Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光分子を導入したコルチゾール誘導体であって、コルチゾールの４位の位置に硫黄原子を介して蛍光分子が連結したコルチゾール誘導体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月5日(2015.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子が出力する、輝度値を予め設定された非線形な変換特性で変換し第１の階調数で表した第１表示値からなるデータ列である撮像データ、を取得する取得手段（Ｓ１１０）と、
前記第１表示値を予め設定された圧縮特性で圧縮し、前記第１の階調数より小さい第２の階調数で表した値を第２表示値として出力する圧縮手段（Ｓ１２０）と、
前記第２表示値からなるデータ列である圧縮データによって表される画像から認識対象を検出する認識手段（Ｓ１３０）と、
を備え、
前記第２の階調数の前記第１の階調数に対する比を基本圧縮比とし、前記認識対象が存在すると推定される輝度範囲である認識対象範囲を少なくとも含む輝度範囲を指定範囲とし、該指定範囲にて最小の輝度値である境界輝度値に対応する前記第１表示値を境界第１表示値として、
前記変換特性は、輝度範囲毎に予め定められた線形な特性の組み合わせとして設定され、
前記指定範囲は、前記変換特性にて前記線形な特性が変化する変化点での輝度値を変化点輝度値として、前記認識対象範囲に前記変化点輝度値を含むように設定され、
前記圧縮特性は、前記認識対象範囲では、前記第２表示値が、前記第１表示値のうち前記境界第１表示値以上の値を前記基本圧縮比より低い低圧縮比で圧縮した値と、前記境界第１表示値との和となるように設定され、前記圧縮特性と前記変換特性とを組み合わせた特性を総合変換特性として、少なくとも前記指定範囲では、前記総合変換特性によって変換された前記第２表示値の前記輝度値に対する関係が線形となるように設定されていること、
を特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記圧縮特性は、前記指定範囲にて前記低圧縮比が１となるように設定されていること、を特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
撮像素子が出力する、輝度値を予め設定された非線形な変換特性で変換し第１の階調数で表した第１表示値からなるデータ列である撮像データ、を取得する取得ステップ（Ｓ１１０）と、
前記第１表示値を予め設定された圧縮特性で圧縮し、前記第１の階調数より小さい第２の階調数で表した値を第２表示値として出力する圧縮ステップ（Ｓ１２０）と、
前記第２表示値からなるデータ列である圧縮データによって表される画像から認識対象を検出する認識ステップ（Ｓ１３０）と、
を備え、
前記第２の階調数の前記第１の階調数に対する比を基本圧縮比とし、前記認識対象が存在すると推定される輝度範囲である認識対象範囲を少なくとも含む輝度範囲を指定範囲とし、該指定範囲にて最小の輝度値である境界輝度値に対応する前記第１表示値を境界第１表示値として、
前記変換特性は、輝度範囲毎に予め定められた線形な特性の組み合わせとして設定され、
前記指定範囲は、前記変換特性にて前記線形な特性が変化する変化点での輝度値を変化点輝度値として、前記認識対象範囲に前記変化点輝度値を含むように設定され、
前記圧縮特性は、前記認識対象範囲では、前記第２表示値が、前記第１表示値のうち前記境界第１表示値以上の値を前記基本圧縮比より低い低圧縮比で圧縮した値と、前記境界第１表示値との和となるように設定され、前記圧縮特性と前記変換特性とを組み合わせた特性を総合変換特性として、少なくとも前記指定範囲では、前記総合変換特性によって変換された前記第２表示値の前記輝度値に対する関係が線形となるように設定されていること、
を特徴とする画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月8日(2014.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
特許文献１には、金属製の２重管からなる２重筒の内側筒に３枚の内部スパイラルブレードが装着され、内側筒外周部に６枚の外部スパイラルブレードが装着され、６枚の外部スパイラルブレードのうちの３枚は、内部スパイラルブレードの径方向の延長線上に配置されているスパイラルブレード内蔵筒が開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特許文献１に記載の発明は、ブレードの枚数を増やすことで、筒内部に流れる流体の分子の衝突頻度を増やすことを目的としている。しかしながら、特許文献１に記載の発明では、外部スパイラルブレードが内部スパイラルブレードの延長線上に配置されているため、製造に手間がかかるという問題がある。また、外部スパイラルブレードが内部スパイラルブレードの延長線上にあると、２重筒にすることによる効果（渦の発生効率上昇）が低いという問題がある。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月17日(2014.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両側面に長手方向に沿った転動体の転走面が形成された軌道部材と、
無限循環する多数の転動体を介して前記軌道部材に跨るようにして組み付けられると共に
前記軌道部材の長手方向に沿って移動自在な移動部材と、を備え、
前記移動部材は、
前記軌道部材の転走面と対向して転動体の負荷通路を構成する負荷転走面及びこの負荷転
走面と平行に設けられる転動体戻し通路を有する本体部材と、
前記負荷通路と転動体戻し通路を繋ぐ方向転換路を有し、前記軌道部材の各側面に対応し
て本体部材の移動方向の各端面に一対ずつ設けられる循環部材と、
前記本体部材の移動方向の両端面に固定されると共に、各循環部材が組み付けられる一対
の凹部及び外部から潤滑剤が流入する供給孔を有する一対の蓋部材と、
前記循環部材と蓋部材とが組み合わさることにより前記本体部材の移動方向端面と平行な
面内に設けられると共に前記無限循環路内に潤滑剤を供給する潤滑剤経路と、
を備え、
前記潤滑剤経路は、前記蓋部材に形成されて前記供給孔と各凹部を連結する導入路と、前
記循環部材に形成される第一及び第二の接続路と、を有し、
一対の循環部材は各蓋部材が有する一対の凹部夫々に対して互いに１８０°異なる向きで
取り付けられ、
一方の循環部材では、前記第一の接続路と前記蓋部材の導入路とが連結され、他方の循環
部材では、前記第二の接続路と前記導入路とが連結されることを特徴とする転がり案内装
置。
【請求項２】
前記第一及び第二の接続路は、これら第一及び第二の接続路の断面積を前記導入路のそれ
よりも小さく設定する絞り部を有することを特徴とする請求項１記載の転がり案内装置。
【請求項３】
前記軌道部材の各側面には転走面が二条ずつ形成されて、当該軌道部材と移動部材との間
には四条の負荷通路が形成され、
前記循環部材は二条一組の負荷通路に対応して設けられ、一方の負荷通路に接続される第
一方向転換路を内蔵すると共に、他方の負荷通路に接続される第二方向転換路の内周側案
内面が前記第一方向転換路と交差するように形成されることを特徴とする請求項２記載の
転がり案内装置。
【請求項４】
各循環部材の第一方向転換路の一端には、前記転動体戻し通路を有する戻し通路パイプが
当該循環部材と一体に成形され、
前記戻し通路パイプを前記本体部材に挿入することにより当該本体部材が前記転動体戻し
通路を備える一方、
各循環部材には前記本体部材に対して反対側から挿入された戻し通路パイプの先端と当接
するパイプ突き当て面が前記第二方向転換路の内周側案内面に隣接して形成され、更に、
前記第一の接続路は、前記パイプ突き当て面の周縁に沿って形成されると共に前記本体部
材の移動方向端面に向けて開放された溝形状であり、前記絞り部は当該第一の接続路の溝
深さを浅くする段部である一方、
前記第二の接続路は前記戻し通路パイプの付け根に設けられると共に前記第一方向転換路
を避けるようにしてトンネル状に形成され、当該第二の接続路の出入り口は前記絞り部と
してのオリフィスを形成することを特徴とする請求項３記載の転がり案内装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2014219021.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒が流れる循環経路上に、冷媒を圧縮するコンプレッサと、前記圧縮された冷媒を冷却する熱交換器と、前記冷却された冷媒を膨張させて冷熱を発生させる膨張タービンと、前記冷熱により冷却対象を冷却する冷却部とが順に設けられた冷凍サイクルを有する冷凍システムであって、
前記コンプレッサ及び前記膨張タービンのうち少なくとも１つは、前記循環経路に対して並列に複数設けられていることを特徴とする冷凍システム。
【請求項２】
前記循環経路に対して並列に複数設けられた前記コンプレッサ又は前記膨張タービンは、それぞれ切換弁を介して前記循環経路に対して接断可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載の冷凍システム。
【請求項３】
前記膨張タービンは前記冷却部と共に外部から断熱されたコールドボックス内に収納されており、
前記コンプレッサは、前記コールドボックスとは別の圧縮機ユニットに収納されており、
前記圧縮機ユニットは、前記コールドボックスに比べて前記冷却対象から離れた位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の冷凍システム。
【請求項４】
前記圧縮機ユニットは、切換バルブを介して前記コールドボックスに対して並列に複数設けられていることを特徴とする請求項３に記載の冷凍システム。
【請求項５】
前記コールドボックス及び前記圧縮機ユニットは、前記冷却対象に対して並列にそれぞれ複数設けられていることを特徴とする請求項３に記載の冷凍システム。
【請求項６】
前記コンプレッサは、前記循環経路上に直列に設けられた第１のコンプレッサ、第２のコンプレッサ、及び、第３のコンプレッサを含んでおり、
前記第１のコンプレッサは前記第２のコンプレッサと共に第１の電動機の出力軸上に連結されており、
前記第３のコンプレッサは前記膨張タービンと共に第２の電動機の出力軸上に連結されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の冷凍システム。
【請求項７】
冷媒が流れる循環経路上に、冷媒を圧縮するコンプレッサと、前記圧縮された冷媒を冷却する熱交換器と、前記冷却された冷媒を膨張させて冷熱を発生させる膨張タービンと、前記冷熱により冷却対象を冷却する冷却部とが順に設けられた冷凍サイクルを有する冷凍システムであって、
前記コンプレッサ及び前記膨張タービンからなる回転機ユニットを、前記循環経路に対して並列に複数設け、
前記並列に複数配置された回転機ユニットの内少なくとも１の回転機が異常の場合に一の回転機ユニットから他の回転ユニットに運転を運転切り換え部を具えたことを特徴とする冷凍システム。
【請求項８】
前記並列に配置された複数の回転機ユニットが熱交換器を共有していることを特徴とする冷凍システム。

【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る冷凍機システムは上記課題を解決するために、冷媒が流れる循環経路上に、冷媒を圧縮するコンプレッサと、前記圧縮された冷媒を冷却する熱交換器と、前記冷却された冷媒を膨張させて冷熱を発生させる膨張タービンと、前記冷熱により冷却対象を冷却する冷却部とが順に設けられた冷凍サイクルを有する冷凍システムであって、前記コンプレッサ及び前記膨張タービンのうち少なくとも１つは、前記循環経路に対して並列に複数設けられていることを特徴とする。
そして好ましくは段落（００３１）に開示のように及び前記膨張タービンからなる回転機ユニットを、前記循環経路に対して並列に複数設け、
前記並列に複数配置された回転機ユニットの内少なくとも１の回転機が異常の場合に一の回転機ユニットから他の回転ユニットに運転を運転切り換え部を具えるのがよい。
そして更に好ましくは段落（００３２）に開示のあるように複数の回転機ユニットが熱交換器を共有していることにより省スペース化が図れる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月18日(2014.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロール・スタンドにおける圧延の間、薄膜ストリップ又は金属薄板ストリップ（２）から測定ロール（３）へ伝えられる力を、プレストレス（Ｖ）の下で前記測定ロール（３）の円筒形の穴（４）に挿入された力センサ・システムによって測定する力測定方法であって、
前記力センサ・システムは、
第１の力センサ（５）と、
前記第１の力センサ（５）が前記測定ロール（３）に対して半径方向に作用する力（Ｆ）を決定できるように前記第１の力センサ（５）にプレストレス（Ｖ）を発生させるためのプレストレス・デバイス（７）と
前記プレストレス・デバイス（７）によるプレストレス（Ｖ）の下で配置できる第２の力センサ（６）と
を備え、
前記第１の力センサ（５）が、前記薄膜ストリップ又は金属薄板ストリップ（２）の接触圧力（Ｆ）の測定に必要な測定感度に対応する高い感度（Ｅ）を有し、前記第２の力センサ（６）が静的測定用の力センサであり、前記第１の力センサ（５）の感度（Ｅ）の特性が既知であり、
前記力測定方法が、
ａ）前記力センサ・システムが前記ストリップ（２）のラップ角度１２（ｄα）の範囲内に位置決めされている間、前記第１の力センサ（５）の力信号が取得され、
ｂ）前記力センサ・システムが前記ストリップ（２）の前記ラップ角度１２（ｄα）の範囲外に位置決めされている間、前記第２の力センサ（６）のプレストレス信号が取得され、
ｃ）前記第１の力センサ（５）の現時の感度（Ｅ）が、前記既知の特性によって前記第２の力センサ（６）の前記プレストレス信号から決定され、
ｄ）前記取得された力信号が、前記決定された現時の感度（Ｅ）に基づいて評価される
ことを特徴とする、力測定方法。
【請求項２】
前記測定ロール（３）の角度位置（α）も決定されることを特徴とする請求項１に記載された力測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月26日(2014.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された読み出しビット線と、
前記読み出しビット線上に形成された第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に形成された２つのゲート電極と、
前記２つのゲート電極を埋め込む絶縁膜と、
前記２つのゲート電極の間でかつ前記絶縁膜上の絶縁体と、
前記２つのゲート電極および前記絶縁体の上面と少なくとも２つの側面を覆う第２の半導体膜と、
前記絶縁体の２つの側面のそれぞれに沿い、かつ前記第２の半導体膜に重なる２本の書き込みワード線と、
前記絶縁体の頂部の電極と、
前記絶縁体上の前記電極と電気的に接続する書き込みビット線とを有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記読み出しビット線の下には半導体基板に形成された駆動回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の半導体膜は酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月3日(2015.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記基板を支持する基板支持台と、
前記基板支持台に支持された前記基板にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
前記基板支持台に支持された前記基板に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記基板支持台の内部に設けられた冷媒流路に冷媒を供給する冷媒供給部と、
前記処理室に連接され、前記基板を搬送する搬送機構を備える搬送室と、
前記基板を前記支持台に載置する処理と、前記基板の表面に向かって前記マイクロ波を供給して加熱する処理と、前記基板の表面に向かって前記不活性ガスを供給すると共に前前冷媒を供給することにより、前記基板の表面と前記基板の裏面を同時に冷却する処理と、を行わせるように前記マイクロ波供給部、前記ガス供給部、前記冷媒供給部をそれぞれ制御するよう構成される制御手段と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理室に搬入し基板支持台に載置する工程と、
基板の表面に向かってマイクロ波を供給して加熱する工程と、
基板の表面に向かって不活性ガスを供給すると共に前記基板支持台の内部に設けられた冷媒流路に冷媒を供給することにより、前記基板の表面と前記基板の裏面を同時に冷却する工程と、
前記基板を前記処理室から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機発光体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のゲスト分子よりなるゲストクラスタと、１つ以上のＮ型ホスト分子よりなるＮ型ホストクラスタと、１つ以上のＰ型ホスト分子よりなるＰ型ホストクラスタと、を有し、
前記Ｎ型ホストクラスタと前記Ｐ型ホストクラスタが、前記ゲストクラスタを間に挟んだ構造を有する有機発光体。
【請求項２】
１つ以上のゲスト分子よりなるゲストクラスタと、１つ以上のＮ型ホスト分子よりなるＮ型ホストクラスタと、１つ以上のＰ型ホスト分子よりなるＰ型ホストクラスタと、を有し、
前記Ｎ型ホストクラスタは前記ゲストクラスタに隣接し、前記Ｐ型ホストクラスタは前記ゲストクラスタに隣接する構造を有する有機発光体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月23日(2015.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し、
前記ホスト材料の発光スペクトルと、前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり、前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで、燐光を発する発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記吸収帯が、三重項ＭＬＣＴ遷移に由来する吸収を含む発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記発光スペクトルが、蛍光スペクトルである発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ゲスト材料は、有機金属錯体である発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記ゲスト材料は、イリジウム錯体である発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．３ｅＶ以内である発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯のモル吸光係数が、５０００Ｍ−１・ｃｍ−１以上である発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＳＯＩ基板の作製方法、ＳＯＩ基板、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に絶縁膜を形成する、第１の工程と、
加速されたイオンを、前記絶縁膜を介して前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に脆化領域を形成する、第２の工程と、
前記半導体基板と支持基板とを、前記絶縁膜を介して貼り合わせ、前記脆化領域において前記半導体基板を分離して、前記支持基板上に前記絶縁膜を介して半導体膜を接合させる、第３の工程と、を有する、ＳＯＩ基板の作製方法であって、
前記第３の工程において、前記支持基板を、前記半導体基板より上方に配置させ、
前記半導体基板の端部を、前記絶縁膜を介して前記支持基板と貼り合わせると、前記端部から前記支持基板との接合が開始されることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板に絶縁膜を形成する、第１の工程と、
加速されたイオンを、前記絶縁膜を介して前記半導体基板に照射して、前記半導体基板中に脆化領域を形成する、第２の工程と、
前記半導体基板と支持基板とを、前記絶縁膜を介して貼り合わせ、前記脆化領域において前記半導体基板を分離して、前記支持基板上に前記絶縁膜を介して半導体膜を接合させる、第３の工程と、を有する、ＳＯＩ基板の作製方法であって、
前記第３の工程において、前記支持基板を、前記半導体基板より上方に配置させ、
前記半導体基板の端部を、前記絶縁膜を介して前記支持基板と貼り合わせると、前記端部から前記支持基板との接合が開始され、前記端部以外は、自発的な接合が生じることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体膜上にマスクを形成し、
前記半導体膜の一部及び前記絶縁膜の一部をエッチングして、前記半導体膜の周端部が、前記絶縁膜の周端部の内側に位置させることを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記マスクの周端部は、前記半導体膜の内側に位置し、かつ前記周端部はテーパ形状を有することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項５】
支持基板と、
前記支持基板上の、絶縁膜と、
前記絶縁膜上の、半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜及び前記半導体膜は圧縮応力を有し、
前記絶縁膜の圧縮応力は、前記半導体膜の圧縮応力よりも大きく、
前記半導体膜の周端部は、前記絶縁膜の周端部の内側に位置することを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項６】
請求項５において、
前記半導体膜の周端部のテーパ角は、前記絶縁膜の周端部のテーパ角は、より大きいことを特徴とするＳＯＩ基板。
【請求項７】
支持基板と、
前記支持基板上の、絶縁膜と、
前記絶縁膜上の、半導体膜と、
前記半導体膜上の、酸化物半導体膜と、を有し、
前記半導体膜は、第１のトランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記酸化物半導体膜は、第２のトランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記絶縁膜及び前記半導体膜は圧縮応力を有し、
前記絶縁膜の圧縮応力は、前記半導体膜の圧縮応力よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月2日(2015.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体−オン−絶縁体基板を提供する工程であって、この半導体−オン−絶縁体基板は、
半導体ベース層と、
半導体ベース層の上でこれと接触する誘電体層と、
誘電体層の上でこれと接触する単結晶半導体上部層と、
を含む工程と、
半導体−オン−絶縁体基板の中に少なくとも２つのトレンチを形成する工程であって、少なくとも２つのトレンチは上部層、誘電体層を通って延び、更に部分的にベース層を通って延びる工程と、
少なくとも２つのトレンチを形成する工程の結果として、
ベース層の一部を含むベース部分と、
誘電体層の一部を含み、ベース部分の上でこれと接触する誘電体部分と、
上部層の一部を含み、誘電体部分の上でこれと接触する上部部分と、
を含む少なくとも１つの高層構造を形成する工程と、
少なくとも２つのトレンチの底部に分離領域を形成する工程であって、少なくとも２つのトレンチを部分的に埋める工程を含む工程と、
少なくとも上部部分の露出した側壁面を熱酸化することにより、少なくとも露出した側壁面の上にゲート誘電体層を形成する工程と、
少なくとも１つの高層構造と、ゲート誘電体層と、分離領域との上に導電性層を形成し、少なくとも１つのフローティングゲート半導体メモリデバイスを形成する工程と、を含む方法。
【請求項２】
誘電体部分は、トンネル誘電体層を含み、上部部分は、フローティングゲートを含み、導電性層は、コントロールゲートを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも２つのトレンチを部分的に埋める工程は、
少なくとも２つのトレンチを絶縁性材料で埋める工程と、
少なくとも２つのトレンチから絶縁性材料を部分的に除去して、少なくとも２つのトレンチの底部に絶縁性材料を残し、これにより分離領域を形成する工程と、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
誘電体層は、約６ｎｍから約１０ｎｍの等価酸化膜厚を有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
更に、少なくとも１つの高層構造の上面を熱酸化して、これにより少なくとも１つの高層構造の上面の上にゲート誘電体を形成する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
分離領域は、少なくとも１つの高層構造のベース部分と誘電体部分と、ゲート誘電体層の一部に接触し、
分離領域は、誘電体部分の上に延びる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも２つのトレンチを形成する工程は、
半導体−オン−絶縁体基板の上にパターニングされたハードマスク層を形成する工程と、
パターニングされたハードマスク層でパターニングされていない半導体−オン−絶縁体基板の領域中に少なくとも２つのトレンチをエッチングする工程と、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも２つのトレンチが形成された後に、少なくとも１つの高層構造の上面の上にパターニングされたハードマスク層が残り、
少なくとも１つの高層構造の上に導電体層を形成する工程は、少なくとも１つの高層構造の上面の上に残ったパターニングされたハードマスク層の上に導電性層を形成する工程を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
更に、少なくとも２つのトレンチを形成した後に、パターニングされたハードマスク層を除去する工程と、
パターニングされたハードマスク層を除去する工程の後で、上部部分の露出した側壁面を熱酸化する前に、少なくとも１つの高層構造の上の角を丸くする工程を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも２つのトレンチを形成する工程は、
第１のエッチングで、上部層を通るエッチングにより誘電体層を露出させ、これにより少なくとも２つの部分的なトレンチを形成する工程と、
第２のエッチングで、誘電体層を通り、ベース層を部分的に通ってエッチングし、これにより、少なくとも２つの部分的なトレンチを、少なくとも２つのトレンチに換える工程と、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
更に、第１エッチングの後で、第２エッチングの前に、少なくとも２つの部分的なトレンチの中に、ドーパント元素を注入する工程を含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ゲート誘電体層は、約６ｎｍから約８ｎｍの膜厚を有する請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記選択的冷却手段が前記ワークが貼付された前記ダイアタッチフィルムの領域を選択的に冷却する際、前記突上げ用リングを前記ワークの外周部の前記ダイシングテープに対して接触させることを特徴とする請求項３に記載のワーク分割装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、一つの実施態様として、前記選択的冷却手段が前記ワークが貼付された前記ダイアタッチフィルムの領域を選択的に冷却する際、前記突上げ用リングを前記ワークの外周部の前記ダイシングテープに対して接触させることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ダイシングテープに貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウェハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、
前記ワークのダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド手段と、
前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を加熱するために、分割対象である半導体ウェハ外周のダイシングテープに熱を供給するように配置され、それぞれ加熱状態を周方向に独立して制御することが可能な光加熱装置と、
を備えたことを特徴とするワーク分割装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明のワーク分割装置は、ダイシングテープに貼着されて、リング状のフレームにマウントされ、予め形成された分断予定ラインに沿って個々のチップにダイシング加工された半導体ウェハからなるワークを固定するフレーム固定手段と、前記ワークのダイシングテープをエキスパンドするエキスパンド手段と、前記ダイシングテープのエキスパンド状態を解除した後、前記ダイシングテープに発生する弛み部分を加熱するために、分割対象である半導体ウェハ外周のダイシングテープに熱を供給するように配置され、それぞれ加熱状態を周方向に独立して制御することが可能な光加熱装置と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に形成された発光素子と、
前記基板における、前記発光素子が形成された面の反対側の面に形成された裏面金属層を有し、
前記発光素子は一対の電極間に発光物質を含む有機化合物層を有し、
前記基板は、内部に内部金属層を１層以上有する有機絶縁層と金属層の積層構造を有し、
前記内部金属層は前記有機絶縁層に設けられた貫通孔を介して前記裏面金属層に熱的に結合されており、
前記貫通孔は、上記構成において前記貫通孔を介さずに前記内部金属層と前記裏面金属層が熱的に結合された場合と比較して熱抵抗が小さくなるような構造を有している照明装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板の一方の面に形成された発光素子と、
前記基板における、前記発光素子が形成された面の反対側の面に形成された裏面金属層を有し、
前記発光素子は一対の電極間に発光物質を含む有機化合物層を有し、
前記基板は、内部に内部金属層を１層以上有する有機絶縁層と金属層の積層構造を有し、
前記内部金属層は前記発光素子の一方の電極と電気的に接続されており、また、前記内部金属層は前記有機絶縁層に設けられた貫通孔を介して前記裏面金属層に熱的に結合されており、
前記貫通孔は、上記構成において前記貫通孔を介さずに前記内部金属層と前記裏面金属層が熱的に結合された場合と比較して熱抵抗が小さくなるような構造を有している照明装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板の一方の面に形成された複数の発光素子と、
前記基板における、前記複数の発光素子が形成された面の反対側の面に形成された裏面金属層を有し、
前記複数の発光素子は一対の電極間に発光物質を含む有機化合物層を有し、
前記基板は、内部に内部金属層を１層以上有する有機絶縁層と金属層の積層構造を有し、
前記内部金属層は前記発光素子の一方の電極と電気的に接続されており、また、前記内部金属層は前記有機絶縁層に設けられた貫通孔を介して前記裏面金属層に電気的に接続されており、
前記内部金属層及び前記裏面金属層は、少なくとも各々接続する前記発光素子の電極の電圧ごとに電気的に独立している照明装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板の一方の面に形成された複数の発光素子と、
前記基板における、前記複数の発光素子が形成された面の反対側の面に形成された裏面金属層を有し、
前記複数の発光素子は一対の電極間に発光物質を含む有機化合物層を有し、
前記基板は、内部に内部金属層を１層以上有する有機絶縁層と金属層の積層構造を有し、
前記内部金属層は前記発光素子の一方の電極と電気的に接続されており、また、前記内部金属層は前記有機絶縁層に設けられた貫通孔を介して前記裏面金属層に電気的に接続されており、
前記内部金属層及び前記裏面金属層は、各々接続する前記発光素子ごとに分離している照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月22日(2015.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極の間に発光性の有機化合物を含む有機ＥＬ層が設けられた構造を一方の面に備え、他方の面に第１の光学構造体を備える第１の基板と、
一方の面が前記第１の基板の一方の面と対向し、他方の面に第２の光学構造体を備える第２の基板と、を有し、
前記第１の電極は前記第１の基板と前記第２の電極の間に位置し、
前記第１の電極は第１の光透過導電膜および第１の光反射導電膜を有し、
前記第２の電極は第２の光透過導電膜および第２の光反射導電膜を有し、
前記有機ＥＬ層は、前記第１の光透過導電膜と前記第２の光反射導電膜に接して挟まれた第１の発光領域と、前記第１の光反射導電膜と前記第２の光透過導電膜に接して挟まれた第２の発光領域を有し、
前記第１の光学構造体は、前記第１の発光領域と重畳し、且つ前記第１の光学構造体の端部より前記第１の発光領域の端部が内側に位置し、
前記第２の光学構造体は、前記第２の発光領域と重畳し、且つ前記第２の光学構造体の端部より前記第２の発光領域の端部が内側に位置することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第２の発光領域が前記第１の発光領域と重ならない場所に位置する、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１の光透過導電膜および前記第２の光透過導電膜は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長の光に対して７０％以上の光透過率を有し、
前記第１の光反射導電膜および前記第２の光反射導電膜は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長の光に対して５０％以上の光反射率を有する、請求項１または請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第１の光学構造体の径が、前記第１の光学構造体と重畳する前記第１の発光領域の径に対して１．１倍以上３倍以下であり、
前記第２の光学構造体の径が、前記第２の光学構造体と重畳する前記第２の発光領域の径に対して１．１倍以上３倍以下である、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の発光性の有機化合物を含む層と、
前記発光性の有機化合物を含む層を覆う領域を有する第１のバリア層と、
前記第１のバリア層上の第２のバリア層と、
前記第１のバリア層と前記第２のバリア層との間に設けられたシール材と、
前記第１のバリア層、前記第２のバリア層、及び前記シール材に囲まれ、且つ乾燥剤を含む樹脂層と、
前記第２のバリア層上の樹脂基板と、を有し、
前記樹脂基板は、前記第２のバリア層と接する面に第１の凹凸構造と、大気と接する面に第２の凹凸構造と、を有し、
前記第２の凹凸構造の凹凸の高低差は、前記第１の凹凸構造の凹凸の高低差より大きいことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のバリア層及び前記第２のバリア層それぞれは、酸化アルミニウム膜、窒化珪素膜、又は酸化窒化珪素膜であることを特徴とする照明装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の凹凸構造の凹凸の高低差は、０．５μｍ以上５０μｍ以下であり、
前記第２の凹凸構造の凹凸の高低差は、１００μｍ以上５ｍｍ以下であることを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の凹凸構造及び前記第２の凹凸構造はそれぞれ、ストライプ状又はマトリクス状であることを特徴とする照明装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の凹凸構造及び前記第２の凹凸構造は、それぞれの断面形状が、半球状又は頂点を有する形状であることを特徴とする照明装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記基板はステンレス基板、タングステン基板、ニッケル基板、アルミニウム基板、ガラス基板、又は、セラミックス基板であり、
前記基板及び前記発光性の有機化合物を含む層との間に、下地膜が設けられていることを特徴とする照明装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記下地膜は、酸化アルミニウム膜、窒化珪素膜、又は酸化窒化珪素膜であることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月17日(2014.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、
前記第１の配線上の、絶縁膜と、
前記絶縁膜上上の、第２の配線と、
発光素子と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極層と、前記第１の電極層上の、有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の、第２の電極層とを有し、
前記第２の電極層は、透光性を有し、
前記第１の電極層の端部を覆う、隔壁層を有し、
前記隔壁層よりも高さの高い、分離層を有し、
前記有機化合物を含む層は、第１乃至第３の領域を有し、
前記第１の領域は、前記分離層と接する領域であり、
前記第２の領域は、前記隔壁層と接する領域であり、
前記第３の領域は、前記第１の電極層と接する領域であり、
前記第１の電極層は、前記第１の配線と電気的に接続されたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記分離層は、前記隔壁層の側面と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記分離層は、前記隔壁層の上面と重なる領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の配線は、熱伝導性を有する基板上に設けられたことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の電極層上に、樹脂層を有し、
前記樹脂層上に、光学素子を有し、
前記樹脂層は、前記発光素子の発光領域よりも屈折率が低く、かつ前記光学素子よりも、屈折率が高いことを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月7日(2015.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可とう性を有する第１の基板と、
前記第１の基板上の第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上の複数の第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆う第１の隔壁と、
前記第１の電極上の第２の隔壁と、
前記第１の電極上、前記第１の隔壁上、前記第２の隔壁上の有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に位置し、透光性を有する第２の電極と、
水蒸気透過率が１×１０−７ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である第２の基板と、
シール材と、
を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とは、前記シール材によって接合されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の基板は、ステンレス鋼またはジュラルミンであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の基板は、厚さが２０μｍ以上１００μｍ以下のガラスであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第２の基板は、積層体であり、
前記第２の基板は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化シリコン、ダイアモンドライクカーボンまたは高分子材料から選ばれる二種以上を有し、
前記第２の基板は、樹脂またはガスバリア性を有するシートを有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の基板と前記第２の基板との間は、透光性を有する有機化合物または透光性を有する無機化合物で充填されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月17日(2014.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のロジックエレメントと、メモリエレメントと、を有し、
前記メモリエレメントは、コンフィギュレーションデータを記憶する機能を有し、
前記複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリを有し、
前記メモリエレメントに記憶された前記コンフィギュレーションデータの少なくとも一部は、前記コンフィギュレーションメモリに入力されて記憶され、
前記複数のロジックエレメントそれぞれは、前記コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、演算処理を行い、且つ、他のロジックエレメントとの電気的接続を制御し、
前記メモリエレメントは、記憶素子を有し、
前記記憶素子は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層に設けられ、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンに設けられ、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の一対の電極のうちの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタがオフになることによって、前記容量素子の一対の電極のうちの一方は、フローティングとなることを特徴とするプログラマブルＬＳＩ。
【請求項２】
複数のロジックエレメントと、メモリエレメントと、を有し、
前記メモリエレメントは、コンフィギュレーションデータを記憶する機能を有し、
前記複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリを有し、
前記メモリエレメントに記憶された前記コンフィギュレーションデータの少なくとも一部は、前記コンフィギュレーションメモリに入力されて記憶され、
前記複数のロジックエレメントそれぞれは、前記コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、演算処理を行い、且つ、他のロジックエレメントとの電気的接続を制御し、
前記メモリエレメントは、記憶素子を有し、
前記記憶素子は、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層に設けられ、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンに設けられ、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記容量素子の一対の電極のうちの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタがオフになることによって、前記容量素子の一対の電極のうちの一方は、フローティングとなり、
前記複数のロジックエレメントが有するトランジスタの少なくとも一部を重なるように、前記第１のトランジスタが設けられることを特徴とするプログラマブルＬＳＩ。
【請求項３】
複数のロジックエレメントと、メモリエレメントと、を有し、
前記メモリエレメントは、コンフィギュレーションデータを記憶する機能を有し、
前記複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリを有し、
前記メモリエレメントに記憶された前記コンフィギュレーションデータの少なくとも一部は、前記コンフィギュレーションメモリに入力されて記憶され、
前記複数のロジックエレメントそれぞれは、前記コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、演算処理を行い、且つ、他のロジックエレメントとの電気的接続を制御し、
前記メモリエレメントは、記憶素子を有し、
前記記憶素子は、第１のトランジスタと、容量素子とを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体層に設けられ、
前記容量素子の一対の電極のうちの一方は、前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタがオフになることによって、前記容量素子の一対の電極のうちの一方は、フローティングとなり、
前記複数のロジックエレメントが有するトランジスタの少なくとも一部を重なるように、前記第１のトランジスタが設けられることを特徴とするプログラマブルＬＳＩ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、非単結晶であって、ｃ軸配向し、水素濃度が１×１０１７／ｃｍ３以下であり、且つ、ナトリウム濃度が５×１０１６／ｃｍ３以下であることを特徴とするプログラマブルＬＳＩ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月23日(2015.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器から発せられた高周波信号を伝送する高周波信号導波路を備えており、
電子機器が高周波信号導波路に近接して配置されたとき、高周波信号を高周波信号導波路を介して伝送する信号伝送装置。
【請求項２】
複数の電子機器が高周波信号導波路に近接して配置されたとき、複数の電子機器の間で高周波信号を高周波信号導波路を介して伝送する請求項１に記載の信号伝送装置。
【請求項３】
高周波信号導波路に接続され、又は、高周波信号導波路に結合された通信装置を更に備えており、
電子機器が高周波信号導波路に近接して配置されたとき、通信装置と電子機器との間で高周波信号を高周波信号導波路を介して伝送する請求項１又は請求項２に記載の信号伝送装置。
【請求項４】
高周波信号導波路を保持する保持部材を更に備えており、
高周波信号導波路は保持部材内部に配置されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項５】
高周波信号導波路を保持する保持部材を更に備えており、
高周波信号導波路の少なくとも一部分は保持部材から露出している請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項６】
高周波信号導波路を保持する保持部材を更に備えており、
高周波信号導波路は保持部材上に形成されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項７】
高周波信号導波路は平板状である請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項８】
高周波信号導波路は櫛型形状を有する請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項９】
高周波信号導波路は格子形状を有する請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項１０】
高周波信号導波路は螺旋形状を有する請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項１１】
高周波信号導波路の上、又は、高周波信号導波路の下、又は、高周波信号導波路の上及び下に、高周波信号導波路を構成する材料とは異なる材料から成る層が形成されている請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項１２】
高周波信号導波路は誘電体材料から成る請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項１３】
高周波信号導波路は磁性体材料から成る請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項１４】
高周波信号における搬送周波数の波長は、０．１ミリメートル乃至１０センチメートルである請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の信号伝送装置。
【請求項１５】
通信装置、及び、
通信装置から発せられた高周波信号を伝送する高周波信号導波路、
を備えた電子機器であって、
高周波信号導波路が、外部に配された高周波信号導波路に近接して配置されたとき、電子機器を構成する高周波信号導波路から外部に配された高周波信号導波路へと高周波信号が伝送される電子機器。
【請求項１６】
通信装置から発せられた高周波信号を、電子機器を構成する高周波信号導波路に伝達する高周波信号伝達部材を更に備えている請求項１５に記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月3日(2015.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ素子を有する面光源より光を射出する光源部と、
前記光源部に重畳して設けられ、複数の電極に印加する電圧を制御して当該複数の電極で挟持された高分子分散型液晶に透光部及び遮光部を形成し、当該透光部及び遮光部により選択的に前記光源部からの光を透過させる光シャッター部と、
前記光源部及び前記光シャッター部に重畳して設けられ、左目用の表示を行う第１の画素部及び右目用の表示を行う第２の画素部を有する液晶パネルと、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスタービンの補助コンパートメント（１０）内のトルクコンバータ（２２）又は始動モータ（２０）に取り付けるリフト固定具（３００）であって、
フレーム（３０１）であってその上方で引上支持体（２０８）に取り付けられるように構成されたフレーム（３０１）と、
前記フレーム（３０１）に取り付けられて前記フレーム（３０１）上に配置されるリフトラグ（３０８）の対であって、各々のリフトラグ（３０８）が、第１のラグプレート（３１０）、第２のラグプレート（３１０）及びラグロッド（３１４）を含んでいて、第１のラグプレート（３１０）及び第２のラグプレート（３１０）の各々が前記フレーム（３０１）の上に延在するように前記フレーム（３０１）に取り付けられ、第１のラグプレート（３１０）及び第２のラグプレート（３１０）の各々が前記フレーム（３０１）の上にアパーチャを画成し、前記ラグロッド（３１４）が前記アパーチャを通して取外し可能に固定される、リフトラグ（３０８）の対と、
前記フレーム（３０１）に取り付けられ且つ各々が前記フレーム（３０１）の下方に延在する曲げ部（３１８）を有するように位置付けられる複数のリフトフック（３１６）と
を備えるリフト固定具（３００）。
【請求項２】
前記フレーム（３０１）が開口（３０９）の対を画成する、請求項１記載のリフト固定具（３００）。
【請求項３】
前記リフトラグ（３０８）の各々が、前記フレーム（３０１）の開口（３０９）の上に位置付けられ、前記リフトラグ（３０８）の各々が前記フレーム（３０１）を通って延在する接続ループ（２３）に取り付けることができるように構成されている、請求項１又は請求項２記載のリフト固定具（３００）。
【請求項４】
前記フレーム（３０１）が複数のサイドバー（３２０）を備え、前記リフトフック（３１６）が前記サイドバー（３２０）の少なくとも１つに沿って取外し可能に取り付けられる、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載のリフト固定具（３００）。
【請求項５】
前記サイドバー（３２０）が互いに実質的に平行である、請求項４記載のリフト固定具（３００）。
【請求項６】
前記フレーム（３０１）がさらに、前記サイドバー（３２０）に実質的に垂直な方向に向けられたクロスバー（３２６）を含む、請求項４又は請求項５記載のリフト固定具（３００）。
【請求項７】
前記フレーム（３０１）がさらに、前記サイドバー（３２０）又は前記クロスバー（３２６）の少なくとも１つに取り付けられたフレームプレート（３２８）を含む、請求項６記載のリフト固定具（３００）。
【請求項８】
ガスタービンの補助コンパートメント（１０）内のトルクコンバータ（２２）又は始動モータ（２０）を移動させる取外し装置（２４）であって、
前記補助コンパートメント（１０）内に固定され且つ梁（１１０）を含むジブクレーン（１００）と、
前記梁（１１０）に移動可能に固定されるトローリシステム（２００）と、
前記トローリシステム（２００）に取り付けられる請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載のリフト固定具（３００）と
を備える、取外し装置（２４）。
【請求項９】
前記リフト固定具（３００）が、前記トローリシステム（２００）のトローリロッド（２０８）に枢動可能に取り付けられる、請求項８記載の装置（２４）。
【請求項１０】
前記ジブクレーン（１００）がさらに、マスト（１０４）に枢動可能に結合される受け部（１０８）を含み、前記梁（１１０）が前記受け部（１０８）から延在する、請求項８又は請求項９記載の装置（２４）。