【事件の表示】
　特願２０１７−　　２３２６「薄膜半導体材料を用いる薄膜トランジスタ」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　６月２２日出願公開、特開２０１７−１１２３８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２０年８月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年８月２日，米国）を国際出願日とする特願２０１０−５２０２１８号の一部を平成２６年１２月２日に新たな出願とした特願２０１４−２４３９７０号の一部を平成２９年１月１１日に新たな出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　２月　９日　　　　　手続補正書の提出
　平成２９年１１月２９日付け　　　拒絶理由通知書
　平成３０年　３月　５日　　　　　意見書，手続補正書の提出
　平成３０年　５月　９日付け　　　拒絶査定
　平成３０年　９月１３日　　　　　審判請求書，手続補正書の提出
　平成３１年　４月　４日付け　　　拒絶理由通知書
第２　本願発明
　平成３０年９月１３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５（以下，「本願発明１」ないし「本願発明１５」という。）には，以下の事項が記載されている。
「【請求項１】
　薄膜トランジスタであって、
　薄膜トランジスタの半導体層として、
　酸素、窒素、および亜鉛からなる酸窒化物化合物を含有する半導体層
を含む、トランジスタ。
　　【請求項２】
　トランジスタは、最上部ゲート薄膜トランジスタであって、
　基板、
　前記基板の上に配置されたゲート電極、
　前記ゲート電極の上に配置されたゲート誘電体層、
　前記ゲート誘電体層の上に配置された半導体層、
　前記半導体層の上に配置され、アクティブチャンネルを画成するように隔置されたソース・ドレイン電極、及び
　前記アクティブチャンネルにおける前記半導体層の上に配置されたエッチング停止層、を更に備える、請求項１に記載のトランジスタ。
　　【請求項３】
　前記半導体層が、約５０ｃｍ２／Ｖｓを超える移動度を有する、請求項１に記載のトランジスタ。
　　【請求項４】
　前記半導体層が、更に、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｇ、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれるドーパントを含む、請求項１に記載のトランジスタ。
　　【請求項５】
　薄膜トランジスタの製造方法であって、
　基板の上に半導体層を堆積させるステップを含み、前記半導体層が、
　酸素、窒素、および亜鉛からなる酸窒化物化合物を含有する、
方法。
　　【請求項６】
　基板とゲート電極の上にゲート誘電体層を堆積させるステップと、
　前記ゲート誘電体層の上に前記半導体層を堆積させるステップと、
　前記半導体層の上にエッチング停止層を堆積させるステップと、
　前記半導体層の上に導電層を堆積させるステップと、
　前記導電層をエッチングして、ソース・ドレイン電極とアクティブチャンネルを画成するステップと
を更に含む、請求項５に記載の方法。
　　【請求項７】
　前記半導体層が、更に、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｇ、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれるドーパントを含む、請求項５に記載の方法。
　　【請求項８】
　前記半導体層が、約５０ｃｍ２／Ｖｓを超える移動度を有する、請求項５に記載の方法。
　　【請求項９】
　前記半導体層をアニールすることを更に含む、請求項５に記載の方法。
　　【請求項１０】
　前記堆積させるステップが、
　窒素含有ガスと酸素含有ガスをチャンバに供給する工程と、
　インジウム、ガリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる一種類以上の元素を含むターゲットをスパッタする工程と、
　窒素含有ガスの供給量を堆積中に変える工程と
を含む、請求項５に記載の方法。
　　【請求項１１】
　薄膜トランジスタ製造方法であって、
　酸素、窒素、および亜鉛からなる酸窒化物化合物を含有する、半導体層を基板の上に堆積させるステップと、
　前記半導体層の上にソース・ドレイン電極層を堆積させるステップと、
　前記ソース・ドレイン電極層と前記半導体層をエッチングして、アクティブチャンネルを作成するステップと、
　前記ソース・ドレイン電極層をエッチングして、ソース・ドレイン電極を画成するステップと
を含む、方法。
　　【請求項１２】
　前記半導体層が、約５０ｃｍ２／Ｖｓを超える移動度を有する、請求項１１に記載の方法。
　　【請求項１３】
　前記堆積中に供給される窒素含有ガスの量を変えるステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
　　【請求項１４】
　前記半導体層が、更に、Ａｌ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｇ、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれるドーパントを含む、請求項１１に記載の方法。
　　【請求項１５】
　前記半導体層をアニールするステップと、
　前記ソース・ドレイン電極層を堆積させる前に、前記半導体層の少なくとも一部の上にエッチング停止層を堆積させるステップと
を更に含む、請求項１１に記載の方法。」
第３　当審の拒絶理由通知書の概要
　当審の拒絶の理由である，平成３１年４月４日付け拒絶理由通知の理由は，概略，次のとおりのものである。
理由１（進歩性）この出願の請求項１ないし１５に係る発明は，その優先権主張日前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その優先権主張日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
理由２（明確性）この出願は，特許請求の範囲の記載が，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　　　　＜引用文献等一覧＞
１．特開２００７−１２３８６１号公報
２．特開２００７−１８４６１０号公報
３．特表２００７−５０２５１９号公報
第４　引用文献の記載及び引用発明等
１　引用文献１
（１）引用文献１には，以下の事項が記載されている（下線は，当審で付した。以下同じ。）。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体装置及びその作製方法に関する。特に、
酸化物半導体を用いた半導体装置
「【００４０】
　本発明では、ゲート電極をＬＲＴＡにより加熱することで酸化物半導体膜のチャネル形成領域における結晶性を良好にしている。その結果、酸化物半導体膜は局所的にしか加熱されないため、基板の大半は加熱されずに済み、基板のシュリンク（縮み）やたわみを抑制しつつ結晶化工程を行うことができる。したがって、工程を簡略化しつつ、移動度特性を向上させた半導体素子を有する半導体装置を作製することができる。」
「【００６３】
（実施の形態２）
　本実施形態では、実施形態１とは異なる構造について図３（Ａ）〜（Ｃ）を用いて説明する。なお、基板３０１上に下地膜３０２、ゲート電極３０３、ゲート絶縁膜３０４を形成するまでの工程は実施の形態１の基板１０１上に下地膜１０２、ゲート電極１０３、ゲート絶縁膜１０４を形成するまでの工程を参照されたい。
【００６４】
　ゲート絶縁膜３０４上に第１の酸化物半導体膜３０５を形成する。酸化物半導体膜３０５は、１族元素、１３族元素、１４族元素、１５族元素又は１７族元素の不純物元素のうち一種又は複数種が添加された酸化亜鉛（ＺｎＯ）の非晶質（アモルファス）状態、多結晶状態又は非晶質状態と多結晶状態が混在する微結晶（マイクロクリスタルとも呼ばれる。）状態のもの、又は何も不純物元素が添加されていないものを用いることができる。また、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５、酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）又は酸化カドミウム亜鉛（ＣｄｘＺｎ１−ｘＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体（ａ−ＩＧＺＯ）のうちいずれかを用いることができる。ここでは、第１の酸化物半導体膜３０５は酸化亜鉛を５０〜２００ｎｍ（好ましくは１００〜１５０ｎｍ）の厚さでスパッタリング法により成膜する。
【００６５】
　次いで、結晶性を良好にするため基板表面からＬＲＴＡを行う（図３（Ａ）。ＬＲＴＡは、２５０〜５７０℃（好ましくは３００℃〜４００℃、より好ましくは３００〜３５０℃）で１分〜１時間、好ましくは１０分〜３０分行えばよく、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行う。本実施形態では、酸素雰囲気中においてゲート電極３０３がおよそ３００℃となるように３０分間のランプ加熱を行い、ゲート絶縁膜３０４を間に挟んでゲート電極３０３と重なる第１の酸化物半導体膜３０５の領域の結晶性を向上させる。第１の酸化物半導体膜３０５は透光性を有するため、ゲート電極３０３が優先して加熱されることでゲート電極３０３の周囲から外側に向けて第１の酸化物半導体膜３０５の結晶性が上がる。そして、図３（Ｂ）に示すように、第２の酸化物半導体領域３０９と、第２の酸化物半導体領域３０９よりも結晶性の良好な第１の酸化物半導体領域３０８を有する第２の酸化物半導体膜が形成される。なお、図３（Ａ）では、基板３０１表面側へランプ加熱しているが基板裏面へＬＲＴＡしてもよい。酸化物半導体膜３０５は透光性を有するため、基板の大半の領域はＬＲＴＡを行っても加熱されにくい。そのため、基板に融点の低い樹脂などを用いても基板の縮み等による変形を抑制することができる。なお、ＬＲＴＡの出力を上げて基板表面よりランプ加熱を行うことにより、直接酸化物半導体膜の表面近傍の結晶性を改善させてもよい。また、ランプ光の波長、ゲート電極の反射率及び酸化物半導体膜の膜厚を調節することにより、基板表面からランプ加熱を行う際、ゲート電極で反射したランプ光が酸化物半導体膜のゲート絶縁膜３０４側の表面付近で吸収され、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜のゲート絶縁膜３０４側の表面付近が優先的に結晶化するようにしてもよい。また、基板にガラス基板を用いる場合、ランプ光は可視光から赤外光領域を利用する。この波長領域の光はガラス基板に吸収されにくいため、ガラス基板が加熱されるのを最小限に抑えることができる。なお、ランプ加熱は複数回行ってもよい。複数回行うことにより、基板温度の上昇を抑えつつゲート電極の加熱時間を稼ぐことができる。
【００６６】
　なお、ＬＲＴＡの代わりにレーザ光や紫外光を照射、若しくはそれらを組み合わせて選択的に酸化物半導体膜の結晶性を改善してもよい。レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザビーム（ＣＷレーザビーム）やパルス発振型のレーザビーム（パルスレーザビーム）を用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４高調波のレーザビームを照射することで、結晶性を良好にすることができる。なお、レーザ光は酸化物半導体膜のバンドギャップよりもエネルギーの大きいものを用いる方が好ましい。例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ、又はＸｅＦのエキシマレーザ発振器から射出されるレーザ光を用いてもよい。
【００６７】
　次いで、第１の酸化物半導体領域３０８及び第２の酸化物半導体領域３０９上にスパッタリング法によりＴｉとＡｌを順に堆積し、Ｔｉ層とＡｌ層を形成する。その後、Ｔｉ及びＡｌ層をフォトリソグラフィー及びＣｌ２ガスを用いてドライエッチングすることでソース配線及びドレイン配線となる配線３０６と配線３０７を形成する（図３（Ｃ））。配線３０６、３０７は、加速電圧１．５ｋｗ、圧力０．４Ｐａ、Ａｒ（流量３０ｓｃｃｍ）を用いて１０〜２００ｎｍの膜厚で成膜する。なお、配線３０６、３０７は積層して形成しているが、酸化物半導体膜３０５との整合性がよい材料を用いるのであれば配線３０６、配線３０７は単層でもよい。なお、配線３０６、３０７として、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物または、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、アルミニウムを添加した酸化亜鉛（ＡｌＺｎＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧａＺｎＯ）などの透光性を有する材料を適宜用いることができる。」
「【００７２】
（実施の形態３）
　本発明の実施の形態について、図４、図５を用いて説明する。本実施の形態は、
チャネル保護型の薄膜トランジスタを有する半導体装置
【００７３】
　基板４００は、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等からなるガラス基板、シリコン基板、耐熱性を有するプラスチック基板又は樹脂基板を用いる。プラスチック基板又は樹脂基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、アクリル、ポリイミド等を用いることができる。また、基板４００の表面が平坦化されるようにＣＭＰ法などによって、研磨しても良い。なお、基板４００上に、絶縁層を形成してもよい。絶縁層は、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法、スピンコート法等の公知の方法により、珪素を含む酸化物材料、窒化物材料を少なくとも一つ用いて、単層又は積層して形成される。この絶縁層は、形成しなくても良いが、基板４００からの汚染物質などを遮断する効果や基板に熱が伝わるのを抑制する効果がある。
【００７４】
　基板４００上に導電膜４０１を形成する。導電膜４０１は、所望の形状に加工されゲート電極となる。導電膜４０１は、印刷法、電界メッキ法、蒸着法等の手法によりＬＲＴＡ加熱に用いる光源の波長に対する反射率が低い（熱を吸収しやすい、つまり加熱されやすい）材料を用いて形成することが好ましい。反射率の低い材料を用いることにより、後の加熱工程が可能となる。導電膜４０１としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を適宜用いることができる。また、これら複数の層を積層して形成しても良い。代表的には、基板表面に窒化タンタル膜、その上にタングステン膜を積層してもよい。また、珪素に一導電型を付与する不純物元素を添加した材料を用いても良い。例えば、非晶質珪素膜にリン（Ｐ）などのｎ型を付与する不純物元素が含まれたｎ型を有する珪素膜などを用いることができる。導電膜４０１は、１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚で成膜する。
【００７５】
　本実施の形態では、タングステン（Ｗ）をスパッタリング法により膜厚１５０ｎｍの導電膜４０１を形成する。
【００７６】
　導電膜４０１上にフォトリソグラフィ工程を用いてレジストからなるマスクを形成し、マスクを用いて導電膜４０１を所望の形状に加工してゲート電極４０２を形成する（図４（Ｂ）参照）。
【００７７】
次いで、ゲート電極４０２上にゲート絶縁膜４０３ａ、ゲート絶縁膜４０３ｂを形成し２層の積層構造とする。積層される絶縁膜は、同チャンバー内で真空を破らずに同一温度下で、反応ガスを切り変えながら連続的に形成するとよい。真空を破らずに連続的に形成すると、積層する膜同士の界面が汚染されるのを防ぐことができる。
【００７８】
ゲート絶縁膜４０３ａ、ゲート絶縁膜４０３ｂは、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）などを適宜用いることができる。更には、ゲート電極４０２を酸化して、ゲート絶縁膜４０３ａの代わりに、酸化膜を形成しても良い。なお、基板から不純物などの拡散を防止するため、ゲート絶縁膜４０３ａとしては、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）などを用いて形成することが好ましい。また、ゲート絶縁膜４０３ｂとしては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）などを用いて形成することが望ましい。なお、低い成膜温度でゲートリーク電流の少ない緻密な絶縁膜を形成するには、アルゴンなどの希ガス元素を反応ガスに含ませ、形成される絶縁膜中に混入させると良い。本実施の形態では、ＳｉＨ４、ＮＨ３を反応ガスとして形成される膜厚５０ｎｍ〜１４０ｎｍの窒化珪素膜を用いてゲート絶縁膜４０３ａを形成し、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏを反応ガスとして形成される膜厚１００ｎｍの酸化珪素膜を用いてゲート絶縁膜４０３ｂを積層して形成する。なお、ゲート絶縁膜４０３ａ及びゲート絶縁膜４０３ｂの膜厚をそれぞれ５０ｎｍ〜１００ｎｍとすると好ましい。
【００７９】
　また、ゲート絶縁膜４０３ｂは、後に形成する酸化物半導体膜との整合性が良好であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）又は窒化アルミ（ＡｌＮ）により形成してもよい。この場合、ゲート絶縁膜４０３ａは絶縁性の高い酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化酸化珪素などを用い、ゲート絶縁膜４０３ｂに酸化物半導体膜との界面特性が良いアルミナ又は窒化アルミを用いることにより、信頼性の高いゲート絶縁膜を形成することができる。なお、ゲート絶縁膜を３層とし、３層目をアルミナ又は窒化アルミを用いたゲート絶縁膜としてもよい。
【００８０】
　次にゲート絶縁膜４０３ｂ上に酸化物半導体膜４０４を形成する。酸化物半導体膜４０４は流量Ａｒ：Ｏ２＝５０：５ｓｃｃｍ、圧力０．４Ｐａ、１００ｎｍの厚さでスパッタリング法により成膜する。
【００８１】
　酸化物半導体膜４０４は、１族元素、１３族元素、１４族元素、１５族元素又は１７族元素等のうち一種、又は複数種の不純物元素が添加されたＺｎＯの非晶質（アモルファス）状態、多結晶状態又は非晶質状態と多結晶状態が混在する微結晶（マイクロクリスタルとも呼ばれる。）状態のもの、又は何も不純物元素が添加されていないものを用いることができる。また、ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）５、酸化マグネシウム亜鉛（ＭｇｘＺｎ１−ｘＯ）又は酸化カドミウム亜鉛（ＣｄｘＺｎ１−ｘＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体（ａ−ＩＧＺＯ）のうちいずれかを用いることができる。
【００８２】
　なお、
酸化物半導体膜４０４にＺｎＯを用いる場合、窒素を添加（ドープ）しておくとよい。ＺｎＯは本来ｎ型の半導体の性質を示す。窒素を添加することで窒素がＺｎＯに対してアクセプタ不純物として働くため、結果としてしきい値電圧を制御することができる。
【００８３】
　次いで、基板４００表面又は裏面よりＬＲＴＡ法を用いて酸化物半導体膜４０４の加熱を行う（図４（Ｄ））。ＬＲＴＡは、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプから選ばれた一種または複数種からの輻射により行う。ＬＲＴＡは、２５０〜５７０℃（好ましくは３００℃〜４００℃、より好ましくは３００〜３５０℃）で１分〜１時間、好ましくは１０分〜３０分行うとよい。本実施形態では、ハロゲンランプを光源として酸素雰囲気中で３００℃、３０分の条件でランプ加熱を行う。
【００８４】
　ＬＲＴＡを行うことにより短時間で選択的にゲート電極４０２が加熱され、その加熱された熱によりゲート電極４０２の周辺に形成された点線で示す領域４３４において結晶性が向上した第１の酸化物半導体領域が形成される。一方、点線で示す領域４３４以外の領域４２４では、ランプ光の吸収が少ないため、ほとんど加熱されずに済み、第１の酸化物半導体領域と結晶性の異なる第２の酸化物半導体領域が形成される（図４（Ｅ））。したがって、ゲート電極４０２が形成されている領域のみ選択的に加熱され、その他の領域は加熱されないため基板４００のシュリンクや撓みを抑制することができる。なお、ＬＲＴＡの出力を上げて基板表面よりランプ加熱を行うことにより、直接酸化物半導体膜の表面近傍の結晶性を改善させてもよい。また、ランプ光の波長、ゲート電極の反射率及び酸化物半導体膜の膜厚を調節することにより、基板表面からランプ加熱を行う際、ゲート電極で反射したランプ光が酸化物半導体膜のゲート絶縁膜４０３ｂ側の表面付近で吸収され、ゲート電極と重なる酸化物半導体膜のゲート絶縁膜４０３ｂ側の表面付近が優先的に結晶化するようにしてもよい。また、基板にガラス基板を用いる場合、ランプ光は可視光から赤外光領域を利用する。この波長領域の光はガラス基板に吸収されにくいため、ガラス基板が加熱されるのを最小限に抑えることができる。なお、ランプ加熱は複数回行ってもよい。複数回行うことにより、基板温度の上昇を抑えつつゲート電極の加熱時間を稼ぐことができる。
【００８５】
　なお、ＬＲＴＡの代わりにレーザ光や紫外光を照射、若しくはそれらを組み合わせて選択的に酸化物半導体膜の結晶性を改善してもよい。レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザビーム（ＣＷレーザビーム）やパルス発振型のレーザビーム（パルスレーザビーム）を用いることができる。ここで用いることができるレーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなどの気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ４、フォルステライト（Ｍｇ２ＳｉＯ４）、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ２Ｏ３、ＹＶＯ４、ＹＡｌＯ３、ＧｄＶＯ４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及びこれらの基本波の第２高調波から第４高調波のレーザビームを照射することで、結晶性を良好にすることができる。なお、レーザ光は酸化物半導体膜のバンドギャップよりもエネルギーの大きいものを用いる方が好ましい。例えば、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ、又はＸｅＦのエキシマレーザ発振器から射出されるレーザ光を用いてもよい。
【００８６】
　次いで、酸化物半導体膜４０４上に、保護膜４０５を形成し、保護膜４０５上にレジスト４０６を形成する（図４（Ｆ）参照）。レジスト４０６をマスクとしてフォトリソグラフィ工程により保護膜４０５を所望の形状に加工してチャネル保護膜４０７を形成する。チャネル保護膜には、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）などを適宜用いることができる。チャネル保護膜４０７を形成することにより、ソース電極層、ドレイン電極層を形成する際にチャネル部の半導体層のエッチングを防ぐことが出来る。本実施形態では、保護膜４０５として窒化珪素を成膜して、チャネル保護膜４０７を形成する（図４（Ｇ）参照）。
【００８７】
　次に、酸化物半導体膜４０４をフォトリソグラフィ工程を用いてレジストによるマスク４０８を作製し（図４（Ｈ））、マスク４０８を用いてエッチングを行い、所望の形状に加工された酸化物半導体膜４０９（島状酸化物半導体膜ともいう）を形成する（図５（Ａ））。なお、エッチングには、希釈したフッ酸を用いる。その後、酸化物半導体膜４０９上に第１の導電膜４１１、第２の導電膜４１２を形成し、フォトリソグラフィ工程を用いてレジストによるマスク４１３を形成する（図５（Ｂ））。マスク４１３を用いて第１の導電膜４１１、第２の導電膜４１２を所望の形状に加工し、ソース電極又はドレイン電極として機能する第１の導電膜４１４ａ、４１４ｂ、第２の導電膜４１５ａ、４１５ｂを形成する（図５（Ｃ））。
【００８８】
マスクは、感光剤を含む市販のレジスト材料を用いてもよく、例えば、代表的なポジ型レジストである、ノボラック樹脂と感光剤であるナフトキノンジアジド化合物、ネガ型レジストであるベース樹脂、ジフェニルシランジオール及び酸発生剤などを用いてもよい。いずれの材料を用いるとしても、その表面張力と粘度は、溶媒の濃度を調整したり、界面活性剤等を加えたりして適宜調整する。また導電膜に感光性を有する感光性物質を含む導電性材料を用いると、レジストからなるマスクを形成しなくても導電膜に直接レーザ光を照射し、露光、エッチャントによる除去を行うことで、所望の形状に加工することができる。この場合、マスクを形成せずともよいので工程が簡略化する利点がある。
【００８９】
　感光性物質を含む導電性材料としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｐｔなどの金属或いは合金と、有機高分子樹脂、光重合開始剤、光重合単量体、または溶剤などからなる感光性樹脂とを含んだものを用いればよい。有機高分子樹脂としては、ノボラック樹脂、アクリル系コポリマー、メタクリル系コポリマー、セルローズ誘導体、環化ゴム系樹脂などを用いる。
【００９０】
　なお、第１の導電膜４１１を形成する前に、酸化物半導体膜４０４上に、ｎ型の酸化物半導体として、例えば、アルミニウムを添加した酸化亜鉛（ＡｌＺｎＯ）又はガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧａＺｎＯ）からなる導電膜をもう一層設けてもよい。ＡｌＺｎＯまたはＧａＺｎＯからなる導電膜を形成することにより第１の導電膜４１１と酸化物半導体膜４０９との整合性が良くなりソース電極及びドレイン電極との接触抵抗を下げることができる。また、例えば、ＧａＺｎＯ上にＴｉ或いはＴｉ上にＧａＺｎＯを形成した積層構造としてもよい。
【００９１】
　また、第１の導電膜４１４ａ、４１４ｂ及び第２の導電膜４１５ａ、４１５ｂとして、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）、ネオジウム（Ｎｄ）等の金属又はその合金、若しくはその金属窒化物を適宜用いることができる。例えば、第１の導電膜がＴｉで第２の導電膜がＡｌ、第１の導電膜がＴａで第２の導電膜がＷ、第１の導電膜がＴａＮで第２の導電膜がＡｌ、第１の導電膜がＴａＮで第２の導電膜がＣｕ、第１の導電膜がＴｉで第２の導電膜がＡｌでさらに第３の導電膜としてＴｉを用いるといった組み合わせも考えられる。また１層目と２層目のいずれか一方にＡｇＰｄＣｕ合金を用いても良い。Ｗ、ＡｌとＳｉの合金（Ａｌ−Ｓｉ）、ＴｉＮを順次積層した３層構造としてもよい。Ｗの代わりに窒化タングステンを用いてもよいし、ＡｌとＳｉの合金（Ａｌ−Ｓｉ）に代えてＡｌとＴｉの合金膜（Ａｌ−Ｔｉ）を用いてもよいし、ＴｉＮに代えてＴｉを用いてもよい。アルミニウムには耐熱性を向上させるためにチタン、シリコン、スカンジウム、ネオジウム、銅などの元素を０．５〜５原子％添加させても良い。
【００９２】
　また、第１の導電膜４１１及び第２の導電膜４１２を形成する導電性材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化チタンなどの透光性を有する材料及びそれらを適宜組み合わせて形成してもよい。
【００９３】
　なお本実施形態では、酸化物半導体膜３０５にＬＲＴＡして結晶性を改善した後に第１の導電膜４１１及び第２の導電膜４１２を形成している。そのため、第１の導電膜４１１及び第２の導電膜４１２は、ゲート電極４０２よりもランプ光に対する反射率が低い材料を用いても構わず、配線又は電極として用いられる導電性材料は酸化物半導体膜３０５と整合性がよいものであれば実施形態１に挙げた材料に限らない。
【００９４】
なお、本実施形態において、エッチング加工は、プラズマエッチング（ドライエッチング）又はウエットエッチングのどちらを採用しても良いが、大面積基板を処理するにはプラズマエッチングが適している。エッチングガスとしては、ＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６、ＣＨＦ３などのフッ素系又はＣｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４もしくはＣＣｌ４などを代表とする塩素系ガス、あるいはＯ２のガスを用い、ＨｅやＡｒなどの不活性ガスを適宜加えても良い。また、大気圧放電のエッチング加工を適用すれば、局所的な放電加工も可能であり、基板の全面にマスク層を形成する必要はない。
【００９５】
　なお、本実施形態のフォトリソグラフィ工程において、レジストを塗布する前に、酸化物半導体膜表面に、膜厚が数ｎｍ程度の絶縁膜を形成してもよい。この工程により酸化物半導体膜とレジストとが直接接触することを回避することが可能であり、レジストに含まれている不純物が酸化物半導体膜中に侵入するのを防止できる。
【００９６】
　以上の工程で、チャネル部の半導体層がエッチングされないボトムゲート型（逆スタガ型ともいう。）の薄膜トランジスタを作製することが出来る。なお、本実施形態では、ボトムゲート型のＴＦＴを作製したが、基板上に設けられた酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を介して形成したゲート電極をＬＲＴＡで加熱して、少なくとも酸化物半導体膜のチャネル形成領域の結晶性を改善できるのであればトップゲート型ＴＦＴであってもよい。」
【図４】
【図５】
（２）上記記載から，引用文献１には，以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されている。
「チャネル保護型の薄膜トランジスタにおいて，
　酸化物半導体膜に，窒素を添加したＺｎＯを用いる，
　トランジスタ。」
２　引用文献２
（１）引用文献２には，以下の事項が記載されている。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、表示基板、その製造方法及びそれを具備した表示パネルに係り、より詳細には有機絶縁物の損傷を防止して表示品質を向上させるための表示基板と、その製造方法及びそれを具備した表示パネルに関する。」
「【００２２】
　前記画素電極１５５は、前記有機絶縁層上に透明な伝導性物質から形成されたものである。
前記透明な伝導性物質としては、
亜鉛（Ｚｎ）
を含有する酸化物に窒素が添加された酸窒化物が好ましいものである。
「【００５１】
　前記透明伝導層１５０は、２族、３族及び４族元素からなる群より選ばれてなる少なくとも１種の元素の酸化物に窒素を添加したもので、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）及びガリウム（Ｇａ）よりなる群から選択された一つ以上を含有する酸化物に窒素が添加された酸窒化物、例えば、ａ−ＩＴＯＮ、ＩＺＯＮなどをスパッタリング方式で前記有機絶縁層１４０上に蒸着する。」
（２）上記記載から，引用文献２には，以下の事項（以下，「引用文献２記載事項」という。）が記載されている。
「亜鉛を含有する酸化物に，窒素を添加し，酸窒化物とすること。」
３　引用文献３
　引用文献３には，以下の事項が記載されている。
「【発明の背景】
【０００１】
　本発明は、一般的に、プラズマプロセスシステムに関し、より詳細には、プラズマプロセスシステムにおけるプラズマ特性をその場（インシチュ：ｉｎ−ｓｉｔｕ）測定する装置および方法に関する。」
「【００３９】
　反応性スパッタ堆積プロセスで用いる本発明の実施形態を図１３に示す。この図では、プラズマ源２４は、プロセスシステム１０内で試料３６上に反応性被覆膜または膜を堆積するために用いるマグネトロンスパッタ源である。マグネトロンスパッタシステムは、本質的に多変数なので、堆積プロセスの状態をモニタして制御するための手段として、プラズマ検知信号を用いるのが望ましい。このために、１つまたは複数のＤＦＰセンサアレイ１２からのイオン飽和電流および電子温度の測定値を、電子機器４２を介してリアルタイムに取得する。あるいは、前記の本発明による他の種類のセンサからの信号を用いてもよい。このリアルタイム測定値は、図９で示した実施形態との関連で前述したように、一連のフィードバック信号２３０として、多変数入出力制御モジュール１８０を介して他のサブシステムに与えられる。検知信号は、リアルタイム制御のための状態推定量としての役割を果たす。反応性スパッタの場合は、イオン飽和電流の平均測定値または動的測定値は、電力設定、圧力設定、および流量設定に大きく依存することが知られているので、イオン飽和電流の状態推定量または推定量により、マグネトロン電源１８２、流量制御モジュール１８４の全流量レベル、および圧力／ポンプサブシステム２３２にフィードバックが提供されることになる。同様に、中性ガス（例えば、Ａｒ）の反応性ガス（例えば、Ｏ２またはＮ２）に対する比、および反応性ガスの分圧をさらに調整するために、流量制御サブシステム１８４に電子温度の状態推定量をフィードバックすることができる。これはまた、（静的に、あるいは時間の関数として）電子温度によって見積もられる電子エネルギーの動的状態が、プロセスガスおよびスパッタのターゲット材料に関連する化学的構成および固有の電子衝突物理に大きく依存するために有用なフィードバック経路でもある。このようにして、電力、圧力、およびガス流速などのプロセスへの入力パラメータをリアルタイムに調整して、間違いなく、プロセスがより正確に目標に向かい、生産時に再現性よく実行できるようにすることができる。この方法は、プラズマ特性（およびそれに付随する皮膜の特性）が、許容範囲または目標とする制御性の範囲から逸脱しそうな際に、過渡的なドリフトや擾乱に反応して、操作者に警告を発するようにプロセスシステムを構成することができるため、有益な方法である。本発明は、単一または複数のスパッタ用陰極ターゲット材料またはスパッタゾーンに関わらずに構成された反応性スパッタプロセスあるいは金属スパッタプロセスのいずれでも（また、バッチあるいはインラインのいずれでも）適用することができる。」
第５　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，以下のとおりとなる。
１　引用発明の「薄膜トランジスタ」は，本願発明１の「薄膜トランジスタ」に相当する。
２　引用発明の「窒素を添加したＺｎＯ」を用いた「酸化物半導体膜」と，本願発明１の「酸素、窒素、および亜鉛からなる酸窒化物化合物を含有する半導体層」とは，酸素、窒素、および亜鉛を含有する半導体層である点で共通する。
３　そうすると，本願発明１と引用発明とは，以下の点で一致し，又相違する。
［一致点］
「薄膜トランジスタであって、
　薄膜トランジスタの半導体層として、
　酸素、窒素、および亜鉛を含有する半導体層
を含む、トランジスタ」
［相違点］
　「酸素、窒素、および亜鉛を含有する半導体層」について，本願発明１が「酸素、窒素、および亜鉛からなる酸窒化物化合物を含有する半導体層」であるのに対して，引用発明は，酸素、窒素、および亜鉛を含有するものの，「窒素を添加したＺｎＯ」が，「酸窒化物化合物」であるのか不明である点。
第６　判断
１　進歩性（理由１）について
（１）上記第５の３で検討した［相違点］について検討する。
　引用文献２記載事項にあるように，亜鉛を含有する酸化物に，窒素を添加し，酸窒化物とすることは，公知の事項であるから，引用発明の「窒素を添加したＺｎＯ」を酸窒化物化合物とすることは，当業者に容易になし得ることである。
　そうすると，本願発明１は，引用発明及び引用文献２に記載された事項から，当業者が容易になし得たものである。
（２）そして，本願発明１の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
（３）したがって，本願発明１は，引用発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
２　明確性（理由２）について
（１）請求項２について
　請求項２には，
「トランジスタは、最上部ゲート薄膜トランジスタであって、
　基板、
　前記基板の上に配置されたゲート電極、
　前記ゲート電極の上に配置されたゲート誘電体層、
　前記ゲート誘電体層の上に配置された半導体層、
　前記半導体層の上に配置され、アクティブチャンネルを画成するように隔置されたソース・ドレイン電極、及び
　前記アクティブチャンネルにおける前記半導体層の上に配置されたエッチング停止層、を更に備える、請求項１に記載のトランジスタ。」
と記載されているが，「最上部ゲート薄膜トランジスタ」と記載されているように，請求項２記載の「トランジスタ」は，ゲートが最上部に形成されているものを対象としているのに対して，「基板、前記基板の上に配置されたゲート電極、前記ゲート電極の上に配置されたゲート誘電体層、前記ゲート誘電体層の上に配置された半導体層、前記半導体層の上に配置され、アクティブチャンネルを画成するように隔置されたソース・ドレイン電極、及び前記アクティブチャンネルにおける前記半導体層の上に配置されたエッチング停止層、を更に備える」の記載は，ゲートが底部に形成されているものを対象としており，両者の記載は矛盾している。
　したがって，請求項２に記載された発明は明確でないから，特許法第３６条第６項第２号の規定する要件を満たしていない。
（２）請求項１０について
　請求項１０には，
「前記堆積させるステップが、
　窒素含有ガスと酸素含有ガスをチャンバに供給する工程と、
　インジウム、ガリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる一種類以上の元素を含むターゲットをスパッタする工程と、
　窒素含有ガスの供給量を堆積中に変える工程と
を含む、請求項５に記載の方法。」
と記載され，「堆積させるステップ」は，「窒素」と「酸素」と「インジウム、ガリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる一種類以上の元素を含むターゲット」により堆積されるものであるのに対して，請求項１０に記載された発明が引用する請求項５には，
「薄膜トランジスタの製造方法であって、
　基板の上に半導体層を堆積させるステップを含み、前記半導体層が、
　酸素、窒素、および亜鉛からなる酸窒化物化合物を含有する、
方法。」
と記載され，前記「堆積させるステップ」により堆積される「酸窒化物化合物」は，「酸素、窒素、および亜鉛からなる」から，請求項５及び１０に記載された「堆積させるステップ」それぞれは，一方が，「酸素」，「窒素」，「亜鉛」を含み，「インジウム、ガリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる一種類以上の元素」を含まないのに対して，他方は，「酸素」，「窒素」，「インジウム、ガリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる一種類以上の元素」を含み，「亜鉛」を含まないから，両者の「堆積させるステップ」の組成が異なり，矛盾している。
　したがって，請求項１０に記載された発明は明確でないから，特許法第３６条第６項第２号の規定する要件を満たしていない。
（３）請求項１５について
　請求項１５には，
「前記半導体層をアニールするステップと、
　前記ソース・ドレイン電極層を堆積させる前に、前記半導体層の少なくとも一部の上にエッチング停止層を堆積させるステップと
を更に含む、請求項１１に記載の方法。」
と記載され，「前記ソース・ドレイン電極層を堆積させる前に、前記半導体層の少なくとも一部の上にエッチング停止層を堆積させるステップ」を有し，ソース・ドレイン電極層の下に，エッチングストップ層を有する「薄膜トランジスタ製造方法」であるのに対して，請求項１５に記載された発明が引用する請求項１１に記載された発明は，
「薄膜トランジスタ製造方法であって、
　酸素、窒素、および亜鉛からなる酸窒化物化合物を含有する、半導体層を基板の上に堆積させるステップと、
　前記半導体層の上にソース・ドレイン電極層を堆積させるステップと、
　前記ソース・ドレイン電極層と前記半導体層をエッチングして、アクティブチャンネルを作成するステップと、
　前記ソース・ドレイン電極層をエッチングして、ソース・ドレイン電極を画成するステップと
を含む、方法。」
と記載され，「前記ソース・ドレイン電極層と前記半導体層をエッチング」しており，ソース・ドレイン電極層の下に，エッチングストップ層を有さない「薄膜トランジスタ製造方法」であるから，両者の記載は矛盾している。
　したがって，請求項１５に記載された発明は明確でないから，特許法第３６条第６項第２号の規定する要件を満たしていない。
第７　むすび
　以上のとおり，本願発明は，その優先権主張日前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された事項に基づいて，その優先権主張日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また，この出願の特許請求の範囲の請求項２，１０及び１５の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。