Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物学的観察を目的とする遠隔感知環境において捕捉されたビデオ信号を再構築するためのコンピューターに実装される方法であって、前記方法は、
関心のある被検体のソース・ビデオ・データＸ（ｔ）を受信することであって、
前記ソース・ビデオ・データは、Ｃ個のチャンネル上のＮ次元のソース信号ＲＨｘＷを獲得することが出来る画像化ビデオセンサを使用して捕捉され、
ここで、Ｈは画像の高さであり、Ｗは画像の幅であり、チャンネルｃにおいてＸｃ（ｔ）∈ＲＨｘＷｘＣである、
ソース・ビデオ・データＸ（ｔ）を受信することと、
画像データＩ∈ＲＮについて基底行列Ｑｌ，ｍ、ｌ＝１，・・・，Ｌ、ｍ＝１，・・・，Ｍを生成することと、
各チャンネルのビデオデータＸｃ（ｔ）をＸ’ｌ，ｍ，ｃ（ｔ）＝＜Ｑｌ，ｍ，Ｘｃ（ｔ）＞に変換することと、
Ｘ’ｌ，ｍ，ｃ（ｔ）のエントリの値を単一のベクトルの中に集めることと
集められたエントリの値をＤ＝ＬＭＣ次元の部分空間に射影して、ｘ（ｔ）∈ＲＤを含む投影ビデオデータを得ることと、
独立成分ｓ  ｙ１（ｔ），ｙ２（ｔ），・・・，ｙＤ（ｔ）を識別するために、前記投影ビデオデータ上で独立成分分析を行うことと、
関心のある信号として前記独立成分のうちの少なくとも１つ
【数１】
2013090922.tif 000001
を選択し、選択されていない全ての成分、すなわちｊ≠ｉ、について
【数２】
2013090922.tif 000002
と設定することと、
再構築されたビデオデータ
【数３】
2013090922.tif 000003
ここでＢは正則行列である、を生成するために前記選択された信号を使用することと、
各チャンネルに対して、
前記再構築されたビデオデータから、各エントリ
【数４】
2013090922.tif 000004
を抽出することと、
前記抽出されたエントリを使用して、
【数５】
2013090922.tif 000005
であるように、ソース・ビデオ・データを再構築することと、
前記再構築されたソース・ビデオ・データをディスプレイデバイスに通信することと、
を包含する、方法。
【請求項２】
関心のある信号として前記独立成分のうちの少なくとも１つ
【数６】
2013090922.tif 000006
を選択する代わりに、
関心のある信号として、ａを前記再構築されたビデオデータにおいて、対応する効果を強調するために充分に大きくなるように選択された定数として、
【数７】
2013090922.tif 000007
を選択する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
心臓信号、呼吸測度および呼吸機能、呼気中のＣＯ２濃度、汗、脳波パターンおよび脳波信号、感染度、血流および血液循環、ならびに体の動きのうちのいずれかの決定を容易にするために前記再構築されたソース・ビデオ・データを使用することをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
生物学的観察を目的とする遠隔感知環境において捕捉されたビデオ信号を再構築するためのシステムであって、前記システムは、
Ｃ個のチャンネル上のＮ次元のソース信号ＲＨｘＷを獲得するための、ＲＧＢビデオカメラ、マルチスペクトルカメラ、およびハイパースペクトルカメラのうちのいずれかを備える画像化ビデオセンサであって、
ここでＨは画像の高さであり、Ｗは画像の幅であり、チャンネルｃにおいてＸｃ（ｔ）∈ＲＨｘＷｘＣである、画像化ビデオセンサと、
ビデオ感知システムおよびメモリと通信するプロセッサであって、前記プロセッサは、
前記画像化センサを使用して捕捉された関心のある被検体のソース・ビデオ・データＸ（ｔ）を受信することと、
画像データＩ∈ＲＮについて基底行列Ｑｌ，ｍ、ｌ＝１，・・・，Ｌ、ｍ＝１，・・・，Ｍを生成することと、
各チャンネルのビデオデータＸｃ（ｔ）をＸ’ｌ，ｍ，ｃ（ｔ）＝＜Ｑｌ，ｍ，Ｘｃ（ｔ）＞に変換することと、
Ｘ’ｌ，ｍ，ｃ（ｔ）のエントリの値を単一のベクトルの中に集めることと
集められたエントリの値をＤ＝ＬＭＣ次元の部分空間に射影して、ｘ（ｔ）∈ＲＤを含む投影ビデオデータを得ることと、
独立成分ｙ１（ｔ），ｙ２（ｔ），・・・，ｙＤ（ｔ）を識別するために前記投影ビデオデータ上で独立成分分析を行うことと、
関心のある信号として前記独立成分のうちの少なくとも１つ
【数８】
2013090922.tif 000008
を選択し、選択されていない全ての成分、すなわちｊ≠ｉ、について
【数９】
2013090922.tif 000009
と設定することと、
再構築されたビデオデータ
【数１０】
2013090922.tif 000010
ここでＢは正則行列である、を生成するために前記選択された信号を使用することと、
各チャンネルに対して、
前記再構築されたビデオデータから、各エントリ
【数１１】
2013090922.tif 000011
を抽出することと、
前記抽出されたエントリを使用して、
【数１２】
2013090922.tif 000012
であるように、ソース・ビデオ・データを再構築することと、
前記再構築されたソース・ビデオ・データをディスプレイデバイスに通信することと
を行うための機械読み取り可能な命令を実行する、プロセッサと
を備える、システム。
【請求項５】
関心のある信号として前記独立成分のうちの少なくとも１つ
【数１３】
2013090922.tif 000013
を選択する代わりに、
関心のある信号として、ａを前記再構築されたビデオデータにおいて、対応する効果を強調するために充分に大きくなるように選択された定数として、
【数１４】
2013090922.tif 000014
を選択する、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
心臓信号、呼吸測度および呼吸機能、呼気中のＣＯ２濃度、汗、脳波パターンおよび脳波信号、感染度、血流および血液循環、ならびに体の動きのうちのいずれかの決定を容易にするために前記再構築されたソース・ビデオ・データを使用することをさらに包含する、請求項４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーブル通信ネットワーク内のケーブルを介して第１の方向に第１のデバイスからデータを送信するステップと、
無分割デュプレキシング（ＤＦＤ）技法を使用して、前記ケーブルを介して前記第１の方向と反対の第２の方向に第２のデバイスからデータを送信するステップであって、前記データが前記第１の方向および前記第２の方向にほぼ同時に送信されるステップと、
を含み、
前記ＤＦＤ技法が、
前記ケーブルからアナログ一次信号を受信するステップと、
送信機からアナログ参照信号を受信するステップと、
前記アナログ一次信号をデジタル一次信号に変換するステップと、
前記アナログ参照信号をデジタル参照信号に変換するステップと、
デジタル適応フィルタのフィルタ重みを判定するための入力として前記デジタル参照信号およびデジタル一次信号を使用して出力を提供するデジタル適応フィルタで、前記デジタル参照信号を処理するステップと、
前記デジタル一次信号から前記デジタル適応フィルタの出力を減算して、デジタルキャンセルされた信号を生成するステップと、
を含む、
方法。
【請求項２】
前記第１のデバイスで前記第１の方向に送信される前記データを暗号化するステップと、
前記第２のデバイスで前記第２の方向に送信される前記データを暗号化するステップ
のうちの１つまたは複数を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のデバイスで前記第１の方向に送信される前記データを受信するステップと、
前記第２のデバイスで前記第１の方向に送信される前記データを復号化するステップと
を含み、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のデバイスから前記第２のデバイスに暗号変数を送信するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のデバイスが前記第２のデバイスに前記暗号変数を送信する間に、前記第２のデバイスから広帯域ノイズを送信するステップと、
前記暗号変数を回復するために、前記第２のデバイスでＤＦＤ技法を使用して前記広帯域ノイズを取り除くステップと
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の方向に送信される前記データおよび前記第２の方向に送信される前記データが同一周波数チャネルを介して送信される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
その複数のノードの各々がＤＦＤモードで動作可能であるように構成された無分割デュプレキシング（ＤＦＤ）システムを各々備える、複数のノードと、
前記複数のノードの各々の動作のモードを制御するように構成された、プロセッサと
を備え、
前記複数のノードの各々が、
一次信号を受信し、
送信機から参照信号を受信し、
適応フィルタのフィルタ重みを判定するための入力として前記参照信号および一次信号を使用して出力を提供する適応フィルタで、前記参照信号を処理し、
前記一次信号から前記適応フィルタの出力を減算してキャンセルされた信号を生成する、
ための命令を含む、
ケーブル通信システム。
【請求項８】
前記複数のノードのうちの２つ以上のノード間の通信が同軸ケーブルを介して伝送される、請求項７に記載のケーブル通信システム。
【請求項９】
前記複数のノードが、１つまたは複数のネットワークノードと複数のノードを各々備える１つまたは複数のファイバリングとを備え、前記１つまたは複数のネットワークノードの各々が１つまたは複数のファイバリングに接続された、請求項７に記載のケーブル通信システム。
【請求項１０】
前記１つまたは複数のファイバリングに接続された前記複数のノードの各々が、前記１つまたは複数のネットワークノードのうちの１つから暗号変数を受信するように構成された、請求項９に記載のケーブル通信システム。
【請求項１１】
前記１つまたは複数のファイバリングに接続された前記複数のノードの各々が、前記暗号変数を受信する間にノイズを送信し、ＤＦＤ技法を使用して前記暗号変数を回復するように構成された、請求項１０に記載のケーブル通信システム。
【請求項１２】
前記プロセッサが、前記１つまたは複数のネットワークノードのうちの１つからの前記暗号変数の送信と、前記１つまたは複数のファイバリングに接続された前記複数のノードの各々での前記暗号変数の受信とを制御するように構成された、請求項１０に記載のケーブル通信システム。
【請求項１３】
前記１つまたは複数のファイバリング内の前記複数のノードの各々が、前記ケーブル通信システムのユーザに結合された、請求項１０に記載のケーブル通信システム。
【請求項１４】
前記プロセッサが、分割デュプレキシング方式を使用して前記複数のノードのそれぞれのノードを操作するように構成された、請求項７に記載のケーブル通信システム。
【請求項１５】
ケーブルネットワーク内の同軸ケーブルからアナログ一次信号を受信する能力がある受信機と、
前記同軸ケーブルにアナログ送信信号を送信する能力がある送信機と、
前記アナログ送信信号の一部をサンプリングしてアナログ参照信号を提供する能力がある方向性結合器と、
前記アナログ一次信号をデジタル一次信号に変換する能力がある第１のアナログ−デジタル変換器と、
前記アナログ参照信号をデジタル参照信号に変換する能力がある第２のアナログ−デジタル変換器と、
適応フィルタのフィルタタップ重みを判定するための入力として前記デジタル参照および一次信号を使用して出力を提供する適応フィルタで、前記デジタル参照信号を処理し、
前記デジタル一次信号から前記適応フィルタの出力を減算してデジタルキャンセルされた信号を生成する
ための命令を備える、プロセッサと、
を備える、無分割デュプレキシング（ＤＦＤ）システム。
【請求項１６】
前記ＤＦＤシステムが、ケーブル通信ネットワーク内のネットワークノードに結合されるように構成された、請求項１５に記載のＤＦＤシステム。
【請求項１７】
前記ＤＦＤシステムが、ケーブル通信ネットワーク内のユーザデバイスに結合されるように構成された、請求項１５に記載のＤＦＤシステム。
【請求項１８】
前記送信機が、そこから受信機が前記アナログ一次信号を受信する同周波数で前記同軸ケーブルに前記アナログ送信信号を送信するように構成された、請求項１５に記載のＤＦＤシステム。
【請求項１９】
前記送信機が、前記同軸ケーブルに暗号変数を送信するのに適した、請求項１５に記載のＤＦＤシステム。
【請求項２０】
前記受信機が暗号変数を受信するのに適し、そして、前記送信機が、前記受信機が前記暗号変数を受信する間にノイズを送信するのに適し、そして、前記プロセッサが、前記適応フィルタを使用するおよび前記適応フィルタの出力を減算して前記暗号変数を回復するための命令を備える、請求項１９に記載のＤＦＤシステム。
【請求項２１】
前記プロセッサが、前記回復された暗号変数を使用して、前記受信機で受信された暗号化された信号を復号化するための命令をさらに備える、請求項２０に記載のＤＦＤシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月24日(2015.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変動表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態に制御可能な遊技機であって、
前記有利状態に制御するか否かを決定する決定手段と、
前記決定手段の決定結果に基づいて、導出表示演出を実行してから変動表示の表示結果を導出表示させる導出表示演出実行手段と、
前記決定手段の決定結果に基づいて、変動表示が開始されてから前記導出表示演出実行手段により前記導出表示演出が実行されるまでに繰り返される変動表示において予告演出を実行可能な予告演出実行手段と、を備え、
変動表示は、特殊演出を実行して繰り返され、
変動表示が開始されて前記導出表示演出実行手段により前記導出表示演出が実行されるまでに、前記予告演出とは異なる特別予告演出を１回実行する特別予告演出実行手段をさらに備える
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の遊技機は、変動表示を行い、遊技者にとって有利な有利状態（例えば大当り遊技状態など）に制御可能な遊技機（例えばパチンコ遊技機１など）であって、前記有利状態に制御するか否かを決定する決定手段（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ２３９の処理を実行する部分など）と、前記決定手段の決定結果に基づいて、導出表示演出を実行してから変動表示の表示結果を導出表示させる導出表示演出実行手段（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ１６２の処理において、画像表示装置５に飾り図柄を停止表示させる部分など。画像表示装置５において、飾り図柄をリーチ状態としてから「リーチハズレ」または「大当り」の表示結果を導出表示させる部分。あるいは、リーチ状態とせずに「非リーチハズレ」の表示結果を導出表示させる部分。飾り図柄の変動のみならず、リーチ演出においてキャラクタ画像を表示させることなども含む。）と、前記決定手段の決定結果に基づいて、変動表示が開始されてから前記導出表示演出実行手段により前記導出表示演出が実行されるまでに繰り返される変動表示において予告演出を実行可能な予告演出実行手段（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ７０１における決定結果に基づいて、ステップＳ１６２の処理において、図４２（Ａ）〜（Ｋ）、図４３（Ａ）〜（Ｊ）、図４４（Ａ）〜（Ｌ）に示すように予告演出を繰り返し実行する部分など）と、を備え、変動表示は、特殊演出を実行して繰り返され、変動表示が開始されて前記導出表示演出実行手段により前記導出表示演出が実行されるまでに、前記予告演出とは異なる特別予告演出を１回実行する特別予告演出実行手段（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ７０２〜Ｓ７０４における決定結果に基づいて、ステップＳ１６２の処理において、図４２（Ｌ）、図４３（Ｋ）、（Ｌ）、図４４（Ｋ）に示すような特別予告演出を実行する部分など）をさらに備えることを特徴とする。
このような構成によれば、演出が煩わしくなることを防止して、興趣の低下を防止しつつ複数種類の演出を実行できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記特別予告演出実行手段は、前記決定手段により前記有利状態に制御すると決定された場合のみに前記特別予告演出を実行する（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ８２３における決定結果に基づいて、ステップＳ１６２の処理において、大当り確定報知演出を実行する）ようにしてもよい。
このような構成によれば、有利状態に制御されることを報知する特別予告演出が繰り返し実行されることにより演出が煩わしくなることを防止でき、興趣の低下を防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
変動表示手段は、始動領域（例えば普通入賞球装置６Ａが形成する第１始動入賞口や普通可変入賞球装置６Ｂが形成する第２始動入賞口など）を遊技媒体（例えば遊技球など）が通過したことにより変動表示の実行条件が成立した後、変動表示の開始を許容する開始条件の成立（例えばＣＰＵ１０３がステップＳ２３１にてＹｅｓと判定したことなど）に基づいて、前記識別情報の変動表示を開始し、前記実行条件が成立したことに基づいて、変動表示を行う権利を所定の上限数まで保留記憶する保留記憶手段（例えば第１特図保留記憶部１５１Ａや第２特図保留記憶部１５１Ｂ、演出制御保留記憶部１９５など）と、前記保留記憶手段に前記有利状態に制御する権利が記憶されているか否かを判定する判定手段（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ６２１〜Ｓ６２３の処理を実行する部分）と、をさらに備え、前記予告演出実行手段は、前記識別情報を変動表示が開始されてから前記導出表示演出実行手段により前記導出表示演出が実行されるまでに、当該変動表示に対する前記決定手段の決定結果に基づいて前記予告演出を実行し（例えば図４２（Ａ）〜（Ｋ）、図４３（Ａ）〜（Ｊ）、図４４（Ａ）〜（Ｌ）に示すように予告演出を繰り返し実行し）、前記特別予告演出実行手段は、前記判定手段の判定結果に基づいて前記特別予告演出を実行する（例えば演出制御用ＣＰＵ１２０がステップＳ６２４における決定結果に基づいて、ステップＳ１６２の処理において、先読予告演出を実行する）ようにしてもよい。
このような構成によれば、保留記憶手段に有利状態に制御する権利が記憶されているか否かを予告する特別予告演出が繰り返し実行されることにより演出が煩わしくなることを防止でき、興趣の低下を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月20日(2014.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板の主面上に零と異なる同一のパワーフロー角をもたせてそれぞれ配置した第１および第２の弾性波共振器であって、前記第１および第２の弾性波共振器はそれぞれ、一対の反射器と、前記一対の反射器の間に設けられたＩＤＴと、前記ＩＤＴを構成する櫛電極の電極指が交差した交差部とを有する第１および第２の弾性波共振器と、
前記第１の弾性波共振器の交差部を第１の弾性波共振器の位相速度の伝播方向に延長した第１の領域と、
前記第２の弾性波共振器の交差部を第２の弾性波共振器の位相速度の伝播方向に延長した第２の領域であって、前記第１の領域および第２の領域は少なくとも一部が重なるように配置された第２の領域と
を含む弾性波装置。
【請求項２】
前記圧電基板の前記主面の反対側の面を鏡面にした請求項１記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第１の弾性波共振器の入出力端のいずれか一方と前記第２の弾性波共振器の入出力端のいずれか一方を電気的に接続させた請求項１記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記圧電基板は、オイラー角を（θ，φ，ψ）＝（ａ，ｂ，ｃ）としたときに、−１０°≦ａ≦１０°、５２°≦ｂ≦４２°、−ａ−０．２°≦ｃ≦−ａ＋０．２°の条件を満たすタンタル酸リチウム単結晶である請求項１から請求項３のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第１の弾性波共振器および第２の弾性波共振器は、縦結合型弾性波フィルタである請求項１から請求項４のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第１の弾性波共振器および第２の弾性波共振器は、ラダー型フィルタを構成する直列腕共振器または並列腕共振器である請求項１から請求項４のいずれかに記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記第１の弾性波共振器のＩＤＴの交差幅と前記第２の弾性波共振器のＩＤＴの交差幅が異なる請求項１から請求項６のいずれかに記載の弾性波装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ユニット
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する表面上に、第１の発光素子及び第２の発光素子を有し、
前記第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間の発光性を有する有機化合物を含む第１の層と、を備え、
前記第１の電極の端部は、絶縁性を有する第１の隔壁に覆われ、
前記第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極及び前記第４の電極の間の発光性を有する有機化合物を含む第２の層と、を備え、
前記第１の電極及び前記第３の電極は、同層に設けられており、
前記第２の電極及び前記第４の電極は、同層に設けられており、
前記第２の電極が、前記第１の隔壁を介して前記第１の電極の端部と交差して、前記第３の電極と電気的に接続することを特徴とする発光ユニット。
【請求項２】
絶縁性を有する表面上に、第１の発光素子及び第２の発光素子を有し、
前記第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間の発光性を有する有機化合物を含む第１の層と、を備え、
前記第１の電極の端部は、絶縁性を有する第１の隔壁に覆われ、
前記第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極及び前記第４の電極の間の発光性を有する有機化合物を含む第２の層と、を備え、
前記第３の電極の端部は、絶縁性を有する第２の隔壁に覆われ、
前記第１の電極及び前記第３の電極は、同層に設けられており、
前記第２の電極及び前記第４の電極は、同層に設けられており、
前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁は、同層に設けられており、
前記第２の電極が、前記第１の隔壁を介して前記第１の電極の端部と交差し、且つ前記第２の隔壁を介して前記第３の電極の端部と交差して、前記第３の電極と電気的に接続することを特徴とする発光ユニット。
【請求項３】
絶縁性を有する表面上に、第１の発光素子及び第２の発光素子を有し、
前記第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間の発光性を有する有機化合物を含む第１の層と、を備え、
前記第１の電極の端部は、前記第１の層を介して第１の隔壁と重なり、
前記第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極及び前記第４の電極の間の発光性を有する有機化合物を含む第２の層と、を備え、
前記第３の電極の端部は、前記第２の層を介して第２の隔壁と重なり、
前記第１の電極及び前記第３の電極は、同層に設けられており、
前記第２の電極及び前記第４の電極は、同層に設けられており、
前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁は、同層に設けられており、
前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁は、有機化合物及び電子受容体を含む複合材料、又は絶縁物を含み、
前記第２の電極が、前記第１の隔壁を介して前記第１の電極の端部と交差し、且つ前記第２の隔壁を介して前記第３の電極の端部と交差して、前記第３の電極と電気的に接続することを特徴とする発光ユニット。
【請求項４】
絶縁性を有する表面上に、第１の発光素子及び第２の発光素子を有し、
第１の発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極の間の発光性を有する有機化合物を含む第１の層と、を備え、
前記第１の電極の端部は、第１の隔壁に覆われ、
第２の発光素子は、第３の電極と、第４の電極と、前記第３の電極及び前記第４の電極の間の発光性を有する有機化合物を含む第２の層と、を備え、
前記第３の電極の端部は、第２の隔壁に覆われ、
前記第１の電極及び前記第３の電極は、同層に設けられており、
前記第２の電極及び前記第４の電極は、同層に設けられており、
前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁は、同層に設けられており、
前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁は、有機化合物及び電子受容体を含む複合材料を含み、
前記第２の電極が、前記第１の隔壁を介して前記第１の電極の端部と交差して、前記第３の電極と電気的に接続することを特徴とする発光ユニット。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の電極の端部は前記第２の層と重なり、
前記第４の電極の端部は前記第２の層と重なり、
前記第２の層上で、前記第２の電極及び前記第４の電極が互いに電気的に絶縁されることを特徴とする発光ユニット。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の発光素子が、前記第３の電極と電気的に接続する補助配線を備え、
前記補助配線は前記第３の電極より導電率の高い金属を含み、且つ前記第４の電極より外側の前記第３の電極に接して設けられ、
前記補助配線に前記第２の電極が接して、前記第２の電極が前記第３の電極と電気的に接続することを特徴とする発光ユニット。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第２の発光素子が、前記第３の電極の上に絶縁性の保護層を備え、
前記第２の電極の端部は前記保護層を介して前記第３の電極と重なり、
前記第４の電極の端部は前記保護層を介して前記第３の電極と重なり、
前記保護層上で前記第２の電極と前記第４の電極が互いに電気的に絶縁されることを特徴とする発光ユニット。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の層並びに前記第２の電極と重なる位置に、前記第１の電極と接して設けられる第１の副配線、又は／及び
前記第２の層並びに前記第４の電極と重なる位置に、前記第３の電極と接して設けられる第２の副配線、を備え、
前記第１の副配線は前記第１の電極より導電率が高い金属を含み、且つ前記第１の層に含まれる前記発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有し、
前記第２の副配線は前記第３の電極より導電率が高い金属を含み、且つ前記第２の層に含まれる前記発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有することを特徴とする発光ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月24日(2014.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極を形成し、
前記第１の電極に接する電界発光層を形成し、
前記電界発光層上に接する第２の電極を形成して発光素子を形成し、
前記第１の電極と前記第２の電極との短絡部の位置を特定し、
前記短絡部にレーザ光を照射することにより、前記短絡部の位置における前記第１の電極を貫通させて、前記短絡部を除去した領域を形成し、
前記領域を充填するとともに、前記領域を覆うように液状の絶縁樹脂を局所的に供給し、
前記液状の絶縁樹脂を硬化することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記短絡部の位置は、前記発光素子に逆バイアスを印加することにより生じる発光素子の状態変化を検出することで特定することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記短絡部の位置は、前記発光素子の表面状態を観察し、画像解析により異常部を検出することで特定することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁樹脂は透光性を有し、前記電界発光層よりも屈折率が大きいことを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記絶縁樹脂は、光を散乱させる粒子を含むことを特徴とする照明装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の結晶性を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のチャネル保護層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体領域と、一対の第２の酸化物半導体領域と、を有し、
前記一対の第２の酸化物半導体領域は、前記第１の酸化物半導体領域を挟んで設けられ、
前記第１の酸化物半導体領域は、前記ゲート絶縁層を介して前記ゲート電極と重畳し、前記チャネル保護層と接し、
前記一対の第２の酸化物半導体領域は、希ガスまたは水素のうち少なくとも一種類の元素を含み、
前記一対の第２の酸化物半導体領域に含まれる前記元素の濃度は、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上、１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、亜鉛、インジウム、またはガリウムを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層は、非単結晶半導体であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の、第１の酸化物半導体領域と前記第１の酸化物半導体領域を挟む一対の第２の酸化物半導体領域と、を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体領域と重畳して設けられるゲート電極と、を有し、
前記第２の酸化物半導体領域は非晶質領域であり、
前記第１の酸化物半導体領域は非単結晶であり、かつｃ軸配向の結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と前記基板との間に設けられ、
一対の前記第２の酸化物半導体領域に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記酸化物半導体膜と前記基板との間に設けられており、
前記ゲート電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は重畳していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記ゲート電極は、前記基板と前記酸化物半導体膜との間に設けられており、
一対の前記第２の酸化物半導体領域に電気的に接続するソース電極及びドレイン電極と、
前記第１の酸化物半導体領域と接し、且つ前記酸化物半導体膜及び前記ゲート絶縁膜を介して、前記ゲート電極と重畳する絶縁膜と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記ゲート絶縁膜と、の間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体領域に、希ガス元素から選ばれた、少なくとも一種以上の元素が、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体領域に、水素が５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
一対の前記第２の酸化物半導体領域はトランジスタのソース領域及びドレイン領域であり、前記第１の酸化物半導体領域は前記トランジスタのチャネル領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体領域及び前記第２の酸化物半導体領域は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた二種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面と第２表面とを有する基板と、
前記基板の前記第１表面上に配置された導電パッド構造と、
前記基板の前記第１表面上に配置され、前記導電パッド構造に接して配置され、さらに前記導電パッド構造の一部を露出させる開口を有する誘電体層と、
前記誘電体層上に位置し、前記開口内に充填されるキャップ層と、を含むことを特徴とするチップパッケージ。
【請求項２】
前記基板の前記第２表面から前記第１表面に向けて延伸し、前記導電パッド構造の一部を露出させる孔部と、
前記孔部の側壁上に配置された絶縁層と、
前記孔部の前記側壁上の前記絶縁層上に配置され、前記導電パッド構造と電気的に接触する導電層と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のチップパッケージ。
【請求項３】
前記導電パッド構造は、互いに積層された複数の導電パッドを含むことを特徴とする請求項２に記載のチップパッケージ。
【請求項４】
前記孔部は前記導電パッドの最下層導電パッドを露出し、前記導電層は前記最下層導電パッドと直接接触していることを特徴とする請求項３に記載のチップパッケージ。
【請求項５】
前記孔部は前記導電パッドの最下層導電パッドを少なくとも貫通し、前記導電層は前記導電パッドの中間導電パッドと直接接触し、前記中間導電パッドは前記導電パッドの最下層導電パッドと最上層導電パッドとの間に配置されていることを特徴とする請求項３に記載のチップパッケージ。
【請求項６】
前記孔部は前記導電パッドの最下層導電パッドを少なくとも貫通し、前記導電層は前記導電パッドの最上層導電パッドと直接接触していることを特徴とする請求項３に記載のチップパッケージ。
【請求項７】
前記キャップ層の厚さは前記導電パッドのどの導電パッドの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項３に記載のチップパッケージ。
【請求項８】
前記キャップ層の材料は、金属材料、セラミック材料、高分子材料、またはそれらの組み合わせを含むことを特徴とする請求項１に記載のチップパッケージ。
【請求項９】
前記キャップ層の材料は前記導電パッド構造の材料と異なることを特徴とする請求項１に記載のチップパッケージ。
【請求項１０】
前記キャップ層は前記導電パッド構造と直接接触していることを特徴とする請求項１に記載のチップパッケージ。
【請求項１１】
前記導電パッド構造は陥凹部を有し、前記キャップ層が前記陥凹部内に充填されていることを特徴とする請求項１０に記載のチップパッケージ。
【請求項１２】
前記第一表面と接合されたキャリア基板をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のチップパッケージ。
【請求項１３】
前記第一表面と前記キャリア基板の間にスペーサ層が介挿されていることを特徴とする請求項１２に記載のチップパッケージ。
【請求項１４】
前記キャップ層の上部は前記開口よりも広いことを特徴とする請求項１に記載のチップパッケージ。
【請求項１５】
前記キャップ層の上部は、前記第一表面上の前記誘電体層上に延設されている        ことを特徴とする請求項１に記載のチップパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の駆動回路と、
前記絶縁層上の記憶素子と、を有し、
前記駆動回路は、第１のチャネル形成領域が単結晶シリコンである第１のトランジスタを有し、
前記記憶素子は、第２のチャネル形成領域が酸化物半導体である第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、
前記絶縁層上の前記酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体上、並びに前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続される半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の駆動回路と、
前記絶縁層上の記憶素子と、を有し、
前記駆動回路は、第１のチャネル形成領域が単結晶シリコンである第１のトランジスタを有し、
前記記憶素子は、第２のチャネル形成領域が酸化物半導体である第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、
前記絶縁層上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の前記酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上のソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続される半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の駆動回路と、
前記絶縁層上の記憶素子と、
前記絶縁層上の容量素子と、を有し、
前記駆動回路は、第１のチャネル形成領域が単結晶シリコンである第１のトランジスタを有し、
前記記憶素子は、第２のチャネル形成領域が酸化物半導体である第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、
前記絶縁層上の、前記第２のチャネル形成領域と不純物領域とを含む前記酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上のソース電極及びドレイン電極と、
前記酸化物半導体上、並びに前記ソース電極上及び前記ドレイン電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極と、を有し、
前記容量素子は、前記不純物領域と、前記絶縁層と、前記基板と、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続される半導体装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上の絶縁層と、
前記絶縁層上の駆動回路と、
前記絶縁層上の記憶素子と、
前記絶縁層上の容量素子と、を有し、
前記駆動回路は、第１のチャネル形成領域が単結晶シリコンである第１のトランジスタを有し、
前記記憶素子は、第２のチャネル形成領域が酸化物半導体である第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタは、
前記絶縁層上のゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、前記第２のチャネル形成領域と不純物領域とを含む前記酸化物半導体と、
前記酸化物半導体上のソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記容量素子は、前記ゲート電極と、前記絶縁層と、前記基板と、を有し、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタと電気的に接続される半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月10日(2014.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタ上の第２のトランジスタと、を有し、
前記第２のトランジスタは、
酸化物半導体材料を含む半導体層を有し、
前記第１のトランジスタは、
酸化物半導体以外の半導体材料を含む半導体基板に設けられたチャネル形成領域及び不純物領域、並びに、前記半導体層と接する上面を有するゲート電極を有する、半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方として機能する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタ上の絶縁層と、前記絶縁層上の第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、
半導体基板に設けられた、第１のチャネル形成領域、並びに前記第１のチャネル形成領域を挟むように設けられた第１の不純物領域及び第２の不純物領域と、
前記第１のチャネル形成領域上の第１のゲート絶縁層と、
前記第１のゲート絶縁層上の第１のゲート電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
第２のチャネル形成領域、並びに前記第２のチャネル形成領域を挟むように設けられた第１の低抵抗領域及び第２の低抵抗領域を含む半導体層と、
前記半導体層上の第２のゲート絶縁層と、
前記第２のゲート絶縁層上の第２のゲート電極と、を有し、
前記第１の低抵抗領域は前記第２のチャネル形成領域よりも低抵抗な領域を有し、
前記第２の低抵抗領域は前記第２のチャネル形成領域よりも低抵抗な領域を有し、
前記第１のゲート電極の上面が、前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域の一方と接して設けられた、半導体装置。
【請求項４】
前記第１のゲート電極は、前記第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極の一方として機能する、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域の他方と接して設けられた導電層を有する、請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１のゲート電極上に、前記半導体層及び前記第２のゲート絶縁層を介して重畳するように設けられた導電層を有する、請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１のゲート電極、前記半導体層、前記第２のゲート絶縁層及び前記導電層の積層は、容量素子として機能する、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１のゲート電極上に、前記半導体層及び前記第２のゲート絶縁層を介して重畳するように設けられた第１の導電層と、
前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域の他方と接して設けられた第２の導電層と、を有する請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１のゲート電極、前記半導体層、前記第２のゲート絶縁層及び前記第１の導電層の積層は、容量素子として機能する、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１のトランジスタは、前記第１の不純物領域及び前記第２の不純物領域に接して設けられたソース電極及びドレイン電極を有する、請求項３乃至９のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２のゲート電極は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ−Ｎ系化合物導電体を含む、請求項３乃至１０のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体層は、酸化物半導体材料を含み、
前記半導体基板は、酸化物半導体以外の半導体材料を含む、請求項１乃至１１のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記酸化物半導体材料は、ｃ軸配向し、かつａｂ面に垂直な方向から見て三角形状または六角形状の原子配列を有し、
前記ａｂ面において、ａ軸またはｂ軸の向きが異なる結晶を含む、請求項１、２又は１２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月28日(2014.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成ることを特徴とする銅含有組成物。
【請求項２】
銅化合物が、酸化銅（Ｉ）または酸化銅（ＩＩ）である請求項１に記載の銅含有組成物。
【請求項３】
銅化合物が、金属銅粒子を被覆した酸化銅（Ｉ）または酸化銅（ＩＩ）である請求項１又は２に記載の銅含有組成物。
【請求項４】
アルコール類が、１，３−ブタンジオール、２，４−ペンタンジオール、２−プロパノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−シクロヘキサンジオールまたはグリセリンである請求項１から３のいずれかに記載の銅含有組成物。
【請求項５】
アルコール類が、１，３−ブタンジオールである請求項１から４のいずれかに記載の銅含有組成物。
【請求項６】
ＶＩＩＩ族金属触媒が、カルボニル錯体である請求項１から５のいずれかに記載の銅含有組成物。
【請求項７】
ＶＩＩＩ族金属触媒が、トリルテニウムドデカカルボニルである請求項１から６のいずれかに記載の銅含有組成物。
【請求項８】
銅；ＶＩＩＩ族金属触媒；およびバインダー樹脂硬化物から成ることを特徴とする金属銅膜。
【請求項９】
ＶＩＩＩ族金属触媒が、トリルテニウムドデカカルボニルである請求項８に記載の金属銅膜。
【請求項１０】
銅化合物；直鎖、分岐または環状の炭素数１から１８のアルコール類；ＶＩＩＩ族金属触媒；バインダー樹脂；バインダー樹脂硬化剤および銅錯体から成る銅含有組成物を被膜とし、不活性ガス；水素、または、不活性ガスと水素の混合ガス中で、加熱することを特徴とする金属銅膜の製造方法。
【請求項１１】
銅化合物が、酸化銅（Ｉ）または酸化銅（ＩＩ）である請求項１０に記載の金属銅膜の製造方法。
【請求項１２】
銅化合物が、金属銅粒子を被覆した酸化銅（Ｉ）または酸化銅（ＩＩ）である請求項１０又は１１に記載の金属銅膜の製造方法。
【請求項１３】
アルコール類が、１，３−ブタンジオール、２，４−ペンタンジオール、２−プロパノール、シクロヘキサノール、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−シクロヘキサンジオールまたはグリセリンである請求項１０から１２のいずれかに記載の金属銅膜の製造方法。
【請求項１４】
アルコール類が、１，３−ブタンジオールである請求項１０から１３のいずれかに記載の金属銅膜の製造方法。
【請求項１５】
ＶＩＩＩ族金属触媒が、カルボニル錯体である請求項１０から１４のいずれかに記載の金属銅膜の製造方法。
【請求項１６】
ＶＩＩＩ族金属触媒が、トリルテニウムドデカカルボニルである請求項１０から１５のいずれかに記載の金属銅膜の製造方法。
【請求項１７】
１５０℃から２５０℃の間の選ばれた温度で加熱することを特徴とする請求項１０から１６に記載の金属銅膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体圧源からシリンダチューブ内に導かれる作動流体圧によってピストンロッドが軸方向に移動する流体圧シリンダであって、
前記ピストンロッドに軸方向に沿って形成され、前記流体圧源と前記シリンダチューブ内を連通するロッド内通路と、
前記ロッド内通路のシリンダチューブ内に開口する開口端から挿入されるプラグと、
前記ピストンロッドに径方向に沿って形成され、前記ロッド内通路に開口する横孔と、
前記横孔に挿入されるピンと、
前記ピストンロッドに連結されるピストンアッシと、を備え、
前記ロッド内通路の内周に内周ネジ部が形成され、
前記プラグは、
前記内周ネジ部に螺合する外周ネジ部と、
前記ピンに係合して前記プラグの回り止めをする係合部と、を有し、
前記ピンは、前記ピストンアッシの内側に配置され、
前記ピストンアッシの内周面によって前記ピンの抜け止めが行われる流体圧シリンダ。
【請求項２】
流体圧源からシリンダチューブ内に導かれる作動流体圧によってピストンロッドが軸方向に移動する流体圧シリンダであって、
前記ピストンロッドに軸方向に沿って形成され、前記流体圧源と前記シリンダチューブ内を連通するロッド内通路と、
前記ロッド内通路のシリンダチューブ内に開口する開口端から挿入されるプラグと、
前記ピストンロッドに径方向に沿って形成され、前記ロッド内通路に開口する横孔と、
前記横孔に挿入されるピンと、
前記ピストンロッドに締結されるピストンアッシと、を備え、
前記ロッド内通路の内周に内周ネジ部が形成され、
前記プラグは、
前記内周ネジ部に螺合する外周ネジ部と、
前記ピンに係合して前記プラグの回り止めをする係合部と、を有し、
前記ピストンアッシは、前記ピンに係合して前記ピストンアッシの回り止めをする係合部を有する流体圧シリンダ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の流体圧シリンダであって、
前記ピンは、前記ロッド内通路を横切るように前記横孔に挿入される流体圧シリンダ。
【請求項４】
請求項１から３の何れか１つに記載の流体圧シリンダであって、
前記ロッド内通路の内周と前記プラグの間に介装されるシールリングをさらに備え、
前記プラグは前記シールリングが介装される外周溝を有し、
前記シールリングが前記プラグと前記ロッド内通路の間を封止する流体圧シリンダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、流体圧源からシリンダチューブ内に導かれる作動流体圧によってピストンロッドが軸方向に移動する流体圧シリンダであって、ピストンロッドに軸方向に沿って形成され、流体圧源とシリンダチューブ内を連通するロッド内通路と、ロッド内通路のシリンダチューブ内に開口する開口端から挿入されるプラグと、ピストンロッドに径方向に沿って形成され、ロッド内通路に開口する横孔と、横孔に挿入されるピンと、ピストンロッドに連結されるピストンアッシと、を備え、ロッド内通路の内周に内周ネジ部が形成され、プラグは、内周ネジ部に螺合する外周ネジ部と、ピンに係合してプラグの回り止めをする係合部と、を有し、ピンは、ピストンアッシの内側に配置され、ピストンアッシの内周面によってピンの抜け止めが行われることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月18日(2015.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空の転動体と、この転動体の中空部に挿通されていると共に一端部が転動体から突出している軸体と、ラジアル方向に関して転動体を静圧気体によって支持すべく転動体と軸体との間に介在されている静圧気体軸受と、スラスト方向に関して転動体を磁力によって支持する磁性軸受とを具備しており、静圧気体軸受は、転動体の内周面に対して環状の軸受隙間をもって対面しているラジアル軸受面を有していると共に軸体に固着されている軸受体と、この軸受体のラジアル軸受面から軸受隙間に給気することができるように、軸受体に形成されている給気通路とを具備しており、磁性軸受は、転動体の一端部に装着されている環状の外側磁性体と、外周面で外側磁性体の内周面に隙間をもって対面していると共に軸体に装着されている環状の一対の内側磁性体と、一対の内側磁性体間に介在されている永久磁石とを具備しており、スラスト方向に関して転動体を支持すべく永久磁石の磁力に基づいて外側磁性体と一対の内側磁性体とが互いに引き合う力を生じさせるようになっているカムフォロア。
【請求項２】
軸受隙間は、スラスト方向のその一端で環状の隙間を介して外部に開口していると共に、スラスト方向のその他端で外部に開口しており、給気通路は、軸受体のラジアル軸受面に形成された第一の複数の環状通路と、この第一の複数の環状通路に夫々連通していると共に軸受体のスラスト方向の端面で開口して当該軸受体に形成されている連通路とを有しており、この連通路は、軸受体に転動方向に並んで配設されていると共にスラスト方向に伸びた複数の直通路と、この複数の直通路を互いに連通させている第二の環状通路と、複数の直通路を第一の複数の環状通路に連通させている複数の自成絞り通路とを具備している請求項１に記載のカムフォロア。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
転動体２は、円筒状であり、その内周面１２で静圧気体軸受７に対面しており、その外周面１３でカム等の相手部材（図示せず）に接触するようになっている。転動体２のスラスト方向の一端部５には磁性軸受９の外側磁性体６１が取り付けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
磁性軸受９は、転動体２の一端部５に装着されている環状の外側磁性体６１と、外周面６２で外側磁性体６１の内周面６３に環状の隙間６４をもって対面していると共に軸体４のスラスト方向の一端部２１に装着されている環状の一対の内側磁性体６５及び６６と、一対の内側磁性体６５及び６６間に介在されている永久磁石、本例では円周方向に等間隔をもって配された複数の永久磁石６７とを具備している。環状の隙間６４は、スラスト方向において軸受隙間３１に隣接配置されている。 軸受隙間３１は、スラスト方向のその一端で環状の隙間６４を介してカムフォロア１の外部に開口していると共に、スラスト方向のその他端で同じくカムフォロア１の外部に開口している。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離処理されたセパレータの剥離処理面に、（メタ）アクリル系ポリマー、過酸化物およびフェノール系酸化防止剤を含有する粘着剤組成物の層を形成する第１工程と、前記第１工程の後に前記粘着剤組成物を加熱し、架橋させて、粘着剤層を形成する第２工程とを含むことを特徴とするセパレータ付粘着剤層の製造方法。
【請求項２】
前記（メタ）アクリル系ポリマー１００重量部に対し、前記フェノール系酸化防止剤を０．０５〜３重量部含有する請求項１に記載のセパレータ付粘着剤層の製造方法。
【請求項３】
前記（メタ）アクリル系ポリマー１００重量部に対し、前記過酸化物を０．０５〜２重量部含有する請求項１または２に記載のセパレータ付粘着剤層の製造方法。
【請求項４】
前記（メタ）アクリル系ポリマーが、モノマー単位として、アルキル（メタ）アクリレートおよびヒドロキシル基含有モノマーを含有するものである請求項１〜３のいずれかに記載のセパレータ付粘着剤層の製造方法。
【請求項５】
前記（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量が、５０万〜３００万である請求項１〜４のいずれかに記載のセパレータ付粘着剤層の製造方法。
【請求項６】
前記（メタ）アクリル系ポリマー１００重量部に対し、さらに、シランカップリング剤を０．００１〜５重量部含有する請求項１〜５のいずれかに記載のセパレータ付粘着剤層の製造方法。
【請求項７】
前記第２工程が、前記粘着剤組成物を温度７０〜１７０℃で、３０〜２４０秒間加熱し、架橋させる工程である請求項１〜６のいずれかに記載のセパレータ付粘着剤層の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のセパレータ付粘着剤層の製造方法により製造されたセパレータ付粘着剤層。
【請求項９】
ゲル分率が４５〜９５重量％である請求項８に記載のセパレータ付粘着剤層。
【請求項１０】
前記粘着剤層に対する前記セパレータの剥離力が、０．０５〜０．３０Ｎ／５０ｍｍである請求項８または９に記載のセパレータ付粘着剤層。
【請求項１１】
偏光子の少なくとも片面に透明保護フィルムを有する偏光フィルムの少なくとも片面に、セパレータ付粘着剤層を粘着剤層側から貼り合わせるセパレータ付粘着剤層付偏光フィルムの製造方法であって、
前記セパレータ付粘着剤層が、請求項８〜１０のいずれかに記載のセパレータ付粘着剤層であることを特徴とするセパレータ付粘着剤層付偏光フィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記偏光フィルムの総厚みが１００μｍ以下である請求項１１に記載のセパレータ付粘着剤層付偏光フィルムの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の製造方法により製造されたセパレータ付粘着剤層付偏光フィルム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のセパレータ付粘着剤層付偏光フィルムを少なくとも１つ用いたことを特徴とする画像表示装置。