【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４】図１に示した補助電極の構成を表す断面図である。
【図５Ａ】図１に示したピラーの配置の一例を表す平面図である。
【図５Ｂ】図１に示したピラーの配置の他の例を表す平面図である。
【図６Ａ】図１に示した表示装置の素子パネルの製造工程を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の封止パネルの製造工程を表す断面図である。
【図８Ａ】図６Ｂに示した素子パネルと図７に示した封止パネルとの貼り合わせ工程を表す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図９Ａ】図７に示した補助電極の製造工程を表す斜視図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く工程を表す斜視図である。
【図１０Ａ】比較例に係る表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１１】変形例１に係る表示装置の補助電極の構成を表す断面図である。
【図１２】変形例２に係る表示装置の補助電極の構成を表す断面図である。
【図１３】変形例３に係る表示装置の補助電極の構成を表す平面図である。
【図１４】図１３に示した補助電極の構成の一例を表す断面図である。
【図１５】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１６】図１５に示したピラーを形成する工程の一例を表す断面図である。
【図１７Ａ】封止基板に対して垂直方向に配置したピラーの構成を表す断面図である。
【図１７Ｂ】図１５に示したピラーの見かけ上の長さについて説明するための断面図である。
【図１８】変形例４に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１９】変形例５に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２０】本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２１Ａ】図２０に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図２１Ｂ】図２１Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２２】変形例６に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２３】変形例７に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２４】変形例８に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２５】図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２６Ａ】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２６Ｂ】適用例１の外観を表す他の斜視図である。
【図２７】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図２８】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２９Ａ】適用例４の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図２９Ｂ】適用例４の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図３０】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図３１】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図３２Ａ】適用例７の閉じた状態を表す図である。
【図３２Ｂ】適用例７の開いた状態を表す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（表示装置：補助電極が複数の膜により構成されている例）
２．変形例１（複数の膜のヤング率または膜密度が互いに異なる例）
３．変形例２（複数の膜の厚みが互いに異なる例）
４．変形例３（複数の膜が開口を有する例）
５．第２の実施の形態（表示装置：ピラーが基板の面に対して傾斜している例）
６．変形例４（ピラーの端部が素子基板上の導電性樹脂層に埋設されている例）
７．変形例５（基板の面に対して傾斜したピラーと共に複数の膜からなる補助電極を有する例）
８．第３の実施の形態（表示装置：基板と補助電極との間に緩衝層が設けられている例）
９．変形例６（緩衝層と共に基板の面に対して傾斜したピラーを有する例）
１０．変形例７（緩衝層と共に複数の膜からなる補助電極を有する例）
１１．変形例８（緩衝層と共に複数の膜からなる補助電極および基板の面に対して傾斜したピラーを有する例）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
表示領域１１０には、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂと共に、それらを駆動するための画素駆動回路１５０が形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点にそれぞれ設けられている。信号線１２０Ａはその両端が信号線駆動回路１２０に接続され、走査線１３０Ａはその両端が走査線駆動回路１３０に接続され、電源供給線１４０Ａはその両端が電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４'−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
封止パネル２０のブラックマトリクス２２は、表示領域１１０では有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配置に合わせて、例えばマトリクス状にパターニングされている。ブラックマトリクス２２は、例えばカーボンブラックにより構成される。遮光性と導電性を兼ねた材料、クロムおよびグラファイト等をブラックマトリクス２２に用いるようにしてもよい。あるいは、薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタによりブラックマトリクス２２を構成するようにしてもよい。この薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物または金属酸化物等の薄膜を１層以上積層することにより、薄膜の干渉を生じさせて光を減衰させるものである。このような薄膜フィルタとしては、例えば、封止基板２１側から、窒化シリコン（ＳｉＮ）６５ｎｍ、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）２０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの、あるいは、封止基板２１側から、酸化モリブデン（ＭｏＯx）４５ｎｍ、モリブデン１０ｎｍ、酸化モリブデン４０ｎｍおよびモリブデン（Ｍｏ）５０ｎｍ以上をこの順に積層させたもの等を挙げることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
[素子パネル１０の製造方法]
まず、素子基板１１にＴＦＴ層１２および平坦化層１３をこの順に形成する。平坦化層１３は例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法、スパッタリング法および各種印刷法等により形成することができる。平坦化層１３には接続孔を設けておく。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
続いて、例えば真空蒸着法等の物理的気相成長法（PVD法:Physical Vapor Deposition
）により発光層を含む有機層１６および第２電極１７を素子基板１１上の表示領域１１０（図２）の全面に形成する（図６Ａ）。有機層１６および第２電極１７は、スクリーン印刷法およびインクジェット印刷法等の印刷法、レーザ転写法あるいは塗布法等により形成するようにしてもよい。レーザ転写法は、転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層１６との積層構造にレーザを照射し、有機層１６を素子基板１１に転写する方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
[封止パネル２０の製造方法]
表示装置１の封止パネル２０は、例えば以下のようにして形成する（図７）。まず、封止基板２１の全面にブラックマトリクス２２の構成材料を成膜したのち、これを例えばフォトリソグラフィ工程を用いてマトリクス状にパターニングすることで、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの配置に合わせて開口を複数形成する。次いで、このブラックマトリクス２２を設けた封止基板２１上に赤色フィルタ２３Ｒ、緑色フィルタ２３Ｇおよび青色フィルタ２３Ｂを順次パターニングしてカラーフィルタ２３を形成する。続いて、封止基板２１の全面にオーバーコート層（図示せず）を成膜した後、オーバーコート層上に補助電極２４を形成する。補助電極２４は、例えば、以下のように形成する。まず、樹脂フィルム上に例えばスパッタ法または蒸着法により０．０１μｍ〜５μｍの導電材料を成膜して膜２４−１，２４−２，２４−３を各々形成する。次いで、図９Ａ，図９Ｂに示したように、これら膜２４−１，２４−２，２４−３各々の間にシール材２５（図４）を間にして重ねることにより補助電極２４が形成される。以上の工程により、封止パネル２０が完成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
[素子パネル１０と封止パネル２０との貼り合わせ工程]
上記のようにして形成した素子パネル１０と封止パネル２０とは、封止層１９を間にして例えばＯＤＦ（One Drop Fill）工程により貼り合わされる（図８Ａ，図８Ｂ）。具体的には、真空チャンバ内に一対の上プレートおよび下プレート（図示せず）を準備し、上プレートにおける下プレートと対向する面に封止パネル２０を、下プレートにける上プレートと対向する面に素子パネル１０を、それぞれ固定する。次いで、素子パネル１０に封止層１９を形成するための樹脂を滴下する。続いて、真空チャンバ内で素子パネル１０と封止パネル２０とを貼り合わせたのち、チャンバ内を窒素（Ｎ2）雰囲気にして、素子パネル１０と封止パネル２０とを押し付ける。これにより、ピラー１８が補助電極２４の膜２４−１，２４−２，２４−３に接するようになる。その後、この状態で樹脂を硬化させて封止層１９を形成する。以上により、図１に示した表示装置１が完成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
補助電極２４Ｂは、封止基板２１に近い位置から、膜２４Ｂ−１、膜２４Ｂ−２および膜２４Ｂ−３がこの順に積層されたものであり、膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３は例えば互いに同じ材料により構成されている。これらの膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３の厚みの大きさは、膜２４Ｂ−１、膜２４Ｂ−２、および膜２４Ｂ−３の順に小さくなっていることが好ましい（厚み：膜２４Ｂ−１＞膜２４Ｂ−２＞膜２４Ｂ−３）。即ち、膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３の厚みは、封止基板２１から素子基板１１に向かうに連れて小さくなることが好ましい。例えば、膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３の厚みを各々、２．５μｍ〜４．０μｍ、１．２μｍ〜２．０μｍ、０．５μｍ〜０．８μｍとすればよい。このように膜２４Ｂ−１，２４Ｂ−２，２４Ｂ−３の厚みを調整することにより、変形例１と同様に、ピラー１８（図１）に最も近い膜２４Ｂ−３が裂けやすく、ピラー１８から最も遠い膜２４Ｂ−１が裂けにくくなる。よって、このような補助電極２４Ｂを有する表示装置では、素子基板１１および封止基板２１の損傷を防ぐと共に、補助電極２４Ｂと有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７との電気的な接続を保ち、電圧降下に起因した輝度ムラを防ぐことができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
＜変形例３＞
図１３は上記第１の実施の形態の変形例（変形例３）に係る表示装置の補助電極（補助電極２４Ｃ）の平面構成を表している。この補助電極２４Ｃは、複数の開口２４Ｍを有するものである。この点を除き、補助電極２４Ｃは補助電極２４と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３は各々開口２４Ｍ１，２４Ｍ２，２４Ｍ３を有している。膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３の開口率の大きさは、膜２４Ｃ−１、膜２４Ｃ−２および膜２４Ｃ−３の順に大きくなっていることが好ましい。開口２４Ｍ１，２４Ｍ２，２４Ｍ３の互いの開口の大きさを変えるようにしてもよく（図１４）、あるいは、膜２４Ｃ−１，２４Ｃ−２，２４Ｃ−３における開口２４Ｍ１，２４Ｍ２，２４Ｍ３の互いの数を変えるようにしてもよい。これにより、変形例１と同様に、ピラー１８（図１）に最も近い膜２４Ｃ−３が裂けやすく、ピラー１８から最も遠い膜２４Ｃ−１が裂けにくくなる。よって、このような補助電極２４Ｃを有する表示装置では、素子基板１１および封止基板２１の損傷を防ぐと共に、補助電極２４Ｃと有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１７との電気的な接続を保ち、電圧降下に起因した輝度ムラを防ぐことができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
このようなピラー２８では、ピラー２８の実際の長さＬに比べて、ピラー２８の素子基板１１および封止基板２１に対して垂直方向にピラー２８が占める距離（以下、見かけ上の長さと言う。）が短くなる。これにより、ピラー２８の長さＬのばらつきに比べて、ピラー２８の見かけ上の長さ（後述の図１７Ｂの長さＬ'）のばらつきが小さくなる。以下、これについて説明する（図１７Ａ，図１７Ｂ）。