【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の面を有する導波管と、
前記導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、
前記導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と、
前記第１伝送線路から前記導波管へ信号を入力しつつ前記信号を変換する第１変換構造と
を備えた導波路。
【請求項２】
前記導波管から前記第２伝送線路へ前記信号を出力しつつ変換する第２変換構造を有する、請求項１に記載の導波路。
【請求項３】
前記導波管は対向する一対の導電膜と、前記導電膜のそれぞれ接続する複数の導電性のピラーにより構成されている、請求項１に記載の導波路。
【請求項４】
前記導波管は対向する一対の導電膜と、前記導電膜の間に対向配置された一対の導体壁により構成されている、請求項１に記載の導波路。
【請求項５】
前記第１伝送線路および第２伝送線路の少なくとも一方はマイクロストリップラインである、請求項１に記載の導波路。
【請求項６】
前記第１変換構造および第２変換構造は貫通電極である、請求項１に記載の導波路。
【請求項７】
前記第１変換構造および第２変換構造はテーパ型マイクロストリップにより構成されている、請求項１に記載の導波路。
【請求項８】
絶縁性を有する基板と、前記基板内に設けられた導波路とを備え、
前記導波路は、
対向する一対の面を有する導波管と、
前記導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、
前記導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と
前記第１伝送線路から前記導波管へ信号を入力しつつ前記信号を変換する第１変換構造と
を有するインターポーザ基板。
【請求項９】
前記基板は抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上の高抵抗シリコン基板、低温同時焼成セラミック、ガラス、石英またはセラミックのいずれかにより構成されている、請求項８に記載のインターポーザ基板。
【請求項１０】
絶縁性基板内に導波路を有するインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板に実装された半導体チップとを備え、
前記導波路は、
対向する一対の面を有する導波管と、
前記導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、
前記導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と
前記第１伝送線路から前記導波管へ信号を入力しつつ前記信号を変換する第１変換構造と
を有するモジュール。
【請求項１１】
絶縁性基板内に導波路を有するインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板に実装された半導体チップと、前記インターポーザ基板と電気的に接続された実装基板とを備え、
前記導波路は、
対向する一対の面を有する導波管と、
前記導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、
前記導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と
前記第１伝送線路から前記導波管へ信号を入力しつつ前記信号を変換する第１変換構造と
を有する電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本技術の導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と、第１伝送線路から導波管へ信号を入力しつつ信号を変換する第１変換構造とを備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本技術の導波路およびこれを備えたインターポーザ基板ならびにモジュールおよび電子機器では、対向する一対の面を有する導波管の一の面に、導波管内へ信号を入力しつつ変換する変換構造を備えた第１伝送線路を、他の面に第２伝送線路を設けることにより、インピーダンスの不整合を低減することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本技術の導波路およびこれを備えたインターポーザ基板ならびにモジュールおよび電子機器では、導波管を構成する一対の面にそれぞれ第１伝送線路および第２伝送線路を設け、更に第１伝送線路から導波管内へ信号を入力しつつ変換する変換構造を設けるようにしたので、インピーダンスの不整合が低減され、電気信号の反射損失を抑制することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
＜１．第１の実施の形態＞
［インターポーザ基板１Ａの構成］
図１（Ａ）は、本開示の第１の実施の形態に係る導波路１０を備えたインターポーザ基板１Ａを斜視したものであり、図１（Ｂ）はこのインターポーザ基板１ＡのＩ−Ｉ一点鎖線における断面構成を表したものである。インターポーザ基板１Ａは、基板２の表面に誘電膜１６Ａを介して設けられた配線層１４Ａ（第１伝送線路）から裏面に誘電膜１６Ｂを介して設けられた配線層１４Ｂ（第２伝送線路）への信号の伝送路（導波路１０）として導波管１１を用いたものである。この導波管１１は基板２と、基板２の表面および裏面に少なくとも一部が対向配置された一対の導電膜１２Ａ，１２Ｂと、導電膜１２Ａと導電膜１２Ｂとを電気的に接続する複数の導電性のピラー１３とから構成されている。本実施の形態における導波管１１は、一般的にＳＩＷ（Substrate Integrated Waveguide）と呼ばれるものであり、ピラー１３は反射面となる疑似的な壁（疑似壁）として図１（Ａ）に示したように規則的に配置されており、これにより導波管１１は方形導波管として機能する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
基板２は、ここでは層構造（例えば６層）を有し、各層間には詳細は後述するが、それぞれ導電膜（第２層２２Ｂ〜第５層２２Ｅ）が設けられている。各層の膜厚は特に限定されず、信号周波数によって適宜調整すればよいが、例えば６０ＧＨｚに対しては３μｍ以上とすることが好ましい。基板２の材料としては、上記第１の実施の形態と同様の材料を用いることができるが、本実施の形態ではＬＴＣＣ基板を用いることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
導電膜２２は、上述したように、基板２の表面および裏面に設けられた第１層２２Ａおよび第６層２２Ｆと、６層からなる基板２の層間に設けられた第２層２２Ｂ〜第５層２２Ｅとの６層構造を有する。第２層２２Ｂ〜第５層２２Ｅは、基板２を構成する各層の面内の上記テーパ状マイクロストリップ２５Ａ，２５Ｂに対応する位置にそれぞれ独立して設けられている。具体的には、基板２の表面に設けられたテーパ状マイクロストリップ２５Ａの下層に、図２（Ｃ）に示したように第２層２２Ｂ１から第５層２２Ｅ１の順に階段状に形成されている。基板２の裏面に設けられたテーパ状マイクロストリップ２５Ｂの上層には、図２（Ｃ）に示したように第５層２２Ｅ２から第２電電膜２２Ｂ２の順に階段状に形成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と、前記第１伝送線路から前記導波管へ信号を入力しつつ前記信号を変換する第１変換構造とを備えた導波路。
（２）前記導波管から前記第２伝送線路へ前記信号を出力しつつ変換する第２変換構造を有する、前記（１）に記載の導波路。
（３）前記導波管は対向する一対の導電膜と、前記導電膜のそれぞれ接続する複数の導電性のピラーにより構成されている、前記（１）または（２）のいずれか１つに記載の導波路。
（４）前記導波管は対向する一対の導電膜と、前記導電膜の間に対向配置された一対の導体壁により構成されている、前記（１）乃至（３）のいずれか１つに記載の導波路。
（５）前記第１伝送線路および第２伝送線路の少なくとも一方はマイクロストリップラインである、前記（１）乃至（４）のいずれか１つに記載の薄膜トランジスタ。
（６）前記第１変換構造および第２変換構造は貫通電極である、前記（１）乃至（５）のいずれか１つに記載の導波路。
（７）前記第１変換構造および第２変換構造はテーパ型マイクロストリップにより構成されている、前記（１）乃至（６）のいずれか１つに記載の導波路。
（８）絶縁性を有する基板と、前記基板内に設けられた導波路とを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と、前記第１伝送線路から前記導波管へ信号を入力しつつ前記信号を変換する第１変換構造とを有するインターポーザ基板。
（９）前記基板は抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上の高抵抗シリコン基板、低温同時焼成セラミック、ガラス、石英またはセラミックのいずれかにより構成されている、前記（８）に記載のインターポーザ基板。
（１０）絶縁性基板内に導波路を有するインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板に実装された半導体チップとを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と、前記第１伝送線路から前記導波管へ信号を入力しつつ前記信号を変換する第１変換構造とを有するモジュール。
（１１）絶縁性基板内に導波路を有するインターポーザ基板と、前記インターポーザ基板に実装された半導体チップと、前記インターポーザ基板と電気的に接続された実装基板とを備え、前記導波路は、対向する一対の面を有する導波管と、前記導波管の一の面に設けられた第１伝送線路と、前記導波管の他の面に設けられた第２伝送線路と、前記第１伝送線路から前記導波管へ信号を入力しつつ前記信号を変換する第１変換構造とを有する電子機器。