Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法によりＣＯＰ発生領域を有する単結晶シリコンインゴットを引き上げ、得られた単結晶シリコンインゴットに対して切り出し加工を施してＣＯＰを含むシリコンウェーハを作製するウェーハ作製工程と、
作製されたシリコンウェーハにゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成するクラスターイオン照射工程と、
前記シリコンウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程と、
を有し、該エピタキシャル層形成工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であるエピタキシャルシリコンウェーハを得ることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記単結晶シリコンインゴットの引き上げは、１２００〜１０００℃の温度領域における前記単結晶シリコンインゴットの滞在時間が１５０分以下となる育成条件で行う、請求項１に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記引き上げは、前記単結晶シリコンインゴットの周囲を冷却させながら行う、請求項２に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記クラスターイオン照射工程の後、前記シリコンウェーハに対して結晶性回復のための熱処理を行うことなく、前記シリコンウェーハをエピタキシャル成長装置に搬送してエピタキシャル層形成工程を行う、請求項１〜３のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記クラスターイオンが構成元素として炭素を含む２種以上の元素を含む、請求項５に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記クラスターイオン照射工程では、前記シリコンウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルのピークが位置するように、前記クラスターイオンを照射する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項８】
前記クラスターイオン照射工程は、クラスターイオンの加速電圧が５０ｋｅＶ/ａｔｏｍ以下、クラスターサイズが１００個以下、炭素のドーズ量が１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の条件で行う、請求項７に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項９】
前記クラスターイオン照射工程は、クラスターイオンの加速電圧が４０ｋｅＶ/ａｔｏｍ以下、クラスターサイズが６０個以下、炭素のドーズ量が５×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の条件で行う、請求項７に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法。
【請求項１０】
ＣＯＰを含むシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの表面に形成された、該シリコンウェーハ中に固溶しゲッタリングに寄与する所定元素から形成された改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、
前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１１】
前記ＣＯＰの最大サイズが０．２５μｍ以下である、請求項１０に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１２】
前記シリコンウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記濃度プロファイルのピークが位置する、請求項１０または１１に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１３】
前記改質層における前記濃度プロファイルのピーク濃度が、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１４】
前記所定元素が炭素を含む、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１５】
前記所定元素が炭素を含む２種以上の元素を含む、請求項１４に記載のエピタキシャルシリコンウェーハ。
【請求項１６】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造方法で製造されたエピタキシャルシリコンウェーハまたは請求項１０〜１５のいずれか一項に記載のエピタキシャルシリコンウェーハの、表面に位置するエピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明のエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法によりＣＯＰ発生領域を有する単結晶シリコンインゴットを引き上げ、得られた単結晶シリコンインゴットに対して切り出し加工を施してＣＯＰを含むシリコンウェーハを作製するウェーハ作製工程と、作製されたシリコンウェーハにゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、前記シリコンウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成するクラスターイオン照射工程と、前記シリコンウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを有し、該第２工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であるエピタキシャルシリコンウェーハを得ることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
次に、本発明のエピタキシャルシリコンウェーハは、ＣＯＰを含むシリコンウェーハと、該シリコンウェーハの表面に形成された、該シリコンウェーハ中に固溶しゲッタリングに寄与する所定元素から形成された改質層と、該改質層上のエピタキシャル層とを有し、前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの表面にクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハ表面に、前記クラスターイオンの構成元素である炭素およびドーパント元素が固溶した改質層を形成する第１工程と、
前記半導体ウェーハの改質層上に、該改質層における前記ドーパント元素のピーク濃度よりもドーパント元素の濃度が低いエピタキシャル層を形成する第２工程と、
を有し、該第２工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下である半導体エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記クラスターイオンが、前記炭素および前記ドーパント元素の両方を含む化合物をイオン化してなる請求項１に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記ドーパント元素が、ボロン、リン、砒素およびアンチモンからなる群より選択された１または２以上の元素である請求項１または２に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハである請求項１〜３いずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハであり、前記第１工程において前記改質層は前記シリコンエピタキシャル層の表面に形成される請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記第１工程の後、前記第２工程の前に前記半導体ウェーハに対して結晶性回復のための熱処理を行う工程をさらに有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
半導体ウェーハと、該半導体ウェーハの表面に形成された、該半導体ウェーハ中に炭素およびドーパント元素が固溶してなる改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、
前記改質層における、前記炭素の濃度プロファイルの半値幅および前記ドーパント元素の濃度プロファイルの半値幅がともに１００ｎｍ以下であり、
前記エピタキシャル層におけるドーパント元素の濃度が、前記改質層における前記ドーパント元素のピーク濃度よりも低いことを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項８】
前記ドーパント元素が、ボロン、リン、砒素およびアンチモンからなる群より選択された１または２以上の元素である請求項７に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項９】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハである請求項７または８に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１０】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハであり、前記改質層は前記シリコンエピタキシャル層の表面に位置する請求項７または８に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１１】
前記半導体ウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記炭素および前記ドーパント元素の濃度プロファイルのピークが位置する請求項７〜１０のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１２】
前記改質層における前記炭素の濃度プロファイルのピーク濃度が、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である請求項７〜１１のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１３】
前記改質層における前記ドーパント元素の濃度プロファイルのピーク濃度が、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である請求項７〜１２のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法で製造されたエピタキシャルウェーハまたは請求項７〜１３のいずれか１項に記載のエピタキシャルウェーハの、表面に位置するエピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明者らは上記知見に基づき、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法は、半導体ウェーハの表面にクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハ表面に、前記クラスターイオンの構成元素である炭素およびドーパント元素が固溶した改質層を形成する第１工程と、前記半導体ウェーハの改質層上に、該改質層における前記ドーパント元素のピーク濃度よりもドーパント元素の濃度が低いエピタキシャル層を形成する第２工程と、を有し、該第２工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下である半導体エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハに、ゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成する第１工程と、
該第１工程の後、前記半導体ウェーハ表面のヘイズレベルが０．２０ｐｐｍ以下となるように、結晶性回復のための熱処理を前記半導体ウェーハに対して行なう第２工程と、
該第２工程の後、前記半導体ウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第３工程と、
を有し、該第３工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下である半導体エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハである請求項１に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハであり、前記第１工程において前記改質層は前記シリコンエピタキシャル層の表面に形成される請求項１に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記クラスターイオンが、構成元素として炭素を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記クラスターイオンが、構成元素として炭素を含む２種以上の元素を含む請求項４に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記クラスターイオンの炭素のドーズ量が２．０×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上である請求項４または５に記載の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
半導体ウェーハと、該半導体ウェーハの表面に形成された、該半導体ウェーハ中に固溶しゲッタリングに寄与する所定元素から形成された改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、
前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であり、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベルが０．３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項８】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハである請求項７に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項９】
前記半導体ウェーハが、シリコンウェーハの表面にシリコンエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルシリコンウェーハであり、前記改質層は前記シリコンエピタキシャル層の表面に位置する請求項７に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１０】
前記半導体ウェーハの表面からの深さが１５０ｎｍ以下の範囲内に、前記改質層における前記濃度プロファイルのピークが位置する請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１１】
前記改質層における前記濃度プロファイルのピーク濃度が、１×１０１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上である請求項７〜１０のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１２】
前記所定元素が炭素を含む請求項７〜１１のいずれか１項に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１３】
前記所定元素が炭素を含む２種以上の元素を含む請求項１２に記載の半導体エピタキシャルウェーハ。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の製造方法で製造されたエピタキシャルウェーハまたは請求項７〜１３のいずれか１項に記載のエピタキシャルウェーハの、表面に位置するエピタキシャル層に、固体撮像素子を形成することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明者らは上記知見に基づき、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明の半導体エピタキシャルウェーハの製造方法は、半導体ウェーハに、ゲッタリングに寄与する構成元素を含むクラスターイオンを照射して、該半導体ウェーハの表面に、前記クラスターイオンの構成元素から形成された改質層を形成する第１工程と、該第１工程の後、前記半導体ウェーハ表面のヘイズレベルが０．２０ｐｐｍ以下となるように、結晶性回復のための熱処理を前記半導体ウェーハに対して行なう第２工程と、該第２工程の後、前記半導体ウェーハの改質層上にエピタキシャル層を形成する第３工程と、を有し、該第３工程後の改質層における前記構成元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下である半導体エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に、本発明の半導体エピタキシャルウェーハは、半導体ウェーハと、該半導体ウェーハの表面に形成された、該半導体ウェーハ中に固溶しゲッタリングに寄与する所定元素から形成された改質層と、該改質層上のエピタキシャル層と、を有し、前記改質層における前記所定元素の深さ方向の濃度プロファイルの半値幅が１００ｎｍ以下であり、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベルが０．３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月7日(2015.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着用者の首から少なくとも肩を含む身体を覆うように着用される理美容用クロスであって、
着用者の首に巻き付けられるベルト状の部材であり、両端部が重ね合わされて係合され、係合部を介して係合されて環状をなす襟部と、
前記襟部から前記着用者の肩以下に垂下される布状のクロス本体部と
前記襟部の内側に、その長さ方向に沿って、柔軟性を有する面部材が垂下されてなる襟ガード部と
を備え、
前記係合部は、
前記襟部の一方の端部の裏面に配置される帯状の部材であって、前記係合部の外端側に配置されるオス型ファスナー部と、前記係合部の内側に配置されるメス型ファスナー部とから構成される外側係合部と、
前記襟部の他方の端部の表面に配置される帯状の部材であって、前記係合部の外端側に配置されるオス型ファスナー部と、前記係合部の内側に配置されるメス型ファスナー部とから構成される内側係合部と
をさらに備え、
前記オス型ファスナー部は、多数のフック状の起毛が密集された面ファスナーであり、
前記メス型ファスナー部は、多数の環状の起毛が密集された面ファスナーである
ことを特徴とする襟ガード付き理美容用クロス。
【請求項２】
前記係合部の少なくとも重ね合わせられる部分に対応した内面側に、柔軟性を有する面状の内側ガード部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の襟ガード付き理美容用クロス。
【請求項３】
前記クロス本体部の裏面の所定箇所に、磁気マグネットをさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の襟ガード付き理美容用クロス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、着用者の首から少なくとも肩を含む身体を覆うように着用される理美容用クロスであって、着用者の首に巻き付けられるベルト状の部材であり、両端部が重ね合わされて係合され、係合部を介して係合されて環状をなす襟部と、襟部から着用者の肩以下に垂下される布状のクロス本体部と襟部の内側に、その長さ方向に沿って、柔軟性を有する面部材が垂下されてなる襟ガード部とを備え、係合部は、襟部の一方の端部の裏面に配置される帯状の部材であって、係合部の外端側に配置されるオス型ファスナー部と、係合部の内側に配置されるメス型ファスナー部とから構成される外側係合部と、襟部の他方の端部の表面に配置される帯状の部材であって、係合部の外端側に配置されるオス型ファスナー部と、係合部の内側に配置されるメス型ファスナー部とから構成される内側係合部とをさらに備え、オス型ファスナー部は、多数のフック状の起毛が密集された面ファスナーであり、メス型ファスナー部は、多数の環状の起毛が密集された面ファスナーであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記発明によれば、クロスを着用する際には、襟部を着用者の首に巻き付けて、係合部の外側係合部と内側係合部とを貼り合わせて係合させることにより、クロスを固定する。このとき、外側係合部と内側係合部の重ね合わせ部分の長さを調整することで、着用者の首の太さに適合させることができる。この重ね合わせ部分の長さによっては、表裏のガード部の重ね合わせ部分からはみ出した部分が、係合部の内外において着用者の首や下顎に接する状態となるが、その接する部分は、環状の起毛が密集されたメス型ファスナー部となっていることから、起毛がチクチクするなどの不快な感触を着用者に与えることがなく、より快適な装着感を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月3日(2015.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記パッケージ本体２ａの垂れ下がり面部４ａに替えて、図８（Ａ）に示すように、平面視で全体が扇形状を呈し且つ側面視で下向きに凸の曲面からなる垂れ下がり面部４ｂをパッケージ１ａに用いても前記同様の作用が成される。
更に、図８（Ｂ）に示すように、平面視で全体が扇形状を呈し且つ側面視が単一の傾斜面からなる垂れ下がり面部４ｃを前記パッケージ１ａに用いても前記同様の作用が成される。該垂れ下がり面部４ｃは、図８（Ｂ）中の直線の破線で示すように、表面３との境界線を平面視で斜めの直線にした形態としても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
以上のようなパッケージ１ａによれば、パッケージ本体２ａの表面３上に被覆したメタライズ層１１および金属メッキ層１２，１３の上方に、ロウ材１６を介して金属製の蓋板１８を接合した際に、上記表面３の四隅付近に位置する四つの垂れ下がり面部４ａの真上には、上記ロウ材１６の溜まり領域１６ａが形成され、該溜まり領域１６ａを四隅付近に含む矩形枠状のロウ材１６を介して、上記蓋板１８が接合される。その結果、上記蓋板１８をその上面側からロウ材１６側に向けて押しつつ前記接合を行っても、該ロウ材１６の一部が上記蓋板１８の上面に這い上がる事態を容易に防止することができる。
更に、上記接合時における上記蓋板１８の熱膨張および冷却収縮に伴って生じる応力を、該応力が最も作用し易いパッケージ本体２ａの表面３における四隅付近ごとに位置している垂れ下がり面部４ａごとの真上のロウ材１６の溜まり領域１６ａによって緩和される。そのため、上記応力を受けても、パッケージ本体２ａの表面３付近におけるセラミックにクラックなどの破損が生じにくくし得る。
従って、前記キャビティ（開口部）７内に実装した前記振動子１５などの素子を長期間にわたって正常に作動させる気密信頼性の高いセラミックパッケージ１ａを提供することが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記のようなパッケージ１ｂも前記と同様の方法によって製造される。
以上のようなパッケージ１ｂによっても、前記蓋板１８を接合した際において、前記パッケージ１ａと同様な作用が成されると共に、前記と同様な効果を奏することが可能である。
尚、図１０（Ｂ）に示すように、前記垂れ下がり面部４ｄに替えて、パッケージ本体２ｂの表面３の四隅付近ごとに、平面視が円形の四分の一の扇形状を呈し、且つ側面視が下向きに凸の曲面からなる垂れ下がり面部４ｅにしても良い。
更に、図１０（Ｃ）に示すように、平面視が円形の四分の一の扇形状を呈し、且つ側面視が単一の傾斜した直線の単一面からなる垂れ下がり面部４ｆにしても良い。該垂れ下がり面部４ｆは、図１０（Ｃ）中の直線の破線で示すように、表面３との境界線を平面視で斜めの直線にした形態としても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１１は、前記各形態とは別形態の垂れ下がり面部４ｇを示す部分平面図である。図１１に示すように、前記同様のパッケージ本体２ａの平面視における隅部において、垂れ下がり面部４ｇは、前記同様の基準線Ｌと交差する最外部と最内部との全長Ｗ１に対し、上記基準線Ｌと交差する最外部と最内部（交点Ｓ）との全長Ｗ２とが共通していると共に、隣接する２つの辺状の表面３ごととの境界線Ｒが、平面視でキャビティ７における内面９，９間の曲面９ａの中央部に接している。かかる扇形状の垂れ下がり面部４ｇは、凹溝１０側を最低位置とする前記同様の傾斜面あるいは曲面である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１２は、前記各形態とは更に別形態の垂れ下がり面部４ｈを示す部分平面図である。図１２に示すように、前記同様のパッケージ本体２ａの平面視における隅部において、垂れ下がり面部４ｈは、前記同様の基準線Ｌと交差する最外部と最内部との全長Ｗ１に対し、上記基準線Ｌと交差する最外部と最内部との全長Ｗ２とが共通している。更に、垂れ下がり面部４ｈと隣接する２つの辺状の表面３ごととの境界線Ｒは、該２つの表面３，３ごとに２分割され、該境界線Ｒと上記基準線Ｌとが交差すべき交点Ｓ１は、上記２つの境界線Ｒ間を接続する仮想の曲線ｒと交差している。かかる扇形状の垂れ下がり面部４ｈも、凹溝１０側を最低位置とする前記同様の傾斜面あるいは曲面である。
以上のような垂れ下がり面部４ｇ，４ｈによっても、キャビティ７の開口部に前記蓋板１８を接合した際において、前記パッケージ１ａと同様な作用が成されると共に、前記と同様な効果を奏することが可能である。
尚、前記垂れ下がり面部４ｇ，４ｈは、四隅ごとに凹溝１０のないパッケージ本体２ｂを備えた前記セラミックパッケージ１ｂにも適用可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月27日(2015.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記試験槽には、前記ガイドシャフトを挿通可能な挿通孔が形成されていてもよい。この場合、前記ガイドシャフトは、前記試験槽外に配置された固定体に着脱可能に構成されていてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
なお、本発明は、前記実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変更、改良等が可能である。例えば、架台１４を省略してもよい。この場合、ガイドシャフト３０は、試験槽１２の天井部２５ａに吊り下げられ、駆動部１８のシリンダ１８ａも試験槽１２の天井部２５ａに固定される。この場合、シリンダ１８ａも試験室２１内に配置されることがある。電池Ｂが爆発したときに破片が飛散することがあるが、この場合でも、加圧板１６が防護壁となって、シリンダ１８ａの摺動部に破片が噛み込むことを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記試験槽には、前記ガイドシャフトを挿通可能な挿通孔が形成されており、
前記ガイドシャフトは、前記試験槽外に配置された固定体に着脱可能に構成されている請求項４に記載の電池試験装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月23日(2015.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部ハウジングと、
前記下部ハウジング上に配置されている第１リードフレーム及び第２リードフレームと、
前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレーム上に配置されている上部ハウジングと、
前記下部ハウジングの上面、前記第１リードフレームの上面、前記第２リードフレームの上面及び前記上部ハウジングの内側面によって構成されるキャヴィティ内であって、前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームのいずれか一方上に配置されている発光素子と、を有し、
前記第１リードフレーム及び第２リードフレームは、
前記キャヴィティの一部を構成する第１部分と、
前記下部ハウジング及び前記上部ハウジングの間に位置する第２部分と、
前記下部ハウジングの側面及び下面上に位置する第３部分と、を有し、
前記第２部分及び前記上部ハウジングの間に、両者を離隔する領域が設けられている発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記領域は、前記上部ハウジングの外側面と近接する位置に設けられ、
前記第２部分は、前記上部ハウジングの内側面と近接する位置において、前記上部ハウジングと接する請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記領域は、平行な前記上部ハウジングの底面及び傾斜した前記第２部分の上面の間に設けられている請求項１又は請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記キャヴィティは、封止材で満たされ、
前記封止材は、シリコーン樹脂である請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記上部ハウジングの内側面は、傾斜面を含む請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記上部ハウジングと重畳する領域における前記下部ハウジングの厚さは、前記発光素子と重畳する領域における前記下部ハウジングの厚さよりも大きい請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記発光素子は、前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームのいずれか一方に直接連結され、且つ、前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームのいずれか他方とワイヤを介して連結されている請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第１リードフレーム及び第２リードフレームは、銅を含む請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１リードフレーム及び第２リードフレームは、表面に銀メッキ層が設けられている請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１リードフレーム又は前記第２リードフレームと前記下部ハウジングとの間に、両者を隔離する第２領域が設けられている請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記第１リードフレーム又は前記第２リードフレームが、前記下部ハウジングの外側面に沿って折り曲げられた請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記キャヴィティをなす周り面は、前記下部ハウジングの上面に対して垂直または傾斜するように提供された請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記キャヴィティ内に満たされた透光性樹脂からなる封止材を含み、
前記封止材に部分的に分散された蛍光体を含む請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月5日(2015.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、トランジスタと、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続された第１の導電層と、前記第１の導電層の端部を覆う領域を有する第１の有機絶縁物層と、前記第１の導電層上及び前記第１の有機絶縁物層上の有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の第２の導電層と、を有し、
前記基板上に、前記有機化合物を含む層と前記第２の導電層とが接する領域を複数有する第１の領域を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光層を有し、
前記基板上に、前記第１の導電層と同じ材料を含む第３の導電層を有し、
前記基板上に、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ材料を含む第４の導電層を有し、
前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第１の有機絶縁物層と同じ材料を有する第２の有機絶縁物層を有し、
前記第２の有機絶縁層は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第４の導電層と接する領域を有し、
前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが接する第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域の四隅を囲む部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に、トランジスタと、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続された第１の導電層と、前記第１の導電層の端部を覆う領域を有する第１の有機絶縁物層と、前記第１の導電層上及び前記第１の有機絶縁物層上の有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の第２の導電層と、を有し、
前記基板上に、前記有機化合物を含む層と前記第２の導電層とが接する領域を複数有する第１の領域を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光層を有し、
前記基板上に、前記第１の導電層と同じ材料を含む第３の導電層を有し、
前記基板上に、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ材料を含む第４の導電層を有し、
前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第１の有機絶縁物層と同じ材料を有する第２の有機絶縁物層を有し、
前記第２の有機絶縁層は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第３の導電層は、前記第４の導電層と接する領域を有し、
前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが接する第２の領域を有し、
前記第２の領域は、Ｌ字状の部分を複数有し、前記複数のＬ字状の部分は、前記第１の領域を囲むように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に、トランジスタと、前記トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続された第１の導電層と、前記第１の導電層の端部を覆う領域を有する第１の有機絶縁物層と、前記第１の導電層上及び前記第１の有機絶縁物層上の有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の第２の導電層と、を有し、
前記基板上に、前記有機化合物を含む層と前記第２の導電層とが接する領域を複数有する第１の領域を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光層を有し、
前記基板上に、前記第１の導電層と同じ材料を含む第３の導電層を有し、
前記基板上に、前記ソース電極又は前記ドレイン電極と同じ材料を含む第４の導電層を有し、
前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第１の有機絶縁物層と同じ材料を有する第２の有機絶縁物層を有し、
前記第２の有機絶縁層は、前記第３の導電層と接する領域を有し、
前記第２の有機絶縁層は、島状であり、
前記第３の導電層は、前記第４の導電層と接する領域を有し、
前記基板上で前記第１の領域の外側に、前記第２の導電層と前記第３の導電層とが接する第２の領域を有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域の四隅を囲む部分を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記基板は、可撓性を有する基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記可撓性を有する基板は、有機樹脂を含む基板又はフィルムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記可撓性を有する基板は、基材フィルムと接着性を有する有機樹脂フィルムの積層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記基材フィルムは、ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、又は紙であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記接着性を有する有機樹脂フィルムは、アクリル樹脂、又はエポキシ樹脂であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の半導体装置を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
［実施例２］
実施例１で使用した前記ポリウレタン（Ａ１−１）の有機溶剤溶液と同様の有機溶剤溶液を、６０℃まで冷却した後、攪拌下、アクリル酸ｎ−ブチル１８．９質量部及びメタクリル酸メチル５３．９質量部を含むビニル単量体混合物を供給し混合した。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の要旨は次のとおりである。
（１）基材上に、Ｔｉと、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれる１種又は２種以上の金属との合金と、窒素、酸素及び炭素から選ばれる１種又は２種以上の非金属元素との反応化合物からなる被膜を単層又は複層で積層したことを特徴とする硬質装飾部材。
（２）前記硬質装飾被膜中の前記非金属元素は、主として窒素からなることを特徴とする上記（１）に記載の硬質装飾部材。
（３）前記硬質装飾被膜は、基材上に、順に、密着層、傾斜密着層、耐磨耗層、金色調整傾斜層として、複層で積層され、前記密着層の非金属元素は低濃度の酸素であり、前記傾斜密着層、前記耐磨耗層及び前記金色調整傾斜層の非金属元素は窒素を主体として、炭素、酸素から選択的に選ばれ、かつ前記傾斜密着層を構成する反応化合物における非金属元素の含有量が基材から離れるにつれて厚さ方向に傾斜的に増加し、前記金色調整傾斜層を構成する反応化合物における非金属元素の含有量が基材から離れるにつれて厚さ方向に傾斜的に増減することを特徴とする上記（１）に記載の硬質装飾部材。
（４）前記Ｔｉの合金比率が２５Ｗｔ％以上であることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の硬質装飾部材。
（５）前記金色調整傾斜層の外観色が淡い金色であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の硬質装飾部材。
（６）前記耐磨耗層の厚さは０．５〜４μｍであることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれかに記載の硬質装飾部材。
（７）前記硬質装飾被膜の明度は、Ｌａｂ色空間表示により、Ｌ＊が７８以上であることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれかに記載の硬質装飾部材。
（８）外装部品の一部又は全部が、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の硬質装飾部材で構成されることを特徴とする時計。
（９）反応性スパッタリング法により、Ｔｉと、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれる１種又は２種以上の金属との合金ターゲットを使用して、前記硬質装飾被膜層の単層又は複層を形成することを特徴とする上記（１）〜（８）のいずれかに記載の硬質装飾部材の製造方法。
（１０）反応性スパッタリング法において、前記非金属元素を含む反応ガス量を時系列的に増加又は減少させることにより前記傾斜密着層及び前記金色調整傾斜層を積層することを特徴とする上記（３）に記載の硬質装飾部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、Ｔｉと、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれる１種又は２種以上の金属との合金と、窒素、酸素及び炭素から選ばれる１種又は２種以上の非金属元素との反応化合物からなる硬質装飾被膜を単層又は複層で積層したことを特徴とする硬質装飾部材。
【請求項２】
前記被膜中の前記非金属元素は、主として窒素からなることを特徴とする請求項１に記載の硬質装飾部材。
【請求項３】
前記硬質装飾被膜が、基材上に、順に、密着層、傾斜密着層、耐磨耗層、金色調整傾斜層として、複層で積層された硬質装飾部材において、前記密着層の非金属元素は低濃度の酸素であり、前記傾斜密着層、前記耐磨耗層及び前記金色調整傾斜層の非金属元素は窒素を主体として、炭素、酸素から選択的に選ばれ、かつ前記傾斜密着層を構成する反応化合物における非金属元素の含有量が基材から離れるにつれて厚さ方向に傾斜的に増加し、前記金色調整傾斜層を構成する反応化合物における非金属元素の含有量が基材から離れるにつれて厚さ方向に傾斜的に増減することを特徴とする請求項１に記載の硬質装飾部材。
【請求項４】
前記Ｔｉの合金比率が２５Ｗｔ％以上であることを特徴とする請求項１〜３に記載の硬質装飾部材。
【請求項５】
前記金色調整傾斜層の外観色が淡い金色であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の硬質装飾部材。
【請求項６】
前記耐磨耗層の厚さは０．５〜４μｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の硬質装飾部材。
【請求項７】
前記硬質装飾被膜の明度は、Ｌａｂ色空間表示により、Ｌ＊が７８以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の硬質装飾部材。
【請求項８】
外装部品の一部又は全部が、請求項１〜７のいずれかに記載の硬質装飾部材で構成されることを特徴とする時計。
【請求項９】
反応性スパッタリング法により、Ｔｉと、Ｎｂ、Ｔａ及びＶから選ばれる１種又は２種以上の金属との合金ターゲットを使用して、前記硬質装飾被膜層の単層又は複層を形成することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の硬質装飾部材の製造方法。
【請求項１０】
反応性スパッタリング法において、前記非金属元素を含む反応ガス量を時系列的に増加又は減少させることにより前記傾斜密着層及び前記金色調整傾斜層を積層することを特徴とする請求項３に記載の硬質装飾部材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月22日(2015.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
必須成分として、ギ酸銅又はその水和物を０．０１〜３．０モル／ｋｇと、酢酸銅又はその水和物を０．０１〜３．０モル／ｋｇと、下記一般式（１）または下記一般式（１’）のいずれかで表されるジオール化合物からなる群より選ばれる少なくとも１種のジオール化合物と、下記一般式（２）で表されるピペリジン化合物と、これらを溶解せしめる有機溶剤とを含有してなり、かつ、
上記ギ酸銅又はその水和物１モル／ｋｇに対して、上記ジオール化合物を０．１〜６．０モル／ｋｇの範囲で含み、さらに、上記ギ酸銅又はその水和物１モル／ｋｇに対して、上記ピペリジン化合物を０．１〜６．０モル／ｋｇの範囲で含むことを特徴とする銅膜形成用組成物。
2013194257.tif 000001
（一般式（１）中、Ｘは、水素原子、メチル基、エチル基、又は３−アミノプロピル基のいずれかを表す。一般式（１’）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素又は炭素数１〜４のアルキル基を表し、場合によっては互いに結合して隣接する窒素原子とともに５員環又は６員環を形成してもよい。）
2013194257.tif 000002
（一般式（２）中、Ｒはメチル基若しくはエチル基を表し、ｍは０又は１を表す。）
【請求項２】
前記ジオール化合物が、Ｎ−メチルジエタノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン及びＮ−アミノプロピルジエタノールアミンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む請求項１に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項３】
前記ジオール化合物が、Ｎ−メチルジエタノールアミンである請求項１に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項４】
前記ピペリジン化合物が、２−メチルピペリジンである請求項１〜３のいずれか１項に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項５】
前記ギ酸銅又はその水和物の含有量が０．１〜２．５モル／ｋｇで、前記酢酸銅又はその水和物の含有量が０．１〜２．５モル／ｋｇであり、かつ、前記ジオール化合物を、前記ギ酸銅又はその水和物１モル／ｋｇに対して０．２〜５．０モル／ｋｇの範囲で含み、前記ピペリジン化合物を、前記ギ酸銅又はその水和物１モル／ｋｇに対して０．２〜５．０モル／ｋｇの範囲で含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項６】
前記ジオール化合物と前記ピペリジン化合物の含有量の和が、ギ酸銅と酢酸銅の含有量の和１モル／ｋｇに対して、０．５〜２．０モル／ｋｇである請求項１〜５のいずれか１項に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項７】
前記有機溶剤が、アルコール系溶剤、ジオール系溶剤及びエステル系溶剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の有機溶剤を含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の銅膜形成用組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の銅膜形成用組成物を基体上に塗布する塗布工程と、その後に、該基体を１００〜４００℃に加熱することによって銅膜を形成する工程とを有することを特徴とする銅膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）基材上に、Ｃｒと、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＶからなる群から選ばれる１種または２種以上との合金と、窒素、炭素、酸素の１種又は２種以上の非金属元素との反応化合物からなる硬質装飾被膜を単層又は複層で積層したことを特徴とする硬質装飾部材。
（２）前記被膜中の前記非金属元素は、主として窒素からなることを特徴とする上記（１）に記載の硬質装飾部材。
（３）前記硬質装飾被膜が、基材上に、順に、密着層、傾斜密着層、耐磨耗層、色上げ傾斜層として、複層で積層された硬質装飾部材において、前記密着層の非金属元素は低濃度の酸素であり、前記傾斜密着層、前記耐磨耗層及び前記色上げ傾斜層の非金属元素は窒素、炭素、酸素の１種又は２種以上からなり、かつ前記傾斜密着層を構成する反応化合物における非金属元素の含有量が基材から離れるにつれて厚さ方向に傾斜的に増加し、前記色上げ傾斜層を構成する反応化合物における非金属元素の含有量が基材から離れるにつれて厚さ方向に傾斜的に増減することを特徴とする上記（１）に記載の硬質装飾部材。
（４）前記耐磨耗層の厚さは０．５〜４μｍであることを特徴とする上記（３）に記載の硬質装飾部材。
（５）前記Ｃｒの比率が２０ｗｔ％以上であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれかに記載の硬質装飾部材。
（６）前記硬質装飾部材の外観色が白色またはステンレス色であることを特徴とする上記（１）〜（５）のいずれか１項に記載の硬質装飾部材。
（７）外装部品の一部又は全部が、（１）〜（６）のいずれか１項に記載の硬質装飾部材で構成されることを特徴とする時計。
（８）反応性スパッタリング法により、前記密着層、前記傾斜密着層、前記耐磨耗層及び前記色上げ傾斜層の少なくとも１つを積層することを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の硬質装飾部材の製造方法。
（９）反応性スパッタリング法において、前記非金属元素を含む反応ガス量を時系列的に増加又は減少させることにより前記傾斜密着層及び前記色上げ傾斜層を積層することを特徴とする上記（８）に記載の硬質装飾部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、Ｃｒと、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｚｒ及びＶからなる群から選ばれる１種または２種以上との合金と、窒素、炭素、酸素の１種又は２種以上の非金属元素との反応化合物からなる硬質装飾被膜を単層又は複層で積層したことを特徴とする硬質装飾部材。
【請求項２】
前記被膜中の前記非金属元素は、主として窒素からなることを特徴とする請求項１に記載の硬質装飾部材。
【請求項３】
前記硬質装飾被膜が、基材上に、順に、密着層、傾斜密着層、耐磨耗層、色上げ傾斜層として、複層で積層された硬質装飾部材において、前記密着層の非金属元素は低濃度の酸素であり、前記傾斜密着層、前記耐磨耗層及び前記色上げ傾斜層の非金属元素は窒素、炭素、酸素の１種又は２種以上からなり、かつ前記傾斜密着層を構成する反応化合物における非金属元素の含有量が基材から離れるにつれて厚さ方向に傾斜的に増加し、前記色上げ傾斜層を構成する反応化合物における非金属元素の含有量が基材から離れるにつれて厚さ方向に傾斜的に増減することを特徴とする請求項１に記載の硬質装飾部材。
【請求項４】
前記耐磨耗層の厚さは０．５〜４μｍであることを特徴とする請求項３に記載の硬質装飾部材。
【請求項５】
前記Ｃｒの比率が２０wt％以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の硬質装飾部材。
【請求項６】
前記硬質装飾部材の外観色が白色またはステンレス色であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の硬質装飾部材。
【請求項７】
外装部品の一部又は全部が、請求項１〜６のいずれか１項に記載の硬質装飾部材で構成されることを特徴とする時計。
【請求項８】
反応性スパッタリング法により、前記密着層、前記傾斜密着層、前記耐磨耗層及び前記色上げ傾斜層の少なくとも１つを積層することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の硬質装飾部材の製造方法。
【請求項９】
反応性スパッタリング法において、前記非金属元素を含む反応ガス量を時系列的に増加又は減少させることにより前記傾斜密着層及び前記色上げ傾斜層を積層することを特徴とする請求項８に記載の硬質装飾部材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１の発明のロッカーアームシャフト支持部のエア抜き構造によれば、ロッカーアームシャフトの少なくとも一部が中実であって、シャフトを通じたエア抜きができない場合でも、有底支持孔をなす支持部に挿入する際に、シャフト端面と有底支持孔とで囲まれる空間に溜まる空気を、有底支持孔の底部と動弁室を連通するエア抜き孔によって逃がすことができるため、複雑な機構を加えることなく、ロッカーアームシャフトの組み付け時に、エア溜りにより押し返されることが無くなり、ロッカーアームシャフトの組み付け性を向上させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
排気動弁装置４Ｅは、クランク軸２と平行に設けられクランク軸２によって回転駆動される排気カムシャフト40Ｅと、排気カムシャフト40Ｅに設けられ排気カムシャフト40Ｅと一体に回転する排気カム45Ｅと、排気カム45Ｅにより揺動させられ、排気弁34を開閉する排気ロッカーアーム（本発明の「ロッカーアーム」）46Ｅとを備えている。
排気ロッカーアーム46Ｅは、排気カムシャフト40Ｅと平行な排気ロッカーアームシャフト（本発明の「ロッカーアームシャフト」）47Ｅによって揺動可能に軸支され、揺動する排気側ロッカーアーム46Ｅの先端部48が排気弁34のステム端34ａに当接する。
また、排気ロッカーアーム46Ｅには、排気カム45Ｅに転動可能に当接するローラ49が備えられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、吸気ロッカーアームシャフト47Ｉは、組み付けられた状態で、図４に示されるように、左吸気ロッカーアームシャフト支持孔60ＩＣ側は、封止栓59が螺入され、シリンダヘッド12の支持部（60ＩＡ、60ＩＢ、60ＩＣ）に固定されるが、その固定位置において、有底支持孔（60ＩＡ）に支持された側の吸気ロッカーアームシャフト47Ｉのシャフト端面47Ｉａと、有底支持孔（60ＩＡ）の底面との間に隙間部60Ｉａが設定され、隙間部60Ｉａにエア抜き孔としての雌ネジ孔58Ｉｏが連通されている。
したがって、吸気ロッカーアームシャフト47Ｉの端部によってエア抜き孔が閉塞されることがなく、固定位置まで、エア抜きを行ないつつ確実に吸気ロッカーアームシャフト47Ｉを挿入することができ、組み付けを容易に行なえる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、閉塞部材として、エア抜き孔としての雌ネジ孔58Ｉｏに着脱可能な締結栓部材となるカムホルダボルト57Ｉｏを適用したので、吸気動弁装置４Ｉの分解時等において吸気ロッカーアームシャフト47Ｉを抜き出すとき、カムホルダボルト57Ｉｏを取り外すことにより、エア抜き孔を開通させ、有底支持孔（60ＩＡ）に負圧が生じることを防ぎ、吸気ロッカーアームシャフト47Ｉを容易に抜き出すことが可能となり、メンテナンス性が高められている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
また、排気ロッカーアームシャフト47Ｅは、組み付けられた状態で、図５に示されるように、左排気ロッカーアームシャフト支持孔60ＥＣ側は、封止栓59が螺入され、シリンダヘッド12の支持部（60ＥＡ、60ＥＢ、61ＥＣ）に固定されるが、その固定位置において、有底支持孔（60ＥＡ）に支持された側の排気ロッカーアームシャフト47Ｅのシャフト端面47Ｅａと、有底支持孔（60ＥＡ）の底面との間に隙間部60Ｅａが設定され、隙間部60Ｅａにエア抜き孔としての雌ネジ孔58Ｅｏが連通されている。
したがって、排気ロッカーアームシャフト47Ｅの端部によってエア抜き孔が閉塞されることがなく、固定位置まで、エア抜きを行ないつつ確実に排気ロッカーアームシャフト47Ｅを挿入することができ、組み付けを容易に行なえる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、閉塞部材として、エア抜き孔としての雌ネジ孔58Ｅｏに着脱可能な締結栓部材となるカムホルダボルト57Ｅｏを適用したので、排気動弁装置４Ｅの分解時等において排気ロッカーアームシャフト47Ｅを抜き出すとき、カムホルダボルト57Ｅｏを取り外すことにより、エア抜き孔を開通させ、有底支持孔（60ＥＡ）に負圧が生じることを防ぎ、排気ロッカーアームシャフト47Ｅを容易に抜き出すことが可能となり、メンテナンス性が高められている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図３を参照して、吸気側、排気側を併せ見ると、吸気、排気カムシャフト40Ｉ、40Ｅが一対で、シリンダ軸線Ｘを挟んで両側に配置されて、吸気、排気ロッカーアームシャフト47Ｉ、47Ｅが一対で、吸気、排気カムシャフト40Ｉ、40Ｅと平行で且つ各カムシャフト40Ｉ、40Ｅのシリンダ軸線Ｘに対して外側寄りに配置されている。
そして、右吸気、排気カムホルダ（本発明の「カムホルダ」）56ＩＡ、56ＥＡをそれぞれ固定する一対のカムホルダボルト57（57Ｉｏ,57Ｉｉ、57Ｅｏ,57Ｅｉ）のうちのシリンダ軸線Ｘに対して外側寄りに配置されるカムホルダボルト57Ｉｏ、57Ｅｏを、前述の締結栓部材と兼用にしている。
シリンダヘッド12のシリンダ軸線Ｘ寄りは燃焼室31に近くなるので高い剛性が必要となるが、シリンダ軸線Ｘに対して外側寄りに吸気、排気ロッカーアームシャフト47Ｉ、47Ｅとエア抜き孔としての雌ネジ孔58Ｉｏ、58Ｅｏが配置されることになり、シリンダヘッド12の特に燃焼室31周辺の強度低下を抑制できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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