【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子イマージョンレンズからの磁場が存在する中でイオンビームカラムを制御する方法であって、
試料まで届く磁場を形成する前記電子イマージョンレンズによって集束される電子ビームを前記試料に指向させ、
前記電子イマージョンレンズからの磁場が存在する中で、イオンビームを前記試料表面の一点に指向させ、
前記磁場が存在する中で、サブミクロンの精度をもって前記試料を処理するために、前記イオンビームに作用する前記磁場の影響を補償するように前記イオンビームを偏向させることを特徴とする制御方法。
【請求項２】
前記イオンビームに作用する磁場の影響を補償するように前記イオンビームを偏向させる際に、前記イオンビームカラム内部で前記イオンビームを偏向させることによって、前記磁場が存在する中で前記イオンビームの補償がない場合に比べて、対物レンズの中心の近くを通過させることを特徴とする請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
前記イオンビームに作用する磁場の影響を補償するように前記イオンビームを偏向させる際に、前記試料を処理するパターンに従って前記イオンビームを走査することを特徴とする請求項１又は２に記載の制御方法。
【請求項４】
前記イオンビームに作用する磁場の影響を補償するように前記イオンビームを偏向させる際に、前記イオンビームが前記対物レンズを通過する前に、前記イオンビームを偏向させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項５】
前記イオンビームに作用する磁場の影響を補償するように前記イオンビームを偏向させる際に、前記イオンビームを第１偏向器及び第２偏向器を使用して偏向させ、
前記第１偏向器は、前記イオンビームカラム内部で前記イオンビームを偏向させることによって、前記磁場が存在する中で前記イオンビームの補償がない場合に比べて、前記対物レンズの中心の近くを通過させ、
前記第２偏向器は、前記イオンビームカラム外部の磁場を補償し、前記イオンビームの照射点を、前記磁場がない場合に照射される点に移動することを特徴とする請求項１に記載の制御方法。
【請求項６】
前記第２偏向器は、前記イオンビームが前記対物レンズを通過した後に、前記イオンビームを偏向させることを特徴とする請求項５に記載の制御方法。
【請求項７】
前記第２偏向器は、平行電極板、四極子又は八極子を用いて、前記イオンビームを偏向させることを特徴とする請求項５又は６に記載の制御方法。
【請求項８】
前記イオンビームに作用する磁場の影響を補償するように前記イオンビームを偏向させる際に、前記イオンビームを分散させて、前記磁場がない場合に前記試料表面に形成されるスポットよりも５０％未満大きなスポットを形成することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項９】
前記イオンビームを前記試料表面の一点に指向させる際に、前記試料の構造をミリングすることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項１０】
前記イオンビームを偏向させる際に、第１の方向についてはビーム強度が急激に下降し、前記第１の方向とは垂直な第２の方向についてはビーム強度がより緩やかに下降するように前記イオンビームを成形し、
さらに、構造をミリングする際に、前記ビーム強度が急激に下降する前記イオンビームの端を使用して鋭利な断面を形成することを特徴とする請求項９に記載の制御方法。
【請求項１１】
さらに、前記イオンビームの非点補正を修正することを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項１２】
前記電子ビームを前記試料に指向させる際に、前記試料上において０．０２５テスラより大きい強さを有する磁場を生成する前記電子イマージョンレンズを使用して、前記電子ビームを集束することを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項１３】
前記イオンビームを前記試料表面の一点に指向させる際に、液体金属イオン源からガリウムイオンの前記イオンビームを指向させることを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項１４】
前記磁場が存在する中で、前記イオンビームを前記試料表面の一点に指向させる際に、モノアイソトピックガリウムイオンの前記イオンビームをカラム中部の偏向器に指向させることを特徴とする請求項１３に記載の制御方法。
【請求項１５】
前記イオンビームカラムを磁気シールド材料でシールドすることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか１項に記載の制御方法。
【請求項１６】
前記イオンビームカラムを磁気シールド材料でシールドする際に、ｍｕ−ｍｅｔａｌを使用することを特徴とする請求項１５に記載の制御方法。
【請求項１７】
試料上の微細構造を処理及び観察するデュアルビームシステムであって、
前記試料に届く磁場を形成する磁気イマージョンレンズを含む電子ビームカラムと、
イオンビームカラムと、を備え、
前記イオンビームカラムは、
イオン源と、
静電対物レンズと、
イオンビームを前記静電対物レンズの中心に向けて偏向させることによって、前記イオンビームカラム内部に存在する磁場を補償するための第１偏向器と、
前記磁気イマージョンレンズが作動していない場合の照射点と同じ位置に前記イオンビームを前記試料に照射するために、前記磁場によって生じた前記イオンビームの変位量を補償するように前記イオンビームを偏向させるための第２偏向器と、
を有することを特徴とするデュアルビームシステム。
【請求項１８】
前記第１偏向器及び第２偏向器は、何れも静電偏向器を含むことを特徴とする請求項１７に記載のデュアルビームシステム。
【請求項１９】
前記第２偏向器は、平行電極板、四極子又は八極子を含むことを特徴とする請求項１７又は１８に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２０】
前記第２偏向器が、前記静電対物レンズより前に設けられたことを特徴とする請求項１７乃至１９の何れか１項に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２１】
前記第２偏向器が、前記静電対物レンズより後に設けられたことを特徴とする請求項１７乃至１９の何れか１項に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２２】
前記イオン源には、モノアイソトピックガリウム源が含まれることを特徴とする請求項１７乃至２１の何れか１項に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２３】
試料上の微細構造を処理及び観察するデュアルビームシステムであって、
前記試料に届く磁場を形成する磁気イマージョンレンズを含む電子ビームカラムと、
イオンビームカラムと、を備え、
前記イオンビームカラムは、
静電対物レンズと、
イオンビームを偏向させる一つ以上の偏向器と、を有し、
前記偏向器には、偏向によって増大する前記イオンビームのスポットサイズの増加分が５０％未満となるように、前記磁気イマージョンレンズの磁場を補償するための電圧が印加されることを特徴とするデュアルビームシステム。
【請求項２４】
前記磁気イマージョンレンズは、試料表面において０．０５テスラより大きい磁場を形成することを特徴とする請求項２３に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２５】
前記イオンビームカラムは、試料において直径９０ナノメートル未満のスポットサイズを形成することを特徴とする請求項２３又は２４に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２６】
前記一つ以上の偏向器のうちの第１偏向器が、前記静電対物レンズの中心近くを通過するように前記イオンビームを偏向させることによって、前記イオンビームカラム内部の磁場を補償し、
前記一つ以上の偏向器のうちの第２偏向器が、前記イオンカラム外部の磁場を補償するように、前記イオンビームの照射点を調整することを特徴とする請求項２３乃至２５の何れか１項に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２７】
前記イオンビームカラムが、モノアイソトピックガリウム源を含むことを特徴とする請求項２３乃至２６の何れか１項に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２８】
前記一つ以上の偏向器が、静電偏向器であることを特徴とする請求項２３乃至２７の何れか１項に記載のデュアルビームシステム。
【請求項２９】
前記イオンビームカラムは、前記イオンビームカラムをシールドする磁気シールド材料を有することを特徴とする請求項１７乃至２８に記載のデュアルビームシステム。
【請求項３０】
前記磁気シールド材料は、ｍｕ−ｍｅｔａｌを含むことを特徴とする請求項２９に記載のデュアルビームシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】デュアルビームシステム及びその制御方法