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【手続補正書】
【提出日】平成27年5月27日(2015.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材の表面の光学有効領域にアルミナの水和物を主成分とする透明な微細凹凸膜を含む反射防止膜を備え、該光学有効領域と隣接する非有効領域の少なくとも該光学有効領域に隣接する境界部を含む領域に遮光膜を備えてなる光学部材の製造方法であって、
前記遮光膜を形成すべき領域の一部にのみ前記遮光膜を形成する第１の遮光膜形成工程と、
前記反射防止膜を形成すべき領域に、水熱処理されて微細凹凸膜となる被水熱処理層を最表層とする光学薄膜を成膜する工程と、
前記遮光膜を形成すべき領域のうち、前記第１の遮光膜形成工程で前記遮光膜が形成されていない領域全体に前記遮光膜を形成する第２の遮光膜形成工程と、
前記被水熱処理層を水熱処理することにより、前記反射防止膜を形成すべき領域に前記微細凹凸膜を形成する工程をこの順に行うことを特徴とする光学部材の製造方法。
【請求項２】
透明基材の表面の、光学有効領域にアルミナの水和物を主成分とする透明な微細凹凸膜を含む反射防止膜を備え、該光学有効領域と隣接する非有効領域の少なくも該光学有効領域に隣接する境界部を含む領域に遮光膜を備えてなる光学部材の製造方法であって、
前記遮光膜を形成すべき領域の一部にのみ前記遮光膜を形成する第１の遮光膜形成工程と、
前記反射防止膜を形成すべき領域に、水熱処理されて微細凹凸膜となる被水熱処理層を最表層とする光学薄膜を成膜する工程と、
前記被水熱処理層を水熱処理することにより、前記反射防止膜を形成すべき領域に前記微細凹凸膜を形成する工程と、
前記遮光膜を形成すべき領域のうち、前記第１の遮光膜形成工程で前記遮光膜が形成されていない領域全体に前記遮光膜を形成する第２の遮光膜形成工程をこの順に行うことを特徴とする光学部材の製造方法。
【請求項３】
前記第１の遮光膜形成工程において、前記非有効領域の前記境界部に前記遮光膜を形成することを特徴とする請求項１または２記載の光学部材の製造方法。
【請求項４】
前記透明基材が、前記非有効領域に凹凸形状部を有するものであり、
前記第１の遮光膜形成工程において、前記凹凸形状部に前記遮光膜を形成することを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の光学部材の製造方法。
【請求項５】
前記光学薄膜を気相成膜により成膜することを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の光学部材の製造方法。
【請求項６】
前記反射防止膜が形成された光学有効領域が曲面であることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の光学部材の製造方法。
【請求項７】
前記第１および第２の遮光膜形成工程において、チタンブラック、カーボンブラック、黒色レジスト、黒色樹脂のうちいずれか１つ以上と樹脂バインダを含む塗布材料を塗布して前記遮光膜を形成することを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の光学部材の製造方法。
【請求項８】
透明基材の表面の光学有効領域にアルミナの水和物を主成分とする透明な微細凹凸膜を含む反射防止膜を備え、該光学有効領域と隣接する非有効領域の少なくとも該光学有効領域に隣接する境界部を含む領域に遮光膜を備えてなる光学部材であって、
前記非有効領域の一部に、前記遮光膜が２層重ねて形成された部分を有していることを特徴とする光学部材。
【請求項９】
透明基材の表面の光学有効領域にアルミナの水和物を主成分とする透明な微細凹凸膜を含む反射防止膜を備え、該光学有効領域と隣接する非有効領域の少なくとも該光学有効領域に隣接する境界部を含む領域に遮光膜を備えてなる光学部材であって、
前記非有効領域の一部に、前記遮光膜、該遮光膜とは異なる光学薄膜、前記遮光膜が順次積層されてなる部分を有していることを特徴とする光学部材。
【請求項１０】
前記非有効領域の一部が、前記光学有効領域に隣接する前記境界部を含むことを特徴とする請求項８または９記載の光学部材。
【請求項１１】
前記透明基材が、前記非有効領域に凹凸形状部を有するものであり、
前記非有効領域の一部が、前記凹凸形状部を含むことを特徴とする請求項８から１０いずれか１項記載の光学部材。
【請求項１２】
前記反射防止膜が形成された光学有効領域が曲面であることを特徴とする請求項８から１１いずれか１項記載の光学部材。
【請求項１３】
前記遮光膜が、チタンブラック、カーボンブラック、黒色レジスト、黒色樹脂のうちいずれか１つ以上を含む材料からなることを特徴とする請求項８から１２いずれか１項記載の光学部材。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
比較例３０１〜３０３および実施例３０１〜３１０
上層膜形成用組成物を、スピンコートにより厚さ３０ｎｍで成膜し、光透過性を評価した。具体的には分光エリプソメータ解析法により吸収係数を求め、波長１９３ｎｍおよび２４８ｎｍにおけるｋ値を算出した。得られた結果は表３に示す通りであった。すなわち、トリフェニレン誘導体を含まない比較例３０１〜３０３においては、２４８ｎｍのｋ値が非常に小さく、深紫外光の吸収が少ないのに対して、実施例３０１〜３１０においては深紫外光の吸収が大きいことがわかった。
【表３】
2014178573.tif 000001
Ｐ５：  アントラセン骨格を含むメタクリル酸モノマー単位とアクリル酸モノマー単位とからなるポリマー（モル比４０：６０）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
得られたレジスト膜を、Ｓｐｒｉｎｇ−８のニュースバル蓄積リングを用いて像用露光し、２．３８％水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液で３０秒間現像し、露光量および得られたパターン寸法ＣＤを測定した。さらに、上層膜を有していない比較例４０１のパターン寸法を基準として、各例におけるパターン寸法の変動値ΔＣＤを算出した。得られた結果は表４に示す通りであった。
【表４】
2014178573.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親水性基を有するトリフェニレン誘導体および溶剤を含んでなることを特徴とする上層膜形成用組成物。
【請求項２】
前記親水性基が、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、およびポリアルキレンオキサイド基からなる群から選択される、請求項１に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項３】
前記トリフェニレン誘導体が、トリフェニレン骨格ひとつあたり、３つ以上の親水性基を有するものである、請求項１または２に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項４】
前記トリフェニレン誘導体が、下記一般式（１）：
【化１】
2014178573.tif 000003
（式中、Ｒは、水素であるか、または、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、およびポリアルキレンオキサイド基からなる群から選択される親水性基であり、すべてのＲのうち、少なくとも３つ以上が親水性基である）
で表される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項５】
前記トリフェニレン誘導体が、トリフェニレン骨格を繰り返し単位に含むポリマーである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項６】
前記ポリマーが、下記一般式（２Ａ）または（２Ｂ）：
【化２】
2014178573.tif 000004
（式中、
Ｒは、水素であるか、または、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、およびポリアルキレンオキサイド基からなる群から選択される親水性基であり、すべてのＲのうち、少なくとも３つ以上が親水性基であり、
Ｒ１は、水素またはメチル基であり、
Ｒ’は、水素であるか、または、水酸基、カルボキシル基、スルホ基、アミノ基、アミド基、ニトロ基、シアノ基、ポリアルキレンオキサイド基からなる群から選択される親水性基であるか、式（２Ｂ）で表される繰り返し単位であり、すべてのＲ’のうち、少なくとも３つ以上が親水性基であり、
Ｌは２価の連結基である）
のいずれかである、請求項５に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項７】
前記トリフェニレン誘導体の含有量が、上層膜形成用組成物の総重量を基準として、０．０１〜１０重量％である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項８】
バインダーをさらに含んでなる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項９】
前記バインダーが深紫外線吸収基を有する、請求項８に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項１０】
前記バインダーの含有量が、上層膜形成用組成物の総重量を基準として、０．０１〜１０重量％である、請求項８または９に記載の上層膜形成用組成物。
【請求項１１】
基板上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成させ、前記レジスト膜上に、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の上層膜形成用組成物を塗布し、加熱により硬化させ、極紫外線を用いて露光し、アルカリ水溶液で現像することを含んでなることを特徴とする、パターン形成方法。
【請求項１２】
前記極紫外線の波長が５〜２０ｎｍである、請求項１１に記載のパターン形成方法。
【請求項１３】
形成される上層膜の膜厚が１〜１００ｎｍである、請求項１１または１２に記載のパターン形成方法。
【請求項１４】
前記加熱の温度が、２５〜１５０℃である、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子を含む流体が流れる流路と、前記流路内で前記粒子に誘電泳動力を作用させる作用電極部とを有する流路デバイスと、
前記流路内を流れる前記粒子の特性を検出し、前記検出された前記粒子の特性に基づき、方形波パルスを用いたパルス変調により電圧信号を生成し、これを前記作用電極部に出力する制御部と
を具備する分取装置。
【請求項２】
請求項１に記載の分取装置であって、
前記流路デバイスは、前記粒子の電気的特性を計測する計測電極部を有し、
前記制御部は、前記計測電極部で得られた信号に基づき、前記粒子の特性を検出する
分取装置。
【請求項３】
請求項２に記載の分取装置であって、
前記制御部は、前記計測電極部で得られた信号に基づき複素誘電率を算出し、前記複素誘電率に基づき前記電圧信号を生成する
分取装置。
【請求項４】
請求項１から３のうちいずれか１項に記載の分取装置であって、
前記制御部は、ＰＤＭ（Pulse Density Modulation）により前記電圧信号を生成する
分取装置。
【請求項５】
請求項１から３のうちいずれか１項に記載の分取装置であって、
前記制御部は、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）により前記電圧信号を生成する
分取装置。
【請求項６】
請求項１から５のうちいずれか１項に記載の分取装置であって、
前記制御部は、０．１MHz以上１００MHz以下の間の所定の周波数範囲を持つ方形波パルスを用いる
分取装置。
【請求項７】
請求項１から６のうちいずれか１項に記載の分取装置であって、
前記作用電極部は、
前記流体の流れ方向に沿って配列され、前記電圧信号が印加される複数の電極指と、
前記複数の電極指に対向して設けられた対向電極とを有する
分取装置。
【請求項８】
請求項７に記載の分取装置であって、
前記複数の電極指の先端と、前記対向電極との距離が一定となるように、前記対向電極が前記複数の電極指のそれぞれの周囲の少なくとも一部を囲むように配置されている
分取装置。
【請求項９】
粒子を含む流体が流れる流路と、前記流路内で前記粒子に誘電泳動力を作用させる作用電極部とを有する流路デバイスを用いて、前記粒子を分取する分取方法であって、
前記流路内を流れる前記粒子の特性を検出し、
前記検出された前記粒子の特性に基づき、方形波パルスを用いたパルス変調により電圧信号を生成し、これを前記作用電極部に出力する
分取方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月2日(2015.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を有するとともに流路配管を接続する接続ポートを外面に備え、前記接続ポートが流路を介して前記内部空間へ通じているハウジングと、
前記ハウジングの前記内部空間内に設けられ、前記内部空間の一壁面をなす平面を有し、その平面に前記接続ポートを前記内部空間へ通じさせる流路の端部である複数の接続穴が設けられているステータと、
前記内部空間内において前記接続穴が設けられている前記ステータの平面と液密を保って接するように配置され、前記ステータと接する面にいずれかの前記接続穴を選択的に接続する流路をなす溝が設けられているロータと、
前記ロータを保持するロータ保持部を先端に有し前記接続穴が設けられている前記ステータの平面に対して垂直に配置されたロータ駆動軸を備え、前記ロータ駆動軸を回転させることにより前記ロータを前記ステータと摺動させながら回転させるロータ駆動部と、
前記ハウジング内の前記ロータよりも下方の位置において液を受ける凹部と、
前記ハウジングに設けられ前記凹部で受けた液を前記ハウジングの外部へ導く開口部と、を備えた流路切換バルブ。
【請求項２】
前記ハウジングの内壁面から前記ロータ保持部に向かって突起して前記ロータ保持部の外周を囲う突起部を備え、該突起部の前記ステータ側の面に前記凹部が設けられている請求項１に記載の流路切換バルブ。
【請求項３】
前記突起部上に前記ロータ保持部の周面に密接して前記ロータ保持部と前記突起部との間の隙間を封止するリング状のシール部材が設けられ、
前記凹部は前記シール部材の外周に沿って設けられている請求項２に記載の流路切換バルブ。
【請求項４】
前記シール部材の前記ステータ側の面は液を前記凹部側へ導くように傾斜している請求項３に記載の流路切換バルブ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月6日(2015.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記継手の中心部材は略筒状に形成され、前記継手の周辺部材は前記中心部材の外周に形成されるとともに略筒状に形成され、前記中心部材と前記周辺部材との間に形成された環状の空間には前記インク供給部の先端が挿入されることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載の筆記具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（第１の発明）
上記の課題を解決するために、本願における第１の発明は、
筆記先端40と、
前記筆記先端40にインクを供給するインク供給部30と、
前記筆記先端40及び前記インク供給部30を連結させる継手60と、
前記筆記先端40、前記インク供給部30及び前記継手60を内部に収納する軸筒10とを有する筆記具1において、
前記継手60は、
少なくとも筆記先端40を接続する中心部材61と、
前記中心部材61から離間した周辺部材62と、
前記中心部材61と前記周辺部材62とを接続して成形された介在部材63とからなり、
前記介在部材63は前記中心部材61と前記周辺部材62とは異なる材質からなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで、軟質な物質とは、前記中心部材61と前記周辺部材62よりも軟質であれば、制限はないが、成型工程において、金型を用いて高温下で行うため熱可塑性のエラストマーが望ましい。
本発明によれば、第１の発明と同様に、筆記の際の力の入れ具合によって、継手60が撓むが、介在部材63に軟質な物質を使用しているため、より撓むことで、よりやわらかな筆記感となる。
（第４の発明）
本願のうち第４の発明は、第１、第２又は第３の発明に加え、前記継手60の中心部材61は略筒状に形成され、前記継手60の周辺部材62は前記中心部材61の外周に形成されるとともに略筒状に形成され、前記中心部材61と前記周辺部材62との間に形成された環状の空間に前記インク供給部30の先端が挿入されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉曲線を有する吐出口より粉末ガラスとバインダを含むペーストを吐出させ、前記ペーストにより第１のガラス基板上に閉曲線を有する隔壁を設ける工程と、
前記隔壁を加熱し、前記バインダを揮発させると共に前記粉末ガラス同士を融合させてフリットガラスとする工程と、
前記フリットガラスと第２のガラス基板とを加熱して溶着させ、前記フリットガラスと前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とで閉空間を形成する工程と、を有することを特徴とするガラス封止体の作製方法。
【請求項２】
閉曲線を有する吐出口より粉末ガラスとバインダを含むペーストを吐出させ、前記ペーストにより第１のガラス基板上に閉曲線を有する隔壁を設ける工程と、
前記隔壁を加熱し、前記バインダを揮発させると共に前記粉末ガラス同士を融合させてフリットガラスとする工程と、
第２のガラス基板上に発光素子を形成する工程と、
前記フリットガラスと前記第２のガラス基板とを加熱して溶着させ、前記フリットガラスと前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とで閉空間を形成して前記発光素子を前記閉空間に密封する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
閉曲線を有する吐出口より粉末ガラスとバインダを含むペーストを吐出させ、前記ペーストにより第１のガラス基板上に閉曲線を有する隔壁を設ける工程と、
前記隔壁を加熱し、前記バインダを揮発させると共に前記粉末ガラス同士を融合させてフリットガラスとする工程と、
第２のガラス基板上に発光素子を形成する工程と、
前記フリットガラスと前記第２のガラス基板とを加熱して溶着させ、前記フリットガラスと前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とで閉空間を形成して前記発光素子を前記閉空間に密封する工程と、を有し、
前記発光素子の電極につながる端子の一部は、前記閉空間の外に位置し、
前記端子と重なる前記フリットガラスに前記端子の凸部と噛み合う凹部を設けることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
第１のガラス基板上に発光素子を形成する工程と、
閉曲線を有する吐出口より粉末ガラスとバインダを含むペーストを吐出させ、前記ペーストにより前記第１のガラス基板上に前記発光素子を囲む閉曲線を有する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁を加熱し、前記バインダを揮発させると共に前記粉末ガラス同士を融合させてフリットガラスとする工程と、
前記フリットガラスと第２のガラス基板とを加熱して溶着させ、前記フリットガラスと前記第１のガラス基板と前記第２のガラス基板とで閉空間を形成して前記発光素子を前記閉空間に密封する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月31日(2015.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱媒体を加熱する誘導加熱装置であって、
回転軸を有する回転体と、
前記回転体と間隔をあけて配置される加熱部を有するステータ部と、を備え、
前記回転体には、前記加熱部に対向するように、前記加熱部の方向に磁束を発生する磁束発生部が設けられており、
前記加熱部は、磁性材料と導電材料との複合材料で形成され、磁性材料部と導電材料部とを組み合わせた構造を有し、
前記磁束発生部が前記加熱部の対向位置にあるとき、前記加熱部における前記磁束発生部から発生する磁束の鎖交面積よりも前記磁性材料部の断面積が小さく、
前記磁性材料部の周囲を囲むように前記導電材料部が配置されており、
前記加熱部には、前記熱媒体が流通する流通路が設けられている誘導加熱装置。
【請求項２】
さらに、前記磁束発生部が前記加熱部の対向位置にあるとき、前記磁束発生部の磁束が鎖交する前記加熱部の領域に前記磁性材料部が複数存在する請求項１に記載の誘導加熱装置。
【請求項３】
前記磁性材料部の断面形状が、円形又は多角形である請求項１又は２に記載の誘導加熱装置。
【請求項４】
前記磁束発生部から発生する磁束が、永久磁石によるものである請求項１〜３のいずれか一項に記載の誘導加熱装置。
【請求項５】
前記磁束発生部から発生する磁束が、コイルによるものである請求項１〜３のいずれか一項に記載の誘導加熱装置。
【請求項６】
前記導電材料部がアルミニウム系材料で形成されている請求項１〜５のいずれか一項に記載の誘導加熱装置。
【請求項７】
前記回転軸が、風車に接続され、
前記回転体を回転させる動力に風力を利用する請求項１〜６のいずれか一項に記載の誘導加熱装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の誘導加熱装置と、
前記誘導加熱装置により加熱した前記熱媒体の熱を電気エネルギーに変換する発電部と、を備える発電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
ソースが前記発光素子のアノードに電気的に接続され、前記発光素子に流れる電流を制御する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートに画像信号を入力するか否かを制御する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートとドレインを電気的に接続するか否かを制御する第３のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのドレインに第１の電源電位を供給するか否かを制御する第４のトランジスタと、
前記発光素子のアノードに第２の電源電位を供給するか否かを制御する第５のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートとソースの間の電圧を保持する第１の容量素子と、
前記発光素子のアノードと電気的に接続される第２の容量素子と、を備え、
前記第１のトランジスタ乃至前記第５のトランジスタのそれぞれは、ｎチャネル型トランジスタである発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第５のトランジスタのそれぞれのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する発光装置。
【請求項３】
発光素子と、
ソースが前記発光素子のアノードに電気的に接続され、前記発光素子に流れる電流を制御する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートに画像信号を入力するか否かを制御する第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートとドレインを電気的に接続するか否かを制御する第３のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのドレインに第１の電源電位を供給するか否かを制御する第４のトランジスタと、
前記発光素子のアノードに第２の電源電位を供給するか否かを制御する第５のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのドレインに第２の電源電位を供給するか否かを制御する第６のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのゲートとソースの間の電圧を保持する第１の容量素子と、
前記発光素子のアノードと電気的に接続される第２の容量素子と、を備え、
前記第１のトランジスタ乃至前記第６のトランジスタのそれぞれは、ｎチャネル型トランジスタである発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第６のトランジスタのそれぞれのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月10日(2015.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、容量素子及び発光素子を有し、
前記第２のトランジスタのドレインに第１電位が供給されており、
前記発光素子のカソードに前記第１電位よりも低い第２電位が供給されており、
前記第２のトランジスタのソースと前記発光素子のアノードが電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートと前記ソースの間の電圧は前記容量素子で保持され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の走査線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第２のトランジスタの前記ゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第２の走査線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のトランジスタの前記ソースと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方には、前記信号線の電位から前記第２のトランジスタの閾値電圧を差し引いた電位よりも低い電位が供給され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタの活性層には酸化物半導体が用いられる発光装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、容量素子及び発光素子を有し、
前記第２のトランジスタのドレインに第１電位が供給されており、
前記発光素子のカソードに前記第１電位よりも低い第２電位が供給されており、
前記第２のトランジスタのソースと前記発光素子のアノードが電気的に接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートと前記ソースの間の電圧は前記容量素子で保持され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の走査線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第２のトランジスタの前記ゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第２の走査線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のトランジスタの前記ソースと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタの活性層には酸化物半導体が用いられ、
第１期間において、前記第２のトランジスタの前記ゲートには、前記第２のトランジスタの閾値電圧及び前記発光素子の閾値電圧を前記第２電位に加算した電位よりも低い、第３電位が前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインを介して前記信号線から供給され、なおかつ、前記第２のトランジスタの前記ソースには、前記第３電位から前記第２のトランジスタの閾値電圧を差し引いた電位よりも低い第４電位が前記第３のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインを介して供給され、
第２期間において、前記第２のトランジスタの前記ソースへの前記第４電位の供給が停止し、
第３期間において、前記第２のトランジスタの前記ゲートに、画像信号の電位が与えられる発光装置。
【請求項３】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第３のトランジスタ、容量素子及び発光素子を有し、
前記第２のトランジスタのドレインに第１電位が供給されており、
前記発光素子のカソードに前記第１電位よりも低い第２電位が供給されており、
前記第２のトランジスタの前記ソースと前記発光素子のアノードが接続されており、
前記第２のトランジスタのゲートと前記ソースの間の電圧は容量素子で保持され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１の走査線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方は、信号線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインの他方は、前記第２のトランジスタの前記ゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第２の走査線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のトランジスタの前記ソースと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタの活性層には酸化物半導体が用いられ、
第１期間において、前記第２のトランジスタの前記ゲートには、前記第２のトランジスタの閾値電圧及び前記発光素子の閾値電圧を前記第２電位に加算した電位よりも低い、第３電位が前記第１のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインを介して前記信号線から供給され、なおかつ、前記第２のトランジスタの前記ソースには、前記第３電位から前記第２のトランジスタの閾値電圧を差し引いた電位よりも低い第４電位が前記第３のトランジスタの前記ソース及び前記ドレインを介して供給され、
第２期間において、前記第２のトランジスタの前記ソースへの前記第４電位の供給が停止し、
第３期間において、前記第２のトランジスタの前記ゲートへの前記第３電位の供給が停止し、
第４期間において、前記第２のトランジスタの前記ゲートに、画像信号の電位が与えられる発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記容量素子が有する容量値は、前記発光素子が有する容量値よりも小さい発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月10日(2015.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、
前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、
前記基板マークは、前記主表面の中央部を含む仮想平面上の距離であり、前記基板マークと前記主表面または面取り面との境界線における任意の点から、前記境界線に対して直交する方向における前記基板マークと前記Ｒ面との境界までの前記距離の最大値が１．５ｍｍ未満であることを特徴とするマスクブランク用基板。
【請求項２】
前記基板マークは、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のマスクブランク用基板。
【請求項３】
２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、
前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、
前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界が、前記主表面と面取り面との境界上または、前記主表面と面取り面との境界よりも外周側に位置し、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とするマスクブランク用基板。
【請求項４】
前記基板マークは、転写パターンを有する薄膜が形成される主表面側とは反対の主表面側に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のマスクブランク用基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜を備えることを特徴とするマスクブランク。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載のマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を備えることを特徴とする反射型マスクブランク。
【請求項７】
請求項５に記載のマスクブランクの薄膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする転写マスク。
【請求項８】
請求項６に記載の反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンが形成されていることを特徴とする反射型マスク。
【請求項９】
２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、
前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、
前記基板マークは、前記主表面の中央部を含む仮想平面上の距離であり、前記基板マークと前記主表面または面取り面との境界線における任意の点から、前記境界線に対して直交する方向における前記基板マークと前記Ｒ面との境界までの前記距離の最大値が１．５ｍｍ未満に形成されていることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されていることを特徴とする請求項９記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１１】
２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、
前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、
前記基板マークは、該基板マークと前記主表面または面取り面との境界が、前記主表面と面取り面との境界上または、前記主表面と面取り面との境界よりも外周側に位置し、前記主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されていることを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記基板マークは、転写パターンを有する薄膜が形成される主表面側とは反対の主表面側に形成されていることを特徴とする請求項９から１１のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項９から１２のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、転写パターンを形成するための薄膜を設けることを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
請求項９から１２のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法によって得られたマスクブランク用基板の主表面上に、多層反射膜と、転写パターンを形成するための薄膜である吸収体膜を設けることを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載のマスクブランクの製造方法によって得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することを特徴とする転写マスクの製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の反射型マスクブランクの製造方法によって得られた反射型マスクブランクの吸収体膜に転写パターンを形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明のマスクブランク用基板は、２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板であり、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって形成された斜断面形状の基板マークを有し、前記基板マークは、前記主表面の中央部を含む仮想平面上の距離であり、前記基板マークと前記主表面または面取り面との境界線における任意の点から、前記境界線に対して直交する方向における前記基板マークと前記Ｒ面との境界までの前記距離の最大値が１．５ｍｍ未満である構成としてある。
更に望ましくは、前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さいことを特徴とする構成としてある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、２つの主表面と、４つの側面と、隣接する側面間に形成されるＲ面と、前記主表面および側面の間に形成される面取り面とを備えた薄板状の基板に対し、前記主表面または面取り面と、前記Ｒ面とにかかって斜断面形状の基板マークを形成する基板マーク形成工程と、前記基板の両主表面を、研磨砥粒を含む研磨液を用いて研磨する研磨工程とを有し、前記基板マークは、前記主表面の中央部を含む仮想平面上の距離であり、前記基板マークと前記主表面または面取り面との境界線における任意の点から、前記境界線に対して直交する方向における前記基板マークと前記Ｒ面との境界までの前記距離の最大値が１．５ｍｍ未満に形成されている方法としてある。
更に望ましくは、前記基板マークは、主表面に対する傾斜角が４５度よりも大きく、９０度よりも小さく形成されることを特徴とする方法としてある。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、
前記画素部を駆動する信号線駆動回路と、を有し、
前記信号線駆動回路は、スイッチ回路部を有し、
前記スイッチ回路部は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有する表示装置。
【請求項２】
画素部と、
前記画素部を駆動する信号線駆動回路と、を有し、
前記信号線駆動回路は、スイッチ回路部を有し、
前記スイッチ回路部は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有し、
前記酸化物半導体層は、加熱処理により酸素を放出する絶縁膜と接し、
前記絶縁膜は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能する表示装置。
【請求項３】
画素部と、
前記画素部を駆動する信号線駆動回路と、を有し、
前記信号線駆動回路は、スイッチ回路部を有し、
前記スイッチ回路部は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有し、
前記酸化物半導体層は、加熱処理により酸素を放出する絶縁膜と接し、
前記絶縁膜は、層間絶縁膜として機能する表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層中の水素濃度は、５×１０１９ｃｍ−３未満である表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層中のナトリウム濃度は、５×１０１６ｃｍ−３以下であり、
前記酸化物半導体層中のリチウム濃度は、５×１０１５ｃｍ−３以下であり、
前記酸化物半導体層中のカリウム濃度は、５×１０１５ｃｍ−３以下である表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記トランジスタの電界効果移動度が１２０ｃｍ２／Ｖｓ以上である表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＥＬ表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、複数の画素と、複数の信号線と、複数の走査線と、複数の電源線とを有し、
前記絶縁基板上に、前記電源線と電気的に接続する電源線駆動回路を有し、
前記電源線駆動回路は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有するＥＬ表示装置。
【請求項２】
絶縁基板上に、複数の画素と、複数の信号線と、複数の走査線と、複数の電源線とを有し、
前記絶縁基板上に、前記電源線と電気的に接続する電源線駆動回路を有し、
前記電源線駆動回路は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有し、
前記酸化物半導体層は、加熱処理により酸素を放出する絶縁膜と接し、
前記絶縁膜は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能するＥＬ表示装置。
【請求項３】
絶縁基板上に、複数の画素と、複数の信号線と、複数の走査線と、複数の電源線とを有し、
前記絶縁基板上に、前記電源線と電気的に接続する電源線駆動回路を有し、
前記電源線駆動回路は、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、Ｉｎと、Ｓｎと、Ｚｎとを有し、
前記酸化物半導体層は、加熱処理により酸素を放出する絶縁膜と接し、
前記絶縁膜は、層間絶縁膜として機能するＥＬ表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物半導体層中の水素濃度は、５×１０１９ｃｍ−３未満であるＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体層中のナトリウム濃度は、５×１０１６ｃｍ−３以下であり、
前記酸化物半導体層中のリチウム濃度は、５×１０１５ｃｍ−３以下であり、
前記酸化物半導体層中のカリウム濃度は、５×１０１５ｃｍ−３以下であるＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月20日(2015.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素と、駆動回路と、を有し、
前記画素は、ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する第１のトランジスタと、前記画素への画像信号の入力を制御する第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタと前記ＥＬ素子との間又は前記第１のトランジスタと電源線との間に設けられる第３のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路は、第１及び第２のパルス出力回路を含む複数のパルス出力回路と、第１の反転パルス出力回路を含む複数の反転パルス出力回路と、を有し、
前記第１のパルス出力回路は、第１の選択信号を前記第２のトランジスタのゲートに出力する機能を有し、
前記第１のパルス出力回路は、第１のクロック信号が第４のトランジスタを介して出力される信号を第１のシフトパルスとして、前記第２のパルス出力回路及び前記第１の反転パルス出力回路に出力する機能を有し、
前記第２のパルス出力回路は、第２のクロック信号が第５のトランスタを介して出力される信号を第２のシフトパルスとして出力する機能を有し、
前記第１の反転パルス出力回路は、前記第１のシフトパルス及び前記第２のクロック信号に応じて、第２の選択信号を前記第３のトランジスタのゲートに出力する機能を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
画素と、駆動回路と、を有し、
前記画素は、ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する第１のトランジスタと、前記画素への画像信号の入力を制御する第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタと前記ＥＬ素子との間又は前記第１のトランジスタと電源線との間に設けられる第３のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路は、第１及び第２のパルス出力回路を含む複数のパルス出力回路と、第１の反転パルス出力回路を含む複数の反転パルス出力回路と、を有し、
前記第１のパルス出力回路は、第１の選択信号を前記第２のトランジスタのゲートに出力する機能を有し、
前記第１のパルス出力回路は、第１のクロック信号が第４のトランジスタを介して出力される信号を第１のシフトパルスとして、前記第２のパルス出力回路及び前記第１の反転パルス出力回路に出力する機能を有し、
前記第２のパルス出力回路は、第２のクロック信号が第５のトランスタを介して出力される信号を第２のシフトパルスとして出力する機能を有し、
前記第１の反転パルス出力回路は、第６のトランジスタと、第７のトランジスタと、第８のトランジスタと、第９のトランジスタと、を有し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートには、前記第２のクロック信号が入力され、
前記第７のトランジスタのゲート及び前記第９のトランジスタのゲートには、前記第１のシフトパルスが入力されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
画素と、駆動回路と、を有し、
前記画素は、ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する第１のトランジスタと、前記画素への画像信号の入力を制御する第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタと前記ＥＬ素子との間又は前記第１のトランジスタと電源線との間に設けられる第３のトランジスタと、を有し、
前記駆動回路は、第１及び第２のパルス出力回路を含む複数のパルス出力回路と、第１の反転パルス出力回路を含む複数の反転パルス出力回路と、を有し、
前記第１のパルス出力回路は、第１の選択信号を前記第２のトランジスタのゲートに出力する機能を有し、
前記第１のパルス出力回路は、第１のクロック信号が第４のトランジスタを介して出力される信号を第１のシフトパルスとして、前記第２のパルス出力回路及び前記第１の反転パルス出力回路に出力する機能を有し、
前記第２のパルス出力回路は、第２のクロック信号が第５のトランスタを介して出力される信号を第２のシフトパルスとして出力する機能を有し、
前記第１の反転パルス出力回路は、第６のトランジスタと、第７のトランジスタと、第８のトランジスタと、第９のトランジスタと、第１０のトランジスタと、を有し、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１０のトランジスタを介して前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートには、前記第２のクロック信号が入力され、
前記第７のトランジスタのゲート及び前記第９のトランジスタのゲートには、前記第１のシフトパルスが入力されることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第４のトランジスタ及び前記第５のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体層にチャネル形成領域を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月1日(2015.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４のトランジスタと、第１乃至第４の配線と、を有し、
前記第１の配線には、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続され、
前記第２の配線には、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続され、
前記第３の配線には、前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのゲートと、が電気的に接続され、
前記第４の配線には、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と、が電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートには、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートには、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続され、
前記第１及び前記第２のトランジスタの半導体層として、酸化物半導体層が用いられ、
前記第３及び前記第４のトランジスタの半導体層として、シリコンを含有する半導体層が用いられ、
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタの上方に設けられており、
前記第２のトランジスタは、前記第４のトランジスタの上方に設けられており、
前記第１のトランジスタの半導体層は、前記第３のトランジスタの半導体層と重なる領域を有し、
前記第２のトランジスタの半導体層は、前記第４のトランジスタの半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１乃至第５のトランジスタと、第１乃至第５の配線と、を有し、
前記第１の配線には、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続され、
前記第２の配線には、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方と、が電気的に接続され、
前記第３の配線には、前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのゲートと、が電気的に接続され、
前記第４の配線には、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方が電気的に接続され、
前記第５の配線には、前記第５のトランジスタのゲートが電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートには、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのゲートには、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方が電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方には、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と、前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方と、が電気的に接続され、
前記第１及び前記第２のトランジスタの半導体層として、酸化物半導体層が用いられ、
前記第３乃至前記第５のトランジスタの半導体層として、シリコンを含有する半導体層が用いられ、
前記第１のトランジスタは、前記第３のトランジスタの上方に設けられており、
前記第２のトランジスタは、前記第４のトランジスタの上方に設けられており、
前記第１のトランジスタの半導体層は、前記第３のトランジスタの半導体層と重なる領域を有し、
前記第２のトランジスタの半導体層は、前記第４のトランジスタの半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第３のトランジスタのゲートとして機能するゲート電極は、前記第１のトランジスタの半導体層と重なる領域を有し、
前記第４のトランジスタのゲートとして機能するゲート電極は、前記第２のトランジスタの半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続された第１の接続電極を有し、
前記第１の接続電極、及び前記第３のトランジスタのゲートとして機能するゲート電極は、同一工程を経て形成されたものであり、
前記第１の接続電極は、前記第１のトランジスタの半導体層と重なる領域を有することを特徴とする半導体装置。