【事件の表示】
　特願２０１４−１５２４８５「プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　３月　７日出願公開、特開２０１６−　３１９５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１４年（平成２６年）　７月２８日の出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　　　　平成３０年　８月２３日付け：拒絶理由通知書　
　　　　平成３０年１０月１８日　　：意見書，手続補正書の提出
　　　　平成３１年　３月２８日付け：拒絶査定（原査定）
　　　　令和　１年　６月２６日　　：審判請求書，手続補正書の提出
第２　令和　１年　６月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　令和　１年　６月２６日付けの手続補正（以下，「本件補正」という。）を却下する。
［理由］ 
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正後の，令和　１年　６月２６日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−４の記載は次のとおりである。（下線部は，補正箇所である。以下，この特許請求の範囲に記載された請求項を「補正後の請求項」という。）
「　　【請求項１】
　真空容器内部に配置されその内側でプラズマが形成される処理室と，この処理室内に配置されその上面に前記プラズマによる処理対象のウエハが載置される試料台と，この試料台の内部に配置され前記ウエハの処理中に高周波電力が供給される金属製の基材と，前記試料台の前記ウエハの載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置され前記ウエハを静電吸着するための複数の膜状の電極と，これらの膜状の電極に正負の端子が接続されて当該電極に直流電力を供給する直流電源と，前記複数の膜状の電極と前記直流電源の正及び負の電極の各々との間を接続する２つの給電経路上に配置され高周波電力を妨げる２つの高周波カットフィルタと，各々の前記給電経路上の前記高周波カットフィルタおよび前記膜状の電極の間の箇所と接地電位
の箇所
　前記高周波パスフィルタ
が，コイル及び前記接地電位の箇所と前記コイルとの間で当該コイルと直列に接続された抵抗素子とを備えたものであって，前記膜状の電極と当該高周波パスフィルタとの間の前記給電経路上での電圧を検知する検知器からの出力を用いて当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の電圧値を予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタ
　　【請求項２】
　
請求項１に記載のプラズマ処理装置であって，
　
前記複数の膜状の電極が，前記載置面の中央側に配置された内側電極とその外周側でこれを囲んで配置されたリング状の外側電極とを備えた
　　【請求項３】
　
真空容器内部の処理室内に配置された試料台の上面にプラズマによる処理対象のウエハを載置し，前記試料台の前記ウエハの載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置された複数の膜状の電極にこれらと正負の端子が電気的に接続された直流電源から電力を供給して前記ウエハを前記載置面の誘電体製の膜上に静電吸着させ，前記処理室内にプラズマを形成して前記試料台の内部に配置された金属製の基材に高周波電力が供給して前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって，
　
前記複数の膜状の電極と前記直流電源の前記正負の電極の各々との間を接続する２つの給電経路上の箇所であって当該給電経路の各々の上に配置され高周波電力を妨げる２つの高周波カットフィルタおよび前記膜状の電極の間の箇所と接地電位との間でこれらと電気的に接続されて配置されコイル及び前記接地電位の箇所と前記コイルとの間で当該コイルと直列に接続された抵抗素子とを備えた２つの高周波パスフィルタを通って流れる前記高周波電力の電圧を検知し，当該電圧が予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタのインピーダンスを調節して前記ウエハの処理を実施するプラズマ処理方法。
　　【請求項４】
　
請求項３に記載の
　
前記複数の膜状の電極が，前記載置面の中央側に配置された内側電極とその外周側でこれを囲んで配置されたリング状の外側電極とを備えたものである
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の，平成３０年１０月１８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−６の記載は次のとおりである。（以下，この特許請求の範囲に記載された請求項を「補正前の請求項」という。）
「　　【請求項１】
　真空容器内部に配置されその内側でプラズマが形成される処理室と，この処理室内に配置されその上面に前記プラズマによる処理対象のウエハが載置される試料台と，この試料台の内部に配置され前記ウエハの処理中に高周波電力が供給される金属製の基材と，前記試料台の前記ウエハの載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置され前記ウエハを静電吸着するための複数の膜状の電極と，これらの膜状の電極に正負の端子が接続されて当該電極に直流電力を供給する直流電源と，前記複数の膜状の電極と前記直流電源の正及び負の電極の各々との間を接続する２つの給電経路上に配置され高周波電力を妨げる２つの高周波カットフィルタと，各々の前記給電経路上の前記高周波カットフィルタおよび前記膜状の電極の間の箇所と接地電位との間でこれらと電気的に接続されて配置され各々が前記高周波電力を通す２つの高周波パスフィルタと，を備え，
　前記高周波パスフィルタのインピーダンスの値を前記ウエハの処理中に当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の電流量を予め定められた値となるように調節する機能を備えたプラズマ処理装置。
　　【請求項２】
　請求項１に記載のプラズマ処理装置であって，
　前記高周波パスフィルタに接続された前記膜状の電極と当該高周波パスフィルタとの間の電圧を検知する検知器からの出力を用いて前記高周波パスフィルタのインピーダンスの値を調節する機能を備えたプラズマ処理装置。
　　【請求項３】
　請求項１または２に記載のプラズマ処理装置であって，
　前記複数の膜状の電極が，前記載置面の中央側に配置された内側電極とその外周側でこれを囲んで配置されたリング状の外側電極とを備えたプラズマ処理装置。
　　【請求項４】
　真空容器内部の処理室内に配置された試料台の上面にプラズマによる処理対象のウエハを載置し，前記試料台の前記ウエハの載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置された複数の膜状の電極にこれらと正負の端子が電気的に接続された直流電源から電力を供給して前記ウエハを前記載置面の誘電体製の膜上に静電吸着させ，前記処理室内にプラズマを形成して前記試料台の内部に配置された金属製の基材に高周波電力が供給して前記ウエハを処理するプラズマ処理方法であって，
　前記複数の膜状の電極と前記直流電源の前記正負の電極の各々との間を接続する２つの給電経路上の箇所であって当該給電経路の各々の上に配置され高周波電力を妨げる２つの高周波カットフィルタおよび前記膜状の電極の間の箇所と接地電位との間でこれらと電気的に接続されて配置された２つの高周波パスフィルタのインピーダンスの値を当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の電流量を予め定められた値となるように調節して前記ウエハの処理を実施するプラズマ処理方法。
　　【請求項５】
　請求項４に記載のプラズマ処理方法であって，
　前記高周波パスフィルタに接続された前記膜状の電極と当該高周波パスフィルタとの間の電圧を用いて前記高周波パスフィルタのインピーダンスの値を調節して前記ウエハの処理を実施するプラズマ処理方法。
　　【請求項６】
　請求項４または５に記載のプラズマ処理方法であって，
　前記複数の膜状の電極が，前記載置面の中央側に配置された内側電極とその外周側でこれを囲んで配置されたリング状の外側電極とを備えたものであるプラズマ処理方法。」
２　補正の適否
　本件補正は，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされており，特許法第１７条の２第３項の規定に適合している。
　また，本件補正は，特別な技術的特徴を変更（シフト補正）しようとするものではなく，特許法第１７条の２第４項の規定に適合している。
２−１　目的要件
　本件補正は上記「１ 本件補正について（補正の内容）」のとおり，本件審判の請求と同時にする補正であり，特許請求の範囲について補正をしようとするものであるから，本件補正が，特許法第１７条の２第５項の規定を満たすものであるか否か，すなわち，本件補正が，特許法第１７条の２第５項に規定する請求項の削除，特許請求の範囲の減縮（特許法第３６条第５項の規定により請求項に記載した発明を特定するために必要な事項を限定するものであって，その補正前の当該請求項に記載された発明とその補正後の当該請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるものに限る），誤記の訂正，或いは，明りょうでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由を示す事項についてするものに限る）の何れかを目的としたものであるかについて，以下に検討する。
（１）補正前の請求項と補正後の請求項とを比較すると，補正後の請求項１−４はそれぞれ，補正前の請求項１，３，４，６に対応することは明らかである。
（２）よって，本件補正は，下記の補正事項１−５よりなるものである。
ア　補正事項１
　補正前の請求項１の「各々の前記給電経路上の前記高周波カットフィルタおよび前記膜状の電極の間の箇所と接地電位との間でこれらと電気的に接続されて配置され各々が前記高周波電力を通す２つの高周波パスフィルタと」との記載を，
　補正後の請求項１の「各々の前記給電経路上の前記高周波カットフィルタおよび前記膜状の電極の間の箇所と接地電位
の箇所
イ　補正事項２
　補正前の請求項１，４の「高周波パスフィルタ」について，
　補正後に「
コイル及び前記接地電位の箇所と前記コイルとの間で当該コイルと直列に接続された抵抗素子とを備えたもの
ウ　補正事項３
　補正前の請求項１の「前記高周波パスフィルタのインピーダンスの値を前記ウエハの処理中に当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の電流量を予め定められた値となるように調節する機能」との記載を，
　補正後に「
前記膜状の電極と当該高周波パスフィルタとの間の前記給電経路上での電圧を検知する検知器からの出力を用いて当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の電圧値を予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタ
エ　補正事項４
　補正前の請求項４の「前記高周波パスフィルタのインピーダンスの値を当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の電流量を予め定められた値となるように調節」して前記ウエハの処理を実施するとの記載を，
　補正後に「
当該高周波パスフィルタを通って流れる前記高周波電力の電圧を検知し，当該電圧が予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタ
オ　補正事項５
　補正前の請求項２，５を削除する補正。
（３）補正事項１−４について
　補正事項１は，補正前の請求項１の発明特定事項である「高周波パスフィルタ」の配置を，補正事項２は補正前の請求項１，４の発明特定事項である「高周波パスフィルタ」の構成を限定するものであるから，「高周波パスフィルタ」について限定的に減縮することを目的とするものである。
　補正事項３は，補正前の請求項１の発明特定事項である「高周波パスフィルタのインピーダンスの値を」「調節する機能」について，補正前の請求項２の「前記高周波パスフィルタに接続された前記膜状の電極と当該高周波パスフィルタとの間の電圧を検知する検知器からの出力を用いて前記高周波パスフィルタのインピーダンスの値を調節する機能」の記載に基づいて補正するとともに，その記載を整えるものであるから，「高周波パスフィルタのインピーダンスの値を」「調節する機能」について限定的に限縮することを目的とするものである。
　補正事項４は，補正前の請求項４の発明特定事項である「高周波パスフィルタのインピーダンスの値を」「調節」する点について，補正前の請求項５の「前記高周波パスフィルタに接続された前記膜状の電極と当該高周波パスフィルタとの間の電圧を用いて前記高周波パスフィルタのインピーダンスの値を調節」する点の記載に基づいて補正するとともに，その記載を整えるものであるから，「高周波パスフィルタのインピーダンスの値を」「調節する機能」について限定的に限縮することを目的とするものである。
　また，本件補正によっても，補正前の請求項に記載された発明とその補正後の請求項に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であることは明らかである。
（４）小括
　したがって，上記補正事項１−４は特許請求の範囲の減縮（限定的減縮）を目的とするものであり，また，上記補正事項５は請求項の削除を目的とするものであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮，及び同条同項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当するといえることから，特許法第１７条の２第５項の規定に適合するものである。
２−２　独立特許要件
　以上のように，本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする上記補正事項１−４を含むものである。
　そこで，補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について，以下，検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は，上記１（１）に記載した，以下のとおりのものである。
「　　　【請求項１】
　真空容器内部に配置されその内側でプラズマが形成される処理室と，この処理室内に配置されその上面に前記プラズマによる処理対象のウエハが載置される試料台と，この試料台の内部に配置され前記ウエハの処理中に高周波電力が供給される金属製の基材と，前記試料台の前記ウエハの載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置され前記ウエハを静電吸着するための複数の膜状の電極と，これらの膜状の電極に正負の端子が接続されて当該電極に直流電力を供給する直流電源と，前記複数の膜状の電極と前記直流電源の正及び負の電極の各々との間を接続する２つの給電経路上に配置され高周波電力を妨げる２つの高周波カットフィルタと，各々の前記給電経路上の前記高周波カットフィルタおよび前記膜状の電極の間の箇所と接地電位の箇所との間でこれらと電気的に接続されて配置され各々が前記高周波電力を通す２つの高周波パスフィルタと，を備え，
　前記高周波パスフィルタが，コイル及び前記接地電位の箇所と前記コイルとの間で当該コイルと直列に接続された抵抗素子とを備えたものであって，前記膜状の電極と当該高周波パスフィルタとの間の前記給電経路上での電圧を検知する検知器からの出力を用いて当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の電圧値を予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタのインピーダンスを調節する機能を備えたプラズマ処理装置。」
（２）　引用例
（２−１）引用例１に記載されている技術的事項及び引用発明
ア　本願出願前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となり，原審の拒絶査定の理由である平成３０年　８月２３日付けの拒絶理由通知において引用された，特開２００８−２４４０６３号公報（平成２０年１０月　９日出願公開，以下，「引用例１」という。）には，以下の技術的事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。）
Ａ　「【０００６】
　本発明は，かかる従来技術の問題点を解決するものであり，電極構造の特別な改変や磁界装置等の大掛かりな外部装置の付加を必要とせずに，
プラズマ密度分布制御の自由度を改善するプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
Ｂ　「【００３２】
　
図１に，本発明の第１の実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。このプラズマ処理装置は，カソードカップルの容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており，たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属製の円筒型チャンバ（処理容器）１０を有している。
【００３３】
　
チャンバ１０内には，被処理基板としてたとえば半導体ウエハＷを載置する円板状のサセプタ１２が下部電極として水平に配置されている。このサセプタ１２は，たとえばアルミニウムからなり，チャンバ１０の底から垂直上方に延びるたとえばセラミック製の絶縁性筒状支持部１４により非接地で支持されている。
排気装置２４は，ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており，チャンバ１０内の処理空間を所望の真空度まで減圧することができる。
【００３４】
　
サセプタ１２には，高周波電源２８がＲＦケーブル３０，マッチングユニット３２および下部給電棒３４を介して電気的に接続されている。
Ｃ　「【００３６】
　
サセプタ１２上面のウエハ載置部には，円板状の静電チャック３８が設けられている。この静電チャック３８は，サセプタ１２の上面に一体形成または一体固着された膜状または板状の誘電体４０の中に半径方向で分割された２つの導体つまり中心導体４２および周辺導体４４を封入または埋設している。中心導体４２は，半導体ウエハＷよりも小さな口径（直径）を有する円形の板状導体またはメッシュ状導体からなり，サセプタ１２と同軸または同心に配置される。一方，周辺導体４４は，中心導体４２の外径よりも幾らか大きな内径を有するリング形の板状導体またはメッシュ状導体からなり，やはりサセプタ１２と同軸または同心に配置される。
Ｄ　「【００３８】
　
中心導体４２には，チャンバ１０の外に配置される外付けのＤＣ（直流）電源４６がインピーダンス回路４８および直流・高周波兼用の伝送線５０を介して電気的に接続されている。ここで，伝送線５０およびインピーダンス回路４８は中心伝送ライン４５Ｃを構成している。伝送線５０の途中にはこの伝送ラインを流れる高周波漏れ電流ＭＩCを測定するための電流センサ５２が取り付けられている。ＤＣ電源４６よりＤＣ電圧が中心導体４２に印加されると，中心導体４２の直上で半導体ウエハＷと静電チャック３８との間に静電気が発生し，クーロン力によって静電チャック３８に半導体ウエハＷが吸着保持されるようになっている。
【００３９】
　
一方，周辺導体４４には，別の外付けＤＣ電源５４がインピーダンス回路５６および直流・高周波兼用の伝送線５８を介して電気的に接続されている。ここで，伝送線５８およびインピーダンス回路５６は周辺伝送ライン４５Ｅを構成している。伝送線５８の途中にはこの伝送ラインを流れる高周波漏れ電流ＭＩEを測定するための電流センサ６０が取り付けられている。ＤＣ電源５４より所定のＤＣ電圧が周辺導体４４に印加されると，周辺導体４４の直上で静電チャック３８が半導体ウエハＷを吸着保持するためのクーロン力が発生するようになっている。
【００４０】
　
通常は，中心導体４２および周辺導体４４に互いに逆極性のＤＣ電圧が印加される。したがって，たとえば，中心導体４２には正のＤＣ電圧を印加し，周辺導体４４には負のＤＣ電圧を印加するように，両ＤＣ電源４６，５４の極性を選定してよい。
Ｅ　「【００４５】
　
このプラズマエッチング装置において，エッチングを行なうには，先ずゲートバルブ２６を開状態にして加工対象の半導体ウエハＷをチャンバ１０内に搬入して，静電チャック３８の上に載置する。
さらに，高周波電源２８をオンにして高周波（４０ＭＨｚ）を所定のパワーで出力させ，この高周波をＲＦケーブル３０，マッチングユニット３２および下部給電棒３４を介してサセプタ（下部電極）１２に給電ないし印加する。
シャワーヘッド７２より吐出されたエッチングガスは両電極１２，７２間で高周波の放電によってプラズマ化し，このプラズマで生成されるラジカルやイオンによって半導体ウエハＷの主面の膜がエッチングされる。
【００４６】
　
このプラズマエッチング装置においては，高周波電源２８からの高周波がサセプタ１２に印加されることで，主にサセプタ１２と上部電極７２との間の高周波放電により，さらにはサセプタ１２とチャンバ１０の側壁との間の高周波放電により，処理空間Ｓ内で処理ガスのプラズマが生成する。
Ｆ　「【００４９】
　
図２に，中心および周辺インピーダンス調整部６４，６６の構成例を示す。中心インピーダンス調整部６４のインピーダンス回路４８は，少なくとも１つの可変リアクタンス素子を含むＬＣ回路からなり，図示の例では可変コンデンサ９０Ｃとコイル９２Ｃとを並列に接続し，このＬＣ並列回路（９０Ｃ，９２Ｃ）と固定コンデンサ９４Ｃとを直列に接続し，固定コンデンサ９４Ｃの他方の端子をグランド電位に接続している。
【００５０】
　ＤＣ電源４６より出力されるＤＣ電圧は，ＬＰＦ９６Ｃ，コイル９２Ｃをスルーで通り抜け，伝送線５０を伝って静電チャック３８の中心導体４２に印加されるようになっている。一方，高周波電源２８より給電棒３４を通ってサセプタ１２に印加される高周波の一部は，静電チャック３８の中心導体４２から伝送線５０に入り込み，インピーダンス回路４８のインピーダンスに逆比例する大きさの電流量で伝送線５０をＲＦ電流つまり中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCが流れる。
もっとも，この中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCは，ＬＣ並列回路（９０Ｃ，９２Ｃ）から固定コンデンサ９４Ｃを通ってグランドに流れ，ＤＣ電源４６へは流れない。ＤＣ電源４６の手前でＬＰＦ９６Ｃが中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCをほぼ完全に遮断する。電流センサ５２は，伝送線５０を流れる中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCの電流値または電流量を測定し，そのＲＦ漏れ電流測定値を制御部６２に与える。制御部６２は，電流センサ５２で得られるＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するように可変コンデンサ９０Ｃのインピーダンス・ポジションを可変制御することができる。
【００５１】
　
周辺インピーダンス調整部６６のインピーダンス回路５６は，上記インピーダンス回路４８と同じ回路構成を有してよい。すなわち，可変コンデンサ９０Ｅとコイル９２Ｅとを並列に接続し，このＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）と固定コンデンサ９４Ｅとを直列に接続し，固定コンデンサ９４Ｅの他方の端子をグランド電位に接続している。そして，ＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）と固定コンデンサ９４Ｅ間の接続点ＮEにＬＰＦ９６Ｅを介してＤＣ電源５４の出力端子を接続している。
【００５２】
　ＤＣ電源５４より出力されるＤＣ電圧は，ＬＰＦ９６Ｅ，コイル９２Ｅをスルーで通り抜け，伝送線５８を伝って静電チャック３８の周辺導体４４に印加されるようになっている。一方，高周波電源２８より給電棒３４を通ってサセプタ１２に印加される高周波の一部は，静電チャック３８の周辺導体４４から伝送線５８に入り込み，インピーダンス回路５６のインピーダンスに逆比例する大きさの電流量で伝送ライン５８をＲＦ電流つまり周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩEが流れる。
この周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩEも，ＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）から固定コンデンサ９４Ｅを通ってグランドに流れ，ＤＣ電源５４へは流れない。ＤＣ電源５４の手前でＬＰＦ９６ＥがＲＦ漏れ電流ＭＩEをほぼ完全に遮断する。電流センサ６０は，伝送ライン５８を流れる周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩEの電流値または電流量を測定し，そのＲＦ漏れ電流測定値を制御部６２に与える。制御部６２は，電流センサ６０で得られるＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するようにステップモータ９８Ｅを通じて可変コンデンサ９０Ｅのインピーダンス・ポジションを可変制御することができる。
Ｇ　「【００８９】
　
以上本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は上記実施形態に限定されるものではなく，その技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。
【００９０】
　
たとえば，上記した実施形態のインピーダンス回路４８，５６，１０８，１１０におけるインピーダンス可変のＬＣ並列回路をインピーダンス可変のＬＣ直列回路に置き換える構成も可能である。その場合，ＬＣ直列回路の前段でＤＣ電源４６，５４あるいはヒータ電源１５４，１５６を伝送ライン４５Ｃ，４５Ｅに接続すればよい。あるいは，電流変化が度を越えて急にならないように抵抗を加える構成も可能である。
Ｈ　「　図１
　」
Ｉ　「　図２
　」
イ　ここで，引用例１に記載されている事項を検討する。
（ア）上記Ａの「プラズマ密度分布制御の自由度を改善するプラズマ処理装置を提供することを目的とする。」との記載，上記Ｈの図１の記載からすると，引用例１には，“プラズマ処理装置”が記載されている。
（イ）上記Ｂの「図１に，本発明の第１の実施形態におけるプラズマ処理装置の構成を示す。このプラズマ処理装置は，カソードカップルの容量結合型プラズマエッチング装置として構成されており，たとえばアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属製の円筒型チャンバ（処理容器）１０を有している。」との記載，「排気装置２４は，ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており，チャンバ１０内の処理空間を所望の真空度まで減圧することができる。」との記載，上記Ｅの「このプラズマエッチング装置においては，高周波電源２８からの高周波がサセプタ１２に印加されることで，主にサセプタ１２と上部電極７２との間の高周波放電により，さらにはサセプタ１２とチャンバ１０の側壁との間の高周波放電により，処理空間Ｓ内で処理ガスのプラズマが生成する。」との記載，上記Ｈの図１の記載からすると，引用例１の“プラズマ処理装置”は，“チャンバ１０”を備え，“チャンバ１０”内の処理空間を所望の真空度まで減圧され，“チャンバ１０”内でプラズマが生成されることが記載されていると認められる。
（ウ）上記Ｂの「チャンバ１０内には，被処理基板としてたとえば半導体ウエハＷを載置する円板状のサセプタ１２が下部電極として水平に配置されている。このサセプタ１２は，たとえばアルミニウムからなり，チャンバ１０の底から垂直上方に延びるたとえばセラミック製の絶縁性筒状支持部１４により非接地で支持されている。」との記載，「サセプタ１２には，高周波電源２８がＲＦケーブル３０，マッチングユニット３２および下部給電棒３４を介して電気的に接続されている。」との記載，上記Ｈの図１の記載からすると，引用例１の“チャンバ１０”内には，被処理基板としての“半導体ウエハＷ”を載置するたとえばアルミニウムからなる“サセプタ１２”が配置されていると解される。
（エ）上記Ｅの「さらに，高周波電源２８をオンにして高周波（４０ＭＨｚ）を所定のパワーで出力させ，この高周波をＲＦケーブル３０，マッチングユニット３２および下部給電棒３４を介してサセプタ（下部電極）１２に給電ないし印加する。」との記載,「シャワーヘッド７２より吐出されたエッチングガスは両電極１２，７２間で高周波の放電によってプラズマ化し，このプラズマで生成されるラジカルやイオンによって半導体ウエハＷの主面の膜がエッチングされる。」との記載，「このプラズマエッチング装置においては，高周波電源２８からの高周波がサセプタ１２に印加されることで，主にサセプタ１２と上部電極７２との間の高周波放電により，さらにはサセプタ１２とチャンバ１０の側壁との間の高周波放電により，処理空間Ｓ内で処理ガスのプラズマが生成する。」との記載からすると，引用例１には，高周波電源２８からの高周波が“サセプタ１２”に印加されプラズマが生成されることにより，“半導体ウエハＷ”の主面の膜がエッチングされることが記載されていると認められる。
（オ）上記Ｃの「サセプタ１２上面のウエハ載置部には，円板状の静電チャック３８が設けられている。この静電チャック３８は，サセプタ１２の上面に一体形成または一体固着された膜状または板状の誘電体４０の中に半径方向で分割された２つの導体つまり中心導体４２および周辺導体４４を封入または埋設している。中心導体４２は，半導体ウエハＷよりも小さな口径（直径）を有する円形の板状導体またはメッシュ状導体からなり，サセプタ１２と同軸または同心に配置される。一方，周辺導体４４は，中心導体４２の外径よりも幾らか大きな内径を有するリング形の板状導体またはメッシュ状導体からなり，やはりサセプタ１２と同軸または同心に配置される。」との記載，上記Ｅの「このプラズマエッチング装置において，エッチングを行なうには，先ずゲートバルブ２６を開状態にして加工対象の半導体ウエハＷをチャンバ１０内に搬入して，静電チャック３８の上に載置する。」との記載，上記Ｈの図１，上記Ｉの図２の記載からすると，引用例１の“サセプタ１２”の上面のウエハ載置部には，“膜状または板状の誘電体４０”の中に板状導体またはメッシュ状導体からなる“中心導体４２”および“周辺導体４４”を封入または埋設している円板状の静電チャック３８が設けられ，“静電チャック３８”の上に“半導体ウエハＷ”が載置されることが記載されていると認められる。
（カ）上記Ｄの「中心導体４２には，チャンバ１０の外に配置される外付けのＤＣ（直流）電源４６がインピーダンス回路４８および直流・高周波兼用の伝送線５０を介して電気的に接続されている。ここで，伝送線５０およびインピーダンス回路４８は中心伝送ライン４５Ｃを構成している。伝送線５０の途中にはこの伝送ラインを流れる高周波漏れ電流ＭＩCを測定するための電流センサ５２が取り付けられている。ＤＣ電源４６よりＤＣ電圧が中心導体４２に印加されると，中心導体４２の直上で半導体ウエハＷと静電チャック３８との間に静電気が発生し，クーロン力によって静電チャック３８に半導体ウエハＷが吸着保持されるようになっている。」との記載，「一方，周辺導体４４には，別の外付けＤＣ電源５４がインピーダンス回路５６および直流・高周波兼用の伝送線５８を介して電気的に接続されている。ここで，伝送線５８およびインピーダンス回路５６は周辺伝送ライン４５Ｅを構成している。伝送線５８の途中にはこの伝送ラインを流れる高周波漏れ電流ＭＩEを測定するための電流センサ６０が取り付けられている。ＤＣ電源５４より所定のＤＣ電圧が周辺導体４４に印加されると，周辺導体４４の直上で静電チャック３８が半導体ウエハＷを吸着保持するためのクーロン力が発生するようになっている。」との記載，「通常は，中心導体４２および周辺導体４４に互いに逆極性のＤＣ電圧が印加される。したがって，たとえば，中心導体４２には正のＤＣ電圧を印加し，周辺導体４４には負のＤＣ電圧を印加するように，両ＤＣ電源４６，５４の極性を選定してよい。」との記載，上記Ｈの図１，上記Ｉの図２の記載からすると，引用例１の“中心導体４２”には，“ＤＣ電源４６”が“インピーダンス回路４８”および“伝送線５０”を介して電気的に接続され正のＤＣ電圧が印加され，“周辺導体４４”には，別の外付け“ＤＣ電源５４”が“インピーダンス回路５６”および“伝送線５８”を介して電気的に接続され負のＤＣ電圧が印加され，半導体ウエハＷを吸着保持する点が読み取れる。
　ここで，“中心導体４２”と“インピーダンス回路４８”との間の“伝送線５０”には“電流センサ５２”が，“周辺導体４４”と“インピーダンス回路５６”との間の“伝送線５０”には“電流センサ６０”が取り付けられている点が記載されていると認められる。
（キ）上記Ｆの「図２に，中心および周辺インピーダンス調整部６４，６６の構成例を示す。中心インピーダンス調整部６４のインピーダンス回路４８は，少なくとも１つの可変リアクタンス素子を含むＬＣ回路からなり，図示の例では可変コンデンサ９０Ｃとコイル９２Ｃとを並列に接続し，このＬＣ並列回路（９０Ｃ，９２Ｃ）と固定コンデンサ９４Ｃとを直列に接続し，固定コンデンサ９４Ｃの他方の端子をグランド電位に接続している。」との記載，「周辺インピーダンス調整部６６のインピーダンス回路５６は，上記インピーダンス回路４８と同じ回路構成を有してよい。すなわち，可変コンデンサ９０Ｅとコイル９２Ｅとを並列に接続し，このＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）と固定コンデンサ９４Ｅとを直列に接続し，固定コンデンサ９４Ｅの他方の端子をグランド電位に接続している。そして，ＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）と固定コンデンサ９４Ｅ間の接続点ＮEにＬＰＦ９６Ｅを介してＤＣ電源５４の出力端子を接続している。」との記載，上記Ｉの図２の記載の記載からすると，引用例１には，“中心導体４２”に接続されたインピーダンス回路４８は，“ＬＣ並列回路（９０Ｃ，９２Ｃ）と固定コンデンサ９４Ｃ”とが直列に接続されており，固定コンデンサ９４Ｃの他方の端子が“グランド電位”に接続されているとともに，ＬＣ並列回路（９０Ｃ，９２Ｃ）と固定コンデンサ９４Ｃ間の接続点ＮCに“ローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｃ”を介して“ＤＣ電源４６”が接続され，また，“周辺導体４４”に接続されたインピーダンス回路５６は，“ＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）と固定コンデンサ９４Ｅ”とが直列に接続されており，固定コンデンサ９４Ｅの他方の端子が“グランド電位”に接続されているとともに，ＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）と固定コンデンサ９４Ｅ間の接続点ＮEに“ローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｃ”を介して“ＤＣ電源５４”が接続されている点が記載されていると認められる。
（ク）上記Ｆの「もっとも，この中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCは，ＬＣ並列回路（９０Ｃ，９２Ｃ）から固定コンデンサ９４Ｃを通ってグランドに流れ，ＤＣ電源４６へは流れない。ＤＣ電源４６の手前でＬＰＦ９６Ｃが中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCをほぼ完全に遮断する電流センサ５２は，伝送線５０を流れる中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCの電流値または電流量を測定し，そのＲＦ漏れ電流測定値を制御部６２に与える。制御部６２は，電流センサ５２で得られるＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するように可変コンデンサ９０Ｃのインピーダンス・ポジションを可変制御することができる。」との記載，「この周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩEも，ＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）から固定コンデンサ９４Ｅを通ってグランドに流れ，ＤＣ電源５４へは流れない。ＤＣ電源５４の手前でＬＰＦ９６ＥがＲＦ漏れ電流ＭＩEをほぼ完全に遮断する。電流センサ６０は，伝送ライン５８を流れる周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩEの電流値または電流量を測定し，そのＲＦ漏れ電流測定値を制御部６２に与える。制御部６２は，電流センサ６０で得られるＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するようにステップモータ９８Ｅを通じて可変コンデンサ９０Ｅのインピーダンス・ポジションを可変制御することができる。」との記載，上記Ｈの図１，上記Ｉの図２の記載からすると，“中心ＲＦ漏れ電流ＭＩC”は，“ＤＣ電源４６”の手前の“ＬＰＦ９６Ｃ”で遮断されるとともに，“ＬＣ並列回路（９０Ｃ，９２Ｃ）”から“固定コンデンサ９４Ｃ”を通って“グランド”に流れ，また，“周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩE”も，“ＤＣ電源５４”の手前の“ＬＰＦ９６Ｅ”で遮断されるとともに，“ＬＣ並列回路（９０Ｅ，９２Ｅ）”から“固定コンデンサ９４Ｅ”を通って“グランド”に流れる点が読み取れる。
　さらに，“電流センサ５２”で得られる“ＲＦ漏れ電流量測定値”が設定値に一致するように“可変コンデンサ９０Ｃ”のインピーダンス・ポジションを，“電流センサ６０”で得られる“ＲＦ漏れ電流量測定値”が設定値に一致するように“可変コンデンサ９０Ｅ”のインピーダンス・ポジションを可変制御することができる“制御部６２”を備えている点も記載されていると認められる。
（ケ）上記Ｇの「以上本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は上記実施形態に限定されるものではなく，その技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。」との記載，「たとえば，上記した実施形態のインピーダンス回路４８，５６，１０８，１１０におけるインピーダンス可変のＬＣ並列回路をインピーダンス可変のＬＣ直列回路に置き換える構成も可能である。その場合，ＬＣ直列回路の前段でＤＣ電源４６，５４あるいはヒータ電源１５４，１５６を伝送ライン４５Ｃ，４５Ｅに接続すればよい。あるいは，電流変化が度を越えて急にならないように抵抗を加える構成も可能である。」との記載からすると，“ＬＣ並列回路”をインピーダンス可変の“ＬＣ直列回路”に置き換えること，および，その際には，“ＬＣ直列回路”の前段で“ＤＣ電源４６，５４”を“伝送ライン４５Ｃ，４５Ｅ”に接続することが記載されている。
　そうすると，引用例１には，“インピーダンス回路４８”として，“ＬＣ直列回路”と“固定コンデンサ９４Ｃ”とが直列に接続され“抵抗”が加えられ，“固定コンデンサ９４Ｃ”の他方の端子を“グランド電位”に接続しているとともに，“ＬＣ直列回路”の前段に“ローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｃ”を介して“ＤＣ電源４６”が接続されており，“インピーダンス回路５６”として，“ＬＣ直列回路”と“固定コンデンサ９４Ｅ”とが直列に接続され“抵抗”が加えられ，“固定コンデンサ９４Ｅ”の他方の端子を“グランド電位”に接続しているとともに，“ＬＣ直列回路”の前段に“ローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｅ”を介して“ＤＣ電源５４”が接続される態様が記載されていると認められる。
ウ　以上，（ア）−（ケ）で示した事項，特に上記（ケ）で示した事項を参酌すると，引用例１には，次の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「　所望の真空度まで減圧され，プラズマが生成されるチャンバ１０と，
　チャンバ１０内には，被処理基板としての半導体ウエハＷを載置するたとえばアルミニウムからなるサセプタ１２が配置され，
　高周波電源２８からの高周波がサセプタ１２に印加されることにより，半導体ウエハＷがエッチングされ，
　サセプタ１２の上面のウエハ載置部には，膜状または板状の誘電体４０の中に板状導体またはメッシュ状導体からなる中心導体４２および周辺導体４４を封入または埋設しており，その上に半導体ウエハＷが載置される円板状の静電チャック３８が設けられ，
　中心導体４２には，ＤＣ電源４６がインピーダンス回路４８および伝送線５０を介して電気的に接続され正のＤＣ電圧が印加され，周辺導体４４には，別の外付けＤＣ電源５４がインピーダンス回路５６および伝送線５８を介して電気的に接続され負のＤＣ電圧を印加され，半導体ウエハＷを吸着保持し，
　中心導体４２とインピーダンス回路４８との間の伝送線５０には電流センサ５２が，周辺導体４４とインピーダンス回路５６との間の伝送線５８には電流センサ６０が取り付けられ，
　インピーダンス回路４８として，ＬＣ直列回路と固定コンデンサ９４Ｃとが直列に接続され抵抗が加えられ，固定コンデンサ９４Ｃの他方の端子をグランド電位に接続しているとともに，ＬＣ直列回路の前段にローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｃを介してＤＣ電源４６が接続されており，インピーダンス回路５６として，ＬＣ直列回路と固定コンデンサ９４Ｅとが直列に接続され抵抗が加えられ，固定コンデンサ９４Ｅの他方の端子をグランド電位に接続しているとともに，ＬＣ直列回路の前段にローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｅを介してＤＣ電源５４が接続されるものが記載され，
　中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCは，ＬＣ直列回路から固定コンデンサ９４Ｃを通ってグランドに流れ，周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩEも，ＬＣ直列回路から固定コンデンサ９４Ｅを通ってグランドに流れ，
　電流センサ５２で得られるＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するように可変コンデンサ９０Ｃのインピーダンス・ポジションを，電流センサ６０で得られるＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するように可変コンデンサ９０Ｅのインピーダンス・ポジションを可変制御することができる制御部６２を備えている，
　プラズマ処理装置。」
（２−２）周知例１に記載されている技術的事項
　本願出願前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，特開２００７−２８１２０５号公報（平成１９年１０月２５日出願公開，以下，「周知例１」という。）には，以下の技術的事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。）
Ｊ　「【０００１】
　本発明は半導体の製造技術に属する。特にプラズマを用いて半導体ウエハをプラズマ処理する際に好適な
プラズマ処理装置
【背景技術】
【０００２】 
　近年の半導体素子の高集積化にともない回路パターンは微細化の一途をたどっており，要求される加工寸法精度はますます厳しくなってきている。また，半導体素子の製造コスト低減の目的でウエハの口径が３００mmと大口径化してきているが，歩留りを高めることを目的に，
ウエハの中心から外周付近まで広い範囲でプラズマを均一にして高品質で均一な加工ができることが要求されている。
Ｋ　「【００４１】
　第１の実施例の問題をより良く解決する第２の実施例を図１０に示す。
【0042】 
　本構成では，図９と同様に，
電圧測定点は静電チャック電極１２４であるが，この電圧を，同軸ケーブル１５７を用いて真空外に取り出す。この真空外に取り出した電圧を電圧測定回路１５４を用いて，ＤＣ電圧信号に変換する。
Ｌ　「　図１０
　」
　上記Ｊの記載，上記Ｋの記載，上記Ｌの図１０の記載からすると，周知例１には，
「ウエハの中心から外周付近まで広い範囲でプラズマを均一にして高品質で均一な加工をするために，静電チャック電極の電圧を，同軸ケーブル１５７を用いて真空外に取り出し，電圧を電圧測定回路１５４で測定するプラズマ処理装置。」が記載されているものと認められる。
（２−３）周知例２に記載されている技術的事項
　本願出願前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，特開２００２−３２９７７７号公報（平成１４年１１月１５日出願公開，以下，「周知例２」という。）には，以下の技術的事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。）
Ｍ　「【００１９】図２は，図１に示した静電チャック４０の一構成例を示す図である。この図２において，（ａ）は図１においてIIa-IIa′線方向から見た透視図，（ｂ）は図２（ａ）においてIIb-IIb′線方向から見た断面図である。
図２（ｂ）に示すように，静電チャック４０は，セラミック，石英，絶縁性高分子などからなる２つの絶縁層４１，４２の間に，銅箔などからなる電極４３が挟まれた構造をしている
Ｎ　「　図２
　」
　上記Ｍの記載，上記Ｎの図２の記載からすると，周知例２には，
「２つの絶縁層４１，４２の間に，銅箔などからなる電極４３が挟まれた構造をしている静電チャック４０」が記載されているものと認められる。
（２−４）周知例３に記載されている技術的事項
　本願出願前に頒布又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった，特開平９−８２７８７号公報（平成　９年　３月２８日出願公開，以下，「周知例３」という。）には，以下の技術的事項が記載されている。（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。）
Ｏ　「【００１１】この
プラズマ処理装置では，図７に示すように，一対の静電チャック電極（第１の静電チャック電極１１１，第２の静電チャック電極１１２）を設け，高電圧電源１１７により第１の静電チャック電極１１１と第２の静電チャック電極１１２との間に高電圧を印加する
【００１２】
高電圧電源１０４の正極、負極はそれぞれ第１の静電チャック電極１１１、第２の静電チャック電極１２２に接続されている
【００１３】これにより、静電チャック電極１１１，１１２にそれぞれ正電荷１０６、負電荷１０５が誘起されるとともに、静電チャック電極１１１，１１２と対向するウェハ１０３の部分にはそれぞれ負電荷１０５、正電荷１０６が誘起され、その結果、
ウェハ１０３と静電チャック電極１１１，１１２との間に静電吸着力が発生する
Ｐ　「　図７
　」
　上記Ｏの記載，上記Ｐの図７の記載からすると，周知例３には，
「一対の静電チャック電極（第１の静電チャック電極１１１，第２の静電チャック電極１１２）を設け，高電圧電源１０４の正極、負極はそれぞれ第１の静電チャック電極１１１、第２の静電チャック電極１２２に接続され，ウェハ１０３と静電チャック電極１１１，１１２との間に静電吸着力が発生するプラズマ処理装置」が記載されているものと認められる。
（３）対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「プラズマ処理装置」は本件補正発明の「プラズマ処理装置」に対応する。
（イ）引用発明の「チャンバ１０」は，「所望の真空度まで減圧され，プラズマが生成される」ものであるから，本件補正発明の「真空容器」に相当し，また，引用発明の「チャンバ１０」は，“内部空間”を有することは自明であることから，引用発明の「チャンバ１０」の“内部空間”が，本件補正発明の「処理室」に相当するといえる。
（ウ）引用発明の「半導体ウエハＷ」は，本件補正発明の「処理対象のウエハ」に相当する。
　ここで，引用発明の「サセプタ１２」と，サセプタ１２の上面のウエハ載置部に設けられた「静電チャック３８」とは，「チャンバ１０」内に配置されており，また，その上に「半導体ウエハＷ」が載置されるから，「サセプタ１２」と「静電チャック３８」全体で，本件補正発明の「試料台」に相当するといえる。
（エ）引用発明の「たとえばアルミニウムからなるサセプタ１２」は，「高周波電源２８からの高周波がサセプタ１２に印加されることにより，半導体ウエハＷの膜がエッチングされ」るものであるから，本件補正発明の「金属製の基材」に相当する。
（オ）引用発明の「静電チャック３８」は，「膜状または板状の誘電体４０の中に板状導体またはメッシュ状導体からなる中心導体４２および周辺導体４４を封入または埋設」しているものであり，ここで，引用発明の「膜状または板状の誘電体４０」が，本件補正発明の「誘電体製の膜」に相当する。
　また，引用発明の「静電チャック３８」の「板状導体またはメッシュ状導体からなる中心導体４２および周辺導体４４」は，「ＤＣ電源４６」，「ＤＣ電源５４」が接続され，それぞれ，正，負のＤＣ電圧が印加されることにより「半導体ウエハＷ」を吸着保持するから，本件補正発明の「前記ウエハを静電吸着するための複数の膜状の電極」と，後記の点で相違するものの,「前記ウエハを静電吸着するための複数の」「電極」である点で一致する。
　そして，引用発明の「ＤＣ電源４６」，「ＤＣ電源５４」は，「中心導体４２」に正のＤＣ電圧を，「周辺導体４４」に負のＤＣ電圧を印加するものであるから，本件補正発明の「直流電源」と，後記の点で相違するものの,「これらの」「電極に」「端子が接続されて当該電極に直流電力を供給する直流電源」である点で一致する。
（カ）引用発明の「ローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｃ」及び「ローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｅ」は，「中心導体４２」及び「周辺導体４４」と，「ＤＣ電源４６」及び「ＤＣ電源５４」との間に配置されているから，本件補正発明の「２つの高周波カットフィルタ」に相当する。
（キ）引用発明の「ＬＣ直列回路と固定コンデンサ９４Ｃとが直列に接続され抵抗が加えられ」た回路，及び「ＬＣ直列回路と固定コンデンサ９４Ｅとが直列に接続され抵抗が加えられ」た回路は，それぞれ，前段に「ローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｃ」「ローパス・フィルタ（ＬＰＦ）９６Ｅ」及び「中心導体４２」「周辺導体４４」が接続され，「固定コンデンサ９４Ｃ」「固定コンデンサ９４Ｅ」の他方の端子が「グランド電位」に接続されている。
　また，中心ＲＦ漏れ電流ＭＩCは，ＬＣ直列回路から固定コンデンサ９４Ｃを通ってグランドに流れ，周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩEは，ＬＣ直列回路から固定コンデンサ９４Ｅを通ってグランドに流れるから，「ＬＣ直列回路と固定コンデンサ９４Ｃとが直列に接続され抵抗が加えられ」た回路，及び「ＬＣ直列回路と固定コンデンサ９４Ｅとが直列に接続され抵抗が加えられ」た回路は，それぞれ，高周波電力を通すものである。
　そして，「ＬＣ直列回路と固定コンデンサ９４Ｃとが直列に接続され抵抗が加えられ」た回路，及び「ＬＣ直列回路と固定コンデンサ９４Ｅとが直列に接続され抵抗が加えられ」た回路はコイルを有しており，また，抵抗が加えられているから，本件補正発明の「高周波パスフィルタ」と，後記の点で相違するものの,「前記高周波カットフィルタおよび前記」「電極の間の箇所と接地電位の箇所との間でこれらと電気的に接続されて配置され各々が高周波電力を通す」点，及び，「コイル及び」「当該コイルと」「接続された抵抗素子とを備えたもの」である点で一致する。
（ク）引用発明の「電流センサ５２」「電流センサ６０」は，伝送線５０，５８に流れる中心ＲＦ漏れ電流ＭＩC，周辺ＲＦ漏れ電流ＭＩEを測定するので，本件補正発明の「検知器」と，後記の点で相違するものの,「電極と当該高周波パスフィルタとの間の前記給電経路上で値」「を検知する検知器」である点で一致する。
（ケ）引用発明の「制御部６２」は，「電流センサ５２で得られるＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するように可変コンデンサ９０Ｃのインピーダンス・ポジションを，電流センサ６０で得られるＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するように可変コンデンサ９０Ｅのインピーダンス・ポジションを可変制御することができる」から，本件補正発明と，後記の点で相違するものの,「検知器からの出力を用いて当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の」「値を予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタのインピーダンスを調節する機能」である点で一致する。
イ　以上から，本件補正発明と引用発明とは，以下の点で一致し，また，以下の点で相違する。
＜一致点＞
「真空容器内部に配置されその内側でプラズマが形成される処理室と，この処理室内に配置されその上面に前記プラズマによる処理対象のウエハが載置される試料台と，この試料台の内部に配置され前記ウエハの処理中に高周波電力が供給される金属製の基材と，前記試料台の前記ウエハの載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置され前記ウエハを静電吸着するための複数の電極と，これらの電極に端子が接続されて当該電極に直流電力を供給する直流電源と，前記複数の電極と前記直流電源の電極の各々との間を接続する２つの給電経路上に配置され高周波電力を妨げる２つの高周波カットフィルタと，各々の前記給電経路上の前記高周波カットフィルタおよび前記電極の間の箇所と接地電位の箇所との間でこれらと電気的に接続されて配置され各々が前記高周波電力を通す２つの高周波パスフィルタと，を備え，
　前記高周波パスフィルタが，コイル及び当該コイルと接続された抵抗素子とを備えたものであって，前記電極と当該高周波パスフィルタとの間の前記給電経路上で値を検知する検知器からの出力を用いて当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の値を予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタのインピーダンスを調節する機能を備えたプラズマ処理装置。」
＜相違点１＞
　電極に関して，本件補正発明は，ウエハを静電吸着するための複数の電極が，「膜状の電極」であるのに対して，引用発明は，複数の電極である中心導体４２および周辺導体４４が「板状導体またはメッシュ状導体からなる」点。
＜相違点２＞
　直流電源に関して，本件補正発明は，膜状の電極に正負の端子が単一の「直流電源」が接続されているのに対し，引用発明では，中心導体４２には，ＤＣ電源４６が接続され正のＤＣ電圧が印加され，周辺導体４４には，別の外付けＤＣ電源５４が接続され負のＤＣ電圧が印加されている点。
＜相違点３＞ 
　高周波パスフィルタに関して，本件補正発明では，「抵抗素子」が，「コイル及び前記接地電位の箇所と前記コイルとの間で当該コイルと直列に接続され」ているのに対し，引用発明では，抵抗は加えられているが，どのように接続されるのか特定されていない点。
＜相違点４＞ 
　検知器に関して，本件補正発明では「電圧を検知する検知器」であるのに対し，引用発明では，「電流センサ」である点。
＜相違点５＞ 
　インピーダンスを調節する機能に関して，本件補正発明では「高周波電力の電圧値を予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタのインピーダンスを調節す」るのに対し，引用発明では，「ＲＦ漏れ電流量測定値が設定値に一致するように可変コンデンサ９０Ｅのインピーダンス・ポジションを可変制御」するものである点。
（４）当審の判断
　上記相違点１−５について検討する。
ア　相違点１について
　静電チャックに用いられる電極として，膜状のものを用いることは，例えば周知例２に記載されているように周知技術にすぎない。
　引用発明と周知例２とは，どちらも，半導体装置の製造に用いられるプラズマ処理装置に関するものであり，引用発明の中心導体及び周辺導体と周知例２の電極とは，プラズマ処理の際に基板を保持する静電チャックの電極という共通する作用・機能を有する。
　そうすると，引用発明において，静電チャックの電極として，当該周知の構成を採用し上記相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
イ　相違点２について
　静電チャックの電極に直流電力を印加する電源を単一の電源とし，電極に単一の電源の正負の端子をそれぞれ接続することは，例えば周知例３に記載されているように周知技術にすぎない。
　引用発明と周知例３とは，どちらも，半導体装置の製造に用いられるプラズマ処理装置に関するものであり，引用発明のＤＣ電源と周知例３の高電圧電源とは，プラズマ処理の際に基板を保持する静電チャックの電極に電力を供給する電源という共通する作用・機能を有する。
　そうすると，引用発明において，直流電力を印加する電源として，当該周知の構成を採用し上記相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
ウ　相違点３について
　引用発明の，インピーダンス可変のＬＣ並列回路をインピーダンス可変のＬＣ直列回路に置き換えた構成において，抵抗は「電流変化が度を越えて急にならないように」加えられているものであることを参酌すると，ＬＣ直列回路の共振周波数においてインピーダンスが０近辺となり電流が変化することを防ぐことを目的とするものであることは自明であるから，インピーダンスが０にならないように，ＬＣ直列回路に直列に抵抗を接続することは，記載されているに等しい事項である。
　ここで，直列に抵抗を接続する場合，その抵抗の位置はどこにおいてもよいことは明らかである。
　すると，引用発明において抵抗の接続を特定することは，当業者が実施に当たり適宜なし得る設計的事項にすぎない。
エ　相違点４，５について
　プラズマ処理装置において，ウエハの中心から外周付近まで広い範囲でプラズマを均一にして高品質で均一な加工をするために，静電チャック電極の電圧を電圧測定回路１５４で測定することは，周知例１に記載されている。
　引用発明と周知例１とは，どちらもプラズマ処理装置という共通の技術分野に属し，プラズマを均一にして高品質で均一な加工を行うという共通の課題を有するものであるから，引用発明の電流センサを，周知例１の電圧測定回路とすることにより，当該相違点４，５に係る構成とすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　ここで，引用発明の電流センサを，周知例１の電圧測定回路とした際には，制御部６２におけるインピーダンスの調整が「高周波電力の電圧値を予め定められた値となるように前記高周波パスフィルタのインピーダンスを調節す」るものとなることは自明である。
オ　小括
　上記で検討したごとく，相違点１−５に係る構成は当業者が容易に想到し得たものであり，そして，これらの相違点を総合的に勘案しても，本件補正発明の奏する作用効果は，上記引用発明及び当該技術分野の周知技術の奏する作用効果から予測される範囲のものにすぎず，格別顕著なものということはできない。
　したがって，本件補正発明は，上記引用発明及び周知例１−３に記載の当該技術分野の周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
３　補正却下の決定のむすび
　よって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって，上記補正却下の決定の結論のとおり決定する。
第３　本願発明について
１　本願発明
　令和　１年　６月２６日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項に係る発明は，平成３０年１０月１８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定されるものであるところ，その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，その請求項１に記載された事項により特定される，以下のとおりのものである。
「　　【請求項１】
　真空容器内部に配置されその内側でプラズマが形成される処理室と，この処理室内に配置されその上面に前記プラズマによる処理対象のウエハが載置される試料台と，この試料台の内部に配置され前記ウエハの処理中に高周波電力が供給される金属製の基材と，前記試料台の前記ウエハの載置面を構成する誘電体製の膜の内部に配置され前記ウエハを静電吸着するための複数の膜状の電極と，これらの膜状の電極に正負の端子が接続されて当該電極に直流電力を供給する直流電源と，前記複数の膜状の電極と前記直流電源の正及び負の電極の各々との間を接続する２つの給電経路上に配置され高周波電力を妨げる２つの高周波カットフィルタと，各々の前記給電経路上の前記高周波カットフィルタおよび前記膜状の電極の間の箇所と接地電位との間でこれらと電気的に接続されて配置され各々が前記高周波電力を通す２つの高周波パスフィルタと，を備え，
　前記高周波パスフィルタのインピーダンスの値を前記ウエハの処理中に当該高周波パスフィルタを通して流れる前記高周波電力の電流量を予め定められた値となるように調節する機能を備えたプラズマ処理装置。」
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，この出願の請求項１−６に係る発明は，本願出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　　引用例１：　特開２００８−２４４０６３号公報
３　引用例に記載されている技術的事項及び引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用発明は，前記「第２　令和　１年　６月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「２　補正の適否」の「２−２　独立特許要件」の「（２）引用例」に記載したとおりである。
４　対比・判断 
　本願発明は，前記「第２　令和　１年　６月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「２　補正の適否」の「２−２　独立特許要件」で検討した本件補正発明の発明特定事項である「高周波パスフィルタ」及び「高周波パスフィルタのインピーダンスの値を」「調節する機能」に関する限定事項を削除したものである。
　そうすると，本願発明の発明特定事項を全て含む本件補正発明が，前記「第２　令和　１年　６月２６日付けの手続補正についての補正却下の決定」の「２　補正の適否」の「２−２　独立特許要件」の「（２）引用例」−「（４）当審の判断」に記載したとおり，引用発明，周知例１−３に記載の当該技術分野の周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，上記限定事項を省いた本願発明も同様の理由により，引用発明，周知例１−３に記載の当該技術分野の周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　むすび
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから，その余の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。