【手続補正書】
【提出日】平成27年5月28日(2015.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属原子を含む半導体量子ドットの集合体と、
前記半導体量子ドットに配位し、下記一般式（Ａ）で表される配位子、下記一般式（Ｂ）で表される配位子、および下記一般式（Ｃ）で表される配位子から選択される少なくとも１種の配位子と、
を有する半導体膜。
【化１】
2014112623.tif 000001
〔一般式（Ａ）中、Ｘ１は、−ＳＨ、−ＮＨ２、または、−ＯＨを表し、Ａ１及びＢ１は、各々独立に、水素原子または原子数１以上１０以下の置換基を表す。但し、Ａ１及びＢ１が共に水素原子のときは、Ｘ１は−ＳＨ、または、−ＯＨを表す。
一般式（Ｂ）中、Ｘ２は、−ＳＨ、−ＮＨ２、または、−ＯＨを表し、Ａ２及びＢ２は、各々独立に、水素原子または原子数１以上１０以下の置換基を表す。
一般式（Ｃ）中、Ａ３は、水素原子または原子数１以上１０以下の置換基を表す。〕
【請求項２】
前記Ａ１、前記Ｂ１、前記Ａ２、前記Ｂ２、及び前記Ａ３が、各々独立に、水素原子または原子数７以下の置換基である請求項１に記載の半導体膜。
【請求項３】
前記Ａ１、前記Ｂ１、前記Ａ２、前記Ｂ２、及び前記Ａ３が、水素原子である請求項１または請求項２に記載の半導体膜。
【請求項４】
前記配位子が、２−アミノエタンチオール、２−アミノエタノール、アミノ−１−プロパノール、２−アミノエタンチオール誘導体、２−アミノエタノール誘導体、及びアミノ−１−プロパノール誘導体から選択される少なくとも１つである請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体膜。
【請求項５】
前記配位子は、前記一般式（Ａ）で表され、前記半導体量子ドット中の金属原子と共に、５員環キレートを形成する請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体膜。
【請求項６】
前記配位子と前記半導体量子ドットの金属原子との間の錯安定度定数ｌｏｇβ１が８以上である請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体膜。
【請求項７】
前記半導体量子ドットは、ドット間平均最短距離が０．４５ｎｍ未満である請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体膜。
【請求項８】
前記半導体量子ドットは、ドット間平均最短距離が０．３０ｎｍ未満である請求項７に記載の半導体膜。
【請求項９】
前記半導体量子ドットは、ドット間平均最短距離が０．２０ｎｍ未満である請求項７または請求項８に記載の半導体膜。
【請求項１０】
前記半導体量子ドットは、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びＩｎＰから選択される少なくとも１つを含む請求項１〜請求項９のいずれか１項に記載の半導体膜。
【請求項１１】
前記半導体量子ドットは、平均粒径が２ｎｍ〜１５ｎｍである請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の半導体膜。
【請求項１２】
前記半導体量子ドットは、ＰｂＳを含む請求項１０または請求項１１に記載の半導体膜。
【請求項１３】
金属原子を含む半導体量子ドット、前記半導体量子ドットに配位した第１の配位子、及び第１の溶媒を含有する半導体量子ドット分散液を基板上に付与して半導体量子ドットの集合体を形成する半導体量子ドット集合体形成工程と、
前記半導体量子ドットの集合体に、前記第１の配位子よりも分子鎖長が短く、かつ、下記一般式（Ａ）で表される配位子、下記一般式（Ｂ）で表される配位子、および下記一般式（Ｃ）で表される配位子から選択される少なくとも１種である第２の配位子及び第２の溶媒を含有する溶液を付与して前記半導体量子ドットに配位している前記第１の配位子を前記第２の配位子に交換する配位子交換工程と、
を有する半導体膜の製造方法。
【化２】
2014112623.tif 000002
〔一般式（Ａ）中、Ｘ１は、−ＳＨ、−ＮＨ２、または、−ＯＨを表し、Ａ１及びＢ１は、各々独立に、水素原子または原子数１以上１０以下の置換基を表す。但し、Ａ１及びＢ１が共に水素原子のときは、Ｘ１は−ＳＨ、または、−ＯＨを表す。
一般式（Ｂ）中、Ｘ２は、−ＳＨ、−ＮＨ２、または、−ＯＨを表し、Ａ２及びＢ２は、各々独立に、水素原子または原子数１以上１０以下の置換基を表す。
一般式（Ｃ）中、Ａ３は、水素原子または原子数１以上１０以下の置換基を表す。〕
【請求項１４】
前記第１の配位子は、主鎖の炭素数が少なくとも６以上の配位子である請求項１３に記載の半導体膜の製造方法。 
【請求項１５】
前記半導体量子ドット集合体形成工程と、前記配位子交換工程と、を２回以上行う請求項１３または請求項１４に記載の半導体膜の製造方法。
【請求項１６】
前記Ａ１、前記Ｂ１、前記Ａ２、前記Ｂ２、及び前記Ａ３が、各々独立に、水素原子または原子数７以下の置換基である請求項１３〜請求項１５のいずれか１項に記載の半導体膜の製造方法。
【請求項１７】
前記Ａ１、前記Ｂ１、前記Ａ２、前記Ｂ２、及び前記Ａ３が、水素原子である請求項１３〜請求項１６のいずれか１項に記載の半導体膜の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の配位子が、２−アミノエタンチオール、２−アミノエタノール、アミノ−１−プロパノール、２−アミノエタンチオール誘導体、２−アミノエタノール誘導体、及びアミノ−１−プロパノール誘導体から選択される少なくとも１つである請求項１３〜請求項１７のいずれか１項に記載の半導体膜の製造方法。
【請求項１９】
前記配位子交換工程は、前記第２の配位子が、前記一般式（Ａ）で表され、前記半導体量子ドット中の金属原子と共に、５員環キレートを形成する請求項１３〜請求項１８のいずれか１項に記載の半導体膜の製造方法。
【請求項２０】
前記半導体量子ドットは、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＩｎＮ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、及びＩｎＰから選択される少なくとも１つを含む請求項１３〜請求項１９のいずれか１項に記載の半導体膜の製造方法。
【請求項２１】
前記半導体量子ドットは、平均粒径が２ｎｍ〜１５ｎｍである請求項１３〜請求項２０のいずれか１項に記載の半導体膜の製造方法。
【請求項２２】
前記半導体量子ドットは、ＰｂＳを含む請求項２０または請求項２１に記載の半導体膜の製造方法。
【請求項２３】
請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の半導体膜を備える太陽電池。
【請求項２４】
請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の半導体膜を備える発光ダイオード。
【請求項２５】
請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の半導体膜を備える薄膜トランジスタ。
【請求項２６】
請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の半導体膜を備える電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、以下の発明が提供される。
＜１＞  金属原子を含む半導体量子ドットの集合体と、半導体量子ドットに配位し、一般式（Ａ）で表される配位子、一般式（Ｂ）で表される配位子、および一般式（Ｃ）で表される配位子から選択される少なくとも１種の配位子と、を有する半導体膜である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
＜２＞  Ａ１、Ｂ１、Ａ２、Ｂ２、及びＡ３が、各々独立に、水素原子または原子数７以下の
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
＜１３＞  金属原子を含む半導体量子ドット、半導体量子ドットに配位した第１の配位子、及び第１の溶媒を含有する半導体量子ドット分散液を基板上に付与して半導体量子ドットの集合体を形成する半導体量子ドット集合体形成工程と、半導体量子ドットの集合体に、第１の配位子よりも分子鎖長が短く、かつ、下記一般式（Ａ）で表される配位子、下記一般式（Ｂ）で表される配位子、および下記一般式（Ｃ）で表される配位子から選択される少なくとも１種である第２の配位子及び第２の溶媒を含有する溶液を付与して半導体量子ドットに配位している第１の配位子を第２の配位子に交換する配位子交換工程と、を有する半導体膜の製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
＜１６＞  Ａ１、Ｂ１、Ａ２、Ｂ２、及びＡ３が、各々独立に、水素原子または原子数７以下の置換基である＜１３＞〜＜１５＞のいずれか１つに記載の半導体膜の製造方法である。