(57)【要約】複数種類の径の被検査物に使用できる損傷検出装置を提供する。ワイヤロープ用損傷検出装置（２０）は、第１，２の磁束発生部（３２，６２）と、ワイヤロープ（Ｗ）の周面の一部から漏れる磁束を検出する第１の磁束検出素子（４５〜５０）と、第１の磁束検出素子と対向して配置されて第１の磁束検出素子（４５〜５０）との間にワイヤロープ（Ｗ）を配置し、ワイヤロープ（Ｗ）の周面のうち一部以外の部分の範囲から漏れる磁束を検出する第２の磁束検出素子（７５〜８０）と、第１，２の磁束検出素子（４５〜５０，７５〜８０）を、互いの相対位置をワイヤロープ（Ｗ）の径方向に変化可能に支持する位置調整装置（６５）とを備える。
2014016978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性を有する被検査物内に磁束を発生する磁束発生手段と、
前記被検査物の周面の一部から漏れる磁束を検出する第１の磁束検出素子と、
前記第１の磁束検出素子と対向して配置されて前記第１の磁束検出素子との間に前記被検査物を配置し、前記被検査物の周面のうち前記一部以外の部分の範囲から漏れる磁束を検出する第２の磁束検出素子と、
前記第１，２の磁束検出素子を、互いの相対位置を前記被検査物の径方向に変化可能に支持する支持手段と
を具備することを特徴とする損傷検出装置。
【請求項２】
前記支持手段は、
前記第１の磁束検出素子と前記第２の磁束検出素子との相対位置を前記径方向に多段階に変更可能に多段階に調整する多段階調整部と、
前記第１の磁束検出素子に対して前記第２の磁束検出素子を、前記径方向に沿って離れる方向に移動可能に弾性的に支持する弾性支持部と
を具備することを特徴とする請求項１に記載の損傷検出装置。
【請求項３】
前記被検査物を内側に収容する第１の収容溝が形成されるとともに前記第１の収容溝の周縁部に前記第１の磁束検出素子が固定される第１の基板と、
前記第１の収容溝に対向するとともに内側に前記被検査物を収容する第２の収容溝が形成され、かつ、前記第２の収容溝の周縁部に前記第２の磁束検出素子が固定される第２の基板と
を具備し、
前記第１，２の収容溝は、平面視形状が、Ｖ字形状である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の損傷検出装置。
【請求項４】
前記第１の磁束検出素子は、複数設けられるとともに、各々、検出感度を調整可能であり、
前記第２の磁束検出素子は、複数設けられるとともに、各々、検出感度を調整可能である
ことを特徴とする請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の損傷検出装置。
【請求項５】
前記第１，２の磁束検出素子は、ＧＭＲである
ことを特徴とする請求項４に記載の損傷検出装置。
【請求項６】
前記第１，２の磁束検出素子は、ＡＭＲである
ことを特徴とする請求項４に記載の損傷検出装置。
【請求項７】
前記磁束検出素子は、磁気シールド部材によって覆われる
ことを特徴とする請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の損傷検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばワイヤロープなどの被検査物の損傷箇所を検出する損傷検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、エレベータ、リフト、又は、クレーン等に使用されているワイヤロープは、複数の鋼線等の素線を撚って構成されている。ワイヤロープは、経年的に、破断や摩耗等の損傷が発生する。このため、ワイヤロープを定期的に点検することによって、ワイヤロープの損傷箇所を検出することが行われる。【０００３】
ワイヤロープの点検するための装置として、ワイヤロープの損傷箇所から漏れる磁束を検出する、いわゆる磁束漏洩方法を用いたワイヤロープ用損傷検出装置が提案されている。この種のワイヤロープ用検出装置は、磁束発生手段によってワイヤロープを長手方向に磁化する。ワイヤロープに損傷部があると、当該損傷部より磁束が漏れる。この漏洩する磁束を磁束検出手段で検出することによって、損傷部を検出する（例えば、特許文献１，２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−８２１３号公報
【特許文献２】特開２００７−２０５８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一方、ワイヤロープの径は、多種ある。漏洩磁束を検出するワイヤロープ用損傷検出装置では、ワイヤロープの径に応じた磁束発生手段と磁束検出手段とを備えている。言い換えると、ワイヤロープの径に応じて、装置の構成を変更する必要があるので、ワイヤロープ用損傷検出装置を使用する前の事前準備に工数と時間とを必要とする。【０００６】
このため、本発明は、複数種類の径の被検査物に用いることができる損傷検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の損傷検出装置は、磁性を有する被検査物内に磁束を発生する磁束発生手段と、前記被検査物の周面の一部から漏れる磁束を検出する第１の磁束検出素子と、前記第１の磁束検出素子と対向して配置されて前記第１の磁束検出素子との間に前記被検査物を配置し、前記被検査物の周面のうち前記一部以外の部分の範囲から漏れる磁束を検出する第２の磁束検出素子と、前記第１，２の磁束検出素子を、互いの相対位置を前記被検査物の径方向に変化可能に支持する支持手段とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、複数種類の径の被検査物に用いることができる損傷検出装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態の損傷検出装置を備えるワイヤロープ用損傷検出システムを示す概略図である。
【図２】図２は、図１に示すＦ２―Ｆ２線に沿って示す同ワイヤロープ用損傷検出装置の断面図である。
【図３】図３は、同ワイヤロープ用損傷検出装置の第１，２のケース部材が、ヒンジ軸回りに相対的に回転して開いた状態を示す概略図である。
【図４】図４は、同ワイヤロープ用損傷検出装置を示す概略図である。
【図５】図５は、同ワイヤロープ用損傷検出装置を示す概略図である。
【図６】図６は、同ワイヤロープ用損傷検出装置を示す概略図である。
【図７】図７は、同ケースが閉じ状態において、第１，２の収容溝内にワイヤロープが収容された状態を示す概略図である。
【図８】図８は、同第１，２の収容溝内にワイヤロープが収容された状態における第１，２の基板を第１の方向に沿ってみた状態を示す概略図である。
【図９】図９は、同第１，２の収容溝内にワイヤロープが収容された状態における同第１，２の基板を第１の方向に沿ってみた状態を示す概略図である。
【図１０】図１０は、同第１，２の収容溝内にワイヤロープが収容された状態における同第１，２の基板を第１の方向に沿ってみた状態を示す概略図である。
【図１１】図１１は、同第１，２の収容溝内にワイヤロープが収容された状態における同第１，２の基板を第１の方向に沿ってみた状態を示す概略図である。
【図１２】図１２は、同ワイヤロープ用損傷検出システムの信号処理装置と、報知装置とを示すブロック図である。
【図１３】図１３は、同ワイヤロープ用検出装置の第１，２の磁束検出素子に用いられるＧＭＲ素子の内部の等価回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る損傷検出装置を、図１〜１３を用いて説明する。図１は、損傷検出装置の一例であるワイヤロープ用損傷検出装置２０を備える、ワイヤロープ用損傷検出システム１０を示す概略図である。図１に示すように、ワイヤロープ用損傷検出システム１０は、ワイヤロープ用損傷検出装置２０と、信号処理装置１００と、報知装置１１０とを備えている。ワイヤロープ用損傷検出装置２０は、ケース２１と、ケース２１内に収容される収容物とを備えている。収容物については、後で具体的に説明する。
【００１１】
図２は、図１に示すＦ２―Ｆ２線に沿って示すワイヤロープ用損傷検出装置２０の断面図である。図２は、ワイヤロープ用損傷検出装置２０を、長手方向中間位置で当該長手方向に垂直に切断した状態を示している。図１，２に示すように、ケース２１は、筒形状であって、第１のケース部材２２と、第２のケース部材２３とを備えている。第１のケース部材２２は、第１の底壁部２４と、１対の第１の側壁部２５とを備えている。両第１の側壁部２５は、第１の底壁部２４の両縁から延びている。第１のケース部材２２は、第１の底壁部２４と１対の第１の側壁部２５とを有することによって、図２に示すように、凹形状となる。
【００１２】
第１の底壁部２４には、把手２００が設けられている。把手２００は、作業員がワイヤロープ用損傷検出装置２０を用いて作業を行う際に把持する部分である。
【００１３】
第２のケース部材２３は、第１のケース部材２２と同じ形状であって、第２の底壁部２６と、１対の第２の側壁部２７とを備えている。両第２の側壁部２７は、第２の底壁部２６の両縁から延びている。
【００１４】
第１のケース部材２２と第２のケース部材２３とは、ヒンジ装置２８によって、互いに連結されている。図２は、第１，２のケース部材２２，２３が互いに組み合わさって、ケース２１内に、第１，２のケース部材２２，２３によって囲まれる収容空間を形成している状態を示している。この状態を、ケース２１が閉じた状態とする。
【００１５】
ヒンジ装置２８は、第１，２の側壁部２５，２７を連結している。ヒンジ軸Ｘは、ケース２１の長手方向に延びている。このため、第１，２のケース部材２２，２３は、ヒンジ軸Ｘを回転中心として、互いに相対的に回転可能である。図３は、第１，２のケース部材２２，２３が、ヒンジ軸Ｘ回りに相対的に回転して、開いた状態を示している。
【００１６】
ここで、ワイヤロープ用損傷検出装置２０に方向を定義する。第１の方向Ａは、ケース２１の長手方向である。第２の方向Ｂは、ケース２１が閉じた状態のとき、言い換えると、ケース２１が図２に示す状態のときの第１の底壁部２４から第２の底壁部２６に向う方向および第２の底壁部２６から第１の底壁部２４に向う方向である。第１，２の方向Ａ，Ｂは互いに直交している。
【００１７】
次に、ケース２１内に収容される収容物について、具体的に説明する。なお、収容物の説明においては、ケース２１が閉じた状態の姿勢に基づいて説明する。言い換えると、ワイヤロープ用損傷検出装置２０が図２に示す姿勢に基づいて、収容物を説明する。
【００１８】
収容物は、第１のケース部材２２に固定される第１の部分３０と、第２のケース部材２３に固定される第２の部分６０とを備えている。
【００１９】
図４は、ワイヤロープ用損傷検出装置２０を示す概略図である。図４に示すように、第１の部分３０は、第１の磁束発生部３２と、第１の磁束検出部３３と、第１のガード部材３４とを備えている。
【００２０】
第１の磁束発生部３２は、第１のヨーク３５と、１対の第１の磁石部材３６とを備えている。第１のヨーク３５は、強磁性体材料で形成されている。第１のヨーク３５は、一方向に延びる板形状である。第１のヨーク３５は、第１のケース部材２２の第１の底壁部２４に、第１のヨーク３５の長手方向が、第１のケース部材２２の長手方向に沿うように固定されている。固定方法としては、例えばボルトナットによる締結であってもよいし、または、接着剤を用いる固定であってもよい。
【００２１】
１対の第１の磁石部材３６は、永久磁石であり、第１のヨーク３５の内面３５ａに固定されている。内面３５ａは、ケース２１の内側に面する面であって、第２の方向Ｂに垂直な平面である。両第１の磁石部材３６は、互いに、第１の方向Ａに離間して配置されている。両第１の磁石部材３６は、互いに異極の磁極が内側に面するように、第１のヨーク３５に固定されている。
【００２２】
具体的には、一方の第１の磁石部材３６は、Ｓ極側が第１のヨーク３５に固定されるとともにＮ極側が内側に面している。他方の第１の磁石部材３６は、Ｎ極側が第１のヨーク３５に固定されるとともにＳ極側が内側に面している。
【００２３】
第１の磁束検出部３３は、第１の基板収納ケース２２０と、第１の基板３８と、複数の第１の磁束検出素子と、第１の磁気シールド部材２１０とを備えている。第１の基板３８は、第１のケース部材２２に対して変位しないように固定されており、本実施形態では、一例として、後述される第１の基板収納ケース２２０を介して、第１のヨーク３５に固定されている。
【００２４】
図３は、第１の基板３８が見えられる位置で、ワイヤロープ用損傷検出装置２０を切断している。図３に示すように、第１の基板３８は、第１のヨーク３５から第２の方向Ｂに沿って突出している。第１の基板３８は、一例として、板形状である。第１の基板３８は、両面３８ａ，３８ｂが第１のヨーク３５の長手方向に対して垂直となる姿勢で後述される第１の基板収納ケース２２０内に収納されて、当該第１の基板収納ケース２２０を介して第１のヨーク３５に固定されている。
【００２５】
第１の基板３８の先端部には、第１の収容溝４０が形成されている。第１の収容溝４０は、ワイヤロープＷを収容する。第１の収容溝４０は、平面視形状がＶ字形状である。第１の収容溝４０は、底面部４１と、第１の傾斜面部４２と、第２の傾斜面部４３と、突出部４４とを備えており、第１の基板３８を貫通している。
【００２６】
底面部４１は、第１の基板３８の幅方向中央に位置している。底面部４１の表面は、平面である。第１の傾斜面部４２は、底面部４１の一端から第１の基板３８の先端まで延びている。第２の傾斜面部４３は、底面部４１の他端から第１の基板３８の先端まで延びている。第１，２の傾斜面部４２，４３の表面は、平面である。このため、図３に示すように、第１の収容溝４０の平面形状は、底面部４１と第１，２の傾斜面部４２，４３の直線の縁によってＶ字形状に形成される。突出部４４は、第１の収容溝４０において第１の基板３８の先端の開口の縁のうち第２の傾斜面部側から第２の方向Ｂに沿って突出している。
【００２７】
第１の磁束検出素子は、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子である。本実施形態では、第１の磁束検出素子は、複数用いられており、複数の一例として、６つ用いられている。本実施形態では、この６つの第１の磁束検出素子に、符号４５〜５０を付す。なお、第１磁束検出素子４５〜５０は、同じものである。第１の磁束検出素子４５〜５０は、各々、磁束の検出感度を調整することができる。
【００２８】
第１の磁束検出素子４５〜５０は、第１の収容溝４０の周縁部に固定されている。第１の磁束検出素子４５は、底面部４１の近傍に固定されている。第１の磁束検出素子４６，４７は、第１の傾斜面部４２の近傍に固定されている。第１の磁束検出素子４８，４９は、第２の傾斜面部４３の近傍に固定されている。第１の磁束検出素子５０は、突出部４４に固定されている。
【００２９】
図１に示すように、第１の磁束検出素子４５〜５０の検出結果は、信号処理装置１００に送信される。
【００３０】
第１の磁気シールド部材２１０は、第１の基板３８と全ての第１の磁束検出素子４５〜５０とを覆っている。第１の磁気シールド部材２１０は、第１の磁束検出素子４５〜５０が、ワイヤロープＷの損傷箇所以外から漏れる磁束を検出することを抑制する機能を有している。言い換えると、第１の磁気シールド部材２１０は、ワイヤロープＷの損傷箇所以外からの漏れ磁束の影響を少なくしている。
【００３１】
第１の磁気シールド部材２１０は、透磁率が高く、保磁力が小さい材料から形成されており、一例として、ニッケルを３５〜８０パーセント含むニッケル鉄合金である、ＰＢパーマロイやＰＣパーマロイなどで形成されている。
【００３２】
第１の磁気シールド部材２１０で覆われた第１の基板３８は、第１の基板収納ケース２２０内に収容されている。第１の基板収納ケース２２０は、非磁性体材料で形成されている。なお、第１の基板収納ケース２２０は、先端が開口する形状であって、第１の方向Ａに第１の収容溝４０に対向する部分が開口する形状である。このため、第１の基板収納ケース２２０は、第１の収容溝４０内にワイヤロープＷが収容されることを妨げない。
【００３３】
なお、図２，３では、第１の基板３８と第１の磁束検出素子４５〜５０を示すために、第１の磁気シールド部材２１０と第１の基板収納ケース２２０とは、図示が省略されている。
【００３４】
第１のガード部材３４は、第１の収容溝４０内において第１の底面部４１に対向する位置に固定されている。第１のガード部材３４は、一例として棒形状であり、第１の方向Ａに沿って、両第１の磁石部材３６上を覆う長さを有している。第１のガード部材３４は、第１のケース部材２２に対して固定されている。本実施形態では、一例として、第１のガード部材３４は、固定部材５１，５２によって、第１のヨーク３５に固定されている。
【００３５】
第１のガード部材３４は、第１の収容溝４０内にワイヤロープＷを収容したときに、ワイヤロープＷが、両第１の磁石部材３６に直接接触することを防止するとともに、ワイヤロープＷが第１の収容溝４０の内面に直接接触することを防止する。より具体的には、ワイヤロープＷが第１のガード部材３４に接触することによって、ワイヤロープＷは、両第１の磁石部材３６と第１の収容溝４０の内面とに、直接接触しない。
【００３６】
第２の部分６０は、第２の磁束発生部６２と、第２の磁束検出部６３と、第２のガード部材６４と、位置調整装置６５とを備えている。
【００３７】
第２の磁束発生部６２は、第２のヨーク６６と、１対の第２の磁石部材６９とを備えている。第２のヨーク６６は、強磁性体材料で形成されている。第２のヨーク６６は、一方向に延びる板形状である。第２のヨーク６６は、第２のケース部材２３に固定される。本実施形態では、一例として、長手方向が第１の方向Ａに沿うように、後述される位置調整装置６５によって第２の底壁部２６に固定される。
【００３８】
両第２の磁石部材６９は、永久磁石であり、第２のヨーク６６の内面６６ａに固定されている。内面６６ａは、第２のケース部材２３の内側に面する面であって、第２の方向Ｂに垂直な平面である。両第２の磁石部材６９は、互いに、第１の方向Ａに離間して配置されている。両第２の磁石部材６９は、互いに異極の磁極が内側に面するように、第２のヨーク６６に固定されている。具体的には、一方の第２の磁石部材６９は、Ｓ極側が第２のヨーク６６に固定されるとともにＮ極側が内側に面している。他方の第２の磁石部材６９は、Ｎ極側が第２のヨーク６６に固定されるとともにＳ極側が内側に面している。
【００３９】
第２の磁束検出部６３は、第２の基板収納ケース２３０と、第２の基板６８と、複数の第２の磁束検出素子と、第２の磁気シールド部材２４０とを備えている。第２の基板６８は、後述される位置調整装置６５に第２の基板収納ケース２３０を介して固定される。なお、図３中、位置調整装置６５は、２点鎖線でその外観のみが示されている。第２の基板６８は、第２のヨーク６６から第２の方向Ｂに沿って内側に向って突出している。第２の基板６８は、一例として、板形状である。第２の基板６８は、両面が第１の方向Ａに対して垂直となる姿勢で後述される第２の基板収納ケース２３０内に収納されて当該第２の基板収納ケース２３０を介して位置調整装置６５に固定されている。
【００４０】
第２の基板６８の先端部には、第２の収容溝７０が形成されている。第２の収容溝７０は、ワイヤロープＷを収容する。第２の収容溝７０は、第１の収容溝４０と同じ形状であって、第１の方向Ａに沿って見たときの平面視形状がＶ字形状である。第２の収容溝７０は、第２の底面部７１と、１対の第２の傾斜面部７２と、第２の突出部７４とを備えている。
【００４１】
第２の底面部７１は、第２の基板６８の幅方向中央に位置している。第２の底面部７１の表面は、第２の方向Ｂに垂直な平面である。両第２の傾斜面部７２は、第２の底面部７１の一端から第２の基板６８の先端まで延びている。両第２の傾斜面部７２の表面は、第１の方向Ａに平行な平面である。このため、図３に示すように、第２の収容溝７０の平面形状は、第２の底面部７１と両第２の傾斜面部７２との直線の縁によってＶ字形状に形成される。第２の突出部７４は、第２の収容溝７０において第２の基板６８の先端の開口の縁のうち、一方の第２の傾斜面部７３側から第２の方向Ｂに沿って突出している。なお、第１の突出部４４と第２の突出部７４とは、互いに反対側に位置している。
【００４２】
第２の磁束検出素子は、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子である。本実施形態では、第２の磁束検出素子は、複数用いられており、複数の一例として、６つ用いられている。本実施形態では、この６つの第２の磁束検出素子に符号７５〜８０を付す。第２の磁束検出素子７５〜８０は、各々、磁束の検出感度が調整可能である。
【００４３】
第２の磁束検出素子７５〜８０は、第２の収容溝７０の周縁部に固定されている。第２の磁束検出素子７５は、第２の底面部７１の近傍に固定されている。第２の磁束検出素子７６，７７は、一方の第２の傾斜面部７２の近傍に固定されている。第２の磁束検出素子７８，７９は、他方の第２の傾斜面部７３の近傍に固定されている。第２の磁束検出素子８０は、第２の突出部７４に固定されている。
【００４４】
第２の磁気シールド部材２４０は、第２の基板６８と全ての第２の磁束検出素子７５〜８０とを覆っている。第２の磁気シールド部材２４０は、第２の磁束検出素子７５〜８０が、ワイヤロープＷの損傷箇所以外から漏れる磁束を検出することを抑制する機能を有している。言い換えると、第２の磁気シールド部材２４０は、ワイヤロープＷの損傷箇所以外からの漏れ磁束の影響を少なくしている。
【００４５】
第２の磁気シールド部材２４０は、透磁率が高く、保磁力が小さい材料から形成されており、一例として、ニッケルを３５〜８０パーセント含むニッケル鉄合金である、ＰＢパーマロイやＰＣパーマロイなどで形成されている。
【００４６】
第２の磁気シールド部材２４０で覆われた第２の基板６８は、第２の基板収納ケース２３０内に収容されている。第２の基板収納ケース２３０は、非磁性体材料で形成されている。なお、第２の基板収納ケース２３０は、先端が開口する形状であって、第１の方向Ａに第２の収容溝７０に対向する部分が開口する形状である。このため、第２の基板収納ケース２３０は、第２の収容溝７０内にワイヤロープＷが収容されることを妨げない。
【００４７】
なお、図２，３では、第２の基板６８と第２の磁束検出素子７５〜８０を示すために、第２の磁気シールド部材２４０と第２の基板収納ケース２３０とは、図示が省略されている。
【００４８】
第２の収容溝７０に対する第２の磁束検出素子７５〜８０の位置関係は、第１の収容溝４０に対する第１の磁束検出素子４５〜５０の位置関係と同じである。この点について具体的に説明する。
【００４９】
本実施形態では、第１の収容溝４０と第２の収容溝７０の形状は、同じである。第１の収容溝４０に対する第１の磁束検出素子４５〜５０の位置関係と同じであるとは、第１の収容溝４０と第２の収容溝７０とを重ねたとき、言い換えると、第１の収容溝４０の縁と第２の収容溝７０の縁とを重ねたとき、第１，２の磁束検出素子４５，７５が重なり、第１，２の磁束検出素子４６，７６が重なり、第１，２の磁束検出素子４７，７７が重なり、第１，２の磁束検出素子４８，７８が重なり、第１，２の磁束検出素子４９，７９が重なり、第１，２の磁束検出素子５０，８０が重なる。
【００５０】
このため、図２示すように、ケース２１が閉じた状態では、第１の方向Ａに沿ってみたときに第１，２の収容溝４０，７０によって囲まれる隙間、言い換えると、ワイヤロープＷが収容される隙間の中心を通って、第１，２の磁束検出素子４５，７５が互いに対角に位置し、第１，２の磁束検出素子４６，７６が互いに対角に位置し、第１，２の磁束検出素子４７，７７が互いに対角に位置し、第１，２の磁束検出素子４８，７８が互いに対角に位置し、第１，２の磁束検出素子４９，７９が互いに対角に位置し、第１，２の磁束検出素子５０，８０が互いに対角に位置する。
【００５１】
図１に示すように、第２の磁束検出素子７５〜８０の検出結果は、信号処理装置１００に送信される。
【００５２】
ここで、第１，２の磁束検出素子としても用いられるＧＭＲ素子について、具体的に説明する。図１３は、ＧＭＲ素子の内部の等価回路である。図１３に示すように、ＧＭＲ素子は、第１〜４の磁気抵抗素子３０１〜３０４を備えている。これら４つの第１〜４の磁気抵抗素子３０１〜３０４は、差動出力を得るために、ブリッジ回路３００を構成している。第１〜４の磁気抵抗素子３０１〜３０４の記載の順番に、環になるように、互いに電気的に接続されている。対向する第１，３の磁気抵抗素子３０１，３０３は、磁気シールド材３０５によって覆われており、磁気シールドされている。
【００５３】
ブリッジ回路３００は、電源入力端子３０６と、接地端子３０７と、第１の出力端子３０８と、第２の出力端子３０９とを備えている。電源入力端子３０６は、第１，４の磁気抵抗素子３０１，３０４の接点に電気的に接続されている。電源入力端子３０６には、電源３１０から電圧が印加される。なお、電源３１０は、第１，２の磁束検出素子４５〜５０，７５〜８０に対して共通して用いられている。電源３１０は、例えば、ケース２１の外側に配置されている。
【００５４】
接地端子３０７は、第２，３の磁気抵抗素子３０２，３０３の接点に電気的に接続されている。第１の出力端子３０８は、第１，２の磁気抵抗素子３０１，３０２の接点に電気的に接続されている。第２の出力端子３０９は、第３，４の磁気抵抗素子３０３，３０４の接点に電気的に接続されている。第１，２の出力端子３０８，３０９は、後述される信号処理装置１００に信号を送信する。
【００５５】
図４に示すように、第２のガード部材６４は、第２の収容溝７０内において第２の底面部７１に対向するように、第２のケース部材２３に固定されている。一例として、固定部材３０１を介して、後述される第２の基板指示部８４に固定されている。第２のガード部材６４は、棒形状であり、第１の方向Ａに沿って、両第２の磁石部材６９上を覆う長さを有している。第２のガード部材６４は、第２の収容溝７０内にワイヤロープＷを収容したときに、ワイヤロープＷが、両第２の磁石部材６９と、第２の収容溝７０の内面とに直接接触することを防止する。より具体的には、ワイヤロープＷが第２のガード部材６４に接触することによって、ワイヤロープＷが、両第２の磁石部材６９と、第２の収容溝７０の内面とに直接接触することがない。
【００５６】
ここで、第１の基板３８と第２の基板６８との相対位置について具体的に説明する。図４に示すように、第１の基板３８と第２の基板６８とは、第１の方向Ａに互いに離間しているが、図２に示すように第１の方向Ａに沿って見たときに、第１の収容溝４０と第２の収容溝７０とが重なるように配置されている。より具体的には、図２に示すように第１の方向Ａに沿って見たときに、第１，２の底壁部２４，２６が第２の方向に互いに重なるように配置されている。このため、第１，２の収容溝４０，７０との間にワイヤロープＷを収容可能となる。
【００５７】
位置調整装置６５は、第２の基板６８の第２の底壁部２６に対する第２の方向Ｂに沿う位置を調整可能である。位置調整装置６５は、第２のヨーク６６と、第１の階段部８０ａと、第２の階段部８０ｂと、ボルト８２と、ナット８３と、第２の基板支持部８４と、第１，２のコイルばね８５，８６とを備えている。
【００５８】
本実施形態では、第２のヨーク６６は、位置調整装置６５の一部としての機能も有する。第２のヨーク６６の第１の方向Ａの両端部には、第１の方向Ａに突出する突出部８７が形成されている。第２のヨーク６６の底面６６ｂと、両突出部８７の底面８７ａとの間に段差部が形成されている。一方の突出部８７には、貫通孔８７ｂが形成されている。
【００５９】
第１の階段部８０ａは、第２のケース部材２３に固定されており、本実施形態では、一例として第２の底壁部２６に固定されている。第１の階段部８０ａは、第２の方向Ｂに複数段形成される構造の一例として、第１〜３の段部９０〜９２を備えている。第１〜３の段部９０〜９２は、第２の底壁部２６からの第２の方向Ｂに沿う高さが、互いに異なる。
【００６０】
第１の段部９０は、最下段である。第１の段部９０は、第２の方向Ｂに垂直な第１の平面部９０ａを備えている。第２の段部９１は、第１の段部９０より高い段部である。第２段部９１は、第２の方向Ｂに垂直な第２の平面部９１ａを備えている。第３の段部９２は、最上段である。第３の段部９２は、第２の方向Ｂに垂直な第３の平面部９２ａを備えている。
【００６１】
第２の方向Ｂに沿う第１，２の平面部９０ａ，９１ａ間の長さと、第２，３の平面部９１ａ，９２ａの長さは、同じであり、Ｌ１である。また、第２の底壁部２６の内面２６ｂから第１の平面部９０ａまでの第２の方向Ｂに沿う長さは、Ｌ１である。また、第２のヨーク６６の底面６７ａから突出部８７の底面８７ａまでの第２の方向Ｂに沿う長さは、Ｌ１以下であればよく、本実施形態では、一例としてＬ１である。
【００６２】
第１の階段部８０ａには、第１〜３の貫通孔９３〜９５が形成されている。第１の貫通孔９３は、第１の段部９０を第２の方向Ｂに貫通している。第２の貫通孔９４は、第２の段部９１を第２の方向Ｂに貫通している。第３の貫通孔９５は、第３の段部９２を第２の方向Ｂに貫通している。第２の底壁部２６において、第１〜３の貫通孔９３〜９５に対向する位置には、それぞれ、貫通孔２６ａが形成されている。
【００６３】
第２の階段部８０ｂは、第１の階段部８０ａと同じ形状である。第２の階段部８０ｂにおいて第１の階段部８０ａと同じ機能を有する部分は、第１の階段部８０ａと同じ符号を付して説明を省略する。なお、第２の階段部８０ｂは、第１〜３の貫通孔９３〜９５が形成されなくてもよい。
【００６４】
第２の階段部８０ｂは、第１の階段部８０ａに対して第１の方向Ａに離間した位置に、第１の階段部８０ａに対して反対向きの姿勢で配置されている。第２の階段部８０ｂは、スライド機構９６によって第２の底壁部２６に第１の方向Ａにスライド可能に支持されている。
【００６５】
第２のヨーク６６は、第１，２の階段部８０ａ，８０ｂを介して第２の底壁部２６に固定される。具体定には、第２のヨーク６６一方の突出部８７を、第１の階段部８０ａのいずれかの段部の平面部上に載置する。そして、第２のヨーク６６の他方の突出部８７を、第２の階段部８０ｂにおいて、第１の階段部８０ａにおいて突出部８７が載置された段部と同じ段部の平面部上に載置する。
【００６６】
ついで、第１の階段部８０ａにおいて突出部８７が載置された段部に形成される貫通孔と、当該貫通孔に対向する第２の底壁部２６の貫通孔２６ａと突出部８７の貫通孔とにボルト８２を通し、ナット８３で固定する。このように、第２のヨーク６６が第２の底壁部２６にボルト８２とナット８３とによって締結されて固定される。
【００６７】
第２の基板支持部８４は、第２のヨーク６６に対して第１の部分側に位置している。第２の基板支持部８４は、第１，２のコイルばね８５，８６によって第２のヨーク６６に支持されている。
【００６８】
第１のコイルばね８５は、第２のヨーク６６の第１の方向Ａに沿う一端部に配置されており、一方の第２の磁石部材６９に対して他方の第２の磁石部材６９側に位置している。第２のコイルばね８６は、第２のヨーク６６の他端部に配置されており、他方の第２の磁石部材６９に対して一方の第２の磁石部材６９側に位置している。
【００６９】
第１，２のコイルばね８５，８６は、第２の基板支持部８４と第２の磁石部材６９との間に隙間Ｓ１が形成される長さを有している。隙間Ｓ１は、コイルばね８５，８６の撓み代である。隙間Ｓ１の第２の方向Ｂに沿う長さＬ１である。言い換えると、第１，２の階段部８０ａ，８０ｂにおける各平面部間の第２の方向Ｂに沿う長さと同じである。
【００７０】
第２の基板支持部８４は、第２の方向Ｂに沿って第１，２のコイルばね８５，８６間に対向する部分に、第２のヨーク６６側に向って凹む凹部９７が形成されている。第２の基板６８は、凹部９７上に固定されている。凹部９７と第２のヨーク６６との間には、隙間Ｓ２が形成されている。隙間Ｓ２の第２の方向Ｂに沿う長さは、Ｌ１である。
【００７１】
このように、第２の基板支持部８４と第２の磁石部材６９との間に隙間Ｓ１が設けられ、第２の基板支持部８４と第２のヨーク６６との間に第の隙間Ｓ２が設けられることによって、第１，２のコイルばね８５，８６によって第２の方向Ｂに長さＬ１の範囲で縮むことができる。言い換えると、第２の基板支持部８４が第２のヨーク６６側に長さＬ１弾性変位することができる。第２の基板支持部８４への外力の入力が解除されると、第２の基板支持部８４は、第１，２のコイルばね８５，８６によって、もとの位置に戻る。
【００７２】
図７は、ケース２１が閉じた状態において、第１，２の収容溝４０，７０内にワイヤロープＷが収容された状態を示す概略図である。なお、第１，２の収容溝４０，７０間にワイヤロープＷを収容する際には、一例として、把手２００を掴んでケース２１を開いた状態にする。ついで、第２の収容溝７０内にワイヤロープＷを収容する。ついで、把手２００を掴んで、ケース２１を閉じた状態にする。このようにすることによって、ワイヤロープＷを第１，２の収容溝４０，７０間に収容することができる。
【００７３】
図７に示すように、第１，２の収容溝４０，７０内にワイヤロープＷが収容されると、両第１の磁石部材３６がワイヤロープＷに対向することによって、ワイヤロープＷ内に磁束Ｍ１が発生する。同様に、両第２の磁石部材６９がワイヤロープＷに対向することによって、ワイヤロープＷ内に磁束Ｍ１と同方向の磁束Ｍ２が発生する。
【００７４】
図８は、第１，２の収容溝４０，７０内にワイヤロープＷが収容された状態における第１，２の基板３８，６８を第１の方向Ａに沿ってみた状態を示す概略図である。図８に示すように、第１の磁束検出素子４５〜５０は、ワイヤロープＷの周面において第１の部分３０側の半分に対向する。第２の磁束検出素子７５〜８０は、ワイヤロープＷの周面において第２の部分６０側の範囲に対向する。このように、第１の磁束検出素子４５〜５０と第２の磁束検出素子７５〜８０とがワイヤロープＷの周面の周方向全域に対向する。
【００７５】
ワイヤロープＷに損傷があると、当該損傷箇所から磁束が漏れる。第１の磁束検出素子４５〜５０と第２の磁束検出素子７５〜８０がワイヤロープＷの周面の周方向全域に対向することによって、損傷箇所からもれた磁束は、第１の磁束検出素子４５〜５０と第２の磁束検出素子７５〜８０のいずれかによって検出される。
【００７６】
また、ワイヤロープＷは、ワイヤロープ用損傷検出装置２０に対して、ワイヤロープＷの延びる方向に相対的に移動される。このことによって、ワイヤロープＷの広範囲にわかって、損傷箇所から漏れる磁束を検出することができる。
【００７７】
第１の磁束検出素子４５〜５０の検出結果と、第２の磁束検出素子７５〜８０の検出結果とは、信号処理装置１００に送信される。
【００７８】
図１２は、信号処理装置１００と、報知装置１１０とを示すブロック図である。図１２に示すように、信号処理装置１００は、複数の検出感度バランス回路と、複数の差動増幅回路と、波形合成回路１０９とを備えている。
【００７９】
１つの検出感度バランス回路は、複数の第１の磁束検出素子４５〜５０のいずれか１つと、複数の第２の磁束検出素子７５〜８０のいずれか１つとの組み合わせと、調整用抵抗素子１０１とを備えている。
【００８０】
検出感度バランス回路は、第１の磁束検出素子と第２の磁束検出素子とが、同じ大きさの磁束を検出したときの出力が同じになるように、第１，２の磁束検出素子の出力を調整する機能を有している。
【００８１】
本実施形態では、第１の磁束検出素子と第２の磁束検出素子との組み合わせの一例として、ケース２１が閉じた状態にあるときに、上記したように互いに対角に位置にする検出素子の組み合わせが用いられる。このため、本実施形態では、複数の検出感度バランス回路は、６つ設けられている。６つの検出感度バランス回路について具体的に説明する。本実施形態では、６つの検出感度バランス回路として、第１〜６の検出感度バランス回路１０２〜１０７を備えている。
【００８２】
第１の検出感度バランス回路１０２は、第１の磁束検出素子４５と、第２の磁束検出素子７５と、調整用抵抗素子１０１とを備えている。第１，２の磁束検出素子４５，７５は、接続線によって互いに電気的に接続されるとともに、調整用抵抗素子１０１を介して互いに電気的に接続されている。第１の検出感度バランス回路１０２は、第１，２の磁束検出素子４５，７５におけるワイヤロープＷから漏れる磁束の検出度合いを調整する。
【００８３】
具体的には、第１の磁束検出素子４５の第１の出力端子３０８と、第２の磁束検出素子７５の第２の出力端子３０８とが電気的に接続されている。第１の磁束検出素子４５の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の一端に電気的に接続され、第２の磁束検出素子７５の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の他端に電気的に接続される。
【００８４】
第１の検出感度バランス回路１０２の調整用抵抗素子１０１は、第１，２の磁束検出素子４５，７５が同じ大きさの磁束を検出したときの出力の差が、零になるようにする抵抗値を有している。
【００８５】
そして、調整用抵抗素子１０１から第１，２の磁束検出素子４５，７５の第２の出力端子３０９から出力された信号の合計値を出力するとともに、第１，２の磁束検出素子４５，７５の第１の出力端子３０８の合計値を出力する。
【００８６】
第２の検出感度バランス回路１０３は、第１の磁束検出素子４６と、第２の磁束検出素子７６と、調整用抵抗素子１０１とを備えている。第１，２の磁束検出素子４６，７６は、接続線によって互いに電気的に接続されるとともに、調整用抵抗素子１０１を介して互いに電気的に接続されている。第２の検出感度バランス回路１０３は、第１，２の磁束検出素子４６，７６におけるワイヤロープＷから漏れる磁束の検出度合いを調整する。
【００８７】
具体的には、第１の磁束検出素子４６の第１の出力端子３０８と、第２の磁束検出素子７６の第２の出力端子３０８とが電気的に接続されている。第１の磁束検出素子４６の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の一端に電気的に接続され、第２の磁束検出素子７６の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の他端に電気的に接続される。
【００８８】
第２の検出感度バランス回路１０３の調整用抵抗素子１０１は、第１，２の磁束検出素子４６，７６が同じ大きさの磁束を検出したときの出力の差が、零になるようにする抵抗値を有している。
【００８９】
そして、調整用抵抗素子１０１から第１，２の磁束検出素子４６，７６の第２の出力端子３０９から出力された信号の合計値を出力するとともに、第１，２の磁束検出素子４６，７６の第１の出力端子３０８の合計値を出力する。
【００９０】
第３の検出感度バランス回路１０４は、第１の磁束検出素子４７と、第２の磁束検出素子７７と、調整用抵抗素子１０１とを備えている。第１，２の磁束検出素子４７，７７は、接続線によって互いに電気的に接続されるとともに、調整用抵抗素子１０１を介して互いに電気的に接続されている。第３の検出感度バランス回路１０４は、第１，２の磁束検出素子４７，７７におけるワイヤロープＷから漏れる磁束の検出度合いを調整する。
【００９１】
具体的には、第１の磁束検出素子４７の第１の出力端子３０８と、第２の磁束検出素子７７の第２の出力端子３０８とが電気的に接続されている。第１の磁束検出素子４７の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の一端に電気的に接続され、第２の磁束検出素子７７の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の他端に電気的に接続される。
【００９２】
第３の検出感度バランス回路１０４の調整用抵抗素子１０１は、第１，２の磁束検出素子４７，７７が同じ大きさの磁束を検出したときの出力の差が、零になるようにする抵抗値を有している。
【００９３】
そして、調整用抵抗素子１０１から第１，２の磁束検出素子４７，７７の第２の出力端子３０９から出力された信号の合計値を出力するとともに、第１，２の磁束検出素子４７，７７の第１の出力端子３０８の合計値を出力する。
【００９４】
第４の検出感度バランス回路１０５は、第１の磁束検出素子４８と、第２の磁束検出素子７８と、調整用抵抗素子１０１とを備えている。第１，２の磁束検出素子４８，７８は、接続線によって互いに電気的に接続されるとともに、調整用抵抗素子１０１を介して互いに電気的に接続されている。第４の検出感度バランス回路１０５は、第１，２の磁束検出素子４８，７８におけるワイヤロープＷから漏れる磁束の検出度合いを調整する。
【００９５】
具体的には、第１の磁束検出素子４８の第１の出力端子３０８と、第２の磁束検出素子７８の第２の出力端子３０８とが電気的に接続されている。第１の磁束検出素子４８の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の一端に電気的に接続され、第２の磁束検出素子７８の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の他端に電気的に接続される。
【００９６】
第４の検出感度バランス回路１０５の調整用抵抗素子１０１は、第１，２の磁束検出素子４８，７８が同じ大きさの磁束を検出したときの出力の差が、零になるようにする抵抗値を有している。
【００９７】
そして、調整用抵抗素子１０１から第１，２の磁束検出素子４８，７８の第２の出力端子３０９から出力された信号の合計値を出力するとともに、第１，２の磁束検出素子４８，７８の第１の出力端子３０８の合計値を出力する。
【００９８】
第５の検出感度バランス回路１０６は、第１の磁束検出素子４９と、第２の磁束検出素子７９と、調整用抵抗素子１０１とを備えている。第１，２の磁束検出素子４９，７９は、接続線によって互いに電気的に接続されるとともに、調整用抵抗素子１０１を介して互いに電気的に接続されている。第５の検出感度バランス回路１０６は、第１，２の磁束検出素子４９，７９におけるワイヤロープＷから漏れる磁束の検出度合いを調整する。
【００９９】
具体的には、第１の磁束検出素子４９の第１の出力端子３０８と、第２の磁束検出素子７９の第２の出力端子３０８とが電気的に接続されている。第１の磁束検出素子４９の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の一端に電気的に接続され、第２の磁束検出素子７９の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の他端に電気的に接続される。
【０１００】
第５の検出感度バランス回路１０６の調整用抵抗素子１０１は、第１，２の磁束検出素子４９，７９が同じ大きさの磁束を検出したときの出力の差が、零になるようにする抵抗値を有している。
【０１０１】
そして、調整用抵抗素子１０１から第１，２の磁束検出素子４９，７９の第２の出力端子３０９から出力された信号の合計値を出力するとともに、第１，２の磁束検出素子４９，７９の第１の出力端子３０８の合計値を出力する。
【０１０２】
第６の検出感度バランス回路１０７は、第１の磁束検出素子５０と、第２の磁束検出素子８０と、調整用抵抗素子１０１とを備えている。第１，２の磁束検出素子５０，８０は、接続線によって互いに電気的に接続されるとともに、調整用抵抗素子１０１を介して互いに電気的に接続されている。第６の検出感度バランス回路１０７は、第１，２の磁束検出素子５０，８０におけるワイヤロープＷから漏れる磁束の検出度合いを調整する。
【０１０３】
具体的には、第１の磁束検出素子５０の第１の出力端子３０８と、第２の磁束検出素子８０の第２の出力端子３０８とが電気的に接続されている。第１の磁束検出素子５０の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の一端に電気的に接続され、第２の磁束検出素子８０の第２の出力端子３０９が調整用抵抗素子１０１の他端に電気的に接続される。
【０１０４】
第６の検出感度バランス回路１０７の調整用抵抗素子１０１は、第１，２の磁束検出素子５０，８０が同じ大きさの磁束を検出したときの出力の差が、零になるようにする抵抗値を有している。
【０１０５】
そして、調整用抵抗素子１０１から第１，２の磁束検出素子５０，８０の第２の出力端子３０９から出力された信号の合計値を出力するとともに、第１，２の磁束検出素子５０，８０の第１の出力端子３０８の合計値を出力する。
【０１０６】
本実施形態では、複数の第１の磁束検出素子の１つと、複数の第２の磁束検出素子の１つとの組み合わせの一例として、ケース２１が閉じている状態において、互いに対角に位置にするものの組み合わせが用いられた。他の例としては、ケース２１が閉じた状態にあるときに対向する組み合わせであってもよい。対向するものの組み合わせの一例は、第１，２の磁束検出素子４５，７５の組み合わせと、第１，２の磁束検出素子４８，７６の組み合わせと、第１，２の磁束検出素子４９，７７の組み合わせと、第１，２の磁束検出素子４６，７８の組み合わせと、第１，２の磁束検出素子４７，７９の組み合わせと、第１，２の磁束検出素子５０，８０の組み合わせである。
【０１０７】
差動増幅回路は、１つの検出感度バランス回路に対して１つ設けられている。差動増幅回路は、第１の磁束検出素子と第２の磁束検出素子の検出感度のばらつきを揃えた差動の出力について、各々の差動出力を所定の増幅率で増幅する機能を有している。この所定の増幅率は、変更可能である。また、増幅率を変更可能であることによって、各差動増幅回路での増幅率を各々調整することによって、複数の作動増幅回路から出力される信号を揃えることができる。
【０１０８】
本実施形態では、第１〜６の差動増幅回路１０８ａ〜１０８ｆを備えている。第１の差動増幅回路１０８ａは、第１の検出感度バランス回路１０２に対して設けられている。
【０１０９】
第１の差動増幅回路１０８ａは、調整用抵抗素子１０１に電気的に接続されるとともに、第２の磁束検出素子７５に電気的に接続されている。第１の差動増幅回路１０８ａは、第１，２の磁束検出素子４５，７５の検出感度のばらつきを揃えた差動の出力について、各々の差動出力を設定された増幅率で増幅する。この設定された増幅率は、第１〜６の差動増幅回路１０８a〜１０８ｆからの出力を揃えるために、事前に設定されたものである。
【０１１０】
具体的には、調整用抵抗素子１０１を通過した、第１，２の磁束検出素子４５，７５の第２の出力端子３０９からの出力の合計値と、第１，２の磁束検出素子４５，７５の第１の出力端子３０８からの出力の合計値との差が算出され、上記設定された増幅率で増幅された後出力される。
【０１１１】
第２の差動増幅回路１０８ｂは、第２の検出感度バランス回路１０３に対して設けられている。第２の差動増幅回路１０８ｂは、調整用抵抗素子１０１に電気的に接続されるとともに、第２の磁束検出素子７６に電気的に接続されている。第２の差動増幅回路１０８ｂは、第１，２の磁束検出素子４６，７６の検出感度のばらつきを揃えた差動の出力について、各々の差動出力を増幅するとともに、増幅された信号の大きさを揃える。
【０１１２】
具体的には、調整用抵抗素子１０１を通過した、第１，２の磁束検出素子４６，７６の第２の出力端子３０９からの出力の合計値と、第１，２の磁束検出素子４６，７６の第１の出力端子３０８からの出力の合計値との差が算出され、上記設定された増幅率で増幅された後出力される。
【０１１３】
第３の差動増幅回路１０８ｃは、第３の検出感度バランス回路１０４に対して設けられている。第３の差動増幅回路１０８ｃは、調整用抵抗素子１０１に電気的に接続されるとともに、第２の磁束検出素子７７に電気的に接続されている。第３の差動増幅回路１０８ｃは、第１，２の磁束検出素子４７，７７の検出感度のばらつきを揃えた差動の出力について、各々の差動出力を増幅するとともに、増幅された信号の大きさを揃える。
【０１１４】
具体的には、調整用抵抗素子１０１を通過した、第１，２の磁束検出素子４７，７７の第２の出力端子３０９からの出力の合計値と、第１，２の磁束検出素子４７，７７の第１の出力端子３０８からの出力の合計値との差が算出され、上記設定された増幅率で増幅された後出力される。
【０１１５】
第４の差動増幅回路１０８ｄは、第４の検出感度バランス回路１０５に対して設けられている。第４の差動増幅回路１０８ｄは、調整用抵抗素子１０１に電気的に接続されるとともに、第２の磁束検出素子７８に電気的に接続されている。第４の差動増幅回路１０８ｄは、第１，２の磁束検出素子４８，７８の検出感度のばらつきを揃えた差動の出力について、各々の差動出力を増幅するとともに、増幅された信号の大きさを揃える。
【０１１６】
具体的には、調整用抵抗素子１０１を通過した、第１，２の磁束検出素子４８，７８の第２の出力端子３０９からの出力の合計値と、第１，２の磁束検出素子４８，７８の第１の出力端子３０８からの出力の合計値との差が算出され、上記設定された増幅率で増幅された後出力される。
【０１１７】
第５の差動増幅回路１０８ｅは、第５の検出感度バランス回路１０６に対して設けられている。第５の差動増幅回路１０８ｅは、調整用抵抗素子１０１に電気的に接続されるとともに、第２の磁束検出素子７９に電気的に接続されている。第５の差動増幅回路１０８ｅは、第１，２の磁束検出素子４９，７９の検出感度のばらつきを揃えた差動の出力について、各々の差動出力を増幅するとともに、増幅された信号の大きさを揃える。
【０１１８】
具体的には、調整用抵抗素子１０１を通過した、第１，２の磁束検出素子４９，７９の第２の出力端子３０９からの出力の合計値と、第１，２の磁束検出素子４５，７５の第１の出力端子３０８からの出力の合計値との差が算出され、上記設定された増幅率で増幅された後出力される。
【０１１９】
第６の差動増幅回路１０８ｆは、第６の検出感度バランス回路１０７に対して設けられている。第６の差動増幅回路１０８ｆは、調整用抵抗素子１０１に電気的に接続されるとともに、第２の磁束検出素子８０に電気的に接続されている。第６の差動増幅回路１０８ｆは、第１，２の磁束検出素子５０，８０の検出感度のばらつきを揃えた差動の出力について、各々の差動出力を増幅するとともに、増幅された信号の大きさを揃える。
【０１２０】
具体的には、調整用抵抗素子１０１を通過した、第１，２の磁束検出素子５０，８０の第２の出力端子３０９からの出力の合計値と、第１，２の磁束検出素子５０，８０の第１の出力端子３０８からの出力の合計値との差が算出され、上記設定された増幅率で増幅された後出力される。
【０１２１】
波形合成回路１０９は、第１〜６の差動増幅回路１０８ａ〜１０８ｆから出力された信号を合成する。
【０１２２】
報知装置１１０は、波形整形回路１１１と、損傷判別回路１１２と、報知部１１３とを備えている。波形整形回路１１１は、信号処理装置１００の波形合成回路１０９から、当該波形合成回路１０９によって合成された波形が送信される。
【０１２３】
波形整形回路１１１は、波形合成回路１０９によって合成された信号を、後述される損傷判別回路１１２で扱いやすくするために、波形を整形する機能を有する。本実施形態では、一例として、波形整形回路１１１は、波形合成回路１０９で合成された信号を絶対値処理を行う。絶対値処理とは、波形合成回路１０９で合成された信号の波形のマイナス側の部分をプラス側に加算する処理である。波形整形回路１１１での処理としては、他の例として、オフセット処理が行われてもよい。オフセット処理とは、波形合成回路１０９で合成された信号の波形がプラス側に入るように、信号をプラス側にオフセットする処理である。
【０１２４】
なお、本実施形態では、波形合成回路１０９で合成された信号を損傷判別回路１１２で扱いやすくするために波形整形回路１１１が用いられたが、他の例としては、波形整形回路１１１が用いられずに、波形合成回路１０９で合成された信号が、そのまま、損傷判別回路１１２に送信されてもよい。この場合、損傷判別回路１１２は、波形合成回路１０９で合成された信号を用いて処理を行う。
【０１２５】
損傷判別回路１１２は、波形整形回路１１１から信号が送信される。損傷判別回路１１２は、波形整形回路１１１から受信した信号に基づいて、ワイヤロープＷの破損箇所を判別する。損傷判別回路１１２は、判別した損傷箇所を周囲に報知するべく、報知部１１３に信号を送信する。報知部１１３は、損傷判別回路１１２から受信した信号に基づいて、ワイヤロープＷの損傷箇所を知らせる。報知の一例としては、損傷箇所を映像で報知してもよい。
【０１２６】
位置調整装置６５によって、第１，２の収容溝４０，７０内に多種の径のワイヤロープＷを、第１，２のガード部材３４，６４に接触した状態で、つまり、ワイヤロープＷから第１の磁束検出素子４５〜５０までの距離と、ワイヤロープＷから第２の磁束検出素子７５〜８０までの距離を最も短くした状態で、第１，２の収容溝４０，７０内に収容することができる。
【０１２７】
位置調整装置６５の動作を説明する。図５は、ワイヤロープ用損傷検出装置２０を図４のように示す概略図である。図５では、第２のヨーク６６が、第１，２の階段部８０ａ，８０ｂの第２の段部９１上の平面部９１ａ上に固定された状態を示している。図６は、第２のヨーク６６が第１，２の階段部８０ａ，８０ｂの第１の段部９０の平面部９０ａ上に固定された状態を示している。第２のヨーク６６の底面６６ｂと突出部８７の底面８７ａとの間の第２の方向Ｂに沿う長さがＬ１以下であることによって、両突出部８７の底面６７ａを平面部９０ａ上に安定して載置することができる。なお、図５，６に示すように、他方の突出部８７の底面６７ａを第２の階段部８０ｂの各段部の平面部上に載置する際には、第２の階段部８０ｂの第１の方向Ａに沿う位置をスライド機構によって調整する。
【０１２８】
図８〜１１は、異なる径のワイヤロープＷが第１，２の収容溝４０，７０内に収容された状態における第１，２の基板３８，６７の相対位置を示す概略図である。図５，６に示すように、ワイヤロープＷの径に応じて、第１，２の階段部８０ａ，８０ｂに対する第２のヨーク６６の固定位置を変更することによって、第１，２の収容溝４０，７０間の第２の方向Ｂに沿う長さを変更することができる。
【０１２９】
さらに、第１，２のコイルばね８５，８６によって第２の基板６８は、第２の方向Ｂに沿って長さＬ１内で変位することができる。このことによって、ワイヤロープＷの径が第１，２の階段部８０ａ，８０ｂによる調整では対応できない場合においても、把手２００を掴んで第１のケース部材２２を第２のケース部材２３側に押し付けることによって、第１，２のコイルばね８５，８６が縮む方向に弾性変形するので、ワイヤロープＷを常に第１，２のガード部材３４，６４に接触する状態で、第１，２の収容溝４０，７０内に収容できる。
【０１３０】
また、第１，２の基板３８，６８が第１，２の突出部４４，７４を有するとともに、第１，２の突出部４４，７４に第１，２の磁束検出手段５０，９０が固定されることによって、第１，２の基板３８，６８の相対位置がワイヤロープＷの径に応じて変化しても、ワイヤロープＷの周囲は、磁束検出素子によって囲まれる。
【０１３１】
しかしながら、第１，２の磁束検出素子とワイヤロープＷの表面との間の距離は、ワイヤロープＷの径に応じて変化する。このため、第１，２の磁束検出素子においてワイヤロープＷから離れてしまうものは、各々、磁束の検出感度を調整することができる。
【０１３２】
このように構成されるワイヤロープ用損傷検出装置２０では、位置調整装置６５によって、多種の径のワイヤロープＷの損傷箇所を良好に検出することができる。
【０１３３】
また、位置調整装置６５が多段階的に位置を固定する第１，２の階段部８０ａ，８０ｂと、弾性的に支持する第１，２のコイルばね８５，８６を備えることによって、多種の径に対応することができる。さらに、第２の基板６８の姿勢を安定させることができる。さらに、ワイヤロープＷの損傷箇所を良好に検出できる。さらに、第２の磁石部材６９がワイヤロープＷに接触することを防止することができる。これらについて具体的に説明する。
【０１３４】
第１，２の階段部８０ａ，８０ｂと第１，２のコイルばね８５，８６とを組み合わせることによって、第１，２のコイルばね８５，８６による変位範囲を小さくすることができる。言い換えると、第１，２のコイルばね８５，８６による弾性変位範囲を、第１，２の階段部８０ａ，８０ｂの隣り合う段部間の距離Ｌ１内にすることができる。
【０１３５】
第１，２のコイルばね８５，８６による弾性変位範囲を大きくすると、第２の基板６８の姿勢が不安定になりやすくなるが、上記のように弾性変位範囲を小さくすることができるので、第２の基板６８の姿勢を安定させることができる。
【０１３６】
多種の径のワイヤロープＷに対応するために第１，２の階段部８０ａ，８０ｂを用いずに、第２のヨーク６６をばねで弾性的に支持すると、例えばワイヤロープＷの径が小さい場合では、ワイヤロープＷを挟んで対向する第１の磁石部材３６と第２の磁石部材６９との対向面積が大きくなり、磁力によって互いに反発される。この反発力によって、第２のヨーク６６を支持するばねがたわみ、第２の磁石部材６９がワイヤロープＷから離れてしまう。第２の磁石部材６９がワイヤロープＷから離れると、磁束Ｍ２が小さくなるので、損傷箇所が検出しにくくなる。
【０１３７】
しかしながら、本実施形態では、第１，２の階段部８０ａ，８０ｂによって、第２の磁石部材６９を第２の方向Ｂに多段的に高さを変えて固定することができるので、第２の磁石部材６９がワイヤロープＷから離れることがないので、第２の磁石部材６９によって発生される磁束Ｍ２が小さくなることがない。このため、損傷箇所を良好に検出することができる。
【０１３８】
逆に、ワイヤロープＷの径が大きい場合は、磁力によって第２の磁石部材６９がワイヤロープＷ側に引っ張られるが、第１，２の階段部８０ａ，８０ｂによって固定されることによって、第２の磁石部材６９がワイヤロープＷにくっつくことが抑制される。
【０１３９】
また、第１，２の収容溝４０，７０が、平面視形状Ｖ字形状であることによって、ワイヤロープＷの径が変化しても、ワイヤロープＷから第１，２の磁束検出素子までの距離を短くすることができる。
【０１４０】
また、第１，２の磁束検出素子として、各々感度を調整可能なＧＭＲ素子を用いることによって、ワイヤロープＷからの距離が長くなった磁束検出素子の出力を個別に調整することによって、ワイヤロープＷの損傷箇所を良好に検出することができる。
【０１４１】
具体的に説明する。図８〜１１に示すように、ワイヤロープＷの径が変化することによって、ワイヤロープＷの周囲に配置される第１，２の磁束検出素子が変化するとともに、実際にワイヤロープＷの周囲に配置される第１，２の磁束検出素子からワイヤロープＷまでの距離が変化する。距離が長くなることによって、第１，２の磁束検出素子からの出力が小さくなる。
【０１４２】
このため、ワイヤロープWの周囲に配置される第１，２の磁束検出素子に対して設けられる差動増幅回路での増幅率を大きくすることによって、損傷箇所を良好に検出することができるようになる。
【０１４３】
なお、本実施形態では、第１，２の磁束検出素子として、感度を調整可能な素子の一例である、ＧＭＲ素子を用いたが、他の例として、ＡＭＲ（Anisotropic-Magneto-Resistance）素子が用いられてもよい。ＡＭＲ素子が用いられる場合であっても、本実施形態のように複数用いられてもよい。
【０１４４】
本実施形態では、被検査物の一例として、ワイヤロープＷが用いられた。他の例としては、ワイヤロープＷのような直線形状の部材の損傷箇所を検出することもできる。このように、被検査物は、棒部材やひも部材のように、直線形状の部材の損傷を検出することができる。
【０１４５】
本実施形態において、第１，２の磁束発生部３２，６２は、本発明で言う磁束発生手段の一例である。位置調整装置６５は、本発明で言う支持手段の一例である。第１，２の階段部８０ａ，８０ｂは、多段階調整部の一例である。第１，２のコイルばね８５，８６は、本発明で言う弾性支持部の一例である。
【０１４６】
この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。
【符号の説明】
【０１４７】
２０…ワイヤロープ用損傷検出装置（損傷検出装置）、３２…第１の磁束発生部（磁束発生手段）、３８…第１の基板、４５〜５０…第１の磁束検出素子、６２…第２の磁束発生部（磁束発生手段）、６５…位置調整装置（支持手段）、６８…第２の基板、７５〜８０…第２の磁束検出素子、８０ａ…第１の階段部（多段階調整部）、８０ｂ…第２の階段部（多段階調整部）、８５…第１のコイルばね（弾性支持部）、８６…第２のコイルばね（弾性支持部）、Ｗ…ワイヤロープ（被検出物）、Ｍ１…磁束、Ｍ２…磁束。
【図１】
2014016978.tif 000003
【図２】
2014016978.tif 000004
【図３】
2014016978.tif 000005
【図４】
2014016978.tif 000006
【図５】
2014016978.tif 000007
【図６】
2014016978.tif 000008
【図７】
2014016978.tif 000009
【図８】
2014016978.tif 000010
【図９】
2014016978.tif 000011
【図１０】
2014016978.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年1月18日(2016.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性を有する被検査物内に磁束を発生する磁束発生手段と、
前記被検査物を内側に収容する、所定の方向に見た平面視形状がＶ字形状である第１の収容溝が形成された第１の基板と、
前記所定の方向に前記第１の基板に対してずれた位置に配置される第２の基板であって、前記所定の方向に見た状態においてその開口が前記第１の収容溝の開口に対向し、内側に前記被検査物を収容し、及び、前記所定の方向に見た平面視形状がＶ字形状である第２の収容溝が形成された第２の基板と、
前記第１の収容溝の周縁部に配置され、前記被検査物の周面の一部から漏れる磁束を検出する第１の磁束検出素子と、
前記第２の収容溝の周縁部に、前記所定の方向に見た状態において前記第１の磁束検出素子と対向して配置されて前記第１の磁束検出素子との間に前記被検査物を配置し、前記被検査物の周面のうち前記一部以外の部分の範囲から漏れる磁束を検出する第２の磁束検出素子と、
前記第１，２の基板を、互いの相対位置を前記被検査物の径方向に変化可能に支持する支持手段と
を具備することを特徴とする損傷検出装置。
【請求項２】
前記支持手段は、
前記第１の基板と前記第２の基板との相対位置を前記径方向に多段階に変更可能に多段階に調整する多段階調整部と、
前記第１の基板に対して前記第２の基板を、前記径方向に沿って離れる方向に移動可能に弾性的に支持する弾性支持部と
を具備することを特徴とする請求項１に記載の損傷検出装置。
【請求項３】
前記第１の磁束検出素子は、複数設けられるとともに、各々、検出感度を調整可能であり、
前記第２の磁束検出素子は、複数設けられるとともに、各々、検出感度を調整可能である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の損傷検出装置。
【請求項４】
前記第１，２の磁束検出素子は、ＧＭＲである
ことを特徴とする請求項３に記載の損傷検出装置。
【請求項５】
前記第１，２の磁束検出素子は、ＡＭＲである
ことを特徴とする請求項３に記載の損傷検出装置。
【請求項６】
前記第１の磁束検出素子、及び、前記第２の磁束検出素子は、磁気シールド部材によって覆われる
ことを特徴とする請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の損傷検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の損傷検出装置は、磁性を有する被検査物内に磁束を発生する磁束発生手段と、前記被検査物を内側に収容する、所定の方向に見た平面視形状がＶ字形状である第１の収容溝が形成された第１の基板と、前記所定の方向に前記第１の基板に対してずれた位置に配置される第２の基板であって、前記所定の方向に見た状態においてその開口が前記第１の収容溝の開口に対向し、内側に前記被検査物を収容し、及び、前記所定の方向に見た平面視形状がＶ字形状である第２の収容溝が形成された第２の基板と、前記第１の収容溝の周縁部に配置され、前記被検査物の周面の一部から漏れる磁束を検出する第１の磁束検出素子と、前記第２の収容溝の周縁部に、前記所定の方向に見た状態において前記第１の磁束検出素子と対向して配置されて前記第１の磁束検出素子との間に前記被検査物を配置し、前記被検査物の周面のうち前記一部以外の部分の範囲から漏れる磁束を検出する第２の磁束検出素子と、前記第１，２の基板を、互いの相対位置を前記被検査物の径方向に変化可能に支持する支持手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４６】
この発明は、上述した実施の形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上述した実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより種々の発明を形成できる。例えば、上述した実施の形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。
以下に、本願出願の当初の特許請求範囲に記載された発明を付する。
［１］
磁性を有する被検査物内に磁束を発生する磁束発生手段と、
前記被検査物の周面の一部から漏れる磁束を検出する第１の磁束検出素子と、
前記第１の磁束検出素子と対向して配置されて前記第１の磁束検出素子との間に前記被検査物を配置し、前記被検査物の周面のうち前記一部以外の部分の範囲から漏れる磁束を検出する第２の磁束検出素子と、
前記第１，２の磁束検出素子を、互いの相対位置を前記被検査物の径方向に変化可能に支持する支持手段と
を具備することを特徴とする損傷検出装置。
［２］
前記支持手段は、
前記第１の磁束検出素子と前記第２の磁束検出素子との相対位置を前記径方向に多段階に変更可能に多段階に調整する多段階調整部と、
前記第１の磁束検出素子に対して前記第２の磁束検出素子を、前記径方向に沿って離れる方向に移動可能に弾性的に支持する弾性支持部と
を具備することを特徴とする［１］に記載の損傷検出装置。
［３］
前記被検査物を内側に収容する第１の収容溝が形成されるとともに前記第１の収容溝の周縁部に前記第１の磁束検出素子が固定される第１の基板と、
前記第１の収容溝に対向するとともに内側に前記被検査物を収容する第２の収容溝が形成され、かつ、前記第２の収容溝の周縁部に前記第２の磁束検出素子が固定される第２の基板と
を具備し、
前記第１，２の収容溝は、平面視形状が、Ｖ字形状である
ことを特徴とする［１］または［２］に記載の損傷検出装置。
［４］
前記第１の磁束検出素子は、複数設けられるとともに、各々、検出感度を調整可能であり、
前記第２の磁束検出素子は、複数設けられるとともに、各々、検出感度を調整可能である
ことを特徴とする［１］〜［３］のうちのいずれか１に記載の損傷検出装置。
［５］
前記第１，２の磁束検出素子は、ＧＭＲである
ことを特徴とする［４］に記載の損傷検出装置。
［６］
前記第１，２の磁束検出素子は、ＡＭＲである
ことを特徴とする［４］に記載の損傷検出装置。
［７］
前記磁束検出素子は、磁気シールド部材によって覆われる
ことを特徴とする［１］〜［６］のうちのいずれか１に記載の損傷検出装置。
【国際調査報告】
2014016978.tif 000016
2014016978.tif 000017
2014016978.tif 000018
2014016978.tif 000019