【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された接着層と、
前記接着層を介して前記半導体チップに装着された放熱板と、を有し、
前記放熱板は、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第１金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第２金属箔と、
前記第１金属箔、前記絶縁部材、及び前記第２金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第１金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第２金属箔の内側面を被覆して前記第１金属箔と前記第２金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填せずに前記貫通孔内に空洞部を形成するように設けられ、
前記空洞部の底部には前記接着層が露出している半導体パッケージ。
【請求項２】
配線基板と、
前記配線基板に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップ上に形成された接着層と、
前記接着層を介して前記半導体チップに装着された放熱板と、を有し、
前記放熱板は、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第１金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第２金属箔と、
前記第１金属箔、前記絶縁部材、及び前記第２金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第１金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第２金属箔の内側面を被覆して前記第１金属箔と前記第２金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填するように形成されている半導体パッケージ。
【請求項３】
前記金属層の内側部分には絶縁層が充填されている請求項１記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第１金属箔及び前記第２金属箔は、前記絶縁層に被覆されている請求項３記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記配線基板の表面、前記半導体チップ及び前記放熱板の各々の側面は、樹脂層により封止され、
前記第１金属箔は、前記樹脂層から露出している請求項１乃至４の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
配線基板と、
前記配線基板に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップに装着された放熱板と、を有し、
前記放熱板は、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面に形成された第１金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面に形成された第２金属箔と、
前記第１金属箔、前記絶縁部材、及び前記第２金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第１金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第２金属箔の内側面を被覆して前記第１金属箔と前記第２金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記配線基板の表面、前記半導体チップ及び前記放熱板の各々の側面は、前記絶縁部材とは別に形成された樹脂層により封止され、
前記第２金属箔は、接着層を介さずに、前記半導体チップ上に直接形成され、
前記第１金属箔は、前記樹脂層から露出している半導体パッケージ。
【請求項７】
前記第１金属箔の前記絶縁部材と接する面の反対面は第１絶縁層により被覆され、
前記第２金属箔の前記絶縁部材と接する面の反対面は第２絶縁層により被覆され、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は前記金属層上には形成されず、前記金属層は前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層から露出している請求項１乃至６の何れか一項記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
配線基板に搭載された半導体チップに装着される放熱板であって、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第１金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第２金属箔と、
前記第１金属箔、前記絶縁部材、及び前記第２金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第１金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第２金属箔の内側面を被覆して前記第１金属箔と前記第２金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填せずに前記貫通孔内に空洞部を形成するように設けられている放熱板。
【請求項９】
配線基板に搭載された半導体チップに装着される放熱板であって、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、
前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第１金属箔と、
前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第２金属箔と、
前記第１金属箔、前記絶縁部材、及び前記第２金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、
前記貫通孔内に露出する前記第１金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第２金属箔の内側面を被覆して前記第１金属箔と前記第２金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填するように形成されている放熱板。
【請求項１０】
配線基板に搭載された半導体チップに装着される放熱板の製造方法であって、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とし、一方の面に第１金属箔が形成され他方の面に第２金属箔が形成された絶縁部材を準備する工程と、
前記第１金属箔、前記絶縁部材、及び前記第２金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に露出する前記第１金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第２金属箔の内側面を被覆して前記第１金属箔と前記第２金属箔とを熱的に接続する金属層を形成する工程と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填せずに前記貫通孔内に空洞部を形成するように設けられる放熱板の製造方法。
【請求項１１】
配線基板に搭載された半導体チップに装着される放熱板の製造方法であって、
前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とし、一方の面に第１金属箔が形成され他方の面に第２金属箔が形成された絶縁部材を準備する工程と、
前記第１金属箔、前記絶縁部材、及び前記第２金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内に露出する前記第１金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第２金属箔の内側面を被覆して前記第１金属箔と前記第２金属箔とを熱的に接続する金属層を形成する工程と、を備え、
前記金属層は、前記貫通孔を充填するように形成される放熱板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本半導体パッケージは、配線基板と、前記配線基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップ上に形成された接着層と、前記接着層を介して前記半導体チップに装着された放熱板と、を有し、前記放熱板は、前記配線基板に含まれる樹脂と同一の樹脂を主成分とする絶縁部材と、前記絶縁部材の一方の面の全領域に形成された第１金属箔と、前記絶縁部材の他方の面の全領域に形成された第２金属箔と、前記第１金属箔、前記絶縁部材、及び前記第２金属箔を厚さ方向に貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に露出する前記第１金属箔の内側面、前記絶縁部材の内側面、及び前記第２金属箔の内側面を被覆して前記第１金属箔と前記第２金属箔とを熱的に接続する金属層と、を備え、前記金属層は、前記貫通孔を充填せずに前記貫通孔内に空洞部を形成するように設けられ、前記空洞部の底部には前記接着層が露出していることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】