【事件の表示】
　特願２０１７−５０５２１６「血管内超音波撮像装置、インターフェースアーキテクチャ、及び製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　２月　４日国際公開、ＷＯ２０１６／０１６８１０、平成２９年　９月　７日国内公表、特表２０１７−５２５４４９、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　手続の経緯
　本件出願（以下「本願」と記す。）は、２０１５年（平成２７年）７月２９日（パリ条約による優先権主張　２０１４年８月１日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成３０年７月２６日に審査請求がなされると同時に手続補正書が提出され、平成３１年４月２３日付けで拒絶理由が通知され、令和元年７月２４日に意見書が提出され、同年８月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２６日付けで意見書が提出され、同年１２月１６日付けで拒絶査定されたところ、令和２年４月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
２　原査定の概要
　原査定（令和元年１２月１６日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　本願請求項１、６−１５に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願の請求項２−５に係る発明は、以下の引用文献１に記載された発明、引用文献２−３に記載された事項に基づいて、当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献等一覧
１．特表２０１１−５０５２０５号公報
２．国際公開第２００５／０３２３７４号
３．特表平２−５０２０７８号公報
３　本願発明
　本願請求項１−１５に係る発明（以下それぞれ「本願発明１」−「本願発明１５」という。）は、平成３０年７月２６日提出の手続補正書により手続補正された特許請求の範囲の請求項１−１５に記載された事項により特定される発明であり、本願発明１と本願発明１１は以下のとおりである。（下線は補正箇所を表す。）
「【請求項１】
　可撓性の細長い部材と、
　前記可撓性の細長い部材の遠位部分に配設された超音波スキャナ
アセンブリと
前記超音波スキャナアセンブリは、
　　半導体基板上に形成された、制御回路の複数のトランジスタと、
　　前記半導体基板上に形成され、前記制御回路に電気的に結合された複数の超音波トランスデューサと
を有する当該半導体基板を含み、
　前記超音波スキャナアセンブリが丸められた形態であるときに、前記半導体基板が、実質的に円筒形状を有するように湾曲され、
　前記超音波スキャナアセンブリが前記丸められた形態であるときに、前記複数のトランジスタ
及び前記複数の超音波トランスデューサ
、
超音波撮像デバイス。」
「【請求項１１】
　超音波撮像デバイスを製造する方法であって、
　半導体基板を受け取るステップと、
　トランジスタを前記半導体基板上に形成するステップと、
　超音波トランスデューサを前記半導体基板上に形成するステップと、
　前記トランジスタを有する前記半導体基板と、前記半導体基板上に形成された前記超音波トランスデューサとを、実質的に円筒形状を有するように丸めるステップとを含
む、
方法。」
　なお、本願発明２−１０、本願発明１２−１５の概要は以下のとおりである。
　本願発明２−１０は、本願発明１を減縮した発明である。
　本願発明１２−１５は、本願発明１１を減縮した発明である。
４　引用文献、引用発明等
（１）引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献１には、図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審が付与した。以下同じ。）
　ア　「【０００１】
　本発明は、
容量性マイクロマシン加工超音波変換器（ＣＭＵＴ）スキャナに関連し、より具体的には、ＣＭＵＴによる超音波スキャナを備えるカテーテル
　イ　「【００２０】
　図１は、一部の実施形態のカテーテルの断面図を示す。
カテーテル１００は、ＣＭＵＴ変換器１１１、様々な電極１１２、可撓性の細長い本体１２０、ケーブル１３０、接続ワイヤ１３１、内腔１４０、可撓性遠位端１５０、および外被１６０を含むＣＭＵＴ超音波スキャナ１１０を備える。
　ウ　「【００２７】
　次に図２Ａを参照して、一部の実施形態の側方視型超音波スキャナ２０９の断面図を説明する。超音波スキャナ２０９は、ＩＣ２２０、可撓性部材２３０、内腔２４０またはシャフト２４１（以下、内腔２４０）、一対のワイヤ２５０、および外層２６０を含む。ＣＭＵＴアレイ２１０、ＩＣ２２０、および可撓性部材２３０（以下、可撓性サブアセンブリ２０８）は、内腔２４０に取り付けられ得る。
ＣＭＵＴアレイ２１０およびＩＣ２２０は、半導体技術を使用して個別に（または一緒に）製造することができ、また可撓性部材２３０によって互いに機械的に連結することができる。
【００２８】
　図２Ａの詳細部分は、可撓性サブアセンブリ２０８の内腔２４０への取り付けを示す。図２Ａの詳細部分は、ＣＭＵＴアレイ２１０の特定のＣＭＵＴ要素の様々な構成要素も示す。
ＣＭＵＴ要素のこれらの構成要素は、膜２１１、絶縁層２１４、基板２１５、先端電極２１６、（可撓性部材２３０の）導電層２３１、（可撓性部材２３０の）絶縁層２３２、および（可撓性部材２３０の）ビア２３３を含む。
　エ　「【００３０】
　可撓性部材２３０に関して、可撓性部材２３０は、１つまたは複数の絶縁層２３２および少なくとも１つの導電層２３１を含み得る。これらの絶縁層２３２および導電層２３１は、半導体技術を使用して製造することができ、わずか１マイクロメートルの薄さに製造することができる。したがって、可撓性部材２３０内の相互接続部間の分離は、わずか１マイクロメートルであり得、これまでに利用可能な超音波スキャナ（およびより具体的には、これまでに利用可能なＰＺＴによる超音波スキャナ）と比較して、相互接続部の密度が増加する。さらに、可撓性部材２３０内の相互接続部の密度を高めることが所望される場合、追加の絶縁層２３２および導電層２３１を可撓性部材２３０内に形成することができる。
可撓性部材２３０の層２３１および２３２は、半導体技術と適合する材料で製造され得る。例えば、導電層２３１は、アルミニウム、金等で形成することができ、金属または他の導電材料を適切な基板上に電気めっき、スパッタリング、蒸散等によって形成され得る。絶縁層２３２は、パリレン、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、窒化物、ポリイミド、またはカプトン等で形成され得る。
　オ「【００３２】
　図２Ｂは、図２Ａの超音波スキャナ２０９の線２Ｂ−２Ｂに沿って取られた断面図を示す。当業者であれば、ＣＭＵＴアレイ２１０のＣＭＵＴ要素が、音響整合層またはバッキング層がなくても満足に作動し得ることを理解するであろう。さらに、ＣＭＵＴアレイ２１０は、内腔２４０とＣＭＵＴアレイ２１０との間に充填材がなくても満足に作動し得る。したがって、
可撓性ＣＭＵＴアレイ２１０は、内腔２４０上で直接巻くことができる。
　カ　「【００３５】
　ここで図１４を参照して、
ＣＭＵＴによる超音波スキャナを製造する方法について、
ウエハ１４００は、ＣＭＵＴアレイ１４１０、ＩＣ１４２０、またはそれらの様々な組み合わせの製造に使用されるシリコン−オン−オキサイド（ＳＯＩ）ウエハであり得る。ウエハ１４００を使用して、可撓性部材１４３０を製造し、ＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を可撓性部材１４３０と集積化することもできる
【００３６】
　ここで図１４．１を参照して、
ウエハ１４００は、素子層１４０１、ハンドリングウエハ１４０２、および絶縁層１４０３を含み得る。
【００３７】
　図１４．２に示されるように、様々なトレンチまたは開口パターン１４０５をウエハ１４００において形成することができる。トレンチおよびパターン１４０５は、エッチングしてウエハ１４００の絶縁層１４０３に到達するようにする必要がある。トレンチまたはパターン１４０５を使用して、様々なＣＭＵＴアレイ１４１０、ＣＭＵＴアレイの要素、ＩＣ１４２０、および他の構成要素を互いから、または素子層１４０１の残りから分離することができる。図１４によって示される他のステップと同様に、適切な半導体技術を使用して、トレンチ１４０５を形成することができる。さらに、図１４．３は、ＩＣ１４２０をウエハ１４００上に製造できることを示す。ＩＣ１４２０をホストする領域が保護材料で被覆されている場合、ＩＣ１４２０を製造する前に保護材料を除去してもよい。
【００３８】
　一部の実施形態において、ＣＭＵＴアレイ１４１０は、通常、ＩＣ１４２０の製造中に遭遇する可能性の高い温度よりも高い温度に耐え得る材料で形成される。したがって、ＣＭＵＴアレイ１４１０の後にウエハ１４００上でＩＣ１４２０を製造することにより、満足できるサブアセンブリ１４０８をもたらすことができる。一部の実施形態により、図１５を参照して説明されるように、ＩＣ１４２０の製造後に、ＣＭＵＴアレイ１４１０をウエハ１４００上に製造することができる。
【００３９】
　引き続き図１４を参照して、図１４．４から図１４．６に示されるステップは、可撓性部材１４３０を形成するために使用できる典型的なプロセスステップである。これらのステップを採用する実施形態において、可撓性部材１４３０は、少なくとも１つの絶縁層および少なくとも１つの導電層を有する。図１４．４は、可撓性絶縁材料（例えば、パリレン、ポリジメチルシルオキサン、またはＰＤＭＳ、ポリイミド、ニトリド等）の層が、可撓性部材１４３０の第１の絶縁層としてウエハ１４００上でパターン化および形成され得ることを示す。可撓性絶縁層１４３２は、任意の適切な方法でウエハ１４００上に形成することができる。例えば、可撓性絶縁層１４３２は、ウエハ１４００上にスピンコート、蒸散、スパッタ、蒸着等され得る。さらに、可撓性絶縁層１４３２のパターンは、可撓性絶縁層１４３２がＣＭＵＴ１４１０およびＩＣ１４２０に関連する電極、リード、コンタクト等へのアクセスを可能にするように選択することができる。
【００４０】
　図１４．５において、ウエハ１４００上の可撓性部材１４３０の導電層１４３１の形成が示される。導電層１４３１は、任意の適切な技術によってウエハ１４００上にパターン化および蒸着され得、ＣＭＵＴアレイ１４１０、ＩＣ１４２０、およびウエハ１４００上の他の構成要素の間の相互接続部の製造を可能にする方法で製造することができる。導電層１４３１は、アルミニウム、金、銅、チタン等、または他の適切な金属から、（例えば）蒸着、蒸散、スパッタリング等によって製造することができる。複数の絶縁および導電層で可撓性部材１４３０を形成することが所望され得る場合は、追加の導電層１４３１および絶縁層１４３２をウエハ１４００上でパターン化および形成して、相互接続部、ビア、およびウエハ１４００によりホストされる構成要素の関連絶縁体を提供することができる。１つ以上の導電層１４３１および絶縁層１４３２がウエハ１４００上に形成される場合、キャパシタ、インダクタ等の様々な装置がそこに形成され得る。
【００４１】
　所望される場合、外層１４２９がウエハ１４００上に形成され得る。外層を保護層として使用し、可撓性部材１４３０の絶縁層として処理され得る。通常、必須ではないが、外層は生体適合性である。外層１４２９は、図１４．６により示され、様々な技術によって、パリレン、ＰＭＤＳ、ポリイミド、ニトリド等の可撓性絶縁材料から形成することができる。外層１４２９の厚み、パターン、および材料を選択して、機械的酷使からのサブアセンブリ１４０８の保護を提供し、その環境から超音波変換器を電気的且つ熱的に絶縁し、サブアセンブリ１４０８に対して平滑且つ比較的摩擦のない表面を提供して、それが挿入され得る様々な血管の壁に呈することができる。このステップの後、一部の実施形態において、可撓性部材１４３０がウエハ１４００上に形成されており、ＩＣ１４２０およびＣＭＵＴ１４１０を電気的且つ機械的に接続する。
【００４２】
　
図１４．７は、ハンドリングウエハ１４０２、絶縁層１４０３、および素子層１４０２の残りを除去することによって、可撓性サブアセンブリ１４０８を取得できることを示す。そのため、図１４に示される製造方法は、互いに、また可撓性部材１４３０と集積化されるＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を含む、サブアセンブリ１４０８をもたらす。
　キ「【図１】
」
　ク「【図２Ａ】
」
　
　ケ「【図７】
」
　コ　図１より、
ＣＭＵＴ超音波スキャナ１１０は、可撓性の細長い本体１２０の可撓性遠位端１５０近傍に配置されている
　上記引用文献１の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「容量性マイクロマシン加工超音波変換器（ＣＭＵＴ）による超音波スキャナを備えるカテーテルにおいて、
　カテーテル１００は、ＣＭＵＴ変換器１１１、様々な電極１１２、可撓性の細長い本体１２０、ケーブル１３０、接続ワイヤ１３１、内腔１４０、可撓性遠位端１５０、および外被１６０を含むＣＭＵＴ超音波スキャナ１１０を備え、
　ＣＭＵＴ超音波スキャナ１１０は、可撓性の細長い本体１２０の可撓性遠位端１５０近傍に配置されており、
　ＣＭＵＴアレイ２１０およびＩＣ２２０は、半導体技術を使用して個別に（または一緒に）製造することができ、また可撓性部材２３０によって互いに機械的に連結することができ、
　ＣＭＵＴ要素のこれらの構成要素は、膜２１１、絶縁層２１４、基板２１５、先端電極２１６、（可撓性部材２３０の）導電層２３１、（可撓性部材２３０の）絶縁層２３２、および（可撓性部材２３０の）ビア２３３を含み、
　可撓性部材２３０の層２３１および２３２は、半導体技術と適合する材料で製造され得、例えば、導電層２３１は、アルミニウム、金等で形成することができ、金属または他の導電材料を適切な基板上に電気めっき、スパッタリング、蒸散等によって形成され得、絶縁層２３２は、パリレン、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、窒化物、ポリイミド、またはカプトン等で形成され得、
　可撓性ＣＭＵＴアレイ２１０は、内腔２４０上で直接巻くことができ、
　ＣＭＵＴによる超音波スキャナを製造する方法について、ウエハ１４００は、ＣＭＵＴアレイ１４１０、ＩＣ１４２０、またはそれらの様々な組み合わせの製造に使用されるシリコン−オン−オキサイド（ＳＯＩ）ウエハであり、ウエハ１４００を使用して、可撓性部材１４３０を製造し、ＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を可撓性部材１４３０と集積化することもでき、ウエハ１４００は、素子層１４０１、ハンドリングウエハ１４０２、および絶縁層１４０３を含み得、ハンドリングウエハ１４０２、絶縁層１４０３、および素子層１４０２の残りを除去することによって、可撓性サブアセンブリ１４０８を取得でき、可撓性部材１４３０と集積化されるＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を含む、サブアセンブリ１４０８をもたらす、
カテーテル及び製造方法。」
　
（２）引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献２には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「[0032] 図4は、図3の振動要素34-1の縦断面図である。図4に示すように、振動要素34-1は、基板40と、基板40の被検体側の面に形成された枠体42と、枠体42の開口を 塞いで設けられた膜体44などから形成されている。基板40、枠体42、膜体44は、半導体化合物 (例えば、シリコン化合物）を含んで形成されている。枠体42と膜体44により内部空間48が区画されている。内部空間48は、所定の真空度を有する状態、または所定のガスが充填された状態にされている。また、基板40の背面側の面に配設された電極35-1と、膜体44の被検体側の面に配設された電極35-2を有している。電極35-1は、送信手段12の駆動信号電源50に接続端子49-1を介して接続されている。電極 35-2は、バイアス手段14の直流バイアス電源51に接続端子49-2を介して接続されている。 
[0033]振動要素34-1は、半導体プロセスによる微細加工によって製造される。例えば、基板 40となるシリコンウェハを用意する。シリコンウェハ上に酸化膜がウエット雰囲気中で形成される。酸化膜が形成された基板に対しパターン形成、レジスド塗布などを施した後、エッチング処理を行うことにより枠体42が形成される。形成された枠体42の内部に所定のガスが充填される。枠体42上に LPCVD (Low Pressure ChemicalVaporDeposition)プロセスによりニッケル（Ni)を蒸着することにより膜体44が形成される。そして、金属電極を蒸着することによって電極35-1、35-2が形成される。このような処理工程によってシリコンウェハに複数の振動要素が形成される。形成された振動要素のそれぞれは、直径が数マイクロメートル (例えば、10μm)の大きさを有する。振動要素が形成されたシリコンウェハは、MEMS (Micro Electro Mechanical System)により振動子26a-26mとして複数にカッティングされる。カッティングされた振動子26a-26mは、バッキング材28に配列された後、超音波探触子10の探触子ヘッド基板に接着される。探触子ヘッド基板に駆動信号電源50、直流バイアス電源51が接続端子49-1、49-2を介して接続される。なお、マッチング層30、音響レンズ32なども振動子26a-26mに取り付けられる。
[0034]このような振動要素34-1〜34-30としては、例えば、cMut(Capative 
MicromachinedUltrasonic Transducer: IEEE Trans. Ultras on.Ferroelect. Freq. Contr. Vol45 pp.678-690 May 1998)を適用することができる。」
　イ「[0037] このように振動要素34-1に印加するバイアス電圧の大きさを制御することにより、膜体44の緊張度を変化させることができる。そして、膜体44の緊張度に起因して電気機械結合係数が変化する。したがって、バイアス電圧の大きさを制御することにより電気機械結合係数を変化させると、振動要素34-1により送受される超音波の強度（例えば、振幅の大きさ）を調整することができる。その結果、複数の振動要素34-1〜34-30により送受される各超音波の強度を調整することにより、超音波ビームの音圧分布を任意に可変することが可能になる。」
　ウ「[0047] また、図3及び図7に示すように、振動要素34-1〜34-30を複数の区分P1-P3に分け、同じ区分(例えば、区分P1)に属する各振動要素(例えば、振動要素34-1〜34-10)の電極（例えば、電極35)を共通に接続している。これによれば、単一の振動要素 (例えば、振動要素34-1)から射出される超音波強度が微弱であるときでも、各区分に属する振動要素の数を増やすことにより、超音波像を撮像するのに必要な超音波強度を確保できる。」
　上記引用文献２の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「振動要素が形成されたシリコンウェハは、MEMS (Micro Electro Mechanical System)により振動子26a-26mとして複数にカッティングされ、カッティングされた振動子26a-26mは、バッキング材28に配列された後、超音波探触子10の探触子ヘッド基板に接着され、振動要素34-1〜34-30としては、例えば、cMutを適用することができ、振動要素34-1に印加するバイアス電圧の大きさを制御することにより、膜体44の緊張度を変化させることができ、振動要素34-1〜34-30を複数の区分P1-P3に分け、同じ区分(例えば、区分P1)に属する各振動要素(例えば、振動要素34-1〜34-10)の電極（例えば、電極35)を共通に接続している、超音波探触子。」
（３）引用文献３について
　原査定の拒絶の理由に引用された上記引用文献３には、図面とともに次の事項が記載されている。
　ア　「圧電気ポリマーの全てがリング４４として用いるのに適当ということではない。受け入れ可能な材料は次のような特性を有するものでなければならない。いうまでもなく、この材料は反射された超音波を検知するための良好な感度特性を有するものでなければならない。しかしながら、リング４４の小さい寸法およびシリンダ状の形状のために、この圧電気材料もまた、極めて小さい直径の適当な形状に形成できるものでなければならない（例えば、直径が約１．５ｍｍのシリンダ）。例えば、該材料は可撓性のシートとして出発するか、可撓性のものではないときには、沈積その他の周知の成型処理により、所望の形状のものに直接的に成型することができる。また、該材料は連続的なものであることから、良好な音響的態様によって特徴付けられるものでなければならない。換言すれば、リング４４によって形成される配列における１個の要素の励起は、該配列における他の要素との相互作用からのシャー・ウェーブ（ｓｈｅａｒ　ｗａｖｅｓ）またはリンギング（ｒｉｎｇｉｎｇ）を生じるものであってはならない。より詳細に後述されるように、この発明に含まれている電子回路装置は、シャー・ウェーブまたはリンギングの排除の助けになるものである。更に、
この圧電気材料は、プローブ・アセンブリ２４を直接的に包囲する人体組織と良好に合致するものでなければならない。先のような基準に対して、本出願人は、目下のところ、約９ミクロンの厚みを有するコポリマーＰ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）を使用している。
　上記引用文献３の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用文献３には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「圧電気材料として、約９ミクロンの厚みを有するコポリマーＰ（ＶＤＦ−ＴｒＦＥ）を使用した、圧電気材料。」
５　対比・判断
（１）本願発明１について
　ア　対比
　本願発明１を、引用発明１と比較する。
　（ア）引用発明１の「可撓性の細長い本体１２０」は、本願発明１における「可撓性の細長い部材」に相当する。
　（イ）引用発明１における「可撓性遠位端１５０」は、「可撓性の細長い本体１２０」の端部にあることから、本願発明１における「可撓性の細長い部材」の「遠位部分」に相当する。
　（ウ）引用発明１の「ＣＭＵＴ超音波スキャナ１１０」は、「可撓性の細長い本体１２０の可撓性遠位端１５０近傍に配置されて」いることから、本願発明１における「可撓性の細長い部材の遠位部分に配設された超音波スキャナアセンブリ」に相当する。
　（エ）引用発明１の「容量性マイクロマシン加工超音波変換器（ＣＭＵＴ）による超音波スキャナを備えるカテーテル」は、本願発明１における「超音波撮像デバイス」に相当する。
　（オ）引用発明１の「ＩＣ１４２０」は、超音波スキャナのＩＣであるから、本願発明１における「制御回路の複数のトランジスタ」に相当する。
　（カ）引用発明１の「ＣＭＵＴアレイ１４１０」は、「超音波スキャナ１１０」の「容量性マイクロマシン加工超音波変換器（ＣＭＵＴ）」であるから、本願発明１における「制御回路に電気的に結合された複数の超音波トランスデューサ」に相当する。
　（キ）引用発明１の「可撓性部材１４３０と集積化されるＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を含む、サブアセンブリ１４０８」は、「ＣＭＵＴによる超音波スキャナ」であり、「可撓性ＣＭＵＴアレイ２１０は、内腔２４０上で直接巻くことができ」ることから、サブアセンブリ１４０８は円筒形状になるものである。よって、引用発明１の「可撓性部材１４３０と集積化されるＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を含む、サブアセンブリ１４０８」である「ＣＭＵＴによる超音波スキャナ」が「内腔２４０上で直接巻くことができ」ることは、本願発明１における「超音波スキャナアセンブリが」「丸められた形態であるときに、」「複数のトランジスタ及び」「複数の超音波トランスデューサが円筒形構成で構成される」ことに相当する。
　すると、本願発明１と、引用発明１とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「可撓性の細長い部材と、
　前記可撓性の細長い部材の遠位部分に配設された超音波スキャナアセンブリとを備える超音波撮像デバイスであって、前記超音波スキャナアセンブリは、
　　制御回路の複数のトランジスタと、
　　前記制御回路に電気的に結合された複数の超音波トランスデューサと
を含み、
　前記超音波スキャナアセンブリが前記丸められた形態であるときに、前記複数のトランジスタ及び前記複数の超音波トランスデューサが円筒形構成で構成される、
超音波撮像デバイス。」
　一方で、両者は、次の点で相違する。
＜相違点１＞
　超音波スキャナアセンブリが、本願発明１では、「半導体基板」を備え、「制御回路の複数のトランジスタと、」「前記制御回路に電気的に結合された複数の超音波トランスデューサと」が「半導体基板上に形成され」、「前記超音波スキャナアセンブリが丸められた形態であるときに、前記半導体基板が、実質的に円筒形状を有するように湾曲され」るのに対し、引用発明１では、「可撓性部材」に「ＣＭＵＴアレイ」および「ＩＣ１４２０」が形成され、「可撓性部材」「と集積化されるＣＭＵＴアレイ」「およびＩＣ」「を含む、サブアセンブリ１４０８」が円筒形構成に丸められる点。
　イ　判断
　前記「ア」で記載した相違点１について判断する。
　（ア）引用発明１における「可撓性部材」は、「層２３１および２３２」を備え、「導電層２３１は、アルミニウム、金等で形成することができ、金属または他の導電材料を適切な基板上に電気めっき、スパッタリング、蒸散等によって形成され得、絶縁層２３２は、パリレン、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、窒化物、ポリイミド、またはカプトン等で形成され得」るものであるから、半導体基板ではない。
　（イ）また、引用発明１における超音波スキャナを製造する方法においては、「半導体技術」で製作されているが、それに用いる半導体基板であるウエハ１４００は、可撓性部材１４３０と集積化されるＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を含むサブアセンブリ１４０８の完成前にハンドリングウエハ１４０２、絶縁層１４０３、および素子層１４０２の残りを除去することが行われていることから、サブアセンブリ１４０８から除去されていることが分かる。
　（ウ）以上のことから、引用発明１における超音波スキャナであるサブアセンブリ１４０８には半導体基板は存在せず、上記相違点１に係る発明特定事項を引用発明１から当業者であっても導き出すことはできない。
　（エ）さらに、引用発明２及び引用発明３にも上記相違点１に係る発明特定事項に関連する技術は開示されていないので、上記相違点１に係る発明特定事項を引用発明１−３から当業者であっても導き出すことはできない。
　ウ　小括
　したがって、本願発明１は、当業者であっても、引用発明１または引用発明１ないし３に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
（２）本願発明２−１０について
　本願発明２−１０も、本願発明１の上記相違点１に係る発明特定事項を備えるものであるから、本願発明１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１または引用発明１−３に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
（３）本願発明１１について
　ア　対比
　本願発明１１と引用発明１を比較する。
　（ア）引用発明１における「ＣＭＵＴによる超音波スキャナを製造する方法」は、本願発明１１における「超音波撮像デバイスを製造する方法」に相当する。
　（イ）引用発明１における「ＩＣ１４２０」は、本願発明１１における「トランジスタ」に相当する。
　（ウ）引用発明１における「ＣＭＵＴアレイ１４１０」は、本願発明１１における「超音波トランスデューサ」に相当する。
　（エ）引用発明１の「可撓性部材１４３０と集積化されるＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を含む、サブアセンブリ１４０８」は、「ＣＭＵＴによる超音波スキャナ」であり、「可撓性ＣＭＵＴアレイ２１０は、内腔２４０上で直接巻くことができ」ることから、サブアセンブリ１４０８は円筒形状になるものである。よって、引用発明１の「可撓性部材１４３０と集積化されるＣＭＵＴアレイ１４１０およびＩＣ１４２０を含む、サブアセンブリ１４０８」である「ＣＭＵＴによる超音波スキャナ」が「内腔２４０上で直接巻くこと」は、本願発明１１における「トランジスタ」と「超音波トランスデューサとを、実質的に円筒形状を有するように丸めるステップ」に相当する。
　すると、本願発明１１と、引用発明１とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「超音波撮像デバイスを製造する方法であって、
　トランジスタを形成するステップと、
　超音波トランスデューサを形成するステップと、
　前記トランジスタと前記超音波トランスデューサとを、実質的に円筒形状を有するように丸めるステップとを含む、
方法。」
　一方で、両者は、次の点で相違する。
＜相違点２＞
　本願発明１１では、「半導体基板を受け取るステップ」を備え、「トランジスタと、」「超音波トランスデューサと」を「半導体基板上に形成するステップ」を備え、「トランジスタを有する」「半導体基板と、」「半導体基板上に形成された」「超音波トランスデューサとを実質的に円筒形状を有するように丸めるステップ」を備えるのに対し、引用発明１では、「可撓性部材１４３０」に「ＣＭＵＴアレイ１４１０」および「ＩＣ１４２０」が形成され、「可撓性部材」「と集積化されるＣＭＵＴアレイ」「およびＩＣ」「を含む、サブアセンブリ１４０８」が円筒形構成に丸めるステップを備える点。
　イ　判断
　前記「ア」で記載した相違点２について判断する。
　前記「（１）イ」で検討したとおり、引用発明１における超音波スキャナであるサブアセンブリ１４０８には半導体基板は存在しないので、上記相違点２に係る発明特定事項を引用発明１から当業者であっても導き出すことはできない。
　さらに、引用発明２及び引用発明３にも上記相違点２に係る発明特定事項に関連する技術は開示されていないので、上記相違点２に係る発明特定事項を引用発明１−３から当業者であっても導き出すことはできない。
　ウ　小括
　したがって、本願発明１１は、当業者であっても、引用発明１または引用発明１ないし３に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
（４）本願発明１２−１５について
　本願発明１２−１５も、本願発明１１の上記相違点２に係る発明特定事項を備えるものであるから、本願発明１１と同じ理由により、当業者であっても、引用発明１または引用発明１−３に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
６　むすび
　以上のとおり、本願発明１−１５は、当業者であっても引用発明１または引用発明１−３に基づいて容易に発明できたものではない。したがって、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。