【手続補正書】
【提出日】平成27年3月27日(2015.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層を保護する、ルテニウム（Ｒｕ）または窒化クロム（ＣｒＮ）を含む保護層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、前記吸収体層をパターニングする際のマスクとなるレジスト層とがこの順に積層されたＥＵＶマスクブランクを準備する工程と、
レジスト層を除去する工程と、を含み、
前記レジスト層を除去する工程において、
前記保護層の表面の一部が露出している状態で、水素と不活性ガスを含むガスを用いて前記レジスト層を除去することを特徴とするＥＵＶマスク製造方法。
【請求項２】
前記不活性ガスは、窒素またはヘリウムまたはアルゴンであることを特徴とする請求項１記載のＥＵＶマスク製造方法。
【請求項３】
前記レジスト層を除去する工程において、
前記水素ガスの添加量が３ｖｏｌ％であることを特徴とする請求項１または２に記載のＥＵＶマスク製造方法。
【請求項４】
前記反射層は多層反射膜であり、シリコン（Ｓｉ）膜と（モリブデン）Ｍｏ膜が交互に積層された膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のＥＵＶマスク製造方法。
【請求項５】
前記基板の温度は１００℃になるように制御することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のＥＵＶマスク製造方法。
【請求項６】
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層を保護する、ルテニウム（Ｒｕ）または窒化クロム（ＣｒＮ）を含む保護層と、前記反射層と前記保護層をパターニングする際のマスクとなるレジスト層とがこの順に積層されたＥＵＶマスクブランクの、前記保護層の表面の一部が露出した状態でレジスト層を除去するＥＵＶマスク製造装置であって、
前記ＥＵＶマスクブランクを載置する載置台と、
前記載置台を内部に有し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器に設けられた排気口を介して前記処理容器内を減圧する減圧手段と、
前記処理容器の内部、または前記処理容器にガス搬送部を介して接続された放電管の内部に形成されるプラズマ発生領域と、 
前記プラズマ発生領域に処理ガスを導入するガス導入手段と、を備え、
前記ガス導入手段は、前記保護層の表面の一部が露出した状態で、レジスト層を除去する際に、水素ガスと不活性ガスの混合ガスである処理ガスを導入することを特徴としたＥＵＶマスク製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
実施形態に係るＥＵＶマスク製造方法は、  基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層を保護する、ルテニウム（Ｒｕ）または窒化クロム（ＣｒＮ）を含む保護層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層と、前記吸収体層をパターニングする際のマスクとなるレジスト層とがこの順に積層されたＥＵＶマスクブランクを準備する工程と、
レジスト層を除去する工程と、を含み、
前記レジスト層を除去する工程において、
前記保護層の表面の一部が露出している状態で、水素と不活性ガスを含むガスを用いて前記レジスト層を除去することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、実施形態に係るＥＵＶマスク製造装置によれば、
基板上に、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層を保護する、ルテニウム（Ｒｕ）または窒化クロム（ＣｒＮ）を含む保護層と、前記反射層と前記保護層をパターニングする際のマスクとなるレジスト層とがこの順に積層されたＥＵＶマスクブランクの、前記保護層の表面の一部が露出した状態でレジスト層を除去するＥＵＶマスク製造装置であって、
前記ＥＵＶマスクブランクを載置する載置台と、
前記載置台を内部に有し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器に設けられた排気口を介して前記処理容器内を減圧する減圧手段と、
前記処理容器の内部、または前記処理容器にガス搬送部を介して接続された放電管の内部に形成されるプラズマ発生領域と、 
前記プラズマ発生領域に処理ガスを導入するガス導入手段と、を備え、
前記ガス導入手段は、前記保護層の表面の一部が露出した状態で、レジスト層を除去する際に、水素ガスと不活性ガスの混合ガスである処理ガスを導入することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このとき、水素と不活性ガスの混合ガスのプラズマによってレジスト２０４を除去すると、レジスト２０４のアッシングレートを維持しつつ、保護層２０２へのダメージを少なくすることで、保護層２０２の光学特性の変動を抑えるようにすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図３は比較例のレジスト除去方法を行った場合の保護層２０２の光学特性変化（右軸）と、本実施例のレジスト除去方法を行った場合の保護層２０２の光学特性変化（左軸）を表した図である。比較例は酸素プラズマアッシングによってレジスト除去を行ったものである。本実施例は、水素（Ｈ２）ガスと窒素（Ｎ２）ガスの混合ガス（水素の流量が混合ガス全体に対して３％）のプラズマアッシングによってレジスト除去を行ったものである。比較例のレジスト除去方法によれば、保護層２０２の光学特性変化の量がレジスト除去前と比べて２．５％変動していることが分かる。対して本実施例によれば、レジスト除去前と比べて光学特性変化を１％以下に抑えることができる。なお、ここで言う「光学特性」とは、波長のピーク高さ（光の反射率）、半値幅、中心波長を合成したものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、レジスト除去の際に、載置台に設けられた温度制御手段４ａ（図２参照）によって温度制御を行うようにすれば、モリブデン層の拡散を抑えることができ、光学特性変化の変動をさらに抑えることができる。例えば、温度制御手段４ａをヒーターとし、基板の温度を１００度になるように制御すれば、モリブデン層の拡散を抑えることができ、光学特性変化の変動をさらに抑えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ここではＥＵＶマスクブランクを製造する際に用いることができるＥＵＶマスク製造装置１００について例示をする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
ＥＵＶマスク製造装置は、処理容器１と、ガス供給部２と、プラズマ発生部３と、減圧部８を備えている。プラズマ発生部３は放電管７、マイクロ波発生部１０、導入導波管６などが設けられている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
処理容器１は、減圧雰囲気を維持可能なように密閉された容器である。ＥＵＶマスク基板２０は、処理容器１内に設けられた載置台に載置され、プラズマ発生領域Ｐに発生するプラズマで生成されたプラズマ生成物によってアッシング処理が行われる。載置台はヒーターなどの温度制御手段４ａを内蔵し、ＥＵＶマスク基板２０の温度制御を行うことができる。