(57)【要約】  例えばリチウムイオン二次電池の電解液、プラスチック原料等の様々な用途に幅広く利用されている環状カーボネートをエポキシド（オキシラン）と二酸化炭素との反応によって製造するにあたり、常温、常圧等の穏和な条件下で当該環状カーボネートを収率よく製造でき、なおかつ環境負荷低減を考慮した実用的な製造方法を提供することを目的とし、本発明は、エポキシドと二酸化炭素とを、ヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩の存在下で反応させることを特徴とする、環状カーボネートの製造方法に関する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシドと二酸化炭素とを、ヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩の存在下で反応させることを特徴とする、環状カーボネートの製造方法。
【請求項２】
前記ホスホニウム塩が、（１）一般式［１］で示される化合物、（２）一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む重合体、並びに（３）一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体から選ばれるものである、請求項１に記載の製造方法。
2014034937.tif 000028
（式中、Ｒ１は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表し、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、水素原子；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表す。）
2014034937.tif 000029
（式中、Ｒ５は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表し、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、水素原子；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基；ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基；ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基；ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表す。ただし、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８のいずれか１つは、ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基、ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基又はビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基である。）
2014034937.tif 000030
（式中、Ｒ９は、ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基、ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基又はビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表し、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基又は炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表す。）
【請求項３】
前記ホスホニウム塩が、（１'）一般式［１'］で示される化合物、（２'）一般式［２'］で示される化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む重合体、並びに（３'）一般式［３'］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体から選ばれるものである、請求項１に記載の製造方法。
2014034937.tif 000031
（式中、Ｒ１'は、ヒドロキシル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基を表し、Ｒ２'、Ｒ３'及びＲ４'はそれぞれ独立して、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基又はヒドロキシル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）
2014034937.tif 000032
（式中、Ｒ５'は、ヒドロキシル基又はチオウレイレン基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基を表し、Ｒ６'は、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ７'及びＲ８'はそれぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）
2014034937.tif 000033
（式中、Ｒ９'は、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１０'、Ｒ１１'及びＲ１２'はそれぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）
【請求項４】
前記ホスホニウム塩が、（１''）一般式［１''］で示される化合物、（２''）一般式［２''］で示される化合物に由来するモノマー単位とスチレン誘導体に由来するモノマー単位からなる共重合体、並びに（３''）一般式［３''］で示される化合物に由来するモノマー単位とヒドロキシスチレン誘導体に由来するモノマー単位からなる共重合体から選ばれるものである、請求項１に記載の製造方法。
2014034937.tif 000034
（式中、Ｒ１''は、２-ヒドロキシルベンジル基を表し、Ｒ２''は、２-ヒドロキシルベンジル基、炭素数２〜６のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ３''及びＲ４''はそれぞれ独立して、炭素数２〜６のアルキル基又はフェニル基を表す。）
2014034937.tif 000035
（式中、Ｒ５''は、２-ヒドロキシルベンジル基又は３，５-ジトリフルオロメチルフェニルチオウレイレニルプロピル基を表し、Ｒ６''は、４-ビニルフェニル基を表し、Ｒ７''及びＲ８''は、フェニル基を表す。）
2014034937.tif 000036
（式中、Ｒ９''は、４-ビニルフェニル基を表し、Ｒ１０''は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ１１''及びＲ１２''は、フェニル基を表す。）
【請求項５】
前記スチレン誘導体が、スチレン、２-メチルスチレン、３-メチルスチレン、４-メチルスチレン、α-メチルスチレン、４-エチルスチレン、４-ｎ-プロピルスチレン及び４-イソプロピルスチレンから選ばれるものである、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記ヒドロキシスチレン誘導体が、２-ヒドロキシスチレン、３-ヒドロキシスチレン及び４-ヒドロキシスチレンから選ばれるものである、請求項４に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ホスホニウム塩が、２-ヒドロキシベンジルトリフェニルホスホニウムヨージド、３-ヒドロキシベンジルトリフェニルホスホニウムヨージド、４-ヒドロキシベンジルトリフェニルホスホニウムヨージド、ビス（２-ヒドロキシベンジル）ジフェニルホスホニウムヨージド、２-ヒドロキシベンジルトリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージド及びメチル（４-ビニルフェニル）ジフェニルホスホニウムヨージドと４-ヒドロキシスチレンとの共重合体から選ばれるものである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
４０〜６０℃で反応させる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
０．０９〜０．１１ＭＰａで反応させる、請求項１に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばリチウムイオン二次電池の電解液、プラスチック原料等の様々な用途に幅広く利用されている環状カーボネートの製造方法に関する。更に詳しくは、二酸化炭素を用いる環状カーボネートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大気中の二酸化炭素は増加の一途を辿っており、地球温暖化の一因として問題視されている。一方で、二酸化炭素を有効活用して機能性材料等に変換できれば、二酸化炭素は無尽蔵に入手できる資源の１つとして捉えることができる。【０００３】
二酸化炭素から合成できる環状カーボネートは、例えばリチウムイオン二次電池の電解液、プラスチック原料等の様々な用途に幅広く利用されていることから、以前よりその合成法が種々検討されている。しかしながら、その合成法のほとんどは、高温（１００〜１５０℃）、高圧（数十気圧）のいずれかあるいは両方の条件を必要とするため、環境負荷低減を考慮した実用化には至っていないのが実態である。具体的には、例えば金属塩である臭化リチウムを用いる方法（例えば非特許文献１等）は、常圧条件ながら高温条件を必要とする方法であり、また、例えば四級アンモニウム塩を用いる方法（例えば非特許文献２等）は、メタルフリー（金属フリー）ながら高温条件に加え高圧条件を必要とする方法である。さらに、これらの方法以外にも、種々の環状カーボネートの合成法が知られているが（例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、非特許文献３、非特許文献４、非特許文献５、非特許文献６等）、いずれの合成法も高温、高圧のいずれかあるいは両方の条件を必要とする方法である。【０００４】
最近では、金属と四級アンモニウム塩の特性を併せ持つ複合触媒が開発され、常温、常圧条件下でのカーボネート反応に利用されている（例えば非特許文献７等）。しかしながら、この複合触媒は、その合成に多工程を要する高価な金属配位型触媒であるため、実用性に難点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭４７−３１９８１号公報
【特許文献２】特開昭６２−４５５８４号公報
【特許文献３】特開平５−２０２０２２号公報
【特許文献４】国際公開ＷＯ２００５／０８４８０１号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】J. Org. Chem., 1993, 58, 6198-6202.
【非特許文献２】J. Mol. Catal. A: Chem., 2006, 249, 143-148.
【非特許文献３】Adv. Synth. Catal., 2010, 352, 2233-2240.
【非特許文献４】Green Chem., 2012, 14, 209-216.
【非特許文献５】J. Org. Chem., 2003, 68, 6705-6709.
【非特許文献６】Eur. J. Org. Chem., 2004, 3080-3089.
【非特許文献７】Dalton Trans., 2011, 40, 3885-3902.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、二酸化炭素を利用した環状カーボネートの合成法は、古くから種々の方法が知られてはいるものの、これらの方法は、高温、高圧条件が必要である、アルカリ金属等の金属を含む触媒を使用するためその除去工程が必要である、触媒が高価である等、いまだに環境負荷の面で問題点を抱えている。このため、今日においても、環境負荷低減に考慮した環状カーボネートの合成法の確立が求められている状況にある。【０００８】
上述した状況に鑑み、本発明の目的は、常温、常圧等の穏和な条件下で反応を行っても、多種多様な環状カーボネートを収率良く製造することができるばかりでなく、環境負荷低減を考慮した実用的な環状カーボネートの製造方法を提供することにある。本発明者らは、このような製造方法について鋭意研究を重ねた結果、エポキシド（オキシラン）と二酸化炭素との反応において、カウンターアニオンとしてヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩を用いることで、上述した目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、エポキシドと二酸化炭素とを、ヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩の存在下で反応させることを特徴とする、環状カーボネートの製造方法の発明である。
【発明の効果】
【００１０】
エポキシド（オキシラン）と二酸化炭素との反応によって環状カーボネートを製造するにあたり、カウンターアニオンとしてヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩を用いることで、常温、常圧等の穏和な条件下でも、環状カーボネートを収率良く製造することができるという効果を奏する。【００１１】
本発明の製造方法において、カウンターアニオンとしてヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩を用いると、上述したような効果が得られる理由は以下のように考えられる。すなわち、ホスホニウム塩中のエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子が、エポキシド（オキシラン）の酸素原子に配位し、水素原子が配位したエポキシド（オキシラン）に対して、当該ホスホニウム塩（以下、本発明にかかるホスホニウム塩と略記する場合がある。）が触媒として効果的に作用することにより、常温、常圧等の穏和な条件下でも、収率良く環状カーボネートが製造できるものと考えられる。【００１２】
また、このような本発明にかかるホスホニウム塩が後述するような重合体である場合には、単量体のものに比べて、生成物である環状カーボネートとの分離が容易であり、また、回収、再利用が可能であるという点で、当該重合体を用いる本発明の製造方法は、グリーンケミストリーの観点からも有用であり、環境負荷低減を考慮した実用的な製造方法である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の環状カーボネートの製造方法は、エポキシド（オキシラン）と二酸化炭素との反応を、ヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩の存在下で行うことを特徴とするものである。
【００１４】
本発明の製造方法において、エポキシド（オキシラン）は、環状カーボネートを製造するための原料として用いられる。当該エポキシド（オキシラン）は、通常この分野で用いられるものであれば特に限定されず、少なくともオキシラン環を１つ有していればよく、２つ以上のオキシラン環を有していてもよいし、エーテル基、アシル基等の他の官能基を有していてもよい。当該エポキシド（オキシラン）の具体例としては、例えば下記一般式［I］で示されるエポキシド（オキシラン）、下記一般式［II］で示されるエポキシド（オキシラン）から選ばれるものが挙げられる。
【００１５】
2014034937.tif 000002
（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４はそれぞれ独立して、水素原子又はヘテロ原子を有していてもよい炭素数１〜２０の１価の炭化水素基を表す。なお、Ａ１とＡ２、Ａ１とＡ４又はＡ３とＡ４とで環状構造を形成していてもよい。）
【００１６】
2014034937.tif 000003
（式中、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０はそれぞれ独立して、水素原子又はヘテロ原子を有していてもよい炭素数１〜２０の１価の炭化水素基を表し、Ｔは、ヘテロ原子を有していてもよい炭素数１〜２０の２価の炭化水素基を表す。なお、Ａ５とＡ６、Ａ５とＡ７、Ａ８とＡ１０又はＡ９とＡ１０とで環状構造を形成していてもよい。）
【００１７】
一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示される１価の炭化水素基としては、具体的には、例えばアルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基等が挙げられる。
【００１８】
一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示される、ヘテロ原子を有していてもよい炭素数１〜２０の１価の炭化水素基におけるヘテロ原子の具体例としては、例えば酸素原子、硫黄原子、例えばフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００１９】
一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示される１価の炭化水素基がアルキル基である場合の具体例、すなわち、一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示されるヘテロ原子を有していてもよいアルキル基としては、直鎖状、分枝状もしくは環状のいずれであってもよい。当該アルキル基がヘテロ原子を有さない場合の具体例としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基、シクロブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ｓ-ペンチル基、ｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、２-メチルブチル基、１，２-ジメチルプロピル基、１-エチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓ-ヘキシル基、ｔ-ヘキシル基、ネオヘキシル基、２-メチルペンチル基、１，２-ジメチルブチル基、２，３-ジメチルブチル基、１-エチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ-ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓ-ヘプチル基、ｔ-ヘプチル基、ネオヘプチル基、シクロヘプチル基、ｎ-オクチル基、イソオクチル基、ｓ-オクチル基、ｔ-オクチル基、ネオオクチル基、２-エチルヘキシル基、シクロオクチル基、ｎ-ノニル基、イソノニル基、ｓ-ノニル基、ｔ-ノニル基、ネオノニル基、シクロノニル基、ｎ-デシル基、イソデシル基、ｓ-デシル基、ｔ-デシル基、ネオデシル基、シクロデシル基、ｎ-ウンデシル基、シクロウンデシル基、ｎ-ドデシル基、シクロドデシル基、ｎ-トリデシル基、シクロトリデシル基、ｎ-テトラデシル基、シクロテトラデシル基、ｎ-ペンタデシル基、シクロペンタデシル基、ｎ-ヘキサデシル基、シクロヘキサデシル基、ｎ-ヘプタデシル基、シクロヘプタデシル基、ｎ-オクタデシル基、シクロオクタデシル基、ｎ-ノナデシル基、シクロノナデシル基、ｎ-イコシル基、シクロイコシル基、ノルボルニル基、ボルニル基、メンチル基、アダマンチル基、メチルアダマンチル基、デカヒドロナフチル基等の炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられ、なかでも、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基、シクロブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ｓ-ペンチル基、ｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、２-メチルブチル基、１，２-ジメチルプロピル基、１-エチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓ-ヘキシル基、ｔ-ヘキシル基、ネオヘキシル基、２-メチルペンチル基、１，２-ジメチルブチル基、２，３-ジメチルブチル基、１-エチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ-ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓ-ヘプチル基、ｔ-ヘプチル基、ネオヘプチル基、シクロヘプチル基、ｎ-オクチル基、イソオクチル基、ｓ-オクチル基、ｔ-オクチル基、ネオオクチル基、２-エチルヘキシル基、シクロオクチル基、ｎ-ノニル基、イソノニル基、ｓ-ノニル基、ｔ-ノニル基、ネオノニル基、シクロノニル基、ｎ-デシル基、イソデシル基、ｓ-デシル基、ｔ-デシル基、ネオデシル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、ボルニル基、メンチル基、アダマンチル基、デカヒドロナフチル基等の炭素数１〜１０の直鎖状、分��状もしくは環状のアルキル基が好ましい。なお、上述の具体例において、ｎ-はnormal-体を表し、ｓ-はsec-体を表し、ｔ-はtert-体を表す。
【００２０】
また、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示されるヘテロ原子を有していてもよいアルキル基がヘテロ原子を有する場合の具体例としては、例えばメトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシペンチル基、メトキシヘキシル基、メトキシヘプチル基、メトキシオクチル基、メトキシノニル基、メトキシデシル基、メトキシウンデシル基、メトキシドデシル基、メトキシトリデシル基、メトキシテトラデシル基、メトキシペンタデシル基、メトキシヘキサデシル基、メトキシヘプタデシル基、メトキシオクタデシル基、メトキシノナデシル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシペンチル基、エトキシヘキシル基、エトキシヘプチル基、エトキシオクチル基、エトキシノニル基、エトキシデシル基、エトキシウンデシル基、エトキシドデシル基、エトキシトリデシル基、エトキシテトラデシル基、エトキシペンタデシル基、エトキシヘキサデシル基、エトキシヘプタデシル基、エトキシオクタデシル基、プロポキシメチル基、プロポキシエチル基、プロポキシブチル基、プロポキシペンチル基、プロポキシヘキシル基、プロポキシヘプチル基、プロポキシオクチル基、プロポキシノニル基、プロポキシデシル基、プロポキシウンデシル基、プロポキシドデシル基、プロポキシトリデシル基、プロポキシテトラデシル基、プロポキシペンタデシル基、プロポキシヘキサデシル基、プロポキシヘプタデシル基、ブトキシメチル基、ブトキシエチル基、ブトキシプロピル基、ブトキシブチル基、ブトキシペンチル基、ブトキシヘキシル基、ブトキシヘプチル基、ブトキシオクチル基、ブトキシノニル基、ブトキシデシル基、ブトキシウンデシル基、ブトキシドデシル基、ブトキシトリデシル基、ブトキシテトラデシル基、ブトキシペンタデシル基、ブトキシヘキサデシル基、ペンチルオキシメチル基、ペンチルオキシエチル基、ペンチルオキシプロピル基、ペンチルオキシブチル基、ペンチルオキシペンチル基、ペンチルオキシヘキシル基、ペンチルオキシヘプチル基、ペンチルオキシオクチル基、ペンチルオキシノニル基、ペンチルオキシデシル基、ペンチルオキシウンデシル基、ペンチルオキシドデシル基、ペンチルオキシトリデシル基、ペンチルオキシテトラデシル基、ペンチルオキシペンタデシル基、ヘキシルオキシメチル基、ヘキシルオキシエチル基、ヘキシルオキシプロピル基、ヘキシルオキシブチル基、ヘキシルオキシペンチル基、ヘキシルオキシヘキシル基、ヘキシルオキシヘプチル基、ヘキシルオキシオクチル基、ヘキシルオキシノニル基、ヘキシルオキシデシル基、ヘキシルオキシウンデシル基、ヘキシルオキシドデシル基、ヘキシルオキシトリデシル基、ヘキシルオキシテトラデシル基、ヘプチルオキシメチル基、ヘプチルオキシエチル基、ヘプチルオキシプロピル基、ヘプチルオキシブチル基、ヘプチルオキシペンチル基、ヘプチルオキシヘキシル基、ヘプチルオキシヘプチル基、ヘプチルオキシオクチル基、ヘプチルオキシノニル基、ヘプチルオキシデシル基、ヘプチルオキシウンデシル基、ヘプチルオキシドデシル基、ヘプチルオキシトリデシル基、オクチルオキシメチル基、オクチルオキシエチル基、オクチルオキシプロピル基、オクチルオキシブチル基、オクチルオキシペンチル基、オクチルオキシヘキシル基、オクチルオキシヘプチル基、オクチルオキシオクチル基、オクチルオキシノニル基、オクチルオキシデシル基、オクチルオキシウンデシル基、オクチルオキシドデシル基、ノニルオキシメチル基、ノニルオキシエチル基、ノニルオキシプロピル基、ノニルオキシブチル基、ノニルオキシペンチル基、ノニルオキシヘキシル基、ノニルオキシヘプチル基、ノニルオキシオクチル基、ノニルオキシノニル基、ノニルオキシデシル基、ノニルオキシウンデシル基、デシルオキシメチル基、デシルオキシエチル基、デシルオキシプロピル基、デシルオキシブチル基、デシルオキシペンチル基、デシルオキシヘキシル基、デシルオキシヘプチル基、デシルオキシオクチル基、デシルオキシノニル基、デシルオキシデシル基、ウンデシルオキシメチル基、ウンデシルオキシエチル基、ウンデシルオキシプロピル基、ウンデシルオキシブチル基、ウンデシルオキシペンチル基、ウンデシルオキシヘキシル基、ウンデシルオキシヘプチル基、ウンデシルオキシオクチル基、ウンデシルオキシノニル基、ドデシルオキシメチル基、ドデシルオキシエチル基、ドデシルオキシプロピル基、ドデシルオキシブチル基、ドデシルオキシペンチル基、ドデシルオキシヘキシル基、ドデシルオキシヘプチル基、ドデシルオキシオクチル基、トリデシルオキシメチル基、トリデシルオキシエチル基、トリデシルオキシプロピル基、トリデシルオキシブチル基、トリデシルオキシペンチル基、トリデシルオキシヘキシル基、トリデシルオキシヘプチル基、テトラデシルオキシメチル基、テトラデシルオキシエチル基、テトラデシルオキシプロピル基、テトラデシルオキシブチル基、テトラデシルオキシペンチル基、テトラデシルオキシヘキシル基、ペンタデシルオキシメチル基、ペンタデシルオキシエチル基、ペンタデシルオキシプロピル基、ペンタデシルオキシブチル基、ペンタデシルオキシペンチル基、ヘキサデシルオキシメチル基、ヘキサデシルオキシエチル基、ヘキサデシルオキシプロピル基、ヘキサデシルオキシブチル基、ヘプタデシルオキシメチル基、ヘプタデシルオキシエチル基、ヘプタデシルオキシプロピル基、オクタデシルオキシメチル基、オクタデシルオキシエチル基、ノナデシルオキシメチル基等のエーテル基（酸素原子）を有する炭素数２〜２０のアルキル基、例えばホルミルオキシメチル基、ホルミルオキシエチル基、ホルミルオキシプロピル基、アセトキシメチル基（アセチルオキシメチル基）、アセトキシエチル基（アセチルオキシエチル基）、アセトキシプロピル基（アセチルオキシプロピル基）、プロピオニルオキシメチル基、プロピオニルオキシエチル基、プロピオニルオキシプロピル基、ブチリルオキシメチル基、ブチリルオキシエチル基、ブチリルオキシプロピル基、バレリルオキシメチル基（ペンタノイルオキシメチル基）、バレリルオキシエチル基（ペンタノイルオキシエチル基）、バレリルオキシプロピル基（ペンタノイルオキシプロピル基）、カプロイルオキシメチル基（ヘキサノイルオキシメチル基）、カプロイルオキシエチル基（ヘキサノイルオキシエチル基）、カプロイルオキシプロピル基（ヘキサノイルオキシプロピル基）、エナントイルオキシメチル基（ヘプタノイルオキシメチル基）、エナントイルオキシエチル基（ヘプタノイルオキシエチル基）、エナントイルオキシプロピル基（ヘプタノイルオキシプロピル基）等のカルボニルオキシ基（酸素原子）を有する炭素数２〜２０のアルキル基、例えばパーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロデシル基、パーフルオロウンデシル基、パーフルオロドデシル基、パーフルオロトリデシル基、パーフルオロテトラデシル基、パーフルオロペンタデシル基、パーフルオロヘキサデシル基、パーフルオロヘプタデシル基、パーフルオロオクタデシル基、パーフルオロノナデシル基、パーフルオロイコシル基等のフルオロ基（フッ素原子）を有する炭素数１〜２０のアルキル基等が挙げられ、なかでも、例えばメトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシペンチル基、メトキシヘキシル基、メトキシヘプチル基、メトキシオクチル基、メトキシノニル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシペンチル基、エトキシヘキシル基、エトキシヘプチル基、エトキシオクチル基、プロポキシメチル基、プロポキシエチル基、プロポキシブチル基、プロポキシペンチル基、プロポキシヘキシル基、プロポキシヘプチル基、ブトキシメチル基、ブトキシエチル基、ブトキシプロピル基、ブトキシブチル基、ブトキシペンチル基、ブトキシヘキシル基、ペンチルオキシメチル基、ペンチルオキシエチル基、ペンチルオキシプロピル基、ペンチルオキシブチル基、ペンチルオキシペンチル基、ヘキシルオキシメチル基、ヘキシルオキシエチル基、ヘキシルオキシプロピル基、ヘキシルオキシブチル基、ヘプチルオキシメチル基、ヘプチルオキシエチル基、ヘプチルオキシプロピル基、オクチルオキシメチル基、オクチルオキシエチル基、ノニルオキシメチル基等のエーテル基（酸素原子）を有する炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキル基、例えばホルミルオキシメチル基、ホルミルオキシエチル基、ホルミルオキシプロピル基、アセトキシメチル基（アセチルオキシメチル基）、アセトキシエチル基（アセチルオキシエチル基）、アセトキシプロピル基（アセチルオキシプロピル基）、プロピオニルオキシメチル基、プロピオニルオキシエチル基、プロピオニルオキシプロピル基、ブチリルオキシメチル基、ブチリルオキシエチル基、ブチリルオキシプロピル基、バレリルオキシメチル基（ペンタノイルオキシメチル基）、バレリルオキシエチル基（ペンタノイルオキシエチル基）、バレリルオキシプロピル基（ペンタノイルオキシプロピル基）、カプロイルオキシメチル基（ヘキサノイルオキシメチル基）、カプロイルオキシエチル基（ヘキサノイルオキシエチル基）、カプロイルオキシプロピル基（ヘキサノイルオキシプロピル基）、エナントイルオキシメチル基（ヘプタノイルオキシメチル基）、エナントイルオキシエチル基（ヘプタノイルオキシエチル基）、エナントイルオキシプロピル基（ヘプタノイルオキシプロピル基）等のカルボニルオキシ基（酸素原子）を有する炭素数２〜１０の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキル基、例えばパーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロペンチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロノニル基、パーフルオロデシル基等のフルオロ基（フッ素原子）を有する炭素数１〜１０の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキル基が好ましい。なお、上述の具体例において、アルキル基は、normal-体に限定されず、sec-体、tert-体、イソ体、ネオ体等の分枝状もしくはシクロ体のような環状のアルキル基であってもよい。
【００２１】
一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示される１価の炭化水素基がアルケニル基である場合の具体例、すなわち、一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示されるヘテロ原子を有していてもよいアルケニル基としては、直鎖状、分枝状もしくは環状のいずれであってもよい。当該アルケニル基がヘテロ原子を有さない場合の具体例としては、例えばビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基等の炭素数２〜２０のアルケニル基が挙げられ、なかでも、例えばビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基等の炭素数２〜１０の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルケニル基が好ましい。また、上記アルケニル基がヘテロ原子を有する場合の具体例としては、例えばビニルオキシメチル基、ビニルオキシエチル基、ビニルオキシプロピル基、プロペニルオキシメチル基、プロペニルオキシエチル基、プロペニルオキシプロピル基、ブテニルオキシメチル基、ブテニルオキシエチル基、ブテニルオキシプロピル基、ペンテニルオキシメチル基、ペンテニルオキシエチル基、ペンテニルオキシプロピル基、ヘキセニルオキシメチル基、ヘキセニルオキシエチル基、ヘキセニルオキシプロピル基等のエーテル基（酸素原子）を有する炭素数３〜２０のアルケニル基、例えばアクリロイルオキシメチル基、アクリロイルオキシエチル基、アクリロイルオキシプロピル基、メタクリロイルオキシメチル基、メタクリロイルオキシエチル基、メタクリロイルオキシプロピル基、クロトノイルオキシメチル基、クロトノイルオキシエチル基、クロトノイルオキシプロピル基、チグロイルオキシメチル基、チグロイルオキシエチル基、チグロイルオキシプロピル基、アンゲロイルオキシメチル基、アンゲロイルオキシエチル基、アンゲロイルオキシプロピル基、セネシオイルオキシメチル基、セネシオイルオキシエチル基、セネシオイルオキシプロピル基、ソルボイルオキシメチル基、ソルボイルオキシエチル基、ソルボイルオキシプロピル基等のカルボニルオキシ基（酸素原子）を有する炭素数４〜２０のアルケニル基、例えばパーフルオロビニル基、パーフルオロプロペニル基、パーフルオロブテニル基、パーフルオロペンテニル基、パーフルオロヘキセニル基、パーフルオロヘプテニル基、パーフルオロオクテニル基、パーフルオロノネニル基、パーフルオロデセニル基、パーフルオロウンデセニル基、パーフルオロドデセニル基、パーフルオロトリデセニル基、パーフルオロテトラデセニル基、パーフルオロペンタデセニル基、パーフルオロヘキサデセニル基、パーフルオロヘプタデセニル基、パーフルオロオクタデセニル基、パーフルオロノナデセニル基、パーフルオロイコセニル基等のフルオロ基（フッ素原子）を有する炭素数２〜２０のアルケニル基等が挙げられ、なかでも、例えばビニルオキシメチル基、ビニルオキシエチル基、ビニルオキシプロピル基、プロペニルオキシメチル基、プロペニルオキシエチル基、プロペニルオキシプロピル基、ブテニルオキシメチル基、ブテニルオキシエチル基、ブテニルオキシプロピル基、ペンテニルオキシメチル基、ペンテニルオキシエチル基、ペンテニルオキシプロピル基、ヘキセニルオキシメチル基、ヘキセニルオキシエチル基、ヘキセニルオキシプロピル基等のエーテル基（酸素原子）を有する炭素数３〜１０の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルケニル基、例えばアクリロイルオキシメチル基、アクリロイルオキシエチル基、アクリロイルオキシプロピル基、メタクリロイルオキシメチル基、メタクリロイルオキシエチル基、メタクリロイルオキシプロピル基、クロトノイルオキシメチル基、クロトノイルオキシエチル基、クロトノイルオキシプロピル基、チグロイルオキシメチル基、チグロイルオキシエチル基、チグロイルオキシプロピル基、アンゲロイルオキシメチル基、アンゲロイルオキシエチル基、アンゲロイルオキシプロピル基、セネシオイルオキシメチル基、セネシオイルオキシエチル基、セネシオイルオキシプロピル基、ソルボイルオキシメチル基、ソルボイルオキシエチル基、ソルボイルオキシプロピル基等のカルボニルオキシ基（酸素原子）を有する炭素数４〜１０の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルケニル基、例えばパーフルオロビニル基、パーフルオロプロペニル基、パーフルオロブテニル基、パーフルオロペンテニル基、パーフルオロヘキセニル基、パーフルオロヘプテニル基、パーフルオロオクテニル基、パーフルオロノネニル基、パーフルオロデセニル基等のフルオロ基（フッ素原子）を有する炭素数２〜１０の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルケニル基が好ましい。なお、上述の具体例において、アルケニル基は、normal-体に限定されず、sec-体、tert-体、イソ体、ネオ体等の分枝状もしくはシクロ体のような環状のアルケニル基であってもよい。また、アルケニル基における二重結合の位置は１位に限定されず、例えば２位、３位、ω位等の１位とは異なる位置に二重結合を有するアルケニル基であってもよい。
【００２２】
一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示される１価の炭化水素基がアリール基である場合の具体例、すなわち、一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示されるヘテロ原子を有していてもよいアリール基としては、単環式、縮合多環式のいずれであってもよい。当該アリール基がヘテロ原子を有さない場合の具体例としては、例えばフェニル基、ナフチル基、アズレニル基、ビフェニリル基、インダセニル基、アセナフチレニル基、フェナントリル基、アントリル基（アントラセニル基）等の炭素数６〜１４のアリール基が挙げられ、なかでも、例えばフェニル基等の炭素数６のアリール基が好ましい。また、上記アリール基がヘテロ原子を有する場合の具体例としては、例えばパーフルオロフェニル基、パーフルオロナフチル基、パーフルオロアズレニル基、パーフルオロビフェニリル基、パーフルオロインダセニル基、パーフルオロアセナフチレニル基、パーフルオロフェナントリル基、パーフルオロアントリル基（パーフルオロアントラセニル基）等のフルオロ基（フッ素原子）を有する炭素数６〜１４のアリール基等が挙げられ、なかでも、例えばパーフルオロフェニル基等のフルオロ基（フッ素原子）を有する炭素数６のアリール基が好ましい。
【００２３】
一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示される１価の炭化水素基がアラルキル基である場合の具体例、すなわち、一般式［I］及び［II］におけるＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９及びＡ１０で示されるヘテロ原子を有していてもよいアラルキル基としては、単環式、縮合多環式のいずれであってもよい。当該アラルキル基がヘテロ原子を有さない場合の具体例としては、例えばベンジル基、フェネチル基、メチルベンジル基、フェニルプロピル基、１-メチルフェニルエチル基、フェニルブチル基、２-メチルフェニルプロピル基、テトラヒドロナフチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、インデニル基、フルオレニル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基が挙げられ、なかでも、例えばベンジル基、フェネチル基、メチルベンジル基、フェニルプロピル基、１-メチルフェニルエチル基、フェニルブチル基、２-メチルフェニルプロピル基、テトラヒドロナフチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、インデニル基、フルオレニル基等の炭素数７〜１４のアラルキル基が好ましい。また、上記アラルキル基がヘテロ原子を有する場合の具体例としては、例えばフェニルオキシメチル基、フェニルオキシエチル基、フェニルオキシプロピル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルオキシエチル基、ベンジルオキシプロピル基、フェネチルオキシメチル基、フェネチルオキシエチル基、フェネチルオキシプロピル基、ナフチルオキシメチル基、ナフチルオキシエチル基、ナフチルオキシプロピル基、フリル基、ピラニル基、チエニル基、クロメニル基、クロマニル基、キサンテニル基、フェノキサチイニル基等の酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有する炭素数７〜２０のアラルキル基等が挙げられ、なかでも、例えばフェニルオキシメチル基、フェニルオキシエチル基、フェニルオキシプロピル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルオキシエチル基、ベンジルオキシプロピル基、フェネチルオキシメチル基、フェネチルオキシエチル基、フェネチルオキシプロピル基、ナフチルオキシメチル基、ナフチルオキシエチル基、ナフチルオキシプロピル基、フリル基、ピラニル基、チエニル基、クロメニル基、クロマニル基、キサンテニル基、フェノキサチイニル基等の酸素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を有する炭素数７〜１４のアラルキル基が好ましい。
【００２４】
一般式［II］におけるＴで示される２価の炭化水素基としては、具体的には、例えばアルキレン基（アルカンジイル基）、アルケニレン基、アリーレン基、アラルキレン基等が挙げられる。
【００２５】
一般式［II］におけるＴで示される、ヘテロ原子を有していてもよい炭素数１〜２０の２価の炭化水素基におけるヘテロ原子の具体例としては、例えば酸素原子、硫黄原子、例えばフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【００２６】
一般式［II］におけるＴで示される２価の炭化水素基がアルキレン基（アルカンジイル基）である場合の具体例、すなわち、一般式［II］におけるＴで示されるヘテロ原子を有していてもよいアルキレン基（アルカンジイル基）としては、直鎖状、分枝状もしくは環状のいずれであってもよい。当該アルキレン基（アルカンジイル基）がヘテロ原子を有さない場合の具体例としては、例えばメチレン基（メタンジイル基）、エチレン基（エタン-１，２-ジイル基）、プロピレン基（プロパン-１，２-ジイル基）、トリメチレン基（プロパン-１，３-ジイル基）、テトラメチレン基（ブタン-１，４-ジイル基）、ペンタメチレン基（ペンタン-１，５-ジイル基）、ヘキサメチレン基（ヘキサン-１，６-ジイル基）、ヘプタメチレン基（ヘプタン-１，７-ジイル基）、オクタメチレン基（オクタン-１，８-ジイル基）、ノナメチレン基（ノナン-１，９-ジイル基）、デカメチレン基（デカン-１，１０-ジイル基）、ウンデカメチレン基（ウンデカン-１，１１-ジイル基）、ドデカメチレン基（ドデカン-１，１２-ジイル基）、トリデカメチレン基（トリデカン-１，１３-ジイル基）、テトラデカメチレン基（テトラデカン-１，１４-ジイル基）、ペンタデカメチレン基（ペンタデカン-１，１５-ジイル基）、ヘキサデカメチレン基（ヘキサデカン-１，１６-ジイル基）、ヘプタデカメチレン基（ヘプタデカン-１，１７-ジイル基）、オクタデカメチレン基（オクタデカン-１，１８-ジイル基）、ノナデカメチレン基（ノナデカン-１，１９-ジイル基）、イコサメチレン基（イコサン-１，２０-ジイル基）等の炭素数１〜２０のアルキレン基（アルカンジイル基）が挙げられる。また、上記アルキレン基（アルカンジイル基）がヘテロ原子を有する場合の具体例としては、例えばメチレンビス（オキシメチル）基、メチレンビス（オキシエチル）基、メチレンビス（オキシプロピル）基、メチレンビス（オキシブチル）基、メチレンビス（オキシペンチル）基、エチレンビス（オキシメチル）基、エチレンビス（オキシエチル）基、エチレンビス（オキシプロピル）基、エチレンビス（オキシブチル）基、エチレンビス（オキシペンチル）基、トリメチレンビス（オキシメチル）基、トリメチレンビス（オキシエチル）基、トリメチレンビス（オキシプロピル）基、トリメチレンビス（オキシブチル）基、トリメチレンビス（オキシペンチル）基、テトラメチレンビス（オキシメチル）基、テトラメチレンビス（オキシエチル）基、テトラメチレンビス（オキシプロピル）基、テトラメチレンビス（オキシブチル）基、テトラメチレンビス（オキシペンチル）基、ペンタメチレンビス（オキシメチル）基、ペンタメチレンビス（オキシエチル）基、ペンタメチレンビス（オキシプロピル）基、ペンタメチレンビス（オキシブチル）基、ペンタメチレンビス（オキシペンチル）基等のエーテル基（酸素原子）を有する炭素数３〜２０のアルキレン基（アルカンジイル基）等が挙げられる。なお、上述の具体例において、アルキレン基（アルカンジイル基）は、normal-体に限定されず、sec-体、tert-体、イソ体、ネオ体等の分枝状もしくはシクロ体のような環状のアルキレン基（アルカンジイル基）であってもよい。
【００２７】
一般式［II］におけるＴで示される２価の炭化水素基がアルケニレン基である場合の具体例、すなわち、一般式［II］におけるＴで示されるヘテロ原子を有していてもよいアルケニレン基としては、直鎖状、分枝状もしくは環状のいずれであってもよい。当該アルケニレン基がヘテロ原子を有さない場合の具体例としては、例えばビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ペンテニレン基、ヘキセニレン基、ヘプテニレン基、オクテニレン基、ノネニレン基、デセニレン基、ウンデセニレン基、ドデセニレン基、トリデセニレン基、テトラデセニレン基、ペンタデセニレン基、ヘキサデセニレン基、ヘプタデセニレン基、オクタデセニレン基、ノナデセニレン基、イコセニレン基等の炭素数２〜２０のアルケニレン基が挙げられる。また、上記アルケニレン基がヘテロ原子を有する場合の具体例としては、例えばパーフルオロビニレン基、パーフルオロプロペニレン基、パーフルオロブテニレン基、パーフルオロペンテニレン基、パーフルオロヘキセニレン基、パーフルオロヘプテニレン基、パーフルオロオクテニレン基、パーフルオロノネニレン基、パーフルオロデセニレン基、パーフルオロウンデセニレン基、パーフルオロドデセニレン基、パーフルオロトリデセニレン基、パーフルオロテトラデセニレン基、パーフルオロペンタデセニレン基、パーフルオロヘキサデセニレン基、パーフルオロヘプタデセニレン基、パーフルオロオクタデセニレン基、パーフルオロノナデセニレン基、パーフルオロイコセニレン基等のフルオロ基（フッ素原子）を有する炭素数２〜２０のアルケニレン基等が挙げられる。なお、上述の具体例において、アルケニレン基は、normal-体に限定されず、sec-体、tert-体、イソ体、ネオ体等の分枝状もしくはシクロ体のような環状のアルケニレン基であってもよい。また、アルケニレン基における二重結合の位置は１位に限定されず、例えば２位、３位、ω位等の１位とは異なる位置に二重結合を有するアルケニレン基であってもよい。
【００２８】
一般式［II］におけるＴで示される２価の炭化水素基がアリーレン基である場合の具体例、すなわち、一般式［II］におけるＴで示されるヘテロ原子を有していてもよいアリーレン基としては、単環式、縮合多環式のいずれであってもよい。当該アリーレン基がヘテロ原子を有さない場合の具体例としては、例えばフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基等の炭素数６〜１２のアリーレン基が挙げられる。また、上記アリーレン基がヘテロ原子を有する場合の具体例としては、例えばパーフルオロフェニレン基、パーフルオロナフチレン基、パーフルオロビフェニレン基等のフルオロ基（フッ素原子）を有する炭素数６〜１２のアリーレン基等が挙げられる。
【００２９】
一般式［II］におけるＴで示される２価の炭化水素基がアラルキレン基である場合の具体例、すなわち、一般式［II］におけるＴで示されるヘテロ原子を有していてもよいアラルキレン基としては、単環式、縮合多環式のいずれであってもよい。当該アラルキレン基がヘテロ原子を有さない場合の具体例としては、例えばベンジレン基、フェネチレン基、フェニルプロピレン基、フェニルブチレン基、テトラヒドロナフチレン基、ナフチルメチレン基、ナフチルエチレン基等の炭素数７〜２０のアラルキレン基が挙げられる。また、上記アラルキレン基がヘテロ原子を有する場合の具体例としては、例えばメチレンビス（フェノキシメチル）基、メチレンビス（フェノキシエチル）基、メチレンビス（フェノキシプロピル）基、エチレンビス（フェノキシメチル）基、エチレンビス（フェノキシエチル）基、エチレンビス（フェノキシプロピル）基、トリメチレンビス（フェノキシメチル）基、トリメチレンビス（フェノキシエチル）基、ジメチルメチレンビス（フェノキシメチル）基、ジメチルメチレンビス（フェノキシエチル）基、ジパーフルオロメチルメチレンビス（フェノキシメチル）基、ジパーフルオロメチルメチレンビス（フェノキシエチル）基、テトラメチレンビス（フェノキシメチル）基、テトラメチレンビス（フェノキシエチル）基、エチルメチルメチレンビス（フェノキシメチル）基、エチルメチルメチレンビス（フェノキシエチル）基、ペンタメチレンビス（フェノキシメチル）基、シクロペンタンジイルビス（フェノキシメチル）基、ヘキサメチレンビス（フェノキシエチル）基、シクロヘキサンジイルビス（フェノキシメチル）基等の酸素原子、フッ素原子等のヘテロ原子を有する炭素数１５〜２０のアラルキレン基等が挙げられる。
【００３０】
一般式［I］及び［II］におけるＡ１とＡ２、Ａ１とＡ４、Ａ３とＡ４、Ａ５とＡ６、Ａ５とＡ７、Ａ８とＡ１０、Ａ９とＡ１０とで環状構造を形成していてもよいとは、これらの２つのＡを介する炭素原子とともに炭素数５〜１０の環状構造を形成していてもよいことを意味する。また、このような環状構造のなかでも、Ａ１とＡ４、Ａ５とＡ７、Ａ８とＡ１０とで環状構造を形成しているものが好ましく、このような炭素数５〜１０の環状構造を形成する場合の当該環状構造の具体例としては、例えばシクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロノナン環、シクロデカン環等が挙げられ、なかでも、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、シクロヘプタン環等の炭素数５〜７の環状構造が好ましい。なお、上述した環状構造の具体例はあくまで一例であって、ここで例示される具体例に限定されず、縮合環、スピロ環、架橋環、これらの環に更にアルキル基等の置換基が置換したものも含まれる。
【００３１】
一般式［I］で示されるエポキシド（オキシラン）の具体例としては、例えば式（I-I）〜（I-XIII）で示されるものが挙げられる。なお、下記式で示されるエポキシド（オキシラン）は、あくまで具体例の一例であって、ここで例示される具体例に限定されない。
【００３２】
2014034937.tif 000004
【００３３】
一般式［II］で示されるエポキシド（オキシラン）の具体例としては、例えば式（II-I）〜（II-IX）で示されるものが挙げられる。なお、下記式で示されるエポキシド（オキシラン）は、あくまで具体例の一例であって、ここで例示される具体例に限定されない。
【００３４】
2014034937.tif 000005
【００３５】
これらの一般式［I］及び［II］で示されるエポキシド（オキシラン）は、市販品、あるいはこの分野で行われる一般的な方法により適宜合成したものを用いればよい。
【００３６】
本発明の製造方法において、二酸化炭素は、上述のエポキシド（オキシラン）と同様に、環状カーボネートを製造するための原料として用いられる。当該二酸化炭素は、工業的には、電力、ガス等の生産によって副生する二酸化炭素を回収、精製等することにより製造されるが、供給形態や由来等に関して特に制限はない。また、二酸化炭素の純度については、必ずしも高純度である必要はなく、窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガス等で希釈されていてもよい。ただし、二酸化炭素の純度が低いと反応容積が大きくなる傾向にあるので、二酸化炭素は高純度であることが好ましい。二酸化炭素の純度としては、９５％以上、なかでも、９９％以上であることが好ましい。
【００３７】
本発明における二酸化炭素の使用量は、実用的な量であれば特に制限されず、例えばエポキシド（オキシラン）のｍｏｌ数に対して、通常０．９当量以上、好ましくは０．９５当量以上、より好ましくは１．０当量以上である。また、上限としては、例えば１０，０００当量である。
【００３８】
本発明にかかるホスホニウム塩とは、ヨウ素アニオンを有し、かつ原料であるエポキシド（オキシラン）の酸素原子と水素結合することが可能な、高活性の水素原子（陰性原子に結合する陽性を帯びた水素原子）を有する第４級ホスホニウム塩であり、単量体であってもよいし、重合体であってもよい。当該ホスホニウム塩の具体例としては、例えば（１）下記一般式［１］で示される化合物、（２）下記一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む重合体、並びに（３）下記一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体から選ばれるものが挙げられる。
【００３９】
2014034937.tif 000006
（式中、Ｒ１は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表し、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立して、水素原子；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表す。）
【００４０】
2014034937.tif 000007
（式中、Ｒ５は、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表し、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立して、水素原子；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基；ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基；ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基；ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表す。ただし、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８のいずれか１つは、ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基、ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基又はビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基である。）
【００４１】
2014034937.tif 000008
（式中、Ｒ９は、ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基、ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基又はビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表し、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基又は炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基を表す。）
【００４２】
一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数１〜１０のアルキル基としては、直鎖状、分枝状もしくは環状のいずれであってもよく、具体的には、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基、シクロブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ｓ-ペンチル基、ｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、２-メチルブチル基、１，２-ジメチルプロピル基、１-エチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓ-ヘキシル基、ｔ-ヘキシル基、ネオヘキシル基、２-メチルペンチル基、１，２-ジメチルブチル基、２，３-ジメチルブチル基、１-エチルブチル基、シクロヘキシル基、ｎ-ヘプチル基、イソヘプチル基、ｓ-ヘプチル基、ｔ-ヘプチル基、ネオヘプチル基、シクロヘプチル基、ｎ-オクチル基、イソオクチル基、ｓ-オクチル基、ｔ-オクチル基、ネオオクチル基、２-エチルヘキシル基、シクロオクチル基、ｎ-ノニル基、イソノニル基、ｓ-ノニル基、ｔ-ノニル基、ネオノニル基、シクロノニル基、ｎ-デシル基、イソデシル基、ｓ-デシル基、ｔ-デシル基、ネオデシル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、ボルニル基、メンチル基、アダマンチル基、デカヒドロナフチル基等が挙げられる。なお、上述の具体例において、ｎ-はnormal-体を表し、ｓ-はsec-体を表し、ｔ-はtert-体を表す。
【００４３】
一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数６〜１０のアリール基としては、単環式もしくは縮合多環式のいずれであってもよく、具体的には、例えばフェニル基、ナフチル基、アズレニル基等が挙げられ、なかでも、例えばフェニル基等の炭素数６のアリール基が好ましい。
【００４４】
一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数７〜１２のアラルキル基としては、単環式もしくは縮合多環式のいずれであってもよく、具体的には、例えばベンジル基、フェネチル基、メチルベンジル基、フェニルプロピル基、１-メチルフェニルエチル基、フェニルブチル基、２-メチルフェニルプロピル基、テトラヒドロナフチル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基等が挙げられ、なかでも、例えばベンジル基等の炭素数７のアリール基が好ましい。
【００４５】
一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基としては、直鎖状、分枝状もしくは環状のいずれであってもよく、具体的には、例えばＮ，Ｎ-ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-ｎ-プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-ｎ-ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジイソブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-ｓ-ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-ｔ-ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジシクロブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-ｎ-ペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジイソペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-ｓ-ペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-ｔ-ペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジネオペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-２-メチルブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ビス（１，２-ジメチルプロピル）アミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-１-エチルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジシクロペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-エチルメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-メチルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ブチルメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-メチルペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ヘキシルメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ヘプチルメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-メチルオクチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-メチルノニルアミノ基、Ｎ，Ｎ-エチルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ブチルエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-エチルペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-エチルヘキシルアミノ基、Ｎ，Ｎ-エチルヘプチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-エチルオクチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ブチルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ペンチルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ヘキシルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ヘプチルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ブチルペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ブチルヘキシルアミノ基等が挙げられ、なかでも、例えばＮ，Ｎ-ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジ-ｎ-プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ジイソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-エチルメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-メチルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ブチルメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-メチルペンチルアミノ基、Ｎ，Ｎ-エチルプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ-ブチルエチルアミノ基等の炭素数２〜６の直鎖状、分枝状もしくは環状のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基が好ましく、そのなかでも、例えばＮ，Ｎ-ジメチルアミノ基等の炭素数２のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基がより好ましい。なお、上述の具体例において、ｎ-はnormal-体を表し、ｓ-はsec-体を表し、ｔ-はtert-体を表す。
【００４６】
一般式［１］において、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちの１つが水素原子である場合には、残りの２つのＲは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基が好ましい。
【００４７】
一般式［２］において、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８のうちの１つが水素原子である場合には、残りの２つのＲは、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基；ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基；ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基；ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基が好ましい。
【００４８】
一般式［２］において、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８のうちの１つが、ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基、ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基又はビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基である場合には、残りの２つのＲは、それら以外の基（ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基、ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基及びビニル基を有する炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基以外の基）が好ましく、そのなかでも、ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基；ヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基；あるいはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基を有していてもよい炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基がより好ましい。
【００４９】
一般式［３］において、Ｒ１０、Ｒ１１及びＲ１２のうちの１つが水素原子である場合には、残りの２つのＲは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数７〜１２のアラルキル基又は炭素数２〜１０のＮ，Ｎ-ジアルキルアミノ基好ましい。
【００５０】
一般式［１］及び［２］におけるＲ１〜Ｒ８において、アルキル基に結合するヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基は、当該アルキル基の末端の炭素原子に結合していてもよいし、アルキル基の鎖中の炭素原子から枝分かれするように当該炭素原子に結合していてもよい。また、これらの基の数は、通常１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１個である。なお、これらの基を構成する炭素原子は、それが結合するアルキル基を構成する炭素原子の数（炭素数１〜１０）には含まないものとする。
【００５１】
一般式［１］及び［２］におけるＲ１〜Ｒ８において、アリール基に結合するヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基は、当該アリール基を構成する芳香環のいずれの炭素原子に結合していてもよい。例えば当該アリール基がフェニル基の場合には、これらの基の結合位置は、フェニル基に結合するリン原子（リンカチオン）との結合手に対して、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく、なかでも、これらの基の結合位置が、フェニル基に結合するリン原子（リンカチオン）との結合手に対して、オルト位の位置関係となるようなフェニル基が好ましい。また、これらの基の数は、通常１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１個である。なお、これらの基を構成する炭素原子は、それが結合するアリール基を構成する炭素原子の数（炭素数６〜１０）には含まないものとする。
【００５２】
一般式［１］及び［２］におけるＲ１〜Ｒ８において、アラルキル基に結合するヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基、チオカルボキシル基、１級もしくは２級アミノ基、１級もしくは２級アミド基、スルホ基、ウレイレン基、チオウレイレン基又はヒドロキシボリル基は、当該アラルキル基を構成するアリール基（フェニル基又はナフチル基）のいずれの炭素原子に結合していてもよい。例えば当該アラルキル基を構成するアリール基がフェニル基の場合には、これらの基の結合位置は、フェニル基に結合するアルキル基との結合手に対して、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく、なかでも、これらの基の結合位置が、フェニル基に結合するアルキル基との結合手に対して、オルト位の位置関係となるようなフェニル基が好ましい。また、これらの基の数は、通常１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１個である。なお、これらの基を構成する炭素原子は、それが結合するアラルキル基を構成する炭素原子の数（炭素数７〜１２）には含まないものとする。
【００５３】
一般式［２］及び［３］におけるＲ６〜Ｒ９が、ビニル基を有する炭素数１〜１０のアルキル基である場合のビニル基は、当該アルキル基の末端の炭素原子に結合していてもよいし、アルキル基の鎖中の炭素原子から枝分かれするように当該炭素原子に結合していてもよい。また、ビニル基の数は、通常１個である。なお、ビニル基を構成する２つの炭素原子は、それが結合するアルキル基を構成する炭素原子の数（炭素数１〜１０）には含まないものとする。言い換えれば、ビニル基を有する場合のアルキル基の炭素数は、３〜１２である。
【００５４】
一般式［２］及び［３］におけるＲ６〜Ｒ９が、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基である場合のビニル基は、当該アリール基を構成する芳香環のいずれの炭素原子に結合していてもよい。例えば当該アリール基がフェニル基の場合には、ビニル基の結合位置は、フェニル基に結合するリン原子（リンカチオン）との結合手に対して、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく、なかでも、ビニル基の結合位置が、フェニル基に結合するリン原子（リンカチオン）との結合手に対して、パラ位の位置関係となるようなフェニル基が好ましい。また、ビニル基の数は、通常１個である。なお、ビニル基を構成する２つの炭素原子は、それが結合するアリール基を構成する炭素原子の数（炭素数６〜１０）には含まないものとする。言い換えれば、ビニル基を有する場合のアリール基の炭素数は、８〜１２である。
【００５５】
一般式［２］及び［３］におけるＲ６〜Ｒ９が、ビニル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基である場合のビニル基は、当該アラルキル基を構成するアリール基（フェニル基又はナフチル基）のいずれの炭素原子に結合していてもよい。また、ビニル基の数は、通常１個である。なお、ビニル基を構成する２つの炭素原子は、それが結合するアラルキル基を構成する炭素原子の数（炭素数７〜１２）には含まないものとする。言い換えれば、ビニル基を有する場合のアラルキル基の炭素数は、９〜１４である。
【００５６】
本発明にかかるホスホニウム塩が、（１）一般式［１］で示される化合物である場合の好ましい具体例としては、例えば（１'）下記一般式［１'］で示される化合物が挙げられる。
【００５７】
2014034937.tif 000009
（式中、Ｒ１'は、ヒドロキシル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基を表し、Ｒ２'、Ｒ３'及びＲ４'はそれぞれ独立して、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、ヒドロキシル基を有していてもよい炭素数６〜１０のアリール基又はヒドロキシル基を有していてもよい炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）
【００５８】
一般式［１'］におけるＲ２'、Ｒ３'及びＲ４'で示される炭素数１〜１０のアルキル基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数１〜１０のアルキル基と同様のものが挙げられ、なかでも、炭素数２〜６の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキル基が好ましい。
【００５９】
一般式［１'］におけるＲ２'、Ｒ３'及びＲ４'で示される炭素数６〜１０のアリール基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数６〜１０のアリール基と同様のものが挙げられ、好ましいアリール基も同様のものが挙げられる。
【００６０】
一般式［１'］におけるＲ１'、Ｒ２'、Ｒ３'及びＲ４'で示される炭素数７〜１２のアラルキル基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数７〜１２のアラルキル基と同様のものが挙げられ、好ましいアラルキル基も同様のものが挙げられる。
【００６１】
一般式［１'］におけるＲ１'、Ｒ２'、Ｒ３'及びＲ４'で示されるヒドロキシル基は、ヒドロキシル基が結合するアルキル基、アリール基又はアラルキル基のいずれの炭素原子に結合していてもよい。具体的には、ヒドロキシル基がアルキル基に結合する場合には、当該ヒドロキシル基は、アルキル基の末端の炭素原子に結合していてもよいし、アルキル基の鎖中の炭素原子から枝分かれするように当該炭素原子に結合していてもよい。また、ヒドロキシル基がアリール基に結合する場合には、当該ヒドロキシル基は、アリール基を構成する芳香環のいずれの炭素原子に結合していてもよく、例えば当該アリール基がフェニル基の場合には、ヒドロキシル基の結合位置は、フェニル基に結合するリン原子（リンカチオン）との結合手に対して、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく、なかでも、ヒドロキシル基の結合位置が、フェニル基に結合するリン原子（リンカチオン）との結合手に対して、オルト位の位置関係となるようなフェニル基が好ましい。さらにまた、ヒドロキシル基がアラルキル基に結合する場合には、当該ヒドロキシル基は、アラルキル基を構成するアリール基（フェニル基又はナフチル基）のいずれの炭素原子に結合していてもよい。例えば当該アラルキル基を構成するアリール基がフェニル基の場合には、ヒドロキシル基の結合位置は、フェニル基に結合するアルキル基との結合手に対して、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく、なかでも、ヒドロキシル基の結合位置が、フェニル基に結合するアルキル基との結合手に対して、オルト位の位置関係となるようなフェニル基が好ましい。また、ヒドロキシル基の数は、通常１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１個である。
【００６２】
一般式［１'］において、Ｒ２'、Ｒ３'及びＲ４'は、ヒドロキシル基を有さない炭素数１〜１０のアルキル基、ヒドロキシル基を有さない炭素数６〜１０のアリール基及びヒドロキシル基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基から選択されることが好ましい。
【００６３】
（１'）一般式［１'］で示される化合物のより好ましい具体例としては、例えば（１''）一般式［１''］で示される化合物が挙げられる。
【００６４】
2014034937.tif 000010
（式中、Ｒ１''は、２-ヒドロキシルベンジル基を表し、Ｒ２''は、２-ヒドロキシルベンジル基、炭素数２〜６のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｒ３''及びＲ４''はそれぞれ独立して、炭素数２〜６のアルキル基又はフェニル基を表す。）
【００６５】
一般式［１''］におけるＲ２''、Ｒ３''及びＲ４''で示される炭素数２〜６のアルキル基としては、直鎖状、分枝状もしくは環状のいずれであってもよく、具体的には、例えばエチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基、シクロブチル基、ｎ-ペンチル基、イソペンチル基、ｓ-ペンチル基、ｔ-ペンチル基、ネオペンチル基、２-メチルブチル基、１，２-ジメチルプロピル基、１-エチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ-ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓ-ヘキシル基、ｔ-ヘキシル基、ネオヘキシル基、２-メチルペンチル基、１，２-ジメチルブチル基、２，３-ジメチルブチル基、１-エチルブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。なお、上述の具体例において、ｎ-はnormal-体を表し、ｓ-はsec-体を表し、ｔ-はtert-体を表す。
【００６６】
一般式［１'］で示される化合物、並びに一般式［１''］で示される化合物の具体例としては、例えば式（１-１）〜（１-５）で示されるものが挙げられる。なお、下記式で示される化合物は、あくまで具体例の一例であって、ここで例示される具体例に限定されない。
【００６７】
2014034937.tif 000011
【００６８】
これらの一般式［１］で示される化合物、一般式［１'］で示される化合物及び一般式［１''］で示される化合物（本発明にかかるホスホニウム塩）は、市販のものを用いてもよいし、この分野で行われる一般的な方法により適宜合成したものを用いてもよい。そのなかでも、特に上記式（１-１）〜（１-３）で示される化合物は、例えば市販のトリフェニルホスフィンにヨウ化水素酸を反応させて、トリフェニルホスフィンヨウ化水素塩とした後、２-、３-又は４-ヒドロキシベンジルアルコールを反応させることにより合成すればよい。また、上記式（１-４）で示される化合物は、例えば市販のトリ-ｎ-ブチルホスフィンにヨウ化水素酸を反応させて、トリ-ｎ-ブチルホスフィンヨウ化水素塩とした後、２-ヒドロキシベンジルアルコールを反応させることにより合成すればよい。さらに、上記式（１-５）で示される化合物は、例えば市販のジフェニルホスフィンヨウ化水素塩に２-ヒドロキシベンジルアルコールを反応させることにより合成すればよい。
【００６９】
上でも述べたように、本発明にかかるホスホニウム塩は、（１）一般式［１］で示される化合物のような単量体のみならず、（２）一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む重合体、あるいは（３）一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来する構成単位として含む共重合体であってもよい。すなわち、本発明の製造方法においては、第４級ホスホニウム塩の構造中に、ホスホニウムカチオンのカウンターイオンとしてヨウ素アニオンと、エポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有してさえいれば、重合体（ポリマー）も、本発明にかかるホスホニウム塩として使用することができる。
【００７０】
（２）一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む重合体としては、一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位からなる単独重合体（ホモポリマー）であってもよいし、一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位と、一般式［２］で示される化合物以外のビニルモノマーに由来するモノマー単位からなる共重合体（ヘテロポリマー）であってもよい。
【００７１】
本発明にかかるホスホニウム塩が、（２）一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む重合体である場合の、当該化合物（重合体を構成するモノマー単位に由来する化合物）の好ましい具体例としては、例えば下記一般式［２'］で示されるものが挙げられる。
【００７２】
2014034937.tif 000012
（式中、Ｒ５'は、ヒドロキシル基又はチオウレイレン基を有する炭素数７〜１２のアラルキル基を表し、Ｒ６'は、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ７'及びＲ８'はそれぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）
【００７３】
一般式［２'］におけるＲ７'及びＲ８'で示される炭素数１〜１０のアルキル基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数１〜１０のアルキル基と同様のものが挙げられる。
【００７４】
一般式［２'］におけるＲ６'、Ｒ７'及びＲ８'で示される炭素数６〜１０のアリール基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数６〜１０のアリール基と同様のものが挙げられ、好ましいアリール基も同様のものが挙げられる。
【００７５】
一般式［２'］におけるＲ５'、Ｒ７'及びＲ８'で示される炭素数７〜１２のアラルキル基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数７〜１２のアラルキル基と同様のものが挙げられ、好ましいアラルキル基も同様のものが挙げられる。
【００７６】
一般式［２'］におけるＲ５'で示されるヒドロキシル基又はチオウレイレン基は、ヒドロキシル基又はチオウレイレン基が結合するアラルキル基のいずれの炭素原子に結合していてもよい。具体的には、ヒドロキシル基又はチオウレイレン基がアラルキル基に結合する場合には、当該ヒドロキシル基又はチオウレイレン基は、アラルキル基を構成するアリール基（フェニル基又はナフチル基）のいずれの炭素原子に結合していてもよい。例えば当該アラルキル基を構成するアリール基がフェニル基の場合には、ヒドロキシル基又はチオウレイレン基の結合位置は、フェニル基に結合するアルキル基との結合手に対して、オルト位、メタ位、パラ位のいずれでもよく、なかでも、ヒドロキシル基又はチオウレイレン基の結合位置が、フェニル基に結合するアルキル基との結合手に対して、パラ位の位置関係となるようなフェニル基が好ましい。また、ヒドロキシル基又はチオウレイレン基の数は、通常１〜５個、好ましくは１〜３個、より好ましくは１個である。なお、チオウレイレン基を含む基を構成する炭素原子は、それが結合するアラルキル基を構成する炭素原子の数（炭素数７〜１２）には含まないものとする。
【００７７】
一般式［２'］におけるＲ６'で示されるビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基におけるビニル基の結合位置は、一般式［２］及び［３］におけるＲ６〜Ｒ９が、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基である場合のビニル基の結合位置と同様の例が挙げられる。また、ビニル基の数、並びにビニル基を有する場合のアリール基の炭素数の範囲も、一般式［２］及び［３］におけるＲ６〜Ｒ９の場合と同様である。
【００７８】
一般式［２'］において、Ｒ７'及びＲ８'は、炭素数６〜１０のアリール基が選択されることが好ましい。
【００７９】
一般式［２'］で示される化合物のより好ましい具体例としては、例えば一般式［２''］で示される化合物が挙げられる。
【００８０】
2014034937.tif 000013
（式中、Ｒ５''は、２-ヒドロキシルベンジル基又は３，５-ジトリフルオロメチルフェニルチオウレイレニルプロピル基を表し、Ｒ６''は、４-ビニルフェニル基を表し、Ｒ７''及びＲ８''は、フェニル基を表す。）
【００８１】
上記一般式［２］で示される化合物以外のビニルモノマーとしては、一般式［２］で示される化合物におけるビニル基と重合可能なビニル基を有する化合物であれば特に制限はない。当該ビニルモノマーの具体例としては、例えばスチレン、２-メチルスチレン、３-メチルスチレン、４-メチルスチレン、α-メチルスチレン、４-エチルスチレン、４-ｎ-プロピルスチレン、４-イソプロピルスチレン等のスチレン誘導体、例えば（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸-ｎ-プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸-ｎ-ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸-ｓ-ブチル、（メタ）アクリル酸-ｔ-ブチル、（メタ）アクリル酸シクロブチル、（メタ）アクリル酸フェニル等の（メタ）アクリル酸エステル、例えばＮ，Ｎ-ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ-ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ-ジ-ｎ-プロピル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ-ジイソプロピル（メタ）アクリルアミド等の（メタ）アクリルアミド誘導体、例えばアクリロニトリル等が挙げられ、なかでも、スチレン、２-メチルスチレン、３-メチルスチレン、４-メチルスチレン、α-メチルスチレン、４-エチルスチレン、４-ｎ-プロピルスチレン、４-イソプロピルスチレン等のスチレン誘導体が好ましく、そのなかでも、スチレンがより好ましい。なお、上述の具体例における（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。また、上述の具体例における（メタ）アクリルアミドとは、アクリルアミド又はメタクリルアミドを意味する。
【００８２】
一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む重合体の重量平均分子量としては、当該重合体がホスホニウム塩として機能する範囲内であれば特に制限されず、例えば通常２，０００〜５０，０００、好ましくは３，０００〜３０，０００である。
【００８３】
一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む重合体において、一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位と、一般式［２］で示される化合物以外のビニルモノマーに由来するモノマー単位の重合比としては、当該重合体がホスホニウム塩として機能する範囲内であれば特に限定されず、例えば一般式［２］で示される化合物に由来するモノマー単位：一般式［２］で示される化合物以外のビニルモノマーに由来するモノマー単位＝１０：０．１〜１：１０である。
【００８４】
（３）一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体としては、一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位、並びに分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を含んでいれば、これらのモノマー単位以外のモノマー単位を含んでいてもよい。
【００８５】
本発明にかかるホスホニウム塩が、（３）一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体である場合の、当該一般式［３］で示される化合物（重合体を構成するモノマー単位に由来する化合物）の好ましい具体例としては、例えば下記一般式［３'］で示されるものが挙げられる。
【００８６】
2014034937.tif 000014
（式中、Ｒ９'は、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基を表し、Ｒ１０'、Ｒ１１'及びＲ１２'はそれぞれ独立して、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基又は炭素数７〜１２のアラルキル基を表す。）
【００８７】
一般式［３'］におけるＲ１０'、Ｒ１１'及びＲ１２'で示される炭素数１〜１０のアルキル基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数１〜１０のアルキル基と同様のものが挙げられ、なかでも、炭素数１〜４の直鎖状、分枝状もしくは環状のアルキル基が好ましい。
【００８８】
一般式［３'］におけるＲ９'、Ｒ１０'、Ｒ１１'及びＲ１２'で示される炭素数６〜１０のアリール基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数６〜１０のアリール基と同様のものが挙げられ、好ましいアリール基も同様のものが挙げられる。
【００８９】
一般式［３'］におけるＲ１０'、Ｒ１１'及びＲ１２'で示される炭素数７〜１２のアラルキル基としては、一般式［１］〜［３］におけるＲ１〜Ｒ１２で示される炭素数７〜１２のアラルキル基と同様のものが挙げられ、好ましいアラルキル基も同様のものが挙げられる。
【００９０】
一般式［３'］におけるＲ９'で示されるビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基におけるビニル基の結合位置は、一般式［２］及び［３］におけるＲ６〜Ｒ９が、ビニル基を有する炭素数６〜１０のアリール基である場合のビニル基の結合位置と同様の例が挙げられる。また、ビニル基の数、並びにビニル基を有する場合のアリール基の炭素数の範囲も、一般式［２］及び［３］におけるＲ６〜Ｒ９の場合と同様である。
【００９１】
一般式［３'］において、Ｒ１０'は、炭素数１〜１０のアルキル基及び炭素数７〜１２のアラルキル基から選択されることが好ましく、そのなかでも、炭素数１〜１０のアルキル基が選択されることがより好ましい。
【００９２】
一般式［３'］において、Ｒ１１'及びＲ１２'は、炭素数１〜１０のアルキル基及び炭素数６〜１０のアリール基から選択されることが好ましく、そのなかでも、炭素数６〜１０のアリール基が選択されることがより好ましい。
【００９３】
一般式［３'］で示される化合物のより好ましい具体例としては、例えば一般式［３''］で示される化合物が挙げられる。
【００９４】
2014034937.tif 000015
（式中、Ｒ９''は、４-ビニルフェニル基を表し、Ｒ１０''は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｒ１１''及びＲ１２''は、フェニル基を表す。）
【００９５】
一般式［３''］におけるＲ１０''で示される炭素数１〜４のアルキル基としては、直鎖状、分枝状もしくは環状のいずれであってもよく、具体的には、例えばメチル基、エチル基、ｎ-プロピル基、イソプロピル基、ｎ-ブチル基、イソブチル基、ｓ-ブチル基、ｔ-ブチル基、シクロブチル基等が挙げられる。なお、上述の具体例において、ｎ-はnormal-体を表し、ｓ-はsec-体を表し、ｔ-はtert-体を表す。
【００９６】
一般式［３'］で示される化合物（重合体を構成するモノマー単位に由来する化合物）の具体例としては、例えば式（３-１）〜（３-４）で示されるものが挙げられ、そのなかでも、式（３-１）で示される化合物が好ましい。なお、下記式で示される化合物（重合体を構成するモノマー単位に由来する化合物）は、あくまで具体例の一例であって、ここで例示される具体例に限定されない。
【００９７】
2014034937.tif 000016
【００９８】
上記分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物としては、分子内に一般式［３］で示される化合物におけるビニル基と重合可能なビニル基を有し、かつヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を１つ以上有する化合物であれば特に制限はない。当該化合物の具体例としては、例えば２-ヒドロキシスチレン、３-ヒドロキシスチレン、４-ヒドロキシスチレン等のヒドロキシスチレン誘導体等の分子内にヒドロキシル基を有する化合物、例えば（メタ）アクリル酸等の分子内にカルボキシル基を有する化合物、例えば２-メルカプトスチレン、３-メルカプトスチレン、４-メルカプトスチレン等のメルカプトスチレン誘導体等の分子内にチオール基を有する化合物、例えば（メタ）チオアクリル酸等の分子内にチオカルボキシル基を有する化合物等が挙げられ、なかでも、例えば２-ヒドロキシスチレン、３-ヒドロキシスチレン、４-ヒドロキシスチレン等のヒドロキシスチレン誘導体等の分子内にヒドロキシル基を有する化合物が好ましく、そのなかでも、例えば２-ヒドロキシスチレン、３-ヒドロキシスチレン、４-ヒドロキシスチレン等のヒドロキシスチレン誘導体がより好ましく、さらにそのなかでも、４-ヒドロキシスチレンが特に好ましい。なお、上述の具体例における（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。
【００９９】
一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位、並びに分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位以外のモノマー単位としては、一般式［２］で示される化合物以外のビニルモノマーに由来するモノマー単位と同様のモノマー単位が挙げられ、好ましいモノマー単位も同様のビニルモノマーに由来するモノマー単位が挙げられる。
【０１００】
一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体の具体例としては、例えば式（Ａ）で示されるものが挙げられる。なお、下記式で示される重合体は、あくまで具体例の一例であって、ここで例示される具体例に限定されない。
【０１０１】
2014034937.tif 000017
【０１０２】
一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体の重量平均分子量としては、当該重合体がホスホニウム塩として機能する範囲内であれば特に制限されず、例えば通常２，０００〜５０，０００、好ましくは３，０００〜３０，０００である。
【０１０３】
一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体において、一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と、分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位の重合比としては、当該重合体がホスホニウム塩として機能する範囲内であれば特に限定されず、例えば一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位：分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位＝１０：１〜１：１０である。なお、例えば上記式（Ａ）を例に挙げると、上記式（Ａ）中のｘとｙは、ｘ：ｙ＝１０：１〜１：１０である。
【０１０４】
上述の一般式［２］及び［３］で示される化合物（重合体を構成するモノマー単位に由来する化合物）は、重合体中のモノマー単位として存在していればよく、必ずしも重合体を合成する際の原料である必要はない。すなわち、これらの一般式［２］及び［３］で示される化合物そのものを重合して重合体としてもよいし、当該化合物の前駆体である３級ホスフィンを重合した後に、ヨウ化物で４級ホスホニウム塩化して重合体を合成してもよい。重合体のより具体的な合成方法としては、例えばジフェニル（４-ビニルフェニル）ホスフィン等の市販のビニル基を有する３級ホスフィンと例えば４-ヒドロキシスチレン等のヒドロキシスチレン誘導体を共重合させた後に、例えばヨウ化水素酸、ヨウ化メチル、ヨウ化ベンジル等のヨウ化物を反応させて、第４級ホスホニウム塩化する方法等がある。
【０１０５】
本発明にかかるホスホニウム塩は、そのうちの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１０６】
本発明にかかるホスホニウム塩としては、一般式［１］で示される化合物、一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体が好ましく、そのなかでも、一般式［３］で示される化合物に由来するモノマー単位と分子内にヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基又はチオカルボキシル基を有する化合物に由来するモノマー単位を構成単位として含む共重合体がより好ましい。これらの重合体は、生成物である環状カーボネートや未反応のエポキシド（オキシラン）、副生成物等との分離が容易であり、回収、再利用が可能であるという点で好ましい。
【０１０７】
本発明にかかるホスホニウム塩中における、リン原子（リンカチオン）と、エポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子の存在割合としては、本発明にかかるホスホニウム塩中のリン原子（リンカチオン）のｍｏｌ数に対して、通常１〜３０倍のｍｏｌ数の水素原子が存在しており、なかでも、１０〜１５倍のｍｏｌ数の水素原子が存在していることが好ましい。ホスホニウム塩中のリン原子（リンカチオン）のｍｏｌ数に対して、通常１〜３０倍ｍｏｌ、好ましくは１０〜１５倍ｍｏｌの、エポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子が存在するホスホニウム塩｛化合物（単量体）又は重合体｝を使用すると、生成物である環状カーボネートの収率が高くなる傾向にある。
【０１０８】
本発明にかかるホスホニウム塩の使用量としては、エポキシド（オキシラン）１ｍｏｌ数に対し、当該ホスホニウム塩中のリン原子換算で、通常０．１〜３０ｍｏｌ％、好ましくは０．５〜２０ｍｏｌ％である。なお、当該ホスホニウム塩の使用量が極めて少ない場合には、環状カーボネートの収率が低下する傾向にある。
【０１０９】
本発明の製造方法において、本発明にかかるホスホニウム塩を用いる理由は以下のとおりである。すなわち、本発明者らは、二酸化炭素を利用した環状カーボネートの製造方法について鋭意検討を重ねた結果、ヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩が、エポキシド（オキシラン）と二酸化炭素との反応における触媒として効果的に作用することを見出した。ホスホニウム塩中のエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子が、エポキシド（オキシラン）の酸素原子に対して金属配位子と同様の配位作用を有し、なおかつヨウ素アニオンを有するリン原子（リンカチオン）がエポキシド（オキシラン）を効果的に開環させる作用を有しているため、常温、常圧等の穏和な条件下でも、収率良く環状カーボネートが製造できるものと考えられる。
【０１１０】
原料であるエポキシド（オキシラン）と二酸化炭素、並びに触媒として作用する本発明にかかるホスホニウム塩の反応系内への投入順序に、特に制限はない。例えば反応系内に、エポキシド（オキシラン）及び本発明にかかるホスホニウム塩を順次投入し、これらが投入された反応系内に二酸化炭素ガスを吹き込む方法等が挙げられる。
【０１１１】
本発明の製造方法は、反応系内に有機溶媒を添加した有機溶媒中で行ってもよい。なお、原料であるエポキシド（オキシラン）及び生成物である環状カーボネートが溶媒としての機能を兼ねている場合には、このような有機溶媒を用いなくてもよい。
【０１１２】
上記有機溶媒の具体例としては、原料であるエポキシド（オキシラン）と二酸化炭素、並びに生成物である環状カーボネート等に悪影響を及ぼさない溶媒であればよく、例えばヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒、例えばベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、例えばジクロロメタン、トリクロロメタン（クロロホルム）、テトラクロロメタン（四塩化炭素）等のハロゲン系溶媒、例えばジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル-ｔ-ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２-メチルテトラヒドロフラン、１，４-ジオキサン等のエーテル系溶媒、例えば２-プロパノン（アセトン）、２-ブタノン（エチルメチルケトン）、４-メチル-２-ペンタノン（メチルイソブチルケトン）等のケトン系溶媒、例えば酢酸エチル、酢酸-ｎ-プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸イソブチル、酢酸-ｓ-ブチル、酢酸-ｔ-ブチル、酪酸エチル、酪酸イソアミル等のエステル系溶媒、例えばＮ，Ｎ-ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ-ジメチルアセトアミド、１-メチル-２-ピロリジノン（Ｎ-メチルピロリドン）、１，３-ジメチル-２-イミダゾリジノン（ジメチルエチレン尿素）等のアミド系溶媒、例えばアセトニトリル等のニトリル系溶媒等が挙げられる。なお、上述の具体例において、ｎ-はnormal-体を表し、ｓ-はsec-体を表し、ｔ-はtert-体を表す。
【０１１３】
上記有機溶媒は、そのうちの１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１１４】
上記有機溶媒の使用量は、実用的な量であれば特に制限されず、例えばエポキシド（オキシラン）１ｍｍｏｌに対して、通常０．０１〜５００ｍＬ、好ましくは０．１〜１００ｍＬである。
【０１１５】
本発明の製造方法は、以下に示す条件（反応温度、圧力、反応時間）下で行うことが望ましい。
【０１１６】
本発明の製造方法における反応時の温度（反応温度）は、原料であるエポキシド（オキシラン）と二酸化炭素とが効率よく反応し、環状カーボネートが収率よく得られる温度に設定することが望ましい。本発明の製造方法は、常温、常圧のような穏和な条件下でも収率よく環状カーボネートが得られることを特徴とするものであるから、このような望ましい反応温度のなかでも、例えば通常０〜６５℃、好ましくは４０〜６０℃で反応を行うことが望ましい。
【０１１７】
本発明の製造方法における反応時の圧力は、原料であるエポキシド（オキシラン）と二酸化炭素とが効率よく反応し、環状カーボネートが収率よく得られる圧力に設定することが望ましい。本発明の製造方法は、常温、常圧のような穏和な条件下でも収率よく環状カーボネートが得られることを特徴とするものであるから、このような望ましい圧力のなかでも、例えば０．０９〜０．１１ＭＰａで反応を行うことが望ましい。
【０１１８】
上述した反応温度、圧力は、従来の製造方法では達成することが困難であった反応条件である。本発明の製造方法は、従来の製造方法で求められるような高温、高圧条件を必要としないため、従来の製造方法と比較して、温度維持に必要な熱エネルギーが少なくてよい、高強度の耐圧容器を必要としない等の工業的規模の生産に適した有利な効果を奏する。
【０１１９】
本発明の製造方法における反応時間は、エポキシド（オキシラン）、本発明にかかるホスホニウム塩の種類、エポキシド（オキシラン）に対する二酸化炭素の使用量、エポキシド（オキシラン）に対する本発明にかかるホスホニウム塩の使用量、有機溶媒の添加の有無、その種類及びその使用量、反応温度、並びに反応時の圧力等に影響を受ける場合がある。このため、望ましい反応時間は、一概に言えるものではないが、例えば通常０．１〜１２０時間、好ましくは１〜７２時間である。
【０１２０】
これまで詳述した本発明の製造方法により、種々の環状カーボネートを収率よく得ることができる。本発明の製造方法は、種々のエポキシド（オキシラン）に適用できるので、生成物である環状カーボネートの構造は特に限定されない。当該環状カーボネートの具体例としては、例えば上記一般式［I］で示されるエポキシド（オキシラン）から生成する環状カーボネートとして、下記一般式［III］で示されるもの、あるいは上記一般式［II］で示されるエポキシド（オキシラン）から生成する環状カーボネートとして、下記一般式［IV］で示されるものが挙げられる。
【０１２１】
2014034937.tif 000018
（式中、Ａ１、Ａ２、Ａ３及びＡ４は上記に同じ。）
【０１２２】
2014034937.tif 000019
（式中、Ａ５、Ａ６、Ａ７、Ａ８、Ａ９、Ａ１０及びＴは上記に同じ。）
【０１２３】
一般式［III］で示される環状カーボネートの具体例としては、例えば式（III-I）〜（III-XIII）で示されるものが挙げられる。なお、下記式で示される環状カーボネートは、あくまで具体例の一例であって、ここで例示される具体例に限定されない。
【０１２４】
2014034937.tif 000020
【０１２５】
一般式［IV］で示される環状カーボネートの具体例としては、例えば式（IV-I）〜（IV-IX）で示されるものが挙げられる。なお、下記式で示される環状カーボネートは、あくまで具体例の一例であって、ここで例示される具体例に限定されない。
【０１２６】
2014034937.tif 000021
【０１２７】
本発明の製造方法によって得られた環状カーボネートは、通常この分野で行われる一般的な後処理操作及び精製操作により単離することができる。単離方法の具体例としては、例えば必要に応じて、反応系内の有機溶媒を留去した後、得られた残渣について、再結晶、蒸留、カラムクロマトグラフィー等を行うことにより、環状カーボネートを単離することができる。また、必要に応じて、得られた残渣について抽出操作を行い、不純物を除去した後に、再結晶、蒸留、カラムクロマトグラフィー等を行うことによっても、環状カーボネートを単離できる。
【実施例】
【０１２８】
以下、実施例及び比較例に基づいて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の例中にある％は、特記しない限り重量基準（ｗ／ｗ％）である。【０１２９】
合成例１  （２-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージド［式（１-１）］の合成
トリフェニルホスフィンヨウ化水素塩３９０ｍｇ（１ｍｍｏｌ）及び２-ヒドロキシベンジルアルコール１３０ｍｇ（１．０５ｍｍｏｌ）の乾燥アセトニトリル１０ｍＬ溶液を９０℃で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテルで洗浄し、当該残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、淡黄色固体の（２-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージド４６８ｍｇ（収率９４％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、（２-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージドの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：４．９１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１４．８Ｈｚ，ＰＣＨ２），６．６３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＡｒＨ），６．７２（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＡｒＨ），６．８５（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，２．０Ｈｚ，ＡｒＨ），７．１２（ｔｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，２．０Ｈｚ，ＡｒＨ），７．６３-７．７６（ｍ，１２Ｈ，ＡｒＨ），７．８７-７．９２（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ），９．７６（ｓ，１Ｈ，ＯＨ）．
１３Ｃ-ＮＨＲ（１００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：２３．２２（ｄ，Ｊ＝４８．６Ｈｚ，ＰＣＨ２），１１３．６６（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，Ａｒ），１１５．３４（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，Ａｒ），１１８．２９（ｄ，Ｊ＝８４．８Ｈｚ，Ａｒ），１１９．０８（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，Ａｒ），１２９．９１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，Ａｒ），１３１．５２（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，Ａｒ），１３３．８６（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，Ａｒ），１３４．８８（ｄ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，Ａｒ），１５５．９８（ｄ，Ｊ＝５．８Ｈｚ，Ａｒ）．【０１３０】
合成例２  （３-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージド［式（１-２）］の合成
トリフェニルホスフィンヨウ化水素塩３９０ｍｇ（１ｍｍｏｌ）及び３-ヒドロキシベンジルアルコール１３０ｍｇ（１．０５ｍｍｏｌ）の乾燥アセトニトリル１０ｍＬ溶液を９０℃で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテルで洗浄し、当該残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、淡灰色粉末の（３-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージド４７１ｍｇ（収率９５％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、（３-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージドの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：５．０８（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１５．６Ｈｚ，ＰＣＨ２），６．３９（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，ＡｒＨ），６．４３（ｑ，１Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，ＡｒＨ），６．６９（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．２，２．０Ｈｚ，ＡｒＨ），７．０２（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＡｒＨ），７．６３-７．７１（ｍ，６Ｈ，ＡｒＨ），７．７５（ｄｄｄ，６Ｈ，Ｊ＝８．０，８．０，３．６Ｈｚ，ＡｒＨ），７．８８-７．９４（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ），９．５２（ｓ，１Ｈ，ＯＨ）．
１３Ｃ-ＮＨＲ（１００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：２８．１３（ｄ，Ｊ＝４６．８Ｈｚ，ＰＣＨ２），１１５．２７（ｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，Ａｒ），１１７．７６（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，Ａｒ），１１７．８９（ｄ，Ｊ＝８４．９Ｈｚ，Ａｒ），１２１．３３（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，Ａｒ），１２８．９６（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，Ａｒ），１２９．６９（ｄ，Ｊ＝３．０Ｈｚ，Ａｒ），１３０．０３（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，Ａｒ），１３３．９５（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，Ａｒ），１３５．０３（ｄ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，Ａｒ），１５７．４６（ｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，Ａｒ）．【０１３１】
合成例３  （４-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージド［式（１-３）］の合成
トリフェニルホスフィンヨウ化水素塩３９０ｍｇ（１ｍｍｏｌ）及び４-ヒドロキシベンジルアルコール１３０ｍｇ（１．０５ｍｍｏｌ）の乾燥アセトニトリル１０ｍＬ溶液を９０℃で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテルで洗浄し、当該残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、白色固体の（４-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージド４７９ｍｇ（収率９７％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、（４-ヒドロキシベンジル）トリフェニルホスホニウムヨージドの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：５．０７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ，ＰＣＨ２），６．６２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，ＡｒＨ），６．７９（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．８，２．８Ｈｚ，ＡｒＨ），７．６４-７．７２（ｍ，６Ｈ，ＡｒＨ），７．７５（ｄｄｄ，６Ｈ，Ｊ＝８．０，８．０，４．０Ｈｚ，ＡｒＨ），７．８９-７．９５（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ），９．６２（ｓ，１Ｈ，ＯＨ）．
１３Ｃ-ＮＨＲ（１００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：２７．５７（ｄ，Ｊ＝４６．７Ｈｚ，ＰＣＨ２），１１５．５５（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，Ａｒ），１１７．０２（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，Ａｒ），１１７．９５（ｄ，Ｊ＝８３．９Ｈｚ，Ａｒ），１３０．０１（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，Ａｒ），１３１．９７（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，Ａｒ），１３３．９９（ｄ，Ｊ＝９．５Ｈｚ，Ａｒ），１３４．９５（ｄ，Ｊ＝２．０Ｈｚ，Ａｒ），１５７．３４（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，Ａｒ）．【０１３２】
合成例４  ジフェニルホスフィンヨウ化水素塩の合成
ジフェニルホスフィン７４５ｍｇ（４ｍｍｏｌ）のジオキサン８ｍＬ溶液を室温で攪拌し、その溶液に５５％ヨウ化水素酸１ｍＬ（ｃａ．７．３ｍｍｏｌ）を加えた後、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテルで洗浄し、該残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、淡黄色固体のジフェニルホスフィンヨウ化水素塩１．１４ｇ（収率９１％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、ジフェニルホスフィンヨウ化水素塩の構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：６．１８（ｂｒｓ，２Ｈ，ＰＨ２），７．４４-７．５６（ｍ，６Ｈ，ＡｒＨ），７．７０-７．７７（ｍ，４Ｈ，ＡｒＨ）．
１３Ｃ-ＮＨＲ（１００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：１２８．４５（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，Ａｒ），１３０．９１（ｄ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，Ａｒ），１３１．４８（ｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，Ａｒ），１３４．９０（ｄ，Ｊ＝１３４Ｈｚ，Ａｒ）．【０１３３】
合成例５  ビス（２-ヒドロキシベンジル）ジフェニルホスホニウムヨージド［式（１-５）］の合成
合成例４で得られたジフェニルホスフィンヨウ化水素塩３１４ｍｇ（１ｍｍｏｌ）及び２-ヒドロキシベンジルアルコール４９７ｍｇ（４ｍｍｏｌ）の乾燥アセトニトリル１０ｍＬ溶液を９０℃で２４時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテル／テトラヒドロフランで洗浄し、当該残渣を５０℃で１２時間真空乾燥することにより、白色粉末のビス（２-ヒドロキシベンジル）ジフェニルホスホニウムヨージド５２５ｍｇ（収率＞９９％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、ビス（２-ヒドロキシベンジル）ジフェニルホスホニウムヨージドの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：４．４４（ｄ，４Ｈ，Ｊ＝１４．４Ｈｚ，ＰＣＨ２），６．６０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＡｒＨ），６．７２（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ＡｒＨ），６．８２（ｄｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．６，２．０Ｈｚ，ＡｒＨ），７．０６（ｔｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．６，２．０Ｈｚ，ＡｒＨ），７．５４-７．６９（ｍ，８Ｈ，ＡｒＨ），７．７５-７．８１（ｍ，２Ｈ，ＡｒＨ），９．９３（ｓ，２Ｈ，ＯＨ）．
１３Ｃ-ＮＨＲ（１００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：２３．２２（ｄ，Ｊ＝４５．８Ｈｚ，ＰＣＨ２），１１４．３４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，Ａｒ），１１５．２１（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，Ａｒ），１１７．９５（ｄ，Ｊ＝８１．９Ｈｚ，Ａｒ），１１９．０５（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，Ａｒ），１２９．０６（ｄ，Ｊ＝１１．４Ｈｚ，Ａｒ），１２９．４４（ｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，Ａｒ），１３１．４７（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，Ａｒ），１３３．６９（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，Ａｒ），１３４．３８（ｄ，Ｊ＝２．８Ｈｚ，Ａｒ），１５５．４８（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，Ａｒ）．【０１３４】
合成例６  （２-ヒドロキシベンジル）トリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージド［式（１-４）］の合成
トリ-ｎ-ブチルホスフィンヨウ化水素塩１．３２ｇ（４ｍｍｏｌ）及び２-ヒドロキシベンジルアルコール５２１ｍｇ（４．２ｍｍｏｌ）の乾燥アセトニトリル４０ｍＬ溶液を９０℃で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテル／テトラヒドロフランで洗浄し、当該残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、白色固体の（２-ヒドロキシベンジル）トリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージド１．７２ｇ（収率９９％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、（２-ヒドロキシベンジル）トリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージドの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：０．８８（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，ＣＨ３），１．３１-１．４９（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３），２．１０-２．２０（ｍ，６Ｈ，ＰＣＨ２ＣＨ２），３．６４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ，ＰＣＨ２），６．８４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，ＡｒＨ），６．９１（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ＡｒＨ），７．１９（ｔｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，２．０Ｈｚ，ＡｒＨ），７．２６（ｄｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．６，２．０Ｈｚ，ＡｒＨ），１０．１１（ｓ，１Ｈ，ＯＨ）．
１３Ｃ-ＮＨＲ（１００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：１３．１９（ＣＨ３），１７．８９（ｄ，Ｊ＝４５．７Ｈｚ，ＰＣＨ２ＣＨ２），２０．５０（ｄ，Ｊ＝４６．７Ｈｚ，ＰＣＨ２Ａｒ），２２．５３（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，ＣＨ２ＣＨ３），２３．３６（ｄ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ，ＰＣＨ２ＣＨ２），１１５．３５（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，Ａｒ），１１５．４１（Ａｒ），１１９．５５（ｄ，Ｊ＝２．７Ｈｚ，Ａｒ），１２９．４２（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，Ａｒ），１３１．５５（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，Ａｒ），１５５．４４（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，Ａｒ）．  【０１３５】
合成例７  ４-ｔ-ブトキシスチレンを１当量用いたポリ［（４-ｔ-ブトキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-１Ａ）の合成
４-ビニルトリフェニルホスフィン７２１ｍｇ（２．５ｍｍｏｌ）、４-ｔ-ブトキシスチレン４４１ｍｇ（２．５ｍｍｏｌ）及び２，２'-アゾビス（イソブチロニトリル）（ＡＩＢＮ）２５ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）を乾燥トルエン１０ｍＬに溶解し、３回凍結脱気後に８０℃で４８時間攪拌した。反応終了後、溶液を約１／３に濃縮し、次いでメタノール１００ｍＬで再沈澱した。残渣をメタノールで洗浄後、４０℃で１２時間真空乾燥することにより、白色粉末のポリ［（４-ｔ-ブトキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-１Ａ）１．０９ｇ（収率９４％）を得た。１Ｈ-ＮＭＲ分析により共重合体の構造（ユニット比）を確認した。また、ＧＰＣ分析により分子量と分子量分布を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＦ-ｄ７，２５℃）δ（ｐｐｍ）：０．８９-２．５２（ｍ，６Ｈ，ＣＨ２ＣＨ），１．１３-１．３８（ｂｒｓ，９Ｈ，Ｃ（ＣＨ３）３），６．２３-７．８４（ｍ，１９Ｈ，ＡｒＨ）．
ｘ（４-vinyltriphenylphosphine）：ｙ（４-ｔ-butoxystyrene）＝１：０．９５．
ＧＰＣ（ＤＭＦ，４０℃）：Ｍｎ＝５，２５０，Ｍｗ／Ｍｎ＝２．１２．【０１３６】
合成例８  ４-ｔ-ブトキシスチレンを５当量用いたポリ［（４-ｔ-ブトキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-２Ａ）の合成
４-ビニルトリフェニルホスフィン１．４４ｇ（５ｍｍｏｌ）、４-ｔ-ブトキシスチレン４．４１ｇ（２５ｍｍｏｌ）及び２，２'-アゾビス（イソブチロニトリル）（ＡＩＢＮ）１４８ｍｇ（０．９ｍｍｏｌ）を乾燥トルエン６０ｍＬに溶解し、３回凍結脱気後に８０℃で４８時間攪拌した。反応終了後、溶液を約１／３に濃縮し、次いでメタノール３００ｍＬで再沈澱した。残渣をメタノールで洗浄後、４０℃で１２時間真空乾燥することにより、白色粉末のポリ［（４-ｔ-ブトキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-２Ａ）４．２２ｇ（収率７２％）を得た。１Ｈ-ＮＭＲ分析により共重合体の構造（ユニット比）を確認した。また、ＧＰＣ分析により分子量と分子量分布を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２，２５℃）δ（ｐｐｍ）：０．４３-２．３１（ｍ，６３Ｈ，ＣＨ２ＣＨ，Ｃ（ＣＨ３）３），６．１２-７．７３（ｍ，３４．６Ｈ，ＡｒＨ）．
ｘ（４-vinyltriphenylphosphine）：ｙ（４-ｔ-butoxystyrene）＝１：４．８．
ＧＰＣ（ＤＭＦ，４０℃）：Ｍｎ＝４，８４０，Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９６．【０１３７】
合成例９  ポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-１Ｂ）の合成
合成例７で得られたポリ［（４-ｔ-ブトキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-１Ａ）６８４ｍｇ（１．５ｍｍｏｌ，−Ｏ-ｔ-Ｂｕ基）の乾燥ジクロロメタン１２ｍＬ溶液を室温で攪拌し、その溶液にトリフルオロ酢酸３ｍＬを加えた後、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をテトラヒドロフラン１ｍＬ／Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド１ｍＬの混合溶液に溶解し、１０％炭酸ナトリウム水溶液５０ｍＬへ滴下して再沈澱させた。この懸濁液を室温で１時間攪拌後にろ過し、得られた残渣を水で洗浄後、２５℃で４時間、５０℃で２０時間真空乾燥することにより、淡橙色粉末のポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-１Ｂ）５９３ｍｇ（収率＞９９％）を得た。１Ｈ-ＮＭＲ分析により共重合体の構造を確認した。分子量は原料の数平均分子量（Ｍｎ＝５，２５０）を基準に算出した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＦ-ｄ７，２５℃）δ（ｐｐｍ）：０．７６-２．４２（ｍ，６Ｈ，ＣＨ２ＣＨ），６．０３-７．８１（ｍ，１８Ｈ，ＡｒＨ），８．９９-９．６６（ｂｒｓ，１Ｈ，ＯＨ）．
Ｍｎ＝４，６４０（calculated value）．【０１３８】
合成例１０  ポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-２Ｂ）の合成
合成例８で得られたポリ［（４-ｔ-ブトキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-２Ａ）３．４０ｇ（１６．３ｍｍｏｌ，−Ｏ-ｔ-Ｂｕ基）の乾燥ジクロロメタン１２０ｍＬ溶液を室温で攪拌し、その溶液にトリフルオロ酢酸３０ｍＬを加えた後、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をテトラヒドロフラン５ｍＬ／Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド５ｍＬの混合溶液に溶解し、１０％炭酸ナトリウム水溶液３００ｍＬへ滴下して再沈澱させた。この懸濁液を室温で１時間攪拌後にろ過し、得られた残渣を水で洗浄後、２５℃で４時間、５０℃で２０時間真空乾燥することにより、白色粉末のポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-２Ｂ）２．５８ｇ（収率９８％）を得た。１Ｈ-ＮＭＲ分析により共重合体の構造を確認した。分子量は原料の数平均分子量（Ｍｎ＝４，８４０）を基準に算出した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＦ-ｄ７，２５℃）δ（ｐｐｍ）：０．８０-２．３６（ｍ，１７．４Ｈ，ＣＨ２ＣＨ），６．１７-７．８５（ｍ，３３．２Ｈ，ＡｒＨ），９．０３-９．４２（ｂｒｓ，４．８Ｈ，ＯＨ）．
Ｍｎ＝３，７３０（calculated value）．【０１３９】
合成例１１  ポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−メチルジフェニル（４-ビニルフェニル）ホスホニウムヨージド］共重合体（Ｐ-１）の合成
合成例９で得られたポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-１Ｂ）４０２ｍｇ（１ｍｍｏｌ，−ＰＰｈ２基）の乾燥テトラヒドロフラン８ｍＬ／乾燥ジクロロメタン２ｍＬの混合溶液を室温で攪拌し、その溶液にヨウ化メチル７１０ｍｇ（５ｍｍｏｌ）を加えた後、さらに５０℃で４８時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、淡黄色固体のポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−メチルジフェニル（４-ビニルフェニル）ホスホニウムヨージド］共重合体（Ｐ-１）５２５ｍｇ（収率９７％）を得た。１Ｈ-ＮＭＲ分析により共重合体の構造を確認した。分子量は原料の数平均分子量（Ｍｎ＝４，６４０）を基準に算出した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＦ-ｄ７，２５℃）δ（ｐｐｍ）：０．８５-２．５０（ｍ，６Ｈ，ＣＨ２ＣＨ），３．１４-３．４７（ｂｒｓ，３Ｈ，ＰＣＨ３），６．２９-８．０１（ｍ，１８Ｈ，ＡｒＨ），９．１２-９．５７（ｂｒｓ，１Ｈ，ＯＨ）．
Ｍｎ＝６，２８０（calculated value）．【０１４０】
合成例１２  ポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−メチルジフェニル（４-ビニルフェニル）ホスホニウムヨージド］共重合体（Ｐ-２）の合成
合成例１０で得られたポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−（４-ビニルトリフェニルホスフィン）］共重合体（Ｐ-２Ｂ）１．７５ｇ（２ｍｍｏｌ，−ＰＰｈ２基）の乾燥テトラヒドロフラン３２ｍＬ／乾燥ジクロロメタン８ｍＬの混合溶液を室温で攪拌し、その溶液にヨウ化メチル１．４２ｇ（１０ｍｍｏｌ）を加えた後、さらに５０℃で４８時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテルで洗浄し、該残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、淡黄色固体のポリ［（４-ヒドロキシスチレン）−メチルジフェニル（４-ビニルフェニル）ホスホニウムヨージド］共重合体（Ｐ-２）２．０３ｇ（収率＞９９％）を得た。１Ｈ-ＮＭＲ分析により共重合体の構造を確認した。分子量は原料の数平均分子量（Ｍｎ＝３，７３０）を基準に算出した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＦ-ｄ７，２５℃）δ（ｐｐｍ）：１．１０-２．６１（ｍ，１７．４Ｈ，ＣＨ２ＣＨ），３．１１-３．４５（ｂｒｓ，３Ｈ，ＰＣＨ３），６．１５-８．２６（ｍ，３３．２Ｈ，ＡｒＨ），８．９５-９．６９（ｂｒｓ，４．８Ｈ，ＯＨ）．
Ｍｎ＝４，３５０（calculated value）．【０１４１】
比較合成例１  ベンジルヨージドの合成
ベンジルクロリド１．２７ｇ（１０ｍｍｏｌ）の乾燥アセトン１５ｍＬ溶液を室温で攪拌し、その溶液にヨウ化ナトリウム２．２５ｇ（１５ｍｍｏｌ）を加えた後、さらに室温で６時間攪拌した。反応終了後、溶液を約１／３に濃縮し、次いで水５０ｍＬを加え、ヘキサン２０ｍＬで２回抽出した。抽出したヘキサン溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去することにより、淡黄色油状物のベンジルヨージド２．１７ｇ（収率＞９９％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、ベンジルヨージドの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，２５℃）δ（ｐｐｍ）：４．４５（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２），７．２１-７．３２（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ），７．３６-７．３９（ｍ，２Ｈ，ＡｒＨ）．
１３Ｃ-ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，２５℃）δ（ｐｐｍ）：５．７３（ＣＨ２），１２７．８６（Ａｒ），１２８．７１（Ａｒ），１２８．７９（Ａｒ），１３９．２５（Ａｒ）．【０１４２】
比較合成例２  ベンジルトリフェニルホスホニウムヨージドの合成
トリフェニルホスフィン１．０５ｇ（４ｍｍｏｌ）の乾燥ジクロロメタン１６ｍＬ溶液を室温で攪拌し、その溶液にベンジルヨージド１．３１ｇ（６ｍｍｏｌ）を加えた後、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテルで洗浄し、当該残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、黄色固体のベンジルトリフェニルホスホニウムヨージド１．８７ｇ（収率９７％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、ベンジルトリフェニルホスホニウムヨージドの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：５．４７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１５，６Ｈｚ，ＰＣＨ２），６．９６-７．０１（ｍ，２Ｈ，ＡｒＨ），７．２０-７．３２（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ），７．６７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１２．２，１．６Ｈｚ，ＡｒＨ），７．６９（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝１１．６，０．８Ｈｚ，ＡｒＨ），７．７５（ｄｄｄ，６Ｈ，Ｊ＝８．０，８．０，３．６Ｈｚ，ＡｒＨ），７．８８-７．９４（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ）．
１３Ｃ-ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＤＭＳＯ-ｄ６，２５℃）δ（ｐｐｍ）：２８．０９（ｄ，Ｊ＝４６．７Ｈｚ，ＰＣＨ２），１１７．７３（ｄ，Ｊ＝８４．９Ｈｚ，Ａｒ），１２７．８２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，Ａｒ），１２８．１５-１２８．４５（ｍ，Ａｒ），１２８．５３-１２８．９１（ｍ，Ａｒ），１３０．０５（ｄ，Ｊ＝１２．４Ｈｚ，Ａｒ），１３０．６１-１３０．９６（ｍ，Ａｒ），１３３．９６（ｄ，Ｊ＝９．６Ｈｚ，Ａｒ），１３５．０６（ｄ，Ｊ＝１．９Ｈｚ，Ａｒ）．【０１４３】
比較合成例３  ベンジルトリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージドの合成
９３％トリ-ｎ-ブチルホスフィン８７０ｍｇ（４ｍｍｏｌ）の乾燥ジクロロメタン１６ｍＬ溶液を室温で攪拌し、その溶液にベンジルヨージド１．３１ｇ（６ｍｍｏｌ）を加えた後、さらに室温で１２時間攪拌した。反応終了後、溶媒を留去することで得られた残渣をジエチルエーテルで洗浄し、当該残渣を４０℃で１２時間真空乾燥することにより、白色固体のベンジルトリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージド１．６１ｇ（収率９６％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、ベンジルトリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージドの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，２５℃）δ（ｐｐｍ）：０．９３（ｔ，９Ｈ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，ＣＨ３），１．４２-１．５７（ｍ，１２Ｈ，ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３），２．３７-２．４９（ｍ，６Ｈ，ＰＣＨ２ＣＨ２），４．２０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１４．４Ｈｚ，ＰＣＨ２），７．３２-７．３９（ｍ，３Ｈ，ＡｒＨ），７．４７-７．５２（ｍ，２Ｈ，ＡｒＨ）．
１３Ｃ-ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，２５℃）δ（ｐｐｍ）：１２．９７（ＣＨ３），１８．２８（ｄ，Ｊ＝４６．７Ｈｚ，ＰＣＨ２ＣＨ２），２３．１２（ｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，ＣＨ２ＣＨ３），２３．３５（ｄ，Ｊ＝１５．２Ｈｚ，ＰＣＨ２ＣＨ２），２６．３０（ｄ，Ｊ＝４３．８Ｈｚ，ＰＣＨ２Ａｒ），１２７．８０（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，Ａｒ），１２７．８６（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，Ａｒ），１２８．８４（ｄ，Ｊ＝２．９Ｈｚ，Ａｒ），１２９．５７（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，Ａｒ）．【０１４４】
実施例１、並びに比較例１  種々のホスホニウム塩を用いた（フェノキシメチル）エチレンカーボネートの合成
表１に示す種々のホスホニウム塩０．０５ｍｍｏｌのテトラヒドロフラン０．２ｍＬ溶液（又は懸濁液）を室温で攪拌し、フェニルグリシジルエーテル１ｍｍｏｌを加えた後、二酸化炭素ガスを充填した風船で反応系を密閉して二酸化炭素ガス雰囲気下（０．１ＭＰａ）とし、さらに室温で２４時間攪拌した。２４時間攪拌後の反応液を少量抜き取った後、抜き取った反応液を重クロロホルムで希釈し、重クロロホルムに含まれるテトラメチルシランを基準として反応液を分析し、生成した（フェノキシメチル）エチレンカーボネートの収率を算出した。これらの結果を表１に示す。【０１４５】
【表１】
2014034937.tif 000022
【０１４６】
実施例２及び３、並びに比較例２  種々のホスホニウム塩を用いたｎ-ブチルエチレンカーボネートの合成
表２に示す種々のホスホニウム塩０．０５ｍｍｏｌのＮ-メチルピロリドン０．２ｍＬ溶液（又は懸濁液）を室温で攪拌し、ｎ-ヘキセンオキシド１ｍｍｏｌを加えた後、二酸化炭素ガスを充填した風船で反応系を密閉して二酸化炭素ガス雰囲気下（０．１ＭＰａ）とし、さらに表２に示す条件で２４時間攪拌した。２４時間攪拌後の反応液を少量抜き取った後、抜き取った反応液を重クロロホルムで希釈し、重クロロホルムに含まれるテトラメチルシランを基準として反応液を分析し、生成したｎ-ブチルエチレンカーボネートの収率を算出した。これらの結果を表２に示す。【０１４７】
【表２】
2014034937.tif 000023
【０１４８】
実施例４及び５  ホスホニウム塩としてビス（２-ヒドロキシベンジル）ジフェニルホスホニウムヨージドを用いたカーボネートの合成
合成例５で得られたビス（２-ヒドロキシベンジル）ジフェニルホスホニウムヨージド０．０５ｍｍｏｌのＮ-メチルピロリドン０．２ｍＬ溶液（又は懸濁液）を室温で攪拌し、表３に示す種々のエポキシド１ｍｍｏｌを加えた後、二酸化炭素ガスを充填した風船で反応系を密閉して二酸化炭素ガス雰囲気下（０．１ＭＰａ）とし、さらに室温で２４時間攪拌した。２４時間攪拌後の反応液を少量抜き取った後、抜き取った反応液を重クロロホルムで希釈し、重クロロホルムに含まれるテトラメチルシランを基準として反応液を分析し、生成したカーボネートの収率を算出した。これらの結果を表３に示す。【０１４９】
【表３】
2014034937.tif 000024
【０１５０】
実施例６〜１０、並びに比較例３及び４  ホスホニウム塩として（２-ヒドロキシベンジル）トリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージドを用いたカーボネートの合成
合成例６で得られた（２-ヒドロキシベンジル）トリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージド０．０５ｍｍｏｌ又は比較合成例３で得られたベンジルトリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージド０．０５ｍｍｏｌを表４に示す種々の溶媒０．２ｍＬに溶解（又は懸濁）させたものを室温で攪拌し、その溶液（又は懸濁液）に表４に示す種々のエポキシド１ｍｍｏｌを加えた後、二酸化炭素ガスを充填した風船で反応系を密閉して二酸化炭素ガス雰囲気下（０．１ＭＰａ）とし、さらに室温で２４時間攪拌した。２４時間攪拌後の反応液を少量抜き取った後、抜き取った反応液を重クロロホルムで希釈し、重クロロホルムに含まれるテトラメチルシランを基準として反応液を分析し、生成したカーボネートの収率を算出した。これらの結果を表４に示す。なお、実施例９及び１０、並びに比較例４は、溶媒を添加しない系によるバルクでの実験を行った。【０１５１】
【表４】
2014034937.tif 000025
【０１５２】
実施例１１  ホスホニウム塩として（２-ヒドロキシベンジル）トリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージドを用いた炭酸プロピレンの単離合成
（２-ヒドロキシベンジル）トリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージド２１．８ｍｇ（０．０５ｍｍｏｌ）に、プロピレンオキシド２０９ｍｇ（５ｍｍｏｌ）を加えた後、二酸化炭素ガスを充填した風船で反応系を密閉して二酸化炭素ガス雰囲気下（０．１ＭＰａ）とし、さらに室温で２４時間攪拌した（１Ｈ-ＮＭＲでの転化率９５％）。反応終了後、反応液にヘキサン／酢酸エチルを加えて、（２-ヒドロキシベンジル）トリ-ｎ-ブチルホスホニウムヨージドを析出・除去し、次いで溶媒を留去することで得られた残渣を５０℃で３時間減圧乾燥（５ｍｍＨｇ）することにより、無色油状物の炭酸プロピレン３６８ｍｇ（収率７２％）を得た。１Ｈ-及び１３Ｃ-ＮＭＲ分析により、炭酸プロピレンの構造を確認した。
１Ｈ-ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，２５℃）δ（ｐｐｍ）：１．５０（ｄ，３Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，ＣＨ３），４．０４（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ＣＨＨ），４．５７（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，ＣＨＨ），４．８２-４．９２（ｍ，１Ｈ，ＣＨ）．
１３Ｃ-ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３，２５℃）δ（ｐｐｍ）：１９．３７（ＣＨ３），７０．６０（ＣＨＣＨ２），７３．５０（ＣＨＣＨ２），１５５．００（Ｃ＝Ｏ）．【０１５３】
実施例１２〜１５  ホスホニウム塩として重合体（共重合体Ｐ-１又はＰ-２）を用いた（フェノキシメチル）エチレンカーボネートの合成
合成例１１又は１２で得られたホスホニウム塩（Ｐ-１又はＰ-２）０．０５ｍｍｏｌを表５に示す種々の溶媒０．２ｍＬに溶解（又は懸濁）させたものを室温で攪拌し、その溶液（又は懸濁液）にフェニルグリシジルエーテル１ｍｍｏｌを加えた後、二酸化炭素ガスを充填した風船で反応系を密閉して二酸化炭素ガス雰囲気下（０．１ＭＰａ）とし、さらに室温で２４時間攪拌した。２４時間攪拌後の反応液を少量抜き取った後、抜き取った反応液を重クロロホルムで希釈し、重クロロホルムに含まれるテトラメチルシランを基準として反応液を分析し、生成した（フェノキシメチル）エチレンカーボネートの収率を算出した。これらの結果を表５に示す。【０１５４】
【表５】
2014034937.tif 000026
【０１５５】
実施例１６及び１７  ホスホニウム塩として重合体（共重合体Ｐ-２）を用いたｎ-ブチルエチレンカーボネートの合成
合成例１２で得られたホスホニウム塩（Ｐ-２）０．０５ｍｍｏｌに、ｎ-ヘキセンオキシド１ｍｍｏｌを加えた後、二酸化炭素ガスを充填した風船で反応系を密閉して二酸化炭素ガス雰囲気下（０．１ＭＰａ）とし、さらに表６に示す条件で２４時間攪拌した。２４時間攪拌後の反応液を少量抜き取った後、抜き取った反応液を重クロロホルムで希釈し、重クロロホルムに含まれるテトラメチルシランを基準として反応液を分析し、生成したｎ-ブチルエチレンカーボネートの収率を算出した。これらの結果を表６に示す。【０１５６】
【表６】
2014034937.tif 000027
【０１５７】
表１〜４、並びに実施例１１の結果から、ヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩を用いることで、常温、常圧等の穏和な条件下でも、エポキシド（オキシラン）と二酸化炭素との反応が効率よく進行することがわかった。すなわち、原料として、反応性の高いエポキシドであるフェニルグリシジルエーテルを用いると効率よく反応が進行することはもちろんのこと、反応性の低いエポキシドであるｎ-ヘキセンオキシドを用いた場合でも、バルクでの反応により、効率よく反応が進行し、いずれのエポキシド（オキシラン）を用いた場合でも、収率よく環状カーボネートが得られるのである。また、本発明にかかるホスホニウム塩は、メタルフリー（金属フリー）の触媒であるので、これらの触媒を用いる本発明の製造方法は、グリーンケミストリーの観点からも有用であり、環境負荷低減を考慮した実用的な製造方法であることがわかった。【０１５８】
また、表５及び６の結果から、ヨウ素アニオンを有し、かつエポキシドの酸素原子と水素結合し得る水素原子を有するホスホニウム塩として重合体を用いた場合であっても、収率よく環状カーボネートが得られることがわかった。これらの重合体からなる本発明にかかるホスホニウム塩は、回収、再利用が容易であるので、グリーンケミストリーの観点から有用であることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０１５９】
本発明の製造方法は、例えばリチウムイオン二次電池の電解液、プラスチック原料等の多用途に幅広く利用されている環状カーボネートを、エポキシド（オキシラン）と二酸化炭素との反応によって製造するにあたり、常温、常圧等の穏和な条件下で当該環状カーボネート収率よく製造することを可能にするものである。さらに、本発明の製造方法は、環境負荷低減を考慮した上で、環状カーボネートを実用的に製造することを可能にするものである。
【国際調査報告】
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