(57)【要約】  陽極と陰極に挟まれた少なくとも１層の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層の少なくとも１層に、少なくとも１種の発光ドーパントと少なくとも１種のホストを含有し、該発光ドーパントの少なくとも１種は、発光極大波長が４７０ｎｍ以下、且つＨＯＭＯ値が−４．５０〜−５．５０ｅＶであるリン光性発光ドーパントであり、該ホストの少なくとも１種は、下記一般式（１）で表される化合物または特定の化合物であって、ＨＯＭＯが−４．６０〜−５．１０ｅＶである化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。2014069637.tif 000078
2014069637.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極に挟まれた少なくとも１層の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、
該発光層の少なくとも１層に、少なくとも１種の発光ドーパントと少なくとも１種のホストを含有し、
該発光ドーパントの少なくとも１種は、溶液中の発光スペクトルにおいて、最も短波側にある発光極大波長が４７０ｎｍ以下、且つＨＯＭＯ値が−４．５０〜−５．５０ｅＶであるリン光性発光ドーパントであり、
該ホストの少なくとも１種は、下記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物であって、ＨＯＭＯ値が−４．６０〜−５．１０ｅＶである化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2014069637.tif 000070
（一般式（１）において、Ｒ１１１およびＲ１１２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、一般式（１）で表される化合物はさらに置換基を有していてもよい。）
【化２】
2014069637.tif 000071
（一般式（２）において、Ｒ２１１およびＲ２１２はアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。環Ｚ１〜Ｚ３は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する残基を表し、置換基を有していてもよい。）
【化３】
2014069637.tif 000072
（一般式（３）において、Ｒ２１１およびＲ２１２はアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。環Ｚ１〜Ｚ３は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する残基を表し、置換基を有していてもよい。）
【化４】
2014069637.tif 000073
（一般式（４）において、Ｒ３１１およびＲ３１２は水素原子、アリールシリル基、アリールホスホリル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、ジアリールアミノ基、または、アルキル基を表す。Ａ１〜Ａ８は各々独立にＣ−ＲｘまたはＮを表し、複数のＲｘはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ｒｘは各々独立に水素原子または置換基を表す。）
【請求項２】
前記リン光性発光ドーパントが下記一般式（５）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化５】
2014069637.tif 000074
（一般式（５）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、Ｘ１およびＸ２は炭素原子または窒素原子を表し、環Ｚ１はＣ＝Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表し、環Ｚ２はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。Ｌ’はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。）
【請求項３】
前記リン光性発光ドーパントが下記一般式（６）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化６】
2014069637.tif 000075
（一般式（６）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、Ｘ１およびＸ２は炭素原子または窒素原子を表し、環Ｚ２はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。Ｒ１は電子吸引基を表し、Ｒ２は電子供与基またはＦを表す。Ｌ’はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。）
【請求項４】
前記リン光性発光ドーパントが下記一般式（７）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化７】
2014069637.tif 000076
（一般式（７）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、環Ｚ１はＣ＝Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、水素原子、置換基を表し、Ｒ４とＲ５は環を形成してもよい。Ｌ’はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。）
【請求項５】
前記リン光性発光ドーパントが下記一般式（８）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化８】
2014069637.tif 000077
（一般式（８）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、Ｘ１〜Ｘ４は、−ＣＲ６または窒素原子を表し、Ｘ３とＸ４が−ＣＲ６の場合、環を形成してもよい。環Ｚ３は、６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表し、環Ｚ４はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。Ｒ６は炭素原子または窒素原子を表す。Ｌ’はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。）
【請求項６】
前記一般式（６）で表される化合物において、
環Ｚ２は、置換または無置換のトリアゾール環を表すことを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記リン光性発光ドーパントは、溶液中の発光スペクトルにおいて、最も短波側にある発光極大波長が４６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
発光色が白色であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、それが具備された照明装置および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、電界を印加することにより、陽極から注入された正孔と陰極から注入された電子を発光層内で再結合させることで励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用した発光素子である。また、有機ＥＬ素子は、電極と電極の間を厚さわずかサブミクロン程度の有機材料の膜で構成する全固体素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であることから、次世代の平面ディスプレイや照明への利用が期待されている。【０００３】
実用化に向けた有機ＥＬ素子の開発としては、プリンストン大学より、励起三重項からのリン光発光を用いる有機ＥＬ素子の報告がされており（例えば、非特許文献１参照）、以来、室温でリン光を示す材料の研究が活発になってきている（例えば、特許文献１、非特許文献２参照）。
さらに、リン光発光を利用する有機ＥＬ素子は、以前の蛍光発光を利用する有機ＥＬ素子に比べ原理的に約４倍の発光効率が実現可能であることから、その材料開発を初めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。例えば、イリジウム錯体系等重金属錯体を中心に多くの化合物について合成検討なされている（例えば、非特許文献３参照）。【０００４】
このように、リン光発光方式は大変ポテンシャルの高い方式であるが、リン光発光を利用する有機ＥＬデバイスにおいては、蛍光発光を利用する有機ＥＬデバイスとは大きく異なり、発光中心の位置をコントロールする方法、とりわけ発光層の内部で再結合を行い、いかに発光を安定に行わせることができるかが、素子の効率・寿命を捉える上で重要な技術的な課題となっている。
そこで近年、発光層に隣接する形で、発光層の陽極側に位置する正孔輸送層と発光層の陰極側に位置する電子輸送層とを備えた多層積層型の素子が良く知られている（例えば、特許文献２参照）。また、発光層にはホスト化合物とドーパントとしてのリン光発光性化合物とを用いた混合層が多く用いられている。
また、ディスプレイや、照明への利用の観点から、有機ＥＬ素子には、高い発光効率、長い発光寿命が求められているため、高いキャリア輸送性を有する材料や熱的、電気的に安定な材料が求められている。【０００５】
さらに近年は、色温度の高い照明光源や、色域の広いディスプレイが求められており、これらを達成するためには４７０ｎｍ、より好ましくは４６０ｎｍ以下の発光極大波長を示す短波長の青色発光ドーパントが必要不可欠である。
短波長の青色発光ドーパントとしてはアントラセンやクリセン等を骨格に有する蛍光発光性の発光ドーパントが良く知られているが、上述したように発光効率の点からリン光発光ドーパントに比較し不利である。
一方、短波長のリン光性青色発光ドーパントとして良く知られている材料にＦＩｒｐｉｃがある。ＦＩｒｐｉｃは主配位子のフェニルピリジンに２つのフッ素が置換をすること、および副配位子としてピコリン酸を用いることにより短波化が実現されているが、電気陰性度の大きいフッ素原子２個で置換しているために中心金属のイリジウムが酸化されやすい状態になり、ＨＯＭＯが計算値で−５．９０ｅＶ程度と非常に深くなっている。そのため陽極側から発光層への正孔注入がしにくくなり、正孔と電子の注入のバランスが悪くなり、発光層内での再結合確率の低下や駆動電圧の上昇という課題が発生する。【０００６】
また、キャリアの注入バランスが崩れることで再結合領域が輸送層界面近傍の狭い領域に限定されやすくなるため、発光層から隣接する輸送層に励起子の漏れが生じてしまう。このため、発光効率の低下や、材料の劣化に起因する発光寿命低下の課題が発生する。
その一方で、ＨＯＭＯが浅い、例えば−４．５０ｅＶよりも浅い発光ドーパントを用いた場合には、相対的にＬＵＭＯが浅くなるため化合物が不安定になる。また酸素などの外因の影響を受けやすくなり、素子性能の安定性という点で課題がある。【０００７】
上記課題に対して、例えば特許文献３においては、ホストに正孔輸送性と電子輸送性を改良したビスカルバゾール誘導体を使用することによって、高効率の素子、長寿命を達成している。しかしながら特許文献３における実施例で用いられている発光ドーパントの発光極大波長は、本発明者が検討したところ４７０ｎｍを超える発光極大波長を示し、高色温度の照明用途や色域の広いディスプレイに用いるには波長が長く満足出来るレベルではないことが分かった。また上記文献には発光ドーパントとホストに用いる材料のＨＯＭＯの関係については一切記載がない。【０００８】
さらに、このような短波長の発光ドーパントは、高温下において発光効率が低下するという特徴を持つことが多いことが知られている。これは、ドーパントが励起状態から基底状態への失活過程において、発光を呈する放射過程ｋｒ以外の、無放射過程ｋｎｒが大きいためと考えられ、特に前記のような場合にはドーパントの熱振動による失活過程が大きいためと考えている。ｋｎｒが大きいことは効率低下という課題につながるが、発光ドーパントの構造に起因するところが大きく、熱振動を低減させることにより発光が長波長になるなど、必要性能との両立が課題となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許６，０９７，１４７号明細書
【特許文献２】特開２００５−１１２７６５号公報
【特許文献３】国際公開第２０１１／１３２６８３号
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、３９５巻、１５１〜１５４ページ（１９９８年）
【非特許文献２】Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ ｅｔ ａｌ．，ｎａｔｕｒｅ、４０３巻、１７号、７５０〜７５３頁（２０００年）
【非特許文献３】Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）
【００１１】
このように従来においては、有機ＥＬ素子材料に関して様々な化合物が開示されており、低駆動電圧で発光効率が高く長寿命である有機ＥＬ素子の開発が試みられている。しかしながら、これらの性能を従来よりも増してさらに向上させた有機ＥＬ素子の開発が望まれている。また、高色温度の照明用途や色域の広いディスプレイ用途に適した（すなわち、色度が良好な）有機ＥＬ素子の開発が望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたもので、発光効率が高く、低駆動電圧、長寿命であり、かつ色度が良好な有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を用いた照明装置、および表示装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
１．陽極と陰極に挟まれた少なくとも１層の発光層を含む有機エレクトロルミネッセンス素子において、該発光層の少なくとも１層に、少なくとも１種の発光ドーパントと少なくとも１種のホストを含有し、該発光ドーパントの少なくとも１種は、溶液中の発光スペクトルにおいて、最も短波側にある発光極大波長が４７０ｎｍ以下、且つＨＯＭＯ値が−４．５０〜−５．５０ｅＶであるリン光性発光ドーパントであり、該ホストの少なくとも１種は、下記一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物であって、ＨＯＭＯ値が−４．６０〜−５．１０ｅＶである化合物であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１４】
【化１】
2014069637.tif 000003
【００１５】
（一般式（１）において、Ｒ１１１およびＲ１１２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、一般式（１）で表される化合物はさらに置換基を有していてもよい。）【００１６】
【化２】
2014069637.tif 000004
【００１７】
（一般式（２）において、Ｒ２１１およびＲ２１２はアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。環Ｚ１〜Ｚ３は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する残基を表し、置換基を有していてもよい。）【００１８】
【化３】
2014069637.tif 000005
【００１９】
（一般式（３）において、Ｒ２１１およびＲ２１２はアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。環Ｚ１〜Ｚ３は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する残基を表し、置換基を有していてもよい。）【００２０】
【化４】
2014069637.tif 000006
【００２１】
（一般式（４）において、Ｒ３１１およびＲ３１２は水素原子、アリールシリル基、アリールホスホリル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、ジアリールアミノ基、または、アルキル基を表す。Ａ１〜Ａ８は各々独立にＣ−ＲｘまたはＮを表し、複数のＲｘはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ｒｘは各々独立に水素原子または置換基を表す。）【００２２】
２．前記リン光性発光ドーパントが下記一般式（５）で表される化合物であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２３】
【化５】
2014069637.tif 000007
【００２４】
（一般式（５）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、Ｘ１およびＸ２は炭素原子または窒素原子を表し、環Ｚ１はＣ＝Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表し、環Ｚ２はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。Ｌ’はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。）【００２５】
３．前記リン光性発光ドーパントが下記一般式（６）で表される化合物であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２６】
【化６】
2014069637.tif 000008
【００２７】
（一般式（６）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、Ｘ１およびＸ２は炭素原子または窒素原子を表し、環Ｚ２はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。Ｒ１は電子吸引基を表し、Ｒ２は電子供与基またはＦを表す。Ｌ’はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。）【００２８】
４．前記リン光性発光ドーパントが下記一般式（７）で表される化合物であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２９】
【化７】
2014069637.tif 000009
【００３０】
（一般式（７）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、環Ｚ１はＣ＝Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、水素原子、置換基を表し、Ｒ４とＲ５は環を形成してもよい。Ｌ’はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。）【００３１】
５．前記リン光性発光ドーパントが下記一般式（８）で表される化合物であることを特徴とする前記１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００３２】
【化８】
2014069637.tif 000010
【００３３】
（一般式（８）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、Ｘ１〜Ｘ４は、−ＣＲ６または窒素原子を表し、Ｘ３とＸ４が−ＣＲ６の場合、環を形成してもよい。環Ｚ３は、６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表し、環Ｚ４はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。Ｒ６は炭素原子または窒素原子を表す。Ｌ’はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。）【００３４】
６．前記一般式（６）で表される化合物において、環Ｚ２は、置換または無置換のトリアゾール環を表すことを特徴とする前記３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００３５】
７．前記リン光性発光ドーパントは、溶液中の発光スペクトルにおいて、最も短波側にある発光極大波長が４６０ｎｍ以下であることを特徴とする前記１〜６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００３６】
８．発光色が白色であることを特徴とする前記１〜７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００３７】
９．前記１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。【００３８】
１０．前記１〜８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
【発明の効果】
【００３９】
本発明は、高い発光効率と長寿命を実現し、かつ駆動電圧が低く、色度が良好な有機エレクトロルミネッセンス素子、該素子を用いた照明装置、および表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は発光層中の再結合領域の広狭を示す模式図である。
【図２】有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。
【図３】図２における表示部Ａの模式図である。
【図４】画素の模式図である。
【図５】図３の表示部Ａに係るパッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。
【図６】照明装置の概略図である。
【図７】照明装置の模式図である。
【図８】（ａ）〜（ｅ）は有機ＥＬフルカラー表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４２】
《有機ＥＬ素子》
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極に挟まれた少なくとも１層の発光層を含むものである。そして、該発光層の少なくとも１層に、少なくとも１種の発光ドーパントと少なくとも１種のホストを含有し、該発光ドーパントの少なくとも１種は、溶液中の発光スペクトルにおいて、最も短波側にある発光極大波長が４７０ｎｍ以下、且つＨＯＭＯ値が−４．５０〜−５．５０ｅＶであるリン光性発光ドーパントであり、該ホストの少なくとも１種は、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物であって、ＨＯＭＯ値が−４．６０〜−５．１０ｅＶである化合物である。
【００４３】
本発明においては、発光ドーパントの少なくとも１種が、発光極大波長が４７０ｎｍ以下、且つＨＯＭＯ値が−４．５０〜−５．５０ｅＶであるリン光性発光ドーパントであればよく、発光ドーパントの全てが前記リン光性発光ドーパントであってもよい。
また、ホストの少なくとも１種が、一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物であって、ＨＯＭＯ値が−４．６０〜−５．１０ｅＶである化合物であればよく、ホストの全てが前記化合物であってもよい。
【００４４】
本発明においては前述の課題を鑑み、発光ドーパントのＨＯＭＯとホストのＨＯＭＯの関係を本発明のようにすることによって隣接層から発光層への正孔注入を改良し、さらに一般式（１）〜（４）で表される構造を有する化合物をホストに用いることによって、発光層へのキャリアの注入バランスを改善し再結合領域を発光層と隣接層の界面近傍から離した。これによって、高い発光効率と長寿命を両立させた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができた。
ここで、一般式（１）〜（４）で表される化合物が縮環構造を有することにより、一般的に正孔輸送性のあるα−ＮＰＤに代表されるトリアリールアミン誘導体よりも分子同士が配列しやすくなり、結果層内でのキャリア移動度が向上し、低駆動電圧を達成できた。
さらに、一般式（１）〜（４）で表される化合物を使用することによりｋｎｒを低減できることを確認できた。これは、このような化合物の分子同士の配列が筐体のような役割を持ち、そこに発光ドーパントを分散することで熱振動を抑制し、ｋｎｒが小さくなり、その反面ｋｒが大きくなっていると考えられる。
【００４５】
《有機ＥＬ素子の構成層》
有機ＥＬ素子の構成層について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。
（i）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（iv）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（V）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層／陰極
なお、阻止層としては正孔阻止層の他に、電子阻止層を用いることもできる。
【００４６】
複数の発光層が含まれる場合、該発光層間に非発光性の中間層を有してもよい。また、上記層構成の内、陽極および陰極を除く発光層を含む有機層を１つの発光ユニットとし、複数の発光ユニットを積層することが可能である。該複数の積層された発光ユニットにおいては、発光ユニット間に非発光性の中間層を有していてもよく、さらに中間層は電荷発生層を含んでいてもよい。
本発明の有機ＥＬ素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置あるいは表示装置であることが好ましい。すなわち、有機ＥＬ素子は白色に発光することが好ましい。
本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
【００４７】
《発光層》
発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子および正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは、５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。
【００４８】
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ  Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等を挙げることができる。）等により製膜して形成することができる。
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ドーパントと、ホストとを含有する。
【００４９】
＜発光ホスト（発光ホスト化合物、ホスト化合物ともいう）＞
本発明では、発光層のホスト材料に一般式（１）〜（４）のいずれかで表される化合物を含有することを特徴とする。
【００５０】
＜一般式（１）〜（４）で表される化合物＞
次に、一般式（１）〜（４）で表される化合物について説明する。
一般式（１）〜（４）で表される化合物は、非金属錯体化合物であって、ＨＯＭＯ値が−４．６０〜−５．１０ｅＶである。
【００５１】
本発明でいうＨＯＭＯ値は、米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ０３（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ｄ０２，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ  ａｌ，  Ｇａｕｓｓｉａｎ，  Ｉｎｃ．，  Ｗａｌｌｉｎｇｆｏｒｄ  ＣＴ，  ２００４．  ）を用いて求めた値である。
【００５２】
本発明の一般式（１）〜（４）で表される化合物、ホスト化合物、正孔輸送材料、電子輸送材料はキーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用い、リン光発光性ドーパント化合物はＢ３ＬＹＰ／ＬａｎＬ２ＤＺを用いて、対象とする分子構造の構造最適化を行うことによりＨＯＭＯ値を算出する(ｅＶ単位換算値)。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いことが知られている。
【００５３】
本発明の一般式（１）〜（４）で表される化合物のＨＯＭＯ値は、−４．６０〜−５．１０ｅＶである。
ＨＯＭＯの値を上記範囲としたのは、ＨＯＭＯの値が−５．１０ｅＶよりも深いと、発光層への正孔注入が著しく減少するため、効率・寿命が劣化する結果となるためである。一方、−４．６０ｅＶよりも浅いと、発光層のドーパントのホールトラップ性が強いために発光層／正孔輸送層界面にホールが溜まり易く、同じく効率・寿命が低下する結果となるためである。ＨＯＭＯ値は、好ましくは−４．７０〜−５．１０ｅＶである。
【００５４】
＜一般式（１）＞
【００５５】
【化９】
2014069637.tif 000011
【００５６】
一般式（１）において、Ｒ１１１およびＲ１１２は水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表し、一般式（１）で表される化合物はさらに置換基を有していてもよい。
【００５７】
一般式（１）においてＲ１１１、Ｒ１１２で表される芳香族炭化水素環基としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等から導出される１価の基が挙げられる。
【００５８】
一般式（１）においてＲ１１１、Ｒ１１２で表される芳香族複素環基としては、例えば、シロール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンズイミダゾール環、ベンズチアゾール環、ベンズオキサゾール環、キノリン環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、チエノチオフェン環、カルバゾール環、アザカルバゾール環（カルバゾール環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わったものを表す）、ジベンゾシロール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェン環やジベンゾフラン環を構成する炭素原子の任意の一つ以上が窒素原子で置き換わった環、ベンゾジフラン環、ベンゾジチオフェン環、アクリジン環、ベンゾキノリン環、フェナジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、サイクラジン環、キンドリン環、テペニジン環、キニンドリン環、トリフェノジチアジン環、トリフェノジオキサジン環、フェナントラジン環、アントラジン環、ペリミジン環、ナフトフラン環、ナフトチオフェン環、ナフトジフラン環、ナフトジチオフェン環、アントラフラン環、アントラジフラン環、アントラチオフェン環、アントラジチオフェン環、チアントレン環、フェノキサチイン環、ジベンゾカルバゾール環、インドロカルバゾール環、ジチエノベンゼン環等から導出される１価の基が挙げられる。
Ｒ１１１、Ｒ１１２で表される芳香族炭化水素環、芳香族複素環は、後記するＲ１１１、Ｒ１１２で表される化合物が有していてもよい置換基で置換されていてもよい。
その他、一般式（１）においてＲ１１１、Ｒ１１２で表される芳香族炭化水素環基あるいは芳香族複素環基としては、後記するＲ１１１、Ｒ１１２で表される化合物が有していてもよい置換基で説明したものを用いることができる。
【００５９】
一般式（１）においてＲ１１１、Ｒ１１２で表される化合物が有していてもよい置換基としては、例えば、水素原子、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、（ｔ）ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素環基（アリール基ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、複素環基（例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等）、芳香族複素環基（ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、インドロインドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等）、アルコキシル基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシル基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル��、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基またはアリールスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基）、アニリノ基、ジアリールアミノ基（例えば、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基等）、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ��等）、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、メルカプト基、アルキルシリル基またはアリールシリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、（ｔ）ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、（ｔ）ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基、２−ピリジルシリル基等）、アルキルホスフィノ基またはアリールホスフィノ基（ジメチルホスフィノ基、ジエチルホスフィノ基、ジシクロヘキシルホスフィノ基、メチルフェニルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、ジナフチルホスフィノ基、ジ（２−ピリジル）ホスホスフィノ基）、アルキルホスホリル基またはアリールホスホリル基（ジメチルホスホリル基、ジエチルホスホリル基、ジシクロヘキシルホスホリル基、メチルフェニルホスホリル基、ジフェニルホスホリル基、ジナフチルホスホリル基、ジ（２−ピリジル）ホスホリル基）、アルキルチオホスホリル基またはアリールチオホスホリル基（ジメチルチオホスホリル基、ジエチルチオホスホリル基、ジシクロヘキシルチオホスホリル基、メチルフェニルチオホスホリル基、ジフェニルチオホスホリル基、ジナフチルチオホスホリル基、ジ（２−ピリジル）チオホスホリル基）から選ばれる何れかの基を表す。なお、これらの置換基はさらに上記の置換基によって置換されていてもよいし、また、それらが互いに縮合してさらに環を形成してもよい。
さらに、好ましくはアルキル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、複素環基、シクロアルキル基である。
【００６０】
一般式（１）においては、Ｒ１１１、Ｒ１１２が、フェニル基、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェンまたはカルバゾールであることがより好ましい。
【００６１】
一般式（１）で表される化合物として、下記一般式（１１）〜（１３）で表される化合物が好ましい。
【００６２】
【化１０】
2014069637.tif 000012
【００６３】
【化１１】
2014069637.tif 000013
【００６４】
【化１２】
2014069637.tif 000014
【００６５】
一般式（１１）〜（１３）のＲ１１１、Ｒ１１２は、一般式（１）のＲ１１１、Ｒ１１２と同義である。
一般式（１１）〜（１３）において、Ｒ１１１、Ｒ１１２が、フェニル基、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、またはカルバゾールであることがより好ましい。
【００６６】
以下に、一般式（１）、（１１）〜（１３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６７】
【化１３】
2014069637.tif 000015
【００６８】
【化１４】
2014069637.tif 000016
【００６９】
【化１５】
2014069637.tif 000017
【００７０】
【化１６】
2014069637.tif 000018
【００７１】
【化１７】
2014069637.tif 000019
【００７２】
【化１８】
2014069637.tif 000020
【００７３】
＜一般式（２）、（３）＞
【００７４】
【化１９】
2014069637.tif 000021
【００７５】
【化２０】
2014069637.tif 000022
【００７６】
一般式（２）および一般式（３）において、Ｒ２１１およびＲ２１２はアルキル基、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基を表す。環Ｚ１〜Ｚ３は芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する残基を表し、置換基を有していてもよい。
【００７７】
一般式（２）、（３）におけるアルキル基、芳香族炭化水素環基あるいは芳香族複素環基としては、一般式（１）のＲ１１１、Ｒ１１２で説明したものと同義である。
環Ｚ１〜Ｚ３の置換基としては、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１１のシクロアルキル基、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環基または、炭素数３〜１１の芳香族複素環基を示す。環Ｚ２の置換基は、置換基が結合する環とともに、縮合環を形成してもよい。好ましくは、環Ｚ１〜Ｚ３が芳香族炭化水素環で、より好ましくはベンゼン環である。さらに好ましくは、環Ｚ１〜Ｚ３が、すべてベンゼン環である。
Ｒ２１１およびＲ２１２は、好ましくは芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基で、より好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環である。
【００７８】
下記に、一般式（２）または一般式（３）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【００７９】
【化２１】
2014069637.tif 000023
【００８０】
【化２２】
2014069637.tif 000024
【００８１】
【化２３】
2014069637.tif 000025
【００８２】
【化２４】
2014069637.tif 000026
【００８３】
【化２５】
2014069637.tif 000027
【００８４】
【化２６】
2014069637.tif 000028
【００８５】
【化２７】
2014069637.tif 000029
【００８６】
【化２８】
2014069637.tif 000030
【００８７】
【化２９】
2014069637.tif 000031
【００８８】
【化３０】
2014069637.tif 000032
【００８９】
【化３１】
2014069637.tif 000033
【００９０】
【化３２】
2014069637.tif 000034
【００９１】
【化３３】
2014069637.tif 000035
【００９２】
【化３４】
2014069637.tif 000036
【００９３】
【化３５】
2014069637.tif 000037
【００９４】
＜一般式（４）＞
【００９５】
【化３６】
2014069637.tif 000038
【００９６】
一般式（４）において、Ｒ３１１およびＲ３１２は水素原子、アリールシリル基、アリールホスホリル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、ジアリールアミノ基、または、アルキル基を表す。
Ｒ３１１およびＲ３１２は、アリールシリル基、アリールホスホリル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基のいずれかであることが好ましく、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基のいずれかであることがより好ましい。中でも酸素原子または硫黄原子を含む置換基であることが好ましい。
Ｒ３１１およびＲ３１２における、芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基としては、前記した一般式（１）のＲ１１１、Ｒ１１２で説明したものと同義である。特にジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基等が最も好ましい置換基として挙げられる。
また、アリールシリル基、アリールホスホリル基、ジアリールアミノ基、アルキル基としては、前記した一般式（１）のＲ１１１、Ｒ１１２で説明したものを用いることができる。
【００９７】
Ａ１〜Ａ８は各々独立にＣ−ＲｘまたはＮを表し、複数のＲｘはそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。Ｒｘは各々独立に水素原子または置換基を表す。
置換基としては、一般式（１）で挙げた置換基と同義である。
【００９８】
各々独立した複数のＲｘのうち、１つ以上が置換基であることが好ましく、さらに１つまたは２つが置換基であることがより好ましい。
複数のＲｘのうち１つ以上のＲｘが各々独立に置換基を表す場合、Ａ１、Ａ２、Ａ４のいずれか１つ以上がＣ−Ｒｘであることが好ましく、さらにはＡ１またはＡ２のいずれか１つ以上がＣ−Ｒｘであることが好ましく、特にＡ１がＣ−Ｒｘであることがより好ましい形態として挙げられる。
【００９９】
各々独立した複数のＲｘのうち１つ以上のＲｘが各々独立に置換基を表す場合、Ｒｘはアリールシリル基、アリールホスホリル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、ジアリールアミノ基のいずれかであることが好ましく、さらにはアリールシリル基、アリールホスホリル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基のいずれかであることが好ましく、中でも芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基のいずれかであることがより好ましく、芳香族複素環基であることが特に好ましい。中でも酸素原子または硫黄原子を含む置換基である場合には、高い電荷輸送能を有し電荷に対する耐久性が高いため好ましく、芳香族複素環基である場合には熱的安定性も高いため好ましい。特にジベンゾフリル基、ジベンゾチエニル基等が最も好ましい置換基として挙げられる。
【０１００】
また、Ｒｘで表される置換基はさらに置換されていることが好ましく、置換基としてはアリールシリル基、アリールホスホリル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、ジアリールアミノ基のいずれかであることが好ましく、さらにはアリールシリル基、アリールホスホリル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基のいずれかであることがより好ましく、中でも芳香族炭化水素環基または芳香族複素環基のいずれかであることが特に好ましい。
【０１０１】
本発明において、一般式（４）における複数のＲｘ、Ｒ３１１およびＲ３１２のうち何れか１つ以上は、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、インドロインドリル基、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基、アリールシリル基、アリールホスホリル基から選ばれる何れかの基であることが好ましい。
【０１０２】
下記に、一般式（４）で表される化合物の好ましい具体例を示すが、これらに限定されるものではない。なお、Ｒ３１１およびＲ３１２としては、前記以外の官能基であってもよく、その具体例も同時に示す。
【０１０３】
【化３７】
2014069637.tif 000039
【０１０４】
【化３８】
2014069637.tif 000040
【０１０５】
【化３９】
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【０１０６】
【化４０】
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【０１０７】
【化４１】
2014069637.tif 000043
【０１０８】
【化４２】
2014069637.tif 000044
【０１０９】
【化４３】
2014069637.tif 000045
【０１１０】
【化４４】
2014069637.tif 000046
【０１１１】
【化４５】
2014069637.tif 000047
【０１１２】
【化４６】
2014069637.tif 000048
【０１１３】
【化４７】
2014069637.tif 000049
【０１１４】
【化４８】
2014069637.tif 000050
【０１１５】
【化４９】
2014069637.tif 000051
【０１１６】
【化５０】
2014069637.tif 000052
【０１１７】
本発明の一般式（１）〜（４）で表わされる化合物以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、公知の発光ホストを複数種併用してもよい。
公知の発光ホストの具体例としては、以下の文献に記載の化合物が挙げられる。
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。
なお、本発明の有機ＥＬ素子の発光層の公知の発光ホストとして用いられる具体例としては、例えば、特開２０１２−１６４７３１号公報に記載のＯＣ−１〜ＯＣ３２の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
【０１１８】
＜発光ドーパント（発光性ドーパント、発光性ドーパント化合物、発光ドーパント化合物ともいう）＞
発光ドーパントについて説明する。
発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光性発光ドーパント（リン光ドーパント、リン光発光性ドーパント、リン光発光性ドーパント基、リン光発光性ドーパント化合物、リン光性発光ドーパント化合物、リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができる。
【０１１９】
（リン光性発光ドーパント）
リン光性発光ドーパントについて説明する。
リン光性発光ドーパント化合物は、励起三重項からの発光が観測される化合物である。具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、リン光性発光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【０１２０】
リン光性発光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、１つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こって発光性ホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光性発光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう１つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光性発光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光性発光ドーパント化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性発光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【０１２１】
ここで、本発明者らは、上記本発明の目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、有機ＥＬ素子の発光層の少なくとも１層に、溶液中の発光スペクトルにおいて、最も短波側にある発光極大波長が４７０ｎｍ以下、且つ、ＨＯＭＯ値が−４．５０〜−５．５０ｅＶのリン光性発光ドーパントを少なくとも１種含有させることで、有機ＥＬ素子の発光効率、寿命および駆動電圧の向上、素子の色域を向上させられることを明らかにした。
よって、本発明に用いるリン光性発光ドーパントは、少なくとも１種が、４００〜７００ｎｍの領域の溶液中の発光スペクトルにおいて、最も短波側にある発光極大波長が４７０ｎｍ以下、且つ、ＨＯＭＯ値が−４．５０〜−５．５０ｅＶの化合物である。
【０１２２】
本発明に用いるリン光性発光ドーパントは、溶液中の発光スペクトルにおいて、複数の発光ピークがある場合、最も短波側にある発光の発光極大波長（ピーク波長）を４７０ｎｍ以下とする。
発光極大波長が４７０ｎｍを超えると、高色温度の照明用途や色域の広いディスプレイに用いるのに不向きとなる。したがって、リン光性発光ドーパントの発光極大波長は、４７０ｎｍ以下とする。さらに効果を向上させるため、好ましくは４６０ｎｍ以下である。
溶液中の発光スペクトルは、例えば、無極性溶媒にドーパントを溶解した溶液に励起光を照射することにより得られる蛍光スペクトルから求めることができる。本発明では、２−メチルテトラヒドロフランにドーパントを溶解し、日立製Ｆ−４５００を用いて、４００〜７００ｎｍの領域の蛍光スペクトル測定を行った。
【０１２３】
本発明に用いるリン光性発光ドーパントのＨＯＭＯ値は、−４．５０〜−５．５０ｅＶである。リン光性発光ドーパントでのＨＯＭＯの値は、発光ホスト化合物で説明した計算方法で求めることができる。
ＨＯＭＯの値を上記範囲としたのは、ＨＯＭＯ値が−５．５０ｅＶよりも深いと、正孔輸送層から、発光層への正孔注入性が著しく減少するため、効率・寿命が劣化する結果となるためである。一方、ＨＯＭＯ値が−４．５０ｅＶよりも浅いと、発光極大波長を４７０ｎｍ以下の青色のリン光性発光ドーパントにするには、ドーパントのＬＵＭＯが浅くなったり、化合物が不安定になるためである。
【０１２４】
本発明において、好ましいリン光性発光ドーパントは、下記の一般式（５）で表される化合物である。
【０１２５】
【化５１】
2014069637.tif 000053
【０１２６】
一般式（５）において、ＭはＩｒ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ、ＡｇまたはＣｕを表し、Ｘ１およびＸ２は炭素原子または窒素原子を表し、環Ｚ１はＣ＝Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表し、環Ｚ２はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。
【０１２７】
環Ｚ１の６員の芳香族炭化水素環としては、例えばベンゼン環が挙げられる。５員または６員の芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、等が挙げられる。環Ｚ１、環Ｚ２は置換基を有してもよく、一般式（１）で挙げたものを用いることが出来る。
Ｌ'はＭに配位したモノアニオン性の二座配位子であり、ｍ’は０〜２の整数を表し、ｎ’は少なくとも１の整数であり、ｍ’＋ｎ’は２または３である。
【０１２８】
ここで、環Ｚ１は、置換または無置換のベンゼン環またはピリジン環、環Ｚ２は、置換または無置換のイミダゾール環、置換または無置換のピラゾール環、あるいは、置換または無置換のトリアゾール環を表すものであることが好ましい。
【０１２９】
一般式（５）で表される化合物として好ましいものは、下記一般式（６）、（７）、（８）で表される化合物である。
【０１３０】
【化５２】
2014069637.tif 000054
【０１３１】
一般式（６）において、Ｍ、Ｌ’、ｍ’、ｎ'は、一般式（５）と同義である。Ｒ１は電子吸引基を表し、Ｒ２は電子供与基またはＦを表す。Ｘ１およびＸ２は炭素原子または窒素原子を表し、環Ｚ２はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。電子吸引基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、フェニル基、アシル基等のケト基が挙げられ、電子供与基としては、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、アミノ基等が挙げられる。
【０１３２】
ここで、一般式（６）で表される化合物において、環Ｚ２は、置換または無置換のトリアゾール環を表すものであることが好ましい。
【０１３３】
【化５３】
2014069637.tif 000055
【０１３４】
一般式（７）において、Ｍ、Ｌ’、ｍ’、ｎ'は、一般式（５）と同義である。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５は、水素原子、置換基を表し、Ｒ４とＲ５は環を形成してもよい。環Ｚ１はＣ＝Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表す。
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５の置換基としては、一般式（１）で示した置換基と同義の基を表す。
【０１３５】
【化５４】
2014069637.tif 000056
【０１３６】
一般式（８）において、Ｍ、Ｌ’、ｍ’、n'は、一般式（５）と同義である。Ｘ１〜Ｘ４は、−ＣＲ６または窒素原子を表し、Ｘ３とＸ４が−ＣＲ６の場合、環を形成してもよい。環Ｚ３は、６員の芳香族炭化水素環、または５員または６員の芳香族複素環を表し、環Ｚ４はＸ１−Ｘ２と共に５員の複素環を表す。Ｒ６は炭素原子または窒素原子を表す。
【０１３７】
以下、一般式（５）〜（８）の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１３８】
【化５５】
2014069637.tif 000057
【０１３９】
【化５６】
2014069637.tif 000058
【０１４０】
【化５７】
2014069637.tif 000059
【０１４１】
【化５８】
2014069637.tif 000060
【０１４２】
【化５９】
2014069637.tif 000061
【０１４３】
本発明に関わるリン光性発光ドーパント以外に、以下の特許公報に記載されている化合物等を併用してもよい。
例えば、国際公開第００／７０６５５号、特開２００２−２８０１７８号公報、特開２００１−１８１６１６号公報、特開２００２−２８０１７９号公報、特開２００１−１８１６１７号公報、特開２００２−２８０１８０号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号、特開２００２−３３２２９１号公報、特開２００２−５０４８４号公報、特開２００２−３３２２９２号公報、特開２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００２−３３８５８８号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特開２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号、特開２００２−５０４８３号公報、特開２００２−１００４７６号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−３５９０８２号公報、特開２００２−１７５８８４号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００２−１８４５８２号公報、特開２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−２４１７５１号公報、特開２００１−３１９７７９号公報、特開２００１−３１９７８０号公報、特開２００２−６２８２４号公報、特開２００２−１００４７４号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００２−３４３５７２号公報、特開２００２−２０３６７８号公報等である。
【０１４４】
（蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう））
蛍光ドーパントとしては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。
また発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いてもよく、構造の異なるリン光性発光ドーパント同士の組み合わせや、リン光性発光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いてもよい。
【０１４５】
（再結合領域）
発光層全体の領域のうち、発光に寄与する領域（再結合領域）は、ΔＰＬ／ΔＥＬの値を算出してその算出結果から当該領域の広狭を推測することができる。
ΔＥＬ、ΔＰＬはそれぞれ駆動前後のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、フォトルミネッセンス（ＰＬ）の強度減衰率を表し、以下の式で表すことができる。
【０１４６】
ΔＥＬ＝１−［ＥＬ（駆動後）／ＥＬ（駆動前）］
ΔＰＬ＝１−［ＰＬ（駆動後）／ＰＬ（駆動前）］
【０１４７】
ＥＬ駆動では再結合領域でのみ発光が起きるのに対し、ＰＬ駆動では素子全体に光照射が行われるため発光は発光層の膜厚方向全体（層厚方向全体）で起きると考えられる。この測定条件として、ＰＬ駆動後のＰＬの値は、有機ＥＬ素子を、発光輝度が初期輝度から約半分になるまで駆動させた後（ΔＥＬが約０．５）の状態で測定する。ここでΔＰＬは発光層全体に対する再結合領域を表していることから、ΔＰＬ／ΔＥＬが小さい場合には発光に寄与する再結合領域が狭いと推測され、ΔＰＬ／ΔＥＬが大きい場合には発光に寄与する再結合領域が広いと推測される。
【０１４８】
これらを模式的に説明すると下記のとおりである。
図１は発光層１００における層厚方向の各領域を示す模式図であり、同図中の左右方向が層厚方向に対応している。
図１（ａ）に示すとおり、発光層１００は、発光に寄与する領域（再結合領域Ｔ１）と、発光に寄与しない領域Ｔ２とに、区画される。
したがって、「駆動前のＥＬ」は再結合領域Ｔ１が測定対象となる。
他方、上記のとおり、ＰＬ駆動では素子全体に光照射がおこなわれるため、「駆動前のＰＬ」は、発光層全体を表す領域Ｔ３が測定対象となる。
その後、発光輝度が初期輝度からその約半分になるまでＥＬ駆動させると（ΔＥＬが約０．５）、図１（ｂ）に示すとおり、再結合領域Ｔ１中の約半分の領域で発光しなくなると考えられ、これを模式的に表現すると再結合領域Ｔ１中に非発光領域Ｔ４が形成されているように考えられる。
したがって、「駆動後のＥＬ」は、再結合領域Ｔ１から非発光領域Ｔ４を差し引いた領域Ｔ５が測定対象となる。
他方、「駆動後のＰＬ」は、再結合領域Ｔ１中に非発光領域Ｔ４が形成されたことに伴い、発光層全体を表す領域Ｔ３から非発光領域Ｔ４を差し引いた残りの領域Ｔ６が測定対象となる。
【０１４９】
ΔＰＬ／ΔＥＬが小さい場合、ΔＥＬが約０．５で固定されるため、「ΔＰＬ」が小さいことになる。ΔＰＬが小さい場合、「１−［ＰＬ（駆動後）／ＰＬ（駆動前）］」が小さいことになる。｛１−［ＰＬ（駆動後）／ＰＬ（駆動前）］｝が小さい場合、駆動前のＰＬは発光層全体の領域Ｔ３が測定対象となり固定されるため、「ＰＬ（駆動後）」が大きいことになる。ＰＬ（駆動後）が大きい場合、駆動後のＰＬは領域Ｔ６が測定対象となることから、領域Ｔ６の領域が広いことにつながる。
したがって、ΔＰＬ／ΔＥＬが小さい場合は領域Ｔ６の領域が広くなり、図１（ｃ）に示すとおり、もとの再結合領域Ｔ１は「狭い」と結論付けることができる。逆に、ΔＰＬ／ΔＥＬが大きい場合は領域Ｔ６の領域が狭くなり、図１（ｄ）に示すとおり、もとの再結合領域Ｔ１は「広い」と結論付けることができる。
【０１５０】
＜注入層：正孔注入層（陽極バッファー層）、電子注入層（陰極バッファー層）＞
注入層とは、必要に応じて、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３頁〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。
【０１５１】
陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体層等が挙げられる。
【０１５２】
陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウム、フッ化ナトリウムやフッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
また、陽極バッファー層および陰極バッファー層に用いられる材料は、他の材料と併用して用いることも可能であり、例えば正孔輸送層や電子輸送層中に混合して用いることも可能である。
【０１５３】
＜阻止層：正孔阻止層、電子阻止層＞
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、および「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述の電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【０１５４】
正孔阻止層には、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体（ここで、アザカルバゾール誘導体とは、カルバゾール環を構成する炭素原子の１つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す）、ピリジン誘導体等、含窒素化合物を含有することが好ましい。
また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層（最短波層）が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましい。そしてこのような場合、該最短波層とこの最短波層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。
本発明に用いることができる正孔阻止層、電子阻止層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは３ｎｍ〜３０ｎｍである。
【０１５５】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。
正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０１５６】
芳香族第３級アミン化合物およびスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０１５７】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。
【０１５８】
正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。
また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０１５９】
＜電子輸送層＞
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層もしくは複数層を設けることができる。電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料、電子注入材料も含む）としては陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、電子輸送層の構成材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して、単独または組み合わせて用いることが可能である。
【０１６０】
電子輸送層に用いられる従来公知の材料（以下、電子輸送材料という）の例としては、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、ナフタレンペリレン等の複素環テトラカルボン酸無水物、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタンおよびアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、カルボリン誘導体、を含むアザカルバゾール誘導体等が挙げられる。
ここで、アザカルバゾール誘導体とは、カルバゾール環を構成する炭素原子の１つ以上が窒素原子で置き換わったものを示す。
さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引性基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も電子輸送材料として用いることができる。
これらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１６１】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、およびこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き換わった金属錯体も電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも電子輸送材料として用いることができる。
また、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１６２】
電子輸送層は電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ  Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等を挙げることができる。））等により、薄膜化することにより形成することが好ましい。
【０１６３】
電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５０００ｎｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この電子輸送層は上記材料の一種または二種以上からなる一層構造であってもよい。
また、金属錯体やハロゲン化金属等、金属化合物等のｎ型ドーパントをドープして用いてもよい。
【０１６４】
電子輸送層の形成に好ましく用いられる従来公知の化合物（電子輸送材料）としては、例えば、特開２０１２−１６４７３１号公報に記載のＥＴ−１−ＥＴ−４３の化合物が挙げられるが、これらに限定されない。
【０１６５】
＜陽極＞
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。
また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１０００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１６６】
＜陰極＞
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物およびこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。
このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。
これらの中で、電子注入性および酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【０１６７】
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【０１６８】
《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。
好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０１６９】
《有機ＥＬ素子の製造方法》
有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、陽極／正孔注入層（陽極バッファー層）／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層（陰極バッファー層）／陰極からなる素子の製造方法について説明する。
【０１７０】
まず、適当な基体上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように形成させ、陽極を作製する。
次に、この上に素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等の有機化合物を含有する薄膜を形成させる。
薄膜の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう）等により成膜して形成することができる。
【０１７１】
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法等があるが、精密な薄膜が形成可能で、且つ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法等のロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。また、層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。
【０１７２】
本発明に用いることができる有機ＥＬ材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【０１７３】
これらの層の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。
また、順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。
本発明の有機ＥＬ素子の作製は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１７４】
《封止》
本発明に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また透明性、電気絶縁性は特に問わない。具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。
【０１７５】
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。
これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【０１７６】
《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。
【０１７７】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。
【０１７８】
本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、さらに高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
【０１７９】
《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【０１８０】
なお、前記した「有機ＥＬ素子を構成する各層」についての本発明の特徴的部分以外や、「支持基板」、「封止」、「保護膜、保護板」、「光取り出し」、「集光シート」等についてのその他の詳細については、例えば、特開２０１２−１６４７３１号公報、特開２０１２−１５６２９９号公報等の公知文献に記載のものと同様とすることができる。
【０１８１】
また、前記した化合物例１−１〜１−４０、２１−１〜２６−２１、４−１〜４−１５５等の合成は、例えば、国際公開第２００８／０５６７４６号、米国特許出願公開第２０１１/０２６０１３８号明細書、特願２０１１−１９５３３１等を参考に合成することができる。また、ＤＰ−１〜ＤＰ−３１等の合成は、国際公開第２００８／１４００６９号等を参考に合成することができる。
【０１８２】
《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【０１８３】
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。
【０１８４】
また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることを言う。
【０１８５】
《表示装置》
本発明の表示装置について説明する。本発明の表示装置は、本発明の有機ＥＬ素子を備えたものである。
本発明の表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。
【０１８６】
多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。
表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。
また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。
【０１８７】
得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２Ｖ〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
【０１８８】
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。
発光光源としては家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１８９】
以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図２は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
【０１９０】
ディスプレイ１は複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ等からなる。
制御部Ｂは表示部Ａと電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線毎の画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
【０１９１】
図３は表示部Ａの模式図である。
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５およびデータ線６を含む配線部と複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
図においては、画素３の発光した光が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
【０１９２】
配線部の走査線５および複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
画素３は走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０１９３】
次に、画素の発光プロセスを説明する。
図４は画素の模式図である。
画素は有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサ１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色、青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
【０１９４】
図４において、制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサ１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。
【０１９５】
画像データ信号の伝達により、コンデンサ１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
【０１９６】
制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。
しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサ１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。
順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
即ち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
【０１９７】
ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサ１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
【０１９８】
図５は図３の表示部Ａに係るパッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図５において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
【０１９９】
《照明装置》
本発明の照明装置について説明する。本発明の照明装置は、本発明の有機ＥＬ素子を備えたものである。
本発明の有機ＥＬ素子に共振器構造を持たせた有機ＥＬ素子として用いてもよく、このような共振器構造を有した有機ＥＬ素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機ＥＬ素子は照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置（ディスプレイ）として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。または、異なる発光色を有する本発明の有機ＥＬ素子を２種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
【０２００】
また、本発明の有機ＥＬ材料は照明装置として、実質白色の発光を生じる有機ＥＬ素子に適用できる。複数の発光材料により複数の発光色を同時に発光させて混色により白色発光を得る。
複数の発光色の組み合わせとしては、青色、緑色、青色の３原色の３つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した２つの発光極大波長を含有したものでもよい。
また、複数の発光色を得るための発光材料の組み合わせは、複数のリン光または蛍光で発光する材料を複数組み合わせたもの、蛍光またはリン光で発光する発光材料と、発光材料からの光を励起光として発光する色素材料との組み合わせたもののいずれでもよいが、本発明に係る白色有機ＥＬ素子においては、発光ドーパントを複数組み合わせ混合するだけでよい。
【０２０１】
発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよく、他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で例えば電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機ＥＬ装置と異なり、素子自体が発光白色である。
発光層に用いる発光材料としては特に制限はなく、例えば、液晶表示素子におけるバックライトであれば、ＣＦ（カラーフィルター）特性に対応した波長範囲に適合するように、本発明に係る金属錯体、また公知の発光材料の中から任意のものを選択して組み合わせて白色化すればよい。
【０２０２】
《本発明の照明装置の一態様》
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図６、図７に示すような照明装置を形成することができる。
図６は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行った。）。
図７は、照明装置の断面図を示し、図７において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極（陽極）付きガラス基板を示す。
なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
【０２０３】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
また、実施例に用いる化合物の構造を以下に示す。なお、その他の化合物については、本件明細書中に記載のものである。
【０２０４】
【化６０】
2014069637.tif 000062
【０２０５】
【化６１】
2014069637.tif 000063
【０２０６】
【化６２】
2014069637.tif 000064
【実施例１】
【０２０７】
《有機ＥＬ素子１−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２０８】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｈ．Ｃ．  スタルク社製、ＣＬＥＶＩＯ  Ｐ  ＶＰ  ＡＩ  ４０８３）を純水で７０％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、膜厚２０ｎｍの正孔注入層を設けた。【０２０９】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として１−１２（WO2011/122132に記載の化合物（１）と同一。以下、１−１２と記載する。）を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料としてＥＴ−８を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物として化合物（ＤＰ−ＢＬ１）を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに正孔輸送材料としてＴＰＤを１００ｍｇ入れ、また別のモリブデン製抵抗加熱ボートに陰極バッファー材料としてフッ化リチウムを１００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。【０２１０】
次いで真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＴＰＤの入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記正孔注入層上に膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
さらに、ホスト化合物として１−１２とドーパント化合物として化合物（ＤＰ−ＢＬ１）の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０２５ｎｍ／秒で前記正孔輸送層上に共蒸着して膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。
さらにＥＴ−８入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着して膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。
引き続き、フッ化リチウムを蒸着して膜厚０．５ｎｍの陰極バッファー層を形成し、さらにアルミニウムを蒸着して膜厚１１０ｎｍの陰極を形成し、比較の有機ＥＬ素子１−１を作製した。【０２１１】
《有機ＥＬ素子１−２〜１−１５の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、発光層のドーパント化合物および、ホスト化合物を、表１に記載の化合物に変更する以外は、同様な方法で有機ＥＬ素子１−２〜１−１５を作製した。【０２１２】
《有機ＥＬ素子１−１〜１−１５の評価》
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−１５を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚み３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを上記陰極上に重ねて前記透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して硬化させて封止し、図６および図７に示すような照明装置を作製して評価した。
このようにして作製した各サンプルについて下記の評価を行った。評価結果を表１に示す。【０２１３】
（１）外部取り出し量子効率（単に、ＥＱＥともいう）
有機ＥＬ素子を室温（約２３〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ２］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。
ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いて行い、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。
値が大きいほど、効率が高く好ましい。【０２１４】
（２）半減寿命
下記に示す測定法に従って、半減寿命の評価を行った。
各有機ＥＬ素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の１／２（５００ｃｄ／ｍ２）になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。
なお、半減寿命は有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。
値が大きいほど、長寿命で好ましい。【０２１５】
（３）駆動電圧
有機ＥＬ素子を室温（約２３℃〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下により駆動した時の電圧を各々測定し有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。
値が小さいほど、駆動電圧が低く好ましい。【０２１６】
（４）加熱時のＥＱＥ低下率
有機ＥＬ素子を２０℃、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ２］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η@２０℃）を算出した。さらに、温度を５０℃とし、同様に外部取り出し量子効率（η@５０℃）を算出した。
これらの数値から以下のように算出した値を、加熱時のＥＱＥ低下率の尺度とした。
加熱時のＥＱＥ低下率  ＝  ［（η@２０℃−η@５０℃）／η@２０℃］×１００
ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング（株）製）を用いて行い、外部取り出し効率が２０℃と５０℃で変化しない場合には、０となる。
加熱時のＥＱＥ低下率は数値が小さいほど、ＥＱＥが安定で好ましい。【０２１７】
なお、素子色度は、２度視野角正面輝度をＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング（株）製）を用いて測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度である。
また、発光領域（再結合領域）の測定については、以下のとおりである。【０２１８】
各サンプルを、正面の発光輝度が初期輝度からその約半分になるまで電気駆動させ（この状態をΔＥＬ＝０．５と目標設定する。）、その駆動前後でフォトルミネッセンスのスペクトルを測定して発光極大の強度を算出して減衰率（ΔＰＬ）を算出した。
「ΔＥＬ」は駆動前後のエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）の強度減衰率を示し、「ΔＰＬ」は駆動前後のフォトルミネッセンス（ＰＬ）の強度減衰率を示す。
具体的に、ΔＥＬおよびΔＰＬの各値は下記の式で表される。【０２１９】
ΔＥＬ＝１−［ＥＬ（駆動後）／ＥＬ（駆動前）］
ΔＰＬ＝１−［ＰＬ（駆動後）／ＰＬ（駆動前）］【０２２０】
ＰＬのスペクトル測定にはＵＳＢ２０００（Ｏｃｅａｎ  Ｏｐｔｉｃｓ製）を用い、当該スペクトル測定は室温（２３℃）、励起波長３６５ｎｍの条件でおこなった。駆動後のスペクトル測定は、ＥＬの初期輝度が約半分になるまで駆動させた後、その時点から２時間以内におこなった。
その後、ΔＰＬとΔＥＬとの各値の比（ΔＰＬ／ΔＥＬ）を算出した。
算出結果を表１に示す。
なお、発光領域は有機ＥＬ素子１−１の発光領域を１００と設定する相対値で表した。【０２２１】
【表１】
2014069637.tif 000065
【０２２２】
表１から、本発明の有機ＥＬ素子１−５、１−７〜１−１０、1−１３〜１−１５は、各々高い発光効率および長寿命を示すとともに、駆動電圧が低く、素子としての特性が向上していることが分かる。また、本発明に係るホスト化合物を用いたものは、加熱時のＥＱＥ低下率が低いことが分かる。また、発光ドーパントとホスト材料のＨＯＭＯレベルを、本発明の関係にすることで、素子特性が向上していることが分かる。
【実施例２】
【０２２３】
《有機ＥＬ素子２−１〜２−１５の作製》
実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、正孔注入層を設けず真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、正孔輸送材料をα−ＮＰＤに変更し、電子輸送材料をＡｌｑ３に変更し、発光層のドーパント化合物およびホスト化合物を、表２に記載の化合物に変更する以外は、同様な方法で有機ＥＬ素子２−１〜２−１５を作製した。【０２２４】
得られた有機ＥＬ素子２−１〜２−１５は、実施例１と同様な方法で、（１）外部取り出し量子効率（単に、ＥＱＥともいう）、（２）半減寿命、（３）駆動電圧および（４）加熱時のＥＱＥ低下率の評価を行い、加熱時のＥＱＥ低下率以外は、各々有機ＥＬ素子２−１を１００とする相対値で表わした。また、実施例１と同様な方法で、素子色度および発光領域を測定した。なお、発光領域は有機ＥＬ素子２−１の発光領域を１００と設定する相対値で表した。【０２２５】
【表２】
2014069637.tif 000066
【０２２６】
表２から、本発明の有機ＥＬ素子２−７〜２−１２は、各々高い発光効率および長寿命を示すとともに、駆動電圧が低く、素子としての特性が向上していることが分かる。また、本発明に係るホスト化合物を用いたものは、加熱時のＥＱＥ低下率が低いことが分かる。また、発光ドーパントとホスト材料のＨＯＭＯレベルを、本発明の関係にすることで、素子特性が向上していることが分かる。
【実施例３】
【０２２７】
有機ＥＬ素子２−１のα−ＮＰＤの蒸着膜をＨＴＭ１：Ｆ４−ＴＣＮＱ＝９７：３の共蒸着膜に変更し、Ａｌｑ３の蒸着膜をＢＰｈｅｎ：Ｃｓ＝１：１の共蒸着膜に変更し、ＬｉＦを蒸着しなかった以外、全く同様に有機ＥＬ素子３−１〜３−１２を作製した。【０２２８】
得られた有機ＥＬ素子３−１〜３−１２は、実施例１と同様な方法で、（１）外部取り出し量子効率（単に、ＥＱＥともいう）、（２）半減寿命、（３）駆動電圧および（４）加熱時のＥＱＥ低下率の評価を行い、加熱時のＥＱＥ低下率以外は、各々有機ＥＬ素子３−１を１００とする相対値で表わした。また、実施例１と同様な方法で、素子色度および発光領域を測定した。なお、発光領域は有機ＥＬ素子３−１の発光領域を１００と設定する相対値で表した。【０２２９】
【表３】
2014069637.tif 000067
【０２３０】
表３から、本発明の有機ＥＬ素子３−７〜３−１１は、各々高い発光効率および長寿命を示すとともに、駆動電圧が低く、素子としての特性が向上していることが分かる。また、本発明に係るホスト化合物を用いたものは、加熱時のＥＱＥ低下率が低いことが分かる。また、発光ドーパントとホスト材料のＨＯＭＯレベルを、本発明の関係にすることで、素子特性が向上していることが分かる。
【実施例４】
【０２３１】
実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、正孔注入層を設けず真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＨＴ−３０の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、透明支持基板に蒸着し厚さ１０ｎｍの正孔注入層を設けた。正孔輸送材料をα−ＮＰＤに変更した以外、全く同様に有機ＥＬ素子４−１〜４−１１を作製した。【０２３２】
得られた有機ＥＬ素子４−１〜４−１１は、実施例１と同様な方法で、（１）外部取り出し量子効率（単に、ＥＱＥともいう）、（２）半減寿命、（３）駆動電圧および（４）加熱時のＥＱＥ低下率の評価を行い、加熱時のＥＱＥ低下率以外は、各々有機ＥＬ素子４−１を１００とする相対値で表わした。また、実施例１と同様な方法で、素子色度および発光領域を測定した。なお、発光領域は有機ＥＬ素子４−１の発光領域を１００と設定する相対値で表した。【０２３３】
【表４】
2014069637.tif 000068
【０２３４】
表４から、本発明の有機ＥＬ素子４−７〜４−１０は、各々高い発光効率および長寿命を示すとともに、駆動電圧が低く、素子としての特性が向上していることが分かる。また、本発明に係るホスト化合物を用いたものは、加熱時のＥＱＥ低下率が低いことが分かる。また、発光ドーパントとホスト材料のＨＯＭＯレベルを、本発明の関係にすることで、素子特性が向上していることが分かる。
【実施例５】
【０２３５】
《白色発光有機ＥＬ素子５−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２３６】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔輸送材料としてα−ＮＰＤを２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物として比較化合物Ｈ−１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料としてＥＴ−８を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物としてＤＰ−ＢＬ１を１００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパント化合物としてＤ−１を１００ｍｇ入れ真空蒸着装置に取り付けた。【０２３７】
次いで真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、α−ＮＰＤの入った前記加熱ボートを通電して、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
さらに、ホスト化合物として比較化合物Ｈ−１とドーパント化合物として、ＤＰ−ＢＬ１、Ｄ−１の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、それぞれの蒸着速度が１００：５：０．６になるように調整し、膜厚４０ｎｍの発光層を設けた。
さらにＥＴ−８の入った前記加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で前記発光層上に蒸着して膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。
なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０２３８】
引き続き、フッ化リチウムを蒸着して膜厚０．５ｎｍの陰極バッファー層を形成し、さらにアルミニウムを蒸着して膜厚１１０ｎｍの陰極を形成し、有機ＥＬ素子５−１を作製した。
作製した有機ＥＬ素子５−１に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが分かった。【０２３９】
《有機ＥＬ素子５−２〜５−６の作製》
有機ＥＬ素子５−１の作製において、発光層に用いるホストの比較化合物Ｈ−１と、ドーパント化合物ＤＰ−ＢＬ１を、表５に示す化合物に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子５−２〜５−６を各々作製した。なお、ドーパント化合物にはＤ−１も含まれる。作製した有機ＥＬ素子５−２〜５−６に通電したところほぼ白色の光が得られ、照明装置として使用出来ることが分かった。【０２４０】
また、得られた有機ＥＬ素子５−１〜５−６は、実施例１と同様な方法で、（１）外部取り出し量子効率（単に、ＥＱＥともいう）、（２）半減寿命、（３）駆動電圧および（４）加熱時のＥＱＥ低下率の評価を行い、加熱時のＥＱＥ低下率以外は、各々有機ＥＬ素子５−１を１００とする相対値で表わした。また、実施例１と同様な方法で、発光領域を測定した。なお、発光領域は有機ＥＬ素子５−１の発光領域を１００と設定する相対値で表した。【０２４１】
【表５】
2014069637.tif 000069
【０２４２】
表５から、本発明の有機ＥＬ素子５−２〜５−６は、各々高い発光効率および長寿命を示すとともに、駆動電圧が低く、素子としての特性が向上していることが分かる。また、本発明に係るホスト化合物を用いたものは、加熱時のＥＱＥ低下率が低いことが分かる。また、発光ドーパントとホスト材料のＨＯＭＯレベルを、本発明の関係にすることで、素子特性が向上していることが分かる。
【実施例６】
【０２４３】
《有機ＥＬフルカラー表示装置の作製》
図８は、有機ＥＬフルカラー表示装置の概略構成図を示す。
ガラス基板２０１上に、陽極としてＩＴＯ透明電極２０２を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）に１００μｍのピッチでパターニングを行った後（図８（ａ）参照）、このガラス基板２０１上であってＩＴＯ透明電極２０２の間に非感光性ポリイミドの隔壁２０３（幅２０μｍ、厚さ２．０μｍ）をフォトリソグラフィーで形成した（図８（ｂ）参照）。【０２４４】
ＩＴＯ透明電極２０２上であって隔壁２０３同士の間に下記組成の正孔注入層組成物を、インクジェットヘッド（エプソン社製；ＭＪ８００Ｃ）を用いて吐出注入し、紫外光を２００秒間照射し、６０℃、１０分間の乾燥処理により、膜厚４０ｎｍの正孔注入層２０４を設けた（図８（ｃ）参照）。【０２４５】
この正孔注入層２０４上に、各々下記組成の青色発光層組成物、緑色発光層組成物、赤色発光層組成物を同様にインクジェットヘッドを使用して吐出注入し、６０℃、１０分間乾燥処理し、各色の発光層２０５Ｂ，２０５Ｇ，２０５Ｒを設けた（図８（ｄ）参照）。
次に、各発光層２０５Ｂ，２０５Ｇ，２０５Ｒを覆うように電子輸送材料を蒸着して膜厚２０ｎｍの電子輸送層（図示略）を設け、更にフッ化リチウムを蒸着して膜厚０．６ｎｍの陰極バッファー層（図示略）を設け、Ａｌを蒸着して膜厚１３０ｎｍの陰極２０６を設けて有機ＥＬ素子を作製した（図８（ｅ）参照）。
作製した有機ＥＬ素子はそれぞれ電極に電圧を印加することにより青色、緑色、赤色の発光を示し、フルカラー表示装置として利用できることがわかった。【０２４６】
（正孔注入層組成物）
１−１２  ２０質量部
シクロヘキシルベンゼン  ５０質量部
イソプロピルビフェニル  ５０質量部【０２４７】
（青色発光層組成物）
ホスト化合物（１−１２）    ０．７質量部    ホスト
ＤＰ−１                ０．０４質量部  ドーパント
シクロヘキシルベンゼン  ５０質量部
イソプロピルビフェニル  ５０質量部【０２４８】
（緑色発光層組成物）
ホスト化合物（Ｈ−１）    ０．７質量部
Ｄ−２  ０．０４質量部          
シクロヘキシルベンゼン  ５０質量部
イソプロピルビフェニル  ５０質量部【０２４９】
（赤色発光層組成物）
ホスト化合物  （Ｈ−１）    ０．７質量部
Ｄ−１  ０．０４質量部
シクロヘキシルベンゼン  ５０質量部
イソプロピルビフェニル  ５０質量部【０２５０】
以上のとおり、本発明の有機ＥＬ素子は、ドーパントの発光極大波長や素子色度が要求特性を満たしながら、ＥＱＥや寿命、駆動電圧等の性能が出ている。ドーパントの発光極大波長（発光スペクトル）が短波なものほどドーパント材料が不安定になりやすく、ＥＱＥや寿命、駆動電圧等の性能が出なくなることが知られているため、これらが同等性能であっても、本発明のように短波である方が利得があるといえる。
【符号の説明】
【０２５１】
１  ディスプレイ
３  画素
５  走査線
６  データ線
７  電源ライン
１０  有機ＥＬ素子
１１  スイッチングトランジスタ
１２  駆動トランジスタ
１３  コンデンサ
１００  発光層
１０１  有機ＥＬ素子
１０２  ガラスカバー
１０５  陰極
１０６  有機ＥＬ層
１０７  透明電極付きガラス基板
１０８  窒素ガス
１０９  捕水剤
２０１  ガラス基板
２０２  ＩＴＯ透明電極
２０３  隔壁
２０４  正孔注入層
２０５Ｂ、２０５Ｇ、２０５Ｒ  発光層
２０６  陰極
Ａ  表示部
Ｂ  制御部
Ｔ１  再結合領域
Ｔ２  発光に寄与しない領域
Ｔ４  非発光領域
Ｔ３，Ｔ５，Ｔ６  領域
【図１】
2014069637.tif 000079
【図２】
2014069637.tif 000080
【図３】
2014069637.tif 000081
【図４】
2014069637.tif 000082
【図５】
2014069637.tif 000083
【図６】
2014069637.tif 000084
【図７】
2014069637.tif 000085
【図８】
2014069637.tif 000086
【国際調査報告】
2014069637.tif 000087
2014069637.tif 000088
2014069637.tif 000089
2014069637.tif 000090