【手続補正書】
【提出日】平成26年12月8日(2014.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
この基板に形成され、所定の間隔を有して配置された一対の電極部と、放電間隙を有して対向配置された一対の放電電極部と、これら電極部及び放電電極部に導通経路を介して接続されるとともに、外部の配線と電気的に接続される端子電極部とを有し、この端子電極部と前記電極部とは間隔を空けて形成されていて、前記端子電極部と前記電極部とを接続する導通経路は、前記間隔の領域において、前記端子電極部の一端側から前記電極部の他端側に延出して迂回するように形成され、前記端子電極部から電極部までの導通経路の長さ寸法をＰとし、前記端子電極部から放電電極部までの導通経路の長さ寸法をｐとした場合、Ｐ＞ｐの関係となるように設定されている導電層と、
前記一対の電極部に接続された薄膜素子層と、
前記一対の放電電極部における放電間隙に少なくとも対向する空洞部を有して前記薄膜素子層及び一対の放電電極部を被覆する保護絶縁層と、
を具備することを特徴とする薄膜ディバイス。
【請求項２】
前記電極部における所定の間隔をＤとし、前記放電電極部における放電間隙をｄとした場合、Ｄ＞ｄの関係となるように設定されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜ディバイス。
【請求項３】
前記端子電極部から電極部までの導通経路のパターンがミアンダ形状に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の薄膜ディバイス。
【請求項４】
前記一対の電極部及び一対の放電電極部は、結晶化した白金又はその合金であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の薄膜ディバイス。
【請求項５】
前記一対の放電電極部における放電間隙は、レーザ加工によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の薄膜ディバイス。
【請求項６】
保護絶縁層は、第１層と第２層との２層構成であって、第２層がガラス層によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の薄膜ディバイス。
【請求項７】
基板に所定の間隔を有して配置された一対の電極部と、放電間隙を有して対向配置された一対の放電電極部と、これら電極部及び放電電極部に導通経路を介して接続されるとともに、外部の配線と電気的に接続される端子電極部とを有し、この端子電極部と前記電極部とを間隔を空けて形成し、前記端子電極部と前記電極部とを接続する導通経路を、前記間隔の領域において、前記端子電極部の一端側から前記電極部の他端側に延出して迂回するように形成し、前記端子電極部から電極部までの導通経路の長さ寸法をＰとし、前記端子電極部から放電電極部までの導通経路の長さ寸法をｐとした場合、Ｐ＞ｐの関係となるように導電層を形成する工程と、
前記一対の電極部に接続される薄膜素子層を形成する工程と、
前記放電間隙に対向して犠牲層を形成する工程と、
前記薄膜素子層及び一対の放電電極部を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、
前記犠牲層を除去して保護絶縁層に空洞部を形成する工程と、
を具備することを特徴とする薄膜ディバイスの製造方法。
【請求項８】
基板に所定の間隔を有して配置された一対の電極部と、放電間隙を有して対向配置された一対の放電電極部と、これら電極部及び放電電極部に導通経路を介して接続された端子電極部とを備えた導電層を形成する工程と、
前記一対の電極部に接続される薄膜素子層を形成する工程と、
前記放電間隙に対向して金属酸化物からなる犠牲層を形成する工程と、
前記薄膜素子層及び一対の放電電極部を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、
前記犠牲層を除去して保護絶縁層に空洞部を形成する工程と、
を具備することを特徴とする薄膜ディバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜ディバイス及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、静電気等の異常電圧から半導体素子や電子機器等を保護するための薄膜ディバイス及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１に記載の薄膜ディバイスは、  基板と、この基板に形成され、所定の間隔を有して配置された一対の電極部と、放電間隙を有して対向配置された一対の放電電極部と、これら電極部及び放電電極部に導通経路を介して接続されるとともに、外部の配線と電気的に接続される端子電極部とを有し、この端子電極部と前記電極部とは間隔を空けて形成されていて、前記端子電極部と前記電極部とを接続する導通経路は、前記間隔の領域において、前記端子電極部の一端側から前記電極部の他端側に延出して迂回するように形成され、前記端子電極部から電極部までの導通経路の長さ寸法をＰとし、前記端子電極部から放電電極部までの導通経路の長さ寸法をｐとした場合、Ｐ＞ｐの関係となるように設定されている導電層と、前記一対の電極部に接続された薄膜素子層と、前記一対の放電電極部における放電間隙に少なくとも対向する空洞部を有して前記薄膜素子層及び一対の放電電極部を被覆する保護絶縁層とを具備することを特徴とする。
薄膜素子層としては、感熱薄膜を好適に用いることができるが、これに限定されるものではない。他の素子層を適用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２に記載の薄膜ディバイスは、請求項１に記載の薄膜ディバイスにおいて、前記電極部における所定の間隔をＤとし、前記放電電極部における放電間隙をｄとした場合、Ｄ＞ｄの関係となるように設定されていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３に記載の薄膜ディバイスは、請求項１又は請求項２に記載の薄膜ディバイスにおいて、前記端子電極部から電極部までの導通経路のパターンがミアンダ形状に形成されていることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４に記載の薄膜ディバイスは、請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の薄膜ディバイスにおいて、前記一対の電極部及び一対の放電電極部は、結晶化した白金又はその合金であることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項５に記載の薄膜ディバイスは、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の薄膜ディバイスにおいて、前記一対の放電電極部における放電間隙は、レーザ加工によって形成されていることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項６に記載の薄膜ディバイスは、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の薄膜ディバイスにおいて、保護絶縁層は、第１層と第２層との２層構成であって、第２層がガラス層によって形成されていることを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項７に記載の薄膜ディバイスの製造方法は、基板に所定の間隔を有して配置された一対の電極部と、放電間隙を有して対向配置された一対の放電電極部と、これら電極部及び放電電極部に導通経路を介して接続されるとともに、外部の配線と電気的に接続される端子電極部とを有し、この端子電極部と前記電極部とを間隔を空けて形成し、前記端子電極部と前記電極部とを接続する導通経路を、前記間隔の領域において、前記端子電極部の一端側から前記電極部の他端側に延出して迂回するように形成し、前記端子電極部から電極部までの導通経路の長さ寸法をＰとし、前記端子電極部から放電電極部までの導通経路の長さ寸法をｐとした場合、Ｐ＞ｐの関係となるように導電層を形成する工程と、前記一対の電極部に接続される薄膜素子層を形成する工程と、前記放電間隙に対向して犠牲層を形成する工程と、前記薄膜素子層及び一対の放電電極部を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、前記犠牲層を除去して保護絶縁層に空洞部を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項８に記載の薄膜ディバイスの製造方法は、基板に所定の間隔を有して配置された一対の電極部と、放電間隙を有して対向配置された一対の放電電極部と、これら電極部及び放電電極部に導通経路を介して接続された端子電極部とを備えた導電層を形成する工程と、前記一対の電極部に接続される薄膜素子層を形成する工程と、前記放電間隙に対向して金属酸化物からなる犠牲層を形成する工程と、前記薄膜素子層及び一対の放電電極部を被覆する保護絶縁層を形成する工程と、前記犠牲層を除去して保護絶縁層に空洞部を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明によれば、放電電極部を被覆する保護絶縁層に空洞部が形成されているので、構成が簡素化でき、しかも空洞部によって放電空間が確保され、気中放電が円滑に行われるようになるので、効果的に静電気に対する耐性を高めることができ、信頼性を向上することが可能な薄膜ディバイス及びその製造方法を提供することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
端子電極部３３ａ及び３３ｂは、外部の配線と電気的に接続される部分であり、電極部３１ａ及び３１ｂより広い面積を有して略矩形状をなし、基板２の両端側に形成されている。この端子電極部３３ａ及び３３ｂと電極部３１ａ及び３１ｂとは、間隔を空けて形成されている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この端子電極部３３ａ及び３３ｂの一端側からは、端子電極部３３ａ及び３３ｂと電極部３１ａ及び３１ｂとを接続する導通経路３４ａ及び３４ｂが導出されている。具体的には、端子電極部３３ａ及び３３ｂの一端側から電極部３１ａ及び３１ｂの他端側に延出して迂回するように形成され、図示上、垂下するように形成されている。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
この犠牲層Ｓを除去した後は、排出口Ｓｅの部分は開口し、保護絶縁層５によって被覆された状態にはなっていない。そのため、保護絶縁層５を６００℃以上で熱処理し焼成する。これにより、第２層の保護ガラス層５２が溶解し若干の流動性を伴って排出口Ｓｅの開口を閉塞することとなる。したがって、保護絶縁層５は、犠牲層Ｓが除去された後に外気と遮断された空洞部Ｃｔを形成して、薄膜素子層４、電極部３１ａ及び３１ｂ、放電電極部３２ａ及び３２ｂ、導通経路３４ａ及び３４ｂ並びに導通経路３５ａ及び３５ｂを確実に被覆するようになる。