Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置および発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に第１の剥離層と、前記第１の剥離層上にトランジスタを含む層と、前記トランジスタに接続する画素電極を形成し、
前記画素電極の周縁を覆う隔壁を形成し、
前記隔壁上に光吸収材料からなるスペーサを形成し、
前記画素電極、前記隔壁、及び前記スペーサ上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に透光性を有する電極を形成し、
第２の基板上に第２の剥離層と、前記第２の剥離層上に着色層を形成し、
透光性を有する接着層で前記第１の基板と前記第２の基板を固定し、
前記第２の基板を剥離し、
前記着色層を介してレーザ光を前記スペーサに照射して、前記スペーサ上に接する固定部を形成し、
前記レーザ光の照射後に前記第１の基板を剥離することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の基板を剥離した後、第１の可撓性を有する基板を前記トランジスタを含む層に貼り付けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の基板を剥離した後、第２の可撓性を有する基板を前記着色層に貼り付けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記レーザ光の光軸に垂直な断面におけるビームプロファイルは、焦点位置においてトップフラット形状とすることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の基板及び前記第２の基板は、ガラス基板であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
第１の可撓性を有する基板上にトランジスタを含む層と、
前記トランジスタに接続する画素電極と、
前記画素電極の周縁を覆う隔壁と、
前記隔壁上にスペーサが設けられ、前記スペーサに接する固定部と、
着色層が設けられた第２の可撓性を有する基板と、
前記第１の可撓性を有する基板と前記第２の可撓性を有する基板との間を充填する接着層と、を有し、
前記固定部は、前記接着層及び前記スペーサと接し、且つ、前記スペーサと前記着色層との間に設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記スペーサは、光吸収材料であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記接着層は、前記画素電極上に重ねて設けられた有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に重ねて設けられた透光性を有する電極と、を覆うことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、第２の電極と、を有し、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に、発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第１の電極は、第１の金属と、前記第１の金属に接する導電性の介在物と、を有し、
前記介在物は第２の金属の酸化物を含み、
前記第２の金属の酸化物と前記発光性の有機化合物を含む層の間に、キャリア注入層を有する発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月9日(2015.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層を介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と重なる第１の電極と、
前記酸化物半導体層及び前記第１の電極に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記第１の電極と重なるゲート電極と、を有する半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上のソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層を介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と重なる第１の電極と、
前記酸化物半導体層及び前記第１の電極に接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して、前記第１の電極と重なるゲート電極と、
前記ゲート電極上の層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の開口部において、前記ゲート電極と電気的に接続される配線と、を有する半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上のゲート電極と、
前記ゲート電極に隣接するゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して隣接する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層に接するソースドレイン電極及びドレイン電極と、
前記ゲート絶縁層と前記酸化物半導体層との間に第１の電極と、を有し、
前記第１の電極は前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一方と重なる半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の電極が定電位または接地電位に接続された半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含んでなる酸化物半導体材料を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体装置を有する記憶装置。
【請求項７】
絶縁表面上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と重なる第１の電極を形成し、
前記酸化物半導体層及び前記第１の電極に接するゲート絶縁層を形成し、
前記第１の電極と重なるように、前記ゲート絶縁層上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層に、前記第１の電極に達するコンタクトホールを形成する半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上にソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を介して、前記ソース電極または前記ドレイン電極の一方と重なる第１の電極を形成し、
前記酸化物半導体層及び前記第１の電極に接するゲート絶縁層を形成し、
前記第１の電極と重なるように、前記ゲート絶縁層上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層の表面に平坦化処理を行う半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記平坦化処理は化学機械的研磨によって行う半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、酸化物半導体層と、ソース電極層と、ドレイン電極層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極層と、を有し、
前記絶縁層は、第１の膜厚を有する第１の領域と、前記第１の膜厚より小さい第２の膜厚を有する第２の領域と、を有し、
前記絶縁層は、トレンチを有し、
前記トレンチの底面は、前記第２の領域の上面に設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記トレンチの底面、前記トレンチの側面、及び前記第１の領域の上面に接して設けられ、
前記酸化物半導体層は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有し、
前記ソース電極層は、前記ソース領域と電気的に接続され、
前記ドレイン電極層は、前記ドレイン領域と電気的に接続され、
前記ゲート絶縁層は、前記酸化物半導体膜、前記ソース電極層、及び前記ドレイン電極層上に設けられ、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層上に設けられ、前記トレンチ内を充填するように設けられ、
前記チャネル形成領域は、前記酸化物半導体膜の表面に概略垂直なｃ軸を有する結晶を含み、前記トレンチの側面及び前記トレンチの底面と接する領域を有し、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域よりも不純物濃度が高く、前記第１の領域の上面と前記トレンチの側面が交わる上端コーナー部及び前記第１の領域の上面と接して設けられている半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、及び前記ゲート電極層と重畳しない前記酸化物半導体膜中に、前記ソース領域及び前記ドレイン領域よりも不純物濃度が高い領域を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記トレンチは、底面と側面が交わる下端コーナー部に曲面が形成されており、
前記下端コーナー部の曲面は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲率半径を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一部は、前記ゲート電極層と重畳している半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月23日(2015.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層に第１の熱処理を行って、前記酸化物半導体層中の水素、水又は水酸基を低減し、
前記酸化物半導体層に酸素を注入し、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に、酸化アルミニウムを含む絶縁層を形成し、
前記絶縁層を形成した後、第２の熱処理を行い、
前記絶縁層は、前記酸化物半導体層からの酸素の放出を防ぐ機能を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、結晶を有し、
前記酸素を注入することにより、前記結晶が壊されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、ＴＥＭ像により観察することができる結晶の格子を有し、
前記酸素を注入することにより、前記結晶の格子が壊されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる２つの物体にそれぞれ形成され、互いに間隔が異なる複数のラインが形成された格子マークが重なることによって生じる干渉縞を用いて、前記２つの物体の相対的な回転ずれを求める検出装置において、
前記異なる２つの物体にそれぞれ対応する位置に形成された一対の格子マークが重なることによって互いに干渉パターンが異なる３段以上に分かれた干渉縞が形成され、前記３段以上に分かれた干渉縞から所望の３段の前記干渉縞を検出する検出器と、
該検出器で検出された前記所望の３段の前記干渉縞のそれぞれのずれを求め、求めた前記所望の３段の前記干渉縞のそれぞれのずれから、前記異なる２つの物体の相対的なシフトずれおよび相対的な回転ずれ量を求める演算部と、
を有することを特徴とする検出装置。
【請求項２】
前記検出器で検出された前記干渉縞の検出領域から干渉縞の光強度のピーク部分または谷の部分の少なくとも一方を検出することで、前記異なる２つの物体の前記相対的なシフトずれおよび前記相対的な回転ずれ量を求めることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記異なる２つの物体にそれぞれ形成された一対の格子マークの一方は、３段に分かれており、３段に分けられたそれぞれの箇所に複数のラインが一定の間隔で形成された格子マークからなり、複数のラインはその間隔がそれぞれ互いに異なるものが形成され、
前記異なる２つの物体にそれぞれ形成された一対の格子マークの他方は、前記３段に分けられたそれぞれの箇所に形成された前記複数のラインの間隔とは異なる間隔のラインが形成された格子マークであることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項４】
複数の前記検出器を有し、
該複数の検出器は、前記異なる２つの物体にそれぞれ対応する位置に形成された複数の一対の格子マークが重なることによって生じる複数の干渉縞をそれぞれ検出し、
前記演算部は、複数の前記干渉縞の傾きから求めた前記異なる２つの物体の相対的な回転ずれ量から、前記検出器の回転量を求めることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項５】
型を用いて基板上に塗布された転写材料にパターンを形成するインプリント装置において、前記一対の格子マークの一方は前記型に形成され、他方は前記基板に形成された格子マークを検出することにより、前記型と前記基板の相対的なシフトずれおよび相対的な回転ずれ量を求める請求項１〜４のいずれか１項に記載の検出装置を備える、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項６】
前記一対の格子マークを検出することで求めた前記型と前記基板の前記シフトずれおよび前記回転ずれ量に基づいて、前記型と前記基板を補正、又は、前記回転ずれ量をオフセットとして管理してインプリントを行うことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記一対の格子マークとは異なる間隔を持つ複数のラインが形成された格子マークであって、前記基板を保持する基板ステージに設けられた基準プレートに前記格子マークが形成され、該格子マークと前記型に形成された格子マークとが重なることによって生じる干渉縞を前記検出器が検出することによって、前記型と前記基準プレートの位置ずれを求めることを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
異なる２つの物体にそれぞれ形成され、互いに間隔が異なる複数のラインが形成された格子マークが重なることによって生じる干渉縞を用いて、前記２つの物体の相対的な回転ずれを求める検出方法において、
前記異なる２つの物体にそれぞれ対応する位置に形成された一対の格子マークが重なることによって互いに干渉パターンが異なる３段以上に分かれた干渉縞が形成され、前記３段以上に分かれた干渉縞から所望の３段の前記干渉縞を検出することによって、検出された前記所望の３段の前記干渉縞のそれぞれのずれを求め、求めた前記所望の３段の前記干渉縞のそれぞれのずれから、前記異なる２つの物体の相対的なシフトずれおよび相対的な回転ずれ量を求めることを特徴とする検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の検出装置は、異なる２つの物体にそれぞれ形成され、互いに間隔が異なる複数のラインが形成された格子マークが重なることによって生じる干渉縞を用いて、前記２つの物体の相対的な回転ずれを求める検出装置において、前記異なる２つの物体にそれぞれ対応する位置に形成された一対の格子マークが重なることによって互いに干渉パターンが異なる３段以上に分かれた干渉縞が形成され、前記３段以上に分かれた干渉縞から所望の３段の前記干渉縞を検出する検出器と、該検出器で検出された前記所望の３段の前記干渉縞のそれぞれのずれを求め、求めた前記所望の３段の前記干渉縞のそれぞれのずれから、前記異なる２つの物体の相対的なシフトずれおよび相対的な回転ずれ量を求める演算部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月29日(2015.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理方法であって、基板に第１の層及び第２の層を含むゲート電極を形成する工程を含み、
前記基板に前記ゲート電極を形成する工程は、
ゲート誘電体を含む基板を反応チャンバ内に提供する工程と、
前記基板をプラズマ又はプラズマ発生ラジカルに露出せずに、前記ゲート誘電体に遷移金属化合物を含む前記第１の層を堆積する工程と、
前記第１の層を、励起された水素含有種に露出することにより、前記ゲート電極の仕事関数を増加させる工程であって、前記励起された水素含有種を生成するためのプラズマを生成するピーク間電圧が１１０∨以上である、工程と、
その後、遷移金属化合物を含む前記第２の層を堆積する工程と、を含み、
前記第１の層と、それに続く前記第２の層とを堆積する間に、酸素プラズマは、前記反応チャンバへ流入せず、酸素ガスは、前記反応チャンバへ流入しない、半導体処理方法。
【請求項２】
前記第１の層を前記励起された水素含有種に露出することは、
ａ）水素含有ガス及び少なくとも１つの不活性キャリアガスを有する水素含有ガスからなる群から選択されたガスを前記反応チャンバへ流入し、前記ガスにより前記反応チャンバの内部でイン−サイチュプラズマを形成すること、又は
ｂ）水素含有ガス及び少なくとも１つの不活性キャリアガスを有する水素含有ガスからなる群から選択されたガスをリモートプラズマ発生器へ流入してリモートプラズマを形成し、前記リモートプラズマを前記反応チャンバへ流入すること
を含む
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ゲート電極及び前記ゲート誘電体は、ゲートスタックを構成し、前記ゲートスタックの前記ゲート電極の仕事関数は、約４．８５ｅＶ以上である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記励起された水素含有種を発生するプラズマ電力は、約１７５Ｗ以上である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記励起された水素含有種を発生するプラズマ電力は、約２秒以上のパルスである請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の層を前記励起された水素含有種に露出する工程は、前記第２の層を堆積する前に、プラズマ‐エンハンスド原子層堆積により前記第１の層に膜を堆積することの一部である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
プラズマ‐エンハンスド原子層堆積により堆積される膜は、タンタル含有膜である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の層は、原子層堆積により堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の層は、プラズマ‐エンハンスド原子層堆積により堆積される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ａ）前記第１の層を堆積する工程と、前記第１の層を前記励起された水素含有種に露出する工程との間、
ｂ）前記第１の層を前記励起された水素含有種に露出する工程と、前記第２の層を堆積する工程との間、又は
ｃ）ａ）工程とｂ）工程との間に、
前記基板を前記反応チャンバ外の酸素含有ガスに露出する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板を前記酸素含有ガスに露出する工程は、前記基板を前記反応チャンバから搬出し、前記基板をクリーンルームエアに露出する工程を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の層及び前記第２の層の一方又は双方は、複数の金属サブレイヤーを含むラミネート層である請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
半導体処理方法であって、誘電体層を含む基板に金属電極を堆積する工程を含み、
前記金属電極を堆積する工程は、
前記誘電体層に金属材料を堆積する工程であって、前記金属材料を堆積する前駆体がプラズマ活性化されていない、工程と、
励起された水素含有種に前記金属材料を露出することにより、前記金属電極の仕事関数を増加させる工程であって、前記励起された水素含有種を生成するためのプラズマを発生するプラズマ電力が約１７５Ｗ以上である、工程と、
その後、前記金属材料を露出する工程の後に、前記金属材料にさらなる金属材料を堆積する工程と、を含み、
第１の層と、それに続く第２の層とを堆積する間に、前記金属材料と前記さらなる金属材料とを堆積する間に、酸素プラズマは、反応チャンバへ流入せず、酸素ガスは、前記反応チャンバへ流入しない、
半導体処理方法。
【請求項１４】
前記励起された水素含有種に前記金属材料を露出することは、
ａ）水素含有ガス及び少なくとも１つの不活性キャリアガスを有する水素含有ガスからなる群から選択されたガスを、前記基板を含む前記反応チャンバへ流入し、前記ガスにより前記反応チャンバの内部でイン−サイチュプラズマを形成すること、又は
ｂ）水素含有ガス及び少なくとも１つの不活性キャリアガスを有する水素含有ガスからなる群から選択されたガスを、リモートプラズマ発生器へ流入してリモートプラズマを形成し、前記リモートプラズマを、前記基板を含む前記反応チャンバへ流入すること
を含む
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記励起された水素含有種を生成するためのプラズマを生成するピーク間電圧は、１１０∨以上であり、前記励起された水素含有種を生成するためのプラズマ電力は、約２秒以上のパルスで印加される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記金属電極は、ゲートスタックの一部を構成し、前記ゲートスタックの前記金属電極の仕事関数は、前記励起された水素含有種に前記金属材料を露出せずに行われる同等の処理と比較して、約０．１５ｅ∨以上増加する請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上および前記第２の絶縁膜上に１００℃以上６００℃以下の基板温度で酸化物半導体膜を成膜し、
前記酸化物半導体膜を成膜した後、２５０℃以上６５０℃以下の温度で加熱処理を行い、
前記酸化物半導体膜上に第３の絶縁膜を成膜し、
前記第３の絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記第１の絶縁膜は、上面の高さが前記第２の絶縁膜の上面の高さと概略一致する領域を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記酸化物半導体膜に酸素を供給することができる機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、酸素の拡散を抑制することができる機能を有し、
前記第２の絶縁膜は、前記ゲート電極と重ならない領域を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、ＳｎおよびＺｎを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面上に形成された、結晶シリコン領域及び非晶質シリコン領域を含む第１のシリコン半導体領域と、
前記第１のシリコン半導体領域上に形成された第２のシリコン半導体領域と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面上に形成された、結晶シリコン領域及び非晶質シリコン領域を含む第３のシリコン半導体領域と、
前記第３のシリコン半導体領域上に形成された第４のシリコン半導体領域と、
前記第４のシリコン半導体領域上に形成された透光性導電膜と、
を一対の電極間に有し、
前記第２のシリコン半導体領域は、前記単結晶シリコン基板と同じ導電型を有し、
前記第２のシリコン半導体領域は、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度が高く、
前記第４のシリコン半導体領域は、前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のシリコン半導体領域及び前記第３のシリコン半導体領域に含まれる結晶シリコン領域は、前記単結晶シリコン基板の原子配列を受け継いだ結晶シリコンを含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のシリコン半導体領域、及び前記第３のシリコン半導体領域は、ｉ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第２のシリコン半導体領域は、非晶質シリコンまたは微結晶シリコンを含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第４のシリコン半導体領域は、非晶質シリコンまたは微結晶シリコンを含むことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに、他の出力端子が自らの入力端子に接続されることで、データの保持をおこなう一対のインバータと、
容量素子と、
前記インバータの少なくとも１つの上層に設けられ、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するスイッチング素子と、を有し、
前記容量素子の一方の電極は前記インバータの出力あるいは入力のいずれかに接続し、
前記容量素子の他方の電極は前記スイッチング素子のソースもしくはドレインのいずれか一方に接続し、
前記他方の電極は前記スイッチング素子がオフのとき、フローティング状態となり得る記憶素子。
【請求項２】
請求項１記載の記憶素子において、さらに第２の容量素子と、
前記インバータの少なくとも１つの上層に設けられ、前記第２の容量素子への前記データの書き込みを制御する第２のスイッチング素子と、を有し、
前記第２の容量素子の一方の電極は前記インバータの出力あるいは入力のいずれか他方に接続し、
前記第２の容量素子の他方の電極は、前記第２のスイッチング素子のソースもしくはドレインのいずれか一方に接続する記憶素子。
【請求項３】
前記スイッチング素子は、半導体層に少なくとも１つの凹部を有する請求項１または２に記載の記憶素子。
【請求項４】
前記スイッチング素子は、チャネル長が１μｍ以上である請求項１乃至３のいずれか一に記載の記憶素子。
【請求項５】
前記容量素子の容量が、前記スイッチング素子のゲート容量よりも小さい請求項１乃至４のいずれか一に記載の記憶素子。
【請求項６】
前記スイッチング素子は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有する請求項１乃至５のいずれか一に記載の記憶素子。
【請求項７】
請求項６において、前記酸化物半導体は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物である記憶素子。
【請求項８】
請求項６または７において、前記チャネル形成領域の水素濃度は、５×１０１９／ｃｍ３以下である記憶素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記一対のインバータのいずれか一方は、クロックドインバータである記憶素子。
【請求項１０】
演算回路と、前記演算回路からのデータを記憶する記憶装置とを有し、前記記憶装置は、請求項１乃至９のいずれか一に記載の記憶装置である信号処理回路。
【請求項１１】
ＣＰＵ、ＤＳＰ、またはマイクロコントローラを含むＬＳＩである請求項１０記載の信号処理回路。
【請求項１２】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の記憶素子において、
前記容量用スイッチング素子をオフとした状態で前記インバータの入力と出力の電位をともに第１の電位とする過程と、
前記容量用スイッチング素子をオンとする過程と、
前記インバータを活性状態とする過程とを有し、
前記第１の電位は、前記インバータが活性状態とした際に、前記インバータに印加される低い方の電位よりも高く、高い方の電位よりも低いことを特徴とする記憶素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電型基板と、
前記導電型基板上に配置され、第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と
前記第２半導体層との間の活性層を有する複数の発光セルと、
前記第１半導体層の側面及び前記活性層の側面を覆うように配置された保護層と、
一つ以上の前記発光セルの前記第２半導体層を相互接続させる第１電極と
を備え、
前記保護層は、
前記第１半導体層の側面及び前記活性層の側面から前記発光セルのそれぞれの内部に延在する突出部を有する、発光素子。
【請求項２】
前記第１半導体層及び前記活性層は、それぞれの側面から内部への第１溝を有し、前記保護層は、前記第１溝に挿入される前記突出部を有する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記保護層は、前記第２半導体層の側面の一部をさらに覆うように配置され、
前記保護層が覆う前記第２半導体層の側面の一部は、内部への第２溝を有し、前記第２溝を埋め込むように前記保護層の一部が延在する、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１電極は、隣接している発光セルの第２半導体層を相互接続させる、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１電極は、
前記第２半導体層の上部に配置される第２電極と、
隣接している発光セルのそれぞれの第２電極を相互接続させる接続電極と
を備える、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記接続電極は、前記第１半導体層の側面及び前記保護層上に配置されている、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１電極は、前記第２半導体層の側面に配置された第３電極をさらに備える、請求項５に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２電極は、前記第２半導体層の縁領域上に配置されている、請求項５に記載の発光素子。
【請求項９】
前記導電型基板は、
支持基板と、
前記支持基板上の反射層と、
前記支持基板と前記反射層との間の接合層と、
前記反射層上のオーミック層と
を備え、
前記保護層は前記オーミック層上に配置されている、請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記保護層は、前記オーミック層の側面を覆い、
前記保護層は、前記オーミック層の側面から内部に入り込む突起を有する、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記保護層は、
前記導電型基板の縁領域上に配置された第１サブ保護層と、
前記発光セルのそれぞれの側面の一部を覆うように前記導電型基板上に配置された第２サブ保護層と、
前記発光セルの間に位置する導電型基板上に配置された第３サブ保護層と
を備える、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
複数のサブ発光領域に区分されるように定義され、個別サブ発光領域に配置された第１半導体層、第２半導体層、及び前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された活性層を有する発光構造物と、
前記複数のサブ発光領域のそれぞれにおける発光構造物の側面に配置された保護層と、
一つ以上の前記サブ発光領域の前記第２半導体層を相互接続させる第１電極と、
前記第１半導体層の下部に配置され、前記それぞれのサブ発光領域の前記第１半導体層を共通に接続させる第２電極と
を備え、
前記発光構造物の側面は、
前記発光構造物の上面と隣接する第１面と、
前記発光構造物の下面と隣接し、前記第１面と段差を有する第２面と、
前記第１面と前記第２面とを接続する第３面と
を有し、
前記保護層は前記第２面及び前記第３面を覆う、発光素子。
【請求項１３】
前記第１面、前記第３面、及び前記第２面の一部は、前記第２半導体層の側面であり、前記第２面の残りの部分は、前記活性層及び前記第１半導体層の側面である、請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記保護層の外側面は、前記第１面と同一平面上に位置する、請求項１２または１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記保護層は、前記第２面と隣接する前記発光構造物の下面の縁領域を覆う、請求項１２乃至１４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記保護層は、前記第１電極が前記活性層及び前記第１半導体層と電気的に接触することを防ぐ、請求項１乃至１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第２電極は、前記発光構造物の下に配置される導電型基板を含む、請求項１２に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第２電極は、前記発光セルのそれぞれの第２半導体層の上面上に配置され、
前記接続電極は、第２半導体層の側面と前記保護層上に配置され、隣接する発光セルのそれぞれの第２電極を互いに接続させる、請求項５に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク（１２０）を介してデータを通信するためのシステム（１０）であって、
ホストプロセッサ（１４０）と、
無線チッププロセッサ（１３０）と、
部分的に前記ホストプロセッサ（１４０）上で且つ部分的に前記無線チッププロセッサ（１３０）上で実行されるネットワーク通信スタック（１００）と、
を備え、
前記ネットワーク通信スタック（１００）が、
前記ホストプロセッサ（１４０）上で実行されるネットワークレイヤ（１０６）と、
前記ホストプロセッサ（１４０）上で実行されるアプリケーションレイヤ（１０８）と、
前記無線チッププロセッサ（１３０）上で実行され、前記ネットワーク（１２０）とメッセージを送受信するように構成された物理（ＰＨＹ）レイヤ（１０２）と、
プログラムされた宛先アドレスを中に含み、前記無線チッププロセッサ（１３０）上で実行され、前記ＰＨＹレイヤ（１０２）からメッセージを受信するように構成された媒体アクセス制御（ＭＡＣ）レイヤ（１０４）と、
を含み、
前記ＭＡＣレイヤ（１０４）が、
前記メッセージに含まれる宛先アドレスを解析し、
前記メッセージに含まれる前記宛先アドレスが前記ＭＡＣレイヤ（１０４）内の前記プログラムされた宛先アドレスに一致するかどうかを判定する
ように構成されたソフトウェアを含み、
前記メッセージに含まれる前記宛先アドレスが前記ＭＡＣレイヤ（１０４）内の前記プログラムされた宛先アドレスに一致するという判定に応答して、前記ＭＡＣレイヤ（１０４）内の前記ソフトウェアが前記メッセージを、前記ネットワークレイヤ（１０６）および前記アプリケーションレイヤ（１０８）を含む前記ネットワーク通信スタック（１００）上の上位レイヤに送信するように構成され、前記ネットワーク通信スタック（１００）上の上位レイヤは、前記無線チッププロセッサ（１３０）とは異なる前記ホストプロセッサ（１４０）上で実行され、
前記メッセージに含まれる前記宛先アドレスが前記ＭＡＣレイヤ（１０４）内の前記プログラムされた宛先アドレスに一致しないという判定に応答して、前記ＭＡＣレイヤ（１０４）が前記ＰＨＹレイヤ（１０２）を介して前記メッセージを前記ネットワーク（１２０）に再送し、再送前に、前記ＭＡＣレイヤ（１０４）は、前記メッセージに関連付けられたホップカウンタを分析し、前記ホップカウンタが０以外の値に設定されているとの判定に応じて前記ホップカウンタをデクリメントするとともに前記ＰＨＹレイヤ（１０２）を介して前記ネットワークに前記メッセージを再送するが、前記ホップカウンタが０であることの判定に応じては前記メッセージを再送しない、
ように構成される、
システム（１０）。
【請求項２】
前記ネットワーク（１２０）が、無線周波（ＲＦ）高度計量インフラ（ＡＭＩ）ネットワークを備える、請求項１に記載のシステム（１０）。
【請求項３】
前記ＭＡＣレイヤ（１０４）がネットワークスタックに接続され、前記ネットワークスタックがアプリケーションに接続され、前記アプリケーションがユーティリティメータ（１１０）に接続される、請求項１に記載のシステム（１０）。
【請求項４】
無線周波（ＲＦ）高度計量インフラ（ＡＭＩ）ネットワーク（１２０）を介してデータを通信するための、ユーティリティメータ（１１０）を備えたシステム（１０）であって、
前記ユーティリティメータ（１１０）が、
ホストプロセッサ（１４０）と、
前記ホストプロセッサ（１４０）とは異なる無線チッププロセッサ（１３０）と、
部分的に前記ホストプロセッサ（１４０）上で且つ部分的に前記無線チッププロセッサ（１３０）上で実行されるネットワーク通信スタック（１００）と、
を備え、
前記ネットワーク通信スタック（１００）が、
前記ホストプロセッサ（１４０）上で実行されるネットワークレイヤ（１０６）と、
前記ホストプロセッサ（１４０）上で実行されるアプリケーションレイヤ（１０８）と、
前記無線チッププロセッサ（１３０）上で実行され、前記ネットワーク（１２０）とメッセージを送受信するように構成された物理（ＰＨＹ）レイヤ（１０２）と、
プログラムされた宛先アドレスを中に含み、前記無線チッププロセッサ（１３０）上で実行され、前記ＰＨＹレイヤ（１０２）からメッセージを受信するように構成された媒体アクセス制御（ＭＡＣ）レイヤ（１０４）と、
を含み、
前記ＭＡＣレイヤ（１０４）が、
前記メッセージに含まれる宛先アドレスを解析し、
前記メッセージに含まれる前記宛先アドレスが前記ＭＡＣレイヤ（１０４）内の前記プログラムされた宛先アドレスに一致するかどうかを判定する
ように構成されたソフトウェアを含み、
前記メッセージに含まれる前記宛先アドレスが前記ＭＡＣレイヤ（１０４）内の前記プログラムされた宛先アドレスに一致するという判定に応答して、前記ＭＡＣレイヤ（１０４）が前記メッセージを前記ネットワークレイヤ（１０６）に送信するように構成され、
前記メッセージに含まれる前記宛先アドレスが前記ＭＡＣレイヤ（１０４）内の前記プログラムされた宛先アドレスに一致しないという判定に応答して、前記ＭＡＣレイヤ（１０４）が前記ＰＨＹレイヤ（１０２）を介して前記メッセージを前記ネットワーク（１２０）に再送し、再送前に、前記ＭＡＣレイヤ（１０４）は、前記メッセージに関連付けられたホップカウンタを分析し、前記ホップカウンタが０以外の値に設定されているとの判定に応じて前記ホップカウンタをデクリメントするとともに前記ＰＨＹレイヤ（１０２）を介して前記ネットワークに前記メッセージを再送するが、前記ホップカウンタが０であることの判定に応じては前記メッセージを再送しない、
ように構成される、
システム（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月27日(2015.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、出力端子と、論理回路部と、トランジスタと、を有し、
前記入力端子は、トランジスタを介して、前記論理回路部と電気的に接続され、
前記出力端子は、前記論理回路部と電気的に接続され、
前記トランジスタは、オフ状態におけるリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０−１７Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の入力端子と、出力端子と、論理回路部と、複数のトランジスタと、を有し、
前記複数の入力端子の各々は、前記複数のトランジスタのいずれか一に対応し、該対応するトランジスタを介して前記論理回路部と電気的に接続され、
前記出力端子は、前記論理回路部と電気的に接続され、
前記トランジスタは、オフ状態におけるリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０−１７Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
入力端子と、出力端子と、第１の配線と、第２の配線と、論理回路部と、を有し、
前記論理回路部は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記入力端子は、前記論理回路部と電気的に接続され、
前記第１の配線は、前記第１のトランジスタを介して前記出力端子と電気的に接続され、
前記第２の配線は、前記第２のトランジスタを介して前記出力端子と電気的に接続され、
前記第１の配線は、高電位側電源電位を供給する機能を有し、
前記第２の配線は、低電位側電源電位を供給する機能を有し、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、オフ状態におけるリーク電流がチャネル幅１μｍあたり１×１０−１７Ａ以下のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、
容量素子と、
電界効果トランジスタ及びバイポーラトランジスタを有する電流増幅回路と、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記電界効果トランジスタは、前記バイポーラトランジスタとダーリントン接続されており、
前記トランジスタの第１端子にデータ信号が入力され、
前記トランジスタの第２端子と、前記電界効果トランジスタのゲートと、前記容量素子の一方の電極と、が電気的に接続されるデータ保持部では、前記トランジスタを非導通状態にすることで、前記データ信号のデータが保持され、
前記データ保持部に保持された前記データに応じて、前記電流増幅回路に流れる電流量が制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記データ信号は、前記トランジスタを非導通状態とする期間において、グラウンド電位とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記トランジスタのゲート端子は、前記トランジスタの導通状態を制御する制御信号が供給される配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記制御信号は、前記トランジスタを非導通状態とする期間において、グラウンド電位とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＺｎを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体を半導体層に有する第１のトランジスタ、第１の容量素子、及び第２のトランジスタを有する記憶回路を有し、
前記第１のトランジスタの第１端子は、データ入力線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、クロック信号線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２端子は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２端子は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記記憶回路に保持されたデータを読み出すための電荷を蓄積する第２の容量素子と、
電源電位線に電気的に接続され、前記第２の容量素子への電荷の蓄積を制御する電荷蓄積回路と、
前記第２の容量素子の第１の電極と前記第２のトランジスタの第１端子との導通状態または非導通状態を制御するデータ検出回路と、
タイミング制御回路と、
前記第２の容量素子の第１の電極の電位を反転して出力するインバータ回路と、を有し、
前記タイミング制御回路は、前記クロック信号線にクロック信号が供給される第１の期間において、前記クロック信号のトグル動作に応じて前記電荷蓄積回路と前記データ検出回路とが交互に導通状態となるように制御をし、且つ前記電源電位線に電源電圧が供給された直後の第２の期間において、前記電源電圧の信号と前記電源電圧の信号を遅延させた信号とにより、前記電荷蓄積回路による前記第２の容量素子への電荷の蓄積を制御するための信号を生成する半導体記憶装置。
【請求項２】
酸化物半導体を半導体層に有する第１のトランジスタ、第１の容量素子、及び第２のトランジスタを有する記憶回路を有し、
前記第１のトランジスタの第１端子は、データ入力線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、クロック信号線に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２端子は、前記第１の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２端子は、前記第２のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記記憶回路に保持されたデータを読み出すための電荷を蓄積する第２の容量素子と、
第１端子が電源電位線に電気的に接続され、第２端子が前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続された第３のトランジスタと、
第１端子が前記第２の容量素子の第１の電極に電気的に接続され、第２端子が前記第２のトランジスタの第１端子に電気的に接続された第４のトランジスタと、
タイミング制御回路と、
前記第２の容量素子の第１の電極の電位を反転して出力するインバータ回路と、を有し、
前記タイミング制御回路は、前記クロック信号線にクロック信号が供給される第１の期間において、前記クロック信号のトグル動作に応じて前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタとが交互に導通状態となるように制御をし、且つ前記電源電位線に電源電圧が供給された直後の第２の期間において、前記電源電圧の信号と前記電源電圧の信号を遅延させた信号とにより、前記第３のトランジスタを導通状態とするための信号を生成する半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記データ検出回路は、前記第２の容量素子に蓄積された前記電荷の放出の有無により、前記第２の容量素子の第１の電極の電位を前記データが反転した信号に変換する回路である半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のトランジスタはシリコンを半導体層に有する半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のトランジスタは、前記第２のトランジスタの上に位置する半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記電源電圧の信号を遅延させる回路は、遅延回路とバッファ回路とを有する半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記タイミング制御回路は、前記電源電圧の信号と前記電源電圧の信号を遅延させた信号とが入力される否定論理積回路と、前記否定論理積回路の出力信号と前記クロック信号とが入力される論理和回路とを有する半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上昇した血中低密度リポタンパク質コレステロール（ＬＤＬ−Ｃ）レベルによって特徴づけられる障害の処置において使用するための前駆タンパク質転換酵素サブチリシンケキシン９型（ＰＣＳＫ９）拮抗抗体であって、ＰＣＳＫ９拮抗抗体が、少なくとも３ｍｇ／ｋｇ、４ｍｇ／ｋｇ、５ｍｇ／ｋｇ、または６ｍｇ／ｋｇの初回用量として投与され、初回用量とほぼ同じまたはそれ未満の量の複数の後続用量で投与され、初回用量ならびに第１の後続用量および追加の後続用量が、互いに少なくとも４週間の時間間隔である抗体。
【請求項２】
上昇した血中低密度リポタンパク質コレステロール（ＬＤＬ−Ｃ）レベルによって特徴づけられる障害の処置において使用するための前駆タンパク質転換酵素サブチリシンケキシン９型（ＰＣＳＫ９）拮抗抗体であって、ＰＣＳＫ９拮抗抗体が、少なくとも２００ｍｇまたは３００ｍｇの初回用量として投与され、初回用量とほぼ同じまたはそれ未満の量の複数の後続用量で投与され、初回用量ならびに第１の後続用量および追加の後続用量が、互いに少なくとも４週間の時間間隔である抗体。
【請求項３】
上昇した血中低密度リポタンパク質コレステロール（ＬＤＬ−Ｃ）レベルによって特徴づけられる障害の処置において使用するための前駆タンパク質転換酵素サブチリシンケキシン９型（ＰＣＳＫ９）拮抗抗体であって、ＰＣＳＫ９拮抗抗体が、少なくとも５０ｍｇ、７５ｍｇ、１００ｍｇ、１４０ｍｇまたは１５０ｍｇの初回用量として投与され、初回用量とほぼ同じまたはそれ未満の量の複数の後続用量で投与され、初回用量ならびに第１の後続用量および追加の後続用量が、互いに少なくとも２週間の時間間隔である抗体。
【請求項４】
スタチンがＰＣＳＫ９拮抗抗体の初回用量の前に投与されている、請求項１から３のいずれか一項に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項５】
１日用量のスタチンを投与する、請求項４に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項６】
安定用量のスタチンが、ＰＣＳＫ９抗体の初回用量の前に、少なくとも２、３、４、５または６週間の間、投与されている、請求項４または５に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項７】
スタチンが、アトルバスタチン、セリバスタチン、フルバスタチン、ロバスタチン、メバスタチン、ピタバスタチン、プラバスタチン、ロスバスタチン、シンバスタチン、またはその任意の薬学的に許容できる塩もしくは立体異性体である、請求項４から６のいずれか一項に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項８】
スタチンの１日用量が、４０ｍｇのアトルバスタチン、８０ｍｇのアトルバスタチン、２０ｍｇのロスバスタチン、４０ｍｇのロスバスタチン、４０ｍｇのシンバスタチン、および８０ｍｇのシンバスタチンからなる群から選択される、請求項５に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項９】
障害が、高コレステロール血症、異常脂質血症、高脂血症、アテローム性動脈硬化症、心血管疾患、または急性冠症候群（ＡＣＳ）である、請求項１から８のいずれか一項に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項１０】
抗体が、配列番号１１に示すアミノ酸配列を有する重鎖可変領域からの３個のＣＤＲおよび配列番号１２に示すアミノ酸配列を有する軽鎖可変領域からの３個のＣＤＲを含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項１１】
抗体がＬ１Ｌ３である、請求項１０に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項１２】
抗体を皮下または静脈内投与する、請求項１から１１のいずれか一項に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項１３】
抗体を１カ月に１回または２回投与する、請求項１から１２のいずれか一項に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体。
【請求項１４】
請求項１から１３に記載のいずれか一項に記載のＰＣＳＫ９拮抗抗体を含む医薬組成物。
【請求項１５】
初回用量のＰＣＳＫ９拮抗抗体の投与前に７０ｍｇ／ｄＬ以上の空腹時総コレステロールレベルを有する患者を治療するための、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
初回用量のＰＣＳＫ９拮抗抗体の投与前に１３０ｍｇ／ｄＬ以上の空腹時ＬＤＬコレステロールレベルを有する患者を治療するための、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
容器と、ＰＣＳＫ９拮抗抗体を含む容器内の組成物と、少なくとも３ｍｇ／ｋｇ、６ｍｇ／ｋｇ、５０ｍｇ、７５ｍｇ、１００ｍｇ、１４０ｍｇ、１５０ｍｇ、２００ｍｇ、または３００ｍｇのＰＣＳＫ９拮抗抗体の初回用量、および初回用量と同量またはそれ未満である少なくとも１つの後続用量を投与する指示を含有する添付文書とを含み、初回用量および後続用量の投与が少なくとも２週間または４週間の時間間隔である製品。
【請求項１８】
添付文書が、ＰＣＳＫ９拮抗抗体をスタチンで処置されている個体に投与するための指示を含む、請求項１７に記載の製品。
【請求項１９】
スタチンが、アトルバスタチン、セリバスタチン、フルバスタチン、ロバスタチン、メバスタチン、ピタバスタチン、プラバスタチン、ロスバスタチン、シンバスタチン、またはその任意の薬学的に許容できる塩もしくは立体異性体である、請求項１８に記載の製品。
【請求項２０】
指示が、静脈内または皮下注射によって初回用量を投与し、静脈内または皮下注射によって少なくとも１つの後続用量を投与するためのものである、請求項１７から１９のいずれか一項に記載の製品。
【請求項２１】
複数の後続用量を投与する、請求項１７から２０のいずれか一項に記載の製品。
【請求項２２】
組成物が上昇した血中低密度リポタンパク質コレステロールレベルによって特徴づけられる状態を処置するために使用できることを示す、容器上に存在するまたはそれに付随するラベルをさらに含む、請求項１７から２１のいずれか一項に記載の製品。
【請求項２３】
ラベルが、組成物を高コレステロール血症、アテローム生成的異常脂質血症、高脂血症、アテローム性動脈硬化症、心血管疾患、または急性冠症候群（ＡＣＳ）の処置に使用できることを示す、請求項１７から２２のいずれか一項に記載の製品。
【請求項２４】
抗体がＬ１Ｌ３である、請求項１７から２３のいずれか一項に記載の製品。