Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスの近接センサを動作させる方法であって、
光センサの出力を受け取るステップと、
（１）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルが閾値を上回ること、又は（２）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルの増加レートがレート閾値を上回ることに応答して、前記近接センサのパワー・アップ又はターン・オンを引き起こすステップと
を具えることを特徴とする近接センサの動作方法。
【請求項２】
（１）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルが前記閾値を上回ること、又は（２）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルの増加レートが前記レート閾値を上回ることが、前記パワー・アップ又はターン・オンを自動的に引き起こすものである、請求項１に記載の近接センサの動作方法。
【請求項３】
（２）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルの増加レートが前記レート閾値を上回ることは、１つ以上の環境光センサによって計測された可視光もしくは赤外光の増加の内の、短い時間間隔における高速な増加、もしくは、広範囲に亘る大幅なレベル増加であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
実行されると、データ処理システムを作動する方法を実行せしめる実行可能プログラム命令を格納する機械可読記憶媒体であって、前記方法が、
光センサの出力を受け取るステップと、
（１）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルが閾値を上回ること、又は（２）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルの増加レートがレート閾値を上回ることに応答して、近接センサのパワー・アップ又はターン・オンを引き起こすステップと、を具えるものである、機械可読記憶媒体。
【請求項５】
（１）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルが前記閾値を上回ること、又は（２）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルの増加レートが前記レート閾値を上回ることが、前記パワー・アップ又はターン・オンを自動的に引き起こすものである、請求項４に記載の機械可読記憶媒体。
【請求項６】
光センサの出力を受け取る手段と、
（１）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルが閾値を上回ること、又は（２）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルの増加レートがレート閾値を上回ることに応答して、近接センサのパワー・アップ又はターン・オンを引き起こす手段と、を具えるデータ処理装置。
【請求項７】
（１）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルが前記閾値を上回ること、又は（２）前記光センサの出力から算出される環境光のレベルの増加レートが前記レート閾値を上回ることが、前記パワー・アップ又はターン・オンを自動的に引き起こすものである、請求項６に記載のデータ処理装置。
【請求項８】
前記近接センサは、放射器と前記光センサとの組み合わせにより実装され、
前記光センサは、環境光と前記放射器の放射とを区別して検出するように構成され、
前記近接センサのパワー・アップ又はターン・オンを引き起こす前記ステップでは、前記光センサの環境光に関する出力に従って、前記放射器のオン／オフに関わる設定を変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の近接センサの動作方法。
【請求項９】
前記近接センサは、放射器と前記光センサとの組み合わせにより実装され、
前記光センサは、環境光と前記放射器の放射とを区別して検出するように構成され、
前記近接センサのパワー・アップ又はターン・オンを引き起こす前記ステップでは、前記光センサの環境光に関する出力に従って、前記放射器のオン／オフに関わる設定を変更する
ことを特徴とする請求項４に記載の機械可読記憶媒体。
【請求項１０】
前記近接センサは、放射器と前記光センサとの組み合わせにより実装され、
前記光センサは、環境光と前記放射器の放射とを区別して検出するように構成され、
前記近接センサのパワー・アップ又はターン・オンを引き起こす前記手段は、前記光センサの環境光に関する出力に従って、前記放射器のオン／オフに関わる設定を変更する
ことを特徴とする請求項６に記載のデータ処理装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
いくつかの実施形態によれば、１つまたは複数のセンサから受け取られるＡＬＳ出力値を、近接センサのオン／オフ・セッティングまたは状況を（いくつかの場合に自動的に）セットし、変更し、または変化させることによって、電子デバイスの近接センサを動作させるのに使用することができる。セッティングまたは変化は、ＡＬＳの出力レベルまたはレベルの変化によるものなど、パワー・アップ、ターン・オン、パワー・ダウン、ターン・オフなどを行うための近接センサのセッティングのセットまたは変更とすることができる。いくつかの例で、しきい値限度を上回る光センサ出力レベルに対する変化（例えば、環境光レベルの変化）のときに、近接センサが、パワー・アップし、ターン・オンし、パワー・ダウンし、あるいはターン・オフする。出力レベルの変化は、環境光レベルの変化のレートおよびしきい値を上回る環境光レベルの変化の量とすることができる。例えば、変化を、本明細書で説明する、１つまたは複数のＡＬＳセンサによって判定される可視光またはＩＲ光のすばやい（例えば、短い時間期間にわたる）または劇的な（例えば、レベルの広い範囲にまたがる）変化とすることができる。複数のセンサについて、センサ出力を、本明細書で説明するように乗算し、または重みを付けることができる。さらに、ＡＬＳセンサ出力を、近接センサにパワー・アップさせるための変化のレートまたは変化しきい値の量と比較することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
したがって、ＡＬＳセンサ出力を、本明細書で説明するように電子デバイス、プロセッサ、またはソフトウェア・アプリケーションによって受け取ることができ、これらは、ＡＬＳレベルがしきい値を上回ることに応答して近接センサのパワー・アップまたはターン・オンを引き起こす。このプロセスが、近接センサによって（例えば、ＩＲ放射器、センサ、および処理論理によるものなど）消費される電力またはバッテリ・エネルギの使用の節約または削減を可能にすることを了解されたい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
また、いくつかの場合に、ＡＬＳセンサ出力を、加速度計出力、「ロック」ボタン（例えば、デバイスのセッティングを保持するため）、および電子デバイスをオンにするための「オン」ボタンなどの他のセンサ出力と組み合わせて使用することができる。近接センサをオンにすることに関して上で説明した概念は、別のセンサ出力に加えてＡＬＳセンサ出力がしきい値を上回る場合にのみデバイスをオンにすることによって電力またはバッテリ消費を節約するか減らすためなど、ここでもあてはまる。これが、不注意の「バンプ」、「ロック」ボタン、「オン」ボタン押下げがデバイスをオンにし、ユーザの意図しないときにバッテリ電力を消費することの発生または可能性を下げることを了解されたい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれの抵抗メモリ素子が、
参照面に平行な面に横たわり、参照面上の垂直な投影で上部電極投影を有する上部電極素子と、
参照面に平行な面に横たわり、参照面上の垂直な投影で下部電極投影を有する下部電極素子と、
上部電極素子と下部電極素子との間に挿入された可変性の抵抗率を有する活性層と、を含み、
上部電極投影と下部電極投影は、上部電極投影のコーナーと下部電極投影のコーナーの少なくとも１つを含むオーバーラップ領域中で重なり、
オーバーラップ領域の面積は、参照面上の、上部電極素子と下部電極素子の全投影面積の１０％未満を構成する、複数の抵抗メモリ素子と、
複数の第１下部電極コンタクトを介して、下部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第１レベルと、
複数の第２下部電極コンタクトを介して、下部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第２レベルと、を含み、
第１レベルの下部電極プログラミングラインは第１方向に延び、第２レベルの下部電極プログラミングラインは第２方向に延び、
更に、複数の第３上部電極コンタクトを介して、上部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第３レベルと、
複数の第４上部電極コンタクトを介して、上部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第４レベルと、を含み、
第３レベルの上部電極プログラミングラインは第３方向に延び、第４レベルの上部電極プログラミングラインは第４方向に延び、
第３レベルの上部電極プログラミングラインと第４レベルの上部電極プログラミングラインは垂直に交差する抵抗メモリアレイ。
【請求項２】
オーバーラップ領域は、第１オーバーラップ領域を含み、
第１抵抗メモリ素子の投影領域は、第１抵抗メモリ素子の上部電極投影のコーナーおよび第２抵抗メモリ素子の下部電極投影のコーナーおよび第２抵抗メモリ素子の上部電極投影のコーナーおよび第１抵抗メモリ素子の下部電極投影のコーナーの少なくとも１つを含む第２オーバーラップ領域中で、第２抵抗素子の投影領域と重なり、
第２オーバーラップ領域の面積は、参照面上での第１抵抗メモリ素子と第２抵抗メモリ素子の全投影面積の５％未満である請求項１に記載の抵抗メモリアレイ。
【請求項３】
上部電極素子および下部電極素子は、格子縞模様に配置された請求項１に記載の抵抗メモリアレイ。
【請求項４】
第１レベルの下部電極プログラミングラインと第２レベルの下部電極プログラミングラインとは垂直に交差する請求項１に記載の抵抗メモリアレイ。
【請求項５】
第３レベルの上部電極プログラミングラインと第４レベルの上部電極プログラミングラインは、第１レベルの下部電極プログラミングラインと第２レベルの下部電極プログラミングラインに対して４５°の角度を有する請求項１に記載の抵抗メモリアレイ。
【請求項６】
それぞれの抵抗メモリ素子が、
参照面に平行な面に横たわり、参照面上の垂直な投影で上部電極投影を有する上部電極素子と、
参照面に平行な面に横たわり、参照面上の垂直な投影で下部電極投影を有する下部電極素子と、
上部電極素子と下部電極素子との間に挿入された可変性の抵抗率を有する活性層と、を含み、
上部電極投影と下部電極投影は、上部電極投影のコーナーと下部電極投影のコーナーの少なくとも１つを含むオーバーラップ領域中で重なり、
オーバーラップ領域の面積は、参照面上の、上部電極素子と下部電極素子の全投影面積の１０％未満を構成する、複数の抵抗メモリ素子と、
複数の第１下部電極コンタクトを介して、下部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第１レベルと、
複数の第２下部電極コンタクトを介して、下部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第２レベルと、を含み、
第１レベルの下部電極プログラミングラインは第１方向に延び、第２レベルの下部電極プログラミングラインは第２方向に延び、
更に、複数の第３上部電極コンタクトを介して、上部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第３レベルと、
複数の第４上部電極コンタクトを介して、上部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第４レベルと、を含み、
第３レベルの上部電極プログラミングラインは第３方向に延び、第４レベルの上部電極プログラミングラインは第４方向に延び、
更に、複数の第５上部電極コンタクトを介して、上部電極素子のいくつかと電気的に接続する上部電極プログラミングラインの第５レベルと、
複数の第６下部電極コンタクトを介して、下部電極素子のいくつかと電気的に接続する上部電極プログラミングラインの第６レベルと、を含む抵抗メモリアレイ。
【請求項７】
プログラミングラインは、ワイヤ状のプログラミングラインである請求項６に記載の抵抗メモリアレイ。
【請求項８】
プログラミングラインは、階段形状の接続ラインである請求項６に記載の抵抗メモリアレイ。
【請求項９】
活性層は、絶縁材料を含む請求項６に記載の抵抗メモリアレイ。
【請求項１０】
複数の抵抗メモリ素子を含む抵抗メモリアレイを提供する工程であって、それぞれの抵抗メモリ素子は、
参照面に平行な面に横たわる上部電極素子と、
参照面に平行な面に横たわる下部電極素子と、
上部電極素子と下部電極素子との間に挿入された可変性の抵抗率を有する活性層とを含み、
抵抗メモリアレイは、更に、
複数の第１下部電極コンタクトを介して、下部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第１レベルと、
複数の第２下部電極コンタクトを介して、下部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第２レベルと、を含み、
第１レベルの下部電極プログラミングラインは第１方向に延び、第２レベルの下部電極プログラミングラインは第２方向に延び、更に、
複数の第３上部電極コンタクトを介して、上部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第３レベルと、
複数の第４上部電極コンタクトを介して、上部電極素子のいくつかと電気的に接続する下部電極プログラミングラインの第４レベルと、を含み、
第３レベルの上部電極プログラミングラインは第３方向に延び、第４レベルの上部電極プログラミングラインは第４方向に延び、更に、
第３レベルの上部電極プログラミングラインと第４レベルの上部電極プログラミングラインは垂直に交差する工程と、
上部電極と下部電極に電圧を与えることにより、活性層中で少なくとも１つの導電性フィラメントを形成または破壊する工程と、を含む方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの導電性フィラメントは、抵抗メモリ素子の上部電極素子と、少なくとも１つの他の抵抗メモリ素子の下部電極素子との間のコーナーに導電性フィラメントを含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つの導電性フィラメントは、抵抗メモリ素子の下部電極素子と、少なくとも１つの他の抵抗メモリ素子の上部電極素子との間のコーナーに導電性フィラメントを含む請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月26日(2015.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に平面の領域（１１０）を画定するプリント配線基板（ＰＷＢ）（１０５）であって、
前記ＰＷＢの第１の表面に実装された第２のＰＷＢを備える第１の部分であって、前記第１の表面は前記ＰＷＢの外部に露出した表面を有する、第１の部分と、
前記ＰＷＢの前記第１の表面に実装された１つ以上の電子部品を備える第２の部分と、
を備え、
前記第２のＰＷＢが、
前記平面の領域に実質的に平行に向いており、第１の垂直軸（１２５）から第２の垂直軸（１３０）に向かって延びている第１の導電プレート（１１５）であって、前記第１の垂直軸及び前記第２の垂直軸が前記平面の領域に実質的に垂直に向いている、第１の導電プレート（１１５）と、
前記平面の領域に実質的に平行に向いており、前記第２の垂直軸から前記第１の垂直軸に向かって延びている第２の導電プレート（１２０）であって、前記第１の導電プレートの隣接する対の間に延びている、第２の導電プレート（１２０）と、
前記第２の導電プレートと前記第１の導電プレートとの間に広がっている非導電材料（１３５）と、
前記第１の垂直軸と実質的に同一の直線上に位置決めされており、前記第１の導電プレートの少なくとも１つと接触している第１の導電ビア（１４０）と、
を備える、
プリント配線基板（ＰＷＢ）（１０５）。
【請求項２】
前記第２の垂直軸（１３０）と実質的に同一の直線上に位置決めされており、前記第２の導電プレート（１２０）と接触している第２の導電ビア（１４５）をさらに含む、請求項１に記載のＰＷＢ（１０５）。
【請求項３】
前記非導電材料（１３５）が、前記第１の導電プレート（１１５）と前記第２の垂直軸（１３０）との間、及び、前記第２の導電プレート（１２０）と前記第１の垂直軸（１２５）との間にさらに配置されている、請求項１に記載のＰＷＢ（１０５）。
【請求項４】
それぞれの導電プレートが、前記第１の導電プレートと同様に構成されている、第１組の導電プレートと、
それぞれの導電プレートが、前記第２の導電プレートと同様に構成されている、第２組の導電プレートと、
を更に備え、
前記第２組の導電プレートのそれぞれの導電プレートは、前記第２組の導電プレートのそれぞれの導電プレートでインターリーブされている、
請求項１に記載のＰＷＢ（１０５）。
【請求項５】
前記第１組の導電プレート（１１５）が、４枚と４０枚の間の導電プレートを含み、
前記第２組の導電プレート（１２０）が、４枚と４０枚の間の導電プレートを含む、
請求項４に記載のＰＷＢ（１０５）。
【請求項６】
前記第１組の導電プレート（１１５）、及び前記第２組の導電プレート（１２０）が、前記ＰＷＢの厚さと実質的に等しい高さ（１５０）に積み重ねられている、請求項４に記載のＰＷＢ（１０５）。
【請求項７】
前記第１の導電プレート（１１５）が、第１の導体（４２０）によって、前記１つ以上の電子部品（４１０）のうちの電子部品に電気的に結合されるように構成されており、
前記第２の導電プレート（１２０）が、第２の導体（４２５）によって、前記１つ以上の電子部品（４１０）のうちの前記電子部品に電気的に結合されるように構成されている、
請求項１に記載のＰＷＢ（１０５）。
【請求項８】
第１のプリント配線基板（ＰＷＢ）を作るために用いられる第２の材料と共通の熱膨張特性を示す第１の材料を有するＰＷＢ埋込みキャパシタ（４１５、４３５）を備えるシステムであって、
前記ＰＷＢ埋込みキャパシタ（４１５、４３５）は、
第１の垂直軸（１２５）から第２の垂直軸（１３０）に向かって延びている第１の導電プレート（１１５）であって、前記第１の垂直軸及び前記第２の垂直軸は、前記第１のＰＥＢの平面領域に実質的に垂直に向いている、第１の導電プレート（１１５）と、
前記第２の垂直軸（１３０）から前記第１の垂直軸に向かって延びており、前記第１の導電プレートでインターリーブされている第２の導電プレート（１２０）と、
前記第１の導電プレートと前記第２の導電プレートとの間に配置されている非導電材料（１３５）と、
前記第１の導電プレートを結合する第１の導電ビア（１４０）と、
を備え、
前記ＰＷＢ埋込みキャパシタ（４１５、４３５）は、前記第１のＰＷＢの外部に露出した表面上に画成された位置に配置されるような大きさの第２のＰＷＢを有する、
システム。
【請求項９】
前記第２の導電プレート（１２０）を結合する第２の導電ビア（１４５）をさらに含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ＰＷＢ埋込みキャパシタに、積み重ねられた向きに実装されている第２のＰＷＢ埋込みキャパシタ（４３５）をさらに含む、請求項８に記載のＰＷＢ（１０５）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月26日(2015.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影光学系と、
撮像素子と、
前記撮像素子上の各画素へ入射する光束を前記撮影光学系の特定の瞳領域のみに制限する瞳分割手段と、
前記撮像素子上の各画素に対応する瞳領域の２次元平面上での重心位置に基づいて、前記各画素への光束の入射角度を決定する入射角決定手段と、
前記撮像素子から得られた電気信号に対して、前記入射角決定手段で決定した入射角度と、像生成を行う面の位置とに基づいて、前記２次元平面上でのケラレによる前記重心位置のシフト方向に、シフトを行う像シフト手段と、
前記像シフト手段から得られた電気信号を合成する像生成手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記入射角決定手段は前記撮影光学系の瞳までの距離の情報に基づいて前記入射角度を計算することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記入射角決定手段は前記撮影光学系の瞳の径の情報に基づいて前記入射角度を計算することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記入射角決定手段は前記撮影光学系の瞳以外の、光線を制限する枠体までの距離の情報に基づいて前記入射角度を計算することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記入射角決定手段は前記撮影光学系の瞳以外の、光線を制限する枠体の径の情報に基づいて前記入射角度を計算することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記入射角決定手段は処理すべき画素の前記撮像素子上の位置に基づいて前記入射角度を計算することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記入射角決定手段は前記瞳分割手段の情報に基づいて前記入射角度を計算することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮影光学系と、
撮像素子と、
前記撮像素子上の各画素へ入射する光束を前記撮影光学系の特定の瞳領域のみに制限する瞳分割手段と、
前記撮像素子上の各画素でのケラレを判定するケラレ判定手段と、
前記撮像素子から得られた電気信号に対して通過した瞳領域ごとにシフトを与える像シフト手段と、
前記像シフト手段から得られた電気信号のうち前記ケラレ判定手段によってケラレが発生した領域を除外して合成する像生成手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
撮影光学系と、撮像素子と、前記撮像素子上の各画素へ入射する光束を前記撮影光学系の特定の瞳領域のみに制限する瞳分割手段とを備える撮像装置を制御する方法であって、
前記撮像素子上の各画素に対応する瞳領域の２次元平面上での重心位置に基づいて、前記各画素への光束の入射角度を決定する入射角決定工程と、
前記撮像素子から得られた電気信号に対して、前記入射角決定工程で決定した入射角度と、像生成を行う面の位置とに基づいて、前記２次元平面上でのケラレによる前記重心位置のシフト方向に、シフトを行う像シフト工程と、
前記像シフト工程で得られた電気信号を合成する像生成工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
撮影光学系と、撮像素子と、前記撮像素子上の各画素へ入射する光束を前記撮影光学系の特定の瞳領域のみに制限する瞳分割手段とを備える撮像装置を制御する方法であって、
前記撮像素子上の各画素でのケラレを判定するケラレ判定工程と、
前記撮像素子から得られた電気信号に対して通過した瞳領域ごとにシフトを与える像シフト工程と、
前記像シフト工程で得られた電気信号のうち前記ケラレ判定工程によってケラレが発生した領域を除外して合成する像生成工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びその制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係わる撮像装置は、撮影光学系と、撮像素子と、前記撮像素子上の各画素へ入射する光束を前記撮影光学系の特定の瞳領域のみに制限する瞳分割手段と、前記撮像素子上の各画素に対応する瞳領域の２次元平面上での重心位置に基づいて、前記各画素への光束の入射角度を決定する入射角決定手段と、前記撮像素子から得られた電気信号に対して、前記入射角決定手段で決定した入射角度と、像生成を行う面の位置とに基づいて、前記２次元平面上でのケラレによる前記重心位置のシフト方向に、シフトを行う像シフト手段と、前記像シフト手段から得られた電気信号を合成する像生成手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風防手段により覆われた複数の集音手段と、
前記複数の集音手段により得られた複数の音声信号のうち第１の音声信号から、前記複数の音声信号間の差分値に第１のゲインをかけた信号を減算し、前記複数の音声信号のうち第２の音声信号から、前記複数の音声信号間の差分値に前記第１のゲインよりも小さい第２のゲインをかけた信号を減算する音声処理手段とを備える音声処理装置。
【請求項２】
前記複数の集音手段を支持する複数の支持手段を備え、前記複数の支持手段により前記複数の集音手段にそれぞれ伝えられる振動量が異なることを特徴とする請求項１記載の音声処理装置。
【請求項３】
前記複数の集音手段を支持する複数の支持手段を備え、前記複数の支持手段はそれぞれ強度または弾性が異なることを特徴とする請求項１記載の音声処理装置。
【請求項４】
前記音声処理手段は、前記複数の音声信号の間の、前記複数の集音手段に伝えられた振動による雑音に対応する周波数成分の差分値を取得し、前記取得された差分値に前記第１のゲインをかけた信号を前記第１の音声信号から減算し、前記取得された差分値に前記第２のゲインをかけた信号を前記第２の音声信号から減算することを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【請求項５】
前記複数の集音手段は、単一の前記風防手段により覆われることを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【請求項６】
前記音声処理手段は、前記複数の音声信号間の差分値に応じて、前記第１のゲインを決定することを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【請求項７】
前記音声処理手段は、前記複数の音声信号間の差分値に応じて、前記第２のゲインを決定することを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【請求項８】
前記風防手段は、繊維材料を湿式抄造法で抄紙することによって得られたものであることを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【請求項９】
前記風防手段は、透気度が０．５ｓ／１００ｍｌより低い値の繊維材料からなることを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【請求項１０】
前記風防手段は、金属繊維からなることを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【請求項１１】
前記風防手段は、フッ素繊維からなることを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【請求項１２】
撮像手段と、
前記撮像手段により得られた画像信号と、前記音声処理手段から出力された音声信号とを記録する記録手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載の音声処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】音声処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は音声処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、風防手段により覆われた複数の集音手段と、前記複数の集音手段により得られた複数の音声信号のうち第１の音声信号から、前記複数の音声信号間の差分値に第１のゲインをかけた信号を減算し、前記複数の音声信号のうち第２の音声信号から、前記複数の音声信号間の差分値に前記第１のゲインよりも小さい第２のゲインをかけた信号を減算する音声処理手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月2日(2014.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信中の相手と通話する通話機能と、自装置に蓄積されているコンテンツまたは自装置が備えるカメラから入力する画像情報を含むコンテンツを所定の送信先へ送信するコンテンツ送信機能を具備する通信装置であって、
前記コンテンツの送信に係る特定操作を検知する特定操作検知手段と、送信先を特定する送信先データを電話番号と対応付けて登録する送信先登録手段と、通話中の相手の電話番号または最新に通話した相手の電話番号を抽出する相手電話番号抽出手段と、を有し、
前記特定操作を検知した場合に、前記相手電話番号抽出手段は、前記特定操作を検知した時の状態が通話中ならば当該通話中の相手の電話番号を抽出し、前記特定操作を検知した時の状態が通話中でないならば最新に通話した相手の電話番号を抽出し、前記送信先登録手段を参照して前記抽出した電話番号に対応付けられた送信先データを特定し、前記特定した送信先データを、送信すべきコンテンツの送信先データとして自動的に設定することを特徴とする送信先自動設定機能を有する通信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の通信装置において、
前記特定操作が指定した送信先データを自動的に設定してから、予め定められた所定の期間が経過した場合に前記設定した送信先データを解除することを特徴とする送信先自動設定機能を有する通信装置。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載の通信装置において、
前記データ送信機能は電子メール送信機能であって、前記送信先データは電子メールアドレスであって、前記送信すべきコンテンツを電子メールの添付ファイルとして送信することを特徴とする送信先自動設定機能を有する通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、通信中の相手と通話する通話機能と、自装置に蓄積されているコンテンツまたは自装置が備えるカメラから入力する画像情報を含むコンテンツを所定の送信先へ送信するコンテンツ送信機能を具備する通信装置であって、前記コンテンツの送信に係る特定操作を検知する特定操作検知手段と、送信先を特定する送信先データを電話番号と対応付けて登録する送信先登録手段と、通話中の相手の電話番号または最新に通話した相手の電話番号を抽出する相手電話番号抽出手段と、を有し、前記特定操作を検知した場合に、前記相手電話番号抽出手段は、前記特定操作を検知した時の状態が通話中ならば当該通話中の相手の電話番号を抽出し、前記特定操作を検知した時の状態が通話中でないならば最新に通話した相手の電話番号を抽出し、前記送信先登録手段を参照して前記抽出した電話番号に対応付けられた送信先データを特定し、前記特定した送信先データを、送信すべきコンテンツの送信先データとして自動的に設定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画面を構成する各画素に対応する光学像を撮像する撮像部
を備え、
前記画面を構成する画素のうちの一部の画素の前記撮像部は、
電場応答性材料を含み、光の透過率を前記電場応答性材料によって調整する調整部と、
前記調整部により前記透過率が調整された前記光を受光する受光部と
を備える
撮像装置。
【請求項２】
前記撮像部により撮像された前記光学像に基づいて、前記透過率を決定する決定部
をさらに備える
請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記決定部は、撮影前に前記撮像部により撮像された前記光学像に基づいて、撮影時の前記透過率を決定する
請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記調整部は、前記透過率を最大の透過率または最小の透過率に調整する
請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記一部の画素の前記撮像部は、
前記調整部に電圧を印加する電極部と、
前記電極部に印加する電圧を制御することにより、前記透過率を制御する制御部と
をさらに備える
請求項１乃至４のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記電極部は、前記画面の列ごとに、その列に並ぶ画素の前記調整部に電圧を印加する
請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記調整部は、オンチップレンズである
請求項１乃至６のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項８】
前記一部の画素の前記撮像部は、
カラーフィルタ
をさらに備える
請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記調整部は、フィルタである
請求項１乃至６のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記電場応答性材料は、高分子液晶材料である
請求項１乃至９のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記電場応答性材料は、エレクトロミック材料である
請求項１乃至９のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記電場応答性材料は、グラフェン膜である
請求項１乃至９のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記撮像部は、CMOS（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）イメージセンサである
請求項１乃至１２のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記撮像部は、CCD（Charge Coupled Device）イメージセンサである
請求項１乃至１２のいずれかに記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ここで、左からi（iは1以上の整数）画素目の画素であり、かつ、上からj（jは1以上の整数）画素目の画素を（i,j）画素とすると、図２の例では、（1,1）画素は、赤色（Ｒ）画素である。また、(2,1)画素は、緑色（Ｇ）画素であり、(1,2)画素は、透過率調整画素ａ（詳細は後述する）であり、(2,2)画素は、青色（Ｂ）画素である。このように構成される左上の２×２画素と同様に、右上の２×２画素も構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
左下の２×２画素は、Ｒ画素である(1,3)画素、Ｇ画素である（2,3）画素、透過率調整画素ｂである（1,4）画素、およびＢ画素である(2,4)画素からなる。右下の２×２画素も、左下の２×２画素と同様に構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本開示の撮像装置および撮像表示システムによれば、各画素において、光電変換素子の周辺領域に遮光層を設け、この遮光層を所定の電位に保持するようにしたので、各画素への電気的な影響を軽減しつつ、画素間のクロストークを抑制することができる。よって、撮像画像の高画質化を実現することが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（グリッドメタル層２１１）
このような光電変換素子２１の周辺領域には、グリッドメタル層２１１（遮光層）が設けられている。このグリッドメタル層２１１は、ｐ型半導体層２１５Ｂを囲む領域に設けられている。ここで、各画素２０では、図４に示したように、例えば略矩形状（あるいは方形状）の領域の角部にトランジスタ２２が配設され、このトランジスタ２２の形成領域を除いた領域に光電変換素子２１が形成されている。本実施の形態では、グリッドメタル層２１１は、この光電変換素子２１の周辺領域に、その面形状に沿って、光電変換素子２１（ｐ型半導体層２１５Ｂ）を囲むように設けられている。また、各画素２０では、これらの光電変換素子２１およびトランジスタ２２の形成領域を格子状に囲むように、配線層（信号線Ｌsig、読み出し制御線ＬreadおよびＧＮＤ線２１４Ｂ）が設けられている。グリッドメタル層２１１の少なくとも一部は、そのような配線層に対向して設けられていることが望ましい。図４では、グリッドメタル層２１１の各辺と、信号線２２０および読み出し制御線２１３Ａとを並行するように図示しているが、実際には、グリッドメタル層２１１と配線層とは対向して（重畳して）配置されている。但し、グリッドメタル層２１１は、信号線２２０とは非対向の領域に（重畳せずに）設けられることが望ましい。特にＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用途では、グリッドメタル層２１１と信号線２２０との間の容量性カップリングが増えると、いわゆるジョンソンノイズが増加するため、グリッドメタル層２１１と信号線２２０とは非重畳であることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
［作用、効果］
本実施の形態の撮像装置１では、撮像光Ｌinが撮像部１１へ入射すると、各画素２０内の光電変換素子２１において、この撮像光Ｌinが信号電荷に変換（光電変換）される。このとき、蓄積ノードＮでは、光電変換により発生した信号電荷の蓄積によって、ノード容量に応じた電圧変化が生じる。具体的には、蓄積ノード容量をＣｓ、発生した信号電荷をｑとすると、蓄積ノードＮでは（ｑ／Ｃｓ）の分だけ電圧が変化（ここでは低下）する。このような電圧変化に応じて、トランジスタ２２のドレインには信号電荷に対応した電圧が印加される。そして、読み出し制御線Ｌreadから供給される行走査信号に応じてトランジスタ２２がオン状態になると、蓄積ノードＮに蓄積された信号電荷（トランジスタ２２のドレインに印加された上記信号電荷に対応した電圧）が画素２０から信号線Ｌsigへ読み出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
更に、グリッドメタル層２１１ｃは、上記のように光電変換素子２１の周辺領域で、かつ光電変換素子２１のｎ型半導体層２１７よりも上層（保護層２１９上）に設けられている。これにより、例えば保護層２１９側から撮像光Ｌinを入射させる場合に、よりクロストークを軽減し易い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
＜変形例３＞
図１３は、本開示の変形例３に係る画素の要部平面構成を表したものである。図１４は、図１３のＡ−Ａ’線における断面構成を表したものである。尚、図１４では、グリッドメタル層２１１の各辺と、信号線２２０および読み出し制御線２１３Ａとを並行するように図示しているが、実際には、グリッドメタル層２１１と配線層とは対向して（重畳して）配置されている。本変形例のように、上記第１の実施の形態のグリッドメタル層２１１と、上記第２の実施の形態のグリッドメタル層２１１ｃとを組み合わせて用いてもよい。グリッドメタル層２１１は、ＧＮＤ線２１４Ｂに接続され、ｐ型半導体層２１５Ｂと同じグランド電位に保持されている。一方、グリッドメタル層２１１ｃは、図示しないコンタクト部を介してＧＮＤ線に接続されていてもよいし、上述したような信号線２２０および読み出し制御線２１３Ａに印加される電圧パルスに応じた所定の電位に保持されていてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
但し、本変形例では、画素２０Ｂにおいて、１つの光電変換素子２１と共に２つのトランジスタ２２Ａ，２２Ｂを有している。これら２つのトランジスタ２２Ａ，２２Ｂは、互いに直列に接続されている（一方のソースまたはドレインと他方のソースまたはドレインとが電気的に接続されている。また、各トランジスタ２２Ａ，２２Ｂにおけるゲートは読み出し制御線Ｌreadに接続されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
このように、画素２０Ｂ内に直列接続された２つのトランジスタ２２Ａ，２２Ｂを設けた構成としてもよく、この場合にも、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
画素２０Ｃ，２０Ｄではそれぞれ、トランジスタ２２のゲートが読み出し制御線Ｌreadに接続され、ソースが例えば信号線Ｌsigに接続され、ドレインが、例えばソースフォロワ回路を構成するトランジスタ２３のドレインに接続されている。トランジスタ２３のソースは例えば電源ＶＤＤに接続され、ゲートは、例えば蓄積ノードＮを介して、光電変換素子２１のカソード（図１７の例）またはアノード（図１８の例）と、リセット用トランジスタとして機能するトランジスタ２４のドレインとに接続されている。トランジスタ２４のゲートはリセット制御線Ｌrstに接続され、ソースには例えばリセット電圧Ｖrstが印加される。図１７の変形例４−３では、光電変換素子２１のアノードがグランドに接続（接地）され、図１８の変形例４−４では、光電変換素子２１のカソードが電源に接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、例えば医療用途や非破壊検査用途等でのＸ線撮影装置では、放射線写真フィルムを介さずに、放射線に基づく画像を電気信号として得る撮像装置が開発されている。このような撮像装置では、各画素に、光電変換素子と、電界効果型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）が配設されている。画素内に蓄積された信号電荷が、トランジスタを含む画素回路を用いて読み出されることにより、放射線量に基づく電気信号が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
下部電極１１１は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）およびアルミニウム（Ａｌ）等のうちのいずれかよりなる単体、またはそれらのうちの２種以上を含む合金（例えばＭｏＡｌ等）により構成されている。尚、ここでは、下部電極１１１が、トランジスタ２２のソース（またはドレイン）に接続されており、この下部電極１１１側から信号電荷の取り出しがなされるようになっている。トランジスタ２２のドレイン（ソース）は、コンタクト部Ｃ２を介して信号線２１０（Ｌsig）に接続されている。但し、上部電極１１５側から信号電荷の取り出しを行う場合には、この下部電極１１１は、例えば基準電位供給用の電源配線等に接続され、電荷が排出されるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
下部配線層２１１ｂは、トランジスタ２２のゲート電極と同層に設けられた配線層である。ここでは、トランジスタ２２が、上述のようなデュアルゲート構造を有するため、この下部配線層２１１ｂが、図示しない下側ゲート電極と電気的に接続されたゲート配線層２１１ｂ１（第１のゲート配線層）と、上側ゲート電極２２０と電気的に接続されたゲート配線層２１１ｂ２（第２のゲート配線層）とを含んで構成されている。これらのゲート配線層２１１ｂ１，２１１ｂ２は、コンタクト部Ｃ１において電気的に接続されている。この下部配線層２１１ｂは、例えばトランジスタ２２の各ゲート電極と同様の材料（例えばモリブデン等）により構成され、幅は例えば６μｍ〜８μｍである。尚、下側ゲート電極は特に図示していないが、図４において、上側ゲート電極２２０と正対する領域に、半導体層を間にして設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
光電変換素子２１の下部電極１１１は、上記のような上部配線層２１１ａとは異なる層に設けられている。ここでは、下部電極１１１が、上部配線層２１１ａが配設されている層よりも下層（基板１１０との間の層）に設けられている。詳細には、下部電極１１１は、下側のゲート配線層２１１ｂ１と同層に設けられ、例えばゲート配線２１１ｂ１と同様の材料により構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
但し、この比較例では、光電変換素子１０１の下部電極１０１１が、上部配線層１０１３ａおよび信号線１０１２と同層に設けられている。図８（Ａ）に、本実施の形態の画素の断面構造、図８（Ｂ）に比較例の画素の断面構造についてそれぞれ示す。図８（Ｂ）に示したように、下部電極１０１１が、上部配線層１０１３ａおよび信号線１０１２と同層に配設された場合、下部電極１０１１および上部配線層１０１３ａの間の領域ｄ１００ａ、下部電極１０１１および信号線１０１２の間の領域ｄ１００ｂにおいて、容量結合が生じ易くなる。このため、領域ｄ１００ａ，ｄ１００ｂにおいて各配線間隔を所定の大きさ以上に確保する必要が生じる。従って、比較例のように、下部電極１０１１を上部配線層１０１３ａと同層に設けた場合、領域ｄ１００ａ，ｄ１００ｂの分だけ下部電極１０１１の形成領域Ｄｂが狭小となり、良好なフィルファクタ（受光有効領域／画素領域）が得られない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、この比較例では、読み出し制御線１０１３において、下部配線層１０１３ｂの一部が除去（分断）されていない構成となっている。このため、例えば図９（Ａ），（Ｂ）に示したように、下部電極１０１１を、上部配線層１０１３ａと基板１０１１との間に設けた場合であっても、下部電極１０１１と下部配線層１０１３ｂ（ゲート配線層１０１３ｂ１，１０１３ｂ２）との間に容量結合が生じる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
例えば、図１０に示したように、下部電極１１１が、下部配線層２１１ｂのうちの上側のゲート配線層２１１ｂ２（図１０には図示せず）と同層に設けられていてもよい。このような場合であっても、読み出し制御線２１１において、上部配線層２１１ａと下部配線層２１１ｂとを積層し、これを電気的に接続することにより、読み出し制御線２１１の配線抵抗を低減することができる。また、下部配線層２１１ｂの一部を除去することにより、下部電極１１１と、上部配線層２１１ａおよび信号線２１０のそれぞれとの間において容量結合が生じにくくなるため、下部電極１１１の形成領域を拡大して、フィルファクタを改善することができる。よって、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
但し、本変形例では、画素２０Ｂにおいて、１つの光電変換素子２１と共に２つのトランジスタ２２Ａ，２２Ｂを有している。これら２つのトランジスタ２２Ａ，２２Ｂは、互いに直列に接続されている（一方のソースまたはドレインと他方のソースまたはドレインとが電気的に接続されている。また、各トランジスタ２２Ａ，２２Ｂにおけるゲートは読み出し制御線Ｌreadに接続されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
このように、画素２０Ｂ内に直列接続された２つのトランジスタ２２Ａ，２２Ｂを設けた構成としてもよく、この場合にも、上記実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
このようなアクティブ型の画素２０Ｃ，２０Ｄを有する撮像装置においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることが可能である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013258315.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2013258315.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ベース部２０８ａは、レーザ光源２０２のステム部２０２ａに例えば不図示の熱伝導グリスを介して密着固定されている。ベース部２０８ａは、レーザ光源２０２の通電用リード部２０２ｂを通過させる穴を有している。ベース部２０８ａにはヒートパイプ部２０８ｂが立てられており、その状態でヒートパイプ部２０８ｂはベース部２０８ａに接合されている。ヒートパイプ部２０８ｂには、フィン部２０８ｃをなす複数のフィンが接合されている。枠部２０８ｄはフィン部２０８ｃを囲んでいる。枠部２０８ｄは後述するように冷媒流路を構成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、筐体１００の開口部１００ｃを覆う不図示の蓋部には、ダクト１０２から遠い側のレーザ光出射ユニット２００Ｕの枠部２０８ｄが対面する位置に、開口部が設けられている。これにより、図２および図３中に一点鎖線で例示するように、筐体外部とダクト１０２との間に一続きの枠部２０８ｄを介した流路が確保される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
外装管３０４，３０８は結束部材３１０に繋がっており、かかる結束部材３１０によって光ファイバ３００が束ねられる。結束部材３１０は、例えば、ステンレス製の中空のケースで構成されており、当該ケースの一つの面（図７では下側の面）に個別の外装管３０２が取り付けられ、それに対向する面（図７では上側の面）に共通の外装管３０６が取り付けられている。各光ファイバ３００が結束部材３１０を介して両方の外装管３０４，３０８に渡ることによって、光ファイバ３００が束ねられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
筐体底面部１００ｂ上に延在している光ファイバ３００は徐々に湾曲させて集められ、上記のように結束部材３１０によって束ねられる。図１〜図３の例では、結束部材３１０は、ファン１０４が取り付けられている側面部１００ａに対向する側面部１００ｄの上部中央に設置されており、共通のフレキシブル管３０８、すなわち光ファイバ３００の束は筐体１００の上部から筐体外部に引き出されている。光ファイバ３００の束の先端は、不図示のプロジェクタのロッド部へレーザ光を入射するように固定される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアに形成された複数の保持孔に基部材を保持し、各基部材に電子部品を実装ヘッドによって実装する実装装置であって、
上記キャリアを搬送して実装位置に位置決めする搬送手段と、
この搬送手段によって実装位置に位置決めされた上記キャリアの上面側に位置するよう設けられ上記キャリアの複数の保持孔に対向する部位に上記基部材に上記電子部品を上記実装ヘッドによって実装するための実装孔が形成されたクランプ手段と、
上記実装位置に位置決めされた上記キャリアの下面側に上下方向に駆動可能に設けられ上記キャリアの複数の保持孔に対向する位置にそれぞれ押圧部が設けられ上昇方向に駆動されたときに各保持孔に保持されたそれぞれの基部材の下面を上記押圧部によって上昇方向に押圧する実装ステージと、
この実装ステージの上記押圧部によって複数の基部材がそれぞれ上昇方向に押圧されたときに、複数の基部材の上面を上記クランプ手段によって弾性的に押圧保持させる弾性付勢手段と
を具備したことを特徴とする電子部品の実装装置。
【請求項２】
上記搬送手段は、上記キヤリアの幅方向両端部を移動可能に係合支持する一対のガイドレールを有し、
上記クランプ手段は、幅方向の両端部が上記ガイドレールの上面に固定された固定クランパと、この固定クランパの下面に上下方向に移動可能に保持され上記実装ステージが上昇方向に駆動されたときに複数の上記基部材の上面によって下面が押圧される可動クランパと、上記固定クランパと上記可動クランパの対向する位置にそれぞれに行列状に形成された複数の上記実装孔を有し、
上記弾性付勢手段は、上記固定クランパと上記可動クランパとの間に設けられ上記可動クランパの下面が上記基部材の上面によって押圧されたときに圧縮される弾性部材であることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装装置。
【請求項３】
上記弾性部材は上記固定クランパと上記可動クランパとの間の幅方向中央部と両端部に設けられていて、幅方向中央部に設けられた弾性部材は両端部に設けられた弾性部材に比べて硬く設定されていることを特徴とする請求項２記載の電子部品の実装装置。
【請求項４】
上記搬送手段は、上記キヤリアの幅方向両端部を移動可能に係合支持する一対のガイドレールを有し、
上記クランプ手段は、幅方向の両端部が上記ガイドレールの上面に固定された固定クランパと、この固定クランパの下面に上下方向に移動可能に保持され上記実装ステージが上昇方向に駆動されたときに複数の上記基部材の上面によって下面が押圧される可動クランパと、上記固定クランパと上記可動クランパの対向する位置にそれぞれに行列状に形成された複数の上記実装孔を有し、
上記弾性付勢手段は、上記固定クランパの幅方向の両端部を除く部分を、上記幅方向と交差する方向に対して分割された複数の弾性帯状部であって、
各弾性帯状部の下面には、上記可動クランパの下面が上記基部材の上面によって押圧されたとき、上記可動クランパの上面の上記基部材の上面に対応する部分を押圧する凸部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品の実装装置。
【請求項５】
上記各弾性帯状部は、下面が上記基部材の上面によって上記可動クランパを介して押圧されたとき、両端部と中央部との弾性変形量が同じになる形状に形成されていることを特徴とする請求項４記載の電子部品の実装装置。
【請求項６】
上記実装ステージには、上記押圧部を介して上記基部材を加熱するヒータが設けられていることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の電子部品の実装装置。
【請求項７】
キャリアに形成された複数の保持孔に基部材を保持し、各基部材に電子部品を実装ヘッドによって実装する実装方法であって、
上記キャリアを搬送して実装位置に位置決めする工程と、
上記実装位置に位置決めされた上記キャリアの下面側に上下方向に駆動可能に設けられた実装ステージを上昇方向に駆動して上記キャリアの複数の保持孔に保持されたそれぞれの基部材の下面を押圧する工程と、
この実装ステージによって複数の基部材がそれぞれ上昇方向に押圧されたとき、複数の基部材の上面を、上記実装位置に位置決めされた上記キャリアの上面側に設けられたクランプ手段によってそれぞれ弾性的に押圧保持する工程と
を具備したことを特徴とする電子部品の実装方法。