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【手続補正書】
【提出日】平成27年1月20日(2015.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質層と、
（Ａ）多孔質シリカ、及びゼオライトから成る群から選ばれた１種以上、及び（Ｂ）バインダーを含み、前記多孔質層の片面又は両面に形成された被覆層と、
を備え、キャパシタ又はリチウムイオン電池を用途とすることを特徴とするセパレータ。
【請求項２】
前記多孔質層が、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、アクリル樹脂、及びウレタン樹脂のうちのいずれかから成ることを特徴とする請求項１記載のセパレータ。
【請求項３】
前記多孔質層の膜厚が１０〜１１０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１又は２記載のセパレータ。
【請求項４】
前記被覆層が多孔質シリカを含み、
その多孔質シリカの物性が以下のとおりであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のセパレータ。
平均粒子径：０．１〜８μｍ
比表面積：２５０〜８００ｍ２／ｇ
吸油量：５０〜３５０ｍｌ／１００ｇ
【請求項５】
前記被覆層の膜厚が０．５〜５０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のセパレータ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載のセパレータを備えた電気化学素子。
【請求項７】
キャパシタ又はリチウムイオン電池であることを特徴とする請求項６記載の電気化学素子。
【請求項８】
（Ａ）多孔質シリカ、及びゼオライトから成る群から選ばれた１種以上、（Ｂ）バインダー、（Ｃ）スラリー安定剤、及び（Ｄ）コーティング助剤を含むスラリーを、多孔質層の片面又は両面に塗布して被覆層を形成することを特徴とするキャパシタ又はリチウムイオン電池を用途とするセパレータの製造方法。
【請求項９】
前記バインダーが、水系バインダー又はオレフィン系バインダーである第１のバインダーと、スチレンーブタジエンゴム系バインダー、変性スチレンーブタジエンゴム系バインダー、アタリレート系バインダー、セルロース系バインダー、ビニールピロリドン、及び弗素系バインダーから成る群がら選ばれた１種以上である第２のバインダーとの混合バインダーであることを特徴とする請求項８記載のセパレータの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のセパレータは、多孔質層と、（Ａ）多孔質シリカ、及びゼオライトから成る群から選ばれた１種以上、及び（Ｂ）バインダーを含み、前記多孔質層の片面又は両面に形成された被覆層と、を備え、キャパシタ又はリチウムイオン電池を用途とすることを特徴とする。本発明のセパレータは、反りが生じにくい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のキャパシタ又はリチウムイオン電池を用途とするセパレータの製造方法は、（Ａ）多孔質シリカ、及びゼオライトから成る群から選ばれた１種以上、（Ｂ）バインダー、（Ｃ）スラリー安定剤、及び（Ｄ）コーティング助剤を含むスラリーを、多孔質層の片面又は両面に塗布して被覆層を形成することを特徴とする。本発明のセパレータの製造方法によれば、反りが生じにくいセパレータを容易に製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明における被覆層は、多孔質シリカ、及びゼオライトから成る群から選ばれた１種以上を含む。多孔質シリカとしては、電気化学素子の実用温度範囲において結晶型がアモルファスであり、多孔質であるものが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
なお、平均粒子径の測定、比表面積の測定、及び吸油量の測定は、それぞれ、以下のとおりである。
平均粒子径の測定：レーザ回折式粒度分布測定装置により測定
比表面積の測定：容量法（より詳しくは、ＪＩＳ  Ｋ１１５０“シリカゲル試験方法”に準拠する方法）により測定
吸油量の測定：ＪＩＳ  Ｋ５１０１−１３−１“顔料試験方法−第１３部吸油量”に準拠する方法により測定
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の電気化学素子としては、例えば、一次電池、二次電池、電気二重層キャパシタ（ＥＤＬＣ）、擬似電気二重層キャパシタ等が挙げられる。
本発明のセパレータは、例えば、（Ａ）多孔質シリカ、及びゼオライトから成る群から選ばれた１種以上、（Ｂ）バインダー、（Ｃ）スラリー安定剤、及び（Ｄ）コーティング助剤を含むスラリーを、多孔質層の片面又は両面に塗布して被覆層を形成することで製造できる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電型の荷電粒子線レンズであって、
間隔規定部材により、光軸方向へ互いに離間して配置される第一の電極と第二の電極とを有すると共に、
前記第一の電極、前記第二の電極、前記間隔規定部材により囲まれた空隙を有し、
前記第一の電極と前記第二の電極は、荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔を有すると共に、
少なくとも前記第二の電極は、前記荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔が形成されている領域の外側に、荷電粒子ビームが通過しない第二の貫通孔を有し、
前記第一の貫通孔及び前記第二の貫通孔は、それぞれ前記空隙に連通していることを特徴とする荷電粒子線レンズ。
【請求項２】
前記空隙から前記第二の電極に設けられた貫通孔を通じて、前記第二の電極外へ通じる排気コンダクタンスの総量に対し、
前記空隙から前記第一の電極に設けられた貫通孔を通じて、前記第一の電極外へ通じる排気コンダクタンスの総量が小さいことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項３】
前記第一の電極と前記第二の電極とを、前記光軸方向へ貫通し、
前記空隙の外側であって、前記空隙と連通しないように配置された、第三の貫通孔を、さらに有することを特徴とする請求項１又は２に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項４】
前記第一の電極は、照射対象物に最も近い電極であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項５】
前記第一の電極と前記第二の電極とは、前記荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔が形成された領域に、
前記電極を構成する部材以上にプラズマ耐性を備えた導電性を維持する部材による膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項６】
前記第一の電極と前記第二の電極の帯電を防止する帯電防止膜が、前記空隙の内壁に形成されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズ。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか１項に記載の荷電粒子線レンズによって、少なくとも静電対物レンズが構成されていることを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、静電型の荷電粒子線レンズであって、間隔規定部材により、光軸方向へ互いに離間して配置される第一の電極と第二の電極とを有すると共に、前記第一の電極、前記第二の電極、前記間隔規定部材により囲まれた空隙を有し、前記第一の電極と前記第二の電極は、荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔を有すると共に、少なくとも前記第二の電極は、前記荷電粒子ビームが通過する第一の貫通孔が形成されている領域の外側に、荷電粒子ビームが通過しない第二の貫通孔を有し、前記第一の貫通孔及び前記第二の貫通孔は、それぞれ前記空隙に連通していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月18日(2015.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２領域を有する第１リフレクタと、
前記第１リフレクタの両端部にそれぞれ配置された第２、第３リフレクタと、
前記第１リフレクタと第２リフレクタとの間に配置された第１光源モジュールと、
前記第１リフレクタと第３リフレクタとの間に配置された第２光源モジュールと、
を備え、
前記第１光源モジュールの光出射方向と前記第２光源モジュールの光出射方向とが互いに異なる、照明システム。
【請求項２】
前記第１リフレクタは、
前記第１光源モジュールに隣接した第１領域と、
前記第２光源モジュールに隣接した第２領域と、を有し、
前記第１領域の面積と前記第２領域の面積とが互いに異なる、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記第１リフレクタは、
前記第１領域と第２領域との間に第３領域を有し、
前記第３領域の面積は、前記第１、第２領域の面積よりも小さい、請求項１または２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記第１領域は、
前記第１光源モジュールに隣接し、下方に傾斜した第１傾斜面と、
前記第１傾斜面に隣接し、前記第１傾斜面から上方に傾斜した第２傾斜面と、を有し、
前記第２領域は、
前記第２光源モジュールに隣接し、下方に傾斜した第３傾斜面と、
前記第３傾斜面に隣接し、前記第３傾斜面から上方に傾斜した第４傾斜面と、を有する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項５】
前記第１傾斜面は、第１曲率半径を有する曲面であり、前記第２傾斜面は、第２曲率半径を有する曲面であり、前記第３傾斜面は、第３曲率半径を有する曲面であり、前記第４傾斜面は、第４曲率半径を有する曲面である、請求項４に記載の照明システム。
【請求項６】
前記第１曲率半径と前記第３曲率半径とが互いに異なる、請求項５に記載の照明システム。
【請求項７】
前記第２曲率半径と前記第４曲率半径とが互いに異なる、請求項５に記載の照明システム。
【請求項８】
前記第２曲率半径は、前記第１曲率半径よりも大きく、前記第４曲率半径は、前記第３曲率半径よりも大きい、請求項５に記載の照明システム。
【請求項９】
前記第１傾斜面は、曲面及び平面を有する、請求項４に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記第１傾斜面の平面は、前記第１光源モジュールから出射される光の指向角内に配置される、請求項９に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記第３領域は、凹んだ曲面、膨らんだ曲面、または扁平な平面である、請求項３に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記第１光源モジュールに含まれる光源の個数と前記第２光源モジュールに含まれる光源の個数とが互いに異なる、請求項１に記載の照明システム。
【請求項１３】
前記第１光源モジュールに含まれる光源の光出力強度と前記第２光源モジュールに含まれる光源の光出力強度とが互いに異なる、請求項１または１２に記載の照明システム。
【請求項１４】
前記第１光源モジュールの光出射方向は、前記第２リフレクタから前記第１リフレクタに向かう方向であり、前記第２光源モジュールの光出射方向は、前記第３リフレクタから前記第２リフレクタに向かう方向である、請求項１、１２または１３に記載の照明システム。
【請求項１５】
前記第１光源モジュールは、前記第２リフレクタに接して配置され、前記第２光源モジュールは、前記第３リフレクタから離れて配置される、請求項１、または１２乃至１４のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１６】
前記第２リフレクタの長さと前記第３リフレクタの長さとが互いに異なる、請求項１、１４、または１５に記載の照明システム。
【請求項１７】
前記第２リフレクタは、前記第１光源モジュールと向かい合う表面が乱反射面であり、前記第３リフレクタは、前記第２光源モジュールと向かい合う表面が正反射面である、請求項１、または１４乃至１６のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１８】
前記第２リフレクタは、前記第１光源モジュールと向かい合う表面の一部が傾斜した傾斜面を有する、請求項１、または１４乃至１７のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項１９】
前記第３リフレクタは、前記第２光源モジュールと向かい合う表面の一部が傾斜した傾斜面を有する、請求項１、または１４乃至１７のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項２０】
前記第１光源モジュールの光出射方向と前記第２光源モジュールの光出射方向とが互いに直交する、請求項１に記載の照明システム。
【請求項２１】
前記第１リフレクタから一定間隔離れて空間を置いて配置される光学部材をさらに備え、
前記第１リフレクタと前記光学部材との間の空間にはエアーガイドが形成される、請求項１または３に記載の照明システム。
【請求項２２】
前記第２リフレクタの長さは、前記第３リフレクタの長さよりも短い、請求項１６に記載の照明システム。
【請求項２３】
前記第２リフレクタの長さは、前記第３リフレクタの長さと一致する、請求項１６に記載の照明システム。
【請求項２４】
前記第２リフレクタは、前記第１リフレクタの前記第１傾斜面と向かい合う第１面を有し、
前記第３リフレクタは、前記第１リフレクタの前記第３傾斜面と向かい合う第２面を有し、
前記第１光源モジュールは、
前記第２リフレクタの前記第１面上に配置されており、前記第１リフレクタの前記第１傾斜面と向かい合う第３面を有する第１基板と、
前記第１基板の前記第３面上に配置された少なくとも一つの第１光源と、を備え、
前記第２光源モジュールは、
前記第１光源モジュールと向かい合う第４面を有する第２基板と、
前記第２基板の前記第４面上に配置された少なくとも一つの第２光源と、を備える、請求項４乃至１０のいずれか１項に記載の照明システム。
【請求項２５】
前記第１光源モジュールから前記第２光源モジュールに向かう方向における前記第２リフレクタの長さは、前記第２光源モジュールから前記第１光源モジュールに向かう方向における前記第３リフレクタの長さよりも短い、請求項２４に記載の照明システム。
【請求項２６】
前記第１曲率半径及び前記第２曲率半径は、前記第３曲率半径及び前記第４曲率半径とそれぞれ非対称である、請求項５乃至８のいずれか１項に記載の照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基体と、
前記半導体基体上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の表面に形成された接合電極と、
前記層間絶縁層と前記接合電極とからなる接合面の全面を被覆する金属膜と、を備える
半導体装置。
【請求項２】
前記金属膜が、前記層間絶縁層との反応により絶縁体となる金属材料から構成される請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属膜が、Ｔａ、及び、Ｔｉから選ばれる少なくとも１種を含んで構成されている請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
金属膜を介して接合電極の形成面同士が貼り合わされた第１の半導体基体と第２の半導体基体とからなる半導体装置であって、
前記第１の半導体基体と、
前記第１の半導体基体上に形成された第１の層間絶縁層と、
前記第１の層間絶縁層の表面に形成された第１の接合電極と、
前記第１の半導体基体と接合された第２の半導体基体と、
前記第２の半導体基体上に形成された第２の層間絶縁層と、
前記第２の層間絶縁層の表面に形成された第２の接合電極と、
前記第１の半導体基体と前記第２の半導体基体との接合面において、前記第１の接合電極と前記第２の接合電極との間に形成された金属膜と、
前記第１の半導体基体と前記第２の半導体基体との接合面において、前記第１の層間絶縁層又は前記第２の層間絶縁層と接触する部分に形成された、前記金属膜と前記第１の層間絶縁層又は前記第２の層間絶縁層との反応生成物からなる絶縁膜と、を備える
半導体装置。
【請求項５】
前記第１の半導体基体の前記第１の接合電極上に形成された第１の金属膜と、前記第１の層間絶縁層上に形成された前記第１の金属膜と前記第１の層間絶縁層又は前記第２の層間絶縁層との反応生成物からなる第１の絶縁膜と、前記第２の半導体基体の前記第２の接合電極上に形成された第２の金属膜と、前記第２の層間絶縁層上に形成された前記第２の金属膜と前記第１の層間絶縁層又は前記第２の層間絶縁層との反応生成物からなる第２の絶縁膜とを備える請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基体上に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の表面に接合電極を形成する工程と、
前記層間絶縁層及び前記接合電極の表面の全面に金属膜を形成する工程と、を有する
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基体と、前記半導体基体上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層の表面に形成された接合電極と、前記層間絶縁層と前記接合電極とからなる接合面の全面を被覆する金属膜とを備える半導体装置と、
前記半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備える
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月8日(2014.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前端面の反射率をＲ０としたときに、反射によるフィードバックを受けた時のスペクトル線幅Δνは以下の数式２で表される（例えば、非特許文献１参照）。
【数２】
2013168500.tif 000001
ただし、以下の数式３，４の関係を有する。
【数３】
2013168500.tif 000002
【数４】
2013168500.tif 000003
ここで、ν０はＣ＝０すなわちＲ＝０のときの線幅、τはＬＤ外部の共振器の一往復に要する時間である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月26日(2014.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不純物が導入された第１ポリシリコン膜からなる下部電極と、
前記下部電極上に配置されたシリコン酸化膜からなる誘電体と、
前記誘電体上に配置された第２ポリシリコン膜からなる上部電極と、を含む半導体装置であって、
前記第１ポリシリコン膜における前記不純物の濃度は、１．０Ｅ＋２０個／ｃｍ３以上であり、且つ２．４Ｅ＋２０個／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２ポリシリコン膜は前記不純物を含み、
前記第１ポリシリコン膜における前記不純物の濃度は前記第２ポリシリコン膜における前記不純物の濃度よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
絶縁層上に第１ポリシリコン膜を成膜する工程と、
前記第１ポリシリコン膜に不純物を注入して、前記第１ポリシリコン膜を低抵抗化する工程と、
低抵抗化された前記第１ポリシリコン膜に熱酸化を施して、前記第１ポリシリコン膜上にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上に第２ポリシリコン膜を形成する工程と、
前記第２ポリシリコン膜に前記不純物を注入して、前記第２ポリシリコン膜を低抵抗化する工程と、
低抵抗化された前記第２ポリシリコン膜、前記シリコン酸化膜、低抵抗化された前記第１ポリシリコン膜を順次パターニングして、前記第２ポリシリコン膜からなる上部電極と、前記シリコン酸化膜からなる誘電体と、前記第１ポリシリコン膜からなる下部電極とを形成する工程と、を含み、
前記第１ポリシリコン膜を低抵抗化する工程では、前記第１ポリシリコン膜における前記不純物の濃度が、１．０Ｅ＋２０個／ｃｍ３以上であり、且つ２．４Ｅ＋２０個／ｃｍ３以下となるように、前記不純物の注入条件を設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記低抵抗化された前記第１ポリシリコン膜に含まれる前記不純物の濃度は、前記低抵抗化された前記第２ポリシリコン膜に含まれる前記不純物の濃度よりも低いことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月5日(2015.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
指定期間内に前記画像形成装置をシャットダウンする電源断タスクを指定する第１指定手段と、
指定期間内に前記画像形成装置に設定されている設定の各項目に対する設定を行う設定工程と該設定工程の後に前記画像形成装置を再起動する再起動工程を行う設定タスクを指定する第２指定手段と、
前記指定された前記電源断タスクおよび前記設定タスクの実行を制御するタスク制御手段とを有し、
前記タスク制御手段は、設定タスクの設定工程における設定の開始前の待機中に電源断タスクによる前記画像形成装置のシャットダウンが開始される場合には、当該設定タスクを実行することなく当該電源断タスクによるによるシャットダウンが実行されるように制御し、
前記タスク制御手段は、さらに、設定タスクの再起動工程における再起動の開始前の待機中に電源断タスクによる前記画像形成装置のシャットダウンが開始される場合には、当該設定タスクの再起動工程における再起動を行うことなく当該電源断タスクによるによるシャットダウンが実行されるように制御することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記タスク制御手段は、前記電源断タスクの指定期間の後端が、前記設定タスクの指定期間の先端から設定工程が完了すると予想される日時までの期間に含まれる場合、前記設定タスクを一旦キャンセルするとともに前記画像形成装置の次回起動時に実行されるように再スケジューリングして、前記電源断タスクを実行するように制御することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記タスク制御手段は、前記電源断タスクの指定期間の後端が、前記設定タスクの設定工程が完了すると予想される日時から前記設定タスクの再起動工程により再起動される前記画像形成装置の再起動が完了すると予想される日時までの期間に含まれる場合、前記設定タスクの前記設定工程を実行し、さらに前記設定タスクの前記再起動工程をキャンセルし、前記電源断タスクを実行するように制御することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記タスク制御手段は、前記電源断タスクの指定期間の後端が、前記設定タスクの再起動工程により再起動される前記画像形成装置の再起動が完了すると予想される日時より以降となる場合、前記設定タスクの前記設定工程を実行し、前記電源断タスクを一旦キャンセルするとともに前記画像形成装置の次回起動時に実行されるように再スケジューリングして、前記設定タスクの再起動工程を実行するように制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記タスク制御手段が前記設定タスクの前記再起動工程をキャンセルしたにもかかわらず、前記電源断タスクが実行されなかった場合に、所定のユーザに通知を行う通知手段を有することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記通知は、手動により前記画像形成装置を再起動することを促す通知であることを特徴とする請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
所定のユーザからの指示に応じて前記電源断タスクをキャンセルするキャンセル手段を有し、
前記電源断タスクが実行されなかった場合とは、前記キャンセル手段により前記電源断タスクがキャンセルされた場合を含むことを特徴とする請求項５又は６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記第１指定手段は、前記指定期間内に待機ジョブの実行が終了しない場合でも前記電源断タスクを実行する強制実行指示の有無を含む指示を行うものであり、
前記電源断タスクが実行されなかった場合とは、前記電源断タスクに前記強制実行指示がなされておらず前記電源断タスクの指定期間内に待機ジョブの実行が終了しなかった場合を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記タスク制御手段は、前記電源断タスクの指定期間の後端が、前記設定タスクの指定期間の先端から設定工程が完了すると予想される日時までの期間に含まれる場合であっても、前記電源断タスクの指定期間の先端が、前記設定タスクの設定工程が完了すると予想される日時よりも先である場合には、前記電源断タスクを前記設定タスクの設定工程の直後に実行するように再スケジューリングして、前記設定タスクの設定工程を実行するように制御することを特徴とする請求項２乃至８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
画像形成装置における制御方法であって、
指定期間内に前記画像形成装置をシャットダウンする電源断タスクを指定する第１指定ステップと、
指定期間内に前記画像形成装置に設定されている設定の各項目に対する設定を行う設定工程と該設定工程の後に前記画像形成装置を再起動する再起動工程を行う設定タスクを指定する第２指定ステップと、
前記指定された前記電源断タスクおよび前記設定タスクの実行を制御するタスク制御ステップとを有し、
前記タスク制御ステップでは、設定タスクの設定工程における設定の開始前の待機中に電源断タスクによる前記画像形成装置のシャットダウンが開始される場合には、当該設定タスクを実行することなく当該電源断タスクによるによるシャットダウンが実行され、
前記タスク制御ステップでは、さらに、設定タスクの再起動工程における再起動の開始前の待機中に電源断タスクによる前記画像形成装置のシャットダウンが開始される場合には、当該設定タスクの再起動工程における再起動を行うことなく当該電源断タスクによるによるシャットダウンが実行されることを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか１項に記載された手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、画像形成装置であって、指定期間内に前記画像形成装置をシャットダウンする電源断タスクを指定する第１指定手段と、指定期間内に前記画像形成装置に設定されている設定の各項目に対する設定を行う設定工程と該設定工程の後に前記画像形成装置を再起動する再起動工程を行う設定タスクを指定する第２指定手段と、前記指定された前記電源断タスクおよび前記設定タスクの実行を制御するタスク制御手段とを有し、前記タスク制御手段は、設定タスクの設定工程における設定の開始前の待機中に電源断タスクによる前記画像形成装置のシャットダウンが開始される場合には、当該設定タスクを実行することなく当該電源断タスクによるによるシャットダウンが実行されるように制御し、前記タスク制御手段は、さらに、設定タスクの再起動工程における再起動の開始前の待機中に電源断タスクによる前記画像形成装置のシャットダウンが開始される場合には、当該設定タスクの再起動工程における再起動を行うことなく当該電源断タスクによるによるシャットダウンが実行されるように制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2013168827.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
復調に用いるパイロットシンボルである第２のパイロットシンボルと、前記第２のパイロットシンボルと異なるパイロットシンボルである第１のパイロットシンボルとを受信し、
前記第１のパイロットシンボルを用いて電力遅延プロファイルを得る電力遅延プロファイル設定部と、
前記電力遅延プロファイルと前記第２のパイロットシンボルとを用いて前記伝搬路推定を行う伝搬路推定部と、
を備えることを特徴とする受信装置。
【請求項２】
前記第１のパイロットシンボルと前記第２のパイロットシンボルは異なるリソースに配置されていることを特徴とする請求項１に記載の受信装置。
【請求項３】
前記第１のパイロットシンボルと前記第２のパイロットシンボルは、空間方向の多重方法が異なることを特徴とする請求項１または２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記第１のパイロットシンボルと前記第２のパイロットシンボルは、配置される帯域幅が異なることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の受信装置。
【請求項５】
前記第１のパイロットシンボルよりも前記第２のパイロットシンボルの方が配置される帯域幅が狭いことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の受信装置。
【請求項６】
前記第２のパイロットシンボルにデータ信号と同じプリコーディングがかかっていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の受信装置。
【請求項７】
前記電力遅延プロファイル設定部は、
有効なパスを抽出してパス情報を生成するパス抽出部として動作し、
前記伝搬路推定部は、
前記第２のパイロットシンボルを用いて、前記第２のパイロットシンボルが送信されるサブキャリアにおける周波数応答である第１の周波数応答を推定する第１の周波数応答推定部と、
前記パス情報と前期第１の周波数応答を用いて、チャネルインパルス応答を推定するチャネルインパルス応答推定部と、
を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の受信装置。
【請求項８】
前記伝搬路推定部は、
前記チャネルインパルス応答推定部が出力するチャネルインパルス応答に時間周波数変換を行い、復調用の周波数応答である第２の周波数応答に変換する、
ことを特徴とする請求項７に記載の受信装置。
【請求項９】
前記電力遅延プロファイル設定部は、
前記仮周波数応答推定部と、前記周波数時間変換部と、
前記周波数時間変換部が出力する前記仮チャネルインパルス応答の電力を算出し、その電力を電力遅延プロファイルに変換し、周波数相関を算出するパス・区間変換部を備える区間抽出部として動作し、
前記伝搬路推定部は、
前記第１の周波数応答と、前記周波数相関を用いて、復調用の周波数応答である第２の周波数応答を算出する、
ことを特徴とする請求項７に記載の受信装置。
【請求項１０】
復調に用いるパイロットシンボルである第２のパイロットシンボルと、前記第２のパイロットシンボルと異なるパイロットシンボルである第１のパイロットシンボルとを受信し、
前記第１のパイロットシンボルを用いて電力遅延プロファイルを得る電力遅延プロファイル設定過程と、
前記電力遅延プロファイルと前記第２のパイロットシンボルとを用いて前記伝搬路推定を行う伝搬路推定過程と、
を備えることを特徴とする受信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の目的は、ＶｏＩＰ通信の通信状況をユーザに知らせる音を出力する音出力手段を用いて、非ＶｏＩＰ通信の実行をユーザに認識させる仕組みを提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的を達成するために、請求項１のファクシミリ装置は、公衆電話回線を介して行うファクシミリ通信のための音声データをＩＰ網で送受信するＶｏＩＰ通信及び前記音声データを用いずにＩＰ網経由でファクシミリ通信を行う非ＶｏＩＰ通信を行う通信手段と、前記通信手段によって行われる前記ＶｏＩＰ通信の通信状況をユーザに知らせる音を出力する音出力手段と、前記通信手段によって前記非ＶｏＩＰ通信を行う場合に、前記音出力手段によって音を出力するよう制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、ＶｏＩＰ通信の通信状況をユーザに知らせる音を出力する音出力手段を用いて、非ＶｏＩＰ通信の実行をユーザに認識させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
公衆電話回線を介して行うファクシミリ通信のための音声データをＩＰ網で送受信するＶｏＩＰ通信及び前記音声データを用いずにＩＰ網経由でファクシミリ通信を行う非ＶｏＩＰ通信を行う通信手段と、
前記通信手段によって行われる前記ＶｏＩＰ通信の通信状況をユーザに知らせる音を出力する音出力手段と、
前記通信手段によって前記非ＶｏＩＰ通信を行う場合に、前記音出力手段によって音を出力するよう制御する制御手段と
を備えたことを特徴とするファクシミリ装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記通信手段によって前記非ＶｏＩＰ通信を行う前、及び前記非ＶｏＩＰ通信を行った後に、前記音出力手段によって音を出力するよう制御することを特徴とする請求項１記載のファクシミリ装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記非ＶｏＩＰ通信を行う場合に、前記ＶｏＩＰ通信の通信状況をユーザに知らせる音とは異なる音を出力するように前記音出力手段を制御することを特徴とする請求項１または２記載のファクシミリ装置。
【請求項４】
前記ＶｏＩＰ通信は、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｔ．３０に従った音声データをＩＰ網で送受信するファクシミリ通信であり、前記非ＶｏＩＰ通信は、ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｔ．３８に従ったファクシミリ通信であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のファクシミリ装置。
【請求項５】
前記音出力手段は、モデムであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のファクシミリ装置。
【請求項６】
前記ＶｏＩＰ通信を行う場合と前記非ＶｏＩＰ通信を行う場合で、前記モデムのモードを変更する変更手段を備えることを特徴とする請求項５に記載のファクシミリ装置。
【請求項７】
公衆電話回線を介して行うファクシミリ通信のための音声データをＩＰ網で送受信するＶｏＩＰ通信及び前記音声データを用いずにＩＰ網経由でファクシミリ通信を行う非ＶｏＩＰ通信を行う通信ステップと、
前記通信ステップで行われる前記ＶｏＩＰ通信の通信状況をユーザに知らせる音を音出力手段から出力する出力ステップと、
前記通信ステップで前記非ＶｏＩＰ通信を行う場合に、前記音出力手段によって音を出力するよう制御する制御ステップと
を備えたことを特徴とするファクシミリ装置の制御方法。
【請求項８】
公衆電話回線を介して行うファクシミリ通信のための音声データをＩＰ網で送受信するＶｏＩＰ通信及び前記音声データを用いずにＩＰ網経由でファクシミリ通信を行う非ＶｏＩＰ通信を行う通信ステップと、
前記通信ステップで行われる前記ＶｏＩＰ通信の通信状況をユーザに知らせる音を音出力手段から出力する出力ステップと、
前記通信ステップで前記非ＶｏＩＰ通信を行う場合に、前記音出力手段によって音を出力するよう制御する制御ステップと
を備えたファクシミリ装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影装置であって、
画像から第１の画像と第２の画像とを生成する画像生成手段と、
前記第１の画像を格納し、前記第１の画像を用いて台形補正を行う第１の画像処理手段と、
前記第２の画像を格納し、前記第２の画像を用いて台形補正を行う第２の画像処理手段と、
前記第１の画像処理手段によって台形補正された画像と、前記第２の画像処理手段によって台形補正された画像とに基づいて生成される画像をスクリーンに投影する投影手段と
を有し、
前記第１の画像処理手段は、前記スクリーンに対する前記投影装置の傾きに基づいて、前記第１の画像のうち第１の領域に対応する画像を前記第２の画像処理手段に供給し、
前記第２の画像処理手段は、前記第１の領域に対応する画像及び前記第２の画像を用いて台形補正を行う
ことを特徴とする投影装置。
【請求項２】
前記第１の画像処理手段は、前記第１の画像のうち第２の領域に対応する画像を用いて台形補正を行うことを特徴とする請求項１に記載の投影装置。
【請求項３】
前記第１の領域は、前記第２の領域と異なることを特徴とする請求項２に記載の投影装置。
【請求項４】
前記第２の画像処理手段は、前記スクリーンに対する前記投影装置の傾きに基づいて、前記第２の画像のうち第３の領域に対応する画像を前記第１の画像処理手段に供給し、
前記第１の画像処理手段は、前記第３の領域に対応する画像及び前記第１の画像を用いて台形補正を行う
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の投影装置。
【請求項５】
前記第２の画像処理手段は、前記第２の画像のうち第４の領域に対応する画像を用いて台形補正を行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の投影装置。
【請求項６】
前記第３の領域は、前記第４の領域と異なることを特徴とする請求項５に記載の投影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、投影すべき画像を分割し、分割画像毎に台形補正を行う場合に、必要なメモリの容量を少なくすることを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る投影装置は、投影装置であって、画像から第１の画像と第２の画像とを生成する画像生成手段と、前記第１の画像を格納し、前記第１の画像を用いて台形補正を行う第１の画像処理手段と、前記第２の画像を格納し、前記第２の画像を用いて台形補正を行う第２の画像処理手段と、前記第１の画像処理手段によって台形補正された画像と、前記第２の画像処理手段によって台形補正された画像とに基づいて生成される画像をスクリーンに投影する投影手段とを有し、前記第１の画像処理手段は、前記スクリーンに対する前記投影装置の傾きに基づいて、前記第１の画像のうち第１の領域に対応する画像を前記第２の画像処理手段に供給し、前記第２の画像処理手段は、前記第１の領域に対応する画像及び前記第２の画像を用いて台形補正を行うことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、投影すべき画像を分割し、分割画像毎に台形補正を行う場合に、必要なメモリの容量を少なくできる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高濃度領域を含む印刷画像における該高濃度領域が予め定めた大きさ以上か否か判断し、該予め定めた大きさ以上の場合、高濃度領域の濃度を低減させる濃度低減パターンデータに変換する画像処理装置であって、
前記印刷画像に含まれる注目画素が前記高濃度領域にある濃度低減対象画素であることを示す補正信号を生成する補正信号生成手段と、
前記画像処理装置の解像度の低濃度ドットと高濃度ドットとのパターンと、解像度と異なる低濃度ドットと高濃度ドットとのパターンとの組み合わせが出現する複数のランダムパターンを、格納手段から読み出し、主走査ラインの奇数と偶数とで論理反転して、前記補正信号に応じ、前記注目画素に重ね合わせて補正された出力データを生成し出力する出力手段と
を備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像処理装置の解像度の高濃度ドットを２つの低濃度ドットの間に配置する低高低のパルス、および解像度に準ずる大きさの高濃度ドットを２つの低濃度ドットの間に配置する低高低のパルスを生成する低高低パルス生成手段と、前記解像度の低濃度ドットを２つの高濃度ドットの間に配置する高低高のパルス、および解像度に準ずる大きさの低濃度ドットを２つの高濃度ドットの間に配置する高低高のパルスを生成する高低高パルス生成手段とを含み、各々で生成されるパターンを組み合わせて前記複数のランダムパターンを生成するランダムパターン生成手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記ランダムパターン生成手段は、前記パターンをランダムに組み合わせて前記複数のランダムパターンを生成するための、ランダムパターンの組み合わせ総数以上の数値をカウントできるカウンタ手段をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記ランダムパターン生成手段は、前記パターンをランダムに組み合わせて前記複数のランダムパターンを生成するための、乱数生成手段をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記低高低パルス生成手段と、高低高パルス生成手段とで生成されるパターンに番号を割り当て、前記ランダムパターン生成手段で前記低高低パルス生成手段と高低高パルス生成手段とで生成されるパターンを組み合わせるときに、先に選択した低高低パターンまたは、高低高パターンの最後の３ドットめのパルスのドットの大きさに応じて、次に選択するパルスパターンに割り当てられた番号に重みづけをした値に基づいてパルスパターンを選択してランダムパターンを生成することを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記ランダムパターン生成手段で生成され前記格納手段から読み出したランダムパターンを主走査ラインの奇数と偶数とで論理反転してデータを出力するラインメモリをさらに備えたことを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記高濃度ドットは黒ドットであり、前記低濃度ドットは白ドットであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像の濃度低減領域に対して濃度低減パターンを配置することで、濃度を低減する処理を行う処理手段を有し、前記濃度低減パターンは、異なる解像度の複数のドットパターンが配置され、前記ドットパターンは低濃度ドットと高濃度ドットから構成されることを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
高濃度領域を含む印刷画像における該高濃度領域が予め定めた大きさ以上か否か判断し、該予め定めた大きさ以上の場合、高濃度領域の濃度を低減させる濃度低減パターンデータに変換する画像処理方法であって、
前記印刷画像に含まれる注目画素が前記高濃度領域にある濃度低減対象画素であることを示す補正信号を生成する補正信号生成ステップと、
前記印刷画像を印刷する画像処理装置の解像度の低濃度ドットと高濃度ドットとのパターンと、解像度と異なる低濃度ドットと高濃度ドットとのパターンとの組み合わせが出現する複数のランダムパターンを、格納手段から読み出し、主走査ラインの奇数と偶数とで論理反転して、前記補正信号に応じ、前記注目画素に重ね合わせて補正された出力データを生成し出力する出力ステップと
を備えたことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
画像の濃度低減領域に対して濃度低減パターンを配置することで、濃度を低減する処理を行う処理ステップを有し、前記濃度低減パターンは、異なる解像度の複数のドットパターンが配置され、前記ドットパターンは低濃度ドットと高濃度ドットから構成されることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と、貫通孔を有している基板とを準備する工程と、
前記基板の一方の主面に搭載電極、前記基板の他方の主面に実装電極、前記貫通孔内に貫通電極をめっきにより一体で形成する工程と、
前記電子部品を前記搭載電極を介して前記基板に搭載する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記搭載電極、前記実装電極、および前記貫通電極を形成する工程は、
前記一方の主面および前記他方の主面にレジスト層を形成するステップと、
前記めっきにより、前記一方の主面、前記他方の主面、および前記貫通孔内に導電層を形成するステップと、
前記レジスト層を除去するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記搭載電極、前記実装電極、および前記貫通電極を形成する工程は、
前記レジスト層を形成するステップよりも前に、めっき核となるシード層を形成するステップと、
前記レジスト層を除去するステップよりも後に、前記シード層をエッチングするステップと、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記貫通孔は、前記一方の主面側よりも前記他方の主面側の孔の幅が小さい部分を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記基板は、単層のセラミックスであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記搭載電極、前記実装電極、および前記貫通電極を形成する工程は、
前記一方の主面に蓋体を接続するための接合部、前記搭載電極、前記実装電極、および前記貫通電極を同時に形成することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の電
子デバイスの製造方法。
【請求項７】
貫通孔を有する基板と、
前記基板の一方の主面に設けられている搭載電極と、
前記基板の他方の主面に設けられている実装電極と、
前記貫通孔内に設けられ、前記搭載電極および前記実装電極と電気的に接続している貫通電極と、
前記搭載電極に接合されている電子部品と、
を備え、
前記搭載電極、前記実装電極、および前記貫通電極は、一体であることを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載の電子デバイスを含む、電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装面にリード部品の接続端子の先端部を半田によって接合するためのランドが設けられ、
前記ランドは所定の方向に延びる形状に形成され前記所定の方向が長手方向とされ前記長手方向に直交する短手方向が幅方向とされ、
前記ランドには前記接続端子の先端部に対向する端子対向部と前記接続端子の先端側において前記端子対向部に連続する先端側連続部とが設けられ、
前記端子対向部に前記先端側連続部の幅より幅が狭い幅狭部が設けられた
回路基板。
【請求項２】
前記幅狭部は前記幅方向における一方に前記幅方向に開口された凹部が形成されることにより設けられた
請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記幅狭部は前記幅方向における両側にそれぞれ前記幅方向に開口された凹部が形成されることにより設けられた
請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記先端側連続部の幅が前記接続端子の幅より大きくされ、
前記幅狭部の幅が前記接続端子の幅より小さくされた
請求項１、請求項２又は請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記先端側連続部の長さが前記幅狭部の長さより長くされた
請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記ランドに、前記端子対向部を挟んだ先端側連続部の反対側に前記端子対向部に連続する基端側連続部が設けられた
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４又は請求項５に記載の回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2013168517.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子を回路基板上にフリップチップ実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の発光面が蛍光体シートで覆われており、前記蛍光体シートが、前記半導体発光素子に貼り合わされる前において、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満であるものであって、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートに覆われていない長さｍが５μｍを上回らないものであり、かつ、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートがはみ出す長さｎが５μｍを上回らないものであることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
半導体発光素子を回路基板上にワイヤーボンディングにて実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の電極部分以外の表面が蛍光体シートで覆われており、前記蛍光体シートが、前記半導体発光素子に貼り合わされる前において、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満であるものであって、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートに覆われていない長さｍが５μｍを上回らないものであり、かつ、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートがはみ出す長さｎが５μｍを上回らないものであることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記蛍光体シートと前記半導体発光素子との間に接着層を含まない請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
半導体発光装置が、複数の半導体発光素子に蛍光体シートを一括して貼り付けた後、前記複数の半導体発光素子の個片化と同時に一括して前記蛍光体シートを切断して得られるものである請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
半導体発光素子の発光面に蛍光体シートを備えた半導体発光装置の製造方法であって、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満である蛍光体シートを回路基板上に形成された複数の半導体発光素子に一括して貼り付ける工程、および前記複数の半導体発光素子の個片化と同時に一括して前記蛍光体シートを切断する工程を含む半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
前記蛍光体シートと前記半導体発光素子との間に接着層を含まない請求項５に記載の半導体発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一の形態は、半導体発光素子を回路基板上にフリップチップ実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の発光面が蛍光体シートで覆われており、前記蛍光体シートが、前記半導体発光素子に貼り合わされる前において、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満であるものであって、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートに覆われていない長さｍが５μｍを上回らないものであり、かつ、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートがはみ出す長さｎが５μｍを上回らないものであることを特徴とする半導体発光装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の別の形態は、半導体発光素子を回路基板上にワイヤーボンディングにて実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子の電極部分以外の表面が蛍光体シートで覆われており、前記蛍光体シートが、前記半導体発光素子に貼り合わされる前において、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満であるものであって、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートに覆われていない長さｍが５μｍを上回らないものであり、かつ、前記半導体発光素子の縁において前記蛍光体シートがはみ出す長さｎが５μｍを上回らないものであることを特徴とする半導体発光装置である。
また、本発明は、半導体発光素子の発光面に蛍光体シートを備えた半導体発光装置の製造方法であって、２５℃での貯蔵弾性率が０．５ＭＰａ以上であり、かつ１００℃での貯蔵弾性率が０．１ＭＰａ未満である蛍光体シートを回路基板上に形成された複数の半導体発光素子に一括して貼り付ける工程、および前記複数の半導体発光素子の個片化と同時に一括して前記蛍光体シートを切断する工程を含む半導体発光装置の製造方法である。