【事件の表示】
　特願２０１６−５６６０２２「弾性波装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　６月３０日国際公開、ＷＯ２０１６／１０３９５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年（平成２７年）１１月１１日（国内優先権主張　平成２６年１２月２５日）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　６月　１日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年　８月　７日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年１２月　５日付け：拒絶査定
　平成３１年　４月１９日　　：拒絶査定不服審判の審判請求書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成３０年８月７日になされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　圧電膜を有する弾性波装置であって、
　前記圧電膜を伝搬するメインモードの弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速部材と、
　前記高音速部材上に直接または間接に積層されている前記圧電膜と、
　前記圧電膜上に設けられている第１の導電膜と、
　前記圧電膜上及び前記第１の導電膜の少なくとも一部の上に設けられている第２の導電膜と、
を備え、
　前記圧電膜上には、電極指とバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極が設けられており、前記第１の導電膜により、前記複数のＩＤＴ電極の少なくとも前記電極指が構成されており、
　前記第２の導電膜により、前記複数のＩＤＴ電極間を接続している接続配線の少なくとも一部が構成されている、弾性波装置。」
第３　原査定における拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１ないし１３に係る発明は、本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１ないし５に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１．国際公開第２０１２／０８６６３９号
引用文献２．特開２０００−１８３６７９号公報
引用文献３．特開２００９−１８２４０７号公報
引用文献４．特開２００２−２９０１８２号公報
引用文献５．特開昭５６−０４３８１８号公報
第４　引用文献
１．引用文献１の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２０１２／０８６６３９号（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（なお、下線部は当審にて付与した。）
（ア）「［0001］　本発明は、共振子や
帯域フィルタなどに用いられる弾性波装置
（イ）「［0035］　図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態としての弾性表面波装置の模式的正面断面図である。
［0036］
弾性表面波装置１は、支持基板２を有する。支持基板２上に、音速が相対的に高い高音速膜３が積層されている。高音速膜３上に、音速が相対的に低い低音速膜４が積層されている。また、低音速膜４上に圧電膜５が積層されている。この圧電膜５の上面にＩＤＴ電極６が積層されている。
（ウ）「［0039］　なお、本明細書において、
高音速膜とは、圧電膜５を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、該高音速膜中のバルク波の音速が高速となる膜を言うものとする。
圧電膜５を伝搬する弾性波とは、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波を示す。
（エ）「［0047］　圧電膜５は、本実施形態では、３８．５°ＹカットのＬｉＴａＯ３すなわちオイラー角で（０°，１２８．５°、０°）のＬｉＴａＯ３からなり、膜厚は、ＩＤＴ電極６の電極周期で定まる弾性表面波の波長をλとすると、０．２５λである。もっとも、圧電膜５は、他のカット角のＬｉＴａＯ３により形成してもよく、あるいはＬｉＴａＯ３以外の圧電単結晶により形成してもよい。
［0048］　ＩＤＴ電極６は、本実施形態では、Ａｌからなる。もっとも、ＩＤＴ電極６は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗまたはこれらの金属のいずれかを主体とする合金などの適宜の金属材料により形成することができる。また、ＩＤＴ電極６は、これらの金属もしくは合金からなる複数の金属膜を積層した構造を有していてもよい。
［0049］　図１（ａ）では略図的に示しているが、圧電膜５上に、図１（ｂ）に示す電極構造が形成されている。すなわち、ＩＤＴ電極６と、ＩＤＴ電極６の弾性表面波電極方向両側に配置された反射器７，８が形成されている。それによって、１ポート型弾性表面波共振子が構成されている。もっとも、
本発明におけるＩＤＴ電極を含む電極構造は特に限定されず、適宜の共振子や共振子を組み合わせたラダーフィルタ、縦結合フィルタ
を構成するように変形し得る。
（オ）「［0057］第１の実施形態：上から順に、
Ａｌ電極（厚み０．０８λ）／３８．５°ＹカットのＬｉＴａＯ３薄膜（厚み０．２５λ）
（カ）図１（ａ）
（キ）図１（ｂ）
　上記（ア）から（キ）の記載事項から、引用文献１には以下の発明が記載されている。（以下、「引用発明」という。）
「帯域フィルタに用いられる弾性表面波装置１であって、
前記弾性表面波装置１は、支持基板２を有し、
前記支持基板２上に、音速が相対的に高い高音速膜３が積層されており、
前記高音速膜３上に、音速が相対的に低い低音速膜４が積層されており、
前記低音速膜４上に、圧電膜５が積層されており、
前記圧電膜５の上面にＩＤＴ電極６が積層されており、
前記高音速膜３とは、圧電膜５を伝搬する弾性波よりも、該高音速膜中のバルク波の音速が高速となる膜であって、
前記圧電膜５を伝搬する弾性波とは、フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波を示し、
前記ＩＤＴ電極６を含む電極構造は共振子を組み合わせたラダーフィルタ又は縦結合フィルタを構成する、
弾性表面波装置１。」
２．引用文献２の記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１８３６７９号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（なお、下線部は当審にて付与した。）
（サ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
圧電体
の基板に電極が形成された１端子対弾性表面波（以下、ＳＡＷという）共振子を多段の梯型に接続したＳＡＷフィルタ
（シ）「【００３９】第３の実施形態
図１６は、本発明の第３の実施形態を示す梯子型ＳＡＷフィルタの概略の構成図であり、図１７は、図１６中のＳＡＷ共振子７０s1の構成を示す斜視図である。この
梯子型ＳＡＷフィルタは、
４段構成のＳＡＷフィルタであり、８個のＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4
を備えている。
【００４０】ＳＡＷ共振子７０s1は、図１７に示すように、第１の実施形態と同様のＩＤＴ７０ａ及び反射器７０ｂ，７０ｃを有している。ＳＡＷ共振子７０s2〜７０s4，７０p1〜７０p4も、同様のＩＤＴ７０ａ及び反射器７０ｂ，７０ｃを有している。
各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の間
が、接続パターン７４で接続されて４段の梯子型回路が構成されている。
【００４１】図１８は、図１６及び図１７における第３の実施形態を示す梯子形ＳＡＷフィルタのパターンの斜視図であり、図１７のＤ部分拡大図が示されている。第１の実施形態では、接続用パターン及びボンディングパッドの上側に放熱用の膜を形成していたが、本実施形態では、これらの接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３を、放熱用の膜７６だけで形成しているいる。図１９（ａ）〜（ｉ）は、図１６のＳＡＷフィルタの製造工程を示す断面図である。
【００４２】図１６のＳＡＷフィルタは、図１９（ａ）〜（ｉ）に示される工程を順に行うことにより、製造される。以下に各工程の概要を説明する。まず、図１９（ａ）の工程において、例えば結晶方位が３６°Ｙ−Ｘの
ＬｉＴａＯ3単結晶基板７５
図１９（ｄ）の工程において、不要なレジスト７８が除去された基板７５の上側全面にＡｌ薄膜８０を蒸着する。図１９（ｅ）の工程において、有機溶剤を用いたリフトオフにより、不要なレジスト７７及びＡｌ薄膜８０を除去する。ここまでの工程で、ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4が基板７５上に形成される
【００４３】図１９（ｆ）の工程において、基板７５のＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4が形成された面上に、再びレジスト８１を塗布する。図１９（ｇ）の工程において、同図（ｂ），（ｃ）の工程と同様に、光学マスクを用いた光の露光により、接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３のパターンを転写し、その後の現像で、不要なレジスト８１を除去し、基板７５の表面とＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の端部を露出させる。
図１９（ｈ）の工程において、基板７５の上側全面に、接続パターン７４となるＡｕ薄膜８２を蒸着する。図１９（ｉ）の工程において、有機溶剤を用いて不要な薄膜８２をレジスト８１と共に除去する。以上により、接続パターン７４及びボンディングパッド７１〜７３が、基板７５上に形成される。
（ス）図１６
（セ）図１７
（ソ）図１８
（タ）図１９
（チ）上記（シ）、（ソ）及び（タ）の（i）から、「接続パターン７４」は「基板７５」及び「ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4」の一部の上に設けられていることが認められる。
　上記（サ）から（チ）の記載事項から、引用文献２には以下の技術事項が記載されている。
「圧電体の基板に電極が形成された１端子対弾性表面波（以下、ＳＡＷという）共振子を多段の梯型に接続したＳＡＷフィルタおいて、基板７５上にＡｌ薄膜８０によって形成された各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の間を、基板７５及びＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の一部の上にＡｕ薄膜８２によって形成された接続パターン７４で接続する技術事項。」
第５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（５−１）
　引用発明と本願発明はともに弾性（表面）波装置に係る発明であって、引用発明における「圧電膜５」は本願発明でいう『圧電膜』に相当するから、引用発明である「弾性表面波装置１」は、本願発明でいう『圧電膜を有する弾性波装置』に相当する。
（５−２）
　引用発明における「圧電膜５を伝搬する弾性波」は「フィルタや共振子の特性を得るために利用する特定のモードの弾性波」を示すものである。
　一方、本願発明における『圧電膜を伝搬するメインモードの弾性波』については、本願明細書の段落【００３２】に『・・・（省略）・・・本明細書において、
圧電膜を伝搬するメインモードの弾性波音速とは
フィルタとしての通過帯域や、共振子としての共振特性を得るために使用しているモードを言う
　してみると、引用発明における「圧電膜５を伝搬する弾性波」は本願発明でいう『圧電膜を伝搬するメインモードの弾性波』に相当する。
（５−３）
　引用発明における「高音速膜３」は「圧電膜５を伝搬する弾性波よりも、該高音速膜中のバルク波の音速が高速となる膜」であり、上記（５−２）で言及した事項と併せ読むと、本願発明でいう『前記圧電膜を伝搬するメインモードの弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速部材』であるといえる。
（５−４）
　引用発明では「圧電膜５」が「低音速膜４」を介して「高音速膜３」の上に積層されていることから、引用発明における「圧電膜５」は本願発明でいう『前記高音速部材上に間接に積層されている前記圧電膜』であるといえる。
（５−５）
　引用発明における「電極構造（共振子）」とは、上記（エ）及び（キ）で摘記したように、「ＩＤＴ電極６とＩＤＴ電極６の弾性表面波電極方向両側に配置された反射器７，８」とで構成されるものである。
　そして、引用発明における「ＩＤＴ電極６」は、上記（エ）及び（キ）で摘記した事項から明らかなように、「一端が共通接続された複数の電極を有している」構造のものである。ここで、前記「一端が共通接続された」部分は、一般的に「バスバー」と称するものであり、前記「複数の電極」部分は、「電極指」と称するものであるから、引用発明における「ＩＤＴ電極６」は、本願発明でいう『電極指とバスバーとを有する』『ＩＤＴ電極』に対応するものである。
　また、引用発明における電極構造（共振子）は「前記ＩＤＴ電極６を含む電極構造は共振子を組み合わせたラダーフィルタ又は縦結合フィルタを構成する」ものであり、ここで、「ラダーフィルタ又は縦結合フィルタ」とは、複数の電極構造（共振子）のＩＤＴ電極を直列又は並列に接続することで構成されるものであり、引用発明においては、それら複数の電極構造（共振子）が圧電膜５の上に設けられている。
　つまり、引用発明においては、本願発明でいう『前記圧電膜上には、電極指とバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極が設けられた』との構成を有しているといえる。
　さらに、引用発明における電極構造（共振子）が備える「ＩＤＴ電極６」は、上記摘記事項（エ）及び（オ）の記載からも明らかなように、「圧電膜５上」に設けられた「導電膜」と呼べるものであり、かつ、複数の「ＩＤＴ電極６」の「電極指」は、「導電膜」により構成されていることは明らかである。
　以上のことから、引用発明は、本願発明でいう『前記圧電膜上に設けられている第１の導電膜』及び『前記圧電膜上には、電極指とバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極が設けられており、前記第１の導電膜により、前記複数のＩＤＴ電極の少なくとも前記電極指が構成されており、』との構成を備えているものといえる。
　上記（５−１）から（５−５）で対比した様に、本願発明と引用発明とは、
「圧電膜を有する弾性波装置であって、
前記圧電膜を伝搬するメインモードの弾性波音速よりも、伝搬するバルク波音速が高速である高音速部材と、
前記高音速部材上に間接に積層されている前記圧電膜と、
前記圧電膜上に設けられている第１の導電膜と、
を備え、
前記圧電膜上には、電極指とバスバーとを有する複数のＩＤＴ電極が設けられており、
前記第１の導電膜により、前記複数のＩＤＴ電極の少なくとも前記電極指が構成されている、弾性波装置。」で一致し、以下の点で相違している。
［相違点］
　本願発明は『前記圧電膜上及び前記第１の導電膜の少なくとも一部の上に設けられている第２の導電膜』を備え、『前記第２の導電膜により、前記複数のＩＤＴ電極間を接続している接続配線の少なくとも一部が構成されている』のに対し、引用発明では「ＩＤＴ電極６を含む電極構造は共振子を組み合わせたラダーフィルタ又は縦結合フィルタを構成する」こと、すなわち引用発明の「電極構造」が複数の「ＩＤＴ電極６」を有することは示されているものの、「ラダーフィルタ又は縦結合フィルタを構成する」にあたり、複数の「ＩＤＴ電極６」間をどのように接続するのかについては特定されていない点。
第６　判断
１．相違点について
　上記「第４　引用文献」で認定したように引用文献２には「圧電体の基板に電極が形成された１端子対弾性表面波（以下、ＳＡＷという）共振子を多段の梯型に接続したＳＡＷフィルタおいて、基板７５上にＡｌ薄膜８０によって形成された各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の間を、基板７５及びＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の一部の上にＡｕ薄膜８２によって形成された接続パターン７４で接続する技術事項」が記載されている。
　引用文献２に記載された「ＳＡＷフィルタ」は「圧電体の基板に電極が形成された１端子対弾性表面波（以下、ＳＡＷという）共振子を多段の梯型に接続した」ものであり、「基板７５上にＡｌ薄膜８０によって形成された各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4」を有するものであるから、引用文献２の記載事項である「基板７５」、「Ａｌ薄膜８０」、「各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4」、「ＳＡＷフィルタ」は、それぞれ、本願発明でいう『圧電膜』、『第１の導電膜』、『ＩＤＴ電極』、『弾性波装置』に対応するものである。
　また、引用文献２に記載された技術事項は「各ＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の間を、基板７５及びＳＡＷ共振子７０s1〜７０s4，７０p1〜７０p4の一部の上にＡｕ薄膜８２によって形成された接続パターン７４で接続する」ことであり、この記載事項における「Ａｕ薄膜８２」と「接続パターン７４」は、それぞれ、本願発明でいう『第２の導電膜』と『複数のＩＤＴ電極間を接続している接続配線』に対応するものである。（なお、「Ａｕ」は金を意味し、「Ａｕ薄膜」が導電膜であることは自明である。）
　そうしてみると、引用発明及び引用文献２に記載の技術事項はともに帯域フィルタに用いられる弾性波装置（弾性表面波フィルタ）に関するものであるから、引用発明において「ＩＤＴ電極６を含む電極構造は共振子を組み合わせたラダーフィルタ又は縦結合フィルタを構成する」際に、引用文献２に記載された技術事項を用いて、「圧電膜５」及び「ＩＤＴ電極６」上に設けられたＡｕ薄膜により形成された接続パターン、即ち第２の導電膜によって複数の「ＩＤＴ電極６」間を接続し、本願発明とすることは、当業者であれば、容易に想到し得たものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
２．請求人の主張について
　提出日が平成３１年４月１９日の審判請求書において請求人は「・・・（省略）・・・（３）本願明細書段落［０００６］に記載のように、
本願発明は、絶縁体からなる低音速膜が圧電膜下に設けられている構成において、圧電膜上にＩＤＴ電極を形成すると、電荷が滞留し、ＩＤＴ電極の電極指とバスバーとの間などにおいてサージ破壊が生じることがあり、それによって帯域内におけるリップルが生じることがあったことに鑑み、このようなリップルが生じ難い弾性波装置の提供を課題
　引用文献１には、このような
本願発明をなす前提となった課題は何ら示されておらず
　他方、引用文献２及び引用文献３に記載されているのは、サージ破壊が生じ難い構成にすぎません。すなわち、
引用文献２や引用文献３では、絶縁体からなる低音速膜が圧電膜下に設けられている本願構成とは異なり
引用文献２や引用文献３に記載の構成では、本願発明において解決すべき課題がそもそも存在致しません。
　第２の導電膜を用いてＩＤＴ電極間を接続することにより、サージ破壊による問題を解決するという本発明の技術思想は、本願発明者が独自に見出した知見に基づくものであり、
引用文献１，引用文献２及び引用文献３のいずれにも、このような発明をなす前提となった課題は何ら記載されていないため、引用文献２や引用文献３に記載の構成を引用文献１に記載の発明に組み合わせる動機付けも存在致しません。
　上記主張は「低音速膜」の存在を前提としたものであるところ、上記「第２　本願発明」に記載のとおり、本願発明（請求項１に係る発明）は「低音速膜」に相当する構成を備えていない。
　したがって、請求人の上記主張は請求項１の記載に基づくものではないから、採用することができない。
第８　むすび
　上記のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。