【事件の表示】
　特願２０１５−１６７４１６「プラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　３月　２日出願公開、特開２０１７−　４５８６９、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２７年８月２７日の出願であって，令和元年６月１７日付けで拒絶理由通知がされ，令和元年７月１７日に意見書及び手続補正書が提出され，令和元年１２月３日付けで拒絶査定（原査定）がされ，これに対し，令和２年３月９日に拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。
第２　原査定の概要
　原査定（令和元年１２月３日付け拒絶査定）の概要は，本願の請求項１〜６に係る発明は，以下の引用例１〜６に基づいて，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下，「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない（理由２）というものである。
＜引用例一覧＞
引用例１.米国特許出願公開第２０１５／０２２８４９７号明細書
引用例２.特開２００８−２１８９５９号公報
引用例３.特開２００５−０７２５１８号公報
引用例４.特開２００５−２２３３６０号公報
引用例５.特開２００５−３０２８１１号公報
引用例６.特開２０１５−０１２１７８号公報
第３　本願発明
　本願の請求項１〜４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明４」という。）は，令和２年３月９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「　【請求項１】
　プラズマ処理方法であって，
　有機膜，シリコン含有反射防止膜，及びパターンが形成されたレジスト膜がこの順に積層され，前記有機膜の下に絶縁膜を含む被処理体をチャンバ内に提供する工程と，
　前記チャンバ内にＨ２ガス，ハロゲン化水素ガス，または，希ガスとＨ２ガスまたはハロゲン化水素ガスとを含む混合ガスである改質ガスを供給する工程と，
　−２０℃以下の処理温度で，前記改質ガスのプラズマにより前記被処理体の前記レジスト膜を改質する改質工程と，
　前記チャンバ内にエッチング用の第１の処理ガスを供給する工程と，
　０℃以上４０℃以下の範囲内の処理温度で，前記第１の処理ガスのプラズマにより，前記改質工程で改質された前記レジスト膜をマスクとして，前記レジスト膜の下層の前記シリコン含有反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程と，
　前記チャンバ内にエッチング用の第２の処理ガスを供給する工程と，
　−２０℃以下の処理温度で，前記第２の処理ガスのプラズマにより，前記第１のエッチング工程でエッチングされた前記シリコン含有反射防止膜をマスクとして，前記シリコン含有反射防止膜の下層の前記有機膜をエッチングし，前記有機膜の下の前記絶縁膜をエッチングするためのマスクを形成する第２のエッチング工程と
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
　　【請求項２】
　前記第１の処理ガスには，
　ハロゲン化化合物ガスであって，ＣＦ結合またはＳＦ結合を含むガスが含まれることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
　　【請求項３】
　前記第２の処理ガスには，
　希ガスと酸素原子を含むガスとの混合ガスが含まれることを特徴とする請求項２に記載のプラズマ処理方法。
　　【請求項４】
　前記第１の処理ガスのプラズマは，前記チャンバ内に設けられた一対の電極間で生成されたプラズマであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。」
第４　引用例の記載と引用発明
１．引用例１について
（１）引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１には，図２，４とともに次の記載がある。（下線部及び和訳は当審による。以下同じ。）
“[0006] The challenge referred to above is further explained on the basis of FIG. 2. The standard lithography steps are illustrated. 
On a substrate 1, a resist layer 2 is deposited. Substrate 1 can be bulk silicon, onto which a sequence of different materials with various purposes (such as hard mask and anti-reflective coating) have been deposited through PVD, CVD, ALD, or spin-coating
（和訳）
“[0006]　上述の課題は，図２によりさらに説明される。標準的なリソグラフィー工程が示されている。
基板１上にレジスト層２が堆積される。基板１はバルクシリコンで，その上に一連の異なる材料が様々な目的(ハードマスクや反射防止コーティングなど)のため，PVD，CVD，ALDまたはスピンコーティングにより堆積されたものであってよく
“[0026] 
The present disclosure is related generally to a method for treating a resist structure located on a substrate, by a plasma treatment, wherein the surface roughness of the resist structure may be significantly decreased, without causing any substantial loss in the critical dimension of the structure. The method, in one example, includes producing one or more resist structures on a substrate, introducing the substrate in a plasma reactor, and subjecting the substrate to a plasma treatment at a temperature lower than zero degrees Celsius, such as at a temperature between zero and -110℃.
[0027] The resist structures can be parallel lines arranged in an array of lines, as illustrated in FIG. 2. In one example, the width of the lines is lower than 30 nm.”
（和訳）
“[0026] 
本開示は，プラズマ処理による構造の臨界寸法の実質的な損失を引き起こすことなくレジスト構造の表面粗さを著しく低減することのできる，基板上に配置されたレジスト構造を処理する方法に概して関連する。この方法は，一例として，基板上に１つ又はそれ以上のレジスト構造を形成すること，その基板をプラズマ反応炉に導入すること，そして，0℃以下，例えば0℃から−110℃の低い温度で基板をプラズマ処理することを含む
 [0027] 
レジスト構造は図２に示すようなアレー状に配置された平行線であってもよい
“[0035] Under the conditions defined by the present disclosure, the plasma treatment may cause either one of the following phenomena to take place, depending on the choice of parameters in terms of the type of resist, the plasma temperature, the plasma treatment duration and/or other parameters. One phenomenon is a shrinkage of the CD, without visible reflow, together with a significant reduction of the LWR value. Without being bound to theory, the CD-shrinkage is believed to be due to a loss of functional groups under the influence of the plasma, allowing the polymer chains to re-arrange and become more dense. CD shrinkage has been reported in the above-cited reference by De Schepper et al, but not in combination with an improvement of LWR. CD shrinkage as defined hereinabove and illustrated by the examples given further in this application do not represent a substantial loss in the critical dimension.
[0036] Another phenomenon is a reflow of the resist material, smoothening the resist surface, but wherein the reflow is limited to a very thin layer at the surface of the resist structure. In this way, the critical dimension of the structure is maintained or only marginally increased. FIG. 4 illustrates the difference between excessive reflow observed under prior art conditions, and limited reflow observed under conditions according to the disclosure. The substrate 1 (normally consisting of a bulk substrate and a plurality of layers), and the resist lines 3 are indicated by the same numerals as in FIG. 2.
[0037] According to one embodiment, the method of the disclosure obtains a reduction of the LWR with at least 7% and a shrinkage between 0 and 10%, such as between 2% and 8%.
[0038] 
The plasma-resist treatment is followed by one or more etching processes for transferring the resist patterns into the substrate material. The preferred etching method is Reactive Ion Etching, e.g., plasma etching
The transfer may also take place at temperatures lower than zero degrees Celsius, such as between zero and -110℃, or between -10℃. and -100℃
（和訳）
“[0035] 本開示で規定された条件下において，関連するパラメータであるレジストの種類，プラズマ温度，プラズマ処理時間及び／又は他のパラメータの選択に依存して，プラズマ処理は次の現象のうちのいずれかの発生を引き起こし得る。第1の現象は‘CDの収縮‘であり，目に見えるリフローがなく，LWR値の顕著な低下を伴う。理論に拘束されないが，CD収縮は，プラズマの影響下で官能基の損失に起因すると考えられ，ポリマー鎖が再配列し，より密になることを可能にする。CDの収縮は，上述したDe Schepperらの参考文献において報告されているが，LWRの改善と組み合わせたものではない。上記において定義され，この出願において次に提示する例に示すように，CD収縮は臨界寸法の’実質的な損失‘を示すものではない。
[0036] もうひとつの現象はレジスト材料のリフローであり，レジスト表面をなめらかにするが，ここでのリフローはレジスト構造の表面のごく薄い層に限定される。このようにして，構造の臨界寸法は維持され，またはわずかに増加する。図４は，従来技術の条件下で観察された過剰なリフローと，本開示による条件下で観察された制限されたリフローとの違いを図示している。基板1(通常はバルク基板および複数の層からなる)，及びレジストライン３は図２と同じ符号が付されている。
[0037] 一実施形態によれば，本開示の方法は，少なくとも７％のLWRの減少と0％から10％の間，例えば2％から8％の収縮を得る。
[0038] 
プラズマレジスト処理に引き続き，レジストパターンを基板材料に転写するための１つ以上のエッチングプロセスが行われる。好ましいエッチング方法は，反応性イオンエッチング，例えば，プラズマエッチングである
。転写は0℃よりも低い温度，例えば0℃から-110℃あるいは-10℃から-100℃で行われてもよい
“[0039] Nine silicon wafers were provided as test samples. A PMMA based photo resist with a layer thickness of 60 nm was used. Pattern samples were generated with 30 nm wide resist lines and 30 nm wide spaces between two adjacent lines.
[0040] 
The samples were treated by H2 plasma at temperatures of -20℃. down to -140℃
The best result of 17.5% LWR reduction was achieved by a plasma treatment at -20℃
during 60 s. The temperature range of 0℃. to -110℃ was derived from the results.
（和訳）
“[0039] 9個のシリコンウェハを試験試料として用意した。層厚60nmのPMMAベースのフォトレジストが使用された。パターンサンプルは30nm幅のレジストライン及び隣接する２つのライン間の幅30nmのスペースで生成された。
[0040] 
サンプルは，温度-20℃から-140℃のH2プラズマにより，処理時間30秒から60秒で，図３ａで示したタイプのICP反応炉で処理された
17.5％のLWR低減という最善の結果は-20℃で60秒間のプラズマ処理により達成された。0℃から-110℃という温度範囲が結果から導き出された。
　引用例１の図２として，以下の図面が示されている。
　引用例１の図４として，以下の図面が示されている。
（２）摘記の整理
　上記（１）の摘記によれば，引用例1には次の事項が記載されている。
ア　ハードマスクや反射防止コーティングなどが形成された基板１の上にレジスト層２を堆積すること（段落［０００６］）。
イ　基板１上にレジスト層２を形成した後，当該レジスト層２が形成された基板１をプラズマ反応炉に導入してプラズマ処理をすること（段落［００２６］）。
ウ　上記ア及びイから，上記ハードマスクや反射防止コーティングなどが形成された基板１上にレジスト層２が形成された構成は，１つの積層構造をなすものと理解できる。
エ　プラズマ処理は，Ｈ２プラズマにより行うこと（段落［００４０］）。
オ　レジストを０℃から−１１０℃の温度でプラズマ処理することで，レジストのライン幅粗さ（ＬＷＲ）を改善すること（段落［００２６］，［００４０］）。
カ　レジスト層のプラズマ処理の後に，０℃から−１１０℃の温度でプラズマエッチングを行い，レジストパターンを基板材料に転写すること（段落［００３８］）。
（３）引用発明１
　上記（２）ア〜カによれば，引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「ハードマスクや反射防止コーティングなどが形成された基板１の上にレジスト層２の堆積された積層構造を，プラズマ反応炉に導入する工程と，
　前記積層構造を，０℃から−１１０℃の温度でＨ２プラズマ処理することにより，レジストのライン幅粗さを改善する工程と，
　前記プラズマ処理の後，０℃から−１１０℃の温度でプラズマエッチングを行い，前記レジスト層２のパターンを前記基板１に転写する工程と，
を含む処理方法。」
２．引用例２の記載
ア　原査定の拒絶の理由で引用された引用例２には，図３とともに次の記載がある。
「【００３３】
　次に，このようなプラズマ処理装置において，実施される本実施形態のプラズマエッチング方法について図２のフローチャートおよび図３の工程断面図を参照して説明する。
【００３４】
　まず，図３の（ａ）に示すような，
シリコン基板３００上に例えばＳｉＣＮからなるエッチングストッパ層３０１を例えば１０ｎｍの厚さで形成し，その上にフッ素添加カーボン膜（ＣＦｘ膜）３０２を例えば２７０ｎｍの厚さで形成し，その上にＳｉ含有材料，例えばＳｉＣＮからなるハードマスク層３０３を例えば３０ｎｍの厚さで形成し，その上に例えばＫｒＦレジストからなるレジスト膜３０４を例えば４００ｎｍの厚さで形成し，このレジスト膜３０４をフォトリソグラフィ工程によりパターン形成した半導体ウエハＷを準備する（ステップ１）
【００３５】
　次いで，
このような構造の半導体ウエハを図１のプラズマ処理装置１０に搬入し，サセプタ１５上に載置する（ステップ２）
【００３６】
　このようなデスカム処理の後，図３の（ｃ）に示すように，
レジスト膜３０４をエッチングマスクとしてハードマスク層３０３を途中までエッチングする（ステップ４）。この処理は，処理ガスとして例えばＮ２ガスおよびＣＦ４ガスを用い
【００３７】
　そして，図３の（ｄ）に示すように，
ハードマスク層３０３の厚さが元の膜厚の１／５〜１／３程度になったときに，ハードマスク層３０３のエッチングを一旦停止し，処理ガスをＯ２ガスに切り替えてレジスト膜１０４をアッシングにより除去する（ステップ５）。
【００３８】
　このようにして
アッシングによりレジスト膜３０４を除去後，図３の（ｅ）に示すように，ステップ４と同様の条件でハードマスク層３０３のエッチングを再開してハードマスク層３０３を貫通させ，ＣＦｘ膜３０２を露出させる（ステップ６）
【００３９】
　次に，図３の（ｆ）に示すように，
ハードマスク層３０３をエッチングマスクとしてＣＦｘ膜３０２の第１段階のエッチングを行う（ステップ７）。この処理は，処理ガスとして酸素を含むガス，典型的にはＯ２ガスを含むガスにより行う
【００４０】
　しかし，この第１段階のエッチングは酸素を含むガスで行うため，そのままでは，エッチング面に酸素が残存し，次にメタル層を形成する場合に酸化する懸念がある。そこで，
酸素を含むガスで第１段階のエッチングを行った後，図３の（ｇ）に示すように，フッ素を含むガス，典型的には，ＣｘＦｙ（ｘ，ｙは自然数）で表されるガスを含むガスにより第２段階のエッチングを行う（ステップ８）
【００４１】
　以上のような工程により，ＣＦｘ膜３０２のエッチングが終了する。このように，ＣＦｘ膜３０２のエッチングを酸素を含むガスを用いた第１段階と，フッ素を含むガスを用いた第２段階の２段階で行うことにより，第１段階でマスクに対する選択性が高く形状性が良好な低ダメージのエッチングを行い，第２段階で，酸素含有ガスによってエッチング面に残存する酸素の多い極薄い部分をフッ素を含むガスにより除去するので，表面性状を良好にすることができる。このため，良好な形状性と表面性状を兼備したＣＦｘ膜のエッチングを実現することができる。
【００４２】
　なお，
これらの処理において，サセプタ１５の温度は，１０〜３０℃にすることが好ましく
【００４３】
　以上の例においては，一連の工程を同一処理チャンバで行ったが，一または複数の工程を他の処理チャンバで行うようにしてもよい。これにより，ガスの切り替えやパージの回数を減らしてスループットを高めることができる。この場合に，処理チャンバ間の半導体ウエハＷの搬送は，真空を破らずに行うことが好ましい。特に，ＣＦｘ膜３０２の第１段階のエッチングと第２段階のエッチングは，その必要性が高い。」
　引用例２の図３として，以下の図面が示されている。
イ　以上によれば，引用例２には次の事項が記載されていると理解できる。
・シリコン基板３００上にフッ素添加カーボン膜（ＣＦｘ膜）３０２を形成し，その上にハードマスク層３０３及びパターン形成したレジスト膜３０４をこの順に形成し，ハードマスク層３０３のパターン形成とレジスト除去を行った後に，ハードマスク層３０３をエッチングマスクとしてＣＦｘ膜３０２のエッチングを１０〜３０℃の温度で行うこと。
３．引用例３の記載
ア　原査定の拒絶の理由で引用された引用例３には，図１とともに次の記載がある。
「【００１４】
　図１には， エキシマレーザを光源としたリソグラフィーにて形成したレジストパターンをマスクとしてコンタクトホールを形成する工程を示した断面図を示す。図１（ａ）は，本実施例のエッチング方法が適用される試料断面図の一例である。
膜構造は，ＡｒＦリソグラフィー対応レジスト１，レーザの反射干渉による異常パターン形成を抑制するための有機系反射防止膜（ＢＡＲＣ）２，被加工膜であるシリコン酸化膜３，下地シリコン基板４からなっている
【００１５】
　まず，
ＢＡＲＣ加工をプラズマエッチングにて行う
図１（ｃ）に本発明のプロセス条件であるＡｒレス条件を適用した例を示す
【００１６】
　図２（ａ）はＣＦ４単独ガスのプラズマで高周波バイアス電力を０．３２Ｗ／ｃｍ２とした場合のＡｒＦレジスト状態，図２（ｂ）はＡｒとＣＦ４混合ガス条件で高周波バイアス電力を０．３２Ｗ／ｃｍ２とした場合のＡｒＦレジスト状態，図２（ｃ）は図２（ｂ）と同一ガス条件で高周波バイアス電力を０．６４Ｗ／ｃｍ２とした場合のＡｒＦレジスト状態をそれぞれ示す断面ＳＥＭ写真である。これらの観察結果から，Ａｒガスを用いずに且つ高周波バイアスを抑制した図２（ａ）が一番ＡｒＦレジスト表面が滑らかであることがわかる。また，図示していないが，本ＢＡＲＣ加工ではＡｒガスを用いない条件でも高周波バイアス電力を０．５Ｗ／ｃｍ２以上とすることで，レジスト表面荒れの発生が確認された。 
次に図１（ｂ），図１（ｃ）のＢＡＲＣ加工後のＡｒＦレジストをマスクとして，被加工膜であるシリコン酸化膜のエッチングを行う
【００１７】
　図１（ｄ）は，図１（ｂ）のＢＡＲＣ加工後に上記シリコン酸化膜加工を行った場合の断面図である。ＢＡＲＣ加工後は数１０ｎｍであったレジスト表面ラフネスはシリコン酸化膜加工を行うことにより増幅されて，パターンのない部分でもレジストに微細孔が形成され，ＢＡＲＣを突き抜けて被加工膜であるシリコン酸化膜まで達している。これを以下レジスト突き抜け６と呼ぶ。また，パターン側壁にはレジスト部の縦スジを反映してストライエーション７が発生している。本シリコン酸化膜加工条件は，対レジスト選択比を向上させるために，Ｃ４Ｆ６のようなＣ／Ｆ比の高いフロロカーボンガスやＣＯガスを用いている。したがって，シリコン酸化膜加工前のレジスト表面ラフネスが少しでもあると，エッチング中のＣＦポリマー膜質が比較的Ｃリッチであるために，レジスト表面をポリマーが完全に覆えず，微細な窪み部はポリマーが少ないためにエッチングが進行しやすく，レジスト突き抜けが発生する。また，特にパターン側壁部では，入射イオンによるスパッタの影響で実効的なポリマー量自体が少なく，場所によるポリマーの有無は顕著となり，ストライエーションが発生し易い。 一方，図１（ｃ）をマスクとしたシリコン酸化膜加工後の断面形状を図１（ｅ）に示す。本条件では，シリコン酸化膜加工前のレジスト表面ラフネスが非常に小さいため，エッチング中のＣＦポリマー量が多い本シリコン酸化膜加工条件においても，場所によるポリマー有無の差が小さく，レジスト変質は少ない。従って，図１（ｄ）に示すようなレジスト突き抜け，ストライエーションの発生を抑制できる。 ここでは，ＢＡＲＣ加工ガス条件としてＣＦ４単体を用いた例を示したが，ＣＦ４単体に限らず，ＣＦ４などのＣｘＨｙＦｚ(ｘ，ｚ＝１〜１０，ｙ＝０〜１０)ガスにＯ２やＳＦ６，ＮＦ３のようなＯラジカルやＦラジカルを供給できるガスを添加しても良い。この場合は，レジストのＣ−Ｈ結合，ＯＣ−Ｏ結合の切断により発生するＣリッチなダメージ層を上記ＯラジカルやＦラジカルによって除去し，ＢＡＲＣ加工後のレジストダメージを抑制できる。
【００１８】
　プロセスガスに含まれるフロロカーボン系のガスとしては，ＣｘＨｙＦｚ(に含まれるＣの数がなるべく少ない方がよい（ｘ＝１，ｙ＝０〜１０，ｚ＝１〜１０)。被加工層の材質が無機低誘電率絶縁材（例えばＳｉＯＣ）の場合，ＣＨ３などＣ成分を含有していることが多く，フロロカーボンガス中のＣ含有比率が小さいと，エッチング停止抑制とレジストダメージ改善の両立を図ることが可能であるためである。プロセスガスとしては，フロロカーボン系ガスに，Ｎ２，Ｏ２，ＳＦ６，ＮＦ３，Ｈ２，ＣＨ４の内少なくとも１種類のガスを混合して用いる。
【００１９】
　また本発明に係わる半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置は，前記被加工層エッチングにヨウ素を含むガスを添加することを特徴としている。これにより，質量の重いヨウ素イオンをエッチング中にレジスト表面に入射させることで，レジスト極表面層の改質効果を得ることが可能となる。 また，図１（ｂ）のようにＢＡＲＣ加工後にレジストダメージが発生しても，その後にＯ２，ＳＦ６，ＮＦ３等のプラズマによりＯラジカルやＦラジカル，Ｎラジカルを供給して，ＢＡＲＣ加工後に形成されたレジストダメージを取り除き，次にシリコン酸化膜加工を行っても同様の効果が得られる。
さらに，ＢＡＲＣ加工時のみレジスト表面温度を−４０℃ないし０℃の低温に制御することで，レジストの反応自体を抑制し，レジストダメージを改善できることも言うまでもない
　引用例３の図１として，以下の図面が示されている。
イ　以上によれば，引用例３には以下の事項が記載されていると理解できる。
・ＡｒＦレジスト１，有機系反射防止膜（ＢＡＲＣ）２，シリコン酸化膜３，下地シリコン基板４からなる積層構造を形成し，ＡｒＦレジスト１をマスクとして有機系反射防止膜（ＢＡＲＣ）２を−４０℃ないし０℃の温度でプラズマエッチングした後，当該ＡｒＦレジスト１をマスクとしてシリコン酸化膜３をエッチングすること。
４．引用例４〜６について
（１）引用例４について
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例４には次の記載がある。
「【００１７】
　まず，ＳｉＯ２やＳｉＮは
フッ素を含んだ有機膜であるフッ素添加カーボン膜
（２）引用例５について
原査定の拒絶の理由で引用された引用例５には次の記載がある。
「【０００３】
　このため特許文献１には，原料ガスとしてＣ５Ｆ８ガスを用い，２．４５ＧＨｚのマイクロ波と８７５ガウスの磁場との相互作用により電子サイクロトロン共鳴（Electron Cyclotron Resonance）を起こしてアルゴン（Ａｒ）ガスなどのプラズマ発生用のガスをプラズマ化し，このプラズマにより原料ガスをプラズマ化して半導体ウエハ（以下，ウエハという。）上にフッ素添加カーボン膜を成膜する技術が記載されている。ところで，この特許文献１にも記載されているように，
フッ素添加カーボン膜は，いわば有機系の膜であることから
（３）引用例６について
原査定の拒絶の理由で引用された引用例６には次の記載がある。
「【００３１】
　本実施形態におけるエッチング対象膜である
有機膜２０２としては，通常この分野で用いられる有機膜であって，シリコンが含まれていないものであれば制限はなく，アモルファスカーボン（ａ−Ｃ）やＳＯＣ（スピンオンカーボン），ＳＯＨ（スピンオンハードマスク）等を好適に用いることができる
（４）小括
　上記（１）〜（３）から，引用例４〜６には，「フッ素添加カーボンが有機膜であること」が記載されていると理解できる。
第５　対比・判断
１．本願発明１について
１．１．本願発明１と引用発明１の対比
　本願発明１と引用発明１を対比する。
ア　引用発明１の「処理方法」は，「Ｈ２プラズマ処理」や「プラズマエッチング」を含むから，本願発明１の「プラズマ処理方法」に相当する。
イ　引用発明１における「レジスト層２」及び「プラズマ反応炉」が，本願発明１の「レジスト膜」及び「チャンバ」に相当する。
ウ　引用発明１における「反射防止コーティング」は本願発明１における「シリコン含有反射防止膜」に対応し，両者はともに「反射防止膜」である点で共通する。
エ　引用発明１における「積層構造」は本願発明１における「被処理体」に対応する。ここで，引用発明１における「レジスト層２」は，「ハードマスクや反射防止コーティングなどが形成された基板１の上に」堆積された層であることから，本願発明１の「被処理体」と引用発明１の「積層構造」は，ともに「反射防止膜及びパターンが形成されたレジスト膜がこの順に積層された被処理体」である点で共通する。
オ　引用発明１の「Ｈ２プラズマ処理」は，プラズマ反応炉内にＨ２ガスを供給して行う処理であることは技術的に明らかである。また，引用発明１の「Ｈ２プラズマ処理」は「レジストのライン幅粗さを改善する」ものであるから，本願発明１の「前記レジスト膜を改質する改質工程」であるといえる。さらに，上記プラズマ反応炉内に供給されるＨ２ガスは，本願発明１における「改質ガス」に相当するものといえる。
　そうすると，引用発明１の「前記構造体を，０℃から−１１０℃の温度でＨ２プラズマ処理することにより，レジストのライン幅粗さを改善する工程」は，本願発明１の「前記チャンバ内にＨ２ガス，ハロゲン化水素ガス，または，希ガスとＨ２ガスまたはハロゲン化水素ガスとを含む混合ガスである改質ガスを供給する工程」及び「−２０℃以下の処理温度で，前記改質ガスのプラズマにより前記被処理体の前記レジスト膜を改質する改質工程」に相当する。
カ　引用発明１における「プラズマエッチング行い，前記レジスト層２のパターンを前記基板１に転写する工程」においても，当然に「プラズマエッチング」用のガスを供給してからエッチングを行っていると理解できるから，引用発明１における「前記プラズマ処理の後，０℃から−１１０℃の温度でプラズマエッチングを行い，前記レジスト層２のパターンを前記基板１に転写する工程」は，本願発明１の「前記チャンバ内にエッチング用の第１の処理ガスを供給する工程」を含むものと理解できる。
キ　引用発明１の「基板１」は，「ハードマスクや反射防止コーティングなどが形成された」ものであるから，引用発明１において「プラズマエッチングを行い，前記レジスト層２のパターンを前記基板１に転写する」工程は，「レジスト層２」をマスクとして，当該「レジスト層２」の下層にある「反射防止コーティング」を「プラズマエッチング」することを含むものと理解できる。
　そうすると，引用発明１における「プラズマエッチング行い，前記レジスト層２のパターンを前記基板１に転写する工程」は，本願発明１の「前記改質工程で改質された前記レジスト膜をマスクとして，前記レジスト膜の下層の前記シリコン含有反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程」に対応するものであるといえる。
ク　上記キから更に，引用発明１における「前記プラズマ処理の後，０℃から−１１０℃の温度でプラズマエッチングを行い，前記レジスト層２のパターンを前記基板１に転写する工程」と，本願発明１の「０℃以上４０℃以下の範囲内の処理温度で，前記第１の処理ガスのプラズマにより，前記改質工程で改質された前記レジスト膜をマスクとして，前記レジスト膜の下層の前記シリコン含有反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程」は，「０℃以上４０℃以下の範囲内の処理温度」及び「前記シリコン含有反射防止膜」以外の点，すなわち，「所定範囲内の処理温度で，前記第１の処理ガスのプラズマにより，前記改質工程で改質された前記レジスト膜をマスクとして，前記レジスト膜の下層の前記反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程」である点で共通する。
　以上のア〜クによれば，本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点は次のとおりとなる。
＜一致点＞
「プラズマ処理方法であって，
　反射防止膜，及びパターンが形成されたレジスト膜がこの順に積層された被処理体をチャンバ内に提供する工程と，
　前記チャンバ内にＨ２ガス，ハロゲン化水素ガス，または，希ガスとＨ２ガスまたはハロゲン化水素ガスとを含む混合ガスである改質ガスを供給する工程と，
　−２０℃以下の処理温度で，前記改質ガスのプラズマにより前記被処理体の前記レジスト膜を改質する改質工程と，
　前記チャンバ内にエッチング用の第１の処理ガスを供給する工程と，
　所定範囲内の処理温度で，前記第１の処理ガスのプラズマにより，前記改質工程で改質された前記レジスト膜をマスクとして，前記レジスト膜の下層の前記反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程と，
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。」
＜相違点１＞
　本願発明１は，「被処理体」が「有機膜，シリコン含有反射防止膜，及びパターンが形成されたレジスト膜がこの順に積層され，前記有機膜の下に絶縁膜を含む」層構成であるのに対し，引用発明１は，「積層構造」が「反射防止コーティング」及び「レジスト層２」を含むことは特定されているものの，上記層構成は特定されていない点。
＜相違点２＞
　本願発明１の「第１のエッチング工程」は，「０℃以上４０℃以下の範囲内の処理温度」で「前記シリコン含有反射防止膜」に対し行われるのに対し，引用発明１の「プラズマエッチング」は，「０℃から−１１０℃の温度」で「反射防止コーティング」に対し行われる点。
＜相違点３＞
　本願発明１は，「前記チャンバ内にエッチング用の第２の処理ガスを供給する工程」と，「−２０℃以下の処理温度で，前記第２の処理ガスのプラズマにより，前記第１のエッチング工程でエッチングされた前記シリコン含有反射防止膜をマスクとして，前記シリコン含有反射防止膜の下層の前記有機膜をエッチングし，前記有機膜の下の前記絶縁膜をエッチングするためのマスクを形成する第２のエッチング工程」とを有しているのに対し，引用発明１は上記「第２の処理ガスを供給する工程」及び「第２のエッチング工程」を有さない点。
１．２．相違点についての判断
（１）相違点１について
　上記第４の２．イ，から，引用例２には，シリコン基板３００上にフッ素添加カーボン膜（ＣＦｘ膜）３０２を形成し，その上にハードマスク層３０３及びパターン形成したレジスト膜３０４をこの順に形成した層構成が記載されている。また，上記第４の３．イ，から，引用例３には，ＡｒＦレジスト１，有機系反射防止膜（ＢＡＲＣ）２，シリコン酸化膜３，下地シリコン基板４からなる積層構造が記載されている。
　しかしながら，本願発明１の「有機膜，シリコン含有反射防止膜，及びパターンが形成されたレジスト膜がこの順に積層され，前記有機膜の下に絶縁膜を含む」層構成は，上記引用例２〜３には記載されていない。すなわち，引用例２には，フッ素添加カーボン膜（ＣＦｘ膜）３０２（有機膜に相当）の上に「シリコン含有反射防止膜」を形成することが記載されておらず，引用例３には，「有機膜」及び「シリコン含有反射防止膜」が「この順に形成された」層構成が記載されていない。また，引用例１〜３を組み合わせたとしても，上記相違点１に係る構成を想到することが当業者にとって容易とはいえない。また，引用例４〜６にも，上記相違点１に係る構成は記載されていない。
　
（２）相違点２，３について
　上記（１）のとおり，引用発明１及び引用例２〜６から本願発明１の層構成を想到することは，当業者が容易になし得たことではないから，当該層構成を前提とする本願発明１の「第１のエッチング工程」及び「第２のエッチング工程」もまた，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
１．３．小括
　以上のとおり，引用発明１及び引用例２〜６に記載された事項に基づいて，上記相違点１〜３に係る構成を想到することは，当業者が容易になし得たことではないから，本願発明１は，引用発明１及び引用例２〜６から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
２．本願発明２〜４について
　本願発明２〜４は，本願発明１を減縮した発明であるから，本願発明１と同じ理由により，引用発明１及び引用例２〜６から当業者が容易になし得たものではない。
第６　原査定について
　審判請求時の補正により，本願発明１〜４は「有機膜，シリコン含有反射防止膜，及びパターンが形成されたレジスト膜がこの順に積層され，前記有機膜の下に絶縁膜を含む被処理体」，「０℃以上４０℃以下の範囲内の処理温度で，前記第１の処理ガスのプラズマにより，前記改質工程で改質された前記レジスト膜をマスクとして，前記レジスト膜の下層の前記シリコン含有反射防止膜をエッチングする第１のエッチング工程」，「前記チャンバ内にエッチング用の第２の処理ガスを供給する工程」，及び，「−２０℃以下の処理温度で，前記第２の処理ガスのプラズマにより，前記第１のエッチング工程でエッチングされた前記シリコン含有反射防止膜をマスクとして，前記シリコン含有反射防止膜の下層の前記有機膜をエッチングし，前記有機膜の下の前記絶縁膜をエッチングするためのマスクを形成する第２のエッチング工程」という事項を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用例１〜６に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由２を維持することはできない。
第７　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。