Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月16日(2015.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る空気調和装置は、圧縮機、凝縮器、膨張弁、及び蒸発器を冷媒配管で接続して構成された冷凍サイクルを有する空気調和装置において、一方が圧縮機の吸入側に接続され、他方が蒸発器に接続された吸入配管と、蒸発器と凝縮器とを接続する冷媒配管に接続されたレシーバと、一方がレシーバに接続され、他方が吸入配管に接続され、レシーバ内の冷媒を吸入配管に供給する第１バイパス配管と、第１バイパス配管に設けられた流量調整弁と、吸入配管のうち第１バイパス配管との接続位置よりも下流側に設けられ、蒸発器側及び第１バイパス配管側から吸入配管に流入した冷媒とレシーバ内の冷媒とを熱交換させる熱回収部と、熱回収部に係る冷媒の過熱度に基づいて流量調整弁の開度を制御する制御装置と、を備え、制御装置は、吸入配管のうち第１バイパス配管との接続位置よりも下流側であって熱回収部よりも上流側の第１の冷媒温度、及び熱回収部の下流側の第２の冷媒温度から算出される過熱度に基づいて流量調整弁の開度を制御するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機、凝縮器、膨張弁、及び蒸発器を冷媒配管で接続して構成された冷凍サイクルを有する空気調和装置において、
一方が前記圧縮機の吸入側に接続され、他方が前記蒸発器に接続された吸入配管と、
前記蒸発器と前記凝縮器とを接続する冷媒配管に接続されたレシーバと、
一方が前記レシーバに接続され、他方が前記吸入配管に接続され、前記レシーバ内の冷媒を前記吸入配管に供給する第１バイパス配管と、
前記第１バイパス配管に設けられた流量調整弁と、
前記吸入配管のうち前記第１バイパス配管との接続位置よりも下流側に設けられ、前記蒸発器側及び前記第１バイパス配管側から前記吸入配管に流入した冷媒と前記レシーバ内の冷媒とを熱交換させる熱回収部と、
前記熱回収部に係る冷媒の過熱度に基づいて前記流量調整弁の開度を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記吸入配管のうち前記第１バイパス配管との接続位置よりも下流側であって前記熱回収部よりも上流側の第１の冷媒温度、及び前記熱回収部の下流側の第２の冷媒温度から算出される過熱度に基づいて前記流量調整弁の開度を制御する
ことを特徴とする空気調和装置。
【請求項２】
圧縮機、凝縮器、膨張弁、及び蒸発器を冷媒配管で接続して構成された冷凍サイクルを有する空気調和装置において、
一方が前記圧縮機の吸入側に接続され、他方が前記蒸発器に接続された吸入配管と、
前記蒸発器と前記凝縮器とを接続する冷媒配管に接続されたレシーバと、
一方が前記レシーバに接続され、他方が前記吸入配管に接続され、前記レシーバ内の冷媒を前記吸入配管に供給する第１バイパス配管と、
前記第１バイパス配管に設けられた流量調整弁と、
前記吸入配管のうち前記第１バイパス配管との接続位置よりも下流側に設けられ、前記蒸発器側及び前記第１バイパス配管側から前記吸入配管に流入した冷媒と前記レシーバ内の冷媒とを熱交換させる熱回収部と、
前記熱回収部に係る冷媒の過熱度に基づいて前記流量調整弁の開度を制御する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、
前記吸入配管のうち前記第１バイパス配管との接続位置よりも下流側であって前記熱回収部よりも上流側の冷媒温度及び冷媒圧力から算出される過熱度に基づいて前記流量調整弁の開度を制御する
ことを特徴とする空気調和装置。
【請求項３】
前記熱回収部は、
前記レシーバ内に前記吸入配管の一部を配置して構成された
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の空気調和装置。
【請求項４】
前記制御装置は、
算出した過熱度が予め設定された値よりも大きい場合には前記流量調整弁の開度を大きくする
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の空気調和装置。
【請求項５】
前記制御装置は、
算出した過熱度が予め設定された値よりも小さい場合には前記流量調整弁の開度を小さくする
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の空気調和装置。
【請求項６】
圧縮機、凝縮器、膨張弁、及び蒸発器を冷媒配管で接続して構成された冷凍サイクルを有する空気調和装置において、
一方が前記圧縮機の吸入側に接続され、他方が前記蒸発器に接続された吸入配管と、
前記蒸発器と前記凝縮器とを接続する冷媒配管に接続されたレシーバと、
一方が前記レシーバに接続され、他方が前記吸入配管に接続され、前記レシーバ内の冷媒を前記吸入配管に供給する第１バイパス配管と、
前記第１バイパス配管に設けられた流量調整弁と、
前記吸入配管のうち前記第１バイパス配管との接続位置よりも下流側に設けられ、前記蒸発器側及び前記第１バイパス配管側から前記吸入配管に流入した冷媒と前記レシーバ内の冷媒とを熱交換させる熱回収部と、
一方が前記圧縮機の吐出側に接続され、他方が前記レシーバに接続された第２バイパス配管と、
前記第２バイパス配管に設けられた油戻し弁と、
前記熱回収部に係る冷媒の過熱度に基づいて前記流量調整弁の開度を制御する制御装置と、
を備えた
ことを特徴とする空気調和装置。
【請求項７】
前記制御装置は、
前記油戻し弁を予め設定された時間開き、その後に前記過熱度に基づいて前記流量調整弁の開度を制御する
ことを特徴とする請求項６に記載の空気調和装置。
【請求項８】
前記圧縮機のシェル下に設けられ、前記第２の冷媒温度を検出するのに利用される温度センサを備えた
ことを特徴とする請求項１、請求項１に従属する請求項３〜５、請求項７のいずれか一項に記載の空気調和装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記被膜部材は、熱で収縮する熱収縮チューブであることを特徴とする請求項１記載の熱交換器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年8月14日(2015.8.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）パターン形成される１以上の層を基体の表面上に含む基体を提供し；
（ｂ）フォトレジスト組成物の層を前記パターン形成される１以上の層上に適用し；
（ｃ）フォトレジスト組成物層を化学線でパターン様式で露光し；
（ｄ）露光したフォトレジスト組成物層を露光後べークプロセスにおいて加熱し；並びに
（ｅ）有機溶媒現像剤を前記フォトレジスト組成物層に適用し、前記フォトレジスト層の未露光領域が前記現像剤によって除去され、そして前記パターン形成される１以上の層上に前記フォトレジスト層の露光領域がフォトレジストパターンを形成する；
ことを含み、
前記フォトレジスト組成物は、コポリマーと光酸発生剤とを含み；
前記コポリマーは第１の単位およびエーテルもしくはラクトンを含む１種以上の追加の単位を含み；
前記第１の単位は重合性官能基と下記式（Ｉ）もしくは式（ＩＩ）の第１部分とを含むモノマーから形成されており；
【化１】
2012103679.tif 000001
式中、Ｒ１およびＲ２は独立して（Ｃ１−Ｃ１０）線状、分岐および環式有機基から選択され、場合によっては一緒になって環を形成し、およびａもしくはｂは１であり、かつａもしくはｂのうちのもう一方は１もしくは２であり；
【化２】
2012103679.tif 000002
式中、Ｒ３およびＲ４は独立して（Ｃ１−Ｃ１０）線状、分岐および環式有機基から独立して選択され、場合によっては一緒になって環を形成し、およびｃもしくはｄは１であり、かつｃもしくはｄのうちのもう一方は１もしくは２であり；
前記コポリマーは、開裂されるとカルボン酸基の形成をもたらすであろう酸により開裂可能な基を含まない；
ネガティブトーン現像によるフォトリソグラフィパターンを形成する方法。
【請求項２】
前記モノマーがラクトン、環式エーテルもしくは環式アルカンをさらに含み、前記第１部分が前記ラクトン、環式エーテルもしくは環式アルカンを介して前記重合性基に連結されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１部分が前記ラクトン、環式エーテルもしくは環式アルカンと縮合環構造を形成している、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１部分が前記ラクトン、環式エーテルもしくは環式アルカンに対してペンダントである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記モノマーが、式（Ｉ）もしくは式（ＩＩ）の第２部分をさらに含み、前記第１部分および第２部分が同じかもしくは異なっている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記重合性基が（メタ）アクリラート基である請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記１種以上の追加の単位がラクトン部分を含むモノマーから形成される単位を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記コポリマーのよりも低い表面自由エネルギーを有する界面活性ポリマー添加剤をさらに含み、前記界面活性ポリマーの表面自由エネルギーが１０〜４０ｍＪ／ｍ２である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記現像剤が酢酸ブチルもしくは２−ヘプタノンを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
基体と、前記基体の表面上の請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法によって形成されたフォトレジスト組成物の層とを含む、コーティングされた基体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
現像剤は既知の技術で、例えば、スピンコーティングもしくはパドルコーティングで基体に適用されることができる。現像時間はフォトレジストの未露光領域を除去するのに有効な期間であり、５〜３０秒の時間が典型的である。現像は典型的には室温で行われる。現像プロセスは現像の後にクリーニングすすぎを使用することなく行われうる。これに関して、現像プロセスが、このような追加のすすぎ工程を不要にする残留物非含有ウェハ面を生じさせうることが見いだされた。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月24日(2015.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天然物に由来するリグニン及び／又はリグニン関連物質を含むバイオマスに、ノボスフィンゴビウム（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ）属微生物を作用させることにより、フェニルプロパン系化合物を得る工程を含む、フェニルプロパン系化合物の製造方法。
【請求項２】
前記フェニルプロパン系化合物が、３−ヒドロキシ−１−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）−１−プロパノン、３−ヒドロキシ−１−（４−ヒドロキシ−３、５−ジメトキシフェニル）−１−プロパノン及び３−ヒドロキシ−１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−プロパノンからなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記ノボスフィンゴビウム属微生物が、ノボスフィンゴビウム・スピーシーズ（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．）  ＭＢＥＳ０４（国際寄託番号：ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７）である、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
ノボスフィンゴビウム・スピーシーズ（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．）  ＭＢＥＳ０４（国際寄託番号：ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
好ましくは、本発明の製造方法において、前記ノボスフィンゴビウム属微生物が、ノボスフィンゴビウム・スピーシーズ（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．）  ＭＢＥＳ０４（国際寄託番号：ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の別の側面によれば、ノボスフィンゴビウム・スピーシーズ（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．）  ＭＢＥＳ０４（国際寄託番号：ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７）が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明の微生物は、本発明の製造方法において使用され得る、ノボスフィンゴビウム・スピーシーズ（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．）  ＭＢＥＳ０４（国際寄託番号：ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７）である。ＭＢＥＳ０４株は、微生物の識別の表示を「Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．ＭＢＥＳ０４」とし、かつ、国際寄託番号を「ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７」として、独立行政法人製品評価技術基盤機構の特許微生物寄託センター（〒２９２−０８１８  千葉県木更津市かずさ鎌足２−５−８）に２０１４年１月３０日付けで国内寄託されたものに基づいて国際寄託されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
また、ＭＢＥＳ０４株にもっとも近縁な種は、ノボスフィンゴビウム・ペンタロマチボランス（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ ｐｅｎｔａｒｏｍａｔｉｖｏｒａｎｓ）（アクセッション番号ＮＲ＿０４１０４６）及びノボスフィンゴビウム・パニパテンス（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ ｐａｎｉｐａｔｅｎｓｅ）（アクセッション番号ＮＲ＿０４４２１０）であった。しかし、１６Ｓ  ｒｉｂｏｓｏｍａｌ  ＲＮＡ−ＤＮＡの一致性（同一性）が９７％であったことから、ＭＢＥＳ０４株はノボスフィンゴビウム属細菌に属する新種細菌であると判断した。そこで本発明者らは、ＭＢＥＳ０４株をノボスフィンゴビウム・スピーシーズ（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．）  ＭＢＥＳ０４と命名し、保存サンプルを、微生物の識別の表示を「Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．ＭＢＥＳ０４」とし、かつ、国際寄託番号を「ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７」として、独立行政法人製品評価技術基盤機構の特許微生物寄託センター（〒２９２−０８１８  千葉県木更津市かずさ鎌足２−５−８）に２０１４年１月３０日付けで国内寄託されたものに基づいて国際寄託した。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月24日(2015.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天然物に由来するリグニン及び／又はリグニン関連物質を含むバイオマスに、ＮＡＤ及び還元型グルタチオンの存在下で、ノボスフィンゴビウム（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ）属微生物に由来する酵素を作用させることにより、フェニルプロパン系化合物を得る工程
を含む、フェニルプロパン系化合物の製造方法。
【請求項２】
前記フェニルプロパン系化合物が、３−ヒドロキシ−１−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）−１−プロパノン、３−ヒドロキシ−１−（４−ヒドロキシ−３、５−ジメトキシフェニル）−１−プロパノン及び３−ヒドロキシ−１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−プロパノンからなる群から選ばれる一種である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記フェニルプロパン系化合物が、３−ヒドロキシ−１−（４−ヒドロキシ−３−メトキシフェニル）−１−プロパノンである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記ノボスフィンゴビウム属微生物が、ノボスフィンゴビウム・スピーシーズ（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．）  ＭＢＥＳ０４（国際寄託番号：ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７）である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記酵素が、下記（１）及び（２）、並びに（３）及び／又は（４）に記載の酵素の組み合わせである、請求項１〜４に記載の製造方法。
（１）Ｒｏｓｓｍａｎｎ−ｆｏｌｄ  ＮＡＤ（Ｐ）（＋）結合タンパク質スーパーファミリーに属し、かつ、ＰＲＫ０６１９４のマルチドメインを有する、グアイアシルグリセロール−β−グアイアシルエーテルのＣα位の炭素原子を酸化するＳｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅ
（２）Ｇｓｔ並びにＮ末端側にＰＲＫ１５１１３及びｍａｉＡのマルチドメインを有する、ｇｌｕｔａｔｈｉｏｎｅ Ｓ−ｔｒａｎｓｆｅｒａｓｅ
（３）Ｇｓｔ及びＮ末端側にＰＲＫ１０３８７及びｍａｉＡのマルチドメインを有する、ｇｌｕｔａｔｈｉｏｎｅ Ｓ−ｔｒａｎｓｆｅｒａｓｅ
（４）Ｇｓｔ、ＰＲＫ１１７５２、ＰＲＫ１５１１３及びｍａｉＡのマルチドメインを有する、ｇｌｕｔａｔｈｉｏｎｅ Ｓ−ｔｒａｎｓｆｅｒａｓｅ
【請求項６】
前記（１）の酵素が、配列表の配列番号１に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００６９又は配列表の配列番号２に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００９３であり；
前記（２）の酵素が、配列表の配列番号３に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００７６又は配列表の配列番号４に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００７７であり；
前記（３）の酵素が、配列表の配列番号５に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００７８であり；及び
前記（４）の酵素が、配列表の配列番号６に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００７５である、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
天然物に由来するリグニン及び／又はリグニン関連物質を含むバイオマスに、ＮＡＤの存在下で、ノボスフィンゴビウム（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ）属微生物に由来する下記（１）の酵素を作用させることにより、カルボニルフェニル系化合物を得る工程
を含む、カルボニルフェニル系化合物の製造方法。
（１）Ｒｏｓｓｍａｎｎ−ｆｏｌｄ  ＮＡＤ（Ｐ）（＋）結合タンパク質スーパーファミリーに属し、かつ、ＰＲＫ０６１９４のマルチドメインを有する、グアイアシルグリセロール−β−グアイアシルエーテルのＣα位の炭素原子を酸化するＳｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅ
【請求項８】
前記（１）の酵素が配列表の配列番号１に記載のアミノ酸配列を有する Ｃ１０Ｇ００６９又は配列表の配列番号２に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００９３である、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
ノボスフィンゴビウム（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ）属微生物に由来する、Ｒｏｓｓｍａｎｎ−ｆｏｌｄ  ＮＡＤ（Ｐ）（＋）結合タンパク質スーパーファミリーに属し、かつ、ＰＲＫ０６１９４のマルチドメインを有する、グアイアシルグリセロール−β−グアイアシルエーテルのＣα位の炭素原子を酸化するＳｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅ。
【請求項１０】
前記Ｓｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅは、ＳＤＳ−ＰＡＧＥで確認できる分子量が３４ｋＤａであり；最適ｐＨが８．５〜９．５であり；かつ、最適温度が１０〜１５℃である、請求項９に記載のＳｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅ。
【請求項１１】
前記Ｓｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅは、ＳＤＳ−ＰＡＧＥで確認できる分子量が３４ｋＤａであり；最適ｐＨが８．５〜１０．５であり；かつ、最適温度が２５〜３０℃である、請求項９に記載のＳｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅ。
【請求項１２】
前記Ｓｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅが、配列表の配列番号１に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００６９又は配列表の配列番号２に記載のアミノ酸配列を有するＣ１０Ｇ００９３である、請求項９に記載のＳｈｏｒｔ−ｃｈａｉｎ  ｄｅｈｙｄｒｏｇｅｎａｓｅ/ｒｅｄｕｃｔａｓｅ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
好ましくは、本発明の製造方法において、前記ノボスフィンゴビウム属微生物が、ノボスフィンゴビウム・スピーシーズ（Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．）  ＭＢＥＳ０４（国際寄託番号：ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７）である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ＭＢＥＳ０４株は、微生物の識別の表示を「Ｎｏｖｏｓｐｈｉｎｇｏｂｉｕｍ  ｓｐ．ＭＢＥＳ０４」とし、かつ、国際寄託番号を「ＮＩＴＥ  ＢＰ−０１７９７」として、独立行政法人製品評価技術基盤機構の特許微生物寄託センター（〒２９２−０８１８  千葉県木更津市かずさ鎌足２−５−８）に２０１４年１月３０日付けで国内寄託されたものに基づいて国際寄託されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月27日(2015.8.27)
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アウランチオキトリウム(Aurantiochytrium)属、シゾキトリウム(Schizochytrium)属、ウルケニア(Ulkenia)属、オブロンギキトリウム(Oblongichytrium)属、トラウストキトリウム(Thraustochytrium)属、パリエチキトリウム(Parietichytrium)属、ボツリオキトリウム(Botryochytrium)属、シソイドキトリウム(Sicyoidochytrium)属、アルトルニア(Althornia)属、ジャポノキトリウム(Japonochytrium)属、又はアプラノキトリウム(Aplanochytrium)属に属する微生物から選択される少なくとも1種を培養し、該微生物にカタラーゼ活性を有するタンパク質を生産させる培養工程を含む、カタラーゼ活性を有するタンパク質の製造方法。
【請求項２】
前記微生物が、アウランチオキトリウム・リマシナム(Aurantiochytrium limacinum)、シゾキトリウム・アグレガタム(Schizochytrium aggregatum)、トラウストキトリウム・ロゼウム(Thraustochytrium roseum)、トラウストキトリウム・アウレウム(Thraustochytrium aureum)、トラウストキトリウム・ストリアタム(Thraustochytrium striatum)、ウルケニア・アモエボイデア(Ulkenia amoeboidea)、パリエチキトリウム・サルカリアナム(Parietichytrium sarkarianum)、又はボツリオキトリウム・ラジアタム(Botryochytrium radiatum)に属する微生物から選択される少なくとも1種である、請求項1の方法。
【請求項３】
前記微生物が、アウランチオキトリウム・リマシナム SR21 ATCC MYA-1381(Aurantiochytrium limacinum SR21 ATCC MYA-1381)株、アウランチオキトリウム・リマシナム mh0186(Aurantiochytrium limacinum mh0186)株(FERM P-19755)、アウランチオキトリウム sp. ATCC26185(Aurantiochytrium sp. ATCC26185)株、アウランチオキトリウム sp. ATCC20888(Aurantiochytrium sp. ATCC20888)株、シゾキトリウム・アグレガタム ATCC28209(Schizochytrium aggregatum ATCC28209)株、トラウストキトリウム・ロゼウム ATCC28210(Thraustochytrium roseum ATCC28210)株、トラウストキトリウム・アウレウムATCC34304(Thraustochytrium aureum ATCC34304)株、トラウストキトリウム・ストリアタム ATCC24473(Thraustochytrium striatum ATCC24473)株、ウルケニア sp. ATCC28207(Ulkenia sp. ATCC28207)株、シゾキトリウム sp. SEK210（Schizochytrium sp. SEK210）株 （NBRC 102615）、シゾキトリウム sp. SEK345 (Schizochytrium sp. SEK345)株 (NBRC 102616）、ウルケニア・アモエボイデア SEK214 (Ulkenia amoeboidea SEK214)株 (NBRC 104106)、パリエチキトリウム・サルカリアナム SEK351 (Parietichytrium sarkarianum SEK351)株 (NBRC 104108)、ボツリオキトリウム・ラジアタム SEK353 (Botryochytrium radiatum SEK353)株 (NBRC 104107)、オブロンギキトリウム sp. SEK347 (Oblongichytrium sp. SEK347)株 (NBRC 102618）、パリエチキトリウム・サルカリアナム SEK364 (Parietichytrium sarkarianum SEK364)株 (FERM BP-11298）、及びパリエチキトリウム sp. SEK358 (Parietichytrium sp. SEK358)株 (FERM BP-11405) から選択される少なくとも1種である、請求項1の方法。
【請求項４】
前記培養工程が、過酸化水素を含有する培地を用いて前記微生物を培養する工程である、請求項1〜3のいずれか1項の方法。
【請求項５】
前記培養工程は、前記微生物を培養して遊走細胞を出現させることを含み、
前記方法は更に
出現した前記遊走細胞を回収する遊走細胞回収工程と、
回収された前記遊走細胞からカタラーゼ活性を有するタンパク質を回収するタンパク質回収工程とを含む、請求項1〜4のいずれか1項の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピーク発光波長が５３０ｎｍ以上の半導体発光素子であって、
ｎ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層の上層に形成された活性層と、
前記活性層の上層に形成されたｐ型半導体層とを有し、
前記活性層は、ＩｎＸ１Ｇａ１−Ｘ１Ｎ（０≦Ｘ１≦０．０１）で構成された第一層、ＩｎＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ（０．２＜Ｘ２＜１）で構成された第二層、及びＡｌＹ１Ｇａ１−Ｙ１Ｎ（０＜Ｙ１＜１）で構成された第三層が積層され、少なくとも前記第一層及び前記第二層が周期的に形成され、
前記第二層は、膜厚が２．４ｎｍ以上２．８ｎｍ以下のＩｎＸ２Ｇａ１−Ｘ２Ｎ（０．２８≦Ｘ２≦０．３３）で構成され、
前記第一層の膜厚をＴ１、前記第二層の膜厚をＴ２、前記第三層の膜厚をＴ３としたときに、５Ｔ２≦Ｔ１≦１０Ｔ２、且つ、Ｔ３＜Ｔ２の関係を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記活性層は、前記ｐ型半導体層に近い位置において、前記第一層、前記第二層及び前記第三層が周期的に形成されてなり、前記ｎ型半導体層に近い位置において前記第一層及び前記第二層が周期的に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｎ型半導体層の上層に形成された、異なるバンドギャップを持つ複数の窒化物半導体の積層体からなる超格子層を有し、
前記活性層が、前記超格子層の上層に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記超格子層と前記活性層の間に、窒化物半導体層で構成された正孔障壁層を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記正孔障壁層は、Ｓｉ濃度が５×１０１８／ｃｍ３以上、５×１０１９／ｃｍ３以下の窒化物半導体層で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記第三層がＡｌＹ１Ｇａ１−Ｙ１Ｎ（０．２≦Ｙ１≦０．５）で構成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｎ型半導体層は、Ｓｉ濃度が３×１０１９ｃｍ３以上のＡｌＧａＮで構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記超格子層が第四層と第五層の積層体で構成され、
前記第五層はＩｎＧａＮ層であり、
前記第四層は、ＧａＮ層、又は前記第五層よりＩｎ組成の低いＩｎＧａＮ層であることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月2日(2015.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両を基準として所定方向に設定された所定の監視領域の画像を撮影する車載カメラに適用されて、該車載カメラの画像を解析する画像解析装置であって、
前記車載カメラ（１１ａ〜１１ｄ）が前記監視領域を撮影した場合に得られる監視領域画像の特徴量を記憶しておく記憶手段（１５）と、
前記車載カメラによる画像を取得して、該画像の特徴量を抽出する抽出手段（１４）と、
前記車載カメラによる画像の特徴量と前記監視領域画像の特徴量とを比較することによって、前記車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断し、判断結果を出力する出力手段（１６、１３）と、
前記車両が走行中であるか否かを判断する走行判断手段（１７）と
を備え、
前記記憶手段は、前記車両の走行中の前記監視領域画像において輝度値の変化量が所定量以上の領域と所定量未満の領域との割合を、前記監視領域画像の特徴量として記憶する手段であり、
前記抽出手段は、前記車両の走行中に前記車載カメラによって複数回撮影された複数の画像を取得して、該複数の画像間において輝度値の変化量が所定量以上の領域と所定量未満の領域との割合を前記車載カメラによる画像の特徴量として抽出する手段である画像解析装置。
【請求項２】
車両を基準として所定方向に設定された所定の監視領域の画像を撮影する車載カメラに適用されて、該車載カメラの画像を解析する画像解析装置であって、
前記車載カメラ（１１ａ〜１１ｄ）が前記監視領域を撮影した場合に得られる監視領域画像の特徴量を記憶しておく記憶手段（１５）と、
前記車載カメラによる画像を取得して、該画像の特徴量を抽出する抽出手段（１４）と、
前記車載カメラによる画像の特徴量と前記監視領域画像の特徴量とを比較することによって、前記車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断し、判断結果を出力する出力手段（１６、１３）と、
ワイパーが動作していることを検出するワイパー動作検出手段（２１）と
を備え、
前記出力手段は、前記ワイパーが動作している場合は、前記車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断しない手段である画像解析装置。
【請求項３】
車両を基準として所定方向に設定された所定の監視領域の画像を撮影する車載カメラに適用されて、該車載カメラの画像を解析する画像解析装置であって、
前記車載カメラ（１１ａ〜１１ｄ）が前記監視領域を撮影した場合に得られる監視領域画像の特徴量を記憶しておく記憶手段（１５）と、
前記車載カメラによる画像を取得して、該画像の特徴量を抽出する抽出手段（１４）と、
前記車載カメラによる画像の特徴量と前記監視領域画像の特徴量とを比較することによって、前記車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断し、判断結果を出力する出力手段（１６、１３）と、
前照灯が点灯していることを検出する前照灯点灯検出手段（２２）と
を備え、
前記出力手段は、前記前照灯が点灯している場合は、前記車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断しない手段である画像解析装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の画像解析装置であって、
前記車両が走行中であるか否かを判断する走行判断手段（１７）を備え、
前記記憶手段は、前記車両の走行中の前記監視領域画像の輝度値の変化量を、前記監視領域画像の特徴量として記憶する手段であり、
前記抽出手段は、前記車両の走行中に前記車載カメラによって複数回撮影された複数の画像を取得して、該複数の画像間の輝度値の変化量を前記車載カメラによる画像の特徴量として抽出する手段である画像解析装置。
【請求項５】
請求項４に記載の画像解析装置であって、
前記記憶手段は、前記監視領域画像内に設定された所定の特定領域の前記輝度値の変化量を、前記監視領域画像の特徴量として記憶する手段であり、
前記抽出手段は、前記車載カメラによって撮影された画像の前記特定領域の前記輝度値の変化量を前記車載カメラによる画像の特徴量として抽出する手段である画像解析装置。
【請求項６】
車両を基準として所定方向に設定された監視領域の画像を撮影する車載カメラに適用されて、該車載カメラの画像を解析する画像解析方法であって、
前記車両の走行中に前記車載カメラによって複数回撮影された複数の画像を取得して、該複数の画像間において輝度値の変化量が所定量以上の領域と所定量未満の領域との割合を前記車載カメラによる画像の特徴量として抽出する工程（Ｓ２０２〜Ｓ２０８、Ｓ２１２）と、
前記車載カメラによる画像の特徴量と、前記車載カメラが前記監視領域を撮影した場合に得られる監視領域画像の特徴量であって、前記車両の走行中の前記監視領域画像における輝度値の変化量が所定量以上の領域と所定量未満の領域との割合とを比較することによって、前記車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断し、判断結果を出力する工程（Ｓ２１０、Ｓ２１６、Ｓ２１８）と
を備える画像解析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の画像解析装置は、車両を基準として所定方向に設定された所定の監視領域の画像を撮影する車載カメラに適用されて、該車載カメラの画像を解析する装置であり、車載カメラが監視領域を撮影した場合に得られる監視領域画像の特徴量を記憶している。そして、車載カメラによる画像を取得して、該画像の特徴量を抽出し、該特徴量と監視領域画像の特徴量とを比較することによって、車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断し、判断結果を出力する。
この時、車両の走行中の監視領域画像において輝度値の変化量が所定量以上の領域と所定量未満の領域との割合を、監視領域画像の特徴量として記憶しておく。そして、車両の走行中に車載カメラで複数の画像を撮影して、それらの画像間で輝度値の変化量が所定量以上の領域と所定量未満の領域との割合を特徴量として抽出し、抽出した特徴量と、記憶しておいた特徴量を比較することによって、車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断する。
あるいは、ワイパーが動作していることを検出して、ワイパーが動作している場合は、車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断しないこととする。
若しくは、前照灯が点灯していることを検出して、前照灯が点灯している場合は、車載カメラの取り付け位置の異常の有無を判断しないこととする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書を分類するために用いられる識別子である分別符号と関係を有するキーワードを保持するキーワードデータベースと、
文書情報から抽出された文書と前記分別符号との結びつきの強さを示すスコアであって、監視すべき文書の優先度を数値化したスコアを、前記キーワードに基づいて算出するスコア算出部と、
前記算出されたスコアが所定の条件を満たした場合、当該スコアを用いて調査レポートを作成する報告作成部と、
前記作成された調査レポートを出力することによって、前記スコアをユーザにフィードバックするスコア報告部と
を備えた文書分析システム。
【請求項２】
前記算出されたスコアを有する文書を抽出する文書抽出部と、
前記抽出された文書を文書表示画面に表示する文書表示部と
をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の文書分析システム。
【請求項３】
前記分別符号の入力を受け付ける分別符号受付付与部をさらに備え、
前記分別符号は、前記文書情報から抽出された文書に対して、前記ユーザが所定の事案との関連性に基づいて付与したものである
ことを特徴とする請求項１または２に記載の文書分析システム。
【請求項４】
前記所定の事案のカテゴリの入力を受け付ける調査カテゴリ入力受付部
をさらに備えたことを特徴とする請求項３に記載の文書分析システム。
【請求項５】
前記文書は、電子メールであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の文書分析システム。
【請求項６】
文書を分類するために用いられる識別子である分別符号と関係を有するキーワードを保持するキーワードデータベースを参照し、文書情報から抽出された文書と当該分別符号との結びつきの強さを示すスコアであって、監視すべき文書の優先度を数値化したスコアを、当該キーワードに基づいて算出するスコア算出ステップと、
前記算出したスコアが所定の条件を満たした場合、当該スコアを用いて調査レポートを作成する報告作成ステップと、
前記作成した調査レポートを出力することによって、前記スコアをユーザにフィードバックするスコア報告ステップとを含む、コンピュータが実行する文書分析方法。
【請求項７】
コンピュータに、
文書を分類するために用いられる識別子である分別符号と関係を有するキーワードを保持するキーワードデータベースを参照し、文書情報から抽出された文書と当該分別符号との結びつきの強さを示すスコアであって、監視すべき文書の優先度を数値化したスコアを、当該キーワードに基づいて算出するスコア算出機能と、
前記算出されたスコアが所定の条件を満たした場合、当該スコアを用いて調査レポートを作成する報告作成機能と、
前記作成された調査レポートを出力することによって、前記スコアをユーザにフィードバックするスコア報告機能と
を実現させる文書分析プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主面に、第１の活性領域と、第２の活性領域と、前記第１の活性領域と前記第２の活性領域の間に配置され、第１方向に延在する分離領域と、
前記分離領域上に配置された抵抗素子と、
を有し、
前記第１の活性領域と前記第２の活性領域は、前記第１方向と直交する第２方向において前記分離領域を挟んで隣り合って配置され、
前記分離領域の前記第２方向における幅が２０μｍ以下に規定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記抵抗素子の幅は２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記抵抗素子は前記分離領域の内側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の主面に、第１の活性領域と、第２の活性領域と、前記第１の活性領域と前記第２の活性領域の間に配置された分離領域と、を有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板主面に、第１方向に延在し、前記第１方向に直交する第２方向に２０μｍ以下の幅を持つ溝を形成する工程と、  
前記半導体基板上に絶縁膜を堆積して前記溝を埋め込む工程と、  
前記絶縁膜の表面を研磨して、選択的に溝内に絶縁膜を形成し、前記分離領域とする工程と、  
前記分離領域上に抵抗素子を形成する工程と、からなる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記抵抗素子を形成する工程は、
前記分離領域上にシリコン膜を堆積する工程と、
前記シリコン膜をパターニングする工程と、
を含む請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記抵抗素子の幅は２０μｍ以下に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記抵抗素子は前記分離領域の内側に形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明の半導体装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板の主面に、第１の活性領域と、第２の活性領域と、前記第１の活性領域と前記第２の活性領域の間に配置され、第１方向に延在する分離領域と、
前記分離領域上に配置された抵抗素子と、
を有し、
前記第１の活性領域と前記第２の活性領域は、前記第１方向と直交する第２方向において前記分離領域を挟んで隣り合って配置され、
前記分離領域の前記第２方向における幅が２０μｍ以下に規定されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、この発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記抵抗素子の幅は２０μｍ以下であることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、この発明の半導体装置は、前記半導体装置において、前記抵抗素子は前記分離領域の内側に形成されていることを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、
半導体基板の主面に、第１の活性領域と、第２の活性領域と、前記第１の活性領域と前記第２の活性領域の間に配置された分離領域と、を有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板主面に、第１方向に延在し、前記第１方向に直交する第２方向に２０μｍ以下の幅を持つ溝を形成する工程と、  
前記半導体基板上に絶縁膜を堆積して前記溝を埋め込む工程と、  
前記絶縁膜の表面を研磨して、選択的に溝内に絶縁膜を形成し、前記分離領域とする工程と、  
前記分離領域上に抵抗素子を形成する工程と、からなることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体装置の製造方法において、
前記抵抗素子を形成する工程は、
前記分離領域上にシリコン膜を堆積する工程と、
前記シリコン膜をパターニングする工程と、
を含む、ことを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体装置の製造方法において、
前記抵抗素子の幅は２０μｍ以下に形成されている、ことを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体装置の製造方法において、
前記抵抗素子は前記分離領域の内側に形成されている、ことを特徴とするものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月29日(2015.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置において、
複数の圧縮静止画情報を蓄積した外部映像機器と第１及び第２のインタフェースを介して接続可能であり、該外部映像機器から第１のインタフェースを介して圧縮静止画情報が入力可能な第１の入力部と、
前記第１の入力部に入力された圧縮静止画情報を伸張して第２のべースバンド静止画情報を生成するための伸張部と、
外部映像機器から第２のインタフェースを介してベースバンド動画情報が入力可能な第２の入力部と、
前記第１及び第２の入力部に入力された映像情報に基づく映像を表示するための表示部と、
該表示装置に対するユーザー操作をリモコンを介して入力する第３の入力部とを備え、
前記表示部は、前記第１の入力部に入力された圧縮静止画情報を前記伸張部で伸張して生成した第２のべースバンド静止画情報を前記表示部に表示する第１の表示モードと、
リモコンを介して第３の入力部に入力されたユーザー操作に応じて、前記外部装置に対し、前記外部装置に蓄積された複数の圧縮静止画情報を伸張し所定時間間隔で切り替わるベースバンド動画情報に変換して出力させるための映像取得要求信号を出力し、前記映像取得要求信号に応じて前記外部装置から前記第２の入力部に入力された前記ベースバンド動画情報を前記表示部に表示する第２の表示モードと、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、前記第１のインタフェースはＵＳＢインタフェースであり、前記第２のインタフェースはＨＤＭインタフェースであることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置において、前記所定時間間隔は、ユーザー操作により可変できることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２に記載の表示装置において、ユーザー操作により前記外部装置に蓄積された圧縮静止画像情報の属性情報を付加又は変更可能であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月7日(2015.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直交周波数多重アクセス（ＯＦＤＭＡ）を少なくともダウンリンクにおいて用いる無線システムのための方法であって、
基地局が、加入者装置へ複数のＯＦＤＭＡサブキャリアを使用した第１のパイロット記号を送信する第１の段階と、
前記基地局が、前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアのうち少なくとも２つを各々が含む複数のクラスタに関する第１のフィードバック情報を該加入者装置から受信する第２の段階と、
前記基地局が、前記加入者装置が使用するための第１の複数のＯＦＤＭＡサブキャリアに関する第１の割り当て情報を該加入者装置へ送信する第３の段階と、
前記基地局が、前記加入者装置へ複数のＯＦＤＭＡサブキャリアを使用した第２のパイロット記号を送信する第４の段階と、
前記基地局が、前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアのうち少なくとも２つを各々が含む前記複数のクラスタに関する第２のフィードバック情報を該加入者装置から受信する第５の段階と、
前記基地局が、前記加入者装置が使用するための第２の複数のＯＦＤＭＡサブキャリアに関する第２の割り当て情報を該加入者装置へ送信する第６の段階と、を含み、
前記第１のフィードバック情報は、前記複数のクラスタのそれぞれについての変調方式と符号化速度に関係するインデクスを含み、
前記第２のフィードバック情報は、前記複数のクラスタのそれぞれについての変調方式と符号化速度に関係するインデクスを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１及び第２のフィードバック情報は、いずれもソース符号化技法を使って圧縮され、エラー修正でエンコードされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記パイロット記号はＯＦＤＭ周波数帯域全体をカバーしていることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記第１の割り当て情報は、前記第１のフィードバック情報が提供された少なくとも１つのクラスタから前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアが選択されることを示すものであることを特徴とする請求項１から３までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の割り当て情報は、前記第２のフィードバック情報が提供された少なくとも１つのクラスタから前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアが選択されることを示すものであることを特徴とする請求項１から４までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアは、他のクラスタに対して相対的に性能が良好な少なくとも１つのクラスタから選択されることを特徴とすることを特徴とする請求項１から５までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第４の段階は前記基地局の要求に基づき該基地局が開始するものであることを特徴とする請求項１から６までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第４の段階は再教育の一部として前記基地局が開始するものであることを特徴とする請求項１から７までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のフィードバック情報は、前記第１のパイロット記号に基づいて前記加入者装置が測定した第１のチャネル及び干渉情報に関連するものであり、
前記第２のフィードバック情報は、前記第２のパイロット記号に基づいて前記加入者装置が測定した第２のチャネル及び干渉情報に関連するものであることを特徴とする請求項１から８までのいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
直交周波数多重アクセス（ＯＦＤＭＡ）を少なくともダウンリンクにおいて用いる無線システムのための基地局であって、該基地局は、
第１の段階において、加入者装置へ複数のＯＦＤＭＡサブキャリアを使用した第１のパイロット記号を送信し、
第２の段階において、前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアのうち少なくとも２つを各々が含む複数のクラスタに関する第１のフィードバック情報を該加入者装置から受信し、
第３の段階において、前記加入者装置が使用するための第１の複数のＯＦＤＭＡサブキャリアに関する第１の割り当て情報を該加入者装置へ送信し、
第４の段階において、前記加入者装置へ複数のＯＦＤＭＡサブキャリアを使用した第２のパイロット記号を送信し、
第５の段階において、前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアのうち少なくとも２つを各々が含む前記複数のクラスタに関する第２のフィードバック情報を該加入者装置から受信し、そして
第６の段階において、前記加入者装置が使用するための第２の複数のＯＦＤＭＡサブキャリアに関する第２の割り当て情報を該加入者装置へ送信する、処理装置を備え、
前記第１のフィードバック情報は、前記複数のクラスタのそれぞれについての変調方式と符号化速度に関係するインデクスを含み、
前記第２のフィードバック情報は、前記複数のクラスタのそれぞれについての変調方式と符号化速度に関係するインデクスを含むことを特徴とする基地局。
【請求項１１】
前記第１及び第２のフィードバック情報は、いずれもソース符号化技法を使って圧縮され、エラー修正でエンコードされることを特徴とする請求項１０記載の基地局。
【請求項１２】
前記パイロット記号はＯＦＤＭ周波数帯域全体をカバーしていることを特徴とする請求項１０又は１１記載の基地局。
【請求項１３】
前記第１の割り当て情報は、前記第１のフィードバック情報が提供された少なくとも１つのクラスタから前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアが選択されることを示すものであることを特徴とする請求項１０から１２までのいずれか一項に記載の基地局。
【請求項１４】
前記第２の割り当て情報は、前記第２のフィードバック情報が提供された少なくとも１つのクラスタから前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアが選択されることを示すものであることを特徴とする請求項１０から１３までのいずれか一項に記載の基地局。
【請求項１５】
前記複数のＯＦＤＭＡサブキャリアは、他のクラスタに対して相対的に性能が良好な少なくとも１つのクラスタから選択されることを特徴とすることを特徴とする請求項１０から１４までのいずれか一項に記載の基地局。
【請求項１６】
前記第４の段階は前記処理装置の要求に基づき該処理装置が開始するものであることを特徴とする請求項１０から１５までのいずれか一項に記載の基地局。
【請求項１７】
前記第４の段階は再教育の一部として前記処理装置が開始するものであることを特徴とする請求項１０から１６までのいずれか一項に記載の基地局。
【請求項１８】
前記第１のフィードバック情報は、前記第１のパイロット記号に基づいて前記加入者装置が測定した第１のチャネル及び干渉情報に関連するものであり、
前記第２のフィードバック情報は、前記第２のパイロット記号に基づいて前記加入者装置が測定した第２のチャネル及び干渉情報に関連するものであることを特徴とする請求項１０から１７までのいずれか一項に記載の基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月31日(2015.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電反応により電力を発生する燃料電池本体と，
前記燃料電池本体から電流を取り出すための出力端子部材と，
前記燃料電池本体を内部に収容し，前記出力端子部材を外部に通すために壁部に貫通孔を有する収容容器と，
を具備し，前記出力端子部材と前記収容容器との間が電気的に絶縁されている固体酸化物形燃料電池であって，
前記収容容器の前記壁部と前記出力端子部材との相対位置変動により発生する応力を緩和する応力緩和部材と，
内部に前記出力端子部材の一部が挿入されている管状絶縁部材と，
前記管状絶縁部材と前記応力緩和部材との間をシールする第１シール部と，
前記管状絶縁部材と前記出力端子部材との間をシールする第２シール部と，
をさらに具備することを特徴とする固体酸化物形燃料電池。
【請求項２】
前記応力緩和部材は，前記出力端子部材の延びる方向に交差する方向に伸縮するように配置されている
ことを特徴とする請求項１に記載の固体酸化物形燃料電池。
【請求項３】
前記応力緩和部材は，前記出力端子部材の延びる方向に沿って伸縮するように配置されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体酸化物形燃料電池。
【請求項４】
前記応力緩和部材は，内側が前記管状絶縁部材に固定され，外側が前記壁部に固定されており，伸縮可能な蛇腹形状に形成されている部分を有する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体酸化物形燃料電池。
【請求項５】
前記応力緩和部材は，中空円盤状または円筒状の部分を有する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体酸化物形燃料電池。
【請求項６】
前記応力緩和部材は，中空円盤状の平坦部と，前記平坦部の平坦面から突出する突出部と，を有する，
ことを特徴とする請求項５に記載の固体酸化物形燃料電池。
【請求項７】
前記応力緩和部材は，０．１〜０．５ｍｍの厚みを有する板状金属部材から構成される
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の固体酸化物形燃料電池。
【請求項８】
前記第１シール部と前記第２シール部との少なくとも一方は，少なくとも一部がガラスシールである
ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の固体酸化物形燃料電池。
【請求項９】
前記管状絶縁部材は，段部を有し，
前記第１シール部は，前記管状絶縁部材の前記段部と，前記応力緩和部材とに接触している
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の固体酸化物形燃料電池。