【事件の表示】
　特願２０１７−１０６９９２「光ファイバ、光ファイバの製造方法、および光ファイバ母材」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１２月２７日出願公開、特開２０１８−２０５３５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成２９年５月３０日の出願であって、平成３０年６月１５日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、平成３０年８月２２日に意見書及び手続補正書が提出され、その後、平成３０年１０月２６日付けで拒絶査定がなされ、同査定の謄本は平成３０年１１月６日に請求人に送達された。これに対して、平成３１年１月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正書が提出されたものである。
第２　平成３１年１月３０日にされた手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成３１年１月３０日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］ 
１　本件補正について
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項５の記載は、次のように補正された（下線は補正箇所であり、当審で付与。以下同じ。）。 
「【請求項５】
　コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備え
、前記クラッド層にＦが添加されている
　前記クラッド層のＣｌ濃度が、前記クラッド層の断面の分布を平均して、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となるように前記クラッド層をＣｌ系ガスで脱水する、光ファイバの製造方法。」 
 
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載 
　上記（１）の本件補正の特許請求の範囲の請求項５に対応する、本件補正前の特許請求の範囲の請求項６の記載は次のとおりである。 
「【請求項６】
　コアおよび前記コアの外周に形成されたクラッド層を備える光ファイバの製造方法であって、
　前記クラッド層のＣｌ濃度が、前記クラッド層の断面の分布を平均して、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となるように前記クラッド層をＣｌ系ガスで脱水する、光ファイバの製造方法。」 
２　補正の適否 
　本件補正は、本件補正前の請求項６に記載された発明を特定するために必要な事項である「クラッド層」について、本件補正事項のとおりの限定を付加するものであって、補正前の請求項６に記載された発明と補正後の請求項５に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項５に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。 
（１）本件補正発明 
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。 
 　 
（２）引用文献
　ア　原査定の拒絶の理由で引用された本願の出願前に頒布された引用文献である、特開２０１２−８６９９９号公報（平成２４年５月１０日公開）には、図面とともに、次の記載がある。
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
コアとクラッドからなる石英系の光ファイバであって、
　
前記コアはゲルマニウムを含まない石英ガラスからなり、
　
前記クラッドは、前記コアの外周に位置する光学クラッド部と、前記光学クラッド部の外周に位置するジャケット部を有し、
　
前記光学クラッド部は、フッ素を０．４５質量％以上１．５０質量％以下含有するとともに、塩素を平均濃度２７０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下含有することを特徴とする光ファイバ
　（イ）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、コアとクラッドが石英ガラスからなる光ファイバであって、ゲルマニウムを含まないコアとフッ素を含む光学クラッド部とを有する構造の光ファイバ及び光ファイバ用ガラス母材の製造方法に関する。」
　（ウ）「【０００９】
　本発明は、コアとクラッドが石英ガラスからなり、ゲルマニウムを含まないコアとフッ素を含む光学クラッド部とを有する光ファイバについて、光学クラッド部に含まれる塩素濃度を多くして光ファイバの伝送損失を低く抑えることができる光ファイバ及び光ファイバ用ガラス母材の製造方法を提供することを目的としている。」
　（エ）「【発明を実施するための形態】
【００１７】
　以下、本発明に係る光ファイバの実施形態の例について、図面を参照しつつ説明する。
　図１は本実施形態の光ファイバを光軸に垂直な面で切断したときの断面図であり、図２は図１の光ファイバの屈折率分布を示す模式図である。
【００１８】
　図１に示すように、光ファイバ１は、中心にコア２を有し、その外周にクラッド５を有する。クラッド５は、コア２の外周に位置する光学クラッド部３と、光学クラッド部３の外周に位置するジャケット部４を有する。コア２はゲルマニウムを含まない石英ガラスであり、実質的に純石英であるが、製造の過程で塩素等が微量だけ含まれていてもよい。
【００１９】
　図２に示すように、光ファイバ１において中心のコア２が最も屈折率が高く、その周囲のクラッド５は、コア２に対する比屈折率差Δｎだけ屈折率が低い。
　また、具体的な各部の大きさの一例としては、コア２の直径ｄ１が９．６μｍ、光学クラッド部３の直径ｄ２が４８μｍ、ジャケット部４の直径ｄ３が１２５μｍである。コア２の直径や屈折率分布の形状を適宜設定することにより、光ファイバ１をシングルモードファイバとしたり、マルチモードファイバとすることができる。また、コア２を屈折率の異なる複数層から形成してもよい。
【００２０】
　光学クラッド部３は、クラッド５のうち、コア２に近い領域であり、光ファイバ１の光伝送特性に大きく関わる部分である。本実施形態の光学クラッド部３は、フッ素を０．４５質量％以上１．５０質量％以下含有するとともに、塩素を平均濃度２７０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下含有する石英ガラスからなる。光学クラッド部３はフッ素が添加されることでコア２に対して屈折率が小さくなるように調節されている。光学クラッド部３のフッ素含有量を０．４５質量％以上１．５０質量％以下とすることにより、コア２に対する比屈折率差Δｎが０．１５％〜０．５０％とされている。例えば、光学クラッド部３のコア２に対する比屈折率差Δｎは０．４％である。
【００２１】
　光学クラッド部３は、平均して塩素を２７０ｐｐｍ以上含有する。これにより、光ファイバ１の伝送損失を小さくすることができる。例えば、光学クラッド部３の平均塩素濃度が２７０ｐｐｍ以上であると、波長１５５０ｎｍにおける光ファイバ１の伝送損失が０．１７６ｄＢ／ｋｍ以下となる。また、光学クラッド部３の平均塩素濃度が２０００ｐｐｍを超えると、塩素を含有することによる屈折率の上昇が無視できなくなり、その分だけフッ素含有量も増やす必要が生じる。
【００２２】
　また、光学クラッド部３においてコア２に近いほど塩素濃度が高くなっていてもよい。例えば、光学クラッド部３におけるコア２との境界から波長１５５０ｎｍのＭＦＤ（モードフィールド径）の二倍の直径までの部分では、平均塩素濃度が３００ｐｐｍ以上３０００ｐｐｍ以下の範囲内となっていてもよい。通常のシングルモード光ファイバのＭＦＤは１０μｍ程度であるので、直径２０μｍ程度の範囲がこれに相当する。
【００２３】
　この
光学クラッド部３は、ガラス微粒子堆積体を四塩化珪素を用いて脱水処理し、その後、フッ素を添加して焼結することにより、塩素とフッ素を
含有する石英ガラスとされている
【００２４】
　
ジャケット部４は、光学クラッド部３と同じ屈折率を有することが好ましく、光学クラッド部３と同程度のフッ素を含有する石英ガラスであるとよい。但し、ジャケット部４は光学クラッド部３と比較して光ファイバ１の光伝送特性に与える影響が小さい
　（オ）「【実施例】
【００３８】
（光学クラッド部の塩素濃度と伝送損失について）
　図１に示した光学クラッド部３に含まれる塩素の濃度と、光ファイバ１の伝送損失の関係を調べた。
　光学クラッド部３はフッ素を０．４５質量％以上１．５０質量％以下含有する石英ガラスとして、塩素の平均残留濃度が異なる複数のサンプルを用意した。各サンプルで波長１５５０ｎｍにおける光ファイバ１の伝送損失を調べ、伝送損失の良好率を算出した。その結果を図８に示す。なお、伝送損失の良好率は、波長１５５０ｎｍにおける光ファイバ１の伝送損失が０．１７６ｄＢ／ｋｍ以下である場合を良好として、良好率＝（良好長／評価長）×１００（％）と算出した。
【００３９】
　
図８に示すように、塩素の平均残留濃度が２００ｐｐｍまでは良好率がほぼ０％であり、２７０ｐｐｍ前後で良好率が急激に変化し、２７０ｐｐｍ以上では良好率が５０％を越えてほぼ１００％となることが判る
【００４０】
（光学クラッド部となるガラス微粒子堆積体の脱水条件について）
　図３に示したガラス微粒子堆積体１６の脱水処理を行う際の最高温度ＴＡと脱水作用が働く温度Ｔｅｆｆ以上になる時間の合計Δｔを変更し、残留塩素濃度及び伝送損失との関係について調べた。
　ガラス微粒子堆積体１６の直径は１００ｍｍ、ガラス微粒子堆積体１６の長さは７５０ｍｍとし、ヒータ長４００ｍｍの加熱炉を用いて、ガラス微粒子堆積体１６を軸方向に移動させながら全体を加熱して、脱水処理を行った。脱水処理には四塩化珪素を用い、１．０リットル／分の流量で加熱炉内に供給した。脱水処理後、濃度５％程度のＳｉＦ４をＨｅと混合させて流しながらフッ素を添加して焼結し、透明化させた。その透明ガラス体の残留塩素濃度を測定した。また、それを用いて光ファイバ用ガラス母材を作製し、線引きして光ファイバを作製して波長１５５０ｎｍの伝送損失を測定した。これらの結果を表１に示す。なお、最高温度ＴＡはガラス微粒子堆積体１６の異なる測定点における最小の値を代表値として扱った。また、比較例４においては、脱水処理に四塩化珪素を用いず、塩素を２．０リットル／分の流量で加熱炉内に供給した。加熱炉温度は何れも１２００℃であり、脱水作用が働く温度Ｔｅｆｆは１０００℃である。
【００４１】
【表１】
【００４２】
　比較例１，２と実施例１では、加熱炉に対してガラス微粒子堆積体を一方方向にトラバースさせて脱水処理を行った。
　比較例１は、トラバース速度が最も速く（３０ｍｍ／分）、最高温度ＴＡが１０２０℃であり、温度Ｔｅｆｆ以上になる時間Δｔは３０分だけであった。その結果、残留塩素濃度は１４０ｐｐｍと少なく、伝送損失の良好率は０％であった。
　比較例２は、トラバース速度を２０ｍｍ／分とし、最高温度ＴＡが１１２０℃となった。温度Ｔｅｆｆ以上になる時間Δｔは６０分となったが、残留塩素濃度は２４０ｐｐｍであり、伝送損失の良好率は５％であった。
　
実施例３（審決注；「実施例１」の誤記と認める。）は
残留塩素濃度は３５０ｐｐｍ
【００４３】
　実施例２，３と比較例３では、加熱炉に対してガラス微粒子堆積体を往復でトラバースさせて脱水処理を行った。
　比較例３は、トラバース速度が最も速く（３０ｍｍ／分）、最高温度ＴＡが１０２０℃であり、温度Ｔｅｆｆ以上になる時間Δｔは６０分であった。時間Δｔは比較例１より長くなったが、残留塩素濃度は１７０ｐｐｍと少なく、伝送損失の良好率は０％であった。
　
実施例２は
残留塩素濃度は３００ｐｐｍ
　
実施例３は
残留塩素濃度は４２０ｐｐｍ
【００４４】
　塩素ガスを用いた比較例４では、他の条件を良好率は１００％であった実施例１と同じにして脱水処理を行った。その結果、残留塩素濃度は１４０ｐｐｍと少なく、伝送損失の良好率は０％であった。
【００４５】
　このように、四塩化珪素を用いて脱水し、そのときの最高温度ＴＡが１１８０℃、温度Ｔｅｆｆ以上になる時間Δｔが１１０分以上である実施例１及び実施例３は、残留塩素濃度が高くなって伝送損失の良好率を１００％にできることが判った。」
　（カ）図８は以下のとおりである。
　イ　上記記載及び図面から、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
引用発明
「コアとクラッドからなる石英系の光ファイバであって、
　前記コアはゲルマニウムを含まない石英ガラスからなり、
　前記クラッドは、前記コアの外周に位置する光学クラッド部と、前記光学クラッド部の外周に位置するジャケット部を有し、
　前記光学クラッド部は、フッ素を０．４５質量％以上１．５０質量％以下含有するとともに、塩素を平均濃度２７０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下含有し、
　光学クラッド部３は、ガラス微粒子堆積体を四塩化珪素を用いて脱水処理し、その後、フッ素を添加して焼結することにより、塩素とフッ素を含有する石英ガラスとされ、
　ジャケット部４は、光学クラッド部３と同じ屈折率を有することが好ましく、光学クラッド部３と同程度のフッ素を含有する石英ガラスであるとよく、
　但し、ジャケット部４は光学クラッド部３と比較して光ファイバ１の光伝送特性に与える影響が小さい、
　光ファイバの製造方法。」
（３）対比、判断 
　本件補正発明と引用発明を対比する。 
　ア　引用発明の「光ファイバ」、「コア」は、それぞれ本件補正発明の「光ファイバ」、「コア」に相当する。
　イ　本件明細書において「【０００６】本発明はこのような事情を考慮してなされたもので、水素への暴露によって伝送損失が増大する現象を抑制した光ファイバを提供することを目的とする。」と記載されており、伝送損失を抑制することを目的として、「クラッド層」の「Ｃｌ濃度」を規定していることから、当該「クラッド層」は、光ファイバの伝送損失に影響を与える層であると解することが自然である。
　そうすると、引用発明において「クラッドは、前記コアの外周に位置する光学クラッド部と、前記光学クラッド部の外周に位置するジャケット部を有し」ているが、「ジャケット部４は光学クラッド部３と比較して光ファイバ１の光伝送特性に与える影響が小さい」ことから、引用発明の「光学クラッド部」が、本件補正発明の「クラッド層」に、実質的に相当するといえる。
　ウ　引用発明は、「光学クラッド部は、フッ素を０．４５質量％以上１．５０質量％以下含有するとともに、塩素を平均濃度２７０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下含有し」との構成を有している。当該構成について、フッ素の濃度が質量％で規定されていることや光ファイバにおける技術常識から見て、「ｐｐｍ」は質量を元にした濃度であると解されるから、当該構成は、本件補正発明の「前記クラッド層にＦが添加されている」、及び「前記クラッド層のＣｌ濃度が、前記クラッド層の断面の分布を平均して、０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となる」との要件を満たしている。
　エ　引用発明において、「光学クラッド部３は、ガラス微粒子堆積体を四塩化珪素を用いて脱水処理」されていることから、本件補正発明の「前記クラッド層をＣｌ系ガスで脱水する」との構成を有している。
　オ　上記ア〜エから、本件補正発明と引用発明は同一である。
　カ　また、上記ウにおいて、仮に、引用発明が、本件補正発明の「クラッド層のＣｌ濃度が」「０．０２９ｗｔ％以上０．０９８ｗｔ％以下となる」との明示的な数値限定まで有していないとしても、引用文献における「【００３９】図８に示すように、塩素の平均残留濃度が２００ｐｐｍまでは良好率がほぼ０％であり、２７０ｐｐｍ前後で良好率が急激に変化し、２７０ｐｐｍ以上では良好率が５０％を越えてほぼ１００％となることが判る。」  、「【００４２】・・・実施例３（審決注；「実施例１」の誤記と認める。）は、・・・残留塩素濃度は３５０ｐｐｍまで増加し、伝送損失の良好率は１００％であった。【００４３】・・・実施例２は、・・・残留塩素濃度は３００ｐｐｍとなり、伝送損失の良好率は９２％であった。実施例３は、・・・残留塩素濃度は４２０ｐｐｍまで増加し、伝送損失の良好率は１００％であった。」との記載から見て、引用発明において、「０．０２９ｗｔ％以上」程度の数値は想定されているといえるし、上限を「０．０９８ｗｔ％以下」程度に設定することは当業者が必要に応じて適宜設定しうる設計事項にすぎない。
（４）請求人の主張について
　請求人は、審判請求書において、
「４．理由２（特許法第２９条第１項第３号）について
（１）本願では、当初明細書の００２１〜００２２段落に記載されている通り、クラッド層が単一の層である場合（図１）や、クラッド層が複数層からなる場合(図２）を含めて、「クラッド層」として定義しております。これに対して、拒絶査定には、「引用文献１に記載の光学クラッド部は、本願発明の「クラッド層」に相当し、」と記載されております。しかしながら、引用文献１の００１８段落における「クラッド５は、コア２の外周に位置する光学クラッド部３と、光学クラッド部３の外周に位置するジャケット部４とを有する」との記載を参照すると、引用文献１における光学クラッド部３はクラッド５の一部に過ぎないことは明らかであり、上記認定は引用文献１のジャケット部４の存在を無視したものであります。以上のことを踏まえると、本願における「クラッド層１２の断面の分布を平均したＣｌ濃度」と引用文献１における「光学クラッド部３の平均塩素濃度」とは、同一の概念であるとは言えません。」、
「５．理由３（特許法第２９条第２項）について 
（１）引用文献１の００２０段落等では、クラッド５のうち、ジャケット部４を除く光学クラッド部３の平均塩素濃度を規定しております。ところで、引用文献１の００１９段落には、寸法の一例として、「コア２の直径ｄ１が９．６μｍ、光学クラッド部３の直径ｄ２が４８μｍ、ジャケット部４の直径ｄ３が１２５μｍ」と記載されております。この寸法から算出すると、ジャケット部４の断面積は光学クラッド部３の断面積の６倍以上大きいことになります。したがって、引用文献１におけるクラッド５（光学クラッド部３とジャケット部４とを合わせた部分）の平均塩素濃度には、ジャケット部４の塩素濃度が非常に大きく寄与することになりますが、引用文献１にはジャケット部４の塩素濃度については何ら記載されておりません。このように、引用文献１では、本願発明１のように、クラッド層全体（すなわち光学クラッド部３およびジャケット部４の全体）の断面の分布を平均したＣｌ濃度を規定することを全く示唆しておらず、引用文献１の開示内容を理解した当業者にとって、本願発明１の構成に想到する動機付けがありません。 
（２）それどころか、引用文献１の００２４段落には、「ジャケット部４は光学クラッド部３と比較して光ファイバ１の光伝送特性に与える影響が小さい」との記載がありますので、本願発明１のように、クラッド層全体（すなわち光学クラッド部３およびジャケット部４の全体）の断面の分布を平均したＣｌ濃度を規定することをかえって阻害しているものと思料いたします。 」と主張している。
　当該主張について検討すると、本件明細書において、「クラッド層」の定義は明記されておらず、「クラッド層」としてどの部分まで含みうるのか必ずしも明らかでない部分はあるものの、本件補正発明の目的は水素への暴露によって伝送損失が増大する現象を抑制した光ファイバを提供することであることから、「クラッド層」として、光ファイバの伝送損失に影響を与える部分を対象としていると解される。したがって、上記（３）イで説示したように、引用発明の「光学クラッド部」が、本件補正発明の「クラッド層」に相当するといえる。
　また、仮に、引用発明の「ジャケット部」を含めて、本件補正発明の「クラッド層」に相当するとしたとしても、引用発明は、「【０００９】・・・光学クラッド部に含まれる塩素濃度を多くして光ファイバの伝送損失を低く抑えることができる光ファイバ・・・を提供することを目的として」おり、「ジャケット部」に塩素を含有させないようにすることなどを要件としているわけではないから、光ファイバの伝送損失を低く抑えることをより確実にするために、「ジャケット部」を含めて「光学クラッド部」と同様の塩素濃度とすることは、当業者が適宜なし得る程度のことにすぎない。
　よって、請求人の主張は採用できない。
（５）小括
　したがって、本件補正発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　又は、本件補正発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
３　本件補正についてのむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 
  
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　平成３１年１月３０日にされた手続補正は、上記のとおり却下されたので、本件補正発明に対応する本件補正前の発明は、平成３０年８月２２日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項６に係る発明であるところ、その請求項６に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項６に記載された事項により特定される、上記第２の［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由 
　原査定の拒絶の理由は、 
　この出願の請求項６に係る発明は、その出願前に頒布された引用文献に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、
　この出願の請求項６に係る発明は、その出願前に頒布された引用文献に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、 
というものである。 
３　進歩性について 
（１）引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献及びその記載事項は、上記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
  
（２）対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「前記クラッド層にＦが添加されている」との限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに限定したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２に記載したとおり、引用発明と同一である、又は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明と同一である、又は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　又は、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。