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【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高圧燃料供給ポンプ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプ本体と、
前記ポンプ本体に形成された加圧室と、
前記加圧室の吸入側に形成されるダンパ室と、を備えた高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパ室を覆うダンパカバーと、
前記ダンパ室に配置される金属ダイヤフラムダンパと、
前記金属ダイヤフラムダンパの上側に配置され、前記金属ダイヤフラムダンパを保持する第１の部材と、
前記金属ダイヤフラムダンパの下側に配置され、前記金属ダイヤフラムダンパを保持する第２の部材と、
前記金属ダイヤフラムダンパ、前記第１の部材、及び前記第２の部材は、前記金属ダイヤフラムダンパが前記第１の部材及び前記第２の部材により保持されることで、前記ダンパカバーを外した状態においてユニット化されて構成される高圧燃料供給ポンプ。
【請求項２】
請求項１に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
２枚の前記金属ダイアフラムは、全周にわたって接合されており、接合部の内側の位置において前記第１の部材及び前記第２の部材により保持されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項３】
ポンプ本体と、
前記ポンプ本体に形成された加圧室と、
前記加圧室の吸入側に形成されるダンパ室と、を備えた高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパ室を覆うダンパカバーと、
前記ダンパ室に配置される金属ダイヤフラムダンパと、
前記金属ダイヤフラムダンパの上側に配置され、前記金属ダイヤフラムダンパを保持する第１の部材と、
前記金属ダイヤフラムダンパの下側に配置され、前記金属ダイヤフラムダンパを保持する第２の部材と、
前記金属ダイヤフラムダンパ、前記第１の部材、及び前記第２の部材は、前記金属ダイヤフラムダンパが前記第１の部材及び前記第２の部材により保持されることで、前記ダンパカバーを外した状態においてユニット化されて構成される高圧燃料供給ポンプ。
【請求項４】
請求項１又は３に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記第１の部材は曲がり部を有しており、前記第２の部材の上面が前記第１の部材の曲がり部と対面することで、前記金属ダイヤフラムダンパが保持される高圧燃料供給ポンプ。
【請求項５】
請求項１又は３に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパカバーは、その側面が前記金属ダイヤフラムダンパ、前記第１の部材、及び前記第２の部材の外周側に位置するとともに、その下端が前記金属ダイヤフラムダンパ、前記第１の部材、及び前記第２の部材よりも下側に位置するように構成される高圧燃料供給ポンプ。
【請求項６】
請求項１又は３に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ダンパカバーは、その側面が前記ポンプ本体の外周側に位置するように構成される高圧燃料供給ポンプ。
【請求項７】
請求項６に記載したものにおいて、
前記ダンパカバーの内壁面と、前記第１の部材の外周面とは部分的に圧接しており、両者の圧接していない部分に、前記第１の部材の内外を連通し、燃料を流通する間隙が形成されている高圧燃料供給ポンプ。
【請求項８】
請求項６若しくは７のいずれかに記載のものにおいて、
前記ダンパカバーには燃料導入口が形成されており、当該ダンパカバーに面する側の前記金属ダイアフラムは前記燃料導入口に対面し、
前記ダンパ室の底壁面には前記加圧室に通じる燃料排出口が形成されており、当該ダンパ室の底壁面に面する側の前記金属ダイアフラムは前記燃料排出口に面している高圧燃料供給ポンプ。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれかに記載されたものにおいて、
前記ダンパカバーを前記ポンプ本体に形成された前記ダンパ室の外周に嵌合する際の嵌合力の一部によって、ユニット化された前記金属ダイヤフラムダンパ、前記第１の部材、及び前記第２の部材が前記ダンパ室の底壁面に押付けられている高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載のものにおいて、
前記第１の部材及び第２の部材が相互の圧入嵌合によって固定され、前記金属ダイアフラムを両者間に挟持している高圧燃料供給ポンプ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ポンプ本体と、前記ポンプ本体に形成された加圧室と、前記加圧室の吸入側に形成されるダンパ室と、を備えた高圧燃料供給ポンプにおいて、前記ダンパ室を覆うダンパカバーと、前記ダンパ室に配置される金属ダイヤフラムダンパと、前記金属ダイヤフラムダンパの上側に配置され、前記金属ダイヤフラムダンパを保持する第１の部材と、前記金属ダイヤフラムダンパの下側に配置され、前記金属ダイヤフラムダンパを保持する第２の部材と、前記金属ダイヤフラムダンパ、前記第１の部材、及び前記第２の部材は、前記金属ダイヤフラムダンパが前記第１の部材及び前記第２の部材により保持されることで、前記ダンパカバーを外した状態においてユニット化されて構成される高圧燃料供給ポンプである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気を圧縮する圧縮機本体と、
この圧縮機本体からの圧縮空気が流通する圧縮空気流通経路と、
この圧縮空気流通経路上に設けられ前記圧縮機本体からの圧縮空気を冷却する熱交換器と、
前記圧縮空気流通経路から分岐し、前記熱交換器で冷却された圧縮空気から凝縮したドレンが流通するドレン配管と、
このドレン配管に設けられ、ドレンに混入する異物を除去するストレーナと、
前記ドレン配管において前記ストレーナより下流側に設けられる開閉弁と、
前記ドレン配管において前記ストレーナより上流側に設けられ、前記ドレン配管内の圧力を検出する圧力センサとを備えた空気圧縮機。
【請求項２】
請求項１に記載の空気圧縮機において、
前記開閉弁の開時の前記圧力センサで検出した圧力検出値が、閉時の圧力検出値と比較して、低くならない場合に排出不良と判断することを特徴とする空気圧縮機。
【請求項３】
請求項２に記載の空気圧縮機において、
規定時間内に発した開信号出力回数と、前記圧力センサで検出した圧力検出値の降下回数とを対比し、圧力降下回数が前記開信号出力回数より少ない場合に排出不良と判断するよう制御することを特徴とする空気圧縮機。
【請求項４】
請求項１に記載の空気圧縮機において、
前記開閉弁を通電時に開、非通電時に閉となるよう制御することを特徴とする空気圧縮機。
【請求項５】
請求項１に記載の空気圧縮機において、
前記圧縮機本体内にスクリューロータを備えたことを特徴とする空気圧縮機。
【請求項６】
請求項１に記載の空気圧縮機において、
前記圧縮空気流通経路に潤滑油を含まないオイルフリー式であることを特徴とする空気圧縮機。
【請求項７】
請求項１に記載の空気圧縮機において、
前記熱交換器は冷却水と圧縮空気との熱交換を行う水冷式であることを特徴とする空気圧縮機。
【請求項８】
請求項１に記載の空気圧縮機において、
前記圧縮機本体は、低圧段圧縮機本体と高圧段圧縮機本体の２つの圧縮機本体で構成され、前記ドレン配管は前記低圧段圧縮機本体と前記高圧段圧縮機本体との間に設けられる熱交換器で冷却された圧縮空気から凝縮したドレンが流通するものであることを特徴とする空気圧縮機。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項に記載の空気圧縮機において、
前記ドレン配管が、前記圧縮空気流通経路から分岐して、外部に連通するものであることを特徴とする空気圧縮機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の空気圧縮機は、空気を圧縮する圧縮機本体と、この圧縮機本体からの圧縮空気が流通する圧縮空気流通経路と、この圧縮空気流通経路上に設けられ前記圧縮機本体からの圧縮空気を冷却する熱交換器と、前記圧縮空気流通経路から分岐し、前記熱交換器で冷却された圧縮空気から凝縮したドレンが流通するドレン配管と、このドレン配管に設けられ、ドレンに混入する異物を除去するストレーナと、前記ドレン配管において前記ストレーナより下流側に設けられる開閉弁と、前記ドレン配管において前記ストレーナより上流側に設けられ、前記ドレン配管内の圧力を検出する圧力センサとを備えたものとした。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月1日(2015.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランス１，１，１−トリフルオロ−３−クロロプロペン（トランスＨＦＣＯ−１２３３ｚｄ）又は１，１，１−トリフルオロ−２−クロロプロペン（ＨＦＣＯ−１２３３ｘｆ）から選ばれるトリフルオロモノクロロプロペン及びイソペンタン、ｎ−ペンタン及び／又はシクロペンタンから選ばれる炭化水素又は蟻酸メチルからなる群から選ばれる共発泡剤を含む発泡剤であって、
前記共発泡剤が発泡剤において２５〜７５重量％の量で存在し、
前記トランスＨＦＣＯ−１２３３ｚｄが発泡剤の５重量％以上の量で存在し、
前記発泡剤が、５００以下の地球温暖化係数（ＧＷＰ）及び０．０５以下のオゾン破壊係数（ＯＤＰ）を有する、
発泡剤。
【請求項２】
前記トリフルオロモノクロロプロペン（ＨＦＣＯ−１２３３）が、トランスＨＦＣＯ−１２３３ｚｄである、請求項１記載の発泡剤。
【請求項３】
前記共発泡剤が、シクロペンタンである、請求項１又は２記載の発泡剤。
【請求項４】
前記トリフルオロモノクロロプロペンが、前記発泡剤の少なくとも１５重量％の量で存在する、前記請求項１〜３のいずれかに記載の発泡剤。
【請求項５】
前記トリフルオロモノクロロプロペンが、前記発泡剤の少なくとも５０重量％の量で存在する、前記請求項１〜３のいずれかに記載の発泡剤。
【請求項６】
前記発泡剤が１５０以下の地球温暖化係数（ＧＷＰ）を有する、前記請求項１〜５のいずれかに記載の発泡剤。
【請求項７】
前記発泡剤が０．０２以下のオゾン破壊係数（ＯＤＰ）を有する、請求項１〜６のいずれかに記載の発泡剤。
【請求項８】
前記発泡剤が約０のオゾン破壊係数（ＯＤＰ）を有する、請求項１〜７のいずれかに記載の発泡剤。
【請求項９】
フォーム形成剤及び請求項１〜８のいずれかに記載の発泡剤を含む起泡可能組成物であって、前記フォーム形成剤は少なくとも１つの熱硬化性フォーム成分を含む、起泡可能組成物。
【請求項１０】
請求項９に記載の起泡可能組成物であって、前記熱硬化性フォーム成分がポリウレタンフォームを形成できる組成物、ポリイソシアヌレートフォームを形成できる組成物、又は、フェノール樹脂フォームを形成できる組成物から選ばれる、起泡可能組成物。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれかに記載の発泡剤を熱硬化性の起泡可能組成物及び／又はフォーム形成組成物に加えることを含むフォームを形成する方法。
【請求項１２】
イソシアネート、ポリオール又はポリオールの混合物、及び請求項１〜８のいずれかに記載の発泡剤、並びに、触媒、界面活性剤、難燃剤、着色剤またはその他の添加剤などの他の材料を組み合わせることを含むポリウレタンまたはポリイソシアヌレートのフォームを形成する方法。
【請求項１３】
（ａ）イソシアネートを含む第一の成分；及び
（ｂ）ポリオールまたはポリオールの混合物、界面活性剤、触媒、難燃剤、および請求項１〜８のいずれかに記載の発泡剤を含む第二の成分
を含むプレブレンド組成物。
【請求項１４】
請求項１３に記載の第一の成分及び第二の成分を混合することによってポリウレタンまたはポリイソシアヌレートのフォームを形成する方法。
【請求項１５】
請求項１〜８のいずれかに記載の発泡剤を含む一成分フォーム、好ましくはポリウレタンフォームを形成する方法。
【請求項１６】
請求項１〜８のいずれかに記載の少なくとも１つの発泡剤を含むポリマーフォーム組成物を含む独立気泡の熱硬化性フォーム。
【請求項１７】
前記フォームは、ポリウレタンフォーム、ポリイソシアヌレートフォーム、又はフェノール樹脂フォームである、請求項１６に記載のフォーム。
【請求項１８】
前記フォームは、噴霧されたフォーム、硬質のフォーム、柔軟なフォーム、スキン層付きフォーム、冷蔵庫用フォーム、パネル用フォーム、冷蔵庫/冷凍庫用フォーム、及び冷凍庫用フォームの１以上の形態である、請求項１６又は１７に記載のフォーム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月23日(2015.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明のめっき層の好ましい一実施形態は、分散析出金属としてタングステンを含有し、残部が銅及び不可避不純物からなる。
ここで、タングステンを含有するとは、タングステン酸化物の微粒子としてめっき母材中に分散されて存在することをいう。ただし、タングステンのめっき母材への取り込み過程でタングステン酸化物のごく一部が金属タングステンに還元されて介在粒子として取り込まれている場合もある。本発明においてめっき層がタングステンを含むとは、タングステン酸化物の微粒子がめっき母材中に分散して存在している場合の他に、このような金属タングステンの微粒子として母材中に分散して介在粒子として存在している場合も含める意味である。
本発明においては、このようなタングステン酸化物の微粒子と金属タングステンの微粒子を合わせて、めっき層中に含まれるタングステンと称する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月14日(2015.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
請求項２記載の半導体評価装置を用いた半導体評価方法であって、
前記コンタクトプローブを前記被測定物に接触させることで前記被測定物の電気的評価を行う工程と、
前記被測定物の電気的評価を行う工程の際に、前記流体吹き付け手段により前記被測定物の表面に流体を吹き付ける工程と、
前記被測定物の表面に流体を吹き付ける工程の際に吹き付けられた流体を、前記流体吸い込み手段により吸い込む工程と、
を備えた、半導体評価方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図４は、実施の形態１の変形例１に係る半導体評価装置１における流体吹き付け部７と流体吸い込み部１７の配置構成を示す平面図であり、図面を見やすくするために絶縁性基体１６は省略されている。ここでは、流体２０を吹き付ける領域を外縁部のみに特化するために、４つの流体吹き付け部７が、絶縁性基体１６において、半導体装置５の４つの角部に対応する位置にそれぞれ設置され、４つの流体吸い込み部１７が、絶縁性基体１６において、流体吹き付け部７が設置された半導体装置５の角部と対向する角部に対応する位置にそれぞれ設置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月1日(2015.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体に搭載され、放射線源としての１以上の放射性物質の測定を行う放射線検出器と、
前記移動体の位置データを発生する位置測定器と、
前記放射線検出器の姿勢データを生成する姿勢測定器と、
前記放射線検出器による測定結果と、前記位置測定器によって生成された前記移動体の位置データと、前記姿勢測定器により生成される前記放射線検出器の姿勢データとを含む測定データを受け取る放射性物質分布マップ作成装置と
を備え、
前記放射性物質分布マップ作成装置は、前記放射線検出器による前記測定結果に基づいて放射線源の方向データを生成し、
前記放射性物質分布マップ作成装置は、前記放射線検出器の前記姿勢データと、前記移動体の前記位置データと、前記移動体が移動している間に複数位置で得られた前記放射線源の方向データとに基づいて前記放射線源の位置を同定し、
前記放射性物質分布マップ作成装置は、前記放射線源の位置を組み合わせることによって前記放射性物質の分布マップを作成する
放射性物質分布マップ作成システム。
【請求項２】
請求項１に記載の放射性物質分布マップ作成システムであって、
前記放射線検出器は、コンプトンカメラである
放射性物質分布マップ作成システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の放射性物質分布マップ作成システムであって、
前記放射性物質分布マップ作成装置は、表示装置を備え、前記作成した分布マップを前記表示装置に表示する
放射性物質分布マップ作成システム。
【請求項４】
請求項３に記載の放射性物質分布マップ作成システムであって、
前記放射線検出器による前記測定結果は、観測された放射線の強度を含み、
前記放射性物質分布マップ作成装置は、前記観測された放射線の前記強度に基づいて前記放射性物質の核種を判別し、前記核種毎に識別可能なように前記作成した分布マップを前記表示装置に表示する
放射性物質分布マップ作成システム。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の放射性物質分布マップ作成システムであって、
前記放射性物質分布マップ作成装置は、前記作成した分布マップを地図に重ね合わせて前記表示装置に表示する
放射性物質分布マップ作成システム。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一項に記載の放射性物質分布マップ作成システムであって、
更に、
前記移動体に搭載された可視光カメラ
を備え、
前記放射性物質分布マップ作成装置は、前記可視光カメラによって撮像された可視光画像を受け取り、前記作成した分布マップを前記可視光画像に重ね合わせて前記表示装置に表示する
放射性物質分布マップ作成システム。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の放射性物質分布マップ作成システムであって、
前記移動体は、航空機である
放射性物質分布マップ作成システム。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の放射性物質分布マップ作成システムであって、
前記移動体は、車両である
放射性物質分布マップ作成システム。
【請求項９】
移動体に搭載された放射線検出器を用いて、放射線源としての１以上の放射性物質からの放射線を測定を行うステップと、
前記移動体の位置データを生成するステップと、
前記放射線検出器の姿勢データを生成するステップと、
前記放射線検出器による測定結果に基づいて前記放射線元の方向データを生成するステップと、
前記移動体を移動させるステップと、
前記放射性物質分布マップ作成装置は、前記放射線検出器の前記姿勢データと、前記移動体の前記位置データと、前記移動体が移動している間に複数位置で得られた前記放射線源の方向データとに基づいて前記放射線源元の位置を同定するステップと、
前記同定された放射線源元の位置を組み合わせることによって前記放射性物質の分布マップを作成するステップと
を含む
放射性物質分布マップ作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月7日(2015.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ローディング装置が、円輪状の底板部とこの底板部の外周縁から前記一方の外側ディスクに向け折れ曲がった円筒部とを有し、このうちの底板部の径方向内端部に設けた円筒状の基端嵌合筒部を前記回転軸の一部に外嵌する事により、この回転軸に対し結合固定されたシリンダを備え、このシリンダの内部に設けた油圧室内への油圧を導入に基づき、前記一方の外側ディスクを前記他方の外側ディスクに向けて押圧する油圧式のものであり、前記固定部材が前記シリンダの基端嵌合筒部であり、前記係止環の軸方向片側面をこの基端側嵌合筒部の軸方向端面に当接させている、請求項１に記載したトロイダル型無段変速機。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンプレッサとタービンとを連結するシャフトを具備するターボチャージャであって、
前記シャフトの軸方向両端面を、コンプレッサハウジングの吸気口の内径部及びタービンハウジングの排気口の内径部にそれぞれ固定された軸受によって回転可能に支持すると共に、
前記コンプレッサハウジングと前記タービンハウジングとの間に遮熱部材を配置することを特徴とする、
ターボチャージャ。
【請求項２】
前記遮熱部材に、当該遮熱部材を冷却するための冷却通路を形成することを特徴とする、
請求項１に記載のターボチャージャ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
即ち、請求項１においては、コンプレッサとタービンとを連結するシャフトを具備するターボチャージャであって、前記シャフトの軸方向両端面を、コンプレッサハウジングの吸気口の内径部及びタービンハウジングの排気口の内径部にそれぞれ固定された軸受によって回転可能に支持すると共に、前記コンプレッサハウジングと前記タービンハウジングとの間に遮熱部材を配置するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、凹部形状のキャビティを有するリフレクター、及び光半導体素子を少なくとも備えた半導体発光装置であって、該リフレクターが無機物質を含有する樹脂組成物により形成され、該リフレクターを、ＣｕＫα線（波長１．５４１８Ａ）を用いたＸ線回折法によって測定したスペクトルにおいて、回折角２θが０度から２４度の範囲のうち、強度が最大となる回折ピークのピーク強度Ｐ１と、回折角２θが２４度超から７０度の範囲で、強度が最大となる回折ピークのピーク強度Ｐ２の強度比（Ｐ１／Ｐ２）が、０．０１以上１．０以下であり、かつ該リフレクターの灰分が６０質量％以上であることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記回折角２θが０度から２４度の範囲の回折ピークのうち、強度が最大となる回折ピークが２θ＝９．３±１度、１３．４±１度、１６．７±１度、及び１８．３±１度のいずれかである請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記回折角２θが２４度超から７０度の範囲で、強度が最大となる回折ピークが２θ＝２７．４±１度、３６．１±１度、４１．２±１度、５４．３±１度、５６．６±１度、６９．０±１度、２５．３±１度、３７．９±１度、４８．１±１度、５４．０±１度、５５．１±１度、６２．７±１度、２５．７±１度、３０．８±１度、３６．３±１度、４８．０±１度、５４．２±１度、５５．２±１度のいずれかである請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記回折角２θが０度から２４度の範囲の回折ピークが、少なくとも２θ＝９．３±１度、１３．４±１度、１６．７±１度、１８．３±１度の回折ピークの組合せを有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記回折角２θが２４度超から７０度の範囲の回折ピークが次の（１）〜（３）のいずれかの組み合わせを有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
（１）少なくとも２θ＝２７．４±１度、３６．１±１度、４１．２±１度、５４．３±１度、５６．６±１度、６９．０±１度の回折ピークの組合せ
（２）少なくとも２θ＝２５．３±１度、３７．９±１度、４８．１±１度、５４．０±１度、５５．１±１度、６２．７±１度の回折ピークの組合せ
（３）少なくとも２θ＝２５．３±１度、２５．７±１度、３０．８±１度、３６．３±１度、４８．０±１度、５４．２±１度、５５．２±１度の回折ピークの組合せ
【請求項６】
前記回折角２θが０度から２４度の範囲のうち、強度が最大となる回折ピークが２θ＝９．３±１度である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記回折角２θが２４度超から７０度の範囲で、強度が最大となる回折ピークが２θ＝２７．４±１度である請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記光半導体素子がＬＥＤ素子である請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記リフレクターのキャビティに封止樹脂が充填されてなる請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記樹脂組成物がさらに架橋処理剤を含む請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
基板及び凹部形状のキャビティを有するリフレクターを備えた光半導体実装用基板であって、該リフレクターが無機物質を含有する樹脂組成物により形成され、該リフレクターを、ＣｕＫα線（波長１．５４１８Ａ）を用いたＸ線回折法によって測定したスペクトルにおいて、回折角２θが０度から２４度の範囲のうち、強度が最大となる回折ピークのピーク強度Ｐ１と、回折角２θが２４度超から７０度の範囲で、強度が最大となる回折ピークのピーク強度Ｐ２の強度比（Ｐ１／Ｐ２）が、０．０１以上１．０以下であり、かつ該リフレクターの灰分が６０質量％以上であることを特徴とする光半導体実装用基板。
【請求項１２】
前記回折角２θが０度から２４度の範囲の回折ピークのうち、強度が最大となる回折ピークが２θ＝９．３±１度、１３．４±１度、１６．７±１度、及び１８．３±１度のいずれかである請求項１１に記載の光半導体実装用基板。
【請求項１３】
前記回折角２θが２４度超から７０度の範囲の回折ピークのうち、強度が最大となる回折ピークが２θ＝２７．４±１度、３６．１±１度、４１．２±１度、５４．３±１度、５６．６±１度、６９．０±１度、２５．３±１度、３７．９±１度、４８．１±１度、５４．０±１度、５５．１±１度、６２．７±１度、２５．７±１度、３０．８±１度、３６．３±１度、４８．０±１度、５４．２±１度、５５．２±１度のいずれかである請求項１１又は１２に記載の光半導体実装用基板。
【請求項１４】
前記回折角２θが０度から２４度の範囲の回折ピークが、少なくとも２θ＝９．３±１度、１３．４±１度、１６．７±１度、１８．３±１度の回折ピークの組合せを有する請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の光半導体実装用基板。
【請求項１５】
前記回折角２θが２４度超から７０度の範囲の回折ピークが次の（１）〜（３）のいずれかの組み合わせを有する請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の光半導体実装用基板。
（１）少なくとも２θ＝２７．４±１度、３６．１±１度、４１．２±１度、５４．３±１度、５６．６±１度、６９．０±１度の回折ピークの組合せ
（２）少なくとも２θ＝２５．３±１度、３７．９±１度、４８．１±１度、５４．０±１度、５５．１±１度、６２．７±１度の回折ピークの組合せ
（３）少なくとも２θ＝２５．３±１度、２５．７±１度、３０．８±１度、３６．３±１度、４８．０±１度、５４．２±１度、５５．２±１度の回折ピークの組合せ
【請求項１６】
前記回折角２θが０度から２４度の範囲のうち、強度が最大となる回折ピークが２θ＝９．３±１度である、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の光半導体実装用基板。
【請求項１７】
前記回折角２θが２４度超から７０度の範囲で、強度が最大となる回折ピークが２θ＝２７．４±１度である請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の光半導体実装用基板。
【請求項１８】
前記光半導体素子がＬＥＤ素子である請求項１１〜１７のいずれか１項に記載の光半導体実装用基板。
【請求項１９】
前記リフレクターのキャビティに封止樹脂が充填されてなる請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の光半導体実装用基板。
【請求項２０】
前記樹脂組成物がさらに架橋処理剤を含む請求項１１〜１９のいずれか１項に記載の光半導体実装用基板。
【請求項２１】
光半導体素子を備えた半導体発光装置に用いられるリフレクターであって、
該リフレクターが無機物質を含有する樹脂組成物により形成され、該リフレクターを、ＣｕＫα線（波長１．５４１８Ａ）を用いたＸ線回折法によって測定したスペクトルにおいて、回折角２θが０度から２４度の範囲のうち、強度が最大となる回折ピークのピーク強度Ｐ１と、回折角２θが２４度超から７０度の範囲で、強度が最大となる回折ピークのピーク強度Ｐ２の強度比（Ｐ１／Ｐ２）が、０．０１以上１．０以下であり、かつ該リフレクターの灰分が６０質量％以上であることを特徴とするリフレクター。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体（５）を含み動作時に密閉状態でシールされるハウジング（２）を備える電気化学的電圧源（１）のための温度制御システム（３）であって、
少なくとも一つの加熱手段（４３）と、少なくとも一つの冷却手段（４７）と、少なくとも一つの流体案内手段（４５）を備えた流動手段（４）とを含み、さらに、前記電圧源（１）内で前記流体（５）を循環させる閉鎖流体回路システムとして前記流体（５）を移動させる流体移動装置（４４）を含み、
前記流体移動装置（４４）が、温度制御のために前記電圧源（１）へ流体（５）を供給する送出手段（５１，５１’）に結合され、
前記流体移動装置（４４）が、前記電圧源（１）の温度制御に続いて前記流体（５）を引き出す回収手段（５２，５２’）に結合され、
前記送出手段（５１，５１’）を回収手段とし、前記回収手段（５２，５２’）を送出手段とすることで、前記流体（５）の流れ方向が逆転可能であることを特徴とする、温度制御システム（３）。
【請求項２】
機械的負荷を受けている前記流体案内手段（４５）を保護するために、圧壊防止手段（６２）が前記流体案内手段（４５）に設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の温度制御システム（３）。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれか一項に記載の温度制御システム（３）を含むことを特徴とする、電圧源（１）。
【請求項４】
前記閉鎖流体回路システムの要素が、前記電圧源の完全に内側にあるか、または隣接していることを特徴とする、請求項３に記載の電圧源（１）。
【請求項５】
請求項１又は２のいずれか一項に記載の温度制御システム（３）を備えることを特徴とする車両（２００）。
【請求項６】
請求項３又は４のいずれか一項に記載の電圧源（１）を備えることを特徴とする車両（２００）。
【請求項７】
流体（５）を含み動作時に密閉状態でシールされるハウジングを備える電気化学的電圧源（１）のための温度制御方法であって、
少なくとも一つの加熱手段（４３）と、少なくとも一つの冷却手段（４７）と、少なくとも前記流体（５）を移動させるための流体案内手段（４５）含む流動手段（４）と、前記流体（５）を移動させるための流体移動装置（４４）であって、温度制御のために前記電圧源（１）へ流体（５）を供給する送出手段（５１，５１’）及び前記電圧源（１）の温度制御に続いて前記流体（５）を引き出す回収手段（５２，５２’）に結合された流体移動装置（４４）とを用いて閉鎖流体回路システムとして流体流を発生させるステップと、
前記電圧源（１）で、または前記電圧源（１）へ、閉鎖流体回路システムとして、温度制御された流体（５）を案内し、同時に前記電圧源（１）の中から不要な流体（５）を引き出すステップと、
前記送出手段（５１，５１’）を回収手段とし、前記回収手段（５２，５２’）を送出手段とすることで、前記流体（５）の流れ方向を逆転するステップと、
前記流体流から熱を抽出するか前記流体流へ熱を供給するステップと、を含むことを特徴とする、温度制御方法。
【請求項８】
前記電圧源（１）の外周部の内側のみに、または前記外周部に近接して配設される一つ以上の閉鎖回路において流体（５）を移動させるステップを含むことを特徴とする、請求項７に記載の温度制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空室（２２）の圧力を低下させる方法であって、
格子開口（１５２）、および少なくとも１つの格子面によって画定された格子内部（１５４）を有する格子（１５０）内に配置されたサブリメーション要素（１０４）を加熱するステップであって、前記格子開口（１５２）が可動要素（４０、４２）の移動方向について前記可動要素（４０、４２）に面するステップと、
前記サブリメーション要素（１０４）を加熱するのに応じて、前記格子面上に反応膜（１１４）を形成させるステップと、
気体分子（２４）を前記可動要素（４０、４２）に接触させるのに応じて、前記気体分子（２４）を前記格子開口（１５２）を通って前記格子内部（１５４）へと向かわせるステップと、
前記気体分子（２４）を前記反応膜（１１４）に付着させるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記気体分子（２４）を、前記格子（１５０）の外側に配置された可動要素（４０、４２）に接触させて、前記気体分子（２４）を前記格子開口（１５２）を通って前記格子内部（１５４）へと向かわせるステップと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電流を前記サブリメーション要素（１０４）に流して、前記サブリメーション要素（１０４）を加熱させるステップ
をさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記格子面上に前記反応膜（１１４）の以前に付与された層を形成させた後に、前記サブリメーション要素（１０４）を加熱するステップと、
前記反応膜（１１４）の前記以前に付与された層の上に前記反応膜（１１４）の新たな層を形成するステップと、
をさらに含む、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記真空室（２２）内の圧力を監視するステップと、
前記圧力が所定の高さを超えるのに応じて、前記サブリメーション要素（１０４）を加熱するステップと
をさらに含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記真空室（２２）内の前記圧力を少なくとも約１×１０−５トールまで低下させるステップ
をさらに含む、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄系材料の表面にクロムメッキを設けた後、熱処理する、クロム炭化物生成工程と、
前記クロム炭化物生成工程の後、窒化処理する工程と、
を含むことを特徴とするクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理は８５０℃以上の条件であることを特徴とする請求項１に記載のクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法。
【請求項３】
前記クロム炭化物生成工程において、前記熱処理すにより鉄系材料中の炭素がクロム中に拡散し、該クロムメッキのクロムがクロム炭化物に変化することを特徴とする請求項１または２に記載のクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法。
【請求項４】
前記窒化処理により、窒素が該クロム炭化物中に拡散し、該クロム炭化物が窒素化合物に変化する請求項１乃至３のいずれか１項に記載のクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法。
【請求項５】
母材である鉄系材料の表面にクロム窒化物またはクロム炭窒化物が形成され、
表面からクロム窒化物層、それより内側にクロム炭窒化物層および窒素が拡散した前記母材部分を有することを特徴とするクロム窒化物またはクロム炭窒化物。
【請求項６】
鉄系材料を窒化処理した後、該表面にクロムメッキを設ける工程と、
前記クロムメッキした鉄系材料を真空中にて熱処理する工程と、
を含むことを特徴とするクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法。
【請求項７】
前記窒化処理により、前記鉄系材料の表面に窒素が拡散する請求項６に記載のクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法。
【請求項８】
前記真空中での熱処理により、前記窒素がクロム中に拡散し、前記クロムを窒素化合物に変化させる請求項６または７に記載のクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法。
【請求項９】
前記熱処理は９００℃以上の条件であることを特徴とする請求項６に記載のクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法。
【請求項１０】
母材である鉄系材料の表面にクロム窒化物またはクロム炭窒化物が形成されたクロム窒化物またはクロム炭窒化物であって、
前記クロム窒化物またはクロム炭窒化物からなる層と前記母材との間には、
前記層及び前記母材に含有されている炭素より多い炭素元素を含む中間層、またはクロム及び鉄元素の含有量が、厚さ方向に対して互いに反対の方向に傾斜する中間層を有することを特徴とするクロム窒化物またはクロム炭窒化物。
【請求項１１】
圧電素子を備え、圧電素子への電圧の印加により振動する振動体と、
摩擦摺動部を備え、摩擦摺動部が前記振動体に接触し、前記振動により摩擦駆動される移動体と、
を有する振動波駆動装置であって、
前記摩擦摺動部が、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のクロム窒化物またはクロム炭窒化物によって形成されていることを特徴とする振動波駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一様態は、鉄系材料の表面にクロムメッキを設けた後、熱処理する、クロム炭化物生成工程と、
前記クロム炭化物生成工程の後、窒化処理する工程と、
を含むクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法に関する。
また、本発明の一様態は、母材である鉄系材料の表面にクロム窒化物またはクロム炭窒化物が形成されたクロム窒化物またはクロム炭窒化物であって、
表面からクロム窒化物層、それより内側にはクロム炭窒化物層および窒素が拡散した前記母材部分を有するクロム窒化物またはクロム炭窒化物に関する。
また、本発明の一様態は、
鉄系材料の表面を窒化処理した後、該表面にクロムメッキを設る工程と、
前記クロムメッキした鉄系材料を真空中にて熱処理する工程と、
を含むクロム窒化物またはクロム炭窒化物の製造方法に関する。
また、本発明の一様態は、母材である鉄系材料の表面にクロム窒化物またはクロム炭窒化物が形成されたクロム窒化物またはクロム炭窒化物であって、
前記クロム窒化物またはクロム炭窒化物からなる層と前記母材との間には、
前記層及び前記母材に含有される炭素より多い炭素元素を含む中間層、またはクロム及び鉄元素の含有量が、厚さ方向に対して互いに反対の方向に傾斜する中間層を有するクロム窒化物またはクロム炭窒化物に関する。
また、本発明の一様態は、圧電素子を備え、圧電素子への電圧の印加により振動する振動体と、
摩擦摺動部を備え、摩擦摺動部が前記振動体に接触し、前記振動により摩擦駆動される移動体と、
を有する振動波駆動装置であって、
前記摩擦摺動部が、上記したクロム窒化物またはクロム炭窒化物によって形成されている振動波駆動装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１および第２の完全混合型の反応槽を含んで成り、
各反応槽は、供給口と、抜き出し口と、各反応槽内の温度をそれぞれ検知する温度検知手段とを有し、
第１の反応槽の供給口は、原料モノマーおよび重合開始剤の供給源に接続され、
第１の反応槽の抜き出し口は、第２の反応槽の供給口に、冷却手段と混合手段を備える接続ラインによって接続される、連続重合装置。
【請求項２】
前記各反応槽の抜き出し口は、各反応槽の頂部に位置する、請求項１に記載の連続重合装置。
【請求項３】
第２の反応槽の前記供給口または第２の反応槽に設けられる別の供給口が、新たな重合開始剤の供給源に接続される、請求項１または２に記載の連続重合装置。
【請求項４】
第１および第２の反応槽は、いずれも、連続塊状重合を実施するために用いられる、請求項１〜３のいずれかに記載の連続重合装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の連続重合装置を用いて、
前記第１の反応槽に、原料モノマーおよび重合開始剤の供給源から、原料のメタクリル酸エステル系モノマーおよび重合開始剤を第１の反応槽の供給口より連続的に供給し、第１の反応槽において連続重合に付し、これにより得られる中間組成物を第１の反応槽の抜き出し口より連続的に抜き出す第１の重合工程と、
該中間組成物が第１の反応槽の抜き出し口から接続ラインを通って第２の反応槽の供給口に至るまでの間に、該中間組成物を接続ラインの冷却手段によって連続的に冷却する中間冷却工程と、
前記第２の反応槽に、該冷却された中間組成物を第２の反応槽の供給口より連続的に供給し、第２の反応槽において更に連続重合に付し、これにより得られる重合体組成物を第２の反応槽の抜き出し口より連続的に抜き出す第２の重合工程と
を含んで成る、メタクリル酸エステル系重合体組成物の製造方法。
【請求項６】
第２の反応槽の供給口における中間組成物の温度は、第１の反応槽の抜き出し口における中間組成物の温度よりも、５〜８０℃低い、請求項５に記載の重合体組成物の製造方法。
【請求項７】
第１の反応槽の温度検知手段によって検知される第１の反応槽内の温度、および第２の反応槽の温度検知手段によって検知される第２の反応槽内の温度は、いずれも、１２０〜１５０℃の範囲以内である、請求項５または６に記載の重合体組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の物理量測定機能を備えた回転機械は、回転機械と、エンコーダと、センサユニットと、演算器とを備える。
特に、本発明の物理量測定機能を備えた回転機械に於いては、前記エンコーダは、一方の被検出面を円筒状に構成した円筒状被検出面とすると共に、他方の被検出面を円輪状に構成した円輪状被検出面としている。そして、これら円筒状被検出面と円輪状被検出面とを、それぞれが共通の円環状空間に対向する状態で断面Ｌ字形に配置している。更に、円周方向に隣り合うＳ極とＮ極との境界である特性境界を、前記円筒状被検出面と前記円輪状被検出面とのうちの何れか一方の被検出面に関して当該被検出面の幅方向と平行にすると共に、他方の被検出面に関して当該被検出面の幅方向に対し傾斜させている。又、前記センサユニットは、使用状態での一方の磁気検出素子による磁場の感度方向を、この一方の磁気検出素子と前記円筒状被検出面との対向方向とすると共に、使用状態での他方の磁気検出素子による磁場の感度方向を、この他方の磁気検出素子と前記円輪状被検出面との対向方向としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上述の様な本発明の物理量測定機能を備えた回転機械を実施する場合には、例えば請求項２に記載した発明の様に、前記特性境界を傾斜させた被検出面を、前記円筒状被検出面とする。この場合には、前記演算器が算出する物理量が、前記回転機械を構成する静止体と回転体との間のアキシアル方向に関する相対変位と、これら静止体と回転体との間に作用するアキシアル荷重とのうちの、少なくとも１種類の物理量となる。
或いは、請求項３に記載した発明の様に、前記特性境界を傾斜させた被検出面を、前記円輪状被検出面とする。この場合には、前記演算器が算出する物理量が、前記静止体と前記回転体との間のラジアル方向に関する相対変位と、これら静止体と回転体との間に作用するラジアル荷重とのうちの、少なくとも１種類の物理量となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
回転機械と、エンコーダと、センサユニットと、演算器とを備え、
このうちの回転機械は、使用時にも回転しない静止体と、この静止体に対して予圧を付与された転がり軸受により回転自在に支持された回転体を備えたものであり、
前記エンコーダは、前記回転体の一部に支持固定されたもので、それぞれがこの回転体と同心である１対の被検出面を備え、これら両被検出面はそれぞれ、Ｓ極とＮ極とを円周方向に関して交互に配置したものであり、
前記センサユニットは、１対の磁気検出素子と、これら両磁気検出素子の出力信号を取り出して波形処理をする処理回路と、その側面にこれら両磁気検出素子と処理回路とを設置した半導体基板とを含んで構成される磁気検出用ＩＣを、センサホルダにより保持して成るもので、使用時に前記両磁気検出素子のうちの一方の磁気検出素子を前記両被検出面のうちの一方の被検出面に、他方の磁気検出素子を他方の被検出面に、それぞれ対向させた状態で、使用時にも回転しない部分に支持されるものであり、
前記演算器は、前記処理回路により処理された、前記両磁気検出素子の出力信号同士の間の位相差に基づいて、前記静止体と前記回転体との間の相対変位と、これら静止体と回転体との間に作用する外力とのうちの、少なくとも１種類の物理量を算出する機能を有するものである
物理量測定機能を備えた回転機械に於いて、
前記エンコーダは、前記一方の被検出面を円筒状に構成した円筒状被検出面とすると共に、前記他方の被検出面を円輪状に構成した円輪状被検出面とし、且つ、これら円筒状被検出面と円輪状被検出面とを、それぞれが共通の円環状空間に対向する状態で断面Ｌ字形に配置しており、且つ、円周方向に隣り合う前記Ｓ極と前記Ｎ極との境界である特性境界を、前記円筒状被検出面と前記円輪状被検出面とのうちの何れか一方の被検出面に関して当該被検出面の幅方向と平行にすると共に、他方の被検出面に関して当該被検出面の幅方向に対し傾斜させており、
前記センサユニットは、使用状態での前記一方の磁気検出素子による磁場の感度方向を、この一方の磁気検出素子と前記円筒状被検出面との対向方向とすると共に、使用状態での前記他方の磁気検出素子による磁場の感度方向を、この他方の磁気検出素子と前記円輪状被検出面との対向方向としている事を特徴とする
物理量測定機能を備えた回転機械。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記ホール素子と前記ＧＭＲ素子とが、それぞれ前記半導体基板の片側面に設置されている、請求項４に記載した物理量測定機能を備えた回転機械。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改良されたTO-CANアセンブリであって、
上面及び下面を少なくとも有するヘッダーであって、該ヘッダーの該下面は、前記改良されたTO-CANアセンブリの底面に対応する、ヘッダーと、
前記ヘッダーの前記上面に配置されて、光電子デバイスを少なくとも有する光サブアセンブリ（OSA）と、
上面、下面、内面、及び外面を少なくとも有するカラーであって、該カラーの該内面及び該外面は該カラーの側壁を画定し、該カラーの該側壁には開口が形成されている、カラーと、
上面、底面及び外壁を少なくとも有するレセプタクルであって、該外壁の一部は、前記カラーの前記内面の一部に機械的に結合されており、該レセプタクルの該外壁には開口が形成されている、レセプタクルと、
上面、下面、内面、及び外面を少なくとも有するキャップであって、該キャップの該内面及び該外面は該キャップの側壁を画定し、該キャップの該下面の一部は、前記ヘッダーの前記上面の一部に機械的に結合されている、キャップと
上面及び下面を少なくとも有する窓であって、該窓の該上面は、該窓の周辺部付近で前記キャップの前記内面に機械的に結合されており、該窓は、前記光電子デバイスの動作波長に対して透明である、窓
を備え、
前記カラーの前記下面の一部は、前記キャップの前記上面の一部に機械的に結合されており、
光ファイバーの一部が前記レセプタクルの前記外壁に形成された前記開口と前記カラーの前記側壁に形成された前記開口を通って、前記改良されたTO-CANアセンブリの軸に対して非ゼロの角度αで該改良されたTO-CANアセンブリ内に入り、該軸は、前記カラーの前記上面及び前記下面に対して、及び、前記レセプタクルの前記上面及び前記底面に対してほぼ垂直であり、
前記光ファイバーの前記一部は、前記レセプタクルの前記底面に取り付けられている、改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項２】
前記αが約７０°〜約１１０°の範囲内にある、請求項１の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項３】
前記αが約９０°である、請求項１または２の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項４】
前記改良されたTO-CANアセンブリ内で光路を前記角度αだけ折り曲げる少なくとも１つの反射器をさらに備える、請求項１〜３のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項５】
前記レセプタクルの前記底面に長手方向軸を有する溝が形成されており、前記光ファイバーの前記一部が該溝に配置される、請求項１〜３のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項６】
前記改良されたTO-CANアセンブリ内で光路を前記角度αだけ折り曲げる第１の反射器をさらに備える、請求項５の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項７】
前記レセプタクルの前記底面は、前記溝の端部に隣接して形成されたくぼみを有し、前記第１の反射器は、前記レセプタクルにおいて、前記溝の前記端部に対向して配置されている、請求項６の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項８】
前記レセプタクルの前記外壁に形成された前記開口と前記カラーの前記側壁に形成された前記開口の組み合わせが、前記改良されたTO-CANアセンブリの側壁に形成された開口を構成する、請求項１〜７のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項９】
前記レセプタクルの前記底面に長手方向軸を有する溝が形成されており、前記光ファイバーの前記一部の光軸が、前記溝の前記長手方向軸に平行になるように、前記光ファイバーの前記一部が前記溝に配置される、請求項１の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１０】
前記αが約７０°〜約１１０°の範囲内にある、請求項１または９の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１１】
前記αが約９０°である、請求項１、９、１０のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１２】
前記光電子デバイスはレーザーダイオードである、請求項１〜１１のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１３】
前記光電子デバイスはフォトダイオードである、請求項１〜１１のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１４】
改良されたTO-CANアセンブリであって、
上面及び下面を少なくとも有するヘッダーと、
前記ヘッダーの前記上面に配置されて、光電子デバイスを少なくとも有する光サブアセンブリ（OSA）と、
上面、下面、内面、及び外面を少なくとも有するキャップであって、該キャップの該内面及び該外面は該キャップの側壁を画定し、該キャップの該下面の一部は、前記ヘッダーの前記上面の一部に機械的に結合されている、キャップと、
上面及び下面を少なくとも有する窓であって、該窓の該上面は、該窓の周辺部付近で前記キャップの前記内面に機械的に結合されており、該窓は前記光電子デバイスの動作波長に対して透明である、窓と、
上面、下面、内面、及び外面を少なくとも有するカラーであって、該カラーの該内面及び該外面は該カラーの側壁を画定し、該カラーの該下面の一部は、前記キャップの前記上面の一部に機械的に結合されている、カラーと、
上面、底面及び外壁を少なくとも有するレセプタクルであって、該レセプタクルの該外壁の一部は、前記カラーの前記内面の一部に機械的に結合されている、レセプタクル
を備え、
前記レセプタクルの前記底面に長手方向軸を有する溝が形成されており、
前記溝は、前記レセプタクルの前記外壁に形成された開口及び前記カラーの前記側壁に形成された開口を通る光ファイバーの一部を受け入れるように構成され、
前記光ファイバーの前記一部は、前記溝の前記長手方向軸に平行な光軸を有し、
前記溝の前記長手方向軸は、前記改良されたTO-CANアセンブリの軸に対して非ゼロの角度αをなし、該軸は、前記カラーの前記上面及び前記下面に対して、及び、前記レセプタクルの前記上面及び前記底面に対してほぼ垂直である、改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１５】
前記αが約７０°〜約１１０°の範囲内にある、請求項１４の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１６】
前記αが約９０°である、請求項１４または１５の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１７】
前記改良されたTO-CANアセンブリ内で光路を前記角度αだけ折り曲げる第１の反射器をさらに備える、請求項１４〜１６のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１８】
前記レセプタクルの前記底面は、前記溝の端部に隣接して形成されたくぼみを有し、前記第１の反射器は、前記レセプタクルにおいて、前記溝の前記端部に対向して配置されている、請求項１７の改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項１９】
前記光電子デバイスはレーザーダイオードである、請求項１４〜１８のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【請求項２０】
前記光電子デバイスはフォトダイオードである、請求項１４〜１８のいずれかの改良されたTO-CANアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月1日(2015.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ可溶性樹脂（Ａ）、重合性化合物（Ｂ）、着色剤（Ｃ）及びフッ素系界面活性剤（Ｄ）を含有するカラーレジスト組成物であって、前記フッ素系界面活性剤（Ｄ）が、重合性単量体の重合体構造とポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖とを有し、複数の前記重合体構造が前記ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖を介して結節されており、かつ、前記重合体構造の側鎖にオキシアルキレン基を有する重合体であることを特徴とするカラーレジスト組成物。
【請求項２】
前記フッ素系界面活性剤（Ｄ）が、ポリ（パーフルオロアルキレンエーテル）鎖とその両末端に重合性不飽和基を有する重合性単量体（ｄ１）と、オキシアルキレン基及び重合性不飽和基を有する重合性単量体（ｄ２）とを必須の単量体とした共重合体である請求項１記載のカラーレジスト組成物。
【請求項３】
前記重合性単量体（ｄ２）が、下記一般式（ｄ２−１）で表される重合性単量体である請求項２記載のカラーレジスト組成物。
【化１】
2013127611.tif 000001
（式中、Ｒ１は水素原子又はメチル基である。Ｘ、Ｙ及びＺはそれぞれ独立のアルキレン基である。ｐ、ｑ及びｒはそれぞれ０又は１以上の整数であり、かつｐ、ｑ及びｒの合計は１以上の整数である。Ｒ２は水素原子又は炭素原子数１〜６のアルキル基である。）
【請求項４】
前記フッ素系界面活性剤（Ｄ）の数平均分子量（Ｍｎ）が１，０００〜１０，０００の範囲であり、かつ重量平均分子量（Ｍｗ）が２，０００〜１００，０００の範囲である請求項１記載のカラーレジスト組成物。
【請求項５】
前記フッ素系界面活性剤（Ｄ）が、該界面活性剤中にフッ素原子を５〜３０質量％となる割合で含有するものである請求項１〜４のいずれか１項記載のカラーレジスト組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載のカラーレジスト組成物の硬化塗膜を有することを特徴とするカラーフィルター。
【請求項７】
バックライト、偏光板、少なくとも２枚の基板、前記基板に挟持された液晶層及び前記基板の少なくとも一部に備えられた請求項６記載のカラーフィルターを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項６記載のカラーフィルターを有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。