【手続補正書】
【提出日】平成27年8月13日(2015.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気メッキを実行している間、半導体基板に電流を供給し、係合する電気メッキ用クラムシェルで利用されるリップシール構造体であって、
電気メッキを実行している間、前記半導体基板と係合するエラストマーリップシールと、
電気メッキを実行している間、前記半導体基板に電流を供給する１以上の可撓性のコンタクト部と
を備え、
前記エラストマーリップシールは、係合すると、前記半導体基板の外周領域にメッキ溶液が略入らないようにし、
前記１以上の可撓性のコンタクト部の少なくとも一部分は、前記エラストマーリップシールの上面に位置しており、
前記半導体基板とコンフォーマルな電気的コンタクト面を形成するべく、前記半導体基板と係合すると屈曲するリップシール構造体。
【請求項２】
前記１以上の可撓性のコンタクト部と前記半導体基板との間に形成された前記コンフォーマルな電気的コンタクト面は平坦ではない、請求項１に記載のリップシール構造体。
【請求項３】
前記１以上の可撓性のコンタクト部は、直径略３００ｍｍの半導体基板の斜面状の端部とコンフォーマルな電気的コンタクト面を形成するべく構成されている、請求項２に記載のリップシール構造体。
【請求項４】
前記１以上の可撓性のコンタクト部は、前記半導体基板が前記リップシール構造体に係合された場合に、前記半導体基板と接触しない部分を有し、
前記接触しない部分は、コンフォーマル特性が無い材料を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項５】
前記１以上の可撓性のコンタクト部と前記半導体基板との間に形成された前記コンフォーマルな電気的コンタクト面は連続している、請求項１から４のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項６】
前記１以上の可撓性のコンタクト部と前記半導体基板との間に形成された前記コンフォーマルな電気的コンタクト面は、複数の間隙を持ち、不連続である、請求項１から４のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項７】
前記１以上の可撓性のコンタクト部は、前記エラストマーリップシールの表面上に設けられた複数の配線先端部または一の配線メッシュを含む、請求項６に記載のリップシール構造体。
【請求項８】
前記エラストマーリップシールの前記上面上に配置されている前記１以上の可撓性のコンタクト部は、導電性エラストマー材料を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項９】
電気メッキを実行している間、半導体基板に電流を供給し、係合する電気メッキ用クラムシェルで利用されるリップシール構造体であって、
電気メッキを実行する間、前記半導体基板と係合するエラストマーリップシールと、
電気メッキを実行する間、前記半導体基板に電流を供給する１以上のコンタクト部と
を備え、
前記エラストマーリップシールは、係合すると、前記半導体基板の外周領域にメッキ溶液が略入らないようにし、
前記１以上のコンタクト部は、構造的に前記エラストマーリップシールと一体化されており、前記エラストマーリップシールと前記半導体基板とが係合すると、前記半導体基板の前記外周領域に接触する第１の露出部分を含むリップシール構造体。
【請求項１０】
前記１以上のコンタクト部はさらに、電流源との間で電気接続を形成する第２の露出部分を含む請求項９に記載のリップシール構造体。
【請求項１１】
前記電流源は、前記電気メッキ用クラムシェルの母線である請求項１０に記載のリップシール構造体。
【請求項１２】
前記１以上のコンタクト部はさらに、前記第１の露出部分と前記第２の露出部分とを接続する第３の露出部分を含み、前記第３の露出部分は、構造的に前記エラストマーリップシールの表面上に一体化されている請求項１０または１１に記載のリップシール構造体。
【請求項１３】
前記１以上のコンタクト部はさらに、前記第１の露出部分と前記第２の露出部分とを接続する非露出部分を含み、前記非露出部分は、構造的に前記エラストマーリップシールの表面の下方に一体化されている請求項１０または１１に記載のリップシール構造体。
【請求項１４】
前記エラストマーリップシールは、前記非露出部分の上方に成形されている請求項１３に記載のリップシール構造体。
【請求項１５】
前記エラストマーリップシールは、前記外周領域に前記メッキ溶液が入らないようにするための略円形の外周を画定している第１の内径を持ち、
前記１以上のコンタクト部の前記第１の露出部分が画定している第２の内径は、前記第１の内径よりも大きい請求項９から１４のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項１６】
前記第１の内径と前記第２の内径との差分の大きさは、約０．５ｍｍ未満である請求項１５に記載のリップシール構造体。
【請求項１７】
前記第１の内径と前記第２の内径との差分の大きさは、約０．３ｍｍ未満である請求項１６に記載のリップシール構造体。
【請求項１８】
電気メッキ用クラムシェルにおいて半導体基板を支持、位置合わせ、および封止する前記電気メッキ用クラムシェルで利用されるエラストマーリップシールであって、
前記半導体基板を支持および封止する封止用突起部を有する可撓性のエラストマー支持端縁と、
前記可撓性のエラストマー支持端縁の上方に位置している可撓性のエラストマー上側部分と
を備え、
前記封止用突起部は、前記基板を封止すると、メッキ溶液が入らないようにする外周を画定し、
前記可撓性のエラストマー上側部分は、
押圧されるべき上面と、
前記封止用突起部に対して相対的に外側に位置している内側側面と
を有し、
前記内側側面は、前記上面が押圧されると、前記半導体基板を内側に移動させ位置合わせするエラストマーリップシール。
【請求項１９】
前記内側側面の少なくとも一部分は、前記上面が押圧されると、少なくとも約０．２ｍｍ内側に移動する請求項１８に記載のエラストマーリップシール。
【請求項２０】
前記上面が押圧されていない場合、前記内側側面は、前記上側部分に接触することなく、前記可撓性のエラストマー上側部分内を通るように前記半導体基板を下降させ前記封止用突起部上に載置されるように、十分外側に配置されており、
前記半導体基板が前記封止用突起部上に載置され前記上面が押圧されると、前記内側側面は前記半導体基板に接触して前記半導体基板を押圧し、前記半導体基板は前記電気メッキ用クラムシェルにおいて位置合わせされる請求項１８または１９に記載のエラストマーリップシール。
【請求項２１】
エラストマーリップシールを持つ電気メッキ用クラムシェルにおいて半導体基板を位置合わせして封止する方法であって、
前記クラムシェルを開く段階と、
基板を前記クラムシェルに供給する段階と、
前記エラストマーリップシールの上側部分内を通るように前記基板を下降させて前記エラストマーリップシールの封止用突起部上に載置する段階と、
前記エラストマーリップシールの前記上側部分の上面を押圧して前記基板を位置合わせする段階と、
前記基板を押圧して前記封止用突起部と前記基板との間を封止する段階とを備える方法。
【請求項２２】
前記エラストマーリップシールの前記上側部分の前記上面を押圧することによって、前記エラストマーリップシールの前記上側部分の内側側面は前記基板を押圧して、前記基板を前記クラムシェルにおいて位置合わせする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記上面を押圧して前記基板を位置合わせする段階は、前記クラムシェルのコーンの第１の表面で前記上面を押圧する段階を有し、
前記基板を押圧して封止する段階は、前記クラムシェルの前記コーンの第２の表面で前記基板を押圧する段階を有する請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記上面を押圧して前記基板を位置合わせする段階は、前記クラムシェルの第１の押圧部で前記上面を押圧する段階を有し、
前記基板を押圧して封止する段階は、前記クラムシェルの第２の押圧部で前記基板を押圧する段階を有し、前記第２の押圧部は、前記第１の押圧部とは別個に移動する請求項２１または２２に記載の方法。
【請求項２５】
前記上面を押圧する段階は、前記半導体基板の直径に基づいて、前記第１の押圧部によって加えられる押圧力を調整する段階を有する請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記１以上の可撓性のコンタクト部は、直径略４５０ｍｍの半導体基板の斜面状の端部とコンフォーマルな電気的コンタクト面を形成するべく構成されている、請求項１から８のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項２７】
前記１以上の可撓性のコンタクト部は、前記半導体基板が押圧することにより変形される間に前記エラストマーリップシールの前記上面の形状に従うことにより、前記半導体基板とコンフォーマルな電気的コンタクト面を形成する、請求項１から８のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項２８】
電気メッキを実行している間、半導体基板に電流を供給し、係合する電気メッキ用クラムシェルで利用されるリップシール構造体であって、
電気メッキを実行する間、前記半導体基板と係合するエラストマーリップシールと、
電気メッキを実行する間、前記半導体基板に電流を供給する１以上の可撓性のコンタクト部と
を備え、
前記エラストマーリップシールは、係合すると、前記半導体基板の外周領域にメッキ溶液が略入らないようにし、
前記エラストマーリップシールの上面に位置し、かつ、前記半導体基板と電気的コンタクト面を形成するべく前記半導体基板と係合すると屈曲する１以上の末端部を、前記１以上の可撓性のコンタクト部は有する、リップシール構造体。
【請求項２９】
前記１以上の末端部と前記半導体基板との間に形成された前記電気的コンタクト面は連続である、請求項２８に記載のリップシール構造体。
【請求項３０】
前記１以上の末端部と前記半導体基板との間に形成された前記電気的コンタクト面は、複数の間隙を持ち、不連続である、請求項２８に記載のリップシール構造体。
【請求項３１】
前記１以上の末端部は、前記エラストマーリップシールの表面上に設けられた複数の配線先端部または一の配線メッシュを含む、請求項２８から３０のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項３２】
前記１以上の末端部は、導電性エラストマー材料を含む、請求項２８から３１のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項３３】
前記１以上の末端部は、前記半導体基板の非平坦面とコンフォーマルな非平坦の電気的コンタクト面を形成するべく、前記半導体基板と係合すると屈曲する、請求項２８から３２のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項３４】
前記１以上の末端部は、直径略３００ｍｍの半導体基板の斜面状の端部とコンフォーマルな非平坦の電気的コンタクト面を形成するべく構成されている、請求項３３に記載のリップシール構造体。
【請求項３５】
前記１以上の末端部は、直径略４５０ｍｍの半導体基板の斜面状の端部とコンフォーマルな非平坦の電気的コンタクト面を形成するべく構成されている、請求項３３に記載のリップシール構造体。
【請求項３６】
前記１以上の末端部は、前記半導体基板が押圧することにより変形される間に前記エラストマーリップシールの前記上面の形状に従うことにより、前記半導体基板の非平坦面とコンフォーマルな非平坦の電気的コンタクト面を形成する、請求項３３から３５のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【請求項３７】
前記１以上の可撓性のコンタクト部は、前記半導体基板が前記リップシール構造体に係合された場合に、前記半導体基板と接触しない部分を有し、
前記接触しない部分は、コンフォーマル特性が無い材料を含む、請求項３３から３６のいずれか一項に記載のリップシール構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
＜その他の実施形態＞
本明細書では本発明を例示する実施形態および用途を図示および説明しているが、本発明の概念、範囲および意図を変えることなく多くの点で変更および変形が可能であり、これらの変更については、本願を参照することで、当業者には明らかである。したがって、上述した実施形態は、限定的ではなく例示的なものと考えられたく、本発明は、本明細書に記載している詳細な内容に限定されず、特許請求の範囲およびその均等物の範囲内で変形され得る。
なお、本願明細書に記載の実施形態によれば、以下の構成もまた開示される。
［項目１］
電気メッキを実行している間、半導体基板に電流を供給し、係合する電気メッキ用クラムシェルで利用されるリップシール構造体であって、
電気メッキを実行する間、前記半導体基板と係合するエラストマーリップシールと、
電気メッキを実行する間、前記半導体基板に電流を供給する１以上のコンタクト部と
を備え、
前記エラストマーリップシールは、係合すると、前記半導体基板の外周領域にメッキ溶液が略入らないようにし、
前記１以上のコンタクト部は、構造的に前記エラストマーリップシールと一体化されており、前記リップシールと前記半導体基板とが係合すると、前記半導体基板の前記外周領域に接触する第１の露出部分を含むリップシール構造体。
［項目２］
前記１以上のコンタクト部はさらに、電流源との間で電気接続を形成する第２の露出部分を含む項目１に記載のリップシール構造体。
［項目３］
前記電流源は、前記電気メッキ用クラムシェルの母線である項目２に記載のリップシール構造体。
［項目４］
前記１以上のコンタクト部はさらに、前記第１の露出部分と前記第２の露出部分とを接続する第３の露出部分を含み、前記第３の露出部分は、構造的に前記エラストマーリップシールの表面上に一体化されている項目２に記載のリップシール構造体。
［項目５］
前記１以上のコンタクト部はさらに、前記第１の露出部分と前記第２の露出部分とを接続する非露出部分を含み、前記非露出部分は、構造的に前記エラストマーリップシールの表面の下方に一体化されている項目２に記載のリップシール構造体。
［項目６］
前記エラストマーリップシールは、前記非露出部分の上方に成形されている項目５に記載のリップシール構造体。
［項目７］
前記エラストマーリップシールは、前記外周領域に前記メッキ溶液が入らないようにするための略円形の外周を画定している第１の内径を持ち、
前記１以上のコンタクト部の前記第１の露出部分が画定している第２の内径は、前記第１の内径よりも大きい項目１に記載のリップシール構造体。
［項目８］
前記第１の内径と前記第２の内径との差分の大きさは、約０．５ｍｍ未満である項目７に記載のリップシール構造体。
［項目９］
前記第１の内径と前記第２の内径との差分の大きさは、約０．３ｍｍ未満である項目８に記載のリップシール構造体。
［項目１０］
電気メッキを実行している間、半導体基板に電流を供給し、係合する電気メッキ用クラムシェルで利用されるリップシール構造体であって、
電気メッキを実行している間、前記半導体基板と係合するエラストマーリップシールと、
電気メッキを実行している間、前記半導体基板に電流を供給する１以上の可撓性のコンタクト部と
を備え、
前記エラストマーリップシールは、係合すると、前記半導体基板の外周領域にメッキ溶液が略入らないようにし、
前記１以上の可撓性のコンタクト部の少なくとも一部分は、前記エラストマーリップシールの上面にコンフォーマルに位置しており、
前記半導体基板と係合すると、前記可撓性のコンタクト部は、屈曲して前記半導体基板と適合するコンフォーマルなコンタクト面を形成するリップシール構造体。
［項目１１］
前記コンフォーマルなコンタクト面は、前記半導体基板の斜面状の端縁と適合している項目１０に記載のリップシール構造体。
［項目１２］
前記１以上の可撓性のコンタクト部は、前記半導体基板が前記リップシール構造体と係合した場合に前記半導体基板と接触しない部分を持ち、
前記接触しない部分は、コンフォーマル特性が無い材料を含む項目１０に記載のリップシール構造体。
［項目１３］
前記コンフォーマルなコンタクト面は、前記半導体基板との間で一の連続した界面を形成する項目１０に記載のリップシール構造体。
［項目１４］
前記コンフォーマルなコンタクト面は、複数の間隙を持つ前記半導体基板との間で、不連続の界面を形成する項目１０に記載のリップシール構造体。
［項目１５］
前記１以上の可撓性のコンタクト部は、前記エラストマーリップシールの表面上に設けられている複数の配線先端部または一の配線メッシュを含む項目１４に記載のリップシール構造体。
［項目１６］
前記エラストマーリップシールの前記上面上にコンフォーマルに配置されている前記１以上の可撓性のコンタクト部は、化学気相成長法、物理気相成長法、および、電気メッキ法から成る群から選択される１以上の技術を利用して形成される伝導性堆積物を含む項目１０に記載のリップシール構造体。
［項目１７］
前記エラストマーリップシールの前記上面上にコンフォーマルに配置されている前記１以上の可撓性のコンタクト部は、導電性エラストマー材料を含む項目１０に記載のリップシール構造体。
［項目１８］
電気メッキ用クラムシェルにおいて半導体基板を支持、位置合わせ、および封止する前記電気メッキ用クラムシェルで利用されるエラストマーリップシールであって、
前記半導体基板を支持および封止する封止用突起部を有する可撓性のエラストマー支持端縁と、
前記可撓性のエラストマー支持端縁の上方に位置している可撓性のエラストマー上側部分と
を備え、
前記封止用突起部は、前記基板を封止すると、メッキ溶液が入らないようにする外周を画定し、
前記可撓性のエラストマー上側部分は、
押圧されるべき上面と、
前記封止用突起部と相対的に外側に位置している内側側面と
を有し、
前記内側側面は、前記上面が押圧されると、前記半導体基板を内側に移動させ位置合わせするエラストマーリップシール。
［項目１９］
前記内側側面の少なくとも一部分は、前記上面が押圧されると、少なくとも約０．２ｍｍ内側に移動する項目１８に記載のエラストマーリップシール。
［項目２０］
前記上面が押圧されていない場合、前記内側側面は、前記上側部分に接触することなく、前記可撓性のエラストマー上側部分内を通るように前記半導体基板を下降させ前記封止用突起部上に載置されるように、十分外側に配置されており、
前記半導体基板が前記封止用突起部上に載置され前記上面が押圧されると、前記内側側面は前記半導体基板に接触して前記半導体基板を押圧し、前記半導体基板は前記電気メッキ用クラムシェルにおいて位置合わせされる項目１８に記載のエラストマーリップシール。
［項目２１］
エラストマーリップシールを持つ電気メッキ用クラムシェルにおいて半導体基板を位置合わせして封止する方法であって、
前記クラムシェルを開く段階と、
基板を前記クラムシェルに供給する段階と、
前記リップシールの上側部分内を通るように前記基板を下降させて前記リップシールの封止用突起部上に載置する段階と、
前記リップシールの前記上側部分の上面を押圧して前記基板を位置合わせする段階と、
前記基板を押圧して前記封止用突起部と前記基板との間を封止する段階とを備える方法。
［項目２２］
前記リップシールの前記上側部分の前記上面を押圧することによって、前記リップシールの前記上側部分の内側側面は前記基板を押圧して、前記基板を前記クラムシェルにおいて位置合わせする項目２１に記載の方法。
［項目２３］
前記上面を押圧して前記基板を位置合わせする段階は、前記クラムシェルのコーンの第１の表面で前記上面を押圧する段階を有し、
前記基板を押圧して前記封止用突起部と前記基板との間を封止する段階は、前記クラムシェルの前記コーンの第２の表面で前記基板を押圧する段階を有する項目２１に記載の方法。
［項目２４］
前記上面を押圧して前記基板を位置合わせする段階は、前記クラムシェルの第１の押圧部で前記上面を押圧する段階を有し、
前記基板を押圧して前記封止用突起部と前記基板との間を封止する段階は、前記クラムシェルの第２の押圧部で前記基板を押圧する段階を有し、前記第２の押圧部は、前記第１の押圧部とは別個に移動する項目２１に記載の方法。
［項目２５］
前記上面を押圧する段階は、前記半導体基板の直径に基づいて、前記第１の押圧部によって加えられる押圧力を調整する段階を有する項目２４に記載の方法。