【手続補正書】
【提出日】平成27年10月27日(2015.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される芳香族イミド化合物。
【化１】
2014094926.tif 000001
（式中、Ｒ1は炭素数１〜７のハロアルキル基又はハロアリール基を表し、Ｒ2はＲ4−Ｒ5−基であり、Ｒ4は置換若しくは無置換の、ヘテロ原子を含有してもよい芳香族基を表し、Ｒ5は直接結合、又は置換若しくは無置換の、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、チオエステル基、スルホン酸エステル基、ボロン酸エステル基、ジスルフィド基、アミノ基、アミド基、チオアミド基、アゾ基、又はトリアゾール基を表し、Ｒ3はハロゲン原子又は炭化水素基を表し、ｍは１以上の整数であり、ｎは０又は１以上の整数であり、ｍとｎの合計は１以上６以下である。）
【請求項２】
ｇ線（４３６ｎｍ）及び／又はｈ線（４０５ｎｍ）の光を吸収することのできる請求項１に記載の芳香族イミド化合物。
【請求項３】
式（１）：
【化２】
2014094926.tif 000002
（式中、Ｒ1は炭素数１〜７のハロアルキル基又はハロアリール基を表し、Ｒ2はＲ4−Ｒ5−基であり、Ｒ4は置換若しくは無置換の、ヘテロ原子を含有してもよい芳香族基を表し、Ｒ5は直接結合、又は置換若しくは無置換の、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、チオエステル基、スルホン酸エステル基、ボロン酸エステル基、ジスルフィド基、アミノ基、アミド基、チオアミド基、アゾ基、又はトリアゾール基を表し、Ｒ3はハロゲン原子又は炭化水素基を表し、ｍは１以上の整数であり、ｎは０又は１以上の整数であり、ｍとｎの合計は１以上６以下である。）
で表される芳香族イミド化合物を製造する方法であって、
（Ａ）下記式（３−１）及び/又は（３−２）で表される化合物を、Ｒ4−Ｒ5−基（式中、Ｒ4、Ｒ5は、上記と同じ意味を表す。）を形成することのできる、置換若しくは無置換の、ヘテロ原子を含有してもよい芳香族基含有炭化水素
と反応させて、下記式（４−１）及び/又は（４−２）で表される化合物を製造する第１工程と、
【化３】
2014094926.tif 000003
【化４】
2014094926.tif 000004
（式中、Ｚ1及びＺ2は、各々独立して、ヒドロキシル基又はアルコキシ基を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍ、ｎ、Ｒ3は上記と同じ意味を表す。）
【化５】
2014094926.tif 000005
【化６】
2014094926.tif 000006
（式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｚ1、Ｚ2、ｍ、ｎは上記と同じ意味を表す。）
（Ｂ）前記式（４−１）及び/又は（４−２）で表される化合物をヒドロキシルアンモニウム化合物と反応させることにより、下記式（５）で表される化合物を製造する第２工程と、
【化７】
2014094926.tif 000007
（式中、Ｒ2、Ｒ3、ｍ、ｎは上記と同じ意味を表す。）
（Ｃ）上記式（５）で表される化合物を下記式（６）で表される化合物と反応させて、上記式（１）で表される芳香族イミド化合物を製造する第３工程とを含む芳香族イミド化合物の製造方法。
【化８】
2014094926.tif 000008
（式中、Ｒ1は上記と同じ意味を表し、Ｙはハロゲン原子又はトシル基を表す。）
【請求項４】
請求項３に記載の芳香族イミド化合物の製造方法において、式（１）で表される芳香族イミド化合物が、ｇ線（４３６ｎｍ）及び／又はｈ線（４０５ｎｍ）の光を吸収することのできる化合物であることを特徴とする芳香族イミド化合物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
〔１〕下記式（１）で表される芳香族イミド化合物。
【化１】
2014094926.tif 000009
（式中、Ｒ1は炭素数１〜７のハロアルキル基又はハロアリール基を表し、Ｒ2はＲ4−Ｒ5−基であり、Ｒ4は置換若しくは無置換の、ヘテロ原子を含有してもよい芳香族基を表し、Ｒ5は直接結合、又は置換若しくは無置換の、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、チオエステル基、スルホン酸エステル基、ボロン酸エステル基、ジスルフィド基、アミノ基、アミド基、チオアミド基、アゾ基、又はトリアゾール基を表し、Ｒ3はハロゲン原子又は炭化水素基を表し、ｍは１以上の整数であり、ｎは０又は１以上の整数であり、ｍとｎの合計は１以上６以下である。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
〔３〕式（１）：
【化２】
2014094926.tif 000010
（式中、Ｒ1は炭素数１〜７のハロアルキル基又はハロアリール基を表し、Ｒ2はＲ4−Ｒ5−基であり、Ｒ4は置換若しくは無置換の、ヘテロ原子を含有してもよい芳香族基を表し、Ｒ5は直接結合、又は置換若しくは無置換の、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、チオエステル基、スルホン酸エステル基、ボロン酸エステル基、ジスルフィド基、アミノ基、アミド基、チオアミド基、アゾ基、又はトリアゾール基を表し、Ｒ3はハロゲン原子又は炭化水素基を表し、ｍは１以上の整数であり、ｎは０又は１以上の整数であり、ｍとｎの合計は１以上６以下である。）
で表される芳香族イミド化合物を製造する方法であって、
（Ａ）下記式（３−１）及び/又は（３−２）で表される化合物を、Ｒ4−Ｒ5−基（式中、Ｒ4、Ｒ5は、上記と同じ意味を表す。）を形成することのできる、置換若しくは無置換の、ヘテロ原子を含有してもよい芳香族基含有炭化水素
と反応させて、下記式（４−１）及び/又は（４−２）で表される化合物を製造する第１工程と、
【化３】
2014094926.tif 000011
【化４】
2014094926.tif 000012
（式中、Ｚ1及びＺ2は、各々独立して、ヒドロキシル基又はアルコキシ基を表し、Ｘはハロゲン原子を表し、ｍ、ｎ、Ｒ3は上記と同じ意味を表す。）
【化５】
2014094926.tif 000013
【化６】
2014094926.tif 000014
（式中、Ｒ2、Ｒ3、Ｚ1、Ｚ2、ｍ、ｎは上記と同じ意味を表す。）
（Ｂ）前記式（４−１）及び/又は（４−２）で表される化合物をヒドロキシルアンモニウム化合物と反応させることにより、下記式（５）で表される化合物を製造する第２工程と、
【化７】
2014094926.tif 000015
（式中、Ｒ2、Ｒ3、ｍ、ｎは上記と同じ意味を表す。）
（Ｃ）上記式（５）で表される化合物を下記式（６）で表される化合物と反応させて、上記式（１）で表される芳香族イミド化合物を製造する第３工程とを含む芳香族イミド化合物の製造方法。
【化８】
2014094926.tif 000016
（式中、Ｒ1は上記と同じ意味を表し、Ｙはハロゲン原子又はトシル基を表す。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、上記Ｒ2は、Ｒ4−Ｒ5−基と表してもよい。ここで、Ｒ4は上記の置換若しくは無置換の芳香族基、又はヘテロ原子を含有する芳香族基を表す。また、Ｒ5は直接結合又は二価の基であり、特に制限されないが具体的には、例えば、置換若しくは無置換の、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、チオエステル基、スルホン酸エステル基、ボロン酸エステル基、ジスルフィド基、アミノ基、アミド基、チオアミド基、アゾ基、トリアゾール基等を表す。