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【手続補正書】
【提出日】平成26年12月16日(2014.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線装置を包囲する防音カバーにおいて、
当該防音カバーの内壁に沿った壁面を持つ筒状体を形成する空洞部形成部材を備え、当該空洞部形成部材によって形成される筒状体の一端は開放され、当該筒状部の他端は閉じられていることにより、当該防音カバー内で発生する音響定在波を低減することを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項２】
請求項１において、
前記空洞部形成部材は、複数の前記筒状体を、前記防音カバーの内壁に沿って配列するように、当該筒状体を形成することを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項３】
請求項１において、
前記空洞形成部材は、前記防音カバーの側壁に前記筒状体を形成し、前記開口が当該防音カバーの天板と接する第１の空間、当該防音カバーの高さ方向の中心領域を含む第２の空間、及び底部を含む第３の空間の少なくとも１つに位置するように、前記筒状体を形成していることを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項４】
請求項３において、
前記筒状体は、前記側壁の高さ方向に、少なくとも４つ配列され、天板に一番近い筒状体は、前記第１の空間に開口を持ち、天板に２番目と３番目に近い筒状体は、前記第２の空間に開口を持ち、天板から４番目に近い筒状体は、前記第３の空間に開口を持つことを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項５】
請求項４において、前記筒状体の空洞部の長さを、前記防音カバーの高さの１／４程度としたことを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項６】
請求項１において、
前記開口に多孔板を設置したことを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項７】
請求項１において、
前記空洞形成部材は、前記防音カバーの天板に前記筒状体を形成することを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項８】
請求項１において、
前記空洞形成部材は、前記防音カバーの底部に前記筒状体を形成することを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項９】
請求項１において、
前記空洞部形成部材は、前記筒状体を、前記防音カバーの内側、外側、あるいはその両方に対して、多段重ねて形成することを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項１０】
請求項１において、
前記空洞部形成部材は、前記筒状体を、前記防音カバーの内側の空間に対して、一段もしくは多段重ねて形成することを特徴とする荷電粒子線装置用防音カバー。
【請求項１１】
荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される荷電粒子線が照射される試料を保持する試料台を備えた荷電粒子線装置において、
当該荷電粒子線装置を包囲する防音カバーを有し、当該防音カバーは、当該防音カバーの内壁に沿った壁面を持つ筒状体を形成する空洞部形成部材を備え、当該空洞部形成部材によって形成される筒状体の一端は開放され、当該筒状部の他端は閉じられていることにより、当該防音カバー内で発生する音響定在波を低減することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記空洞部形成部材は、複数の前記筒状体を、前記防音カバーの内壁に沿って配列するように、当該筒状体を形成することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記空洞形成部材は、前記防音カバーの側壁に前記筒状体を形成し、前記開口が、当該防音カバーの天板と接する第１の空間、当該防音カバーの高さ方向の中心領域を含む第２の空間、及び底部を含む第３の空間の少なくとも１つに位置するように、前記筒状体を形成していることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１４】
請求項１１において、
前記空洞形成部材は、前記防音カバーの側壁に前記筒状体を形成し、前記開口が、当該防音カバーの天板と接する第１の空間、当該防音カバーの高さ方向の中心領域を含む第２の空間、及び底部を含む第３の空間の内、少なくとも第２の空間に位置するように、前記筒状体を形成していることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記試料台は、前記第２の空間に配置されることを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のインプリント材と型とを接触させた状態で光を照射することで、前記基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記光を照射するための光照射部と、
前記型を保持し、前記型を介して前記基板に向けて前記光照射部から照射された前記光が通過するように開口が形成された型保持部と、を備え、
前記基板と前記型の少なくともいずれかで反射した反射光が入射し得る前記型保持部の表面の少なくとも一部は、前記光照射部から照射された前記光に対する前記型の表面の反射率よりも低い反射率であることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記型保持部は、前記光照射部から照射された前記光に対する前記型の表面の反射率よりも低い反射率を有する光学部材を備えることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記光学部材は、前記型保持部に形成された前記開口の表面全域、および、前記型保持部が前記基板に対向する表面の領域の少なくともいずれかに設置されることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記光学部材は、前記基板に対向する表面の領域のうち、少なくとも前記型保持部に形成された前記開口のエッジ部に設置されることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記光学部材は、反射防止性能を有する部材であることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記光学部材の表面は、反射防止性能を有する膜であることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記膜は、無電解黒色めっき処理された膜であることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記基板上に前記インプリント材を塗布する塗布部と、
前記型の形状を補正する倍率補正機構と、
前記型と前記基板との間に気体を供給する気体供給ノズルと、の少なくともいずれかを備え、
前記光学部材は、さらに、前記塗布部、前記倍率補正機構、または前記気体供給ノズルのうちの表面の少なくとも一部に設置されることを特徴とする請求項２ないし７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上のインプリント材と型とを接触させた状態で光を照射することで、基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、光を照射するための光照射部と、型を保持し、型を介して基板に向けて光照射部から照射された光が通過するように開口が形成された型保持部と、を備え、基板と型の少なくともいずれかを反射した反射光が入射し得る型保持部の表面の少なくとも一部は、光照射部から照射された光に対する型の表面の反射率よりも低い反射率であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
光照射部２は、モールド７とウエハ８上の樹脂（インプリント材）９とを接触させた状態で紫外線１０を照射し硬化させる。本実施形態では照射する光を紫外線とし、樹脂９は、紫外線硬化樹脂とする。光照射部２は、光源と、光学系とを含む。光源は、不図示であるが、紫外線（例えば、ｉ線、ｇ線）を発生する高圧水銀ランプと、発生した光を集光する楕円鏡とを含んでいてもよい。なお、光源としては、高圧水銀ランプに限らず、例えば、各種エキシマランプ、エキシマレーザーまたは発光ダイオードなどが採用可能である。光学系は、紫外線１０をショット上の樹脂９に照射するためのレンズやアパーチャ、およびハーフミラーを含む。アパーチャは、画角制御や、外周遮光制御のために使用される。画角制御によれば、目標とするショットのみを照明することができ、外周遮光制御によれば、紫外線１０がウエハ８の外形を超えて照射しないように紫外線１０を制限することができる。なお、光学系は、モールド７を均一に照明するためにオプティカルインテグレータを含む構成としてもよい。アパーチャによって、照明する範囲が規定された紫外線１０は、モールド７を介してウエハ８上の樹脂９に入射する。なお、光照射部２による紫外線１０の照射領域（照射範囲）は、モールド７に形成されている後述のパターン部７ａの表面積（領域）と同程度、またはその表面積（パターン部７ａの領域）よりもわずかに大きいことが望ましい。これは、照射領域を必要最小限とすることで、照射に伴う熱に起因してモールド７またはウエハ８が膨張し、樹脂９に形成されるパターンに位置ズレや歪みが発生することを抑えるためである。また、樹脂９は、紫外線硬化樹脂であるため、樹脂９に照射する光の波長は、紫外線領域の波長であることが望ましいが、例えば、紫外線１０の波長帯域である４００ｎｍ以下であれば、他の検出系などとの波長干渉の影響から考えて好適である。また、樹脂を硬化させるために照射する光は、使用する光硬化樹脂の特性に応じて決めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本実施形態では、光照射部２から紫外線１０が照射された際に、インプリントヘッド１１および開口領域１３において、モールド７自体、またはウエハ８側からの反射光（散乱光）が照射され得る領域に、反射防止部（光学部材）１４が形成されている。この反射防止部１４は、図１では、モールド７を囲うように太い実線で示されている。反射防止部１４は、具体的には、インプリントヘッド１１のウエハ８に対して空間的に連通する面（インプリントヘッド１１がウエハ８に対向する面）に形成されている。また、インプリントヘッド１１とモールド７との対向面（モールド保持面近傍）と、開口領域１３内のモールド７を透過した反射光によって照射される可能性のある面との少なくとも一部または表面全域に形成されている。また、反射防止部１４は、反射防止性能を有する部材、例えば反射防止膜とし得る。または、反射防止部１４の表面は反射防止性能を有するような膜で表面処理し得る。反射防止部１４は、インプリント装置を構成する部材と異なる部材を新たに設けてもよいし、インプリント装置を構成する部材の表面に膜を形成してもよい。モールド７の材質が石英の場合、紫外線１０の波長を２００〜４００ｎｍとすると、垂直入射でのモールド７の表面の反射率は３．６〜４．６％程度である。そのため、反射防止部１４の反射率を３％以下にすることが望ましい。例えば、反射防止性能を得るような表面処理で考えると、紫外線１０の波長帯域において１％以下の反射率を有する無電解黒色めっきが好適である。このように、樹脂を硬化させる光に対する型の表面の反射率よりも低い反射率を有する反射防止部を備えることで、効果的にインプリント装置内の反射を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、ｉ型の導電型を有する第１の非晶質膜と、
前記第１の非晶質膜に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第２の非晶質膜と、
前記半導体基板の面内方向において前記第２の非晶質膜に隣接し、かつ、前記第１の非晶質膜に接して設けられ、前記第１の導電型を有する第３の非晶質膜とを備え、
前記第１の非晶質膜において、前記第２および第３の非晶質膜の少なくとも一方と接する部分の膜厚が前記第２および第３の非晶質膜の少なくとも一方と接しない部分の膜厚よりも薄い、光電変換素子。
【請求項２】
前記第１の非晶質膜は、前記第２の非晶質膜に接する部分において第１の膜厚を有し、前記第３の非晶質膜に接する部分において第２の膜厚を有し、前記第２および第３の非晶質膜に接しない部分において前記第１および第２の膜厚よりも厚い第３の膜厚を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記第１の非晶質膜は、前記第２の非晶質膜に接する部分において第１の膜厚を有し、前記第２の非晶質膜に接しない部分および第３の非晶質膜に接する部分において前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記第１の非晶質膜は、前記第３の非晶質膜に接する部分において第１の膜厚を有し、前記第３の非晶質膜に接しない部分および第２の非晶質膜に接する部分において前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項５】
第１の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板の一方の表面に接して、ｉ型の導電型を有する第１の非晶質膜を形成する第１の工程と、
前記半導体基板の面内方向において前記第１の非晶質膜の一部分を除去する第２の工程と、
前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第２の非晶質膜を前記第１の非晶質膜に接して形成する第３の工程と、
前記半導体基板の面内方向において前記第２の非晶質膜に隣接し、かつ、前記第１の非晶質膜に接して、前記第１の導電型を有する第３の非晶質膜を形成する第４の工程とを備え、
前記第３および第４の工程の少なくとも一方において、前記第２および第３の非晶質膜の少なくとも一方は、前記一部分が除去された第１の非晶質膜に接して形成される、光電変換素子の製造方法。
【請求項６】
前記第３の工程において、前記一部分が除去された第１の非晶質膜に接して前記第２の非晶質膜を形成し、
前記第４の工程において、前記一部分が除去された第１の非晶質膜に接して前記第３の非晶質膜を形成する、請求項５に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項７】
前記第３の工程において、前記一部分が除去された第１の非晶質膜に接して前記第２の非晶質膜を形成し、
前記第４の工程において、前記一部分が除去されていない第１の非晶質膜に接して前記第３の非晶質膜を形成する、請求項５に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項８】
前記第３の工程において、前記一部分が除去されていない第１の非晶質膜に接して前記第２の非晶質膜を形成し、
前記第４の工程において、前記一部分が除去された第１の非晶質膜に接して前記第３の非晶質膜を形成する、請求項５に記載の光電変換素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第１の不純物層を少なくとも含む第１の非晶質膜と、
前記半導体基板の面内方向において前記第１の非晶質膜に隣接して前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、前記第１の導電型を有する第２の不純物層を少なくとも含む第２の非晶質膜と、
前記第１の非晶質膜の前記第１の不純物層に接して設けられた第１の電極と、
前記第２の非晶質膜の前記第２の不純物層に接して設けられた第２の電極とを備え、
前記第１および第２の非晶質膜の少なくとも一方において、前記電極に接する部分の膜厚が前記電極に接しない部分の膜厚よりも薄い、光電変換素子。
【請求項２】
前記第１の非晶質膜は、前記第１の電極に接する部分において第１の膜厚を有し、前記第１の電極に接しない部分において前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し、
前記第２の非晶質膜は、前記第２の電極に接する部分において第３の膜厚を有し、前記第２の電極に接しない部分において前記第３の膜厚よりも厚い第４の膜厚を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記第１の非晶質膜は、前記第１の電極に接する部分において第１の膜厚を有し、前記第１の電極に接しない部分において前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有し、
前記第２の非晶質膜は、前記第２の電極に接する部分および前記第２の電極に接しない部分において同じ膜厚を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記第１の非晶質膜は、前記第１の電極に接する部分および前記第１の電極に接しない部分において同じ膜厚を有し、
前記第２の非晶質膜は、前記第２の電極に接する部分において第１の膜厚を有し、前記第２の電極に接しない部分において前記第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記第１の非晶質膜は、
前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、ｉ型の導電型を有する第１のノンドープ層と、
前記第１のノンドープ層に接して設けられた前記第１の不純物層とを含み、
前記第２の非晶質膜は、
前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、ｉ型の導電型を有する第２のノンドープ層と、
前記第２のノンドープ層に接して設けられた前記第２の不純物層とを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記第１の非晶質膜は、厚み方向の全体に亘って前記第１の不純物層を含み、
前記第２の非晶質膜は、
前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、ｉ型の導電型を有するノンドープ層と、
前記ノンドープ層に接して設けられた前記第２の不純物層とを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記半導体基板は、ｎ型単結晶シリコンからなり、
前記第１の不純物層は、ｐ型の導電型を有し、
前記第２の不純物層は、ｎ型の導電型を有する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項８】
第１の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板の一方の表面に接して、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第１の不純物層を少なくとも含む第１の非晶質膜を形成する第１の工程と、
前記半導体基板の面内方向において前記第１の非晶質膜に隣接して前記半導体基板の一方の表面に接して、前記第１の導電型を有する第２の不純物層を少なくとも含む第２の非晶質膜を形成する第２の工程と、
前記第１および第２の不純物層の少なくとも一方の不純物層において前記半導体基板の面内方向における一部分を除去する第３の工程と、
前記一部分が除去された前記少なくとも一方の不純物層に接して電極を形成する第４の工程とを備える光電変換素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月11日(2015.2.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、チャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に接するソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の酸化物絶縁膜と、を有し、
前記ソース電極層の周縁は、前記酸化物半導体層の周縁の内側に配置され、
前記ドレイン電極層の周縁は、前記酸化物半導体層の周縁の内側に配置され、
前記酸化物半導体層の端面は、前記酸化物絶縁膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層の周縁は、前記ゲート電極層の周縁の内側に配置することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の上面形状は長方形であり、その四隅の周縁は、曲線を描くことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記ソース電極層または前記ドレイン電極層の上面形状は長方形の四隅が切り取られた形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記ソース電極層の周縁と前記酸化物半導体層の周縁との間隔はチャネル長Ｌ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ドレイン電極層の周縁と前記酸化物半導体層の周縁との間隔はチャネル長Ｌ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記チャネル形成領域の上面形状は、Ｃ字形状またはＵ字形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５または６において、
前記チャネル長Ｌは、４．５μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記酸化物絶縁膜上にソース配線を有し、
前記ソース配線は、前記酸化物絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース電極層と電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作入力を行うための操作対象物が表示される表示面に接触する物体の検出を制御する検出制御部と、
前記表示面における物体の接触サイズに基づいて前記操作対象物の操作内容を変更するための制御を行う制御部と
を具備する表示制御装置。
【請求項２】
前記表示面には複数の前記操作対象物が表示され、
前記制御部は、前記表示面における物体の接触サイズに基づいて前記複数の操作対象物のうちの少なくとも一部の操作内容を変更する
請求項１記載の表示制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記表示面における物体の接触サイズにより特定される値を基準として、前記複数の操作対象物のうちの２つの操作対象物間の前記表示面における距離が小さい場合には、前記２つの操作対象物の操作入力を不能とする請求項２記載の表示制御装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記表示面における物体の接触サイズと、前記表示面における前記操作対象物のサイズとの比較結果に基づいて前記操作内容を変更する請求項１乃至３の何れかに記載の表示制御装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記表示面における物体の接触サイズを基準とし、前記表示面における前記操作対象物のサイズが大きい場合には当該操作対象物の操作入力を可能とし、前記表示面における前記操作対象物のサイズが小さい場合には当該操作対象物の操作入力を不能とする請求項４記載の表示制御装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記表示面における物体の接触サイズに基づいて前記操作対象物の操作入力を不能とすることにより前記操作対象物の操作内容を変更する請求項１記載の表示制御装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記表示面における物体の接触サイズに基づいて操作入力を不能とすることが判断される操作対象物であっても前記表示面における所定領域内に存在する当該操作対象物および他の操作対象物の数が所定数以内の場合には当該操作対象物の操作入力を可能とする請求項１記載の表示制御装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記表示面における物体の接触サイズに基づいて操作入力を不能とすることが判断される操作対象物が存在する場合には当該操作対象物の操作入力を可能とするサイズまで当該操作対象物を拡大して表示させるための制御を行う請求項１記載の表示制御装置。
【請求項９】
操作入力を行うための操作対象物が表示される表示面に接触する物体の検出を制御する検出制御部と、
前記表示面における物体の接触サイズに基づいて前記操作対象物の表示内容を変更するための制御を行う制御部と
を具備する表示制御装置。
【請求項１０】
操作入力を行うための操作対象物が表示される表示面に接触する物体を検出する検出手順と、
前記表示面における物体の接触サイズに基づいて前記操作対象物の操作内容を変更する制御手順と
を具備する表示制御装置の制御方法。
【請求項１１】
操作入力を行うための操作対象物が表示される表示面に接触する物体を検出する検出手順と、
前記表示面における物体の接触サイズに基づいて前記操作対象物の操作内容を変更する制御手順と
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月3日(2015.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を扱う機械の動きを制御するコントローラにおいて実行される制御プログラムのシミュレーションを実行する制御部を有するシミュレーション装置であって、
前記制御部は、
前記制御プログラムにしたがって、仮想空間において前記機械に対応する仮想機械によって扱われ前記対象物に対応する仮想対象物の位置に基づいて、前記仮想機械を動かすための指令値を計算する第１の計算手段と、
前記第１の計算手段によって計算された前記指令値にしたがった前記仮想機械の動きを計算する第２の計算手段と、
前記第２の計算手段によって計算された前記仮想機械の動きによって動かされる前記仮想対象物の動きを計算する第３の計算手段と、
前記第２の計算手段によって計算された前記仮想機械の動き、または、前記第３の計算手段によって計算された前記仮想対象物の動きを表示するためのデータを作成する表示データ作成手段と、
実空間画像から前記対象物または前記機械の状態を特定する特定手段と、
前記特定手段によって特定された前記状態から前記対象物または前記機械の初期状態を計算する第４の計算手段とを含み、
前記第１の計算手段は、前記第４の計算手段によって計算された前記初期状態をシミュレーションの開始時の状態として前記指令値を計算する、シミュレーション装置。
【請求項２】
前記制御部は、さらに、
前記第２の計算手段によって計算された前記仮想機械の動き、または、前記第３の計算手段によって計算された前記仮想対象物の動きを、仮想的に撮影した場合に得られる仮想空間の所定撮影位置の仮想空間画像を生成する仮想撮影手段を備え、
前記仮想撮影手段は、当該仮想撮影手段に対応する実空間の視覚センサが向けられている実空間の位置に対応する前記所定撮影位置の前記仮想空間画像を生成する、請求項１に記載のシミュレーション装置。
【請求項３】
前記第１の計算手段、前記第２の計算手段、前記第３の計算手段、および、前記仮想撮影手段は、同一の時間軸にしたがって、それぞれ、前記指令値、前記仮想機械の動き、および、前記仮想対象物の動きを計算し、前記仮想空間画像を生成する、請求項２に記載のシミュレーション装置。
【請求項４】
記憶部と、
表示部とをさらに備え、
前記記憶部は、
前記仮想撮影手段に対応する実空間の視覚センサによって撮影された実空間画像と当該実空間画像に対応する前記仮想空間画像とを対応付けて予め記憶する画像記憶部を含み、
前記制御部は、さらに、
前記仮想撮影手段によって生成された前記仮想空間画像に対応して前記画像記憶部に記憶されている前記実空間画像を前記表示部に表示させる表示制御手段を含む、請求項２に記載のシミュレーション装置。
【請求項５】
対象物を扱う機械の動きを制御するコントローラにおいて実行される制御プログラムのシミュレーションを実行する制御部を有するシミュレーション装置で行なわれるシミュレーション方法であって、
前記制御部が、
前記制御プログラムにしたがって、仮想空間において前記機械に対応する仮想機械によって扱われ前記対象物に対応する仮想対象物の位置に基づいて、前記仮想機械を動かすための指令値を計算する第１のステップと、
前記第１のステップで計算された前記指令値にしたがった前記仮想機械の動きを計算する第２のステップと、
前記第２のステップで計算された前記仮想機械の動きによって動かされる前記仮想対象物の動きを計算する第３のステップと、
前記第２のステップで計算された前記仮想機械の動き、または、前記第３のステップで計算された前記仮想対象物の動きを表示するためのデータを作成する表示データ作成ステップと、
実空間画像から前記対象物または前記機械の状態を特定する特定ステップと、
前記特定ステップによって特定された前記状態から前記対象物または前記機械の初期状態を計算する第４のステップとを含み、
前記第１のステップは、前記第４のステップによって計算された前記初期状態をシミュレーションの開始時の状態として前記指令値を計算するステップを含む、シミュレーション方法。
【請求項６】
対象物を扱う機械の動きを制御するコントローラにおいて実行される制御プログラムのシミュレーションを実行する制御部を有するシミュレーション装置で実行されるシミュレーションプログラムであって、
前記制御プログラムにしたがって、仮想空間において前記機械に対応する仮想機械によって扱われ前記対象物に対応する仮想対象物の位置に基づいて、前記仮想機械を動かすための指令値を計算する第１のステップと、
前記第１のステップで計算された前記指令値にしたがった前記仮想機械の動きを計算する第２のステップと、
前記第２のステップで計算された前記仮想機械の動きによって動かされる前記仮想対象物の動きを計算する第３のステップと、
前記第２のステップで計算された前記仮想機械の動き、または、前記第３のステップで計算された前記仮想対象物の動きを表示するためのデータを作成する表示データ作成ステップと、
実空間画像から前記対象物または前記機械の状態を特定する特定ステップと、
前記特定ステップによって特定された前記状態から前記対象物または前記機械の初期状態を計算する第４のステップとを前記制御部に実行させ、
前記第１のステップは、前記第４のステップによって計算された前記初期状態をシミュレーションの開始時の状態として前記指令値を計算するステップを含む、シミュレーションプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力が伝送される電力線を、外部装置に接続させる接続部と、
伝送される電力に関する所定量ごとに、前記接続部を介して電力線により有線で接続された接続外部装置に供給される電力に対する対価を示す課金情報を生成する課金情報生成部と、
生成された前記課金情報に基づく課金処理を行う課金処理部と、
前記課金処理の結果に基づいて、前記電力を前記接続外部装置に選択的に伝送させる電力制御部と、
を備える、給電装置。
【請求項２】
前記接続外部装置と通信を行う第１通信部をさらに備え、
前記課金処理部は、前記第１通信部に前記接続外部装置と通信を行わせることによって、前記課金処理を行う、請求項１に記載の給電装置。
【請求項３】
前記課金処理部は、
前記課金処理として、前記課金情報が示す対価に対応する値を電子バリューから減算させる課金処理命令を、前記第１通信部に送信させ、
前記第１通信部が受信した、前記課金処理命令に対する応答信号に基づいて、前記課金処理が正常に完了したかを判定する、請求項２に記載の給電装置。
【請求項４】
前記課金処理部は、
前記応答信号が、前記課金情報が示す対価に対応する値のうちの少なくとも一部の値を、電子バリューから減算させることができないことを示す場合には、前記課金処理が正常に完了したと判定せず、
前記課金処理が正常に完了したと判定されない場合には、前記少なくとも一部の値に該当する不足分に関する通知を行わせる、請求項３に記載の給電装置。
【請求項５】
前記接続外部装置のユーザに対する課金を行うことが可能な外部課金処理装置と通信を行う第２通信部をさらに備え、
前記課金処理部は、前記課金処理が正常に完了したと判定されない場合には、前記課金情報、または、前記課金情報が示す対価の一部に対応する課金情報を、前記第２通信部に、前記外部課金処理装置に対して送信させる、請求項３、または４に記載の給電装置。
【請求項６】
前記接続外部装置と通信を行う第１通信部と、
前記接続外部装置のユーザに対する課金を行うことが可能な外部課金処理装置と通信を行う第２通信部と、
をさらに備え、
前記課金処理部は、設定されている課金処理設定に基づいて、前記第１通信部に前記接続外部装置と通信を行わせることによる前記課金処理、および／または、前記第２通信部に前記課金情報を前記外部課金処理装置へと送信させることによる前記課金処理を行う、請求項１に記載の給電装置。
【請求項７】
前記接続外部装置と通信を行う第１通信部と、
前記接続外部装置から取得される、前記接続外部装置を示す識別情報に基づいて、前記接続外部装置を認証する認証部と、
をさらに備え、
前記電力制御部は、前記課金処理の結果と前記認証の結果とに基づいて、前記電力を前記接続外部装置に選択的に伝送させる、請求項１に記載の給電装置。
【請求項８】
前記課金情報生成部は、複数の給電速度に関する給電モードのうち、設定されている給電モードに対応する対価を示す課金情報を生成する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の給電装置。
【請求項９】
前記課金情報生成部は、前記接続外部装置に供給された電力の総量に対応する課金情報を生成する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の給電装置。
【請求項１０】
前記課金情報生成部は、取得された電力の価格を示す価格情報に基づいて、前記価格情報が示す電力の価格に対応する課金情報を生成する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の給電装置。
【請求項１１】
前記第１通信部は、前記接続外部装置に対して信号を送信し、前記接続外部装置において受信した信号に基づいて負荷変調を行うことによって送信される応答信号を受信する、請求項２〜１０のいずれか１項に記載の給電装置。
【請求項１２】
前記第１通信部は、
前記電力の周波数よりも高い周波数の高周波信号を前記電力線を介して送信し、前記接続外部装置と通信を行う電力線通信部と、
前記電力線通信部と前記電力線との間に接続され、少なくとも前記電力の周波数の信号を遮断し、前記高周波信号を遮断しない通信フィルタと、
を備える、請求項１１に記載の給電装置。
【請求項１３】
前記第１通信部は、
前記電力の周波数よりも高い周波数の高周波信号に応じた搬送波を送信する通信アンテナと、
前記高周波信号を前記通信アンテナを介して送信し、前記接続外部装置と通信を行う無線通信部と、
を備える、請求項１１に記載の給電装置。
【請求項１４】
前記接続外部装置のユーザに対する課金を行うことが可能な外部課金処理装置と通信を行う第２通信部をさらに備え、
前記課金処理部は、前記課金処理として、前記第２通信部に前記課金情報を前記外部課金処理装置へと送信させる、請求項１に記載の給電装置。
【請求項１５】
前記伝送される電力に関する所定量は、前記接続外部装置への電力の供給時間、前記接続外部装置に供給された電力量、または、前記接続外部装置に供給された電力量に対応する対価、のうちの１または２以上である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の給電装置。
【請求項１６】
電力が伝送される電力線と接続する接続部と、
前記接続部を介して電力線により有線で接続され、電力の伝送を行う給電装置と通信を行う通信部と、
前記給電装置において電力線に伝送される電力に関する所定量ごとに生成され、前記給電装置から送信される、供給される電力に対する対価を示す課金情報に基づく課金処理を行う課金処理部と、
前記課金処理の結果に基づいて、前記給電装置に、前記電力を選択的に伝送させる電力制御部と、
を備える、受電装置。
【請求項１７】
電力線に伝送される電力に関する所定量ごとに、前記電力線により有線で接続された接続外部装置に供給される電力に対する対価を示す課金情報を生成するステップと、
生成された前記課金情報に基づく課金処理を行うステップと、
前記課金処理の結果に基づいて、電力を前記接続外部装置に選択的に伝送させるステップと、
を有する、課金方法。
【請求項１８】
電力が伝送される電力線により有線で接続され、電力の伝送を行う給電装置と通信を行うステップと、
前記給電装置において電力線に伝送される電力に関する所定量ごとに生成され、前記給電装置から送信される、供給される電力に対する対価を示す課金情報に基づく課金処理を行うステップと、
前記課金処理の結果に基づいて、前記給電装置に、前記電力を選択的に伝送させるステップと、
を有する、課金方法。
【請求項１９】
電力線に伝送される電力に関する所定量ごとに、前記電力線により有線で接続された接続外部装置に供給される電力に対する対価を示す課金情報を生成するステップ、
生成された前記課金情報に基づく課金処理を行うステップ、
前記課金処理の結果に基づいて、電力を前記接続外部装置に選択的に伝送させるステップ、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項２０】
電力が伝送される電力線により有線で接続され、電力の伝送を行う給電装置と通信を行うステップ、
前記給電装置において電力線に伝送される電力に関する所定量ごとに生成され、前記給電装置から送信される、供給される電力に対する対価を示す課金情報に基づく課金処理を行うステップ、
前記課金処理の結果に基づいて、前記給電装置に、前記電力を選択的に伝送させるステップ、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体の特定成分に関する特徴量を算出し、前記被検体の食事履歴を検索する食事履歴検索装置であって、
前記特定成分に対する波長帯域を含む波長帯域で前記被検体を撮影して得られるマルチバンド画像を取得するマルチバンド画像取得部と、
前記マルチバンド画像から分光スペクトルを演算する分光スペクトル演算部と、
前記分光スペクトル演算部によって算出された前記分光スペクトルに基づいて前記特徴量を演算する検量処理部と、
前記検量処理部によって得られた前記特徴量に基づいて前記被検体の食事履歴を検索する履歴検索部と、
を備えることを特徴とする食事履歴検索装置。
【請求項２】
請求項１に記載の食事履歴検索装置において、
前記検量処理部は、前記被検体の特徴量を保存することを特徴とする食事履歴検索装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の食事履歴検索装置において、
表示部を備え、
前記履歴検索部は、前記食事履歴を前記表示部に出力する、
ことを特徴とする食事履歴検索装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の食事履歴検索装置において、
前記マルチバンド画像取得部は、
前記波長帯域で前記被検体の撮影を行うマルチバンドカメラに対して測定帯域を指示するための測定帯域データを保存する測定帯域データ保存部と、
前記測定帯域データ保存部に保存されている前記測定帯域データを前記マルチバンドカメラに送ることによって、前記マルチバンドカメラに前記測定帯域を指示する測定帯域指示部と、
を備えることを特徴とする食事履歴検索装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の食事履歴検索装置において、
前記マルチバンドカメラにおける誤差を補正するための補正量を、前記マルチバンド画像を構成するバンド画像に基づいた前処理データを保存する前処理データ保存部と、
前記マルチバンド画像を前記前処理データ保存部に保存されている前記前処理データに基づいて補正し、補正後の前記マルチバンド画像を前記分光推定部に送る前処理部と、
を備えることを特徴とする食事履歴検索装置。
【請求項６】
被検体の特定成分に関する特徴量を算出し、前記被検体の食事履歴を検索する食事履歴検索方法であって、
前記特定成分に対する波長帯域を含む波長帯域で前記被検体を撮影して得られるマルチバンド画像を取得し、
前記マルチバンド画像から分光スペクトルを演算し、
前記分光スペクトルから前記特徴量を演算すること、
前記特徴量に基づいて前記被検体の食事履歴を検索すること、
を特徴とする食事履歴検索方法。
【請求項７】
被検体の特定成分に関する特徴量を推定し、食事履歴を検索するためのコンピュータープログラムであって、
前記特定成分に対する波長帯域を含む波長帯域で前記被検体を撮影して得られるマルチバンド画像を取得する機能と、
前記マルチバンド画像から分光スペクトルを演算する機能と、
前記分光スペクトルから前記特徴量を演算する機能と、
前記特徴量に基づいて前記被検体の食事履歴を検索する機能と、
をコンピューターに実現させることを特徴とするコンピュータープログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月5日(2014.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも樹脂フィルムからなる基材層と、外層に配して前記基材層を保護する保護層と、最内層に配して熱接着性樹脂からなる熱接着層と、前記基材層と前記熱接着層との間に配して金属箔からなるバリア層と、を積層して構成される電気化学セル用包装材料であって、前記基材層と前記バリア層とが顔料を含有する接着剤によりドライラミネート接着され、前記保護層がポリ塩化ビニリデン、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、無水マレイン酸変性ポリプロピレン、フェノール樹脂、セルロースエステル、オレフィン樹脂、ウレタン樹脂から選ばれた少なくとも１種の樹脂で形成されることを特徴とする電気化学セル用包装材料。
【請求項２】
前記顔料がカーボンブラックであることを特徴とする請求項１に記載の電気化学セル用包装材料。
【請求項３】
前記保護層表面にスリップ剤層が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリチウムイオン電池用包装材料。
【請求項４】
前記スリップ剤層が脂肪酸アマイド系樹脂からなることを特徴とする請求項３に記載のリチウムイオン電池用包装材料。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月4日(2015.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】負極の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化グラフェン、複数の粒子状の負極活物質、及びポリイミドの前駆体を混合して、スラリーを形成する第１の工程と、
前記スラリーを負極集電体上に塗布する第２の工程と、
前記ポリイミドの前駆体をイミド化するために、前記負極集電体上に塗布されたスラリーを２００℃以上４００℃以下の温度で加熱する第３の工程と、を有し、
前記第３の工程により、前記酸化グラフェンの還元を行うことを特徴とする負極の作製方法。
【請求項２】
酸化グラフェン、複数のシリコン粒子、及びポリイミドの前駆体を混合して、スラリーを形成する第１の工程と、
前記スラリーを負極集電体上に塗布する第２の工程と、
前記ポリイミドの前駆体をイミド化するために、前記負極集電体上に塗布されたスラリーを２００℃以上４００℃以下の温度で加熱する第３の工程と、を有し、
前記第３の工程により、前記酸化グラフェンの還元を行うことを特徴とする負極の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記負極集電体は、チタン、アルミ、銅又はステンレスであることを特徴とする負極の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極とセパレータとが捲回軸周りに捲回されて形成される電極体を備える蓄電素子であって、
前記電極体は、捲回された前記正極と前記負極と前記セパレータとの最内周内方に配置される芯材を備え、
前記芯材は、前記捲回軸に垂直の断面における長手方向の端部の方が中央部よりも剛性が低い
蓄電素子。
【請求項２】
前記捲回軸に垂直の断面における短手方向において、前記芯材の幅に対して前記芯材が占める長さの割合を空間占有率とし、
前記芯材は、前記正極と前記負極と前記セパレータとが捲回されていない状態で、前記長手方向の端部の方が中央部よりも空間占有率が小さい
請求項１に記載の蓄電素子。
【請求項３】
正極と負極とセパレータとが捲回軸周りに捲回されて形成される電極体を備える蓄電素子であって、
前記電極体は、捲回された前記正極と前記負極と前記セパレータとの最内周内方に配置される芯材を備え、
前記捲回軸に垂直の断面における短手方向において、前記芯材の幅に対して前記芯材が占める長さの割合を空間占有率としたとき、前記芯材は、前記正極と前記負極と前記セパレータとが捲回されていない状態で、前記長手方向の端部の方が中央部よりも空間占有率が小さい
蓄電素子。
【請求項４】
前記芯材は、板状の部材から成り、
前記板状の部材は、前記長手方向の端部の方が中央部よりも前記短手方向の厚みが薄い
請求項２又は３に記載の蓄電素子。
【請求項５】
前記芯材は、前記長手方向の端部の方が中央部よりも前記短手方向の幅が大きい空間が形成されている
請求項２〜４のいずれか１項に記載の蓄電素子。
【請求項６】
蓄電素子に備えられ、正極と負極とセパレータとが捲回軸周りに捲回されて形成される電極体であって、
捲回された前記正極と前記負極と前記セパレータとの最内周内方に配置される芯材を備え、
前記芯材は、前記捲回軸に垂直の断面における長手方向の端部の方が中央部よりも剛性が低い
電極体。
【請求項７】
正極と負極とセパレータとが捲回軸周りに捲回されて形成される電極体の、捲回された前記正極と前記負極と前記セパレータとの最内周内方に配置される芯材であって、
前記芯材は、前記捲回軸に垂直の断面における長手方向の端部の方が中央部よりも剛性が低い
芯材。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の芯材に挿入され、正極と負極とセパレータとを捲回軸周りに捲回して電極体を形成するための巻軸であって、
前記捲回軸に垂直の断面における長手方向の端部の方が中央部よりも、前記捲回軸に垂直の断面における短手方向の幅が大きい
巻軸。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基材Ｂ上に流路形成用の導電性線材Ａが平行に配置されてなる流路付ガス拡散層であって、
前記導電性線材Ａによって形成される流路の高さが３００μｍ以下であり、
隣接する導電性線材Ａで構成される流路の等価直径が３００μｍ以下であり、
前記導電性基材Ｂが、前記導電性線材Ａと直交するが交差はしない１層の導電性線材Ｃから形成されることを特徴とする、流路付ガス拡散層。
【請求項２】
前記導電性線材Ａが配置されていない側の導電性基材Ｂ上にさらに触媒層が配置される場合の、隣接する導電性線材Ｃ間のピッチが、下記式（１）：
【数１】
2013191434.tif 000001
ただし、ρは、触媒層の抵抗率（Ω・ｃｍ）であり、ｒは、隣接する導電性線材Ｃ間のピッチの半値（ｃｍ）であり、ｔは、触媒層の厚さ（ｃｍ）である、
を満たす、請求項１に記載の流路付ガス拡散層。
【請求項３】
前記導電性線材Ａが、非導電性の芯材および前記非導電性の芯材を被覆する導電性の表層材から構成される、または金属から構成される、請求項１または２に記載の流路付ガス拡散層。
【請求項４】
前記導電性線材Ａが配置されていない側の導電性基材Ｂ上に、導電性粒子層が形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の流路付ガス拡散層。
【請求項５】
前記流路付ガス拡散層の、前記導電性線材Ａと平行方向の長さをＬと、および前記導電性線材Ａと垂直方向の長さをＷと、それぞれした場合の、Ｌ／Ｗが２以下である矩形を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の流路付ガス拡散層。
【請求項６】
電解質膜の両面にアノードの電極層およびカソードの電極層を備える膜電極接合体と、セパレータとを積層した積層体を有する燃料電池であって、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の流路付ガス拡散層が、アノードおよびカソードの少なくとも一方の側の前記セパレータと前記膜電極接合体の電極層との間に配置され、
前記導電性線材Ａと前記セパレータとが、および前記導電性基材Ｂと前記膜電極接合体の電極層とが、それぞれ、電気的に接触していることを特徴とする、燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月5日(2015.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード層、電解質層及びアノード層を有する膜電極接合体の製造方法であって、
真空排気された処理容器へ基板を導入し、前記基板上に前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層、又は、前記アノード層、前記電解質層及び前記カソード層の順に、大気に晒すことなく真空一貫で成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、成膜装置として、
処理空間を画成する処理容器と、
前記基板を載置する載置台と、
マイクロ波発生器と、
前記マイクロ波発生器によって発生されるマイクロ波を放射するアンテナと、
前記処理空間と前記アンテナとの間に設けられた誘電体窓と、
プラズマ励起用のガスを供給するガス供給部と、
前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層から選択される少なくとも一つの層を形成するための材料ガスを供給する材料ガス供給部と、
を備える成膜装置を用い、
前記基板を前記載置台に載置させ、前記ガス供給部からプラズマ励起用の前記ガスを供給させ、前記アンテナからマイクロ波を放射させてプラズマを励起させ、前記材料ガス供給部から前記材料ガスを供給させて、前記材料ガスを前記プラズマにより反応させて前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層から選択される少なくとも一つの層をプラズマＣＶＤにより形成し、
前記成膜工程において前記電解質層をプラズマＣＶＤにより形成するときに用いる前記材料ガスは、ＣＦｘ及びドープ材としてのＳＯｘを含むガスである、
膜電極接合体の製造方法。
【請求項２】
前記成膜工程では、前記成膜装置として、
前記載置台にバイアス用の高周波電力を印加する高周波電源と、
ＳＯｘを含むドープガスを供給するドープガス供給部と、
をさらに備え、
前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層の何れかの層を積層した後に、前記高周波電源により前記載置台に前記高周波電力を印加するとともに、前記ガス供給部からプラズマ励起用の前記ガスを供給させ、前記アンテナからマイクロ波を放射させてプラズマを励起させ、前記ドープガス供給部から前記ドープガスを供給させ、前記ドープガス中の元素を前記高周波電力により前記載置台へ引き込むことにより最も表面に位置する層にドーピングを行う請求項１に記載の膜電極接合体の製造方法。
【請求項３】
前記成膜工程では、前記電解質層にＳＯ３−又はＳＯ２−をドーピングする請求項２に記載の膜電極接合体の製造方法。
【請求項４】
カソード層、電解質層及びアノード層を有する膜電極接合体の製造方法であって、
真空排気された処理容器へ基板を導入し、前記基板上に前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層、又は、前記アノード層、前記電解質層及び前記カソード層の順に、大気に晒すことなく真空一貫で成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、成膜装置として、
処理空間を画成する処理容器と、
前記基板を載置する載置台と、
マイクロ波発生器と、
前記マイクロ波発生器によって発生されるマイクロ波を放射するアンテナと、
前記処理空間と前記アンテナとの間に設けられた誘電体窓と、
プラズマ励起用のガスを供給するガス供給部と、
前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層から選択される少なくとも一つの層を形成するための材料ガスを供給する材料ガス供給部と、
を備える成膜装置を用い、
前記基板を前記載置台に載置させ、前記ガス供給部からプラズマ励起用の前記ガスを供給させ、前記アンテナからマイクロ波を放射させてプラズマを励起させ、前記材料ガス供給部から前記材料ガスを供給させて、前記材料ガスを前記プラズマにより反応させて前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層から選択される少なくとも一つの層をプラズマＣＶＤにより形成し、
前記成膜工程において前記アノード層又は前記カソード層をプラズマＣＶＤにより形成するときに用いる前記材料ガスは、ＣｘＨｙを含むガスである、
膜電極接合体の製造方法。
【請求項５】
カソード層、電解質層及びアノード層を有する膜電極接合体の製造方法であって、
真空排気された処理容器へ基板を導入し、前記基板上に前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層、又は、前記アノード層、前記電解質層及び前記カソード層の順に、大気に晒すことなく真空一貫で成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、成膜装置として、
処理空間を画成する処理容器と、
前記基板を載置する載置台と、
マイクロ波発生器と、
前記マイクロ波発生器によって発生されるマイクロ波を放射するアンテナと、
前記処理空間と前記アンテナとの間に設けられた誘電体窓と、
プラズマ励起用のガスを供給するガス供給部と、
前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層から選択される少なくとも一つの層を形成するための材料ガスを供給する材料ガス供給部と、
を備える成膜装置を用い、
前記基板を前記載置台に載置させ、前記ガス供給部からプラズマ励起用の前記ガスを供給させ、前記アンテナからマイクロ波を放射させてプラズマを励起させ、前記材料ガス供給部から前記材料ガスを供給させて、前記材料ガスを前記プラズマにより反応させて前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層から選択される少なくとも一つの層をプラズマＣＶＤにより形成し、
前記成膜工程において前記アノード層又は前記カソード層をプラズマＣＶＤにより形成するときに用いる前記材料ガスは、カーボンナノチューブを溶液に分散させた原料である、
膜電極接合体の製造方法。
【請求項６】
カソード層、電解質層及びアノード層を有する膜電極接合体の製造方法であって、
真空排気された処理容器へ基板を導入し、前記基板上に前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層、又は、前記アノード層、前記電解質層及び前記カソード層の順に、大気に晒すことなく真空一貫で成膜する成膜工程を含み、
前記成膜工程では、前記カソード層、前記電解質層及び前記アノード層から選択される少なくとも一つの層をプラズマＣＶＤにより成膜し、
前記成膜工程において前記カソード層又は前記アノード層を成膜するときには、アモルファスカーボン膜にＰｔ又はＰｔを含む有機原料もしくは無機原料をＣＶＤ法にて成膜することによって前記アノード層又は前記カソード層を形成する、
膜電極接合体の製造方法。