【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ波を発生する光伝導アンテナであって、
第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第１導電層と、
前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第２導電層と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に挟まれ、かつ前記第１導電層の半導体材料または前記第２導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、
前記第１導電層に電気的に接続する第１電極と、
前記第２導電層に電気的に接続され、かつパルス光が通過する通過部を有する第２電極と、
前記第１導電層と前記半導体層と前記第２導電層との積層方向と交差する法線を有する前記半導体層の面に接触し、誘電体材料で構成された誘電体層と、を備えることを特徴とする光伝導アンテナ。
【請求項２】
前記誘電体材料の比誘電率は、前記半導体層の前記半導体材料の比誘電率よりも高い請求項１に記載の光伝導アンテナ。
【請求項３】
前記誘電体層は、前記積層方向から見たとき、前記誘電体層の幅Ｗが前記半導体層から離れるに従って漸増する部位を有する請求項１または２に記載の光伝導アンテナ。
【請求項４】
前記積層方向と交差する法線を有する前記半導体層の面のうち、前記誘電体層が接触していない部位を覆う被覆層を有する請求項１ないし３のいずれかに記載の光伝導アンテナ。
【請求項５】
前記積層方向から前記誘電体層に接触し、前記テラヘルツ波を反射させる第１反射層を有する請求項１ないし４のいずれかに記載の光伝導アンテナ。
【請求項６】
前記第１電極は、前記第１反射層を兼ねる請求項５に記載の光伝導アンテナ。
【請求項７】
前記積層方向から前記誘電体層に接触し、前記テラヘルツ波を反射させる第２反射層を有する請求項１ないし６のいずれかに記載の光伝導アンテナ。
【請求項８】
前記第２電極は、前記第２反射層を兼ねる請求項７に記載の光伝導アンテナ。
【請求項９】
前記第２導電層は、薄肉部を有し、
前記薄肉部は、前記積層方向から見たとき、前記通過部内に位置し、前記第２導電層の前記通過部の外側に位置する部位よりも厚さが薄い、請求項１ないし８のいずれかに記載の光伝導アンテナ。
【請求項１０】
前記半導体層の半導体材料は、III−Ｖ属化合物半導体である請求項１ないし９のいずれかに記載の光伝導アンテナ。
【請求項１１】
パルス光を発生する光源と、
前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、
前記光伝導アンテナは、第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第１導電層と、
前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第２導電層と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に挟まれ、かつ前記第１導電層の半導体材料または前記第２導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、
前記第１導電層に電気的に接続する第１電極と、
前記第２導電層に電気的に接続され、かつ前記パルス光が通過する通過部を有する第２電極と、
前記第１導電層と前記半導体層と前記第２導電層との積層方向と交差する法線を有する前記半導体層の面に接触し、誘電体材料で構成された誘電体層と、を備えることを特徴とするテラヘルツ波発生装置。
【請求項１２】
テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、
前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、を備え、
前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、
前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、
前記光伝導アンテナは、第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第１導電層と、
前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第２導電層と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に挟まれ、かつ前記第１導電層の半導体材料または前記第２導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、
前記第１導電層に電気的に接続する第１電極と、
前記第２導電層に電気的に接続され、かつ前記パルス光が通過する通過部を有する第２電極と、
前記第１導電層と前記半導体層と前記第２導電層との積層方向と交差する法線を有する前記半導体層の面に接触し、誘電体材料で構成された誘電体層と、を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項１３】
テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、
前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物の画像を生成する画像形成部と、を備え、
前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、
前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、
前記光伝導アンテナは、第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第１導電層と、
前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第２導電層と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に挟まれ、かつ前記第１導電層の半導体材料または前記第２導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、
前記第１導電層に電気的に接続する第１電極と、
前記第２導電層に電気的に接続され、かつ前記パルス光が通過する通過部を有する第２電極と、
前記第１導電層と前記半導体層と前記第２導電層との積層方向と交差する法線を有する前記半導体層の面に接触し、誘電体材料で構成された誘電体層と、を備えることを特徴とするイメージング装置。
【請求項１４】
テラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生部と、
前記テラヘルツ波発生部から出射し、対象物を透過または反射したテラヘルツ波を検出するテラヘルツ波検出部と、
前記テラヘルツ波検出部の検出結果に基づいて、前記対象物を計測する計測部と、を備え、
前記テラヘルツ波発生部は、パルス光を発生する光源と、
前記光源にて発生したパルス光が照射されることによりテラヘルツ波を発生する光伝導アンテナと、を備え、
前記光伝導アンテナは、第１導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第１導電層と、
前記第１導電型と異なる第２導電型の不純物を含む半導体材料で構成された第２導電層と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に挟まれ、かつ前記第１導電層の半導体材料または前記第２導電層の半導体材料よりもキャリア濃度が低い半導体材料で構成された半導体層と、
前記第１導電層に電気的に接続する第１電極と、
前記第２導電層に電気的に接続され、かつ前記パルス光が通過する通過部を有する第２電極と、
前記第１導電層と前記半導体層と前記第２導電層との積層方向と交差する法線を有する前記半導体層の面に接触し、誘電体材料で構成された誘電体層と、を備えることを特徴とする計測装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
このような被覆層２６の構成材料（低誘電率材料）としては、例えば、ポリイミド（比誘電率：３）、ボラジン系化合物（比誘電率：２．３）、ＳｉＮ（比誘電率：７）、ＳｉＯ２（比誘電率：４）、水酸化シロキサン（比誘電率：３）、ベンゾシクロブテン（比誘電率：２．７）、フッ素系樹脂（比誘電率：２．７）等が挙げられる。
なお、電極２８および２９には、それぞれ、図示しないパッド、導線、コネクター等を介して電源装置１８が電気的に接続され、電極２８と電極２９との間に、電極２８側が正となるように、直流電圧が印加される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
画像形成部１２においては、前記検出結果に基づいて、フィルター１５の第２の領域１６２を通過したテラヘルツ波の波長λ２の成分の強度α２と、第１の領域１６１を通過したテラヘルツ波の波長λ１の成分の強度α１の差分（α２−α１）を求める。そして、対象物１５０のうち、前記差分が正値となる部位を物質Ａ、前記差分が零となる部位を物質Ｂ、前記差分が負値となる部位を物質Ｃと判断し、特定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
また、画像形成部１２では、図９に示すように、対象物１５０の物質Ａ、ＢおよびＣの分布を示す画像の画像データを作成する。この画像データは、画像形成部１２から図示しないモニターに送出され、そのモニターにおいて、対象物１５０の物質Ａ、ＢおよびＣの分布を示す画像が表示される。この場合、例えば、対象物１５０の物質Ａの分布する領域は黒色、物質Ｂの分布する領域は灰色、物質Ｃの分布する領域は白色に色分けして表示される。このイメージング装置１００では、以上のように、対象物１５０を構成する各物質の同定と、その各物質の分布測定とを同時に行うことができる。
なお、イメージング装置１００の用途は、前記のものに限らず、例えば、人物に対してテラヘルツ波を照射し、その人物を透過または反射したテラヘルツ波を検出し、画像形成部１２において処理を行うことにより、その人物が、拳銃、ナイフ、違法な薬物等を所持しているか否かを判別することもできる。