Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を滅菌する滅菌装置であって、
前記対象物を収納する真空チャンバーである滅菌室と、
前記滅菌室に投入する滅菌剤を気化させる気化室と、
前記滅菌室及び前記気化室を真空引きする真空機器と、
前記気化室と前記滅菌室との導通を開閉する弁と、
前記気化室と前記滅菌装置外の大気との導通を開閉する第一大気開放弁と、
を備え、
前記真空機器により、前記気化室内の気圧及び前記滅菌室内の気圧を所定の気圧まで減圧させて、
前記気化室及び前記滅菌室が前記減圧された後に、前記気化室と前記滅菌室とが導通しないように前記弁を閉めてから、前記滅菌剤を前記気化室で気化させ、
前記滅菌剤を前記気化室で前記気化させた後に前記弁を開けて、前記気化室内の気圧と前記滅菌室内の気圧との違いにより、前記気化室で前記気化した滅菌剤を前記滅菌室に投入し、
前記弁を開けて前記気化室と前記滅菌室とが導通している状態で所定時間が経過した後に、前記第一大気開放弁を開けて、前記滅菌装置外の気圧と前記気化室内の気圧との違いにより、前記大気が前記気化室に吸い込まれ、前記大気が前記気化室に残留する滅菌剤を前記滅菌室に送り込むことを特徴とする滅菌装置。
【請求項２】
前記滅菌室と前記大気との導通を開閉する第二大気開放弁を更に備え、
前記第一大気開放弁を開けている状態で所定時間が経過した後に、前記第二大気開放弁を開けて、前記滅菌装置外の気圧と前記滅菌室内の気圧との違いにより、前記大気が前記滅菌室に吸い込まれることを特徴とする請求項１に記載の滅菌装置。
【請求項３】
前記滅菌室と前記大気との導通を開閉する第二大気開放弁を更に備え、
前記第一大気開放弁を開けている状態で前記滅菌室内の気圧が所定の圧力に達した後に、前記第二大気開放弁を開けて、前記滅菌装置外の気圧と前記滅菌室内の気圧との違いにより、前記大気が前記滅菌室に吸い込まれることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の滅菌装置。
【請求項４】
対象物を収納する真空チャンバーである滅菌室と、前記滅菌室に投入する滅菌剤を気化させる気化室と、前記滅菌室及び前記気化室を真空引きする真空機器と、前記気化室と前記滅菌室との導通を開閉する弁と、前記気化室と前記滅菌装置外の大気との導通を開閉する第一大気開放弁と、を備える前記対象物を滅菌する滅菌装置における滅菌方法であって、
前記真空機器により、前記気化室内の気圧及び前記滅菌室内の気圧を所定の気圧まで減圧させて、
前記気化室及び前記滅菌室が前記減圧された後に、前記気化室と前記滅菌室とが導通しないように前記弁を閉めてから、前記滅菌剤を前記気化室で気化させ、
前記滅菌剤を前記気化室で前記気化させた後に前記弁を開けて、前記気化室内の気圧と前記滅菌室内の気圧との違いにより、前記気化室で前記気化した滅菌剤を前記滅菌室に投入し、
前記弁を開けて前記気化室と前記滅菌室とが導通している状態で所定時間が経過した後に、前記第一大気開放弁を開けて、前記滅菌装置外の気圧と前記気化室内の気圧との違いにより、前記大気が前記気化室に吸い込まれ、前記大気が前記気化室に残留する滅菌剤を前記滅菌室に送り込むことを特徴とする滅菌方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、滅菌装置と滅菌方法とに関する。特に、滅菌剤を気化して滅菌室に送り込むことで滅菌する滅菌装置と滅菌方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、滅菌剤を気化する気化室に残留している滅菌剤を滅菌室に送り込む仕組みを設けることで、滅菌剤の無駄を減らしつつも滅菌作用を促す仕組みを提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、対象物を滅菌する滅菌装置であって、前記対象物を収納する真空チャンバーである滅菌室と、前記滅菌室に投入する滅菌剤を気化させる気化室と、前記滅菌室及び前記気化室を真空引きする真空機器と、前記気化室と前記滅菌室との導通を開閉する弁と、前記気化室と前記滅菌装置外の大気との導通を開閉する第一大気開放弁と、を備え、前記真空機器により、前記気化室内の気圧及び前記滅菌室内の気圧を所定の気圧まで減圧させて、前記気化室及び前記滅菌室が前記減圧された後に、前記気化室と前記滅菌室とが導通しないように前記弁を閉めてから、前記滅菌剤を前記気化室で気化させ、前記滅菌剤を前記気化室で前記気化させた後に前記弁を開けて、前記気化室内の気圧と前記滅菌室内の気圧との違いにより、前記気化室で前記気化した滅菌剤を前記滅菌室に投入し、前記弁を開けて前記気化室と前記滅菌室とが導通している状態で所定時間が経過した後に、前記第一大気開放弁を開けて、前記滅菌装置外の気圧と前記気化室内の気圧との違いにより、前記大気が前記気化室に吸い込まれ、前記大気が前記気化室に残留する滅菌剤を前記滅菌室に送り込むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記滅菌室と前記大気との導通を開閉する第二大気開放弁を更に備え、前記第一大気開放弁を開けている状態で所定時間が経過した後に、前記第二大気開放弁を開けて、前記滅菌装置外の気圧と前記滅菌室内の気圧との違いにより、前記大気が前記滅菌室に吸い込まれることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記滅菌室と前記大気との導通を開閉する第二大気開放弁を更に備え、前記第一大気開放弁を開けている状態で前記滅菌室内の気圧が所定の圧力に達した後に、前記第二大気開放弁を開けて、前記滅菌装置外の気圧と前記滅菌室内の気圧との違いにより、前記大気が前記滅菌室に吸い込まれることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明により、滅菌剤を気化する気化室に残留している滅菌剤を滅菌室に送り込む仕組みを設けることで、滅菌剤の無駄を減らしつつも滅菌作用を促す仕組みを提供することが可能となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月14日(2015.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記、温度調整能力の個体差は、ＰＣＲ法において、１サイクル中に行われる３段階の温度変化反応（熱変性、アリーニング、伸長）で、各段階の温度と維持時間が満たされていても、反応温度への到達時間に差が発生するため、測定条件が全く同一にはならない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、ユーザによる施設の使用条件に応じて、適切なモードをユーザが選択できるようにする。具体的には、一番能力が低い温調ブロックの温度勾配に合わせ、どの温調ブロックの温度勾配も一定となる様にする場合、装置全体の検体の処理数が低下する可能性がある。そこで、温度勾配を一定にすることにより、測定条件と検査時間を一定にするモードと、処理能力を優先するモードをユーザが施設の使用条件により選択できるようにする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
［温度勾配の調整］
図５に温度勾配の調整を示す。温調ブロックの温度調整装置の出力レンジＲ４００の範囲において、最小出力電圧ｖ４００時の温度勾配ｔ４００を取得する。次に最大出力電圧ｖ４０１時の温度勾配ｔ４０１を取得する。標準温度勾配がこの２点間にある場合、標準温度勾配Ｔ４００時の調整後出力電圧Ｖ４００を求める。標準温度勾配Ｔ４００は一定の値であるが、求めたＶ４００の値は個体差により、温調ブロック毎に特異な値となる。これを用いることにより、各温調ブロックの温度勾配はすべてＴ４００にすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の温調ブロックのいずれかにより、反応液に含まれる核酸を増幅し検査する核酸検査装置であって、前記温調ブロックの温度制御能力を表す温度勾配が、一定の温度勾配を満たさない場合、該温調ブロックを使用不可能とし、検査に使用しない機能を有することを特徴とする核酸検査装置。
【請求項２】
請求項１に記載の核酸検査装置において、前記温調ブロックの温度勾配を温調ブロックに搭載された温度調整装置の能力範囲内において、任意の温度勾配に調整する機能を有することを特徴とする核酸検査装置。
【請求項３】
請求項２に記載の核酸検査装置において、前記任意の温度勾配に調整する機能は、前記複数の温調ブロック毎に前記温度調整装置に対する出力電圧を調整し、前記複数の温調ブロックごとの温度勾配を一定にする機能を有することを特徴とする核酸検査装置。
【請求項４】
請求項３に記載の核酸検査装置において、前記温度勾配を一定にする機能を、利用するかしないかを切り替える事ができる機能を有することを特徴とする核酸検査装置。
【請求項５】
請求項３に記載の核酸検査装置において、前記複数の温調ブロック毎に検査完了時間と、次検体の投入時刻を予測して表示する事を特徴とする核酸検査装置。
【請求項６】
請求項１に記載の核酸検査装置において、前記核酸を増幅する方法がＰＣＲ法であることを特徴とする核酸検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この例で、数値計算を行った結果の数値としては、最大電界強度１４は49.5kV/cmから51.9kV/cmへ5％程度高くなるが、絶縁破壊の発端となる最大電界強度の90%以上の電界強度となる部分の面積８は、12.35cm2から9.11cm2へと26％も低減し、絶縁耐力の向上が図られたことが判る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2014147195.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2014147195.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行中の移動体に地上側から非接触で給電する非接触給電システムであって、
地上側は、
移動体の走行路に沿って設置された複数の一次側給電トランスと、
前記一次側給電トランスに電線を介して高周波交流を供給する高周波電源と、
前記一次側給電トランスに直列に電気接続された一次側直列コンデンサと、
を備え、
移動体は、
前記一次側給電トランスから非接触で給電される二次側給電トランスと、
前記二次側給電トランスで受電した交流を充電用に整流する整流器と、
前記二次側給電トランスと前記整流器との間に直列または並列に電気接続された二次側共振コンデンサと、
を備え、
前記複数の一次側給電トランスが、直列または並列に電気接続され、
前記一次側給電トランス及び二次側給電トランスは、それぞれ、両端に磁極を有するコアの磁極間の部分に巻線が巻回された両側巻コイルから成り、コア両端の磁極に平行する線の方向が前記移動体の進行方向と一致するように前記走行路または移動体に設置され、
前記一次側給電トランスの前記進行方向における前記磁極の寸法をＤとするとき、前記一次側給電トランスの前記磁極の中心位置から隣接する一次側給電トランスの前記磁極の中心位置までの距離が３Ｄを超えない範囲で、前記複数の一次側給電トランスが、前記走行路に沿って離間して設置されていることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項２】
請求項１に記載の非接触給電システムであって、前記一次側直列コンデンサが一つのコンデンサから成り、前記一次側直列コンデンサが、直列に電気接続された前記複数の一次側給電トランスの一方の端にある一次側給電トランスと前記高周波電源との間に接続されていることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項３】
請求項１に記載の非接触給電システムであって、前記一次側直列コンデンサが複数のコンデンサから成り、前記一次側直列コンデンサの各々が、直列に接続された前記複数の一次側給電トランスの一方の端にある一次側給電トランスと前記高周波電源との間、及び、隣接する前記一次側給電トランスの間に、それぞれ電気接続されていることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項４】
請求項１に記載の非接触給電システムであって、前記一次側直列コンデンサが一つのコンデンサから成り、前記一次側直列コンデンサが、並列に電気接続された前記複数の一次側給電トランスの一方の端子と前記高周波電源との間に電気接続されていることを特徴とする非接触給電システム。
【請求項５】
請求項１に記載の非接触給電システムであって、前記コアが、Ｈ字形コアから成ることを特徴とする非接触給電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月21日(2015.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸収体を構成する液体吸収性素材を供給する吸収性素材供給機構と、
所定面から凹んだ凹部が形成された成形型を所定方向に搬送し、前記吸収性素材供給機構から供給される前記液体吸収性素材を前記凹部内に積層して吸収体を成形する吸収体成形機構と、
前記吸収体成形機構によって成形された前記吸収体を、第１シート材及び第２シート材によって挟んで搬送する搬送機構と、
前記吸収体を挟んで配置された前記第１シート材と前記第２シート材とを接合するシート接合機構と、を備える吸収性物品の製造装置であって、
前記吸収体成形機構の前記成形型は、前記液体吸収性素材を積層する積層領域と、前記吸収体に形成されるスリットに対応する位置に設けられ、かつ前記液体吸収性素材を積層しない非積層領域と、を有しており、
前記吸収性素材供給機構は、前記液体吸収性素材としてのパルプを供給するパルプ供給口と、前記液体吸収性素材としての高吸収性ポリマーを供給するポリマー供給口とを備え、
前記パルプ供給口は、前記積層領域及び前記非積層領域に対向して配置され、
前記ポリマー供給口は、搬送方向と直交する交差方向において前記非積層領域とずれて配置されており、
前記シート接合機構は、前記吸収体の前記スリットに対応する位置において前記第１シート材と前記第２シート材を接合する、吸収性物品の製造装置。
【請求項２】
前記非積層領域は、前記搬送方向と直交する交差方向に間隔を空けて複数設けられており、
前記ポリマー供給口は、前記交差方向に間隔を空けて複数設けられている、請求項１に記載の吸収性物品の製造装置。
【請求項３】
前記非積層領域には、前記凹部内において前記所定面に突出する凸部が形成されている、請求項１又は請求項２に記載の吸収性物品の製造装置。
【請求項４】
前記第１シート材の前記吸収体側の面及び前記第２シート材の前記吸収体側の面のうち少なくともいずれか一方に接着剤を塗布する接着剤塗布機構を更に備える、請求項１から請求項３のいずれかに記載の吸収性物品の製造装置。
【請求項５】
前記シート接合機構よりも搬送方向上流側に配置され、前記吸収体を厚み方向に押圧するプレス機構を更に備える、請求項１から請求項４のいずれかに記載の吸収性物品の製造装置。
【請求項６】
前記ポリマー供給口は、前記パルプ供給口の前記搬送方向における中央部に配置されている、請求項１から請求項５のいずれかに記載の吸収性物品の製造装置。
【請求項７】
吸収体を構成する液体吸収性素材としてのパルプ及び高吸収性ポリマーを供給する吸収性素材供給工程と、
前記液体吸収性素材を積層して吸収体を成形する吸収体成形工程と、
吸収体成形工程によって成形された前記吸収体を、第１シート材及び第２シート材によって挟んで搬送する搬送工程と、
前記吸収体を挟んで配置された前記第１シート材と前記第２シート材とを接合するシート接合工程と、を備える吸収性物品の製造方法であって、
前記吸収性素材供給工程は、前記吸収体に形成されるスリット及び前記スリットから搬送方向に延びる部分に対応する位置に前記高吸収性ポリマーを供給せずに前記パルプを供給し、前記吸収体の前記スリット及び前記スリットから搬送方向に延びる部分以外の領域に対応する位置に、前記高吸収性ポリマー及び前記パルプを供給する、吸収性物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月28日(2015.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の表示を行うことが可能な表示装置と、
時刻を計時可能な計時手段と、
前記表示装置の表示を制御する表示制御手段と、
所定の情報を記憶可能な記憶手段と、
を備えた遊技機であって、
前記記憶手段は、電力の遮断が生じたときの時刻情報を記憶可能に構成され、
前記表示制御手段は、前記時刻情報に基づいた表示を可能にすることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような目的達成のため、本発明に係る遊技機は、所定の表示を行うことが可能な表示装置と、時刻を計時可能な計時手段と、前記表示装置の表示を制御する表示制御手段と、所定の情報を記憶可能な記憶手段と、を備えた遊技機であって、前記記憶手段は、電力の遮断が生じたときの時刻情報を記憶可能に構成され、前記表示制御手段は、前記時刻情報に基づいた表示を可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月28日(2015.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の表示を行うことが可能な表示装置と、
時間を計時可能な計時手段と、
前記表示装置の表示を制御する表示制御手段と、を備え、
電力の遮断が生じた時点を把握可能な情報を算出可能に構成された遊技機であって、
前記表示制御手段は、前記情報に基づいた表示を可能にすることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような目的達成のため、本発明に係る遊技機は、所定の表示を行うことが可能な表示装置と、時間を計時可能な計時手段と、前記表示装置の表示を制御する表示制御手段と、を備え、電力の遮断が生じた時点を把握可能な情報を算出可能に構成された遊技機であって、前記表示制御手段は、前記情報に基づいた表示を可能にする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記発熱体に送風するためのファンと、
前記発熱体を冷却した排気の排出方向を調整する風向き調整部と、
前記排気を前記収納部に排出するための収納部向け排出口と、を更に備える、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のＸ線装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
Ｘ線可動絞り５０は、Ｘ線源４０の直下に備えられている。Ｘ線可動絞り５０は、図示を省略するが、２対の可動制限羽根を有し、各対の可動制限羽根が、同一面内において直交する２方向に開閉することでＸ線の照射野を調整する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
風向き調整部１７は、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、収納部１３の仕切り部１３１の背面に連結されており、間隔を空けて配置された複数枚（図４では３枚）の風向き調整板１７ａ−１、１７ａ−２、１７ａ−３と、風向き調整板１７ａ−１、１７ａ−２、１７ａ−３を連動させて回転させる回転機構１７ｂと、回転機構１７ｂに回転駆動力を付与する回転駆動装置１７ｃと、本体部１０に風向き調整部１７を固定するための固定支持体１７ｄと、を備える。回転機構１７ｂは、歯付きベルト１７ｂと、各風向き調整板１７ａ−１、１７ａ−２、１７ａ−３の一端に固定された歯車１７ｂ−１、１７ｂ−２、１７ｂ−３とから構成される。回転駆動装置１７ｃにより歯付きベルト１７ｂが回転することによって、各風向き調整板１７ａ−１、１７ａ−２、１７ａ−３は、図４（ａ）に示す水平方向と平行な位置から、図４（ｂ）に示す水平方向に対し角度を持つ位置に移動する（逆回転により、その逆方向の移動となる）。また必要に応じて風向き調整板の角度を変化させることも可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
通常、熱源がある本体部１０内部の温度Ｔ１は、外側に面した収納部内の温度Ｔ２より高く、第一閾値Ｔｈ１＞第二閾値Ｔｈ２に設定される。例えば第一閾値Ｔｈ１は、Ｘ線検出器４の耐熱温度を目安に設定される。第二閾値Ｔｈ２は、正常な人体の体温相当であることが望ましく、例えば３６度前後に設定される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（ステップＳ５）
ステップＳ５は、本体部１０の温度Ｔ１が第一閾値Ｔｈ１より低く且つ収納部１３の温度Ｔ２が第二閾値Ｔｈ２より低い場合の処理である。この場合には、前述の図４の（ａ）に示すように、排気が収納部向け排気口１９ｂに向かうように風向き調整板１７ａ−１、１７ａ−２、１７ａ−３の角度を調整する。制御部１４は、回転駆動装置１７ｃに対し、上記風向きを達成するための回転量の指示信号を出力し、回転駆動装置１７ｃが回転する。回転機構１７ｂを介して風向き調整板１７ａ−１、１７ａ−２、１７ａ−３の角度を調整し、排気は、収納部向け排気口１９ｂから収納部１３内に排出され、その後、本体部１０の外部へと排出される。その結果、第二閾値Ｔｈ２未満の温度で、収納部１３に収納されたＸ線検出器４が温められる。本ステップ終了後、ステップＳ２へ戻る。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
１：移動型Ｘ線装置、４：Ｘ線検出器、１０：本体部、１３：収納部、１６：ファン、１７：風向き調整部、１８：吸気口、１９ａ：外部向け排気口、１９ｂ：収納部向け排気口、２０：移動部、３０：支柱、４０：Ｘ線源、５０：Ｘ線可動絞り、６０：アーム、７０：アーム支持部、９１：第一温度検出部、９２：第二温度検出部、１００：ヒータ
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2014147465.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月11日(2015.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
III族窒化物半導体素子のｐ型コンタクト構造は、その下地となるIII族窒化物半導体層（例えば第２のクラッド層２３）のIII族窒化物半導体のｃ面と５０度以上８０度以下の範囲の角度で傾斜した主面（例えば主面２３ａ）に接して設けられたｐ型III族窒化物半導体領域（５１）と、このｐ型III族窒化物半導体領域上に設けられた電極（１６）とを備える。ｐ型III族窒化物半導体領域（５１）は、第１のｐ型III族窒化物半導体層（５３）と、第２のｐ型III族窒化物半導体層（５５）と、第３のｐ型III族窒化物半導体層（５７）を含む。第１のｐ型III族窒化物半導体層（５３）、第２のｐ型III族窒化物半導体層（５５）及び第３のｐ型III族窒化物半導体層（５７）は、電極（１６）からIII族窒化物半導体層（２３）への方向に、主面（例えば主面２３ａ）の法線軸に沿って配列されている。電極（１６）は第１のｐ型III族窒化物半導体層（５３）に金属−半導体界面Ｊ０で接触を成し、第１のｐ型III族窒化物半導体層（５３）は第２のｐ型III族窒化物半導体層（５５）に第１ヘテロ接合ＨＪ１を成すと共に、第２のｐ型III族窒化物半導体層（５５）は第３のｐ型III族窒化物半導体層（５７）に第２ヘテロ接合ＨＪ２を成して、第２のｐ型III族窒化物半導体層（５５）は歪みを内包する。本実施例では、第３のｐ型III族窒化物半導体層（５７）は下地層の表面（例えば主面２３ａ）に接合Ｊ１を成す。第１ヘテロ接合ＨＪ１は、半極性主面（基板主面）１７ａ又は下地層の表面（例えば主面２３ａ）と同様に、支持基体１７の六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸に直交する面に対して角度ＡＬＰＨＡのための角度範囲内の角度で傾斜する基準面に沿って延在している。第２ヘテロ接合ＨＪ２は、半極性主面（基板主面）１７ａ又は下地層の表面（例えば主面２３ａ）と同様に、支持基体１７の六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸に直交する面に対して角度ＡＬＰＨＡのための角度範囲内の角度で傾斜する基準面に沿って延在している。金属−半導体界面Ｊ０は、半極性主面（基板主面）１７ａ又は下地層の表面（例えば主面２３ａ）と同様に、支持基体１７の六方晶系III族窒化物半導体のｃ軸に直交する面に対して角度ＡＬＰＨＡのための角度範囲内の角度で傾斜する基準面に沿って延在している。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）導電性ポリマーと、
（ｂ）アクリル系モノマー、アクリル系オリゴマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂及びエステル樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の成分と
を含有することを特徴とする電解メッキ用プライマー組成物であって、
前記（ａ）導電性ポリマーは、ポリ（３，４−二置換チオフェン）、又は、ポリ（３，４−二置換チオフェン）とポリ陰イオンとの複合体であり、
エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンスルファイド、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタレート、及びＡＢＳ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種である材料樹脂からなる樹脂基体に適用される電解メッキ用プライマー組成物。
【請求項２】
前記ポリ（３，４−二置換チオフェン）は、ポリエチレンジオキシチオフェンである請求項１に記載の電解メッキ用プライマー組成物 。
【請求項３】
前記（ｂ）成分が熱可塑性ポリマー以外の樹脂成分である請求項１又は２に記載の電解メッキ用プライマー組成物。
【請求項４】
（１）基体（Ａ）の表面の一部又は全部に、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電解メッキ用プライマー組成物を用いて導電性プライマー層（Ｂ）を形成する工程、及び、
（２）前記導電性プライマー層（Ｂ）上に電解メッキにより電解メッキ層（Ｃ）を形成する工程、
を経ることを特徴とするメッキ物の製造方法であって、
前記基体（Ａ）は、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、シンジオタクチックポリスチレン、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンスルファイド、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、フッ素樹脂、液晶ポリマー、ポリエチレンテレフタレート、及びＡＢＳ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種である材料樹脂からなる樹脂基体であるメッキ物の製造方法。
【請求項５】
前記基体（Ａ）に前処理を施す工程をさらに含む請求項４に記載のメッキ物の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のメッキ物の製造方法を用いて製造されたことを特徴とするメッキ物。
【請求項７】
回路部品、電磁波シールド部材、又は装飾品である請求項６に記載のメッキ物。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月27日(2014.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、以上の課題を解決することを目的としており、伝導による熱輸送効率を上げ、蓄熱構造として効果を向上できる建物の蓄熱構造を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、伝導による熱輸送効率を上げ、建物の蓄熱構造としての効果を向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月23日(2015.9.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着方向に指向性を有する蒸着源と、
前記蒸着源を移動する蒸着源移動機構と、
三次元曲面を有する被蒸着体を保持する被蒸着体保持機構と、
前記蒸着源の蒸着方向を変える蒸着方向可変機構と、
前記被蒸着体の三次元曲面に蒸着膜が形成されるように、前記蒸着源移動機構および前記蒸着方向可変機構を制御する制御部と、を有する成膜装置。
【請求項２】
蒸着方向に指向性を有する蒸着源と、
前記蒸着源を移動する蒸着源移動機構と、
三次元曲面を有する被蒸着体を保持する被蒸着体保持機構と、
前記蒸着方向に対する前記被蒸着体の蒸着面の角度が一定になるように前記被蒸着体の保持角度を変える被蒸着体保持角度可変機構と、
前記被蒸着体の三次元曲面に蒸着膜が形成されるように、前記蒸着源移動機構および前記被蒸着体保持角度可変機構を制御する制御部と、を有する成膜装置。
【請求項３】
蒸着方向に指向性を有する蒸着源と、
前記蒸着源を移動する蒸着源移動機構と、
三次元曲面を有する被蒸着体を保持する被蒸着体保持機構と、
前記蒸着源の蒸着方向を変える蒸着方向可変機構と、
前記蒸着方向に対する前記被蒸着体の蒸着面の角度が一定になるように前記被蒸着体の保持角度を変える被蒸着体保持角度可変機構と、
前記被蒸着体の三次元曲面に蒸着膜が形成されるように、前記蒸着源移動機構と、前記蒸着方向可変機構および前記被蒸着体保持角度可変機構と、を制御する制御部と、を有する成膜装置。
【請求項４】
指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第１の帯状の蒸着層を形成し、前記第１の帯状の蒸着層からずらして第２の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、
前記蒸着源の蒸着方向または／および前記被蒸着体の保持角度を変えて前記蒸着源の蒸着方向が前記被蒸着体の蒸着面に対して一定の角度を保ちながら蒸着する成膜方法。
【請求項５】
指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第１の帯状の蒸着層を形成し、前記第１の帯状の蒸着層からずらして第２の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、
前記蒸着源の蒸着方向または／および前記被蒸着体の保持角度を変えて、前記蒸着源の蒸着方向の前記被蒸着体の蒸着面に対する角度と、前記蒸着源と前記蒸着面の距離とを、一定に保ちながら蒸着する成膜方法。
【請求項６】
指向性を有する蒸着源を移動しながら被蒸着体の蒸着面の一部に第１の帯状の蒸着層を形成し、前記第１の帯状の蒸着層からずらして第２の帯状の蒸着層を設ける成膜方法であって、
第１の速度で前記蒸着源を移動しながら、前記蒸着方向に対して正対する前記被蒸着体の蒸着面を帯状に蒸着するステップと、
第２の速度で前記蒸着源を移動しながら、前記蒸着方向に対して傾斜する前記被蒸着体の蒸着面を帯状に蒸着するステップと、を有し、
前記第１の速度は前記第２の速度より速い成膜方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の皮膚浸透促進剤は、少なくとも１種の分岐構造を有する脂肪酸エステル油からなり、温度２０℃における表面張力が２９．５ｍＮ／ｍ以下であることを特徴とする。好ましくは表面張力が２８．５ｍＮ／ｍ以下であり、より好ましくは２８ｍＮ／ｍ以下である。表面張力が低いほど、前記エステル油が皮膚表面に伸び広がり易くなり、それに伴いグリチルレチン酸ステアリルの皮膚浸透性もより促進される。効果の観点で、表面張力の下限値については特に制限はないが、一般的には、脂肪酸エステル油の表面張力の下限値は２３ｍＮ／ｍ程度になる。さらに表面張力が低いことで知られているハイドロフルオロカーボン類では１２〜１８ｍＮ／ｍ、ジメチルポリシロキサン類では２０〜２１ｍＮ／ｍであるがこれらはグリチルレチン酸ステアリルの溶解度がほとんどなく、本願の脂肪酸エステル油とは異なる。
なお、本明細書では、表面張力とは、ペンダント・ドロップ法により測定される表面張力の値をいうものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【表１】
2013147442.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される金属錯体。
【化１】
2013147450.tif 000001
［式中、
Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子及び白金原子からなる群から選ばれる金属原子である。
Ｒ０は、それぞれ独立に、下記式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）及び（Ｌ−３）からなる群から選ばれる２価の連結基である。
【化２】
2013147450.tif 000002
［式中、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。］
ｉ及びｊは、それぞれ独立に、０又は１を表す。
ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、ＲＰ５及びＲＰ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。なお、ＲＰ１とＲＰ２は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ２とＲＰ３は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ３とＲＰ４は結合して環構造を形成していてもよい。ただし、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、ＲＰ５及びＲＰ６の少なくとも一つはデンドロン（２個以上の置換基を有するアリール基、または、２個以上の置換基を有する１価の複素環基）であり、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３又はＲＰ４がデンドロンである場合、該デンドロンに連結した連結基Ｒ０の数を表すｊは１である。
ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、ｍ＋ｎは２又は３である。
下記式（２）で表される部分は、２座配位子を表す。
【化３】
2013147450.tif 000003
［式中、Ｒｘ及びＲｙは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。］］
【請求項２】
ｎ＝０である、請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
ＲＰ１〜ＲＰ４の少なくとも一つが電子吸引性の置換基である、請求項１又は２に記載の金属錯体。
【請求項４】
電子吸引性の置換基がフッ素原子又はフッ素原子を含有する置換基である、請求項３に記載の金属錯体。
【請求項５】
金属錯体が下記式（３−１）で表される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の金属錯体。
【化４】
2013147450.tif 000004
［式中、Ｍ、Ｒ０、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、ＲＰ６、式（２）で表される部分、Ｒｘ、Ｒｙ、ｉ、ｊ、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表し、Ｄはデンドロン（２個以上の置換基を有するアリール基、または、２個以上の置換基を有する１価の複素環基）を表す。］
【請求項６】
下記式（３−２）で表される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【化５】
2013147450.tif 000005
［式中、Ｍ、Ｒ０、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ４、ＲＰ５、ＲＰ６、式（２）で表される部分、Ｒｘ、Ｒｙ、ｉ、ｊ、ｍ及びｎは、前記と同じ意味を表し、Ｄはデンドロン（２個以上の置換基を有するアリール基、または、２個以上の置換基を有する１価の複素環基）を表す。］
【請求項７】
Ｍが白金原子又はイリジウム原子である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項８】
発光スペクトルのピーク波長が４３０ｎｍ〜６３０ｎｍである燐光発光を示す、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体と、電荷輸送性化合物と、を含む組成物。
【請求項１０】
電荷輸送性化合物が高分子化合物である、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体と、溶媒又は分散媒と、を含む組成物。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体を含む膜。
【請求項１３】
陽極及び陰極からなる電極と、
該電極間に設けられた、請求項１〜８のいずれか一項に記載の金属錯体を含む層と、を備える発光素子。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発光素子を備える面状光源。
【請求項１５】
請求項１３に記載の発光素子を備える照明。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１ａ）で表される金属錯体。
【化１】
2013147449.tif 000001
［式中、
Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子及び白金原子からなる群から選ばれる金属原子である。
Ｒ０は、それぞれ独立に、下記式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）及び（Ｌ−３）からなる群から選ばれる２価の連結基である。
【化２】
2013147449.tif 000002
［式中、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。］
ｊは、それぞれ独立に、０又は１を表す。
ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４及びＲＰ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。
ＲＰ５は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表す。
なお、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、ＲＰ５及びＲＰ６の少なくとも一つがデンドロンであり、ＲＰ１とＲＰ２は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ２とＲＰ３は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ３とＲＰ４は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ５とＲＰ６は結合して環構造を形成していてもよい。
ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、ｍ＋ｎは２又は３である。
下記式（２）で表される部分は、２座配位子を表す。
【化３】
2013147449.tif 000003
［式中、Ｒｘ及びＲｙは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。］］
【請求項２】
ｎ＝０である、請求項１に記載の金属錯体。
【請求項３】
下記式（１ｂ）で表される金属錯体。
【化４】
2013147449.tif 000004
［式中、
Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子及び白金原子からなる群から選ばれる金属原子である。
Ｒ０は、それぞれ独立に、下記式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）及び（Ｌ−３）からなる群から選ばれる２価の連結基である。
【化５】
2013147449.tif 000005
［式中、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。］
ｊは、それぞれ独立に、０又は１を表す。
ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４及びＲＰ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。
ＲＰ５は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表す。
なお、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、ＲＰ５及びＲＰ６の少なくとも一つがデンドロンであり、ＲＰ１とＲＰ２は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ２とＲＰ３は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ３とＲＰ４は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ５とＲＰ６は結合して環構造を形成していてもよい。
ｍは１〜３の整数であり、ｎは０〜２の整数であり、ｍ＋ｎは２又は３である。
下記式（２）で表される部分は、２座配位子を表す。
【化６】
2013147449.tif 000006
［式中、Ｒｘ及びＲｙは、金属原子Ｍに結合する原子であり、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表す。］］
【請求項４】
ｎ＝０である、請求項３に記載の金属錯体。
【請求項５】
下記式（１ｃ）で表される金属錯体。
【化７】
2013147449.tif 000007
［式中、
Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、オスミウム原子、イリジウム原子及び白金原子からなる群から選ばれる金属原子である。
Ｒ０は、それぞれ独立に、下記式（Ｌ−１）、（Ｌ−２）及び（Ｌ−３）からなる群から選ばれる２価の連結基である。
【化８】
2013147449.tif 000008
［式中、Ｒは、それぞれ独立に、アルキル基を表す。］
ｊは、それぞれ独立に、０又は１を表す。
ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４及びＲＰ６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、カルバモイル基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表し、複数存在するＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４及びＲＰ６は、同一でも異なっていてもよい。
ＲＰ５は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、複数存在するＲＰ５は、同一でも異なっていてもよい。
なお、ＲＰ１、ＲＰ２、ＲＰ３、ＲＰ４、ＲＰ５及びＲＰ６の少なくとも一つがデンドロンであり、ＲＰ１とＲＰ２は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ２とＲＰ３は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ３とＲＰ４は結合して環構造を形成していてもよく、ＲＰ５とＲＰ６は結合して環構造を形成していてもよい。
ｍ１及びｍ２は、それぞれ独立して、１又は２であり、ｍ１＋ｍ２は２又は３である。］
【請求項６】
Ｍが白金原子又はイリジウム原子である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項７】
発光スペクトルのピーク波長が４３０ｎｍ〜６３０ｎｍである燐光発光を示す、請求項１〜６のいずれか一項に記載の金属錯体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、電荷輸送性化合物と、を含む組成物。
【請求項９】
電荷輸送性化合物が高分子化合物である、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体と、溶媒又は分散媒と、を含む組成物。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体又は請求項８若しくは９に記載の組成物を含む膜。
【請求項１２】
陽極及び陰極からなる電極と、
該電極間に設けられた、請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属錯体又は請求項８若しくは９に記載の組成物を含む層と、を備える発光素子。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発光素子を備える面状光源。
【請求項１４】
請求項１２に記載の発光素子を備える照明。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イリジウム錯体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｇ１）で表されるイリジウム錯体。
【化１】
2013147490.tif 000001
（但し、式中、Ａｒは置換又は無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基を表し、Ｒ０は架橋構造を有する炭素数９又は１０のトリシクロアルキル基を表す。また、Ｘ及びＹはそれぞれ独立に炭素又は窒素を表し、炭素である場合は置換基を有していても良い。なお、Ｘ及びＹがどちらも炭素である場合、Ｘ及びＹにベンゼンが縮環していても良い。また、Ｘ及びＹがどちらも炭素で且つ置換基を有する場合、これらの置換基は環を形成していても良い。）
【請求項２】
下記式（Ｇ２）で表されるイリジウム錯体。
【化２】
2013147490.tif 000002
（但し、式中、Ａｒは置換又は無置換の炭素数６乃至１２のアリーレン基を表し、Ｒ０は架橋構造を有する炭素数９又は１０のトリシクロアルキル基を表す。また、Ｒ１は水素、炭素数１乃至６のアルキル基及びフェニル基のいずれか一を表す。Ｘは炭素又は窒素を表し、炭素である場合は置換基を有していても良い。なお、Ｘが炭素である場合、ベンゼンが縮環していても良い。また、Ｘが炭素で且つ置換基を有する場合、Ｒ１とこの置換基は環を形成していても良い。）
【請求項３】
下記式（Ｇ３）で表されるイリジウム錯体。
【化３】
2013147490.tif 000003
（但し、式中、Ｒ０は架橋構造を有する炭素数９又は１０のトリシクロアルキル基を表し、Ｒ１乃至Ｒ５はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基及びフェニル基のいずれか一を表す。Ｘは炭素又は窒素を表し、炭素である場合は置換基を有していても良い。なお、Ｘが炭素でＲ１が水素である場合、ＸとＲ１が結合する炭素にベンゼンが縮環していても良い。Ｘが炭素で且つ置換基を有する場合、当該置換基とＲ１とが環を形成していても良い。）
【請求項４】
下記式（Ｇ４）で表されるイリジウム錯体。
【化４】
2013147490.tif 000004
（但し、式中、Ｒ０は架橋構造を有する炭素数９又は１０のトリシクロアルキル基を表し、Ｒ１乃至Ｒ５はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基及びフェニル基のいずれか一を表す。）
【請求項５】
下記式（Ｇ５）で表されるイリジウム錯体。
【化５】
2013147490.tif 000005
（但し、式中、Ｒ０は架橋構造を有する炭素数９又は１０のトリシクロアルキル基を表し、Ｒ１乃至Ｒ６はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基及びフェニル基のいずれか一を表す。）
【請求項６】
下記式（Ｇ６）で表されるイリジウム錯体。
【化６】
2013147490.tif 000006
（但し、式中、Ｒ０は架橋構造を有する炭素数９又は１０のトリシクロアルキル基を表し、Ｒ２乃至Ｒ５及びＲ７乃至Ｒ１０はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至６のアルキル基及びフェニル基のいずれか一を表す。）
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、Ｒ０がアダマンチル基またはノルアダマンチル基であるイリジウム錯体。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、Ｒ０がアダマンチル基であるイリジウム錯体。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、Ｒ０が２−アダマンチル基であるイリジウム錯体。
【請求項１０】
下記式（１００）で表されるイリジウム錯体。
【化７】
2013147490.tif 000007
【請求項１１】
下記式（１０１）で表されるイリジウム錯体。
【化８】
2013147490.tif 000008
【請求項１２】
下記式（１１８）で表されるイリジウム錯体。
【化９】
2013147490.tif 000009
【請求項１３】
下記式（１１９）で表されるイリジウム錯体。
【化１０】
2013147490.tif 000010
【請求項１４】
下記式（１３６）で表されるイリジウム錯体。
【化１１】
2013147490.tif 000011
【請求項１５】
下記式（１３７）で表されるイリジウム錯体。
【化１２】
2013147490.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月8日(2014.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
嵩上げ部材の隅には上下に貫通する孔が形成されている請求項１〜５いずれかの石貼りパネルによる二重床。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そこで、本出願人は、下記特許文献１及び２のように、下地パネルとほぼ１:１の関係になる石貼りパネルを提案している。特許文献１は、下地パネルの外周にスペーサ部材を接着して石材を載置するとともに、スペーサ部材に設けられる突片部を石材の側面に当てて位置規制したものである。また、特許文献２は、下地パネルのコーナー部裏面に支持脚との間に介在する嵩上げ部材を固定するとともに、石材の上面のレベルが出るように各嵩上げ部材の底面を削るようにしたものである。いずれも下地パネルと石材を１:１の関係に
でき、施工及び取外しが容易であるのを特徴としている。しかし、特許文献１のスペーサ部材や特許文献２のスペーサ部材にしても別々に装着する必要があり、石貼りパネルの製造には手間がかかるものになっていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、以上の石貼りパネルにおいて、請求項２に記載した、石材の方が下地パネルより大きく、起立壁が下地パネルと石材との境で段差で出っ張っている手段、請求項３に記載した、支持脚の上面には床パネルの間隔を保つ仕切体が突設されており、仕切体は石材の高さ以下に設定されている手段、請求項４に記載した、支持脚の上面には仕切体の交差点から外周に向かって外周が漸低する溝が形成されている手段、請求項５に記載した、嵩上げ部材の上面にはピンが突設され、下地パネルの裏面にこのピンが嵌入する穴が形成されている手段、請求項６に記載した、嵩上げ部の隅には上下に貫通する孔が形成されている手段、請求項７に記載した、嵩上げ部は４mm 以上の厚みを有する手段を提供する。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
したがって、起立壁１２bの上方は嵩上げ部１２aよりも当然に側方に張り出すが、起立壁１２bを下地パネル１０と石材１１との境で段差１３で出っ張らせて形成している。この場合、嵩上げ部１２aの一部は嵩上げ部１２aの裏面を支え、他部は仕切体７と下地パネル１０の側面に当接するように起立している。ちなみに、嵩上げ部１２aの段差１３の位置の高さは仕切体７の高さよりも高く、しかも、段差１３の出っ張りは仕切体７の半分程度である。さらに、起立壁１２bの高さも石材１１の表面よりは低くなっている（図３及び４）。いずれも排水性を損なわず、ハイヒールの踵が落ち込まない目地幅（４〜６mm）を保ち、見映えをよくするためである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、嵩上げ部１２aは１/４円形をしているのは上記したが、その弧部１３の裏面には
弧部１３と同芯、かつ、放射状のリブ１５が形成されている（図７及び図８）。軽量にして強度を高めるためである。嵩上げ部１２aの上面の中央外周付近にはピン１６が突設されており、これに対応する下地パネル１０の裏面には穴１７が形成され、ピン１６は穴１７に嵌入されるようになっている（図９及び図１０）。下地パネル１０と嵩上げ部材１２との位置決めを確実にするためである。このときのピン１６と穴１７との嵌合を緊いものにしておけば、下地パネル１０と嵩上げ部材１２の一体化に接着等は必要ない。さらに、嵩上げ部材１２のコーナー部には上下に貫通された孔１８が形成されており（図８）、ここに溜まった雨水等を支持脚２上に落下させ、さらに、溝９を流下させて基礎面１上に落下させる。