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【手続補正書】
【提出日】平成27年10月27日(2015.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣ基板上に形成されたパッドと、
前記パッド及び前記ＩＣ基板の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記パッド上に位置するビアホールと、
前記ビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する金属層と、
前記金属層上に形成された無電解Ｎｉめっき層と、
前記パッシベーション膜上に形成され、前記金属層及び前記無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に形成された樹脂層と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記樹脂層は前記金属層及び前記無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に斜面を有するように形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記金属層は前記樹脂層に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記金属層は、アンダーバンプメタル層とＣｕ層またはＣｕ合金層とを積層した層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記樹脂層は、前記金属層の外周を囲むリング形状を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記無電解Ｎｉめっき層上に形成されたバンプを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ＩＣ基板上に形成された第１のパッド及び第２のパッドと、
前記第１のパッド、前記第２のパッド及び前記ＩＣ基板の上に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜に形成された、前記第１のパッド上に位置する第１のビアホールと、
前記パッシベーション膜に形成された、前記第２のパッド上に位置する第２のビアホールと、
前記第１のビアホール内及び前記パシベーション膜上に形成された樹脂層と、
前記樹脂層に形成された、前記第１のパッドの上に位置する第３のビアホールと、
前記第３のビアホール内及び前記樹脂層上に形成された第１の金属層と、
前記第２のビアホール内及び前記パッシベーション膜上に形成された、前記パッシベーション膜と接する第２の金属層と、
前記第２の金属層上に形成された無電解Ｎｉめっき層と、
を具備し、
前記樹脂層は、前記第２の金属層及び前記無電解Ｎｉめっき層それぞれの外周端面部と前記パッシベーション膜との間に、斜面を有するように形成された部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記樹脂層は応力緩和層であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月20日(2015.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有するベースフィルムと、
前記ベースフィルムの表面に設けられる配線パターンと、
光を鏡面反射または乱反射させる表面性状を有し、前記ベースフィルムおよび前記配線パターンを覆うカバーフィルムと、
を有し、
前記カバーフィルムは、金属材料からなる基材と、前記基材の両面に設けられる略透明な保護膜とを有し、前記基材の表面性状によって光を鏡面反射または乱反射させることを特徴とする発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項２】
前記カバーフィルムの表面には、凹凸が設けられることを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項３】
前記凹凸は、深さが１５〜８０μｍの凹部が１００〜３０００μｍのピッチで並ぶことにより形成されることを特徴とする請求項２に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項４】
前記カバーフィルムの前記基材は、前記配線パターンに含まれるグラウンド配線と、電気的に接続していることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項５】
前記カバーフィルムには貫通孔が形成されるとともに、前記貫通孔には導電ペーストが充填され、
前記カバーフィルムの前記基材は、前記グラウンド配線と、前記導電ペーストによって電気的に接続していることを特徴とする請求項４に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項６】
前記ベースフィルムは、金属材料からなる基材と、前記基材の両面に設けられる保護膜と、を有し、
前記ベースフィルムの前記基材は、前記配線パターンに含まれるグラウンド配線と、電気的に接続していることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項７】
前記ベースフィルムには貫通孔が形成され、
前記貫通孔には導電ペーストが充填され、
前記ベースフィルムの前記基材は、前記グラウンド配線と、前記導電ペーストによって電気的に接続していることを特徴とする請求項６に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項８】
前記カバーフィルムと前記グラウンド配線と前記ベースフィルムとを貫通する貫通孔が形成され、
前記貫通孔には導電ペーストが充填され、
前記カバーフィルムの前記基材と前記ベースフィルムの前記基材とは、前記グラウンド配線と、前記導電ペーストによって電気的に接続していることを特徴とする請求項６に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項９】
前記カバーフィルムの表面には、略白色の反射膜が設けられることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項１０】
前記カバーフィルムの表面には、略白色の反射膜が設けられ、前記カバーフィルムに形成される前記貫通孔に充填されている前記導電ペーストは、前記反射膜により覆われることを特徴とする請求項５または８に記載の発光素子実装用フレキシブル回路基板。
【請求項１１】
可撓性を有するベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に設けられる配線パターンと、光を鏡面反射または乱反射させる表面性状を有し前記ベースフィルムおよび前記配線パターンを覆うカバーフィルムと、を有する発光素子実装用フレキシブル回路基板と、
前記発光素子実装用フレキシブル回路基板に実装される発光素子と、
を有し、
前記カバーフィルムは、金属材料からなる基材と、前記基材の両面に設けられる略透明な保護膜とを有し、前記基材の表面性状によって光を鏡面反射または乱反射させ、
前記カバーフィルムの前記基材は、前記配線パターンに含まれるグラウンド配線と、電気的に接続していることを特徴とするＬＥＤ照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記課題を解決するため、本発明の発光素子実装用フレキシブル回路基板は、可撓性を有するベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に設けられる配線パターンと、光を鏡面反射または乱反射させる表面性状を有し、前記ベースフィルムおよび前記配線パターンを覆うカバーフィルムと、を有し、前記カバーフィルムは、金属材料からなる基材と、前記基材の両面に設けられる略透明な保護膜とを有し、前記基材の表面性状によって光を鏡面反射または乱反射させることを特徴とする。
また、本発明のＬＥＤ照明装置は、可撓性を有するベースフィルムと、前記ベースフィルムの表面に設けられる配線パターンと、光を鏡面反射または乱反射させる表面性状を有し前記ベースフィルムおよび前記配線パターンを覆うカバーフィルムと、を有する発光素子実装用フレキシブル回路基板と、前記発光素子実装用フレキシブル回路基板に実装される発光素子と、を有し、前記カバーフィルムは、金属材料からなる基材と、前記基材の両面に設けられる略透明な保護膜とを有し、前記基材の表面性状によって光を鏡面反射または乱反射させ、前記カバーフィルムの前記基材は、前記配線パターンに含まれるグラウンド配線と、電気的に接続していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月20日(2015.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イヤホンジャックと、前記イヤホンジャックを通じて通話が行われるとき、前記イヤホンジャックを通じない音声制御とは異なる音声制御を行う制御部とを有することを特徴とする携帯電話。
【請求項２】
軟骨伝導部を有し、前記制御部は、前記イヤホンジャックへの出力と前記軟骨伝導部への出力において異なるイコライズを行なうことを特徴とする請求項１記載の携帯電話。
【請求項３】
前記制御部は、前記イヤホンジャックに対し２０ｋＨｚまでの広域に渡る気導音イコライズを行なうとともに、前記軟骨伝導部には７ｋＨｚまでの軟骨伝導イコライズを行なうことを特徴とする請求項２記載の携帯電話。
【請求項４】
前記イヤホンジャックを通じて通話がおこなわれるとき、前記制御部は前記イヤホンジャックに対し７ｋＨｚまでのイコライズを行なうことが可能であることを特徴とする請求項３記載の携帯電話。
【請求項５】
外耳道閉鎖状態を判定する判定手段を有し、前記制御部は前記判定手段が外耳道閉鎖状態であることを判定したとき出力音声に自声をキャンセルする信号を重畳することを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の携帯電話。
【請求項６】
前記イヤホンジャックを通じて通話がおこなわれるとき、前記判定手段が外耳道閉鎖状態であると看做して前記イヤホンジャックへの出力音声に自声をキャンセルする信号を重畳することを特徴とする請求項５記載の携帯電話。
【請求項７】
軟骨伝導部と、イヤホンジャックと、前記イヤホンジャックへの音声信号の出力と前記軟骨伝導部への音声信号の出力において異なるイコライズを行なう制御部とを有することを特徴とする携帯電話。
【請求項８】
前記制御部は、前記イヤホンジャックへの音声信号の出力に対し２０ｋＨｚまでの広域に渡る気導音イコライズを行なうとともに、前記軟骨伝導部への音声信号の出力においては７ｋＨｚまでの軟骨伝導イコライズを行なうことを特徴とする請求項７記載の携帯電話。
【請求項９】
イヤホンジャックと、前記イヤホンジャックを通じて通話がおこなわれるとき、イヤホンジャックへの出力音声に自声をキャンセルする信号を重畳する制御部とを有することを特徴とする携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信ネットワークと公衆電話ネットワークに接続されるホストコンピュータ、計測されるべき情報の計測器と接続された無線通信メータ、該無線通信メータは、無線通信ネットワークを介してホストコンピュータと計測情報を通信するとともに、無線通信ネットワークを介してホストコンピュータと通信できない地域では、公衆電話ネットワークを介して、ホストコンピュータと通信するため、前記無線通信メータの複数と交信できる無線通信回路と、ホストコンピュータとデータ伝送可能な通信制御回路を、電話回線に接続できるようにしたことを特徴とする計測情報の集計管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実施形態例として、ここでは、無線通信手段としてはPHSを実施例に記載しているが、３G、４G携帯ネットワークあるいはこれに類似の独自に構築した通信回線のような無線通信ネットワークでも適用可能である。ただしメータの電力は電気メータ以外では、電池に頼る必要があり、低消費電力で駆動できる点ではPHSが有利である。さらに、無線通信ネットワークのサービスエリア外での適用を考えてみても、自営基地局の配置が容易である点でPHSは有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前処理計算機１３０内には、寸法変動量ΔＣＤ（ｘ）演算部１０、取得部１２、近接効果補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）演算部１４、照射量密度ρ＋（ｘ）マップ作成部１６、最大照射量密度ρ＋max（ｘ）マップ作成部１８、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）演算部２０、最大照射量密度ρ＋＋max（ｘ）マップ作成部２２、判定部２４、照射量Ｄ＋（ｘ）マップ作成部３０、最大照射量Ｄ＋max（ｘ）マップ作成部３２、最大照射量Ｄ＋＋max（ｘ）マップ作成部３４、判定部３６、及び出力部４０が配置される。寸法変動量ΔＣＤ（ｘ）演算部１０、取得部１２、近接効果補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）演算部１４、照射量密度ρ＋（ｘ）マップ作成部１６、最大照射量密度ρ＋max（ｘ）マップ作成部１８、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）演算部２０、最大照射量密度ρ＋＋max（ｘ）マップ作成部２２、判定部２４、照射量Ｄ＋（ｘ）マップ作成部３０、最大照射量Ｄ＋max（ｘ）マップ作成部３２、最大照射量Ｄ＋＋max（ｘ）マップ作成部３４、判定部３６、及び出力部４０といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。寸法変動量ΔＣＤ（ｘ）演算部１０、取得部１２、近接効果補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）演算部１４、照射量密度ρ＋（ｘ）マップ作成部１６、最大照射量密度ρ＋max（ｘ）マップ作成部１８、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）演算部２０、最大照射量密度ρ＋＋max（ｘ）マップ作成部２２、判定部２４、照射量Ｄ＋（ｘ）マップ作成部３０、最大照射量Ｄ＋max（ｘ）マップ作成部３２、最大照射量Ｄ＋＋max（ｘ）マップ作成部３４、判定部３６、及び出力部４０に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１３２にその都度格納される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図３は、実施の形態１におけるドーズ変調量ＤＭデータの一例を示す図である。図２に示すように、レイアウトデータ内の複数の図形パターンについて、図形毎に、指標番号（識別子）が付与される。そして、ドーズ変調量ＤＭデータは、図３に示すように、各指標番号に対するドーズ変調量ＤＭとして定義される。図３では、例えば、指標番号２０の図形パターンについて、ドーズ変調量ＤＭが１００％と定義される。指標番号２１の図形パターンについて、ドーズ変調量ＤＭが１２０％と定義される。指標番号２２図形パターンについて、ドーズ変調量ＤＭが１４０％と定義される。かかるドーズ変調量ＤＭデータは、ユーザ或いは補正ツール等で設定されたドーズ変調量ＤＭの各データとそれぞれ対応する図形パターンの指標番号を入力し、対応させたデータを作成すればよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図４は、実施の形態１における描画方法の要部工程を示すフローチャート図である。図４では、特に、電子ビームの照射量チェック方法に重点を置いて示している。図４において、寸法変動量ΔＣＤ（ｘ）演算工程（Ｓ１０４）と、取得工程（Ｓ１０６）と、近接効果補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）演算工程（Ｓ１０８）と、照射量密度ρ＋（ｘ）マップ作成工程（Ｓ１１０）と、最大照射量密度ρ＋max（ｘ）マップ作成工程（Ｓ１１２）と、照射量Ｄ＋（ｘ）マップ作成工程（Ｓ１２０）と、最大照射量Ｄ＋max（ｘ）マップ作成工程（Ｓ１２２）と、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）演算工程（Ｓ１３０）と、最大照射量密度ρ＋＋max（ｘ）マップ作成工程（Ｓ１３２）と、判定工程（Ｓ１３４）と、最大照射量Ｄ＋＋max（ｘ）マップ作成工程（Ｓ１４２）と、判定工程（Ｓ１４４）と、描画工程（Ｓ１５０）と、いった一連の工程を実施する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ここで、基準照射量ＤＢ’は上述したようにローディング効果補正も考慮されたＤＢ’が用いられる。また、面積密度ρ（ＤＭ：ｘ）は、記憶装置１４４から読み出せばよい。照射量密度ρ＋（ｘ）は、近接効果及びローディング効果に起因する寸法変動を補正する照射量密度である。そして、照射量密度ρ＋（ｘ）は、式（３）に示すように、基準照射量ＤＢ’と、近接効果及びローディング効果に起因する寸法変動を補正する近接効果補正照射係数Ｄｐ’（ｘ）（照射量係数の一例）と、前記ドーズ変調量で重み付けされたパターン面積密度ρ（ＤＭ：ｘ）と、を用いて定義される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）演算工程（Ｓ１３０）として、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）演算部２０は、記憶装置１４４から面積密度ρ（ＤＭ：ｘ）を読み出し、さらに、得られたη’，Ｄｐ’（ｘ）を用いて、かぶり効果を補正するためのかぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）を演算する。かぶり効果補正照射係数Ｄｆ’（ｘ）は、以下の式（４）を解くことで求めることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
前処理計算機１３０内に配置される寸法変動量ΔＣＤ（ｘ）演算部１０、ローディング効果補正照射係数ＤＬ（ｘ）演算部４２、近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）演算部１５、照射量密度ρ＋（ｘ）マップ作成部１７、最大照射量密度ρ＋max（ｘ）マップ作成部１８、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）演算部２０、最大照射量密度ρ＋＋max（ｘ）マップ作成部２２、判定部２４、及び照射量Ｄ＋（ｘ）マップ作成部３１、最大照射量Ｄ＋max（ｘ）マップ作成部３２、最大照射量Ｄ＋＋max（ｘ）マップ作成部３４、判定部３６、及び出力部４０といった機能は、電気回路等のハードウェアで構成されてもよいし、これらの機能を実行するプログラム等のソフトウェアで構成されてもよい。或いは、ハードウェアとソフトウェアの組み合わせにより構成されてもよい。寸法変動量ΔＣＤ（ｘ）演算部１０、ローディング効果補正照射係数ＤＬ（ｘ）演算部４２、近接効果補正照射係数Ｄｐ（ｘ）演算部１５、照射量密度ρ＋（ｘ）マップ作成部１７、最大照射量密度ρ＋max（ｘ）マップ作成部１８、かぶり効果補正照射係数Ｄｆ（ｘ）演算部２０、最大照射量密度ρ＋＋max（ｘ）マップ作成部２２、判定部２４、及び照射量Ｄ＋（ｘ）マップ作成部３１、最大照射量Ｄ＋max（ｘ）マップ作成部３２、最大照射量Ｄ＋＋max（ｘ）マップ作成部３４、判定部３６、及び出力部４０に入出力される情報および演算中の情報はメモリ１３２にその都度格納される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月17日(2015.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】波長掃引光源のモードホップ検出装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、この問題を解決し、より精度良くモードホップを検出できる波長掃引光源のモードホップ検出装置を提供することを目的としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出射光の波長を所定範囲内で連続的に且つ周期的に掃引させる波長掃引光源（２０）の出射光を受けて２分岐し、長さが所定長異なる光路を伝搬させて合波する光干渉部（３１）と、
前記干渉部で合波された光を受光する受光器（３２）と、
前記波長掃引光源による波長掃引と前記干渉部の光路長差に起因して前記受光器の出力に現れるビート信号に対するスペクトラム解析を行うスペクトラム解析部（３５）と、
前記スペクトラム解析部で得られたビート信号のフロアノイズレベルに基づいて、モードホップの有無を判定するモードホップ判定部（３６）とを備えた波長掃引光源のモードホップ検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月12日(2015.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体単結晶基板からなるボンドウェーハに酸化膜を形成し、該酸化膜を通して水素および希ガスのうち少なくとも１種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハにイオン注入層を形成し、該ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハ表面とを前記酸化膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離することによりＳＯＩウェーハを作製するＳＯＩウェーハの製造方法において、
貼り合わせ前に前記ボンドウェーハに形成する酸化膜を、貼り合わせ面の酸化膜よりも背面の酸化膜を厚くし、該背面の酸化膜を厚くしたボンドウェーハにイオン注入した後、ベースウェーハと貼り合わせることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記ボンドウェーハの酸化膜の形成は、ボンドウェーハの全面に熱酸化膜を形成した後、該ボンドウェーハの貼り合わせ面側の熱酸化膜を除去することによって背面のみに熱酸化膜を有するボンドウェーハを作製し、該背面のみに熱酸化膜を有するボンドウェーハの全面を熱酸化することによって行うことを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記ボンドウェーハの貼り合わせ面側の熱酸化膜を除去した後に、該貼り合わせ面側を研磨する工程を含み、その後全面の熱酸化を行うことを特徴とする請求項２に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記ボンドウェーハとして、イオン注入層で剥離後のボンドウェーハを再生加工して作製したウェーハを用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記再生加工において、前記剥離後のボンドウェーハの背面酸化膜を除去しないことを特徴とする請求項４に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記イオン注入として、水素イオンとヘリウムイオンの共注入を行い、該共注入においてヘリウムイオンを水素イオンよりも深い位置に注入することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のＳＯＩウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明は、
半導体単結晶基板からなるボンドウェーハに酸化膜を形成し、該酸化膜を通して水素および希ガスのうち少なくとも１種類のガスイオンをイオン注入して前記ボンドウェーハにイオン注入層を形成し、該ボンドウェーハのイオン注入した表面とベースウェーハ表面とを前記酸化膜を介して貼り合わせた後、前記イオン注入層で前記ボンドウェーハを剥離することによりＳＯＩウェーハを作製するＳＯＩウェーハの製造方法において、
貼り合わせ前に前記ボンドウェーハに形成する酸化膜を、貼り合わせ面の酸化膜よりも背面の酸化膜を厚くし、該背面の酸化膜を厚くしたボンドウェーハにイオン注入した後、ベースウェーハと貼り合わせることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月3日(2015.11.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に接して設けられた酸化物半導体膜を最表面に有する試料について、
前記酸化物半導体膜の膜厚及びシート抵抗を測定する第１の工程と、
前記酸化物半導体膜の一部をエッチングする第２の工程と、
一部がエッチングされた酸化物半導体膜の膜厚及びシート抵抗を測定する第３の工程と、をこの順で行い、
前記第１の工程により測定された前記酸化物半導体膜の膜厚及びシート抵抗と、前記第３の工程により測定された前記酸化物半導体膜の膜厚及びシート抵抗とを比較することにより、前記酸化物半導体膜の厚さ方向の導電性の評価を行う評価方法。
【請求項２】
絶縁表面上に接する酸化物半導体膜を形成し、前記酸化物半導体膜上に導電膜を形成し、前記導電膜を除去する試料作製工程と、
前記酸化物半導体膜の膜厚及びシート抵抗を測定する第１の工程と、
前記酸化物半導体膜の一部をエッチングする第２の工程と、
一部がエッチングされた酸化物半導体膜の膜厚及びシート抵抗を測定する第３の工程と、をこの順で行い、
前記第１の工程により測定された前記酸化物半導体膜の膜厚及びシート抵抗と、前記第３の工程により測定された前記酸化物半導体膜の膜厚及びシート抵抗とを比較することにより、前記酸化物半導体膜の厚さ方向の導電性の評価を行う評価方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の工程及び前記第３の工程における前記酸化物半導体膜の膜厚は、分光エリプソメトリー法を用いて測定する評価方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の工程及び前記第３の工程における前記酸化物半導体膜のシート抵抗は、四探針法を用いて測定する評価方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第２の工程における前記酸化物半導体膜のエッチングは、ウェットエッチング法を用いる評価方法。
【請求項６】
第１の処理室、第２の処理室、及び第３の処理室、並びに、前記第１の処理室、前記第２の処理室、及び前記第３の処理室のそれぞれに試料を搬入出する搬送機構を有し、
前記第１の処理室は、前記試料に対して非接触又は非破壊で膜厚が測定できる装置を有し、
前記第２の処理室は、シート抵抗測定装置を有し、
前記第３の処理室は、ウェットエッチング装置を有し、
前記第３の処理室は、前記第１の処理室及び前記第２の処理室と仕切られている評価装置。
【請求項７】
連結室と、前記連結室に試料を供給するロードロック室と、前記連結室にそれぞれ開口部が接続する第１の処理室、第２の処理室、及び第３の処理室と、を有し、
前記連結室は、前記第１の処理室、前記第２の処理室、及び前記第３の処理室のそれぞれに試料を搬入出する搬送機構を有し、
前記第１の処理室は、前記試料に対して非接触又は非破壊で膜厚が測定できる装置を有し、
前記第２の処理室は、シート抵抗測定装置を有し、
前記第３の処理室は、ウェットエッチング装置を有し、
前記連結室と接続する前記第３の処理室の開口部にゲートを有する評価装置。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記第１の処理室が有する前記装置は、分光エリプソメーターまたは光干渉式の膜厚測定装置である評価装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記シート抵抗測定装置は、四探針プローブを有する評価装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹部が形成された接続パッドと、
前記接続パッドの凹部の上に開口部を備え、前記開口部の側壁の下端から前記開口部の内側に向けて突出する突出部を有する保護絶縁層と、
前記開口部内の前記接続パッドの上に形成された金属層と、
前記金属層の上に形成されたバンプ電極とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記金属層は、前記接続パッドの上と前記突出部の上とに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記金属層の周縁は、中央よりも盛り上がっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記金属層の周縁の高さが最も高い部分は、前記保護絶縁層の開口部の側壁から内側に離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項５】
前記金属層は、無電解めっき層又は電解めっき層であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記接続パッドは銅から形成され、前記金属層はニッケルから形成され、前記バンプ電極ははんだから形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
接続パッドを備えた配線基板を用意する工程と、
前記接続パッドの上に開口部を備え、前記開口部の側壁の下端から前記開口部の内側に向けて突出する突出部を有する保護絶縁層を前記配線基板の上に形成する工程と、
前記開口部を通して前記接続パッドの表面に、前記突出部の下面を露出させて凹部を形成する工程と、
前記接続パッドの上に金属層を形成する工程と、
前記金属層の上にバンプ電極を形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記金属層を形成する工程において、
前記金属層は、前記接続パッドの上と前記突出部の上とに形成されることを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属層を形成する工程において、
前記金属層の周縁は、中央よりも盛り上がって形成されることを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記金属層の周縁の高さが最も高い部分は、前記保護絶縁層の開口部の側壁から内側に離れた位置に配置されることを特徴とする請求項９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記金属層を形成する工程において、
前記金属層は、無電解めっき又は電解めっきによって形成されることを特徴とする請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記接続パッドは銅から形成され、前記金属層はニッケルから形成され、前記バンプ電極ははんだから形成されることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、表面に凹部が形成された接続パッドと、前記接続パッドの凹部の上に開口部を備え、前記開口部の側壁の下端から前記開口部の内側に向けて突出する突出部を有する保護絶縁層と、前記開口部内の前記接続パッドの上に形成された金属層と、前記金属層の上に形成されたバンプ電極とを有する配線基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
接続パッドを備えた配線基板を用意する工程と、前記接続パッドの上に開口部を備え、前記開口部の側壁の下端から前記開口部の内側に向けて突出する突出部を有する保護絶縁層を前記配線基板の上に形成する工程と、前記開口部を通して前記接続パッドの表面に、前記突出部の下面を露出させて凹部を形成する工程と、前記接続パッドの上に金属層を形成する工程と、前記金属層の上にバンプ電極を形成する工程とを有する配線基板の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）方式のＲｅｌｅａｓｅ-１０において、図５（ａ）に示すように、２０ＭＨｚを超える広帯域通信（例えば、１００ＭＨｚの通信）を実現するために、同一の無線基地局ｅＮＢ配下の複数のＣＣ（Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ  Ｃａｒｒｉｅｒ：コンポーネントキャリア）を束ねて通信を行うＣＡ（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ａｇｇｒｅｇａｔｉｏｎ：キャリアアグリゲーション）が導入された。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月15日(2015.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ感度特性を有する同色の複数の第１の画素から出力される第１の画像信号を第１の増幅率で増幅し、増幅された前記第１の画像信号を用いて補間を行い第１の補間画像信号を生成する第１の補間画像生成部と、
前記第１の画素とは同色の画素であって、同じ感度特性を有する複数の第２の画素から前記第１の画像信号と同一の露光によって出力される第２の画像信号を前記第１の増幅率とは異なる第２の増幅率で増幅し、増幅された前記第２の画像信号を用いて補間を行い第２の補間画像信号を生成する第２の補間画像生成部と、
生成された前記第１の補間画像信号及び前記第２の補間画像信号を同じ感度特性に変換する感度特性変換部と、
前記感度特性変換部により変換された前記第１の補間画像信号及び前記第２の補間画像信号の一方を画素毎に選択することで合成画像を生成する画像合成部とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第１の画素と前記第２の画素とは同じ感度特性を有し、
前記第１の画素から出力される前記第１の画像信号及び前記第２の画素から出力される前記第２の画像信号を異なる増幅率で増幅する増幅部を有することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１の補間画像信号及び前記第２の補間画像信号の信号レベルを閾値と比較し、比較結果を示す判定情報を出力する閾値判定部と、
前記画像合成部での画像合成を制御する合成制御信号を生成する合成制御部とを有し、
前記合成制御部は、前記閾値判定部からの判定情報と、前記第１の補間画像生成部及び前記第２の補間画像生成部の補間動作を制御する補間情報とに基づいて前記合成制御信号を生成することを特徴とする請求項１又は２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像合成部は、前記合成制御信号に基づいて、前記第１の補間画像信号又は前記第２の補間画像信号を画素毎に選択して合成し前記合成画像を生成することを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
同じ感度特性を有する同色の複数の第１の画素から出力される第１の画像信号を第１の増幅率で増幅し、増幅された前記第１の画像信号を用いて補間を行い第１の補間画像信号を生成する第１の補間画像生成工程と、
前記第１の画素とは同色の画素であって、同じ感度特性を有する複数の第２の画素から前記第１の画像信号と同一の露光によって出力される第２の画像信号を前記第１の増幅率とは異なる第２の増幅率で増幅し、増幅された前記第２の画像信号を用いて補間を行い第２の補間画像信号を生成する第２の補間画像生成工程と、
生成された前記第１の補間画像信号及び前記第２の補間画像信号を同じ感度特性に変換する感度特性変換工程と、
前記感度特性変換工程にて変換された前記第１の補間画像信号及び前記第２の補間画像信号の一方を画素毎に選択することで合成画像を生成する画像合成工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る画像処理装置は、同じ感度特性を有する同色の複数の第１の画素から出力される第１の画像信号を第１の増幅率で増幅し、増幅された前記第１の画像信号を用いて補間を行い第１の補間画像信号を生成する第１の補間画像生成部と、前記第１の画素とは同色の画素であって、同じ感度特性を有する複数の第２の画素から前記第１の画像信号と同一の露光によって出力される第２の画像信号を前記第１の増幅率とは異なる第２の増幅率で増幅し、増幅された前記第２の画像信号を用いて補間を行い第２の補間画像信号を生成する第２の補間画像生成部と、生成された前記第１の補間画像信号及び前記第２の補間画像信号を同じ感度特性に変換する感度特性変換部と、前記感度特性変換部により変換された前記第１の補間画像信号及び前記第２の補間画像信号の一方を画素毎に選択することで合成画像を生成する画像合成部とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月8日(2015.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜体と素子部とを含む圧力検知素子であって、
圧力に応じて歪みを生ずる前記膜体と、
前記膜体の上に設けられた前記素子部であって、
第１方向の第１の磁化を有する第１磁性層と、
第２方向の第２の磁化を有する第２磁性層と、
前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた非磁性層と、
を含み、
前記第１の磁化の前記第１方向と前記第２の磁化の前記第２方向との間の角度は、前記膜体の前記歪みに応じて変化する、前記素子部と、
を含む圧力検知素子と、
前記圧力検知素子の周りに設けられたカバー部と、
を備え、
前記カバー部は、前記第２方向において前記第２磁性層と並び磁性を有する第１部分を含むマイクロフォンパッケージ。
【請求項２】
前記カバー部は、孔を有する第２部分をさらに含む請求項１記載のマイクロフォンパッケージ。
【請求項３】
前記第１部分は、磁性を有する粒子を含む請求項１記載のマイクロフォンパッケージ。
【請求項４】
前記第１部分は、非磁性体と、磁性体と、を含む請求項１記載のマイクロフォンパッケージ。
【請求項５】
前記カバー部は、金属の蓋体をさらに含む請求項１記載のマイクロフォンパッケージ。
【請求項６】
前記素子部と前記第１部分との間の距離は、前記カバー部の高さと前記膜体の高さとの差の絶対値よりも小さい請求項１〜５のいずれか１つに記載のマイクロフォンパッケージ。
【請求項７】
前記第１部分は、ＮｉＦｅ合金を含む、請求項１〜６のいずれか１ついに記載のマイクロフォンパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態によれば、膜体と素子部とを含む圧力検知素子と、カバー部と、を備えたマイクロフォンパッケージが提供される。前記膜体は、圧力に応じて歪みを生ずる。前記素子部は、前記膜体の上に設けられる。前記素子部は、第１磁性層と、第２磁性層と、非磁性層と、を含む。前記第１磁性層は、第１方向の第１の磁化を有する。前記第２磁性層は、第２方向の第２の磁化を有する。前記非磁性層は、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられる。前記第１の磁化の前記第１方向と前記第２の磁化の前記第２方向との間の角度は、前記膜体の前記歪みに応じて変化する。前記カバー部は、前記圧力検知素子の周りに設けられる。前記カバー部は、前記第２方向において前記第２磁性層と並び磁性を有する第１部分を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
磁性層Ｍｐには、ＣｏＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、（Ｃｏ／Ｐｄ）多層膜、（Ｃｏ／Ｐｔ）多層膜、または（Ｃｏ／Ｉｒ）多層膜を用いることができる。ＴｂＦｅ及び（Ｃｏ／Ｎｉ）多層膜は、Ｍｐの機能を有する材料と見なすことができる。多層膜における層の数は、例えば、２以上１０である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状逆Ｆアンテナであって、
誘電体により形成される基板と、
前記基板の下面に配置された接地電極と、
前記基板の上面に前記基板を挟んで前記接地電極と対向するように配置され、かつ、Ｓ字状に形成され、前記接地電極と短絡される短絡点を一端に有し、所定の設計波長の電波に対して前記板状逆Ｆアンテナの特性インピーダンスが所定の値となる距離だけ前記短絡点から離れた位置に設けられた給電点において給電される放射電極と、
前記基板とともに、前記放射電極全体を覆うように配置された、誘電体により形成される上側基板と、
を有する板状逆Ｆアンテナ。
【請求項２】
前記放射電極の前記短絡点が設けられた一端と、前記放射電極の他端とが、互いに対向する方向を向くように、前記放射電極が折り曲げられている、請求項１に記載の板状逆Ｆアンテナ。
【請求項３】
前記放射電極の前記短絡点が設けられた一端から前記放射電極の前記給電点までの区間がＵ字状に形成される、請求項１に記載の板状逆Ｆアンテナ。
【請求項４】
前記基板とともに、前記接地電極全体を覆うように配置され、かつ、前記接地電極全体を絶縁する絶縁体層をさらに有する、請求項１〜３の何れか一項に記載の板状逆Ｆアンテナ。
【請求項５】
前記絶縁体層の誘電率は、前記基板の誘電率及び前記上側基板の誘電率よりも低い、請求項４に記載の板状逆Ｆアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月14日(2015.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
芯粒子とその表面に形成された被覆層で構成されたアルカリ二次電池正極活物質用被覆水酸化ニッケル粉末であって、芯粒子が水酸化ニッケル及び被覆層がコバルト化合物からなり、被覆水酸化ニッケル粉末１０ｇに対して水１０ｍｌを加えて懸濁液としたとき、該懸濁液の２５℃基準のｐＨが１０.２以上、１３以下であることを特徴とするアルカリ二次電池正極活物質用被覆水酸化ニッケル粉末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
ニッケル含有水溶液にアンモニウムイオン供給体を含む水溶液とアルカリ水溶液を供給し、水酸化ニッケル粒子を中和晶析させて芯粒子を得る晶析工程と、スラリー中で芯粒子の表面に水酸化コバルトからなる被覆層を形成する被覆工程と、スラリーを撹拌しながら被覆層である水酸化コバルトを酸化させる酸化工程と、得られた被覆水酸化ニッケル粉末を洗浄する洗浄工程と、洗浄後の被覆水酸化ニッケル粉末を乾燥する乾燥工程とを具えるアルカリ二次電池正極活物質用被覆水酸化ニッケル粉末の製造方法であって、
洗浄工程において、被覆水酸化ニッケル粉末１０ｇに対し水１０ｍｌを加えて懸濁液としたとき、該懸濁液中へのアンモニウムイオンの溶出量が０.３５ｍｍｏｌ／ｌ以下になるまで洗浄することを特徴とするアルカリ二次電池正極活物質用被覆水酸化ニッケル粉末の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月10日(2015.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１物体に対する第２物体の相対的な位置を測定する測定装置であって、
前記第１物体に設けられた回折格子と、前記第２物体に設けられた第１ヘッド及び第２ヘッドとを含み、前記第１ヘッド又は前記第２ヘッドで前記第１物体に対する前記第２物体の相対的な位置を測定する第１測定部と、
前記第２物体に設けられた複数のアライメントマークを検出することで前記第２物体の位置を測定するアライメントスコープと、
前記第１物体に対する前記第２物体の相対的な位置を求める処理を行う処理部と、を有し、
前記複数のアライメントマークが設けられた領域における前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドの配列方向の長さは、前記第１ヘッドと前記第２ヘッドとの間の距離以上であり、
前記処理部は、
前記アライメントスコープが前記複数のアライメントマークのそれぞれを検出するように前記第２物体を位置決めして前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドのそれぞれで前記回折格子上の位置を検出する検出処理と、
前記検出処理において前記第１ヘッド又は前記第２ヘッドで検出された前記回折格子上の位置を基準位置として、前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドのうち一方のヘッドで以前に検出された前記回折格子上の位置を他方のヘッドの視野の中心に位置決めした状態で前記一方のヘッドで以前に検出された前記回折格子上の位置とは別の位置を前記一方のヘッドで検出する処理を、前記一方のヘッドが前記回折格子の全面を検出するまで繰り返して前記回折格子の変形量を求める第１処理と、
前記回折格子の変形量に基づいて、前記第１ヘッド又は前記第２ヘッドで測定された前記第１物体に対する前記第２物体の相対的な位置を補正する第２処理と、
を行うことを特徴とする測定装置。
【請求項２】
前記アライメントマークの位置の理想位置からのずれ量を検出する検出部を更に有し、
前記処理部は、前記検出部で検出された前記理想位置からのずれ量に基づいて前記アライメントスコープで測定された前記第２物体の位置を補正することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項３】
前記アライメントマークは、前記第１ヘッドと前記第２ヘッドとの間の距離と等しい距離で前記第２物体に設けられた第１アライメントマークと第２アライメントマークとを含み、
前記処理部は、
前記アライメントスコープが前記第１アライメントマークを検出するように前記第２物体を位置決めして前記第２ヘッドで前記回折格子上の位置を検出する第３処理と、
前記アライメントスコープが前記第２アライメントマークを検出するように前記第２物体を位置決めして前記第１ヘッドで前記回折格子上の位置を検出する第４処理と、
前記第３処理で検出された前記回折格子上の位置と前記第４処理で検出された前記回折格子上の位置との差分を前記第１ヘッドと前記第２ヘッドとの間の距離の設計距離からのずれ量として求める第５処理と、を行い、
前記第２処理では、前記回折格子の変形量、及び、前記設計距離からのずれ量に基づいて、前記第１ヘッド又は前記第２ヘッドで測定された前記第１物体に対する前記第２物体の相対的な位置を補正することを特徴とする請求項１に記載の測定装置。
【請求項４】
ステージに保持された基板を露光する露光装置であって、
装置基準を規定する基準フレームを第１物体、前記ステージを第２物体として、前記基準フレームに対する前記ステージの相対的な位置を測定する請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の測定装置と、
前記測定装置で測定された前記基準フレームに対する前記ステージの相対的な位置に基づいて、前記ステージを位置決めする位置決め機構と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての測定装置は、第１物体に対する第２物体の相対的な位置を測定する測定装置であって、前記第１物体に設けられた回折格子と、前記第２物体に設けられた第１ヘッド及び第２ヘッドとを含み、前記第１ヘッド又は前記第２ヘッドで前記第１物体に対する前記第２物体の相対的な位置を測定する第１測定部と、前記第２物体に設けられた複数のアライメントマークを検出することで前記第２物体の位置を測定するアライメントスコープと、前記第１物体に対する前記第２物体の相対的な位置を求める処理を行う処理部と、を有し、前記複数のアライメントマークが設けられた領域における前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドの配列方向の長さは、前記第１ヘッドと前記第２ヘッドとの間の距離以上であり、前記処理部は、前記アライメントスコープが前記複数のアライメントマークのそれぞれを検出するように前記第２物体を位置決めして前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドのそれぞれで前記回折格子上の位置を検出する検出処理と、前記検出処理において前記第１ヘッド又は前記第２ヘッドで検出された前記回折格子上の位置を基準位置として、前記第１ヘッド及び前記第２ヘッドのうち一方のヘッドで以前に検出された前記回折格子上の位置を他方のヘッドの視野の中心に位置決めした状態で前記一方のヘッドで以前に検出された前記回折格子上の位置とは別の位置を前記一方のヘッドで検出する処理を、前記一方のヘッドが前記回折格子の全面を検出するまで繰り返して前記回折格子の変形量を求める第１処理と、前記回折格子の変形量に基づいて、前記第１ヘッド又は前記第２ヘッドで測定された前記第１物体に対する前記第２物体の相対的な位置を補正する第２処理と、を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
前記複数の光検出部と複数の凸部を有する凸領域とを備え、複数の前記凸領域がそれぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列されている基板の上に、前記複数の凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
０．６≦ｓ／ｔ＜０．９
ｄ＜Ｄ＜４．６ｈ
ここで、
ｔは、凸領域における複数の凸部の配列周期
ｓは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ（径）
ｈは、凸領域における個々の凸部の高さ
ｄは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Ｄは、隣り合う凸領域間の平均間隔
【請求項２】
複数の光検出部と、該複数の光検出部上に位置するシンチレータ層とを有する放射線検出素子の製造方法であって、
複数の凸部を有する凸領域を複数備える基板の上に、複数の前記凸領域に跨るようにシンチレータ層を形成する工程と、
シンチレータ層が形成された基板を降温し、隣り合う凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を形成する工程と、
隣り合う光検出部間に前記亀裂が重なるように、該亀裂が形成されたシンチレータ層を備える基板を、前記複数の光検出部に対向配置する工程と、
を有し、
前記複数の凸領域は、以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子の製造方法。
０．６≦ｓ／ｔ＜０．９
ｄ＜Ｄ＜４．６ｈ
ここで、
ｔは、凸領域における複数の凸部の配列周期
ｓは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ（径）
ｈは、凸領域における個々の凸部の高さ
ｄは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Ｄは、隣り合う凸領域間の平均間隔
【請求項３】
前記亀裂に光を拡散する部材又は光を反射する部材を充填する工程を更に有することを特徴とする請求項１または２に記載の放射線検出素子の製造方法。
【請求項４】
放射線検出素子であって、
複数の光検出部と、
複数の凸部を有する凸領域と、
複数の前記凸領域に跨るように設けられたシンチレータ層と、
を備え、
複数の前記凸領域は、それぞれ前記光検出部と積層方向において重なるように配列され、
前記シンチレータ層は、隣り合う前記凸領域間と積層方向において重なる前記シンチレータ層の部分に亀裂を有し、
以下の関係を満たすことを特徴とする放射線検出素子。
０．６≦ｓ／ｔ＜０．９
ｄ＜Ｄ＜４．６ｈ
ここで、
ｔは、凸領域における複数の凸部の配列周期
ｓは、凸領域における個々の凸部のシンチレータ層と接する部分の大きさ（径）
ｈは、凸領域における個々の凸部の高さ
ｄは、凸領域における隣り合う凸部間の間隔
Ｄは、隣り合う凸領域間の平均間隔
【請求項５】
前記ｔが１μｍ以上且つ１５μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の放射線検出素子。
【請求項６】
前記凸領域における凸部の配列がハニカムであることを特徴とする請求項４または５に記載の放射線検出素子。
【請求項７】
前記亀裂に光を拡散する部材が配置されていることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の放射線検出素子。
【請求項８】
前記亀裂に光を反射する部材が配置されていることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の放射線検出素子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ノズルアセンブリ（１２）であって、
パイロットミキサ（１０２）への環状のパイロット入口（５４）の中心軸（１２０）を中心に事実上心合わせされたパイロット燃料噴射装置先端部（５７）と、
前記パイロット燃料噴射装置先端部（５７）の事実上同心の一次および二次パイロット燃料ノズル（５８、５９）と
を備え、
前記一次および二次パイロット燃料ノズル（５８、５９）が、円形の一次出口（９８）および環状の二次出口（１００）において拡開する円錐形オリフィスをそれぞれ有し、
前記円形の一次出口（９８）が、前記環状の二次出口（１００）の軸方向後方に下流に配置され、
前記燃料ノズルアセンブリ（１２）は、さらに、
前記パイロット燃料噴射装置先端部（５７）の径方向外側にそれに隣接して配置された、内側パイロットスワラ（１１２）と、
前記内側スワラ（１１２）の径方向外側に配置された、外側パイロットスワラ（１１４）と、
前記外側パイロットスワラ（１１４）の半径方向外側を囲い軸方向後方又は下流に延びる噴射装置冷却流路（１９０）と、
前記外側パイロットスワラ（１１４）と前記噴射装置冷却流路（１９０）への環状冷却流路入口（２０６）との間に設けられた環状壁部（２０８）と、
半径方向内側に面する円錐形面取り面（２１２）を有する、前記環状壁部（２０８）の環状面取り前縁（２１０）と
を含む、燃料ノズルアセンブリ（１２）。
【請求項２】
径方向において、前記内側パイロットスワラ（１１２）と外側パイロットスワラ（１１４）との間に配置された、スプリッタ（１１６）とをさらに備え、
前記内側パイロットスワラ（１１２）が、内側に先細りする環状の円錐形流路部（２２４）の上流に軸方向前方に、前記スプリッタ（１１６）と前記パイロット燃料噴射装置先端部（５７）の径方向外側の壁（２２６）との間に、概して円筒形の内側パイロットスワラ流路部（２２２）を含み、
燃料噴射装置（１０）がさらに、
前記内側に先細りする円錐形流路部（２２４）の径方向内側の境界を定める前記径方向外側の壁（２２６）の内側に先細りする環状の円錐形壁部（２３０）と、
前記内側に先細りする円錐形壁部（２３０）によって画定される円錐面（２３２）と
を備え、
前記円形の一次出口（９８）および環状の二次出口（１００）が、前記円錐面（２３２）に、または前記円錐面（２３２）の軸方向前方もしくは上流に配置される、請求項１記載の燃料ノズルアセンブリ（１２）。
【請求項３】
前記二次パイロット燃料ノズル（５９）の前記環状の二次出口（１００）に燃料を流すように動作する、環状の二次燃料供給通路（１５９）と、
前記二次燃料供給通路（１５９）の環状の二次燃料スワラ（１３７）とをさらに備え、
前記二次燃料スワラ（１３７）が、螺旋回転スロット（１８２）の環状の配列（１８０）を含む、請求項１又は２の燃料ノズルアセンブリ（１２）。
【請求項４】
前記パイロットミキサを半径方向で囲う中央ボディ（１０３）を含むパイロットハウジング（９９）を更に含み、
前記軸方向後方又は下流に延びる噴射装置冷却流路（１９０）が、前記パイロットハウジング（９９）に且つ半径方向で前記中央ボディ（１０３）と燃料ノズル内側ケーシング（７９）との間に配置され、
前記中央ボディの上流前縁が、該前縁の前記環状面取り前縁（２１０）を含んでいる
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の燃料ノズルアセンブリ（１２）。
【請求項５】
前記燃料ノズル内側ケーシングに少なくとも一部が支持され、前記第１及び第２パイロット燃料ノズルの半径方向外側に位置し径方向外側に開口した燃料噴射オリフィス（６３）の円形または環状の配列を含む、主燃料ノズル（６１）を更に含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の燃料ノズルアセンブリ（１２）。