【事件の表示】
　特願２０１９−１２６０２８「ウェーハ加工システム及びウェーハ加工方法」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年１０月３１日出願公開，特開２０１９−１９２９３７〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成２３年６月１３日に出願された特願２０１１−１３１４９１号（以下，「原出願」という。）の一部を平成２７年１０月１３日に新たな特許出願（特願２０１５−２０２０３２号）とし，さらに，その一部を平成２８年７月４日に新たな特許出願（特願２０１６−１３２２６４号）とし，さらに，その一部を平成２９年２月１６日に新たな特許出願（特願２０１７−２６９３９号）とし，さらに，その一部を同年６月２７日に新たな特許出願（特願２０１７−１２５５２６号）とし，さらに，その一部を平成３０年５月２２日に新たな特許出願（特願２０１８−９７８７７号）とし，さらに，その一部を平成３１年１月１８日に新たな特許出願（特願２０１９−７２９９号）とし，さらに，その一部を平成３１年３月１３日に新たな特許出願（特願２０１９−４６０６０号）とし，さらに，その一部を平成３１年４月２２日に新たな特許出願（特願２０１９−８１０４５号）とし，さらに，その一部を令和元年７月５日に新たな特許出願（特願２０１９−１２６０２８号）としたものであって，同年７月１９日付け拒絶理由通知に対し，同年８月２１日に意見書が提出されたが，同年８月２９日付けで拒絶査定（以下，「原査定」という。）がされ，これに対し，同年１１月２８日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。 
第２　本願発明
　本願の請求項１，２に係る発明は，出願当初の特許請求の範囲の請求項１，２に記載された事項により特定されるものであり，そのうち請求項２に係る発明は，次のとおりのものである。 
「【請求項２】
　チップの抗折強度の向上を図るウェーハ加工方法において，
　デバイス表面に保護フィルムを貼り付けたウェーハにおいて，前記ウェーハの裏面からパルスレーザを照射し，前記ウェーハの内部であって前記ウェーハの厚みの半分よりも深い位置に集光点を設定して改質領域を形成し，前記改質領域から延びる亀裂は前記ウェーハの裏面に到達しない改質領域形成工程と，
　前記改質領域を除去して前記改質領域から進展した亀裂を残すように前記ウェーハの裏面を研削加工し，続いて前記亀裂を残しつつ前記研削加工で生じた加工歪を研磨除去する，連続した研削・研磨工程と，
　を有するウェーハ加工方法。」（以下「本願発明」という。） 
第３　原査定の理由 
　拒絶査定の理由は，概略，次のとおりのものである。
（進歩性）この出願の請求項１，２に係る発明は，その原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の引用文献１乃至６に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
１．特開２００７−２３５０６８号公報
２．国際公開第０３／７７２９５号
３．特開２００５−８６１１１号公報
４．特開２００６−１２９０２号公報
５．特開２００９−２８９７７３号公報
６．特開２００９−２９０１４８号公報
第４　当審の判断 
　１　引用文献の記載事項，及び，引用発明
（１）引用文献１の記載事項，及び，引用発明
　ア　原査定に引用された，原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００７−２３５０６８号公報（平成１９年９月１３日出願公開。以下「引用文献１」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【請求項１】
　ウェーハの裏面を研削加工し，研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２まで前記ウェーハの裏面を加工する第１の機械加工ステップと，
　第１の機械加工後の前記ウェーハにレーザー光を照射して内部へ改質領域を形成する改質領域形成ステップと，
　改質領域形成後の前記ウェーハの裏面を研削加工し，研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し，ウェーハの最終加工厚さＴ１まで前記ウェーハの裏面を加工する第２の機械加工ステップと，
　を備えることを特徴とするウェーハ加工方法。
【請求項２】
　第１の機械加工前の前記ウェーハの表面に該ウェーハの表面に形成されたパターンを保護する保護用テープを貼着するテープ貼着ステップと，
　第２の機械加工後の前記ウェーハの表面に紫外線光を照射する紫外線光照射ステップと，
　紫外線光照射後の前記ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着して前記ウェーハをフレームへマウントするテープマウントステップと，
　フレームへマウントされた前記ウェーハの表面に貼着されている前記保護用テープの剥離を行うテープ剥離ステップと，
　前記保護用テープが剥離された前記ウェーハの前記ダイシングテープが貼着された側より，前記ダイシングテープのエキスパンドを行い，前記ウェーハの各チップ間の間隔を拡張するエキスパンドステップと，
　を備える請求項１に記載のウェーハ加工方法。
【請求項３】
　前記ウェーハの内部に形成する改質領域がウェーハの表面より厚さ方向にＴ１までの距離の位置である請求項１又は２に記載のウェーハ加工方法。」
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，ウェーハ加工方法に係り，特に，
半導体ウェーハの平面加工からチップサイズに切断されたウェーハのマウントまでを欠陥なく行うのに好適なウェーハ加工方法に関する
【背景技術】
【０００２】
　半導体装置や電子部品等の製造工程では，先ず表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウェーハに対して，プロービング，ダイシング，ダイボンディング，及びワイヤボンディング等の各工程を経た後，樹脂モールドされて半導体装置や電子部品等の完成品となるのが一般的である。
【０００３】
　
ところで近年，メモリーカードや薄型ＩＣカード等に組込まれる極薄の半導体装置や電子部品の需要が高まっており，厚さが１００μｍ以下の極薄ウェーハの要求が増大している
「【０００９】
　
ところが，従来のチップ製造方法では，厚さが１００μｍ以下の極薄のウェーハＷをダイシングソーにより切断した際，切断時にウェーハＷにチッピングや割れが生じ，多くの不良チップが発生する問題があった
【００１０】
　
この問題を解決する手段として，従来のダイシングソーによる切断に代えて，ウェーハＷの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射させ，ウェーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップＴに分割するレーザー加工方法に関する技術が提案されている
【００１１】
　上記の特許文献１〜６で提案されている技術は，従来のダイシングソーによるダイシング装置に代えて，図１７に示されるように，レーザー光源ＬＳから出射されたレーザー光ＬをウェーハＷの内部に集光させ，ウェーハＷの内部に連続して改質領域Ｋを形成することによりウェーハＷを割断するダイシング装置（以下，レーザーダイシング装置と称する）を提案したものである。
【００１２】
　レーザーダイシング装置では，高速回転するダイヤモンドブレードに代えて，レーザー光によりウェーハがチップに分割されるため，ウェーハに大きな力がかからず，チッピングや割れが発生しない。また，ウェーハに直接接触する部分がなく，熱や切削屑が発生しないため，切削水を必要としない。更に，内部に改質領域を形成してウェーハの割段を行いチップに分割するため，チップの間隔がダイヤモンドブレードによる切断よりも非常に狭く，一枚のウェーハからより多くのチップを得られる。」
「【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　しかしながら，
レーザーダイシング装置では，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，衝撃や振動により内部の改質領域を起点として割段されてしまう場合がある。そして，一旦割段された場合，ウェーハとしてのハンドリングができず，以降の工程の進行が大幅に妨げられるという問題があった
【００１４】
　
本発明は，このような問題に対してなされたものであり
レーザーダイシング装置によりダイシングされたウェーハを，割段されずに後工程に供給（搬送）できるウェーハ加工方法を提供することを目的とする
「【課題を解決するための手段】
【００１５】
　
本発明は，前記目的を達成するために，ウェーハの裏面を研削加工し，研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２まで前記ウェーハの裏面を加工する第１の機械加工ステップと，第１の機械加工後の前記ウェーハにレーザー光を照射して内部へ改質領域を形成する改質領域形成ステップと，改質領域形成後の前記ウェーハの裏面を研削加工し，研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し，ウェーハの最終加工厚さＴ１まで前記ウェーハの裏面を加工する第２の機械加工ステップと，を備えることを特徴とするウェーハ加工方法を提供する
【００１６】
　
本発明によれば，第１の機械加工ステップにおいて，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２までウェーハの裏面を加工する。すなわち，ダイシング後のウェーハの機械的強度が大幅に向上する。したがって，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，多少の衝撃や振動を受けても，内部の改質領域を起点として割段されてしまうような不具合は激減又は皆無となる
【００１７】
　このように，本発明によれば，レーザーダイシング装置によりダイシングされたウェーハを，ダメージを与えることなくチップに分割することができる。
【００１８】
　なお，厚さＴ２は，最終加工厚さＴ１より１００〜３００μｍ厚いことが好ましく，最終加工厚さＴ１より１５０〜２５０μｍ厚いことがより好ましい。
【００１９】
　
本発明において，第１の機械加工前の前記ウェーハの表面に該ウェーハの表面に形成されたパターンを保護する保護用テープを貼着するテープ貼着ステップと，第２の機械加工後の前記ウェーハの表面に紫外線光を照射する紫外線光照射ステップと，紫外線光照射後の前記ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着して前記ウェーハをフレームへマウントするテープマウントステップと，フレームへマウントされた前記ウェーハの表面に貼着されている前記保護用テープの剥離を行うテープ剥離ステップと，前記保護用テープが剥離された前記ウェーハの前記ダイシングテープが貼着された側より，前記ダイシングテープのエキスパンドを行い，前記ウェーハの各チップ間の間隔を拡張するエキスパンドステップと，を備えることが好ましい
【００２０】
　このように，ウェーハは，装置内の少ない移動距離で，裏面の研削加工から始まって，ＵＶ光照射，フレームへのマウント，保護シート剥離，及びエキスパンドまでの各ステップ（工程）を終了することが可能となる。したがって，搬送中や各工程の作業中にチップへダメージを与える可能性が最小限に抑えられる。また，エキスパンドされた状態でカセットへ格納されるため，チップマウント工程を直ちに進められるのでスループットの向上が可能となる。
【００２１】
　
また，本発明において，前記ウェーハの内部に形成する改質領域がウェーハの表面より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であることが好ましい。このような厚さ方向に改質領域が形成されれば，ウェーハの割断が容易となる
「【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
　
以下，添付図面に従って，本発明に係るウェーハ加工方法の好ましい実施の形態について詳説する
【００２５】
　
図１は，本発明が適用されるウェーハ加工装置１０の全体構成を示す平面図である。このウェーハ加工装置１０は，上流側（左側）より，平面加工装置１０Ａ，レーザーダイシング装置１０Ｂ，平面加工装置１０Ｃ，及びウェーハマウント装置１０Ｄで構成されている。以下，順に説明する
【００２６】
　
平面加工装置１０Ａは，第１の機械加工ステップに使用され，平面加工装置１０Ｃは，第２の機械加工ステップに使用される
【００２７】
　なお，平面加工装置を図１のように２台設けず，１台の平面加工装置１０Ａ（又は１０Ｃ）で第１及び第２の機械加工ステップに対応させてもよい。
【００２８】
　図２は，
平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）の斜視図であり，図３は平面図である。図２に示されるように平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）の本体１１２には，カセット収納ステージ１１４，アライメントステージ１１６，粗研削ステージ１１８，精研削ステージ１２０，研磨ステージ１２２，研磨布洗浄ステージ１２３，研磨布ドレッシングステージ１２７，及びウェーハ洗浄ステージ１２４が設けられている
【００２９】
　また，
粗研削ステージ１１８，精研削ステージ１２０，研磨ステージ１２２は，図３の二点鎖線で示される仕切板１２５によって仕切られ，各々のステージ１１８，１２０，１２２で使用する加工液が隣接するステージに飛散するのが防止されている
【００３０】
　
仕切板１２５は図５，図６に示されるようにインデックステーブル１３４に固定されるとともに，インデックステーブル１３４に設置された４台のチャック（保持手段に相当）１３２，１３６，１３８，１４０を仕切るように十字形状に形成されている
【００３１】
　このケーシング２０２の，仕切板１２５が通過する側面には，図７の如くブラシ２０４が取り付けられており，このブラシ２０４は，チャック１４０が加工位置に位置した時に，仕切板１２５の上面１２５Ａ及び側面１２５Ｂに接触される。
【００３２】
　これにより，チャック１４０が加工位置に位置すると，ケーシング２０２，仕切板１２５，及びブラシ２０４によって研磨ステージ１２２が略気密状態に保持されるので，精研削ステージ１２０で使用される研削加工液や加工屑が研磨ステージ１２２に浸入するのを防止でき，また，研磨ステージ１２２で使用される研磨加工液が研磨ステージ１２２から飛散するのを防止できる。
【００３３】
　したがって，双方の加工液が混入することに起因する加工不具合を防止できる。本例の研磨ステージ１２２は，化学機械研磨を行うもので，研磨加工液に化学研磨剤が含有されているので，このような研磨加工液に研削加工液が混入すると，化学研磨剤の濃度が低下し，加工時間が長くなるという不具合が生じる。よって，仕切板１２５を設けることによって，前記不具合を解消できる。
【００３４】
　なお，粗研削ステージ１１８は，図５，図６の如く本体１１２の側面，天板２０６，及び仕切板１２５によって囲まれており，また，精研削ステージ１２０も同様に本体１１２の側面，天板２０８，及び仕切板１２５によって囲まれている。これらの天板２００，２０６，２０８には，各ステージのヘッドが挿通される貫通孔２０１，２０７，２０９が形成されている。
【００３５】
　図６の符号２１０は，粗研削ステージ１１８を外部から隔離するためのブラシであり，このブラシ２１０は仕切板１２５の上面及び側面に接触されている。」
「【００３９】
　
チャック１３２は，インデックステーブル１３４に設置され，また，同機能を備えたチャック１３６，１３８，１４０が，インデックステーブル１３４の図３の破線で示される回転軸１３５を中心とする円周上に９０度の間隔をもって設置されている
【００４０】
　また，
回転軸１３５には，図３に破線で示されるモータ（移動手段に相当）１３７のスピンドル（不図示）が連結されている
チャック１３６は，粗研削ステージ１１８に位置されており，吸着したウェーハＷがここで粗研削される
【００４１】
　
また，チャック１３８は，精研削ステージ１２０に位置され，吸着したウェーハＷがここで仕上げ研削（精研削，スパークアウト）される
更に，チャック１４０は，研磨ステージ１２２に位置され，吸着したウェーハＷがここで研磨され，研削で生じた加工変質層，及びウェーハＷの厚さのバラツキ分が除去される
【００４２】
　
チャック１３２，１３６，１３８，１４０は，図４の如くその下面にスピンドル１９４と回転用モータ１９２が各々連結され，これらのモータ１９２の駆動力によって回転される。モータ１９２は，支持部材１９３を介してインデックステーブル１３４に支持されている
【００４３】
　
したがって，本実施の形態の平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）は，モータ１９２とスピンドル１９４がチャック１３２，１３６，１３８，１４０に連結された状態で，チャック１３２，１３６，１３８，１４０がモータ１３７によって移動される装置である
【００４４】
　これにより，チャック１３２，１３６，１３８，１４０をモータ１３７で移動させる毎に，スピンドル１９４をチャック１３２，１３６，１３８，１４０から切り離したり，次の移動位置に設置されたスピンドル１９４にチャック１３２，１３６，１３８，１４０を連結したりする手間を省くことができる。
【００４５】
　
本実施の形態のチャック１３２，１３６，１３８，１４０は，その吸着面がセラミックス等の焼結体からなるポーラス材で形成されている。これによってウェーハＷがポーラス材の表面にしっかりと吸着保持される
「【００６４】
　
研磨終了したウェーハＷは，加工変質層が除去されているので，容易に破損することはなく，よって，ロボット１９６による搬送時，及びウェーハ洗浄ステージ１２４における洗浄時において破損しない
「【００７４】
　
レーザー光Ｌの集光点を，チャックテーブル２１２に載置されたウェーハＷの厚さ方向内部に設定すると，ウェーハＷの表面を透過したレーザー光Ｌは集光点でエネルギーが集中され，ウェーハ内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域，溶融領域，屈折率変化領域等の改質領域を形成する
「【００７８】
　レーザーダイシング装置１０ＢでウェーハＷをレーザーダイシングする場合，通常，図１６に示されるように，
ウェーハＷは片方の面に粘着剤を有するダイシングシートＳを介してダイシング用のフレームＦにマウントされ，レーザーダイシング工程中はこの状態で搬送される
「【００９９】
　次に，本発明に係るウェーハ加工方法の実際の手順について説明する。図１２はウェーハ加工方法の動作順序を示したフロー図である。ウェーハＷの加工は，図１等により既述したウェーハ加工装置１０を使用して行われる。
【０１００】
　先ず，平面加工装置１０Ａを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），厚さＴ２まで加工する（ステップＳ１０）。すなわち，第１の機械加工ステップにおいて，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２までウェーハの裏面を加工する。これにより，ダイシング後のウェーハＷの機械的強度が大幅に向上する。したがって，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，多少の衝撃や振動を受けても，内部の改質領域Ｋを起点として割段されてしまうような不具合は激減又は皆無となる。
【０１０１】
　この厚さＴ２は，最終加工厚さＴ１より１００〜３００μｍ厚いことがより好ましく，最終加工厚さＴ１より１５０〜２５０μｍ厚いことが更に好ましい。
【０１０２】
　図１３は，表面（下面）に既述の保護用シート２１が貼着されたウェーハＷの断面図である。同図において，ウェーハＷは，裏面が加工された後に最終加工厚さＴ１より厚い厚さＴ２になっている。
【０１０３】
　次いで，レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して，ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して，ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ，Ｋ…を形成する（ステップＳ２０）。この改質領域Ｋ，Ｋ…のウェーハＷの厚さ方向の位置は，ウェーハの表面（下面）より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であることが好ましい。このような厚さ方向に改質領域が形成されれば，ウェーハの割断が容易となる。
【０１０４】
　次いで，平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工する（ステップＳ３０）。
【０１０５】
　次いで，プラズマ洗浄装置１９を使用して，ウェーハＷ上に残る有機汚染物を除去する（ステップＳ４０）。
【０１０６】
　次いで，ウェーハマウント装置１０Ｄを使用して，ウェーハＷの各チップ間の間隔を拡張する（ステップＳ５０）。以下，このエキスパンドステップについて図１４により説明する。図１４は，ウェーハマウント装置の動作順序を示したフロー図である。なお，既述の図１０は，ＵＶ光照射後のウェーハマウント装置１０Ｄの動作順序を模式的に示した側面図でもある。
【０１０７】
　まず，ステップＳ４０（前工程）において，ウェーハＷがプラズマ洗浄される。
【０１０８】
　そして，ウェーハＷが，全面吸着型の搬送装置４１により保護用シート２１側を下方に向けて吸着されて搬送され，ＵＶ照射装置１８から保護用シート２１へ向けてＵＶ光が照射され，保護用シート２１の粘着力を低下させる（ステップＳ５１）。
【０１０９】
　次いで，ダイシングテープ２２がウェーハＷの裏面とフレームＦへ貼着され，不要部分が切断されてウェーハＷがフレームＦへマウントされる（ステップＳ５２）。
【０１１０】
　フレームＦへマウントされたウェーハＷは，搬送装置３９により反転され，表面に貼着された保護シート２１が剥離される（ステップＳ５３）。
【０１１１】
　ウェーハＷは，エキスパンダ１３に搬送され，保持リングＲがダイシングテープ２２側から押圧され，ウェーハＷのエキスパンドが行われる（ステップＳ５４）。
【０１１２】
　エキスパンドされたウェーハＷは，カセットストッカー１４に載置されたカセットＣへ保持リングＲごと順次収納されていく（ステップＳ５５）。
【０１１３】
　以上説明したように，本発明に係るウェーハ加工方法によれば，レーザーダイシング装置によりダイシングされたウェーハを，ダメージを与えることなくチップに分割することができる。」
　イ　上記記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
（ア）引用文献１に記載された技術は，半導体ウェーハの平面加工からチップサイズに切断されたウェーハのマウントまでを欠陥なく行うのに好適なウェーハ加工方法に関するものであること。（【０００１】）
（イ）近年，メモリーカードや薄型ＩＣカード等に組込まれる極薄の半導体装置や電子部品の需要が高まっており，厚さが１００μｍ以下の極薄ウェーハの要求が増大しているところ，従来のチップ製造方法では，厚さが１００μｍ以下の極薄のウェーハＷをダイシングソーにより切断した際，切断時にウェーハＷにチッピングや割れが生じ，多くの不良チップが発生する問題があり，この問題を解決する手段として，従来のダイシングソーによる切断に代えて，ウェーハＷの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射させ，ウェーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップＴに分割するレーザー加工方法に関する技術が提案されているが，レーザーダイシング装置では，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，衝撃や振動により内部の改質領域を起点として割段されてしまう場合があり，そして，一旦割段された場合，ウェーハとしてのハンドリングができず，以降の工程の進行が大幅に妨げられるという問題があったこと。（【０００３】，【０００９】，【００１０】，【００１３】）
（ウ）引用文献１に記載された技術は，上記（イ）の問題に対してなされたものであり（【００１４】），ウェーハの裏面を研削・研磨加工し，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２まで前記ウェーハの裏面を加工する第１の機械加工ステップと，第１の機械加工後の前記ウェーハにレーザー光を照射して内部へ改質領域を形成する改質領域形成ステップと，改質領域形成後の前記ウェーハの裏面を研削・研磨加工し，ウェーハの最終加工厚さＴ１まで前記ウェーハの裏面を加工する第２の機械加工ステップと，を備えることを特徴とするウェーハ加工方法を提供すること（【００１５】）によって，第１の機械加工ステップ後のウェーハの厚さが，最終加工厚さより５０〜５００μｍ厚いことから，ダイシング後のウェーハの機械的強度が大幅に向上し，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，多少の衝撃や振動を受けても，内部の改質領域を起点として割段されてしまうような不具合は激減又は皆無となる（【００１６】）ことで，レーザーダイシング装置によりダイシングされたウェーハを，割段されずに後工程に供給（搬送）できるウェーハ加工方法を提供するという目的（【００１４】）を達成することができるものであること。
（エ）引用文献１に記載された技術において，ウェーハの内部に形成する改質領域がウェーハの表面より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であることが好ましいこと。（【００２１】）及び，このような厚さ方向に改質領域が形成されれば，ウェーハの割断が容易となること。（【００２１】）
（オ）引用文献１に記載された技術の好ましい実施の形態で用いられるウェーハ加工装置は，上流側より，平面加工装置１０Ａ，レーザーダイシング装置１０Ｂ，平面加工装置１０Ｃ，及びウェーハマウント装置１０Ｄで構成されているウェーハ加工装置１０であること。（【００２４】，【００２５】）
（カ）平面加工装置１０Ａは，第１の機械加工ステップに使用され，平面加工装置１０Ｃは，第２の機械加工ステップに使用されるものであり，
　平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）の本体１１２には，カセット収納ステージ１１４，アライメントステージ１１６，粗研削ステージ１１８，精研削ステージ１２０，研磨ステージ１２２，研磨布洗浄ステージ１２３，研磨布ドレッシングステージ１２７，及びウェーハ洗浄ステージ１２４が設けられており，
　粗研削ステージ１１８，精研削ステージ１２０，研磨ステージ１２２は，仕切板１２５によって仕切られ，隣接しており，
　仕切板１２５はインデックステーブル１３４に固定されるとともに，インデックステーブル１３４に設置された４台のチャック（保持手段に相当）１３２，１３６，１３８，１４０を仕切るように十字形状に形成されており，
　チャック１３２は，インデックステーブル１３４に設置され，また，同機能を備えたチャック１３６，１３８，１４０が，インデックステーブル１３４の回転軸１３５を中心とする円周上に９０度の間隔をもって設置されており，
　回転軸１３５には，モータ（移動手段に相当）１３７のスピンドルが連結されており，
　チャック１３６は，粗研削ステージ１１８に位置されており，吸着したウェーハＷがここで粗研削され，
　チャック１３８は，精研削ステージ１２０に位置され，吸着したウェーハＷがここで仕上げ研削（精研削，スパークアウト）され,
　チャック１４０は，研磨ステージ１２２に位置され，吸着したウェーハＷがここで研磨され，研削で生じた加工変質層，及びウェーハＷの厚さのバラツキ分が除去されるものであり，
　チャック１３２，１３６，１３８，１４０は，その下面にスピンドル１９４と回転用モータ１９２が各々連結され，これらのモータ１９２の駆動力によって回転されるものであり，モータ１９２は，支持部材１９３を介してインデックステーブル１３４に支持されており，したがって，平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）は，モータ１９２とスピンドル１９４がチャック１３２，１３６，１３８，１４０に連結された状態で，チャック１３２，１３６，１３８，１４０がモータ１３７によって移動される装置であり，
　チャック１３２，１３６，１３８，１４０は，その吸着面がセラミックス等の焼結体からなるポーラス材で形成されており，これによってウェーハＷがポーラス材の表面にしっかりと吸着保持されるものであり，
　研磨終了したウェーハＷは，加工変質層が除去されているので，容易に破損することはなく，よって，ロボット１９６による搬送時，及びウェーハ洗浄ステージ１２４における洗浄時において破損しないこと。（【００２６】−【００３５】，【００３９】−【００４５】，【００６４】）
（キ）レーザーダイシング装置１０Ｂは，レーザー光Ｌの集光点を，チャックテーブル２１２に載置されたウェーハＷの厚さ方向内部に設定して，ウェーハＷの表面を透過したレーザー光Ｌを集光点でエネルギーを集中させ，ウェーハ内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域，溶融領域，屈折率変化領域等の改質領域を形成するものであり，
　レーザーダイシング装置１０ＢでウェーハＷをレーザーダイシングする場合，ウェーハＷは片方の面に粘着剤を有するダイシングシートＳを介してダイシング用のフレームＦにマウントし，レーザーダイシング工程中はこの状態で搬送されること。（【００７４】，【００７８】）
（ク）引用文献１に記載されたウェーハ加工方法は，
　ａ　先ず，平面加工装置１０Ａを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），厚さＴ２まで加工するステップＳ１０であって，第１の機械加工ステップにおいて，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２までウェーハの裏面を加工することにより，ダイシング後のウェーハＷの機械的強度が大幅に向上し，したがって，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，多少の衝撃や振動を受けても，内部の改質領域Ｋを起点として割段されてしまうような不具合は激減又は皆無となるステップＳ１０と，
　ｂ　次いで，レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して，ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して，ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ，Ｋ…を形成するステップＳ２０と，
　ｃ　次いで，平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工するステップＳ３０と，
　ｄ　次いで，プラズマ洗浄装置１９を使用して，ウェーハＷ上に残る有機汚染物を除去するステップＳ４０と，
　ｅ　次いで，ウェーハマウント装置１０Ｄを使用して，ウェーハＷの各チップ間の間隔を拡張するステップＳ５０と，
　を含む，レーザーダイシング装置によりダイシングされたウェーハを，ダメージを与えることなくチップに分割することができるウェーハ加工方法であって，
　第１の機械加工前の前記ウェーハの表面に該ウェーハの表面に形成されたパターンを保護する保護用テープを貼着するテープ貼着ステップを備えることが好ましく，
　上記ステップＳ２０で形成される改質領域Ｋ，Ｋ…のウェーハＷの厚さ方向の位置は，ウェーハの表面（下面）より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であることが好ましく，このような厚さ方向に改質領域が形成されれば，ウェーハの割断が容易となる，
　ウェーハ加工方法であること。（【００１９】，【００９９】−【０１１３】）
　ウ　上記ア，イから，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ａ　先ず，平面加工装置１０Ａを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），厚さＴ２まで加工するステップＳ１０であって，第１の機械加工ステップにおいて，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２までウェーハの裏面を加工することにより，ダイシング後のウェーハＷの機械的強度が大幅に向上し，したがって，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，多少の衝撃や振動を受けても，内部の改質領域Ｋを起点として割段されてしまうような不具合は激減又は皆無となるステップＳ１０と，
　ｂ　次いで，レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して，ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して，ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ，Ｋ…を形成するステップＳ２０と，
　ｃ　次いで，平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工するステップＳ３０と，
　ｄ　次いで，プラズマ洗浄装置１９を使用して，ウェーハＷ上に残る有機汚染物を除去するステップＳ４０と，
　ｅ　次いで，ウェーハマウント装置１０Ｄを使用して，ウェーハＷの各チップ間の間隔を拡張するステップＳ５０と，
　を含む，
　第１の機械加工ステップにおいて，ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２までウェーハの裏面を加工することにより，ダイシング後のウェーハの機械的強度が大幅に向上し，したがって，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，多少の衝撃や振動を受けても，内部の改質領域を起点として割段されてしまうような不具合は激減又は皆無となることから，レーザーダイシング装置によりダイシングされたウェーハを，割段されずに後工程に供給（搬送）できるウェーハ加工方法を提供するという目的を達成することができるウェーハ加工方法であって，
　第１の機械加工前の前記ウェーハの表面に該ウェーハの表面に形成されたパターンを保護する保護用テープを貼着するテープ貼着ステップを備えることが好ましく，
　上記ステップＳ２０で形成される改質領域Ｋ，Ｋ…のウェーハＷの厚さ方向の位置は，ウェーハの表面（下面）より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であることが好ましく，このような厚さ方向に改質領域が形成されれば，ウェーハの割断が容易となるものであり，
　平面加工装置１０Ａは，第１の機械加工ステップに使用され，平面加工装置１０Ｃは，第２の機械加工ステップに使用されるものであり，
　平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）の本体１１２には，カセット収納ステージ１１４，アライメントステージ１１６，粗研削ステージ１１８，精研削ステージ１２０，研磨ステージ１２２，研磨布洗浄ステージ１２３，研磨布ドレッシングステージ１２７，及びウェーハ洗浄ステージ１２４が設けられており，
　粗研削ステージ１１８，精研削ステージ１２０，研磨ステージ１２２は，仕切板１２５によって仕切られ，隣接しており，
　仕切板１２５はインデックステーブル１３４に固定されるとともに，インデックステーブル１３４に設置された４台のチャック（保持手段に相当）１３２，１３６，１３８，１４０を仕切るように十字形状に形成されており，
　チャック１３２は，インデックステーブル１３４に設置され，また，同機能を備えたチャック１３６，１３８，１４０が，インデックステーブル１３４の回転軸１３５を中心とする円周上に９０度の間隔をもって設置されており，
　回転軸１３５には，モータ（移動手段に相当）１３７のスピンドルが連結されており，
　チャック１３６は，粗研削ステージ１１８に位置されており，吸着したウェーハＷがここで粗研削され，
　チャック１３８は，精研削ステージ１２０に位置され，吸着したウェーハＷがここで仕上げ研削（精研削，スパークアウト）され,
　チャック１４０は，研磨ステージ１２２に位置され，吸着したウェーハＷがここで研磨され，研削で生じた加工変質層，及びウェーハＷの厚さのバラツキ分が除去されるものであり，
　チャック１３２，１３６，１３８，１４０は，その下面にスピンドル１９４と回転用モータ１９２が各々連結され，これらのモータ１９２の駆動力によって回転されるものであり，モータ１９２は，支持部材１９３を介してインデックステーブル１３４に支持されており，したがって，平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）は，モータ１９２とスピンドル１９４がチャック１３２，１３６，１３８，１４０に連結された状態で，チャック１３２，１３６，１３８，１４０がモータ１３７によって移動される装置であり，
　チャック１３２，１３６，１３８，１４０は，その吸着面がセラミックス等の焼結体からなるポーラス材で形成されており，これによってウェーハＷがポーラス材の表面にしっかりと吸着保持されるものであり，
　研磨終了したウェーハＷは，加工変質層が除去されているので，容易に破損することはなく，よって，ロボット１９６による搬送時，及びウェーハ洗浄ステージ１２４における洗浄時において破損しないものであり，
　レーザーダイシング装置１０Ｂは，レーザー光Ｌの集光点を，チャックテーブル２１２に載置されたウェーハＷの厚さ方向内部に設定して，ウェーハＷの表面を透過したレーザー光Ｌを集光点でエネルギーを集中させ，ウェーハ内部の集光点近傍に多光子吸収によるクラック領域である改質領域を形成するものであり，
　レーザーダイシング装置１０ＢでウェーハＷをレーザーダイシングする場合，ウェーハＷは片方の面に粘着剤を有するダイシングシートＳを介してダイシング用のフレームＦにマウントし，レーザーダイシング工程中はこの状態で搬送される，
　ウェーハ加工方法。」
　
（２）引用文献２の記載事項
　ア　同じく原査定に引用された，原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，国際公開第０３／７７２９５号公報（２００３年９月１８日国際公開。以下「引用文献２」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「技術分野
　
本発明は，半導体デバイスの製造工程等において半導体基板等の基板を分割するために使用される基板の分割方法に関する
「
この基板の分割方法によれば，切断起点領域を形成する工程においては，基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，基板の内部に多光子吸収という現象を発生させて改質領域を形成するため，この改質領域でもって，基板を切断すべき所望の切断予定ラインに沿うよう基板の内部に切断起点領域を形成することができる。基板の内部に切断起点領域が形成されると，自然或いは比較的小さな力によって，切断起点領域を起点として基板の厚さ方向に割れが発生する
「まず，
半導体基板１の内部に切断起点領域を形成する工程について説明するが，その説明に先立って，切断起点領域を形成する工程において使用されるレーザ加工装置について，図１４を参照して説明する
レーザ光源１０１はパルスレーザ光を発生する
「図２３Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２３Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
図２４Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２４Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
図２５Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２５Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。」（明細書第５ページ第４−２１行）
「さて，本実施の形態において多光子吸収により形成される改質領域としては，次の（１）〜（３）がある。
（１）改質領域が１つ又は複数のクラックを含むクラック領域の場合」（明細書第８ページ第２４−２６行）
「（２）改質領域が溶融処理領域の場合」（明細書第１１ページ第１行）
「なお，
半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては，図２３Ａ〜図２５Ｂに示すものがある。各図に示す半導体チップ２５には，後述するそれぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができる
図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａは，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合であり，図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂは，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合である。図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂの場合にも，半導体基板を研磨する工程後には，割れ１５が半導体基板１５の表面３に達する。
図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上する
図２４Ａ及び図２４Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効である
図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面の裏面側のエッジ部に残存する半導体チップ２５は，当該エッジ部が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５のエッジ部を面取りした場合と同様に，エッジ部におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することができる。
また，図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａに示すように，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合に比べ，
図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂに示すように半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合の方が，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップ２５の切断面の直進性がより向上する
ところで，
半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に到達するか否かは，溶融処理領域１３の表面３からの深さに関係するのは勿論であるが，溶融処理領域１３の大きさにも関係する。すなわち，溶融処理領域１３の大きさを小さくすれば，溶融処理領域１３の表面３からの深さが浅い場合でも，割れ１５は半導体基板１の表面３に到達しない
「なお，・・・サファイア基板１の内部に集光点Ρを合わせてレーザ光Ｌを照射し，サファイア基板１の内部に改質領域７を形成してもよい。また，レーザ光Ｌの照射は，サファイア基板１の表面３側から行ってもよいし，裏面２１側から行ってもよい。」（明細書第２４ページ第１９−２３行）
「なお，サファイア基板１に換えてＡｌＮ基板やＧａＡｓ基板を用いた場合の基板の分割においても，上記同様の効果を奏する。」（明細書第２６ページ第１０−１１行）
「
」
「
」
　上記摘記を参酌すれば，図２４Ｂの左側の図から，半導体基板１の内部であって半導体基板１の厚みの半分よりも半導体基板１の表面３に近い位置に集光点を設定してパルスレーザ光を照射して溶融処理領域１３を形成する際に，半導体基板１を研磨する工程前に，溶融処理領域１３から延びる割れ１５が半導体基板１の表面３及び裏面２１のいずれにも達することがないようにすることを見て取ることができる。
　さらに，図２４Ｂの右側の図から，半導体基板１を研磨する工程後に，溶融処理領域１３が除去され，溶融処理領域１３から延びる割れ１５が研磨工程後の半導体基板１に残ることを見て取ることができる。
　イ　上記記載から，引用文献２には，次の技術が記載されていると認められる。
（ア）引用文献２に記載された技術は，半導体デバイスの製造工程等において半導体基板等の基板を分割するために使用される基板の分割方法に関するものであって，この基板の分割方法によれば，切断起点領域を形成する工程においては，基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，基板の内部に多光子吸収という現象を発生させて改質領域を形成するため，この改質領域でもって，基板を切断すべき所望の切断予定ラインに沿うよう基板の内部に切断起点領域を形成することができ，基板の内部に切断起点領域が形成されると，自然或いは比較的小さな力によって，切断起点領域を起点として基板の厚さ方向に割れが発生すること。及び，半導体基板に多光子吸収を起こさせる加工に，パルスレーザ光を用いること。
（イ）半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては，図２３Ａ〜図２５Ｂに示すものがあり，各図に示す半導体チップ２５には，後述するそれぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができること。
（ウ）溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上すること。
（エ）溶融処理領域が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，溶融処理領域が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効であること。
（オ）上記（エ）の溶融処理領域が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，半導体基板１を研磨する工程前に溶融処理領域１３から延びる割れ１５が半導体基板１の表面３及び裏面２１のいずれにも達することがないように，半導体基板１の内部であって半導体基板１の厚みの半分よりも半導体基板１の表面３に近い位置に集光点を設定してパルスレーザ光を照射して溶融処理領域１３を形成し，その後，溶融処理領域１３が除去され，溶融処理領域１３から延びる割れ１５が研磨工程後の半導体基板１に残るように半導体基板１を研磨することで得られること。
（カ）半導体基板を研磨する工程前に割れが半導体基板の表面に達していない場合の方が，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップの切断面の直進性がより向上すること。
（キ）レーザ光の照射は，裏面側から行ってもよいこと。
（３）引用文献３の記載事項
　同じく原査定に引用された，原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００５−８６１１１号公報（平成１７年３月３１日出願公開。以下「引用文献３」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【請求項１】
　表面に機能素子が形成された半導体基板を切断予定ラインに沿って切断する半導体基板の切断方法であって，
　前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板を第１の厚さにする工程と，
　前記半導体基板を第１の厚さにした後に，前記
半導体基板の裏面をレーザ光入射面として前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することで改質領域を形成
　前記
切断起点領域を形成した後に，前記半導体基板の裏面を研磨して前記半導体基板を第２の厚さにする
【請求項２】
　前記
改質領域は溶融処理領域を含む
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，半導体デバイスの製造工程等において，表面に機能素子が形成された半導体基板を切断するために使用される半導体基板の切断方法に関する。」
「【００２２】
　図７は，上記条件でのレーザ加工により切断されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表した図である。シリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３が形成されている。なお，上記条件により形成された
溶融処理領域１３の厚さ方向の大きさは１００μｍ程度である
「【００２６】
（２）改質領域が溶融処理領域及び微小空洞の場合
　半導体基板の内部に集光点を合わせて，集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つ
パルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光
「【００４９】
　
ところで，シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化した後における半導体チップ２２と溶融処理領域１３との関係としては，図１９〜図２１に示すものがある。各図に示す半導体チップ２２には，後述するそれぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができる
図２０（ｂ）
は，シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する前に割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に達していない場合である
【００５０】
　図１９（ａ），（ｂ）に示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２２は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２２の抗折強度が向上する。また，
図２０（ａ），（ｂ）に示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２２は，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効である
【００５１】
　そして，図１９（ａ），図２０（ａ）及び図２１（ａ）に示すように，シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する前に割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に達している場合に比べ，図１９（ｂ），図２０（ｂ）及び図２１（ｂ）に示すように，シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化する前に割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３に達していない場合の方が，シリコンウェハ１１を厚さ１００μｍ（第２の厚さ）に薄型化した後に得られる半導体チップ２２の切断面の直進性がより一層向上する。」
「
」
　上記摘記を参酌すれば，図２０（ｂ）の左側の図から，シリコンウェハ１１の内部であってシリコンウェハ１１の厚みの半分よりもシリコンウェハ１１の表面３に近い位置に集光点を設定してパルスレーザ光を照射して溶融処理領域１３を形成する際に，シリコンウェハ１１を研磨する工程前に，溶融処理領域１３から延びる割れ２１がシリコンウェハ１１の表面３及び裏面１７のいずれにも達することがないようにすることを見て取ることができる。
　さらに，図２０（ｂ）の右側の図から，シリコンウェハ１１を研磨する工程後に，溶融処理領域１３が除去され，溶融処理領域１３から延びる割れ２１が研磨工程後のシリコンウェハ１１に残ることを見て取ることができる。
（４）引用文献４の記載事項
　同じく原査定に引用された，原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００６−１２９０２号公報（平成１８年１月１２日出願公開。以下「引用文献４」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【
発明が解決しようとする課題
【０００６】
　而して，上述したように
変質層が形成された分割予定ラインに沿って分割されたチップの側面には変質層が残留し，この残留した変質層がチップの抗折強度を低下させるという問題がある
【０００７】
　本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり，その主たる技術的課題は，ウエーハの
分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射することにより変質層を形成
【
課題を解決するための手段
【０００８】
　上記主たる技術課題を解決するため，本発明によれば，表面に格子状に形成された分割予定ラインによって区画された領域に機能素子が形成されたウエーハを，分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって，
　
ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射し，ウエーハの表面からチップの仕上がり厚さに相当する位置より裏面側に変質層を形成する変質層形成工程
　分割予定ラインに沿って変質層が形成されたウエーハに外力を付与し，ウエーハを分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と，
　個々のチップに分割された
ウエーハの裏面を研削し，チップの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程
　ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。」
「【００３３】
　上述したように分割工程を実施したならば，個々のチップに分割されたウエーハの裏面を研削し，チップの仕上がり厚さに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は，図１４に示す研削装置８によって実施する。即ち，研削装置８のチャックテーブル８１上に個々の半導体チップ２０に分割された半導体ウエーハ２の保護テープ３側を載置し（従って，半導体ウエーハ２は裏面２ｂが上側となる），図示しない吸引手段によってチャックテーブル８１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。そして，チャックテーブル８１を例えば３００ｒｐｍで回転し，研削砥石８２を備えた研削工具８３を例えば６０００ｒｐｍで回転しつつ図１４において下方に所定の速度で研削送りする。この研削送りは，図１５に示すように半導体チップ２０の仕上がり厚さＳに達するまで実施する。この結果，半導体ウエーハ２に形成された変質層２１０は研削されて除去され，半導体ウエーハ２は半導体チップ２０の仕上がり厚さＳに形成される。従って，図１６に示すように
半導体チップ２０の側面には上記変質層形成工程によって形成された変質層が残留しないため，半導体チップ２０の抗折強度が低下することはなく，１０００ＭＰa以上の抗折強度を確保することができる
　以上のようにして裏面研削工程が実施されたならば，個々の半導体チップ２０に分割された半導体ウエーハ２は，半導体チップ２０をピックアップするピックアップ工程に搬送される。」
（５）引用文献５の記載事項
　同じく原査定に引用された，原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００９−２８９７７３号公報（平成２１年１２月１０日出願公開。以下「引用文献５」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【請求項１】
　基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを，該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって，
　該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と，
　該
基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程
　
該変質層形成工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程
　
該裏面研削工程が実施されたウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程
　ことを特徴とするウエーハの分割方法。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
　以下，本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について，添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１１】
　図１には本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図が示されており，図２には図１に示すウエーハの要部を拡大した断面図が示されている。図１および図２に示す
ウエーハ２は，例えば厚さが６００μm
「【００２５】
　以上のようにしてチャックテーブル３１上に保持されたウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメントが行われたならば，図８の（ａ）で示すようにチャックテーブル３１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段３２の集光器３２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し，所定のストリート２２（レーザー加工溝２４０が形成されている）の一端（図８の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段３２の集光器３２２の直下に位置付ける。そして，集光器３２２からシリコン基板２１に対して透過性を有する波長の
パルスレーザー光線を照射
「【００２８】
　上述した変質層形成工程を実行したならば，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する。この裏面研削工程は，図１０の(a)に示す研削装置５を用いて実施する。図１０の（ａ）に示す研削装置5は，被加工物を保持するチャックテーブル５１と，該チャックテーブル５１に保持された被加工物を研削するための研削砥石５２を備えた研削手段５３を具備している。この研削装置5を用いて上記裏面研削工程を実施するには，チャックテーブル５１上にウエーハ２の保護テープ４側を載置し，図示しない吸引手段を作動することによりウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する。従って，チャックテーブル５１に保持されたウエーハ２は，裏面２１ｂが上側となる。このようにして，チャックテーブル５１上にウエーハ２を保持したならば，チャックテーブル５１を矢印５１aで示す方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ，研削手段５３の研削砥石５２を矢印５２aで示す方向に例えば６０００ｒｐｍで回転しつつ
半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触せしめて研削することにより，図１０の（ｂ）に示すように所定の厚さ（例えば１００μm）に形成する
上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２aから例えば１００μmの位置より裏面２ｂに形成することにより，上記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０は除去される
従って，ウエーハ２の基板２１には，図１０の（ｂ）に示すようにストリート２２に沿って形成されたクラック２１１が残される
【００２９】
　次に，上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２に外力を付与し，ウエーハ２をストリートに沿って破断するウエーハ破断工程を実施する。このウエーハ破断工程を実施するには，図１１に示すように環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面にウエーハ２における基板２１の裏面２１bを貼着する（ウエーハ支持工程）。そして，ウエーハ２における基板２１の表面２１aに貼着されている保護テープ４を剥離する（保護テープ剥離工程）。
【００３０】
　以上のようにしてウエーハ支持工程および保護テープ剥離工程を実施したならば，上記膜分断工程および変質層形成工程が実施されているウエーハ２，即ち高分子化合物膜２４がストリート２２に沿って分断されるとともに２１
基板の内部にストリート２２に沿ってクラック２１１が形成されたウエーハ２に外力を付与し，ウエーハ２をストリート２２に沿って破断する
「【００３３】
　上述した実施形態においては，上記裏面研削工程でウエーハ２の基板２１の裏面を研削して変質層２１０が除去されており，ウエーハ２は基板２１に形成されたクラック２１１に沿って破断される。従って，
個々の分割されたデバイス２３の破断面には変質層２１０が残存しないため，デバイス２３の抗折強度が向上する
（６）引用文献６の記載事項
　同じく原査定に引用された，原出願の出願前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である，特開２００９−２９０１４８号公報（平成２１年１２月１０日出願公開。以下「引用文献６」という。）には，図面とともに，次の記載がある。
「【００１１】
　上記レーザー光線照射手段３２は，実質上水平に配置された円筒形状のケーシング３２１を含んでいる。ケーシング３２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。このパルスレーザー光線発振手段は，図示の実施形態においては，ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長（例えば，１０６４ｎｍ）の
パルスレーザー光線を発振する
「【００３１】
　上述した実施形態においては，
上記裏面研削工程でウエーハ２の基板２１の裏面を研削して変質層２１０が除去されており，ウエーハ２は基板２１に形成されたクラック２１１に沿って破断される。従って，個々の分割されたデバイス２３の破断面には変質層２１０が残存しないため，デバイス２３の抗折強度が向上する
　２　引用発明との対比
（１）本願発明と引用発明を対比する。
　ア　引用発明の「ウェーハの表面」，「ウェーハの表面に形成されたパターンを保護する保護用テープ」は，それぞれ，本願発明の「デバイス表面」，「保護フィルム」に相当する。
　イ　引用発明の「レーザー光Ｌ」と，本願発明の「パルスレーザ」とは，「レーザ」である限りにおいて一致する。
　ウ　引用発明のチャック１３６及びチャック１３８による「粗研削」及び「仕上げ研削（精研削，スパークアウト）」は，本願発明の「研削加工」に相当する。
　また，引用発明の「研削で生じた加工変質層，及びウェーハＷの厚さのバラツキ分が除去される」チャック１４０での「研磨」は，本願発明の「研削加工で生じた加工歪を研磨除去」に相当する。
　そして，引用発明の平面加工装置１０Ｃは，「粗研削ステージ１１８，精研削ステージ１２０，研磨ステージ１２２は，仕切板１２５によって仕切られ，隣接しており，仕切板１２５はインデックステーブル１３４に固定されるとともに，インデックステーブル１３４に設置された４台のチャック（保持手段に相当）１３２，１３６，１３８，１４０を仕切るように十字形状に形成されており，チャック１３２は，インデックステーブル１３４に設置され，また，同機能を備えたチャック１３６，１３８，１４０が，インデックステーブル１３４の回転軸１３５を中心とする円周上に９０度の間隔をもって設置されており，回転軸１３５には，モータ（移動手段に相当）１３７のスピンドルが連結されており」，「チャック１３２，１３６，１３８，１４０は，その下面にスピンドル１９４と回転用モータ１９２が各々連結され，これらのモータ１９２の駆動力によって回転されるものであり，モータ１９２は，支持部材１９３を介してインデックステーブル１３４に支持されており，したがって，平面加工装置１０Ａ（１０Ｃ）は，モータ１９２とスピンドル１９４がチャック１３２，１３６，１３８，１４０に連結された状態で，チャック１３２，１３６，１３８，１４０がモータ１３７によって移動される」構造を有する装置であるから，引用発明における，チャック１３６及びチャック１３８による「粗研削」及び「仕上げ研削（精研削，スパークアウト）」と，チャック１４０での「研磨」は，「連続した研削・研磨工程」といえる。
　エ　以上のことから，本願発明と引用発明との一致点及び一応の相違点は，次のとおりである。
＜一致点＞
「ウェーハ加工方法において，
　デバイス表面に保護フィルムを貼り付けたウェーハにおいて，前記ウェーハの裏面からレーザを照射し，前記ウェーハの内部に集光点を設定して改質領域を形成する改質領域形成工程と，
　前記ウェーハの裏面を研削加工し，続いて前記研削加工で生じた加工歪を研磨除去する，連続した研削・研磨工程と，
　を有するウェーハ加工方法。」 
  
＜相違点１＞ 
　本願発明のウェーハ加工方法は，「チップの抗折強度の向上を図る」ものであるのに対して，引用発明には，そのような特定がされていない点。
＜相違点２＞
　本願発明のレーザが，「パルス」レーザであるのに対して，引用発明には，そのような特定がされていない点。
＜相違点３＞
　本願発明が，「ウェーハの厚みの半分よりも深い位置」に集光点を設定して「前記改質領域から延びる亀裂は前記ウェーハの裏面に到達しない改質領域」を形成し，「前記改質領域を除去して前記改質領域から進展した亀裂を残すように」前記ウェーハの裏面を研削加工し，続いて「前記亀裂を残しつつ」前記研削加工で生じた加工歪を研磨除去するものであるのに対して，引用発明は，「レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して，ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して，ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ，Ｋ…を形成するステップＳ２０」と，「平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工するステップＳ３０」とを有し，「上記ステップＳ２０で形成される改質領域Ｋ，Ｋ…のウェーハＷの厚さ方向の位置は，ウェーハの表面（下面）より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であることが好ましく，このような厚さ方向に改質領域が形成されれば，ウェーハの割断が容易となるものであ」る点。
　３　判断
　以下，相違点について検討する。
（１）相違点１について
　引用発明は，「平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工するステップＳ３０」を有し，当該「平面加工装置１０Ｃ」による加工は，「粗研削」，「仕上げ研削（精研削，スパークアウト）」及び「研磨」工程を含むものであり，ここで「研磨」は，「研削で生じた加工変質層」を除去するものである。
　そして，「研磨終了したウェーハＷは，加工変質層が除去されているので，容易に破損することはなく，よって，ロボット１９６による搬送時，及びウェーハ洗浄ステージ１２４における洗浄時において破損しないものであ」るから，当該ウェーハを分割して作製したチップもまた「加工変質層が除去されているので，容易に破損することはな」いという特性を備えていることは明らかである。
　してみれば，引用発明に係るウェーハ加工方法は，「研削で生じた加工変質層」を除去する「研磨」工程を備えることによって，チップが容易に破損することがないようにするものといえる。
　そして，チップが容易に破損することがないことは，すなわち，チップの抗折強度の向上であると解されるから，引用発明は，「チップの抗折強度の向上を図る」ものであると認められる。
　したがって，上記相違点１は，実質的なものではない。
　また，仮に，上記相違点１が実質的なものであったとしても，上記相違点１は，以下で検討するように，引用発明において採用することが容易であると判断される上記相違点３の構成を採用することによって必然的に達成されるもの（要すれば，引用文献４乃至６の記載を参照されたい。）である。
　したがって，仮に，上記相違点１が実質的なものであったとしても，引用発明において，上記相違点１に係る本願発明の構成を採用することは当業者が容易になし得たことである。
（２）相違点２について
　レーザは，パルスか連続のいずれかであるところ，パルスレーザを用いて多光子吸収によって変質層を形成する引用文献２乃至６の記載及び技術常識に照らして，引用発明のレーザはパルスレーザであると認めることができるか，あるいは，引用文献２乃至６の記載に基づいてパルスレーザとすることが容易であったといえる。
　したがって，上記相違点２は，実質的なものではないか，あるいは，上記相違点２に係る本願発明の構成を採用することは容易であったと認められる。
（３）相違点３について
　ア　引用文献２には，上記１（２）イ（イ）のとおり，半導体基板を研磨する工程後の半導体チップと溶融処理領域との関係としては，種々のものがあり，それぞれの構造を有する半導体チップには，それぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができることが記載されている。
　そして，上記の種々様々な目的に応じての使い分けの具体的な例として，引用文献２には，上記１（２）イ（エ）及び（オ）のとおり，溶融処理領域が切断面内に残存しない半導体チップは，溶融処理領域が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効であること，及び，溶融処理領域が切断面内に残存しない半導体チップは，半導体基板１を研磨する工程前に溶融処理領域１３から延びる割れ１５が半導体基板１の表面３及び裏面２１のいずれにも達することがないように，半導体基板１の内部であって半導体基板１の厚みの半分よりも半導体基板１の表面３に近い位置に集光点を設定してパルスレーザ光を照射して溶融処理領域１３を形成し，その後，溶融処理領域１３が除去され，溶融処理領域１３から延びる割れ１５が研磨工程後の半導体基板１に残るように半導体基板１を研磨することで得られることが記載されている。
　さらに，引用文献３にも，引用文献２と同趣旨の記載がある。したがって，このような技術は当業者において周知であったといえる。
　そうすると，引用文献２，３のこれらの記載に接した当業者が，レーザを照射することによって形成される改質領域がチップの切断面に残存することが半導体デバイスに好影響を与えないことが想定される場合に，引用発明に係るウェーハ加工方法において，引用文献２，３に記載された前記周知の技術を適用すること，
　すなわち，引用発明の「レーザーダイシング装置１０Ｂ使用して，ウェーハＷの裏面（上面）よりレーザー光Ｌを照射して，ウェーハＷの内部へ改質領域Ｋ，Ｋ…を形成するステップＳ２０」において，「ウェーハの厚みの半分よりも深い位置」に集光点を設定して「前記改質領域から延びる亀裂は前記ウェーハの裏面に到達しない改質領域」を形成し，
　さらに，引用発明の「平面加工装置１０Ｃを使用して，ウェーハＷの裏面を加工し（研削及び研磨），最終加工厚さＴ１まで加工するステップＳ３０」において，「前記改質領域を除去して前記改質領域から進展した亀裂を残すように」前記ウェーハの裏面を研削加工し，続いて「前記亀裂を残しつつ」前記研削加工で生じた加工歪を研磨除去するようになすことは，当業者が容易に想到し得たことである。
　イ　審判請求人は，審判請求書において「（ウ）かかる引用文献１の記載によれば，ウェーハの表面（下面）より厚さ方向にＴ１よりも長い距離の位置に改質領域を形成した場合には，ウェーハの裏面の割断の起点となる改質領域がウェーハの裏面の加工（研削及び研磨）により除去されてしまうことになるので，ウェーハの割断を容易に行えなくなることが示唆されているといえる。すなわち，引用文献１においては，ウェーハの裏面の加工によって除去される位置に改質領域を形成する技術との組み合わせを積極的に否定する記載があるというべきである。」と主張する。
　しかしながら，引用文献２，３に記載された技術は，基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し，基板の内部に多光子吸収という現象を発生させて改質領域を形成することで基板を切断すべき所望の切断予定ラインに沿うよう基板の内部に切断起点領域を形成し，切断起点領域を起点として，自然或いは比較的小さな力によって，基板の厚さ方向に割れが発生させるものであり，引用文献２，３に記載された，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップの製造方法は，この技術を具体化した一例といえる。
　すなわち，引用発明に，引用文献２，３に記載された周知の技術を適用して，研削によって改質領域が除去されるように変更する場合に，当該研削によって，改質領域と，改質領域から延びる亀裂の全てを除去するのではなく，基板の厚さ方向に割れを発生させる切断起点領域となる改質領域から延びる亀裂の一部を，研削・研磨後のウェーハに残すことは，引用文献２，３に記載された技術の，基板の内部に多光子吸収という現象を発生させて改質領域を形成することで基板を切断すべき所望の切断予定ラインに沿うよう基板の内部に切断起点領域を形成し，切断起点領域を起点として，自然或いは比較的小さな力によって，基板の厚さ方向に割れが発生させるという前提に基づけば当然のことである。
　このことは，引用文献２の図２４Ｂ及び引用文献３の図２０（ｂ）のそれぞれの右側の図において，半導体基板を研磨して溶融処理領域１３を除去した工程の後に，溶融処理領域１３から延びる割れが半導体基板に残るように図示されていることからも明らかである。
　したがって，引用発明に引用文献２，３に記載された周知の技術を適用して，ウェーハの研削・研磨の際に改質領域を除去する場合に，引用文献２の図２４Ｂ，引用文献３の図２０（ｂ）に記載されるように，改質領域から延びる亀裂の一部を，切断起点領域となるように，研削・研磨後のウェーハに残すようにすることは，引用文献２，３に記載された技術の前提に基づけば当業者が当然に行うことであり，そうすると，引用発明に引用文献２，３に記載された技術を適用しても，ウェーハの割断を容易に行えなくなることはないから，審判請求人の前記主張は採用することはできない。
　ウ　さらに，審判請求人は「（カ）引用発明において，改質領域を形成する位置を，「研削加工によって除去されない位置」から「研削加工によって除去される位置」に変更することは，ウェーハの割断の起点（段落［００７７］）がなくなることから，引用発明の技術的意義を完全に没却することになる点で，上記のような変更を行う動機付けが存在しないことはもちろん，同変更には阻害要因が存在する。したがって，引用発明を相違点１に係る本願発明１の構成とすることは，当業者が容易に想到し得るものではない。」と主張する。
　しかしながら，引用発明において，改質領域を形成する位置を，「研削加工によって除去されない位置」から「研削加工によって除去される位置」に変更しても，ウェーハの割断の起点がなくなることがないことは，上記イのとおりである。
　そして，引用発明の技術的意義について検討すると，引用文献１に記載された技術は，上記１（１）イ（イ）に記載されているとおり，レーザーダイシング装置における，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，衝撃や振動により内部の改質領域を起点として割段されてしまう場合があり，一旦割段された場合，ウェーハとしてのハンドリングができず，以降の工程の進行が大幅に妨げられるという課題を解決するための技術であって，引用文献１には，上記１（１）イ（ウ）に記載されているとおり，上記課題を，第１の機械加工ステップ後のウェーハの厚さを，最終加工厚さより５０〜５００μｍ厚いものとすることで解決することが記載されている。
　一方，引用発明の，ウェーハの内部に形成する改質領域がウェーハの表面より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であることは，上記１（１）イ（エ）のとおり，「好ましい」とされる構成に留まるものである。
　このことは，引用文献１の特許請求の範囲の記載が，「前記ウェーハの内部に形成する改質領域がウェーハの表面より厚さ方向にＴ１までの距離の位置である」とする構成を，請求項１又は２を引用する従属項である請求項３において初めて特定する構造となっていることからも明らかである。
　してみれば，引用発明の技術的意義は，第一には，レーザーダイシング装置における，ダイシング後に各工程に使用される装置間を搬送される際，衝撃や振動により内部の改質領域を起点として割段されてしまう場合があり，一旦割段された場合，ウェーハとしてのハンドリングができず，以降の工程の進行が大幅に妨げられるという課題を解決することにあると解されるから，引用発明において，任意附加的な構成である「上記ステップＳ２０で形成される改質領域Ｋ，Ｋ…のウェーハＷの厚さ方向の位置は，ウェーハの表面（下面）より厚さ方向にＴ１までの距離の位置であること」との構成を，引用文献２，３に記載された周知の技術を適用して変更しても，「引用発明の技術的意義を完全に没却することになる」とは認められない。
　したがって，審判請求人の前記主張は採用することはできない。
（４）そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本願発明の奏する作用効果は，引用発明及び引用文献２乃至６に記載された技術の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
（５）そうすると，本願発明は，引用発明及び引用文献２乃至６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。