(57)【要約】  基材（Ａ）、炭素元素を主成分とするカーボン層（Ｂ）、銅元素を主成分とする金属層（Ｃ）を、この順に積層してなる積層体。例えば、基材（Ａ）は金属板からなり、カーボン層（Ｂ）は厚み０．００５〜１０μｍのアモルファスカーボン層からなる。電子機器などに用いられる電極金属の形成に際して好適に用いることができる積層体に関し、電極となる金属層を転写法で回路用基板に容易に形成可能とする積層体を、経済的にも優れたコストで提供する。
2014038424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、炭素原子を主成分とするカーボン層および、銅原子を主成分とする金属層を、この順に有することを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記基材が金属板である、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記カーボン層がアモルファスカーボン層である、請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
前記カーボン層の１００原子％中にＮ原子を５原子％以下の割合で含む、請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
【請求項５】
前記カーボン層がスパッタリングにより得られる層であり、前記金属層がスパッタリング以外の気相積層法により得られる層である、請求項１〜４のいずれかに記載の積層体。
【請求項６】
前記カーボン層および前記金属層が、互いに接するように積層されている、請求項１〜５のいずれかに記載の積層体。
【請求項７】
前記カーボン層の厚みが０．００５〜１０μｍである、請求項１〜６のいずれかに記載の積層体。
【請求項８】
前記金属層の厚みが０．０５〜３０μｍである、請求項１〜７のいずれかに記載の積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器などに用いられる電極金属の形成に際して好適に用いることができる積層体に関し、電極となる金属層を転写法で回路用基板に容易に形成可能とする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器は、様々な多層プリント配線板が使用されており、電子機器の小型化、高機能化のために、電極形成も様々な製造方法が知られている。中でも、金属膜を絶縁板に積層したり、単に金属膜をエッチングするなどして回路パターンを形成して転写するなどの方法で、電気導体回路を形成する方法が知られており、この種の用途に用いる金属膜積層転写体としては様々なものが提案されている。【０００３】
ビルドアップ基板などの多層配線に用いる積層体としては、金属キャリア付き金属膜転写材（例えば特許文献１など）を用いる方法がある。これは、金属膜と絶縁板を積層する際に、高温と高圧の加工条件に耐えうるためキャリアが金属であることが必要だからである。【０００４】
一方で転写に高温の加工条件を用いないものにはアンテナ回路や電磁波シールド板などの用途（例えば特許文献２など）があり、この場合は基板に樹脂フィルムを用いるのが経済的である。【０００５】
金属膜を基板から絶縁板に転写する際には、金属膜が綺麗に剥離するために安定的な剥離界面を形成する必要があり様々な提案がなされている。離型剤を基板に固定し金属膜と離型剤の間を剥離界面とする方法が一般的で、離型剤を用いる処方としては、ポリビニルホルマール等の粘着剤とシリコーンとの混合物や、エポキシ樹脂とシリコーンとの混合物等のシリコーン系離型材を用いるもの（特許文献３）、フッ素系樹脂やポリオレフィン系樹脂を離型材として用いるもの（特許文献４）が知られている。また、金属キャリアの表面に酸化物を設ける方法（特許文献５）、異種金属を離型層に用いる方法（特許文献６）も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−６２９５５号公報
【特許文献２】特開２００６−４２２４０号公報
【特許文献３】特開平５−１８５８００号公報
【特許文献４】特開２００４−２３０７２９号公報
【特許文献５】特開２００３−１８１９７０号公報
【特許文献６】特開２００９−９０５７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで上記に示した特許文献３に記載の技術を用いる場合は、シリコーンが金属層に転写して、回路形成後の熱処理工程などで絶縁性の酸化物に変化し、導電性を阻害する欠点となる。特許文献４に記載の技術を用いる場合は、フッ素が金属層に転写して、金属層を腐食する原因となる。【０００８】
本発明はこのような課題を解決し、金属層をクリーンな状態で回路基材へ転写するための積層体を、経済的にも優れたコストで提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するための本発明は、以下の構成を有する。
（１）基材、炭素原子を主成分とするカーボン層および、銅原子を主成分とする金属層を、この順に有することを特徴とする積層体。
（２）前記基材が金属板である、（１）に記載の積層体。
（３）前記カーボン層がアモルファスカーボン層である、（１）または（２）に記載の積層体。
（４）前記カーボン層の１００原子％中にＮ原子を５原子％以下の割合で含む、（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体。
（５）前記カーボン層がスパッタリングにより得られる層であり、前記金属層がスパッタリング以外の気相積層法により得られる層である、（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体。
（６）前記カーボン層および前記金属層が、互いに接するように積層されている、（１）〜（５）のいずれかに記載の積層体。
（７）前記カーボン層の厚みが０．００５〜１０μｍである、（１）〜（６）のいずれかに記載の積層体。
（８）前記金属層の厚みが０．０５〜３０μｍである、（１）〜（７）のいずれかに記載の積層体。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の積層体を用いれば、回路基板用電極に用いる金属を、クリーンな状態で回路基板に転写によって形成でき、かつ経済的にも優れた積層体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の積層体の実施例１の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について説明する。尚、ここで示す実施の形態はあくまで
も一例であって、必ずしもこの実施の形態に限定されるものではない。
【００１３】
本発明の一実施態様に係る積層体は、基材（Ａ）、炭素原子を主成分とするカーボン層（Ｂ）、及び、銅原子を主成分とする金属層（Ｃ）を、この順に有する。
【００１４】
基材（Ａ）の素材としては、樹脂や金属を用いることができる。以下、樹脂素材からなる基材は樹脂フィルムといい、金属素材からなる基材は金属板という。基材（Ａ）の素材について、基材（Ａ）と金属層（Ｃ）との間に、炭素原子を主成分とするカーボン層（Ｂ）を設けることができる程度の強度を有していればよく、金属層（Ｃ）の転写方法や転写条件により、基材（Ａ）の素材を選択することが出来る。但し、後述する理由から、基材（Ａ）の素材は金属が好ましい。つまり、基材（Ａ）としては金属板が好ましい。
【００１５】
基材（Ａ）の厚みは、金属層（Ｃ）の転写方法に支障が無い限り特に限定するものではないが、取り扱い上やロールで供給することを考慮すれば、５〜５００μｍが適当である。基材（Ａ）の厚みが５μｍ未満の場合は、取り扱い中にしわが生じることがあり、５００μｍを越えるとロールに巻き取ることが困難になるので好ましくない場合がある。
【００１６】
炭素原子を主成分とするカーボン層（Ｂ）とは、炭素原子を該層全体１００原子％において、９５原子％以上１００原子％以下の割合で含む層を言う（つまり炭素原子を主成分とするとは、炭素原子を層全体１００原子％において９５原子％以上１００原子％以下の割合で含むことを意味する。）。
【００１７】
カーボン層（Ｂ）中の炭素原子は、有機カーボンであっても無機カーボンであっても特に限定されないが、無機カーボンであることが好ましい。カーボン層（Ｂ）中の炭素原子を無機カーボンとすることで、積層体の金属層（Ｃ）を、他の基材に対して転写する際に、金属層（Ｃ）を汚すことなく、きれいに剥離することができる。
【００１８】
カーボン層（Ｂ）の形成方法、特にカーボン層（Ｂ）として無機カーボン層を形成するためには、気相積層法で形成することができる。気相積層法としては、ＣＶＤ、イオンプレーティング、スパッタリングなどを挙げることができるが、好適な気相積層法はスパッタリングである。カーボン層（Ｃ）の形成方法としてスパッタリングを用いると、基板（Ａ）にカーボン層（Ｂ）を強く固定でき、またカーボン層（Ｂ）の組成を制御し易いため、より好ましい。
【００１９】
銅原子を主成分とする金属層（Ｃ）とは、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含む層を言う（つまり銅原子を主成分とするとは、銅原子を層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことを意味する。）。
【００２０】
金属層（Ｃ）の表面電気抵抗値に特に制限はないが、本実施態様の積層体中の金属層（Ｃ）を転写して得られた金属層を回路基板用途として用いるという観点から、金属層（Ｃ）の表面電気抵抗値は１ｋΩ／ｓｑ未満であることが好ましい。なお、下限は特にないが、現実的に達成可能な下限は０．００１Ω／ｓｑ程度と考えられる。
【００２１】
なお金属層（Ｃ）は、銅原子を主成分としさえすれば、純粋な銅ではなく、銅を用いた合金から構成されていてもよい。
【００２２】
基材（Ａ）は金属板であることが好ましい。金属素材である金属板を基材（Ａ）に用いれば、高温・高圧のプレスが可能にあるため、ビルドアップ基板などの高密度積層回路の製造工程に用いることが可能になる。基材（Ａ）に好適な金属板を構成する金属の種類は、金属層（Ｃ）の転写方法や転写条件を考慮して選択することができ、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、タングステンなどが挙げられる。
【００２３】
金属板を構成する金属として、銅、アルミニウムを用いる場合は、コスト的にも安価で経済的であるが、破断強度が低いため、特に金属板の厚みが５０μｍ未満の際には、金属層（Ｃ）を施す際の加工中や、金属層（Ｃ）を転写する工程で破れが生じることがあり、プレス圧力が高い場合には取り扱いが難しく、歩留まりが悪くなることがある。
【００２４】
金属板を構成する金属として、モリブデンやタングステンを用いる場合は、基材（Ａ）は高価になるが、その破断強度が高いことにより、金属層（Ｃ）の転写工程でより高いプレス圧力が可能になるほか、基材（Ａ）の破れなどによる歩留まり低下が少なくなり好ましい。また金属層（Ｃ）を転写した後の基材（Ａ）を回収して繰り返し使用できるので、経済的にも環境影響的にも好ましい。
【００２５】
カーボン層（Ｂ）は、アモルファスカーボン層であることが好ましい。つまり、カーボン層（Ｂ）中の炭素原子は、有機カーボンよりも無機カーボンであることが好ましいが、カーボン層（Ｂ）中の炭素原子は、無機カーボンの中でもアモルファスカーボンであることが好ましい。アモルファスカーボンとは、ダイヤモンドやグラファイトのように規則的な構造をとる炭素とは異なり、非晶質構造を有する炭素原子である。
【００２６】
カーボン層（Ｂ）中の炭素原子がどのような構造を採っているかは、ラマンスペクトルを測定することで確認できる。つまり、ダイヤモンド（sp3構造）では、1,333cm-1付近にシャープなラマンバンドが観測される。また完全な構造を有するグラファイト（sp2構造）は、1,580cm-1付近に唯一のラマンバンドを示すが、構造の乱れに伴って1,360cm-1付近に新しいラマンバンドが観測される。なお、sp2構造の非晶質性が大きくなったグラッシーカーボン（GC：無定形炭素）構造のことをアモルファスカーボンといい、1,360cm-1付近のラマンバンドの強度が著しく強くなり、1,590cm-1付近と合わせて二本のブロ−ドなラマンバンドが観測される。sp2構造の非晶質性が更に大きくなったアモルファスカ−ボンでは、1,590cm-1付近と1,360cm-1付近に、２本の非常にブロ−ドなラマンバンドが観測される。また、sp3構造とsp2構造から形成されているダイヤモンド状炭素（DLC）膜では、1,540cm-1付近に主ピ−ク（Gバンド）を持ち、1,390cm-1付近にショルダ−バンド（Dバンド）を有する非対称なラマンバンドが観測される。これらのラマンバンドは、いずれも、sp2カ−ボンによるラマンバンドであるが、これらのラマンバンドの相対強度は、カ−ボン膜のsp3性と密接な関係にあると考えられている。
【００２７】
つまり、カーボン層（Ｂ）についてラマンスペクトルを測定し、1,360cm-1付近及び1,590cm-1付近の２本のブロ−ドなラマンバンドが観測された場合に、本実施態様の積層体のカーボン層（Ｂ）がアモルファスカーボン層であると判断できる（カーボン層（Ｂ）中の炭素原子がアモルファスカーボンであると判断できる。）。
【００２８】
カーボン層（Ｂ）をアモルファスカーボン層とするためには、カーボンターゲットを用いたスパッタリングやイオンビーム蒸着法などにより形成することができるが、前述の通りスパッタリングにより形成することが好ましい。また、スパッタリングガスとしてＡｒの他に水素、メタン、一酸化炭素、二酸化炭素、窒素、酸素あるいはこれらのいずれかを用いた混合ガスを反応ガスとして同時に用いることにより、ターゲット表面でのスパッタ現象に化学的な気相エッチング効果が付与されることにより成膜速度を向上させることができるので好ましい。
【００２９】
カーボン層（Ｂ）は、該カーボン層（Ｂ）１００原子％中に、Ｎ（窒素）原子を５原子％以下含むことが好ましい。Ｎ原子をカーボン層に取り入れる方法としては、スパッタリングに用いるプラズマ生成の際の導入ガスに、窒素を含むガスを用いればよい。なお、窒素ガスのみを導入ガスとして用いても、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを導入ガスとして用いても、いずれにしてもカーボン層（Ｂ）中にＮ原子を取り込むことはできる。しかしプラズマを安定的に生成するという観点から、カーボン層（Ｂ）１００原子％中にＮ（窒素）原子を５原子％以下含む態様とするためには、カーボン層（Ｂ）を形成する際のスパッタリング工程において、放電電圧の低いアルゴンガスと窒素ガスとの混合ガスを用いることが好ましい。
【００３０】
このようにして形成されたカーボン層（Ｂ）中では、Ｎ原子は窒素化炭素として存在する。また真空排気の残留空気として、Ｎ原子がカーボン層（Ｂ）中に取り込まれることもある。カーボン層（Ｂ）１００原子％中のＮ原子が５原子％を超えると、窒素化炭素の割合が増すなどして、金属層（Ｃ）を剥離するときの剥離力が増して、剥離するときに金属層（Ｃ）がカーボン層（Ｂ）に残留してしまうことがある。
【００３１】
カーボン層（Ｂ）１００原子％中のＮ原子の量について、下限は特にないが、カーボン層（Ｂ）１００原子％中にＮ原子が０．１原子％以上であることが好ましい。つまり、カーボン層（Ｂ）中のＮ原子が０．１原子％〜５原子％であれば、カーボン層（Ｂ）中にアモルファスカーボン構造が安定的に作られていると考えられ、金属層（Ｃ）を剥離するときに金属層（Ｃ）がカーボン層（Ｂ）に残留することがなくなるので好ましい。剥離性の観点からより好ましくは１原子％〜４原子％であり、さらに好ましくは３原子％〜４原子％である。
【００３２】
本実施態様の積層体は、カーボン層（Ｂ）が、スパッタリングにより得られる層であり、前記金属層（Ｃ）が、スパッタリング以外の気相積層法により得られる層であることが好ましい。スパッタリングによりカーボン層（Ｂ）を形成することで、カーボン層（Ｂ）を基材（Ａ）に強固に密着させることができ、その結果、転写工程でカーボン層（Ｂ）の一部が金属層（Ｃ）側に付着することを防止できる。また、カーボン層（Ｂ）の上に形成する金属層（Ｃ）は、転写工程でカーボン層（Ｂ）に残らずに被着体である絶縁基板などに転写されなくてはならないので、カーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）が強固に密着すると転写工程で剥離力が強くなり好ましくない。したがって、カーボン層（Ｂ）を基材（Ａ）に強固に密着させ、同時にカーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）を相対的に弱く密着させるために、金属層（Ｃ）はスパッタリング以外の気相積層法を用いて形成することが好ましい。スパッタリング以外の気相積層法としては、真空蒸着法（誘導加熱式、電子ビーム加熱式）、パルスレーザー蒸着法、化学気相成長法（ＣＶＤ）法、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）法等の方法を挙げることができる。また、基材（Ａ）としてシート状でかつ長尺の樹脂フィルムなどを用いれば、金属層（Ｃ）はロール・ツー・ロール方式の真空蒸着法を用いて形成することもできる。この場合、カーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）の各成膜雰囲気圧力が同等または金属層（Ｃ）の成膜雰囲気圧力を低くすると、連通した減圧空間で連続成膜が可能となるので生産性の観点からも好ましい。連通した減圧空間でカーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）を連続成膜することにより、金属層（Ｃ）の擦過や酸化などの変質を抑制できるという効果もあるため好ましい。金属層（Ｃ）の形成方法として真空蒸着法を選択すると、カーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）の剥離強度が小さくなり、かつカーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）が転写工程で合い混じることがなく綺麗に剥離できる。
【００３３】
本実施態様においては、カーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）とが互いに接するように積層されていることが好ましい。つまり、本実施態様の積層体においては、カーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）との間に、他の層が介在しないことが好ましい。本発明は炭素と銅の密着力が低い事に着目してなされた発明であるため、カーボン層（Ｂ）と金属層（Ｃ）が直接接している面積が大きいほど剥離力が小さくなるので好ましい。
【００３４】
カーボン層（Ｂ）の厚みは、０．００５〜１０μｍであることが好ましい。カーボン層（Ｂ）の厚みが０．００５μｍ未満では、基材（Ａ）の表面にカーボン層（Ｂ）を均一に形成することが困難で、部分的に基材（Ａ）が露出することがある。そのように基材（Ａ）が露出している部分に形成した金属層（Ｃ）は、剥離することが困難となることがある。またカーボン層（Ｂ）の厚みは、基材（Ａ）が金属層（Ｃ）と直接接触していなければよく、経済的には１０μｍ以下であれば充分である。
【００３５】
金属層（Ｃ）の厚みは、０．０５〜３０μｍであることが好ましい。金属層（Ｃ）の厚みが０．０５μｍ未満の場合は、回路基板等に転写するときに破れや皺などを生じ易くて扱い難くなることがある。金属層（Ｃ）の厚みが３０μｍを超える場合は、市販されている金属箔を用いる方が経済的となることがある。
【００３６】
本実施態様の積層体中の金属層（Ｃ）は、基材（Ａ）として樹脂フィルムを用いた場合などは、パターン形状とすることも好適である。本実施態様の積層体は複雑なパターンを基材（Ａ）に形成して転写する電極や回路の形成に好適である。そのため、金属層（Ｃ）を予めパターン形状とすることで、最終的に電極や回路へ好適に用いることができる。ここでパターン形状は特に限定されないが、好ましくはメッシュ状やストライプ状を挙げることができる。金属層（Ｃ）をパターン形状とするための方法は、フォトレジスト−エッチング法などを用いることができる。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。尚、本実施例で作製された各サンプルの評価方法を以下に示す。【００３８】
（１）カーボン層、金属層の厚み測定
ミクロトームにて、作製したサンプルの断面を切り出し、その断面を電界放射型走査電
子顕微鏡（株式会社日本電子製ＪＳＭ−６７００Ｆ、加速電圧１０ｋＶ、観察倍率２０，０００倍）にて観察し、カーボン層、金属層のそれぞれの厚みを測定した。２０ｃｍ×２０ｃｍサイズのサンプル１枚から任意の５箇所について測定し、平均値をもって各層の厚みとした。【００３９】
（２）カーボン層中のＣ（炭素）、Ｎ（窒素）原子含有量（原子％）、銅原子を主成分とする金属層の組成の確認
株式会社島津製作所製ＥＳＣＡ−１０００を用いて、５０ｍｍ×５０ｍｍサイズの試料を、３ｍｍ×３ｍｍにカットし、測定した。カーボン層中のＣ（炭素）、Ｎ（窒素）原子含有量（原子％）は、金属層を形成する前の、基材及びカーボン層を有する積層体を用いて、カーボン層の側から測定した。一方で、銅原子を主成分とする金属層の組成は、基材、カーボン層、及び金属層を有する積層体を用いて、金属層の側から測定した。【００４０】
測定条件は以下のとおりである。【００４１】
光源：Ｍｇ／Ａｌ
加速電圧：１０ｋＶ
加速電流：１０ｍＡ
分解能：３１．５ｅＶ【００４２】
（３）カーボン層中の炭素原子の構造の解析（ラマン分光分析）
Ｐｈｏｔｏ  Ｄｅｓｉｇｎ製ＰＤＰ３２０を用いて、５０ｍｍ×５０ｍｍサイズの試料を、３ｍｍ×３ｍｍにカットし、カーボン層側から測定した。【００４３】
測定条件は以下の条件として、得られたラマンスペクトルより差スペクトルを用いて解析を行った。【００４４】
測定モード：顕微ラマン
対物レンズ：×９０
ビーム径：１μｍ
クロススリット：１００μｍ
光源：Ａｒ＋レーザー
レーザーパワー：６ｍＷ
回折格子：６００ｇｒ／ｍｍ
スリット：１００μｍ
検出器：ＯＣＤ／Ｒｏｐｅｒ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ【００４５】
（４）剥離力の測定（離型性の評価）
５０ｍｍ角サイズの試料を、金属層が表面にでて、基材がガラス板側になるように、日東電工株式会社製両面テープＮｏ．５００を用いて、厚さ５ｍｍで１００ｍｍ×１００ｍｍのガラス板に貼り付けた。貼り付けた試料の金属層の表面に、ニチバン株式会社製セロテープ（登録商標）Ｎｏ．４０５（幅１８ｍｍ）を貼り付け、セロテープの幅に沿って金属層に切込みを入れ、軽く引き剥がし、一端をバネばかりで引き上げて、剥離するときの力（剥離力）を測定した。【００４６】
離型性の評価は、剥離力が２０ｇ以下のときを○（合格）判定、２０ｇを超える場合や金属層が試料表面から剥がれない部分がある場合を×（不合格）判定とした。【００４７】
（実施例１）
基材（Ａ）として東芝マテリアル株式会社製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００４８】
基材（Ａ）（モリブデンシート）の一方の面側に、バッチ式スパッタ装置にて、カーボン層（Ｂ）をスパッタで形成した。その際の条件は、到達真空度を０．０３Ｐａとして、導入ガスは窒素１００原子％ガスを装置内の圧力が０．５Ｐａになるよう流量を調整して導入した。カーボンターゲット（56mm×106mm×5mm)にＤＣ電源を接続し、８８Ｗで２分間スパッタした。２枚作成し、そのうち１枚を用いて評価用試料とした。【００４９】
残り１枚について、カーボン層（Ｂ）の上に金属層（Ｃ）として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００５０】
評価用試料を用いて、カーボン層（Ｂ）中の原子濃度を測定したところ、Ｎは５原子％で、Ｃは９５原子％であった。カーボン層（Ｂ）をラマン分光分析にて分析したところ、1,590cm-1付近と1,360cm-1付近の２本のブロ−ドなラマンバンドが観測されたので、アモルファスカーボン層が形成されたと判断した。【００５１】
銅蒸着まで行った試料を用いて、各層の膜厚を測定したところ、カーボン層（Ｂ）の厚みは０．０２μｍであった。金属層（Ｃ）の厚みは２μｍであった。剥離力を測定したところ、７ｇで銅蒸着膜を綺麗に剥離することが出来たので、剥離性は○と判定した。また金属層（Ｃ）は、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことが確認できた。【００５２】
（実施例２）
実施例１と同様に、基材（Ａ）として東芝マテリアル株式会社製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００５３】
基材（Ａ）（モリブデンシート）の一方の面側に、バッチ式スパッタ装置にて、カーボン層（Ｂ）をスパッタで形成した。その際の条件は、到達真空度を０．０３Ｐａとして、導入ガスはアルゴン５０原子％と窒素５０原子％の混合ガスを用い、装置内の圧力が０．５Ｐａになるよう流量を調整して導入した。混合ガスを用いるとスパッタの安定性を調整することが可能になるので、放電し易いアルゴンガスを混入した。カーボンターゲット（56mm×106mm×5mm)にＤＣ電源を接続し、８０Ｗで２分間スパッタした。２枚作成し、そのうち１枚を用いて評価用試料とした。【００５４】
残り１枚について、カーボン層（Ｂ）の上に金属層（Ｃ）として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００５５】
評価用試料を用いて、カーボン層（Ｂ）中の原子濃度を測定したところ、Ｎは３原子％で、Ｃは９７原子％であった。カーボン層（Ｂ）をラマン分光分析にて分析したところ、1,590cm-1付近と1,360cm-1付近の２本のブロ−ドなラマンバンドが観測されたので、アモルファスカーボン層が形成されたと判断した。【００５６】
銅蒸着まで行った試料を用いて、各層の膜厚を測定したところ、カーボン層（Ｂ）の厚みは０．０１μｍであった。金属層（Ｃ）の厚みは２μｍであった。剥離力を測定したところ、５ｇで銅蒸着膜を綺麗に剥離することが出来たので、剥離性は○と判定した。また金属層（Ｃ）は、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことが確認できた。【００５７】
（実施例３）
実施例１と同様に、基材（Ａ）として東芝マテリアル株式会社製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００５８】
基材（Ａ）の一方の面側に、バッチ式スパッタ装置にて、カーボン層（Ｂ）をスパッタで形成した。その際の条件は、到達真空度を０．０３Ｐａとして、導入ガスはアルゴン５０原子％と窒素５０原子％の混合ガスを用い、装置内の圧力が０．５Ｐａになるよう流量を調整して導入した。カーボンターゲット（56mm×106mm×5mm)にＤＣ電源を接続し、８０Ｗで４分間スパッタした。２枚作成し、そのうち１枚を用いて評価用試料とした。【００５９】
残り１枚について、カーボン層（Ｂ）の上に金属層（Ｃ）として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００６０】
評価用試料を用いて、カーボン層（Ｂ）中の原子濃度を測定したところ、Ｎは３原子％で、Ｃは９７原子％であった。カーボン層（Ｂ）をラマン分光分析にて分析したところ、1,590cm-1付近と1,360cm-1付近の２本のブロ−ドなラマンバンドが観測されたので、アモルファスカーボン層が形成されたと判断した。【００６１】
銅蒸着まで行った試料を用いて、各層の膜厚を測定したところ、カーボン層（Ｂ）の厚みは０．０２μｍであった。金属層（Ｃ）の厚みは２μｍであった。剥離力を測定したところ、２ｇで銅蒸着膜を綺麗に剥離することが出来たので、剥離性は○と判定した。また金属層（Ｃ）は、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことが確認できた。【００６２】
（実施例４）
実施例１と同様に、基材（Ａ）として東芝マテリアル株式会社製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００６３】
基材（Ａ）の一方の面側に、バッチ式スパッタ装置にて、カーボン層（Ｂ）をスパッタで形成した。その際の条件は、到達真空度を０．０３Ｐａとして、導入ガスはアルゴン１００原子％のガスを用い、装置内の圧力が０．５Ｐａになるよう流量を調整して導入した。カーボンターゲット（56mm×106mm×5mm)にＤＣ電源を接続し、８０Ｗで２分間スパッタした。２枚作成し、そのうち１枚を用いて評価用試料とした。【００６４】
残り１枚について、カーボン層（Ｂ）の上に金属層（Ｃ）として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００６５】
評価用試料を用いて、カーボン層（Ｂ）中の原子濃度を測定したところ、Ｎは含まれず、Ｃは９９原子％であった。カーボン層（Ｂ）をラマン分光分析にて分析したところ、1,590cm-1付近と1,360cm-1付近の２本のブロ−ドなラマンバンドが観測されたので、アモルファスカーボン層が形成されたと判断した。【００６６】
銅蒸着まで行った試料を用いて、各層の膜厚を測定したところ、カーボン層（Ｂ）の厚みは０．０２μｍであった。金属層（Ｃ）の厚みは２μｍであった。剥離力を測定したところ、７ｇで銅蒸着膜を綺麗に剥離することが出来たので、剥離性は○と判定した。また金属層（Ｃ）は、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことが確認できた。【００６７】
（実施例５）
実施例１と同様に、基材（Ａ）として東芝マテリアル株式会社製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００６８】
基材（Ａ）の一方の面側に、株式会社オーデック製グラファイト塗料（商標ブラックルブ）を２秒間スプレーし４５０℃のマッフル炉で１０秒焼成し、カーボン膜（Ｂ）を形成した。２枚作成し、そのうち１枚を用いて評価用試料とした。【００６９】
残り１枚について、カーボン層（Ｂ）の上に金属層（Ｃ）として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００７０】
評価用試料を用いて、カーボン層（Ｂ）中の原子濃度を測定したところ、Ｎは含まれず、Ｃは９９原子％であった。カーボン層（Ｂ）をラマン分光分析にて分析したところ、1,590cm-1付近のみにラマンバンドが観測されたので、グラファイト状カーボンが形成されたと判断した。【００７１】
銅蒸着まで行った試料を用いて、各層の膜厚を測定したところ、カーボン層（Ｂ）の厚みは０．２μｍであった。金属層（Ｃ）の厚みは２μｍであった。剥離力を測定したところ、１０ｇで銅蒸着膜を綺麗に剥離することが出来たので、剥離性は○と判定した。また金属層（Ｃ）は、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことが確認できた。【００７２】
（実施例６）
実施例１と同様に、基材（Ａ）として東芝マテリアル株式会社製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００７３】
基材（Ａ）（モリブデンシート）の一方の面側に、バッチ式スパッタ装置にて、カーボン層（Ｂ）をスパッタで形成した。その際の条件は、到達真空度を０．０３Ｐａとして、導入ガスはアルゴン４０原子％と窒素６０原子％の混合ガスを用い、装置内の圧力が０．５Ｐａになるよう流量を調整して導入した。混合ガスを用いるとスパッタの安定性を調整することが可能になるので、放電し易いアルゴンガスを混入した。カーボンターゲット（56mm×106mm×5mm)にＤＣ電源を接続し、８８Ｗで２分間スパッタした。２枚作成し、そのうち１枚を用いて評価用試料とした。【００７４】
残り１枚について、カーボン層（Ｂ）の上に金属層（Ｃ）として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００７５】
評価用試料を用いて、カーボン層（Ｂ）中の原子濃度を測定したところ、Ｎは０．１原子％で、Ｃは９９．９原子％であった。カーボン層（Ｂ）をラマン分光分析にて分析したところ、1,590cm-1付近と1,360cm-1付近の２本のブロ−ドなラマンバンドが観測されたので、アモルファスカーボン層が形成されたと判断した。【００７６】
銅蒸着まで行った試料を用いて、各層の膜厚を測定したところ、カーボン層（Ｂ）の厚みは０．０１μｍであった。金属層（Ｃ）の厚みは２μｍであった。剥離力を測定したところ、３ｇで銅蒸着膜を綺麗に剥離することが出来たので、剥離性は○と判定した。また金属層（Ｃ）は、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことが確認できた。【００７７】
（実施例７）
実施例１と同様に、基材（Ａ）として東芝マテリアル株式会社製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００７８】
基材（Ａ）（モリブデンシート）の一方の面側に、バッチ式スパッタ装置にて、カーボン層（Ｂ）をスパッタで形成した。その際の条件は、到達真空度を０．０３Ｐａとして、導入ガスはアルゴン９０原子％と窒素１０原子％の混合ガスを用い、装置内の圧力が０．５Ｐａになるよう流量を調整して導入した。混合ガスを用いるとスパッタの安定性を調整することが可能になるので、放電し易いアルゴンガスを混入した。カーボンターゲット（56mm×106mm×5mm)にＤＣ電源を接続し、８８Ｗで２分間スパッタした。２枚作成し、そのうち１枚を用いて評価用試料とした。【００７９】
残り１枚について、カーボン層（Ｂ）の上に金属層（Ｃ）として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００８０】
評価用試料を用いて、カーボン層（Ｂ）中の原子濃度を測定したところ、Ｎは０．１原子％で、Ｃは９９．９原子％であった。カーボン層（Ｂ）をラマン分光分析にて分析したところ、1,590cm-1付近と1,360cm-1付近の２本のブロ−ドなラマンバンドが観測されたので、アモルファスカーボン層が形成されたと判断した。【００８１】
銅蒸着まで行った試料を用いて、各層の膜厚を測定したところ、カーボン層（Ｂ）の厚みは０．０１μｍであった。金属層（Ｃ）の厚みは２μｍであった。剥離力を測定したところ、６ｇで銅蒸着膜を綺麗に剥離することが出来たので、剥離性は○と判定した。また金属層（Ｃ）は、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことが確認できた。【００８２】
（実施例８）
実施例１と同様に、基材（Ａ）として東芝マテリアル株式会社製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００８３】
基材（Ａ）（モリブデンシート）の一方の面側に、バッチ式スパッタ装置にて、カーボン層（Ｂ）をスパッタで形成した。その際の条件は、到達真空度を０．０３Ｐａとして、導入ガスはアルゴン１５原子％と窒素８５原子％の混合ガスを用い、装置内の圧力が０．５Ｐａになるよう流量を調整して導入した。混合ガスを用いるとスパッタの安定性を調整することが可能になるので、放電し易いアルゴンガスを混入した。カーボンターゲット（56mm×106mm×5mm)にＤＣ電源を接続し、９０Ｗで２分間スパッタした。２枚作成し、そのうち１枚を用いて評価用試料とした。【００８４】
残り１枚について、カーボン層（Ｂ）の上に金属層（Ｃ）として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００８５】
評価用試料を用いて、カーボン層（Ｂ）中の原子濃度を測定したところ、Ｎは７原子％で、Ｃは９９．９原子％であった。カーボン層（Ｂ）をラマン分光分析にて分析したところ、1,590cm-1付近と1,360cm-1付近の２本のブロ−ドなラマンバンドが観測されたので、アモルファスカーボン層が形成されたと判断した。【００８６】
銅蒸着まで行った試料を用いて、各層の膜厚を測定したところ、カーボン層（Ｂ）の厚みは０．０１μｍであった。金属層（Ｃ）の厚みは２μｍであった。剥離力を測定したところ、１２ｇであった。剥離性は○と判定したが、実施例１〜６に比べて剥離し難くなっていた。また金属層（Ｃ）は、銅原子を該層全体１００原子％において５０原子％以上１００原子％以下の割合で含むことが確認できた。【００８７】
（比較例１）
基材（Ａ）として東芝マテリアル製モリブデンシート（厚み：１００μｍ）を用いた。これを１００ｍｍ×１００ｍｍ角に切り出して使用した。【００８８】
基材（Ａ）（モリブデンシート）の一方の面側に、金属層として、バッチ式蒸着装置で銅を蒸着した。その際の条件は、到達真空度を０．０２Ｐａとして、厚み０．３ｍｍのタングステンボートに銅を５ｇのせ、電流２００Ａにて３分間蒸着した。【００８９】
未使用のモリブデンシートを用いて、ラマン分光分析にて分析したところ、モリブデン由来のラマンバンドのみが観測されたので、アモルファスカーボンは無いと判断した。【００９０】
作製した試料を用いて、ＴＥＭにて銅の膜厚を測定したら、２μｍであった。剥離力を測定したところ、１００ｇで引っ張ったが銅が斑に剥離し、電極として使用するには困難な状態であり、剥離性は×と判定した（つまり、剥離力が２０ｇを超える場合であり、かつ金属層が試料表面から剥がれない部分がある場合に該当したので、剥離性を×と判定した。）。【００９１】
【表１】
2014038424.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、金属を転写して電極や回路を形成するための金属離型材に好適であり、電極や回路のパターンを金属層に形成して転写する加工方法に用いると更に好ましい。但し、その応用範囲がこれらに限られるものではない。
【符号の説明】
【００９３】
１  カーボン層（Ｂ）
２  金属層（Ｃ）
３  基材（Ａ）
【図１】
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【国際調査報告】
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