(57)【要約】  薄膜トランジスタであって、基板（１）上に位置するゲート電極（２）と、ゲート電極（２）上に位置するゲート絶縁層（３）と、ゲート絶縁層（３）を間に介してゲート電極（２）と対向する半導体層（４０）と、半導体層（４０）上に位置する有機材料を含む保護層（６）と、互いに対向して配置され、保護層（６）上に少なくとも一部が位置するソース電極（８Ｓ）及びドレイン電極（８Ｄ）と、を備え、保護層（６）は、ソース電極（８Ｓ）及びドレイン電極（８Ｄ）から露出した領域における表面層が変質することによって生成された、少なくとも一部が半導体層（４０）と接する変質層（６２）を有し、半導体層（４０）の欠陥密度をＮｔ（ｃｍ−３）とし、保護層（６）の端部のテーパ角をθ（°）とすると、Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の関係式を満たす。
2013183255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に位置するゲート電極と、
前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を間に介して、前記ゲート電極と対向する半導体層と、
前記半導体層上に位置する、有機材料を含むエッチストッパ層と、
互いに対向して配置され、前記エッチストッパ層上に少なくとも一部が位置するソース電極及びドレイン電極と、を備え、
前記エッチストッパ層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域における表面層が変質することによって生成された、少なくとも一部が前記半導体層と接する変質層を有し、
前記半導体層の欠陥密度をＮｔ（ｃｍ−３）とし、前記エッチストッパ層における前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域の端部のテーパ角をθ（°）とすると、
Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６
の関係式を満たす、
薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記変質層は、前記半導体層を区画するときのドライエッチングにより生成される層である、
請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記変質層は、膜厚が３０ｎｍ以上である、
請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記変質層の密度は、前記エッチストッパ層のうち前記ドライエッチングにより変質しなかった部分である非変質層の密度よりも高い、
請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記変質層に含まれる塩素の濃度は、前記非変質層に含まれる塩素の濃度の少なくとも１０倍以上である、
請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記変質層に含まれる炭素の濃度は、前記非変質層に含まれる炭素の濃度の少なくとも１／１００以下である、
請求項４又は５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
基板を準備する工程と、
前記基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上に有機材料を含むエッチストッパ層を形成する工程と、
前記エッチストッパ層上に少なくとも一部が位置するように、ソース電極及びドレイン電極を互いに対向配置して形成する工程と、
前記半導体膜をドライエッチングして、区画された半導体層を形成する工程と、を含み、
前記半導体層を形成する工程において、前記エッチストッパ層は、前記ドライエッチングによって、当該エッチストッパ層の前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域における表面層が変質層に変質するとともに、前記露出した領域の端部がテーパ角を有するようにエッチングされ、
前記半導体層の欠陥密度をＮｔ（ｃｍ−３）とし、前記テーパ角をθ（°）とすると、
Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６
の関係式を満たす、
薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記変質層は、膜厚が３０ｎｍ以上である、
請求項７に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記変質層の密度は、前記エッチストッパ層のうち前記ドライエッチングにより変質しなかった部分である非変質層の密度よりも高い、
請求項７又は８に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記変質層に含まれる塩素の濃度は、前記非変質層に含まれる塩素の濃度の少なくとも１０倍以上である、
請求項９に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記変質層に含まれる炭素の濃度は、前記非変質層に含まれる炭素の濃度の少なくとも１／１００以下である、
請求項９又は１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法に関し、特に、有機系塗布材料をエッチストッパ層に用いた薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに変わる次世代フラットパネルディスプレイの一つとしての有機材料のＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した有機ＥＬディスプレイが注目されている。有機ＥＬディスプレイ等のアクティブマトリクス方式の表示装置では、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）と呼ばれる薄膜半導体装置が用いられる。【０００３】
特に、有機ＥＬディスプレイは、電圧駆動型の液晶ディスプレイと異なり電流駆動型のディスプレイデバイスであり、アクティブマトリクス方式の表示装置の駆動回路として優れたオンオフ特性を有する薄膜トランジスタの開発が急がれている。薄膜トランジスタの構成は、基板上に、ゲート電極、絶縁層、半導体層（チャネル層）、ソース電極及びドレイン電極が形成されたものであり、チャネル層にはシリコン薄膜を用いることが一般的である。【０００４】
また、ディスプレイデバイスには大画面化及び低コスト化が求められており、容易に低コスト化が可能な薄膜トランジスタとして、一般的には、ゲート電極がチャネル層より基板側に形成されたボトムゲート型の薄膜トランジスタが用いられる。【０００５】
ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、チャネル層がエッチングされるチャネルエッチ型の薄膜トランジスタと、チャネル層をエッチング処理から保護するエッチストッパ型（チャネル保護型）の薄膜トランジスタとの２つに大別される。【０００６】
チャネルエッチ型の薄膜トランジスタは、エッチストッパ型の薄膜トランジスタに比べて、フォトリソグラフィ工程数を削減することができ、製造コストを抑えられるという利点がある。【０００７】
一方、エッチストッパ型の薄膜トランジスタは、エッチング処理によるチャネル層へのダメージを防ぐことができ、基板面内で特性ばらつきが増大することを抑制することができる。また、エッチストッパ型の薄膜トランジスタの方がチャネル層を薄膜化することができ、寄生抵抗成分を低減してオン特性を向上させることができるため、高精細化には有利である。【０００８】
このため、エッチストッパ型の薄膜トランジスタは、例えば有機ＥＬ素子を用いた電流駆動型の有機ＥＬ表示装置における駆動トランジスタに適しており、チャネルエッチ型の薄膜トランジスタに比べて製造コストが増加したとしても、有機ＥＬ表示装置の画素回路に採用する試みがなされている。【０００９】
例えば特許文献１には、微結晶半導体膜をチャネル層とするエッチストッパ型のＴＦＴが開示されており、チャネル層上にバッファ層を介してエッチストッパ層を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００９−７６８９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、エッチストッパ型の薄膜トランジスタにおいて、有機材料をエッチストッパ層に用いると、トランジスタ特性（Ｉ−Ｖ特性）においてハンプ現象と呼ばれるコブが際立って現れることが分かった。【００１２】
特に、トランジスタ特性の電流が急激に増加する領域において、ハンプ現象が顕著に現れることが分かった。この電流が急激に増加する領域は、表示装置における低階調領域、すなわち黒表示領域に対応し、液晶ディスプレイとは異なり有機ＥＬディスプレイにおいては、この黒表示領域の特性が重要となる。【００１３】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、有機材料をエッチストッパ層とするエッチストッパ型の薄膜トランジスタにおいて、ハンプ現象が抑制された薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、基板上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を間に介して、前記ゲート電極と対向する半導体層と、前記半導体層上に位置する、有機材料を含むエッチストッパ層と、互いに対向して配置され、前記エッチストッパ層上に少なくとも一部が位置するソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記エッチストッパ層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域における表面層が変質することによって生成された、少なくとも一部が前記半導体層と接する変質層を有し、前記半導体層の欠陥密度をＮｔ（ｃｍ−３）とし、前記エッチストッパ層における前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域の端部のテーパ角をθ（°）とすると、Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の関係式を満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の一態様によれば、優れたトランジスタ特性、特に電流が急激に増加する領域においてハンプ現象が抑制された薄膜トランジスタを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの構成を模式的に示した断面図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿って切断した同薄膜トランジスタの断面図、（ｂ）は同薄膜トランジスタの透過平面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿って切断した同薄膜トランジスタの拡大断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法のフローチャートである。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法における基板準備工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法におけるゲート電極形成工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法におけるゲート絶縁層形成工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法における結晶質シリコン半導体層形成工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法における非晶質シリコン半導体層形成工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法における保護層形成工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法におけるコンタクト層用膜形成工程及びソースドレイン金属膜形成工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法におけるソースドレイン金属膜パターニング工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｉ】図３Ｉは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法におけるコンタクト層用膜パターニング工程及び半導体層パターニング工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図３Ｊ】図３Ｊは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法におけるパッシベーション層形成工程を模式的に示した断面図及び平面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、従来の薄膜トランジスタの電流電圧特性を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、従来の薄膜トランジスタの電流電圧特性におけるハンプ現象を説明するための図である。
【図５】図５は、図１に示す薄膜トランジスタにおいて、保護層及び変質層がソース電極（ドレイン電極）からゲート幅方向にはみ出した長さを複数異ならせたときに得られる各々の電流電圧特性を重ね合わせた図である。
【図６】図６は、図１に示す薄膜トランジスタの保護層の外周端部における断面ＴＥＭ像である。
【図７Ａ】図７Ａは、図１に示す薄膜トランジスタを構成する膜中に含まれる塩素の濃度分布を示す図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図１に示す薄膜トランジスタを構成する膜中に含まれる炭素の濃度分布を示す図である。
【図８】図８は、薄膜トランジスタにおける保護層のテーパ角とハンプ現象との関係を説明するための図である。
【図９】図９は、薄膜トランジスタにおけるハンプ量を算出するための方法を説明するための図である。
【図１０】図１０は、ハンプ度合いが異なる３つの薄膜トランジスタにおけるハンプ量の算出方法と算出したハンプ量とを示す図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、薄膜トランジスタにおける保護層のテーパ角と半導体層の欠陥密度とハンプ量との関係を示す図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、図１１Ａにおいて、半導体層の欠陥密度が１×１０２０ｃｍ−３の場合の４つのハンプ量の実測値と保護層のテーパ角との関係を抜き出してグラフ化した図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態の変形例に係る薄膜トランジスタの構成を模式的に示した図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿って切断した同薄膜トランジスタの断面図、（ｂ）は同薄膜トランジスタの透過平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部切り欠き斜視図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタを用いた画素の回路構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係る薄膜トランジスタの一態様は、基板上に位置するゲート電極と、前記ゲート電極上に位置するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層を間に介して、前記ゲート電極と対向する半導体層と、前記半導体層上に位置する、有機材料を含むエッチストッパ層と、互いに対向して配置され、前記エッチストッパ層上に少なくとも一部が位置するソース電極及びドレイン電極と、を備え、前記エッチストッパ層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域における表面層が変質することによって生成された、少なくとも一部が前記半導体層と接する変質層を有し、前記半導体層の欠陥密度をＮｔ（ｃｍ−３）とし、前記エッチストッパ層における前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域の端部のテーパ角をθ（°）とすると、Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の関係式を満たすことを特徴とする。
【００１８】
本態様によれば、半導体層の欠陥密度（Ｎｔ）と、変質層を有するエッチストッパ層の端部におけるテーパ角（θ）とが、Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の関係式を満たしている。これにより、ハンプ現象の発生を抑制することができる。
【００１９】
さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの一態様において、前記変質層は、前記半導体層を区画するときのドライエッチングにより生成される層である、とすることができる。
【００２０】
半導体層を区画するときのドライエッチングにより生成された変質層は、固定電荷量が多く存在し、ハンプ発生の原因となるが、上記関係式を満たすことにより、ハンプ現象の発生を抑制することができる。
【００２１】
さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの一態様において、前記変質層は、膜厚が３０ｎｍ以上である、とすることができる。さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの一態様において、前記変質層の密度は、前記エッチストッパ層のうち前記ドライエッチングにより変質しなかった部分である非変質層の密度よりも高い、とすることができる。さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの一態様において、前記変質層に含まれる塩素の濃度は、前記非変質層に含まれる塩素の濃度の少なくとも１０倍以上である、とすることができる。さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの一態様において、前記変質層に含まれる炭素の濃度は、前記非変質層に含まれる炭素の濃度の少なくとも１／１００以下である、とすることができる。但し、炭素濃度は、物質によって大きく異なる場合があるため、変質層に含まれる炭素濃度は、エッチストッパ層に含まれる炭素濃度の１／１００を超えてもよい。
【００２２】
これらの構成により、エッチストッパ層における変質層を特定することができる。このような変質層は、固定電荷を多く含み、ハンプ現象の原因となるが、上記関係式を満たすことにより、ハンプ現象の発生を抑制することができる。
【００２３】
また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の一態様は、基板を準備する工程と、前記基板上にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極上にゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上に有機材料を含むエッチストッパ層を形成する工程と、前記エッチストッパ層上に少なくとも一部が位置するように、ソース電極及びドレイン電極を互いに対向配置して形成する工程と、前記半導体膜をドライエッチングして、区画された半導体層を形成する工程と、を含み、前記半導体層を形成する工程において、前記エッチストッパ層は、前記ドライエッチングによって、当該エッチストッパ層の前記ソース電極及び前記ドレイン電極から露出した領域における表面層が変質層に変質するとともに、前記露出した領域の端部がテーパ角を有するようにエッチングされ、前記半導体層の欠陥密度をＮｔ（ｃｍ−３）とし、前記テーパ角をθ（°）とすると、Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の関係式を満たすことを特徴とする。
【００２４】
本態様によれば、半導体層の欠陥密度（Ｎｔ）と、変質層を有するエッチストッパ層の端部におけるテーパ角（θ）とが、Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の関係式を満たすようにして、半導体層及びエッチストッパ層が形成される。これにより、ハンプ現象の発生を抑制することができる薄膜トランジスタを得ることができる。
【００２５】
さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の一態様の一態様において、前記変質層は、膜厚が３０ｎｍ以上である、とすることができる。さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の一態様の一態様において、前記変質層の密度は、前記エッチストッパ層のうち前記ドライエッチングにより変質しなかった部分である非変質層の密度よりも高い、とすることができる。さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の一態様の一態様において、前記変質層に含まれる塩素の濃度は、前記非変質層に含まれる塩素の濃度の少なくとも１０倍以上である、とすることができる。さらに、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法の一態様の一態様において、前記変質層に含まれる炭素の濃度は、前記非変質層に含まれる炭素の濃度の少なくとも１／１００以下である、とすることができる。
【００２６】
これらの構成により、エッチストッパ層における変質層を特定することができる。このような変質層は、固定電荷を多く含み、ハンプ現象の原因となるが、上記関係式を満たすことにより、ハンプ現象の発生を抑制することができる。
【００２７】
（実施の形態）
以下、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタ及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。
【００２８】
なお、各図において、実質的に同一の構成部材については同一の符号を付す。また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
【００２９】
図１は、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの構成を模式的に示した図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ’線の断面図、（ｂ）は透過平面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ’線の拡大断面図である。
【００３０】
図１に示すように、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０は、チャネル保護型でボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、基板１上に位置するゲート電極２と、ゲート電極２上に位置するゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３を間に介してゲート電極２と対向する半導体層４０と、半導体層４０上に位置する保護層６と、保護層６上に少なくとも各々の一部が位置するソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄとを備える。
【００３１】
本実施の形態における薄膜トランジスタ１０は、さらに、一対のコンタクト層７と、パッシベーション層９とを有する。一対のコンタクト層７の各々は、保護層６上に少なくとも各々の一部が位置し、かつ、ソース電極８Ｓ又はドレイン電極８Ｄと半導体層４０との間に形成されている。
【００３２】
また、半導体層４０は、基板１上において島状に区画されており、下層の第１半導体層である結晶質シリコン半導体層４と上層の第２半導体層である非晶質シリコン半導体層５との積層膜によって構成されている。半導体層４０は、ゲート絶縁層３を間に介して、ゲート電極２と対向するように形成されている。
【００３３】
薄膜トランジスタ１０は、半導体層４０の欠陥密度をＮｔ（ｃｍ−３）とし、保護層６の端部におけるテーパ角をθ（°）とすると、Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の関係式を満たすように構成されている。なお、本実施の形態において、薄膜トランジスタ１０はｎチャネル型ＴＦＴである。
【００３４】
以下、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０の各構成部材について詳述する。
【００３５】
基板１は、例えば、石英ガラス、無アルカリガラスおよび高耐熱性ガラス等のガラス材料からなるガラス基板である。なお、ガラス基板の中に含まれるナトリウムやリン等の不純物が半導体層４０に侵入することを防止するために、表面に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｙ）又はシリコン酸窒化（ＳｉＯｙＮｘ）等からなるアンダーコート層が形成された基板を用いてもよい。また、アンダーコート層は、レーザアニール等の高温熱処理プロセスにおいて、基板１への熱の影響を緩和させる役割も担う。アンダーコート層の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度である。
【００３６】
ゲート電極２は、基板１の上に所定形状で形成される。ゲート電極２は、シリコンの融点温度に耐えられる導電性材料又はその合金等の単層構造又は多層構造からなり、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｎｉ（ニッケル）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、またはモリブデンタングステン（ＭｏＷ）等を用いることができる。ゲート電極２の膜厚は、例えば、２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。
【００３７】
ゲート絶縁層３（ゲート絶縁膜）は、基板１の上方に形成される。本実施の形態において、ゲート絶縁層３は、ゲート電極２を覆うように基板１上の全面に形成されている。ゲート絶縁層３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｙ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、シリコン酸窒化（ＳｉＯｙＮｘ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯｚ）、酸化タンタル（ＴａＯｗ）又はその積層膜等を用いて形成することができる。ゲート絶縁層３の膜厚は、例えば、５０ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。
【００３８】
なお、本実施の形態では半導体層４０として結晶質シリコン半導体層４を用いているので、ゲート絶縁層３としては少なくとも酸化シリコンを用いるとよい。これは、ＴＦＴにおける良好な閾値電圧特性を維持するためには半導体層４０とゲート絶縁層３との界面状態を良好なものにすることが好ましく、これには酸化シリコンが適しているからである。
【００３９】
結晶質シリコン半導体層４は、ゲート絶縁層３上に形成される半導体薄膜であって、ゲート電極２に印加される電圧によってキャリアの移動が制御される領域である所定のチャネル領域を有するチャネル層である。チャネル領域は、ゲート電極２の上方の領域であり、チャネル領域の電荷移動方向の長さはゲート長に対応する。結晶質シリコン半導体層４は、例えば、非結晶性の非晶質シリコン（アモルファスシリコン）を結晶化することによって形成することができる。
【００４０】
結晶質シリコン半導体層４における結晶シリコンの結晶粒径は、例えば、５ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。この場合、結晶質シリコン半導体層４は、平均結晶粒径が１００ｎｍ以上の多結晶シリコンのみによって構成されるだけではなく、当該多結晶シリコンと、平均結晶粒径が２０ｎｍ以上４０ｎｍ未満のマイクロクリスタルと呼ばれる微結晶シリコンとの混晶構造とすることもできるし、あるいは、アモルファスシリコン（非結晶性シリコン）と結晶性シリコンとの混晶構造とすることもできる。なお、優れたオン特性を得るためには、少なくとも結晶質シリコン半導体層４のチャネル領域については、結晶性シリコンの割合が多い膜で構成するとよい。結晶質シリコン半導体層４の膜厚は、例えば、１０ｎｍ〜９０ｎｍ程度である。
【００４１】
非晶質シリコン半導体層５は、結晶質シリコン半導体層４上に形成される半導体薄膜であって、例えば真性アモルファスシリコン膜である。非晶質シリコン半導体層５の膜厚は、例えば、１０ｎｍ〜６０ｎｍ程度である。
【００４２】
なお、本実施の形態における半導体層４０は、結晶質シリコン半導体層４と非晶質シリコン半導体層５との積層構造としたが、これに限らない。半導体層４０は、結晶質シリコン半導体層及び非晶質シリコン半導体層のどちらか一方であるシリコン半導体層の単体でもよい。また、半導体層４０としては、シリコン半導体層に限らず、金属酸化物半導体層又は有機物半導体層を用いても構わない。
【００４３】
保護層６は、半導体層４０の上に形成されるエッチストッパ層であり、チャネル層となる半導体層４０を保護するためのチャネル保護膜である。すなわち、保護層６は、一対のコンタクト層７及び半導体層４０をパターニングするときのエッチング処理時において、半導体層４０のチャネル領域がエッチングされてしまうことを防止するためのチャネルエッチングストッパ（ＣＥＳ）層として機能する。本実施の形態における保護層６は、非晶質シリコン半導体層５の上に形成される。本実施の形態において、ソース電極８Ｓ又はドレイン電極８Ｄと重なる領域における保護層６の膜厚は、例えば、３００ｎｍ〜１μｍである。さらに、保護層６の膜厚は、５００ｎｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。保護層６の膜厚の下限は、エッチングによるマージン及び保護層６中の固定電荷の影響を抑制する観点で決定され、保護層６の膜厚の上限は、非晶質シリコン半導体層５との段差増大に伴うコンタクト層７等の段差切れによるプロセスの信頼性低下を抑制する観点で決定される。
【００４４】
また、保護層６は、主成分としてシリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）を含有する。本実施の形態における保護層６は、シリコン、酸素、及び、炭素（Ｃ）を含む有機材料を主として含有する有機材料膜である。この場合、保護層６は、例えばポリシロキサンによって形成することができる。ポリシロキサンは、主鎖としてシリカ結合を有し、これにメチル基等の炭素を有する有機成分が結合したものである。このような保護層６は、有機系塗布材料をスピンコート法等により塗布することによって形成することができる。また、スピンコート法等の塗布法以外に、液滴吐出法、又は、スクリーン印刷やオフセット印刷等の所定のパターンを形成することができる印刷法等によっても形成することができる。
【００４５】
このように構成される保護層６は、非変質層６１と、変質層６２とからなる。非変質層６１は、半導体層４０を区画するときのドライエッチングによって変質しなかった部分であり、保護層６のうち変質層６２を除く部分である。一方、変質層６２は、半導体層４０を区画するときのドライエッチングにより保護層６の表面層が変質した層である。変質層６２は、保護層６において、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄから露出した保護層６の表面領域であって少なくとも一部が半導体層４０の表面と接する領域に生成される。なお、図１の（ｂ）において、非変質層６１が見えるように図示されているが、本来非変質層６１は変質層６２に覆われていて見えない。図１の（ｂ）では、便宜的に非変質層６１を図示している。以下、同様である。
【００４６】
また、保護層６は、図１の（ｃ）に示すように、半導体層４０を区画するときのドライエッチングによって、保護層６におけるソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄから露出した領域の端部がテーパ状に削られて、当該露出した領域の端部の側面が傾斜する。つまり、保護層６は、当該露出した領域の端部（変質層６２）が所定のテーパ角（θ）を有するようにエッチングされる。
【００４７】
なお、保護層６は、絶縁性を有しており、一対のコンタクト層７同士は電気的に接続されていない。
【００４８】
一対のコンタクト層７は、不純物を高濃度に含む非晶質半導体層、又は、不純物を高濃度に含む多結晶半導体層からなる。一対のコンタクト層７は、例えば、アモルファスシリコンにｎ型不純物としてリン（Ｐ）がドープされたｎ型半導体層とし、１×１０１９［ａｔｍ／ｃｍ３］以上の高濃度の不純物を含むｎ＋層とすることができる。
【００４９】
一対のコンタクト層７は、保護層６上において所定の間隔をあけて対向配置されており、一対のコンタクト層７のそれぞれは、保護層６の上面から非晶質シリコン半導体層５までを跨るようにして形成されている。なお、各コンタクト層７の膜厚は、例えば、５ｎｍ〜１００ｎｍとすることができる。
【００５０】
本実施の形態における一対のコンタクト層７は、非晶質シリコン半導体層５とソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄとの間に形成されているが、半導体層４０の側面（非晶質シリコン半導体層５の側面及び結晶質シリコン半導体層４の側面）には形成されていない。すなわち、一対のコンタクト層７は、半導体層４０（非晶質シリコン半導体層５及び結晶質シリコン半導体層４）と面一に形成されている。
【００５１】
なお、コンタクト層７は、単層で構成したが、下層を低濃度の電界緩和層（ｎ−層）とし、上層を高濃度のコンタクト層（ｎ＋層）とする２層によって構成してもよい。この場合、低濃度の電界緩和層には、例えば、１×１０１７［ａｔｍ／ｃｍ３］程度のリンがドープされている。
【００５２】
一対のソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄは、所定の間隔をあけて互いに対向するように配置されるとともに、一対のコンタクト層７上に当該一対のコンタクト層７と面一に形成されている。
【００５３】
ソース電極８Ｓは、一方のコンタクト層７を介して、保護層６の一方の端部及び半導体層４０（非晶質シリコン半導体層５）に跨るようにして形成されている。一方、ドレイン電極８Ｄは、他方のコンタクト層７を介して、保護層６の他方の端部及び半導体層４０（非晶質シリコン半導体層５）に跨るようにして形成されている。
【００５４】
本実施の形態において、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄは、それぞれ導電性材料又はこれらの合金等からなる単層構造又は多層構造とすることができ、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）又はクロム（Ｃｒ）等の材料により構成される。本実施の形態では、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄは、ＭｏＷ／Ａｌ／ＭｏＷの三層構造によって形成されている。なお、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄの膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。
【００５５】
パッシベーション層９は、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄと、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄの間から露出する保護層６とを覆うようにして形成される。パッシベーション層９の膜厚は、例えば、２０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。
【００５６】
パッシベーション層９は、保護層６と主成分が同じとなるように構成されている。本実施の形態では、保護層６が主成分としてシリコン及び酸素を含むので、パッシベーション層９も主成分としてシリコン及び酸素を含む。また、保護層６は有機材料によって構成したが、パッシベーション層９は無機材料で構成している。例えば、パッシベーション層９は、酸化シリコンによって形成することができる。なお、パッシベーション層９としては、窒化シリコンによって形成することもできる。パッシベーション層９は、薄膜トランジスタ１０を構成する半導体層材料に外部から酸素や水分等の不純物が侵入することを防止すること等を目的として用いられる。
【００５７】
次に、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０の製造方法について、図２及び図３Ａ〜図３Ｊを用いて説明する。図２は、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法のフローチャートである。図３Ａ〜図３Ｊは、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタの製造方法における各工程を模式的に示した断面図である。なお、図３Ａ〜図３Ｊの各図において、（ａ）は、（ｂ）のＡ−Ａ’線に沿って切断した同薄膜トランジスタの断面図であり、（ｂ）は、同薄膜トランジスタの平面図である。また、各平面図に示される構成部材については、理解しやすいように、各断面図に示される構成部材と同じハッチングが施されている。
【００５８】
図２に示すように、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０の製造方法は、基板１を準備する基板準備工程（Ｓ１０）と、ゲート電極２を形成するゲート電極形成工程（Ｓ２０）と、ゲート絶縁層３を形成するゲート絶縁層形成工程（Ｓ３０）と、半導体膜４０Ｆを形成する半導体膜形成工程（Ｓ４０）と、保護層６（エッチストッパ層）を形成する保護層形成工程（Ｓ５０）と、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄを形成するソースドレイン電極形成工程（Ｓ６０）と、半導体膜４０Ｆをドライエッチングによりパターニングして半導体膜４０Ｆを区画する半導体膜パターニング工程（Ｓ７０）と、パッシベーション層９を形成するパッシベーション層形成工程（Ｓ８０）と、を含む。なお、本実施の形態における半導体膜形成工程（Ｓ４０）は、第１半導体膜を形成する第１半導体膜形成工程と第２半導体膜を形成する第２半導体膜形成工程とを含む。以下、本実施の形態の製造方法における各工程について詳細に説明する。
【００５９】
まず、図３Ａに示すように、基板１を準備する（基板準備工程）。基板１としては、例えば、ガラス基板を準備する。なお、ゲート電極２を形成する前に、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等によって基板１の表面にアンダーコート層を形成してもよい。また、基板１を準備する工程には、アンダーコート層を形成する工程の他に、基板１を洗浄する工程等も含まれる。
【００６０】
次に、図３Ｂに示すように、基板１の上方に所定形状のゲート電極２をパターン形成する（ゲート電極形成工程）。例えば、基板１上の全面にモリブデンタングステン（ＭｏＷ）等からなるゲート金属膜をスパッタによって成膜し、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングを施すことにより、ゲート金属膜をパターニングして矩形のゲート電極２を形成する。
【００６１】
次に、図３Ｃに示すように、基板１の上方にゲート絶縁層３を形成する（ゲート絶縁層形成工程）。例えば、ゲート電極２を覆うようにして基板１の上方の全面に、プラズマＣＶＤ等によってゲート絶縁層３を成膜する。本実施の形態では、酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との２層構造のゲート絶縁層３を形成した。
【００６２】
次に、図３Ｄに示すように、第１半導体膜として、ゲート絶縁層３の上に結晶質シリコン半導体膜４Ｆを形成する（第１半導体膜形成工程）。この場合、まず、ゲート絶縁層３上に、例えばアモルファスシリコン膜からなる非結晶シリコン薄膜をプラズマＣＶＤ等によって成膜する。アモルファスシリコン膜は、例えば、シランガス（ＳｉＨ４）と水素ガス（Ｈ２）とを所定の濃度比で導入し、所定の成膜条件にて成膜することができる。その後、脱水素アニール処理を行った後、所定の温度で非晶質シリコン薄膜をアニールすることにより非結晶シリコン薄膜を結晶化する。これにより、ゲート絶縁層３上に、結晶質シリコン半導体膜４Ｆを形成することができる。
【００６３】
なお、本実施の形態において、非結晶シリコン薄膜の結晶化は、レーザ光を非結晶シリコン薄膜に照射させることによるレーザアニールによって行った。レーザアニールは、波長１９０ｎｍ〜３５０ｎｍ程度のエキシマレーザを用いたレーザアニール（ＥＬＡ）の他に、波長３７０ｎｍ〜９００ｎｍ程度のパルスレーザを用いたレーザアニール、又は、波長３７０ｎｍ〜９００ｎｍ程度の連続発振型のレーザ（ＣＷレーザ）を用いたレーザアニールを用いることができる。また、レーザアニール以外に、急速熱処理（ＲＴＰ）や急速熱アニール（ＲＴＡ）によって結晶化してもよい。あるいは、非結晶シリコン薄膜を結晶化して結晶質シリコン半導体膜を形成するのではなく、ＣＶＤによる直接成長によって結晶質シリコン半導体膜４Ｆを形成しても構わない。
【００６４】
次に、図３Ｅに示すように、第２半導体膜として、結晶質シリコン半導体膜４Ｆ上に非晶質シリコン半導体膜５Ｆを形成する（第２半導体膜形成工程）。例えば、非晶質シリコン半導体膜５Ｆとしてアモルファスシリコン膜を成膜することができる。アモルファスシリコン膜は、シランガス（ＳｉＨ４）、ジシランガス（Ｓｉ２Ｈ６）及びトリシランガス（Ｓｉ３Ｈ８）のいずれかを含む原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ等によって所定の成膜条件にて成膜することができる。また、原料ガスとともに導入する不活性ガスとして、水素ガス（Ｈ２）以外に、アルゴンガス（Ａｒ）又はヘリウムガス（Ｈｅ）を所定の濃度比で導入して成膜することができる。
【００６５】
これにより、ゲート絶縁層３上に、結晶質シリコン半導体膜４Ｆと非晶質シリコン半導体膜５Ｆとの積層膜である半導体膜４０Ｆを成膜することができる。
【００６６】
なお、半導体膜４０Ｆを形成した後は、半導体膜４０Ｆに対して水素プラズマ処理を行って、結晶質シリコン半導体膜４Ｆのシリコン原子に対して水素化処理を行うとよい。水素プラズマ処理は、例えば、Ｈ２、Ｈ２／アルゴン（Ａｒ）等の水素ガスを含むガスを原料として高周波（ＲＦ）電力により水素プラズマを発生させて、当該水素プラズマを半導体膜４０Ｆに照射することにより行われる。この水素プラズマ処理は、プラズマ雰囲気中に水素イオン（Ｈ＋）と水素ラジカル（Ｈ＊）を含む水素プラズマを発生させるものである。発生させた水素イオンと水素ラジカルとが結晶質シリコン半導体膜４Ｆ内に入り込んでいくことにより、結晶質シリコン半導体膜４Ｆを構成するシリコン原子のダングリングボンドが水素終端される。つまり、シリコン原子のダングリングボンドが水素と結合する。これにより、結晶質シリコン半導体膜４Ｆの結晶欠陥密度を低減させることができるので、結晶質シリコン半導体膜４Ｆの結晶性が向上する。半導体膜４０Ｆの欠陥密度は、この水素プラズマ処理の条件を調整することによって調整することができる。なお。水素プラズマ処理は、半導体膜４０Ｆが酸化物半導体や有機物半導体等であってシリコン半導体以外の場合には、必ずしも行う必要はない。
【００６７】
次に、図３Ｆに示すように、半導体膜４０Ｆ上にエッチストッパ層となる保護層６を形成する（保護層形成工程）。例えば、所定の塗布方法によって半導体膜４０Ｆ上に所定の有機材料を塗布して焼成することによって有機保護膜からなる保護層６を形成することができる。
【００６８】
本実施の形態では、まず、ポリシロキサンからなる有機材料を非晶質シリコン半導体膜５Ｆ上に塗布してスピンコートして、非晶質シリコン半導体膜５Ｆ上の全面に保護層６を形成する。その後、保護層６をプリベーク（仮焼成）した後に、フォトマスクを用いて露光及び現像して所定形状の保護層６を形成する。その後、保護層６をポストベーク（本焼成）する。これにより、所定形状の保護層６を形成することができる。
【００６９】
次に、図３Ｇに示すように、保護層６を覆うようにして半導体膜４０Ｆ（非晶質シリコン半導体膜５Ｆ）上にコンタクト層用膜７Ｆを形成する（コンタクト層用膜形成工程）。例えば、プラズマＣＶＤによって、リン等の５価元素の不純物をドープしたアモルファスシリコンからなるコンタクト層用膜７Ｆを成膜する。
【００７０】
次に、同図に示すように、コンタクト層用膜７Ｆ上に、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄとなるソースドレイン金属膜８Ｆを形成する。例えば、スパッタによって、ＭｏＷ／Ａｌ／ＭｏＷの三層構造のソースドレイン金属膜８Ｆを成膜する（ソースドレイン金属膜形成工程）。
【００７１】
次に、図３Ｈに示すように、ソースドレイン金属膜８Ｆをパターニングすることで、非晶質シリコン半導体膜５Ｆ上に、保護層６を挟んで一対のソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄを形成する。具体的には、ソースドレイン金属膜８Ｆを所定形状にパターニングするために、ソースドレイン金属膜８Ｆ上にレジストを塗布し、露光及び現像を行うことによって、当該レジストを、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄの形状に対応した形状にパターニングする。次に、このレジストをマスクとしてウェットエッチング等のエッチング処理を施すことによって、ソースドレイン金属膜８Ｆをパターニングする。これにより、同図に示すように、分離された所定形状の一対のソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄを形成することができる。なお、このとき、コンタクト層用膜７Ｆがエッチングストッパとして機能する。
【００７２】
その後、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄ上のレジストを除去し、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄをマスクとしてドライエッチング等のエッチングを施すことにより、コンタクト層用膜７Ｆをパターニングするとともに、これと同時に、半導体膜４０Ｆ（非晶質シリコン半導体膜５Ｆ及び結晶質シリコン半導体膜４Ｆ）を島状にパターニングする（半導体膜パターニング工程）。これにより、図３Ｉに示すように、所定形状の一対のコンタクト層７を形成するとともに、島状にパターニングされた非晶質シリコン半導体層５及び結晶質シリコン半導体層４を形成することができる。なお、このとき、保護層６がエッチストッパとして機能する。
【００７３】
本実施の形態において、半導体膜４０Ｆをパターニングする際のドライエッチング装置のエッチング条件は、エッチングガスをＣｌ２ガスとし、圧力を２Ｐａとし、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）パワーを３００Ｗとした。なお、半導体膜４０Ｆをドライエッチングする際、本実施の形態では、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄ上のレジストを除去して行ったが、当該レジストを残したままドライエッチングを行っても構わない。
【００７４】
このとき、図３Ｉの（ｂ）に示すように、半導体膜４０Ｆをパターニングする際のドライエッチングによって、保護層６のソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄから露出した領域において、保護層６の表面付近に変質層６２が生成される。すなわち、変質層６２は、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄから露出した保護層６の表面層がドライエッチングのエッチングガスによって変質した層である。また、変質層６２は、同図に示すように、特に、露出する保護層６の側面部分にあらわれる。このように、半導体膜４０Ｆをドライエッチングした後における保護層６は、ドライエッチングによって変質されなかった部分（バルク層）である非変質層６１と、ドライエッチングによって変質した部分であって少なくとも一部が半導体層４０の表面と接する層である変質層６２とを有することになる。
【００７５】
さらに、保護層６は、半導体膜４０Ｆをパターニングする際のドライエッチングによって、当該保護層６のソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄから露出した領域の端部がテーパ角を有するようにエッチングされる。
【００７６】
このように、保護層６は、半導体膜４０Ｆを区画するときのドライエッチングによって、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄから露出した領域における表面層が変質層に変質するとともに、この露出した領域の端部がテーパ角を有するようにテーパ状にエッチングされて当該端部の側面が傾斜する。
【００７７】
最後に、図３Ｊに示すように、パッシベーション層９を形成する（パッシベーション層形成工程）。本実施の形態では、露出する全ての部材（ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄ、保護層６、非晶質シリコン半導体層５）を覆うようにして、パッシベーション層９を形成する。
【００７８】
パッシベーション層９の材料は、保護層６と同じ主成分を有する材料とすることが好ましく、本実施の形態では、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）からなるパッシベーション層９をプラズマＣＶＤによって成膜した。
【００７９】
以上のようにして、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０を製造することができる。
【００８０】
次に、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０の作用効果について、本発明に至った経緯も含めて詳細に説明する。
【００８１】
エッチストッパ層（保護層）が有機系塗布材料によって形成された薄膜トランジスタは、所望のトランジスタ特性（電流電圧特性）を得ることが難しいという問題がある。このような薄膜トランジスタにおいて電流電圧特性を測定すると、図４Ａに示すように、電流が急激に増加する領域においてハンプ現象と呼ばれるコブが生じることが分かった。
【００８２】
ここで、ハンプ現象について、図４Ｂを用いて説明する。ハンプ現象とは、図４Ｂに示すように、一つの薄膜トランジスタではあるが、メイントランジスタの他に寄生トランジスタが存在することに起因すると考えられ、メイントランジスタの電流電圧特性にその寄生トランジスタの電流電圧特性が合わさることで、一つの薄膜トランジスタの電流電圧特性上に不自然なコブが現れる現象のことである。なお、本明細書において、有機系塗布材料とは、炭素を含む有機物からなる物質であり、またインクジェット等による印刷工程やスピンコート等による塗布工程により形成される材料とする。
【００８３】
本願発明者は、このハンプ現象が発生する原因について鋭意解析及び検討した結果、エッチストッパ層（保護層）として有機系塗布材料を用いた場合、半導体膜をパターニングして区画（島化）する時に、露出するエッチストッパ層がダメージを受けて、エッチストッパ層の母材である有機系塗布材料が変質してなる変質層がエッチストッパ層の表面付近に現れることが分かった。このとき、さらに、露出するエッチストッパ層の外周端部ではエッチングによりエッチストッパ層の膜厚が薄くなることも分かった。この結果、新たに生成された変質層と半導体層とが接することで寄生トランジスタが形成され、ハンプ現象が発生するということが判明した。
【００８４】
この寄生トランジスタの発生について、図５を用いて、さらに詳細に説明する。図５は、図１に示す薄膜トランジスタにおいて、保護層６がソース電極（ドレイン電極）からゲート幅方向にはみ出した長さ（ｄ）を複数異ならせたときに得られる各々の電流電圧特性を重ね合わせた図である。
【００８５】
図５に示すように、はみ出し長さｄが異なる各々の薄膜トランジスタの電流電圧特性において、メイントランジスタの飽和電流値には変化がみられないのに対して、寄生トランジスタの飽和電流値については、はみ出し長さｄの長さに応じて変化していることが分かる。具体的には、はみ出し長さｄが長くなればなるほど、寄生トランジスタの飽和電流値が減少していることが分かる。これは、寄生トランジスタの原因となる部分、すなわち変質層６２が保護層６の外周端部に存在していることを示している。
【００８６】
ここで、変質層６２によってハンプ現象が発生するという点について、図１の（ｃ）を参照しながら詳細に説明する。
【００８７】
本来、半導体層４０のバックチャネル側の全面は、組成元素及びその濃度が均一な保護層６で覆われており、バックチャネル側の固定電荷量は面内均一になっているはずである。つまり、この場合、薄膜トランジスタの電流電圧特性上にはハンプ現象は現れない。
【００８８】
しかし、上述のとおり、保護層６の材料として有機系塗布材料を用いると、半導体層４０をパターン形成する際のドライエッチングにより、保護層６を構成する有機系塗布材料が変質して変質層６２が出現すると共に、半導体層４０の側面が後退しながらエッチングされるために、保護層６の外周端部において半導体層４０と変質層６２とが接する状況が生じる。このため、半導体層４０のバックチャネル側部分が、ドライエッチングによって保護層６が変質された層である変質層６２と接するとともに、ドライエッチングによって保護層６が変質されなかった層である非変質層（バルク層）６１と接する状態となる。この場合、変質層６２と非変質層６１とでは固定電荷が異なり、ダメージを受けた変質層６２の方により多くの固定電荷が発生する。このように、半導体層４０と固定電荷が多い変質層６２とが接するために寄生トランジスタが発生し、電流電圧特性上にハンプ現象が発生すると考えられる。
【００８９】
実際に、薄膜トランジスタ１０を作製して、図１の（ｃ）に相当する部分について、透過型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）にて断面観察した。図６は、図１に示す薄膜トランジスタの保護層の外周端部周辺における断面ＴＥＭ像である。なお、図６では、パッシベーション層も形成している。
【００９０】
図６に示す断面ＴＥＭ像によれば、保護層６（非変質層６１）の表面（傾斜側面）上に膜厚３０ｎｍ程度の変質層６２が存在し、変質層６２が保護層６の外周端部で半導体層４０と接していることが確認できる。また、ＴＥＭ像における色の濃さは密度（体積密度）の違いを表すことから、保護層６の表面付近には、明らかに非変質層６１とは異なる層（変質層６２）が現れていることが確認できる。そして、変質層６２は、母体となる保護層６（非変質層６１）よりも色が濃いことから、変質層６２の密度（体積密度）は、非変質層６１の密度（体積密度）よりも高いことが分かる。
【００９１】
ここで、薄膜トランジスタ１０における塩素（Ｃｌ）及び炭素（Ｃ）の濃度分布について、図７Ａ及び図７Ｂを用いて説明する。図７Ａは、図１に示す薄膜トランジスタを構成する膜中に含まれる塩素の濃度分布を示す図である。また、図７Ｂは、図１に示す薄膜トランジスタを構成する膜中に含まれる炭素の濃度分布を示す図である。なお、図７Ａ及び図７Ｂは、単膜にて二次イオン分析計（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ−ｍｉｃｒｏｐｒｏｂｅ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：ＳＩＭＳ）を用いて分析した結果を示している。なお、図７Ａ及び図７Ｂでは、複数のサンプルを分析した結果を図示している。
【００９２】
図７Ａに示すように、パッシベーション層９と非変質層６１との間には、他よりも塩素元素が多く検出される層が存在することが分かる。また、図７Ｂに示すように、パッシベーション層９と非変質層６１との間には、パッシベーション層９よりも炭素の濃度が大きく、非変質層６１よりも炭素の濃度が小さい層が存在することが分かる。パッシベーション層９と非変質層６１との間に現れる層が変質層６２であり、保護層６を構成する有機系塗布材料の組成以外に、ドライエッチングに使用する原料ガスである塩素元素を多く含む。つまり、変質層６２は、保護層６がドライエッチングの原料ガスによって変質した層である。また、変質層６２は、非変質層６１よりも炭素の濃度が低くなっていることから、変質層６２は保護層６の炭素が変質したと考えられる。このように、図７Ａ及び図７Ｂに示す結果から、変質層６２は、保護層６の母材である有機系塗布材料とドライエッチングの原料ガスとが結びついた層であると考えられる。
【００９３】
なお、図７Ａに示すように、変質層６２に含まれる塩素の濃度は、保護層６（非変質層６１）に含まれる塩素の濃度の少なくとも１０倍以上であることが分かる。また、図７Ｂに示すように、変質層６２に含まれる炭素の濃度は、保護層６（非変質層６１）に含まれる炭素の濃度の少なくとも１／１００以下であることが分かる。
【００９４】
そして、本願発明者は、さらに鋭意検討した結果、ハンプ現象が保護層６のテーパ角θと半導体層４０の欠陥密度とに関係することを突き止めた。
【００９５】
まず、保護層６のテーパ角θとハンプ現象との関係について、図８を用いて説明する。図８は、薄膜トランジスタにおける保護層のテーパ角とハンプ現象との関係を説明するための図であり、図１の（ｃ）に相当する部分の図である。なお、図８において、（ａ）はテーパ角θが大きい場合を示しており、（ｂ）はテーパ角θが小さい場合を示している。
【００９６】
上述のとおり、半導体膜４０Ｆを島化するときのドライエッチングによって、保護層６におけるソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄから露出した領域が変質するとともに、当該露出した領域の端部がテーパ状に削られて端面が後退する。このとき、図８に示すように、保護層６は、露出した領域の端部の側面が傾斜して、所定のテーパ角θを有するように削られる。保護層６のテーパ角θは、半導体層４０（非晶質シリコン半導体層５）の表面と保護層６（変質層６２）の側面とのなす角である。保護層６のテーパ角θは、保護層６を形成する際のプリベークの温度を調整することによって変更することができる。
【００９７】
保護層６（変質層６２）のテーパ角θは、図８の（ａ）および（ｂ）に示すように、保護層６の端部の傾斜面が寝るほど、すなわち、テーパ角θが小さくなるほど、ドライエッチング時における保護層６の後退量が増えていき、変質層６２と半導体層４０とが接する部分の面積が大きくなっていく。
【００９８】
この場合、上述のように、変質層６２は非変質層６１よりも固定電荷を多く含有すると考えられるので、変質層６２と半導体層４０との接触面積が大きくなっていくと、変質層６２に起因する寄生トランジスタの閾値（閾値電圧）はメイントランジスタの閾値（閾値電圧）から離れていってハンプ現象が大きくなっていく。すなわち、図８の（ｂ）のように保護層６のテーパ角θが小さい場合の方が、図８の（ａ）のように保護層６のテーパ角θが大きい場合よりも、ハンプ現象が顕著に現れる。このように、保護層６のテーパ角θによってハンプ現象の度合いが変わることから、保護層６のテーパ角θを所望に調整することによってハンプ現象の発生を抑制することが可能となる。
【００９９】
次に、半導体層４０の欠陥密度とハンプ現象との関係について説明する。
【０１００】
薄膜トランジスタ１０の閾値Ｖｔｈは、半導体層４０（非晶質シリコン半導体層５）のバックチャネル側（保護層側）の固定電荷の影響を含めると、以下の式で表すことができる。
【０１０１】
【数１】
2013183255.tif 000003
【０１０２】
ここで、ＶＦＢはフラットバンド電圧、φＢはフェルミ電位、Ｑｂｋは半導体層４０のバックチャネル側における固定電荷量、γは基板効果係数、ＮＡは半導体層４０の不純物濃度、ＣＯＸはゲート絶縁層３の容量、εＳｉは半導体層４０（Ｓｉ）の誘電率、ｑは素電荷をそれぞれ表している。
【０１０３】
上式のγによると、バックチャネル側の効果がより強く現れるのは、半導体層４０中の不純物濃度（ＮＡ）が高い薄膜トランジスタであることが分かる。ここで、欠陥密度が高い半導体層４０は不純物濃度も高いことから、バックチャネル側の効果がより強く現れるのは、半導体層４０の欠陥密度が高い薄膜トランジスタであるといえる。
【０１０４】
逆に、半導体層４０中の欠陥密度が低い薄膜トランジスタは、バックチャネル側の影響を受けにくい。したがって、半導体層４０中の欠陥密度が低い薄膜トランジスタでは、保護層６において非変質層６１と変質層６２とで固定電荷量が異なる場合であっても閾値Ｖｔｈへの影響が小さく、ハンプ現象が発生しにくい。このように、半導体層４０の欠陥密度によってハンプ現象の度合いが変わることから、半導体層４０中の欠陥密度を所望に調整することによって、ハンプ現象の発生を抑制することが可能となる。
【０１０５】
以上のように、本願発明者は、保護層６のテーパ角と半導体層４０の欠陥密度とを所望に調整することによってハンプ現象を抑制することが可能であるという知見を得ることができた。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。以下、ハンプ現象を抑制することができる保護層６のテーパ角と半導体層４０の欠陥密度との関係との関係について具体的に説明する。
【０１０６】
ここで、本実施の形態ではハンプ現象を定量化して、ハンプ現象の度合いをハンプ量として評価した。そこで、まず、ハンプ量の算出方法について、図９を用いて説明する。図９は、薄膜トランジスタにおけるハンプ量を算出するための方法を説明するための図である。
【０１０７】
例えば、薄膜トランジスタのＩｄ−Ｖｄ特性が、図９の（ａ）に示されるような場合、まず、ドレイン電流ＩｄをＬｏｇ（Ｉｄ）に置き換えて、図９の（ｂ）に示すように、Ｌｏｇ（Ｉｄ）−Ｖｇ特性を得る。次に、Ｌｏｇ（Ｉｄ）を微分することによって、図９の（ｃ）に示すように、ΔＬｏｇ（Ｉｄ）／ΔＶｇ−Ｖｇ特性を得る。さらに、ΔＬｏｇ（Ｉｄ）／ΔＶｇを微分することによって、図９の（ｄ）に示すように、Δ２Ｌｏｇ（Ｉｄ）／Δ２Ｖｇ−Ｖｇ特性を得る。このようにして得られたΔ２Ｌｏｇ（Ｉｄ）／Δ２Ｖｇの値をハンプ量とする。なお、このときのハンプ量に対応するＶｇを変曲点とする。
【０１０８】
そして、この算出方法を用いて、ハンプ度合いが異なる３つの薄膜トランジスタについてハンプ量を算出した。図１０は、ハンプ度合いが異なる３つの薄膜トランジスタにおけるハンプ量の算出方法と算出したハンプ量とを示す図である。
【０１０９】
まず、ハンプ度合いが異なる３つの薄膜トランジスタとして、図１０の（ａ）に示すように、ハンプ現象が顕著に現れている（ハンプ度合いが大きい）薄膜トランジスタ（「ハンプ大」）と、ハンプ現象が小さく現れている（ハンプ度合いが小さい）薄膜トランジスタ（「ハンプ小」）と、ハンプ現象が現れていない薄膜トランジスタ（「ハンプなし」）とについて、Ｉｄ−Ｖｄ特性を求めた。
【０１１０】
ハンプ量の算出は、図９に示す方法と同様にして行う。具体的には、まず、ドレイン電流ＩｄをＬｏｇ（Ｉｄ）に置き換えて、図１０の（ｂ）に示すように、Ｌｏｇ（Ｉｄ）−Ｖｇ特性を得る。次に、Ｌｏｇ（Ｉｄ）を微分することによって、図１０の（ｃ）に示すように、ΔＬｏｇ（Ｉｄ）／ΔＶｇ−Ｖｇ特性を得る。次に、ΔＬｏｇ（Ｉｄ）／ΔＶｇを微分することによって、図１０の（ｄ）に示すように、Δ２Ｌｏｇ（Ｉｄ）／Δ２Ｖｇ−Ｖｇ特性を得る。このときのΔ２Ｌｏｇ（Ｉｄ）／Δ２Ｖｇがハンプ量である。
【０１１１】
その結果、ハンプ度合いが大きい薄膜トランジスタ（「ハンプ大」）については、変曲点が１のときのハンプ量が１．０３であった。また、ハンプ度合いが小さい薄膜トランジスタ（「ハンプ小」）については、変曲点が０．８のときのハンプ量が０．５２であった。
【０１１２】
次に、保護層６のテーパ角θおよび半導体層４０の欠陥密度が異なる１２種類の薄膜トランジスタを実際に作製して、上記の算出方法によって各薄膜トランジスタのハンプ量を実測値として算出した。図１１Ａは、このハンプ量の実測値をもとにマッピングした図であって、保護層のテーパ角と半導体層の欠陥密度とハンプ量との関係を示す図である。なお、図１１Ａにおいて、１２個の黒点が実測値を示している。
【０１１３】
本実施の形態では、図１１Ａにおいてハンプ現象が発生しない領域（ハンプ非発生領域）を、薄膜トランジスタを使用することができる領域（使用可能領域）として用いることにした。なお、本実施の形態において、「ハンプ現象が発生しない領域」とは、測定誤差及び計算誤差を考慮して、ハンプ量が０．０１以下となっている領域と定義した。したがって、逆に、ハンプ量が０．０１を超える領域は、ハンプ現象が発生する領域（ハンプ発生領域）となる。
【０１１４】
そして、ハンプ発生領域とハンプ非発生領域との境界を特定するにあたり、保護層６のテーパ角θが２５°で、半導体層４０の欠陥密度が１×１０１８．２５ｃｍ−３である場合の実測値と、以下のようにして算出した計算値（保護層６のテーパ角θが５５°で、半導体層４０の欠陥密度が１×１０２０ｃｍ−３である場合）とに基づいて、ハンプ発生領域とハンプ非発生領域との境界線を算出した。ここで、上記計算値の算出について、図１１Ｂを用いて説明する。図１１Ｂは、図１１Ａにおいて、半導体層の欠陥密度が１×１０２０ｃｍ−３の場合の４つのハンプ量の実測値と保護層のテーパ角との関係を抜き出してグラフ化した図である。
【０１１５】
図１１Ｂに示すように、図１１Ａにおける半導体層の欠陥密度が１×１０２０ｃｍ−３の場合の４つの実測値をもとに近似直線を求めると、ハンプ量が０となるときの保護層６のテーパ角θは５５°であることが分かった。なお、このときの相関係数Ｒ２は０．９４４と非常に高い値を示していることから、上記の近似直線は妥当なものであることがわかる。
【０１１６】
次に、半導体層４０の欠陥密度をＮｔ（ｃｍ−３）として、実測値（保護層６のテーパ角θが２５°で、半導体層４０の欠陥密度が１×１０１８．２５ｃｍ−３である場合）と計算値（保護層６のテーパ角θが５５°で、半導体層４０の欠陥密度が１×１０２０ｃｍ−３である場合）とによって、ハンプ発生領域とハンプ非発生領域との境界線を計算すると、当該境界線は、Ｌｏｇ１０Ｎｔ＝０．０５５６θ＋１６．８６となる。これにより、図１１Ａにおいて、Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の領域がハンプ非発生領域となる。
【０１１７】
このように、半導体層４０の欠陥密度（Ｎｔ）と保護層６のテーパ角（θ）とを規定することによってハンプ現象の発生を抑制できる理由は、次のように考えることができる。
【０１１８】
上述のように、ハンプ現象は、変質層６２に起因する寄生トランジスタの存在によって発生すると考えられるが、半導体層４０の欠陥密度（Ｎｔ）と保護層６のテーパ角（θ）とを上式の関係を満たすように構成することによって、寄生トランジスタの閾値をプラスシフトさせることができる。これにより、寄生トランジスタの影響をメイントランジスタに隠すことができ、Ｉｄ−Ｖｇ特性上においてハンプ現象が発生しないようにすることができる。
【０１１９】
以上、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０によれば、半導体層４０の欠陥密度（Ｎｔ）と保護層６の端部におけるテーパ角（θ）とが、Ｌｏｇ１０Ｎｔ≦０．０５５６θ＋１６．８６の関係式を満たしている。これにより、ハンプ現象が発生しない薄膜トランジスタを実現することができる。
【０１２０】
特に、本実施の形態では、電流電圧特性の電流が急激に増加する領域で発生していたハンプ現象を解消することができる。これにより、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０を有機ＥＬディスプレイの駆動トランジスタとして用いた場合、表示装置における低階調領域（黒表示領域）の特性を向上させることができる。
【０１２１】
（変形例）
次に、本発明の実施の形態の変形例に係る薄膜トランジスタ１０Ａについて、図１２を用いて説明する。図１２は、本発明の実施の形態の変形例に係る薄膜トランジスタの構成を模式的に示した図であり、（ａ）は（ｂ）のＡ−Ａ’線の断面図、（ｂ）は透過平面図である。
【０１２２】
図１２に示すように、本変形例に係る薄膜トランジスタ１０Ａは、保護層６Ａがゲート幅方向においてソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄからはみ出さない構成となっている。すなわち、上記実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０では、保護層６はソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄからはみ出すように形成されていたが、本変形例に係る薄膜トランジスタ１０Ａでは、保護層６Ａがソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄからはみ出さない構成となっており、保護層６Ａのゲート幅方向の側面が、ソース電極８Ｓ及びドレイン電極８Ｄのゲート幅方向の側面よりも後退している。なお、それ以外の構成は、図１に示す実施の形態と同様である。
【０１２３】
以上、本変形例に係る薄膜トランジスタ１０Ａによれば、上記実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０と同様の効果を奏する。
【０１２４】
（その他）
以上、本発明に係る薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法について、実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本発明は上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではない。
【０１２５】
例えば、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態及び変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【０１２６】
また、本実施の形態に係る薄膜トランジスタは、有機ＥＬ表示装置又は液晶表示装置等の表示装置に用いることができる。例えば、本実施の形態に係る薄膜トランジスタ１０を有機ＥＬ表示装置に適用した場合について、図１３を用いて説明する。図１３は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の一部切り欠き斜視図である。
【０１２７】
図１３に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置２０は、アクティブマトリクス基板２１と、アクティブマトリクス基板２１上にマトリクス状に配置された複数の画素２２と、複数の画素２２のそれぞれに対応して形成された有機ＥＬ素子２３と、画素２２の行方向に沿って形成された複数のゲート線２７と、画素２２の列方向に沿って形成された複数のソース線２８と、ソース線２８と並行して形成された電源線２９（不図示）とを備える。有機ＥＬ素子２３は、アクティブマトリクス基板２１上に順次積層された、陽極２４、有機ＥＬ層２５及び陰極２６（透明電極）を有する。また、有機ＥＬ層２５は、電子輸送層、発光層、正孔輸送層等の各層が積層されて構成されている。
【０１２８】
なお、本実施の形態において、薄膜トランジスタ１０は、画素２２を選択するためのスイッチングトランジスタとして設けられているが、駆動トランジスタとして用いることもできる。
【０１２９】
次に、上記有機ＥＬ表示装置２０における画素２２の回路構成について、図１４を用いて説明する。図１４は、本発明の実施の形態に係る薄膜トランジスタを用いた画素の回路構成を示す図である。
【０１３０】
図１４に示すように、各画素２２は、直交するゲート線２７とソース線２８とによって区画されており、駆動トランジスタ３１と、スイッチングトランジスタ３２と、有機ＥＬ素子２３と、コンデンサ３３とを備える。駆動トランジスタ３１は、有機ＥＬ素子２３を駆動するトランジスタであり、また、スイッチングトランジスタ３２は、画素２２を選択するためのトランジスタである。
【０１３１】
駆動トランジスタ３１において、ゲート電極３１Ｇがスイッチングトランジスタ３２のドレイン電極３２Ｄに接続され、ソース電極３１Ｓが中継電極（不図示）を介して有機ＥＬ素子２３のアノードに接続され、ドレイン電極３１Ｄが電源線２９に接続される。
【０１３２】
また、スイッチングトランジスタ３２において、ゲート電極３２Ｇはゲート線２７に接続され、ソース電極３２Ｓはソース線２８に接続され、ドレイン電極３２Ｄはコンデンサ３３及び駆動トランジスタ３１のゲート電極３１Ｇに接続されている。
【０１３３】
この構成において、ゲート線２７にゲート信号が入力されて、スイッチングトランジスタ３２がオン状態になると、ソース線２８を介して供給された映像信号電圧がコンデンサ３３に書き込まれる。そして、コンデンサ３３に書き込まれた映像信号電圧は、１フレーム期間を通じて保持される。この保持された映像信号電圧により、駆動トランジスタ３１のコンダクタンスがアナログ的に変化し、発光階調に対応した駆動電流が、有機ＥＬ素子２３のアノードからカソードへと流れて有機ＥＬ素子２３が発光する。これにより、所定の画像を表示することができる。
【０１３４】
なお、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置等の表示装置については、フラットパネルディスプレイとして利用することができ、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ又は携帯電話などの電子機器に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
本発明に係る薄膜トランジスタは、テレビジョンセット、パーソナルコンピュータ、携帯電話などの表示装置、又はその他薄膜トランジスタを有する様々な電気機器等に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１３６】
１  基板
２、３１Ｇ、３２Ｇ  ゲート電極
３  ゲート絶縁層
４  結晶質シリコン半導体層
４Ｆ  結晶質シリコン半導体膜
５  非晶質シリコン半導体層
５Ｆ  非晶質シリコン半導体膜
６、６Ａ  保護層
７  コンタクト層
７Ｆ  コンタクト層用膜
８Ｓ、３１Ｓ、３２Ｓ  ソース電極
８Ｄ、３１Ｄ、３２Ｄ  ドレイン電極
８Ｆ  ソースドレイン金属膜
９  パッシベーション層
１０、１０Ａ  薄膜トランジスタ
２０  有機ＥＬ表示装置
２１  アクティブマトリクス基板
２２  画素
２３  有機ＥＬ素子
２４  陽極
２５  有機ＥＬ層
２６  陰極
２７  ゲート線
２８  ソース線
２９  電源線
３１  駆動トランジスタ
３２  スイッチングトランジスタ
３３  コンデンサ
４０  半導体層
４０Ｆ  半導体膜
６１  非変質層
６２  変質層
【図１】
2013183255.tif 000004
【図２】
2013183255.tif 000005
【図３Ａ】
2013183255.tif 000006
【図３Ｂ】
2013183255.tif 000007
【図３Ｃ】
2013183255.tif 000008
【図３Ｄ】
2013183255.tif 000009
【図３Ｅ】
2013183255.tif 000010
【図３Ｆ】
2013183255.tif 000011
【図３Ｇ】
2013183255.tif 000012
【図３Ｈ】
2013183255.tif 000013
【図３Ｉ】
2013183255.tif 000014
【図３Ｊ】
2013183255.tif 000015
【図４Ａ】
2013183255.tif 000016
【図４Ｂ】
2013183255.tif 000017
【図５】
2013183255.tif 000018
【図６】
2013183255.tif 000019
【図７Ａ】
2013183255.tif 000020
【図７Ｂ】
2013183255.tif 000021
【図８】
2013183255.tif 000022
【図９】
2013183255.tif 000023
【図１０】
2013183255.tif 000024
【図１１Ａ】
2013183255.tif 000025
【図１１Ｂ】
2013183255.tif 000026
【図１２】
2013183255.tif 000027
【図１３】
2013183255.tif 000028
【図１４】
2013183255.tif 000029
【国際調査報告】
2013183255.tif 000030
2013183255.tif 000031
2013183255.tif 000032
2013183255.tif 000033