凸面が形成され、
　前記ビアランド２ｂは、ビアホール内に充填される導電材料１２と接続され、
　前記ビアホール１１の深さが２５μｍであり、
　前記ビアホール１１のレーザー入射側のビア口径が５０μｍであり、
　前記ビアホール１１は、レーザー入射側から底部側（ビアランド側）に向けて円錐状に直径が次第に減少して、直径に沿った断面が台形になり、ビアホールのアスペクト比が５であれば底部口径が入射側のビア口径の約６０％になるテーパ形状となるが、ビアホール１１の底部には口径が拡大して入射側のビア口径に対して９０〜１００％の口径をもつ拡径部１１ａが形成される、配線基板Ａ」
２．引用文献２について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献２には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与したものである。
「【００４９】
　表面に導体層を有する基板上に、本発明の電気絶縁膜からなる電気絶縁層を形成することにより、本発明の積層体を得ることができる。
　表面に導体層を有する基板は、電気絶縁性基板の表面に導体層を有するものである。
　電気絶縁性基板は、公知の電気絶縁材料（例えば、脂環式オレフィン重合体、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、トリアジン樹脂、ポリフェニルエーテル、ガラス等）を含有する硬化性樹脂組成物を硬化して形成されたものである。
　
導体層は、特に限定されないが、通常、導電性金属等の導電体により形成された配線を含む層であって、更に各種の回路を含んでいてもよい
　
表面に導体層を有する基板の具体例としては、プリント配線基板、シリコンウェーハ基板等を挙げることができる
　表面に導体層を有する基板の厚みは、通常、１０μｍ〜１０ｍｍ、好ましくは２０μｍ〜５ｍｍ、より好ましくは３０μｍ〜２ｍｍである。
【００５０】
　
本発明に用いる表面に導体層を有する基板は、その導体層の表面粗さＲａが０．１〜４００ｎｍ、好ましくは０．２〜３００ｎｍ、より好ましくは０．４〜２５０ｎｍに調整されていることが好ましい。Ｒａをこの範囲内とすることにより、高周波特性が良好なものとなる。
　本発明に用いる表面に導体層を有する基板の導体層の表面粗さＲａを所定の値にするには、その表面を硫酸や塩酸等の酸を主成分とする酸性水溶液と接触させる等の方法によればよい。」
　段落【００４９】及び【００５０】によれば、引用文献２には、「表面に導体層を有するプリント配線基板において、導体層の表面粗さＲａが０．１〜４００ｎｍ、好ましくは０．２〜３００ｎｍに調整されることにより、高周波特性が良好なものとなるようにする」技術的事項が記載されていると認められる。
第５　対比 
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
１．引用発明の「配線パターン」が「導体」であることは自明であるから、当該「配線パターン」は、本願発明の「導体層」に相当する。
２．引用発明の「樹脂層１０」は、導電材料１２が充填されるビアホール１１が形成されることからして、絶縁性の材料であることは明らかである。
　また、引用発明の「樹脂層１０」は、表面に配線パターンが形成されたコア基板１と２層構造をなしているところ、配線パターンを構成するビアランド２ｂに接続される導電材料１２が充填されるビアホール１１が形成されているのだから、「樹脂層１０」はビアホール１１以外で配線パターン（「導体層」）を覆っているのは自明である。
　したがって、引用発明の「樹脂層１０」は、本願発明の「該導体層を覆う絶縁層」に相当する。
３．引用発明の「ビアホール１１」は、配線パターン（「導体層」）の一部であるビアランド２ｂを露出させるものであるから、本願発明の「該絶縁層から前記導体層の一部分を露出させるビアホール」に相当する。
４．引用発明の「配線基板Ａ」は、配線パターンが形成されているから回路基板といえる。そして、引用発明の「配線基板Ａ」は、コア基板１と樹脂層１０（「該導体層を覆う絶縁層」）との２層構造となっていて、コア基板１には配線パターン（「導体層」）が形成され、樹脂層１０には、ビアホール１１（「該絶縁層から前記導体層の一部分を露出させるビアホール」）が形成されているから、本願発明の「導体層と該導体層を覆う絶縁層とを備え、該絶縁層から前記導体層の一部分を露出させるビアホールを備える回路基板」に相当する。
５．引用発明の「レーザー入射側のビア口径」は、本願発明の「ビアホールのトップ径（Ｚ）」に相当する。そして、引用発明では「レーザー入射側のビア口径」は５０μｍであるから、引用発明は、本願発明の「ビアホールのトップ径（Ｚ）が、５０μｍ以下」である点に含まれる。
６．引用発明の「ビアホール１１」において、テーパ形状を有する部分の最下部であって拡径部１１ａに接続される部分（以下、「接続部」という。）でビアホール１１の径が最小になる（以下、「接続部径」という。接続部径は本願発明の「Ｙ」に対応する。）。
　また、引用発明の「ビアホール１１」において、最も下の部分（以下、「最下部」という。）は拡径部１１ａの一部であるから、最下部における径（以下、「最下部径」という。最下部径は本願発明の「Ｘ」に対応する。）は、接続部径（Ｙ）よりも口径が拡大している（
Ｙ／Ｘ＜１
　ここで、接続部径（Ｙ）の入射側のビア口径（「Ｚ」に対応する。上記５を参照）に対する比について検討する。
　引用発明の「ビアホール１１」において、拡径部１１ａの最下部までテーパが延びているとすると、最下部の口径は入射側のビア口径（Ｚ）の０．９６倍になる（以下の参考図１参照。また、この値は、ビアホールの直径を通る断面がテーパ形状を有する部分において台形になること、テーパの角度は、アスペクト比が５の場合で台形の上底に対する下底の比が０．６になることから、参考図２に示すように求められる。）。
　そして、接続部の位置は拡径部１１ａの高さの分だけ最下部よりも上側にあるから、接続部径（Ｙ）の入射側のビア口径（Ｚ）に対する比は０．９６よりも大きくなる（
Ｙ／Ｚ＞０．９６
　また、引用発明の「拡径部１１ａ」は、ビアホール１１の「底部」に設けられるものであるから、接続部の位置は入射側よりも最下部に近いと認められる。すなわち、接続部は入射側と最下部の中間よりも下側に位置する。ここで、中間位置における口径を算出すると、入射側の口径に対して０．９８倍となる（参考図１を参照。この値は参考図２に示す手法と同様にして求められる。）。したがって、接続部径（Ｙ）は、入射側のビア口径に対して０．９８倍より小さくなる（
Ｙ／Ｚ＜０．９８
　さらに、引用発明において最下部径（Ｘ）は入射側の口径に対して９０〜１００％（Ｘ／Ｚ＝０．９〜１）である。加えて、接続部径（Ｙ）は上述のとおりレーザー入射側の口径の０．９６倍より大きくなる（Ｙ／Ｚ＞０．９６）から、本願発明でいうＹ／Ｘ（＝（Ｙ／Ｚ）／（Ｘ／Ｚ）＞０．９６／（０．９〜１））は最小で０．９６である（
Ｙ／Ｘ＞０．９６
　したがって、引用発明は、本願発明の「前記ビアホールのトップ径（Ｚ）と前記ビアホールの最小径（Ｙ）と前記ビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たしている」点に含まれる。
　そうすると、本願発明と引用発明とは
「導体層と該導体層を覆う絶縁層とを備え、該絶縁層から前記導体層の一部分を露出させるビアホールを備える回路基板であって、
　前記ビアホールのトップ径（Ｚ）が、５０μｍ以下であり、
　前記ビアホールのトップ径（Ｚ）と前記ビアホールの最小径（Ｙ）と前記ビアホールの底部径（Ｘ）との関係が、Ｙ／Ｚ＝０．７〜０．９９及びＹ／Ｘ＝０．７〜１（Ｚ＞Ｙ）を満たしている、回路基板。」
である点で一致し、次の点で相違する。
［相違点１］
　導体層（配線パターン）の表面の算術平均粗さについて、本願発明では、３５０ｎｍ以下である旨特定されているのに対し、引用発明ではその旨特定されていない点。
［相違点２］
　ビアホールの深さについて、本願発明では２５μｍ未満であるのに対し、引用発明では２５μｍである点。
第６　当審の判断
１．相違点１について
　前記「第４　２．」に記載のとおり、上記引用文献２には、表面に導体層を有するプリント配線基板において、導体層の表面粗さＲａが０．１〜４００ｎｍ、好ましくは０．２〜３００ｎｍに調整されることが記載されている。
　そして、引用発明の導体層に、引用文献２に記載された技術的事項を採用し、相違点１の構成にすることは当業者が容易に想到できたことである。
　この点について、審判請求人は審判請求書において、従来、導体層の表面粗さＲａは５００ｎｍ〜７００ｎｍ程度（本願明細書の段落【０１６１】）であるところ、引用文献１に記載の発明は、ビアランドの表面の粗度をあえてより大きくするという構成を採用するものであるから、ビアランドの表面粗さＲａを従来の値５００ｎｍ〜７００ｎｍよりも大きくしようとするはずであり、引用文献２のように導体層の表面の粗度がより小さい３５０ｎｍ以下となる方向に調整しようと試みることはない旨主張している。
　しかし、ビアホールを形成するためのレーザーは多種あるところ、そのうちエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ、２４８ｎｍ）を用いることは、例えば特開昭６０−２６１６８５号公報（多層構造の基板に貫通接触孔をあけるために波長２４８ｎｍのエキシマレーザーを用いる点。第１ページ右欄第９行〜第１１行及び第２ページ左下欄第１０行〜右下欄第９行を参照。）や特表２０１３−５３２３９０号公報（ＫｒＦエキシマレーザー（クリプトンフッ素、中心は町２４８ｎｍ）またはＡｒＦエキシマレーザー（アルゴンフッ素、中心波長１９３ｎｍ）を照射してビアホールを形成する点。段落【００５９】ないし【００６１】参照。）に記載されているように、周知の技術的事項である。しかるところ、引用文献１の段落【００１０】によれば、引用発明のビアランド２ｂの凹凸面は、ビアホール１１を形成するレーザー光を乱反射させるのにレーザー光の波長より十分に大きければよいことから、周知の技術的事項（エキシマレーザーを用いてビアホールを形成すること）を採用すると、ビアランド２ｂの表面粗さＲａは３５０ｎｍ以下とすることは可能である。
　したがって、請求人の主張は採用できない。
２．相違点２について
　ビアホールの深さについて、引用発明では２５μｍであることが特定されてはいるものの、厳格に寸法通り形成することは現実には困難であるし、また、引用文献１に記載された技術内容からみて、ビアホールの深さを厳格に設計寸法通りとしなければならない理由もないことから、引用発明における「２５μｍ」という数値は、その前後の値を含む概念であるといえる。したがって、引用発明には、２５μｍの近傍で２５μｍ未満とすることは記載されているに等しい。
　また、本願発明における「２５μｍ未満」という数値範囲は、平成３０年１月２５日付け提出の意見書に説明されているとおり、本願の出願当初明細書の段落【００１９】及び請求項４に記載された「２５μｍ以下」という数値範囲を根拠にして補正によって追加されたものであるという経緯に鑑みても、上記相違点２は優位な差ではない。
　よって、上記相違点２は、実質的な相違点ではない。
３．小括
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明および引用文献２に記載された技術的事項から当業者が予測できる範囲のものである。
第７　むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。