【事件の表示】
　特願２０１６−５７２３９９「車両ライダシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年１２月１７日国際公開、ＷＯ２０１５／１８９０２５、平成２９年　８月３１日国内公表、特表２０１７−５２４９１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１５年（平成２７年）５月２６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１４年（平成２６年）６月１１日　独国）を国際出願日とする外国語特許出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２８年１２月　９日　　：翻訳文提出
　平成２９年　１月２６日　　：手続補正書の提出
　平成２９年１１月２９日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年　３月１２日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３０年　７月２７日付け：拒絶査定
　（査定の謄本の送達日：平成３０年８月６日）
　平成３０年１２月　６日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　平成３０年１２月６日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年１２月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「車両ライダシステム（１０１，２０１）であって、
　レーザパルスを放出するパルスレーザ（１０３）と、
　前記レーザパルスを検出対象の対象物（１０９）の方向に偏向するための、変位可能に配置された少なくとも１つのミラー（１０５）と、
　前記対象物（１０９）によって反射された前記レーザパルスを検出するための受光器（１１１，２０５）と、
を備えており、
　前記受光器（１１１，２０５）は、前記反射されたレーザパルスを検出するため、および、偏向された前記レーザパルスを用いて照射可能な領域（１０７）の画像を撮像するためのＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）を備えており、
　前記ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）は、
テクスチャ加工またはコーティングによって
ことを特徴とする車両ライダシステム（１０１，２０１）。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、平成３０年３月１２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「車両ライダシステム（１０１，２０１）であって、
　レーザパルスを放出するパルスレーザ（１０３）と、
　前記レーザパルスを検出対象の対象物（１０９）の方向に偏向するための、変位可能に配置された少なくとも１つのミラー（１０５）と、
　前記対象物（１０９）によって反射された前記レーザパルスを検出するための受光器（１１１，２０５）と、
を備えており、
　前記受光器（１１１，２０５）は、前記反射されたレーザパルスを検出するため、および、偏向された前記レーザパルスを用いて照射可能な領域（１０７）の画像を撮像するためのＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）を備えており、
　前記ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）は、ドープおよび／または表面改質されたシリコンをセンサ材料として含む、
ことを特徴とする車両ライダシステム（１０１，２０１）。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である、「ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）」が含む「センサ材料」の内容について、上記のとおり限定するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条６項において準用する同法１２６条７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用文献の記載事項（下線は、当審で付した。）
ア　引用文献１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特表２００４−５２９３４３号公報（以下「引用文献１」という。）には、図面とともに、次の記載がある。
「【０００１】
本発明は、画像解析装置に関し、詳細には
衝突警告および回避システムのための画像解析装置に関する。
「【００１５】
それゆえ、
簡単な技術を用いて車両の周囲の視野にわたって物体への距離を測定でき
低コストで信頼性のある画像検出
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、光源と、該光源で対象となる視野を照射するための手段と、解析されることになる視野から反射される光を受光するための受光光学系と、受光光学系から受光される光を検出するための多領域光検出器であって、該光検出器の複数の領域は別々に動作させることができる、多領域光検出器と、光源の照射のタイミングおよび方向と、光検出器の動作とを同期させるための制御電子回路と、照射される全ての方向に対して光源から検出器の動作部までの光信号の移動時間を測定し、該移動時間から距離を導出するための処理手段と、導出された距離が所定の閾値よりも短い場合に、警告を発生するための手段とを備える
画像解析システム
「【００２０】
このようにして、システムは、衝突回避システムとして用いることができ、衝突の危険があるときには画像が変更される。
２次元の光検出器を画像取り込みシステムのための検出器として用いることができ、結果として、画像取り込みシステムと距離測定システムとの間が完全に整合され、コストも削減される。
画像データを取り込むために（従来どおりに）読み出す第１のモード
距離データが取り込まれる第２のモードとで動作できる。
「【００２７】
提案された最も簡単なシステムを図２に示す。
【００２８】
レーザ４０からの一連のパルスレーザビーム出力が視野４１にわたって走査される。走査は、
走査式ミラー４２を用いることにより達成される。
【００２９】
固定の受光光学系４６が、
遠隔した物体からの光の全てを収集して、フォトダイオードアレイ４８に集束する
【００３０】
制御電子回路５２が、方位角および仰角（Ｘ，Ｙ）のレーザビームの走査と、レーザパルスのタイミングとを制御する。
各レーザパルスは、視野４１内の物体から反射され、受光光学系４６によって集められ、フォトダイオードアレイ４８に集束されて
「【００５５】
図３は、別々のＬＲＦおよびビデオイメージングシステム１０、１２を示す。ここに記載される手法の特有の利点は、特に受光用ハードウエアを共有することにより、ビデオカメラおよび表面形状測定システムの構成を簡単にできることである。
ビデオおよび形状測定システムの組み合わせは、図２のシステムによって実現され、かかるシステムを動作させる方法を説明する。次に、図５を参照して、システムをさらに詳細に説明する。
【００５６】
ＬＲＦシステムのフォトダイオードアレイは、ビデオカメラのための画像取り込みシステムとして用いられる。
　　　　　　　　　　　・・・＜略＞・・・
【００６２】
さらに、本発明に記載された基本的な構造は、提案された本発明を説明する目的のために簡略化されていることに留意されたい。
実用的なＸ−Ｙアドレス方式のフォトダイオードアレイは、
単一の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）の大規模集積回路（ＬＳＩ）として製造され
　　　　　　　　　　　・・・＜略＞・・・
【００６６】
多重化された移動時間検出器モードよりは、標準的なイメージングモードにおいてアレイを動作させるために、Ｘ−Ｙアドレス方式アレイに印加されるパルスのシーケンスは、従来のビデオ走査シーケンスに戻される。
２つのシステムを連続して動作可能とするために、たとえば、フレームにおいて距離測定動作とイメージング動作とを交互に提供できる複合走査シーケンスが適用される。
　　　　　　　　　　　・・・＜略＞・・・
【００７５】
図５は、上記のイメージングおよび距離測定を組み合わせた手法を利用するシステムを示す。
【図２】  
【図５】
（イ）上記記載から、引用文献１には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ａ　引用文献１に記載された技術は、車両の衝突警告および回避システムのための画像解析システムに関するものであり（【０００１】、【００１６】）、簡単な技術を用いて車両の周囲の視野にわたって物体への距離を測定でき、低コストで信頼性のある画像検出を行うことを課題としたものである（【００１５】）。
ｂ　システムであって（【００２７】、図２）、レーザ４０からの一連のパルスレーザビーム出力が視野４１にわたって走査され（【００２８】）、走査は、走査式ミラー４２を用いることにより達成され（【００２８】）、各レーザパルスは、視野４１内の物体から反射され、受光光学系４６によって集められ、フォトダイオードアレイ４８に集束される（【００２９】、【００３０】）、システム。
ｃ　イメージングおよび距離測定を組み合わせた手法を利用するシステムであって（【００２０】、【００５５】、【００６６】、【００７５】、図２、５）、フォトダイオードアレイは、ビデオカメラのための画像取り込みシステムとして用いられ（【００５５】、【００５６】）、フォトダイオードアレイは、単一の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）の大規模集積回路（ＬＳＩ）として製造される（【００６２】）、システム。
（ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「車両の衝突警告および回避システムのために車両の周囲の視野にわたって物体への距離を測定できるようにした、イメージングおよび距離測定を組み合わせた手法を利用するシステムであって、レーザ４０からの一連のパルスレーザビーム出力が視野４１にわたって走査され、走査は、走査式ミラー４２を用いることにより達成され、各レーザパルスは、視野４１内の物体から反射され、受光光学系４６によって集められ、フォトダイオードアレイ４８に集束され、フォトダイオードアレイ４８は、ビデオカメラのための画像取り込みシステムとして用いられ、フォトダイオードアレイ４８は、単一の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）の大規模集積回路（ＬＳＩ）として製造される、システム。」
イ　引用文献６
（ア）当審において新たに引用した文献である、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特表２０１３−５０５５８７号公報（以下「引用文献６」という。）には、次の記載がある。
「【０００２】
  （背景）
  光と半導体材料の相互作用は、重要な革新となっている。シリコン撮像素子は、デジタルカメラ、光学マウス、ビデオカメラ、携帯電話等の種々の技術において使用されている。電荷結合素子（ＣＣＤ）は、デジタル撮像において広く使用され、後に、性能が向上した
相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像素子
ＣＭＯＳセンサは、一般的には、シリコンから製造され
シリコンは、
約１１００ｎｍ超の波長を有する電磁放射の吸収は、シリコン内では非常に低い。
「【００３１】
  
感光撮像素子は、正面照射（ＦＳＩ）または裏面照射（ＢＳＩ）素子であることができ
本開示の側面による素子は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像素子構造
に組み込むことができる
【００３２】
  一側面では、
図１に示されるように、感光ダイオード１０は、
電磁放射と相互作用するように設置される、少なくとも１つのテクスチャ加工領域１８とを含むことができる。
感光ダイオードは、ＢＳＩ構造とともに構成されることができる、したがって、電磁放射は、テクスチャ加工領域の方向から半導体基板に入るであろうことに留意されたい。
【００３３】
  
本開示の側面による種々の素子は、従来の感光素子に勝る増加した量子効率を呈することができる。量子効率のいかなる増加も、信号対雑音比に大きな差異をもたらす。
　　　　　　　　　　　・・・＜略＞・・・
【００３５】
  
種々の半導体材料は、本開示の側面による、素子および方法併用するために想定される。
半導体材料の非限定的実施例は、
シリコン
を含むことができる。
「【００４８】
  本開示の側面による、
テクスチャ加工領域は、
素子内で入射電磁放射の複数の通過に触れさせることを可能にする。そのような内部反射は、半導体基板の厚さを上回る有効吸収長を増加させる。本吸収長の増加は、素子の量子効率を増加させ、信号対雑音比の改善につながる。
【図１】  
（イ）上記記載から、引用文献６には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ａ　引用文献６に記載された技術は、ＣＭＯＳセンサに関するものであり（【０００２】）、従来の感光素子に勝る増加した量子効率を呈することができ、信号対雑音比の改善につながるようにすることを課題としたものである（【００３３】、【００４８】）。
ｂ　感光ダイオード１０は、電磁放射と相互作用するように設置される、少なくとも１つのテクスチャ加工領域１８を含み（【００３２】）、ＢＳＩ構造とともに構成されて、電磁放射は、テクスチャ加工領域の方向から半導体基板に入り（【００３２】）、感光ダイオード１０は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像素子構造を組み込むことができ（【００３１】）、素子に用いられるために想定される半導体材料はシリコンを含む（【０００２】、【００３５】）。
（ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献６には、次の技術が記載されていると認められる。
「感光ダイオード１０は、電磁放射と相互作用するように設置される、少なくとも１つのテクスチャ加工領域１８を含み、ＢＳＩ構造とともに構成されて、電磁放射は、テクスチャ加工領域の方向から半導体基板に入り、感光ダイオード１０は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像素子構造を組み込むことができ、素子に用いられるために想定される半導体材料はシリコンを含む技術」
ウ　引用文献７
（ア）当審において新たに引用した文献である、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開平４−２４０７７０号公報（以下「引用文献７」という。）には、次の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】
この発明は、
固体撮像装置の改良に関する。
「【０００４】そこで、この発明の目的は、
鮮明な画像が得られる合成樹脂型パッケージの固体撮像装置を提供すること
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、第１の発明の固体撮像素子を設置した状態のリードフレームを透明合成樹脂でパッケージングした固体撮像装置において、上記リードフレームにおける固体撮像素子を設置する箇所に表面が水平な台座を設けて、この台座に設置された固体撮像素子の表面と上記透明合成樹脂の水平な表面との距離を上記固体撮像素子が十分保護される範囲内にあって最短距離になるように設定したことを特徴としている。また、第２の発明は、上記第１の発明の固体撮像装置において、上記透明合成樹脂との境界面を有すると共に、この境界面における反射率が零になるように厚みと屈折率とが設定され
無反射膜を上記固体撮像素子の表面に設けた
「【０００９】また、
上記固体撮像素子１１の表面には例えばＭｇＦ
２
で成る無反射膜１８を形成する。
　　　　　　　　　　　・・・＜略＞・・・
【００１３】以上のことから、被写体から放射されて透明合成樹脂１４および
無反射膜１８
したがって、上記各光電変換部による光電変換によって得られる信号が上記外部反射入射光（ロ）の影響によって偽信号となることが防止されて、鮮明な画像が得られるのである。
（イ）上記記載から、引用文献７には、次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ａ　引用文献７に記載された技術は、固体撮像装置に関するものであり（【０００１】）、鮮明な画像が得られる合成樹脂型パッケージの固体撮像装置を提供することを課題としたものである（【０００４】、【００１３】）。
ｂ　無反射膜１８を固体撮像素子１１の表面に設けた（【０００５】、【０００９】）。
（ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献７には、次の技術が記載されていると認められる。
「無反射膜１８を固体撮像素子１１の表面に設けた技術」
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。（下線は、当審で付した。）
（ア）引用発明の「レーザ４０」は、パルスレーザビームを出力するものであるから、本件補正発明の「
レーザパルスを放出するパルスレーザ（１０３）
（イ）引用発明の「走査式ミラー４２」は、各レーザパルスが視野４１内の物体から反射されるように、レーザ４０からの一連のパルスレーザビーム出力が視野４１にわたって走査される際に用いられるものであるから、本件補正発明の「
前記レーザパルスを検出対象の対象物（１０９）の方向に偏向するための、変位可能に配置された少なくとも１つのミラー（１０５）
（ウ）引用発明の「フォトダイオードアレイ４８」は、レーザパルスが、視野４１内の物体から反射され、受光光学系４６によって集められて集束されるものであるから、本件補正発明の「
前記対象物（１０９）によって反射された前記レーザパルスを検出するための受光器（１１１，２０５）
（エ）引用文献１には、図５に示される「車両の衝突警告および回避システムのために車両の周囲の視野にわたって物体への距離を測定できるようにした、イメージングおよび距離測定を組み合わせた手法を利用するシステム」は、図２のシステムによって実現されること（【００５５】、【００７５】）が記載されているから、引用発明の「イメージングおよび距離測定を組み合わせた手法を利用するシステム」が、「レーザ４０」、「走査式ミラー４２」、「フォトダイオードアレイ４８」を備えているといえる。それゆえ、引用発明における、「イメージングおよび距離測定を組み合わせた手法を利用するシステム」の「フォトダイオードアレイ４８」が、「ビデオカメラのための画像取り込みシステムとして用いられ、フォトダイオードアレイは、単一の相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）の大規模集積回路（ＬＳＩ）として製造される」ことが、本件補正発明における、「
前記受光器（１１１，２０５）は、前記反射されたレーザパルスを検出するため、および、偏向された前記レーザパルスを用いて照射可能な領域（１０７）の画像を撮像するためのＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）を備えている
（オ）引用発明の「車両の衝突警告および回避システムのために車両の周囲の視野にわたって物体への距離を測定できるようにした、イメージングおよび距離測定を組み合わせた手法を利用するシステム」は、「レーザ４０」、「走査式ミラー４２」、「フォトダイオードアレイ４８」からなるライダの構成を備えたものであるから、引用発明の「イメージングおよび距離測定を組み合わせた手法を利用するシステム」は、本件補正発明の「
車両ライダシステム（１０１，２０１）
イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
【一致点】
「車両ライダシステム（１０１，２０１）であって、
　レーザパルスを放出するパルスレーザ（１０３）と、
　前記レーザパルスを検出対象の対象物（１０９）の方向に偏向するための、変位可能に配置された少なくとも１つのミラー（１０５）と、
　前記対象物（１０９）によって反射された前記レーザパルスを検出するための受光器（１１１，２０５）と、
を備えており、
　前記受光器（１１１，２０５）は、前記反射されたレーザパルスを検出するため、および、偏向された前記レーザパルスを用いて照射可能な領域（１０７）の画像を撮像するためのＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）を備えていることを特徴とする車両ライダシステム（１０１，２０１）。」
【相違点】
　本件補正発明は、「前記ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）は、テクスチャ加工またはコーティングによって表面改質されたシリコンをセンサ材料として含む」のに対し、引用発明はそのような構成を有していない点。
（４）判断
　以下、相違点について検討する。
ア　引用文献６に記載の「感光ダイオード１０」は、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像素子構造を組み込むことができるので、本件補正発明の「ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）」に相当する。
　引用文献６に記載の「感光ダイオード１０」は、その半導体材料としてシリコンを含むもの、換言すると、「感光ダイオード１０」は、シリコンをセンサ材料として含むものである。引用文献６に記載の「感光ダイオード１０」は、ＢＳＩ構造とともに構成されて、電磁放射は、テクスチャ加工領域の方向から半導体基板に入るものであるから、「感光ダイオード１０」の「テクスチャ加工領域」は、「テクスチャ加工によって表面改質された」ものである。
　してみると、引用文献６に記載の、「感光ダイオード１０は、電磁放射と相互作用するように設置される、少なくとも１つのテクスチャ加工領域１８とを含み、ＢＳＩ構造とともに構成されて、電磁放射は、テクスチャ加工領域の方向から半導体基板に入り」、「素子に用いられるために想定される半導体材料はシリコンを含む」ことが、本件補正発明の「前記ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）は、テクスチャ加工またはコーティングによって表面改質されたシリコンをセンサ材料として含む」に相当する。
　上記（２）イ（イ）ａのとおり、引用文献６に記載された技術は、ＣＭＯＳセンサに関するものであり、従来の感光素子に勝る増加した量子効率を呈することができ、信号対雑音比の改善につながるようにすることを課題としたものである。
　引用発明と、引用文献６に記載された技術とは、いずれも、「ＣＭＯＳセンサ」に関する技術である点で共通するものであり、引用文献６に記載された技術の課題である「従来の感光素子に勝る増加した量子効率を呈することができ、信号対雑音比の改善につながるようにすること」は、引用発明においても内在する課題であるから、引用発明におけるＣＭＯＳ互換イメージセンサとして、引用文献６に記載された、「電磁放射と相互作用するように設置される、少なくとも１つのテクスチャ加工領域１８とを含み、ＢＳＩ構造とともに構成されて、電磁放射は、テクスチャ加工領域の方向から半導体基板に入り」、「素子に用いられるために想定される半導体材料はシリコンを含む」「感光ダイオード１０」を採用することにより、「テクスチャ加工」に係る上記相違点に係る構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。
イ　引用文献７に記載の「無反射膜を固体撮像素子の表面に設けた」点は、本件補正発明における、「イメージセンサ（１１３）は、コーティングによって表面改質された材料をセンサ材料として含む」点に相当する。
　上記（２）ウ（イ）ａのとおり、引用文献７に記載された技術は、固体撮像装置に関するものであり、鮮明な画像が得られる合成樹脂型パッケージの固体撮像装置を提供することを課題としたものである。
　引用発明と、引用文献７に記載された技術とは、いずれも、「固体撮像装置」に関する技術である点で共通するものであり、引用文献７に記載された技術の課題である「従来の感光素子に勝る増加した量子効率を呈することができ、信号対雑音比の改善につながるようにすること」は、引用発明においても内在する課題であるから、引用発明におけるＣＭＯＳ互換イメージセンサとして、引用文献７に記載された、「無反射膜を固体撮像素子の表面に設けた」「固体撮素子」を採用するにより、「コーティング」に係る上記相違点に係る構成を得ることは、当業者が容易に想到し得たことである。また、ＣＭＯＳ互換イメージセンサのセンサ材料として「シリコン」を用いる技術は、本願の優先日前に周知慣用の技術であって、ＣＭＯＳ互換イメージセンサのセンサ材料として「シリコン」を採用することは、当業者が、適宜なし得たことである。
ウ　そして、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明と引用文献６又は７に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
エ　したがって、本件補正発明は、引用発明と引用文献６又は７に記載された技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成３０年３月１２日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］１（２）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、本願発明は、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１又は２に記載された発明及び周知技術（引用文献３−５）に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：特表２００４−５２９３４３号公報
引用文献２：特開２０１１−０８９８７４号公報
引用文献３：特開２０１１−０７７４９８号公報（周知技術を示す文献）
引用文献４：特開２００６−１８６１１８号公報（周知技術を示す文献）
引用文献５：特開２００４−２００３１９号公報（周知技術を示す文献）
３　引用文献
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献１及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
（２）その他の文献について
　原査定において周知技術を示す文献として引用された引用文献３の段落【０１１３】、【０１６４】、【図２０】には、「固体撮像装置のフォトダイオード１５において、Ｐ型領域１４は、ホウ素（Ｂ）がドープされたシリコン半導体層である」ことが記載されている。
　原査定において周知技術を示す文献として引用された引用文献４の段落【００１４】−【００１６】、【図１】には、「積層型固体撮像素子において、光電変換層２０が、アモルファスシリコンを堆積後にレーザーアニールにて単結晶化されることにより形成される」ことが記載されている。
　原査定において周知技術を示す文献として引用された引用文献５の段落【００２４】、【００３８】−【００３９】、【図１（ｂ）】には、「固体撮像素子において、電荷転送部の電荷転送電極が、ドープトアモルファスシリコン膜をアニールして形成された多結晶シリコン膜を含む」ことが記載されている。
　当審において新たに引用した文献であり、周知技術を示す文献である引用文献６の段落【０００２】、【００３１】−【００３２】、【００３５】、【００５７】、【図１】には、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）撮像素子構造を組み込むことができる感光ダイオード１０は、複数のドープ領域１４、１６を有し、素子に用いられるために想定される半導体材料はシリコンを含む」ことが記載されている。
４　対比
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「
テクスチャ加工またはコーティングによって
　そうすると、前記第２の［理由］２（３）での対比と同様にして、本願発明と引用文献１に記載された発明との一致点及び相違点は、次のとおりとなる。
【一致点】
「車両ライダシステム（１０１，２０１）であって、
　レーザパルスを放出するパルスレーザ（１０３）と、
　前記レーザパルスを検出対象の対象物（１０９）の方向に偏向するための、変位可能に配置された少なくとも１つのミラー（１０５）と、
　前記対象物（１０９）によって反射された前記レーザパルスを検出するための受光器（１１１，２０５）と、
を備えており、
　前記受光器（１１１，２０５）は、前記反射されたレーザパルスを検出するため、および、偏向された前記レーザパルスを用いて照射可能な領域（１０７）の画像を撮像するためのＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）を備えていることを特徴とする車両ライダシステム（１０１，２０１）。」
【相違点】
　本願発明は、「前記ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）は、ドープおよび／または表面改質されたシリコンをセンサ材料として含む」のに対し、引用発明はそのような構成を有していない点。
５　判断
　上記相違点について検討する。
　相違点に係る本願発明の「前記ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）は、ドープ」「されたシリコンをセンサ材料として含む」という構成について、上記３（２）の引用文献３、５、６に記載されているとおり、イメージセンサは、ドープされたシリコンをセンサ材料として含むという技術的事項は、本願の優先日前において周知技術であったといえる。また、相違点に係る本願発明の「前記ＣＭＯＳ互換イメージセンサ（１１３）は、」「表面改質されたシリコンをセンサ材料として含む」という構成について、上記３（２）の引用文献４、５に記載されているとおり、イメージセンサは、表面改質（アニール）されたシリコンをセンサ材料として含むという技術的事項は、本願の優先日前において周知技術であったといえる。
　引用発明と周知技術とは、いずれも、イメージセンサに関する技術である点で共通するものであり、引用発明のＣＭＯＳ互換イメージセンサにおいて、周知技術である、「イメージセンサは、ドープされたシリコンをセンサ材料として含む」という技術的事項、および／または、「イメージセンサは、表面改質されたシリコンをセンサ材料として含む」という技術的事項を採用することは、当業者が、容易になし得たことである。
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。