【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月21日(2015.5.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（３０）にマイクロ構造またはナノ構造の被着物を転写するソフトリソグラフィ用装置（１００）であって、前記装置は、
−転写によって被着を実現できる構造面（３１、１３１）を、その片面に備えるエラストマからなる第１層（３、１３）と、
−前記第１層（３、１３）の前記構造面（３１、１３１）に対向する面（３２、１３２）に密接した状態の、エラストマからなる第２層（２、１２）であって、軟強磁性材料から成る粒子を分散させたエラストマからなる前記第２層（２、１２）と
から成る可撓性スタンプ（１、１０）を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第２層（２、１２）中に分散した軟強磁性粒子の大きさを、１０μｍ〜２００μｍとすることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記可撓性スタンプ（１、１０）の前記第２層（２、１２）における軟強磁性粒子の割合を、５０質量％〜９５質量％とすることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記可撓性スタンプ（１、１０）の前記第１層（３、１３）と前記第２層（２、１２）を形成する前記エラストマを、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）とすることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記可撓性スタンプ（１、１０）を把持し、被着できる磁気把持および被着手段（２０、２２０）を備えることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記基板（３０）の下に配置する磁場発生装置（４０）と、前記可撓性スタンプ（１、１０）の前記基板への押圧力を開始し、調整するために前記磁場発生装置（４０）を制御する制御手段とを備えることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記磁場発生装置（４０）と前記基板（３０）との間に配置した電極（５０）と、前記電極（５０）と前記可撓性スタンプ（１、１０）の前記第２層（２、１２）との間での静電容量の変化を測定できる手段とを備えることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記磁場発生装置（４０）を磁石とし、前記制御手段により、前記磁石と前記可撓性スタンプ（１、１０）との間の距離を制御することを特徴とする、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記磁場発生装置（４０）がソレノイドを備え、前記制御手段により、前記ソレノイドの電源の電流または電圧を制御することを特徴とする、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記磁気把持および被着手段（２２０）を、３方向の直交軸に従い前記磁気把持および被着手段（２２０）を移動できるクロススライドのキャリッジ（２０１、２０２、２０３）によって支持し、インキングタンク（１５０）と基板取付部（１４０、１４１、１４２、１４３、１４４）を備えた際に、前記クロススライドのキャリッジにより、前記磁気把持および被着手段（２２０）を前記インキングタンクと前記基板取付部との間で移動可能にすることを特徴とする、請求項５または６に記載の装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の前記装置を用いて実施するソフトリソグラフィ法であって、前記ソフトリソグラフィ法は、
−前記可撓性スタンプ（１、１０）を磁気把持および被着手段（２２０）で取るステップと、
−前記可撓性スタンプ（１、１０）をインキングタンク（１５０）上に移動させて、前記可撓性スタンプ（１、１０）のマイクロまたはナノ構造面（３２、１３２）を、前記インキングタンクの内容物と接触させるステップと、
−前記可撓性スタンプ（１、１０）を前記インキングタンクから取出すステップと、
−前記可撓性スタンプ（１、１０）を基板（３０）上に搬送するステップと、
−前記可撓性スタンプ（１、１０）を、前記磁気把持および被着手段（２２０）から解放するステップと、
−前記基板（３０）の下に配置した磁場発生装置（４０）を作動させて、前記可撓性スタンプ（１、１０）を前記基板（３０）に均一に押印するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】ソフトリソグラフィ装置および方法
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性スタンプを使用して、顕微鏡観察用ガラス板等の基板上に分子を構造的に被着させる、ソフトスタンピングリソグラフィ装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ソフトスタンピングリソグラフィ法については、可撓性のエラストマ製スタンプを使用して、「インキング（ｉｎｋｉｎｇ）」および「スタンピング（ｓｔａｍｐｉｎｇ）」によって、分子を構造的に被着可能にして、基板上にスタンプ面のパターンを複製する先行技術から知られている。こうした方法は例えば、同出願人の文献である特許文献１／特許文献２に記載されている。
【０００３】
この種の方法を用いた、接触による分子転写の質は、スタンピング動作中の基板へのスタンプの圧力の均一性や、基板面と合わせるスタンピング動作の性能に、強く影響される。マイクロ構造分子パターンまたはナノ構造分子パターンの被着に関しては、均一な加圧が、巨視的スケールと微視的スケールの両方で望ましく、印刷品質は、表面の凹凸に影響を受け易く、凹凸の程度は、表面の粗度パラメタまたは波形パラメタの範囲内か、より正確にはＩＳＯ２５１７８規格に準拠するＳ−Ｌ表面で示される凹凸の範囲内としている。スタンプの可撓性が高いと、基板面の形状と合わせる性能に関して有利だが、上記表面に対して均等に押圧する目的の力をスタンプに加えること、特に機械的手段を介してこのような力をスタンプと接触させて伝達することに関しては、不利である。そのために、従来技術の解決方法では、ガス圧または真空を用いる押圧装置を採用している。かかる押圧装置では、スタンプと上記押圧装置との間で気密性を実現させる必要がある。このような装置は複雑なため、スタンプを自動的に変更させたり、その結果この技術によって複雑な被着を完全に自動化し生産的に実現させたりするのは、困難である。
【０００４】
したがって、本発明は、スタンプを自動的に変更させる性能を有する一方で、スタンピング動作中にスタンプを基板に押圧するための均一で制御した圧力を印加することで、高質な転写を提供するソフトリソグラフィ装置を目的とする。
【０００５】
本発明の分野以外の、文字または図面をスタンピングするのに使用するスタンプに関する分野では、特許文献３が、印刷面と呼ばれる構造面をその片面に備え、エラストマ層で該印刷面に対向する面を被覆し、該層に強磁性ワイヤを備えるスタンプについて、記載している。これらの強磁性ワイヤにより、上記スタンプを磁気効果で、把持取付部と呼ばれる取付部に連結可能にして、スタンプを押印し、印刷を実行する。したがって、単一の把持取付部を、この構造を有するスタンプセット全体に使用できる。この文献がマイクロ構造またはナノ構造の被着を実現するスタンプに関するものではないという点に限らず、このスタンプに用いる技術は、本発明でカバーする技術的課題を解決するには全く有効ではない。実際、ワイヤを強磁性にすることで、スタンプを把持取付部に結合可能にし、その後基板への圧力を機械的に印加するが、これでは均一な圧力を所望のスケールでは得られない。
【０００６】
特許文献４では、光ディスクを押圧するための金型または「スタンパ」を刻印し、それ自体が金属製の上記金型を、上記刻印動作中に適切な位置に磁気的に維持させる方法について、記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】欧州特許公開第２０３６６０４号明細書
【特許文献２】米国特許公開第２００９／０８７０１９号明細書
【特許文献３】米国特許第６９２０８２５号明細書
【特許文献４】特開２００１−３３８４４５号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
従来技術の欠点を改善するために、本発明では、基板にマイクロ構造またはナノ構造の被着を実現できる可撓性スタンプを備える、転写によるソフトリソグラフィ用装置であって、該可撓性スタンプが、
−転写によって被着を実現できる構造面を、その片面に備えるエラストマからなる第１層と、
−該第１層の構造面に対向する面に密接した状態のエラストマからなる第２層であって、軟強磁性材料から成る粒子を分散させたエラストマから成る第２層と
から成る装置を提案する。
【０００９】
軟強磁性粒子を存在させることで、適切な磁場を印加して、均一な圧力をスタンプに印加できる。これらの粒子の作用を、強磁性粒子を充填した層の容積全体に行渡らせる。この圧力を、いかなる接触も、機械式アクチュエータも、流体もなく、スタンプに印加する。そのため、スタンプは、最も良好に基板面の形状を取れるように可撓性を留めることができる。柔軟性のある強磁性粒子は、該粒子が受ける磁場が作用しなくなると、磁化し続けない。可撓性スタンプの層に軟強磁性粒子を含むことで、該層を磁化および消磁させるこのような性能により、スタンプを電磁石で厳格な制約なしに容易に扱うことができ、そのため極めて可撓性がありおよび／または複雑な形状のスタンプを含む、スタンプを容易に変更できる。
【００１０】
本発明を、以下で説明するように、複数の有利な実施形態で実行してもよく、これらの実施形態は夫々個別の実施形態と見なせると共に、該実施形態の効果的な技術的組合せの一部とも見なすことができる。
【００１１】
有利には、軟強磁性粒子の大きさを１０μｍ〜２００μｍとする。粒子を微細にすることで、目標とするスケールで基板に確実にスタンプを均一に加圧することが可能になる。本文献中では、１μｍは１０−６メーターに相当する。
【００１２】
第２層中の粒子の割合を、有利には、５０質量％〜９５質量％とする。該粒子を微細にすることで、スタンプの可撓性を損なわずに、このような高レベルに達することができる。
【００１３】
スタンプの第１層と第２層を形成するエラストマを、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）とする。同材料にすることで、スタンプの成分としての使用に適した機械特性を確保しながら、軟強磁性粒子を高質量濃度にできる。スタンプは連続する２成形で作製し、該成形は、粒子を注入せずに被着の構造化パターンを備える第１層を、成形し部分的に架橋する第１ステップと、次に第１層の上に、予め混合した強磁性粒子を備える第２層を成形するステップから成る。粒子を微細にした結果、粒子がスタンプの重合に支障を来たさず、該重合中、該粒子は懸濁したまま、第２層に均等に分布した状態となる。
【００１４】
有利には、本装置は、スタンプを自動的に変更可能にするために、柔軟なスタンプを把持し被着できる磁気操作手段を備える。
【００１５】
本装置は、有利には、基板の下に配置した磁場発生装置と、基板へのスタンプの押圧力を開始し調整するために該発生装置を制御する手段を備える。磁場発生装置を基板の下に配置することで、特許文献１あるいは特許文献２に記載したように、マクロスタンプを使用し、該マクロスタンプが軟強磁性粒子を含む層を備える場合でも、スタンプの基板面への最適な押圧効果を得られる。
【００１６】
基板の下に配置する磁場発生装置の種類およびその制御モードは、基板の性質、厚さ、表面や、使用するスタンプの性質に応じて選択する。
【００１７】
特定の一実施形態によると、磁場発生装置を磁石とし、制御手段により、該磁石とスタンプとの間の距離を制御する。該磁石を、永久磁石、電磁石またはソレノイドで構成してもよく、電磁石またはソレノイドについては固定した電圧およびアンペア数の電流で通電する。
【００１８】
別の実施形態によると、磁場発生装置はソレノイドを備え、制御手段により、上記ソレノイドの電源のアンペア数または電圧を制御する。
【００１９】
特に有利な実施形態によると、本装置は、磁場発生装置と基板との間に配置した電極と、該電極とスタンプの第２層との間の静電容量の変化を測定できる手段とを備える。この特徴により、スタンプの基板への押圧力をリアルタイムで測定でき、磁場発生装置をそれに従い制御できる。この制御の容易さは、スタンプに強磁性粒子を存在させることでもたらされ、これによりスタンプの導電率が高まり、その結果、この種の測定が、基本的に非導電性高分子で構成したスタンプを用いても可能になる。
【００２０】
したがって、本発明による装置を完全に自動化でき、磁気把持および被着手段を、該手段を３直交軸に従って移動できるクロススライドのキャリッジによって支持する。インキングタンクと基板取付部を本装置に加えることで、クロススライドのキャリッジにより、磁気把持および被着手段をインキングタンクと基板取付部との間で移動できる。
【００２１】
有利には、本装置は、基板に被着する異なる製品を収容する複数のインキングタンクを備えることができる。スタンプを変更する性能により、スタンプ洗浄動作を介入せずに、異なる製品を被着するための異なるスタンプを有することができ、その結果、ソフトリソグラフィ動作の生産性を大いに高めることができる。
【００２２】
これに関連して、また、本発明は、本発明による装置を用いて実施する有利に最適化したソフトリソグラフィ法にも関し、該ソフトリソグラフィ法は、
−スタンプを磁気把持および被着手段で取るステップと、
−スタンプをインキングタンク上に移動させて、スタンプの構造面をインキングタンクの内容物と接触させるステップと、
−スタンプをインキングタンクから取出すステップと、
−スタンプを基板上に搬送するステップと、
−スタンプを磁気把持および被着手段から解放するステップと、
−基板の下に配置した磁場発生装置を作動させて、スタンプを基板に均一に押印するステップと
を備える。
【００２３】
次に、本発明について、図１〜図７で示した好適な非限定的実施形態と関連させて、更に詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】正面から見たソフトリソグラフィ用スタンプの断面図である。
【図２】正面から見たソフトリソグラフィ用マクロスタンプの断面図である。
【図３】スタンプと基板の組立体、およびスタンプを移送し印刷するために基板に押印可能にする要素の正面断面図である。
【図４】自動ソフトリソグラフィ装置の上面斜視図である。
【図５】マクロスタンプとその把持手段を備える、上述した装置の細部を、右側斜視図で示す。
【図６Ａ】スタンプを基板に押印する一つのステップを示す正面断面図である。
【図６Ｂ】スタンプを基板に押印する他のステップの正面断面図である。
【図６Ｃ】スタンプを基板に押印するもうひとつのステップの正面断面図であり、該スタンプへの押圧力が高過ぎるステップである。
【図７】スタンプの第２層と基板下に配置した電極との間に挟んだコンデンサの容量における変化を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１：ソフトリソグラフィ・スタンプ１の実施形態によると、該スタンプ１は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）製で、その厚さに応じて、第１層３を備え、該第１層３は、印刷面３１と呼ばれる、基板上に転写することにより被着を実現できるマイクロ構造面またはナノ構造面と、第１と実質上平行で対向する第２面３２とを備える。また、第２面３２に沿って第１層３に密接する第２層２もＰＤＭＳ製とし、ＰＤＭＳに、フェライト粒子、即ち、酸化鉄（ＩＩＩ）（Ｆｅ２Ｏ３）、マンガン、亜鉛を主成分とするセラミック等の軟強磁性粒子を充填する。或いは、酸化を防止する可能性のある純鉄粒子、ＳｕｐｅｒＭａｌｌｏｙ（登録商標）等の鉄−ニッケル−モリブデン合金製または鉄−シリコン製の粒子、および一般的に任意の軟強磁性材料、即ち磁場の作用下で磁化され、当該磁場を受けなくなると、残留磁気が存在しなくなる軟強磁性材料を使用できる。また軟強磁性材料は低透磁性を示す。したがって軟強磁性材料は、
−磁場に対する反応、および特にスタンプから基板への磁気吸着力を発生させる可能性、
−同様の磁気吸着装置を様々なスタンプに対して、同程度に均一な圧力性能で使用するのに十分な低透磁性、
−磁気刺激および同刺激の停止に対する迅速な反応、その結果高インク転写率を可能にすること、
−格納中にスタンプが金属粉塵等の汚染物質を吸着しないように、使用後に残留磁気が存在しない状態にすること、
に対して良好に折衷させたものを提供する。
【００２６】
これらの粒子を、直径１０μｍ〜２００μｍの実質上球体とする。
【００２７】
図２：マクロスタンプ１０の実施形態によると、該マクロスタンプは、複数のスタンプ１３を備え、マクロスタンプ本体１２と密接した状態の、其々印刷面１３１と対向する面１３２を備える。好適には、スタンプ１３をＰＤＭＳ製とする。本体１２を、軟強磁性粒子を５０重量％〜９５重量％充填したＰＤＭＳ製とする。軟強磁性粒子の透磁性と、これらの強磁性粒子を備える層に残留磁気を無くすことにより、異なるスタンプ間で磁気が相互作用する問題が生じることなく、マクロスタンプにおいて各スタンプの結合が可能になる。
【００２８】
これらの実施形態によるスタンプまたはマクロスタンプを製造する原理は実質上同じである。マイクロまたはナノ構造パターンを備え、強磁性粒子を含まない層３、１３を成形する第１ステップを、実行する。この成形ステップに続いて、例えば上記層を１５分間６０°Ｃで予備硬化させて、部分的に架橋させる。その後、強磁性粒子を含む層２、１２を第１層上に被覆成形する。次にこれら２層を共硬化させる。第１の部分的架橋により、強磁性粒子で充填した層を被覆成形中に２層が混合するのを防止する一方で、その後の共硬化ステップ中に１つの層が別の層に接着する性能を維持する。
【００２９】
強磁性粒子を存在させることで、該粒子を含む層２、１２が磁場に対して敏感に反応可能になり、この特性がスタンプの操作に使用可能になる。
【００３０】
また、これらの粒子の存在により、層の導電率が変化し、電気抵抗が数万オームにまで減少する。
【００３１】
これらの特性の変化を利用して、ソフトリソグラフィ法を自動化する。
【００３２】
図３：実施例によると、強磁性層２、１２の存在により、磁場を生成できるコイルまたはソレノイド２０を備える装置でスタンプ１またはマクロスタンプ１０を把持できる。上記コイルを電流で通電すると、磁場が生成され、該磁場によりスタンプ１またはマクロスタンプ１０が吸着可能になり、スタンプがコイル２０に付いた時点で移動可能になる。スタンプ１を基板３０、例えばガラススライドに押印するには、コイルへの電力を切断する。基板３０の下に配置した、磁場を発生させる装置４０は、スタンプまたはマクロスタンプを吸着して、上記基板に押圧する傾向があり、その結果強制的にスタンプを上記基板面に合わせる。スタンプ１を基板３０に押印する力を、磁場発生装置４０の性質に応じて異なるモードで制御できる。非限定的な例としては、
−磁場発生装置４０が永久磁石を備えることができることにより、押圧力の調整を、磁石を移動させるか、スタンプを移動させるかして、スタンプ１と磁石との間の距離によって実現する。
−上記装置４０が、コイルまたはソレノイドでも具現化できることにより、押圧力の調整をコイルの電源の強度または電圧を変化させて実現する。
−上記装置４０が、電磁石、即ち磁石を囲むソレノイドでも具現化できることにより、押圧力の調整を、ソレノイドの電源の電流強度、および／またはスタンプと電磁石との間の距離を調整して実現する。
【００３３】
当該力の調整を、スタンプ１と基板との間の有効接触領域で制御できる。この接触領域を予測するために、有利には、電極５０を磁場発生装置４０と基板３０との間に配置する。強磁性粒子で充填した層２、１２の導電率を活用して、スタンプ１と基板３０との間に存在する絶縁部である空気の量を表す静電容量の変動を測定でき、その量は、スタンプと基板との間の有効接触領域に比例する。この測定では、磁場が影響を及ぼしていないことを利点にできる。
【００３４】
図６：磁場発生装置と基板３０との間に配置した電極５０は、強磁性粒子で充填したスタンプの第２層２、１２と、これら２つを分離する誘電空間とで、コンデンサを形成する。空間の厚さによって影響を受ける、このコンデンサの静電容量における変動またはこのコンデンサを含む電気回路の静電容量における変動測定することで、スタンプ１、１０の基板３０への押圧力の信号特性が得られる。
【００３５】
図６Ａ：したがって、スタンプ１が基板に接触していない状態では、基板の下に配置した電極５０と第２層２によって形成したコンデンサの静電容量は低くなる。図６Ｂ：２電極間の距離が縮まると、静電容量は増加し、プラトーに達する。
【００３６】
図７では、基板へのスタンプの押圧力４００による上記コンデンサの静電容量５００における変化６００を示している。静電容量が第１プラトー６１０に達すると、当該静電容量は実験的にスタンプ１またはマクロスタンプ１０の基板３０への最適押圧力に相当する。
【００３７】
図６Ｃ：押圧力が過大になった場合は、スタンプが圧潰状態となり、コンデンサの静電容量が大幅に増加しスタンプ１が基板に完全に圧潰した状態に相当するプラトーまで増大する。
【００３８】
図７：静電容量の変化における第２プラトー６２０は、スタンプの圧潰状態に相当する。
【００３９】
したがって、電極５０と第２層とで形成したコンデンサの静電容量変化を追跡することで、この静電容量の変化で測定した第１プラトー６１０に相当する最適な押圧力を得るように、磁場発生装置を制御できる。
【００４０】
図４：自動ソフトリソグラフィ装置１００の実施形態によると、該装置はテーブル１２０を備え、該テーブル上には、ガントリ２００を支持するガイド１２５、１２６を固定する。上記ガントリを、動力化手段３００によって、上記ガイド１２５、１２６から分かるように長手方向軸に沿ってテーブル１２０に対して並進移動可能とする。ガントリは、スタンプまたはマクロスタンプ１０用の磁気把持および被着装置２２０を支持し、これにより該装置をガントリ２００と共にテーブル１２０に対して長手方向に移動できる。テーブルの長手方向軸に沿って、テーブルは、スタンピングによる被着に必要な様々な動作に対応する５つのステーションを支持する。
【００４１】
第１ステーション１１０は、スタンプまたはマクロスタンプの格納領域に相当する。磁気把持および被着装置２２０によって、異なるスタンプを使用でき、且つこれらのスタンプを自動的に変更できる。
【００４２】
第２ステーション１４０は、例えば、スライド等の基板を受容可能な被着領域とする。このステーションは、有利には、上記スライドの下に配置した電磁石を備えて、スタンピング中に、確実にスタンプまたはマクロスタンプが基板面へ均一に加圧できるようにする。
【００４３】
第３ステーション１６０は、送風によりスタンプまたはマクロスタンプを乾燥する領域とする。
【００４４】
第４ステーション１５０を、「インキングステーション」として知られるステーションとする。該ステーションは、基板に被着する溶液または分子を収容する複数のタンクを備える。タンクの１つには、スタンプまたはマクロスタンプを洗浄する溶液を収容してもよい。
【００４５】
第５ステーション１４１、１４２、１４３、１４４は、構造化した被着を受けるための他の基板を備える。この実施例では、このステーションは最大４枚のスライドを収容できる。別の実施形態によると、このステーションと関連する磁場発生装置を、永久磁石で構成する。
【００４６】
図５：ガントリ２００は、ガイド１２５、１２６上に載置するクロスメンバ２０３を含む。ガントリは、案内要素２０４と動力化要素２０５とを支持し、該要素によりクロススライドと呼ばれるキャリッジ２０２を、上記クロスメンバ２０３に平行に、即ちテーブル１２０の長手方向と垂直に、横断線として知られる方向に、移動可能にする。
【００４７】
クロススライド２０２は、長手方向および横断方向に直交する、鉛直方向として知られる一方向に延在する案内要素２０７と、磁気把持および被着装置２２０を支持する、鉛直方向として知られるキャリッジ２０１の移動を可能にする動力化要素２０６を支持する。
【００４８】
磁気把持装置を、３つのソレノイド２２１で構成し、該ソレノイドを電流で通電すると、次のステーションまでマクロスタンプ１０またはスタンプを担持できる。
【００４９】
或いは、該把持装置を、電流で通電しなくてもスタンプを担持できる磁場を発生させる３個の電磁石で構成してもよい。この実施例では、電磁石のソレノイドに給電することで、スタンプを解放できる。この実施形態は、有利には、極めて可撓性で軽量なスタンプに対して使用する。より重いスタンプまたはマクロスタンプに関しては、ソレノイドを反転給電することで、吸着力を増大できる。
【００５０】
したがって、スタンプ１またはマクロスタンプ１０を取った後に、本装置はまず、タンクの１つに浸漬するインキングステーション１５０にスタンプまたはマクロスタンプを搬送する。インキングを、タンクの１つにスタンプを浸漬して行う。有利には、磁気把持装置により、ソレノイドの電源を浸漬中に変調させて、インキングの均一性を強化するために、スタンプを溶液槽内で揺動可能にする。
【００５１】
磁気把持および被着手段２２０に取着したスタンプを、次に乾燥領域１３０の上まで搬送する。その後、スタンプをスライドの１枚等に押印する。或いは、スタンプをスタンピング動作毎に変更できる。
【００５２】
以上の説明で、本発明の様々な特徴や効果を通して、本発明が目指す目的に到達することを明確に示している。特に、本発明により、基板表面へのソフトリソグラフィ・スタンプまたはマクロスタンプの印加圧力を、簡単に効率的に制御でき、自動的スタンプ変更を組み込むことで、ソフトリソグラフィ法の自動化を促進する。本発明は、特にバイオチップの製造に適している。
【符号の説明】
【００５３】
１  （ソフトリソグラフィ・）スタンプ
２ 第２層
３ 第１層
１０  （マクロ）スタンプ
１２  マクロスタンプ本体／第２層
１３ 第１層／スタンプ
２０  コイルまたはソレノイド（磁気手段）
３０  基板
３１、１３１  構造面（印刷面）
３２  マイクロ又はナノ構造面（第２面）
４０  磁場発生装置
５０  電極
１００  （自動）ソフトリソグラフィ装置
１１０  第１ステーション（格納領域）
１２０  テーブル
１２５、１２６  ガイド
１３０  乾燥領域
１３２  面
１４０  第２ステーション（基板取付部）
１４１、１４２、１４３、１４４  第５ステーション（基板取付部）
１５０  第４ステーション（インキングタンク）
１６０  第３ステーション
２００  ガントリ
２０１、２０２  （クロススライドの）キャリッジ
２０３  クロスメンバ（キャリッジ）
２０４、２０７  案内要素
２０５、２０６  動力化要素
２２０  磁気把持および被着装置（磁気把持および被着手段）
２２１  ソレノイド（磁気手段）
３００  動力化手段
４００  押圧力
５００  静電容量
６００  変化
６１０  第１プラトー
６２０  第２プラトー