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【手続補正書】
【提出日】平成27年8月7日(2015.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアの主成分が有機化合物で、シェルの主成分が無機化合物であり、２ｎｍ以上１０ｎｍ以下の平均の厚さのシェルを生成してコア／シェル型粒子を水系媒体中で形成する工程と、
前記コア／シェル型粒子を疎水化処理して、芳香族系の有機溶媒で抽出してシェルで形成された中空粒子の分散液を得る工程と、を有することを特徴とする中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項２】
前記疎水化処理は、シランカップリング剤又はシリル化剤を用いて疎水化処理することを特徴とする請求項１に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項３】
前記コア／シェル型粒子は、個数平均粒径が２０ｎｍ以上２１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項４】
前記コア／シェル型粒子のシェルは、主成分がＲｙＳｉＯｚ（Ｒは炭化水素基、０≦ｙ≦１、１≦ｚ≦２）のユニットで形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項５】
前記無機系化合物は、シロキサン化合物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項６】
前記中空粒子の多分散指数は、０．２００以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項７】
前記中空粒子の分散液を得る工程は、前記水系媒体中の前記コア／シェル型粒子を疎水化処理する工程と、前記疎水化処理されたコアシェル粒子を含む水系媒体に、芳香族系の有機溶媒を加えて溶媒抽出して、前記芳香族系の有機溶媒中にシェルで形成された中空粒子の分散液を得る工程と、を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項８】
前記疎水化処理は、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン又はエチルトリエトキシシランを用いて疎水化処理することを特徴とする請求項２に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項９】
前記疎水化処理は、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、トリメチルエトキシシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、アリルフェニルジクロルシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、ブロムメチルジメチルクロルシラン、α−クロルエチルトリクロルシラン、β−クロルエチルトリクロルシラン、クロルメチルジメチルクロルシラン、トリオルガノシリルメルカプタン、トリメチルシリルメルカプタン、トリオルガノシリルアクリレート、ｎ−トリメチルシリルイミダゾール，ビス（トリメチルシリル）ウレア，トリメチルシリルアミド又はビストリメチルシリルアセトアミドを用いて疎水化処理することを特徴とする請求項２に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項１０】
前記疎水化処理は、ｎ−オクチルジメチルクロロシランを用いて疎水化処理することを特徴とする請求項２に記載の中空粒子の分散液の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の中空粒子の分散液の製造方法で中空粒子の分散液を得る工程と、
前記中空粒子の分散液を基材に塗布して反射防止膜を作製する工程と、を有することを特徴とする反射防止膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の中空粒子分散液の製造方法で中空粒子の分散液を得る工程と、
前記中空粒子の分散液を光学素子に塗布して反射防止膜を有する光学素子を作製する工程と、を有することを特徴とする光学素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月9日(2015.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアミンセグメントとポリエチレングリコールセグメントから構成された２元共重合体と金属酸化物とを含有する金属酸化物ナノ構造体を製造する方法であって、
２元共重合体を含む水溶液（Ａ）と、水溶性金属イオン化合物を含む水溶液（Ｂ）を混合し、２元共重合体と金属イオン化合物が複合してなる、ポリマー・金属イオン複合ミセル水溶液（Ｃ）を得る工程、
前記工程で得られた複合ミセル水溶液（Ｃ）を水蒸気形成温度以上にて水熱反応させる工程、
を有することを特徴とする金属酸化物ナノ構造体の製造方法。
【請求項２】
前記２元共重合体におけるポリアミンセグメントが、分岐構造を有するポリエチレンイミンからなるセグメントである請求項１記載の金属酸化物ナノ構造体の製造方法。
【請求項３】
前記２元共重合体におけるポリアミンセグメントの重量平均分子量が２００〜１０万の範囲である請求項１又は２記載の金属酸化物ナノ構造体の製造方法。
【請求項４】
前記２元共重合体が、ポリエチレンイミンセグメントとポリエチレングリコールセグメントからなるものであって、エチレンイミンモノマーユニット（ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ）とエチレングリコールモノマーユニット（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）とのモル比が１／１〜１／１０の範囲である請求項１〜３の何れか１項記載の金属酸化物ナノ構造体の製造方法。
【請求項５】
前記水溶性金属イオン化合物が、硫酸チタン、塩化チタン、硫酸オキソジルコニウム、硫酸スズ、塩化スズ又は塩化インジウムである請求項１〜４の何れか１項記載の金属酸化物ナノ構造体の製造方法。
【請求項６】
ポリアミンセグメントとポリエチレングリコールセグメントから構成された２元共重合体と金属酸化物とを含有する金属酸化物ナノ構造体であって、当該構造体が粒子径３〜２０ｎｍの範囲の一次粒子が集合してなる、直径５０〜３００ｎｍの範囲の球形、又は長軸方向が５０〜３００ｎｍの範囲の回転楕円体であることを特徴とする金属酸化物ナノ構造体。
【請求項７】
請求項１〜５の何れか１項記載の製造方法で得られるものである請求項６記載の金属酸化物ナノ構造体。
【請求項８】
前記金属酸化物ナノ構造体における金属酸化物が、酸化チタン、酸化スズ、スズドープ酸化インジウム又は酸化ジルコニウムである請求項６又は７記載の金属酸化物ナノ構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、本発明は、ポリアミンセグメントとポリエチレングリコールセグメントから構成された２元共重合体と金属酸化物とを含有する金属酸化物ナノ構造体を製造する方法であって、
２元共重合体を含む水溶液（Ａ）と、水溶性金属イオン化合物を含む水溶液（Ｂ）を混合し、２元共重合体と金属イオン化合物が複合してなる、ポリマー・金属イオン複合ミセル水溶液（Ｃ）を得る工程、
前記工程で得られた複合ミセル水溶液（Ｃ）を水蒸気形成温度以上にて水熱反応させる工程、
を有することを特徴とする金属酸化物ナノ構造体の製造方法、当該製造方法で得られる金属酸化物ナノ構造体を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
水素添加装置４は、ガス抽出口３ｄと水素添加口３ｅを介して反応装置３に接続される。すなわち水素添加装置４は、例えば高圧水素ボンベにより構成される水素供給源４ａと、アルゴンガスの酸素濃度を求める分析器４ｂと、分析器４ｂにより求めた酸素濃度に応じて水素供給源４ａから供給される水素量を調整する水素量調整器４ｃを有する。分析器４ｂはガス抽出口３ｄに接続され、ガス抽出口３ｄから抽出された接続領域３Ｃにおけるアルゴンガスの酸素濃度を求める。水素供給源４ａは水素量調整器４ｃを介して水素添加口３ｅに接続される。水素量調整器４ｃは、例えば水素供給源４ａと水素添加口３ｅとを接続する配管の開度を流量制御バルブ等により調整することで、水素供給源４ａから供給される水素量を分析器４ｂにより求められた酸素濃度に応じて調整する。この調整により、アルゴンガスに水素添加口３ｅから添加される水素量が、第１反応領域３Ａでの反応によりアルゴンガスに残留する酸素の全てと反応するのに必要な化学量論量未満とされる。これにより、第１反応工程の実行によりアルゴンガスに残留する酸素の全てと反応するのに必要な化学量論量未満の水素を、水素添加装置４によりアルゴンガスに添加する水素添加工程が実行される。本実施形態では、水素添加工程においてアルゴンガスに添加する水素量は、第１反応工程の実行によりアルゴンガスに残留する酸素の全てと反応するのに必要な化学量論量の９５％以上１００％未満とされる。すなわち、この水素添加によりアルゴンガスにおける水素モル濃度は酸素モル濃度の１．９倍以上、２倍未満とされる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図３は、反応装置３の変形例を示す。上記実施形態との相違は、反応装置３は第１反応容器３ｂ′、第２反応容器３ａ′、及び第１反応容器３ｂ′と第２反応容器３ａ′を接続する配管３ｃ′を有する。第１反応容器３ｂ′内が第１反応領域３Ａとされ、第２反応容器３ａ′内が第２反応領域３Ｂとされ、配管３ｃ′内が接続領域３Ｃとされ、接続領域３Ｃには触媒が充填されない。水素添加口３ｅは接続領域３Ｃに通じるように配置される。他は上記実施形態と同様とされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図４は本発明の変形例に係る精製装置α′を示す。本変形例においては、加熱器２に接続される活性炭吸着塔２２が設けられ、活性炭吸着塔２２に、アルゴンガスに含まれる炭化水素の一部と油分を吸着する活性炭が収容されている。ガス送り手段７により、供給源１から供給されるアルゴンガスが回収され、除塵用フィルター２１、活性炭吸着塔２２を介して加熱器２に導入される。この変形例は、アルゴンガスが不純物として当初から含有する酸素、水素、一酸化炭素、窒素に加え、第１反応工程前に付加される炭化水素および油分を含有し、当初から含有する酸素の量が、当初から含有する水素、一酸化炭素、および付加された炭化水素の全てと反応するのに必要な化学量論量よりも多い場合に対応できる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月30日(2015.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式［１］で示されることを特徴とする縮合多環化合物。
【化１】
2014034520.tif 000001
［式［１］中、Ｒ１乃至Ｒ１５は水素原子、シアノ基、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアリール基、置換あるいは無置換の複素環基からそれぞれ独立に選ばれる基を示す。］
【請求項２】
前記Ｒ２、前記Ｒ４、前記Ｒ８、前記Ｒ１２、前記Ｒ１３のうちの少なくとも２つが電子吸引性の置換基であることを特徴とする請求項１に記載の縮合多環化合物。
【請求項３】
前記アルキル基、前記アリール基、前記複素環基が置換基を有する場合、前記置換基は、アルキル基、アラルキル基、アリール基、複素環基、アミノ基、アルコキシル基、フェノキシ基、シアノ基、ハロゲン原子のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載の縮合多環化合物。
【請求項４】
一対の電極と前記一対の電極の間に配置されている有機化合物層とを有する有機発光素子であって、前記有機化合物層は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の縮合多環化合物を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物層は、ホストとゲストとを有する発光層であり、
前記ゲストが、前記縮合多環化合物であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記有機化合物層は、複数のゲストを有する発光層であり、
前記複数のゲストのうちの少なくとも一つは、前記縮合多環化合物であり、
白色を発することを特徴とする請求項４または５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
複数の画素を有し、前記複数の画素のうち少なくともひとつは、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されている能動素子とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
画像情報を入力する入力部と、画像を表示する表示部とを有し、前記表示部は、請求項７に記載の表示装置であることを特徴とする画像情報処理装置。
【請求項９】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続されているＡＣ／ＤＣコンバーター回路とを有することを特徴とする照明装置。
【請求項１０】
感光体と、前記感光体の表面を帯電させる帯電手段と、前記感光体を露光して静電潜像を形成するための露光手段と、前記感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像手段とを有する画像形成装置であって、
前記露光手段は、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１１】
感光体を露光するための露光手段であって、
前記露光手段は、請求項４乃至６のいずれか一項に記載の有機発光素子を有し、
前記有機発光素子は、列を形成して配置されていることを特徴とする露光手段。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月22日(2015.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単量体成分を乳化重合させてなるエマルション粒子を含有するトップコート用樹脂エマルションであって、前記単量体成分に対する反応性を有するアニオン性乳化剤および前記単量体成分に対する非反応性を有するアニオン性乳化剤を含有することを特徴とするトップコート用樹脂エマルション。
【請求項２】
エマルション粒子が複数層で形成され、当該複数層のうち最外層を構成する樹脂の原料が単量体成分に対する反応性を有するアニオン性乳化剤および単量体成分に対する非反応性を有するアニオン性乳化剤を含有する単量体成分である請求項１に記載のトップコート用樹脂エマルション。
【請求項３】
単量体成分を乳化重合させてなるエマルション粒子を含有するトップコート用樹脂エマルションを製造する方法であって、前記単量体成分に対する反応性を有するアニオン性乳化剤および前記単量体成分に対する非反応性を有するアニオン性乳化剤の存在下で前記単量体成分を乳化重合させることを特徴とするトップコート用樹脂エマルションの製造方法。
【請求項４】
樹脂エマルションに含まれるエマルション粒子を複数層で形成させる際に、当該複数層のうち最外層を、単量体成分に対する反応性を有するアニオン性乳化剤および単量体成分に対する非反応性を有するアニオン性乳化剤の存在下で単量体成分を乳化重合させることによって形成させる請求項３に記載のトップコート用樹脂エマルションの製造方法。
【請求項５】
請求項１または２に記載のトップコート用樹脂エマルションを含有してなる塗料用樹脂組成物。
【請求項６】
請求項５に記載の塗料用樹脂組成物を含有してなる上塗り塗料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、
（１）  単量体成分を乳化重合させてなるエマルション粒子を含有するトップコート用樹脂エマルションであって、前記単量体成分に対する反応性を有するアニオン性乳化剤および前記単量体成分に対する非反応性を有するアニオン性乳化剤を含有することを特徴とするトップコート用樹脂エマルション、
（２）  エマルション粒子が複数層で形成され、当該複数層のうち最外層を構成する樹脂の原料が単量体成分に対する反応性を有するアニオン性乳化剤および単量体成分に対する非反応性を有するアニオン性乳化剤を含有する単量体成分である前記（１）に記載のトップコート用樹脂エマルション、
（３）  単量体成分を乳化重合させてなるエマルション粒子を含有するトップコート用樹脂エマルションを製造する方法であって、前記単量体成分に対する反応性を有するアニオン性乳化剤および前記単量体成分に対する非反応性を有するアニオン性乳化剤の存在下で前記単量体成分を乳化重合させることを特徴とするトップコート用樹脂エマルションの製造方法、
（４）  樹脂エマルションに含まれるエマルション粒子を複数層で形成させる際に、当該複数層のうち最外層を、単量体成分に対する反応性を有するアニオン性乳化剤および単量体成分に対する非反応性を有するアニオン性乳化剤の存在下で単量体成分を乳化重合させることによって形成させる前記（３）に記載のトップコート用樹脂エマルションの製造方法、
（５）  前記（１）または（２）に記載のトップコート用樹脂エマルションを含有してなる塗料用樹脂組成物、および
（６）  前記（５）に記載の塗料用樹脂組成物を含有してなる上塗り塗料。
に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、本実施形態の吸気装置７０によれば、支持部９５は、ケース本体７３の側面の一部から、ケース本体７３とカバー部７５との合わせ面と面一且つ平行に延設されるため、ケース本体７３を成形する割り型を簡素にすることができ、製造コストを削減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（３）試験３（リン酸亜鉛皮膜１３６ｆの耐かじり性及び駆動軸１１０の回転トルク）
次に、試験２と同様、可変容量圧縮機１００に組み込んで駆動軸１１０を手動で回転させることによってリン酸亜鉛皮膜１３６ｆの表面の面粗度Ｒａが小さくなったピストン１３６、すなわち、第１摺動部１３６ｄのリン酸亜鉛皮膜１３６ｆの表面が調整（平滑化）されたピストン１３６が、実際になじみ性を有しているか否かを確認する試験を行った。具体的には、図６に示すような試験装置４００を用いてピストン１３６の上面（トップ面）に過大な付勢力を作用させ、第１摺動部１３６ｄと第１シュー１３７ａの球面部１３７ｃとの間でかじりが発生するか否かを確認した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この試験３では、図６に示す試験装置４００において、付勢力調整装置４２０によってピストン１３６の上面（トップ面）に所定の付勢力を作用させた状態で駆動軸１１０を回転させて第１摺動部１３６ｄと第１シュー１３７ａの球面部１３７ｃとの間でかじりが発生するか否かの確認を行い、このときの駆動軸１１０の回転トルクを計測した。
なお、ピストン１３６、一対のシュー（第１シュー１３７ａ，第２シュー１３７ｂ）及び斜板１１１は洗浄されており、オイルは一切付着されていない。また、この試験は、駆動軸１１０を１０回転させ、その間にかじりが発生するか否かを確認した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
試験３の結果を図７に示す。
事前に駆動軸１１０を８０回転させた（すなわち、なじみが十分な状態の）ピストン１３６（ｎ＝５）については、すべてがかじりを発生させることなく、駆動軸１１０を１０回転させることができた。一方、事前に駆動軸１１０を２０回転させた（すなわち、なじみが不足している状態の）ピストン１３６（ｎ＝５）については、一つしか駆動軸１１０を１０回転させることができなかった（残りはかじりが発生した）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
試験１〜３の結果より、（ａ）膜厚が１〜６μｍ、表面の面粗度がＲａ０．８で形成されたリン酸亜鉛皮膜１３６ｆ，１３６ｇは十分な耐摩耗性を有すること、（ｂ）第１シュー１３７ａの球面部１３７ｃによって表面が調整（平滑化）されたリン酸亜鉛皮膜１３６ｆは十分ななじみ性を有しており、耐焼き付き性及び耐かじり性を発揮すること、及び、（ｃ）結果的に、第１摺動部１３６ｄに形成されたリン酸亜鉛皮膜１３６ｆの表面の面粗度Ｒａが、第２摺動部１３６ｅに形成されたリン酸亜鉛皮膜１３６ｇの表面の面粗度Ｒａよりも小さくなること、が確認された。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
次に、可変容量圧縮機１００の組立工程におけるリン酸亜鉛皮膜の表面の調整（平滑化）について説明する。
可変容量圧縮機１００の組立工程において、複数の通しボルト１０５を締め付けて前記圧縮機ハウジングが形成された状態であれば、駆動軸１１０を回転させてピストン１３６を往復運動させることができる。したがって、この工程よりも後に、駆動軸１１０を回転させてリン酸亜鉛皮膜の表面を調整（平滑化）する工程、より具体的には、第１摺動部１３６ｄのリン酸亜鉛皮膜１３６ｆの表面になじみ性を持たせる調整工程を設ければよい。
この調整工程は、駆動軸１１０の回転によってリン酸亜鉛皮膜１３６ｆのなじみ性が確保されるようにあらかじめ諸条件が設定される。なお、可変容量圧縮機１００の組立工程が、駆動軸１１０を回転させる工程を含んでいる場合には、当該工程の一部又は全部を前記調整工程として利用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2014034929.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月24日(2015.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の濾材が複数の溶着部により一体化されたフィルタ材を有しかつ中空部を形成するフィルタ部材を備え、
燃料タンク内に配置されかつ燃料を吸入する燃料吸入口が前記フィルタ部材の中空部に連通される燃料フィルタ装置であって、
前記燃料タンクと前記フィルタ材との間に配置される間隔形成部を有する外側の間隔形成部材を備え、
前記外側の間隔形成部材の間隔形成部は、複数の開口部を形成する桟部を有し、
前記溶着部の間に該外側の間隔形成部材の間隔形成部の桟部が配置されている
ことを特徴とする燃料フィルタ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の燃料フィルタ装置であって、
前記フィルタ材の中空部に配置される間隔形成部を有する内側の間隔形成部材を備え、
前記内側の間隔形成部材の間隔形成部は、複数の開口部を形成する桟部を有し、
前記溶着部の間に該内側の間隔形成部材の間隔形成部の桟部が配置されている
ことを特徴とする燃料フィルタ装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の燃料フィルタ装置であって、
前記フィルタ材は、前記燃料吸入口が接続される前記フィルタ部材の接続部に対向する領域を有し、
前記接続部の軸線方向から見て、前記接続部に対向する前記フィルタ材の領域内に前記溶着部が配置されている
ことを特徴とする燃料フィルタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１〜図３に示すように、前記ケース部材１８は、扁平な四角形箱状に形成されている。ケース部材１８は、上下に分割された蓋体４４とケース本体４２とから構成されている。ケース本体４２は、上面を開口する浅い有底四角形箱状に形成されている。ケース本体４２内には、前記フィルタ部材１６が収容されている（図３参照）。すなわち、ケース本体４２はフィルタ部材１６の外側に配置されている。ケース本体４２の底板部４３は格子状に形成されている。すなわち、図２に示すように、底板部４３は、四角形枠状の枠部４６と、枠部４６内を前後方向に斜めに横切るとともに相互に交差する桟部４７とを有する。桟部４７同士の交差部分及び枠部４６と桟部４７との交差部分を交差部４８という。また、桟部４７同士、及び、桟部４７と枠部４６とにより板厚方向（図３において上下方向）に開口する四角（菱形）形状又は三角形状の開口部４９が形成されている。底板部４３は、フィルタ部材１６の下側のフィルタ材２０Ｂ（詳しくは外面（下面））に面しており、相互に面接触状に当接可能となっている。また、枠部４６の四隅部の下面には、半球状の支持突起５０が突出されている。各支持突起５０が前記燃料タンク１２の底壁部１３上に当接することにより、ケース本体４２の底板部４３と燃料タンク１２の底壁部１３との間に燃料が流通する隙間５１が形成されている（図３参照）。また、底板部４３と支持突起５０とにより、ケース本体４２の底板部４３と燃料タンク１２の底壁部１３との対向面間に所定の間隔を形成する間隔形成部５２が構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体層からなる積層体と、前記積層体の内部にスパイラル状に形成されたコイル導体とを備え、前記コイル導体は絶縁体層に形成された導体パターンと絶縁体層を貫通し複数の導体パターンを電気的に接続するビアホール導体とを有し、
一部の絶縁体層に形成された導体パターンは略矩形状の４つの頂点を含み一辺の一部を欠くＣ字状パターンであり、他の一部の絶縁体層に形成された導体パターンは前記略矩形状における前記Ｃ字状パターンにて欠けた一辺の一部に相当するＩ字状パターンであり、
前記Ｃ字状パターンが形成された絶縁体層と前記Ｉ字状パターンが形成された絶縁体層とが積層体の少なくとも一部において隣接し、
積層体は互いに垂直である３辺の長さが０．６ｍｍ、０．３ｍｍ及び０．３ｍｍである直方体状である、
積層インダクタ。
【請求項２】
Ｉ字状パターンの長さが前記略矩形状の４辺の長さの合計の３０％以下である請求項１記載の積層インダクタ。
【請求項３】
絶縁体層はガラスを主成分とする請求項１又は２記載の積層インダクタ。
【請求項４】
Ｃ字状パターンが形成された絶縁体層が複数存在し、前記Ｃ字状パターンにおける中心部から一辺の一部を欠く向きは全てのＣ字状パターンにおいて共通である、請求項１〜３のいずれか１項記載の積層インダクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファクシミリデータを外部のファクシミリ装置から受信するファクシミリデータ受信部と、
前記受信したファクシミリデータを印刷するための印刷性能を記憶する装置性能記憶部と、
前記印刷性能を前記装置性能記憶部から読み出し、前記受信したファクシミリデータの印刷に必要な印刷所要時間を算出する印刷所要時間算出部と、
前記受信したファクシミリデータ及びその附随情報に基づいて、当該ファクシミリデータの受信者となるユーザーを判定する受信ユーザー判定部と、
前記受信ユーザー判定部により判定されたユーザーについてのスケジュールをユーザースケジュールデータベースから取得するユーザースケジュール取得部と、
前記取得されたスケジュールから、前記ユーザーの空き時間を判定する空き時間判定部と、
前記判定された空き時間内で前記ファクシミリデータの印刷を完了可能な印刷開始日時を、前記算出された印刷所要時間を用いて算出する印刷開始日時算出部と、
前記ファクシミリデータに基づいた印刷を行う画像形成部と、
前記算出された印刷開始日時の到来時に、前記画像形成部に前記ファクシミリデータに基づいた印刷を行わせる制御部と、を備えた画像形成装置。
【請求項２】
前記算出された印刷開始日時の到来時に、前記ユーザーに対応付けられたコンピューターが前記ネットワーク上に存在するか否かを判別する判別部を更に備え、
前記制御部は、前記判別部によって、前記コンピューターが前記ネットワーク上に存在すると判別された場合に、前記画像形成部に前記ファクシミリデータを印刷させる請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記印刷開始日時が算出された後、前記ユーザースケジュールデータベースにアクセスして、当該印刷開始日時に前記ファクシミリデータの印刷が実行される旨のタスクを登録する第１タスク処理部を更に備えた請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記空き時間判定部によって前記空き時間が判定されなかった場合に、前記ユーザースケジュールデータベースにアクセスして、前記ファクシミリデータの受信を示すタスクを登録する第２タスク処理部を更に備える請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記判別部によって前記コンピューターが前記ネットワーク上に存在しないと判別された場合に、前記ユーザースケジュールデータベースにアクセスして、前記ファクシミリデータの受信を示すタスクを登録する第２タスク処理部を更に備える請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記ファクシミリデータの印刷完了時に、前記ユーザースケジュールデータベースに当該ファクシミリデータに関連して前記第１タスク処理部により登録されているタスクを完了にする第３タスク処理部を更に備えた請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記ファクシミリデータの印刷完了時に、前記ユーザースケジュールデータベースに当該ファクシミリデータに関連して前記第２タスク処理部により登録されているタスクを完了にする第３タスク処理部を更に備えた請求項４又は請求項５に記載の画像形成装置。
【請求項８】
画像形成装置と、ユーザースケジュールデータベースとを有するスケジュール連携印刷サービスシステムであって、
前記画像形成装置は、
ファクシミリデータを外部のファクシミリ装置から受信するファクシミリデータ受信部と、
前記受信したファクシミリデータを印刷するための印刷性能を記憶する装置性能記憶部と、
前記印刷性能を前記装置性能記憶部から読み出し、前記受信したファクシミリデータの印刷に必要な印刷所要時間を算出する印刷所要時間算出部と、 
前記受信したファクシミリデータ及びその附随情報に基づいて、当該ファクシミリデータの受信者となるユーザーを判定する受信ユーザー判定部と、
前記受信ユーザー判定部により判定されたユーザーについてのスケジュールをユーザースケジュールデータベースから取得するユーザースケジュール取得部と、
前記取得されたスケジュールから、前記ユーザーの空き時間を判定する空き時間判定部と、
前記判定された空き時間内で前記ファクシミリデータの印刷を完了可能な印刷開始日時を、前記算出された印刷所要時間を用いて算出する印刷開始日時算出部と、
前記ファクシミリデータに基づいた印刷を行う画像形成部と、
前記算出された印刷開始日時の到来時に、前記画像形成部に前記ファクシミリデータに基づいた印刷を行わせる制御部とを備え、
前記ユーザースケジュールデータベースは、
複数のユーザーについての各スケジュールを記憶するスケジュール記憶部を備えるスケジュール連携印刷サービスシステム。
【請求項９】
コンピューターを、
ファクシミリデータを外部のファクシミリ装置から受信するファクシミリデータ受信部と、
前記受信したファクシミリデータを印刷するための印刷性能を記憶する装置性能記憶部と、
前記印刷性能を前記装置性能記憶部から読み出し、前記受信したファクシミリデータの印刷に必要な印刷所要時間を算出する印刷所要時間算出部と、
前記受信したファクシミリデータ及びその附随情報に基づいて、当該ファクシミリデータの受信者となるユーザーを判定する受信ユーザー判定部と、
前記受信ユーザー判定部により判定されたユーザーについてのスケジュールをユーザースケジュールデータベースから取得するユーザースケジュール取得部と、
前記取得されたスケジュールから、前記ユーザーの空き時間を判定する空き時間判定部と、
前記判定された空き時間内で前記ファクシミリデータの印刷を完了可能な印刷開始日時を、前記算出された印刷所要時間を用いて算出する印刷開始日時算出部と、
前記算出された印刷開始日時の到来時に、前記ファクシミリデータに基づいた印刷を行う画像形成部に前記ファクシミリデータに基づいた印刷を行わせる制御部と、して機能させるスケジュール連携印刷プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月1日(2015.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１リードフレームと、
上記第１リードフレームと第１方向において離間配置された第２リードフレームと、
上記第１リードフレームのダイボンディング部にボンディングされ、且つ上記第２リードフレームに導通する半導体発光素子と、
半導体発光素子を開口を介して露出するように環状に囲み、半導体発光素子の光を出射方向に反射させるための枠状部を有するとともに、上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームを支持する樹脂製のケースと、
を備え、
上記第１リードフレームは、上記ダイボンディング部と一体的に設けられ、その裏面が上記ダイボンディング部の裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記ダイボンディング部から上記第１方向と直交する第２方向に上記枠状部と重なる領域まで延出し、上記ダイボンディング部の上記第１方向の幅よりも小さい上記第１方向の幅を有する第１延出部を具備しており、
上記ケースは、上記枠状部により上記第１延出部の表面を密着して覆うと共に、上記ダイボンディング部の裏面を露出させつつ上記第１延出部の上記裏面を密着して覆う第１抱え込み部を有している、半導体発光装置。
【請求項２】
上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における中央領域において第２方向に延びるように設けられている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における上記第２リードフレーム側の端部領域において上記第２方向に延びるように設けられている、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上記第１延出部は、少なくとも上記ダイボンディング部の上記第１方向における上記第２リードフレームと反対側の端部領域において上記第２方向に延びるように設けられている、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
上記第１延出部は、複数設けられている、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
上記第１延出部は、その上記表面が上記ダイボンディング部と面一に形成されている、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
上記ダイボンディング部の上記裏面は上記ケースの裏面と面一である、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
上記第１リードフレームは、上記ケースから上記第１方向に突出する第１端子部を有しており、且つ上記第１端子部以外の部分の厚みが上記第１端子部の厚み以下の厚みを有する、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
上記第２リードフレームは、その表面が上記ケースの開口から露出し、且つその裏面が上記ケースから露出する本体部と、この本体部と一体的に設けられ、その裏面が上記本体部の裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記本体部から上記第２方向に上記枠状部と重なる領域まで延出する第２延出部を具備しており、
上記ケースは、上記枠状部により上記第２延出部の上記表面を密着して覆うと共に、上記本体部の上記裏面を露出させつつ上記第２延出部の上記裏面を密着して覆う第２抱え込み部を有している、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
上記第２リードフレームは、上記本体部と一体的に設けられ、その裏面が上記本体部の上記裏面より出射方向側に位置しており、平面視において上記本体部から上記第１方向に延出する第３延出部を具備しており、
上記ケースは、上記第３延出部の上記裏面を密着して覆う第３抱え込み部を有している、請求項９に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
上記第２延出部と上記第３延出部とは、上記本体部を囲むように連続している、請求項１０に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
上記第２延出部および上記第３延出部は、その表面が上記本体部の表面と面一である、請求項１１に記載の半導体発光装置。
【請求項１３】
上記本体部の上記裏面は上記ケースの裏面と面一である、請求項９ないし１２のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１４】
上記第２リードフレームは、上記ケースから上記第１方向に突出する第２端子部を有しており、且つ上記第２端子部以外の部分の厚みが上記第２端子部の厚み以下の厚みを有する、請求項１ないし１３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームは、曲げ加工のされていないリードフレームからなる、請求項１ないし１４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
上記各延出部の先端部は、上記ケースの側面よりも内側に位置することにより上記ケースに内包されている、請求項１ないし１５のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
上記各延出部の上記裏面は、上記各延出部の上記表面と平行な平面を有する、請求項１ないし１６のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１８】
上記枠状部の上記開口が矩形状である、請求項１ないし１７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１９】
上記ケースは白色樹脂からなる、請求項１ないし１８のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項２０】
上記第１延出部は、上記半導体発光素子の上記第１方向の幅よりも小さい上記第１方向の幅を有する、請求項１ないし１９のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項２１】
上記第１延出部は、上記ダイボンディング部の上記第２方向両側に、それぞれ少なくとも１つずつ形成されている、請求項１ないし２０のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項２２】
上記第１延出部は、上記ダイボンディング部の上記第２方向片側に、複数形成されている、請求項１ないし２１のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項２３】
上記複数の第１延出部は、上記第２方向に延出する長さが同一である、請求項２１または２２に記載の半導体発光装置。
【請求項２４】
第１リードフレームと、
上記第１リードフレームと離間配置された第２リードフレームと、
上記第１リードフレームにボンディングされ、且つ上記第２リードフレームに導通する半導体発光素子と、
上記第１リードフレームおよび上記第２リードフレームを支持する樹脂製のケースと、
を備え、
上記第１リードフレームは、その上面側および下面側の両面でケースと密着することにより、上記ケースに支持されている、半導体発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月31日(2015.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザによりタッチ操作される静電容量方式のタッチセンサ（２６ｃ〜２６ｈ、３５ａ〜３５ｄ）に対するタッチを検出するタッチ検出装置（２１、３４）であって、
前記タッチセンサの近傍に設けられユーザにより操作される操作部（７ａ、７ｂ、３１）に配置された静電容量方式のダミーセンサ（１１ａ、１１ｂ、３３ａ〜３３ｄ）と、
前記タッチセンサおよび前記ダミーセンサの静電容量の値を検出する静電容量検出手段（２２）と、
前記静電容量検出手段の検出値に基づいて前記タッチセンサに対するタッチの有無を判定し、前記ダミーセンサの静電容量の変化量が所定の判定値を超えると、前記タッチセンサに対するタッチの有無の判定を無効にするタッチ判定手段（２５）と、
を備え、
複数の前記タッチセンサに対応するように複数の前記ダミーセンサが設けられる場合、
前記タッチ判定手段は、所定の前記ダミーセンサの静電容量の変化量が前記判定値を超えると、そのダミーセンサの近傍に設けられた前記タッチセンサに対するタッチの有無の判定を無効にすることを特徴とするタッチ検出装置。
【請求項２】
前記タッチ判定手段は、複数の前記ダミーセンサの静電容量の変化量がいずれも前記判定値を超えると、全ての前記タッチセンサに対するタッチの有無の判定を無効にすることを特徴とする請求項１に記載のタッチ検出装置。
【請求項３】
ユーザによりタッチ操作される静電容量方式のタッチセンサ（２６ｃ〜２６ｈ、３５ａ〜３５ｄ）に対するタッチを検出するタッチ検出装置（２１、３４）であって、
前記タッチセンサの近傍に設けられユーザにより操作される操作部（７ａ、７ｂ、３１）に配置された静電容量方式のダミーセンサ（１１ａ、１１ｂ、３３ａ〜３３ｄ）と、
前記タッチセンサおよび前記ダミーセンサの静電容量の値を検出する静電容量検出手段（２２）と、
前記静電容量検出手段の検出値に基づいて前記タッチセンサに対するタッチの有無を判定し、前記ダミーセンサの静電容量の変化量が所定の判定値を超えると、前記タッチセンサに対するタッチの有無の判定を無効にするタッチ判定手段（２５）と、
を備え、
前記タッチ判定手段は、前記操作部（７ａ、７ｂ）に対する操作が行われる可能性が高い場合には前記判定値を通常よりも低い値に設定し、前記操作部に対する操作が行われる可能性が低い場合には前記判定値を通常よりも高い値に設定することを特徴とするタッチ検出装置。
【請求項４】
ユーザによりタッチ操作される静電容量方式のタッチセンサ（２６ｃ〜２６ｈ、３５ａ〜３５ｄ）に対するタッチを検出するタッチ検出装置（２１、３４）であって、
前記タッチセンサの近傍に設けられユーザにより操作される操作部（７ａ、７ｂ、３１）に配置された静電容量方式のダミーセンサ（１１ａ、１１ｂ、３３ａ〜３３ｄ）と、
前記タッチセンサおよび前記ダミーセンサの静電容量の値を検出する静電容量検出手段（２２）と、
前記静電容量検出手段の検出値に基づいて前記タッチセンサに対するタッチの有無を判定し、前記ダミーセンサの静電容量の変化量が所定の判定値を超えると、前記タッチセンサに対するタッチの有無の判定を無効にするタッチ判定手段（２５）と、
を備え、
前記タッチセンサおよび前記ダミーセンサは、車両に設けられており、
前記タッチ判定手段は、前記車両が走行中であるときには前記判定値を通常よりも低い値に設定することを特徴とするタッチ検出装置。
【請求項５】
ユーザによりタッチ操作される静電容量方式のタッチセンサ（２６ｃ〜２６ｈ、３５ａ〜３５ｄ）に対するタッチを検出するタッチ検出装置（２１、３４）であって、
前記タッチセンサの近傍に設けられユーザにより操作される操作部（７ａ、７ｂ、３１）に配置された静電容量方式のダミーセンサ（１１ａ、１１ｂ、３３ａ〜３３ｄ）と、
前記タッチセンサおよび前記ダミーセンサの静電容量の値を検出する静電容量検出手段（２２）と、
前記静電容量検出手段の検出値に基づいて前記タッチセンサに対するタッチの有無を判定し、前記ダミーセンサの静電容量の変化量が所定の判定値を超えると、前記タッチセンサに対するタッチの有無の判定を無効にするタッチ判定手段（２５）と、
を備え、
前記タッチ判定手段（２５）は、
前記操作部（７ａ、７ｂ）に割り付けられた機能と、前記操作部（７ａ、７ｂ）の操作の直前に実行された機能との間に関連性がある場合を、前記操作部（７ａ、７ｂ）に対する操作が行われる可能性が高いとみなし、前記判定値を低下させ、
前記操作部（７ａ、７ｂ）に割り付けられた機能と、前記操作部（７ａ、７ｂ）の操作の直前に実行された機能とに関連性がない場合を、前記操作部（７ａ、７ｂ）に対する操作が行われる可能性が低いとみなし、前記判定値を上昇させることを特徴とするタッチ検出装置。
【請求項６】
静電容量方式のタッチセンサを用いたスイッチ（７ｃ〜７ｈ）と、
請求項１から５のいずれか一項に記載のタッチ検出装置（２１）と、
を備えた車両用ナビゲーション装置（１）であって、
前記ダミーセンサ（１１ａ、１１ｂ）が配置される前記操作部は、前記スイッチの近傍に設けられユーザにより操作される操作ノブ（７ａ、７ｂ）であり、
前記タッチ検出装置を用いて前記スイッチに対するタッチ操作の検出を行うことを特徴とする車両用ナビゲーション装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月3日(2015.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対してシリコン源および炭素源となる原料ガスまたはシリコン源となるが炭素源とはならない原料ガスと、触媒ガスとを供給する工程と、
前記基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記基板に対して炭素および窒素のうち少なくともいずれかを含む改質ガスを供給する工程と、
を行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む薄膜、またはシリコン、酸素、炭素、および窒素を含む薄膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記薄膜を形成する工程は、
前記原料ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
を含むセットを所定回数行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む第１の薄膜、または、シリコンおよび酸素を含む第１の薄膜を形成する工程と、
前記改質ガスを供給する工程を行うことにより、前記第１の薄膜を、炭素を更に含む第２の薄膜、窒素を更に含む第２の薄膜、または炭素と窒素とを更に含む第２の薄膜に改質する工程と、
を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記薄膜を形成する工程は、
前記原料ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する工程と、
前記改質ガスを供給する工程と、
をこの順に行う工程を含む請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記改質ガスを供給する工程は、ノンプラズマの雰囲気下で行われる請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記改質ガスを供給する工程では、プラズマ状態に励起された前記改質ガスを前記基板に対して供給する請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記原料ガスは、シリコン、炭素およびハロゲン元素を含みＳｉ−Ｃ結合を有する請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記原料ガスは、アルキル基およびアルキレン基のうち少なくともいずれかを含む請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記原料ガスは、Ｓｉ−Ｃ−Ｓｉ結合およびＳｉ−Ｃ−Ｃ−Ｓｉ結合のうち少なくともいずれかを有する請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記改質ガスは、炭化水素系ガス、アミン系ガス、および非アミン系ガスのうち少なくともいずれかを含む請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へシリコン源および炭素源となる原料ガスまたはシリコン源となるが炭素源とはならない原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内へ酸化ガスを供給する酸化ガス供給系と、
前記処理室内へ触媒ガスを供給する触媒ガス供給系と、
前記処理室内へ炭素および窒素のうち少なくともいずれかを含む改質ガスを供給する改質ガス供給系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスと触媒ガスとを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記酸化ガスと触媒ガスとを供給する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記改質ガスを供給する処理と、を行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む薄膜、またはシリコン、酸素、炭素、および窒素を含む薄膜を形成する処理を行うように前記原料ガス供給系、前記酸化ガス供給系、前記触媒ガス供給系、および前記改質ガス供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１１】
処理室内の基板に対してシリコン源および炭素源となる原料ガスまたはシリコン源となるが炭素源とはならない原料ガスと、触媒ガスとを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して酸化ガスと触媒ガスとを供給する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して炭素および窒素のうち少なくともいずれかを含む改質ガスを供給する手順と、
を行うことにより、前記基板上に、シリコン、酸素、および炭素を含む薄膜、またはシリコン、酸素、炭素、および窒素を含む薄膜を形成する手順をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
［２］前記ユニットＡを構成する化合物の融点が、１５０℃以上である［１］に記載の有機半導体材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
［３］前記電荷輸送性分子ユニットＡのそれぞれの縮環を構成する個々の環員数が、５又は６である［１］又は［２］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
［４］前記ユニットＣとユニットＡまたはユニットＢとの単結合を軸として、ユニットＡまたはユニットＢを回転させた場合、ユニットＣが結合している炭素原子と、ユニットＡまたはユニットＢを回転させた場合のユニットＣに直接結合していないユニットＡまたはユニットＢのコア部の最も外側にある炭素もしくはヘテロ元素を結んだ直線と、前記軸とのなす角θが８０度以下である［１］〜［３］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
［５］前記有機半導体材料を結晶相から昇温させた際に、前記ＳｍＢ、ＳｍＢｃｒｙｓｔ、ＳｍＩ、ＳｍＦ、ＳｍＧ、ＳｍＥ、ＳｍＪ、ＳｍＫ、およびＳｍＨからなる群から選ばれる液晶相が、結晶相に隣接して現れる［１］〜［４］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
［６］前記有機半導体材料が、降温過程において、ＳｍＢ、ＳｍＢｃｒｙｓｔ、ＳｍＩ、ＳｍＦ、ＳｍＧ、ＳｍＥ、ＳｍＪ、ＳｍＫ、およびＳｍＨからなる群から選ばれる液晶相の出現に先立って、Ｎ相、ＳｍＡ相及びＳｍＣ相のいずれかの相が出現する［１］〜［５］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
［７］前記ユニットＡの繰り返し数が１または２である［１］〜［６］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
［８］前記ユニットＢの繰り返し数が１または２である［１］〜［７］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
［９］前記ユニットＣの繰り返し数が１または２である［１］〜［８］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
［１０］前記液晶相の出現温度領域が、降温過程と昇温過程で非対称となる［１］〜［９］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
［１１］前記有機半導体材料と電気的に接触して使用されるべき電極物質と、該有機半導体材料との仕事関数の差が１ｅＶ以下であり、且つ該電極物質が、銀、アルミニウム、金、カルシウム、クロム、銅、マグネシウム、モリブデン、白金、インジウムスズ酸化物、又は酸化亜鉛から選ばれるいずれかである［１］〜［１０］のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
［１２］［１］〜［１１］のいずれか１項に記載の有機半導体材料を用いてなる有機半導体デバイス。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
［１３］［１］〜［１１］のいずれか１項に記載の有機半導体材料を有機半導体層として用いる有機トランジスタ。
本発明は、また、以下の態様をも含むことができる。
［Ａ１］  芳香族縮環系の構造を有する電荷輸送性分子ユニットＡと；該ユニットと単結合で連結された、環状構造ユニットＢを少なくとも有し、且つ、前記ユニットＡと、ユニットＢとの少なくとも一方に、側鎖としてユニットＣを有する有機半導体材料であって；
前記電荷輸送性分子ユニットＡの縮環の数（ＮＡ）が３以上５以下であり、
前記環状構造ユニットＢの環の数（ＮＢ）と、前記ＮＡが下記の関係を満たし、
ＮＡ≧ＮＢ前記ユニットＣが、炭素数２〜２０の炭化水素、又は上記した一般式（１）（式中、Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＨを表し、ｍは０〜１７の整数、ｎは２以上の整数である。）で表される基であることを特徴とする有機半導体材料。
［Ａ２］  前記有機半導体材料の化学構造式が非対称である、［Ａ１］に記載の有機半導体材料。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族縮環系の構造を有する電荷輸送性分子ユニットＡと；該ユニットと単結合で連結された、環状構造ユニットＢを少なくとも有し、且つ、前記ユニットＡと、ユニットＢとの少なくとも一方に、側鎖としてユニットＣを有する有機半導体材料であって；
前記電荷輸送性分子ユニットＡの縮環の数（ＮＡ）が３以上５以下であり、
前記環状構造ユニットＢの環の数（ＮＢ）と、前記ＮＡが下記の関係を満たし、
ＮＡ≧ＮＢ
前記ユニットＣが、炭素数２〜２０の炭化水素、又は一般式（１）
【化１】
2015053497.tif 000001
（式中、Ｘは、Ｓ、Ｏ、ＮＨを表し、ｍは０〜１７の整数、ｎは２以上の整数である）で表される基であることを特徴とする有機半導体材料。
【請求項２】
前記ユニットＡ及びユニットＢで構成されるコア部に分子形状に棒状の異方性を与えるユニットＣがコア部の分子長軸方向に連結したものである請求項１に記載の有機半導体材料。
【請求項３】
前記有機半導体材料が、結晶相温度より高い温度から冷却したときに、結晶相に隣接して、低次の液晶相を発現しないものである請求項１または２のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【請求項４】
さらに、前記有機半導体材料が、結晶相温度より高い温度から冷却したときに結晶薄膜に亀裂や空隙を形成しにくいものである請求項３に記載の有機半導体材料。
【請求項５】
前記有機半導体材料が、２０℃で、偏光顕微鏡によるテクスチャー観察によって、黒い組織が見られないものである請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体材料。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体材料を用いてなる有機半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機半導体材料を有機半導体層として用いる有機トランジスタ。