Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月19日(2015.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発成分を含み基板の主面全面に膜を形成するための処理液を前記基板へ供給する第１供給工程と、
前記処理液から前記揮発成分が揮発することによって固化または硬化して形成された膜で前記基板の主面全面が覆われた状態で、前記基板の他の面を処理する他面処理工程と、
前記他面処理工程後において、前記膜の全てを除去する除去液を前記基板へ供給する第２供給工程と
を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
前記第１供給工程は、前記主面が上方を向いた状態で行うこと
を特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項３】
前記他面処理工程は、
前記基板の他の面のうち、回路形成面である前記主面の反対側の面である裏面を洗浄する裏面洗浄処理工程であること
を特徴とする請求項１または２に記載の基板洗浄方法。
【請求項４】
前記裏面洗浄処理工程は、前記裏面が上方を向いた状態で行うこと
を特徴とする請求項３に記載の基板洗浄方法。
【請求項５】
前記第２供給工程は、前記裏面が下方を向いた状態で行うこと
を特徴とする請求項４に記載の基板洗浄方法。
【請求項６】
前記第２供給工程は、前記裏面が上方を向いた状態で行うこと
を特徴とする請求項４に記載の基板洗浄方法。
【請求項７】
前記裏面洗浄処理工程は、前記裏面が下方を向いた状態で行うこと
を特徴とする請求項３に記載の基板洗浄方法。
【請求項８】
前記他面処理工程は、前記基板の周縁部を把持した状態で行うこと
を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
【請求項９】
前記第１供給工程は、回路形成面である前記主面の反対側の面である基板の裏面を吸着保持した状態または前記基板の周縁部を把持した状態で行い、
前記第２供給工程は、前記基板の周縁部を把持した状態で行うこと
を特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
【請求項１０】
前記処理液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進工程
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
【請求項１１】
前記揮発促進工程は、
前記第１供給工程後かつ前記他面処理工程前に行われること
を特徴とする請求項１０に記載の基板洗浄方法。
【請求項１２】
前記揮発促進工程は、前記処理液を加熱することによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項１０または１１に記載の基板洗浄方法。
【請求項１３】
前記他面処理工程と前記第２供給工程とを同一のチャンバ内で行うこと
を特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
【請求項１４】
前記第１供給工程前に、前記基板の主面に有機溶剤を供給する有機溶剤供給工程
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一つに記載の基板洗浄方法。
【請求項１５】
揮発成分を含み基板の主面全面に膜を形成するための処理液を前記基板へ供給する第１供給部と、
前記処理液から前記揮発成分が揮発することによって固化または硬化して形成された膜で前記基板の主面全面が覆われた状態で、前記基板の他の面を処理する他面処理部と、
前記膜の全てを除去する除去液を前記基板へ供給する第２供給部と
を備えることを特徴とする基板洗浄システム。
【請求項１６】
前記他面処理部は、
前記基板の他の面のうち、回路形成面である前記主面の反対側の面である裏面を洗浄する裏面洗浄部であること
を特徴とする請求項１５に記載の基板洗浄システム。
【請求項１７】
前記基板を反転させる基板反転部
をさらに備えることを特徴とする請求項１５または１６に記載の基板洗浄システム。
【請求項１８】
回路形成面である前記主面の反対側の面である基板の裏面を吸着保持する第１保持部と、
前記基板の他の面を処理する場合に、前記基板の周縁部を把持する第２保持部と
をさらに備えることを特徴とする請求項１５、１６または１７に記載の基板洗浄システム。
【請求項１９】
前記処理液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進部
をさらに備えることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。
【請求項２０】
前記他面処理部と前記第２供給部とが同一のチャンバ内に配置されること
を特徴とする請求項１５〜１９のいずれか一つに記載の基板洗浄システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態の一態様に係る基板洗浄方法は、第１供給工程と、他面処理工程と、第２供給工程とを含む。第１供給工程では、揮発成分を含み基板の主面全面に膜を形成するための処理液を基板へ供給する。他面処理工程では、処理液から揮発成分が揮発することによって固化または硬化して形成された膜で基板の主面全面が覆われた状態で、基板の他の面を処理する。第２供給工程では、他面処理工程後において、膜の全てを除去する除去液を基板へ供給する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴａまたはＴｉＮを含むハードマスクを用いて第一の磁性膜と絶縁膜である障壁層と第二の磁性膜とを含有する積層膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
Ｎ2ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後、Ｎ2ガスと炭素元素を含有するガスとの混合ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第二の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
ＴａまたはＴｉＮを含むハードマスクを用いて第一の磁性膜と絶縁膜である障壁層と第二の磁性膜とを含有する積層膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、
Ｎ2ガスと炭素元素を含有するガスとの混合ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第一の工程と、
前記第一の工程後、Ｎ2ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第二の工程と、
前記第二の工程後、Ｎ2ガスと炭素元素を含有するガスとの混合ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第三の工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記炭素を含有するガスがＣＨ4ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の工程は、さらにＨｅガスを用いることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の工程と前記第三の工程は、さらにＨｅガスを用いることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一の磁性膜と前記第二の磁性膜は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ，Ｍｎの中から選ばれた少なくとも一つの元素を含有する膜であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、ＴａまたはＴｉＮを含むハードマスクを用いて第一の磁性膜と絶縁膜である障壁層と第二の磁性膜とを含有する積層膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Ｎ2ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第一の工程と、前記第一の工程後、Ｎ2ガスと炭素元素を含有するガスとの混合ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第二の工程とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、ＴａまたはＴｉＮを含むハードマスクを用いて第一の磁性膜と絶縁膜である障壁層と第二の磁性膜とを含有する積層膜をプラズマエッチングするプラズマ処理方法において、Ｎ2ガスと炭素元素を含有するガスとの混合ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第一の工程と、前記第一の工程後、Ｎ2ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第二の工程と、前記第二の工程後、Ｎ2ガスと炭素元素を含有するガスとの混合ガスを用いて前記積層膜をプラズマエッチングする第三の工程とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を前記処理室内に供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一の高周波電力を時間変調させる第一のパルスと前記第二の高周波電力を時間変調させる第二のパルスを発生させるパルス発生装置と、を備えるプラズマ処理装置において、
前記パルス発生装置は、前記第一のパルスの周波数を前記第二のパルスの周波数より高くするとともに前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間内に含まれるように前記第一のパルスの周波数およびデューティー比ならびに前記第二のパルスの周波数およびデューティー比を制御する制御部を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一のパルスの周波数は、アフターグロー放電を維持できる周波数とすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のパルスのオン期間は、前記第一のパルスのオン期間より短いことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載のプラズマ処理装置において、
前記第二のパルスのオン期間は、前記第一のパルスのオン期間に対し遅延して開始させられることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記パルス発生装置は、前記第二の高周波電源から前記試料台に印加された高周波電圧のピークトウピーク電圧でありモニタされたＶｐｐが予め設定された値より高くなった場合、前記第一のパルスの周波数を前記第一のパルスの予め設定された周波数より高くすることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を前記処理室内に供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一の高周波電力を時間変調させる第一のパルスと前記第二の高周波電力を時間変調させる第二のパルスを発生させるパルス発生装置と、を備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスにより時間変調されたプラズマを用いて前記第二のパルスにより時間変調された高周波電力を前記試料台に供給しながら前記試料をプラズマ処理し、
前記第一のパルスの周波数は、前記第二のパルスの周波数より高くされるとともに前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間内に含まれていることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記第一のパルスの周波数は、アフターグロー放電を維持できる周波数とすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】
請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二のパルスのオン期間は、前記第一のパルスのオン期間より短いことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二のパルスのオン期間は、前記第一のパルスのオン期間に対し遅延して開始させられることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１０】
請求項６に記載のプラズマ処理方法において、
前記第二の高周波電源から前記試料台に印加された高周波電圧のピークトウピーク電圧でありモニタされたＶｐｐが予め設定された値より高くなった場合、前記第一のパルスの周波数を前記第一のパルスの予め設定された周波数より高くすることを特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を前記処理室内に供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一の高周波電力を時間変調させる第一のパルスと前記第二の高周波電力を時間変調させる第二のパルスを発生させるパルス発生装置と、を備えるプラズマ処理装置において、前記パルス発生装置は、前記第一のパルスの周波数を前記第二のパルスの周波数より高くするとともに前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間内に含まれるように前記第一のパルスの周波数およびデューティー比ならびに前記第二のパルスの周波数およびデューティー比を制御する制御部を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、試料がプラズマ処理される処理室と、プラズマ生成用の第一の高周波電力を前記処理室内に供給する第一の高周波電源と、前記試料が載置される試料台に第二の高周波電力を供給する第二の高周波電源と、前記第一の高周波電力を時間変調させる第一のパルスと前記第二の高周波電力を時間変調させる第二のパルスを発生させるパルス発生装置と、を備えるプラズマ処理装置を用いて前記試料をプラズマ処理するプラズマ処理方法において、前記第一のパルスにより時間変調されたプラズマを用いて前記第二のパルスにより時間変調された高周波電力を前記試料台に供給しながら前記試料をプラズマ処理し、前記第一のパルスの周波数は、前記第二のパルスの周波数より高くされるとともに前記第二のパルスのオン期間が前記第一のパルスのオン期間内に含まれていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月19日(2015.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
基板が非晶質であることによる酸化物半導体薄膜の結晶性への影響は、酸化物半導体薄膜の膜厚を３０ｎｍ以上とすることにより軽減されるが、４０ｎｍ以上とすることにより、安定的にその影響を排除することが可能となる。ただし、コスト面を考慮すると、膜厚を２００ｎｍ以下とすることが好ましく、１５０ｎｍ以下とすることがより好ましく、１００ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。なお、膜厚を１００ｎｍ近傍に制御することにより、酸化物半導体薄膜が、ガラス基板に形成された場合、光学的な干渉によって、青色光の透過率の向上が期待できる。したがって、本発明の酸化物半導体薄膜を、透明ＴＦＴへ適用する場合には、膜厚を１００ｎｍ近傍に調整することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭酸ガス、窒素、ヘリウムを主成分として混合する炭酸ガスレーザの励起媒質ガスであって、
ガスの混合比を、容積比で、炭酸ガス：窒素：ヘリウム＝２０：１：５〜４０で、かつ、窒素分圧（濃度）が２．４％を中心として０％を超えて５．９％未満の範囲の割合で混合したことを特徴とする炭酸ガスレーザの励起媒質ガス。
【請求項２】
炭酸ガス、窒素、ヘリウムを主成分として混合する炭酸ガスレーザの励起媒質ガスであって、
ガスの混合比を、容積比で、炭酸ガス：窒素：ヘリウム＝２０：１：５〜４０で、かつ、窒素分圧（濃度）が２．４％を中心として１．２％から３．６％までの範囲の割合で混合したことを特徴とする炭酸ガスレーザの励起媒質ガス。
【請求項３】
炭酸ガス、窒素、ヘリウムを主成分として混合する炭酸ガスレーザの励起媒質ガスであって、
ガスの混合比を、容積比で、炭酸ガス：窒素：ヘリウム＝２０：１：５〜４０で、かつ、窒素分圧（濃度）が１．２％から２．４％までの範囲の割合で混合したことを特徴とする炭酸ガスレーザの励起媒質ガス。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを封入した放電管と、
前記放電管の軸方向両端に対向配置された主電極と、
前記放電管の中間部外側に配置された副電極と、
前記主電極間に主パルス状電圧を印加する主電源と、
前記副電極と一方の主電極間に副パルス状電圧を印加する副電圧源と、を備え、
尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれる短パルスレーザを発生させることを特徴とする炭酸ガスレーザ装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを封入した放電管と、
前記放電管の軸方向両端に対向配置された主電極と、
前記放電管の中間部外側に配置された副電極と、
前記主電極間に主パルス状電圧を印加する主電源と、
前記副電極と一方の主電極間に副パルス状電圧を印加する副電圧源と、を備え、
尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれる短パルスレーザを発生させて対象物に対しマーキング加工することを特徴とする炭酸ガスレーザを用いたマーキング装置。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを用いて、
尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれる短パルスレーザを発生させることを特徴とする炭酸ガスレーザ発生方法。
【請求項７】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを用いて、
尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれる短パルスレーザを発生させて対象物に対しマーキング加工することを特徴とする炭酸ガスレーザを用いたマーキング方法。
【請求項８】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを用いて、
尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれることを特徴とする炭酸ガスレーザ光。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４の炭酸ガスレーザ装置では、請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを封入した放電管と、前記放電管の軸方向両端に対向配置された主電極と、前記放電管の中間部外側に配置された副電極と、前記主電極間に主パルス状電圧を印加する主電源と、前記副電極と一方の主電極間に副パルス状電圧を印加する副電圧源と、を備え、尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれる短パルスレーザを発生させることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５の炭酸ガスレーザを用いたマーキング装置では、請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを封入した放電管と、前記放電管の軸方向両端に対向配置された主電極と、前記放電管の中間部外側に配置された副電極と、前記主電極間に主パルス状電圧を印加する主電源と、前記副電極と一方の主電極間に副パルス状電圧を印加する副電圧源と、を備え、尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれる短パルスレーザを発生させて対象物に対しマーキング加工することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項６の炭酸ガスレーザ発生方法では、請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを用いて、尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれる短パルスレーザを発生させることを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項７の炭酸ガスレーザを用いたマーキング方法では、請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを用いて、尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれる短パルスレーザを発生させて対象物に対しマーキング加工することを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項８の炭酸ガスレーザ光では、請求項１から請求項３のいずれかに記載の励起媒質ガスを用いて、尖頭パルスの半値幅が７０ｎｓｅｃから１５０ｎｓｅｃまでの範囲で、当該尖頭パルスの照射エネルギーが１０ｍＪを超えており、当該尖頭パルスの照射エネルギーの９０％以上がパルス発生後１μｓｅｃ以内に含まれることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月15日(2015.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有するベース板と、
前記ベース板の一側面に沿うように、前記主面に形成された誘電体と、
前記誘電体の上に、前記一側面側から前記主面の中央部へ伸びるように形成された信号ラインと、
前記誘電体の上の前記信号ラインの隣に、前記一側面側から前記中央部へ伸び、かつ前記信号ラインに接しないように金属で形成された島パターンと、
前記主面と接する接触部と、前記信号ラインの一部及び前記島パターンの一部に形成された追加誘電体を介して前記信号ライン及び前記島パターンの上に形成された橋状部とを有し、前記接触部と前記橋状部が全体として前記中央部を囲む金属フレームと、
前記信号ラインのうち前記金属フレームの外側に位置する部分である外側信号ラインと接続されたリードフレームと、
前記中央部に固定された半導体チップと、
前記半導体チップと、前記信号ラインのうち前記金属フレームに囲まれた部分である内側信号ラインとを接続する第１ワイヤと、を備えたことを特徴とする高周波装置。
【請求項２】
前記島パターンは複数の島パターンを有し、
前記信号ラインと、少なくとも前記複数の島パターンのいずれか１つとを接続するワイヤを有することを特徴とする請求項１に記載の高周波装置。
【請求項３】
前記内側信号ラインと、前記島パターンのうち前記金属フレームに囲まれた部分である内側島パターンとを接続する第２ワイヤを備えたことを特徴とする請求項１に記載の高周波装置。
【請求項４】
前記外側信号ラインと、前記島パターンのうち前記金属フレームの外側に位置する部分である外側島パターンとを接続する第３ワイヤを備えたことを特徴とする請求項１又は３に記載の高周波装置。
【請求項５】
前記リードフレームは、前記外側信号ラインと、前記島パターンのうち前記金属フレームの外側に位置する部分である外側島パターンとに接続されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の高周波装置。
【請求項６】
主面を有するベース板と、
前記ベース板の一側面に沿うように前記主面に形成された第１誘電体と、前記第１誘電体の前記主面の中央部側に接し前記第１誘電体と異なる厚さの第２誘電体とを有する誘電体と、
前記第１誘電体と前記第２誘電体の上に一体的に形成された信号ラインと、
前記主面と接する接触部と、前記信号ラインの一部に形成された追加誘電体を介して前記信号ラインの上に形成された橋状部とを有し、前記接触部と前記橋状部が全体として前記中央部を囲む金属フレームと、
前記信号ラインのうち前記金属フレームの外側の部分と接続されたリードフレームと、
前記中央部に固定された半導体チップと、
前記半導体チップと、前記信号ラインのうち前記金属フレームに囲まれ前記第１誘電体上に形成された部分、又は前記信号ラインのうち前記第２誘電体上の部分とを接続するワイヤと、を備えたことを特徴とする高周波装置。
【請求項７】
主面を有するベース板と、
前記ベース板の一側面に沿うように前記主面に形成された下層誘電体と、
前記下層誘電体の上に形成された中間金属と、
前記中間金属の上に、前記中間金属の表面の一部を外部に露出させるように形成された、前記下層誘電体と異なる厚さの上層誘電体と、
前記上層誘電体の上に形成された信号ラインと、
前記主面と接する接触部と、前記信号ラインの一部に形成された追加誘電体を介して前記信号ラインの上に形成された橋状部とを有し、前記接触部と前記橋状部が全体として前記主面の中央部を囲む金属フレームと、
前記信号ラインのうち前記金属フレームの外側の部分と接続されたリードフレームと、
前記中央部に固定された半導体チップと、
前記半導体チップと、前記信号ラインのうち前記金属フレームに囲まれた部分とを接続する第１ワイヤと、
前記信号ラインと前記中間金属、又は前記中間金属と前記ベース板を接続する追加ワイヤと、を備えたことを特徴とする高周波装置。
【請求項８】
主面を有するベース板と、
前記ベース板の一側面に沿うように、前記主面に形成された誘電体と、
前記誘電体の上に、前記一側面側から前記主面の中央部へ伸びるように形成され、前記中央部側では櫛歯状に形成された櫛歯部を有する信号ラインと、
前記誘電体の上の、前記櫛歯部の櫛歯の間に、前記信号ラインと接せずかつ前記ベース板と電気的に接続された追加金属部と、
前記主面と接する接触部と、前記信号ラインのうち前記櫛歯部より前記一側面側の部分に形成された追加誘電体を介して前記信号ラインの上に形成された橋状部とを有し、前記接触部と前記橋状部が全体として前記中央部を囲む金属フレームと、
前記信号ラインのうち前記金属フレームの外側に位置する部分と接続されたリードフレームと、
前記ベース板に電気的に接続されたグランドパッドを有する、前記中央部に固定された半導体チップと、
前記半導体チップと前記櫛歯部を接続する第１ワイヤと、を備えたことを特徴とする高周波装置。
【請求項９】
前記追加金属部と前記グランドパッドを接続するグランドワイヤを備えたことを特徴とする請求項８に記載の高周波装置。
【請求項１０】
前記追加金属部には前記誘電体を貫通する第１貫通孔が形成され、前記第１貫通孔により露出した前記ベース板と前記追加金属部が電気的に接続され、
前記グランドパッドには前記半導体チップを貫通する第２貫通孔が形成され、前記第２貫通孔を介して前記ベース板と前記グランドパッドが電気的に接続されたことを特徴とする請求項８又は９に記載の高周波装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本願の発明に係る他の高周波装置は、主面を有するベース板と、該ベース板の一側面に
沿うように該主面に形成された下層誘電体と、該下層誘電体の上に形成された中間金属と、該中間金属の上に、該中間金属の表面の一部を外部に露出させるように形成された、該下層誘電体と異なる厚さの上層誘電体と、該上層誘電体の上に形成された信号ラインと、該主面と接する接触部と、該信号ラインの一部に形成された追加誘電体を介して該信号ラインの上に形成された橋状部とを有し、該接触部と該橋状部が全体として該主面の中央部を囲む金属フレームと、該信号ラインのうち該金属フレームの外側の部分と接続されたリードフレームと、該中央部に固定された半導体チップと、該半導体チップと、該信号ラインのうち該金属フレームに囲まれた部分とを接続する第１ワイヤと、該信号ラインと該中間金属、又は該中間金属と該ベース板を接続する追加ワイヤと、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月21日(2015.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電流の供給を受けて発光する発光素子を有する光送信モジュールからの発光パワーを調整する光送信モジュールの調整方法において、
所定の駆動電流を発光素子に供給して発光を起動させ、上記光送信モジュールからの光信号の送出を開始させ、
上記光送信モジュールから送出された光信号の光パワーが一定値に安定する前の、上記起動時点から所定時間だけ経過した所定時点の上記光送信モジュールから送出された光信号の光パワーを測定し、
上記所定時点における理想的な光パワーと測定された光パワーとの相違を打ち消すように、上記発光素子に供給する１又は複数種類の安定時用の駆動電流に係る設定値を補正する
ことを特徴とする光送信モジュールの調整方法。
【請求項２】
上記発光素子が一心双方向光送受信サブアセンブリに組み込まれたものであることを特徴とする請求項１に記載の光送信モジュールの調整方法。
【請求項３】
駆動電流の供給を受けて発光する発光素子を有する光送信モジュールからの発光パワーを調整する光送信モジュールの調整装置において、
所定の駆動電流を発光素子に供給して発光を起動させ、上記光送信モジュールからの光信号の送出を開始させる起動手段と、
上記光送信モジュールから送出された光信号の光パワーが一定値に安定する前の、上記起動時点から所定時間だけ経過した所定時点の上記光送信モジュールから送出された光信号の光パワーを測定する測定手段と、
上記所定時点における理想的な光パワーと測定された光パワーとの相違を打ち消すように、上記発光素子に供給する１又は複数種類の安定時用の駆動電流に係る設定値を補正する駆動電流補正手段と
を備えることを特徴とする光送信モジュールの調整装置。
【請求項４】
上記発光素子が一心双方向光送受信サブアセンブリに組み込まれたものであることを特徴とする請求項３に記載の光送信モジュールの調整装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光送信モジュールの調整方法及び調整装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は光送信モジュールの調整方法及び調整装置に関し、例えば、ＢＯＳＡ（Ｂｉ−ｄｉｒｅｃｔｉｏｎａｌ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｓｕｂ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ；一心双方向光送受信サブアセンブリ）を利用したＯＮＵ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｎｅｔｗｏｒｋ  Ｕｎｉｔ）光トランシーバにおける発光パワー（発光強度）若しくは消光比の調整に適用し得るものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そのため、短い時間で光送信モジュールの光特性を高精度に調整できる光送信モジュールの調整方法及び調整装置が望まれている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１の本発明に係る光送信モジュールの調整方法は、駆動電流の供給を受けて発光する発光素子を有する光送信モジュールからの発光パワーを調整する光送信モジュールの調整方法において、（１）所定の駆動電流を発光素子に供給して発光を起動させ、上記光送信モジュールからの光信号の送出を開始させ、（２）上記光送信モジュールから送出された光信号の光パワーが一定値に安定する前の、上記起動時点から所定時間だけ経過した所定時点の上記光送信モジュールから送出された光信号の光パワーを測定し、（３）上記所定時点における理想的な光パワーと測定された光パワーとの相違を打ち消すように、上記発光素子に供給する１又は複数種類の安定時用の駆動電流に係る設定値を補正することを特徴とする。
第２の本発明に係る光送信モジュールの調整装置は、駆動電流の供給を受けて発光する発光素子を有する光送信モジュールからの発光パワーを調整する光送信モジュールの調整装置において、（１）所定の駆動電流を発光素子に供給して発光を起動させ、上記光送信モジュールからの光信号の送出を開始させる起動手段と、（２）上記光送信モジュールから送出された光信号の光パワーが一定値に安定する前の、上記起動時点から所定時間だけ経過した所定時点の上記光送信モジュールから送出された光信号の光パワーを測定する測定手段と、（３）上記所定時点における理想的な光パワーと測定された光パワーとの相違を打ち消すように、上記発光素子に供給する１又は複数種類の安定時用の駆動電流に係る設定値を補正する駆動電流補正手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（Ａ）主たる実施形態
以下、本発明による光送信モジュールの調整方法及び調整装置の一実施形態を、図面を参照しながら説明する。以下では、調整対象の光送信モジュールがＢＯＳＡにおける光送信モジュールであって、そのＢＯＳＡがＯＮＵ光トランシーバに組み込まれているとして説明を行う。
ＯＮＵ光トランシーバは、図示しないＰＯＮシステムの光カプラと接続されている光ファイバとの間で光信号を双方向に授受するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月26日(2015.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置であって、
直接無線通信のための通信パラメータを提供する提供手段と、
前記通信パラメータを受信する受信手段と、
他の通信装置から受信した所定の信号に基づいて、前記通信装置が前記提供手段による提供を行うか、前記受信手段による受信を行うかを決定する決定処理を実行する決定手段と、
前記通信装置と前記他の通信装置との間の直接無線通信のためのユーザ操作を検出する検出手段と、
前記検出手段により前記ユーザ操作が検出された場合、前記通信装置が基地局と接続しているか否かを判定する判定手段と、
を有し、
前記決定手段は、前記判定手段による判定結果に応じて前記決定処理を実行することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記通信装置が前記基地局と接続していると判定された場合、前記通信装置は、前記決定処理を実行することなく、前記提供手段による前記通信パラメータの提供を行い、
前記通信装置が前記基地局と接続していないと判定された場合、前記通信装置は、前記決定手段による前記決定処理の実行結果に基づいて、前記通信パラメータの提供もしくは受信を行うことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記提供手段による前記通信パラメータの提供処理を開始した後、所定時間以内に、前記通信パラメータの提供が完了しない場合には、前記通信パラメータの提供が完了する前に該提供処理を終了することを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記通信パラメータは、前記通信装置が前記基地局と接続している周波数チャネルと同一の周波数チャネルを示す情報を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記他の通信装置から、所定の通信サービスが要求する通信品質の指標値、前記他の通信装置の種別、前記通信装置に実行を要求するアプリケーションの種別、前記他の通信装置が接続中の基地局のネットワークの情報のうち、少なくとも１つを含む通知を取得する取得手段を更に有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記取得手段は、前記通信装置が接続中の基地局を介して前記通知を取得することを特徴とする請求項５に記載の通信装置。
【請求項７】
前記通信パラメータは、ネットワーク識別子、周波数チャネル、暗号方式、暗号鍵、認証方式、および、認証鍵の何れかの情報を少なくとも含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
前記通信パラメータは、ＩＥＥＥ８０２．１１シリーズに準拠した無線通信を行うためのパラメータであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項９】
通信装置の制御方法であって、
直接無線通信のための通信パラメータを提供する提供工程と、
前記通信パラメータを受信する受信工程と、
他の通信装置から受信した所定の信号に基づいて、前記通信装置が前記提供工程による提供を行うか、前記受信工程による受信を行うかを決定する決定処理を実行する決定工程と、
前記通信装置と前記他の通信装置との間の直接無線通信のためのユーザ操作を検出する検出工程と、
前記検出工程により前記ユーザ操作が検出された場合、前記通信装置が基地局と接続しているか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程における判定結果に応じて前記決定処理を実行するか否かを切替える切替工程と、を含むことを特徴とする制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを請求項１から８のいずれか１項に記載の通信装置として動作させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するための本発明による通信装置は以下の構成を備える。即ち、通信装置であって、直接無線通信のための通信パラメータを提供する提供手段と、前記通信パラメータを受信する受信手段と、他の通信装置から受信した所定の信号に基づいて、前記通信装置が前記提供手段による提供を行うか、前記受信手段による受信を行うかを決定する決定処理を実行する決定手段と、前記通信装置と前記他の通信装置との間の直接無線通信のためのユーザ操作を検出する検出手段と、前記検出手段により前記ユーザ操作が検出された場合、前記通信装置が基地局と接続しているか否かを判定する判定手段と、を有し、前記決定手段は、前記判定手段による判定結果に応じて前記決定処理を実行する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月16日(2015.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１軸方向の第１領域幅が前記第１軸方向に直交する第２軸方向の第２領域幅よりも短い、被写体光束を受光する受光領域が、画素中心に対して前記第１軸方向に偏位した位置に設定された偏位画素と、前記被写体光束を受光する受光領域が、前記画素中心に対して偏位していない位置に設定された非偏位画素とが二次元的に配列された撮像素子と、
前記第１軸方向に対応する第１開口幅と前記第２軸方向に対応する第２開口幅とが、
１＞（第２開口幅）／（第１開口幅）＞（第１領域幅）／（第２領域幅）
の関係を満たす開口部を有する絞りと
を備える撮像装置。
【請求項２】
前記第１開口幅と前記第２開口幅は、前記偏位画素と前記非偏位画素の密度比に基づいて設定される請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記偏位画素と前記非偏位画素の密度比がδ：１−δ（ただし、０＜δ＜１）で表される場合に、
ａ：ｂ＝（１＋δ）：１（ａ：第１開口幅、ｂ：第２開口幅）
の関係を満たす請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１開口幅と前記第２開口幅は、前記偏位画素と前記非偏位画素の密度比および前記偏位画素の前記受光領域の形状に基づいて設定される請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記偏位画素と前記非偏位画素の密度比がδ：１−δ（ただし、０＜δ＜１）で表され、かつ、前記偏位画素の前記受光領域における前記第２領域幅と前記第１領域幅の比が１：（１／２）＋ｕ（ただし、｜ｕ｜＜１／２）で表される場合に、
ａ：ｂ＝１＋δ：１＋２ｕ（ａ：第１開口幅、ｂ：第２開口幅）
の関係を満たす請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記絞りは、前記第１開口幅と前記第２開口幅の比を一定に保ったまま前記開口部の開口面積を変化させる請求項１から５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記偏位画素の画素値を用いて基準方向に対して前記第１軸方向に偏位した視点に対応する第１画像を生成し、前記非偏位画素の画素値を用いて前記基準方向の視点に対応する第２画像を生成し、前記第１画像と前記第２画像を用いて、前記第１軸方向に偏位した視点に対応する第３画像を生成する画像処理部をさらに備える請求項１から６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記偏位画素は開口マスクを有し、当該開口マスクにより前記偏位画素の前記受光領域が設定される請求項１から７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記絞りの前記開口部の形状は楕円である請求項１から８のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
カメラユニットに装着された場合に、第１軸方向の第１領域幅が前記第１軸方向に直交する第２軸方向の第２領域幅よりも短い、被写体光束を受光する受光領域が、画素中心に対して前記第１軸方向に偏位した位置に設定された偏位画素と、前記被写体光束を受光する受光領域が、前記画素中心に対して偏位していない位置に設定された非偏位画素とに関する情報を前記カメラユニットから取得する取得部と、
開口部を有する絞りと、
前記情報に基づいて、前記第１軸方向に対応する第１開口幅と前記第２軸方向に対応する第２開口幅とが、
１＞（第２開口幅）／（第１開口幅）＞（第１領域幅）／（第２領域幅）
の関係を満たすよう、前記開口部の開口を調整する調整部と
を備えるレンズユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月9日(2015.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
請求項１０記載の荷電粒子線装置において、
前記上磁極および前記下磁極は、半径方向に伸びる排気口を有することを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月11日(2015.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、カバー部とを有し、
上記カバー部は、
複数の凸部を有し、透明材料によって形成され、上記光源を覆う透明カバーと、
上記複数の凸部の周囲に設けられ、蛍光体を含有した樹脂とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
上記複数の凸部は、上記光源が放射する光の相関色温度または色度座標に基づいて、大きさ及び数の少なくともいずれかが定められて設けられたものであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
上記発光装置は、複数の上記光源と、上記光源と同じ数の上記カバー部とを有し、
それぞれの上記光源は、
光を放射する発光部と、
上記発光部の周囲に位置し、上記発光部を発光させる電力を上記光源に供給する配線が接続された接続部とを有し、
複数の上記光源は、線状または面状に配置され、
それぞれの上記カバー部は、対応する上記光源の上記発光部及び上記接続部を覆い、対応する上記光源の隣に位置する他の上記光源を覆う他のカバー部に隣接して設けられている
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
上記発光装置は、上記光源で発生した熱を放熱する放熱部材を有し、
上記透明カバーは、上記光源を上記放熱部材との間に挟んで、上記放熱部材に固定され、上記光源を上記放熱部材に押しつける
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月15日(2015.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
２次元的に配列された複数の発光体を備える発光部と、
前記発光部が発光すべき光の強度を示す信号を受信し、前記信号に従って前記発光部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記信号に基づいて、発光させるべき前記発光体である駆動発光体の数を選定し、かつ、前記駆動発光体の数を満たしつつ、隣り合う前記駆動発光体の距離の平均値が最も大きくなるように前記駆動発光体を選択する発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
２次元的に配列された複数の発光体を備える発光部と、
前記発光部が発光すべき光の強度を示す信号を受信し、前記信号に従って前記発光部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記信号に基づいて、発光させるべき前記発光体である駆動発光体の数を選定し、かつ、前記駆動発光体の数を満たしつつ、全ての前記駆動発光体について当該駆動発光体に隣接する他の前記駆動発光体の数である隣接数を調べた場合における、前記接数の最大値又は平均値が最も小さくなるように、前記駆動発光体を選択する発光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
複数の発光体と、
前記複数の発光体の中から発光させる発光体である駆動発光体の組み合わせを切り替える制御部と、
を備え、
前記組み合わせの切り替えの前後で、前記組み合わせのうち少なくとも一つの異なる前記駆動体が変更され、前記駆動発光体の数及び前記駆動発光体の距離の平均値は変化しない発光装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、２次元的に配列された複数の発光体を備える発光部と、
前記発光部が発光すべき光の強度を示す信号を受信し、前記信号に従って前記発光部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記信号に基づいて、発光させるべき前記発光体である駆動発光体の数を選定し、かつ、前記駆動発光体の数を満たしつつ、隣り合う前記駆動発光体の距離の平均値が最も大きくなるように前記駆動発光体を選択する発光装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載の発明は、２次元的に配列された複数の発光体を備える発光部と、
前記発光部が発光すべき光の強度を示す信号を受信し、前記信号に従って前記発光部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記信号に基づいて、発光させるべき前記発光体である駆動発光体の数を選定し、かつ、前記駆動発光体の数を満たしつつ、全ての前記駆動発光体について当該駆動発光体に隣接する他の前記駆動発光体の数である隣接数を調べた場合における、前記隣接数の最大値又は平均値が最も小さくなるように、前記駆動発光体を選択する発光装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項６に記載の発明は、複数の発光体と、前記複数の発光体の中から発光させる発光体である駆動発光体の組み合わせを切り替える制御部と、を備え、前記組み合わせの切り替えの前後で、前記組み合わせのうち少なくとも一つの異なる前記駆動体が変更され、前記駆動発光体の数及び前記駆動発光体の距離の平均値は変化しない発光装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月21日(2015.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードから放出された電子を、グリッドを介してターゲットに照射することにより放射線を発生させる放射線管と、
外部からの放射線出力要求に応じて、前記グリッドに引出し電圧を印加するグリッド電圧発生部と、
外部からの放射線出力要求がないときに、前記カソードの電位に対して、前記グリッドの電位を低くするように、前記グリッドに印加されるカットオフ電圧を発生するカットオフ電圧発生部と、
前記カットオフ電圧の低下を検出したときに、前記ターゲットに前記電子が照射されないように動作する検出部とを有し、
前記電子は、フィラメントが加熱されることにより発生し、
前記検出部は、前記フィラメントに印加されるフィラメント電圧を遮断するスイッチング回路を含むことを特徴とする放射線発生装置。
【請求項２】
前記グリッドと前記ターゲットとの間にレンズ電極を有し、
前記検出部は、前記レンズ電極に印加されるレンズ電極電圧を遮断するスイッチング回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の放射線発生装置。
【請求項３】
カソードから放出された電子を、グリッドを介してターゲットに照射することにより放射線を発生させる放射線管と、
外部からの放射線出力要求に応じて、前記グリッドに引出し電圧を印加するグリッド電圧発生部と、
外部からの放射線出力要求がないときに、前記カソードの電位に対して、前記グリッドの電位を低くするように、前記グリッドに印加されるカットオフ電圧を発生するカットオフ電圧発生部と、
前記カットオフ電圧の低下を検出したときに、前記ターゲットに前記電子が照射されないように動作する検出部とを有し、
前記グリッドと前記ターゲットとの間にレンズ電極を有し、
前記検出部は、前記レンズ電極に印加されるレンズ電極電圧を遮断するスイッチング回路を含むことを特徴とする放射線発生装置。
【請求項４】
前記フィラメント電圧を生成するフィラメント駆動部と、
前記グリッド電圧発生部、前記カットオフ電圧発生部、前記フィラメント駆動部をそれぞれ制御する制御回路を有し、
前記フィラメント駆動部は、前記フィラメント電圧に基いて、フィラメント電圧検出信号を生成し、
前記フィラメント電圧検出信号は、前記制御回路に入力されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項５】
前記制御回路は、前記フィラメント電圧検出信号の異常を検知したとき、異常情報を外部に送信することを特徴とする請求項４に記載の放射線発生装置。
【請求項６】
前記検出部は、リレー回路からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項７】
電源回路のオンに応答して、前記カソードと前記ターゲットとの間に印加される加速電圧の印加が開始され、
前記加速電圧の印加開始後、前記外部からの放射線出力要求に応じて、前記レンズ電極電圧の印加が開始され、
前記レンズ電極電圧の印加開始後に、前記引出し電圧の印加が開始されることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項８】
前記加速電圧を生成する高電圧発生部、前記レンズ電極電圧を生成するレンズ電極駆動部、前記グリッド電圧発生部、前記カットオフ電圧発生部は、それぞれ、前記電源回路の出力からＡＣ電力信号を発生するインバータ回路と、前記ＡＣ電力信号を所定の電圧のＤＣ電圧に変換するトランス回路及び昇圧回路とからなることを特徴とする請求項７に記載の放射線発生装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の放射線発生装置と、
前記放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、
前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御する制御装置とを備えることを特徴とする放射線撮影システム。
【請求項１０】
前記放射線発生装置は、前記カットオフ電圧の低下を検出したときに、異常情報を前記制御装置に送信し、
前記制御装置は、前記放射線発生装置から受信した異常情報に基いて、表示装置にエラー表示させることを特徴とする請求項９記載の放射線撮影システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の放射線発生装置の第１は、
カソードから放出された電子を、グリッドを介してターゲットに照射することにより放射線を発生させる放射線管と、
外部からの放射線出力要求に応じて、前記グリッドに引出し電圧を印加するグリッド電圧発生部と、
外部からの放射線出力要求がないときに、前記カソードの電位に対して、前記グリッドの電位を低くするように、前記グリッドに印加されるカットオフ電圧を発生するカットオフ電圧発生部と、
前記カットオフ電圧の低下を検出したときに、前記ターゲットに前記電子が照射されないように動作する検出部とを有し、
前記電子は、フィラメントが加熱されることにより発生し、
前記検出部は、前記フィラメントに印加されるフィラメント電圧を遮断するスイッチング回路を含むことを特徴とする。
また、上記課題を解決するため、本発明の放射線発生装置の第２は、
カソードから放出された電子を、グリッドを介してターゲットに照射することにより放射線を発生させる放射線管と、
外部からの放射線出力要求に応じて、前記グリッドに引出し電圧を印加するグリッド電圧発生部と、
外部からの放射線出力要求がないときに、前記カソードの電位に対して、前記グリッドの電位を低くするように、前記グリッドに印加されるカットオフ電圧を発生するカットオフ電圧発生部と、
前記カットオフ電圧の低下を検出したときに、前記ターゲットに前記電子が照射されないように動作する検出部とを有し、
前記グリッドと前記ターゲットとの間にレンズ電極を有し、
前記検出部は、前記レンズ電極に印加されるレンズ電極電圧を遮断するスイッチング回路を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月7日(2015.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に発光物質が封入された発光管又は当該発光管の周囲に設けられる保護管を、外球内に組み込まれる支持枠に固定する固定具であって、
前記発光管又は前記保護管の外側周面又は外側周囲を覆う被覆部を有しており、
前記被覆部に前記発光管から出る光を透過させる光透過窓が形成されている固定具。
【請求項２】
前記発光管又は前記保護管の外側周面又は外側周囲の略半周を覆う第１固定要素及び第２固定要素からなり、
前記第１固定要素及び前記第２固定要素が、前記発光管又は前記保護管を挟むように、前記発光管又は前記保護管の中心軸方向に沿って両側に設けられた前記支持枠に固定されるものである請求項１記載の固定具。
【請求項３】
前記被覆部が、前記発光管又は前記保護管の中心軸方向における少なくとも一部において略全周を覆うものである請求項１又は２記載の固定具。
【請求項４】
前記保護管を前記支持枠に固定するものであって、
前記被覆部が、前記保護管の外側周面又は外側周囲において軸方向一端部から軸方向他端部まで覆うものであり、
前記被覆部の両端部に前記保護管の両端開口部に係止する係止部が形成されている請求項１乃至３の何れかに記載の固定具。
【請求項５】
前記保護管を前記支持枠に固定するものであって、
前記保護管の軸方向一端部又は両端部において、前記保護管の軸方向一端部又は両端部の開口部を塞ぐように設けられた閉塞部をさらに有する請求項１乃至４の何れかに記載の固定具。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れかに記載の固定具を備えた高圧放電ランプ。