【事件の表示】
　特願２０１４−２０１５１１「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　５月　９日出願公開，特開２０１６−　７２４７９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年９月３０日の出願であって，平成３０年３月１３日付けで拒絶理由が通知され，同年５月１５日に意見書が提出され，同年９月６日付けで拒絶査定がされ（同年同月１１日送達），これに対して，同年１２月７日に審判請求がされるとともに同時に手続補正がされたものである。
第２　補正の却下の決定
　平成３０年１２月７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，特許請求の範囲を補正するものであり，本件補正の前後で特許請求の範囲は以下のとおりである。
〈補正前〉
「【請求項１】
　半導体層と，前記半導体層の上面に設けられた上部電極と，前記半導体層の下面に設けられた下部電極と，を備える平面視が略矩形状の発光素子であって，
　平面視において，前記上部電極は，
　　前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部と，
　　前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部と，前記第１辺と対向する第２辺に接続される第２パッド部と，
　　前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ，かつ前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，
　前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあり，
　前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離以上であり，かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離以上であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
　前記第２直線上において，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と，前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と，は同じである請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
　前記第２直線上における，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離と，前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と，の比率と，
　前記第１延伸部の対角線上における，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離と，前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と，の比率と，は同じである請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
　前記第１パッド部と前記第２パッド部とは，前記第１延伸部における対角線の交点を通る第３直線上に設けられている請求項１乃至３のいずれか一つに記載の発光素子。
【請求項５】
　前記第１直線は，前記第３辺および前記第４辺に対して略平行である請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
　前記第２延伸部は，前記第３辺に対して略平行な部分を含み，前記第２延伸部の略平坦な部分は，前記第３辺の長さの２分の１以上の長さを有し，
　前記第３延伸部は，前記第４辺に対して略平行な部分を含み，前記第３延伸部の略平坦な部分は，前記第４辺の長さの２分の１以上の長さを有する請求項５に記載の発光素子。
【請求項７】
　前記第２延伸部と前記第３延伸部とは，離間して前記第１パッド部及び前記第２パッド部のそれぞれに接続されている請求項１乃至６のいずれか一つに記載の発光素子。
【請求項８】
　前記第１延伸部と前記第２延伸部と前記第３延伸部とは，隣り合う延伸部が６０°間隔になるように前記第１パッド部及び前記第２パッド部にそれぞれ接続されている請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
　前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離よりも長く，かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離よりも長い請求項１乃至８のいずれか一つに記載の発光素子。」
〈補正後〉
「【請求項１】
　半導体層と，前記半導体層の上面に設けられた上部電極と，前記半導体層の下面に設けられた下部電極と，を備える平面視が略矩形状の発光素子であって，
　平面視において，前記上部電極は，
　　前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部と，
　　前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部と，前記第１辺と対向する第２辺に接続される第２パッド部と，
　　前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ，かつ前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，
　前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあり，
　前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離以上であり，かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離以上であることを特徴とする発光素子。
　　【請求項２】
　前記第２延伸部は，前記第１パッド部及び前記第２パッド部からそれぞれ前記第３辺に対して傾斜する方向に延伸する２つの延伸部と，その一方の延伸部の端部から他方の端部まで，第３辺に対して略平行に延伸する延伸部とを有し，
　前記第３延伸部は，前記第１パッド部及び前記第２パッド部からそれぞれ前記第４辺に対して傾斜する方向に延伸する２つの延伸部と，その一方の延伸部の端部から他方の端部まで，前記第４辺に対して略平行に延伸する延伸部とを有する請求項１に記載の発光素子。
　　【請求項３】
　前記第２直線上において，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と，前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と，は同じである請求項１又は２に記載の発光素子。
　　【請求項４】
　前記第２直線上における，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離と，前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と，の比率と，
　前記第１延伸部の対角線上における，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離と，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離と，前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離と，の比率と，は同じである請求項１乃至３のいずれか一つに記載の発光素子。
　　【請求項５】
　前記第１パッド部と前記第２パッド部とは，前記第１延伸部における対角線の交点を通る第３直線上に設けられている請求項１乃至４のいずれか一つに記載の発光素子。
　　【請求項６】
　前記第１直線は，前記第３辺および前記第４辺に対して略平行である請求項５に記載の発光素子。
　　【請求項７】
　前記第２延伸部は，前記第３辺に対して略平行な部分を含み，前記第２延伸部の略平行な部分は，前記第３辺の長さの２分の１以上の長さを有し，
　前記第３延伸部は，前記第４辺に対して略平行な部分を含み，前記第３延伸部の略平行な部分は，前記第４辺の長さの２分の１以上の長さを有する請求項６に記載の発光素子。
　　【請求項８】
　前記第２延伸部と前記第３延伸部とは，離間して前記第１パッド部及び前記第２パッド部のそれぞれに接続されている請求項１乃至７のいずれか一つに記載の発光素子。
　　【請求項９】
　前記第１延伸部と前記第２延伸部の角度，前記第１延伸部と前記第３延伸部の角度及び前記第２延伸部と前記第３延伸部の角度がそれぞれ６０°になるように，前記第１延伸部，前記第２延伸部及び前記第３延伸部とが前記第１パッド部及び前記第２パッド部にそれぞれ接続されている請求項８に記載の発光素子。
　　【請求項１０】
　前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離よりも長く，かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離よりも長い請求項１乃至９のいずれか一つに記載の発光素子。」
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項は以下のとおりである。
〈補正事項１〉
　補正後の請求項２を加入するとともに，補正前の請求項２〜請求項９を補正後の請求項３〜請求項１０とし，これらに併せて，補正後の各請求項における引用請求項番号を変更する。
〈補正事項２〉
　補正前の請求項８の，「前記第１延伸部と前記第２延伸部と前記第３延伸部とは，隣り合う延伸部が６０°間隔になるように前記第１パッド部及び前記第２パッド部にそれぞれ接続されている」を，補正後の請求項９の「前記第１延伸部と前記第２延伸部の角度，前記第１延伸部と前記第３延伸部の角度及び前記第２延伸部と前記第３延伸部の角度がそれぞれ６０°になるように，前記第１延伸部，前記第２延伸部及び前記第３延伸部とが前記第１パッド部及び前記第２パッド部にそれぞれ接続されている」と補正する。
３　補正の目的の適否についての検討
　上記２の各補正事項のうち，補正事項１は，補正後の請求項２を新たに加えるものであって，このような補正は，特許法第１７条の２第５項に掲げるいずれの目的とするものにも該当しないから，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たさないものである。
４　むすび
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成３０年１２月７日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１に係る発明は，願書に添付された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
「【請求項１】
　半導体層と，前記半導体層の上面に設けられた上部電極と，前記半導体層の下面に設けられた下部電極と，を備える平面視が略矩形状の発光素子であって，
　平面視において，前記上部電極は，
　　前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部と，
　　前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部と，前記第１辺と対向する第２辺に接続される第２パッド部と，
　　前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ，かつ前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，
　前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあり，
　前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離以上であり，かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離以上であることを特徴とする発光素子。」
２　引用刊行物に記載された発明
（１）引用例１：　特表２０１３−５０８９９４号公報
ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特表２０１３−５０８９９４号公報（以下「引用例１」という。）には，図とともに，以下の記載がある。（下線は当審において付加。以下同様。）
（ア）「【０００１】
　
本発明は，垂直型発光ダイオード（ＬＥＤ，Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）装置に係り
【背景技術】
【０００２】
　　・・・（中略）・・・
【０００４】
　ＬＥＤのパワーと発光量を増加する方法の一つは，その大きさ及び発光表面積を増加する，というものである。しかし，
周知のＬＥＤは通常，半導体材料層の導電性が比較的低いため，電流が有効に且つ均一に，接点から全体の活性層に広がらず，ＬＥＤ内部には一部の領域の電流密度が高くなり過ぎる状況が発生し得て
【０００５】
　　・・・（中略）・・・
【０００６】
　
周知の大サイズの垂直型発光ダイオード装置の電流が均一に拡がらないことは，発光ダイオード装置の発光効率に影響を与える主因であり
【０００７】
　図２に示されるように，周知の大サイズの垂直型発光ダイオード装置２００中，第２金属電極ソルダパッド領域２１０は第２導電性半導体層２０２の中心に位置し，通常は，放射状金属電極２０１を利用することで，電流拡散特性を高めている。ただし，一般に発光ダイオード装置の輪郭のほとんどは正方形或いは矩形とされ，このため各放射状金属線を最良の電流拡散効果を達成できる方式で発光層上に配置するのが難しいのみならず，隣り合う放射状金属線の間が確実に同じ間距を有するようにすることも難しい。且つその金属電極両側はいずれも高輝度光照射側に属し，光を吸収して輝度の下降を形成しやすい。図３Ａ及び３Ｂには，別の周知の大サイズの垂直型発光ダイオード装置２００Ａと２００Ｂが示され，その金属電極の両側はいずれも高輝度光照射側に属し，同様に光を吸収して輝度下降を形成しやすい。これにより，周知のＬＥＤ装置には，以下のような改善を要する問題，たとえば，電流密度が十分に均一ではないこと，光取り出し効率が高くないこと，輝度が必要を満足できないこと，効率が要求を満足できないこと，使用寿命が十分に長くないこと，が不変に存在している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
　上述の問題を鑑み，本発明は一種の改良式垂直型発光ダイオード装置を提供し，それは周知のＬＥＤ装置に較べてさらに高い出力輝度及び効率を有し，並びに余分のコストを増さない状況で，十分に現代人の高エネルギー効率の要求を満足させ，そのうち，複雑な製造工程技術に関わらず，十分に経済効果を有するものとする。
【０００９】
　
本発明は電流拡散を改良し金属電極吸光特性を減らしたＬＥＤ装置を提供する
（イ）「【００１４】
　図４は本発明に基づく一つの実施例の大サイズ垂直型ＧａＮ（窒化ガリウム）発光ダイオード装置３００の平面図である。図５は同時に図４の発光ダイオード装置３００の平面図及び断面図を示す。図６は図４の発光ダイオード装置３００の立体図である。本実施例中，ｎ型（第２）導電性半導体層３０２のサイズは１ｍｍ2 である。
本発明の大サイズ垂直型発光ダイオード装置３００は，第１電極３０９，該第１電極３０９の上に形成された導電基底層３０８，該導電基底層３０８の上に形成された鏡面反射層３０６，該鏡面反射層３０６の上に形成されたｐ型（第１）導電性半導体層３０４，該ｐ型（第１）導電性半導体層３０４の上に形成された活性層３０３（または「発光層」と称される），該活性層３０３の上に形成されたｎ型（第２）導電性半導体層３０２，該ｎ型（第２）導電性半導体層３０２の上に形成された第２金属電極３０１を包含し，そのうち，第２金属電極３０１はｎ型導電性半導体層３０２の外側に設置され，且つ第２金属電極３０１の両側はそれぞれ高光照射側３０１’，低光照射側３０１”とされ，そのうち低光照射側３０１”は該鏡面反射層３０６の幅範囲Ｗ外に位置し，すなわち，低光照射側３０１”は並びに鏡面反射層３０６によりカバーされず，中央に３本の金属電極線が設置されて第２金属電極３０１と接続される。注意すべきことは，中央に設置される金属電極線の数は，全体のＬＥＤ装置の外形輪郭及びサイズに合わせて，或いは必要により決定され得ることである。
ＬＥＤ装置３００はさらに金属ソルダパッド領域３１０を包含し（図４及び図６に示されるとおり），それは，電気的接続に用いられる。注意に値することは，図中，電気的接続に用いられる金属ソルダパッド領域３１０は例示にすぎず，本発明はこの部分に記載される状況に限定されない。金属ソルダパッド領域３１０の数量は実際の必要により増減可能である。
（ウ）「【００２５】
　
図１４Ａ−１４Ｆ，図１５Ａ−１５Ｆ，図１６Ａ−１６Ｆ，図１７Ａ−１７Ｆ，図１８Ａ−１８Ｆ，図１９Ａ−１９Ｆはそれぞれ本発明のその他の実施例の大サイズ垂直型発光ダイオード装置の平面図を示し
【００２６】
　本発明の特徴は以下のとおりである。垂直型発光ダイオード装置の金属電極が外側の金属電極の方式で半導体層上に設置され，外側の金属電極配置により，立方体と直方体の垂直型発光ダイオード装置の電流拡散性能を最適化し金属電極吸光を減らし，これにより輝度を高め，効率を高め，使用寿命を延長し，周知技術に較べてさらに優れた性能を現出する。」
（エ）図１９Ｆは以下のものである。
イ　前記ア（ウ）の「図１４Ａ−１４Ｆ，図１５Ａ−１５Ｆ，図１６Ａ−１６Ｆ，図１７Ａ−１７Ｆ，図１８Ａ−１８Ｆ，図１９Ａ−１９Ｆはそれぞれ本発明のその他の実施例の大サイズ垂直型発光ダイオード装置の平面図」について，当該各「大サイズ垂直型発光ダイオード装置」の積層構造は，前記ア（イ）に記載されたものと同様であると解される。
ウ　ここで，上記ア（イ）の記載を参酌して図１９Ｆを参照すると，「大サイズ垂直型発光ダイオード装置」の平面形状は略矩形であって，第２金属電極３０１に関しては，外形輪郭に沿った略矩形とともに，図示で，当該矩形上辺中央から下に延びる金属ソルダパッド３１０，および当該金属ソルダパッド３１０下部から２方向に分かれ略平行に並び，各々枝分かれする部分を備え，前記矩形下辺に到達する２本の電極線からなっていることが見て取れる。
エ　以上を総合すると，引用例１には，図１９Ｆに示されたものについて，以下の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
「垂直型発光ダイオード３００であって，
電流拡散を改良し金属電極吸光特性を減らしたものであって，
　第１電極３０９，該第１電極３０９の上に形成された導電基底層３０８，該導電基底層３０８の上に形成された鏡面反射層３０６，該鏡面反射層３０６の上に形成されたｐ型（第１）導電性半導体層３０４，該ｐ型（第１）導電性半導体層３０４の上に形成された活性層３０３，該活性層３０３の上に形成されたｎ型（第２）導電性半導体層３０２，該ｎ型（第２）導電性半導体層３０２の上に形成された第２金属電極３０１を包含し，そのうち，第２金属電極３０１はｎ型導電性半導体層３０２の外側に設置され，且つ第２金属電極３０１の両側はそれぞれ高光照射側３０１’，低光照射側３０１”とされ，そのうち低光照射側３０１”は該鏡面反射層３０６の幅範囲Ｗ外に位置し，すなわち，低光照射側３０１”は並びに鏡面反射層３０６によりカバーされず，中央に金属電極線が設置されて第２金属電極３０１と接続され，
　第２金属電極３０１は，外形輪郭に沿った略矩形であって，当該矩形上辺中央から下に延びる金属ソルダパッド３１０を更に備え，
　垂直型発光ダイオード３００表面の中央には，金属ソルダパッド３１０下部から２方向に分かれ，各々枝分かれする部分を備え，第２金属電極３０１の前記矩形下辺に到達する２本の金属電極線を備え，
　前記中央に設置される金属電極線の数は，全体のＬＥＤ装置の外形輪郭及びサイズに合わせて，或いは必要により決定され得るものであり，
　金属ソルダパッド領域３１０の数量は実際の必要により増減可能である，
平面形状が略矩形の垂直型発光ダイオード。」
（２）引用例２：特開２０１１−１１４２４０号公報
ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１１−１１４２４０号公報（以下「引用例２」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
（ア）「【０００１】
　
本発明は，半導体発光素子に関する
【背景技術】
　発光層を挟んでｐ型半導体層及びｎ型半導体層を積層した半導体発光素子において，両半導体層へと供給する電流を半導体平面の全面へと拡散させるために，外部電極との接続部より延伸した電極延伸部を，電極形成面の周縁部に沿って形成する技術が開示されている（例えば特許文献１）。
【０００３】
　・・・（中略）・・・
【０００８】
　しかしながら，半導体発光素子の更なる高効率化を図るには，さらなる改善として順方向電圧Ｖｆを下げることが重要となる。順方向電圧Ｖｆを下げるには，電極の面積を大きくして抵抗を小さくすることが挙げられるが，この方法では光取り出し効率が悪くなり，出力が低下するという問題があった。逆に電極面積を小さくすると，光取り出し効率が向上し出力を上昇できるが，Ｖｆが悪くなる。このように順方向電圧Ｖｆを下げることと出力の上昇はトレードオフの関係にあるため，両者を改善することは容易でなかった。
【０００９】
　本発明は，従来のこのような問題点を解消するためになされたものである。本発明の主な目的は，出力を維持しつつＶｆ上昇を抑制した半導体発光素子を提供することにある。」
（イ）「【００２８】
　図１〜図３に，本発明の実施の形態１に係る半導体発光素子を示す。これらの図において，図１は半導体発光素子の平面図，図２は図１のＩＩ−ＩＩ’線における断面図，図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ’線における断面図を，それぞれ示している。
【００２９】
　図２〜図３に示す発光素子１は，支持台３と，この支持台３の上方に位置する半導体構造１０と，半導体構造１０を上下に狭む電極２０より主に構成される。また，支持台３は，支持基板４及び接着層５が，この順に積層されて固定される。一方，半導体構造１０は，発光層１３と，この発光層１３を挟んで積層された第一導電型層１１であるｎ型半導体層と，第二導電型層１２であるｐ型半導体層とを有する。図の例では，
ｐ型半導体層１２，発光層１３，ｎ型半導体層１１が，この順に積層して半導体構造１０を構成しており，半導体構造１０の上方側に位置するｎ型半導体層１１側が，発光層１３からの出射光の主発光面側，すなわち光取り出し側となる
（電極）
【００３０】
　また，電極２０はｎ型半導体層１１及びｐ型半導体層１２のそれぞれに電力を供給する第一電極２１及び第二電極２２を有する。具体的に，ｎ型半導体層１１には，第一電極２１であるｎ型電極が形成され，電力供給可能となる。同様に，ｐ型半導体層１２の主面の一部に第二電極２２が形成される。
（電極延伸部）
【００３１】
　
図１は光取り出し側からの平面視における発光素子１の平面図であって，主にｎ型半導体層１１上のｎ型電極２１における形成パターンが図示されている。図１に示すように，ｎ型電極２１は，正方形状の電極形成面１５の略中央域に形成された，一対の線状の電極の延伸部３０である第一延伸部３０Ａ及び第二延伸部３０Ｂ，これらの間に配置された第三延伸部３０Ｃ，第三延伸部３０Ｃと第一延伸部３０Ａとを接続する第一接続延伸部３７Ａと，第三延伸部３０Ｃと第一延伸部３０Ａとを接続する第二接続延伸部３７Ｂと，第一延伸部３０Ａ及び第二延伸部３０Ｂ上の一部に重なるように配置された，外部電極と接続可能な第一外部接続領域１６Ａである第一パッド部及び第二外部接続領域１６Ｂである第二パッド部とで構成される
【００３２】
　このｎ型電極２１は，電極形成面１５の端縁形状に沿って周縁をラウンドした包囲電極構造を有していない。ただ，電極形成面１５の形状は，正方形状に限定されず，正多角形，平行四辺形等の矩形，多角形，円形等とできる他，ｎ型半導体層１１の露出領域の形状に依存して調節される。
【００３３】
　また好ましくは，電極延伸部は中心に対して逆の位置に設ける。例えば，光取り出し側からの平面視において，電極の延伸部３０を，電極形成面１５の中心Ｃを基準にして略対称に配置する。図１に示される第一延伸部３０Ａ及び第二延伸部３０Ｂは，電極形成面１５の中央域であって，中心Ｃを基準にして，略点対称に配置されており，互いに離間されている。ただ電極の延伸部３０は，点対称に限らず，中心Ｃを含む直線に対して略線対称に配置してもよい。
【００３４】
　さらに第一延伸部３０Ａ，第二延伸部３０Ｂ，第三延伸部３０Ｃとは，互いに交差することはなく，図１の例では，線状の第一延伸部３０Ａ，第二延伸部３０Ｂ，第三延伸部３０Ｃが略平行に延伸され，離間距離は実質的に等間隔である。このように，外部からの電力供給領域を対称に配置することで，電極形成面１５の全面への電流拡散を高効率に実現できる。また電極延伸部に，極力交差や分岐を備えない直線状の構造とすることで，電流の集中を抑止し，電流密度の均一性の向上が図れる。さらにこれら第一延伸部３０Ａ，第二延伸部３０Ｂ，第三延伸部３０Ｃとは，ほぼ同じ長さとすることが好ましい。
【００３５】
　また第一延伸部３０Ａ及び第二延伸部３０Ｂを設ける位置は，電極形成面１５のやや外側寄り，具体的には図１に示すように，第一延伸部３０Ａと第二延伸部３０Ｂとの対向方向において，電極の延伸部３０間の１／２の距離Ｌ１が，電極の延伸部３０の端縁から電極形成面１５の端縁までの距離Ｌ２よりも長い位置とする。特に縦方向の電極配置に関して，第一延伸部３０Ａと第二延伸部３０Ｂとの間に第三延伸部３０Ｃを追加している構成では，電極延伸部を電極形成面１５の中央側でなく端部側に配置することで，電流分布の均一化を図ると共に光出力を向上させることができる。さらに，このような電流分布の均一化とＮ電極面積の最適化によって，Ｖｆの低下，リニアリティの向上，放熱性の向上をすることが見込める。
（接続延伸部）
【００３６】
　また電極延伸部間を接続する接続延伸部も，ほぼ並行でほぼ等しい長さとすることが好ましい。すなわち図１に示す第一接続延伸部３７Ａと第二接続延伸部３７Ｂとは，ほぼ並行に離間され，さらにほぼ等しい長さに延伸されている。接続延伸部は補助電極として機能し，電流を電極形成面１５の全面に行き渡らせるよう作用する。
【００３７】
　第一接続延伸部３７Ａと第二接続延伸部３７Ｂとは，好ましくは一直線状に並ばないよう，ずれて配置させる。第一接続延伸部３７Ａと第二接続延伸部３７Ｂとが一直線状となれば，必然的に第三延伸部３０Ｃと十字状に交差するため，交点部分に電流が集中する虞が生じる。そこでこのような十字状の交点の形成を回避し，電流分布を分散させるため，第三延伸部３０Ｃ上で互い違いとなるように第一接続延伸部３７Ａと第二接続延伸部３７Ｂとを設ける。
【００３８】
　また好ましくは，接続延伸部も中心に対して逆の位置に設ける。例えば，光取り出し側からの平面視において，第一接続延伸部３７Ａ及び第二接続延伸部３７Ｂを，電極形成面１５の中心を基準にして略点対称に配置する。あるいは中心Ｃを含む直線に対して略線対称に接続延伸部を配置してもよい。
【００３９】
　さらに接続延伸部を設ける位置は，逆に内側寄りとし，具体的には第一接続延伸部３７Ａと第二接続延伸部３７Ｂとの対向方向において，接続延伸部間の１／２の距離Ｗ１が，接続延伸部の端縁から電極形成面１５の端縁までの距離Ｗ２よりも短い位置とする。特に横方向の電極配置に関しては，接続延伸部を２本しているため，内側寄りに配置することで電流注入と拡散，放熱機能を高めることができる。さらに，このような電流分布の均一化とN電極面積の最適化によって，Ｖｆの低下，リニアリティの向上が見込める。
（パッド部）
【００４０】
　さらに
第一延伸部３０Ａ及び第二延伸部３０Ｂは，上述の通りその一部に外部と接続可能な電極パッド部１６をそれぞれ有している。電極パッド部１６を２つ設けることで，ワイヤ等を介して供給される注入電流を分散することができ，より均一な発光が実現でき，電流や熱の集中を回避でき，発光品質及び素子信頼性の向上が図られる
【００４１】
　図１の例では，ライン状の電極の延伸部３０の一方の端部寄りに，電極パッド部１６が設けられている。さらに，
一対の電極パッド部１６は，電極形成面１５を構成する長手方向及び／又は短手方向に対して，オフセットに配置され，図１の電極パッド部１６では，電極形成面１５の中心Ｃを基準にして略点対称の位置に形成される
【００４２】
　また
第一パッド部１６Ａ及び第二パッド部１６Ｂを，電極形成面１５の長手方向及び／又は短手方向に対して，互いにオフセット配置させることで，第一パッド部１６Ａ及び第二パッド部１６Ｂとの離間距離を稼ぐことができる。これらが近接すると，その領域に電流が集中して電流分布が偏るため，このような電流集中を避けるために，限られた電極形成面１５においてパッド部を離間させて配置する
【００４３】
　同様に，パッド部は電極延伸部と接続延伸部との交点に位置させることが，電流が集中する領域の形成を最小限とできることから好ましいといえる。逆に，パッド部を電極延伸部と接続延伸部との交点以外に位置させると，各々が電流の集中しやすい領域となるため，それだけ電流分布が不均一となる傾向が強まる。よって電流の集中が生じうる領域を極力排除する観点から，上記構成が好ましいといえる。
【００４４】
　
電極パッド部１６は，ボンディングワイヤ等の導電部材と連結され，この導電部材を介して外部電源から電流が素子へと供給される。したがって，必然的に電極パッド部１６を中心とするその近傍は，電流密度が大きい
（ウ）図１は以下のものである。
イ　以上から，引用例２には，図１に示されたものに関して，次の事項（以下「引用例２記載事項」という。）が記載されているといえる。
「半導体発光装置であって，
　ｐ型半導体層１２，発光層１３，ｎ型半導体層１１が，この順に積層して半導体構造１０を構成しており，半導体構造１０の上方側に位置するｎ型半導体層１１側が，発光層１３からの出射光の主発光面側，すなわち光取り出し側となるものであり，
　出射光の主発光面側のｎ型電極２１は，正方形状の電極形成面１５の略中央域に形成された，一対の線状の電極の延伸部３０である第一延伸部３０Ａ及び第二延伸部３０Ｂ，これらの間に配置された第三延伸部３０Ｃ，第三延伸部３０Ｃと第一延伸部３０Ａとを接続する第一接続延伸部３７Ａと，第三延伸部３０Ｃと第一延伸部３０Ａとを接続する第二接続延伸部３７Ｂと，第一延伸部３０Ａ及び第二延伸部３０Ｂ上の一部に重なるように配置された，外部電極と接続可能な第一外部接続領域１６Ａである第一パッド部及び第二外部接続領域１６Ｂである第二パッド部とで構成されるものにあって，
　第一延伸部３０Ａ及び第二延伸部３０Ｂは，上述の通りその一部に外部と接続可能な電極パッド部１６をそれぞれ有し，電極パッド部１６を２つ設けることで，ワイヤ等を介して供給される注入電流を分散することができ，より均一な発光が実現でき，電流や熱の集中を回避でき，発光品質及び素子信頼性の向上が図られるものであり，
　第一パッド部１６Ａ及び第二パッド部１６Ｂを，電極形成面１５の長手方向及び／又は短手方向に対して，互いにオフセット配置させ，電極形成面１５の中心Ｃを基準にして略点対称の位置に形成されることで，第一パッド部１６Ａ及び第二パッド部１６Ｂとの離間距離を稼ぐことができ，これらが近接すると，その領域に電流が集中して電流分布が偏るため，このような電流集中を避けるために，限られた電極形成面１５においてパッド部を離間させて配置するものであり，
　ここで，電極パッド部１６は，ボンディングワイヤ等の導電部材と連結され，この導電部材を介して外部電源から電流が素子へと供給され，したがって，必然的に電極パッド部１６を中心とするその近傍は，電流密度が大きいものとなる。」
（３）引用例３：特開２０１３−１９７１９７号公報
ア　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１３−１９７１９７号公報（以下「引用例３」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
（ア）「【０００１】
　本発明の実施形態は，半導体発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　
発光層を含む半導体層の表面（光取り出し面）上に設けられた表面電極には，発光層への均一な電流供給とともに表面からの光取り出しを大きく妨げないことが要求される
（イ）「【０００７】
　以下，図面を参照し，実施形態について説明する。なお，各図面中，同じ要素には同じ符号を付している。
【０００８】
　（第１実施形態）
　図１（ａ）は第１実施形態の半導体発光装置１の模式上面図であり，図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図である。
【０００９】
　なお，図１（ａ）では，図１（ｂ）に示す平坦面１４上の絶縁膜２５の図示を省略している。その絶縁膜２５は，後述するように，粗面１５を形成したときのマスクの残部であり，平坦面１４上に残らない場合もある。
【００１０】
　
半導体発光装置１は，基板１０と，基板１０上に設けられた半導体層１２と，半導体層１２の第１の面（光取り出し面）１６上に設けられた第１の電極としての表面電極２３と，基板１０の裏面に設けられた第２の電極としての裏面電極１８とを備えている
【００１１】
　
半導体層１２は，第１の面１６と，第１の面１６の反対側に設けられた第２の面１７と，発光層１３とを含む。発光層１３はチップの全面に広がっている。表面電極２３及び裏面電極１８を通じて発光層１３に電流が供給され，発光層１３が発光する
【００１２】
　・・・（中略）・・・
【００１９】
　
表面電極２３は，パッド２２と，パッド２２よりも細い線状の細線電極２１とを有する
【００２０】
　例えば，第１の面１６は四角形状の平面形状を有し，その２つの角部近傍にパッド２２が設けられている。パッド２２には，外部回路と接続するための外部端子（例えばボンディングワイヤ）が接合される。
【００２１】
　
細線電極２１はパッド２２とつながっている
【００２２】
　
細線電極２１は，電流を第１の面１６の面方向に拡散させる機能を有し，第１の面１６の面方向に偏りなくレイアウトされている
（ウ）図１（ａ）は以下のものである。
イ　ここで，図１（ａ）を参照すると，図示縦方向に延びる細線電極２１が，略等間隔に配列されていることが見て取れる。
ウ　以上から，引用例３には，図１（ａ）及び図１（ｂ）に示されたものに関して，次の事項（以下「引用例３記載事項」という。）が記載されているといえる。
「導体発光装置１であって，
基板１０と，基板１０上に設けられた半導体層１２と，半導体層１２の第１の面（光取り出し面）１６上に設けられた第１の電極としての表面電極２３と，基板１０の裏面に設けられた第２の電極としての裏面電極１８とを備え，
　半導体層１２は，第１の面１６と，第１の面１６の反対側に設けられた第２の面１７と，発光層１３とを含む。発光層１３はチップの全面に広がっている。表面電極２３及び裏面電極１８を通じて発光層１３に電流が供給され，発光層１３が発光するものであり，
　表面電極２３は，パッド２２と，パッド２２よりも細い線状の細線電極２１とを有し，細線電極２１はパッド２２とつながっており，
　細線電極２１は，電流を第１の面１６の面方向に拡散させる機能を有し，縦方向に延びる細線電極２１が，略等間隔に配列されて，第１の面１６の面方向に偏りなくレイアウトされているもの。」
３　対比
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「ｐ型（第１）導電性半導体層３０４，該ｐ型（第１）導電性半導体層３０４の上に形成された活性層３０３，該活性層３０３の上に形成されたｎ型（第２）導電性半導体層３０２」を合わせたものは，本願発明の「半導体層」に相当する。
イ　引用発明においては「第１電極３０９，該第１電極３０９の上に形成された導電基底層３０８，該導電基底層３０８の上に形成された鏡面反射層３０６，該鏡面反射層３０６の上に形成されたｐ型（第１）導電性半導体層３０４」を備えるから，当該「第１電極３０９」は，本願発明の「前記半導体層の下面に設けられた下部電極」に相当する。
ウ　引用発明の「該ｎ型（第２）導電性半導体層３０２の上に形成された第２金属電極３０１」，「金属ソルダパッド３１０」及び「２本の金属電極線」を合わせたものは，本願発明の「前記半導体層の上面に設けられた上部電極」に相当する。
エ（ア）引用発明の「第２金属電極３０１は，外形輪郭に沿った略矩形であって，当該矩形上辺中央から下に延びる金属ソルダパッド３１０を更に備え，
　垂直型発光ダイオード３００表面の中央には，金属ソルダパッド３１０下部から２方向に分かれ略平行に並び，各々枝分かれする部分を備え，第２金属電極３０１の前記矩形下辺に到達する２本の金属電極線を備え」ることと，
本願発明の「平面視において，前記上部電極は，
　　前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部と，
　　前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部と，前記第１辺と対向する第２辺に接続される第２パッド部と，
　　前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ，かつ前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，
　前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあり，
　前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離以上であり，かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離以上であること」とを対比する。
（イ）引用発明の「第２金属電極３０１は，外形輪郭に沿った略矩形であ」る部分は，本願発明の「前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部」に相当する。
（ウ）引用発明の「当該矩形上辺中央から下に延びる金属ソルダパッド３１０」は，本願発明の「前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部」に相当する。
（エ）引用発明の「直型発光ダイオード３００表面の中央には，金属ソルダパッド３１０下部から２方向に分かれ略平行に並び，各々枝分かれする部分を備え，第２金属電極３０１の前記矩形下辺に到達する２本の金属電極線を備え」るところ，「２本の金属電極線」の一方は第２金属電極３０１の前記矩形右辺側にあり，他方は第２金属電極３０１の前記矩形左辺側にあるから，当該構成と，本願発明の「前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ，かつ前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあ」ることとは，
「前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ，かつ前記第１パッド部と接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあ」る点で一致する。
（オ）よって，前記（ア）の両者は，
「平面視において，前記上部電極は，
　　前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部と，
　　前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部と，
　　前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ，かつ前記第１パッド部と接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，
　前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあること」で一致する。
オ　引用発明の「平面形状が略矩形の垂直型発光ダイオード」は，本願発明の「平面視が略矩形状の発光素子」に相当する。
（２）よって，本願発明と引用発明とは，以下の点で一致する。
「半導体層と，前記半導体層の上面に設けられた上部電極と，前記半導体層の下面に設けられた下部電極と，を備える平面視が略矩形状の発光素子であって，
　平面視において，前記上部電極は，
　　前記半導体層の周縁に沿って略矩形状に延伸する第１延伸部と，
　　前記第１延伸部を構成する４辺のうち第１辺に接続される第１パッド部と，
　　前記第１延伸部に囲まれた領域に設けられ，かつ前記第１パッド部と接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，
　前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にある発光素子。」
（３）一方，両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願発明は，「前記第１辺と対向する第２辺に接続される第２パッド部」を備えるが，引用発明は当該構成を備えない点。
《相違点２》
　本願発明は，「前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあ」るとの構成を備えるのに対し，引用発明は，「第１パッド部と接続する，第２延伸部及び第３延伸部と，を有し，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にある」との構成は備えるものの，「第２延伸部及び第３延伸部」が「前記第１パッド部と前記第２パッド部とを接続する」ものであり，前記第１パッド部と前記第２パッド部とを最短距離で結ぶ第１直線よりも，前記第２延伸部は前記４辺のうちの第３辺側にあり，かつ前記第３延伸部は前記第３辺と対向する第４辺側にあ」るとの構成までは備えない点。
《相違点３》
　本願発明は，「前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離以上であり，かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離以上である」構成を備えるが，引用発明は当該構成を備えない点。
４　判断
（１）上記相違点１及び相違点２を併せて検討する。
ア　一般に，発光ダイオード素子（以下「ＬＥＤ」という。）の光出射面側に設けられる電極について，ＬＥＤに電流を供給するパッドから，電流が均一に活性層の全体に拡がらないことから，必要に応じてパッドの数量を増して，ＬＥＤを動作させる一定の電流を一つのパッドのみからでなく，複数のパッドから供給することで，電流を分散させ，各パッドにおける電流集中を低減することは，引用例１（特に，前記１（１）ア（ア）の段落【０００４】，及び同（イ）の段落【００１４】）のほか，例えば以下の周知例１にも記載されているように，周知の事項である。
周知例１：特開２０１２−２４８８４７号公報
　本願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１２−２４８８４７号公報（以下「周知例１」という。）には，図とともに，以下の記載がある。
ａ「【０００２】
　半導体発光装置は，出力や効率，信頼性の側面において有益な長所を有するため，照明装置またはディスプレイ装置のバックライトを代替できる高出力及び高効率の光源として積極的に研究開発されつつある。
【０００３】
　・・・（中略）・・・
【０００６】
　それに対し，伝導性基板を用いる場合には伝導性基板を一側の電極部分として用いることができる。このような構造の半導体発光装置は，前述した構造に比べて消失する発光面積がなく，比較的均一な電流の流れが保障されるため，発光効率の改善効果を期待することができる。
【０００７】
　また，そのような構造を有する半導体発光装置の光放出面に位置する電極（主に，ｎ側電極）も，円滑な光放出のためにできるだけ小さなサイズに形成されなければならないが，この場合，駆動電圧が上昇するのみならず，電流分散（ｃｕｒｒｅｎｔ　ｓｐｒｅａｄｉｎｇ）効果が低下するため，実際活性層の相当な領域が有効な発光領域として活用できないという問題がある。
【０００８】
　従って，
ＬＥＤの光効率を増加させるため，電流分散効果を極大にする研究が課題として浮上しており
ｂ「【００２８】
　図１は本発明の第１実施形態による半導体発光装置を示す概略斜視図である。
【００２９】
　本実施形態による半導体発光装置１０は，第１導電型半導体層１５ａと，第２導電型半導体層１５ｂと，上記第１及び第２導電型半導体層１５ａ，１５ｂの間に位置した活性層１５ｃと，を有する半導体発光積層体１５を含む。また，第１及び第２電極１７，１２は，それぞれ上記第１及び第２導電型半導体層１５ａ，１５ｂに形成される。
　・・・（中略）・・・
【００３７】
　このようなパターン間隔によって電流が供給される
ボンディングパッド１７ａに隣接した領域に相対的に大きく集中する電流
【００３８】
　もちろん，本実施形態とは異なり，上記複数のパターンは，上記ボンディングパッドと重複された領域から遠くなるほど次第に大きくなるように配列されることもできる。これは，ボンディングパッドから遠くなるほど電流の集中度が次第に弱まるという事実を考えると，より均一な電流分散効果を期待することができる。
【００３９】
　また，第１電極の構造は多様に変更されることができ，これによって，
本発明は多様な実施形態に変形されて行われることができる。例えば，複数個のボンディングパッドを採用した形態を考慮することができ
【００４０】
　本発明の多様な実施形態の一つとして，図３には，
２つのボンディングパッドと共に新たな電極指の配列を有する実施形態が
【００４１】
　図３に示された半導体発光装置３０は，第１導電型半導体層３５ａと第２導電型半導体層３５ｂと上記第１及び第２導電型半導体層３５ａ，３５ｂの間に位置した活性層３５ｃとを有する半導体発光積層体３５と，上記第１及び第２導電型半導体層３５ａ，３５ｂにそれぞれ形成された第１及び第２電極３７，３２と，を含む。
【００４２】
　・・・（中略）・・・
【００４３】
　本実施形態に採用された第１電極３７は，前述した実施形態とは異なり，上記第１導電型半導体層３５ａに形成された
２つのボンディングパッド３７ａ１，３７ａ２を含む。上記２つのボンディングパッド３７ａ１，３７ａ２は，対向する両側の角に配置されて全体面積において均一な電流分散を図ることができる
イ　また，複数のパッドを設けた場合，当該複数のパッドを互いに近接させるよりも離間させる方が，各パッド付近に集中する電流がより離間し，全体としての電流の集中が低減できることは当業者に明らかな事項である。
ウ　さらに，引用例３記載事項にもあるように，ＬＥＤの光出射面に設けられる電極は，電流を面方向に拡散させるように面内に偏りなく配置されるものであるところ，前記イのとおり，複数のパッド付近にはそれぞれ電流が集中するから，当該複数のパッドについても，面内に偏りなく配置することは，上記電流拡散の観点から当業者に明らかなことであって，例えば，面内の一方側のみに複数のパッドを設けないようにすることも当業者が当然に考慮することである。
エ　そうすると，引用例２記載事項のうち，電極パッド部１６について記載された「電極パッド部１６を２つ設けることで，ワイヤ等を介して供給される注入電流を分散することができ，より均一な発光が実現でき」ること，及び「第一パッド部１６Ａ及び第二パッド部１６Ｂを，電極形成面１５の長手方向及び／又は短手方向に対して，互いにオフセット配置させ，電極形成面１５の中心Ｃを基準にして略点対称の位置に形成されることで，第一パッド部１６Ａ及び第二パッド部１６Ｂとの離間距離を稼ぐことができ，これらが近接すると，その領域に電流が集中して電流分布が偏るため，このような電流集中を避けるために，限られた電極形成面１５においてパッド部を離間させて配置する」ことの両記載事項は，引用例２の記載上は，引用例２記載事項に係る「ｎ電極２１」の各「延伸部」３０Ａ〜Ｃ及び各「接続延伸部」３７Ａ，Ｂと関連づけて記載されてはいるが，前記両記載事項は，当業者から見れば，必ずしも引用例２に記載された電極構造を前提としたものではなく，他の電極構造におけるパッド配置についても一般的に当てはまる事項を述べたものであることとわかる。
オ　そして，引用発明においても，前記２（１）ア（ア）に摘記した引用例１の記載に照らせば，電流分布をより均一にすることが好ましいことは明らかであるから，引用例２に係る上記エにおける両記載事項を参照して，「当該矩形上辺中央から下に延びる金属ソルダパッド３１０」の反対側，すなわち，当該矩形下辺中央から上に延びる位置に，「金属ソルダパッド」を更に一つ設けて（以下これを「下部金属ソルダパッド」という。）相違点１に係る構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
　なお，矩形の上下辺について金属ソルダパッドを設けることは，引用例１の図１４Ｄ，１５Ｂ，１９Ｂにも示されているように，既に知られているものであって，なんら格別なものではない。
　また，下部金属ソルダパッドを設けることに伴い，引用発明の「金属ソルダパッド３１０下部から２方向に分かれ略平行に並び，各々枝分かれする部分を備え，第２金属電極３０１の前記矩形下辺に到達する２本の金属電極線」の矩形下辺側についても，同様に「下部金属ソルダパッド上部から２方向に分かれ略平行に並」ぶように接続して，相違点２に係る構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
（２）上記相違点３について検討する。
　引用例３記載事項には，細線電極２１について，電流を第１の面１６の面方向に拡散させる機能を有し，縦方向に延びる細線電極２１が，略等間隔に配列されて，第１の面１６の面方向に偏りなくレイアウトされることが記載されている。
　そして，引用発明においても，前記２（１）ア（ア）に摘記した引用例１の記載に照らせば，電流がより均一に拡がることが好ましいことは明らかであるから，前記引用例３記載事項を参照して，「金属ソルダパッド３１０下部から２方向に分かれ略平行に並び，各々枝分かれする部分を備え」る「２本の金属電極線」について，略等間隔に配列されて，面方向に偏りなくレイアウトされるようにして，相違点３に係る，「前記第１直線を垂直に２等分する第２直線上において，前記第２延伸部と前記第３延伸部との距離は，前記第１延伸部と前記第２延伸部との最短距離以上であり，かつ前記第１延伸部と前記第３延伸部との最短距離以上である」構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
（３）本願明細書に記載された効果について
　本願明細書の段落【００３６】〜【００４４】には，本願発明に係る「実施例１」が，「比較例１」及び「比較例２」に比して，良好な順方向電圧Ｖｆ，光出力Ｐｏ及び発光効率ＷＰＥの各値が得られる旨の記載がされている。
　しかしながら，前記各「実施例１」，「比較例１」及び「比較例２」について，それらの具体的構成（電極を含む各部寸法，半導体層表面の導電率，等）が不明であって，通常，本願発明に含まれると解される発光装置が，比較例に対して優位にあるといえるか明らかでなく，また，前記各値の具体値を比較しても，順方向電圧Ｖｆについては１％程度の減少，光出力Ｐｏについては１％未満の増加，発光効率ＷＰＥについては０．７％の増加にとどまる。よって，本願発明が従来技術に比して格別な効果を有するとまではいえない。
５　小括
　よって，本願発明は，引用発明，及び引用例２及び３にそれぞれ記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。