【事件の表示】
　特願２０１９−　４６０６０「レーザ加工システム」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　６月２０日出願公開、特開２０１９−　９６９１０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月１３日に出願された特願２０１１−１３１４９１号（以下「原出願」という。）の一部を平成２７年１０月１３日に新たな特許出願（特願２０１５−２０２０３２号）とし，さらに，その一部を平成２８年７月４日に新たな特許出願（特願２０１６−１３２２６４号）とし，さらに，その一部を平成２９年２月１６日に新たな特許出願（特願２０１７−２６９３９号）とし，さらに，その一部を同年６月２７日に新たな特許出願（特願２０１７−１２５５２６号）とし，さらに，その一部を平成３０年５月２２日に新たな特許出願（特願２０１８−９７８７７号）とし，さらに，その一部を平成３１年１月１８日に新たな特許出願（特願２０１９−７２９９号）とし，さらに，その一部を平成３１年３月１３日に新たな特許出願（特願２０１９−４６０６０号）としたものであり，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
　平成３１年　４月　３日：拒絶理由通知（起案日）
　平成３１年　４月２３日：意見書，手続補正書
　令和　元年　５月１３日：拒絶査定（起案日） 
　令和　元年　８月１３日：審判請求，手続補正書
　令和　元年　９月１０日：上申書
　令和　元年　９月２０日：拒絶理由通知（起案日） 
　令和　元年１１月２２日：意見書 
　２　本願発明
　令和元年８月１３日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　チップ強度の向上を図るレーザ加工システムにおいて，
　対物レンズを通してウェハの表面を撮像する撮像手段と，
　前記対物レンズを通して，前記ウェハの内部の中間位置よりも深く，前記ウェハの表面から５０μｍより前記ウェハの裏面側の位置に，前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して集光させて改質領域を形成するレーザ光照射手段と，
　前記ウェハを研削して前記改質領域を除去し，前記ウェハの厚みを５０μｍ以下とする研削手段と，
　前記研削が行われた後，前記ウェハの表面に新たな分割のための起点を形成することなく，前記ウェハに外力を加えてチップに分割する分割手段と，
　を備える，レーザ加工システム。」
　３　拒絶の理由
　令和元年９月２０日付けで当審が通知した拒絶理由は，大略，次のとおりのものである。
（進歩性）この出願の請求項１ないし３に係る発明は，その原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記１ないし６の引用文献に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
１．特開２００９−２９００５２号公報 
２．特開２００５−１６６７２８号公報
３．国際公開０３／０７７２９５号
４．特開２００７−２３５０６９号公報 
５．特開２００９−１２４０３５号公報
６．特開２００９−１５２２８８号公報
　４　引用文献の記載及び引用発明
（１）引用文献１には，以下の事項が記載されている。
「【請求項２】
　
基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを，該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって，
　該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と，
　該変質層形成工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と，
　該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と，
　該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と，
　環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と，を含む，
　ことを特徴とするウエーハの分割方法
「【発明の効果】
【０００８】
　本発明におけるウエーハの分割方法によれば，基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とウエーハの基板に形成されたストリートの表面に被覆された膜をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施し後に，ウエーハに外力を付与してウエーハをストリートに沿って破断するので，ウエーハをストリートに沿って破断する際には膜はストリートに沿って分断されているため，膜が破断されずに残ることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下，本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について，添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
　図１には本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図が示されており，図２には図１に示すウエーハの要部を拡大した断面図が示されている。
図１および図２に示すウエーハ２は，例えば厚さが６００μｍのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されている。このウエーハ２には，図２に示すようにストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａに図示の実施形態においてはポリイミド（ＰＩ）系高分子化合物膜２４が被覆されている
【００１１】
　上述したウエーハ２を個々のデバイス２３に分割するウエーハの分割方法の第１の実施形態について説明する。
　第１の実施形態においては，先ずウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１ｂを研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程を実施するに際し，図示の実施形態においてはウエーハ２の表面に形成されたデバイス２３を保護するために，図３の(a)および(b)に示すようにウエーハ２の表面２１ａに塩化ビニール等からなる保護テープ３を貼着する（保護テープ貼着工程）。
【００１２】
　
裏面研削工程は，図４の（ａ）に示す研削装置４を用いて実施する
図４の（ａ）に示す研削装置４は，被加工物を保持するチャックテーブル４１と，該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削手段４３を具備している
【００１３】
　次に，上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。
この変質層形成工程は，図５に示すレーザー加工装置５を用いて実施する
図５に示すレーザー加工装置５は，被加工物を保持するチャックテーブル５１と，該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と，チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している
【００１４】
　
上記レーザー光線照射手段５２は，実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。このパルスレーザー光線発振手段は，図示の実施形態においては，ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長（例えば，１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を発振する。上記ケーシング５２１の先端部には，パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されている
【００１５】
　上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は，可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に，被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と，該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と，該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されている。この撮像手段５３は，撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１６】
　
図５に示すレーザー加工装置５を用いて変質層形成工程を実施するには，図５に示すようにチャックテーブル５１上にウエーハ２の表面２１ａに貼着された保護テープ３側を載置する。そして，図示しない吸引手段を作動することにより，保護テープ３を介してウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する（ウエーハ保持工程）
【００１７】
　チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると，撮像手段５３および図示しない制御手段によってウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント工程を実行する。即ち，撮像手段５３および図示しない制御手段は，ウエーハ２に形成されているストリート２２と，ストリート２２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し，レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。このアライメント工程を実施する際にはウエーハ２のストリート２２が形成されている表面２１ａは下側に位置しているが，撮像手段５３が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので，裏面２１ｂから透かしてストリート２２を撮像することができる。
【００１８】
　以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されたウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば，図６の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し，所定のストリート２２の一端（図６の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。そして，集光器５２２からシリコン基板２１に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図６の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして，図６の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の照射位置がストリート２２の他端（図６の（b）において右端）の位置に達したら，パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。
この変質層形成工程においては，パルスレーザー光線の集光点Ｐを半導体ウエーハ２の厚さ方向中間部に位置付ける。この結果，ウエーハ２の基板２１には，図６の（ｂ）および図７に示すようにストリート２２に沿って厚さ方向中間部に変質層２１０が形成される。このようにウエーハ２の基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層２１０が形成されると，基板２１には図７に示すように変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに向けてストリート２２に沿ってクラック２１１が発生する
「【００２５】
　以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持されたウエーハ２に形成されているストリート２２を検出し，レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば，図１０の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し，所定のストリート２２を集光器５２２の直下に位置付ける。このとき，図１０の（ａ）で示すように半導体ウエーハ２は，ストリート２２の一端(図１０の（ａ）において左端)が集光器５２２の直下に位置するように位置付けられる。次に，
レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からウエーハ２の高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図１０の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる
この膜分断工程においては，パルスレーザー光線の集光点Ｐをウエーハ２の表面に被覆された高分子化合物膜２４の表面（上面）付近に合わせる
【００２６】
　
上述した膜分断工程を実施することにより，図１１に示すように高分子化合物膜２４にはストリート２２に沿って基板２１に達するレーザー加工溝２４０が形成される。この結果，ストリート２２に被覆された高分子化合物膜２４は，レーザー加工溝２４０によってストリート２２に沿って分断される。この膜分断工程においては，高分子化合物膜２４はレーザー加工するが直ちに昇華され，シリコンからなる基板２１は加工しないので，レーザー加工によるデブリの発生が抑制される
「【００３１】
　以上のように構成されたテープ拡張装置６を用いて実施するウエーハ破断工程について図１３を参照して説明する。即ち，ウエーハ２（ストリート２２に沿って基板２１にクラック２１１が形成されているとともに高分子化合物膜２４にレーザー加工溝２４０が形成されている）の裏面２１ｂが貼着されているダイシングテープＴが装着された環状のフレームＦを，図１３の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し，クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する。このとき，フレーム保持部材６１１は図１３の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に，テープ拡張手段６２を構成する支持手段６３としての複数のエアシリンダ６３１を作動して，環状のフレーム保持部材６１１を図１３の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って，フレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に固定されている環状のフレームＦも下降するため，図１３の（ｂ）に示すように環状のフレームＦに装着されたダイシングテープＴは拡張ドラム６２１の上端縁に接して拡張せしめられる。
この結果，ダイシングテープＴに貼着されているウエーハ２には放射状に引張力が作用するため，ウエーハ２の基板２１は変質層２１０およびクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割される
【００３２】
　次に，本発明による
ウエーハの分割方法
　第２の実施形態においては，
先ずウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する
この変質層形成工程を実施するに際し
上記図５に示すようにレーザー加工装置５を用いて上記図６に示す変質層形成工程と同様に実施する
変質層２１０から表面２１ａおよび裏面２１ｂに向けてクラック２１１が発生する
【００３３】
　
上述した変質層形成工程を実行したならば，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１ｂを研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する
この裏面研削工程は，図４の（ａ）に示す研削装置４を用いて上記第１の実施形態における裏面研削工程と同様に実施する。この結果，図１５に示すようにウエーハ２は，基板２１の裏面２１ｂが研削されて所定の厚さ（例えば１００μｍ）に形成される
上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２ａから例えば１００μｍの位置より裏面２ｂに形成することにより，上記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０は除去される。従って，ウエーハ２の基板２１には，図１５に示すようにストリート２２に沿って形成されたクラック２１１が残される
【００３４】
　次に，
上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する
ウエーハ２における基板２１の表面２１ａに貼着されている保護テープ３を剥離する（保護テープ剥離工程）
【００３５】
　上述したウエーハ支持工程および保護テープ剥離工程を実施したならば，
上記ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する
この膜分断工程は，上記図９に示すレーザー加工装置５を用いて，上記図１０に示す膜分断工程と同様に実施する
【００３６】
　上記膜分断工程を実施したならば，
ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する
このウエーハ破断工程は，上記図１２に示すテープ拡張装置６を用いて上記図１３に示すウエーハ破断工程と同様に実施する
この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割される
【００３７】
　
上述した実施形態においては，上記裏面研削工程でウエーハ２の基板２１の裏面を研削して変質層２１０が除去されており，ウエーハ２は基板２１に形成されたクラック２１１に沿って破断される。従って，個々の分割されたデバイス２３の破断面には変質層２１０が残存しないため，デバイス２３の抗折強度が向上する
（２）上記記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハの該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と，
　該変質層形成工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と，
　該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と，
　該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と，
　環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と，を含む，
　該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法に用いる，レーザー加工装置と，研削装置と，テープ拡張装置とを具備したレーザー光線を用いたウエーハの分割システムであって，
　前記ウエーハは，厚さが６００μｍの基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイスが形成されたものであり，このウエーハには，ストリートおよびデバイスを含む表面に，ポリイミド（ＰＩ）系高分子化合物膜が被覆されたものであり，
　前記レーザー加工装置は，被加工物を保持するチャックテーブルと，該チャックテーブル上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と，チャックテーブル上に保持された被加工物を撮像する撮像手段とを具備しており，
　ここで，前記レーザー光線照射手段は，実質上水平に配置された円筒形状のケーシングを含んでおり，該ケーシング内にはＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されるとともに，前記ケーシングの先端部には，パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器が装着されており，
　さらに，前記レーザー光線照射手段を構成するケーシングの先端部には撮像手段が装着されており，該撮像手段は，可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に，被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と，該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と，該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されているものであり，
　前記変質層形成工程においては，パルスレーザー光線の集光点をウエーハの厚さ方向中間部に位置付け，この結果，ウエーハの基板には，ストリートに沿って厚さ方向中間部に変質層が形成され，このようにウエーハの基板の内部にストリートに沿って変質層が形成されると，基板には，変質層から表面および裏面に向けてストリートに沿ってクラックが発生し，
　前記裏面研削工程は，ウエーハを，１００μｍの厚さに形成するものであって，前記裏面研削工程は，被加工物を保持するチャックテーブルと，該チャックテーブルに保持された被加工物を研削するための研削砥石を備えた研削手段を具備している前記研削装置を用いて実施するものであり，
　さらに，前記裏面研削工程は，前記変質層形成工程において形成される変質層をウエーハの表面から前記１００μｍの位置より裏面に形成することにより，前記裏面研削工程を実施することにより変質層が形成された位置まで研削され，変質層を除去し，従って，ウエーハの基板には，ストリートに沿って形成された，表面に向けて変質層から発生したクラックが残されるものであり，
　膜分断工程は，前記ウエーハを構成する基板の表面に被覆された高分子化合物膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリートに沿って高分子化合物膜に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜をストリートに沿って分断するものであって，この膜分断工程は，前記レーザー加工装置を用いて実施するものであり，
　ウエーハに外力を付与しウエーハをストリートに沿って破断するウエーハ破断工程は，テープ拡張装置を用いて実施するものであり，この結果，ウエーハの基板はクラックが形成されることによって強度が低下せしめられたストリートに沿って破断され個々のデバイスに分割されるものであり，
　前記裏面研削工程でウエーハの基板の裏面を研削して変質層が除去されており，ウエーハは基板に形成されたクラックに沿って破断されるものであることから，個々の分割されたデバイスの破断面には変質層が残存しないため，デバイスの抗折強度が向上する
　レーザー光線を用いたウエーハの分割システム。」
（３）引用文献２には，以下の事項が記載されている。
「【００３８】
　分断シロの帯幅は，レーザ光のスポット径，集光用レンズの倍率，レーザ光が通過する基板材料の屈折率を考慮し，上記（Ｂ）の工程において照射されるレーザ光が積層構造部を通過するときのビーム幅（分断シロの帯幅方向についてのビームの幅）を包含し得る幅とすることが好ましい。分断シロの帯幅を過度に狭く取ると，レーザ光と積層構造部とがオーバラップし変色する部分が生じる。また，分断シロの帯幅を過度に広く取ると，１枚の半導体ウエハーから得られるチップの数が少なくなる。
　
分断時に改質領域を起点として発生する割れは，分岐や進行方向の変更をしながら進むので，ウエハー基板の横方向にも広がりをもって基板表面に達する
　これらの点から，分断シロの帯幅Ｗ１は，５〜３０μｍ，特に１０〜２０μｍが好ましい寸法である。」
（４）引用文献３には，以下の事項が記載されている。
「背景技術 
　
近年の半導体デバイスの小型化に伴い，半導体デバイスの製造工程において，半導体基板が数１０μｍ程度の厚さにまで薄型化されることがある
「図２３Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
　図２３Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
　図２４Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
　図２４Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である
　図２５Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
　図２５Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。」（明細書第５ページ第４−２１行）
「図１及び図２に示すように，基板１の表面３には，基板１を切断すべき所望の切断予定ライン５がある。切断予定ライン５は直線状に延びた仮想線である（基板１に実際に線を引いて切断予定ライン５としてもよい）。本実施形態に係るレーザ加工は，多光子吸収が生じる条件で基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを基板１に照射して改質領域７を形成する。なお，集光点とはレーザ光Ｌが集光した箇所のことである。
　レーザ光Ｌを切断予定ライン５に沿って（すなわち矢印Ａ方向に沿って）相対的に移動させることにより，集光点Ｐを切断予定ライン５に沿って移動させる。これにより，図３〜図５に示すように改質領域７が切断予定ライン５に沿って基板１の内部にのみ形成され，この改質領域７でもって切断予定部９が形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は，基板１がレーザ光Ｌを吸収することにより基板１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。基板１にレーザ光Ｌを透過させ基板１の内部に多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よって，基板１の表面３ではレーザ光Ｌがほとんど吸収されないので，基板１の表面３が溶融することはない。
　
基板１の切断において，切断する箇所に起点があると基板１はその起点から割れるので，図６に示すように比較的小さな力で基板１を切断することができる
　
なお，切断予定部を起点とした基板の切断には，次の２通りが考えられる。１つは，切断予定部形成後，基板に人為的な力が印加されることにより，切断予定部を起点として基板が割れ，基板が切断される場合である
人為的な力が印加されるとは，例えば，基板の切断予定部に沿って基板に曲げ応力やせん断応力を加えたり，基板に温度差を与えることにより熱応力を発生させたりすることである
「実施例１では，上述した切断起点領域を形成する工程において，半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成され，この切断起点領域を起点として半導体基板１の厚さ方向に割れが発生している。図１６は切断起点領域形成後の半導体基板１を示す図である。図１６に示すように，半導体基板１において切断起点領域を起点として発生した
割れ１５は
裏面２１には到達していない
　なお，
「半導体基板１の内部の表面３側に近い位置に切断起点領域が形成される」とは，切断起点領域を構成する溶融処理領域等の改質領域が，半導体基板１の厚さ方向における中心位置（厚さの半分の位置）から表面３側に偏倚して形成されることを意味する
　 次に，半導体基板１を研磨する工程について，図１７〜図２１を参照して説明する。図１７〜２１は，半導体基板を研磨する工程を含む各工程を説明するための図である。なお，実施例１では，半導体基板１が厚さ３５０μｍから
厚さ５０μｍに薄型化される
「なお，半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては，図２３Ａ〜図２５Ｂに示すものがある。各図に示す半導体チップ２５には，後述するそれぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができる。ここで，図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａは，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合であり，図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂは，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合である。図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂの場合にも，半導体基板を研磨する工程後には，割れ１５が半導体基板１５の表面３に達する。
図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上する。
図２４Ａ及び
図２４Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効である
図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面の裏面側のエッジ部に残存する半導体チップ２５は，当該エッジ部が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５のエッジ部を面取りした場合と同様に，エッジ部におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することができる。
また，図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａに示すように，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合に比べ，図２３Ｂ，
図２４Ｂ
に示すように半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合の方が，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップ２５の切断面の直進性がより向上する
ところで，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に到達するか否かは，溶融処理領域１３の表面３からの深さに関係するのは勿論であるが，溶融処理領域１３の大きさにも関係する。すなわち，
溶融処理領域１３の大きさを小さくすれば，溶融処理領域１３の表面３からの深さが浅い場合でも，割れ１５は半導体基板１の表面３に到達しない
「また，
レーザ光Ｌの照射は
裏面２１側から行ってもよい
「
」
「
」
「
」
（５）引用文献４には，以下の事項が記載されている。
「【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　しかしながら，
レーザーダイシング装置では，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，衝撃や振動により内部の改質領域を起点として割段されてしまう場合がある。そして，一旦割段された場合，ウェーハとしてのハンドリングができず，以降の工程の進行が大幅に妨げられるという問題があった
「【００７１】
　次に，レーザーダイシング装置１０Ｂの構成について説明する。図８はレーザーダイシング装置１０Ｂの構成を模式的に表した側面図である。
【００７２】
　レーザーダイシング装置１０Ｂは，２ヘッドの装置であり，チャックテーブル２１２，図示しないガイドベース（Ｘガイドベース，Ｙガイドベース，Ｚガイドベース），レーザーヘッド２３１，２３１，及び図示しない制御手段等が備えられている。
【００７３】
　チャックテーブル２１２は，ウェーハＷを吸着載置し，不図示のθ回転軸により，θ方向に回転されるとともに，Ｘガイドベース上に取り付けられた不図示のＸテーブルによりＸ方向（紙面に垂直方向）に加工送りされる。
【００７４】
　チャックテーブル２１２の上方には，図示しないＹガイドベースが設けられている。このＹガイドベースには，図示しない２個のＹテーブルが設けられ，それぞれのＹテーブルには，図示しない２組のＺガイドレールが取り付けられている。それぞれのＺガイドレールには，不図示のＺテーブルが設けられ，それぞれのＺテーブルには，ホルダ２３２を介してレーザーヘッド２３１が取付けられており，
２個のレーザーヘッド２３１，２３１はそれぞれ独立してＺ方向に移動される
「【００７８】
　
レーザーヘッド２３１は
コンデンスレンズ２３１Ｄによって集光されるように構成されている
【００７９】
　レーザー光Ｌの集光点を，チャックテーブル２１２に載置されたウェーハＷの厚さ方向内部に設定すると，ウェーハＷの表面を透過したレーザー光Ｌは集光点でエネルギーが集中され，ウェーハ内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域，溶融領域，屈折率変化領域等の改質領域を形成する。」
（６）引用文献５には，以下の事項が記載されている。
「【００２３】
　レーザー光学部２０は，レーザー発振器２１，コリメートレンズ２２，ハーフミラー２３，
コンデンスレンズ（集光レンズ）２４
【００２４】
　また，観察光学部３０は，観察用光源３１，コリメートレンズ３２，ハーフミラー３３，コンデンスレンズ３４，観察手段としてのＣＣＤカメラ３５，画像処理装置３８，テレビモニタ３６などで構成されている。
【００２５】
　
レーザー光学部２０では，レーザー発振器２１から発振されたレーザー光はコリメートレンズ２２，ハーフミラー２３，コンデンスレンズ２４等の光学系を経てウェーハＷの内部に集光される
【００２６】
　
観察光学部３０では，観察用光源３１から出射された照明光がコリメートレンズ３２，ハーフミラー３３，コンデンスレンズ２４等の光学系を経てウェーハＷの表面を照射する。ウェーハＷの表面からの反射光はコンデンスレンズ２４，ハーフミラー２３及び３３，コンデンスレンズ３４を経由して観察手段としてのＣＣＤカメラ３５に入射し，ウェーハＷの表面画像が撮像される
【００２７】
　この撮像データは画像処理部３８に入力され，ウェーハＷのアライメントに用いられるとともに，制御部５０を経てテレビモニタ３６に写し出される。」
「【００３２】
　図２は，駆動手段２５の細部を説明する概念図である。
駆動手段２５は，コンデンスレンズ２４を保持するレンズフレーム２６，レンズフレーム２６の上面に取り付けられレンズフレーム２６を図のＺ方向に微小振動させる振動制御手段２７，振動制御手段２７を保持する保持フレーム２８，保持フレーム２８をウェーハＷと平行に微小移動させるリニア微動手段であるＰＺ１，ＰＺ２などからなっている
【００３３】
　
振動制御手段としては，ピエゾ素子などの電圧印加によって伸縮する圧電素子を用いることができる。この圧電素子の伸縮によってコンデンスレンズ２４がＺ方向に微小に移動し，レーザー光の焦光点のＺ方向（厚さ方向）の位置をＺ方向に変更させることができる
「【００３６】
　次に，本発明に係るレーザー加工装置の別の実施形態について説明する。図３および図４はこの別の実施形態の駆動手段２５Ａを表わしたものである。図３は駆動手段２５Ａの平面図で，図４は図３のＡ−Ｏ−Ｂ断面図である。
【００３７】
　
駆動手段２５Ａは，図３および図４に示すように，コンデンスレンズ２４を保持するレンズフレーム２６Ａ，下端がレーザーヘッド４０のケース本体に固定されるとともに，上端がレンズフレーム２６Ａの鍔部下面にフレキシブルに連結され，レンズフレーム２６Ａを支持する３個のリニア微動手段であるＰＺ６，ＰＺ７，およびＰＺ８などからなっている
【００３８】
　
この３個のリニア微動手段であるＰＺ６，ＰＺ７，およびＰＺ８は，図３に示すように，円周上等間隔に配置されたピエゾ素子が用いられている
このピエゾ素子の伸縮によってコンデンスレンズ２４がＺ方向に微小送りされて，レーザー光の集光点のＺ方向の位置を変更させることができる
「
」
（７）引用文献６には，以下の事項が記載されている。
「【００２７】
　
レーザー光学部４０は
レーザー光を集光するコンデンスレンズ４６
制御部５０によって制御されコンデンスレンズ４６を光軸上で微小移動させるアクチュエータ４７
を備える
【００２８】
　レーザー発振装置４１は制御部５０によって制御され，レーザー発振装置４１から発振されるレーザー光のパワーやパルス幅が，加工対象のウェーハのドーパント種，ドープ量，ウェーハ厚さ等に応じて調節される。例えば，パルス幅が１μｓ以下であって，焦点におけるピークパワー密度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上となるレーザー光がレーザー発振装置４１から発振される。
【００２９】
　
レーザー発振装置４１により発振されたレーザー光は，コリメートレンズ４２，ハーフミラー４４，コンデンスレンズ４６等の光学系を経てウェーハＷの内部に集光される
レーザー光の焦点のＺ方向位置（鉛直方向位置）は，アクチュエータ４７によってコンデンスレンズ４６をＺ方向に微小移動させることにより調節される
【００３０】
　
本実施形態では，アクチュエータ４７として圧電素子を使用している。この圧電素子は中空の円筒形状であり，上端がレーザー光学部４０の本体（図示せず）に固定されており，下端がコンデンスレンズ４６を保持するレンズフレーム（図示せず）と接合されている。圧電素子は印加電圧に応じて伸縮し，コンデンスレンズ４６は圧電素子の伸縮に応じて光軸方向に微小移動する
【００３１】
　ここで，レーザー発振装置４１により発振されたレーザー光がウェーハＷの内部に形成する改質領域について説明する。図３（ａ）および（ｂ）は，ウェーハ内部の焦点近傍に形成される改質領域を示す図である。
【００３２】
　図３（ａ）に示すように，レーザー発振装置４１からウェーハＷの内部に入射したレーザー光Ｌ１によって，焦点近傍に改質領域Ｐが形成される。改質領域Ｐとは，焦点近傍で多光子吸収が誘起されることによりウェーハＷが変質した領域であって，クラック領域，溶融領域，屈折率変化領域等を含む。」
　５　本願発明と引用発明の対比
（１）本願発明と引用発明を対比する。
　ア　引用発明の「撮像手段」，「レーザー光線」，「ウエーハ」，「変質層」，「レーザー光線照射手段」，「研削装置」及び「テープ拡張装置」は，それぞれ，本願発明の「撮像手段」，「レーザ光」，「ウェハ」，「改質領域」，「レーザ光照射手段」，「研削手段」，及び「分割手段」に相当する。
　イ　引用発明の「レーザー光線を用いたウエーハの分割システム」を用いたウエーハの分割によって得られたデバイスは，「裏面研削工程でウエーハの基板の裏面を研削して変質層が除去されており，ウエーハは基板に形成されたクラックに沿って破断されるものであることから，個々の分割されたデバイスの破断面には変質層が残存しないため，デバイスの抗折強度が向上する」ものである。
　そして，引用発明の「個々の分割されたデバイス」は，チップと呼ばれるから，引用発明の，「抗折強度が向上」した「デバイス」は，「チップ強度」が向上したといえる。
　そうすると，本願発明と引用発明は，いずれも「チップ強度の向上を図る」ものである点で一致する。
　ウ　引用発明の「レーザー光線照射手段」は，「基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射」するものであって，「パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器」を含んでおり，レーザー加工装置におけるレーザー光線の集光に対物レンズを使用することは，例えば，引用文献２ないし６の図面等からも通常であるから，本願発明と引用発明は，いずれも「対物レンズを通して」「ウェハの裏面側からレーザ光を照射」するものである点で一致する。
　エ　引用発明の裏面研削工程は，「ウエーハを，１００μｍの厚さに形成するもの」であって，「前記裏面研削工程は，前記変質層形成工程において形成される変質層をウエーハの表面から前記１００μｍの位置より裏面に形成することにより，前記裏面研削工程を実施することにより変質層が形成された位置まで研削され，変質層を除去」するものである。
　一方，本願発明は，「前記ウェハの表面から５０μｍより前記ウェハの裏面側の位置に，前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して集光させて改質領域を形成」し，「前記ウェハを研削して前記改質領域を除去し，前記ウェハの厚みを５０μｍ以下とする」ものである。
　そうすると，引用発明と本願発明は，研削によるウェハの薄型化を，引用発明においては，研削後にウエーハが１００μｍの厚さとなるように行うのに対して，本願発明では，ウェハの厚みを５０μｍ以下とするように行う点で相違するものの，両者は，ウェハの表面から薄型化後のウェハの厚みより前記ウェハの裏面側の位置に，前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して集光させて改質領域を形成し，前記ウェハを研削して前記改質領域を除去し，前記ウェハの厚みを薄型化後のウェハの厚みとするものである点において一致する。
　オ　したがって，引用発明の「レーザー光線を用いたウエーハの分割システム」と，本願発明の「レーザ加工システム」は，以下の相違点を除いて一致する。
　カ　以上のことから，本願発明と引用発明との一致点及び一応の相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「チップ強度の向上を図るレーザ加工システムにおいて，
　ウェハの表面を撮像する撮像手段と，
　対物レンズを通して，前記ウェハの表面から薄型化後のウェハの厚みより前記ウェハの裏面側の位置に，前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して集光させて改質領域を形成するレーザ光照射手段と，
　前記ウェハを研削して前記改質領域を除去し，前記ウェハの厚みを薄型化後のウェハの厚みとする研削手段と，
　前記研削が行われた後，前記ウェハに外力を加えてチップに分割する分割手段と，
　を備える，レーザ加工システム。」 
  
＜相違点＞ 
（相違点１）
　本願発明では，撮像手段は，「対物レンズを通して」ウェハの表面を撮像するものであって，当該対物レンズは，レーザ光照射手段におけるレーザ光を通す対物レンズでもあるのに対して，引用発明の撮像手段は，レーザー光線照射手段を構成するケーシングの先端部に装着されたものである点。
（相違点２）
　ウェハの表面から薄型化後のウェハの厚みより前記ウェハの裏面側の位置に，前記ウェハの裏面側からレーザ光を照射して集光させて改質領域を形成し，前記ウェハを研削して前記改質領域を除去し，前記ウェハの厚みを薄型化後のウェハの厚みとする際の，薄型化後のウェハの厚みが，本願発明では，「５０μｍ以下」であるのに対して，引用発明では，「１００μｍ」である点。
（相違点３）
　レーザ光を照射して集光させる位置が，本願発明は，「ウェハの内部の中間位置よりも深く」と特定されているのに対して，引用発明では，そのような事項が明記されていない点。
（相違点４）
　本願発明は，研削が行われた後，「前記ウェハの表面に新たな分割のための起点を形成することなく」，ウェハに外力を加えてチップに分割するものであるのに対して，引用発明では，前記研削が行われた後，ウェハに外力を加えてチップに分割する際に，「前記ウェハの表面に新たな分割のための起点を形成することなく」とは明記されていない点。
　６　判断
（１）相違点１について
　レーザ光を照射する対物レンズを通して，ウェハの表面を撮像する撮像手段は，引用文献３の図１４，引用文献５の図１にも記載されているように周知である。
　したがって，引用発明において，相違点１に係る本願発明の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
（２）相違点２について
　引用文献１の【００３３】には，「この結果，図１５に示すようにウエーハ２は，基板２１の裏面２１ｂが研削されて所定の厚さ（例えば１００μｍ）に形成される。」と記載されている。そうすると，引用発明の「１００μｍ」という値は，引用文献１の前記記載に照らして，「例えば」として示された例示の数値にすぎず，引用発明において，薄型化後のウェハの厚みを，「１００μｍ」以外のものに変更することは単なる設計事項といえる。
　一方，引用文献３の，明細書第１ページ第６−８行の「近年の半導体デバイスの小型化に伴い，半導体デバイスの製造工程において，半導体基板が数１０μｍ程度の厚さにまで薄型化されることがある。」との記載，及び，明細書第１９ページ第１８−１９行の「厚さ５０μｍに薄型化される。」との記載に照らして，薄型化後のウェハの厚みを，「５０μｍ以下」とすることは格別のこととは認められない。
　したがって，引用発明において，相違点２に係る本願発明の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
（３）相違点３について
　引用発明は，厚さが６００μｍであるウエーハの基板の裏面を，基板内部に形成された変質層を除去する一方で，ストリートに沿って形成された，表面に向けて変質層から発生したクラックが残るように研削して，研削後の厚さを１００μｍとする工程を含むウエーハの分割方法に用いるレーザー光線を用いたウエーハの分割システムに係る発明である。
　そして，引用発明において，ウエーハは，研削後にウエーハの裏面に残るクラックを起点として，ウエーハに外力を付与し，ウエーハをストリートに沿って破断するものである。
　一方，ウエーハをストリートに沿って破断して作製した個々のデバイスの形状・寸法が，設計したとおりのものであることが望ましいことは当然であって，そのためには，研削後にウエーハの裏面に残るクラックの水平方向の位置（Ｘ−Ｙ平面上の位置）が，ウエーハの裏面側から照射したレーザー光線の集光点が位置付けられたストリートの水平方向の位置（Ｘ−Ｙ平面上の位置）に等しいことが望まれることは明らかである。
　他方，引用文献２の【００３８】に記載されているように，改質領域を起点として発生する割れは，分岐や進行方向の変更をしながら進むので，改質領域を形成した位置と，改質領域から表面に向けて（すなわちＺ方向に向けて）発生したクラックの先端部の位置は，その水平方向の位置（Ｘ−Ｙ平面上の位置）においてずれが生じる場合があることが理解される。
　してみれば，作製する個々のデバイスの形状・寸法を，設計のとおりのものとするために，改質領域を形成した位置と，改質領域から表面に向けて発生したクラックの先端部の位置の水平方向のずれが少なくなるように，改質領域を形成する位置と，研削後にウエーハの裏面に残るクラックの先端部の位置との距離（Ｚ方向の距離）を小さくすることは，当業者が当然に考慮する事項といえる。
　そうすると，薄型化後のウェハの厚みが「５０μｍ以下」となるように研削した後のウエーハの裏面に残るクラックの先端部の位置の制御性を高めるために，ウェハの内部にレーザ改質領域を形成するためのレーザ光の集光を，厚さが６００μｍであるウエーハの基板の中間位置より裏面側に寄った位置である，表面から３００μｍから６００μｍの範囲ではなく，より表面側に寄った位置である，表面から５０μｍから３００μｍの範囲に含まれる位置，すなわち，「ウェハの内部の中間位置よりも深」い位置とすることは当業者が容易になし得たことといえる。
　このことは，引用文献３の図２４Ｂにおいて，引用発明と同様に，基板の裏面を，基板内部に形成された変質層を除去する一方で，ストリートに沿って形成された，表面に向けて変質層から発生したクラックが残るように研削する工程を含むウエーハの分割する際に，変質層形成工程のレーザ光を，前記ウェハの厚さ方向において前記ウェハの中間位置よりも前記ウェハの表面側に寄った位置に集光することが記載されていることからも明らかである。
　したがって，引用発明において，相違点３に係る本願発明の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
（４）相違点４について
　引用文献１の，「【００２５】・・・レーザー光線照射手段５２の集光器５２２からウエーハ２の高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図１０の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。・・・この膜分断工程においては，パルスレーザー光線の集光点Ｐをウエーハ２の表面に被覆された高分子化合物膜２４の表面（上面）付近に合わせる。【００２６】上述した膜分断工程を実施することにより，図１１に示すように高分子化合物膜２４にはストリート２２に沿って基板２１に達するレーザー加工溝２４０が形成される。この結果，ストリート２２に被覆された高分子化合物膜２４は，レーザー加工溝２４０によってストリート２２に沿って分断される。この膜分断工程においては，高分子化合物膜２４はレーザー加工するが直ちに昇華され，シリコンからなる基板２１は加工しないので，レーザー加工によるデブリの発生が抑制される。」との記載に照らして，引用発明の膜分断工程において，基板が加工されて新たな分割のための起点が形成されることはない。
　すなわち，引用発明において，ウエーハの破断は，クラックが形成されることによって強度が低下せしめられた基板の裏面に残されたクラックを起点として生じるものといえる。
　したがって，引用発明は，「前記ウェハの表面に新たな分割のための起点を形成することなく」，ウェハに外力を加えてチップに分割するものといえるから，相違点４は実質的なものではない。
（５）そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本願発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２ないし６に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
（６）請求人は，令和元年１１月２２日に提出した意見書において，「（ウ）すなわち，引用文献１は，『裏面研削工程』と『ウエーハ破断工程』との間に『膜分断工程』を行うことを開示するにすぎず，『膜分断工程』を捨象したあらゆる構成を示唆するものとはいえず，本願発明１の構成を直接開示ないし示唆するものとはいえない。」と主張する。
　しかしながら，本願発明は，上記２に記載したとおりの，特定の構成を有する「撮像手段」，「レーザ光照射手段」，「研削手段」及び「分割手段」を備える，レーザ加工システムという物の発明であって，当該レーザ加工システムによってレーザ改質領域を形成した後のウェハへの処理の態様（レーザ加工システムの使用方法）を何ら限定するものではない。
　そして，上記（１）ないし（５）で検討したように，本願発明に係るレーザ加工システムは，引用発明と引用文献２ないし６に記載された技術から当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　したがって，請求人の前記主張は，請求項の記載に基づかないものであって採用することはできない。
（７）小括
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用発明及び引用文献２ないし６に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　７　むすび
　本願発明は，その原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載の発明及び引用文献２ないし６に記載された技術に基づいて，その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。