(57)【要約】  ＥＳＤ特性が劣化し難いＥＳＤ保護装置を提供する。  ＥＳＤ保護装置１は、セラミック絶縁材１０と、第１及び第２の放電電極２１，２２と、放電補助部５１とを備える。第１及び第２の放電電極２１，２２は、セラミック絶縁材１０に設けられている。放電補助部５１は、第１の放電電極２１の先端部と第２の放電電極２２の先端部との間に配されている。放電補助部５１は、第１の放電電極２１と第２の放電電極２２との間の放電開始電圧を低下させる電極である。放電補助部５１は、導電性粒子と、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方とを含む焼結体からなる。第１及び第２の放電電極２１，２２は、半導体粒子を構成している半導体材料及び絶縁性粒子を構成している絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む。
2014027552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック絶縁材と、
前記セラミック絶縁材に設けられた第１及び第２の放電電極と、
前記第１の放電電極の先端部と前記第２の放電電極の先端部との間に配されており、前記第１の放電電極と前記第２の放電電極との間の放電開始電圧を低下させる電極であって、導電性粒子と、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方とを含む焼結体からなる放電補助部と、
を備え、
前記第１及び第２の放電電極は、前記半導体粒子を構成している半導体材料及び前記絶縁性粒子を構成している絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む、ＥＳＤ保護装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の放電電極における前記半導体材料及び前記絶縁性材料の総含有量が、２０質量％以下である、請求項１に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の放電電極における前記絶縁性材料の含有量が、１質量％〜１０質量％である、請求項２に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の放電電極における前記半導体材料の含有量が、１質量％〜２０質量％である、請求項２または３に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の放電電極は、前記半導体材料及び前記絶縁材料のうちの少なくとも一方によりコートされた導電性粒子を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項６】
前記第１及び第２の放電電極が、前記セラミック絶縁材の表面上に設けられている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の放電電極は、前記セラミック絶縁材の内部に設けられている、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項８】
前記セラミック絶縁材は、空洞を有し、
前記第１及び第２の放電電極は、それぞれの先端部が前記空洞内に位置するように設けられている、請求項７に記載のＥＳＤ保護装置。
【請求項９】
前記セラミック絶縁材の上に配されており、前記第１の放電電極に電気的に接続された第１の外部電極と、
前記セラミック絶縁材の上に配されており、前記第２の放電電極に電気的に接続された第２の外部電極と、
をさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のＥＳＤ保護装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＳＤ保護装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、静電気放電（ＥＳＤ：ｅｌｅｃｔｒｏ−ｓｔａｔｉｃ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）による電子機器の破壊を抑制するためのＥＳＤ保護装置が種々提案されている。例えば特許文献１には、一対の放電電極間を接続する領域に、導電性を有さない無機材料によりコートされた導電材料が分散してなる放電補助部を備えるＥＳＤ保護装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２００９−０９８９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のように、放電補助部を設けることにより、例えば、ＥＳＤ保護装置のＥＳＤ特性の調整や安定化を行うことができる。【０００５】
しかしながら、放電補助部を有するＥＳＤ保護装置では、放電が繰り返し生じることにより、ＥＳＤ特性が劣化するという問題がある。【０００６】
本発明の主な目的は、ＥＳＤ特性が劣化し難いＥＳＤ保護装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るＥＳＤ保護装置は、セラミック絶縁材と、第１及び第２の放電電極と、放電補助部とを備える。第１及び第２の放電電極は、セラミック絶縁材に設けられている。放電補助部は、第１の放電電極の先端部と第２の放電電極の先端部との間に配されている。放電補助部は、第１の放電電極と第２の放電電極との間の放電開始電圧を低下させる電極である。放電補助部は、導電性粒子と、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方とを含む焼結体からなる。第１及び第２の放電電極は、半導体粒子を構成している半導体材料及び絶縁性粒子を構成している絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む。【０００８】
本発明に係るＥＳＤ保護装置のある特定の局面では、第１及び第２の放電電極における半導体材料及び絶縁性材料の総含有量が、２０質量％以下である。【０００９】
本発明に係るＥＳＤ保護装置の別の特定の局面では、第１及び第２の放電電極における絶縁性材料の含有量が、１質量％〜１０質量％である。【００１０】
本発明に係るＥＳＤ保護装置の他の特定の局面では、第１及び第２の放電電極における半導体材料の含有量が、１質量％〜２０質量％である。【００１１】
本発明に係るＥＳＤ保護装置の他の特定の局面では、第１及び第２の放電電極は、半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方によりコートされた導電性粒子を含む。【００１２】
本発明に係るＥＳＤ保護装置のさらに他の特定の局面では、第１及び第２の放電電極が、セラミック絶縁材の表面上に設けられている。【００１３】
本発明に係るＥＳＤ保護装置のさらに別の特定の局面では、第１及び第２の放電電極は、セラミック絶縁材の内部に設けられている。【００１４】
本発明に係るＥＳＤ保護装置のまた他の特定の局面では、セラミック絶縁材は、空洞を有する。第１及び第２の放電電極は、それぞれの先端部が空洞内に位置するように設けられている。【００１５】
本発明に係るＥＳＤ保護装置のまた別の特定の局面では、ＥＳＤ保護装置は、第１の外部電極と、第２の外部電極とをさらに備える。第１の外部電極は、セラミック絶縁材の上に配されている。第１の外部電極は、第１の放電電極に電気的に接続されている。第２の外部電極は、セラミック絶縁材の上に配されている。第２の外部電極は、第２の放電電極に電気的に接続されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ＥＳＤ特性が劣化し難いＥＳＤ保護装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。
【図２】図２は、第２の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。
【図３】図３は、第３の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。
【図４】図４は、第４の実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
【００１９】
また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
【００２０】
図１は、本実施形態に係るＥＳＤ保護装置の略図的断面図である。
【００２１】
図１に示されるように、ＥＳＤ保護装置１は、空洞１１を有するセラミック絶縁材１０を有する。セラミック絶縁材１０は、直方体状である。セラミック絶縁材１０は、適宜の絶縁性セラミックスにより構成することができる。具体的には、セラミック絶縁材１０は、例えば、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｉを主成分として含む低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）により構成することができる。セラミック絶縁材１０は、アルカリ金属成分及びホウ素成分のうちの少なくとも一方を含んでいてもよい。セラミック絶縁材１０は、ガラス成分を含んでいることが好ましい。
【００２２】
セラミック絶縁材１０には、第１及び第２の放電電極２１，２２が設けられている。第１及び第２の放電電極２１，２２は、セラミック絶縁材１０の内部に設けられている。第１の放電電極２１の先端部と、第２の放電電極２２の先端部とは、空洞１１内に位置している。第１の放電電極２１の先端部と、第２の放電電極２２の先端部とは、空洞１１内において対向している。このような構成とすることにより、ＥＳＤ保護装置１の応答性を向上すると共に、ＥＳＤ保護装置１の耐久性を向上することができる。
【００２３】
なお、第１の放電電極２１の先端部と第２の放電電極２２の先端部が対向している必要は必ずしもない。例えば、第１の放電電極２１の先端部が空洞１１の一の内表面上に位置している一方、第２の放電電極２２の先端部が空洞１１の他の内表面上に位置していてもよい。つまり、第１の放電電極２１の先端部と第２の放電電極２２の先端部との間で放電が生じるような形態である限りにおいて、第１及び第２の放電電極２１，２２の形状や配置等は特に限定されない。
【００２４】
また、第１及び第２の放電電極２１，２２が複数組設けられていてもよい。
【００２５】
セラミック絶縁材１０の外表面の上には、第１及び第２の外部電極３１，３２が設けられている。第１の外部電極３１は、第１の放電電極２１と電気的に接続されている。第２の外部電極３２は、第２の放電電極２２と電気的に接続されている。
【００２６】
なお、第１及び第２の放電電極２１，２２並びに第１及び第２の外部電極３１，３２は、それぞれ、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｗやそれらの少なくとも一種を含む合金などの適宜の材料により構成することができる。
【００２７】
第１の放電電極２１の先端部と第２の放電電極２２の先端部との間には、放電補助部５１が配されている。放電補助部５１は、第１の放電電極２１と第２の放電電極２２との間の放電開始電圧を低下させる機能を有する。具体的には、放電補助部５１を設けることにより、沿面放電と気中放電とに加えて、放電補助部５１を経由した放電も生じる。通常、沿面放電と気中放電と放電補助部５１を経由した放電とでは、放電補助部５１を経由した放電の開始電圧が最も低い。従って、放電補助部５１を設けることにより、第１の放電電極２１と第２の放電電極２２との間の放電開始電圧を低下させることができる。よって、ＥＳＤ保護装置１の絶縁破壊を抑制することができる。また、放電補助部５１を設けることによりＥＳＤ保護装置１の応答性を改善することができる。
【００２８】
放電補助部５１は、第１の粒子５１ａと、第２の粒子５１ｂとを含む焼結体により構成されている。第１の粒子５１ａの粒子径は、第２の粒子５１ｂの粒子径よりも大きい。第１の粒子５１ａの粒子径は、例えば２μｍ〜３μｍ程度とすることができる。第２の粒子５１ｂの粒子径は、例えば０．１μｍ〜１μｍ程度とすることができる。
【００２９】
第１の粒子５１ａは、導電性粒子により構成されている。第２の粒子５１ｂは、半導体粒子及び絶縁性粒子のうちの少なくとも一方により構成されている。ここで、半導体粒子は、少なくとも表層が半導体材料からなる粒子であり、全体が半導体材料からなる粒子に限定されない。絶縁性粒子は、少なくとも表層が絶縁材料からなる粒子であり、全体が絶縁材料からなる粒子に限定されない。
【００３０】
第２の粒子５１ｂは、半導体粒子のみにより構成されていてもよいし、絶縁性粒子のみにより構成されていてもよいし、半導体粒子と絶縁性粒子とにより構成されていてもよい。好ましく用いられる導電性粒子の具体例としては、例えば、Ｃｕ粒子、Ｎｉ粒子等が挙げられる。導電性粒子は、例えば、絶縁材料や半導体材料によりコートされていてもよい。好ましく用いられる半導体粒子の具体例としては、例えば、炭化ケイ素、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化モリブデンもしくは炭化タングステン等の炭化物からなる粒子、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化クロム、窒化バナジウムもしくは窒化タンタル等の窒化物からなる粒子、ケイ化チタン、ケイ化ジルコニウム、ケイ化タングステン、ケイ化モリブデン、ケイ化クロム等のケイ化物からなる粒子、ホウ化チタン、ホウ化ジルコニウム、ホウ化クロム、ホウ化ランタン、ホウ化モリブデン、ホウ化タングステンなどのホウ化物からなる粒子、酸化亜鉛、チタン酸ストロンチウム等の酸化物からなる粒子等が挙げられる。好ましく用いられる絶縁性粒子の具体例としては、例えば、酸化アルミニウム粒子等が挙げられる。
【００３１】
セラミック絶縁材１０と第１及び第２の放電電極２１，２２の少なくとも一方の先端部との間には、保護層５２が設けられている。具体的には、保護層５２は、空洞１１の内壁の実質的に全体を覆うように設けられている。この保護層５２を設けることによりセラミック絶縁材１０に含まれる成分が先端部に達することを抑制することができる。よって、ＥＳＤ保護装置１の第１及び第２の放電電極２１，２２の劣化に起因する放電特性の低下を抑制することができる。
【００３２】
保護層５２は、セラミック絶縁材１０を構成しているセラミックスよりも焼結温度が高いセラミックスにより構成されていることが好ましい。セラミック絶縁材１０は、例えば、アルミナ、ムライト、ジルコニア、マグネシア及び石英からなる群から選ばれた少なくとも一種を含んでいることが好ましい。
【００３３】
ＥＳＤ保護装置１では、第１及び第２の放電電極２１，２２が、第２の粒子５１ｂを構成している半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む。第２の粒子５１ｂが半導体粒子により構成されている場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２が半導体粒子を構成している半導体材料を含む。第２の粒子５１ｂが絶縁性粒子により構成されている場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２が絶縁性粒子を構成している絶縁材料を含む。第２の粒子５１ｂが半導体粒子と絶縁性粒子とにより構成されている場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２が半導体粒子を構成している半導体材料と絶縁性粒子を構成している絶縁材料とのうちの少なくとも一方を含む。このため、ＥＳＤ保護装置１において放電が繰り返し生じた場合であっても、ＥＳＤ特性が劣化し難い。この理由としては、定かではないが、第１及び第２の放電電極２１，２２が、第２の粒子５１ｂを構成している半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方を含む場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２と放電補助部５１との密着性が向上し、また、第１及び第２の放電電極２１，２２と放電補助部５１との間の熱膨張率差が小さくなるためであると考えられる。
【００３４】
なお、半導体材料や絶縁材料は、導電性を低下させる成分である。従って、従来は、放電電極に半導体材料や絶縁材料を添加することは、放電補助部の導電性を低下させる観点から、好ましくないものと考えられていた。
【００３５】
第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料及び絶縁材料の総含有量が２０質量％以下であることが好ましい。第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料及び絶縁材料の総含有量が多すぎると、第１及び第２の放電電極２１，２２の導電性が低くなりすぎる場合がある。
【００３６】
第２の粒子５１ｂが絶縁性粒子を含む場合、第１及び第２の放電電極２１，２２における絶縁材料の含有量は、１質量％〜１０質量％であることが好ましい。第１及び第２の放電電極２１，２２における絶縁材料の含有量が少なすぎると、ＥＳＤ特性の劣化を十分に抑制できない場合がある。第１及び第２の放電電極２１，２２における絶縁材料の含有量が多すぎると、第１及び第２の放電電極２１，２２の導電性が低くなりすぎる場合がある。
【００３７】
第２の粒子５１ｂが半導体粒子を含む場合、第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料の含有量は、１質量％〜２０質量％であることが好ましい。第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料の含有量が少なすぎると、ＥＳＤ特性の劣化を十分に抑制できない場合がある。第１及び第２の放電電極２１，２２における半導体材料の含有量が多すぎると、第１及び第２の放電電極２１，２２の導電性が低くなりすぎる場合がある。
【００３８】
また、導電性粒子が半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方によりコートされていると、導電性粒子の周囲に半導体材料や絶縁材料を高い均一性で分散させることができる。従って、半導体材料や絶縁材料の添加量が少ない場合であっても、第１及び第２の放電電極２１，２２と放電補助部５１との密着性を高めることができる。
【００３９】
また、ＥＳＤ保護装置１のように、保護層５２が設けられている場合は、保護層５２も、第１及び第２の放電電極２１，２２と同様に、半導体材料及び絶縁材料のうちの少なくとも一方を含むことが好ましい。この場合は、保護層５２と放電補助部５１との密着性を改善でき、かつ、保護層５２と放電補助部５１との熱膨張率差を小さくできる。従って、放電補助部５１が保護層５２から剥離することも抑制できるため、ＥＳＤ特性の劣化をさらに効果的に抑制することができる。
【００４０】
次に、ＥＳＤ保護装置１の製造方法の一例について説明する。
【００４１】
まず、セラミック絶縁材１０を構成するためのセラミックグリーンシートを用意する。セラミックグリーンシートは、ガラス成分を含むことが好ましい。セラミックグリーンシートは、アルカリ金属成分やホウ素成分を含んでいてもよい。セラミックグリーンシートは、例えば、アルカリ金属成分として、酸化カリウムなどのアルカリ金属酸化物、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属硝酸塩等を含んでいてもよい。
【００４２】
次に、セラミックグリーンシートの上に、放電補助部を構成するための、放電補助部形成用ペーストを塗布し、放電補助部形成用ペースト層を形成する。また、セラミックグリーンシートの上に、放電電極を構成するための導電性ペーストを塗布し、導電性ペースト層を形成する。セラミックグリーンシートの上に、空洞１１を形成するための樹脂ペーストを塗布し、樹脂ペースト層を形成する。なお、放電電極を構成するための導電性ペーストは、放電補助部形成用ペーストに含まれる絶縁材料及び半導体材料のうちの少なくとも一方が含まれる。樹脂ペーストとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂等が好ましく用いられる。
【００４３】
次に、放電補助部形成用ペースト層が表面上に形成されたセラミックグリーンシート、導電性ペースト層が表面上に形成されたセラミックグリーンシート、樹脂ペースト層が表面上に形成されたセラミックグリーンシート、及び表面上に層が形成されていないセラミックグリーンシートを適宜積層し、グリーンシート積層体を作製する。
【００４４】
次に、グリーンシート積層体を焼結させる。その後、焼結体の上に、例えばめっきや導電性ペーストの焼き付けなどにより第１及び第２の外部電極３１，３２を形成することによりＥＳＤ保護装置１を完成させることができる。なお、グリーンシート積層体の焼結は、例えば、８５０℃〜１０００℃程度の温度で行うことができる。
【００４５】
なお、本実施形態では、第１及び第２の放電電極２１，２２がセラミック絶縁材１０の内部に設けられている例について説明した。但し、本発明は、この構成に限定されない。例えば、図２に示されるように、第１及び第２の放電電極２１，２２は、セラミック絶縁材１０の表面上に設けられていてもよい。その場合は、第１及び第２の放電電極２１，２２のそれぞれの先端部を覆うように、セラミック絶縁材１０上に保護層６０が設けられていることが好ましい。保護層６０は、例えば樹脂により構成することができる。
【００４６】
また、図３に示されるように、ＥＳＤ保護装置２は、配線基板と一体に設けられていてもよい。すなわち、ＥＳＤ保護装置２は、少なくとも一つのＥＳＤ保護機能を有するＥＳＤ保護機構を内蔵するＥＳＤ保護機構内蔵配線基板を構成していてもよい。
【００４７】
また、図４に示されるように、ＥＳＤ保護装置は、保護層５２を備えていなくてもよい。
【００４８】
（比較例１）
下記の条件で、上記実施形態に係るＥＳＤ保護装置１と実質的に同様の構成を有するＥＳＤ保護装置を上記実施形態で説明した方法により作製した。
【００４９】
セラミック絶縁材の構成に用いたセラミックス：Ｂａ、Ａｌ及びＳｉを主体とするセラミックス
外部電極、内部導体：Ｃｕ
ＥＳＤ保護装置の寸法：長さ１．０ｍｍ×幅０．５ｍｍ×厚み０．３ｍｍ
放電電極の幅：１００μｍ
放電ギャップの距離：３０μｍ
放電補助部の第１の粒子：平均粒子径が２μｍである、酸化アルミニウムによりコートされたＣｕ粒子
放電補助部の第２の粒子：平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子
放電電極：平均粒子径が２μｍのＣｕ粒子
【００５０】
（実施例１）
以下の通り、放電電極に平均粒子径が０．５μｍである、酸化アルミニウム粒子をさらに含有させたこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００５１】
放電電極：平均粒子径が２μｍのＣｕ粒子と、平均粒子径が０．５μｍである、酸化アルミニウム粒子とを含む。なお、放電補助部における酸化アルミニウムによりコートされたＣｕ粒子と炭化ケイ素粒子との質量比は、９０：１０であった。
【００５２】
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９．５：０．５：０
【００５３】
（実施例２）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９：１：０としたこと以外は実施例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００５４】
（実施例３）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９５：５：０としたこと以外は実施例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００５５】
（実施例４）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９０：１０：０としたこと以外は実施例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００５６】
（実施例５）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝８０：２０：０としたこと以外は実施例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００５７】
（実施例６）
以下の通り、放電電極に平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子を含有させたこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００５８】
放電電極：平均粒子径が２μｍのＣｕ粒子と、平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子とを含む。
【００５９】
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９．５：０：０．５
【００６０】
（実施例７）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９：０：１としたこと以外は実施例６と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００６１】
（実施例８）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９５：０：５としたこと以外は実施例６と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００６２】
（実施例９）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９０：０：１０としたこと以外は実施例６と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００６３】
（実施例１０）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝８０：０：２０としたこと以外は実施例６と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００６４】
（実施例１１）
以下の通り、放電電極に平均粒子径が０．５μｍである、酸化アルミニウム粒子と、平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子とをさらに含有させたこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００６５】
放電電極：平均粒子径が２μｍのＣｕ粒子と、平均粒子径が０．５μｍである、酸化アルミニウム粒子と、平均粒子径が０．５μｍである炭化ケイ素粒子とを含む。
【００６６】
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９９：０．５：０．５
【００６７】
（実施例１２）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９５：２．５：２．５としたこと以外は実施例１１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００６８】
（実施例１３）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝９０：５：５としたこと以外は実施例１１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００６９】
（実施例１４）
放電電極におけるＣｕ粒子と、酸化アルミニウム粒子と、炭化ケイ素粒子との質量比（Ｃｕ粒子：酸化アルミニウム粒子：炭化ケイ素粒子）＝８０：１０：１０としたこと以外は実施例１１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００７０】
（放電応答性評価）
比較例１及び実施例１〜１４のそれぞれにおいて作製したＥＳＤ保護装置の放電応答性をＩＥＣの規格ＩＥＣ６１０００−４−２に定められている静電気放電イミュニティ試験を行うことで評価した。保護回路で検出されたピーク電圧が７００Ｖを超えるものを放電応答性が不良（×）とし、５００Ｖ〜７００Ｖのものを放電応答性が良好（○）とし、５００Ｖ未満のものを放電応答性が特に良好（◎）と評価した。結果を表１に示す。
【００７１】
（繰り返し耐性評価）
比較例１及び実施例１〜１４のそれぞれにおいて作製したＥＳＤ保護装置の放電が繰り返し生じた際の耐性を評価した。具体的には、まず、８ｋＶの電圧を印加し、接触放電を１００回行った後に、上記放電応答性評価を行った。その後、さらに接触放電を２００回（合計３００回）行った後に、上記放電応答性評価を行った。その後、さらに接触放電を２００回（合計５００回）行った後に、上記放電応答性評価を行った。その後、さらに接触放電を５００回（合計１０００回）行った後に、上記放電応答性評価を行った。結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
2014027552.tif 000003
【００７３】
（実施例１５）
放電電極に含まれているＣｕ粒子の８０質量％に相当する量の粒子を、酸化アルミニウムによりコートされたＣｕ粒子に変更したこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。なお、実施例１５においては、放電電極における酸化アルミニウムの含有量は０．５質量％であった。
【００７４】
（実施例１６）
放電電極における酸化アルミニウムの含有量を１質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００７５】
（実施例１７）
放電電極における酸化アルミニウムの含有量を３質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００７６】
（実施例１８）
放電電極における酸化アルミニウムの含有量を５質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００７７】
（実施例１９）
放電電極に含まれているＣｕ粒子の８０質量％に相当する量の粒子を、炭化ケイ素によりコートされたＣｕ粒子に変更したこと以外は比較例１と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。なお、実施例１９においては、放電電極における炭化ケイ素の含有量は０．５質量％であった。
【００７８】
（実施例２０）
放電電極における炭化ケイ素の含有量を１質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００７９】
（実施例２１）
放電電極における炭化ケイ素の含有量を３質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００８０】
（実施例２２）
放電電極における炭化ケイ素の含有量を５質量％としたこと以外は実施例１５と同様にしてＥＳＤ保護装置を作製した。
【００８１】
実施例１５〜２２のそれぞれにおいて作製したＥＳＤ保護装置についても、実施例１等と同様に放電応答性評価及び繰り返し耐性評価を行った。結果を表２，３に示す。
【００８２】
【表２】
2014027552.tif 000004
【００８３】
【表３】
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【００８４】
表１〜３に示す結果から、放電補助部に含まれる絶縁材料及び半導体材料の少なくとも一方を放電電極に含ませることにより、放電応答性の低下を抑制しつつ、放電が繰り返し発生した場合のＥＳＤ特性の劣化を抑制できることが分かる。
【符号の説明】
【００８５】
１，２…ＥＳＤ保護装置
１０…セラミック絶縁材
１１…空洞
２１…第１の放電電極
２２…第２の放電電極
３１…第１の外部電極
３２…第２の外部電極
５１…放電補助部
５１ａ…第１の粒子
５１ｂ…第２の粒子
５２…保護層
６０…保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【国際調査報告】
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