【手続補正書】
【提出日】平成26年12月10日(2014.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、熱インプリント装置及び積層体に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明に係る微細パタン形成用フィルムは、一方の表面に凹凸構造が形成されたカバーフィルムの凹凸構造上に、第２のマスク層及び第１のマスク層が成膜されたフィルムである。図１は、本実施の形態に係る微細パタン形成用フィルムを示す断面模式図である。図１に示すように、微細パタン形成用フィルムＩは、カバーフィルム２の表面上に樹脂層３が設けられている。樹脂層３のカバーフィルム２に接する面とは反対側の面に凹凸構造３ａが形成されている。以下の説明で単にカバーフィルム２という場合には凹凸構造３ａが形成された樹脂層３も含む。第２のマスク層４は、凹凸構造３ａの凹部内部に充填されている。また、第１のマスク層５は、第２のマスク層４及び凹凸構造３ａを覆うように成膜されている。この第１のマスク層５の上には保護層が設けられてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
得られた中間体２１は、回収部により回収され、一時保管され、或いは直ぐに以下に説明する工程へ、と回される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（低Ｔｇ弾性体）
弾性体５０としては、ガラス転移温度Ｔｇが１００度以下である弾性体であることが好ましく、公知市販のゴム板や樹脂板、フィルム等を使用することができるが、特に、６０℃以下であることで、弾性変形の程度が大きくなることから、押圧が効果的となり、より低温且つ低圧にて精度高く熱ナノインプリントをおこなうことができる。最も好ましくは、同様の観点から３０度以下である。更に、該ガラス転移温度が３０度以下であることで、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置の貼合部の後で説明する線幅を満たすことが容易となると共に、熱ナノインプリントの熱分布及び押圧力分布をより良好にできるため好ましい。同様の観点から、該ガラス転移温度は、０℃以下であることが好ましく、−２０℃以下であることが最も好ましい。このような低Ｔｇ弾性体としては、例えば、シリコーンゴム、ニトリルゴム、フッ素ゴム、ポリイソプレン（天然ゴム）、ポリブタジエン、ポリ酢酸ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ナイロン６、ナイロン６６、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリメタクリル酸メチル、及びポリスチレンが挙げられる。ヤング率（縦弾性率）は、１Ｍｐａ以上１００Ｍｐａ以下であると、第１のマスク層１３の膜厚を小さく、且つ、均質にできるため好ましく、４Ｍｐａ以上５０Ｍｐａ以下であるとより好ましい。また、同様の効果から、弾性体５０の厚さは、０．５ｍｍ以上１０ｃｍ以下であると好ましく、１ｍｍ以上８ｃｍ以下がより好ましく、最も好ましくは５ｍｍ以上１０ｃｍ以下である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
（加熱工程）
エネルギー線照射後に加熱工程を加えることで、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３の組成にもよるが、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３の安定性が向上し、離型工程時の転写不良、特に第１のマスク層１３の凝集破壊を減少させる効果が得られる。加熱温度は、概ね４０℃〜２００℃の範囲で、第２のマスク層１２及び第１のマスク層１３のガラス転移温度Ｔｇよりも低い温度が好ましい。また、加熱時間は概ね５秒〜６０分であると好ましく、転写精度を向上させ、且つ工業性を高める観点から、５秒〜３分であることが最も好ましい。なお、加熱工程は低酸素雰囲気下で行ってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
加熱工程後は、カバーフィルム１０／第２のマスク層１２／第１のマスク層１３／被処理体２０からなる積層体が好ましくは５℃〜８０℃になるまで、更に好ましくは１８℃〜３０℃になるまで冷却した後に離型工程に移ることが好ましい。なお、冷却方法については、積層体が前記の温度範囲内に冷却されれば、特に限定しない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
エッチング条件は、例えば、第１のマスク層１３を化学反応的にエッチングする観点から、Ｏ２ガス及びＨ２ガスを選択することができる。イオン入射成分の増加による縦方向エッチングレート向上という観点から、Ａｒガス及びＸｅガスを選択することができる。エッチングに用いるガスは、Ｏ２ガス、Ｈ２ガス、及びＡｒガスの少なくとも１種を含む混合ガスを使用する。特に、Ｏ２のみを使用することが好ましい。エッチング時の圧力は、反応性エッチングに寄与するイオン入射エネルギーを高め、エッチング異方性をより向上させることができるため、０．１〜５Ｐａであることが好ましく、０．１〜１Ｐａであると、より好ましい。また、Ｏ２ガス又はＨ２ガスとＡｒガス又はＸｅガスとの混合ガス比率は、化学反応性のエッチング成分とイオン入射成分とが適量であるときに異方性が向上する。このため、ガスの総流量を１００ｓｃｃｍとした場合、ガス流量の比率は９９ｓｃｃｍ：１ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍ：５０ｓｃｃｍが好ましく、９５ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍ〜６０ｓｃｃｍ：４０ｓｃｃｍがより好ましく、９０ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ〜７０ｓｃｃｍ：３０ｓｃｃｍがなお好ましい。ガスの総流量が変化した場合、上記の流量の比率に準じた混合ガスとなる。エッチングはプラズマエッチングであることが好ましい。例えば、容量結合型ＲＩＥ、誘導結合型ＲＩＥ又はイオン引き込みバイアスを用いるＲＩＥを用いて行う。例えば、Ｏ２ガスのみ、又はＯ２ガスとＡｒを流量の比率９０ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ〜７０ｓｃｃｍ：３０ｓｃｃｍの間で混合したガスを用い、処理圧力を０．１〜１Ｐａの範囲に設定し、且つ容量結合型ＲＩＥ又は、イオン引き込み電圧を用いるＲＩＥを用いるエッチング方法等が挙げられる。エッチングに用いる混合ガスの総流量が変化した場合、上記の流量の比率に準じた混合ガスとなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
ここで、反応性イオンエッチングは被処理体２０の種類により適宜設計できるが、例えば、塩素系ガスを用いたエッチングが挙げられる。塩素ガスとしては、ＢＣｌ３ガスのみ、又はＢＣｌ３ガス及びＣｌ２ガスの混合ガスを用いることができる。これらのガスにとＡｒガス又はＸｅガスを更に添加してもよい。エッチングレートを向上させるために、混合ガスのガス流量の比率９９ｓｃｃｍ：１ｓｃｃｍ〜５０ｓｃｃｍ：５０ｓｃｃｍが好ましく、９９ｓｃｃｍ：１ｓｃｃｍ〜７０ｓｃｃｍ：３０ｓｃｃｍがより好ましく、９９ｓｃｃｍ：１ｓｃｃｍ〜９０ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍが更に好ましい。エッチングはプラズマエッチングであることが好ましい。例えば、容量結合型ＲＩＥ、誘導結合型ＲＩＥ又はイオン引き込み電圧を用いるＲＩＥを用いて行う。例えば、ＣＨＦ３ガスのみ、又はＣＦ４及びＣ４Ｆ８をガス流量の比率９０ｓｃｃｍ：１０ｓｃｃｍ〜６０ｓｃｃｍ：４０ｓｃｃｍの間で混合したガスを用い、処理圧力を０．１〜５Ｐａの範囲で設定し、且つ、容量結合型ＲＩＥ又は、イオン引き込み電圧を用いるＲＩＥを用いるエッチング方法等が挙げられる。また、例えば、塩素系ガスを用いる場合はＢＣｌ３ガスのみ、又はＢＣｌ３とＣｌ２、もしくはＡｒをガス流量の比率９５ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍ〜８５ｓｃｃｍ：１５ｓｃｃｍの間で混合したガスを用い、処理圧力を０．１〜１０Ｐａの範囲で設定し、且つ、容量結合型ＲＩＥ、誘導結合型ＲＩＥ、又は、イオン引き込み電圧を用いるＲＩＥを用いるエッチング方法等が挙げられる。更に、例えば、塩素系ガスを用いる場合はＢＣｌ３ガスのみ、又はＢＣｌ３ガス及びＣｌ２ガスもしくはＡｒガスをガス流量の比率９５ｓｃｃｍ：５ｓｃｃｍ〜７０ｓｃｃｍ：３０ｓｃｃｍの間で混合したガスを用い、処理圧力を０．１Ｐａ〜１０Ｐａの範囲で設定し、且つ、容量結合型ＲＩＥ、誘導結合型ＲＩＥ、又は、イオン引き込み電圧を用いるＲＩＥを用いるエッチング方法等が挙げられる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
後で説明する第３の実施の形態に係る熱ナノインプリント装置６００を使用し、被処理体の外縁部に設けられる露出部の平均長さの影響を調査した。まず、第１の積層体Ｉを準備し、スピンコート法により被処理体である４インチφのサファイア基板上に光硬化性樹脂を成膜した。その後、第１の積層体Ｉを、第３の実施の形態に係る熱ナノインプリント装置を使用して貼り合わせた。続いて、ＵＶ光を照射し、第１の積層体Ｉのカバーフィルムを剥離した。本製法にて得られた中間体を中間体（１）と記載する。一方で、第２の積層体ＩＩを準備し、熱ナノインプリント装置６００を使用して被処理体である４インチφのサファイア基板に貼り合わせ、その後、ＵＶ光を照射して、最後にカバーフィルムを剥離した。本製法にて作られた中間体を中間体（２）と記載する。中間体（１）及び中間体（２）の、被処理体の外縁部に設けられた露出部の平均長さを測定したところ、中間体（１）が５００ｎｍ以下であり、中間体（２）は１．２μｍであった。なお、観察は光学顕微鏡とレーザー顕微鏡を併用し行った。これは、中間体（１）の場合、第１の積層体Ｉを使用する、換言すれば液状の第２のマスク層を使用するため、被処理体２０の端部まで良好に第２のマスク層が流動したためである。露出部の平均長さが５００ｎｍ以下の中間体（１）と、露出部の平均長さが１．２μｍの中間体（２）をドライエッチング装置まで搬送し、ドライエッチング装置内に取り付け、その後処理をせずに取出した。取出した中間体（１）及び中間体（２）に対して、発生したパーティクル数をカウントしたところ、中間体（１）は中間体（２）の５倍のパーティクルが発生していた。以上から、被処理体の外縁部に設けられる露出部の平均長さが０超であることで、パーティクルの発生を抑制できることがわかる。好ましくは、１μｍ以上である。更に、上記中間体（１）及び中間体（２）に対してドライエッチング処理を２回行い、被処理体２０を加工した。ドライエッチングは、まず、酸素ガスを使用したプラズマエッチングを、圧力１Ｐａ、電力３００Ｗの条件にて行った。これにより、第２のマスク層１２をエッチングマスクとして第１のマスク層１３を加工し、微細マスク構造体１６を得た。次に、反応性イオンエッチング装置（ＲＩＥ−１０１ｉＰＨ、サムコ株式会社製）を使用した反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）を、ＢＣｌ３ガス及び塩素ガスの混合ガスを使用して行った。条件は、ＩＣＰ：１５０Ｗ、ＢＩＡＳ：５０Ｗ、圧力０．２Ｐａとした。これにより、第１のマスク層１３をエッチングマスクとして被処理体２０を加工し、被処理体２０上に微細パタン２２を形成し、即ち凹凸構造体４０を得た。凹凸構造体４０に対して光学顕微鏡観察を行い、微細パタン２２のマクロな欠陥率を測定した。なお欠陥率は、中間体（１）及び中間体（２）をそれぞれ５枚ずつ作製し、観察を行い、平均値として算出した。中間体（１）を使用した場合は、４インチφあたりに２９．６点の欠陥が観察されたが、一方で中間体（２）を使用した場合は、４インチφあたり６．１点の欠陥が観察されたのみであった。このように、被処理体２０の外縁部に設けられる露出部の平均長さが０超であることで、パーティクルの発生を���制でき、これにより凹凸構造体４０の欠陥率を大きく低減できることがわかる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
（加圧手段）
次に、押圧部の加圧手段について説明する。上述の通り、距離（Ｘ）が−（マイナス）微細パタン形成用フィルムＩの厚み（Ｔ）以上であることにより、距離Ｘ及び回転体の表層の材質により決定される圧力（以下、第１の圧力）を加えることができるため、特段加圧手段は設けなくてもよい。しかし、この場合であっても、押圧力の均等性をいっそう向上させるために、後で説明する加圧手段を設けることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
押圧加熱部の加熱温度は、回転体１０２の表面の温度が、０℃以上２５０℃以下の範囲になるように加熱できると好ましく、４０℃以上１５０℃以下になるように加熱できることがより好ましく、６０℃以上１３０℃以下の範囲に加熱できることが最も好ましい。特に、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置を使用した熱ナノインプリント方法においては、回転体の表面の温度（Ｔｓ）が、微細パタン形成用フィルム１０１のカバーフィルムの融点（Ｔｍｃ）未満の範囲であることが好ましい。このような、微細パタン形成用フィルム１０１のカバーフィルムの融点（Ｔｍｃ）未満の温度（Ｔｓ）を有す回転体を使用した場合であっても、上記説明したＴｇを有す低Ｔｇ弾性体の弾性変形を良好に利用できることから、熱ナノインプリント精度を向上できる。即ち、過大な加熱手段を必要としない。これに伴い、過大な冷却手段を必要としない、コンパクトな装置となる。特に，微細パタン形成用フィルム１０１を被処理体１０４に押圧する際の、微細パタン形成用フィルム１０１の過剰な変形を抑制し、熱ナノインプリント精度を向上させる観点から、加熱温度は、回転体の表面の温度（Ｔｓ）が、０．９Ｔｍｃ以下の範囲になるように加熱できることが好ましく、０．６Ｔｍｃ以下の範囲になるように加熱することがより好ましく、０．５Ｔｍｃ以下の範囲になるように加熱することが最も好ましい。なお、カバーフィルムの材料と凹凸構造の材料と、が異なる場合、カバーフィルムの材料に対する融点と凹凸構造の材料に対する融点のより低い方の融点が、上記融点（Ｔｍｃ）である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
更に、回転体１０２により、微細パタン形成用フィルム１０１と被処理体１０４とを押圧する際の押圧力は、距離Ｘが−微細パタン形成用フィルム１０１の厚み以上である場合、特別に加圧手段を設けなくとも圧力を加えることができる。しかしながら、押圧力を均等に加える観点から、別途、加圧手段２０４を設けることが好ましい。加圧手段２０４を設けることで、微細パタン形成用フィルム１０１と被処理体１０４との間に混入する空気（エアーボイド）を、タクトを損なうことなく減少させるという観点から、回転体１０２に加圧手段を設けることが好ましい。この貼合のための押圧力は、０．０１ＭＰａ〜５Ｍｐａが好ましく、０．０３ＭＰａ〜２Ｍｐａがより好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５８】
（積層体加熱部）
剥離部２０６よりも微細パタン形成用フィルム１０１の流れ方向ＭＤ前段であり、且つ、エネルギー線照射部よりも流れ方向ＭＤ後段には、積層体２０７を加熱する積層体加熱部を設けることができる。積層体加熱部を設けることで、微細パタン形成用フィルム１０１と被処理体１０４との界面強度を向上させることができるため、熱ナノインプリント精度が向上する。積層体加熱部による加熱温度は、微細パタン形成用フィルム１０１の特性に応じて適宜選定できるため、特に限定されないが、微細パタン形成用フィルム１０１の融点（Ｔｍｃ）未満であると、装置の過大化を抑制できると共に、熱ナノインプリント精度が向上するため好ましい。特に、被処理体１０４の加熱温度が、３０℃〜２００℃の範囲になるように加熱できると好ましく、６０℃〜１３０℃であるとより好ましい。加熱温度は、微細パタン形成用フィルム１０１の搬送の観点から、概ね、Ｔｍｃの０．６倍以下であると好ましい。このように加熱条件下で積層体２０７の加熱が行われる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
第１の実施の形態と同様に、第２の実施の形態に係る熱ナノインプリント装置３００においても、貼合部２０１とカット部５０１との間に、エネルギー線照射部、積層体加熱部及び冷却部を組み込むことができる。また、貼合部２０１よりも流れ方向ＭＤの前段には、搬送部及び前処理部を組み込むことができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８３】
分離部５０３における部分的に裁断された微細パタン形成用フィルム１０１の方向変化は、第１の実施の形態において図１７を用いて説明した剥離角θ１を、分離角θ１と読み替えることで定義することができる。即ち、図１７に示すように、分離部５０３を通過前の微細パタン形成用フィルム１０１の流れ方向（ＭＤ−１）の作る面と、分離部５０３を通過した後の微細パタン形成用フィルム１０１の流れ方向（ＭＤ−２）の作る面とのなす角θ１を分離方向の変化量として定義する。この角度θ１は分離角である。分離角θ１は、１５度以上１７０度以下であることが好ましい。１５度以上であることにより、積層体２０７の微細パタン形成用フィルム１０１と被処理体１０４との界面に加わる分離応力を小さくできるため、熱ナノインプリント法の転写精度が向上する。一方１７０度以下であることにより、微細パタン形成用フィルム１０１の搬送に係る負荷が低下するため、搬送精度が向上する。同様の理由から、分離角θ１は、３０度以上１６０度以下であることがより好ましく、６０度以上１６０度以下であることが最も好ましい。なお、分離角θ１が９０度以上であることで、装置の過大化を抑制することができる。よりコンパクトな装置を設計する観点から、分離角θ１は、１００度以上であることが好ましく、１１０度以上であることがより好ましく、１２５度以上であることが最も好ましい。なお、分離通過前の微細パタン形成用フィルム１０１の流れ方向（ＭＤ−１）の作る面は、分離前の被処理体１０４の被処理面と略平行である。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８７】
なお、上記第３の実施の形態においては、第１の実施の形態と同様に、微細パタン形成用フィルム１０１の第１のマスク層表面と直接接するローラは、その表面を鏡面仕上げしたローラを使用した。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３３４】
工程（２−１）：支持基材１１５上に硬化性樹脂組成物１１６を塗布する工程（樹脂を塗布する工程、図３４Ａ参照）。
工程（２−２）：塗布した硬化性樹脂組成物１１６をカバーフィルムＡに押圧する工程（樹脂を鋳型に押圧する工程、図３４Ｂ参照）。
工程（２−３）：カバーフィルムＡの支持基材１１０側と、もう一方の支持基材１１５側の両方、又はいずれか一方から光照射を行い、硬化性樹脂組成物１１６を光ラジカル重合させ硬化物層１１７を得る工程（樹脂を光硬化させる工程、図３４Ｃ参照）。
工程（２−４）：硬化物層１１７をカバーフィルムＡから剥離し、マスターモールド１１２のパタン形状と同様の形状を具備した凹凸構造を得る工程（硬化物から鋳型を剥離する工程、カバーフィルムＢを得る工程、図３４Ｄ参照）。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３５７】
ここで、「ピラー形状」とは、「柱状体（錐状体）が複数配置された形状」であり、「ホール形状」とは、「柱状（錐状）の穴が複数形成された形状」である。また、凹凸構造１１０２において、凸部１１０２ａ同士の距離が５０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であり、凸部１１０２ａの高さが１０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることが好ましい。用途にもよるが、凸部１１０２ａ同士の隣接距離（凸部１１０２ａの頂点同士の間隔）が小さく、凸部１１０２ａの高さ（凹部１１０２ｂの底から凸部１１０２ａの頂点までの高さ）が大きいことが好ましい。ここで、凸部１１０２ａとは、凹凸構造１１０２の平均高さより高い部位をいい、凹部１１０２ｂとは、凹凸構造１１０２の平均高さより低い部位をいうものとする。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３９４】
凹凸構造１１０２の凸部頂部位置（Ｓ）と第１のマスク層１１０４の露出する面（或いは保護層と接触する面）との距離（ｌｏｒ）は、凹凸構造１１０２のピッチ（Ｐ）と、０．０５≦ｌｏｒ／Ｐ≦５の関係を満たす。上述したように、ピッチは５０ｎｍ〜１０００ｎｍであると好ましいため、凹凸構造１１０２の凸部頂部位置（Ｓ）と第１のマスク層１１０４の露出する面（或いは保護層と接触する面）との距離（ｌｏｒ）は、２．５ｎｍ以上５０００ｎｍ以下であると好ましい。特に、本実施の形態に係る熱ナノインプリント装置により、距離（ｌｏｒ）が、５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下といった薄い状態においても、被処理体１０４上に容易に貼合することが可能となり、第２のマスク層１１０３及び第１のマスク層１１０４を転写することが可能となる。特に、貼合精度、貼合速度、剥離精度、剥離速度を向上させる観点から、上記説明した装置仕様の他に、前記距離（ｌｏｒ）が５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であると好ましく、１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下であるとより好ましい。また、上記最も広い範囲（２．５ｎｍ以上５０００ｎｍ以下）の中において、凹凸構造１１０２の凸部１１０２ａの頂部上に配置される第２のマスク層１１０３ｂの微細パタン形成用フィルム１１００の貼合性への影響の観点から、ｌｃｖ＜ｌｏｒ≦１５００ｎｍの範囲であることが好ましく、ｌｃｖ＋１００ｎｍ≦ｌｏｒ≦１０００ｎｍの範囲であることがより好ましく、更に好ましくはｌｃｖ＋１５０ｎｍ≦ｌｏｒ≦１０００ｎｍの範囲である。ドライエッチング時の物理的安定性の観点から、第１のマスク層１１０４の厚さは、ｌｃｖ＋２００ｎｍ≦ｌｏｒ≦７００ｎｍの範囲であることが最も好ましい。特に、ｌｃｖ＝０においては、接着（貼合）性及び、被処理体への加工性が向上するため、好ましい。この場合、ｌｃｖ＝０における第１のマスク層１１０４（ｌｏｒ）の厚さは、位置（Ｓ）と第１のマスク層１１０４の露出する表面位置（Ｓｂ）との距離となる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４００】
第１のマスク層１１０４は、被処理体１０４との密着性の観点から、反応性希釈材及び重合開始材を含むと好ましく、特に、バインダー樹脂、反応性希釈材及び重合開始材を含むとより好ましい。特に、少なくとも側鎖にベンゼン骨格を有する部位を含むバインダー樹脂、（メタ）アクリレート、及び光重合開始材を含むと好ましい。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４３２】
また、第２のマスク層１１０３としての耐ドライエッチング性の観点から、ゾルゲル材料は、金属種の異なる、少なくとも２種類の金属アルコキシドを含むことが好ましい。金属種の異なる２種類の金属アルコキシドの、金属種の組み合わせとしては、例えば、ＳｉとＴｉ，ＳｉとＺｒ，ＳｉとＴａ等が挙げられる。耐ドライエッチング性の観点から、Ｓｉを金属種に持つ金属アルコキシドのモル濃度（ＣＳｉ）と、Ｓｉ以外の金属種Ｍ１を持つ金属アルコキシドのモル濃度（ＣＭ１）との比率ＣＭ１／ＣＳｉは、０．２〜１５であることが好ましい。塗工乾燥時の安定性の観点から、ＣＭ１／ＣＳｉは０．５〜１５であることが好ましい。物理的強度の観点から、ＣＭ１／ＣＳｉは５〜８であることがより好ましい。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４４６】
ドライエッチング時の、第１のマスク層１１０４の物理的安定性と、ハンドリングの観点から、硬化後の第１のマスク層１１０４のガラス転移温度Ｔｇは、３０℃〜３００℃であることが好ましく、６０℃〜２５０℃であるとより好ましい。