(57)【要約】Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウムスパッタリングターゲット。ルテニウム又はルテニウム合金の結晶成長を抑制し、粗大な結晶粒の発生を低減することにより、スパッタリング最中に発生するアーキングを極力抑制して、パーティクル発生を低減し、歩留まりを改善する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｓｉ含有量が１０〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項１記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項３】
平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【請求項５】
Ｓｉ含有量が１０〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項４記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【請求項６】
平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲットに関し、特に半導体メモリーの強誘電体キャパシタの下部電極として使用される酸化ルテニウム膜を形成するために用いられるスパッタリングターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ルテニウム又はルテニウム合金は、半導体メモリー用の強誘電体キャパシタ等のエレクトロニクス材料として使用されている。一般にルテニウム薄膜を形成する場合にはスパッタリング法を用いることが多い。スパッタリング法自体は、エレクトロニクス分野においてよく知られた方法であるが、このスパッタリングに適した均一かつ安定した特性を備えたルテニウム又はルテニウム合金からなるターゲットが要求されている。
一般に、市販されている比較的純度の高いルテニウム材料は３Ｎレベルの粉末であるが、最近のエレクトロニクス分野で使用される材料はノイズ発生を防止し、特性を向上させる目的から、下記特許文献に開示されるように、さらに高純度化が要求されており、高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとしても、純度５Ｎレベルが必要とされている。【０００３】
例えば、特許文献１には、アルカリ金属元素各１ｐｐｍ未満、アルカリ土類金属元素各１ｐｐｍ未満、遷移金属元素各１ｐｐｍ未満、放射性元素各１０ｐｐｂ未満、炭素及びガス成分（酸素、水素、窒素、塩素）合計で５００ｐｐｍ未満、ガス成分元素を除いたルテニウムの純度が９９．９９５％以上である高純度ルテニウムターゲットが記載されている。
特許文献２には、アルカリ金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下、アルカリ土類金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下で、白金族元素以外の遷移金属元素のいずれの含有量も０．１重量ｐｐｍ以下、放射性同位体元素のいずれの含有量も１重量ｐｐｂ以下、ガス成分元素の含有量の合計が３０重量ｐｐｍ以下である純度９９．９９５重量％以上の高純度ルテニウムターゲットが記載されている。また、特許文献３には、酸素１０ｗｔｐｐｍ以下、窒素１０ｗｔｐｐｍ以下であり、純度が５Ｎレベル以上の純度を有する高純度ルテニウムターゲットが記載されている。さらに、特許文献４には、Ｓｉを１〜９ｐｐｍ含有し、残部が純度９９．９９８％以上のＲｕからなる組成のスパッタリングターゲットが記載されている。【０００４】
しかしながら、スパッタリングターゲット用として、ルテニウム材料を高純度化すると、結晶成長を促進して粗大な結晶粒を形成することが知られており（例えば、特許文献５）、このような粗大な結晶粒がスパッタリングターゲットに存在すると、スパッタリング中に異常放電（アーキング）を助長して、パーティクル発生が増加し、製品の歩留まりを低下させるという問題が生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−５０１６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１０５６３１号公報
【特許文献３】特開２００２−３２７２６５号公報
【特許文献４】特開２０００−１７８７２１号公報
【特許文献５】特開２００２−１３３６５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ルテニウム又はルテニウム合金の結晶成長を抑制し、粗大な結晶粒の発生を低減することにより、スパッタリング最中に発生するアーキングを極力抑制して、パーティクル発生を低減できるルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲットを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、ルテニウム又はルテニウム合金中に微量のシリコン（Ｓｉ）を含有することで、結晶粒の粗大化を抑制することができるとの知見を得た。【０００８】
本発明はこの知見に基づき、下記の発明を提供する。
１）Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウムスパッタリングターゲット。
２）Ｓｉ含有量が１０〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする上記１）記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
３）平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする上記１）又は２）記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
４）Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲット。
５）Ｓｉ含有量が１０〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする上記４）記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
６）平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする上記４）又は５）記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、ルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲット中に微量のシリコンを含有させることで、結晶粒の粗大化を抑制することができるので、粗大粒に起因するアーキングを抑制して、安定的なスパッタリングを可能とし、パーティクルの少ない膜を成膜することができるという優れた効果を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明のルテニウムスパッタリングターゲットは、Ｓｉ含有量が１０〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く、不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする。このように、純度９９．９９５％以上（Ｓｉを除く）の高純度ルテニウムにＳｉを微量添加することで、焼結中に生じるルテニウムの結晶粒の成長速度を低下させ、結晶粒の粗大化を抑制することを特徴とする。
シリコン含有量は１０〜１００ｗｔｐｐｍが好ましく、さらに好ましくは１０〜５０ｗｔｐｐｍとする。１０ｗｔｐｐｍ未満では、結晶粒の粗大化を十分に抑制することができず、一方、１００ｗｔｐｐｍを超えると、半導体デバイスの性能を不安定にするため好ましくない。
【００１１】
また、本発明は、さらに、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、残部がＲｕであるルテニウム合金スパッタリグターゲットであることを特徴とする。このように、純度９９．９９５％以上（シリコン及び合金元素を除く）の高純度ルテニウム合金にシリコンを微量添加することにより、焼結中に生じる結晶粒の成長速度を低下させ、結晶粒の粗大化を抑制することができる。
また、ルテニウム合金は、熱的安定性に優れると共に、低抵抗性、バリヤ性に優れているので、半導体素子の成膜材料として、特にゲート電極材、各種拡散バリヤ材として有用である。
【００１２】
また、本発明のルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲットは、その平均結晶粒径が５〜１００μｍであって、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることが好ましい。上記の数値範囲を超えるような粗大な結晶粒が存在すると、スパッタリング時に異常放電（アーキング）を誘起し、発生するパーティクル数が増加するからである。
【００１３】
本発明のルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲットは、粉末冶金法により作製することができる。まず、純度９９．９９５％以上の精製Ｒｕ粉末と、純度９９．９９９％以上のＳｉ粉末とを用意する。また、ルテニウム合金スパッタリングターゲットを作製する場合には、合金元素として、純度９９．９９９％以上のＴａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ粉末を用意する。
このとき、Ｒｕ粉末は平均粒径が１０〜１５０μｍのものを用いるのが好ましい。また、Ｓｉ粉末は平均粒径が５〜１００μｍのものを用いるのが好ましく、合金元素であるＴａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ粉末は平均粒径が５〜１００μｍのものを使用することが好ましい。原料粉末の粒径が小さ過ぎると、粉体の嵩密度が高くなり、モールドに充填する重量に制限が生じるため好ましくなく、一方、粒径が大きすぎると、表面積の低下に伴い焼結性が低下し、結果として焼結体の密度が低くなるため、好ましくない。
【００１４】
次に、上記の原料粉末を所望の組成となるように秤量し、混合した後、この混合粉をカーボン製の型に充填した後、温度１２００〜１６００℃、圧力２００〜５００ｋｇ／ｃｍ２、１〜４時間、Ａｒあるいは真空雰囲気の条件でホットプレスすることにより、ルテニウム又はルテニウム合金の焼結体を作製することができる。
本発明は、上記の焼結条件に限定されるものではないが、焼結温度や焼結圧力が低過ぎたり、焼結時間が短過ぎたりすると、十分な焼結体の密度が得られず、好ましくない。また、焼結温度や焼結時間が長過ぎると、粗大粒が発生するため、好ましくなく、焼結圧力が高過ぎると、焼結体に割れが発生するため、好ましくない。
このようにして得られた焼結体を機械加工してターゲット形状にすることで、本発明のスパッタリングターゲットを作製することができる。なお、スパッタリングに際して、このようなターゲットは、バッキングプレートに接合した形態で用いられる。
【００１５】
以上のようにして得られたルテニウムスパッタリングターゲット及びルテニウム合金スパッタリングターゲットは、結晶粒の粗大化を抑制することができるので、スパッタリング時に異常放電（アーキング）を抑制することができ、パーティクルが少ないという効果を得ることできる。
【実施例】
【００１６】
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。【００１７】
（実施例１）
平均粒径が５０μｍのルテニウム粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径が１０μｍのシリコン粉末（純度９９．９９９％）を用意し、Ｓｉ含有量１２ｗｔｐｐｍからなるようにこれらの原料粉末を混合した。次に、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレス条件は、Ａｒ雰囲気、焼結温度１５００℃、焼結圧力２００ｋｇ／ｃｍ２、焼結時間１時間とした。【００１８】
こうして得られた焼結体をホットプレスから取り出し、ターゲット形状に機械加工してスパッタリングターゲットを作製した。次に、このターゲットの表面を研磨して、組織を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて結晶粒径を測定した。測定箇所はターゲット面内５箇所とした。その結果、平均結晶粒径９３μｍであり、最大結晶粒径は１８３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。【００１９】
次に、このターゲットをバッキングプレートに接合した後、スパッタ装置に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒子径が０．２５μｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル数は７２個と少なかった。【００２０】
【表１】
2014021139.tif 000002
【００２１】
（実施例２）
Ｓｉ含有量を３５ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は４８μｍであり、最大結晶粒径は１０３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は６３個と少なかった。【００２２】
（実施例３）
Ｓｉ含有量を６２ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は２１μｍであり、最大結晶粒径は６５μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は５８個と少なかった。【００２３】
（実施例４）
Ｓｉ含有量を９４ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は８μｍであり、最大結晶粒径は１８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４２個と少なかった。【００２４】
（実施例５）
平均粒径が５０μｍのルテニウム粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径１０μｍのタンタル粉末（純度９９．９９５％）、平均粒径が１０μｍのシリコン粉末（純度９９．９９９％）を用意し、タンタル含有量１５原子％、Ｓｉ含有量１０ｗｔｐｐｍ、残部Ｒｕとなるようにこれらの原料粉末を混合した。次に、これをカーボン製の型に充填し、ホットプレスした。ホットプレス条件は、Ａｒ雰囲気、焼結温度１５００℃、焼結圧力２００ｋｇ／ｃｍ２、焼結時間１時間とした。【００２５】
こうして得られた焼結体をホットプレスから取り出し、ターゲット形状に機械加工してスパッタリングターゲットを作製した。次に、このターゲットの表面を研磨して、組織を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて結晶粒径を測定した。測定箇所はターゲット面内５箇所とした。その結果、平均結晶粒径９６μｍであり、最大結晶粒径は２０３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。【００２６】
次に、このターゲットをバッキングプレートに接合した後、スパッタ装置に取り付け、スパッタリングを行った。スパッタ条件は、投入電力１ｋＷ、Ａｒガス圧１．７Ｐａとし、２ｋＷｈｒのプレスパッタリングを実施した後、４インチ径のシリコン基板上に２０秒間成膜した。そして基板上へ付着した粒子径が０．２５μｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターで測定した。このときのパーティクル数は７８個と少なかった。【００２７】
（実施例６）
タンタル（Ｔａ）含有量１５原子％、Ｓｉ含有量を４０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は５３μｍであり、最大結晶粒径は１２３μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は６０個と少なかった。【００２８】
（実施例７）
ニオブ（Ｎｂ）含有量８原子％、Ｓｉ含有量を４０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は５５μｍであり、最大結晶粒径は１１８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は５７個と少なかった。【００２９】
（実施例８）
タングステン（Ｗ）含有量２５原子％、Ｓｉ含有量を９０ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は１５μｍであり、最大結晶粒径は２８μｍであった。粗大結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は３７個と少なかった。【００３０】
（比較例１）
Ｓｉ含有量を３ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は１２１μｍであり、最大結晶粒径は５２０μｍであった。結晶粒が粗大化していた。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は１３１個と増加していた。【００３１】
（比較例２）
Ｓｉ含有量を１０９ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例１と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は９μｍであり、最大結晶粒径は１５μｍであった。粗大な結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４３個と少なかった。一方、形成した薄膜の体積抵抗率を測定したところ、そのバラツキが大きくなっていた。【００３２】
（比較例３）
タンタル（Ｔａ）含有量１５原子％、Ｓｉ含有量を１０７ｗｔｐｐｍとし、それ以外は実施例５と同様の条件でスパッタリングターゲットを作製した。このスパッタリングターゲットの表面を観察した結果、平均結晶粒径は８μｍであり、最大結晶粒径は１８μｍであった。粗大な結晶粒は観察されなかった。次に、このスパッタリングターゲットをバッキングプレートに接合し、実施例１と同様の条件でスパッタリングした結果、基板上へ付着したパーティクル数は４１個と少なかった。一方、形成した薄膜の体積抵抗率を測定したところ、そのバラツキが大きくなっていた。【００３３】
以上のように、Ｓｉを微量含有するルテニウムスパッタリングターゲットは、結晶粒の粗大化を抑制し、パーティクルの発生を低減することが分かる。一方、Ｓｉ含有量を増加させると結晶粒の粗大化に効果があるものの、半導体デバイスの動作性能に影響を及ぼすことが考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明のルテニウムスパッタリングターゲット又はルテニウム合金スパッタリングターゲットは、結晶粒の粗大化を抑制することができ、粗大粒に起因するアーキングを抑制して、安定的なスパッタリングを可能とし、パーティクルの少ない膜を成膜することができる極めて優れた効果を有する。本発明のスパッタリングターゲットは、特に半導体メモリーの強誘電体キャパシタの下部電極として使用される酸化ルテニウム膜を形成用として有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月21日(2013.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項１記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項３】
平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【請求項５】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項４記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【請求項６】
平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年1月23日(2014.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項１記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項３】
平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のルテニウムスパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【請求項５】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項４記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【請求項６】
平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５記載のルテニウム合金スパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月28日(2014.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項２】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項１記載のルテニウム焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項３】
平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載のルテニウム焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項４】
Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎの群から選択される１種以上の合金元素を３〜３５原子％含有し、Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜１００ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が５０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とするルテニウム合金焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項５】
Ｓｉ含有量が１０（但し、１０を除く）〜５０ｗｔｐｐｍ、ガス成分を除く不可避的不純物の総含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、残部がＲｕであることを特徴とする請求項４記載のルテニウム合金焼結体スパッタリングターゲット。
【請求項６】
平均結晶粒径が５〜１００μｍ、最大結晶粒径が５００μｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５記載のルテニウム合金焼結体スパッタリングターゲット。
【国際調査報告】
2014021139.tif 000003
2014021139.tif 000004
2014021139.tif 000005
2014021139.tif 000006