【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、高周波電力が供給される下部電極と、該下部電極と対向して配置される上部電極との間の処理空間において電界を生じさせ、該電界に起因して生じるプラズマを用いて前記下部電極に載置された基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、前記上部電極において前記処理空間とは反対側の上面に配置される複数の電磁石を備え、各前記電磁石は前記基板の中心に対向する前記上部電極の中心に関して放射状に配置されることを特徴とする。
請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、各前記電磁石は棒状のヨークを有し、各前記ヨークは端部が前記上部電極と当接して前記上部電極の前記上面から林立するように配置されることを特徴とする。
請求項３記載の基板処理装置は、請求項２記載の基板処理装置において、各前記電磁石は各前記ヨークの軸方向が鉛直となるように配置されることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項４記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記複数の電磁石は複数の電磁石群に分けられ、前記電磁石群毎に、各前記電磁石が発生する磁界の強度及び／又は前記電磁石の磁極が制御されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５記載の基板処理装置は、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記複数の電磁石は第１の電磁石群、第２の電磁石群及び第３の電磁石群に分けられ、前記第１の電磁石群は前記基板の中央部に対向する前記電磁石からなり、前記第２の電磁石群は前記基板の周縁部に対向する前記電磁石からなり、前記第３の電磁石群は前記基板と対向せず、前記上部電極の中心に関して前記第２の電磁石群よりも外側に配置される前記電磁石からなり、前記第１の電磁石群の各前記電磁石における前記処理空間側の磁極は同じであり、前記第２の電磁石群の各前記電磁石における前記処理空間側の磁極は同じであり、前記第３の電磁石群の各前記電磁石における前記処理空間側の磁極は同じであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項６記載の基板処理装置は、請求項５記載の基板処理装置において、前記第１の電磁石群及び前記第２の電磁石群では各前記電磁石が互いに等間隔で配置され、前記第３の電磁石群では各前記電磁石が前記上部電極の中心を中心とする円環状に配置されることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項７記載の基板処理装置は、請求項６記載の基板処理装置において、前記第３の電磁石群における前記電磁石の各々が発生する全磁束は、前記第１の電磁石群及び前記第２の電磁石群における前記電磁石の各々が発生する全磁束の８〜１２倍であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項８記載の基板処理装置は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記基板に施される前記プラズマ処理の内容に応じて各前記電磁石が発生させる磁界の磁場強度及び／又は前記電磁石の磁極を変更することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記目的を達成するために、請求項９記載の基板処理装置は、高周波電力が供給される下部電極と、該下部電極と対向して配置される上部電極との間の処理空間において電界を生じさせ、該電界に起因して生じるプラズマを用いて前記下部電極に載置された基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、前記上部電極において前記処理空間とは反対側の上面に配置される複数の電磁石と、前記下部電極に接続された第１の周波数の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、前記下部電極に接続された、前記第１の周波数よりも高い第２の周波数の高周波電力を供給する第２の高周波電源とを備え、前記第１の高周波電源が前記第１の周波数の高周波電力を供給する際、各前記電磁石は前記処理空間において磁界を発生させず、前記第２の高周波電源が前記第２の周波数の高周波電力を供給する際、各前記電磁石は前記処理空間において磁界を発生させることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記目的を達成するために、請求項１０記載の基板処理装置は、高周波電力が供給される下部電極と、該下部電極と対向して配置される上部電極との間の処理空間において電界を生じさせ、該電界に起因してフッ素含有ガスから生じるプラズマを用いて基板に貫通孔を形成するＴＳＶ処理を行う基板処理装置であって、前記上部電極において前記処理空間とは反対側の上面に配置される複数の電磁石を備え、各前記電磁石は、前記処理空間における前記基板の周縁部に対向する部分の磁場強度が前記処理空間における前記基板の中央部に対向する部分の磁場強度よりも大きくなる磁界を発生することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
中央部対向群４２は上部電極中心Ｃからその中心までの距離が７４．４ｍｍ（図８（Ｂ）中にＬ１で示す）以下の複数の電磁石４０から構成され、周縁部対向群４３は上部電極中心Ｃからその中心までの距離が７４．４ｍｍより大、且つ１４８．８ｍｍ（図８（Ｂ）中にＬ２で示す）以下の複数の電磁石４０から構成され、外側対向群４４は上部電極中心Ｃからその中心までの距離Ｌ３が１９０ｍｍ（図８（Ｂ）中にＬ３で示す）の複数の電磁石４１から構成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
細破線は全ての電磁石４０、電磁石４１が磁束を発生しない場合を示す（比較例１）。細実線は、中央部対向群４２の各電磁石４０の処理空間Ｓ側の磁極をＮ極に設定し、周縁部対向群４３の各電磁石４０の処理空間Ｓ側の磁極をＳ極に設定し、且つ外側対向群４４の各電磁石４１が磁束を発生しない場合を示す（比較例２）。太破線は、中央部対向群４２の各電磁石４０の処理空間Ｓ側の磁極をＮ極に設定し、周縁部対向群４３の各電磁石４０は磁束を発生せず、且つ外側対向群４４の各電磁石４１の処理空間Ｓ側の磁極をＳ極に設定した場合を示す（実施例１）。太実線は、中央部対向群４２の各電磁石４０の処理空間Ｓ側の磁極をＮ極に設定し、周縁部対向群４３の各電磁石４０の処理空間Ｓ側の磁極をＳ極に設定し、且つ外側対向群４４の各電磁石４１の処理空間Ｓ側の磁極をＳ極に設定した場合を示す（実施例２）。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力が供給される下部電極と、該下部電極と対向して配置される上部電極との間の処理空間において電界を生じさせ、該電界に起因して生じるプラズマを用いて前記下部電極に載置された基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、
前記上部電極において前記処理空間とは反対側の上面に配置される複数の電磁石を備え、
各前記電磁石は前記基板の中心に対向する前記上部電極の中心に関して放射状に配置されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
各前記電磁石は棒状のヨークを有し、各前記ヨークは端部が前記上部電極と当接して前記上部電極の前記上面から林立するように配置されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
各前記電磁石は各前記ヨークの軸方向が鉛直となるように配置されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数の電磁石は複数の電磁石群に分けられ、前記電磁石群毎に、各前記電磁石が発生する磁界の強度及び／又は前記電磁石の磁極が制御されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数の電磁石は第１の電磁石群、第２の電磁石群及び第３の電磁石群に分けられ、前記第１の電磁石群は前記基板の中央部に対向する前記電磁石からなり、前記第２の電磁石群は前記基板の周縁部に対向する前記電磁石からなり、前記第３の電磁石群は前記基板と対向せず、前記上部電極の中心に関して前記第２の電磁石群よりも外側に配置される前記電磁石からなり、
前記第１の電磁石群の各前記電磁石における前記処理空間側の磁極は同じであり、前記第２の電磁石群の各前記電磁石における前記処理空間側の磁極は同じであり、前記第３の電磁石群の各前記電磁石における前記処理空間側の磁極は同じであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１の電磁石群及び前記第２の電磁石群では各前記電磁石が互いに等間隔で配置され、前記第３の電磁石群では各前記電磁石が前記上部電極の中心を中心とする円環状に配置されることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第３の電磁石群における前記電磁石の各々が発生する全磁束は、前記第１の電磁石群及び前記第２の電磁石群における前記電磁石の各々が発生する全磁束の８〜１２倍であることを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記基板に施される前記プラズマ処理の内容に応じて各前記電磁石が発生させる磁界の磁場強度及び／又は前記電磁石の磁極を変更することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
高周波電力が供給される下部電極と、該下部電極と対向して配置される上部電極との間の処理空間において電界を生じさせ、該電界に起因して生じるプラズマを用いて前記下部電極に載置された基板にプラズマ処理を施す基板処理装置において、
前記上部電極において前記処理空間とは反対側の上面に配置される複数の電磁石と、
前記下部電極に接続された第１の周波数の高周波電力を供給する第１の高周波電源と、
前記下部電極に接続された、前記第１の周波数よりも高い第２の周波数の高周波電力を供給する第２の高周波電源とを備え、
前記第１の高周波電源が前記第１の周波数の高周波電力を供給する際、各前記電磁石は前記処理空間において磁界を発生させず、
前記第２の高周波電源が前記第２の周波数の高周波電力を供給する際、各前記電磁石は前記処理空間において磁界を発生させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
高周波電力が供給される下部電極と、該下部電極と対向して配置される上部電極との間の処理空間において電界を生じさせ、該電界に起因してフッ素含有ガスから生じるプラズマを用いて基板に貫通孔を形成するＴＳＶ処理を行う基板処理装置であって、
前記上部電極において前記処理空間とは反対側の上面に配置される複数の電磁石を備え、
各前記電磁石は、前記処理空間における前記基板の周縁部に対向する部分の磁場強度が前記処理空間における前記基板の中央部に対向する部分の磁場強度よりも大きくなる磁界を発生することを特徴とする基板処理装置。