(57)【要約】【課題】反射率が高く、加熱前後においても反射率が変化しづらく、かつ軟化しにくい銀反射膜とそれを用いた光反射部材を、低コストで、生産性良く提供すること；さらに、めっき法によって、耐熱性の良い、めっき銀反射膜と導電性基材とを有する光反射部材を提供すること。【解決手段】銀または銀合金からなる銀反射膜であって、前記銀反射膜の表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が存在する銀反射膜；および、この銀反射膜と導電性基材とからなる光反射部材とその製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀または銀合金からなる銀反射膜であって、
前記銀反射膜の表面に、
前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、
且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が存在することを特徴とする銀反射膜。
【請求項２】
前記銀反射膜表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上あることを特徴とする請求項１に記載の銀反射膜。
【請求項３】
前記銀反射膜表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さが０．４μｍ／μｍ２以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の銀反射膜。
【請求項４】
導電性基材に請求項１〜３のいずれか１項に記載の銀反射膜を被膜としたことを特徴とする光反射部材。
【請求項５】
前記導電性基材の表面粗度Ｒｙが０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の光反射部材。
【請求項６】
前記導電性基材と前記銀反射膜の間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層が設けられたことを特徴とする請求項４又は５に記載の光反射部材。
【請求項７】
導電性基材にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜とする光反射部材の製造方法であって、
前記めっき処理中に前記基材を揺動させることを特徴とする、光反射部材の製造方法。
【請求項８】
前記導電性基材にめっき処理を施すことにより、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を設け、
前記中間層にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜する、請求項７に記載の光反射部材の製造方法。
【請求項９】
振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで揺動させることを特徴とする、請求項７又は８に記載の光反射部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銀または銀合金からなる銀反射膜と、それを被膜とするリードフレーム等の光反射部材、およびこの光反射部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
銀反射膜は可視光域における反射率が高い特性を有するため、ＬＥＤ用のリードフレームなどの光反射部材（以下、反射部材ともいう。）に広く使用されている。リードフレームなどに使用される銀反射膜は、基材にめっきやスパッタリングを行い形成されていることが多い。【０００３】
例えば特許文献１に記載の技術ではスパッタリングにより銀合金反射膜を形成している。スパッタリングは高い均一性を有する膜を形成できるメリットはあるが、製造コストが高く、生産性は低い。この特許文献１には加熱環境下においても表面平滑性に優れ、高い反射率を示すリフレクター用銀合金反射膜に関する技術が記載されている。この方法において、成膜方法はスパッタリングであり、表面粗さはＲａ＝２．０ｎｍ以下である。【０００４】
特許文献２には可視光低波長側での反射率が高く、かつ耐久性に優れた可視光反射部材に関する技術が記載されている。このものは基板に成形した銀薄膜と前記銀薄膜上に形成した窒化珪素保護膜からなる反射部材であり、銀薄膜は（１１１）面、或いは（２００）面を主要な面方位とする。【０００５】
特許文献３には最表面の結晶粒径が０．５μｍ以上３０μｍ以下の範囲内にあり、銀めっき層が１μｍ以上の膜厚を有し、下地材料が銅により形成され、下地材料の表面粗さが０．５μｍ以上であり、波長４００ｎｍの光に対する反射率が９０％以上である銀反射膜に関する技術が記載されている。【０００６】
ところで、銀反射膜をリードフレーム等の光反射部材に用いる際の重要な問題点の一つとして銀反射膜の耐熱性の問題が挙げられる。銀反射膜は高い反射率を示すが、熱により反射率が変化してしまうという難点がある。例えば、リードフレーム等の光反射部材において、ＬＥＤ用基板に銀反射膜を使用する際には半田付けやワイヤーボンディングなどの加熱環境にさらされる。そのため耐熱性は重要な物性の一つであるといえる。しかし、銀反射膜の熱履歴と反射率の関係は複雑であり、未だに明確な機構は解明されていない上、一般的には加熱により反射率が下がる傾向が見られている。したがって、加熱前後においても良好な反射率を示す銀反射膜の開発が望まれている。さらに近年では、銀反射膜は常温時効によって軟化してしまうことも課題として挙がっている。従って、銀反射膜の硬さが経時変化しにくいことも要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−０２９８４９号公報
【特許文献２】特開２００７−０５８１９４号公報
【特許文献３】特許第４３６７４５７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は、反射率が高く、加熱前後においても反射率が変化しづらく、また常温で軟化しにくい銀反射膜を提供することを課題とする。そして、この銀反射膜を被膜として用いた光反射部材を提供することを課題とする。また、このような銀反射膜および光反射部材を低コストで、生産性良く提供することを課題とする。さらに、本発明は、めっき法によって、耐熱性の良いめっき銀反射膜と導電性基材とを有する光反射部材、およびその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記背景技術の問題に鑑み鋭意検討を進めた結果、銀反射膜の銀結晶の配向方向を（１００）配向を主とし、面内に（２２１）配向を示す領域を存在させることにより耐熱性が向上すること等を見出した。さらにこれらの課題の解決を、スパッタリングではなくめっき法で行うことができることを見出した。
本発明は、これらの知見に基づき完成するに至ったものである。【００１０】
すなわち、本発明によれば、以下の手段が提供される。
＜１＞銀または銀合金からなる銀反射膜であって、前記銀反射膜の表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が存在することを特徴とする銀反射膜。
＜２＞前記銀反射膜表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上あることを特徴とする＜１＞に記載の銀反射膜。
＜３＞前記銀反射膜表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さが０．４μｍ／μｍ２以上であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の銀反射膜。
＜４＞導電性基材に＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の銀反射膜を被膜としたことを特徴とする光反射部材。
＜５＞前記導電性基材の表面粗度Ｒｙが０．５μｍ以下であることを特徴とする＜４＞に記載の光反射部材。
＜６＞前記導電性基材と前記銀反射膜の間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層が設けられたことを特徴とする＜４＞又は＜５＞に記載の光反射部材。
＜７＞導電性基材にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜とする光反射部材の製造方法であって、前記めっき処理中に前記基材を揺動させることを特徴とする、光反射部材の製造方法。
＜８＞前記導電性基材にめっき処理を施すことにより、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を設け、前記中間層にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜する、＜７＞に記載の光反射部材の製造方法。
＜９＞振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで揺動させることを特徴とする、＜７＞又は＜８＞に記載の光反射部材の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の銀反射膜は、３００〜８００ｎｍの波長帯で良好な反射率を示し、特に４５０〜６００ｎｍの帯域では９０％以上の反射率を有する。さらに本発明の銀反射膜は、２００℃で２時間の加熱後においても同様に、４５０〜６００ｎｍの帯域で９０％以上の反射率を維持することができ耐熱性に優れる。この銀反射膜は、電気めっきによって、比較的低コストで生産性良く提供することができる。そして、本発明は、めっき法によって、耐熱性の良いめっき銀反射膜と導電性基材とを有する光反射部材およびＬＥＤ用基板を提供することができる。【００１２】
本発明の上記及び他の特徴及び利点は、下記の記載からより明らかになるであろう。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の銀反射膜は、導電性基材上の最表面に、銀または銀合金からなるめっき層として形成された、かつ、反射率が高められた反射層を有する光反射部材を与える。
【００１４】
（銀反射膜および光反射部材）
本発明の銀反射膜および光反射部材における反射層に用いられる銀または銀合金は、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−ロジウム合金、銀−ルテニウム合金、銀−金合金、銀−パラジウム合金、銀−ニッケル合金、銀−セレン合金、銀−アンチモン合金、及び銀−白金合金からなる群から選ばれた材料からなる。上述した中でも特に、銀、銀−錫合金、銀−インジウム合金、銀−パラジウム合金、銀−セレン合金、または銀−アンチモン合金が反射率向上の観点から、より好ましい。このような銀または銀合金を銀反射膜に用いることにより、反射率が良好で生産性の良い銀反射膜と、この銀反射膜を有してなるリードフレームおよびＬＥＤ用基板などの光反射部材とが得られる。
【００１５】
また、本発明の光反射部材においては、銀または銀合金からなる反射層の厚さ（銀反射膜の厚さ）に関して特に限定されるものではない。この反射層の厚さは、例えば下限値は０．５μｍ以上とすることにより、反射率を安定して高めることができる。また、この反射層厚とすることで、半導体装置用リードフレームとする場合、後工程であるワイヤーボンドや樹脂またはガラスでの封止などでの加熱による劣化を抑えることができる。もし、反射層の厚さが薄すぎる場合（例えば、０．１μｍ）には、加熱による変色が発生する導電性基材が露出しやすくなる。このため、加熱や加工による変色をより安定して防止するには、反射層の厚さは好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上である。一方、該反射層の厚さの上限値は、貴金属である銀の削減やめっき加工費の抑制などの観点から、好ましくは３０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、さらに好ましくは５μｍ以下である。
【００１６】
この光反射部材において、銀または銀合金めっきで可視光域において高反射率を示す銀反射膜を達成するためには、平滑な基材と光沢剤を使用し、めっき条件を適正に制御することで、反射層の表面の集合組織の配向性に規則性を持たせることによって、より高反射率化することができる。
平滑な基材とは、表面粗度でＲｙ＝０．５μｍ以下の特性を有するものをいう。導電性基材表面の表面粗度Ｒｙは、好ましくは０．３μｍ以下である。導電性基材表面の表面粗度Ｒｙの下限値には、特に制限はないが、通常０．０５μｍ以上である。
ここで、表面粗度Ｒｙとは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：１９９４で規定されていた最大高さをいい、これは、現在の規格ではＪＩＳ  Ｂ０６０１：２０１３で規定する輪郭曲線要素の高さＺｔに相当するものである。
光沢剤としては、めっき処理で用いられる通常の光沢剤、例えば亜セレン酸、セレノシアン酸カリウムなどのＳｅ系の光沢剤や安定剤、界面活性剤などを用いることができる。光沢剤の添加量は、好ましくは１０〜３０ｍｌ／Ｌである。
めっき条件の詳細については後述する。
【００１７】
さらに本発明の光反射部材によれば、近紫外域である波長３４０〜４００ｎｍだけでなく、可視光域である波長４００〜８００ｎｍにおいても、銀の反射率の物理的理論値に近い値にすることが出来る。
【００１８】
また、本発明の光反射部材における銀または銀合金からなる反射層（銀反射膜）は、少なくとも光の反射に寄与する部分（つまり、例えばリードフレームや光半導体装置においては、少なくとも光半導体素子が発する光を反射する領域）の最表面に形成されていればよい。他の部分においては、反射層を設けても設けなくてもよく、また反射層以外の層が形成されていても、反射率の点からは特に問題はない。
【００１９】
また、本発明の光反射部材の、導電性基材の材料について特に制限するものではないが、例えば銅もしくは銅合金、鉄もしくは鉄合金、またはアルミニウムもしくはアルミニウム合金を用いることができる。導電性基材としてこれらの材料とすることで、反射率特性がよくかつ反射層や中間層の皮膜を形成するのが容易であり、コストダウンにも寄与できる光反射部材（つまり、ＬＥＤ用基板、さらにはリードフレーム）が提供できる。また、これらの金属または合金を導電性基材とするリードフレームは放熱特性に優れており、発光体が発光する際に発生する熱エネルギーを、リードフレームを介してスムーズに外部に放出することができ、発光素子の長寿命化及び長期にわたる反射率特性の安定化が見込まれる。これは、導電性基材の導電率に依存するものであり、少なくともＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ａｎｎｅａｌｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｓｔａｎｄａｒｄ）で１０％以上あるものが好ましく、５０％以上であるものがさらに好ましい。
【００２０】
また、本発明の光反射部材を用いた光反射部材（例えば、リードフレーム）には、導電性基材と銀または銀合金からなる反射層との間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を設けてもよい。中間層は、例えばめっきにより好適に形成される。
【００２１】
例えば、鉄系の導電性基材を用いた場合は材料の熱伝導度が比較的低いため、中間層として銅または銅合金層を設けることにより、反射率を損なうことなく放熱性を向上させることができる。さらに、前記中間層としての銅または銅合金層であるめっき層は、めっき密着性の向上にも寄与するため発光素子が発光する際の発熱による密着性の劣化を防止できる。
銅または銅合金を導電性基材として用いた場合は、発光素子が発光する際の発熱による導電性基材成分の反射層への拡散を抑制するために、中間層としてニッケル、ニッケル合金、コバルト、またはコバルト合金の中間層を設けることが有効である。
これらの中間層の厚さは、本発明においては特に限定されるものではないが、好ましくは０．０２５〜２．０μｍ、さらに好ましくは０．２〜１．０μｍの範囲が好ましい。
また、リードフレームにおいて導電性基材と反射層の密着性を高めるためには、中間層を構成する材質として銅または銅合金を用いることが好ましい。さらには、銅（Ｃｕ）めっき後にニッケル（Ｎｉ）めっきを施す等して、２層からなる中間層を反射層の下地としても良い。
上記の中間層の適用については、ＬＥＤ用基板の場合も同様である。
【００２２】
（結晶方位解析）
本発明における反射層（銀反射膜）の結晶方位の解析には、ＥＢＳＤ法を用いる。ＥＢＳＤとは、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ＢａｃｋＳｃａｔｔｅｒ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ（電子後方散乱回折）の略で、走査電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）内で試料に電子線を照射したときに生じる反射電子菊池線回折（菊池パターン）を利用した結晶方位解析技術のことである。本発明においては、結晶粒を２００個以上含む、８０μｍ×２００μｍの試料面積に対し、０．２μｍのステップでスキャンし、方位を解析する。なお、電子線は走査電子顕微鏡のＷフィラメントからの熱電子を発生源とする。ＥＢＳＤ法の測定装置としては、（株）ＴＳＬソリューションズ製  ＯＩＭ５．０（商品名）を用いる。
【００２３】
本発明では、銀反射膜の表面に、銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上存在する。且つ、銀反射膜の表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が存在する。（１００）面が配向した領域は、５０％以上であり、好ましくは６０％以上である。この値は９０％以下が好ましい。
【００２４】
本明細書において、「銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域」とは、銀反射膜の反射面表面において、銀または銀合金母相の結晶の＜１００＞方向が、反射面の法線方向を向いている領域を指す。すなわち、反射膜表面に銀または銀合金の（１００）面が向いている領域を指す。なお、±１５°以内のずれ（反射面表面の法線方向と＜１００＞方向との交差角度が１５°以内）は許容する。このような領域が、銀反射膜の反射面表面全体に一定割合で存在する。なお、領域の割合の計算は、便宜的にＥＢＳＤ法による測定領域を簡易的にこの「領域」として評価する。先述の通り、８０μｍ×２００μｍを最小の単位領域として計算する。
【００２５】
本発明において、このように反射膜の結晶配向を制御すると、反射率が高い銀膜が得られることを見出した。これは銀膜の（１００）配向が５０％以上あることで表面の平滑性が従来よりも高められているためだと考えられる。
【００２６】
また、本発明では、銀反射膜の表面に、銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上存在することが好ましい。更に好ましくは２０％以上である。この値の上限は制限されるものではないが、３０％以下である。
【００２７】
そして、本発明においては、銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が存在することを特徴とする。これによって、加熱がなされた場合でも、銀反射膜の反射面の法線方向に（２２１）面が配向した結晶が、（１００）面が配向した結晶粒の再結晶や粗大化を防ぐことにより、耐熱性が向上する。これは、銀反射膜の常温時効による軟化を防止する効果もあると考えられる。
【００２８】
（対応粒界Σ３）
さらに、本発明における反射層（銀反射膜）は、銀反射膜表面に、銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さが、０．４μｍ／μｍ２以上であることが好ましく、０．５μｍ／μｍ２以上であることがさらに好ましい。この値の上限値には、特に制限はないが、通常２．０μｍ／μｍ２以下である。
ここで対応粒界とは、幾何学的に整合性の高い特殊な粒界であり、対応格子点密度の逆数として定義されるΣ値が小さい程、この整合性がより高いことを意味する。この内、対応粒界Σ３は、粒界での規則性の乱れが小さく粒界エネルギーが低いことで知られる。特に、組織内に応力緩和を促進する欠陥が少ないために、耐熱性により優れている。なお、対応粒界Σ３は双晶としても知られている。
【００２９】
対応粒界Σ３は、反射面の法線方向に（１００）が配向した結晶と、反射面の法線方向に（２２１）面が配向した結晶との粒界に相当する。すなわち、対応粒界Σ３が一定量存在するということは、（１００）面配向の結晶粒と（２２１）面配向の結晶粒とが接している領域が一定量存在することを意味している。先に説明した通り、本発明においては、（２２１）面配向の存在が（１００）面配向の結晶粒の再結晶及び／または粗大化の防止をするため、これらの結晶粒が接しているのが好ましい。これを定量的に捉えるため、対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さの総量が一つの指標となる。
【００３０】
対応粒界Σ３の解析には、ＥＤＡＸ  ＴＳＬ社製のソフト「Ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ  Ｉｍａｇｉｎｇ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ  ｖ５」（商品名）を用い、ＣＳＬ（Ｃｏｉｎｃｉｄｅｎｃｅ  Ｓｉｔｅ  Ｌａｔｔｉｃｅ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）解析によって行う。対応粒界Σ３は、例えば、隣り合う粒が＜１１１＞の回転軸をもとに６０°の回転角の関係を有する粒界である。従って、該ソフトを用いて、隣接する粒界の方位関係から対応粒界Σ３に該当する粒界を解析する。そして、測定範囲における圧延面の全粒界長と対応粒界Σ３を測定し、（対応粒界Σ３の長さ）／（全粒界長）×１００（％）を対応粒界Σ３の割合（百分率）と定義する。なお、該ソフトを用いた測定において、隣り合うピクセルが１５°以上の傾き（ずれ）を有する場合を結晶粒界として判断している。
【００３１】
（硬さ）
本発明の光反射部材の銀反射膜中には、（１００）面配向の結晶粒と（２２１）面配向の結晶粒とが接している領域が一定量存在するため、銀反射膜の銀あるいは銀合金が常温時効によって軟化しにくい。これは（１００）面配向の結晶粒の再結晶及び／または粗大化の防止に基づくものと考えられる。本発明の光反射部材の銀反射膜の硬さは、ヌープ硬さ（Ｈｋ）で１００Ｈｋ以上が好ましい。より好ましくは１０５Ｈｋ以上であり、さらに好ましくは１１０Ｈｋ以上である。また、常温時効による軟化がしにくいことの目安として、３０日（３０日×２４時間）経過後の硬さの変化率が、ヌープ硬さの変化率で１５％以下が好ましい。より好ましくは１０％以下であり、さらに好ましくは８％以下である。
ここで、ヌープ硬さの変化率は、[｛初期ヌープ硬さ（Ｈｋ）−３０日経過後ヌープ硬さ（Ｈｋ）｝／初期ヌープ硬さ（Ｈｋ）]×１００（％）で表わされる。
【００３２】
（製造方法）
本発明の光反射部材の製造方法を説明する。
本発明の光反射部材は、導電性基材にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜（反射層）を皮膜として形成することで製造することができる。ここで、前記めっき処理中に前記基材を揺動させると良い。揺動の条件は、振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで導電性基材あるいはめっき液自体を揺動させることが好ましい。揺動の条件は、振幅２〜８ｍｍ、振動周期２０〜８０Ｈｚで導電性基材を揺動させることがさらに好ましい。銀または銀合金めっき浴には、前記光沢剤を添加することが好ましい。
さらに、本発明の光反射部材は、その一実施態様として、前記導電性基材にめっき処理を施すことにより、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を前記基材上に設け、前記中間層に銀または銀合金めっき処理を施すことによって、前記銀または銀合金からなる銀反射膜を中間層上の皮膜として設けることで製造してもよい。
【００３３】
本発明において、結晶方位の制御は、めっき中に基材等を揺動することで行う。本発明者らは、基材あるいはめっき液を振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで揺動させながら銀または銀合金めっきを行うことで、反射層（銀反射膜）の結晶方位を適正に制御し易いことを見出した。振幅とのバランスでもあるが、振動周期が高すぎると基材と電極間が近づきすぎることでめっき厚が不均一になると共に（１００）面配向の割合も減少して反射率低下につながる。また、めっき液の飛散などの危険性もあるため、揺動は上記の範囲内で操業することが望ましい。揺動の振動周期が低すぎると、（１００）面および（２２１）面配向のハンドリングが難しく、充分な制御ができないことがある。
【００３４】
なお、本発明において反射率に優れる、あるいは、高反射率とは、分光光度計（例えば、Ｖ６６０（商品名、日本分光（株）製））において、硫酸バリウム標準板を１００％とした時の全反射率を紫外域から可視光域の波長３００ｎｍ〜８００ｎｍにかけて連続測定した場合に、可視光域の短波長端（近紫外域の長波長端）の波長４００ｎｍでの反射率が８５％以上、可視光域の波長４５０ｎｍでの反射率が９０％以上、波長６００ｎｍにおいては９０％以上であることをいう。反射率の上限値には、特に制限はないが、通常１００％以下である。
【実施例】
【００３５】
以下に、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。【００３６】
導電性基材としては表面粗さＲｙが０．５μｍ以下の金属基板を用意し、Ａｇめっき液にはセレン系の光沢剤を使用してめっきを行った。前記導電性基材上には密着性や耐熱性を向上させるために下地めっきとして、ＣｕめっきやＮｉめっきなどを行っても良い。また、以下の実施例は光反射部材を得るものであるが、基材から適切な方法で銀膜部位を切り離すことで、銀反射膜を得ることができる。【００３７】
［実施例１］
実施例１では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．２μｍの銅合金Ｃ１８０４５を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（ユミコアジャパン製）濃度２２ｍｌ／Ｌ、温度３０℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅２ｍｍ、振動周期２０Ｈｚの条件で７０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例１の光反射部材を得た。【００３８】
［実施例２］
実施例２では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．３μｍの銅合金Ｃ１８０４５を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で５０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例２の光反射部材を得た。【００３９】
［実施例３］
実施例３では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．２μｍの銅合金Ｃ１８０４５を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅３ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で５０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例３の反射部材を得た。【００４０】
［実施例４］
実施例４では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．５μｍの銅合金Ｃ１４４１０を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期４０Ｈｚの条件で５０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例４の反射部材を得た。【００４１】
［実施例５］
実施例５では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．３μｍの銅合金Ｃ１４４１０を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期４０Ｈｚの条件で５０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例５の反射部材を得た。【００４２】
［実施例６］
実施例６では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．２μｍの銅合金Ｃ１８０４５を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを０．０２５μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で５０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例６の反射部材を得た。【００４３】
［実施例７］
実施例７では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．２μｍの銅合金Ｃ１８０４５を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを０．２μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で９秒間電気めっき処理を施すことで、層厚０．５μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例７の反射部材を得た。【００４４】
［実施例８］
実施例８では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．２μｍの銅合金Ｃ１８０４５を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを０．２μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で１７秒間電気めっき処理を施すことで、層厚１μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例８の反射部材を得た。【００４５】
［実施例９］
実施例９では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．２μｍの銅合金Ｃ１８０４５を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で１７秒間電気めっき処理を施すことで、層厚１μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例９の反射部材を得た。【００４６】
［実施例１０］
実施例１０では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．３μｍの銅合金Ｃ１４４１０を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを０．２μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で２５秒間電気めっき処理を施すことで、層厚２μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、実施例１０の反射部材を得た。【００４７】
［実施例１１］
実施例１１では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．２μｍの銅合金Ｃ１８０４５を使用した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数１０００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で５０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を導電性基材上に形成し、実施例１１の反射部材を得た。【００４８】
［比較例１］
比較例１では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．６μｍの銅合金Ｃ１９２１０を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤（メタロー製）濃度２０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数５００ｒｐｍの条件で５０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、比較例１の光反射部材を得た。【００４９】
［比較例２］
比較例２では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．７μｍの銅合金Ｃ１９４００を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度６０ｇ／Ｌ、光沢剤濃度０ｍｌ／Ｌ（使用せず）、温度２５℃、電流密度６Ａ／ｄｍ２、攪拌数５００ｒｐｍ、振幅５ｍｍ、振動周期６０Ｈｚの条件で５０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、比較例２の光反射部材を得た。【００５０】
［従来例１］
従来例１では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．７μｍの銅合金Ｃ１９４００を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度３２ｇ／Ｌ、光沢剤（ＥＥＪＡ製）濃度１０ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度１Ａ／ｄｍ２、攪拌数２００ｒｐｍの条件で３０６秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、従来例１の光反射部材を得た。【００５１】
［従来例２］
従来例２では、導電性基材として表面粗さＲｙが０．７μｍの銅合金Ｃ１９４００を使用し、導電性基材上に中間層としてＮｉめっきを１．０μｍの膜厚で形成した。
銀めっきとして、銀濃度３６ｇ／Ｌ、光沢剤（メルテックス製）濃度１５ｍｌ／Ｌ、温度２５℃、電流密度２Ａ／ｄｍ２、攪拌数２００ｒｐｍの条件で１８０秒間電気めっき処理を施すことで、層厚３μｍの銀反射膜を中間層上に形成し、従来例２の光反射部材を得た。【００５２】
［評価］
各測定の結果は表１の状態「ＡＳ」欄に示した。
前記のように作製された反射部材において、分光光度計（日本分光製、Ｖ−６６０（商品名））を使用して全反射率の連続測定を３００ｎｍ〜８００ｎｍまで行った。各反射部材における反射率の値を表１に示した。実施例１〜１１では可視光域において高い反射率を有しており、４００ｎｍではいずれも８５％以上、４５０ｎｍと６００ｎｍではいずれも９０％以上であった。特に実施例１〜３における４５０ｎｍと６００ｎｍでの反射率はいずれも９５％以上を示していた。一方、比較例１〜２、従来例１〜２における４００ｎｍでの反射率はいずれも８５％未満、４５０ｎｍでの反射率はいずれも８４〜８７％程度であり、各実施例と比べて低い値を示した。【００５３】
また、前記反射部材について電子線後方散乱回折（ＥＢＳＤ）を行い、表面（つまり銀反射膜の表面）の銀反射膜における結晶方位を観察した。実施例１〜１１では、反射部材表面の法線方向において（１００）配向を主としており、つまり、反射面の法線方向と＜１００＞方向とが略平行となった結晶の割合が特定の視野で５０％以上であった。且つ（１００）配向内に双晶である（２２１）配向が多数存在しており、つまり、対応粒界Σ３長さの測定面積に対する比（対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さ）が０．４μｍ／μｍ２以上であった。一方、例えば、比較例１では、（１００）配向が多いが、その領域の割合は５０％未満であり、かつ、（１００）配向内の双晶は実施例１〜１１に比べて少なかった。また、従来例１では特定の配向依存性は観察されず、結晶粒は小さかった。
前記反射部材において、ＥＢＳＤパターンより得られた（１００）配向の割合、また（１００）面の双晶である（２２１）面の割合を表１に示した。（１００）配向の割合は、例えば、実施例１では８２％、実施例２では５３％、比較例１では４７％、従来例１では１８％を示しており、波長４５０ｎｍにおける反射率が大きいほど（１００）配向の割合が多い傾向が見られた。【００５４】
［加熱処理と加熱処理後の評価］
実施例１〜１１、比較例１および２ならびに従来例１および２の各反射部材を恒温槽により２００℃で２時間大気加熱し、反射率とＥＢＳＤ測定を上記と同様に行った。各測定の結果は表１の状態「２００℃＿２ｈｒ」欄に併せて示した。
実施例１〜１１ではいずれも加熱前と比較してほぼ同等の高い反射率を示していた。これに対して、比較例１〜２、従来例１〜２では、いずれも加熱前の反射率よりも低下した。例えば、比較例１では加熱前と比較して反射率が低下し、４００ｎｍでの加熱後の反射率は８０％未満と加熱前より５％程低い値を示していた。また、従来例１における４００ｎｍでの加熱後の反射率は７４％程度と低い値を示した。【００５５】
ＥＢＳＤ測定より、実施例１〜１１では、加熱前と同様に（１００）配向を主としており、且つ（１００）配向内の双晶の割合は加熱前より若干小さくなっていたか、あるいは、むしろ大きくなっていたものもあった。比較例１では、（１００）配向が加熱前に多かったが、加熱後は特定の配向依存性は観察されなかった。従来例１では結晶粒の粗大化が顕著に見られたものの、特定の配向依存性は観察されなかった。【００５６】
また、前記反射部材の加熱前後において、ＥＢＳＤパターンより得られた（１００）配向の割合と（１００）配向と接する対応粒界Σ３密度を表１に示した。表１より、対応粒界Σ３密度が大きいほど耐熱性が高い傾向を示した。このことから、（１００）配向に対応粒界Σ３が存在することで加熱による（１００）配向の再結晶が抑制され、加熱後も高い反射率を有していると考えられる。【００５７】
［硬さの評価］
実施例１〜１１、比較例１および２ならびに従来例１および２の各光反射部材の銀反射膜の硬さをヌープ硬さ（Ｈｋ）によって評価した。評価は、ＪＩＳ  Ｚ  ２２５１に準じて、荷重１０ｇｆで荷重保持時間１５秒の条件で測定した。硬さは、初期状態の硬さと３０日後（３０日×２４時間後）の硬さを評価し、表１の状態「ＡＳ」欄に示した。また、実施例１〜１１、比較例１および２ならびに従来例１および２の各光反射部材を恒温槽により２００℃で２時間大気加熱し、冷却した後の状態（初期状態）の硬さとその状態から３０日後の硬さを同様に試験、評価して、表１の状態「２００℃＿２ｈｒ」欄に併せて示した。
実施例１〜１１では、いずれもほぼ初期硬さと同等の硬さを示していた。これに対して、比較例１〜２、従来例１〜２では、硬さが低下した。なお、加熱試験（２００℃、２ｈｒ）を施したものについては、大きな変化は見られなかった。【００５８】
【表１】
2014054817.tif 000002
【００５９】
本発明をその実施態様とともに説明したが、我々は特に指定しない限り我々の発明を説明のどの細部においても限定しようとするものではなく、添付の請求の範囲に示した発明の精神と範囲に反することなく幅広く解釈されるべきであると考える。【００６０】
本願は、２０１２年１０月５日に日本国で特許出願された特願２０１２−２２３４２５に基づく優先権を主張するものであり、これはここに参照してその内容を本明細書の記載の一部として取り込む。
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月18日(2014.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀または銀合金からなる銀反射膜であって、
前記銀反射膜の表面に、
前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、
且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が存在することを特徴とする銀反射膜。
【請求項２】
前記銀反射膜表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上あることを特徴とする請求項１に記載の銀反射膜。
【請求項３】
前記銀反射膜表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さが０．４μｍ／μｍ２以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の銀反射膜。
【請求項４】
導電性基材に請求項１〜３のいずれか１項に記載の銀反射膜を被膜としたことを特徴とする光反射部材。
【請求項５】
前記導電性基材の表面粗度Ｒｙが０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の光反射部材。
【請求項６】
前記導電性基材と前記銀反射膜の間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層が設けられたことを特徴とする請求項４又は５に記載の光反射部材。
【請求項７】
導電性基材にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の光反射部材を製造する方法であって、
前記めっき処理中に前記基材を振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで揺動させることを特徴とする、光反射部材の製造方法。
【請求項８】
前記導電性基材にめっき処理を施すことにより、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を設け、
前記中間層にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜する、請求項７に記載の光反射部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明によれば、以下の手段が提供される。
＜１＞銀または銀合金からなる銀反射膜であって、前記銀反射膜の表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が存在することを特徴とする銀反射膜。
＜２＞前記銀反射膜表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上あることを特徴とする＜１＞に記載の銀反射膜。
＜３＞前記銀反射膜表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さが０．４μｍ／μｍ２以上であることを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の銀反射膜。
＜４＞導電性基材に＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の銀反射膜を被膜としたことを特徴とする光反射部材。
＜５＞前記導電性基材の表面粗度Ｒｙが０．５μｍ以下であることを特徴とする＜４＞に記載の光反射部材。
＜６＞前記導電性基材と前記銀反射膜の間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層が設けられたことを特徴とする＜４＞又は＜５＞に記載の光反射部材。
＜７＞導電性基材にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜とする＜４＞〜＜６＞のいずれか１項に記載の光反射部材を製造する方法であって、前記めっき処理中に前記基材を振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで揺動させることを特徴とする、光反射部材の製造方法。
＜８＞前記導電性基材にめっき処理を施すことにより、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を設け、前記中間層にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜する、＜７＞に記載の光反射部材の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（製造方法）
本発明の光反射部材の製造方法を説明する。
本発明の光反射部材は、導電性基材にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜（反射層）を皮膜として形成することで製造することができる。ここで、前記めっき処理中に前記基材を揺動させると良い。揺動の条件は、振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで導電性基材を揺動させる。また、導電性基材を搖動させることに加えて、この搖動条件でめっき液自体を揺動させてもよい。揺動の条件は、振幅２〜８ｍｍ、振動周期２０〜８０Ｈｚで導電性基材を揺動させることが好ましい。銀または銀合金めっき浴には、前記光沢剤を添加することが好ましい。
さらに、本発明の光反射部材は、その一実施態様として、前記導電性基材にめっき処理を施すことにより、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を前記基材上に設け、前記中間層に銀または銀合金めっき処理を施すことによって、前記銀または銀合金からなる銀反射膜を中間層上の皮膜として設けることで製造してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明において、結晶方位の制御は、めっき中に基材を揺動することで行う。本発明者らは、基材を振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで揺動させながら銀または銀合金めっきを行うことで、反射層（銀反射膜）の結晶方位を適正に制御し易いことを見出した。振幅とのバランスでもあるが、振動周期が高すぎると基材と電極間が近づきすぎることでめっき厚が不均一になると共に（１００）面配向の割合も減少して反射率低下につながる。また、めっき液の飛散などの危険性もあるため、揺動は上記の範囲内で操業することが望ましい。揺動の振動周期が低すぎると、（１００）面および（２２１）面配向のハンドリングが難しく、充分な制御ができないことがある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀または銀合金からなる銀反射膜であって、
前記銀反射膜の表面に、
前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、
前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上存在し、
且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３を有する
ことを特徴とする銀反射膜。
【請求項２】
前記対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さが０．４μｍ／μｍ２以上であることを特徴とする請求項１に記載の銀反射膜。
【請求項３】
導電性基材に請求項１又は２に記載の銀反射膜を被膜としたことを特徴とする光反射部材。
【請求項４】
前記導電性基材の表面粗度Ｒｙが０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の光反射部材。
【請求項５】
前記導電性基材と前記銀反射膜の間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層が設けられたことを特徴とする請求項３又は４に記載の光反射部材。
【請求項６】
導電性基材にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜とする請求項３〜５のいずれか１項に記載の光反射部材を製造する方法であって、
前記めっき処理中に前記基材を振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで揺動させることを特徴とする、光反射部材の製造方法。
【請求項７】
前記導電性基材にめっき処理を施すことにより、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を設け、
前記中間層にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜とする、請求項６に記載の光反射部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明者らは、上記背景技術の問題に鑑み鋭意検討を進めた結果、銀反射膜の銀結晶の配向方向を（１００）配向を主とし、面内に（２２１）配向を示す領域を特定の割合で存在させ、且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３を有することにより耐熱性が向上すること等を見出した。さらにこれらの課題の解決を、スパッタリングではなくめっき法で行うことができることを見出した。
本発明は、これらの知見に基づき完成するに至ったものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明によれば、以下の手段が提供される。
＜１＞銀または銀合金からなる銀反射膜であって、前記銀反射膜の表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上存在し、且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３を有することを特徴とする銀反射膜。
＜２＞前記対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さが０．４μｍ／μｍ２以上であることを特徴とする＜１＞に記載の銀反射膜。
＜３＞導電性基材に＜１＞又は＜２＞に記載の銀反射膜を被膜としたことを特徴とする光反射部材。
＜４＞前記導電性基材の表面粗度Ｒｙが０．５μｍ以下であることを特徴とする＜３＞に記載の光反射部材。
＜５＞前記導電性基材と前記銀反射膜の間に、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層が設けられたことを特徴とする＜３＞又は＜４＞に記載の光反射部材。
＜６＞導電性基材にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜とする＜３＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の光反射部材を製造する方法であって、前記めっき処理中に前記基材を振幅１〜１０ｍｍ、振動周期１０〜１００Ｈｚで揺動させることを特徴とする、光反射部材の製造方法。
＜７＞前記導電性基材にめっき処理を施すことにより、ニッケル、ニッケル合金、コバルト、コバルト合金、銅、および銅合金からなる群から選ばれた金属または合金からなる少なくとも１層の中間層を設け、前記中間層にめっき処理を施すことにより、銀または銀合金からなる銀反射膜を皮膜とする、＜６＞に記載の光反射部材の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明では、銀反射膜の表面に、銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上存在する。且つ、銀反射膜の表面に、前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上存在する。（１００）面が配向した領域は、５０％以上であり、好ましくは６０％以上である。この値は９０％以下が好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明では、銀反射膜の表面に、銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上存在し、好ましくは２０％以上である。この値の上限は制限されるものではないが、３０％以下である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
そして、本発明においては、銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）面が配向した領域が５０％以上あり、且つ前記銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（２２１）面が配向した領域が１０％以上存在することを特徴とする。これによって、加熱がなされた場合でも、銀反射膜の反射面の法線方向に（２２１）面が配向した結晶が、（１００）面が配向した結晶粒の再結晶や粗大化を防ぐことにより、耐熱性が向上する。これは、銀反射膜の常温時効による軟化を防止する効果もあると考えられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（対応粒界Σ３）
さらに、本発明における反射層（銀反射膜）は、銀反射膜表面に、銀反射膜の反射面の法線方向に前記銀反射膜の結晶の（１００）配向に接する対応粒界Σ３を有することが好ましい。前記対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さが、０．４μｍ／μｍ２以上であることが好ましく、０．５μｍ／μｍ２以上であることがさらに好ましい。この値の上限値には、特に制限はないが、通常２．０μｍ／μｍ２以下である。
ここで対応粒界とは、幾何学的に整合性の高い特殊な粒界であり、対応格子点密度の逆数として定義されるΣ値が小さい程、この整合性がより高いことを意味する。この内、対応粒界Σ３は、粒界での規則性の乱れが小さく粒界エネルギーが低いことで知られる。特に、組織内に応力緩和を促進する欠陥が少ないために、耐熱性により優れている。なお、対応粒界Σ３は双晶としても知られている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
対応粒界Σ３は、反射面の法線方向に（１００）が配向した結晶と、反射面の法線方向に（２２１）面が配向した結晶との粒界に相当する。すなわち、対応粒界Σ３が一定量存在するということは、（１００）面配向の結晶粒と（２２１）面配向の結晶粒とが接している領域が一定量存在することを意味している。先に説明した通り、本発明においては、（２２１）面配向の存在が（１００）面配向の結晶粒の再結晶及び／または粗大化の防止をするため、これらの結晶粒が接している。これを定量的に捉えるため、対応粒界Σ３の単位面積当たりの長さの総量が一つの指標となる。
【国際調査報告】
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