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【手続補正書】
【提出日】平成27年7月30日(2015.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
前記ハウジングに対して回転可能に設けられる、面板ギアを有する面板及び外周側ギアと内周側ギアを有するリングギアと、
前記面板に回転可能に軸支され、前記リングギアからトルクが伝達される動力伝達入力ギアと該動力伝達入力ギアからのトルクを伝達するための動力伝達出力ギアを具える動力伝達軸と、
前記動力伝達出力ギアからのトルクが直線運動に変換されて進退動する工具を保持する、前記面板に取付けられる工具ホルダと、
前記ハウジングに取付けられ、第一駆動装置及び第二駆動装置と連結される、前記面板ギア及びリングギアにトルクを伝達する差動装置を有し、
前記差動装置は、
前記第一駆動装置からトルクが伝達される第一ギアと
前記第一ギアと同軸線上に設けられる第二ギアと、
前記第二駆動装置からのトルクが伝達されるプラネタリキャリアに具えられる、前記第一ギア及び第二ギアと噛合い、前記第一ギア及び第二ギアの軸を中心に公転するプラネタリギアとを具え、
前記第一ギア又は第二ギアからのトルクがそれぞれ前記面板ギア又はリングギアを回転させることを特徴とする、
加工装置。
【請求項２】
前記プラネタリキャリアが固定、前記第一ギアが回転の場合、前記面板ギアとリングギアが等速で回転するように各ギア比が構成されている、請求項１の加工装置。
【請求項３】
前記プラネタリギアが前記第一ギア及び第二ギアとそれらの軸方向がそれぞれ直交するように噛合っている、請求項１又は２の加工装置。
【請求項４】
前記プラネタリギアが前記第一ギア及び第二ギアとそれらの軸方向がそれぞれ平行になるように噛合っている、請求項１又は２の加工装置。
【請求項５】
第一駆動装置からトルクが伝達される第一ギアと
前記第一ギアと同軸線上に設けられる第二ギアと、
第二駆動装置からのトルクが伝達されるプラネタリキャリアに具えられ、前記第一ギア及び第二ギアと噛合い、前記第一ギア及び第二ギアの軸を中心に公転するプラネタリギアとを具え、
前記第一ギア又は第二ギアからのトルクがそれぞれ出力されることを特徴とする、
差動装置。
【請求項６】
前記プラネタリキャリアが固定、前記第一ギアが回転の場合、第一ギア又は第二ギアからのトルクが等速で回転するように各ギア比が構成されている、請求項５の差動装置。
【請求項７】
前記プラネタリギアが前記第一ギア及び第二ギアとそれらの軸方向がそれぞれ直交するように噛合っている、請求項５又は６の差動装置。
【請求項８】
前記プラネタリギアが前記第一ギア及び第二ギアとそれらの軸方向がそれぞれ平行になるように噛合っている、請求項５又は６の差動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また前記濾布ベルトの送り速度は、０．５〜２ｍ／ｍｉｎであることが好ましい。実験によれば、この送り速度の範囲内であれば、上記二流体ノズルを使用することで、洗浄水量を削減することができた。
さらに前記二流体ノズルは、前記濾布ベルトの幅方向に向けて複数個設置され、各々の二流体ノズルから噴射される気液混合ミストが重ならないように該二流体ノズルの取り付け角度が調節されていることが好ましい。その理由は、一つの二流体ノズルから噴射される気液混合ミストと他の二流体ノズルから噴射される気液混合ミストが接触し、重なり合うと、気液混合ミストが重なった箇所でお互いの気液混合ミストの噴霧打力を打ち消し合い、その箇所での濾布ベルトの洗浄効果が得られにくいためである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の無端状の濾布ベルトをそれぞれ複数個のロールに走行可能に掛装し、前記両濾布ベルトの一部分同士を互いに対面平行して走行するように設置し、前記対面平行とした濾布ベルトの間に汚泥を挟圧して脱水するベルトプレス型脱水装置において、
脱水後の汚泥を剥離した後の濾布ベルトの洗浄位置に、気体と液体とを混合して噴霧打力を高めた気液混合ミストを噴射して濾布ベルトを洗浄する二流体ノズルを設置したことを特徴とするベルトプレス型脱水装置。
【請求項２】
請求項１に記載のベルトプレス型脱水装置であって、
前記二流体ノズルは、前記一対の濾布ベルトに対して、それぞれ１又は複数個ずつ設置されていることを特徴とするベルトプレス型脱水装置。
【請求項３】
請求項１に記載のベルトプレス型脱水装置であって、
前記一対の濾布ベルトを洗浄する際の二流体ノズルに供給する洗浄水全体の水量は、濾布ベルトの幅１ｍ当り１．５ｍ３／ｈ以上であることを特徴とするベルトプレス型脱水装置。
【請求項４】
請求項１に記載のベルトプレス型脱水装置であって、
前記二流体ノズルに供給される気体圧力は、０．１５ＭＰａ以上であることを特徴とするベルトプレス型脱水装置。
【請求項５】
請求項１に記載のベルトプレス型脱水装置であって、
前記濾布ベルトの送り速度は、０．５〜２ｍ／ｍｉｎであることを特徴とするベルトプレス型脱水装置。
【請求項６】
請求項１に記載のベルトプレス型脱水装置であって、
前記二流体ノズルは、前記濾布ベルトの幅方向に向けて複数個設置され、各々の二流体ノズルから噴射される気液混合ミストが重ならないように該二流体ノズルの取り付け角度が調節されていることを特徴とするベルトプレス型脱水装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月1日(2015.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に搭載された前照灯装置を制御する前照灯制御装置であって、
前記車両前方の明るさを計測する計測手段（５０，６０，Ｓ１３５，Ｓ１４５，Ｓ１５０）と、
前記車両前方に、カーブしている道路領域が存在するか否かを判定し、更には、前記カーブしている道路領域に沿ってガードレールが存在するか否かを判定するカーブ判定手段（６０，Ｓ１３０）と、
前記計測手段が計測した前記車両前方における特定領域の前記明るさの変化に基づき、前記車両前方に他車両が出現するか否かを予測する予測手段であって、前記カーブ判定手段によって前記カーブしている道路領域が存在すると判定され、且つ、前記ガードレールが存在すると判定された場合に、前記特定領域としての前記カーブしている道路領域に沿う前記ガードレールにおいて、前記計測手段が計測した前記明るさの変化に基づき、前記他車両が出現するか否かを予測する予測手段（６０，Ｓ１６０，Ｓ１７０，Ｓ１８０）と、
前記予測手段によって前記他車両が出現すると予測された場合には、前記他車両が出現するエリアを暗くするように前記前照灯装置からの光の照射を制御する制御手段（６０，Ｓ１８５，Ｓ１９０，Ｓ１９５）と、
を備えることを特徴とする前照灯制御装置。
【請求項２】
前記予測手段は、前記カーブ判定手段によって前記カーブしている道路領域が存在すると判定され、且つ、前記ガードレールが存在しないと判定された場合には、前記特定領域としての前記カーブしている道路領域の路面において、前記計測手段が計測した前記明るさの変化に基づき、前記他車両が出現するか否かを予測すること
を特徴とする請求項１記載の前照灯制御装置。
【請求項３】
前記予測手段は、前記カーブ判定手段によって前記カーブしている道路領域が存在しないと判定された場合には、前記特定領域としての前記車両前方の路面において、前記計測手段が計測した前記明るさの変化に基づき、前記他車両が出現するか否かを予測すること
を特徴とする請求項１又は請求項２記載の前照灯制御装置。
【請求項４】
前記予測手段は、前記計測手段が計測した前記特定領域における前記明るさの変化量が閾値を超えたことを条件に、前記他車両が出現すると予測すること
を特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項記載の前照灯制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月16日(2015.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、容器本体の開口部を蓋体で閉塞した状態において、容易に且つしっかりと把持できる容器を提供することを課題とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月26日(2014.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生する発光部と、
前記発光部から発生した前記光を受光する第１側面及び前記第１側面に隣接した第２側面を含む導光板と、
前記導光板の前記第２側面に固定されるブラケットと、
底部及び前記底部から延長した側壁部を含んで前記発光部及び前記導光板を収納し、前記側壁部に前記ブラケットが締結される締結部を含む収納容器と、を含むことを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記ブラケットは、
前記導光板に固定されたプレートと、
前記プレートから突出して前記締結部に締結されるフック部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記フック部は、前記プレートから傾いて突出した三角柱形状を有することを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記締結部は、前記収納容器の側壁部に形成された、前記フック部が挿入される締結ホールであることを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記締結部は、前記収納容器の側壁部に形成された、前記フック部が挿入される締結溝であることを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記導光板の第２側面及び前記ブラケットの間に介在して前記ブラケットを前記導光板に固定する接着部材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記接着部材は、
前記導光板に接着される第１接着層と、
前記ブラケットに接着される第２接着層と、
前記第１接着層及び前記第２接着層の間に形成された光反射層と、を含み、
前記光反射層は銀（Ａｇ）物質を含むことを特徴とする請求項６に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
前記導光板は前記第１側面が前記第２側面より長く、平面図上で長方形状を有し、前記発光部は前記第１側面と向き合って配置されることを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項９】
前記導光板の前記第１側面及び前記第２側面が接するコーナー部を覆い、前記収納容器に締結されるダミーブラケットをさらに含み、
前記ダミーブラケットは、
前記第１側面の一部を覆う第１固定板と、
前記第１固定板から延長して前記第２側面の一部を覆う第２固定板と、
前記収納容器の側壁が伸張した方向と垂直した方向に前記第１固定板から延長して前記収納容器の側壁に固定されるダミーブラケット固定板と、を含み、
前記収納容器の側壁は前記のダミーブラケット固定板を固定するダミーブラケット固定溝を含むことを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１０】
前記導光板及び前記収納容器の側壁に接触して配置され、前記導光板及び前記発光部の接触を防止する接触防止部をさらに含み、
前記接触防止部は前記発光部の両側の側部に隣接するように形成されることを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バックライトアセンブリ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、バックライトアセンブリに係り、より詳細には表示装置用バックライトアセンブリに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は導光板の表面の平坦性を維持しながら導光板の揺動（ガタつき）を防止できるバックライトアセンブリを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月21日(2015.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子群が第１の配線群を用いて直列接続されたユニットを複数有する回路を有し、
複数の前記ユニットは並列接続されており、
一の前記ユニットの有する一の前記第１の配線と、他の前記ユニットの有する一の前記第１の配線と、を電気的に接続する第２の配線が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子群が第１の配線群を用いて行方向に沿って直列接続されたユニットを複数有する回路を有し、
複数の前記ユニットは列方向に沿って並列接続されており、
一の前記ユニットの有する一の前記第１の配線と、他の全ての前記ユニットがそれぞれ有する一の前記第１の配線と、を各列毎に電気的に接続する第２の配線群が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
発光素子群が第１の配線群を用いて直列接続されたユニットを複数有する回路を有し、
複数の前記ユニットは並列接続されており、
一の前記ユニットの有する一の前記第１の配線と、他の前記ユニットの有する一の前記第１の配線と、を電気的に接続する第２の配線及び第３の配線が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
発光素子群が第１の配線群を用いて行方向に沿って直列接続されたユニットを複数有する回路を有し、
複数の前記ユニットは列方向に沿って並列接続されており、
一の前記ユニットの有する一の前記第１の配線と、他の前記ユニットの有する一の前記第１の配線と、を各列毎に電気的に接続する第２の配線群及び第３の配線群が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記発光素子は、下部電極と、前記下部電極上に設けられた発光体層と、前記発光体層上に設けられた上部電極と、を有し、
前記第２の配線は、前記下部電極と同じ層で形成されており、
前記第３の配線は、前記上部電極と同じ層で形成されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月6日(2015.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第ＩＩＩ−Ｖ族薄膜を形成する方法であって、
第１反応空間内の基板を準単分子層適用範囲にて第ＩＩＩ族先駆体と接触させて第ＩＩＩ族金属薄膜を形成することと、
第２反応空間内の前記基板を第Ｖ族先駆体と接触させて第ＩＩＩ−Ｖ族薄膜を形成することと、
前記第２反応空間内の前記基板を前記第Ｖ族先駆体と接触させるに先立ち、前記第ＩＩＩ族金属薄膜を第３反応空間内の水素含有種と接触させることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記第１反応空間が前記第２反応空間から流体的に分離されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板を前記第ＩＩＩ族先駆体と接触させることにより、前記基板上に前記第ＩＩＩ族金属の非自己限定層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第Ｖ族先駆体が窒素含有種を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記窒素含有種が窒素の活性中性種を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記窒素の活性中性種が、分子状窒素（Ａ３Σｕ＋）の最低励起状態を有する窒素種であることを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記窒素含有種がＮ２とＨ２との混合物を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記第Ｖ族先駆体が第Ｖ族含有分子のプラズマ活性化種を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２反応空間の前記基板を前記第Ｖ族先駆体と接触させることが第Ｖ族先駆体および水素含有種を提供することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第ＩＩＩ族先駆体がガリウム含有種を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第ＩＩＩ族先駆体がホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）から選択される１つ以上の種を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第ＩＩＩ族先駆体が金属有機種を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１反応空間内の前記基板を前記第ＩＩＩ族先駆体と接触させることにより約１単層（ＭＬ）に及ぶ厚さを有する第ＩＩＩ族半導体層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２反応空間内の前記基板を前記第Ｖ族先駆体と接触させることにより約１単層（ＭＬ）未満の厚さを有する第ＩＩＩ−Ｖ族薄膜を形成する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第ＩＩＩ−Ｖ族薄膜が第ＩＩＩ族金属窒化物薄膜である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記第ＩＩＩ−Ｖ族膜を形成する間に前記基板を加熱することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記水素含有種が水素（Ｈ２）および水素の励起種から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第ＩＩＩ−Ｖ族薄膜を第３反応空間内の水素含有種と接触させることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記水素含有種が水素（Ｈ２）および水素の励起種から選択される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＩＩＩ−Ｖ族薄膜が、ＩｎｘＧａ（１−ｘ）Ｎを含み、「ｘ」は０より大きく、１未満の数である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、配線と、を有し、
前記トランジスタは、第１のゲートと、第２のゲートと、酸化物半導体を有する第３のゲートと、チャネル形成領域を有する半導体層と、を有し、
前記第３のゲートは、前記第１のゲート及び前記チャネル形成領域と重畳する第１の領域と、前記第１のゲートの端部を越えて延伸し、且つ前記第２のゲートと重畳する第２の領域と、を有し、
前記第３のゲートは、前記第２の領域において前記配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、を有し、
前記トランジスタは、第１のゲートと、第２のゲートと、酸化物半導体を有する第３のゲートと、チャネル形成領域を有する半導体層と、を有し、
前記第１のゲートは、前記第１の配線と電気的に接続され、
前記第２のゲートは、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３の配線と電気的に接続され、
前記第３のゲートは、前記第１のゲート及び前記チャネル形成領域と重畳する第１の領域と、前記第１のゲートの端部を越えて延伸し、且つ前記第２のゲートと重畳する第２の領域と、を有し、
前記第３のゲートは、前記第２の領域において、前記第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタと、制御線と、ビット線と、ワード線と、を有し、
前記トランジスタは、第１の制御ゲートと、第２の制御ゲートと、酸化物半導体を有する記憶ゲートと、チャネル形成領域を有する半導体層と、を有し、
前記第１の制御ゲートは、前記制御線と電気的に接続され、
前記第２の制御ゲートは、前記ワード線と電気的に接続され、
前記記憶ゲートは、前記ビット線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記ビット線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記ワード線と電気的に接続され、
前記記憶ゲートは、前記第１の制御ゲート及び前記チャネル形成領域と重畳する第１の領域と、前記第１の制御ゲートの端部を越えて延伸し、且つ前記第２の制御ゲートと重畳する第２の領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記第１の制御ゲートの一部と、前記第２の制御ゲートの一部とは、前記記憶ゲートの一部を間に挟んで重畳することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記半導体層は結晶性半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置を用いることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の酸化物半導体膜と、
前記基板上の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に配置され、前記ゲート電極と接する領域を有するサイドウォール絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と接する領域と、前記絶縁膜と接する領域とを有するソース電極と、
前記酸化物半導体膜と接する領域と、前記絶縁膜と接する領域とを有するドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜の側面は、前記絶縁膜と接しており、
前記酸化物半導体膜は、ドーパントを含む一対の領域と、前記一対の領域の間のチャネル形成領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上の酸化物半導体膜と、
前記基板上の絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜上に配置され、前記ゲート電極と接する領域を有するサイドウォール絶縁膜と、
前記酸化物半導体膜と接する領域と、前記絶縁膜と接する領域とを有するソース電極と、
前記酸化物半導体膜と接する領域と、前記絶縁膜と接する領域とを有するドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜の側面は、前記絶縁膜と接しており、
前記酸化物半導体膜は、ドーパントを含む一対の第１の領域と、前記一対の第１の領域の間に設けられ、前記ドーパントを含む一対の第２領域と、前記一対の第２の領域の間のチャネル形成領域と、を有し、
前記一対の第２の領域は、前記サイドウォール絶縁層と重なるように配置され、
前記一対の第２の領域のドーパント濃度は、前記一対の第１の領域のドーパント濃度と異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記一対の第２の領域のドーパント濃度は、前記一対の第１の領域のドーパント濃度よりも低い、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ソース電極は、前記サイドウォール絶縁膜と接する領域を有し、
前記ドレイン電極は、前記サイドウォール絶縁膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記ソース電極又は前記ドレイン電極は、第１の導電膜と第２の導電膜とを有し、
前記第１の導電膜は、前記サイドウォール絶縁膜と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の導電膜の膜厚は、前記第２の導電膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記絶縁膜は、加熱処理により酸素が脱離する絶縁材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、およびＺｎから選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月18日(2014.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層と接する領域を有し、単層構造を有するソース電極と、
前記半導体層と接する領域を有し、単層構造を有するドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に位置し、且つ、前記チャネル形成領域と接する領域を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記チャネル形成領域と重畳する領域を有するゲート電極と、を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル長は２μｍ未満であり、
前記ソース電極は、第１の膜厚を有する第１の領域と、前記第１の膜厚よりも大きい第２の膜厚を有する第２の領域とを有し、且つ、前記第１の領域は、前記第２の領域の外側に位置し、
前記ドレイン電極は、第３の膜厚を有する第３の領域と、前記第３の膜厚よりも大きい第４の膜厚を有する第４の領域とを有し、且つ、前記第３の領域は、前記第４の領域の外側に位置し、
前記第１の領域は、テーパ形状を有し、
前記第３の領域は、テーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域を有する半導体層と、
前記半導体層と接する領域を有し、単層構造を有するソース電極と、
前記半導体層と接する領域を有し、単層構造を有するドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に位置し、且つ、前記チャネル形成領域と接する領域を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記チャネル形成領域と重畳する領域を有するゲート電極と、を有し、
前記チャネル形成領域のチャネル長は２μｍ未満であり、
前記ソース電極は、第１の膜厚を有する第１の領域と、前記第１の膜厚よりも大きい第２の膜厚を有する第２の領域とを有し、且つ、前記第１の領域は、前記第２の領域の外側に位置し、
前記ドレイン電極は、第３の膜厚を有する第３の領域と、前記第３の膜厚よりも大きい第４の膜厚を有する第４の領域とを有し、且つ、前記第３の領域は、前記第４の領域の外側に位置し、
前記第１の領域は、テーパ形状を有し、
前記第３の領域は、テーパ形状を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記第１の領域において、前記ソース電極の上面及び側面と接する領域を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記第３の領域において、前記ドレイン電極の上面及び側面と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記半導体層は、前記第１の領域において、前記ソース電極と接する領域を有し、
前記半導体層は、前記第３の領域において、前記ドレイン電極と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の領域と、前記第３の領域と、は互いに同じ幅及び同じ膜厚を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記半導体層として、酸化物半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行って第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第２の酸化物半導体膜をエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上および前記第３の酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜の表面が露出するように前記第２の絶縁膜の表面を研磨して、少なくとも前記第３の酸化物半導体膜の側面に接する第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上および第３の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜をエッチングして、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜上、前記ソース電極上および前記ドレイン電極上に第４の絶縁膜を形成し、
前記第４の絶縁膜上に前記第３の酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート電極を形成した後、前記第３の酸化物半導体膜にドーパントを添加し、加熱して、前記ゲート電極と重畳する第１の酸化物半導体領域と、前記第１の酸化物半導体領域を挟む一対の第２の酸化物半導体領域と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と重畳する領域に設けられる一対の第３の酸化物半導体領域と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成した後、加熱処理を行って第２の酸化物半導体膜を形成し、
前記第２の酸化物半導体膜をエッチングして、第３の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上および前記第３の酸化物半導体膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜の表面が露出するように前記第２の絶縁膜の表面を研磨して第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜上および第３の酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記導電膜の一部をエッチングして、一対の導電膜を形成し、
前記レジストマスクを縮小させることで、少なくとも前記一対の導電膜の前記第３の酸化物半導体膜と重畳する領域を露出させつつ、第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記一対の導電膜の一部をエッチングして、第１の厚さである領域と、前記第１の厚さより薄い第２の厚さである領域とを有するソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜上、前記ソース電極上および前記ドレイン電極上に第４の絶縁膜を形成し、
前記第４の絶縁膜上に前記第３の酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成し、
前記第３の酸化物半導体膜にドーパントを添加し、加熱して、前記ゲート電極と重畳する第１の酸化物半導体領域と、前記第１の酸化物半導体領域を挟む一対の第２の酸化物半導体領域と、少なくとも前記第１の厚さである領域と重畳する一対の第３の酸化物半導体領域と、前記第２の厚さである領域のみと重畳する一対の第４の酸化物半導体領域と、を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体膜および前記第１の絶縁膜をエッチングして、前記第１の絶縁膜の前記第３の酸化物半導体膜と接する領域に凸部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜は、二以上の絶縁膜を積層して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
積層構造である前記第２の絶縁膜において、前記第３の酸化物半導体膜と接する絶縁膜の表面が露出するように前記第２の絶縁膜の一部を研磨した後、前記第３の酸化物半導体膜の表面が露出するように前記研磨された第２の絶縁膜を異方的にエッチングして、少なくとも前記第３の酸化物半導体膜の側面に接する前記第３の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２または３において、
前記一対の第２の酸化物半導体領域および前記一対の第４の酸化物半導体領域は、前記ドーパントを含む領域であり、
前記ドーパントは、窒素、リン、砒素、水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、およびキセノンから選択されるいずれか一以上の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜乃至前記第４の絶縁膜の少なくとも一つは、加熱により酸素の一部が脱離する酸化絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜乃至前記第４の絶縁膜の少なくとも一つは、化学量論比より過剰な酸素を含む酸化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記加熱処理は、前記第１の酸化物半導体膜から水素を脱離させると共に、前記第１の絶縁膜に含まれる酸素を前記第１の酸化物半導体膜に拡散させて、前記第２の酸化物半導体膜を形成する温度で加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記加熱処理は、１５０℃以上前記基板の歪み点未満であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体膜乃至前記第３の酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた一以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体膜乃至前記第３の酸化物半導体膜は、非単結晶であり、且つｃ軸配向の結晶領域を有する酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月26日(2015.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する光変調器と、を備え、該光変調器の変調周波数に応じて光パルスの発振波長が変化する光源装置であって、
前記光変調器が、前記光変調器を透過する光の透過率を調整可能であり、かつ、前記光変調器を透過する光の透過時間のデューティー比が５０％未満であることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記透過時間のデューティー比が２０％未満であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記透過時間のデューティー比が１０％未満であることを特徴とする請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記光導波路の屈折率の波長分散が１０ｐｓ／ｎｍ以上、または−１０ｐｓ／ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項５】
前記光導波路の屈折率の波長分散が１００ｐｓ／ｎｍ以上、または−１００ｐｓ／ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項６】
前記光変調器を透過する光の透過時間をΔｔ、前記光変調器の変調周波数をｆｍ０、前記光導波路の分散パラメータをＤ、前記光共振器の共振器長をＬ、前記光源の発振波長をλ、真空中における光の速度をｃとしたときに下記式、
【数１】
2012169607.tif 000001
を満たすことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の光源装置。
【請求項７】
前記光導波路が屈折率の波長分散を有する光ファイバを有することを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項８】
前記光ファイバの少なくとも一部がチャープドファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項７に記載の光源装置。
【請求項９】
前記光源装置が分散チューニング方式の光源であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の光源装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の光源装置を用いた光源部と、
前記光源部からの光を検体に照射し、検体からの反射光を伝達させる検体測定部と、
前記光源部からの光を参照ミラーに照射し、該参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部と、
前記検体測定部からの反射光と前記参照部からの反射光とを干渉させる干渉部と、
前記干渉部からの干渉光を検出する光検出部と、
前記光検出部で検出された光に基づいて、前記検体の断層像を得る画像処理部と、
を有することを特徴とする光干渉断層撮像装置。
【請求項１１】
光を増幅させる光利得媒体と屈折率の波長分散を有する光導波路とを含んで構成される光共振器と、該光共振器内における光の強度を変調する光変調器と、を備え、該光変調器の変調周波数に応じて光パルスの発振波長が変化する光源装置を用いた光発振方法であって、
前記光変調器が、前記光共振器を透過する光の透過率を調整可能であり、
前記光変調器を透過する光の透過時間のデューティー比を５０％未満とする工程を有することを特徴とする光発振方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明装置および取り付けボード
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、筐体と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記筐体の一方の側に、第１の取り付け端子と、第２の取り付け端子とを有し、
前記第１の取り付け端子と、前記第２の取り付け端子とは、間隔をあけて位置し、
前記第１の取り付け端子は、前記第１の電極と電気的に接続され、
前記第２の取り付け端子は、前記第２の電極と電気的に接続され、
前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方は、前記発光性の有機化合物が発する光を透過することが可能であり、
前記発光素子は、前記筐体の他方の側に位置する照明装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の取り付け端子および前記第２の取り付け端子の一方は、他方よりも長い照明装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の取り付け端子および前記第２の取り付け端子は、いずれも断面積の０．５倍以上６倍以下の表面積を有する照明装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の取り付け端子および前記第２の取り付け端子は、ピン状または板状の形状である照明装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
取り付けボードが有する第１の配線および第２の配線と電気的に接続可能である照明装置。
【請求項６】
発光素子と、筐体と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極と第２の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記筐体の一方の側に、取り付け端子を有し、
前記第１の電極および前記第２の電極の少なくとも一方は、前記発光性の有機化合物が発する光を透過することが可能であり、
前記発光素子は、前記筐体の他方の側に位置し、
前記取り付け端子は、第１の電極と電気的に接続可能である第１の接点を先端側に、第２の電極と電気的に接続可能である第２の接点を前記筐体側に有する照明装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記取り付け端子は、断面積の０．５倍以上６倍以下の表面積を有する照明装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記取り付け端子は、ピン状または板状の形状である照明装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の接点および前記第２の接点は、取り付けボードが有する第１の配線および第２の配線と電気的に接続可能である照明装置。
【請求項１０】
第１の部材と、第２の部材との間に、第１の配線および第２の配線と、を有し、
前記第１の配線および前記第２の配線は、極性が異なる取り付けボード。
【請求項１１】
第１の部材と、第２の部材との間に、第１の配線および第２の配線と、を有し、
前記第１の配線および前記第２の配線は、間隔をあけて位置し、
前記第１の配線および前記第２の配線は、極性が異なる取り付けボード。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記第１の配線および前記第２の配線は、照明装置が有する第１の取り付け端子および第２の取り付け端子と電気的に接続可能である取り付けボード。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１の配線の幅は、前記第１の取り付け端子の幅よりも広く、
前記第２の配線の幅は、前記第２の取り付け端子の幅よりも広く、
前記第１の部材は、前記第１の取り付け端子及び前記第２の取り付け端子のいずれの長さより薄い取り付けボード。
【請求項１４】
請求項１０において、
前記第１の配線および前記第２の配線は、照明装置が有する取り付け端子の第１の接点および第２の接点と、それぞれ電気的に接続可能である取り付けボード。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１の部材は、前記照明装置の筐体から前記第１の接点までの長さ、または前記筐体から前記第２の接点までの長さのいずれよりも薄く、
前記第１の部材と、前記第１の配線と、前記第２の部材とを重ねた厚さは、前記筐体から前記第２の接点までの長さよりも厚く、前記筐体から前記第１の接点までの長さより薄い取り付けボード。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第１の配線および前記第２の配線は、メッシュ状に編まれた繊維状の金属、または不織布状に成形した繊維状の金属を有する取り付けボード。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月2日(2015.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を備え、この活性層が、電子受容体と、式（Ｉ）
【化１】
2012169618.tif 000001
のポリアリールアミンビスカーボネートエステルとを含み、
式中、Ａｒ１およびＡｒ４は、独立して、アリーレンまたは置換アリーレンであり、Ａｒ２およびＡｒ３は、独立して、アリールまたは置換アリールであり、Ｒは、アルキレン、置換アルキレン、アリーレンまたは置換アリーレンであり、Ｚは、二価の結合部であり、ｍは、０または１であり、ｙは、１〜３の整数であり、ｎは、繰り返し単位の数をあらわす、光起電デバイス。
【請求項２】
ｍは１であり、Ａｒ１およびＡｒ４は、フェニレンであり、Ａｒ２およびＡｒ３は、フェニルである、請求項１に記載の光起電デバイス。
【請求項３】
Ｚがアリーレンまたは置換アリーレンである、請求項１に記載の光起電デバイス。
【請求項４】
Ｚがビフェニレンである、請求項３に記載の光起電デバイス。
【請求項５】
ｎが約５〜約５，０００である、請求項１に記載の光起電デバイス。
【請求項６】
Ｒが−ＣＨ２−ＣＨ２−である、請求項１に記載の光起電デバイス。
【請求項７】
前記電子受容体が、Ｃ６０フラーレン、［６，６］−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）、Ｃ７０フラーレン、［６，６］−フェニル−Ｃ７１−酪酸メチルエステル、またはフラーレン誘導体である、請求項１に記載の光起電デバイス。
【請求項８】
前記ポリアリールアミンビスカーボネートエステルが、式（Ａ）の構造を有している、請求項１に記載の光起電デバイス。
【化２】
2012169618.tif 000002
【請求項９】
前記ポリアリールアミンビスカーボネートエステルが、式（Ｂ）の構造を有している、請求項１に記載の光起電デバイス。
【化３】
2012169618.tif 000003
【請求項１０】
基材と、
前記基材の上に第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極の間に活性層とを備え、
この活性層が、［６，６］−フェニル−Ｃ６１−酪酸メチルエステル（ＰＣＢＭ）と、式（Ｉ）のポリアリールアミンビスカーボネートエステル
【化４】
2012169618.tif 000004
とを含み、
式中、Ａｒ１およびＡｒ４は、独立して、アリーレンまたは置換アリーレンであり、Ａｒ２およびＡｒ３は、独立して、アリールまたは置換アリールであり、Ｒは、アルキレン、置換アルキレン、アリーレンまたは置換アリーレンであり、Ｚは、二価の結合部であり、ｍは、０または１であり、ｙは、１〜３の整数であり、ｎは、繰り返し単位の数をあらわす、光起電デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月8日(2015.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層に第１のトレンチ及び第２のトレンチと、
前記第１のトレンチの底面及び内壁面に接する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極と、
前記第２のトレンチ内を充填する絶縁層と、
を有し、
前記ゲート絶縁層は、前記第２のトレンチの底面及び内壁上にあり、
前記ゲート電極は、前記第１のトレンチ内を充填することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
さらに前記酸化物半導体層に接するソース電極またはドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ゲート絶縁層は、前記酸化物半導体層の側面に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、断面形状がＵ字形状であり、
前記酸化物半導体層は、前記Ｕ字形状である酸化物半導体層の表面に対して概略垂直な方向にｃ軸を有している結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の絶縁層に第１のトレンチと、
前記第１のトレンチの内壁面に接する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上のゲート電極と、
を有し、
前記ゲート電極は、前記第１のトレンチ内にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層内にトレンチと、
前記トレンチの第１の側壁に隣接する第１の領域と、前記トレンチの底面に隣接する第２の領域と、前記トレンチの第２の側壁に隣接する第３の領域と、を含む酸化物半導体層と、
前記第１の絶縁層の第４の領域上にあり、前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極と、
前記第１の絶縁層の第５の領域上にあり、前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、
を有し、
前記ゲート電極は、前記トレンチ内にあり、
前記トレンチは、前記第１の絶縁層の第４の領域と前記第１の絶縁層の第５の領域の間にあり、
前記トレンチの第１の側壁は、前記トレンチの第２の側壁と向い合うこと特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年8月8日(2014.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自律的に動いて塵埃を収集し、かつ、塵埃排出ステーションへと塵埃を排出することができるロボット掃除機であって、
塵埃を格納するための塵埃容器と、
塵埃容器へ塵埃を収集するための塵埃入口と、
ロボット掃除機の底面に設けられ、塵埃容器に収集された塵埃を排出するための塵埃容器の開閉機構と
を有するロボット掃除機。
【請求項２】
掃除機から塵埃を収集することができる塵埃排出ステーションであって、
掃除機に対して台を提供し、掃除機を塵埃排出位置に配置するための掃除機用の台と、
掃除機台にて設けられ、塵埃排出位置で掃除機から塵埃を受けるように適合している塵埃受けと、
塵埃受けの下に配置され、かつ、ステーション内塵埃容器を保持するための容器ホルダーとを有し、
塵埃排出ステーションは、少なくとも重力に起因して、掃除機によって収集された塵埃を掃除機から受け、かつ、塵埃受け及びステーション内塵埃容器によって塵埃の経路を提供することによってステーション内塵埃容器の中へ塵埃を収容する
塵埃排出ステーション。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング（１２）と、ロータ（１４）と、通路とを備える回転流体操作器装置であって、
前記ハウジング（１２）は、
協同して概ね円筒状の内部チャンバ（３０）を画定している周囲壁（２６）および末端壁（２８）であって、第１のボス（３２）が前記周囲壁（２６）から半径方向に内側に向かって延在している周囲壁（２６）および末端壁（２８）と、
前記末端壁（２８）と連絡している円筒状の穴（４６）を画定しているポートブロック（４４）であって、前記穴（４６）と連絡しているロータサプライポート（５０）およびロータドレンポート（５４）、および前記第１のボス（３２）中のステータ孔を介して前記内部チャンバ（３０）と連絡しているステータポート（４２）をさらに含むポートブロック（４４）と
を含み、
前記ロータ（１４）は、
回転軸の周りに前記内部チャンバ（３０）内で回転するように取り付けられ、
横方向に外側に向かって延在しているアーム（６２）を備えたボディ（５６）と、
前記ハウジング（１２）の前記穴（４６）の中に受け取られる第１のスタブ軸（５８）であって、横方向に貫通して通っているロータベーススロット（６６）を含む第１のスタブ軸（５８）と、
前記内部チャンバ（３０）と連絡している前記アーム（６２）の中に配置され、かつ、前記回転軸に対して接線方向に配向される第１のロータポート（７０）と、
前記ロータベーススロット（６６）と前記第１のロータポート（７０）とを相互接続している内部通路（６４、６８）と
前記ポートブロック（４４）内の通路であって、前記穴（４６）と連絡しており、前記ハウジング（１２）に対して、前記ロータ（１４）の予め選択済みの第１の角位置で、前記ロータベーススロット（６６）を介して前記ロータサプライポート（５０）と前記ロータドレンポート（５４）とを相互接続する、通路と
を含む、回転流体操作器装置。
【請求項２】
前記ポートブロック（４４）内の前記通路が、
前記穴（４６）の一部の周りに延在している、前記穴（４６）および前記ロータサプライポート（５０）の両方と連絡しているロータサプライ溝（４８）と、
前記穴（４６）の一部の周りに延在している、前記穴（４６）および前記ロータドレンポート（５４）の両方と連絡しているロータドレン溝（５２）と
を備える、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記ロータ（１４）が、前記内部チャンバ（３０）と連絡している前記アーム（６２）内に配置され、かつ、前記ロータ（１４）に対して接線方向に配向される第２のロータポート（７４）を含み、前記第２のロータポート（７４）が前記第１のロータポート（７０）の反対側に配向される、請求項１記載の装置。
【請求項４】
第２のボス（３４）が前記第１のボス（３２）の反対側の前記周囲壁（２６）から半径方向に内側に向かって延在し、これらの前記ボスが前記ロータ（１４）の運動を前記ハウジング（１２）に対して第２の角位置と第３の角位置の間の範囲に制限するために配置され、前記第１の角位置が前記第２の角位置と前記第３の角位置の間に存在する、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記ハウジング（１２）が、前記周囲壁（２６）、前記側壁および前記ポートブロック（４４）を含んだベース（２２）を備え、前記内部チャンバ（３０）を閉じるカバー（２４）が前記ベース（２２）に取り付けられた、請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記アーム（６２）が概ね長方形の立体である、請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記第１のボス（３２）がくさび形である、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記ロータ（１４）の前記ボディ（５６）が、前記第１のスタブ軸（５８）から反対側に延在している第２のスタブ軸（６０）を含む、請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記内部通路が、前記ベーススロット（６６）を相互接続している中央ギャラリ（６４）、および前記第１のロータポート（７０）の各々から前記中央ギャラリまで延在している第１の横方向ギャラリ（６８）を備える、請求項１記載の装置。
【請求項１０】
前記ロータ（１４）が、横方向に外側に向かって延在している複数のアーム（６２）を含み、個々のアーム（６２）が、前記内部チャンバ（３０）および前記内部通路と連絡している前記アーム（６２）の中に配置され、かつ、前記ロータ（１４）に対して接線方向に配向される第１のロータポート（７０）を含む、請求項１記載の装置。
【請求項１１】
請求項１記載の回転流体操作器装置を動作させる方法であって、前記ロータ（１４）をそれぞれ第１の方向または前記第１の方向とは逆の第２の方向に回転させるために、加圧流体を前記ロータサプライポート（５０）または前記ステータポート（４２）に選択的に提供するステップを含み、前記第１の方向の運動が前記第１の角位置と前記第２の角位置の間に制限される方法。
【請求項１２】
前記ロータサプライポート（５０）および前記ロータドレンポート（５４）の両方に同時に圧力を加えることにより、前記ロータ（１４）を前記第１の方向に前記第１の角位置を超えて回転させるステップをさらに含む、請求項１１記載の方法。