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【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理室において、ウェハ上でスタックを形成するシリコン系の複数の二重層の中にフィーチャをエッチングするための方法であって、
前記プラズマ処理室内にハイドロフルオロカーボンとＮＦ3とを含む主エッチングガスを流入させ、
３０ミリトルから６０ミリトルの第１の圧力を提供しながら、前記主エッチングガスをプラズマにし、
１０℃未満のウェハ温度を維持し、
前記プラズマにより前記複数のシリコン系二重層のうちの複数の組を貫いてエッチングする間に、前記第１の圧力よりも低い第２の圧力まで圧力を降下させ、
前記複数の二重層のうち第１の複数の組がエッチングされた後に、前記主エッチングガスの前記流入を停止させる
方法。
【請求項２】
前記主エッチングガスは、前記ウェハの第１の側に配置された上部電源に誘導結合電力を供給し、前記ウェハの前記第１の側と反対側の、前記ウェハの第２の側で下部電極にバイアス電力を供給することでプラズマにし、前記バイアス電力は１００ｋＨｚから１ＭＨｚの間の周波数を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記主エッチングガスの前記流入を停止させた後に、エッチングされていない残りの二重層をエッチングするためのオーバエッチングをさらに含み、該オーバエッチングは、
前記プラズマ処理室に、前記主エッチングガスよりも重合性が高く、ＮＦ3を含むオーバエッチングガスを流入させることと、
前記オーバエッチングガスをプラズマにすることと、
前記オーバエッチングガスの前記流入を停止させることと、
前記主エッチングからウェハ温度を上昇させることと、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記オーバエッチングは、前記主エッチングから圧力を低下させることをさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
各々のシリコン系二重層は、ポリシリコン層と酸化ケイ素層とを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記オーバーエッチングは、エッチング停止層に到達するまで行なわれる請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記オーバーエッチングガスは、ＣＨ3ＦとＣＨ4を含み、前記オーバーエッチは、前記オーバーエッチングガスにおけるＣＨ4／ＣＨ3Ｆ比を調整することにより、ポリマー層の堆積品質を安定させる請求項３記載の方法。
【請求項８】
前記シリコン二重層の各々は、ポリシリコン層と酸化珪素層とを備える請求項１記載の方法。
【請求項９】
プラズマ処理チャンバ内のウェハの二重層をエッチングする方法であって、
最初の１２組のシリコン二重層を含む、少なくとも１６組のシリコン二重層を備えたウェハをプラズマ処理チャンバ内に用意し、
前記プラズマ処理チャンバ内に、主エッチングガスを流入させ、
第１の圧力を提供しながら、前記主エッチングガスをプラズマにし、
２０℃未満のウェハ温度を維持し、
前記１２組のシリコン二重層をエッチングする際には、前記第１の圧力より低い第２の圧力まで、少なくとも６回に亘って圧力を漸減し、
前記１６組のシリコン二重層のうち最初の複数組のシリコン二重層がエッチングされた後に、前記主エッチングガスの前記流入を停止させる
方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法であって、
前記シリコン二重層の各々は、ポリシリコン層と酸化珪素層とを備え、
前記主エッチングガスは、ハイドロフルオロカーボンとＮＦ3とを含み、
前記主エッチングガスをプラズマにすることは、前記ウェハの第１の側に配置された上部電源に誘導結合電力を供給することと、前記ウェハの前記第１の側と反対側の、前記ウェハの第２の側で下部電極にバイアス電力を供給することと、を含み、前記バイアス電力は１００ｋＨｚから１ＭＨｚの間の周波数を有し、前記第１の圧力は、３０ミリトルから６０ミリトルの間であり、前記ウェハ温度は、１０℃未満である
方法。
【請求項１１】
前記エッチングにより前記シリコン二重層に形成される特徴は、アスペクト比２０：１のビアである請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記主エッチングガスの前記流入を停止させた後に、エッチングされていない残りの二重層をエッチングするためのオーバエッチングをさらに含み、該オーバエッチングは、
前記プラズマ処理室に、前記主エッチングガスよりも重合性が高く、ＮＦ3を含むオーバエッチングガスを流入させることと、
前記オーバエッチングガスをプラズマにすることと、
前記オーバエッチングガスの前記流入を停止させることと、
を含む請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記オーバーエッチングでは、前記主エッチングからウェハ温度を上昇させることと、を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記オーバエッチングは、前記主エッチングから圧力を低下させることをさらに含む請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月27日(2015.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の成膜温度で形成された不純物を含む薄膜を有する基板が搬入される処理室と、
前記処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理室内に供給された処理ガスを励起する励起部と、
前記処理室内の前記基板を加熱する加熱部と、
前記処理室内を排気する排気部と、
前記加熱部により前記基板を加熱させ、前記ガス供給部により供給された処理ガスを前記励起部により励起させ、励起した処理ガスを前記基板の表面に供給して前記基板に形成された前記薄膜を改質する際、前記基板の温度が前記成膜温度以下の温度となるように、少なくとも前記ガス供給部、前記励起部、前記加熱部及び前記排気部を制御する制御部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記薄膜は、前記不純物として水素原子、炭素原子、窒素原子又は塩素原子の少なくともいずれかを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理室内に設けられ、前記基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部の内部に設けられるインピーダンス制御電極と、
前記インピーダンス制御電極に接続され、前記インピーダンス制御電極のインピーダンスを調整して前記基板の電位を調整するインピーダンス制御装置と、を備え、
前記制御部は、励起した処理ガスを前記基板に供給して前記基板に形成された前記薄膜を改質する際、前記基板に対して垂直方向又は水平方向の電界のいずれかの電界が強くなるように、前記インピーダンス制御装置及び前記励起部を制御するよう構成される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記薄膜は、酸化膜、窒化膜又は酸窒化膜のいずれかである、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記薄膜の処理面には、所定の形状の凹凸構造が予め形成されている、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記成膜温度は６５０℃以下である、請求項１乃至５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
所定の成膜温度で形成された不純物を含む薄膜を有する基板を処理室内に搬入する工程と、
前記基板の温度が前記成膜温度以下の温度となるように前記基板を加熱し、前記処理室内を排気しつつ、前記処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内に供給した処理ガスを励起させ、励起した処理ガスを前記基板の表面に供給して前記基板に形成された前記薄膜を改質する工程と、
前記薄膜が改質された前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記薄膜は、前記不純物として水素原子、炭素原子、窒素原子又は塩素原子の少なくともいずれかを含む
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
所定の成膜温度で形成された不純物を含む薄膜を有する基板を処理室内に搬入する手順と、
前記基板の温度が前記成膜温度以下の温度となるように前記基板を加熱し、前記処理室内を排気しつつ、前記処理室内に酸素又は窒素の少なくともいずれかを含む処理ガスを供給する手順と、
前記処理室内に供給した処理ガスを励起させ、励起した処理ガスを前記基板の表面に供給して前記基板に形成された前記薄膜を改質する手順と、
前記薄膜が改質された前記基板を前記処理室内から搬出する手順と、をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項１０】
前記薄膜は、前記不純物として水素原子、炭素原子、窒素原子又は塩素原子の少なくともいずれかを含む
請求項９に記載のプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月31日(2015.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層上に部分的に設けられた第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層上に部分的に設けられた第２の導電層と、
前記第２の導電層上に設けられた絶縁層と、
前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上、前記第２の導電層上及び前記絶縁層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層上に部分的に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に部分的に設けられ、前記絶縁層の開口部において前記第１の導電層に接して設けられた第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上、前記第２の導電層上及び前記絶縁層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層上に部分的に設けられた第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介した前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
前記絶縁表面を有する基板と前記酸化物半導体層との間に設けられた第３の導電層と、
前記絶縁表面を有する基板と前記酸化物半導体層との間に設けられた絶縁層と、
を有し、
前記絶縁層の上面は、前記第３の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第３の導電層は、前記酸化物半導体層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に部分的に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層上に部分的に設けられた第２の導電層と、
前記酸化物半導体層上、前記第１の導電層上及び前記第２の導電層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介した前記酸化物半導体層上に設けられたゲート電極層と、
前記絶縁表面を有する基板と前記酸化物半導体層との間に設けられた第３の導電層と、
前記絶縁表面を有する基板と前記酸化物半導体層との間に設けられた絶縁層と、
を有し、
前記絶縁層の上面は、前記第３の導電層の上面の位置と同じ位置を有し、
前記第３の導電層は、前記酸化物半導体層の開口部において、前記第１の導電層と接する領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第１の導電層と重畳する領域を有し、
前記ゲート電極層は、前記ゲート絶縁層を介して前記第２の導電層と非重畳とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記絶縁表面を有する基板上に、バッファ層が設けられている半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記バッファ層は、アルミニウム、ガリウム、ジルコニウム、ハフニウム、又は希土類元素から選択された一以上の元素の酸化物を含む層である半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、ｃ軸配向した結晶を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月2日(2015.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜と、
前記半導体膜と電気的に接続されている一対の第１導電膜と、
一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されている一対の第２導電膜と、
第３導電膜と、
前記半導体膜と前記第３導電膜との間の領域を有する絶縁膜と、を有し、
前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の一方と一対の前記第２導電膜の一方との間の領域を有し、
前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の他方と一対の前記第２導電膜の他方との間の領域を有し、
し、
チャネル長方向において、一対の前記第２導電膜の間隔は、一対の前記第１導電膜の間隔よりも長い半導体装置。
【請求項２】
半導体膜と、
前記半導体膜と電気的に接続されている一対の第１導電膜と、
一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されている一対の第２導電膜と、
第３導電膜と、
前記半導体膜と前記第３導電膜との間の領域を有する絶縁膜と、を有し、
前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の一方と一対の前記第２導電膜の一方との間の領域を有し、
前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の他方と一対の前記第２導電膜の他方との間の領域を有し、
し、
一対の前記第２導電膜は、前記半導体膜の上方に位置し、
チャネル長方向において、一対の前記第２導電膜の間隔は、一対の前記第１導電膜の間隔よりも長い半導体装置。
【請求項３】
層上の半導体膜と、
前記半導体膜と電気的に接続されている一対の第１導電膜と、
一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されている一対の第２導電膜と、
第３導電膜と、
前記半導体膜と前記第３導電膜との間の領域を有する絶縁膜と、を有し、
前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の一方と一対の前記第２導電膜の一方との間の領域を有し、
前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の他方と一対の前記第２導電膜の他方との間の領域を有し、
し、
前記層は、一対の第４導電膜と、一対の前記第４導電膜の間の領域を有する第２絶縁膜と、を有し、
一対の前記第４導電膜は、一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されており、
チャネル長方向において、一対の前記第２導電膜の間隔は、一対の前記第１導電膜の間隔よりも長い半導体装置。
【請求項４】
層上の半導体膜と、
前記半導体膜と電気的に接続されている一対の第１導電膜と、
一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されている一対の第２導電膜と、
第３導電膜と、
前記半導体膜と前記第３導電膜との間の領域を有する絶縁膜と、を有し、
前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の一方と一対の前記第２導電膜の一方との間の領域を有し、
前記半導体膜は、一対の前記第１導電膜の他方と一対の前記第２導電膜の他方との間の領域を有し、
し、
一対の前記第２導電膜は、前記半導体膜の上方に位置し、
前記層は、一対の第４導電膜と、一対の前記第４導電膜の間の領域を有する第２絶縁膜と、を有し、
一対の前記第４導電膜は、一対の前記第１導電膜とそれぞれ電気的に接続されており、
チャネル長方向において、一対の前記第２導電膜の間隔は、一対の前記第１導電膜の間隔よりも長い半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記一対の第１導電膜の膜厚が、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記半導体膜は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月22日(2015.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が複数の画素を含む複数の画素集合と、
各画素集合に対して１つのマイクロレンズが割り当てられるように配置された複数のマイクロレンズと、を備え、
各画素は、半導体基板に設けられた光電変換部と、当該画素における回路の一部を構成し前記半導体基板の第１面に配された配線パターンとを含み、
各マイクロレンズは、前記第１面に対して反対側に位置する、前記半導体基板の第２面に配されている、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
各画素は、回路素子を含み、前記回路素子の少なくとも一部分は、前記回路素子が属する画素集合が含む２つの光電変換部の間に配されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
各画素集合は、第１光電変換部と、前記第１光電変換部を取り囲むように配置された複数の第２光電変換部とを含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
各画素は、各画素が含む光電変換部に対応して設けられたフローティングディフュージョン並びにゲート電極を含み、
前記ゲート電極は、当該ゲート電極に対応して設けられた光電変換部に蓄積された電荷を当該ゲート電極に対応して設けられたフローティングディフュージョンに転送するためのチャネルを形成する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
同一の画素集合に含まれる複数の光電変換部と複数のフローティングディフュージョンと複数のゲート電極は、同一直線上に並んで配されていることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
同一の画素集合に含まれる複数の画素のうちの一の画素が含むフローティングディフュージョンとゲート電極と光電変換部と、前記複数の画素のうちの他の画素が含む光電変換部とゲート電極とフローティングディフュージョン、がこの順で前記同一直線上に並んで配されていることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
各光電変換部に蓄積された電荷を各光電変換部に対応するフローティングディフュージョンへ転送する方向が同一方向になるように前記複数の画素集合が配されている、
ことを特徴とする請求項４または５に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
同一の画素集合に含まれる複数の画素は、複数の光電変換部と該複数の光電変換部に蓄積された電荷が転送される共通のフローティングディフュージョンを含む、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記共通のフローティングディフュージョンが、前記複数の光電変換部の間に配されていることを特徴とする請求項８に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
同一の画素集合に含まれる複数の光電変換部の間の最小距離が、互いに異なる画素集合に含まれる複数の光電変換部の間の最小距離より小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
光電変換部の各々は、信号電荷を蓄積可能な第１導電型の半導体領域を有し、
同一の画素集合に含まれる複数の光電変換部のうちの一の光電変換部が有する第１導電型の半導体領域と当該一の光電変換部の最も近くに位置する他の光電変換部が有する第１導電型の半導体領域との間に配された第２導電型の半導体領域に含まれる第２導電型の不純物濃度の最大値は、
互いに異なる画素集合に含まれる、一の光電変換部が有する第１導電型の半導体領域と当該一の光電変換部の最も近くに位置する他の光電変換部が有する第１導電型の半導体領域との間に配された第２導電型の半導体領域に含まれる第２導電型の不純物濃度の最大値より小さい、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記光電変換部の前記第２面と平行な面における前記光電変換部の面積が、前記第２面に近い領域の方が前記第１面に近い領域よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記固体撮像装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、固体撮像装置に係り、前記固体撮像装置は、各々が複数の画素を含む複数の画素集合と、各画素集合に対して１つのマイクロレンズが割り当てられるように配置された複数のマイクロレンズと、を備え、各画素は、半導体基板に設けられた光電変換部と、当該画素における回路の一部を構成し前記半導体基板の第１面に配された配線パターンとを含み、各マイクロレンズは、前記第１面に対して反対側に位置する、前記半導体基板の第２面に配されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月12日(2015.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属加工物（１２）の粗面処理方法（５０）であって、
粗面化される前記加工物（１２）の部位を対電極（２８）に近接して配置するステップ（５２）と、
前記加工物（１２）の前記部位と前記対電極（２８）を共に、臭化ナトリウム溶液を含む電解質浴（３０）の中に配置するステップ（５４）と、
電流の流れを伴う複数の電位パルスを前記加工物（１２）と前記対電極（２８）との間に印加し該複数の電位パルスのパルス持続時間、パルス間隔及びパルス振幅を変化させて、前記加工物（１２）の前記部位を所望の粗度に粗面化するステップ（５６）と
を含む、方法（５０）。
【請求項２】
前記対電極（２８）は、ステンレス鋼メッシュ、銅メッシュ、真鍮メッシュ、ブロンズメッシュ、金メッシュ、白金メッシュ、チタンメッシュ、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法（５０）。
【請求項３】
前記対電極（２８）は共形銅電極である、請求項１に記載の方法（５０）。
【請求項４】
粗面化される前記加工物（１２）の部位を前記対電極（２８）に近接して配置するステップ（５２）は、粗面化される前記加工物（１２）と前記対電極（２８）との間に少なくとも１つのスペーサ（２９）を配置することを含む、請求項１に記載の方法（５０）。
【請求項５】
少なくとも１つの電気バスパッド（３１）を前記少なくとも１つのスペーサ（２９）の各々に近接して配置するステップであって、前記少なくとも１つの電気バスパッド（３１）の各々は、少なくとも１つのスペーサ（２９）に圧縮力を及ぼすように構成されるステップを更に含む、請求項１に記載の方法（５０）。
【請求項６】
迷走電流による破損を防止するための手段（３５，３７，４９）を粗面化される前記加工物（１２）の前記部位の外面に近接して配置するステップを含む、請求項１に記載の方法（５０）。
【請求項７】
迷走電流による破損を防止するための前記手段は、コンプライアントブーツ（３５）、バイアス陽極（３７）、又は犠牲シールド（４９）のうちの１つである、請求項６に記載の方法（５０）。
【請求項８】
前記加工物（１２）と前記対電極（２８）との間への前記電位の印加中に前記電解質浴（３０）から気泡を除去するステップ（５８）を更に含む、請求項１に記載の方法（５０）。
【請求項９】
機械加工製品（１０）の製造方法（５０）であって、
粗面化される第１の加工物（１２）の部位を対電極（２８）に近接して配置するステップ（５２）と、
前記第１の加工物（１２）と前記対電極（２８）を共に、臭化ナトリウム溶液を含む電解質浴（３０）の中に配置するステップ（５４）と、
電流の流れを伴う複数の電位パルスを前記第１の加工物（１２）と前記対電極（２８）との間に印加し該複数の電位パルスのパルス持続時間、パルス間隔及びパルス振幅を変化させて、前記第１の加工物（１２）の前記部位を所望の粗度に粗面化するステップ（５６）と、
前記第１の加工物（１２）を前記電解質浴（３０）から取り出すステップ（６０）と、
洗浄媒質を用いて前記第１の加工物（１２）を洗浄するステップ（６２）と、
前記第１の加工物（１２）を複合基板（１６）に結合して複合積層板構成部品を形成するステップ（６４）と
を含む、方法（５０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月19日(2015.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの回路遮断器装置であって、電気経路を有する電気遮断システムと、前記電気経路内で電気的に結合された少なくとも１つのマイクロ電気機械スイッチ（ＭＥＭＳ）装置と、少なくとも１つのハイブリッド・アークレス制限技術（ＨＡＬＴ）接続部と、少なくとも１つの制御接続部と、を含む少なくとも１つの回路遮断器装置と、
前記回路遮断器装置上の前記ＨＡＬＴ接続部に電気的に結合されたＨＡＬＴ回路（１９０）部材と、
前記回路遮断器装置上の前記制御接続部に電気的に結合された制御器であって、前記ＨＡＬＴ回路（１９０）部材と前記少なくとも１つの回路遮断器装置とを前記ＨＡＬＴ接続部を介して選択的に接続して、前記少なくとも１つの回路遮断器装置を通り、配電システムのバスバーに流れる電流フローを制御するように構成および配置された前記制御器と、を含む配電システム（４０）。
【請求項２】
前記少なくとも１つの回路遮断器装置は、前記ＨＡＬＴ回路（１９０）部材に電気的に結合された複数の回路遮断器装置を含む請求項１に記載の配電システム（４０）。
【請求項３】
前記少なくとも１つの回路遮断器装置はアーク故障回路遮断（ＡＦＣＩ）装置（２０９）を含む請求項１または２に記載の配電システム（４０）。
【請求項４】
前記少なくとも１つの回路遮断器は接地事故回路遮断（ＧＦＣＩ）装置（２０７）を含む請求項１乃至３のいずれかに記載の配電システム（４０）。
【請求項５】
前記制御器は、無線受信部および無線送受信部を含み、前記無線送受信部および無線送受信部は、前記ＨＡＬＴ回路（１９０）部材を前記少なくとも１つの回路遮断器に対して選択的に接続して選択的に取り外すように構成および配置されている請求項１乃至４のいずれかに記載の配電システム（４０）。
【請求項６】
前記ＭＥＭＳ装置は、ダイオード・ブリッジを形成する複数のダイオードと、前記複数のダイオードに密に結合されたＭＥＭＳスイッチ・アレイ（７４）と、を含む請求項１乃至５のいずれかに記載の配電システム（４０）。
【請求項７】
前記ＭＥＭＳスイッチ・アレイ（７４）は（ＭｘＮ）アレイのＭＥＭＳダイを含み、前記（ＭｘＮ）アレイのＭＥＭＳダイは、第１のＭＥＭＳスイッチ回路と、第１のＭＥＭＳスイッチ回路と並列に電気的に接続された第２のＭＥＭＳスイッチ回路とを含み、前記第１のＭＥＭＳスイッチ回路は、直列に電気的に接続された第１の複数のＭＥＭＳダイ（１０４）を含み、前記第２のＭＥＭＳスイッチ回路は、直列に電気的に接続された第２の複数のＭＥＭＳダイ（１０５）を含む請求項６に記載の配電システム（４０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電システム（１０）であって、
複数の太陽光発電（ＰＶ）ユニットを含み、それぞれがＤＣ電力を出力するように構成された複数の発電ユニット（２２）と、
それぞれが対応する発電ユニット（２２）に結合し、それぞれが入力部（９０）と出力部（９２）とを備える第１のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）であって、前記出力部は前記対応する発電ユニットと直列に結合され、前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータの各々は、前記対応する発電ユニットの前記ＤＣ電力出力の第１の部分を処理するように、また前記対応する発電ユニットの前記ＤＣ電力出力の未処理の第２の部分を前記出力部に与えるように構成されている複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）と、
前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の前記出力部（９２）から出力されたＤＣ電力を結合し、主システムＤＣリンクに結合されたＤＣ電力を供給する少なくとも１つの結合器と、
前記主システムＤＣリンクに結合し、前記主システムＤＣリンクにおける前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）から出力された電力出力の電圧レベルを制御するように構成された少なくとも１つのＤＣ−ＡＣインバータ（１４）と、
を備えている発電システム（１０）。
【請求項２】
前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々において、前記入力部（９０）と前記出力部（９２）とが直接結合されている、請求項１に記載のシステム（１０）。
【請求項３】
前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々には少なくとも１つの変圧器（８８）が含まれ、前記入力部（９０）には前記少なくとも１つの変圧器の一次巻線（９６）が含まれ、前記出力部（９２）には前記少なくとも１つの変圧器の二次巻線（１０８）が含まれ、前記一次巻線は、前記対応する発電ユニット（２２）の前記ＤＣ電力出力の前記第１の部分を受け取って、前記二次巻線の両端に電圧を誘起し、前記電圧は、前記第１の発電ユニットの前記ＤＣ電力出力の前記第２の未処理部分と組み合わされて前記ＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）からの電力出力として与えられる請求項１または２に記載のシステム（１０）。
【請求項４】
前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々は、前記対応する発電ユニット（２２）から最大電力を取り出すようにＤＣリンク電流（１４６）の制御を行なうように構成されている請求項１乃至３のいずれかに記載のシステム（１０）。
【請求項５】
前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々は、前記ＤＣリンク電流（１４６）を最大にして前記対応する発電ユニット（２２）の前記出力電力を最大にするように構成されている請求項４に記載のシステム（１０）。
【請求項６】
前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々は、少なくとも１つの半導体スイッチ（１０２）を含み、前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々は、前記対応する発電ユニット（２２）からの電圧出力が好ましいレベルを超えた時に、前記少なくとも１つの半導体スイッチを第１の位置に維持するように構成されている、請求項１乃至５のいずれかに記載のシステム（１０）。
【請求項７】
前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々は、少なくとも１つの半導体スイッチ（１０２）を含み、前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々は、前記発電システム（１０）内の故障電流を制限するように、前記少なくとも１つの半導体スイッチを動作させるように構成されている、請求項１乃至６のいずれかに記載のシステム（１０）。
【請求項８】
前記複数のＤＣ−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）の各々は、障害状態での隔離を行う少なくとも１つのダイオードを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載のシステム（１０）。
【請求項９】
太陽光発電ユニット（２２）のＤＣ電力出力の第１の部分を受け取るように構成され、入力コンデンサ、スイッチ及び、インダクタを備える入力部（９０）と、
前記発電ユニットの前記ＤＣ電力出力の前記第１の処理部分および第２の未処理部分を含むＤＣ電力をＤＣリンク（８４）へ出力するように構成された出力部（９２）と、を備え、
前記出力部（９２）は、出力コンデンサと出力ダイオードとを含み、
前記出力コンデンサと前記出力ダイオードの各々は、ＤＣリンクの正のノードに接続され、
前記入力コンデンサと前記スイッチの各々は、ＤＣリンクの負のノードに接続され、
前記インダクタは、前記入力コンデンサと前記出力コンデンサの間の一端と、前記出力ダイオードと前記スイッチの間の他の端に接続される、
直流（ＤＣ）−ＤＣ部分電力コンバータ（７０）。
【請求項１０】
少なくとも１つの発電ユニット（２２）と、少なくとも１つの半導体スイッチ及びＤＣ−ＡＣインバータを含む少なくとも１つの部分電力コンバータ（７０）とを含む発電システム（１０）の動作を制御する方法であって、
前記少なくとも１つの半導体スイッチを流れる電流のレベルを決定するように前記少なくとも１つの部分電力コンバータ（７０）を構成する段階と、
前記少なくとも１つの半導体スイッチを流れる電流のレベルを最大化して、前記少なくとも１つの発電ユニット（２２）の電力出力を最大化するように前記少なくとも１つの部分電力コンバータ（７０）を構成する段階と、
前記少なくとも１つの部分電力コンバータ（７０）の前記電力出力の電圧レベルを制御するように前記ＤＣ−ＡＣインバータを構成する段階と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子と、前記スイッチング素子におけるスイッチングのデューティ比を制御する制御回路と、前記スイッチング素子により入力電圧の供給が制御され、前記デューティ比に見合った高さの出力電圧を生成する定電圧生成部と、を有し、
前記制御回路は、前記入力電圧のアナログ値から前記入力電圧のデジタル値を得る第１ＡＤコンバータと、前記出力電圧のアナログ値から前記出力電圧のデジタル値を得る第２ＡＤコンバータと、前記出力電圧のデジタル値を用いて前記デューティ比を定める信号処理回路と、前記デューティ比に従って、前記スイッチング素子のスイッチングを制御する信号を生成するパルス変調回路と、前記入力電圧のデジタル値及び前記出力電圧のデジタル値に従って、前記信号処理回路への電源電圧の供給の有無を選択する電源制御回路と、を有し、
前記信号処理回路は、前記デューティ比を記憶する記憶装置を有し、
前記記憶装置は、前記電源電圧の供給によりデータが保持される揮発性の記憶素子と、前記記憶素子に保持されているデータに従って電荷を保持する容量素子と、前記容量素子における前記電荷の供給、保持、放出を制御するトランジスタとを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むＤＣＤＣコンバータ。
【請求項２】
スイッチング素子と、前記スイッチング素子におけるスイッチングのデューティ比を制御する制御回路と、前記スイッチング素子により入力電圧の供給が制御され、前記デューティ比に見合った高さの出力電圧を生成する定電圧生成部と、を有し、
前記制御回路は、前記入力電圧のアナログ値から前記入力電圧のデジタル値を得る第１ＡＤコンバータと、前記出力電圧のアナログ値から前記出力電圧のデジタル値を得る第２ＡＤコンバータと、前記出力電圧のデジタル値を用いて前記デューティ比を定める信号処理回路と、前記デューティ比に従って、前記スイッチング素子のスイッチングを制御する信号を生成するパルス変調回路と、前記入力電圧のデジタル値及び前記出力電圧のデジタル値に従って、前記信号処理回路への電源電圧の供給の有無を選択する電源制御回路と、を有し、
前記信号処理回路は、前記デューティ比を記憶する記憶装置を有し、前記記憶装置は、前記電源電圧の供給によりデータが保持される揮発性の記憶素子と、前記記憶素子に保持されているデータに従って電荷を保持する容量素子と、前記容量素子における前記電荷の供給、保持、放出を制御するトランジスタとを有し、
前記記憶素子は、互いに、他の出力端子が自らの入力端子に接続されることで、前記データの保持を行う一対の論理素子を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むＤＣＤＣコンバータ。
【請求項３】
請求項２において、
前記論理素子は、入力された信号の論理値を反転させて出力するＤＣＤＣコンバータ。
【請求項４】
請求項２において、
前記論理素子は、インバータまたはクロックドインバータであるＤＣＤＣコンバータ。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか１項において、
前記論理素子は、トランジスタを有し、
前記論理素子が有するトランジスタは、シリコンをチャネル形成領域に含むＤＣＤＣコンバータ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の前記ＤＣＤＣコンバータと、整流回路とを有する電源回路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の前記ＤＣＤＣコンバータを有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飲食品の製造において、乾物あたりの蛋白質及び炭水化物の総含量が80重量％以上であり、脂質含量（クロロホルム／メタノール混合溶媒抽出物としての含量をいう。）が蛋白質含量に対して10重量％未満、植物ステロールとしてのカンペステロールおよびスチグマステロールの和が脂質100gに対して200mg以上である減脂大豆蛋白素材を、乳原料の一部又は全部の代替として使用することを特徴とする、乳代替飲食品の製造法。
【請求項２】
該減脂大豆蛋白素材が豆乳又は分離大豆蛋白である、請求項１記載の製造法。
【請求項３】
該減脂大豆蛋白素材が粉末タイプ、濃縮タイプ又は液状タイプである、請求項１又は２記載の製造法。
【請求項４】
該減脂大豆蛋白素材にさらに油脂が添加され、水中油型乳化されたものを使用する、請求項１〜３の何れか１項記載の製造法。
【請求項５】
該減脂大豆蛋白素材にさらに糖類が添加され、加糖タイプに調製されたものを使用する、請求項１〜４の何れか１項記載の製造法。
【請求項６】
飲食品が、乳製品、ソース類、ベーカリー製品、菓子類又は高栄養液体食品である、請求項１〜５の何れか１項記載の製造法。
【請求項７】
乳製品が、ヨーグルト、乳酸菌飲料、クリーム類、アイスクリーム類、チーズ、マーガリン、育児用粉乳である、請求項６記載の製造法。
【請求項８】
無脂肪ないし低脂肪タイプである、請求項６又は７記載の製造法。
【請求項９】
該乳代替飲食品が大豆乳酸発酵飲食品であって、該減脂大豆蛋白素材を含む原料を乳酸菌で発酵させて得られることを特徴とする、請求項１記載の製造法。
【請求項１０】
乾物あたりの蛋白質及び炭水化物の総含量が80重量％以上であり、脂質含量（クロロホルム／メタノール混合溶媒抽出物としての含量をいう。）が蛋白質含量に対して10重量％未満、植物ステロールとしてのカンペステロールおよびスチグマステロールの和が脂質100gに対して200mg以上である減脂大豆蛋白素材の、乳代替組成物としての使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本発明の発泡体の製造温度は、穀類分解物含有発泡性飲料を−１５〜−１．８℃とすることができれば、どのような態様であってもよく、例えば、コンプレッサーによる冷媒冷却、ペルチェ冷却、液化窒素による手段が挙げられる。また、凍結させた穀類分解物含有発泡性飲料を微粒子とする工程は、凍結させた穀類分解物含有発泡性飲料を細かな粒子状にできる手段であれば、どのような態様であってもよく、例えば、フローズンメーカー、ミキサーによる手段が挙げられる。本発明のより好ましい態様によれば、攪拌羽根を備えたフローズン飲料ディスペンサにより、穀類分解物含有発泡性飲料を冷却および攪拌して、該飲料を凍結させ、微粒子とし、冷却および攪拌を続けることにより当該微粒子間に外気からの気体を含む気泡を形成させる工程が行われる。本発明の発泡体の製造方法は、特に限定されないが、−１５〜−１．８℃で行うことが好ましく、−８〜−２．５℃で行うことがより好ましく、−８〜−３．５℃で行うことがさらに好ましく、−７〜−４℃で行うことがより一層好ましく、−４．５〜−３．５℃で行うことがさらに一層に好ましい。例えば、上記フローズン飲料ディスペンサは、冷却ユニットと加圧タンクとを備えたフローズン飲料ディスペンサであって、（加圧）タンクには冷却ユニットと組み合わせた冷却シリンダが内蔵され、冷却シリンダには円筒状のエバポレータと、攪拌手段として、エバポレータに配置したスクリュー式攪拌羽根を備えるものであることが好ましい。冷却シリンダのエバポレータの表面で凍結する工程と、凍結させた穀類分解物含有発泡性飲料をスクリュー式攪拌羽根で削ぎ落す工程の全てにおいて、好ましくは、窒素含有割合が１〜１００％の気体の存在下、より好ましくは７０〜１００％の気体の存在下で行うことが好ましい。窒素含有割合が７０〜１００％の気体の存在下で行う好ましい態様として、例えば、大気と同一組成（大気）または大気に近い組成（大気と同一組成とは、窒素が約７６〜８０％、酸素が約１９〜２３％、その他アルゴン、二酸化炭素など）の存在下で行うこともでき、より好ましくは大気と同一組成および／または窒素により０．０１〜０．５ＭＰａ、さらに好ましくは０．０１〜０．１ＭＰａ、中でも０．０２〜０．０７ＭＰａで加圧して行うことが好ましい。ここで、大気に近い組成とは、気体中の窒素含有割合が、例えば７０〜９９％（酸素含有割合が約１〜２９％）、好ましくは７０〜９５％（酸素含有割合が約４〜２９％）、より好ましくは７０〜８５％（酸素含有割合が約１４〜２９％）、さらに好ましくは７０〜８０％（酸素含有割合が約１９〜２９％）、より一層好ましくは７０〜７５％（酸素含有割合が約２４〜２９％）であり、少なくとも窒素と酸素が含まれた組成である。本発明の発泡体の製造に際して、大気と同一組成の存在下で行うことにより、窒素ガスを供給するための窒素ガスボンベ等が不要であり、コストも大幅に削減できることから有利である。また、上記の態様のように、穀類分解物含有発泡性飲料を凍結させる工程、および凍結させた穀類分解物含有発泡性飲料を微粒子とする工程、および当該微粒子間に外気からの気体を含む気泡を形成させる工程の全てを同時に行ってもよい。これらの工程を窒素および／または酸素存在下で行うことにより、発泡体に含まれる微粒子間に存在する気泡に、適度に窒素および／または酸素を含有させることができ、本発明の発泡体に存在する気泡中の窒素と酸素の含有割合は、上記の大気と同一組成（大気）または大気に近い組成であってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビール系飲料を、フローズン飲料ディスペンサにより冷却および撹拌して、粘度が０．４〜３０ｐａ・ｓである発泡体とする生成工程を含む、ビール系飲料の発泡体の製造方法。
【請求項２】
前記生成工程において、窒素を含有する外気を巻き込んでビール系飲料を攪拌することを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記発泡体は、凍結したビール系飲料の微粒子と、該微粒子間に存在し、かつ前記外気を巻き込んで形成された気泡とを含む、請求項２に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月15日(2015.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
散乱を推定する方法であって、
線源から検出器までのＸ線透過に基づいて初期容積を生成するステップと、
物質類型に基づいて前記初期容積の内部の複数のボクセルの特徴を決定するステップと、
前記複数のボクセルに基づいて密度積分容積を生成するステップと、
前記検出器の複数の離散的な位置について散乱プロファイルを生成するために、前記検出器で開始して前記線源へ向けて進むように１又は複数の散乱Ｘ線を追尾するステップと
を備えた方法。
【請求項２】
前記散乱プロファイル又は該散乱プロファイルに少なくとも部分的に基づくカーネルを用いて１又は複数の再構成画像での散乱を補正すること
を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のボクセルは、軟組織、骨、空気、及び造影剤を含む物質類型に基づいて特徴を決定される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のボクセルの特徴を決定するステップは、セグメント分割アルゴリズムを適用することを含んでおり、該セグメント分割アルゴリズムの出力は前記異なるそれぞれの物質類型に対応する、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記複数のボクセルの特徴を決定するステップは、前記異なるそれぞれの物質類型に対応するそれぞれの閾値に対して観察された強度値又は強度差を比較することを含んでいる、請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記密度積分容積の各々のボクセルが、前記線源から当該それぞれのボクセルまでの密度積分を表わす、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
少なくとも前記散乱プロファイル及び前記検出器に関連する散乱格子幾何学的構成に基づく散乱拒絶カーネルを生成することと、
改訂した散乱プロファイルを生成するために、前記散乱拒絶カーネルに基づいて前記散乱プロファイルを更新すること
を含んでいる請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
１又は複数のルーチンを記憶するメモリと、
該メモリに記憶された前記１又は複数のルーチンを実行するように構成されている処理構成要素と
を備えた画像処理システムであって、前記１又は複数のルーチンは、前記処理構成要素により実行されると、
物質類型に基づいて初期再構成容積の内部の複数のボクセルの特徴を決定し、
前記複数のボクセルに基づいて密度積分容積を生成し、
前記検出器の複数の離散的な位置について散乱プロファイルを生成するために、１又は複数の散乱Ｘ線をそれぞれの受光点からそれぞれの送光点まで反転追尾して、
前記散乱プロファイル又は該散乱プロファイルに少なくとも部分的に基づくカーネルを用いて１又は複数の散乱補正画像を形成する、画像処理システム。
【請求項９】
前記１又は複数のルーチンは、前記処理構成要素により実行されると、
前記それぞれの送光点を含む線源から前記それぞれの受光点を含む検出器へのＸ線透過に基づいて前記初期再構成容積を生成する、請求項８に記載の画像処理システム。
【請求項１０】
１又は複数のルーチンを符号化した１又は複数の非一時的なコンピュータ可読の媒体であって、前記１又は複数のルーチンはプロセッサにより実行されると、
密度積分容積を生成する動作であって、当該密度積分容積の各々のボクセルがＸ線の線源からそれぞれの当該ボクセルまでの密度積分を表わしているような密度積分容積を生成する動作と、
前記密度積分容積を通して検出器のそれぞれの位置から前記線源まで１又は複数の散乱Ｘ線を追尾することにより散乱プロファイルを生成する動作と、
前記散乱プロファイル又は該散乱プロファイルに少なくとも部分的に基づくカーネルを用いて１又は複数の再構成画像の散乱を補正する動作と
を含む動作を当該プロセッサに行なわせる、１又は複数の非一時的なコンピュータ可読の媒体。
【請求項１１】
前記密度積分容積は、物質類型に基づいて特徴を決定された初期容積を用いて生成される、請求項１０に記載の１又は複数の非一時的なコンピュータ可読の媒体。
【請求項１２】
プロセッサにより実行されると、
前記線源から前記検出器へのＸ線透過に基づいて初期容積を生成する動作
を当該プロセッサに行なわせるルーチンをさらに符号化した請求項１１に記載の１又は複数の非一時的なコンピュータ可読の媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月19日(2015.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム向けの傾斜コイル装置（３０４）であって、
内側傾斜コイルアセンブリ（３２４）と、
内側傾斜コイルアセンブリの周りに配置されかつ外側表面と第１の端部（３４４）及び第２の端部（３４６）とを有する外側傾斜コイルアセンブリ（３２６）と、
外側傾斜コイルアセンブリの前記第１の端部（３４４）の外側表面の周りに配置させた第１の能動型力均衡化コイル（３５２、３５４）と、
外側傾斜コイルアセンブリの前記第２の端部（３４６）の外側表面の周りに配置させた第２の能動型力均衡化コイル（３５２、３５４）と、
を備え、
前記第１及び第２の能動型力均衡化コイル（３５２、３５４）がオーバーラップしない、傾斜コイル装置（３０４）。
【請求項２】
磁気共鳴撮像（ＭＲＩ）システム向けの傾斜コイル装置（４０４）であって、
内側傾斜コイルアセンブリ（４２４）と、
内側傾斜コイルアセンブリの周りに配置されかつ外側表面、第１の端部（４４４）及び第２の端部（４４６）を有する外側傾斜コイルアセンブリ（４２６）と、
外側傾斜コイルアセンブリの第１の端部（４４４）の外側表面の周りにの周りに配置させた第１の受動型導体ストリップ（４７０）と、
外側傾斜コイルアセンブリの第２の端部（４４６）の外側表面の周りに配置させた第２の受動型導体ストリップ（４７２）と、
を備える傾斜コイル装置（４０４）。
【請求項３】
前記第１の受動型導体ストリップ（４７０）は、外側傾斜コイルアセンブリの第１の端部（４４４）に加わる半径方向力を相殺するように構成されている、請求項１または２に記載の傾斜コイル装置。
【請求項４】
前記第２の受動型導体ストリップ（４７２）は、外側傾斜コイルアセンブリの第２の端部（４４６）に加わる半径方向力を相殺するように構成されている、請求項１乃至３のいずれかに記載の傾斜コイル装置。
【請求項５】
前記第１の受動型導体ストリップ（４７０）は、外側傾斜コイルアセンブリの第１の端部（４４４）上の高い漏れ磁場を有する箇所に位置決めされており、
前記第２の受動型導体ストリップ（４７２）は、外側傾斜コイルアセンブリの第２の端部（４４６）上の高い漏れ磁場を有する箇所に位置決めされている、請求項１乃至４のいずれかに記載の傾斜コイル装置。
【請求項６】
前記第１の受動型導体ストリップ（４７０）の位置は、外側傾斜コイルアセンブリの第１の端部（４４４）上の力分布に基づいており、
前記第２の受動型導体ストリップ（４７２）の位置は、外側傾斜コイルアセンブリの第２の端部（４４６）上の力分布に基づいている、請求項１乃至５のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月23日(2015.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整形外科用手術器具であって、
膝蓋骨切除ガイドを備え、前記膝蓋骨切除ガイドが、
（ｉ）膝蓋骨切断ガイド表面を画定する実質的に平坦な上面と、本体を通る開口を画定する内壁とを有する前記本体であって、前記開口が、患者の膝蓋骨を受容するように構成され、前記内壁が、前記開口の中へと内側に伸長する第１の歯群を有する第１のジョーを含み、前記第１のジョーの第１の歯が、前記第１の歯群のいずれの他の歯も超える長さを有する、前記本体と、
（ｉｉ）前記第１のジョーの反対側に位置付けられ、前記第１のジョーに対して移動可能である第２のジョーであって、前記第２のジョーが、前記第１のジョーに向かって内側に伸長する第２の歯群を有し、前記第２の歯群の第２の歯が、前記第２の歯群のいずれの他の歯も超える長さを有する、第２のジョーと、を備え、
（ｉ）前記第２の歯が、第１の軸を画定し、前記第１の軸に沿って前記第２のジョーが前記第１のジョーに向かって移動可能であり、
（ｉｉ）前記第２のジョーが、前記開口の中に進むように移動可能である、整形外科用手術器具。
【請求項２】
前記第１の歯が、前記第１の軸に沿って位置する、請求項１に記載の整形外科用手術器具。
【請求項３】
前記第１の歯が、前記第１の軸に対して軸外に位置する、請求項１に記載の整形外科用手術器具。
【請求項４】
前記第１のジョーが、前記開口の中へと内側に伸長する第３の歯を含み、前記第３の歯が、前記第１の軸に対して軸外に位置する、請求項３に記載の整形外科用手術器具。
【請求項５】
前記第１の歯及び前記第３の歯が、前記第１の軸からほぼ等距離に位置する、請求項４に記載の整形外科用手術器具。
【請求項６】
前記第１のジョーに対する前記第２のジョーの移動が線状である、請求項１に記載の整形外科用手術器具。
【請求項７】
前記切除ガイドが、前記第２のジョーが取り付けられたアームを更に含み、
前記本体が、前記第１のジョーの反対側で、前記本体に画定されるトラックを有し、
前記アームが前記トラックに沿って摺動し、前記第１のジョーに対して前記第２のジョーを移動させるように、前記アームが前記トラックに受容される、請求項６に記載の整形外科用手術器具。
【請求項８】
前記切除ガイドが、前記本体に着脱可能に連結された鋸キャプチャを更に備え、
切断スロットが、前記実質的に平坦な上面と前記鋸キャプチャとの間に画定される、請求項１に記載の整形外科用手術器具。
【請求項９】
前記第２の歯が、第１の軸を画定し、前記第１の軸に沿って前記第２のジョーが前記第１のジョーに向かって移動可能であり、
前記切断スロットが、前記第１の軸に直交して伸長する第２の軸を画定する、第１の開口部を有する、請求項８に記載の整形外科用手術器具。
【請求項１０】
前記本体が、前記本体に画定される１対のノッチを有し、
前記鋸キャプチャが、フレームと、前記フレームに枢動可能に連結された１対のレバーアームとを含み、各レバーアームが、フランジを有し、（ｉ）前記フランジが対応するノッチに受容される第１の位置と、（ｉｉ）前記鋸キャプチャが前記本体から除去され得るように、前記フランジが対応する前記ノッチから離間する第２の位置と、の間で移動可能である、請求項８に記載の整形外科用手術器具。
【請求項１１】
前記１対のレバーアームを前記第１の位置において付勢する、１対のバネを更に備える、請求項１０に記載の整形外科用手術器具。
【請求項１２】
前記切除ガイドが、前記膝蓋骨切断ガイド表面から所定の距離だけ上に位置付けられたアームを含む、高さゲージを更に備える、請求項１に記載の整形外科用手術器具。
【請求項１３】
前記所定の距離が、約９ｍｍである、請求項１２に記載の整形外科用手術器具。