【手続補正書】
【提出日】平成27年8月3日(2015.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、
タングステンを含む基板を提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物（初期成分として、
水；
０．１〜５重量％の砥粒；
０．００５〜０．１重量％の式（Ｉ）：
【化４】
2013042131.tif 000001
（式中、各Ａは、Ｎ及びＰから独立に選択され；Ｒ１は、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基及びＣ６−Ｃ１５アラルキル基から選択され；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水素、飽和又は不飽和Ｃ１−Ｃ１５アルキル基、Ｃ６−Ｃ１５アリール基、Ｃ６−Ｃ１５アラルキル基及びＣ６−Ｃ１５アルカリール基から選択され；そして式（Ｉ）中のアニオンは、式（Ｉ）中のカチオン上の２＋電荷と相殺する任意のアニオン又はアニオンの組合せであってよい）で示されるジ第４級化合物；
０．００１〜１０重量％の少なくともフタル酸、無水フタル酸、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の１種；並びに
０．００１〜１０重量％のヨウ素酸カリウムを含む）を提供すること（ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、１〜４のｐＨを有し；このケミカルメカニカルポリッシング組成物は、≦５Å/分のタングステン静的エッチング速度及び≧１００Å/分のタングステン除去速度を示し；このケミカルメカニカルポリッシング組成物は、＜０．００１重量％のペルオキシ酸化剤を含有し；そしてこのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、０．０００１重量％未満のコロージョンインヒビター剤を含有する）；
研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと；及び
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配することを含み；
ここで、基板は研磨され、そして幾らかのタングステンは基板から除去される、方法。
【請求項２】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、≧３００Å/分のタングステン除去速度を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基板が、更にオルトケイ酸テトラエチルを含み、そしてここで、少なくとも幾らかのオルトケイ酸テトラエチルが、基板から除去され、そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、５：１〜１：５のタングステン除去速度対オルトケイ酸テトラエチル除去速度の選択比を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
基板が、更にＳｉ３Ｎ４を含み、そしてここで、少なくとも幾らかのＳｉ３Ｎ４が、基板から除去され；そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２：１〜１：２のタングステン除去速度対Ｓｉ３Ｎ４除去速度の選択比を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、
タングステンを含む基板を提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物（初期成分として、
水；
１．５〜３．５重量％の砥粒（ここで、砥粒は、１０〜１００nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である）；
０．０１〜０．１重量％の式（Ｉ）：
【化５】
2013042131.tif 000002
（式中、各Ａは、Ｎであり；Ｒ１は、−（ＣＨ２）４−基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ−（ＣＨ２）３ＣＨ３基であり；そして式（Ｉ）中のアニオンは、式（Ｉ）中のカチオン上の２＋電荷と相殺する任意のアニオン又はアニオンの組合せであってよい）で示されるジ第４級化合物；
０．０１〜１重量％のフタル酸水素アンモニウム；
０．０１〜１重量％のヨウ素酸カリウム；及び
場合により、硝酸、硫酸及び塩酸からなる群より選択される酸からなり（ここで、提供されるケミカルメカニカルポリッシング組成物は、２〜３のｐＨを有する）；
このケミカルメカニカルポリッシング組成物は、≦５Å/分のタングステン静的エッチング速度及び≧１００Å/分のタングステン除去速度を示し；このケミカルメカニカルポリッシング組成物は、＜０．００１重量％のペルオキシ酸化剤を含有し；そしてこのケミカルメカニカルポリッシング組成物は、０．０００１重量％未満のコロージョンインヒビター剤を含有する）；
研磨表面を持つケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドの研磨表面と基板との界面に０．６９〜３４．５kPaのダウンフォースで動的接触を作り出すこと；及び
ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物をケミカルメカニカルポリッシングパッド上でケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との界面又は界面近くに分配することを含み；
ここで、基板は研磨され、そして幾らかのタングステンは基板から除去される、方法。
【請求項６】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、１３３回転/分のプラテン速度、１１１回転/分のキャリヤ速度、２００ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び１３．８kPaの公称ダウンフォースにより、２００mm研磨機で、ポリウレタン含浸不織布研磨パッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用しての、≧３００Å/分のタングステン除去速度を容易にする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
基板が、更にオルトケイ酸テトラエチルを含み、そしてここで、少なくとも幾らかのオルトケイ酸テトラエチルが、基板から除去され、そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、１３３回転/分のプラテン速度、１１１回転/分のキャリヤ速度、２００ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び１３．８kPaの公称ダウンフォースにより、２００mm研磨機で、ポリウレタン含浸不織布研磨パッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、５：１〜１：５のタングステン除去速度対オルトケイ酸テトラエチル除去速度の選択比を示す、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基板が、更にＳｉ３Ｎ４を含み、そしてここで、少なくとも幾らかのＳｉ３Ｎ４が、基板から除去され；そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、１３３回転/分のプラテン速度、１１１回転/分のキャリヤ速度、２００ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び１３．８kPaの公称ダウンフォースにより、２００mm研磨機で、ポリウレタン含浸不織布研磨パッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、２：１〜１：２のタングステン除去速度対Ｓｉ３Ｎ４除去速度の選択比を示す、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
提供されるケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物が、初期成分として、
水；
１．５〜３．５重量％の砥粒（ここで、砥粒は、２５〜７５nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である）；
０．０１〜０．０３重量％の式（Ｉ）のジ第４級化合物（ここで、各Ａは、Ｎであり；Ｒ１は、−（ＣＨ２）４−基であり；Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ−（ＣＨ２）３ＣＨ３基である）；
０．０５〜０．５重量％のフタル酸水素アンモニウム；
０．１〜０．５重量％のヨウ素酸カリウム；及び
場合により、硝酸、硫酸及び塩酸からなる群より選択される酸からなる、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、１３３回転/分のプラテン速度、１１１回転/分のキャリヤ速度、２００ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び１３．８kPaの公称ダウンフォースにより、２００mm研磨機で、ポリウレタン含浸不織布研磨パッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用しての、≧３００Å/分のタングステン除去速度を容易にし；そして基板が、更にＳｉ３Ｎ４を含み、そしてここで、少なくとも幾らかのＳｉ３Ｎ４が、基板から除去され；そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、１３３回転/分のプラテン速度、１１１回転/分のキャリヤ速度、２００ml/分のケミカルメカニカルポリッシング組成物流量、及び１３．８kPaの公称ダウンフォースにより、２００mm研磨機で、ポリウレタン含浸不織布研磨パッドを含むケミカルメカニカルポリッシングパッドを使用して、２：１〜１：２のタングステン除去速度対Ｓｉ３Ｎ４除去速度の選択比を示す、請求項９に記載の方法。