【事件の表示】
　特願２０１５−２１８５１７「基板洗浄装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月２６日出願公開，特開２０１６−　９６３３７，請求項の数（１０）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は，平成２７年１１月６日（優先権主張　平成２６年１１月１１日）の出願であって，その手続の経緯の概要は，以下のとおりである。
　平成３０年１０月１６日付け：拒絶理由通知
　平成３１年　２月１３日　　：意見書，手続補正書の提出
　平成３１年　３月１２日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。）
　令和　１年　６月１１日　　：審判請求書，手続補正書の提出（以下この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
１．（進歩性）本願請求項１−１２に係る発明は，その優先権主張の日前に頒布された以下の引用文献１−１０に基づいて，その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
引用文献等一覧
　１．特開２００９−１１７７９４号公報
　２．特開２００６−２８６９４７号公報
　３．特開２０１３−４７０５号公報
　４．特公平７−９５５４０号公報
　５．特開２００６−１１４８８４号公報
　６．特開２００９−１６７５２号公報
　７．特開２００３−３３８４８０号公報
　８．特開平１０−７０１００号公報
　９．特開平１１−２８３９４８号公報
　１０．特開２００３−１８８１３８号公報
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正によって，請求項１，６の「２流体ジェット」に「キャリアガスを含む」という事項を追加する補正，及び，請求項１の「気体」に「キャリアガスを含む」という事項を追加する補正，及び，請求項６の「気体」に「２流体ノズルから前記ケーシング内に供給されたキャリアガスを含む」という事項を追加する補正，及び，請求項１０の「薬液供給ノズル」に「前記２流体ジェットが供給されている前記基板の面と同じ面に供給する」という事項を追加する補正は，いずれも特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の限定的減縮に該当する。また，当該補正は，当初明細書の段落【００４４】，【００５３】，【００７３】等に記載された事項であり，新規事項を追加するものではないといえる。
　また，本件補正前の請求項２，３を削除する補正，及び，それ以降の請求項の項番号を繰り上げる補正は，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除に該当する。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，本件補正後の請求項１−１０に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−１０に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１０」という。）は，令和１年６月１１日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　基板を保持する基板保持機構と，
　前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構と，
　前記基板の表面に向けて
キャリアガスを含む
　前記基板の周囲に配置されるカバーと，
　前記カバーを回転させるカバー回転機構と，
　前記２流体ノズルから供給された洗浄液を
前記キャリアガスを含む
を備え，
　前記カバー回転機構は，前記基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させ，
　前記排出孔からの排気量は，排気量より給気量が低くなるように制御されていることを特徴とする基板洗浄装置。
　　【請求項２】
　前記カバー回転機構は，前記基板と同一の角速度で前記カバーを回転させる，請求項
１に
　　【請求項３】
　前記基板の外端と前記カバーの先端との径方向の距離Ａは，２ｍｍ〜８０ｍｍの範囲に設定され，
　前記基板と前記カバーの先端との高さ方向の距離Ｂは，３ｍｍ〜５０ｍｍの範囲に設定され，
　前記基板の外端と前記カバーの内周面との径方向の距離Ｃは，２ｍｍ〜８０ｍｍの範囲に設定される，請求項１
または請求項２
　　【請求項４】
　前記基板の外端と前記カバーの先端との径方向の距離Ａは，２ｍｍに設定され，
　前記基板と前記カバーの先端との高さ方向の距離Ｂは，１５ｍｍに設定され，
　前記基板の外端と前記カバーの内周面との径方向の距離Ｃは，１９ｍｍに設定される，
請求項３に記載の基板洗浄装置。
　　【請求項５】
　前記２流体ノズルは，前記基板の回転方向の上流側に向けて前記２流体ジェットを噴出するように，所定角度で傾けて設けられている，請求項１に記載の基板洗浄装置。
　　【請求項６】
　基板を保持する基板保持機構と，
　前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構と，
　前記基板の表面に向けて
キャリアガスを含む
　前記基板の周囲に配置されるカバーと，
　前記カバーを回転させるカバー回転機構と，
を備え，
　前記カバー回転機構は，前記基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させる基板洗浄装置であって，
　前記基板洗浄装置は，
　前記基板洗浄装置を収容するケーシングと，
　前記ケーシングの壁面に設けられ，前記ケーシング内に気体を流入させる一対の気体流入口と，
　前記ケーシングの下部に設けられ，
前記２流体ノズルから前記ケーシング内に供給されたキャリアガスを含む
を備え，
　前記一対の気体流入口は，前記ケーシングの対向する壁面に設けられ，前記基板より高い位置に配置されていることを特徴とする基板洗浄装置。
　　【請求項７】
　前記基板洗浄装置の上流側および下流側には，それぞれ基板搬送エリアが隣接して設けられており，
　前記気体流入口は，前記基板搬送エリアの送風ユニットから送風される気体を前記ケーシング内に導入する，請求項６に記載の基板洗浄装置。
　　【請求項８】
　前記気体流入口には，前記ケーシング内に前記気体を供給するための気体供給ラインが接続されている，請求項６に記載の基板洗浄装置。
　　【請求項９】
　前記２流体ノズルは，導電性部材で構成される，請求項１
〜請求項８のいずれか
　　【請求項１０】
　基板を保持する基板保持機構と，
　前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構と，
　前記基板の表面に向けて２流体ジェットを噴出させる２流体ノズルと，
　前記基板の周囲に配置されるカバーと，
　前記カバーを回転させるカバー回転機構と，
を備え，
　前記カバー回転機構は，前記基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させる基板洗浄装置であって，
　前記基板洗浄装置は，
　前記２流体ジェットが前記基板の面に供給されている際に，導電性を有する薬液を
前記２流体ジェットが供給されている
の面と同じ面
第５　引用文献，引用発明等
１．引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は当審で付加した。以下同じ。）
「【請求項１】
　基板を水平に保持する基板保持機構と，
　前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる回転機構と，
　前記基板に洗浄液を供給する液供給ノズルと，
　前記基板の周囲に配置され，前記基板と略同一の速度で回転する回転カバーとを備え，
　前記回転カバーは，前記基板を囲む内周面を有し，
　前記内周面は，その下端から上端まで，径方向内側に傾斜していることを特徴とする基板洗浄装置。」
「【請求項３】
　前記基板と前記回転カバーとを，回転軸に沿って相対移動させる相対移動機構をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。」
「【０００１】
　
本発明は，基板に洗浄液（例えば，純水や薬液）を供給して基板を洗浄し，洗浄した基板を乾燥させる基板洗浄装置に関するものである
「【００１１】
　本発明の実施形態に係る基板洗浄装置について図面を参照して説明する。 図１は本発明の第１の実施形態に係る基板洗浄装置を模式的に示す断面図である。図２は図１の基板洗浄装置の平面図である。 
図１に示すように，基板洗浄装置は，基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１と，基板保持機構１を介して基板Ｗをその中心軸周りに回転させるモータ（回転機構）２と，基板Ｗの周囲に配置される回転カバー３と，基板Ｗの表面（フロント面）に洗浄液として純水を供給するフロントノズル４とを備えている。洗浄液としては，純水以外に薬液が挙げられる
【００１２】
　
基板保持機構１は，基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャック１０と，これらチャック１０が固定される円形の第１のステージ１１Ａと，この第１のステージ１１Ａを支持する中空状の第１の支持軸１２Ａと，第１のステージ１１Ａを収容する凹部を有する円形の第２のステージ１１Ｂと，第２のステージ１１Ｂを支持する中空状の第２の支持軸１２Ｂとを有している。第１の支持軸１２Ａは，第２の支持軸１２Ｂの内部を通って延びている。すなわち，第１のステージ１１Ａ，第２のステージ１１Ｂ，第１の支持軸１２Ａ，および第２の支持軸１２Ｂは，同軸上に配置されている。回転カバー３は，第２のステージ１１Ｂの端部に固定され，第２のステージ１１Ｂと回転カバー３とは同軸上に配置されている。チャック１０に保持された基板Ｗと回転カバー３とは同軸上に位置する
【００１３】
　
第１の支持軸１２Ａと第２の支持軸１２Ｂとは直動ガイド機構１５によって連結されている。この直動ガイド機構１５は，第１の支持軸１２Ａと第２の支持軸１２Ｂの長手方向（回転軸方向）の相対移動を許容しつつ，第１の支持軸１２Ａと第２の支持軸１２Ｂとの間でトルクの伝達を可能とするものである
【００１４】
　
第２の支持軸１２Ｂの外周面にはモータ２が連結されている。モータ２のトルクは，直動ガイド機構１５を介して第１の支持軸１２Ａに伝達され，これによりチャック１０に保持された基板Ｗが回転する。第１のステージ１１Ａと第２のステージ１１Ｂとは，直動ガイド機構１５を介して常に同期して回転する。すなわち，基板Ｗと回転カバー３とは一体に回転し，両者の相対速度は０となる。なお，基板Ｗと回転カバー３との間に若干の速度差があってもよい。この場合は，基板Ｗと回転カバー３をそれぞれ別々の回転機構により回転させることができる。なお，本明細書において，基板Ｗと回転カバー３とを略同一の速度で回転させるとは，基板Ｗと回転カバー３とを同一の方向に略同一の角速度で回転させることをいい，互いに逆方向に回転させることを含まない
【００１５】
　
第１の支持軸１２Ａには，上下動機構としてのアクチュエータ２３が連結機構２４を介して連結されている。連結機構２４は，第１の支持軸１２Ａの回転を許容しつつ，アクチュエータ２３の回転軸方向の駆動力を第１の支持軸１２Ａに伝達する。図３に示すように，アクチュエータ２３は，連結機構２４を介して第１のステージ１１Ａ，第１の支持軸１２Ａ，およびチャック１０（すなわち基板Ｗ）を上下動させる。このように，アクチュエータ２３は，基板Ｗと回転カバー３とを回転軸に沿って相対移動させる相対移動機構として機能する
【００１６】
　
第１の支持軸１２Ａの内部には，洗浄液供給源に接続されたバックノズル１７と，乾燥気体供給源に接続されたガスノズル１８とが配置されている。洗浄液供給源には，洗浄液として純水が貯留されており，バックノズル１７を通じて基板Ｗの裏面に純水が供給されるようになっている。また，乾燥気体供給源には，乾燥気体として，Ｎ２ガスまたは乾燥空気などが貯留されており，ガスノズル１８を通じて基板Ｗの裏面に乾燥気体が供給されるようになっている
【００１７】
　
フロントノズル４は，基板Ｗの中心を向いて配置されている。このフロントノズル４は，図示しない純水供給源（洗浄液供給源）に接続され，フロントノズル４を通じて基板Ｗの表面の中心に純水が供給されるようになっている。また，基板Ｗの上方には，ロタゴニ乾燥を実行するための２つのノズル２０，２１が並列して配置されている。ノズル２０は，基板Ｗの表面にＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ２ガスとの混合気）を供給するためのものであり，ノズル２１は基板Ｗの表面の乾燥を防ぐために純水を供給するものである。これらノズル２０，２１は基板Ｗの径方向に沿って移動可能に構成されている
【００１８】
　図４は，基板保持機構１を示す平面図である。図１および図４に示すように，
第２のステージ１１Ｂには，複数の排出孔２５が形成されている。これら排出孔２５は，回転カバー３の下端に位置する上部開口と，第２のステージ１１Ｂの下面に位置する下部開口とを有している。排出孔２５は，図４に示すように，回転カバー３の周方向に延びる長孔であり，排出孔２５は，その下部開口に向かって径方向外側に傾斜している。上述したフロントノズル４およびバックノズル１７から供給された洗浄液（純水）やノズル２１から供給された純水は，ガスノズル１８からのガスや周囲雰囲気（通常は空気）とともにこの排出孔２５を通じて排出される
「【図１】
」
（２）上記（１）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板に洗浄液（例えば，純水や薬液）を供給して基板を洗浄し，洗浄した基板を乾燥させる基板洗浄装置であって，
　基板洗浄装置は，基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１と，基板保持機構１を介して基板Ｗをその中心軸周りに回転させるモータ（回転機構）２と，基板Ｗの周囲に配置される回転カバー３と，基板Ｗの表面（フロント面）に洗浄液として純水または薬液を供給するフロントノズル４とを備え，
　基板保持機構１は，基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャック１０と，これらチャック１０が固定される円形の第１のステージ１１Ａと，この第１のステージ１１Ａを支持する中空状の第１の支持軸１２Ａと，第１のステージ１１Ａを収容する凹部を有する円形の第２のステージ１１Ｂと，第２のステージ１１Ｂを支持する中空状の第２の支持軸１２Ｂとを有し，第１の支持軸１２Ａは，第２の支持軸１２Ｂの内部を通って延び，第１のステージ１１Ａ，第２のステージ１１Ｂ，第１の支持軸１２Ａ，および第２の支持軸１２Ｂは，同軸上に配置され，回転カバー３は，第２のステージ１１Ｂの端部に固定され，第２のステージ１１Ｂと回転カバー３とは同軸上に配置され，チャック１０に保持された基板Ｗと回転カバー３とは同軸上に位置し，
　第１の支持軸１２Ａと第２の支持軸１２Ｂとは直動ガイド機構１５によって連結され，この直動ガイド機構１５は，第１の支持軸１２Ａと第２の支持軸１２Ｂの長手方向（回転軸方向）の相対移動を許容しつつ，第１の支持軸１２Ａと第２の支持軸１２Ｂとの間でトルクの伝達を可能とするものであって，
　第２の支持軸１２Ｂの外周面にはモータ２が連結され，モータ２のトルクは，直動ガイド機構１５を介して第１の支持軸１２Ａに伝達され，これによりチャック１０に保持された基板Ｗが回転し，第１のステージ１１Ａと第２のステージ１１Ｂとは，直動ガイド機構１５を介して常に同期して回転し，基板Ｗと回転カバー３とは一体に回転し，基板Ｗと回転カバー３とを同一の方向に略同一の角速度で回転させ，両者の相対速度は０となり，
　第１の支持軸１２Ａには，上下動機構としてのアクチュエータ２３が連結機構２４を介して連結され，連結機構２４は，第１の支持軸１２Ａの回転を許容しつつ，アクチュエータ２３の回転軸方向の駆動力を第１の支持軸１２Ａに伝達し，アクチュエータ２３は，連結機構２４を介して第１のステージ１１Ａ，第１の支持軸１２Ａ，およびチャック１０（すなわち基板Ｗ）を上下動させ，アクチュエータ２３は，基板Ｗと回転カバー３とを回転軸に沿って相対移動させる相対移動機構として機能し，
　第１の支持軸１２Ａの内部には，洗浄液供給源に接続されたバックノズル１７と，乾燥気体供給源に接続されたガスノズル１８とが配置され，洗浄液供給源には，洗浄液として純水が貯留されており，バックノズル１７を通じて基板Ｗの裏面に純水が供給され，乾燥気体供給源には，乾燥気体として，Ｎ２ガスまたは乾燥空気などが貯留されており，ガスノズル１８を通じて基板Ｗの裏面に乾燥気体が供給されるようになっており，
　フロントノズル４は，基板Ｗの中心を向いて配置され，このフロントノズル４は，純水供給源（洗浄液供給源）に接続され，フロントノズル４を通じて基板Ｗの表面の中心に純水が供給されるようになっており，基板Ｗの上方には，ロタゴニ乾燥を実行するための２つのノズル２０，２１が並列して配置され，ノズル２０は，基板Ｗの表面にＩＰＡ蒸気（イソプロピルアルコールとＮ２ガスとの混合気）を供給するためのものであり，ノズル２１は基板Ｗの表面の乾燥を防ぐために純水を供給し，これらノズル２０，２１は基板Ｗの径方向に沿って移動可能に構成され，
　排出孔２５は，フロントノズル４およびバックノズル１７から供給された洗浄液（純水）やノズル２１から供給された純水を，ガスノズル１８からのガスや周囲雰囲気（通常は空気）とともに排出する
　基板洗浄装置。」
２．引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　本発明は，
半導体ウエハやディスプレイ等の電子デバイスを洗浄する電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置
「【００１９】
　
洗浄部２０は，制御部６０により制御される電動モータ２１と，この電動モータ２１の回転軸２２に取り付けられ，半導体ウエハＷを保持するスピンチャック２３と，スピンチャック２３に対向して配置された二流体ノズル３０
【００２０】
　
二流体ノズル３０は，図２に示すように，接地されたノズル本体３１と，このノズル本体３１の中心部に設けられ，高圧窒素が通流するガス流路３２と，このガス流路３２を囲むようにして配置され，洗浄水が通流する洗浄水路３３とを備えている
「【図２】
」
（２）上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア．半導体ウエハやディスプレイ等の電子デバイスを洗浄する電子デバイス洗浄装置において，高圧窒素が通流するガス流路３２と，このガス流路３２を囲むようにして配置され，洗浄水が通流する洗浄水路３３とを備える二流体ノズル３０を用いて電子デバイスを洗浄すること。
３．引用文献３について
（１）引用文献３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　
本発明は，基板処理方法及び基板処理ユニットに関し，特に半導体ウェハなどの基板の表面の洗浄や乾燥等の処理を基板に接触することなく非接触で行うのに用いられる基板処理方法及び基板理処理ユニットに関する
「【００３０】
　図２及び図３に示すように，本発明の実施形態の基板処理ユニットとしての第２洗浄ユニット１８は，図示しないチャック等で保持され該チャック等の回転で回転する基板Ｗの周囲を囲繞する洗浄槽４０と，この処理槽４０の側方に立設した回転自在な支持軸４２と，この支持軸４２の上端に基部を連結した水平方向に延びる揺動アーム４４を備えている。
揺動アーム４４の自由端（先端）に，流体ノズル（２流体ノズル）４６が上下動自在に取り付けられている
【００３１】
　
流体ノズル４６には，Ｎ２ガス等のキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン５０と，純水またはＣＯ２ガス溶解水等の洗浄液を供給する洗浄液供給ライン５２が接続されており，流体ノズル４６の内部に供給されたＮ２ガス等のキャリアガスと純水またはＣＯ２ガス溶解水等の洗浄液を流体ノズル４６から高速で噴出させることで，キャリアガス中に洗浄液が微小液滴（ミスト）として存在する２流体ジェット流が生成される。この流体ノズル４６で生成される２流体ジェット流を回転中の基板Ｗの表面に向けて噴出させて衝突させることで，微小液滴の基板表面への衝突で発生した衝撃波を利用した基板表面のパーティクル等を除去（洗浄）を行うことができる
（２）上記記載から，引用文献３には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア．半導体ウェハなどの基板の表面の洗浄や乾燥等の処理を基板に接触することなく非接触で行うのに用いられる基板理処理ユニットに関して，Ｎ２ガス等のキャリアガスを供給するキャリアガス供給ライン５０と，純水またはＣＯ２ガス溶解水等の洗浄液を供給する洗浄液供給ライン５２が接続された２流体ノズル４６を用いて，基板表面のパーティクル等を除去（洗浄）すること。
４．引用文献４について
（１）引用文献４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
板状の被洗浄基板を回転させながら，前記基板の両面に基板の回転方向に逆らって，かつ基板面と鋭角の傾斜をもって超音波振動が伝搬された洗浄液を基板の回転中心軸の半径方向に走査移動させながら集中的に噴射，浴びせることを特徴とする超音波スプレイノズルを用いた基板両面の洗浄方法
「第３図（ａ）は被洗浄基板１の回転方向（矢印17）とスプレイノズル５の走査移動方向18を示した説明図，
第３図（ｂ）はスプレイノズル５の基板面１に対する傾斜角θと，ノズル先端から基板面迄の距離ｄを説明するための図である
「【図３】
」
（２）上記記載から，引用文献４には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア．超音波スプレイノズルを用いて，超音波振動が伝搬された洗浄液を基板の回転中心軸の半径方向に走査移動させながら集中的に噴射，浴びせることで基板両面を洗浄すること。
イ．スプレイノズル５を基板面１に対して傾斜角θで設けること。
５．引用文献５について
（１）引用文献５の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
　
本発明は，半導体デバイスの製造に用いられる基板（半導体ウエハ等）に洗浄処理を施す基板洗浄処理装置及び基板処理ユニットに関するものである
「【００５９】
　以下，本発明の実施の形態例を図面に基いて説明する。図１及び図２は本発明に係る基板洗浄処理装置の実施の形態を示す図で，図１は概略斜視図，図２は概略平面図である。
この基板洗浄処理装置はベース一体型の１つのフレーム１に，基板を搬送する基板搬送装置としての固定式の搬送ロボット２と，基板の処理を行なう基板処理ユニット３，３と，基板収納カセット４，４を載置する基板ロードポート５，５と，基板処理ユニット３，３へ処理液を供給する処理液供給装置６を搭載している
【００６０】
　
フレーム１の天井部にはファンフィルタユニット７が取り付けられ，フレーム１の上部には制御盤８が搭載されている。また，基板処理ユニット３，３の外側側部には計装部９，９と排気ダクト１０，１０が配置されている
「【００６６】
　
図６及び図７は，本発明に係る基板洗浄処理装置内の空気の流れ（気流）を示す図である。この基板洗浄処理装置は通常クリーンルーム内に設置され，クリーンルーム内から取り入れた空気はファンフィルタユニット７を通ってパーティクル等が除去され，装置内に導入される。装置内では図６に矢印Ａで示すロード側領域から矢印Ｂで示す処理側領域に空気が流れるようになっている。図７に示すように，ファンフィルタユニット７を通った空気は，その一部が下降気流Ａ０１として基板搬送室１１内を下降し，他の空気Ａ０２は基板処理ユニット３の上部に導かれ，分散された下降気流Ａ０３となって基板処理ユニット３の天井から基板処理ユニット３内を下降する
【００６７】
　
基板搬送室１１の空気の一部は図６に示すように，基板搬送室１１と基板処理ユニット３の間に設けた供給量調節自在なダンパー１２を介して気流Ａ０９として基板処理ユニット３内に導かれる
【００６８】
　また，
基板処理ユニット３内では各種の処理液や洗浄液が取り扱われるから空気はこれらのミスト等により汚染されており，基板処理ユニット３内の空気はその底部から排気Ａ０５となって専用の排気ダクト１０を通って排気される
「【図６】
」
「【図７】
」
（２）上記記載から，引用文献５には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア．半導体デバイスの製造に用いられる基板に洗浄処理を施す基板洗浄処理装置及び基板処理ユニットにおいて，ファンフィルタユニット７を通った空気は，その一部が下降気流Ａ０１として基板搬送室１１内を下降し，他の空気Ａ０２は基板処理ユニット３の上部に導かれ，分散された下降気流Ａ０３となって基板処理ユニット３の天井から基板処理ユニット３内を下降し，基板搬送室１１の空気の一部は基板搬送室１１と基板処理ユニット３の間に設けた供給量調節自在なダンパー１２を介して気流Ａ０９として基板処理ユニット３内に導かれ，基板処理ユニット３内では各種の処理液や洗浄液が取り扱われるから空気はこれらのミスト等により汚染されており，基板処理ユニット３内の空気はその底部から排気Ａ０５となって専用の排気ダクト１０を通って排気されること。
６．引用文献６について
（１）引用文献６の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　
処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置であって，
　基板を保持する保持部と，
　
前記基板上に純水および導電性液体を処理液としてそれぞれ供給する処理液供給部と，
　本体が絶縁材料または半導電材料にて形成され，前記保持部の周囲を囲んで前記基板から飛散する処理液を受け止める周壁部を有するカップ部と，
　前記導電性液体の前記基板上への供給が開始される際に前記カップ部の静電容量を第１容量とし，前記基板上に供給された前記純水が前記周壁部へ飛散する期間の少なくとも途中から前記純水の飛散が終了するまでの間，前記カップ部の静電容量を前記第１容量よりも小さい第２容量とする静電容量変更部と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。」
「【００２６】
　処理液供給部３は，供給管３１に接続される吐出部３２を有する。供給管３１は吐出部３２とは反対側にて分岐しており，一方は純水用バルブ３３１を介して純水（すなわち，脱イオン水）の供給源へと接続され，他方は薬液用バルブ３３２を介して所定の薬液の供給源へと接続される。
処理液供給部３では，純水用バルブ３３１または薬液用バルブ３３２が開放されることにより，吐出部３２から純水および（希釈された）薬液が処理液としてそれぞれ基板９上に供給される。吐出部３２から吐出される上記薬液は水を含む液体であり，導電性を有している
（２）上記記載から，引用文献６には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア．処理液を基板に供給して前記基板を処理する基板処理装置において，吐出部３２から，水を含み導電性を有する薬液を基板９に供給すること。
７．引用文献７について
（１）引用文献７の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は基板を回転させながら処理液によって処理したり，処理液によって処理された基板を乾燥処理するスピン処理装置に関する
「【００１３】
【発明が解決しようとする課題】処理槽内の圧力が変動すると，処理槽内における空気の流れも変動することが避けられない。たとえば，ファン・フィルタユニットから所定量の清浄空気が供給されているときに運転されるスピン処理装置の数が増加すると，各処理槽の排気ポンプによる排気量が減少する。
【００１４】
排気量が減少すると，ファン・フィルタユニットからの清浄空気の供給量が排気量よりも多くなり，処理槽内の圧力が上昇して処理槽内に供給された空気がカップ体を通じて円滑に排出され難くなる
【００１５】その結果，処理槽内には乱流が発生し，その乱流がカップ体の外周面に沿って流れ，一部はカップ体の上面に形成された開口部から内部に流入する虞がある。処理槽内で生じた乱流には，処理槽の内面に付着した塵埃が含まれ易くなる。そのため，乱流の一部がカップ体内に入り込むことで，基板が汚染されるということがある。」
「【００３４】つまり，
ファン・フィルタユニット３２からの清浄空気の供給量に対し，排出管５からの排出量がほぼ同じ或いはわずかに多い状態であれば，ファン・フィルタユニット３２から処理槽１内に供給された清浄空気は，カップ体２内を通って円滑に排出されるから，処理槽１内で乱流が生じることがない
（２）上記記載から，引用文献７には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア　基板を回転させながら処理液によって処理したり，処理液によって処理された基板を乾燥処理するスピン処理装置において，ファン・フィルタユニット３２からの清浄空気の供給量に対し，排出管５からの排出量がほぼ同じ或いはわずかに多い状態とすることで，ファン・フィルタユニット３２から処理槽１内に供給された清浄空気は，カップ体２内を通って円滑に排出され，処理槽１内で乱流が生じることがないこと。
８．引用文献８について
（１）引用文献８の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献８には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，リソグラフィー処理工程等で基板の洗浄・塗布処理を行う基板処理装置に関するものである
「【００１８】又，
本発明の基板処理装置は，処理チャンバーを，インナーカップとアウターチャンバーとで構成すると，ダウンフロー部の風量＜排気量に制御すれば，風量の差分が，インナーカップとアウターチャンバーとの間を通過するので，インナーカップ内では押し込み風量≒排気量になり，前記の龍巻現象が発生せず，前記処理チャンバー内の風量の分布が均一になり，排気に対するデッドポイントが無くなり，塗布ノズルによる塗布膜の均一性が向上し，洗浄作業や塗布作業後に処理チャンバー内に残る水や有機溶剤の霧の排出が短時間で終了するための制御が容易になる
（２）上記記載から，引用文献８には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア．リソグラフィー処理工程等で基板の洗浄・塗布処理を行う基板処理装置に関して，ダウンフロー部の風量＜排気量に制御すれば，風量の差分が，インナーカップとアウターチャンバーとの間を通過するので，インナーカップ内では押し込み風量≒排気量になり，龍巻現象が発生せず，前記処理チャンバー内の風量の分布が均一になり，排気に対するデッドポイントが無くなり，塗布ノズルによる塗布膜の均一性が向上し，洗浄作業や塗布作業後に処理チャンバー内に残る水や有機溶剤の霧の排出が短時間で終了するための制御が容易になること。
９．引用文献９について
（１）引用文献９の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献９には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は，半導体ウエハ，液晶表示装置用ガラス基板等のフラットパネルディスプレイ用基板およびフォトマスク用ガラス基板などの被処理基板を回転させながら，この基板に所定の処理を施すための基板回転処理装置に関する
「【００２７】なお，第１および第２の蓋体２１，２２の間隔ｄは，ダウンフローの取り入れが良好に行え，かつ，裏面ノズルＮ３，Ｎ４からの処理液の外部への漏洩を防止できるように定められればよく，たとえば，１ｍｍ以上５ｍｍ以下とされることが好ましく，２ｍｍ以上３ｍｍ以下とすることがさらに好ましい。図３は，この発明の第２の実施形態に係る基板回転処理装置の内部構成を説明するための図解的な断面図であり，図４は，その平面図である。この図３において，上述の図１に示された各部に相当する部分には図１の場合と同一の参照符号を付して示す。この実施形態では，処理カップ３などを収容している処理チャンバ５Ａは，ほぼ円筒状に形成されている。そして，この処理チャンバ５Ａの上方の開口４Ａは，第１の蓋体４１と，円板状の第２の蓋体４２とによって閉塞されている。より具体的には，第１の蓋体４１が開口４Ａを閉塞するように配置されており，この第１の蓋体４１の上に第２の蓋体４２が配設されている。
【００２８】
第１の蓋体４１は，平面視において格子状に配列された複数の開口部４５を有している。また，第２の蓋体４２は，天面部４２Ａを有する円筒状，すなわちキャップ状に形成されており，その側面部４２Ｂには，クリーンルーム内のダウンフロー３０を側方から第１の蓋体４１の上方の空間へと取り込むためのほぼ矩形の開口部４６が，たとえば周方向に沿って等間隔に４個形成されている
「【図３】
」
（２）上記記載から，引用文献９には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア．半導体ウエハ，液晶表示装置用ガラス基板等のフラットパネルディスプレイ用基板およびフォトマスク用ガラス基板などの被処理基板を回転させながら，この基板に所定の処理を施すための基板回転処理装置に関して，クリーンルーム内のダウンフロー３０を側方から第１の蓋体４１の上方の空間へと取り込むためのほぼ矩形の開口部４６を複数設けること。
１０．引用文献１０について
（１）引用文献１０の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１０には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は，液処理方法及び液処理装置に関するもので，更に詳細には，例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板等の基板の表面に所定の処理例えば洗浄処理を施す液処理方法及び液処理装置に関するものである
「【００６４】上記のように構成される洗浄ユニット６０によれば，スピンチャック６２を回転させた状態で，洗浄液供給ノズル６３を待機位置からウエハＷの上方のＸ方向にスキャンさせて洗浄処理を行うことができる。この洗浄処理工程において，図１０及び図１１に示したように，
洗浄液である純水がウエハＷの表面に噴射（供給）され，発散されることで，ウエハＷ表面側が帯電されウエハＷ表面側にマイナスの残留電荷が蓄積される。この現象を防止するために，洗浄処理工程中に，開閉弁Ｖ1，Ｖ2を開いて管状ノズル６５ａを介して純水をウエハＷの裏面中心部に供給すると，除電用の純水は負帯電材である管状ノズル６５ａとの摩擦接触によってマイナスに帯電されて，ウエハＷ裏面側に噴射（供給）される。これにより，ウエハＷはマイナスの電荷を帯びるので反発作用によってウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを抑制することができる。この際，ＣＰＵ６００から予め記憶されたレシピに基づく信号を開閉弁Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3，Ｖ4及びマスフローコントローラＭＦ1，ＭＦ2，ＭＦ3，ＭＦ4に伝達することにより除電用流体（純水）の帯電量が制御される
（２）上記記載から，引用文献１０には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア．半導体ウエハやＬＣＤ基板等の基板の表面に洗浄処理を施す液処理装置に関して，洗浄液である純水を，負帯電材である管状ノズル６５ａとの摩擦接触によってマイナスに帯電させ，ウエハＷ裏面側に噴射（供給）することで，ウエハＷはマイナスの電荷を帯び，反発作用によってウエハＷの表面側がマイナスに帯電されるのを抑制することができること。
第６　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア．引用発明の「基板Ｗ」，「基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１」は，本願発明１の「基板」，「基板を保持する基板保持機構」にそれぞれ相当する。
イ．引用発明の「基板保持機構１を介して基板Ｗをその中心軸周りに回転させるモータ（回転機構）２」は，本願発明１の「前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構」に相当する。
ウ．引用発明の「ノズル２１」は，「基板Ｗの表面の乾燥を防ぐために純水を供給」するものであるから，本願発明１の「基板の表面に向けてキャリアガスを含む２流体ジェットを噴出させる２流体ノズル」と，後記相違点１で相違するものの，「基板の表面に向けて」液体を噴出させる「ノズル」である点で一致する。
エ．引用発明の「基板Ｗの周囲に配置される回転カバー３」は，本願発明１の「基板の周囲に配置されるカバー」に相当する。
オ．引用発明の「モータ２」は，「モータ２のトルクは，直動ガイド機構１５を介して第１の支持軸１２Ａに伝達され，これによりチャック１０に保持された基板Ｗが回転し，第１のステージ１１Ａと第２のステージ１１Ｂとは，直動ガイド機構１５を介して常に同期して回転し，基板Ｗと回転カバー３とは一体に回転」するから，「モータ２」によって「回転カバー３」と「基板Ｗ」は同一の回転方向に回転するといえる。よって，引用発明の「モータ２」は，本願発明１の「カバーを回転させ」，「基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させ」る「カバー回転機構」に相当する。
カ．引用発明の「排出孔２５」は，「フロントノズル４およびバックノズル１７から供給された洗浄液（純水）やノズル２１から供給された純水」を排出するから，本願発明１の「２流体ノズルから供給された洗浄液を前記キャリアガスを含む気体とともに排出する排出孔」と，後記相違点２，３で相違するものの，ノズルから供給された液体を排出する排出孔である点で一致する。
キ．引用発明の「基板洗浄装置」は，本願発明１の「基板洗浄装置」に相当する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 
 ＜一致点＞
「基板を保持する基板保持機構と，
　前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構と，
　前記基板の表面に向けて液体を噴出させるノズルと，
　前記基板の周囲に配置されるカバーと，
　前記カバーを回転させるカバー回転機構と，
　前記ノズルから供給された液体を排出する排出孔と，
を備え，
　前記カバー回転機構は，前記基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させることを特徴とする基板洗浄装置。」
＜相違点＞
（相違点１）
　本願発明１の「ノズル」は，「キャリアガスを含む２流体ジェットを噴出させる２流体ノズル」であるのに対して，引用発明の「ノズル２１」はこの点について特定されていない点。
（相違点２）
　本願発明１の「排出孔」は，「前記２流体ノズルから供給された洗浄液を前記キャリアガスを含む気体とともに排出する」のに対して，引用発明の「排出孔２５」は，この点について特定されていない点。
（相違点３）
　「排出孔」について，本願発明１は「排出孔からの排気量は，排気量より給気量が低くなるように制御されている」のに対して，引用発明はこの点について特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　事案に鑑み，まず，上記相違点２について検討する。
　上記第５の３．で指摘した通り，２流体ジェットはＮ２ガス等のキャリアガスと洗浄液とを流体ノズルから高速で噴出させることで，キャリアガス中に洗浄液が微小液滴（ミスト）として存在する２流体ジェット流が生成され，これを基板の表面に向けて噴出させて衝突させることで，微小液滴の基板表面への衝突で発生した衝撃波を利用した基板表面のパーティクル等を洗浄する方式であるところ，その洗浄力は，キャリアガスを用いず洗浄液のみで洗浄を行う方式よりも大きく，より強力に基板表面のパーティクルを除去する方式と理解される。
　一方，引用発明が適用される工程は，基板の洗浄が完了した後のロタゴニ乾燥の工程であるところ，当該ロタゴニ乾燥が開始される時点で，既に基板表面のパーティクルは除去されているから，当該ロタゴニ乾燥の工程において，引用文献２，３に記載されているような，パーティクルをより強力に除去することを目的とする２流体ジェットを適用する動機付けはないというべきである。すなわち，引用発明において，引用文献２，３に記載された事項を適用することにより，相違点２に係る構成を想到することは，当業者が容易になし得たものであるとすることはできない。
　また，相違点２に係る構成は、引用文献４−１０には記載されていない。
　そして，本願発明１は，「基板の表面に向けてキャリアガスを含む２流体ジェットを噴出させる２流体ノズル」と「基板の周囲に配置されるカバーを回転させるカバー回転機構」という構成を有することで，２流体ノズルから基板に供給された洗浄液が回転カップと衝突する際の液滴の相対速度を抑制し，２流体ジェット洗浄時の汚れが基板に再付着することを防止するという効果を含む，本願明細書に記載された顕著な効果を奏するものと認められる。
（３）小括
　上記（１），（２）のとおりであるから，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても，引用発明および引用文献２−１０に記載の事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
２．本願発明２−５について
 　本願発明２−５は，本願発明１の相違点２に係る構成を含み，さらに限定したものであるから，本願発明２−５も，引用発明および引用文献２−１０に記載の技術に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
３．本願発明６について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア．引用発明の「基板Ｗ」，「基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１」は，本願発明６の「基板」，「基板を保持する基板保持機構」にそれぞれ相当する。
イ．引用発明の「基板保持機構１を介して基板Ｗをその中心軸周りに回転させるモータ（回転機構）２」は，本願発明６の「前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構」に相当する。
ウ．引用発明の「ノズル２１」は，「基板Ｗの表面の乾燥を防ぐために純水を供給」するものであるから，本願発明６の「基板の表面に向けてキャリアガスを含む２流体ジェットを噴出させる２流体ノズル」と，後記相違点４で相違するものの，「基板の表面に向けて」液体を噴出させる「ノズル」である点で一致する。
エ．引用発明の「基板Ｗの周囲に配置される回転カバー３」は，本願発明６の「基板の周囲に配置されるカバー」に相当する。
オ．引用発明の「モータ２」は，「モータ２のトルクは，直動ガイド機構１５を介して第１の支持軸１２Ａに伝達され，これによりチャック１０に保持された基板Ｗが回転し，第１のステージ１１Ａと第２のステージ１１Ｂとは，直動ガイド機構１５を介して常に同期して回転し，基板Ｗと回転カバー３とは一体に回転」するから，「モータ２」によって「回転カバー３」と「基板Ｗ」は同一の回転方向に回転するといえる。よって，引用発明の「モータ２」は，本願発明６の「カバーを回転させ」，「基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させ」る「カバー回転機構」に相当する。
カ．引用発明の「基板洗浄装置」は，本願発明６の「基板洗浄装置」に相当する。
　したがって，本願発明６と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 
 ＜一致点＞
「基板を保持する基板保持機構と，
　前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構と，
　前記基板の表面に向けて液体を噴出させる２流体ノズルと，
　前記基板の周囲に配置されるカバーと，
　前記カバーを回転させるカバー回転機構と，
を備え，
　前記カバー回転機構は，前記基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させる基板洗浄装置。」
＜相違点＞
（相違点４）
　本願発明６の「ノズル」は，「キャリアガスを含む２流体ジェットを噴出させる２流体ノズル」であるのに対して，引用発明の「ノズル２１」はこの点について特定されていない点。
（相違点５）
　本願発明６は，「基板洗浄装置を収容するケーシング」を備え，「前記ケーシングの壁面に設けられ，前記ケーシング内に気体を流入させる一対の気体流入口と，前記ケーシングの下部に設けられ，前記２流体ノズルから前記ケーシング内に供給されたキャリアガスを含む気体を排出する気体排出口」を備え，「前記一対の気体流入口は，前記ケーシングの対向する壁面に設けられ，前記基板より高い位置に配置されてい」るのに対して，引用発明はこの点について特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　相違点４について検討する。
　上記相違点２についての検討と同様にして，引用文献２，３に記載された２流体ジェットのノズルを，引用発明に適用する動機付けはないというべきである。すなわち，引用発明において，引用文献２，３に記載された事項を適用することにより，相違点４に係る構成を想到することは，当業者が容易になし得たものであるとすることはできない。
　また，相違点４に係る構成は、引用文献４−１０には記載されていない。
（３）小括
　上記（１），（２）のとおりであるから，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明６は，当業者であっても，引用発明および引用文献２−１０に記載の事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
４．本願発明７−９について
 　本願発明７−９は，相違点４に係る構成を含み，さらに限定したものであるから，本願発明７−９も，引用発明および引用文献２−１０に記載の技術に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
５．本願発明１０について
（１）対比
　本願発明１０と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア．引用発明の「基板Ｗ」，「基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１」は，本願発明１０の「基板」，「基板を保持する基板保持機構」にそれぞれ相当する。
イ．引用発明の「基板保持機構１を介して基板Ｗをその中心軸周りに回転させるモータ（回転機構）２」は，本願発明１０の「前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構」に相当する。
ウ．引用発明の「ノズル２１」は，「基板Ｗの表面の乾燥を防ぐために純水を供給」するものであるから，本願発明１０の「基板の表面に向けてキャリアガスを含む２流体ジェットを噴出させる２流体ノズル」と，後記相違点６で相違するものの，「基板の表面に向けて」液体を噴出させる「ノズル」である点で一致する。
エ．引用発明の「基板Ｗの周囲に配置される回転カバー３」は，本願発明１０の「基板の周囲に配置されるカバー」に相当する。
オ．引用発明の「モータ２」は，「モータ２のトルクは，直動ガイド機構１５を介して第１の支持軸１２Ａに伝達され，これによりチャック１０に保持された基板Ｗが回転し，第１のステージ１１Ａと第２のステージ１１Ｂとは，直動ガイド機構１５を介して常に同期して回転し，基板Ｗと回転カバー３とは一体に回転」するから，「モータ２」によって「回転カバー３」と「基板Ｗ」は同一の回転方向に回転するといえる。よって，引用発明の「モータ２」は，本願発明１０の「カバーを回転させ」，「基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させ」る「カバー回転機構」に相当する。
カ．引用発明の「基板洗浄装置」は，本願発明１０の「基板洗浄装置」に相当する。
　したがって，本願発明１０と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。 
 ＜一致点＞
「基板を保持する基板保持機構と，
　前記基板保持機構に保持された前記基板を回転させる基板回転機構と，
　前記基板の表面に向けて洗浄液を噴出させる２流体ノズルと，
　前記基板の周囲に配置されるカバーと，
　前記カバーを回転させるカバー回転機構と，
を備え，
　前記カバー回転機構は，前記基板と同一の回転方向に前記カバーを回転させる基板洗浄装置。」
＜相違点＞
（相違点６）
　本願発明１０の「ノズル」は，「キャリアガスを含む２流体ジェットを噴出させる２流体ノズル」であるのに対して，引用発明の「ノズル２１」はこの点について特定されていない点。
（相違点７）
　本願発明１０は，「前記２流体ジェットが前記基板の面に供給されている際に，導電性を有する薬液を前記２流体ジェットが供給されている前記基板の面と同じ面に供給する薬液供給ノズルを備え」るのに対して，引用発明はこの点について特定されていない点。
（２）相違点についての判断
　相違点６について検討する。
　上記相違点２についての検討と同様にして，引用文献２，３に記載された２流体ジェットのノズルを，引用発明に適用する動機付けはないというべきである。すなわち，引用発明において，引用文献２，３に記載された事項を適用することにより，相違点６に係る構成を想到することは，当業者が容易になし得たものであるとすることはできない。
　また，相違点６に係る構成は、引用文献４−１０には記載されていない。
（３）小括
　上記（１），（２）のとおりであるから，他の相違点については検討するまでもなく，本願発明１０は，当業者であっても，引用発明および引用文献２−１０に記載の事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第７　原査定について
１．特許法第２９条第２項について
　上記第６で指摘したとおり，本件補正により，本願発明１−１０は，上記相違点２，４，６に係る構成を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１−１０に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。