Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面にアモルファスカーボン層が形成された水栓金具であって、
前記アモルファスカーボン層が形成される前後の色差値の差分である色差ΔＥ*ａｂが、２．１より大きく２２．１未満であることを特徴とする防汚性水栓金具。  
【請求項２】
前記アモルファスカーボン層の膜厚が１２ｎｍより厚いことを特徴とする、請求項１に記載の防汚性水栓金具。  
【請求項３】
基材とアモルファスカーボン層との間に設けられた中間層をさらに備えたことを特徴とする、請求項１に記載の防汚性水栓金具。  
【請求項４】
前記アモルファスカーボン層の膜厚が０．８ｎｍより厚いことを特徴とする、請求項３に記載の防汚性水栓金具。  
【請求項５】
前記中間層の膜厚が１．４ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項４に記載の防汚性水栓金具。  
【請求項６】
前記色差ΔＥ*ａｂが２．５以上１７．８以下であることを特徴とする、請求項３〜５のいずれか１つに記載の防汚性水栓金具。  
【請求項７】
前記色差ΔＥ＊ａｂが９．３以下である、請求項６に記載防汚性水栓金具。
【請求項８】
前記色差ΔＥ*ａｂが２．１より大きく５．１未満であることを特徴とする、請求項３〜５のいずれか１つに記載の防汚性水栓金具。
【請求項９】
前記アモルファスカーボン層と前記中間層との厚さの合計が、２０ｎｍ以下である、請求項３〜８のいずれか１つに記載の防汚性水栓金具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、表面にアモルファスカーボン層が形成された水栓金具であって、前記アモルファスカーボン層が形成される前後の色差値の差分である色差ΔＥ*ａｂが２．１より大きく２２．１未満であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月17日(2015.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のＭＡＬＤＩ質量分析方法であって、
測定対象物質と液体状である前記マトリクスとの混合物をサンプルプレート上に滴下し、その液滴の乾燥前に、飽和状態までフラーレンを溶解させた溶液を前記液滴に重層して乾燥させることによりサンプルを調製することを特徴とするＭＡＬＤＩ質量分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測距光を測定対象物に照射し、前記測定対象物からの反射光を受光して前記測定対象物までの距離を測定する光測距装置であって、
前記測距光を発光する光源と、
前記測定対象物に前記測距光を走査する反射角度可変ミラーと、
前記測距光の前記測定対象物からの前記反射光を受光する受光手段と、
前記受光手段により得られた受光信号を増幅する光量受光部と、
前記光量受光部で増幅した前記受光信号の光量に基づいて前記受光手段の受光感度を制御するための目標バイアス電圧を生成する増幅率制御部と、
前記光量受光部で検出した前記受光信号から前記測距光の飛行時間を検出し、前記測定対象物までの距離を算出する距離算出部と、を備え、
第１の走査期間に、前記増幅率制御部は前記光量受光部で増幅した前記受光信号の前記光量に基づいて前記目標バイアス電圧を生成し、
第２の走査期間に、前記増幅率制御部は前記受光手段の前記受光感度を前記第１の走査期間で生成した前記目標バイアス電圧により制御し、前記距離算出部が前記測定対象物までの距離を算出する、
光測距装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光測距装置において、
前記反射角度可変ミラーは２次元に前記測距光を走査し、
前記第１の走査期間と前記第２の走査期間は、前記２次元の走査フレームごとに切り替える、
光測距装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光測距装置において、
前記反射角度可変ミラーは２次元に前記測距光を走査し、
前記第１の走査期間と前記第２の走査期間は、前記２次元の走査フレームの所定の解像度ごとに切り替える、
光測距装置。
【請求項４】
請求項１に記載の光測距装置において、
前記反射角度可変ミラーは１次元に前記測距光を走査し、
前記第１の走査期間と前記第２の走査期間は、前記１次元の走査フレームごとに切り替える、
光測距装置。
【請求項５】
請求項１に記載の光測距装置において、
前記反射角度可変ミラーは１次元に前記測距光を走査し、
前記第１の走査期間と前記第２の走査期間は、前記１次元の走査フレームの所定の解像度ごとに切り替える、
光測距装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の光測距装置において、
前記光量受光部は増幅部及び／またはオフセット除去部を含む、
光測距装置。
【請求項７】
請求項１から５のいずれかに記載の光測距装置において、
前記増幅率制御部は、前記受光手段により得られた前記受光信号を微分する微分回路を含み、更に、該微分回路からの出力信号に基づいて前記目標バイアス電圧を生成する、
光測距装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の光測距装置において、
前記受光手段はアバランシェフォトダイオードである、
光測距装置。
【請求項９】
請求項１から７のいずれかに記載の光測距装置において、
前記光源はレーザである、
光測距装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の光測距装置において、
前記レーザの波長は赤外領域である、
光測距装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月3日(2015.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１に記載のクロマトグラフ質量分析データ処理装置であって、
前記マススペクトルスケーリング処理部は、一つのマススペクトル中のピークの信号強度の対数をとるスケーリングを行うことを特徴とするクロマトグラフ質量分析データ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記第１のスケーリングは例えば、そのマススペクトル中の任意のピーク又は任意のデータ点の信号強度値を、該マススペクトル中のピーク（通常は複数のピーク）の信号強度値又は任意のデータ点の標準偏差で除する処理とすることができる。これは、複数のマススペクトル間での信号強度値のばらつきの程度を揃えることを意味する。また、上記第２のスケーリングは例えば、そのマススペクトル中の任意のピーク又は任意のデータ点の信号強度値を、そのマススペクトル中のピーク又は任意のデータ点の信号強度値から求まる変動係数（＝標準偏差／平均値）で除する、換言すれば変動係数の逆数を重みとして乗じる処理とすることができる。これは、一つのマススペクトルにおける信号強度値のばらつきに関するマススペクトル間の相対的な差異を反映させることを意味する。
また本発明に係るクロマトグラフ質量分析データ処理装置の別の態様として、上記マススペクトルスケーリング処理部は、一つのマススペクトル中のピークの信号強度の対数をとるスケーリングを行う構成としてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また上記実施例の液体クロマトグラフ質量分析システムでは、(1)式に基づきマススペクトルに対し可変スケーリングを行っていたが、別の手法による可変スケーリングを用いることもできる。
具体的には、次の(2)式で示すようなlogスケーリングを用いることができる。
ＴＩＣRT=t＝ΣlogＩｎｔi      …(2)
ここで、Σ、ＴＩＣRT=t 、Ｉｎｔiの定義は(1)式と同じである。即ち、この式では、マススペクトル上の各ピーク信号強度値の対数を求め、保持時間毎に再計算した全信号強度値を用いてＲＴアライメントを行うことになる。このようなlogスケーリングは、ピークの大小関係を維持し（つまり、どの保持時間のマススペクトルに信号強度が大きなピークがあるかがＴＩＣに反映される）つつ信号強度が大きなピークの影響を相対的に抑えるスケーリングであり、それによって、マススペクトル中に他のピークと比べて信号強度が極端に大きなピークが存在した場合でも、該ピークによって信号強度が小さい他のピークの影響が覆い隠されることを回避することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
１…液体クロマトグラフ部
２…スポッティング部
３…質量分析部
３１…ＭＡＬＤＩイオン源
３２…ＴＯＦ型質量分離部
３３…検出器
４…アナログデジタル変換器
５…データ処理部
５１…三次元データ格納部
５２…マススペクトルスケーリング計算部
５３…全信号強度値計算部
５４…修正ＴＩＣ作成部
５５…ＲＴアライメント実行部
５６…差異解析部
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月20日(2014.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート表面を有するシート材料の取扱方法であって、
（Ｉ）少なくとも１２個の炭素原子と、主鎖の一端に近接して親水性基とを含む炭素主鎖を有する長鎖有機材料の非連続層を前記シート表面上に形成するステップ；および
（ＩＩ）前記長鎖有機材料を有する前記シート表面を、前記シート表面への引っかき傷を伴わずに複数の移動する粒子に露出させるステップ
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ステップ（Ｉ）において、前記有機材料が、主鎖の一端に親水性基を含む炭素主鎖を有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップ（Ｉ）において、前記有機材料が、ヒドロキシルおよびカルボキシル基から選択される親水性基を含む炭素主鎖を有することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（Ｉ）において、前記有機材料が、４０個以下の炭素原子を含む炭素主鎖を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
ステップ（Ｉ）において、前記有機材料が、Ｃ１８−ＯＨ、ならびに、Ｃ１８−ＯＨおよびＣ１８−酸の混合物から選択されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ステップ（Ｉ）終了時での前記長鎖有機材料の密度が、２０ｎｇ・ｃｍ−２〜１６０ｎｇ・ｃｍ−２であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（Ｉ）終了時での前記長鎖有機材料層の平均厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記シート表面上の前記長鎖有機材料層の前記平均厚が、前記炭素主鎖の全長の３倍以下であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記長鎖有機材料の分子が、実質的に単層構造を形成することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記長鎖有機材料の分子が、複数の非連続的な小島を前記シート表面上に形成することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記小島が、前記シート表面上に実質的に均一に分散していることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記小島が、前記シート表面のコーティングされていない裸表面領域によって分離されていることを特徴とする、請求項１０または請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記シート表面上の隣接する小島間の平均距離が０．１μｍ〜３μｍであることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ステップ（Ｉ）の終了時に、前記長鎖有機材料を有する前記シート表面が、２０％〜７０％のＡＦＭにより計測される付着力の低減を示すことを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（Ｉ）が：
（Ｉ．１）長鎖有機材料を含むガス流を提供するステップ；および
（Ｉ．２）前記長鎖有機材料の層を形成するのに十分な時間、前記ガス流を前記シート表面と接触させるステップ
を含むことを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
ステップ（Ｉ．１）が：
（Ｉ．１．１）前記長鎖有機材料を含む液体を形成するステップ；および
（Ｉ．１．２）前記液体中に、または、前記液体の表面の近傍に搬送ガス流を流過させて前記ガス流に前記長鎖有機材料を添加するステップ
を含むことを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
ステップ（Ｉ．２）において、前記ガス流と前記シート表面との前記接触時間が２分間以下であることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月1日(2014.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃エンジン、発電機、及び高電圧バッテリーパックを有するハイブリッド電気パワートレーンを備えた車両の内燃エンジンを始動させる方法であって、
内燃エンジン始動入力信号を受け取るステップと、
電気モータ兼用発電機に加わる負荷を求めるステップと、
前記電気モータ兼用発電機に加わる前記負荷が所定の負荷しきい値を下回るときには、前記電気モータ兼用発電機からのトルクを前記内燃エンジンに伝達するステップと、
前記電気モータ兼用発電機に加わる前記負荷が前記所定の負荷しきい値を上回るときには、外部設置始動装置からのトルクを前記内燃エンジンに伝達するステップと、
高電圧バッテリーパックの充電状態を判定するステップと、
前記高電圧バッテリーパックの充電状態が所定の充電レベルしきい値を上回るときには、前記電気モータ兼用発電機からのトルクを前記内燃エンジンに伝達するステップと、
前記高電圧バッテリーパックの充電状態が前記所定の充電レベルしきい値を下回るときには、前記外部設置始動装置からのトルクを前記内燃エンジンに伝達するステップと、を備えている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
外部設置始動装置要求信号を受け取ったかどうかを判定するステップと、
前記外部設置始動装置要求信号を受け取らなかった場合に前記電気モータ兼用発電機からのトルクを前記内燃エンジンに伝達するステップと、
前記外部設置始動装置要求信号を受け取った場合に前記外部設置始動装置からのトルクを前記内燃エンジンに伝達するステップと、を更に備えている、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記所定の負荷しきい値は、前記内燃エンジンのクランクシャフトを回転させるのに必要なトルクの大きさに基づいている、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記所定の負荷しきい値は、前記ハイブリッド電気パワートレーンにより動力供給された車体搭載機材の作動に基づいている、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ハイブリッド電気パワートレーンであって、
内燃エンジンを備え、
前記内燃エンジンに連結された電気モータ兼用発電機を備え、前記電気モータ兼用発電機は、トルクを前記内燃エンジンから受け、トルクを前記内燃エンジンに伝達するよう構成され、
前記内燃エンジンに連結された外部設置始動装置を備え、
前記内燃エンジン、前記電気モータ兼用発電機、及び前記外部設置始動装置と連絡状態にある電子制御システムを備え、前記電子制御システムは、前記電気モータ兼用発電機及び前記外部設置始動装置のうちの一方を起動してトルクを前記内燃エンジンに供給し、それにより前記内燃エンジンを始動させる論理を有し、
前記外部設置始動装置は、第２の内燃エンジンである、
ハイブリッド電気パワートレーン。
【請求項６】
第２の外部設置始動装置を更に有する、
請求項５に記載のハイブリッド電気パワートレーン。
【請求項７】
前記第２の外部設置始動装置は、電気モータを備えている、
請求項６に記載のハイブリッド電気パワートレーン。
【請求項８】
前記第２の外部設置始動装置は、油圧モータを備えている、
請求項６に記載のハイブリッド電気パワートレーン。
【請求項９】
前記第２の外部設置始動装置は、電気モータを備え、
前記外部設置始動装置は、第２の内燃エンジンを備えている、
請求項６に記載のハイブリッド電気パワートレーン。
【請求項１０】
内燃エンジン、発電機、及び高電圧バッテリーパックを有するハイブリッド電気パワートレーンを備えた車両の内燃エンジンを始動させる方法を実施する実行可能なコンピュータ可読プログラムコードが組み込まれコンピュータによって使用可能な媒体を有する物理的コンピュータプログラム製品であって、前記方法は、
内燃エンジン始動入力信号を受け取るステップと、
電気モータ兼用発電機に加わる負荷を求めるステップと、
高電圧バッテリーパックの充電状態を判定するステップと、
前記電気モータ兼用発電機に加わる前記負荷が所定の負荷しきい値を下回り且つ前記高電圧バッテリーパックの前記充電状態が所定の充電レベルしきい値を上回るとき、前記電気モータ兼用発電機からのトルクを前記内燃エンジンに提供するステップと、
前記電気モータ兼用発電機に加わる前記負荷が前記所定の負荷しきい値を上回るか前記高電圧バッテリーパックの前記充電状態が前記所定の充電レベルしきい値を下回るときに、外部設置始動装置からのトルクを前記内燃エンジンに提供するステップと、を備え、
前記所定の充電レベルしきい値は、前記内燃エンジンのクランクシャフトを回転させるのに必要なトルクの大きさに基づいている、
ことを特徴とする物理的コンピュータプログラム製品。
【請求項１１】
前記所定の負荷しきい値は、前記内燃エンジンのクランクシャフトを回転させるのに必要なトルクの大きさに基づいている、
請求項１０に記載の物理的コンピュータプログラム製品。
【請求項１２】
前記所定の負荷しきい値は、前記ハイブリッド電気パワートレーンにより動力供給された車体搭載機材の作動に基づいている、
請求項１０に記載の物理的コンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層上に、上面および側面を有し、ニッケルを含有する金属パターンを形成する工程と、
前記金属パターンの前記上面および側面を含む露出面に対して無電解めっきによってバリア層を形成し、前記金属パターンの表面を前記バリア層で被覆する工程と、
前記バリア層上に、無電解めっきによって導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記窒化物半導体層上に、開口を有する第１絶縁膜が設けられ、前記金属パターンは、前記第１絶縁膜および前記開口に接して形成され、前記バリア層と前記窒化物半導体層との間は、前記第１絶縁膜によって隔離されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記バリア層の形成は、前記金属パターンよりも大きい幅を有する開口が前記金属パターンに対応して形成されたマスクを設ける工程と、前記無電解めっきによって、前記マスクの開口内に前記バリア層を構成する材料を充填して成長させる工程と、によりなされることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電層が、前記マスクの開口内を充填して形成されることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電層上に第２絶縁膜を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属パターンを形成する工程は、前記窒化物半導体層上に、開口を有するマスクを形成する工程と、前記マスクを用いて前記金属パターンを真空蒸着法およびリフトオフ法により形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体基板を用意する工程と、
前記絶縁体基板上に、タングステンおよびモリブデンのうちの少なくとも１種を含む融点が１０００℃以上の金属を主成分とする第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に、ニッケルを主成分としてホウ素を含む第２の膜を形成する工程と、
前記第１の膜および前記第２の膜に対してシンター処理を行い、第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層上に、パラジウムを主成分とする第２金属層を形成する工程と、
を含むことを特徴とするベース基板の製造方法。
【請求項２】
前記シンター処理の後であって、前記第２金属層を形成する工程よりも前に、前記第１金属層上に、ニッケルおよびホウ素を含んで厚さが０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内にある第３金属層を形成する工程を含み、
第２金属層を形成する工程では、前記第３金属層の上に前記第２金属層が形成される請求項１に記載のベース基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２の膜中のホウ素の濃度は、０．１質量％以上３質量％以下の範囲内にある請求項１または２に記載のベース基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２金属層上に、金を含む第４金属層を形成する工程を含む請求項１ないし３のいずれか一項に記載のベース基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２金属層中のパラジウム以外の成分の濃度は、５質量％以下である請求項１ないし４のいずれか一項に記載のベース基板の製造方法。
【請求項６】
絶縁体基板を用意する工程と、
前記絶縁体基板上に、融点が１０００℃以上の金属を主成分とする第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に、ニッケルを主成分としてホウ素を含む第２の膜を形成する工程と、
前記第１の膜および前記第２の膜に対してシンター処理を行い、第１金属層を形成する工程と、
前記第１金属層上に、パラジウムを主成分とする第２金属層を形成し、ベース基板を得る工程と、
前記ベース基板上に、電子部品を設置する工程と、
前記第１金属層および前記第２金属層を介して前記ベース基板に蓋部を接合する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかに記載のベース基板の製造方法により製造されたことを特徴とするベース基板。
【請求項８】
請求項６に記載の製造方法により製造された電子デバイスを有することを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［適用例２］
本発明のベース基板の製造方法では、前記シンター処理の後であって、前記第２金属層を形成する工程よりも前に、前記第１金属層上に、ニッケルおよびホウ素を含んで厚さが０．１μｍ以上０．５μｍ以下の範囲内にある第３金属層を形成する工程を含み、
第２金属層を形成する工程では、前記第３金属層の上に前記第２金属層が形成されることが好ましい。
これにより、接合層の厚さをより厚くすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例３］
本発明のベース基板の製造方法では、前記第２の膜中のホウ素の濃度は、０．１質量％以上３質量％以下の範囲内にあることが好ましい。
これにより、より確実に、接合層を介してベース基板と蓋部とを接合する際の接合層のクラックの発生を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月21日(2015.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられたワイドバンドギャップ半導体層と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層上に設けられたアルミニウムメタルバック層と、
前記ワイドバンドギャップ半導体層から発生した深紫外光を共振させるための共振器構造と
を具備し、
前記アルミニウムメタルバック層側より電子線を照射して前記ワイドバンドギャップ半導体層を励起して該励起されたワイドバンドギャップ半導体層から発生した深紫外光を前記共振器構造によりレーザ共振させるようにし、
前記ワイドバンドギャップ半導体層がAlxGa1-xN井戸層（0.1≦x≦0.9）及びAlN障壁層よりなるAlxGa1-xN/AlN多重量子井戸層を具備し、
前記AlxGa1-xN/AlN多重量子井戸層の厚さは約６nmから６０nmである深紫外レーザ装置。
【請求項２】
前記アルミニウムメタルバック層の厚さは約３０〜１００nmである請求項１に記載の深紫外レーザ光源。
【請求項３】
さらに、前記電子線をアルミニウムメタルバック層に照射するためのグラファイトナノ針状ロッドにより構成される電子線源を具備する請求項１に記載の深紫外レーザ光源。
【請求項４】
前記基板の厚さt1は、
t1≧ａ・Ｅ３
但し、Ｅは前記電子線のエネルギー、
ａは前記基板の材料によって定める定数
である請求項１に記載の深紫外レーザ光源。
【請求項５】
さらに、前記電子線を前記ワイドバンドギャップ半導体層上にフォーカスさせるための静電レンズを具備する請求項１に記載の深紫外レーザ光源。
【請求項６】
さらに、内部が真空であるガラス管を具備し、
前記電子線源は前記ガラス管内に設置され、
前記アルミニウムメタルバック層は前記ガラス管に密着されている請求項３に記載の深紫外レーザ光源。
【請求項７】
さらに、前記ワイドバンドギャップ半導体層の両側に設けられた端面反射型の反射構造を具備する請求項１に記載の深紫外レーザ光源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上述の課題を解決するために、本発明に係る深紫外レーザ光源は、基板と、基板上に設けられたワイドバンドギャップ半導体層と、ワイドバンドギャップ半導体層上に設けられたアルミニウムメタルバック層と、ワイドバンドギャップ半導体層から発生した深紫外光を共振させる共振器構造とを具備し、アルミニウムメタルバック層側より電子線を照射してワイドバンドギャップ半導体層を励起してワイドバンドギャップ半導体層から発生した深紫外光を共振器構造によりレーザ発振するようにし、ワイドバンドギャップ半導体層はAlxGa1-xN/AlN多重量子井戸層であり、AlxGa1-xN/AlN多重量子井戸層の厚さが約6〜60nmであるとしたものである。これにより、電子線励起によるワイドバンドギャップ半導体層を用いた深紫外レーザ光源を実現する。また、アルミニウムメタルバック層によりワイドバンドギャップ半導体層が帯電して絶縁破壊するのを防止する。さらに、発光効率が非常に高くなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月19日(2015.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
接着剤層と、
前記接着剤層の第１の面に形成された配線層と、
前記接着剤層の前記第１の面とは反対側の第２の面に形成された支持基板と、
前記第１の面上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するように形成されたソルダレジスト層と、を有し、
前記配線層の前記接着剤層と接する側の面の一部が、前記接着剤層及び前記支持基板の厚さ方向を貫通する貫通孔から露出され、
前記配線層の一部が、前記ソルダレジスト層から露出され、
前記支持基板は、前記接着剤層に剥離可能に接着されていることを特徴とする配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
接着剤層と、
前記接着剤層の第１の面に形成された配線層と、
前記第１の面上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するように形成されたソルダレジスト層と、
前記配線層上又は前記ソルダレジスト層上に実装された半導体素子と、
前記第１の面上に形成され、前記半導体素子及び前記配線層を封止する封止樹脂と、を有し、
前記配線層の前記接着剤層と接する側の面の一部が、前記接着剤層の厚さ方向を貫通する貫通孔によって前記接着剤層から露出され、
前記配線層の一部が、前記ソルダレジスト層から露出され、
前記接着剤層の厚さは５μｍ〜２０μｍであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
片面に接着剤層が形成された支持基板を準備する工程と、
前記支持基板及び前記接着剤層の厚さ方向を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記接着剤層上に金属箔を接着する工程と、
前記金属箔をパターニングし、前記貫通孔によって前記支持基板及び前記接着剤層から露出されるパッドを有する配線層を形成する工程と、
前記接着剤層上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するソルダレジスト層を形成し、前記配線層の一部を前記ソルダレジスト層から露出させる工程と、を有し、
前記支持基板が前記接着剤層に剥離可能に接着されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記ソルダレジスト層及び前記支持基板をマスクとし、前記配線層を給電層とする電解めっき法により、前記配線層及び前記第１金属層及び前記第２金属層を被覆するようにめっき層を形成する工程と、を有することを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
片面に接着剤層が形成された支持基板を準備する工程と、
前記支持基板及び前記接着剤層に貫通孔を形成する工程と、
前記接着剤層上に金属箔を接着する工程と、
前記金属箔をパターニングし、前記貫通孔によって前記支持基板及び前記接着剤層から露出されるパッドを有する配線層を形成する工程と、
前記接着剤層上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するソルダレジスト層を形成し、前記配線層の一部を前記ソルダレジスト層から露出させる工程と、
前記配線層上又は前記ソルダレジスト層上に半導体素子を実装する工程と、
前記半導体素子及び前記配線層を封止するように前記接着剤層上に封止樹脂を形成する工程と、
前記支持基板を前記接着剤層から剥離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一観点によれば、接着剤層と、前記接着剤層の第１の面に形成された配線層と、前記接着剤層の前記第１の面とは反対側の第２の面に形成された支持基板と、前記第１の面上に、前記接着剤層及び前記配線層を被覆するように形成されたソルダレジスト層と、を有し、前記配線層の前記接着剤層と接する側の面の一部が、前記接着剤層及び前記支持基板の厚さ方向を貫通する貫通孔から露出され、前記配線層の一部が、前記ソルダレジスト層から露出され、前記支持基板は、前記接着剤層に剥離可能に接着されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月18日(2015.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
ダイオードと第１のスイッチと充電抵抗と監視対象の電力用コンデンサを介して電源に接続された第１の回路、ダイオードと第２のスイッチと基準コンデンサと充電抵抗を介して前記電源と接続された第２の回路、前記第１の回路の前記電力用コンデンサの電圧を分圧して第１のコンパレータに導く回路、前記基準コンデンサと接続された充電抵抗の出力を第２のコンパレータに導く回路、及び前記電力用コンデンサの充電状態信号を示す前記第１のコンパレータの出力と前記基準コンデンサの充電状態信号を示す前記第２のコンパレータの出力とを比較し、前記電力用コンデンサの異常を診断する診断手段を備えたことを特徴とする電力用コンデンサの異常診断機能付充電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月17日(2015.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像素子および撮像装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像素子および撮像装置に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、入射した光を光電変換して電荷を発生する複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子により共有される１つの画素アンプとから成る複数の画素ブロックを含む有効画素領域と、それぞれが１つの画素アンプを含み、入射した光に関係無く発生した電荷に基づく信号を出力する複数の画素ブロックを含む基準画素領域とを含む撮像素子と、前記撮像素子の前記基準画素領域から出力される信号のうち、予め決められた検出範囲外の信号値を有する信号を排除した残りの信号から列オフセットを検出する列オフセット検出手段と、前記撮像素子の前記有効画素領域から出力される信号から前記列オフセットを除去する列オフセット除去手段と、を有することを特徴とする。
また、本発明の撮像素子は、入射した光を光電変換して電荷を発生する複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子により共有される１つの画素アンプとから成る複数の画素ブロックを含む有効画素領域と、それぞれが１つの画素アンプを含み、入射した光に関係無く発生した電荷に基づく信号を出力する複数の画素ブロックを含む基準画素領域と、を有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した光を光電変換して電荷を発生する複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子により共有される１つの画素アンプとから成る複数の画素ブロックを含む有効画素領域と、それぞれが１つの画素アンプを含み、入射した光に関係無く発生した電荷に基づく信号を出力する複数の画素ブロックを含む基準画素領域とを含む撮像素子と、
前記撮像素子の前記基準画素領域から出力される信号のうち、予め決められた検出範囲外の信号値を有する信号を排除した残りの信号から列オフセットを検出する列オフセット検出手段と、
前記撮像素子の前記有効画素領域から出力される信号から前記列オフセットを除去する列オフセット除去手段と、
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記基準画素領域の画素は、光電変換素子を含まないことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記基準画素領域は、遮光されていることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
入射した光を光電変換して電荷を発生する複数の光電変換素子と、該複数の光電変換素子により共有される１つの画素アンプとから成る複数の画素ブロックを含む有効画素領域と、
それぞれが１つの画素アンプを含み、入射した光に関係無く発生した電荷に基づく信号を出力する複数の画素ブロックを含む基準画素領域と、
を有することを特徴とする撮像素子。
【請求項５】
前記基準画素領域の画素は、光電変換素子を含まないことを特徴とする請求項４に記載の撮像素子。
【請求項６】
前記基準画素領域は、遮光されていることを特徴とする請求項４または５に記載の撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月4日(2015.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（３−ｄ）次に、ＣＯＰフィルム３１３の幅方向に大きく確保した領域において中心導体３１１の幅方向の右端から約３００μｍの位置に中心導体３１１の長手方向と平行な切込み溝３２３を形成する（図５（ｄ））。切込み溝３２３の深さの精度は必要なく、厚み方向に突き抜けてもよい。
（３−ｅ）次に、切込み溝３２３の溝幅が広がる方向にＣＯＰフィルム３１３を折返し、中心導体３１１の幅方向の左端から約２００μｍまでを覆い、ＣＯＰフィルム３１３同士を貼り合せる（図５（ｅ））。すなわち、折り曲げたＣＯＰフィルム３１３によって中心導体３１１を挟み込む。その後、２６０℃で加熱積層することで、積層体３２１を製造する。上下のＣＯＰフィルム３１３は、加熱積層で熱溶着される。したがって、両者の接合には接着剤は不要である。
本実施形態では、ＣＯＰフィルム３１３のうち、中心導体３１１を下側から覆うフィルムが第１のフィルム部材に対応し、中心導体３１１を上側から覆うフィルムが第２のフィルム部材に対応する。すなわち、中心導体３１１がＣＯＰフィルム３１３のみからなる内部誘電体３２０によって囲まれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本実施形態の一例を示す図９におけるアンテナ素子５１を覆うアンテナ保護部材５９は、アンテナの仕様に合わせてより良い誘電率を有する材料を選択することが良い。アンテナの小型化から高誘電率材料が、またアンテナの放射効率の観点から低誘電率材料が考慮される。ここで、図９に示すアンテナ素子５１と、アンテナ素子５１を覆うアンテナ保護部材５９とには、第１、第２、第４の実施形態のシールドケーブルに用いた第２のフィルム部材１１４、２１４、４１４および第３の実施形態のシールドケーブルに用いた第２のフィルム部材の誘電率と異なる材料をそれぞれ用いることができる。
誘電率の比較的高い材料として例えば、ポリイミド、ナイロン、ポリエチレンテレフタレートを用いることができる。
誘電率の比較的低い材料として例えば、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーを用いることができる。
アンテナの仕様を考慮してこれらの材料とその厚みを選択したアンテナ保護部材５９をアンテナ素子５１の配置領域全体を覆うように支持誘電体５３にラミネートする。アンテナ保護部材５９と支持誘電体５３との間には接着性の観点から必要に応じて接着剤層５５を塗布しておくことが良い。
このように、アンテナ部３の仕様に対応して適正な誘電率の材料からなるアンテナ保護部材５９を形成することができる。勿論、アンテナ保護部材５９は、伝送線路部５の第２のフィルム部材１４を延長して形成することや第２のフィルム部材と同じ材料を用いて形成し、アンテナ部３の仕様を満たすことが可能な場合もある。
以上の構成に基づく図９に示す無線通信モジュール１は、電波障害防止やノイズ防止に一層対応でき、送受信の安定性を改善することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月21日(2015.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイサイド側スイッチング素子と、
ローサイド側スイッチング素子と、
多相モータに流れる電流を検出する電流検出回路と、
前記ハイサイド側スイッチング素子と前記ローサイド側スイッチング素子、ならびに前記多相モータを過電流から保護する過電流検出回路と、
前記電流検出回路や前記過電流検出回路の入力にしたがい、前記ハイサイド側スイッチング素子と前記ローサイド側スイッチング素子をオンオフして、前記多相モータを制御する制御回路とを備えるインバータ装置に対し、
前記インバータ装置の出力が停止状態にあるとき、前記ローサイド側スイッチング素子をオンにして、
前記電流検出回路の出力が停止状態において流れる電流値よりも大きく、前記過電流検出回路で設定された第１の電流設定値以下の範囲に設定された第２の電流設定値以上の場合、前記ローサイド側スイッチング素子をオフにしたうえで、前記インバータ装置の回路異常であることを外部に通信にて発信し、
前記電流検出回路の出力が前記第２の電流設定値以下の場合、前記ローサイド側スイッチング素子をオフにし、ハイサイド側スイッチング素子をオンにして、前記電流検出回路の出力が前記第２の電流設定値以上の場合、前記ハイサイド側スイッチング素をオフにしたうえで、前記インバータ装置の回路異常であることを外部に通信にて発信する、
回路異常判定手段を設けたインバータ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第１の発明は、ハイサイド側スイッチング素子と、ローサイド側スイッチング素子と、多相モータに流れる電流を検出する電流検出回路と、前記ハイサイド側スイッチング素子と前記ローサイド側スイッチング素子、ならびに前記多相モータを過電流から保護する過電流検出回路と、前記電流検出回路や前記過電流検出回路の入力にしたがい、前記ハイサイド側スイッチング素子と前記ローサイド側スイッチング素子をオンオフして、前記多相
モータを制御する制御回路とを備えるインバータ装置に対し、前記インバータ装置の出力が停止状態にあるとき、前記ローサイド側スイッチング素子をオンにして、前記電流検出回路の出力が停止状態において流れる電流値よりも大きく、前記過電流検出回路で設定された第１の電流設定値以下の範囲に設定された第２の電流設定値以上の場合、前記ローサイド側スイッチング素子をオフにしたうえで、前記インバータ装置の回路異常であることを外部に通信にて発信し、前記第２の電流設定値以下の場合、前記ローサイド側スイッチング素子をオフにし、ハイサイド側スイッチング素子をオンにして、前記電流検出回路の出力が前記第２の電流設定値以上の場合、前記ハイサイド側スイッチング素をオフにしたうえで、前記インバータ装置の回路異常であることを外部に通信にて発信する回路異常判定手段を設けたインバータ装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局装置と通信する端末装置であって、
セル選択において使用される情報として、前記端末装置のアクセスクラスに対応したセル状態を示す第１のセル情報と、使用の判断を前記端末装置が行う第２のセル情報とを前記基地局装置から受信し、
前記第１のセル情報と前記第２のセル情報とに基づいてセル選択を行うことを特徴とする端末装置。
【請求項２】
前記基地局装置から受信した、前記第２のセル情報を使用するための条件に関する情報に基づいて、前記第２のセル情報を使用したセル選択を行うことを特徴とする請求項１に記載の端末装置。
【請求項３】
前記第１のセル情報および前記第２のセル情報を適用したセルにおいて、前記端末装置のアクセスが制限されておらず、かつ、測定結果がある品質を満たすセルを、適切なセルの候補とすることを特徴とする請求項１に記載の端末装置。
【請求項４】
前記第２のセル情報を、検出したセルの報知情報から取得することを特徴とする請求項１に記載の端末装置。
【請求項５】
端末装置と通信する基地局装置であって、
前記端末装置がセル選択において使用する情報として、前記端末装置のアクセスクラスに対応したセル状態を示す第１のセル情報と、使用の判断を前記端末装置が行う第２のセル情報と、前記第２のセル情報を使用するための条件に関する情報とを、前記端末装置に送信することを特徴とする基地局装置。
【請求項６】
端末装置と基地局装置とを備える通信システムであって、
前記基地局装置は、前記端末装置がセル選択において使用する情報として、前記端末装置のアクセスクラスに対応したセル状態を示す第１のセル情報と、使用の判断を前記端末装置が行う第２のセル情報と、前記第２のセル情報を使用するための条件に関する情報と、を前記端末装置に送信し、
前記端末装置は、前記第１のセル情報と前記第２のセル情報とを前記基地局装置より受信し、前記第１のセル情報と前記第２のセル情報とに基づいてセル選択を行うことを特徴とする通信システム。
【請求項７】
端末装置と基地局装置とを備える通信システムにおける端末装置の通信方法であって、
前記端末装置は、セル選択において使用される情報として、前記端末装置のアクセスクラスに対応したセル状態を示す第１のセル情報と、使用の判断を前記端末装置が行う第２のセル情報とを前記基地局装置から受信するステップと、
前記第１のセル情報と前記第２のセル情報とに基づいてセル選択を行うステップを少なくとも具備することを特徴とする端末装置の通信方法。
【請求項８】
端末装置と基地局装置とを備える通信システムにおける基地局装置の通信方法であって、
前記端末装置がセル選択において使用する情報として、前記端末装置のアクセスクラスに対応したセル状態を示す第１のセル情報と、使用の判断を前記端末装置が行う第２のセル情報と、前記第２のセル情報を使用するための条件に関する情報とを、前記端末装置に送信するステップを少なくとも具備することを特徴とする基地局装置の通信方法。
【請求項９】
基地局装置と通信する端末装置に搭載される集積回路であって、
セル選択において使用される情報として、前記端末装置のアクセスクラスに対応したセル状態を示す第１のセル情報と、使用の判断を前記端末装置が行う第２のセル情報とを前記基地局装置より受信する機能と、前記第１のセル情報と前記第２のセル情報とに基づいてセル選択を行う機能を少なくとも前記端末装置に発揮させることを特徴とする端末装置の集積回路。
【請求項１０】
端末装置と基地局装置とを備える通信システムにおける基地局装置に搭載される集積回路であって、
前記端末装置がセル選択において使用する情報として、前記端末装置のアクセスクラスに対応したセル状態を示す第１のセル情報と、使用の判断を前記端末装置が行う第２のセル情報と、前記第２のセル情報を使用するための条件に関する情報とを、前記端末装置に送信する機能を少なくとも前記基地局装置に発揮させることを特徴とする基地局装置の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る撮影機器は、移動被写体を含む被写体を撮像する撮像部と、上記撮像部で撮像して得た撮像画像に基づく表示を行う表示制御部と、上記表示制御部によって表示された撮像画像内の位置に対応する操作位置を検出するタッチパネルと、上記撮像画像中の移動被写体を判定する被写体判定部と、上記タッチパネルが検出した操作位置に基づいて上記撮像部の視野範囲内の撮影を行う構図を設定するための位置を判定すると共に、上記撮影を行う構図を設定するための位置と上記移動被写体の移動位置に係る情報から撮影タイミングを決定する制御部とを具備する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動被写体を含む被写体を撮像する撮像部と、
上記撮像部で撮像して得た撮像画像に基づく表示を行う表示制御部と、
上記表示制御部によって表示された撮像画像内の位置に対応する操作位置を検出するタッチパネルと、
上記撮像画像中の移動被写体を判定する被写体判定部と、
上記タッチパネルが検出した操作位置に基づいて上記撮像部の視野範囲内の撮影を行う構図を設定するための位置を判定すると共に、上記撮影を行う構図を設定するための位置と上記移動被写体の移動位置に係る情報から撮影タイミングを決定する制御部と
を具備したことを特徴とする撮影機器。
【請求項２】
上記タッチパネルは、上記撮像画像を表示する表示部上に配設され、
上記表示制御部は、上記操作位置を上記タッチパネルに検出させるための操作に応じた表示を上記撮像画像とともに表示する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮影機器。
【請求項３】
上記制御部は、上記移動被写体が上記撮影を行う構図を設定するための位置に対応する上記撮像画像中の位置に到達するタイミングを上記撮影タイミングとする
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮影機器。
【請求項４】
上記制御部は、上記移動被写体が上記撮影を行う構図を設定するための位置に対応する上記撮像画像中の位置に到達するタイミングを予測して上記撮影タイミングを得る
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮影機器。
【請求項５】
上記制御部は、上記操作位置を上記タッチパネルに検出させるための操作の操作方向に基づく動体判定方向に移動する上記移動被写体を撮影する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の撮影機器。
【請求項６】
上記制御部は、上記タッチパネルに対するタッチ操作によって撮影を行う
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の撮影機器。
【請求項７】
上記制御部は、上記タッチパネルに触れた位置に応じて撮影操作であるか又は上記操作位置を上記タッチパネルに検出させるための操作であるかを判定する
ことを特徴とする請求項６に記載の撮影機器。
【請求項８】
上記制御部は、上記タッチパネルに対するスライド操作によって上記操作位置を検出して上記撮影を行う構図を設定するための位置を判断する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮影機器。
【請求項９】
上記制御部は、上記操作位置を上記タッチパネルに検出させるための操作を中止または解除するための操作を検出し、上記中止または解除するための操作を検出した場合には上記撮影を行う構図を設定するための位置の指定を中止または解除する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮影機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体を撮像素子に露出させるための露出制御を行う撮像制御手段と、
所定時間の露出を行った前記撮像素子の出力に基づいて撮像画像を生成する信号処理手段と、
前記撮像素子を含む撮像系の位置を移動させる撮像系移動手段と、前記所定時間の露出が行われている前記撮像素子における現在の露出時間情報に基づいて前記所定時間の露出が行われたと判断すると、予め定められたプライバシーマスクの設定情報と、前記撮像系の現在位置に基づく撮像位置情報とから、前記プライバシーマスクの前記撮像画像における重畳位置を計算する計算手段と、
前記撮像画像における前記重畳位置に前記プライバシーマスクを描画するマスク描画手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記露出時間情報と、前記撮像位置情報とを、前記プライバシーマスクを描画するまで、サンプリングするサンプリング手段をさらに備え、
前記露出時間情報に基づいて前記所定時間の露出が行われたと判断すると、前記予め定められたプライバシーマスクの設定情報と、前記サンプリング手段によりサンプリングされた最も古い撮像位置情報とから、前記プライバシーマスクの前記撮像画像における重畳位置を計算することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記露出時間情報と、前記撮像位置情報とを、前記プライバシーマスクを描画するまで、サンプリングするサンプリング手段を更に備え、
前記露出時間情報は、所定の周期で単調増加あるいは単調減少する情報であり、
前記計算手段は、前記サンプリング手段によりサンプリングされた露出時間情報が所定の値となった場合に前記重畳位置を計算することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像系移動手段は、前記撮像系の現在位置を計測する現在位置計測手段を備えることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像系移動手段による前記撮像系の移動方向は、パン方向、チルト方向、およびローテーション方向の少なくとも何れか１つであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像系はズームレンズを備え、
ズーム倍率を制御するレンズ制御手段をさらに備え、
前記計算手段は、前記撮像制御手段による露出時間情報に基づいて前記所定時間の露出が行われたと判断すると、前記予め定められたプライバシーマスクの設定情報と、前記ズームレンズの現在位置に基づく撮像位置情報とから、前記プライバシーマスクの前記撮像画像における重畳位置を計算することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記信号処理手段は、前記撮像画像を拡大する画像拡大手段を備えており、
前記計算手段は、前記撮像制御手段による露出時間情報に基づいて前記所定時間の露出が行われたと判断すると、前記予め定められたプライバシーマスクの設定情報と、前記画像拡大手段による拡大処理に基づく撮像位置情報とから、前記プライバシーマスクの前記撮像画像における重畳位置を計算することを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記撮像装置は、共有メモリをさらに備え、
前記撮像制御手段は、前記共有メモリに露出時間情報を書き込み、
前記撮像系移動手段は、前記共有メモリに撮像位置情報を書き込み、
前記計算手段は、前記共有メモリに記憶された露出時間情報に基づいて前記所定時間の露出が行われたと判断すると、前記予め定められたプライバシーマスクの設定情報と、前記共有メモリに記憶された撮像位置情報とから、前記プライバシーマスクの前記撮像画像における重畳位置を計算することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
撮像制御手段と、信号処理手段と、撮像系移動手段と、計算手段と、マスク描画手段と、を備える撮像装置の制御方法であって、
前記撮像制御手段が、被写体を撮像素子に露出させるための露出制御を行う撮像制御工程と、
前記信号処理手段が、所定時間の露出を行った前記撮像素子の出力に基づいて撮像画像を生成する信号処理工程と、
前記撮像系移動手段が、前記撮像素子を含む撮像系の位置を移動させる撮像系移動工程と、
前記計算手段が、前記所定時間の露出が行われている前記撮像素子における現在の露出時間情報に基づいて前記所定時間の露出が行われたと判断すると、予め定められたプライバシーマスクの設定情報と、前記撮像系の現在位置に基づく撮像位置情報とから、前記プライバシーマスクの前記撮像画像における重畳位置を計算する計算工程と、
前記マスク描画手段が、前記撮像画像における前記重畳位置に前記プライバシーマスクを描画するマスク描画工程と、
を有することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項１０】
被写体を撮像素子に露出させるための露出制御を行う撮像制御手段と、所定時間の露出を行った前記撮像素子の出力に基づいて撮像画像を生成する信号処理手段と、前記撮像素子を含む撮像系の位置を移動させる撮像系移動手段と、を備えるコンピュータに、前記撮像画像における重畳位置に予め定められたプライバシーマスクを描画する描画手順を実行させるためのプログラムであって、
前記所定時間の露出が行われている前記撮像素子における現在の露出時間情報に基づいて前記所定時間の露出が行われたと判断すると、前記プライバシーマスクの設定情報と、前記撮像系の現在位置に基づく撮像位置情報とから、前記撮像画像に前記プライバシーマスクを重畳する前記重畳位置を計算する計算手順と、
前記撮像画像における前記重畳位置に前記プライバシーマスクを描画するマスク描画手順と
を前記コンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成する本発明に係る撮像装置は、
被写体を撮像素子に露出させるための露出制御を行う撮像制御手段と、
所定時間の露出を行った前記撮像素子の出力に基づいて撮像画像を生成する信号処理手段と、
前記撮像素子を含む撮像系の位置を移動させる撮像系移動手段と、前記所定時間の露出が行われている前記撮像素子における現在の露出時間情報に基づいて前記所定時間の露出が行われたと判断すると、予め定められたプライバシーマスクの設定情報と、前記撮像系の現在位置に基づく撮像位置情報とから、前記プライバシーマスクの前記撮像画像における重畳位置を計算する計算手段と、
前記撮像画像における前記重畳位置に前記プライバシーマスクを描画するマスク描画手段と、
を備えることを特徴とする。