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【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
清掃布を供給するための供給手段と、前記供給手段から供給される前記清掃布を巻き取る巻取手段と、前記供給手段及び前記巻取手段の間に配置され、前記清掃布を回転しているローラの表面に接触させる押圧体とを備えたローラ清掃装置において、
前記清掃布は、マイクロファイバを含み、さらに
前記押圧体は、前記清掃布を前記ローラの長手方向に沿って、前記ローラの表面に線状に押圧するブレードであることを特徴とするローラ清掃装置。
【請求項２】
前記押圧体は、複数の押圧体から構成されることを特徴とする請求項１に記載のローラ清掃装置。
【請求項３】
前記押圧体は、複数の押圧体から構成され、少なくとも１つの押圧体が、前記ローラ表面に付着した障害物を乗り越える方向に傾いていることを特徴とする請求項２に記載のローラ清掃装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
特許文献３には、印刷機のローラの清掃装置の例が示されている。この清掃装置は、ブレードによって、回転するローラの表面に清掃布を押し当てるようにしている。このローラ清掃装置は、ブレードがローラの表面に均一に接触するように安定機構を備えるとともに、ローラに突起があっても、その突起を乗り越えるような逃げ機構を備えている。このローラ清掃装置の清掃能力は、ブレードの押圧力に依存する。
また、特許文献４乃至特許文献６には、印刷機用の洗浄装置向けであるが、洗浄布として、フリース（起毛繊維）を使用し、それにマイクロファイバを使用する例が示されている。これらの文献によれば、洗浄装置の洗浄布として使用するフリースにマイクロファイバを使用すると、洗浄液なしで洗浄効果を得たり、均一な洗浄効果を得ることができるとしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開平２００９−２６９００４号公報
【特許文献２】特開平０７−１７３７３８号公報
【特許文献３】特開平０２−１０８５４３号公報
【特許文献４】特開平０９−１９３３６４号公報
【特許文献５】特開平１０−０８１００４号公報
【特許文献６】米国特許第５９３１０９６号明細書
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、清掃布を供給するための供給手段と、前記供給手段から供給される前記清掃布を巻き取る巻取手段と、前記供給手段及び前記巻取手段の間に配置され、前記清掃布を回転しているローラの表面に接触させる押圧体とを備えたローラ清掃装置において、
前記清掃布は、マイクロファイバを含み、さらに
前記押圧体は、前記清掃布を前記ローラの長手方向に沿って、前記ローラの表面に線状に押圧するブレードであることを特徴とするローラ清掃装置とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに本発明は、以下の概念を含む。
（１）前記押圧体は、複数の押圧体から構成されること。
（２）前記押圧体は、複数の押圧体から構成され、少なくとも１つの押圧体が、前記ローラ表面に付着した障害物を乗り越える方向に傾いていること。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦方向および横方向を有し、肌対向面およびその反対側である非肌対向面と、前後ウエスト域と、これら前後ウエスト域のいずれか一方である第１ウエスト域と、いずれか他方である第２ウエスト域と、前記第１および第２ウエスト域間に位置するクロッチ域とを含むシャーシと、前記第１および第２ウエスト域を互いに連結するファスニングシステムとを有する使い捨て着用物品において、
前記第２ウエスト域の前記横方向外方へ位置し、少なくとも前記横方向へ弾性的に伸縮可能なサイドパネルと、前記サイドパネルと前記シャーシとを連結する接続シートとをさらに有し、
前記接続シートは、前記シャーシに重なる内側領域と、前記サイドパネルに重なる外側領域と、前記内外側領域の間に位置する中間領域とを有し、前記内側領域と前記シャーシとは、前記縦方向へ延びる接合部によって互いに接合され、
前記ファスニングシステムは、前記第１ウエスト域の前記非肌対向面に位置する第１連結要素と、前記サイドパネルに取り付けられ前記第１連結要素に連結可能な第２連結要素とを有し、
前記サイドパネルは、前記横方向において弾性的に伸縮可能な弾性領域と、前記弾性領域の前記横方向へ隣接する一対の非弾性領域とを有し、前記非弾性領域のいずれか一方に前記接続シートが接合され、いずれか他方に前記第２連結要素が接合されることを特徴とする前記使い捨て着用物品。
【請求項２】
前記接続シートの前記外側領域は、前記接合部の前記横方向外方へ隣接するとともに前記サイドパネルと離間可能な非接合部をさらに含む請求項１に記載の使い捨て着用物品。
【請求項３】
前記非接合部は、前記サイドパネルの前記弾性領域に重なって位置する請求項２に記載の使い捨て着用物品。
【請求項４】
前記サイドパネルは、前記肌対向面に位置する第１シートと、前記非肌対向面に位置する第２シートと、これら第１および第２シートの間に伸長状態で収縮可能に取り付けられた複数の弾性体とを有し、前記弾性領域は、前記弾性体の収縮によって形成される請求項１〜３のいずれかに記載の使い捨て着用物品。
【請求項５】
前記弾性体の両端部は、前記弾性領域から一対の前記非弾性領域のそれぞれに延びて位置するとともに、前記非弾性領域に形成された前記接合部によって非弾性化される請求項４に記載の使い捨て着用物品。
【請求項６】
前記シャーシは、前記肌対向面および前記非肌対向面にそれぞれ位置する一対のシートを有し、前記接続シートは、一対の前記シートの間に位置する請求項１〜５のいずれかに記載の使い捨て着用物品。
【請求項７】
前記第２連結要素は、タブシートに固定され、前記タブシートが前記サイドパネルに接合される請求項１〜６のいずれかに記載の使い捨て着用物品。
【請求項８】
前記タブシートは、前記第２連結要素が固定される第１タブシートと、前記第１タブシートに積層される第２タブシートとを有し、前記サイドパネルは、前記第１および第２タブシートの間に固定される請求項７に記載の使い捨て着用物品。
【請求項９】
前記シャーシと前記サイドパネルとは、前記接続シートの前記中間領域によって前記横方向へ離間される請求項１〜８のいずれかに記載の使い捨て着用物品。
【請求項１０】
前記接続シートの剛性は、前記シャーシおよび前記サイドパネルのそれぞれの剛性よりも大きくされる請求項１〜９のいずれかに記載の使い捨て着用物品。
【請求項１１】
前記サイドパネルは、前記接続シートの前記肌対向面に位置する請求項１〜１０のいずれかに記載の使い捨て着用物品。
【請求項１２】
前記サイドパネルは、前記第２ウエスト域における前記縦方向の全域に亘って形成される請求項１〜１１のいずれかに記載の使い捨て着用物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は、前記使い捨て着用物品において、前記第２ウエスト域の前記横方向外方へ位置し、少なくとも前記横方向へ弾性的に伸縮可能なサイドパネルと、前記サイドパネルと前記シャーシとを連結する接続シートとをさらに有し、前記接続シートは、前記シャーシに重なる内側領域と、前記サイドパネルに重なる外側領域と、前記内外側領域の間に位置する中間領域とを有し、前記内側領域と前記シャーシとは、前記縦方向へ延びる接合部によって互いに接合され、前記ファスニングシステムは、前記第１ウエスト域の前記非肌対向面に位置する第１連結要素と、前記サイドパネルに取り付けられ前記第１連結要素に連結可能な第２連結要素とを有し、前記サイドパネルは、前記横方向において弾性的に伸縮可能な弾性領域と、前記弾性領域の前記横方向へ隣接する一対の非弾性領域とを有し、前記非弾性領域のいずれか一方に前記接続シートが接合され、いずれか他方に前記第２連結要素が接合されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
具体的には、超音波ボリュームデータ６１中の３点Ａ、Ｂ、Ｃと、生体構造ボリュームデータ６２中の点Ａ’、Ｂ’、Ｃ’を対応する同一点として設定し、超音波ボリュームデータ６１中の２点、例えばＡ、Ｂを超音波画像側基準点とし、生体構造ボリュームデータ６２中の点Ａ’、Ｂ’を対応する生体構造画像側基準点とした場合、超音波ボリュームデータ６１中の点Ｃが超音波画像側参照点、生体構造ボリュームデータ６２中の点Ｃ’が生体構造画像側参照点となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
参照断面１４０上で、参照ライン１４３ａ〜１４３ｇを設定すると、超音波画像構成部４ｆは、超音波ボリュームデータ記憶部４ｅに記憶された超音波ボリュームデータに基づいて、参照ライン１４３ａ〜１４３ｇを含み参照断面１４０に直交する超音波断層画像１４１ａ〜１４１ｇを表示画面内に並べて表示する。また、生体構造画像構成部４ｍは、参照画像１４０と同一断面の生体構造断層画像１４２を構成し、参照ライン１４３ａ〜１４３ｇを含み参照断面１４０に直交する生体構造断層画像１４２ａ〜１４２ｇを生成し、超音波断層画像１４１ａ〜１４１ｇのそれぞれに対応させて並べて表示する。生体構造画像構成部４ｍは、生体構造断層画像１４２上に、参照ライン１４３ａ〜１４３ｇを重畳表示してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記超音波診断装置は、前記表示部に表示された参照画像上で、断面位置を示す少なくとも一つ以上の参照ラインの位置の設定を行う第三の操作部を更に備え、
前記超音波画像構成部及び前記生体構造画像構成部は、前記参照ラインを含み前記参照画像に直交する断面の超音波断層画像及び生体構造断層画像を構成し、
前記表示部は、同一の参照ラインの位置で構成された前記超音波断層画像及び前記生体構造断層画像を並べて表示する、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一つに記載の超音波診断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計測対象部位における計測対象血管の血管径を計測する血管径計測部と、
心臓に対する相対的な高さが異なる第１位置及び第２位置に前記計測対象部位を位置させた時に前記血管径計測部により計測された第１血管径及び第２血管径の差である血管径差と、血圧と前記計測対象血管の血管径との相関特性と、前記第１位置及び第２位置の高さ方向の差に基づく水頭圧差とを用いて、被検者の血圧を推定する血圧推定部と、
を備えた血圧計測装置。
【請求項２】
前記血圧推定部は、前記水頭圧差を血圧差とみなした当該血圧差と前記血管径差との関係に適合する特性値を前記相関特性から判定して前記被検者の血圧を推定する、
請求項１に記載の血圧計測装置。
【請求項３】
前記第１血管径及び第２血管径は拡張期血管径でなり、
前記血圧推定部は、
前記相関特性と前記血管径差と前記水頭圧差とを用いて、前記被検者の拡張期血圧を推定する拡張期血圧推定部と、
前記拡張期血圧と、前記血管径計測部により計測された血管径の拍動に伴う変動幅と、前記相関特性とを用いて、前記被検者の収縮期血圧を推定する収縮期血圧推定部と、
を有する、
請求項１又は２に記載の血圧計測装置。
【請求項４】
前記第１血管径及び第２血管径は収縮期血管径でなり、
前記血圧推定部は、
前記相関特性と前記血管径差と前記水頭圧差とを用いて、前記被検者の収縮期血圧を推定する収縮期血圧推定部と、
前記収縮期血圧と、前記血管径計測部により計測された血管径の拍動に伴う変動幅と、前記相関特性とを用いて、前記被検者の拡張期血圧を推定する拡張期血圧推定部と、
を有する、
請求項１又は２に記載の血圧計測装置。
【請求項５】
前記血圧推定部は、前記相関特性と、前記血管径差と、前記血管径計測部により計測された血管径の拍動に伴う変動幅と、前記水頭圧差とを用いて、前記被検者の拡張期血圧及び収縮期血圧を推定する、
請求項１に記載の血圧計測装置。
【請求項６】
前記血管径計測部は、血管径を連続的に計測可能に構成されており、
前記血圧推定部は、前記計測対象部位が前記第１位置に位置した時の前記第１血管径と前記第２位置に位置した時の前記第２血管径との差から前記血管径差を算出する、
請求項１〜５の何れか一項に記載の血圧計測装置。
【請求項７】
計測対象部位が第１位置に位置する場合に計測対象血管の血管径を計測する工程と、
前記計測対象部位が前記第１位置とは心臓に対する相対的な高さが異なる第２位置に位置する場合に前記計測対象血管の前記血管径を計測する工程と、
前記第１血管径及び前記第２血管径の差である血管径差と、血圧と前記計測対象血管の血管径との相関特性と、前記第１位置及び前記第２位置の高さ方向の差に基づく水頭圧差とを用いて、被検者の血圧を推定する工程と、
を含む血圧計測方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月18日(2014.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のコモンモード電圧を有する入力信号が入力される入力端子と、反転入力端子が入力抵抗を介して前記入力端子に接続され、該反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗が接続され、非反転入力端子に第２のコモンモード電圧が入力された電圧増幅回路とからなり、
前記入力抵抗が、前記入力端子から前記電圧増幅回路の反転入力端子に向けて順番に直列に接続された第１の入力抵抗と第２の入力抵抗とからなり、該第１の入力抵抗と第２の入力抵抗との間のノードと基準電圧との間に、前記第１の入力抵抗に前記第１のコモンモード電圧と第２のコモンモード電圧との差に等しい電圧降下を発生させる定電流を流す定電流源が接続されていることを特徴とする線形増幅回路。
【請求項２】
前記定電流源が、前記第１のコモンモード電圧と第２のコモンモード電圧との間に接続された電流発生用抵抗と、該電流発生用抵抗に流れる電流をミラーリングすることによって前記定電流を制御するミラー回路とを含むことを特徴とする請求項１記載の線形増幅回路。
【請求項３】
前記第１の入力抵抗を変化させることなく前記第２の入力抵抗を変化させることにより、利得を変化させることを特徴とする請求項１または２に記載の線形増幅回路。
【請求項４】
前記入力端子に前記定電流を供給する補償用定電流源をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の線形増幅回路。
【請求項５】
前記反転入力端子と前記出力端子との間に、前記帰還抵抗と並列に帰還容量が接続されている、請求項１乃至４のいずれかに記載の線形増幅回路。
【請求項６】
前記電圧増幅回路が非反転出力端子と反転出力端子とを有する差動増幅回路であり、前記帰還抵抗が、前記反転入力端子と前記非反転出力端子との間と、前記非反転入力端子と前記反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、
前記入力端子が正相入力端子と逆相入力端子とを有する差動入力端子であり、前記第１、第２の入力抵抗および定電流源が、前記逆相入力端子と前記電圧増幅回路の反転入力端子との間と、前記正相入力端子と前記電圧増幅回路の非反転入力端子との間とにそれぞれ接続されることにより、前記正相入力端子の電圧が前記第１のコモンモード電圧であるときに前記正相入力端子と非反転入力端子との間に接続された前記第１の入力抵抗と前記第２の入力抵抗との間のノードに生成される前記第２のコモンモード電圧が、前記非反転入力端子に入力されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の線形増幅回路。
【請求項７】
前記反転入力端子と前記非反転出力端子との間と、前記非反転入力端子と前記反転出力端子との間のそれぞれに、前記帰還抵抗と並列に帰還容量が接続されている、請求項６に記載の線形増幅回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項１にかかる発明の線形増幅回路は、第１のコモンモード電圧を有する入力信号が入力される入力端子と、反転入力端子が入力抵抗を介して前記入力端子に接続され、該反転入力端子と出力端子との間に帰還抵抗が接続され、非反転入力端子に第２のコモンモード電圧が入力された電圧増幅回路とからなり、前記入力抵抗が、前記入力端子から前記電圧増幅回路の反転入力端子に向けて順番に直列に接続された第１の入力抵抗と第２の入力抵抗とからなり、該第１の入力抵抗と第２の入力抵抗との間のノードと基準電圧との間に、前記第１の入力抵抗に前記第１のコモンモード電圧と第２のコモンモード電圧との差に等しい電圧降下を発生させる定電流を流す定電流源が接続されていることを特徴とする。
請求項２にかかる発明は、請求項１記載の線形増幅回路において、前記定電流源が、前記第１のコモンモード電圧と第２のコモンモード電圧との間に接続された電流発生用抵抗と、該電流発生用抵抗に流れる電流をミラーリングすることによって前記定電流を制御するミラー回路とを含むことを特徴とする。
請求項３にかかる発明は、請求項１または２に記載の線形増幅回路において、前記第１の入力抵抗を変化させることなく前記第２の入力抵抗を変化させることにより、利得を変化させることを特徴とする。
請求項４にかかる発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の線形増幅回路において、前記入力端子に前記定電流を供給する補償用定電流源をさらに備えることを特徴とする。
請求項５にかかる発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の線形増幅回路において、前記反転入力端子と前記出力端子との間に、前記帰還抵抗と並列に帰還容量が接続されている。
請求項６にかかる発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の線形増幅回路において、前記電圧増幅回路が非反転出力端子と反転出力端子とを有する差動増幅回路であり、前記帰還抵抗が、前記反転入力端子と非反転出力端子との間と、前記非反転入力端子と反転出力端子との間とにそれぞれ接続され、前記入力端子が正相入力端子と逆相入力端子とを有する差動入力端子であり、前記第１、第２の入力抵抗および定電流源が、前記逆相入力端子と前記電圧増幅回路の反転入力端子との間と、前記正相入力端子と前記電圧増幅回路の非反転入力端子との間とにそれぞれ接続されることにより、前記正相入力端子の電圧が前記第１のコモンモード電圧であるときに前記正相入力端子と非反転入力端子との間に接続された前記第１の入力抵抗と前記第２の入力抵抗との間のノードに生成される前記第２のコモンモード電圧が、前記非反転入力端子に入力されることを特徴とする。
請求項７にかかる発明は、請求項６に記載の線形増幅回路において、前記反転入力端子と前記非反転出力端子との間と、前記非反転入力端子と前記反転出力端子との間のそれぞれに、前記帰還抵抗と並列に帰還容量が接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱試料の熱処理を行う熱処理室と、
前記熱処理室内に配置された平板状の第一の電極と、
前記第一の電極との間にプラズマを生成するとともに前記熱処理室内に配置された平板状の第二の電極と、
前記プラズマを生成するための高周波電力を前記第一の電極に供給する高周波電源と、
前記第二の電極を挟んで前記第一の電極と対向し前記被加熱試料を載置する試料台とを備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の熱処理装置において、
前記第二の電極は、円板状の部材と前記円板状の部材の外周に設けられた梁からなり、前記梁によって前記第二の電極が固定されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の熱処理装置において、
前記第一の電極は、前記第二の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率の板材が配置され、
前記第二の電極の前記被加熱試料と対向する表面は、前記高融点かつ低輻射率の板材が配置されていないことを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の熱処理装置において、
前記第一の電極は、前記第二の電極と対向する面の反対側の表面に高融点かつ低輻射率のコーティングが施され、
前記第二の電極の前記被加熱試料と対向する表面は、前記高融点かつ低輻射率のコーティングが施されていないことを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
請求項２に記載の熱処理装置において、
前記第一の電極の基材と前記第二の電極の基材と前記試料台の基材は、全てグラファイトであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
請求項２に記載の熱処理装置において、
前記第一の電極と前記第二の電極と前記試料台を取り囲むように前記熱処理室内に配置され、前記第一の電極からの輻射熱と前記第二の電極からの輻射熱を反射する反射鏡を備え、
前記第二の電極は、前記梁と前記反射鏡を介して導通していることを特徴とする熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月18日(2014.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
液晶素子と、
保持容量とを有し、
前記液晶素子は、
前記トランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間の液晶層と、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記保持容量は、前記液晶素子の容量値に対して、１／３以下の値を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
液晶素子と、
保持容量とを有し、
前記液晶素子は、
前記第２のトランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間の液晶層と、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記保持容量は、前記液晶素子の容量値に対して、１／３以下の値を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
液晶素子と、
保持容量とを有し、
前記第１のトランジスタは、第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第２のゲート電極とを有し、
前記液晶素子は、
前記第２のトランジスタと電気的に接続された第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と、前記第２の電極との間の液晶層と、を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記保持容量は、前記液晶素子の容量値に対して、１／３以下の値を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２のゲート電極は、フローティングであることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方に位置し、なおかつ前記ゲート電極と重なる領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上方に位置し、なおかつ前記ゲート電極と重なる領域を有する島状の第１絶縁膜と、
前記半導体膜上方に位置する第１導電膜と、
前記半導体膜上方及び前記島状の第１絶縁膜上方に位置する一対の第２導電膜と、
前記半導体膜上方、前記島状の第１絶縁膜上方、前記第１導電膜上方、及び前記一対の第２導電膜上方に位置する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上方に位置し、なおかつ前記第２絶縁膜の第１開口部において、前記一対の第２導電膜のいずれか一方に電気的に接続される画素電極と、を有し、
前記第２絶縁膜、前記半導体膜、及び前記ゲート絶縁膜の第２開口部は、前記第１導電膜と、前記一対の第２導電膜のいずれか一との間の領域を有する表示装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方に位置し、なおかつ前記ゲート電極と重なる領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上方に位置し、なおかつ前記ゲート電極と重なる領域を有する島状の第１絶縁膜と、
前記半導体膜上方に位置する第１導電膜と、
前記半導体膜上方及び前記島状の第１絶縁膜上方に位置する一対の第２導電膜と、
前記半導体膜上方、前記島状の第１絶縁膜上方、前記第１導電膜上方、及び前記一対の第２導電膜上方に位置する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上方に位置し、なおかつ前記第２絶縁膜、前記半導体膜、及び前記ゲート絶縁膜の開口部において、前記一対の第２導電膜のいずれか一方に電気的に接続される画素電極と、を有し、
前記開口部は、前記第１導電膜と、前記一対の第２導電膜のいずれか一との間の領域を有する表示装置。
【請求項３】
ゲート電極及び第１導電膜と、
前記ゲート電極上方及び前記第１導電膜上方に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方に位置し、なおかつ前記ゲート電極と重なる領域及び前記第１導電膜と重なる領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上方に位置し、なおかつ前記ゲート電極と重なる領域を有する島状の第１絶縁膜と、
前記半導体膜上方に位置し、なおかつ前記第１導電膜と重なる領域を有する第３導電膜と、
前記半導体膜上方及び前記島状の第１絶縁膜上方に位置する一対の第２導電膜と、
前記半導体膜上方、前記島状の第１絶縁膜上方、前記第３導電膜上方、及び前記一対の第２導電膜上方に位置する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上方に位置し、なおかつ前記第２絶縁膜の第１開口部において、前記一対の第２導電膜のいずれか一方に電気的に接続される画素電極と、を有し、
前記第２絶縁膜、前記半導体膜、及び前記ゲート絶縁膜の第２開口部は、前記第３導電膜と、前記一対の第２導電膜のいずれか一との間の領域を有し、
前記第２開口部は、前記第１導電膜と重なる領域を有する表示装置。
【請求項４】
ゲート電極及び第１導電膜と、
前記ゲート電極上方及び前記第１導電膜上方に位置するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方に位置し、なおかつ前記ゲート電極と重なる領域及び前記第１導電膜と重なる領域を有する半導体膜と、
前記半導体膜上方に位置し、なおかつ前記ゲート電極と重なる領域を有する島状の第１絶縁膜と、
前記半導体膜上方に位置し、なおかつ前記第１導電膜と重なる領域を有する第３導電膜と、
前記半導体膜上方及び前記島状の第１絶縁膜上方に位置する一対の第２導電膜と、
前記半導体膜上方、前記島状の第１絶縁膜上方、前記第３導電膜上方、及び前記一対の第２導電膜上方に位置する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上方に位置し、なおかつ前記第２絶縁膜、前記半導体膜、及び前記ゲート絶縁膜の第１開口部において、前記第１の導電膜に電気的に接続される画素電極と、
前記第２絶縁膜、前記半導体膜、及び前記ゲート絶縁膜の第２開口部において、前記第１導電膜、及び前記一対の第２導電膜のいずれか一方に電気的に接続されている第４導電膜と、を有し、
前記第２開口部は、前記第３導電膜と、前記一対の第２導電膜のいずれか一との間の領域を有する表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記半導体膜は、酸化物半導体を有する表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体を有する表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記島状の第１絶縁膜は、前記半導体膜よりも絶縁性の高い酸化物半導体を有する表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記島状の第１絶縁膜は、Ｉｎ、Ｍ１、Ｍ２、Ｚｎを含む金属酸化物であり、
前記Ｍ１は３Ａ族、３Ｂ族、及び４Ａ族に含まれる元素のうち、３価の元素の１つであり、
前記Ｍ２は、４Ａ族、及び４Ｂ族に含まれる元素のうち、４価の元素の一つである表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月2日(2014.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数変調された制御信号を生成する制御信号生成部と、
前記制御信号の周波数に応じた周波数差の第１の光と第２の光とを発生させる光発生部と、
前記第１の光と前記第２の光とが照射される金属原子と、
前記金属原子を透過した光を検出する光検出部と、
前記光検出部の検出信号に基づいて、前記第１の光と前記第２の光とが前記共鳴光対となるように前記制御信号の周波数を制御する周波数制御部と、
前記光検出部の検出信号に応じて、前記制御信号の最大周波数偏移を制御する最大周波数偏移制御部と、
を有する原子発振器。
【請求項２】
前記制御信号生成部は、
前記周波数制御部の出力信号に応じた周波数の発振信号を生成する発振信号生成部と、
変調信号を生成する変調信号生成部と、
前記発振信号を前記変調信号で周波数変調する周波数変調部と、
前記周波数変調部の出力信号の周波数を変換して前記制御信号を生成する周波数変換部と、を有し、
前記周波数制御部は、
前記変調信号と同じ周波数の信号に基づいて、前記光検出部の検出信号を検波し、
最大周波数偏移制御部は、
前記光検出部の検出信号に基づいて、前記変調信号の振幅を制御する、請求項１に記載の原子発振器。
【請求項３】
最大周波数偏移制御部は、
前記制御信号の周波数を一定にする、前記光検出部の検出信号の強度と前記制御信号の最大周波数偏移との対応関係に従って、前記変調信号の振幅を制御する請求項２に記載の原子発振器。
【請求項４】
最大周波数偏移制御部は、
前記制御信号の周波数を一定にする、前記光検出部の検出信号の強度と前記制御信号の最大周波数偏移との対応関係の情報を記憶し、当該対応関係の情報に基づいて、前記制御信号の最大周波数偏移を制御する、請求項１又は２に記載の原子発振器。
【請求項５】
前記原子発振器の外部からの信号に基づいて、前記対応関係の情報を変更する最大周波数偏移情報変更部を有する、請求項４に記載の原子発振器。
【請求項６】
周波数変調された制御信号を生成させる制御信号生成ステップと、
前記制御信号の周波数に応じた周波数差の第１の光と第２の光を発生させる光発生ステップと、
前記第１の光と前記第２の光を金属原子に照射する光照射ステップと、
前記金属原子を透過した光を検出する光検出ステップと、
前記光検出ステップの検出結果に基づいて、前記第１の光と前記第２の光が前記共鳴光対となるように前記制御信号の周波数を制御する周波数制御ステップと、
前記光検出ステップの検出結果に応じて、前記制御信号の最大周波数偏移を制御する最大周波数偏移制御ステップと、
を含む、原子発振器の制御方法。
【請求項７】
周波数変調された制御信号を生成する制御信号生成部と、
前記制御信号の周波数に応じた周波数差の第１の光と第２の光を発生させる光発生部と、
前記第１の光と前記第２の光が照射される金属原子と、
前記金属原子を透過した光を検出する光検出部と、
前記光検出部の検出信号に基づいて、前記第１の光と前記第２の光が前記共鳴光対となるように前記制御信号の周波数を制御する周波数制御部と、
前記光検出部の検出信号に応じて、前記制御信号の最大周波数偏移を制御する最大周波数偏移制御部と、を有する量子干渉装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月5日(2015.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の無線基地局装置から協調マルチポイント送信される信号を受信するユーザ端末であって、
擬似ランダム系列の初期化に用いる所定の情報をハイヤレイヤシグナリングで受信する受信部と、
前記所定の情報を利用して擬似ランダム系列を初期化し、当該擬似ランダム系列を用いて生成した参照信号系列を用いて信号処理を行う信号処理部と、を有し、
前記所定の情報は、セル識別情報以外の情報であることを特徴とするユーザ端末。
【請求項２】
前記所定の情報は、セル識別情報及びユーザ識別情報以外のユーザ固有情報であることを特徴とする請求項１記載のユーザ端末。
【請求項３】
前記参照信号系列は復調用参照信号であり、前記信号処理部は受信信号を復調する復調部を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のユーザ端末。
【請求項４】
前記所定の情報は、擬似ランダム系列の初期化においてセル識別情報の代わりに利用されることを特徴とする請求項３記載のユーザ端末。
【請求項５】
前記参照信号系列はチャネル状態情報用参照信号であり、前記信号処理部はフィードバック情報を生成するフィードバック情報生成部を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載のユーザ端末。
【請求項６】
複数の無線基地局装置から協調マルチポイント送信される信号を受信するユーザ端末と通信する無線基地局装置であって、
所定の情報を利用して擬似ランダム系列を初期化し、当該擬似ランダム系列を用いて参照信号系列を生成する生成部と、
前記参照信号系列を送信し、前記所定の情報をハイヤレイヤシグナリングで前記ユーザ端末に送信する送信部と、を有し、
前記所定の情報は、セル識別情報以外の情報であることを特徴とする無線基地局装置。
【請求項７】
複数の無線基地局装置と、前記複数の無線基地局装置から協調マルチポイント送信される信号を受信するユーザ端末と、を備えた無線通信システムであって、
前記ユーザ端末は、擬似ランダム系列の初期化に用いる所定の情報をハイヤレイヤシグナリングで受信する受信部と、
前記所定の情報を利用して擬似ランダム系列を初期化し、当該擬似ランダム系列を用いて生成した参照信号系列を用いて信号処理を行う信号処理部と、を有し、
前記所定の情報は、セル識別情報以外の情報であることを特徴とする無線通信システム。
【請求項８】
複数の無線基地局装置から協調マルチポイント送信される信号を受信するユーザ端末の無線通信方法であって、
擬似ランダム系列の初期化に用いる所定の情報をハイヤレイヤシグナリングで受信する工程と、
前記所定の情報を利用して擬似ランダム系列を初期化し、当該擬似ランダム系列を用いて生成した参照信号系列を用いて信号処理を行う工程と、を有し、
前記所定の情報は、セル識別情報以外の情報であることを特徴とする無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一態様のユーザ端末は、複数の無線基地局装置から協調マルチポイント送信される信号を受信するユーザ端末であって、擬似ランダム系列の初期化に用いる所定の情報をハイヤレイヤシグナリングで受信する受信部と、前記所定の情報を利用して擬似ランダム系列を初期化し、当該擬似ランダム系列を用いて生成した参照信号系列を用いて信号処理を行う信号処理部と、を有し、前記所定の情報は、セル識別情報以外の情報であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一態様の無線基地局装置は、複数の無線基地局装置から協調マルチポイント送信される信号を受信するユーザ端末と通信する無線基地局装置であって、所定の情報を利用して擬似ランダム系列を初期化し、当該擬似ランダム系列を用いて参照信号系列を生成する生成部と、前記参照信号系列を送信し、前記所定の情報をハイヤレイヤシグナリングで前記ユーザ端末に送信する送信部と、を有し、前記所定の情報は、セル識別情報以外の情報であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一態様の無線通信システムは、複数の無線基地局装置と、前記複数の無線基地局装置から協調マルチポイント送信される信号を受信するユーザ端末と、を備えた無線通信システムであって、前記ユーザ端末は、擬似ランダム系列の初期化に用いる所定の情報をハイヤレイヤシグナリングで受信する受信部と、前記所定の情報を利用して擬似ランダム系列を初期化し、当該擬似ランダム系列を用いて生成した参照信号系列を用いて信号処理を行う信号処理部と、を有し、前記所定の情報は、セル識別情報以外の情報であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一態様の無線通信方法は、複数の無線基地局装置から協調マルチポイント送信される信号を受信するユーザ端末の無線通信方法であって、擬似ランダム系列の初期化に用いる所定の情報をハイヤレイヤシグナリングで受信する工程と、前記所定の情報を利用して擬似ランダム系列を初期化し、当該擬似ランダム系列を用いて生成した参照信号系列を用いて信号処理を行う工程と、を有し、前記所定の情報は、セル識別情報以外の情報であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月30日(2015.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極層と、
ドレイン電極層と、
第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、前記第１の不純物領域及び前記第２の不純物領域の間のチャネル形成領域とを含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層の上面、前記ソース電極層の上面、及び前記ドレイン電極層の上面に接する領域を有するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記チャネル形成領域と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート電極層の側面に接する領域を有し、且つ前記酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記ゲート絶縁層を介して前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と重畳する領域を有する導電層と、
前記導電層を介して、前記ゲート電極層の側面と重畳する領域を有する側壁絶縁層と、を有し、
前記導電層の側端部は、前記側壁絶縁層の側端部と一致しており、
前記酸化物半導体層のチャネル長方向において、前記第１の不純物領域の側面の一は前記ソース電極層と接しており、前記第２の不純物領域の側面の一は前記ドレイン電極層と接している半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート電極層と重畳する領域の前記ゲート絶縁層の膜厚は、前記導電層と重畳する領域の前記ゲート絶縁層の膜厚よりも大きい半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記導電層と重畳する領域の前記ゲート絶縁層の膜厚は、前記導電層又は前記ゲート電極層と重畳しない領域の前記ゲート絶縁層の膜厚よりも大きい半導体装置。
【請求項４】
ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層を覆う酸化物半導体層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重畳する領域の前記酸化物半導体層を除去して、開口を有する酸化物半導体層とし、
前記開口を有する酸化物半導体層を加工して、前記ソース電極層と前記ドレイン電極との間に配置された島状の酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域を有するゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして前記酸化物半導体層に不純物を導入して、前記酸化物半導体層に自己整合的に第１の不純物領域及び第２の不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極層上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を加工して、前記導電膜を介して前記ゲート電極層の側面に接する領域を有する側壁絶縁層を形成し、
前記側壁絶縁層をマスクとして前記導電膜をエッチングして、前記ゲート電極層の側面に接する領域を有する導電層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
島状の酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を覆う第１の導電膜を形成し、
少なくとも前記酸化物半導体層と重畳する領域の前記第１の導電膜を除去して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体層上、前記ソース電極層上、及び前記ドレイン電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域を有するゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして前記酸化物半導体層に不純物を導入して、前記酸化物半導体層に自己整合的に第１の不純物領域及び第２の不純物領域を形成し、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を加工して、前記第２の導電膜を介して前記ゲート電極層の側面に接する領域を有する側壁絶縁層を形成し、
前記側壁絶縁層をマスクとして前記第２の導電膜をエッチングして、前記ゲート電極層の側面に接する領域を有する導電層を形成する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ゲート電極と、トランジスタのチャネルが形成される酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層よりも絶縁性が高い層と、を有し、
前記ゲート電極は、ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを含み、
前記絶縁性が高い層は、ＩｎまたはＺｎを含む酸化物半導体材料でなり、
前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記絶縁性が高い層は前記酸化物半導体層の端部を越えて設けられ、
前記基板上面に垂直な方向で、且つ、前記トランジスタのチャネル長方向の断面において、前記絶縁性が高い層の端部はテーパー形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に、ゲート電極と、トランジスタのチャネルが形成される酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層よりも絶縁性が高い層と、を有し、
前記ゲート電極は、ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重なる領域を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを含み、
前記絶縁性が高い層は、ＩｎまたはＺｎを含む酸化物半導体材料でなり、
前記トランジスタのチャネル幅方向において、前記絶縁性が高い層は前記酸化物半導体層の端部を越えて設けられ、
前記基板上面に垂直な方向で、且つ、前記トランジスタのチャネル長方向の断面において、前記絶縁性が高い層の下面と側面のなす角度は、６０°以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記絶縁性が高い層は、Ｉｎ、元素Ｍ１（Ｍ１は、３Ｂ族元素）、元素Ｍ２（Ｍ２は、３Ａ族元素、４Ａ族元素、または４Ｂ族元素）、およびＺｎを含む酸化物材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記絶縁性が高い層は、元素Ｍ１および元素Ｍ２を含む化学式ＩｎＭ１ＸＭ２（１−Ｘ）ＺｎＯ（０＜Ｘ＜１＋α、ただしαは０．３未満、且つ、（１−Ｘ）＞０）で表記される材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記絶縁性が高い層は、元素Ｍを含む化学式ＩｎＭＺｎＯＸ（Ｘ＞０）で表記される材料で形成され、
前記元素Ｍは、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｃｅ、またはＹであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、
一導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された、前記シリコン基板とは逆の導電型を有する透光性半導体層と、
前記透光性半導体層上に形成された透光性導電膜と、
を有し、
前記透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
一対の電極間に、
一導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された、ｉ型または前記シリコン基板とは逆の導電型を有する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上に形成された、前記シリコン基板とは逆の導電型を有する透光性半導体層と、
前記透光性半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記シリコン基板の他方の面に形成された、ｉ型または前記シリコン基板と同じ導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上に形成された、前記シリコン基板と同じ導電型を有する第３のシリコン半導体層と、
を有し、
前記透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第２のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が低く、前記第３のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項２または３において、前記透光性半導体層のキャリア濃度は、前記第１のシリコン半導体層のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
一対の電極間に、
一導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された前記シリコン基板とは逆の導電型を有する透光性半導体層と、
前記透光性半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記シリコン基板の他方の面に形成されたｉ型または前記シリコン基板と同じ導電型を有する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上に形成された前記シリコン基板と同じ導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
を有し、
前記透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第１のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が低く、前記第２のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
一対の電極間に、
透光性半導体層、第１のシリコン半導体層、および第２のシリコン半導体層を順に接して積層させた構造を有し、
前記透光性半導体層は、一導電型を有し、
前記第１のシリコン半導体層は、ｉ型の導電型を有し、
前記第２のシリコン半導体層は、前記透光性半導体層とは逆の導電型を有し、
前記透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項７において、前記第１のシリコン半導体層は、非単結晶、非晶質、微結晶または多結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記透光性半導体層のバンドギャップは２ｅＶ以上であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
一対の電極間に、
第１の透光性半導体層、第１のシリコン半導体層、第２のシリコン半導体層、第２の透光性半導体層、第３のシリコン半導体層、および第４のシリコン半導体層を順に接して積層させた構造を有し、
前記第１の透光性半導体層および前記第２の透光性半導体層は、一導電型を有し、
前記第１のシリコン半導体層および前記第３のシリコン半導体層は、ｉ型の導電型を有し、
前記第２のシリコン半導体層および前記第４のシリコン半導体層は、前記第１の透光性半導体層および前記第２の透光性半導体層とは逆の導電型を有し、
前記第１の透光性半導体層および前記第２の透光性半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン又は酸化レニウムを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１のシリコン半導体層は非晶質であり、前記第３のシリコン半導体層は微結晶または多結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、前記第１の透光性半導体層および前記第２の透光性半導体層のバンドギャップは２ｅＶ以上であることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月30日(2015.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間隙に、塗布法によって酸化物半導体層を形成し、
前記ソース電極層の上面、前記ドレイン電極層の上面、及び前記酸化物半導体層の上面に接するようにゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体層に不純物元素を導入して、前記酸化物半導体層に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域と、を形成し、
前記ゲート電極層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を加工して、前記導電膜を介して前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に位置する第１の側壁絶縁層及び第２の側壁絶縁層を形成し、
前記第１の側壁絶縁層及び前記第２の側壁絶縁層をマスクとして、前記導電膜をエッチングして、前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に接する第１の導電層及び第２の導電層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の間隙に、塗布法によって酸化物半導体層を形成した後、前記酸化物半導体層に熱処理を施し、
前記ソース電極層の上面、前記ドレイン電極層の上面、及び前記酸化物半導体層の上面に接するようにゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層と重畳する領域に、ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体層に不純物元素を導入して、前記酸化物半導体層に一対の不純物領域と、前記一対の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域と、を形成し、
前記ゲート電極層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を加工して、前記導電膜を介して前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に位置する第１の側壁絶縁層及び第２の側壁絶縁層を形成し、
前記第１の側壁絶縁層及び前記第２の側壁絶縁層をマスクとして、前記導電膜をエッチングして、前記ゲート電極層のチャネル長方向の側面に接する第１の導電層及び第２の導電層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の側壁絶縁層、前記第２の側壁絶縁層及び前記ゲート電極層を覆う層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層及び前記ゲート絶縁層に、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層に達する開口を形成し、
前記開口に配線層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記層間絶縁層として、酸化アルミニウム膜を含む層を形成する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
島状の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の層間絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜及び前記層間絶縁膜が有する開口部と、
前記開口部を充填するソース電極またはドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜の側面は、１°以上１０°未満のテーパ角を有し、
前記ソース電極または前記ドレイン電極は、前記開口部の底面において、前記酸化物半導体膜の前記側面と接する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜の前記側面は、複数のテーパ角を有し、
少なくとも一のテーパ角が１°以上１０°未満である半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、前記チャネル形成領域を挟んで一対の低抵抗領域とを有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、インジウム、亜鉛、ガリウム、ジルコニウム、スズ、ガドリニウム、チタン、またはセリウムを有する半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、結晶を有し、
前記結晶は、前記酸化物半導体膜の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に沿うｃ軸を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月20日(2015.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中綴じ製本機のフィーダを制御する方法であって、
マガジン（１２）の折丁スタックから、少なくとも１つのグリッパ（２２，２６，３５〜３７）によって折丁（７〜９）を順次分離して、輸送装置（１０）の上に載置する際に、グリッパ（２２，２６）の開放及び閉鎖と、ステッチャ（５）の操作とを、制御装置（１８，５０）の調整信号による遠隔操作によって実施する、
方法において、
前記調整信号を、前記折丁（７〜９）の寸法及び頁数に関するデータから形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記グリッパ（２２，２６）の操作前に、背の長さ（Ｌ）、折丁幅（Ｂ）、正ラップ又は逆ラップを使用する場合の折丁幅（Ｂ１，Ｂ２）、用紙重量（ｇ）、頁数（ｎ）のうちの少なくとも１つの、前記折丁（７〜９）に関するデータを、前記制御装置（１８，５０）に入力する、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
グリッパ開放位置（αｏｅ）、グリッパ閉鎖位置（αｓ）、グリッパ閉鎖力（Ｆ）、マガジンのサイドストッパ（１４）の位置、厚み測定装置による１つにまとめられた折丁（７〜９）の目標値調整、前記ステッチャ（５）の針金供給、針金を折り曲げるための前記ステッチャ（５）のクリンチャの動作、のうちの少なくとも１つのパラメータを制御又は調整する、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
回転要素（２３）に固定されたグリッパ（２２，２６）を使用する場合、前記調整信号を、前記回転要素（２３）の回転位置を表すロータリーエンコーダ（５９）の出力信号から付加的に形成する、ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記グリッパ（２２，２６）の操作のために、少なくとも１つの制御可能な空気式作動シリンダ（３８，３９）を使用する、
ことを特徴とする請求項１記載の方法。