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【手続補正書】
【提出日】平成27年8月18日(2015.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線発生システムの電子ビーム操縦コイル（２９４）を受け容れるように適応させたインタフェース（２４６）と、
第１の電圧源（２４２）に結合されると共に第１の電圧源（２４２）とで電子ビーム操縦コイル（２９４）に向けた第１の電流経路（２９０）を生成するように構成された第１の切替えデバイス（２４８）と、
第２の電圧源（２４４）に結合されると共に第２の電圧源（２４４）とで電子ビーム操縦コイル（２９４）に向けた第２の電流経路（３４０）を生成するように構成された第２の切替えデバイス（２５２）と、
インタフェース（２４６）の第１の側に結合されると共に、当該デバイスが閉鎖位置にあるときに第１の電流経路（２９０）及び第２の電流経路（３４０）を介したインタフェース（２４６）に対する導通を可能とするように構成された第３の切替えデバイス（２５６）であって、第２の切替えデバイス（２５２）及び該第３の切替えデバイス（２５６）はそれぞれの開放位置にあるときに第２の電圧源（２４４）とで第２の電流経路（３４０）を基準として反対極性を有する第３の電流経路（３２２）を生成するように構成されている、第３の切替えデバイス（２５６）と、
を備えている制御回路を備える制御器。
【請求項２】
前記制御回路（２４０）は、第３の切替えデバイス（２５６）と並列にインタフェースの第２の側に結合させた第４の切替えデバイス（２５８）を備える、請求項１に記載の制御器。
【請求項３】
第１の切替えデバイス（２４８）、第３の切替えデバイス（２５６）及び第４の切替えデバイス（２５８）がそれぞれの閉鎖位置にありかつ第２の切替えデバイス（２５２）が開放位置にあるときに、第１の電圧源（２４２）と電子ビーム操縦コイル（２９４）の間に第１の電流ループ（２９２）が生成されている、請求項２に記載の制御器。
【請求項４】
前記第１の切替えデバイス（２４８）が閉鎖位置にある期間と第１の切替えデバイス（２４８）が開放位置にある期間からなるデューティサイクルを用いて、電子ビーム操縦コイル（２９４）を通る電流が所望のレンジ域内に維持されるように第１の切替えデバイス（２４８）を適応させており、
前記第３の切替えデバイス（２５６）及び第４の切替えデバイス（２５８）は前記デューティサイクルの全体にわたってそれぞれの閉鎖位置にある、請求項３に記載の制御器。
【請求項５】
前記第１の電流ループ（２９２）は電子ビーム操縦コイル（２９４）内の電流を第１のレートで第１の最大電流まで増加させており、該第１のレート及び第１の最大電流は第１の電圧源（２４２）の電圧に少なくとも部分的に依存しており、前記デューティサイクルは電子ビーム操縦コイル（２９４）を通る電流を複数の電流レベルにわたって第１の最大電流まで調整するように可変であり、かつ電子ビーム操縦コイル（２９４）を通る電流は少なくとも、デューティサイクルのうち第１の切替えデバイス（２４８）が閉鎖状態にある期間の持続時間対デューティサイクルのうち第１の切替えデバイス（２４８）が開放状態にある期間の持続時間に依存する、請求項３または４に記載の制御器。
【請求項６】
第２の切替えデバイス（２５２）、第３の切替えデバイス（２５６）及び第４の切替えデバイス（２５８）がそれぞれの閉鎖位置にありかつ第１の切替えデバイス（２４８）が開放位置にあるときに、第２の電圧源（２４４）と電子ビーム操縦コイル（２９４）の間に第２の電流ループ（３４２）が生成されており、
前記第２の電流ループ（３４２）は電子ビーム操縦コイル（２９４）内の電流を第２のレートで第１の最大電流まで増加させており、かつ該第２のレートは第２の電圧源（２４４）の電圧に少なくとも部分的に依存しており、かつ第２の電圧源（２４４）の電圧は第１の電圧源（２４２）の電圧より大きい、請求項５に記載の制御器。
【請求項７】
第１の切替えデバイス（２４８）及び第２の切替えデバイス（２５２）がそれぞれの開放位置にありかつ第３の切替えデバイス（２５６）及び第４の切替えデバイス（２５８）がそれぞれの閉鎖位置にあるときに、第３の切替えデバイス（２５６）と電子ビーム操縦コイル（２９４）の間と第４の切替えデバイス（２５８）と電子ビーム操縦コイルの間のそれぞれに第３の電流ループと第４の電流ループ（３０２）が生成されており、
前記第３及び第４の電流ループ（３０２）は、電子ビーム操縦コイル（２９４）を通る電流が第３のレートで減少するように電圧源を含まない、請求項６に記載の制御器。
【請求項８】
電子ビーム操縦コイルを駆動する方法であって、
第１の極性にある第１の電流を第１の電流経路（２９０）に沿って第１の電圧源（２４２）から電子ビーム操縦コイル（２９４）に向けて流すように第１の切替えデバイス（２４８）を閉鎖するステップと、
第１の電流の電子ビーム操縦コイル（２９４）までの流れを可能にするように第２の切替えデバイス（２５６）を閉鎖するステップと、
第１の切替えデバイス（２４８）及び第２の切替えデバイス（２５６）の閉鎖後に電子ビーム操縦コイル（２９４）への第１の電流の流れを停止させかつ電子ビーム操縦コイル（２９４）を通る電流の大きさを低減するように構成された電流消費ループ（３０２）を形成するために第１の切替えデバイス（２４８）を開放するステップと、
第２の極性にある第２の電流を第２の電流経路（３２０）に沿って第２の電圧源（２４４）から電子ビーム操縦コイル（２９４）まで流すために第２の切替えデバイス（２５６）及び第３の切替えデバイス（２５８）を開放するステップと、
を含む方法。
【請求項９】
電子ビーム操縦コイル（２９４）を通る電流を第１の電圧源（２４２）から利用可能な最大電流より小さい平均的なある大きさに維持するために第１の切替えデバイス（２４８）の閉鎖ステップと第１の切替えデバイス（２４８）の開放ステップを反復実行するステップを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
第３の極性にある第３の電流を第３の電流経路（３４２）に沿って第２の電圧源（２４４）から電子ビーム操縦コイル（２９４）まで流すために第４の切替えデバイス（２５２）及び第２の切替えデバイス（２５６）及び第３の切替えデバイス（２５８）を閉鎖するステップを含むと共に、第１及び第３の電流は電子ビーム操縦コイル（２９４）を通る電流を増加させておりかつ第２の電流は電子ビーム操縦コイル（２９４）を通る電流を減少させている、請求項８または９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記時間Ｔｎにおける前記光出力に関する情報と前記時間Ｔ１における前記光出力に関する情報とに大きな変化があり、前記時間Ｔｎにおける前記発光パターンの強度分布に関する情報と前記時間Ｔ１における前記発光パターンの強度分布に関する情報とに大きな変化がある場合に、
前記判定部は、光出力急激低下兆候が有ると判定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザの劣化兆候検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記時間Ｔｎにおける前記光出力に関する情報と前記時間Ｔ１における前記光出力に関する情報とに大きな変化がなく、前記時間Ｔｎにおける前記発光パターンの強度分布に関する情報と前記時間Ｔ１における前記発光パターンの強度分布に関する情報とに大きな変化がない場合に、
前記判定部は、光出力急激低下兆候が無いと判定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザの劣化兆候検出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置であって、
メモリを有し、外部装置と無線通信を実行する無線通信手段と、
前記無線通信手段の動作モードとして、前記無線通信手段が前記外部装置に電力を供給するアクティブモードと、前記無線通信手段が前記外部装置から電力を供給されるパッシブモードとのいずれかを設定する制御手段と、
前記画像形成装置から前記無線通信手段に電力が供給されない電源オフ状態に前記画像形成装置が移行することを検知する検知手段と、を備え、
前記画像形成装置が前記電源オフ状態に移行することを前記検知手段が検知した場合に、前記制御手段は、所定のデータを前記メモリに格納し、前記無線通信手段の動作モードを前記アクティブモードから前記パッシブモードに切り替えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
画像形成装置であって、
メモリを有し、外部装置と無線通信を実行する無線通信手段と、
前記無線通信手段の動作モードとして、前記無線通信手段が前記外部装置に電力を供給するアクティブモードと、前記無線通信手段が前記外部装置から電力を供給されるパッシブモードとのいずれかを設定する制御手段と、
前記画像形成装置から前記無線通信手段に電力が供給されないスリープ状態に前記画像形成装置が移行することを検知する検知手段と、を備え、
前記画像形成装置が前記スリープ状態に移行することを前記検知手段が検知した場合に、前記制御手段は、所定のデータを前記メモリに格納し、前記無線通信手段の動作モードを前記アクティブモードから前記パッシブモードに切り替えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】
前記画像形成装置が前記スリープ状態から復帰した場合に、前記制御手段は、前記無線通信手段の動作モードを前記パッシブモードから前記アクティブモードに切り替えることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記所定のデータはエラー情報であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
メモリを有する無線通信部を備え、当該無線通信部の動作モードとして、前記無線通信部が外部装置に電力を供給するアクティブモードと、前記無線通信部が外部装置から電力を供給されるパッシブモードとのいずれかを設定可能な画像形成装置の制御方法であって、
前記画像形成装置から前記無線通信部に電力が供給されない電源オフ状態に前記画像形成装置が移行することを検知する検知ステップと、
前記画像形成装置が前記電源オフ状態に移行することを前記検知ステップで検知した場合に、所定のデータを前記メモリに格納し、前記無線通信部の動作モードを前記アクティブモードから前記パッシブモードに切り替える切替ステップと、
を備えることを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項６】
メモリを有する無線通信部を備え、当該無線通信部の動作モードとして、前記無線通信部が外部装置に電力を供給するアクティブモードと、前記無線通信部が外部装置から電力を供給されるパッシブモードとのいずれかを設定可能な画像形成装置の制御方法であって、
前記画像形成装置から前記無線通信部に電力が供給されないスリープ状態に前記画像形成装置が移行することを検知する検知ステップと、
前記画像形成装置が前記スリープ状態に移行することを前記検知ステップで検知した場合に、所定のデータを前記メモリに格納し、前記無線通信部の動作モードを前記アクティブモードから前記パッシブモードに切り替える第１の切替ステップと、
を備えることを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項７】
前記画像形成装置が前記スリープ状態から復帰した場合に、前記無線通信部の動作モードを前記パッシブモードから前記アクティブモードに切り替える第２の切替ステップを備えることを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置の制御方法。
【請求項８】
前記所定のデータはエラー情報であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の画像形成装置の制御方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の画像形成装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、画像形成装置の制御方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、画像形成装置であって、メモリを有し、外部装置と無線通信を実行する無線通信手段と、前記無線通信手段の動作モードとして、前記無線通信手段が前記外部装置に電力を供給するアクティブモードと、前記無線通信手段が前記外部装置から電力を供給されるパッシブモードとのいずれかを設定する制御手段と、前記画像形成装置から前記無線通信手段に電力が供給されない電源オフ状態に前記画像形成装置が移行することを検知する検知手段と、を備え、前記画像形成装置が前記電源オフ状態に移行することを前記検知手段が検知した場合に、前記制御手段は、所定のデータを前記メモリに格納し、前記無線通信手段の動作モードを前記アクティブモードから前記パッシブモードに切り替えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2013055607.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月18日(2015.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の特定色が規則的に配列された色フィルタを備えた撮像素子によって撮像された画像データに含まれる、前記撮像素子の欠陥画素の信号レベルを補正する画像処理装置であって、
前記欠陥画素を挟んで位置する前記欠陥画素と同色の画素の複数組のそれぞれについての信号レベルの差から、前記欠陥画素からどの方向に位置する画素を前記欠陥画素の信号レベルの算出に用いるかを判別する判別手段と、
前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルと、前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素、に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベル、との比を求める比算出手段と、
前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素の信号レベルの平均値に、前記比算出手段で算出した比を乗じた値を、前記欠陥画素の信号レベルとして出力する第１補正処理手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画素の信号レベルの平均値を出力する第２補正処理手段と、
少なくとも、前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルと、前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素、に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルとに基づいて重み付け係数とを算出する係数算出手段と、
前記係数算出手段が算出した前記重み付け係数を用いて、前記第１補正処理手段が出力する値と前記第２補正処理手段の出力する値を重み付け加算して、前記欠陥画素の信号レベルとして出力する第３補正処理手段と、をさらに有し、
前記係数算出手段は、前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルと、前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素、に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルとが、予め定めた暗部領域もしくは飽和領域に含まれる場合には、前記重み付け加算における前記第１補正処理手段が出力する値の重み付け係数を０とすることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記係数算出手段は、前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルと、前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素、に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルとが、予め定めた暗部領域もしくは飽和領域に含まれない場合には、前記重み付け加算における前記第１補正処理手段が出力する値の重み付け係数を１とすることを特徴とする請求項２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記係数算出手段は、
前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルの平均値と、前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素、に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルの平均値との最小値が予め定めた第１閾値以下の場合、または
（１）前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルと、（２）前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素の信号レベルと、（３）該同色の画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルとにおける最大値が予め定めた第２閾値以上の場合に、前記重み付け加算における前記第１補正処理手段が出力する値の重み付け係数を０とすることを特徴とする請求項２又は請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第３補正処理手段は、前記係数算出手段で算出された前記係数に基づく、合計が１となる複数の係数を、前記第１補正処理手段が出力する値および前記第２補正処理手段が出力する値に適用することにより、前記第１補正処理手段が出力する値および前記第２補正処理手段が出力する値の線形補間を実行し、前記線形補間の結果を前記欠陥画素の前記信号レベルとして出力することを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記係数算出手段は、（１）前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルである第１の信号レベルと、（２）前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素の信号レベルである第２の信号レベルと、（３）該同色の画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルである第３の信号レベルとのうち、前記第１の信号レベルと前記第２の信号レベルとに基づく第１係数と、前記第１の信号レベルから前記第３の信号レベルに基づく第２係数とを算出し、前記第１係数と前記第２係数の最小値を前記係数として算出することを特徴とする請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記判別手段が、前記欠陥画素を挟んで位置する前記欠陥画素と同色の画素の複数組のうち、信号レベルの差の絶対値が最小となる画素の組の位置から、前記方向を判別することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記比算出手段が、前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の複数の画素の信号レベルの平均値である第１平均値と、前記欠陥画素から前記判別手段で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の２つの画素のそれぞれについて、隣接する前記欠陥画素と異なる色の複数の画素の信号レベルの平均値である第２平均値及び第３平均値とを求め、前記第１平均値 / （（前記第２平均値＋前記第３平均値） / 2）を前記比として求めることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
複数の特定色が規則的に配列された色フィルタを備えた撮像素子によって撮像された画像データに含まれる、前記撮像素子の欠陥画素の信号レベルを補正する画像処理装置の制御方法であって、
前記画像処理装置の判別手段が、前記欠陥画素を挟んで位置する前記欠陥画素と同色の画素の複数組のそれぞれについての信号レベルの差から、前記欠陥画素からどの方向に位置する画素を前記欠陥画素の信号レベルの算出に用いるかを判別する判別工程と、
前記画像処理装置の比算出手段が、前記欠陥画素に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベルと、前記欠陥画素から前記判別工程で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素、に隣接する前記欠陥画素と異なる色の画素の信号レベル、との比を求める比算出工程と、
前記画像処理装置の第１補正処理手段が、前記欠陥画素から前記判別工程で判別された方向に位置する前記欠陥画素と同色の画素の信号レベルの平均値に、前記比算出工程で算出した比を乗じた値を、前記欠陥画素の信号レベルとして出力する第１補正処理工程とを有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウムと、第３族元素と、亜鉛とを少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を有する半導体装置。
【請求項２】
インジウムと、第３族元素と、第４族元素と、亜鉛とを少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を有する半導体装置。
【請求項３】
インジウムと、第３族元素と、第１３族元素と、亜鉛とを少なくとも含む非単結晶の酸化物半導体層を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶領域を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月27日(2015.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の材料をエッチングする方法であり、前記方法は：
第１の材料、第２の材料、及び前記第１の材料と前記第２の材料のうちの少なくとも一を曝露する表面を持つ基板を保持するための基板ホルダ回りを減圧環境に維持する工程；
前記基板を前記減圧環境内に確実に保持する工程；並びに、
ガスクラスタイオンビーム(GCIB)を用いて前記第１の材料の少なくとも一部を除去するGCIBエッチングプロセスを実行する工程であって、前記GCIBエッチングプロセスの期間は、前記第１の材料と前記第２の材料の両方が前記GCIBエッチングプロセスの開始時に曝露されていない場合に、前記第１の材料と前記第２の材料の両方を曝露するのに十分な長さである、工程；
前記実行する工程は：
前記GCIBエッチングプロセス用に１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を選択する工程であって、前記目標エッチングプロセス特性が、前記第１の材料と前記第２の材料との間のエッチング選択性、及び、前記第１の材料の表面粗度又は前記第２の材料の表面粗度のうちの少なくとも一を含む、工程；
前記GCIBエッチングプロセス用にGCIB性質を含むGCIBプロセス条件を設定することで前記目標エッチングプロセス特性を実現する工程であって、前記GCIBプロセス条件を設定する工程は、プロセス組成物、該プロセス組成物中の少なくとも一種類の成分の流量、ビーム加速電位、及び、バックグラウンドガス圧力又は前記GCIBが通過する圧力の増大する領域のバックグラウンドガス流量のうちの少なくとも一の設定を含む、工程；
前記プロセス組成物を含む加圧ガスから前記ＧＣＩＢを形成する工程であって、前記プロセス組成物は少なくとも1つのエッチングガスを含む、工程；
前記の設定されたGCIBプロセス条件に従って、前記減圧環境を通り抜ける前記ＧＣＩＢを加速する工程；並びに、
前記基板の前記表面の少なくとも一部分に前記ＧＣＩＢを照射して、前記第１の材料の少なくとも一部分を除去する工程、を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であり、前記ＧＣＩＢプロセス条件の前記１又はそれ以上のＧＣＩＢ前記性質が、ビーム照射量、ビームフォーカシング電位、ビームエネルギー、ビームエネルギー分布、ビーム角度分布、ビーム発散角度をさらに含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であり、前記プロセス組成物の少なくとも１つのエッチングガスが第１のエッチングガス及び第２のエッチングを含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であり、前記第１のエッチングガスがＣｌ又はＢｒを含み、かつ前記第２のエッチングガスがＦを含む、方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であり、前記第１のエッチングガスがＣｌ２を含み、かつ前記第２のエッチングガスがＮＦ３を含む、方法。
【請求項６】
請求項３に記載の方法であり、前記第１のエッチングガスがハロメタン又はハロゲン化物を含み、かつ前記第２のエッチングガスがＦ、Ｃｌ、又はＢｒを含む、方法。
【請求項７】
請求項３に記載の方法であり、前記第１のエッチングガスがＣ、Ｈ及びハロゲン元素を含み、かつ前記第２のエッチングガスがＦ、Ｃｌ、又はＢｒを含む、方法。
【請求項８】
請求項３に記載の方法であり、前記第１のエッチングガスがＣＨＦ３、ＣＨＣｌ３、又はＣＨＢｒ３を含み、かつ前記第２のエッチングガスがＮＦ３又はＣｌ２を含む、方法。
【請求項９】
請求項３に記載の方法であり、前記第１のエッチングガス及び第２のエッチングガスが、前記照射の間に前記ＧＣＩＢに連続的に導入される、方法。
【請求項１０】
請求項３に記載の方法であり、前記第１のエッチングガス及び第２のエッチングガスが、前記照射の間に前記ＧＣＩＢに交互に順次導入される、方法。
【請求項１１】
請求項２に記載の方法であり、さらに：追加のガスを前記ＧＣＩＢへ導入して前記プロセス組成物を変化させ、前記１又はそれ以上の目標エッチングプロセス特性を達成する工程を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であり、さらに：
前記目標エッチング選択性を１未満の値から１近く又はそれ以上に変更するように前記１又はそれ以上のＧＣＩＢ性質を調節することを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であり、前記第１の材料及び／又は第２の材料の前記目標表面粗度が５オングストローム以下である、方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であり、さらに：
前記基板の上部表面を平坦化することを含む、方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であり、さらに：
前記目標エッチングプロセス特性を変更して１又はそれ以上の新たな目標エッチングプロセス特性を生成し；及び
前記ＧＣＩＢについて追加のＧＣＩＢ前記プロセス条件の１又はそれ以上の追加のＧＣＩＢ性質を設定して前記１又はそれ以上の新たな目標エッチングプロセス特性を達成する、方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であり、前記第１の材料がフォトレジストを含み、前記第２の材料が、Ｓｉ含有材料、Ｇｅ含有材料、金属含有材料、半導体材料又はカルコゲナイド材料を含む方法。
【請求項１７】
請求項１に記載の方法であり、前記第１の材料がシリコンを含み、前記第２の材料が、Ｓｉ及びＯ、Ｎ、Ｃ、及びＧｅからなる群から選択される１又はそれ以上の元素を含むＳｉ−含有材料を含む方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法であり、前記第１の材料がＳｉ含有材料を含み、前記第２の材料がＧｅ−含有材料を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１に記載の方法であり、前記第１の材料がＳｉ含有材料を含み、前記第２の材料が金属−含有材料を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月6日(2015.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層、活性層及び第２導電型半導体層を有する複数の発光セルと、前記発光セル同士の間に位置する境界領域とに区分される発光構造物と、
前記複数の発光セルのそれぞれの上部に配置された第１電極と、
前記複数の発光セルの下に配置された第１導電層と、
前記第１導電層の下に配置された少なくとも一つの第２導電層と、
前記第１導電層同士の間、及び前記第１導電層と前記少なくとも一つの第２導電層との間に配置された第１絶縁層と、
前記第１電極と前記少なくとも一つの第２導電層とを接続させた接続電極とを備え、
前記少なくとも一つの第２導電層は、前記第１絶縁層を貫通して前記第１導電層のいずれか一つに接続する、発光素子。
【請求項２】
前記少なくとも一つの第２導電層は、
前記発光セルのいずれか一つを除いた残りの発光セルのそれぞれに対応して、互いに隔たって配置されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１導電層は、
前記第２導電型半導体層の下に配置された反射層と、
前記反射層の下に配置された第１バリアー層と
を備える、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２導電層の下に配置され、前記第１導電層の前記いずれか一つと電気的に接続する第２バリアー層と、
前記第２導電層同士の間、及び前記第２バリアー層と前記第２導電層との間に配置された第２絶縁層と
をさらに備える、請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記接続電極は、隣接する２個の発光セルのいずれか一方における第１電極と残り他方に対応する第２導電層とを電気的に接続させている、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光セルのそれぞれと前記接続電極との間に配置されたパシベーション層と、
前記境界領域に配置された保護層と
をさらに備える、請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
前記接続電極は、前記パシベーション層の上に配置され、前記保護層及び前記第１絶縁層を貫通する、請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１導電層のそれぞれは、前記複数の発光セルのそれぞれに対応して配置され、
前記第１導電層のいずれか一つは、前記複数の発光セルのうち対応するいずれか一つに電気的に接続する、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２導電層の一部分は、隣接する前記境界領域と垂直方向にオーバーラップする、請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記残りの発光セルのいずれか一つの発光セルに対応して配置された第２導電層の少なくとも一部分は、前記いずれか一つの発光セルに隣接する他の発光セルと垂直方向にオーバーラップする、請求項９に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第２導電層のそれぞれは、
板状を有し、前記接続電極が接続するベースプレートと、
前記ベースプレートから突出し、前記第１絶縁層を貫通して前記対応する第１導電層に接続する貫通部と
を備える、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記貫通部のいずれか一辺の長さは、前記ベースプレートのいずれか一辺の長さと同一である、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記ベースプレートは、少なくとも一つの貫通孔を有する、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記ベースプレートの上面及び下面の少なくとも一面に、凸凹（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が形成されている、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第２導電層は反射物質で構成されている、請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記複数の発光セルは、前記接続電極及び前記少なくとも一つの第２導電層によって互いに直列接続している、請求項１乃至１５のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月18日(2015.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板のＲ面上に配置され、岩塩構造を有する窒化物を含むバッファー層と、
前記バッファー層上に配置され、ａ面に成長した発光構造物と
を備える、発光素子。
【請求項２】
前記バッファー層は、４．７５Å乃至５．５２Åの範囲の格子定数を有する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記バッファー層は、５．１１Å乃至５．１８Åの範囲の格子定数を有する、請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記バッファー層は、ＬａＮ、ＴｈＮ、ＰｒＮ、ＮｄＮ及びＳｍＮの少なくとも一つを含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記発光構造物はａ面に成長したＧａＮを含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記バッファー層の結晶面と前記発光構造物を形成するＧａＮのａ面とが垂直に重なる、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記基板は、サファイア基板であり、
前記サファイア基板のｒ面、前記バッファー層の結晶面及び前記発光構造物を形成するＧａＮのａ面は垂直に重なる、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記バッファー層は、ｎ(ｎは、２以上の整数)個の岩塩構造の窒化物の結晶面で形成され、
前記発光構造物は、前記ｎ個の岩塩構造の窒化物の結晶面上に形成されたｎ個のａ面ＧａＮを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記バッファー層を形成する前記ｎ個の岩塩構造の窒化物の結晶面のサイズは窒化物によって異なる、請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記ｎが３である、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記基板は、サファイア基板であり、
前記サファイア基板の結晶セルのサイズはα軸方向に１５．３４Åである、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記サファイア基板の結晶セルのサイズはβ軸方向に４．７５Åである、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記ａ面ＧａＮの結晶セルのサイズはｍ軸方向に５．５２Åである、請求項１乃至１２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記バッファー層の上部に形成された非ドープの半導体層をさらに備える、請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１５】
前記基板は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＰ、ＩｎＰ、Ｇｅ及びＧａ２Ｏ３の少なくとも一つである、請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記発光構造物は、
前記バッファー層上に形成された第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された第２導電型半導体層と
を備える、請求項１乃至１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記第１導電型半導体層はＮ型半導体層である、請求項１乃至１６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第２導電型半導体層は表面に凹凸構造を有する、請求項１乃至１７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１９】
前記第１導電型半導体層上に形成された第１電極をさらに備える、請求項１乃至１８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第２導電型半導体層上に形成された第２電極をさらに備える、請求項１乃至１９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２１】
基板と、
前記基板のＲ面上に配置され、窒化物を有するバッファー層と、
前記バッファー層上に配置され、ａ面に成長した発光構造物と、
を備え、
前記バッファー層は、前記発光構造物のａ面とｃ軸方向に格子不整合比率が３％以下であり、Ｍ軸方向に格子不整合比率が１２％以下であり、
前記バッファー層は、前記基板のＲ面とα軸方向に格子不整合比率が１２％以下であり、β軸方向に格子不整合比率が４％以下である、発光素子。
【請求項２２】
前記バッファー層の格子定数は、４．７５Å〜５．５２Åである、請求項２１に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記バッファー層の格子定数は、５．１１Å〜５．１８Åである、請求項２２に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記バッファー層は、ＬａＮ，ＴｈＮ，ＰｒＮ，ＮｄＮ、又はＳｍＮの少なくとも一つを含む、請求項２１に記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月24日(2015.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配電ネットワーク（２００）上の障害を位置特定するための方法であって、
１つまたは複数のスマートメータ（１０２）により、前記配電ネットワーク（２００）に関連する複数の電圧値を監視するステップと、
測定により電力システム障害に関連する過渡状態の不足電圧状況を検出するステップと、
サイクル毎に１回、基本的な電圧成分のＲＭＳまたはフェーザの大きさを計算するステップと、
前記複数の監視した電圧値の１つまたは複数が、電力システム障害を示す場合に、
監視した線間電圧値の少なくとも一部分を記憶するステップと、
障害電圧プロファイルをフォーマットするステップと、
１つまたは複数の終了直前メッセージを、電力損失直前の障害電圧プロファイルとともに、前記１つまたは複数のスマートメータ（１０２）から中央局受信機（１３６）または線路センサに送信することにより、検出した障害を指示するステップであって、前記１つまたは複数の終了直前メッセージが、前記監視かつ記憶した線間電圧値および線間電流値を含む、ステップと、
送信された前記メッセージを前記中央局受信機（１３６）で受信するステップと、
前記障害電圧プロファイルにより前記終了直前メッセージを判定するステップと、
前記障害電圧プロファイルにより受信した前記終了直前メッセージを電気接続性の順に順序付けるステップと、
配電変電所に最も近いノードをオリジナルルートノードとして指定するステップと、
前記オリジナルルートノードに電気的に近接するすべてのメータからの線間電圧値を検査するステップと、
最も低い線間電圧値を有する、電気的に近接するメータを判定するステップと、
前記電気的に近接するメータを新しいルートノードに昇格させるステップと、
新しいルートノードが発見され得なくなるまで、前記電気的に近接する最も低い線間電圧値を有するメータを前記新しいルートノードに昇格させるステップを繰り返すステップと、
障害位置が、最後に判定されたルートノードと、隣の電気的に近接するメータとの間にあると判定するステップと、
を実行するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記監視した線間電圧値の少なくとも一部分を保存するステップが、ＡＣ線間電圧の１つまたは複数のサイクルに対するＲＭＳまたはフェーザ電圧測定結果を記憶するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の電圧を監視するステップが、前記配電ネットワーク（２００）の１つまたは複数の枝路（２０２）上の電圧を監視するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の電圧を監視するステップが、前記配電ネットワーク（２００）の１つまたは複数の枝路（２０２）に関連する、複数のタップ線（１２２、３０５）での電圧を監視するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記１つまたは複数のメッセージを、前記１つまたは複数のスマートメータ（１０２）から前記中央局受信機（１３６）に送信するステップが、前記１つまたは複数のスマートメータ（１０２）を識別するコードを送信するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数のスマートメータ（１０２）を識別する前記コードを送信するステップが、前記中央局受信機（１３６）により受信され、前記１つまたは複数のスマートメータ（１０２）の位置を決定するために、前記配電ネットワーク（２００）の前記モデルと比較される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
障害位置を判定するステップが、前記配電ネットワーク（２００）のスマートメータ（１０２）間の、物理的トポロジーおよびモデル形成された線路インピーダンス（１２４、１２８、１３２）に少なくとも部分的に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
配電ネットワーク（２００）上の障害を位置特定するためのシステムであって、
配電ネットワーク（２００）と、
少なくとも１つの中央局受信機（１３６）と、
前記少なくとも１つの中央局受信機（１３６）と通信するように構成される１つまたは複数のスマートメータ（１０２）と、
を備え、
前記１つまたは複数のスマートメータ（１０２）は、
１つまたは複数のスマートメータ（１０２）により、前記配電ネットワーク（２００）に関連する複数の電圧値を監視するステップと、
測定により電力システム障害に関連する過渡状態の不足電圧状況を検出するステップと、
サイクル毎に１回、基本的な電圧成分のＲＭＳまたはフェーザの大きさを計算するステップと、
前記複数の監視した電圧値の１つまたは複数が、電力システム障害を示す場合に、
監視した線間電圧値の少なくとも一部分を記憶するステップと、
障害電圧プロファイルをフォーマットするステップと、
１つまたは複数の終了直前メッセージを、電力損失直前の障害電圧プロファイルとともに、前記１つまたは複数のスマートメータ（１０２）から中央局受信機（１３６）または線路センサに送信することにより、検出した障害を指示するステップであって、前記１つまたは複数の終了直前メッセージが、前記監視かつ記憶した線間電圧値および線間電流値を含む、ステップと、
送信された前記メッセージを前記中央局受信機（１３６）で受信するステップと、
前記障害電圧プロファイルにより前記終了直前メッセージを判定するステップと、
前記障害電圧プロファイルにより受信した前記終了直前メッセージを電気接続性の順に順序付けるステップと、
配電変電所に最も近いノードをオリジナルルートノードとして指定するステップと、
前記オリジナルルートノードに電気的に近接するすべてのメータからの線間電圧値を検査するステップと、
最も低い線間電圧値を有する、電気的に近接するメータを判定するステップと、
前記電気的に近接するメータを新しいルートノードに昇格させるステップと、
新しいルートノードが発見され得なくなるまで、前記電気的に近接する最も低い線間電圧値を有するメータを前記新しいルートノードに昇格させるステップを繰り返すステップと、
障害位置が、最後に判定されたルートノードと、隣の電気的に近接するメータとの間にあると判定するステップと、
を実行するように構成されす、
システム。
【請求項９】
前記監視した線間電圧値の少なくとも一部分を記憶するステップが、ＡＣ線間電圧の基本的な成分の１つまたは複数のサイクルに対するフェーザ電圧測定結果を保存することを含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記複数の電圧を監視することが、前記配電ネットワーク（２００）の１つまたは複数の枝路（２０２）上の電圧を監視することを含む、請求項８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（充電トレー４１）
充電トレー４１は、上記したように、磁界を用いてリモートコントロール装置４２に対して電力伝送を行う給電装置であり、電子機器本体４０との間で互いに通信を行うことが可能となっている。充電トレー４１は、送電部１０、交流信号源１１、検出部１２および制御部１３を有している。また、この充電トレー４１は、電子機器本体４０から電力（電力Ｐ０１）の供給を受けるようになっている。換言すると、電子機器本体４０は、充電トレー４１に対して後述する認識結果情報Ｉｃに加えて電力をも供給するようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
具体的には、例えば図６に示した給電システムは、１つの給電装置４１Ｃ（１次側機器，充電トレー）と、１つの第２の電子機器４２Ｃ（２次側機器，リモートコントロール装置）とを備えている（電子機器本体（第１の電子機器）については、図示を省略している）。給電装置４１Ｃは、主に、送電電極Ｅ１（１次側電極）を含む送電部１０Ｃと、交流信号源１１（発振器）と、接地電極Ｅｇ１とを有している。第２の電子機器４２Ｃは、主に、受電電極Ｅ２（２次側電極）を含む受電部２０Ｃと、整流回路２１１と、負荷２６と、接地電極Ｅｇ２とを有している。すなわち、この給電システムは、送電電極Ｅ１および受電電極Ｅ２と、接地電極Ｅｇ１，Ｅｇ２との２組の電極を備えている。換言すると、給電装置４１Ｃ（１次側機器）および第２の電子機器４２Ｃ（２次側機器）はそれぞれ、モノポールアンテナのような非対称性の一対の電極構造からなるアンテナを、機器内部に有している。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月14日(2015.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの配電装置（１０２）と、
前記少なくとも２つの配電装置に結合されたコンピュータ（１１６）と、
を備え、
前記コンピュータが、メモリエリア（１２０）を備え、
前記コンピュータが、前記少なくとも２つの配電装置の階層を生成して、前記メモリエリア（１２０）に記憶するように構成され、
前記階層が、公益企業からの第１の距離に関連付けられた第１の層と、前記公益企業からの第２の距離に関連付けられた第２の層とを含み、
前記第１の距離は前記第２の距離とは異なり、
前記コンピュータが、前記少なくとも２つの配電装置のうちの第１の配電装置の、第１の電圧レベルを調整するように構成され、
前記第１の配電装置は、前記階層の前記第１の層と関連付けられ、
前記コンピュータが、前記少なくとも２つの配電装置のうちの少なくとも１つの第２の配電装置の、少なくとも１つの第２の電圧レベルを調整するように構成され、
前記第２の配電装置は、前記階層の前記第２の層と関連付けられ、
前記少なくとも１つの第２の電圧レベルを調整する前に前記第１の電圧レベルが調整されるように、前記コンピュータが、前記第１の電圧レベルおよび前記少なくとも１つの第２の電圧レベルを階層ごとに調整するように構成され構成され、
前記コンピュータが、前記調整された第１の電圧レベルおよび前記調整された少なくとも第２の電圧レベルに基づいて、前記少なくとも２つの配電装置用のスイッチプランを生成するように構成されている、
公益企業の配電システム（１００）。
【請求項２】
前記メモリエリア（１２０）が、前記階層の各層に関連付けられた閾値電圧レベルを記憶するようにさらに構成されている、請求項１に記載の配電システム（１００）。
【請求項３】
前記コンピュータ（１１６）が、前記調整された第１の電圧レベルを、前記階層の前記第１の層に関連付けられた前記閾値電圧レベルと比較するようにさらに構成されている、請求項２に記載の配電システム（１００）。
【請求項４】
前記コンピュータ（１１６）が、前記調整された少なくとも第２の電圧レベルを、、前記階層の前記第２の層に関連付けられた前記閾値電圧レベルと比較するようにさらに構成されている、請求項２に記載の配電システム（１００）。
【請求項５】
前記コンピュータ（１１６）が、スイッチプラン目標を決定するようにさらに構成されている、請求項１に記載の配電システム（１００）。
【請求項６】
前記スイッチプラン目標が目標力率であるとき、前記メモリエリア（１２０）が前記階層の各層に関連付けられた力率閾値を記憶するようにさらに構成され、
前記コンピュータ（１１６）が、、前記階層のそれぞれの層に関連付けられた前記力率閾値に基づいて前記少なくとも２つの配電装置（１０２）の各配電装置の、それぞれの力率値を調整するようにさらに構成されている、
請求項５に記載の配電システム（１００）。
【請求項７】
前記コンピュータ（１１６）が、前記調整された力率値に基づいて前記スイッチプランを生成するように構成されている、請求項６に記載の配電システム（１００）。
【請求項８】
前記スイッチプラン目標が目標電圧レベルであるとき、前記メモリエリア（１２０）が前記階層の各層に関連付けられた閾値電圧レベルを記憶するように構成され、
前記コンピュータ（１１６）が、前記第２の配電装置から始めて前記第１の配電装置で終わるまで、前記閾値電圧レベルのぞれぞれに基づいて前記少なくとも２つの配電装置（１０２）の各配電装置の、それぞれの電圧レベルを調整するようにさらに構成されている、
請求項５に記載の配電システム（１００）。
【請求項９】
少なくとも２つの配電装置（１０２）に通信可能に結合され、公益企業の配電システム（１００）と共に使用するためのコンピュータ（１１６）であって、
閾値電圧レベルおよび前記少なくとも２つの配電装置の階層の各層に対する目標電圧レベルを記憶するように構成されたメモリエリア（１２０）と、
前記メモリエリア（１２０）に結合されたプロセッサと、
を備え、
前記プロセッサが、前記少なくとも２つの配電装置の前記階層を生成して、前記メモリエリア（１２０）に記憶するように構成され、
前記階層が、公益企業からの第１の距離に関連付けられた第１の層と、前記公益企業からの第２の距離に関連付けられた第２の層とを含み、
前記第１の距離は前記第２の距離とは異なり、
前記プロセッサが、前記階層の前記第１の層と関連付けられた前記少なくとも２つの配電装置の第１の配電装置の第１の電圧レベルを、前記階層の前記第１の層に関連付けられた第１の目標電圧レベルに調整して、前記階層の前記第１の層に関連付けられた前記第１の閾値電圧レベルに制約されるように構成され、
前記プロセッサが、前記階層の前記第２の層と関連付けられた前記少なくとも２つの配電装置の少なくとも１つの第２の配電装置の少なくとも１つの第２の電圧レベルを、前記階層の前記第２の層に関連付けられた第２の目標電圧レベルに調整して、前記階層の前記第２の層に関連付けられた前記第２の閾値電圧レベルに制約されるように構成され、
前記少なくとも１つの第２の電圧レベルを調整する前に前記第１の電圧レベルが調整されるように、前記プロセッサが、前記第１の電圧レベルおよび前記少なくとも１つの第２の電圧レベルを階層ごとに調整するように構成され構成され、
前記プロセッサが、前記調整された第１の電圧レベルおよび前記調整された少なくとも第２の電圧レベルに基づいて、前記少なくとも２つの配電装置用のスイッチプランを生成するように構成されている、
コンピュータ（１１６）。
【請求項１０】
前記調整された第１の電圧レベルを前記第１の閾値電圧レベルと比較するようにさらに構成されている、請求項９に記載のコンピュータ（１１６）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半透明媒体で、コントローラによって駆動する光源から伝送されてきた、光学的にエンコードされたシリアル伝送されたデジタル印刷信号を受信することと、
前記半透明媒体から受信した、光学的にエンコードされたシリアル伝送されたデジタル印刷信号を光検出器によって検出することと、
前記光学的にエンコードされたデジタル印刷信号を、駆動信号およびピクセル電圧を含むデータ信号に変換することと、
回転式電気接合部を介し、ＴＦＴ駆動電位を含む操作時の電圧を受信することと、
受信したデータ信号に応答して、ＴＦＴバックプレーン内の多数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を個々に割り当てるための駆動信号を伝送することと、
受信したデータ信号に応答して、ピクセル電圧を送り、ＴＦＴバックプレーン内の個々のＴＦＴにバイアスをかけ、静電潜像を作成することと、を含み、前記ＴＦＴ駆動電位が、前記ＴＦＴバックプレーンに伝送され、静電潜像を作成することは、ＴＦＴバックプレーン内の個々のＴＦＴを介して１つ以上のピクセルに電気的バイアスをかけ、１つ以上のピクセルと電荷輸送層の界面における正孔注入を可能とするかまたは正孔注入を不可能とすることを含む、静電潜像を作成する方法。
【請求項２】
デジタルデータ信号を受信し、エンコードされた光データ信号を伝送するための光源と、
選択信号およびデジタルピクセル電圧に対応する前記エンコードされた光データ信号を受信し、前記受信したデジタルデータ信号を伝送する光検出器であって、前記光データの前記エンコードおよび伝送が、波長または周波数の調整プロトコルを利用する光検出器と、
前記コントローラから操作時の電位を受信するような構成の回転式接合部と、
前記回転式接合部から前記操作時の電位を受信し、低電位、接地電位、高電位を作り出す電源と、
低電位、接地電位、選択信号、前記デジタルピクセル電圧を受信し、バイアス信号およびピクセル電圧を作り出すような構成の、駆動する電子部品と、
薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）バックプレーン内に整列し、前記高電位を受信し、前記バイアス信号および前記ピクセル電圧を受信し、前記バイアス信号およびピクセル電圧に応答して、前記正孔注入ピクセルを駆動させ、潜像を作成するような構成の複数のＴＦＴと、を備える、潜像を印刷するための装置。
【請求項３】
半透明媒体をさらに備え、前記半透明媒体が、前記光源から前記光学的にエンコードされたデジタルデータ信号を受信し、前記光学的にエンコードされたデジタルデータ信号をフォトダイオードに伝送する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記半透明媒体の一部分が、前記エンコードされた光データ信号を受信するときに、前記半透明媒体が、半透明媒体を照射するための散乱材料を含んでいる、請求項２に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電潜像を作成する方法及び潜像を印刷するための装置
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷画像を除去する方法であって、
（ａ）印刷画像を有する媒体を光学的に走査して、前記印刷画像の複数の画像画素位置を電子画像データ群としてマッピングするステップと、
（ｂ）前記電子画像データ群から走査線画像データ群を生成するステップと、
（ｃ）前記走査線画像データ群に従って前記媒体の前記複数の画像画素位置で１つ以上の光アブレーションを行って、前記媒体から前記印刷画像を除去するステップと、
（ｄ）前記媒体から前記印刷画像を除去するために前記１つ以上の光アブレーションの光パワー、光スポットのサイズ、及び光スポットの形状を制御するステップと、
を含み、
前記光パワーが０．１ミリジュール／パルスから０．７ミリジュール／パルスの範囲内であり、
前記光スポットの直径が１２０μｍから１８０μｍの範囲内であり、または
前記光スポットの形状が、円、楕円、及び、円及び楕円の組み合わせの何れかを含む、
方法。
【請求項２】
トナー画像と、インク画像と、手書きメモと、漂遊マークと、トナー画像、インク画像、手書きメモ、及び漂遊マークの組み合わせとのうちの１つ以上を含む前記印刷画像を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
モノクロか複数の色を持つ前記印刷画像を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電子画像データ群は、ＣＭＹＫ（シアン、マゼンタ、イエロー、ブラック）の情報またはＲＧＭ（レッド、グリーン、ブルー）の情報を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記媒体は、前記媒体の第１面に第１印刷画像を含み、かつ前記媒体の第２面に第２印刷画像を含み、
前記媒体から印刷画像を除去する方法は、
ステップ（ａ）〜（ｃ）により、前記媒体の前記第１面から前記第１印刷画像を除去するステップと、
前記媒体を戻し、ステップ（ａ）〜（ｃ）に従って走査して、前記媒体の前記第２面から前記第２印刷画像を除去するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。