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【手続補正書】
【提出日】平成27年3月27日(2015.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製品の製造を行う製造工程と、
前記製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ工程と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正工程と、
を有することを特徴とする半導体製品の製造方法。
【請求項２】
前記製造工程は、
熱ＣＶＤ工程、ＥＣＲ工程、ＩＣＰ工程、蒸着工程、ＭＢＥ工程、スパッタリング工程、イオン注入工程、ウェハ洗浄工程、液相成長工程、めっき工程、および研磨工程からなる群から選択した一つ以上の工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項３】
前記ＰＲ工程は、半導体表面にプローブ光を照射し、前記プローブ光の反射光を受光し、前記半導体表面に励起のための刺激を与える工程を含み、半導体面内を走査するように半導体と前記プローブ光との相対的な位置関係を変化させることにより、半導体面内分布をフォトリフレクタンス法により評価するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項４】
前記製造工程は、プラズマ、電子ビーム、およびイオン照射の少なくとも１つを実施する工程を含み、
フォトリフレクタンス法の励起源として、前記プラズマ、前記電子ビーム、および前記イオン照射の少なくとも１つをパルス状態として前記半導体の刺激に用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項５】
前記製造工程は、ウェットプロセスを含み、
前記ＰＲ工程は、前記ウェットプロセスにおける液相中の半導体に対してフォトリフレクタンス法による評価を実施することを特徴とする請求項１に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項６】
前記ＰＲ工程は、音波を励起源として半導体に印加することによりフォトリフレクタンス法における半導体の励起を行うものであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項７】
前記ＰＲ工程中にフォトリフレクタンス法のプローブ光の波長を固定することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項８】
前記ＰＲ工程は、複数の波長のプローブ光を照射し、一度にフォトリフレクタンススペクトルを取得するものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項９】
フォトリフレクタンススペクトルの振動周期から液温、半導体の表面温度を測定することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１０】
前記製造工程は、二次元電子ガスを発生させるヘテロ接合を成長させる工程を含み、
前記ＰＲ工程は、前記ヘテロ接合をフォトリフレクタンス法でモニタすることで評価を行い、
前記製造条件補正工程は、前記ＰＲ工程による評価結果に基づいて前記製造工程の条件を補正しながら前記へテロ接合を成長させる工程を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１１】
前記ＰＲ工程は、ポンプ光の波長を変化させて半導体の深さ方向の構造の評価をする工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１２】
前記ＰＲ工程は、ポンプ光およびプローブ光の入射角度を変化させ、半導体の深さ方向の構造の評価を行うことを特徴とする請求項１１に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１３】
前記ＰＲ工程は、半導体の表面にパッシベーション膜が成膜されている半導体を、前記パッシベーション膜のバンドギャップ以下の光を用いて半導体表面を直接評価する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１４】
前記パッシベーション膜は、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、アルミナ膜、酸化インジューム錫膜、酸化マグネシューム膜、酸化チタン膜からなる群から選択した一つ以上の膜を含むことを特徴とする請求項１３に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１５】
前記製造工程は、表面に第１のバンドギャップの第１半導体層が形成され前記第１半導体層の下層に前記第１のバンドギャップよりも小さな第２のバンドギャップの第２半導体層が設けられた半導体を取り扱うものであり、
前記ＰＲ工程は、前記第１のバンドギャップよりもエネルギーの小さいフォトリフレクタンス光を用いて、前記第２半導体層を評価することを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１６】
前記ＰＲ工程でのフォトリフレクタンス法に用いる光を用いて、フォトルミネッセンス評価とラマン散乱評価のうち少なくとも一方を行うことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１７】
半導体製品の製造を行う製造手段と、
前記製造手段での製造工程中に、半導体の表面又は前記半導体の表面の積層膜についてフォトリフレクタンス法によりフランツ・ケルディッシュ振動波形を取得し、前記フランツ・ケルディッシュ振動波形に基づいて表面再結合速度、電界強度、フェルミレベルおよびダングリングボンド密度の少なくとも１つの数値を取得するＰＲ手段と、
前記製造工程中に、前記数値に基づいて前記製造工程の条件を補正する製造条件補正手段と、
を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１８】
前記製造手段は、
熱ＣＶＤ、ＥＣＲ、ＩＣＰ、蒸着、ＭＢＥ、スパッタリング、イオン注入、ウェハ洗浄、液相成長、めっき、および研磨からなる群から選択した一つ以上の工程を実施するための手段であることを特徴とする請求項１７に記載の半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周波数差を有する２光波を含む光を発生させる光発生部と、
前記光が入射する金属原子と、
前記金属原子を透過した光を検出する光検出部と、
前記２光波の周波数差を掃引するための掃引信号を生成する掃引信号生成部と、
前記掃引信号に同期して前記光検出部の出力信号を検波する検波部と、
前記掃引信号と前記検波部からの出力信号とに基づいて、前記２光波が共鳴光対となるように制御信号を生成する周波数制御部と、を備え、
前記掃引信号は、
前記金属原子を透過する光の強度を極大にする基準点の微分係数の絶対値が、前記掃引信号と同じ振幅かつ同じ周波数の正弦波における前記基準点の微分係数の絶対値よりも小さいことを特徴とする量子干渉装置。
【請求項２】
前記掃引信号は、
前記基準点が、微分係数の絶対値が最も小さい請求項１に記載の量子干渉装置。
【請求項３】
前記掃引信号は、三角波信号である請求項１又は２に記載の量子干渉装置。
【請求項４】
前記掃引信号は、
前記基準点から極値点まで微分係数の絶対値が単調増加する請求項１又は２に記載の量子干渉装置。
【請求項５】
共鳴信号の線幅に対応させて前記掃引信号の振幅を調整するための振幅調整情報が記憶されている記憶部を備え、
前記掃引信号生成部は、
前記振幅調整情報に応じた振幅の前記掃引信号を生成する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の量子干渉装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の量子干渉装置を備えている原子発振器。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の量子干渉装置を備えている電子機器。
【請求項８】
共鳴光対によって原子に電磁誘起透過現象を発生させる量子干渉方法であって、
所与の制御信号に応じた周波数差の２光波を含む光を発生させる光発生ステップと、
前記原子の集団に、前記２光波を含む光を照射する光照射ステップと、
前記原子の集団を透過した光を検出する光検出ステップと、
前記２光波の周波数差を掃引するための掃引信号を生成する掃引信号生成ステップと、
前記掃引信号に同期して前記光検出ステップで得られた信号を検波する検波ステップと、
前記掃引信号と前記検波ステップで得られた信号とに基づいて、前記２光波が前記共鳴光対となるように前記制御信号を生成する周波数制御ステップと、を含み、
前記掃引信号は、
前記原子の集団を透過する光の強度を極大にする基準点の微分係数の絶対値が、当該掃引信号と同じ振幅かつ同じ周波数の正弦波における前記基準点の微分係数の絶対値よりも小さい、量子干渉方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面と、
第１の軸方向に前記第１の主面と対向する第２の主面と、
前記第１の主面と前記第２の主面との間に設けられ、端子を外部に露出させる複数の端子窓を有し、前記複数の端子窓が前記第２の主面側よりも前記第１の主面側に偏って配置された第１の端面と、
前記第１の軸方向と直交する第２の軸方向に前記第１の端面と対向し、前記第１の主面側よりも前記第２の主面側に偏って配置された係止部を有する第２の端面と、
前記第１の主面と前記第２の主面との間に設けられた第１の側面と、
前記第１の軸方向及び前記第２の軸方向に直交する第３の軸方向に前記第１の側面と対向する第２の側面と
を具備するバッテリパック。
【請求項２】
請求項１に記載のバッテリパックであって、
前記第１の端面は、前記第１の側面側に設けられた第１の凹部と、前記第２の側面側に設けられた第２の凹部とをさらに有し、
前記第１の凹部及び前記第２の凹部は、前記第１の端面において前記第１の主面側よりも前記第２の主面側に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のバッテリパックであって、
前記複数の端子窓は、前記第１の端面において前記第２の側面側よりも前記第１の側面側に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項４】
請求項２に記載のバッテリパックであって、
前記第１の凹部は、前記第３の軸方向に第１の幅寸法を有し、
前記第２の凹部は、前記第３の軸方向に前記第１の幅寸法よりも小さい第２の幅寸法を有する
バッテリパック。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の凹部及び前記第２の凹部は、前記第２の軸方向に沿って１．８ｍｍ以上の深さ寸法をそれぞれ有する
バッテリパック。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記係止部は、前記第２の端面において前記第２の側面側よりも前記第１の側面側に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記複数の端子窓は、４つの端子窓である
バッテリパック。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記複数の端子窓は、プラス端子を外部に露出させる第１の端子窓と、マイナス端子を外部に露出させる第２の端子窓と、温度検出端子を外部に露出させる第３の端子窓と、第４の端子窓とを含む
バッテリパック。
【請求項９】
請求項８に記載のバッテリパックであって、
前記第４の端子窓は、コントロール端子を露出させる
バッテリパック。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載のバッテリパックであって、
前記複数の端子窓は、前記第１の端子窓、前記第３の端子窓、前記第２の端子窓、前記第４の端子窓の順に配置される
バッテリパック。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の端子窓が他の端子窓よりも前記第１の側面に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の側面及び前記第２の側面は、曲面を有する
バッテリパック。
【請求項１３】
請求項１２に記載のバッテリパックであって、
前記第１の側面及び前記第２の側面は、断面円弧状である
バッテリパック。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の側面及び前記第２の側面は、互いに略対称形である
バッテリパック。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の主面及び前記第２の主面の間の寸法は、９ｍｍプラスマイナス２ｍｍである
バッテリパック。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の端面及び前記第２の端面の間の寸法は、４３ｍｍプラスマイナス２ｍｍである
バッテリパック。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１記載のガス供給装置は、ガス供給源から処理空間へガスを供給するガス供給装置であって、前記処理空間に対向し且つ多数の貫通穴を有する対向板と、複数のガス分配板と、蓋板とを備え、前記対向板、前記複数のガス分配板、及び蓋板がこの順で積層され、最も前記対向板寄りの前記ガス分配板における前記対向板側の面には複数のガス拡散室が形成され、前記ガス分配板の各々には、前記ガス供給源から前記ガス拡散室のいずれかへ前記ガスを供給するガス供給路が少なくとも１つ形成され、前記ガス分配板の各々において、前記ガス供給路は複数の分岐路に分岐し、前記ガス供給源から各前記分岐路の先端までの距離は同一であることを特徴とする。
請求項２記載のガス供給装置は、請求項１記載のガス供給装置において、前記ガス供給源及び前記複数のガス拡散室の各々は、１つの前記ガス供給路のみで接続されることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３記載のガス供給装置は、請求項１又は２記載のガス供給装置において、各前記分岐路のコンダクタンスは同一であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４記載のガス供給装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のガス供給装置において、前記ガス供給装置は前記処理空間を介して円板状の基板に対向し、前記複数のガス拡散室は複数の溝状空間を含み、前記複数の溝状空間は前記基板の外縁よりも外側に対向するように形成されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項５記載のガス供給装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のガス供給装置において、前記複数のガス分配板の各々は円板状部材からなり、前記複数のガス拡散室は、前記円板状部材の中心に形成された円板状空間と、該円板状空間と同心に形成された前記複数の溝状空間とからなることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項６記載のガス供給装置は、請求項１乃至５のいずれか１項に記載のガス供給装置において、付加ガス供給源から前記複数のガス拡散室の各々へ個別に付加ガスが供給されることを特徴とする。
請求項７記載のガス供給装置は、請求項６記載のガス供給装置において、前記付加ガス供給源及び前記複数のガス拡散室の各々は、１つの前記ガス供給路のみで接続されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項８記載の基板処理装置は、処理空間へ基板を収容する処理室と、前記基板と対向するように配置され、且つガス供給源から前記処理空間へガスを供給するガス供給装置とを備える基板処理装置であって、前記ガス供給装置は、前記処理空間に対向し且つ多数の貫通穴を有する対向板と、複数のガス分配板と、蓋板とを有し、前記対向板、前記複数のガス分配板、及び蓋板がこの順で積層され、最も前記対向板寄りの前記ガス分配板における前記対向板側の面には複数のガス拡散室が形成され、前記ガス分配板の各々には、前記ガス供給源から前記ガス拡散室のいずれかへ前記ガスを供給するガス供給路が少なくとも１つ形成され、前記ガス分配板の各々において、前記ガス供給路は複数の分岐路に分岐し、前記ガス供給源から各前記分岐路の先端までの距離は同一であることを特徴とする。
請求項９記載の基板処理装置は、請求項８記載の基板処理装置において、前記付加ガス供給源及び前記複数のガス拡散室の各々は、１つの前記ガス供給路のみで接続されることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス供給源から処理空間へガスを供給するガス供給装置であって、
前記処理空間に対向し且つ多数の貫通穴を有する対向板と、複数のガス分配板と、蓋板とを備え、
前記対向板、前記複数のガス分配板、及び蓋板がこの順で積層され、
最も前記対向板寄りの前記ガス分配板における前記対向板側の面には複数のガス拡散室が形成され、
前記ガス分配板の各々には、前記ガス供給源から前記ガス拡散室のいずれかへ前記ガスを供給するガス供給路が少なくとも１つ形成され、
前記ガス分配板の各々において、前記ガス供給路は複数の分岐路に分岐し、前記ガス供給源から各前記分岐路の先端までの距離は同一であることを特徴とするガス供給装置。
【請求項２】
前記ガス供給源及び前記複数のガス拡散室の各々は、１つの前記ガス供給路のみで接続されることを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項３】
各前記分岐路のコンダクタンスは同一であることを特徴とする請求項１又は２記載のガス供給装置。
【請求項４】
前記ガス供給装置は前記処理空間を介して円板状の基板に対向し、
前記複数のガス拡散室は複数の溝状空間を含み、
前記複数の溝状空間は前記基板の外縁よりも外側に対向するように形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のガス供給装置。
【請求項５】
前記複数のガス分配板の各々は円板状部材からなり、前記複数のガス拡散室は、前記円板状部材の中心に形成された円板状空間と、該円板状空間と同心に形成された前記複数の溝状空間とからなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のガス供給装置。
【請求項６】
付加ガス供給源から前記複数のガス拡散室の各々へ個別に付加ガスが供給されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のガス供給装置。
【請求項７】
前記付加ガス供給源及び前記複数のガス拡散室の各々は、１つの前記ガス供給路のみで接続されることを特徴とする請求項６記載のガス供給装置。
【請求項８】
処理空間へ基板を収容する処理室と、前記基板と対向するように配置され、且つガス供給源から前記処理空間へガスを供給するガス供給装置とを備える基板処理装置であって、
前記ガス供給装置は、前記処理空間に対向し且つ多数の貫通穴を有する対向板と、複数のガス分配板と、蓋板とを有し、
前記対向板、前記複数のガス分配板、及び蓋板がこの順で積層され、
最も前記対向板寄りの前記ガス分配板における前記対向板側の面には複数のガス拡散室が形成され、
前記ガス分配板の各々には、前記ガス供給源から前記ガス拡散室のいずれかへ前記ガスを供給するガス供給路が少なくとも１つ形成され、
前記ガス分配板の各々において、前記ガス供給路は複数の分岐路に分岐し、前記ガス供給源から各前記分岐路の先端までの距離は同一であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
前記ガス供給源及び前記複数のガス拡散室の各々は、１つの前記ガス供給路のみで接続されることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の主面上に第１層を形成する工程と、
前記第１層をパターニングして空隙形成部を形成する工程と、
前記基板の一方の主面上に、少なくとも前記空隙形成部の一部を覆うように第２層を形成する工程と、
積層する電極と圧電体層とを備え、前記基板の平面視で、前記空隙形成部と前記第２層とが重なる領域に少なくとも一部が重なるように、前記第２層上に駆動部を形成する工程と、
前記第２層をパターニングして、前記基板の一方の主面に接続している支持部と、前記支持部から延出していて前記駆動部が積層されている振動部と、を形成する工程と、
前記空隙形成部を除去し、前記振動部と前記基板との間に空隙部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする振動子の製造方法。
【請求項２】
前記第１層が酸化物層であり、前記第２層が半導体層であることを特徴とする請求項１
に記載の振動子の製造方法。
【請求項３】
前記基板の一方の主面上に第３層を形成する工程と、
前記第３層上に第４層を積層する工程と、
前記第４層をパターニングして、前記第３層の一部を露出させる工程と、を更に含み、
前記第１層を、前記第４層および露出された前記第３層上に積層し、
前記基板を平面視で、前記空隙形成部を、少なくとも露出された前記第３層の一部に重なる領域に形成し、
前記空隙形成部および前記第３層の一部を除去し、前記振動部と前記基板との間に空隙
部を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の振動子の製造方法。
【請求項４】
前記第３層が酸化物層であり、前記第４層が窒化物層であることを特徴とする請求項３
に記載の振動子の製造方法。
【請求項５】
前記電極は、少なくとも第１電極と第２電極とを有し、
前記圧電体層が、前記第１電極と前記第２電極との間に配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動子の製造方法。
【請求項６】
前記第２層と前記電極との間に絶縁膜を備えていることを特徴とする請求項１ないし請
求項５のいずれか一項に記載の振動子の製造方法。
【請求項７】
前記圧電体層が、前記第２層と前記電極との間に配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月1日(2015.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立体主画像に合成される字幕情報を取得する字幕情報取得部と、
前記字幕情報を立体表示させるための視差を取得する視差取得部と、
前記視差に応じた表示位置に立体表示される立体字幕画像を前記字幕情報から生成する立体字幕画像生成部と、
前記立体字幕画像におけるエッジの強度を前記視差に応じて変更するエッジ処理部と
を具備する画像処理装置。
【請求項２】
前記エッジ処理部は、前記表示位置が所定の基準位置より手前側である場合には前記視差に応じて前記エッジの強度を強くし、前記表示位置が前記基準位置より奥側である場合には前記視差に応じて前記エッジの強度を弱くする
請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記立体字幕画像において隣接する画素間に表示させる副画素の位置に応じた混合率に基づいて前記隣接する画素の各々の画素値を混合する画素混合部をさらに具備し、
前記エッジ処理部は、前記位置および前記視差に応じて前記エッジの強度を変更する
請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画素混合部は、前記視差に応じた位置を前記副画素の位置とする
請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記エッジ処理部は、
前記立体字幕画像において前記エッジの領域を抽出するエッジ抽出部と、
前記抽出されたエッジの領域における画素値を前記視差に応じて増大または減少させる補正部と、
前記画素値が増大または減少された前記エッジの領域を前記立体字幕画像に合成することにより前記エッジの強度を変更するエッジ合成部と
を具備する請求項１から４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記エッジ抽出部は、前記立体字幕画像において画素値の分布の周波数が所定の閾値より高い領域を前記エッジの領域として抽出する
請求項５記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記エッジの強度が変更された前記立体字幕画像を前記立体主画像に合成する字幕合成部をさらに具備する請求項１から６のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項８】
字幕情報取得部が、立体主画像に合成される字幕情報を取得する字幕情報取得手順と、
視差取得部が、前記字幕情報を立体表示させるための視差を取得する視差取得手順と、
立体字幕画像生成部が、前記視差に応じた表示位置に立体表示される立体字幕画像を前記字幕情報から生成する立体字幕画像生成手順と、
エッジ処理部が、前記立体字幕画像におけるエッジの強度を前記視差に応じて変更するエッジ処理手順と
を具備する画像処理方法。
【請求項９】
字幕情報取得部が、立体主画像に合成される字幕情報を取得する字幕情報取得手順と、
視差取得部が、前記字幕情報を立体表示させるための視差を取得する視差取得手順と、
立体字幕画像生成部が、前記視差に応じた表示位置に立体表示される立体字幕画像を前記字幕情報から生成する立体字幕画像生成手順と、
エッジ処理部が、前記立体字幕画像におけるエッジの強度を前記視差に応じて変更するエッジ処理手順と
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
筒状の前記フレキシブル支持部が金属製であり、内径が２．５ｍｍ以上、外径が４．５ｍｍ以下である請求項５または請求項６に記載の頭部装着型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記態様においては、前記フレキシブル支持部が筒状とされ、前記配線が前記フレキシブル支持部の内部に挿通されていても良い。
この態様においては、前記配線の前記第１の筺体側の端部に、前記駆動回路に接続されるコネクタを有し、前記コネクタは、前記配線が連続する方向に直交する方向の寸法が、筒状の前記フレキシブル支持部の内径よりも小さく設定されている構成としても良い。
また、上記態様においては、筒状の前記フレキシブル支持部が金属製であり、内径が２．５ｍｍ以上、外径が４．５ｍｍ以下である構成とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の軸方向に相互に略対向する第１及び第２の主面と、前記第１の軸方向と直交する第２の軸方向に相互に略対向する第１及び第２の端面と、前記第１及び第２の軸方向と直交する第３の軸方向に相互に略対向する第１及び第２の側面とを有し、
前記第３の軸方向に沿って前記第１の端面上に各々配列された、プラス端子を外部に露出させる第１の端子窓、マイナス端子を外部に露出させる第２の端子窓、温度検出端子を外部に露出させる第３の端子窓、及び第４の端子窓を含み、前記第２の端子窓が、前記第３の端子窓と前記第４の端子窓との間に、前記第３の端子窓側よりも前記第４の端子窓側に偏って配置された複数の端子窓
を具備するバッテリパック。
【請求項２】
請求項１に記載のバッテリパックであって、
前記第４の端子窓は、コントロール端子を外部へ露出させる
バッテリパック。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のバッテリパックであって、
前記温度検出端子は、前記マイナス端子と前記プラス端子との間に配置される
バッテリパック。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の端子窓は、前記第２の端子窓よりも大きな開口面積を有する
バッテリパック。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の端子窓は、前記第３の端子窓及び前記第４の端子窓よりも大きな開口面積を有する
バッテリパック。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の端面は、前記第１の側面側に設けられた第１の凹部と、前記第２の側面側に設けられた第２の凹部とを有し、
前記第１及び第２の凹部は、前記第１の端面において前記第１の主面側よりも前記第２の主面側に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記複数の端子窓は、前記第１の端面において、前記第２の側面側よりも前記第１の側面側に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項８】
請求項６に記載のバッテリパックであって、
前記第１の凹部は、前記第２の凹部よりも、前記第３の軸方向に大きな幅寸法を有する
バッテリパック。
【請求項９】
請求項８に記載のバッテリパックであって、
前記第１の凹部及び前記第２の凹部は、前記第２の軸方向に沿って１．８ｍｍ以上の深さ寸法をそれぞれ有する
バッテリパック。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記複数の端子窓は、前記第２の主面側よりも前記第１の主面側に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第２の端面は、係止部を有し、
前記係止部は、前記第２の端面において前記第１の主面側よりも前記第２の主面側に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項１２】
請求項１１に記載のバッテリパックであって、
前記係止部は、前記第２の端面において、前記第２の側面よりも前記第１の側面側に偏って配置される
バッテリパック。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の側面及び前記第２の側面は、曲面を有する
バッテリパック。
【請求項１４】
請求項１３に記載のバッテリパックであって、
前記第１の側面及び前記第２の側面は、断面円弧状である
バッテリパック。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の側面及び前記第２の側面は、互いに略対称形である
バッテリパック。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の主面及び前記第２の主面の間の寸法は、９ｍｍプラスマイナス２ｍｍである
バッテリパック。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１つに記載のバッテリパックであって、
前記第１の端面及び前記第２の端面の間の寸法は、４３ｍｍプラスマイナス２ｍｍである
バッテリパック。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属原子と、
共鳴光対を含む光を発生させる光発生部と、
前記金属原子と前記光発生部との間に配置されていて、前記光が入射する入射面を有し、前記入射面において基準点に近い位置より遠い位置の方が透過率が高いフィルターと、
を備えていることを特徴とする量子干渉装置。
【請求項２】
前記フィルターは、
前記入射面における前記透過率の分布が、前記基準点からの距離に対して逆ガウス分布
を含む請求項１に記載の量子干渉装置。
【請求項３】
前記フィルターは、
光の一部を吸収する吸収型のフィルターであり、前記入射面において前記基準点に近い位置より遠い位置の方が吸収率が低い請求項１又は２に記載の量子干渉装置。
【請求項４】
前記フィルターは、
光の一部を反射する反射型のフィルターであり、前記入射面において前記基準点に近い位置より遠い位置の方が反射率が低い請求項１又は２に記載の量子干渉装置。
【請求項５】
前記光発生部が発生させた光は、
中心部が前記基準点と重なるように前記フィルターに入射する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の量子干渉装置。
【請求項６】
前記光発生部が発生させた光の強度の半値全幅の１／２をｒ0、前記フィルターの前記
入射面の、前記基準点から透過率が前記基準点の透過率の２倍となる位置までの距離をｒ
1とした時、ｒ0＝ｒ1である請求項５に記載の量子干渉装置。
【請求項７】
前記フィルターは、
前記金属原子を収容する原子セルの入射面側に配置されている請求項１乃至６のいずれか一項に記載の量子干渉装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の量子干渉装置を備えている原子発振器。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の量子干渉装置を備えている電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月23日(2015.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持対象物を保持する保持部を有する保持装置と、
前記保持対象物を保持した状態で前記保持装置を移動させて前記保持対象物のアライメントを行う制御部と、
を備え、
前記保持部は、前記保持対象物の反射特性と異なる反射特性を有し、
前記保持部には、前記保持対象物を保持している状態において前記保持対象物で隠れない位置に、前記保持部における反射の度合いが異なる基準マークが設けられている、
ことを特徴とするアライメント装置。
【請求項２】
請求項１に記載のアライメント装置であって、
前記基準マークは、前記保持部に設けられた凹部である、
ことを特徴とするアライメント装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のアライメント装置であって、
前記保持部を平面視した場合に、前記基準マークの輪郭は、円形である、
ことを特徴とするアライメント装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のアライメント装置であって、
前記基準マークは、第１の方向に沿って並ぶ２か所と、前記第１の方向と直交する第２の方向に沿って並ぶ２か所と、に設けられている、
ことを特徴とするアライメント装置。
【請求項５】
請求項４に記載のアライメント装置であって、
前記第１の方向に沿って並ぶ前記２か所の基準マーク同士を結ぶ直線の中点は、前記保持面の前記第１の方向における中央に位置し、
前記第２の方向に沿って並ぶ前記２か所の基準マーク同士を結ぶ直線の中点は、前記保持面の前記第２の方向における中央に位置する、
ことを特徴とするアライメント装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載のアライメント装置であって、
前記保持部には、前記保持対象物の前記第１の方向における許容限界位置に対応する限界位置マークがさらに設けられ、
前記限界位置マークは、前記第２の方向に沿って並ぶ前記２か所の基準マーク同士を結ぶ直線上に配置されている、
ことを特徴とするアライメント装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のアライメント装置であって、
前記保持部の赤色光に対する反射率は、前記保持対象物の赤色光に対する反射率よりも高い、
ことを特徴とするアライメント装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載のアライメント装置であって、
前記保持部に設けられた前記凹部は前記保持部の一端である、
ことを特徴とするアライメント装置。
【請求項９】
保持対象物を保持装置が有する保持部において保持して前記保持対象物のアライメントを行うアライメント方法であって、
他の部分と反射の度合いが異なる基準マークが設けられ、前記保持対象物の反射特性と異なる反射特性を有する前記保持部に、前記保持対象物を保持する保持ステップと、
前記保持部に前記保持対象物を保持した状態で、前記保持部又は前記保持対象物のいずれか一方の反射率が高くなる第１の照明光を照射して前記保持部と前記保持対象物とを撮像する第１の撮像ステップと、
前記保持部に前記保持対象物を保持した状態で、前記第１の照明光とは波長帯域が異なる第２の照明光を照射して前記保持部と前記保持対象物とを撮像する第２の撮像ステップと、
前記第１の撮像ステップで撮像された画像から得られた位置情報と、前記第２の撮像ステップで撮像された画像から得られた位置情報と、に基づいて、制御部により前記保持装置を移動させて前記保持対象物のアライメントを行うアライメントステップと、
を有することを特徴とするアライメント方法。
【請求項１０】
保持対象物を保持する保持部と、
前記保持部に前記保持対象物が保持されている状態において、前記保持部の前記保持対象物で隠れない位置に設けられた基準マークと、
を有し、
前記保持部の反射特性は、前記保持対象物の反射特性とは異なり、
前記基準マークの反射の度合いは、前記保持部の前記基準マーク以外の部分の反射の度合いとは異なる、
ことを特徴とする保持装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月12日(2015.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板に接続端子が接続された半導体チップと、
前記配線基板と前記半導体チップとの隙間から前記半導体チップの周辺領域にかけて形成され、前記半導体チップの周辺領域において前記半導体チップの上面と同じ高さで形成されたアンダーフィル樹脂と、
前記半導体チップ及び前記アンダーフィル樹脂の上に接着剤層によって固定され、前記半導体チップから外側に突き出る突出部を備え、前記突出部が少なくとも前記アンダーフィル樹脂の上に配置され、樹脂又は繊維補強材含有樹脂から形成される補助部材とを有し、
前記補助部材及び接着剤層の熱膨張係数は、前記半導体チップの熱膨張係数より大きく、前記補助部材の熱膨張係数は、前記配線基板の熱膨張係数より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記接着剤層の熱膨張係数は、前記配線基板の熱膨張係数より大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記アンダーフィル樹脂及び前記補助部材の少なくとも側面を封止する封止樹脂を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止樹脂には、前記配線基板の前記半導体チップが搭載された面側の接続パッドに到達する開口部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記補助部材の上面周縁部が前記封止樹脂により被覆されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
配線基板の上に樹脂材を形成する工程と、
半導体チップの接続端子を樹脂材に押し込んで前記配線基板の接続パッドに接続すると共に、前記半導体チップと前記配線基板との隙間から前記半導体チップの周辺領域にかけて前記樹脂材からアンダーフィル樹脂を形成し、前記半導体チップの周辺領域の前記アンダーフィル樹脂を前記半導体チップの上面と同じ高さで形成する工程と、
前記半導体チップ及び前記アンダーフィル樹脂の上に接着剤層を介して、前記半導体チップから外側に突き出る突出部を備え、樹脂又は繊維補強材含有樹脂からなる補助部材を形成し、前記突出部を前記アンダーフィル樹脂の上に配置する工程と、
前記アンダーフィル樹脂及び前記補助部材の少なくとも側面を封止する封止樹脂を形成する工程とを有し、
前記補助部材及び前記接着剤層の熱膨張係数は、前記半導体チップの熱膨張係数より大きく、前記補助部材の熱膨張係数は、前記配線基板の熱膨張係数より大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着剤層は、前記封止樹脂を形成する工程で同時に硬化されることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記封止樹脂を形成する工程の後に、
前記半導体装置は、前記配線基板の下に設けられた外部接続端子が加熱処理を伴って実装基板に接続されることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、配線基板と、前記配線基板に接続端子が接続された半導体チップと、前記配線基板と前記半導体チップとの隙間から前記半導体チップの周辺領域にかけて形成され、前記半導体チップの周辺領域において前記半導体チップの上面と同じ高さで形成されたアンダーフィル樹脂と、前記半導体チップ及び前記アンダーフィル樹脂の上に接着剤層によって固定され、前記半導体チップから外側に突き出る突出部を備え、前記突出部が少なくとも前記アンダーフィル樹脂の上に配置され、樹脂又は繊維補強材含有樹脂から形成される補助部材とを有し、前記補助部材及び接着剤層の熱膨張係数は、前記半導体チップの熱膨張係数より大きく、前記補助部材の熱膨張係数は、前記配線基板の熱膨張係数より大きい半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、その開示の他の観点によれば、配線基板の上に樹脂材を形成する工程と、半導体チップの接続端子を樹脂材に押し込んで前記配線基板の接続パッドに接続すると共に、前記半導体チップと前記配線基板との隙間から前記半導体チップの周辺領域にかけて前記樹脂材からアンダーフィル樹脂を形成し、前記半導体チップの周辺領域の前記アンダーフィル樹脂を前記半導体チップの上面と同じ高さで形成する工程と、前記半導体チップ及び前記アンダーフィル樹脂の上に接着剤層を介して、前記半導体チップから外側に突き出る突出部を備え、樹脂又は繊維補強材含有樹脂からなる補助部材を形成し、前記突出部を前記アンダーフィル樹脂の上に配置する工程と、前記アンダーフィル樹脂及び前記補助部材の少なくとも側面を封止する封止樹脂を形成する工程とを有し、前記補助部材及び前記接着剤層の熱膨張係数は、前記半導体チップの熱膨張係数より大きく、前記補助部材の熱膨張係数は、前記配線基板の熱膨張係数より大きい半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
その対策として、図２に示す半導体装置１２０のように、配線基板２００及び半導体チップ３００を封止樹脂７００で封止して、配線基板２００の剛性を補強すると共に、反りを低減させる方法がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図６に示すように、リファレンスの半導体装置１２０では、２５℃から１００℃で凸状の反りが発生し、１００℃から２６０℃で凹状の反りが発生し、反り量はほほリニアに変化する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
しかしながら、図８（ｂ）に示すように、半導体装置１２０をマザーボードに実装する場合には、はんだの融点である２４０℃に加熱されるため、許容値を超えた反りが発生してしまう。よって、マザーボードとの電気的な接続の信頼性が得られなくなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
なお、図１１（ａ）の工程で、接着剤層４０を完全に硬化させて補助部材５０を半導体チップ３０に固定してもよい。この場合は、図１１（ｂ）の工程での封止樹脂６０を形成する際の加熱処理時に、接着剤層４０を未硬化とする場合より補助部材５０が伸びにくくなるため、反り矯正効果は多少弱くなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
なお、半導体装置１の上に上側半導体装置を積層する場合は、図５で示したように、接続パッドＰ上の封止樹脂６０に開口部６４が形成され、その中にバンプ電極２８が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月15日(2015.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリット形状の光に対して原板ステージと基板ステージとを走査方向に同期して移動させながら前記原板ステージに保持された原板のパターンを前記基板ステージに保持された基板に投影光学系を介して投影して前記基板に走査露光を行う露光装置であって、
前記原板ステージに保持されたテスト原板に設けられた第１マークと、前記基板ステージに保持されたテスト基板に設けられた第２マークとの相対位置を計測する計測部と、
前記スリット形状の光の前記走査方向の幅内における複数の計測位置で前記第１マークと前記第２マークとの相対位置を前記計測部に計測させ、前記相対位置の複数の計測結果に基づいて前記走査露光によって前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを求める制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記相対位置の複数の計測結果に基づいて前記第１マークと前記第２マークとの位置ずれ量の平均値を用いて前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを求めることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記相対位置の複数の計測結果と、前記テスト原板における前記第１マークの設置誤差及び前記テスト基板における前記第２マークの設置誤差とに基づいて前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを求めることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記複数の計測位置は、前記走査方向に沿って等間隔をおいて離された位置であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
スリット形状の光に対して原板ステージと基板ステージとを走査方向に同期して移動させながら前記原板ステージに保持された原板のパターンを前記基板ステージに保持された基板に投影光学系を介して投影して前記基板に走査露光を行うことによって前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを計測する計測方法であって、
第１マークが設けられたテスト原板を前記原板ステージに配置する工程と、
第２マークが設けられたテスト基板を前記基板ステージに配置する工程と、
前記スリット形状の光の前記走査方向の幅内における複数の計測位置で前記第１マークと前記第２マークとの相対位置を計測する工程と、
前記相対位置の複数の計測結果に基づいて前記走査露光によって前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを求める工程と、
を含むことを特徴とする計測方法。
【請求項６】
前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを求める工程は、前記相対位置の複数の計測結果に基づいて前記第１マークと前記第２マークとの位置ずれ量の平均値を用いて前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを求める工程と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の計測方法。
【請求項７】
前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを求める工程では、前記相対位置の複数の計測結果と、前記テスト原板における前記第１マークの設置誤差及び前記テスト基板における前記第２マークの設置誤差とに基づいて前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを求めることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の計測方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の計測方法を用いて求められた前記基板に形成されるパターンの目標パターンからのずれを低減するように、前記投影光学系を構成する光学部品、前記走査露光時の前記原板ステージの駆動量及び前記走査露光時の前記基板ステージの駆動量の少なくともいずれかを調整する工程を含むことを特徴とする露光装置の調整方法。
【請求項９】
請求項８に記載の調整方法を用いて調整された露光装置を用いて基板に走査露光を行う工程と、
前記走査露光が行われた基板を現像する工程と、
を含むデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピエゾ分極を起こす半導体 にて形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に積層されたチャネル層と、
を備え、
前記チャネル層においては、前記バッファ層のピエゾ分極により当該チャネル層に生じる２次元ホールガスをキャリアとする半導体装置 。
【請求項２】
前記バッファ層においてピエゾ分極を起こす半導体は、ＩｎＧａＰである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記チャネル層は、価電子帯のエネルギーレベルが前記バッファ層よりも高い半導体にて形成されている請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記チャネル層には、前記ピエゾ分極により前記バッファ層の厚さに応じた数の２次元ホールガスが発生する請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記バッファ層は、互いに格子整合する複数の半導体層にて形成されており、
これら複数の半導体層のうち、前記チャネル層に隣接して設けられる半導体層は、前記ピエゾ分極を起こす半導体で形成されている請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記チャネル層は、前記ピエゾ分極を起こす半導体と格子整合する半導体を１回以上積層して形成してある請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記チャネル層の半導体には、濃度が１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３ 以下のＣ、Ｚｎ、又はＢｅを不純物としてドープしてあり、
前記バッファ層の半導体には、濃度が１×１０１２〜４×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３のＣ、Ｚｎ、又はＢｅを不純物としてドープしてある請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記バッファ層は、化合物半導体基板の上に積層されており、
前記バッファ層と前記化合物半導体基板の間には、前記バッファ層の半導体と前記化合物半導体基板の半導体の双方に格子整合する半導体層であって、前記バッファ層の半導体と前記化合物半導体基板の半導体の双方とバンドギャップが異なる少なくとも１層の半導体層を積層してある請求項１〜請求項７の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記チャネル層の上に積層されたｎ型半導体により形成したゲートを備える請求項１〜請求項８の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記チャネル層にｎ型の不純物を拡散することにより形成したゲートを備える請求項１〜請求項８の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記チャネル層に接合されたショットキーメタルにより形成したゲートを備える請求項１〜請求項８の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記チャネル層上に積層したゲート酸化膜にショットキーメタルを接合して形成したゲートを備える請求項１〜請求項８の何れか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２の何れか１項に記載の半導体装置とｎ型電界効果トランジスタを同じ化合物半導体基板上に形成した相補型半導体装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１２の何れか１項に記載の半導体装置を用いて作成されたレベルシフト回路。
【請求項１５】
化合物半導体の基部を形成する工程と、
前記基部の上に、前記基部の化合物半導体と格子整合し且つピエゾ分極を起こす半導体を積層してバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上に、前記バッファ層の半導体と格子整合し且つ前記バッファ層のピエゾ分極により２次元ホールガスが発生する半導体を積層してチャネル層を形成する工程と、
前記チャネル層の上にゲートを形成する工程と、
前記チャネル層の上の前記ゲートを挟んだ両側にそれぞれドレイン及びソースを形成する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。