(57)【要約】下記一般式（１）で表される基を繰り返し単位として含む高分子化合物。2013191086.tif 000155［式（１）中、  Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。  Ｘ１ａは、下記式（１ａ）〜（１ｃ）からなる群から選ばれる基を表す。］2013191086.tif 000156［式（１ａ）〜（１ｃ）中、  Ｒ１ｃは、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。  Ｒ１ｄ〜Ｒ１ｆは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。式（１ｂ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。式（１ｃ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｆとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｄとＲ１ｆは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｅとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
2013191086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される基を繰り返し単位として含む高分子化合物。
2013191086.tif 000137
［式（１）中、
Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｘ１ａは、下記式（１ａ）〜（１ｃ）からなる群から選ばれる基を表す。］
2013191086.tif 000138
［式（１ａ）〜（１ｃ）中、
Ｒ１ｃは、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１ｄ〜Ｒ１ｆは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。式（１ｂ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。式（１ｃ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｆとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｄとＲ１ｆは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｅとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
【請求項２】
前記一般式（１）で表される基が下記一般式（１Ａ）で表される基である、請求項１に記載の高分子化合物。
2013191086.tif 000139
［式（１Ａ）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｃおよびＲ１ｄは、前記と同じ意味を表す。］
【請求項３】
前記Ｒ１ｃで表される基がアリール基を表す、請求項１または２に記載の高分子化合物。
【請求項４】
更に、下記一般式（２）および（３）で表される基からなる群から選ばれる１つ以上の基を繰り返し単位として含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
2013191086.tif 000140
［式（２）中、
Ａｒ２ａは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、または、アリーレン基および２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる２以上１０以下の基が互いに結合してなる２価の基を表し、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
但し、式（２）で表される基は、他の繰り返し単位と結合を形成するそれぞれの炭素原子の隣の炭素原子の少なくとも一つが、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有する。式（２）で表される基は、式（１）で表される基とは異なる。］
2013191086.tif 000141
［式（３）中、
Ａｒ３ａは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、または、アリーレン基および２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる２以上１０以下の基が互いに結合してなる２価の基を表し、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
但し、式（３）で表される基は、前記式（１）で表される基および前記式（２）で表される基とは異なる。］
【請求項５】
前記一般式（２）で表される基が下記一般式（２Ａ）で表される基である、請求項４に記載の高分子化合物。
2013191086.tif 000142
［式（２Ａ）中、
Ｒ２ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２ａは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｂは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。］
【請求項６】
前記一般式（２）で表される基が下記一般式（２Ｂ）で表される基である、請求項４に記載の高分子化合物。
2013191086.tif 000143
［式（２Ｂ）中、
Ｙ２は、炭素原子または窒素原子を表し、該炭素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有していてもよい。複数存在するＹ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｃは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２ｃは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｄは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２ｄは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ２は、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項７】
前記一般式（３）で表される基が下記一般式（３Ａ）で表される基である、請求項４に記載の高分子化合物。
2013191086.tif 000144
［式（３Ａ）中、
Ｙ３は、炭素原子または窒素原子を表し、該炭素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有していてもよい。複数存在するＹ３は同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ３は、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項８】
前記一般式（３）で表される基が下記一般式（３Ｂ）で表される基である、請求項４に記載の高分子化合物。
2013191086.tif 000145
［式（３Ｂ）中、
ｎ３Ｂは１〜３の整数を表す。
Ａｒ３Ｂは、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ３Ｂが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ３Ｂは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ３Ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。］
【請求項９】
前記式（３）で表される基が、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して０．１モル％以上５０モル％以下であり、かつ、前記式（３）で表される基同士が実質的に隣り合っていない、請求項４〜８のいずれか一項に記載の高分子化合物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物と、
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料と、を含有する組成物。
【請求項１１】
前記発光材料が燐光発光性化合物である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
下記一般式（１Ｂ）で表される基を繰り返し単位として含む高分子化合物と、
下記一般式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−２）または（Ｉｒ−３）で表される燐光発光性化合物と、を含有する組成物。
2013191086.tif 000146
［式（１Ｂ）中、Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１ｈおよびＲ１ｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。Ｒ１ｈおよびＲ１ｄは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
2013191086.tif 000147
［式（Ｉｒ−１）中、
ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７およびＲＤ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７およびＲＤ８の少なくとも１つは、下記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ１は、１、２または３を表す。］
2013191086.tif 000148
［式（Ｉｒ−２）中、
ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０の少なくとも１つは、下記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ２は、１、２または３を表す。］
2013191086.tif 000149
［式（Ｉｒ−３）中、
ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７、ＲＤ８、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７、ＲＤ８、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０の少なくとも１つは、下記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ３は、１または２を表す。］
2013191086.tif 000150
［式（Ｄｅｎｄ−Ａ）中、
ＧＤＡ１は、窒素原子、３価の芳香族炭化水素基または３価の芳香族複素環基を表す。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２およびＡｒＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表す。
ＴＤＡ２およびＴＤＡ３は、それぞれ独立に、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２およびｍＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。］
2013191086.tif 000151
［式（Ｄｅｎｄ−Ｂ）中、
ＧＤＡ１、ＧＤＡ２およびＧＤＡ３は、それぞれ独立に、窒素原子、３価の芳香族炭化水素基または３価の芳香族複素環基を表す。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６およびＡｒＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表す。
ＴＤＡ４、ＴＤＡ５、ＴＤＡ６およびＴＤＡ７は、それぞれ独立に、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２、ｍＤＡ３、ｍＤＡ４、ｍＤＡ５、ｍＤＡ６およびｍＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。］
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物と、溶媒と、を含有する液状組成物。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む有機膜。
【請求項１５】
陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた有機層と、を含む発光素子であって、
該有機層が請求項１〜９のいずれか一項に記載の高分子化合物を含有する、発光素子。
【請求項１６】
下記一般式（Ｍ１）で表される化合物。
2013191086.tif 000152
［式（Ｍ１）中、
Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｘ１ａは、下記式（１ａ）〜（１ｃ）からなる群から選ばれる基を表す。
Ｘ１は、下記の置換基（ａ）群から選ばれる基または下記の置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。複数存在するＸ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
（置換基（ａ）群）
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２０（Ｒ２０はアルキル基、または、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子もしくはシアノ基で置換されていてもよいアリール基を表す。）で表される基。
（置換基（ｂ）群）
−Ｂ（ＯＲ２１）２（Ｒ２１は水素原子またはアルキル基を表す。複数存在するＲ２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環を形成していてもよい。）で表される基、−ＢＦ４Ｑ１（Ｑ１はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムの１価の陽イオンを表す。）で表される基、−Ｓｎ（Ｒ２２）３（Ｒ２２は水素原子またはアルキル基を表す。複数存在するＲ２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合するスズ原子とともに環を形成していてもよい。）で表される基、−ＭｇＹ１（Ｙ１は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基、−ＺｎＹ２（Ｙ２は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基。］
2013191086.tif 000153
［式（１ａ）〜（１ｃ）中、
Ｒ１ｃは、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１ｄ〜Ｒ１ｆは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。式（１ｂ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。式（１ｃ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｆとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｄとＲ１ｆは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｅとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
【請求項１７】
前記一般式（Ｍ１）で表される化合物が、下記一般式（Ｍ２）で表される化合物である、請求項１６に記載の化合物。
2013191086.tif 000154
［式（Ｍ２）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｃ、Ｒ１ｄおよびＸ１は、前記と同じ意味を表す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物および該高分子化合物の原料モノマー、並びに、該高分子化合物を含有する組成物、有機膜および発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す燐光発光性化合物をホスト材料にドーピングした組成物が知られている。
前記ホスト材料の基本特性としては、高い発光効率を実現するために、最低三重項励起状態（以下、「Ｔ１」ともいう。）が高いエネルギー準位であることが重要である。
前記ホスト材料としては、塗布法によって有機膜が形成できるため、ポリビニルカルバゾール等の高分子化合物が好適に使用できることが知られている（特許文献１）。
前記ホスト材料としてはまた、２位および５位に特定の置換基を有する１，４−フェニレン基を繰り返し単位として含む高分子化合物（特許文献１）、並びに、フルオレン−２，７−ジイル基と２位および５位に特定の置換基を有する１，４−フェニレン基とを繰り返し単位として含む高分子化合物が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−５０４８３号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０３２４３７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、燐光発光性化合物に対するホスト材料として、上記の高分子化合物を用いて製造される発光素子は、得られる輝度寿命が必ずしも十分ではない。
そこで、本発明は、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な、燐光発光性化合物に対するホスト材料である高分子化合物を提供することを目的とする。本発明はまた、該高分子化合物を含有する組成物、有機膜および発光素子を提供することを目的とする。本発明はさらに、該高分子化合物の製造に有用な原料モノマーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は第一に、下記一般式（１）で表される基を繰り返し単位として含む高分子化合物を提供する。
2013191086.tif 000003
［式（１）中、
Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｘ１ａは、下記式（１ａ）〜（１ｃ）からなる群から選ばれる基を表す。］
2013191086.tif 000004
［式（１ａ）〜（１ｃ）中、
Ｒ１ｃは、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１ｄ〜Ｒ１ｆは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。式（１ｂ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。式（１ｃ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｆとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｄとＲ１ｆは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｅとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
本発明は第二に、上記高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群より選ばれる少なくとも１種の材料と、を含有する組成物を提供する。
本発明は第三に、下記一般式（１Ｂ）で表される基を繰り返し単位として含む高分子化合物と、下記一般式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−２）または（Ｉｒ−３）で表される燐光発光性化合物と、を含有する組成物を提供する。
2013191086.tif 000005
［式（１Ｂ）中、Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１ｈおよびＲ１ｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。Ｒ１ｈおよびＲ１ｄは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
2013191086.tif 000006
［式（Ｉｒ−１）中、
ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７およびＲＤ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７およびＲＤ８の少なくとも１つは、下記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ１は、１、２または３を表す。］
2013191086.tif 000007
［式（Ｉｒ−２）中、
ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０の少なくとも１つは、下記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ２は、１、２または３を表す。］
2013191086.tif 000008
［式（Ｉｒ−３）中、
ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７、ＲＤ８、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７、ＲＤ８、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０の少なくとも１つは、下記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ３は、１または２を表す。］
2013191086.tif 000009
［式（Ｄｅｎｄ−Ａ）中、
ＧＤＡ１は、窒素原子、３価の芳香族炭化水素基または３価の芳香族複素環基を表す。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２およびＡｒＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表す。
ＴＤＡ２およびＴＤＡ３は、それぞれ独立に、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２およびｍＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。］
2013191086.tif 000010
［式（Ｄｅｎｄ−Ｂ）中、
ＧＤＡ１、ＧＤＡ２およびＧＤＡ３は、それぞれ独立に、窒素原子、３価の芳香族炭化水素基または３価の芳香族複素環基を表す。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６およびＡｒＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表す。
ＴＤＡ４、ＴＤＡ５、ＴＤＡ６およびＴＤＡ７は、それぞれ独立に、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２、ｍＤＡ３、ｍＤＡ４、ｍＤＡ５、ｍＤＡ６およびｍＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。］
本発明は第四に、上記高分子化合物と、溶媒と、を含有する液状組成物を提供する。
本発明は第五に、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた有機層と、を含む発光素子であって、該有機層が上記記載の高分子化合物を含有する、発光素子を提供する。
本発明は第六に、下記一般式（Ｍ１）で表される化合物を提供する。
2013191086.tif 000011
［式（Ｍ１）中、
Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｘ１ａは、下記式（１ａ）〜（１ｃ）からなる群から選ばれる基を表す。
Ｘ１は、下記の置換基（ａ）群から選ばれる基または下記の置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。複数存在するＸ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
（置換基（ａ）群）
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２０（Ｒ２０はアルキル基、または、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子もしくはシアノ基を置換基として有していてもよいアリール基を表す。）で表される基。
（置換基（ｂ）群）
−Ｂ（ＯＲ２１）２（Ｒ２１は水素原子またはアルキル基を表す。複数存在するＲ２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環を形成していてもよい。）で表される基、−ＢＦ４Ｑ１（Ｑ１はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムの１価の陽イオンを表す。）で表される基、−Ｓｎ（Ｒ２２）３（Ｒ２２は水素原子またはアルキル基を表す。複数存在するＲ２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合するスズ原子とともに環を形成していてもよい。）で表される基、−ＭｇＹ１（Ｙ１は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基、−ＺｎＹ２（Ｙ２は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基。］
2013191086.tif 000012
［式（１ａ）〜（１ｃ）中、
Ｒ１ｃは、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１ｄ〜Ｒ１ｆは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。式（１ｂ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。式（１ｃ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｆとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｄとＲ１ｆは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｅとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な、燐光発光性化合物に対するホスト材料である高分子化合物を提供することができる。また、本発明によれば、該高分子化合物を含有する組成物、有機膜および発光素子を提供することができる。さらに、本発明によれば、該高分子化合物の製造に有用な原料モノマーを提供することができる。本発明の高分子化合物は、特に青色領域の発光色を示す燐光発光性化合物のホスト材料として特に有用である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
［用語、記号の説明］
以下、本発明をより明確なものとするために、本明細書中における用語、記号に関して説明する。
「電流効率」とは、発光素子の輝度を単位面積当たりの入力電流で除した値であり、単位としては、［ｃｄ／Ａ］が通常用いられる。
「輝度寿命」とは、輝度が初期値に対して一定の割合に達するまでの駆動時間であり、通常、一定電流密度で駆動したときの値をいう。「輝度寿命」は発光素子の安定性の指標の一つとなる。
本明細書中の構造式において、矢印で示される結合は、配位結合を示し、破線で示される結合は、共有結合または配位結合を示す。
「残基」とは、「化合物からｋ個の水素原子を取り除いた残りの原子団で表されるｋ価の基」を意味するものであり、ｋで表される数、および、取り除かれる水素原子の位置に関しては、必要に応じて、本明細書中でより詳細に説明されるものである。
「高分子化合物」とは、単量体を用いた重合反応により得られる分子量分布を有する重合体であり、特に、ポリスチレン換算の数平均分子量が、１×１０３〜１×１０８であるものを意味する。「低分子化合物」とは、高分子化合物のような分子量分布を有さない化合物であり、分子量が通常５０００以下のものを意味する。
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味し、この構成単位は、「繰り返し単位」（高分子化合物中に２個以上存在する単位）として高分子化合物中に存在するものであると好ましい。即ち、繰り返し単位は高分子化合物を製造する際の重合反応において、結合を形成することが可能な脱離基（重合活性基）を除いた部分構造により形成される構成単位または構成連鎖である。なお、「構成連鎖」とは、高分子化合物中において、２つ以上の構成単位が単結合によって結合して形成された構造を意味する。
「ｎ価の芳香族複素環基」（ｎは、１以上の整数を表す。）とは、芳香族性を示す単環または縮合環の複素環式化合物から、環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子のうちｎ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。「複素環式化合物」とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する原子として、炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、ケイ素原子等のヘテロ原子を含む化合物をいう。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール等のヘテロ原子を含む複素環式化合物であり、複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等のヘテロ原子を含む複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
また、本明細書において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、ｉ−Ｐｒ及びｉ−ｐｒｏはイソプロピル基を表し、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基を表し、ｔＢｕ、ｔ−Ｂｕおよびｔ−ブチル基はｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
［置換基の説明］
本明細書に示した各種の置換基について具体的に説明する。本明細書では、特別な説明がない限り、各置換基は以下で説明されるものとする。また、本明細書では、化合物、構成単位および繰り返し単位の有する水素原子は任意に重水素原子に置き換えられていてもよく、同様に、他の原子も、天然に存在する各種同位体に置き換わったものであってもよい。
（アルキル基）
アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれであってもよいが、直鎖アルキル基が好ましい。アルキル基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、１〜２０（分岐アルキル基および環状アルキル基の場合、３〜２０）が好ましく、より好ましくは１〜１５（分岐アルキル基および環状アルキル基の場合、３〜１５）、さらに好ましくは１〜１２（分岐アルキル基および環状アルキル基の場合、３〜１２）。アルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ドデシル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基が挙げられる。
（アリール基）
アリール基は、単環または縮合環の芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団である。アリール基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、６〜６０が好ましく、６〜４８がより好ましく、６〜２０が更に好ましく、６〜１４が特に好ましい。アリール基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アリール基の例としては、フェニル基、ナフチル基が挙げられる。
（１価の芳香族複素環基）
１価の芳香族複素環基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、２〜６０が好ましく、３〜２０がより好ましい。１価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
１価の芳香族複素環基の例としては、２−オキサジアゾリル基、２−チアジアゾリル基、２−チアゾリル基、２−オキサゾリル基、２−チエニル基、２−ピロリル基、２−フリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピラジル基、２−ピリミジル基、２−トリアジル基、３−ピリダジル基、３−カルバゾリル基、２−フェノキサジニル基、３−フェノキサジニル基、２−フェノチアジニル基、３−フェノチアジニル基が挙げられる。
（アルコキシ基）
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれであってもよいが、直鎖アルコキシ基が好ましい。アルコキシ基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、１〜２０（分岐アルコキシ基および環状アルコキシ基の場合、３〜２０）が好ましい。アルコキシ基が有していてもよい置換基としては、例えば、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ドデシルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基、２−エトキシエチルオキシ基が挙げられる。
（アリールオキシ基）
アリールオキシ基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、６〜６０が好ましい。アリールオキシ基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェノキシ基（「Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が１〜１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。
（アラルキル基）
アラルキル基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、７〜６０が好ましい。
アラルキル基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アラルキル基の例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が挙げられる。
（アリールアルコキシ基）
アリールアルコキシ基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、７〜６０が好ましい。アリールアルコキシ基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アリールアルコキシ基の例としては、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシ基が挙げられる。
（置換アミノ基）
置換アミノ基の炭素数は、置換基の炭素数を含めて、２〜６０が好ましい。置換アミノ基が有する置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基および１価の芳香族複素環基が挙げられる。置換アミノ基は、アミノ基が有する置換基同士が、直接結合して、それぞれが結合する窒素原子とともに環構造を形成した基、および、炭素原子、酸素原子、硫黄原子等を介して結合して、それぞれが結合する窒素原子とともに環構造を形成した基であってもよい。置換アミノ基としては、ジアルキル置換アミノ基、ジアリール置換アミノ基が好ましい。
置換アミノ基の例としては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジ−４−トリルアミノ基、ジ−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、Ｎ−カルバゾリル基、Ｎ−フェノキサジニル基、Ｎ−アクリジニル基、Ｎ−フェノチアジニル基が挙げられる。
（置換カルボニル基）
置換カルボニル基の炭素数は、置換基の炭素数を含めて、２〜６０が好ましい。
置換カルボニル基としては、−ＣＯＲ２３（Ｒ２３は置換基を表す。）で表される基であって、Ｒ２３がアルキル基、アリール基、アラルキル基または１価の芳香族複素環基である基が挙げられる。
置換カルボニル基の例としては、アセチル基、ブチリル基、ベンゾイル基が挙げられる。
（置換オキシカルボニル基）
置換オキシカルボニル基の炭素数は、置換基の炭素数を含めて、２〜６０が好ましい。
置換オキシカルボニル基としては、−ＣＯＯＲ２４（Ｒ２４は置換基を表す。）で表される基であって、Ｒ２４がアルキル基、アリール基、アラルキル基または１価の芳香族複素環基である基が挙げられる。
置換オキシカルボニル基の例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基が挙げられる。
（アリーレン基）
アリーレン基は、単環または縮合環の芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、６〜６０が好ましく、より好ましくは６〜４８、さらに好ましくは６〜３０であり、特に好ましくは６〜１８である。アリーレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
アリーレン基の例としては、１，４−フェニレン基（下記式００１）、１，３−フェニレン基（下記式００２）、１，２−フェニレン基（下記式００３）等のフェニレン基；ナフタレン−１，４−ジイル基（下記式００４）、ナフタレン−１，５−ジイル基（下記式００５）、ナフタレン−２，６−ジイル基（下記式００６）等のナフタレンジイル基；９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基（下記式００７）等のジヒドロフェナントレンジイル基；フルオレン−３，６−ジイル基（下記式００８）、フルオレン−２，７−ジイル基（下記式００９）等のフルオレンジイル基が挙げられる。
2013191086.tif 000013
2013191086.tif 000014
式００１〜式００９中、Ｒは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。Ｒａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表す。
複数存在するＲは、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよい。複数存在するＲａは、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよい。
式００１〜００９中、Ｒとしては、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基または置換アミノ基が好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基がより好ましい。
式００１〜００９中、Ｒａとしては、アリール基またはアルキル基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基もしくはアリール基を置換基として有していてもよいアリール基、または、アルキル基がより好ましく、少なくとも１つのＲａは、アルキル基、アルコキシ基もしくはアリール基を置換基として有していてもよいアリール基であることが更に好ましい。
式００１〜００９中、ＲおよびＲａがそれぞれ形成する環構造としては、アルキル基を置換基として有していてもよいシクロペンチル環、アルキル基を置換基として有していてもよいシクロヘキシル環、アルキル基を置換基として有していてもよいシクロヘプチル環が好ましい。なお、当該環構造は、更にベンゼン環等が縮合した縮合環構造であってもよい。
（２価の芳香族複素環基）
２価の芳香族複素環基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、２〜６０が好ましく、３〜２０がより好ましい。２価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
２価の芳香族複素環基の例としては、ピリジン−２，５−ジイル基（下記式１０１）、ピリジン−２，６−ジイル基（下記式１０２）等のピリジンジイル基；ピリミジン−４，６−ジイル基（下記式１０３）等のピリミジンジイル基；トリアジン−２，４−ジイル基（下記式１０４）等のトリアジンジイル基；ピラジン−２，５−ジイル基（下記式１０５）等のピラジンジイル基；ピリダジン−３，６−ジイル基（下記式１０６）等のピリダジンジイル基；キノリン−２，６−ジイル基（下記式１０７）等のキノリンジイル基；イソキノリン−１，４−ジイル基（下記式１０８）等のイソキノリンジイル基；キノキサリン−５，８−ジイル基（下記式１０９）等のキノキサリンジイル基；カルバゾール−３，６−ジイル基（下記式１１０）、カルバゾール−２，７−ジイル基（下記式１１１）等のカルバゾールジイル基；ジベンゾフラン−４，７−ジイル基（下記式１１２）、ジベンゾフラン−３，８−ジイル基（下記式１１３）等のジベンゾフランジイル基；ジベンゾチオフェン−４，７−ジイル基（下記式１１４）、ジベンゾチオフェン−３，８−ジイル基（下記式１１５）等のジベンゾチオフェンジイル基；ジベンゾシロール−４，７−ジイル基（下記式１１６）、ジベンゾシロール−３，８−ジイル基（下記式１１７）等のジベンゾシロールジイル基；フェノキサジン−３，７−ジイル基（下記式１１８）、フェノキサジン−２，８−ジイル基（下記式１１９）等のフェノキサジンジイル基；フェノチアジン−３，７−ジイル基（下記式１２０）、フェノチアジン−２，８−ジイル基（下記式１２１）等のフェノチアジンジイル基；ジヒドロアクリジン−２，７−ジイル基（下記式１２２）等のジヒドロアクリジンジイル基；下記式１２３で表される２価の基；ピロ−ル−２，５−ジイル基（下記式１２４）等のピロールジイル基；フラン−２，５−ジイル基（下記式１２５）等のフランジイル基；チオフェン−２，５−ジイル基（下記式１２６）等のチオフェンジイル基；ジアゾール−２，５−ジイル基（下記式１２７）等のジアゾールジイル基；トリアゾール−２，５−ジイル基（下記式１２８）等のトリアゾールジイル基；オキサゾール−２，５−ジイル基（下記式１２９）等のオキサゾールジイル基；オキサジアゾール−２，５−ジイル基（下記式１３０）；チアゾール−２，５−ジイル基（式１３１）等のチアゾールジイル基；チアジアゾール−２，５−ジイル基（下記式１３２）が挙げられる。
2013191086.tif 000015
2013191086.tif 000016
式１０１〜１３２中、ＲおよびＲａは、前記と同じ意味を表す。
（２価の芳香族アミン残基）
２価の芳香族アミン残基は、例えば、下記一般式（４）で表される基である。
2013191086.tif 000017
式（４）中、
Ａｒ５ａ、Ａｒ５ｂ、Ａｒ５ｃおよびＡｒ５ｄは、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ５ｅ、Ａｒ５ｆおよびＡｒ５ｇは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ５ａ、Ａｒ５ｂ、Ａｒ５ｃ、Ａｒ５ｄ、Ａｒ５ｅ、Ａｒ５ｆおよびＡｒ５ｇが有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられ、アルキル基、アリール基、アラルキル基が好ましい。
Ａｒ５ｄ、Ａｒ５ｅ、Ａｒ５ｆおよびＡｒ５ｇで表される基は、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接結合するか、または、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｎ（ＲＡ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＲＡ）−もしくはＣ（ＲＡ）２−で表される基を介して結合して、環構造を形成していてもよく、当該環構造としては、５〜７員環であることが好ましい。ＲＡは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもい。ＲＡが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成していてもよい。
ｍａおよびｍｂは、それぞれ独立に、０または１である。
（３価の芳香族炭化水素基）
３価の芳香族炭化水素基は、単環または縮合環の芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子３個を除いた残りの原子団を意味する。３価の芳香族炭化水素基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、６〜６０が好ましく、６〜４８がより好ましく、６〜２０が更に好ましく、６〜１４が特に好ましい。３価の芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
３価の芳香族炭化水素基の例としては、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ナフタセン、フルオレン、ピレン、ペリレン等の芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子３個を除いた残りの原子団が挙げられる。
（３価の芳香族複素環基）
３価の芳香族複素環基は、芳香族性を示す単環または縮合環の複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子３個を除いた残りの原子団を意味する。３価の芳香族複素環基の炭素数は、後述の置換基の炭素数を含めないで、２〜６０が好ましく、３〜２０がより好ましい。３価の芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
３価の芳香族複素環基の例としては、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ジベンゾホスホール、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の芳香族複素環式化合物から環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合する水素原子３個を除いた残りの原子団が挙げられる。
［高分子化合物］
次に、好適な実施形態に係る高分子化合物について説明する。本発明の高分子化合物は、式（１）で表される基を繰り返し単位として含む。より好適な態様において、式（１）で表される基を繰り返し単位として含み、更に、式（２）で表される基および／または式（３）で表される基を繰り返し単位として含む。また、本発明の高分子化合物は、式（１）で表される基、式（２）で表される基および式（３）で表される基以外の基を、繰り返し単位として含んでいてもよい。なお、式（１）で表される基、式（２）で表される基および式（３）で表される基はそれぞれ、一種単独でも複数含まれていてもよい。以下で、各基について説明する。
（式（１）で表される基）
2013191086.tif 000018
［式（１）中、
Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｘ１ａは、下記式（１ａ）〜（１ｃ）からなる群から選ばれる基を表す。］
2013191086.tif 000019
［式（１ａ）〜（１ｃ）中、
Ｒ１ｃは、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１ｄ〜Ｒ１ｆは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。式（１ｂ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。式（１ｃ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｆとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｄとＲ１ｆは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｅとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
式（１）におけるＲ１ｃとしては、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるため、アリール基が好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基がより好ましく、アルキル基を置換基として有するフェニル基が更に好ましい。
また、式（１）におけるＲ１ｄ〜Ｒ１ｆとしては、実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるため、アルキル基またはアリール基が好ましい。
式（１ｂ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅの組み合わせとしては、本実施形態の高分子化合物の合成が容易になるため、双方がアルキル基、双方がアリール基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基であることが好ましく、双方がアリール基、または、一方がアルキル基で他方がアリール基であることがより好ましく、一方がアルキル基で他方がアリール基であることがさらに好ましい。
式（１）におけるＸ１ａとしては、式（１ａ）で表される基であることが好ましい。すなわち、式（１）で表される基は、式（１Ａ）で表される基であることが好ましい。
2013191086.tif 000020
［式（１Ａ）中、Ｒ１ａ、Ｒ１ｃおよびＲ１ｄは、前記と同じ意味を表す。］
式（１）で表される基としては、例えば、下記式（１−１ａ）〜（１−２８ａ）、（１−１ｂ）〜（１−８ｂ）および（１−１ｃ）〜（１−１０ｃ）で表される基が挙げられ、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるため、式（１−１ａ）〜（１−１２ａ）、（１−１４ａ）〜（１−２８ａ）、（１−２ｂ）〜（１−６ｂ）、（１−８ｂ）、（１−２ｃ）〜（１−１０ｃ）で表される基が好ましい。
2013191086.tif 000021
2013191086.tif 000022
2013191086.tif 000023
2013191086.tif 000024
式（１）におけるＲ１ａ、Ｒ１ｃおよびＲ１ｄ〜Ｒ１ｆが有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アラルキル基が挙げられ、本実施形態の高分子化合物の原料モノマーの合成がより簡便になるため、アルキル基であることが好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基がより好ましい。
式（１）におけるＲ１ａは、本実施形態の高分子化合物の原料モノマーの合成がより簡便になるため、複数あるＲ１ａは同一であることが好ましい。Ｒ１ａは、メチル基、エチル基、プロピル基が更に好ましく、メチル基が特に好ましい。
（式（２）で表される基）
2013191086.tif 000025
［式（２）中、
Ａｒ２ａは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、または、アリーレン基および２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる２以上１０以下の基が互いに結合してなる２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
但し、式（２）で表される基は、他の繰り返し単位と結合を形成するそれぞれの炭素原子の隣の炭素原子の少なくとも一つが、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有する。式（２）で表される基は、式（１）で表される基とは異なる。］
式（２）で表される基は、本実施形態の高分子化合物において繰り返し単位として含まれるが、高分子鎖において式（２）で表される基の認定方法が複数存在する場合、Ａｒ２ａの個数が最小となる基を、式（２）で表される基と認定する。
式（２）で表される基は、他の繰り返し単位と結合を形成するそれぞれの炭素原子の隣の炭素原子の少なくとも一つが、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有する。これにより、本実施形態の高分子化合物のＴ１エネルギー準位を高めることが可能となる。これらの置換基の中でも、本実施形態の高分子化合物の原料モノマーの合成がより簡便になるため、アルキル基が好ましい。
式（２）で表される基としては、本実施形態の高分子化合物のＴ１エネルギー準位がより高くなるため、式（２Ａ）で表される基であることが好ましい。
2013191086.tif 000026
［式（２Ａ）中、
Ｒ２ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２ａは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｂは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。］
式（２Ａ）におけるＲ２ａとしては、本実施形態の高分子化合物の耐熱性と有機溶媒への溶解性とがバランス良く得られるため、アルキル基またはアラルキル基が好ましく、アルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、２−シクロヘキシルエチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基またはドデシル基が特に好ましい。
式（２Ａ）におけるＲ２ｂとしては、本実施形態の高分子化合物の耐熱性と有機溶媒への溶解性とがバランス良く得られ、かつ、本実施形態の高分子化合物の原料モノマーの重合時の反応性が良好となるため、水素原子、アルキル基またはアラルキル基が好ましく、水素原子またはアルキル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
式（２Ａ）で表される基としては、例えば、下記式２Ａ−００１〜２Ａ−０１９および２Ａ−１０１〜２Ａ−１０５で表される基が挙げられ、溶媒への溶解性が優れるので、式２Ａ−００３〜２Ａ−０１５、２Ａ−０１８〜２Ａ−０１９で表される基が好ましく、式２Ａ−００５〜２Ａ−０１５、２Ａ−０１９で表される基がより好ましい。
2013191086.tif 000027
また、式（２）で表される基としては、本実施形態の高分子化合物のＴ１エネルギー準位が高くなり、かつ、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧が低下するので、式（２Ｂ）で表される基であることが好ましい。
2013191086.tif 000028
［式（２Ｂ）中、
Ｙ２は、炭素原子または窒素原子を表し、該炭素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有していてもよい。複数存在するＹ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｃは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２ｃは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ２ｄは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ２ｄは、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ２は、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
式（２Ｂ）におけるＹ２としては、アルキル基を置換基として有していてもよい炭素原子または窒素原子が好ましい。
式（２Ｂ）におけるＡｒ２が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
式（２Ｂ）におけるＡｒ２としては、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧が低下するので、アリール基または１価の芳香族複素環基が好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基またはアルキル基を置換基として有する１価の芳香族複素環基がより好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基が更に好ましい。
式（２Ｂ）におけるＲ２ａとしては、本実施形態の高分子化合物の耐熱性と有機溶媒への溶解性とがバランス良く得られるため、アルキル基またはアラルキル基が好ましく、アルキル基がより好ましく、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシルメチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、２−シクロヘキシルエチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基またはドデシル基が更に好ましい。
式（２Ｂ）におけるＲ２ｂとしては、本実施形態の高分子化合物の耐熱性と有機溶媒への溶解性とがバランス良く得られ、かつ、本実施形態の高分子化合物の原料モノマーの重合時の反応性がより良好となるため、水素原子、アルキル基またはアラルキル基が好ましく、水素原子またはアルキル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。
式（２Ｂ）で表される基としては、例えば、下記式２Ｂ−００１〜２Ｂ−０１２、２Ｂ−１０１〜２Ｂ−１０３、２Ｂ−２０１〜２Ｂ−２０３、２Ｂ−３０１〜２Ｂ−３０３および２Ｂ−４０１〜２Ｂ−４０３で表される基が挙げられ、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧が低下するので、式２Ｂ−００１〜２Ｂ−０１２で表される基が好ましい。
2013191086.tif 000029
2013191086.tif 000030
2013191086.tif 000031
（式（３）で表される基）
2013191086.tif 000032
［式（３）中、
Ａｒ３ａは、アリーレン基、２価の芳香族複素環基、または、アリーレン基および２価の芳香族複素環基からなる群から選ばれる２以上１０以下の基が互いに結合してなる２価の基を表し、これらの基はさらに置換基を有していてもよい。
但し、式（３）で表される基は、前記式（１）で表される基および前記式（２）で表される基とは異なる。］
式（３）で表される基は、本実施形態の高分子化合物において繰り返し単位として含まれるが、高分子鎖において式（３）で表される基の認定方法が複数存在する場合、Ａｒ３ａの個数が最小となる基を、式（３）で表される基と認定する。
式（３）で表される基は、式（１）で表される基および式（２）で表される基とは異なる基（すなわち、他の繰り返し単位と結合を形成するそれぞれの炭素原子の隣の炭素原子の少なくとも一つが、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有さない基。）である。これにより、本実施形態の高分子化合物の合成がより簡便となり、かつ、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧がより低下する。
式（３）で表される基としては、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧がより低下するため、式（３Ａ）で表される基であることが好ましい。
2013191086.tif 000033
［式（３Ａ）中、
Ｙ３は、炭素原子または窒素原子を表し、該炭素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を置換基として有していてもよい。複数存在するＹ３は同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ３は、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
式（３Ａ）におけるＹ３としては、アルキル基を置換基として有していてもよい炭素原子または窒素原子が好ましい。
式（３Ａ）におけるＡｒ３が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
式（３Ａ）におけるＡｒ３としては、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の素子寿命がより優れるため、アリール基または１価の芳香族複素環基が好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基またはアルキル基を置換基として有する１価の芳香族複素環基がより好ましく、アルキル基を置換基として有するアリール基が更に好ましい。
式（３Ａ）で表される基としては、例えば、下記式３Ａ−００１〜３Ａ−０１２、３Ａ−３０１〜３Ａ−３０３、式３Ａ−４０１〜３Ａ−４０３で表される基が挙げられ、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるため、式３Ａ−００１〜３Ａ−０１２で表される基が好ましい。
2013191086.tif 000034
2013191086.tif 000035
式（３）で表される基としては、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の電流効率が優れるので、下記式（３Ｂ）式で表される基であることが好ましい。
2013191086.tif 000036
［式（３Ｂ）中、
ｎ３Ｂは１〜３の整数を表す。
Ａｒ３Ｂは、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ３Ｂが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ３Ｂは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ３Ｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。］
式（３Ｂ）で表される基は、本実施形態の高分子化合物において繰り返し単位として含まれるが、高分子鎖において式（３Ｂ）で表される基の認定方法が複数存在する場合、ｎ３Ｂの値が最小となる基を、式（３Ｂ）で表される基と認定する。
式（３Ｂ）におけるＲ３Ｂとしては、本実施形態の高分子化合物の原料モノマーの合成がより簡便になるため、アルキル基が好ましく、メチル基、エチル基またはプロピル基がより好ましく、メチル基が更により好ましい。
式（３Ｂ）におけるＡｒ３Ｂが有していてもよい置換基としては、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子およびシアノ基が挙げられる。
式（３Ｂ）におけるＡｒ３Ｂとしては、１，４−フェニレン基（式００１）、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基（式００７）、フルオレン−３，６−ジイル基（式００８）、フルオレン−２，７−ジイル基（式００９）、１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル基（式１０４）、カルバゾール−３，６−ジイル基（式１１０）、カルバゾール−２，７−ジイル基（式１１１）、ジベンゾフラン−４，７−ジイル基（式１１２）、ジベンゾフラン−３，８−ジイル基（式１１３）、ジベンゾチオフェン−４，７−ジイル基（式１１４）またはジベンゾチオフェン−３，８−ジイル基（式１１５）が好ましい。
式（３Ｂ）におけるＡｒ３Ｂが、１，４−フェニレン基（式００１）である場合は、ｎ３Ｂは１または２であることが好ましく、Ａｒ３Ｂで表される基としては、下記式３Ｂ−００１で表される基が挙げられる。
2013191086.tif 000037
（式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。）
式（３Ｂ）におけるＡｒ３Ｂが、９，１０−ジヒドロフェナントレン−２，７−ジイル基（式００７）、フルオレン−３，６−ジイル基（式００８）、フルオレン−２，７−ジイル基（式００９）、カルバゾール−３，６−ジイル基（式１１０）、カルバゾール−２，７−ジイル基（式１１１）、ジベンゾフラン−４，７−ジイル基（式１１２）、ジベンゾフラン−３，８−ジイル基（式１１３）、ジベンゾチオフェン−４，７−ジイル基（式１１４）およびジベンゾチオフェン−３，８−ジイル基（式１１５）からなる群から選ばれる基である場合には、ｎ３Ｂは１であることが好ましい。
式（３Ｂ）におけるＡｒ３Ｂが、１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル基（式１０４）を含む場合は、ｎ３Ｂは３であることが好ましく、Ａｒ３Ｂで表される基としては、下記式３Ｂ−３０１〜３Ｂ−３２１で表される基が挙げられ、原料となるモノマー化合物の合成の容易さの観点から、式３Ｂ−３０１〜３Ｂ−３０９で表される基が好ましく、式３Ｂ−３０１、３Ｂ−３０３、３Ｂ−３０４、３Ｂ−３０８または式３Ｂ−３０９で表される基がより好ましい。
2013191086.tif 000038
2013191086.tif 000039
（式中、ＲおよびＲａは前記と同じ意味を表す。）
式（３Ｂ）で表される基としては、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の輝度寿命がより優れるため、Ａｒ３Ｂで表される基が１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル基（式１０４）を含む場合が好ましく、中でも下記式３Ｂ−４０１〜３Ｂ−４１２、３Ｂ−５０１〜３Ｂ−５０３、および、式３Ｂ−６０１〜３Ｂ−６０３で表される基がより好ましい。
2013191086.tif 000040
2013191086.tif 000041
本発明の高分子化合物は、更に２価の芳香族アミン残基を繰り返し単位として含むことが、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧がより低下するため、好ましい。
２価の芳香族アミン残基は、例えば、下記一般式（４）で表される基である。
2013191086.tif 000042
［式（４）中、Ａｒ５ａ〜Ａｒ５ｇ、ｍａおよびｍｂは、前記と同じ意味を表す。］
前記一般式（４）において、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の電流効率が優れるため、ｍａおよびｍｂは０であることが好ましい。
２価の芳香族アミン残基の例としては、下記式４−００１〜４−００６で表される基が挙げられ、本実施形態の高分子化合物を用いた発光素子の電流効率が優れるため、式４−００１、４−００３〜４−００５で表される基が好ましい。
2013191086.tif 000043
（錯体高分子化合物）
本実施形態の高分子化合物は、燐光発光性化合物の残基から誘導される１〜３価の基を構成単位として有する高分子化合物（以下、「錯体高分子化合物」と言う。）であってもよい。
本実施形態の錯体高分子化合物が含む、燐光発光性化合物の残基から誘導される１〜３価の基である構成単位としては、高分子鎖の末端に１価の基として存在する燐光発光性化合物の残基から誘導される１価の基である構成単位、高分子鎖の主鎖に２価の基として存在する燐光発光性化合物の残基から誘導される２価の基である構成単位（繰り返し単位であることが好ましい。）、および、高分子鎖の主鎖に３価の基として存在する燐光発光性化合物の残基から誘導される３価の基である構成単位（繰り返し単位であることが好ましい。）が挙げられる。なお、高分子鎖の主鎖に３価の基として存在する燐光発光性化合物の残基から誘導される３価の基である構成単位は、該構成単位において高分子鎖が分岐することになる。
高分子鎖の末端に１価の基として存在する燐光発光性化合物の残基から誘導される１価の基である構成単位としては、後述の式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物の有するＬで表される配位子から水素原子を１個取り除いた１価の残基が挙げられる。
高分子鎖の主鎖に２価の基として存在する燐光発光性化合物の残基から誘導される２価の基である構成単位としては、後述の式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物の有するＬで表される配位子から水素原子を１個取り除いた１価の残基を置換基として有するアリーレン基または２価の芳香族複素環基、後述の式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物の有するＬで表される配位子１つから水素原子を２個取り除いた２価の残基、および、後述の式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物の有するＬで表される配位子２つから水素原子を各１個取り除いた２価の残基が挙げられる。
高分子鎖の主鎖に３価の基として存在する燐光発光性化合物の残基から誘導される３価の基である構成単位としては、後述の式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物の有するＬで表される配位子１つから水素原子を３個取り除いた３価の残基、後述の式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物の有するＬで表される配位子２つから水素原子をそれぞれ１個および２個取り除いた３価の残基、および、後述の式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物の有するＬで表される配位子３つから水素原子を各１個取り除いた３価の残基が挙げられる。
（高分子化合物のＴｇ、溶解性）
本発明の高分子化合物は、発光素子の製造に用いた場合に、より安定な有機膜の形状を得ることができ、得られる発光素子の保存温度範囲をより広げることができ、かつ、得られる発光素子の輝度寿命等の安定性をより向上させることができるため、ガラス転移温度（以下、「Ｔｇ」ということがある。）が６０℃以上であることが好ましく、８０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることが更により好ましい。なお、本発明の高分子化合物を後述の燐光発光性化合物との組成物として用いる場合、燐光発光性化合物である金属錯体は、通常高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有するため、本実施形態の組成物のガラス転移温度としては、本発明の高分子化合物単独のガラス転移温度よりも高い値となる。
本発明の高分子化合物のガラス転移温度を上記の好ましい範囲とするためには、高分子化合物が含む繰り返し単位に適切な置換基を導入することが好ましい。該置換基としてはアルキル基が好ましい。
本発明の高分子化合物は、発光素子の製造に用いる場合に、通常溶液塗布法を用いるため、後述の燐光発光性化合物と共に用いる場合には、燐光発光性化合物を溶解させることが可能な溶媒に対して溶解性を示す有するものであることが好ましい。
本発明の高分子化合物に適切な溶解性を持たせるためには、高分子化合物が含む繰り返し単位に適切な置換基を導入することが好ましい。当該置換基としてはアルキル基が好ましい。
（高分子化合物の構造）
以下、本発明の高分子化合物の好ましい構造に関して説明する。
本実施形態の高分子化合物は、後述の燐光発光性化合物との組成物を用いた発光素子の素子寿命がより優れるため、式（１）で表される基の含有量は、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して２０モル％以上であることが好ましく、２５モル％以上であることがより好ましく、３０モル％以上であることが更に好ましい。
本実施形態の高分子化合物が、式（２）で表される基を繰り返し単位として含むものである場合、後述の燐光発光性化合物との組成物を用いた発光素子の電流効率がより優れるため、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して１５モル％以上９０モル％以下であることが好ましく、２０モル％以上７０モル％以下であることがより好ましく、３０モル％以上５０モル％以下であることが更に好ましい。
本実施形態の高分子化合物が、式（３）で表される基を繰り返し単位としてを含むものである場合、後述の燐光発光性化合物との組成物を用いた発光素子の電流効率がより優れるため、式（３）で表される基の含有量は、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して１モル％以上５０モル％以下であることが好ましく、３モル％以上３０モル％以下であることがより好ましく、５モル％以上２０モル％以下であることが更に好ましい。
本実施形態の高分子化合物が、前記２価の芳香族アミン残基を繰り返し単位として含むものである場合、後述の燐光発光性化合物との組成物を用いた発光素子の電流効率がより優れるため、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して１モル％以上５０モル％以下であることが好ましく、３モル％以上３０モル％以下であることがより好ましく、５モル％以上２０モル％以下であることが更に好ましい。
本実施形態の高分子化合物が、式（３）で表される基を繰り返し単位としてを含むものである場合、後述の燐光発光性化合物との組成物を用いた発光素子の電流効率がより優れるため、式（３）で表される基の含有量は、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して５０モル％以下であり、かつ、式（３）で表される基同士が実質的に隣り合っていないことが好ましい。これは、式（３）で表される基が互いに結合することにより、本実施形態の高分子化合物のＴ１エネルギー準位が低下する傾向があるためである。
上記の「実質的に隣り合っていない」とは、高分子化合物に含まれる全繰り返し単位の結合に対する、式（３）で表される基同士の結合の割合が、１０モル％以下であることを意味し、５モル％以下であることが好ましく、１モル％以下であることがより好ましく、０モル％であることが更に好ましい。
また、本実施形態の高分子化合物が、式（２）で表される基および式（３）で表される基を繰り返し単位として含むものである場合、本実施形態の高分子化合物のＴ１エネルギー準位をより高め、かつ、後述の燐光発光性化合物との組成物を用いた発光素子の駆動電圧がより優れるため、式（２）で表される基の含有量が、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して５０モル％以上であり、かつ、式（１）で表される基と、式（１）で表される基および式（３）で表される基とが、実質的に隣り合っていないことが好ましい。これは、式（１）で表される基同士が互いに結合した構成単位と比較して、式（１）で表される基と式（２）で表される基とが互いに結合した構成単位の方が、高分子化合物を用いた発光素子の駆動電圧を低減する効果が高いためであり、また、式（１）で表される基と式（３）で表される基とが互いに結合した構成単位と比較して、式（１）で表される基と式（２）で表される基とが互いに結合した構成単位の方が、高分子化合物のＴ１エネルギー準位を高める効果が大きいためである。よって、本実施形態の高分子化合物は、式（１）で表される基の両隣に、式（２）で表される基が結合した構成単位を含むように重合されたものであることが好ましい。
上記の「実質的に隣り合っていない」とは、前述の「実質的に隣り合っていない」と同じ意味を表す。
本実施形態の高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、上記観点から、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
［高分子化合物の製造方法］
本発明の高分子化合物は、高分子化合物を構成する繰り返し単位やその他の基を導入するための原料モノマーを、適宜反応させることによって製造できることができる。ここで、原料モノマーとしては、各繰り返し単位または各基における高分子鎖に結合している２つの結合手が、重合反応により結合を形成することが可能な脱離基（以下、「重合活性基」といもいう。）に置き換わった構造を有するものを用いることができる。重合反応は、例えば、公知のクロスカップリング等の重合方法を適用して原料モノマーを共重合させることにより行うことができる。
式（１）で表される繰り返し単位を導入するためには、下記式（Ｍ１）で表される化合物を用いることが好ましい。
2013191086.tif 000044
［式（Ｍ１）中、
Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｘ１ａは、下記式（１ａ）〜（１ｃ）からなる群から選ばれる基を表す。
Ｘ１は、下記の置換基（ａ）群から選ばれる基または下記の置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。複数存在するＸ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
（置換基（ａ）群）
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２０（Ｒ２０はアルキル基、または、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子もしくはシアノ基を置換基として有していてもよいアリール基を表す。）で表される基。
（置換基（ｂ）群）
−Ｂ（ＯＲ２１）２（Ｒ２１は水素原子またはアルキル基を表す。複数存在するＲ２１は、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する酸素原子とともに環を形成していてもよい。）で表される基、−ＢＦ４Ｑ１（Ｑ１はリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウムまたはセシウムの１価の陽イオンを表す。）で表される基、−Ｓｎ（Ｒ２２）３（Ｒ２２は水素原子またはアルキル基を表す。複数存在するＲ２２は、互いに同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合するスズ原子とともに環を形成していてもよい。）で表される基、−ＭｇＹ１（Ｙ１は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基、−ＺｎＹ２（Ｙ２は塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を表す。）で表される基。］
2013191086.tif 000045
［式（１ａ）〜（１ｃ）中、
Ｒ１ｃは、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ１ｄ〜Ｒ１ｆは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。式（１ｂ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。式（１ｃ）におけるＲ１ｄとＲ１ｅは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｆとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｄとＲ１ｆは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよく、Ｒ１ｃとＲ１ｇは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
以下、式（Ｍ１）で表される化合物の製造方法について説明する。式（Ｍ１）で表される化合物は、例えば、下記スキーム１に記載の方法で製造することができる。
2013191086.tif 000046
［スキーム１中、Ｘ１ａ、Ｘ１およびＲ１ａは、前記と同じ意味を表す。］
スキーム１においては、まず、
式（Ｍ１−１−１）で表される化合物とアセトアミド等のアルキルアミド（スキーム１中では簡便化のため、アセトアミド（式１−１−２）で記載している。）を、
４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）−９，９−ジメチルキサンテン等のホスフィン配位子とトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム触媒、
炭酸セシウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム等の無機塩基もしくはテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド等の有機塩基塩基、および、
１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン等の有機溶媒もしくはそれらと水との混合溶媒を用いたアミド化反応に供することによりによって、
式（Ｍ１−１−３）で表される化合物が得られる。
なお、スキーム１では、式（Ｍ１−１−１）で表される化合物として、臭素原子を反応に関与する置換基として有する化合物を記載しているが、同様のアミド化反応に供することの可能な基（例えば、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基）であってもよい。
式（Ｍ１−１−３）で表される化合物は、アミド基によるベンゼン環のオルト位の反応活性化の影響と、Ｘ１ａで表される基の立体障害の影響とにより、通常、Ｎ−ブロモスクシンイミド等のハロゲン化剤、クロロホルム、ジクロロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、および、必要に応じて、トリフルオロ酢酸等の酸を用いたハロゲン化反応等により、式（Ｍ１−１−４）で表される化合物に誘導可能である。
ハロゲン化剤は臭素化剤に限定されるものではなく、例えば、Ｎ−ヨードスクシンイミド等のヨウ素化剤を用いて、式（Ｍ１−１−４）で表される化合物に含まれる臭素原子がヨウ素原子に置き換わった化合物を合成してもよい。
式（Ｍ１−１−４）で表される化合物は、公知のパラジウム触媒、塩基、および、有機溶媒もしくは有機溶媒と水との混合溶媒を用いたＳｕｚｕｋｉカップリング反応、玉尾カップリング反応、根岸カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のカップリング反応に供することで、式（Ｍ−１−５）で表される化合物に誘導可能である。また、式（Ｍ１−１−４）で表される化合物は、ｎ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム、臭化アルキル、ヨウ化アルキル等のハロゲン化アルキル、および、有機溶媒を用いたアルキル化等に供することにより、式（Ｍ１−１−５）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１−１−５）で表される化合物は、２−プロパノール等のアルコールもしくはそれらと水との混合溶媒、および、硫酸等の酸を用いたアミド基のアミノ基への変換処理にて式（Ｍ１−１−６）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１−１−６）で表される化合物は、公知のＳａｎｄｍｅｙｅｒハロゲン化反応等のハロゲン化反応により、式（Ｍ１−１−７）で表される化合物に誘導可能である。なお、Ｓａｎｄｍｅｙｅｒ反応により、上記式（Ｍ１−１−６）中のアミノ基が水素原子に置き換わった化合物に誘導してから、さらに、Ｎ−ブロモスクシンイミド等のハロゲン化剤を用いて式（Ｍ１−１−７）で表される化合物に誘導してもよい。
なお、ハロゲン化剤は臭素化剤に限定されるものではなく、例えば、Ｎ−ヨードスクシンイミド等のヨウ素化剤を用いて、式（Ｍ１−１−７）で表される化合物に含まれる臭素原子がヨウ素原子に置き換わった化合物を合成してもよい。
式（Ｍ１−１−７）で表される化合物は、それ自体が式（Ｍ１）で表される化合物であるが、更に公知の方法により、式（Ｍ１−１−７）中の臭素原子を置換基（ａ）群から選ばれる他の置換基、または、置換基（ｂ）群から選ばれる他の置換基に変換した式（Ｍ１−１−８）で表される化合物に誘導することが可能である。なお、式（Ｍ１−１−８）で表される化合物も、それ自体が式（Ｍ１）で表される化合物である。
式（Ｍ１）で表される化合物におけるＸ１ａで表される基が、上記式（１ａ）で表される基である場合、すなわち、式（Ｍ１）で表される化合物が下記式（Ｍ１ａ）で表される化合物である場合は、特に、次のスキーム２に記載の方法で製造することが、式（Ｍ１ａ）で表される化合物がより簡便かつ高純度で得られるため、好ましい。
2013191086.tif 000047
［式（Ｍ１ａ）中、Ｘ１、Ｒ１ａ、Ｒ１ｃおよびＲ１ｄは、前記と同じ意味を表す。］
2013191086.tif 000048
［スキーム２中、Ｘ１、Ｒ１ａ、Ｒ１ｃおよびＲ１ｄは、前記と同じ意味を表す。］
スキーム２においては、まず、
式（Ｍ１ａ−２−１）で表される化合物と式（Ｍ１ａ−２−２）で表される化合物とを、公知のパラジウム触媒、塩基、および、有機溶媒もしくは有機溶媒と水との混合溶媒を用いたＳｕｚｕｋｉカップリング反応と、該カップリング反応に続いて生じる分子内Ｃ−Ｈ活性化反応によるカップリング反応に供することにより、式（Ｍ１ａ−２−３）で表されるフルオレン誘導体が得られる。
この反応としては、「Ａｎｇｅｗａｎｄｔｅ．Ｃｈｅｍｉｅ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２０１０，４９，２９０９−２９１２」等に記載の反応が好ましい。
式（Ｍ１ａ−２−３）で表される化合物は、通常、Ｎ−ブロモスクシンイミド等のハロゲン化剤、クロロホルム、ジクロロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、および、必要に応じて、トリフルオロ酢酸等の酸を用いたハロゲン化反応等により、式（Ｍ１ａ−２−４）で表されるジブロモフルオレン誘導体に誘導可能である。
式（Ｍ１ａ−２−４）で表される化合物は、酸素存在下において、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド等の塩基をピリジン溶媒中で作用させる酸素酸化反応に供することにより、式（Ｍ１ａ−２−５）で表されるフルオレノン誘導体に誘導可能である。
式（Ｍ１ａ−２−５）で表される化合物は、有機溶媒中において、アリールリチウム試薬、Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬等と反応させることにより、式（Ｍ１ａ−２−６）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ａ−２−６）で表される化合物は、有機溶媒中において、トリエチルシラン等の還元剤をトリフルオロ酢酸等の酸素存在下で作用させる還元反応に供することにより、式（Ｍ１ａ−２−７）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ａ−２−７）で表される化合物は、ハロゲン化アルキル等と塩基を用いた求核置換反応により、式（Ｍ１ａ−２−８）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ａ−２−８）で表される化合物は、それ自体が式（Ｍ１ａ）で表される化合物であるが、更に公知の方法により、臭素原子を置換基（ａ）群から選ばれる他の置換基、または、置換基（ｂ）群から選ばれる他の置換基に変換した式（Ｍ１ａ−２−９）で表される化合物に誘導することが可能である。なお、式（Ｍ１ａ−２−９）で表される化合物は、それ自体が式（Ｍ１ａ）で表される化合物である。
式（Ｍ１）で表される化合物におけるＸ１ａで表される基が、上記式（１ｂ）で表される基である場合、すなわち、式（Ｍ１）で表される化合物が下記式（Ｍ１ｂ）で表される化合物である場合は、特に、次のスキーム２ｂに記載の方法で製造することが、式（Ｍ１ｂ）で表される化合物がより簡便かつ高純度で得られるため、好ましい。
2013191086.tif 000049
［式（Ｍ１ｂ）中、Ｘ１、Ｒ１ａ、Ｒ１ｄおよびＲ１ｅは、前記と同じ意味を表す。］
2013191086.tif 000050
［スキーム２ｂ中、Ｘ１、Ｒ１ａ、Ｒ１ｄおよびＲ１ｅは、前記と同じ意味を表す。］
スキーム２ｂにおいては、まず、
式（Ｍ１ａ−２−５）で表される化合物は、有機溶媒中において、アルキルリチウム試薬、アリールリチウム試薬、Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬等と反応させることにより、式（Ｍ１ｂ−１）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｂ−１）で表される化合物は、有機溶媒中において、トリエチルシラン等の還元剤をトリフルオロ酢酸等の酸素存在下で作用させる還元反応に供することにより、式（Ｍ１ｂ−２）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｂ−２）で表される化合物は、有機溶媒中において、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム、水素化ナトリウム等の塩基と反応させた後に、式：Ｒ１ｅＣＯＣｌ（Ｒ１ｅは、前記と同じ意味を表す。）で表される酸クロライドを加えることにより、式（Ｍ１ｂ−３）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｂ−３）で表される化合物は、有機溶媒中において、リチウムアルミニウムハイドライドや水素化ホウ素ナトリウム等の還元剤を用いて還元することにより、式（Ｍ１ｂ−４）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｂ−４）で表される化合物は、有機溶媒中において、五酸化ニリン等と反応させることで転位反応が起こり、式（Ｍ１ｂ−５）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｂ−５）で表される化合物は、それ自体が式（Ｍ１ｂ）で表される化合物であるが、更に公知の方法により、臭素原子を置換基（ａ）群から選ばれる他の置換基、または、置換基（ｂ）群から選ばれる他の置換基に変換した式（Ｍ１ｂ−６）で表される化合物に誘導することが可能である。なお、式（Ｍ１ｂ−６）で表される化合物は、それ自体が式（Ｍ１ｂ）で表される化合物である。
式（Ｍ１）で表される化合物におけるＸ１ａで表される基が、上記式（１ｃ）で表される基である場合、すなわち、式（Ｍ１）で表される化合物が下記式（Ｍ１ｃ）で表される化合物である場合に関して、式（Ｍ１ｃ）で表される化合物が下記式（Ｍ１ｄ）で表される化合物である場合を例にして説明する。
2013191086.tif 000051
［式（Ｍ１ｃ）中、Ｘ１、Ｒ１ａ、Ｒ１ｄ、Ｒ１ｅ、Ｒ１ｆおよびＲ１ｇは、前記と同じ意味を表す。］
2013191086.tif 000052
［式（Ｍ１ｄ）中、Ｘ１およびＲ１ａは、前記と同じ意味を表す。Ｒ１ｂは、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。］
式（Ｍ１ｄ）で表される化合物は、特に、次のスキーム２ｄに記載の方法で製造することが、式（Ｍ１ｄ）で表される化合物がより簡便かつ高純度で得られるため、好ましい。
2013191086.tif 000053
［スキーム２ｄ中、Ｘ１、Ｒ１ａおよびＲ１ｂは、前記と同じ意味を表す。波線は、当該波線を有する化合物が幾何異性体混合物であることを意味する。］
スキーム２ｄにおいては、まず、
式（Ｍ１ｄ−１）で表される化合物を、臭素、過酸化ベンゾイル等の過酸化物存在下において、ニトロベンゼン等の有機溶媒中で反応させることにより、式（Ｍ１ｄ−２）で表される化合物が得られる。
式（Ｍ１ｄ−２）で表される化合物は、エチレングリコール等のジオールと、パラトルエンスルホン酸等の酸の存在下において、１，２−ジクロロベンゼン等の有機溶媒中で反応させることにより、式（Ｍ１ｄ−３）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｄ−３）で表される化合物は、公知のパラジウム触媒、塩基、および、有機溶媒もしくは有機溶媒と水との混合溶媒を用いたＳｕｚｕｋｉカップリング反応、玉尾カップリング反応、根岸カップリング反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のカップリング反応に供することで、式（Ｍ１ｄ−４）で表される化合物に誘導可能である。また、式（Ｍ１ｄ−３）で表される化合物は、ｎ−ブチルリチウム等のアルキルリチウム、臭化アルキル、ヨウ化アルキル等のハロゲン化アルキル、および、有機溶媒を用いたアルキル化等に供することにより、式（Ｍ１ｄ−４）で表される化合物に誘導可能である。また、（Ｍ１ｄ−３）で表される化合物は、アセチレン誘導体化合物との檜山カップリング反応等により、アルキン側鎖を有する化合物へ誘導した後に、水素添加反応等により還元することにより、式（Ｍ１ｄ−４）で表される化合物へ誘導することが可能である。
式（Ｍ１ｄ−４）で表される化合物は、パラトルエンスルホン酸等の酸存在下において、有機溶媒中、または、有機溶媒と水との混合溶媒中で反応させることにより、式（Ｍ１ｄ−５）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｄ−５）で表される化合物は、式（Ｍ１ｄ−１２）で表される化合物と反応させることにより、式（Ｍ１ｄ−６）で表される化合物に誘導可能である。ここで、式（Ｍ１ｄ−１２）で表される化合物は、該化合物が有するメトキシ基を他のアルコキシ基に変換した化合物であってもよい。
式（Ｍ１ｄ−６）で表される化合物は、酢酸等の酸存在下において、有機溶媒中、または、有機溶媒と水との混合溶媒中で反応させることにより、式（Ｍ１ｄ−７）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｄ−７）で表される化合物は、式：Ｒ１ｂ−ＣＨ２Ｐ＋Ｐｈ３Ｘ−（Ｒ１ｂは、前記と同じ意味を表す。Ｘは、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を表す。）で表される化合物を用いたＷｉｔｔｉｇ反応、式：Ｒ１ｂ−ＣＨ２ＰＯ（ＯＲ’）２（Ｒ１ｂは、前記と同じ意味を表す。Ｒ’は、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される化合物を用いたＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ反応等に供することにより、式（Ｍ１ｄ−８）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｄ−８）で表される化合物は、還元反応に供することで、式（Ｍ１ｄ−９）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｄ−９）で表される化合物は、ブロモ化反応に供することで、式（Ｍ１ｄ−１０）で表される化合物に誘導可能である。
式（Ｍ１ｄ−１０）で表される化合物は、それ自体が式（Ｍ１ｄ）で表される化合物であるが、更に公知の方法により、式（Ｍ１ｄ−１０）中の臭素原子を置換基（ａ）群から選ばれる他の置換基、または、置換基（ｂ）群から選ばれる他の置換基に変換した式（Ｍ１ｄ−１１）で表される化合物に誘導することが可能である。なお、式（Ｍ１ｄ−１１）で表される化合物も、それ自体が式（Ｍ１ｄ）で表される化合物である。
上記スキーム１、スキーム２、スキーム２ｂおよびスキーム２ｄにおいては、通常、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、再結晶等の精製操作により、各工程で得られる化合物の純度を挙げる操作を行ってから、次工程に用いることが好ましい。
同様に、式（２）で表される繰り返し単位を導入するためには、下記式（Ｍ２）で表される化合物を用いることが好ましく、また、式（３）で表される繰り返し単位を導入するためには、下記式（Ｍ３）で表される化合物を用いることが好ましい。
2013191086.tif 000054
（式中、
Ｘ２は、上記置換基（ａ）群から選ばれる基または上記置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。複数存在するＸ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ２ａは、前記と同じ意味を表す。）
2013191086.tif 000055
（式中、
Ｘ３は、上記置換基（ａ）群から選ばれる基または下記の置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。複数存在するＸ３は、互いに同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ３ａは、前記と同じ意味を表す。）
式（Ｍ２）で表される化合物としては、下記式（Ｍ２Ｂ）で表される化合物が挙げられる。
2013191086.tif 000056
［式（Ｍ２Ｂ）中、
Ｙ２、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂ、Ａｒ２およびＸ２は、前記と同じ意味を表す。］
式（Ｍ２Ｂ）で表される化合物は、例えば、下記スキーム３、スキーム４、スキーム５に記載の方法で製造することができる。
2013191086.tif 000057
スキーム３中、
Ａｒ２、Ｘ２、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂおよびＹ２は、前記と同じ意味を表す。
スキーム３においては、まず、式（Ｍ２Ｂ−１−１）で表される化合物を塩化チオニル等の試薬を用いて、式（Ｍ２Ｂ−１−２）で表される化合物に変換し、更に、式（Ｍ２Ｂ−１−３）で表される化合物を、塩化アンチモン、塩化アルミニウム等のルイス酸の存在下で反応させ、次いで、アンモニア水、アンモニアガス、塩化アンモニウム等と反応させることにより、式（Ｍ２Ｂ−１−４）で表される化合物を得ることができる。式（Ｍ２Ｂ−１−４）で表される化合物は、式（Ｍ２Ｂ）で表される化合物である。
上記スキームに従って、式（Ｍ２Ｂ−１−４）で表される化合物を収率よく得るためには、式（Ｍ２Ｂ−１−２）で表される化合物と式（Ｍ２Ｂ−１−３）で表される化合物のモル比（［式（Ｍ２Ｂ−１−３）で表される化合物のモル数］／［式（Ｍ２Ｂ−１−２）で表される化合物のモル数］）が、１．９以上２．０以下であることが好ましい。
式（Ｍ２Ｂ−１−４）で表される化合物は、公知の方法により、置換基（ａ）群から選ばれる基または他の置換基（ｂ）群から選ばれる基であるＸ２で表される基を、他の置換基（ａ）群から選ばれる基または置換基（ｂ）群から選ばれる基に変換することが可能である。
2013191086.tif 000058
スキーム４中、
ＸＸａおよびＹＹａは、それぞれ独立に、上記置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。
Ａｒ２、Ｘ２、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂおよびＹ２は、前記と同じ意味を表す。
スキーム４においては、まず、式（Ｍ２Ｂ−２−１）で表される化合物と式（Ｍ２Ｂ−２−２）で表される化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応に供することにより、式（Ｍ２Ｂ−２−３）で表される化合物が得られる。
更に、式（Ｍ２Ｂ−２−３）で表される化合物と式（Ｍ２Ｂ−２−４）で表される化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応に供することにより、式（Ｍ２Ｂ−２−５）で表される化合物が得られる。式（Ｍ２Ｂ−２−５）で表される化合物は、式（Ｍ２Ｂ）で表される化合物である。
2013191086.tif 000059
スキーム５中、
ＸＸａ、ＹＹａ、Ａｒ２、Ｘ２、Ｒ２ａ、Ｒ２ｂおよびＹ２は、前記と同じ意味を表す。
スキーム５においては、まず、式（Ｍ２Ｂ−２−１）で表される化合物と式（Ｍ２Ｂ−２−４）で表される化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応に供することにより、式（Ｍ２Ｂ−２−６）で表される化合物が得られる。
更に、式（Ｍ２Ｂ−２−６）で表される化合物と式（Ｍ２Ｂ−２−２）で表される化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応に供することにより式（Ｍ２Ｂ−２−５）で表される化合物が得られる。式（Ｍ２Ｂ−２−５）で表される化合物は、式（Ｍ２Ｂ）で表される化合物である。
式（Ｍ２Ｂ−２−５）で表される化合物は、公知の方法により、置換基（ａ）群から選ばれる基または置換基（ｂ）群から選ばれる基であるＸ２で表される基を、他の置換基（ａ）群から選ばれる基または他の置換基（ｂ）群から選ばれる基に変換することが可能である。
上記スキーム３で表される方法、スキーム４で表される方法およびスキーム５で表される方法の中では、スキーム３で表される方法が、副反応に由来する不純物の生成が一般に少なく、高純度の式（Ｍ２Ｂ）で表される化合物を得ることがより容易であるためで好ましい。
式（Ｍ３）で表される化合物としては、下記式（Ｍ３Ｂ）で表される化合物が挙げられる。
2013191086.tif 000060
［式（Ｍ３Ｃ）中、
Ｙ３、Ａｒ３およびＲ３は、前記と同じ意味を表す。
Ｘ３は、上記置換基（ａ）群から選ばれる基または上記置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。複数存在するＸ３は、互いに同一であも異なっていてもよい。
式（Ｍ３Ｃ）で表される化合物は、例えば、下記スキーム６、スキーム７またはスキーム８に記載の方法で製造することができる。
2013191086.tif 000061
スキーム６中、Ａｒ３、Ｘ３、Ｒ３およびＹ３は、前記と同じ意味を表す。
スキーム６においては、まず、式（Ｍ３Ｃ−１−１）で表される化合物を、塩化チオニル等の試薬を用いて、式（Ｍ３Ｃ−１−２）で表される化合物に変換し、更に、式（Ｍ３Ｃ−１−３）で表される化合物を、塩化アンチモン、塩化アルミニウム等のルイス酸の存在下で反応させ、次いで、アンモニア水、アンモニアガス、塩化アンモニウム等と反応させることにより、式（Ｍ３Ｃ−１−４）で表される化合物を得ることができる。式（Ｍ３Ｃ−１−４）で表される化合物は、式（Ｍ３Ｃ）で表される化合物である。
上記スキームに従って、式（Ｍ３Ｃ−１−４）で表される化合物を収率よく得るためには、式（Ｍ３Ｃ−１−２）で表される化合物と式（Ｍ３Ｃ−１−３）で表される化合物のモル比（［式（Ｍ３Ｃ−１−３）で表される化合物のモル数］／［式（Ｍ３Ｃ−１−２）で表される化合物のモル数］）が、１．９以上２．０以下であることが好ましい。
式（Ｍ３Ｃ−１−４）で表される化合物は、公知の方法により、置換基（ａ）群から選ばれる基または置換基（ｂ）群から選ばれる基であるＸ３で表される基を、他の置換基（ａ）群から選ばれる基または他の置換基（ｂ）群から選ばれる基に変換することが可能である。
2013191086.tif 000062
スキーム７中、ＸＸａ、ＹＹａ、Ａｒ３、Ｘ３、Ｒ３およびＹ３は、前記と同じ意味を表す。
スキーム７においては、まず、式（Ｍ３Ｃ−２−１）で表される化合物と式（Ｍ３Ｃ−２−２）で表される化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応に供することにより、式（Ｍ３Ｃ−２−３）で表される化合物が得られる。
更に、式（Ｍ３Ｃ−２−３）で表される化合物と式（Ｍ３Ｃ−２−４）で表される化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応に供することにより、式（Ｍ３Ｃ−２−５）で表される化合物が得られる。式（Ｍ３Ｃ−２−５）で表される化合物は、式（Ｍ３Ｃ）で表される化合物である。
2013191086.tif 000063
スキーム８中、ＸＸａ、ＹＹａ、Ａｒ３、Ｘ３、Ｒ３およびＹ３は、前記と同じ意味を表す。
スキーム８においては、まず、式（Ｍ３Ｃ−２−１）で表される化合物と式（Ｍ３Ｃ−２−４）で表される化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応に供することにより、式（Ｍ３Ｃ−２−６）で表される化合物が得られる。
更に、式（Ｍ３Ｃ−２−６）で表される化合物と式（Ｍ３Ｃ−２−２）で表される化合物と、をＳｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応に供することにより、式（Ｍ３Ｃ−２−５）で表される化合物が得られる。式（Ｍ３Ｃ−２−５）で表される化合物は、式（Ｍ３Ｃ）で表される化合物である。
式（Ｍ３Ｃ−２−５）で表される化合物は、公知の方法により、置換基（ａ）群から選ばれる基または置換基（ｂ）群から選ばれる基であるＸ３で表される基を、他の置換基（ａ）群から選ばれる基または他の置換基（ｂ）群から選ばれる基に変換することが可能である。
上記スキーム６、スキーム７およびスキーム８で表される方法の中では、スキーム６で表される方法が、副反応に由来する不純物の生成が一般に少なく、高純度の式（Ｍ３Ｃ）で表される化合物を得ることがより容易であるため好ましい。
本発明の高分子化合物の製造方法において、原料モノマー混合物は、その全モル数を１００モル％としたとき、式（Ｍ１）で表される原料モノマー、（Ｍ２）で表される原料モノマーおよび（Ｍ３）で表される原料モノマーの合計モル数が、６０〜１００モル％となるように混合することが好ましく、７０〜１００モル％となるように混合することがより好ましい。
前述した本発明の高分子化合物の好ましい実施態様である、式（３）で表される基の含有量が、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して５０モル％以下であり、かつ、式（３）で表される基同士が実質的に隣り合っていない高分子化合物を製造する観点からは、上述したような原料モノマーがそれぞれ両末端に有している重合活性基であるＸ１、Ｘ２、およびＸ３は、次のような組み合わせであることが好ましい。すなわち、Ｘ３が置換基（ａ）群から選ばれる基でありＸ１、およびＸ２の一部または全てが置換基（ｂ）群から選ばれる基であること、または、Ｘ３が置換基（ｂ）群から選ばれる基でありＸ１、およびＸ２の一部または全てが置換基（ａ）群から選ばれる基であることが好ましい。これらのうち、Ｘ３が置換基（ａ）群から選ばれる基であり、Ｘ１、およびＸ２の一部または全てが置換基（ｂ）群から選ばれる基である組み合わせが、重合反応をより容易に進行させる観点からより好ましい。これらの組み合わせとすることにより、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の公知の各種クロスカップリング反応を用いた重合が可能となり、それにより、前述した本発明の高分子化合物の好ましい実施態様である高分子化合物を製造することが可能となる。
同様に、前述した本発明の高分子化合物の好ましい実施態様である、式（２）で表される基の含有量が、高分子化合物に含まれる繰り返し単位の合計含有量に対して５０モル％以上であり、かつ、式（１）で表される基と、式（１）で表される基および式（３）で表される基とが、実質的に隣り合っていない高分子化合物を製造する観点からは、上述したような原料モノマーがそれぞれ両末端に有している重合活性基であるＸ１、Ｘ２およびＸ３は、次のような組み合わせであることが好ましい。すなわち、Ｘ１およびＸ３が、置換基（ａ）群から選ばれる基でありＸ２の一部または全てが置換基（ｂ）群から選ばれる基であること、または、Ｘ１およびＸ３が置換基（ｂ）群から選ばれる基でありＸ２の一部または全てが置換基（ａ）群から選ばれる基であることが好ましい。これらのうち、Ｘ１およびＸ３が置換基（ａ）群から選ばれる基であり、Ｘ２の一部または全てが置換基（ｂ）群から選ばれる基である組み合わせが、重合反応をより容易に進行させる観点からより好ましい。これらの組み合わせとすることにより、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等の公知の各種クロスカップリング反応を用いた重合が可能となり、それにより、前述した本発明の高分子化合物の好ましい実施態様である高分子化合物を製造することが可能となる。
ここで、置換基（ａ）群中の−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２０で表される基、置換基（ｂ）群中の−Ｂ（ＯＲ２１）２で表される基およびＳｎ（Ｒ２２）３で表される基におけるＲ２０、Ｒ２１およびＲ２２の一例であるアルキル基としては、炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１５であるものがより好ましく、１〜１０であるものが更に好ましい。
また、Ｒ２０の一例であるアルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、フッ素原子またはシアノ基を置換基として有していてもよいアリール基としては、フェニル基、４−トリル基、４−メトキシフェニル基、４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基または４−トリフルオロメチルフェニル基が好ましい。Ｒ２０、Ｒ２１およびＲ２２がこれらの基であると、原料モノマーを重合させる際の反応性が良好となり、高分子化合物の合成がより容易となる傾向にある。
置換基（ａ）群中の−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）２Ｒ２０で表される基としては、例えば、メタンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、４−メチルフェニルスルホニルオキシ基、４−トリフルオロメチルフェニルスルホニルオキシ基等が挙げられる。
置換基（ｂ）群中の−Ｂ（ＯＲ２１）２で表される基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。
2013191086.tif 000064
また、置換基（ｂ）群中の−ＢＦ４Ｑ１で表される基としては、−ＢＦ４−Ｋ＋で表される基が挙げられる。さらに、置換基（ｂ）群中の−Ｓｎ（Ｒ２２）３で表される基としては、トリメチルスタナニル基、トリエチルスタナニル基、トリブチルスタナニル基等が挙げられる。
式（Ｍ１）、（Ｍ２）および（Ｍ３）で表される化合物は、これらを原料モノマーとして用い、重合させて高分子化合物を製造する場合、より純度の高い高分子化合物が得られるため、重合前の各原料モノマーを高純度化しておくことが好ましい。高純度の高分子化合物を用いて発光素子を製造することで、得られる電流効率、発光効率および輝度寿命等の安定性がより優れたものとなる。
式（Ｍ１）で表される化合物、式（Ｍ２）で表される化合物および式（Ｍ３）で表される化合物の高純度化は、例えば、蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製することにより行うことができる。各化合物は、高純度であるほど望ましい。例えば、ＵＶ検出器（検出波長２５４ｎｍ）を用いた高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）による分析において、各化合物のピークが示す面積百分率値が９８．５％以上であることが好ましく、９９．０％以上であることがより好ましく、９９．５％以上であることが更に好ましい。
式（Ｍ１）で表される化合物、式（Ｍ２）で表される化合物および式（Ｍ３）で表される化合物を用いる重合反応として、例えば、アリールカップリング反応による方法であるＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法（ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７−２４８３頁（１９９５年））、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法（Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，第５１巻、２０９１頁（１９７８年））、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法（プログレス  イン  ポリマー  サイエンス（Ｐｒｏｇｒｅｓｓ  ｉｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ），第１７巻，１１５３〜１２０５頁，１９９２年）、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応を用いる方法（ヨーロピアン  ポリマー  ジャーナル（Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｊｏｕｒｎａｌ），第４１巻，２９２３−２９３３頁（２００５年））が挙げられる。
これらのなかでも、重合方法としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が、高分子化合物の製造のし易さや、重合反応時の操作の簡便性の観点から好ましい。また、本発明の好ましい実施態様の一つである、前述の特定の構成連鎖を含む高分子化合物等の構造制御の容易さの観点からは、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応により重合する方法がより好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する反応が特に好ましい。
式（Ｍ１）で表される化合物、式（Ｍ２）で表される化合物および式（Ｍ３）で表される化合物が有している重合活性基であるＸ１、Ｘ２およびＸ３で表される基としては、重合反応の種類に応じて適切な基を選択すればよい。例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する場合、これらの基としては、置換基（ａ）群の中では、臭素原子、ヨウ素原子または塩素原子が好ましく、置換基（ｂ）群の中では、−Ｂ（ＯＲ２１）２で表される基が好ましく、置換基（ａ）群および置換基（ｂ）群からそれぞれ、臭素原子と−Ｂ（ＯＲ２１）２で表される基を選択することがより好ましい。重合活性基としてこれらの基を有する場合、式（Ｍ１）で表される化合物、式（Ｍ２）で表される化合物および式（Ｍ３）で表される化合物を合成することが簡便となるほか、重合の際の取り扱い性も良好となる。
重合の方法としては、上述した置換基（ａ）群や置換基（ｂ）群を重合活性基として有する式（Ｍ１）で表される化合物、式（Ｍ２）で表される化合物および式（Ｍ３）で表される化合物（原料モノマー）等を、必要に応じて、適切な触媒や適切な塩基とともに反応させる方法が挙げられる。Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅカップリング反応等のクロスカップリング反応により重合する方法を選択する場合、所望の分子量を有する高分子化合物を得るためには、原料モノマー全体における、置換基（ａ）群に含まれる基のモル数に対する、置換基（ｂ）群に含まれる基のモル数の比率（置換基（ａ）群に含まれる基の合計モル数を分母とし、置換基（ｂ）群に含まれる基の合計モル数を分子とした際の比率、以後、比率（ｂ／ａ）と記載することがある。）を調整すればよい。該比率（ｂ／ａ）としては、本実施形態の高分子化合物の分子量の観点からは、０．９０〜１．１０とすることが好ましく、０．９５〜１．０５とすることがより好ましく、０．９８〜１．０２とすることが更に好ましい。一方、原料モノマーを分割添加、逐次添加すること等により、構成連鎖の存在割合を制御したい場合は、上記比率（ｂ／ａ）が１未満の適切な値に設定した状態で重合反応を行うことによりにより、重合反応時に高分子化合物の両末端が置換基（ａ）群に含まれる基となることにより、分子量を制御することが可能であり、そこから更に、（ｂ／ａ）が１に近づくように原料モノマーを添加していくことで、更に精密に分子量を制御することが可能となる。また、初期に加えた原料モノマーと異なる繰り返し単位となる原料モノマーを後から加えることにより、ブロックコポリマーを製造することも可能である。
本発明の高分子化合物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と言う。）によるポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常、１×１０３〜１×１０８であり、好ましくは１×１０４〜１×１０６である。また、本実施形態の高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常、２×１０３〜２×１０８であり、成膜性が良好になるので、好ましくは２×１０４〜２×１０６であり、より好ましくは３×１０４〜１×１０６であり、更に好ましくは５×１０４〜５×１０５である。
触媒としては、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合の場合、例えば、［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］パラジウム（０）（Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）、［トリス（ジベンジリデンアセトン）］ジパラジウム（Ｐｄ２（ｄｂａ）３）、パラジウム（ＩＩ）アセテート（Ｐｄ（ＯＡｃ）２）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ２（ＰＰｈ３）２）、ジクロロビス［トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）（ＰｄＣｌ２［Ｐ（２−ＭｅＯＰｈ）３］２）等のパラジウム錯体である遷移金属錯体や、これらの遷移金属錯体に、必要に応じて、トリフェニルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン等の配位子を加え調製された触媒が挙げられる。
これらの触媒は、予め合成したものを用いてもよいし、反応系中で調製したものをそのまま用いてもよい。また、これらの触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。更に、重合開始時に加えるだけでなく、重合反応中に追加してもよい。
触媒を用いる場合、その使用量は、触媒としての有効量であればよい。例えば、用いる原料モノマーのモル数の合計に対する触媒の量は、遷移金属換算で、０．００００１〜３モル当量であると好ましく、０．００００５〜０．５モル当量であるとより好ましく、０．０００１〜０．２モル当量であると更に好ましい。
Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応による重合では、触媒として塩基を用いることが好ましい。塩基としては、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基、フッ化テトラブチルアンモニウム、塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基が挙げられる。また、これらの塩基は、水溶液として用いてもよい。
塩基を用いる場合、その量は、用いる原料モノマーのモル数の合計に対して設定することが好ましく、０．５〜２０モル当量であると好ましく、１〜１０モル当量であるとより好ましい。
重合反応は、溶媒の非存在下で行っても、溶媒の存在下で行ってもよいが、有機溶媒の存在下で行うことがより好ましい。有機溶媒としては、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が挙げられる。副反応を抑制する観点から、溶媒には、脱酸素処理を行うことが望ましい。有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
有機溶媒の使用量は、溶液中の原料モノマーの合計の濃度が、０．１〜９０重量％となる量であると好ましく、１〜５０重量％となる量であるとより好ましく、２〜３０重量％となる量であると更に好ましい。
重合反応における反応温度は、好ましくは０〜２００℃であり、より好ましくは２０〜１５０℃であり、更に好ましくは２０〜１２０℃である。また、反応時間は、０．５時間以上であると好ましく、２〜５００時間であるとより好ましい。
重合反応は、置換基（ｂ）群に含まれる基として、−ＭｇＹ１で表される基を適用する場合は、脱水条件下で行うことが好ましい。一方、重合反応がＳｕｚｕｋｉカップリング反応である場合、使用する塩基を水溶液として用いてもよく、また、溶媒として、有機溶媒に水を加えて用いてもよい。
また、本発明の高分子化合物は、発光素子の輝度寿命等の安定性を向上させる観点から、重合反応における重合活性基を末端処理等の操作により除去、または、無置換フェニル基等の安定な基で置換した構造とすることが好ましい。重合反応においては、得られる高分子化合物の末端に重合活性基（Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３等）が残存するのを避けるために、末端封止剤として、式（１９）で表される化合物を更に用いることが好ましい。かかる化合物を加えて反応を行うことにより、高分子化合物の末端がアリール基または１価の芳香族複素環基で置換された高分子化合物を得ることができる。式（１９）で表される化合物（末端封止剤として機能する。）は、高分子化合物を製造する際の重合において、一種のみ用いても、二種以上用いてもよい。
2013191086.tif 000065
［式（１９）中、
Ａｒ１９ａは、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｘ１９ａは、上記置換基（ａ）群または上記置換基（ｂ）群から選ばれる基を表す。］
式（１９）におけるＡｒ１９ａとしては、アリール基が好ましく、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基または置換アミノ基を置換基として有していてもよいアリール基がより好ましく、アルキル基またはアリール基を置換基として有していてもよいアリール基が更に好ましく、アルキル基またはアリール基を置換基として有していてもよいフェニル基が特に好ましい。
重合反応の後処理は、公知の方法で行うことができる。例えば、メタノール等の低級アルコールに重合反応で得られた反応液を加えて析出させた沈殿を濾過、乾燥させる方法により行うことができる。
このようにして得られた高分子化合物が、重合反応に用いた触媒、塩基、それらの残渣等の不純物を含む場合には、公知の精製法に従い精製処理を行うことが可能である。特に、高分子化合物を発光素子に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、縮合重合後、沈殿分別、抽出分別、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、吸着、洗浄等の精製処理により除去、精製したものであることが好ましい。
下記表１に、本発明の高分子化合物の好適な実施形態を、例示する。
【表１】
2013191086.tif 000066
［表中、
ｖ、ｗ、ｘ、およびｑは、それぞれ独立に、モル比率を表す。
これらのうち、上記式（１−５ａ）〜（１−１８ａ）、（１−２ｂ）〜（１−６ｂ）、（１−２ｃ）〜（１−１０ｃ）で表される繰り返し単位のモル比率がｖであり、上記式（２Ａ−００５）〜（２Ａ−０１５）、（２Ａ−０１９）、（２Ｂ−００１）〜（２Ｂ−０１２）で表される繰り返し単位のモル比率がｗであり、上記式（３Ａ−００１）〜（３Ａ−０１２）、（３Ｂ−４０１）〜（３Ｂ−４１２）、（３Ｂ−５０１）〜（３Ｂ−５０３）、（３Ｂ−６０１）〜（３Ｂ−６０３）で表される繰り返し単位のモル比率がｘであり、その他の原料モノマーのモル比率がｑである。
なお、ｖ、ｗ、ｘおよびｑは、ｖ＋ｗ＋ｘ＋ｑ＝１００および１００≧ｖ＋ｗ＋ｘ≧７０を満たす。］
［組成物］
本発明の組成物は、本発明の高分子化合物と、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料と、を含有する。本発明の組成物は、発光材料、正孔輸送材料または電子輸送材料として好適に用いることができる。なお、本実施形態の組成物において、本発明の高分子化合物、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
本実施形態の組成物において、本発明の組成物と、「正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料」と、の比率は、組成物を発光材料に用いる場合、本発明の高分子化合物１００重量部に対する、「正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料」の割合は、材料ごとに、０．０１〜４００重量部であると好ましく、０．０５〜１５０重量部であるとより好ましい。なお、発光材料として後述の燐光発光性化合物を含有する組成物である場合、本発明の高分子化合物１００重量部に対する、燐光発光性化合物の割合は、０．０１〜８０重量部であると好ましく、０．１〜５０重量部であるとより好ましく、１〜４０重量部であると更に好ましい。
正孔輸送材料としては、発光素子の正孔輸送材料として公知のものを適用できる。例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリアリールアミンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）およびその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）およびその誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は、アリーレン基や２価の芳香族複素環基を共重合成分として有していてもよい。
電子輸送材料としては、発光素子の電子輸送材料として公知のものを適用できる。例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンおよびその誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、ナフトキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンおよびその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンおよびその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、トリアリールトリアジンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は、アリーレン基や２価の芳香族複素環基を共重合成分として有していてもよい。
発光材料としては、発光素子の発光材料として公知のものを適用できるが、優れた発光効率を得る観点から、後述する燐光発光性化合物が好ましい。燐光発光性化合物以外の発光材料としては、蛍光発光性化合物を用いることができる。蛍光発光性化合物には、低分子蛍光材料、高分子蛍光材料がある。低分子蛍光材料は、通常４００〜７００ｎｍの波長範囲に蛍光発光のスペクトルピークを有する。低分子蛍光材料の分子量は、３０００未満であると好ましく、１００〜２０００であるとより好ましく、１００〜１０００であると更に好ましい。
低分子蛍光材料としては、発光素子の発光材料として公知のものが適用できる。例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、キナクリドン誘導体、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、オリゴチオフェン誘導体等の色素系材料；アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体等の、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等を有するか、または、中心金属にＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体等の金属錯体系材料が挙げられる。
高分子蛍光材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体等の、上記の低分子蛍光材料として例示した色素体や金属錯体系発光材料を高分子化した材料が挙げられる。
［燐光発光性化合物］
次に、好適な実施形態に係る組成物に含まれる燐光発光性化合物について説明する。
本発明の高分子化合物と共に用いる燐光発光性化合物としては、本発明の高分子化合物が通常高いＴ１エネルギー準位を有するために、様々な燐光発光性化合物を用いることが可能であるが、より優れた電流効率が得られるため、本発明の高分子化合物の有する最低励起三重項状態（Ｔ１）と同等、または、より低いエネルギー準位の最低励起三重項状態（Ｔ１）を有する燐光発光性化合物を選択することが好ましい。
より具体的には、本発明の高分子化合物が有する最低三重項励起状態（Ｔ１）のエネルギー準位（以下、「ＴＨ」と表す。）と、燐光発光性化合物の有する最低三重項励起状態（Ｔ１）のエネルギー準位（以下、「ＴＭ」と表す。）と、が
ＴＨ＞ＴＭ−０．１（ｅＶ）
の関係を満たすものが好ましく、
ＴＨ＞ＴＭ
の関係を満たすものがより好ましく、
ＴＨ＞ＴＭ＋０．１（ｅＶ）
の関係を満たすものが更に好ましい。
本発明の高分子化合物が有するＴＨは、該高分子化合物の７７Ｋにおける燐光発光スペクトルを測定することによって求めることができる。具体的には、測定された該高分子化合物の燐光発光スペクトルにおける最大ピーク波長（強度が最も大きい波長）の強度を１．０とした場合に、０．１の強度を示す最も短波長側の波長をエネルギーに換算した値をＴＨと定義する。燐光発光性化合物が有するＴＭは、該燐光発光性化合物の室温における燐光発光スペクトルを測定することによって求めることができる。具体的には、該燐光発光性化合物の燐光発光スペクトルにおける最大ピーク波長（強度が最も大きい波長）の強度を１．０とした場合に、０．１の強度を示す最も短波長側の波長をエネルギーに換算した値をＴＭと定義する。
下記に本発明の高分子化合物と共に用いる燐光発光性化合物を例示するが、共に用いる燐光発光性化合物はこれらに限定されるものではなく、本発明の高分子化合物のＴＨと燐光発光性化合物のＴＭとが上記の関係を満たすものであれば、有用である。
燐光発光性化合物としては、三重項発光錯体等の公知の化合物を適用でき、例えば、Ｎａｔｕｒｅ，（１９９８），３９５，１５１、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．（１９９９），７５（１），４、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ−Ｉｎｔ．Ｓｏｃ．Ｏｐｔ．Ｅｎｇ．（２００１），４１０５（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  ＤｅｖｉｃｅｓＩＶ），１１９、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（２００１），１２３，４３０４、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（１９９７），７１（１８），２５９６、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９８），９４（１），１０３、Ｓｙｎ．Ｍｅｔ．，（１９９９），９９（２），１３６１、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，（１９９９），１１（１０），８５２、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，（２００３），４２，８６０９、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，（２００４），４３，６５１３、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  ＳＩＤ  １１／１、１６１（２００３）、ＷＯ２００２／０６６５５２、ＷＯ２００４／０２０５０４、ＷＯ２００４／０２０４４８等に記載されている金属錯体が挙げられる。
燐光発光性化合物である金属錯体としては、金属錯体の最高被占軌道（ＨＯＭＯ）において、全原子軌道係数の２乗の和に対する中心金属の最外殻ｄ軌道の軌道係数の２乗の和が占める割合が１／３以上であるものを適用することが、高い発光量子効率を得る観点（すなわち、本実施形態の組成物を用いた発光素子において優れた発光効率を得る観点）で好ましい。このような金属錯体としては、例えば、中心金属が第５周期または第６周期に属する遷移金属であるオルトメタル化錯体等が挙げられる。
燐光発光性化合物である金属錯体の中心金属としては、原子番号５０以上の原子で、錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こし得る金属が挙げられ、好ましくは、ルテニウム（ＩＩ）、ロジウム（ＩＩＩ）、パラジウム（ＩＩ）、オスミウム（ＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）または白金（ＩＩ）であり、より好ましくは、白金（ＩＩ）またはイリジウム（ＩＩＩ）であり、更に好ましくは、イリジウム（ＩＩＩ）である。
燐光発光性化合物としては、下記一般式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物が好ましい。
2013191086.tif 000067
式（ＭＭ）中、
Ｍは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムおよび白金からなる群から選ばれる金属原子を表す。
Ｌは、Ｍで表される金属原子との間に、配位結合および共有結合からなる群から選ばれる少なくとも２つの結合を形成して多座配位することが可能な、中性または１〜３価のアニオン性の配位子を表す。Ｌが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｚは、カウンターアニオンを表す。Ｚが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。
ｋａは１以上の整数を表し、ｋｂは０以上の整数を表す。但し、ｋａ＋ｋｂは金属原子Ｍが有する価数を満たすように存在する。
なお、式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物は全体として中性の原子価である。
式（ＭＭ）におけるＭとしては、白金（ＩＩ）またはイリジウム（ＩＩＩ）が好ましく、イリジウム（ＩＩＩ）がより好ましい。
式（ＭＭ）におけるＬとしては、
８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体のような金属原子と窒素原子および酸素原子で配位結合もしくは共有結合で結合する配位子、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体のような窒素原子および炭素原子で配位結合もしくは共有結合で結合する配位子、アセチルアセトンおよびその誘導体のように酸素原子で配位結合もしくは共有結合で結合する配位子、２，２’−ビピリジルおよびその誘導体のように、窒素原子で配位結合する配位子、または、リン原子および炭素原子で配位結合もしくは共有結合する配位子等が挙げられ、
窒素原子および炭素原子で配位結合もしくは共有結合で結合する配位子、または、窒素原子で配位結合する配位子が好ましく、
窒素原子および炭素原子で配位結合もしくは共有結合で結合するモノアニオン性のオルトメタル化配位子、または、該モノアニオン性のオルトメタル化配位子が互いに結合してなる２価もしくは３価のオルトメタル化配位子がより好ましく、
窒素原子および炭素原子で配位結合もしくは共有結合で結合するモノアニオン性のオルトメタル化配位子が更に好ましい。
式（ＭＭ）におけるＬは、上記の通り、一種単独で用いても二種以上を併用して用いてもよいが、一種単独で用いる場合、式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物はホモレプティック錯体（ｈｏｍｏｌｅｐｔｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）となり、二種以上を併用してが用いる場合、式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物はヘテロレプティック錯体（ｈｅｔｅｒｏｌｅｐｔｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）となる。
式（ＭＭ）におけるＬとして好ましい、窒素原子および炭素原子で配位結合もしくは共有結合で結合するモノアニオン性のオルトメタル化配位子を、以下に例示する。
2013191086.tif 000068
2013191086.tif 000069
（式中、Ｒａは前記と同じ意味を表す。）
上記に例示したモノアニオン性のオルトメタル化配位子における任意の水素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子またはシアノ基で置換されていてもよい。当該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに、環構造を形成していてもよい。
本発明の高分子化合物と燐光発光性化合物との組成物を発光素子の製造に用いる場合、発光素子を構成する有機層には、当該組成物が含有されるため、燐光発光性化合物としては、本発明の高分子化合物との相溶性が高い（すなわち、相分離を生じにくいものであり、かつ、塗布成膜性に優れるものであること。）が好ましい。
本発明の高分子化合物と共に用いる燐光発光性化合物としては、上記観点に基づき、燐光発光性化合物の有する配位子に適切な置換基を導入することが好ましい。当該置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基が好ましい。また、当該置換基の水素原子以外の原子の総数は、３個以上であることが好ましく、５個以上であることがより好ましく、７個以上であることが更に好ましく、１０個以上であることが特に好ましい。また、当該置換基は、燐光発光性化合物が有する全ての配位子に導入されていることが好ましい。その場合、当該置換基は、配位子毎に同一であっても異なっていてもよい。
上記の置換基としては、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよい１価の芳香族複素環基からなるデンドロンが好ましい。デンドロンとは分枝構造（ｂｒａｎｃｈｉｎｇ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）であり、デンドロンを置換基として配位子に導入することにより、燐光発光性化合物は、上記塗布成膜性の向上に加えて、例えば、電荷輸送性等の機能性（ｆｕｎｃｔｉｎａｌｉｔｙ）、発光色を調整、等の効果が付与された、高密度の機能性を有する燐光発光性化合物となり得る。また、デンドロンを置換基として有する高度に枝分かれした巨大分子はデンドリマーと呼ばれることがあり、例えば、ＷＯ０２／０６６５７５、ＷＯ０２／０６６５５２、ＷＯ０２／０６７３４３等において記載されており、種々の機能を目的として設計、合成がされている。
以下に、代表的なデンドロンを例示する。
2013191086.tif 000070
2013191086.tif 000071
2013191086.tif 000072
（式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。）
式（ＭＭ）におけるＺとしては、ブレンステッド酸の共役塩基が挙げられる。ブレンステッド酸の共役塩基の例としては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオンが挙げられる。
式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物としては、
Ｍが、イリジウム（ＩＩＩ）であり、Ｌが、Ｍと窒素原子および炭素原子で配位結合もしくは共有結合で結合するモノアニオン性のオルトメタル化配位子であり、ｋａが３であり、ｋｂが０である燐光発光性化合物が好ましい。
式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物は、下記一般式（Ｉｒ−１）〜（Ｉｒ−３）で表される燐光発光性化合物であることが好ましい。
2013191086.tif 000073
［式（Ｉｒ−１）中、
ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７およびＲＤ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７およびＲＤ８の少なくとも１つは、下記一般式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ１は、１、２または３を表す。］
2013191086.tif 000074
［式（Ｉｒ−２）中、
ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０の少なくとも１つは、下記一般式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ２は、１、２または３を表す。］
2013191086.tif 000075
［式（Ｉｒ−３）中、
ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７、ＲＤ８、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、ＲＤ４、ＲＤ５、ＲＤ６、ＲＤ７、ＲＤ８、ＲＤ１１、ＲＤ１２、ＲＤ１３、ＲＤ１４、ＲＤ１５、ＲＤ１６、ＲＤ１７、ＲＤ１８、ＲＤ１９およびＲＤ２０の少なくとも１つは、下記一般式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基である。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡＤ１およびＡＤ２は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子または窒素原子を表す。
ｎＤ３は、１または２を表す。］
2013191086.tif 000076
［式（Ｄｅｎｄ−Ａ）中、
ＧＤＡ１は、窒素原子、３価の芳香族炭化水素基または３価の芳香族複素環基を表す。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２およびＡｒＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表す。
ＴＤＡ２およびＴＤＡ３は、それぞれ独立に、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２およびｍＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。］
2013191086.tif 000077
［式（Ｄｅｎｄ−Ｂ）中、
ＧＤＡ１、ＧＤＡ２およびＧＤＡ３は、それぞれ独立に、窒素原子、３価の芳香族炭化水素基または３価の芳香族複素環基を表す。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６およびＡｒＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の芳香族複素環基を表す。
ＴＤＡ４、ＴＤＡ５、ＴＤＡ６およびＴＤＡ７は、それぞれ独立に、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２、ｍＤＡ３、ｍＤＡ４、ｍＤＡ５、ｍＤＡ６およびｍＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。］
ＧＤＡ１は、下記式（ＧＤＡ−１１）〜（ＧＤＡ−１５）で表される基であることが好ましい。ＧＤＡ２は、下記式（ＧＤＡ−２１）〜（ＧＤＡ−２５）で表される基であることが好ましい。ＧＤＡ３は、下記式（ＧＤＡ−３１）〜（ＧＤＡ−３５）で表される基であることが好ましい。
2013191086.tif 000078
［式中、
＊１、＊２および＊３は、各々、ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２およびＡｒＤＡ３との結合を表す。
ＲＤＡは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＤＡが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。］
2013191086.tif 000079
［式中、
＊２、＊４および＊５は、各々、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ４およびＡｒＤＡ５との結合を表す。
ＲＤＡは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＤＡが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。］
2013191086.tif 000080
［式中、
＊３、＊６および＊７は、各々、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ６およびＡｒＤＡ７との結合を表す。
ＲＤＡは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲＤＡが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。］
ＲＤＡは、水素原子、アルキル基またはアルコキシ基であることが好ましく、水素原子またはアルキル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。
ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６およびＡｒＤＡ７は、下記式（ＡｒＤＡ−１）〜（ＡｒＤＡ−３）で表される基であることが好ましい。ＡｒＤＡ１、ＡｒＤＡ２、ＡｒＤＡ３、ＡｒＤＡ４、ＡｒＤＡ５、ＡｒＤＡ６およびＡｒＤＡ７が複数存在する場合、それらはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
2013191086.tif 000081
［式中、
ＲＤＡは前記と同じ意味を表す。
ＲＤＢは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基または１価の芳香族複素環基を表す。ＲＤＢが複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。］
ＲＤＢは、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基であることが好ましく、アリール基または１価の芳香族複素環基であることがより好ましく、アリール基であることが更に好ましい。
ＴＤＡ２、ＴＤＡ３、ＴＤＡ４、ＴＤＡ５、ＴＤＡ６およびＴＤＡ７は、下記式（ＴＤ−１）〜（ＴＤ−３）で表される基であることが好ましい。
2013191086.tif 000082
［式中、ＲＤＡおよびＲＤＢは前記と同じ意味を表す。］
ｍＤＡ１、ｍＤＡ２、ｍＤＡ３、ｍＤＡ４、ｍＤＡ５、ｍＤＡ６およびｍＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、５以下の整数であることが好ましく、０または１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
式（Ｄｅｎｄ−Ａ）で表される基は、下記式（Ｄｅｎｄ−Ａ１）、（Ｄｅｎｄ−Ａ２）または（Ｄｅｎｄ−Ａ３）で表される基であることが好ましく、式（Ｄｅｎｄ−Ａ１）または（Ｄｅｎｄ−Ａ３）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄｅｎｄ−Ａ１）で表される基であることが更に好ましい。
2013191086.tif 000083
［式（Ｄｅｎｄ−Ａ１）〜（Ｄｅｎｄ−Ａ３）中、
Ｒｐ１、Ｒｐ２およびＲｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。Ｒｐ１およびＲｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。］
式（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基は、下記式（Ｄｅｎｄ−Ｂ１）、（Ｄｅｎｄ−Ｂ２）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ３）で表される基であることが好ましく、式（Ｄｅｎｄ−Ｂ１）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ３）で表される基であることがより好ましく、式（Ｄｅｎｄ−Ｂ１）で表される基であることが更に好ましい。
2013191086.tif 000084
［式（Ｄｅｎｄ−Ｂ１）〜（Ｄｅｎｄ−Ｂ３）中、
Ｒｐ１、Ｒｐ２およびＲｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の芳香族複素環基またはハロゲン原子を表す。Ｒｐ１およびＲｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ互いに同一でも異なっていてもよい。］
Ｒｐ１、Ｒｐ２およびＲｐ３は、アルキル基、アリール基または１価の芳香族複素環基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
ｎｐ１は０または１であることが好ましく、１であることがより好ましい。ｎｐ２は０または１であることが好ましく、０であることが好ましい。ｎｐ３は０であることが好ましい。
−ＡＤ１−−−ＡＤ２−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。
2013191086.tif 000085
［式中、＊は、イリジウム原子との結合を表す。］
式Ｉｒ−１で表される燐光発光性化合物しては、下記式Ｉｒ−１１〜Ｉｒ−１３で表される燐光発光性化合物が好ましい。式Ｉｒ−２で表される燐光発光性化合物としては、下記式Ｉｒ−２１で表される燐光発光性化合物が好ましい。式Ｉｒ−３で表される燐光発光性化合物としては、下記式Ｉｒ−３１〜Ｉｒ−３３で表される燐光発光性化合物が好ましい。
2013191086.tif 000086
［式Ｉｒ−１１〜Ｉｒ−３１、Ｉｒ−２１およびＩｒ−３１〜Ｉｒ−３３中、Ｄｅｎｄは、前記式（Ｄｅｎｄ−Ａ）または（Ｄｅｎｄ−Ｂ）で表される基を表す。ｎＤ３は、前記と同じ意味を表す。］
式（Ｉｒ−１）、（Ｉｒ−２）または（Ｉｒ−３）で表される燐光発光性化合物と、下記一般式（１Ｂ）で表される基を繰り返し単位として含む高分子化合物と、を含有する組成物は、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用である。
2013191086.tif 000087
［式（１Ｂ）中、
Ｒ１ａは、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基またはアラルキル基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＲ１ａは、同一でも異なっていてもよい。
Ｒ１ｈおよびＲ１ｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子またはシアノ基を表す。Ｒ１ｈおよびＲ１ｄは、互いに結合してそれぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
Ｒ１ｈおよびＲ１ｄで表されるアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子およびシアノ基の具体例や好ましい形態は、式（１）におけるＲ１ｄで表されるアルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換カルボキシル基、フッ素原子およびシアノ基の例や好ましい形態と同様である。
式（１Ｂ）で表される基を繰り返し単位として含む高分子化合物は、より好適な態様において、式（２）で表される基および／または式（３）で表される基を繰り返し単位として含む。また、式（１Ｂ）で表される基を繰り返し単位として含む高分子化合物は、式（１Ｂ）で表される基、式（２）で表される基および式（３）で表される基以外の基を、繰り返し単位として含んでいてもよい。なお、式（１Ｂ）で表される基、式（２）で表される基および式（３）で表される基はそれぞれ、一種単独でも複数含まれていてもよい。
式（ＭＭ）で表される燐光発光性化合物としては、以下が例示され、輝度寿命の観点から、Ｉｒ−２ａ〜Ｉｒ−６ａ、Ｉｒ−１０ａ〜Ｉｒ−１３ａ、Ｉｒ−１７ａ〜Ｉｒ−２４ａ、Ｉｒ−２ｂ〜Ｉｒ−６ｂ、Ｉｒ−１０ｂ〜Ｉｒ−１３ｂ、Ｉｒ−１８ｂ〜Ｉｒ−２９ｂ、Ｉｒ−１ｃ〜Ｉｒ−１４ｃ、Ｉｒ−１ｄ〜Ｉｒ−１９ｄが好ましく、Ｉｒ−１０ａ〜Ｉｒ−１３ａ、Ｉｒ−１７ａ〜Ｉｒ−２４ａ、Ｉｒ−１０ｂ〜Ｉｒ−１３ｂ、Ｉｒ−１８ｂ〜Ｉｒ−２９ｂ、Ｉｒ−１ｃ、Ｉｒ−５ｃ、Ｉｒ−８ｃ、Ｉｒ−１０ｃ〜Ｉｒ−１４ｃ、Ｉｒ−１ｄ〜Ｉｒ−２ｄ、Ｉｒ−６ｄ〜Ｉｒ−１２ｄ、Ｉｒ−１５ｄ〜Ｉｒ−１９ｄがより好ましい。なお、下記例示において、デンドロン部位が有する置換基として記載されているＲｐとしては、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、アルキル基であることがより好ましく、合成の容易さ、得られる燐光発光性化合物を発光素子の作製に用いる際の有機溶媒への溶解のしやすさの観点から、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、エチルヘキシル基等のアルキル基が更により好ましい。
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2013191086.tif 000105
2013191086.tif 000106
2013191086.tif 000107
2013191086.tif 000108
2013191086.tif 000109
2013191086.tif 000110
2013191086.tif 000111
本発明の高分子化合物は、特に短波長の発光スペクトルを有する燐光発光性化合物との組成物を用いる場合において、従来の高分子化合物を用いた組成物に比べてより優れた電流効率を得ることが可能であり、特に、燐光発光性化合物の発光スペクトルの最も短波長側のピークが４９０ｎｍ以下である場合に、その効果が顕著なものとなる。したがって、式（ＭＭ）におけるＬとしては、短波長の発光スペクトルを有する燐光発光性化合物となり得るため、下記に示す配位子であることが好ましい。
2013191086.tif 000112
2013191086.tif 000113
（式中、Ｒａは前記と同じ意味を表す。）
上記に例示した各配位子における任意の水素原子は、アルキル基、アリール基、１価の芳香族複素環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基、置換カルボニル基、置換オキシカルボニル基、フッ素原子またはシアノ基で置換されていてもよい。当該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに、環構造を形成していてもよい。
［液状組成物］
本発明の高分子化合物は、溶媒（好ましくは有機溶媒）に溶解または分散させて、本発明の液状組成物（溶液または分散液）としてもよい。このような液状組成物は、インク、ワニスとも呼ばれる。発光素子を構成する有機層を形成するために、本発明の液状組成物を用いる場合、液状組成物は溶液であることが好ましい。
液状組成物は、本発明の高分子化合物に加えて、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有していてもよい。また、液状組成物には、本発明の効果を妨げない限りにおいて、その他の物質が添加されていてもよい。その他の物質としては、酸化防止剤、粘度調整剤、界面活性剤等が挙げられる。
ここで、溶媒としては、本発明の高分子化合物が溶解または分散する限り特に限定されないが、以下のような有機溶媒が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒：トルエン、キシレン（各異性体またはそれらの混合物）、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、２−フェニルブタン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ネオペンチルベンゼン、イソアミルベンゼン、ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、３−プロピルトルエン、４−プロピルトルエン、１−メチル−４−プロピルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，４−ジプロピルベンゼン、１，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、インダン、テトラリン（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン）等。
脂肪族炭化水素系溶媒：ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、デカリン等。
芳香族系エーテル系溶媒：アニソール、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、ブチロキシベンゼン、ペンチルオキシベンゼン、シクロペンチルオキシベンゼン、ヘキシルオキシベンゼン、シクロヘキシルオキシベンゼン、ヘプチルオキシベンゼン、オクチルオキシベンゼン、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、４−エチルアニソール、４−プロピルアニソール、４−ブチルアニソール、４−ペンチルアニソール、４−ヘキシルアニソール、ジフェニルエーテル、４−メチルフェノキシベンゼン、４−エチルフェノキシベンゼン、４−プロピルフェノキシベンゼン、４−ブチルフェノキシベンゼン、４−ペンチルフェノキシベンゼン、４−ヘキシルフェノキシベンゼン、４−フェノキシトルエン、３−フェノキシトルエン、１，３−ジメトキシベンゼン、２，６−ジメチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール等。
脂肪族エーテル系溶媒：テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン等。
ケトン系溶媒：アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等。
エステル系溶媒：酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、エチルセルソルブアセテート等。
塩素化溶媒：塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等。
アルコール系溶媒：メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール、フェノール等。
多価アルコールおよびその誘導体：エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等。
非プロトン性極性溶媒：ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等。
これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を混合溶媒として使用してもよい。
混合溶媒を用いる場合、上記の溶媒群から二種または三種以上を組み合わせることが好ましいが、上記例示の同じ系の溶媒群から複数を組み合わせても、異なる系の溶媒群から１種以上ずつを組み合わせてもよい。その組成比は、各溶媒の物性や、高分子化合物等の溶解性を考慮して決めることができる。
同じ系の溶媒群から複数種を選んで組み合わせる場合の好ましい例としては、芳香族炭化水素系溶媒から複数種、芳香族エーテル系溶媒から複数種等が挙げられる。異なる系の溶媒群から１種以上ずつを選んで組み合わせる場合の好ましい例としては、以下の組み合わせが挙げられる。芳香族炭化水素系溶媒と脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と芳香族エーテル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と脂肪族エーテル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒と非プロトン性極性溶媒、芳香族エーテル系溶媒と非プロトン性極性溶媒等。
また、単独溶媒または混合溶媒に水を添加することもできる。
これらの有機溶媒のうち、ベンゼン環を含む構造を有し、融点が０℃以下であり、且つ、沸点が１００℃以上である有機溶媒を一種以上含む単独溶媒または混合溶媒が、粘度、成膜性等の観点から好ましく、なかでも芳香族炭化水素系溶媒および芳香族エーテル系溶媒からなる群から選ばれる一種以上含む単独溶媒または混合溶媒が好ましい。
有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を混合溶媒として使用してもよいが、成膜性を制御する観点から混合溶媒を用いることが好ましい。また、有機溶媒は、必要に応じ、洗浄、蒸留、吸着剤への接触等の方法により精製を行ってから使用してもよい。
上記液状組成物によれば、本発明の高分子化合物を含有する有機膜を容易に製造することができる。具体的には、上記液状組成物を基板上に塗布して、加熱、送風、減圧等により有機溶媒を留去することにより、本発明の高分子化合物を含有する有機膜が得られる。有機溶媒の留去は、使用される有機溶媒に応じて条件を変更することができ、例えば、５０〜１５０℃程度の雰囲気温度（加熱）または１０−３Ｐａ程度の減圧雰囲気等が条件として挙げられる。
塗布には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
上記液状組成物の好適な粘度は印刷法によっても異なるが、２５℃において、好ましくは０．５〜１０００ｍＰａ・ｓであり、より好ましくは０．５〜５００ｍＰａ・ｓである。また、インクジェット印刷法のように液状組成物が吐出装置を経由する場合、吐出時の目詰まりや飛行曲がりを防止するために、２５℃における粘度は、好ましくは０．５〜５０ｍＰａ・ｓであり、より好ましくは０．５〜２０ｍＰａ・ｓである。液状組成物中の本発明の高分子化合物の濃度は、特に限定されないが、０．０１〜１０重量％であることが好ましく、０．１〜５重量％であることがより好ましい。
［有機膜］
本発明の有機膜は、本発明の高分子化合物を含有するものであり、例えば、発光性膜、導電性膜、有機半導体膜等の有機膜が挙げられる。これらの有機膜は、その用途に応じて、上述した本発明の組成物を構成する各成分を適宜組み合わせて含んでいてもよい。
有機膜は、本発明の高分子化合物をそのまま、または、上述したような本発明の組成物や本発明の液状組成物の状態で用いて、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等を行うことにより作製することができる。
例えば、上述した溶液を用いて有機膜を形成する場合は、溶液に含まれる本発明の高分子化合物のガラス転移温度にもよるが、１００℃以上の温度（例えば、１３０℃〜１６０℃）でベークすることが好ましい。
有機膜は、発光性膜である場合、発光素子の輝度や発光電圧を良好に得る観点から、発光量子収率が３０％以上であることが好ましく、４０％以上であることがより好ましく、５０％以上であることが更に好ましく、６０％以上であることが特に好ましい。
有機膜は、導電性膜である場合、表面抵抗率が１ｋΩ／ｓｑ．以下であることが好ましく、１００Ω／ｓｑ．以下であることがより好ましく、１０Ω／ｓｑ．以下であることが更に好ましい。導電性膜の場合、ルイス酸やイオン性化合物等をドープすることによって、電気伝導度を高めることができる。なお、「Ω／ｓｑ．」は表面抵抗率を表す単位である。
さらに、有機膜は、有機半導体膜である場合、当該膜が有している電子移動度および正孔移動度のうちの大きい方の値が、１０−５ｃｍ２／Ｖ／秒以上であることが好ましく、１０−３ｃｍ２／Ｖ／秒以上であることがより好ましく、１０−１ｃｍ２／Ｖ／秒以上であることが更に好ましい。例えば、ＳｉＯ２等の絶縁膜とゲート電極とを形成したＳｉ基板上に、この有機半導体膜を形成し、さらにＡｕ等によりソース電極およびドレイン電極を形成することによって、有機トランジスタを作製することができる。
［発光素子］
本発明の発光そしは、陽極と、陰極と、該陽極と該陰極との間に設けられた本発明の高分子化合物を含有する有機層と、を備える。発光素子は、有機層を一層のみ有するものであってもよく、二層以上有するものであってもよい。有機層を二層以上備える場合には、少なくとも一層が本発明の高分子化合物を含有していればよい。
上記本発明の高分子化合物を含有する有機層は、発光素子において、発光層、正孔輸送層または電子ブロック層として機能することができる。そのため、本発明の発光素子は、これらの層のうちの少なくとも１つが、上記本発明の高分子化合物を含有する有機層により構成されることが好ましい。なかでも、本発明の発光素子は、発光層が上記本発明の高分子化合物を含有する有機層より構成される発光素子であることが好ましい。発光素子は、陽極、陰極および発光層として機能する有機層（以下、単に「発光層」という。）以外にも、それらの層の間等に、その他の層を有していてもよい。なお、各層は、一層からなるものであっても、二層以上からなるものであってもよい。また、各層を構成している材料や化合物は、一種単独であっても二種以上が併用されていてもよい。
陽極と発光層との間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられる。このような層が陽極と発光層との間に一層のみ設けられた場合には、当該層は正孔注入層である。陽極と発光層との間に二層以上設けられた場合には、陽極に接する層が正孔注入層であり、それ以外の層が正孔輸送層である。
正孔注入層は、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、正孔注入層または陽極により近い層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。一方、これらの層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合、それらの層は、電子ブロック層とも呼ばれる。対象となる層が、電子の輸送を堰き止める機能を有するかどうかは、電子電流のみを流す素子を作製し、電流値の減少が生じることを測定することによって確認することができる。
陰極と発光層との間に設けられた層としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられる。このような層が陰極と発光層との間に一層のみ設けられた場合には、当該層は電子注入層である。陰極と発光層との間に二層以上設けられた場合には、陰極に接している層が電子注入層であり、それ以外の層が電子輸送層である。
電子注入層は、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、電子注入層または陰極により近い層からの電子注入を改善する機能を有する層である。一方、これらの層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層を正孔ブロック層とも呼ばれる。対象となる層が、正孔の輸送を堰き止める機能を有するかどうかは、正孔（ホール）電流のみを流す素子を作製し、電流値の減少が生じることを測定することによって確認することができる。
上述した各層を備える構成を有する発光素子の構造としては、例えば、以下のａ）〜ｄ）の構造が挙げられる。下記の構造中「／」は各層が隣接して積層されていることを示す（以下同様）。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
なお、電極（陰極、陽極）に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷（正孔、電子）の注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を低下させる効果を有するものは、電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と呼ばれる場合もある。
電極（陰極、陽極）との密着性の向上や、電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して、電荷注入層や絶縁層を更に設けてもよい。また、電荷輸送層や発光層の界面には、層間の界面における密着性の向上や構成材料の混合の防止等のために、薄いバッファー層を更に設けてもよい。積層する層の順番や数、および各層の厚さは、発光効率や輝度寿命を勘案して調整することができる。
例えば、電荷注入層を更に設けた発光素子の構造としては、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
上述したａ）〜ｐ）のような構造を有する発光素子における各層の構成は、例えば、次の通りである。
（陽極）
陽極は、通常、透明または半透明であり、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の膜から構成され、それらの中でも透過率が高い材料から構成されることが好ましい。陽極の材料としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、および、それらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性無機化合物を用いて作製された膜、ＮＥＳＡ等や、金、白金、銀、銅等が用いられる。なかでも、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイドまたは酸化スズが好ましい。陽極の作製には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等の方法を用いることができる。また、陽極として、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して選択することができる。例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであると好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであるとより好ましく、４０ｎｍ〜５００ｎｍであると更に好ましい。
（正孔注入層）
正孔注入層に用いられる材料としては、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体等の導電性高分子等が挙げられる。
正孔注入層が、導電性高分子や上述した本実施形態の高分子化合物である場合、その電気伝導度を向上させるために、正孔注入層には、必要に応じて、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等のアニオンをドープしてもよい。
（正孔輸送層）
正孔輸送層に用いられる材料としては、正孔輸送材料として例示したものが挙げられる。なお、正孔輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合には、低分子化合物を高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。上記本実施形態の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合は、高分子化合物が、上記式（４）で表される基を繰り返し単位として有していることが好ましい。
なかでも、正孔輸送層に用いられる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアリールアミンおよびその誘導体のほか、本実施形態の高分子化合物が好ましい。
正孔輸送層の成膜方法としては、正孔輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーとの混合溶液を用いた成膜が挙げられ、高分子化合物である場合には、この高分子化合物を含む溶液を用いた成膜が挙げられる。
溶液を用いた成膜に用いる溶媒は、正孔輸送層に用いられる材料を溶解させるものであればよい。溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が挙げられる。
溶液を用いた成膜には、溶液を用いたスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。
低分子化合物と組み合わせる高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適である。このような高分子バインダーとしては、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が挙げられる。
正孔輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して選択することができる。ただし、ピンホールが容易に発生しないような厚さを有することが必要である一方、厚過ぎると、発光素子の駆動電圧が高くなることがある。そこで、正孔輸送層の厚さは、１ｎｍ〜１μｍであると好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであるとより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであると更に好ましい。
（発光層）
発光層は、蛍光または燐光を発する有機化合物（低分子化合物、高分子化合物のいずれであってもよい。）と、必要に応じてこれを補助するドーパントとから形成される。本実施形態の発光素子における発光層は、上述した本実施形態の高分子化合物と燐光発光性化合物とを含むものであることが好ましい。なお、発光材料が低分子化合物である場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
発光層には、発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために、ドーパントを添加してもよい。ドーパントとしては、アントラセン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン等が挙げられる。
発光層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して選択することができ、例えば、２〜２００ｎｍであると好ましい。
発光層の成膜方法としては、発光材料を含む溶液を基材の上または基材の上方に塗布する方法、真空蒸着法、転写法等を用いることができる。溶液を用いた成膜を行う場合、溶媒としては、正孔輸送層の溶液による成膜において例示したものと同様の溶媒を適用できる。発光材料を含む溶液を基材の上または基材の上方に塗布する方法としては、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、スリットコート法等の印刷法を用いることができる。発光材料が、昇華性を有する低分子化合物の場合には、真空蒸着法により成膜を行うこともできる。また、レーザーによる転写や熱転写により、所望の位置に発光層を形成する方法も用いることができる。
（電子輸送層）
電子輸送層に用いられる材料としては、上記本実施形態の高分子化合物や、上述した電子輸送材料等が挙げられる。上記本実施形態の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合は、本実施形態の高分子化合物が、上記式（２Ｂ）で表される基、上記式（３Ａ）で表される基および上記式（３Ｂ）で表される基からなる群から選ばれる一種以上の基を繰り返し単位として含むことが好ましい。
これらのなかでも、電子輸送層に用いる電子輸送材料としては、上記本実施形態の高分子化合物、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンおよびその誘導体、アントラキノンおよびその誘導体、８−ヒドロキシキノリンおよびその誘導体の金属錯体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体が好ましい。
電子輸送層の成膜方法としては、電子輸送層に用いられる材料が低分子化合物である場合、粉末を用いた真空蒸着法、溶液または溶融状態での成膜による方法が挙げられる。一方、電子輸送層に用いられる材料が高分子化合物である場合には、溶液または溶融状態での成膜による方法が挙げられる。溶液または溶融状態での成膜には、高分子バインダーを併用してもよい。溶液を用いた成膜は、上述したような溶液を用いた正孔輸送層の成膜方法と同様にして行うことができる。
電子輸送層の厚さは、駆動電圧と発光効率を考慮して調整することができる。ただし、ピンホールが容易に発生しないような厚さを有することが必要である一方、厚過ぎると、発光素子の駆動電圧が高くなることがある。そこで、電子輸送層の膜厚は、１ｎｍ〜１μｍであると好ましく、２ｎｍ〜５００ｎｍであるとより好ましく、５ｎｍ〜２００ｎｍであると更に好ましい。
（電子注入層）
電子注入層の構成は、発光層の種類に応じて適宜選択することができる。例えば、Ｃａ層の単層構造からなる電子注入層、Ｃａを除いた周期表１族と２族の金属であり、かつ仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの金属、並びに、該金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物から選ばれる１種または２種以上で形成された層とＣａ層との積層構造からなる電子注入層等が挙げられる。仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの、周期表１族の金属、並びに、その酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物としては、リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、仕事関数が１．５〜３．０ｅＶの、Ｃａを除いた周期表２族の金属、並びに、その酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物としては、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。
電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、印刷法等によって形成することができる。
また、電子注入層の厚さは、１ｎｍ〜１μｍが好ましい。
（陰極）
陰極の材料としては、仕事関数が小さく発光層への電子注入が容易な材料が好ましい。
例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、もしくは、これら金属のうち２種以上の合金、または、これら金属のうち１種以上の金属と金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金、或いは、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。
陰極を２層以上の積層構造とする場合には、金属、金属酸化物、金属フッ化物またはこれらの合金と、アルミニウム、銀、クロム等の金属と、の積層構造が好ましい。
陰極は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、金属膜を熱圧着するラミネート法等によって形成することができる。陰極の厚さは、電気伝導度や耐久性を考慮して選択することができる。例えば、１０ｎｍ〜１０μｍであると好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであるとより好ましく、５０ｎｍ〜５００ｎｍであると更に好ましい。
（保護層）
陰極の作製後には、その上部に、発光素子を保護するための保護層を更に形成してもよい。特に、発光素子を長期安定的に用いるためには、この発光素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
保護層の構成材料としては、高分子量の化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等を用いることができる。また、保護カバーとしては、金属板、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができる。保護カバーを用いた発光素子の保護方法としては、保護カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が挙げられる。この際、スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子の損傷を防ぐことが容易となる。さらに、この空間に窒素やアルゴンのような不活性ガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができる。また、酸化バリウム等の乾燥剤をこの空間内に設置すれば、製造工程で吸着した水分または硬化樹脂を通り抜けて浸入する微量の水分が素子に損傷を与えるのを抑制することが容易となる。発光素子においては、これらのうち、いずれか１つ以上の方策を採ることが好ましい。
以上説明した好適な実施形態の発光素子は、面状光源、表示装置（セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置）、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。
例えば、発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得る方法としては、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成して実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極の一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。
さらに、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動させてもよい。
上述した面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、面状の照明用光源等として好適に用いることができる。また、上記の表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。さらに、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０００８】
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
［測定方法］
以下の実施例では、数平均分子量および重量平均分子量の測定、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）、ＮＭＲの測定、ＬＣ／ＭＳの測定、ガラス転移温度の測定、並びに、三重項エネルギーの測定を、以下のようにして実施した。
（数平均分子量および重量平均分子量の測定）
ポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）およびポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ＧＰＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。この際、測定する高分子化合物は、約０．０５重量％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させて、ＧＰＣに１０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相にはテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流速で流した。カラムは、ＰＬｇｅｌ  ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ社製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。
（高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ））
化合物の純度の指標として、ＨＰＬＣ面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ、島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）による、２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびテトラヒドロフランを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／テトラヒドロフラン＝１００／０〜０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ  ＬＣ  ＯＤＳ  ２０００（東京化成工業製）、もしくは同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。
（ＮＭＲの測定）
測定試料５〜２０ｍｇを約０．５ｍＬの有機溶媒に溶解させて、ＮＭＲ（バリアン（Ｖａｒｉａｎ，Ｉｎｃ．）製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ  ３００）を用いて行った。
（ＬＣ／ＭＳの測定）
測定試料を１〜１０ｍｇ／ｍＬの濃度になるように適切な有機溶媒（クロロホルム、テトラヒドロフラン、酢酸エチル、トルエン等）に溶解させて、ＬＣ／ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）にて測定し、解析した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、イオン交換水、アセトニトリル、テトラヒドロフランまたはそれらの混合液を用い、必要に応じて酢酸を添加した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ  ２  ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：４．６ｍｍ、長さ：２５０ｍｍ、粒子径３μｍ）を用いた。
（最低三重項励起状態（Ｔ１）のエネルギー準位の測定）
高分子化合物が有する最低三重項励起状態（Ｔ１）のエネルギー準位（以下、「ＴＨ」と表す。）は、該高分子化合物の７７Ｋにおける燐光発光スペクトルを測定することによって求めた。具体的には、高分子化合物のトルエン溶液（濃度：８×１０−４質量％）を測定試料とした。励起光源にキセノンランプを用い、回折格子を用いて分光した励起光（励起波長３００ｎｍ）を測定試料に照射し、検出器に浜松ホトニクス社製マルチチャンネル分光器ＰＭＡ−１２を用い、高分子化合物の燐光発光スペクトルを測定した。そして、高分子化合物の燐光発光スペクトルにおける最大ピーク波長（強度が最も大きい波長）の強度を１．０とした場合に、０．１の強度を示す最も短波長側の波長をエネルギーに換算した値をＴＨとして算出した。
燐光発光性化合物の有する最低三重項励起状態（Ｔ１）のエネルギー準位（以下、「ＴＭ」と表す。）は、該燐光発光性化合物の室温における燐光発光スペクトルを測定することによって求めた。具体的には、燐光発光性化合物のトルエン溶液（濃度：８×１０−４質量％）を測定試料とした。励起光源にキセノンランプを用い、回折格子を用いて分光した励起光（励起波長３００ｎｍ）を測定試料に照射し、検出器に浜松ホトニクス社製マルチチャンネル分光器ＰＭＡ−１２を用い、燐光発光性化合物の燐光発光スペクトルを測定した。そして、燐光発光性化合物の燐光発光スペクトルにおける最大ピーク波長（強度が最も大きい波長）の強度を１．０とした場合に、０．１の強度を示す最も短波長側の波長をエネルギーに換算した値をＴＭとして算出した。
［原料モノマーの合成］
下記に示す化合物ＭＭ１、ＭＭ２、ＭＭ３、ＭＭ４、ＭＭ５、ＣＭ１、ＣＭ２およびＣＣ１〜ＣＣ１２は公知の方法または後述の合成方法により合成したものを、再結晶、シリカゲルカラムクロマトグラフィー、昇華等の精製操作を行い、ＨＰＬＣ面積百分率値で９９．５％以上の純度を示したものを、高分子化合物の合成における原料モノマーとして、もしくは、原料モノマーの合成における原料化合物として用いた。
2013191086.tif 000114
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＜実施例Ｍ１＞
（化合物ＭＭ１の合成）
化合物ＭＭ１は以下の第一工程〜第四工程に従い合成した。
2013191086.tif 000116
（第一工程）
反応容器内において、化合物ＣＭ１ｄ（１２．２２ｇ、３４．７０ｍｍｏｌ）にピリジン（３４．７０ｍＬ）を加えた後に、室温にて、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（４０％ピリジン溶液）（０．８７ｍＬ、調製については後述する。）を加え、反応容器内に大気を通気させながら、４０℃のオイルバスで加熱し、１６時間攪拌した。その後、再度、ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（４０％ピリジン溶液）（０．８７ｍＬ、調製については後述する。）を加え、６０℃のオイルバスで加熱し、８時間攪拌することにより、反応溶液を得た。得られた反応溶液にイオン交換水と酢酸を加え、酸性条件とした後に、室温にて１時間攪し、析出した黄色固体をろ取し、水で洗浄した。
得られた固体を乾燥した後に、テトラヒドロフランとメタノールの混合溶媒（テトラヒドロフラン／メタノール＝４／３０（ｖ／ｖ））に分散させ、８０℃のオイルバスで加熱しながら１．５時間攪拌し、室温まで冷却した後に析出している固体をろ取、減圧乾燥することにより、目的物である化合物ＭＭ１ａ（１１．８７ｇ）を黄色固体として得た。収率は９３．５％であった。得られた化合物ＭＭ１ａは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９６．７％を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．７７（ｓ，２Ｈ），７．３６（ｓ，２Ｈ），２．４７（ｓ，６Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＰＩ（ｐｏｓｉ））：３６４［Ｍ］＋
（ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（４０％ピリジン溶液）の調製）
ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（４０％メタノール溶液）（「ＴＲＩＴＯＮ  Ｂ」と呼ばれることがある。関東化学株式会社製、５０ｍＬ）に対してピリジン（５０ｍＬ）を加えた後にエバポレーターにて２５ｍＬ以下まで濃縮し、再度、ピリジンを加えて５０ｍＬになるように希釈することにより調製した。この操作により得られた溶液を、「ベンジルトリメチルアンモニウムヒドロキシド（４０％ピリジン溶液）」と呼ぶ。
（第二工程）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、３，５−ジ−ｎ−ヘキシル−１−ブロモベンゼン（化合物ＭＭ１ｂ、１３．８２ｇ、４２．５ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン（脱水品、３２４ｍＬ）に溶解させた溶液を攪拌しながら、−７８℃の冷浴を用いて冷却した。その後、得られた溶液の温度が−７５℃以下を保持するように、ｎ−ブチルリチウムのヘキサン溶液（１．６３ｍｏｌ／Ｌ、２５．７ｍＬ）をゆっくりと滴下し、更に１時間攪拌した。その後、化合物ＭＭ１ａ（１１．８７ｇ、３２．４ｍｍｏｌ）を、得られた溶液の温度が−７５℃以下を保持するように、少量ずつ加え、更に、２時間攪拌した後に、メタノール（約２０ｍＬ）をゆっくりと滴下してから、冷浴を外し、室温までゆっくりと昇温した。得られた反応溶液の溶媒を減圧濃縮により留去した後に、ヘキサンを加え、イオン交換水で洗浄することにより、油層を得た。得られた油層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、不溶分をろ別した後に、減圧濃縮により溶媒を留去し、更に、再結晶精製（ヘキサン）を行い、ろ取、減圧乾燥することにより、目的物である化合物ＭＭ１ｃ（９．１２ｇ）を白色固体として得た。収率は４５％であった。得られた化合物ＭＭ１ｃは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９７．９％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：６１０［Ｍ］＋
（第三工程）
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１ｃ（９．１２ｇ、１４．８９ｍｍｏｌ）、トリエチルシラン（４．５３ｍＬ、５９．６ｍｍｏｌ）およびヘキサン（３９ｍＬ）を混合し、７０℃のオイルバスで加熱しながら、トリフルオロ酢酸（４．５ｍＬ、５９．６ｍｍｏｌ）を滴下した後、更に３時間加熱下で攪拌することにより反応溶液を得た。得られた反応溶液を室温まで冷却した後に、１０重量％濃度のリン酸カリウム水溶液を加え、更に、有機層を飽和食塩水により洗浄し、無水硫酸ナトリウムにより乾燥し、不溶物をろ別した後に、減圧濃縮および減圧乾燥により溶媒を留去し、化合物ＭＭ１ｄを含む油状物（８．９ｇ）を得た。得られた油状物は、これ以上の精製は行わずに次工程に用いた。
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：５９４［Ｍ］＋
（第四工程）
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ５ｄを含む油状物（８．９ｇ）にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（７４ｍＬ）を加え、均一な溶液を得た。得られた溶液にアルゴンガスバブリングを１５分間行い、次いで、氷浴を用いて５℃以下に冷却した。水酸化カリウム（２．７６ｇ、４９．１ｍｍｏｌ）をイオン交換水（２．４ｍＬ）に溶解させた後にアルゴンガスをバブリングを行った水酸化カリウム水溶液を別途準備し、上記で得られた溶液に加えた。その後、ヨウ化メチル（６．３４ｇ、４４．７ｍｍｏｌ）を滴下し、０〜５℃にて４時間攪拌した。氷浴を外した後、イオン交換水を加え、更にヘキサンにより抽出することにより、油層を得た。得られた油層を無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥し、不溶物をろ別、溶媒を留去した後に、中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン）により精製した。目的物ＭＭ１を含むフラクションを統合し、濃縮した後に、再結晶精製（ヘキサンおよびイソプロパノールの混合溶媒）を行い、得られた結晶をろ取、減圧乾燥することにより、目的物である化合物ＭＭ１（７．１０ｇ）を白色固体として得た。収率は７７％であった。得られた化合物ＭＭ１ｃは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．９％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５７（ｓ，２Ｈ），７．３５（ｓ，２Ｈ），６．８３（ｓ，１Ｈ），６．７１（ｓ，２Ｈ），２．５０−２．４４（ｍ，１０Ｈ），１．７９（ｓ，３Ｈ），１．５４−１．４５（ｍ，４Ｈ），１．３４−１．１７（ｍ，１２Ｈ），０．８４（ｔ，６Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：６０８［Ｍ］＋
＜実施例Ｍ２＞
（化合物ＭＭ２の合成）
化合物ＭＭ２は以下の工程に従い合成した。
2013191086.tif 000117
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、ビス（ピナコール）ジボロン（９．１０ｇ、３５．９ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（７．０４ｇ、７１．７ｍｍｏｌ）、１，４−ジオキサン（３６ｍＬ）および［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）のジクロロメタン錯体（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２・ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＡＳ番号：９５４６４−０５−４、シグマアルドリッチ社製、０．２９３ｇ、０．３６ｍｍｏｌ）の混合物を、１１５℃のオイルバスで加熱攪拌しながら、上述の方法で別途合成した化合物ＭＭ１（７．１３ｇ、１１．９ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン（３６ｍＬ）に溶解した溶液を２時間かけて滴下した後に、同温度で約１８時間攪拌することにより、反応溶液を得た。得られた反応溶液を室温まで冷却した後に、トルエンを加えて希釈した後、セライトおよびシリカゲルパッドに通液することにより不溶物と極性成分を除去した。得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、不溶物をろ別した後に、減圧濃縮により溶媒を留去してから、トルエンを加え均一な溶液を得た。得られた溶液に活性炭を加え、７０℃のオイルバスで加熱しながら３０分間攪拌し、室温まで冷却した後に不溶物をセライトろ過により除去し、得られた溶液を濃縮した後に再結晶精製（展開溶媒  トルエンとアセトニトリルの混合溶媒）を行い、得られた結晶をろ取、減圧乾燥することにより、目的物である化合物ＭＭ２（６．９４ｇ）を白色固体として得た。収率は８２％であった。得られた化合物ＭＭ２は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．９％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．６４（ｓ，２Ｈ），７．５５（ｓ，２Ｈ），６．８１（ｓ，２Ｈ），６．７７（ｓ，１Ｈ），２．６２（ｓ，６Ｈ），２．４８−２．４２（ｍ，４Ｈ），１．８５（ｓ，３Ｈ），１．５５−１．４５（ｍ，４Ｈ），１．３１（ｓ，２４Ｈ），１．３１−１．１７（ｍ，１２Ｈ），０．８３（ｔ，６Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：７０４［Ｍ］＋
＜実施例Ｍ３＞
（化合物ＭＭ３の合成）
化合物ＭＭ３は以下の第一工程〜第四工程に従い合成した。
2013191086.tif 000118
（第一工程）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物（ＭＭ３ａ）（８５ｇ、１０８ｍｍｏｌ）にテトラヒドロフラン（脱水品、１２９０ｍＬ）を加え溶解させ、氷浴を用いて冷却した。反応容器内の温度を６℃以下に保った状態で、攪拌しながらｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（２４ｇ、２１６ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。その後、反応容器内の温度を６℃以下に保った状態で１時間攪拌した。その後、ｎ−オクタノイルクロライド（２５ｇ、２１６ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下した。その後、反応容器内の温度を６℃以下に保った状態で２時間攪拌した。その後、塩化アンモニウム水溶液を加えることで反応を終了させた。得られた反応溶液にトルエンおよびイオン交換水を加え、得られた有機層をイオン交換水で３回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。得られた反応溶液ををシリカゲルパッドに通液することにより不溶物をろ別し、得られた溶液を濃縮した。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン）により精製し、目的物である化合物（ＭＭ３ｂ）（６３ｇ、１０４ｍｍｏｌ）を油状物として得た。得られた化合物（ＭＭ３ｂ）は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９０．０％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：７２０［Ｍ］＋
（第二工程）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物（ＭＭ３ｂ）（５８ｇ、７２ｍｍｏｌ）にシクロペンチルメチルエーテル（脱水品、１Ｌ）を加え溶解させ、氷浴を用いて冷却した。反応容器内の温度を６℃以下に保った状態で、攪拌しながらリチウムアルミニウムハイドライド（１ｇ、３６ｍｍｏｌ）を少しずつ加えた。その後、反応容器内の温度を６℃以下に保った状態で２時間半攪拌した。その後、塩化アンモニウム水溶液を加えることで反応を終了させた。得られた有機層をイオン交換水で２回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。得られた反応溶液を濾過し、濃縮した。その後、中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサンおよびクロロホルムの混合溶媒）により精製した。目的物である化合物（ＭＭ３ｃ）を含むフラクションを統合し、濃縮した後に、再結晶精製（ヘキサンおよびメタノールの混合溶媒）を行うことで、目的物である化合物（ＭＭ３ｃ）（３４ｇ、４７ｍｍｏｌ）を白色固体として得た。得られた化合物（ＭＭ３ｃ）は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．３％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：７２２［Ｍ］＋
（第三工程）
還流冷却管を取り付けた反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物（ＭＭ３ｃ）（３３ｇ、４６ｍｍｏｌ）にトルエン（脱水品、３３０ｍＬ）加えた。室温で攪拌しながら五酸化ニリン（２６ｇ、１８２ｍｍｏｌ）を加えた。その後、８０℃に設定した油浴で反応容器を加熱しながら２時間半攪拌し、室温まで冷却した。得られた反応溶液を氷水に注ぎ、余剰の五酸化ニリンを分解させることで反応を終了させた。得られた有機層をイオン交換水で３回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。得られた反応溶液を濾過し、濃縮した。得られた油状物をトルエンに溶解させシリカゲルパッドに通液し、得られたトルエン溶液を濃縮した。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒ヘキサン）により精製し、目的物である化合物（ＭＭ３ｄ）を含むフラクションを統合し、濃縮することで、目的物である化合物（ＭＭ３ｄ）（２６ｇ、３７ｍｍｏｌ）を油状物として得た。得られた化合物（ＭＭ３ｄ）は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．７％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：７０４［Ｍ］＋
（第四工程）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、酢酸カリウム（０．８ｇ、８．５ｍｍｏｌ）、ビシピナコラートジボロン（１．１ｇ、１．４ｍｍｏｌ）およびジオキサン（脱水品、５ｍＬ）を加えた。室温で攪拌しながら１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン−パラジウム（ＩＩ）ジクロリド−ジクロロメタン錯体（０．０４ｇ、０．４ｍｍｏｌ）を加えた。その後、１１５℃に設定した油浴で反応容器を加熱しながら、ジオキサン（脱水品、５ｍＬ）に溶解させた化合物（ＭＭ３ｄ）（１ｇ、１．４ｍｍｏｌ）を３０分かけて滴下し、さらに１４時間攪拌した。その後、室温まで冷却することで反応を終了させた。得られた反応溶液にトルエンおよびイオン交換水を加え、得られた有機層をイオン交換水で３回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムを用いて乾燥させた。得られた反応用液を濾過し、濃縮した。得られた油状物をトルエンに溶解させた後に活性炭を加え、３０分攪拌した。その後、セライトおよびシリカゲルパッドに通液し、得られたトルエン溶液を濃縮した。その後、中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサンおよびクロロホルムの混合溶媒）により精製することを繰り返し行い、目的物である化合物（ＭＭ３）を含むフラクションを統合し、濃縮することで、目的物である化合物（ＭＭ３）（０．４ｇ、０．６ｍｍｏｌ）を油状物として得た。得られた化合物（ＭＭ３）は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．３％を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．５７（ｓ，１Ｈ），８．５１（ｓ，１Ｈ），８．４５（ｓ，１Ｈ），７．７７（ｓ，１Ｈ），７．０３（ｓ，１Ｈ），６．９１（ｄ，２Ｈ），２．８６（ｔ，２Ｈ），２．８０（ｓ，３Ｈ），２．７３（ｓ，３Ｈ），２．６４（ｔ，４Ｈ），１．６４（ｍ，６Ｈ），０．８７〜１．４０（ｍ，６３Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：７８６［Ｍ］＋
＜実施例Ｍ４＞
（化合物ＭＭ４の合成）
化合物ＭＭ４は、以下の第一工程〜第五工程に従い合成した。
2013191086.tif 000119
［式中、波線は、当該波線を有する化合物が幾何異性体混合物であることを意味する。］
（第一工程）
撹拌器を備えた反応容器内に、化合物ＭＭ４ａ（３５．３１ｇ）およびメタノール（１１００ｍＬ）を加えた後、反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした。その後、そこに、１，３−アセトンジカルボン酸ジメチル（３４．６５ｇ）を少しずつ加え、次いで、ナトリウムメトキシド（５ｍｏｌ／Ｌ  メタノール溶液）（６７．６２ｇ）を少しずつ滴下した。その後、室温で２時間保温させ、６０℃まで昇温した。その後、６０℃で保温しながら６時間撹拌した。得られた反応溶液を室温まで冷却し、３５％塩酸（３７．４１ｇ）を加えた。その後、水およびトルエンを加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、得られた有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に硫酸ナトリウムを加え、濾過し、濃縮することで、目的物である化合物ＭＭ４ｂ（６０．１ｇ）を油状物として得た。得られた化合物ＭＭ４ｂは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で４２％を示した。
（第二工程）
撹拌器を備えた反応容器内に、化合物ＭＭ４ｂ（６０．１０ｇ）、酢酸（４５０ｍＬ）およびイオン交換水（６０ｍＬ）を加え、反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした。その後、１００℃まで昇温し、１００℃で保温しながら５時間撹拌した。得られた反応溶液を室温まで冷却した後、水およびトルエンを加え、水層を分離し、得られた有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に硫酸ナトリウムを加え、濾過し、濃縮することで、目的物である化合物ＭＭ４ｂの粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒）により精製し、目的物である化合物ＭＭ４ｃ（１９．５ｇ）を白色固体として得た。得られた化合物ＭＭ４ｃは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９４．９％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］＋４５７
（第三工程）
撹拌器を備えた反応容器内に、ヘプチルトリフェニルホスホニウムブロミド（８２．２９ｇ）を加え、反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした。その後、トルエン（５２０ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。その後、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（２０．９２ｇ）を加え、室温まで昇温した後、室温で保温しながら３時間撹拌した。得られた赤色スラリーに、化合物ＭＭ４ｃ（１８．０ｇ）を加え、室温で保温しながら６．５時間撹拌した。得られた反応溶液に酢酸（７．２ｇ）を加え、１５分撹拌した後、水およびヘキサンを加え、室温で撹拌した後、水層を分離し、得られた有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に硫酸ナトリウムを加え、濾過し、濃縮することで、目的物である化合物ＭＭ４ｄの粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン）により精製し、得られたヘキサン溶液に活性炭を加え、５０℃で保温しながら１時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、セライトをプレコートした濾過器を用いて濾過し、得られた残渣をヘキサンで複数回洗浄し、得られたろ液を合わせて濃縮することで、目的物である化合物ＭＭ４ｄ（１８．８ｇ）を無色透明液体として得た。得られた化合物ＭＭ４ｄは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９８．２％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］＋６２１
（第四工程）
撹拌器を備えた反応容器内に、化合物ＭＭ４ｄ（１８．６ｇ）、酢酸エチル（１６５ｍＬ）およびエタノール（１５０ｍＬ）を加え、反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした。その後、５重量％Ｐｄ／Ｃ（約５０重量％含水品）（３．７ｇ）を加えた後、反応容器内を水素ガス雰囲気下とした。その後、５０℃で４９時間保温しながら撹拌し、室温まで冷却した。その後、セライトをプレコートした濾過器を用いて濾過し、得られた残渣を酢酸エチルで複数回洗浄し、得られたろ液を合わせて濃縮することで、目的物である粗生成物を得た。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン）により精製し、得られたヘキサン溶液に活性炭を加え、５０℃で保温しながら１時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、セライトをプレコートした濾過器を用いて濾過し、得られた残渣をヘキサンで複数回洗浄し、得られたろ液を合わせて濃縮することで、目的物である化合物ＭＭ４ｅ（１７．６ｇ）を無色透明溶液として得た。得られた化合物ＭＭ４ｅは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．０％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］＋６２５
（第五工程）
撹拌器を備えた反応容器内に、化合物ＭＭ４ｅ（１７．０ｇ）を加え、反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした。その後、クロロホルム（２３０ｍＬ）およびトリフルオロ酢酸（２２ｍＬ）を加え、５℃以下に冷却した。その後、反応容器全体を遮光し、臭素（８．９ｇ）およびクロロホルム（４５ｍＬ）の混合物を１５分かけて滴下した後、５℃以下で保温しながら３時間撹拌した。得られた反応溶液に１０重量％亜硫酸ナトリウム水溶液を加えた後、室温まで昇温した。得られた反応溶液から水層を分離し、得られた有機層を、水、５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過し、濃縮することにより、目的物である化合物ＭＭ４の粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン）により精製し、得られたヘキサン溶液に活性炭を加え、５０℃で保温しながら１時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、セライトをプレコートした濾過器を用いて濾過し、得られた残渣をヘキサンで複数回洗浄し、得られたろ液を合わせて濃縮した。この操作をさらに２回繰り返すことにより、目的物である化合物ＭＭ４（１９．３ｇ）を無色透明溶液として得た。得られた化合物ＭＭ４は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．７％を示した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］＋７８１
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．９１（１２Ｈ、ｍ）、１．１８〜１．４３（３６Ｈ、ｍ）、１．５６〜１．７７（８Ｈ、ｍ）、２．１５〜２．３３（４Ｈ、ｍ）、２．７０〜２．７５（４Ｈ、ｍ）、７．３９〜７．５３（２Ｈ、ｍ）、７．６１〜７．６６（２Ｈ、ｍ）．
＜実施例Ｍ５＞
（化合物ＭＭ５の合成）
化合物ＭＭ５は、以下の工程に従い合成した。
2013191086.tif 000120
撹拌器を備えた反応容器内に脱水テトラヒドロフラン（２１０ｍＬ）を加え、−７０℃以下に冷却した。その後、ｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍ  ヘキサン溶液）（７０ｍＬ）を３０分以上かけて滴下し、−７０℃以下で保温しながら３０分撹拌した。その後、化合物ＭＭ４（１８．２ｇ）および脱水テトラヒドロフラン（２１０ｍＬ）を３０分以上かけて滴下し、−７０℃以下で保温しながら１時間撹拌した。その後、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（３２ｍＬ）を１０分以上かけて滴下した。その後、室温まで昇温し、保温しながら４時間撹拌した。その後、トルエンを加えることで得られた反応液を希釈し、次いで、水を加え、室温で撹拌した。その後、水層を分離し、得られた有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に硫酸ナトリウムを加え、濾過し、濃縮することにより、目的物である化合物ＭＭ５の粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサンおよび酢酸エチルの混合溶媒）により精製した。その後、トルエンおよびアセトニトリルの混合溶媒で再結晶を行うことにより、化合物ＭＭ５（１４．６ｇ）を白色固体として得た。得られた化合物ＭＭ５は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．８％を示した。
ＬＣ／ＭＳ（ＡＰＣＩ、ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］＋８７７
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．９４（１２Ｈ，ｍ），１．２７〜１．４４（６０Ｈ，ｍ），１．６４〜１．７４（８Ｈ，ｍ），２．２５〜２．４５（４Ｈ，ｍ），２．９４（４Ｈ，ｍ），７．６７〜７．８２（４Ｈ，ｍ）．
＜合成例ＣＭ１＞
（化合物ＣＭ１の合成）
化合物ＣＭ１は以下の第一工程〜第四工程に従い合成した。
2013191086.tif 000121
（第一工程）
還流冷却装置を取り付けた反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、３−ブロモ−４−クロロトルエン（化合物ＣＭ１ａ、３０．８２ｇ、１５０ｍｍｏｌ）、２，５−ジメチルフェニルボロン酸（化合物ＣＭ１ｂ、２４．７５ｇ、１６５ｍｍｏｌ）、無水炭酸カリウム（１２４．３９ｇ、９００ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）（０．６７ｇ、６ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン（１．６８ｇ、１２ｍｍｏｌ）、ジメチルアセトアミド（脱水品、６００ｍｌ）およびピバル酸（１５．３２ｇ、１５０ｍｍｏｌ）の混合物を、１５０℃に設定した油浴で加熱しながら１０時間攪拌した。その後、トルエン（５００ｍｌ）で希釈した後に、イオン交換水を用いて３回洗浄分液を行った。その後、得られた油層に活性白土（和光純薬工業株式会社製、６０ｇ）を加えて２時間攪拌した後に、不溶物をセライトおよびシリカゲルパッドに通液することにより除去する操作を２度繰り返した。得られた溶液から溶媒を減圧濃縮により除去した後に、再結晶精製（展開溶媒  クロロホルムおよびエタノールの混合溶媒）を行い、析出した結晶をろ取、減圧乾燥することにより、目的物であるＣＭ１ｃ（３５．５ｇ）を薄黄色〜白色を呈する固体として得た。収率は５１％であった。得られた化合物ＣＭ１ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は、９９．３％（ＵＶ２５４ｎｍ）を示した。
（第二工程）
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１ｃ（１４．５８ｇ、７５ｍｍｏｌ）に、トリフルオロ酢酸（１１．１５ｍＬ、１５０ｍｍｏｌ）およびクロロホルム（脱水品、４００ｍＬ）を加え、均一とした混合物を、氷浴を用いて５℃以下に冷却した。得られた混合物の温度が５℃以下に保持しながら、臭素（８．４６ｍＬ、１６５ｍｍｏｌ）をゆっくりと加えた後、氷浴を外し、室温にて４時間攪拌することで反応溶液を得た。得られた反応溶液に、亜ジチオン酸ナトリウムの飽和水溶液を加え、余剰の臭素を分解した後に、減圧下で濃縮することにより溶媒を除去し、固体を得た。得られた固体にテトラヒドロフラン（１Ｌ）を加え、７０℃にて１時間攪拌した後に、室温まで冷却し、水を加え、析出している無機塩を溶解させた後に再度減圧下で濃縮することによりテトラヒドロフランを除去し、固液混合物を得た。析出している固体をろ過により取り出し、トルエンを加え溶解させた後に、シリカゲルショートカラムに通液し、得られたトルエン溶液を濃縮することにより固体を得た。得られた固体をトルエンおよびイソプロパノールの混合溶媒を用いて再結晶精製する操作を繰り返すことにより、目的物である化合物ＣＭ１ｄ（２２．３ｇ）を得た。収率は８４％であった。得られた化合物ＣＭ１ｄは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．９％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．６７（ｓ，２Ｈ），７．５８（ｓ，２Ｈ），３．７９（ｓ，２Ｈ），２．４８（ｓ，６Ｈ）．
（第三工程）
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１ｄ（５．００ｇ、１４．２ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム（３．５１ｇ、６２．５ｍｍｏｌ）、ヨウ化カリウム（２３６ｍｇ、１．４ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド（脱水品、６０ｍＬ）およびテトラヒドロフラン（脱水品、８０ｍＬ）を混合し、次いで、１−ブロモオクタン（１２．２０ｇ、６２．５ｍｍｏｌ）を室温で約１０分間かけて加えた後に、７０℃のオイルバスにて加熱しながら３．５時間攪拌することで反応溶液を得た。得られた反応溶液を室温まで冷却した後に、トルエンおよびイオン交換水を加え、得られた油層をイオン交換水で３回洗浄した後に、無水硫酸ナトリウムを用いて乾燥した。シリカゲルパッドに通液することにより不溶物をろ別し、得られた溶液の濃縮した後に、中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン）により精製し、目的物を含むフラクションを統合、濃縮した後に、再結晶精製（クロロホルムおよびエタノールの混合溶媒）を行うことにより、目的物である化合物ＣＭ１（７．１３ｇ）を白色固体として得た。収率は８７．１％であった。得られた化合物ＣＭ１は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．９％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．５０（ｓ，２Ｈ），７．４４（ｓ，２Ｈ），２．４７（ｓ，６Ｈ），１．８９−１．８４（ｍ，４Ｈ），１．２３−１．０４（ｍ，２０Ｈ），０．８３（ｔ，６Ｈ），０．６６−０．５５（ｍ，４Ｈ）．
＜合成例ＣＭ２＞
（化合物ＣＭ２の合成）
化合物ＭＭ４は以下の工程に従い合成した。
2013191086.tif 000122
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（２．３４ｇ、４．０７ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコール）ジボロン（３．１０ｇ、１２．２１ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）のジクロロメタン錯体（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２・ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＡＳ番号：９５４６４−０５−４、シグマアルドリッチ社製、０．１００ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（「ｄｐｐｆ」ということがある。０．０６８ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（２．３９ｇ、２４．４ｍｍｏｌ）および１，４−ジオキサン（脱水品、３３ｍＬ）の混合物を、１１０℃のオイルバスで加熱しながら約１８時間攪拌した後に、セライトおよびシリカゲルパッドに通液することにより不溶物を除去した。得られた溶液を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、不溶物をろ別した後に溶媒を留去することにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させたところに活性炭を加え、７０℃のオイルバスで加熱しながら１時間攪拌した後に、セライトろ過により、不溶物を除去し、次いで、溶媒を留去することにより固体を得た。得られた固体を中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサン）により精製し、更に、再結晶精製（クロロホルムおよびアセトニトリルの混合溶媒）を行い、ろ取、減圧乾燥することにより、目的物である化合物ＣＭ２（１．００ｇ）を得た。収率は３７％であった。得られた化合物ＣＭ２は、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．７％を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．６６（ｓ，２Ｈ），７．４９（ｓ，２Ｈ），２．６１（ｓ，６Ｈ），１．９６−１．９１（ｍ，４Ｈ），１．３７（ｓ，２４Ｈ），１．１９−１．０２（ｍ，２０Ｈ），０．８１（ｔ，６Ｈ），０．６８−０．５２（ｍ，４Ｈ）．
ＬＣ／ＭＳ（ＥＳＩ（ｐｏｓｉ））：６７０［Ｍ］＋
＜合成例ＣＣ５＞
（化合物ＣＣ５の合成）
2013191086.tif 000123
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、４−ヘキシルベンゾイルクロリド（１１．２４ｇ、５０ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（９０ｍｌ）、モレキュラーシーブス３Å（和光純薬工業株式会社製、１０ｇ）を加え、０℃に冷却した後に、五塩化アンチモン（１４．７ｇ、４９ｍｍｏｌ）を１０分間かけて滴下した。その後、０℃で２０分間攪拌し、次いで、ジクロロメタン（６０ｍｌ）に溶解させた４−ブロモ−３−メチルベンゾニトリル（１９．６ｇ、１００ｍｍｏｌ）を１時間かけて滴下した。その後、室温にて３０分間攪拌し、次いで、加熱還流下で２時間攪拌した。一晩室温にて静置した後に、−１０℃を保持した状態で、２５％アンモニア水溶液（２２ｇ）を滴下した。滴下終了後、室温にて５時間攪拌した後に、クロロホルム（５００ｍｌ）を加え、加熱還流下で１時間攪拌した後、熱時ろ過により、固体を除去し、得られたろ液をイオン交換水（２００ｍｌ）で３回洗浄し、１５重量％食塩水（２００ｍｌ）で１回洗浄し、得られた有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、固体をろ別した後に、得られたろ液を減圧濃縮することにより、橙色油状物を得た。得られた油状物を再結晶（クロロホルムおよびメタノールの混合溶媒）、再結晶（トルエンおよびエタノールの混合溶媒）、および、中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒  ヘキサンおよびクロロホルムの混合溶媒）を２回、再結晶（クロロホルムおよびヘキサンの混合溶媒）を順次行うことにより精製し、得られた固体を減圧乾燥することにより、目的物である化合物ＣＣ５（３．９７ｇ）を白色固体として得た。得られた化合物のＨＰＬＣ面積百分率値は、９９．６％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）：δ（ｐｐｍ）＝８．６３（ｄ，４Ｈ），８．４３（ｄ，２Ｈ），７．７３（ｄ，２Ｈ），７．４０（ｄ，２Ｈ），２．７６（ｔ，２Ｈ），２．５４（ｓ，６Ｈ），１．７３（ｍ，２Ｈ），１．４３（ｍ，６Ｈ），０．９３（ｔ，３Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ８）：δ（ｐｐｍ）＝１７３．７，１７２．８，１５０．３，１４０．２，１３７．６，１３５．５，１３４．６，１３２．９，１３１．７，１３１．０，１３０．６，１２９．８，３７．９，３３．８，３３．３，３１．１，２４．７，２４．３，１５．６．
＜合成例ＣＣ６＞
（化合物ＣＣ６の合成）
2013191086.tif 000124
（第一工程）
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ７（４１．７７ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコール）ジボロン（９１．９ｇ、３６２ｍｍｏｌ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）のジクロロメタン錯体（１：１）（Ｐｄ（ｄｐｐｆ）Ｃｌ２・ＣＨ２Ｃｌ２、ＣＡＳ番号９５４６４−０５−４、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ  Ｃｏ．ＬＬＣ製、５．０９６ｇ、６．２４ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（７０．６７ｇ、７２０ｍｍｏｌ）および１，４−ジオキサン（市販脱水品、５００ｍＬ）の混合物を、８０℃のオイルバスで加熱しながら約８時間攪拌した後に、トルエン（５００ｍＬ）で希釈してからセライトおよびシリカゲルパッドに通液することにより不溶物を除去し、次いで、溶媒を留去することにより固体を得た。得られた固体にメタノール（７５０ｍＬ）を加え、よく攪拌した後に、固体をろ過により取り出し、減圧乾燥することにより、固体（５７ｇ）を得た。得られた固体をヘキサンに溶解させ、活性炭を加え、６０℃のオイルバスで加熱しながら１時間攪拌した後に、セライトろ過により、不溶物を除去し、次いで、溶媒を留去することにより白色固体を得た。得られた固体にメタノール（７５０ｍＬ）を加え、５０℃に加熱しながら１時間攪拌した後に、室温まで冷却してから、析出している固体をろ過により取り出し、減圧乾燥することにより、化合物ＣＣ６ａ（４０．５９ｇ）を得た。収率は７６％であった。得られた化合物ＣＣ６ａは、ＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）で９９．９％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．７５（ｄ，２Ｈ），８．６８（ｄ，２Ｈ），８．０６（ｄ，２Ｈ），７．３９（ｄ，２Ｈ），２．７３（ｔ，２Ｈ），１．７１−１．６０（ｍ，２Ｈ），１．５０−１．２０（ｍ，４６Ｈ），０．８８（ｔ，３Ｈ）．
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ、ｐｏｓｉ）：［Ｍ＋Ｈ］＋＝７３０．４９
（第二工程）
反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ６ａ（２５．５４ｇ、３５ｍｍｏｌ）、５−ヨード−２−ブロモ−ｍ−キシレン（３２．６５ｇ、１０５ｍｍｏｌ）、トルエン（２１０ｍＬ）、ｔｅｒｔ−ブタノール（１４０ｍＬ）、テトラヒドロフラン（１０５ｍＬ）、イオン交換水（７０ｍＬ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１０３．１ｇ、１４０ｍｍｏｌ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（２．４５ｇ、２．１２ｍｍｏｌ）の混合物を、４０℃に設定したオイルバスで加熱しながら４０時間攪拌した後、室温まで冷却し、トルエン（１４０ｍＬ）およびイオン交換水（１４０ｍＬ）を加え、有機層を分液により得た。得られた有機層を５重量％食塩水で洗浄した後に、無水硫酸マグネシウムにより乾燥し、得られた固体をろ過により除去した後に、減圧濃縮により溶媒を留去することにより、茶色油状物（３７ｇ）を得た。得られた茶色油状物をトルエンで希釈してからシリカゲルショートカラムに通液し、減圧濃縮により溶媒を留去することにより黄色油状物を得た。得られた黄色油状物を中圧シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）により精製し、目的物を含むフラクションを減圧濃縮した後に、再結晶（トルエンおよびメタノールの混合溶媒）により精製し、得られた固体を減圧乾燥することにより、化合物ＣＣ６（６．１５ｇ）を得た。収率は２１％であった。得られた化合物ＣＣ６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．９％以上を示した。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）：δ（ｐｐｍ）＝８．８６（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），８．７２（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．４３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，２Ｈ），７．３７（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），７．３２（ｓ，４Ｈ），２．７５（ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），２．０７（ｓ，１２Ｈ），１．７５−１．６６（ｍｕｌｔ，２Ｈ），１．４２−１．２２（ｍｕｌｔ，１８Ｈ），０．８８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，３Ｈ）．
ＴＬＣ／ＭＳ（ＤＡＲＴ、ｐｏｓｉ）：［Ｍ＋Ｈ］＋＝８４２．２７
［高分子化合物の製造］
＜実施例Ｐ１＞
（高分子化合物Ｐ１の合成）
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＭＭ１（１．３３８８ｇ）、化合物ＭＭ２（１．１６００ｇ）およびトルエン（３９ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウムジクロリド（１．６５ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．７ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で約７．５時間攪拌した。
その後、フェニルボロン酸（４６．８ｍｇ）、ビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウムジクロリド（１．６７ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６．７ｇ）を加え、更にアルゴンガス還流下で約１５．５時間攪拌した。
その後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．５４ｇ）をイオン交換水（１１ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら約２．５時間攪拌した。
得られた有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．５５４ｇ、高分子化合物Ｐ１）を得た。高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝４．７×１０４、Ｍｗ＝１．３×１０５であった。高分子化合物Ｐ１のＴＨは、２．６７ｅＶであった。
高分子化合物Ｐ１は、原料モノマー単量体の仕込み比率から、以下の繰り返し単位からなる高分子化合物と推定される。
2013191086.tif 000125
＜実施例Ｐ２＞
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ１（１．２７６７ｇ）、化合物ＭＭ１（１．０９４８ｇ）、化合物ＣＣ７（０．４８８４ｇ）およびトルエン（３８ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム（２．２３ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．０ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で約６．５時間攪拌した。
その後、２−イソプロピルフェニルボロン酸（８４．９ｍｇ）、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム（２．３３ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．０ｇ）を加え、更にアルゴンガス還流下で約１６．５時間攪拌した。
その後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．７２ｇ）をイオン交換水（１４ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。
得られた有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．６８６ｇ、高分子化合物Ｐ２）を得た。高分子化合物Ｐ２のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝６．５×１０４、Ｍｗ＝１．９×１０５であった。高分子化合物Ｐ２のＴＨは、２．７４ｅＶであった。
高分子化合物Ｐ２は、原料モノマー単量体の仕込み比率から、以下の繰り返し単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
2013191086.tif 000126
＜実施例Ｐ３＞
（高分子化合物Ｐ３の合成）
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ１（１．１７８８ｇ）、化合物ＭＭ１（０．５７７６ｇ）、化合物ＣＣ５（０．８２２３ｇ）およびトルエン（３３ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム（２．１２ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．４ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で約１０時間攪拌した。
その後、２−イソプロピルフェニルボロン酸（７８．４ｍｇ）、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム（２．０７ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．４ｇ）を加え、更にアルゴンガス還流下で約１４時間攪拌した。
その後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．６７ｇ）をイオン交換水（１３ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら４．５時間攪拌した。
得られた有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．４７１ｇ、高分子化合物Ｐ３）を得た。高分子化合物Ｐ３のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝４．４×１０４、Ｍｗ＝１．６×１０５であった。高分子化合物Ｐ３のＴＨは、２．７９ｅＶであった。
高分子化合物Ｐ３は、原料モノマー単量体の仕込み比率から、以下の繰り返し単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位々（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
2013191086.tif 000127
＜実施例Ｐ４＞
（高分子化合物Ｐ４の合成）
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ１（１．１２１３ｇ）、化合物ＭＭ１（０．８７９１ｇ）、化合物ＣＣ６（０．６８３４ｇ）およびトルエン（３８ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム（１．９７ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．０ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で約１１時間攪拌した。
その後、フェニルボロン酸（５５．４ｍｇ）、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム（２．０３ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（８．０ｇ）を加え、更にアルゴンガス還流下で約１２時間攪拌した。
その後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．６３ｇ）をイオン交換水（１３ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。
得られた有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．５６９ｇ、高分子化合物Ｐ４）を得た。高分子化合物Ｐ４のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝４．２×１０４、Ｍｗ＝１．１×１０５であった。高分子化合物Ｐ４のＴＨは、２．７８ｅＶであった。
高分子化合物Ｐ４は、原料モノマー単量体の仕込み比率から、以下の繰り返しおよびモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返しと（ＰＢ）から選ばれる繰り返しとが交互に重合した高分子化合物と推定される。
2013191086.tif 000128
＜実施例Ｐ５＞
（高分子化合物Ｐ５の合成）
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ１（１．０３６９ｇ）、化合物ＣＭ１（０．９５９５ｇ）、化合物ＣＣ７（０．２６４４ｇ）およびトルエン（３１ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム（１．８４ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で約６．５時間攪拌した。
その後、フェニルボロン酸（５１．２ｍｇ）、ジクロロビス（トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン）パラジウム（１．８４ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１１．１ｇ）を加え、更にアルゴンガス還流下で約１７時間攪拌した。
その後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．５９ｇ）をイオン交換水（１２ｍｌ）に溶解した溶液を加え、８５℃に加熱しながら３．５時間攪拌した。
得られた有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で６回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（１．３０３ｇ、高分子化合物Ｐ５）を得た。高分子化合物Ｐ５のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝５．８×１０４、Ｍｗ＝１．６×１０５であった。高分子化合物Ｐ５のＴＨは、２．７２ｅＶであった。
高分子化合物Ｐ５は、原料モノマー単量体の仕込み比率から、以下の繰り返し単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
2013191086.tif 000129
＜合成例ＣＰ１＞
（高分子化合物ＣＰ１の合成）
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ１（２．２４２５ｇ）、化合物ＣＣ３（２．３２０２ｇ）、化合物ＣＣ７（０．５７１９ｇ）およびトルエン（７０ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウムジクロリド（３．９７ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．９ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で約６時間攪拌した。
その後、フェニルボロン酸（０．１１０９ｇ）、ビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウムジクロリド（４．００ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１５．９ｇ）を加え、更にアルゴンガス還流下で約１６．５時間攪拌した。
その後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．２７ｇ）をイオン交換水（２５ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら約２時間攪拌した。
得られた有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物ＣＰ１（２．７２９ｇ）を得た。高分子化合物ＣＰ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝８．２×１０４、Ｍｗ＝２．１×１０５であった。高分子化合物ＣＰ１のＴＨは、２．６５ｅＶであった。
高分子化合物ＣＰ１は、原料モノマーの仕込み比率から、以下の繰り返し単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
2013191086.tif 000130
＜合成例ＣＰ２＞
（高分子化合物ＣＰ２の合成）
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ１（２．７６５１ｇ）、化合物ＣＣ２（１．７９４３ｇ）、化合物ＣＣ１２（０．７３６３ｇ）およびトルエン（５８ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、酢酸パラジウム（１．３１ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（７．７５ｍｇ）およびおよび２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１９．６ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で約８．５時間攪拌した。
その後、２−イソプロピルフェニルボロン酸（０．１３６６ｇ）、酢酸パラジウム（１．２８ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（７．７９ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１９．６ｇ）を加え、更にアルゴンガス還流下で約１５．５時間攪拌した。
その後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（１．５６ｇ）をイオン交換水（３１ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら約２時間攪拌した。
得られた有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水で２回、イオン交換水で４回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（２．７３２ｇ、高分子化合物ＣＰ２）を得た。高分子化合物ＣＰ２のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝６．６×１０４、Ｍｗ＝２．９×１０５であった。高分子化合物ＣＰ２のＴＨは、２．９５ｅＶであった。
高分子化合物ＣＰ２は、原料モノマー単量体の仕込み比率から、以下の繰り返し単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
2013191086.tif 000131
＜合成例ＩＰ１＞
（高分子化合物ＩＰ１の合成）
反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＣ８（２１．２１８ｇ）、化合物ＣＣ９（５．４８７ｇ）、化合物ＣＣ１０（１６．３７７ｇ）、化合物ＣＣ１１（２．５７５ｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ（登録商標）３３６、シグマアルドリッチ社製）（５．１７ｇ）およびトルエン（４００ｍｌ）の混合物を約８０℃に加熱した後に、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（５６．２ｍｇ）および１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０９ｇ）を加え、アルゴンガス還流下で約６時間攪拌した。
その後、フェニルボロン酸（０．４９ｇ）を加え、更にアルゴンガス還流下で約２時間攪拌した。
その後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（２４．３ｇ）をイオン交換水（２４０ｍｌ）に溶解させた溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。
得られた有機層をイオン交換水で２回、３重量％酢酸で２回、イオン交換水で２回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物（２６．２３ｇ、、高分子化合物ＩＰ１）を得た。高分子化合物ＩＰ１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝７．８×１０４、Ｍｗ＝２．６×１０５であった。
高分子化合物ＩＰ１は、原料モノマー単量体の仕込み比率から、以下の繰り返し単位およびモル比率を有し、（ＰＡ）の繰り返し単位と（ＰＢ）から選ばれる繰り返し単位とが交互に重合した高分子化合物と推定される。
2013191086.tif 000132
［発光材料の調製］
＜合成例ＥＭ１＞
（燐光発光性化合物ＥＭ１の合成）
2013191086.tif 000133
＜ｓｔａｇｅ１＞
反応容器内において、塩化３−ブロモベンゾイル６．９２ｇ（３１．５ｍｍｏｌ）とブチルイミド酸エチル塩酸塩４．９５ｇ（３２．６ｍｍｏｌ）を秤量し、クロロホルム１５０ｍＬを加えた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした。その後、トリエチルアミン８．０ｍＬ（６０ｍｍｏｌ）を含むクロロホルム溶液２０ｍＬを滴下し、窒素ガス雰囲気下にて１５時間室温撹拌した。得られた溶液を濃縮してからジクロロメタンに懸濁させ、分液ロートに取り入れ洗浄した。得られた油層を濃縮、乾燥し、無色の液体として化合物（Ｅ１ａ）を９．４７ｇ得た。１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝８．１４（ｔ，１Ｈ）、７．９３（ｄｄ，１Ｈ）、７．６５−７．６３（ｍ，１Ｈ）、７．３１（ｔ，１Ｈ）、４．２９（ｑ，２Ｈ）、２．３６（ｔ，２Ｈ）、１．６０（ｔｄ，２Ｈ）、１．３７（ｔ，３Ｈ）０．８８（ｔ，３Ｈ）．
＜ｓｔａｇｅ２＞
反応容器内において、化合物（Ｅ１ａ）９．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）をクロロホルム１００ｍＬに溶解させた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした。その後、メチルヒドラジン１．５２ｇ（３３ｍｍｏｌ）と水０．６ｍＬを含むとクロロホルム溶液１５ｍＬを滴下し、窒素ガス雰囲気下で７時間室温撹拌した。得られた反応溶液に水１００ｍＬを注ぎ、分液ロートに取り入れ洗浄した。得られた油層を回収、濃縮し、シリカゲルカラムへ通した。ジクロロメタンおよび酢酸エチルの混合溶媒を用いて分離精製し、薄黄色液体として化合物（Ｅ１ｂ）を５．８ｇ（２１ｍｍｏｌ）、収率６９％で得た。１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８５（ｄ，１Ｈ）、７．６０（ｍ，２Ｈ）、７．３７（ｄｄ，１Ｈ）、３．９３（ｓ，３Ｈ）、２．７２（ｔ，２Ｈ）、１．８１（ｍ，２Ｈ）、１．０１（ｔ，３Ｈ）．
＜ｓｔａｇｅ３＞
反応容器内において、化合物（Ｅ１ｂ）１．３ｇ（４．６ｍｍｏｌ）、３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニルボロン酸ピナコールエステル２２００ｍｇ（４．７ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム１２５０ｍｇ（１１．６ｍｍｏｌ）を秤量し、エタノール５ｍＬ、水１０ｍＬおよびトルエン１０ｍＬを加えた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とした。その後、テトラキストリフェニルホスフィノパラジウム（０）２６０ｍｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を加えて、再び窒素ガス雰囲気下に置いた。得られた反応混合物を８０℃で１５時間加熱した。放冷後、水、トルエンを注ぎ洗浄した。得られた油層を回収した後、濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通して、ジクロロメタンおよび酢酸エチルの混合溶媒で分離精製した。白色粉末として化合物（Ｅ１ｃ）を２．１８ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、収率８８％で得た。１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ３）２ＣＯ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１９（ｔ，１Ｈ）、７．９８（ｄｔ，１Ｈ）、７．９３（ｄ，２Ｈ）、７．９１（ｔ，１Ｈ）、７．８０（ｔ，１Ｈ）、７．７７（ｄｔ，４Ｈ）、７．６６（ｔ，１Ｈ）、７．５４（ｄｔ，４Ｈ）、４．０１（ｓ，３Ｈ）、２．６３（ｔ，２Ｈ）、１．７６（ｔｄ，２Ｈ）、１．３６（ｓ，１８Ｈ）、０．９８（ｔ，３Ｈ）．
＜ｓｔａｇｅ４＞
反応容器内において、塩化イリジウム２２６ｍｇ（０．６４ｍｍｏｌ）と化合物（Ｅ１ｃ）７６０ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）を秤量し、水２ｍＬと２−ブトキシエタノール６ｍＬを加えた後、反応容器内の気体を窒素ガス雰囲気とし、１７時間加熱還流した。放冷後、水、ジクロロメタンを注ぎ、得られた油層を洗浄した。得られた油層を濃縮、乾燥し、黄褐色の飴色固体として８４０ｍｇ得た。反応容器内において、得られた黄褐色の飴色固体８４０ｍｇと化合物（Ｅ１ｃ）１３００ｍｇ（２．４ｍｍｏｌ）を秤量し、反応容器内の気体をアルゴンガス雰囲気とした後、トリフルオロスルホン酸銀１６５ｍｇ（０．６４ｍｍｏｌ）を加えた。その後、ジエチレングリコールジメチルエステル１．２５ｍＬを添加し、アルゴンガス雰囲気下において１５時間加熱還流した。放冷後、ジクロロメタンを注ぎ、得られた懸濁液を吸引ろ過した。得られたろ液を分液ロートに取り入れ洗浄し、得られた油層を回収後、濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通じて、ジクロロメタンおよび酢酸エチルの混合溶媒で分離精製した。得られた黄色固体をジクロロメタンおよびメタノールの混合溶媒を用いて再結晶し、次いで、ジクロロメタンおよびヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶した。黄色粉末として燐光発光性化合物（ＥＭ１）［ｆａｃ−トリス（１−メチル−３−プロピル−５−（５−（３，５−ジ（４−ターシャリブチルフェニル）フェニル）フェニル）−１Ｈ−［１，２，４］−トリアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）］を８５０ｍｇ（０．４８ｍｍｏｌ）、収率７３％で得た。１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。燐光発光性化合物ＥＭ１のＴＭは、２．７７ｅＶであった。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８２（ｄ，３Ｈ）、７．７５（ｄ，６Ｈ）、７．７２（ｄ，３Ｈ）、７．６２（ｄ，１２Ｈ）、７．４８（ｄ，１２Ｈ）、７．２０（ｄｄ，３Ｈ）、６．８７（ｄ，３Ｈ）、４．２７（ｓ，９Ｈ）、２．２６（ｄｄｄ，３Ｈ）、１．９６（ｄｄｄ，３Ｈ）、１．３７（ｓ，５４Ｈ）、１．０５（ｍ，６Ｈ）、０．７３（ｔ，９Ｈ）．
＜合成例ＥＭ２＞
（燐光発光性化合物ＥＭ２の合成）
燐光発光性化合物ＥＭ２は、ＷＯ２００２／０６６５５２に記載の合成法に従い合成した。燐光発光性化合物ＥＭ２のＴＭは、２．５２ｅＶであった。
2013191086.tif 000134
＜実施例Ｄ１＞
（発光素子Ｄ１の作製と評価）
スパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入剤であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で１７０℃で１５分間乾燥させた。次に、キシレンに高分子化合物ＩＰ１を０．６重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、スピンコート法により前記膜の上に高分子化合物ＩＰ１を厚み２０ｎｍとなるように回転速度１６００ｒｐｍで成膜した後、酸素濃度および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素ガス雰囲気下で、１８０℃、６０分間乾燥させた。次に、高分子化合物Ｐ２および燐光発光性化合物ＥＭ１をそれぞれキシレンに２．０重量％で溶解させ、重量比で高分子化合物Ｐ２：燐光発光性化合物ＥＭ１＝６０：４０となるように混合した組成物Ｄ１を作製した。得られた組成物Ｄ１を前記高分子化合物ＩＰ１膜上に約７５ｎｍとなるようにスピンコート法により回転速度１８６０ｒｐｍで成膜した後、酸素濃度および水分濃度が１０ｐｐｍ以下（重量基準）の窒素ガス雰囲気下で、１３０℃、１０分間乾燥させ、発光層とした。次に、１．０×１０−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、組成物Ｄ１膜上にフッ化ナトリウムを約３ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。得られた発光素子Ｄ１に電圧を印加したところ、この素子から４７５ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．１５４，０．３１９）の青色発光を示した。また、最大電流効率は７．２０ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は７．５３Ｖであった。結果を表２に示す。
上記で得られた発光素子Ｄ１を初期輝度が４００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１１．２時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表２に示す。
＜実施例Ｄ２＞
（発光素子Ｄ２の作製と評価）
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ｐ３の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ１の溶液とを重量比で、高分子化合物Ｐ３：燐光発光性化合物ＥＭ１＝６０：４０となるように混合して、組成物Ｄ２を調製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１８６０ｒｐｍから１５００ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。得られた発光素子Ｄ２に電圧を印加したところ、この素子から４７５ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．１５２，０．３２１）の青色発光を示した。また、最大電流効率は１１．６３ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は６．８８Ｖであった。結果を表２に示す。
上記で得られた発光素子Ｄ２を初期輝度が４００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１７．９時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表２に示す。
＜実施例Ｄ３＞
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ｐ４の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ１の溶液とを重量比で、高分子化合物Ｐ４：燐光発光性化合物ＥＭ１＝６０：４０となるように混合して、組成物Ｄ３を調製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１８６０ｒｐｍから１３５０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。得られた発光素子Ｄ３に電圧を印加したところ、この素子から４７５ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．１５４，０．３３０）の青色発光を示した。また、最大電流効率は１２．６３ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は６．９２Ｖであった。結果を表２に示す。
上記で得られた発光素子Ｄ３を初期輝度が４００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は３７．７時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表２に示す。
＜比較例ＣＤ１＞
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物ＣＰ１の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ１の溶液とを重量比で、高分子化合物ＣＰ１：燐光発光性化合物ＥＭ１＝６０：４０となるように混合して、組成物ＣＤ１を調製し、かつ、該組成物を用いたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。得られた発光素子ＣＤ１に電圧を印加したところ、この素子から４７５ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．１６９，０．３２９）の青色発光を示した。また、最大電流効率は１．９８ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は１０．５１Ｖであった。結果を表２に示す。
上記で得られた発光素子ＣＤ１を初期輝度が４００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は６．０時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表２に示す。
＜実施例Ｄ４＞
（発光素子Ｄ４の作製と評価）
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ｐ１の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ２の溶液とを重量比で、高分子化合物Ｐ１：燐光発光性化合物ＥＭ２＝６０：４０となるように混合して、組成物Ｄ４を調製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１８６０ｒｐｍから１７５０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。得られた発光素子Ｄ４に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．３０１，０．６４０）の緑色発光を示した。また、最大電流効率は３３．６５ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は８．０９Ｖであった。結果を表３に示す。
上記で得られた発光素子Ｄ４を初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１９．６時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表３に示す。
＜実施例Ｄ５＞
（発光素子Ｄ５の作製と評価）
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ｐ２の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ２の溶液とを重量比で、高分子化合物Ｐ２：燐光発光性化合物ＥＭ２＝６０：４０となるように混合して、組成物Ｄ５を調製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１８６０ｒｐｍから１９００ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。得られた発光素子Ｄ５に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．３０１，０．６３６）の緑色発光を示した。また、最大電流効率は３７．０１ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は６．６８Ｖであった。結果を表３に示す。
上記で得られた発光素子Ｄ５を初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１０．１時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表３に示す。
＜実施例Ｄ６＞
（発光素子Ｄ６の作製と評価）
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ｐ３の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ２の溶液とを重量比で、高分子化合物Ｐ３：燐光発光性化合物ＥＭ２＝６０：４０となるように混合して、組成物Ｄ６を調製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１８６０ｒｐｍから１６１０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。得られた発光素子Ｄ６に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．３０７，０．６３７）の緑色発光を示した。また、最大電流効率は２４．３８ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は６．８３Ｖであった。結果を表３に示す。
上記で得られた発光素子Ｄ６を初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は７．４時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表３に示す。
＜実施例Ｄ７＞
（発光素子Ｄ７の作製と評価）
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ｐ４の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ２の溶液とを重量比で、高分子化合物Ｐ４：燐光発光性化合物ＥＭ２＝６０：４０となるように混合して、組成物Ｄ７を調製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１８６０ｒｐｍから１５５０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ７を作製した。得られた発光素子Ｄ７に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．２９９，０．６４０）の緑色発光を示した。また、最大電流効率は２９．１３ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は７．３１Ｖであった。結果を表３に示す。
上記で得られた発光素子Ｄ７を初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は１８．４時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表３に示す。
＜実施例Ｄ８＞
（発光素子Ｄ８の作製と評価）
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物Ｐ５の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ２の溶液とを重量比で、高分子化合物Ｐ５：燐光発光性化合物ＥＭ２＝６０：４０となるように混合して、組成物Ｄ８を調製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１８６０ｒｐｍから１８５０ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ８を作製した。得られた発光素子Ｄ８に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．３０９，０．６３６）の緑色発光を示した。また、最大電流効率は４７．８０ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は８．６０Ｖであった。結果を表３に示す。
上記で得られた発光素子Ｄ８を初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は３．４４時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表３に示す。
＜比較例ＣＤ２＞
（発光素子ＣＤ２の作製と評価）
実施例Ｄ１において、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた高分子化合物ＣＰ２の溶液と、キシレン溶媒中に２．０重量％の濃度で溶解させた燐光発光性化合物ＥＭ２の溶液とを重量比で、高分子化合物ＣＰ２：燐光発光性化合物ＥＭ２＝６０：４０となるように混合して、組成物ＣＤ２を調製し、かつ、該組成物を用いたスピンコート法の回転速度を１８６０ｒｐｍから２９００ｒｐｍに代えたこと以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。得られた発光素子ＣＤ２に電圧を印加したところ、この素子から５２０ｎｍに発光スペクトルピークを有するＥＬ発光が得られ、ＣＩＥ色度座標（０．３０９，０．６３６）の緑色発光を示した。また、最大電流効率は５１．９６ｃｄ／Ａ、１０００ｃｄ／ｍ２発光時の駆動電圧は１０．５３Ｖであった。結果を表３に示す。
上記で得られた発光素子ＣＤ２を初期輝度が１２０００ｃｄ／ｍ２となるように電流値を設定後、定電流で駆動させ、輝度の時間変化を測定した。その結果、輝度は０．１時間後に初期輝度の６０％まで減衰した。結果を表３に示す。
【表２】
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（表中、ＬＴ６０は、発光素子を定電流で駆動させ、初期輝度に対して輝度が６０％になるまで減少するまでの時間を表す。）
【表３】
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（表中、ＬＴ６０は、前記と同様の意味を表す。）
【産業上の利用可能性】
【０００９】
本発明は、輝度寿命に優れる発光素子の製造に有用な、燐光発光性化合物に対するホスト材料である高分子化合物である。
【国際調査報告】
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