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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月20日(2015.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
除振対象物と、駆動指示情報に基づいて移動する移動体と、前記除振対象物に伝わる振動を抑制するための力を発生させる除振手段と、を含み、同一の固定台に設置される少なくとも２台のリソグラフィー装置と、該リソグラフィー装置を管理する制御手段と、を備えるリソグラフィーシステムであって、
前記制御手段は、第２の前記リソグラフィー装置が有する前記移動体への前記駆動指示情報と、前記駆動指示情報と前記除振手段の前記力との関係で表される制御指標とに基づいて、第１の前記リソグラフィー装置に含まれる前記除振手段を制御することを特徴とするリソグラフィーシステム。
【請求項２】
前記除振対象物に設置され、該除振対象物に生じる振動に関する値を計測する計測手段を有することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項３】
前記制御手段は、更に、前記リソグラフィー装置の配置に係る装置情報に基づいて前記除振手段を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項４】
少なくとも３台の前記リソグラフィー装置を備え、
前記制御手段は、前記計測手段による出力値に基づいて、前記少なくとも３台のリソグラフィー装置から前記第２のリソグラフィー装置を選択することを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項５】
前記第２のリソグラフィー装置は、前記第１のリソグラフィー装置に隣接することを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項６】
前記固定台は、梁を有し、
前記制御手段は、前記第１のリソグラフィー装置が配置される前記固定台の前記梁と同一の前記梁上に配置され、かつ前記梁の長手方向に平行な直線と前記移動体の最大加振の方向に平行な直線がなす鋭角が６０度以内であるリソグラフィー装置が有する前記移動体を、前記駆動指示情報を参照する前記移動体と設定し、前記第１のリソグラフィー装置に含まれる除振手段を制御することを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項７】
前記固定台に配置される、少なくとも１つの計測手段を有し、
前記制御手段は、前記固定台に配置された前記計測手段による出力値を、前記第２のリソグラフィー装置に含まれる前記移動体の移動開始時間のトリガとして使用して前記駆動指示情報を算出し、予め保存された前記制御指標に適用することで前記第１のリソグラフィー装置に含まれる前記除振手段を制御することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項８】
前記計測手段は、加速度計、速度計、又は変位計のいずれかであることを特徴とする請求項２又は７に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項９】
前記力は、５Ｈｚ以下の低周波振動であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項１０】
前記リソグラフィー装置は、基板上の未硬化樹脂と、型とを互いに押し付けて、前記基板上に樹脂のパターンを形成するインプリント装置であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項１１】
前記リソグラフィー装置は、原版に形成されたパターンを基板に露光する荷電粒子線露光装置であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィーシステム。
【請求項１２】
リソグラフィーシステムを用いた物品の製造方法であって、
前記リソグラフィーシステムは、請求項１０に記載のリソグラフィーシステムであり、
インプリント装置を用いて基板上に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は、除振対象物と、駆動指示情報に基づいて移動する移動体と、除振対象物に伝わる振動を抑制するための力を発生させる除振手段と、を含み、同一の固定台に設置される少なくとも２台のリソグラフィー装置と、該リソグラフィー装置を管理する制御手段と、を備えるリソグラフィーシステムであって、制御手段は、第２のリソグラフィー装置が有する移動体への駆動指示情報と、駆動指示情報と除振手段の力との関係で表される制御指標とに基づいて、第１のリソグラフィー装置に含まれる除振手段を制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月20日(2014.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光電変換素子を備える第１の基板と、
第２の光電変換素子を備える第２の基板と、
第３の光電変換素子を備える第３の基板と、
第１の分光デバイスと、
第２の分光デバイスと、
を有し、
前記第１の光電変換素子は、前記第２の光電変換素子と対向して配置され、
前記第１の基板と、前記第２の基板と、前記第３の基板とは、略コの字状に配置され、
前記第１の基板と、前記第３の基板とは、前記第１の分光デバイスにより筋交い状に固定され、
前記第２の基板と、前記第３の基板とは、前記第２の分光デバイスにより筋交い状に固定され、
前記第１の分光デバイスは、入射光の一部の波長帯域の光を前記第２の光電変換素子に向けて反射する機能を有し、
前記第２の分光デバイスは、入射光の一部の波長帯域の光を前記第１の光電変換素子に向けて反射する機能を有し、
前記第３の光電変換素子は、前記第１の分光デバイス及び前記第２の分光デバイスの透過光を受光する機能を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の光電変換素子は、第１の材料を用いた光電変換層を有し、
前記第２の光電変換素子は、前記第１の材料とは異なる第２の材料を用いた光電変換層を有し、
前記第３の光電変換素子は、前記第１の材料及び前記第２の材料とは異なる第３の材料を用いた光電変換層を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の分光デバイスと、前記第２の分光デバイスとは、３５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の波長帯域において、反射率が８０％以上となる波長帯域が異なることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換層と、
前記光電変換層の受光面の側に微細周期構造と、
前記光電変換層の他方の面の側にマイクロテクスチャ構造と、
前記マイクロテクスチャ構造に接する反射電極と、を有し、
前記微細周期構造は、アスペクト比が３以上１５以下の微細構造物を、６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の周期で備え、
前記マイクロテクスチャ構造は、アスペクト比が０．５以上３以下の構造物を、２μｍ以上１００μｍ以下の周期で備え、
前記反射電極は反射率が１０％以上１００％未満である光電変換素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記光電変換層に侵入する光のうち、光電変換に寄与する光の波長を有する光の１０％以上９９％以下が、前記反射電極に到達する光電変換素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記マイクロテクスチャ構造が前記光電変換層の受光面に対し８°以上４５°未満又は４９°以上９０°未満の角をなす面を備える光電変換素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記微細周期構造が一導電型を有する半導体からなり、
前記マイクロテクスチャ構造が一導電型とは逆の導電型を有する半導体からなる光電変換素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記光電変換層が単結晶シリコン基板を含み、
前記マイクロテクスチャ構造が前記単結晶シリコンの結晶方位に沿った面を備える光電変換素子。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板と、
前記絶縁表面上の、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を含む半導体層と、
前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記チャネル形成領域に重畳するゲート電極と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記ドレイン領域は、前記チャネル形成領域に隣接する第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に隣接する第２の不純物領域と、を有し、
前記第１の不純物領域の深さ方向の不純物濃度分布の極大は、前記第２の不純物領域の深さ方向の不純物濃度分布の極大よりも前記絶縁表面側にあり、
前記ドレイン電極は、前記第２の不純物領域の一部と接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体層は、単結晶膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の不純物領域に重なる前記ゲート絶縁膜の膜厚は、前記第２の不純物領域に重なる前記ゲート絶縁膜の膜厚より薄いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力システム内で生じたアーク・フラッシュから離れるようにエネルギーを移すための装置であって、
第２のアーク・フラッシュを形成するように構成されたアーク光源と、
前記アーク・フラッシュに応じて前記アーク光源の近傍にプラズマを噴射するように構成および配置されたプラズマ・ガンと、
前記アーク光源および前記プラズマ・ガンを囲むように構成および配置されたアーク閉じ込め装置であって、
前記アーク光源および前記プラズマ・ガンを覆うように構成および配置されたカバーを備え、前記カバーは内面および外面を備え、前記内面は前記アーク光源および前記プラズマ・ガンの近傍であり、前記内面は絶縁性のセラミック・プラズマ噴霧コーティングを備えるアーク閉じ込め装置と、を備える装置。
【請求項２】
前記カバーはアルミニウムで形成されている請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記カバーは接地から電気的に絶縁されている請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記コーティングは、一次のベース・コーティングと二次のトップ・コーティングとを含む請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記一次のベース・コーティングは、２０〜２４ｗｔ．％Ｃｒ、７〜１２ｗｔ．％Ａｌ、０〜１．５ｗｔ．％Ｙ、および残りＪを含む合金ＪＣｒＡｌＹを含み、ＪはＮｉ、Ｃｏ、およびＦｅのうちの１つである請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記一次のベース・コーティングは、０〜３５ｗｔ．％Ｎｉ、０〜３５ｗｔ．％Ｃｏ、０〜２４ｗｔ．％Ｃｒ、４〜１２ｗｔ．％Ａｌ、および０〜１．５ｗｔ．％Ｙを含む合金Ｎｉ５ＡｌおよびＣｏを含む請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記二次のトップ・コーティングは、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、マグネシア安定化ジルコニア（ＭＳＺ）、またはアルミナのうちの１つを含む請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記二次のトップ・コーティングは、７〜９ｗｔ．％イットリア、およびジルコニアを含む請求項４に記載の装置。
【請求項９】
電力システム内で生じた第１のアーク・フラッシュから離れるようにエネルギーを移すための装置を製造する方法であって、
前記第１のアーク・フラッシュに応じて第２のアーク・フラッシュを形成するように構成されたアーク光源を配置することと、
前記第１のアーク・フラッシュに応じて前記アーク光源の近傍にプラズマを噴射するプラズマ・ガンを配置することと、
前記アーク光源および前記プラズマ・ガンを囲むアーク閉じ込め装置カバーを配置することであって、前記アーク閉じ込め装置は、
前記アーク光源および前記プラズマ・ガンを覆うように構成および配置されたカバーを備え、
前記カバーは内面を備え、前記内面は前記アーク光源および前記プラズマ・ガンの近傍にあり、
前記内面は絶縁性のセラミック・プラズマ噴霧コーティングを備える、配置することと、を含む方法。
【請求項１０】
前記カバーはアルミニウムで形成されている請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記カバーを接地から絶縁することをさらに含む請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記コーティングは、一次のベース・コーティングと二次のトップ・コーティングとを含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷電流を伝えるための第１のインピーダンスを有する一次導電性経路を備える回路遮断器用のサーマル・トリップ・ユニットであって、
内径を規定するコイル形状を有し、所定の熱的条件において第１の形状から第２の形状に変わるように構成された第２のインピーダンスを有する形状記憶合金（ＳＭＡ）部材と、
前記ＳＭＡ部材を受け入れるように構成されたキャビティを有し、前記回路遮断器一次導電性経路と直列に電気的に結合され、前記ＳＭＡ部材を機能的に支持するように配設された保持部材と、
前記保持部材に電気的に接続され、前記保持部材の前記キャビティ内に配置され、さらに少なくとも部分的に前記ＳＭＡ部材の前記内径内に配置される導電性チューブと、
を備え、
前記ＳＭＡ部材は、前記キャビティ内に少なくとも部分的に配置され、前記所定の熱的条件において前記回路遮断器のトリップ応答をトリガするように前記回路遮断器内で構成され、
前記一次導電性経路は、前記ＳＭＡ部材を通る電流フローを実質的に制限するように機能的に配設および配置され、
前記第１のインピーダンスが前記第２のインピーダンスよりも小さい、サーマル・トリップ・ユニット。
【請求項２】
前記保持部材はさらに、前記ＳＭＡ部材を機能的に加熱するように構成および配置されている請求項１に記載のサーマル・トリップ・ユニット。
【請求項３】
前記ＳＭＡ部材は、前記所定の熱的条件において伸長するように構成されている請求項２に記載のサーマル・トリップ・ユニット。
【請求項４】
第１のインピーダンスを有する、負荷電流を伝えるための一次導電性経路と、
前記一次導電性経路に結合されたサーマル・トリップ・ユニットであって、
内径を規定するコイル形状を有し、所定の熱的条件において第１の形状から第２の形状に変わるように構成された第２のインピーダンスを有する形状記憶合金（ＳＭＡ）部材と、
前記ＳＭＡ部材を受け入れるように構成されたキャビティを有し、前記回路遮断器一次導電性経路と直列に電気的に結合され、前記ＳＭＡ部材を機能的に支持するように配設された保持部材と、
前記保持部材に電気的に接続され、前記保持部材の前記キャビティ内及び、少なくとも部分的に前記ＳＭＡ部材の前記内径内に配置される導電性チューブと、
を備え、
前記ＳＭＡ部材は、前記キャビティ内に少なくとも部分的に配置され、前記所定の熱的条件において前記回路遮断器のトリップ応答をトリガするように構成され、
前記第１のインピーダンスが前記第２のインピーダンスよりも小さい、サーマル・トリップ・ユニットと、を備える回路遮断器ポール。
【請求項５】
前記一次導電性経路は、前記ＳＭＡ部材を通る電流フローを実質的に制限するように機能的に配設および配置されている請求項４に記載の回路遮断器ポール。
【請求項６】
前記ＳＭＡ部材は前記所定の熱的条件において伸長するように構成されている請求項５に記載の回路遮断器ポール。
【請求項７】
前記保持部材はさらに、前記ＳＭＡ部材を機能的に加熱するように構成および配置されている請求項４乃至７のいずれかに記載の回路遮断器ポール。
【請求項８】
第１のインピーダンスを有する、負荷電流を伝えるための一次導電性経路を備えるポールと、
前記一次導電性経路に結合されたサーマル・トリップ・ユニットであって、
内径を規定するコイル形状を有し、所定の熱的条件において第１の形状から第２の形状に変わるように構成された第２のインピーダンスを有する形状記憶合金（ＳＭＡ）部材と、
前記ＳＭＡ部材を受け入れるように構成されたキャビティを有し、前記回路遮断器一次導電性経路と直列に電気的に結合され、前記ＳＭＡ部材を機能的に支持するように配設された保持部材と、
前記保持部材に電気的に接続され、前記保持部材の前記キャビティ内及び、少なくとも部分的に前記ＳＭＡ部材の前記内径内に配置される導電性チューブと、
を備え、
前記ＳＭＡ部材は、前記キャビティ内に少なくとも部分的に配置され、前記所定の熱的条件において前記回路遮断器のトリップ応答をトリガするように構成され、
前記一次導電性経路は、前記ＳＭＡ部材を通る電流フローを実質的に制限するように機能的に配設および配置され、
前記第１のインピーダンスが前記第２のインピーダンスよりも小さい、サーマル・トリップ・ユニットと、を備える回路遮断器。
【請求項９】
前記保持部材はさらに、前記ＳＭＡ部材を機能的に加熱するように構成および配置されている請求項８に記載の回路遮断器。
【請求項１０】
前記ＳＭＡ部材は前記所定の熱的条件において伸長するように構成されている請求項８または９に記載の回路遮断器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に凹凸の構造を有する第１の有機樹脂層と、
前記第１の有機樹脂層上の、前記第１の有機樹脂層の他方の面に接する第１のガラス層と、
前記第１のガラス層上の発光素子と、
前記発光素子上の第２のガラス層と、
前記第２のガラス層上の、前記第２のガラス層の一方の面と接する第２の有機樹脂層と、を有し、
前記第１の有機樹脂層及び前記第１のガラス層は、可視光に対して透光性を有し、
前記第１のガラス層及び前記第２のガラス層は、それぞれ独立に、２５μｍ以上１００μｍ以下の厚さを有し、
前記発光素子は、前記第１のガラス層側から、可視光に対して透光性を有する第１の電極と、発光性の有機化合物を含む層と、第２の電極と、を有する発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のガラス層上の凹凸の構造体と、
前記凹凸の構造体上の第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上の前記第１の電極と、を有し、
前記第１の樹脂層の屈折率は、前記発光性の有機化合物を含む層の屈折率以上である発光装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１のガラス層上の凹凸の構造体と、
前記凹凸の構造体上の第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上の前記第１の電極と、を有し、
前記第１の樹脂層の屈折率は、前記第１の電極の屈折率以上である発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月10日(2014.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットの表面に荷電粒子ビームを軸に沿って集束させるカラムと、
前記カラムの軸に沿って概して平行に荷電粒子を放出するようにそれぞれが構成された、前記軸の周囲に配置された多数の荷電粒子放出器を備える荷電粒子源と、
前記多数の荷電粒子放出器のそれぞれの放出器に対する１つの接続、または前記多数の荷電粒子放出器のうちの全てではない一群の放出器に対する１つの接続を有するように構成された多数の電気接続と、
前記多数の荷電粒子放出器を制御する放出器制御回路と
を備える荷電粒子システム。
【請求項２】
前記放出器制御回路は、前記放出器のうちの全てではない放出器が同時に放出するようにすることができる、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項３】
前記放出器制御回路は、複数の放出器が同時に放出するようにすることができ、前記複数の放出器は、前記カラムが集束させる荷電粒子を生成する、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項４】
前記放出器制御回路は、前記荷電粒子システムが、単一の放出器が荷電粒子を放出するモード、または複数の放出器が同時に荷電粒子を放出するモードで動作するようにすることができる、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項５】
荷電粒子を放出し、または荷電粒子を放出しないように、前記放出器のうちの少なくとも２つの放出器を独立してアドレス指定することができ、それにより、前記放出器が同時に放出し、または逐次的に放出するようにすることができる、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項６】
前記荷電粒子が電子である、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項７】
前記荷電粒子がイオンである、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項８】
前記放出器が冷陰極電界電子放出器である、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項９】
前記放出器がガス電界イオン化イオン放出器である、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項１０】
前記放出器が液体金属イオン放出器である、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項１１】
前記荷電粒子カラムがアラインメント偏向器を備える、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項１２】
前記多数の荷電粒子放出器のうちのそれぞれの放出器が、放出器チップおよび引出し電極を備える、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項１３】
前記放出器制御回路が、それぞれの放出器チップに別個の電圧を印加するように構成された、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項１４】
前記放出器制御回路が、それぞれの引出し電極に別個の電圧を印加するように構成された、請求項１に記載の荷電粒子システム。
【請求項１５】
ターゲットの表面に電子ビームを軸に沿って集束させるカラムと、
前記カラムの軸に沿って概して平行に電子を放出するようにそれぞれが構成された、前記軸の周囲に配置された多数の電子放出器を備える電子源と、
前記多数の電子放出器のそれぞれの放出器に対する１つの接続を有するように構成された多数の電気接続と、
放出器制御回路と
を備える電子ビーム・システム。
【請求項１６】
前記電子放出器が冷陰極電界放出器であり、冷陰極電界放出器がそれぞれ、放出器チップおよび引出し電極を備える、請求項１５に記載の電子ビーム・システム。
【請求項１７】
前記放出器制御回路が、それぞれの放出器チップに別個の電圧を印加するように構成された、請求項１５に記載の電子ビーム・システム。
【請求項１８】
前記放出器制御回路が、それぞれの引出し電極に別個の電圧を印加するように構成された、請求項１５に記載の電子ビーム・システム。
【請求項１９】
ターゲットの表面にイオン・ビームを軸に沿って集束させるカラムと、
前記カラムの軸に沿って概して平行にイオンを放出するようにそれぞれが構成された、前記軸の周囲に配置された多数のイオン放出器を備えるイオン源と、
前記多数のイオン放出器のそれぞれの放出器に対する１つの接続を有するように構成された多数の電気接続と、
放出器制御回路と
を備える集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２０】
前記イオン放出器がガス電界イオン化イオン放出器であり、ガス電界イオン化イオン放出器がそれぞれ、放出器チップおよび引出し電極を備える、請求項１９に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２１】
前記放出器制御回路が、それぞれの放出器チップに別個の電圧を印加するように構成された、請求項２０に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２２】
前記放出器制御回路が、それぞれの引出し電極に別個の電圧を印加するように構成された、請求項２０に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２３】
前記イオン放出器が液体金属イオン放出器であり、液体金属イオン放出器がそれぞれ、放出器チップおよび引出し電極を備える、請求項１９に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２４】
前記放出器制御回路が、それぞれの放出器チップに別個の電圧を印加するように構成された、請求項１９に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２５】
前記放出器制御回路が、それぞれの引出し電極に別個の電圧を印加するように構成された、請求項１９に記載の集束イオン・ビーム・システム。
【請求項２６】
荷電粒子ビーム・システムを動作させる方法であって、
軸の周囲に配置された複数の荷電粒子放出器を提供するステップと、
前記複数の放出器からの荷電粒子を前記軸に沿って試料表面に集束させる能力を有する集束カラムを前記軸に沿って提供するステップと、
前記複数の荷電粒子放出器から逐次的に荷電粒子を放出させ、前記集束カラムによって
前記荷電粒子を集束させるステップと
を含む方法。
【請求項２７】
前記複数の荷電粒子放出器から同時に荷電粒子を放出させ、前記集束カラムによって前記荷電粒子を集束させるステップをさらに含む、請求項２６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が複数の量子化レベルでマイクロホログラムを記録するように構成されている複数のデータ位置を含むホログラフィック記憶ディスクであって、前記複数の量子化レベルが少なくとも第１乃至第３の量子化レベルを含んでいる、当該ホログラフィック記憶ディスクと、
前記複数の量子化レベルと記録ビームの複数の記録条件とに少なくとも部分的に基づいて、前記複数のデータ位置の内の目標データ位置へ記録ビームを導いて、前記複数の量子化レベルの内の任意のレベルで前記目標データ位置にデータを記録するように構成されている光学システムと、
を有し、
前記少なくとも第１乃至第３の量子化レベルの各々が、前記複数の記録条件の異なる１つに対応し、
前記複数の記録条件が、複数のパワーレベル、複数の時間間隔及び複数のパルス形状を含む、
ホログラフィック記録システム。
【請求項２】
前記光学システムは、複数のビーム・パワー及びパルス形状の内のいずれかで前記目標データ位置へ導かれるビームを放出するように構成されているレーザーを有しており、前記複数のビーム・パワー及びパルス形状の各々が前記複数の量子化レベルの内の１つに対応している、請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記光学システムは、前記目標データ位置へ導かれる前記記録条件に基づいて作動されるように構成されている光学ヘッドを有している、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記目標データ位置へ導かれる前記記録条件の結果として前記目標データ位置に前記複数の量子化レベルのいずれかでデータが記録されるように、前記ホログラフィック記憶ディスクを回転するように構成されているスピンドル制御装置を有している請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記光学システムは検出器を有し、該検出器は、前記ホログラフィック記憶ディスクからの反射ビームであって、前記目標データ位置において記録されたデータを表す反射ビームを検出し、次いで前記目標データ位置に記録されたデータについての前記複数の量子化レベルのいずれかを表す信号を発生するように構成されている、請求項１乃至４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
前記信号は３つ以上の信号レベルを含んでいる、請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記３つ以上の信号レベルは、３つ以上のパワー・レベル又は３つ以上の位相を含んでいる、請求項６記載のシステム。
【請求項８】
前記検出器は、複数の規則的に間隔をあけた閾値を有する信号を発生するように構成されており、前記複数の規則的に間隔をあけた閾値の各々が前記複数の量子化レベルの内の１つと対応する、請求項５乃至７のいずれかに記載のシステム。
【請求項９】
前記検出器は、複数の不規則に間隔をあけた閾値を有する信号を発生するように構成されており、前記複数の不規則に間隔をあけた閾値の各々が前記複数の量子化レベルの内の１つと対応する、請求項５乃至８のいずれかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記信号は、時間と前記反射ビームの位相及び強度分布とに関して発生される、請求項５乃至９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１１】
前記ホログラフィック記憶ディスクは媒体中に色素分子を有し、前記複数のデータ位置の各々が、屈折率の変化を達成するために前記記録ビームのエネルギによって転換されるように構成されている色素分子を含んでいる、請求項１乃至１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
前記複数のデータ位置の各々にある前記色素分子は、複数の相異なる程度に転換されるように構成されており、各々の程度は前記複数のデータ・レベルの内の１つに対応する、請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記ホログラフィック記憶ディスクは複数の格子を有しており、該複数の格子の各々は、複数の構成に対する前記記録条件に応答して調節可能であるように構成されており、
前記複数の構成の各々は、結果として、読出し処理の際に前記ホログラフィック記憶ディスクに衝突する読出しビームにより複数の信号レベルの内の１つを生じさせる、請求項１乃至１２のいずれかに記載のシステム。
【請求項１４】
各々が複数の量子化レベルでマイクロホログラムを記録するように構成されている複数のデータ位置を含むホログラフィック記憶ディスクであって、前記複数の量子化レベルが３以上の量子化レベルを含んでいる、当該ホログラフィック記憶ディスクと、
光学システムと、
を有し、
前記光学システムが、
ホログラフィック・ディスク内の複数のデータ位置の内の目標データ位置へ書き込むべき複数の量子化レベルの内の目標データ・レベルを決定し、
前記目標データ・レベルに基づいて前記目標データ位置での記録条件を決定し、
前記記録条件を持つ記録ビームを前記目標データ位置に放出し、前記目標データ・レベルで前記目標データ位置にデータを記録する
ように構成されている、
ホログラフィック記録システム。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月24日(2014.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差別化サービス制御パラメータ（９４）に応じて無線ネットワーク（１０）を介してデータパケットを送信するように構成されたノード（２０）であって、
前記差別化サービスコードパラメータ（９４）の個別化された制御をもたらすように構成され、さらに前記データパケットの中のペイロード（２３０）に対する個別化された制御をもたらすようにも構成されたコントローラ（２６）を備え、
前記コントローラ（２６）が、
前記無線ネットワーク（１０）を介して送信されるべきデータ（６０）を受け取り、
前記データ（６０）に優先レベル（９２）を割り当て、
前記優先レベル（９２）に基づいて、前記ノード（２０）に関する前記差別化サービス制御パラメータ（９４）設定を調整し、
前記無線ネットワーク（１０）に関する信号品質指標（２１０）を算出し、
前記信号品質指標（２１０）に基づいて、前記ペイロード（２３０）の中に含められる前記データ（６０）の量を調整し、
前記データ（６０）の分類（８０）を決定し、前記データ（６０）に前記優先レベル（９２）を割り当てるために前記分類（８０）に基づいて加重和計算（９２）を実行する、
ように構成された、
ノード（２０）。
【請求項２】
前記信号品質指標（２１０）は、受信信号強度指標値、ノイズフロア値、信号対雑音比値、パケット再送レート、およびビーコンが逸せられたレートのうち１つに基づく請求項１に記載のノード（２０）。
【請求項３】
前記コントローラ（２６）は、前記受け取られたデータ（６０）からデータのサブセット（２２０）を除去することによって、前記ペイロード（２３０）の中に含められるべきデータ（６０）の量を調整するように構成される請求項１に記載のノード（２０）。
【請求項４】
前記ノード（２０）は患者監視デバイス（２０）であり、
前記受け取られたデータ（６０）は、前記患者監視デバイス（２０）によって獲得された生理学的データ（６０）を含み、さらにデータの前記サブセット（２２０）は、警報データ（６０ｂ）、波形データ（６０ｃ）、およびバイタルサインデータ（６０ａ）のうち１つを含む、
請求項３に記載のノード（２０）。
【請求項５】
前記コントローラ（２６）は、前記受け取られたデータ（６０）の分解能を低減することによって、前記ペイロード（２３０）の中に含められるデータ（６０）の量を調整するように構成される請求項１に記載のノード（２０）。
【請求項６】
前記ノード（２０）が、ＩＥＥＥ８０２．１１ｅプロトコルに準拠してアクセスポイント（１４）と無線通信するように構成され、
前記差別化サービス制御パラメータ（９４）は、差別化サービスコードポイントである、
請求項１に記載のノード（２０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
向上したサービス品質のワイヤレス通信システム（１００）であって、
ワイヤレス医療デバイスから送信された医療データ信号を含むワイヤレス信号を受信するように構成された一次受信機（１１０）と、
前記ワイヤレス医療デバイスから前記ワイヤレス信号を受信するように構成された冗長受信機（１２０）と、
データ端末コンポーネント（１７０）と、
を備え、
前記一次受信機（１１０）と前記冗長受信機（１２０）のそれぞれが、復号器（１５０）と、転送媒体コンポーネント（１６０）とを含み、前記復号器（１５０）が、前記ワイヤレス信号の品質を評価するとともに、前記医療データを抽出し、前記転送媒体コンポーネント（１６０）が、前記ワイヤレス信号を処理して、複数の転送データパケット（４００）にし、
前記データ端末コンポーネント（１７０）が、前記一次受信機（１１０）と前記冗長受信機（１２０）のそれぞれから前記複数のデータ転送パケット（４００）を受信し、前記複数の転送データパケット（４００）をマージして、複合データストリーム（５３０）にし、
前記データ端末コンポーネント（１７０）が、共通のフレームＩＤを有する前記複数のデータ転送パケット（４００）のタグを比較し、各フレームＩＤの前記複合データストリーム（５３０）に対する良好なタグ値を有する１つの前記転送データパケット（４００）を選択することにより、前記転送データパケット（４００）をマージする、
ワイヤレス通信システム（１００）。
【請求項２】
前記一次受信機（１１０）および前記冗長受信機（１２０）がそれぞれ、アンテナ（１１５）と、選択性−ダウンコンバータ（ＳＤＣ）コンポーネント（１３０）とを含み、
前記アンテナ（１１５）および前記ＳＤＣコンポーネント（１３０）が、前記患者監視デバイスから前記ワイヤレス信号を受信し、獲得する、
請求項１に記載のシステム（１００）。
【請求項３】
前記一次受信機（１１０）および前記冗長受信機（１２０）が、復調器（１４０）を含み、前記復調器（１４０）が、前記ＳＤＣコンポーネント（１３０）から前記獲得されたワイヤレス信号を受け取り、さらに前記信号を前記復号器（１５０）のために復調する、請求項１に記載のシステム（１００）。
【請求項４】
前記一次受信機（１１０）および前記冗長受信機（１２０）が、現場調査に従ってワイヤレス医療監視システム（１００）において構成されている、請求項１に記載のシステム（１００）。
【請求項５】
前記複数の転送データパケット（４００）のそれぞれが、前記医療デバイスからの、フレームＩＤ（４１０）を有するデータを含み、前記フレームＩＤ（４１０）が、前記医療データの一部分からのデータを識別する、請求項１に記載のシステム（１００）。
【請求項６】
前記転送データパケット（４００）のそれぞれが、誤り訂正符号（ＥＣＣ）（４３０）を含み、前記復号器（１５０）が、前記ＥＣＣ（４３０）を使用して、前記データが正しいかどうかを判定する、請求項５に記載のシステム（１００）。
【請求項７】
前記転送データパケット（４００）のそれぞれが、ソース（４４０）を含み、前記ソース（４４０）が、いずれの受信機（１１０、１２０）から前記転送データパケット（４００）が来ているかを示す、請求項５に記載のシステム（１００）。
【請求項８】
前記タグが、受信された医療データを前記転送データパケット（４００）が正しく含むかどうかを示す、請求項５に記載のシステム（１００）。
【請求項９】
ワイヤレス通信システム（１００）における向上したサービス品質の方法（６００）であって、
一次受信機（１１０）において医療デバイスから送信されたワイヤレス信号を受信するステップ（６３０）と、
冗長受信機（１２０）において前記医療デバイスからの前記ワイヤレス信号を受信するステップ（６３０）であって、前記一次受信機（１１０）および前記冗長受信機（１２０）がそれぞれ、復号器（１５０）と、転送媒体コンポーネント（１７０）とを含む、ステップと、
前記一次受信機（１１０）と前記冗長受信機（１２０）のそれぞれからデータ端末コンポーネント（１７０）に前記複数のデータ転送パケット（４００）を受信するステップと、
前記複数の転送データパケット（４００）をマージして、複合データストリーム（５３０）にするステップと、
を含み、
前記データ端末コンポーネント（１７０）が、共通のフレームＩＤを有する前記複数のデータ転送パケット（４００）のタグを比較し、各フレームＩＤの前記複合データストリーム（５３０）に対する良好なタグ値を有する１つの前記転送データパケット（４００）を選択することにより、前記転送データパケット（４００）をマージする、
方法（６００）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月16日(2014.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイオードブリッジを形成する複数のダイオードと、
前記複数のダイオードに接近して結合され、（Ｍ×Ｎ）アレイをなして電気的に接続された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイ（１２）であり、前記（Ｍ×Ｎ）アレイが、第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）に並列に電気的に接続された第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）を含み、前記第１のＭＥＭＳスイッチ脚部（４０）が、直列に電気的に接続された第１の複数のＭＥＭＳダイを含み、前記第２のＭＥＭＳスイッチ脚部（４４）が、直列に電気的に接続された第２の複数のＭＥＭＳダイを含む、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）スイッチアレイ（１２）と
を備える切替システム（４）。
【請求項２】
前記（Ｍ×Ｎ）アレイに電気的に接続された単一のハイブリッドアークレス制限技術（ＨＡＬＴ）回路（１６９）であり、前記（Ｍ×Ｎ）アレイ中の前記複数のＭＥＭＳスイッチを開くために電力供給される、単一のハイブリッドアークレス制限技術（ＨＡＬＴ）回路（１６９）をさらに備える、請求項１記載の切替システム（４）。
【請求項３】
前記（Ｍ×Ｎ）アレイに電気的に接続された単一のパルス支援ターンオン（ＰＡＴＯ）回路（１７０）であり、前記（Ｍ×Ｎ）アレイ中の前記複数のＭＥＭＳスイッチを閉じるために電力供給される、単一のＰＡＴＯ回路（１７０）をさらに含む、請求項２記載の切替システム（４）。
【請求項４】
前記複数のダイオードが、各ＭＥＭＳダイによる浮遊インダクタンスを約５０ｎＨに制限するように構成されるループ区域を設定するようにＭＥＭＳスイッチアレイ（１２）に接続されるコーナダイオード（２０、２１、２２、２３）を構成する、請求項１乃至３のいずれかに記載の切替システム（４）。
【請求項５】
前記第１の複数のＭＥＭＳダイが第１のＭＥＭＳダイ（４７）、第２のＭＥＭＳダイ（４８）、第３のＭＥＭＳダイ（４９）、および第４のＭＥＭＳダイ（５０）を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載の切替システム（４）。
【請求項６】
並列に接続された第１の抵抗器（９５）および第１のキャパシタ（９６）を含む第１の等級のネットワーク（９０）であり、前記第１および第２のＭＥＭＳダイ（４７、４８）に並列に接続される、第１の等級のネットワーク（９０）をさらに含む、請求項５記載の切替システム（４）。
【請求項７】
前記第３および第４のＭＥＭＳダイ（４９、５０）に並列に接続された第２の抵抗器（９９）および第２のキャパシタ（１００）を含む第２の等級のネットワーク（９１）をさらに含む、請求項６記載の切替システム（４）。
【請求項８】
前記第１および第２のＭＥＭＳダイ（４７、４８）に直列に接続された第１の中間抵抗器（１３４）および第１の中間ダイオード（１３３）をさらに含む、請求項５乃至７のいずれかに記載の切替システム（４）。
【請求項９】
前記第３および第４のＭＥＭＳダイ（４９、５０）に直列に接続された第２の中間抵抗器（１３７）および第２の中間ダイオードをさらに含む、請求項８記載の切替システム（４）。
【請求項１０】
前記（Ｍ×Ｎ）アレイに並列に電気的に接続された酸化金属バリスタ（ＭＯＶ）（２００）をさらに含む、請求項１乃至９のいずれかに記載の切替システム（４）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ネットワーク（１０）上で差別化サービス制御パラメータしたがってアクセスポイントにデータパケットを送信するように構成されたノード（２０）であって、
前記データパケット内でペイロード（２３０）を個別に制御し、前記ノードに対応する前記差別化サービス制御パラメータ設定を実現するように構成されたコントローラ（２６）であって、
前記無線ネットワーク（１０）上で送信されることになるデータ（６０）を受信し、
前記無線ネットワーク（１０）に関する信号品質インジケータ（２１０）を決定し、
前記信号品質インジケータ（２１０）に基づいて、前記ペイロード（２３０）内に含まれた前記データ（６０）の量を調整し、
前記データの分類を決定し、前記データの優先レベルを割り当てるために前記分類に基づいて加重和計算を実行する
ように構成されたコントローラ、
を備えた、ノード（２０）。
【請求項２】
前記信号品質インジケータ（２１０）が、受信信号強度インジケータ値、ノイズフロア値、信号対雑音比値、パケット再送信レート、および失敗したビーコンレートのうちの１つに基づく、請求項１に記載のノード（２０）。
【請求項３】
前記コントローラ（２６）が、前記受信されたデータ（６０）からデータのサブセット（２２０）を除去することによって、前記ペイロード内に含まれた前記データ（６０）の量を調整するように構成された、請求項１に記載のノード（２０）。
【請求項４】
前記ノード（２０）が患者監視デバイス（２０）であり、前記受信されたデータ（６０）が、前記患者監視デバイス（２０）によって獲得された生理学的データ（６０）を含む、請求項３に記載のノード（２０）。
【請求項５】
前記データのサブセット（２２０）が、警報データ（６０ｂ）、波形データ（６０ｃ）、および生体信号データ（６０ａ）のうちの１つを含む、請求項４に記載のノード（２０）。
【請求項６】
前記コントローラ（２６）が、前記受信されたデータ（６０）の分解能を低減することによって、前記ペイロード（２３０）内に含まれた前記データ（６０）の量を調整するように構成された、請求項１に記載のノード（２０）。
【請求項７】
前記ノード（２０）が、ＩＥＥＥ８０２．１１ｅプロトコルに従って、前記アクセスポイント（１４）と無線で通信するように構成された、請求項１に記載のノード（２０）。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月15日(2014.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
差別化されたサービスの制御パラメータ（９４）に従ってアクセスポイント（１４）と無線通信するように構成されたノード（２０）であって、
ノード（２０）に対応する差別化されたサービスの制御パラメータ（９４）の設定の個別制御を行うように構成されたコントローラ（２６）であって、
データ（６０）を受信し、
前記データ（６０）に優先レベル（９２）を割り当て、
前記優先レベル（９２）に基づいて前記ノード（２０）に前記差別化されたサービスの制御パラメータ（９４）の設定を調整し、
前記データ（６０）に前記優先レベル（９４）を割り当てるために加重和の計算（９４）を行い、
前記データ（６０）の分類（８０）を決定し、前記分類（８０）に基づいて前記加重和の計算（９４）を行う
ように構成された前記コントローラ（２６）
を含む、ノード（２０）。
【請求項２】
前記ノード（２０）が、ＩＥＥＥ８０２．１１ｅプロトコルに従って前記アクセスポイント（１４）と無線通信するように構成された、請求項１に記載のノード（２０）。
【請求項３】
前記差別化されたサービスの制御パラメータ（９４）が、Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｔｅｄ  Ｓｅｒｖｉｃｅｓ  Ｃｏｄｅ  Ｐｏｉｎｔである、請求項２に記載のノード（２０）。
【請求項４】
前記ノード（２０）が患者監視装置（２０）であって、前記データ（６０）が前記患者監視装置（２０）によって取得される生理学的データ（６０）である、請求項１に記載のノード。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体構造であって、
少なくとも約１００ミリメートルの直径を有する炭化シリコンウェハと、
該炭化シリコンウェハ上のＩＩＩ族窒化物層であって、該炭化シリコンウェハと実質的に同じ直径を有しているＩＩＩ族窒化物層と
を備えており、
該炭化シリコンウェハおよび該ＩＩＩ族窒化物層は、１００ミクロン未満のワープを有している、半導体構造。
【請求項２】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、１ミクロンよりも大きい厚さを有しており、前記炭化シリコンウェハは、１ミリメートル未満の厚さを有している、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項３】
前記ワープは、５ミクロン〜１００ミクロンの範囲にある、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項４】
前記ワープは、５ミクロン〜３７ミクロンの範囲にある、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項５】
前記ワープは、５０ミクロン未満である、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項６】
前記ワープは、５ミクロン未満である、請求項１に記載の半導体構造。
【請求項７】
半導体構造であって、
少なくとも約１００ミリメートルの直径を有する炭化シリコンウェハと、
該炭化シリコンウェハ上のＩＩＩ族窒化物層であって、該炭化シリコンウェハと実質的に同じ直径を有しているＩＩＩ族窒化物層と
を備えており、
該炭化シリコンウェハおよび該ＩＩＩ族窒化物層は、１００ミクロン未満のボーを有している、半導体構造。
【請求項８】
前記ＩＩＩ族窒化物層は、１ミクロンよりも大きい厚さを有しており、前記炭化シリコンウェハは、１ミリメートル未満の厚さを有している、請求項７に記載の半導体構造。
【請求項９】
前記ボーは、２ミクロン〜１００ミクロンの範囲にある、請求項７に記載の半導体構造。
【請求項１０】
前記ボーは、２ミクロン〜３１ミクロンの範囲にある、請求項７に記載の半導体構造。
【請求項１１】
前記ボーは、５０ミクロン未満である、請求項７に記載の半導体構造。
【請求項１２】
前記ボーは、５ミクロン未満である、請求項７に記載の半導体構造。
【請求項１３】
半導体構造を製造する方法であって、
前記方法は、
少なくとも約１００ミリメートルの直径を有する炭化シリコンウェハを提供することと、
該炭化シリコンウェハ上に、該炭化シリコンウェハと実質的に同じ直径を有しているＩＩＩ族窒化物層を、該炭化シリコンウェハおよび該ＩＩＩ族窒化物層が１００ミクロン未満のボーおよび１００ミクロン未満のワープからなる群のうちの少なくとも１つを有するように形成させることと、を含み、
前記ＩＩＩ族窒化物層を形成するために用いられるソース材料の厚さは、前記炭化シリコンウェハ及び該ＩＩＩ族窒化物層が１００ミクロン未満のボー及び１００ミクロン未満のワープからなる群のうちの少なくとも１つを有するように制御される、方法。
【請求項１４】
前記ＩＩＩ族窒化物層を形成させることは、前記炭化シリコンウェハおよび該ＩＩＩ族窒化物層の前記ボーならびに該炭化シリコンウェハおよび該ＩＩＩ族窒化物層の前記ワープからなる群のうちの少なくとも１つを低減するために該ＩＩＩ族窒化物層のひずみを制御することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＩＩＩ族窒化物層のひずみを制御することは、該ＩＩＩ族窒化物層が成長されるときの圧力およびＩＩＩ族−Ｖ族比からなる群のうちの少なくとも１つを制御することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＩＩＩ族窒化物層のひずみを制御することは、核形成条件を制御することにより、アイランドの成長および合体を介して初期ひずみを制御することを含む、請求項１４に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７４】
図２６および図２７は、本発明にしたがう、ウェハの望ましい（すなわち最小の）ボー特性およびワープ特性を示している。図２６は、ウェハのカウントに対するミクロン単位のボーの大きさのプロットであり、これらの１００マイクロメートルのウェハに対し、平均的な（平均）ボーは、３１ミクロン未満であり、標準偏差は、２６ミクロン未満であることを示している。複数のものとして見た場合、そのような１００ミリメートルのウェハの群のうちの少なくとも７５パーセントは、５７ミクロン未満のボーを有している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
図２７は、ワープについて同様の結果を示している。本明細書に開示されているように、少なくとも１５個の複数のウェハに対し、平均的なワープは、３７ミクロン未満であり、標準偏差は、２９ミクロン未満であった。１００ミリメートルのウェハのうちの少なくとも７５パーセントは、６６ミクロン未満のワープを有している。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２４】
2012142629.tif 000001
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２５】
2012142629.tif 000002
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２６】
2012142629.tif 000003
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２７】
2012142629.tif 000004
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
したがって、理論的には大きなウェハが望ましいが、ボーまたはワープが増加することが原因で、そして上述の典型的なエピタキシャル成長の特性が原因で、大きなウェハは管理することが困難である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月9日(2015.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手方向である第１方向と前記第１方向と異なる第２方向を有し可撓性を備える基体と、前記基体上に設けられる複数の配線部と、前記複数の配線部が離間して設けられる溝部と、を有する基板と、
前記基板上に配置され、前記複数の配線部に接続される発光素子と、
を備え、
前記溝部は、前記基板の平面視において前記第１方向に対して傾斜する方向に延びる第１溝部分と、前記第１溝部分から離間し、前記基板の平面視において前記第１方向に対して傾斜する方向に延びる第２溝部分と、前記第１溝部分及び前記第２溝部分に連なる第３溝部分と、を有し、
前記発光素子は、前記第３溝部分上に配置されている、
発光装置。
【請求項２】
前記第１溝部分と前記第２溝部分は、前記第１方向及び前記第２方向のそれぞれにおいて離間している、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第３溝部分は、前記第１方向に延びている、請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
長手方向である第１方向と前記第１方向と異なる第２方向を有する可撓性を備える基体と、前記基体上に設けられる複数の配線部と、前記複数の配線部が離間して設けられる溝部と、を有する基板と、
前記基板上に配置され、前記複数の配線部に接続される発光素子と、
を備え、
前記溝部は、前記基板の平面視において前記第１方向に対して傾斜する方向に延びる第１溝部分と、前記基板の平面視において前記第１溝部分から離間し、前記第１方向に対して傾斜する方向に延びる第２溝部分と、前記第１溝部分及び前記第２溝部分に連なる第３溝部分と、を有し、
前記発光素子は、前記複数の配線部のうちの第１の配線部にダイボンディングされ、
前記発光素子と電気的に接続されるワイヤは、前記第３溝部分をまたいで前記複数の配線部のうちの第２の配線部にボンディングされる、
発光装置。
【請求項５】
前記第２方向に沿って前記発光素子と電気的に接続されるワイヤを有する、
請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記基板上に配置され、前記発光素子を封止する封止部材を備え、
前記封止部材は、前記第１溝部分及び前記第２溝部分から離間している、
請求項１から５のいずれか一項に記載の発光装置。