(57)【要約】  基板ステージ１０は、基板Ｓが載置される載置面１３と、載置面１３に設けられて、基板Ｓを吸着するための吸着溝１５と、載置面１３の少なくとも一部にランダムに多数設けられる微細な凹凸１６と、を備える。
2014034504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置される載置面と、
前記載置面に設けられて、前記基板を吸着するための吸着溝と、
前記載置面の少なくとも一部にランダムに多数設けられる微細な凹凸と、
を備えることを特徴とする基板ステージ。
【請求項２】
当該基板ステージが回転可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板ステージ。
【請求項３】
前記載置面の最外周部には微細な凹凸が設けられていないことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板ステージ。
【請求項４】
前記微細な凹凸が設けられている領域のＲａ（算術平均粗さ）は、０．６μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項５】
前記微細な凹凸が前記載置面の略全域に亘って設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項６】
前記微細な凹凸が前記載置面の一部の範囲に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項７】
前記一部の範囲は、同心円状に間隔をあけて形成される複数の環状領域を含む構成であることを特徴とする請求項６に記載の基板ステージ。
【請求項８】
前記基板の横ずれを防止する横ずれ防止部を更に備えることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項９】
前記微細な凹凸は、ブラスト加工によって形成されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の基板ステージを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板ステージを回転させる回転部と、
前記吸着溝を減圧する減圧部と、
を更に備えることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板が載置される基板ステージ、及び、それを備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えば半導体基板や液晶ディスプレイ用のガラス基板等に回路パターンを形成する場合、フォトリソグラフィー技術が用いられるのが一般的である。フォトリソグラフィー技術によって基板に回路パターンを形成する場合、基板にフォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、所定の回路パターンとなるようにレジスト膜を露光後、現像処理するという工程が実行される。【０００３】
例えば、フォトレジスト液の塗布や現像といった基板処理を行う場合において、基板はスピンチャックステージと呼ばれる回転可能な基板ステージ上に、真空吸着された状態で載置される。フォトレジスト液を塗布して基板を回転させると、基板が摩擦帯電する。また、基板処理後にスピンチャックステージから基板を剥離すると、基板が剥離帯電する。このようにして基板に帯電した電荷は、基板表面に形成された素子（例えば薄膜トランジスター等）を静電破壊する原因となるために問題となる。【０００４】
上述した静電破壊に対する対策が、例えば特許文献１や特許文献２に開示される。特許文献１には、イオナイザーによって生成されるイオンを利用して、塗布膜を形成する処理の際に帯電した基板の除電を行う構成が開示される。なお、この構成では、イオナイザーによって発生したイオンの基板への搬送は、送風機構によって形成される気流が利用される。【０００５】
特許文献２には、基板ステージにおける基板の載置面に、所定のエンボス形状を形成した上で、陽極酸化処理によってアモルファス状態のアルミナ皮膜を形成する構成が開示されている。この構成では、アモルファス状態のアルミナ皮膜が緻密かつ強固であるために、剥離帯電防止用の皮膜として機能するとされている。また、載置面に、アルミナ皮膜を形成することに付随してエンボス形状を形成することで、剥離帯電を防止しつつ、良好な温度分布が得られるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２３１６１７号公報
【特許文献２】特開２００８−３０６２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の構成は、静電破壊対策として有効な方法であるが、出願人の研究により、この構成でも静電破壊対策が十分でない場合があることがわかった。【０００８】
また、特許文献２の構成では、基板ステージの載置面に対して、陽極酸化処理（アルミナ皮膜の形成）及びエンボス加工を行う必要があり、基板ステージの構成が複雑で製造に要する費用が高くなってしまう。【０００９】
さらに、近年、スマートフォンなどのポータブル端末は、画面の大型化（４型以上）、高精細化（３００ＤＰＩ以上)に向かっており、従来よりも静電破壊の問題が深刻になってきている。この原因として、画面が大型化したためにゲート配線が長くなって、アンテナ効果として静電気放電による電荷の影響を受けやすくなったことが考えられる。また、静電破壊の発生箇所がトランジスタ部であることが多いことから、他の原因として、解像度の増加に伴ってトランジスタ部の数が増えて静電破壊を起こす確率が増えたことが考えられる。【００１０】
以上の点に鑑みて、本発明の目的は、剥離に伴う基板の帯電を抑制可能であるとともに、単純な構成の基板ステージを提供することである。また、本発明の他の目的は、そのような基板ステージを備え、適切に静電気放電対策が施された基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明の基板ステージは、基板が載置される載置面と、前記載置面に設けられて、前記基板を吸着するための吸着溝と、前記載置面の少なくとも一部にランダムに多数設けられる微細な凹凸と、を備える構成（第１の構成）になっている。【００１２】
本構成によれば、基板ステージの載置面にランダムに多数の微細な凹凸が設けられる構成になっている。このために、載置面に載置される基板と、基板ステージとの接触面積が低減される。この結果、載置面に載置された基板を載置面から剥離する際に、基板が帯電する量を低く抑制することが可能である。また、本構成の基板ステージは、載置面にアルミナ皮膜を形成する必要がなく、その構造を単純にでき、安価に製造可能である。【００１３】
上記第１の構成の基板ステージは、回転可能に設けられている構成（第２の構成）であってよい。本構成は、例えば塗布装置等に適用可能である。【００１４】
上記第１又は第２の構成の基板ステージにおいて、前記載置面の最外周部には微細な凹凸が設けられていない構成（第３の構成）を採用するのが好ましい。本構成によれば、吸着溝を用いて基板を吸着する際にリーク防止を図れる。【００１５】
上記第１から第３のいずれかの構成の基板ステージにおいて、前記微細な凹凸が設けられている領域のＲａ（算術平均粗さ）は、０．６μｍ以上１．０μｍ以下である構成（第４の構成）が好ましい。本構成によれば、例えば基板ステージが高速回転（例えば１０００ｒｐｍ以上）した場合でも、基板が基板ステージから剥離してしまう可能性を低くできる。【００１６】
上記第１から第４のいずれかの構成の基板ステージにおいて、前記微細な凹凸が前記載置面の略全域に亘って設けられている構成（第５の構成）であって構わない。本構成によれば、載置面に載置される基板と、基板ステージとの接触面積を極力減らして、基板が載置面から剥離されることによって基板が帯電する量（基板の帯電量）を抑制し易い。【００１７】
上記第１から第４のいずれかの構成の基板ステージにおいて、前記微細な凹凸が前記載置面の一部の範囲に設けられている構成（第６の構成）であって構わない。本構成において、載置面の一部の範囲は、載置面全域の１／３〜１／２程度であるのが好ましい。このように構成することで、基板ステージが高速回転した際に基板が基板ステージから剥離してしまう可能性を低減可能である。【００１８】
上記第６の構成の基板ステージにおいて、前記一部の範囲は、同心円状に間隔をあけて形成される複数の環状領域を含む構成（第７の構成）であって構わない。【００１９】
上記第１から第７のいずれかの構成の基板ステージにおいて、前記基板の横ずれを防止する横ずれ防止部を更に備える構成（第８の構成）としてもよい。本構成によれば、基板ステージが高速回転した際に基板が基板ステージから剥離してしまう可能性を低減可能である。【００２０】
上記第１から第８の構成の基板ステージにおいて、前記微細な凹凸は、ブラスト加工によって形成されている構成（第９の構成）であるのが好ましい。本構成によれば、載置面に多数の凹凸をランダムに得やすい。【００２１】
また、本発明は上記目的を達成するために、上記第１から第９のいずれかの構成の基板ステージを備える基板処理装置である構成（第１０の構成）になっている。本構成の基板処理装置は、適切に静電気放電対策が施されているために、基板処理中に基板表面に形成された素子（例えば薄膜トランジスター等）が静電破壊される可能性が低い。なお、基板処理装置としては、塗布装置や現像装置等が挙げられる。【００２２】
上記第１０の構成の基板処理装置は、前記基板ステージを回転させる回転部と、前記吸着溝を減圧する減圧部と、を更に備える構成（第１１の構成）であって構わない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によると、剥離に伴う基板の帯電を抑制可能であるとともに、単純な構成の基板ステージを提供できる。また、本発明によると、そのような基板ステージを備え、適切に静電気放電対策が施された基板処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置（塗布装置）の構成を示す概略図
【図２】本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ）を上から見た場合の概略平面図
【図３Ａ】スピンチャックステージと基板との関係を説明するための概略断面図で、スピンチャックステージに基板が載置される前の状態を示す図
【図３Ｂ】スピンチャックステージと基板との関係を説明するための概略断面図で、スピンチャックステージに基板が載置された状態を示す図
【図４】本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ）を概念的に示した斜視図
【図５】本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ）によって得られる効果を説明するための模式図
【図６】本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ）によって得られる効果を示すグラフ
【図７】本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ）によって得られる効果を示す別のグラフ
【図８】本発明の第２実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ）を上から見た場合の概略平面図
【図９】本発明の第３実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ）を上から見た場合の概略平面図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の基板ステージ及び基板処理装置の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。ここでは、基板処理装置が、基板に溶液を塗布する塗布装置である場合を例に説明する。ただし、基板処理装置は、塗布装置に限定される趣旨ではなく、例えば現像処理を行うための現像装置等であってもよい。また、ここで示す実施形態はあくまでも例示であり、本発明の技術思想の範囲内で、実施形態の構成は適宜変更されても構わない。
＜第１実施形態＞
【００２６】
まず、本発明の基板ステージが適用された、第１実施形態に係る基板処理装置（塗布装置）の概略構成について説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置（塗布装置１）の構成を示す概略図である。図１に示す塗布装置１は、例えば半導体基板や液晶ディスプレイ用のガラス基板等にフォトレジスト液を塗布する（レジスト膜を形成する）ために使用される。なお、図１においては、理解を容易とするために、塗布装置１を構成する要素ではない基板Ｓも併せて示されている。
【００２７】
図１に示すように、塗布装置１は、上方が開口したカップ２を備える。このカップ２の下部には、排出口２ａが設けられている。カップ２内には、基板Ｓを吸着して回転するためのスピンチャックステージ１０が配置されている。このスピンチャックステージ１０は、回転シャフト４を介してモーター５に連結されており、これによりスピンチャックステージ１０の回転が可能になっている。また、スピンチャックステージ１０の上方には、当該ステージ１０に吸着された基板Ｓにフォトレジスト液を滴下するためのノズル６が配置されている。更に、塗布装置１は、均一な成膜を可能とするために、ローターカップ３ａ（回転体）とローターチャンバー３ｂ（蓋体）とを備え、この両者の組み合わせによって密封に近い状態を形成できるようになっている。なお、ローターカップ３ａとローターチャンバー３ｂとは、スピンチャックステージ１０と同じ速度で回転するように設けられている。
【００２８】
なお、スピンチャックステージ１０は、本発明の基板ステージの一例である。また、モーター５は、本発明の回転部の一例である。スピンチャックステージ１０を構成する材料としては、特に限定する趣旨ではないが、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂等の樹脂が好ましい。樹脂でスピンチャックステージ１０を構成することによって、当該ステージ上に載置されるガラス基板等を傷つける可能性を低減できる。
【００２９】
図２は、本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ１０）を上から見た場合の概略平面図である。図１及び図２にから理解されるようにスピンチャックステージ１０は、基板Ｓが載置される円板状の載置部１１と、回転シャフト４が嵌め込まれる外形円柱状の支柱部１２とを備え、全体としては側面視（断面視）略Ｔ字状になっている。この側面視略Ｔ字状に設けられるスピンチャックステージ１０は、基板Ｓが載置される載置面１３（上面）が水平となるように回転シャフト４に連結される。これは、基板Ｓ上に形成されるレジスト膜の厚みにムラが生じないようにするためである。
【００３０】
また、スピンチャックステージ１０の中央部には、上下方向（図１を考慮した表現）に貫通する貫通孔１４が形成されている。なお、上面視略円形状に設けられる貫通孔１４は、回転シャフト４を嵌め込み固定できるように、上部側に比べて下部側の径が太くなっている。
【００３１】
載置面１３には、図２に示すように、基板Ｓを真空吸着するための吸着溝１５（本発明の吸着溝の一例）が形成されている。吸着溝１５（その幅は例えば１ｍｍ程度）は、高速回転によって基板Ｓが載置面１３から剥離しないように設けられる。吸着溝１５は、貫通孔１４を中心として同心円状に形成される複数の環状溝１５ａと、貫通孔１４の位置で交差するように設けられる十字状溝１５ｂと、を含む。各環状溝１５ａは、十字状溝１５ｂと４箇所で交わる。なお、載置面１３に基板Ｓが載置された状態において、貫通孔１４と吸着溝１５とは連通するように設けられている。
【００３２】
図１に示すように、回転シャフト４の内部には、減圧部８によって吸着溝１５を減圧できるように貫通孔７が形成されている。減圧部８は、本発明の減圧部の一例であり、具体例として真空ポンプが挙げられる。なお、真空ポンプと貫通孔７との間には配管が形成され、真空ポンプと貫通孔７との連通を開け閉め可能な開閉弁が設けられる構成とするのが好ましい。
【００３３】
次に、以上のように構成される塗布装置１によって、基板Ｓにレジスト膜を形成する手順を、図１及び図２に加えて、図３Ａ及び図３Ｂも参照しながら簡単に説明する。なお、図３Ａは、スピンチャックステージ１０と基板Ｓとの関係を説明するための概略断面図で、スピンチャックステージ１０に基板Ｓが載置される前の状態を示す図である。図３Ｂは、スピンチャックステージ１０と基板Ｓとの関係を説明するための概略断面図で、スピンチャックステージ１０に基板Ｓが載置された状態を示す図である。
【００３４】
まず、基板Ｓがスピンチャックステージ１０の載置面１３に載置される。詳細には、基板Ｓは、搬送アーム９によってスピンチャックステージ１０上に運ばれる。そして、スピンチャックステージ１０が不図示の昇降機構によって上昇（矢印Ｕ方向に移動；図３Ａ参照）されることによって、基板Ｓは搬送アーム９からスピンチャックステージ１０に受け渡される。なお、これに限らず、場合によっては、搬送アーム９が下降することによって基板Ｓが搬送アーム９からスピンチャックステージ１０に受け渡される構成が採用されても構わない。
【００３５】
基板Ｓが載置面１３に載置されると、減圧部８が駆動されて、吸着溝１５内の空気が吸引される。これにより、基板Ｓが載置面１３に真空吸着される。次に、モーター５を駆動させることによって、回転シャフト４とともにスピンチャックステージ１０を回転させる。これに前後して、ノズル６からフォトレジスト液が基板Ｓに適量滴下される。また、スピンチャックステージ１０の高速回転前に、ローターカップ３ａとローターチャンバー３ｂとによって密封に近い状態が形成される。基板Ｓの回転に伴い遠心力によって、余剰なフォトレジスト液が飛散され、基板Ｓ上には均一にフォトレジスト液が塗布されることになる。なお、飛散された余剰のフォトレジスト液は、排出口２ａからカップ２外へと排出される。
【００３６】
フォトレジスト液の塗布が完了すると、モーター５及び減圧部８の駆動が停止され、載置面１３に載置された基板Ｓが搬送アーム９へと受け渡される。詳細には、モーター５及び減圧部８の駆動停止後に、スピンチャックステージ１０が不図示の昇降機構によって下降（矢印Ｄ方向に移動；図３Ｂ参照）されることによって、基板Ｓはスピンチャックステージ１０から搬送アーム９へと受け渡される。なお、場合によっては、搬送アーム９が上昇することによって基板Ｓがスピンチャックステージ１０から搬送アーム９に受け渡される構成が採用されても構わない。
【００３７】
ところで、基板Ｓが搬送アーム９へと受け渡される際に、基板Ｓとスピンチャックステージ１０との間において剥離帯電が発生する。基板Ｓに帯電した電荷は、例えば、基板Ｓの表面に形成された素子を静電破壊する原因となるために、この電荷（帯電量）はできる限り小さなものとするのが好ましい。そして、本実施形態のスピンチャックステージ１０は、剥離帯電によって基板Ｓに生じる電荷（帯電量）が極力小さくなるように工夫されている。以下、これについて説明する。
【００３８】
図４は、本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ１０）を概念的に示した斜視図である。なお、図４においては、スピンチャックステージ１０の載置面１３に設けられる貫通孔１４や吸着溝１５は省略されている。図４に示すように、スピンチャックステージ１０の載置面１３には、その略全域に亘って粗面化処理が施されている。ただし、載置面１３の外周（最外周）には、リーク防止目的で粗面化処理が施されていない領域１１ａ（環状の領域）が設けられている。なお、粗面化処理が行われる範囲には吸着溝１５が形成される領域が含まれてよいが、場合によっては含まれないようにしてもよい。
【００３９】
この粗面化処理の手法としては、特に限定されるものではないが、例えばブラスト加工が利用される。上述のように、載置面１３の外周には粗面化処理が施されない領域１１ａが設けられるが、これはブラスト加工の際にマスキングを行うことによって得ることができる。なお、ブラスト加工以外に、例えばエッチング等の手法が利用されてもよい。ブラスト加工によって、元々平ら（滑らか）に設けられる載置面１３に、微細な凹凸（載置面１３と吸着溝１５の底面との間のギャップに比べて小さなギャップを有する凹凸）をランダムに多数形成することができる。平らな表面状態の載置面１３に対して、例えばＲａ（算術平均粗さ）＝０．８μｍ狙いでアルミナセラミック（研磨材の一例）を噴出して材料表面を荒らす。これにより、載置面１３に多数の微細な凹凸がランダムに形成されて、例えばＲａが０．６〜１．０μｍの表面状態が得られる。
【００４０】
図５は、本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ１０）によって得られる効果を説明するための模式図である。図５は、スピンチャックステージ１０を構成する載置部１１（図１参照）の一部の断面を示すものである。上段（本実施形態を構成を表す図）は、ブラスト加工が施された状態を示す図、下段（比較用図）はブラスト加工が施されていない状態を示す図である。図５に示すように、ブラスト加工が施された載置面１３には微細な凹凸１６が形成されている。このために、ブラスト加工が施されていない載置面（従来の構成に該当する）に比べて、ブラスト加工が施された載置面１３は、基板Ｓとの接触面積が小さくなる。この結果、載置面１３から基板Ｓを剥離することによって生じる基板Ｓの帯電量を低減できる。
【００４１】
なお、載置面１３のＲａが大きくなり過ぎると、スピンチャックステージ１０と基板Ｓとの間に生じる摩擦係数が小さくなり、スピンチャックステージ１０を高速回転（例えば１１００ｒｐｍ以上）した時に基板Ｓを保持できなくなる可能性がある。このために、載置面１３に形成される凹凸１６は微細なものとして、載置面１３の粗度が大きくなり過ぎないようにするのが好ましい。この粗度（Ｒａ）は、帯電量の低減と、基板Ｓを高速回転させたときの基板Ｓの保持を両立させるために、０．６μｍ以上１．４μｍ以下が好ましく、更には、０．６μｍ以上１．０μｍ以下がより好ましい。
【００４２】
図６は、本発明の第１実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ１０）によって得られる効果を示すグラフである。図６は、スピンチャックステージ１０から剥離した基板Ｓにおける帯電量を測定した結果である。図６において、「ブラスト加工あり」が本発明（本実施形態）の構成に該当し、「ブラスト加工なし」は比較例である。図６において、スピンチャックステージにブラスト加工を施すことによって、スピンチャックステージからの剥離後の基板における帯電量を大きく低減できることが実証されている。なお、図６の結果から、スピンチャックステージ１０にＰＰＳ樹脂を用いる場合、絶縁性タイプよりも、導電性タイプの方が若干有利であることがわかる。
【００４３】
図７は、本発明の実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ１０）によって得られる効果を示す別のグラフである。図７は、処理枚数の変化に伴う、基板Ｓの帯電量変化を調べた結果である。帯電量は、図６の場合と同様に、スピンチャックステージ１０から剥離した後の基板Ｓの帯電量であり、実測値である。図７において「ブラスト加工あり」が本発明（本実施形態）の構成に該当し、「ブラスト加工なし」は比較例である。また、図７において、スピンチャックステージ１０の材質は、「ブラスト加工あり」と「ブラスト加工なし」のいずれの場合も、導電性ＰＰＳ樹脂である。図７に示される結果から、載置面１３にブラスト加工を施すことによって、処理枚数が増えた場合でも、安定して基板Ｓの帯電量を低く保つことができることがわかる。
【００４４】
以上からわかるように、本実施形態のスピンチャックステージ１０を用いれば、フォトレジスト液が塗布された後、スピンチャックステージ１０から剥離された基板Ｓの帯電量を低く抑制できる。換言すると本実施形態のスピンチャックステージ１０を用いれば、例えば基板Ｓ上に形成された素子（ＴＦＴ等）が静電破壊される可能性を低減できる。また、本実施形態のスピンチャックステージ１０は、その表面にアルミナ皮膜の形成を行う必要がなく、その形状が単純で、製造コスト面においても有利である。
＜第２実施形態＞
【００４５】
次に、第２実施形態の基板処理装置（塗布装置）及び基板ステージ（スピンチャックステージ）について説明する。ただし、第２実施形態の構成は、第１実施形態の構成と概ね同様である。このために、以下、異なる部分について絞って説明する。なお、第１実施形態の構成と重複する部分には同一の符号を付して説明する。
【００４６】
第１実施形態においては、微細な凹凸１６が、スピンチャックステージ１０の載置面１３の略全域に亘って形成された。しかし、第２実施形態では、図８に示すように、微細な凹凸１６は、スピンチャックステージ１０の載置面１３の一部の領域にのみ形成されている。より詳細には、微細な凹凸１６が設けられる領域は、載置面１３上に同心円状（中心は貫通孔１４）に間隔（例えば１０〜３０ｍｍ）をあけて形成される複数の環状領域内となっている。換言すると、微細な凹凸１６は、環状溝１５ａ（吸着溝）に沿うように設けられる複数の環状領域内に設けられている。なお、微細な凹凸１６が設けられる領域には、吸着溝１５が形成される領域が含まれてよいが、含まれないようにしてもよい。また、第１実施形態の場合と同様に、載置面１３の外周にはリーク防止目的で粗面化処理が施されていない領域１１ａ（環状の領域）が設けられている。
【００４７】
なお、図８は、本発明の第２実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ１０）を上から見た場合の概略平面図である。また、第２実施形態においても、微細な凹凸１６は例えばブラスト加工によって得られるが、第２実施形態の場合には、微細な凹凸１６を形成しない領域上にはマスクを配置してブラスト加工を行うことになる。
【００４８】
第２実施形態の構成を採用すると、第１実施形態の構成に比べて基板Ｓが載置面１３から受ける摩擦力が増大する。このために、スピンチャックステージ１０を高速回転（例えば１５００ｒｐｍ）する場合に、基板Ｓがスピンチャックステージ１０から離脱する可能性を低減できる。この構成の場合でも、微細な凹凸１６の存在によって載置面１３と基板Ｓとの間の接触面積が低減されているために、載置面１３から基板Ｓを剥離することによって基板Ｓが帯電する量（帯電量）を従来（粗面化処理を全く行わない構成）に比べて低減できる。
【００４９】
なお、微細な凹凸１６を載置面１３の一部の領域にのみ設ける構成は、第２実施形態の構成に限定されるものではなく、その構成は適宜変更されて構わない。ただし、微細な凹凸１６を設ける領域が小さくなりすぎると、載置面１３から基板Ｓを剥離することによって基板Ｓが帯電する量（帯電量）を低下する効果が小さくなる。このため、微細な凹凸１６を載置面１３の一部の領域にのみ設ける構成を採用する場合には、この点も考慮する必要がある。微細な凹凸１６を載置面１３の一部の領域にのみ設ける構成を採用する場合、例えば、微細な凹凸１６が載置面１３の１／３〜１／２程度を占めるように構成するのが好ましい。
【００５０】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態の基板処理装置（塗布装置）及び基板ステージ（スピンチャックステージ）について説明する。ただし、第３実施形態の構成は、第１実施形態の構成と概ね同様である。このために、以下、異なる部分について絞って説明する。なお、第１実施形態の構成と重複する部分には同一の符号を付して説明する。
【００５１】
図９は、本発明の第３実施形態に係る基板ステージ（スピンチャックステージ１０）を上から見た場合の概略平面図である。図９には、基板ステージ（スピンチャックステージ１０）だけではなく、ローターカップ３ａも示されている。また、図９においては、理解を容易とするために基板Ｓも併せて示されている。
【００５２】
第３実施形態のスピンチャックステージ１０も、第１実施形態の場合と同様に、載置部１１と、支柱部１２とを備える構成である。第３実施形態においては、ローターカップ３ａ上に複数（本実施形態では８個）の横ずれ防止ピン２０が設けられている。横ずれ防止ピン２０は、上下方向（図９において紙面と垂直な方向が該当）に延びる円柱状の突出部（ピン）とすることができる。横ずれ防止ピン２０は、詳細には、基板Ｓがスピンチャックステージ１０の載置面１３に載置された状態において、矩形の基板Ｓの４つの角部のそれぞれが２つの横ずれ防止ピン２０で挟み込まれるように、ローターカップ３ａ上に配置されている。
【００５３】
このように構成すると、スピンチャックステージ１０を高速回転（例えば１５００ｒｐｍ）する場合に、基板Ｓがスピンチャックステージ１０から横ずれしようとしても、基板Ｓに当接する横ずれ防止ピン２０によって基板Ｓの横ずれは防止される。このため、スピンチャックステージ１０の載置面１３に微細な凹凸１６を設けたにもかかわらず、基板Ｓが高速回転中にスピンチャックステージ１０から離脱する可能性を抑制できる。なお、横ずれ防止ピン２０の高さは、基板Ｓが横ずれしないように適宜調整する必要がある。
【００５４】
なお、横ずれ防止ピン２１は、本発明の横ずれ防止部の一例である。また、本実施形態では、横ずれ防止部がメカニカルピン２１で構成されているが、本発明の範囲はこれに限定される趣旨ではない。横ずれ防止部は、例えば、基板Ｓの４つの角部のそれぞれと当接するように設けられる、断面視略Ｌ字状に突起部でも構わない。また、場合によっては、横ずれ防止部はスピンチャックステージ１０の形状の工夫によってスピンチャックステージ１０に設けても構わない。更に第３実施形態において、微細な凹凸１６は、第１実施形態のように載置面１３の略全域に設けられてもよいし、第２実施形態のように載置面１３の一部にのみ設けられてもよい。
【符号の説明】
【００５５】
１  塗布装置（基板処理装置）
５  モーター（回転部）
８  減圧部
１０  スピンチャックステージ（基板ステージ）
１３  載置面
１５  吸着溝
１６  微細な凹凸
２１  横ずれ防止ピン（横ずれ防止部）
Ｓ  基板
【図１】
2014034504.tif 000003
【図２】
2014034504.tif 000004
【図３Ａ】
2014034504.tif 000005
【図３Ｂ】
2014034504.tif 000006
【図４】
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【図５】
2014034504.tif 000008
【図８】
2014034504.tif 000009
【図９】
2014034504.tif 000010
【図６】
2014034504.tif 000011
【図７】
2014034504.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置される載置面と、
前記載置面に設けられて、前記基板を吸着するための吸着溝と、
前記載置面の一部にランダムに多数設けられる微細な凹凸と、
を備え、
前記微細な凹凸が設けられない領域に、前記載置面の外周部及び前記吸着溝が設けられる領域以外の領域が含まれることを特徴とする基板ステージ。
【請求項２】
当該基板ステージが１５００ｒｐｍ以上の高速回転可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板ステージ。
【請求項３】
前記微細な凹凸が設けられない領域に、前記載置面の外周が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板ステージ。
【請求項４】
前記微細な凹凸が設けられない領域に、前記吸着溝が設けられる領域が含まれることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項５】
前記微細な凹凸は、前記載置面全域の１／３以上１／２以下の範囲を占めることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項６】
前記微細な凹凸が設けられている領域のＲａ（算術平均粗さ）は、０．６μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１から３５のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項７】
前記微細な凹凸は、前記吸着溝の幅より大きな間隔をあけて同心円状に並ぶ複数の環状領域に形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項８】
前記微細な凹凸が設けられる複数の環状領域と、前記微細な凹凸が設けられない複数の環状領域とが同心円状に交互に並んでいることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項９】
前記基板の横ずれを防止する横ずれ防止部を更に備えることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項１０】
前記微細な凹凸は、ブラスト加工によって形成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の基板ステージを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板ステージを回転させる回転部と、
前記吸着溝を減圧する減圧部と、
を更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年6月15日(2016.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が載置される載置面と、
前記載置面の中央に形成された貫通孔と、
前記載置面に設けられて、前記基板を吸着するための吸着溝と、
前記載置面の外周部を除く載置面の一部にランダムに多数設けられる微細な凹凸と、
を備え、
前記吸着溝は、前記貫通孔を中心として同心円状に形成された複数の環状溝を有し、
前記載置面には、前記環状溝に沿うように複数の環状領域が形成され、
前記環状領域は、前記微細な凹凸が設けられる複数の第１の環状領域と、前記微細な凹凸が設けられない複数の第２の環状領域を有し、  
前記第１の環状領域と前記第２の環状領域とは同心円状に交互に並び、
前記微細な凹凸は、前記載置面全域の１／３以上１／２以下の範囲を占め、
前記微細な凹凸が設けられている領域のＲａ（算術平均粗さ）は、０．６μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする基板ステージ。
【請求項２】
当該基板ステージが１５００ｒｐｍ以上の高速回転可能に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板ステージ。
【請求項３】
前記微細な凹凸が設けられない領域に、前記吸着溝が設けられる領域が含まれることを特徴とする請求項１または２に記載の基板ステージ。
【請求項４】
前記基板の横ずれを防止する横ずれ防止部を更に備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項５】
前記微細な凹凸は、ブラスト加工によって形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基板ステージ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の基板ステージを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
前記基板ステージを回転させる回転部と、
前記吸着溝を減圧する減圧部と、
を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【国際調査報告】
2014034504.tif 000013
2014034504.tif 000014
2014034504.tif 000015
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