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【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部を有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
前記第２の基板の前記第１の基板側に実装された電子部品と、
前記凹部内に前記電子部品が収容された状態で、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面間に、前記凹部の周囲を囲むように形成された接着剤と、
前記接着剤の内側面を被覆する第１の無機膜と、を有し、
前記電子部品は、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止されている電子部品パッケージ。
【請求項２】
前記接着剤と前記第２の基板との間に前記第１の無機膜の一部が延在して形成されている請求項１記載の電子部品パッケージ。
【請求項３】
前記接着剤の外側面を被覆する第２の無機膜を有し、
前記第２の無機膜は、前記接着剤の外側面から前記第１の基板の側面及び前記第２の基板の側面に延在している請求項１又は２記載の電子部品パッケージ。
【請求項４】
前記第１の基板と前記第２の基板とは、導電接合部を介して電気的に接続されており、
前記導電接合部は、前記接着剤に形成された開口部内に配置されている請求項１乃至３の何れか一項記載の電子部品パッケージ。
【請求項５】
前記第１の基板と前記第２の基板とは、導電接合部を介して電気的に接続されており、
前記導電接合部は、前記接着剤の外側面よりも外側に配置されている請求項１又は２記載の電子部品パッケージ。
【請求項６】
前記接着剤の前記導電接合部側の面を被覆する第３の無機膜を有する請求項４又は５記載の電子部品パッケージ。
【請求項７】
電子部品が形成された電子部品形成基板と、
前記電子部品形成基板の一方の側に対向配置された第１の基板と、
前記電子部品形成基板の他方の側に対向配置された第２の基板と、
前記第１の基板又は前記第２の基板のうち一方の基板、及び前記電子部品形成基板の各々の対向面間に、前記電子部品の外側を囲むように形成された接着剤と、
前記接着剤の内側面を被覆する第１の無機膜と、を有し、
前記電子部品の前記一方の基板側は、前記一方の基板及び前記電子部品形成基板の各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止されている電子部品パッケージ。
【請求項８】
前記接着剤と前記一方の基板との間に前記第１の無機膜の一部が延在して形成されている請求項７記載の電子部品パッケージ。
【請求項９】
前記接着剤の外側面を被覆する第２の無機膜を有し、
前記第２の無機膜は、前記接着剤の外側面から前記一方の基板の側面及び前記電子部品形成基板の側面に延在している請求項７又は８記載の電子部品パッケージ。
【請求項１０】
前記接着剤を介して対向する基板の各々の対向面のうち何れか一方の対向面には、前記電子部品の外側を囲むように第４の無機膜が形成されており、
前記第４の無機膜は、前記第１の無機膜と接している請求項１乃至９の何れか一項記載の電子部品パッケージ。
【請求項１１】
前記第１の無機膜は金属膜である請求項１乃至１０の何れか一項記載の電子部品パッケージ。
【請求項１２】
電子部品パッケージとなる複数の領域を備えた第１のウェハの各領域に凹部を形成し、前記凹部の周囲を囲むように枠状の接着剤を形成する工程と、
前記第１のウェハの各領域に形成された前記接着剤の内側面を第１の無機膜で被覆する工程と、
前記電子部品パッケージとなる複数の領域を備えた第２のウェハの各領域に電子部品を実装する工程と、
各々の前記凹部内に各々の前記電子部品が収容された状態で、前記第１のウェハと前記第２のウェハとを前記接着剤を介して接合し、各々の前記電子部品を前記第１のウェハ及び前記第２のウェハの各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１３】
複数の電子部品が形成された電子部品形成ウェハを作製する工程と、
前記電子部品形成ウェハの一方の面又は他方の面の何れか一の面に、各々の前記電子部品の外側を囲むように接着剤を形成する工程と、
各々の前記接着剤の内側面を第１の無機膜で被覆する工程と、
前記電子部品形成ウェハの前記一の面の反対面に、電子部品パッケージとなる複数の領域を備えた第１のウェハを接合する工程と、
各々の前記電子部品が各々の前記接着剤の内側に配置されるように、前記電子部品形成ウェハの前記一の面に、前記電子部品パッケージとなる複数の領域を備えた第２のウェハを前記接着剤を介して接合し、各々の前記電子部品の前記第２のウェハ側を、前記第２のウェハ及び前記電子部品形成ウェハの各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止する工程と、を有する電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の無機膜は金属膜である請求項１２又は１３記載の電子部品パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本電子部品パッケージは、凹部を有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、前記第２の基板の前記第１の基板側に実装された電子部品と、前記凹部内に前記電子部品が収容された状態で、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面間に、前記凹部の周囲を囲むように形成された接着剤と、前記接着剤の内側面を被覆する第１の無機膜と、を有し、前記電子部品は、前記第１の基板及び前記第２の基板の各々の対向面、並びに前記第１の無機膜により封止されていることを要件とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月20日(2015.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を用いて物体に処理を行う荷電粒子線装置であって、
荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子光学系を収容する真空容器と、
電離放射線を発する放射線源と、を備え、
前記真空容器の内部の気圧が変化している状態で、前記真空容器内の気体を前記電離放射線で照射する、
ことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
前記荷電粒子光学系は、前記荷電粒子線が通過する開口列が形成され、
前記状態で、前記放射線源から前記電離放射線を前記開口列に入射させて、前記気体を前記電離放射線で照射する、ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線装置。
【請求項３】
前記状態においては、前記処理が行われる真空と前記処理が行われない大気圧との間で前記気圧が変化している、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の荷電粒子線装置。
【請求項４】
前記電離放射線は、軟Ｘ線および真空紫外光のうち少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
【請求項５】
前記物体を保持して可動の保持部を備え、
前記保持部は、前記放射線源を含む、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のうちいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
【請求項６】
前記真空容器は、前記電離放射線を透過させる透過部を含み、
前記放射線源は、前記真空容器の外部に配置され、前記透過部を介して前記電離放射線を前記開口列に入射させる、ことを特徴とする請求項２に記載の荷電粒子線装置。
【請求項７】
前記放射線源を移動する駆動機構を備える、ことを特徴とする請求項６に記載の荷電粒子線装置。
【請求項８】
前記荷電粒子線を生成する荷電粒子線源を備え、
前記放射線源は、前記荷電粒子線源により生成された荷電粒子線により前記電離放射線を生成する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項７のうちいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
【請求項９】
前記荷電粒子線で前記物体に描画を行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のうちいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の荷電粒子線装置を用いて物体に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた物体を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、荷電粒子線を用いて物体に処理を行う荷電粒子線装置であって、荷電粒子線が通過する開口列が形成された荷電粒子光学系と、荷電粒子光学系を収容する真空容器と、電離放射線を発する放射線源と、を備え、真空容器の内部の気圧が変化している状態で、真空容器内の気体を電離放射線で照射する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月17日(2015.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属原子が封入される内部空間を有するガスセルと、
前記ガスセル内の前記金属原子を励起するための励起光を出射する光出射部と、
前記ガスセルと前記光出射部との間に設けられ、前記内部空間における前記励起光の横断面の輪郭形状が前記内部空間の横断面の輪郭形状に沿うように、前記励起光を調整するための光学部品と、
を備えることを特徴とする原子発振器。
【請求項２】
前記内部空間における前記励起光の横断面積をＳ１とし、前記内部空間の横断面積をＳ２としたとき、
Ｓ１／Ｓ２が０．５以上１以下の範囲内にある請求項１に記載の原子発振器。
【請求項３】
前記光学部品は、レンズである請求項１または２に記載の原子発振器。
【請求項４】
前記光出射部と前記ガスセルとの間に設けられた減光フィルターを備える請求項３に記載の原子発振器。
【請求項５】
前記光学部品は、前記内部空間の横断面の輪郭形状に沿っている形状の開口部を有する遮光部材である請求項１または２に記載の原子発振器。
【請求項６】
前記光出射部と前記遮光部材との間に設けられたレンズを備える請求項５に記載の原子発振器。
【請求項７】
前記レンズは、前記励起光を平行光とする機能を有する請求項６に記載の原子発振器。
【請求項８】
前記光軸に沿った方向における前記内部空間の長さをＬとし、前記内部空間における前記励起光の横断面での幅をＷとしたとき、Ｌ／Ｗは、１以上２以下の範囲内にある請求項１ないし７のいずれかに記載の原子発振器。
【請求項９】
前記内部空間を透過した前記励起光を検出する光検出部を備え、
前記内部空間における前記励起光の横断面積が、前記光検出部の前記励起光を受光する受光面の面積よりも小さい請求項１ないし８のいずれかに記載の原子発振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の原子発振器は、金属原子が封入される内部空間を有するガスセルと、
前記ガスセル内の前記金属原子を励起するための励起光を出射する光出射部と、
前記ガスセルと前記光出射部との間に設けられ、前記内部空間における前記励起光の横断面の輪郭形状が前記内部空間の横断面の輪郭形状に沿うように、前記励起光を調整するための光学部品と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［適用例２］
本発明の原子発振器では、前記内部空間における前記励起光の横断面積をＳ１とし、前記内部空間の横断面積をＳ２としたとき、
Ｓ１／Ｓ２が０．５以上１以下の範囲内にあることが好ましい。
これにより、励起光がガスセルの内壁で反射するのを防止するとともに、励起光が照射されないアルカリ金属原子の量を少なくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例３］
本発明の原子発振器では、前記光学部品は、レンズであることが好ましい。
これにより、光出射部からの励起光の光量を無駄なく利用しつつ、励起光の横断面形状をガスセルの内部空間の横断面形状に合致させることができる。
［適用例４］
本発明の原子発振器では、前記光出射部と前記ガスセルとの間に設けられた減光フィルターを備えることが好ましい。
これにより、ガスセルに入射する励起光を所望の光量とすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例５］
本発明の原子発振器では、前記光学部品は、前記内部空間の横断面の輪郭形状に沿っている形状の開口部を有する遮光部材であることが好ましい。
これにより、光学部品の光軸方向での位置合わせを不要としつつ、励起光の横断面形状をガスセルの内部空間の横断面形状に合致させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［適用例６］
本発明の原子発振器では、前記光出射部と前記遮光部材との間に設けられたレンズを備えることが好ましい。
これにより、ガスセルに入射する励起光の平行度や光量等を調整することができる。
［適用例７］
本発明の原子発振器では、前記レンズは、前記励起光を平行光とする機能を有することが好ましい。
これにより、励起光がガスセルの内壁で反射するのを簡単かつ確実に防止することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［適用例８］
本発明の原子発振器では、前記光軸に沿った方向における前記内部空間の長さをＬとし、前記内部空間における前記励起光の横断面での幅をＷとしたとき、Ｌ／Ｗは、１以上２以下の範囲内にあることが好ましい。
これにより、ガスセルの大型化を防止しつつ、ガスセル内での励起光の共鳴を好適に生じさせることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［適用例９］
本発明の原子発振器では、前記内部空間を透過した前記励起光を検出する光検出部を備え、
前記内部空間における前記励起光の横断面積が、前記光検出部の前記励起光を受光する受光面の面積よりも小さいことが好ましい。
これにより、ガスセルを透過した励起光のすべてを光検出部で受光し、光検出部の検出精度を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、前記光電変換部で生じた信号電荷に基づく信号を増幅する増幅素子と、前記光電変換部の出力ノードと前記増幅素子の入力ノードとの間の電気経路に配された、信号保持部と、前記光電変換部の出力ノードと前記信号保持部の入力ノードとの間の電気経路に配された、前記光電変換部の信号電荷を前記信号保持部に転送する電荷転送部とを有する画素を複数有する撮像装置であって、
前記光電変換部は、
信号電荷と同極性の第１導電型の第１半導体領域と、第２導電型の第２半導体領域とを有し、
前記信号保持部は、
第１導電型の第３半導体領域と、前記第３半導体領域上部に絶縁膜を介して配された制御電極とを有し、
前記第２半導体領域は各々が異なる深さに配された複数の領域を有しており、前記複数の領域は、
前記第１半導体領域とＰＮ接合を構成する第１領域と、前記第１領域よりも深い位置に配された第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との間に配された第３領域とを有し、
前記第１領域の不純物濃度ピークＰ１と前記第２領域の不純物濃度ピークＰ２と前記第３領域の不純物濃度ピークＰ３とが、
Ｐ３＜Ｐ１＜Ｐ２
を満たすことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記信号電荷は電子であり、前記第１導電型はＮ型であり、前記第２導電型はＰ型であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の画素が配される撮像領域と、前記撮像領域の周辺に配される周辺回路領域とを有し、
前記第２半導体領域は、前記周辺回路領域まで延在しておらず、前記第２半導体領域とは異なる不純物濃度プロファイルを有する第２導電型の半導体領域が配されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１領域は、前記第１半導体領域の下部において、前記第１半導体領域とＰＮ接合を構成しており、前記第３半導体領域の底面から所定の深さに配されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第３半導体領域と前記第１領域との間には、前記第１領域とは異なる工程で形成された第２導電型の第４領域が配されていることを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第４領域の不純物濃度ピークをＰ４とすると、
Ｐ３＜Ｐ４＜Ｐ２
を満たすことを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１半導体領域の底面の深さは、前記第３半導体領域の底面の深さよりも深く、
前記第１半導体領域の不純物濃度は、前記第３半導体領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１半導体領域の信号電荷は、前記第１半導体領域を空乏化することにより、前記第３半導体領域に転送されることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第３半導体領域と前記第１領域との間には、第５領域が配されており、
前記第５領域は、前記第１領域よりも不純物濃度が高いことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記第５領域は、前記信号保持部に平面的に重なるように配されており、前記第１半導体領域とは重ならないことを特徴とする請求項９に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第３半導体領域下部に、第２導電型の半導体領域を介して、第１導電型の半導体領域が配されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の１次面及び２次面の両面に電子部品を実装する電子部品の実装用基板であって、
前記基板の２次面において、電子部品に対する前記実装用基板のランドのサイズと前記電子部品のインターポーザのランドのサイズを同じにすることを特徴とする実装用基板。
【請求項２】
前記基板の１次面及び２次面に実装する電子部品に対する前記実装用基板のランドのサイズを、前記基板の１次面と２次面とで互いに異ならせたことを特徴とする請求項１に記載の実装用基板。
【請求項３】
前記電子部品を後で実装する前記１次面の前記実装用基板のランドのサイズを、当該１次面の電子部品のインターポーザのランドよりも大きいサイズとしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の実装用基板。
【請求項４】
前記基板の１次面及び２次面に実装するそれぞれの電子部品は、互いにインターポーザのランドのサイズとランドのピッチが同じであることを特徴とする請求項１に記載の実装用基板。
【請求項５】
前記電子部品は、ＢＧＡチップであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の実装用基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る電子部品の実装用基板は以下のような構成を備える。即ち、
基板の１次面及び２次面の両面に電子部品を実装する電子部品の実装用基板であって、前記基板の２次面において、電子部品に対する前記実装用基板のランドのサイズと前記電子部品のインターポーザのランドのサイズを同じにすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素含有膜及びシリコン含有膜が露出した被処理基板を処理する処理室と、
前記処理室に設けられ、被処理基板を支持する第一基板支持部と、
前記処理室に設けられ、被処理基板を前記第一基板支持部の上で支持する第二基板支持部と、
前記処理室にガスを供給するガス供給部と、
被処理基板を加熱する加熱部と、
前記処理室内のガスを励起する励起部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
少なくとも前記ガス供給部、前記励起部、及び前記排気部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
被処理基板が前記第二基板支持部に支持されている状態で、前記ガス供給部に前記処理室内へ還元性ガスを供給させるとともに、前記加熱部に前記被処理基板を加熱させ、
前記被処理基板が、前記第一基板支持部に支持されている状態で、前記ガス供給部に前記処理室内へ酸化性ガス及び還元性ガスを供給させるとともに、供給された前記酸化性ガス及び前記還元性ガスを前記励起部に励起させるように制御する
基板処理装置。
【請求項２】
前記加熱部は、前記第一基板支持部及び前記処理室の少なくともいずれか一方に設けられている請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第一基板支持部及び前記第二基板支持部は、前記被処理基板が前記第二基板支持部に支持されている状態において、前記被処理基板の下側の面と前記第一基板支持部との間に空間が形成されるように構成されている、請求項１又は２のいずれか記載の基板処理装置。
【請求項４】
金属元素含有膜及びシリコン含有膜が露出した被処理基板を処理室に搬入する搬入工程と、
前記被処理基板を加熱する加熱工程と、
前記加熱工程の後に前記被処理基板を処理する処理工程と、
を有し、
前記処理工程は、
前記被処理基板を第一基板支持部に載置するステップと、
加熱部が前記被処理基板を加熱するステップと、
前記処理室内に酸化性ガス及び還元性ガスを供給するステップと、
供給された前記酸化性ガス及び前記還元性ガスを励起するステップと、
前記処理室を排気するステップと、
を有し、
前記加熱工程は、
前記被処理基板を、前記第一基板支持部の上で支持する第二基板支持部に載置するステップと、
前記処理室内を排気するステップと、
前記処理室内に前記還元性ガスを供給するステップと、
前記加熱部が前記被処理基板を加熱するステップと、
を有する
半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記加熱工程において前記第二基板支持部に前記被処理基板を載置するステップでは、前記第二基板支持部に載置された前記被処理基板の下側の面と前記第一基板支持部との間に空間が形成される、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記加熱工程において前記処理室内に前記還元性ガスを供給するステップでは、
前記処理室内の圧力を調整することで前記還元性ガスから被処理基板への熱伝導量を制御する、請求項４又は５のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記加熱工程において前記処理室内に前記還元性ガスを供給するステップでは、
前記処理室内の圧力を前記搬入工程における圧力よりも高くする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記処理工程は、ガスの供給を停止する工程をさらに有し、
前記ガスの供給を停止する工程は、
前記酸化性ガスの供給を停止するステップと、
前記酸化性ガスの供給を停止した後に、前記還元性ガスの供給を停止するステップと、
を有する、
請求項４乃至７のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記還元性ガスとして水素ガスを用いる請求項４乃至８のいずれか記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月13日(2015.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体メモリ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線とワード線とメモリセルを有し、
前記メモリセルは、トランジスタとキャパシタを有し、
前記ワード線は、前記キャパシタの電極の一に接続する導体の外周部以遠にある閉曲線あるいは多角形に重なるように形成され、
前記ビット線は前記キャパシタの電極の他に接続し、前記ワード線と直交することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記閉曲線または多角形の外側に導体よりなるソース線を有することを特徴とする請求項１記載の半導体メモリ装置。
【請求項３】
ビット線とワード線とメモリセルを有し、
前記メモリセルは、トランジスタとキャパシタを有し、
第１の開口部と第２の開口部の設けられた絶縁物と、前記絶縁物の第１の面と前記第１の開口部と前記第２の開口部の側面を覆う半導体膜およびゲート絶縁物と、前記絶縁物の第１の面の一部と前記第１の開口部と前記第２の開口部に重なるワード線と、前記絶縁物の第２の面側にあって、前記第１の開口部と前記第２の開口部の底面に設けられた導体と、前記導体を介してその電極の一が前記キャパシタと接続することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記キャパシタの電極の他は前記ビット線に接続することを特徴とする請求項３に記載の半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記絶縁物の第１の面に接し、導体よりなるソース線を有することを特徴とする請求項３または請求項４のいずれかに記載の半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記ソース線は前記ワード線と平行に形成されていることを特徴とする請求項２または請求項５のいずれかに記載の半導体メモリ装置。
【請求項７】
前記ソース線は前記ビット線と平行に形成されていることを特徴とする請求項２、請求項５、請求項６のいずれかに記載の半導体メモリ装置。
【請求項８】
キャパシタの電極の一に接続する第１および第２の導体と、
前記第１および第２の導体の外周部以遠にある前記第１および第２の導体を取り巻く閉曲線あるいは多角形に重なるように形成された、もしくは前記第１および第２の導体と重なるように形成されたゲート電極と、
前記閉曲線あるいは多角形の外側に、半導体領域に接し、導体よりなるソース線を有し、
前記第１および第２の導体間の距離が、前記第１および第２の導体のいずれかと前記ソース線間の距離より短い半導体メモリ装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかにおいて、
前記キャパシタの容量は、前記トランジスタのゲート容量の１倍乃至１０倍である半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月17日(2015.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に孔部を備えた絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の一方面で前記孔部に対向して配置した放電電極と、
前記絶縁性基板の孔部の内面とこの絶縁性基板の前記放電電極側の表面に設けた半導電部と、
前記半導電部の外周を覆うごとく設けた対向電極とを備え、
放電電極と対向電極に電源部より電圧を印加してコロナ放電により活性種を発生する活性種発生ユニットにおいて、
絶縁性の樹脂で構成し、開口した板部材に複数の支柱を設けた枠体と、
前記対向電極と前記絶縁性基板を重ねて前記枠体とで挟み込む板固定部とを備え、
前記放電電極は、針と電源接続部を備えた板金を接合して構成し、
前記対向電極は、板金の中央を開口しかつ電源接続部を備え構成し、
前記放電電極の先端は、前記枠体の支柱によって前記絶縁性基板から所定距離を隔てて配置される活性種発生ユニット。
【請求項２】
吸気口と排気口を有する本体ケースと、
この本体ケース内に送風手段と請求項１記載の活性種発生ユニットとを設け、
前記送風手段により前記本体ケースの吸気口から吸込んだ空気を、前記活性種発生ユニットに送り、
前記活性種発生ユニットで発生した活性種を含んだ空気を前記排気口から吹出す構成としたことを特徴とする請求項１に記載の活性種発生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そして、この目的を達成するために本発明は、中央に孔部を備えた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一方面で前記孔部に対向して配置した放電電極と、前記絶縁性基板の孔部の内面とこの絶縁性基板の前記放電電極側の表面に設けた半導電部と、前記半導電部の外周を覆うごとく設けた対向電極とを備え、放電電極と対向電極に電源部より電圧を印加してコロナ放電により活性種を発生する活性種発生ユニットにおいて、絶縁性の樹脂で構成し、開口した板部材に複数の支柱を設けた枠体と、前記対向電極と前記絶縁性基板を重ねて前記枠体とで挟み込む板固定部とを備え、前記放電電極は、針と電源接続部を備えた板金を接合して構成し、前記対向電極は、板金の中央を開口しかつ電源接続部を備え構成し、前記放電電極の先端は、前記枠体の支柱によって前記絶縁性基板から所定距離を隔てて配置される活性種発生装置であり、これにより所期の目的を達成するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上のように本発明は、中央に孔部を備えた絶縁性基板と、前記絶縁性基板の一方面で前記孔部に対向して配置した放電電極と、前記絶縁性基板の孔部の内面とこの絶縁性基板の前記放電電極側の表面に設けた半導電部と、前記半導電部の外周を覆うごとく設けた対向電極とを備え、放電電極と対向電極に電源部より電圧を印加してコロナ放電により活性種を発生する活性種発生ユニットにおいて、絶縁性の樹脂で構成し、開口した板部材に複数の支柱を設けた枠体と、前記対向電極と前記絶縁性基板を重ねて前記枠体とで挟み込む板固定部とを備え、前記放電電極は、針と電源接続部を備えた板金を接合して構成し、前記対向電極は、板金の中央を開口しかつ電源接続部を備え構成し、前記放電電極の先端は、前記枠体の支柱によって前記絶縁性基板から所定距離を隔てて配置される活性種発生装置であるので、放電のスパークを防止しつつ放電電極と対向電極の距離を近づけ、活性種の発生量を増やすことができるとともに、前記枠体のマイナスに帯電した表面に電荷集中が起こる近傍に浮遊するプラスに帯電したホコリを引き寄せるため、放電部にホコリが堆積することによる電流低下を抑制することができるため、活性種の発生量を増やすことができるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
従来の特許文献に記載のように、針電極とアース電極を平行に配置した場合、コロナ放電領域は、針電極からアース電極側に偏って生成するため、放電領域が小さくなる。一方、本発明のように、放電電極１７と半導電部１８を略垂直方向に対向配置した場合、針からみて円錐状に広がりを持ったコロナ放電領域が形成されるため、コロナ放電領域の範囲が広がり、より多くの活性種を発生させることができる。孔部２１を設けた場合には、孔部２１の端面に向かってコロナ放電が発生するため、孔部２１の直径を変えることによってコロナ放電の広がり方を変化させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月3日(2015.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電源から供給された電力を蓄電する蓄電部と、
上記蓄電部が蓄電した電力を、光源を点灯させる電力に変換し、変換した電力を上記光源に供給する変換部と、
上記外部電源からの電力供給が停止したことを検出する停電判定部と、
上記外部電源からの電力供給が停止したことを上記停電判定部が検出した場合に、上記外部電源からの電力供給が停止してからの経過時間を計測する計時部とを有し、
上記変換部は、
上記外部電源からの電力供給が停止したことを上記停電判定部が検出し、上記計時部が計測した経過時間が所定の時間未満である場合に、変換した上記電力を上記光源に連続供給して上記光源を連続点灯させ、
上記外部電源からの電力供給が停止したことを上記停電判定部が検出し、上記計時部が計測した経過時間が所定の時間以上である場合に、上記光源に供給する電力を周期的に変化させて上記光源が点灯する明るさを周期的に変化させる
ことを特徴とする点灯装置。
【請求項２】
上記変換部が、上記光源が点灯する明るさを周期的に変化させる周波数は、２Ｈｚ以上１０Ｈｚ以下であることを特徴とする請求項１に記載の点灯装置。
【請求項３】
上記変換部が、上記光源が点灯する明るさを周期的に変化させるときのオンデューティは、１０％以上７０％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の点灯装置。
【請求項４】
上記変換部が、上記光源が点灯する明るさを周期的に変化させるとき上記光源を流れる電流の平均値は、上記変換部が上記光源を連続点灯させるとき上記光源を流れる電流の平均値以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の点灯装置。
【請求項５】
上記変換部が、上記光源が点灯する明るさを周期的に変化させるとき上記光源を流れる電流のピーク値は、上記変換部が上記光源を連続点灯させるとき上記光源を流れる電流のピーク値以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の点灯装置。
【請求項６】
上記変換部が、上記光源が点灯する明るさを周期的に変化させるとき、変換した上記電力を上記光源に断続供給して上記光源を点滅させることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の点灯装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の点灯装置と、
上記点灯装置から供給される電力によって点灯する光源と、
上記光源が発した光によって照らされる表示部と
を有することを特徴とする誘導灯装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月19日(2015.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の電極箔に活物質が塗工された電極塗工部と塗工されていない電極未塗工部とを有する電極をセパレータを介在させて扁平形状に捲回した捲回電極群と、
前記捲回電極群を収容し、電解液が注入される電池容器と、
前記電池容器に設けられた電極端子と、
前記電極未塗工部と前記電極端子とを接続する電極集電体とを備え、
前記電極未塗工部における前記電極集電体との接合部と、前記電極塗工部との間に、複数の貫通孔が捲回方向に沿って形成されていることを特徴とする二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載の二次電池において、
前記捲回電極群の前記電極未塗工部に設けられた前記貫通孔は、隣り合う層で貫通孔同士が重なり合うように、捲回方向に配列されていることを特徴とする二次電池。
【請求項３】
請求項２に記載の二次電池において、
前記電極箔に設けられた前記貫通孔における捲回方向の長さは、捲回方向に隣接する一対の貫通孔間に存在する前記電極箔の長さよりも長いことを特徴とする二次電池。
【請求項４】
請求項３に記載の二次電池において、
前記貫通孔は、長手方向が捲回方向に平行に、短手方向が捲回方向に直交する長円形状とされていることを特徴とする二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に係る発明は、長尺状の電極箔に活物質が塗工された電極塗工部と塗工されていない電極未塗工部とを有する電極をセパレータを介在させて扁平形状に捲回した捲回電極群と、捲回電極群を収容し、電解液が注入される電池容器と、電池容器に設けられた電極端子と、電極未塗工部と電極端子とを接続する電極集電体とを備え、電極未塗工部における電極集電体との接合部と、電極塗工部との間に、複数の貫通孔が捲回方向に沿って形成されていることを特徴とする二次電池である。
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の二次電池において、捲回電極群の電極未塗工部に設けられた貫通孔は、隣り合う層で貫通孔同士が重なり合うように、捲回方向に配列されていることを特徴とする。
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の二次電池において、電極箔に設けられた貫通孔における捲回方向の長さは、捲回方向に隣接する一対の貫通孔間に存在する電極箔の長さよりも長いことを特徴とする。
請求項４に係る発明は、請求項３に記載の二次電池において、貫通孔は、長手方向が捲回方向に平行に、短手方向が捲回方向に直交する長円形状とされていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも金属箔とシーラント樹脂フィルムからなる第１のシーラント層とを有するラミネートフィルム積層体を外装材に用いてなる非水系電池用収納容器から引き出される電極リード線部材であって、
金属製の導出封止部を備え、該導出封止部の表面上には、耐食性の薄膜コーティング層と、前記第１のシーラント層と同一種類の樹脂を用いたシーラント樹脂フィルムからなり、前記第１のシーラント層に熱接合される第２のシーラント層とが順に積層されてなり、前記薄膜コーティング層が、熱処理により、架橋または非晶化することにより耐水化されてなり、前記薄膜コーティング層が、前記導出封止部の長さ方向に少なくとも２ｍｍ以上の幅であり、前記第２のシーラント層よりも狭い幅で、または同等以上の幅で帯状のパターンに形成されてなることを特徴とする電極リード線部材。
【請求項２】
前記薄膜コーティング層が、３フッ化クロム化合物と水溶性樹脂とを含有した処理液による化成処理、３フッ化クロム化合物と３価の炭酸クロム化合物及び水溶性樹脂とを含有した処理液による化成処理、フッ酸水溶液と３価の炭酸クロム化合物及び水溶性樹脂とを含有した処理液による化成処理、クロメート処理、リン酸塩処理、ジルコニウム処理、トリアジンチオール処理、からなる化成処理群の中から選択されたいずれか１つ以上が施されてなる化成処理層からなることを特徴とする請求項１に記載の電極リード線部材。
【請求項３】
前記導出封止部のうち、非水系電池の電極体の集電部に前記導出封止部を接続する部分と、複数の非水系電池用収納容器から引き出された電極リード線部材を、直列、または並列に連結して接続する部分とには、前記薄膜コーティング層が形成されておらず、且つ、前記導出封止部の表面上の一部に、３フッ化クロム化合物と水溶性樹脂とを含有した処理液による化成処理、３フッ化クロム化合物と３価の炭酸クロム化合物及び水溶性樹脂とを含有した処理液による化成処理、フッ酸水溶液と３価の炭酸クロム化合物及び水溶性樹脂とを含有した処理液による化成処理、クロメート処理、リン酸塩処理、ジルコニウム処理、トリアジンチオール処理、からなる化成処理群のいずれも施されていないことを特徴とする請求項１または２に記載の電極リード線部材。
【請求項４】
前記薄膜コーティング層が、水酸基を含有する樹脂からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電極リード線部材。
【請求項５】
前記薄膜コーティング層が、水酸基を含有するポリビニルアルコールの骨格を有する樹脂又はその共重合樹脂からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電極リード線部材。
【請求項６】
前記第２のシーラント層が、無水マレイン酸変性のポリオレフィン系のシーラント樹脂フィルム、又は、エポキシ官能基で変性されたポリオレフィン系のシーラント樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電極リード線部材。
【請求項７】
前記第２のシーラント層の厚みが、５０μｍ以上３００μｍ以下であり、且つ、前記薄膜コーティング層の厚みが、０．２〜５．０μｍであり、前記薄膜コーティング層とその上に積層された前記第２のシーラント層との層間剥離強度が、ＪＩＳ  Ｃ６４７１に規定された引き剥がし測定方法Ａにより測定し、１０Ｎ／ｉｎｃｈ以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電極リード線部材。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ基材と、
前記レンズ基材の一部を覆うように所定形状にパターニングされたパターニング層と、
前記レンズ基材および前記パターニング層を覆うように形成されたハードコート層と、
を有し、
前記レンズ基材の屈折率は、前記ハードコート層の屈折率と等しく、かつ、前記パターニング層の屈折率と０．０２以上異なることを特徴とする光学部材。
【請求項２】
当該光学部材を、当該光学部材の光軸方向から直視した際に、前記パターニング層は視認されず、かつ、当該光学部材を前記光軸方向に対して斜視した際に、前記パターニング層は視認される請求項１に記載の光学部材。
【請求項３】
前記パターニング層は、拡散透過率が１．０以下である請求項１または２に記載の光学部材。
【請求項４】
前記パターニング層は、屈折率が１．２以上、２．８以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の光学部材。
【請求項５】
前記パターニング層は、当該光学部材の光軸方向から見た平面視において、第１の領域に形成された第１の層と、第２の領域に形成された第２の層とを有している請求項１ないし４のいずれかに記載の光学部材。
【請求項６】
前記第１の層の厚さと、前記第２の層の厚さとが異なる請求項５に記載の光学部材。
【請求項７】
前記第１の層の屈折率と、前記第２の層の屈折率とが異なる請求項５または６に記載の光学部材。
【請求項８】
前記レンズ基材の屈折率は、前記パターニング層の屈折率と０．１以上異なる請求項１〜７のいずれか１項に記載の光学部材。
【請求項９】
前記レンズ基材の屈折率は、前記パターニング層の屈折率と０．２以上、１．３以下異なる請求項１〜８のいずれか１項に記載の光学部材。
【請求項１０】
光学部材の製造方法であって、
レンズ基材の一部を覆うように前記レンズ基材の屈折率と屈折率が０．０２以上異なるパターニング層を所定形状に形成することと、
前記レンズ基材および前記パターニング層を覆うように、前記レンズ基材の屈折率と屈折率が等しいハードコート層を形成することと、
を含むことを特徴とする光学部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
一般に、２つの層の間で屈折率が０．０２以上異なると、干渉縞が観察される。レンズ基材の屈折率はパターニング層の屈折率と０．０２以上異なるので、パターニング層とレンズ基材との間で干渉縞が観察される。一方、レンズ基材の屈折率はハードコート層の屈折率と等しいので、ハードコート層とレンズ基材との屈折率差によって干渉縞が発生することを防止または抑制できる。干渉縞は光学部材を直視した場合には観察されにくく、斜視した場合に観察されやすい。これにより、装用者の視界を邪魔することなく、第三者が斜視した際にパターニングされた形状を選択的に視認することができるパターニング層を備える光学部材とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
バインダーとしては、特に限定されないが、例えば、樹脂材料を含有するものが好ましく用いられる。また、樹脂材料としては、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル、ポリスチレンおよびポリエチレン等が挙げられる。
なお、パターニング層３は、屈折率がレンズ基材２の屈折率と０．０２以上異なれば良いが、０．１以上異なるのが好ましく、０．２以上、１．３以下異なるのがより好ましい。これにより、屈折率差に起因する干渉縞がより生じやすくなるので、メガネレンズ１を斜視した際に、パターニング層３の形状をより明瞭に視認することができるようになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このようなハードコート層４の構成材料（有機ケイ素化合物および金属酸化物）を単独でまたは組み合わせて用いて、本発明では、ハードコート層４の屈折率は、レンズ基材２の屈折率と等しく設定される。これにより、ハードコート層４とレンズ基材２との屈折率差によって干渉縞が発生することを防止または抑制できるので、パターニング層３を、メガネレンズ１を直視した際には視認されず、メガネレンズ１を斜視した際には視認されるものとすることができる。
また、ハードコート層４の平均厚さは、特に限定されないが、好ましくは１０００〜４０００ｎｍ、より好ましくは２０００〜３０００ｎｍに設定される。これにより、ハードコート層４は、優れた強度を有するものとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
染色方法としては、水（湯）に分散させたり有機溶剤に溶かしたりした染色剤に、レンズを浸漬する方法が一般的に用いられる。
かかる構成の着色層５は、屈折率がハードコート層４の屈折率とほぼ等しく設定される。これにより、着色層５とレンズ基材２およびハードコート層４との屈折率差によって干渉縞が発生することを防止または抑制できるので、パターニング層３を、メガネレンズ１を直視した際には視認されず、メガネレンズ１を斜視した際に確実に視認されるものとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月23日(2015.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受けた電磁波の量に応じた電気信号を第１電極および第２電極の間から取り出すことのできる検出部と、
一方の面に開放する凹部を有する基板と、
前記基板の一方の面側に位置し、前記基板に支持されるとともに、前記検出部を前記凹部と重なるように支持する支持部材と、
前記基板に設けられるとともに前記凹部から前記凹部内に露出し、該露出した部分が前記検出部に対向配置された電磁波反射性および導電性を有する電磁波反射膜と、を有し、
前記電磁波反射膜は、前記第１電極または前記第２電極と電気的に接続されていることを特徴とする熱型電磁波検出素子。
【請求項２】
前記基板に埋設され、前記第１電極または前記第２電極と前記電磁波反射膜とを電気的に接続する第１ビアを有する請求項１に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項３】
前記基板に埋設されるとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に達し、前記電磁波反射膜と電気的に接続された第２ビアを有する請求項２に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項４】
前記基板に埋設されるとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に達し、前記第１電極および前記第２電極のうち前記第１ビアに接続されていない方の電極と電気的に接続された第３ビアを有する請求項３に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項５】
前記電磁波の波長をλとしたとき、前記凹部の厚さは、λ／４である請求項１ないし４のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項６】
前記基板の平面視において、前記電磁波反射膜は、前記検出部を内側に含むように形成されている請求項１ないし５のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項７】
前記支持部材は、前記検出部を搭載する搭載部と、前記搭載部を支持する支持部と、前記搭載部と前記支持部とを連結する少なくとも１本のアームとを有している請求項１ないし６のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項８】
前記アームは、前記搭載部に対して熱コンダクタンスが低い請求項７に記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項９】
前記電磁波反射膜の電磁波反射率は、９０％以上である請求項１ないし７のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項１０】
前記電磁波反射膜は、耐エッチング性を有している請求項１ないし９のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子。
【請求項１１】
電磁波反射性を有する電磁波反射膜が埋設された基板と支持層とが積層しており、前記支持層には、受けた電磁波の量に応じた電気信号を第１電極および第２電極間から取り出すことのできる検出部が設けられ、前記第１電極または前記第２電極と前記電磁波反射膜とが電気的に接続されている積層体を得る工程と、
前記基板の一部を前記支持層側から除去することにより前記基板に前記検出部との間に位置する凹部を形成し、前記凹部から前記電磁波反射膜を露出させる工程と、を有することを特徴とする熱型電磁波検出素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子が複数、２次元的に配置されていることを特徴とする熱型電磁波検出装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の熱型電磁波検出素子を少なくとも１つ備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
複数の前記熱型電磁波検出素子が２次元的に配置された熱型電磁波検出装置を備える撮像装置である請求項１３に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の熱型電磁波検出素子は、受けた電磁波の量に応じた電気信号を第１電極および第２電極の間から取り出すことのできる検出部と、
一方の面に開放する凹部を有する基板と、
前記基板の一方の面側に位置し、前記基板に支持されるとともに、前記検出部を前記凹部と重なるように支持する支持部材と、
前記基板に設けられるとともに前記凹部から前記凹部内に露出し、該露出した部分が前記検出部に対向配置された電磁波反射性および導電性を有する電磁波反射膜と、を有し、
前記電磁波反射膜は、前記第１電極または前記第２電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
これにより、凹部内に侵入した電磁波を検出部に向けて反射させることができる。そのため、検出部により多くの電磁波を照射することができ、検出部の感度が高まる。また、第１電極および第２電極間に印加される検出部の駆動信号（電圧）が電磁波反射膜にも印加され、このような通電によって電磁波反射膜が昇温する。このような昇温によって、検出部の温度と、基板側の温度の差が小さくなり、これによっても、検出部の感度が高まる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記基板に埋設され、前記第１電極または前記第２電極と前記電磁波反射膜とを電気的に接続する第１ビアを有することが好ましい。
これにより、簡単に、第１、第２電極の一方と電磁波反射膜を電気的に接続することができる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記基板に埋設されるとともに前記基板の前記一方の面と反対側の面に達し、前記電磁波反射膜と電気的に接続された第２ビアを有することが好ましい。
これにより、第１、第２電極を、第１ビア、電磁波反射膜および第２ビアを介して簡単に基板の下面まで引き出すことができる。そのため、例えば、検出部と回路基板等の他の基板との接続を素子の下側にて容易に行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記電磁波の波長をλとしたとき、前記凹部の厚さは、λ／４であることが好ましい。
これにより、電磁波を共振させることができ、検出部に電磁波を効率的に照射することができる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記基板の平面視において、前記電磁波反射膜は、前記検出部を内側に含むように形成されていることが好ましい。
これにより、検出部の周囲から凹部内に侵入してきたより多くの電磁波を検出部に向けて反射させることができる。そのため、検出部の感度をより高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記電磁波反射膜の電磁波反射率は、９０％以上であることが好ましい。
これにより、電磁波を効率的に反射することができるとともに、電磁波を吸収することによる過度な昇温を防止することができる。
本発明の熱型電磁波検出素子では、前記電磁波反射膜は、耐エッチング性を有していることが好ましい。
これにより、電磁波反射膜を簡単に凹部から露出させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの顔に装着して使用される表示装置において、
前記ユーザの眼の前に配置され、前記ユーザに視認させる画像が投影される表示板と、
前記ユーザの眼と前記表示板の間に配置される板状部材が接続される接続部と、
予め決められた初期位置に配置されることにより、前記接続部に接続された前記板状部材を、前記ユーザの眼と前記表示板の間に固定し、前記初期位置から所定の方向にスライド可能とされるスライド部と
を含む表示装置。
【請求項２】
前記スライド部を押圧する押圧部をさらに含み、
前記スライド部は、前記押圧部により、スライド後の位置から前記初期位置まで押圧される
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記スライド部は、前記接続部に接続された前記板状部材を、前記接続部との間で挟むことにより固定する
請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記スライド部は、
前記初期位置に配置されることにより前記板状部材を固定する固定部と、
前記固定部から、前記接続部が存在する方向とは逆の方向に仰ぐ仰角が鋭角となる傾斜面と
を有する請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示板に前記画像を投影する投影部をさらに含み、
前記接続部は、前記投影部に設けられている
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記表示板は、前記画像が投影されているか否かに拘らず、外部から入射される光を透過させる
請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記スライド部は、前記初期位置に配置されることにより、前記接続部に接続された前記板状部材であって、前記ユーザの目尻から目頭にかけて斜め方向に配置される前記板状部材を固定する
請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【表３】
2015073997.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
Ｔ字型の試験体を、２電極１プール方式での水平すみ肉ガスシールドアーク溶接で、各試作ワイヤのアーク安定性、スパッタ発生量、２電極間の湯溜りの安定性、スラグ被包性、スラグ剥離性、ピット発生数、ビード形状、脚長（実測値）について調査し、評価を行った。アーク安定性、２電極間の湯溜りの安定性、スラグ被包性、スラグ剥離性、ビード形状については目視観察により良好か否かを確認した。また、スパッタ発生量については目視観察により多いか否かを、またピット発生数については先ずピット発生の有無について確認し、ピットが発生していた場合にはその個数を測定した。さらに脚長（実測値）については、良好か脚長不均等かを目し観察により判定した。それら結果を表４にまとめて示す。