(57)【要約】  太陽電池用半導体基板の表面を処理するための、アルカリ性のエッチング液として、特定のスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種とケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含有させたアルカリ性のエッチング液を用いる。本発明において、スルホン酸化合物は、ｐ−トルエンスルホン酸であることが好ましい。【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池用半導体基板の表面を処理するための、アルカリ性のエッチング液であって、
下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含むエッチング液。
【化１】
2014010471.tif 000006
（上記一般式（Ｉ）中のｎは０〜５の整数であり、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基である。）
【請求項２】
前記スルホン酸化合物は、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、キュメンスルホン酸である請求項１に記載のエッチング液。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のエッチング液で太陽電池用半導体基板を処理した後に、前記エッチング液に添加してエッチング力を回復させるエッチング力回復剤であって、
下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種、及び／又はアルカリを含むエッチング力回復剤。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のエッチング液で、太陽電池用半導体基板の基板表面をエッチングして、前記基板表面に凹凸を形成させるエッチング工程を備える太陽電池用半導体基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のエッチング液で、表面をエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング液、エッチング力回復剤、太陽電池用半導体基板の製造方法、及び太陽電池用半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、太陽電池の発電効率を高めるために、太陽電池用半導体基板の表面に凹凸を形成させ、基板表面からの入射光を効率良く基板内部に取り込む方法が用いられている。基板表面に微細な凹凸を均一に形成する方法として、例えば、単結晶シリコン基板の（１００）面を、水酸化ナトリウム及びイソプロピルアルコールの混合水溶液を用いて異方エッチング処理し、（１１１）面で構成されるピラミッド状（四角錐状）の凹凸を形成させる方法が知られている。しかしながら、この方法は、イソプロピルアルコールを使用するため、廃液処理や作業環境、安全性の点で問題がある。また、この方法では、基板表面に形成される凹凸の形状や大きさにムラがあり、所望の大きさの微細な凹凸を均一に基板表面に形成させることが困難である。【０００３】
そこで、特許文献１には、アルカリ性のエッチング液に特定の脂肪族カルボン酸とシリコンとを含有させることで、基板表面をエッチングする際のエッチングレートを安定させて、所望の大きさのピラミッド状の凹凸を基板表面に均一に形成させる方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００７／１２９５５５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の通り、特許文献１には、所望の大きさの凹凸が基板表面に均一に形成された太陽電池用半導体基板の製造方法が開示されている。しかし、特許文献１に記載のエッチング液では、エッチング液の交換等をせずに基板表面のエッチング処理を続けると、所望の大きさの凹凸を基板表面に均一に形成させることが困難になる。【０００６】
不均一な凹凸が基板表面に形成された太陽電池用半導体基板になることを防ぐためには、所望の大きさの凹凸が基板表面に均一に形成されているか否かを頻繁に確認して、不均一な凹凸が基板表面に形成され始めたときに、エッチング液を交換しなければならない。【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、多枚数の太陽電池用半導体基板を連続してエッチング処理しても、所望の大きさの凹凸を基板表面に均一に形成させるための技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、特定のスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含有させたアルカリ性のエッチング液を用いることで上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。より具体的には本発明は以下のものを提供する。【０００９】
（１）  太陽電池用半導体基板の表面を処理するための、アルカリ性のエッチング液であって、下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含むエッチング液。【００１０】
【化１】
2014010471.tif 000002
【００１１】
（上記一般式（Ｉ）中のｎは０〜５の整数であり、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基である。）【００１２】
（２）  前記スルホン酸化合物は、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、キュメンスルホン酸である（１）に記載のエッチング液。【００１３】
（３）  （１）又は（２）に記載のエッチング液で太陽電池用半導体基板を処理した後に、前記エッチング液に添加してエッチング力を回復させるエッチング力回復剤であって、
下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種、及び／又はアルカリを含むエッチング力回復剤。【００１４】
（４）  （１）又は（２）に記載のエッチング液で、太陽電池用半導体基板の基板表面をエッチングして、前記基板表面に凹凸を形成させるエッチング工程を備える太陽電池用半導体基板の製造方法。【００１５】
（５）  （１）又は（２）に記載のエッチング液で、表面をエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、多くの数の太陽電池用半導体基板を連続してエッチング処理しても、所望の大きさの凹凸を基板表面に均一に形成させることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されない。
【００１８】
＜エッチング液＞
本発明のエッチング液は、太陽電池用半導体基板の表面を処理するためのアルカリ性のエッチング液であり、特定のスルホン酸化合物及びその塩から選択される少なくとも一種と、ケイ酸及び／又はケイ酸塩とを含む。また、本発明のエッチング液はアルカリ性であるため、少なくとも一種のアルカリも含む。
【００１９】
［スルホン酸化合物］
本発明のエッチング液に含まれるスルホン酸化合物は、下記一般式（Ｉ）で表される。下記のスルホン酸化合物がケイ酸及び／又はケイ酸塩と共にアルカリ性のエッチング液に含まれることで、エッチング液を交換等せずにエッチング液を繰り返し使用できる回数が大幅に増加する。また、下記一般式で表される化合物を使用すれば、エッチング液が泡立ちにくくなる。その結果、エッチング液が基板表面にムラ無く接触し、ピラミッド状の凹凸を基板表面に均一に形成させやすくなる。また、下記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸は、ヘプタン酸等の脂肪族カルボン酸と比較して臭いにくく、トルエンスルホン酸を使用すれば、エッチング処理等の作業環境を改善できる。
【００２０】
【化２】
2014010471.tif 000003
【００２１】
（上記一般式（Ｉ）中のｎは０〜５の整数であり、Ｒはそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜１２のアルキル基である。）
【００２２】
ｎは１以上５以下であることが好ましい。ｎが１以上であると基板表面のエッチング処理を促進できるという理由で好ましく、ｎが５以上であればエッチング処理が阻害されるという理由で好ましくない。より好ましいｎの範囲は１以上３以下である。
【００２３】
炭素数１〜１２のアルキル基は直鎖状であっても分岐状であってもよい。上記アルキル基の中でも、炭素数が１〜５のアルキル基が好ましく、その中でも特にメチル基が好ましい。特に炭素数が上記好ましい範囲内にあれば、上記一般式（Ｉ）で表される化合物の炭化水素基の炭素数が少なくなる。その結果、エッチング液のＢＯＤ（生物化学的酸素要求量）、ＣＯＤ（化学的酸素要求量）を小さくできる。
【００２４】
ベンゼン環上のＲの置換位置は、スルホ基のパラ位、オルト位であることが好ましく、特に好ましくはスルホ基のパラ位である。
【００２５】
上記一般式（Ｉ）で表されるスルホン酸化合物の中でも、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、キュメンスルホン酸が最も好ましい。特に、トルエンスルホン酸を使用すれば、所望の大きさのピラミッド状の凹凸を基板表面にムラ無く形成させることができる。また、トルエンスルホン酸は、カプリル酸等の脂肪族カルボン酸と比較して臭いにくい。したがって、トルエンスルホン酸を使用すれば、エッチング処理等の作業環境を改善できる。
【００２６】
本発明のエッチング液中のスルホン酸化合物の濃度は特に限定されないが、０．００５〜２．０ｍｏｌ／Ｌであることが好ましい。上記濃度が０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上であればエッチングの均一性という理由で好ましく、上記濃度が２．０ｍｏｌ／Ｌ以下であればハンドリングという理由で好ましい。より好ましい上記濃度の範囲は０．１５〜１．０ｍｏｌ／Ｌである。
【００２７】
［ケイ酸及び／又はケイ酸塩］
本発明のエッチング液に含まれるケイ酸及び／又はケイ酸塩の種類は特に限定されないが、金属シリコン、シリカ、ケイ酸及びケイ酸塩からなる群から選択される少なくとも一種であることが好ましい。
【００２８】
ケイ酸塩としては、アルカリ金属のケイ酸塩が好ましく、例えば、オルソ珪酸ナトリウム（Ｎａ4ＳｉＯ4・ｎＨ2Ｏ）及びメタ珪酸ナトリウム（Ｎａ2ＳｉＯ3・ｎＨ2Ｏ）等のケイ酸ナトリウム、Ｋ4ＳｉＯ4・ｎＨ2Ｏ及びＫ2ＳｉＯ3・ｎＨ2Ｏ等のケイ酸カリウム、Ｌｉ4ＳｉＯ4・ｎＨ2Ｏ及びＬｉ2ＳｉＯ3・ｎＨ2Ｏ等のケイ酸リチウムなどが挙げられる。これらケイ酸塩は、化合物そのものをエッチング液に添加して用いることも可能であるし、シリコンウェハ、シリコンインゴット、シリコン切削粉等のケイ素材料または二酸化ケイ素を直接、アルカリに溶解させて反応物として得られるケイ酸塩化合物をケイ酸塩として用いても構わない。
【００２９】
本発明のエッチング液中のケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量（ケイ酸のみ含む場合にはケイ酸の含有量、ケイ酸塩のみ含む場合にはケイ酸塩の含有量、ケイ酸及びケイ酸塩を含む場合にはこれらの合計量）は特に限定されないが、０．５ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは２．５ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは５ｇ／Ｌ以上である。一方、本発明のエッチング液中のケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量の上限値としては、６０ｇ／Ｌ以下が好ましく、３０ｇ／Ｌ以下がより好ましい。
【００３０】
上記のケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量は、エッチングレートの安定化に影響を与える。エッチングレートを安定させる、ケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量は、後述するアルカリの濃度や、エッチングの際のエッチング液の温度等の条件によって変化する。このため、最適なケイ酸及び／又はケイ酸塩の含有量は、アルカリの濃度等に応じて決定すればよい。
【００３１】
［アルカリ］
アルカリは、エッチング液で基板表面をエッチングした際に、ピラミッド状の凹凸を基板表面に形成させるために必要な成分である。
【００３２】
本発明のエッチング液に含まれるアルカリの種類は特に限定されず、有機アルカリ及び無機アルキルのいずれも使用することができる。有機アルカリとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の第４級アンモニウム塩、アルカノールアミン等が好ましい。無機アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物が好ましく、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムが特に好ましい。これらアルカリは単独で用いてもよく、２種以上混合して使用してもよい。
【００３３】
エッチング液中のアルカリの濃度は特に限定されないが、１〜５０質量％が好ましく、２〜３０質量％がより好ましく、３〜２５質量％であることがさらに好ましい。特にアルカリの濃度が３質量％以上であれば、エッチング液の耐久性が顕著に高まり、エッチング液を繰り返し使用しても、所望の大きさの凹凸を基板表面に均一に形成させることができる。
【００３４】
［その他の成分］
本発明のエッチング液には、本発明の効果を害さない範囲で、その他の成分が含まれていてもよい。例えば、助剤としてキレート剤、アミノ酸、高分子ポリマー、グリコールエーテル類等を含むことで、スルホン酸化合物を含むことによる効果（入射光を効率よく基盤内に取り込む）を高めることができる。
【００３５】
［エッチング液の調製方法］
本発明のエッチング液の調製方法は特に限定されず、従来公知の方法を採用することができるが、エッチング液を調製する際には、スルホン酸化合物、ケイ酸及び／又はケイ酸塩の順で添加することが好ましい。
【００３６】
＜太陽電池用半導体基板の製造方法＞
本発明の太陽電池用半導体基板の製造方法は、本発明のエッチング液で、太陽電池用半導体基板の基板表面をエッチングして、基板表面に凹凸を形成させるエッチング工程を備える。
【００３７】
太陽電池用半導体基板としては、単結晶シリコン基板が好ましいが、銅・インジウムやガリウム砒素等の半導体化合物を用いた単結晶の半導体基板も使用可能である。
【００３８】
エッチング工程において、本発明のエッチング液を基板表面に接触させる方法は特に限定されないが、エッチング液に太陽電池用半導体基板を浸漬させる方法が好ましい。以下、浸漬させる方法を例に本発明の製造方法を説明する。
【００３９】
浸漬させる方法でのエッチング工程とは、例えば、所定の容器に本発明のエッチング液を入れ、そこに太陽電池用半導体基板を浸漬する工程である。
【００４０】
エッチング工程における、上記容器内のエッチング液の温度は特に限定されず適宜設定することが可能であるが、生産と品質を考慮すると７０〜９８℃の範囲にあることが好ましい。
【００４１】
また、エッチング工程における、太陽電池用半導体基板のエッチング液への浸漬時間も特に限定されず適宜設定することが可能であるが、生産と品質を考慮すると１０〜４０分であることが好ましい。
【００４２】
本発明の製造方法によれば、本発明のエッチング液を使用するため、新しいエッチング液を上記容器に注ぎ足したり、上記容器内のエッチング液を新しいエッチング液に交換したりしなくても、連続して従来よりも多くの数の太陽電離用半導体基板の基板表面に所望の大きさのピラミッド状の凹凸を均一に形成させることができる。
【００４３】
また、本発明のエッチング液であれば、劣化したエッチング液に新しいエッチング液を加えたときの、劣化したエッチング液のエッチング力を回復させる効果が高い。例えば、エッチング液の１０％以上を新しいエッチング液と入れ替えることで、上記の高いエッチング力回復効果を得ることができる。
【００４４】
また、本発明のエッチング液であれば、劣化したエッチング液に上記スルホン酸化合物を加えたり、上記アルカリを加えたりすることでも、劣化したエッチング液のエッチング力を回復させることができる。例えば、スルホン酸化合物やアルカリを追加する場合であれば、エッチング液の全量の１質量％以上に相当する量をエッチング液に追加することで上記の高いエッチング力回復効果を得ることができる。なお、エッチング力の回復のために、スルホン酸化合物、アルカリの両者を劣化したエッチング液に加えてもよい。
【００４５】
太陽電池用半導体基板を繰り返し処理して劣化したエッチング液に、アルカリを添加することでエッチング力を回復することができる。しかしながら、ピラミッドの形成が均一にならないため、上記のように、化学式（Ｉ）で表される化合物を併用することにより、劣化したエッチング液を交換しなくてもエッチング処理を行える状態に回復させられる。このことにより初期建浴エッチング液を連続使用できるので工業的価値を高める効果がある。
【００４６】
＜太陽電池用半導体基板＞
本発明の製造方法で製造される太陽電池用半導体基板は、本発明のエッチング液を用いて製造した太陽電池用半導体基板であり、その基板表面には、底面の最大辺長が１〜３０μｍ、好ましくはその上限値が２５μｍ、さらに好ましくは上限が２０μｍであり、ピラミッド状の均一な凹凸が形成されている。さらに、本発明によれば、高い生産性で低反射率の太陽電池用半導体基板を得ることができる。本発明のエッチング液を用いれば、従来のエッチング液を使用するよりも、所望の大きさの上記凹凸を均一に基板表面に形成させることができる。なお、ピラミッド状の凹凸とは、ピラミッド状（四角錐状）の凸部が太陽電池用半導体基板表面に並ぶことで形成される凸部である。
【００４７】
上記の通り、本発明のエッチング液を用いてエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板表面には、所望の大きさのピラミッド状の凹凸が均一に形成されている。「均一に形成されている」とはピラミッド状の凸部間に間隔がほとんど空くことなく、ピラミッド状の凹凸が形成されていることを指す。したがって、従来公知のエッチング液を用いてエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板表面と、本発明のエッチング液を用いてエッチング処理してなる太陽電池用半導体基板表面とは、ピラミッド状の凹凸の大きさのバラつきや、ピラミッド状の凸部間の間隔の大きさ等に基づいて区別することができる。なお、どの程度隙間無く凹凸が並ぶかについては、使用するスルホン酸化合物の種類によっても異なる。ｐ−トルエンスルホン酸を使用した場合には、ほぼ隙間無く基板表面に凹凸が並ぶので、上記の通り、本発明においては、ｐ−トルエンスルホン酸の使用が特に好ましい。
【００４８】
特に、エッチング液の耐久性を高める目的で、エッチング液中のアルカリの濃度を５質量％以上にすると、ピラミッド状の凹凸が大きくなる。具体的にはアルカリ濃度が５質量％のエッチング液でエッチング処理した後、基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、８０個のピラミッドを抽出のうえ、底面の最大辺長を測定するとおよそ１０〜１５μｍになる。このような大きな凹凸を形成することが目的の場合には、エッチング液の耐久性を充分に高めつつ、所望の凹凸を基板表面に形成できるため好ましい。
【実施例】
【００４９】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、これらの実施例は例示的に示されるものである。【００５０】
＜実施例１＞
８質量％のＫＯＨ水溶液にｐ−トルエンスルホン酸を５０ｇ／Ｌ（０．３２ｍｏｌ／Ｌ）、ケイ酸塩としてケイ酸カリウムを所定量（３０ｇ／Ｌ）添加したエッチング溶液に、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（１辺３０ｍｍ正方形、厚さ１５０μｍ）を８０℃で２０分間浸漬させた。また、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、８０個のピラミッド形状についてピラミッドサイズを測定し、平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。結果を表１に示した。【００５１】
上記、走査電子顕微鏡は日本電子（株）製ＪＳＭ−５３１０で加速電圧は１５ｋＶにて観察した。【００５２】
上記エッチング液を用いて、繰り返し１９９個の単結晶シリコン基板の基板表面のエッチングを行った。２００個目の単結晶シリコン基板については、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、上記の平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。評価結果を表１に示した。【００５３】
２００個の単結晶シリコン基板をエッチング処理したエッチング液を用いて、さらに２００個の単結晶シリコン基板をエッチング処理した。４００個目の単結晶シリコン基板については、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、上記の平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。評価結果を表１に示した。【００５４】
＜比較例１＞
８質量％のＫＯＨ水溶液にカプリル酸を５０ｇ／Ｌ（０．３５ｍｏｌ／Ｌ）、ケイ酸塩としてケイ酸カリウムを所定量（３０ｇ／Ｌ）添加したエッチング溶液に、（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板（１辺３０ｍｍ正方形、厚さ１５０μｍ）を８０℃で２０分間浸漬させた。また、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、任意に選んだ８０個のピラミッド形状についてピラミッドサイズを測定し、平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。結果を表１に示した。【００５５】
上記エッチング液を用いて、繰り返し１９９個の単結晶シリコン基板の基板表面のエッチングを行った。２００個目の単結晶シリコン基板については、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、上記の平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。評価結果を表１に示した。【００５６】
２００個の単結晶シリコン基板をエッチング処理したエッチング液を用いて、さらに２００個の単結晶シリコン基板をエッチング処理した。４００個目の単結晶シリコン基板については、エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、上記の平均ピラミッドサイズと標準偏差を評価した。評価結果を表１に示した。【００５７】
【表１】
2014010471.tif 000004
【００５８】
表１から実施例のエッチング液であれば、連続して２００個以上の単結晶シリコン基板をエッチング処理しても、基板表面に形成される凹凸の標準偏差が小さいことが確認された。【００５９】
＜実施例２＞
４００個の単結晶シリコン基板を、実施例１と同様のエッチング液を用いてエッチング処理を行った。【００６０】
４００個目の単結晶シリコン基板の基板表面には凹凸が形成されなかったため、エッチング液の半分を新しいエッチング液に交換した。このエッチング液を用いて単結晶シリコン基板をエッチング処理した。エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、表面状態と平均ピラミッドサイズを評価した（平均ピラミッドサイズが評価できないものについては「−：測定できず」とした）。評価結果を表２に示した。表面状態の評価基準は以下の通りである。
A：ウエハー表面がムラなく均一にピラミッドが形成されている
B：ウエハー表面にムラが発生しているが一部ピラミッドが形成されている
F：ピラミッドが形成されていない【００６１】
＜実施例３＞
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨをエッチング液に添加し、実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。【００６２】
＜実施例４＞
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨ水溶液と７％のｐ−トルエンスルホン酸をエッチング液に添加した。このこと以外は実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。【００６３】
＜比較例２＞
４００個の単結晶シリコン基板を、比較例１と同様のエッチング液を用いてエッチング処理を行った。【００６４】
４００個目の単結晶シリコン基板の基板表面には凹凸が形成されなかったため、エッチング液の半分を新しいエッチング液に交換した。このエッチング液を用いて単結晶シリコン基板をエッチング処理した。エッチング処理後の基板表面を走査電子顕微鏡で観察し、表面状態を評価した。評価結果を表２に示した。【００６５】
＜比較例３＞
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨをエッチング液に添加し、実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。【００６６】
＜比較例４＞
４００個の単結晶シリコン基板を処理した後のエッチング液に対して、７質量％のＫＯＨ水溶液と７％のカプリル酸をエッチング液に添加した。このこと以外は実施例２と同様の方法で評価をした。評価結果を表２に示した。【００６７】
【表２】
2014010471.tif 000005
【００６８】
実施例２の結果と比較例２の結果とから、本発明のエッチング液の場合には、劣化したエッチング液に新しいエッチング液を加えたときのエッチング力の回復効果が高いことが確認された。【００６９】
実施例３及び４の結果と、比較例３及び４の結果とから、本発明のエッチング液の場合には、劣化したエッチング液に対して、アルカリやアルカリ及びスルホン酸化合物を加えることでも、劣化したエッチング液のエッチング力が回復することが確認された。
【国際調査報告】
2014010471.tif 000007
2014010471.tif 000008
2014010471.tif 000009
2014010471.tif 000010