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【手続補正書】
【提出日】平成27年3月12日(2015.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、少なくとも微結晶半導体領域及び非晶質半導体領域が積層する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に導電膜を形成した後、前記導電膜上にエッチング保護膜を形成し、
前記エッチング保護膜上にマスクを形成し、前記エッチング保護膜、前記導電膜及び前記非晶質半導体領域の一部をエッチングする第１のエッチング処理により、前記非晶質半導体領域を露出させると共に、ソース電極及びドレイン電極として機能する配線を形成し、
前記マスクを除去した後、前記露出した非晶質半導体領域及び前記微結晶半導体領域の一部をドライエッチングする第２のエッチング処理により、微結晶半導体領域の一部を露出させ、
前記エッチング保護膜は、前記第２のエッチング処理において、前記導電膜を保護することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記エッチング保護膜は、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウムまたは酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、もしくは酸化ハフニウムを含むシリケートまたは酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、もしくは酸化ハフニウムの二以上を含む複合酸化物で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記導電膜の表面を含む領域は、チタン、チタン化合物、またはチタン合金で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第１のエッチング処理は、エッチングガスとして塩素または塩化物を用いる条件であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第２のエッチング処理は、エッチングガスとしてフッ素、またはフッ化物を用いる条件であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月23日(2015.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一面上の第１のゲート電極及び第２のゲート電極と、
前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のソース電極及びドレイン電極と、を有するトランジスタを有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムと、錫と、亜鉛とを有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１のゲート電極と重畳する第１領域と、前記第２のゲート電極と重畳する第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間において、前記第１のゲート電極と重畳せず且つ前記第２のゲート電極と重畳しない第３領域とを有し、
前記ソース電極は、前記ゲート絶縁膜及び前記酸化物半導体膜を介して、前記第１のゲート電極の一部と重畳し、
前記ドレイン電極は、前記ゲート絶縁膜及び前記酸化物半導体膜を介して、前記第２のゲート電極の一部と重畳することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３領域のチャネル長方向における長さは、１μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
画素及び駆動回路を有し、
前記トランジスタは、前記画素及び前記駆動回路に設けられることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層と第二の導体層と、前記２つの導体層に接し且つ前記２つの導体層の間に配置され半導体部を含むコア層と、を有する導波路であって、
前記半導体部を含むコア層は、面内方向に広がった凹凸構造を有し、
前記凹凸構造は、前記導波モードの電磁波の伝播方向に対して垂直方向に配置された複数の凸部を有することを特徴とする導波路。
【請求項２】
前記電磁波の波長をλ、前記導波路の等価屈折率をｎｅとして、λｇ＝λ／ｎｅと表すときに、前記凹凸構造のピッチ長がλg／２未満であることを特徴とする請求項１に記載の導波路。
【請求項３】
前記凹凸構造のピッチ長が１００μｍ未満であることを特徴とする請求項１に記載の導波路。
【請求項４】
前記凹凸構造の凹部は、前記コア層を厚さ方向に貫通して前記半導体部を島状に分離する溝で構成されていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の導波路。
導波路。
【請求項５】
前記凹凸構造の凹部は、誘電体又は絶縁体のスペーサとして構成されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の導波路。
【請求項６】
前記電磁波の波長をλ、当該導波路の等価屈折率をｎｅとして、λｇ＝λ／ｎｅと表すとき、前記スペーサは、当該導波路の長手方向および短手方向の幅がλg／２以下であることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の導波路。
【請求項７】
前記電磁波の波長をλ、当該導波路の等価屈折率をｎｅとして、λｇ＝λ／ｎｅと表すとき、前記半導体部は、当該導波路の長手方向および短手方向の幅がλg／２以下であることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の導波路。
【請求項８】
前記半導体部は、少なくとも、発振モードにおける共振電界の腹となる位置に配置されることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の導波路。
【請求項９】
前記スペーサは、少なくとも、発振モードにおける共振電界の節となる位置に配置されることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の導波路。
【請求項１０】
前記半導体部は、キャリアのサブバンド間遷移によりテラヘルツ波を発生する多重量子井戸構造を含み構成されることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の導波路。
【請求項１１】
前記凹凸構造の粗密が前記導波路の端面近傍で段階的に変化することを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の導波路。
【請求項１２】
電磁波を用いる装置であって、
請求項１から１１の何れか１項に記載の導波路と、
検体と相互作用した前記電磁波を検出し、検出した信号から検体の状態を取得する演算部と、を有することを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１から１１の何れか１項に記載の導波路の製造方法であって、
半導体層に凹部を形成するステップと、
前記凹部に物質を充填してスペーサを配置するステップと、
を含むことを特徴とする導波路の製造方法。
【請求項１４】
上面に前記半導体層を備えた第一の基板を準備するステップと、
第二の基板を準備するステップと、
前記第一の基板の前記半導体層を前記第二の基板の上面に前記第一の導体層を介して転写するステップと、
前記スペーサが配置された前記半導体層の上面に前記第二の導体層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項１３に記載の導波路の製造方法。
【請求項１５】
導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層と第二の導体層と、
前記２つの導体層に接し且つ前記２つの導体層の間に配置され半導体部を含むコア層と、
を有し、
前記半導体部を含むコア層は、面内方向に広がった凹凸構造を有し、
前記凹凸構造は複数の凸部を有し、複数の前記凸部のピッチ及び大きさの少なくとも一方が、前記導波路の端面に向かうに従って段階的に変化することを特徴とする導波路。
【請求項１６】
複数の前記凸部のピッチ及び大きさの少なくとも一方が、前記導波路の端面に向かうに従って段階的に小さくなることを特徴とする請求項１５に記載の導波路。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波モードの電磁波に対する誘電率実部が負の負誘電率媒質の第一の導体層と第二の導体層と、前記２つの導体層に接し且つ前記２つの導体層の間に配置され半導体部を含むコア層と、を有し、少なくとも前記第一の導体層は、凹部と凸部を有する凹凸構造を有し、前記第一の導体層の厚さ方向に凹である前記凹部は、前記第一の導体層の面内方向において、隣接する前記凸部の間に配置されている導波路であって、
以下の３つの条件、
１）前記凹凸構造で、前記凹部が、前記導波モードの電磁波の伝播方向に対して垂直な前記第一の導体層の面内方向において、隣接する前記凸部の間に配置される条件、
２）前記電磁波の波長をλ、前記導波路の等価屈折率をｎｅとして、λｇ＝λ／ｎｅと表すときに、前記凹凸構造のピッチ長がλg／２未満である条件、
３）前記凹凸構造のピッチ長が１００μｍ未満であり、前記凹凸構造が、前記導波路の端面近傍で段階的に変化する粗密を有する条件、
のうちの少なくとも１つを満たすことを特徴とする導波路。
【請求項２】
前記凹凸構造の凹部と凸部は、周期的に配置されることを特徴とする請求項１に記載の導波路。
【請求項３】
前記凹凸構造の凹部は、少なくとも、発振モードにおける共振電界の節となる位置に配置されることを特徴とする請求項１に記載の導波路。
【請求項４】
前記第二の導体層は、前記第一の導体層の面内方向に広がった凹凸構造を有することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の導波路。
【請求項５】
前記コア層は、キャリアのサブバンド間遷移によりテラヘルツ波を発生する多重量子井戸構造を含むことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の導波路。
【請求項６】
基板、前記第一の導体層、前記コア層、前記第二の導体層の順に積層されたことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の導波路。
【請求項７】
電磁波を用いる装置であって、
請求項１から６の何れか１項に記載の導波路と、
検体と相互作用した前記電磁波を検出し、検出した信号から検体の状態を取得する演算部と、を有することを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１から６の何れか１項に記載の導波路の製造方法であって、
上面に半導体層を備えた第一の基板を準備するステップと、
前記半導体層を、当該第一の導体層の面内方向に広がった凹凸構造を有する第一の導体層を介して第二の基板の上面に転写するステップと、
前記半導体層の上面に第二の導体層を形成するステップと、
を有することを特徴とする導波路の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の製造方法により製造される導波路を用いて発振素子を製造する発振素子の製造方法であって、
前記半導体層を、電磁波利得を有する半導体層として形成し、
前記導波路を、発振素子の共振器として形成することを特徴とする発振素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月8日(2015.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層に第１のトレンチ及び第２のトレンチと、
前記第１のトレンチの底面及び内壁面に接する半導体層と、
前記半導体層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極と、
前記第２のトレンチの底面及び内壁面上に前記ゲート絶縁層と、
前記第２のトレンチ内を充填する絶縁層と、
を有し、
前記ゲート電極は、前記第１のトレンチ内を充填し、
前記半導体層は、禁制帯幅が１．１ｅＶよりも大きい半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
さらに前記半導体層に接するソース電極またはドレイン電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体層は、インジウムを含む酸化物半導体、またはＧａＮであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記半導体層は、断面形状がＵ字形状であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月8日(2015.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタを含む周辺回路と、
第２のトランジスタと容量素子により形成された記憶素子と、
を有し、
前記第１のトランジスタは、酸化物半導体以外の材料により形成されたものであり、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体により形成されたものであり、
前記容量素子は、前記第２のトランジスタと電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタは、
絶縁層に第１のトレンチ及び第２のトレンチと、
前記第１のトレンチの底面及び内壁面に接する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極と、
前記第２のトレンチの底面及び内壁面上に前記ゲート絶縁層と、
前記第２のトレンチ内を充填する絶縁層と、
前記酸化物半導体層に接するソース電極またはドレイン電極と、
を有し、
前記周辺回路の上に、前記記憶素子が積層されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ゲート絶縁層は、前記酸化物半導体層の側面に接して覆っていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の表面に対して概略垂直な方向にｃ軸を有している結晶を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体以外の材料は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム、炭化シリコン、またはガリウムヒ素を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月9日(2015.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、絶縁層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域の間に設けられ、
前記第１の領域及び前記第３の領域は、前記絶縁層を介して前記第１の導電層と重なり、且つ、前記第２の導電層及び前記第３の導電層と重ならず、
前記第２の領域は、前記第２の導電層又は前記第３の導電層と接し、
前記第３の領域における前記絶縁層の静電容量は、前記第１の領域における前記絶縁層の静電容量よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電層と、第２の導電層と、第３の導電層と、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、酸化物半導体層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域と前記第２の領域の間に設けられ、
前記第１の領域は、前記第１の絶縁層を介して前記第１の導電層と重なり、且つ、前記第２の絶縁層と重ならず、且つ、前記第２の導電層及び前記第３の導電層と重ならず、
前記第２の領域は、前記第２の導電層又は前記第３の導電層と接し、
前記第３の領域は、前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層を介して前記第１の導電層と重なり、且つ、前記第２の導電層及び前記第３の導電層と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月17日(2015.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電膜と、
第２の導電膜と、
酸化物半導体膜と、
第３の導電膜と、
前記第３の導電膜と前記酸化物半導体膜との間の第１の絶縁膜と、
第４の導電膜と、
前記第２の導電膜の側面と前記第４の導電膜との間の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方となる領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方となる領域を有し、
前記第２の導電膜は、キャパシタの第１の電極となる領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記トランジスタのゲート電極となる領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記キャパシタの第２の電極となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電膜と、
第２の導電膜と、
酸化物半導体膜と、
第３の導電膜と、
前記第３の導電膜と前記酸化物半導体膜との間の第１の絶縁膜と、
網状の第４の導電膜と、
前記第２の導電膜と前記第４の導電膜との間の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方となる領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方となる領域を有し、
前記第２の導電膜は、キャパシタの第１の電極となる領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記トランジスタのゲート電極となる領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記キャパシタの第２の電極となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の導電膜と、
第２の導電膜と、
酸化物半導体膜と、
第３の導電膜と、
前記第３の導電膜と前記酸化物半導体膜との間の第１の絶縁膜と、
網状の第４の導電膜と、
前記第２の導電膜の側面と前記第４の導電膜との間の第２の絶縁膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、トランジスタのソース電極又はドレイン電極の一方となる領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極の他方となる領域を有し、
前記第２の導電膜は、キャパシタの第１の電極となる領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記トランジスタのゲート電極となる領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記キャパシタの第２の電極となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の導電膜上方及び前記第２の導電膜上方に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の導電膜の側面と前記第１の絶縁膜との間の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第２の導電膜の側面と前記第１の絶縁膜との間の領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の絶縁膜は、前記第１の導電膜と前記第４の導電膜との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
第１の配線と、
第２の配線と、
第３の配線と、
第１の非線形素子及び第３の非線形素子を含む第１の保護回路と、
第２の非線形素子及び第４の非線形素子を含む第２の保護回路と、を有し、
前記第１の保護回路は、前記第１の非線形素子及び前記第３の非線形素子が電気的に直列接続され、
前記第２の保護回路は、前記第２の非線形素子及び前記第４の非線形素子が電気的に直列接続され、
前記第１の保護回路は、前記第１の非線形素子及び前記第３の非線形素子が、前記第１の配線の電位が前記第２の配線の電位よりも高いときに順方向バイアスとなるように、前記第１の配線と前記第２の配線との間に電気的に接続され、
前記第２の保護回路は、前記第２の非線形素子及び前記第４の非線形素子が、前記第１の配線の電位が前記第３の配線の電位よりも低いときに順方向バイアスとなるように、前記第１の配線と前記第３の配線との間に電気的に接続され、
前記第１の保護回路は、前記基板側から順に前記第１の非線形素子及び前記第３の非線形素子が重畳するように積層され、
前記第２の保護回路は、前記基板側から順に前記第２の非線形素子及び前記第４の非線形素子が重畳するように積層されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の非線形素子及び前記第２の非線形素子は、ｐチャネル型のトランジスタであり、
前記第３の非線形素子及び前記第４の非線形素子は、ｎチャネル型のトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の非線形素子及び前記第２の非線形素子は、チャネル形成領域がシリコンで形成されたトランジスタであり、
前記第３の非線形素子及び前記第４の非線形素子は、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１の非線形素子及び前記第２の非線形素子は、接合領域がシリコンで形成されたダイオードであり、
前記第３の非線形素子及び前記第４の非線形素子は、チャネル形成領域が酸化物半導体で形成されたトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の制御信号に応じて、第１のデータ信号を出力する機能を有する第１の選択回路と、
前記第１の制御信号に応じて、前記第１のデータ信号の反転信号である第２のデータ信号を出力する機能を有する第２の選択回路と、
前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号が入力され、電源電圧が供給されている期間において、前記第１のデータ信号及び前記第２のデータ信号を保持する機能を有するラッチ回路と、
第２の制御信号に応じて、前記ラッチ回路に保持された前記第１のデータ信号が入力される機能を有する第１の回路と、
前記第２の制御信号に応じて、前記ラッチ回路に保持された前記第２のデータ信号が入力される機能を有する第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、前記電源電圧の供給が停止されている期間において、前記第１のデータ信号を保持する機能を有し、
前記第２の回路は、前記電源電圧の供給が停止されている期間において、前記第２のデータ信号を保持する機能を有し、
前記第１の回路は、第１のトランジスタ及び第１の容量素子を有し、
前記第２の回路は、第２のトランジスタ及び第２の容量素子を有し、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ラッチ回路は、第３のトランジスタ及び第４のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタは、単結晶シリコンをチャネル形成領域に含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月17日(2015.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と、
前記ビット線上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の半導体層と、
前記半導体層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方のワード線と、
前記ワード線上方の第３の絶縁層と
前記第３の絶縁層上方の容量素子と、を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記半導体層は、前記第１の絶縁層と重なる領域と、前記第１の絶縁層と重ならない領域と、を有し、
前記ビット線は、前記半導体層と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記半導体層と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ビット線と、
前記ビット線上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の導電層と、
前記導電層上方の半導体層と、
前記半導体層上方の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上方のワード線と、
前記ワード線上方の第３の絶縁層と
前記第３の絶縁層上方の容量素子と、を有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域を有し、
前記半導体層は、前記第１の絶縁層と重なる領域と、前記第１の絶縁層と重ならない領域と、を有し、
前記ビット線は、前記半導体層と電気的に接続され、
前記容量素子は、前記半導体層と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
駆動回路を有し、
前記ビット線は、前記駆動回路上方に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記半導体層は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月17日(2014.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検索質問としてコンテンツデータ片を入力し、当該コンテンツデータ片の特徴を示す複数の検索質問サブ特徴量から構成される互いに類似する複数の検索質問サブ特徴量短系列を作成するサブ指紋短系列抽出部と、
最終的な検索対象のコンテンツデータの特徴を示す直接的な検索対象となる複数の検索対象サブ特徴量を連結した検索対象サブ特徴量配列に基づき、前記サブ指紋短系列抽出部が作成した少なくとも二以上の前記検索質問サブ特徴量短系列により検索候補位置を決定する検索候補位置決定部と、
前記検索候補位置決定部が決定した複数の検索候補位置からそれぞれ開始する検索対象サブ特徴量と前記検索質問サブ特徴量短系列とのハミング距離をそれぞれ計算するハミング距離計算部と、を備えたことを特徴とするハミング空間検索装置。
【請求項２】
前記検索候補位置決定部は、
前記検索対象サブ特徴量配列に含まれる各検索対象サブ特徴量から開始する前記検索質問サブ特徴量短系列の長さのブロックの検索対象サブ特徴量の識別情報を保持したインデックス配列に対し、前記検索質問サブ特徴量短系列により前記検索候補位置を決定することを特徴とする請求項１に記載のハミング空間検索装置。
【請求項３】
前記インデックス配列は、
前記検索対象サブ特徴量配列に含まれる各検索対象サブ特徴量から開始する前記検索質問サブ特徴量短系列の長さのブロックの先頭の検索対象サブ特徴量の識別情報を保持することを特徴とする請求項１又は２に記載のハミング空間検索装置。
【請求項４】
前記インデックス配列は、
前記ブロックを２進数としての大小関係に基づいてソートした場合の前記検索対象サブ特徴量の識別情報をソートされた順に保持することを特徴とする請求項２又は３に記載のハミング空間検索装置。
【請求項５】
前記サブ指紋短系列抽出部において、
互いに類似する複数の前記検索質問サブ特徴量短系列は、前記コンテンツデータ片の時系列における抽出の開始位置を互いに異ならせて抽出することにより前記コンテンツデータ片から作成されていることを特徴とする請求項１〜４のうち何れか一項に記載のハミング空間検索装置。
【請求項６】
検索質問としてコンテンツデータ片を入力し、当該コンテンツデータ片の特徴を示す複数の検索質問サブ特徴量から構成される互いに類似する複数の検索質問サブ特徴量短系列を作成するサブ指紋短系列抽出工程と、
最終的な検索対象のコンテンツデータの特徴を示す直接的な検索対象となる複数の検索対象サブ特徴量を連結した検索対象サブ特徴量配列に基づき、前記サブ指紋短系列抽出工程で作成した少なくとも二以上の前記検索質問サブ特徴量短系列により検索候補位置を決定する検索候補位置決定工程と、
前記検索候補位置決定工程で決定した複数の検索候補位置からそれぞれ開始する検索対象サブ特徴量と前記検索質問サブ特徴量短系列とのハミング距離をそれぞれ計算するハミング距離計算工程と、を備えたことを特徴とするハミング空間検索方法。
【請求項７】
ハミング空間検索装置を構成するコンピュータを、
検索質問としてコンテンツデータ片を入力し、当該コンテンツデータ片の特徴を示す複数の検索質問サブ特徴量から構成される互いに類似する複数の検索質問サブ特徴量短系列を作成するサブ指紋短系列抽出手段、
最終的な検索対象のコンテンツデータの特徴を示す直接的な検索対象となる複数の検索対象サブ特徴量を連結した検索対象サブ特徴量配列に基づき、前記サブ指紋短系列抽出手段が作成した少なくとも二以上の前記検索質問サブ特徴量短系列により検索候補位置を決定する検索候補位置決定手段、
前記検索候補位置決定手段が決定した複数の検索候補位置からそれぞれ開始する検索対象サブ特徴量と前記検索質問サブ特徴量短系列とのハミング距離をそれぞれ計算するハミング距離計算手段として機能させるためのハミング空間検索プログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のハミング空間検索プログラムを記録したコンピュータ読取可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記の課題を解決するため、本発明にあたっては、検索質問としてコンテンツデータ片を入力し、当該コンテンツデータ片の特徴を示す複数の検索質問サブ特徴量から構成される互いに類似する複数の検索質問サブ特徴量短系列を作成するサブ指紋短系列抽出部と、最終的な検索対象のコンテンツデータの特徴を示す直接的な検索対象となる複数の検索対象サブ特徴量を連結した検索対象サブ特徴量配列に基づき、前記サブ指紋短系列抽出部が作成した少なくとも二以上の前記検索質問サブ特徴量短系列により検索候補位置を決定する検索候補位置決定部と、前記検索候補位置決定部が決定した複数の検索候補位置からそれぞれ開始する検索対象サブ特徴量と前記検索質問サブ特徴量短系列とのハミング距離をそれぞれ計算するハミング距離計算部と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月21日(2015.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されたページ情報を、マルチタッチ機能を備える表示画面に表示するように制御する表示制御手段と、
前記表示制御手段により前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、タッチ操作を受け付ける受付手段と、
を備え、
前記表示制御手段は、前記受付手段により隣接するページの間を含む位置でピンチイン操作が行われたことを条件に、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にするように表示制御することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記受付手段により隣接するページの間を含む位置でピンチイン操作行われたことを条件に、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にするか否かの選択を受け付ける選択画面を表示制御する選択画面表示制御手段を更に有し、
前記表示制御手段は、前記選択画面で非表示にするとの選択を受け付けた場合に、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にするように表示制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記境界領域は、前記ページのヘッダーおよびフッター領域であることを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記受付手段により隣接するページの間を含む位置でピンチアウト操作が行われたことを条件に、当該隣接するページの間を境にして、前記ページ情報を編集する編集手段を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、前記受付手段で受け付けたピンチイン、またはピンチアウト操作が、隣接するページの間を含む位置以外で行われた場合に、ページを拡大して表示、または縮小して表示することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、マルチタッチ機能を備える表示画面と、を備える情報処理装置の制御方法であって、
前記情報処理装置の受付手段が、前記記憶手段に記憶された前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付工程と、
前記情報処理装置の表示制御手段が、前記受付工程により隣接するページの間を含む位置でピンチイン操作が行われたことを条件に、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にするように表示制御する表示制御工程と、
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項７】
電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、マルチタッチ機能を備える表示画面と、を備える情報処理装置に搭載可能なプログラムであって、
前記情報処理装置を、
前記記憶手段に記憶された前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付手段と、
前記受付手段により隣接するページの間を含む位置でピンチイン操作が行われたことを条件に、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にするように表示制御する表示制御手段、
として機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の目的は、直観的な操作で、電子データの隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にすることが可能な仕組みを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されたページ情報を、マルチタッチ機能を備える表示画面に表示するように制御する表示制御手段と、前記表示制御手段により前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、タッチ操作を受け付ける受付手段と、を備え、前記表示制御手段は、前記受付手段により隣接するページの間を含む位置でピンチイン操作が行われたことを条件に、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にするように表示制御することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、マルチタッチ機能を備える表示画面と、を備える情報処理装置の制御方法であって、前記情報処理装置の受付手段が、前記記憶手段に記憶された前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付工程と、前記情報処理装置の表示制御手段が、前記受付工程により隣接するページの間を含む位置でピンチイン操作が行われたことを条件に、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にするように表示制御する表示制御工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、マルチタッチ機能を備える表示画面と、を備える情報処理装置に搭載可能なプログラムであって、前記情報処理装置を、前記記憶手段に記憶された前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付手段と、前記受付手段により隣接するページの間を含む位置でピンチイン操作が行われたことを条件に、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にするように表示制御する表示制御手段、として機能させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、直観的な操作で、隣接するページの境界領域の少なくとも一部を非表示にすることが可能な仕組みを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月21日(2015.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されたページ情報を、マルチタッチ機能を備える表示画面に表示するように制御する表示制御手段と、
前記表示制御手段により前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付手段と、
を備え、
前記表示制御手段は、前記受付手段によりピンチイン、またはピンチアウト操作を受け付けると、前記ページ情報に対して実行可能な編集項目を表示するように制御することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記受付手段により受け付けたピンチイン、またはピンチアウト操作の位置が、隣接するページの間を含む位置である場合に、前記編集項目を表示するように制御することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記編集項目は、前記ピンチイン、またはピンチアウト操作を受け付けた位置で前記電子データを複数の電子データに区分けする区分け項目を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記区分け項目は、隣接するページの間を境に、前記電子データを、前記ページ情報をすべて含む電子データと、当該隣接するページ情報の間以降のページ情報を含む電子データとに区分けする項目であることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記区分け項目は、隣接するページの間を境に、前記電子データを、当該隣接するページの間より前のページ情報を含む電子データと、当該隣接するページの間以降のページ情報を含む電子データとに区分けする項目であることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記編集項目は、前記隣接するページの間に、新たなページを追加することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記編集項目は、前記電子データのページのヘッダーおよびフッターの領域の少なくとも一部を非表示にする非表示項目を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記受付手段により前記ピンチイン、またはピンチアウト操作を受け付けた位置を特定する特定手段を備え、
前記表示制御手段は、前記特定手段で特定された位置によって、前記編集項目を表示するように制御するか、ページ情報を拡大して表示、または縮小して表示するように制御するかを決定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記表示制御手段は、前記特定手段で特定された位置が、隣接するページの間を含む位置以外である場合に、ページ情報を拡大して表示、または縮小して表示することを特徴とする請求項８項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、マルチタッチ機能を備える表示画面と、を備える情報処理装置の制御方法であって、
前記情報処理装置の受付手段が、前記記憶手段に記憶された前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付工程と、
前記情報処理装置の表示制御手段が、前記受付工程によりピンチイン、またはピンチアウト操作を受け付けると、前記ページ情報に対して実行可能な編集項目を表示するように制御する表示制御工程と、
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、マルチタッチ機能を備える表示画面と、を備える情報処理装置に搭載可能なプログラムであって、
前記情報処理装置を、
前記記憶手段に記憶された前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付手段と、
前記受付手段によりピンチイン、またはピンチアウト操作を受け付けると、前記ページ情報に対して実行可能な編集項目を表示するように制御する表示制御手段
として機能させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶されたページ情報を、マルチタッチ機能を備える表示画面に表示するように制御する表示制御手段と、前記表示制御手段により前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付手段と、を備え、前記表示制御手段は、前記受付手段によりピンチイン、またはピンチアウト操作を受け付けると、前記ページ情報に対して実行可能な編集項目を表示するように制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、マルチタッチ機能を備える表示画面と、を備える情報処理装置の制御方法であって、前記情報処理装置の受付手段が、前記記憶手段に記憶された前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付工程と、前記情報処理装置の表示制御手段が、前記受付工程によりピンチイン、またはピンチアウト操作を受け付けると、前記ページ情報に対して実行可能な編集項目を表示するように制御する表示制御工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、電子データのページ情報を記憶する記憶手段と、マルチタッチ機能を備える表示画面と、を備える情報処理装置に搭載可能なプログラムであって、前記情報処理装置を、前記記憶手段に記憶された前記ページ情報が表示された前記表示画面を介して、ユーザからタッチ操作を受け付ける受付手段と、前記受付手段によりピンチイン、またはピンチアウト操作を受け付けると、前記ページ情報に対して実行可能な編集項目を表示するように制御する表示制御手段として機能させる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月5日(2015.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の処理コアと、
前記複数の処理コアに接続され、ゲストバーチャルアドレスを含むメモリアクセスリクエストに応答して、前記ゲストバーチャルアドレスを第１ゲスト物理的アドレスに変換し、前記第１ゲスト物理的アドレスを第１ホスト物理的アドレスに変換するメモリ管理ロジックと、
を有するプロセッサであって、
前記メモリ管理ロジックは、
第１マルチレベル変換テーブルのベースアドレスを格納する第１変換テーブルベースレジスタであって、前記第１マルチレベル変換テーブルは、ゲストバーチャルアドレスからゲスト物理的アドレスへのマッピングを提供する、第１変換テーブルベースレジスタと、
第２マルチレベル変換テーブルのベースアドレスを格納する第２変換テーブルベースレジスタであって、前記第２マルチレベル変換テーブルは、ゲスト物理的アドレスからホスト物理的アドレスへのマッピングを提供する、第２変換テーブルベースレジスタと、
前記第１変換テーブルベースレジスタと前記第２変換テーブルベースレジスタとに接続され、前記第１マルチレベル変換テーブルのウォーク中に構成されたゲスト物理的アドレスをホスト物理的アドレスに変換するため、前記第２マルチレベル変換テーブルにアクセスするアドレス変換ロジックと、
前記第２マルチレベル変換テーブルの利用を有効にし、メモリのページのコンテンツがページテーブルエントリのパーミッションビットフィールドに基づき実行されることを阻止するアクセスロジックであって、前記パーミッションビットフィールドは前記ページのコンテンツが実行可能であるか示す、アクセスロジックと、
を有するプロセッサ。
【請求項２】
前記第１マルチレベル変換テーブルは、第１レベル及び第２レベルを含む２レベル変換テーブルである、請求項１記載のプロセッサ。
【請求項３】
前記第２マルチレベル変換テーブルは、第１レベル、第２レベル及び第３レベルを含む３レベル変換テーブルである、請求項２記載のプロセッサ。
【請求項４】
当該プロセッサは、ページテーブルエントリに格納される制御情報に基づきメモリアクセスが許可されていることを確認する、請求項１乃至３何れか一項記載のプロセッサ。
【請求項５】
前記制御情報は、対応するメモリ位置が書き込み可能であるか示すパーミッションビットを有する、請求項１乃至４何れか一項記載のプロセッサ。
【請求項６】
前記制御情報は、異なるサイズのメモリ領域を参照し、変換テーブルウォークの停止ポイントを示すメモリサイズビットを含む、請求項１乃至５何れか一項記載のプロセッサ。
【請求項７】
前記第２マルチレベル変換テーブルのエントリはそれぞれ、８バイトのサイズである、請求項１乃至６何れか一項記載のプロセッサ。
【請求項８】
前記ゲストバーチャルアドレスは、３２ビットバーチャルアドレスである、請求項１乃至７何れか一項記載のプロセッサ。
【請求項９】
当該プロセッサは、ゲストソフトウェアとのバーチャルベアマシーンインタフェースを提供するためのハードウェアサポートを提供し、
前記ゲストソフトウェアはオペレーティングシステムを含み、前記バーチャルベアマシーンインタフェースは第１バーチャルプロセッサと第２バーチャルプロセッサとを有する、請求項１乃至８何れか一項記載のプロセッサ。
【請求項１０】
ハードウェアサポートにゲストソフトウェアとのバーチャルベアマシーンインタフェースを提供するためのソフトウェア又はファームウェアを格納するためのメモリであって、前記ゲストソフトウェアはオペレーティングシステムを含み、前記バーチャルベアマシーンインタフェースは第１バーチャルプロセッサと第２バーチャルプロセッサとを有し、前記メモリはＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）及びフラッシュメモリを有する、メモリと、
前記ハードウェアサポートを提供するプロセッサと、
を有するシステムであって、
前記プロセッサは、
複数の処理コアと、
前記複数の処理コアに接続され、ゲストバーチャルアドレスを含むメモリアクセスリクエストに応答して、前記ゲストバーチャルアドレスを第１ゲスト物理的アドレスに変換し、前記第１ゲスト物理的アドレスを第１ホスト物理的アドレスに変換するメモリ管理ロジックと、
を有し、
前記メモリ管理ロジックは、
第１マルチレベル変換テーブルのベースアドレスを格納する第１変換テーブルベースレジスタであって、前記第１マルチレベル変換テーブルは、ゲストバーチャルアドレスからゲスト物理的アドレスへのマッピングを提供する、第１変換テーブルベースレジスタと、
第２マルチレベル変換テーブルのベースアドレスを格納する第２変換テーブルベースレジスタであって、前記第２マルチレベル変換テーブルは、ゲスト物理的アドレスからホスト物理的アドレスへのマッピングを提供する、第２変換テーブルベースレジスタと、
前記第１変換テーブルベースレジスタと前記第２変換テーブルベースレジスタとに接続され、前記第１マルチレベル変換テーブルのウォーク中に構成されたゲスト物理的アドレスをホスト物理的アドレスに変換するため、前記第２マルチレベル変換テーブルにアクセスするアドレス変換ロジックと、
前記第２マルチレベル変換テーブルの利用を有効にし、メモリのページのコンテンツがページテーブルエントリのパーミッションビットフィールドに基づき実行されることを阻止するアクセスロジックであって、前記パーミッションビットフィールドは前記ページのコンテンツが実行可能であるか示す、アクセスロジックと、
を有するシステム。
【請求項１１】
前記第１マルチレベル変換テーブルは、第１レベル及び第２レベルを含む２レベル変換テーブルである、請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
前記第２マルチレベル変換テーブルは、第１レベル、第２レベル及び第３レベルを含む３レベル変換テーブルである、請求項１０又は１１記載のシステム。
【請求項１３】
当該プロセッサは、ページテーブルエントリに格納される制御情報に基づきメモリアクセスが許可されていることを確認する、請求項１０乃至１２何れか一項記載のシステム。
【請求項１４】
前記制御情報は、対応するメモリ位置が書き込み可能であるか示すパーミッションビットを有する、請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記制御情報は、異なるサイズのメモリ領域を参照し、変換テーブルウォークの停止ポイントを示すメモリサイズビットを含む、請求項１３又は１４記載のシステム。
【請求項１６】
前記第２マルチレベル変換テーブルのエントリはそれぞれ、８バイトのサイズである、請求項１０乃至１５何れか一項記載のシステム。
【請求項１７】
前記ゲストバーチャルアドレスは、３２ビットバーチャルアドレスである、請求項１０乃至１６何れか一項記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月14日(2015.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電槽内に、変形可能なセパレータを介して正極板と負極板とを交互に積層配置した極板群を収納した鉛蓄電池において、
前記電槽は、前記極板群の積層方向と交差する幅方向の内側寸法を狭くした絞り部を備え、
前記各極板の幅は、前記電槽の前記絞り部の前記幅方向の内側寸法より狭く、
前記セパレータの幅は、前記電槽の前記絞り部の内側寸法以上である
ことを特徴とする鉛蓄電池。
【請求項２】
前記セパレータは、前記電槽の前記絞り部と隣接する部分の内面に接触する幅であることを特徴とする請求項１に記載の鉛蓄電池。
【請求項３】
前記セパレータは、弾性変形可能なガラスマットであり、
前記セパレータの幅は、前記電槽の前記絞り部の内側寸法以上であり、前記電槽の前記絞り部と隣接する部分の前記幅方向の内側寸法未満であることを特徴とする請求項１に記載の鉛蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリア（８４；８４４）と、
各々が前記キャリア（８４；８４４）に接続されたステージキャリッジ（８６１；８４５，８４６）を有する、前記キャリア（８４；８４４）を保持するための２つのステージと、
共通ベースプレート（８５；８４）と、
各々が前記ステージキャリッジ（８６１；８４５，８４６）の一方をそれぞれ保持し、両方が前記共通ベースプレート（８５；８４）に配置された２つのステージベースとを具備し、
前記ステージキャリッジ（８６１；８４５）の少なくとも一方が、撓み部（８６２；８４８）によって前記キャリッジ（８４；８４４）に接続されているステージ。
【請求項２】
前記撓み部（８６２；８４８）は、前記共通ベースプレート（８５；８４）に垂直に延びている請求項１のステージ。
【請求項３】
前記２つのステージベースは、前記共通ベースプレート（８５）の上部に配置された２つのＸステージベース（８６）であり、前記キャリアは、Ｙビーム（８４）であり、前記ステージキャリッジの各々は、Ｘステージキャリッジ（８６１）であり、前記Ｘステージキャリッジ（８６１）の両方に、前記Ｙビーム（８４）を前記Ｘステージキャリッジ（８６１）に前記Ｙビーム（８４）を接続するための複数の撓み部（８６２）が設けられている請求項１又は２のステージ。
【請求項４】
前記複数の撓み部（８６２）は、異なる平面にある請求項３のステージ。
【請求項５】
各Ｘステージキャリッジ（８６１）には、少なくとも２つの撓み部（８６２）が設けられている請求項３又は４のステージ。
【請求項６】
各Ｘステージキャリッジ（８６１）の前記２つの撓み部（８６２）は、前記共通ベースプレート（８５）に垂直に延びている請求項５のステージ。
【請求項７】
前記２つのステージは、互いに平行に配置されたリニアステージ（８４５；８４６）であり、前記共通ベースプレート（８４）が、前記キャリア（８４４）を有するＹビーム（８４）によって設けられ、前記キャリア（８４）は、一方で、リジッドインターフェース（８４７）を介して前記ステージキャリア（８４６）の１つに緊密に接続され、他方で、前記撓み部（８４８）を介して前記ステージキャリア（８４５）の他方に接続されている請求項１のステージ。
【請求項８】
前記キャリッジ（８４４）は、２つの対向しているモータ（９１，９１’）の間に介在され、制限されている請求項７のステージ。
【請求項９】
前記２つの対向モータ（９１，９１’）は、前記Ｙビーム（８４）に対して前記キャリア（８４４）をＹ方向に移動させるように構成された圧電モータであり、
前記Ｙビーム（８４）は、前記Ｙ方向に沿って延びている対向側面を有し、前記対向側面の各々には、前記２つの対向している圧電モータ（９１，９１’）が１つずつ設けられている請求項８のステージ。
【請求項１０】
前記ステージ（８４５，８４６）の少なくとも１つには、リニアエンコーダヘッドと協働して前記Ｙ方向の前記キャリア（８４４）の位置情報を与えることができるルーラ（９６）が設けられている請求項７ないし９のいずれか１のステージ。
【請求項１１】
請求項３ないし６のいずれか１のステージで使用するためのビーム（８４）であって、
ビーム（８４）は、前記ステージでの使用時に、前記Ｘステージキャリッジ（８６１）の間のスペースにかかり、ビーム（８４）には、前記撓み部（８６２）に接続するためのインターフェース部材（８４２）が設けられているビーム（８４）。
【請求項１２】
ターゲットモジュールを保持するためのＹキャリッジ（８４４）をさらに具備し、
前記Ｙキャリッジ（８４４）には、前記Ｙキャリッジ（８４４）に前記ターゲットモジュールを正確に位置決めするために、キネマティックマウントを与えるインターフェースピン（８４３）が設けられている請求項１１のビーム（８４）。
【請求項１３】
２つのＸステージベース（８６）を具備するＸＹステージが設けられたターゲット位置決め装置（５）であって、
前記Ｘステージベース（８６）の両方が、共通ベースプレート（８５）の上部に配置され、
前記Ｘステージベース（８６）の各々が、Ｘステージキャリッジ（８６１）を支持しているターゲット位置決め装置（５）。
【請求項１４】
２つの第１のアクチュエータ（５３）をさらに具備し、
前記２つの第１のアクチュエータ（５３）の各々は、前記Ｙビームに接続するプッシュプルロッド（５８）を有し、
前記２つの第１のアクチュエータの各々は、そのプッシュプルロッド（５８）を介して前記Ｙビームに力を加えるように構成されている請求項１３のターゲット位置決め装置（５）。
【請求項１５】
前記Ｙビームに前記プッシュプルロッドの各々の力を加える作用点は、ターゲット位置決め装置（５）の重心（５７）の高さに位置されている請求項１４のターゲット位置決め装置（５）。
【請求項１６】
前記２つの第１のアクチュエータ（５３）及び対応する前記プッシュプルロッドは、平面図に見られるように、互いに平行かつ互いに離間されて配置されている請求項１４又は１５のターゲット位置決め装置（５）。
【請求項１７】
請求項１３ないし１６のいずれか１のターゲット位置決め装置（５）を具備する荷電粒子ビームリソグラフィシステム（１）。
【請求項１８】
前記ターゲット位置決め装置（５）を収容するための真空チャンバをさらに具備し、
前記第１のアクチュエータ（５３）は、前記真空チャンバの外部に配置されている請求項１７の荷電粒子ビームリソグラフィシステム（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
この実施の形態では、Ｙキャリッジ８４４は、一方では、厳密なインターフェース（リジッドインターフェース）８４７によって第１のステージ８４６のキャリッジに緊密に接続され、他方では、ステージ８４５、８４６とＹキャリッジ８４４との少なくとも１つのいかなる熱膨張も吸収するために、撓み部８４８によってステージ８４５のキャリッジに接続されている。