【事件の表示】
　特願２０１３−２２９１２２「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月１９日出願公開、特開２０１４−　９３５３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成２５年１１月５日（パリ条約による優先権主張２０１２年１１月５日、韓国）の出願であって、その後の主な手続の経緯は、以下のとおりである。　　
　　
　平成２８年１０月２４日　　：出願審査請求書・手続補正書の提出
　平成２９年　９月２９日付け：拒絶理由通知（同年１０月１０日発送）
　平成３０年　１月　９日　　：手続補正書・意見書の提出
　　　　同年　２月２８日付け：拒絶理由通知（同年３月６日発送）
　　　　同年　６月　５日　　：手続補正書・意見書の提出
　　　　同年　９月２６日付け；拒絶査定（同年１０月２日送達。
　　　　　　　　　　　　　　　以下「原査定」という。）
　平成３１年　２月　１日　　：審判請求書・手続補正書の提出　
　令和　２年　２月１０日付け:拒絶理由通知（同年２月１２日発送）
　　　　同年　４月　８日　　:手続補正書・意見書の提出
第２　本願発明  　
　本願の請求項１ないし１３に係る発明は、令和２年４月８日付けの手続補正により補正された請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
　「【請求項１】　
　上面に凹凸パターンが形成された基板と、　
　前記基板上に配置された互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層と、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層とを有する発光構造物と、
　前記上部半導体層の中央領域上のみに配置された第１電極層と、
　前記発光構造物と前記第１電極層との間に配置された電流遮断層と、を含み、　
　前記第１電極層は、重ね合わされた第１接着層と第１ボンディング層を含み、　
　前記第１接着層と前記第１ボンディング層は、互いに直接接触し、　
　前記第１接着層は、前記電流遮断層の上部及び側部を取り囲み、　
　前記第１接着層は、Ｃｒを含み、　
　前記第１ボンディング層は、Ａｕを含み、　
　前記第１接着層は、前記電流遮断層の前記上部及び前記側部並びに前記上部半導体層に直接接するように配置され
、
　
前記第１ボンディング層は単一層であり、
　
前記第１接着層の厚さは、少なくとも５ｎｍ〜１５ｎｍであり、
　
前記第１接着層及び前記第１ボンディング層は、側面が連続するように設けられている
第３　引用文献の記載　　
１　当審拒絶理由に引用した、特開２００８−１９２７１０号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。  　
　　
（１）「【請求項１】
第１，２導電型半導体層を含む半導体構造に、発光構造部と、該第１導電型半導体層、該発光構造部の第２導電型半導体層に各々設けられた第１電極、第２電極と、
前記第２導電型半導体層上の少なくとも一部に形成された透光性絶縁膜と、を有し、
前記第２電極が、前記第２導電型半導体層の少なくとも一部を被覆する透光性導電膜の第１層と、前記透光性絶縁層上の少なくとも一部に設けられ、第１層に導通する第２層と、を有し、
前記第１層の表面側と、前記透光性絶縁膜と前記半導体構造の境界領域と、にそれぞれ光反射部が形成され、
前記透光性絶縁膜の前記第２層側表面が、前記第１層の表面より半導体構造から離れている半導体発光素子。」
（２）「【００１７】
〔実施の形態１〕
　図１を用いて、実施の形態１に係るＬＥＤ100の具体例、その構成について説明する。ここで、図１Ａは、実施の形態１に係るＬＥＤを電極形成面側からみた平面を、図１Ｂ，Ｃは、図１ＡのＡ−Ａ線、Ｂ−Ｂ線における断面をそれぞれ説明する概略図であり、図１Ｄ，Ｅは、図１Ｃの部分拡大した概略図、図１Ｅは図１Ｄの別の形態を説明する概略図である。
　図１の発光素子の構造は、基板10上に、バッファ層などの下地層（図示せず）を介して、第１導電型層のｎ型窒化物半導体層21、発光部となる活性層22、第２導電型層のｐ型窒化物半導体層23が積層された積層構造からなる半導体構造20を有し、ｎ型層21の一部が露出されてｎ電極（第１電極）30が設けられ、第１，２導電型層21，22（とその間の活性層22）が設けられた発光構造25の表面25ｔであるｐ型層23ｓ上にｐ電極（第２電極）40が設けられた素子構造を有している。尚、平面図（図１Ａ）では保護膜51を省略し、各電極の外部接続部33，43となる保護膜開口部を一点鎖線の細線囲み部として示しており、図３，４，９も同様であり、図８Ａも保護膜を省略し、また外部接続部と第２層表面と保護膜開口部がほぼ一致しているため省略している。
【００１８】
　更に図１に係る具体例では、第１電極30は、矩形状の素子構造26、発光構造25において、その角部付近に発光構造25を内側に凹ませるように第１導電型露出領域21sが設けられた凹欠部の一部に電極形成領域21eが設けられ、略矩形状の第１電極30が設けられている。このように発光構造部25上と、発光構造部25から露出された露出部21sの一部の電極形成領域21eに、第１，２電極30,40がそれぞれ設けられ、半導体構造部上25tの第２電極40には、透光性導電膜の第１層41と、それに接続する第２層42が一部に透光性絶縁膜18を介して積層された構造を有する。電極の第２層は第１層より透光性の低い電極、例えば遮光性の金属電極で形成され、光吸収・損失があるため、透光性絶縁膜18と半導体構造の第２導電型層23ｓ（発光構造部上面25ｔ）との境界領域、具体的には屈折率が半導体構造20、第２導電型層32、若しくはその表面23ｓ領域より低い絶縁膜18との境界において、半導体構造内で伝播する光が、そこを覆う第２層形成領域による遮光を抑制して、その手前の絶縁膜と半導体の境界の反射によって、好適な光反射がなされて光損失を抑えて、他の露出部、半導体構造20側面、発光構造上面25ｔ、透光性の基板10などの光窓部、特に第１層41の被覆領域から好適に取り出される。また、上記半導体の露出部21ｓに第１電極30が設けられ半導体に接続されている。尚、第１電極は、後述するように、第２電極同様に、図１Ｂに観るような第１，２層31，32の少なくとも２層を備えた構造を有しても良く、更には図２に観るように、少なくとも第２層の一部が透光性絶縁膜を介して設けられる構造でも良く、これらの場合、下層側の第１層で半導体層に接続する構造となる。
【００１９】
　……
【００３６】
（透光性絶縁膜１８）　
　露出された半導体構造の電極形成面側にＳｉＯ２の透光性絶縁膜を設ける。具体的には、フォトリソグラフィーによりレジストのマスクを形成して、発光構造部上面25ｔとなる第２導電型層（ｐ型層中のｐ側コンタクト層）に、所望の形状の透光性絶縁膜18を設ける。
【００３７】
　……
【００３９】
　以上の例で示す各構造の寸法として、基板10の厚さとしては５０〜２００μｍ程度（上記例では約９０μｍ）、積層構造20では下地層の厚さは１〜２μｍ程度、ｎ型半導体層21の厚さは１〜２μｍ程度、活性層・発光層22の厚さは５０〜１５０ｎｍ程度、ｐ型半導体層23の厚さは、１００〜３００ｎｍ程度、ｎ型露出層21ｓ表面から発光構造の高さは０．５〜３μｍ（上記例では約１．５μｍ）程度、
第１層（オーミック電極）の厚さは１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度、第２層（パッド電極、延伸部）の厚さは０．３〜１．５μｍ程度、外部接続部・パッド電極の幅・径は５０〜１５０μｍ程度
図２に示すように
（３）「【００４５】
〔実施の形態２〕
　実施の形態２としては、実施の形態１、実施例１において、第２電極（ｐ電極）の延伸部44の形状を図３に示すようなものとして、延伸部の本数を４本（実施例１）から９本とし、その延伸部（第２層）及び電極形状に対応する透光性絶縁膜を設ける他は実施例１と同様な構造、寸法で略正方形（□３２０μｍ）の発光素子を作製する。
　この発光素子では、実施例２に比して、電極延伸部の本数、面積が多いため、電流広がり等が向上する一方で、透光性絶縁膜の面積増による発光面積低下があり、素子の出力が実施例２より僅かに低下する傾向にある。」
（４）「【００６０】
　以下、上記各実施の形態及び本発明における各構成に詳述するが、これに限らず、各構成を適宜組み合わせる応用も可能である。また、各実施の形態、及びそれに開示された各構成、態様についても同様に適宜組み合わせることができる。
【００６１】
　……
【００６５】　
　第１，２電極30，40の
第１層31，41
透光性の膜
クロム（Ｃｒ）、
（５）「【００６６】　
　上記具体例で示すように、第１，２電極30，40の透光性膜（第１層31、下層側）を同一材料・構造とすることが好ましく、更に同一工程で設けることが好ましく、量産性に富む電極構造とできる。同様に、
第１，２電極30，40の上層側に配される金属膜・反射性膜（第２層32，42、パッド電極、反射電極）も同一材料・構造、更には同一工程で設けることが好ましい。金属膜、反射性膜としては、上記群から選択される材料（群の一種を含む金属、合金、積層構造）を用いることができる
（６）図２は、以下のものである(平成１９年２月２３日付け手続補正書により図３は、図２に補正されている。)。
１０：基板
１１：凹凸構造
１８：透光性絶縁膜
２０：半導体構造・積層構造
２１：第１導電型層（ｎ型層）
２２：活性層（発光層）
２３：第２導電型層（ｐ型層）
４０：第２電極
４１：第１層
４２：第２層
４３：外部接続部
　
２　引用文献に記載された発明
(１)上記１(１)の記載からして、引用文献には、
　「第１，２導電型半導体層を含む半導体構造に、発光構造部と、該第１導電型半導体層、該発光構造部の第２導電型半導体層に各々設けられた第１電極、第２電極と、前記第２導電型半導体層上の少なくとも一部に形成された透光性絶縁膜と、を有し、
　前記第２電極が、前記第２導電型半導体層の少なくとも一部を被覆する
透光性導電膜の第１層と、前記透光性絶縁層上の少なくとも一部に設けられ、第１層に導通する第２層と、を有し、
　前記第１層の表面側と、前記透光性絶縁膜と前記半導体構造の境界領域とに、それぞれ光反射部が形成されている、半導体発光素子。」が記載されているものと認められる。
(２)上記１（２）及び(３)の「実施の形態1」及び「実施の形態2」に関する記載からして、以下のことが理解できる
　ア　「透光性絶縁膜」は、ＳｉＯ２であってもよいこと。
　
　イ　「透光性導電膜の第1層」の厚みは、厚さは１０nm〜５００nm程度であってもよいこと。
　
　ウ　「光反射部」の光反射は、屈折率差を利用した反射であること。　
(３)上記１（４）及び(５)の「各実施の形態」に共通する記載からして、
　ア　「透光性導電膜の第１層」は、段落【００６５】に記載された金属群から選択した、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）又は銀（Ａｇ）からなる
単一層
　イ　「第１層に導通する第２層」は、「第１層」と
同様の材料
含む層
(４)上記（１）ないし(５)の記載を踏まえて、(平成１９年２月２３日付け手続補正書により補正された)図２を見ると、以下のことが理解できる。
　ア　「第２電極」は、第２導電型層の中央領域上に形成されていること。
　イ　「透光性導電膜の第１層」は、透光性絶縁膜の上部及び側部並びに第２導電型層の表面に直接接触するように配置されていること。
(５)上記（１）ないし(４)の検討からして、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　「凹凸構造を有する基板と、
第１，２導電型半導体層を含む半導体構造に、発光構造部と、該第１導電型半導体層、該発光構造部の第２導電型半導体層に各々設けられた第１電極、第２電極と、前記第２導電型半導体層上と前記第２電極との間に形成されたＳｉＯ２からなる透光性絶縁膜と、を有し、
　前記第２電極は、
　前記第２導電型層の中央領域上に形成され、
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ又はＡｇからなる１０nm〜５００nm程度の透光性導電膜の第１層
Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ又はＡｇを含む前記第１層に導通する第２層
　前記第１層の表面側と、前記透光性絶縁膜と前記半導体構造の境界領域とに、それぞれ屈折率差を利用した光反射部が形成され、
　前記第１層は、前記透光性絶縁膜の上部及び側部並びに前記第２導電型層の表面に直接接触するように配置されている、半導体発光素子。」
　
第４　対比・判断
１　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「凹凸構造を有する基板」は、本願発明の「上面に凹凸パターンが形成された基板」に相当する。
　以下、同様に、
　「『発光構造部、第１導電型半導体層及び第２導電型半導体層』を有する『半導体構造』」は、「基板上に配置された互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層と、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層とを有する発光構造物」に、
　「第２導電型層の中央領域上に形成された第２電極」は、「上部半導体層の中央領域上のみに配置された第１電極層」に、
　「第２導電型半導体層上と第２電極との間に形成されたＳｉＯ２からなる透光性絶縁膜」は、「発光構造物と第１電極層との間に配置された電流遮断層」に、
　「半導体発光素子」は、「発光素子」に、それぞれ、相当する。
(２)本願発明の「『Ｃｒを含』む『少なくとも５ｎｍ〜１５ｎｍ』の『第１接着層』」及び「『Ａｕを含』む『単一層』の『第１ボンディング層』」に関して、本願明細書には、以下の記載がある。
　
　ア　「【００３７】
　第１接着層３２は、上部半導体層２６とオーミック接触する物質を含むことができる。例えば、第１接着層３２は、Ｃｒ、Ｒｄ及びＴｉのうち少なくとも一つの材料で、
単層または多層構造
少なくとも５ｎｍ〜１５ｎｍとすることができる
【００３８】
　また、
第１ボンディング層３４
Ａｕを含むことができる
　イ　上記記載から、以下のことが理解できる。
（ア）「第１接着層」は、少なくとも５ｎｍ〜１５ｎｍの厚さ、好適には２ｎｍ乃至１０μmの厚さを有するＣｒの単層であってもよいこと。
（イ）「第１ボンディング層」は、層の中にＡｕを含むこと。
　ウ　してみると、引用発明の「Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ又はＡｇからなる
１０nm〜５００nm程度の
　
　エ　一方、引用発明の「Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ又はＡｇを含む第１層に導通する第２層」と本願発明の「『Ａｕを含』む『単一層』の『第１ボンディング層』」とは、「
金属を含む
　オ　引用発明の「透光性導電膜の第１層」は、「透光性絶縁膜の上部及び側部並びに第２導電型層の表面に直接接触するように配置されている」ことから、「第１層は、電流遮断層の上部及び側部並びに上部半導体層に直接接するように配置された」ものであるといえる。
　　
　カ(ア)引用発明の「透光性導電膜の第１層」は、「透光性絶縁膜の上部及び
側部
(イ)また、引用発明の「第１層に導通する第２層」は、引用文献の図２からして、「側面」を有することは、明らかである(図２おいて、矩形に描かれた「透光性絶縁膜１８」の右側の上方には、「第２層４２」の右側の側面が位置し、該側面と「第１層４１」の右側の側面とが段差を形成していることが理解できる。)。
(ウ)よって、本願発明と引用発明とは、「第１接着層及び第１ボンディング層は、それぞれ側面を有している」点で一致する。
　
（３）上記（１）及び(２)から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致する。
　＜一致点＞
　「上面に凹凸パターンが形成された基板と、　
前記基板上に配置された互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層と、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層とを有する発光構造物と、
前記上部半導体層の中央領域上のみに配置された第１電極層と、
前記発光構造物と前記第１電極層との間に配置された電流遮断層と、を含み、
前記第１電極層は、重ね合わされた第１接着層と第１ボンディング層を含み、
前記第１接着層と前記第１ボンディング層は、互いに直接接触し、
前記第１接着層は、前記電流遮断層の上部及び側部を取り囲み、
前記第１接着層は、Ｃｒを含み、
前記第１ボンディング層は、
金属を含み
前記第１接着層は、前記電流遮断層の前記上部及び前記側部並びに前記上部半導体層に直接接するように配置され、
前記第１接着層の厚さは、少なくとも５ｎｍ〜１５ｎｍであり、
前記第１接着層及び前記第１ボンディング層は、
それぞれ側面を有している
                                                                    
（４）一方、両者は、以下の点で相違する。
　＜相違点1＞
　第１ボンディング層に関して、
　本願発明は、「『Ａｕを含む』『単一層』」であるのに対して、
　引用発明は、Ａｕを含まない点。
　＜相違点2＞
　第１接着層及び第１ボンディング層のそれぞれの側面に関して、
　本願発明は、「(両者の)側面が連続するように設けられている」のに対して、
　引用発明は、そのようになってはいない点。
２　判断
(１)上記＜相違点１＞について検討する。
　ア　本願発明において、第１ボンディング層として、「『Ａｕを含む』『単一層』」を採用する技術的意義について、本願明細書の記載を参酌して検討する。
(ア)本願明細書には、以下の記載がある。
　「【００３８】
　また、第１ボンディング層３４は、第１接着層３２に接して配置されてもよいが、後述するように、第１バリア層３６が介在する場合、第１接着層３２に接しないで、第１接着層３２の上部に配置されてもよい。第１ボンディング層３４は
Ａｕを含むことができる
(イ)上記記載からして、
　第１ボンディング層は、第１接着層との間に第１バリア層が介在してもよいものであって、「Ａｕ」を含むことは任意であり、かつ、「単一層」が必須でもないことが理解できる。
　また、本願明細書の他の記載を見ても、第１ボンディング層として、「『Ａｕを含む』『単一層』」を採用する理由は特段明記されていない。
　イ　一方、引用発明の「第１層に導通する第２層」は、「第２電極」を構成する表層であって、半田などを用いて実装基板側と接続される箇所であるところ、
　電極の表層に「Ａｕ」を用いることは、引用文献の【００６６】に例示されているように、当該技術分野において、よく知られていることである（以下「周知技術」という。）。
　ウ　してみると、引用発明の「第１層に導通する第２層」、つまり、電極の表層を「Ａｕを含む単一層」とすることは、当業者が上記周知技術に基づいて容易になし得ることである。
　
　エ　よって、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術に基づいて容易になし得たことである。
(２)上記＜相違点２＞について検討する。
　ア　本願発明において、「第１接着層及び第１ボンディング層は、側面が連続するように設けられている」との構成(以下「発明特定事項Ｃ」という。)を採用する技術的意義について、本願明細書の記載を参酌して検討する。
(ア) 本願発明は、「第１接着層と第１ボンディング層は、互いに直接接触」するものであるところ、本願明細書には、図面とともに、以下の記載がある。
　a　【課題を解決するための手段】
【０００７】
　実施形態の発光素子は、基板と；前記基板上に配置された互いに異なる導電型の下部及び上部半導体層と、前記下部及び上部半導体層の間に配置された活性層とを有する発光構造物と；前記上部半導体層上に配置された第１電極層と；を含み、前記第１電極層は、重ね合わされた第１接着層と第１ボンディング層を含み、前記
第１接着層と前記第１ボンディング層との間に反射層が介在しない
　b　「【００１７】
　前記導電型相互接続層によって接続された前記二つの発光素子の
第１及び第２電極層、及び前記導電型相互接続層は一体とすることができる
　c　「【発明の効果】
【００１９】
実施形態に係る
発光素子
接着層を厚く形成することができるので、電極層と発光構造物との接着力
導電型相互接続層と絶縁層との接着力
　d　「【００５０】
　しかし、本実施形態によれば、第１接着層３２と第１ボンディング層３４との間に反射層が介在しない。また、第２接着層と第２ボンディング層との間に反射層が介在しない。したがって、
反射層が介在しない厚さの分だけ第１接着層３２を厚く形成することができる
第１接着層３２は、２ｎｍ以上の厚い厚さＴ１を有する
　e　図２Ｅ及び図２Ｆは、以下のものである。
２６…上部半導体層
３０…第１電極層
３２…第１接着層
３４…第１ボンディング層
３６…第１バリア層
　ｆ　上記記載からして、
　電極層及び導電型相互接続層を構成する「接着層」と「ボンディング層」との間に他の構成要素(層)を介在させないことにより、「接着層」を厚く形成し、「電極層と上部半導体層との接着力」及び「導電型相互接続層と絶縁層との接着力」を強化できることが理解できる。
　ところで、本願発明の「第１接着層」と「第１ボンディング層」は、そもそも、互いに直接接触するものであって、他の構成要素(層)は介在していないことを踏まえると、上記発明特定事項Ｃの「(両者の)側面が連続するように設けられている」とは、両者の側面が段差を形成することなく、つまり、両者の側面が水平方向でズレを生じなることなく積層されていると解するのが自然である。
　また、「導電型相互接続層」とは、二つの発光素子を電気的に接続するものであるから、第１電極層と導電型相互接続層とは一体化していることを踏まえると、上記発明特定事項Ｃの「側面」とは、少なくとも(第１電極層の)一方の側面であると解される。このことは、本願の請求項７に係る「『導電型相互接続層を含む』『発光素子アレイ』」が、本願発明と同じ「発明特定事項Ｃ」を備えていることからも裏付けられる。
　しかしながら、本願明細書の他の記載を見ても、上記発明特定事項Ｃの技術的意義については、特段明記されていない。
　イ(ア)一方、引用発明の「第２電極」は、「第１層」と「第２層」とを有し、両者の間には、他の構成要素(層)は介在しない。
ところで、引用発明の「屈折率差を利用した光反射部」は、引用文献の【００１８】等の記載からして、「第２層」の手前で光を反射させることで、「第２層」による光吸収・光損失を低減するものであると解される。
　つまり、光吸収・光損失の観点からは、「第２層」の面積は小さいほど好ましいことが理解できる。
(イ)また、該「第２層」の面積は、電気抵抗などを勘案して決めるべきところ、「第１層」は、「透光性絶縁膜の上部及び側部」を覆うものであるから、「第２層」を「第１層」の上面を覆う程度の面積とすることに何ら困難性は認められない。
　また、そのことを妨げる特段の事情は認められない。
　必要ならば、例えば、国際公開第２０１２/１２０８９４号の第１図及び第２図を参照。
　「ｎ型半導体層１０１上に広がるオーミック電極１０９」及び「パッド電極１０５」は、それぞれ、引用発明の「第１層」及び「第２層」に、それぞれ、相当する。
　  
 
 １０１　ｎ型半導体層（第１導電型半導体層）
 １０２　発光層（発光部）
 １０３　ｐ型半導体層（第２導電型半導体層）
 １０４　半導体層
 １０５　パッド電極
 １０６　透光性絶縁層
 １０７　反射層
 １０８　反射部
 １０９　オーミック電極（コンタクト部）
 １１０　導電性硬質膜
　　
　ウ　上記イのようにした引用発明においては、「第１層」と「第２層」の側面は連続することになる。
　エ　よって、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得たことである。
（３）効果　
　本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果から予測し得る範囲内のものである。
　
３　令和２年４月８日提出の意見書における主張について
(１)請求人は、引用文献１の段落００１９、００３７及び００６６において明示されている「第２層」は全て多層構造である旨主張する(第２頁上段)。
　当審注:引用文献１は、審決で引用する引用文献である。
　ア　しかしながら、引用発明は、引用文献の段落００１８の「……
電極の第２層
透光性の低い電極
遮光性の金属電極
その手前の絶縁膜と半導体の境界の反射
　イ　よって、「第２層」それ自体を、単層又は多層構造で設計するかは、当業者が適宜決め得ることであり、多層構造でなければならないというものではない。
(２)請求人は、引用文献１に記載された発明において、「第１層」及び「第２層」の側面を連続して設ける構成を採用することには、阻害要因が存在する旨主張する(第３頁中段)。
　しかしながら、上記「２　判断(２)」で検討したように、その適用を妨げる特段の事情はない。
(３) 請求人は、本願発明の発明特定事項Ｃである「第１接着層及び第１ボンディング層は、側面が連続するように設けられている」との構成を採用すれば、補正後の請求項１ないし１３に係る発明においては、「第１接着層」及び「第１ボンディング層」を同一のフォトリソグラフィー工程で設けることが可能である旨主張する(第３頁下段)。　
　　　　
　しかしながら、補正後の請求項７ないし１３に係る「『導電型相互接続層を含む』『発光素子アレイ』」は、第１電極層が導電型相互接続層と一体化した態様を包含するところ、本願明細書には、「発光素子」及び「発光素子アレイ」の両者において、「第１接着層」及び「第１ボンディング層」を「同一のフォトリソグラフィー工程」で設けることは記載されておらず、請求人の主張は、明細書の記載に基づかない主張である。
　　
(４)以上のことから、請求人の主張は、採用できない。
４　まとめ　
　本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。　　　　
第５　むすび  　
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　　
　よって、結論のとおり審決する。