【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月19日(2015.3.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）前面がＳｉＯｘもしくは窒化ケイ素からなる反射防止層を含む、前面および裏面を含む半導体を提供し；
ｂ）酸官能基を有する水素化ロジン樹脂の１種以上、および１種以上の脂肪酸を含むホットメルトインクレジストであって、少なくとも１９０の酸価を有するホットメルトインクレジストを反射防止層に選択的に適用し；並びに
ｃ）１種以上の無機酸、およびエッチング組成物に基づいて４０体積％〜８０体積％の１種以上のポリオールであって、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、ポリブチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールおよびグリセリンから選択される１種以上のポリオールを含むエッチング組成物を半導体に適用して、半導体反射防止層の露出部分をエッチング除去し、同時にアンダーカットを抑制する：
ことを含む方法。
【請求項２】
水素化ロジン樹脂がアビエチン酸もしくはピマル酸から生じる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
水素化ロジン樹脂が少なくとも１０重量％の量で含まれる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
脂肪酸が少なくとも６０重量％の量で含まれる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
無機酸がフッ化水素、硫酸もしくは塩酸から選択される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
エッチング組成物が１種以上のアンモニウム化合物をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ホットメルトインクジェットレジストが９５℃以下の温度で選択的に適用される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
エッチング剤が室温〜５０℃で適用される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ａ）前面がドープエミッタ層を含む、前面および裏面を含む半導体を提供し；
ｂ）酸官能基を有する水素化ロジン樹脂の１種以上、および１種以上の脂肪酸を含むホットメルトインクレジストであって、少なくとも１９０の酸価を有するホットメルトインクレジストをドープエミッタ層に選択的に適用し；並びに
ｃ）１種以上の無機酸、およびエッチング組成物に基づいて４０体積％〜８０体積％の１種以上のポリオールであって、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピレングリコール、ブチレングリコール、ポリブチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコールおよびグリセリンから選択される１種以上のポリオールを含むエッチング組成物を半導体に適用して、ドープエミッタ層の露出部分をエッチング除去し、同時にアンダーカットを抑制する：
ことを含む方法。
【請求項１０】
水素化ロジン樹脂がアビエチン酸もしくはピマル酸から生じる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
無機酸がフッ化水素、硫酸もしくは塩酸から選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
エッチング組成物が１種以上のアンモニウム化合物をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
一実施形態においては、方法はａ）前面がＳｉＯｘ、窒化ケイ素もしくはその組み合わせからなる反射防止層を含む、前面および裏面を含む半導体を提供し；ｂ）酸官能基を有する水素化ロジン樹脂の１種以上、および１種以上の脂肪酸を含むホットメルトインクレジストであって、少なくとも１９０の酸価を有するホットメルトインクレジストを反射防止層に選択的に適用し；並びにｃ）１種以上の無機酸を含むエッチング組成物を半導体に適用して、半導体反射防止層の露出部分をエッチング除去し、同時にアンダーカットを抑制することを含む。
別の実施形態においては、方法はａ）前面がドープエミッタ層を含む、前面および裏面を含む半導体を提供し；ｂ）酸官能基を有する水素化ロジン樹脂の１種以上、および１種以上の脂肪酸を含むホットメルトインクレジストであって、少なくとも１９０の酸価を有するホットメルトインクレジストをドープエミッタ層に選択的に適用し；並びにｃ）１種以上の無機酸を含むエッチング組成物を半導体に適用して、ドープエミッタ層の露出部分をエッチング除去し、同時にアンダーカットを抑制することを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
場合によっては、ホットメルトインクレジストは１種以上の蛍光増白剤を含む。従来の蛍光増白剤、例えば、蛍光白色化剤が使用されうる。このような蛍光増白剤には、これに限定されないが、４，４’−ビス［２−（２−メトキシフェニル）エチル］−１，１’−ビフェニル；１，４−ビス（２−シアノスチリル）ベンゼン；２，２’−（１，４−ナフタレンジイル）ビスベンゾオキサゾール；２，２’−（２，５−チオフェンジイル）ビス［５−（１，１−ジメチルエチル）］−ベンゾオキサゾール；２，５−チオフェンジイルビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−１，３−ベンゾオキサゾール）；および２，２’−（１，２−エテンジイルジ−４，１−フェニレン）ビスベンゾオキサゾールが挙げられる。商業的に入手可能な蛍光白色化剤の例には、チバ（Ｃｉｂａ）スイスによるＵＶＩＴＥＸ商標ＦＰおよびＵＶＩＴＥＸ商標ＯＢ、およびバイエル（Ｂａｙｅｒ）Ａ．Ｇ．ドイツによるＢＬＡＮＫＯＰＨＯＲ商標ＥＲである。このような蛍光増白剤はホットメルトインクレジスト中に０．０１重量％〜１重量％、または例えば０．０５重量％〜０．１重量％の量で含まれうる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
エッチング剤は１種以上の無機酸、および場合によって１種以上のポリオールと、残部の水を含む。エッチング剤は８０秒以下の期間で、典型的には５秒〜６０秒の期間で、最も典型的には２０秒〜４０秒の期間で適用される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
次いで、ホットメルトレジストは、０．５重量％の水酸化カリウムのアルカリ水溶液を用いて、ウェハをこの剥離溶液に４０℃で浸漬することにより、ウェハから剥離された。剥離後のウェハの線幅は、同梱のＰＡＸ−ｉｔ像分析ソフトウェアを用いてＰＡＸｃａｍデジタル顕微鏡カメラを使用して決定された。平均線幅は７９．９μｍ±４．４であると決定された。幅の増大はホットメルトレジストをアンダーカットするエッチング剤のせいであった。このアンダーカットは１２．８μｍ／片側（剥離後の線幅−剥離前の線幅／２）であると決定された。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
例２（比較）
別のセットの二酸化ケイ素を備える１２枚のウェハを用いて例１に記載される方法が繰り返された。同じホットメルトインクジェットレジストが使用されて、ウェハ上に「Ｈ」パターンを形成し、そのウェハは同じエッチング溶液でエッチングされた。線幅は、実施例１におけるのと同じＰＡＸｃａｍデジタル顕微鏡および同梱のＰＡＸ−ｉｔイメージ分析ソフトウェアを用いて測定された。印刷されたウェハについての平均線幅は５８．５μｍ±４．４であり、エッチングおよび剥離後の平均線幅は６９．７μｍ±２．５であると測定された。アンダーカットは５．６μｍ／片側であると決定された。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
実施例３
エッチング剤が、体積：体積比６：１で水性フッ化アンモニウムおよび水性フッ化水素に加えて、５０体積％のエチレングリコールを含んでいたことを除いて、例１に記載される方法が繰り返された。
二酸化ケイ素のコーティングを有する例１および２において使用された種類の１２枚の単結晶ウェハが、例１において表に開示されたホットメルトインクジェットレジストで選択的にコーティングされて「Ｈ」パターンを形成した。線幅は、ＰＡＸｃａｍデジタル顕微鏡で測定された。印刷後のウェハの第１のセットについての平均線幅は４９．５μｍ±４．４であり、ウェハの第２のセットの印刷後の平均線幅は５２．０μｍ±３．３であった。エッチングおよびホットメルトレジストをウェハの第１のセットからアルカリ水溶液で剥離した後の平均線幅は４９．２μｍ±２．２であり、第２のセットのウェハについては５２．０μｍ±４．５であった。第１のセットのウェハについてのアンダーカットは０．１５μｍ／片側であると決定され、第２のセットについては０μｍ／片側であると決定された。例１および２におけるのと対照的に、本発明の方法は二酸化ケイ素コーティングした単結晶ウェハにおけるアンダーカットを有意に低減させた。