(57)【要約】  近接場光デバイスは、第１部材と、第２部材と、を備えている。第１部材と第２部材との間には、第１部材及び第２部材とは異なる物質からなる媒体が介在している。第２部材が、第１部材に生じた近接場光を介してエネルギーを受け取る部材である場合、第２部材は、第１部材から、前記媒体中を伝播する近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる距離だけ離れて配置されている。他方、第２部材が、近接場光を介してエネルギーを受け取らない部材である場合、第２部材は、第１部材から、前記媒体中を伝播する近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる距離だけ離れて配置されている。
2014024306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１部材と、
第２部材と、
を備え、
前記第１部材と前記第２部材との間には、前記第１部材及び前記第２部材とは異なる物質からなる媒体が介在しており、
前記第２部材が、前記第１部材に生じた近接場光を介してエネルギーを受け取る部材である場合、前記第２部材は、前記第１部材から、前記媒体中を伝播する前記近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる距離だけ離れて配置されており、
前記第２部材が、前記近接場光を介してエネルギーを受け取らない部材である場合、前記第２部材は、前記第１部材から、前記媒体中を伝播する前記近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる距離だけ離れて配置されている
ことを特徴とする近接場光デバイス。
【請求項２】
半導体からなる半導体層と、
前記半導体層の上方に積層され、金属からなる金属層と、
前記金属層の直上に積層され、誘電体からなる誘電体層と、
前記誘電体層の直上に配置され、前記金属層に生じた近接場光のエネルギーの少なくとも一部を外部へ出力可能な出力端と、
を備え、
前記誘電体層の下面と前記誘電体層の上面との間の距離は、前記誘電体層を前記金属層に生じた近接場光が伝播する際に、前記誘電体層の上面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる距離である
ことを特徴とする近接場光デバイス。
【請求項３】
近接場光デバイスと、前記近接場光デバイスに対向して配置された記録媒体と、を備えるシステムであって、
前記近接場光デバイスは、前記記録媒体と対向する側に、前記近接場光デバイス内に生じた近接場光のエネルギーの少なくとも一部を外部へ出力可能な出力端を有し、
前記出力端と前記記録媒体の前記出力端に対向する面である記録面との間の距離は、前記記録媒体と前記出力端との間に介在する媒体中を前記出力端に生じた近接場光が伝播する際に、前記記録面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる距離である
ことを特徴とするシステム。
【請求項４】
前記近接場光デバイスは、更に、前記出力端の直下に積層され、誘電体からなる第１誘電体層を有し、
前記第１誘電体層の上面と前記記録面との間の距離は、前記媒体中を前記出力端に生じた近接場光が伝播する際に、前記記録面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる距離である
ことを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記近接場光デバイスは、更に、前記第１誘電体層の直下に積層され、金属からなる金属層と、前記金属層の直下に積層され、誘電体からなる第２誘電体層と、を有し、
前記第１誘電体層の下面と前記第１誘電体層の上面との間の距離は、前記第１誘電体層を前記金属層に生じた近接場光が伝播する際に、前記第１誘電体層の上面において前記金属層に生じた近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる距離であり、
前記第２誘電体層の上面と前記記録面との間の距離は、前記媒体中を前記出力端に生じた近接場光が伝播する際に、前記記録面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる距離である
ことを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記近接場光デバイスは、更に、前記出力端の下方に積層され、複数の量子ドットを含んでなる量子ドット層を有していることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項７】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された金属粒子と、を備え、前記半導体基板に入射した光のエネルギーが、前記誘電体層及び前記金属粒子を介して、前記金属粒子と対向して配置された記録媒体に伝播し、前記記録媒体上の微小領域を昇温させる近接場光デバイスであって、
前記金属粒子と前記記録媒体の前記金属粒子側の面との間の距離は、前記エネルギーが伝播する量が多い第１の距離であり、
前記誘電体層の前記記録媒体側の面と前記記録媒体の前記金属粒子側の面との間の距離は、前記エネルギーが伝播する量が少ない第２の距離であり、
前記第１の距離と前記第２の距離とは互いに異なる
ことを特徴とする近接場光デバイス。
【請求項８】
半導体層と、前記半導体層の上方に形成された金属粒子と、を備え、前記半導体層に入射した光のエネルギーが、前記金属粒子を介して、前記金属粒子と対向して配置された記録媒体に伝播し、前記記録媒体上の微小領域を昇温させる近接場光デバイスであって、
前記金属粒子と前記記録媒体の前記金属粒子側の面との間の距離は、前記エネルギーが伝播する量が多い第１の距離であり、
前記半導体層の前記記録媒体側の面と前記記録媒体の前記金属粒子側の面との間の距離は、前記エネルギーが伝播する量が少ない第２の距離であり、
前記第１の距離と前記第２の距離とは互いに異なる
ことを特徴とする近接場光デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば近接場光を用いエネルギーを集中させた微小スポットを提供する近接場光デバイス、及び、例えば磁気記録ヘッド等に、該近接場光デバイスを適用したシステムの技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
近接場光を用い、光の回折限界を超えたナノスケールの微小光スポットの利用例として、例えば磁気記録媒体記録密度を向上させるための方式の一つである熱アシスト磁気記録が提案されている（特許文献１〜４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６３８３４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１４６６５５号公報
【特許文献３】特開２０１０−１４６６６３号公報
【特許文献４】特開２００３−０４５００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１〜４に記載の熱アシスト磁気記録用の記録ヘッドの構成では、例えば対物レンズや光導波路を用いてレーザ光を集光させているが、集光された光のスポット径を、光の波長以下のサイズに絞り込むことはできない。他方、近接場光発生部である金属導体は、例えば数十ナノメートル以下と、光の波長以下のサイズである。このため、集光されたレーザ光の大部分は近接場光の発生に寄与せず、光の利用効率が低いという技術的問題点がある。【０００５】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、効率良く近接場光を発生させることができる近接場光デバイス及びシステムを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の近接場光デバイスは、上記課題を解決するために、第１部材と、第２部材と、を備え、前記第１部材と前記第２部材との間には、前記第１部材及び前記第２部材とは異なる物質からなる媒体が介在しており、前記第２部材が、前記第１部材に生じた近接場光を介してエネルギーを受け取る部材である場合、前記第２部材は、前記第１部材から、前記媒体中を伝播する前記近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる距離だけ離れて配置されており、前記第２部材が、前記近接場光を介してエネルギーを受け取らない部材である場合、前記第２部材は、前記第１部材から、前記媒体中を伝播する前記近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる距離だけ離れて配置されている。【０００７】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係る近接場光デバイスの構成を示す概略構成図である。
【図２】媒体中を伝播する近接場光のエネルギー変動の概念を示す概念図である。
【図３】第１実施例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。
【図４】第２実施例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。
【図５】第３実施例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。
【図６】第３実施例の変形例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。
【図７】第４実施例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。
【図８】第４実施例の変形例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。
【図９】実施例に係る磁気ヘッドを用いた磁気記録の一例を説明する図である。
【図１０】光回路を有する素子の概略構成を示す斜視図である。
【図１１】光回路内部の光導波路の構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の近接場光デバイスに係る実施形態を、図１及び図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る近接場光デバイスの構成を示す概略構成図である。図２は、媒体中を伝播する近接場光のエネルギー変動の概念を示す概念図である。尚、以下で参照する各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００１０】
図１において、本実施形態に係る近接場光デバイスは、パーツＡとパーツＢとを備えて構成されている。パーツＡとパーツＢとの間には、例えば空気、潤滑材、誘電体等の、パーツＡ及びパーツＢとは異なる物質からなる媒体が介在している。
【００１１】
ここで、媒体中を近接場光が伝播する際、該伝播する近接場光のエネルギーは、図２に示すように、小刻みな変動を繰り返しながら減衰することが知られている（例えば、国立台湾大学Computer and Information Networking Center、Ding-wei Huang教授の資料：http://homepage.ntu.edu.tw/~dwhuang/courses/spp/spp_7_1.pdf参照）。
【００１２】
この現象を利用して、図１におけるパーツＡとパーツＢとの間の距離Ｌを、パーツＢの位置において伝播エネルギーの強度が山（即ち、極大）となるように設定すると、パーツＡからパーツＢへ近接場光を介してエネルギーを伝播させることができる。他方、距離ＬをパーツＢの位置において伝播エネルギーの強度が谷（即ち、極小）となるように設定すると、パーツＡからパーツＢへはエネルギーが伝播されない。
【００１３】
従って、パーツＢが、パーツＡに生じた近接場光を介してエネルギーを受け取る部材である場合、距離Ｌを、パーツＢの位置において伝播エネルギーの強度が山となるように設定すれば、パーツＡからパーツＢに適切にエネルギーを伝播させることができる。また、パーツＢが、パーツＡに生じた近接場光を介してエネルギーを受け取らない部材である場合、距離Ｌを、パーツＢの位置において伝播エネルギーの強度が谷となるように設定すれば、パーツＡからパーツＢに意図しないエネルギーが伝播することを防止することができる。
【００１４】
尚、本実施形態に係る「パーツＡ」及び「パーツＢ」は、夫々、本発明に係る「第1部材」及び「第２部材」の一例である。
【実施例】
【００１５】
＜第１実施例＞
本発明の近接場光デバイスを用いたシステムに係る第１実施例について、図３を参照して説明する。図３は、第１実施例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。【００１６】
図３において、システム４００は、近接場光デバイス２００と、記録媒体３００とを備えて構成されている。近接場光デバイス２００は、例えばＳｉ（ケイ素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＧａＡｓ（砒化ガリウム）等からなるメサ形状の半導体層１５と、該半導体層１５の上に積層され、例えばＳｉＯ（酸化ケイ素）、ＶａＯ等の誘電体からなる誘電体層１４と、該誘電体層１４の上に積層され、例えばＡｕ（金）等からなる金属フィルム１３と、該金属フィルム１３の上に積層され、例えばＳｉＯ、ＶａＯ等の誘電体からなる誘電体層１２と、該誘電体層１２の上に積層され、例えばＡｕ（金）、Ａｇ（銀）等からなる金属粒子１１と、を備えて構成されている。【００１７】
動作時に、近接場光デバイス２００に光が入射すると、該入射した光に起因するエネルギーが金属フィルム１３に集められる。そして、該金属フィルム１３に集められたエネルギーが金属粒子１１に伝播する。記録媒体３００への情報の記録は、例えば、金属粒子１１に伝播したエネルギーの少なくとも一部が、近接場光として、金属粒子１１に対向する記録媒体３００の一部の温度を上昇させることを利用して行われる。【００１８】
図３に示すように、金属粒子１１と記録媒体３００との間の距離は、距離Ａに設定されている。誘電体層１２の上面と記録媒体３００との間の距離は、距離Ｂに設定されている。誘電体層１２の上面及び下面間の距離（即ち、誘電体層１２の厚さ）は、距離Ｃに設定されている。誘電体層１４の上面と記録媒体３００との間の距離は、距離Ｄに設定されている。【００１９】
ここで、金属粒子１１から記録媒体３００へは、近接場光を介してエネルギーを伝播させたいので、距離Ａは、金属粒子１１と記録媒体３００との間に介在する空気中を伝播する近接場光のエネルギー強度が、記録媒体３００の位置において山（図２参照）となるように設定される。【００２０】
また、金属フィルム１３から金属粒子１１へも、近接場光を介してエネルギーを伝播させたいので、距離Ｃは、誘電体層１２中を伝播する近接場光のエネルギー強度が、金属粒子１１の位置において山となるように設定される。【００２１】
他方、誘電体層１２の上面から記録媒体３００へは、エネルギーを伝播させたくないので、距離Ｂは、空気中を伝播する近接場光のエネルギー強度が、記録媒体３００の位置において谷（図２参照）となるように設定される。【００２２】
同様に、誘電体層１４の上面から記録媒体３００へは、エネルギーを伝播させたくないので、距離Ｄは、空気中を伝播する近接場光のエネルギー強度が、記録媒体３００の位置において谷となるように設定される。【００２３】
尚、本実施例に係る「距離Ａ」及び「距離Ｂ」は、夫々、本発明に係る「第１の距離」
及び「第２の距離」の一例である。【００２４】
＜第２実施例＞
本発明の近接場光デバイスを用いたシステムに係る第２実施例について、図４を参照して説明する。図４は、第２実施例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。尚、第２実施例について、第１実施例と重複する説明を適宜省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示す。【００２５】
図４において、システム４１０は、近接場光デバイス２１０と、記録媒体３００とを備えて構成されている。近接場光デバイス２１０は、例えばＳｉ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等からなるメサ形状の半導体層１５と、該半導体層１５の上に積層され、例えばＳｉＯ、ＶａＯ等の誘電体からなる誘電体層１２と、該誘電体層１２の上に積層され、例えばＡｕ、Ａｇ等からなる金属粒子１１と、を備えて構成されている。【００２６】
動作時に、近接場光デバイス２１０に光が入射すると、該入射した光に起因するエネルギーが金属粒子１１に伝播する。記録媒体３００への情報の記録は、例えば、金属粒子１１に伝播したエネルギーの少なくとも一部が、近接場光として、金属粒子１１に対向する記録媒体３００の一部の温度を上昇させることを利用して行われる。【００２７】
＜第３実施例＞
本発明の近接場光デバイスを用いたシステムに係る第３実施例について、図５を参照して説明する。図５は、第３実施例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。尚、第３実施例について、第１実施例と重複する説明を適宜省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示す。【００２８】
図５において、システム４２０は、近接場光デバイス２２０と、記録媒体３００とを備えて構成されている。近接場光デバイス２２０は、例えばＳｉ、ＧａＮ、ＧａＡｓ等からなるメサ形状の半導体層１５と、該半導体層１５の上に積層され、例えばＳｉＯ、ＶａＯ等の誘電体からなる誘電体層１２と、例えばＡｕ、Ａｇ等からなる金属粒子１１と、を備えて構成されている。ここでは特に、金属粒子１１が、誘電体層１２により覆われている。このように構成すれば、金属粒子１１を保護することができ、実用上非常に有利である。【００２９】
尚、図６に示すシステム４３０の近接場光デバイス２３０のように、誘電体層１２により、金属粒子１１及び半導体層１５が覆われていてもよい。図６は、第３実施例の変形例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。【００３０】
動作時に、近接場光デバイス２２０或いは２３０に光が入射すると、該入射した光に起因するエネルギーが金属粒子１１に伝播する。記録媒体３００への情報の記録は、例えば、金属粒子１１に伝播したエネルギーの少なくとも一部が、近接場光として、金属粒子１１に対向する記録媒体３００の一部の温度を上昇させることを利用して行われる。【００３１】
＜第４実施例＞
本発明の近接場光デバイスを用いたシステムに係る第４実施例について、図７を参照して説明する。図７は、第４実施例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。尚、第４実施例について、第１実施例と重複する説明を適宜省略すると共に、図面上における共通箇所には同一符号を付して示す。【００３２】
図７において、システム４４０は、近接場光デバイス２４０と、記録媒体３００とを備えて構成されている。近接場光デバイス２４０は、例えばＧａＡｓ等からなる半導体の内部に、例えばＩｎＡｓ（砒化インジウム）等からなる複数の量子ドットを有するメサ形状の半導体層１６と、該半導体層１６の上に積層され、例えばＳｉＯ、ＶａＯ等の誘電体からなる誘電体層１２と、例えばＡｕ、Ａｇ等からなる金属粒子１１と、を備えて構成されている。このように構成すれば、量子ドットにより、半導体層１６に入射した光のエネルギーを比較的効率良く金属粒子１１に伝播させることができる。【００３３】
尚、図８に示すシステム４５０の近接場光デバイス２５０のように、半導体の内部に、量子ドットが格子状に規則正しく配列した複数の量子ドット層が形成された半導体層１７を備えて構成されていてもよい。図８は、第４実施例の変形例に係る近接場光デバイスを用いたシステムの構成を示す概略構成図である。また、量子ドットに代えて、例えば金属ナノ粒子等量子効果が現れるサイズの粒子が半導体層に含まれるようにしてもよい。【００３４】
量子ドットのサイズを制御することにより、自由にバンドギャップを制御可能である。これにより任意の波長の光を効率的に吸収・発光可能に半導体層１６を設計することができる。例えば入射光にＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等からの白色光を用い、量子ドットのサイズに合った波長を半導体層１６に吸収させることが可能である。【００３５】
動作時に、近接場光デバイス２４０或いは２５０に光が入射すると、該入射した光に起因するエネルギーが金属粒子１１に伝播する。記録媒体３００への情報の記録は、例えば、金属粒子１１に伝播したエネルギーの少なくとも一部が、近接場光として、金属粒子１１に対向する記録媒体３００の一部の温度を上昇させることを利用して行われる。【００３６】
＜応用例＞
次に、実施例に係る近接場光デバイスを磁気ヘッドに用いた磁気記録について、図９を参照して説明する。図９は、実施例に係る磁気ヘッドを用いた磁気記録の一例を説明する図である。尚、図９では、図６に示した近接場光デバイス２３０を用いているが、該近接場光デバイス２３０に限らず、上述した各種近接場光デバイスを適用可能である。【００３７】
動作時には、入力信号に応じて光を出射するように、例えば面発光レーザ等の光源が制御される。近接場光デバイスに入射した光に起因するエネルギーが金属粒子１１に伝播すると、金属粒子１１と、該金属粒子１１と対向する磁気記録媒体３１０の一部とが一体となり発生する近接場光により磁気記録媒体３１０にエネルギーが与えられる。この結果、近接場光によりエネルギーを与えられた磁気記録媒体３１０の領域の保磁力が下がり、書き込み磁極による磁気記録を容易に行うことが可能となる。他方、磁気記録媒体３１０に記録された記録信号の読み出しは、読み取り磁極により行われる。尚、金属粒子１１のサイズを小さくするほど、記録密度を向上させることができる。【００３８】
ここで特に、近接場光デバイスの金属粒子１１と磁気記録媒体３１０との間の距離は、空気中を伝播する近接場光のエネルギー強度が、磁気記録媒体３１０の位置において山（図２参照）となる距離である距離Ａに設定されている。このため、磁気記録媒体３１０のうち金属粒子１１に対向する部分に効率的にエネルギーが伝達されるので、該部分を効率的に熱することができる。【００３９】
また、近接場光デバイスにおける半導体層の磁気記録媒体３１０に対向する側の面と、磁気記録媒体３１０との間の距離は、空気中を伝播する近接場光のエネルギー強度が、磁気記録媒体３１０の位置において谷（図２参照）となる距離である距離Ｂに設定されている。応用例に係る「距離Ｂ」は、本発明に係る「第２の距離」の他の例である。【００４０】
尚、磁気ヘッドは、ここでは図示しないアームの先に取り付けられている。距離Ａ及び距離Ｂは、磁気記録媒体３１０が回転することにより発生する空気流に乗って、該磁気記録媒体３１０の表面から磁気ヘッドが一定の高さで浮上することにより実現される。また、距離Ａを保つ手法として、図示しないフォトセンサ等により距離を測定し、測定結果に応じてアームの先端に設けられているヒータ（図示せず）を駆動し、距離Ａを保つようにしてもよい。また、空気中でなく潤滑剤の中をアームの先端が移動するようなシステムの使用の場合は、潤滑剤中を伝播する近接場光のエネルギー強度に応じた山や谷の距離となるように、距離Ａ及び距離Ｂが設定される。【００４１】
次に、本願発明の技術的思想を光回路に適用した、他の応用例について、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０は、光回路を有する素子の概略構成を示す斜視図である。図１１は、光回路内部の光導波路の構成の一例を示す図である。【００４２】
図１１において、光回路内には、５本の光導波路Ｌｉｎｅ１、Ｌｉｎｅ２、Ｌｉｎｅ３、Ｌｉｎｅ４及びＬｉｎｅ５が設けられている。光導波路Ｌｉｎｅ１、Ｌｉｎｅ２、Ｌｉｎｅ３、Ｌｉｎｅ４及びＬｉｎｅ５各々の入力側の端部Ｉｎ１、Ｉｎ２、Ｉｎ３、Ｉｎ４及びＩｎ５には、入力ラインに相当するファイバ（図１０参照）が接続されている。他方、光導波路Ｌｉｎｅ１、Ｌｉｎｅ２及びＬｉｎｅ５各々の出力側の端部Ｏｕｔ１、Ｏｕｔ２及びＯｕｔ３には、出力ラインに相当する出力ファイバ（図１０参照）が接続されている。ここで、該光回路では、光導波路間の光接続に近接場光を利用している。【００４３】
ここで、光接続させたい光導波路間の距離は、空気中を伝播する近接場光のエネルギー強度が、エネルギーを伝播させるべき光導波路において山（図２参照）となる距離とする（“距離Ｓ１”及び“距離Ｓ２”参照）。他方、光接続させたくない光導波路間の距離は、空気中を伝播する近接場光のエネルギー強度が、隣接する光導波路において谷となる距離とする（“距離Ｗ１”、“距離Ｗ２”、“距離Ｗ３”、“距離Ｗ４”、“距離Ｗ５”及び“距離Ｗ６”参照）。この結果、光導波路Ｌｉｎｅ２と光導波路Ｌｉｎｅ３とは、距離Ｓ１となっている部分で互いに光接続される。同様に、光導波路Ｌｉｎｅ４と光導波路Ｌｉｎｅ５とは、距離Ｓ２となっている部分で互いに光接続される。【００４４】
端部Ｉｎ１、Ｉｎ２、Ｉｎ３、Ｉｎ４及びＩｎ５の入力に応じて、光回路で演算がなされ、端部Ｏｕｔ１、Ｏｕｔ２及びＯｕｔ３から出力が得られる。【００４５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う近接場光デバイス及びシステムもまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００４６】
１１…金属粒子、１２、１４…誘電体層、１３…金属フィルム、１５、１６、１７…半導体層、２００、２１０、２２０、２３０、２４０、２５０…近接場光デバイス、３００…記録媒体、３１０…磁気記録媒体、４００、４１０、４２０、４３０、４４０、４５０…システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2014024306.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近接場光デバイスと、前記近接場光デバイスに対向して配置された記録媒体と、を備えるシステムであって、
前記近接場光デバイスは、半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上方に積層され、金属からなる金属層と、前記金属層の直上に積層され、誘電体からなる誘電体層と、前記誘電体層の直上且つ、前記記録媒体と対向する側に配置され、前記金属層に生じた近接場光のエネルギーの少なくとも一部を前記記録媒体へ出力可能な出力端と、を有し、
前記誘電体層の下面と前記誘電体層の上面との間の距離は、前記誘電体層を前記金属層に生じた近接場光が伝播する際に、前記誘電体層の上面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる第１の距離であり、
前記誘電体層の上面と前記記録媒体との間の距離は、前記誘電体層の上面と前記記録媒体との間を前記誘電体層に生じた近接場光が伝播する際に、前記記録媒体において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる第２の距離である
ことを特徴とするシステム。
【請求項２】
近接場光デバイスと、前記近接場光デバイスに対向して配置された記録媒体と、を備えるシステムであって、
前記近接場光デバイスは、半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上方に積層され、誘電体からなる誘電体層と、前記誘電体層の直上且つ、前記記録媒体と対向する側に配置され、前記近接場光デバイス内に生じた近接場光のエネルギーの少なくとも一部を前記記録媒体へ出力可能な出力端と、を有し、
前記出力端と前記記録媒体の前記出力端に対向する面である記録面との間の距離は、前記記録媒体と前記出力端との間に介在する媒体中を前記出力端に生じた近接場光が伝播する際に、前記記録面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる第１の距離であり、
前記誘電体層の上面と前記記録媒体との間の距離は、前記記録媒体と前記誘電体層の上面との間に介在する媒体中を前記誘電体層の上面に生じた近接場光が伝播する際に、前記記録面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる第２の距離である
ことを特徴とするシステム。
【請求項３】
前記半導体層は、複数の量子ドットを含んでなる量子ドット層を有していることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
近接場光デバイスと、前記近接場光デバイスに対向して配置された記録媒体と、を備えるシステムであって、
前記近接場光デバイスは、半導体からなる半導体層と、前記半導体層の上方且つ、前記記録媒体と対向する側に配置され、前記近接場光デバイス内に生じた近接場光のエネルギーの少なくとも一部を前記記録媒体へ出力可能な出力端と、を有し、
前記出力端と前記記録媒体の前記出力端に対向する面である記録面との間の距離は、前記記録媒体と前記出力端との間に介在する媒体中を前記出力端に生じた近接場光が伝播する際に、前記記録面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極大近傍になる第１の距離であり、
前記半導体層の上面と前記記録媒体との間の距離は、前記記録媒体と前記半導体層の上面との間に介在する媒体中を前記半導体層の上面に生じた近接場光が伝播する際に、前記記録面において前記伝播する近接場光に係るエネルギーが極小近傍になる第２の距離である
ことを特徴とするシステム。
【国際調査報告】
2014024306.tif 000014
2014024306.tif 000015