(57)【要約】  寸法を長くしても折れにくいジャンパチップ部品を提供する。絶縁基板３をガラスエポキシ基板から構成する。表面導電層５及び裏面導電層７を、絶縁基板３の表面３ａ及び裏面３ｂのに固定された銅箔から構成する。一対の端子電極９，１１を、絶縁基板３の端部に形成し、表面導電層５及び裏面導電層７に電気的に接続する。
2014003181.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面及び裏面を有する絶縁樹脂を基材とする絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記表面及び裏面の少なくとも一方に固定された金属箔からなる導電層と、
前記金属箔からなる導電層に電気的に接続され前記絶縁基板の一対の端部に形成された一対の端子電極とを備え、
前記一対の端子電極とは重ならない前記金属箔からなる導電層の露出部分が、絶縁材料からなるオーバーコート層によって覆われており、
前記金属箔からなる導電層は、前記絶縁基板の前記表面及び裏面の少なくとも一方の面の対向する一対の辺の間を延びており、
前記一対の端子電極は、前記金属箔からなる導電層の上に重なる重合電極部と、前記絶縁基板の側面上に形成される側面電極部とを備えており、
前記重合電極部及び側面電極部が、スパッタにより形成されたニクロム層の下地の上に形成されたＣｕのスパッタ薄膜層と、前記Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に形成されたメッキ層とからなり、
前記金属箔からなる導電層は、前記絶縁基板の前記一対の辺とは異なる他の一対の辺との間に間隔をあけて形成されており、
前記絶縁基板は、ガラスエポキシ基板であり、前記金属箔が銅箔であり、
前記絶縁基板は、前記一対の辺間の長さが前記他の一対の辺の長さの３倍よりも長く、前記一対の端子電極が位置する前記一対の辺間の長さが２．０ｍｍ以上であり、
前記絶縁基板の前記表面及び裏面には、それぞれ前記金属箔からなる導電層が形成されており、
前記一対の端子電極は、前記金属箔からなる導電層の上に重なる表面側重合電極部及び裏面側重合電極部と、前記絶縁基板の側面上に形成される側面電極部とを備えており、
前記表面側重合電極部及び裏面側重合電極部と前記側面電極部が、スパッタにより形成されたＣｕのスパッタ薄膜層と、前記Ｃｕの薄膜層の上に形成されたメッキ層とからなり、
前記メッキ層は、Ｎｉメッキ層からなる内側メッキ層と、Ｓｎメッキ層からなる外側メッキ層とから構成されていることを特徴とするジャンパチップ部品。
【請求項２】
表面及び裏面を有する絶縁樹脂を基材とする絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記表面及び裏面の少なくとも一方に固定された金属箔からなる導電層と、
前記金属箔からなる導電層に電気的に接続され前記絶縁基板の一対の端部に形成された一対の端子電極とを備えてなるジャンパチップ部品。
【請求項３】
前記一対の端子電極とは重ならない前記金属箔からなる導電層の露出部分が、絶縁材料からなるオーバーコート層によって覆われている請求項２に記載のジャンパチップ部品。
【請求項４】
前記金属箔からなる導電層は、前記絶縁基板の前記表面及び裏面の少なくとも一方の面の対向する一対の辺の間を延びており、
前記一対の端子電極は、前記金属箔からなる導電層の上に重なる重合電極部と、前記絶縁基板の側面上に形成される側面電極部とを備えており、
前記重合電極部及び側面電極部が、スパッタにより形成されたニクロム層の下地の上に形成されたＣｕのスパッタ薄膜層と、前記Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に形成されたメッキ層とからなる請求項２に記載のジャンパチップ部品。
【請求項５】
前記金属箔からなる導電層は、前記絶縁基板の前記表面及び裏面の少なくとも一方の面の対向する一対の辺の間を延びており、
前記一対の端子電極は、前記金属箔からなる導電層の上に重なる重合電極部と、前記絶縁基板の側面上に形成される側面電極部とを備えており、
前記重合電極部及び側面電極部が、スパッタにより形成されたニクロム層の下地の上に形成されたＣｕのスパッタ薄膜層と、前記Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に形成されたメッキ層とからなる請求項３に記載のジャンパチップ部品。
【請求項６】
前記金属箔からなる導電層は、前記絶縁基板の前記一対の辺とは異なる他の一対の辺との間に間隔をあけて形成されている請求項４に記載のジャンパチップ部品。
【請求項７】
前記金属箔からなる導電層は、前記絶縁基板の前記一対の辺とは異なる他の一対の辺との間に間隔をあけて形成されている請求項５に記載のジャンパチップ部品。
【請求項８】
前記絶縁基板は、ガラスエポキシ基板であり、前記金属箔が銅箔である請求項２に記載のジャンパチップ部品。
【請求項９】
前記絶縁基板は、前記一対の辺間の長さが前記他の一対の辺の長さの３倍よりも長く、前記一対の端子電極が位置する前記一対の辺間の長さが２．０ｍｍ以上である請求項４乃至請求項７のいずれか１項に記載のジャンパチップ部品。
【請求項１０】
前記絶縁基板の前記表面及び裏面には、それぞれ前記金属箔からなる導電層が形成されており、
前記一対の端子電極は、前記金属箔からなる導電層の上に重なる表面側重合電極部及び裏面側重合電極部と、前記絶縁基板の側面上に形成される側面電極部とを備えており、
前記表面側重合電極部及び裏面側重合電極部と前記側面電極部とが、スパッタにより形成されたＣｕのスパッタ薄膜層と、前記Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に形成されたメッキ層とからなる請求項２、３、６または７に記載のジャンパチップ部品。
【請求項１１】
前記絶縁基板の前記表面及び裏面には、それぞれ前記金属箔からなる導電層が形成されており、
前記一対の端子電極は、前記金属箔からなる導電層の上に重なる表面側重合電極部及び裏面側重合電極部と、前記絶縁基板の側面上に形成される側面電極部とを備えており、
前記表面側重合電極部及び裏面側重合電極部と前記側面電極部とが、スパッタにより形成されたＣｕのスパッタ薄膜層と、前記Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に形成されたメッキ層とからなり、
前記メッキ層は、Ｎｉメッキ層からなる内側メッキ層と、Ｓｎメッキ層からなる外側メッキ層とから構成されている請求項２、３、６または７に記載のジャンパチップ部品。
【請求項１２】
ガラスエポキシ銅張積層板の表面及び裏面の少なくとも一方の上に形成された銅箔を所定の間隔をあけて並行に切削して複数の銅箔切削部を形成することにより、所定の間隔を空けて平行に並ぶ複数の導電層部を形成するステップと、
前記複数の導電層部に跨がるように、前記複数の導電層部と直交し且つ前記複数の導電層部が延びる方向に所定の間隔を空けて平行に延びる複数のオーバーコート層部を形成するステップと、
前記複数のオーバーコート層部の両側に位置する前記ガラスエポキシ銅張積層板の複数の領域部分に、前記複数のオーバーコート層部と平行に延びる複数の貫通溝を形成するステップと、
前記複数の貫通溝を形成した前記ガラスエポキシ銅張積層板の前記銅箔が形成された面側からＣｕのスパッタリングを施してＣｕのスパッタ薄膜層部を形成するステップと、
前記複数の銅箔切削部に沿って、前記ガラスエポキシ銅張積層板を切断することにより複数のメッキ処理用ジャンパチップ部品を分離するステップと、
前記複数のメッキ処理用ジャンパチップ部品の前記Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に、メッキ層を形成するステップとからなるジャンパチップ部品の製造方法。
【請求項１３】
前記ガラスエポキシ銅張積層板の切断は、前記導電層部が切断面に露出しないように行われる請求項１２に記載のジャンパチップ部品の製造方法。
【請求項１４】
前記ガラスエポキシ銅張積層板は前記表面及び裏面の両方に前記銅箔が形成されており、
前記複数の導電層部を形成するステップでは、前記表面側に形成された前記複数の銅箔切削部と前記裏面側に形成された前記複数の銅箔切削部とが互いに対向するように前記複数の銅箔切削部を形成し、
前記複数のオーバーコート層部を形成するステップでは、前記貫通溝の開口部の周囲に前記導電層部の一部を露出させて導電層露出部を形成し、且つ前記表面側に形成された前記複数のオーバーコート層部と前記裏面に形成された前記複数のオーバーコート層部とが対向するように前記複数のオーバーコート層部を形成し、
前記Ｃｕのスパッタ薄膜層部を形成するステップでは、前記表面側及び裏面側からＣｕのスパッタリングを施すことにより、前記表面上の前記導電層露出部の上に重なる表面側薄膜層部及び前記裏面上の前記導電層露出部の上に重なる裏面側薄膜層部と、前記貫通溝の内面上に形成される側面薄膜層部を含む前記Ｃｕのスパッタ薄膜層部を形成することを特徴とする請求項１２または１３に記載のジャンパチップ部品の製造方法。
【請求項１５】
ガラスエポキシ銅張積層板の表面及び裏面の少なくとも一方の上に形成された銅箔を所定の間隔をあけて並行にエッチングして複数の銅箔エッチング部を形成することにより、所定の間隔を空けて平行に並ぶ複数の導電層部を形成するステップと、
前記複数の導電層部に跨がるように、前記複数の導電層部と直交し且つ前記複数の導電層部が延びる方向に所定の間隔を空けて平行に延びる複数のオーバーコート層部を形成するステップと、
前記複数のオーバーコート層部の両側に位置する前記ガラスエポキシ銅張積層板の複数の領域部分に、前記複数のオーバーコート層部と平行に延びる複数の貫通溝を形成するステップと、
前記複数の貫通溝を形成した前記ガラスエポキシ銅張積層板の前記銅箔が形成された面側からＣｕのスパッタリングを施してＣｕのスパッタ薄膜層部を形成するステップと、
前記複数の銅箔エッチング部に沿って、前記ガラスエポキシ銅張積層板を切断することにより複数のメッキ処理用ジャンパチップ部品を分離するステップと、
前記複数のメッキ処理用ジャンパチップ部品の前記Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に、メッキ層を形成するステップとからなるジャンパチップ部品の製造方法。
【請求項１６】
ガラスエポキシ製の大型絶縁基板の表面及び裏面の少なくとも一方にスパッタリングにより所定の間隔を空けて平行に並ぶ複数の導電下地層部を形成するステップと、
前記複数の導電下地層部に銅メッキをすることにより複数の導電層部を形成するステップと、
前記複数の導電層部に跨がるように、前記複数の導電層部と直交し且つ前記複数の導電層部が延びる方向に所定の間隔を空けて平行に延びる複数のオーバーコート層部を形成するステップと、
前記複数のオーバーコート層部の両側に位置する前記大型絶縁基板の複数の領域部分に、前記複数のオーバーコート層部と平行に延びる複数の貫通溝を形成するステップと、
前記複数の貫通溝を形成した前記大型絶縁基板の前記複数の導電層部が形成された面側からＣｕのスパッタリングを施してＣｕのスパッタ薄膜層部を形成するステップと、
前記複数の導電層部の間に位置する前記大型絶縁基板の複数の領域部分を前記導電層部沿って二つに切断することにより複数のジャンパチップ部品を分離するステップとからなるジャンパチップ部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ジャンパチップ部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２０１１−１１９５６９号公報（特許文献１）及び特開２００５−７９２３５号公報（特許文献２）には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を基材とするセラミック基板と、絶縁基板の上面に形成された導体と、導体と電気的に接続されるように絶縁基板の両端部に形成された電極とからなるジャンパチップ部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１１９５６９号公報
【特許文献２】特開２００５−７９２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、回路基板の構成が複雑化しており、プリント基板上に形成された回路において、より長い距離を接続することができるジャンパチップ部品の需要が高まっている。しかしながら、特許文献１及び特許文献２に示す従来のジャンパチップ部品の絶縁基板は、アルミナを基材とするセラミック基板である。一般的に、セラミック基板は、高い熱伝導性を有するものの、機械的強度および破壊靭性が低い。そのためセラミック基板を絶縁基板として用いた従来のジャンパチップ部品では、基板の長手方向の長さを基板の幅方向の長さの３倍よりも長くすると、ジャンパチップ部品に外力が加わった場合にジャンパチップ部品が折れてしまうという問題が生じている。【０００５】
本発明の目的は、寸法を長くしても折れないジャンパチップ部品を提供することにある。【０００６】
本発明の他の目的は、絶縁基板の可撓性が高いジャンパチップ部品を提供することにある。【０００７】
本発明のさらに他の目的は、絶縁基板の機械的強度及び破壊靭性が高いジャンパチップ部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、表面及び裏面を有する絶縁基板と、導電層と、一対の端子電極とを備えるジャンパチップ部品を改良の対象とする。絶縁基板の表面及び裏面の少なくとも一方には、金属箔からなる導電層を固定する。一対の端子電極を、絶縁基板の一対の端部に形成する。一対の端子電極は、金属箔からなる導電層に電気的に接続する。本発明では、絶縁基板の基材を絶縁樹脂とする。絶縁樹脂を基材とする絶縁基板は、高い曲げ弾性を有しており、従来のセラミック基板よりも可撓性が高い。そのため、絶縁基板の基材を絶縁樹脂にすると、外力が加わった場合にジャンパチップ部品が折れるといった問題が発生することを防止することができる。【０００９】
具体的なジャンパチップ部品では、一対の端子電極とは重ならない金属箔からなる導電層の露出部分を、絶縁材料からなるオーバーコート層によって覆う。金属箔からなる導電層は、絶縁基板の表面及び裏面の少なくとも一方の面の対向する一対の辺の間を延びるように形成する。一対の端子電極は、金属箔からなる導電層の上に重なる重合電極部と、絶縁基板の側面上に形成される側面電極部とを備えるように形成する。そして、重合電極部及び側面電極部を、スパッタにより形成されたニクロム層の下地の上に形成されたＣｕのスパッタ薄膜層と、Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に形成されたメッキ層とから構成する。【００１０】
導電層が絶縁基板の一対の辺とは異なる他の一対の辺まで形成されていると、導電層をオーバーコートで覆っても、導電層は、他の一対の辺で露出する。そのため、例えばメッキにより端子電極を形成する場合には、導電層の露出した部分にメッキが付着してしまう。導電層の露出した部分にメッキが付着すると、導体上にメッキが付着することとなる。そのため、近接する部品との短絡を生じさせる。そこで、金属箔からなる導電層は、絶縁基板の一対の辺とは異なる他の一対の辺との間に間隔をあけて形成されていることが好ましい。このように構成すると、導電層は、異なる他の一対の辺に露出することがないので、導電層にメッキが付着することがなくなる。【００１１】
絶縁基板はガラスエポキシ基板であり、金属箔は銅箔であることが好ましい。ガラスエポキシ基板は、絶縁樹脂を基材とする他の絶縁基板に比べて熱伝導率及び機械強度が高い。そのため、絶縁基板をガラスエポキシ基板とすると、可撓性と、機械的強度及び破壊靭性との両方を備えたジャンパチップ部品とすることができる。また、このような構成のジャンパチップ部品であれば、市販されている既存のガラスエポキシ銅張積層板を用いて簡単に製造することができる。【００１２】
従来のセラミック基板のジャンパチップ部品では、一対の辺間の長さが、他の一対の辺間の長さの３倍よりも長い場合に、一対の辺間の長さが２．０ｍｍ以上になると、外力が加わった場合にジャンパチップ部品が折れてしまうことが多くなる。本発明では、絶縁基板の一対の端子電極が位置する一対の辺間の具体的な長さは、一対の辺間の長さが、他の一対の辺間の長さの３倍よりも長い場合であっても、２．０ｍｍ以上とすることができる。なお、ジャンパチップ部品の幅寸法及び厚み寸法によっては、一対の辺間の長さを２．０ｍｍ以下とすることがきでるのは勿論である。【００１３】
絶縁基板の基材を絶縁樹脂とすると、セラミック基板または金属基板等を使用した従来のジャンパチップ部品に比べて、熱伝導率が低く放熱性が劣ることとなる。そのため、導電層を流れる電流が大きいと、導電層の発熱が放出されず、ジャンパチップ部品の抵抗値が高くなってしまうことがある。そこで、絶縁基板の表面及び裏面の両面にそれぞれ金属箔からなる導電層を形成するのが好ましい。この場合には、一対の端子電極は、金属箔からなる導電層の上に重なる表面側重合電極部及び裏面側重合電極部と、絶縁基板の側面上に形成される側面電極部とを備えるように構成する。そして、表面側重合電極部及び裏面側重合電極部と側面電極部とを、スパッタにより形成されたＣｕのスパッタ薄膜層と、Ｃｕのスパッタ薄膜層の上に形成されたメッキ層とから構成する。このように構成すると、絶縁基板の表面及び裏面に形成された導電層が並列に接続されるため、各導電層に流れる電流は少なくなる。そのため、導電層の発熱を抑えることができる。【００１４】
メッキ層は、Ｎｉメッキ層からなる内側メッキ層と、Ｓｎメッキ層からなる外側メッキ層とから構成することが好ましい。メッキ層をこのように構成すると、ジャンパチップ部品を半田付けにより実装基板に実装する場合に、端子電極の半田食われを防止することができるとともに、実装基板への半田付けを容易に行うことが可能となる。【００１５】
本発明の具体的なジャンパチップ部品の製造では、まずガラスエポキシ銅張積層板の表面及び裏面の少なくとも一方の上に形成された銅箔を所定の間隔をあけて並行に切削して複数の銅箔切削部を形成することにより、所定の間隔を空けて平行に並ぶ複数の導電層部を形成する。この複数の導電層部に跨がるように、複数の導電層部と直交し且つ複数の導電層部が延びる方向に所定の間隔を空けて平行に延びる複数のオーバーコート層部を形成する。次に、複数のオーバーコート層部の両側に位置するガラスエポキシ銅張積層板の複数の領域部分に、複数のオーバーコート層部と平行に延びる複数の貫通溝を形成する。複数の貫通溝を形成したガラスエポキシ銅張積層板の銅箔が形成された面側からＣｕのスパッタリングを施してＣｕのスパッタ薄膜層部を形成する。そして、複数の銅箔切削部に沿って、ガラスエポキシ銅張積層板を切断することにより複数のメッキ処理用ジャンパチップ部品を分離し、複数のメッキ処理用ジャンパチップ部品のＣｕのスパッタ薄膜層の上に、メッキ層を形成する。このように構成すると、既存のガラスエポキシ銅張積層板を用いて簡単にジャンパチップ部品を製造することができる。また、複数のジャンパチップ部品に対して、共通するオーバーコート層部及びスパッタ薄膜層部を形成しているので、高い印刷精度を必要とする工程の数が減る。そのため本発明のジャンパチップ部品を、従来の方法よりも簡単に且つ安価に製造することができる。なお、Ｃｕの薄膜層の上のバレルメッキ層の形成は、分離したジャンパチップ部品ごとに行うことができる。【００１６】
ガラスエポキシ銅張積層板の切断は、導電層部が切断面に露出しないように行うことが好ましい。このように構成すると、導電層が間に延びる一対の辺とは異なる他の一対の辺に、導電層が露出しないジャンパチップ部品とすることができる。【００１７】
ガラスエポキシ銅張積層板の表面及び裏面の両方に導電層を形成する場合には、ガラスエポキシ銅張積層板として、表面及び裏面の両方に銅箔が形成されたものを準備する。複数の導電層部を形成するステップでは、表面側に形成された複数の銅箔切削部と裏面側に形成された複数の銅箔切削部とが互いに対向するように複数の銅箔切削部を形成する。複数のオーバーコート層部を形成するステップでは、貫通溝の開口部の周囲に導電層部の一部を露出させて導電層露出部を形成し、且つ表面側に形成された複数のオーバーコート層部と裏面に形成された複数のオーバーコート層部とが対向するように複数のオーバーコート層部を形成する。Ｃｕのスパッタ薄膜層部を形成するステップでは、表面側及び裏面側からＣｕのスパッタリングを施すことにより、表面上の導電層露出部の上に重なる表面側薄膜層部及び裏面上の導電層露出部の上に重なる裏面側薄膜層部と、貫通溝の内面上に形成される側面薄膜層部を含むＣｕのスパッタ薄膜層部を形成する。【００１８】
なお、複数の導電層部は、ガラスエポキシ銅張積層板の銅箔層をエッチングすることにより形成してもよい。【００１９】
ガラスエポキシ銅張積層板を使用せずに、本発明のジャンパチップ部品を製造することもできる。この場合には、ガラスエポキシ製の大型絶縁基板の表面及び裏面の少なくとも一方にスパッタリングにより所定の間隔を空けて平行に並ぶ複数の導電下地層部を形成する。複数の導電下地層部に銅メッキをすることにより複数の導電層部を形成する。次に、複数の導電層部に跨がるように、複数の導電層部と直交し且つ複数の導電層部が延びる方向に所定の間隔を空けて平行に延びる複数のオーバーコート層部を形成する。この複数のオーバーコート層部の両側に位置する大型絶縁基板の複数の領域部分に、オーバーコート層部と平行に延びる複数の貫通溝を形成する。複数の貫通溝を形成した大型絶縁基板の複数の導電層部が形成された面側からＣｕのスパッタリングを施してＣｕのスパッタ薄膜層部を形成する。そして、複数の導電層部の間に位置する大型絶縁基板の複数の領域部分を導電層部沿って二つに切断することにより複数のジャンパチップ部品を分離する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態のジャンパチップ部品の斜視図である。
【図２】図１の実施の形態のジャンパチップ部品の構造を概略的に示す断面図である。
【図３】図２のジャンパチップ部品の表面導電層の形成を説明するための図である。
【図４】図１乃至図３に示すジャンパチップ部品の第１の製造方法における複数の工程を示す工程図である。
【図５】図１乃至図３に示すジャンパチップ部品の第２の製造方法における複数の工程を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下図面を参照して本発明のジャンパチップ部品の実施の形態を詳細に説明する。図１は本実施の形態のジャンパチップ部品１の斜視図であり、図２は本実施の形態のジャンパチップ部品の構造を概略的に示す断面図である。図２は、理解を容易にするために、模式的に示した断面図であって、各部の寸法比や各層の厚み及び形状は、実際の部品のそれらとは異なる。図３は、図２のジャンパチップ部品１の表面導電層の形成を説明するための図である。
【００２２】
図１及び図２に示すように、本実施の形態のジャンパチップ部品１は、ガラスエポキシからなる輪郭がほぼ矩形の絶縁基板３を有している。本実施の形態の絶縁基板３は、長手方向の寸法が２．０ｍｍ、幅方向の寸法が０．５ｍｍ、厚み方向の寸法が０．３ｍｍである。
【００２３】
絶縁基板３の基板表面３ａには、銅箔からなる表面導電層５が形成されている。また、絶縁基板３の基板裏面３ｂには、銅箔からなる裏面導電層７が形成されている。本実施の形態では、表面導電層５及び裏面導電層７は、同じ形状に形成されており、絶縁基板３を挟んで対向する位置に形成されている。表面導電層５及び裏面導電層７の厚みは、１２μｍである。
【００２４】
絶縁基板３の対向する一対の端部には、一対の端子電極９及び１１がそれぞれ形成されている。図１及び図２に示すように、一対の端子電極９及び１１は、絶縁基板３の短辺３ｃ側の端部及び短辺３ｄ側の端部に、幅寸法が等しく形成されている。端子電極９は、表面導電層５の一部を覆う表面側重合電極部９ａと、裏面導電層７の一部を覆う裏面側重合電極部９ｂと、絶縁基板３の短辺３ｃ側の側面３ｅを覆う側面電極部９ｃとを備えおり、表面導電層５、裏面導電層７及び絶縁基板３の側面３ｅに跨がるように形成されている。
【００２５】
本実施の形態の端子電極９は、スパッタでニクロム層の下地を作り、その上に形成されたＣｕの薄膜層１３と、Ｎｉメッキ層１５と、Ｓｎメッキ層１７とから構成されている。Ｃｕの薄膜層１３は、後述するようにスパッタリングにより厚さ０．４μｍに形成されており、表面導電層５と重なり合う表面側薄膜層１３ａ、裏面導電層７と重なり合う裏面側薄膜層１３ｂ及び絶縁基板３の側面３ｅと重なり合う側面薄膜層１３ｃとを有している。Ｃｕの薄膜層１３は、厚さ２〜１２μｍのＮｉメッキ層１５により全体的に覆われており、Ｎｉメッキ層１５は、厚さ３〜１２μｍのＳｎメッキ層１７により全体的に覆われている。
【００２６】
端子電極１１は、端子電極９と同様に構成されている。即ち、端子電極１１は、表面導電層５の一部を覆う表面側重合電極部１１ａと、裏面導電層７の一部を覆う裏面側重合電極部１１ｂと、絶縁基板３の短辺３ｄ側の側面３ｆを覆う側面電極部１１ｃとを備えており、表面導電層５、裏面導電層７及び絶縁基板３の側面３ｆに跨がるように形成されている。また、端子電極１１は、端子電極９と同様に、Ｃｕの薄膜層１３と、Ｎｉメッキ層１５と、Ｓｎメッキ層１７とを有している。
【００２７】
表面導電層５の端子電極９及び１１により覆われていない部分は、表面側オーバーコート層１９により覆われている。表面側オーバーコート層１９は、エポキシ樹脂により平均厚さ２０μｍに形成されている。
【００２８】
裏面導電層７の端子電極９及び１１により覆われていない部分は、裏面側オーバーコート層２１により覆われている。裏面側オーバーコート層２１は、表面側オーバーコート層１９と同様に、エポキシ樹脂により平均厚さ２０μｍに形成されている。
【００２９】
本実施の形態のジャンパチップ部品１は、図３に示すように、絶縁基板３の一対の長辺３ｇ及び３ｈに沿った部分に、表面導電層５が形成されていない導電層未形成部２３を有している。導電層未形成部２３の幅寸法は、０．１ｍｍである。即ち、表面導電層５は、一対の長辺３ｇおよび３ｈとの間に０．１ｍｍの間隔をあけて絶縁基板３の基板表面３ａ上に形成されている。従って、表面導電層５は、絶縁基板３の長辺３ｇ側の側面及び長辺３ｈ側の側面には露出していない。同様に、裏面導電層７は、絶縁基板３の一対の長辺３ｇ及び３ｈに沿った部分には形成されていない。そのため、裏面導電層７は、絶縁基板３の長辺３ｇ側の側面及び長辺３ｈ側の側面には露出していない。
【００３０】
次に、本実施の形態のジャンパチップ部品の第１の製造方法を、図４を用いて説明する。図４（Ａ）乃至（Ｆ）は、本実施の形態のジャンパチップ部品１の第１の製造方法における複数の工程を示す工程図である。まず、図４（Ａ）に示す多数個取り用の銅張積層板１０１を準備する。銅張積層板１０１は、ガラスエポキシからなる０．３ｍｍの厚さを有する矩形状の大型の絶縁基板層１０３と、絶縁基板層１０３の表面１０３ａに形成された表面銅箔１０５及び絶縁基板層１０３の裏面１０３ｂに形成された裏面銅箔１０７とから構成されている。表面銅箔１０５及び裏面銅箔１０７は、それぞれ１２μｍの厚みを有している。
【００３１】
図４（Ｂ）の工程では、銅張積層板１０１の対向する１対の辺１０１ａ及び１０１ｂに沿って表面銅箔１０５を切削して、絶縁基板層１０３の表面１０３ａが露出する複数の基板層露出部１０９を形成する。切削は、エッチングを用いて行う。なお銅箔はスライサのブレードを使って除去することもできる。複数の基板層露出部１０９は、約０．４ｍｍの幅を有しており、０．３ｍｍの間隔を空けて平行に並ぶように形成されている。表面銅箔１０５を切削して複数の基板層露出部１０９を形成することにより、複数の基板層露出部１０９の間にそれぞれ、銅箔からなる表面導電層部１１１が形成される。また、表面銅箔１０５を切削すると同時に、裏面銅箔１０７を切削して、複数の基板層露出部１０９を絶縁基板層１０３の裏面１０３ｂ形成することにより、絶縁基板層１０３の裏面１０３ｂに銅箔からなる裏面導電層部１１３が形成される。裏面銅箔１０７は、表面銅箔１０５を切削した部分と対向する部分を切削する。そのため、表面導電層部１１１及び裏面導電層部１１３は、絶縁基板層１０３を間に挟んで対向するように形成される。なお、裏面銅箔１０７の切削は、表面銅箔１０５の切削に続けて行ってもよい。
【００３２】
図４（Ｃ）の工程ではまず、絶縁基板層１０３の表面１０３ａに形成された複数の表面導電層部１１１を跨ぐように、エポキシからなる絶縁樹脂材料１１５を絶縁基板層１０３の表面１０３ａにスクリーン印刷する。絶縁樹脂材料１１５は、複数の表面導電層部１１１と直交するように、０．５ｍｍの幅で複数印刷される。また、絶縁基板層１０３の裏面１０３ｂに形成された複数の裏面導電層部１１３を跨ぐように、エポキシからなる絶縁樹脂材料を絶縁基板層１０３の裏面１０３ｂにスクリーン印刷する。絶縁樹脂材料は、表面１０３ａに印刷した絶縁樹脂材料と対向するように、絶縁基板層１０３の裏面１０３ｂに印刷される。そして、絶縁基板層１０３の表面１０３ａ及び裏面１０３ｂに印刷した絶縁樹脂材料を焼成することにより、複数の表面導電層部１１１に跨がる複数の表面オーバーコート層部１１５及び複数の裏面導電層部１１３に跨がる複数の裏面オーバーコート層部１１７が形成されている。そのため、複数の表面オーバーコート層部１１５及び複数の裏面オーバーコート層部１１７は、絶縁基板層１０３を間に挟んで対向する位置に形成される。複数の表面オーバーコート層部１１５及び複数の裏面オーバーコート層部１１７は、それぞれ２０μｍの厚みを有している。
【００３３】
図４（Ｄ）の工程では、複数の表面オーバーコート層部１１５の間にある銅張積層板１０１の一部を、ダイシングを用いて複数の表面オーバーコート層部１１５に沿って切断加工することにより、複数の表面オーバーコート層部１１５の間に、複数の表面オーバーコート層部１１５と平行に延びる複数の溝１１９を形成する。また、複数の表面オーバーコート層部１１５の両端にも、溝１１９を形成する。溝１１９の幅は、表面オーバーコート層部１１５の間隔よりも狭く、溝１１９は、表面オーバーコート層部１１５の端部に、表面オーバーコート層部１１５が形成されていない銅張積層板１０１の一部が露出するように形成される。なお、複数の表面オーバーコート層部１１５及び複数の裏面オーバーコート層部１１７は、絶縁基板層１０３を間に挟んで対向する位置に形成されているので、複数の溝１１９は、複数の裏面オーバーコート層部１１７に、複数の裏面オーバーコート層部１１７と平行に延びるように形成される。
【００３４】
図４（Ｅ）の工程では、溝１１９に隣接し、表面オーバーコート層部１１５が形成されていない銅張積層板１０１の一部を覆うように、スパッタリングによりＣｕの薄膜層１２１を形成する。具体的には、Ｃｕの薄膜層１２１は、表面オーバーコート層部１１５の端部に露出する銅張積層板１０１の一部における表面導電層部１１１、裏面導電層部１１３及び溝１１９により形成された銅張積層板１０１の側面にそれぞれ重なる、表面側薄膜層部１２１ａ、裏面側薄膜層部１２１ｂ及び側面薄膜層部１２１ｃを備えるように形成される。
【００３５】
そしてＣｕの薄膜層１２１を形成した後は、図４（Ｆ）に示すように、表面銅箔１０５を切削した部分に、ダイシングを用いて表面導電層部１１１に沿って溝１２３を形成して切断加工を施す。このダイシングによる切断加工によって、銅張積層板１０１から、導電層及びオーバーコートを備えたガラスエポキシ樹脂からなる絶縁基板３が分離される。
【００３６】
本実施の形態では、表面銅箔１０５を切削した部分の幅よりも狭い幅で、表面銅箔１０５を切削した部分の中央に溝１２３を形成している。そのため、溝１２３と表面導電層部１１１及び裏面導電層部１１３との間に、表面銅箔１０５及び裏面銅箔１０７を切削した部分が存在している。
【００３７】
最後に、分離した絶縁基板３の薄膜層１２１の上に、無電解メッキによりＮｉメッキ層１５を形成し、Ｎｉメッキ層１５の上にＳｎメッキ層１７を形成する。
【００３８】
なお、上記した図４（Ｂ）の工程において、表面銅箔１０５及び裏面銅箔１０７を切削して、複数の基板層露出部１０９を形成して、表面導電層部１１１及び裏面導電層部１１３を形成する代わりに、エッチングにより、複数の基板層露出部１０９を形成して、表面導電層部１１１及び裏面導電層部１１３を形成してもよい。
【００３９】
図５は、本実施の形態のジャンパチップ部品１の第２の製造方法における複数の工程を示す工程図である。第２の製造方法では、まず、図５（Ａ）に示すように、銅張積層板の代わりに、多数個取り用のガラスエポキシ製の大型絶縁基板２０１を準備する。
【００４０】
図５（Ｂ）の工程では、大型絶縁基板２０１の表面２０３ａ及び裏面２０３ｂに、スパッタでニクロム層の下地を作り、その上に銅をスパッタリングすることにより、複数の導電下地層部を形成する。そして、複数の導電下地層部に銅メッキをすることにより複数の表面導電層部２１１及び複数の裏面導電層部２１３を形成する。本実施の形態の複数の表面導電層部２１１及び複数の裏面導電層部２１３は、大型絶縁基板２０１を挟んで対向するように形成されている。
【００４１】
図５（Ｃ）の工程では、絶縁基板層２０３の表面２０３ａに形成された複数の表面導電層部２１１を跨ぐように、エポキシからなる絶縁樹脂材料２１５を絶縁基板層２０３の表面２０３ａにスクリーン印刷する。また、絶縁基板層２０３の裏面２０３ｂに形成された複数の裏面導電層部２１３を跨ぐように、エポキシからなる絶縁樹脂材料を絶縁基板層２０３の裏面２０３ｂにスクリーン印刷する。絶縁樹脂材料は、表面２０３ａに印刷した絶縁樹脂材料と対向するように、絶縁基板層２０３の裏面２０３ｂに印刷される。また絶縁樹脂材料は、表面導電層部２１１及び裏面導電層部２１３の一部が端部に露出するように印刷される。そして、絶縁基板層２０３の表面２０３ａ及び裏面２０３ｂに印刷した絶縁樹脂材料を焼成することにより、複数の表面導電層部２１１に跨がる複数の表面オーバーコート層部２１５及び複数の裏面導電層部２１３に跨がる複数の裏面オーバーコート層部２１７が形成される。
【００４２】
図５（Ｄ）の工程では、複数の表面導電層部２１１の間にある大型絶縁基板２０１の一部を、ダイシングを用いて複数の表面オーバーコート層部２１５に沿って切断加工することにより、複数の表面導電層部２１１の間に、複数の表面オーバーコート層部２１５と平行に延びる複数の溝２１９を形成する。また、複数の表面導電層部２１１の両端にも、溝２１９を形成する。なお、複数の溝２１９は、複数の裏面導電層部２１３の間に、複数の裏面オーバーコート層部２１７と平行に延びるように形成される。
【００４３】
図５（Ｅ）の工程では、溝２１９に隣接し、表面オーバーコート層部２１５及び裏面オーバーコート層部２１７が形成されていない複数の表面導電層部２１１及び複数の裏面導電層部２１３の一部を覆うように、スパッタリングによりＣｕの薄膜層２２１を形成する。具体的には、Ｃｕの薄膜層２２１は、表面オーバーコート層部２１５の端部に露出する表面導電層部２１１、裏面導電層部２１３及び溝２１９により形成された大型絶縁基板２０１の側面にそれぞれ重なる、表面側薄膜層部２２１ａ、裏面側薄膜層部２２１ｂ及び側面薄膜層部２２１ｃを備えるように形成される。
【００４４】
そしてＣｕの薄膜層２２１を形成した後は、図５（Ｆ）に示すように、表面導電層部２１１の間の大型絶縁基板２０１に、ダイシングを用いて表面導電層部２１１に沿って、表面オーバーコート層部２１５と直交する方向に溝２２３を形成して切断加工を施す。このダイシングによる切断加工によって、大型絶縁基板２０１から、導電層及びオーバーコートを備えたガラスエポキシ樹脂からなる絶縁基板３が分離される。
【００４５】
最後に、分離した絶縁基板３のＣｕの薄膜層２２１の上に、無電解メッキによりＮｉメッキ層１５を形成し、Ｎｉメッキ層１５の上にＳｎメッキ層１７を形成する。
【００４６】
上記実施の形態では、絶縁基板の分離後に、メッキ層を形成しているが、絶縁基板の分離前にメッキ層を形成してもよい。
【００４７】
また、上記実施の形態のジャンパチップ部品では、絶縁基板の両面に導電層が形成されているが、片面のみに導電層が形成されたジャンパチップ部品に本発明を適用することができるのは勿論である。
【００４８】
上記実施の形態においては、ガラスエポキシ基板を用いているが、本発明を適用する場合に使用する絶縁樹脂を基材とする絶縁基板は、ガラスエポキシ基板に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によれば、絶縁基板の基材を高い曲げ弾性を有する絶縁樹脂としたので、従来のセラミック基板よりも可撓性が高くなり、外力が加わった場合にジャンパチップ部品が折れてしまうことを防止することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  ジャンパチップ部品
３  絶縁基板
３ａ  基板表面
３ｂ  基板裏面
５  表面導電層
７  裏面導電層
９，１１  端子電極
９ａ，１１ａ  表面側重合電極部
９ｂ，１１ｂ  裏面側重合電極部
９ｃ，１１ｃ  側面電極部
１３  薄膜層
１３ａ  表面側薄膜層
１３ｂ  裏面側薄膜層
１３ｃ  側面薄膜層
１５  Ｎｉメッキ層
１７  Ｓｎメッキ層
１９    表面側オーバーコート層
２１裏面側オーバーコート層
２３  導電層未形成部
１０１  銅張積層板
１０１ａ  辺
１０１ｂ  辺
１０３絶縁基板層
１０３ａ  表面
１０３ｂ  裏面
１０５  表面銅箔
１０７  裏面銅箔
１０９  基板層露出部
１１１  表面導電層部
１１３  裏面導電層部
１１５  表面オーバーコート層部
１１７  裏面オーバーコート層部
１１９  溝
１２１  Ｃｕの薄膜層
１２１ａ  表面側薄膜層部
１２１ｂ  裏面側薄膜層部
１２１ｃ  側面薄膜層部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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