【手続補正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の側に配置された構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記構造は、
前記複数の光電変換部の少なくとも一部のそれぞれに対して配置されていて、それぞれが反射領域を有する複数の反射部と、
前記複数の反射部のそれぞれの前記反射領域の周囲に配置された複数の光吸収部と、
前記複数の光吸収部のそれぞれを取り囲むように配置された絶縁部と、
前記複数の反射部、前記複数の光吸収部および前記絶縁部と前記第１面との間に配置された層間絶縁膜と、
を含み、
前記複数の光吸収部の反射率は、前記複数の反射部のそれぞれの前記反射領域の反射率よりも小さく、前記複数の光吸収部の光透過率は、前記絶縁部の光透過率よりも小さい、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記光吸収部は、導電材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記光吸収部は、前記層間絶縁膜を介して前記第１面に対向する光入射面と、前記光入射面の反対側の面とを有し、前記反射部は、前記反対側の面を覆う部分を有する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記光吸収部の外縁と前記反射部の外縁とが一致している、
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記複数の反射部は、電気信号を伝達する配線パターンの一部として構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記複数の光電変換部は、第１波長帯域の光が入射する第１光電変換部と、前記第１波長帯域よりも波長が短い第２波長帯域の光が入射する第２光電変換部と、前記第２波長帯域よりも波長が短い第３波長帯域の光が入射する第３光電変換部とを含み、
前記複数の反射部および前記複数の光吸収部は、前記第１光電変換部のみ、または、前記第１光電変換部および前記第２光電変換部のみに対して設けられている、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記光電変換部の位置に応じて、当該光電変換部に対応する前記反射領域および前記光吸収部の形状が決定されている、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記複数の光吸収部のそれぞれが、前記複数の反射部のそれぞれの前記反射領域を取り囲むように配置されたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の側に配置された構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面を通して前記複数の光電変換部に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置であって、
前記構造は、導電部と、前記導電部と前記半導体層との間に配置されたバリアメタルとを含み、
前記バリアメタルは開口を有し、前記導電部は前記開口を通して前記半導体層に対向する領域を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
前記導電部は、主成分として、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンまたはタンタルを含む、
ことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記バリアメタルは、窒化チタンを含む、
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記導電部の前記領域は、前記導電部と前記半導体層との間に配置された絶縁膜に接している、
ことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記バリアメタルは、前記導電部の前記領域を取り囲むように配置されている、
ことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記バリアメタルを構成する材料の反射率は、前記導電部を構成する材料の反射率より小さい、
ことを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記導電部は、電気信号を伝達する配線パターンの一部として構成されている、
ことを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記複数の光電変換部は、第１波長帯域の光が入射する第１光電変換部と、前記第１波長帯域よりも波長が短い第２波長帯域の光が入射する第２光電変換部と、前記第２波長帯域よりも波長が短い第３波長帯域の光が入射する第３光電変換部とを含み、
前記開口は、前記第１光電変換部、前記第２光電変換部および前記第３光電変換部のうちで、前記第１光電変換部のみ、または、前記第１光電変換部および前記第２光電変換部のみに対して設けられている、
ことを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の側に配置された構造と、前記第２面の側に配置されたレンズとを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置された固体撮像装置であって、
前記構造は、導電部と、前記導電部と前記半導体層との間に配置されたバリアメタルとを含み、
前記バリアメタルは開口を有し、前記導電部は前記開口を通して前記半導体層に対向する領域を有する、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１８】
第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の側に配置された構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置の製造方法であって、
前記製造方法は、
前記複数の光電変換部を覆うように第１膜を形成する工程と、
前記複数の光電変換部にそれぞれ対応する複数の開口が形成されるように前記第１膜をパターニングして第１パターンを形成する工程と、
前記複数の開口を覆うように前記第１パターンの上に第２膜を形成する工程と、
前記複数の開口および前記第１パターンの上に前記第２膜が残るように前記第２膜をパターニングして第２パターンを形成する工程と、を含み、
前記第１膜は、窒化チタンおよびシリコンカーバイドの少なくとも１つを含み、
前記第２膜は、主成分として、アルミニウム、銅、金、タングステン、チタンまたはタンタルを含む、
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１パターンのうち前記第２パターンのエッチングによって露出した部分をエッチングする工程を更に含む、
ことを特徴とする請求項１８に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、第１面および第２面を有する半導体層と、前記第１面の側に配置された構造とを含み、前記半導体層の中に複数の光電変換部が配置され、前記第２面に対して被写体からの光が入射する固体撮像装置に係り、前記構造は、前記複数の光電変換部の少なくとも一部のそれぞれに対して配置されていて、それぞれが反射領域を有する複数の反射部と、前記複数の反射部のそれぞれの前記反射領域の周囲に配置された複数の光吸収部と、前記複数の光吸収部のそれぞれを取り囲むように配置された絶縁部と、前記複数の反射部、前記複数の光吸収部および前記絶縁部と前記第１面との間に配置された層間絶縁膜と、を含み、前記複数の光吸収部の反射率は、前記複数の反射部のそれぞれの前記反射領域の反射率よりも小さく、前記複数の光吸収部の光透過率は、前記絶縁部の光透過率よりも小さい。