【事件の表示】
　特願２０１３−２４１７０８「多層基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　７月１０日出願公開、特開２０１４−１３１０１７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２５年１１月２２日（パリ条約による優先権主張２０１２年１２月３１日、韓国）に出願したものであって、平成２９年８月１８日付け拒絶理由通知に対して同年１０月２７日付けで手続補正がなされたが、平成３０年３月１３日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年６月２１日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
第２　平成３０年６月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　平成３０年６月２１日付けの手続補正を却下する。 
［理由］ 
１．本件補正について
　平成３０年６月２１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、特許請求の範囲については、
　本件補正前に、
「　　【請求項１】
上部面に微細パターン層が形成される第２絶縁層と、
前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層が上部面に形成され、前記第２絶縁層と異なる材料からなる第３絶縁層と、
を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層に比べて前記多層基板の外部面に近く配置され、
前記第２絶縁層が芯材を含まず、かつ、前記第３絶縁層が芯材を含む多層基板。
　　【請求項２】
前記第３絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも熱膨張率が小さい又は前記第２の絶縁層よりも大きい剛性を有していることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
　　【請求項３】
前記第２絶縁層は、前記第３絶縁層に比べて表面粗さが小さいことを特徴とする請求項２に記載の多層基板。
　　【請求項４】
前記芯材は、ガラス繊維を含む物質からなることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
　　【請求項５】
前記第２絶縁層は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項４に記載の多層基板。
　　【請求項６】
前記第２絶縁層は、フィラーを含むことを特徴とする請求項４に記載の多層基板。
　　【請求項７】
前記第２絶縁層はＡＢＦからなり、前記第３絶縁層はＰＰＧからなることを特徴とする請求項６に記載の多層基板。
　　【請求項８】
前記フィラーは、直径が５μｍ未満であることを特徴とする請求項６に記載の多層基板。
　　【請求項９】
前記フィラーは、扁平度が０．５未満であることを特徴とする請求項６に記載の多層基板。
　　【請求項１０】
キャビティが備えられた第１絶縁層と、
前記キャビティに少なくとも一部が挿入され、表面に外部電極が備えられた電子部品と、
をさらに含み、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層上で前記電子部品をカバーし、
前記微細パターン層と前記外部電極は、ビアにより直接連結されることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
　　【請求項１１】
前記第１絶縁層の表面には導体パターン層がさらに備えられ、
前記微細パターン層と前記導体パターン層は、ビアにより直接連結されることを特徴とする請求項１０に記載の多層基板。
　　【請求項１２】
前記第３絶縁層は、前記多層基板の最外郭に少なくとも一層で備えられることを特徴とする請求項１０に記載の多層基板。
　　【請求項１３】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層から前記多層基板の最外郭方向に少なくとも二層で備えられることを特徴とする請求項１０に記載の多層基板。
　　【請求項１４】
前記第１絶縁層は、金属材を含むメタルコアを有することを特徴とする請求項１０に記載の多層基板。
　　【請求項１５】
前記微細パターン層のパターンピッチは１０μｍ以下であり、前記回路パターン層のパターンピッチは１５μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
　　【請求項１６】
前記微細パターン層の線幅は１０μｍ以下であり、前記回路パターン層の線幅は１５μｍ以上であることを特徴とする請求項１５に記載の多層基板。
　　【請求項１７】
前記微細パターン層は、セミアディティブ法（Ｓｅｍｉ　Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｐｒｏｃｅｓｓ；ＳＡＰ）により形成され、
前記回路パターン層は、モディファイドセミアディティブ法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ　Ｓｅｍｉ　Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｐｒｏｃｅｓｓ；ＭＳＡＰ）により形成されることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。」とあったところを、
　本件補正により、 
「　　【請求項１】
上部面に微細パターン層が形成される第２絶縁層と、
前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層が上部面に形成され、前記第２絶縁層と異なる材料からなる第３絶縁層と、
を含
む、多層基板であって
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層に比べて前記多層基板の外部面に近く配置され、
前記第２絶縁層が芯材を含まず、かつ、前記第３絶縁層が芯材を含
み、
前記芯材は、ガラス繊維を含む物質からなり、
前記第２絶縁層は、フィラーを含み、
前記第２絶縁層はＡＢＦからなり、前記第３絶縁層はＰＰＧからなる、
　　【請求項２】
前記第３絶縁層は、前記第
２
２
　　【請求項３】
前記第２絶縁層は、前記第３絶縁層に比べて表面粗さが小さいことを特徴とする請求項２に記載の多層基板。
　　【請求項４】
前記第２絶縁層は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項
１
　　【請求項５】
前記フィラーは、直径が５μｍ未満であることを特徴とする請求項
１
　　【請求項６】
前記フィラーは、扁平度が０．５未満であることを特徴とする請求項
１
　　【請求項７】
キャビティが備えられた第１絶縁層と、
前記キャビティに少なくとも一部が挿入され、表面に外部電極が備えられた電子部品と、
をさらに含み、
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層上で前記電子部品をカバーし、
前記微細パターン層と前記外部電極は、ビアにより直接連結されることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
　　【請求項８】
前記第１絶縁層の表面には導体パターン層がさらに備えられ、
前記微細パターン層と前記導体パターン層は、ビアにより直接連結されることを特徴とする請求項
７
　　【請求項９】
前記第３絶縁層は、前記多層基板の最外郭に少なくとも一層で備えられることを特徴とする請求項
７
　　【請求項１０】
前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層から前記多層基板の最外郭方向に少なくとも二層で備えられることを特徴とする請求項
７
　　【請求項１１】
前記第１絶縁層は、金属材を含むメタルコアを有することを特徴とする請求項
７
　　【請求項１２】
前記微細パターン層のパターンピッチは１０μｍ以下であり、前記回路パターン層のパターンピッチは１５μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
　　【請求項１３】
前記微細パターン層の線幅は１０μｍ以下であり、前記回路パターン層の線幅は１５μｍ以上であることを特徴とする請求項１
２
　　【請求項１４】
前記微細パターン層は、セミアディティブ法（Ｓｅｍｉ　Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｐｒｏｃｅｓｓ；ＳＡＰ）により形成され、
前記回路パターン層は、モディファイドセミアディティブ法（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ　Ｓｅｍｉ　Ａｄｄｉｔｉｖｅ　Ｐｒｏｃｅｓｓ；ＭＳＡＰ）により形成されることを特徴とする
請求項１に記載の多層基板。」とするものである。なお、下線は補正箇所を示す。 
　上記の補正は、
・芯材について「ガラス繊維を含む物質からなり」と限定し、第２絶縁層について「フィラーを含み、」「ＡＢＦからなり」と限定し、第３絶縁層について「ＰＰＧからなる」と限定し（本件補正の請求項１）、
・「前記第２の絶縁層」を「前記第２絶縁層」として誤記の訂正をし（本件補正の請求項２）、
・本件補正前の請求項４、６及び７を削除し、
・請求項の削除に伴い、項番を整理（本件補正の請求項４ないし１４）
したものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除、同項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮及び同項第３号に掲げる誤記の訂正を目的とするものに該当する。 
２．独立特許要件について
　そこで、特許請求の範囲の減縮を目的とする本件補正の請求項１及び４に記載された発明（以下、「本願補正発明１及び４」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
（１）本願補正発明４について
　請求項４には「前記第２絶縁層は、ポリイミドからなる」と特定されている一方、請求項４が引用する請求項１では「第２絶縁層はＡＢＦからな」ることが特定されている。ここで、ＡＢＦがエポキシ樹脂製であることを踏まえると、両者の記載は整合せず、この点において請求項４に係る発明は明確なものでない。
　よって、本件補正の請求項４に係る発明は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしておらず、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（２）本願補正発明１について
ア．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１０／０１０９１１号（以下、「引用文献」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」に関して、図面と共に以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。 
（ア）「［００２１］　図１〜図１０、図２１〜図２３に示すように、本発明の一実施形態の半導体装置は、電極端子１４を表面に有する１以上の半導体素子１３と、半導体素子１３を内蔵するコアレス配線基板３１であって
積層された
絶縁層（１５、１８、２１）
を有し
たコアレス配線基板３１
（イ）「［００４１］［実施形態１］
　図１は、本発明の実施形態１による半導体装置を示す断面図である。図１の半導体装置１２は、半導体素子１３の側面と電極端子１４を有する面の少なくとも一部が絶縁層Ａ（１５）に接しており、電極端子１４の上面側に、電極端子１４と半導体装置１２の外部接続端子である配線Ｃ（２３）とを電気的に接続するビアＡ（１６）、配線Ａ（１７）、絶縁層Ｂ（１８）、ビアＢ（１９）、配線Ｂ（２０）、絶縁層Ｃ（２１）、ビアＣ（２２）が設けられている。また、半導体素子１３の電極端子１４が設けられた面の反対面が、絶縁層Ａ（１５）から露出している構造である。
［００４２］　図１では、層数が３層であるが、それに限るものではなく、複数層であれば何層でも構わない。本実施形態では、配線層３層、絶縁層３層とした。
［００４３］　また、図１では、ビアＡ（１６）、ビアＢ（１９）、ビアＣ（２２）の順でビア断面形状が拡大し、配線Ａ（１７）、
配線Ｂ（２０）、配線Ｃ（２３）の順で配線断面形状が拡大し、
［００４４］　ここで、ビア断面形状とは、ビアのトップ径とボトム径と高さのことを示す。ビア断面形状の拡大とはそれらのうち１以上が拡大しているだけでも構わない。ビア径が大きい方をビアのトップとし、ビア径が小さい方をビアのボトムとする。ビアのボトム側が狭ピッチな半導体素子との接続箇所となることが望ましいがその反対でも構わない。中でも、半導体素子の近接層から、ビア断面形状が相似的に拡大していることが信号品質の点で望ましい。各層のビアは、ビアの径に対する高さの比率であるアスペクト比が、０．３乃至３である範囲から外れないことが望ましい。アスペクト比が０．３未満となった場合には、ビアの径に対する高さ（絶縁層の厚さ）が層間ショートを引き起こしたり、ビア径が大きくなりすぎるため、高密度化の障害となったりする。一方、アスペクト比が３を超える場合は、ビア内への配線形成が困難になり断線不良が懸念される。アスペクト比は理想的には１前後が望ましいので、層毎にビア径を拡大する場合には、ビア径の拡大と同時にビア高さ（絶縁層の厚さ）も同時に拡大することが望ましい。
［００４５］　
配線断面形状とは、
配線間の最小ピッチ
のことを示し
［００４６］　高歩留まりの半導体装置の実現のために望ましいのは、半導体素子１３に近い層から徐々にビア断面形状、配線断面形状それぞれが大きくなり、それに伴い絶縁層が厚くなること、つまり、半導体素子１３の近接層から配線ルールは狭ピッチ・狭幅から緩ピッチ・緩幅へ、ビア径は小径から大径へ、絶縁層は薄いものから厚いものへ移行することが望ましいが、それに限ることはない。また、配線層、絶縁層が多層に及ぶ場合は、必ずしも各層毎に、ビア断面形状、配線断面形状、絶縁層厚を変える必要はなく、半導体素子１３の近接層から外部接続端子に向けて何層か毎に段階的にビア断面形状、配線断面形状、絶縁層厚を変えるものであってもよい。
［００４７］　また、配線ルールは狭ピッチ・狭幅から緩ピッチ・緩幅へ、ビア径は小径から大径へ、絶縁層厚は薄いものから厚いものへ移行することで、半導体装置１２の信頼性を向上させることができる。
［００４８］　半導体素子１３は、厚さを狙いの半導体装置の厚さに応じて調整することができる。本実施形態では、半導体素子１３の厚みは３０〜５０μｍとした。図１では、半導体素子１３の数は、ひとつだが複数でも構わない。半導体素子１３の電極端子１４が設けられた面の反対面（以後、半導体素子１３の裏面）と、絶縁層Ａ（１５）が同一平坦面となっていることから、この面にヒートシンクや他の部品を安定して高精度に接続することができる。一方で、半導体素子１３の裏面が絶縁層Ａ（１５）よりも突出していれば、半導体素子１３の露出面が多くなるため、放熱特性が向上する。また、突出部を加工することで半導体素子１３の厚さを調整することができる。更に、半導体素子１３の裏面が絶縁層Ａ（１５）よりも窪んでいれば、半導体素子１３の端部から発生する剥離、チッピングを回避することができる。本実施形態では、半導体素子１３の裏面は絶縁層Ａ（１５）と同一平坦面とした。また、図１では、外部接続端子２３が絶縁層Ｃ（２１）より突出しているが、電極端子１４と絶縁層Ａ（１５）の関係と同様に、外部接続端子２３は絶縁層Ｃ（２１）と略平面としてもよいし、絶縁層Ｃ（２１）より窪んでいてもよい。」
（ウ）「［００４９］　絶縁層Ａ（１５）、
絶縁層Ｂ（１８）、絶縁層Ｃ（２１）は、例えば、感光性又は非感光性の有機材料で形成されており、有機材料は、例えば、エポキシ樹脂
ガラスクロスやアラミド繊維などで形成された織布や不織布にエポキシ樹脂
を用いる。
（エ）「［００５０］　また、
各絶縁層は、
フィラーに含むコンポジット材料
を用いることもできる。
［００５１］　高歩留まりの半導体装置の実現のために望ましいのは、最も微細なビア径・配線ルール、薄い絶縁層が求められる
半導体素子の近接層
その次の層には
非感光性樹脂を採用し、
外部接続端子の近接層の絶縁材には
ガラスクロス等の補強材を含浸した非感光性樹脂を採用することが望ましい。
［００５２］　また、各層で絶縁材料を変化させることで、様々な効果が期待できる。例えば、微細ビアが必要な層では低弾性の絶縁材を採用することで信頼性を向上させることができる。また、厚い絶縁層では高弾性率の絶縁材を採用することで半導体装置の低反り化が実現できる。本実施形態では、絶縁層Ａ（１５）、絶縁層Ｂ（１８）、絶縁層Ｃ（２１）は、非感光性樹脂のエポキシ樹脂を用いた。」
（オ）図１によると、絶縁層２１は、コアレス配線基板３１の表面側に配置されるものである。また絶縁層１８は、上面に配線２０が形成され、絶縁層２１は、上面に配線２３が形成されるものである。
・上記（ア）によれば、コアレス配線基板３１は、積層された絶縁層１８と絶縁層２１を有するものである。
・上記（イ）によれば、配線２０及び配線２３は、配線２０、配線２３の順で配線間の最小ピッチ（配線断面形状）が拡大するものである。
・上記（ウ）によれば、絶縁層１８及び絶縁層２１は、エポキシ樹脂等の非感光性の有機材料を用いるものである。
・上記（オ）によれば、絶縁層２１は、コアレス配線基板３１の表面側に配置されるものである。また絶縁層１８は、上面に配線２０が形成され、絶縁層２１は、上面に配線２３が形成されるものである。
　上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、引用文献には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
  
 「積層された絶縁層１８及び絶縁層２１を有するコアレス配線基板３１であって、
　前記絶縁層１８は、上面に配線２０が形成され、
　前記絶縁層２１は、上面に配線２３が形成され、
　前記配線２０及び前記配線２３は、前記配線２０、前記配線２３の順で配線間の最小ピッチが拡大し、
　前記絶縁層１８及び前記絶縁層２１は、エポキシ樹脂等の非感光性の有機材料を用い、
　前記絶縁層２１は、前記コアレス配線基板３１の表面側に配置される、コアレス配線基板３１。」
イ．対比 
　そこで、本願補正発明１と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「積層された絶縁層１８と絶縁層２１を有するコアレス配線基板３１」は、多層に形成された基板といえるから、本願補正発明１の「多層基板」に相当する。
（イ）引用発明の「上面」、「絶縁層１８」及び「絶縁層２１」は、本願補正発明１の「上部面」、「第２絶縁層」及び「第３絶縁層」にそれぞれ相当する。また引用発明の「配線２０」及び「配線２３」は、配線２０、配線２３の順で配線間の最小ピッチが拡大するものである。これは配線２０が相対的にパターンピッチの小さいパターン層で、配線２３が相対的にパターンピッチの大きいパターン層を指すものと解されるから、本願補正発明１の「微細パターン層」及び「前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層」にそれぞれ相当する。
　よって、引用発明の「上面に配線２０が形成され」る「絶縁層１８」及び「上面に配線２３が形成され」る「絶縁層２１」は、本願補正発明１の「上部面に微細パターン層が形成される第２絶縁層」及び「前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層が上部面に形成され」る「第３絶縁層」にそれぞれ相当する。
　ただし、第３絶縁層について、本願補正発明１は「前記第２絶縁層と異なる材料からなる」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
（ウ）引用発明の「前記絶縁層２１は、前記コアレス配線基板３１の表面側に配置され」ることは、本願補正発明１の「前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層に比べて前記多層基板の外部面に近く配置され」ることに相当する。
（エ）本願補正発明１は「前記第２絶縁層が芯材を含まず、かつ、前記第３絶縁層が芯材を含み、前記芯材は、ガラス繊維を含む物質からな」るのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
（オ）本願補正発明１は「前記第２絶縁層は、フィラーを含」むのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
（カ）本願補正発明１は「前記第２絶縁層はＡＢＦからな」るのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
（キ）本願補正発明１は「前記第３絶縁層はＰＰＧからなる」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
　そうすると、本願補正発明１と引用発明とは、
 「上部面に微細パターン層が形成される第２絶縁層と、
前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層が上部面に形成される第３絶縁層と、
を含む、多層基板であって、
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層に比べて前記多層基板の外部面に近く配置される、多層基板。」の点で一致し、
以下の点で相違する。
＜相違点１＞ 
　第３絶縁層について、本願補正発明１は「前記第２絶縁層と異なる材料からなる」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
＜相違点２＞ 
　本願補正発明１は「前記第２絶縁層が芯材を含まず、かつ、前記第３絶縁層が芯材を含み、前記芯材は、ガラス繊維を含む物質からな」るのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
＜相違点３＞
　本願補正発明１は「前記第２絶縁層は、フィラーを含」むのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
＜相違点４＞ 
　本願補正発明１は「前記第２絶縁層はＡＢＦからな」るのに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
＜相違点５＞ 
　本願補正発明１は「前記第３絶縁層はＰＰＧからなる」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
ウ．判断 
　上記相違点について検討する。 
＜相違点１＞ないし＜相違点５＞について
　上記「第２［理由］２．（２） ア．（エ）」によれば、半導体素子の近接層の次の層は、非感光性樹脂を採用し、外部接続端子の近接層は、ガラスクロス等の補強材（本願補正発明１の「ガラス繊維を含む物質からな」る「芯材」に相当。）を含浸した非感光性樹脂を採用することが望ましいのだから、半導体素子１３の近接層の次の層である引用発明の絶縁層１８として、ガラスクロス等の補強材を含まない非感光性樹脂を採用し、外部接続端子２３の近接層である引用発明の絶縁層２１として、ガラスクロス等の補強材を含浸した非感光性樹脂を採用し、絶縁層１８と絶縁層２１を異なる材料からなるようにして、相違点１、２及び５の構成とすることは当業者が容易になし得た事項である。
　なお、一般的にガラスクロス等に樹脂を含浸させたものは、ＰＰＧ（プリプレグ）を指すものであるから、引用文献の「ガラスクロス等の補強材を含浸した非感光性樹脂」は、本願補正発明１の「ＰＰＧ」に相当することを付記しておく。
　そして、引用発明の絶縁層１８の非感光性樹脂の材料として何を用いるかはコスト、性能及び基板の用途等を考慮して当業者が適宜選択すれば良いところ、層間絶縁材料としてＡＢＦを用いることは、例えば原査定の拒絶に引用された特開２０１０−１０３５４８号公報（ＡＢＦを積層する点。段落【００４２】及び【００４９】並びに図３を参照。）に記載されているように周知の技術事項であり、また上記「第２［理由］２．（２） ア．（エ）」によれば、絶縁層についてフィラーを含むコンポジット材料を用いることが可能である。してみれば、引用発明の絶縁層１８として、フィラーを含み、ＡＢＦからなるようにして、相違点３及び４の構成とすることは当業者が容易になし得た事項である。
　したがって、本願補正発明１は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が容易になし得たものである。
　そして、本願補正発明１の作用効果も、引用文献及び周知の技術事項から当業者が予測できる範囲のものである。
エ．むすび 
　以上のとおり、本件補正の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
３．本件補正についてのむすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
第３　本願発明について 
 
１．本願発明 
　平成３０年６月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１７に係る発明は、平成２９年１０月２７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「　　【請求項１】
上部面に微細パターン層が形成される第２絶縁層と、
前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層が上部面に形成され、前記第２絶縁層と異なる材料からなる第３絶縁層と、
を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層に比べて前記多層基板の外部面に近く配置され、
前記第２絶縁層が芯材を含まず、かつ、前記第３絶縁層が芯材を含む多層基板。」
  
２．引用文献（引用発明）
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献の記載事項は、上記「第２［理由］２．（２）ア．（ア）ないし（オ）」に記載したとおりであり、引用発明は以下のとおりである。
 「積層された絶縁層１８及び絶縁層２１を有するコアレス配線基板３１であって、
　前記絶縁層１８は、上面に配線２０が形成され、
　前記絶縁層２１は、上面に配線２３が形成され、
　前記配線２０及び前記配線２３は、前記配線２０、前記配線２３の順で配線間の最小ピッチが拡大し、
　前記絶縁層１８及び前記絶縁層２１は、エポキシ樹脂等の非感光性の有機材料を用い、
　前記絶縁層２１は、前記コアレス配線基板３１の表面側に配置される、コアレス配線基板３１。」
３．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「積層された絶縁層１８と絶縁層２１を有するコアレス配線基板３１」は、多層に形成された基板といえるから、本願発明の「多層基板」に相当する。
（２）引用発明の「上面」、「絶縁層１８」及び「絶縁層２１」は、本願発明の「上部面」、「第２絶縁層」及び「第３絶縁層」にそれぞれ相当する。また引用発明の「配線２０」及び「配線２３」は、配線２０、配線２３の順で配線間の最小ピッチが拡大するものである。これは配線２０が相対的にパターンピッチの小さいパターン層で、配線２３が相対的にパターンピッチの大きいパターン層を指すものと解されるから、本願発明の「微細パターン層」及び「前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層」にそれぞれ相当する。
　よって、引用発明の「上面に配線２０が形成され」る「絶縁層１８」及び「上面に配線２３が形成され」る「絶縁層２１」は、本願発明の「上部面に微細パターン層が形成される第２絶縁層」及び「前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層が上部面に形成され」る「第３絶縁層」にそれぞれ相当する。
　ただし、第３絶縁層について、本願発明は「前記第２絶縁層と異なる材料からなる」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
（３）引用発明の「前記絶縁層２１は、前記コアレス配線基板３１の表面側に配置され」ることは、本願発明の「前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層に比べて前記多層基板の外部面に近く配置され」ることに相当する。
（４）本願発明は「前記第２絶縁層が芯材を含まず、かつ、前記第３絶縁層が芯材を含む」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
 「上部面に微細パターン層が形成される第２絶縁層と、
前記微細パターン層のパターンピッチより大きいパターンピッチを有する回路パターン層が上部面に形成される第３絶縁層と、
を含み、
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層に比べて前記多層基板の外部面に近く配置される多層基板。」の点で一致し、
以下の点で相違する。
＜相違点６＞ 
　第３絶縁層について、本願発明は「前記第２絶縁層と異なる材料からなる」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
＜相違点７＞ 
　本願発明は「前記第２絶縁層が芯材を含まず、かつ、前記第３絶縁層が芯材を含む」のに対し、引用発明にはその旨の特定はされていない。
４．判断
　上記＜相違点６＞及び＜相違点７＞は、「第２［理由］２．（２）ウ．」で＜相違点１＞及び＜相違点２＞として検討したように、当業者が容易になし得た事項である。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が容易になし得たものである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用文献及び周知の技術事項から当業者が予測できる範囲のものである。
５．むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。