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【手続補正書】
【提出日】平成27年10月14日(2015.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子を有する電力変換用のスイッチング回路と、前記スイッチング回路の直流側に設けられてノイズを除去するノイズフィルタとを備えた電力変換装置であって、
前記ノイズフィルタは、
一端が前記スイッチング回路に接続される第１配線と、
一端が前記第１配線の他端に接続されるとともに前記第１配線と磁気的に結合された第２配線と、
前記第１配線の前記他端と前記第２配線の前記一端との接続部に接続される第１コンデンサと、
前記第２配線の前記他端に接続される第２コンデンサと、を備えることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
スイッチング素子を有する電力変換用のスイッチング回路と、前記スイッチング回路の直流側に設けられてノイズを除去するノイズフィルタとを備えた電力変換装置であって、
前記ノイズフィルタは、
一つの貫通孔が形成されて閉磁路を形成する磁性体コアと、
一端が前記スイッチング回路に接続され、前記貫通孔の一方の第１開口から他方の第２開口へと貫通して、他端が前記第２開口から引き出されている第１配線と、
一端が前記第１配線の前記他端に接続され、前記貫通孔の前記第２開口から前記第１開口へと貫通して、他端がフィルタ出力端として前記第１開口から引き出されている第２配線と、
前記第１配線と前記第２配線との接続部とグランドとの間に設けられた第１コンデンサと、
前記第２配線の前記他端とグランドとの間に設けられた第２コンデンサと、を備えることを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電力変換装置において、
前記貫通孔を貫通するように前記第１配線と前記第２配線との間に配置され、前記第１配線と前記第２配線との電界結合を阻止するシールド部材を備えることを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の電力変換装置において、
前記第１配線としての第１平行部と、前記第２配線としての第２平行部と、前記第１平行部の端部と前記第２平行部の端部とを接続する屈曲部と、を有するＵ字形状に屈曲した棒状または板状の導体部材を備え、
前記第１コンデンサは、前記屈曲部とグランドとの間に設けられていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電力変換装置において、
前記屈曲部に接続される第１導電パターンが形成され、該第１導電パターンに接続されるように前記第１コンデンサが実装された第１プリント基板と、
前記第２平行部に接続される第２導電パターンが形成され、該第２導電パターンに接続されるように前記第２コンデンサが実装された第２プリント基板と、を備え、
前記第１プリント基板は、前記第１導電パターンが前記屈曲部と電気的に接続されるように該屈曲部に固定され、
前記第２プリント基板は、前記第２導電パターンが前記第２平行部と電気的に接続されるように該第２平行部に固定されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
請求項２または３に記載の電力変換装置において、
前記第２開口から引き出された前記第１配線は、前記貫通孔を貫通するように前記磁性体コアに捲き回された後に前記第２配線の前記一端に接続され、
前記第１開口から引き出された前記第２配線は、前記貫通孔を貫通するように前記磁性体コアに捲き回された後に、前記第２コンデンサと接続されることを特徴とする電力変換装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一項に記載の電力変換装置において、
前記磁性体コアは、磁性体材料で形成された複数のコア部材で構成されることを特徴とする電力変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１の発明に係る電力変換装置は、スイッチング素子を有する電力変換用のスイッチング回路と、前記スイッチング回路の直流側に設けられてノイズを除去するノイズフィルタとを備えた電力変換装置であって、前記ノイズフィルタは、一端が前記スイッチング回路に接続される第１配線と、一端が前記第１配線の他端に接続されるとともに前記第１配線と磁気的に結合された第２配線と、前記第１配線の前記他端と前記第２配線の前記一端との接続部に接続される第１コンデンサと、前記第２配線の前記他端に接続される第２コンデンサと、を備える。
請求項２の発明に係る電力変換装置は、スイッチング素子を有する電力変換用のスイッチング回路と、スイッチング回路の直流側に設けられてノイズを除去するノイズフィルタとを備えた電力変換装置であって、ノイズフィルタは、一つの貫通孔が形成されて閉磁路を形成する磁性体コアと、一端が前記スイッチング回路に接続され、貫通孔の一方の第１開口から他方の第２開口へと貫通して、他端が第２開口から引き出されている第１配線と、一端が第１配線の他端に接続され、貫通孔の第２開口から第１開口へと貫通して、他端がフィルタ出力端として第１開口から引き出されている第２配線と、第１配線と第２配線との接続部とグランドとの間に設けられた第１コンデンサと、第２配線の他端とグランドとの間に設けられた第２コンデンサと、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月31日(2015.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商用電源を電力供給元とする主電源部及び商用電源以外からの電源も電力供給元とすることができる副電源部を備え、電力消費対象に電力を供給する電力供給手段と、
前記商用電源を前記主電源部に供給する電力供給線を物理的に導通又は遮断するように切り替える切替手段と、
前記商用電源から導通状態の前記電力供給線を介した電力供給を遮断するときに操作される操作手段と、
前記操作手段の操作時から予め定めたオフ時間が経過した場合に前記電力供給線を遮断し、当該遮断後に予め定めたオン時間が経過した場合に前記電力供給線を導通するように前記切替手段を制御する制御手段と、
を有する電力供給制御装置。
【請求項２】
前記電力消費対象が、特定の処理を実行するデバイスと、当該デバイスを制御するコントローラとを含み、前記操作手段で電力供給遮断指示がなされると、前記副電源部から前記コントローラの一部への電力供給を維持する請求項１記載の電力供給制御装置。
【請求項３】
前記副電源部の電力源が、蓄電デバイスである請求項１又は請求項２記載の電力供給制御装置。
【請求項４】
前記蓄電デバイスは、ソーラー発電によって発電する電力を蓄積する請求項３記載の電力供給制御装置。
【請求項５】
前記電力供給線上において、前記商用電源を前記主電源部に引き込む電力供給線を手動操作で物理的に導通又は遮断する主電源スイッチをさらに有する請求項１〜請求項４の何れか１項記載の電力供給制御装置。
【請求項６】
前記請求項１〜請求項５の何れか１項記載の電力供給制御装置と、
特定の処理を実行するデバイスとして、原稿画像を読み取るための画像読取部、前記画像読取部で読み取った原稿画像の情報に基づいて記録用紙へ複写する画像複写処理部、並びに情報通信処理部の少なくとも１つを備えた画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項５に記載の発明は、前記請求項１〜請求項４の何れか１項記載の発明において、前記電力供給線上において、前記商用電源を前記主電源部に引き込む電力供給線を手動操作で物理的に導通又は遮断する主電源スイッチをさらに有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項６に記載の発明は、前記請求項１〜請求項５の何れか１項記載の電力供給制御装置と、特定の処理を実行するデバイスとして、原稿画像を読み取るための画像読取部、前記画像読取部で読み取った原稿画像の情報に基づいて記録用紙へ複写する画像複写処理部、並びに情報通信処理部の少なくとも１つを備えた画像処理装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粗面化処理されていない金属材料に窒素を含む官能基を有するカップリング剤の水溶液を用いた表面処理を行い、この処理面に液晶ポリマーを圧着又は射出成形で接合させる、金属−液晶ポリマー複合体の製造方法。
【請求項２】
前記カップリング剤の主成分元素がＳｉ、Ｔｉ及びＡｌのいずれかである請求項１に記載の金属−液晶ポリマー複合体の製造方法。
【請求項３】
前記窒素を含む官能基がアミノ基、イソシアネート基及びウレイド基のいずれかである請求項１又は２に記載の金属−液晶ポリマー複合体の製造方法。
【請求項４】
前記カップリング剤の水溶液を用いた表面処理を行った金属材料が、前記金属材料表面のＳｉ、Ｔｉ、Ａｌの下方に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれか１種以上の金属又はその酸化物の層を有する請求項１〜３のいずれかに記載の金属−液晶ポリマー複合体の製造方法。
【請求項５】
前記カップリング剤の水溶液を用いた表面処理を、カップリング剤が均一に溶解した溶液で行う請求項１〜４のいずれかに記載の金属−液晶ポリマー複合体の製造方法。
【請求項６】
前記カップリング剤の水溶液を用いた表面処理を、カップリング剤が溶解したｐＨ７〜１４の溶液で行う請求項１〜５のいずれかに記載の金属−液晶ポリマー複合体の製造方法。
【請求項７】
プレス加工または曲げ加工した後に金属材料に前記表面処理を施し、この処理面に液晶ポリマーを圧着又は射出成形で接合させる請求項１〜６のいずれかに記載の金属−液晶ポリマー複合体の製造方法。
【請求項８】
金属材料に前記表面処理を施した後にプレス加工または曲げ加工し、前記表面処理面に液晶ポリマーを圧着又は射出成形で接合させる請求項１〜７のいずれかに記載の金属−液晶ポリマー複合体の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の金属−液晶ポリマー複合体の製造方法で得られた金属−液晶ポリマー複合体を備えた電子部品。
【請求項１０】
前記金属材料が白色めっきをしたリードフレームであり、
液晶ポリマーと接合させるための前記金属材料の表面が、前記リードフレームの白色めっき表面に窒素を分子内に有するカップリング剤処理で形成されており、
前記リードフレームをケース電極とし、前記ケース電極上にＬＥＤチップが実装され、前記チップが周辺を前記液晶ポリマーからなるケースボディで覆われ、前記ケースボディ内に蛍光体を含有する封止樹脂が充填されることで構成されたＬＥＤパッケージである請求項９に記載の電子部品。
【請求項１１】
前記金属材料が陰極端子、陽極端子、及び、最表層が金属ペーストで覆われたコンデンサ本体の一部または全部であり、
前記陰極端子、前記陽極端子、及び、前記コンデンサ本体が液晶ポリマーで覆われて構成されたアルミ、タンタル及びニオブのいずれかのコンデンサである請求項９に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記液晶ポリマーは、前記金属材料との熱膨張係数の差が±１０ｐｐｍ／℃である請求項９〜１１のいずれかに記載の電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、粗面化処理されていない金属材料に窒素を含む官能基を有するカップリング剤の水溶液を用いた表面処理を行い、この処理面に液晶ポリマーを圧着又は射出成形で接合させる、金属−液晶ポリマー複合体の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る金属−液晶ポリマー複合体の製造方法は更に別の一実施形態において、前記カップリング剤の水溶液を用いた表面処理を行った金属材料が、前記金属材料表面のＳｉ、Ｔｉ、Ａｌの下方に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｉｎ、Ｓｎのいずれか１種以上の金属又はその酸化物の層を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る金属−液晶ポリマー複合体の製造方法は更に別の一実施形態において、前記カップリング剤の水溶液を用いた表面処理を、カップリング剤が均一に溶解した溶液で行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る金属−液晶ポリマー複合体の製造方法は更に別の一実施形態において、前記カップリング剤の水溶液を用いた表面処理を、カップリング剤が溶解したｐＨ７〜１４の溶液で行う。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月9日(2015.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上の課題を解決するため、本発明のパッキンは、
熱伝導性を有する物質で形成した放熱部と、
前記放熱部の表裏面に各々設けられ、前記放熱部より熱伝導率の低い物質で形成したパッキン部と、
前記放熱部の表裏面の前記パッキン部の一部のみにおいて、当該放熱部の表裏面の前記パッキン部と各々連続して一体に形成され、前記放熱部の更に外周側に位置する断熱部と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導性を有する物質で形成した放熱部と、
前記放熱部の表裏面に各々設けられ、前記放熱部より熱伝導率の低い物質で形成したパッキン部と、
前記放熱部の表裏面の前記パッキン部の一部のみにおいて、当該放熱部の表裏面の前記パッキン部と各々連続して一体に形成され、前記放熱部の更に外周側に位置する断熱部と、
を備えることを特徴とするパッキン。
【請求項２】
前記放熱部と前記パッキン部は環状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のパッキン。
【請求項３】
前記断熱部が位置する部分を除いた部分においては、前記パッキン部の外周側に前記放熱部が位置していることを特徴とする請求項２に記載のパッキン。
【請求項４】
分離可能な筐体の合わせ部に挟持されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のパッキン。
【請求項５】
撮像素子と集積回路とが筐体の互いに隣接する別々の収納スペースに各々収納されて、前記収納スペースの間に請求項１から４のいずれか一項に記載のパッキンが介在する構造であって、
前記収納スペースが最も近接する部分に、前記パッキンの前記断熱部が位置することを特徴とする筐体構造。
【請求項６】
前記筐体の合わせ部に挟まれて外部に露出する部分で、前記放熱部が外部に表出し、
前記筐体の内部に通す部分に、前記断熱部が位置することを特徴とする請求項５に記載の筐体構造。
【請求項７】
前記筐体には、前記集積回路の近くに空冷のための貫通孔が形成されるとともに、前記貫通孔と連通して異なる外面に開口する入口及び出口が形成されて、その入口と出口が異なる位置に開口していることを特徴とする請求項５または６に記載の筐体構造。
【請求項８】
前記集積回路に密着させるヒートシンクが前記貫通孔の一部を形成し、
前記ヒートシンクの放熱フィンが前記貫通孔内に突出していることを特徴とする請求項７に記載の筐体構造。
【請求項９】
前記ヒートシンクの少なくとも一端が、前記パッキンの前記放熱部の内面に接していることを特徴とする請求項８に記載の筐体構造。
【請求項１０】
請求項５から９のいずれか一項に記載の筐体構造を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月21日(2015.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の樹脂にモールドのパターン面を接触させて光によって前記樹脂を硬化させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記基板上の樹脂に光を照射する照射部と、
前記基板の複数のショット領域のうち前記基板のエッジを含むエッジショット領域における前記エッジの近傍領域であるエッジ近傍領域への前記照射部による光の照射が開始された後に、前記エッジショット領域におけるパターンを形成すべき領域であるパターン形成領域の樹脂に前記パターン面が接触した状態で前記パターン形成領域に前記照射部によって光が照射されるように、前記照射部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記パターン形成領域の樹脂が前記エッジ近傍領域に広がる前に前記エッジ近傍領域への光の照射が開始され、その後、前記パターン形成領域の樹脂に前記パターン面が接触した状態で前記パターン形成領域に光が照射されるように、前記照射部を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記パターン形成領域の樹脂に前記パターン面が接触する前に前記エッジ近傍領域への光の照射が開始されるように、前記照射部を制御する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記基板の複数のショット領域のうちインプリントを行うべきショット領域に樹脂を塗布する塗布部を更に備え、
前記塗布部は、インプリントを行うべきショット領域のうち前記エッジ近傍領域には樹脂を塗布しない、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記照射部は、光源と、前記エッジ近傍領域に光を照射する際に前記パターン形成領域に光が照射されないように前記光源からの光を遮断するマスクとを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記照射部は、前記複数のショット領域のうちインプリントを行うべきショット領域に応じて前記マスクを位置決めする位置決め機構を更に含む、
ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記マスクは、円弧状の外縁を有する、
ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記位置決め機構は、前記マスクを回転駆動する回転駆動機構と、前記マスクを並進駆動する並進駆動機構とを含む、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記照射部は、前記エッジ近傍領域に光を照射する第１ユニットと、前記パターン形成領域に光を照射する第２ユニットとを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記第１ユニットは、前記基板を保持する基板ステージに配置されている、
ことを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
基板上の樹脂にモールドのパターン面を接触させて光によって前記樹脂を硬化させて前記基板上にパターンを形成するインプリント方法であって、
前記基板の複数のショット領域のうち前記基板のエッジを含むエッジショット領域における前記エッジの近傍領域であるエッジ近傍領域への光の照射を行う工程と、
前記工程で前記エッジ近傍領域への光の照射を開始した後、前記エッジショット領域におけるパターンを形成すべき領域であるパターン形成領域の樹脂に前記パターン面が接触した状態で前記パターン形成領域に光を照射する工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【請求項１２】
物品を製造する物品製造方法であって、
請求項１１に記載のインプリント方法を用いて基板にインプリントを行う工程と、
インプリントがなされた基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面は、基板上の樹脂にモールドのパターン面を接触させて光によって前記樹脂を硬化させて前記基板上にパターンを形成するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記基板上の樹脂に光を照射する照射部と、前記基板の複数のショット領域のうち前記基板のエッジを含むエッジショット領域における前記エッジの近傍領域であるエッジ近傍領域への前記照射部による光の照射が開始された後に、前記エッジショット領域におけるパターンを形成すべき領域であるパターン形成領域の樹脂に前記パターン面が接触した状態で前記パターン形成領域に前記照射部によって光が照射されるように、前記照射部を制御する制御部と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インプリント装置、インプリント方法、および、物品製造方法
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、および、それを用いて物品を製造する物品製造方法に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2014027016.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月12日(2015.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、
前記第３の酸化物半導体膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第１の酸化物半導体膜よりも導電率が高く、
前記第２の酸化物半導体膜は、前記第３の酸化物半導体膜よりも導電率が高く、
前記第１の酸化物半導体膜は、テーパを有する端部を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、テーパを有する端部を有し、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜の側面を覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜と、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、
前記第３の酸化物半導体膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、キャリアを流す機能を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、テーパを有する端部を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、テーパを有する端部を有し、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜の側面を覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の絶縁膜と、
第１の酸化物半導体膜と、
前記第１の酸化物半導体膜上の、第２の酸化物半導体膜と、
前記第２の酸化物半導体膜上の、第３の酸化物半導体膜と、
前記第３の酸化物半導体膜上の、第２の絶縁膜と、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、チャネル形成領域を有し、
前記第１の酸化物半導体膜は、テーパを有する端部を有し、
前記第２の酸化物半導体膜は、テーパを有する端部を有し、
前記第３の酸化物半導体膜は、前記第２の酸化物半導体膜の側面を覆うことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月17日(2015.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
なお、この際、各検証用回路21では、先ず初めに1列目にある4個の無鉛はんだバンプ接合構造B11〜B41に対して下側の基板からWLP（実施例2、比較例2では上側の基板）、WLP（実施例2、比較例2では上側の基板）から下側の基板というように上下に蛇行させて順番に電流を流していった後、次の2列目にある4個の無鉛はんだバンプ接合構造B12〜B42にも続けて下側の基板からWLP（実施例2、比較例2では上側の基板）、WLP（実施例2、比較例2では上側の基板）から下側の基板というように上下に蛇行させて電流を流し、1列目と2列目とを繋げて電流を流した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
そして、Niを0.15質量％含むSn-1.2Ag-0.5Cu-0.15Niからなる無鉛はんだ合金で作製した無鉛はんだバンプを設けた実施例5の検証用回路21と、Niを0.10質量％含むSn-1.2Ag-0.5Cu-0.10Niからなる無鉛はんだ合金で作製した無鉛はんだバンプを設けた実施例6の検証用回路21と、Niを含んでいないSn-1.2Ag-0.5Cuからなる無鉛はんだ合金で作製した無鉛はんだバンプを設けた比較例2の検証用回路21について、各無鉛はんだバンプ接合構造のIMC界面断面について光顕写真を撮影した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
その結果、Niを0.15質量％添加した無鉛はんだ合金を用いた実施例5では、図１５Ａおよび図１６Ａに示すような金属間化合物層7j,7kが、Cu電極表面3a,3bに沿って無鉛はんだバンプ35a内に形成されることが確認できた。また、Niを0.10質量％添加した無鉛はんだ合金を用いた実施例6では、図１５Ｂおよび図１６Ｂに示すような金属間化合物層7l,7mが、Cu電極表面3a,3bに沿って無鉛はんだバンプ35b内に形成されることが確認できた。さらに、Niを添加していないSn-1.2Ag-0.5Cuの無鉛はんだ合金を用いた比較例2では、図１５Ｃおよび図１６Ｃに示すような金属間化合物層7n,7oが、Cu電極表面3a,3bに沿って無鉛はんだバンプ35c内に形成されることが確認できた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
EM耐性評価は、バンプ径150[μm]で、電流を2.5[A]（電流密度14.15[kA/cm2]）としたサンプルで評価した。表1〜表5のEM耐性の欄では、エレクトロマイグレーション現象に伴う断線不良が500時間未満で発生したときを×とし、500時間以上600時間未満で発生したときを△とし、さらに600時間以上700時間未満で発生したときを○とし、700時間以上800時間未満で発生したときを○○とし、800時間以上900時間未満で発生したときを○○○とし、900時間以上で発生したときを○○○○とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
B11  無鉛はんだバンプ接合構造
2  第1電子部材
3a,3b  Cu電極
7a,7b  金属間化合物層
9  第2電子部材
12  IMC界面
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月24日(2015.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板と、
前記パッケージ基板上に実装され、半導体積層構造を有し、個々の形状が長方形である複数のＬＥＤチップと、
前記複数のＬＥＤチップを封止する樹脂と、を有し、
前記複数のＬＥＤチップは互いに隙間なく密着し１つの集合体を形成し、
前記集合体の形状は円または楕円である、
ことを特徴とするＬＥＤパッケージ。
【請求項２】
前記集合体の周辺部に光散乱剤を含む光散乱樹脂をさらに設けた、請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項３】
前記光散乱樹脂は前記集合体の周辺部の凹凸に合わせて配置されている、請求項２に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項４】
隣接する半導体積層構造間に形成された間隙に光散乱剤を含む光散乱樹脂をさらに設けた、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
前記ＬＥＤチップを構成するＬＥＤ基板の外周部に凹凸が形成されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のＬＥＤパッケージ。
【請求項６】
前記集合体の周辺部及び隣接する半導体積層構造間に形成された間隙に設けられ、前記集合体の表面に平坦な面を形成する平坦化層と、
前記平坦化層上に形成された蛍光体層と、
をさらに有する、請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月20日(2015.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮影条件で奥行情報を含む画像を取得する撮像部と、
前記複数の撮影条件の各々と撮影条件とは独立に設定される範囲制限条件とから、前記範囲制限条件を満足する最遠の被写体距離である遠方制限推奨距離と前記範囲制限条件を満足する最近の被写体距離である近方制限推奨距離とを導出する推奨被写体範囲導出部と、
前記複数の撮影条件の各々に応じた前記遠方制限推奨距離と前記近方制限推奨距離の情報を表示する表示部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示部は、前記遠方制限推奨距離と前記近方制限推奨距離の数値情報を表示することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の撮影条件の各々に応じた前記奥行情報を含む画像に対する補正処理を指定し、画像補正パラメータを設定する補正処理設定部をさらに備え、
前記推奨被写体範囲導出部は、前記複数の撮影条件の各々に応じた前記画像補正パラメータに応じて、前記遠方制限推奨距離と前記近方制限推奨距離を変更することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記遠方制限推奨距離と前記近方制限推奨距離の範囲内にある被写体について、所定の表示方法で観察される立体像の歪具合を予測する歪導出部をさらに備え、
前記表示部は、前記歪導出部による予測結果に係る情報をさらに表示することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項５】
複数の撮影条件で視差画像を取得する撮像部と、
前記複数の撮影条件の各々と所定の観察条件と視差制限範囲とから、前記視差制限範囲内の視差量になる最遠の被写体距離である遠方制限推奨距離と前記視差制限範囲内の視差量になる最近の被写体距離である近方制限推奨距離とを導出する推奨被写体範囲導出部と、
前記複数の撮影条件の各々に応じた前記遠方制限推奨距離と前記近方制限推奨距離の情報を表示する表示部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
複数の撮影条件で奥行情報を含む画像を取得する撮像ステップと、
前記複数の撮影条件の各々と撮影条件とは独立に設定される範囲制限条件とから、前記範囲制限条件を満足する最遠の被写体距離である遠方制限推奨距離と前記範囲制限条件を満足する最近の被写体距離である近方制限推奨距離とを導出する推奨被写体範囲導出ステップと、
前記撮像ステップで取得した前記奥行情報を含む画像に重畳して、前記推奨被写体範囲導出ステップで導出した、前記遠方制限推奨距離と前記近方制限推奨距離の情報を表示する表示ステップと、
を備えることを特徴とする撮像方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る撮像装置は、複数の撮影条件で奥行情報を含む画像を取得する撮像部と、複数の撮影条件の各々と撮影条件とは独立に設定される範囲制限条件とから、範囲制限条件を満足する最遠の被写体距離である遠方制限推奨距離と範囲制限条件を満足する最近の被写体距離である近方制限推奨距離とを導出する推奨被写体範囲導出部と、複数の撮影条件の各々に応じた遠方制限推奨距離と近方制限推奨距離の情報を表示する表示部と、を備えることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る撮像装置において、複数の撮影条件の各々に応じた奥行情報を含む画像に対する補正処理を指定し、画像補正パラメータを設定する補正処理設定部をさらに備え、推奨被写体範囲導出部は、複数の撮影条件の各々に応じた画像補正パラメータに応じて、遠方制限推奨距離と近方制限推奨距離を変更することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る撮像装置において、遠方制限推奨距離と近方制限推奨距離の範囲内にある被写体について、所定の表示方法で観察される立体像の歪具合を予測する歪導出部をさらに備え、表示部は、歪導出部による予測結果に係る情報をさらに表示することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る別の撮像装置は、複数の撮影条件で視差画像を取得する撮像部と、複数の撮影条件の各々と所定の観察条件と視差制限範囲とから、視差制限範囲内の視差量になる最遠の被写体距離である遠方制限推奨距離と視差制限範囲内の視差量になる最近の被写体距離である近方制限推奨距離とを導出する推奨被写体範囲導出部と、複数の撮影条件の各々に応じた遠方制限推奨距離と近方制限推奨距離の情報を表示する表示部と、を備えることを特徴としている。
本発明に係る撮像方法は、複数の撮影条件で奥行情報を含む画像を取得する撮像ステップと、複数の撮影条件の各々と撮影条件とは独立に設定される範囲制限条件とから、範囲制限条件を満足する最遠の被写体距離である遠方制限推奨距離と範囲制限条件を満足する最近の被写体距離である近方制限推奨距離とを導出する推奨被写体範囲導出ステップと、撮像ステップで取得した奥行情報を含む画像に重畳して、推奨被写体範囲導出ステップで導出した、遠方制限推奨距離と近方制限推奨距離の情報を表示する表示ステップと、を備えることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月1日(2015.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像出力装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の機器による撮影によって最適な画像を得る画像出力装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、簡単な操作で、視聴者が視聴したい画像を容易に取得することができる画像出力装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る画像出力装置は、被写体を撮像して得た撮像画像を出力する撮像部と、撮像を行う１つ以上の他の機器との間で共有する連携撮影条件に基づいて、上記撮像画像を採点する採点部と、上記１つ以上の他の機器が撮像した画像についての上記連携撮影条件に基づく採点結果を上記１つ以上の他の機器から受信して、受信した１つ以上の採点結果及び上記採点部の採点結果を比較する比較部と、上記比較部の比較結果に基づいて所定の採点結果が得られる画像の送信要求を出力して、自機及び上記１つ以上の他の機器からの画像による連携画像の生成を可能にする画像要求部とを具備する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に係る画像出力装置を適用した撮影機器の回路構成を示すブロック図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像して得た撮像画像を出力する撮像部と、
撮像を行う１つ以上の他の機器との間で共有する連携撮影条件に基づいて、上記撮像画像を採点する採点部と、
上記１つ以上の他の機器が撮像した画像についての上記連携撮影条件に基づく採点結果を上記１つ以上の他の機器から受信して、受信した１つ以上の採点結果及び上記採点部の採点結果を比較する比較部と、
上記比較部の比較結果に基づいて所定の採点結果が得られる画像の送信要求を出力して、自機及び上記１つ以上の他の機器からの画像による連携画像の生成を可能にする画像要求部と
を具備したことを特徴とする画像出力装置。
【請求項２】
被写体を撮影して得た撮影画像を出力する撮像部と、
撮像を行う１つ以上の他の機器との間で共有する連携撮影条件に基づいて、上記撮像画像を採点する採点部と、
上記採点部の採点結果を送信する採点結果送信部と、
上記１つ以上の他の機器が撮像した画像についての上記連携撮影条件に基づく１つ以上の採点結果及び上記採点部の採点結果の比較に基づく画像の送信要求に対して、対応する画像を送信する画像送信部と、
を具備したことを特徴とする画像出力装置。
【請求項３】
自機及び上記１つ以上の他の機器からの画像による上記連携画像の生成を行う画像生成部
を具備したことを特徴とする請求項１に記載の画像出力装置。
【請求項４】
上記連携画像をクライアントに送信する画像送信部
を具備したことを特徴とする請求項１又は３に記載の画像出力装置。
【請求項５】
上記画像送信部は、上記対応する画像をクライアントに送信する
ことを特徴とする請求項２に記載の画像出力装置。
【請求項６】
上記連携画像を表示する表示部
を具備したことを特徴とする請求項１又は３に記載の画像出力装置。
【請求項７】
上記連携画像を記録する記録部
を具備したことを特徴とする請求項１又は３に記載の画像出力装置。
【請求項８】
上記採点部は、上記撮像画像中の探索を行い、探索する人物が存在した場合に採点を加算する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の画像出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月20日(2015.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮影条件で視差画像を取得する撮像部と、
前記複数の撮影条件の各々と所定の観察条件と被写体距離範囲とから、前記所定の観察条件下で前記視差画像から観察される立体像の歪について前記被写体距離範囲内の被写体全体を代表する歪評価値を導出する立体像歪評価値導出部と、
前記複数の撮影条件の各々に応じた前記歪評価値の情報を表示する表示部と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記歪評価値は、圧縮率及び線形率の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記複数の撮影条件の各々と前記所定の観察条件と視差制限範囲とから、前記視差制限範囲内の視差量になる最遠の被写体距離である遠方制限推奨距離と前記視差制限範囲内の視差量になる最近の被写体距離である近方制限推奨距離とを導出する推奨被写体範囲導出部を備え、
前記表示部は、前記推奨被写体範囲導出部が導出した前記遠方制限推奨距離及び前記近方制限推奨距離を表示することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記線形率は、前記被写体距離範囲内の最遠の距離について導出した立体像の大きさと、最近の距離について導出した立体像の大きさと、その中間の距離について導出した立体像の大きさと、を用いて表されることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記圧縮率は、被写体の奥行き方向の大きさと横方向の大きさの比と、前記被写体距離範囲内の所定の距離について導出した立体像の奥行き方向の大きさと横方向の大きさの比と、の関係で表されることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記線形率は次式（１１）で表され、前記圧縮率は次式（１５）で表されることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【数１１】
2014027391.tif 000001
【数１５】
2014027391.tif 000002
ここで、
遠方制限推奨距離を、視差制限範囲内の視差量になる最遠の被写体距離、
近方制限推奨距離を、視差制限範囲内の視差量になる最近の被写体距離、
とそれぞれしたとき、
Ｘｖｃ１は、前記近方制限推奨距離について、所定の被写体サイズに対する立体像のサイズ、
Ｘｖｃ２は、前記遠方制限推奨距離について、所定の前記被写体サイズに対する立体像のサイズ、
Ｘｖ０は、合焦距離について、所定の前記被写体サイズに対する立体像のサイズ、
Ｘｏは、前記被写体サイズ、
ΔＺｏは、被写体距離の差であり、所定の微小距離、
ΔＺｖ０は、立体像の奥行き方向の大きさの差であり、合焦距離Ｚｏ０と、前記合焦距離Ｚｏ０と所定の前記微小距離ΔＺｏだけ離れた距離Ｚｏ１に対応する立体像の再現奥行きをそれぞれＺｖ０とＺｖ１としたとき、Ｚｖ１−Ｚｖ０で示される。
【請求項７】
前記立体像歪評価値導出部は、前記複数の撮影条件の各々と所定の観察条件と視差制限範囲とから、前記視差制限範囲内の視差量になる最遠の被写体距離である遠方制限推奨距離と前記視差制限範囲内の視差量になる最近の被写体距離である近方制限推奨距離とを導出し、前記被写体距離範囲を前記遠方制限推奨距離と前記近方制限推奨距離の間に設定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記立体像歪評価値導出部は、前記複数の撮影条件の各々に応じた前記視差画像に対する補正処理を指定し、画像補正パラメータを設定する補正処理設定部をさらに備え、
前記推奨被写体範囲導出部は、前記複数の撮影条件の各々に応じた前記画像補正パラメータに応じて、前記遠方制限推奨距離と前記近方制限推奨距離と前記歪評価値を変更することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【数１１】
2014027391.tif 000003
ここで、
遠方制限推奨距離を、視差制限範囲内の視差量になる最遠の被写体距離、
近方制限推奨距離を、視差制限範囲内の視差量になる最近の被写体距離、
とそれぞれしたとき、
Ｘｖｃ１は、近方制限推奨距離について、所定の被写体サイズに対する立体像のサイズ、
Ｘｖｃ２は、遠方制限推奨距離について、所定の被写体サイズに対する立体像のサイズ、
Ｘｖ０は、合焦距離について、所定の被写体サイズに対する立体像のサイズ、
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【数１５】
2014027391.tif 000004
ここで、
Ｘｏは、被写体サイズ、
Ｘｖ０は、合焦距離について、所定の被写体サイズに対する立体像のサイズ、
ΔＺｏは、被写体距離の差であり、所定の微小距離、
ΔＺｖ０は、立体像の奥行き方向の大きさの差であり、合焦距離Ｚｏ０と、合焦距離Ｚｏ０と所定の微小距離ΔＺｏだけ離れた距離Ｚｏ１に対応する立体像の再現奥行きをそれぞれＺｖ０とＺｖ１としたとき、Ｚｖ１−Ｚｖ０で示される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月22日(2015.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連の動作をする被写体が撮像された動画像を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された動画像中の前記一連の動作を解析する解析手段と、
前記解析手段による解析結果に基づいて、所定の単位画像を特定する特定手段と、
前記特定手段により特定された所定の単位画像に基づいて、前記動画像の中から特定の画像を抽出する抽出手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記解析手段は、前記特定手段により特定された前記所定の単位画像より前の時点の画像の動作を解析する第２の解析手段を含み、
前記抽出手段は、前記第２の解析手段による解析結果に基づいて前記動画像の中から、前記特定の画像を抽出する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記解析手段は前記動画像中の前記一連の動作を、動作の時系列順に解析し、
前記第２の解析手段は、前記特定手段により特定された前記所定の単位画像より前の時点の画像の動作を前記解析手段とは逆の順番で解析する、
ことを特徴とする請求項1又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記動画像を構成する単位画像の夫々を、複数の画像領域に分割する画像分割手段と、
前記画像分割手段によって分割された複数の画像領域のうちの所定の画像領域群内において、前記被写体の所定の部分が特定の順番で通過したか否かを判定する通過判定手段と、
を更に備え、
前記解析手段は、前記通過判定手段により前記所定の部分が前記特定の順番で通過したか否かにより、前記一連の動作を解析し、
前記特定手段は、前記解析手段による解析結果に基づいて、前記所定の部分が特定の前記画像領域に属した時点における前記所定の単位画像を特定する、
ことを特徴とする請求項１又は３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記通過判定手段は、前記動画像から所定の間引き率で単位画像を間引くとともに、当
該間引かれた動画像の再生順に前記所定の部分が特定の順番で通過したか否かを判定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記動画像のうち隣接する各単位画像の差分容量を、各単位画像について夫々算出する差分算出手段と、
前記差分算出手段により算出された前記各差分容量の変化率を算出する変化率算出手段と、
を更に備え、
前記解析手段は、前記変化率算出手段により算出された前記各変化率に基づいて、前記一連の動作を解析し、
前記特定手段は、前記解析手段による解析結果に基づいて、前記所定の単位画像を特定する、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記特定手段は、複数の前記所定の単位画像を特定し、
前記特定手段により特定された複数の前記所定の単位画像から任意の単位画像を選択する選択手段を更に備え、
前記抽出手段は、前記選択手段により選択された単位画像を前記特定の画像として前記動画像から抽出することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記動画像を構成する前記複数の単位画像の夫々について、一部の領域の画素値を一定値とする画素値制御手段を更に備え、
前記差分算出手段は、前記画素値制御手段により前記一部の領域の画素値が一定値とされた前記単位画像の夫々に基づいて、前記差分容量を算出する、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記画素値制御手段は、前記単位画像の夫々において前記被写体の動作領域以外の画像領域の画素値を一定値とする、
ことを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記抽出手段により抽出された単位画像に基づいて、所定期間の画像群を再生する再生手段を更に備えることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
__画像処理装置における画像処理方法であって、
一連の動作をする被写体が撮像された動画像を取得する取得ステップと、
前記取得ステップにより取得された動画像中の前記一連の動作を解析する解析ステップと、
前記解析ステップによる解析結果に基づいて、所定の単位画像を特定する特定ステップと、
前記特定ステップにより特定された所定の単位画像に基づいて、前記動画像の中から特定の画像を抽出する抽出ステップと、
を含む画像処理方法。
【請求項１２】
コンピュータを、
一連の動作をする被写体が撮像された動画像を取得する取得手段、
前記取得手段により取得された動画像中の前記一連の動作を解析する解析手段、
前記解析手段による解析結果に基づいて、所定の単位画像を特定する特定手段、
前記特定手段により特定された所定の単位画像に基づいて、前記動画像の中から特定の
画像を抽出する抽出手段、
として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技媒体を貯留する貯留手段と、その貯留手段から供給された遊技媒体を遊技領域へ向けて発射する発射手段と、その発射手段により発射された遊技媒体を回収する回収手段と、その回収手段により回収された遊技媒体を前記貯留手段へ排出する排出手段と、を備え、所定数の遊技媒体を機内で循環させながら遊技を行う遊技機であって、
遊技に使用可能な遊技媒体の数を計数し、前記貯留手段から前記発射手段に遊技媒体を供給された段階で、遊技に使用可能な遊技媒体の数を１減らす計数手段と、
電源が断されたことを検出する電源断検出手段と、
その電源断検出手段により電源が断されたことが検出されたときに、前記発射手段に遊技媒体が存在する場合は、その遊技媒体が前記遊技領域へ届かないように前記発射手段を駆動して、その遊技媒体を前記貯留手段へ戻す第２駆動手段と、を備え、
前記計数手段は、前記第２駆動手段により前記発射手段が駆動された場合に、遊技に使用可能な遊技媒体の数を１加えることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記発射手段により発射された遊技媒体であって、前記遊技領域へ届かずに前記貯留手段へ戻された遊技媒体を検出する戻り遊技媒体検出手段を備え、
前記計数手段は、前記第２駆動手段により前記発射手段が駆動され、その後、前記戻り遊技媒体検出手段により前記遊技媒体が検出された場合に、遊技に使用可能な遊技媒体の数を１加えるものであることを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２記載の遊技機は、請求項１記載の遊技機において、前記発射手段により発射された遊技媒体であって、前記遊技領域へ届かずに前記貯留手段へ戻された遊技媒体を検出する戻り遊技媒体検出手段を備え、前記計数手段は、前記第２駆動手段により前記発射手段が駆動され、その後、前記戻り遊技媒体検出手段により前記遊技媒体が検出された場合に、遊技に使用可能な遊技媒体の数を１加えるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２記載の遊技機によれば、請求項１記載の遊技機の奏する効果に加え、次の効果を奏する。即ち、第２駆動手段により発射手段が駆動され、その後、戻り遊技媒体検出手段により遊技領域へ届かずに貯留手段へ戻された遊技媒体が検出された場合に、遊技に使用可能な遊技媒体の数が、計数手段により１だけ加えられる。これにより、第２駆動手段により発射手段が駆動されたことにより、遊技領域へ届かずに貯留手段へ戻された遊技媒体が、戻り遊技媒体検出手段により検出されることを待って、遊技に使用可能な遊技媒体の数を１加えることができる。よって、遊技に使用可能な遊技媒体の数を正しく更新できるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月27日(2015.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）〜（Ｃ）工程を含み、且つ、
下記の条件１〜条件３の少なくとも一つの条件を満たすことを特徴とする、
清酒におけるエチル−α−（Ｄ）−グルコシド、グリセロールおよび／またはα−Ｄ-グルコシルグリセロール含量を低減する方法。
（Ａ）掛米および麹米を準備する工程
（Ｂ）前記（Ａ）工程の掛米および麹米に汲水を添加する仕込み工程
（Ｃ）前記（Ｂ）工程の混合物を、酵素剤の存在下、酵母により発酵させる発酵工程
条件１：前記（Ａ）工程において、相対的に高い精米歩合の掛米を使用する
条件２：前記（Ｂ）工程において、汲水の添加量を相対的に高く設定する
条件３：前記（Ｃ）工程において、前記酵素剤として、５’−ホスホジエステラーゼ、ホスファターゼ、ポリフェノールオキシダーゼ、リパーゼおよび酸性エンドプロテアーゼからなる群から選択された少なくとも一つの酵素を使用する
【請求項２】
条件１において、前記掛米の精米歩合が、８０％以上である、請求項１記載の低減方法。
【請求項３】
条件２において、掛米と麹米との合計重量に対する汲水の合計重量が、１．７倍以上である、請求項１または２記載の低減方法。
【請求項４】
前記（Ｃ）工程において、前記酵素剤として、前記条件３に示す酵素と、グルコアミラーゼおよび／またはα−グルコシダーゼとを併用する、請求項１から３のいずれか一項に記載の低減方法。
【請求項５】
前記条件１〜条件３を満たす、請求項１から４のいずれか一項に記載の低減方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の低減方法により、清酒の糖質を低減することを特徴とする糖質低減方法。
【請求項７】
請求項１から５のいずれか一項に記載の低減方法により、清酒を製造することを特徴とする清酒の製造方法。
【請求項８】
清酒の糖質を間接的に算定する方法であって、清酒について、エキス分とタンパク質とを測定する工程と、前記エキス分から前記タンパク質を差し引いて、糖質として算定する工程とを含むことを特徴とする糖質算定方法。
【請求項９】
低糖質性清酒の発酵を管理する方法であって、清酒のグルコース濃度を測定する工程と、留めから数えて１５日目以降のグルコース濃度を０．１ｇ／ｄＬ未満とする工程とを含むことを特徴とする発酵管理方法。