【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクラブ部材を基板の第１の面に摺接させて該基板の表面処理を行うスクラバーと、
前記第１の面とは反対側の前記基板の第２の面を流体圧により非接触に支持する基板支持面を有する静圧支持機構と、
前記スクラバーにより表面処理された前記基板を洗浄する洗浄部と、
洗浄された前記基板を乾燥させる乾燥部とを備え、
前記スクラバーは、該スクラバーの軸心周りに前記スクラブ部材を回転させながら該スクラブ部材を前記基板の第１の面に摺接させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
内部に処理室が形成された隔壁をさらに備え、
前記スクラバー、前記洗浄部、および前記乾燥部は、前記処理室内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記乾燥部は、前記基板をその軸心を中心として回転させる基板回転機構から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記基板回転機構は、前記基板を回転させる中空モータを備えており、前記基板回転機構はその中央部に空間を有する円筒形状を有しており、
前記静圧支持機構は、前記基板回転機構の前記空間内に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
回転する前記スクラブ部材によって形成されるスクラブ面と前記基板支持面は、同心状に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記スクラブ部材は、前記スクラバーの半径方向に延びる基板接触面を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板支持面には少なくとも１つの凹部が形成されており、
前記静圧支持機構は、前記基板支持面を有する支持ステージと、前記凹部に流体を供給するための流体供給路とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記静圧支持機構は、前記基板支持面を有する支持ステージと、前記基板支持面上で開口する少なくとも１つの流体供給路とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記静圧支持機構は、前記支持ステージを昇降させるステージ昇降機構をさらに有することを特徴する請求項７または８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記スクラブ部材はテープ状であり、
前記スクラバーは、前記スクラブ部材を前記基板の第１の面に押し付ける押圧部材と、前記スクラブ部材を前記押圧部材に繰り出すテープ繰り出しリールと、前記押圧部材から前記スクラブ部材を巻き取るテープ巻き取りリールとを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記スクラブ部材、前記押圧部材、前記テープ繰り出しリール、および前記テープ巻き取りリールは、テープカートリッジを構成し、該テープカートリッジは前記スクラバーの内部に着脱可能に設置されていることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記スクラブ部材は、砥粒を有しない洗浄テープまたは砥粒を有する研磨テープであることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記第１の面はデバイスが形成されていない面であり、前記第２の面はデバイスが形成されている面であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第１の面はデバイスが形成されている面であり、前記第２の面はデバイスが形成されていない面であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
基板の第１の面にスクラブ部材を摺接させて該基板の表面処理を行う工程と、
前記表面処理がなされた前記基板を洗浄する工程と、
洗浄された前記基板を乾燥する工程とを含み、
前記表面処理工程中に、前記第１の面とは反対側の前記基板の第２の面を流体圧により非接触に支持することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１６】
前記表面処理工程、前記洗浄工程、および前記乾燥工程を同一の処理室内で実施することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
前記洗浄工程中に、前記基板の第２の面を流体圧により非接触に支持することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１８】
前記第１の面はデバイスが形成されていない面であり、前記第２の面はデバイスが形成されている面であることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記第１の面はデバイスが形成されている面であり、前記第２の面はデバイスが形成されていない面であることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
前記第１の面を構成する材料が、シリコン、シリコン化合物、ガリウム、ガリウム化合物、金属、金属化合物、および有機化合物のうちのいずれか１つであることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項２１】
前記スクラブ部材が、前記第１の面を構成する材料よりも軟質な材料、砥粒を含有する材料、および研磨テープから選ばれることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項２２】
前記表面処理工程は、前記第１の面に処理液を供給しながら前記スクラブ部材を前記第１の面に摺接させる工程であり、前記処理液の成分は、前記第１の面を構成する材料の溶解作用を持つ成分、砥粒、および前記スクラブ部材により除去された材料または反応生成物の再付着抑制成分の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項２３】
前記砥粒の材質が、二酸化珪素、炭化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、ダイヤモンドのいずれか１種またはその混合物であることを特徴とする請求項２２に記載の基板処理方法。
【請求項２４】
前記処理液が中性またはアルカリ性であることを特徴とする請求項２２に記載の基板処理方法。
【請求項２５】
前記処理液が酸性であることを特徴とする請求項２２に記載の基板処理方法。
【請求項２６】
前記洗浄工程は、前記基板の第１の面に洗浄液を供給する工程と、前記基板の第１の面を接触式または非接触式手段で洗浄する工程とを含み、前記洗浄液は、所定のｐＨに制御した溶液、前記スクラブ部材により除去された材料の再付着防止成分を含む溶液、および純水のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項２７】
前記洗浄液が中性またはアルカリ性であることを特徴とする請求項２６に記載の基板処理方法。
【請求項２８】
前記洗浄液が酸性であることを特徴とする請求項２６に記載の基板処理方法。
【請求項２９】
前記乾燥工程は、前記基板の高速回転、前記第１の面への気体噴出、または前記第１の面への低蒸気圧溶媒の供給のいずれかであることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項３０】
前記乾燥工程において、前記基板の周縁部に接触するチャックによって前記基板を保持することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【請求項３１】
前記表面処理を行った後の前記第１の面の表面粗さが５μｍ以下であることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図１０は、スクラバー５０に備えられたテープカートリッジ６０を示す断面図である。図１０に示すように、テープカートリッジ６０は、洗浄テープ６１と、この洗浄テープ６１をウェハＷに対して押し付ける押圧部材６２と、この押圧部材６２をウェハに向かって付勢する付勢機構６３と、洗浄テープ６１を繰り出すテープ繰り出しリール６４と、処理に使用された洗浄テープ６１を巻き取るテープ巻き取りリール６５とを備えている。洗浄テープ６１は、テープ繰り出しリール６４から、押圧部材６２を経由して、テープ巻き取りリール６５に送られる。複数の押圧部材６２は、スクラバー５０の半径方向に沿って延びており、かつスクラバー５０の周方向において等間隔に配置されている。したがって、各洗浄テープ６１のウェハ接触面（基板接触面）は、スクラバー５０の半径方向に延びている。図１０に示す例では、付勢機構６３としてばねが使用されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図２９は、第２の磁石４４と第３の磁石４５の配置を説明するための模式図であり、チャック１１の軸方向から見た図である。図２９に示すように、第２の磁石４４と第３の磁石４５とは、チャック１１の周方向においてずれて配置されている。すなわち、第２の磁石４４とチャック１１の中心を結ぶ線と、第３の磁石４５とチャック１１の中心を結ぶ線とは、チャック１１の軸方向から見たときに所定の角度αで交わっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３４】
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