【事件の表示】
　特願２０１６−１１８８６６「ウエハの永久接合方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１０月　６日出願公開、特開２０１６−１７８３４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年１月２５日の特許出願（特願２０１３−５４９７１９号）の一部を平成２８年６月１５日に特許法第４４条第１項の規定による新たな特許出願（特願２０１６−１１８８６６号）としたものであって、平成２８年７月４日に手続補正書が提出され、平成２９年５月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年９月５日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成３０年２月２８日付けで拒絶査定がなされた。それに対して、同年７月５日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出された。
　
第２　平成３０年７月５日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３０年７月５日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜１５を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１５と補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項１は、次のとおりである。
（補正前）
「【請求項１】
　第１の基板の第１の接触面を、第２の基板の第２の接触面に接合する方法であって、
　前記第１の接触面上の表面層中に貯留部を形成するステップと、
　前記貯留部に、第１の原料または第１の原料群を少なくとも部分的に充填するステップと、
　仮接合連結を形成するために、前記第１の接触面を前記第２の接触面と接触させるステップと、
　前記第１の接触面と前記第２の接触面との間の永久接合を形成するステップであって、
前記第１の原料と、前記第２の基板の反応層中に含まれた第２の原料とを反応させることによって少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップと、
を含む、前記方法。」
（補正後）
「【請求項１】
　第１の基板の第１の接触面を、第２の基板の第２の接触面に接合する方法であって、
　前記第１の接触面上の表面層中に貯留部を形成するステップと、
　前記貯留部に、第１の原料または第１の原料群を少なくとも部分的に充填するステップと、
　仮接合連結を形成するために、前記第１の接触面を前記第２の接触面と接触させるステップと、
　前記第１の接触面と前記第２の接触面との間の永久接合を形成するステップであって、
前記第１の原料と、前記第２の基板の反応層中に含まれた第２の原料とを反応させることによって少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップと、
を含み、前記貯留部が、プラズマ活性化によって形成される、前記方法。」
２　本件補正についての検討
（１）本件補正は、請求項１についての補正（以下「補正事項１」という。）を含むものであり、当該補正事項１は、補正前の請求項１について、「貯留部」を限定する補正であって、補正前の発明と補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　したがって、当該補正事項１は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、補正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下において検討する。
　
（２）独立特許要件について
ア　本件補正後の発明 
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」に記載したとおりである。 
イ　引用例の記載と引用発明
（ア）引用例１
ａ　引用例１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の原出願日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった、特表２００８−５３５２３０号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の記載がある（下線は、当審による。以下、同じ。）。　
　
（ａ）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体材料から選択された材料で作られた２つのウェハを貼り合わせる方法に関し、上記方法では、貼り合わせる２つの層の少なくとも１つの表面のプラズマ活性化を利用する。」
（ｂ）「【００２５】
（本発明の内容）
　本発明は、半導体材料の２つのウェハの貼り合わせに関する。材料の各々は、Ｓｉまたは何らかの他の半導体材料であってもよい。
【００２６】
　２つのウェハを貼り合わせるための表面はまた、活性化前に酸化されてもよい。より正確には、貼り合わせるための表面の一方または他方が酸化されてもよく、またはそれらの両方が酸化されてもよい。
【００２７】
　以下に説明するように、貼り合わせるための表面の両方、またはそれらの一方のみに活性化が実行され得る。本発明の１つの利点は、貼り合わせるための２つの表面の一方しか活性しなくても、貼り合わせ後に十分に高い結合エネルギーを得ることができることである。
…（略）…
【００３２】
（本発明の主な特性）
　本発明は、活性化パラメータが不変であり変動しない単一ステップにおいて活性化が実行される既知の方法とは異なる。
【００３３】
　本発明において、少なくとも１つのウェハ貼り合わせ表面は
表面が活性化されているウェハの表面領域の厚さにおける深さが制御された乱れ領域を作るため
プラズマ活性化を受ける
【００３４】
　言い換えれば、活性化パラメータを制御することによって、各
活性化表面の厚さにおける乱れ領域を得る
【００３５】
　さらに、活性化パラメータを制御することにより、上記乱れ領域の厚さを制御することも可能である。
【００３６】
　実際、活性化ウェハの厚さに「埋め込まれた」乱れ領域を構成し、または表面と面一である乱れ領域を構成することが望ましいこともある。
【００３７】
　いずれの場合において、本発明により、生じた乱れ領域の厚さおよび深さを制御する（すなわち、活性化ウェハの厚さの「最大」深さと「最小」深さを制御する）ことが可能である。
【００３８】
　この点に関して、プラズマに含まれた種に対して、以下のものを得るような方法で活性化を実行することが好ましいことが明示される。
　・
第１の活性化期間
　・
引き続き、第２の活性化期間
　これにより、活性化を受けるウェハの厚さ内において、以下のものを発生することが可能になる。
　
・第１の活性化期間中、ウェハの深さＰ１の周りに埋め込まれる大きな乱れ／無秩序（Ｄと表記）
　
・第２の活性化期間中、深さＰ１より浅い深さＰ２で埋め込まれた、より小さい乱れ／無秩序（ｄと表記）
【００３９】
　この活性化制御シーケンスは、乱れ領域の厚さを最大化するとともに、その最大深さを最大化するように働く。
【００４０】
　
この乱れ領域は、貼り合わせる表面上に存在するガスおよび他の元素を受け入れるのに適した「リザーバ」として作用する
【００４１】
　
乱れ／無秩序Ｄは、乱れ／無秩序Ｄと活性化される表面との間に挟まれた乱れ／無秩序ｄによって捕捉するためのガスおよび他の元素が「供給」されるのに適していると考えられ、乱れ／無秩序Ｄおよびｄは、ウェハの深さに延在するある種の捕捉格子を形成する
【００４２】
　本明細書において使用する
「乱れ領域」という用語は、プラズマに露出されることによって変更される領域を意味し、この変更は、乱れ領域内に、欠陥、乱れ、および原子スケールでの無秩序の導入に相当する
【００４３】
　この
変更は、ウェハ間の貼り合わせを高め、特に、結合エネルギーを高めるように働く
（ｃ）「【００６８】
（出力密度の制御）
　上述したように、表面が活性化されるウェハに接続された電極に供給される出力の密度を制御することによって、活性化パラメータを制御することが可能である。
【００６９】
　本願出願人は、より大きな出力を適用するほど、結果的に得られる乱れ領域の厚さを増す効果があることを発見した。
【００７０】
　このことは、図２に示されており、同図において、プラズマを活性化するために使用する出力密度は、横座標にＷ／ｃｍ２の単位で描かれており、活性化によって生じた乱れ領域の厚さは、縦座標においてÅの単位で描かれている。
…（略）…
【００７４】
　出力を制御する場合、出力密度は、最初に高出力を適用し、引き続き、低出力、すなわち、高出力より低いレベルの出力を適用することによって変動される。
【００７５】
　高出力と低出力との間の変動は、出力ステップにおいて実行され得、このステップの一方の出力は高出力に相当し、別の出力ステップは低出力に相当する。
…（略）…
【００８５】
　このような状況下において、
活性化されるウェハの表面が、直径２００ｍｍのディスク形の場合、高出力は、１０００Ｗの値を有し、低出力は、２５０Ｗの値を有する
【００８６】
　活性化されるウェハの表面が、直径３００ｍｍのディスク形の場合、高出力は、２０００Ｗの値を有し、低出力は、５００Ｗの値を有する。」
（ｄ）「【０１００】
（結合エネルギーの上昇）
　すべての状況下において、活性化パラメータは、表面が活性化されたウェハの上記表面領域の厚さにおいて乱れ領域を生じさせるために制御される。
【０１０１】
　この乱れ領域は、ウェハの深さが増した均一かつ連続的な領域であることが好ましい。
【０１０２】
　それにもかかわらず、他の形態において、本発明により、表面が活性化されたウェハの表面領域の厚さに複数の乱れ領域を生じさせることが可能であり、これらの乱れ領域の各々は、上記ウェハの厚さの深さのそれぞれにわたって延在し、それぞれの厚さを有する。
【０１０３】
　本発明により、少なくとも１つの表面が本発明により活性化された表面を貼り合わせた後に得られた結合エネルギーを著しく上昇させることが可能である。
【０１０４】
　この点に関して、
図４
貼り合わせられる表面の１つのみ、詳しく言えば、表面酸化され、引き続き
Ｓｉウェハの表面ですべての活性化が実行された
…（略）…
【０１０９】
　同図の左側から右側に向かって、図示した４つの活性化は、以下の出力条件セットに相当する。
　・一定の出力値（３０ｓ間、２５０Ｗ）
　・一定の出力値（３０ｓ間、１０００Ｗ）
　・１５ｓ間、２５０Ｗの後、１５ｓ間、１０００Ｗが続く変動出力
　・
１５ｓ間、１０００Ｗの後、１５ｓ間、２５０Ｗが続く変動出力
【０１１０】
　
４番目の条件セットで、結合エネルギーの著しい上昇が観察
【０１１１】
　このように、同図は、出力を制御することで、結合エネルギーが著しく上昇することを示す。
【０１１２】
　また、この上昇は、最初に高出力で実施した後、引き続き低出力で実施することによって得られることを示す。
【０１１３】
　上記領域の浅い部分を準備する前に最も深くに埋め込まれた乱れ領域の部分を準備することが望ましい。」
（ｅ）「【０１１９】
（実施例）
　非制限的な例として、上記に設定した値に加えて、活性化を実施し、
以下のシーケンスを実行することによって表面酸化された別のＳｉウェハとＳｉウェハを貼り合わせることが可能である
　
・２つの貼り合わせ表面を準備する（ＲＣＡ（Ｒａｄｉｏ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａ）タイプなどのウェット洗浄、研磨など）
　
・「二重出力」処理によって貼り合わせる表面の一方
をプラズマ活性化する。
２００ｍｍの直径を有するウェハに対して、Ｏ
２
の大気下で５０ミリトールの圧力を用いて、７５標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）のＯ
２
、１５ｓ間で１０００Ｗの出力、次の１５ｓ間で２５０Ｗで使用される
　
・貼り合わせのすぐ前に表面を光学洗浄する（脱イオン水でリンス、ＲＣＡタイプまたはＮＨ
４
ＯＨタイプの洗浄、水でスクラブなど）。
　
・貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始する
　
・熱処理によって貼り合わせを強化する（低温、例えば、２００℃で）
（ｆ）「【図面の簡単な説明】
　【０１２１】
…（略）…
【図４】４つの異なる活性化条件に対して、
Ｓｉウェハと、貼り合わせ前にプラズマ活性化された表面酸化Ｓｉウェハ
ｂ　引用発明
（ａ）上記ａ（ｂ）の摘記から、引用例１の、ａ（ｅ）の実施例における、「プラズマ活性化するステップ」が、「表面が活性化されているウェハの表面領域の厚さにおける深さが制御された乱れ領域を作るためのステップであって、
　第１の活性化期間中、ウェハの深さＰ１の周りに埋め込まれる大きな乱れ／無秩序Ｄを、引き続く第２の活性化期間中、深さＰ１より浅い深さＰ２で埋め込まれた、より小さい乱れ／無秩序ｄを得るステップであり、
　この乱れ領域は、貼り合わせる表面上に存在するガスおよび他の元素を受け入れるのに適した「リザーバ」として作用し、乱れ／無秩序Ｄは、乱れ／無秩序Ｄと活性化される表面との間に挟まれた乱れ／無秩序ｄによって捕捉するためのガスおよび他の元素が「供給」されるのに適していると考えられ、乱れ／無秩序Ｄおよびｄは、ウェハの深さに延在するある種の捕捉格子を形成する」ものであることが開示されているといえる。
（ｂ）上記ａ（ｄ）の摘記から、引用例１の、ａ（ｅ）の実施例において、「プラズマ活性化」を「貼り合わせる表面の一方」にする場合に、当該プラズマ活性化を、「表面酸化された別のＳｉウェハ」にすることが開示されているといえる。
（ｃ）したがって、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「以下のシーケンスを実行することによって、表面酸化された別のＳｉウェハと、Ｓｉウェハを貼り合わせる方法であって、
　・２つの貼り合わせ表面を準備する（ＲＣＡ（Ｒａｄｉｏ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａ）タイプなどのウェット洗浄、研磨など）ステップと、
　・「二重出力」処理によって、前記表面酸化された別のＳｉウェハの貼り合わせる表面をプラズマ活性化するステップであって、プラズママシンは、２００ｍｍの直径を有するウェハに対して、Ｏ２の大気下で５０ミリトールの圧力を用いて、７５標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）のＯ２、１５ｓ間で１０００Ｗの出力、次の１５ｓ間で２５０Ｗで使用されるステップと、
　・貼り合わせのすぐ前に表面を光学洗浄する（脱イオン水でリンス、ＲＣＡタイプまたはＮＨ４ＯＨタイプの洗浄、水でスクラブなど）ステップと、
　・貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始するステップと、
　・熱処理によって貼り合わせを強化する（低温、例えば、２００℃で）ステップと、
を含み、
　前記プラズマ活性化するステップは、表面が活性化されているウェハの表面領域の厚さにおける深さが制御された乱れ領域を作るためのステップであって、
　第１の活性化期間中、ウェハの深さＰ１の周りに埋め込まれる大きな乱れ／無秩序Ｄを、引き続く第２の活性化期間中、深さＰ１より浅い深さＰ２で埋め込まれた、より小さい乱れ／無秩序ｄを得るステップであり、
　この乱れ領域は、貼り合わせる表面上に存在するガスおよび他の元素を受け入れるのに適した「リザーバ」として作用し、乱れ／無秩序Ｄは、乱れ／無秩序Ｄと活性化される表面との間に挟まれた乱れ／無秩序ｄによって捕捉するためのガスおよび他の元素が「供給」されるのに適していると考えられ、乱れ／無秩序Ｄおよびｄは、ウェハの深さに延在するある種の捕捉格子を形成し、
　「乱れ領域」は、プラズマに露出されることによって変更する領域を意味し、この変更は、乱れ領域内に、欠陥、乱れ、および原子スケールでの無秩序の導入に相当し、ウェハの貼り合わせを高め、特に、結合エネルギーを高めるように働く、前記方法。」
（イ）周知例１：特表２００３−５２３６２７号公報
「【００６８】
　前記シリコン結合は、ベアシリコンウェハ、すなわち天然酸化物を有するまたは前述のようにその面に形成された酸化物層を有するシリコンウェハで処理されてもよい。酸素プラズマ処理の間、ベアシリコンウェハに形成されるかもしれない天然酸化物はスパッタエッチングされ、かつシリコン面に形成された酸化物層エッチングされる。最終の面は、活性された（天然または形成された）酸化物である。脱イオン水でリンスされた場合、活性される酸化物面はＳｉ−ＯＨ基で主に停止される。酸素プラズマ中での酸化物成長は一般の天然酸化物層に比べて少ない水を有することがわかっているので、初期結合ブリッジからの水および次の高分子化反応（６）によって発生する水は直ぐにプラズマ酸化物に吸収することができる。 
【００６９】
 　Ｓｉ−ＯＨ＋Ｓｉ−ＯＨ→Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ＋Ｈ２Ｏ　　　（６）
　図５の（Ａ）〜（Ｅ）は、２つのシリコンウェハの結合を示す。ウェハ５０、５２は、それぞれＶＳＥプロセスに委ねられた天然酸化物（図示せず）を持つ面５１、５３を有する。図５の（Ｃ）で示される面５３は、所望の化学種５４で停止されている。前記２つのウェハは、接合され、結合５５が形成し始める（図５の（Ｄ））。この結合は伝達し、かつ結合副産物、この場合Ｈ２ガス、は除去される。除去された前記副産物は図５の（Ｅ）に矢印で示される。
【００７０】
　
酸化物シリコンウェハのプラズマ活性酸化物に溶解することによって結合界面からの水の除去に加えて、前記水は薄い酸化物を通してベアシリコンウェハに拡散でき、シリコンと反応する。前記酸化物下の前記シリコン面はわずかの単一層に広がる損傷または欠陥の領域を有し、前記酸化物層を通して拡散し、かつ前記損傷または欠陥の領域に達する水分子は室温で水素に転換でき、直ぐに除去することができる；Ｓｉ＋２Ｈ
２
Ｏ→ＳｉＯ
２
＋２Ｈ
２
　（７）。
【００７１】
　（６）の可逆的反応は、したがって回避され、かつ室温結合エネルギーは共有Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合の形態により非常に増加する。 
【００７２】
　比較的厚い（〜５ｎｍ）酸化物層が形成されると、前記水分子がこの厚い層を通して拡散すために長い時間を取る。一方、プラズマ処理後に薄い層が置かれるか、または過度に近くに欠陥領域が形成されると、シリコンウェハに達する水はシリコンと十分に反応せず、水素に転換されないかもしれない。両方の場合において、結合エネルギー増加は限界がある。好ましい酸素プラズマ処理はしたがって最小のプラズマ酸化物厚さ（例えば約０．１〜１．０ｎｍ）およびシリコン面上に妥当な厚さの欠陥領域（例えば約０．１〜０．３ｎｍ）に置く。」
  
「【００７９】
　低温または室温で増加された結合エネルギーを左右する機構はいずれも似ている。プラズマによる結合ウェハの非常に僅かなエッチング（ＶＳＥ）は前記面を洗浄し、活性し、かつ望ましくない可逆反応を防ぐために高分子化界面の副産物の除去を改善し、室温で共有結合を促進する所望の化学種で面を停止するために適切な液でリンスする。前記酸化物被覆ウェハである場合、異なる面停止を除いて同様に好ましい。ベアウェハ結合において、水吸収をなし、かつ水素に転換するために酸化物の非常に高い反応面およびシリコンは、形成されるべきである。非常に高い反応層は、プラズマ薄膜酸化物層および損傷シリコン面層でできる。前記シリコンウェハ上の前記酸化物はある損傷を有してもよい。Ｏ２プラズマのみならず他のガスプラズマ（Ａｒ、ＣＦ4のような）は適切である。ＶＳＥ中および後にシリコンウェハは湿気と直ぐに反応し、酸化物層を形成するので、下方の損傷シリコン層がＶＳＥによって創られる。前記ＶＳＥおよび副産物除去方法は、事実上、むしろ一般であるので、このアプローチは多くの手段および多くの材料の適用によって履行できる。」 
（ウ）周知例２：特開２００８−１６６５８６号公報
「【００２７】
　接合装置では、第１の板状部材としてＳｉ、ＳｉＯ２、またはＳｉＮにより形成されたシリコンウェーハ１０と第２の板状部材としてガラスにより形成されたガラスウェーハ１１とを、まずチャンバー減圧下に置き、酸素プラズマ処理を実施した後、窒素プラズマ処理を行う。
【００２８】
　酸素プラズマ処理、窒素プラズマ処理では、図２に示すように、チャンバー３０内に設けられた中心部に向かって凸形状となったテーブル２０Ａ、２０Ｂ上にシリコンウェーハ１０とガラスウェーハ１１を固定し、プラズマ発生源２２Ａ、２２Ｂより
シリコンウェーハ１０とガラスウェーハ１１表面に酸素プラズマ、窒素プラズマを照射する
【００２９】
　
これにより、シリコンウェーハ１０とガラスウェーハ１１との表面が活性化されるとともに、親水化される
【００３０】
　続いて、チャンバー３０内を大気状態に戻し、シリンダー２１Ａ、２１Ｂを移動させて
シリコンウェーハ１０とガラスウェーハ１１との接合面全面を密着させ、仮接合を行う
仮接合後、シリコンウェーハ１０とガラスウェーハ１１とは、加圧されるとともに、不図示の加熱装置により加熱され、接合温度（例えば４００℃から５００℃）まで温度上昇される
【００３１】
　
これにより
界面部で化学結合することによって、シリコンウェーハ１０とガラスウェーハ１１とが強固に結合される
（エ）周知例３：特開２０００−３０６９９３号公報
「【０００９】次に、図５（Ｃ）に示すように、段差を平坦化した
シリコン基板１０１とベース基板１０４とをはり合わせる
あらかじめ
（ＲＣＡ洗浄あるいはＳＣ−１洗浄、以下、ＲＣＡ洗浄とする。）により除去する
【００１０】
基板をはり合わせるには
はり合わせる面を洗浄によりいずれも親水性とし、水素結合により接着させる
あるいは、はり合わせる面の一方を酸化してからファンデルワールス力により接合させる
基板を重ね合わせた後
熱処理を行い、強固な接合状態とする
この熱処理により、脱水縮合反応が進行し、共有結合が形成される
ウ　引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明は、「以下のシーケンスを実行することによって、表面酸化された別のＳｉウェハと、Ｓｉウェハを貼り合わせる方法」であるところ、半導体技術の分野において、Ｓｉウェハは基板の一種であるから、引用発明の「表面酸化された別のＳｉウェハ」、「Ｓｉウェハ」は、それぞれ本願補正発明の「第１の基板」、「第２の基板」に相当する。
（イ）また、引用発明は、「表面酸化された別のＳｉウェハと、Ｓｉウェハを貼り合わせる方法」であるところ、引用発明において、「前記表面酸化された別のＳｉウェハの貼り合わせる表面」と「『Ｓｉウェハ』の『貼り合わせる』表面」は、それぞれ本願補正発明の「第１の基板の第１の接触面」と「第２の基板の接触面」に相当するから、本願補正発明と引用発明とは、「第１の基板の第１の接触面を、第２の基板の第２の接触面に接合する方法」である点で一致する。
（ウ）次に、本願補正発明の「前記第１の接触面上の表面層中に貯留部を形成するステップ」、及び、「前記貯留部が、プラズマ活性化によって形成される」と、引用発明の「「二重出力」処理によって、前記
表面酸化された別のＳｉウェハ
をプラズマ活性化するステップ
プラズママシンは
７５標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）のＯ
２
、１５ｓ間で１０００Ｗの出力、次の１５ｓ間で２５０Ｗで使用されるステップ
前記プラズマ活性化するステップは
ウェハの深さＰ１の周りに埋め込まれる
乱れ／無秩序Ｄを
深さＰ１より浅い深さＰ２で埋め込まれた、
乱れ／無秩序ｄを得るステップ
この乱れ領域は、貼り合わせる表面上に存在するガスおよび他の元素を受け入れるのに適した「リザーバ」として作用し、乱れ／無秩序Ｄは、乱れ／無秩序Ｄと活性化される表面との間に挟まれた乱れ／無秩序ｄによって捕捉するためのガスおよび他の元素が「供給」されるのに適していると考えられ、乱れ／無秩序Ｄおよびｄは、ウェハの深さに延在するある種の捕捉格子を形成し
ａ　引用発明の「別のＳｉウェハ」は「表面酸化された」ものであるから、当該「表面酸化された」部分は、本願補正発明の（第１の基板の）「前記第１の接触面上の表面層」に相当する。
ｂ　引用発明では、別のＳｉウェハをプラズマ活性化するステップは、プラズママシンが、「７５標準立方センチメートル毎分（ｓｃｃｍ）のＯ２」、「１５ｓ間で１０００Ｗの出力」で、ウェハの深さＰ１の周りに埋め込まれる乱れ／無秩序Ｄを得て、「次の１５ｓ間で２５０Ｗ」で、深さＰ１より浅い深さＰ２で埋め込まれた、乱れ／無秩序ｄを得るのに使用されるステップであるといえる。
　そして、引用発明では、「
この乱れ領域
貼り合わせる表面上に存在するガス
乱れ／無秩序ｄによって捕捉するためのガスおよび他の元素
　そうすると、引用発明の「リザーバ」として作用する「乱れ領域」は、本願補正発明の「貯留部」に相当するといえる。
　また、引用発明において、「乱れ領域」は、「プラズマ活性化するステップ」で得られるといえる。
ｃ　したがって、本願補正発明と引用発明は、「前記第１の接触面上の表面層中に貯留部を形成するステップ」を含む点、及び「前記貯留部が、プラズマ活性化によって形成される」点で一致する。
（エ）本願補正発明の「仮接合連結を形成するために、前記第１の接触面を前記第２の接触面と接触させるステップ」と、引用発明の「貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始するステップ」とを対比する。
　上記（イ）における検討と同様に、引用発明において、当該「貼り合わせる表面」は、「前記表面酸化された別のＳｉウェハの貼り合わせる表面」と「『Ｓｉウェハ』の貼り合わせる表面」とであるといえるから、本願補正発明と引用発明は、「前記第１の接触面を前記第２の接触面と接触させるステップ」を含む点で共通する。
（オ）本願補正発明の「前記貯留部に、第１の原料または第１の原料群を少なくとも部分的に充填するステップ」、及び、「前記第１の接触面と前記第２の接触面との間の永久接合を形成するステップであって、前記第１の原料と、前記第２の基板の反応層中に含まれた第２の原料とを反応させることによって少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップ」と、引用発明の「熱処理によって貼り合わせを強化する（低温、例えば、２００℃で）ステップ」とを対比する。
ａ　引用発明の「貼り合わせのすぐ前に表面を光学洗浄する（脱イオン水でリンス、ＲＣＡタイプまたはＮＨ４ＯＨタイプの洗浄、水でスクラブなど）ステップ」は、貼り合わせる表面を、水、すなわち「Ｈ２Ｏ」を含む液体等に曝すことであり、しかも、当該ステップに先立って、前記貼り合わせる表面には、欠陥、乱れ、および原子スケールでの無秩序の導入に相当する変更がなされた領域（上記イ（ア）（ｂ）の段落【００４２】）である、「乱れ領域」が作られており、上記（ウ）ｂで検討したように、この「乱れ領域」は、貼り合わせる表面上に存在するガスおよび他の元素を受け入れるのに適した「リザーバ」として作用するのであるから、当該「乱れ領域」の前記欠陥等の少なくとも一部には、前記貼り合わせ表面に存在する、「水」、すなわち「Ｈ２Ｏ」が充填されるものと認められる。
　そして、当該「水」、すなわち「Ｈ２Ｏ」は、本願補正発明の「第１の原料または第１の原料群」に該当するといえるから、本願補正発明と引用発明は、「前記貯留部に、第１の原料または第１の原料群を少なくとも部分的に充填するステップ」を含む点で一致する。
ｂ　引用発明において、「熱処理によって貼り合わせを強化する（低温、例えば、２００℃で）」ステップの際に、「第１の原料」である「水」、すなわち「Ｈ２Ｏ」が、Ｓｉと結合して酸化物となることは、上記イ（イ）に摘記のとおり、周知例１の段落【００７０】に、「酸化物シリコンウェハのプラズマ活性酸化物に溶解することによって結合界面からの水の除去に加えて、前記水は薄い酸化物を通してベアシリコンウェハに拡散でき、シリコンと反応する。前記酸化物下の前記シリコン面はわずかの単一層に広がる損傷または欠陥の領域を有し、前記酸化物層を通して拡散し、かつ前記損傷または欠陥の領域に達する水分子は室温で水素に転換でき、直ぐに除去することができる；Ｓｉ＋２Ｈ２Ｏ→ＳｉＯ２＋２Ｈ２　（７）。」と記載されているように周知の事項である。
　そうすると、引用発明において、「・貼り合わせのすぐ前に表面を光学洗浄する（脱イオン水でリンス、ＲＣＡタイプまたはＮＨ４ＯＨタイプの洗浄、水でスクラブなど）ステップ」と、「・貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始するステップ」と、「・熱処理によって貼り合わせを強化する（低温、例えば、２００℃で）ステップ」のシーケンスを経ることによって、「Ｈ２Ｏ」と、「Ｓｉウェハ」に含まれた「Ｓｉ」との反応によって、貼り合わせが強化されるものと理解される。
　一方、引用発明の「Ｓｉウェハ」はＳｉからなるから、当該「Ｓｉウェハ」における、上記「Ｈ２Ｏ」と反応する「Ｓｉ」からなる「層」、及び「Ｓｉ」は、それぞれ本願補正発明の「第２の基板の反応層」及び「第２の原料」に相当する。
　したがって、引用発明は、「Ｈ２Ｏ」と、「Ｓｉウェハ」のＳｉからなる層に含まれた「Ｓｉ」とを反応させることによって、表面酸化された別のＳｉウェハと、Ｓｉウェハとの貼り合わせが強化されるステップを含むものといえる。
　よって、本願補正発明と引用発明とは、「前記第１の原料と、前記第２の基板の反応層中に含まれた第２の原料とを反応させることによって前記第１の接触面と前記第２の接触面との間の接合を形成するステップであって、少なくとも部分的に強化された接合を形成するステップ」を含む点で共通する。
ｃ　次に、本願補正発明の「永久接合を形成するステップ」は、「少なくとも部分的に強化された永久接合を形成するステップ」であり、当該ステップで、「仮接合連結」は強化されると理解できるから、少なくとも部分的に強化された接合を形成するステップであるといえる。
　また、当該技術の分野において、接合と貼り合わせは、いずれもボンディングの意味で、同義であるから、引用発明の「貼り合わせを強化する」は、「接合を強化する」と言い換えできる。
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、「前記第１の接触面と前記第２の接触面との間の接合を形成するステップであって、少なくとも部分的に強化された接合を形成するステップ」を含む点で共通する。
ｄ　したがって、本願補正発明と引用発明とは、「前記第１の原料と、前記第２の基板の反応層中に含まれた第２の原料とを反応させることによって前記第１の接触面と前記第２の接触面との間の接合を形成するステップであって、少なくとも部分的に強化された接合を形成するステップ」を含む点で共通する。
（カ）以上のことから、本願補正発明と引用発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。
＜一致点＞
「第１の基板の第１の接触面を、第２の基板の第２の接触面に接合する方法であって、
　前記第１の接触面上の表面層中に貯留部を形成するステップと、
　前記貯留部に、第１の原料を少なくとも部分的に充填するステップと、
　前記第１の接触面を前記第２の接触面と接触させるステップと、
　前記第１の接触面と前記第２の接触面との間の接合を形成するステップであって、
　前記第１の原料と、前記第２の基板の反応層中に含まれた第２の原料とを反応させることによって少なくとも部分的に強化された接合を形成するステップと、
を含み、前記貯留部が、プラズマ活性化によって形成される、前記方法。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　接触させるステップについて、本願補正発明は、「仮接合連結を形成するため」に、接触させるのに対し、引用発明では、「貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始するステップ」である点。
＜相違点２＞
　接合を形成するステップについて、本願補正発明では、「永久接合」を形成するステップであって、「少なくとも部分的に強化された永久接合」を形成するステップであるのに対し、引用発明では、「熱処理によって貼り合わせを強化する」ステップである点。
エ　判断
　以下、相違点について検討する。
（ア）相違点１について
ａ　本願の明細書の発明の詳細な説明には、仮接合について、以下のように記載されている。
「【課題を解決するための手段】
…（略）…
【００１１】
  基板間で仮接合または可逆接合を形成するための仮接合ステップとして、基板の接触面間で弱い相互作用を生じる目的で、様々な可能性がある。仮接合の強度は、永久接合の強度よりも低く、…（略）…分子濡れ(molecule-wetted)基板間の、主に永久双極子モーメントが異なる分子間での
ファンデルワールス相互作用による仮接合
「【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】
第１の基板を第２の基板と接触
第１のステップ
【図２ａ】より高い接合強度を形成するための、本発明で特許請求する方法の他のステップを示す図である。
【図２ｂ】より高い接合強度を形成するための、本発明で特許請求する方法の他のステップを示す図である。
【図３】図１、図２ａおよび図２ｂに記載のステップに続く、基板接触面が接触している、本発明で特許請求する方法の別のステップを示す図である。
【図４】基板間で不可逆的な接合／永久接合を形成するための、本発明で特許請求するステップを示す図である。」
「【発明を実施するための形態】
…（略）…
【００５０】
　図１に示す状況では、仮接合ステップ中、またはその直後に、第１の基板１の第１の接触面３と、第２の基板２の第２の接触面４との間で進行する化学反応の一部のみを示す。…（略）…
【００５４】
　
図１に示す、仮接合と呼ばれる工程
親水性結合
…（略）…
【００５９】
　ステップ３までは、特に貯留部５が形成されているため、温度を過度に増大させる必要はなく、むしろ室温で進行させることが可能である。このようにすると、
図１から図３に記載の工程ステップ
【００６０】
　図４に示す方法ステップでは、第１の接触面と第２の接触面との間で不可逆的な接合または永久接合を形成するために、好ましくは最大５００℃、より好ましくは最大３００℃、さらに好ましくは最大２００℃、最も好ましくは最大１００℃、全ての中で最も好ましくは室温を超えない温度まで温度を上昇させる。…（略）…」
ｂ　そうすると、発明の詳細な説明に記載された事項等である、上記の段落【００１１】、【００４８】、【００５４】、【００５９】の記載から、本願補正発明の「仮接合連結を形成するために、前記第１の接触面を前記第２の接触面と接触させるステップ」は、図１に示される、「仮接合と呼ばれる工程」であって、第１の基板を第２の基板と接触させる第１のステップが対応することと理解できる。
　一方、引用発明は、「・貼り合わせのすぐ前に表面を光学洗浄する（脱イオン水でリンス、ＲＣＡタイプまたはＮＨ４ＯＨタイプの洗浄、水でスクラブなど）ステップ」と、「・貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始するステップ」と、を含み、これらのステップは、接触状態にし、ボンディングを開始するステップであると理解できるから、本願補正発明の当該第１のステップに相当するといえる。
　したがって、相違点１は実質的なものではない。
ｃ　なお、上記の段落【００５４】の「仮接合と呼ばれる工程は、好ましくは周囲温度で、最大５０℃で進行させることができる。…図２ａおよび図２ｂの工程は、室温で約３００時間持続する。５０℃では約６０時間持続する。」との記載に基づいて、本願補正発明の「仮接合連結を形成する」が、第１の基板と第２の基板を接触させることにとどまらず、相違点１が実質的なものであった場合について、念のため以下において検討する。
　一般に、第１の基板と第２の基板を接合する方法において、貼り合わせる面をプラズマ照射や洗浄により活性化ないし親水化した後に、または貼り合わせる面の一方を酸化した後に、接合面全面を密着させ、水素結合による接着やファンデルワールス力の接合などによる仮接合を行い、仮接合後、加熱／加圧などをして強固な結合とすることは、例えば、上記イ（ウ）、（エ）に摘記の周知例２、３に記載されているように、周知技術である。
　引用発明は、「・貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始するステップ」と、「・熱処理によって貼り合わせを強化する（低温、例えば、２００℃で）ステップ」と、を含むものであり、しかも、貼り合わせを開始するステップの前に、「前記表面酸化された別のＳｉウェハの貼り合わせる表面をプラズマ活性化するステップ」と、「・任意で、貼り合わせのすぐ前に表面を洗浄する（脱イオン水でリンス、ＲＣＡタイプまたはＮＨ４ＯＨタイプの洗浄、水でスクラブなど）ステップ」を含むものであるから、周知例２、３に接した当業者であれば、引用発明において、接触状態にし、貼り合わせ（ボンディング）を開始させ、仮接合に進行させた後に、貼り合わせを強化するステップを行うものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　したがって、仮に、相違点１が実質的なものであったとしても、引用発明において、周知技術に基づき、相違点１に係る本願補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
ｄ　よって、相違点１は実質的なものではない。
　また、仮に、相違点１が実質的なものであったとしても、引用発明において、周知技術に基づき、相違点１に係る本願補正発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
（イ）相違点２について
ａ　本願の明細書の発明の詳細な説明には、永久接合または不可逆的な接合について、以下のように記載されている。
「【背景技術】
【０００２】
　基板の
永久、または不可逆的な接合
できる限り強固で、かつ特に不可逆的な相互連結、したがって高い接合力
「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　したがって、本発明の目的は、できる限り高い接合力を有する永久接合を慎重に提供する方法を考え出すことである。」
「【００１０】
　本発明の基礎となる着想は、少なくとも基板の一方の上に、第１の原料を保持するための貯留部を考え出すことであり、その第１の原料を、他方の基板中に存在する第２の原料を有する基板間で接触させた後に、または仮接合させた後に反応させ、それによって
基板間で不可逆的な接合、または永久接合
永久接合を接触面上で直接強化
「【００３３】
　本発明の有利な一実施形態によれば、成長層の形成、および不可逆的な接合の強化は、第１の原料が反応層に拡散することによって行われる。
…（略）…
【００３５】
　本明細書では、不可逆的な接合が１．５Ｊ／ｍ2超、特に２Ｊ／ｍ2超、好ましくは２．５Ｊ／ｍ2超の接合強度を有すると特に有利である。」
「【００５７】
　図２ｂに示すステップでは、下記の化学式（２）に示す反応に従ったＨ2Ｏ分子の分離によって、接触面３と４との間でシラノール基の形の共有結合が形成され、それによってはるかに強固な接合力が生じ、かつ必要となる空間がより少なくなり、したがって接触面３と４との間の距離がさらに低減し、最終的には図３に示す、接触面３と４とが互いに接する最小距離にまで達する。
【００５８】
【化２】
　　Ｓｉ-ＯＨ＋ＨＯ-Ｓｉ　←→　Ｓｉ-Ｏ-Ｓｉ＋Ｈ２Ｏ　・・・　（２）
…（略）…
【００６０】
　図４に示す方法ステップでは、
第１の接触面と第２の接触面との間で不可逆的な接合または永久接合を形成する
【００６１】
【化３】
　　Ｓｉ＋２Ｈ２Ｏ　→　ＳｉＯ２＋２Ｈ２　・・・　（３）
【００６２】
　上述の僅かな温度上昇によって、
Ｈ
2
Ｏ分子が、第１の原料として貯留部５から反応層７へと拡散する
【００６３】
　ナノメートル範囲の間隙が存在するため、自然酸化物層８が膨らむ可能性があり、その結果、接触面３、４に対する応力を低減させることができる。このようにすると、接触面３と４との間の距離が低減し、その結果有効な接触面、したがって
接合強度がさらに増大する
ｂ　そうすると、本願の明細書の上記記載から、本願補正発明において、「少なくとも部分的に強化された永久接合を形成する」とは、例えば、第１の基板の貯留部に収容された第１の原料であるＨ２Ｏ分子と、第２の基板に含まれたＳｉとを、上記化学式（３）の反応をさせることにより、段落【００３５】に記載のように、好ましい程度に強化された接合強度の接合を形成するものを含むものと理解できる。
ｃ　一方、上記ウ（オ）ｂで検討したように、引用発明は、「・任意で、貼り合わせのすぐ前に表面を洗浄する（脱イオン水でリンス、ＲＣＡタイプまたはＮＨ４ＯＨタイプの洗浄、水でスクラブなど）ステップ」と、「・貼り合わせる表面を接触状態にし、貼り合わせを開始するステップ」と、「・熱処理によって貼り合わせを強化する（低温、例えば、２００℃で）ステップ」のシーケンスを経ることによって、「Ｈ２Ｏ」と、「Ｓｉウェハ」に含まれた「Ｓｉ］との反応によって、貼り合わせが強化されるもの、すなわち、上記化学式（３）の反応により、貼り合わせが強化されるものと理解される。
　したがって、引用発明において、「・熱処理によって貼り合わせを強化する（低温、例えば、２００℃で）ステップ」は、本願補正発明における「永久接合を形成する」ステップに相当するものということができ、相違点２は実質的なものではない。
（ウ）判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、本願補正発明は、引用例１に記載された発明といえる。また、そうでないとしても、引用発明において、周知技術に基づいて、相違点１に係る本願補正発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことであり、上記相違点１を勘案しても、本願補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び周知技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、仮にそうでないとしても、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
オ　独立特許要件についてのまとめ
　よって、本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない。
３　補正の却下の決定についてのむすび　 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１５に係る発明は、平成２９年９月５日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１５に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであり、上記「第２　１　本件補正の内容」の「（補正前）」に記載したとおりである。
２　引用例の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の原出願日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特表２００８−５３５２３０号公報（引用例１、再掲）には、上記「第２　２（２）イ（ア）引用例１」に記載した事項が記載されており、引用例１には上記「第２　２（２）イ（イ）引用発明」に記載したとおりの引用発明が記載されている。
３　対比・判断
　本願発明は、上記「第２　２　本件補正についての検討」で検討した本願補正発明において、「貯留部」についての限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を実質的に全て含み、更に他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　２　本件補正についての検討」において検討したとおり、引用例１に記載された発明であり、または、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用例１に記載された発明であり、または、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、仮にそうでないとしても、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。