Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファクシミリデータの送受信を行うファクシミリサーバと、前記ファクシミリサーバに対して前記ファクシミリデータの送信指示を行うクライアント端末とが、ネットワークを介して接続されたファクシミリシステムにおいて、
送信指示されたファクシミリデータの送信状態を、前記クライアント端末に表示される送信状態確認領域にユーザごとに表示可能な送信状態表示制御手段と、
前記ファクシミリデータの送信者に対応する確認者、または前記ファクシミリデータの宛先に対応する確認者を対応づけた確認者対応テーブルを記憶した確認者記憶手段と、
送信者によって送信指示されたファクシミリデータに対応する確認者を、前記確認者記憶手段に記憶された確認者対応テーブルを利用して特定する確認者特定手段と、
を有し、
前記送信状態表示制御手段は、前記特定された確認者の送信状態確認領域に、前記送信者によって送信指示されたファクシミリデータを表示制御することを特徴とするファクシミリシステム。
【請求項２】
前記送信状態表示制御手段は、前記特定された確認者の送信状態確認領域において、前記送信指示されたファクシミリデータを、前記確認者が操作可能な状態で表示制御することを特徴とする請求項１に記載のファクシミリシステム。
【請求項３】
前記送信状態表示制御手段は、前記特定された確認者の送信状態確認領域において、前記送信指示されたファクシミリデータを、前記確認者が確認可能な状態で表示制御することを特徴とする請求項１に記載のファクシミリシステム。
【請求項４】
前記送信状態表示制御手段は、
前記送信状態において、前記送信者あるいは前記確認者が前記ファクシミリデータのアクセス可能ユーザであることを示すアイテム所有ユーザの情報を管理することにより、前記送信者あるいは前記確認者が前記ファクシミリデータを前記送信状態確認領域で確認可能な状態で表示制御すること
を特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のファクシミリシステム。
【請求項５】
前記確認者特定手段は、
前記送信者が送信した前記ファクシミリデータに対応する確認者を、前記送信者が任意に決定可能であること
を特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のファクシミリシステム。
【請求項６】
ファクシミリデータの送信者に対応する確認者、または前記ファクシミリデータの宛先に対応する確認者を対応づけた確認者対応テーブルを記憶した確認者記憶手段を有し、前記ファクシミリデータの送受信を行うファクシミリサーバと、前記ファクシミリサーバに対して前記ファクシミリデータの送信指示を行うクライアント端末とが、ネットワークを介して接続されたファクシミリシステムの制御方法において、
送信状態表示制御手段が、送信指示されたファクシミリデータの送信状態を、前記クライアント端末に表示される送信状態確認領域にユーザごとに表示可能な送信状態表示制御ステップと、
確認者特定手段が、送信者によって送信指示されたファクシミリデータに対応する確認者を、前記確認者記憶手段に記憶された確認者対応テーブルを利用して特定する確認者特定ステップと、
を含み、
前記送信状態表示制御ステップは、前記特定された確認者の送信状態確認領域に、前記送信者によって送信指示されたファクシミリデータを表示制御することを特徴とするファクシミリシステムの制御方法。
【請求項７】
ファクシミリデータの送信者に対応する確認者、または前記ファクシミリデータの宛先に対応する確認者を対応づけた確認者対応テーブルを記憶した確認者記憶手段を有し、前記ファクシミリデータの送受信を行うファクシミリサーバと、前記ファクシミリサーバに対して前記ファクシミリデータの送信指示を行うクライアント端末とが、ネットワークを介して接続されたファクシミリシステムにおいて実行可能なプログラムであって、
前記ファクシミリシステムを、
送信指示されたファクシミリデータの送信状態を、前記クライアント端末に表示される送信状態確認領域にユーザごとに表示可能な送信状態表示制御手段と、
送信者によって送信指示されたファクシミリデータに対応する確認者を、前記確認者記憶手段に記憶された確認者対応テーブルを利用して特定する確認者特定手段
として機能させ、
前記送信状態表示制御手段は、前記特定された確認者の送信状態確認領域に、前記送信者によって送信指示されたファクシミリデータを表示制御することを特徴とするファクシミリシステムにおいて実行可能なプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載されたプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ファクシミリシステム、ファクシミリシステムの制御方法、プログラム、および記録媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、ファクシミリデータの送受信を行うファクシミリサーバと、前記ファクシミリサーバに対して前記ファクシミリデータの送信指示を行うクライアント端末とが、ネットワークを介して接続されたファクシミリシステムにおいて、送信指示されたファクシミリデータの送信状態を、前記クライアント端末に表示される送信状態確認領域にユーザごとに表示可能な送信状態表示制御手段と、前記ファクシミリデータの送信者に対応する確認者、または前記ファクシミリデータの宛先に対応する確認者を対応づけた確認者対応テーブルを記憶した確認者記憶手段と、送信者によって送信指示されたファクシミリデータに対応する確認者を、前記確認者記憶手段に記憶された確認者対応テーブルを利用して特定する確認者特定手段と、を有し、前記送信状態表示制御手段は、前記特定された確認者の送信状態確認領域に、前記送信者によって送信指示されたファクシミリデータを表示制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月6日(2015.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記第１の構成の可搬型電子機器において、前記判定部が、前記可搬型電子機器が前記蓄電部を充電するための充電台にセットされており且つ第１の所定の条件を満たすか否かを判定し、前記第１の所定の条件は、前記充電台から前記可搬型電子機器への電力供給が可能な状態である構成（第２の構成）が好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記第３の構成の可搬型電子機器において、前記判定部が、前記可搬型電子機器に前記蓄電部を充電するための充電ケーブルが接続されており且つ第１の所定の条件を満たすか否かを判定し、前記第１の所定の条件は、前記充電ケーブルから前記可搬型電子機器への電力供給が可能な状態である構成（第４の構成）が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図６は、本実施形態に係る無線伝送システムのブロック図である。なお、図が煩雑になることを避けるため、図６では電源回路２８から各部に電力を供給するための電源ライン及び制御部２４と各部との間で制御信号を伝送するための制御ラインの図示を省略している。本実施形態に係る無線信号伝送システムは、送信装置１００と、上述した本実施形態に係る受信装置２００とを備えている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図８は、本実施形態に係る無線伝送システムのブロック図である。なお、図が煩雑になることを避けるため、図８では電源回路２８から各部に電力を供給するための電源ライン及び制御部２４と各部との間で制御信号を伝送するための制御ラインの図示を省略している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
電圧検出回路２９は受信装置電極２０１及び２０２間に印加されるＤＣ電圧を検出し、検出結果を制御部２４に出力する。制御部２４は、電圧検出回路２９の検出結果に基づいて、本実施形態に係る受信装置２００が充電台３００にセットされ且つ充電台３００から本実施形態に係る受信装置２００への電力供給が可能な状態であるか否かを判定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
制御部２４は、使用者がリモートコントローラ又は電源スイッチ２０３に対して本実施形態に係る受信装置２００の電源をＯＮからＯＦＦに切り替える操作を行ったことを検知すると（ステップＳ１０のＹＥＳ）、本実施形態に係る受信装置２００が充電台３００にセットされ且つ充電台３００から本実施形態に係る受信装置２００への電力供給が可能な状態であるか否かを電圧検出回路２９の検出結果に基づいて判定する（ステップＳ２１）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図１２に示すフロー動作は、請求項１に記載の可搬型電子機器に含まれる「蓄電部と、リモコン信号を受信するリモコン信号受信部とを備える可搬型電子機器であって、前記可搬型電子機器が前記蓄電部を充電するための充電台にセットされているか否かを判定する判定部を備え、使用者の操作に応じて前記可搬型電子機器の電源がＯＦＦになった場合に、前記判定部の判定結果が否でないときには前記リモコン信号受信部への電力供給を停止せず、前記判別部の判定結果が否であるときには第２の所定の条件下で前記リモコン信号受信部への電力供給を停止することを特徴とする可搬型電子機器」が行う動作の一例であって、この場合、前記第２の所定の条件は前記可搬型電子機器（受信装置２００）に前記蓄電部（バッテリー２７）を充電するための充電ケーブル（ＡＣアダプターのケーブル端）が接続されていないという条件であり、当該条件を満たしているかがステップＳ２２において判定されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄電部と、
リモコン信号を受信するリモコン信号受信部とを備える可搬型電子機器であって、
前記可搬型電子機器が前記蓄電部を充電するための充電台にセットされているか否かを判定する、又は、前記可搬型電子機器が前記蓄電部を充電するための充電台にセットされており且つ第１の所定の条件を満たすか否かを判定する判定部を備え、
使用者の操作に応じて前記可搬型電子機器の電源がＯＦＦになった場合に、
前記判定部の判定結果が否でないときには前記リモコン信号受信部への電力供給を停止せず、
前記判別部の判定結果が否であるときには無条件で又は第２の所定の条件下で前記リモコン信号受信部への電力供給を停止することを特徴とする可搬型電子機器。
【請求項２】
前記判定部が、前記可搬型電子機器が前記蓄電部を充電するための充電台にセットされており且つ第１の所定の条件を満たすか否かを判定し、
前記第１の所定の条件は、前記充電台から前記可搬型電子機器への電力供給が可能な状態である請求項１に記載の可搬型電子機器。
【請求項３】
蓄電部と、
リモコン信号を受信するリモコン信号受信部とを備える可搬型電子機器であって、
前記可搬型電子機器に前記蓄電部を充電するための充電ケーブルが接続されているか否かを判定する、又は、前記可搬型電子機器に前記蓄電部を充電するための充電ケーブルが接続されており且つ第１の所定の条件を満たすか否かを判定する判定部を備え、
使用者の操作に応じて前記可搬型電子機器の電源がＯＦＦになった場合に、
前記判定部の判定結果が否でないときには前記リモコン信号受信部への電力供給を停止せず、
前記判別部の判定結果が否であるときには無条件で又は第２の所定の条件下で前記リモコン信号受信部への電力供給を停止することを特徴とする可搬型電子機器。
【請求項４】
前記判定部が、前記可搬型電子機器に前記蓄電部を充電するための充電ケーブルが接続されており且つ第１の所定の条件を満たすか否かを判定し、
前記第１の所定の条件は、前記充電ケーブルから前記可搬型電子機器への電力供給が可能な状態である請求項３に記載の可搬型電子機器。
【請求項５】
送信装置及び受信装置を備える無線伝送システムであって、
前記送信装置は、
テレビ放送受信用チューナー部と、
前記テレビ放送受信用チューナー部から出力される映像信号及び音声信号を変調した無線信号を送信する第１の無線通信部とを備え、
前記受信装置は、
受信した前記無線信号を復調して映像信号及び音声信号を取得し、取得した映像信号及び音声信号を出力する第２の無線通信部と、
前記第２の無線通信部から出力される映像信号に基づく映像を表示するモニター部とを備え、
前記受信装置は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の可搬型電子機器であることを特徴とする無線伝送システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月23日(2015.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置、携帯移動通信端末、デジタルカメラ、および監視カメラ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明の実施形態は、撮像装置、携帯移動通信端末、デジタルカメラ、および監視カメラに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本実施形態は、画像を再構成しても画像のＳＮ比および解像度を復元することのできる撮像装置、携帯移動通信端末、デジタルカメラ、および監視カメラを提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本実施形態による撮像装置は、複数の画素を含む撮像素子と、光学系と、複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、を備え、Ｄｍｌをマイクロレンズのピッチとし、ｄｐを画素のピッチとするとき、隣接するマイクロレンズの中心間を結ぶ直線と、前記画素が配列された第１方向とのなす角度θが、θ＞ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）を満たすように、前記複数のマイクロレンズが配置されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む撮像素子と、
光学系と、
複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、
を備え、
Ｄｍｌをマイクロレンズのピッチとし、ｄｐを画素のピッチとするとき、隣接するマイクロレンズの中心間を結ぶ直線と、前記画素が配列された第１方向とのなす角度θが、
θ＞ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を満たすように、前記複数のマイクロレンズが配置されている撮像装置。
【請求項２】
前記第１方向は前記画素を選択する方向である請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１方向は前記画素が読みだされる方向である請求項１記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数のマイクロレンズが六方最密配置されており、前記角度θは、下記の範囲
６０°−ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）≦θ≦６０°＋ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を除く値である請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項５】
前記複数のマイクロレンズが正方配列されており、前記角度θは、下記の範囲
２６°−ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）≦θ≦２６°＋ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
４５°−ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）≦θ≦４５°＋ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を除く値である請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像素子からの出力信号を処理する処理部を更に備える請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮像素子を駆動する駆動部を更に備える請求項１乃至６のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像素子に接続された電源を更に備える請求項１乃至７のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項９】
複数の画素を含む撮像素子と、
光学系と、
複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、
を備え、
Ｄｍｌをマイクロレンズのピッチとし、ｄｐを画素のピッチとするとき、隣接するマイクロレンズの中心間を結ぶ直線と、前記画素が配列された第１方向および第２方向の一方とのなす角度θが、
θ＞ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を満たすように、前記複数のマイクロレンズが配置されている撮像装置。
【請求項１０】
前記第１方向は前記画素を選択する方向である請求項９記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第２方向は前記画素が読みだされる方向である請求項９または１０記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記複数のマイクロレンズが六方最密配置されており、前記角度θは、下記の範囲
６０°−ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）≦θ≦６０°＋ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を除く値である請求項９乃至１１のいずれかに記載の撮像装置。
【請求項１３】
複数の画素を含む撮像素子と、
光学系と、
複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、
を備え、
Ｄｍｌをマイクロレンズのピッチとし、ｄｐを画素のピッチとするとき、隣接するマイクロレンズの中心間を結ぶ直線と、前記画素が配列された第１方向および第２方向の一方とのなす角度θが、
θ＞ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を満たすように、前記複数のマイクロレンズが配置されている撮像装置を備える携帯移動通信端末。
【請求項１４】
前記第１方向は前記画素を選択する方向である請求項１３記載の携帯移動通信端末。
【請求項１５】
前記第２方向は前記画素が読みだされる方向である請求項１３または１４記載の携帯移動通信端末。
【請求項１６】
前記複数のマイクロレンズが六方最密配置されており、前記角度θは、下記の範囲
６０°−ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）≦θ≦６０°＋ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を除く値である請求項１３乃至１５のいずれかに記載の携帯移動通信端末。
【請求項１７】
複数の画素を含む撮像素子と、
光学系と、
複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、
を備え、
Ｄｍｌをマイクロレンズのピッチとし、ｄｐを画素のピッチとするとき、隣接するマイクロレンズの中心間を結ぶ直線と、前記画素が配列された第１方向および第２方向の一方とのなす角度θが、
θ＞ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を満たすように、前記複数のマイクロレンズが配置されている撮像装置を備えるデジタルカメラ。
【請求項１８】
前記第１方向は前記画素を選択する方向である請求項１７記載のデジタルカメラ。
【請求項１９】
前記第２方向は前記画素が読みだされる方向である請求項１７または１８記載のデジタルカメラ。
【請求項２０】
前記複数のマイクロレンズが六方最密配置されており、前記角度θは、下記の範囲
６０°−ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）≦θ≦６０°＋ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を除く値である請求項１７乃至１９のいずれかに記載のデジタルカメラ。
【請求項２１】
複数の画素を含む撮像素子と、
光学系と、
複数のマイクロレンズを有するマイクロレンズアレイと、
を備え、
Ｄｍｌをマイクロレンズのピッチとし、ｄｐを画素のピッチとするとき、隣接するマイクロレンズの中心間を結ぶ直線と、前記画素が配列された第１方向および第２方向の一方とのなす角度θが、
θ＞ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を満たすように、前記複数のマイクロレンズが配置されている撮像装置を備える監視カメラ。
【請求項２２】
前記第１方向は前記画素を選択する方向である請求項２１記載の監視カメラ。
【請求項２３】
前記第２方向は前記画素が読みだされる方向である請求項２１または２２記載の監視カメラ。
【請求項２４】
前記複数のマイクロレンズが六方最密配置されており、前記角度θは、下記の範囲
６０°−ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）≦θ≦６０°＋ｓｉｎ−１（２ｄｐ／Ｄｍｌ）
を除く値である請求項２１乃至２３のいずれかに記載の監視カメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明に係る電力半導体モジュールは、第１のフレーム部と、電力半導体素子と、第２のフレーム部と、制御用集積回路と、ワイヤと、絶縁体部とを有している。第１のフレーム部は、互いに対向する第１の表面および第２の表面を有する。電力半導体素子は、第１のフレーム部の第１の表面に搭載されている。第２のフレーム部は、互いに対向する第３の表面および第４の表面を有する。制御用集積回路は、第２のフレーム部の第３の表面に搭載され、かつ電力半導体素子を制御するためのものである。ワイヤは、一端および他端を有し、一端が電力半導体素子に接続され、かつ他端が制御用集積回路に接続されている。絶縁体部は、電力半導体素子、第１のフレーム部、制御用集積回路、第２のフレーム部およびワイヤを封止する。第１のフレーム部の第１の表面に垂直な方向において、第１のフレーム部の第１の表面と第２のフレーム部の第３の表面とが同じ高さに位置している。ここで、同じ高さとは、第１の表面に垂直な方向において、第１の表面と第３の表面との距離が０．１ｍｍ以下であることを意味する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第１のフレーム部５は、第１の折り曲げ部５ｃで絶縁シート１１側に折り曲げられ、第２の折り曲げ部５ｄにおいて絶縁シート１１とは反対側に折り曲げられる。同様に、第２のフレーム部６は、第１の折り曲げ部６ｃで絶縁シート１１側に折り曲げられ、第２の折り曲げ部６ｄにおいて絶縁シート１１とは反対側に折り曲げられる。折り曲げ後の第１のフレーム部５と第２のフレーム部６とは、第１の表面５ａの法線方向（つまり図１６における上下方向）において同じ高さ位置している。その後、第１のフレーム部５と第２のフレーム部６とを接続する第３のフレーム部９が除去され、第１のフレーム部５と第２のフレーム部６とは電気的に絶縁される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
具体的には、実施の形態５に係る電力半導体モジュール１０は、第１のフレーム部５および第２のフレーム部６の各々はコネクタピン１５を有している。図８に示すように、コネクタピン１５の一部は絶縁体部４の上面４ａから露出しており、コネクタピン１５と端子部５ｅとが接続されている。これにより、第１のフレーム部５と端子部５ｅが電気的に接続される。同様に、コネクタピン１５と端子部６ｅとが接続されている。これにより、
第２のフレーム部６と端子部６ｅが電気的に接続される。端子部５ｅおよび端子部６ｅは絶縁体部４の上面４ａと交差する方向に伸長している。なお、図８においては、第１のフレーム部５および第２のフレーム部６の各々がコネクタピン１５を有しているが、本発明は、第１のフレーム部５および第２のフレーム部６のいずれか一方がコネクタピン１５を有しており、他方はコネクタピン１５を有していなくても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転位クラスターおよびＣＯＰを含まないシリコンウェーハに、ゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、該シリコンウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成する第１工程と、
前記シリコンウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第２工程と、
を有し、該第２工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であるエピタキシャルシリコンウェーハを得ることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む、請求項１に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む２種以上の元素を含む、請求項２に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記第１工程の後、前記シリコンウェーハに対して結晶性回復のための熱処理を行うことなく、前記シリコンウェーハをエピタキシャル成長装置に搬送して第２工程を行う、請求項１〜３のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記第１工程では、前記シリコンウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルのピークが位置するように、前記クラスターイオンを照射する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記第１工程は、炭素１原子あたりの加速電圧が５０ｋｅＶ／ａｔｏｍ以下、クラスターサイズが１００個以下、炭素のドーズ量が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の条件で行う、請求項５に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記第１工程は、炭素１原子あたりの加速電圧が４０ｋｅＶ／ａｔｏｍ以下、クラスターサイズが６０個以下、炭素のドーズ量が５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の条件で行う、請求項５に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項８】
転位クラスターおよびＣＯＰを含まないシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの表面に形成された、該シリコンウェーハ中に固溶しゲッタリングに寄与する所定元素から形成された改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、
前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項９】
前記シリコンウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記濃度プロファイルのピークが位置する、請求項８に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１０】
前記改質層における前記濃度プロファイルのピーク濃度が、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、請求項８または９に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１１】
前記所定元素が炭素を含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１２】
前記所定元素が炭素を含む２種以上の元素を含む、請求項１１に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１３】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造方法で製造されたエピタキシャルシリコンウェーハまたは請求項８〜１２のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの、表面に位置するエピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、転位クラスターおよびＣＯＰを含まないシリコンウェーハに、ゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、該シリコンウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成する第１工程と、前記シリコンウェーハの改質層上にエピタキシャルシリコン層を形成する第２工程と、を有し、該第２工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であるエピタキシャルシリコンウェーハを得ることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、転位クラスターおよびＣＯＰを含まないシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの表面に形成された、該シリコンウェーハ中に固溶しゲッタリングに寄与する所定元素から形成された改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月28日(2015.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を包む酸化物層と、を含む多層膜と、
前記多層膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極上のゲート電極と、を有し、
前記多層膜の端部は曲率を有し、
前記酸化物層のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも大きく、
前記酸化物半導体層中のインジウムの割合は、前記酸化物層中のインジウムの割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層を包む酸化物層と、を含む多層膜と、
前記多層膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極上のゲート電極と、を有し、
前記多層膜の端部は曲率を有し、
前記酸化物層のエネルギーギャップは、前記酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも大きく、
前記酸化物層および前記酸化物半導体層は、インジウム、亜鉛および元素Ｍを含み、
前記酸化物半導体層中のインジウムの割合は、前記酸化物層中のインジウムの割合よりも高く、
前記元素Ｍは、アルミニウム、チタン、シリコン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、スズ、ランタン、セリウムまたはハフニウムであり、
前記酸化物層中の元素Ｍの割合は、前記酸化物半導体層中の元素Ｍの割合よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体層と前記酸化物層の界面と、前記酸化物層の側面と、の間隔は、
前記酸化物半導体層と前記酸化物層の界面と、前記酸化物層の上面と、の間隔よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記多層膜の膜厚は、前記多層膜の側面の曲率半径の５０分の１以上５０倍以下であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月7日(2015.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の、第２のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜上、及び前記第２のゲート電極層上の、保護絶縁膜と、を有し、
前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
前記第１のゲート電極層は、導電性窒化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の、第２のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜上、及び前記第２のゲート電極層上の、保護絶縁膜と、を有し、
前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
前記第１のゲート電極層は、導電性窒化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の、第２のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜上、及び前記第２のゲート電極層上の、保護絶縁膜と、を有し、
前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第２のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第２のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
前記第２のソース電極層、及び前記第２のドレイン電極層は、導電性窒化物を有し、
前記第１のゲート電極層は、導電性窒化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上の、酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のソース電極層と、
前記酸化物半導体層と電気的に接続された、第１のドレイン電極層と、
前記第１のソース電極層上の、第２のソース電極層と、
前記第１のドレイン電極層上の、第２のドレイン電極層と、
前記第２のソース電極層上、及び前記第２のドレイン電極層上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１のゲート電極層と、
前記第１のゲート電極層上の、第２のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜上、及び前記第２のゲート電極層上の、保護絶縁膜と、を有し、
前記第２のソース電極層は、前記酸化物半導体層と接する第１の領域を有し、
前記第２のドレイン電極層は、前記酸化物半導体層と接する第２の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のソース電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第３の領域を有し、
前記ゲート絶縁膜は、前記第１のドレイン電極層の外側で、前記酸化物絶縁膜と接する第４の領域を有し、
前記第２のソース電極層、及び前記第２のドレイン電極層は、導電性窒化物を有し、
前記第１のゲート電極層は、導電性窒化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のゲート電極層は、前記第２のゲート電極層よりも酸素が拡散または移動しにくい導電材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のゲート電極層は、前記第２のゲート電極層よりも酸素と結合しにくい導電材料を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、結晶質を含み、
前記結晶質のｃ軸は、前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルに平行な方向にそうことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月9日(2015.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、増倍層を成長させる工程と、
前記増倍層上に、電界緩和層を成長させる工程と、
前記電界緩和層の上面を覆うように、遷移層を成長させる工程と、
前記電界緩和層の上面を前記遷移層で覆った後に昇温して、前記遷移層上に前記電界緩和層の成長温度よりも高い温度で光吸収層を成長させる工程と、
を備え、
前記遷移層の成長温度は、前記光吸収層の成長温度よりも低い温度であり、
前記遷移層は、前記電界緩和層の成長温度よりも高い温度にあるときに前記電界緩和層よりも表面欠陥の生じにくい半導体材料からなることを特徴とするアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記遷移層は、前記電界緩和層側から前記光吸収層側に近づくほど前記光吸収層のバンドギャップの大きさに近づくように、バンドギャップの大きさが変化する１つ又は複数の半導体層からなることを特徴とする請求項１に記載のアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記電界緩和層は、ドーパントとしてカーボンを用いたＡｌＩｎＡｓからなることを特徴とする請求項１または２に記載のアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記遷移層は、ＩｎＧａＡｓＰ層であり、
前記光吸収層は、ＩｎＧａＡｓ層である
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記電界緩和層の成長温度は５５０℃以上かつ６００℃以下の温度範囲内の温度であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記光吸収層の成長温度は６００℃以上かつ６６０℃以下の温度範囲内の温度であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項７】
前記遷移層の組成は、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙで定義され０．０２４≦ｘ≦０．４８３かつ０．０５３≦ｙ≦０．９２８の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項８】
前記遷移層は、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、ＰおよびＡｌを含む組成の半導体層であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオードの製造方法。
【請求項９】
半導体基板と、
前記半導体基板上に成長した増倍層と、
前記増倍層上に成長した電界緩和層と、
前記電界緩和層の上面を覆うように成長した遷移層と、
前記遷移層上に成長した光吸収層と、
を備え、
前記遷移層は、バンドギャップが前記電界緩和層のバンドギャップと前記光吸収層のバンドギャップの中間であり、
前記遷移層は、前記光吸収層の成長温度より低い温度で成長する半導体材料からなり、
前記遷移層は、前記光吸収層の成長温度にあるときに前記電界緩和層よりも表面欠陥の生じにくい半導体材料からなることを特徴とするアバランシェフォトダイオード。
【請求項１０】
前記遷移層は、前記電界緩和層側から前記光吸収層側に近づくほど前記光吸収層のバンドギャップの大きさに近づくように、バンドギャップの大きさが変化する１つ又は複数の半導体層からなることを特徴とする請求項９に記載のアバランシェフォトダイオード。
【請求項１１】
前記電界緩和層がドーパントとしてカーボンを用いたＡｌＩｎＡｓで構成されたことを特徴とする請求項９または１０に記載のアバランシェフォトダイオード。
【請求項１２】
前記電界緩和層は、ＡｌＩｎＡｓ層、ＩｎＧａＡｓＰ層、およびＡｌＧａＩｎＡｓ層のいずれか１つであることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオード。
【請求項１３】
前記光吸収層は、ＩｎＧａＡｓ層であることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオード。
【請求項１４】
前記遷移層の組成は、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙで定義され０．０２４≦ｘ≦０．４８３かつ０．０５３≦ｙ≦０．９２８の範囲内であることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオード。
【請求項１５】
前記遷移層は、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｓ、ＰおよびＡｌを含む組成の半導体層であることを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項に記載のアバランシェフォトダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（ステップＳ１１６）
次に、電極形成工程を実施する。ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１の上部にあるＳｉＮｘ表面保護反射防止膜１３を取り除く。そして、ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１の上にｐ電極１２をＡｕＺｎで形成する。最後にｎ型ＩｎＰ基板２において、ｎ型ＩｎＰバッファ層３が積層されている面と逆の面を研磨し、ｎ電極１をＡｕＧｅＮｉで形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ここで、図４の比較例の図を用いて、本実施の形態の効果を説明する。図４は比較例として示すカーボンドープＡｌＩｎＡｓ電界緩和層を用いたアバランシェフォトダイオード成長シーケンスである。従来のように低温で成長したＡｌＩｎＡｓ電界緩和層をむき出しにしたまま昇温を行うと、ＡｌＩｎＡｓの最表面付近に熱ダメージによる欠陥が発生し、直後に成長するＩｎＧａＡｓ光吸収層と良好な界面を形成することが困難となる。この界面が良好で無い場合、暗電流をはじめとしたデバイス特性への影響が懸念される。本実施の形態によれば、図５に示すように、ｐ型ＡｌＩｎＡｓ電界緩和層５がむきだしとはなっていないので熱ダメージを抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ＡｌＩｎＡｓを電子増倍層に用いるアバランシェフォトダイオード２０では電界緩和層にＺｎやＭｇ，Ｂｅなどでｐ型にドーピングしたＩｎＰやＡｌＩｎＡｓ層などを適用することが一般的である。さらに電界緩和層から増倍層や光吸収層へのｐ型ドーパントの拡散を抑えるために、低拡散であるカーボンをドーピングしたＡｌＩｎＡｓを用いる技術がある。電界緩和層にカーボンをドープしたＡｌＩｎＡｓを用いる場合は必要なｐ型キャリア濃度を得るため、低温で結晶成長を行う。これに対して光吸収層ＩｎＧａＡｓは良好な結晶性を得るため比較的高温で成長する必要がある。そのため電界緩和層を成長後に光吸収層を成長する場合は、光吸収層と電界緩和層の成長温度が異なるため成長中に昇温する必要があり、この成長中の昇温によって電界緩和層の最表面が熱ダメージを受けてその後成長する光吸収層との界面に欠陥が発生する問題があった。
さらに、図２、３を用いて説明したように、ＩｎＧａＡｓ光吸収層とカードンドープＡｌＩｎＡｓ電界緩和層のバンドギャップ差が大きく、アバランシェフォトダイオード２０としての動作時に入射光で発生したキャリアの移動が阻害される問題もあった。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月7日(2015.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、前記基体の一面に設けられた複数の配線部とを備えた可撓性の基板、
前記基板の一面上に配置され、前記配線部に電気的に接続された複数の発光素子及び
前記基板と前記発光素子とを封止する封止部材を備えてなり、
前記基板は、長手方向に延長する細長い形状であり、該基板が長手方向に直交する短手方向に湾曲して、前記封止部材の外縁の少なくとも一部が、前記発光素子が配置された位置より下方に配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
さらに、前記基板の湾曲状態を保持する固定部材を備える請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記固定部材が、凸部、凹部、突起部、穴、貫通孔及びスリットからなる群から選択される少なくとも１種によって構成される請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記基板は短手方向の両端部にそれぞれ係止手段を備える請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記係止手段が、スリット、貫通孔、凸部、凹部及び突起部からなる群から選択される少なくとも１種によって構成される請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光素子は、基板の一面上に長手方向に一列に配置されている請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記基板の湾曲は、曲率半径Ｒが、３〜５０ｍｍである請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記基板は、基体上に配線部及び被覆膜がこの順に積層されて構成されており、
前記封止部材は、その外縁が前記被覆膜上に配置されている請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記発光素子は、前記基板上にフリップチップ実装されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月24日(2015.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素および窒素の少なくとも一方を含む半導体ウェーハにゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成する第１工程と、
前記半導体ウェーハの改質層上に第１エピタキシャル層を形成する第２工程と、
を有し、該第２工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下である半導体エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウェーハはシリコンウェーハである、請求項１に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハの表面に第２エピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハであり、前記第１工程において前記改質層は前記第２エピタキシャル層の表面に形成される、請求項１または２に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェーハ中の炭素濃度は１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（ＡＳＴＭ  Ｆ１２３  １９８１）であり、窒素濃度は５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウェーハ中の酸素濃度は９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１  １９７９）である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記第１工程の後かつ前記第２工程の前に、前記半導体ウェーハに対して、酸素析出物の形成を促進するための熱処理を施す、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項８】
前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む２種以上の元素を含む、請求項７に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項９】
前記クラスターイオンが、さらにドーパント元素を含み、該ドーパント元素がホウ素、リン、ヒ素およびアンチモンからなる群から選ばれた１以上の元素である、請求項７または８に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項１０】
前記第１工程は、炭素１原子あたりの加速電圧が５０ｋｅＶ/ａｔｏｍ以下、クラスターサイズが１００個以下、炭素のドーズ量が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の条件で行う、請求項７〜９のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項１１】
炭素および窒素の少なくとも一方を含む半導体ウェーハと、該半導体ウェーハの表面に形成された、該半導体ウェーハ中に固溶しゲッタリングに寄与する所定元素から形成された改質層と、該改質層上の第１エピタキシャル層と、を有し、
前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１２】
前記半導体ウェーハがシリコンウェーハである、請求項１１に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１３】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハの表面に第２エピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウェーハであり、前記改質層は前記第２エピタキシャル層の表面に位置する、請求項１１または１２に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１４】
前記半導体ウェーハ中の炭素濃度は１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（ＡＳＴＭ  Ｆ１２３  １９８１）であり、窒素濃度は５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上５×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１５】
前記半導体ウェーハ中の酸素濃度は９×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上１８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（ＡＳＴＭ  Ｆ１２１  １９７９）である、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１６】
前記半導体ウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記濃度プロファイルのピークが位置する、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１７】
前記改質層における前記濃度プロファイルのピーク濃度が、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１８】
前記所定元素が炭素を含む、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１９】
前記所定元素が炭素を含む２種以上の元素を含む、請求項１８に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項２０】
前記所定元素がさらにドーパント元素を含み、該ドーパント元素がホウ素、リン、ヒ素およびアンチモンからなる群から選ばれた１以上の元素である、請求項１８または１９に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項２１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製造方法で製造された半導体エピタキシャルウェーハまたは請求項１１〜２０のいずれか一項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの、表面に位置する第１エピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法は、炭素および窒素の少なくとも一方を含む半導体ウェーハにゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成する第１工程と、前記半導体ウェーハの改質層上に第１エピタキシャル層を形成する第２工程と、を有し、該第２工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であるエピタキシャルシリコンウェーハを得ることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、本発明の半導体エピタキシャルウェーハは、炭素および窒素の少なくとも一方を含むバルク半導体ウェーハを有する半導体ウェーハと、該半導体ウェーハの表面に形成された、該半導体ウェーハ中に固溶しゲッタリングに寄与する所定元素から形成された改質層と、該改質層上の第１エピタキシャル層とを有し、前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とする。