【事件の表示】
　特願２０１３−２１５８５３「窒化インジウムガリウム発光デバイスを作る方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月１５日出願公開，特開２０１４−　９０１６９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成２５年１０月１６日（パリ条約による優先権主張２０１２年１０月１６日，米国）を出願日とする特許法第３６条の２第１項の規定による特許出願（外国語特許出願）であって，以降の手続は次のとおりである。
平成２５年１２月１３日　翻訳文提出
平成２８年１０月１７日　手続補正
平成２９年　９月２５日　拒絶理由通知（同年同月２９日発送）
　　　同年１２月２９日　手続補正・意見書提出
平成３０年　１月２２日　拒絶理由通知（同年２月２０日発送）
　　　同年　５月１７日　手続補正・意見書提出
　　　同年　５月３１日　拒絶査定（同年６月１２日謄本送達）
　　　同年１０月１１日　審判請求
　なお，平成３０年５月１７日にされた手続補正は，発明の名称のみを変更するものである。
２　本願発明
　本願に係る発明は，平成２９年１２月２９日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
「【請求項１】
　発光デバイスを作る方法であって，
　ウルツ型ＧａＮの上表面を有する第１基板であって，該ウルツ型ＧａＮの上表面は１０７ｃｍ−２を下回る転移密度と−ｃ面の約５度以内の結晶学的配向とを有する，第１基板を提供するステップ；
　ハイドライド気相成長法によって該上表面上に直接，選択されたＩｎＮ組成を有するＩｎＧａＮエピタキシャル層を成長させることによってＩｎＧａＮテンプレートを作成するステップであって，前記ＩｎＧａＮエピタキシャル層は４μｍを超える厚さを有し，及び，前記選択されたＩｎＮ組成はＩｎＮのモル分率が０．５％を超える組成であり，該ＩｎＧａＮエピタキシャル層は歪みが緩和されており，前記選択されたＩｎＮ組成について，各々の平衡格子定数の０．１％以内のａ軸格子定数及びｃ軸格子定数を有する，ステップ
；及び
該ＩｎＧａＮテンプレート及び該ＩｎＧａＮテンプレートの誘導物であって前記ＩｎＧａＮテンプレート又はその一部から形成される独立したＩｎＧａＮ結晶及びウェーハから選択される誘導物から選択される一の第２基板の上に光電子デバイス構造を成長させるステップ；
を含む方法。」
３　刊行物に記載された発明
（１）米国特許公開第２０１２/００９１４６５号明細書
　原査定の拒絶理由に引用され，本願の優先日前に外国において頒布された米国特許公開第２０１２/００９１４６５号明細書（以下「引用例１」という。）には，図とともに以下の記載がある（日本語訳は当審で作成。下線は当審で付加。以下同様。）。
ア　「[0002]
The present invention relates generally to techniques using bulk gallium and nitrogen containing substrates. More particularly, the present invention provides a method and device using bulk gallium and nitrogen containing substrates configured in a semi-polar orientation. Merely by way of example, the invention has been applied to use bulk GaN substrates to form overlying epitaxial regions in a bi-axially relaxed state, but it would be recognized that the invention has a broader range of applicability.
[0003]
Today's state-of-the-art visible-spectrum light-emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) in the ultraviolet to green (380-550 nm) regime are based on InGaN active layers grown pseudomorphic to wurtzite GaN.・・・（後略）・・・」
（日本語訳：
［０００２］
本発明は，一般に，ガリウムおよび窒素を含有するバルク基板を使用する技術に関する。より具体的には，本発明は，半極性配向に構成されたバルクのガリウムおよび窒素含有基板を使用する方法および装置を提供する。ほんの一例として，本発明は，バルクＧａＮ基板を使用して，上に重なるエピタキシャル領域を二軸緩和状態で形成するのに適用されているが，本発明はより広い範囲の適用可能性を有する。
［０００３］
紫外から緑色（３８０−５５０ｎｍ）領域における今日の最先端の可視スペクトル発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザダイオード（ＬＤ）は
，ウルツ鉱型ＧａＮ
イ　「[0006]
According to the present invention, techniques related generally to using bulk gallium and nitrogen containing substrates are provided. More particularly, the present invention provides a method and device using bulk gallium and nitrogen containing substrates configured in a semi-polar orientation. Merely by way of example, the invention has been applied to use bulk GaN substrates to form overlying epitaxial regions in a bi-axially relaxed state, but it would be recognized that the invention has a broader range of applicability.
[0007]
In this invention we activate the (0001)/1/311-20 slip planes in GaN by using semi-polar oriented material and controlled stress at heterointerfaces to form a relaxed InGaN layer which will become a seed for growth of a relaxed InGaN substrate or layer.（・・・後略・・・）」
（日本語訳：
［０００６］
本発明によれば，ガリウムおよび窒素含有バルク基板を使用することに関する一般的な技術が提供される。より具体的には，本発明は，半極性配向に構成されたバルクのガリウムおよび窒素含有基板を使用する方法および装置を提供する。ほんの一例として，本発明は，バルクＧａＮ基板を使用して，上に重なるエピタキシャル領域を二軸緩和状態で形成するのに適用されているが，本発明はより広い範囲の適用可能性を有する。
［０００７］
本発明では，緩和されたＩｎＧａＮ基板または層の成長の種となる，緩和されたＩｎＧａＮ層を形成するために，半極性配向材料およびヘテロ界面での制御された応力を用いて，ＧａＮの（０００１）／１／３＜１１−２０＞すべり面を活性化する。（・・・後略・・・））
ウ「[0010]
In an alternative specific embodiment, the present invention provides a method for forming a relaxed epitaxial AlxInyGa(1-x-y)N layer. The method includes providing a substrate having an orientation within about 5 degrees of a c-plane and forming at least one epitaxial AlxInyGa(1-x-y)N layer with a thickness of at least 100 nanometers such that a plurality of misfit dislocations are included to reduce a bi-axial strain within the thickness or form a relaxed state.」
（日本語訳：
［００１０］
別の特定の実施形態では，
本発明は緩和エピタキシャルＡｌ
 ｘ 
Ｉｎ
 ｙ 
Ｇａ
 （１ーｘーｙ） 
Ｎ層を形成する方法を提供する。この方法は，ｃ面から約５度以内の配向を有する基板を準備することと，複数のミスフィット転位が含まれ，その厚さの範囲内で二軸歪みを減らすか，または弛緩状態を形成するように，少なくとも１００ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つのエピタキシャルＡｌ
 ｘ 
Ｉｎ
 ｙ 
Ｇａ
 （１ーｘーｙ） 
Ｎ層とを形成することを含む
エ　「[0022]
According to the present invention, techniques related generally to using bulk gallium and nitrogen containing substrates are provided. More particularly, the present invention provides a method and device using bulk gallium and nitrogen containing substrates configured in a semi-polar orientation. Merely by way of example, the invention has been applied to use bulk GaN substrates to form overlying epitaxial regions in a bi-axially relaxed state, but it would be recognized that the invention has a broader range of applicability.
[0023]
FIG. 3 is a diagram of an epitaxial layer 303 on a substrate 301. In one embodiment, substrate 301 comprises bulk GaN. In other embodiments, substrate 301 comprises AlN, sapphire, silicon carbide,　・・・（中略）・・・, or the like. Preferably, substrate 301 comprises bulk GaN with a surface dislocation density below about 107 cm-2. Epitaxial layer 303 may comprise AlxInyGa(1-x-y)N, where 0≦x, y≦1. In a preferred embodiment, at least one of x and y is between 0.01 and 0.50. The surface 305 of substrate 301 may have a semi-polar orientation, that is, may form an angle θ with respect to the (0001) c-plane in substrate 301 or with respect to the (0001) c-plane 307 in epitaxial layer 303 that is between 0 and 90 degrees.（・・・後略・・・）」
（日本語訳：
［００２２］
本発明によれば，ガリウムおよび窒素含有バルク基板を使用することに関する一般的な技術が提供される。より具体的には，本発明は，半極性配向に構成されたバルクのガリウムおよび窒素含有基板を使用する方法および装置を提供する。ほんの一例として，本発明は，バルクＧａＮ基板を使用して，上に重なるエピタキシャル領域を二軸緩和状態で形成するのに適用されているが，本発明はより広い範囲の適用可能性を有する。
［００２３］
図３は，基板３０１上のエピタキシャル層３０３の図である。一実施形態では，
基板３０１はバルクＧａＮを含む
基板３０１は，約１０
７
ｃｍ
 −２
未満の表面転位密度を有するバルクＧａＮを含む
基板３０１の表面３０５は半極性配向を有することができ，すなわち，基板３０１の（０００１）ｃ面に対して
角度θを形成し，それは０度から９０度の間である
オ　「[0033]
In another set of embodiments, at least one epitaxial layer is grown on a substrate with a surface orientation within about 5 degrees of c-plane, and at least one of the substrate and at least one epitaxial layer are patterned to facilitate atom transport along glide planes to form misfit dislocations. If desired, a pattern, for example to provide stripes, bottom pillars, holes, or a grid, is formed on the substrate or on an epitaxial layer on the substrate by conventional photolithography.
[0034]
　・・・（中略）・・・
[0040]
Following the patterning process, at least one epitaxial layer 803 is deposited on the patterned substrate or patterned epitaxial layer 801, as shown schematically in FIG. 8. During the initial stages of growth of epitaxial layer 803 the isolated nano- or micro-islands may be fully strained. As the thickness of epitaxial layer exceeds the Matthews Blakeslee critical thickness, at some point relaxation by formation and/or migration of misfit dislocations is expected to occur. In this case the (0 0 0 1) glide planes are parallel to the substrate-epitaxial-layer-interface, so dislocation motion and atom migration are expected to occur from the periphery of the nano- or micro-islands inward. As the thickness of epitaxial layer 803 continues to increase during deposition, the areas over the etched channels or masks begins to close off by lateral growth, and subsequent growth occurs on a coalesced layer. In some embodiments relaxation of the lattice mismatch strain goes to completion prior to coalescence.
[0041]
In still another embodiment, the substrate is macroscopically patterned, with the pitch of the pattern between approximately 1 micron and about 1 millimeter. The pattern may comprise regions where the local crystallographic orientation is nonpolar or semipolar, rather than c-plane. Growth on these regions is expected to exhibit similar relaxation behavior as growth on a flat surface of the given orientation.
[0042]
In one specific embodiment, a single epitaxial layer of the desired composition is grown directly on substrate 301. In another set of embodiments, a series of epitaxial layers of graded compositions, where each layer is much thicker than the Matthews-Blakeslee critical thickness, are grown on substrate 301. For example, a layer of In0.05Ga0.95N at least 1 micron thick, at least 10 microns thick, or at least 100 microns thick, may be deposited on the GaN substrate, followed by similarly-thick layers of In0.1Ga0.9N, In0.15Ga0.55N and In0.2Ga0.8N. The layer thicknesses may be similar to one another, or one or more layers may be substantially thicker than other layers.
[0043]
In another embodiment, a series of epitaxial layers of graded compositions, where at least the first layer is thicker than the critical thickness and the indium fraction may decrease in sequential layers, are grown on substrate 301. For example, a layer of In0.3Ga0.7N at least 100 nanometers thick, at least 1 micron thick, at least 10 microns thick, or at least 100 microns thick, may be deposited on the GaN substrate, followed by layers of In0.25Ga0.75N, and In0.2Ga0.8N.
　・・・（中略）・・・
[0046]
The relaxation and/or growth processes may also generate a significant concentration of threading dislocations. In preferred embodiments, the epitaxial layer is grown thick enough so that a substantial fraction of these dislocations annihilate one another by a similar mechanism as occurs on GaN, as illustrated in FIG. 9. For example, the total thickness of the epitaxial layer may be greater than 100 nanometers, greater than 1 micron, greater than 10 microns, greater than 100 microns, greater than 1 millimeter, or greater than 10 millimeters. The threading dislocation density in the resulting epitaxial layer may be less than 109 cm-2・, less than 108 cm-2・, less than 107 cm-2・, or less than 106 cm-2 .
[0047]
In one specific embodiment, the epitaxial layer(s) is deposited by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). In other embodiments, the epitaxial layer(s) is deposited by molecular beam epitaxy (MBE), by ammonothermal crystal growth, by liquid phase epitaxy (LPE) using a flux, or by a combination of these processes.
[0048]
In further embodiments, an epitaxial layer is deposited by hydride vapor phase epitaxy or by halide vapor phase epitaxy.
　・・・（中略）・・・
[0050]
In one embodiment, the InGaN seed layer is grown out to provide a low dislocation density boule of InGaN, which is subsequently cut along predetermined orientations to provide an InGaN substrate of any preferred orientation. For example, InGaN substrates of orientations such as (0001), (1-100), (11-20), (10-11), (20-21), (30-34), (21-31), and other orientations are possible. Using the technique described, InGaN substrates with InN mole fractions from 0.5% to 50% may be provided, for example. These substrates can be used for growth of LED and LD devices at longer emission wavelengths with improved performance compared to devices grown on GaN. For example, high-performance green, yellow, amber, and even red LEDs and LDs can be provided.
（・・・後略・・・）」
（日本語訳：
［００３３］
別の組の実施形態では，
少なくとも１つのエピタキシャル層が，ｃ面の約５度以内の面方位の基板上に成長させられ，基板および少なくとも１つのエピタキシャル層の少なくとも一方が，ミスフィット転位を形成するために，グライド面に沿った原子輸送を容易にすべくパターニングされる
［００３４］
　・・・（中略）・・・
［００４０］
パターニングプロセスに続いて，図８に概略的に示されるように，少なくとも１つのエピタキシャル層８０３が，パターニングされた基板またはパターニングされたエピタキシャル層８０１上に堆積される。エピタキシャル層８０３の成長の初期段階中に，分離されたナノまたはマイクロアイランドは完全に歪んでいる可能性がある。エピタキシャル層の厚さがマシューズブレイクスリー臨界厚さを超えると，ある点で，ミスフィット転位の形成および／または移動による緩和が起こる
［００４１］
さらに別の実施形態では，基板は巨視的にパターン化されており，パターンのピッチは約１ミクロンから約１ミリメートルの間である。パターンは，局所結晶学的配向が，ｃ面ではなく，非極性または半極性である領域を含み得る。これらの領域上での成長は，所与の配向の平面上での成長と同様の緩和挙動を示すと予想される。
［００４２］
特定の一実施形態では，
所望の組成の単一のエピタキシャル層が基板３０１上に直接成長する。他の一連の実施形態では，各層がマシューズ - ブレイクスリー臨界厚よりはるかに厚い傾斜組成の一連のエピタキシャル層である。例えば，少なくとも１ミクロンの厚さ，少なくとも１０ミクロンの厚さ，または少なくとも１００ミクロンの厚さのＩｎ
 ０．０５ 
Ｇａ
 ０．９５ 
Ｎの層をＧａＮ基板上に堆積し，続いて類似の厚さの層であるＩｎ
 ０．１ 
Ｇａ
 ０．９ 
Ｎ，Ｉｎ
 ０．１５ 
Ｇａ
 ０．５５ 
ＮおよびＩｎ
 ０．２ 
Ｇａ
 ０．８ 
Ｎ，を成長させることができる
［００４３］
別の実施形態では，少なくとも第１の層が臨界厚さよりも厚く，インジウムの割合が連続層で減少してもよい傾斜組成の一連のエピタキシャル層が，基板３０１上に成長させられる。例えば，
少なくとも１００ナノメートルの厚さ，少なくとも１ミクロンの厚さ，少なくとも１０ミクロンの厚さ，または少なくとも１００ミクロンの厚さのＩｎ
０．３
Ｇａ
０．７
ＮをＧａＮ基板上に堆積し
　・・・（中略）・・・
［００４６］
緩和および／または成長プロセスはまた，かなりの濃度の貫通転位を発生させる可能性がある。
好ましい実施形態では，エピタキシャル層は，これらの転位のかなりの部分が，図９に示すように，ＧａＮ上で生じるのと同様のメカニズムによって互いに消滅するように十分に厚く成長する。例えば，エピタキシャル層の全厚は，１００ナノメートル超，１ミクロン超，１０ミクロン超，１００ミクロン超，１ミリメートル超，または１０ミリメートル超であり得る
［００４７］
特定の一実施形態では，エピタキシャル層は有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって堆積される。他の実施形態では，エピタキシャル層は，分子線エピタキシー（ＭＢＥ）によって，アモノサーマル結晶成長によって，フラックスを使用する液相エピタキシー（ＬＰＥ）によって，またはこれらのプロセスの組み合わせによって堆積される。
［００４８］
さらなる実施形態では，
エピタキシャル層は，ハイドライド気相成長法またはハライド気相成長法によって堆積される
　・・・（中略）・・・
［００５０］
一実施形態では，
ＩｎＧａＮシード層を成長させてＩｎＧａＮの低転位密度ブールを提供し，続いてこれを所定の方位に沿って切断して任意の好ましい方位のＩｎＧａＮ基板を提供する
例えば，０．５％から５０％のＩｎＮモル分率を有するＩｎＧａＮ基板が提供され得る。これらの基板は，ＧａＮ上に成長したデバイスと比較して改善された性能でより長い発光波長でのＬＥＤおよびＬＤデバイスの成長に使用することができる。例えば，高性能の緑色，黄色，琥珀色，さらには赤色のＬＥＤおよびＬＤを提供することができる
カ　「What is claimed is:
1 . A method for forming at least one relaxed epitaxial AlxInyGa(1-x-y)N layer comprising:
 providing a substrate having a semipolar surface orientation; 
　・・・（中略）・・・
12 . A method for forming a relaxed epitaxial AlxInyGa(1-x-y)N layer comprising:
 providing a substrate having an orientation within about 5 degrees of a c-plane;
・・・（後略）・・・」（６ページ右欄２０行〜７ページ左欄１８行）
（日本語訳：
クレームされているのは：
１．少なくともひとつの緩和されたエピタキシャルＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ層を形成する方法であって，
　
半極性表面方位を有する基板を用意し
　・・・（中略）・・・
１２．緩和されたエピタキシャルＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ層を形成する方法であって，
　
ｃ面から約５度以内の配向を有する基板を用意し
・・・（後略）・・・）
キ　上記各記載からみて，上記［０００６］〜［０００９］，［００２２］〜［００３２］，及び独立形式記載のクレーム１には，「半極性配向に構成されたバルクのガリウムおよび窒素含有基板を使用する方法および装置」が記載され，上記［００１０］，［００３３］〜［００４３］及び独立形式記載のクレーム１２には，「緩和エピタキシャルＡｌ ｘ Ｉｎ ｙ Ｇａ （１ーｘーｙ） Ｎ層を形成する方法」であって，「ｃ面から約５度以内の配向を有する基板」を用いる方法が記載されていることがわかる。また，当該方法には，［００３３］〜［００４３］の記載から，Ａｌを含まないＩｎＧａＮ層を形成する方法が含まれることも明らかである。
ク　上記段落［０００１］の「本発明は，一般に，ガリウムおよび窒素を含有するバルク基板を使用する技術に関する」との記載，及び，段落［００４３］の「少なくとも１００ナノメートルの厚さ，　・・・（中略）・・・　の厚さのＩｎ０．３Ｇａ０．７ＮをＧａＮ基板上に堆積し」との記載を参照すると，段落［００３３］〜［００４３］に記載されている「別の組の実施形態」において用いられる「ｃ面の約５度以内の面方位の基板」として，ＧａＮからなる基板を用いうることは明らかである。また，当該ＧａＮからなる基板は，「ｃ面」を有することから，段落［０００３］に記載された「ウルツ鉱型」の結晶構造を有することも明らかである。
ケ　段落［００３３］〜［００４３］に記載されている「別の組の実施形態」において，各エピタキシャル層の成長には，段落［００４８］に記載された「ハイドライド気相成長法」を用いうることは明らかである。
コ　上記段落［００５０］に記載された，「一実施形態では，ＩｎＧａＮシード層を成長させてＩｎＧａＮの低転位密度ブールを提供」との記載中の「ＩｎＧａＮシード層を成長させて」は，例えば，上記段落［００３３］〜［００４３］に記載されている「別の組の実施形態」の方法によってもできることは明らかである。
（２）引用発明
　以上を総合すると，引用例１には，上記（１）キで指摘した「緩和エピタキシャルＡｌ ｘ Ｉｎ ｙ Ｇａ （１ーｘーｙ） Ｎ層を形成する方法」であって，「ｃ面から約５度以内の配向を有する基板」を用いる方法について，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「緩和エピタキシャルＩｎＧａＮ層を形成し，ＬＥＤ及びＬＤデバイスを提供する方法であって，
　ｃ面から約５度以内の配向を有するウルツ鉱型の結晶構造を有するＧａＮ基板３０１を準備することと，複数のミスフィット転位が含まれ，その厚さの範囲内で二軸歪みを減らすか，または弛緩状態を形成するように，少なくとも１００ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つのエピタキシャルＩｎＧａＮ層とを形成することを含み，
　少なくとも１つのエピタキシャル層８０１が，ｃ面の約５度以内の面方位のＧａＮ基板３０１上に成長させられ，ＧａＮ基板３０１および少なくとも１つのエピタキシャル層８０１の少なくとも一方が，ミスフィット転位を形成するために，グライド面に沿った原子輸送を容易にすべくパターニングされ，
　パターニングプロセスに続いて，少なくとも１つのエピタキシャル層８０３が，パターニングされた基板３０１またはパターニングされたエピタキシャル層８０１上に堆積され，エピタキシャル層８０３の成長の初期段階中に，分離されたナノまたはマイクロアイランドは完全に歪んでいる可能性があり，エピタキシャル層の厚さがマシューズブレイクスリー臨界厚さを超えると，ある点で，ミスフィット転位の形成および／または移動による緩和が起こるものであり，
　ここで，所望の組成の単一のエピタキシャル層が基板３０１上に直接成長されるか，あるいは，各層がマシューズ - ブレイクスリー臨界厚よりはるかに厚い傾斜組成の一連のエピタキシャル層，例えば，少なくとも１ミクロンの厚さ，少なくとも１０ミクロンの厚さ，または少なくとも１００ミクロンの厚さのＩｎ ０．０５ Ｇａ ０．９５ Ｎの層をＧａＮ基板上に堆積し，続いて類似の厚さの層であるＩｎ ０．１ Ｇａ ０．９ Ｎ，Ｉｎ ０．１５ Ｇａ ０．５５ ＮおよびＩｎ ０．２ Ｇａ ０．８ Ｎ，を成長させることができ，
　前記各エピタキシャル層の成長は，ハイドライド気相成長法によって行うことができ，
　上記のようにすることにより，ＩｎＧａＮシード層を成長させてＩｎＧａＮの低転位密度ブールを提供し，続いてこれを所定の方位に沿って切断して任意の好ましい方位の，０．５％から５０％のＩｎＮモル分率を有するＩｎＧａＮ基板を提供し，
　当該ＩｎＧａＮ基板上にＬＥＤおよびＬＤデバイスを成長する，
ＬＥＤ及びＬＤデバイスを提供する方法。」
４　本願発明と引用発明との対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明における「ｃ面から約５度以内の配向を有するウルツ鉱型の結晶構造を有するＧａＮ基板３０１」は，その表面が「ｃ面から約５度以内の配向を有する」ことが明らかであるから，引用発明の「ｃ面から約５度以内の配向を有するウルツ鉱型の結晶構造を有するＧａＮ基板３０１を準備すること」と，本願発明の「ウルツ型ＧａＮの上表面を有する第１基板であって，該ウルツ型ＧａＮの上表面は１０７ｃｍ−２を下回る転移密度と−ｃ面の約５度以内の結晶学的配向とを有する，第１基板を提供するステップ；」とは，「ウルツ型ＧａＮの上表面を有する第１基板を提供するステップ；」である点で一致する。
イ　引用発明においては，「ＩｎＧａＮシード層を成長させてＩｎＧａＮの低転位密度ブールを提供し，続いてこれを所定の方位に沿って切断して任意の好ましい方位の，０．５％から５０％のＩｎＮモル分率を有するＩｎＧａＮ基板を提供」するのであるから，当該「ＩｎＧａＮの低転位密度ブール」は，本願発明の「ＩｎＧａＮテンプレート」に相当する。
ウ　引用発明においては，「所望の組成の単一のエピタキシャル層が基板３０１上に直接成長されるか，あるいは，各層がマシューズ - ブレイクスリー臨界厚よりはるかに厚い傾斜組成の一連のエピタキシャル層，例えば，少なくとも１ミクロンの厚さ，少なくとも１０ミクロンの厚さ，または少なくとも１００ミクロンの厚さのＩｎ ０．０５ Ｇａ ０．９５ Ｎの層をＧａＮ基板上に堆積し，続いて類似の厚さの層であるＩｎ ０．１ Ｇａ ０．９ Ｎ，Ｉｎ ０．１５ Ｇａ ０．５５ ＮおよびＩｎ ０．２ Ｇａ ０．８ Ｎ，を成長させることができ」，「上記のようにすることにより，ＩｎＧａＮシード層を成長させてＩｎＧａＮの低転位密度ブールを提供」するところ，「前記各エピタキシャル層の成長は，ハイドライド気相成長法によって行うことができ」るから，当該各構成は，本願発明の「ハイドライド気相成長法によって該上表面上に直接，選択されたＩｎＮ組成を有するＩｎＧａＮエピタキシャル層を成長させることによってＩｎＧａＮテンプレートを作成するステップ」に相当する。
エ　引用発明においては，「複数のミスフィット転位が含まれ，その厚さの範囲内で二軸歪みを減らすか，または弛緩状態を形成するように，少なくとも１００ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つのエピタキシャルＩｎＧａＮ層とを形成する」ものであるところ，「例えば，少なくとも１ミクロンの厚さ，少なくとも１０ミクロンの厚さ，または少なくとも１００ミクロンの厚さのＩｎ ０．０５ Ｇａ ０．９５ Ｎの層をＧａＮ基板上に堆積し，続いて類似の厚さの層であるＩｎ ０．１ Ｇａ ０．９ Ｎ，Ｉｎ ０．１５ Ｇａ ０．５５ ＮおよびＩｎ ０．２ Ｇａ ０．８ Ｎ，を成長させることができ」るのであるから，引用発明の当該各構成は，本願発明の「前記ＩｎＧａＮエピタキシャル層は４μｍを超える厚さを有し，及び，前記選択されたＩｎＮ組成はＩｎＮのモル分率が０．５％を超える組成であり，該ＩｎＧａＮエピタキシャル層は歪みが緩和されて」いることに相当する。
オ　引用発明の「ＩｎＧａＮシード層を成長させてＩｎＧａＮの低転位密度ブールを提供し，続いてこれを所定の方位に沿って切断して任意の好ましい方位の，０．５％から５０％のＩｎＮモル分率を有するＩｎＧａＮ基板」は，本願発明の「該ＩｎＧａＮテンプレート及び該ＩｎＧａＮテンプレートの誘導物であって前記ＩｎＧａＮテンプレート又はその一部から形成される独立したＩｎＧａＮ結晶及びウェーハから選択される誘導物から選択される一の第２基板」に相当する。
カ　引用発明の「当該ＩｎＧａＮ基板上にＬＥＤおよびＬＤデバイスを成長する」ことは，本願発明の「第２基板の上に光電子デバイス構造を成長させるステップ」に相当する。
キ　引用発明の「ＬＥＤ及びＬＤデバイスを提供する方法」は，本願発明の「発光デバイスを作る方法」に相当する。
（２）以上から，本願発明と引用発明とは，以下の点で一致する。
「発光デバイスを作る方法であって，
　ウルツ型ＧａＮの上表面を有する第１基板を提供するステップ；
　ハイドライド気相成長法によって該上表面上に直接，選択されたＩｎＮ組成を有するＩｎＧａＮエピタキシャル層を成長させることによってＩｎＧａＮテンプレートを作成するステップであって，前記ＩｎＧａＮエピタキシャル層は４μｍを超える厚さを有し，及び，前記選択されたＩｎＮ組成はＩｎＮのモル分率が０．５％を超える組成であり，該ＩｎＧａＮエピタキシャル層は歪みが緩和されている，ステップ
；及び
該ＩｎＧａＮテンプレート及び該ＩｎＧａＮテンプレートの誘導物であって前記ＩｎＧａＮテンプレート又はその一部から形成される独立したＩｎＧａＮ結晶及びウェーハから選択される誘導物から選択される一の第２基板の上に光電子デバイス構造を成長させるステップ；
を含む方法。」
（３）一方，両者は以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明は「ウルツ型ＧａＮの上表面を有する第１基板であって，該ウルツ型ＧａＮの上表面は１０７ｃｍ−２を下回る転移密度と−ｃ面の約５度以内の結晶学的配向とを有する，第１基板を提供するステップ」を備えるのに対して，引用発明は「ウルツ型ＧａＮの上表面を有する第１基板」であって，「ｃ面から約５度以内の配向を有するウルツ鉱型の結晶構造を有するＧａＮ基板」「を提供するステップ」は備えるものの，基板「の上表面は１０７ｃｍ−２を下回る転移密度と−ｃ面の約５度以内の結晶学的配向とを有する」構成は備えない点。
《相違点２》
　本願発明においては，「ＩｎＧａＮエピタキシャル層は歪みが緩和されており，前記選択されたＩｎＮ組成について，各々の平衡格子定数の０．１％以内のａ軸格子定数及びｃ軸格子定数を有する」のに対して，
引用発明においては，「ＩｎＧａＮエピタキシャル層は歪みが緩和されている」ものの，「前記選択されたＩｎＮ組成について，各々の平衡格子定数の０．１％以内のａ軸格子定数及びｃ軸格子定数を有す」る構成を有することまでは特定されていない点。
５　判断
（１）相違点１について
ア　引用例１において，「ｃ面から約５度以内の配向を有するウルツ鉱型の結晶構造を有するＧａＮ基板３０１」を用いる実施形態については，ＧａＮ基板３０１の表面転位密度については特に記載はない。
　しかしながら，一般的に基板表面にエピタキシャル成長を行うに当たっては，基板表面の転位密度が低いことが好ましいものである。また，引用例１の段落［００２３］には，「半極性配向に構成されたバルクのガリウムおよび窒素含有基板を使用する方法および装置」に係る実施形態について，「好ましくは，基板３０１は，約１０７ｃｍ −２未満の表面転位密度を有するバルクＧａＮを含む」との記載もされているように，１０７ｃｍ −２未満の表面転位密度のＧａＮ基板は格別なものともいえず，また，「１０７ｃｍ −２未満の表面転位密度」が，当該実施形態に限って求められる条件であるともいえない。
　そして，引用発明において，ＧａＮ基板３０１について，その「上表面は１０７ｃｍ−２を下回る転移密度」であるものを用いることを阻害する事由も見いだせない。
イ　Ｇａを含む窒化物系半導体のエピタキシャル層を形成する方法において，その形成表面を−ｃ面とすることは，例えば以下の周知例１〜３に記載されているように，周知の技術である。
　ここで，周知例３に記載されているように，（０００−１）面ＧａＮ上にＩｎＧａＮ層を形成する場合，ＩｎＧａＮの熱分解が防止することができることが記載されている。
　それゆえ，引用発明において，所定のエピタキシャルＩｎＧａＮ層を形成する際に，所定のＩｎ組成比を確実に形成するために，上記周知技術を用いることが好ましいことは，当業者に明らかである。
周知例１：米国特許公開第２０１２/０１９９９５２号明細書
　原査定の拒絶理由に引用され，本願の優先日前に外国において頒布された米国特許公開第２０１２/０１９９９５２号明細書（以下「周知例１」という。）には，図とともに以下の記載がある。
「[0001] The present disclosure relates generally to techniques for growing indium-containing nitride films. More specifically, the disclosure includes a process for forming materials such as InGaN and/or AlInGaN or AlInN that are nucleated heteroepitaxially directly on a substrate without first forming crystalline GaN. In various embodiments, deposition is performed at relatively low temperature, via molecular beam epitaxy, hydride vapor phase epitaxy, metalorganic chemical vapor deposition, or atomic layer epitaxy. There are other embodiments as well.
　・・・（中略）・・・
[0025] In one set of embodiments, alternating high-indium and low-indium layers are deposited by hydride vapor phase epitaxy (HVPE).・・・（後略）・・・」
（日本語訳：
［０００１］
本開示は，一般に，インジウム含有窒化物膜を成長させるための技術に関する。より具体的には，本開示は，最初に結晶性ＧａＮを形成することなく，基板上に直接ヘテロエピタキシャルに核形成されるＩｎＧａＮおよび／またはＡｌＩｎＧａＮまたはＡｌＩｎＮなどの材料を形成するためのプロセスを含む。様々な実施形態において，堆積は，分子線エピタキシー，ハイドライド気相成長法，有機金属化学気相成長法，または原子層エピタキシーを介して比較的低温で行われる。他の実施形態もある。）
「[0021] Referring to the diagram 100 of FIG. 1, a substantially indium-free substrate 101 is provided.　・・・（中略）・・・ The substrate 101 may comprise one of sapphire, 　・・・（中略）・・・, gallium nitride, or aluminum nitride. The substrate may have a wurtzite crystal structure and the surface orientation may be within 5 degrees, within 2 degrees, within 1 degree, within 0.5 degree, within 0.2 degree, within 0.1 degree, within 0.05 degree, within 0.02 degree, or within 0.01 degree of (0 0 0 1)+c plane, (0 0 0 -1)-c plane, {1 0-1 0} m-plane, {1 1-2 0} a-plane, or a 　・・・（中略）・・・.
　・・・（中略）・・・
[0025] In one set of embodiments, alternating high-indium and low-indium layers are deposited by hydride vapor phase epitaxy (HVPE).・・・（後略）・・・」
（日本語訳：
［００２１］
図１の線図１００を参照する。図１において，実質的にインジウムを含まない基板１０１が提供される。　・・・（中略）・・・。基板１０１は，サファイア，　・・・（中略）・・・，窒化ガリウム，または窒化アルミニウム。基板はウルツ鉱型結晶構造を有し，表面配向は， （0 0 0 1）+ c面，
（0 0 0 -1）-c面
５度以内，２度以内，１度以内，０．５度以内，０．２度以内，０．１度以内，０．０５度以内，０．０２度以内，または０．０１度以内であり得る。　・・・（中略）・・・
［００２５］
一組の実施形態では，
高インジウム層と低インジウム層が交互に水素化物気相成長法（ＨＶＰＥ）によって堆積される
周知例２：特開２００９−１４７２７１号公報
　原査定の拒絶理由に引用され，本願の優先日前に外国において頒布された特開２００９−１４７２７１号公報（以下「周知例２」という。）には，図とともに以下の記載がある。
「【００６９】
　このような手順によって本発明の−ｃ面を成長面とするIII族窒化物半導体結晶が得られるが，さらに，
III族窒化物半導体結晶を
（０００−１）
面を成長面として，例えば５０μｍ／ｈ以下の成長速度でハイドライド気相成長させることもできる
　ここで，（０００−１）面が−ｃ面であることは明らかである。
周知例３：特開２００３−３７２８８号公報
　原査定の拒絶理由に引用され，本願の優先日前に外国において頒布された特開２００３−３７２８８号公報（以下「周知例３」という。）には，図とともに以下の記載がある。
「【００４４】実施例５：ＧａＮ（０００−１）面を基板結晶に用いて，ＭＯＶＰＥ成長により７８０℃でＧａＮを１．５ミクロン成長し，その上に，６５０℃で０．２ミクロンのＩｎＧａＮの成長をした。成長表面（０００−１）面であることが確認された。また，成長したＩｎＧａＮ混晶は相分離も見られず，均一な混晶が得られることが明らかになった。Ｘ線回折およびフォトルミネッセンスから確認した。
【００４５】上述した本発明の方法によれば，ＧａＮ層を従来より低温の約８２０℃以下，約５００℃以上で行うので，この温度領域では，ＧａＮ層の成長極性は，（０００−１）面（Ｎ極）が支配的となる。次いで，
ＧａＮ層の上のＩｎＧａＮ層又はＩｎＮ層は，約８００℃以下で行うため，ＩｎＮのモル分率ｙを高め（例えば約０．７以上），ＩｎＧａＮの熱分解を防止することができる
ウ　上記ア，イから，引用発明において，「ｃ面から約５度以内の配向を有するウルツ鉱型の結晶構造を有するＧａＮ基板３０１」を用いることに代えて，−ｃ面の表面を有するＧａＮ基板を採用し，また，当該基板を１０７ｃｍ−２を下回る表面転移密度のものとすることで，相違点１に係る構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
（２）相違点２について
　引用発明は，「複数のミスフィット転位が含まれ，その厚さの範囲内で二軸歪みを減らすか，または弛緩状態を形成するように，少なくとも１００ナノメートルの厚さを有する少なくとも１つのエピタキシャルＩｎＧａＮ層とを形成する」ものであって，これにより，「緩和エピタキシャルＩｎＧａＮ層」が形成されるものである。ここで（特に上記「弛緩状態」が形成された場合），所望のＩｎ組成比の「緩和エピタキシャルＩｎＧａＮ層」のａ軸格子定数及びｃ軸格子定数の双方は，当該ＩｎＮ組成についての平衡格子定数にほぼ等しいものであることは明らかであって，前記ａ軸格子定数及びｃ軸格子定数の双方は，当該ＩｎＮ組成についての平衡格子定数の０．１％以内となっているものと認められ，また，仮に，そこまでは言えないとしても，前記ａ軸格子定数及びｃ軸格子定数の双方を，当該ＩｎＮ組成についての平衡格子定数の０．１％以内とすることは設計事項である。
　よって，引用発明において，相違点２に係る構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
（３）よって，本願発明は，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
６　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。