【事件の表示】
　特願２０１６−１３８１１５「パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年１０月１３日出願公開、特開２０１６−１８２０３７、請求項の数（１５）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は，平成２２年６月２１日を出願日とする出願である特願２０１０−１４０７２３号の一部を，新たな特許出願として平成２５年９月３０日に出願された特願２０１３−２０５２５０号のさらに一部を，新たな特許出願として平成２７年４月２７日に出願された特願２０１５−８９９３５号のさらに一部を，新たな特許出願として平成２８年７月１３日に出願された特許出願であって，平成２９年２月１５日に手続補正がされ，平成２９年５月２日付けで拒絶理由通知がされ，平成２９年７月７日に意見書が提出されるとともに手続補正がされ，平成２９年１２月２６日付けで最後の拒絶理由通知がされ，平成３０年４月２５日に意見書が提出されるとともに手続補正がされたものの，平成３０年１０月２２日付けで前記平成３０年４月２５日付けの手続補正を却下する旨の補正の却下の決定がなされるとともに拒絶査定（以下，「原査定」という。）がされ，これに対し，平成３１年１月２８日付けで拒絶査定不服審判の請求がされると同時に手続補正がされ，平成３１年４月５日に前置報告がされたものである。
　
　
第２　原査定の概要
　
　原査定（平成３０年１０月２２日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
　
　本願請求項１ないし１５に係る発明は，以下の引用文献１または２または３，４，及び，ａないしｃに基づいて，その原出願の出願日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
＜引用文献等一覧＞
　
１．特開２０１０−１１９３００号公報
２．特開２００９−２１９２７０号公報
３．特開２００８−２５９２６７号公報
４．特開２００４−２０８４１１号公報
ａ．特開２０１０−１１００６５号公報
ｂ．特開２０１０−４１８３８号公報
ｃ．特開２００７−５９７３７号公報
　
　
第３　本願発明
　
　本願請求項１ないし１５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明１５」という。）は，平成３１年１月２８日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
　
「【請求項１】
　表面及び裏面のそれぞれに電極が形成された第１のパワー半導体素子と、
　表面及び裏面のそれぞれに電極が形成された第２のパワー半導体素子と、
　前記第１のパワー半導体素子の表面側に配置される第１の導体板と、
　前記第１のパワー半導体素子の裏面側に配置される第２の導体板と、
　前記第２のパワー半導体素子の表面側に配置される第３の導体板と、
　前記第２のパワー半導体素子の裏面側に配置される第４の導体板と、を備えたパワー半導体装置において、
　前記第２の導体板には、前記第３の導体板に向かって延設された接続部が当該第２の導体板と一体構造として設けられ、
　前記接続部は、前記第２の導体板から前記第３の導体板に向かって屈曲する屈曲部を有するとともに、前記屈曲部より先端側において前記第３の導体板と接続され、
　前記第１のパワー半導体素子、前記第２のパワー半導体素子、前記第１の導体板、前記第２の導体板、前記第３の導体板、及び前記第４の導体板は、トランスファーモールドによって一体的に樹脂封止されているパワー半導体装置。
　　【請求項２】
　請求項１に記載のパワー半導体装置であって、
　前記第１のパワー半導体素子は、金属接合材を介して前記第２の導体板に接続され、
　前記第２の導体板は、前記第１のパワー半導体素子が接続される領域における当該第２の導体板の厚さよりも前記接続部の厚さの方が小さくなるように、形成されるパワー半導体装置。
　　【請求項３】
　請求項１又は２に記載のパワー半導体装置であって、
　前記第１の導体板、前記第２の導体板、前記第３の導体板、及び前記第４の導体板を固定する封止部を備え、
　前記第２の導体板は、前記第１のパワー半導体素子が配置される側の面とは反対側の面が前記封止部から露出し、
　前記第４の導体板は、前記第２のパワー半導体素子が配置される側の面とは反対側の面が前記封止部から露出するパワー半導体装置。
　　【請求項４】
　請求項３に記載のパワー半導体装置であって、
　前記第２の導体板の露出面と前記第４の導体板の露出面とは、同一面上に配置されるパワー半導体装置。
　　【請求項５】
　請求項３又は４に記載のパワー半導体装置であって、
　前記第１の導体板は、前記第１のパワー半導体素子が配置される側の面とは反対側の面が前記封止部から露出し、
　前記第３の導体板は、前記第２のパワー半導体素子が配置される側の面とは反対側の面が前記封止部から露出するパワー半導体装置。
　　【請求項６】
　請求項５に記載のパワー半導体装置であって、
　前記第１の導体板の露出面と前記第３の導体板の露出面とは、同一面上に配置されるパワー半導体装置。
　　【請求項７】
　請求項５又は６に記載のパワー半導体装置であって、
　前記第１のパワー半導体素子は、前記第１の導体板の露出面と前記第２の導体板の露出面との間に挟まれる空間に配置され、
　前記第２のパワー半導体素子は、前記第３の導体板の露出面と前記第４の導体板の露出面との間に挟まれる空間に配置されるパワー半導体装置。
　　【請求項８】
　請求項３乃至７のいずれかに記載のパワー半導体装置であって、
　前記接続部は、前記第２の導体板の露出部と前記第４の導体板の露出部との間の領域において、前記封止部の内部に埋設されるパワー半導体装置。
　　【請求項９】
　請求項１乃至８のいずれかに記載のパワー半導体装置であって、
　前記接続部は、前記第１のパワー半導体素子と前記第２のパワー半導体素子とに挟まれる空間に配置されるパワー半導体装置。
　　【請求項１０】
　請求項１乃至９のいずれかに記載のパワー半導体装置であって、
　前記第３の導体板には、当該第３の導体板の厚さ方向に屈曲することなく前記第１の導体板に向かって突出する突出部が当該第３の導体板と一体構造として設けられ、当該突出部が前記第２の導体板の前記接続部と接続されているパワー半導体装置。
　　【請求項１１】
　請求項１乃至１０のいずれかに記載のパワー半導体装置であって、
　絶縁部材を挟んで前記第２の導体板及び前記第４の導体板と対向する位置に第１の放熱部材が配置されるパワー半導体装置。
　　【請求項１２】
　請求項１１に記載のパワー半導体装置であって、
　絶縁部材を挟んで前記第１の導体板及び前記第３の導体板と対向する位置に第２の放熱部材が配置され、
　前記第１の放熱部材および前記第２の放熱部材は、前記パワー半導体装置に向かって加圧されるパワー半導体装置。
　　【請求項１３】
　請求項１１又は１２に記載のパワー半導体装置と、
　前記第１の放熱部材の外面に冷媒を流すための流路を形成する流路形成体と、を備えた電力変換装置。
　　【請求項１４】
　表面及び裏面のそれぞれに電極が形成された第１のパワー半導体素子と、
　表面及び裏面のそれぞれに電極が形成された第２のパワー半導体素子と、
　前記第１のパワー半導体素子の表面側に配置される第１の導体板と、
　前記第１のパワー半導体素子の裏面側に配置される第２の導体板と、
　前記第２のパワー半導体素子の表面側に配置される第３の導体板と、
　前記第２のパワー半導体素子の裏面側に配置される第４の導体板と、を備えたパワー半導体装置の製造方法であって、
　前記第２の導体板の厚さ方向に屈曲する屈曲部を当該第２の導体板と一体に形成する工程と、
　前記第１のパワー半導体素子を前記第１の導体板と前記第２の導体板に金属接合材を介して接続する工程と、
　前記第２のパワー半導体素子を前記第３の導体板と前記第４の導体板に金属接合材を介して接続する工程と、
　前記第２の導体板の前記屈曲部の先端と前記第３の導体板とを金属接合材を介して接続する工程と、
　前記第１のパワー半導体素子、前記第２のパワー半導体素子、前記第１の導体板、前記第２の導体板、前記第３の導体板、及び前記第４の導体板を含む部分を金型内に配置してトランスファーモールドにより封止する工程と、を含むパワー半導体装置の製造方法。
　　【請求項１５】
　請求項１４に記載のパワー半導体装置の製造方法において、
　前記第１の導体板及び前記第３の導体板と一体的に接続されたタイバーを切断する工程を含むパワー半導体装置の製造方法。」
　
　
第４　引用文献，引用発明等
　
１．引用文献１について
　本願の原出願の出願日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された，特開２０１０−１１９３００号公報（以下，これを「引用文献１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審により付与。以下同じ。）
Ａ．「【００９２】
  図１７は本実施形態に関する
半導体モジュールにおける上下アーム直列回路
フィン構造を備えた金属板である放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２を基礎素材としてそれぞれの内側に絶縁シート（Ａ側）５４６と絶縁シート（Ｂ側）５９６を真空熱圧着で固着する。そして、絶縁シート（Ａ側）５４６に、正極側の導体板５３４と上下アーム接続用導体板５３５を固着する
【００９３】
　
さらに、絶縁シート（Ｂ側）５９６に、負極側の導体板５７４と交流端子側の導体板５８４を固着するとともに、負極側の導体板５７４に下アーム用信号用端子５５６を接続し、交流端子側の導体板５８４に上アーム用信号用端子５５２を接続する
【００９４】
　絶縁シート（Ａ側）５４６と絶縁シート（Ｂ側）５９６は、インバータ回路の上下アーム直列回路を構成する半導体チップや導体と放熱フィン（Ａ側）５２２や放熱フィン（Ｂ側）５６２とを電気的に絶縁する絶縁部材として機能すると共に、半導体チップなどからの発生熱を放熱フィン（Ａ側）５２２や放熱フィン（Ｂ側）５６２に伝導する熱伝導路を形成する働きをする。絶縁部材としては、樹脂製の絶縁シートまたは絶縁板であっても良いし、セラミック基板であっても良い。例えばセラミック基板の場合で絶縁部材の厚さは３５０μメータ以下、絶縁シートの場合は更に薄く５０μメータから２００μメータであることが望ましい。ただ、インダクタンス低減の観点では、絶縁部材は薄い方が効果的であり、セラミック基板より樹脂製の絶縁シートの方が特性的に優れている。
【００９５】
　次に、
放熱フィン（Ａ側）５２２の正極側の導体板５３４には、上アーム用ＩＧＢＴチップ５３７と上アーム用ダイオードチップ５３９が上下方向に配列されてはんだ付け固定される。同様に、放熱フィン（Ａ側）５２２の上下アーム接続用導体板５３５には、下アーム用ＩＧＢＴチップ５４１と下アーム用ダイオードチップ５４３が上下方向に配列されてはんだ付け固定される。
【００９６】
　
さらに、
上アームのエミッタ電極と下アームのコレクタ電極を連結する上下アーム接続用はんだ接合部５５５が、下アームのチップ５４１，５４３と同様に、放熱フィン（Ａ側）５２２の導体板５３５に形成され
接合部５５５がはんだ層５４４及び導体板５８４を介して交流端子５８２
接続され、上下アーム直列回路の中間電極６９
を構成する。
【００９７】
　
一方、放熱フィン（Ｂ側）５６２の絶縁シート（Ｂ側）５９６には、
負極端子５７２の負極側の導体板５７４、交流端子５８２の交流端子側導体板５８４、及び信号用端子（上アーム用）５５２と信号用端子（下アーム用）５５６のそれぞれの導体板が固着されている。負極側の導体板５７４には、下アームＩＧＢＴチップ５４１のエミッタ側が接続されるはんだ接合部７５７と下アームのダイオードチップ５４３のアノード側が接続されるはんだ接合部７５９が設けられ、交流端子側の導体板５８４には、上アームＩＧＢＴチップ５３７のエミッタ側が接続されるはんだ接合部７５６と上アームのダイオードチップ５４３のアノード側が接続されるはんだ接合部７５８が配設される。
負極端子５７２
は、下アームのＩＧＢＴチップ５４１及び下アームのダイオードチップ５４３に対して、導体板５７４、はんだ接合部７５７及び７５９、はんだ層５４０及び５４２を介して接続結合される。また、正極端子，は、上アームのＩＧＢＴチップ５３７及び上アームのダイオードチップ５４３に対して、導体板５３４、はんだ接合部７５１及び７５２、はんだ層５４７及び５４８を介して接続結合される。また、交流端子５８２は、導体板５８４、上アームＩＧＢＴチップのエミッタ側に連結している上下アーム接続用はんだ接合部５６０、はんだ層５４４、上下アーム接続用はんだ接合部５５５、導体板５３５を介して下アーム用ＩＧＢＴチップ５４１に接続結合される。
【００９８】
　図１７に示すとおり、放熱フィンの一方である、放熱フィン（Ａ側）５２２に上アームと下アームを構成する両方の半導体チップを上下方向に配置固定し、さらに、上アーム用ゲート端子５５３と下アーム用デート端子５５７を放熱フィン（Ａ側）５２２に設けてワイヤボンディングなどの接続作業を一方の放熱フィン（Ａ側）５２２で実施できるので、製造工程の中で集中でき、生産性と信頼性の向上となる。また、自動車用の如く振動の大きい環境で使用する場合、配線すべき対象の半導体チップと端子とが同一の放熱フィンに固定されているので、耐振性が向上する。
【００９９】
　上述したように、放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２とを図１７に示すように対向させて、放熱フィン（Ａ側）５２２のＩＧＢＴチップ５３７，５４１とダイオードチップ５３９，５４３との電極が、図２に示す回路構成のとおりに連結するように、放熱フィン（Ｂ側）５６２の負極端子５７２、交流端子５８２、上アーム用信号用端子５５２及び下アーム用信号用端子５５６にそれぞれ繋がる導体板と対面させて、はんだ付けする。さらに、図１５に示すように、
ボトムケース５１６、トップケース５１２及びサイドケース５０８が、一体的構造となった放熱フィン（Ａ側）５２２及び放熱フィン（Ｂ側）５６２に対して、接着剤で接着され
さらに、トップケースの孔５１３（図１５を参照）からモールド樹脂を内部に充填させて
形成
　
　以上Ａ．の記載から，上記引用文献１には次の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
　「上下アーム直列回路を備える半導体モジュールであって、
　フィン構造を備えた金属板である放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２を基礎素材としてそれぞれの内側に絶縁シート（Ａ側）５４６と絶縁シート（Ｂ側）５９６を真空熱圧着で固着し、そして、上記絶縁シート（Ａ側）５４６に、正極側の導体板５３４と上下アーム接続用導体板５３５を固着し、さらに、上記絶縁シート（Ｂ側）５９６に、負極側の導体板５７４と交流端子側の導体板５８４を固着するとともに、負極側の導体板５７４に下アーム用信号用端子５５６を接続し、交流端子側の導体板５８４に上アーム用信号用端子５５２を接続し、
　上記放熱フィン（Ａ側）５２２の正極側の導体板５３４には、上アーム用ＩＧＢＴチップ５３７と上アーム用ダイオードチップ５３９が上下方向に配列されてはんだ付け固定され、同様に、放熱フィン（Ａ側）５２２の上下アーム接続用導体板５３５には、下アーム用ＩＧＢＴチップ５４１と下アーム用ダイオードチップ５４３が上下方向に配列されてはんだ付け固定され、さらに、上アームのエミッタ電極と下アームのコレクタ電極を連結する上下アーム接続用はんだ接合部５５５が、下アームのチップ５４１，５４３と同様に、放熱フィン（Ａ側）５２２の導体板５３５に形成され、接合部５５５がはんだ層５４４及び導体板５８４を介して交流端子５８２接続され、上下アーム直列回路の中間電極６９を構成し、
　一方、放熱フィン（Ｂ側）５６２の絶縁シート（Ｂ側）５９６には、負極端子５７２の負極側の導体板５７４、交流端子５８２の交流端子側導体板５８４、及び信号用端子（上アーム用）５５２と信号用端子（下アーム用）５５６のそれぞれの導体板が固着されており、上記負極側の導体板５７４には、下アームＩＧＢＴチップ５４１のエミッタ側が接続されるはんだ接合部７５７と下アームのダイオードチップ５４３のアノード側が接続されるはんだ接合部７５９が設けられ、上記交流端子側の導体板５８４には、上アームＩＧＢＴチップ５３７のエミッタ側が接続されるはんだ接合部７５６と上アームのダイオードチップ５４３のアノード側が接続されるはんだ接合部７５８が配設され、上記負極端子５７２は、下アームのＩＧＢＴチップ５４１及び下アームのダイオードチップ５４３に対して、導体板５７４、はんだ接合部７５７及び７５９、はんだ層５４０及び５４２を介して接続結合され、
　また、正極端子５３２は、上アームのＩＧＢＴチップ５３７及び上アームのダイオードチップ５４３に対して、導体板５３４、はんだ接合部７５１及び７５２、はんだ層５４７及び５４８を介して接続結合され、
　また、上記交流端子５８２は、導体板５８４、上アームＩＧＢＴチップのエミッタ側に連結している上下アーム接続用はんだ接合部５６０、はんだ層５４４、上下アーム接続用はんだ接合部５５５、導体板５３５を介して下アーム用ＩＧＢＴチップ５４１に接続結合され、
　ボトムケース５１６、トップケース５１２及びサイドケース５０８が、一体的構造となった放熱フィン（Ａ側）５２２及び放熱フィン（Ｂ側）５６２に対して、接着剤で接着され、さらに、トップケースの孔５１３からモールド樹脂を内部に充填させて形成した、
　半導体モジュール。」
　
２．引用文献２について
　
　本願の原出願の出願日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された，特開２００９−２１９２７０号公報（以下，これを「引用文献２」という。）の段落【００８６】〜【００９２】には，上記１．で引用した引用文献１の段落【００９２】〜【００９９】と同様の記載があることから，当該記載から，上記引用文献２には引用発明１と同様の発明（以下，「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
３．引用文献３について
　本願の原出願の出願日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された，特開２００８−２５９２６７号公報（以下，これを「引用文献３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ｂ．「【００７６】
　また、図２２は本実施形態に係る半導体モジュールの一方の側の放熱フィン（Ａ側）と他方の側の放熱フィン（Ｂ側）を展開して内部構造を斜視的に示す図である。図２３は
半導体モジュールの放熱フィン（Ａ側）の内側に固着される上下アーム直列回路
【００７７】
　図１８〜図２１において、本実施形態に係る
半導体モジュール５００は、一方の側である放熱フィン（Ａ側）５２２
、他方の側である放熱フィン（Ｂ側）５６２、両放熱フィン５２２，５６２に挟み込まれた上下アーム直列回路５０、上下アーム直列回路の正極端子５３２や負極端子５７２や交流端子５８２を含めた各種端子、トップケース５１２やボトムケース５１６やサイドケース５０８、を備えて
放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２に絶縁シートを介してそれぞれ固着された導体板上の上下アーム直列回路
が放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２に挟み込まれた状態において、ボトムケース５１６、トップケース５１２、サイドケース５０８を取り付け、両放熱フィン５２２，５６２の間にトップケース５１２側からモールド樹脂を充填して一体化構造として半導体モジュール５００を形成
Ｃ．「【００８８】
　本実施形態に係る半導体モジュールの製造方法の基本的なプロセスを順に示す。放熱金属の板、例えば本実施形態では
フィン構造を備えた金属板である放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２を基礎素材としてそれぞれの内側に絶縁シート（Ａ側）５２４と絶縁シート（Ｂ側）５６４を真空熱圧着で固着し
絶縁シート５２４（Ａ側）に正極側の導体板５３４及び第１の導体板５４４を真空熱圧着で固着し、絶縁シート５６４（Ｂ側）に負極側の導体板５７４と交流用の導体板（第２の導体板）５８４を固着
【００８９】
　さらに合わせて、絶縁シート５２４（Ａ側）に、信号用端子（上アーム用）５５２の信号用導体５５４やゲート端子（上アーム用）５５３のゲート用導体５５５、信号用端子（下アーム用）５５６の信号用導体５５８やゲート端子（下アーム用）５５７のゲート用導体５５９を固着する。これらの配置関係は図２３に示すとおりである。
【００９０】
　絶縁シート（Ａ側）５２４と絶縁シート（Ｂ側）５６４とは、以下に説明する、インバータ回路の上下アームの直列回路を構成する半導体チップや導体と放熱フィン（Ａ側）５２２や放熱フィン（Ｂ側）５６２とを電気的に絶縁する絶縁部材として機能すると共に、半導体チップなどからの発生熱を放熱フィン（Ａ側）５２２や放熱フィン（Ｂ側）５６２に伝導する熱伝導路を形成する働きをする。絶縁部材としては、樹脂製の絶縁シートまたは絶縁板であっても良いし、セラミック基板であっても良い。例えばセラミック基板の場合で絶縁部材の厚さは３５０μメータ以下、絶縁シートの場合は更に薄く５０μメータから２００μメータであることが望ましい。ただ、後述するインダクタンス低減においては絶縁部材は薄い方が効果が大きく、セラミック基板より樹脂製の絶縁シートの方が特性的に優れている。
【００９１】
　次に、
放熱フィン（Ａ側）５２２の導体板５３４，５４４に設けた凸部５３６，５４０，５４５，５４８に半田層５３７，５４１，５４６，５４９を介在させてＩＧＢＴチップ５３８，５４７及びダイオードチップ５４２，５５０をはんだ付けする
この際、正極側の導体板５３４と第１の導体板５４４が互いに絶縁状態で設けられ、それぞれの導体板５３４，５４４にＩＧＢＴチップ及びダイオードチップをはんだ付けする。さらに、
上アームのエミッタ電極と下アームのコレクタ電極を連結する接続板５９４がチップ５４７，５５０と同様にして第１の導体板５４４にはんだ付けされ、接続板５９４が交流用の導体板（第２の導体板）５８４との当接接続によって、上下アームの中間電極６９
を構成する。
【００９２】
　次に、
放熱フィン（Ａ側）５２２の導体板５３４の上にはんだ付けされた上アームのＩＧＢＴ５３８の信号用エミッタ電極６６１と信号用端子（上アーム用）５５２の信号用導体５５４との間、及び上アームのＩＧＢＴ５３８のゲート電極６６２とゲート端子（上アーム用）５５３のゲート用導体５５５との間をワイヤボンディングで接続する
同様にして放熱フィン（Ａ側）５２２の第１の導体板５４４の上にはんだ付けされた下アームのＩＧＢＴ５４７の信号用エミッタ電極と信号用端子（下アーム用）５５６の信号用導体５５８との間、及び下アームのＩＧＢＴ５４７のゲート電極とゲート端子（下アーム用）５５７のゲート用導体５５９との間をワイヤボンディングで接続する
【００９３】
　図２３に示すとおり、放熱フィンの一方である、放熱フィン（Ａ側）５２２に上アームと下アームを構成する両方の半導体チップを固定し、これら半導体チップに信号を制御するための信号用導体５５４，５５８とゲート用導体５５５，５５９を設けている。このように一方の絶縁部材に上下アーム用の半導体チップとその制御線を固定しているので、ワイヤボンディングなどの信号線と半導体チップとの接続作業を製造工程の中で集中でき、生産性と信頼性の向上となる。
【００９４】
　また、自動車用の如く振動の大きい環境で使用する場合、配線すべき一方の半導体チップと他方の制御線との両方が同じ部材である一方の放熱フィンに固定されているので、耐振性が向上する。
【００９５】
　図２３に示す構造では上アーム用の半導体チップと下アーム用の半導体チップとを同じ向きに、すなわちそれぞれのコレクタ面が絶縁部材である絶縁シート５２４に固着されている。このように半導体チップの方向を合わせることで作業性が向上する。このことはダイオードチップに対しても同じである。
【００９６】
　図２３の構造では上アーム用の半導体チップと下アーム用の半導体チップとを端子の引き出し方向において奥側と手前側に分けて配置している。この端子の引き出し方向は、後述するとおり、水路への挿入方向と一致している。水路への挿入方向において奥側と手前側に分けて上アーム用の半導体チップと下アーム用の半導体チップとを分けて配置している。このような配置とすることで、半導体モジュール内の電気部品の配置が規則的となり、全体として小型化される。また、熱源が規則的に分かれるので（発熱源である複数のＩＧＢＴの内の各ＩＧＢＴのオンオフが規則的に変化して動作するので）熱の分散に優れ、また放熱面が規則的に分かれるので、半導体モジュールが比較的小型化されても放熱面が有効的に作用し冷却効果が向上する。
【００９７】
　次に、放熱フィン（Ｂ側）５６２について説明する。放熱フィン（Ｂ側）５６２に絶縁部材である絶縁シート５６４を介して真空熱圧着された導体板が固着されている。図２４に示すように、交流端子５８２を引き出す交流用の導体板５８４と負極端子５７２を引き出す負極側の導体板５７４が互いに絶縁部材である絶縁シート５６４の上に絶縁状態で配設され、それぞれの導体板５７４，５８４上には図示するように凸部５７６，５７８，５８６，５８８を設ける。凸部５７６，５８６はＩＧＢＴチップに接続され、凸部５７８，５８８はダイオードチップに接続される。
【００９８】
　図２４において、部分拡大図Ｓ１に示すように、Ｄ１とＤ２は凸部の厚さを表し、Ｄ１＞Ｄ２であるのは、ダイオードチップがＩＧＢＴチップより厚いためである。放熱フィン（Ａ側）５２２の内側においては、図２３に示すように、上アームのエミッタ電極とダイオードのアノード電極が正極端子５３２を有する正極側の導体板５３４上に突き出た形状を表出しており、また、導体板５４４には下アームのエミッタ電極とダイオードのアノード電極が突き出た形状で表出され且つ中間電極６９を構成する接続板５９４が突き出た形状で表出されている。
【００９９】
　続いて、
放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２とを図２２に示すように対向させて、放熱フィン（Ａ側）５２２のＩＧＢＴチップ５３８，５４７とダイオードチップ５４２，５５０との電極が連結するように、放熱フィン（Ｂ側）５６２の導体板５７４，５８４上の凸部５８６，５８８，５７６，５７８を対面させてはんだ付けする。また、放熱フィン（Ａ側）５２２の第１の導体板５４４に設けた接続板５９４は、放熱フィン（Ｂ側）５６２に設けた交流用の導体板５８４に対面するように配置されておりはんだ付けされる。次に、ボトムケース５１６、トップケース５１２及びサイドケース５０８が、一体的構造となった放熱フィン（Ａ側）５２２及び放熱フィン（Ｂ側）５６２に対して、接着剤で接着される
さらに、トップケースの孔５１３からモールド樹脂を内部に充填させて
形成する。
　
　以上Ｂ．及びＣ．の記載から，上記引用文献３には次の発明（以下，「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
　
　「上下アーム直列回路が内側に固着された半導体モジュールであって、
　一方の側である放熱フィン（Ａ側）５２２、他方の側である放熱フィン（Ｂ側）５６２、両放熱フィン５２２，５６２に挟み込まれた上下アーム直列回路５０、上下アーム直列回路の正極端子５３２や負極端子５７２や交流端子５８２を含めた各種端子、トップケース５１２やボトムケース５１６やサイドケース５０８、を備えており、放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２に絶縁シートを介してそれぞれ固着された導体板上の上下アーム直列回路が放熱フィン（Ａ側）５２２と放熱フィン（Ｂ側）５６２に挟み込まれた状態において、ボトムケース５１６、トップケース５１２、サイドケース５０８を取り付け、両放熱フィン５２２，５６２の間にトップケース５１２側からモールド樹脂を充填して一体化構造として当該半導体モジュールを形成しており、
　上記放熱フィン（Ａ側）５２２と上記放熱フィン（Ｂ側）５６２を基礎素材としてそれぞれの内側に絶縁シート（Ａ側）５２４と絶縁シート（Ｂ側）５６４を真空熱圧着で固着し、絶縁シート５２４（Ａ側）に正極側の導体板５３４及び第１の導体板５４４を真空熱圧着で固着し、絶縁シート５６４（Ｂ側）に負極側の導体板５７４と交流用の導体板（第２の導体板）５８４を固着し、
　上記放熱フィン（Ａ側）５２２の導体板５３４，５４４に設けた凸部５３６，５４０，５４５，５４８に半田層５３７，５４１，５４６，５４９を介在させてＩＧＢＴチップ５３８，５４７及びダイオードチップ５４２，５５０をはんだ付けし、この際、正極側の導体板５３４と第１の導体板５４４が互いに絶縁状態で設けられ、それぞれの導体板５３４，５４４にＩＧＢＴチップ及びダイオードチップをはんだ付けし、さらに、上アームのエミッタ電極と下アームのコレクタ電極を連結する接続板５９４がチップ５４７，５５０と同様にして第１の導体板５４４にはんだ付けされ、接続板５９４が交流用の導体板（第２の導体板）５８４との当接接続によって、上下アームの中間電極６９を構成し、
　上記放熱フィン（Ａ側）５２２の導体板５３４の上にはんだ付けされた上アームのＩＧＢＴ５３８の信号用エミッタ電極６６１と信号用端子（上アーム用）５５２の信号用導体５５４との間、及び上アームのＩＧＢＴ５３８のゲート電極６６２とゲート端子（上アーム用）５５３のゲート用導体５５５との間をワイヤボンディングで接続し、同様にして放熱フィン（Ａ側）５２２の第１の導体板５４４の上にはんだ付けされた下アームのＩＧＢＴ５４７の信号用エミッタ電極と信号用端子（下アーム用）５５６の信号用導体５５８との間、及び下アームのＩＧＢＴ５４７のゲート電極とゲート端子（下アーム用）５５７のゲート用導体５５９との間をワイヤボンディングで接続し、
　上記放熱フィン（Ａ側）５２２と上記放熱フィン（Ｂ側）５６２とを対向させて、放熱フィン（Ａ側）５２２のＩＧＢＴチップ５３８，５４７とダイオードチップ５４２，５５０との電極が連結するように、放熱フィン（Ｂ側）５６２の導体板５７４，５８４上の凸部５８６，５８８，５７６，５７８を対面させてはんだ付けし、また、放熱フィン（Ａ側）５２２の第１の導体板５４４に設けた接続板５９４は、放熱フィン（Ｂ側）５６２に設けた交流用の導体板５８４に対面するように配置されておりはんだ付けし、次に、ボトムケース５１６、トップケース５１２及びサイドケース５０８が、一体的構造となった放熱フィン（Ａ側）５２２及び放熱フィン（Ｂ側）５６２に対して、接着剤で接着され、さらに、トップケースの孔５１３からモールド樹脂を内部に充填させて形成する、
　半導体モジュール。」
　　
４．引用文献４について
　
　本願の原出願の出願日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された，特開２００４−２０８４１１号公報（以下，これを「引用文献４」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ｄ．「【００３６】
図６に示すように、ハイサイド板１の側端からハイサイド端子１１が、ローサイド板２から側端からローサイド端子１２が、ミドルサイド板３の側端からミドルサイド端子１３がミドルサイド端子１３の短辺方向へ突出している。これらハイサイド端子１１、ローサイド端子１２及びミドルサイド端子１３の幅は、ハイサイド板１、ローサイド板２及びミドルサイド板３の長辺の長さよりも格段に短くされている。
ローサイド端子１２は
厚さ方向に曲げられて
中央部から突出している。ハイサイド端子１１、ミドルサイド端子１３、小電流端子１４、１５も同じである。
　
５．引用文献ａないしｃについて
　
　本願の原出願の出願日前に頒布され，原査定の拒絶の理由に引用された，特開２０１０−１１００６５号公報（以下，これを「引用文献ａ」という。），特開２０１０−４１８３８号公報（以下，これを「引用文献ｂ」という。），特開２００７−５９７３７号公報（以下，これを「引用文献ｃ」という。）にはそれぞれ，図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ｅ．「【００８１】
　パワーモジュール３００、特に金属ベース３０４は、温度サイクルによって膨張及び収縮する。この膨張及び収縮によって、接続端３１４Ｋ，３１６Ｋと回路配線パターン３３４Ｋの接続部は、亀裂又は破断するおそれが生じる。そこで、本実施形態に係るパワーモジュール３００では、図９に示すように、
直流正極端子３１４と直流負極端子３１６が積層されることにより形成される積層平面部３１９が、絶縁基板３３４を搭載した側の金属ベース３０４の平面に対して、略平行となるように構成されている
そのため、積層平面部３１９に一体に形成された接続端３１４Ｋ，３１６Ｋの剛性は、金属ベース３０４の反り返りに対して、小さくすることができる。したがって、接続端３１４Ｋ，３１６Ｋと回路配線パターン３３４Ｋとの接合面の垂直方向に加わる応力を緩和することができ
Ｆ．「【０１１４】
　そこで、本実施形態に係るパワーモジュール３００では、図７に示すように、
直流正極端子３１４と直流負極端子３１６が積層されることにより形成される積層平面部３１９が、絶縁基板３３４を搭載した側の金属ベース３０４の平面に対して、略平行となるように構成されている
そのため、積層平面部３１９に一体に形成された接続端３１４Ｋ，３１６Ｋの剛性は、金属ベース３０４の反り返りに対して、小さくすることができる。したがって、接続端３１４Ｋ，３１６Ｋと回路配線パターン３３４Ｋとの接合面の垂直方向に加わる応力を緩和することができ
Ｇ．「【００３１】
　また、正極側端子５ａ，出力端子６ａ，負極側端子７ａとＩＧＢＴ１，２，ダイオード３，４との接続は、薄板状の接続導体９，１０，１１，１２により接続されている。この導体配置により、図２１のインダクタンスの２３と２４，２５と２６，２７と２８が、２枚の平板上に往復電流を流した形でインダクタンスが低くなり、前述した主回路インダクタンスＬが低減できる構成となっている。」（引用文献ｃ）
　
　上記Ｅ．ないしＧ．の記載から、２つの導体の接続部が屈曲部を有し、当該屈曲部の先端で２つの導体が接続されることは、本願の原出願の出願日前には周知の技術であったことが読み取れる。
６．引用文献αについて
　
　本願の原出願の出願日前に頒布され，平成３０年１０月２２日付けの補正の却下の決定に引用された，特開２００７−３５６７０号公報（以下，これを「引用文献α」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　
Ｈ．「【００２８】
　そして、図１、図２に示されるように、
両半導体パッケージ１０、２０においては、半導体素子１、２を挟み込んだ一対の金属体３、４が、モールド樹脂７にて封止されている。
【００２９】
　また、図１（ｂ）に示されるように、一対の金属体３、４のそれぞれにおいて、半導体素子１、２と対向する内面とは反対側の外面３ａ、４ａが、モールド樹脂７から露出している。
【００３０】
　これにより、両半導体パッケージ１０、２０においては、第１および第２の半導体素子１、２の両面のそれぞれにて、第２の金属体４、ヒートシンクブロック６および第１の金属体３を介した放熱が行われる構成となっている。
【００３１】
　また、一対の金属板３、４は、導電性接合部材５やヒートシンクブロック６を介して、縦型パワー素子である両半導体素子１、２の各面の図示しない電極に電気的に接続されている。
【００３２】
　ここで、図１、図２に示されるように、
第１の金属体３および第２の金属体４には、その端面からモールド樹脂７の外側に突出して露出する外部端子３１、３２、３３、３４、３５が、設けられている。
【００３３】
　第１の半導体パッケージ１０において第１の金属体３に設けられている外部端子３１は、本半導体装置１００において上記モータに接続される出力端子３１である。
【００３４】
　また、第１の半導体パッケージ１０において第２の金属体４に設けられている外部端子３２、および、第２の半導体パッケージ２０において第２の金属体４に設けられている外部端子３３は、本半導体装置１００における電源端子３２、３３である。ここでは、第１の半導体パッケージ１０側の電源端子３２が高電圧側、第２の半導体パッケージ２０側の電源端子３３がＧＮＤ側となる。
【００３５】
　ここで、出力端子３１は、インバータ装置においては、いわゆるＵ，Ｖ，Ｗ端子のいずれか１つとなるものであり、高電圧側の電源端子３２はいわゆるＰ端子、ＧＮＤ側の電源端子３３はいわゆるＮ端子といわれるものである。
【００３６】
　また、図１において、第２の半導体パッケージ２０において第１の金属体３に設けられている外部端子３４は、同一の両半導体パッケージ１０、２０を用いた構成を採用したため存在するものであるが、実際の構成上は不要なものであり、図示のように、残してもよいが、カットして除去してもよい。
【００３７】
　また、対向する両半導体パッケージ１０、２０の間に存在する
外部端子３５は、これら両半導体パッケージ１０、２０を電気的に接続するため接続端子３５
　
第５　対比・判断
　
１．本願発明１について
（１）引用発明１との対比
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
　
ア　引用発明１である「半導体モジュール」は，本願発明１である「パワー半導体装置」に対応するところ，引用発明１の「上アーム用ＩＧＢＴチップ５３７」，「下アーム用ＩＧＢＴチップ５４１」，上記「上アーム用ＩＧＢＴチップ５３７」が「はんだ付け固定され」た「導体板５３４」，上記「上アームＩＧＢＴチップ５３７のエミッタ側が」「はんだ接合部７５６」を介して「接続され」た「導体板５８４」，上記「下アーム用ＩＧＢＴチップ５４１」が「はんだ付け固定され」た「導体板５３５」，上記「下アームＩＧＢＴチップ５４１のエミッタ側が」「はんだ接合部７５９」を介して「接続され」た「導体板５７４」は，それぞれ本願発明１の「表面及び裏面のそれぞれに電極が形成された第１のパワー半導体素子」，「表面及び裏面のそれぞれに電極が形成された第２のパワー半導体素子」，「前記第１のパワー半導体素子の表面側に配置される第１の導体板」，「前記第１のパワー半導体素子の裏面側に配置される第２の導体板」，「前記第２のパワー半導体素子の表面側に配置される第３の導体板」，「前記第２のパワー半導体素子の裏面側に配置される第４の導体板」に相当する。
　
イ　引用発明１は「上アームのエミッタ電極と下アームのコレクタ電極を連結する上下アーム接続用はんだ接合部５５５が」，「放熱フィン（Ａ側）５２２の導体板５３５に形成され，接合部５５５がはんだ層５４４及び導体板５８４を介して交流端子５８２接続され，上下アーム直列回路の中間電極６９を構成し」ており，当該「接合部５５５」は，「導体板５３５」（本願発明１の「第３の導体板」に相当）と「導体板５８４」（本願発明１の「第２の導体板」に相当）を接続する接続部といえるから，本願発明１と引用発明１とは，“前記第２の導体板と前記第３の導体板との接続部が設けられ”ている点で共通するといえる。
　
　以上ア及びイの対比から，本願発明１と引用発明１とは次の点で一致し，そして相違する。
　
（一致点）
　表面及び裏面のそれぞれに電極が形成された第１のパワー半導体素子と，
　表面及び裏面のそれぞれに電極が形成された第２のパワー半導体素子と，
　前記第１のパワー半導体素子の表面側に配置される第１の導体板と，
　前記第１のパワー半導体素子の裏面側に配置される第２の導体板と，
　前記第２のパワー半導体素子の表面側に配置される第３の導体板と，
　前記第２のパワー半導体素子の裏面側に配置される第４の導体板と，を備えたパワー半導体装置において，
　前記第２の導体板と前記第３の導体板との接続部が設けられている，
　パワー半導体装置。
　
（相違点１）
　接続部に関し，
　本願発明１は，「前記第２の導体板には，前記第３の導体板に向かって延設された」接続部が「当該第２の導体板と一体構造として設けられ」ているのに対し，
　引用発明１は，「接合部５５５」についてそのような特定はなされていない点。
　
（相違点２）
　本願発明１は，「接続部は，前記第２の導体板から前記第３の導体板に向かって屈曲する屈曲部を有するとともに，前記屈曲部より先端側において前記第３の導体板と接続され」ているのに対し，
　引用発明１は，そのような特定はなされていない点。
　
（相違点３）
　本願発明１は，「第１のパワー半導体素子，前記第２のパワー半導体素子，前記第１の導体板，前記第２の導体板，前記第３の導体板，及び前記第４の導体板は，トランスファーモールドによって一体的に樹脂封止されている」のに対し，
　引用発明１は，そのような特定はなされていない点。
　
（２）相違点についての判断
　事案に鑑みて，上記相違点２について先に検討する。
　
　相違点２に係る本願発明１の構成である，「接続部は，前記第２の導体板から前記第３の導体板に向かって屈曲する屈曲部を有するとともに，前記屈曲部より先端側において前記第３の導体板と接続され」ている点について，引用発明１の「接合部５５５」は，「放熱フィン（Ａ側）５２２の導体板５３５に形成され，接合部５５５がはんだ層５４４及び導体板５８４を介して交流端子５８２接続され」る構成をなしており，すなわち，「導体板５３５」と「導体板５８４」は「はんだ層５４４」を介して接合されるよう正対した位置にあるから，当該「導体板５３５」と当該「導体板５８４」とを接合するために直線的に接合部を設けるのが構造上自然であって，このような接合部を屈曲させるよう変更する動機づけは認められない。
　そうすると，引用発明１に基づいて，相違点２に係る本願発明１の構成とすることは，当業者が容易になし得ることであるとはいえない。
　
　したがって，本願発明１は，他の相違点を検討するまでもなく，当業者であっても引用発明１，及び，引用文献１ないし４，ａないしｃ，αに記載された技術的事項，及び，周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（３）引用発明２に基づく判断
　上記第４の２．で検討のとおり，引用文献２には引用発明１と同様の引用発明２が記載されており，そして，上記（２）で検討のとおり，本願発明１は，引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないから，同様の理由により，本願発明１は，引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（４）引用発明３に基づく判断
　上記第４の３．で検討のとおり，引用文献３には引用発明３が記載されており，引用発明３は引用発明１と実質的に同様の構成からなる発明であるといえる。そして，上記（２）で検討のとおり，本願発明１は，引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえないから，同様の理由により，本願発明１は，引用発明３に基いて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（５）本願発明１についてのまとめ
　以上（１）ないし（４）の検討から，本願発明１は，当業者であっても引用発明１または引用発明２または引用発明３，及び，引用文献１ないし４，ａないしｃ，αに記載された技術的事項，及び，周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
２．本願発明２ないし１５について
　本願発明２ないし１５は，本願発明１を更に限定したものであるか，本願発明１を別のカテゴリーで表現するものであるので，同様に，当業者であっても引用発明１または引用発明２または引用発明３，及び，引用文献１ないし４，ａないしｃ，αに記載された技術的事項，及び，周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
　
第６　むすび
　
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。