【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と、
前記素子基板上に形成された、前記素子基板の上面に対して垂直方向の高さを有する起伏部と、
有機エレクトロルミネッセンス素子と、を有し、
前記起伏部が、前記素子基板の上面に対しての角度が鋭角である複数の斜面を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、前記素子基板の上面のうち前記起伏部同士の間の領域である起伏部間領域上と各前記斜面上にそれぞれ形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記複数の斜面が、
第１の方向に対して垂直である第１斜面と、
前記第１の方向とは異なる方向である第２の方向に対して垂直である第２斜面と、を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子が、
前記第１斜面上に形成された第１下部電極と前記第１下部電極上に形成された第１発光層と、
前記第２斜面上に形成された第２下部電極と前記第２下部電極上に形成された第２発光層と、
前記起伏部間領域上に形成された第３下部電極と前記第３下部電極上に形成された第３発光層と、
を有し、
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層がそれぞれ異なる色で発光する、
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１斜面と前記素子基板の上面の境界に形成された、前記垂直方向に突出する第１バンクと、
前記第２斜面と前記素子基板の上面の境界に形成された、前記垂直方向に突出する第２バンクと、
前記第１斜面と前記第２斜面との間に位置する、前記素子基板の上面からの前記垂直方向の距離が前記起伏部のうち最も大きい領域である起伏部上部に形成された、前記垂直方向に突出する第３バンクと、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
素子基板上に、前記素子基板の上面に対しての角度が鋭角である複数の斜面を有する起伏部を、互いに間隔を空けて形成する工程と、
有機エレクトロルミネッセンス素子を、前記素子基板の上面のうち前記起伏部同士の間の領域である起伏部間領域上と各前記斜面上とにそれぞれ形成する工程と、
を有し、
前記起伏部を形成する工程において、
第１斜面と前記第１斜面とは異なる方向に面する第２斜面とを形成し、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程が、
前記第１斜面、前記第２斜面及び前記起伏部間領域上にそれぞれ第１下部電極、第２下部電極及び第３下部電極を形成する工程と、
第１の蒸着方向からの蒸着により、前記第１下部電極上に第１発光層とホールブロック層を順に形成する第１蒸着工程と、
第２の蒸着方向からの蒸着により、前記第２下部電極上に第２発光層を形成する第２蒸着工程と、
第３の蒸着方向からの蒸着により、前記第３下部電極上に第３発光層を形成する第３蒸着工程と、
前記第１発光層、前記第２発光層及び前記第３発光層上に上部電極を形成する工程と、を有し、
前記第３の蒸着方向が前記素子基板の垂直方向と成す角度が、前記第１の蒸着方向が前記垂直方向と成す角度よりも小さく、
前記第１発光層と前記第２発光層と前記第３発光層とが、それぞれ異なる色で発光することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に形成された第１起伏部と、
前記基板上に形成され、前記第１起伏部に隣接する第２起伏部と、
前記第１起伏部と前記第２起伏部との間に位置する起伏部間領域と、
前記第１起伏部が有する複数の斜面のうち、前記起伏部間領域の側に位置する第１斜面と、
前記第２起伏部が有する複数の斜面のうち、前記起伏部間領域の側に位置する第２斜面と、
前記第１斜面上に形成された第１下部電極と、
前記第２斜面上に形成された第２下部電極と、
前記起伏部間領域上に形成された第３下部電極と、
前記第１下部電極上を覆う第１発光層と、
前記第２下部電極上を覆う第２発光層と、
前記第３下部電極上を覆う第３発光層と、
少なくとも前記第１発光層上を覆う上部電極と、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１発光層上に、前記第１発光層を覆うブロック層が形成され、
前記第３の発光層は、前記第１下部電極上において、前記起伏部間領域上と前記第１斜面上とに跨って形成され、
前記ブロック層は、前記第１発光層と前記第３発光層との間に位置することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１下部電極上と前記第２下部電極上と前記第３下部極上とを覆い、且つ前記第１斜面上と前記第２斜面上と前記起伏部間領域上とに跨って位置するホール輸送層を備え、
前記ブロック層は、前記第１下部電極から注入されたホールをブロックするホールブロック層であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１下部電極上と前記第２下部電極上と前記第３下部極上とを覆い、前記第１斜面上と前記第２斜面上と前記起伏部間領域上とに跨って位置するホール輸送層が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項５から請求項８の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上部電極は、記第１発光層上と前記第２発光層上と前記第３発光層上とを覆い、前記第１斜面上と前記第２斜面上と前記起伏部間領域上とに跨って位置することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
請求項５から請求項９の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１起伏部及び前記第２起伏部の下層には、絶縁膜が配置され、
前記第１起伏部と重なる領域における前記絶縁膜の上面と前記第１斜面とがなす第１の角、及び前記第２起伏部と重なる領域における前記絶縁膜の上面と前記第２斜面とがなす第２の角が鋭角であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１１】
請求項５から請求項１０の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記起伏部間領域の前記第１斜面の側には、前記基板とは反対側に突出する第１突出部が形成され、
前記起伏部間領域の前記第２斜面の側には、前記基板とは反対側に突出する第２突出部が形成され、
前記第１斜面の前記起伏部間領域とは反対側の端部には、前記基板とは反対側に突出する第３突出部が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第１起伏部は、前記第１斜面とは異なる第３斜面を有し、
前記第３斜面は、前記第１斜面の前記端部と接し、
前記第３斜面には、第４下部電極と第４発光層とが形成され、
前記第３突出部は、前記第１発光層と前記第４発光層との間に位置していることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上部電極は、前記第１突出部と前記第２突出部と前記第３突出部とを覆っていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。