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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板を第１の温度に加熱する第１の加熱源と、
複数種類のガスを反応させる反応予備室と、
前記反応予備室内を前記第１の温度以上の第２の温度に加熱する第２の加熱源と、
前記反応予備室内に酸素含有ガスを供給する酸素含有ガス供給系と、
前記反応予備室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス供給系と、
前記反応予備室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記反応予備室と前記処理室とを接続する接続部と、
前記処理室内および前記反応予備室内の圧力を大気圧未満の圧力となるように調整する圧力調整部と、
大気圧未満の圧力下にあり前記第２の温度に加熱された前記反応予備室内に前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスと前記不活性ガスとを供給して、前記反応予備室内で、前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとが前記不活性ガスにより希釈された状態で、前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて反応種を生成し、この反応種を、大気圧未満の圧力下にあり前記第１の温度に加熱され前記基板を収容した前記処理室内に供給して、前記基板に対して処理を行うように、前記第１の加熱源、前記第２の加熱源、前記酸素含有ガス供給系、前記水素含有ガス供給系、不活性ガス供給系および前記圧力調整部を制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
処理室内に基板を収容する工程と、
大気圧未満の圧力下にあり第１の温度以上の第２の温度に加熱された反応予備室内に酸素含有ガスと水素含有ガスと不活性ガスとを供給して、前記反応予備室内で、前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとが前記不活性ガスにより希釈された状態で、前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて反応種を生成し、この反応種を、大気圧未満の圧力下にあり前記第１の温度に加熱された前記基板を収容した前記処理室内に供給して、前記基板に対して処理を行う工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
処理室内に基板を収容する手順と、
大気圧未満の圧力下にあり第１の温度以上の第２の温度に加熱された反応予備室内に酸素含有ガスと水素含有ガスと不活性ガスとを供給して、前記反応予備室内で、前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとが前記不活性ガスにより希釈された状態で、前記酸素含有ガスと前記水素含有ガスとを反応させて反応種を生成し、この反応種を、大気圧未満の圧力下にあり前記第１の温度に加熱された前記基板を収容した前記処理室内に供給して、前記基板に対して処理を行う手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月17日(2015.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出射する出射部を備えた発光素子と、
基板と、
前記基板に形成される配線層と、
前記発光素子と前記配線層とを接合する導電性ペースト層とを備え、
前記配線層は、第１の厚みを有する第１配線層部分と、前記第１の厚みよりも厚い第２の厚みを有する第２配線層部分と、を有し、
前記発光素子は、前記出射部を含む第１面と、前記導電性ペースト層と接する第２面と、前記第２面と前記第１面とが接する端部と、を有し、
前記第１配線層部分は、前記第２配線層部分より端部側に位置し、
前記端部は前記導電性ペースト層と接続されていないことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記第１配線層部分と前記第２配線層部分とで、段差を構成することを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記第２配線層部分は、前記第２配線層部分から前記第１配線層部分に向けて厚さが薄くなることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項４】
前記配線層は、前記第１配線層部分よりも前記端部側に前記第１の厚みよりも厚い第３の厚みを有する第３の配線層部分を有し、前記配１配線層部分と前記第２配線層部分と前記第３配線層部分とで凹部を構成することを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項５】
請求項１から４の何れか１項に記載の光源装置を備えた投影表示装置。
【請求項６】
基板の主面上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンの、下部配線層形成領域に下部配線層をめっきする工程と、
前記第１のレジストパターンの表面と、前記下部配線層の表面の一部と、に第２のレジストパターンを形成する工程と、
前記第２のレジストパターンの、上部配線層形成領域に上部配線層をめっきする工程と、
前記第１のレジストパターン及び前記第２のレジストパターンを剥離する工程と、
前記基板の前記上部配線層と前記下配線層とが設けられた主面と、発光素子と、を重ねて、導電性ペースト剤で接合する工程と、を備え、
前記上部配線層は前記下部配線層に積層され、且つ、前記上部配線層形成領域は前記下部配線層形成領域よりも、前記基板の主面の端部側に位置していることを特徴とする光源装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光源装置、投映表示装置及び発光装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、基板昇降機構、対象物感知方法および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投光用光ファイバセンサおよび受光用光ファイバセンサからなる透過型光ファイバセンサユニットと、
光ファイバセンサの光信号を電気信号に変換する信号変換増幅器と、
前記投光用光ファイバセンサから前記受光用光ファイバセンサに投光された際に光を遮断する前記投光用光ファイバセンサと前記受光用光ファイバセンサに挟まれるように設けられた遮断機構であって、
前記遮蔽機構は円板状の回転体で構成され、光を透過可能なスリット部と、位置感知の対象となる感知物と接触するフラグ部とを有し、
前記位置感知物が移動することにより前記フラグに接触することにより回転体が回転して、前記スリットを介して受光用ファイバセンサが光を受光した際に感知対象物が所望の位置にあると判断する制御部とから構成されることを特徴とした基板処理装置。
【請求項２】
投光用光ファイバセンサおよび受光用光ファイバセンサからなる透過型光ファイバセンサユニットと、
光ファイバセンサの光信号を電気信号に変換する信号変換増幅器と、
前記投光用光ファイバセンサから前記受光用光ファイバセンサに投光された際に光を遮断する前記投光用光ファイバセンサと前記受光用光ファイバセンサに挟まれるように設けられた遮断機構であって、
前記遮蔽機構は円板状の回転体で構成され、光を透過可能なスリット部と、位置感知の対象となる感知物と接触するフラグ部とを有し、
前記位置感知物が移動することにより前記フラグに接触することにより回転体が回転して、前記スリットを介して受光用ファイバセンサが光を受光した際に感知対象物が所望の位置にあると判断する制御部とから構成されることを特徴とした基板昇降機構。
【請求項３】
投光用光ファイバセンサおよび受光用光ファイバセンサからなる透過型光ファイバセンサユニットと、光ファイバセンサの光信号を電気信号に変換する信号変換増幅器と、前記投光用光ファイバセンサから前記受光用光ファイバセンサに投光された際に光を遮断する前記投光用光ファイバセンサと前記受光用光ファイバセンサに挟まれるように設けられた遮断機構であって、
前記遮蔽機構は円板状の回転体で構成され、光を透過可能なスリット部と、位置感知の対象となる感知物と接触するフラグ部とを有し、
前記位置感知物が移動することにより前記フラグに接触することにより回転体が回転する工程と、
前記スリットを介して受光用ファイバセンサが光を受光した際に感知対象物が所望の位置にあると判断する工程と、
を有することを特徴とした対象物感知方法。
【請求項４】
投光用光ファイバセンサおよび受光用光ファイバセンサからなる透過型光ファイバセンサユニットと、光ファイバセンサの光信号を電気信号に変換する信号変換増幅器と、前記投光用光ファイバセンサから前記受光用光ファイバセンサに投光された際に光を遮断する前記投光用光ファイバセンサと前記受光用光ファイバセンサに挟まれるように設けられた遮断機構であって、前記遮蔽機構は円板状の回転体で構成され、光を透過可能なスリット部と、位置感知の対象となる感知物と接触するフラグ部とを有し、前記位置感知物が移動することにより前記フラグに接触することにより回転体が回転して、前記スリットを介して受光用ファイバセンサが光を受光した際に感知対象物が所望の位置にあると判断する制御部とから構成される基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
基板を保持した基板保持具を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内に処理ガスを給排して前記基板を処理する工程と、
前記基板を処理室から搬出する工程と、
を有することを特徴とした半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板であって、
ビアおよびパターン配線が形成された配線基板と、
前記配線基板の所定面上に積層して配置され、前記配線基板と半導体素子とを接合するとともに、無機系材料を主成分とする接合層と、
前記半導体素子と前記配線基板とを導通する導電接合部と、を備え、
前記接合層は、
前記ビアに対応する位置に形成された少なくとも一つの貫通孔と、
前記貫通孔と連通し、前記配線基板が積層される面とは異なる面側に形成され、前記半導体素子を配置するための開口部と、を有し、
前記導電接合部は、前記貫通孔内に配置され、
前記半導体素子が前記開口部内に配置されたときに、前記開口部の深さが、前記開口部の天面と前記半導体素子の底面との間の距離より大きいことを特徴とする、回路基板。
【請求項２】
請求項１記載の回路基板であって、
前記貫通孔は、前記導電接合部の体積と、前記半導体素子の前記電極部の体積との積算体積以上の容積を有するように形成されており、
前記開口部の深さは、前記半導体素子の筐体の厚みより大きいことを特徴とする、
回路基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の回路基板であって、
前記開口部の深さと、前記開口部の天面と前記半導体素子の底面との間の距離と、の差分に対応する前記接合層の余剰部分の体積は、前記半導体素子と前記開口部との間に形成される空隙の容積以上となるように形成されている、
回路基板。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の回路基板であって、
前記開口部は、テーパ状に形成されている、
回路基板。
【請求項５】
請求項１または請求項２記載の回路基板であって、
前記開口部の内壁は、前記積層の方向に沿った平面状に形成されている、
回路基板。
【請求項６】
半導体モジュールの製造方法であって、
ビアとパターン配線が形成された第１の配線基板および第２の配線基板を製造する工程と、
無機系材料を主成分とする接合層を前記第１の配線基板の所定面上に積層して配置する工程と、
前記接合層に、
前記ビアに対応する位置に少なくとも一つの貫通孔を形成すること、および、
天面を有するとともに、前記貫通孔と連通し、半導体素子が配置されたときに、前記天面と前記半導体素子の底面との間の距離より大きな深さを有する開口部を前記第１の配線基板が配置されている第１の面とは異なる面側に形成すること、を含む工程と、
前記貫通孔内に、前記半導体素子の電極部と前記第１の配線基板とを導通するための導電接合部を形成する工程と、
前記導電接合部と、前記半導体素子の前記電極部とが導通可能となるように、前記開口部内に前記半導体素子を接合する工程と、
前記第２の配線基板を、前記接合層の前記第１の面とは反対側の第２の面上に配置する工程と、
前記第１の配線基板、前記第２の配線基板、前記接合層および前記半導体素子を、加熱圧着し、前記第１の配線基板と前記接合層、および、前記接合層と前記第２の配線基板を拡散接合する工程と、を備える半導体モジュールの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体モジュールの製造方法であって、
前記貫通孔は、前記導電接合部の体積と、前記半導体素子の前記電極部の体積との積算体積以上の容積を有するように形成され、
前記開口部は、前記半導体素子の筐体の厚みより大きい深さを有するように形成される、
半導体モジュールの製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載の半導体モジュールの製造方法であって、
前記開口部の深さと、前記開口部の天面と前記半導体素子の底面との間の距離と、の差分に対応する前記接合層の余剰部分の体積は、前記半導体素子と前記開口部との間に形成される空隙の容積以上となるように形成する、
半導体モジュールの製造方法。
【請求項９】
請求項６ないし請求項８記載の半導体モジュールの製造方法であって、
前記開口部は、テーパ状に形成される、
半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
請求項６ないし請求項８記載の半導体モジュールの製造方法であって、
前記開口部の内壁は、前記積層の方向に沿った平面状に形成される、
半導体モジュールの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。回路基板であって、ビアおよびパターン配線が形成された配線基板と、前記配線基板の所定面上に積層して配置され、前記配線基板と半導体素子とを接合するとともに、無機系材料を主成分とする接合層と、前記半導体素子と前記配線基板とを導通する導電接合部と、を備え、前記接合層は、前記ビアに対応する位置に形成された少なくとも一つの貫通孔と、前記貫通孔と連通し、前記配線基板が積層される面とは異なる面側に形成され、前記半導体素子を配置するための開口部と、を有し、前記導電接合部は、前記貫通孔内に配置され、前記半導体素子が前記開口部内に配置されたときに、前記開口部の深さが、前記開口部の天面と前記半導体素子の底面との間の距離より大きいことを特徴とする、回路基板。そのほか、本発明は、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月3日(2015.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気で基板を搬送する搬送室と、
前記搬送室に設けられ前記基板を搬送する基板搬送部と、
前記搬送室に隣接して少なくとも２つ設けられ前記基板を処理する処理室と、
前記搬送室と前記処理室との間にそれぞれ設けられたゲートバルブと、
前記基板搬送部が前記基板を搬送する動作中に、少なくとも２つの前記ゲートバルブを開閉するよう前記基板搬送部と前記ゲートバルブを制御する制御部と、を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記基板搬送部の旋回動作中に一方のゲートバルブの開閉と他方のゲートバルブの開閉を連続して実行するように前記基板搬送部と前記ゲートバルブを制御する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板搬送部の旋回動作中に少なくとも２つの前記ゲートバルブの全開のタイミングが重なるように前記基板搬送部と前記ゲートバルブを制御する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を搬送する搬送室に設けられた基板搬送部が前記基板を搬送する搬送工程と、
前記搬送室に隣接して少なくとも２つ設けられた処理室で前記基板を処理する処理工程と、を有し、
前記搬送工程では、前記基板搬送部の旋回動作中に前記搬送室と前記処理室との間にそれぞれ設けられた少なくとも２つのゲートバルブを開閉する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板を搬送する搬送室に設けられた基板搬送部が前記基板を搬送する際の旋回動作中に前記搬送室と前記処理室との間にそれぞれ設けられた少なくとも２つのゲートバルブを開閉する手順と、
前記搬送室に隣接して少なくとも２つ設けられた処理室で前記基板を処理する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な容器と、
前記容器の内部にある気体を排気する排気部と、
前記容器の内部に設けられ、主面が平坦面である支持板と、
前記支持板の主面に設けられ、被処理物を支持する支持体と、
前記支持板と、前記容器の底側の内壁と、の間に隙間を形成するための部材と、
を備え、
前記支持板の主面の大きさは、前記被処理物の大きさよりも大きく、
前記支持体に支持された前記被処理物と前記支持板との間の寸法Ｈと、前記被処理物の厚み寸法Ｔと、が以下の式を満たすことを特徴とする減圧装置。
【数６】
2013197312.tif 000001
【請求項２】
前記排気部が接続され、前記容器の第１の開口部に設けられた第１の接続部をさらに備え、
前記第１の接続部の中心軸が、前記支持体に支持された前記被処理物の前記支持板側の面と、前記支持板の主面と、の間に位置することを特徴とする請求項１記載の減圧装置。
【請求項３】
前記被処理物と前記支持板との間の寸法Ｈと、
前記被処理物における前記排気の下流側の端部と、前記支持板における前記排気の下流側の端部との間の寸法Ｌと、が以下の式を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の減圧装置。
【数７】
2013197312.tif 000002
【請求項４】
前記排気部と、前記第１の接続部と、の間に設けられ、前記気体の排気に係るコンダクタンスを制御する第１のコンダクタンス制御部をさらに備え、
前記第１のコンダクタンス制御部は、前記容器の内部にある気体を排気する際に、排気量が一定となるように前記排気に係るコンダクタンスを制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の減圧装置。
【請求項５】
前記容器の内部に気体を供給する供給部と、
前記容器の第２の開口部に設けられた第２の接続部と、
前記供給部と、前記第２の接続部と、の間に設けられ、前記気体の供給に係るコンダクタンスを制御する第２のコンダクタンス制御部と、
前記供給部と、前記第２の接続部と、前記第２のコンダクタンス制御部と、を接続する配管と、
をさらに備え、
前記第２の接続部の流路断面積は、前記配管の流路断面積よりも大きいことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の減圧装置。
【請求項６】
前記第２のコンダクタンス制御部は、前記容器の内部に気体を供給する際に、給気量が一定となるように前記気体の供給に係るコンダクタンスを制御することを特徴とする請求項５記載の減圧装置。
【請求項７】
前記支持板の主面は、前記容器の内部に形成される気流の流れ方向と平行に設けられたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の減圧装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
実施形態に係る減圧装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な容器と、前記容器の内部にある気体を排気する排気部と、前記容器の内部に設けられ、主面が平坦面である支持板と、前記支持板の主面に設けられ、被処理物を支持する支持体と、前記支持板と、前記容器の底側の内壁と、の間に隙間を形成するための部材と、を備えている。そして、前記支持板の主面の大きさは、前記被処理物の大きさよりも大きく、前記支持体に支持された前記被処理物と前記支持板との間の寸法Ｈと、前記被処理物の厚み寸法Ｔと、が以下の式を満たす。
【数１】
2013197312.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と下面と側面とを有する金属板と、
電極端子が形成された上面と下面と側面とを有し、前記金属板の上面に接合された半導体チップと、
前記金属板の下面に接して前記金属板の下面を被覆する第１絶縁層と、
前記金属板の上面及び側面に接して前記金属板の上面及び側面を被覆し、前記半導体チップの上面及び側面に接して前記半導体チップの上面及び側面を被覆し、前記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、
前記半導体チップと電気的に接続された配線層と、前記配線層上に積層された補強材入りの層間絶縁層とを有し、前記第２絶縁層上に積層された配線構造と、を有し、
前記半導体チップの下面が絶縁性樹脂からなる接合部材を介して前記金属板の上面に直接接合され、
前記金属板は、前記半導体チップよりも薄く形成され、
前記金属板は、平板であり、外周縁を除く前記第１絶縁層の上面全面に形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第１絶縁層の下面は、当該半導体パッケージの最表面であることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記層間絶縁層は、補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
前記層間絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁層の熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
上面と下面とを有する導電層を有し、
前記導電層の上面は、前記金属板の上面と同一平面上に形成され、
前記導電層の下面は、前記金属板の下面と面一に形成され、
前記導電層の下面の少なくとも一部は、他の半導体パッケージと接続されるパッドとして前記第１絶縁層から露出され、
前記導電層と前記金属板とが同一平面上に形成され、前記導電層と前記金属板とが互いに分離されて形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第２絶縁層の厚さ方向の中途位置に導電層が形成され、
前記導電層の下面の少なくとも一部は、他の半導体パッケージと接続されるパッドとして前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層から露出されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項６】
前記配線構造における前記配線層は、複数の配線層を有し、
前記配線構造における前記層間絶縁層は、複数の層間絶縁層を有し、
前記複数の層間絶縁層のうち前記第１絶縁層とは反対側の最外層の層間絶縁層は、補強材入りの絶縁性樹脂からなり、
前記最外層の層間絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁層の熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
前記金属板は、当該半導体パッケージの外周縁を除く前記第１絶縁層の上面全面に延在して形成され、
前記金属板の外形寸法は、当該半導体パッケージの外形寸法よりも小さく、且つ、前記半導体チップの外形寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項８】
前記半導体チップを中心とした厚さ方向の物性値の分布が対称な分布となるように設定されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体パッケージ。
【請求項９】
請求項４又は５に記載の半導体パッケージと、
前記パッドと電気的に接続された別の半導体パッケージと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
上面と下面と側面とを有する第１絶縁層を支持基板上に形成する工程と、
外周縁を除く前記第１絶縁層の上面全面に、前記第１絶縁層よりも外形寸法の小さい金属板を形成する工程と、
上面と下面と側面とを有する半導体チップを、該半導体チップの下面が絶縁性樹脂からなる接合部材を介して前記金属板の上面に直接接合されるように、前記金属板の上面に搭載する工程と、
前記金属板の上面及び側面を被覆するとともに、前記半導体チップの上面及び側面を被覆する第２絶縁層を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
前記半導体チップと電気的に接続された配線層と、前記配線層上に積層された補強材入りの層間絶縁層とを有する配線構造を前記第２絶縁層上に形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、を有し、
前記金属板は、平板であり、
前記金属板の厚さは、前記半導体チップよりも薄く形成されていることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１１】
支持基板上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層よりも外形寸法の小さい金属板を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
前記金属板と該金属板の上面に接合された半導体チップとを被覆する第２絶縁層を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
前記半導体チップと電気的に接続される配線層と、前記配線層上に積層される補強材入りの層間絶縁層とを有する配線構造を前記第２絶縁層上に形成する工程と、
前記支持基板を除去する工程と、を有し、
前記金属板は、前記半導体チップよりも薄く形成され、
前記第２絶縁層を形成する工程は、
前記金属板を被覆する第３絶縁層を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
前記金属板の一部が露出するように、前記第３絶縁層を厚さ方向に貫通する開口部を形成する工程と、
前記開口部から露出する前記金属板の上面に前記半導体チップを接合する工程と、
前記金属板の上面と、前記第３絶縁層の上面と、前記半導体チップの上面及び側面を被覆するように第４絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記第２絶縁層は、前記第３絶縁層と前記第４絶縁層とを有し、
前記半導体チップを接合する工程では、前記第３絶縁層の上面が前記半導体チップの上面よりも高くなることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記開口部は、前記金属板側から前記第３絶縁層の上面に向かうに連れて径が大きくなるように形成されることを特徴とする請求項１１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、上面と下面と側面とを有する金属板と、電極端子が形成された上面と下面と側面とを有し、前記金属板の上面に接合された半導体チップと、前記金属板の下面に接して前記金属板の下面を被覆する第１絶縁層と、前記金属板の上面及び側面に接して前記金属板の上面及び側面を被覆し、前記半導体チップの上面及び側面に接して前記半導体チップの上面及び側面を被覆し、前記第１絶縁層上に積層された第２絶縁層と、前記半導体チップと電気的に接続された配線層と、前記配線層上に積層された補強材入りの層間絶縁層とを有し、前記第２絶縁層上に積層された配線構造と、を有し、前記半導体チップの下面が絶縁性樹脂からなる接合部材を介して前記金属板の上面に直接接合され、前記金属板は、前記半導体チップよりも薄く形成され、前記金属板は、平板であり、外周縁を除く前記第１絶縁層の上面全面に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率が面内方向に変化している構造体の製造方法であって、
基体の表面に、開口パターンを有するマスクを形成する第１の工程と、
前記開口パターンの開口に対応する前記基体の表面の露出部と前記マスクの上に、半導体層を形成して前記マスクを埋め込む第２の工程と、
前記半導体層に空孔または溝を形成する第３の工程と、
前記基体の表面の露出部に形成された半導体層の少なくとも一部を除去する第４の工程と、
前記マスクの少なくとも一部を除去する第５の工程と、を有し、
前記第３の工程において、前記基体の表面垂直方向から見て、前記空孔または溝の少なくとも一部が、前記基体の表面の露出部に形成された前記半導体層と重なるように、前記半導体層に前記空孔または溝を形成することを特徴とする構造体の製造方法。
【請求項２】
前記開口パターンの開口は、前記基体の表面垂直方向から見て、前記空孔の内側または前記溝の内側に位置することを特徴とする請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層と前記基体とは、伝導性を有する半導体からなり、
前記基体と前記半導体層とのいずれかに活性層を含み、
前記開口パターンは、第１の開口パターンと前記第１の開口パターンと異なる第２の開口パターンとを有し、
前記第３の工程は、前記基体の表面垂直方向から見て、前記空孔または溝が、前記第２の開口パターンに対応する前記基体の表面の露出部に形成された前記半導体層と重ならず、かつ、前記第１の開口パターンに対応する前記基体の表面の露出部に形成された前記半導体層の少なくとも一部と重なるように、前記半導体層に前記空孔または溝を形成する工程であり、
前記第４の工程は、前記第２の開口パターンに対応する前記基体の表面の露出部に形成された前記半導体層は残して、前記第１の開口パターンに対応する前記基体の表面の露出部に形成された前記半導体層の少なくとも一部を除去する工程であることを特徴とする請求項１に記載の構造体の製造方法。
【請求項４】
前記第１の開口パターンの開口は、前記基体の表面垂直方向から見て、前記空孔の内側または前記溝の内側に位置することを特徴とする請求項３に記載の構造体の製造方法。
【請求項５】
前記第５の工程は、前記マスクの少なくとも一部を除去することにより、前記構造体の下部の少なくとも一部に空洞を形成する工程であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の構造体の製造方法。
【請求項６】
前記構造体は、窒化物半導体で構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の構造体の製造方法。
【請求項７】
活性層と、屈折率が面内方向に変化している構造体と、を有する面発光レーザの製造方法であって、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の構造体の製造方法を用いて構造体を形成する工程と、
活性層を形成する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板と、
前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第１の不純物層を少なくとも含む第１の非晶質膜と、
前記半導体基板の面内方向において前記第１の非晶質膜に隣接して前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、前記第１の導電型を有する第２の不純物層を少なくとも含む第２の非晶質膜とを備え、
前記第１および第２の非晶質膜の一方と前記半導体基板との界面は、前記半導体基板の厚み方向において、前記第１および第２の非晶質膜の他方と前記半導体基板との界面と異なる位置に存在する、光電変換素子。
【請求項２】
前記第１の非晶質膜の一部は、前記半導体基板の面内方向において前記第１の非晶質膜に隣接する前記第２の非晶質膜の一部に重なっている、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記第２の非晶質膜と前記半導体基板との界面は、前記半導体基板の厚み方向において、前記第１の非晶質膜と前記半導体基板との界面よりも前記半導体基板の光入射側に位置する、請求項１または請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記第１の非晶質膜と前記半導体基板との界面は、前記半導体基板の厚み方向において、前記第２の非晶質膜と前記半導体基板との界面よりも前記半導体基板の光入射側に位置する、請求項１または請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記第１の非晶質膜は、
前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、ｉ型の導電型を有する第１のノンドープ層と、
前記第１のノンドープ層に接して設けられた前記第１の不純物層とを含み、
前記第２の非晶質膜は、
前記半導体基板の一方の表面に接して設けられ、ｉ型の導電型を有する第２のノンドープ層と、
前記第２のノンドープ層に接して設けられた前記第２の不純物層とを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
第１の導電型を有する単結晶シリコンからなる半導体基板の一方の表面に接して、前記第１の導電型と反対の第２の導電型を有する第１の不純物層を少なくとも含む第１の非晶質膜と、前記第１の導電型を有する第２の不純物層を少なくとも含む第２の非晶質膜とのうち、一方の非晶質膜を形成する第１の工程と、
前記半導体基板の面内方向における前記一方の非晶質膜の一部分と、該一部分に接する前記半導体基板の一部分とを除去する第２の工程と、
前記一方の非晶質膜の残部上に被覆層を形成する第３の工程と、
前記半導体基板の一方の表面および前記被覆層上に前記第１および第２の非晶質膜の他方の非晶質膜を形成する第４の工程と、
前記被覆層を除去する第５の工程とを備える光電変換素子の製造方法。
【請求項７】
前記第３の工程において、前記被覆層は、前記半導体基板の面内方向における寸法が前記一方の非晶質膜の残部の前記半導体基板の面内方向における寸法よりも小さくなるように形成される、請求項６に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程において、前記半導体基板の一方の表面に接して前記第１の非晶質膜を形成し、
前記第２の工程において、前記第１の非晶質膜の一部分と、該一部分に接する前記半導体基板の一部分とを除去し、
前記第４の工程において、前記半導体基板の一方の表面および前記被覆層上に前記第２の非晶質膜を形成する、請求項６または請求項７に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１の工程において、前記半導体基板の一方の表面に接して前記第２の非晶質膜を形成し、
前記第２の工程において、前記第２の非晶質膜の一部分と、該一部分に接する前記半導体基板の一部分とを除去し、
前記第４の工程において、前記半導体基板の一方の表面および前記被覆層上に前記第１の非晶質膜を形成する、請求項６または請求項７に記載の光電変換素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と前記圧電体層を挟む電極とを備えた圧電素子であって、
前記圧電体層は、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、２θを２１．９°以上２２．７°以下の範囲内で固定してχ軸方向のスキャンを行った際に４．７５°以上２８．３°以下の範囲にピークをもち、且つ２θを３１．１°以上３２．６°以下の範囲内で固定してχ軸方向のスキャンを行った際に２４．８°以上４０．７５°以下の範囲にピークをもつことを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項３】
請求項２に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項４】
請求項１に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の圧電素子を具備することを特徴とするセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の態様は、圧電体層と前記圧電体層を挟む電極とを備えた圧電素子であって、前記圧電体層は、ペロブスカイト構造を有する複合酸化物からなり、２θを２１．９°以上２２．７°以下の範囲内で固定してχ軸方向のスキャンを行った際に４．７５°以上２８．３°以下の範囲にピークをもち、且つ２θを３１．１°以上３２．６°以下の範囲内で固定してχ軸方向のスキャンを行った際に２４．８°以上４０．７５°以下の範囲にピークをもつことを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様では、圧電体層が所定の範囲の面に強配向しているので、クラック発生のない圧電体層を有する圧電素子とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド、及び当該態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。これによれば、クラック発生のない圧電素子を有する液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置が実現できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス、あるいは、上記圧電素子を具備するセンサーにある。
かかる態様では、所定の範囲の面に強配向させることにより、クラック発生のない圧電素子を有する超音波デバイス、あるいはセンサーが実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の入射側に位置する一導電型半導体層と、前記光の入射側からＩｎＰからなる第１半導体層、ＩｎＧａＡｓＰからなる第２半導体層、前記第２半導体層よりもエネルギギャップが小さいＩｎＧａＡｓからなる第３半導体層が順に設けられてなる反対導電型半導体層と、前記一導電型半導体層と前記反対導電型半導体層の間に設けられた光吸収層とよりなる半導体層構造を形成する第１工程と、
前記第３半導体層に接する金属膜を形成する第２工程と、
前記第２工程の後、熱処理を実施する第３工程と、を含む半導体受光素子の製造方法。
【請求項２】
光の入射側から順に一導電型半導体層、光吸収層、反対導電型半導体層を成長する工程と、
前記反対導電型半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面に選択エッチングマスクを形成する工程と、
前記選択エッチングマスクから露出した前記絶縁膜の厚みの一部あるいは全部をエッチングすることによって、前記絶縁膜の表面に凹凸を形成する工程と、
前記凹凸を含む前記絶縁膜の表面に金属膜を形成する工程と、を含む半導体受光素子の製造方法。
【請求項３】
一導電型半導体層、光吸収層、反対導電型半導体層を順に成長する工程と、
前記反対導電型半導体層上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜をエッチングすることによって、前記エッチングされた面内における前記絶縁膜表面の凹凸を前記エッチング前よりも大きくする工程と、
前記凹凸を含む前記絶縁膜の表面に金属膜を形成する工程と、を含む半導体受光素子の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜は、窒化シリコン膜である請求項２又は３記載の半導体受光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のヨーク部側コア材を樹脂内部にモールドすることにより、左右の脚部とそれを繋ぐヨーク部を備えた第１の分割コアが形成され、
第１の分割コアの左右の脚部には、樹脂内部にモールドされている第１のヨーク部側コア材の左右の表面がそれぞれ露出し、
第１の分割コアの左右の脚部は、前記第１のヨーク部側コア材の外周にモールドされている樹脂によって一体に形成され、且つ、前記第１のヨーク部側コア材の表面の外周から伸びる筒形のコア装着部をそれぞれ備え、
左右の脚部にそれぞれ形成された筒形のコア装着部内には、Ｉ字形の脚部側コア材が装着され、
第２の分割コアの左右両端には、樹脂内部にモールドされている第２のヨーク部側コア材の左右の表面がそれぞれ露出し、
前記のように構成された第１の分割コアと第２の分割コアの端部を突き合わせて一体化することにより環状のコアが形成され、この環状のコアの脚部にコイルが巻回されていることを特徴とするリアクトル。
【請求項２】
前記筒形のコア装着部内にスペーサが装着され、前記Ｉ字形の脚部側コア材の表面と、前記第１のヨーク部側コア材の表面との間に前記スペーサが配置されていることを特徴とする請求項１に記載のリアクトル。
【請求項３】
前記分割コアに設けられた脚部に、他の分割コアとの位置決めを行う係止部材が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のリアクトル。
【請求項４】
前記分割コアの樹脂に、固定金具がモールドされていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリアクトル。
【請求項５】
金型内に第１のヨーク部側コア材をセットし、この金型内に樹脂を充填して固化することで、樹脂の内部に第１のヨーク部側コア材をモールドすると共に、モールド樹脂における第１のヨーク部側コア材の端部に筒形をした一対のコア装着部を形成して成る第１の分割コアを作製する工程と、
金型内に第２のヨーク部側コア材をセットし、この金型内に樹脂を充填して固化することで、樹脂の内部に第２のヨーク部側コア材をモールドして成る第２の分割コアを作製する工程と、
第１の分割コアに形成された一対の筒形をしたコア装着部内に、Ｉ字形の脚部側コア材を装着する工程と、
コア材を装着した第１の分割コアに設けられた２つのコア装着部をコイルの内側に挿入する工程と、
コイルを装着した第１の分割コアと第２の分割コアの脚部の端部同士を突き合わせて環状のモールドコアを形成する工程と、
を有することを特徴とするリアクトルの製造方法。
【請求項６】
前記Ｉ字型の脚部側コア材を装着する工程が、スペーサと前記Ｉ字型の脚部側コア材を
装着する工程であることを特徴とする請求項５に記載のリアクトルの製造方法。
【請求項７】
コイルが巻回された環状のモールドコアをケースに固定する工程を有することを特徴とする請求項５または請求項６に記載のリアクトルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように、従来技術では、モールドコア内における各コア材の正確な位置決めが難しく、その製造が困難であるとか、製造されたモールドコアが設計通りの性能を発揮できないといった問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するために提案されたものである。すなわち、本発明は、金型内におけるコア材の位置決めが簡単で、複数のコア材をモールドした樹脂内に正確に配置することのできるリアクトル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のリアクトルは、次のような特徴を有する。
（１）ヨーク部側コア材を、樹脂内部にモールドすることにより、左右の脚部とそれを繋ぐヨーク部から成るＵ字形またはＪ字形の分割コアを形成する。
（２）この分割コアの左右の脚部には、樹脂内部にモールドされているヨーク部側コア材の左右の端面がそれぞれ露出している。
（３）この分割コアの左右の脚部は、前記ヨーク部側コア材の外周にモールドされている樹脂によって一体に形成され、且つ、前記ヨーク部側コア材の端面の外周から伸びる筒形のコア装着部を備えている。
（４）左右の脚部に形成された筒形のコア装着部内には、Ｉ字形の脚部側コア材が装着されている。
（５）前記のように構成された分割コアを２つ用意し、２つの分割コアをそのコア装着部の端部同士を突き合わせて一体化して環状のコアを形成し、この環状のコアにコイルを巻回する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、次のような効果が発揮される。
（１）金型内にコア材をセットするのに先立って複数のコア材を接着しておく必要がなく、また、金型内にセットするコア材の数が少ないため、金型内におけるコア材の位置決めを容易且つ正確に行える。
（２）分割コアに後から装着されるコア材は、予めモールドされたコア材と一体に形成された樹脂製の装着部によって位置規制されるから、各コア材間の位置ずれの恐れがない。その結果、複数のコア材からなるモールドコアを容易に製造することができる。
（３）各コア材間の位置を高い精度で確保できるので、リアクトルの性能を設計通り発揮できる。
（４）第１の分割コアのみに脚部側コア材を装着し、第２の分割コアに対する脚部側コア材の装着作業が不要となり、装着作業が一度で済む利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、燃料ガス（水素含有ガス）と酸化剤ガス（酸素含有ガス）とを反応させて電力を得ることができる燃料電池セルを複数配列してなる燃料電池セルスタックをケーシング内に有し、燃料電池セルスタックに燃料ガスと酸化剤ガスとを供給して発電する燃料電池ユニットが提案されている。この種の燃料電池ユニットとして、水蒸気改質により燃料ガスを生成する改質器と、水を蒸発させ改質に用いる水蒸気を生成する蒸発器と、をケーシング内の燃料電池セルスタックの上方に設け、発電反応に使用されなかった燃料ガスと酸化剤ガスとが燃焼することで発生する燃焼ガスの熱を改質器における改質反応及び蒸発器における水の蒸発に利用するものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月2日(2015.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面、第１の側面、および前記第１の表面が前記第１の側面と交わる第１の縁部を有する基板と、
前記基板の上に配置され、前記第１の表面と同一平面にあり、第２の側面を有し、前記第２の側面の少なくとも第１の部分が前記基板の前記第１の縁部から約３ｍｍ以内に配置されたデバイスと、
前記基板の前記第１の縁部の少なくとも一部、前記基板の第１の側面の少なくとも一部、および前記デバイスの前記第２の側面の少なくとも前記第１の部分を覆う第１のバリアフィルムと
を含む第１の製品。
【請求項２】
前記デバイスの前記第２の側面の少なくとも前記第１の部分が前記基板の前記第１の縁部から約２ｍｍ以内に配置された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項３】
前記デバイスの前記第２の側面の少なくとも前記第１の部分が前記基板の前記第１の縁部から約１ｍｍ以内に配置された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項４】
前記デバイスの前記第２の側面の少なくとも前記第１の部分が前記基板の前記第１の縁部から約０．５ｍｍ以内に配置された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項５】
前記デバイスの前記第２の側面の少なくとも前記第１の部分が前記基板の前記第１の縁部から約０．１ｍｍ以内に配置された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項６】
前記デバイスが活性デバイス領域および不活性デバイス領域を含み、前記デバイスの前記活性デバイス領域の少なくとも一部が前記基板の前記第１の縁部から０．１ｍｍ以内に配置された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項７】
前記第１のバリアフィルムがポリマー材料と非ポリマー材料との混合物を含む、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項８】
前記第１のバリアフィルムがポリマーケイ素と無機ケイ素との混合物を含む、請求項７に記載の第１の製品。
【請求項９】
前記第１のバリアフィルムが前記デバイスの少なくとも一部の上に配置された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項１０】
前記デバイスが複数の側面を含み、前記第１のバリアフィルムが前記デバイスの前記複数の側面の各々を覆う、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項１１】
前記基板が第１の外側周縁を有し、前記デバイスが第２の外側周縁を有し、前記デバイスの前記第２の外側周縁の少なくとも約５０％が前記基板の前記第１の外側周縁から約１ｍｍ以内に配置された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項１２】
前記第１のバリアフィルムが化学蒸着ＣＶＤおよび有機ケイ素前駆体を用いて堆積された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項１３】
太陽電池、薄膜バッテリー、有機電子デバイス、照明パネルもしくは照明パネルを有する光源、ディスプレイもしくはディスプレイを有する電子デバイス、携帯電話、ノート型コンピュータ、タブレット型コンピュータ、テレビジョン、または有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）のいずれかを含む、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項１４】
前記デバイスの総面積より小さい総面積を有する電子回路パッケージをさらに含む、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項１５】
複数のデバイスをさらに含み、前記複数のデバイスの各々が他のデバイスの少なくとも１つから６ｍｍ未満の距離に配置された、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項１６】
前記基板が第２の表面をさらに含み、複数の導電体が前記基板内に配置され、前記複数の導電体の各々が前記基板の前記第１の表面から前記第２の表面に延在する、請求項１に記載の第１の製品。
【請求項１７】
複数の導電体が前記第１の表面に配置され、前記基板が第２の表面をさらに含み、前記複数の導電体の各々が前記基板の前記第１の表面から前記第２の表面に延在する、請求項１に記載の第１の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を出射する発光部を備え、
前記発光部は、出射する光の放射角度分布を、少なくとも、第１の放射角度分布と、当該第１の放射角度分布よりも広い第２の放射角度分布との間で変更可能であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光部は、少なくとも、前記第１の放射角度分布で光を出射する第１の発光部分と、前記第２の放射角度分布で光を出射する第２の発光部分とを含み、
前記第１の発光部分および前記第２の発光部分の一方を、選択的に発光させることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記発光部は、励起光を受けて前記光である蛍光を出射する蛍光体を含み、
前記第１の発光部分および前記第２の発光部分の一方に、前記励起光が選択的に照射されることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光部を載置する可動式の載置部をさらに備え、
前記載置部は、前記第１の発光部分および前記第２の発光部分の一方に、前記励起光が照射されるように、当該励起光に対する前記発光部の相対的な位置または角度を変化させることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記励起光は、前記発光部から出射された光を投光する投光部の焦点に向けて照射されていることを特徴とする請求項３または４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２の発光部分は、前記第１の発光部分よりも厚みが大きい形状であることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１の発光部分は、前記発光部が載置される載置面に対して略平行な平板形状であり、
前記第２の発光部分は、前記載置面に当接する底面に対して垂直な方向に向かって、当該底面に平行な断面積が徐々に減少する形状であることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記発光部は、厚みが徐々に変化する連続的な形状であり、
前記連続的な形状のうち、任意の厚みを有する部分が前記第１の発光部分となり、当該任意の厚みを有する部分よりも厚みが大きい部分が前記第２の発光部分となることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
【請求項９】
前記発光部は、リング形状であることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記励起光は、レーザ光であることを特徴とする請求項３から７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記発光部は、少なくとも、前記第１の放射角度分布で光を出射する第１の発光素子と、前記第２の放射角度分布で光を出射する第２の発光素子とを含み、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子の一方を、選択的に点灯させることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子を載置する可動式の載置部と、
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子の点灯を切り替える点灯切替部とをさらに備え、
前記点灯切替部は、前記載置部によって前記第１の発光素子および前記第２の発光素子の一方が、前記発光部から出射された光を投光する投光部の焦点に配置されたとき、当該焦点に配置された前記第１の発光素子または前記第２の発光素子を点灯させることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記第１の発光素子および前記第２の発光素子は、ＬＥＤであることを特徴とする請求項１１または１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
前記載置部は、スライド可能または回転可能に設けられていることを特徴とする請求項４または１２に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記発光部は、出射する光の放射角度分布を、互いに異なる３つ以上の放射角度分布に変更可能であることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項に記載の発光装置と、
前記発光部から出射された光を投光する投光部とを備えることを特徴とする照明装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の照明装置を備えることを特徴とする車両用前照灯。
【請求項１８】
前記照明装置を搭載する車両の速度に応じて、前記発光部から出射される光の放射角度分布を、前記第１の放射角度分布と前記第２の放射角度分布との間で変更することを特徴とする請求項１７に記載の車両用前照灯。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、照明装置および車両用前照灯