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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月18日(2015.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有する胴体と、
前記胴体に配置された第１リード電極及び第２リード電極と、
前記キャビティ内に配置されて、前記第１リード電極及び第２リード電極のうちの少なくとも１つと電気的に連結されて、４２０nm乃至４６０nm範囲の第１ピーク波長を発光する発光素子と、
前記発光素子上に第１蛍光体を有する第１樹脂層と
を備え、
前記第１樹脂層の第１蛍光体は前記第１ピーク波長の一部光を励起させて４６１nm乃至４８０nm範囲の第２ピーク波長の光を発光し、
前記第１ピーク波長と前記第２ピーク波長は、紫外線より長波長であり、等しい青色帯域の光を含む、発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第１樹脂層の上に第２樹脂層をさらに備える、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第２樹脂層内に第１蛍光体または第２蛍光体のうちの何れか１つの蛍光体をさらに含み、
前記第２蛍光体は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び黄色蛍光体のうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第１ピーク波長は４２０nm乃至４３０nm範囲を含み、
前記第２ピーク波長は４６５nm乃至４７５nm範囲を含む、請求項１から３のうちのいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１樹脂層の下に前記第１及び第２蛍光体から分離された透光性の樹脂層を含む、請求項３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層の形状は、少なくとも一部が曲面形状であるか、または平たい形状を含む、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記第２樹脂層の上に前記第１蛍光体から分離された透光性の第３樹脂層をさらに備える、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第３樹脂層内に第１蛍光体をさらに含む、請求項７に記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第３樹脂層の形状は、曲面形状を有する、請求項７又は８に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
キャビティを有する胴体と、
前記胴体に配置された第１リード電極及び第２リード電極と、
前記キャビティ内に配置されて、前記第１リード電極及び第２リード電極のうちの少なくとも１つと電気的に連結されて、４１０nm乃至４４０nm範囲の第１ピーク波長を発光する発光素子と、
前記発光素子上に第１蛍光体を含む第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の上の第２樹脂層と
を備え、
前記第１樹脂層の第１蛍光体の含量と異なる含量の第２蛍光体を含む第２樹脂層を含み、
前記第１樹脂層の第１蛍光体は、前記第１ピーク波長の一部光を励起させて４６１nm乃至４７９nm帯域の第２ピーク波長の光を発光し、
前記第１ピーク波長と前記第２ピーク波長は、紫外線より長波長であり、等しい青色帯域の光を含む、発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記発光素子は、４２０nm乃至４２５nm範囲の第１ピーク波長の光を発光し、
前記第１蛍光体は、４６５nm乃至４７５nm範囲の第２ピーク波長の光を発光する、請求項１または１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記発光素子の第１ピーク波長と前記第１蛍光体の第２ピーク波長の差は、５nm乃至６９nmを含む、請求項１または１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第２蛍光体は、前記第１蛍光体より長波長の光を発光する、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記発光素子、前記第１及び第２蛍光体から発光された光は、白色光で混色される、請求項３から１０のうちのいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
前記第１樹脂層と前記第２樹脂層の形状は、少なくとも一部が凹凸面を有する、請求項２から１０のうちのいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１６】
前記第２樹脂層の上に第１蛍光体を含む第３樹脂層を備え、
前記第３樹脂層の第１蛍光体の含量が前記第１樹脂層の第１蛍光体の含量よりさらに小さい、請求項１４に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１７】
キャビティを有する胴体と、
前記キャビティに配置された第１リード電極及び第２リード電極と、
前記キャビティ内に配置されて、前記第１リード電極及び第２リード電極のうちの少なくとも１つと電気的に連結されて、第１青色波長を発光する発光素子と、
前記発光素子上に配置されて、前記第１青色波長より長波長の第２青色波長を発光する第１蛍光体を含む第１樹脂層と
を備え、
前記第１樹脂層の第１蛍光体は、４６１nm乃至４７９nm範囲の第２青色波長を発光し、
前記第１青色波長は４２０nm以上の光を含む、発光素子パッケージ。
【請求項１８】
前記第１青色波長と前記第２青色波長の差は、４５nm乃至５５nm内にある、請求項１７に記載の発光素子パッケージ。  
【請求項１９】
前記第１リードフレームに第２キャビティ及び前記第２リードフレームに第３キャビティを含み、
前記発光素子は、前記第２キャビティに第１発光素子及び前記第３キャビティに第２発光素子を含み、
前記第１発光素子と前記第２発光素子は、お互いに異なる主ピーク波長を発光する、請求項１、請求項１０及び請求項１７のうちのいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項２０】
前記第１発光素子は、４２０nm乃至４３０nmの主ピーク波長を発光し、
前記第２発光素子は前記第１発光素子より長波長の光を発光する、請求項１９に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２１】
前記第２キャビティ及び前記第３キャビティに前記第１樹脂層が配置され、
前記第２キャビティに配置された前記第１樹脂層の第１蛍光体は、４６５nm乃至４７５nm範囲の主ピーク波長を発光し、
前記第３キャビティに配置された前記第１樹脂層の第１蛍光体は、４６９nm乃至４７９nm範囲の主ピーク波長を発光する、請求項２０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項２２】
前記第１蛍光体は、BaMgAl１０O１７:Eu(Mn)、Sr５Ba３MgSi２O８:Eu２+、Sr２P２O７:Eu２+、SrSiAl２O３N２:Eu２+、(Ba１-xSrx)SiO４:Eu２+、(Sr、Ca、Ba、Mg)１０(PO４)６Cl２:Eu２+、CaMgSi２O６:Eu２+のうちの少なくとも１つを含む、請求項１、請求項１３及び請求項２０のうちのいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項２３】
前記第１蛍光体の直径は、１乃至１０μmの範囲で形成されている、請求項１、請求項１０及び請求項２１のうちのいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項２４】
前記キャビティの側壁には、傾斜角を２個以上含む、請求項１、請求項１０及び請求項２１のうちのいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のうちのいずれかに記載の発光素子パッケージを備える照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
胴体と、
前記胴体の第１領域に配置された第１キャビティと、
前記胴体の第２領域に配置された第２キャビティと、
前記第１キャビティ内に互いに離隔された第１及び第２リードフレームと、
前記第２キャビティ内に互いに離隔された第２及び第３リードフレームと、
前記第１キャビティ内で前記第１及び第２リードフレーム上に配置された第１発光素子と、
前記第２キャビティ内で前記第２及び第３リードフレーム上に配置された第２発光素子と、
前記第１キャビティ及び前記第２キャビティに配置されたモールディング部材を備え、
前記第１リードフレーム及び前記第２リードフレームは、前記胴体の第１領域に配置された前記第１キャビティの底及び側面に配置され、
前記第２リードフレーム及び前記第３リードフレームは、前記胴体の第２領域に配置された前記第２キャビティの底及び側面に配置される発光素子パッケージ。
【請求項２】
前記第１発光素子及び第２発光素子は、複数の半導体層を有する発光構造物と、前記発光構造物の下に配置された第１及び第２電極とを有し、
前記第１発光素子は、前記第１及び第２リードフレーム上に前記第１及び第２電極がボンディングされており、
前記第２発光素子は、前記第２及び第３リードフレーム上に第１及び第２電極がボンディングされている、請求項１に記載の発光素子パッケージ。
【請求項３】
前記第１及び第２発光素子は、トップ(top)側に配置された発光構造物または透光性の基板を含む、請求項２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項４】
前記第１及び第２発光素子それぞれは、前記発光構造物と第２電極との間に配置された反射電極層と、前記反射電極層の下及び前記第１及び第２電極のまわりに配置された絶縁性の支持部材とを備え、
前記支持部材の下面は平坦な面で形成されている、請求項２または３に記載の発光素子パッケージ。
【請求項５】
前記第１キャビティに配置された第２リードフレームの第１部と前記第２キャビティに配置された第２リードフレームの第２部は互いに連結されている、請求項１乃至４のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項６】
前記第１キャビティに配置された第１リードフレームと前記第２キャビティに配置された第３リードフレームは互いに連結されている、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項７】
前記胴体上部に配置された第３キャビティを有し、
前記第３キャビティの底には前記第１リードフレームの連結フレームと前記第２リードフレームの連結部が配置されており、
前記第３キャビティに配置された前記第１リードフレームの連結フレームと前記第２リードフレームの連結部上に保護素子が配置されている、請求項１乃至６のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項８】
前記第１及び第２キャビティの底に配置された前記第１乃至第３リードフレームは、前記胴体の下面と同一水平面に配置されている請求項１乃至７のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項９】
前記第１リードフレームから前記胴体の第１側面の下に突き出された第１リード部と、前記第３リードフレームから前記胴体の第２側面の下に突き出された第２リード部とを備える、請求項１乃至８のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１０】
前記第１キャビティの底及び側面に前記第１リードフレームと前記第２リードフレームとの間を分離する第１分離部と、前記第２キャビティの底及び側面に前記第２リードフレームと前記第３リードフレームの間を分離する第２分離部とを備える、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１１】
前記第１分離部と前記第２分離部は、前記胴体の材質で形成されている、請求項１乃至９のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１２】
前記第１キャビティ内に配置された前記第１リードフレームの第１端部と前記第２リードフレームの第２端部は段差構造を備え、前記段差構造には凹凸パターンが備えられ、
前記第１分離部は、前記第１リードフレームの第１端部と前記第２リードフレームの第２端部との間に配置され、
前記第１分離部は前記凹凸パターンに接触されている、請求項１０に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１３】
前記第２キャビティ内に配置された前記第２リードフレームの第２端部と前記第３リードフレームの第１端部は段差構造を備え、前記段差構造には凹凸パターンが備えられ、
前記第２分離部は、前記第２リードフレームの第２端部と前記第３リードフレームの第１端部との間に配置され、
前記第２分離部は前記凹凸パターンに接触されている、請求項１２に記載の発光素子パッケージ。
【請求項１４】
前記第１乃至第３リードフレームそれぞれは、互いに離隔された、請求項１乃至５のいずれかに記載の発光素子パッケージ。
【請求項１５】
複数の発光素子パッケージと、
前記複数の発光素子パッケージが配列されたモジュール基板とを備え、
前記発光素子パッケージは、請求項１乃至１４のいずれかに記載の発光素子パッケージである照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層と、ゲート電極層と、ソース電極層と、ドレイン電極層と、を有し、
前記酸化物半導体層は、第１の領域と、第２の領域と、第３の領域と、を有し、
前記第１の領域は、前記トランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記第２の領域は、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方として機能し、
前記第３の領域は、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域の他方として機能し、
前記ゲート電極層は、前記第１の領域の上方に、ゲート絶縁層を介して前記第１の領域と重なるように設けられ、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層の一方は、前記第２の領域と電気的に接続され、
前記ソース電極層又は前記ドレイン電極層の他方は、前記第３の領域と電気的に接続され、
前記第２の領域の抵抗と前記第３の領域の抵抗は、前記第１の領域の抵抗よりも低く、
前記第２の領域と前記第３の領域は、第１の元素と、第２の元素と、を含み、
前記第１の元素は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｌａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｒ、又はＮｉであり、
前記第２の元素は、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂ、Ａｌ、Ｎ、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｉｎ、Ｆ、Ｃｌ、Ｔｉ、又はＺｎであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層は、第１の酸化物半導体層と、第２の酸化物半導体層と、第３の酸化物半導体層と、を有し、
前記第２の酸化物半導体層は、前記第１の酸化物半導体層と前記第３の酸化物半導体層に挟まれ、
前記第２の酸化物半導体層のエネルギーギャップは、前記第１の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さく、且つ、前記第３の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月3日(2015.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層と、
酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域上に、前記ゲート絶縁膜を挟んで設けられたゲート電極と、
前記酸化物半導体層の第１の領域上に設けられたソース電極又はドレイン電極と、
前記チャネル形成領域と前記第１の領域との間に第２の領域と、を有し、
前記第２の領域の上層は窒素を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体層と、
酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域上に、前記ゲート絶縁膜を挟んで設けられたゲート電極と、
前記酸化物半導体層の第１の領域上に設けられたソース電極又はドレイン電極と、
前記チャネル形成領域と前記第１の領域との間に第２の領域と、を有し、
前記第２の領域の上層は、前記第２の領域の下層よりも窒素を多く含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の領域の上層の窒素濃度は、１×１０２１ｃｍ−３以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
酸化物半導体層と、
酸化物半導体層上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記酸化物半導体層のチャネル形成領域上に、前記ゲート絶縁膜を挟んで設けられたゲート電極と、
前記酸化物半導体層の第１の領域上に設けられたソース電極又はドレイン電極と、
前記チャネル形成領域と前記第１の領域との間の第２の領域の上層は、前記第２の領域の下層よりも酸素を多く含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２の領域の上層の酸素濃度は、１×１０２１ｃｍ−３以上であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を形成する工程と、
ゲート電極を形成する工程と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、四重極形質量分析計で測定される質量電荷比が４４であるガスの分圧が３×１０−５Ｐａ以下である成膜室に、希ガスおよび酸素の一種以上を含むガスを供給し、ターゲットに電力を印加して、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体膜は、四重極形質量分析計で測定される質量電荷比が１８であるガスの分圧が３×１０−５Ｐａ以下である成膜室に、希ガスおよび酸素の一種以上を含むガスを供給し、ターゲットに電力を印加して、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、四重極形質量分析計で測定される質量電荷比が２８であるガスの分圧がそれぞれ３×１０−５Ｐａ以下である成膜室に、希ガスおよび酸素の一種以上を含むガスを供給し、ターゲットに電力を印加して、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
酸化物半導体膜を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を形成する工と、
ゲート電極を形成する工程と、有し、
前記酸化物半導体膜は、四重極形質量分析計で測定される質量電荷比が１８であるガス、質量電荷比が２８であるガスおよび質量電荷比が４４であるガスの分圧が、それぞれ３×１０−５Ｐａ以下である成膜室に、希ガスおよび酸素の一種以上を含むガスを供給し、ターゲットに電力を印加して、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
酸化物半導体膜を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を形成する工程と、
ゲート電極を形成する工程と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、四重極形質量分析計で測定される質量電荷比が４４であるガスのリークレートが３×１０−６Ｐａ・ｍ３／ｓ以下である成膜室に、希ガスおよび酸素の一種以上を含むガスを供給し、ターゲットに電力を印加して、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
四重極形質量分析計で測定される質量電荷比が１８であるガスのリークレートが１×１０−７Ｐａ・ｍ３／ｓ以下である成膜室に、希ガスおよび酸素の一種以上を含むガスを供給し、ターゲットに電力を印加して、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
四重極形質量分析計で測定される質量電荷比が２８であるガスのリークレートが１×１０−５Ｐａ・ｍ３／ｓ以下である成膜室に、希ガスおよび酸素の一種以上を含むガスを供給し、ターゲットに電力を印加して、スパッタリング法を用いて成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に挟まれたＥＬ層と、を有し、
前記ＥＬ層は、少なくとも発光中心物質と前記発光中心物質を分散するホスト材料とを含む発光層と、前記発光層の前記陽極側に接して設けられた正孔輸送材料を含む正孔輸送層とを有し、
前記正孔輸送材料は、カルバゾール骨格を有する第１のカルバゾール誘導体であり、
前記ホスト材料は、カルバゾール骨格とカルバゾール骨格以外の骨格とを有する第２のカルバゾール誘導体であり、
前記第１のカルバゾール誘導体は、最高被占軌道及び最低空軌道が共にカルバゾール骨格に分布する物質であり、
前記第２のカルバゾール誘導体は、最高被占軌道がカルバゾール骨格に分布し、最低空軌道がカルバゾール骨格に分布しない物質であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のカルバゾール誘導体は、フェニルカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記カルバゾール骨格以外の骨格は、電子輸送性を有する骨格であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２のカルバゾール誘導体は、芳香族炭化水素基を有するカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２のカルバゾール誘導体は、ヘテロ芳香族基を有するカルバゾール誘導体であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１のカルバゾール誘導体は、９，９′‐（１，３‐フェニレン）ビス（９Ｈ‐カルバゾール）であり、
前記第２のカルバゾール誘導体は、９，９′‐（３′，５′‐ジフェニル‐１，１′‐ビフェニル‐３，５‐ジイル）ビス（９Ｈ‐カルバゾール）であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記発光中心物質から放出される光は、青色の蛍光であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記発光中心物質から放出される光は、青緑よりも短波長のりん光であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子を光源として備えた発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子を表示部に備えた表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子を光源とする照明装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子を備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月29日(2015.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き込みワード線と、読み出しワード線と、ビット線と、ソース線と、書き込みトランジスタと、読み出しトランジスタと、キャパシタと、を有し、
前記書き込みトランジスタのソースは、前記読み出しトランジスタのゲートと接続され、
前記書き込みトランジスタのソースは、前記キャパシタの電極の一と接続され、
前記書き込みトランジスタのゲートは、前記書き込みワード線に接続され、
前記書き込みトランジスタのドレインは、前記ビット線に接続され、
前記読み出しトランジスタのドレインは、前記ビット線に接続され、
前記読み出しトランジスタのソースは、前記ソース線に接続され、
前記読み出しトランジスタのしきい値の絶対値は、前記ビット線のデータ電位の変動幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
書き込みワード線と、読み出しワード線と、ビット線と、ソース線と、書き込みトランジスタと、読み出しトランジスタと、キャパシタと、を有し、
前記書き込みトランジスタのソースは、前記読み出しトランジスタのゲートと接続され、
前記書き込みトランジスタのソースは、前記キャパシタの電極の一と接続され、
前記書き込みトランジスタのゲートは、前記書き込みワード線に接続され、
前記書き込みトランジスタのドレインは、前記ビット線に接続され、
前記読み出しトランジスタのドレインは、前記ビット線に接続され、
前記読み出しトランジスタのソースは、前記ソース線に接続され、
前記読み出しトランジスタのしきい値の絶対値は、前記ビット線のデータ電位の変動幅よりも大きく、
前記読み出しトランジスタのゲートは、インジウムまたは亜鉛の少なくとも一つと、窒素と、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
書き込みワード線と、読み出しワード線と、ビット線と、ソース線と、Ｎチャネル型の書き込みトランジスタと、読み出しトランジスタと、キャパシタと、を有し、
前記書き込みトランジスタのソースは、前記読み出しトランジスタのゲートと接続され、
前記書き込みトランジスタのソースは、前記キャパシタの電極の一と接続され、
前記書き込みトランジスタのゲートは、前記書き込みワード線に接続され、
前記書き込みトランジスタのドレインは、前記ビット線に接続され、
前記読み出しトランジスタのドレインは、前記ビット線に接続され、
前記読み出しトランジスタのソースは、前記ソース線に接続され、
前記読み出しトランジスタのしきい値の絶対値は、前記ビット線のデータ電位の変動幅よりも大きく、
前記読み出しトランジスタのゲートは、仕事関数が５．２電子ボルト以上の材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記書き込みトランジスタは、酸化物半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記書き込みトランジスタは、バンドギャップが２．５電子ボルト以上の半導体を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記読み出しトランジスタは、単結晶シリコンを含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月29日(2015.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機金属錯体、発光素子、発光装置、表示装置、照明装置、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属と、
５−アリール−４Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル誘導体と、を有し、
前記金属は、第９族元素または第１０族元素であり、
前記５−アリール−４Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル誘導体の１位の窒素が前記金属に配位しており、
前記５−アリール−４Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル誘導体が３−アリール−５，６，７，８−テトラヒドロ−４Ｈ−［１，２，４］トリアゾロ［４，３−ａ］ピリジン類であり、
前記５−アリール−４Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル誘導体の５位のアリール基が前記金属に結合した有機金属錯体を一対の電極間に有する発光素子。
【請求項２】
請求項１において、前記金属がイリジウムである発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記有機金属錯体は、前記金属に前記５−アリール−４Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル誘導体が３つ配位したトリス体である発光素子。
【請求項４】
下記式（Ｇ１）で表される有機金属錯体。
【化１】
2013033954.tif 000001
（式中、Ａｒは置換又は無置換のフェニレン基、又は置換又は無置換のナフチレン基を表す。また、Ｒ１乃至Ｒ８はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至４のアルキル基のいずれかを表す。なお、向かい合う炭素が２価の置換基を共有することで、環を形成していても良い。）
【請求項５】
下記式（Ｇ２）で表される有機金属錯体。
【化２】
2013033954.tif 000002
（式中、Ｒ１乃至Ｒ８はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至４のアルキル基のいずれかを表す。なお、向かい合う炭素が２価の置換基を共有することで、環を形成していても良い。Ｒ１１乃至Ｒ１４はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至４のアルキル基、炭素数１乃至４のアルコキシ基、炭素数１乃至４のアルキルチオ基、炭素数１乃至４のハロアルキル基、ハロゲノ基及びフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項６】
下記式（Ｇ３）で表される有機金属錯体。
【化３】
2013033954.tif 000003
（式中、Ｒ１乃至Ｒ８はそれぞれ独立に、水素、炭素数１乃至４のアルキル基のいずれかを表す。なお、向かい合う炭素が２価の置換基を共有することで、環を形成していても良い。）
【請求項７】
下記式（１００）で表される有機金属錯体。
【化４】
2013033954.tif 000004
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
【請求項９】
請求項４乃至請求項７のいずれか一項に記載の有機金属錯体を発光中心物質として有する発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項３、請求項８及び請求項９のいずれか一項に記載の発光素子を光源として有する発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項３、請求項８及び請求項９のいずれか一項に記載の発光素子と当該発光素子を駆動する手段を備えた表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項３、請求項８及び請求項９のいずれか一項に記載の発光素子を光源として備えた照明装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項３、請求項８及び請求項９のいずれか一項に記載の発光素子を有する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月2日(2014.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体からの光を撮像素子に入射させる顕微観察用光学装置であって、
第１の倍率を有する前記物体側の光学系に対応する第１の開口を有し、前記物体からの光を前記撮像素子に通過させる真空容器内に配置されたコールドストップと、
第２の倍率を有する前記物体側の光学系に対応する第２の開口を有し、前記物体からの光を前記コールドストップに向けて通過させる前記真空容器外に配置された絞り部材であるウォームストップと、
前記ウォームストップを前記物体からの光の光軸上に出し入れ可能に支持する支持部材と、を備え、
前記ウォームストップは、前記撮像素子側に反射面を有し、
前記第２の開口は前記第１の開口より小さい、
ことを特徴とする顕微観察用光学装置。
【請求項２】
前記第２の倍率は前記第１の倍率より高い、
ことを特徴とする請求項１記載の顕微観察用光学装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記ウォームストップの前記第２の開口を、前記真空容器の前記物体側の窓部に近接する位置で出し入れ可能に構成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項４】
前記支持部材は、前記ウォームストップの前記第２の開口を、前記第２の倍率を有する前記光学系の瞳位置に対応する位置で出し入れ可能に構成されている、
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項５】
前記ウォームストップの前記反射面は、前記撮像素子に対して前記コールドストップを映し、かつ、前記撮像素子自体を映さないように形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項６】
前記ウォームストップの前記反射面には、前記開口側から外側にかけて、前記開口を含む面に対して傾斜が緩やかな第１の面と、当該面に対して傾斜が急な第２の面とが連続して形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項７】
前記反射面は、少なくとも１部が凹面状に形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項８】
前記ウォームストップと前記コールドストップとの間の前記真空容器外に設けられ、前記ウォームストップの前記開口に向かい合う開口を有し、前記撮像素子側に反射面が形成された絞り部材である補助ウォームストップをさらに備える、
ことを特徴とする請求項７記載の顕微観察用光学装置。
【請求項９】
前記ウォームストップの前記反射面の曲率半径は、前記撮像素子と前記ウォームストップとの距離の２倍以下である、
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項１０】
前記ウォームストップの前記反射面は、少なくとも１部が平面状に形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項１１】
前記ウォームストップの前記反射面は、少なくとも１部が円錐面状に形成されている、
ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項１２】
前記補助ウォームストップの前記反射面は、少なくとも１部が平面状に形成されている、
ことを特徴とする請求項８に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項１３】
前記補助ウォームストップの前記反射面は、少なくとも１部が円錐面状に形成されている、
ことを特徴とする請求項８に記載の顕微観察用光学装置。
【請求項１４】
前記支持部材は、複数のウォームストップを支持する、
ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の顕微観察用光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、ウォームストップ又は補助ウォームストップの反射面は、少なくとも１部が円錐面状に形成されていることも好適である。この場合も、簡易な形状によって撮像素子自体を反射した光が撮像素子に入射することを防止することができる。また、支持部材は、複数のウォームストップを支持することも好適である。こうすれば、例えば、物体側で使用する対物レンズの数に対応させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力面および出力面を有する多層光学デバイスであって、
第１の実屈折率１−δ１および第１の吸収係数β１を有する高率材料層と、
第２の実屈折率１−δ２および第２の吸収係数β２を有する低率材料層と、
前記高率材料層と低率材料層の間に配設される段階ゾーンであって、１−δ１＞１−δ３＞１−δ２であるような第３の実屈折率１−δ３および第３の吸収係数β３を有する段階層を備える段階ゾーンとを備え、
前記高率材料層、前記段階ゾーンおよび前記低率層のうちの１つまたは複数の少なくとも一部が、第１の方向に沿って１つまたは複数の起伏を備え、前記高率材料層、前記段階ゾーンおよび前記低率層のうちの１つまたは複数の少なくとも一部が、第１の方向に沿って１つまたは複数の無起伏部分を備える、多層光学デバイス。
【請求項２】
少なくとも１つの起伏が第２の方向に沿って曲げられる、請求項１記載の多層光学デバイス。
【請求項３】
前記第２の方向が前記第１の方向に対しほぼ垂直である、請求項２記載の多層光学デバイス。
【請求項４】
前記第２の方向が扇形ビーム方向である、請求項２または３に記載の多層光学デバイス。
【請求項５】
前記起伏が前記光学デバイスの中心軸に対して、前記第２の方向に外側に曲げられる、請求項２乃至４のいずれかに記載の多層光学デバイス。
【請求項６】
前記高率層、前記段階ゾーンおよび前記低率層が共形に配設される、請求項１記載の多層光学デバイス。
【請求項７】
２つ以上の多層セクションを備え、各多層セクションが、高率材料層、低率材料層および前記高率層と前記低率層の間に配設される段階ゾーンを有し、前記多層セクションの前記高率層が互いに隣接して配設されてコアを形成する、請求項１乃至６のいずれかに記載の多層光学デバイス。
【請求項８】
２つ以上の多層セクションを備え、前記２つの多層セクションが共通の高率層を有する、請求項１乃至７のいずれかに記載の多層光学デバイス。
【請求項９】
前記高率材料層の少なくとも一部がコアを備え、前記段階ゾーンが前記高率材料層の少なくとも一部上に配設され、前記低率材料層が前記段階ゾーンの少なくとも一部上に配設される、請求項１乃至８のいずれかに記載の多層光学デバイス。
【請求項１０】
前記コアの第１の面上に共形に配設される第１の段階ゾーンと、前記コアの第２の面上に共形に配設される第２の段階ゾーンとを備える、請求項９記載の多層光学デバイス。
【請求項１１】
前記多層光学デバイスの前記層のうちの少なくとも１つが、前記第１の方向に連続した起伏を備える、請求項１乃至１０のいずれかに記載の多層光学デバイス。
【請求項１２】
前記光学デバイスの層の少なくとも１つの起伏および無起伏部分が、同じまたは異なる材料を備える、請求項１乃至１１のいずれかに記載の多層光学デバイス。
【請求項１３】
前記光学デバイスの前記入力面上に配設されるフィルタリング領域をさらに備え、前記フィルタリング領域が、前記多層光学デバイスに入射するＸ線ビームから決定されたエネルギーレベルのＸ線ビームをフィルタ除去するように構成される、請求項１乃至１２のいずれかに記載の多層光学デバイス。
【請求項１４】
前記フィルタリング領域の外側面が多層スタックを備える、請求項１３記載の多層光学デバイス。
【請求項１５】
前記多層スタックが高屈折率材料および低屈折率材料の交互の層を備える、請求項１４記載の多層光学デバイス。
【請求項１６】
前記多層スタックが低率層と、高率層と前記高率層と低率層の間に配設される段階ゾーンとを備える、請求項１４記載の多層光学デバイス。
【請求項１７】
共形に配設される高率層、段階ゾーンおよび低率層を有する第１の多層セクションを提供するステップであって、前記高率層、前記段階ゾーンおよび前記低率層が第１の軸に沿って１つまたは複数の起伏を備え、少なくとも１つの起伏が第２の軸に沿って曲げられるステップと、
共形に配設される高率層、段階ゾーンおよび低率層を有する第２の多層セクションを提供するステップであって、前記高率層、前記段階ゾーンおよび前記低率層が前記第１の軸に沿って１つまたは複数の起伏を備え、少なくとも１つの起伏が前記第２の軸に沿って曲げられるステップと、
前記第１の多層セクションの前記高率層と前記第２の多層セクションの前記高率層が互いに隣接して配設されるように、前記第１の多層セクションを前記第２の多層セクション上に配設するステップと
を含む、光学デバイスを製作する方法。
【請求項１８】
前記第１の多層セクションおよび第２の多層セクションを提供するステップが、
第１のテンプレートおよび第２のテンプレートを提供するステップであって、前記第１のテンプレートおよび第２のテンプレートが、前記第１の多層セクションおよび第２の多層セクションの前記多層内の前記起伏に対応する１つまたは複数の溝を備えるステップと、
前記第１のテンプレートおよび第２のテンプレート上にそれぞれ前記第１の多層セクションおよび第２の多層セクションのうちの１つまたは複数の多層を共形に堆積するステップと
を含む、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
第１の面および第２の面を有する高率材料層を提供するステップであって、前記第１の面および第２の面が、前記第１の多層セクションおよび第２の多層セクションの前記多層内の前記起伏に対応する、前記１つまたは複数の溝を備えるステップと、
前記高率材料層の前記第１の面および第２の面上に段階ゾーンを共形に堆積するステップと、
対応する段階ゾーン上に低率材料層を共形に堆積するステップと
を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
第１の実屈折率１−δ１および第１の吸収係数β１を有する高率材料層、
第２の実屈折率１−δ２および第２の吸収係数β２を有する低率材料層、
前記高率材料層と低率材料層の間に配設される段階ゾーンであって、１−δ１＞１−δ３＞１−δ２であるような第３の実屈折率１−δ３および第３の吸収係数β３を有する段階層を備える段階ゾーンを備え、前記高率材料層、前記段階ゾーンおよび前記低率層のうちの１つまたは複数の少なくとも一部が、第１の方向に沿って１つまたは複数の起伏を備える多層光学デバイスを提供するステップと、
前記低率層の少なくとも一部および平面に沿った前記段階ゾーンの少なくとも一部を除去し、前記多層内に溝を形成するステップと、
前記溝の中に材料を堆積し、前記起伏を形成するステップと
を含む、光学デバイスを製作する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月2日(2015.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置に予め記憶されている画像を表示して行う単体キャリブレーションと、
外部装置から入力された画像信号に基づく画像を表示して行う連携キャリブレーションと、
を実行可能な表示装置であって、
単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する実行手段と、
外部装置からの画像信号の入力の有無を判定する判定手段と、
を有し、
前記実行手段は、単体キャリブレーションと続けて実行する連携キャリブレーションを実行できなかった場合に、前記判定手段で外部装置からの画像信号の入力が有ると判定されている期間に、連携キャリブレーションを実行する
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記実行手段は、単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する定期キャリブレーションを定期的に行う
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記実行手段は、単体キャリブレーションと続けて実行する連携キャリブレーションを実行できなかった場合に、前記判定手段で外部装置からの画像信号の入力が有ると判定されたタイミングで、連携キャリブレーションを実行する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記実行手段は、単体キャリブレーションと続けて実行する連携キャリブレーションを実行できなかった場合に、外部装置からの画像信号に基づく画像を表示するユーザ操作に応じて連携キャリブレーションを実行する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記実行手段は、単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する際に、現在時刻と、最後に連携キャリブレーションを実行した時刻との差が所定時間以上である場合には、単体キャリブレーションのみを実行する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記実行手段は、他の装置からの指示に応じて、単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
表示装置に予め記憶されている画像を表示して行う単体キャリブレーションと、
外部装置から入力された画像信号に基づく画像を表示して行う連携キャリブレーションと、
を実行可能な表示装置の制御方法であって、
単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する実行ステップと、
外部装置からの画像信号の入力の有無を判定する判定ステップと、
を有し、
前記実行ステップでは、単体キャリブレーションと続けて実行する連携キャリブレーションを実行できなかった場合に、前記判定ステップで外部装置からの画像信号の入力が有ると判定されている期間に、連携キャリブレーションを実行する
ことを特徴とする表示装置の制御方法。
【請求項８】
前記実行ステップでは、単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する定期キャリブレーションを定期的に行う
ことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の制御方法。
【請求項９】
前記実行ステップでは、単体キャリブレーションと続けて実行する連携キャリブレーションを実行できなかった場合に、前記判定ステップで外部装置からの画像信号の入力が有ると判定されたタイミングで、連携キャリブレーションを実行する
ことを特徴とする請求項７または８に記載の表示装置の制御方法。
【請求項１０】
前記実行ステップでは、単体キャリブレーションと続けて実行する連携キャリブレーションを実行できなかった場合に、外部装置からの画像信号に基づく画像を表示するユーザ操作に応じて連携キャリブレーションを実行する
ことを特徴とする請求項７または８に記載の表示装置の制御方法。
【請求項１１】
前記実行ステップでは、単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する際に、現在時刻と、最後に連携キャリブレーションを実行した時刻との差が所定時間以上である場合には、単体キャリブレーションのみを実行する
ことを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の表示装置の制御方法。
【請求項１２】
前記実行ステップでは、他の装置からの指示に応じて、単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する
ことを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の表示装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の表示装置は、
表示装置に予め記憶されている画像を表示して行う単体キャリブレーションと、
外部装置から入力された画像信号に基づく画像を表示して行う連携キャリブレーションと、
を実行可能な表示装置であって、
単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する実行手段と、
外部装置からの画像信号の入力の有無を判定する判定手段と、
を有し、
前記実行手段は、単体キャリブレーションと続けて実行する連携キャリブレーションを実行できなかった場合に、前記判定手段で外部装置からの画像信号の入力が有ると判定されている期間に、連携キャリブレーションを実行する
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の表示装置の制御方法は、
表示装置に予め記憶されている画像を表示して行う単体キャリブレーションと、
外部装置から入力された画像信号に基づく画像を表示して行う連携キャリブレーションと、
を実行可能な表示装置の制御方法であって、
単体キャリブレーションと連携キャリブレーションとを続けて実行する実行ステップと、
外部装置からの画像信号の入力の有無を判定する判定ステップと、
を有し、
前記実行ステップでは、単体キャリブレーションと続けて実行する連携キャリブレーションを実行できなかった場合に、前記判定ステップで外部装置からの画像信号の入力が有ると判定されている期間に、連携キャリブレーションを実行する
ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
チェックボックス１９０２〜１９０４は、キャリブレーション実行要求信号の送信対象の表示装置を設定するためのチェックボックスである。チェックボックス１９０２が選択されている場合には表示装置１が、チェックボックス１９０３が選択されている場合には表示装置２が、チェックボックス１９０４が選択されている場合には表示装置３がキャリブレーション実行要求信号の送信対象とされる。図１８の場合、表示装置２がキャリブレーション実行要求信号の送信対象とされる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタと、容量素子と、第１乃至第４のスイッチと、を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第１のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、負荷と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、前記容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
前記第４のスイッチの第２の端子は、第２の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、容量素子と、第１乃至第５のスイッチと、を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第１のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第５のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、負荷と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、前記容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
前記第４のスイッチの第２の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のスイッチの第２の端子は、第３の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トランジスタと、容量素子と、第１乃至第５のスイッチと、を有し、
前記トランジスタのゲートは、前記容量素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第１のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第１のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のスイッチの第１の端子と電気的に接続され、
前記第２のスイッチの第２の端子は、第１の配線と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、負荷と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの第２の端子は、前記容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
前記第４のスイッチの第２の端子は、第２の配線と電気的に接続され、
前記第５のスイッチの第２の端子は、第３の配線と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃請求項３のいずれか一項において、
前記トランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、又はそれらの混合物の支持基材と、伝導性フィラー構成成分、ポリシロキサン、及びビアリールポリカーボネートの混合物の層と、を有する中間転写部材であって、前記ビアリールポリカーボネートが、以下の式／構造によって表され、式中、ｍは約２０モル％であり、ｎは約８０モル％であり、前記ビアリールポリカーボネートは、約５，０００〜約１００，０００の範囲の数平均分子量を有し、約８，０００〜約３００，０００の範囲の重量平均分子量を有し、
【化１】
2013033250.tif 000001
前記部材は、電子写真現像された画像を受容し、前記部材は、約２，５００〜約５，０００メガパスカルのヤング率、および約７０〜約１５０メガパスカルの破断強度を有し、前記ポリシロキサンはポリジメチルシロキサンであり、前記伝導性フィラー構成成分はカーボンブラックであり、カーボンブラック／ビアリールポリカーボネート／ポリジメチルシロキサンの比は１２．８／８７／０．２であることを特徴とする中間転写部材。
【請求項２】
前記ｍは２０モル％であり、前記ｎは８０モル％であることを特徴とする請求項１に記載の中間転写部材。
【請求項３】
前記ｍは２０モル％であり、前記ｎは８０モル％であり、前記ビアリールポリカーボネートの数平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィ分析で、約３８，０００であることを特徴とする請求項１に記載の中間転写部材。
【請求項４】
前記ポリシロキサンはポリエーテルとポリジメチルシロキサンのコポリマー、ポリエステルとポリジメチルシロキサンのコポリマー、ポリアクリレートとポリジメチルシロキサンのコポリマー、又はポリエステルポリエーテルとポリジメチルシロキサンのコポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の中間転写部材。
【請求項５】
ビアリールポリカーボネート、ポリシロキサン、及び伝導性フィラー構成成分の混合物を有する中間転写部材であって、前記部材は、３，８００メガパスカルのヤング率、および１２０メガパスカルの破断強度を有し、前記混合物は金属基材から容易に離型可能であり、前記ビアリールポリカーボネートは、以下の式／構造によって表され、式中、ｍは２０モル％であり、ｎは８０モル％であり、前記ビアリールポリカーボネートは、約５，０００〜約１００，０００の範囲の数平均分子量を有し、約８，０００〜約３００，０００の範囲の重量平均分子量を有し、
【化２】
2013033250.tif 000002
前記部材は、電子写真現像された画像を受容し、前記ビアリールポリカーボネートは、約１８０℃〜約３００℃の範囲のガラス転移温度を有することを特徴とする中間転写部材。