【手続補正書】
【提出日】平成27年9月8日(2015.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられ、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の低抵抗領域と、前記第２の導電層と接する領域を有する第２の低抵抗領域と、前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上に設けられ、前記チャネル形成領域と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第１の導電層と重畳する第１の開口を介して、前記第１の低抵抗領域と電気的に接続する第１の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第２の導電層と重畳する第２の開口を介して、前記第２の低抵抗領域と電気的に接続する第２の配線層と、を有する半導体装置。
【請求項２】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられ、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の低抵抗領域と、前記第２の導電層と接する領域を有する第２の低抵抗領域と、前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の前記チャネル形成領域と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第１の導電層と重畳する第１の開口を介して、前記第１の低抵抗領域と接する領域を有する第１の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第２の導電層と重畳する第２の開口を介して、前記第２の低抵抗領域と接する領域を有する第２の配線層と、を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記酸化物半導体層の前記第１の配線層と接する領域と、前記酸化物半導体層の前記第２の配線層と接する領域の膜厚とは、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域の膜厚よりも薄い半導体装置。
【請求項４】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられ、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の低抵抗領域と、前記第２の導電層と接する領域を有する第２の低抵抗領域と、前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の前記チャネル形成領域と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第１の開口を介して、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第２の開口を介して、前記第２の導電層と接する領域を有する第２の配線層と、を有する半導体装置。
【請求項５】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられ、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の低抵抗領域と、前記第２の導電層と接する領域を有する第２の低抵抗領域と、前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の前記チャネル形成領域と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第１の開口を介して、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第２の導電層と重畳する第２の開口を介して、前記第２の低抵抗領域と電気的に接続する第２の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第１の導電層と重畳する第３の開口を介して、前記第１の低抵抗領域と接する領域を有する第３の配線層と、を有する半導体装置。
【請求項６】
第１の導電層第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられ、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の低抵抗領域と、前記第２の導電層と接する領域を有する第２の低抵抗領域と、前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の前記チャネル形成領域と重畳する領域を有するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第１の開口を介して、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第２の導電層と重畳する第２の開口を介して、前記第２の低抵抗領域と接する領域を有する第２の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第１の導電層と重畳する第３の開口を介して、前記第１の低抵抗領域と接する領域を有する第３の配線層と、を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記酸化物半導体層の前記第２の配線層と接する領域と、前記酸化物半導体層の前記第３の配線層と接する領域の膜厚とは、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域の膜厚よりも薄い半導体装置。
【請求項８】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層上に設けられ、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の低抵抗領域と、前記第２の導電層と接する領域を有する第２の低抵抗領域と、前記第１の低抵抗領域及び前記第２の低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域と、を含む酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極層と、
前記ゲート絶縁層上及び前記ゲート電極層上の絶縁層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第１の開口を介して、前記第１の導電層と接する領域を有する第１の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第２の開口を介して、前記第２の導電層と接する領域を有する第２の配線層と、
前記絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられ、前記第１の導電層と重畳する第３の開口を介して、前記第１の低抵抗領域と接する領域を有する第３の配線層と、を有する半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記絶縁層は酸化アルミニウム層を含む半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、酸化物半導体を含む半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記第１の導電層及び前記第２の導電層は金属材料または合金材料を含む半導体装置。
【請求項１２】
請求項５乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の配線層乃至前記第３の配線層には、少なくとも２種類の異なる材料が用いられる半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、結晶状態における化学量論的組成に対し、酸素の含有量が過剰な領域が少なくとも一部含まれている半導体装置。