(57)【要約】  この積層体は、基材と、基材上のアンダーコート層と、アンダーコート層上の無機膜とを含む。前記無機膜の材料は、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料である。前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記フーリエ変換して得られる画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の近似曲線のうち、１８個以上の近似曲線に極大値が観測される。
2014017425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
前記基材上のアンダーコート層と、
前記アンダーコート層上の無機膜とを含む積層体であって、
前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、
前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記フーリエ変換して得られる画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される積層体。
【請求項２】
前記３６個の輝度値のプロットを足し合わせて得られたプロットの第２の近似曲線において、
周波数０．２μｍ−１と輝度値が極大値となる周波数との間で輝度値が極小値となる周波数を周波数Ａとし、輝度値が極大値の半値となる周波数の中で最大となる周波数を周波数Ｂとし、
周波数Ａの逆数と周波数Ｂの逆数との差が、０．０１μｍ〜１０μｍである、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記無機膜の表面の凹凸構造の平均ピッチが、０．０５μｍ〜４μｍである、請求項１に記載の積層体。
【請求項４】
前記無機膜の表面の凹凸構造の凸部の平均高さが、０．０１μｍ〜２μｍである、請求項１に記載の積層体。
【請求項５】
前記無機膜の表面の面粗さＲａと、線粗さＲａ’、線粗さの最大値Ｒａ’（ｍａｘ）と、線粗さの最小値Ｒａ’（ｍｉｎ）とが、下記式（１）を満足する、請求項１に記載の積層体。
［数１］
０．１３≦（Ｒａ’（ｍａｘ）−Ｒａ’（ｍｉｎ））／Ｒａ≦０．８２      （１）
【請求項６】
前記アンダーコート層の弾性率が、１８００ＭＰａ以下である、請求項１に記載の積層体。
【請求項７】
前記無機膜の材料が、インジウム・スズ・オキサイド、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタンからなる群より選択される少なくとも１種の材料である、請求項１に記載の積層体。
【請求項８】
ウレタン基、フェニル基、又はアルキレンオキサイド基の少なくとも１種の官能基を有する単量体を含む活性エネルギー線硬化性組成物を基材上に塗布し、
活性エネルギー線を照射して前記活性エネルギー線硬化性組成物を硬化してアンダーコート層を形成し、
スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法のいずれか１つの方法で前記アンダーコート層上に導電性の金属酸化物、金属窒化物の少なくとも１種の材料の無機膜を積層して表面に凹凸構造を形成する、
積層体の製造方法。
【請求項９】
前記無機膜の材料が、インジウム・スズ・オキサイド、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタンからなる群より選択される少なくとも１種の材料である、請求項８に記載の積層体の製造方法。
【請求項１０】
前記アンダーコート層の積層方法が、スパッタリング法又は蒸着法である、請求項８に記載の積層体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の積層体を含む、電極。
【請求項１２】
請求項１に記載の積層体を含む、ＥＬ素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載のＥＬ素子を含む、面発光体。
【請求項１４】
請求項１に記載の積層体を含む、太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体、積層体の製造方法、電極、ＥＬ素子、面発光体及び太陽電池に関する。
本願は、２０１２年７月２５日に日本に出願された特願２０１２−１６４３５２号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
面発光体としては、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子や無機ＥＬ素子を利用したものが知られている。有機ＥＬ素子としては、透明基材と、透明基材の表面に設けられた透明電極と、透明電極と離間して設けられた金属薄膜からなる背面電極と、透明電極と背面電極との間に設けられた、有機化合物の発光材料を含む発光層とを有するものが知られている。【０００３】
この有機ＥＬ素子においては、透明電極からの正孔と背面電極からの電子とが発光層で結合することによって発光層が発光する。発光層で発光した光は、透明電極及び透明基材を透過して出射面（透明基材の表面）から取り出される。また、発光層で発光した光の一部は、背面電極の金属薄膜で反射された後、発光層、透明電極及び透明基材を透過して出射面から取り出される。【０００４】
この有機ＥＬ素子においては、発光層と透明電極との界面、透明電極と透明基材との界面、透明基材と外部空気との界面が存在する。界面における臨界角は、界面を形成するそれぞれの材料の屈折率によって決まる。臨界角以上で界面に入射する光は、界面にて全反射する。例えば、発光層と透明電極との界面に光が臨界角以上で発光層から入射すると、全反射されて発光層内部に閉じ込められる。同様に、臨界角以上の角度で光が透明電極と透明基材との界面、透明基材と外部空気との界面（出射面）等に入射すると、界面で全反射し、面発光体の内部に閉じ込められてしまう。そのため、一部の光を外部に取り出すことができず、光取り出し効率が低いという課題を有する。【０００５】
この課題を解決する方法として、特許文献１には、基層及び有機ＥＬ層を褶曲させる方法が提案されている。また、特許文献２には、凹凸構造を有するモールドを用いて転写した凹凸構造を用いる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２１０８９号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／０４３８２８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に提案されている方法では、有機ＥＬ素子全体に凹凸構造が形成されるため、発光安定性に問題がある。また、基材が収縮可能な延伸フィルムに限定され、有機ＥＬ素子全体に熱や応力がかかる製造方法であるため、ガスバリア性や寸法安定性に乏しく、表示装置や照明等の長寿命を要求される用途には不向きである。また、特許文献２に提案されている方法では、モールドから転写して凹凸構造を形成する工程を有し、生産性が充分とは言えない。【０００８】
本発明の目的は、光取り出し効率に優れる面発光体や光閉じ込め効率に優れる太陽電池を得るための積層体を提供することにある。
また、本発明の目的は、無機膜を凹凸構造の表面に有する積層体を効率的に得ることができる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明の一態様は、基材と、前記基材上のアンダーコート層と、前記アンダーコート層上の無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される積層体に関する。【００１０】
（２）（１）の積層体において、前記３６個の輝度値のプロットを足し合わせて得られたプロットの第２の近似曲線において、周波数０．２μｍ−１と輝度値が極大値となる周波数との間で輝度値が極小値となる周波数を周波数Ａとし、輝度値が極大値の半値となる周波数の中で最大となる周波数を周波数Ｂとし、周波数Ａの逆数と周波数Ｂの逆数との差が、０．０１μｍ〜１０μｍであってもよい。【００１１】
（３）（１）及び（２）の積層体において、前記無機膜の表面の凹凸構造の平均ピッチが、０．０５μｍ〜４μｍであってもよい。【００１２】
（４）（１）乃至（３）の積層体において、前記無機膜の表面の凹凸構造の凸部の平均高さが、０．０１μｍ〜２μｍであってもよい。【００１３】
（５）（１）乃至（４）の積層体において、前記無機膜の表面の面粗さＲａと、線粗さＲａ’と、線粗さの最大値Ｒａ’（ｍａｘ）と、線粗さの最小値Ｒａ’（ｍｉｎ）とが、下記式（１）を満足する、請求項１に記載の積層体であってもよい。
０．１３≦（Ｒａ’（ｍａｘ）−Ｒａ’（ｍｉｎ））／Ｒａ≦０．８２    （１）【００１４】
（６）（１）乃至（５）の積層体において、前記アンダーコート層の弾性率が、１８００ＭＰａ以下であってもよい。【００１５】
（７）（１）乃至（６）の積層体において、前記無機膜の材料が、インジウム・スズ・オキサイド、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、及び窒化チタンからなる群より選択される少なくとも１種の材料であってもよい。【００１６】
（８）また、本発明の他の態様は、ウレタン基、フェニル基、及びアルキレンオキサイド基の少なくとも１種の基を有する単量体を含む活性エネルギー線硬化性組成物を基材上に塗布し、活性エネルギー線を照射して前記活性エネルギー線硬化性組成物を硬化してアンダーコート層を形成し、スパッタリング法、蒸着法、及びＣＶＤ法のいずれか１つの方法で前記アンダーコート層上に導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料の無機膜を積層して表面に凹凸構造を形成する積層体の製造方法に関する。【００１７】
（９）（８）の積層体の製造方法において、前記無機膜の材料が、インジウム・スズ・オキサイド、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタンからなる群より選択される少なくとも１種の材料であってもよい。【００１８】
（１０）（８）及び（９）の積層体方法において、前記アンダーコート層の積層方法が、スパッタリング法又は蒸着法であってもよい。【００１９】
（１１）本発明の更に他の態様は、前記（１）乃至（７）の積層体のうちの１つを含む電極に関する。この電極は、基材と、前記基材上のアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、表面に凹凸構造を有する導電性の無機膜とを含む。
（１２）本発明の更に他の態様は、前記（１）乃至（７）の積層体のうちの一つを含むＥＬ素子に関する。
（１３）本発明の更に他の態様は、前記ＥＬ素子を含む面発光体に関する。この面発光体は、基材と、前記基材上のアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、表面に凹凸構造を有する設けられた第１電極と、第１電極と離間して設けられた第２電極と、第１電極と第２電極の間に設けられた発光層を含む。
（１４）本発明の更に他の態様は、前記（１）乃至（７）の積層体のうちの一つを含む太陽電池に関する。この太陽電池は、基材と、前記基材上のアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、表面に凹凸構造を有する透明電極と、光電変換層と、裏面電極とを含む。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の一態様における積層体により、光取り出し効率に優れる面発光体や光閉じ込め効率に優れる太陽電池を得ることができる。
また、本発明の他の態様における積層体の製造方法により、無機膜を凹凸構造の表面に有する積層体を効率的に得ることができ、得られる積層体により、光取り出し効率に優れる面発光体や光閉じ込め効率に優れる太陽電池を得ることができる。【００２１】
また、本発明の更に他の態様における電極により、光取り出し効率に優れる面発光体や光閉じ込め効率に優れる太陽電池を得ることができる。
また、本発明の更に他の態様におけるＥＬ素子により、光取り出し効率に優れる面発光体を得ることができる。
また、本発明の更に他の態様における面発光体は、光取り出し効率に優れる。
更に、本発明の更に他の態様における太陽電池は、光閉じ込め効率に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の積層体の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の面発光体の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の面発光体の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の太陽電池の一例示す断面図である。
【図５】本発明の太陽電池の一例示す断面図である。
【図６】実施例５で得られた積層体の表面形状測定の結果（５０μｍ×５０μｍ）である。
【図７】実施例１０で得られた積層体の表面形状測定の結果（５０μｍ×５０μｍ）である。
【図８】実施例１２で得られた積層体の表面形状測定の結果（５０μｍ×５０μｍ）である。
【図９】実施例１５で得られた積層体の表面形状測定の結果（５０μｍ×５０μｍ）である。
【図１０】本発明の積層体の表面形状測定の結果（５０μｍ×５０μｍ）の一例である。
【図１１】本発明の積層体の表面形状測定の結果をフーリエ変換して得られた画像の一例である。
【図１２】図１１に示すフーリエ変換して得られた画像から得られた輝度値のプロットである。
【図１３】図１２に示すプロットの移動平均を算出してプロットしなおしたものである。
【図１４】図１３に示すプロットから作成された第１の６次の多項式近似曲線である。
【図１５】第２の６次の多項式近似曲線の一例である。
【図１６】実施例２１で得られた積層体の表面形状測定の結果（５０μｍ×５０μｍ）である。
【図１７】比較例９で得られた積層体の表面形状測定の結果（５０μｍ×５０μｍ）である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いながら説明するが、本発明の態様はこれらの図面に限定されるものではない。
本明細書において、活性エネルギー線は、可視光線、ＵＶ（紫外線）、電子線、プラズマ、熱線（赤外線等）等を意味する。
また、本明細書において、（ポリ）アルキレングリコールは、ポリアルキレングリコール又はアルキレングリコールを意味する。
更に、本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。
【００２４】
（積層体１０）
本実施形態における積層体１０は、基材１１と、アンダーコート層１２と、無機膜１３とを含み、これらが順次積層されている。
本発明の積層体１０としては、例えば、図１に示す積層体１０等が挙げられる。
【００２５】
（基材１１）
基材１１の形状としては、例えば、フィルム、シート、板、箔等が挙げられる。
基材１１の厚さは、用途に応じて適宜選択することができ、２５μｍ〜５０００μｍが好ましく、５０μｍ〜２５００μｍがより好ましく、１００μｍ〜１０００μｍが更に好ましい。
【００２６】
基材１１の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス等の無機材料；ＳＵＳ（ステンレス鋼）、銅、アルミニウム等の金属；及びポリエステル系樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等）、アクリル系樹脂（ポリメチルメタクリレート等）、カーボネート系樹脂、塩化ビニル系樹脂、スチレン系樹脂（ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂等）、セルロース系樹脂（ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース等）、オレフィン系樹脂、イミド系樹脂、アラミド系樹脂等の樹脂等が挙げられる。これらの基材１１の材料の中でも、寸法安定性や耐熱性に優れることから、ガラス、金属材料、ポリエステル系樹脂、及びイミド系樹脂が好ましく、ガラス及び金属がより好ましい。また、基材１１の材料に樹脂を用いる場合、ガスバリア性に優れることから、基材１１の表面に酸化珪素や窒化珪素等の無機化合物を製膜することが好ましい。
本実施形態の積層体１０を面発光体や太陽電池として用いる場合、寸法安定性に優れることから、基材１１の材料は、ガラス、ポリエステル系樹脂及びイミド系樹脂が好ましく、ガラスがより好ましい。
【００２７】
（アンダーコート層１２）
アンダーコート層１２の材料は、凹凸構造を形成するバックリング現象の発生を容易にすることから、弾性率が１０ＭＰａ以上１８００ＭＰａ以下の材料が好ましく、弾性率が１５ＭＰａ以上１６００ＭＰａ以下の材料がより好ましく、弾性率が２０ＭＰａ以上１５００ＭＰａ以下の材料が更に好ましい。
尚、弾性率は、微小硬さ試験機を用い、力の強さが５０ｍＮ／１０秒、クリープ時間が５秒の条件で、５箇所の弾性率を測定し、その平均値とする。
【００２８】
アンダーコート層１２の基材１１への積層方法は、積層が容易に行えることから、アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物を塗布し、活性エネルギー線の照射によって硬化させる積層方法が好ましい。
活性エネルギー線硬化性組成物の基材１１への塗布方法としては、公知の塗布方法が挙げられ、例えば、ハケ塗り、スプレーコート、ディップコート、スピンコート、及びフローコート等が挙げられる。これらの塗布方法の中でも、塗布の作業性、活性エネルギー線硬化性組成物の平滑性、均一性に優れることから、スプレーコート又はスピンコートが好ましい。
活性エネルギー線源として高圧水銀灯を用いる場合、紫外線の積算光量は、用いる活性エネルギー線硬化性組成物に応じて適宜選択することができるが、２００ｍＪ／ｃｍ２〜６０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、３００ｍＪ／ｃｍ２〜５０００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。
【００２９】
活性エネルギー線硬化性組成物は、無機膜１３との密着性に優れ、アンダーコート層１２の材料としての弾性率を満たし、凹凸構造を形成するバックリング現象の発生を容易にすることから、ウレタン基、フェニル基、又はアルキレンオキサイド基の少なくとも１種の官能基を有する単量体（Ａ）、（Ａ）以外の単量体（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）を含む組成物が好ましい。
【００３０】
（単量体（Ａ））
単量体（Ａ）は、ウレタン基、フェニル基、及びアルキレンオキサイド基の少なくとも１種の官能基を有する。
単量体（Ａ）としては、例えば、ジイソシアネート化合物（トリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート等）と、水酸基含有（メタ）アクリレート（２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等）とを反応させた化合物、アルコール類（アルカンジオール、ポリエーテルジオール、ポリエステルジオール、スピログリコール化合物等の１種または２種以上）の水酸基にジイソシアネート化合物を付加し、残ったイソシアネート基に、水酸基含有（メタ）アクリレートを反応させた化合物等のウレタン基を有する単量体；フェニル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、フタル酸ジ（メタ）アクリレート、テレフタル酸ジ（メタ）アクリレート等のフェニル基を有する単量体；ペンタエリスリトールエトキシ変性テトラ（メタ）アクリレート、トリスエトキシレーテッドトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシレーテッドペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシレーテッドシクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシレーテッドシクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシレーテッドビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシレーテッドビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシレーテッド水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシレーテッド水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールのカプロラクトン付加物のジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールのカプロラクトン付加物のジ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性リン酸（メタ）アクリレート、水酸基末端ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、水酸基末端ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、水酸基末端ポリブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アルキル基末端ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アルキル基末端ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アルキル基末端ポリブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート等のアルキレンオキサイド基を有する単量体；及びフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、及びフェノキシポリブチレングリコール（メタ）アクリレート等のフェニル基及びアルキレンオキサイド基を有する単量体等が挙げられる。これらの単量体（Ａ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの単量体（Ａ）の中でも、硬化性や基材密着性に優れることから、ウレタン基を有する単量体、ベンジル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシ変性テトラ（メタ）アクリレート、トリスエトキシレーテッドトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシレーテッドペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシレーテッドビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシレーテッドビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシレーテッド水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシレーテッド水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ブチレングリコールのカプロラクトン付加物のジ（メタ）アクリレート、水酸基末端ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、水酸基末端ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、水酸基末端ポリブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アルキル基末端ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アルキル基末端ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アルキル基末端ポリブチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、及びフェノキシポリブチレングリコール（メタ）アクリレートが好ましく、ウレタン基を有する単量体、ベンジル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールエトキシ変性テトラ（メタ）アクリレート、トリスエトキシレーテッドトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシレーテッドビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシレーテッドビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシレーテッド水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシレーテッド水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、及びフェノキシポリブチレングリコール（メタ）アクリレートがより好ましく、ウレタン基を有する単量体、ペンタエリスリトールエトキシ変性テトラ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパン（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性グリセロールトリ（メタ）アクリレート、ポリブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエトキシレーテッドビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ポリプロポキシレーテッドビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、及びポリエトキシレーテッド水添ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレートが更に好ましい。
【００３１】
（単量体（Ｂ））
単量体（Ｂ）としては、例えば、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、メチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸トリシクロデカンジメタノールジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールのε−カプロラクトン付加物のジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールのγ−ブチロラクトン付加物のジ（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールのカプロラクトン付加物のジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンタンジオールのカプロラクトン付加物のジ（メタ）アクリレート等のジ（メタ）アクリレート類；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ｎ−オクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート、２−（メタ）アクリロイルオキシメチル−２−メチルビシクロヘプタン、アダマンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート等のモノ（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ｔ−ブチル（メタ）アクリルアミド、ヒドロキシエチル（メタ）アクリルアミド、メチレンビス（メタ）アクリルアミド等の（メタ）アクリルアミド類；及びエチレン、プロピレン、ブテン等のオレフィン類等が挙げられる。これらの単量体（Ｂ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの単量体（Ｂ）の中でも、アンダーコート層１２の材料としての弾性率を満たし、凹凸構造を形成するバックリング現象の発生を容易にすることから、ジ（メタ）アクリレート類、モノ（メタ）アクリレート類が好ましく、ジ（メタ）アクリレート類がより好ましい。
【００３２】
（光重合開始剤（Ｃ））
光重合開始剤（Ｃ）としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインモノメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、アセトイン、ベンジル、ベンゾフェノン、ｐ−メトキシベンゾフェノン、ジエトキシアセトフェノン、ベンジルジメチルケタール、２，２−ジエトキシアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、メチルフェニルグリオキシレート、エチルフェニルグリオキシレート、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−エチルアントラキノン等のカルボニル化合物；テトラメチルチウラムモノスルフィド、テトラメチルチウラムジスルフィド等の硫黄化合物；及び２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド等が挙げられる。これらの光重合開始剤（Ｃ）は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの光重合開始剤（Ｃ）の中でも、単量体との相溶性に優れることから、カルボニル化合物が好ましく、ベンゾフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンがより好ましい。
【００３３】
活性エネルギー線硬化性組成物の組成比は、無機膜１３との密着性に優れ、アンダーコート層１２の材料としての弾性率を満たし、凹凸構造を形成するバックリング現象の発生を容易にすることから、活性エネルギー線硬化性組成物全量中、単量体（Ａ）１０質量％〜９５質量％、単量体（Ｂ）１質量％〜７０質量％、光重合開始剤（Ｃ）０．１質量％〜２０質量％が好ましく、単量体（Ａ）３０質量％〜９０質量％、単量体（Ｂ）５質量％〜６０質量％、光重合開始剤（Ｃ）１質量％〜１０質量％がより好ましい。
【００３４】
（他の成分）
活性エネルギー線硬化性組成物は、性能を損なわない範囲で、必要に応じて、光増感剤、有機溶媒、他の各種添加剤（レベリング剤、消泡剤、沈降防止剤、潤滑剤、研磨剤、防錆剤、帯電防止剤、光安定剤、紫外線吸収剤、重合禁止剤等）、ポリマー（ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂等）等の少なくとも１つの材料を含んでもよい。
【００３５】
光増感剤としては、例えば、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸アミル、及び４−ジメチルアミノアセトフェノン等が挙げられる。
【００３６】
有機溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチル等のケトン系化合物；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸メトキシエチル等のエステル系化合物；エタノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系化合物；ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系化合物；トルエン、キシレン等の芳香族化合物；及びペンタン、ヘキサン、石油ナフサ等の脂肪族化合物等が挙げられる。活性エネルギー線硬化性組成物中に有機溶媒を含む場合の有機溶媒の含有率としては、活性エネルギー線硬化性組成物全量中、１０質量％〜８０質量％が好ましい。
【００３７】
活性エネルギー線硬化性組成物に有機溶媒を含む場合、活性エネルギー線硬化性組成物の硬化前に塗膜を加熱して有機溶媒を揮発させる。加熱温度は、有機溶媒の種類に応じて適宜選択することができ、熱履歴の観点から、４０℃〜１５０℃が好ましく、６０℃〜１３０℃がより好ましい。加熱時間は、有機溶媒の種類に応じて適宜選択することができ、熱履歴の観点から、１分〜３０分が好ましく、３分〜２０分がより好ましい。加熱手段としては、公知の加熱手段が挙げられ、例えば、ホットプレート、ＩＲヒータ、及び温風等が挙げられる。
【００３８】
アンダーコート層１２の厚さは、凹凸構造を形成するバックリング現象の発生を容易にすることから、０．１μｍ〜１００μｍが好ましく、０．２μｍ〜８０μｍがより好ましく、０．５μｍ〜４０μｍが更に好ましい。
尚、アンダーコート層１２の厚さは、無機膜１３を積層する前の厚さであり、単位面積１ｍｍ×１ｍｍにおける平均厚さと定義する。
【００３９】
（無機膜１３）
無機膜１３は、その表面に凹凸構造を有する。無機膜１３の積層方法は、凹凸構造を形成するバックリング現象の発生を容易にすることから、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法（化学的気相合成法）、及びイオンプレーティング法が好ましく、スパッタリング法、蒸着法、及びＣＶＤ法がより好ましく、スパッタリング法が更に好ましい。
尚、バックリング現象とは、アンダーコート層１２上への無機膜１３の積層時に発生し、アンダーコート層１２と無機膜１３との熱収縮率差や弾性率差に起因して凹凸構造が形成されることである。
本実施形態において、上述の積層方法により無機膜１３をアンダーコート層１２上に積層することにより、自己組織的にアンダーコート層１２及び無機膜１３に凹凸構造が形成される。
【００４０】
スパッタリング法は、真空中に不活性ガス（主にアルゴンガス）を導入しながら基板とターゲット間に直流又は交流（高周波）を印加し、イオン化した不活性ガスをターゲットに衝突させて、はじき飛ばされたターゲット物質を積層する方法等の総称である。
蒸着法は、容器内を真空状態にして金属等の物質に熱を加えて蒸発させ、真空中で気体になった金属等の物質が基板にぶつかり張り付くことで物質を積層する方法等の総称である。
ＣＶＤ法は、熱した基板上に、目的とする物質の成分を含む原料ガスを供給し、基板表面又は気相での化学反応により物質を積層する方法等の総称である。
イオンプレーティング法は、金属等の物質に熱を加えて蒸発させ、プラズマ中を通過させることでプラスの電荷を帯びさせ、マイナスの電荷を付加した基板に、蒸発させた金属等の物質を引き付けて物質を積層する方法等の総称である。
【００４１】
アンダーコート層１２と無機膜１３との密着性を高めるため、無機膜１３の積層の前に、アンダーコート層１２表面にＵＶオゾン処理、プラズマ処理、コロナ処理等の少なくとも１つの処理を施してもよい。また、基材１１やアンダーコート層１２に含まれる溶存ガス、未反応モノマー等を除去するため、無機膜１３の積層の前に、積層体の加熱処理、真空処理、又は加熱真空処理等を施してもよい。
【００４２】
無機膜１３の材料は、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料である。
導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料である無機膜１３の材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ・オキサイド）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛・オキサイド）、ＦＴＯ（フッ素ドープ・スズ・オキサイド）、ＧＺＯ（ガリウムドープ・亜鉛・オキサイド）、ＡＺＯ（アルミニウムドープ・亜鉛・オキサイド）、ＡＴＯ（アンチモンドープ・スズ・オキサイド）、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、二酸化珪素等の金属酸化物；及び窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化珪素等の金属窒化物が挙げられる。これらの無機膜１３の材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの無機膜１３の材料の中でも、硬度や熱安定性に優れることから、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタンが好ましく、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウムがより好ましく、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化スズが更に好ましい。
本実施形態の積層体１０を面発光体や太陽電池として用いる場合、導電性の無機膜１３を表面に有することから、積層体１０をそのまま電極として用いることができる。
【００４３】
無機膜１３を形成する際に、任意のマスクを利用し、特定箇所のみに無機膜１３を形成した積層体１０を得ることもできる。特に、電極パターンマスク越しに導電性の無機膜１３を形成することで、導電性の無機膜１３を表面に有する凹凸構造を、面発光体や太陽電池の電極の形状に合わせて形成することができる。
【００４４】
無機膜１３の厚さは、凹凸構造を形成するバックリング現象の発生を容易にすることから、０．１ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、１ｎｍ〜８００ｎｍがより好ましく、５ｎｍ〜５００ｎｍが更に好ましい。
尚、無機膜１３の厚さは、単位面積１ｍｍ×１ｍｍにおける平均厚さと定義する。
【００４５】
（積層体１０の凹凸構造）
本実施形態の積層体１０は、後に詳細に説明されるように、無機膜１３の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、画像の中心から０時方向への方位角を０°とした場合、から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の近似曲線のうち、１８以上の近似曲線に極大値が観測される。
【００４６】
本明細書における原子間力顕微鏡による撮影の条件は、カンチレバーＤＦＭ（ダイナミック・フォース・モード）で５０μｍ×５０μｍの範囲を原子間力顕微鏡にて撮影し、グレースケールの画像を得るものとする。
得られた原子間力顕微鏡にて撮影した画像は、白度が高いほど凹凸構造の凸部の頂部が高く、白度が小さいほど凹凸構造の凹部の底部が深いことを表す。
【００４７】
本明細書におけるフーリエ変換の条件は、前記で得られたグレースケールの画像全体をフーリエ変換して画像を得るものとする。
フーリエ変換して得られた画像は、白色部分が凹凸構造のパターン等を表す。
尚、画像の中心とは、上記フーリエ変換して得られる画像の中心を意味し、即ち上記フーリエ変換して得られる画像の対角線の交点である。
【００４８】
本明細書における近似曲線の作成方法は、以下の通りである。まず、原子間力顕微鏡にて撮影した画像Ａ（図１０）をフーリエ変換して画像Ｂを得る。（図１１）ここで、画像Ｂにおける中心から０時方向への方位角を０°とする。方位角０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットし、３６個の輝度値のプロットを得る。例えば、図１２に示す輝度値のプロットは、方位角９０°における輝度値である。得られた３６個の輝度値のプロットそれぞれの移動平均を算出してプロットし直す。例えば、図１３は、図１２に示す輝度値のプロットの移動平均を算出してプロットし直したものである。得られた移動平均化した３６個の輝度値のプロットそれぞれについて６次の多項式近似曲線を作成する。これを、第１の６次の多項式近似曲線とする。例えば、図１４は、図１３に示すプロットについて第１の６次の多項式近似曲線を作成したものである。
【００４９】
本実施形態の積層体１０は、上述のように得られた３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線のうち、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、１８個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測され、２４個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測されることが好ましく、３０個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測されることがより好ましい。
第１の６次の多項式近似曲線に極大値が多く観測されるほど、等方性を有することを意味し、積層体１０の表面の凹凸構造が不規則な方向に延びる構造を示し、取り出す又は閉じ込める光の角度、波長に偏りが少ない。
尚、第１の６次の多項式近似曲線において、周波数０．２μｍ−１〜２００μｍ−１中の最大の輝度値の１０分の１以下である輝度値のピークは、ノイズと認識し、極大値として認識しないものとする。
【００５０】
得られた３６個の輝度値のプロットを足し合わせ、移動平均を算出してプロットし直し、得られた移動平均化したプロットについて６次の多項式近似曲線を作成するものとする。これを、第２の６次の多項式近似曲線とする。本実施形態の積層体１０は、第２の６次の多項式近似曲線において、周波数０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、周波数０．２μｍ−１と輝度値の極大値となる周波数との間で輝度値が極小値となる周波数を周波数Ａとし、輝度値が極大値の半値となる周波数の中で最大となる周波数を周波数Ｂとし、周波数Ａの逆数と周波数Ｂの逆数との差が、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましく、０．０５μｍ〜８μｍであることがより好ましく、０．１０μｍ〜７μｍであることが更に好ましく、０．３３μｍ〜５．４９μｍであることが特に好ましい。
尚、上記フーリエ変換して得られる画像の中心に対応する点を、周波数が０μｍ−１とする。また、第２の６次の多項式近似曲線において、周波数０．２μｍ−１〜２００μｍ−１中の最大の輝度値の１０分の１以下である輝度値のピークは、ノイズと認識し、極大値として認識しないものとする。
【００５１】
第２の６次の多項式近似曲線を図１５に示す。
周波数０．２μｍ−１と輝度値が極大値となる周波数との間で輝度値が極小値となる周波数Ａは、図１５のＡの周波数を表す。
輝度値が極大値の半値となる周波数の中で最大となる周波数Ｂ、図１５のＢの周波数を表す。
周波数Ａの逆数と周波数Ｂの逆数の差が大きいほど、広い分布を有することを意味し、積層体１０の表面の凹凸構造の周期が幅広い分布を有することを示し、有効に光を回折又は散乱させる。
【００５２】
本実施形態の積層体１０の無機膜１３の表面の凹凸構造の平均ピッチは、用途に応じて適宜選択することができるが、凹凸構造の形成が容易であることから、０．０１μｍ〜１０μｍが好ましく、０．１μｍ〜５μｍがより好ましく、０．３μｍ〜４μｍが更に好ましく、１．０１μｍ〜３．０２μｍが特に好ましい。
本実施形態の積層体１０を面発光体として用いる場合、凹凸構造の平均ピッチは、光の回折効率に優れることから、０．０１μｍ〜１０μｍが好ましく、０．３μｍ〜５μｍがより好ましい。
本実施形態の積層体１０を太陽電池として用いる場合、凹凸構造の平均ピッチは、有効に光が回折又は散乱され、光の角度や波長に偏りが少なくなることから、０．１μｍ〜１０μｍが好ましく、０．３μｍ〜５μｍがより好ましい。
尚、本実施形態における凹凸構造の平均ピッチとは、凹凸構造の凹又は凸の平均周期を表し、前述のように得られた３６個の輝度値の近似曲線を平均化した曲線において、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１における極大値となる周波数の逆数のことをいう。
【００５３】
本実施形態の積層体１０の無機膜１３の表面の凹凸構造の凸部の平均高さは、用途に応じて適宜選択することができるが、凹凸構造の形成が容易であることから、０．０１μｍ〜２μｍが好ましく、０．０２μｍ〜１．５μｍがより好ましく、０．０３μｍ〜１．２μｍが更に好ましく、０．０５μｍ〜０．９５μｍが特に好ましい。
本実施形態の積層体１０を面発光体として用いる場合、凹凸構造の凸部の平均高さは、光取り出し効率に優れることから、０．０１μｍ〜１．５μｍが好ましく、０．０５μｍ〜１．２μｍがより好ましい。
本実施形態の積層体１０を太陽電池として用いる場合、凹凸構造の凸部の平均高さは、太陽電池の光閉じ込め効率に優れ、太陽電池の変換効率に優れることから、０．０３μｍ〜２μｍが好ましく、０．０５μｍ〜１．５μｍがより好ましい。
尚、凹凸構造の凸部の平均高さは、原子間力顕微鏡にて撮影した画像から、断面図をプロファイルし、そのプロファイルした断面図の隣り合う凸部の頂点と凹部の底点の高低差から算出することができる。凹凸構造の凸部の平均高さは、５０μｍ×５０μｍの範囲を５点測定して算出される。
【００５４】
本実施形態の積層体１０の無機膜１３の表面の面粗さＲａと、線粗さＲａ’と、線粗さの最大値Ｒａ’（ｍａｘ）と線粗さの最小値Ｒａ’（ｍｉｎ）とは、下記式（１）を満足することが好ましく、下記式（２）を満足することがより好ましい。
尚、面粗さＲａと、線粗さＲａ’は、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定される。
【００５５】
０．１３≦（Ｒａ’（ｍａｘ）−Ｒａ’（ｍｉｎ））／Ｒａ≦０．８２      （１）
【００５６】
０．２０≦（Ｒａ’（ｍａｘ）−Ｒａ’（ｍｉｎ））／Ｒａ≦０．８０      （２）
【００５７】
無機膜１３が前記式（１）を満足することは、凹凸構造が規則正しい構造でもランダムな構造でもなく、その中間の構造、即ち、凹凸構造が適度に規則性があり適度にランダム性がある構造であることを意味する。無機膜１３が前記式（１）を満足すると、有効に光が回折又は散乱され、光の角度や波長に偏りが少なくなる。
【００５８】
以上より、本実施形態の積層体１０は、上述のように得られた３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線のうち、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、２４個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測され、第２の６次の多項式近似曲線において、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、周波数０．２μｍ−１と輝度値が極大値となる周波数との間で輝度値が極小値となる周波数を周波数Ａとし、輝度値が極大値の半値となる周波数の中で最大となる周波数を周波数Ｂとし、周波数Ａの逆数と周波数Ｂの逆数との差が、０．０５μｍ〜８μｍであることが好ましい。
この場合において、無機膜１３の表面の凹凸構造の平均ピッチは、０．１μｍ〜５μｍでもよい。
更にこの場合において、無機膜１３の表面の凹凸構造の凸部の平均高さは、０．０５μｍ〜１．５μｍであってもよい。
更にこの場合において、アンダーコート層の弾性率は、１０ＭＰａ以上１８００ＭＰａ以下であってもよい。
【００５９】
本実施形態の積層体１０は、上述のように得られた３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線のうち、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、２４個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測され、無機膜１３の表面の凹凸構造の平均ピッチは、０．１μｍ〜５μｍであることが好ましい。
この場合において、無機膜１３の表面の凹凸構造の凸部の平均高さは、０．０５μｍ〜１．５μｍであってもよい。
更にこの場合において、アンダーコート層の弾性率は、１０ＭＰａ以上１８００ＭＰａ以下であってもよい。
【００６０】
本実施形態の積層体１０は、上述のように得られた３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線のうち、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、２４個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測され、無機膜１３の表面の凹凸構造の凸部の平均高さは、０．０５μｍ〜１．５μｍであってもよい。
この場合において、アンダーコート層の弾性率は、１０ＭＰａ以上１８００ＭＰａ以下であってもよい。
【００６１】
本実施形態の積層体１０は、上述のように得られた３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線のうち、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、３０個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測され、第２の６次の多項式近似曲線において、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、周波数０．２μｍ−１と輝度値が極大値となる周波数との間で輝度値が極小値となる周波数を周波数Ａとし、輝度値が極大値の半値となる周波数の中で最大となる周波数を周波数Ｂとし、周波数Ａの逆数と周波数Ｂの逆数との差が、０．０５μｍ〜８μｍであることが好ましい。
この場合において、無機膜１３の表面の凹凸構造の平均ピッチは、０．１μｍ〜５μｎｍでもよい。
更にこの場合において、無機膜１３の表面の凹凸構造の凸部の平均高さは、０．０２μｍ〜１．５μｍであってもよい。
更にこの場合において、アンダーコート層の弾性率は、１０ＭＰａ以上１８００ＭＰａ以下であってもよい。
【００６２】
本実施形態の積層体１０は、上述のように得られた３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線のうち、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、３０個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測され、無機膜１３の表面の凹凸構造の平均ピッチは、０．１μｍ〜５μｎｍであることが好ましい。
この場合において、無機膜１３の表面の凹凸構造の凸部の平均高さは、０．０２μｍ〜１．５μｍであってもよい。
更にこの場合において、アンダーコート層の弾性率は、１０ＭＰａ以上１８００ＭＰａ以下であってもよい。
【００６３】
本実施形態の積層体１０は、上述のように得られた３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線のうち、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、３０個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測され、無機膜１３の表面の凹凸構造の凸部の平均高さは、０．０２μｍ〜１．５μｍであってもよい。
この場合において、アンダーコート層の弾性率は、１０ＭＰａ以上１８００ＭＰａ以下であってもよい。
【００６４】
本実施形態の積層体１０は、無機材料の基材と、前記基材上上に設けられ、ウレタンアクリレート混合物を硬化して形成されたアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、その表面に凹凸構造を有する無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される。
【００６５】
本実施形態の積層体１０は、ガラス基材と、前記基材上に設けられ、ウレタンアクリレート混合物を硬化して形成されたアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、その表面に凹凸構造を有する無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される。
【００６６】
本実施形態の積層体１０は、樹脂基材と、前記基材上に設けられ、ウレタンアクリレート混合物を硬化して形成されたアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、その表面に凹凸構造を有する無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される。
【００６７】
本実施形態の積層体１０は、ポリエステル系樹脂基材と、前記基材上に設けられ、ウレタンアクリレート混合物を硬化して形成されたアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、その表面に凹凸構造を有する無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される。
【００６８】
本実施形態の積層体１０は、無機材料の基材と、前記基材上に設けられ、ウレタンアクリレート混合物を硬化して形成されたアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、その表面に凹凸構造を有する無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される。
【００６９】
本実施形態の積層体１０は、ガラス基材と、前記基材上に設けられ、ポリエチレングリコールジアクリレートを硬化して形成されたアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、その表面に凹凸構造を有する無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される。
【００７０】
本実施形態の積層体１０は、樹脂基材と、前記基材上に設けられ、ポリエチレングリコールジアクリレートを硬化して形成されたアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、その表面に凹凸構造を有する無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される。
【００７１】
本実施形態の積層体１０は、ポリエステル系樹脂基材と、前記基材上のポリエチレングリコールジアクリレートを硬化して形成されたアンダーコート層と、前記アンダーコート層上に設けられ、その表面に凹凸構造を有する無機膜とを含み、前記無機膜の材料が、導電性の金属酸化物及び金属窒化物の少なくとも１種の材料であり、前記無機膜の表面を原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られる画像において、前記画像における中心から０時方向への方位角を０°とし、０°から１０°おきに放射状に輝度値をプロットして得られた３６個の輝度値の第１の近似曲線のうち、１８個以上の第１の近似曲線に極大値が観測される。
【００７２】
（用途）
本実施形態の積層体１０は、表面に導電性の無機膜１３を有し、表面に皺状の凹凸構造を有することから、多くの用途に用いられることが期待できる。例えば、積層体１０を電極として用いることで、その電極を面発光体や太陽電池に好適に用いることができる。
【００７３】
（電極）
本実施形態における積層体１０は、電極として用いることができる。本実施形態における電極は、図１に示すように、基材１１と、アンダーコート層１２と、導電性の無機膜１３を含む。
【００７４】
導電性の無機膜１３としては、としては、例えば、導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物、及び光透過性を有する金属薄膜を形成し得る金属が挙げられる。
導電性の金属酸化物及び導電性の金属窒化物としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、二酸化珪素等の金属酸化物；及び窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化珪素等の金属窒化物が挙げられる。これらの導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物の中でも、導電性に優れることから、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、及び窒化チタンが好ましく、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、及び酸化スズ、窒化インジウムがより好ましく、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、及び酸化スズが更に好ましい。
光透過性を有する金属薄膜を形成し得る金属としては、例えば、金、白金、銀、銅、及びアルミニウム等が挙げられる。
【００７５】
導電性の無機膜１３は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。
導電性の無機膜１３の厚さは、導電性に優れることから、１０ｎｍ以上が好ましく、５０ｎｍ以上がより好ましい。また、導電性の無機膜１３の厚さは、光透過性に優れることから、１０００ｎｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以下がより好ましい。尚、導電性の無機膜１３は、段差・表面粗さ・微細形状測定装置によって測定できる。
本実施形態の導電性の無機膜１３の厚さは、単位面積１ｍｍ×１ｍｍにおける平均厚さと定義する。
【００７６】
本実施形態の電極は、ＥＬ素子の電極や、太陽電池の電極等に用いることができる。
【００７７】
（面発光体）
本実施形態における面発光体としては、例えば、凹凸構造を表面に有する基材上に設けられたＥＬ素子を含む面発光体があげられる。ＥＬ素子は、少なくとも第１電極と、第１電極と離間して設けられた第２電極と、第１電極と第２電極の間に設けられた発光層を含む。図２は、本実施形態の面発光体の一例を示す断面図である。面発光体２０は、積層体２１０と、発光層２１と、第２電極２２を含む。積層体２１０は、基材１１と、アンダーコート層１２と、第１電極２３を含む。積層体２１０として、上述の積層体１０を用いることができる。即ち、積層体２１０として、前記凹凸構造を表面に有する基材１１と前記凹凸構造の表面に設けられた第１電極２３の両者を兼ねて積層体１０を用いることができる。
また、凹凸構造を表面に有する基材１１として、上述の積層体１０を用いることができる。即ち、図３に示すように、面発光体２０’は、積層体２１１と、第１電極２３と、発光層２１と、第２電極２２を含むよう構成されていてもよい。積層体２１１は、基材１１と、アンダーコート層１２と、無機膜１３を含む。
【００７８】
本実施形態の積層体２１０を含む面発光体２０及び積層体２１１を含む面発光体２０’は、凹凸構造の周期が幅広い分布を有しかつ凹凸構造が不規則な方向に延びる構造（即ち、皺状の凹凸構造）を有するため、皺状の凹凸構造によって有効に回折又は散乱され、光の角度、波長に偏りが少ない。そのため、従来の面発光体に比べ、光の取り出し効率に優れ、広い範囲を均一に照射できる。
【００７９】
面発光体は、ＥＬ素子そのものであってもよい。より光取り出し効率を向上させるために、ＥＬ素子の光出射面側の表面に光取り出し部材を設けて面発光体として用いてもよい。
【００８０】
光取り出し部材としては、公知の光取り出し部材が挙げられ、例えば、プリズムシート、シリンドリカルレンズシート、マイクロレンズシート等の凹凸構造を有する部材；及び微粒子でコーティングした部材等が挙げられる。
凹凸構造を有する部材は、ＥＬ素子の配向分布等により、材料組成、凹凸構造の形状、凹凸構造の大きさ、凹凸構造の配置、及び凹凸構造の充填率等を適宜選択すればよい。また、凹凸構造を有する部材の材料組成には、必要に応じて、光拡散粒子を含んでもよい。
微粒子でコーティングした部材の形成方法としては、例えば、分散媒に分散させ微粒子を塗布して分散媒を乾燥させる方法、及び微粒子を含む硬化性組成物を塗布して紫外線や熱等により硬化させる方法等が挙げられる。
【００８１】
（ＥＬ素子）
ＥＬ素子は、ボトムエミッション型のＥＬ素子及びトップエミッション型のＥＬ素子があるが、本実施形態の積層体２１０は、どちらのタイプのＥＬ素子にも用いることができる。
ボトムエミッション型とは、支持基材上にＥＬ素子を構成する材料を積層して素子を作製し、支持基材を通して光を取り出すタイプのＥＬ素子である。トップエミッション型とは、支持基材にＥＬ素子を構成する材料を積層して素子を作製し、支持基材とは逆側から光を取り出すタイプのＥＬ素子である。
【００８２】
（第１電極）
第１電極２３は、陽極であってもよく、陰極であってもよい。通常、第１電極２３は、陽極とされる。
【００８３】
第１電極２３の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物、導電性の有機高分子、及び光透過性を有する金属薄膜を形成し得る金属が挙げられる。
導電性の金属酸化物及び導電性の金属窒化物としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、二酸化珪素等の金属酸化物；及び窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化珪素等の金属窒化物が挙げられる。これらの導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物の中でも、導電性に優れることから、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、及び窒化チタンが好ましく、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、及び酸化スズ、窒化インジウムがより好ましく、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、及び酸化スズが更に好ましい。導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物として、本実施形態の積層体の無機膜１３をそのまま用いることもできる。
導電性の有機高分子としては、例えば、ポリアニリンとその誘導体、ポリチオフェン、及びＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリ３，４−エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォネート）とその誘導体等が挙げられる。
光透過性を有する金属薄膜を形成し得る金属としては、例えば、金、白金、銀、銅、及びアルミニウム等が挙げられる。
【００８４】
第１電極２３は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。
第１電極２３は、凹凸構造を表面に有する。
第１電極２３の厚さは、導電性に優れることから、１０ｎｍ以上が好ましく、５０ｎｍ以上がより好ましい。また、第１電極の厚さは、光透過性に優れることから、１０００ｎｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以下がより好ましい。尚、第１電極の厚さは、段差・表面粗さ・微細形状測定装置によって測定できる。
本実施形態の第１電極２３の厚さは、単位面積１ｍｍ×１ｍｍにおける平均厚さと定義する。
【００８５】
（第２電極）
第２電極２２は、陰極であってもよく、陽極であってもよい。通常、第２電極２２は、陰極とされる。
【００８６】
第２電極２２の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属；これらの金属のうち２つ以上を組み合わせた合金；これらの金属のフッ化物等の金属塩類；及びこれらのうち１つ以上と金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金等が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
【００８７】
第２電極２２は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。
第２電極２２の厚さは、導電性に優れることから、５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましい。また、第２電極２２の厚さは、耐久性に優れることから、１０００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましい。尚、第２電極２２の厚さは、段差・表面粗さ・微細形状測定装置によって測定できる。
本実施形態の第２電極２２の厚さは、単位面積１ｍｍ×１ｍｍにおける平均厚さと定義する。
【００８８】
第１電極及び第２電極２２は、一方が透過性でもう一方が反射性を有してもよく、いずれもが透過性を有してもよい。
【００８９】
（発光層）
発光層２１は、面発光体が有機ＥＬ素子である場合、有機化合物の発光材料を含む。面発光体が無機ＥＬ素子である場合、発光層２１は、無機化合物の発光材料を含む。
有機化合物の発光材料としては、例えば、リン光性化合物のホスト化合物であるカルバゾール誘導体（４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ジフェニル等）にイリジウム錯体（トリス（２−フェニルピリジン）イリジウムをドープしたもの；８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム等）；及びその他公知の発光材料等が挙げられる。
発光層２１は、発光材料の他に、正孔輸送性材料、電子輸送性材料等を含んでもよい。
【００９０】
発光層２１は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。例えば、面発光体を白色の有機ＥＬ照明として用いる場合、発光層２１を、青発光層、緑発光層及び赤発光層を有する積層構造としてもよい。
発光層２１の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましい。尚、発光層２１の厚さは、段差・表面粗さ・微細形状測定装置によって測定できる。
本実施形態における発光層２１の厚さは、単位面積１ｍｍ×１ｍｍにおける平均厚さと定義する。
【００９１】
（ＥＬ素子の製造方法）
ＥＬ素子は、例えば、下記工程１（工程（Ａ）〜（Ｂ））または下記工程２（工程（ａ）〜（ｃ））の方法等によって製造される。これらのＥＬ素子の製造方法の中でも、工程数を少なくしてＥＬ素子を得ることができることから、工程１が好ましい。
【００９２】
（工程１）
図２に示される面発光体２０に含まれるＥＬ素子を形成するための工程（Ａ）〜（Ｂ）で構成される工程１を以下に示す。
工程（Ａ）：本実施形態の積層体２１０の第１電極２３の表面に、発光層２１の材料を積層し、発光層２１を形成する工程である。
工程（Ｂ）：工程（Ａ）の後、第２電極２２の材料を積層して、第２電極２２を形成する工程である。
【００９３】
（工程２）
図３に示される面発光体２０’に含まれるＥＬ素子を形成するための工程（ａ）〜（ｃ）で構成される工程２を以下に示す。
工程（ａ）：本実施形態の積層体２１０の無機膜１３の表面に、第１電極の材料を積層して、第１電極２３を形成する工程である。
工程（ｂ）：工程（ａ）の後、発光層２１の材料を積層し、発光層２１を形成する工程である。
工程（ｃ）：工程（ｂ）の後、第２電極２２の材料を積層して、第２電極２２を形成する工程である。
【００９４】
工程（ａ）の積層方法としては、例えば、スパッタリング法、蒸着法、及びイオンプレーティング法等が挙げられる。これらの積層方法の中でも、第１電極を形成しやすいことから、スパッタリング法が好ましい。凹凸構造と第１電極との密着性を高めるため、工程（ａ）の前に、積層体２１１の無機膜１３の表面にＵＶオゾン処理、プラズマ処理、コロナ処理等の少なくとも１つの処理を施してもよい。また、積層体１０に含まれる溶存ガス、未反応モノマー等を除去するため、工程（ａ）の前に、積層体１０の加熱処理、真空処理、加熱真空処理等の少なくとも１つの処理を施してもよい。
【００９５】
工程（Ａ）及び工程（ｂ）の積層方法としては、例えば、スパッタリング法、蒸着法、及びイオンプレーティング法等が挙げられる。これらの積層方法の中でも、発光層２１の材料が有機化合物の場合に発光層２１を形成しやすいことから、蒸着法が好ましい。
【００９６】
工程（Ｂ）及び工程（ｃ）の積層方法としては、例えば、スパッタリング法、蒸着法、及びイオンプレーティング法等が挙げられる。これらの積層方法の中でも、発光層２１の材料が有機化合物の場合に発光層２１にダメージを与えずに第２電極２２を形成しやすいことから、蒸着法が好ましい。
【００９７】
第１電極２３と発光層２１の間又は第２電極２２と発光層２１の間に他の機能層を設ける場合は、発光層２１の形成前後に、発光層２１と同様の方法、条件で他の機能層を形成すればよい。
他の機能層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、及び電子注入層等が挙げられる。
【００９８】
（正孔注入層）
正孔注入層は、正孔注入材料を含む層である。
正孔注入材料としては、例えば、酸化モリブデン、酸化バナジウム等の遷移金属系の酸化物；銅フタロシアニン；導電性を有する有機高分子；及びその他公知の有機の正孔注入材料等が挙げられる。
正孔注入層の厚さは、遷移金属系の酸化物の場合、２ｎｍ〜２０ｎｍが好ましく、３ｎｍ〜１０ｎｍがより好ましい。また、正孔注入層の厚さは、有機の正孔注入材料の場合、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましい。
【００９９】
（正孔輸送層）
正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。
正孔輸送性材料としては、例えば、トリフェニルジアミン類（４，４’−ビス（ｍ−トリルフェニルアミノ）ビフェニル等）；及びその他公知の正孔輸送性材料等が挙げられる。
正孔注入層の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましい。
【０１００】
（正孔阻止層）
正孔阻止層は、正孔阻止材料を含む層である。
正孔阻止材料としては、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン等）；及びその他公知の正孔阻止材料等が挙げられる。
正孔注入層の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、５ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましい。
【０１０１】
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。
電子輸送性材料としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体；オキサジアゾール誘導体；及びその他公知の電子輸送性材料等が挙げられる。
電子輸送層の厚さは、１ｎｍ〜１００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍがより好ましい。
【０１０２】
（電子注入層）
電子注入層は、電子注入材料を含む層である。
電子注入材料としては、例えば、アルカリ金属化合物（フッ化リチウム等）；アルカリ土類金属化合物（フッ化マグネシウム等）；金属（ストロンチウム等）；及びその他公知の電子注入材料等が挙げられる。
電子注入層の厚さは、０．１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、０．２ｎｍ〜１０ｎｍがより好ましい。
尚、これらの他の機能層の厚さは、段差・表面粗さ・微細形状測定装置によって測定できる。
【０１０３】
（太陽電池）
太陽電池としては、例えば、凹凸構造を表面に有する基材と、凹凸構造の表面に設けられた透明電極と、光電変換層と、裏面電極とを有する太陽電池等が挙げられる。図４は、本実施形態の太陽電池の一例を示す断面図である。太陽電池３０は、積層体３１０と、光電変換層３１と、裏面電極３２とを含む。積層体３１０は、基材１１と、アンダーコート層１２と、透明電極３３を含む。即ち、積層体３１０として、前記凹凸構造を表面に有する基材１１と前記凹凸構造の表面に設けられた透明電極３３の両者を兼ねて積層体１０を用いることもできる。
また、凹凸構造を表面に有する基材１１として、上述の積層体１０を用いることができる。即ち、図５に示すように、太陽電池３０’は、積層体３１１と、透明電極３３と、光電変換層３１と、裏面電極３２とを含むよう構成されていてもよい。積層体３１１は、基材１１と、アンダーコート層１２と、無機膜１３を含む。
【０１０４】
本実施形態の積層体３１０を含む太陽電池３０及び積層体３１１を含む太陽電池３０’は、凹凸構造の周期が幅広い分布を有しかつ凹凸構造が不規則な方向に延びる構造（即ち、皺状の凹凸構造）を有するため、皺状の凹凸構造によって有効に回折又は散乱する。そのため、幅広い波長の光が太陽電池に取り込まれるだけではなく、回折又は散乱によって太陽電池に対して光が斜めから入射するようになり、太陽電池における光路長が長くなる。その結果、太陽電池の光閉じ込め効率が向上し、太陽電池の変換効率が向上する。
【０１０５】
基材１１の材料としては、光を透過できる材料であればよく、例えば、ガラス、ポリエステル系樹脂、アクリル系樹脂、カーボネート系樹脂、スチレン系樹脂、セルロース系樹脂、及びオレフィン系樹脂等が挙げられる。基材は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を積層してもよい。基材として、本実施形態の積層体１０の基材１１をそのまま用いることもできる。
【０１０６】
透明電極３３の材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯ、ＧＺＯ、ＡＺＯ、ＡＴＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、二酸化珪素等の金属酸化物；及び窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタン、窒化珪素等の金属窒化物が挙げられる。これらの導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。これらの導電性の金属酸化物、導電性の金属窒化物の中でも、導電性に優れることから、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化ジルコニウム、窒化インジウム、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化ジルコニウム、窒化チタンが好ましく、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化スズ、窒化インジウムがより好ましく、ＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化スズが更に好ましい。透明電極３３として、本実施形態の積層体１０の無機膜１３をそのまま用いることもできる。
【０１０７】
光電変換層３１は、薄膜半導体からなる層である。薄膜半導体としては、例えば、アモルファスシリコン系半導体、微結晶シリコン系半導体、化合物半導体（カルコパイライト系半導体、ＣｄＴｅ系半導体等）、及び有機系半導体等が挙げられる。
【０１０８】
裏面電極３２の材料としては、例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム等の金属薄膜；及びＩＴＯ、ＩＺＯ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ等の導電性の金属酸化物等が挙げられる。
【０１０９】
透明電極３３、光電変換層３１、裏面電極３２の積層方法としては、例えば、スパッタリング法、蒸着法、及びイオンプレーティング法等が挙げられる。各層の密着性を高めるため、積層前にＵＶオゾン処理、プラズマ処理、コロナ処理等の少なくとも１つの処理を施してもよい。また、含まれる溶存ガス、未反応モノマー等を除去するため、積層前に、凹凸基板の加熱処理、真空処理、加熱真空処理等の少なくとも１つの処理を施してもよい。
尚、透明電極３３、光電変換層３１、裏面電極３２の厚さは、段差・表面粗さ・微細形状測定装置によって測定できる。
【０１１０】
必要に応じて、太陽電池３０及び３０’の光入射面側の表面に保護用の樹脂層や、更に樹脂層の表面にバックシートを設けてもよい。
【実施例】
【０１１１】
以下、実施例により本発明の態様を具体的に説明するが、本発明の態様はこれらの実施例に限定されるものではない。
尚、実施例中の「部」及び「％」は、「質量部」及び「質量％」を示す。【０１１２】
（弾性率測定）
エキシマ洗浄（１７２ｎｍＵＶランプ、（株）エム・ディエキシマ製）を行ったガラス基材（商品名「イーグルＸＧ」、コーニング社製、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．７ｍｍ）上に、アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物を滴下（厚さ２００μｍ）した。ホットプレート上で６０℃で１０分加熱した後、紫外線を照射し（積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ２）、活性エネルギー線硬化性組成物を硬化した。
活性エネルギー線硬化性組成物を硬化したガラス基材を、微小硬さ試験機（機種名「フィッシャースコープＨＭ２０００」、フィッシャー社製）を用い、力の強さが５０ｍＮ／１０秒、クリープ時間が５秒の条件で、５箇所の弾性率を測定し、その平均値をアンダーコート層の材料の弾性率とした。【０１１３】
（表面形状測定）
実施例１〜２２に記載される積層体の表面形状は以下の方法で測定された。それぞれの積層体について、原子間力顕微鏡（機種名「ＶＮ−８０１０」、（株）キーエンス製、カンチレバーＤＦＭ／ＳＳモード）を用い、５０μｍ×５０μｍの範囲を５点測定した。
５０μｍ×５０μｍの範囲で測定した５点の全範囲を解析範囲として、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４の面粗さ計測に準拠し、５点の平均の算術平均面粗さＲａ、最大高さＲｙ、十点平均高さＲｚ、自乗平均面粗さＲＭＳを計算した。
５０μｍ×５０μｍの範囲で測定した５点について、ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４の線粗さ計測に準拠し、４５μｍ幅の測定線を引き、その４５μｍ幅の測定線を基軸として、その中心を回転中心として、１５°刻みに回転させ、回転角度ごとに基軸の測定線と同様に４５μｍ幅の測定線をひき、計１２本の測定線を計測する。その計１２本の測定線における凹凸平均間隔の５点における平均値Ｓｍを計算した。
表面形状測定は、実施例１〜２２で得られた積層体について行った。比較例１〜９で得られた積層体については、積層体の表面が平坦であるため表面形状測定が困難であった。【０１１４】
（抵抗値測定）
実施例１〜２２及び比較例１〜９に記載される積層体の無機膜の導電性は、抵抗率計（機種名「ロレスタＧＰ」、三菱化学アナリテック社製）と４探針プローブを用い、ＪＩＳ  Ｋ７１９４に準拠して測定した。
尚、１０回測定した平均値を抵抗値として用いた。【０１１５】
（表面形状解析）
実施例１〜２２に記載される積層体の表面形状の解析は、以下のように行われた。それぞれの積層体を、原子間力顕微鏡（機種名「ＶＮ−８０１０」、（株）キーエンス製、カンチレバーＤＦＭ／ＳＳモード）を用い、５０μｍ×５０μｍの範囲を５点撮影し、グレースケールの画像を得た。得られたグレースケールの画像全体をフーリエ変換し、画像を得た。得られた画像を、画像の中心から１０°おきに放射状に輝度値をプロットし、得られた３６個の輝度値のプロットについて、第１の６次の多項式近似曲線を作成した。得られた３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線のうち、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１において、何個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線について極大値が観測できるか確認した。
また、３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線を平均化した曲線において、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１における中心と輝度値の極大値との間で輝度値が極小値となる周波数を周波数Ａとし、輝度値が極大値の半値となる周波数の中で最大となる周波数を周波数Ｂとし、周波数Ａの逆数と周波数Ｂの逆数との差を算出した。
また、凹凸構造の平均ピッチは、３６個の輝度値の第１の６次の多項式近似曲線を平均化した第２の６次の多項式近似曲線において、周波数が０．２μｍ−１〜２００μｍ−１における極大値となる周波数の逆数とした。
更に、凹凸構造の凸部の平均高さは、原子間力顕微鏡にて撮影した画像から、断面図をプロファイルし、そのプロファイルした断面図の隣り合う凸部の頂点と凹部の底点の高低差を５箇所測定し、その平均値とした。【０１１６】
（光取り出し効率）
実施例２３、比較例１０、比較例１１で得られた面発光体（有機ＥＬ発光デバイス）の光取り出し効率は以下のように行われた。面発光体上に、直径１０ｍｍの穴の空いた厚さ０．１ｍｍの遮光シートを配置し、これを、積分球（ラブスフェア社製、大きさ６インチ）のサンプル開口部に配置した。この状態で、有機ＥＬ発光デバイス（面発光体）に１０ｍＡの電流を通電して点灯した時の、遮光シートの直径１０ｍｍの穴から出射する光を、分光計測器（分光器：機種名「ＰＭＡ−１２」（浜松ホトニクス（株）製）、ソフトウェア：ソフト名「ＰＭＡ用基本ソフトウェアＵ６０３９−０１ｖｅｒ．３．３．１」）にて測定し、標準視感度曲線による補正を行って、面発光体の光子数を算出した。
比較例１０で得られた面発光体の光子数を１００％としたときの、得られた面発光体の光子数の割合を、光取り出し効率とした。【０１１７】
［実施例１］
エキシマ洗浄（１７２ｎｍＵＶランプ、（株）エム・ディエキシマ製）を行ったガラス基材（商品名「イーグルＸＧ」、コーニング社製、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．７ｍｍ）上に、アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物としてウレタンアクリレート混合物（商品名「ダイヤビームＵＭ−８００２」、三菱レイヨン（株）製）をスピンコート（回転数５００ｒｐｍ、厚さ３μｍ）した。ウレタンアクリレート混合物がスピンコートされたガラス基材を、ホットプレート上で６０℃で１０分加熱した後、紫外線を照射し（積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ２）、活性エネルギー線硬化性組成物を硬化した。以上により、ガラス基材上にアンダーコート層を積層した。
次に、アンダーコート層上に、ＲＦスパッタ装置（機種名「ＳＶＣ−７００ＲＦ」、サンユー電子（株）製）を用い、ＩＴＯを２０ｎｍ積層し、積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表１に示す。【０１１８】
［実施例２〜６］
ＩＴＯの積層量を表１に示す厚さとした以外は、実施例１と同様の操作を行い、積層体を得た。ＩＴＯの厚さを４０ｎｍとした積層体を、実施例２とした。ＩＴＯの厚さを６０ｎｍとした積層体を、実施例３とした。ＩＴＯの厚さを８０ｎｍとした積層体を、実施例５とした。ＩＴＯの厚さを１００ｎｍとした積層体を、実施例６とした。
得られた積層体の表面形状等を、表１に示す。また、実施例５で得られた積層体の原子間力顕微鏡にて撮影した画像（５０μｍ×５０μｍ）を、図６に示す。【０１１９】
［比較例１］
エキシマ洗浄を行ったガラス基材上に、アンダーコート層を積層せずにＩＴＯを１００ｎｍ積層する以外は、実施例１と同様の操作を行ったが、表面に凹凸構造を有する積層体は得られなかった。
得られた積層体の抵抗値を、表１に示す。【０１２０】
［実施例７］
ポリエチレンテレフタレート樹脂基板（商品名「コスモシャインＡ４１００」、東洋紡績（株）製、厚さ１８８μｍ）上に、ＩＴＯを１００ｎｍ積層する以外は、実施例１と同様の操作を行い、積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表１に示す。【０１２１】
［実施例８〜９］
無機膜の材料をＩＺＯとし、無機膜の積層量を表１に示す厚さとした以外は、実施例１と同様の操作を行い、積層体を得た。ＩＺＯの厚さを５０ｎｍとした積層体を、実施例８とした。ＩＺＯの厚さを１００ｎｍとした積層体を、実施例９とした。
得られた積層体の表面形状等を、表１に示す。【０１２２】
［実施例１０〜１１］
アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物としてウレタンアクリレート混合物（商品名「ダイヤビームＵＭ−８００３−１」、三菱レイヨン（株）製）を厚さ８μｍになるよう積層し、無機膜の材料をＩＺＯとし、無機膜の積層量を表１に示す厚さとした以外は、実施例１と同様の操作を行い、積層体を得た。ＩＺＯの厚さを５０ｎｍとした積層体を、実施例１０とした。ＩＺＯの厚さを１００ｎｍとした積層体を、実施例１１とした。
得られた積層体の表面形状等を、表１に示す。また、実施例１０で得られた積層体の原子間力顕微鏡にて撮影した画像（５０μｍ×５０μｍ）を、図７に示す。【０１２３】
［比較例２］
エキシマ洗浄を行ったガラス基板上に、アンダーコート層を積層せずにＩＺＯを１００ｎｍ積層する以外は、実施例８と同様の操作を行ったが、表面に凹凸構造を有する積層体は得られなかった。
得られた積層体の抵抗値を、表１に示す。【０１２４】
［実施例１２〜１３］
無機膜の材料をＺｒＯ２（酸化ジルコニウム、サンユー電子（株）製）とし、無機膜の積層量を表１に示す厚さとした以外は、実施例１と同様の操作を行い、積層体を得た。ＺｒＯ２の厚さを５ｎｍとした積層体を、実施例１２とした。ＺｒＯ２の厚さを３６ｎｍとした積層体を、実施例１３とした。
得られた積層体の表面形状等を、表１に示す。また、実施例１２で得られた積層体の原子間力顕微鏡にて撮影した画像（５０μｍ×５０μｍ）を、図８に示す。【０１２５】
［比較例３］
エキシマ洗浄を行ったガラス基板上に、アンダーコート層を積層せずにＺｒＯ２を５ｎｍ積層する以外は、実施例１２と同様の操作を行ったが、表面に凹凸構造を有する積層体は得られなかった。
得られた積層体の抵抗値を、表１に示す。【０１２６】
［実施例１４］
無機膜の材料をＳｉＯ２（二酸化珪素、サンユー電子（株）製）とし、無機膜の積層量を表１に示す厚さとした以外は、実施例１と同様の操作を行い、凹凸基板を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表１に示す。【０１２７】
［比較例４］
エキシマ洗浄を行ったガラス基板上に、アンダーコート層を積層せずにＳｉＯ２を１０ｎｍ積層する以外は、実施例１４と同様の操作を行ったが、表面に凹凸構造を有する積層体は得られなかった。
得られた積層体の抵抗値を、表１に示す。【０１２８】
［実施例１５］
実施例１２で得られた積層体の無機膜上に、ＲＦスパッタ装置を用い、更にＩＴＯを１００ｎｍ積層し、２層の無機膜を積層した積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。また、得られた積層体の原子間力顕微鏡にて撮影した画像（５０μｍ×５０μｍ）を、図９に示す。【０１２９】
［実施例１６］
実施例１２で得られた積層体の無機膜上に、ＲＦスパッタ装置を用い、更にＩＴＯを２００ｎｍ積層し、２層の無機膜を積層した積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。【０１３０】
［比較例５］
比較例３で得られた基板の無機膜上に、ＲＦスパッタ装置を用い、更にＩＴＯを１００ｎｍ積層し、２層の無機膜を積層した積層体を得た。
得られた積層体の抵抗値を、表２に示す。【０１３１】
［比較例６］
比較例３で得られた基板の無機膜上に、ＲＦスパッタ装置を用い、更にＩＴＯを２００ｎｍ積層し、２層の無機膜を積層した積層体を得た。
得られた基板の抵抗値を、表２に示す。【０１３２】
［実施例１７］
実施例１４で得られた積層体の無機膜上に、ＲＦスパッタ装置を用い、更にＩＴＯを１００ｎｍ積層し、２層の無機膜を積層した積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。【０１３３】
［実施例１８］
実施例１４で得られた積層体の無機膜上に、ＲＦスパッタ装置を用い、更にＩＺＯを１００ｎｍ積層し、２層の無機膜を積層した積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。【０１３４】
［比較例７］
比較例４で得られた基板の無機膜上に、ＲＦスパッタ装置を用い、更にＩＴＯを１００ｎｍ積層し、２層の無機膜を積層した基板を得た。
得られた基板の抵抗値を表２に示す。【０１３５】
［比較例８］
比較例４で得られた基板の無機膜上に、ＲＦスパッタ装置を用い、更にＩＺＯを１００ｎｍ積層し、２層の無機膜を積層した基板を得た。
得られた基板の抵抗値を表２に示す。【０１３６】
［実施例１９］
アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物としてポリエチレングリコールジアクリレート（商品名「Ａ−２００」、新中村化学工業（株）製）を厚さ２μｍになるよう積層した以外は、実施例２と同様の操作を行い、積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。【０１３７】
［実施例２０］
アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物としてポリエチレングリコールジアクリレート（商品名「Ａ−４００」、新中村化学工業（株）製）を厚さ２μｍになるよう積層した以外は、実施例２と同様の操作を行い、積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。【０１３８】
［実施例２１］
アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物としてポリエチレングリコールジアクリレート（商品名「Ａ−１０００」、新中村化学工業（株）製）を厚さ２μｍになるよう積層した以外は、実施例２と同様の操作を行い、積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。また、得られた積層体の原子間力顕微鏡にて撮影した画像（５０μｍ×５０μｍ）を、図１６に示す。【０１３９】
［実施例２２］
アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物としてポリブチレングリコールジアクリレート（商品名「ＰＢＯＭ２０００」、三菱レイヨン（株）製）を厚さ２μｍになるよう積層した以外は、実施例２と同様の操作を行い、積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。また、得られた積層体の原子間力顕微鏡にて撮影した画像（５０μｍ×５０μｍ）を、図１０に示す。この原子間力顕微鏡にて撮影した画像をフーリエ変換して得られた画像を図１１に示す。【０１４０】
［比較例９］
２０ｃｍ×２０ｃｍの鏡面ステンレス板に、ブラスト装置（機種名「ＰＡＭ１０７」、（株）ニッチュー製）を用い、圧力０．３ＭＰａ、速度２０ｍｍ／秒、ピッチ２．５ｍｍ、供給量３０％の条件で、アルミナ粒子（商品名「Ａ４００Ｓ」）によりステンレス板上に加工を施し、金型を得た。
得られた金型に、アンダーコート層形成用の活性エネルギー線硬化性組成物としてポリエチレングリコールジアクリレート（商品名「Ａ−２００」、新中村化学工業（株）製）を滴下し、その上にエキシマ洗浄（１７２ｎｍＵＶランプ、（株）エム・ディエキシマ製）を行ったガラス基材（商品名「イーグルＸＧ」、コーニング社製、縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．７ｍｍ）を被せ、ハンドロールで押し広げた。ガラス越しに紫外線を照射し（積算光量１０００ｍＪ／ｃｍ２）、活性エネルギー線硬化性組成物を硬化し、金型から剥離して基材上にアンダーコート層を積層した。
次に、アンダーコート層上に、ＲＦスパッタ装置（機種名「ＳＶＣ−７００ＲＦ」、サンユー電子（株）製）を用い、ＩＴＯを１００ｎｍ積層し、積層体を得た。
得られた積層体の表面形状等を、表２に示す。また、得られた積層体の原子間力顕微鏡にて撮影した画像（５０μｍ×５０μｍ）を、図１７に示す。【０１４１】
【表１】
2014017425.tif 000003
【０１４２】
【表２】
2014017425.tif 000004
【０１４３】
表１及び表２中の略号は、以下の化合物等を示す。
樹脂Ａ：「ダイヤビームＵＭ−８００２」を紫外線硬化させた樹脂
樹脂Ｂ：「ダイヤビームＵＭ−８００３−１」を紫外線硬化させた樹脂
樹脂Ｃ：「Ａ−２００」を紫外線硬化させた樹脂
樹脂Ｄ：「Ａ−４００」を紫外線硬化させた樹脂
樹脂Ｅ：「Ａ−１０００」を紫外線硬化させた樹脂
樹脂Ｆ：「ＰＢＯＭ２０００」を紫外線硬化させた樹脂
ＩＴＯ：インジウム・スズ・オキサイド
ＩＺＯ：インジウム・亜鉛・オキサイド
ＺｒＯ２：ジルコニウム・オキサイド
ＳｉＯ２：二酸化珪素【０１４４】
［比較例１０］
２５ｍｍ×２５ｍｍのガラス基材（商品名「イーグルＸＧ」、コーニング社製）をスパッタ装置のチャンバ内にセットし、チャンバ内の圧力０．１Ｐａ、蒸着速度０．１ｎｍ／秒の条件で、ラインパターンを有するマスクを介してＩＴＯを厚さ１００ｎｍ蒸着し、ガラス基材上に第１電極を有する積層体を得た。成膜されたＩＴＯのラインの幅は２ｎｍであった。
得られた積層体をＵＶオゾン処理した後、真空蒸着装置のチャンバ内にセットし、チャンバ内の圧力１０−４Ｐａ、蒸着速度１．０ｎｍ／秒の条件で、ＩＴＯの上に、正孔輸送層であるＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを厚さ５０ｎｍ、発光層である４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ジフェニルにトリス（２−フェニルピリジン）イリジウムをドープしたものを厚さ２０ｎｍ、電子輸送層である２，２’，２’’−（１，３，５−ベンジントリル）−トリス（１−フェニル−１−１Ｈ−ベンジイミダゾール）を厚さ５０ｎｍで順次蒸着した。更に、電子輸送層上に、蒸着速度０．０５９ｎｍ／秒の条件で、電子注入層であるフッ化リチウムを厚さ０．７ｎｍで蒸着した。蒸着速度０．５ｎｍ／秒の条件で、ラインパターンを有するマスクを介して第２電極であるアルミニウムを厚さ１．５ｎｍ、銀を厚さ１００ｎｍで順次蒸着した。このとき、ラインパターンは、ＩＴＯと概略直交するように配置された。成膜された第２電極のラインの幅は２ｎｍであった。以上の工程により、ＥＬ素子を得た。ＥＬ素子の発光部は、第１電極と第２電極が重なり合う部分である。即ち、発光部の大きさは、２ｍｍ×２ｍｍである。
得られたＥＬ素子を、掘り込みガラスに入れ、エポキシ系封止剤（ナガセケムテック（株）製）で封止し、面発光体を得た。
得られた面発光体の光取出し効率を、表３に示す。【０１４５】
［実施例２３］
ガラス基材上に第１電極を有する積層体として実施例５で得られた積層体を用いた以外は、比較例１０と同様の操作を行い、面発光体を得た。
得られた面発光体の光取出し効率を、表３に示す。【０１４６】
［比較例１１］
ガラス基材上に第１電極を有する積層体として比較例９で得られた積層体を用いた以外は、比較例１０と同様の操作を行い、面発光体を得た。
得られた面発光体の光取出し効率を、表３に示す。【０１４７】
【表３】
2014017425.tif 000005
【０１４８】
実施例１〜２２では、表面に無機膜の凹凸構造を有し、１８個以上の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測される積層体を得ることができた。一方、比較例１〜８では、アンダーコート層を有していないため、表面に凹凸構造を有しない積層体を得た。また、比較例９では、表面に無機膜の凹凸構造を有するが、１７個以下の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測される積層体を得た。
実施例２３で得られた面発光体は、実施例５で得られた積層体を含むため、光取り出し効率に優れた。一方、比較例１０で得られた面発光体は、表面に凹凸構造を有しない積層体で構築されたため、光取り出し効率に劣った。また、比較例１１で得られた面発光体は、比較例９で得られた１７個以下の第１の６次の多項式近似曲線に極大値が観測される積層体で構築されたため、光取り出し効率に劣った。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
本発明の態様における積層体は、表面に導電性の無機膜を有し、表面に皺状の凹凸構造を有することから、多くの用途に用いられることが期待できるが、中でも光取り出し効率に優れ、広い範囲を均一に照射できる面発光体や光閉じ込め効率に優れた太陽電池に好適である。
【符号の説明】
【０１５０】
１０，２１０，２１１，３１０，３１１  積層体
１１  基材
１２  アンダーコート層
１３  無機膜
２０  面発光体
２１  発光層
２２  第２電極
２３  第１電極
３０  太陽電池
３１  光電変換層
３２  裏面電極
３３  透明電極
【図１】
2014017425.tif 000006
【図２】
2014017425.tif 000007
【図３】
2014017425.tif 000008
【図４】
2014017425.tif 000009
【図５】
2014017425.tif 000010
【図１２】
2014017425.tif 000011
【図１３】
2014017425.tif 000012
【図１４】
2014017425.tif 000013
【図１５】
2014017425.tif 000014
【図６】
2014017425.tif 000015
【図７】
2014017425.tif 000016
【図８】
2014017425.tif 000017
【図９】
2014017425.tif 000018
【図１０】
2014017425.tif 000019
【図１１】
2014017425.tif 000020
【図１６】
2014017425.tif 000021
【図１７】
2014017425.tif 000022
【国際調査報告】
2014017425.tif 000023
2014017425.tif 000024
2014017425.tif 000025
2014017425.tif 000026