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【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基板と、光吸収性を有する屈折率傾斜薄膜と、反射防止構造体と、を備え、
前記屈折率傾斜薄膜はその膜厚方向に前記基板と反射防止構造体との間に配置され、その膜厚方向において段階的に変化する屈折率変化を有し、
前記屈折率傾斜薄膜の膜厚方向の屈折率の変化は、
（１）前記基板側において、前記屈折率変化の前記基板側の終点まで、前記屈折率が前記基板の屈折率に近づくように段階的に変化する部分と、
（２）前記反射防止構造体側において、前記屈折率変化の前記反射防止構造体側の終点まで、前記屈折率が前記反射防止構造体の屈折率に近づくように段階的に変化する部分と、
を有することを特徴とする光学フィルタ。
【請求項２】
前記屈折率傾斜薄膜の膜厚方向の屈折率の変化は、
（３）前記屈折率変化の前記基板側の終点の屈折率と前記屈折率変化の前記反射防止構造体側の終点の屈折率との間の前記屈折率変化において、屈折率が最大値を示す部分を有することを特徴とする光学フィルタ。
【請求項３】
前記屈折率傾斜薄膜の膜厚方向の段階的な屈折率の変化は、
隣接する部分の屈折率差が０．０５〜０．１以内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学フィルタ。
【請求項４】
前記屈折率傾斜薄膜の膜厚方向において段階的に変化する屈折率の一定な部分は、
屈折率が実質的に一定である５〜１００ｎｍの膜厚における屈折率の平均値に対して、±０．０１以内であることを特徴とした請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学フィルタ。
【請求項５】
前記反射防止構造体は、前記基板を透過する可視光の波長よりも短い周期で構成された凹凸構造を持つ、微細周期構造体により形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに一項に記載の光学フィルタ。
【請求項６】
前記反射防止構造体と前記屈折率傾斜薄膜とが隣接し、前記反射防止構造体側の前記屈折率傾斜薄膜との界面の屈折率と、前記屈折率傾斜薄膜側の前記反射防止構造体との界面の屈折率が光学フィルタにおいて許容される屈折率差が０．０５以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光学フィルタ。
【請求項７】
前記基板と前記屈折率傾斜薄膜とが隣接し、前記基板の前記屈折率傾斜薄膜との界面の屈折率と、前記屈折率傾斜薄膜側の前記基板との界面の屈折率が光学フィルタにおいて許容される屈折率差が０．０５以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光学フィルタ。
【請求項８】
前記屈折率傾斜薄膜が３種類以上の元素から構成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の光学フィルタ。
【請求項９】
前記基板への入射光に対して、分光透過特性が長波長側になるにつれて高くなる領域と、分光透過特性が長波長側になるにつれて低くなる領域が、前記屈折率傾斜薄膜の膜厚方向に配置されていることにより、前記屈折率傾斜薄膜の分光透過特性の平坦性を得ていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の光学フィルタ。
【請求項１０】
前記光学フィルタは、ＮＤフィルタであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光学フィルタ。
【請求項１１】
光学フィルタを撮影光学系に用いた光学装置であって、
前記光学フィルタが、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の光学フィルタであることを特徴とする光学装置。
【請求項１２】
光透過性を有する基板と、光吸収性を有する屈折率傾斜薄膜と、反射防止構造体を有して構成される光学フィルタの製造方法であって、
前記屈折率傾斜薄膜を設ける工程は、
前記屈折率傾斜薄膜の前記基板の側での終点の屈折率を段階的に前記基板の屈折率に近づくように成膜する工程と、
３種以上の元素からなる材料を用いた成膜法によりこれら材料の混合比を変化させ段階的に屈折率の異なる混合膜を隣り合う混合膜間の屈折率差を０．０５〜０．１以内で成膜する工程と、
前記屈折率傾斜薄膜の前記反射防止構造体の側での終点の屈折率を段階的に前記反射防止構造体の屈折率に近づけて成膜する工程とからなることを特徴とする光学フィルタの製造方法。
【請求項１３】
前記屈折率傾斜薄膜の前記基板の側での終点の屈折率を段階的に前記基板の屈折率に近づくように成膜する工程または、
前記屈折率傾斜薄膜の前記反射防止構造体の側での終点の屈折率を段階的に前記反射防止構造体の屈折率に近づけて成膜する工程は、
前記隣り合う混合膜間の屈折率差を屈折率が減少するに従って小さくすることを特徴とする請求項１２に記載の光学フィルタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記課題を解決するために本発明の光学フィルタは、光透過性を有する基板と、光吸収性を有する屈折率傾斜薄膜と、反射防止構造体と、を備え、
前記屈折率傾斜薄膜はその膜厚方向に前記基板と反射防止構造体との間に配置され、その膜厚方向において段階的に変化する屈折率変化を有し、
前記屈折率傾斜薄膜の膜厚方向の屈折率の変化は、
（１）前記基板側において、前記屈折率変化の前記基板側の終点まで、前記屈折率が前記基板の屈折率に近づくように段階的に変化する部分と、
（２）前記反射防止構造体側において、前記屈折率変化の前記反射防止構造体側の終点まで、前記屈折率が前記反射防止構造体の屈折率に近づくように段階的に変化する部分と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質磁性コア粒子及び該多孔質磁性コア粒子の孔に充填されているシリコーン樹脂を有する充填コア粒子と、
該充填コア粒子の表面を被覆しているビニル系樹脂と、
を有する磁性キャリアであって、
水銀圧入法により測定される該多孔質磁性コア粒子の細孔分布において、細孔径０．１μｍ以上３．０μｍ以下の範囲における積算細孔容積が、３５．０ｍｍ３／ｇ以上９５．０ｍｍ３／ｇ以下であり、
水銀圧入法により測定される該充填コア粒子の細孔分布において、細孔径０．１μｍ以上３．０μｍ以下の範囲における積算細孔容積が、３．０ｍｍ３／ｇ以上１５．０ｍｍ３／ｇ以下であり、
該磁性キャリアが、該充填コア粒子１００．０質量部に対して１．２質量部以上３．０質量部以下の該ビニル系樹脂を有する
ことを特徴とする磁性キャリア。
【請求項２】
前記ビニル系樹脂が、
分子構造中に環式炭化水素基を有するビニル系モノマーと、
該分子構造中に環式炭化水素基を有するビニル系モノマー以外のビニル系モノマーと、
の共重合体である請求項１に記載の磁性キャリア。
【請求項３】
前記シリコーン樹脂における、ケイ素原子１個当たりに結合している有機基（Ｒ）の平均数（Ｒ／Ｓｉ比）が、１．３０以上１．５０以下である請求項１又は２に記載の磁性キャリア。
【請求項４】
磁性キャリア及びトナーを含む二成分系現像剤であって、
該トナーが、
結着樹脂、着色剤及びワックスを含有するトナー粒子と
無機微粉体と、
を有するトナーであり、
該磁性キャリアが、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁性キャリアである
ことを特徴とする二成分系現像剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、
多孔質磁性コア粒子及び該多孔質磁性コア粒子の孔に充填されているシリコーン樹脂が充填されている充填コア粒子と、
該充填コア粒子の表面を被覆しているビニル系樹脂と、
を有する磁性キャリアであって、
水銀圧入法により測定される該多孔質磁性コア粒子の細孔分布において、細孔径０．１μｍ以上３．０μｍ以下の範囲における積算細孔容積が、３５．０ｍｍ３／ｇ以上９５．０ｍｍ３／ｇ以下であり、
水銀圧入法により測定される該充填コア粒子の細孔分布において、細孔径０．１μｍ以上３．０μｍ以下の範囲における積算細孔容積が、３．０ｍｍ３／ｇ以上１５．０ｍｍ３／ｇ以下であり、
該磁性キャリアが、該充填コア粒子１００．０質量部に対して１．２質量部以上３．０質量部以下の該ビニル系樹脂を有する
ことを特徴とする磁性キャリアである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、
磁性キャリア及びトナーを含む二成分系現像剤であって、
該トナーが、
結着樹脂、着色剤及びワックスを含有するトナー粒子と
無機微粉体と、
を有するトナーであり、
該磁性キャリアが、上記磁性キャリアである
ことを特徴とする二成分系現像剤である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
上記の観点から、シリコーン樹脂は、ケイ素原子１個当たりに結合している有機基（Ｒ）の平均数（Ｒ／Ｓｉ比）が１．３０以上１．５０以下であることが好ましい。Ｒ／Ｓｉ比が上記の範囲内であれば、シリコーン樹脂の含浸性が高く、多孔質磁性コア粒子内部から樹脂が充填され、ビニル系樹脂の被覆性を向上させることができる。ここで、有機基Ｒとは鎖式構造の鎖式炭化水素、あるいは、環構造の環式炭化水素を表している。ビニル系樹脂の被覆性が向上する原因は、Ｒ／Ｓｉ比が上記の範囲内であれば、シリコーン樹脂が適当な量のシラノール基を含有しており、シリコーン樹脂の硬化性と、ビニル系樹脂との親和性が両立できるためである。一般的に、Ｒ／Ｓｉ比が小さくなると、シラノール基が多くなり、シリコーン樹脂の硬化性が高まる。また、Ｒ／Ｓｉ比が大きくなるとシラノール基が少なくなり、ビニル系樹脂との親和性が低くなる。ただし、Ｒ／Ｓｉ比の調整によって、シリコーン樹脂のビニル系樹脂に対する親和性を高めても、充填コア粒子の積算細孔容積が適切な範囲でなければ、充填コア粒子をビニル樹脂で十分に被覆することはできない。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月21日(2015.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細凹凸構造を表面に有する陽極酸化アルミナを表面に有する金型であって、
前記微細凹凸構造は、隣接する凸部または凹部の平均間隔４００ｎｍ以下である複数の凸部または凹部を有し、
前記微細凹凸構造は、表面が離型剤処理溶液で被覆されており、
前記離型剤処理溶液は、
１ｇを５０ｍＬの水で抽出したときの水溶液のｐＨが３．０以上であるモールド離型剤を含む溶液であることを特徴とする、金型。
【請求項２】
前記溶液は、リン酸エステル化合物を１種類以上含むことを特徴とする、請求項１に記載の金型。
【請求項３】
前記溶液の溶媒が、水またはアルコールを含む、請求項１または２に記載の金型。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、微細凹凸構造を表面に有する陽極酸化アルミナを表面に有する金型であって、前記微細凹凸構造は、隣接する凸部または凹部の平均間隔４００ｎｍ以下である複数の凸部または凹部を有し、前記微細凹凸構造は、表面が離型剤処理溶液で被覆されており、前記離型剤処理溶液は、１ｇを５０ｍＬの水で抽出したときの水溶液のｐＨが３．０以上であるモールド離型剤を含む溶液であることを特徴とする金型が提供される。また、本発明の一実施態様によれば、前記離型剤処理溶液は、リン酸エステル化合物を１種類以上含むことを特徴とする。また、本発明の別の一実施態様によれば、前記離型剤処理溶液の溶媒は、水またはアルコールを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月9日(2015.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合界面側の表面に形成された第１金属膜を有する第１半導体部と、
前記接合界面で前記第１金属膜と接合されかつ前記接合界面側の表面面積が前記第１金属膜の前記接合界面側の表面面積より小さい第２金属膜を有し、前記接合界面で前記第１半導体部と貼り合わせて設けられた第２半導体部と、
前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に設けられた界面バリア部と
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第２半導体部が、前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に設けられた界面バリア膜を有し、
前記界面バリア膜により前記界面バリア部が構成される
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２半導体部が、前記第２金属膜の側部を覆うように設けられた絶縁膜を有し、
前記界面バリア膜が、前記絶縁膜の前記接合界面側の表面に形成される
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記界面バリア膜が、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＣＮ、及び、有機系樹脂材料のいずれかで形成される
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１半導体部が、前記第１金属膜の側部を覆うように設けられた第１酸化膜と、該第１酸化膜及び前記第１金属膜間に設けられかつ所定の金属材料を含むシード層とを有し、
前記第２半導体部が、前記第２金属膜の側部を覆うように設けられた第２酸化膜を有し、
前記界面バリア膜が、前記所定の金属材料の酸化膜で構成される
請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記所定の金属材料が、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｔｉ、及び、Ａｌのいずれかである
請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２半導体部が、前記第２金属膜の側部及び前記第２金属膜の前記接合界面とは反対側の表面を覆うように設けられたバリア本体部、並びに、該バリア本体部の前記接合界面側の端部から前記接合界面に沿って延在して形成された界面層部を含むバリアメタル層を有し、
前記界面バリア部が、前記バリアメタル層の前記界面層部で構成される
請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記バリアメタル層が、Ｔｉ、Ｔａ、Ｒｕ、ＴｉＮ、ＴａＮ、及び、ＲｕＮのいずれかで形成される
請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１半導体部の前記接合界面側の面領域のうち、前記第１金属膜の前記第２金属膜と接合しない面領域に凹部が設けられ、
前記界面バリア部が、前記第１金属膜の前記凹部と、前記凹部と対向する前記第２半導体部の前記接合界面側の面領域部とにより構成され、前記界面バリア部に前記凹部及び前記面領域部により画成されかつ密封された空隙が形成される
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２半導体部が、前記第２金属膜の側部を覆うように設けられた絶縁膜を有し、
前記凹部と対向する前記第２半導体部の前記接合界面側の面領域部が前記絶縁膜で構成される
請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２半導体部が、前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に設けられた界面バリア膜を有し、
前記凹部と対向する前記第２半導体部の前記接合界面側の面領域部が前記界面バリア膜で構成される
請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１金属膜及び第２金属膜がともに、Ｃｕ膜である
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
接合界面側の表面に形成された第１金属膜を有する第１半導体部と、前記接合界面で前記第１金属膜と接合されかつ前記接合界面側の表面面積が前記第１金属膜の前記接合界面側の表面面積より小さい第２金属膜を有し、前記接合界面で前記第１半導体部と貼り合わせて設けられた第２半導体部と、前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に設けられた界面バリア部とを有する半導体装置と、
前記半導体装置の出力信号を処理する信号処理回路と
を備える電子機器。
【請求項１４】
接合界面側の表面に形成された第１金属膜を有する第１半導体部を作製するステップと、
前記接合界面側の表面面積が前記第１金属膜の前記接合界面側の表面面積より小さい第２金属膜を有する第２半導体部を作製するステップと、
前記第１半導体部の前記第１金属膜側の表面と前記第２半導体部の前記第２金属膜側の表面とを貼り合わせて、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを接合するとともに、前記第１金属膜の前記接合界面側の面領域のうち前記第２金属膜と接合しない面領域を含む領域に界面バリア部を設けるステップと
を含む半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図２は、電荷を蓄積可能なＦＤ１４’の容量を変更することができる画素の平面的な構造を模式的に示した図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
以上のように、画素４１−１および４１−２を画素共有するように構成された画素４１Ａにおいて、画素４１−１から出力信号Ｓｉｇ１−１およびＳｉｇ２−１を読み出し、画素４１−２から出力信号Ｓｉｇ１−２およびＳｉｇ２−２を読み出すことができる。また、この第３の駆動方法は、図８を参照して説明した第２の駆動方法と同様に、出力信号Ｓｉｇ１−１および出力信号Ｓｉｇ１−２に応じて、高ゲインモードと低ゲインモードとを選択する処理を自動で行うことができる。なお、図７を参照して説明した第１の駆動方法と同様に、低ゲインモードまたは高ゲインモードのいずれかを予め選択するような駆動方法を、画素４１Ａに適用してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
ＦＤ５７に接続されたコンタクトビア６５−１にメタル配線６６が接続されている。また、メタル配線６６は、増幅トランジスタ５３にコンタクトビア６５−２を介して接続されるとともに、薄膜トランジスタ５６−１および５６−２の一端に接続されている。そして、薄膜トランジスタ５６−１の他端は付加容量５９−１に接続され、薄膜トランジスタ５６−２の他端は付加容量５９−２に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
時刻Ｔ１０において、垂直駆動回路３３は、水平信号線４２ＳＴＲ−１および４２ＳＴＲ−２を介して薄膜トランジスタ５６−１および５６−２に供給する接続信号ＳＴＲ１およびＳＴＲ２を、それぞれLowレベルにする。また、このとき、垂直駆動回路３３は、水平信号線４２Ｓを介して選択トランジスタ５４に供給する選択信号ＳＥＬをLowレベルにする。これにより、画素４１Ｄに対する読み出し期間が終了する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
ここで、時刻Ｔ１から時刻Ｔ８までの動作は、全ての画素４１Ｆで同じタイミングで行われ、全ての画素４１ＦのＰＤ５１において発生した電子が容量８３に蓄積されており、その後、画素４１Ｆの行ごとに順次、信号の読み出しが行われる。例えば、時刻Ｔ９から時刻１２までが１行目の画素４１Ｆの読み出し期間とされ、時刻Ｔ１３から時刻Ｔ１６までが２行目の画素４１Ｆの読み出し期間とされる。そして、以下同様に、最終行まで順次、読み出し期間とされた行の画素４１Ｆの信号の読み出しが行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１３】
時刻Ｔ２において、垂直駆動回路３３は、リセット信号ＲＳＴ、排出信号ＡＢＧ１およびＡＢＧ２、接続信号ＳＴＲ１−１およびＳＴＲ２−１、並びに、接続信号ＳＴＲ１−２およびＳＴＲ２−２をLowレベルにする。これに応じて、リセットトランジスタ５５、排出トランジスタ８１−１および８１−２、並びに、薄膜トランジスタ８２−１および８２−２がオフになる。これにより、ＰＤ５１−１および５１−２、ＦＤ５７−１および５７−２、並びに、容量８３−１および８３−２のリセットが完了し、全ての行の画素４１Ｈにおいて同時に、ＰＤ５１−１および５１−２の露光が開始される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２１】
時刻Ｔ８において、垂直駆動回路３３は、全ての行の画素４１Ｈに対して同時に、水平信号線４２ＳＴＲ１−１および４２ＳＴＲ１−２を介して薄膜トランジスタ８２−１および８２−２に供給する接続信号ＳＴＲ１−１およびＳＴＲ１−２をLowレベルにする。これに応じて、ＦＤ５７−１から容量８３−１への電子の転送、および、ＦＤ５７−２から容量８３−２への電子の転送を完了する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５５】
撮像素子１０３としては、上述したいずれかの構成例の画素４１を有する固体撮像素子３１が適用される。撮像素子１０３には、光学系１０２を介して受光面に結像される像に応じて、一定期間、電子が蓄積される。そして、撮像素子１０３に蓄積された電子に応じた信号がＤＳＰ１０４に供給される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月1日(2015.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲーム用テーブルに隣接して配置される筐体と、
筐体の外側に形成されてゲーム用テーブルのディーラステーションのディーラが複数の紙葉類を収容する入金室と、
筐体の外側に形成されて入金室から送られる真正な紙葉類を一時的に収容する保留室と、
入金室から保留室に搬送される紙葉類の真贋を鑑別する鑑別装置と、
入金室に配置される真正な複数の紙葉類を入金室から鑑別装置を通り保留室に連続的に搬送する入金搬送装置と、
筐体の外側に形成されて鑑別装置が非真正と判断した紙葉類を入金室から受け取る排出室と、
鑑別装置が非真正と判断した紙葉類を鑑別装置から排出室に搬送する排出搬送装置と、
入金搬送装置を駆動する駆動装置とを備え、
ゲーム用テーブルの周囲に着座する遊戯者は、保留室内に送られる紙葉類を目視でき、
ディーラステーションのディーラは、入金室、保留室及び排出室の各々に直接接近して、外部から入金室に紙幣を投入しかつ保留室及び排出室から紙幣を把持し取り出すことができることを特徴とするテーブルゲーム用紙葉類取扱装置。
【請求項２】
入金室に配置される紙葉類を入金室から鑑別装置を通り保留室に搬送する入金搬送装置を駆動する駆動信号を駆動装置に発生する起動信号を発生する保留スイッチを備える請求項１に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項３】
保留室から送られる紙葉類を収容するスタッカと、
駆動装置により駆動されて保留室から紙葉類をスタッカに搬送してスタッカ内に収容する収納搬送装置とを備える請求項１に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項４】
保留室内の紙葉類を検出して検出信号を発生する非接触センサと、
非接触センサの検出信号を受信して駆動装置を駆動する制御装置とを備える請求項１に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項５】
筐体に取り付けられて制御装置への起動信号を発生する収納スイッチを備え、
収納スイッチの起動信号及び非接触センサの検出信号を受信する制御装置は、駆動装置を介して収納搬送装置を駆動して、保留室から紙葉類をスタッカに搬送する請求項４に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項６】
鑑別装置が真正と鑑別した紙葉類の金種及び枚数又は合計金額を表示する金額表示装置を備える請求項１に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項７】
金額表示装置は、駆動装置に接続されて入金搬送装置又は収納搬送装置を駆動する起動信号を発生するタッチ操作パネルを備える請求項６に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項８】
保留室の前面を覆う閉鎖位置と、保留室の前面を開放する開放位置との間で移動可能に筐体に取り付けられた透明の蓋体を有するカバーを備え、
筐体付近に着座する遊技者は、透明の蓋体を介して保留室内に収容される紙葉類を目視できる請求項１に記載の紙葉類取扱装置。
【請求項９】
筐体は、ゲーム用テーブルに隣接して配置される下筐体及び下筐体の上部に設けられる上筐体を有し、
入金室は、ゲーム用テーブルの遊技面と同一の高さ又はこれより上方で上筐体の外側に形成される請求項１に記載のテーブルゲーム用紙葉類取扱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明のテーブルゲーム用紙葉類取扱装置は、ゲーム用テーブル(9)に隣接して配置される筐体(1)と、筐体(1)の外側に形成されてゲーム用テーブル(9)のディーラステーション(9a)のディーラが複数の紙葉類を収容する入金室(11)と、筐体(1)の外側に形成されて入金室(11)から送られる真正な紙葉類を一時的に収容する保留室(14)と、入金室(11)から保留室(14)に搬送される紙葉類の真贋を鑑別する鑑別装置(13)と、入金室(11)に配置される真正な複数の紙葉類を入金室(11)から鑑別装置(13)を通り保留室(14)に連続的に搬送する入金搬送装置(15)と、筐体(1)の外側に形成されて鑑別装置(13)が非真正と判断した紙葉類を入金室(11)から受け取る排出室(20)と、鑑別装置(13)が非真正と判断した紙葉類を鑑別装置(13)から排出室(20)に搬送する排出搬送装置(19)と、入金搬送装置(15)を駆動する駆動装置(2)とを備える。ゲーム用テーブル(9)の周囲に着座する遊戯者は、保留室(14)内に送られる紙葉類を目視できる。ディーラステーション(9a)のディーラは、入金室(11)、保留室(14)及び排出室(20)の各々に直接接近して、外部から入金室(11)に紙幣を投入しかつ保留室(14)及び排出室(20)から紙幣を把持し取り出すことができる。入金搬送装置(15)は、真正な紙葉類のみを入金室(11)から保留室(14)に搬送し、全遊技者は、保留室(14)内に集積されている紙葉類を目視することができる。換言すれば、保留室(14)に集積され貯留される紙葉類は、衆目に暴露され、これにより、保留室(14)内の紙葉類には不正行為の関与が皆無であることを正確に確認できる。保留室(14)内の紙葉類に疑問又は問題が生じれば、保留室(14)から問題のある紙葉類を取り出して、確認することができる。紙葉類に問題がなければ、紙葉類を保留室(14)に戻して収納搬送装置(17)を起動し、保留室(14)内の紙葉類をスタッカ(16)に搬送することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図３に示すように、ほぼ楕円形に形成されるゲーム用テーブル(9)の遊技面(10)には、ディーラ（親）が立つ窪むディーラステーション(9a)が設けられ、ディーラステーション(9a)の近くに筐体(1)が離間可能に配置されるが、筐体(1)の底部に運搬用の車輪(1a)を取り付けて、ゲーム用テーブル(9)に対し進退自在に筐体(1)を円滑に移動させてもよい。図１に示すように、上筐体(4)の入金室(11)、保留室(14)及び排出室(20)は、図示のように、一列に、湾曲して又は階段状に配置され、いずれも紙幣搬送装置(2)に駆動接続される。鑑別装置(13)を通り入金室(11)から保留室(14)に真正な紙幣を搬送する入金搬送装置(15)を設けることができ、入金搬送装置(15)は、鑑別装置(13)を通り入金室(11)から排出室(20)に非真正と判断された紙幣を搬送する機能がある。収納搬送装置(17)を配置して、保留室(14)からスタッカ(16)に紙幣を搬送する。ディーラステーション(9a)のディーラは、前壁(5)又は頂壁に形成される入金室(11)、保留室(14)及び排出室(20)の各々に直接接近して、外部から入金室(11)に紙幣を投入しかつ保留室(14)及び排出室(20)から紙幣を把持し取り出すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月24日(2015.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力システム（１００）と使用するためのコンピュータデバイス（１１２）であって、
電力システム内の少なくとも１つの故障を表すデータを編成し、
編成されたデータのグラフ表示を生成する
ようにプログラムされたプロセッサ（２１４）と、
少なくとも１つの故障をユーザが識別できるようにするために、前記ユーザに前記グラフ表示を提示するための前記プロセッサに結合された提示インターフェース（２０８）と、
前記提示インターフェースに結合され、前記ユーザが前記少なくとも１つの故障の少なくとも１つの変数を識別可能になるように、前記ユーザが前記グラフ表示上の少なくとも１つのデータ点を選択できるように構成された、ユーザインターフェース（２０４）と
を備え、
前記グラフ表示は、前記データに関する実際のデータ曲線と期待データ曲線との比較を含む、
コンピュータデバイス。
【請求項２】
前記プロセッサ（２１４）がさらに、前記グラフ表示上の前記少なくとも１つのデータ点が選択された後に、前記少なくとも１つの変数を計算するようにプログラムされた、請求項１に記載のコンピュータデバイス（１１２）。
【請求項３】
前記プロセッサ（２１４）が、１つ以上の特定の周波数帯域において少なくとも１つの振動測定値を計算することによって、前記少なくとも１つの変数を計算する、請求項２に記載のコンピュータデバイス（１１２）。
【請求項４】
実時間データおよび履歴データのうちの少なくとも１つを含むデータを受信するための前記プロセッサ（２１４）に結合された通信インターフェース（２３０）をさらに備える、請求項１に記載のコンピュータデバイス（１１２）。
【請求項５】
前記プロセッサ（２１４）が、データの階層を生成することによって、データを編成し、前記階層が少なくとも２つの階層を有し、最も高いデータ点が第１の層として編成され、最も低いデータ点が最後の層として編成される、請求項１に記載のコンピュータデバイス（１１２）。
【請求項６】
前記ユーザインターフェース（２０４）がさらに、前記グラフ表示上の前記少なくとも１つのデータ点を前記ユーザが選択できるようにそれぞれ構成されたポインティングデバイス（２０６）およびマウス（２０７）のうちの少なくとも１つを備える、請求項１に記載のコンピュータデバイス（１１２）。
【請求項７】
少なくとも１つの構成要素（１０４）を備える、少なくとも１つの機械（１０２）と、
前記少なくとも１つの構成要素に近接して位置付けられ、前記少なくとも１つの構成要素内の少なくとも１つの故障を検出するように構成された、少なくとも１つのセンサ（１１０）と、
前記少なくとも１つのセンサ（１１０）に結合された、コンピュータデバイス（１１２）と、
を備え、
前記コンピュータデバイスが、
データの階層を生成することによって少なくとも１つの故障を表すデータを編成し、データのグラフ表示を生成するようにプログラムされた、プロセッサ（２１４）と、
前記少なくとも１つの故障をユーザが識別できるようにするために、前記ユーザに前記グラフ表示を提示するための、前記プロセッサに結合された、提示インターフェース（２０８）と、
前記提示インターフェースに結合され、前記ユーザが前記少なくとも１つの故障の少なくとも１つの変数を識別可能になるように、前記ユーザが前記グラフ表示上の少なくとも１つのデータ点を選択できるように構成された、ユーザインターフェース（２０４）と、
を備え、
前記階層が少なくとも２つの階層を有し、最も高いデータ点が第１の層として編成され、最も低いデータ点が最後の層として編成される、
電力システム（１００）。
【請求項８】
前記プロセッサ（２１４）が、前記グラフ表示上の前記少なくとも１つのデータ点が選択された後に、前記少なくとも１つの変数を計算するようにプログラムされた、請求項７に記載の電力システム（１００）。
【請求項９】
前記プロセッサ（２１４）が、１つ以上の特定の周波数帯域において少なくとも１つの振動測定値を計算することによって、前記少なくとも１つの変数を計算する、請求項８に記載の電力システム（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１リフレクタと、
第２リフレクタと、
前記第１のリフレクタと前記第２リフレクタとの間に配置された少なくとも１つの光源モジュールと
を備え、
前記第１リフレクタの一面は、前記第２リフレクタと相対するとともに、傾斜面と平面を有し、
前記傾斜面は、前記光源モジュールに隣接し、前記平面は、前記傾斜面の先端から延び、前記光源モジュールと同一線上に位置する、バックライトユニット。
【請求項２】
前記第１リフレクタは、
前記傾斜面を有する第１領域と、
前記平面を有する第２領域と
を有し、
前記第１領域のうち、前記光源モジュールに隣接した領域の厚さは、前記光源モジュールから遠い領域の厚さよりも薄いか、または、前記光源モジュールに隣接した領域の厚さと前記光源モジュールから遠い領域の厚さとが互いに同一である、請求項１に記載のバックライトユニット。
【請求項３】
前記第１リフレクタは、
前記傾斜面を有する第１領域と、
前記平面を有する第２領域と
を有し、
前記第２領域のうち、前記光源モジュールに近接した領域の厚さは、前記光源モジュールから遠い領域の厚さよりも厚いか、または、前記光源モジュールに近接した領域の厚さと前記光源モジュールから遠い領域の厚さとは、互いに同一である、請求項１又は２に記載のバックライトユニット。
【請求項４】
前記第１リフレクタの上部面は、
前記第１リフレクタの下部面における傾斜面に対応する第３領域と、
前記第１リフレクタの下部面における平面に対応する第４領域と
を有し、
前記第３領域と前記第４領域とは、互いに異なる線上に位置する、請求項１乃至３のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項５】
前記第３領域の幅と前記第４領域の幅とは、互いに異なる、請求項４に記載のバックライトユニット。
【請求項６】
前記第３領域の表面及び前記第４領域の表面は、曲面又は平面である、請求項４又は５に記載のバックライトユニット。
【請求項７】
前記第１リフレクタの傾斜面は、前記第２リフレクタの方向に一定角度傾斜し、前記第１リフレクタの平面は、前記第１リフレクタの上部面と平行である、請求項１乃至６のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項８】
前記第２リフレクタは、第１領域及び第２領域を有し、
前記第２リフレクタの前記第１領域は、前記光源モジュール及び前記第１リフレクタと整列され、下方に傾斜した第１傾斜面であり、
前記第２リフレクタの前記第２領域は、前記第１領域に隣接し、前記第１リフレクタの下部面における平面と平行な平面であるか、または、上方に傾斜した第２傾斜面であり、
前記第１リフレクタの下部面の平面は、前記第２リフレクタの前記第１領域及び前記第２領域の少なくとも一領域に整列して配置されている、請求項７に記載のバックライトユニット。
【請求項９】
前記第１リフレクタの傾斜面は、凹んだ曲面、膨らんだ曲面、扁平な平面の少なくとも１つである、請求項１乃至８のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１０】
前記光源モジュールは、基板と、前記基板上に配列された少なくとも１つの光源とを備え、前記第１リフレクタの平面は、前記光源の幅の間に位置する、請求項１乃至９のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１１】
前記傾斜面の幅は、前記平面の幅と同一である、請求項１乃至１０のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１２】
前記傾斜面の幅は、前記平面の幅と異なる、請求項１乃至１１のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１３】
前記傾斜面及び平面は、光を正反射する正反射領域である、請求項１乃至１２のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１４】
前記傾斜面は、光を正反射する正反射領域であり、前記平面は、光を乱反射する乱反射領域である、請求項１乃至１３のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１５】
前記傾斜面は、光を正反射する正反射領域であり、前記平面は、前記正反射領域と光を乱反射する乱反射領域とを有する、請求項１乃至１４のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１６】
前記傾斜面と平面との境界領域は、曲面または二面角を有する、請求項１乃至１５のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１７】
前記第１リフレクタの下部面における平面には、反射パターンが形成されている、請求項１乃至１６のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１８】
前記反射パターンは鋸歯状であり、反射パターンの表面は、平面、凹んだ曲面及び膨らんだ曲面の少なくとも１つである、請求項１乃至１７のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項１９】
前記反射パターンの大きさは、不均一である、請求項１乃至１８のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項２０】
前記反射パターンの大きさは、前記光源モジュールに近接する反射パターンに比べて、前記光源モジュールから遠く離れた反射パターンがより大きい、請求項１乃至１９のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項２１】
前記第３領域と第４領域の幅は、互いに異なる、請求項１９又は２０に記載のバックライトユニット。
【請求項２２】
前記第３領域と第４領域の表面は、曲面または平面である、請求項１９乃至２１のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項２３】
前記第１リフレクタの下部面は、前記平面に対して傾斜をなす、請求項１乃至２２のいずれかに記載のバックライトユニット。
【請求項２４】
請求項１乃至２３のいずれかに記載のバックライトユニットを備える照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月12日(2015.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側電導コアと、
前記内側電導コアを取り囲む第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層を取り囲む外側電導ワイヤ層と、
を含む、ワイヤケーブルと、
長手方向軸を有する内側フェルール及び外側フェルールであって、前記ワイヤケーブルの端部に受け入れられ、前記外側電導ワイヤ層が前記内側フェルールと前記外側フェルールとの間に配置されるように前記端部に近接して嵌合する、内側フェルール及び外側フェルールとを備える、
ワイヤケーブル組立体であって、
前記内側フェルール及び外側フェルールの両方の部分が１対の凹面状窪みを画定するように形成され、前記１対の凹面状窪みは、第２の凹面弓形形状窪みの直径方向反対側にある第１の凹面弓形形状窪みを備え、前記内側フェルール及び外側フェルールの両方が、平坦な側部を４つのみ有する実質的な六角形状を画定するように形成される、ワイヤケーブル組立体。
【請求項２】
前記第１の凹面弓形形状窪み及び第２の凹面弓形形状窪みは、前記長手方向軸に向かって内側方向に配置される、請求項１に記載のワイヤケーブル組立体。
【請求項３】
前記ワイヤケーブル組立体は、モータ付き車両に配置される、請求項１に記載のワイヤケーブル組立体。
【請求項４】
前記外側フェルールは、外側の溝深さを有し、前記内側フェルールは、内側の溝深さを有し、前記外側の溝深さは、前記内側の溝深さよりも大きい、請求項１に記載のワイヤケーブル組立体。
【請求項５】
さらに、前記ワイヤケーブルを軸方向に受け入れるように構成された接触要素を含み、前記接触要素は、前記ワイヤケーブルを前記接触要素に取り付けるように形成され、前記接触要素の一部分は、前記１対の凹面弓形形状窪みを画定するように形成される、請求項１に記載のワイヤケーブル組立体。
【請求項６】
前記接触要素の前記１対の凹面状窪みは、前記内側フェルール及び外側フェルールの前記１対の凹面状窪みに対応する、請求項５に記載のワイヤケーブル組立体。
【請求項７】
前記接触要素の一部分は、前記１対の凹面状窪みを有する実質的な六角形状を画定するように形成される、請求項５に記載のワイヤケーブル組立体。
【請求項８】
ワイヤケーブル組立体に圧着接続部を形成する方法であって、
ワイヤケーブル、内側フェルールおよび外側フェルールを提供するステップであって、前記ワイヤケーブルは、内側電導コアと、前記内側電導コアを取り囲む第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層を取り囲む外側電導ワイヤ層と、を含む、ステップと、
前記外側電導ワイヤ層の一部分を前記内側フェルールおよび外側フェルールとの間に受け入れるステップと、
前記内側フェルールおよび前記外側フェルールを前記ワイヤケーブルに取り付ける圧着接続部を形成するように前記ワイヤケーブル、前記内側フェルールおよび前記外側フェルールを共に圧着するステップであって、前記圧着接続部の少なくとも一部分は、１対の凹面状窪みを画定するように形成され、前記１対の凹面状窪みは、第２の凹面弓形形状窪みの直径方向反対側にある第１の凹面弓形形状窪みを備え、前記内側フェルール及び外側フェルールの両方が、平坦な側部を４つのみ有する実質的な六角形状を画定するように形成される、ステップと
を含む、方法。
【請求項９】
前記提供するステップは、
前記圧着するステップにおいて前記１対の凹面状窪みを形成するのに使用される圧着工具を提供するステップを含み、前記圧着工具は、複数の平坦な側部と前記複数の平坦な側部の間に延びる１対の突出部材とを有しており、前記圧着工具の前記１対の突出部材が前記１対の凹面状窪みを形成する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法は、
圧着工具により、前記圧着接続部が前記圧着接続部の継目から離れる方向に形成されるとき、前記外側フェルールに沿って材料を押し出すステップであって、前記圧着工具により押し出された前記材料に形成される１つまたは複数の突起が、前記継目に隣接して形成されないようにする、ステップ
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ワイヤケーブル組立体は、モータ付き車両に関連している、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月31日(2015.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気媒体からの読み取りと前記磁気媒体への書き込みの両方又はいずれか一方を行うための少なくとも１つの磁気ヘッド素子であって、空気ベアリング面（ＡＢＳ）を含む少なくとも１つの磁気ヘッド素子と、
前記ＡＢＳ上の接着膜であって、窒化ケイ素を含み、かつ水蒸気分圧下で形成されるという特徴を有する接着膜と、
前記接着膜上の、炭素を含む保護膜と、
を含み、
前記水蒸気分圧下で形成される前記特徴は、前記接着膜がＳｉＮxＯyＨzを含むことであり、ここで、ｘ、ｙおよびｚは、Ｏの濃度が約５％〜約１３％の範囲であり、かつＨの濃度が約６％〜約１２％の範囲であるような関係を有する、磁気ヘッド。
【請求項２】
前記保護膜は、水蒸気分圧下で形成されるという特徴を有さない窒化ケイ素の接着膜上に形成された同じ材料の保護膜よりも耐摩耗性を有する、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項３】
前記保護膜が、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含み、前記ＤＬＣにおける酸素の濃度が、約５％〜約８％の範囲であり、前記ＤＬＣにおける水素の濃度が、約６％〜約１５％の範囲である、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項４】
前記接着膜が、約２．６ｇ／ｃｍ3〜約２．８ｇ／ｃｍ3の密度を有する、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
前記接着膜が、約２．７ｇ／ｃｍ3の密度および約１９．５ＧＰａの硬度を有する、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項１に記載の少なくとも１つの磁気ヘッドと、
磁気記録媒体と、
前記磁気記録媒体を前記少なくとも１つの磁気ヘッドに対して通過させるための駆動機構と、
前記少なくとも１つの磁気ヘッドの動作を制御するために前記少なくとも１つの磁気ヘッドに電気的に結合されたコントローラと、
を含む磁気データ記憶システム。
【請求項７】
請求項１に記載の前記磁気ヘッドを形成する方法であって、
前記磁気ヘッドの前記空気ベアリング面を形成することであって、前記空気ベアリング面が、前記磁気ヘッドが使用されている場合に磁気媒体に最も近い前記磁気ヘッドの表面であることと、
前記磁気ヘッドの前記空気ベアリング面上に前記接着膜を形成することであって、前記接着膜が、前記水蒸気分圧下で形成されるものであり、前記接着膜がＳｉＮxＯyＨzを含み、ここで、ｘ、ｙおよびｚは、Ｏの濃度が約５％より高くかつ約１３％までの範囲であり、Ｈの濃度が約６％より高くかつ約１２％までの範囲であるような関係を有する、前記接着膜を形成することと、
前記接着膜上に、炭素を含む保護膜を形成することと、
を含む方法。
【請求項８】
前記保護膜は、ＳｉＮxＯyＨzの前記接着層上に形成された特徴を有するダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含む、請求項１に記載の磁気ヘッド。
【請求項９】
ＳｉＮxＯyＨzの前記接着層上に形成された前記特徴は、前記ＤＬＣにおいてｓｐ２結合に対するｓｐ３結合の比率が約３５％以上であることである、請求項８に記載の磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記保護膜は、水蒸気分圧下で形成されるという特徴を有さない窒化ケイ素の接着膜上に形成された同じ材料の保護膜よりも耐摩耗性を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
ｘ、ｙおよびｚは、Ｏの濃度が約１０％より高くかつ約１３％までの範囲であり、Ｈの濃度が約１０％より高くかつ約１２％までの範囲であるような関係を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
ｘ、ｙおよびｚが、Ｏの濃度が約１３％であり、かつＨの濃度が約１２％であるような関係を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記保護膜が、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含み、前記ＤＬＣにおける酸素の濃度が、約５％より高く、前記ＤＬＣにおける水素の濃度が、約６％より高い、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記保護膜が、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含み、前記ＤＬＣにおける酸素の濃度が、約８％より高く、前記ＤＬＣにおける水素の濃度が、約１０％より高い、請求項７に記載の方法。
【請求項１５】
前記保護膜が、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）を含み、前記ＤＬＣにおける酸素の濃度が、約８％であり、前記ＤＬＣにおける水素の濃度が、約１５％である、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記接着膜が、約６０％のアルゴン分圧、約３９％の窒素分圧、および約１％の水蒸気分圧を含むガス混合物において形成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
前記接着膜が、反応性スパッタリングおよびイオンビーム支援スパッタリングの少なくとも１つを用いて形成される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記保護膜が、約６０％のアルゴン分圧、約３９％の窒素分圧、および約１％の水蒸気分圧を含むガス混合物において形成される、請求項７に記載の方法。
【請求項１９】
前記保護膜が、反応性スパッタリング、レーザアブレーション、陰極真空アーク放電蒸着、および質量選択イオンビーム蒸着の少なくとも１つを用いて形成される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記接着膜が、約２．６ｇ／ｃｍ3〜約２．８ｇ／ｃｍ3の密度を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項２１】
前記接着膜が、約２．７ｇ／ｃｍ3の密度および約１９．５ＧＰａの硬度を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項２２】
前記保護膜において、ｓｐ２結合に対するｓｐ３結合の比率が約３５％以上である、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月17日(2015.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少ない電力消費で圧力変化を監視する方法であって、
第一の時間間隔で１つの圧力センサから正確な圧力測定値を取得する工程と、
前記第一の時間間隔よりも短い第二の時間間隔で前記１つの圧力センサから複数の近似的な圧力測定値を取得する工程と、
前記圧力測定値のいずれかの間に、圧力測定値の所定の変化が検出されたとき、通知信号を提供する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記正確な圧力測定値と前記複数の近似的な圧力測定値のうちの少なくとも１つとの間に所定の変化が検出されたとき、前記通知信号を提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記圧力測定値の所定の変化が、時間の経過に伴う前記複数の近似的な圧力測定値のうちのそれぞれの間で検出されたとき、前記通知信号を提供する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
正確な圧力測定値を取得する工程は、容量性圧力センサの出力を測定する工程を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記正確な圧力測定値を取得する工程は、温度に基づいて、測定値を較正する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記正確な圧力測定値を取得する工程は、較正因子に基づいて、測定値を較正する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第一の時間間隔は１５分以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第二の時間間隔は１５秒以下である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記正確な圧力測定値と前記近似的な圧力測定値とを比較して前記正確な圧力測定値と前記近似的な圧力測定値との差を決定する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
さらに、第二の正確な圧力測定値を取得する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記通知信号を提供する工程は、さらに、圧力データを送信する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
少ない電力消費で圧力を監視する装置であって、
レファレンス容量の容量値と圧力の容量値との両方を測定することができる１つの圧力センサと、
前記１つの圧力センサに接続されたプロセッサと、
前記プロセッサに接続されたメモリと、を具備し、
前記メモリは、前記プロセッサが、
第一の時間間隔で前記１つの圧力センサを使用して正確な圧力を測定する工程と、
前記第一の時間間隔よりも短い第二の時間間隔で前記１つの圧力センサを使用して複数の近似的な圧力を測定する工程と、
前記正確な圧力の測定値と前記近似的な圧力の測定値との間に、所定の変化が検出されたとき、通知信号を提供する工程と、
を実行できるように構成されている、
装置。
【請求項１３】
前記メモリは、さらに、前記正確な圧力測定値と前記複数の近似的な圧力測定値のうちの少なくとも１つとの間に所定の圧力差が検出されたとき、前記プロセッサが第二の通知信号を提供するように構成されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記圧力の測定値の所定の変化が、時間の経過に伴う前記複数の近似的な圧力測定値のうちのそれぞれの間で検出されたとき、前記メモリが、前記プロセッサに前記通知信号を提供させるように構成されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記１つの圧力センサは、容量性圧力センサである圧力センサ部材を具備する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記圧力センサが、前記プロセッサに接続された温度センサ部材を具備し、
前記メモリが、前記プロセッサに、前記正確な圧力を測定させるように構成され、
前記正確な圧力を測定する工程は、
前記温度センサ部材を使用して温度を測定する工程と、
前記温度測定値に基づいて、前記正確な圧力測定値を較正する工程と、を含む、
請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
前記メモリが、前記プロセッサに前記正確な圧力を測定させるように構成され、前記正確な圧力を測定する工程は、
前記メモリから較正因子を読取る工程と、
前記較正因子に基づいて、前記正確な圧力の測定値を較正する工程と、を含む、
請求項１２に記載の装置。
【請求項１８】
前記第一の時間間隔は１５分以下である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１９】
前記第二の時間間隔は１５秒以下である、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記メモリは、さらに、前記プロセッサが前記正確な測定値と前記近似的な測定値とを比較して前記正確な測定値と前記近似的な測定値との差を決定できるように構成されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項２１】
前記メモリは、さらに、前記プロセッサが前記圧力センサを使用して第二の正確な圧力測定ができるように構成されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項２２】
さらに、前記プロセッサに接続されたトランシーバを具備し、前記メモリが、さらに、前記プロセッサに、前記トランシーバを使用して圧力データを送信させるように構成されている、請求項１２に記載の装置。
【請求項２３】
処理命令群を備えたプロセッサ読取り可能媒体であって、
前記処理命令群は、プロセッサが圧力監視を行うとき、前記プロセッサが圧力を監視する方法を行えるようにするものであり、
前記方法は、
第一の時間間隔で１つの圧力センサから正確な圧力測定値を取得する工程と、
前記第一の時間間隔よりも短い第二の時間間隔で前記１つの圧力センサから複数の近似的な圧力測定値を取得する工程と、
前記測定値のいずれかの間に所定の変化が検出されたとき、通知信号を提供する工程と、を含む、
プロセッサ読取り可能媒体。
【請求項２４】
前記正確な圧力測定値を取得する工程が、
レファレンス容量の現在の容量値と、圧力に応じて変化する容量の現在の容量値と、を測定する工程と、
前記レファレンス容量の現在の容量値と、前記圧力に応じて変化する容量の現在の容量値と、を使用して、公式を計算する工程と、
を備え、
前記複数の近似的な圧力測定値のうちのそれぞれを取得する工程が、
圧力に応じて変化する容量の現在の容量値を測定する工程と、
前記圧力に応じて変化する容量の現在の容量値と、レファレンス容量の、以前に測定した容量値と、を使用して、公式を計算する工程と、
を備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記公式が、
圧力＝Ｃ１ｘ（Ｃｐ−（Ｃ２ｘＣｒ））／（Ｃｐ−（Ｃ３ｘＣｒ））であり、
Ｃ１、Ｃ２、および、Ｃ３は、較正係数であり、
Ｃｐは、圧力に応じて変化する容量の容量値であり、
Ｃｒは、レファレンス容量の容量値である、
請求項２４に記載の方法。