(57)【要約】  従来のような金属配線の厚みの制約を受けない、導通抵抗の低い金属配線を有する、電力損失の小さい、すなわち金属配線の厚みが１ｍｍ以上となっても高い熱的信頼性を維持できる構造を有する大電流対応の多層基板を提供する。  多層基板１０は、内層部に複数の金属厚配線層３２、４２および５２を有する。金属厚配線層３２、４２および５２には、金属厚配線層と一体化して厚み方向に延びる金属柱配線３６ａ、３６ｂ、４６および５６がそれぞれ形成される。露出面が電子部品実装用端子として用いられる金属柱配線３６ａおよび４６の水平方向の断面は、それぞれ、その金属柱配線３６ａおよび４６に実装される電子部品の外形より大きい。金属厚配線層に形成された金属柱配線３６ａ、３６ｂ、４６および５６は、他の金属厚配線層に接触せずに貫通する。
2014021077.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属厚配線層の上下面に絶縁樹脂を有して多層化されている多層基板において、
内層部に複数の金属厚配線層を有し、
前記金属厚配線層には、前記金属厚配線層と一体化して厚み方向に延びる金属柱配線が形成され、
前記金属柱配線の頂上面は、多層基板の上部の表面に露出し、露出面が電子部品実装用端子またはワイヤーボンディング接合用端子として用いられ、
前記露出面が電子部品実装用端子として用いられる前記金属柱配線の水平方向の断面は、その金属柱配線に実装される電子部品の外形より大きく、
前記金属厚配線層に形成された前記金属柱配線は、他の金属厚配線層に接触せずに貫通する構造となっていることを特徴とする、多層基板。
【請求項２】
前記金属厚配線層から多層基板の側部の外側に延びて形成される突出部を有する、請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記金属厚配線層から多層基板の上部の表面に延びて形成される金属柱端子を有する、請求項１に記載の多層基板。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の多層基板、および
前記電子部品実装用端子として用いられる前記金属柱配線の露出面に実装され、その金属柱配線の水平方向の断面より小さい外形を有するパワーモジュール用電子部品を含む、パワーモジュール。
【請求項５】
前記パワーモジュール用電子部品は、パワートランジスタおよびパワーダイオードを含む、請求項４に記載のパワーモジュール。
【請求項６】
前記パワーモジュール用電子部品および前記ワイヤーボンディング接合用端子として用いられる前記金属柱配線にボンディングされるワイヤを含む、請求項４または請求項５に記載のパワーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、多層基板および多層基板を用いたパワーモジュールに関し、特にたとえば５０アンペア以上の大電流を処理する大容量パワー半導体などの電子部品を実装するための多層基板などに関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー機器の大電力容量化に伴い、電源を制御するためのスイッチング半導体や整流半導体などを実装するためのパワー半導体実装用基板には、電力損失を低減するために、低抵抗の配線形成が要求されている。低抵抗の配線を形成するためには、低比抵抗の金属を用い、配線断面積を大きくすればよい。
特許第２９１３２４７号公報（特許文献１）には、セラミック絶縁体に低抵抗の厚銅配線が一体形成されたスイッチングパワー半導体実装用基板が開示されている。図２２は、特許文献１に記載されている従来のスイッチングパワー半導体実装用基板１１０の模式的な断面図である。図２２の１０１は絶縁基板、１０２はスイッチングパワー半導体、１０３は金属配線、１０４は電極端子、１０５は接続ワイヤである。
絶縁基板１０１には、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミック基板が用いられている。金属配線１０３は、絶縁基板１０１に接合された銅（Ｃｕ）またはモリブデン（Ｍｏ）などからなる。スイッチングパワー半導体１０２は、金属配線１０３にロウ付けされている。接続ワイヤ１０５は、一般的にアルミニウム（Ａｌ）ワイヤが用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第２９１３２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている従来のスイッチングパワー半導体実装用基板１１０は、大電力用途であり、大きな電流が流れるため、金属配線１０３の導通抵抗をできる限り小さくして電力損失を低減し、ジュール熱の発生量を抑制する必要がある。よって、金属配線１０３には比抵抗の小さい金属を用い、かつその厚みを大きくしなければならない。
上記の観点から、金属配線１０３には、銅が用いられている。
しかし、絶縁基板１０１にアルミナや窒化アルミニウムが用いられるため、金属配線１０３の厚みを大きくできないという制約が生じる。この制約は、銅の熱膨張係数が１６〜１７ｐｐｍ／Ｋである一方、アルミナの熱膨張係数が７〜８ｐｐｍ／Ｋ、窒化アルミニウムの熱膨張係数が４〜５ｐｐｍ／Ｋであり、その熱膨張係数差から、これらのセラミック基板と銅を接合し冷却する過程で反りが生じたり、その接合界面が剥離したり、金属配線１０３が破断したりするためである。また、仮に接合できたとしても、スイッチングパワー半導体１０２からの発熱や金属配線１０３からの発熱による高温状態と、不使用時での冷却によるヒートサイクル下で接合界面が剥離したり、金属配線１０３が破断したりするという問題が生じる。このような問題から、アルミナや窒化アルミニウムを絶縁基板として用いる場合、これらの基板上に形成できる銅やアルミニウムなどの金属配線の厚みは０．５ｍｍが限界とされている。
さらに、スイッチングパワー半導体１０２がシリコン（Ｓｉ）半導体である場合、上述の高温状態は最高１５０℃を想定すればよいが、今後のパワー半導体として期待されているワイドバンドギャップ半導体であるシリコンカーバイト（ＳｉＣ）半導体への適用を考えると、上述の高温状態は最高２００〜３００℃を想定する必要があり、金属配線１０３の厚みに対する制約はより厳しいものとなる。ちなみに、上述の不使用時の冷却における想定温度は、寒冷地仕様として−４０℃を想定する必要がある。
なお、特許文献１では、絶縁基板（セラミック基板）１０１に、銅からなる金属配線１０３を接合する際に、その接合間に熱膨張係数が４〜５ｐｐｍ／Ｋのモリブデンを介在させている。このモリブデンは、絶縁基板（セラミック基板）１０１と金属配線１０３の熱膨張係数差により発生する熱応力を緩和させる目的であると解されるが、その効力は限定的であり、金属配線１０３の厚みに対する制約を根本的に解決する手段とはなりえない。【０００５】
それゆえに、この発明の主たる目的は、従来のような金属配線の厚みの制約を受けない、導通抵抗の低い金属配線を有する、電力損失の小さい、すなわち金属配線の厚みが１ｍｍ以上となっても高い熱的信頼性を維持できる構造を有する大電流対応の多層基板およびその多層基板を用いたパワーモジュールを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明にかかる多層基板は、金属厚配線層の上下面に絶縁樹脂を有して多層化されている多層基板において、内層部に複数の金属厚配線層を有し、金属厚配線層には、金属厚配線層と一体化して厚み方向に延びる金属柱配線が形成され、金属柱配線の頂上面は、多層基板の上部の表面に露出し、露出面が電子部品実装用端子またはワイヤーボンディング接合用端子として用いられ、露出面が電子部品実装用端子として用いられる金属柱配線の水平方向の断面は、その金属柱配線に実装される電子部品の外形より大きく、金属厚配線層に形成された金属柱配線は、他の金属厚配線層に接触せずに貫通する構造となっていることを特徴とする、多層基板である。
この発明にかかる多層基板は、たとえば、金属厚配線層から多層基板の側部の外側に延びて形成される突出部を有する。
また、この発明にかかる多層基板は、たとえば、金属厚配線層から多層基板の上部の表面に延びて形成される金属柱端子を有する。
この発明にかかるパワーモジュールは、この発明にかかる多層基板、および電子部品実装用端子として用いられる金属柱配線の露出面に実装され、その金属柱配線の水平方向の断面より小さい外形を有するパワーモジュール用電子部品を含む、パワーモジュールである。
この発明にかかるパワーモジュールでは、パワーモジュール用電子部品は、たとえば、パワートランジスタおよびパワーダイオードを含む。
また、この発明にかかるパワーモジュールは、たとえば、パワーモジュール用電子部品およびワイヤーボンディング接合用端子として用いられる金属柱配線にボンディングされるワイヤを含む。【０００７】
この発明にかかる多層基板では、内層部に複数の金属厚配線層を有し、金属厚配線層には金属厚配線層と一体化して厚み方向に延びる金属柱配線が形成され、露出面が電子部品実装用端子として用いられる金属柱配線の水平方向の断面は、その金属柱配線に実装される電子部品の外形より大きく、しかも、金属厚配線層に形成された金属柱配線は、他の金属厚配線層に接触せずに貫通する構造となっているので、従来のパワー半導体実装用基板や露出面が電子部品実装用端子として用いられる金属柱配線の水平方向の断面がその金属柱配線に実装される電子部品の外形より小さい多層基板と比べて、全体の機械的な強度が向上するとともに、金属柱配線などの配線による抵抗が低下する。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、従来のような金属配線の厚みの制約を受けない、導通抵抗の低い金属配線を有する、電力損失の小さい、すなわち金属配線の厚みが１ｍｍ以上となっても高い熱的信頼性を維持できる構造を有する大電流対応の多層基板およびその多層基板を用いたパワーモジュールが得られる。【０００９】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】（Ａ）はこの発明にかかる多層基板の一例を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図解図である。
【図２】（Ａ）は図１に示す多層基板に用いられる下部絶縁板を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の線Ｂ−Ｂにおける切断端面図である。
【図３】（Ａ）は図１に示す多層基板に用いられる第１の電源系配線を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の線Ｂ−Ｂにおける切断端面図である。
【図４】（Ａ）は図１に示す多層基板に用いられる第２の電源系配線を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の線Ｂ−Ｂにおける切断端面図である。
【図５】（Ａ）は図１に示す多層基板に用いられる第３の電源系配線を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の線Ｂ−Ｂにおける切断端面図である。
【図６】（Ａ）は図１に示す多層基板に用いられる表面回路板を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の線Ｂ−Ｂにおける切断端面図である。
【図７】（Ａ）は図３に示す第１の電源系配線を製造するブロック体を示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図である。
【図８】（Ａ）は図４に示す第２の電源系配線を製造するブロック体を示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図である。
【図９】（Ａ）は図５に示す第３の電源系配線を製造するブロック体を示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図である。
【図１０】（Ａ）は図６に示す表面回路板を製造する片面銅箔板を示す平面図であり、（Ｂ）はその正面図である。
【図１１】（Ａ）は図６に示す表面回路板を製造する工程を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図解図である。
【図１２】図１に示す多層基板を製造する工程を示す断面図解図である。
【図１３】（Ａ）は図１に示す多層基板を用いたパワーモジュールの一例を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図解図である。
【図１４】（Ａ）は図１３に示すパワーモジュールを製造する工程を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図解図である。
【図１５】図１３に示すパワーモジュールを用いた三相交流インバータを示す回路図である。
【図１６】（Ａ）はこの発明にかかる多層基板の他の例を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図解図である。
【図１７】（Ａ）はこの発明にかかる多層基板のさらに他の例を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図解図である。
【図１８】（Ａ）はこの発明にかかる多層基板のさらに他の例を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図解図である。
【図１９】（Ａ）は図１８に示す多層基板に用いられる第１の電源系配線を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の線Ｂ−Ｂにおける切断端面図である。
【図２０】（Ａ）は図１８に示す多層基板に用いられる第２の電源系配線を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の線Ｂ−Ｂにおける切断端面図である。
【図２１】（Ａ）は図１８に示す多層基板に用いられる表面回路板を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の線Ｂ−Ｂにおける切断端面図である。
【図２２】従来のスイッチングパワー半導体実装用基板の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１（Ａ）は、この発明にかかる多層基板の一例を示す平面図であり、図１（Ｂ）は、その断面図解図である。
【００１２】
図１に示す多層基板１０は、大電流に対応する多層基板であって、図２に示すように、たとえば矩形状の下部絶縁板２０を含む。下部絶縁板２０の材料は、セラミック、樹脂から適宜選択される。下部絶縁板２０の耐熱性が要求される場合は、下部絶縁板２０の材料としてセラミックを選択するとよい。樹脂の中でも、耐熱性に優れた樹脂、たとえばポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、シリコーン系樹脂などを選択すれば、耐熱性の要求に対応できる。下部絶縁板２０の耐熱性が要求されない場合は、下部絶縁板２０の材料としてエポキシ系樹脂などを選択するとよい。
【００１３】
下部絶縁板２０の下面には、たとえば矩形状の放熱板２２が設置される。この放熱板２２により、後述する電子部品実装用端子に実装される電子部品の発熱、後述する電源系配線に大電流が流れることによる発熱で多層基板１０内に蓄積された熱を外部に放出することができる。放熱板２２の材料は、鉄、アルミニウム、銅などの金属、これらを含む合金、または、熱伝導率の高い炭素系材料などから適宜選択される。
【００１４】
下部絶縁板２０の上面には、絶縁樹脂２４を介して、第１の電源系配線３０が設けられる。絶縁樹脂２４は、第１の電源系配線３０、後述する第２の電源系配線４０および第３の電源系配線５０間を絶縁するためのものであり、第１の電源系配線３０、第２の電源系配線４０および第３の電源系配線５０間を含む第１の電源系配線３０、第２の電源系配線４０および第３の電源系配線５０の上下面に設けられる。
なお、第１の電源系配線３０、第２の電源系配線４０および第３の電源系配線５０間をセラミックで絶縁することは、上述の発明が解決しようとする課題で記載した理由により、適用すべきではない。すなわち、セラミックの弾性率は、アルミナで２００〜４００ＧＰａ、窒化アルミニウムで１５０〜２５０ＧＰａと高く、絶縁体と電源系配線との熱膨張係数差により発生する熱応力を吸収できない。そのため、多層基板１０がヒートサイクル環境下で使用されると、絶縁体と電源系配線の界面で亀裂が生じたり、電源系配線が破断したりするという問題が発生する。一方、絶縁樹脂２４の弾性率は、一般的に５０ＧＰａ以下と低く、２０ＧＰａ以下のものも多数存在する。すなわち、絶縁体に絶縁樹脂２４を用いることで、絶縁体と電源系配線との熱膨張係数差により発生する熱応力を絶縁体が吸収でき、上述の問題が発生しない、信頼性の高い大電流対応の多層基板となる。
【００１５】
絶縁樹脂２４として耐熱性が要求される場合は、例えばポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、シリコーン系樹脂などを選択すればよい。絶縁樹脂２４として耐熱性が要求されない場合は、例えばエポキシ系樹脂などでよい。
【００１６】
第１の電源系配線３０は、図３に示すように、たとえば矩形板状の第１の金属厚配線層３２を含む。第１の金属厚配線層３２の左端の中央には、たとえば矩形板状の第１の突出部３４が形成される。第１の突出部３４は、絶縁樹脂２４に覆われず、多層基板１０の左側部から外側に突出する部分である。この第１の突出部３４から、電子部品実装用端子に実装された電子部品によって処理された電源電力が出力される。第１の電源系配線３０の第１の金属厚配線層３２には、多層基板１０の厚み方向に延び、後述する表面回路板６０の表面にまで到達して露出するたとえば４角柱状の２つの金属柱配線３６ａおよび３６ｂが間隔を隔てて形成されている。これらの露出した金属柱配線３６ａおよび３６ｂの表面は、それぞれ、電子部品を実装するための電子部品実装用端子および電子部品に電源供給するワイヤをボンディングするためのワイヤーボンディング接合用端子として用いられる。
【００１７】
第１の電源系配線３０の上部には、絶縁樹脂２４を介して、第２の電源系配線４０が設けられる。第２の電源系配線４０は、図４に示すように、たとえば第１の金属厚配線層３２と同じ大きさの矩形板状の第２の金属厚配線層４２を含む。第２の金属厚配線層４２の右端の一端には、たとえば矩形板状の第２の突出部４４が形成される。第２の突出部４４は、絶縁樹脂２４に覆われず、多層基板１０の右側部から外側に突出する部分である。この第２の突出部４４から、電源電力が入力される。第２の電源系配線４０の第２の金属厚配線層４２には、多層基板１０の厚み方向に延び、後述する表面回路板６０の表面にまで到達して露出するたとえば４角柱状の金属柱配線４６が形成されている。この露出した金属柱配線４６の表面は、電子部品を実装するための電子部品実装用端子として用いられる。さらに、第２の電源系配線４０の第２の金属厚配線層４２には、たとえば矩形状の２つの開口部４８ａおよび４８ｂが間隔を隔てて形成されている。一方の開口部４８ａは、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ａを表面回路板６０の表面に露出させるためのものである。そのため、その開口部４８ａは、金属柱配線３６ａより大きく形成され、その開口部４８ａには、金属柱配線３６ａが第２の電源系配線４０に接触しないように通される。また、他方の開口部４８ｂは、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ｂを表面回路板６０の表面に露出させるためのものである。そのため、その開口部４８ｂは、金属柱配線３６ｂより大きく形成され、その開口部４８ｂには、金属柱配線３６ｂが第２の電源系配線４０に接触しないように通される。
【００１８】
第２の電源系配線４０の上部には、絶縁樹脂２４を介して、第３の電源系配線５０が設けられる。第３の電源系配線５０は、図５に示すように、たとえば第１の金属厚配線層３２と同じ大きさの矩形板状の第３の金属厚配線層５２を含む。第３の金属厚配線層５２の右端の他端には、たとえば矩形板状の第３の突出部５４が形成される。第３の突出部５４は、絶縁樹脂２４に覆われず、多層基板１０の右側部から外側に突出する部分である。そのため、第３の突出部５４は、平面的に見て、第２の突出部４４と重ならない。この第３の突出部５４から、電源電力が入力される。第３の電源系配線５０の第３の金属厚配線層５２には、多層基板１０の厚み方向に延び、後述する表面回路板６０の表面にまで到達して露出するたとえば４角柱状の金属柱配線５６が形成されている。この露出した金属柱配線５６の表面は、電子部品に電源供給するワイヤをボンディングするためのワイヤーボンディング接合用端子として用いられる。さらに、第３の電源系配線５０の第３の金属厚配線層５２には、たとえば矩形状の２つの開口部５８ａおよび５８ｂが間隔を隔てて形成されている。一方の開口部５８ａは、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ａを表面回路板６０の表面に露出させるためのものである。そのため、その開口部５８ａは、金属柱配線３６ａより大きく形成され、その開口部５８ａには、金属柱配線３６ａが第３の電源系配線５０に接触しないように通される。また、他方の開口部５８ｂは、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ｂおよび第２の電源系配線４０の金属柱配線４６を表面回路板６０の表面に露出させるためのものである。そのため、その開口部５８ｂは、金属柱配線３６ｂおよび４６より大きく形成され、その開口部５８ｂには、金属柱配線３６ｂおよび４６が互いに接触しないようにかつ第３の電源系配線５０に接触しないように通される。
【００１９】
第１の電源系配線３０、第２の電源系配線４０および第３の電源系配線５０の材料は、鉄、アルミニウム、銅などの金属、またはこれらを含む合金から適宜選択される。大電流に対応するには比抵抗の低いアルミニウム、銅が最適である。比抵抗の高い金属や合金を用いてもよいが、その場合に大電流に対応させるには、電源系配線の面積や厚みを大きくすることで配線抵抗を小さくする必要があり、大電流対応の多層基板の小型化という点では、比抵抗の低いアルミニウム、銅が有利である。
【００２０】
また、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ａ、３６ｂ、第２の電源系配線４０の金属柱配線４６および第３の電源系配線５０の金属柱配線５６は、それぞれ、第１の金属厚配線層３２、第２の金属厚配線層４２および第３の金属厚配線層５２と一体化している。一体化の状態は、どの様な状態であってもよい。たとえば、電源系配線と金属柱配線を金属ロウ材（溶接材）や導電性接着材などの接合材で接合された状態であってもよい。また、そのような接合材を用いずに一体化された状態であってもよい。接合材を用いずに一体化した状態とするには、金属からなるブロック体から図３、４、５の状態に切削などで加工する方法や、図３、４、５の形状となる鋳型に溶融金属を流し込む鋳型成型などを用いればよい。電気抵抗を小さくするという観点からは、接合材を用いずに一体化する方が有利である。
【００２１】
さらに、各金属柱配線３６ａ、３６ｂ、４６、５６の表面回路板６０の表面に露出する面、すなわち電子部品を実装するための電子部品実装用端子および電子部品に電源供給するワイヤをボンディングするためのワイヤーボンディング接合用端子として用いられる面は、必ずしも表面回路板６０の表面と同一面である必要はない。電子部品の実装などに支障がなければ、電子部品実装用端子またはワイヤーボンディング接合用端子の面が表面配線板表面より下面にあっても上面にあってもよい。
【００２２】
さらに、電子部品実装用端子にはパワートランジスタやパワーダイオードなどの電子部品が実装されるため、電子部品実装用端子の外形は、実装される電子部品の外形より大きく形成されなければならない。よって、電源系配線から厚み方向に延びる金属柱配線であって、その露出した表面が電子部品実装用端子として用いられる金属柱配線の平面方向の断面形状は、実装される電子部品の外形より大きく形成されなければならないことになる。また、金属柱配線の平面方向の断面形状を大きくすることは、金属柱配線の低抵抗化にとって重要であり、大電流対応の多層基板に必須の構成要素である。
【００２３】
第３の電源系配線５０の上部には、絶縁樹脂２４を介して、表面回路板６０が設けられる。表面回路板６０は、図６に示すように、たとえば第１の金属厚配線層３２と同じ大きさに形成される。表面回路板６０の材料としては、セラミック、樹脂から適宜選択される。耐熱性が要求される場合はセラミックを選択するとよい。樹脂の中でも、耐熱性に優れた樹脂、例えばポリイミド系樹脂、ビスマレイミド系樹脂、シリコーン系樹脂などを選択すれば、耐熱性の要求に対応できる。表面回路板６０の耐熱性が要求されない場合は、エポキシ系樹脂などでよい。
【００２４】
表面回路板６０には、たとえば矩形状の２つの開口部６２ａおよび６２ｂが間隔を隔てて形成されている。一方の開口部６２ａは、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ａおよび第３の電源系配線５０の金属柱配線５６を表面回路板６０の表面に露出させるためのものである。そのため、その開口部６２ａは、金属柱配線３６ａおよび５６より大きく形成され、その開口部６２ａには、金属柱配線３６ａおよび５６が互いに接触しないようにかつ表面回路板６０に接触しないように通される。これらの露出した金属柱配線３６ａおよび５６の表面は、それぞれ、電子部品を実装するための電子部品実装用端子および電子部品に電源供給するワイヤをボンディングするためのワイヤーボンディング接合用端子として用いられる。また、他方の開口部６２ｂは、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ｂおよび第２の電源系配線４０の金属柱配線４６を表面回路板６０の表面に露出させるためのものである。そのため、その開口部６２ｂは、金属柱配線３６ｂおよび４６より大きく形成され、その開口部６２ｂには、金属柱配線３６ｂおよび４６が互いに接触しないようにかつ表面回路板６０に接触しないように通される。これらの露出した金属柱配線３６ｂおよび４６の表面は、それぞれ、電子部品に電源供給するワイヤをボンディングするためのワイヤーボンディング接合用端子および電子部品を実装するための電子部品実装用端子として用いられる。
【００２５】
表面回路板６０の表面には、特に図６に示すように、たとえばＬ字状の２つの信号配線６４ａおよび６４ｂが形成される。一方の信号配線６４ａは、開口部６２ａおよび６２ｂの近傍に形成され、両端部が信号端子となるものである。信号配線６４ａの一端部は、たとえば矩形状の信号導入端子６６ａとして形成され、信号配線６４ａの他端部は、たとえば矩形状の信号入力端子６８ａとして形成される。また、他方の信号配線６４ｂは、開口部６２ｂの近傍に形成され、両端部が信号端子となるものである。信号配線６４ｂの一端部は、たとえば矩形状の信号導入端子６６ｂとして形成され、信号配線６４ｂの他端部は、たとえば矩形状の信号入力端子６８ｂとして形成される。信号導入端子６６ａおよび６６ｂは、それぞれ、外部から信号を多層基板１０内に送るためのものである。また、信号入力端子６８ａおよび６８ｂは、それぞれ、多層基板１０に実装された電子部品に信号を送るためのものである。
【００２６】
次に、図１に示す多層基板１０の製造方法の一例について説明する。
【００２７】
まず、下部絶縁板２０として、ポリイミド樹脂からなる樹脂板を用意する。
【００２８】
そして、下部絶縁板２０の下面に、銅からなる放熱板２２を設置する。
【００２９】
また、図７に示すブロック体３１と、図８に示すブロック体４１と、図９に示すブロック体５１とを用意する。これらのブロック体３１、４１および５１は、それぞれ、銅（Ｃ１１００）またはアルミニウム（Ａ１０５０）からなる。
【００３０】
そして、ブロック体３１、４１および５１から、切削加工により、第１の電源系配線３０、第２の電源系配線４０および第３の電源系配線５０をそれぞれ作製する。
【００３１】
この場合、第１の電源系配線３０の第１の金属厚配線層３２の厚さは、たとえば２．０ｍｍに形成される。また、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ａは、高さがたとえば８．１ｍｍに形成され、幅がたとえば４．０ｍｍに形成され、長さがたとえば１０．０ｍｍに形成される。さらに、第１の電源系配線３０の金属柱配線３６ｂは、高さがたとえば８．１ｍｍに形成され、幅がたとえば３．０ｍｍに形成され、長さがたとえば１０．０ｍｍに形成される。
【００３２】
また、この場合、第２の電源系配線４０の第２の金属厚配線層４２の厚さは、たとえば２．０ｍｍに形成される。第２の電源系配線４０の金属柱配線４６は、高さがたとえば５．６ｍｍに形成され、幅がたとえば４．０ｍｍに形成され、長さがたとえば１０．０ｍｍに形成される。また、第２の電源系配線４０の開口部４８ａは、幅がたとえば５．０ｍｍに形成され、長さがたとえば１１．０ｍｍに形成される。さらに、第２の電源系配線４０の開口部４８ｂは、幅がたとえば４．０ｍｍに形成され、長さがたとえば１１．０ｍｍに形成される。
【００３３】
さらに、この場合、第３の電源系配線５０の第３の金属厚配線層５２の厚さは、たとえば２．０ｍｍに形成される。第３の電源系配線５０の金属柱配線５６は、高さがたとえば３．１ｍｍに形成され、幅がたとえば３．０ｍｍに形成され、長さがたとえば１０．０ｍｍに形成される。また、第３の電源系配線５０の開口部５８ａは、幅がたとえば６．０ｍｍに形成され、長さがたとえば１１．０ｍｍに形成される。さらに、第３の電源系配線５０の開口部５８ｂは、幅がたとえば９．０ｍｍに形成され、長さがたとえば１１．０ｍｍに形成される。
【００３４】
さらに、図１０に示すように、ポリイミド樹脂からなるポリイミド樹脂板６１の片面に銅箔６５を設けた片面銅箔板を準備する。この場合、ポリイミド樹脂板６１の厚さは、たとえば９．０ｍｍに形成され、銅箔６５の厚さはたとえば０．０３５ｍｍに形成される。
【００３５】
そして、図１０に示す片面銅箔板の銅箔６５をフォトエッチングして、図１１に示すように、ポリイミド樹脂板６１の片面に２つの信号配線６４ａおよび６４ｂを形成する。
【００３６】
それから、信号配線６４ａおよび６４ｂを形成したポリイミド樹脂板６１に、レーザーで開口部６２ａおよび６２ｂを形成し、表面回路板６０を作製する。この場合、開口部６２ａおよび６２ｂは、それぞれ、幅９．０ｍｍに形成され、長さ１１．０ｍｍに形成される。
【００３７】
そして、図１２に示すように、下部絶縁板２０、第１の電源系配線３０、第２の電源系配線４０、第３の電源系配線５０および表面回路板６０を、その順にそれぞれ所定間隔たとえば０．５ｍｍの間隔を隔てて上下に積層するように配置する。
【００３８】
それから、下部絶縁板２０、第１の電源系配線３０、第２の電源系配線４０、第３の電源系配線５０および表面回路板６０間に、シリコーン系樹脂を充填して硬化し、絶縁樹脂２４を形成することによって、図１に示す多層基板１０を製造する。
【００３９】
図１に示す多層基板１０では、内層部に第１の金属厚配線層３２、第２の金属厚配線層４２および第３の金属厚配線層５２を有し、それらの金属厚配線層３２、４２および５２には金属厚配線層と一体化して厚み方向に延びる金属柱配線３６ａ、３６ｂ、４６および５６がそれぞれ形成され、露出面が電子部品実装用端子として用いられる金属柱配線３６ａおよび４６の水平方向の断面が、それぞれ、その金属柱配線３６ａおよび４６に実装される電子部品の外形より大きく、しかも、金属厚配線層３２、４２および５２に形成された金属柱配線３６ａ、３６ｂ、４６および５６は、他の金属厚配線層に接触せずに貫通する構造となっているので、従来のパワー半導体実装用基板や露出面が電子部品実装用端子として用いられる金属柱配線の水平方向の断面がその金属柱配線に実装される電子部品の外形より小さい多層基板と比べて、全体の機械的な強度が向上するとともに、金属柱配線３６ａ、３６ｂ、４６および５６などの配線による抵抗が低下する。
そのため、図１に示す多層基板１０によれば、従来のような金属配線の厚みの制約を受けない、導通抵抗の低い金属配線を有する、電力損失の小さい、すなわち金属配線の厚みが１ｍｍ以上となっても高い熱的信頼性を維持できる構造を有する大電流対応の多層基板が得られる。
すなわち、図１に示す多層基板１０によれば、金属配線、特に入出力電源用の金属配線をミリ単位で厚く形成することが可能であるため、従来にあった厚み制約がない、電力損失の少ない大電流対応の多層基板となる。
【００４０】
また、図１に示す多層基板１０では、内層部に第１の金属厚配線層３２、第２の金属厚配線層４２および第３の金属厚配線層５２を有し、それらの金属厚配線層３２、４２および５２には金属厚配線層と一体化して厚み方向に延びる金属柱配線３６ａ、３６ｂ、４６および５６がそれぞれ形成されるので、単層基板と比べて、小型化が可能であるとともに、構造体としての機能を有する。
【００４１】
さらに、図１に示す多層基板１０では、機械的な強度が向上するので、絶縁樹脂２４の材料となる樹脂の選択の幅が広がる。
【００４２】
図１３（Ａ）は、図１に示す多層基板１０を用いたパワーモジュール７０の一例を示す平面図であり、図１３（Ｂ）は、その断面図解図である。
【００４３】
図１３に示すパワーモジュール７０は、図１に示す多層基板１０を含む。
【００４４】
多層基板１０の第１の金属厚配線層３２の金属柱配線３６ａの露出した表面には、電子部品としてパワートランジスタ７２ａおよびパワーダイオード７４ａがたとえばロウ材または導電性接着材などを用いて実装される。それによって、パワートランジスタ７２ａのエミッタおよびパワーダイオード７４ａのアノードが、第１の金属厚配線層３２の金属柱配線３６ａに電気的に接続される。また、パワートランジスタ７２ａのコレクタおよびパワーダイオード７４ａのカソードは、それぞれ、複数のワイヤ７６を介して、第３の金属厚配線層５２の金属柱配線５６に電気的に接続される。さらに、パワートランジスタ７２ａのベースは、ワイヤ７６を介して、信号配線６４ａの信号入力端子６８ａに電気的に接続される。なお、ワイヤ７６の材質は、アルミニウム、銅、金などから適宜選択される。
【００４５】
同様に、多層基板１０の第２の金属厚配線層４２の金属柱配線４６の露出した表面には、電子部品としてパワートランジスタ７２ｂおよびパワーダイオード７４ｂが実装される。それによって、パワートランジスタ７２ｂのエミッタおよびパワーダイオード７４ｂのアノードが、第２の金属厚配線層４２の金属柱配線４６に電気的に接続される。また、パワートランジスタ７２ｂのコレクタおよびパワーダイオード７４ｂのカソードは、それぞれ、複数のワイヤ７６を介して、第１の金属厚配線層３２の金属柱配線３６ｂに電気的に接続される。さらに、パワートランジスタ７２ｂのベースは、ワイヤ７６を介して、信号配線６４ｂの信号入力端子６８ｂに電気的に接続される。
【００４６】
次に、図１３に示すパワーモジュール７０の製造方法の一例について説明する。
【００４７】
まず、上述のようにして、図１に示す多層基板１０を製造する。
【００４８】
そして、図１４に示すように、第１の金属厚配線層３２の金属柱配線３６ａに、外形寸法３ｍｍ×３ｍｍのＭＯＳ−ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）からなるパワートランジスタ７２ａおよび外形寸法３ｍｍ×３ｍｍのＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）からなるパワーダイオード７４ａを融点２７１℃のＢｉ−０．１５Ｃｕハンダで実装する。
【００４９】
同様に、第２の金属厚配線層４２の金属柱配線４６に、外形寸法３ｍｍ×３ｍｍのＭＯＳ−ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）からなるパワートランジスタ７２ｂおよび外形寸法３ｍｍ×３ｍｍのＳＢＤ（ショットキーバリアダイオード）からなるパワーダイオード７４ｂを融点２７１℃のＢｉ−０．１５Ｃｕハンダで実装する。
【００５０】
それから、実装したパワートランジスタ７２ａおよびパワーダイオード７４ａと金属柱配線５６とを、アルミニウム線からなる多数のワイヤ７６によってワイヤーボンディングで電気的に接続する。
同様に、実装したパワートランジスタ７２ｂおよびパワーダイオード７４ｂと金属柱配線３６ｂとを、アルミニウム線からなる多数のワイヤ７６によってワイヤーボンディングで電気的に接続する。
さらに、パワートランジスタ７２ａおよび７２ｂと、信号入力端子６８ａおよび６８ｂとを、それぞれ、アルミニウム線からなるワイヤ７６によってワイヤーボンディングで電気的に接続する。
【００５１】
図１３に示すパワーモジュール７０は、図１の大電流対応の多層基板１０に、スイッチング半導体として２個のパワートランジスタ７２ａおよび７２ｂと、整流半導体として２個のパワーダイオード７４ａおよび７４ｂとを実装したパワーモジュールの一例である。
【００５２】
図１３に示すパワーモジュール７０を３個用意すると、図１５の回路図に示す三相交流インバータ８０が形成可能となる。すなわち、図１３に示すパワーモジュール７０は、図１５の回路図中の破線７１内に対応するパワーモジュールの一例である。
【００５３】
以上、図１に示す多層基板１０やそれを用いたパワーモジュール７０などの構成を例にして説明したが、この発明にかかる多層基板やパワーモジュールは、図１に示す構成やその構成を用いたものに限定されるものではない。
【００５４】
図１６（Ａ）は、この発明にかかる多層基板の他の例を示す平面図であり、図１６（Ｂ）は、その断面図解図である。図１６に示す多層基板１０は、図１に示す多層基板１０と比べて、下部絶縁板２０および表面回路板６０が形成されていない。そのため、放熱板２２は、絶縁樹脂２４の下面に形成される。また、信号配線６４ａおよび６４ｂは、絶縁樹脂２４の上面に形成される。なお、放熱板２２は、図１および図１６に示す各多層基板１０において形成されなくてもよい。
【００５５】
図１７（Ａ）は、この発明にかかる多層基板のさらに他の例を示す平面図であり、図１７（Ｂ）は、その断面図解図である。図１７に示す多層基板１０は、図１に示す多層基板１０と比べて、第１の電源系配線３０の突出部３４、第２の電源系配線４０の突出部４４および第３の電源系配線５０の突出部５４を形成する代わりに、第１の電源系配線３０の第１の金属厚配線層３２から多層基板１０の厚み方向に延びて表面回路板６０の表面にまで到達して露出するたとえば４角柱状の電源電力出力用の金属柱端子３７が形成される。また、第２の電源系配線４０の第２の金属厚配線層４２から多層基板１０の厚み方向に延びて表面回路板６０の表面にまで到達して露出するたとえば４角柱状の電源電力入力用の金属柱端子４７が形成される。さらに、第３の電源系配線５０の第３の金属厚配線層５２から多層基板１０の厚み方向に延びて表面回路板６０の表面にまで到達して露出するたとえば４角柱状の電源電力入力用の金属柱端子５７が形成される。電源電力出力用の金属柱端子３７は、電子部品実装用端子に実装された電子部品によって処理された電源電力を出力するための端子である。電源電力入力用の金属柱端子４７および５７は、それぞれ、外部から電源電力を入力するための端子である。なお、電源電力出力用の金属柱端子３７、電源電力入力用の金属柱端子４７および５７の側部は、絶縁樹脂２４で囲まれている。
【００５６】
上述の各多層基板１０では、電源系配線が３層の構成となっているが、この発明にかかる多層基板は、電源系配線が２層以上の複数層の構成において適用できる。
【００５７】
電源系配線が２層の構成となる大電流対応の多層基板の一例を図１８に示す。図１８（Ａ）は、この発明にかかる多層基板のさらに他の例を示す平面図であり、図１８（Ｂ）は、その断面図解図である。図１８に示す多層基板１０は、たとえば図１５の回路図における４角形の実線１１で囲まれた１つのパワートランジスタおよび１つのパワーダイオードを実装するための多層基板である。
【００５８】
図１８に示す多層基板１０は、図１に示す多層基板１０と比べて、第１の電源系配線３０の第１の金属厚配線層３２には、図１９に示すように、金属柱配線が１つの金属柱配線３６しか形成されていない。また、第２の電源系配線４０の第２の金属厚配線層４２には、図２０に示すように、開口部が１つの開口部４８しか形成されていない。さらに、表面回路板６０には、開口部および信号配線が１つの開口部６２および１つの信号配線６４しか形成されていない。また、図１８に示す多層基板１０には、第３の電源系配線５０は形成されていない。
【００５９】
なお、多層基板１０の層構成は、実装する電子部品の数、種類、および大電流対応の多層基板として必要とされる機能により変わるものであり、目的に応じて設計されるものである。
【００６０】
また、多層基板１０に実装された電子部品の接続は、ワイヤーボンディングでなくてもよく、電気的に接続可能な方法であれば、どのような接続方法であってもよい。
【００６１】
さらに、図１３に示すパワーモジュール７０のパワートランジスタおよびパワーダイオードとしては、一般的にＳｉ半導体によるものが用いられるが、この発明にかかるパワーモジュールでは、大電力処理が可能なパワー半導体として期待されているシリコンカーバイト（ＳｉＣ）半導体や、窒化ガリウム（ＧａＮ）半導体にも十分対応可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
この発明にかかる多層基板は、特に、たとえばパワーモジュールに用いられる大電流用の多層基板に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００６３】
１０  多層基板
２０  下部絶縁板
２２  放熱板
２４  絶縁樹脂
３０  第１の電源系配線
３２  第１の金属厚配線層
３４  第１の突出部
３６、３６ａ、３６ｂ  金属柱配線
３７  金属柱端子
４０  第２の電源系配線
４２  第２の金属厚配線層
４４  第２の突出部
４６  金属柱配線
４７  金属柱端子
４８、４８ａ、４８ｂ  開口部
５０  第３の電源系配線
５２  第３の金属厚配線層
５４  第３の突出部
５６  金属柱配線
５７  金属柱端子
５８ａ、５８ｂ  開口部
６０  表面回路板
６２、６２ａ、６２ｂ  開口部
６４、６４ａ、６４ｂ  信号配線
６６、６６ａ、６６ｂ  信号導入端子
６８、６８ａ、６８ｂ  信号入力端子
７０  パワーモジュール
７２ａ、７２ｂ  パワートランジスタ
７４ａ、７４ｂ  パワーダイオード
７６  ワイヤ
８０  三相交流インバータ
【図１】
2014021077.tif 000003
【図２】
2014021077.tif 000004
【図３】
2014021077.tif 000005
【図４】
2014021077.tif 000006
【図５】
2014021077.tif 000007
【図６】
2014021077.tif 000008
【図７】
2014021077.tif 000009
【図８】
2014021077.tif 000010
【図９】
2014021077.tif 000011
【図１０】
2014021077.tif 000012
【図１１】
2014021077.tif 000013
【図１２】
2014021077.tif 000014
【図１３】
2014021077.tif 000015
【図１４】
2014021077.tif 000016
【図１５】
2014021077.tif 000017
【図１６】
2014021077.tif 000018
【図１７】
2014021077.tif 000019
【図１８】
2014021077.tif 000020
【図１９】
2014021077.tif 000021
【図２０】
2014021077.tif 000022
【図２１】
2014021077.tif 000023
【図２２】
2014021077.tif 000024
【国際調査報告】
2014021077.tif 000025
2014021077.tif 000026
2014021077.tif 000027
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