【事件の表示】
　特願２０１８−２１７６１２「レーザ加工装置及びレーザ加工方法」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　６月　６日出願公開，特開２０１９−　８７７５１〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１１月１６日に出願された特願２０１０−２５６２１７号（以下「原出願」という。）の一部を平成２８年４月２６日に新たな特許出願（特願２０１６−８７８６６号）とし，さらに，その一部を平成２８年１１月１４日に新たな特許出願（特願２０１６−２２１８４１号）とし，さらに，その一部を平成３０年４月２０日に新たな特許出願（特願２０１８−８１５２４号）とし，さらに，その一部を平成３０年６月２８日に新たな特許出願（特願２０１８−１２３５０５号）とし，さらに，その一部を平成３０年１０月３日に新たな特許出願（特願２０１８−１８８４１０号）とし，さらに，その一部を平成３０年１１月２０日に新たな特許出願としたものであり，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
　平成３０年１２月１１日付け：拒絶理由通知書
　平成３１年　１月１５日　　：意見書の提出
　平成３１年　１月２８日付け：拒絶査定
　平成３１年　４月２５日　　：審判請求書の提出
　令和　元年　６月１０日付け：拒絶理由通知書
　令和　元年　８月　９日　　：意見書，手続補正書の提出
　令和　元年　９月１７日付け：拒絶理由（最後の拒絶理由）通知書
　令和　元年１１月１３日　　：意見書，手続補正書の提出
第２　令和元年１１月１３日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和元年１１月１３日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により，特許請求の範囲の請求項１の記載は，次のとおり補正された。（下線部は，補正箇所である。）
「【請求項１】
　レーザ光をウェハの内部に集光させて改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
　前記ウェハの裏面側から前記レーザ光を照射して前記ウェハの内部に集光する集光レンズと，
　前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達せず，且つ，前記ウェハの裏面研削
により前記微小亀裂が進展して前記裏面研削
　を備える，レーザ加工装置。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，令和元年８月９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　レーザ光をウェハの内部に集光させて改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
　前記ウェハの裏面側から前記レーザ光を照射して前記ウェハの内部に集光する集光レンズと，
　前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達せず，且つ，前記ウェハの裏面研削が行われた後も前記微小亀裂が前記ウェハに残るようにするために，前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段と，
　を備える，レーザ加工装置。」
２　補正の適否
（１）最後の拒絶理由に対する応答として補正がされた場合（拒絶理由通知を受けた後更に拒絶理由通知を受けた場合において，最後に受けた拒絶理由通知に係る第五十条の規定により指定された期間内にするとき），当該補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件を満たすことを要する。
　そして，第１７条の２第５項の要件は，特許請求の範囲についてする補正は，次に掲げる事項を目的とするものに限るとするものである。
　一 第三十六条第五項に規定する請求項の削除
　二 特許請求の範囲の減縮(第三十六条第五項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであつて，その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る。)
　三 誤記の訂正
　四 明りようでない記載の釈明(拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。)
　ａ　そこで，請求項１についての本件補正の補正の適否について検討すると，本件補正は，本件補正前の請求項１に記載された「集光レンズ」と「前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段」とを備える「レーザ加工装置」に係る発明を特定するために必要な事項である「前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段」について，補正前の「且つ，前記ウェハの裏面研削が行われた後も前記微小亀裂が前記ウェハに残るようにするために」を，「且つ，前記ウェハの裏面研削
により前記微小亀裂が進展して前記裏面研削
　すなわち，上記補正は，ウェハの裏面研削を，「微小亀裂が進展」するものに限定するものである。
　そして，補正後の請求項１においては，微小亀裂の「進展」は，ウェハの裏面研削により生じることが特定されているだけであるから，請求人が補正の根拠として提示した，本願の出願当初の明細書の【０１３７】〜【０１４４】に記載される，「本実施の形態では，研削によるせん断応力によって亀裂が進展するのではなく，研削熱による熱膨張が亀裂進展の支配的要素である。」（【０１４１】）ものに限定されないことは明らかである。
　一方，ウェハの裏面研削に際して，ウェハに回転する研削砥石が接触することによって，ウェハの表面に対して垂直方向（研削砥石を押圧する方向），及び，ウェハの表面に対して水平方向（研削砥石の回転方向）に生じる応力が，ウェハに印加されることは自明である。
　そうすると，本件補正前の請求項１に記載された発明においても，改質領域の形成後，ウェハの裏面研削が行われた後までの間に，改質領域から延びる微小亀裂は，その微小亀裂の先端に当該応力が集中することで，その進展の程度（長さ）は別として，微小亀裂が進展する（本願明細書の【０１４１】に記載された，本実施の形態に係る亀裂進展と対比して記載された，研削によるせん断応力による亀裂の進展が生じる）ものと認められる。
　してみれば，請求項１についての本件補正は，本件補正前の請求項１においても生じていた事項を明記したものに過ぎず，特許請求の範囲を減縮するものとはいえない。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　ｂ　なお，仮に，本件補正の，微小亀裂の「進展」が，請求人が，補正の根拠として，審判請求書において主張する，本願の出願当初の明細書の【０１３７】〜【０１４４】に記載される，「本実施の形態では，研削によるせん断応力によって亀裂が進展するのではなく，研削熱による熱膨張が亀裂進展の支配的要素である。」（【０１４１】）ものを意味していると解したとしても，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　すなわち，研削熱による熱膨張が支配的要素である亀裂進展は，請求人が補正の根拠として主張する本願明細書の【０１３７】〜【０１４４】に記載される研削除去工程によって生じるものであり，当該研削除去工程は，レーザー改質工程により切断ラインＬに沿って改質領域を形成した後に，搬送装置によりウェハＷをレーザーダイシング装置から研削装置へ搬送し，その後，ウェハの温度を測定する手段と，研削中に砥石又はウェハへの給水をＯＮ，ＯＦＦする手段と，研削開始から所定の時間経過後にウェハ温度が所定の値になるまでウェハへの給水をＯＦＦするように制御する手段とを備えた研削装置で行われるものである。
　してみれば，ウェハの裏面研削の際に，研削熱による熱膨張が支配的要素である亀裂が「進展」するか否かは，搬送装置によりレーザーダイシング装置から搬送された後の研削装置において，研削開始から所定の時間経過後にウェハ温度が所定の値になるまでウェハへの給水をＯＦＦするように制御するか否かによって決定されると理解される。
　すなわち，レーザ光の集光点位置を制御する制御手段によって，「レーザ光の集光点位置」を同一の位置に制御した場合において，後の研削装置におけるウェハへの給水のＯＮ，ＯＦＦによって亀裂が「進展」するか否かが変更されるのであるから，「レーザ光の集光点位置」を制御することでは，ウェハの裏面研削の際に，研削熱による熱膨張が支配的要素である亀裂が「進展」するか否かを制御することができないことは明らかである。
　そうすると，「集光レンズ」と「前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段」とを備える「レーザ加工装置」に係る発明を特定するために必要な事項である「前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段」について，補正前の「且つ，前記ウェハの裏面研削が行われた後も前記微小亀裂が前記ウェハに残るようにするために」を，「且つ，前記ウェハの裏面研削
により前記微小亀裂が進展して前記裏面研削
　すなわち，請求項１についての本件補正は，「請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するもの」とは認められないから，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　ｃ　以上のとおり，微小亀裂の「進展」を，いずれに解したとしても，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。また，本件補正が，特許法第１７条の２第５項に規定する他の事項を目的とするものとも認めることはできない。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
（２）なお，仮に，本件補正が，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認めたとしても，本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）は，以下のとおり，同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない（特許出願の際独立して特許を受けることができない）から，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　ア　本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載したとおりのものである。
　
　イ　引用文献の記載事項，及び，引用発明
（ア）引用文献１の記載事項，及び，引用発明１
　ａ　令和元年９月１７日付けの拒絶理由（最後の拒絶理由）で引用した原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００９−２９００５２号公報（平成２１年１２月１０日出願公開。以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【請求項２】
　基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを，該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって，
　該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と，
　該変質層形成工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と，
　該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と，
　該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と，
　環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と，を含む，
　ことを特徴とするウエーハの分割方法。」
「【発明の効果】
【０００８】
　本発明におけるウエーハの分割方法によれば，基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とウエーハの基板に形成されたストリートの表面に被覆された膜をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施し後に，ウエーハに外力を付与してウエーハをストリートに沿って破断するので，ウエーハをストリートに沿って破断する際には膜はストリートに沿って分断されているため，膜が破断されずに残ることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下，本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について，添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
　図１には本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図が示されており，図２には図１に示すウエーハの要部を拡大した断面図が示されている。
図１および図２に示すウエーハ２は，例えば厚さが６００μmのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されている。このウエーハ２には，図２に示すようにストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａに図示の実施形態においてはポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆されている
「【００１２】
　
裏面研削工程は，図４の(a)に示す研削装置４を用いて実施する
図４の（ａ）に示す研削装置４は，被加工物を保持するチャックテーブル４１と，該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削手段４３を具備している
「【００１３】
　次に，上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。
この変質層形成工程は，図５に示すレーザー加工装置５を用いて実施する
図５に示すレーザー加工装置５は，被加工物を保持するチャックテーブル５１と，該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と，チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している
【００１４】
　
上記レーザー光線照射手段５２は，実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。このパルスレーザー光線発振手段は，図示の実施形態においては，ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長（例えば，１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を発振する。上記ケーシング５２１の先端部には，パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されている
【００１５】
　上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は，可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に，被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と，該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と，該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されている。この撮像手段５３は，撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１６】
　
図５に示すレーザー加工装置５を用いて変質層形成工程を実施するには，図５に示すようにチャックテーブル５１上にウエーハ２の表面２１ａに貼着された保護テープ３側を載置する。そして，図示しない吸引手段を作動することにより，保護テープ３を介してウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する（ウエーハ保持工程）
【００１７】
　チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると，撮像手段５３および図示しない制御手段によってウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち，撮像手段５３および図示しない制御手段は，ウエーハ２に形成されているストリート２２と，ストリート２２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し，レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。このアライメント工程を実施する際にはウエーハ２のストリート２２が形成されている表面２１ａは下側に位置しているが，撮像手段５３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので，裏面２１ｂから透かしてストリート２２を撮像することができる。
【００１８】
　以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されたウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば，図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し，所定のストリート２２の一端（図６の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。そして，集光器５２２からシリコン基板２１に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして，図６の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の照射位置がストリート２２の他端（図６の（b）において右端）の位置に達したら，パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。
この変質層形成工程においては，パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に位置付ける。この結果，ウエーハ２の基板２１には，図６の（b）および図７に示すようにストリート２２に沿って厚さ方向中間部に変質層２１０が形成される。このようにウエーハ２の基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されると，基板２１には図７に示すように変質層２１０から表面２１aおよび裏面２１bに向けてストリート２２に沿ってクラック２１１が発生する
「【００３２】
　次に，本発明による
ウエーハの分割方法
　第２の実施形態においては，
先ずウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する
この変質層形成工程を実施するに際し
上記図５に示すようにレーザー加工装置５を用いて上記図６に示す変質層形成工程と同様に実施する
変質層２１０から表面２１aおよび裏面２１bに向けてクラック２１１が発生する
【００３３】
　
上述した変質層形成工程を実行したならば，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する
この裏面研削工程は，図４の(a)に示す研削装置４を用いて上記第１の実施形態における裏面研削工程と同様に実施する。この結果，図１５に示すようにウエーハ２は，基板２１の裏面２１bが研削されて所定の厚さ（例えば１００μm）に形成される
上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２aから例えば１００μmの位置より裏面２ｂに形成することにより，上記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０は除去される。従って，ウエーハ２の基板２１には，図１５に示すようにストリート２２に沿って形成されたクラック２１１が残される
【００３４】
　次に，
上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する
ウエーハ２における基板２１の表面２１aに貼着されている保護テープ３を剥離する（保護テープ剥離工程）
【００３５】
　上述したウエーハ支持工程および保護テープ剥離工程を実施したならば，
上記ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する
【００３６】
　上記膜分断工程を実施したならば，
ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する
このウエーハ破断工程は，上記図１２に示すテープ拡張装置６を用いて上記図１３に示すウエーハ破断工程と同様に実施する
この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割される
【００３７】
　上述した実施形態においては，上記裏面研削工程でウエーハ２の基板２１の裏面を研削して変質層２１０が除去されており，ウエーハ２は基板２１に形成されたクラック２１１に沿って破断される。従って，個々の分割されたデバイス２３の破断面には変質層２１０が残存しないため，デバイス２３の抗折強度が向上する。」
　ｂ　上記記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハの前記基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と，
　該変質層形成工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と，
　該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と，
　該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と，
　環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と，を含む，
　該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法における，前記変質層形成工程を実施する際に用いるレーザー加工装置５であって，
　前記ウエーハ２は，厚さが６００μｍのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されたものであり，このウエーハ２には，ストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａに，ポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆されており，
　前記レーザー加工装置５は，被加工物を保持するチャックテーブル５１と，該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と，チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備しており，ここで，前記レーザー光線照射手段５２は，実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでおり，該ケーシング５２１内にはＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されるとともに，前記ケーシング５２１の先端部には，パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されており，さらに，前記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部には撮像手段５３が装着されており，該撮像手段５３は，可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に，被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と，該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と，該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているものであり，
　前記変質層形成工程においては，パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に位置付け，この結果，ウエーハ２の基板２１には，ストリート２２に沿って厚さ方向中間部に変質層２１０が形成され，このようにウエーハ２の基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されると，基板２１には，変質層２１０から表面２１aおよび裏面２１bに向けてストリート２２に沿ってクラック２１１が発生し，
　前記裏面研削工程は，ウエーハ２を，１００μｍの厚さに形成するものであって，前記裏面研削工程は，被加工物を保持するチャックテーブル４１と，該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削手段４３を具備している研削装置４を用いて実施するものであり，さらに，前記裏面研削工程は，前記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２aから前記１００μｍの位置より裏面２ｂに形成することにより，前記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０を除去し，従って，ウエーハ２の基板２１には，ストリート２２に沿って形成された，表面２１ａに向けて変質層から発生したクラック２１１が残されるものである，
　レーザー加工装置５。」
（イ）引用文献２の記載事項
　ａ　令和元年９月１７日付けの拒絶理由（最後の拒絶理由）で引用した原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，引用文献２（特開２００５−１６６７２８号公報）（平成１７年６月２３日出願公開。以下「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【００３８】
　分断シロの帯幅は，レーザ光のスポット径，集光用レンズの倍率，レーザ光が通過する基板材料の屈折率を考慮し，上記（Ｂ）の工程において照射されるレーザ光が積層構造部を通過するときのビーム幅（分断シロの帯幅方向についてのビームの幅）を包含し得る幅とすることが好ましい。分断シロの帯幅を過度に狭く取ると，レーザ光と積層構造部とがオーバラップし変色する部分が生じる。また，分断シロの帯幅を過度に広く取ると，１枚の半導体ウエハーから得られるチップの数が少なくなる。
　
分断時に改質領域を起点として発生する割れは，分岐や進行方向の変更をしながら進むので，ウエハー基板の横方向にも広がりをもって基板表面に達する
　これらの点から，分断シロの帯幅Ｗ１は，５〜３０μｍ，特に１０〜２０μｍが好ましい寸法である。」
（ウ）引用文献３の記載事項
　令和元年９月１７日付けの拒絶理由（最後の拒絶理由）で引用した原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，引用文献３（特許第３７６２４０９号公報）（平成１８年４月５日：発行日。以下「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「図２３Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２３Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
図２４Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２４Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
図２５Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２５Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。」（第４ページ左欄１６〜４１行）
「なお，半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては，図２３Ａ〜図２５Ｂに示すものがある。各図に示す半導体チップ２５には，後述するそれぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができる。ここで，図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａは，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合であり，図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂは，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合である。図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂの場合にも，半導体基板を研磨する工程後には，割れ１５が半導体基板１５の表面３に達する。
図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上する。
図２４Ａ及び図２４Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効である。
図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面の裏面側のエッジ部に残存する半導体チップ２５は，当該エッジ部が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５のエッジ部を面取りした場合と同様に，エッジ部におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することができる。
また，図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａに示すように，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合に比べ，図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂに示すように半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合の方が，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップ２５の切断面の直進性がより向上する。
ところで，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に到達するか否かは，溶融処理領域１３の表面３からの深さに関係するのは勿論であるが，溶融処理領域１３の大きさにも関係する。すなわち，溶融処理領域１３の大きさを小さくすれば，溶融処理領域１３の表面３からの深さが浅い場合でも，割れ１５は半導体基板１の表面３に到達しない。溶融処理領域１３の大きさは，例えば切断起点領域を形成する工程におけるパルスレーザ光の出力により制御することができ，パルスレーザ光の出力を上げれば大きくなり，パルスレーザ光の出力を下げれば小さくなる。」（第１０ページ左欄第６〜４９行）
「
」
「
」
　ウ　引用文献１を主引用例とした新規性・進歩性の検討
（ア）本件補正発明と引用発明１の対比
　ａ　本件補正発明と引用発明１を対比する。
（ａ）引用発明１の「レーザー光線」，「ウエーハ２」，「変質層」，及び，「クラック２１１」は，それぞれ，本件補正発明の「レーザ光」，「ウェハ」，「改質領域」，及び，「微小亀裂」に相当する。
（ｂ）引用発明１の，「集光器５２２」が，本件補正発明の，レーザ光を「ウェハの内部に集光する集光レンズ」に相当する部材を備えることは明らかである。
（ｃ）引用発明１は，「パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に位置付け」るのであるから，当該位置付けのための，パルスレーザー光線の集光点Ｐを制御する手段を備えていることは自明である。
（ｄ）以上のことから，本件補正発明と引用発明１との一致点及び一応の相違点は，次のとおりである。
（一致点）
「レーザ光をウェハの内部に集光させて改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
　前記ウェハの裏面側から前記レーザ光を照射して前記ウェハの内部に集光する集光レンズと，
　前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段と，
　を備える，レーザ加工装置。」 
  
（相違点１） 
　本件補正発明では，集光レンズによるレーザ光の集光点位置を制御する制御手段が，「前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達せず，且つ，前記ウェハの裏面研削により前記微小亀裂が進展して前記裏面研削が行われた後も前記微小亀裂が前記ウェハに残るようにするため」のものであるのに対して，引用発明１では，このような特定がされていない点。 
（イ）判断
　ａ　引用発明１に係るレーザー加工装置５が，変質層形成工程を実施する際に用いられるものであるウエーハの分割は，厚さが６００μｍのシリコン基板２１からなるウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１ｂを研削して１００μｍの厚さに形成することで前記変質層２１０を除去するとともに，ウエーハ２の基板２１に，ストリート２２に沿って形成されたクラック２１１を残す裏面研削工程の後に，この残されたクラック２１１によって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って，１００μｍの厚さに形成したウエーハ２を破断せしめて個々のデバイス２３に分割するものである。
　すなわち，デバイスの分割には，基板の裏面を研削して１００μｍの厚さに形成して変質層を除去した後にウエーハの基板に残されたクラックのみが必要とされるのであるから，変質層を，研削除去される基板の内部であって，かつ前記必要とされる「残されたクラック」の近傍に形成することは，当業者にとって自然かつ合理的といえる。
　このことは，引用文献２に，「分断時に改質領域を起点として発生する割れは，分岐や進行方向の変更をしながら進むので，ウエハー基板の横方向にも広がりをもって基板表面に達する。」（【００３８】）と記載されていることからも明らかなように，亀裂の進展によって，亀裂の先端の位置が，基板の横方向にも広がりをもって変更されるので，前記「残されたクラック」の位置を，ウエーハの表面の面内において，目的とする位置の近傍に維持するには，変質層から前記「残されたクラック」までの距離を短くすることが望まれることからも自明の要求といえる。
　したがって，引用文献１に記載された前記方法において，当該変質層２１０を形成するレーザ光の集光は，１００μｍの厚さに形成したウエーハ２に残されるクラック２１１の近傍に行われるといえる。 
　一方，引用文献１に記載された前記方法は，変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに向けてクラック２１１が発生する段階を含む変質層形成工程，裏面研削工程，及び，前記ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程を備えたものである。 
　そして，前記ウエーハ破断工程において，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下しているものの，ウエーハ２には，外力を付与することができるのであるから，当該ウエーハ破断工程が始まる時点においては，クラック２１１は，シリコン基板２１の表面２１ａには到達していないこと，すなわち，シリコン基板２１が，クラック２１１によって，個々のデバイスに分かれていないことは明らかである。
　さらに，前記ウエーハ破断工程が始まる時点において，クラック２１１が，シリコン基板２１の表面２１ａには到達していないのであれば，それよりも前の時点である，変質層形成工程の終了時において，クラック２１１が，シリコン基板２１の表面２１ａには到達していないことは当然である。
　そうすると，引用発明１において，変質層の形成は，変質層形成工程の終了時において，クラック２１１が，レーザ光の集光する位置からより近い距離（略１００μｍ）にあるシリコン基板２１の表面２１ａに到達していない程度のレーザー強度で行われるのであるから，同じ変質層形成工程の終了時において，クラック２１１が，レーザ光の集光する位置からより遠い距離（略５００μｍ）にあるシリコン基板２１の裏面２１ｂに到達していないことは当然といえる。
　なお，引用発明１において，クラック２１１が，レーザ光の集光する位置からより遠い距離（略５００μｍ）にあるシリコン基板２１の裏面２１ｂに到達していないことは，レーザ光によって形成される微小亀裂の長さが，最大でおおよそ１００μｍ程度にすぎないという以下の周知技術からも理解されることである。
・周知例：特開２００６−１７９７９０号公報
「【００３１】
　集光点Ａにレーザ光Ｌが集光すると，部分的にシリコンの結晶状態が変化し，その結果，内部亀裂１２が形成される。実験結果では，裏側表面１０Ｂから入射したレーザ光Ｌによる内部亀裂１２は，集光点Ａより裏側表面１０Ｂ方向と表側表面１０Ｆ方向との両方向に進行して形成されることを確認した。
その亀裂の進行方向の長さは，実験条件に依存するが，最大でおおよそ１００μｍ程度であった
　従って，引用発明１において，パルスレーザー光線の集光点Ｐは，変質層形成工程後，変質層２１０から裏面２１ｂに向けて延びるクラック２１１が，前記裏面２１ｂに到達しない位置に位置づけられるように，その位置が制御されているものと認められる。
　したがって，本件補正発明と，引用発明１は，集光レンズによるレーザ光の集光点位置を制御する制御手段が，「前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達」しないように制御するものである点で一致する。
　ｂ　なお，仮に，引用文献１の記載からは，改質領域の形成後，前記改質領域から延びるクラックが，ウエーハの裏面に到達していないことが直ちにいえないとした場合においても，クラック２１１が，レーザ光の集光する位置からより近い距離にあるシリコン基板２１の表面２１ａに到達していない引用発明１において，変質層形成工程の後に，レーザ光の集光する位置からより遠い距離にあるシリコン基板２１の裏面２１ｂに到達しないようにすることは，引用文献３の図２４Ｂ等の記載を参酌すれば，当業者が適宜なし得たことであり，また，このような構成を採用したことによる格別の効果も認められない。 
　ｃ　したがって，本件補正発明と，引用発明１は，集光レンズによるレーザ光の集光点位置を制御する制御手段が，「前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達」しないように制御するものである点で一致するか，あるいは，このような構成を採用することを，当業者が適宜なし得たものと認められる。
　ｄ　さらに，引用発明１は，「前記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０を除去し，従って，ウエーハ２の基板２１には，ストリート２２に沿って形成された，表面２１ａに向けて変質層から発生したクラック２１１が残されるものである」から，本件補正発明と，引用発明１は，集光レンズによるレーザ光の集光点位置を制御する制御手段が，「前記ウェハの」「前記裏面研削が行われた後も前記微小亀裂が前記ウェハに残るようにするため」に制御するものである点で一致する。
　一方，本件補正発明の「裏面研削により前記微小亀裂が進展して」は，搬送装置によりレーザーダイシング装置から搬送された後の研削装置における裏面研削の際の態様を特定するものであり，「集光レンズ」と「前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段」とを備える「レーザ加工装置」に係る本件補正発明を特定するために必要な事項である「前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段」を限定する構成としての意味を有するとは認めることはできない。
　したがって，本件補正発明と，引用発明１は，集光レンズによるレーザ光の集光点位置を制御する制御手段が，「前記ウェハの裏面研削により前記微小亀裂が進展して前記裏面研削が行われた後も前記微小亀裂が前記ウェハに残るようにするため」のものである点で一致する。
　ｅ　なお，仮に，本件補正発明１の「裏面研削により前記微小亀裂が進展して」を，本件補正発明の構成として意味を有するものと認めたとしても，上記２（１）ａでの検討と同様に，引用発明１においても，ウエーハの裏面研削に際して，ウエーハに研削砥石が接触することによって，ウェハの表面に対して垂直方向，及び，ウェハの表面に対して水平方向に生じる応力が，ウェハに印加されることは自明であり，当該応力がクラックの先端に集中することで，その進展の程度（長さ）は別として，クラックが進展すると認められるから，本件補正発明と，引用発明１は，集光レンズによるレーザ光の集光点位置を制御する制御手段が，「前記ウェハの裏面研削により前記微小亀裂が進展して前記裏面研削が行われた後も前記微小亀裂が前記ウェハに残るようにするため」のものである点で一致するといえる。
　ｆ　そうすると，本件補正発明は，引用文献１に記載された発明であると認められる。
　また，仮に，本件補正発明と，引用発明１との間に相違点が存在するとしても，引用発明１において，当該相違点について，本件補正発明の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことである。
　ｇ　請求人は，令和元年１１月１３日に提出した意見書において，「（ウ）すなわち，引用文献１は，『裏面研削工程』と『ウエーハ破断工程』との間に『膜分断工程』を行うことを開示するにすぎず，『膜分断工程』を捨象したあらゆる構成を示唆するものとはいえず，本願発明１の構成を直接開示ないし示唆するものとはいえない。」と主張する。
　しかしながら，本件補正発明は，「集光レンズ」と「前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段」とを備える「レーザ加工装置」に係る発明であって，改質領域を形成した後の工程を何ら限定するものではないから，本件補正発明に係る「レーザ加工装置」が，「裏面研削工程」と「ウエーハ破断工程」との間に「膜分断工程」を行うウェハ加工に利用されることを排除するものではない。
　したがって，請求人の前記主張は，請求項の記載に基づかないものであって採用することはできない。
　ｈ　さらに，請求人は，「（コ）これに対し，本願発明１によれば，「前記改質領域の形成後，前記改質領域から延びる微小亀裂が前記ウェハの裏面には到達せず，且つ，前記ウェハの裏面研削により前記微小亀裂が進展して前記裏面研削が行われた後も前記微小亀裂が前記ウェハに残るようにする」ことにより，ウェハの裏面を研削する際に，レーザ光が透過した部分を含む改質領域を除去することが可能となると共に，研削中に研削液などがウェハ内部に浸透せず，研削中のチップ飛びを軽減し，改質領域から延びる微小亀裂のみをチップ断面に残すことが可能となり，安定した品質のチップを効率よく得ることができ，さらに，研削熱による熱膨張によって生じる内部歪みが支配的要素となって亀裂進展が行われるので，ウェハ面内の剛性ばらつきなどに起因することなく，ウェハ面内各点一様に微小亀裂を進展させることが可能となり，また，ウェハを熱膨張させる条件，すなわち，研削による摩擦熱が発生するための条件（例えば，研削液の量）を変化させることによって亀裂の進展度合い（亀裂深さや亀裂進展速度等）を容易に調整することができるので（本願明細書の段落［０１３９］〜［０１４３］），改質領域から延びる微小亀裂を精度よく進展させることが可能となるという効果が得られるものであるところ，このような効果は，引用文献１〜６には記載も示唆もなく，当業者であっても予測できない顕著な効果である。」として，本件補正発明における格別の効果を主張する。
　しかしながら，当該効果は，レーザー改質工程により切断ラインＬに沿って改質領域を形成した後に，搬送装置によりウェハＷをレーザーダイシング装置から搬送した先の，ウェハの温度測定する手段と，研削中に砥石又はウェハへの給水をＯＮ，ＯＦＦする手段と，研削開始から所定の時間経過後にウェハ温度が所定の値になるまでウェハへの給水をＯＦＦするように制御する手段とを備えた研削装置の制御によって奏される効果であって，「集光レンズ」と「前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段」とを備える「レーザ加工装置」に係る本件補正発明の効果であるとは認められない。
　すなわち，上記効果の主張は，請求項の記載に基づかない主張であるから採用することができない。
　ｉ　以上のとおりであるから，仮に，本件補正が，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認めたとしても，本件補正発明は，引用文献１に記載された発明である。したがって，本件補正発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　さらに，本件補正発明と引用発明１との間に相違点が存在するとしても，本件補正発明は，引用発明１及び引用文献２，３に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
３　本件補正についてのむすび
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　なお，仮に，本件補正が，特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当すると認めたとしても，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和元年１１月１３日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，令和元年８月９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　令和元年９月１７日付けの拒絶の理由
　令和元年９月１７日付けの拒絶の理由は，この出願の請求項１ないし６に係る発明は，本願の原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない，
　また，仮に，この出願の請求項１ないし６に係る発明が，本願の原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明でないとしても，この出願の請求項１ないし６に係る発明は，その原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の引用文献１ないし６に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
１．特開２００９−２９００５２号公報 
２．特開２００５−１６６７２８号公報 
３．特許第３７６２４０９号公報 
４．特開２００７−２３５０６９号公報 
５．特開２００９−１２４０３５号公報 
６．国際公開第０３／０７７２９５号 
３　引用文献
　令和元年９月１７日付けの拒絶の理由で引用した引用文献１ないし３及びその記載事項は，前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
　本願発明は，前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から，前記集光レンズによる前記レーザ光の集光点位置を制御する制御手段についての，裏面研削により「前記微小亀裂が進展」という限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含み，さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が，前記第２の［理由］２（２）ウに記載したとおり，引用文献１に記載された発明であり，あるいは，本件補正発明は，引用発明１及び引用文献２，３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も，引用文献１に記載された発明であるか，あるいは，引用発明１及び引用文献２，３に記載された技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，あるいは，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
よって，結論のとおり審決する。