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【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換素子から成る撮像素子の前方に、前記複数の光電変換素子に対して１つのマイクロレンズが対応したマイクロレンズアレイを有する撮像装置であって、
前記撮像素子により取得される撮像画像を複数の第１の分割領域および複数の第２の分割領域に分割する領域分割手段と、
前記第１の分割領域から被写体の距離に対応する情報を取得する距離情報取得手段と、
前記第２の分割領域に対して所定の焦点位置に設定された再構成画像を生成するリフォーカス画像生成手段とを有し、
前記リフォーカス画像生成手段は、前記第１の分割領域から取得された距離に対応する情報に基づいて、前記第２の分割領域ごとに前記所定の焦点位置を設定することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像装置が、撮影した動画像を逐次表示するライブビュー表示を行っている間に、前記リフォーカス画像生成手段は、前記再構成画像を生成することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像装置は、撮影した動画像の各フレームに対して前記再構成画像を生成するように構成され、前記領域分割手段は、前記動画像のフレームレートに応じて前記第１の分割領域の分割数を変更することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記領域分割手段は、前記動画像のフレームレートが高いほど前記第１の分割領域の分割数を少なくすることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１の分割領域と前記第２の分割領域が一致することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記リフォーカス画像生成手段は、前記第２の分割領域ごとに再構成されたリフォーカス画像をつなぎ合わせて一つの画像を生成することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記リフォーカス画像生成手段は、複数の前記所定の焦点位置を設定することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記リフォーカス画像生成手段は、設定する複数の前記所定の焦点位置の少なくとも一つを撮影時のフォーカスレンズ位置とすることを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
複数の光電変換素子から成る撮像素子の前方に、前記複数の光電変換素子に対して１つのマイクロレンズが対応したマイクロレンズアレイを有する撮像装置の制御方法であって、
前記撮像素子により取得される撮像画像を複数の第１の分割領域および複数の第２の分割領域に分割する領域分割ステップと、
前記第１の分割領域から被写体の距離に対応する情報を取得する距離情報取得ステップと、
前記第２の分割領域に対して所定の焦点位置に設定された再構成画像を生成するリフォーカス画像生成ステップとを有し、
前記リフォーカス画像生成ステップでは、前記第１の分割領域から取得された距離に対応する情報に基づいて、前記第２の分割領域ごとに前記所定の焦点位置を設定することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
複数の光電変換素子から成る撮像素子の前方に、前記複数の光電変換素子に対して１つのマイクロレンズが対応したマイクロレンズアレイを有する撮像装置により取得される入力画像から出力画像を生成する画像処理装置であって、
前記入力画像を複数の第１の分割領域および複数の第２の分割領域に分割する領域分割手段と、
前記第１の分割領域から被写体の距離に対応する情報を取得する距離情報取得手段と、
前記第２の分割領域に対して所定の焦点位置に設定された再構成画像を生成するリフォーカス画像生成手段とを有し、
前記リフォーカス画像生成手段は、前記第１の分割領域から取得された距離に対応する情報に基づいて、前記第２の分割領域ごとに前記所定の焦点位置を設定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１１】
複数の光電変換素子から成る撮像素子の前方に、前記複数の光電変換素子に対して１つのマイクロレンズが対応したマイクロレンズアレイを有する撮像装置により取得される入力画像から出力画像を生成する画像生成方法であって、
前記入力画像を複数の第１の分割領域および複数の第２の分割領域に分割する領域分割ステップと、
前記第１の分割領域から被写体の距離に対応する情報を取得する距離情報取得ステップと、
前記第２の分割領域に対して所定の焦点位置に設定された再構成画像を生成するリフォーカス画像生成ステップとを有し、
前記リフォーカス画像生成ステップでは、前記第１の分割領域から取得された距離に対応する情報に基づいて、前記第２の分割領域ごとに前記所定の焦点位置を設定することを特徴とする画像生成方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の画像生成方法の手順が記述されたコンピュータで実行可能なプログラム。
【請求項１３】
コンピュータに、請求項１１に記載の画像生成方法の各工程を実行させるためのプログラムが記憶されたコンピュータが読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１４】
光の強度分布及び入射方向の情報を取得可能な撮像装置であって、
撮像素子と、
前記撮像素子により取得される撮像画像を複数の第１の分割領域および複数の第２の分割領域に分割する領域分割手段と、
前記第１の分割領域から被写体の距離に対応する情報を取得する距離情報取得手段と、
前記第２の分割領域に対して所定の焦点位置に設定された再構成画像を生成するリフォーカス画像生成手段とを有し、
前記リフォーカス画像生成手段は、前記第１の分割領域から取得された距離に対応する情報に基づいて、前記第２の分割領域ごとに前記所定の焦点位置を設定することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係わる撮像装置は、複数の光電変換素子から成る撮像素子の前方に、前記複数の光電変換素子に対して１つのマイクロレンズが対応したマイクロレンズアレイを有する撮像装置であって、前記撮像素子により取得される撮像画像を複数の第１の分割領域および複数の第２の分割領域に分割する領域分割手段と、前記第１の分割領域から被写体の距離に対応する情報を取得する距離情報取得手段と、前記第２の分割領域に対して所定の焦点位置に設定された再構成画像を生成するリフォーカス画像生成手段とを有し、前記リフォーカス画像生成手段は、前記第１の分割領域から取得された距離に対応する情報に基づいて、前記第２の分割領域ごとに前記所定の焦点位置を設定することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の波長の光を放射する光源と、
前記光源から放射された光を参照光と、
被観察物を異なる方向から照明する少なくとも２つの照明光とに分岐する照明光学系と、
前記少なくとも２つの照明光を前記被観察物に照射することで発生する測定光と、前記参照光とが干渉して生じた干渉光を検出する検出部と、
前記検出部で検出された前記干渉光に基づき、前記被観察物の画像データを生成する画像データ処理部とを備える、
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光干渉観察装置において、
前記画像データ処理部は、
前記検出された干渉光に基づいて干渉光に関するデータを生成するステップと、
前記干渉光に関するデータに基づいて、前記光源の光の波数毎に所定の変換処理を行うことで前記被観察物の物体散乱ポテンシャルを生成するステップと、
前記被観察物の前記物体散乱ポテンシャルに基づき、前記被観察物の画像データを生成するステップと、を含む
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光干渉観察装置において、
前記画像データ処理部は、
前記干渉光に関するデータを前記波数の関数としてフーリエ変換処理するステップと、
前記波数毎の複素振幅分布を算出するステップと、
前記複素振幅分布に関して２次元フーリエ変換処理して前記複素振幅分布のスペクトルを求めるステップと、
前記少なくとも２つの照明光の各々に対応して求められた前記複素振幅分布のスペクトルに基づき、物体散乱ポテンシャルの３次元スペクトルをそれぞれ求めて合成するステップと、
合成した物体散乱ポテンシャルの３次元スペクトルを３次元逆フーリエ変換処理して前記被観察物の前記物体散乱ポテンシャルを求めるステップと、
前記被観察物の前記物体散乱ポテンシャルに基づき、前記被観察物の画像データを生成するステップと、を含む
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項４】
請求項３に記載の光干渉観察装置において、
前記画像データ処理部は、
前記複素振幅分布に対して、前記少なくとも２つの照明光間の光路長差を補正するステップ、を含む
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光干渉観察装置において、
前記少なくとも２つの照明光は、前記被観察物に対して同時に射出される
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光干渉観察装置において、
前記照明光学系は、前記少なくとも２つの照明光は、前記被観察物に対して時間順次に射出される
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項７】
請求項６に記載の光干渉観察装置において、
前記照明光学系は、前記照明光を異なる方向に反射させる走査ミラーを備え、
前記走査ミラーは、前記照明光のスポットがリング上を移動するように前記照明光を反射させる
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７に記載の光干渉観察装置において、
前記光源は、前記被観察物に照射される光の波長を走査する波長走査型光源である
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７に記載の光干渉観察装置において、
前記光源は、白色光源である
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の光干渉観察装置において、
前記被観察物に対する前記少なくとも２つの照明光の入射角は可変である
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の光干渉観察装置において、
前記少なくとも２つの照明光は所定の光路長差を有し、
前記光路長差を較正する光路長較正部を備える
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光干渉観察装置において、
前記光路長較正部は、較正用部材の特徴点による干渉光を用いて被観察物位置の座標と画像検出器上の座標関係も較正する
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の光干渉観察装置において、
前記照明光学系は、前記光源からの光を前記参照光と前記照明光とに分岐する第１のビームスプリッターと、
前記照明光を前記少なくとも２つの照明光に分岐する第２のビームスプリッターと、
前記第１および第２のビームスプリッターにより分岐された光を前記被観察物に導く複数の光ファイバーと、を備える
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の光干渉観察装置において、
前記照明光学系は、落斜照明光学系又は透過照明光学系の少なくとも一方を含む
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の光干渉観察装置において、
前記照明光学系は、落斜照明光学系および透過照明光学系を含む、
ことを特徴とする光干渉観察装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料電池及び電解質膜・電極構造体の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、固体高分子電解質膜の一方の面に、第１電極触媒層及び第１ガス拡散層を有する第１電極が設けられるとともに、前記固体高分子電解質膜の他方の面に、第２電極触媒層及び第２ガス拡散層を有する第２電極が設けられた電解質膜・電極構造体と、セパレータとが積層される燃料電池及び電解質膜・電極構造体の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、この種の問題を解決するものであり、固体高分子電解質膜にストレスが作用することを可及的に阻止し、前記固体高分子電解質膜の劣化を有効に抑制することが可能な燃料電池及び電解質膜・電極構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、固体高分子電解質膜の一方の面に、第１電極触媒層及び第１ガス拡散層を有する第１電極が設けられるとともに、前記固体高分子電解質膜の他方の面に、第２電極触媒層及び第２ガス拡散層を有する第２電極が設けられた電解質膜・電極構造体と、セパレータとが積層される燃料電池及び電解質膜・電極構造体の製造方法に関するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、電解質膜・電極構造体の製造方法は、第１多孔質シート層の一方の面内に第１電極触媒層を形成するとともに、第２多孔質シート層の一方の面内に第２電極触媒層を形成する工程と、固体高分子電解質膜の一方の面に前記第１電極触媒層を当接させて前記第１多孔質シート層が配設されるとともに、前記固体高分子電解質膜の他方の面に前記第２電極触媒層を当接させて前記第２多孔質シート層が配設され、前記第１多孔質シート層の他方の面内に第１ガス拡散層が、前記第２多孔質シート層の他方の面内に第２ガス拡散層が、それぞれ配設されて積層体を得る工程と、前記積層体にホットプレスを行うことにより、該積層体を一体化させて前記電解質膜・電極構造体を製造する工程とを有している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体高分子電解質膜の一方の面に、第１電極触媒層及び第１ガス拡散層を有する第１電極が設けられるとともに、前記固体高分子電解質膜の他方の面に、第２電極触媒層及び第２ガス拡散層を有する第２電極が設けられた電解質膜・電極構造体と、セパレータとが積層される燃料電池であって、
前記電解質膜・電極構造体は、一方の面内に前記第１電極触媒層が予め形成された後、前記固体高分子電解質膜の一方の面に一体化されるとともに、他方の面内に前記第１ガス拡散層が一体化される第１多孔質シート層と、
一方の面内に前記第２電極触媒層が予め形成された後、前記固体高分子電解質膜の他方の面に一体化されるとともに、他方の面内に前記第２ガス拡散層が一体化される第２多孔質シート層と、
を備えることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池において、前記第１多孔質シート層の外形寸法は、前記第１電極触媒層の外形寸法よりも大きく設定されるとともに、
前記第１電極触媒層の外周端部を周回して該第１多孔質シート層よりもガス透過性の低い第１絶縁シートが設けられる一方、
前記第２多孔質シート層の外形寸法は、前記第２電極触媒層の外形寸法よりも大きく設定されるとともに、
前記第２電極触媒層の外周端部を周回して該第２多孔質シート層よりもガス透過性の低い第２絶縁シートが設けられることを特徴とする燃料電池。
【請求項３】
請求項２記載の燃料電池において、前記第１多孔質シート層は、前記第１電極触媒層との接合領域内から該第１多孔質シート層の外周端部に亘ってガス不透過処理が施される一方、
前記第２多孔質シート層は、前記第２電極触媒層との接合領域内から該第２多孔質シート層の外周端部に亘ってガス不透過処理が施されることを特徴とする燃料電池。
【請求項４】
請求項２又は３記載の燃料電池において、前記第１絶縁シートは、前記第１多孔質シート層の外周端部で折り返して前記外周端部を覆う第１折り返し部を設ける一方、
前記第２絶縁シートは、前記第２多孔質シート層の外周端部で折り返して前記外周端部を覆う第２折り返し部を設けることを特徴とする燃料電池。
【請求項５】
固体高分子電解質膜の一方の面に、第１電極触媒層及び第１ガス拡散層を有する第１電極が設けられるとともに、前記固体高分子電解質膜の他方の面に、第２電極触媒層及び第２ガス拡散層を有する第２電極が設けられた電解質膜・電極構造体の製造方法であって、
第１多孔質シート層の一方の面内に前記第１電極触媒層を形成するとともに、第２多孔質シート層の一方の面内に前記第２電極触媒層を形成する工程と、
前記固体高分子電解質膜の一方の面に前記第１電極触媒層を当接させて前記第１多孔質シート層が配設されるとともに、前記固体高分子電解質膜の他方の面に前記第２電極触媒層を当接させて前記第２多孔質シート層が配設され、前記第１多孔質シート層の他方の面内に前記第１ガス拡散層が、前記第２多孔質シート層の他方の面内に前記第２ガス拡散層が、それぞれ配設されて積層体を得る工程と、
前記積層体にホットプレスを行うことにより、該積層体を一体化させて前記電解質膜・電極構造体を製造する工程と、
を有することを特徴とする電解質膜・電極構造体の製造方法。
【請求項６】
固体高分子電解質膜の一方の面に、電極触媒層、多孔質シート層及びガス拡散層を有する第１電極が設けられるとともに、前記固体高分子電解質膜の他方の面に、前記電極触媒層、前記多孔質シート層及び前記ガス拡散層を有する第２電極が設けられた電解質膜・電極構造体の製造方法であって、
少なくとも１つの前記多孔質シート層の一方の面内に、少なくとも前記第１電極又は前記第２電極の前記電極触媒層を形成する工程と、
前記固体高分子電解質膜の少なくとも一方の面に、前記電極触媒層を当接させて前記多孔質シート層が配設されるとともに、前記多孔質シート層の他方の面内に前記ガス拡散層が配設されて積層体を得る工程と、
前記積層体にホットプレスを行うことにより、該積層体を一体化させて前記電解質膜・電極構造体を製造する工程と、
を有することを特徴とする電解質膜・電極構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオンを吸蔵・放出可能な正極活物質を含有する正極、リチウムイオンを吸蔵・放出可能な負極活物質を含有する負極、非水電解液を備えたリチウム二次電池であって、
上記非水電解液は、一般式（１）；（ＸＳＯ2）（Ｘ’ＳＯ2）Ｎ-Ｌｉ+（Ｘ、Ｘ’は、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のフルオロアルキル基を表し、Ｘ、Ｘ’の少なくとも一方はフッ素原子である。）で表される化合物、及び溶媒を含み、
正極又は負極の表面において、ＸＰＳ測定による全原子の存在比を１００％としたときのＳ原子の存在比が０．５％以上であることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２】
負極表面のＸＰＳ測定による全原子の存在比を１００％としたときのＳ原子の存在比が１．０％以上である請求項１に記載のリチウム二次電池。
【請求項３】
負極表面のＸＰＳ測定により測定されるＳ原子においてＳ２ｐに帰属される原子のうち、１６５ｅＶ〜１７４ｅＶにピークトップを持つ原子の面積をＳ１、１６０ｅＶ〜１６５ｅＶにピークトップを持つ原子の面積をＳ２としたときに、存在する全Ｓ原子を１００％とした場合にＳ２の存在割合が５％以上である請求項１又は２に記載のリチウム二次電池。
【請求項４】
上記非水電解液に、さらに電解質（２）を含む請求項１〜３のいずれかに記載のリチウム二次電池。
【請求項５】
上記電解質（２）がＬｉＰＦ6である請求項１〜４のいずれかに記載のリチウム二次電池。
【請求項６】
上記一般式（１）で表される化合物が、リチウムビス（フルオロスルホニル）イミドである請求項１〜５のいずれかに記載のリチウム二次電池。
【請求項７】
上記溶媒にカーボネート系溶媒を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月22日(2015.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動回路によって駆動される第１のメモリセルアレイ及び第２のメモリセルアレイと、を有し、
前記第１のメモリセルアレイは、第１のビット線及び第１のワード線に電気的に接続された第１のメモリセルを有し、
前記第２のメモリセルアレイは、第２のビット線及び第２のワード線に電気的に接続された第２のメモリセルを有し、
前記第２のメモリセルアレイは、前記第１のメモリセルアレイ上方に重ねて配置され、
前記第１のビット線及び前記第２のビット線は、折り返し型の構造を有し、
前記第１のワード線、前記第１のビット線、前記第２のビット線、前記第２のワード線の順に上方に配置されることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
駆動回路によって駆動される第１のメモリセルアレイ及び第２のメモリセルアレイと、を有し、
前記第１のメモリセルアレイは、第１のビット線及び第１のワード線に電気的に接続された第１のメモリセルを有し、
前記第２のメモリセルアレイは、第２のビット線及び第２のワード線に電気的に接続された第２のメモリセルを有し、
前記第２のメモリセルアレイは、前記第１のメモリセルアレイ上方に重ねて配置され、
前記第１のビット線と前記第２のビット線は、層間絶縁膜を挟んで重畳して配置され、
前記第１のワード線、前記第１のビット線、前記第２のビット線、前記第２のワード線の順に上方に配置されることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のメモリセルは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する第１のトランジスタを有し、
前記第１のビット線は、前記第１のトランジスタ上方に設けられることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第２のメモリセルは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有する第２のトランジスタを有し、
前記第２のビット線は、前記第２のトランジスタ下方に設けられることを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、コアの突極に巻回されるコイルと、を含む固定体と、
前記ベースの上側の面に設けられ記録ディスクが載置されるべきハブと、前記コアの前記突極と半径方向に対向する円筒状マグネットと、を含む回転体と、
前記回転体を潤滑剤を介して回転自在に支持する流体動圧軸受と、を備え、
前記潤滑剤が充填される隙間を形成する前記回転体の円筒面および前記固定体の円筒面のうちのいずれか一方には、前記回転体の回転軸を環囲すると共に前記回転体が回転するとき前記潤滑剤にラジアル動圧を生成する帯状のラジアル動圧生成領域が形成され、
前記帯状のラジアル動圧生成領域には、前記帯状のラジアル動圧生成領域の上端から下側に近いほど浅く且つ狭くなる上側浅狭動圧溝と、前記帯状のラジアル動圧生成領域の下端から上側に近いほど浅く且つ狭くなる下側浅狭動圧溝と、を含む浅狭ラジアル動圧溝が形成され、
前記浅狭ラジアル動圧溝は、前記ハブの前記ベース側の端面のうち前記コイルと軸方向に対向する対向面より上側に位置する部分を含むことを特徴とする回転機器。
【請求項２】
前記回転体は、回転軸を環囲する円環形状を有し前記ハブの内周面に固定される部材であって、その下面と上面の両面にスラスト動圧溝形成領域が設けられる両面スラスト部材を含み、
前記上側浅狭動圧溝は、前記上面に設けられる前記スラスト動圧溝形成領域より上側に位置する部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の回転機器。
【請求項３】
前記スラスト動圧溝形成領域には、半径方向で外側から内側に向かって浅く且つ狭くされるスパイラル形状の浅狭スラスト動圧溝が形成されることを特徴とする請求項２に記載の回転機器。
【請求項４】
前記帯状のラジアル動圧生成領域は回転軸を中心とした円筒状の領域であってその直径は１．５ｍｍから４．５ｍｍの範囲内にあり、
前記浅狭ラジアル動圧溝の数は８本から１２本の範囲内にあり、
前記上側浅狭動圧溝は、上側の端部における溝の深さが４μｍから８μｍの範囲内となるよう、且つ、下側の端部における溝の深さが２μｍから３．５μｍの範囲内となるよう形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の回転機器。
【請求項５】
前記帯状のラジアル動圧生成領域には、複数の前記浅狭ラジアル動圧溝が周方向に規則的に配列され、
前記上側浅狭動圧溝は、上側の端部における溝のピッチに対する溝の幅の比が０．５０から０．８０の範囲内となるよう、且つ、下側の端部における溝のピッチに対する溝の幅の比が０．１０から０．３０の範囲内となるよう形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の回転機器。
【請求項６】
前記上側浅狭動圧溝は、その溝の深さが段階的または曲線的に変化することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の回転機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のある態様は、回転機器に関する。この回転機器は、ベースと、コアの突極に巻回されるコイルと、を含む固定体と、ベースの上側の面に設けられ記録ディスクが載置されるべきハブと、コアの突極と半径方向に対向する円筒状マグネットと、を含む回転体と、回転体を潤滑剤を介して回転自在に支持する流体動圧軸受と、を備え、潤滑剤が充填される隙間を形成する回転体の円筒面および固定体の円筒面のうちのいずれか一方には、回転体の回転軸を環囲すると共に回転体が回転するとき潤滑剤にラジアル動圧を生成する帯状のラジアル動圧生成領域が形成され、帯状のラジアル動圧生成領域には、帯状のラジアル動圧生成領域の上端から下側に近いほど浅く且つ狭くなる上側浅狭動圧溝と、帯状のラジアル動圧生成領域の下端から上側に近いほど浅く且つ狭くなる下側浅狭動圧溝と、を含む浅狭ラジアル動圧溝が形成され、浅狭ラジアル動圧溝は、ハブのベース側の端面のうちコイルと軸方向に対向する対向面より上側に位置する部分を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
以上、実施の形態に係る回転機器の構成と動作ついて説明した。この実施の形態は例示であり、それらの各構成要素の組み合わせにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
なお、実施の形態に係る回転機器は、以下の項目によっても特徴づけられている。
（１）第１ラジアル動圧溝形成領域５４はハブ２８のベース４側の端面のうちコイル４２と軸方向に対向する面より上側に位置する部分を含んでいる。
（２）第１ラジアル動圧溝形成領域５４は第２スラスト動圧溝形成領域６０より上側に位置する部分を含んでいる。
これらの特徴によれば、そうでない場合に比べて、第１ラジアル動圧溝形成領域５４は上側に長くなる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の課題は、撮像装置において、電気的な制御を必要とせずに機構のみで自由度の高い姿勢制御装置を提供することである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上の課題を解決するため、本発明は、
取り付けられた撮像装置の姿勢を制御する姿勢制御装置であって、
外枠部と、
前記外枠部に対してＸ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸のいずれか一方向の軸線周りに回転可能に取り付けられる回転部と、を備え、
前記回転部に取り付けられた錘の重さ或いは位置を選択可能としたことを特徴とする。
また、以上の課題を解決するため、本発明は、
取り付けられた撮像装置の姿勢を制御する姿勢制御装置であって、
外枠部と、
前記外枠部に対してＸ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸のいずれか一方向の軸線周りに回転可能に取り付けられる回転部と、を備え、
前記回転部に錘を取り付けることにより、前記撮像装置が任意の姿勢を維持できるようにしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、撮像装置において、自由度の高い姿勢制御装置が電気的な制御を必要とせず、機構のみで提供できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取り付けられた撮像装置の姿勢を制御する姿勢制御装置であって、
外枠部と、
前記外枠部に対してＸ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸のいずれか一方向の軸線周りに回転可能に取り付けられる回転部と、を備え、
前記回転部に取り付けられた錘の重さ或いは位置を選択可能としたことを特徴とする撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項２】
取り付けられた撮像装置の姿勢を制御する姿勢制御装置であって、
外枠部と、
前記外枠部に対してＸ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸のいずれか一方向の軸線周りに回転可能に取り付けられる回転部と、を備え、
前記回転部に錘を取り付けることにより、前記撮像装置が任意の複数の姿勢のいずれかを維持できるようにしたことを特徴とする撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項３】
前記撮像装置が着脱可能に取り付けられることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項４】
前記回転部は前記撮像装置を所定位置に所定方向で固定可能であり、
前記錘の取り付け位置は前記回転部の下部或いは側部であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項５】
前記回転部は前記錘を吊り下げるフックを備えることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項６】
前記回転部は、前記撮像装置の前面及び背面を開放とし、上下左右の側面部の周囲を囲う形状となっていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項７】
前記回転部は円環状で、前記外枠部にＸ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸のいずれか一方向の軸線周りに回転可能に嵌め込まれていることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項８】
前記外枠部は回転軸を備え、
前記回転部は前記外枠部に前記回転軸により、Ｘ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸のいずれか一方向の軸線周りに回転可能に取り付けられることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項９】
前記回転部は、Ｘ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸のうち、１軸が前記外枠部に対して回転可能であり、他の２軸が前記外枠部に対して固定されていることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項１０】
前記回転部は、Ｘ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸のうち、２軸が前記外枠部に対して回転可能であり、他の１軸が前記外枠部に対して固定されていることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項１１】
前記回転部は、Ｘ軸、Ｙ軸、或いはＺ軸の各々の方向の軸線周りに対して、固定或いは可動が任意に設定可能であることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項１２】
前記回転部に浮力或いは位置を選択可能に、浮遊物を引っ掛け可能としたことを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項１３】
前記位置は前記回転部の上部或いは側部であることを特徴とする請求項１２に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項１４】
前記回転部は前記浮遊物を引っ掛けるフックを備えることを特徴とする請求項１３に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項１５】
前記回転部は前記撮像装置のレリーズボタンを遠隔操作するレリーズケーブルを固定する部位を備えることを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【請求項１６】
前記外枠部は、取っ手を備えることを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の撮像装置の姿勢制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する撮像素子と、
前記複数の画素の各々に入射する光束を、撮影光学系の特定の瞳領域を通過する光束に制限する瞳分割手段と、
前記複数の画素の値を、仮想の撮像面の位置および画素に光束が入射する角度に応じて並び替え、異なる瞳領域を通過した光束が入射する画素の値を加算することにより得られる画素から画像を再構成する像生成手段と、
前記再構成された画像から合焦位置を探索するための評価値を得る取得手段と、を有し、
前記像生成手段により複数の仮想の撮像面の位置に対応した複数の画像を再構成し、該複数の再構成された画像から前記取得手段によって得られる前記評価値を用いて合焦位置を探索する撮像装置であって、
前記撮像装置は、第１のサンプリング間隔で合焦位置を探索した後、当該探索に基づき、前記第１のサンプリング間隔より狭い第２のサンプリング間隔で前記合焦位置の探索を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記像生成手段は、異なる瞳領域を通過した光束が入射する画素の値を加算して得られる画素から画像を再構成することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記像生成手段は、瞳分割された瞳領域の各々を通過した光束が入射する画素の値を加算して得られる画素から画像を再構成することを特徴とする請求項１または請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記像生成手段は、前記第２のサンプリング間隔での前記合焦位置の探索に用いる画像の画素数よりも、前記第１のサンプリング間隔での前記合焦位置の探索に用いる画像の画素数の方が少なくなるように前記再構成を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３にいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
複数の画素を有する撮像素子と、
前記複数の画素の各々に入射する光束を、撮影光学系の特定の瞳領域を通過する光束に制限する瞳分割手段と、を有する撮像装置の制御方法であって、
前記複数の画素の値を、仮想の撮像面の位置および画素に光束が入射する角度に応じて並び替え、異なる瞳領域を通過した光束が入射する画素の値を加算することにより得られる画素から画像を再構成する像生成工程と、
前記再構成された画像から合焦位置を探索するための評価値を得る取得工程と、
前記像生成工程により複数の仮想の撮像面の位置に対応した複数の画像を再構成し、該複数の再構成された画像から前記取得工程によって得られる評価値を用いて合焦位置を探索する制御工程とを有し、
前記制御工程では、第１のサンプリング間隔で合焦位置を探索した後、当該探索に基づき、前記第１のサンプリング間隔より狭い第２のサンプリング間隔で前記合焦位置の探索を行うことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述の目的を達成するため、本発明による撮像装置は、複数の画素を有する撮像素子と、複数の画素の各々に入射する光束を、撮影光学系の特定の瞳領域を通過する光束に制限する瞳分割手段と、複数の画素の値を、仮想の撮像面の位置および画素に光束が入射する角度に応じて並び替え、異なる瞳領域を通過した光束が入射する画素の値を加算することにより得られる画素から画像を再構成する像生成手段と、再構成された画像から合焦位置を探索するための評価値を得る取得手段と、を有し、像生成手段により複数の仮想の撮像面の位置に対応した複数の画像を再構成し、複数の再構成された画像から取得手段によって得られる評価値を用いて合焦位置を探索する撮像装置であって第１のサンプリング間隔で合焦位置を探索した後、当該探索に基づき、第１のサンプリング間隔より狭い第２のサンプリング間隔で合焦位置の探索を行うことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
次に、図５および図６を用いて粗微調動作の有用性について述べる。図５は横軸にフォーカスレンズ位置、縦軸にＡＦ評価値をとった図である。縦軸のＡＦ評価値が高いほど、フォーカスレンズが合焦位置に近いことを示す。図５のように粗微調（粗調により第１のサンプリング間隔で大まかなピークを探索した後、ピーク近傍で第１のサンプリング間隔より狭い第２のサンプリング間隔で微調を行う）の動作を行う場合には、微調よりも粗調時に画素間引き率を高くする。また、ＡＦ評価値を求めるフォーカスレンズ位置の間隔は、粗調時で１０〜２５ＦΔ（Ｆ：Ｆナンバー、Δ：２０μｍ程度）、微調時では１〜５ＦΔ程度が望ましい。そうすることで、高速かつ精度の良いコントラストＡＦを行うことができる。これを本実施形態の再構成面の位置を変化させることで行うＡＦ処理に対応させると、図５の横軸のフォーカスレンズの位置は再構成面の位置に対応する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月7日(2015.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対物レンズと、
それぞれに検体が収容されている複数のウェルが配列された検体容器を支持し、前記検体容器と前記対物レンズの相対位置を規定するステージと、
前記複数のウェルのそれぞれについて、測定対象とするかどうかを設定する設定部と、
前記設定部によって測定対象とされたウェルと前記対物レンズとが対向するように前記ステージを制御する制御部と
を具備する測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の測定装置であって、
前記複数のウェルのそれぞれにおける観察位置が前記対物レンズと対向する前記ステージのそれぞれの位置座標を取得する座標取得部をさらに具備し、
前記設定部は、前記ステージの位置座標のうち、測定対象とするウェルの観察位置が前記対物レンズと対向する位置座標を前記制御部に供給する
測定装置。
【請求項３】
請求項２に記載の測定装置であって、
前記座標取得部は、前記複数のウェルのそれぞれの中心位置が前記対物レンズと対向する前記ステージの位置座標をさらに取得し、
前記制御部は、前記複数のウェルのそれぞれの中心位置が前記対物レンズと対向するように前記ステージを制御する
測定装置。
【請求項４】
請求項３に記載の測定装置であって、
前記座標取得部は、ユーザによって指定された前記検体容器における四隅のウェルの中心位置と前記対物レンズとが対向する前記ステージの位置座標と、前記検体容器における前記複数のウェルの配列から、前記複数のウェルのそれぞれの中心位置が前記対物レンズと対向する前記ステージの位置座標を取得する
測定装置。
【請求項５】
請求項１から４のうちいずれか一項に記載の測定装置であって、
前記設定部は、前記対物レンズを介して撮像された前記検体の画像解析結果に基づいて前記設定を実施する
測定装置。
【請求項６】
請求項１から５のうちいずれか一項に記載の測定装置であって、
前記検体は拍動細胞であり、
前記設定部は、拍動が停止した拍動細胞が収容されたウェルを測定対象から除外する
測定装置。
【請求項７】
請求項１から６のうちいずれか一項に記載の測定装置であって、
前記対物レンズと前記ステージとが搭載され、外部からの振動を減衰させる除振台
をさらに具備する測定装置。
【請求項８】
それぞれに検体が収容されている複数のウェルが配列された検体容器において、前記複数のウェルのそれぞれについて測定対象とするかどうかを設定する設定部と、
前記設定部によって測定対象とされたウェルと前記対物レンズとが対向するように、前記検体容器を支持するステージを制御する制御部と
としてコンピュータを機能させるプログラム。
【請求項９】
設定部が、それぞれに検体が収容されている複数のウェルが配列された検体容器において、前記複数のウェルのそれぞれについて測定対象とするかどうかを設定し、
制御部が、前記設定部によって測定対象とされたウェルと前記対物レンズとが対向するように、前記検体容器を支持するステージを制御する
測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月2日(2015.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、該方法は、
基板に結合されたモジュールの２つのコア間の複数の入力／出力（Ｉ／Ｏ）接続を試験することであって、該複数のＩ／Ｏ接続は、冗長Ｉ／Ｏ接続を含む、ことと、
該２つのコアのそれぞれの不揮発性メモリに欠陥データを格納することであって、該欠陥データは、該複数のＩ／Ｏ接続の欠陥位置を含む、ことと、
該格納された欠陥データに従って、該複数のＩ／Ｏ接続のうちの１つのＩ／Ｏ接続に欠陥があるという決定に基づいて、該１つのＩ／Ｏ接続から該冗長Ｉ／Ｏ接続のうちの冗長Ｉ／Ｏ接続へ少なくとも１つの信号をリルートすることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記決定は、前記モジュールの作成中に実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記決定は、前記モジュールをパワーオンするときに実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記決定から生じたデータを格納することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記決定から生じたデータは、前記モジュールのコンポーネントである不揮発性メモリに格納される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記決定から生じたデータは、外部の不揮発性メモリに格納される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記モジュールは、回路網を制御して前記少なくとも１つの信号をリルートするための論理を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
論理をリルートするための制御ビットを前記モジュールのメモリに格納することをさらに含み、前記少なくとも１つの信号をリルートすることは、該制御ビットに従う、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの信号をリルートすることは、複数のマルチプレクサのうちの１つのマルチプレクサを介して該少なくとも１つの信号をリルートすることを含み、
該複数のマルチプレクサのうちの各マルチプレクサは、前記複数のＩ／Ｏ接続のうちの対応するサブセットに結合される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｉ／Ｏ接続の欠陥の符号化された位置を前記モジュールのメモリに格納することと、
該欠陥の格納された符号化された位置から、前記少なくとも１つの信号をリルートするための制御信号を生成することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数のＩ／Ｏ接続を試験することは、前記モジュールの試験プロセッサが、試験信号を前記１つのＩ／Ｏ接続に注入することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
方法であって、該方法は、
欠陥のあるＩ／Ｏ接続を特定するためにモジュールの２つのコア間の複数の入力／出力（Ｉ／Ｏ）接続を試験することであって、該モジュールは、冗長Ｉ／Ｏ接続を含み、かつ、該欠陥のあるＩ／Ｏ接続から信号をリルートするための回路網をさらに含む、ことと、
該試験から生じたデータを不揮発性メモリに格納することであって、該データは、該特定された欠陥のあるＩ／Ｏ接続を含む、ことと、
該モジュールを動作モードに移行させることと、
該試験から生じたデータに基づいて、該欠陥のあるＩ／Ｏ接続のうちの１つの欠陥のあるＩ／Ｏ接続から該冗長Ｉ／Ｏ接続のうちの１つの冗長Ｉ／Ｏへ少なくとも１つの信号をスイッチングすることと
を行う動作を含む、方法。
【請求項１３】
前記モジュールは、前記回路網を制御するためのソフト論理を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記モジュールは、前記回路網を制御するための専用論理を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
決定は、前記モジュールをパワーオンするときに実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記データを格納することは、前記欠陥のあるＩ／Ｏ接続に関連する欠陥位置を格納することを含み、
前記少なくとも１つの信号をスイッチングすることは、前記データを読取ることと、前記２つのコアのうちの少なくとも１つにおいて、該スイッチングに関与するマルチプレクサを制御するためのデータを生成することとを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記試験から生じたデータは、論理をスイッチングするための制御ビットを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のＩ／Ｏ接続を試験することは、前記モジュールの試験プロセッサによって実行される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数のＩ／Ｏ接続は、複数のグループに分割され、該複数のグループのうちの各グループは、対応するマルチプレクサを有し、前記少なくとも１つの信号をスイッチングすることは、少なくとも１つの該マルチプレクサを介する、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間的に異なる第１及び第２の画像を生成する画像生成部と、
前記第１及び第２の画像を拡大して、第１及び第２の拡大画像を出力する画像拡大部と、
前記第１の拡大画像の複数の領域の各々を注目領域として、前記第２の拡大画像内の、前記注目領域と同じ形状を有し、前記注目領域に対する一致度の高い領域を検出し、検出された前記一致度の高い領域の、前記注目領域に対する相対位置を移動量と決定し、前記第１の拡大画像の前記複数の領域についての移動量を算出する移動量算出部と、
前記複数の領域についての移動量から、画像の回転中心位置及び回転角を算出する移動量分離部とを備え、
前記複数の領域が略円形の領域であり、
前記移動量算出部による前記一致度の評価が、前記第１及び第２の拡大画像の画素値のヒストグラムマッチングにより行われる
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記移動量算出部における前記ヒストグラムマッチングに用いられる前記画素値が前記第１及び第２の拡大画像の１又は２以上の色成分を表す値であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記移動量算出部における前記ヒストグラムマッチングに用いられる前記画素値が前記第１及び第２の拡大画像の輝度を表す値であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記領域が５以上の角を有する正多角形又は正多角形に近い形状を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記移動量算出部は、前記ヒストグラムマッチングのためのヒストグラムの作成に当たり、一部が前記領域の内部に位置し、残部が前記領域の外部に位置する画素については、前記領域の内部に位置する割合に応じた値を出現度数として計数することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記移動量算出部は、前記ヒストグラムマッチングのためのヒストグラムの作成に当たり、前記領域の中心に近い画素ほど、より大きな重みを付けて出現度数の計数を行うことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記画像拡大部による前記第１及び第２の画像の各々の拡大が、各画像の画素間に画素を挿入する処理と、挿入された画素の画素値を当該画像の画素の画素値を用いた補間により求める処理により行われることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記複数の領域は前記第１の拡大画像内において、行列をなすように整列したものであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記移動量算出部が算出する前記複数の領域についての移動量が水平方向移動量と垂直方向移動量とからなり、
前記移動量算出部は、
前記複数の水平方向移動量が対応する領域の画像内の位置に応じて行列を成すように配置された水平方向移動量行列、及び前記複数の垂直方向移動量が対応する領域の画像内の位置に応じて行列を成すように配置された垂直方向移動量行列を生成する移動量行列生成部と、
前記移動量行列生成部で生成された前記水平方向移動量行列の、同じ行内の複数の水平方向移動量のうち値が特異なものを排除し、排除した水平方向移動量を、前記水平方向移動量行列内の同じ行内の他の水平方向移動量の平均値で置き換え、
前記移動量行列生成部で生成された前記垂直方向移動量行列の、同じ列内の複数の垂直方向移動量のうち値が特異なものを排除し、排除した垂直方向移動量を、前記垂直方向移動量行列内の同じ列内の他の垂直方向移動量の平均値で置き換える移動量行列修正部とを有する
ことを特徴とする請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記移動量行列修正部は、
前記水平方向移動量行列の同じ行内の複数の水平方向移動量の中央値からの差が閾値を超える水平方向移動量を、前記特異な水平方向移動量として排除し、
前記垂直方向移動量行列の同じ列内の複数の垂直方向移動量の中央値からの差が閾値を超える垂直方向移動量を、前記特異な垂直方向移動量として排除する
ことを特徴とする請求項９に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記移動量分離部は、
前記移動量算出部が算出する前記複数の水平方向移動量の各々から、前記複数の水平方向移動量の平均を減算することで、水平方向回転移動量を求め、
求めた水平方向回転移動量を対応する円形領域の位置に応じて配置した水平方向回転移動量行列を生成し、
前記移動量算出部が算出する前記複数の垂直方向移動量の各々から、前記複数の垂直方向移動量の平均を減算することで、垂直方向回転移動量を求め、
求めた垂直方向回転移動量を対応する円形領域の位置に応じて配置した垂直方向回転移動量行列を生成する
回転移動量算出部を有する
ことを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記移動量分離部はさらに、
前記回転移動量算出部で生成された、前記水平方向回転移動量行列の複数の互いに異なる行の水平方向回転移動量と、当該行に対応する円形領域の画像内における垂直方向位置とを標本値とする回帰分析を行うことにより、回転の中心の垂直方向位置を求め、
前記回転移動量算出部で生成された、前記垂直方向回転移動量行列の複数の互いに異なる列の垂直方向回転移動量と、当該列に対応する円形領域の画像内における水平方向位置とを標本値とする回帰分析を行うことにより、回転の中心の水平方向位置を求める回転中心算出部を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記移動量分離部はさらに、
前記画像の回転の中心から各円形領域までの距離と、当該円形領域の回転移動量の大きさに基づいて回転移動の回転角を求める
ことを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記画像生成部が、前記第１及び第２の画像の明るさを揃えるための処理を行うことを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
前記画像生成部における前記明るさを揃えるための処理が、
前記第１及び第２の画像の平均輝度の差を求める処理と、
求められた平均輝度の差に応じた調整量を決定する処理と、
決定された調整量の、前記第１及び第２の画像のうちの暗い方への加算及び明るい方からの減算の少なくとも一方の処理とを含む
ことを特徴とする請求項１４に記載の画像処理装置。