Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収集したデータを外部装置へ送信する通信モジュールであって、
前記データを収集するセンサ装置と、
当該センサ装置が収集したデータを記憶する記憶部と、
当該記憶部に記憶されたデータを前記外部装置に送信する通信装置と、
発電した電力を充電して前記通信モジュールの構成要素に電源を供給する発電装置と、
当該発電装置が充電した電力の第１の充電量に基づき前記センサ装置を起動させるか否かを第１のタイミングで決定し、前記発電装置が充電した電力の第２の充電量に基づき前記通信装置を起動させるか否かを第２のタイミングで決定するよう前記通信モジュールの動作を制御する制御装置と
を有することを特徴とする通信モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の通信モジュールにおいて、
前記第２の充電量は、前記第１の充電量に前記通信装置の消費電力を加えた充電量より大きく設定されることを特徴とする通信モジュール。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の通信モジュールにおいて、
前記制御装置は、前記第１の充電量以上の値である第３の充電量に基づき前記第１のタイミングを設定し、前記第２の充電量以上の値である第４の充電量に基づき前記第２のタイミングを設定することを特徴とする通信モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の通信モジュールにおいて、
前記制御装置は、
現在の充電量が、前記第３の充電量以上の場合は、前記センサ装置起動までの待ち時間を短くし、前記第３の充電量未満の場合は、前記センサ装置起動までの待ち時間を長くし、
現在の充電量が、前記第４の充電量以上の場合は、前記通信装置起動までの待ち時間を短くし、前記第４の充電量未満の場合は、前記通信装置起動までの待ち時間を長くすることを特徴とする通信モジュール。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の通信モジュールにおいて、
前記制御装置は、
前記発電装置における現在の充電量と、前記センサ装置を前回起動させた時の前記発電装置における充電量と、前回設定した前記第１のタイミングとに基づき、次に前記センサ装置を起動するか否かを決定する第３のタイミングを設定し、
前記発電装置における現在の充電量と、前記通信装置を前回起動させた時の前記発電装置の充電量と、前回設定した前記第２のタイミングとに基づき、次に前記通信装置を起動するか否かを決定する第４のタイミングを設定する
ことを特徴とする通信モジュール。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の通信モジュールにおいて、
前記制御装置は、
前記第２の充電量を、前記記憶されたデータを前記外部装置に送信するに必要な送信出力と送信時間に基づき制御することを特徴とする通信モジュール。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の通信モジュールにおいて、
前記通信装置は、前記データを前記外部装置に送信した後に当該外部装置から前記データが受信されたことを示す受信確認情報を受信し、
当該受信確認情報を得られない場合には、前記制御装置は、前記センサ装置の起動をしない
ことを特徴とする通信モジュール。
【請求項８】
発電した電力を充電し当該電力を電源として収集したデータを外部装置へ送信する通信モジュールの制御方法であって、
充電した前記電力の第１の充電量に基づき前記データを収集して記憶するか否かを第１のタイミングで決定し、
充電した前記電力の第２の充電量に基づき記憶した前記データを前記外部装置に送信するか否かを第２のタイミングで決定する
ことを特徴とする通信モジュールの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図１１は、図７におけるセンサ通信装置待ち時間設定フロー（Ｓ３３）を変更したフローチャートである。通信装置待ち時間設定フローでは、制御装置１３は現在の充電量が予め設定された閾値Ｄより大きいか比較する（Ｓ６１）。もし充電量が閾値Ｄ以上であるならば、制御装置１３は次の通信装置起動までの待ち時間を予め設定された待ち時間ｗｔ４に設定する（Ｓ６２）。充電量が閾値Ｄ未満の場合は、制御装置１３は次の通信装置起動までの待ち時間を予め設定された待ち時間ｗｔ５に設定する（Ｓ６３）。その後、設定された待ち時間の間、制御装置１３はセンサ通信装置１２の起動を待機する（Ｓ６４）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パン・チルト・ズームを物理的及び電子的に制御可能な撮像装置から配信映像を入力する入力手段と、
前記パン・チルト・ズームを物理的及び電子的に制御可能な撮像装置に物理的なパン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、前記撮像装置が撮像データから配信映像を切り出すための電子パン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出する送出手段と、
前記入力手段が入力した配信映像から、設定された位置による切り出しを行う切り出し手段と、
前記撮像装置のパン・チルト・ズームを物理的に制御して撮影可能な範囲を示す第１の枠を表示し、前記撮像装置の前記物理的なパン・チルト・ズームの設定値による位置を示す第２の枠を前記第１の枠の中に操作可能に表示し、前記撮像装置が前記配信映像を切り出す前記電子パン・チルト・ズームの設定値による位置を示す第３の枠を前記第２の枠の中に操作可能に表示し、前記入力手段が入力した配信映像から切り出す位置を示す第４の枠を前記第３の枠の中に操作可能に表示する表示制御手段とを有し、
前記送出手段は、前記表示制御手段により表示された前記第２の枠の操作結果に応じて、前記物理的なパン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、前記表示制御手段により表示された前記第３の枠の操作結果に応じて、前記電子パン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、
前記切り出し手段は、前記表示制御手段により表示された前記第４の枠の操作結果に応じて、前記入力手段が入力した配信映像から切り出しを行うことを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記表示制御手段は、前記第２、前記第３、及び、前記第４の枠を移動操作可能に表示することを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記第４の枠を変形操作可能に表示することを特徴とする請求項１又は２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、前記第４の枠を、前記第３の枠の外に出ない範囲で操作可能に表示することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
パン・チルト・ズームを物理的及び電子的に制御可能な撮像装置と、
請求項１〜４の何れか１項に記載の制御装置とを有することを特徴とする監視カメラシステム。
【請求項６】
パン・チルト・ズームを物理的及び電子的に制御可能な撮像装置から配信映像を入力する入力工程と、
前記パン・チルト・ズームを物理的及び電子的に制御可能な撮像装置に物理的なパン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、前記撮像装置が撮像データから配信映像を切り出すための電子パン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出する送出工程と、
前記入力工程で入力した配信映像から、設定された位置による切り出しを行う切り出し工程と、
前記撮像装置のパン・チルト・ズームを物理的に制御して撮影可能な範囲を示す第１の枠を表示し、前記撮像装置の前記物理的なパン・チルト・ズームの設定値による位置を示す第２の枠を前記第１の枠の中に操作可能に表示し、前記撮像装置が前記配信映像を切り出す前記電子パン・チルト・ズームの設定値による位置を示す第３の枠を前記第２の枠の中に操作可能に表示し、前記入力工程において入力した配信映像から切り出す位置を示す第４の枠を前記第３の枠の中に操作可能に表示する表示制御工程を有し、
前記送出工程では、前記表示制御工程で表示された前記第２の枠の操作結果に応じて、前記物理的なパン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、前記表示制御工程で表示された前記第３の枠の操作結果に応じて、前記電子パン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、
前記切り出し工程では、前記表示制御工程で表示された前記第４の枠の操作結果に応じて、前記入力工程で入力した配信映像から切り出しを行うことを特徴とする制御装置の制御方法。
【請求項７】
前記表示制御工程では、前記第２、前記第３、及び、前記第４の枠を移動操作可能に表示することを特徴とする請求項６に記載の制御装置の制御方法。
【請求項８】
前記表示制御工程では、前記第４の枠を変形操作可能に表示することを特徴とする請求項６又は７に記載の制御装置の制御方法。
【請求項９】
前記表示制御工程では、前記第４の枠を、前記第３の枠の外に出ない範囲で操作可能に表示することを特徴とする請求項６〜８の何れか１項に記載の制御装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項１〜４の何れか１項に記載の制御装置としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御装置及び制御装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、制御装置及び制御装置の制御方法に関し、特に、複数の複数のパン・チルト・ズーム機構を用いた撮像映像の制御及び撮影画像の処理を行うために用いて好適な技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の制御装置は、パン・チルト・ズームを物理的及び電子的に制御可能な撮像装置から配信映像を入力する入力手段と、前記パン・チルト・ズームを物理的及び電子的に制御可能な撮像装置に物理的なパン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、前記撮像装置が撮像データから配信映像を切り出すための電子パン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出する送出手段と、前記入力手段が入力した配信映像から、設定された位置による切り出しを行う切り出し手段と、前記撮像装置のパン・チルト・ズームを物理的に制御して撮影可能な範囲を示す第１の枠を表示し、前記撮像装置の前記物理的なパン・チルト・ズームの設定値による位置を示す第２の枠を前記第１の枠の中に操作可能に表示し、前記撮像装置が前記配信映像を切り出す前記電子パン・チルト・ズームの設定値による位置を示す第３の枠を前記第２の枠の中に操作可能に表示し、前記入力手段が入力した配信映像から切り出す位置を示す第４の枠を前記第３の枠の中に操作可能に表示する表示制御手段を有し、前記送出手段は、前記表示制御手段により表示された前記第２の枠の操作結果に応じて、前記物理的なパン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、前記表示制御手段により表示された前記第３の枠の操作結果に応じて、前記電子パン・チルト・ズームの設定値を前記撮像装置に送出し、前記切り出し手段は、前記表示制御手段により表示された前記第４の枠の操作結果に応じて、前記入力手段が入力した配信映像から切り出しを行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、可動範囲内での状態を表示しながらパン・チルト・ズーム駆動するようにしたので、複数のPTZ駆動の操作が明快になる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、画像読取装置において、読取ガラスに沿って搬送されるシートに光を照射する光源及びシートからの反射光により画像を読み取る画像読取素子を有する画像読取部と、前記読取ガラスを挟んで、前記画像読取部に対応した位置に配置され、シートをガイドする搬送ガイド部と、前記画像読取部によりシートを読み取って得られた画像情報を補正する補正部と、を備え、前記搬送ガイド部は、前記光源からの光を拡散して反射する拡散反射面を備え、前記補正部は、前記拡散反射面により反射した反射光に基づいて前記画像情報を補正することを特徴とするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取ガラスに沿って搬送されるシートに光を照射する光源及びシートからの反射光により画像を読み取る画像読取素子を有する画像読取部と、
前記読取ガラスを挟んで、前記画像読取部に対応した位置に配置され、シートをガイドする搬送ガイド部と、
前記画像読取部によりシートを読み取って得られた画像情報を補正する補正部と、を備え、
前記搬送ガイド部は、前記光源からの光を拡散して反射する拡散反射面を備え、
前記補正部は、前記拡散反射面により反射した反射光に基づいて前記画像情報を補正することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記画像読取部によりシートを読み取って得られた画像情報を補正する補正情報を得るための白基準部材を備え、
前記画像読取部により前記搬送ガイド部を読み取って得られた第１補正情報と、前記第１補正情報を読み取った後に搬送されてきたシートの画像を読み取った後に前記搬送ガイド部を前記画像読取部により再度読み取って得られた第２補正情報と、前記白基準部材を前記画像読取部により読み取って得られた補正情報と、に基づいて前記補正部は前記画像情報を補正することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記搬送ガイド部の反射面は、搬送されるシートをガイドする湾曲したガイド面であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記搬送ガイド部の表面性状は、十点平均表面粗さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）が３．０μｍ＜Ｒｚ、局部山頂の平均間隔Ｓ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）がＳ＜０．０９ｍｍを満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記搬送ガイド部の表面は、凹凸形状であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記搬送ガイド部の表面は、シボ加工又はホーニング加工によって凹凸形状とされていることを特徴とする請求項５に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記搬送ガイド部の反射面は白色であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記搬送ガイド部は、シートの前記読取ガラスに沿った搬送をガイドすると共に、周面を前記拡散反射面としたローラであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項９】
前記搬送ガイド部は、湾曲したガイド面を備える平板状のガイド部であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像読取装置と、前記画像読取装置により読み取られた画像情報に基づいて画像を形成する画像形成部と、を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記濃淡画像復号装置の第１態様の構成によれば、低解像度濃淡画像中の画素をＬＲ画素としたとき、アップサンプリングにより挿入された挿入画素を、（１）該エッジマップ上の隣り合うエッジ点を連ねた輪郭を跨がず且つ該挿入画素に隣接するＬＲ画素の加重平均値で補間し、（２）補間されていない挿入画素が残っていれば該挿入画素を、該該輪郭を跨がず且つ該挿入画素に隣接する補間された画素の加重平均値で補間するので、輪郭の形状に応じてその影響を受けずに挿入画素を補間することができるという効果を奏する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記濃淡画像復号装置の第２態様の構成によれば、（３）補間されていない挿入画素のそれぞれについて処理（２）を行った後に、この処理（２）で補間された画素とし、補間されていない挿入画素が無くなるまで処理（３）を繰り返すので、例えば、図１２においてノード１と３に対応したＬＲ画素の値の平均でノード２に対応した挿入画素を補間した後、この値でノード６に対応した挿入画素を補間するということを避けることができ、すなわち、さらにノード１と９に対応したＬＲ画素の値の平均でノード５に対応した挿入画素を補間した後、ノード２とノード５の画素の値の平均でノード６に対応した挿入画素を補間することができ、これにより画素値の分布がスムーズになってノイズの発生を抑制できるという効果を奏する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図５はエッジ判定結果が格納された状態を示す。この図中のドットは、エッジ点有り（ビットが‘１’）を示しており、それぞれ図４（Ａ）中の太線に対応している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2014007477.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素を含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第１のゲート絶縁層を形成し、
前記第１のゲート絶縁層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素とアンモニアを含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第２のゲート絶縁層を形成し、
前記第２のゲート絶縁層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素を含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第３のゲート絶縁層を形成し、
前記第３のゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量は、前記第２のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量よりも少なく、
前記第３のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量は、前記第２のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量よりも少ないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素を含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第１のゲート絶縁層を形成し、
前記第１のゲート絶縁層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素とアンモニアを含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第２のゲート絶縁層を形成し、
前記第２のゲート絶縁層上に、プラズマＣＶＤ法によって、シランと窒素を含むガスを用いて、窒化シリコン膜でなる第３のゲート絶縁層を形成し、
前記第３のゲート絶縁層上に、酸素を含む絶縁層でなる第４のゲート絶縁層を形成し、
前記第４のゲート絶縁層上に、酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量は、前記第２のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量よりも少なく、
前記第３のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量は、前記第２のゲート絶縁層を成膜する雰囲気におけるアンモニアの量よりも少ないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極層は、銅を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、を有し、
２５℃において０．５重量％のフッ酸に対する前記第１の絶縁膜のエッチング速度は、２５℃において０．５重量％のフッ酸に対する前記第２の絶縁膜のエッチング速度よりも遅い半導体装置の作製方法であって、
前記第２の絶縁膜は、原料ガスとしてシランと一酸化二窒素を用い、圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記基板を１８０℃以上２５０℃以下とし、０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の電力を供給して原料ガスを分解しプラズマＣＶＤ法によって成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、
トランジスタのチャネル形成領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上の第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上の第２の絶縁膜と、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の絶縁膜は、原料ガスとしてシランと一酸化二窒素を用い、シランに対する一酸化二窒素の量を１００倍以上とし、圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記基板を３００℃以上４００℃以下としてプラズマＣＶＤ法によって成膜し、
前記第２の絶縁膜は、原料ガスとしてシランと一酸化二窒素を用い、圧力を１００Ｐａ以上２５０Ｐａ以下とし、前記基板を１８０℃以上２５０℃以下とし、０．１７Ｗ／ｃｍ２以上０．５Ｗ／ｃｍ２以下の電力を供給して原料ガスを分解しプラズマＣＶＤ法によって成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
２５℃において０．５重量％のフッ酸に対する前記第１の絶縁膜のエッチング速度は、２５℃において０．５重量％のフッ酸に対する前記第２の絶縁膜のエッチング速度よりも遅いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜は、電子スピン共鳴法によって計測される信号において、ｇ値が２．００１付近におけるスピン密度が２×１０１５ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下または１×１０１５ｓｐｉｎｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面にパッドが形成された基板と、
一端に固定部を備え、他端に被接続物と当接する接続部を備え、前記固定部と前記接続部とが、ばね性を有する湾曲部を介して対向配置された接続端子と、を有し、
前記固定部の第１面が接合部を介して前記パッドに接合され、
前記固定部の第１面から、前記湾曲部の前記パッドと対向する側の面の一部まで、連続的に溝が設けられ、
前記溝には、前記接合部を構成するはんだの一部が充填されている接続端子構造。
【請求項２】
前記溝に充填されたはんだは、更に前記パッド側に突出している請求項１記載の接続端子構造。
【請求項３】
前記溝が複数個設けられている請求項１又は２記載の接続端子構造。
【請求項４】
前記溝は、前記固定部の第１面から前記接続部側に延在する方向に形成された第１の溝と、前記第１の溝の所定位置から前記接続端子の側面方向に分岐する第２の溝と、を有する請求項１乃至３の何れか一項記載の接続端子構造。
【請求項５】
前記接続端子の前記パッドと対向する側の面の前記溝が形成されている領域には金めっき膜が形成されている請求項１乃至４の何れか一項記載の接続端子構造。
【請求項６】
前記接続端子は、長尺状の金属板を屈曲して形成されている請求項１乃至５の何れか一項記載の接続端子構造。
【請求項７】
前記基板の他方の面には前記パッドと電気的に接続された他のパッドが形成されている請求項１乃至６の何れか一項記載の接続端子構造。
【請求項８】
請求項７記載の接続端子構造を有し、
前記他のパッドには他の接合部を介して前記接続端子と同一構造の他の接続端子の固定部が接合されているインターポーザ。
【請求項９】
請求項８記載のインターポーザと、
前記インターポーザを、前記接続端子の接続部が前記被接続物のパッドに着脱可能な状態で当接し、かつ、前記他の接続端子の接続部が実装基板のパッドに着脱可能な状態で当接するように位置決めする位置決め部と、を有するソケット。
【請求項１０】
請求項７記載の接続端子構造と、
前記接続端子構造を、前記接続端子の接続部が前記被接続物のパッドに着脱可能な状態で当接するように位置決めする位置決め部と、を有し、
前記他のパッドが実装基板と接合されているソケット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本接続端子構造は、一方の面にパッドが形成された基板と、一端に固定部を備え、他端に被接続物と当接する接続部を備え、前記固定部と前記接続部とが、ばね性を有する湾曲部を介して対向配置された接続端子と、を有し、前記固定部の第１面が接合部を介して前記パッドに接合され、前記固定部の第１面から、前記湾曲部の前記パッドと対向する側の面の一部まで、連続的に溝が設けられ、前記溝には、前記接合部を構成するはんだの一部が充填されていることを要件とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤ基板を収容する直管形ＬＥＤランプにおいて、
前記直管形ＬＥＤランプの端部に回転口金を設けるとともに、
該回転口金は、該回転口金を直管形ＬＥＤランプの軸長方向に伸縮可動とした伸縮構造と、前記直管形ＬＥＤランプの照射角度を調節可能とした角度調節構造と、を備え、
該回転口金が直管形ＬＥＤランプの軸長方向に伸長した状態のとき該回転口金が軸心を中心として所定回動範囲内で回動可能となることを特徴とする直管形ＬＥＤランプ。
【請求項２】
前記回転口金は、前記直管形ＬＥＤランプの端部に挿嵌された第一口金部材と、
照明灯具のソケットに挿入される金属製端子を植立した第二口金部材と、を備え、
第一口金部材と第二口金部材とは、直管形ＬＥＤランプの軸長方向に所定距離の直動を行うことによって係脱し、回動可能または回動停止となる係合構造を備えている、請求項１に記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項３】
前記回転口金は、第二口金部材を第一口金部材の嵌挿方向に付勢する弾性部材を備えている、請求項１ないし２に記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項４】
前記回転口金は、第一口金部材の外周壁部に備えられ、外周壁の一部を形成し、回転軸心と平行な方向で第二口金部材側に延出した複数の延出部と、
第二口金部材の内周壁部に設けられ、第一口金部材の前記延出部と延出部との間隙に係合する、回転軸心に向かって突出した少なくとも１つ以上の凸部と、
を備えている、請求項１ないし３のいずれかに記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項５】
前記回転口金には、第一口金部材に対して第二口金部材が回転する角度を規制する回転角度拘束手段が設けられた、請求項１ないし４のいずれかに記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項６】
前記回転口金には、第一口金部材に対する第二口金部材の直管形ＬＥＤランプの軸長方向に直動可能な距離を規制する直動距離拘束手段が設けられた、請求項１ないし５のいずれかに記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項７】
第一口金部材および第二口金部材の外周壁に、第一口金部材に対して第二口金部材が回転した角度を示すための目盛が設けられている、請求項１ないし６のいずれかに記載の直管形ＬＥＤランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の課題は、本願請求項１ないし７に記載された各発明により達成することができる。
請求項１に記載の発明にあたっては、複数のＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤ基板を収容する直管形ＬＥＤランプにおいて、前記直管形ＬＥＤランプの端部に回転口金を設けるとともに、該回転口金は、該回転口金を直管形ＬＥＤランプの軸長方向に伸縮可動とした伸縮構造と、前記直管形ＬＥＤランプの照射角度を調節可能とした角度調節構造とを備え、該回転口金が直管形ＬＥＤランプの軸長方向に伸長した状態のとき該回転口金が軸心を中心として所定回動範囲内で回動可能となることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に記載の発明にあたっては、前記回転口金は、前記直管形ＬＥＤランプの端部に挿嵌された第一口金部材と、照明灯具のソケットに挿入される金属製端子を植立した第二口金部材とを備え、第一口金部材と第二口金部材とは、直管形ＬＥＤランプの軸長方向に所定距離の直動を行うことによって係脱し、回動可能または回動停止となる係合構造を備えていることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成されたソース電極層又はドレイン電極層と、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に設けられ、第１の酸化物半導体層及び前記第１の酸化物半導体層と異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成されたソース電極層又はドレイン電極層と、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層上に設けられ、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層に接し、前記第１の酸化物半導体層よりも小さいエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層に接し、前記第２の酸化物半導体層より大きいエネルギーギャップを有する第３の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に設けられ、第１の酸化物半導体層及び前記第１の酸化物半導体層と異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層を含む酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に設けられ、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層に接し、前記第１の酸化物半導体層よりも小さいエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層に接し、前記第２の酸化物半導体層より大きいエネルギーギャップを有する第３の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層と、
前記酸化物半導体積層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層と、を有する半導体装置。
【請求項５】
請求項２又は４において、前記第３の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の側面及び前記第２の酸化物半導体層の側面を覆って、前記第２の酸化物半導体層上に設けられている半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体積層において、前記ゲート電極層と重畳しない領域は、ドーパントを含む半導体装置。
【請求項７】
酸化物絶縁膜上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層と異なるエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記酸化物半導体積層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項８】
酸化物絶縁膜上に、ソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上に、第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層より小さいエネルギーギャップを有する第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層より大きいエネルギーギャップを有する第３の酸化物半導体層と、を含む酸化物半導体積層を形成し、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層及び前記酸化物半導体積層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体積層と重畳するゲート電極層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記第１の酸化物半導体層の側面及び前記第２の酸化物半導体層の側面を覆うように前記第３の酸化物半導体層を積層させる半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜を成膜した後に、前記ゲート絶縁膜上から前記酸化物半導体積層に酸素を導入する半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記ゲート電極層を形成した後、前記ゲート電極層をマスクとして、前記酸化物半導体積層にドーパントを導入する半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月28日(2015.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜に化学機械研磨処理を行い、
前記化学機械研磨処理した後、前記下地膜にプラズマ処理を行い、
前記プラズマ処理した後、前記下地膜上に酸化物半導体層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記プラズマ処理は、希ガスを用いたプラズマ処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に下地膜を形成し、
前記下地膜に第１のプラズマ処理を行い、
前記第１のプラズマ処理した後、前記下地膜に化学機械研磨処理を行い、
前記化学機械研磨処理後、前記下地膜に第２のプラズマ処理を行い、
前記第２のプラズマ処理した後、前記下地膜上に酸化物半導体層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１のプラズマ処理及び前記第２のプラズマ処理は、希ガスを用いたプラズマ処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記下地膜は、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化ハフニウム膜、または酸化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記基板は半導体基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月2日(2015.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性膜を含む第１構造体と、
少なくとも２つの外因性垂直磁化構造体を含み、前記外因性垂直磁化構造体の各々が磁性膜及び前記磁性膜上の垂直磁化誘導膜を含む第２構造体と、
前記第１及び第２構造体間のトンネルバリアと、を含む磁気トンネリング接合装置。
【請求項２】
前記第２構造体が追加的な外因性垂直磁化構造体をさらに含み、その各々が磁性膜及び前記磁性膜上の垂直磁化誘導膜を含む、請求項１に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項３】
前記垂直磁化誘導膜の中の１つの上に配置される垂直磁化保存膜をさらに含む、請求項１に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項４】
前記磁性膜の各々が前記垂直磁化誘導膜の各々より小さい酸素親和度を有する、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項５】
前記垂直磁化保存膜の各々が前記垂直磁化誘導膜の各々より小さい酸素親和度を有する、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項６】
前記磁性膜が強磁性物質から成る、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項７】
前記強磁性物質が、ＣｏＦｅＢ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＰｔ、ＣｏＦｅＰｄ、ＣｏＦｅＣｒ、ＣｏＦｅＴｂ、ＣｏＦｅＧｄ又はＣｏＦｅＮｉの中の少なくとも１つである、請求項６に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項８】
前記磁性膜が約１乃至約３０Åの厚さを有する、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項９】
前記磁性膜が約３乃至約１７Åの厚さを有する、請求項８に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１０】
前記垂直磁化誘導膜が前記磁性膜に直接接触する、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１１】
前記垂直磁化誘導膜が酸素含有物質である、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１２】
前記垂直磁化誘導膜が金属酸化物である、請求項１１に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１３】
前記金属酸化物が、マグネシウム酸化物、タンタル酸化物、チタン酸化物、アルミニウム酸化物、マグネシウム亜鉛酸化物、ハフニウム酸化物、又はマグネシウムホウ素酸化物の中の少なくとも１つである、請求項１２に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１４】
前記垂直磁化誘導膜が、Ｔａ、Ｔｉ、Ｕ、Ｂａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｓｒ、Ｈｆ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｍｇ、Ｔｈ、Ｃａ、Ｓｃ、又はＹの中の少なくとも１つを含む、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１５】
前記垂直磁化誘導膜が、前記磁性膜又は前記垂直磁化保存膜より大きい電気抵抗を有する、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１６】
前記垂直磁化誘導膜が、前記磁性膜又は前記垂直磁化保存膜より薄い厚さを有する、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１７】
前記垂直磁化保存膜が前記垂直磁化誘導膜より小さい電気抵抗を有する、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１８】
前記垂直磁化保存膜が少なくとも１つの貴金属又は銅で形成される請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項１９】
少なくとも１つの前記貴金属が、ルテニウムＲｕ、ロジウムＲｈ、パラジウムＰｄ、銀Ａｇ、オスミウムＯｓ、イリジウムＩｒ、白金Ｐｔ、又は金Ａｕを含む、請求項１８に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項２０】
前記垂直磁化保存膜が、タンタル又はチタンより小さい電気抵抗を有する物質の中の少なくとも１つで形成される、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項２１】
基板をさらに含み、
前記第１構造体が前記基板に隣接する下部構造体であり、前記第２構造体が前記基板から離隔された上部構造体である、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項２２】
前記第２構造体の前記磁性膜が自由磁性膜である、請求項２１に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項２３】
前記第１構造体が固定磁性膜を含む、請求項２１に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項２４】
前記垂直磁化保存膜上の上部電極をさらに含む、請求項２１に記載の磁気トンネリング接合装置。
【請求項２５】
基板をさらに含み、
前記第１構造体が前記基板から離隔された上部構造体であり、前記第２構造体が前記基板に隣接する下部構造体である、請求項３に記載の磁気トンネリング接合装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の一方は、３ｅＶ以上のエネルギーギャップを有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の他方は、３ｅＶ未満のエネルギーギャップを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の一方は、３ｅＶ以上のエネルギーギャップを有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の他方は、３ｅＶ未満のエネルギーギャップを有し、
前記第１の酸化物半導体層は、前記第２の酸化物半導体層と異なる形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の一方は、３ｅＶ以上のエネルギーギャップを有し、
前記第１の酸化物半導体層又は前記第２の酸化物半導体層の他方は、３ｅＶ未満のエネルギーギャップを有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層の上面及び側面を覆っていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月23日(2015.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇温脱離ガス分光法により質量電荷比３２が検出される絶縁体基板と、
前記絶縁体基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記質量電荷比３２で検出されるガスの放出量は、酸素原子に換算すると３．０×１０−１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
昇温脱離ガス分光法により質量電荷比３２が検出される絶縁体基板と、
前記絶縁体基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と少なくとも一部が接する一対の電極と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記質量電荷比３２で検出されるガスの放出量は、酸素原子に換算すると３．０×１０−１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁体基板に酸素イオン注入し、
前記酸素イオン注入された絶縁体基板上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記酸素イオン注入として、前記絶縁体基板に、３．０×１０１４ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上の酸素イオン注入することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複合材料および有機化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物と、前記有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含み、
前記有機化合物が有する環はベンゼン環のみであり、
前記有機化合物が有する前記ベンゼン環の数は、４以上２５以下である複合材料。
【請求項２】
分子量が３５０以上２０００以下である有機化合物と、前記有機化合物に対して電子受容性を示す無機化合物とを含み、
前記有機化合物が有する環はベンゼン環のみである複合材料。
【請求項３】
有機化合物と、遷移金属酸化物とを含み、
前記有機化合物が有する環はベンゼン環のみであり、
前記有機化合物が有する前記ベンゼン環の数は、４以上２５以下である複合材料。
【請求項４】
分子量が３５０以上２０００以下である有機化合物と、遷移金属酸化物とを含み、
前記有機化合物が有する環はベンゼン環のみである複合材料。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記遷移金属酸化物は、チタン酸化物、バナジウム酸化物、タンタル酸化物、モリブデン酸化物、タングステン酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、銀酸化物から選ばれる一種又は複数種である複合材料。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記有機化合物が、炭素数１〜６のアルキル基又はトリアルキルシリル基を置換基として有する複合材料。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記有機化合物が、珪素で架橋されたベンゼン環を有する複合材料。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記有機化合物の最高被占有軌道準位は、光電子分光法での測定値が−５．７ｅＶ以下である複合材料。
【請求項９】
式（１１２）で表される有機化合物。
【化１】
2013038395.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記第２の酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜を介して、重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層との間に混合領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記第２の酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜を介して、重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
前記第１の酸化物半導体層の側面及び上面と、前記第２の酸化物半導体層の側面及び下面との間に混合領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記混合領域は、前記第１の酸化物半導体層を構成する元素の組成比と異なる組成比を有し、
前記混合領域は、前記第２の酸化物半導体層を構成する元素の組成比と異なる組成比を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記混合領域は、前記第１の酸化物半導体層のエネルギーギャップと異なるエネルギーギャップを有し、
前記混合領域は、前記第２の酸化物半導体層のエネルギーギャップと異なるエネルギーギャップを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の酸化物半導体層は、前記ゲート電極と重なる領域に、チャネル形成領域を有し、
前記チャネル形成領域に隣接した、前記混合領域は、低抵抗領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記第２の酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
高分解能透過電子顕微鏡を用いた断面観察像において、前記第１の酸化物半導体層には第１の結晶部が確認され、前記第２の酸化物半導体層には第２の結晶部が確認され、かつ前記第１の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層との界面は、不明確となることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の酸化物半導体層と、
前記第１の酸化物半導体層上の、第２の酸化物半導体層と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、ソース電極と、
前記第２の酸化物半導体層と電気的に接続された、ドレイン電極と、
前記第２の酸化物半導体層と、ゲート絶縁膜を介して重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
高分解能透過電子顕微鏡を用いた断面観察像において、前記第１の酸化物半導体層には第１の結晶部が確認され、前記第２の酸化物半導体層には第２の結晶部が確認され、かつ前記第１の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層との界面は、連続的な境界が確認できないことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月9日(2015.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、一対の第１の低抵抗領域の間に第１の溝部を有する半導体基板と、前記第１の溝部に位置する第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上において前記第１の溝部に位置する第１のゲート電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上の第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上において前記第１のゲート電極と重なる第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜に電気的に接続される一対の第１の電極と、を有し、
一対の前記第１の低抵抗領域の一は、一対の前記第１の電極の一に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
一対の前記第１の低抵抗領域は、ｐ型の導電型を付与する不純物元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた一種以上の元素を含む酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタ乃至第４のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、一対の第１の低抵抗領域の間に第１の溝部を有する半導体基板と、前記第１の溝部に位置する第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上において前記第１の溝部に位置する第１のゲート電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上の第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上において前記第１のゲート電極と重なる第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜に電気的に接続される一対の第１の電極と、を有し、
前記第３のトランジスタは、一対の第２の低抵抗領域の間に第２の溝部を有する前記半導体基板と、前記第２の溝部に位置する第３のゲート絶縁膜と、前記第３のゲート絶縁膜上において前記第２の溝部に位置する第２のゲート電極と、を有し、
前記第４のトランジスタは、前記第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極上の第４のゲート絶縁膜と、前記第４のゲート絶縁膜上において前記第２のゲート電極と重なる第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される一対の第２の電極と、を有し、
一対の前記第１の低抵抗領域の一は、一対の前記第１の電極の一と、前記第２のゲート電極とに、電気的に接続されており、
一対の前記第２の低抵抗領域の一は、一対の前記第２の電極の一と、前記第１のゲート電極とに、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のゲート絶縁膜と前記第３のゲート絶縁膜とは第１の絶縁膜に含まれており、
前記第２のゲート絶縁膜と前記第４のゲート絶縁膜とは第２の絶縁膜に含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１のトランジスタ乃至第６のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタは、一対の第１の低抵抗領域の間に第１の溝部を有する半導体基板と、前記第１の溝部に位置する第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜上において前記第１の溝部に位置する第１のゲート電極と、を有し、
前記第２のトランジスタは、前記第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極上の第２のゲート絶縁膜と、前記第２のゲート絶縁膜上において前記第１のゲート電極と重なる第１の半導体膜と、前記第１の半導体膜に電気的に接続される一対の第１の電極と、を有し、
前記第３のトランジスタは、一対の第２の低抵抗領域の間に第２の溝部を有する前記半導体基板と、前記第２の溝部に位置する第３のゲート絶縁膜と、前記第３のゲート絶縁膜上において前記第２の溝部に位置する第２のゲート電極と、を有し、
前記第４のトランジスタは、前記第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極上の第４のゲート絶縁膜と、前記第４のゲート絶縁膜上において前記第２のゲート電極と重なる第２の半導体膜と、前記第２の半導体膜に電気的に接続される一対の第２の電極と、を有し、
前記第５のトランジスタは、前記半導体基板が有する第３の溝部に位置する第３のゲート電極と、前記第３のゲート電極上の第５のゲート絶縁膜と、前記第５のゲート絶縁膜上において前記第３のゲート電極と重なる第３の半導体膜と、前記第３の半導体膜に電気的に接続される一対の第３の電極と、を有し、
前記第６のトランジスタは、前記半導体基板が有する第４の溝部に位置する第４のゲート電極と、前記第４のゲート電極上の第６のゲート絶縁膜と、前記第６のゲート絶縁膜上において前記第４のゲート電極と重なる第４の半導体膜と、前記第４の半導体膜に電気的に接続される一対の第４の電極と、を有し、
一対の前記第１の低抵抗領域の一は、一対の前記第１の電極の一と、前記第２のゲート電極と、一対の前記第３の電極の一とに、電気的に接続されており、
一対の前記第２の低抵抗領域の一は、一対の前記第２の電極の一と、前記第１のゲート電極と、一対の前記第４の電極の一とに、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１のゲート絶縁膜と前記第３のゲート絶縁膜とは第１の絶縁膜に含まれており、
前記第２のゲート絶縁膜と前記第４のゲート絶縁膜と第５のゲート絶縁膜と第６のゲート絶縁膜とは第２の絶縁膜に含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項において、
一対の前記第１の低抵抗領域および一対の前記第２の低抵抗領域は、ｐ型の導電型を付与する不純物元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた一種以上の元素を含む酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。