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【手続補正書】
【提出日】平成27年5月21日(2015.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリーまたは発電機等からなる電源からの電気入力によって電動コンプレッサのモータを駆動するインバータ装置であって、前記モータを所定の回転速度に制御するため電流指令値を算出する回転速度制御手段と、前記回転速度制御手段の電流指令値により前記モータへＰＷＭ変調の通電により正弦波電流を出力する電流制御手段とを備え、
前記回転速度制御手段は、電流指令値が所定値以上の場合、前記モータの回転速度を減速する回転速度減速手段を備えたことを特徴とするインバータ装置。
【請求項２】
前記回転速度減速手段は所定の減速率で減速する構成とした請求項１に記載のインバータ装置。
【請求項３】
前記回転速度減速手段は、電流指令値が所定値未満になるまで減速する構成とした請求項１または２に記載のインバータ装置。
【請求項４】
前記回転速度減速手段は、電流指令値が所定値未満の状態が所定時間経過したときに減速した回転速度を解除する解除手段を備えた請求項１〜３のいずれか１項に記載のインバータ装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のインバータ装置を備える電動コンプレッサ。
【請求項６】
請求項５記載の電動コンプレッサを備える空気調和装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明のインバータ装置は、
バッテリーまたは発電機等からなる電源からの電気入力によって電動コンプレッサのモータを駆動するインバータ装置であって、前記モータを所定の回転速度に制御するため電流指令値を算出する回転速度制御手段と、前記回転速度制御手段の電流指令値により前記モ
ータへＰＷＭ変調の通電により正弦波電流を出力する電流制御手段とを備え、前記回転速度制御手段は、電流指令値が所定値以上の場合、前記モータの回転速度を減速する回転速度減速手段を備えた構成としてある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第１の発明は、バッテリーまたは発電機等からなる電源からの電気入力によって電動コンプレッサのモータを駆動するインバータ装置であって、前記モータを所定の回転速度に制御するため電流指令値を算出する回転速度制御手段と、前記回転速度制御手段の電流指令値により前記モータへＰＷＭ変調の通電により正弦波電流を出力する電流制御手段とを備え、前記回転速度制御手段は、電流指令値が所定値以上の場合、前記モータの回転速度を減速する回転速度減速手段を備えた構成としてある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第５の発明は、第１から第４のいずれかの発明のインバータ装置を備えた電動コンプレッサである。
また、第６の発明は第５の発明の電動コンプレッサを備えた空気調和装置である。車両用においては、特に電気自動車やハイブリッドカーにおいては、モータによる走行など静粛性が高く、低騒音が求められるため、本インバータ装置を備えた電動コンプレッサ、空気調和装置は有用である。更に、車両の室内空間では、吹出し温度の変化を乗員は気がつきやすいので、本インバータ装置を備えた電動コンプレッサ、空気調和装置は有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月17日(2015.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質の粒子とカーボンナノチューブとを含む活物質層と、導電性材料を含む集電体とを備え、
前記活物質がＳｉ及びＳｎの少なくともいずれかを含む物質であるとともに、
前記カーボンナノチューブは、該カーボンナノチューブの内側、または外側の近傍にイオンが存在するとともに、体積収縮するものであることを特徴とする二次電池用負極。
【請求項２】
活物質の粒子とカーボンナノチューブとを含む活物質層と、導電性材料を含む集電体とを備え、
前記活物質がＳｉ及びＳｎの少なくともいずれかを含む物質であるとともに、
前記カーボンナノチューブが、ジグザグ型のカーボンナノチューブであることを特徴とする二次電池用負極。
【請求項３】
前記ジグザグ型のカーボンナノチューブが、３の倍数を除くカイラル指数を有することを特徴とする請求項２に記載の二次電池用負極。
【請求項４】
前記ジグザグ型のカーボンナノチューブが、７以上のカイラル指数を有することを特徴とする請求項３に記載の二次電池用負極。
【請求項５】
活物質の粒子とカーボンナノチューブとを含む活物質層と、導電性材料を含む集電体とを備え、
前記活物質がＳｉ及びＳｎの少なくともいずれかを含む物質であるとともに、
前記カーボンナノチューブが、アームチェア型のカーボンナノチューブであることを特徴とする二次電池用負極。
【請求項６】
前記アームチェア型のカーボンナノチューブのカイラル指数が、５以上であることを特徴とする請求項５に記載の二次電池用負極。
【請求項７】
前記イオンが、アルカリ金属イオン及びアルカリ土類金属イオンからなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の二次電池用負極。
【請求項８】
正極と、非水電解質と、請求項１乃至７のいずれかに記載の二次電池用負極とを備える
ことを特徴とする二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の二次電池用負極は、活物質の粒子とカーボンナノチューブとを含む活物質層と、導電性材料を含む集電体とを備え、前記活物質がＳｉ及びＳｎの少なくともいずれかを含む物質であるとともに、前記カーボンナノチューブは、該カーボンナノチューブの内側、または外側の近傍にイオンが存在するとともに、体積収縮するものである、または、ジグザグ型のカーボンナノチューブである、もしくは、アームチェア型のカーボンナノチューブであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電源に接続され、ガス流路が形成される金属製の台座部と、
前記台座部に搭載され、前記台座部に対向する一方の面側において、前記ガス流路に連通する第１穴部と、前記第１穴部よりも小さい開口を有し、前記第１穴部から他方の面側に連通する第２穴部とを備える絶縁基板と、
絶縁性材料で形成され、一端が前記第１穴部に挿入されるとともに、他端が前記ガス流路内に配設され、前記ガス流路から供給されるガスを前記第２穴部に通流させる絶縁通流部と
を含む、静電チャック。
【請求項２】
高周波電源に接続され、ガス流路が形成される金属製の台座部と、
前記台座部に搭載され、前記台座部のガス流路に連通するガス流路が形成されるヒータプレートと、
前記ヒータプレートに搭載され、前記ヒータプレートに対向する一方の面側において、前記ヒータプレートのガス流路に連通する第１穴部と、前記第１穴部よりも小さい開口を有し、前記第１穴部から他方の面側に連通する第２穴部とを備える絶縁基板と、
絶縁性材料で形成され、一端が前記第１穴部に挿入されるとともに、他端が前記台座部又は前記ヒータプレートのガス流路内に配設され、前記ガス流路から供給されるガスを前記第２穴部に通流させる絶縁通流部と
を含む、静電チャック。
【請求項３】
前記絶縁通流部の前記他端は、前記台座部のガス流路の流入口に位置する、請求項１又は２記載の静電チャック。
【請求項４】
前記絶縁通流部は、前記第２穴部に接着されている、請求項１又は２記載の静電チャック。
【請求項５】
前記絶縁通流部は、絶縁性材料で形成される管状部材である、請求項１乃至４のいずれか一項記載の静電チャック。
【請求項６】
前記絶縁通流部は、絶縁材料で形成される多孔質の柱状部材である、請求項１乃至４のいずれか一項記載の静電チャック。
【請求項７】
前記絶縁基板は、セラミック基板である、請求項１乃至６のいずれか一項記載の静電チャック。
【請求項８】
絶縁基板に、一方の面側から開口する第１穴部と、前記第１穴部よりも小さい開口径を有し、前記第１穴部から他方の面側まで開口する第２穴部とを形成する工程と、
絶縁性材料で形成され、一端から他端にガスを通流可能な絶縁通流部の前記一端を前記第１穴部に挿入する工程と、
高周波電源に接続される金属製の台座部のガス流路、又は、前記台座部に搭載されるヒータプレートのガス流路に、前記絶縁通流部の他端を挿入する工程と
を含む、静電チャックの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月30日(2015.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周縁に側壁部を備えた上部ケース本体部と、
前記上部ケース本体部の側壁部の下部に繋がる付け根部と、前記付け根部から前記側壁部に沿った方向に延びるばね板部とを含む引掛部材と
を備えた上部ケースと、
周縁に側壁部を備えた下部ケース本体部と、
前記下部ケース本体部の側壁部の内側に形成され、前記上部ケースの前記ばね板部が係合する受け部材と
を備えた下部ケースとを有し、
前記上部ケースの前記ばね板部は、端側になるにつれて高さが低くなる傾斜上面を備え、
前記下部ケースの前記受け部材は、前記ばね板部の傾斜上面に対応する部分に、前記傾斜上面と逆方向に傾斜する傾斜下面を備え、
前記ばね板部の前記傾斜上面の一部を前記受け部材の前記傾斜下面に引掛けて固定することを特徴とする電子部品用ケース。
【請求項２】
前記引掛部材の前記ばね板部は、前記付け根部の両側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用ケース。
【請求項３】
前記引掛部材の前記ばね板部は、その端側下部に屈曲部を介して内側に突き出る突出部を備え、前記屈曲部の外面が曲面となっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品用ケース。
【請求項４】
前記上部ケース及び前記下部ケースは、銅合金から形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品用ケース。
【請求項５】
前記下部ケースの前記側壁部には、前記上部ケースの前記ばね板部が配置される位置に対応する部分に取外用穴が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品用ケース。
【請求項６】
周縁に側壁部を備えた上部ケース本体部と、
前記上部ケース本体部の側壁部の下部に繋がる付け根部と、前記付け根部から前記側壁部に沿った方向に延びるばね板部を含む引掛部材と
を備えた上部ケースと、
周縁に側壁部を備えた下部ケース本体部と、
前記下部ケース本体部の側壁部の内側に形成され、前記上部ケースの前記ばね板部が係合する受け部材と
を備えた下部ケースとを有し、
前記上部ケースの前記ばね板部は、端側になるにつれて高さが低くなる傾斜上面を備え、
前記下部ケースの前記受け部材は、前記ばね板部の傾斜上面に対応する部分に、前記傾斜上面と逆方向に傾斜する傾斜下面を備え、
前記ばね板部の前記傾斜上面の一部を前記受け部材の前記傾斜下面に引掛けて固定する電子部品用ケースと、
前記電子部品用ケースの中に収容された電子部品とを有することを特徴とする電子部品装置。
【請求項７】
前記電子部品は、記憶素子であることを特徴とする請求項６に記載の電子部品装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以下の開示の一観点によれば、周縁に側壁部を備えた上部ケース本体部と、前記上部ケース本体部の側壁部の下部に繋がる付け根部と、前記付け根部から前記側壁部に沿った方向に延びるばね板部とを含む引掛部材とを備えた上部ケースと、周縁に側壁部を備えた下部ケース本体部と、前記下部ケース本体部の側壁部の内側に形成され、前記上部ケースの前記ばね板部が係合する受け部材とを備えた下部ケースとを有し、前記上部ケースの前記ばね板部は、端側になるにつれて高さが低くなる傾斜上面を備え、前記下部ケースの前記受け部材は、前記ばね板部の傾斜上面に対応する部分に、前記傾斜上面と逆方向に傾斜する傾斜下面を備え、前記ばね板部の前記傾斜上面の一部を前記受け部材の前記傾斜下面に引掛けて固定する電子部品用ケースが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013243278.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月14日(2015.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面を有し、前記表面には複数の個片化領域が、前記裏面には前記個片化領域を個片化するための溝が配置されているベース基板と、前記ベース基板とともに個片化するための溝が配置されている蓋体用基板とを用意する工程と、
前記ベース基板の前記個片化領域に機能素子を配置する工程と、
前記ベース基板の表面側と、前記蓋体用基板の前記溝が配置されている側の面側とを接合して積層体を形成する工程と、
前記積層体を前記ベース基板に配置されている溝および前記蓋体用基板に配置されている溝に沿って割ることにより前記個片化領域毎に個片化する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記ベース基板は、前記表面から突出して内側に機能素子が配置されるための枠状の凸部と、隣り合う一対の前記凸部の間に有底の凹部とを有し、
前記積層体は、前記凹部の底面に対し、前記ベース基板に配置されている溝の底部および前記蓋体用基板に配置されている溝が、それぞれ前記積層体の厚さ方向の平面視で少なくとも一部が重なっている請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記蓋体用基板は、前記溝が配置されている側の面に、前記個片化領域ごとに前記機能素子を収容するための複数の凹部を有し、
前記蓋体用基板に配置されている溝は、前記蓋体用基板の厚み方向の平面視にて、隣り合う一対の前記凹部の間に位置するとともに、これらを分割するように設けられ、
前記積層体は、前記ベース基板に配置されている溝の底部と前記蓋体用基板に配置されている凹部の底面とが前記積層体の厚さ方向の平面視で少なくとも一部が重なっている請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
複数の個片化領域を有し、前記個片化領域を個片化するための溝が配置されているベース基板と、表裏面を有し、前記表面には前記ベース基板とともに個片化するための溝が配置されている蓋体用基板とを用意する工程と、
前記ベース基板の前記溝が配置されている面の前記個片化領域ごとに機能素子を配置する工程と、
前記個片化領域ごとに前記機能素子を覆うように、前記蓋体用基板の前記裏面側を前記ベース基板に接合して積層体を形成する工程と、
前記積層体を前記ベース基板に配置されている溝および前記蓋体用基板に配置されている溝に沿って前記個片化領域毎に個片化する工程と、
を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記蓋体用基板は、前記裏面から突出して内側に機能素子が収容されるための枠状の凸部と、隣り合う一対の前記凸部の間に有底の凹部とを有し、
前記積層体は、前記凹部の底面に対し、前記ベース基板に配置されている溝の底部および前記蓋体用基板に配置されている溝が、それぞれ前記積層体の厚さ方向の平面視で少なくとも一部が重なっている請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記ベース基板は、前記溝が配置されている側の面にある前記個片化領域ごとに前記機能素子を収容するための複数の凹部を有し、
前記ベース基板に配置されている溝は、前記ベース基板の厚み方向の平面視にて、隣り合う一対の前記凹部の間に位置するとともに、これらを分割するように設けられ、
前記積層体は、前記蓋体用基板に配置されている溝の底部と前記ベース基板に配置されている凹部の底面とが前記積層体の厚さ方向の平面視で少なくとも一部が重なっている請求項４に記載の電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記積層体では、前記ベース基板に配置されている溝および前記蓋体用基板に配置されている溝を避けてガラス材料が配置されている請求項１ないし６のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の電子部品の製造方法により製造されている電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の電子部品の製造方法は、表裏面を有し、前記表面には複数の個片化領域が、前記裏面には前記個片化領域を個片化するための溝が配置されているベース基板と、前記ベース基板とともに個片化するための溝が配置されている蓋体用基板とを用意する工程と、
前記ベース基板の前記個片化領域に機能素子を配置する工程と、
前記ベース基板の表面側と、前記蓋体用基板の前記溝が配置されている側の面側とを接合して積層体を形成する工程と、
前記積層体を前記ベース基板に配置されている溝および前記蓋体用基板に配置されている溝に沿って割ることにより前記個片化領域毎に個片化する工程と、
を含むことを特徴とする。
このように、ベース基板と蓋体用基板とに、同じ方向の個片化用の溝を形成することにより、積層体を簡単かつ確実に個片化することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例４］
本発明の電子部品の製造方法は、複数の個片化領域を有し、前記個片化領域を個片化するための溝が配置されているベース基板と、表裏面を有し、前記表面には前記ベース基板とともに個片化するための溝が配置されている蓋体用基板とを用意する工程と、
前記ベース基板の前記溝が配置されている面の前記個片化領域ごとに機能素子を配置する工程と、
前記個片化領域ごとに前記機能素子を覆うように、前記蓋体用基板の前記裏面側を前記ベース基板に接合して積層体を形成する工程と、
前記積層体を前記ベース基板に配置されている溝および前記蓋体用基板に配置されている溝に沿って前記個片化領域毎に個片化する工程と、
を含むことを特徴とする。
このように、ベース基板と蓋体用基板とに、同じ方向の個片化用の溝を形成することにより、積層体を簡単かつ確実に個片化することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［適用例７］
本発明の電子部品の製造方法では、前記積層体では、前記ベース基板に配置されている溝および前記蓋体用基板に配置されている溝を避けてガラス材料が配置されていることが好ましい。
これにより、個片化の際のガラス材料の破損が防止される。
［適用例８］
本発明の電子機器は、上記適用例の電子部品の製造方法により製造されている電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板上にエピタキシャル成長によって窒化ガリウム層を形成し、
前記窒化ガリウム層上にエピタキシャル成長によって下地層を形成し、
前記下地層上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層を熱処理によって単結晶化し、
前記酸化物半導体層を有する半導体素子を形成し、
前記窒化ガリウム層に前記サファイア基板側からレーザ光を照射し、前記窒化ガリウム層を熱分解させることで前記半導体素子と前記サファイア基板とを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月21日(2014.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、光電変換素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、単結晶半導体基板にチャネルが形成され、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成される半導体装置であって、
前記単結晶半導体基板の上方に、前記第１のトランジスタのゲート電極を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に、前記酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に、前記第２のトランジスタのゲート電極を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極の上方に、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に、前記光電変換素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、光電変換素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、ＳＯＩ基板にチャネルが形成され、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成される半導体装置であって、
前記ＳＯＩ基板の上方に、前記第１のトランジスタのゲート電極を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に、前記酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に、前記第２のトランジスタのゲート電極を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極の上方に、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に、前記光電変換素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、光電変換素子と、を有し、
前記第１のトランジスタは、結晶性シリコンにチャネルが形成され、
前記第２のトランジスタは、酸化物半導体層にチャネルが形成される半導体装置であって、
前記結晶性シリコンの上方に、前記第１のトランジスタのゲート電極を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極の上方に、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層の上方に、前記酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層の上方に、前記第２のトランジスタのゲート電極を有し、
前記第２のトランジスタのゲート電極の上方に、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層の上方に、前記光電変換素子を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記光電変換素子は、前記第２のトランジスタと重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記光電変換素子は、前記第１のトランジスタと重なる領域と、前記第２のトランジスタと重なる領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面照射型の撮像素子において、
隣接する画素間に斜め方向からの入射光を遮光するためのトレンチが形成されており、前記トレンチには分断箇所が設けられている
撮像素子。
【請求項２】
前記分断箇所は、水平方向に隣接する画素間を隔てる垂直方向の領域と、垂直方向に隣接する画素間を隔てる水平方向の領域との交差部分に設けられている
請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記分断箇所は、対称性を有して、水平方向の前記トレンチと垂直方向の前記トレンチのそれぞれに１画素おきに設けられている
請求項１または２に記載の撮像素子。
【請求項４】
前記分断箇所は、対称性を有して、水平方向または垂直方向の一方の前記トレンチには１画素毎に設けられており、他方の前記トレンチには設けられていない
請求項１または２に記載の撮像素子。
【請求項５】
前記分断箇所は対称性を有さず、
前記トレンチにより囲まれている位置には、前記撮像素子が受光可能な光のうち、最長または最短の波長の光を受光する画素が配置されている
請求項１または２に記載の撮像素子。
【請求項６】
前記トレンチには、遮光性材料が充填されている
請求項１から５のいずれかに記載の撮像素子。
【請求項７】
前記トレンチの側壁には、電荷固定膜が設けられている
請求項１から６のいずれかに記載の撮像素子。
【請求項８】
隣接する画素間に斜め方向からの入射光を遮光するためのトレンチが形成されており、前記トレンチには分断箇所が設けられている裏面照射型の撮像素子を有する撮像部を
備える撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本開示の第２の側面においては、画素に対する斜め方向からの入射光が遮光されて、撮像が行なわれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
なお、図３における白色正方形は画素の位置を示しており、そこに記述されたＲ，ＧまたはＢは画素が受光する光の波長領域を示している。また、Ｒ，Ｇ，Ｂの配置は、本実施の形態においてはベイヤ配列を採用しているが、これに限るものではない。また３原色はＲ，Ｇ，Ｂに限るものではなく、さらに例えばＷ（白色）などの他の色を追加してもよい。以降の図面についても同様である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
同図Ａに示されるように、Si上層４３（Si基板４４の上の層）には、各画素の間に格子状のSi上層遮光性材料３１が設けられている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
Si上層遮光性材料３１およびSi基板中遮光性材料３２は、例えば、酸化シリコン、酸化チタン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウムなどの絶縁材料の他、タングステン、アルミニウム、チタンナイトライド、チタン、銅などの金属材料でもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
オンチップレンズ４１は、入射光をSi基板４４に含まれる光電変換部に集光させる。カラーフィルタ４２は、特定の波長領域の光のみを透過させる。Si上層４３にはSi上層遮光性材料３１が設けられている。Si基板４４は、Ｐ型拡散層３４およびＮ型拡散層３５からなるPD(Photo Diode)領域を含む。配線層４５は、PD領域により生成される電荷を電気信号として後段に出力する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
［第３の変形例］
図９は、Si上層４３のSi上層遮光性材料３１の形状の変形例を示している。すなわち、図３においては、Si上層遮光性材料３１を格子状としていたが、例えば図９に示されるように、Si基板中遮光性材料３２が設けられていない位置（すなわち、トレンチ交差部）にだけSi上層遮光性材料３１を設けるようにしてもよい。この場合、Si基板開口部３３の面積を広げることになるので、FD領域の感度上昇を期待することができる。なお、図示は省略するが、Si上層遮光性材料３１の幅は、Si基板中遮光性材料３２の幅と同じであったり、Si基板中遮光性材料３２の幅よりも細くてもよい。また、太さを部分的に変更してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
［第４の変形例］
図１０は、電荷固定膜５１を追加した変形例を示している。すなわち、Si基板中遮光性料材３２の周囲とSi基板４４の裏面（図における上側）に、負の固定電荷をもつ電荷固定膜５１を形成してもよい。この場合、電荷固定膜５１に接するSi界面に反転層が形成され、反転層中のホールが界面で発生し得る暗電流と再結合するので、暗電流の影響を抑制することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
同図においては、縦軸の値が大きいほど、混色特性が悪化していることを表すので、換言すれば、Ｕ字型の曲線Ｌ１乃至Ｌ３の上方の開き方が大きいほど、混色特性が良いことになる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
［第９の変形例］
図１７は、画角方向によりトレンチの分断されている箇所を変化させ、光が傾く方向に対してトレンチの分断されていない箇所を多く設けるようにした変形例を示している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
［第１０の変形例］
図１８は、トレンチの分断箇所の対称性を１画素毎に設定せず、特定の画素（波長が最も長いＢの画素、または波長が最も短いＲの画素）についてはトレンチで囲まれた状態とした変形例を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月18日(2015.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号導体と前記信号導体と各々導通する複数の導通導体および前記複数の信号導体の間に容量性部材または容量特性を有する構造体であって、
前記複数の導通導体はそれぞれ、他の導体に接触可能となる接触部を有し、
複数の前記接触部が前記他の導体と接触することにより、特定の周波数帯域において電磁波の伝搬を阻止する容量性を有する前記複数の信号導体と、誘導性を有する前記複数の導通導体および導体地板からなるＥＢＧ構造となることにより、前記他の導体を伝搬する電磁波を遮断する
ことを特徴とする構造体。
【請求項２】
前記導通導体は、前記信号導体の信号導体面に対して略垂直に構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記信号導体と前記接触部との間に誘電体基材を有している
ことを特徴とする請求項２に記載の構造体。
【請求項４】
前記導通導体は、ビアで構成される
ことを特徴とする請求項３に記載の構造体。
【請求項５】
前記信号導体と前記導通導体は、同一平面に構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の構造体。
【請求項６】
前記信号導体と前記導通導体の平面と略平行に前記信号導体と前記導通導体に接触する誘電体基板を有している
ことを特徴とする請求項５に記載の構造体。
【請求項７】
当該構造体は、前記他の導体を実装するための接着部を有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の構造体。
【請求項８】
当該構造体における前記接触部と前記接着部は、同一面内に構成されている
ことを特徴とする請求項７に記載の構造体。
【請求項９】
電磁波を遮断するための構造体であって、
信号導体と、
前記信号導体と導通する導通導体と、
前記信号導体と前記導通導体とを複数配置する誘電体部材とを有し、
前記導通導体は、電磁波伝播が発生する他の導体に接触可能となる接触部を有し、
前記接触部が前記他の導体と接触することにより、特定の周波数帯域において電磁波の伝搬を抑制するＥＢＧ構造とする
ことを特徴とする構造体。
【請求項１０】
前記他の導体は、電子回路基板である
ことを特徴とする請求項９に記載の構造体。
【請求項１１】
前記他の導体は、金属筐体である
ことを特徴とする請求項９に記載の構造体。
【請求項１２】
前記他の導体は、通信回路基板である
ことを特徴とする請求項９に記載の構造体。
【請求項１３】
前記他の導体は、複数のアンテナが配置される通信回路基板である
ことを特徴とする請求項９に記載の構造体。
【請求項１４】
前記導通導体は、前記信号導体の信号導体面に対して略垂直に構成される
ことを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の構造体。
【請求項１５】
前記信号導体と前記導通導体は、同一平面に構成される
ことを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月18日(2015.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波回路を実装する誘電体基板を内蔵する導電性筺体を有する通信装置に実装可能な構造部材であって、
前記高周波回路の動作時に前記誘電体基板に発生する動作周波数の高調波電流成分を通過させる通過部材と、
前記動作周波数の所定の電流成分を抑制するＥＢＧ構造の抑制部材とを有し、
前記構造部材は、前記誘電体基板と前記導電性筐体との間に設けられ、前記抑制部材は、前記通過部材を流れる高調波電流成分の電流路に沿って配置される
ことを特徴とする構造部材。
【請求項２】
前記構造部材は、前記誘電体基板のＧＮＤ部と前記導電性筺体との間に設けられることを特徴とする請求項１に記載の構造部材。
【請求項３】
前記通過部材は、前記高周波回路の動作時に前記誘電体基板のGND部に発生する動作周波数の高調波電流成分を通過させることを特徴とする請求項１又は２に記載の構造部材。
【請求項４】
前記通過部材は、前記高周波回路の動作時に前記誘電体基板のGND部に発生する動作基本周波数の高調波電流成分を通過させることを特徴とする請求項１又は２に記載の構造部材。
【請求項５】
前記通過部材は、多面体構成を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の構造部材。
【請求項６】
前記抑制部材は、前記高周波回路の動作時に前記誘電体基板のGND部に発生する動作基本周波数の基本波電流成分を抑制することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の構造部材。
【請求項７】
前記構造部材は、前記通過部材を流れる高調波電流成分の電流路に平行して前記抑制部材が配置されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の構造部材。
【請求項８】
前記通過部材は、低インピーダンスの導電性部材を含み、複数の平面を有する
ことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の構造部材。
【請求項９】
前記抑制部材は、ＥＢＧ構造を有する素子列を複数配置した誘電体基材を含み、前記通過部材の複数の平面の少なくもひとつの平面に配置される
ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の構造部材。
【請求項１０】
前記抑制部材は、複数の信号導体と、前記信号導体と各々導通する複数の導通導体、誘電体基材を含む
ことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１項に記載の構造部材。
【請求項１１】
前記複数の導通導体のうちの少なくとも１つは、前記複数の信号導体の信号導体面に対して略垂直に構成される
ことを特徴とする請求項１０に記載の構造部材。
【請求項１２】
前記複数の信号導体と前記複数の導通導体は、同一平面に構成される
ことを特徴とする請求項１０に記載の構造部材。
【請求項１３】
高周波回路を実装する誘電体基板を有する通信装置であって、
導電性筺体と、
構造部材とを有し、
前記構造部材は、
前記高周波回路の動作時に前記誘電体基板に発生する動作周波数の高調波電流成分を通過させる通過部材と、
前記動作周波数の所定の電流成分を抑制するＥＢＧ構造の抑制部材とを有し、
前記構造部材は、前記誘電体基板と前記通信装置の導電性筺体との間に設けられ、
前記抑制部材は、前記通過部材を流れる高調波電流成分の電流路に沿って配置される
ことを特徴とする通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】構造部材及び通信装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記の目的を達成するための本発明による構造部材は以下の構成を備える。即ち、
高周波回路を実装する誘電体基板を内蔵する導電性筺体を有する通信装置に実装可能な構造部材であって、
前記高周波回路の動作時に前記誘電体基板に発生する動作周波数の高調波電流成分を通過させる通過部材と、
前記動作周波数の所定の電流成分を抑制するＥＢＧ構造の抑制部材とを有し、
前記構造部材は、前記誘電体基板と前記導電性筐体との間に設けられ、前記抑制部材は、前記通過部材を流れる高調波電流成分の電流路に沿って配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月23日(2015.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局装置から、第１の時間間隔で送信される第１の参照信号および前記第１の時間間隔よりも短い時間間隔で送信される第２の参照信号を受信する移動局装置であって、
前記第１の参照信号および前記第２の参照信号の両方に基づいてパスロスを算出し、または、前記第１の参照信号若しくは前記第２の参照信号のいずれか一方を条件に応じて選択しパスロスを算出するパスロス算出部を備えることを特徴とする移動局装置。
【請求項２】
前記パスロス算出部は、前記第１の参照信号または前記第２の参照信号のいずれか一方の参照信号に基づいて算出したパスロスを、いずれか他方の参照信号に基づいて補正することを特徴とする請求項１記載の移動局装置。
【請求項３】
前記パスロス算出部は、特定の時刻におけるパスロスを算出する場合、前記特定の時刻以前に前記第１の参照信号に基づいて算出したパスロスを、前記特定の時刻以前の複数のタイミングで受信した前記第２の参照信号に基づいて算出されるパスロス変動量で補正することを特徴とする請求項１または請求項２記載の移動局装置。
【請求項４】
前記パスロス算出部は、前記第１の参照信号および前記第２の参照信号を同時に受信した時刻において、前記第１の参照信号に基づいて算出したパスロスと前記第２の参照信号に基づいて算出したパスロスとの差を算出し、前記算出した各パスロスの差に基づいて、前記第１の参照信号に基づいて算出したパスロスまたは前記第２の参照信号に基づいて算出したパスロスのいずれか一方を前記下り回線のパスロスとすることを特徴とする請求項１記載の移動局装置。
【請求項５】
前記パスロス算出部は、前記算出した各パスロスの差が、所定の閾値以内であった場合は、前記第２の参照信号に基づいて算出したパスロスを前記下り回線のパスロスとすることを特徴とする請求項４記載の移動局装置。
【請求項６】
前記パスロス算出部は、前記第１の参照信号に基づいて算出したパスロスの所定の期間内における変動量または前記第２の参照信号に基づいて算出したパスロスの所定の期間内における変動量を算出し、前記算出した変動量に基づいて、前記第１の参照信号に基づいて算出したパスロスまたは前記第２の参照信号に基づいて算出したパスロスのいずれか一方を前記下り回線のパスロスとすることを特徴とする請求項１記載の移動局装置。
【請求項７】
前記パスロス算出部がパスロスの算出に用いる参照信号の受信電力であるＲＳＲＰ（Reference Signal Received Power）を、前記基地局装置に通知するＲＳＲＰ通知部を更に備えることを特徴とする請求項１または請求項２記載の移動局装置。
【請求項８】
前記ＲＳＲＰ通知部は、前記パスロス算出部がパスロスの算出に用いる参照信号を変更した場合は、前記ＲＳＲＰを前記基地局装置に通知することを特徴とする請求項８記載の移動局装置。
【請求項９】
基地局装置から、第１の時間間隔で送信される第１の参照信号および前記第１の時間間隔よりも短い時間間隔で送信される第２の参照信号を受信する移動局装置のパスロス算出方法であって、
前記第１の参照信号および前記第２の参照信号の両方に基づいてパスロスを算出し、または、前記第１の参照信号若しくは前記第２の参照信号のいずれか一方を条件に応じて選択しパスロスを算出するステップを少なくとも含むことを特徴とするパスロス算出方法。
【請求項１０】
移動局装置に実装されることによって、前記移動局装置に複数の機能を発揮させる集積回路であって、
基地局装置から、第１の時間間隔で送信される第１の参照信号および前記第１の時間間隔よりも短い時間間隔で送信される第２の参照信号を受信する機能と、
前記第１の参照信号および前記第２の参照信号の両方に基づいてパスロスを算出し、または、前記第１の参照信号若しくは前記第２の参照信号のいずれか一方を条件に応じて選択しパスロスを算出する機能と、の一連の機能を、前記移動局装置に発揮させることを特徴とする集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月25日(2014.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のパネルを備えたフェーズドアレイアンテナアセンブリであって、各パネルが複数のアンテナサブアレイアセンブリ（１００）を備え、前記サブアレイアセンブリが、
熱伝導性泡基板（１４０）と、
前記泡基板（１４０）に接合された複数の放射素子（１５０）と、
前記放射素子に隣接配置されたレードーム（１７０）と
を備えており、
前記サブアレイアセンブリ（１００）が平面図で見たとき三角形状を呈し、且つ
前記複数の放射素子（１５０）が前記泡基板（１４０）上に三角形アレイ状に配され、
前記アンテナアセンブリは、それぞれが６つの三角形のサブアレイアセンブリを備えた複数の完全な六角形パネル（２００）と、それぞれが３つの三角形のサブアレイアセンブリを備えた複数の半六角形パネル（２１０）と備え、前記完全な六角形パネル（２００）と半六角形パネル（２１０）とが密集型アンテナアセンブリを形成するように配された、
フェーズドアレイアンテナアセンブリ。
【請求項２】
前記サブアレイアセンブリが、
前記熱伝導性泡基板（１４０）に接合されたプリント配線板と、
前記プリント配線板に隣接配置された三角形アレイ状の増幅器（１２０）と
を備えた、請求項１に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
【請求項３】
前記サブアレイアセンブリが、
前記三角形アレイ状の増幅器（１２０）に隣接配置されたヒートシンクモジュール（１１０）を備えた、請求項２に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
【請求項４】
前記三角形アレイ状の増幅器（１２０）が、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）のアレイを備えており、且つ
前記ヒートシンクモジュール（１１０）が相変化材料を含んでいる、
請求項３に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
【請求項５】
前記サブアレイアセンブリが、
前記泡基板（１４０）に配置されて前記放射素子（１５０）と接触し、且つ前記レードーム（１７０）を前記泡基板に接合する静電気散逸接着剤層（１６０）を備えている、請求項４に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
【請求項６】
前記泡基板（１４０）が約５０．２℃／Ｗ以下の熱抵抗を有する、請求項１に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
【請求項７】
前記静電気散逸接着剤（１６０）が、ポリアニリンドープされた接着剤を含む、請求項５に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
【請求項８】
前記静電気散逸接着剤（１６０）が、ポリウレタン、エポキシ、及びシアン酸エステルのうちの一つを含む、請求項７に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
【請求項９】
通信システムと、
前記通信システムに連結された、請求項１に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリとを備えた車両。
【請求項１０】
前記サブアレイアセンブリが、
前記熱伝導性泡基板（１４０）に接合されたプリント配線板と、
前記プリント配線板に隣接配置された三角形アレイ状の増幅器（１２０）と
を備えている、請求項９に記載の車両。
【請求項１１】
前記サブアレイアセンブリが、
前記三角形アレイ状の増幅器（１２０）に隣接配置されたヒートシンクモジュール（１１０）を備えている、請求項１０に記載の車両。
【請求項１２】
前記三角形アレイ状の増幅器（１２０）が、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）のアレイを備え、且つ
前記ヒートシンクモジュール（１１０）が相変化材料を含んでいる、
請求項１１に記載の車両。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
様々な実施形態が述べられたが、当業者であれば、改良又は変更が本開示を逸脱しない範囲でなされうることを認識するであろう。実施例は様々な実施形態を示し、本開示の限定を意図したものではない。したがって、限定は関連する先行技術の勘案に必要とされただけであり、明細書及び請求の範囲は自由に解釈されるべきである。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
複数のパネルを備えたフェーズドアレイアンテナアセンブリであって、各パネルが複数のアンテナサブアレイアセンブリを備え、前記サブアレイアセンブリの少なくとも一つが、
熱伝導性泡基板と、
前記泡基板に接合された複数の放射素子と、
前記放射素子に隣接配置されたレードームと
を備えており、
前記サブアレイアセンブリが平面図で見たとき三角形状を呈し、且つ
前記複数の放射素子が前記泡基板上に三角形アレイ状に配される、
フェーズドアレイアンテナアセンブリ。
（態様２）
前記熱伝導性泡基板に接合されたプリント配線板と、
前記プリント配線板に隣接配置された三角形アレイ状の増幅器と
を更に備えた、態様１に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
（態様３）
前記三角形アレイ状の増幅器に隣接配置されたヒートシンクモジュールを更に備えた、態様２に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
（態様４）
前記三角形アレイ状の増幅器が、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）のアレイを備えており、且つ
前記ヒートシンクモジュールが相変化材料を含んでいる、
態様３に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
（態様５）
前記泡基板に配置されて前記放射素子と接触し、且つ前記レードームを前記基板に接合する静電気散逸接着剤層を更に備えている、態様４に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
（態様６）
前記泡基板が約５０．２℃／Ｗ以下の熱抵抗を有する、態様１に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
（態様７）
前記静電気散逸接着剤が、ポリアニリンドープされた接着剤を含む、態様２に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
（態様８）
前記静電気散逸接着剤が、ポリウレタン、エポキシ、及びシアン酸エステルのうちの一つを含む、態様７に記載のフェーズドアレイアンテナアセンブリ。
（態様９）
通信システムと、
前記通信システムに連結され且つ複数のパネルを備えたフェーズドアレイアンテナアセンブリであって、各パネルが複数のアンテナサブアレイアセンブリを備え、前記サブアレイアセンブリの少なくとも一つが、
熱伝導性泡基板と、
前記泡基板に接合された複数の放射素子と、
前記放射素子に隣接配置されたレードームと
を備えているフェーズドアレイアンテナアセンブリと
を備えており、
前記サブアレイアセンブリが平面図で見たとき三角形状を呈し、且つ
前記複数の放射素子が前記泡基板上に三角形アレイ状に配される、
車両。
（態様１０）
前記熱伝導性泡基板に接合されたプリント配線板と、
前記プリント配線板に隣接配置された三角形アレイ状の増幅器と
を更に備えている、態様９に記載の車両
（態様１１）
前記三角形アレイ状の増幅器に隣接配置されたヒートシンクモジュールを更に備えている、態様１０に記載の車両。
（態様１２）
前記三角形アレイ状の増幅器が、モノリシックマイクロ波集積回路（ＭＭＩＣ）のアレイを備え、且つ
前記ヒートシンクモジュールが相変化材料を含んでいる、
態様１１に記載の車両。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる複数のプリコーディング方式を用いて少なくとも１つの端末装置と通信する基地局装置であって、
前記端末装置が前記基地局装置からの参照信号の受信電力に加算するための複数のオフセット値を前記端末装置へ送信する送信手段を備え、
前記複数のオフセット値は、前記複数のプリコーディング方式のそれぞれに対応していることを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
前記複数のプリコーディング方式は、線形プリコーディング方式と非線形プリコーディング方式であり、
前記複数のオフセット値は、前記線形プリコーディング方式を用いる線形ＭＵ−ＭＩＭＯに対応する第１のオフセット値と、前記非線形プリコーディング方式を用いる非線形ＭＵ−ＭＩＭＯに対応する第２のオフセット値とを含むことを特徴とする請求項１に記載の基地局装置。
【請求項３】
前記送信手段は、前記第１のオフセット値と、前記第１のオフセット値と前記第２のオフセット値との差分の値とを送信することを特徴とする請求項２に記載の基地局装置。
【請求項４】
前記第２のオフセット値は、前記第１のオフセット値に、前記非線形ＭＵ−ＭＩＭＯを用いた場合の受信利得と前記線形ＭＵ−ＭＩＭＯを用いた場合の受信利得との差分値を加算した値であることを特徴とする請求項３に記載の基地局装置。
【請求項５】
異なる複数のプリコーディング方式に対応する基地局装置と通信する端末装置であって、
前記複数のプリコーディング方式のそれぞれに対応する複数のオフセット値を前記基地局装置から受信する受信手段と、
前記複数のオフセット値のうち前記基地局装置及び前記端末装置の両方が対応するプリコーディング方式のオフセット値を、前記基地局装置からの参照信号の受信電力に加算する加算手段と、
を備えることを特徴とする端末装置。
【請求項６】
前記複数のプリコーディング方式は、線形プリコーディング方式と非線形プリコーディング方式であり、
前記複数のオフセット値は、前記線形プリコーディング方式を用いる線形ＭＵ−ＭＩＭＯに対応する第１のオフセット値と、前記非線形プリコーディング方式を用いる非線形ＭＵ−ＭＩＭＯに対応する第２のオフセット値とを含むことを特徴とする請求項５に記載の端末装置。
【請求項７】
前記線形プリコーディング方式と前記非線形プリコーディング方式の両方に対応する場合、前記加算手段は、前記基地局装置からの参照信号の受信電力に前記第２のオフセット値を加算することを特徴とする請求項６に記載の端末装置。
【請求項８】
前記受信手段は、前記第１のオフセット値と、前記第１のオフセット値と前記第２のオ
フセット値との差分の値とを受信し、
前記加算手段は、前記第１のオフセット値に前記差分の値を加算して、前記第２のオフセット値を算出することを特徴とする請求項７に記載の端末装置。
【請求項９】
前記第２のオフセット値は、前記第１のオフセット値に、前記非線形ＭＵ−ＭＩＭＯを用いた場合の受信利得と前記線形ＭＵ−ＭＩＭＯを用いた場合の受信利得との差分値を加算した値であることを特徴とする請求項７または８に記載の端末装置。
【請求項１０】
前記線形プリコーディング方式のみに対応する場合、前記加算手段は、前記基地局装置からの参照信号の受信電力に前記第１のオフセット値を加算することを特徴とする請求項６に記載の端末装置。
【請求項１１】
現在の通信先である前記基地局装置からの参照信号の受信電力と、他の基地局装置からの参照信号の受信電力とにそれぞれのオフセット値を加算して比較する比較手段と、
前記オフセット値を加算した前記他の基地局装置からの参照信号の受信電力が、前記オフセット値を加算した現在の通信先である前記基地局装置からの参照信号の受信電力よりも大きい場合に、前記他の基地局装置へのハンドオーバを通知する通知情報を現在の通信先である前記基地局装置へ送信する送信手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項５から１０のいずれか一項に記載の端末装置。