(57)【要約】  本開示の有機電界発光装置は、１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、隣り合う複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備えたものであり、基板からの、隔壁の高さと、有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である。
2013179873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、前記有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、
隣り合う前記複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備え、
基板からの、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である
有機電界発光装置。
【請求項２】
前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は９０°である、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項３】
前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は９０°未満である、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項４】
前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は２０°以上である、請求項３に記載の有機電界発光装置。
【請求項５】
前記隔壁の高さは前記第１電極よりも高い、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項６】
前記第１電極の周縁部は前記隔壁によって覆われている、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項７】
赤画素、緑画素および青画素を含み、
前記赤画素では赤色発光層、前記緑画素では緑色発光層、前記青画素では青色発光層がそれぞれ形成されている、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項８】
前記青画素は、前記赤色発光層上および前記緑色発光層上の領域まで延在して形成されている、請求項７に記載の有機電界発光装置。
【請求項９】
赤画素、緑画素および青画素を含み、
前記赤画素および前記緑画素では黄色発光層が設けられ、
前記青画素では青色発光層が設けられている、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項１０】
前記有機層は、前記発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層を少なくとも１層含む、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項１１】
複数の第１電極を１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅に形成することと、
前記複数の第１電極の間に隔壁を形成することと、
前記第１電極上に少なくとも発光層を含む有機層の少なくとも一層を有版印刷法によって形成することと、
前記有機層上に第２電極を形成することとを含み、
前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差を０μｍ以上１μｍ以下とする
有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記赤色発光層および緑色発光層を形成したのち、
前記赤色発光層上および緑色発光層上の領域から青画素領域にわたって青色発光層を形成する、請求項１１に記載の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１３】
赤画素領域および緑画素領域に第１の発光層として黄色発光層を、青画素領域に第２の発光層として青色発光層をそれぞれ形成する、請求項１１に記載の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記発光層を有版印刷法によって形成する、請求項１１に記載の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記発光層を反転オフセット印刷法によって形成する、請求項１１に記載の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１６】
有機電界発光装置を備え、
前記有機電界発光装置は、
１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、前記有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、
隣り合う前記複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備え、
基板からの、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象を利用して発光する有機電界発光装置およびその製造方法ならびにこれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信産業の発達が加速するにつれて、高度な性能を有する表示素子が要求されている。その中で、次世代表示素子として注目されている有機ＥＬ素子は、自発発光型表示素子として視野角が広くてコントラストが優秀なだけでなく応答時間が速いという長所がある。【０００３】
有機ＥＬ素子は、発光層を含む複数の層が積層された構成を有する。これらの層は、例えば真空蒸着法等の乾式法によって形成される。具体的には、開口を持ったマスクを蒸着源と基板との間に挟むことによって所望の形状の層をパターニングする方法が一般的である。このような有機ＥＬ素子を用いた表示装置において、大型化あるいは高精細化が進むと、マスクが撓むと共に搬送が繁雑になることなどからアライメントが難しくなり開口率が低下する。このため、素子特性が低下するという問題があった。【０００４】
これに対し、例えば特許文献１では、凹凸を有するドナーフィルム上に転写層（有機膜）を形成し、レーザを用いて凸部上の有機膜を転写するレーザ転写法が開示されている。しかし、この手法では、凹凸上に有機膜を形成するため、有機膜の膜厚の均一性を保つことが難しいという問題があった。【０００５】
そこで、特許文献２では、ブランケットを用いた凸版反転オフセット印刷法（以下、単に反転印刷法という）が提案されている。反転印刷法では、ブランケット上に発光材料を含むインクを塗布した後、インク層のうちの不要領域（非印刷パターン）を、凹版を用いて選択的に除去する。このようにして印刷パターンが形成されたブランケットを被印刷基板に転写することにより、発光層が形成される。この反転印刷法では、有機膜は平坦なブランケット上に形成されるため、均一な膜厚を有する有機膜を形成しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２１６５６２号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６１１１号公報
【特許文献３】特開２０１２−０７９６２１号公報
【発明の概要】
【０００７】
しかしながら、例えば特許文献３に記載のように素子間に隔壁を有する表示装置では、隔壁間に設けられた有機層（例えば、発光層）を反転印刷によって形成しようとすると、発光層と被印刷基板との間に空気が入り込み、印刷パターンが正常に転写されない虞がある。このため、発光特性が低下するという問題があった。
【０００８】
従って、版を用いた印刷時における空気の入り込みを抑制し、良好な発光特性を有する有機電界発光装置およびその製造方法ならびに電子機器を提供することが望ましい。
【０００９】
本技術の一実施形態の有機電界発光装置は、１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、隣り合う複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備えたものである。この有機電界発光装置では、基板からの、隔壁の高さと、有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下となっている。
【００１０】
本技術の一実施形態の有機電界発光装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）を含み、隔壁の高さと、有版印刷法による被印刷面の高さとの差を０μｍ以上１μｍ以下とするものである。
（Ａ）複数の第１電極を１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅に形成すること
（Ｂ）複数の第１電極の間に隔壁を形成すること
（Ｃ）第１電極上に少なくとも発光層を含む有機層を形成すること
（Ｄ）有機層上に第２電極を形成すること
【００１１】
本技術の一実施形態の電子機器は、上記有機電界発光装置を備えたものである。
【００１２】
本技術の一実施形態の有機電界発光装置およびその製造方法では、１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置された発光素子の、有版印刷法によって印刷される被印刷面と、発光素子の間に設けられた隔壁との高さの差を０μｍ以上１μｍ以下とする。これにより、有版印刷法によって発光素子の発光層を含む有機層を形成する際に、被印刷面と、有機層との間への空気の入り込みが抑制される。
【００１３】
本技術の一実施形態の有機電界発光装置およびその製造方法によれば、１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置された発光素子の間に設けられた隔壁の高さを、有版印刷法によって印刷される被印刷面の高さとの差を０μｍ以上１μｍ以下となるようにした。これにより、印刷時における発光素子の発光層を含む有機層と、被印刷面との間への空気の入り込みが抑制され、正常な印刷パターンの転写が可能となり、良好な発光特性が得られるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置における隔壁および第１電極の構成を説明するための模式図である。
【図３】図１に示した表示装置の駆動基板の回路構成例を表す模式図である。
【図４】図１に示した表示装置の画素回路の一例を表す等価回路図である。
【図５】図１に示した駆動基板の構成例を表す断面図である。
【図６Ａ】図１に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｃに続く工程（Ｒ，Ｇ発光層の形成工程）を表す断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｄに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｄに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｆに続く工程を表す断面図である。
【図７】図６Ｄに示した工程の具体的な手順を説明するための模式図である。
【図８】図７に続く工程を表す模式図である。
【図９】図８に続く工程を表す模式図である。
【図１０】図９に続く工程を表す模式図である。
【図１１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成の他の例を表す断面図である。
【図１２】変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１３】表示装置を用いたスマートフォンの構成を表す斜視図である。
【図１４】表示装置を用いたテレビジョン装置の構成を表す斜視図である。
【図１５】表示装置を用いたデジタルスチルカメラの構成を表す斜視図である。
【図１６】表示装置を用いたパーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。
【図１７】表示装置を用いたビデオカメラの外観を表す斜視図である。
【図１８】表示装置を用いた携帯電話機の構成を表す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（赤色発光層、緑色発光層および青色発光層からなる表示装置の例）
１−１．被印刷面と隔壁との構成
１−２．全体構成
１−３．製造方法
２．変形例（黄色発光層および青色発光層からなる表示装置の例）
３．適用例（電子機器の例）
４．実施例
【００１６】
＜１．実施の形態＞
図１は本開示の一実施の形態に係る有機電界発光装置（表示装置１）の断面構成を表したものである。表示装置１は、例えば、有機電界発光カラーディスプレイなどとして用いられ、例えば、駆動基板１０上に、複数の有機ＥＬ素子２（赤色の光を発生する有機ＥＬ素子２Ｒ（赤画素）、緑色の光を発生する有機ＥＬ素子２Ｇ（緑画素）、および青色の光を発生する有機ＥＬ素子２Ｂ（青画素））が、規則的に複数配置されたものである。これらの有機ＥＬ素子２は、保護層１８により被覆されており、接着層１９を介して封止基板２０により封止されている。この表示装置１は、隣り合う各色の有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの組が一つのピクセル（pixel）を構成するものであり、封止基板２０の上面より３色の光ＬＲ，ＬＧ，ＬＢを射出する上面発光型の表示装置である。本実施の形態の表示装置１では、有機ＥＬ素子２は駆動基板１０側から第１電極（画素電極）１１、発光層１４を含む有機層、第２電極（対向電極）１６の順に積層され、ここでは発光層１４が有版印刷法によって形成されている。また、各有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの間にはそれぞれ隔壁１２が各画素を囲むように設けられている。
【００１７】
［１−１．被印刷面と隔壁との構成］
図２（Ａ）は、表示装置１の第１電極１１および隔壁１２の構成を模式的に表したものである。隔壁１２は、各有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを電気的に絶縁するものである。また、隔壁１２は各有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの発光領域を区画するものであり、各画素を囲むように設けられ、各発光領域には開口部１２Ａが設けられている。開口部１２Ａには、それぞれ対応する有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを構成する発光層１４を含む有機層が設けられている。本実施の形態における有機ＥＬ素子２では、発光層１４（ここでは赤色発光層１４Ｒおよび緑色発光層１４Ｇ）は、上述したように有版印刷法、例えばブランケットを用いた反転オフセット印刷法，グラビアオフセット印刷等によって形成されている。
【００１８】
ブランケットを用いた反転オフセット印刷法（以下、単に反転印刷法とする）では、ブランケット上に所定の印刷パターンを形成したのち、この印刷パターンを被印刷基板に転写する。具体的には、例えばブランケットの形状が略矩形状の場合には、任意の一端から他端へロール等を用いてブランケットを被印刷基板に徐々に押圧することによって印刷パターンが転写される。ここで、周辺に被印刷面よりも高い段差が形成された領域（即ち、凹部）に印刷する場合には、印刷パターンは凹部の底面よりも大きく形成される。具体的には、例えば図２に示した台形上の断面を有する隔壁１２の間に印刷する場合には、印刷パターンは隔壁１２の上辺までかかるように形成される。このよう印刷パターンが形成されたブランケットを用いて印刷した場合には、被印刷面と印刷パターンとの間に空気が入り込み、印刷パターンが正常に転写されなかったり、気体が入り込み気泡が形成される虞がある。反転印刷法において印刷パターンを正常に転写するには、ブランケットを構成するブランケット基材のしなりと、印刷用の塗膜が形成されるシリコンゴムの変形とが重要になる。即ち、印刷パターンの転写不良の発生は、ブランケットの任意の一端（例えば隔壁１２ａ）から他端（例えば隔壁１２ｂ）に向かって押圧した場合に、この隔壁間（被印刷領域）においてブランケットの十分なしなりおよび変形が起こらず、隔壁１２ａの上面に接したブランケットが、隔壁１２ａの側面や第１電極１１に密着する前に、隔壁１２ｂの側面や上面に接するためと考えられる。
【００１９】
これに対して本実施の形態では、被印刷面（ここでは第１電極１１）と、その両端に設けられた側壁（ここでは隔壁１２）との段差を規定することにより気体の入り込みを抑制する。具体的には、ピッチ幅（発光領域を挟持する一方の隔壁１２ａの中心から他方の隔壁１２ｂの中心までの距離；ｌ）が１０μｍ以上６０μｍ以下の場合における隔壁１２の高さ（ｈ１）と、第１電極１１の高さ（ｈ２）との差（ｈ）は１μｍ以下とすることが好ましい。段差を１μｍ以下とすることにより、印刷パターンが形成されたブランケットは、隔壁間において十分にしなり、例えば隔壁１２Ａ側の上面から側面、被印刷面である第１電極１１から隔壁１２ｂの側面、上面の順に接触することとなる。よって開口部１２Ａの空気（印刷パターンと第１電極１１との間の空気）はブランケットの接地にしたがって除去される。これにより、第１電極１１上に、例えば発光層１４の印刷パターンを気泡が混入することなく正常に転写することが可能となる。
【００２０】
なお、隔壁１２は第１電極１１の周縁部を覆うように設けられており、隔壁１２の高さは第１電極と同等（ｈ１＝ｈ２，ｈ＝０μｍ）あるいは高い（ｈ１＞ｈ２）ものとする。また、詳細は後述するが、隔壁１２は、例えばスピンコート法等により樹脂膜を形成したのち、例えばフォトリソグラフィ等を用いて所定の形状に加工する。ここで、隔壁１２の断面の形状は、図１や図２（Ａ）に示したような台形形状や、矩形状でも構わない。即ち、図２（Ｂ）に示した第１電極１１の上面と隔壁１２の側面とのなす角（θ）は０°以上９０°以下であればよい。なお、図１，図２（Ａ）では隔壁１２の上面を駆動基板１０に対して水平な状態で記載したが、これに限らず、隔壁１２の最上部と、第１基板１１の上面との高さの差が１μｍ以下であれば凹凸あるいは曲面を有していても構わない。また、ここでは被印刷面を第１電極１１としたが、図１に示した表示装置１のように、例えば第１電極１１と発光層１４との間に正孔注入層１３Ａ，正孔輸送層１３Ｂが設けられている場合には、これら層１３Ａ，１３Ｂが被印刷面となる。
【００２１】
［１−２．表示装置の全体構成］
（駆動基板１０）
図３は、表示装置１の駆動基板１０に形成される回路構成を、上記有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂと共に表したものである。駆動基板１０では、基板１１０上に、例えば複数の有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂがマトリクス状に配置される表示領域１１０Ａが形成され、この表示領域１１０Ａを囲うように、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が配設されている。信号線駆動回路１２０には、列方向に沿って延在する複数の信号線１２０Ａが接続されており、走査線駆動回路１３０には、行方向に沿って延在する複数の走査線１３０Ａが接続されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差部が、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのいずれかに対応している。表示領域１１０Ａの周辺領域には、この他にも、図示しない電源線駆動回路が設けられている。
【００２２】
図４は、表示領域１１０Ａ内に設けられた画素回路１４０の一例を表したものである。画素回路１４０は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２（後述のＴＦＴ１１１に相当）と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂとを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）により構成され、その構成は、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガ構造（トップゲート型）でもよい。このような構成により、信号線１２０Ａを介して、信号線駆動回路１２０から書き込みトランジスタＴｒ２のソース（またはドレイン）に画像信号が供給される。走査線１３０Ａを介して、走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲートに走査信号が供給される。
【００２３】
図５は、この駆動基板１０の詳細な断面構成（ＴＦＴ１１１の構成）を、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの概略構成と共に表したものである。駆動基板１０には、上記駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２に対応するＴＦＴ１１１が形成されている。ＴＦＴ１１１では、例えば、基板１１０上の選択的な領域にゲート電極１１０１が配設されており、このゲート電極１１０１上に、ゲート絶縁膜１１０２，１１０３を介して、半導体層１１０４が形成されている。半導体層１１０４のチャネルとなる領域（ゲート電極１１０１に対向する領域）上には、チャネル保護膜１１０５が設けられている。半導体層１１０４には、一対のソース・ドレイン電極１１０６がそれぞれ電気的に接続されている。このようなＴＦＴ１１１を覆うように、基板１１０の全面に渡って平坦化層１１２が形成されている。
【００２４】
基板１１０は、例えばガラス基板あるいはプラスチック基板からなる。あるいは、基板１１０は、石英、シリコン、金属などの表面が絶縁処理されたものであってもよい。また、フレキシブル性を有するものであってもよいし、剛性を有するものであってもよい。
【００２５】
ゲート電極１１０１は、ＴＦＴ１１１に印加されるゲート電圧によって半導体層１１０４中のキャリア密度を制御する役割を果たすものである。このゲート電極１１０１は、例えばＭｏ，Ａｌおよびアルミニウム合金等のうちの１種よりなる単層膜、または２種以上よりなる積層膜により構成されている。アルミニウム合金としては、例えばアルミニウム−ネオジム合金が挙げられる。
【００２６】
ゲート絶縁膜１１０２，１１０３は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯX）、シリコン窒化物（ＳｉＮX）、シリコン窒化酸化物（ＳｉＯＮ）および酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ2）等のうちの１種よりなる単層膜、またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。ここでは、ゲート絶縁膜１１０２が例えばＳｉＯ2、ゲート絶縁膜１１０３が例えばＳｉ3Ｎ4によりそれぞれ構成されている。ゲート絶縁膜１１０２，１１０３の総膜厚は、例えば２００ｎｍ〜３００ｎｍである。
【００２７】
半導体層１１０４は、例えばインジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），亜鉛（Ｚｎ），スズ（Ｓｎ），Ａｌ，Ｔｉのうちの少なくとも１種の酸化物を主成分として含む酸化物半導体よりなる。この半導体層１１０４は、ゲート電圧の印加により一対のソース・ドレイン電極１１０６間にチャネルを形成するものである。この半導体層１１０４の膜厚は後述の負の電荷の影響がチャネルへ及ぶように、薄膜トランジスタのオン電流の悪化を引き起こさない程度であることが望ましく、具体的には５ｎｍ〜１００ｎｍであることが望ましい。
【００２８】
チャネル保護膜１１０５は、半導体層１１０４上に形成され、ソース・ドレイン電極１１０６形成時におけるチャネルの損傷を防止するものである。このチャネル保護膜１１０５は、例えばシリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ2）とフッ素（Ｆ）とを含有する絶縁膜により構成され、厚みは例えば１０〜３００ｎｍである。
【００２９】
ソース・ドレイン電極１１０６は、ソースまたはドレインとして機能するものであり、例えばモリブデン（Ｍｏ），アルミニウム（Ａｌ），銅（Ｃｕ），チタン，ＩＴＯおよび酸化チタン（ＴｉＯ）等のうち１種よりなる単層膜またはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。例えば、Ｍｏ，Ａｌ，Ｍｏの順に、５０ｎｍ，５００ｎｍ，５０ｎｍの膜厚で積層した３層膜や、ＩＴＯおよび酸化チタン等の酸素を含む金属化合物のような酸素との結びつきの弱い金属または金属化合物を用いることが望ましい。これにより、酸化物半導体の電気特性を安定して保持することができる。
【００３０】
平坦化層１１２は、例えばポリイミド、ノボラック等の有機材料により構成されている。この平坦化層１１２の厚みは、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは５０ｎｍ以下である。平坦化層１１２上には、有機ＥＬ素子２のアノード電極１２が形成されている。
【００３１】
なお、平坦化膜１１２にはコンタクトホールＨが設けられており、このコンタクトホールＨを通じてソース・ドレイン電極１１０６と、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各第１電極１１とが電気的に接続されている。第１電極１１は、隔壁１２によって画素毎に電気的に分離されており、第１電極１１上には、後述する各色発光層を含む有機層１４および第２電極１６が積層されている。有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの詳細な構成については後述する。
【００３２】
保護層１８は、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂへの水分の浸入を防止するためのものであり、透過性および透水性の低い材料により構成され、厚みは例えば２〜３μｍである。保護層１８は、絶縁性材料および導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx），アモルファスカーボン（α−Ｃ）などが挙げられる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。
【００３３】
封止基板２０は、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを、接着層１９と共に封止するものである。封止基板２０は、有機ＥＬ素子２で発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。この封止基板２０には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクス（いずれも図示せず）が設けられていてもよく、この場合、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで発生した各色光を取り出すと共に、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ内で反射された外光を吸収して、コントラストを改善することができる。
【００３４】
（有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ）
有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂはそれぞれ、例えば上面発光型（トップエミッション型）の素子構造を有している。但し、このような構成に限定されることはなく、例えば基板１１０側から光を取り出す透過型、即ち下面発光型（ボトムエミッション型）であってもよい。
【００３５】
有機ＥＬ素子２Ｒは、隔壁１２の開口部１２Ａに形成され、例えば、第１電極１１上に、正孔注入層（ＨＩＬ）１３Ｂ、正孔輸送層（ＨＴＬ）１３Ａ、赤色発光層１４Ｒ、青色発光層１４Ｂ、電子輸送層（ＥＴＬ）１５Ａ、電子注入層（ＥＩＬ）１５Ｂおよび第２電極１６がこの順に積層されたものである。有機ＥＬ素子２Ｇについても同様で、例えば有機ＥＬ素子２Ｒの積層構造のうちの赤色発光層１４Ｒを緑色発光層１４Ｇと置き換えた積層構造を有している。有機ＥＬ素子２Ｂは、例えば、第１電極１１上に、正孔注入層１３Ｂ、正孔輸送層１３Ａ、青色発光層１４Ｂ、電子輸送層１５Ａ、電子注入層１５Ｂおよび第２電極１６がこの順に積層されたものである。このように、本実施の形態では、赤色発光層１４Ｒおよび緑色発光層１４Ｇが画素毎に分離して形成されており、青色発光層１４Ｂは、各画素に共通して表示領域１１０Ａの全面にわたって形成されている。その他、正孔注入層１３Ｂ、正孔輸送層１３Ａ、電子輸送層１５Ａおよび電子注入層１５Ｂについては各画素に共通して設けられている。詳細は後述するが、本実施の形態では、赤色発光層１４Ｒおよび緑色発光層１４Ｇは反転印刷法によって形成され、青色発光層１４Ｂは真空蒸着法によって形成されている。
【００３６】
第１電極１１は、例えばアノードとして機能し、表示装置１が上面発光型である場合には、例えばアルミニウム，チタン，クロム（Ｃｒ）等の高反射材料から構成されている。なお、下面発光型である場合には、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＩＧＺＯ等の透明導電膜が用いられる。
【００３７】
隔壁１２は、上述したように、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの各素子間を電気的に絶縁すると共に、各画素の発光領域を区画するものである。隔壁１２によって形成される複数の開口部１２Ａには有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのいずれかが形成されている。この隔壁１２は、例えばポリイミド、ノボラック樹脂あるいはアクリル樹脂などの有機材料により構成されている。あるいは、この隔壁１２は、有機材料と無機材料とが積層されて構成されていてもよい。無機材料としては、例えばＳｉＯ2，ＳｉＯ，ＳｉＣ，ＳｉＮが挙げられる。
【００３８】
正孔注入層１３Ｂは、各色発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１３Ｂの厚みは例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔注入層１３Ｂの構成材料としては、電極などの隣接する層の材料との関係で適宜選択されればよいが、例えばポリアニリン，ポリチオフェン，ポリピロール，ポリフェニレンビニレン，ポリチエニレンビニレン，ポリキノリン，ポリキノキサリンおよびそれらの誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体などの導電性高分子，金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等），カーボンなどが挙げられる。導電性高分子の具体例としては、オリゴアニリン，オリゴアニリンおよびポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンが挙げられる。この他、エイチ・シー・スタルク製の商品名Nafion（商標）および商品名Liquion（商標）、日産化学製の商品名エルソース（商標）および綜研化学製の導電性ポリマーベラゾール等を用いてもよい。
【００３９】
正孔輸送層１３Ａは、各色発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層１３Ａの厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは８ｎｍ〜１５０ｎｍである。正孔輸送層１３Ａを構成する材料としては、有機溶媒に可溶な高分子材料、例えば、ポリビニルカルバゾール，ポリフルオレン，ポリアニリン，ポリシランまたはそれらの誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体，ポリチオフェンおよびその誘導体，ポリピロール，または４，４’−ビス（Ｎ−１−ナフチル−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（α−ＮＰＤ）により構成されている。
【００４０】
赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ，青色発光層１４Ｂはそれぞれ、電界がかかることにより電子と正孔との再結合を生じ発光するものである。これらの各色発光層の厚みは、素子の全体構成にもよるが、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、さらに好ましくは２０ｎｍ〜１５０ｎｍである。
【００４１】
赤色発光層１４Ｒ，緑色発光層１４Ｇ，青色発光層１４Ｂを構成する材料としては、それぞれの発光色に応じたものであればよく、高分子材料（分子量が例えば５０００以上）であってもよいし、低分子材料（分子量が例えば５０００以下）であってもよい。低分子材料の場合には、例えばホスト材料とドーパント材料の２種類以上の混合材料が用いられる。高分子材料の場合には、例えば有機溶媒に溶かしたインクの状態で使用される。また、これらの低分子材料および高分子材料の混合材料が用いられてもよい。
【００４２】
本実施の形態では、上述したように、赤色発光層１４Ｒおよび緑色発光層１４Ｇはいわゆる湿式法である反転印刷法によって形成され、青色発光層１４Ｂは乾式法である真空蒸着法によって形成されている。このため、赤色発光層１４Ｒおよび緑色発光層１４Ｇを構成する材料としては、主に高分子材料が用いられ、青色発光層１４Ｂでは、主に低分子材料が用いられている。
【００４３】
高分子材料としては、例えばポリフルオレン系高分子誘導体，（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体，ポリフェニレン誘導体，ポリビニルカルバゾール誘導体，ポリチオフェン誘導体，ペリレン系色素，クマリン系色素，ローダミン系色素，あるいはこれらの材料にドーパント材料を混合したものが挙げられる。ドーパント材料としては、例えばルブレン，ペリレン，９，１０−ジフェニルアントラセン，テトラフェニルブタジエン，ナイルレッド，クマリン６等が挙げられる。低分子材料としては、例えばベンジン，スチリルアミン，トリフェニルアミン，ポルフィリン，トリフェニレン，アザトリフェニレン，テトラシアノキノジメタン，トリアゾール，イミダゾール，オキサジアゾール，ポリアリールアルカン，フェニレンジアミン，アリールアミン，オキザゾール，アントラセン，フルオレノン，ヒドラゾン，スチルベンあるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物，ビニルカルバゾール系化合物，チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマーあるいはオリゴマーが挙げられる。また、各色発光層は、このような材料の他にも、ゲスト材料として、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光材料、燐光色素あるいは金属錯体等を含んでいてもよい。
【００４４】
電子輸送層１５Ａは、各色発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子輸送層１５Ａの構成材料としては、例えば、キノリン，ペリレン，フェナントロリン，ビススチリル，ピラジン，トリアゾール，オキサゾール，フラーレン，オキサジアゾール，フルオレノンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3 ），アントラセン，ナフタレン，フェナントレン，ピレン，アントラセン，ペリレン，ブタジエン，クマリン，Ｃ６０，アクリジン，スチルベン，１，１０−フェナントロリンまたはこれらの誘導体や金属錯体が挙げられる。この他、優れた電子輸送性能を有する有機材料を用いることが好ましい。具体的には、例えばアリールピリジン誘導体およびベンゾイミダゾール誘導体などが挙げられる。電子輸送層１５Ａおよび電子注入層１５Ｂの総膜厚は素子の全体構成にもよるが、例えば５ｎｍ〜２００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜１８０ｎｍである。
【００４５】
電子注入層１５Ｂは、各色発光層への電子注入効率を高めるためのものである。電子注入層１５Ｂの構成材料としては、例えばアルカリ金属，アルカリ土類金属，希土類金属およびその酸化物，複合酸化物，フッ化物，炭酸塩等が挙げられる。
【００４６】
第２電極１６は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、上面発光型の場合には、光透過性を有する導電膜材料、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ，ＭｇＡｇ，Ａｇ等の単層膜あるいはこれらのうちの２種以上を含む積層膜からなる。下面発光型の場合には、例えばアルミニウム，ＡｌＳｉＣ，チタン，クロム等の高反射率材料が用いられる。
【００４７】
［１−２．製造方法］
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００４８】
まず、図６Ａに示したように、駆動基板１０上に第１電極１１を形成する。この際、例えば真空蒸着法あるいはスパッタリング法により、上述した電極材料を基板全面にわたって成膜した後、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりパターニングする。また、第１電極１１は、駆動基板１０に形成された平坦化層１１２のコンタクトホールＨを通じて、ＴＦＴ１１１（詳細にはソース・ドレイン電極１１０６）に接続させる。
【００４９】
続いて、図６Ｂに示したように、隔壁１２を形成する。具体的には、駆動基板１０の全面に対して、上述した樹脂材料を用いて、例えばスピンコート法などにより樹脂膜を形成したのち、例えばフォトリソグラフィ法等のエッチングにより、第１電極１１に対応する部分に開口部１２Ａを設ける。これにより、隔壁１２が形成される。開口部１２Ａ形成後には、必要に応じて隔壁１２をリフローしてもよい。なお、樹脂膜のエッチングは、例えばポリイミドを用いた場合には、図２（Ｂ）に示した第１電極１１と隔壁１２の側面とのなす角（θ）は、２０°〜３０°程度となる。また、隔壁１２の高さおよび角度（θ）は隔壁１２を構成する樹脂材料の塗布量およびエッチング時間によって調整することができる。
【００５０】
次いで、図６Ｃに示したように、第１電極１１および隔壁１２を覆うように、例えば真空蒸着法により、正孔注入層１３Ｂおよび正孔輸送層１３Ａを順に成膜する。但し、これらの正孔注入層１３Ｂおよび正孔輸送層１３Ａの成膜手法としては、真空蒸着法の他にも、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法などの直接塗布法を用いてもよいし、あるいはグラビアオフセット法、凸版印刷法、凹版反転印刷法などを用いてもよい。
【００５１】
（Ｇ，Ｒ発光層の形成工程）
次に、図６Ｄに示したように、赤画素領域２Ｒ１に赤色発光層１４Ｒ、緑画素領域２Ｇ１に緑色発光層１４Ｇをそれぞれ形成する。この際、以下に説明するように、ブランケットを用いた反転印刷法により、緑色発光層１４Ｇおよび赤色発光層１４Ｒをこの順にそれぞれパターン形成する。概要は以下の通りである。
１．第１発光層１４Ｒの形成
（１）第１発光材料を含む溶液をブランケット上に塗布
（２）凹版を用いてブランケット上に印刷パターンを形成
（３）ブランケット上の印刷パターンを駆動基板１０上へ転写
２．第２発光層１４Ｇの形成
（１）第２発光材料を含む溶液をブランケット上に塗布
（２）凹版を用いてブランケット上に印刷パターンを形成
（３）ブランケット上の印刷パターンを駆動基板１０上へ転写
【００５２】
１．第１発光層の形成
（１）第１発光層塗布工程
まず、第１発光層（ここでは、赤色発光層１４Ｒ）を転写する際に使用するブランケット６０を用意し、このブランケット６０上に赤色発光材料を含む溶液Ｄ１ｒを塗布形成する。具体的には、図７（Ａ），（Ｂ）に示したように、溶液Ｄ１ｒを、ブランケット６０上に滴下し、例えばスピンコート法あるいはスリットコート法などの直接塗布法により、ブランケット６０上の全面にわたって塗布する。これにより、図７（Ｃ）に示したように、ブランケット６０では、赤色発光材料を含む溶液Ｄ１ｒの層が形成される。
【００５３】
（２）印刷パターン形成工程
次いで、ブランケット６０上に赤色発光層１４Ｒの印刷パターン層（印刷パターン層１４ｇ１）を形成する。具体的には、まず、図８（Ａ）に示したように、赤画素領域２Ｇ１に対応して凹部を有する凹版６１と、ブランケット６０の溶液Ｄ１ｒの層とを向かい合わせ、図８（Ｂ）に示したように、凹版６１にブランケット６０上の溶液Ｄ１ｒの層を押し付ける。この後、図８（Ｃ）に示したように、ブランケット６０を凹版６１から剥離することにより、溶液Ｄ１ｒの層のうちの不要部分（Ｄ１ｒ'）は、凹版６１の凸部側に転写されて、ブランケット６０上から除去される。これにより、ブランケット６０上には、赤色画素領域に対応する赤色発光層１４Ｒの印刷パターン１４ｒ１が形成される。なお、図中ではライン状パターンで示したが、ＴＦＴ画素配列と矛盾なければパターンの形状はライン状に限定されるものでは無い。
【００５４】
（３）転写工程
続いて、ブランケット６０上の赤色発光層１４Ｒの印刷パターン層１４Ｒ１を駆動基板１０側へ転写する。具体的には、まず、図９（Ａ）に示したように、正孔注入層１３Ｂおよび正孔輸送層１３Ａを形成済みの駆動基板１０（以下、便宜上、駆動基板１０ａとする）と、ブランケット６０とを向かい合わせて配置する。この後、駆動基板１０ａと印刷パターン１４ｒ１とをアライメントし、図９（Ｂ）に示したように、駆動基板１０ａ上に、ブランケット６０の印刷パターン層１４ｒ１の形成面を、例えば転写ローラ等を用いて押し付ける。次いで、ブランケット６０を駆動基板１０ａから剥離することにより、駆動基板１０ａ上に赤色発光層１４Ｒがパターン形成される（図９（Ｃ））。
【００５５】
２．第２発光層の形成
続いて、第２発光層（ここでは、緑色発光層１４Ｇ）を転写する際に使用するブランケット６２を用意し、このブランケット６２上に緑色発光材料を含む溶液Ｄ１ｇを塗布形成する。具体的には、図１０（Ａ），（Ｂ）に示したように、溶液Ｄ１ｇを、ブランケット６２上に滴下し、例えばスピンコート法あるいはスリットコート法などの直接塗布法により、ブランケット６２上の全面にわたって形成する。これにより、図１０（Ｃ）に示したように、ブランケット６２では、緑色発光材料を含む溶液Ｄ１ｇの層が形成される。
【００５６】
（２）印刷パターンの形成工程および（３）転写工程
次いで、特に図示はしないが、上記緑色発光層１４Ｒの場合と同様にして、所定の凹版を用いて、ブランケット６２上に緑色発光層の印刷パターン層を形成したのち、駆動基板１０側へ転写する。これにより、駆動基板１０ａ上に緑色発光層１４Ｇが形成される。
【００５７】
次に、図６Ｅに示したように、青色発光層１４Ｂを、例えば真空蒸着法により、基板全面にわたって形成する。なお、青色発光層１４Ｂはここでは有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおける共通層として設けたが、これに限らず、図１１に示した表示装置２のように、赤色発光層１４Ｒおよび緑色発光層１４Ｇと同様に反転印刷により形成しても構わない。
【００５８】
続いて、図６Ｆに示したように、電子輸送層１５Ａおよび電子注入層１５Ｂを、例えば真空蒸着法により、青色発光層１４Ｂ上に形成する。この後、図６Ｇに示したように、第２電極１６を、例えば真空蒸着法、ＣＶＤ法またはスパッタリング法により、電子注入層１５Ｂ上に形成する。これにより、駆動基板１０上に有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂが形成される。
【００５９】
最後に、駆動基板１０上の有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを覆うように保護層１８を形成した後、接着層１９を介して封止基板２０を貼り合わせることにより、図１に示した表示装置１を完成する。
【００６０】
［作用、効果］
本実施の形態の表示装置１では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。これにより、有機ＥＬ素子２に駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、例えば上面発光型の場合には第２電極１６および封止基板２０を透過して、表示装置１の上方へ取り出される。
【００６１】
このような表示装置では、製造プロセスにおいて、上記のように、隔壁によって区画された発光領域に、例えば発光層（赤色発光層１４Ｒおよび緑色発光層１４Ｇ）を、ブランケットを用いた反転印刷法によって形成した場合には、隔壁と被印刷面との段差によって被印刷面とブランケット上に形成された印刷パターンとの間に気体が入り込み、印刷パターンが正常に転写されなかったり、気泡が形成される虞がある。
【００６２】
これに対し、本実施の形態では、被印刷面（例えば第１電極１１）と、隔壁１２との段差を１μｍ以下とするとするようにした。これにより、印刷パターンが形成されたブランケットは、転写工程において、例えば隔壁１２Ａ側の上面から側面、被印刷面である第１電極１１から隔壁１２ｂの側面、上面の順に接触するようになる。即ち、開口部１２Ａの空気（印刷パターンと第１電極１１との間の空気）は被印刷面とブランケットとの押圧方向から徐々に除去されるため、被印刷面と印刷パターンとの間への空気の入り込み（気泡の残留）が抑制される。具体的には、印刷パターンにしわが寄る、入り込んだ空気が割れることによる印刷パターンが引き裂かれる、あるいは印刷パターンが第１電極上に転写されない等の転写不良の発生が抑制される。よって、印刷パターンを正常に転写することが可能となり、良好な発光特性を示す表示装置を提供することが可能となる。
【００６３】
次に、上記実施の形態に係る変形例について説明する。以下では、上記実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００６４】
＜２．変形例＞
図１２は、変形例１に係る表示装置３の断面構成を表したものである。上記実施の形態等では、ブランケットを用いた反転印刷によりパターン形成する発光層として、赤色発光層１４Ｒおよび緑色発光層１４Ｇを例に挙げたが、他色の発光層を用いてもよい。例えば、本変形例のように、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇの２画素にわたって、黄色発光層３４Ｙを形成し、この黄色発光層３４Ｙを覆って青色発光層３４Ｂが形成された構成であってもよい。この場合、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇでは、黄色と青色との混色により白色光が生成されるため、封止基板２０側にはカラーフィルタ層（図示せず）が設けられ、このカラーフィルタ層を用いて赤色光および緑色光をそれぞれ取り出すようになっている。カラーフィルタ層は、有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれに対向して、赤色フィルタ，緑色フィルタ，青色フィルタを有している。赤色フィルタは赤色光、緑色フィルタは緑色光、青色フィルタは青色光をそれぞれ選択的に透過させる。
【００６５】
＜３．適用例＞
上記実施の形態および変形例１において説明した有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを含む表示装置１〜３は、例えば次に示したような、画像（あるいは映像）表示を行う、あらゆる分野の電子機器に搭載することができる。
【００６６】
図１３は、スマートフォンの外観を表している。このスマートフォンは、例えば、表示部１１０（表示装置１）および非表示部（筐体）１２０と、操作部１３０とを備えている。操作部１３０は、（Ａ）に示したように非表示部１２０の前面に設けられていてもよいし、（Ｂ）に示したように上面に設けられていてもよい。
【００６７】
図１４はテレビジョン装置の外観構成を表している。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル２１０およびフィルターガラス２２０を含む映像表示画面部２００（表示装置１）を備えている。
【００６８】
図１５は、デジタルスチルカメラの外観構成を表しており、（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ前面および後面を示している。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部３１０と、表示部３２０（表示装置１）と、メニュースイッチ３３０と、シャッターボタン３４０とを備えている。
【００６９】
図１６は、ノート型のパーソナルコンピュータの外観構成を表している。このパーソナルコンピュータは、例えば、本体４１０と、文字等の入力操作用のキーボード４２０と、画像を表示する表示部４３０（表示装置１）とを備えている。
【００７０】
図１７は、ビデオカメラの外観構成を表している。このビデオカメラは、例えば、本体部５１０と、その本体部５１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５２０と、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３０と、表示部５４０（表示装置１）とを備えている。
【００７１】
図１８は、携帯電話機の外観構成を表している。（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ携帯電話機を開いた状態の正面および側面を示している。（Ｃ）〜（Ｇ）は、それぞれ携帯電話機を閉じた状態の正面、左側面、右側面、上面および下面を示している。この携帯電話機は、例えば、上側筐体６１０と下側筐体６２０とが連結部（ヒンジ部）６２０により連結されたものであり、ディスプレイ６４０（表示装置１）と、サブディスプレイ６５０と、ピクチャーライト６６０と、カメラ６７０とを備えている。
【００７２】
＜４．実施例＞
次に、本技術の実施例について説明する。
【００７３】
（実験例１）
まず、図１に示した表示装置１をモデルに、ピッチ幅がそれぞれ１７μｍ，２１μｍ，３０μｍ，６０μｍになるように基板上に隔壁１２を形成した。なお、基板は被印刷基板（被印刷面）であり、ガラスやプラスチック等を支持できるものであれば材料は問わない。また、隔壁１２の高さは、それぞれ０μｍ，０．４μｍ，０．５μｍ，０．７μｍ，０．８μｍ，１．０μｍ，１．２μｍ，１．５μｍ，２．０μｍとなるように形成されており、各隔壁１２の高さが上記実施の形態における隔壁１２と被印刷面（例えば第１電極１１）との段差（ｌ）である。続いて、隔壁１２によって区画された領域に対してブランケットを用いた反転印刷を行い、転写不良の有無を調べ、その結果を表１に示した。ここで、ブランケットは支持基板としてＰＥＴ基材またはガラス基材（それぞれ厚さ１００μｍ〜７５０μｍ）を用い、印刷パターンの形成面にはシリコンゴムを用いた。なお、このシリコンゴムの表面エネルギーは２０ｍＮ／ｍ以下となっている。また、各ピッチ幅における解像度は、それぞれ５００ｐｐｉ，４００ｐｐｉ，３００ｌｐｐｉ，１５０ｐｐｉである。
【００７４】
【表１】
2013179873.tif 000003
【００７５】
表１から、ピッチ幅が２１μｍ以上６０μｍ以下の範囲では、段差（ｈ）が１．５以上の場合に転写不良が発生し、段差（ｈ）が１．２μｍでは印刷パターンの一部に不良個所が観察された。また、ピッチ幅を１７μｍとした場合には、段差（ｈ）が１．２μｍでは、完全に転写不良が発生した。以上のことから、ピッチ幅が１７μｍ以上６０μｍ以下における側壁の高さ（ｈ１）と被印刷面の高さ（ｈ２）との差を１．０μｍ以下とすることにより正常な印刷パターンの転写が可能であることがわかった。なお、シリコンブランケットの支持基材の厚みは特に限定されず、ここでは厚さ１００μｍ〜７５０μｍのＰＥＴ基材およびガラス基材を用いたがこれに限らず、例えば、その厚みは５０μｍ以上１ｍｍ以下であればよい。また、シリコンゴムの厚みも特に限定されないが、例えば１０μｍ以上１ｍｍ以下であればよい。
【００７６】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、最初に反転印刷法によって形成する第１発光層として赤色発光層を、次に反転印刷法によって形成する第２発光層として緑色発光層を形成したが、各色の発光層の形成工程は逆でもよい。
【００７７】
また、本開示の電荷輸送性材料としては、発光層の形成順や、各画素における素子特性に応じて、適切な正孔輸送性材料または電子輸送性材料を選択すればよい。
【００７８】
更に、上記実施の形態では、ブランケットおよび被印刷基板（駆動基板１０）を、それぞれ平行平板を例（平行平板−平行平板）に説明したが、これに限らず、ブランケットまたは被印刷基板のどちらかがロール状（ロール−平行平板，平行平板−ロール）あるいは両方がロール状（ロール−ロール）としてもよい。また、隔壁１２によって区画された画素の形状は特に限定せず、例えば４辺が同じ長さの正方形でも、長方形でも構わない。更に、印刷時におけるブランケットの押圧方向は特に限定されず、各画素の長軸方向でも短軸方向でも構わない。
【００７９】
更にまた、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。更に、上記実施の形態等において説明した各層は必ずしも全て設ける必要はなく、適宜省略してもよい。また、上記実施の形態等において説明した層以外の層を追加しても構わない。例えば、青色ＥＬ素子２Ｂの電荷輸送層１７と青色発光層１４Ｂとの間に、特開２０１１−２３３８５５号公報に記載の共通正孔輸送層のように正孔輸送能を有する材料を用いた層を１層あるいは複数層追加してもよい。このような層を追加することにより、青色有機ＥＬ素子２Ｂの発光効率および寿命特性が向上する。
【００８０】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、前記有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、隣り合う前記複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備え、基板からの、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である有機電界発光装置。
（２）前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は９０°である、前記（１）に記載の有機電界発光装置。
（３）前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は９０°未満である、前記（１）または（２）に記載の有機電界発光装置。
（４）前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は２０°以上である、前記（３）に記載の有機電界発光装置。
（５）前記隔壁の高さは前記第１電極よりも高い、前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（６）前記第１電極の周縁部は前記隔壁によって覆われている、前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（７）赤画素、緑画素および青画素を含み、前記赤画素では赤色発光層、前記緑画素では緑色発光層、前記青画素では青色発光層がそれぞれ形成されている、前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（８）前記青画素は、前記赤色発光層上および前記緑色発光層上の領域まで延在して形成されている、前記（７）に記載の有機電界発光装置。
（９）赤画素、緑画素および青画素を含み、前記赤画素および前記緑画素では黄色発光層が設けられ、前記青画素では青色発光層が設けられている、前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（１０）前記有機層は、前記発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層を少なくとも１層含む、前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（１１）複数の第１電極を１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅に形成することと、前記複数の第１電極の間に隔壁を形成することと、前記第１電極上に少なくとも発光層を含む有機層の少なくとも一層を有版印刷法によって形成することと、前記有機層上に第２電極を形成することとを含み、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差を０μｍ以上１μｍ以下とする有機電界発光装置の製造方法。
（１２）前記赤色発光層および緑色発光層を形成したのち、前記赤色発光層上および緑色発光層上の領域から青画素領域にわたって青色発光層を形成する、前記（１１）に記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１３）赤画素領域および緑画素領域に第１の発光層として黄色発光層を、青画素領域に第２の発光層として青色発光層をそれぞれ形成する、前記（１１）または（１２）に記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１４）前記発光層を有版印刷法によって形成する、前記（１１）乃至（１３）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１５）前記発光層を反転オフセット印刷法によって形成する、前記（１１）乃至（１４）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１６）有機電界発光装置を備え、前記有機電界発光装置は、１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、前記有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、隣り合う前記複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備え、基板からの、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である電子機器。
【００８１】
本出願は、日本国特許庁において２０１２年６月１日に出願された日本特許出願番号２０１２−１２６４２０号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【００８２】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
2013179873.tif 000004
【図２】
2013179873.tif 000005
【図３】
2013179873.tif 000006
【図４】
2013179873.tif 000007
【図５】
2013179873.tif 000008
【図６Ａ】
2013179873.tif 000009
【図６Ｂ】
2013179873.tif 000010
【図６Ｃ】
2013179873.tif 000011
【図６Ｄ】
2013179873.tif 000012
【図６Ｅ】
2013179873.tif 000013
【図６Ｆ】
2013179873.tif 000014
【図６Ｇ】
2013179873.tif 000015
【図７】
2013179873.tif 000016
【図８】
2013179873.tif 000017
【図９】
2013179873.tif 000018
【図１０】
2013179873.tif 000019
【図１１】
2013179873.tif 000020
【図１２】
2013179873.tif 000021
【図１３】
2013179873.tif 000022
【図１４】
2013179873.tif 000023
【図１５】
2013179873.tif 000024
【図１６】
2013179873.tif 000025
【図１７】
2013179873.tif 000026
【図１８】
2013179873.tif 000027
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月17日(2015.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、前記有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、
隣り合う前記複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備え、
基板からの、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である
有機電界発光装置。
【請求項２】
前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は９０°である、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項３】
前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は９０°未満である、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項４】
前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は２０°以上である、請求項３に記載の有機電界発光装置。
【請求項５】
前記隔壁の高さは前記第１電極よりも高い、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項６】
前記第１電極の周縁部は前記隔壁によって覆われている、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項７】
赤画素、緑画素および青画素を含み、
前記赤画素では赤色発光層、前記緑画素では緑色発光層、前記青画素では青色発光層がそれぞれ形成されている、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項８】
前記青色発光層は、前記赤色発光層上および前記緑色発光層上の領域まで延在して形成されている、請求項７に記載の有機電界発光装置。
【請求項９】
赤画素、緑画素および青画素を含み、
前記赤画素および前記緑画素では黄色発光層が設けられ、
前記青画素では青色発光層が設けられている、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項１０】
前記有機層は、前記発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層を少なくとも１層含む、請求項１に記載の有機電界発光装置。
【請求項１１】
複数の第１電極を１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅に形成する工程と、
前記複数の第１電極の間に隔壁を形成する工程と、
前記第１電極上に少なくとも発光層を含む有機層の少なくとも一層を有版印刷法によって形成する工程と、
前記有機層上に第２電極を形成する工程とを含み、
前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差を０μｍ以上１μｍ以下とする
有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記赤色発光層および緑色発光層を形成したのち、
前記赤色発光層上および緑色発光層上の領域から青画素領域にわたって青色発光層を形成する、請求項１１に記載の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１３】
赤画素領域および緑画素領域に第１の発光層として黄色発光層を、青画素領域に第２の発光層として青色発光層をそれぞれ形成する、請求項１１に記載の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１４】
前記発光層を有版印刷法によって形成する、請求項１１に記載の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１５】
前記発光層を反転オフセット印刷法によって形成する、請求項１１に記載の有機電界発光装置の製造方法。
【請求項１６】
有機電界発光装置を備え、
前記有機電界発光装置は、
１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、前記有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、
隣り合う前記複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備え、
基板からの、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本技術の有機電界発光装置およびその製造方法によれば、１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置された発光素子の間に設けられた隔壁の高さを、有版印刷法によって印刷される被印刷面の高さとの差が０μｍ以上１μｍ以下となるようにした。これにより、印刷時における発光素子の発光層を含む有機層と、被印刷面との間への空気の入り込みが抑制され、正常な印刷パターンの転写が可能となり、良好な発光特性が得られるようになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成の一例を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置における隔壁および第１電極の構成を説明するための模式図である。
【図３】図１に示した表示装置の駆動基板の回路構成例を表す模式図である。
【図４】図１に示した表示装置の画素回路の一例を表す等価回路図である。
【図５】図１に示した駆動基板の構成例を表す断面図である。
【図６Ａ】図１に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｃに続く工程（Ｒ，Ｇ発光層の形成工程）を表す断面図である。
【図６Ｅ】図６Ｄに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｆ】図６Ｅに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｇ】図６Ｆに続く工程を表す断面図である。
【図７】図６Ｄに示した工程の具体的な手順を説明するための模式図である。
【図８】図７に続く工程を表す模式図である。
【図９】図８に続く工程を表す模式図である。
【図１０】図９に続く工程を表す模式図である。
【図１１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の構成の他の例を表す断面図である。
【図１２】変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１３】表示装置を用いたスマートフォンの構成を表す斜視図である。
【図１４】表示装置を用いたテレビジョン装置の構成を表す斜視図である。
【図１５】表示装置を用いたデジタルスチルカメラの構成を表す斜視図である。
【図１６】表示装置を用いたパーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。
【図１７】表示装置を用いたビデオカメラの外観を表す斜視図である。
【図１８】表示装置を用いた携帯電話機の構成を表す平面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ブランケットを用いた反転オフセット印刷法（以下、単に反転印刷法とする）では、ブランケット上に所定の印刷パターンを形成したのち、この印刷パターンを被印刷基板に転写する。具体的には、例えばブランケットの形状が略矩形状の場合には、任意の一端から他端へロール等を用いてブランケットを被印刷基板に徐々に押圧することによって印刷パターンが転写される。ここで、周辺に被印刷面よりも高い段差が形成された領域（即ち、凹部）に印刷する場合には、印刷パターンは凹部の底面よりも大きく形成される。具体的には、例えば図２に示した台形上の断面を有する隔壁１２の間に印刷する場合には、印刷パターンは隔壁１２の上辺までかかるように形成される。このよう印刷パターンが形成されたブランケットを用いて印刷した場合には、被印刷面と印刷パターンとの間に空気が入り込み、印刷パターンが正常に転写されなかったり、気泡が形成される虞がある。反転印刷法において印刷パターンを正常に転写するには、ブランケットを構成するブランケット基材のしなりと、印刷用の塗膜が形成されるシリコンゴムの変形とが重要になる。即ち、印刷パターンの転写不良の発生は、ブランケットの任意の一端（例えば隔壁１２ａ）から他端（例えば隔壁１２ｂ）に向かって押圧した場合に、この隔壁間（被印刷領域）においてブランケットの十分なしなりおよび変形が起こらず、隔壁１２ａの上面に接したブランケットが、隔壁１２ａの側面や第１電極１１に密着する前に、隔壁１２ｂの側面や上面に接するためと考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
最後に、駆動基板１０上の有機ＥＬ素子２Ｒ，２Ｇ，２Ｂを覆うように保護層１８を形成した後、接着層１９を介して封止基板２０を貼り合わせることにより、図１に示した表示装置１が完成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
これに対し、本実施の形態では、被印刷面（例えば第１電極１１）と、隔壁１２との段差を１μｍ以下とするとするようにした。これにより、印刷パターンが形成されたブランケットは、転写工程において、例えば隔壁１２Ａ側の上面から側面、被印刷面である第１電極１１から隔壁１２ｂの側面、上面の順に接触するようになる。即ち、開口部１２Ａの空気（印刷パターンと第１電極１１との間の空気）は被印刷面とブランケットとの押圧方向から徐々に除去されるため、被印刷面と印刷パターンとの間への空気の入り込み（気泡の残留）が抑制される。具体的には、印刷パターンにしわが寄る、入り込んだ空気が割れることにより印刷パターンが引き裂かれる、あるいは印刷パターンが第１電極上に転写されない等の転写不良の発生が抑制される。よって、印刷パターンを正常に転写することが可能となり、良好な発光特性を示す表示装置を提供することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、前記有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、隣り合う前記複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備え、基板からの、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である有機電界発光装置。
（２）前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は９０°である、前記（１）に記載の有機電界発光装置。
（３）前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は９０°未満である、前記（１）または（２）に記載の有機電界発光装置。
（４）前記隔壁の側面と前記第１電極とのなす角は２０°以上である、前記（３）に記載の有機電界発光装置。
（５）前記隔壁の高さは前記第１電極よりも高い、前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（６）前記第１電極の周縁部は前記隔壁によって覆われている、前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（７）赤画素、緑画素および青画素を含み、前記赤画素では赤色発光層、前記緑画素では緑色発光層、前記青画素では青色発光層がそれぞれ形成されている、前記（１）乃至（６）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（８）前記青色発光層は、前記赤色発光層上および前記緑色発光層上の領域まで延在して形成されている、前記（７）に記載の有機電界発光装置。
（９）赤画素、緑画素および青画素を含み、前記赤画素および前記緑画素では黄色発光層が設けられ、前記青画素では青色発光層が設けられている、前記（１）乃至（８）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（１０）前記有機層は、前記発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層および電子輸送層を少なくとも１層含む、前記（１）乃至（９）のいずれかに記載の有機電界発光装置。
（１１）複数の第１電極を１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅に形成する工程と、前記複数の第１電極の間に隔壁を形成する工程と、前記第１電極上に少なくとも発光層を含む有機層の少なくとも一層を有版印刷法によって形成する工程と、前記有機層上に第２電極を形成する工程とを含み、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差を０μｍ以上１μｍ以下とする有機電界発光装置の製造方法。
（１２）前記赤色発光層および緑色発光層を形成したのち、前記赤色発光層上および緑色発光層上の領域から青画素領域にわたって青色発光層を形成する、前記（１１）に記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１３）赤画素領域および緑画素領域に第１の発光層として黄色発光層を、青画素領域に第２の発光層として青色発光層をそれぞれ形成する、前記（１１）または（１２）に記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１４）前記発光層を有版印刷法によって形成する、前記（１１）乃至（１３）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１５）前記発光層を反転オフセット印刷法によって形成する、前記（１１）乃至（１４）のいずれかに記載の有機電界発光装置の製造方法。
（１６）有機電界発光装置を備え、前記有機電界発光装置は、１０μｍ以上６０μｍ以下のピッチ幅で配置されると共に、基板側から第１電極、少なくとも発光層を含む有機層および第２電極の順に積層され、前記有機層の少なくとも一層が有版印刷法によって形成された複数の発光素子と、隣り合う前記複数の発光素子の間に設けられた隔壁とを備え、基板からの、前記隔壁の高さと、前記有版印刷法による被印刷面の高さとの差は０μｍ以上１μｍ以下である電子機器。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013179873.tif 000028
【国際調査報告】
2013179873.tif 000029
2013179873.tif 000030
2013179873.tif 000031
2013179873.tif 000032