【手続補正書】
【提出日】平成27年5月21日(2015.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料表面のセルのアレイ内の既知のセル・アドレスＸ，Ｙを有する対象のフィーチャへ高精度でビームを配置し、ナビゲートする方法であって、
粒子ビーム・システムに試料を装填することと、
前記アレイの前記対象のフィーチャを含む部分へナビゲートすること、
前記対象のフィーチャを含む前記試料表面を荷電粒子ビームで走査することであり、それによって前記アレイの第１の画像を得ることと、
前記試料表面の前記対象のフィーチャの推定位置に近いある位置に、少なくとも１つのフィデューシャルを形成することと、
前記アレイのエッジに沿ったエッジ・ストリップを荷電粒子ビームで走査することであり、それによってエッジ・ストリップ画像を得、前記エッジ・ストリップ画像が、前記アレイ内の前記セルの最小繰返し寸法の半分よりも画素サイズの方が小さくなる十分に高い解像度を有し、前記エッジ・ストリップ画像の長さが少なくともセルＸ個分であり、前記エッジ・ストリップ画像が第１の画像内の視野よりも実質的に小さく、
画像データを解析して、前記アレイの前記エッジに沿ってＸ個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含む所望の列の位置を決定することと、
前記アレイの所望の列に沿った列ストリップを荷電粒子ビームで走査することであり、それによって前記所望の列に沿って列ストリップ画像を得、前記列ストリップ画像が、前記アレイ内の前記セルの最小繰返し寸法の半分よりも画素サイズの方が小さくなる十分に高い解像度を有し、前記列ストリップ画像の長さが少なくともセルＹ個分であり、前記列ストリップ画像が前記第１の画像内の視野よりも実質的に小さく、前記列ストリップ画像が、少なくとも１つのフィデューシャルおよび前記対象のフィーチャを含み、
前記画像データを解析して、前記所望の列に沿ってＹ個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含むセル・アドレスＸ，Ｙの位置を決定することと、
前記少なくとも１つのフィデューシャルと前記対象のフィーチャを含むセル・アドレスＸ，Ｙの前記位置との間のオフセットを決定することとを含む方法。
【請求項２】
前記試料表面に少なくとも１つのフィデューシャルを形成することが、集束イオン・ビーム・スパッタリング、イオン・ビームを用いた表面ステイニング、荷電粒子ビーム誘起ガス支援エッチングおよび荷電粒子ビーム誘起ガス支援付着のうちの少なくとも１つによって、前記試料表面に少なくとも１つのフィデューシャルを形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｘ個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含む前記所望の列の位置を決定する前記ステップの後に、前記第１のフィデューシャルと前記所望の列との間の前記オフセットを決定することをさらに含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
フィデューシャルと前記対象のフィーチャを含むセル・アドレスＸ，Ｙの前記位置との間の前記オフセットを決定した後に、前記フィデューシャルおよびセル・アドレスＸ，Ｙの前記位置を含むより小さな視野を使用して前記試料を再画像化することと、前記フィデューシャルとセル・アドレスＸ，Ｙとの間の以前に決定したオフセットを使用して、より小さな視野を有する前記画像内でセル・アドレスＸ，Ｙの位置を特定することとをさらに含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
セル・アドレスＸ，Ｙの前記位置を決定した後、前記フィデューシャルとセル・アドレスＸ，Ｙの前記位置との間のオフセットを決定する前記ステップの前に、エッジ・ストリップの画像を得る前記ステップと、前記アレイの前記エッジに沿ってＸ個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含む前記所望の列の位置を決定する前記ステップと、前記所望の列に沿って列ストリップ画像を得る前記ステップと、および前記所望の列に沿ってＹ個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含むセル・アドレスＸ，Ｙの前記位置を決定する前記ステップとを繰り返すことによって、システム・ドリフトを補償することをさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記フィデューシャルとセル・アドレスＸ，Ｙの前記位置との間のオフセットを決定した後に、ステージを移動させ、または焦点もしくは視野を変更すること、前記アレイの少なくとも一部分を再画像化することと、前記アレイの前記少なくとも一部分の画像内で前記少なくとも１つのフィデューシャルを識別すること、および決定された前記オフセットからセル・アドレスＸ，Ｙの前記位置を決定することとをさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
試料表面のセルの前記アレイが半導体ウェーハ上のメモリ・アレイを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記試料表面の前記対象のフィーチャの前記推定位置に近いある位置に、少なくとも１つのフィデューシャルを形成することが、前記試料表面の前記対象のフィーチャの前記推定位置には近いが、別のある位置に、少なくとも１つのフィデューシャルを形成することを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記試料表面の前記対象のフィーチャの前記推定位置に近いが、別のある位置に、少なくとも１つのフィデューシャルを形成することが、前記所望の列に近いが、離して第１のフィデューシャルを、および前記対象のフィーチャの前記推定位置に近いが、離して第２のフィデューシャルを形成することを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記試料表面に少なくとも１つのフィデューシャルを形成することが、前記粒子ビーム・システムに前記試料を装填する前に、前記試料表面に少なくとも１つのフィデューシャルを形成することを含む、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記アレイ内の前記セルのそれぞれの最大フィーチャ寸法が５０ｎｍ以下である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのフィデューシャルが、１００ｎｍ以下である画素サイズに対して、１Ｋ×１Ｋ画素の解像度で容易に区別可能である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記アレイのエッジに沿ったエッジ・ストリップを荷電粒子ビームで走査することが、セル１０個分より狭い幅を有するストリップを走査することを含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記アレイの前記第１の画像を得ることが、前記アレイ内の前記セルの最大フィーチャ寸法より大きい画像画素サイズを有する前記アレイの第１の画像を得ることを含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
セルのアレイ内の既知のセル・アドレスＸ，Ｙを有する試料上の対象のフィーチャの位置を正確に特定する粒子ビーム・システムであって、
前記試料を支持する可動試料ステージと、
前記試料を画像化するための荷電粒子ビームを発生させる粒子ビーム・カラムと、
コンピュータ命令を記憶したコンピュータ可読の非一時的記憶装置と
を備え、前記粒子ビーム・システムを制御し、前記粒子ビーム・システムに以下のステップを実行させるプログラムを、前記命令が含む粒子ビーム・システム：
（ｉ）前記粒子ビーム・システムに試料を装填するステップ、
（ｉｉ）前記アレイの前記対象のフィーチャを含む部分へナビゲートするステップ、
（ｉｉｉ）前記対象のフィーチャを含む前記試料表面を前記荷電粒子ビームで走査するステップであり、それによって前記アレイの第１の画像を得る、ステップ、
（ｉｖ）前記対象のフィーチャの推定位置に近いある位置に、少なくとも１つのフィデューシャルを形成するステップ、
（ｖ）前記アレイのエッジに沿ったエッジ・ストリップを前記荷電粒子ビームで走査するステップであり、それによってエッジ・ストリップ画像を得、前記エッジ・ストリップ画像が、前記アレイ内の前記セルの最小繰返し寸法の半分よりも画素サイズの方が小さくなる、十分に高い解像度を有し、前記エッジ・ストリップ画像の長さが少なくともセルＸ個分であり、前記エッジ・ストリップ画像が第１の画像内の視野よりも実質的に小さいステップ、
（ｖｉ）画像データを解析して、前記アレイの前記エッジに沿ってＸ個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含む所望の列の位置を決定するステップ、
（ｖｉｉ）前記アレイの所望の列に沿った列ストリップを前記荷電粒子ビームで走査するステップであり、それによって前記所望の列に沿って列ストリップ画像を得、前記列ストリップ画像が、前記アレイ内の前記セルの最小繰返し寸法の半分よりも画素サイズの方が小さくなる、十分に高い解像度を有し、前記列ストリップ画像の長さが少なくともセルＹ個分であり、前記列ストリップ画像が前記第１の画像内の視野よりも実質的に小さく、前記列ストリップ画像が、少なくとも１つのフィデューシャルおよび前記対象のフィーチャを含むステップ、
（ｖｉｉｉ）前記画像データを解析して、前記所望の列に沿ってＹ個のセルを自動的に数えて、前記対象のフィーチャを含むセル・アドレスＸ，Ｙの位置を決定するステップ、ならびに
（ｉｘ）前記少なくとも１つのフィデューシャルと前記対象のフィーチャを含むセル・アドレスＸ，Ｙの前記位置との間の前記オフセットを決定するステップ。
【請求項１６】
前記アレイの前記第１の画像を得ることが、前記アレイ内の前記セルの最大フィーチャ寸法より大きい画像画素サイズを有する前記アレイの第１の画像を得ることを含む、請求項１５に記載の粒子ビーム・システム。