(57)【要約】本発明は、高耐電圧及び高可視光透過率といった特性を有し、電極等による基板上の凹凸の有無に関わらず、クラックや表面凹凸のない平滑な絶縁膜を提供することを目的とする。本発明は、凹凸を有する基板上に、熱重合開始剤、熱硬化性成分及びガラス粒子を含有する絶縁ペーストを塗布して、塗布膜を得る、塗布工程と、塗布膜を、温度Ｔ１で加熱してからＴ１よりも低い温度Ｔ２に冷却して、硬化率が３０〜９５％の半硬化膜を得る、半硬化工程と、半硬化膜を加熱して、絶縁膜を得る、焼成工程と、を備える、絶縁膜の形成方法を提供する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸を有する基板上に、熱重合開始剤、熱硬化性成分及びガラス粒子を含有する絶縁ペーストを塗布して、塗布膜を得る、塗布工程と、
前記塗布膜を加熱して、硬化率が３０〜９５％の半硬化膜を得る、半硬化工程と、
前記半硬化膜を加熱して、絶縁膜を得る、焼成工程と、
を備える、絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
前記半硬化工程における加熱の温度をＴ１、
前記熱重合開始剤の１０時間半減期温度をＴ１０としたとき、
Ｔ１０＜Ｔ１≦Ｔ１０＋３０℃の関係を満たす、請求項１記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
前記半硬化工程における加熱後の塗布膜を、前記Ｔ１よりも低い温度Ｔ２に冷却して前記半硬化膜を得る、請求項２記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項４】
前記Ｔ２は、前記Ｔ１０よりも低い、請求項３記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項５】
前記Ｔ１での保持時間は、前記Ｔ１における前記熱重合開始剤の半減期未満である、請求項２〜４のいずれか一項記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項６】
前記熱重合開始剤は、加熱により活性ラジカル種となる化合物であり、かつ、１０時間半減期温度Ｔ１０が６０〜１１０℃である、請求項１〜５のいずれか一項記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項７】
前記熱硬化性成分が、３つ以上の炭素−炭素不飽和二重結合を有する化合物を含有する、請求項１〜６のいずれか一項記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
前記絶縁ペーストの有機固形分における炭素−炭素不飽和二重結合密度は、３〜９ｍｍｏｌ／ｇである、請求項１〜７のいずれか一項記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項９】
基板と、
該基板の上面に配置された複数の電極対と、
該電極を覆う絶縁膜と、を備える、プラズマディスプレイ部材であり、
前記基板上面に対して鉛直方向における、前記絶縁膜の最大厚みをＨ１、
前記基板上面に対して鉛直方向における、前記絶縁膜の最小厚みをＨ２、としたときに、
０．２［μｍ］  ≦  Ｈ１  −  Ｈ２  ≦  １．０［μｍ］
の関係を満たす、プラズマディスプレイ部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁膜の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大きく重いブラウン管に代わる画像表示装置として、軽く、薄型のいわゆるフラットディスプレイが注目されている。フラットディスプレイとしては液晶ディスプレイが盛んに開発されているが、液晶ディスプレイは視野角が狭いといった欠点を有する。一方で、自発光型の放電型ディスプレイであるプラズマディスプレイや電子放出素子を用いた画像表示装置は、液晶ディスプレイに比べて視野角が広く、さらに大画面化及び高精細化の要求に応え得ることから、そのニーズが高まりつつある。【０００３】
プラズマディスプレイは、前面板と背面板とが一定の間隔で対向しており、その周囲が封着ガラスで気密封止された構造を有している。前面板と背面板との間に設けられた放電空間内では、表示電極及びアドレス電極が対向している。そして、これら電極間にプラズマ放電を発生させ、放電空間内に封入されたＸｅ−Ｎｅ等のガスから紫外線を発生させて、これを放電空間内の蛍光体に当てて表示を行うものである。【０００４】
前面板には、導電性金属粒子を含む表示電極がストライプ状に形成されており、これらを被覆してプラズマ放電を維持するための絶縁膜が、ベタ膜状に形成されている。一方で背面板には、アドレス電極が形成されており、前面板と同様にこれらを被覆するための絶縁膜が形成されている。さらに背面板の絶縁膜上には、プラズマ放電の広がりを一定領域に抑え、表示を規定のセル内で行わせると同時に、均一な放電空間を確保するために隔壁が形成されており、セル内には発光のための蛍光体層が形成されている。【０００５】
上記のような絶縁膜を形成する既存の方法としては、ガラス粒子を含有する絶縁ペーストをスクリーン印刷法又は一括コート法で基板上に塗布して乾燥し、有機成分を熱分解、除去した後に、ガラス粒子同士を焼結する方法が知られている（特許文献１）。また、前面板の絶縁膜には、高耐電圧及び高可視光透過率といった、絶縁膜と電極との反応性、絶縁膜の表面粗さ及び絶縁膜内の気泡の状態に左右される特性が要求されるが、これらの特性を向上する技術も開発されている（特許文献２及び３）。【０００６】
さらに、クラックや基板からの剥がれの生じない絶縁膜の形成方法であって、かつ、隔壁の形成性を損なうことなく隔壁と絶縁膜との同時焼成が可能な方法として、熱重合開始剤及び熱硬化性成分を含有する、絶縁ペーストを用いる方法が開発されている（特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２４６２３６号公報
【特許文献２】特開２００５−３８８２４号公報
【特許文献３】特開２００８−６００６４号公報
【特許文献４】特開２００１−２６４７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の絶縁膜の形成方法では、表面粗さが小さい絶縁膜、すなわち、微視的には平滑性の高い絶縁膜を得ることが可能であるものの、巨視的には電極等による基板上の凹凸が絶縁膜表面にも反映されてしまい、全体として平滑性の高い絶縁膜を得ることは不可能であった。絶縁膜全体での凹凸の問題は、塗布膜を加熱した際に、基板の凸部（例えば、電極形成部）上と、基板の凹部（例えば、電極非形成部）上とで、塗布膜が同等の収縮率で体積収縮することに起因するものである。ウレタン骨格等を有する高伸縮性の化合物やアクリル樹脂等の熱可塑性ポリマーを用いて絶縁膜に柔軟性及び靭性を向上させても、凹凸の程度が大きければ絶縁膜にクラックが生じ、代替技術が切望されているのが現状であった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、以下の（１）〜（９）の発明を見出した。
（１）  凹凸を有する基板上に、熱重合開始剤、熱硬化性成分及びガラス粒子を含有する絶縁ペーストを塗布して、塗布膜を得る、塗布工程と、上記塗布膜を加熱して、硬化率が３０〜９５％の半硬化膜を得る、半硬化工程と、上記半硬化膜を加熱して、絶縁膜を得る、焼成工程と、を備える、絶縁膜の形成方法。
（２）  上記半硬化工程における加熱の温度をＴ１、上記熱重合開始剤の１０時間半減期温度をＴ１０としたとき、Ｔ１０＜Ｔ１≦Ｔ１０＋３０℃の関係を満たす、上記（１）記載の絶縁膜の形成方法。
（３）  上記半硬化工程における加熱後の塗布膜を、上記Ｔ１よりも低い温度Ｔ２に冷却して上記半硬化膜を得る、上記（２）記載の絶縁膜の形成方法。
（４）  上記Ｔ２は、上記Ｔ１０よりも低い、上記（３）記載の絶縁膜の形成方法。
（５）  上記Ｔ１での保持時間は、上記Ｔ１における上記熱重合開始剤の半減期未満である、上記（２）〜（４）のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
（６）  上記熱重合開始剤は、加熱により活性ラジカル種となる化合物であり、かつ、１０時間半減期温度Ｔ１０が６０〜１１０℃である、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
（７）  上記熱硬化性成分が、３つ以上の炭素−炭素不飽和二重結合を有する化合物を含有する、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
（８）  上記絶縁ペーストの有機固形分における炭素−炭素不飽和二重結合密度は、３〜９ｍｍｏｌ／ｇである、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
（９）  基板と、該基板の上面に配置された複数の電極対と、該電極を覆う絶縁膜と、を備える、プラズマディスプレイ部材であり、上記基板上面に対して鉛直方向における、上記絶縁膜の最大厚みをＨ１、上記基板上面に対して鉛直方向における、上記絶縁膜の最小厚みをＨ２、としたときに、
０．２［μｍ］  ≦  Ｈ１  −  Ｈ２  ≦  １．０［μｍ］
の関係を満たす、プラズマディスプレイ部材。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高耐電圧及び高可視光透過率といった特性を有し、電極等による基板上に凹凸がある場合でも、クラックや表面凹凸のない平滑な絶縁膜を提供することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１２】
本発明の絶縁膜の形成方法は、凹凸を有する基板上に、熱重合開始剤、熱硬化性成分及びガラス粒子を含有する絶縁ペーストを塗布して、塗布膜を得る、塗布工程と、上記塗布膜を加熱して、硬化率が３０〜９５％の半硬化膜を得る、半硬化工程と、上記半硬化膜を加熱して、絶縁膜を得る、焼成工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明の絶縁膜の形成方法において用いる絶縁ペーストは、熱重合開始剤、熱硬化性成分及びガラス粒子を含有することが必要であるが、その他の成分として、例えば、熱可塑性ポリマー、可塑剤、溶媒、分散剤、レベリング剤又はフィラーを含有しても構わない。絶縁ペーストの製造方法としては、例えば、これらの材料を予備撹拌後にローラーミル等の分散機で混練してから、濾過及び減圧下での脱泡をする方法が挙げられる。
【００１４】
熱重合開始剤としては、加熱により活性ラジカル種となることができ、１０時間半減期温度Ｔ１０が４０〜１３０℃であるものが好ましく、絶縁ペーストの安定性を担保しながらラジカル種の活性を十分なものとするため、１０時間半減期温度Ｔ１０が６０〜１１０℃であるものがより好ましい。
【００１５】
１０時間半減期温度Ｔ１０（以下、「Ｔ１０」）とは、熱重合開始剤の半量が分解して、半量が残留するまでに要する時間、すなわち半減期が、１０時間となる温度をいう。Ｔ１０を４０℃以上とすることで、絶縁ペーストの安定性を保持することができ、１３０℃以下とすることで、加熱温度に対する活性を十分に発揮することができる。Ｔ１０が４０℃未満であると、経時的な増粘が起こる等、絶縁ペーストの安定性が保持できず、表面張力が高くなれば、平滑性の高い塗布膜が形成しづらくなる。一方で、Ｔ１０が１３０℃を超えると、半硬化工程における加熱温度を高めに設定せねばならず、絶縁ペーストが含有する溶媒が急激に揮発することで、得られる半硬化膜の表面に凹凸が生じてしまう。
【００１６】
熱重合開始剤としては、有機過酸化物又はアゾ化合物が好ましい。
【００１７】
Ｔ１０が４０〜１３０℃である有機過酸化物としては、例えば、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｎ−プロピルパーオキシジカーボネート、ジ（２−エトキシエチル）パーオキシジカーボネート、ジ（メトキシイソプロピル）パーオキシジカーボネート、ジ（２−エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、デカノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、琥珀酸パーオキサイド、アセチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシ（２−エチルヘキサノエート）、ｍ−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ベンゾイルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，３，５−トリメチルヘキサノエート、シクロヘキサンパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）オクタン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）バレレート、ジ−ｔ−ブチルジパーオキシイソフタレート、メチルエチルケトンパーオキサイド、α，α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド又はジ−ｔ−ブチルパーオキサイドが挙げられる。
【００１８】
Ｔ１０が４０〜１３０℃であるアゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス（２−メチルブチロニトリル）、１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１−［（１−シアノ−１−メチルエチル）アゾ］ホルムアミド（２−（カルバモイルアゾ）イソブチロニトリル）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシメチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチルーメチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド又は２，２’−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジサルフェートジハイドレイトが挙げられる。
【００１９】
熱重合開始剤の割合は、後述する熱硬化性成分に対して１〜１５質％が好ましく、７〜１２質量％がより好ましい。熱重合開始剤が１質量％未満であると、半硬化膜の表面に凹凸が生じてしまう。一方で、熱重合開始剤が１５質量％を超えると、半硬化膜の表面での熱重合開始剤の析出やクラックが生じ易くなる。
【００２０】
熱硬化性成分としては、炭素−炭素不飽和二重結合を有する化合物（以下、「化合物Ｃ」）が好ましい。化合物Ｃとしては、例えば、ビニル基、アリル基、（メタ）アクリレート基又はアクリルアミド基を有する化合物が挙げられるが、多様な種類の化合物が開発されており、反応性、溶解性又は二重結合当量等により適宜選択が可能な、（メタ）アクリレート基を有する化合物、すなわち（メタ）アクリレート化合物が好ましい。
【００２１】
（メタ）アクリレート化合物の中でも、熱重合開始剤から発生した活性ラジカル種を開始点として熱硬化する反応速度が速く、３次元網目構造の半硬化膜を形成でき、かつ、半硬化膜の平滑性を保持する効果に優れる点で、３つ以上の官能基を有する（メタ）アクリレート化合物が好ましい。３つ以上の官能基を有する（メタ）アクリレート化合物としては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エトキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、プロポキシ化グリセリルトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート若しくはジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又はそれらのアルキレンオキサイド変成物が挙げられる。
【００２２】
また、炭素−炭素不飽和二重結合を側鎖に有するポリマーも、炭素−炭素不飽和二重結合を有する化合物として好ましい。このようなポリマーとしては、例えば、主鎖にアクリル構造、ウレタン構造、ポリエステル構造又はエポキシ構造を有し、側鎖に炭素−炭素二重結合を有するものが挙げられる。
【００２３】
熱硬化性成分として化合物Ｃを用いる場合、絶縁ペースト中の有機固形分における炭素−炭素不飽和二重結合密度（以下、「Ｙ」）は、３〜９ｍｍｏｌ／ｇであることが好ましく、３．５〜７ｍｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。Ｙが３ｍｍｏｌ／ｇ未満であると、塗布膜の平滑性を保持する効果が小さく絶縁膜の表面に凹凸が生じてしまう。一方で、Ｙが９ｍｍｏｌ／ｇを超えると、焼成工程における膜の焼成収縮率が過大となり、局所的に膜が基板から浮いてしまう。
【００２４】
なお、絶縁ペースト中の有機固形分とは、絶縁ペーストに含有されるすべての有機化合物すなわち有機成分のうち、溶媒を除いたものをいう。
【００２５】
Ｙは、以下の式（１）により算出される二重結合当量Ｚを用い、以下の式（２）により算出される。異なる複数種の化合物Ｃを混合して用いる場合には、それぞれの炭素−炭素不飽和二重結合密度の総和によりＹを算出する。
Ｚ（ｇ／ｍｏｌ）＝Ｍ／Ｎ  ・・・  式（１）
Ｍ  ：  化合物Ｃの分子量
Ｎ  ：  化合物Ｃが有する炭素−炭素不飽和二重結合の数
Ｙ（ｍｏｌ／ｇ）＝Σ（Ｏ／Ｚ）  ・・・  式（２）
Ｏ  ：  有機固形分における化合物Ｃの割合（質量％）／１００
絶縁ペースト中の全無機成分に対する化合物Ｃの体積比は、０．５〜１．５であることが好ましく、０．６〜１．２であることがより好ましい。化合物Ｃの体積比が０．５未満であると、絶縁膜の表面に凹凸が生じてしまう。一方で、化合物Ｃの体積比が１．５を超えると、局所的に膜が基板から浮いてしまう。なお、絶縁ペースト中の全無機成分とは、絶縁ペーストに含有されるすべての無機化合物のことをいい、ガラス粒子もこれに含まれる。
【００２６】
本発明の絶縁膜の形成方法において用いる絶縁ペーストは、熱可塑性ポリマーを含有することも好ましい。熱可塑性ポリマーとしては、例えば、セルロース系樹脂又はアクリル系樹脂が挙げられる。熱可塑性ポリマーの割合は、ガラス粒子１００質量部に対して１〜４０質量部が好ましく、２〜２０質量部がより好ましい。セルロース系樹脂としては、例えば、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース又はカルボキシメチルセルロースが挙げられるが、ガラス粒子の分散性に優れ、スクリーン印刷又は一括コート法における好適な塗布性を絶縁ペーストに付与可能であり、かつ、焼成工程で速やかに熱分解し揮散しやすいことからエチルセルロースが好ましい。アクリル系樹脂としては、アクリル酸若しくはアクリル酸アルキル類又はメタクリル酸若しくはメタクリル酸アルキル類の単独重合体あるいは共重合体が好ましい。より具体的には、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸プロピル、ポリメタクリル酸ブチル若しくはポリメタクリル酸ヘキシルの単独重合体又は共重合体が好ましい。
【００２７】
本発明の絶縁膜の形成方法において用いる絶縁ペーストは、溶媒を含有しても構わない。ここで溶媒とは、半硬化工程における加熱温度及び加熱時間で６０質量％以上が揮発する液状成分をいう。溶媒は、絶縁ペーストの粘度を調整し、選択される塗布方法に対して好適な流動性を得ることを目的として用いられるが、半硬化工程における加熱温度及び加熱時間で比較的容易に揮発する必要がある。溶媒としては、例えば、テルピネオール、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテルアセテート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールモノイソブチレート、ブチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトール、ガンマブチロラクトン、ブチルセロソルブアセテート、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、酢酸メトキシブチル若しくは酢酸ｎ−ブチル又はこれらの混合物が挙げられる。絶縁ペースト中の溶媒の割合は、２０〜６０質量％が好ましく、２０〜４０質量％がより好ましい。
【００２８】
本発明の絶縁膜の形成方法において用いる絶縁ペーストは、可塑剤を含有しても構わない。可塑剤は、半硬化膜の平滑性向上を目的として用いられる。可塑剤は、半硬化工程における加熱温度Ｔ１と比べて十分に高い沸点を有し、半硬化工程において実質上揮発しないものが好ましい。可塑剤としては、例えば、ブチルベンジルフタレート、ジオクチルフタレート、ジイソオクチルフタレート、ジカプリルフタレート、ジブチルフタレート若しくはイソデシルフタレート又はこれらの混合物が挙げられる。絶縁ペースト中の可塑剤の割合は、０．５〜１０質量％が好ましく、１〜５質量％がより好ましい。可塑剤の割合が０．５質量％未満であると、溶媒揮発が局所的に進行する部位が生じ、半硬化膜の平滑性が悪化し易くなる。一方で、可塑剤の割合が１０質量％を超えると、熱可塑性ポリマー又は熱硬化性成分との相溶性が不足し、半硬化膜の平滑性が悪化し易くなる。
【００２９】
本発明の絶縁膜の形成方法において用いる絶縁ペーストが含有するガラス粒子としては、例えば、ＺｎＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＰｂＯからなる群から選択される成分を主成分とするガラス粒子を用いることができるが、昨今の環境負荷物質の使用削減の動きから、非鉛ガラス粒子が好ましい。ここで主成分とは、質量％で最も多く含まれる成分をいう。特に、ＴｉＯ２と、さらにＣｕＯ、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２、ＭｎＯ２及びＣｏＯからなる群から選択される成分と、の両方を含有する、以下の組成比で示されるＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系非鉛ガラス粒子は、電極との反応による黄変を起こし難く、透明性に優れ、かつ６００℃以下の温度で良好な焼結性が得られるため好ましい。
（ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系非鉛ガラス粒子の組成比（括弧内は、より好ましい組成比））
ＺｎＯ  ：  ２５〜５５質量％  （２８〜５０質量％）
Ｂ２Ｏ３  ：  １０〜４０質量％  （１５〜３５質量％）
ＺｎＯ＋Ｂ２Ｏ３  ：  ４６〜８０質量％  （４９〜７５質量％）
ＳｉＯ２  ：  １〜２０質量％  （３〜１８質量％）
Ｂｉ２Ｏ３  ：  ０〜５０質量％  （１〜３０質量％）
Ｌｉ２Ｏ  ：  ０〜８質量％  （０〜５質量％）
Ｎａ２Ｏ  ：  ０〜１０質量％  （０〜７質量％）
Ｋ２Ｏ  ：  ０〜１５質量％  （０〜１３質量％）
Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ：  ０〜１５質量％  （０．１〜１３質量％）
ＭｇＯ  ：  ０〜２０質量％  （０〜１７質量％）
ＣａＯ  ：  ０〜２０質量％  （０〜１７質量％）
ＳｒＯ  ：  ０〜２０質量％  （０〜１７質量％）
ＢａＯ  ：  ０〜２０質量％  （０〜１７質量％）
ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ  ：  ０〜２５質量％（０〜２０質量％）
ＴｉＯ２  ：  ０．３〜１０質量％  （０．５〜８質量％）
ＣｕＯ  ：  ０．０１〜０．３質量％  （０．０５〜２．５質量％）
ＣｕＯ＋ＭｏＯ３＋ＣｅＯ２＋ＭｎＯ２＋ＣｏＯ  ：  ０．０１〜６質量％  （０．０１〜質量５％）
ガラス粒子は、絶縁膜中の気泡を低減するために、平均粒径Ｄ５０が３．０μｍ以下、かつ、最大粒径Ｄｍａｘが２０μｍ以下のものを使用することが好ましい。
【００３０】
絶縁ペースト中のその他成分の割合は、分散剤は０〜３質量％が、レベリング剤は０〜１質量％が、フィラーは０〜３質量％が、それぞれ好ましい。
【００３１】
本発明の絶縁膜の形成方法における塗布工程とは、凹凸を有する基板上に絶縁ペーストを塗布して、塗布膜を得る工程をいう。ここで基板とは、ガラス又はセラミック等からなる板をいう。
【００３２】
本発明によれば、基板上の凹凸に関わらず、平滑性の高い絶縁膜を形成できる。本発明の絶縁膜の形成方法は、基板上の凹凸が、高低差１〜２０μｍ、ピッチ１〜１０００μｍの範囲にある場合に好ましく用いられ、高低差１〜７μｍ、ピッチ５０〜５００μｍの範囲にある場合に、より好ましく用いられる。
【００３３】
基板上に絶縁ペーストを塗布する方法としては、バーコーター、ロールコーター、スリットダイコーター若しくはブレードコーターを用いた一括コート法又はスクリーン印刷法が挙げられるが、塗布回数が少ないことから、一括コート法が好ましく、面内ムラが少なく塗布膜厚精度が高いことから、スリットダイコーターを用いた一括コート法がより好ましい。なお、絶縁ペーストの粘度等が適切であれば、全体として平滑性の高い塗布膜を得ることが可能である。
【００３４】
塗布工程で得られる塗布膜の厚みは、後の工程における収縮等を考慮して適宜決定すればよいが、絶縁性と平滑性を確保するために、焼成工程により得られる絶縁膜の厚みが、５〜１００μｍとなるように調整することが好ましく、２０〜６０μｍとなるように調整することがより好ましい。なお、基板上に電極が形成されている場合には、基板の凸部（電極形成部）の塗布膜の厚みを３０〜１５０μｍに、基板の凹部（電極非形成部）の塗布膜の厚みを３１〜１７０μｍに、それぞれ調整することが好ましい。
【００３５】
本発明の絶縁膜の形成方法における半硬化工程とは、塗布工程で得られた塗布膜を、温度Ｔ１で加熱してから温度Ｔ２に冷却して、硬化率が３０〜９５％の半硬化膜を得る工程をいう。
【００３６】
塗布膜を温度Ｔ１（以下、「Ｔ１」）で加熱することで、熱硬化が進行し、塗布膜の粘度が増大して塗布膜の平坦形状が保持され、半硬化膜表面に凹凸が生じてしまうのを抑制できる。
【００３７】
Ｔ１で加熱する方法としては、塗布膜を均一に加熱できることから、ＩＲ照射型乾燥機が好ましい。なお、予めＴ１に昇温した乾燥機に塗布膜を入れることで加熱を開始しても構わないし、常温の乾燥機に塗布膜を入れた後に加熱を開始して、段階的又は連続的に昇温しても構わない。Ｔ１は熱重合開始剤の種類により適宜決定されるが、工程管理上４０℃＜Ｔ１≦１４０℃の範囲が好ましく、６０℃＜Ｔ１≦１２０℃の範囲がより好ましい。
【００３８】
Ｔ１と上記のＴ１０とは、以下の式（３）の関係を満たすことが好ましく、以下の式（４）の関係を満たすことがより好ましい。なお、１０時間半減期の異なる複数種の熱重合開始剤を混合して用いる場合には、加重平均によりＴ１０を算出することができる。
Ｔ１０＜Ｔ１≦Ｔ１０＋３０℃  ・・・  式（３）
Ｔ１０＜Ｔ１≦Ｔ１０＋１０℃  ・・・  式（４）
Ｔ１がＴ１０未満だと、重合開始剤と熱硬化性成分との熱硬化が促進されず、半硬化膜の表面に凹凸が生じてしまう。一方で、Ｔ１がＴ１０＋３０℃を超えると、熱重合開始剤の分解速度が過度に速くなり、半硬化膜の硬化率の制御が困難となるばかりか、半硬化膜内で硬化の度合いにムラが生じる。
【００３９】
加熱の温度がＴ１に達してから冷却を開始するまでの時間、すなわちＴ１での保持時間（以下、「ｔ１」）は、Ｔ１における熱重合開始剤の半減期未満であることが好ましく、０．５〜３時間がより好ましい。ｔ１が半減期以上であると、凹凸やクラックが発生し易い。なお、加熱の温度が一時的にＴ１から外れた場合であっても、Ｔ１±５℃の範囲であれば、誤差範囲としてｔ１が継続しているものとして扱うことができる。
【００４０】
塗布膜をＴ１で加熱してから、Ｔ１より低い温度Ｔ２（以下、「Ｔ２」）に冷却することで、硬化率が３０〜９５％の半硬化膜を得ることができる。Ｔ２に冷却することで、活性ラジカル種の追加発生を抑制することができる。一方で、Ｔ２での冷却を省略して焼成工程を行うと、熱硬化が暴走的に進行し、得られる絶縁膜の表面にクラックが生じてしまう。
【００４１】
Ｔ２は、活性ラジカル種の追加発生を十分に抑制するために、Ｔ１０よりも低いことが好ましい。冷却速度や時間は、得られる半硬化膜の硬化率が３０〜９５％の範囲となるよう、適宜設定すればよいが、得られる半硬化膜の硬化率は、５０〜９３％の範囲となることが好ましい。
【００４２】
半硬化膜の硬化率Ｘは、塗布工程で基板上に塗布した絶縁ペーストを用いてモデル塗布膜を形成し、それを半硬化工程と同一条件（温度及び時間）で加熱及び冷却をして、得られたモデル半硬化膜の硬化率を算出することで決定される。より具体的には、ダイヤモンド製のＡＴＲ（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ  Ｔｏｔａｌ  Ｒｅｆｌｅｃｔａｎｃｅ）結晶の加熱ステージ上に膜厚１００μｍ×縦１ｍｍ×横１ｍｍの大きさでモデル塗布膜を形成し、赤外分光分析法によるｉｎ−ｓｉｔｕ測定にて、モデル塗布膜、モデル半硬化膜及び完全硬化膜のそれぞれの熱硬化性成分由来の炭素−炭素不飽和二重結合のＣ＝Ｃ伸縮振動のピーク強度（以下、「Ｓ」）を求め、以下の式（５）により算出されたＸを、半硬化膜の硬化率として決定することができる。
Ｘ（％）＝（Ｓ０−Ｓｘ）／（Ｓ０−Ｓ１００）×１００  ・・・  式（５）
Ｓ０  ：  モデル塗布膜のＳ
Ｓ１００  ：  完全硬化膜のＳ
Ｓｘ  ：  モデル半硬化膜のＳ
ここで完全硬化膜とは、Ｔ１０＋８０℃で、その温度における熱重合開始剤の半減期の１０００倍の時間、モデル塗布膜を常圧で加熱して得られた膜をいう。
【００４３】
半硬化膜の硬化率が３０％未満であると、熱硬化による平坦形状の保持効果が小さいため凹凸を抑制する効果が十分でなくなる。一方で、半硬化膜の硬化率が９５％を超えると、半硬化膜が靭性を失い、後の焼成工程において電極形成部等の膜の厚みの薄い部分に局所的に収縮応力が偏ることでクラックを生じてしまう。
【００４４】
なお、半硬化工程後、揮発せず半硬化膜中に残留する溶媒量は、半硬化膜の全体積に対して０〜４０体積％が好ましく、０〜２０体積％がより好ましい。残留する溶媒量が４０体積％を超えると、絶縁膜表面に凹凸が生じてしまう。
【００４５】
本発明の絶縁膜の形成方法における焼成工程とは、半硬化工程で得られた半硬化膜を加熱して、絶縁膜を得る工程をいう。焼成工程は、半硬化膜中の有機成分を熱分解、除去する前加熱プロセスと、ガラス粒子同士を焼結する焼結プロセスと、に大別される。
【００４６】
半硬化膜中の有機成分の熱分解、除去のための加熱は、３００〜４５０℃で５〜３０分間行うことが好ましい。加熱温度が３００℃未満であると、有機成分の除去が不十分となり、絶縁膜中の気泡が増加する。一方で、加熱温度が４５０℃を超えると、有機成分の熱分解、除去による体積収縮が急激に起こり、絶縁膜にクラックが生じ易くなる。
【００４７】
ガラス粒子同士の焼結のための加熱は、５００〜６００℃で５〜１５分間行うことが好ましく、ガラス粒子の軟化点以上の温度で５〜１５分間行うことがより好ましい。ガラス粒子の軟化点と比べて焼成のための加熱温度が高すぎたり、加熱時間が長くなり過ぎると、基板が変形したり、基板又は電極等の部材と、絶縁膜中の成分とが反応してしまうことがある。
【００４８】
本発明の絶縁膜の形成方法における焼成工程では、基板上に電極が形成されている場合には、基板の凸部（電極形成部）の半硬化膜の焼成収縮率が、基板の凹部（電極非形成部）の半硬化膜の焼成収縮率を大きく上回ることで、全体として平滑性の高い絶縁膜を得ることが可能となる。部位による焼成収縮率の相違は、基板の凸部（電極形成部）から基板の凹部（電極非形成部）への物質移動に基づくものである。その原理は明確ではないが、有機成分を熱分解、除去するプロセスにおいては、一旦有機成分が軟化又は液状化し、粘度が大幅に低下した状態で消失するものと考えられるところ、その一方で半硬化により意図的に残留させておいた未反応の熱硬化性成分が熱硬化し、膜全体が増粘して表面張力が高まることで、半硬化膜の平坦形状が保持されたまま焼結プロセスへ移行することが可能であるためと推測される。
【００４９】
以上のように本発明の絶縁膜の形成方法は、基板上に電極等が形成されている、凹凸を有する基板上に絶縁膜を形成するために好適である。
【００５０】
本発明のプラズマディスプレイ部材は、基板と、該基板の上面に配置された複数の電極対と、該電極を覆う絶縁膜と、を備える、プラズマディスプレイ部材であり、上記基板上面に対して鉛直方向における、上記絶縁膜の最大厚みをＨ１、上記基板上面に対して鉛直方向における、上記絶縁膜の最小厚みをＨ２、としたときに、
０．２［μｍ］  ≦  Ｈ１  −  Ｈ２  ≦  １．０［μｍ］
の関係を満たすことを特徴とする。なお、Ｈ１及びＨ２は、
０．２［μｍ］  ≦  Ｈ１  −  Ｈ２  ≦  ０．５［μｍ］
の関係を満たすことがより好ましい。
【００５１】
本発明のプラズマディスプレイ部材がプラズマディスプレイ前面板（以下、「前面板」）である場合には、Ｈ１−Ｈ２が０．２μｍ以上であると、排気効率の改善により生産効率が向上し、かつ良好なプライミング放電により消費電力が低減する。一方で、１．０μｍ以下であると、背面板との間隙が均一かつ小さくなり、クロストーク現象が大幅に低減されて安定放電が可能となるため、信頼性が格段に向上する。さらには、クロストーク現象が大幅に低減されるため、隣接電極間距離を小さくして開口部を広げ、輝度を顕著に向上させることができる。
【００５２】
本発明のプラズマディスプレイ部材がプラズマディスプレイ背面板（以下、「背面板」）である場合には、Ｈ１−Ｈ２が０．２μｍ以上であると、絶縁膜上に形成した隔壁の倒れを抑制できる。一方で、１．０μｍ以下であると、過度の凹凸による絶縁膜への応力集中を防いで、絶縁膜に生じるクラックを抑制できる。
【００５３】
絶縁膜表面の平滑性は、レーザー顕微鏡で評価することができる。より具体的には、レーザー顕微鏡（ＶＫ−９７００；株式会社キーエンス製）を用い、絶縁膜表面の電極上の部分（電極の幅方向における略中央部分）と電極の無い部分（隣接する電極間の略中央部分）との高低差を面内１００箇所において倍率５０倍で測定し、その平均値を算出することで定量的に評価できる。この平均値は、そのまま上記の「Ｈ１−Ｈ２」の値とすることができる。なお、クラックが発生した場合は、クラックのない箇所を測定し、全面にクラックが発生した場合は、測定不能とした。
【００５４】
絶縁膜表面の欠陥は、クラック又は気泡の個数をレーザー顕微鏡（倍率５０倍）で観察することで評価できる。
【００５５】
前面板の製造方法の一例を以下に示す。まず、ガラス基板上に酸化インジウムスズ（以下、「ＩＴＯ」）をスパッタし、フォトエッチング法により透明電極を形成する。透明電極を形成したガラス基板に、黒色電極を形成するための感光性黒色電極ペーストを印刷して塗布膜を形成し、さらに、導電性の高い感光性白色電極ペーストを塗布して二層の塗布膜を形成する。得られた二層の塗布膜は一括して露光及び現像をし、ストライプ状のバス電極パターンを形成する。得られたバス電極パターンは焼成し、これを被覆する絶縁膜を形成することで、前面板を得ることができる。なお必要に応じて、コントラストを向上させるためのブラックストライプ又はブラックマトリクスや、ＭｇＯ等を主成分とする保護膜を形成しても構わない。
【００５６】
ガラス基板としては、例えば、ソーダガラス又はプラズマディスプレイパネル用の耐熱ガラス（ＰＰ８若しくはＰＰ９（日本電気硝子株式会社製）又はＰＤ２００（旭硝子株式会社製））が挙げられる。黒色電極を形成するためのペーストは、有機バインダー、黒色顔料及び導電性粉末を主成分とするが、フォトリソグラフィ法でパターン形成をする場合は、有機バインダーとして感光性の有機化合物を用いればよい。黒色顔料としては、金属酸化物が好ましい。金属酸化物としては、例えば、チタンブラック又は銅、鉄、マンガン若しくはコバルトの金属酸化物が挙げられるが、焼成後の退色が少ないため、コバルトの金属酸化物が好ましい。導電性粉末としては、例えば、金属粉末又は金属酸化物粉末が挙げられる。金属粉末としては、例えば、金、銀、銅又はニッケルが挙げられる。
【００５７】
黒色電極は高抵抗であるため、上記の製法例ではより低抵抗率である白色電極ペーストを塗布している。白色電極ペーストとしては、例えば、銀を主成分とするものが挙げられる。焼成後の黒色電極及び焼成後の白色電極の膜厚は、いずれも１〜７μｍであることが好ましい。また、焼成後の両電極の線幅は２０〜１００μｍであることが好ましく、ピッチは１〜１０００μｍであることが好ましい。また、絶縁膜の厚みは、５〜１００μｍが好ましい。絶縁膜の形成方法としては、本発明の絶縁膜の形成方法が好適に用いられる。
【００５８】
背面板の製造方法の一例を以下に示す。まず、ガラス基板上にストライプ状の電極パターンを形成し、これを被覆する絶縁膜を形成する。電極パターン及び絶縁膜を形成したガラス基板に、隔壁を形成するための感光性隔壁ペーストを塗布して塗布膜を形成し、これを乾燥してから露光及び現像をし、格子状等の隔壁パターンを形成する。得られた電極パターン、絶縁膜及び隔壁パターンは５７０〜６２０℃の温度で１０〜６０分間焼成し、さらに蛍光体を形成することで、背面板を得ることができる。
【００５９】
ストライプ状の電極パターンの形成方法としては、例えば、感光性ペースト法が挙げられる。絶縁膜の形成方法としては、本発明の絶縁膜の形成方法が好適に用いられる。
【００６０】
感光性隔壁ペーストの塗布方法としては、例えば、バーコーター、ロールコーター、スリットダイコーター、ブレードコーター又はスクリーン印刷が挙げられる。感光性隔壁ペーストの塗布膜の厚みは、所望の隔壁の高さや焼成による収縮率を考慮して決定すればよい。十分な放電空間を確保して輝度をさせるため、隔壁の高さは１００μｍ以上とすることが好ましい。
【００６１】
感光性隔壁ペーストの塗布膜の露光は、フォトマスクを介する方法が一般的であるが、レーザー光等で直接描画しても構わない。露光装置としては、例えば、ステッパー露光機又はプロキシミティ露光機が挙げられる。活性光源としては、例えば、近紫外線、紫外線、電子線、Ｘ線又はレーザー光が挙げられるが、紫外線が好ましい。紫外線の光源としては、例えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプ又は殺菌灯が挙げられるが、超高圧水銀灯が好ましい。露光条件は感光性隔壁ペーストの塗布膜の厚みにより異なるが、通常、１〜１００ｍＷ／ｃｍ２出力の超高圧水銀灯を用いて、０．０１〜３０分間露光を行う。また現像の方法としては、例えば、浸漬法、スプレー法又はブラシ法が挙げられる。
【００６２】
蛍光体の形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィ法、ディスペンサー法又はスクリーン印刷法が挙げられる。蛍光体の厚みは１０〜３０μｍが好ましく、１５〜２５μｍがより好ましい。
【実施例】
【００６３】
以下に本発明をその実施例及び比較例を挙げて詳細に説明するが、本発明の態様はこれらに限定されるものではない。【００６４】
（実施例１）
１質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストａを得た。
（ガラス粒子Ａ：組成比が質量百分率で、ＺｎＯ  ３５．８質量％、Ｂ２Ｏ３  ３７．１質量％、ＳｉＯ２  １２．０質量％、Ｋ２Ｏ  １２．６質量％、Ａｌ２Ｏ３  １．４質量％、ＴｉＯ２  ０．８質量％、ＣｕＯ  ０．３質量％、平均粒径Ｄ５０が２．０μｍ、最大粒径Ｄｍａｘが１０．０μｍ、軟化点が５８４℃、熱膨張係数が７３．７×１０−７／℃）
線幅４０μｍ、膜厚５μｍ、ピッチ２００μｍのストライプ状電極パターンを形成したガラス基板（ＰＤ２００；旭硝子株式会社製）上に、絶縁ペーストａをスリットダイコーターにて塗布回数１回でベタ状に塗布し、膜厚１０５μｍの塗布膜ａを得た（塗布工程）。なお、塗布膜ａの膜厚は、最終的に得られる絶縁膜ａの凹部（電極非形成部）の膜厚が３０μｍとなるように、絶縁ペーストａの収縮率を考慮して決定した。【００６５】
塗布膜ａを、ＩＲ照射型乾燥機を用いて９５℃（Ｔ１）で加熱し、９５℃に達してから３０分（ｔ１）経った時点で冷却を開始し、２５℃（Ｔ２）で冷却して、半硬化膜ａ１を得た（半硬化工程）。なお、Ｔ２での冷却時間は、２時間であった。なお、ダイヤモンド製のＡＴＲ結晶の加熱ステージ上に別途モデル塗布膜ａを形成して、９５℃で加熱し、９５℃に達してから３０分経った時点で冷却を開始し、２５℃で２時間冷却して得られたモデル半硬化膜ａ１の硬化率を、半硬化膜ａ１の硬化率として決定した。【００６６】
半硬化膜ａ１を３８０℃で１０分間加熱し、半硬化膜ａ１中の有機成分を熱分解、除去した。その後、６００℃でさらに１０分間加熱し、ガラス粒子同士を焼結して絶縁膜ａ１を得た（焼成工程）。【００６７】
（実施例２）
ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、半硬化膜ａ２を経て、絶縁膜ａ２を得た。なお、半硬化膜ａ２の硬化率を決定するに際しては、ｔ１を６０分としたことに伴い、モデル塗布膜ａ２の加熱時間も６０分に変更をした。すなわち、ダイヤモンド製のＡＴＲ結晶の加熱ステージ上に別途モデル塗布膜ａを形成して、９５℃で加熱し、９５℃に達してから６０分経った時点で冷却を開始し、２５℃で２時間冷却して得られたモデル半硬化膜ａ２の硬化率を、半硬化膜ａ２の硬化率として決定した。以下の実施例３〜２７及び比較例１〜５についても同様に、半硬化工程における加熱条件であるＴ１又はｔ１を変更した場合には、モデル塗布膜の加熱条件もその変更に合致するように変更をした。【００６８】
（実施例３）
１．２質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１２質量部のジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、２質量部のエチルセルロース、２８質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｂを得た。【００６９】
絶縁ペーストｂを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｂを得た。【００７０】
（実施例４）
０．４質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、３．９質量部のジペンタエリスリトールペンタアクリレート、６．６質量部のジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、２質量部のエチルセルロース、２８質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｃを得た。【００７１】
絶縁ペーストｃを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｃを得た。【００７２】
（実施例５）
１質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１０質量部のジエチレングリコールジメタクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｄを得た。【００７３】
絶縁ペーストｄを用いた以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｄを得た。【００７４】
（実施例６）
１質量部の２，２−アゾビスイソブチロニトリル、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部の酢酸ｎ−ブチル、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｅを得た。【００７５】
絶縁ペーストｅの塗布膜を用い、Ｔ１を７５℃に、ｔ１を６０分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｅを得た。【００７６】
（実施例７）
１質量部の２，２−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｆを得た。【００７７】
絶縁ペーストｆを用い、Ｔ１を１２０℃に、ｔ１を６０分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｆを得た。【００７８】
（実施例８）
１質量部の２，２−アゾビス[２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｇを得た。２，２−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライドは、Ｔ１０が低いため、僅かにペースト増粘の傾向が観られたが、実用上問題のない程度であった。【００７９】
絶縁ペーストｇを用い、Ｔ１を５４℃に、ｔ１を６０分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｇを得た。【００８０】
（実施例９）
１質量部のジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｈを得た。【００８１】
絶縁ペーストｈを用い、Ｔ１を１３５℃に、ｔ１を６０分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｈとした。【００８２】
（実施例１０）
０．７質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｉを得た。【００８３】
絶縁ペーストｉを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｉを得た。【００８４】
（実施例１１）
１．２質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｊを得た。【００８５】
絶縁ペーストｊを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｊを得た。【００８６】
（実施例１２）
０．１質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｋを得た。【００８７】
絶縁ペーストｋを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｋを得た。【００８８】
（実施例１３）
１．５質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｌを得た。【００８９】
絶縁ペーストｌを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｌを得た。１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）の添加量が多いため、半硬化膜の段階で僅かに析出の傾向が観られたが、実用上問題のない程度であった。【００９０】
（実施例１４）
０．８質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、７．９質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｍを得た。【００９１】
絶縁ペーストｍを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｍを得た。【００９２】
（実施例１５）
１．１質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１０．８質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｎを得た。【００９３】
絶縁ペーストｎを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｎを得た。【００９４】
（実施例１６）
０．８質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、３．９質量部のエトキシ変性グリセリンエチレンオキサイドトリアクリレート（ＥＯ９ｍｏｌ）、３．９質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２．２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｏを得た。【００９５】
絶縁ペーストｏを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｏとした。【００９６】
（実施例１７）
１．３質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１８．３質量部のジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、０．５質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｐを得た。【００９７】
絶縁ペーストｐを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｐを得た。絶縁膜中に局所的な膜浮きが僅かに生じたが、実用上問題のない程度であった。【００９８】
（実施例１８）
１質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１３．９質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｑを得た。【００９９】
絶縁ペーストｑを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｑを得た。【０１００】
（実施例１９）
０．５８質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、５．８質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｒを得た。【０１０１】
絶縁ペーストｒを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｒとした。【０１０２】
（実施例２０）
０．１７質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、１７．３質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｓを得た。【０１０３】
絶縁ペーストｓを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｓとした。絶縁膜中に局所的な膜浮きが僅かに生じたが、実用上問題のない程度であった。【０１０４】
（実施例２１）
Ｔ１を８８．５℃に、ｔ１を１２０分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ３を得た。【０１０５】
（実施例２２）
Ｔ１を９８℃に、ｔ１を６０分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ４を得た。【０１０６】
（実施例２３）
Ｔ１を１１８℃に、ｔ１を５分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ５を得た。【０１０７】
（実施例２４）
ｔ１を２４０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ６を得た。【０１０８】
（実施例２５）
ｔ１を１４５分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ７を得た。【０１０９】
（実施例２６）
Ｔ１を７８℃に、ｔ１を７５０分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ８を得た。【０１１０】
（実施例２７）
Ｔ１を１２３℃に、ｔ１を４分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ９を得た。【０１１１】
（比較例１）
１質量部の１，１−アゾビス（シクロヘキサン−１−カルボニトリル）、２質量部のエチルセルロース、４０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｖを得た。【０１１２】
絶縁ペーストｖを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｖを得た。【０１１３】
（比較例２）
１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、２質量部のエチルセルロース、３０質量部のテルピネオール、６質量部のブチルカルビトールアセテート、１質量部のイソデシルフタレート、５０質量部のガラス粒子Ａ、０．２質量部の分散剤及び０．１質量部のレベリング剤を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、絶縁ペーストｗを得た。【０１１４】
絶縁ペーストｗを用い、ｔ１を６０分とした以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ｗを得た。【０１１５】
（比較例３）
半硬化工程を行わなかった以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ１１を得た。【０１１６】
（比較例４）
ｔ１を５分に変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ１０を得た。【０１１７】
（比較例５）
Ｔ１を１２３℃に、ｔ１を６０分に、それぞれ変更した以外は実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜ａ１２を得た。【０１１８】
表１に、実施例１〜２８及び比較例１〜５における熱硬化性成分、熱重合開始剤及び半硬化工程に関するパラメータと、絶縁膜の評価結果をまとめて示す。【０１１９】
なお、実施例１〜２７及び比較例１〜５で得られた絶縁膜の平滑性は、Ａ〜Ｅの５段階で評価した。Ａ〜Ｅの評価基準としては、０μｍ以上０．５μｍ未満をＡ、０．５μｍ以上１μｍ未満をＢ、１μｍ以上２μｍ未満をＣ、２μｍ以上３μｍ未満をＤ、３μｍ以上をＥとし、Ｅを不良とした。【０１２０】
また、絶縁膜の欠陥は、クラック及び気泡についてそれぞれＡ〜Ｅの５段階で評価した。クラックについてのＡ〜Ｅの評価基準としては、クラックが０個をＡ、クラックが１個をＢ、クラックが２〜３個をＣ、クラックが３個以上５個未満をＤ、クラックが５個以上をＥとし、Ｅを不良とした。気泡についてのＡ〜Ｅの評価基準としては、気泡が０個をＡ（非常に良好）、気泡が１〜３個をＢ、気泡が３〜５個をＣ、気泡が５〜１０個未満をＤ、気泡が１０個以上をＥとし、Ｅを不良とした。【０１２１】
【表１】
2014061590.tif 000002
【０１２２】
（感光性導電ペーストの調製）
１０質量部のアクリル樹脂Ａ（メタクリル酸／メタクリル酸メチル共重合体；酸価１２０；分子量１万）、５質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、１質量部の２−メチル−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−オン、１質量部の２，４−ジエチルチオキサントン、０．１質量部のジブチルヒドロキシトルエン、１５質量部のテキサノール、６５質量部の銀粒子（粒径２μｍ）、３質量部のガラス粒子Ｂ、０．２質量部の分散剤（ソルスパース２００００；日本ルーブリゾール株式会社製）及び０．１質量部のレベリング剤（Ｌ１９８０；楠本化成株式会社製）を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、感光性導電ペーストを得た。
（ガラス粒子Ｂ：組成比が質量百分率で、Ｂｉ２Ｏ３  ７３．０質量％、ＺｎＯ  １５．０質量％、Ｂ２Ｏ３  ８．０質量％、ＢａＯ  ２．０質量％、ＳｉＯ２  １．５質量％、Ａｌ２Ｏ３  ０．５質量％、平均粒径Ｄ５０が２．０μｍ、最大粒径Ｄｍａｘが１０．０μｍ）
（感光性ガラスペーストの調製）
３２質量部のガラス粉末Ｃ、８質量部のガラス粉末Ｄ、感光性有機成分として１８質量部のアクリル樹脂Ｂ（スチレン／メタクリル酸メチル／メタクリル酸の共重合体（共重合比率：３０質量部／３０質量部／４０質量部）にグリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）を２０質量部付加反応させたもの）、１２質量部のポリプロピレングリコールジメタクリレート、４質量部の２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−１−ブタノン、２５質量部のγ−ブチロラクトン、１質量部の１，２，３−ベンゾトリアゾール及び０．１質量部のハイドロキノンモノメチルエーテルを予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、感光性ガラスペーストを得た。
（ガラス粉末Ｃ：酸化リチウム７質量％、酸化ケイ素２２質量％、酸化ホウ素３３質量％、酸化亜鉛３質量％、酸化アルミニウム１９質量％、酸化マグネシウム６質量％、酸化バリウム５質量％、酸化カルシウム５質量％、平均粒径Ｄ５０が２．０μｍ、最大粒径Ｄｍａｘが１０．０μｍ）
（ガラス粉末Ｄ：酸化ナトリウム／１質量％、酸化ケイ素／４０質量％、酸化ホウ素／１０質量％、酸化アルミニウム／３３質量％、酸化亜鉛／４質量％、酸化カルシウム／９質量％、酸化チタン／３質量％、平均粒径Ｄ５０が２．０μｍ、最大粒径Ｄｍａｘが１０．０μｍ）
（蛍光体ペーストの調製）
蛍光体粉末（青色蛍光体粉末：ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、赤色蛍光体粉末：（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕ、緑色蛍光体粉末：Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ）、エチルセルロース樹脂 、テルピネオール及びベンジルアルコールを予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、蛍光体ペーストを得た。【０１２３】
（実施例２８）
ガラス基板（ＰＤ２００；旭硝子株式会社製）上に、上記の感光性電極ペーストを印刷して塗布膜を形成し、１２０℃で１０分乾燥した。得られた塗布膜をフォトマスクを介して露光し、０．５％炭酸ナトリウム水溶液で現像し、さらに大気下、６００℃で焼成して、厚み５μｍ、線幅４０μｍ、ピッチ２００μｍのストライプ状のアドレス電極パターンを形成した。【０１２４】
アドレス電極パターンを形成した基板上に、実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、０．３μｍであった。【０１２５】
得られた絶縁膜上に、上記の感光性ガラスペーストを印刷して塗布膜を形成した。得られた塗布膜をフォトマスクを介して露光し、０．５％炭酸ナトリウム水溶液で現像し、さらに大気下、６００℃で焼成して、厚み１２０μｍ、底部幅３０μｍ、ピッチ２００μｍの主隔壁と、厚み１２０μｍ、底部幅３０μｍ、ピッチ６００μｍの補助隔壁と、からなる格子状の隔壁を形成した。形成した絶縁膜及び格子状の隔壁については、いずれもクラックや倒れなどの欠陥は観察されなかった。【０１２６】
主隔壁間に上記の蛍光体ペーストをディスペンサー法により塗布し、４５０℃にて焼成して、厚み１５μｍの蛍光体層を形成し、背面板を完成した。【０１２７】
（比較例６）
実施例２８と同様の操作を行い、ガラス基板上にアドレス電極パターンを形成した。アドレス電極パターンを形成した基板上に、実施例８と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、０．１μｍであった。【０１２８】
さらに実施例２８と同様の操作を行い、得られた絶縁膜上に、格子状の隔壁及び蛍光体層を形成し、プラズマディスプレイ用背面板を完成した。【０１２９】
形成した絶縁膜についてのＨ１−Ｈ２の値が０．２μｍ未満であったため、形成した隔壁の主隔壁の一部が倒れ、蛍光体層が浸み出した。【０１３０】
（比較例７）
実施例２８と同様の操作を行い、ガラス基板上にアドレス電極パターンを形成した。アドレス電極パターンを形成した基板上に、実施例９と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、１．２μｍであった。【０１３１】
さらに実施例２８と同様の操作を行い、得られた絶縁膜上に、格子状の隔壁及び蛍光体層を形成し、プラズマディスプレイ用背面板を完成した。【０１３２】
形成した絶縁膜についてのＨ１−Ｈ２の値が１．０μｍを超えたため、隔壁を焼成した後に、絶縁膜にクラックが発生した。【０１３３】
（感光性黒色電極ペーストの調製）
１５質量部のアクリル樹脂Ａ、１０質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、１質量部の２−メチル−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−オン、１質量部の２，４−ジエチルチオキサントン、０．１質量部のジブチルヒドロキシトルエン、３０質量部のテキサノール、１５質量部の酸化コバルト（粒径４００ｎｍ）、３０質量部のガラス粒子Ｂ、０．２質量部の分散剤（ソルスパース２００００）及び０．１質量部のレベリング剤（Ｌ１９８０）を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、感光性黒色電極ペーストを得た。【０１３４】
（感光性白色導電ペーストの調製）
１０質量部のアクリル樹脂Ａ、５質量部のトリメチロールプロパンプロピレンオキサイド変性トリアクリレート、１質量部の２−メチル−（４−メチルチオフェニル）−２−モルフォリノプロパン−オン、１質量部の２，４−ジエチルチオキサントン、０．１質量部のジブチルヒドロキシトルエン、１５質量部のテキサノール、６５質量部の銀粒子（粒径２μｍ）、３質量部のガラス粒子Ｂ、０．２質量部の分散剤（ソルスパース２００００）及び０．１質量部のレベリング剤（Ｌ１９８０）を予備撹拌した後、ローラーミルで混練してから、濾過及び減圧下での脱泡を行い、感光性白色導電ペーストを得た。【０１３５】
（実施例２９）
ガラス基板（ＰＤ２００；旭硝子株式会社製）上に、ＩＴＯを５００Å厚みでスパッタし、フォトエッチング法により厚み５００Åの透明電極を形成した。透明電極を形成したガラス基板上に、上記の感光性黒色電極ペーストをスクリーン印刷法により印刷して塗布膜を形成し、１２０℃で１０分乾燥した。さらに、上記の感光性白色電極ペーストをスクリーン印刷法により印刷して二層の塗布膜を形成し、１２０℃で１０分乾燥した。得られた二層の塗布膜をフォトマスクを介して露光し、０．５％炭酸ナトリウム水溶液で現像して、さらに大気下、６００℃で焼成して、厚み５μｍ、線幅４０μｍ、ピッチ２００μｍのストライプ状のバス電極パターンを形成した。【０１３６】
バス電極パターンを形成した基板上に、実施例１と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、０．３μｍであった。最後にＭｇＯを蒸着して保護膜を形成し、前面板を完成した。【０１３７】
得られた前面板と、実施例２８で得られた背面板とを、ガラスフリット封着剤を用いて４９０℃で封着した後に、４１０℃に加熱しながら５時間真空排気を行った。前面板に形成した絶縁膜についてのＨ１−Ｈ２の値が好適な範囲にあったため、真空度が５．０×１０−５Ｐａに到達する時間は２５０分であった。真空度が５．０×１０−５Ｐａに到達する時間が３００分以下であれば、製造プロセスの都合上特に問題がないと判断される。【０１３８】
放電空間内にＸｅ−Ｎｅ混合ガスを封入し、駆動回路を装着し、エージングを行って、プラズマディスプレイパネルを完成した。得られたプラズマディスプレイは、プライミング放電が安定的に行われ、かつクロストークの発生もなく、良好なものであった。【０１３９】
（実施例３０）
バス電極パターンを形成した基板上に、実施例２と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、０．２μｍであった。【０１４０】
得られた前面板と、実施例２８で得られた背面板とを用いて、実施例２９と同様の操作を行い、プラズマディスプレイパネルを完成した。【０１４１】
真空度が５．０×１０−５Ｐａに到達する時間は２９０分であり、問題がなかった。得られたプラズマディスプレイは、プライミング放電が安定的に行われ、かつクロストークの発生もなく、良好なものであった。【０１４２】
（実施例３１）
バス電極パターンを形成した基板上に、実施例３と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、０．４μｍであった。【０１４３】
得られた前面板と、実施例２８で得られた背面板とを用いて、実施例２９と同様の操作を行い、プラズマディスプレイパネルを完成した。【０１４４】
真空度が５．０×１０−５Ｐａに到達する時間は２４０分であり、問題がなかった。得られたプラズマディスプレイは、プライミング放電が安定的に行われ、かつクロストークの発生もなく、良好なものであった。【０１４５】
（実施例３２）
バス電極パターンを形成した基板上に、実施例５と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、０．８μｍであった。【０１４６】
得られた前面板と、実施例２８で得られた背面板とを用いて、実施例２９と同様の操作を行い、プラズマディスプレイパネルを完成した。【０１４７】
真空度が５．０×１０−５Ｐａに到達する時間は２３０分であり、問題がなかった。得られたプラズマディスプレイは、プライミング放電が安定的に行われた。クロストークは初期に１箇所発生したもののその後解消し、製品として問題のない範囲であった。【０１４８】
（比較例８）
バス電極パターンを形成した基板上に、実施例８と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、０．１μｍであった。【０１４９】
得られた前面板と、実施例２８で得られた背面板とを用いて、実施例２９と同様の操作を行い、プラズマディスプレイパネルを完成した。【０１５０】
真空度が５．０×１０−５Ｐａに到達する時間は３７０分であり、３００分を超える結果となった。得られたプラズマディスプレイは、通常の電圧ではプライミング放電が行われない、不良なものであった。【０１５１】
（比較例９）
バス電極パターンを形成した基板上に、実施例９と同様の操作を行い、絶縁膜を形成した。形成した絶縁膜には気泡やクラック等は生じておらず、Ｈ１−Ｈ２の値は、１．２μｍであった。【０１５２】
得られた前面板と、実施例２８で得られた背面板とを用いて、実施例２９と同様の操作を行い、プラズマディスプレイパネルを完成した。【０１５３】
真空度が５．０×１０−５Ｐａに到達する時間は２１０分であり、問題がなかった。得られたプラズマディスプレイは、プライミング放電は安定的に行われるものの、クロストークが頻発する、不良なものであった。
【産業上の利用可能性】
【０１５４】
本発明の絶縁膜の形成方法は、プラズマディスプレイ部材の製造に利用することができる。
【国際調査報告】
2014061590.tif 000003
2014061590.tif 000004