Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月26日(2015.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検眼の眼底画像を画像処理する画像処理装置であって、
第一の色調変換処理及び第二の色調変換処理のうちいずれかを選択する選択手段と、
前記選択手段で選択された前記第一の色調変換処理又は前記第二の色調変換処理で前記眼底画像の色調を変換する色調変換手段と、を有し、
同一の眼底画像を前記第一の色調変換処理及び前記第二の色調変換処理でそれぞれ色調を変換した場合、前記第二の色調変換処理で変換される眼底画像の色調の青波長の成分に対する赤波長の成分の比率と緑波長の成分に対する赤波長の成分の比率が、前記第一の色調変換処理で変換される眼底画像の色調の青波長の成分に対する赤波長成分の比率と緑波長の成分に対する赤波長の成分の比率より低いことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記選択手段は、前記被検眼のメラニンの量を示す情報に応じて前記第一の色調変換処理と前記第二の色調変換処理のいずれかを選択することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記選択手段は、前記被検眼のメラニンの量を示す情報が所定値以上で有る場合に第一の色調変換処理を選択することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記選択手段は、前記眼底画像の色空間における分布に応じてメラニンの量を示す情報を得ることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記選択手段は、前記眼底画像の緑波長の成分に対する赤波長の成分の比率、青波長の成分に対する赤波長の成分の比率の少なくともいずれかが所定値以上である場合に第二の色調変換処理を選択することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記第一の色調変換処理された眼底画像と前記第二の色調変換処理された眼底画像は、眼底画像の赤、青、緑の各波長の成分で表される輝度値が等しくなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記眼底画像は、少なくとも色素上皮層と神経線維層と脈絡膜を撮像した画像であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記眼底画像の中の所定の範囲を取得する範囲取得手段を更に備え、前記選択手段は、前記範囲取得手段で取得した所定の範囲の赤、青、緑の各波長の成分に基づいて前記第一の色調変換処理と第二の色調変換処理のいずれかを選択することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記範囲取得手段は前記眼底画像を複数の範囲に分割し、複数の範囲の中から少なくとも一つの範囲を取得することを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記選択手段で選択された前記第一の色調変換処理又は前記第二の色調変換処理を示す情報を前記色調の変換処理後の眼底画像と関連付けて記憶する記憶手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記選択手段で選択された前記第一の色調変換処理又は前記第二の色調変換処理を示す情報と、前記色調の変換処理後の眼底画像を同時に表示手段に表示させる表示制御手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
被検眼の眼底画像を画像処理する画像処理方法であって、
第一の色調変換処理及び第二の色調変換処理のうちいずれかを選択する工程と、
前記選択された色調変換処理で前記眼底画像の色調を変換する色調変換工程と、を有し、
同一の眼底画像を前記第一の色調変換処理及び前記第二の色調変換処理でそれぞれ色調を変換した場合、前記第二の色調変換処理で変換される眼底画像の色調の青波長の成分に対する赤波長の成分の比率と緑波長の成分に対する赤波長の成分の比率が、前記第一の色調変換処理で変換される眼底画像の色調の青波長の成分に対する赤波長成分の比率と緑波長の成分に対する赤波長の成分の比率より低いことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決する為の本発明の形態による被検眼の眼底画像を画像処理する画像処理装置は以下の構成を備える。すなわち、第一の色調変換処理及び第二の色調変換処理のうちいずれかを選択する選択手段と、前記選択手段で選択された前記第一の色調変換処理又は前記第二の色調変換処理で前記眼底画像の色調を変換する色調変換手段と、を有し、同一の眼底画像を前記第一の色調変換処理及び前記第二の色調変換処理でそれぞれ色調を変換した場合、前記第二の色調変換処理で変換される眼底画像の色調の青波長の成分に対する赤波長の成分の比率と緑波長の成分に対する赤波長の成分の比率が、前記第一の色調変換処理で変換される眼底画像の色調の青波長の成分に対する赤波長成分の比率と緑波長の成分に対する赤波長の成分の比率より低いことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月27日(2015.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源で発生した光で被検眼を照明する光学系と、
前記光源で発生した光を反射する反射部と、前記光源で発生した光が通過する透過部とを備えた第１反射手段と、
前記透過部を通過した光を検出することにより、前記光源で発生した光の光量を計測する光量検出手段と、
を備え、
前記第１反射手段は、前記光学系の光軸上において、前記光源に対して、前記被検眼へ向かう側とは反対側に配置されていることを特徴とする眼科装置。
【請求項２】
前記反射部は、前記光源で発生した光が前記被検眼へ向かうように配置されていることを特徴とする請求項１記載の眼科装置。
【請求項３】
前記光量検出手段は、前記光学系の光軸上において、前記光源に対して、前記被検眼へ向かう側とは反対側に備えられ、
前記第１反射手段は、前記光量検出手段と前記光源との間に位置することを特徴とする請求項２記載の眼科装置。
【請求項４】
前記透過部は、前記光学系の光軸上に配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の眼科装置。
【請求項５】
前記光量検出手段は、前記光軸上に配置されたことを特徴とする請求項４記載の眼科装置。
【請求項６】
前記被検眼の前眼部と略共役な位置に配置されるとともに、前記光源で生成された光の一部を反射する第２反射部を前記光軸上に有するリングスリットを更に備え、
前記光量検出手段は、前記第２反射部によって反射され、かつ、前記透過部を透過した光の光量を検出することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の眼科装置。
【請求項７】
前記光源から前記光量検出手段へ直接向かう光の前記光量検出手段への入射を制限する第１制限部を更に備えることを特徴とする請求項６記載の眼科装置。
【請求項８】
前記第１制限部は、前記光源の発光部位と前記光量検出手段とを結ぶ直線上に配置されたことを特徴とする請求項７記載の眼科装置。
【請求項９】
前記第１制限部は、光が通過可能な第１開口部を備え、
前記第１開口部は、前記光軸上に配置されたことを特徴とする請求項８記載の眼科装置。
【請求項１０】
前記第１開口部を通過した光のうち少なくとも前記第２反射部に反射された光以外の光の前記光量検出手段への入射を制限する第２開口部を、前記光軸上に有する第２制限部を更に備えたことを特徴とする請求項９記載の眼科装置。
【請求項１１】
前記光源は、キセノン管又はＬＥＤであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の眼科装置。
【請求項１２】
前記第１反射手段は、平面ミラーであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の眼科装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の眼科装置は、光源で発生した光で被検眼を照明する光学系と、前記光源で発生した光を反射する反射部と、前記光源で発生した光が通過する透過部とを備えた第１反射手段と、前記透過部を通過した光を検出することにより、前記光源で発生した光の光量を計測する光量検出手段と、を備え、前記第１反射手段は、前記光学系の光軸上において、前記光源に対して、前記被検眼へ向かう側とは反対側に配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月24日(2015.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成面へ二次元画像の２つ以上の一次元スキャンライン画像部分を同時に発生するための方法であって、前記二次元画像は、複数のスキャンライン画像データグループを含む画像データファイルに格納され、各スキャンライン画像データグループは、前記二次元画像の関連する一次元スキャンライン画像部分を表す複数の画像ピクセルデータ部分を含み、
前記方法は、
前記複数のスキャンライン画像データグループの少なくとも２つのスキャンライン画像データグループに従って、複数行および複数列内に配置される複数の光変調素子を含む空間光変調器を構成することを含み、
前記空間光変調器を構成することは、
第１の複数行に配置される前記複数の変調素子の第１の変調素子グループを、前記第１の変調素子グループの各列内に配置される２つ以上の変調素子が第１のスキャンライン画像データグループの関連する画像ピクセルデータ部分に従って調整されるように、前記複数のスキャンライン画像データグループの前記第１のスキャンライン画像データグループに従って調整することと、
第２の複数行に配置される変調素子を含む第２の変調素子グループを、前記第２の変調素子グループの各列内に配置される２つ以上の変調素子が第２のスキャンライン画像データグループの関連する画像ピクセルデータ部分に従って調整されるように、前記複数のスキャンライン画像データグループの前記第２のスキャンライン画像データグループに従って調整することを含むことと、
を含み、
前記方法は、
前記構成される第１の変調素子グループ及び第２の変調素子グループが、アナモルフィック光学系を介して前記画像形成面へ送信される変調光場を発生するように、前記構成される空間光変調器を利用して、均質光を前記複数の光変調素子上へ方向づけることにより、前記画像形成面へ第１の一次元スキャンライン画像及び第２の一次元スキャンライン画像を発生することを更に含み、
前記アナモルフィック光学系は、前記変調光場が、前記画像形成面の細長い画像形成領域上へ前記第１の一次元スキャンライン画像及び前記第２の一次元スキャンライン画像を形成すべくアナモルフィックに画像化されかつ集中されるように形成されかつ位置合わせされる、
方法。
【請求項２】
前記均質光を前記複数の光変調素子上へ方向づけることは、前記均質光が均質光発生器から放射され且つ前記複数の光変調素子上へ方向づけられるように、レーザー光源が、第１の流濃度を有する１つ以上の光ビームを、前記均質光発生器を介して送ることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記空間光変調器を構成することは、前記関連する連続ピクセルデータ部分に応じて、前記第１の変調素子グループ及び前記第２の変調素子グループの前記複数の変調素子の各変調素子を、第１の変調状態又は第２の変調状態に変調することを含み、
前記各変調素子が前記第１の変調状態に変調されるとき、関連且つ変調された光部分が、関連する所定の方向に方向づけられるように、前記各変調素子が前記均質光の関連且つ受け取られた均質光の部分を変調し、前記各変調素子が前記第２の変調状態に変調されるとき、関連且つ変調された光部分が、前記関連する所定の方向に沿って進まないように、前記各変調素子が前記均質光の関連且つ受け取られた均質光の部分を変調するように、前記複数の変調素子が配列されている、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記均質光を前記複数の光変調素子上へ方向づけることは、
第１の集束レンズ及び第２の収束レンズを用いて、処理方向と交差する方向に前記変調光場を投影且つ拡大することと、
第３の集束レンズを用いて、前記処理方向と平行な方向に前記変調光場を集中することと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記空間光変調器を構成することは、第１の期間の間、前記第１の変調素子グループ及び前記第２の変調素子グループを調節することを含み、
前記均質光を前記複数の光変調素子上へ方向づけることは、前記第１の期間の間、均質光源を非活性化させず、第２の期間の間、前記均質光が前記複数の光変調素子上へ方向づけられるように、前記第２の期間の間、前記均質光源を活性化させることを含む、
請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ＣＰＵ２４などの発熱部品が動作して発生した熱を、放熱体３７から放熱するためにファン３１が動作している状態では、図５（ａ）に示すように、放熱体３７の排気面を開閉する第１のシャッタ手段３９は開状態となっており（開状態の第１のシャッタ手段３９を破線で示している）。また、ファン３１から送風される空気（冷却風）が放熱体３７に向かって流れるとき、放熱体３７への流入面３７ｂに塵埃の付着が進行していなければ、ファン３１が放熱体３７に送風する空気（冷却風）の流れに引き寄せられ、破線で示したように、開口部３５からも空気（冷却風）が流入する。空気（冷却風）が開口部３５から流入するのは、上述したように放熱体３７に塵埃の堆積が少ない場合であり、堆積量が多くなると、開口部３５から空気（冷却風）が流出する。このことから、開口部３５からの空気流れを検知して、第１のシャッタ手段３９の開閉を切り替えることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール骨格の７位にアリール基が結合しており、前記アリール基が、少なくともアントラセン骨格を含む炭素数１４乃至炭素数３０のアリール基であるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【請求項２】
ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール骨格の７位に、フェニレン基を介してアントラセン骨格が結合したジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【請求項３】
ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール骨格の７位と、アントラセン骨格の９位とが、フェニレン基を介して結合したジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【請求項４】
ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール骨格の７位に、置換または無置換のアントリルフェニル基が結合しており、前記置換または無置換のアントリルフェニル基の炭素数が２０乃至３０であるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【請求項５】
ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール骨格の７位に、置換または無置換の（９−アントリル）フェニル基が結合しており、前記置換または無置換の（９−アントリル）フェニル基の炭素数が２０乃至３０であるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【請求項６】
下記式（Ｇ１）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化１】
2013048221.tif 000001
（式中、Ａｒは少なくともアントラセン骨格を含む炭素数１４乃至炭素数３０のアリール基を表す。また、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項７】
下記式（Ｇ２）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化２】
2013048221.tif 000002
（式中、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表し、αは置換又は無置換のフェニレン基を表し、βは置換又は無置換のアントリル基を表す。）
【請求項８】
下記式（Ｇ３）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化３】
2013048221.tif 000003
（式中、Ｒ５は水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１０のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１乃至Ｒ４及びＲ６乃至Ｒ９はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基のいずれかを表し、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表し、αは置換又は無置換のフェニレン基を表す。）
【請求項９】
下記式（Ｇ４）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化４】
2013048221.tif 000004
（式中、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表し、αは置換又は無置換のフェニレン基を表し、βは置換又は無置換のアントリル基を表す。但し、αを構成する炭素数と、βを構成する炭素数の合計は２０乃至３０である。）
【請求項１０】
下記式（Ｇ５）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化５】
2013048221.tif 000005
（式中、Ｒ５は水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１０のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１乃至Ｒ４及びＲ６乃至Ｒ９はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基のいずれかを表し、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表し、αは置換又は無置換のフェニレン基を表す。但し、Ｒ１〜Ｒ９を構成する炭素数と、αを構成する炭素数の合計は６以上１６以下である。）
【請求項１１】
下記式（Ｇ６）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化６】
2013048221.tif 000006
（式中、αは置換又は無置換のフェニレン基を表し、Ｒ５は水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１０のアリール基のいずれかを表し、Ｒ１１乃至Ｒ２２はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１２のアリール基のいずれかを表す。但し、Ｒ５を構成する炭素数と、αを構成する炭素数の合計は６以上１６以下である。）
【請求項１２】
下記式（Ｇ７）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化７】
2013048221.tif 000007
（式中、αは置換又は無置換のフェニレン基を表し、Ｒ５は水素、炭素数１乃至炭素数４のアルキル基、炭素数６乃至炭素数１０のアリール基のいずれかを表す。但し、Ｒ５を構成する炭素数と、αを構成する炭素数の合計は６以上１６以下である。）
【請求項１３】
下記式（１００）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化８】
2013048221.tif 000008
【請求項１４】
下記式（１２７）で表されるジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール化合物を含む発光素子。
【化９】
2013048221.tif 000009
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光素子を表示素子として有する表示装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光素子を光源として有する照明装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち、特許文献１で提案されている放熱ユニットは、図１５に示すように、複数の流路５１が形成された、熱交換用の複数のフィン５２を有する放熱体５０と、放熱体５０の流入側に配置され、流路５１に挿通させて、放熱体５０に付着した塵埃を除去する掃除部材であるブラシ５３と、ブラシ５３を外郭部材５４に回動自在に支持するためのブラシ回動軸５５及びブラシ駆動軸５６と、ブラシ５３を駆動させることが可能な例えばモータ等のブラシ駆動部５７とを備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希ガス、水素ガス、又は希ガス及び水素ガスの混合ガスを導入することで、水の濃度が３００ｐｐｂ以下に制限された非酸化性雰囲気下で、第１の状態の半導体ウエハに１１００℃以上１３００℃以下の第１の熱処理を行うことにより、第２の状態の半導体ウエハを形成する第１の工程と、
前記第２の状態の半導体ウエハ表面に絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜を介して前記第２の状態の半導体ウエハに加速されたイオンを照射することにより、前記第２の状態の半導体ウエハ中に脆化領域を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜を介して前記第２の状態の半導体ウエハと、ベース基板とを貼り合わせる第３の工程と、
第２の熱処理を行うことにより、前記脆化領域において分離し、前記絶縁膜を介して前記ベース基板に固定された半導体膜と、前記半導体膜が分離された第３の状態の半導体ウエハとを形成する第４の工程と、を有し、
前記希ガス、及び前記水素ガスの不純物濃度は、１ｐｐｂ以下であり、
前記不純物は、窒素、炭素、水を含むことを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月27日(2015.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極とは重ならない第１の領域を有し、
前記第１の領域に接するように、前記酸化物半導体膜上に還元性を有する膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の酸素の一部が前記還元性を有する膜へ移動し、
前記還元性を有する膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化物半導体膜上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極とは重ならない第１の領域を有し、
前記第１の領域に接するように、前記酸化物半導体膜上に還元性を有する膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の酸素の一部が前記還元性を有する膜へ移動し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記還元性を有する膜を介して、前記酸化物半導体膜に不純物を注入し、
前記還元性を有する膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化物半導体膜上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成し、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極とは重ならない第１の領域を有し、
前記第１の領域に接するように、前記酸化物半導体膜上に還元性を有する膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の酸素の一部が前記還元性を有する膜へ移動し、
前記還元性を有する膜を除去し、
前記除去後、前記ゲート電極の側面及び前記ゲート絶縁膜の側面に接する側壁絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極及び前記側壁絶縁膜をマスクとして、前記酸化物半導体膜に不純物を注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記不純物は、水素、ヘリウム、ホウ素、窒素、フッ素、ネオン、アルミニウム、リン、アルゴン、ヒ素、クリプトン、インジウム、スズ、アンチモン、又はキセノンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記還元性を有する膜を形成した後、加熱処理を行うことで、前記酸化物半導体膜の酸素の一部が前記還元性を有する膜へ移動することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記還元性を有する膜は、ニッケル、アルミニウムまたはマグネシウムを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月16日(2015.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域、第１の領域及び第２の領域を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方にソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層上方及び前記ドレイン電極層上方にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方に、前記酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極層とを有し、
前記第１の領域は、前記ゲート電極層、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層と重ならず、
前記第２の領域は、前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層と重なり、
前記第２の領域は、前記第１の領域と比べて抵抗が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の４元素を少なくとも含み、該４元素の組成比を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、ドーパントを含み、
前記第２の領域は、前記第１の領域と比べてドーパントの濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
間隔を有して設けられた一対の第１の酸化物半導体層と、
前記一対の第１の酸化物半導体層上に接して設けられたチャネル形成領域を含む第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層上方にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方に、前記第２の酸化物半導体層と重なる領域を有するゲート電極層と、
前記一対の第１の酸化物半導体層のいずれか一方と、前記第２の酸化物半導体層とに重なる領域を有するソース電極層と、
前記一対の第１の酸化物半導体層のいずれか他方と、前記第２の酸化物半導体層とに重なる領域を有するドレイン電極層とを有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、前記第２の酸化物半導体層に接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の酸化物半導体層はインジウム、ガリウム、亜鉛、及び酸素の４元素を少なくとも含み、該４元素の組成比を原子百分率で表したとき、インジウムの割合が、ガリウムの割合及び亜鉛の割合の２倍以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第２の酸化物半導体層の前記ゲート電極層と重ならない領域は、ドーパントを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する第１の電極層および第２の電極層と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域とを有し、
前記第１の領域は前記第１の電極層に接する領域を有し、
前記第２の領域は前記第２の電極層に接する領域を有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域と重なり、
前記第４の領域は、前記第２の領域と重なり、
前記チャネル形成領域は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置し、
前記チャネル形成領域は、前記第３の領域と前記第４の領域との間に位置し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、金属元素を含み、
前記第３の領域は、前記第１の領域よりも抵抗が高く、
前記第４の領域は、前記第２の領域よりも抵抗が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する第１の電極層および第２の電極層と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極層と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、チャネル形成領域と、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域とを有し、
前記第１の領域は前記第１の電極層に接する領域を有し、
前記第２の領域は前記第２の電極層に接する領域を有し、
前記第３の領域は、前記第１の領域と重なり、
前記第４の領域は、前記第２の領域と重なり、
前記チャネル形成領域は、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置し、
前記チャネル形成領域は、前記第３の領域と前記第４の領域との間に位置し、
前記第１の領域及び前記第２の領域は、金属元素を含み、
前記第３の領域は、前記第１の領域よりも抵抗が高く、
前記第４の領域は、前記第２の領域よりも抵抗が高く、
前記第１の電極層は、容量素子の一方の電極として機能し、
前記第３の領域は、前記容量素子の誘電体として機能することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記チャネル形成領域と前記第１の領域との間、および前記チャネル形成領域と前記第２の領域との間のそれぞれに、ドーパントを含む領域を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記酸化物半導体膜は、インジウム及び亜鉛を含むことを特徴とする請求項１乃至３いずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体で構成されたチャネル層と、
前記チャネル層上に設けられ、当該チャネル層との接合部におけるキャリア走行側のエネルギー帯が、当該チャネル層よりも当該チャネル層内真性フェルミ準位から遠い化合物半導体で構成された障壁層と、
前記障壁層における表面層に設けられ、不純物を含有することにより周囲よりも低抵抗に保たれた低抵抗領域と、
前記低抵抗領域を挟んだ位置において前記障壁層に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記低抵抗領域上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記低抵抗領域上に設けられたゲート電極とを備えた
半導体装置。
【請求項２】
前記障壁層は、前記チャネル層に接する第１障壁層と、前記低抵抗領域を構成する不純物の拡散速度が前記第１障壁層よりも遅い第２障壁層との積層構造を備え、
前記低抵抗領域は、前記第２障壁層に設けられている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記障壁層との間に前記チャネル層を挟む位置に、当該チャネル層との接合部におけるキャリア走行側のエネルギー帯が、当該チャネル層よりも当該チャネル層内真性フェルミ準位から遠い化合物半導体で構成されたもう一つの障壁層が配置されている
請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記障壁層とソース電極およびドレイン電極との間に、前記低抵抗領域とは逆導電型の不純物を含有する層が設けられている
請求項１〜３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記障壁層は、前記チャネル層に接する第１障壁層と、当該第１障壁層上にパターン形成された第２障壁層との積層構造を備え、
前記第２障壁層を前記低抵抗領域として用いている
請求項１〜４の何れかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極は、前記低抵抗領域の上部を完全に覆う形状を有する
請求項１〜５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート電極に負の電圧を印加することにより、前記チャネル層内の電子が枯渇し、
前記ゲート電極に正の電圧を印加することにより、前記低抵抗領域が空乏化する
請求項１〜６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート絶縁膜は、酸化物または窒化物を用いて構成されている
請求項１〜７の何れかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記チャネル層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＩｎＧａＡｓ混晶で構成され、
前記障壁層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＡｌＧａＡｓ混晶で構成された
請求項１〜８の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記低抵抗領域は、前記不純物としてベリリウム，炭素，マグネシウム、および亜鉛のうちの少なくとも１種を含む
請求項１〜９の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記チャネル層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＩｎＧａＡｓ混晶で構成され、
前記障壁層は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＩｎ（ＡｌＧａ）ＡｓＰ混晶で構成された
請求項１〜８の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記チャネル層は、ＧａＡｓで構成された基板上に設けられた
請求項１〜１１の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記チャネル層は、前記基板上にＧａＡｓと格子定数の異なる化合物半導体をメタモルフィック成長させてなる
請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記チャネル層は、ＩｎＰで構成された基板上に設けられた
請求項１〜１１の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
化合物半導体で構成されたチャネル層の上部に、当該チャネル層との接合部におけるキャリア走行側のエネルギー帯が、当該チャネル層よりも当該チャネル層内真性フェルミ準位から遠い化合物半導体で構成されると共に、表面層に不純物を含有する低抵抗領域を備えた障壁層を形成することと、
前記低抵抗領域を挟む前記障壁層上の各位置にソース電極およびドレイン電極を形成することと、
前記低抵抗領域の上部にゲート絶縁膜を形成することと、
前記ゲート絶縁膜を介して前記低抵抗領域の上部にゲート電極を形成することとを行う
半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ゲート絶縁膜を形成する際には、原子層蒸着法によって当該ゲート絶縁膜を成膜する
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記障壁層を形成する際には、化合物半導体で構成された前記障壁層を成膜した後、当該障壁層の表面層に不純物を拡散させることによって前記低抵抗領域を形成する
請求項１５または１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記不純物として亜鉛を拡散させる
請求項１７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記障壁層を形成する際には、前記当該チャネル層との接合部におけるキャリア走行側のエネルギー帯が、当該チャネル層よりも当該チャネル層内真性フェルミ準位から遠い化合物半導体で構成された第１障壁層を形成した後、前記不純物の拡散速度が前記第１障壁層よりも遅い化合物半導体で構成された第２障壁層を形成し、当該第２障壁層に対して前記不純物を拡散させて前記低抵抗領域を形成する
請求項１５または１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記障壁層を形成する際には、前記チャネル層上に第１障壁層を形成した後、当該第１障壁層上に不純物を添加したエピタキシャル成長によって第２障壁層を形成し、当該第２障壁層を前記低抵抗領域として用いる
請求項１５または１６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの異なる露光により形成された回路パターンの一以上の座標について被計測画像を撮像する第一の画像撮像ステップと、
前記第一の画像撮像ステップにて撮像された該被計測画像から基準画像を選択する第一の選択ステップと、
前記第一の選択ステップにて選択された該基準画像をパターン寸法変動の中心点または中心軸を算出する単位に領域分割する第一の領域分割ステップと、
前記第一の領域分割ステップにより領域分割された領域ごとにパターン寸法変動の中心点または中心軸を算出する第一の中心算出ステップと、
前記第一の中心算出ステップにて算出した該基準画像の中心点または中心軸の情報を用いて、前記第一の選択ステップにて選択された該基準画像と前記第一の画像撮像ステップにて撮像された該被計測画像との差異を定量化する差異定量化ステップと、
前記差異定量化ステップにて定量化した差異をもとに該被計測画像と該基準画像との位置ずれ量を算出する位置ずれ算出ステップと、を有する計測方法。
【請求項２】
前記第一の中心算出ステップにより算出された中心点または中心軸を表示する第一の表示ステップと、を有することを特徴とする請求項１記載の計測方法。
【請求項３】
前記第一の領域分割ステップでは、一の回路パターンよりも該半導体デバイスの表面に近い側に設けられた回路パターンである上層の回路パターンによって見かけ上断片化した複数の回路パターン一の単位として領域分割することを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の計測方法。
【請求項４】
前記第一の領域分割ステップでは、指定された範囲またはパターン中心付近の座標のユーザによる入力により分割領域を決定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の計測方法。
【請求項５】
前記第一の領域分割ステップは、濃淡値または特徴量に基づき複数の分割領域に分割する複数領域分割ステップと、前記複数領域分割ステップにより分割された複数分割領域をグルーピングするグルーピングステップと、を含み、
前記算出ステップは、前記グルーピングステップによりグルーピングされた該複数の分割領域ごとに中心点あるいは中心軸を算出することを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載の計測方法。
【請求項６】
前記差異定量化ステップは、前記第一の画像撮像ステップにて撮像された該被計測画像をパターン寸法変動の中心点または中心軸を算出する単位に領域分割する第二の領域分割ステップと、前記第二の領域分割ステップにより領域分割された領域ごとに該被計測画像のパターン寸法変動の中心点または中心軸を算出する第二の中心算出ステップと、前記第一の中心算出ステップにて算出した該基準画像の中心点または中心軸と前記第二の中心算出ステップにて算出した該被計測画像の中心点または中心軸との差異を算出する差異算出ステップと、を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の計測方法。
【請求項７】
前記差異定量化ステップは、該基準画像の回路パターンに対する該被計測画像の回路パターンの寸法変動率を推定する寸法変動率推定ステップと、前記寸法変動率推定ステップにより推定された寸法変動率によって該基準画像に対応するパターンを拡大または縮小し、該被計測画像のパターンと位置合わせすることで差異を算出する差異算出ステップと、を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の計測方法。
【請求項８】
前記差異定量化ステップは、該基準画像に対して異なる露光により形成された２つの回路パターン寸法変動の中心点あるいは中心軸間の距離を算出する第一の２回路中心算出ステップと、該被計測画像に対して異なる露光によって形成された２つの回路パターン寸法変動の中心点あるいは中心軸間の距離を算出する第二の２回路中心算出ステップと、を有することを特徴する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の計測方法。
【請求項９】
前記差異算出ステップは、前記第一の領域分割ステップにより領域分割された単位の領域ごとに実行されることを特徴とする請求項７記載の計測方法。
【請求項１０】
前記第一の中心算出ステップは、前記第一の領域分割ステップにより領域分割された単位の領域に含まれる回路パターンの対になるエッジの有無から計測の信頼性を分割された領域ごとに算出する信頼性算出ステップを含むことを特徴とした請求項１乃至５のいずれか１項に記載の計測方法。
【請求項１１】
さらに、前記位置ずれ算出ステップにて算出された位置ずれ量を表示する第二の表示ステップを有し、
前記第二の表示ステップでは，前記信頼性算出ステップにて算出した信頼性が所定の値よりも低い、または、前記位置ずれ算出ステップにより位置ずれ量を算出できない計測点については、該計測点の周辺の計測点の位置ずれ量に基づき算出した値を表示することを特徴とする請求項１０記載の計測方法。
【請求項１２】
前記第一の領域分割ステップは、該ユーザにより入力された範囲またはパターン中心付近の座標周辺領域をテンプレートとして該基準画像をマッチングし、類似した範囲を分割領域として分割することを特徴とする請求項４記載の計測方法。
【請求項１３】
半導体デバイスの異なる露光により形成された回路パターンの一以上の座標について被計測画像を撮像する第一の画像撮像部と、
前記第一の画像撮像部にて撮像された該被計測画像から基準画像を選択する第一の選択部と、
前記第一の選択部にて選択された該基準画像をパターン寸法変動の中心点または中心軸を算出する単位に領域分割する第一の領域分割部と、
前記第一の領域分割部により領域分割された領域ごとにパターン寸法変動の中心点または中心軸を算出する第一のパターン中心算出部と、
前記第一の中心算出部にて算出した該基準画像の中心点または中心軸の情報を用いて、前記第一の選択部にて選択された該基準画像と前記第一の画像撮像部にて撮像された該被計測画像との差異を定量化する差異定量化部と、
前記差異定量化部にて定量化した差異をもとに該被計測画像と該基準画像との位置ずれ量を算出する位置ずれ算出部と、を有する計測装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データに基づいて画像を形成する画像形成部と、
当該画像形成部に補給される現像剤を収容する現像剤収容器と、
前記画像形成部が装着される第１筐体と、
を有し、
前記現像剤収容器はその一部を前記第１筐体から装置外に露出した状態で装置内に装着されることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記画像形成部を開閉可能に被う第２筐体をさらに有し、
前記第２筐体は、開口部を有し前記現像剤収容器がその一部を前記開口部から装置外に露出した状態で装置内に装着されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第２筐体の前記開口部の周縁部と前記現像剤収容器との間に、弾性シール剤を設けたことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記現像剤収容器のうち装置外に露出した部分に、印刷終了後に排出された用紙をガイドするガイド部を設けたことを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記ガイド部は、用紙スタック部の斜面の延長上に位置すると共に、前記用紙スタック部の斜面の傾斜角よりも急な角度に設定されたことを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記現像剤収容器のうち装置外に露出した部分に、印刷終了後に排出された用紙と接触して支持するリブを設けたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記画像形成部に前記現像剤収容器が装着される装着部を設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記現像剤収容器の一部を装置外に露出させる開口部が、前記第２筐体に少なくとも１つ設けられたことを特徴とする請求項２乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の画像形成装置は、画像データに基づいて画像を形成する画像形成部と、当該画像形成部に補給される現像剤を収容する現像剤収容器と、前記画像形成部が装着される第１筐体と、を有し、現像剤収容器はその一部を第１筐体から装置外に露出した状態で装置内に装着されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月18日(2015.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、直流電源（１０）と、該直流電源（１０）の電源電圧を昇圧する昇圧回路（２）と、該昇圧回路（２）に接続せしめた一次コイル（４１）の電流の増減により二次コイル（４２）に高電圧を発生する点火コイル（４）と、機関の運転状況に応じて発信された点火信号（ＩＧｔ）にしたがって前記一次コイル（４１）への電流の供給と遮断を切り換える点火用開閉素子（５）と、前記二次コイル（４２）に接続され、前記二次コイル（４２）からの二次電圧(Ｖ２)の印加により、内燃機関の燃焼室内に火花放電を発生させる点火プラグ（７）と、を具備して、内燃機関の点火を行う点火装置であって、
前記点火用開閉素子（５）の開閉によって、前記点火プラグ（７）の放電を開始した後にエネルギを投入すべく、前記昇圧回路（２）からの放電と停止とを重畳的に行うことによって、前記二次コイル（４２）に流れる電流を増加する補助用電源（３）と、前記点火プラグ（７）の放電が開始された後に前記一次コイル（４１）に印加される一次電圧(Ｖ１)を検出する一次電圧検出回路（６１）と、検出した一次電圧(Ｖ１)に応じて、前記補助用電源（３）の駆動の要否を判定する補助用電源要否判定回路（６２）とからなる一次電圧監視手段（６）を具備し、
前記補助用電源要否判定回路（６２）は、上記一次電圧（Ｖ１）が所定の閾値（Ｖｒｅｆ）以下の場合には、前記補助用電源（３）からのエネルギ投入が不要と判定し、上記一次電圧（Ｖ１）が所定の閾値（Ｖｒｅｆ）を超えた場合には、前記補助用電源（３）からのエネルギ投入が必要と判定することを特徴とする点火装置（１、１ａ）
【請求項２】
前記昇圧回路（２）が、前記直流電源（１０）に接続したエネルギ蓄積用インダクタ（２０）と、前記点火信号ＩＧｔにしたがって所定の期間だけ前記インダクタ（２０）への電流の供給と遮断を所定の周期で切り換える開閉素子（２１）と、前記インダクタ（２０）に並列に接続したキャパシタ（２３）と、前記インダクタ（２０）から前記キャパシタ（２３）への電流を整流する第１の整流素子（２４）とからなる請求項１に記載の点火装置（１、１ａ）
【請求項３】
前記補助用電源（３）が、前記キャパシタ（２３）と前記一次コイル（４１）との間に介装した、前記キャパシタ（２３）からの放電と停止とを切り換える補助用開閉素子（３０）と、前記キャパシタ（２３）から前記一次コイル（４１）への電流を整流する第２の整流素子（３２）と、前記直流電源（１０）と、前記インダクタ（２０）と前記キャパシタ（２３）とからなる請求項２に記載の点火装置（１、１ａ）
【請求項４】
前記内燃機関の運転状況に応じて予め設定したエネルギ投入期間信号（ＩＧｗ）によって、前記補助用電源（３）を駆動するエネルギ投入予定期間（ＴｗＰ）を決定すると共に、前記補助用電源要否判定回路（６２）の判定結果を優先して前記補助用電源（３）を実際に駆動するエネルギ投入実施期間（ＴｗＡ）を決定する請求項１ないし３のいずれかに記載の点火装置（１）
【請求項５】
前記補助用電源（３）からのエネルギ投入は前記一次コイル（４１）の低圧側から実施することを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の点火装置（１、１ａ）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、少なくとも、直流電源（１０）と、該直流電源（１０）の電源電圧を昇圧する昇圧回路（２）と、該昇圧回路（２）に接続せしめた一次コイル（４１）の電流の増減により二次コイル（４２）に高電圧を発生する点火コイル（４）と、機関の運転状況に応じて発信された点火信号（ＩＧｔ）にしたがって前記一次コイル（４１）への電流の供給と遮断を切り換える点火用開閉素子（５）と、前記二次コイル（４２）に接続され、前記二次コイル（４２）からの二次電圧(Ｖ２)の印加により、内燃機関の燃焼室内に火花放電を発生させる点火プラグ（７）と、を具備して、内燃機関の点火を行う点火装置であって、
前記点火用開閉素子（５）の開閉によって、前記点火プラグ（７）の放電を開始した後にエネルギを投入すべく、前記昇圧回路（２）からの放電と停止とを重畳的に行うことによって、前記二次コイル（４２）に流れる電流を増加する補助用電源（３）と、前記点火プラグ（７）の放電が開始された後に前記一次コイル（４１）に印加される一次電圧（Ｖ１）を検出する一次電圧検出回路（６１）と、検出した一次電圧(Ｖ１)に応じて、前記補助用電源（３）の駆動の要否を判定する補助用電源要否判定回路（６２）とからなる一次電圧監視手段（６）を具備し、
前記補助用電源要否判定回路（６２）は、上記一次電圧（Ｖ１）が所定の閾値（Ｖｒｅｆ）以下の場合には、前記補助用電源（３）からのエネルギ投入が不要と判定し、上記一次電圧（Ｖ１）が所定の閾値（Ｖｒｅｆ）を超えた場合には、前記補助用電源（３）からのエネルギ投入が必要と判定することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月14日(2015.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の柱と、
前記複数の柱の間に架設された手すりと、
前記複数の柱の上方に設けられ、天井面に押し当てられる天井面押当部と、
前記複数の柱の下方に設けられ、床面に押し当てられる床面押当部と、
前記柱、前記天井面押当部および前記床面押当部に、天井面および床面に対する突張力を発生させる縦突張力発生手段と、
を有する、壁面に沿って設置された手すり構造体を備える手すり装置において、
前記複数の柱のうち、何れかの柱又は全ての柱からそれぞれ側方へ延出して壁面に対して略垂直に設けられた横軸材と、
前記横軸材の端部に設けられ、壁面に押し当てられる壁面押当部と、
前記壁面押当部を壁面に押し当てるための壁面押当手段と、
を備え、
前記手すり構造体は、対向した２つの壁面に沿ってそれぞれ設置され、
前記２つの壁面に沿ってそれぞれ設置された前記手すり構造体の柱同士の間にそれぞれ横架材が前記２つの壁面間に形成される通路を横切って架設された、ことを特徴とする手すり装置。
【請求項２】
複数の柱と、前記複数の柱の間に架設された手すりと、を有する手すり構造体を備え、該手すり構造体が対向した２つの壁面に沿ってそれぞれ設置された、手すり装置であって、
前記複数の柱のうち、何れかの柱又は全ての柱からそれぞれ側方へ延出して壁面に対して略垂直に設けられた横軸材と、
前記横軸材の端部に設けられ、前記壁面に押し当てられる壁面押当部と、
前記壁面押当部を壁面に押し当てるための壁面押当手段と、
を備え、
前記２つの壁面に沿ってそれぞれ設置された前記手すり構造体の柱同士の間にそれぞれ横架材が前記２つの壁面間に形成される通路を横切って架設された、ことを特徴とする手すり装置。