【事件の表示】
　特願２０１５−５５４６６９「画像処理方法，画像処理装置，画像処理プログラム，及び画像処理プログラムを記憶した記憶媒体」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　７月　２日国際公開，ＷＯ２０１５／０９８３４２，請求項の数（７）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１４年（平成２６年）１１月１３日（パリ条約による優先権主張　２０１３年１２月２６日　米国）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯の概要は，以下のとおりである。
　平成２８年　１月２８日：国内書面
　平成３０年　８月３０日：拒絶理由通知（起案日）
　平成３０年１０月３１日：意見書・手続補正書
　平成３０年１１月３０日：拒絶査定（起案日）（以下，「原査定」という
　。）
　平成３１年　３月　１日：審判請求
　平成３１年　３月　１日：手続補正書（以下，この手続補正書による手続
　補正を「本件補正」という。）
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　本願請求項１ないし８に係る発明は，その優先権主張の日前に日本国内又は外国において，頒布された下記１ないし４の引用文献に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．国際公開第２００６／１３７４１５号
２．特開２００９−４３９３７号公報
３．特開２０１１−３３７４６号公報
４．特開２０１３−２４３２３０号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正（以下，「本件補正」という。）は，以下の理由で，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　本件補正は、本件補正前の請求項１を削除するとともに，本件補正前の請求項２ないし５の項番号を繰り上げて，請求項１ないし４とする補正であるから，特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。
　また，本件補正は，本件補正前の請求項６及び７における「画像解析部」に対して，「前記第１のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第１の視野サイズと，前記第２のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第２の視野サイズとの比に基づいて，前記第１のパターン画像及び前記第２のパターン画像のうちの視野サイズの小さいほうの画像サイズを調整し」との限定を付加するものであって，本件補正前の請求項１ないし８に記載された発明と本件補正後の請求項１ないし７に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また，本件補正によって追加された事項は，当初明細書の段落【００２９】，【００３５】に記載されているから、新規事項を追加するものではないといえる。
　そして、「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，本件補正後の請求項１ないし７に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
　
第４　本願発明
１　本願の請求項１ないし７に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明７」という。）は，本件補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　半導体デバイスを対象に測定された測定画像と，前記測定画像に対応する前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像を取得する第１ステップと，
　前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像を取得する第２ステップと，
　前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する第３ステップと，
　前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する第４ステップと，
を備え，
　前記第３ステップでは，
前記第１のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第１の視野サイズと，前記第２のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第２の視野サイズとの比に基づいて，前記第１のパターン画像及び前記第２のパターン画像のうちの視野サイズの小さいほうの画像サイズを調整した後に，前記第１のパターン画像から輪郭線である第１の形状情報を抽出し，前記第２のパターン画像から輪郭線である第２の形状情報を抽出し，前記第１の形状情報と前記第２の形状情報との間で互いに類似するパターンを検索することによりマッチング情報を取得する，
ことを特徴とする画像処理方法。
　　【請求項２】
　前記マッチング情報は，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示す位置情報，回転情報，及び倍率情報の少なくとも１つである，
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
　　【請求項３】
　前記測定画像は，前記半導体デバイスの発熱画像，発光画像，電気量変化画像，光起電流画像，正誤情報画像，位相画像，振幅画像及びＩ／Ｑ画像のうちの少なくとも１つである，
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理方法。
　　【請求項４】
　前記第２のパターン画像は，半導体デバイスの反射画像，透過画像，ＭＯＢＩＣ画像，及びＣＡＤレイアウト画像のうちのいずれかである，
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の画像処理方法。
　　【請求項５】
　半導体デバイスを対象に測定された測定画像と，前記測定画像に対応する前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像と，前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像とを記憶する記憶部と，
　前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する画像解析部と，
　前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する画像処理部と，
を備え，
　前記画像解析部は，前記第１のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第１の視野サイズと，前記第２のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第２の視野サイズとの比に基づいて，前記第１のパターン画像及び前記第２のパターン画像のうちの視野サイズの小さいほうの画像サイズを調整し，前記第１のパターン画像から輪郭線である第１の形状情報を抽出し，前記第２のパターン画像から輪郭線である第２の形状情報を抽出し，前記第１の形状情報と前記第２の形状情報との間で互いに類似するパターンを検索することによりマッチング情報を取得する，
ことを特徴とする画像処理装置。
　　【請求項６】
　コンピュータを，
　半導体デバイスを対象に測定された測定画像に対応し，前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像と，前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する画像解析部，及び
　前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する画像処理部，
として機能させ，
　前記画像解析部は，前記第１のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第１の視野サイズと，前記第２のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第２の視野サイズとの比に基づいて，前記第１のパターン画像及び前記第２のパターン画像のうちの視野サイズの小さいほうの画像サイズを調整し，前記第１のパターン画像から輪郭線である第１の形状情報を抽出し，前記第２のパターン画像から輪郭線である第２の形状情報を抽出し，前記第１の形状情報と前記第２の形状情報との間で互いに類似するパターンを検索することによりマッチング情報を取得する，
ことを特徴とする画像処理プログラム。
　　【請求項７】
　請求項６記載の画像処理プログラムを記憶した記憶媒体。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（国際公開第２００６／１３７４１５号）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「[0001]　本発明は，
半導体デバイスの不良について解析を行うための半導体不良解析装置，不良解析方法，不良解析プログラム，及び不良解析システムに関するもの
「[0003]　近年，半導体不良解析において，解析対象となる半導体デバイスの微細化や高集積化が進んでおり，上記した検査装置等を用いた不良箇所の解析を迅速に行うことが困難になってきている。したがって，このような半導体デバイスについて不良箇所の解析を行うためには，
観察画像から半導体デバイスの不良箇所を推定するための解析処理の効率を向上することが必要不可欠である
[0004]　本発明は，以上の問題点を解決するためになされたものであり，
観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置，半導体不良解析方法，半導体不良解析プログラム，及び半導体不良解析システムを提供する
課題を解決するための手段
[0005]　このような目的を達成するために，本発明による半導体不良解析装置は，
半導体デバイスの観察画像を用いて，その不良を解析する半導体不良解析装置であって，（１）少なくとも半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像を観察画像として含む検査情報を取得する検査情報取得手段と，（２）半導体デバイスのレイアウト画像を含むレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得手段と，（３）上記観察画像を参照して半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析手段と，（４）半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示手段に表示させる情報表示制御手段とを備え，（５）情報表示制御手段は，表示手段に表示させる半導体デバイスの画像としてパターン画像とレイアウト画像とを重畳した重畳画像を生成する重畳画像生成手段と，重畳画像でのパターン画像に対するレイアウト画像の透過率を設定する透過率設定手段とを有することを特徴とする
「[0008]　
上記した半導体不良解析装置，不良解析方法，及び不良解析プログラムにおいては，エミッション顕微鏡装置やＯＢＩＲＣＨ装置などの半導体検査装置によって観察画像として取得されるパターン画像と，半導体デバイスのレイアウト画像とを取得する。そして，パターン画像とレイアウト画像とを重畳した重畳画像を生成して表示手段に表示している。このように，パターン画像及びレイアウト画像による重畳画像を用いることにより，観察画像とレイアウト画像とを対応付けつつ不良解析を実行することが容易となり，その効率が向上する
「[0012]　[図1]
図1は，半導体不良解析装置を含む不良解析システムの一実施形態の構成を示すブロック図である
…（略）…
[図4]
図4は，表示装置に表示される半導体デバイスの画像の一例を示す模式図である
…（略）…」
「[0015]　図１は，本発明による半導体不良解析装置を含む不良解析システムの一実施形態の構成を概略的に示すブロック図である。
本不良解析システム１は，半導体デバイスを解析対象とし，その観察画像を用いて不良の解析を行うためのものであり，半導体不良解析装置１０と，検査情報供給装置２０と，レイアウト情報供給装置３０と，表示装置４０と，入力装置４５とを備えている
[0016]　
半導体不良解析装置１０は，半導体デバイスの不良解析に必要なデータを入力して，その不良の解析処理を実行するための解析装置である。本実施形態による不良解析装置１０は，検査情報取得部１１と，レイアウト情報取得部１２と，不良解析部１３と，解析画面表示制御部１４と，レイアウト画像表示制御部１５とを有している
[0017]　不良解析装置１０において実行される不良解析に用いられるデータは，検査情報取得部１１及びレイアウト情報取得部１２によって取得される。
検査情報取得部１１は，半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１，及び不良についての検査を行って得られた，不良に起因する反応情報が含まれる不良観察画像Ｐ２を含む検査情報を取得する（検査情報取得ステップ）。また，レイアウト情報取得部１２は，半導体デバイスでのネットなどの構成を示すレイアウト画像Ｐ３を含むレイアウト情報を取得する（レイアウト情報取得ステップ）
[0018]　図１においては，検査情報取得部１１に対して，検査情報供給装置２０が接続されており，パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２などの検査情報は供給装置２０から取得部１１へと供給されている。この検査情報供給装置２０としては，例えば，エミッション顕微鏡装置を用いることができる。この場合，不良観察画像Ｐ２は発光画像となる。また，検査情報供給装置２０として，ＯＢＩＲＣＨ装置を用いることができる。この場合，不良観察画像Ｐ２はＯＢＩＲＣＨ画像となる。あるいは，これら以外の種類の半導体検査装置を供給装置２０として用いても良い。
[0019]　
また，パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２があらかじめ半導体検査装置によって取得されている場合には，検査情報供給装置２０としては，それらの画像データを記憶しているデータ記憶装置が用いられる
[0020]　また，エミッション顕微鏡装置やＯＢＩＲＣＨ装置などの半導体検査装置で取得されるパターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２については，ステージ上に半導体デバイスを載置した状態で画像Ｐ１，Ｐ２が取得される。このため，両者は互いに位置合わせがされた画像として取得される。
[0021]　一方，
レイアウト情報取得部１２に対して，レイアウト情報供給装置３０がネットワークを介して接続されており，レイアウト画像Ｐ３などのレイアウト情報は供給装置３０から取得部１２へと供給されている。このレイアウト情報供給装置３０としては，例えば，半導体デバイスを構成する素子やネット（配線）の配置などの設計情報からレイアウト画像Ｐ３を生成するレイアウト・ビューアのＣＡＤソフトが起動されているワークステーションを用いることができる
[0022]　ここで，例えば半導体デバイスに含まれる複数のネットの個々の情報など，レイアウト画像Ｐ３以外のレイアウト情報については，不良解析装置１０において，必要に応じてレイアウト情報供給装置３０と通信を行って情報を取得する構成を用いることが好ましい。あるいは，レイアウト画像Ｐ３と合わせてレイアウト情報取得部１２から情報を読み込んでおく構成としても良い。
[0023]　また，本実施形態においては，不良解析装置１０にレイアウト画像表示制御部１５が設けられている。このレイアウト画像表示制御部１５は，例えば，Ｘウィンドウ・サーバによって構成され，後述する解析画面表示制御部１４による重畳画像の表示とは別に，レイアウト情報供給装置３０において描画されたレイアウト画像Ｐ３を表示装置４０での所定の表示ウィンドウなどに表示する（レイアウト画像表示ステップ）。これにより，画像Ｐ１〜Ｐ３を用いた不良解析の効率を向上することができる。ただし，このようなレイアウト画像表示制御部１５については，不要であれば設けなくても良い。
[0024]　
検査情報取得部１１，及びレイアウト情報取得部１２によって取得されたパターン画像Ｐ１，不良観察画像Ｐ２，及びレイアウト画像Ｐ３は，不良解析部１３へと入力される。不良解析部１３は，不良観察画像Ｐ２を参照して半導体デバイスの不良についての解析を行う解析手段である（不良解析ステップ）
[0025]　また，解析画面表示制御部１４は，半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示装置４０に表示させる情報表示制御手段である（情報表示ステップ）。解析画面表示制御部１４によって表示装置４０に表示される情報としては，例えば，解析対象の半導体デバイスの画像，半導体デバイスに対して実行される不良解析での解析条件，不良解析部１３による半導体デバイスの不良の解析結果などがある。」
「[0033]　本実施形態の
不良解析部１３においては，検査情報取得部１１が不良観察画像Ｐ２に加えてパターン画像Ｐ１を取得していることに対応して，位置調整部１３３が設けられている。位置調整部１３３は，パターン画像Ｐ１及びレイアウト画像Ｐ３を参照して，パターン画像Ｐ１を少なくとも含む検査情報供給装置２０からの観察画像と，レイアウト情報供給装置３０からのレイアウト画像Ｐ３との間で位置合わせを行う（位置調整ステップ）。この位置合わせは，例えば，パターン画像Ｐ１において適当な３点を指定し，さらにレイアウト画像Ｐ３において対応する３点を指定して，それらの座標から位置合わせを行う方法を用いることができる
[0034]　また，不良解析部１３には，付加解析情報取得部１３４が設けられている。付加解析情報取得部１３４は，領域設定部１３１及びネット情報解析部１３２による上記した解析方法とは別の解析方法によって得られた半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を外部装置などから取得する。この取得された付加解析情報は，ネット情報解析部１３２で得られた解析結果と合わせて参照される。
[0035]　次に，解析画面表示制御部１４の構成について説明する。本実施形態による解析画面表示制御部１４は，重畳画像生成部１４１と，第１透過率設定部１４２と，第２透過率設定部１４３と，解析画面生成部１４４とを有している。また，図４〜図６は，それぞれ重畳画像生成部１４１によって生成されて表示装置４０に表示される半導体デバイスの画像の例を示す模式図である。
[0036]　
不良解析装置１０での不良解析に必要な画像などの情報，あるいは解析結果として得られた情報は，必要に応じて解析画面表示制御部１４によって解析画面として表示装置４０に表示される。特に，本実施形態では，重畳画像生成部１４１において，半導体デバイスの画像として，パターン画像Ｐ１とレイアウト画像Ｐ３とを重畳した重畳画像（オーバーレイ画像）が生成される（重畳画像生成ステップ）。そして，この重畳画像が，不良解析についての情報として表示装置４０に表示される
[0037]　
図４は，重畳画像生成部１４１において生成される重畳画像の一例を示す図であり，図４（ａ）は画像の重畳方法を，図４（ｂ）は生成された重畳画像を示している。この画像例では，パターン画像Ｐ１の上に，レイアウト画像Ｐ３，及び不良観察画像Ｐ２である発光画像Ｐ４をこの順で重畳させて，重畳画像Ｐ６を生成している
「[0060]　
図１に示した半導体不良解析装置１０において実行される不良解析方法に対応する処理は，半導体不良解析をコンピュータに実行させるための半導体不良解析プログラムによって実現可能である。例えば，不良解析装置１０は，半導体不良解析の処理に必要な各ソフトウェアプログラムを動作させるＣＰＵと，上記ソフトウェアプログラムなどが記憶されるＲＯＭと，プログラム実行中に一時的にデータが記憶されるＲＡＭとによって構成することができる。このような構成において，ＣＰＵによって所定の不良解析プログラムを実行することにより，上記した不良解析装置１０を実現することができる
「[0088]　これに対応して，操作画面４１０には，パターン画像Ｐ１，及びレイアウト画像Ｐ３のそれぞれについて位置合わせに用いる３点を設定するための位置合わせデータ設定領域４１１が設けられている。この３点の設定には，例えば，
解析ウィンドウ４００の画像表示領域４０１に表示された画像上においてマウス操作で点を設定する方法，あるいは設定したい点の座標を数値データとして入力する方法等を用いることができる。また，３点を用いた画像の位置合わせは，例えば，設定された３点の位置からパターン画像Ｐ１とレイアウト画像Ｐ３との傾きを計算し，パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２を傾けるθ補正によって行われる
[0089]　また，図１１の操作画面４１０には，さらに画像調整領域４１２が設けられている。この画像調整領域４１２では，
パターン画像Ｐ１の回転（θ補正），レイアウト画像Ｐ３の移動（位置の微調整），レイアウト画像のズーム（拡大／縮小）等の操作を行うことで，位置合わせの微調整を手動で行うことが可能となっている
「[図1]
」
「[図4]
」
（２）上記（１）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体デバイスを解析対象とし，その観察画像を用いて不良の解析を行うためのものであり，半導体不良解析装置１０と，検査情報供給装置２０と，レイアウト情報供給装置３０と，表示装置４０と，入力装置４５とを備えている不良解析システム１であって，
　半導体不良解析装置１０は，半導体デバイスの不良解析に必要なデータを入力して，その不良の解析処理を実行するための解析装置であって，検査情報取得部１１と，レイアウト情報取得部１２と，不良解析部１３と，解析画面表示制御部１４と，レイアウト画像表示制御部１５とを有し，
　検査情報取得部１１は，半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１，及び不良についての検査を行って得られた，不良に起因する反応情報が含まれる不良観察画像Ｐ２を含む検査情報を取得し（検査情報取得ステップ），
　レイアウト情報取得部１２は，半導体デバイスを構成する素子やネット（配線）の配置などの設計情報から生成されたレイアウト画像Ｐ３を含むレイアウト情報を取得し（レイアウト情報取得ステップ），
　パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２があらかじめ半導体検査装置によって取得されている場合には，検査情報供給装置２０としてそれらの画像データを記憶しているデータ記憶装置が用いられ，
　検査情報取得部１１，及びレイアウト情報取得部１２によって取得されたパターン画像Ｐ１，不良観察画像Ｐ２，及びレイアウト画像Ｐ３は，不良解析部１３へと入力され，
　不良解析部１３においては，検査情報取得部１１が不良観察画像Ｐ２に加えてパターン画像Ｐ１を取得していることに対応して，位置調整部１３３が設けられ，位置調整部１３３は，パターン画像Ｐ１及びレイアウト画像Ｐ３を参照して，パターン画像Ｐ１を少なくとも含む検査情報供給装置２０からの観察画像と，レイアウト情報供給装置３０からのレイアウト画像Ｐ３との間で位置合わせを行い（位置調整ステップ），この位置合わせは，例えば，パターン画像Ｐ１において適当な３点を指定し，さらにレイアウト画像Ｐ３において対応する３点を指定して，それらの座標から位置合わせを行う方法を用いることができ，
　更に，パターン画像Ｐ１の回転（θ補正），レイアウト画像Ｐ３の移動（位置の微調整），レイアウト画像のズーム（拡大／縮小）等の操作を行うことで，位置合わせの微調整を手動で行うことが可能であり，
　解析画面表示制御部１４は，重畳画像生成部１４１と，第１透過率設定部１４２と，第２透過率設定部１４３と，解析画面生成部１４４とを有し，重畳画像生成部１４１において，パターン画像Ｐ１の上に，レイアウト画像Ｐ３，及び不良観察画像Ｐ２である発光画像Ｐ４をこの順で重畳させて，重畳画像Ｐ６を生成し（重畳画像生成ステップ），この重畳画像Ｐ６が，不良解析についての情報として表示装置４０に表示され，
　半導体不良解析装置１０において実行される不良解析方法に対応する処理は，半導体不良解析をコンピュータに実行させるための半導体不良解析プログラムによって実現可能である，
　不良解析システム１。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特開２００９−４３９３７号公報）には，以下の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体デバイス等の設計データと走査電子顕微鏡によって得られる画像に基づいて，パターンの測定，検査を行う装置に係り，特に，電子顕微鏡画像内の線分に識別情報を持たせ，パターンを形成する線分を識別情報に基づいて管理するパターン測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今，
半導体デバイスの設計データが，走査電子顕微鏡（ScanningElectron Microscope：ＳＥＭ）による半導体デバイスの測定等に用いられるようになってきた。特許文献１には，設計データに基づく線分と，走査電子顕微鏡によって得られるパターンの輪郭線との間で，パターンマッチングを行い，当該パターンマッチングによって特定されたパターンの測定を行う例が説明されている
「【０００５】
【特許文献１】特開２００６−６６４７８号公報
…（略）…」
３　引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開２０１１−３３７４６号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
テンプレートマッチング用のテンプレート作成方法，装置，及びプログラムに係り，特にライブラリとして登録されたパターン情報に基づいて，テンプレートを作成する方法，装置，及びコンピュータプログラムに関する
【背景技術】
【０００２】
　昨今，半導体デバイス及びマスクの検査では半導体製造のために作成した設計データ（レイアウトパターン）を用いた様々な計測手法が提案されており，走査電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）による半導体デバイスの測定等に用いられるようになってきた。
【０００３】
　具体的には，
設計データに基づく線分と，走査電子顕微鏡によって得られるパターン画像との間で，パターンマッチングを行い，当該パターンマッチングによって特定されたパターンの測定を行う手法
「【００３９】
　
図３は，検出された電子に基づいて形成されるパターン画像から，輪郭線を抽出するための手法の一例を説明する図である。なお，この輪郭線抽出工程は，データ管理装置１０１に搭載された演算装置にて行うようにしても良いし，ＳＥＭに接続された制御装置１０４，１０５にて行うようにしても良い。輪郭線抽出には，図４のフローチャートに例示するように，先ずＳＥＭ１０４，或いはＳＥＭ１０５にてＳＥＭ画像を形成する。次にＳＥＭ画像上のパターン３０１のエッジ部分に相当するホワイトバンド３０３から第１の輪郭線３０４を抽出する
【００４０】
　
次に，形成された第１の輪郭線３０４とレイアウトデータ３０２とのベクトルデータ比較，或いはパターンマッチングによって，レイアウトデータ３０２と第１の輪郭線３０４との重ね合わせを行う。レイアウトデータ３０２は，ＧＤＳフォーマット等で記憶された設計データの線分情報である。このような重ね合わせを行った上で，輝度分布情報収集領域を，第１の輪郭線３０４と垂直になるように設定し，輝度分布３０７，３０８を検出する。このように形成された輝度分布の所定の明るさを持つ画素を抽出しその位置を第２の輪郭線位置と定義することで，より正確な輪郭線の形成が可能となる
「【図３】
」
４　引用文献４について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開２０１３−２４３２３０号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
良品，不良品等のパターンの出来栄えを評価する方法，評価装置に係り，特に半導体デバイス等の設計データに基づいて半導体パターンの良否を評価する方法
「【００３０】
　図１は，設計データとＳＥＭ画像及びユーザーが設定する目視評価値に基づいて半導体パターンの良品らしさのスコア値を求めるための計算式を生成する画像評価装置１の一例を説明する図である。
【００３１】
　
画像データ記憶部１１には半導体パターンをＳＥＭで撮影した画像（ＳＥＭ像）の画像データが記憶されている。この画像データに対して輪郭線データ生成部１２でパターンの輪郭線（２次元形状）データを得る。設計データ記憶部１０には画像認識（マッチング）の対象となるＳＥＭ像のパターンに対応する設計データ（レイアウトデータ）が記憶されている。輪郭線データ生成部１２で得た輪郭線データと，設計データ記憶部１０のＳＥＭ像のパターンに対応する設計データから得たパターンの輪郭線（２次元形状）データを，表示部１３に表示する
…（略）…
【００３５】
　
表示部１３には図２に示すように設計データから得た２次元形状データの画像１３Ａとし，輪郭線データ生成部１２で得たパターンの輪郭線（２次元形状）データの画像１３Ｂとした場合，設計データから得た２次元形状データ１３Ａとパターンの輪郭線（２次元形状）データ１３Ｂを重ねた画像１３Ｃが表示される。２つの輪郭線を重ねて表示させて比較することで小さな形状の違いも目視で容易に確認ができる
「【図１】
」
「【図２】
」
５　周知文献１について
　周知文献１（特開２０１１−２０３０８０号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【００３４】
　図５は，倍率調整部１１の機能ブロック図である。
倍率調整部１１は，広角画像データと測定画像データが同じ視野範囲内で同じ画像サイズとなるように，画像データのサイズ変換を行う
【００３５】
　例えば，
広角画像データを撮像する倍率が測定画像データを撮像する倍率に対して１／４の低倍率である場合，拡大部１１０は広角画像データを４倍に拡大処理し，測定画像データはそのまま（１倍）とする。これにより，各画像データは同じ視野範囲内で同じ画像サイズとなる。または，広角画像データをそのまま（１倍）にしておき，縮小部１１１は測定画像データを１／４倍に縮小してもよい。拡大部１１０，縮小部１１１は，バイリニア処理で上記各処理を行ってもよい
【００３６】
　上記説明では，広角画像データの撮像倍率は測定画像データの撮像倍率に対して１／４としたが，この倍率は常に固定値として決めておいてもよいし，実際の撮像倍率を用いて適宜調整してもよい。例えば，広角画像データ及び測定画像データを撮影したそれぞれの撮像倍率値Ｓ１１を，あらかじめ適当な記憶装置に格納しておき，その撮像倍率値Ｓ１１を用いて，広角画像データと測定画像データが，同じ視野範囲内で同じ画像サイズになるように，拡大率または縮小率を調整することが考えられる。」
「【図５】
」
６　周知文献２について
　周知文献２（特開２００６−２８４４４７号公報）には，以下の事項が記載されている。
「【００２５】
　あるいは参照画像をターゲットとする場合の他の方法として，例えば，予め上記ガラス基板１を広範囲にわたり欠陥のない位置で位置決めした状態で，欠陥検査に使用する時よりも倍率の低い対物レンズを装着した上記撮像装置１０で撮影した画像を，パターンマッチング用参照画像用メモリ２３に書き込んでおく。
　
パターンマッチング部４０は上記パターンマッチング用参照画像メモリ２３に保存された参照画像をターゲットとして，上記欠陥画像メモリ２１に保存された欠陥画像データを，参照画像撮像時に使用した対物レンズとの倍率の比率に応じて縮小した欠陥画像に変換後にパターンマッチングを行い，欠陥部位の位置を検出する
　上述した参照画像をターゲットとする方式は，欠陥検査時での対物レンズの倍率が画素サイズに対して比較的高い場合，例えば，欠陥画像の撮像範囲が画素の一部分しかない場合に有用である（後述する図７参照。）。」
７　周知文献３について
　周知文献３（特開２０１３−１７４８２３号公報）には，図面とともに以下の事項が記載されている。
「【００３４】
　
画像データベース２１は，１つの生体組織標本の複数の切片における薄切標本を顕微鏡装置において撮像することにより生成された複数の画像ファイルを記録している
「【００６４】
　図１５は，マッチング処理を示すフローチャートである。また，図１６は，マッチング処理を説明するための模式図である。
　まず，ステップＳ１５１において，マッチング処理部１４５は，テンプレート画像又はテンプレート領域を設定する。この際，
マッチング対象である２つのラベル画像の倍率が互いに異なる場合，マッチング処理部１４５は，倍率が大きい方のラベル画像をテンプレート画像として設定する。併せて，テンプレート画像となる倍率が大きい方の画像のサイズを縮小して，マッチングされる方のラベル画像の倍率に合わせておく
「【図１５】
」
「【図１６】
」
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明における「半導体デバイス」は，本願発明１の「半導体デバイス」に相当する。
イ　引用発明における「半導体デバイスの」，「不良についての検査を行って得られた，不良に起因する反応情報が含まれる不良観察画像Ｐ２」は，半導体デバイスを対象に検査すなわち測定を行うことで得られる画像であるから，本願発明１の「半導体デバイスを対象に測定された測定画像」に相当する。
ウ　引用発明における「半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１」は，「不良観察画像Ｐ２」と比べて，「不良に起因する反応情報」が含まれない「通常の」画像であるから，「不良観察画像Ｐ２」に対応する画像であるといえる。したがって，引用発明における「半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１」は，本願発明１の「前記測定画像に対応する前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像」に相当する。
エ　上記イ，ウから，引用発明の「半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１，及び不良についての検査を行って得られた，不良に起因する反応情報が含まれる不良観察画像Ｐ２を含む検査情報を取得」する「検査情報取得ステップ」は，本願発明１の「半導体デバイスを対象に測定された測定画像と，前記測定画像に対応する前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像を取得する第１ステップ」に相当する。
オ　引用発明における「半導体デバイスを構成する素子やネット（配線）の配置などの設計情報から生成されたレイアウト画像Ｐ３」は，半導体デバイスの配線のパターンを示す画像であるから，本願発明１の「前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像」に相当する。
カ　上記オから，引用発明の「半導体デバイスを構成する素子やネット（配線）の配置などの設計情報から生成されたレイアウト画像Ｐ３を含むレイアウト情報を取得する」，「レイアウト情報取得ステップ」は，本願発明１の「前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像を取得する第２ステップ」に相当する。
キ　引用発明の「パターン画像Ｐ１及びレイアウト画像Ｐ３を参照して，パターン画像Ｐ１を少なくとも含む検査情報供給装置２０からの観察画像と，レイアウト情報供給装置３０からのレイアウト画像Ｐ３との間で位置合わせを行」うこと，例えば「パターン画像Ｐ１において適当な３点を指定し，さらにレイアウト画像Ｐ３において対応する３点を指定して，それらの座標から位置合わせを行う」，「位置調整ステップ」における「パターン画像Ｐ１」の「適当な３点」及び「レイアウト画像Ｐ３」の「対応する３点」は，「パターン画像Ｐ１」と「レイアウト画像Ｐ３」の相対的な位置関係を特定し，両者をマッチングさせるための座標情報であるから，本願発明１の「前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報」に相当する。また，「位置調整ステップ」は，「パターン画像Ｐ１」の「適当な３点」及び「レイアウト画像Ｐ３」の「対応する３点」の相対的な位置関係を特定し，両者をマッチングさせる限りにおいて，本願発明１の「前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する第３ステップ」に相当する。
ク　引用発明の「パターン画像Ｐ１の上に，レイアウト画像Ｐ３，及び不良観察画像Ｐ２である発光画像Ｐ４をこの順で重畳させて，重畳画像Ｐ６を生成」する「重畳画像生成ステップ」は，上記キの位置合わせの結果を基に，レイアウト画像Ｐ３と不良観察画像Ｐ２を重畳することで重畳画像を生成するものであるから，本願発明１の「前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する第４ステップ」に相当する。
ケ　引用発明の「不良解析方法」は，上記アないしクのとおり「検査情報取得ステップ」と「レイアウト情報取得ステップ」と「位置調整ステップ」と「重畳画像生成ステップ」からなり，パターン画像Ｐ１ないし発光画像Ｐ４の処理方法であるから，この点で，本願発明１における「第１ステップ」ないし「第４ステップ」からなる「画像処理方法」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「半導体デバイスを対象に測定された測定画像と，前記測定画像に対応する前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像を取得する第１ステップと，
　前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像を取得する第２ステップと，
　前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する第３ステップと，
　前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する第４ステップと，
　を備えることを特徴とする画像処理方法。」
＜相違点＞
（相違点１）
　第３ステップについて，本願発明１は，「前記第１のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第１の視野サイズと，前記第２のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第２の視野サイズとの比に基づいて，前記第１のパターン画像及び前記第２のパターン画像のうちの視野サイズの小さいほうの画像サイズを調整」するのに対して，引用発明は，パターン画像Ｐ１における３点と，レイアウト画像Ｐ３における３点に基づいて，それらの座標を用いて，レイアウト画像のズーム（拡大／縮小）等を含む位置合わせを行うものの，本願発明１のそのような特定はなされていない点。
（相違点２）
　第３ステップについて，本願発明１は，画像サイズの調整後に，「前記第１のパターン画像から輪郭線である第１の形状情報を抽出し，前記第２のパターン画像から輪郭線である第２の形状情報を抽出し，前記第１の形状情報と前記第２の形状情報との間で互いに類似するパターンを検索する」のに対して，引用発明は，位置調整ステップにおいて，第１のパターン画像（パターン画像Ｐ１）と第２のパターン画像（レイアウト画像Ｐ３）の位置合わせに，画像の輪郭線である形状情報を用いることについて特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　相違点１について検討する。
　半導体デバイスを対象に測定画像を測定し，半導体デバイスの第１のパターン画像と第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得し，前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する画像処理方法において，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像とのマッチング情報を，「前記第１のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第１の視野サイズと，前記第２のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第２の視野サイズとの比に基づいて，前記第１のパターン画像及び前記第２のパターン画像のうちの視野サイズの小さいほうの画像サイズを調整」することによって取得することは，引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３のいずれにも記載されておらず，当該技術分野における周知技術であるとも認められない。
　引用発明の「レイアウト画像Ｐ３」は，対物レンズを用いて実際の半導体デバイスを撮影した画像ではなく，「半導体デバイスを構成する素子やネット（配線）の配置などの設計情報から生成された」画像である。したがって，その範囲を示す視野サイズは，例えば半導体デバイス全体のような，対物レンズの倍率とは無関係の固定された範囲であると理解することが自然かつ合理的である。なぜならば，設計情報から生成した画像は，対物レンズ等の物理的な装置によって視野サイズが制約を受けることはないからである。このことは，引用文献１の[0088]において，「レイアウト画像Ｐ３」は「設計データの真値」であると記載されていることからも明らかである。
　したがって，視野サイズが固定されていることを前提とする引用発明のレイアウト画像Ｐ３に対して，変動する視野サイズに基づいて画像を拡大，縮小する周知文献１ないし３記載の技術を適用する動機付けはないというべきである。
　そして，本願発明１は，このような構成を備えることにより，請求人が審判請求書で主張する，「第１のパターン画像と第２のパターン画像とのコントラストが異なる場合であってもマッチング情報を容易に得ることができ，そのマッチング情報を基に第２のパターン情報と測定画像との位置関係が精度よく得られ，精度の良い第２のパターン情報と測定画像との重畳画像を得ることができる」（本願明細書　段落０００９，００５４），「測定画像と第２のパターン画像の視野サイズが異なっていても，互いの画像の半導体デバイス上の位置が一致した重畳画像を作成することができる」（本願明細書　段落００５５）」という効果を含む本願明細書に記載された顕著な効果を奏するものと認められる。
（３）小括
　上記（２）のとおりであるから，引用発明に引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された技術を適用して，上記相違点１について本願発明１の構成とすることを，当業者が容易になし得たとはいえない。
　よって，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は当業者であっても引用発明及び引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２ないし４について
　本願発明２ないし４は，本願発明１の発明特定事項を全て含み，さらに限定したものであるから，本願発明１が，引用発明及び引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえないことから，本願発明２ないし４も，引用発明及び引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
３　本願発明５について
（１）　対比
　本願発明５と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明における「半導体デバイス」は，本願発明５の「半導体デバイス」に相当する。
イ　引用発明における「半導体デバイスの」，「不良についての検査を行って得られた，不良に起因する反応情報が含まれる不良観察画像Ｐ２」は，半導体デバイスを対象に検査すなわち測定を行うことで得られる画像であるから，本願発明５の「半導体デバイスを対象に測定された測定画像」に相当する。
ウ　引用発明における「半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１」は，「不良観察画像Ｐ２」と比べて，「不良に起因する反応情報」が含まれない「通常の」画像であるから，「不良観察画像Ｐ２」に対応する画像であるといえる。したがって，引用発明における「半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１」は，本願発明１の「前記測定画像に対応する前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像」に相当する。
エ　引用発明における「半導体デバイスを構成する素子やネット（配線）の配置などの設計情報から生成されたレイアウト画像Ｐ３」は，半導体デバイスの配線のパターンを示す画像であるから，本願発明５の「前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像」に相当する。
オ　引用発明における「データ記憶装置」は，「パターン画像Ｐ１及び不良観察画像Ｐ２があらかじめ半導体検査装置によって取得されている場合には」，「それらの画像データを記憶」するから，この点で，本願発明５の「半導体デバイスを対象に測定された測定画像」と「前記測定画像に対応する前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像」とを記憶する「記憶部」に相当する。
カ　引用発明の「パターン画像Ｐ１及びレイアウト画像Ｐ３を参照して，パターン画像Ｐ１を少なくとも含む検査情報供給装置２０からの観察画像と，レイアウト情報供給装置３０からのレイアウト画像Ｐ３との間で位置合わせを行」うこと，例えば「パターン画像Ｐ１において適当な３点を指定し，さらにレイアウト画像Ｐ３において対応する３点を指定して，それらの座標から位置合わせを行う」，「位置調整部１３３」における「パターン画像Ｐ１」の「適当な３点」及び「レイアウト画像Ｐ３」の「対応する３点」は，「パターン画像Ｐ１」と「レイアウト画像Ｐ３」の相対的な位置関係を特定し，両者をマッチングさせるための座標情報であるから，本願発明５の「前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報」に相当する。また，「位置調整部１３３」は，「パターン画像Ｐ１」の「適当な３点」及び「レイアウト画像Ｐ３」の「対応する３点」の相対的な位置関係を特定し，両者をマッチングさせる限りにおいて，本願発明５の「前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する画像解析部」に相当する。
キ　引用発明の「パターン画像Ｐ１の上に，レイアウト画像Ｐ３，及び不良観察画像Ｐ２である発光画像Ｐ４をこの順で重畳させて，重畳画像Ｐ６を生成」する「重畳画像生成部１４１」は，上記カの位置合わせの結果を基に，レイアウト画像Ｐ３と不良観察画像Ｐ２を重畳することで重畳画像を生成するから，本願発明５の「前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する画像処理部」に相当する。
ク　引用発明の「半導体不良解析装置１０」は，上記アないしキのとおり「データ記憶装置」と「位置調整部１３３」と「重畳画像生成部１４１」を有するものであって，パターン画像Ｐ１ないし発光画像Ｐ４の処理装置であるから，この点で，本願発明５における「記憶部」と「画像解析部」と「画像処理部」とを有する「画像処理装置」に相当する。
　したがって，本願発明５と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「半導体デバイスを対象に測定された測定画像と，前記測定画像に対応する前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像とを記憶する記憶部と，
　前記第１のパターン画像と前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する画像解析部と，
　前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する画像処理部と，
　を備えることを特徴とする画像処理装置。」
＜相違点＞
（相違点３）
　本願発明５は，「記憶部」に「第２のパターン画像」を記憶するのに対して，引用発明は，「データ記憶装置」に「レイアウト画像」を記憶することについて特定されていない点。
（相違点４）
　画像解析部について，本願発明５は，「前記第１のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第１の視野サイズと，前記第２のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第２の視野サイズとの比に基づいて，前記第１のパターン画像及び前記第２のパターン画像のうちの視野サイズの小さいほうの画像サイズを調整」するのに対して，引用発明は，パターン画像Ｐ１における３点と，レイアウト画像Ｐ３における３点に基づいて，それらの座標を用いて，レイアウト画像のズーム（拡大／縮小）等を含む位置合わせを行うものの，本願発明５のそのような特定はなされていない点。
（相違点５）
　画像解析部について，本願発明５は，画像サイズの調整後に，「前記第１のパターン画像から輪郭線である第１の形状情報を抽出し，前記第２のパターン画像から輪郭線である第２の形状情報を抽出し，前記第１の形状情報と前記第２の形状情報との間で互いに類似するパターンを検索する」のに対して，引用発明は，第１のパターン画像（パターン画像Ｐ１）と第２のパターン画像（レイアウト画像Ｐ３）の位置合わせに，画像の輪郭線である形状情報を用いることについて特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　事案にかんがみ，相違点４について最初に検討する。
　相違点４は上記相違点１と同様であるから，上記第６の１（２）と同様にして，引用発明に周知文献１ないし３記載の技術を適用する動機付けはないというべきである。
　そして，本願発明５は，請求人が審判請求書で主張する効果を含む本願明細書に記載された顕著な効果を奏するものと認められる。
（３）小括
　上記（２）のとおりであるから，引用発明に引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された技術を適用して，上記相違点４について本願発明５の構成とすることを，当業者が容易になし得たとはいえない。
　よって，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明５は当業者であっても引用発明及び引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
４　本願発明６について
（１）　対比
　本願発明６と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明における「半導体デバイス」は，本願発明６の「半導体デバイス」に相当する。
イ　引用発明における「半導体デバイスの」，「不良についての検査を行って得られた，不良に起因する反応情報が含まれる不良観察画像Ｐ２」は，半導体デバイスを対象に検査すなわち測定を行うことで得られる画像であるから，本願発明６の「半導体デバイスを対象に測定された測定画像」に相当する。
ウ　引用発明における「半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１」は，「不良観察画像Ｐ２」と比べて，「不良に起因する反応情報」が含まれない「通常の」画像であるから，「不良観察画像Ｐ２」に対応する画像であるといえる。したがって，引用発明における「半導体デバイスの通常の観察画像であるパターン画像Ｐ１」は，本願発明６の「測定画像に対応し，前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像」に相当する。
エ　引用発明における「半導体デバイスを構成する素子やネット（配線）の配置などの設計情報から生成されたレイアウト画像Ｐ３」は，半導体デバイスの配線のパターンを示す画像であるから，本願発明６の「前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像」に相当する。
オ　引用発明の「パターン画像Ｐ１及びレイアウト画像Ｐ３を参照して，パターン画像Ｐ１を少なくとも含む検査情報供給装置２０からの観察画像と，レイアウト情報供給装置３０からのレイアウト画像Ｐ３との間で位置合わせを行」うこと，例えば「パターン画像Ｐ１において適当な３点を指定し，さらにレイアウト画像Ｐ３において対応する３点を指定して，それらの座標から位置合わせを行う」，「位置調整部１３３」における「パターン画像Ｐ１」の「適当な３点」及び「レイアウト画像Ｐ３」の「対応する３点」は，「パターン画像Ｐ１」と「レイアウト画像Ｐ３」の相対的な位置関係を特定し，両者をマッチングさせるための座標情報であるから，本願発明６の「前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報」に相当する。また，「位置調整部１３３」は，「パターン画像Ｐ１」の「適当な３点」及び「レイアウト画像Ｐ３」の「対応する３点」の相対的な位置関係を特定し，両者をマッチングさせる限りにおいて，本願発明６の「前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する画像解析部」に相当する。
カ　引用発明の「パターン画像Ｐ１の上に，レイアウト画像Ｐ３，及び不良観察画像Ｐ２である発光画像Ｐ４をこの順で重畳させて，重畳画像Ｐ６を生成」する「重畳画像生成部１４１」は，上記オの位置合わせの結果を基に，レイアウト画像Ｐ３と不良観察画像Ｐ２を重畳することで重畳画像を生成するから，本願発明６の「前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する画像処理部」に相当する。
キ　引用発明の「半導体不良解析プログラム」は，「コンピュータ」に「位置調整部１３３」と「重畳画像生成部１４１」を実行させるものであって，パターン画像Ｐ１ないし発光画像Ｐ４の処理プログラムであるから，この点で，本願発明６における「コンピュータ」を「画像解析部」と「画像処理部」として機能させる「画像処理プログラム」に相当する。
　したがって，本願発明６と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「コンピュータを，
　半導体デバイスを対象に測定された測定画像に対応し，前記半導体デバイスのパターンを示す第１のパターン画像と，前記半導体デバイスのパターンを示す第２のパターン画像とに基づいて，前記第１のパターン画像と前記第２のパターン画像との相対関係を示すマッチング情報を取得する画像解析部，及び
　前記マッチング情報を基に，前記第２のパターン画像と前記測定画像とを重畳することによって重畳画像を取得する画像処理部，
として機能させる
ことを特徴とする画像処理プログラム。」
＜相違点＞
（相違点６）
　画像解析部について，本願発明６は，「前記第１のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第１の視野サイズと，前記第２のパターン画像の前記半導体デバイス上の範囲を示す第２の視野サイズとの比に基づいて，前記第１のパターン画像及び前記第２のパターン画像のうちの視野サイズの小さいほうの画像サイズを調整」するのに対して，引用発明は，パターン画像Ｐ１における３点と，レイアウト画像Ｐ３における３点に基づいて，それらの座標を用いて，レイアウト画像のズーム（拡大／縮小）等を含む位置合わせを行うものの，本願発明６のそのような特定はなされていない点。
（相違点７）
　画像解析部について，本願発明６は，画像サイズの調整後に，「前記第１のパターン画像から輪郭線である第１の形状情報を抽出し，前記第２のパターン画像から輪郭線である第２の形状情報を抽出し，前記第１の形状情報と前記第２の形状情報との間で互いに類似するパターンを検索する」のに対して，引用発明は，第１のパターン画像（パターン画像Ｐ１）と第２のパターン画像（レイアウト画像Ｐ３）の位置合わせに，画像の輪郭線である形状情報を用いることについて特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　相違点６について検討する。
　相違点６は上記相違点１と同様であるから，上記第６の１（２）と同様にして，引用発明に周知文献１ないし３記載の技術を適用する動機付けはないというべきである。
　そして，本願発明６は，請求人が審判請求書で主張する効果を含む本願明細書に記載された顕著な効果を奏するものと認められる。
（３）小括
　上記（２）のとおりであるから，引用発明に引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された技術を適用して，上記相違点６について本願発明６の構成とすることを，当業者が容易になし得たとはいえない。
　よって，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明６は当業者であっても引用発明及び引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
５　本願発明７について
　本願発明７は，本願発明６の発明特定事項を全て含み，さらに限定したものであるから，本願発明６が，引用発明及び引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえないことから，本願発明７も，引用発明及び引用文献２ないし４及び周知文献１ないし３に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第７　原査定について
１　理由（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により，本願発明１ないし７は，相違点１に係る事項を有するものとなっており，上記第６で検討したように，当業者であっても，拒絶査定で引用された引用文献１ないし４及び周知文献１ないし３に基づいて，容易に発明をすることができたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。