【手続補正書】
【提出日】平成27年6月17日(2015.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第１重畳領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、
前記低抵抗領域と前記第１重畳領域との間に第１離間領域を有する
トランジスタを備えた
半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極の側面および前記ゲート電極と酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜の側面に第１側壁を有し、前記第１側壁は前記酸化物半導体膜の第１離間領域に接している
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート電極の、前記ゲート絶縁膜と反対の面に第１耐エッチング膜を有する
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１耐エッチング膜はドライエッチングに対して前記ゲート電極よりも高いエッチング耐性を有する
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１耐エッチング膜の平面形状は前記ゲート電極と同一である
請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１耐エッチング膜は酸化物を含む
請求項３記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１耐エッチング膜は酸化インジウムスズ，酸化インジウム亜鉛または酸化インジウムガリウム亜鉛を含む
請求項３記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ゲート電極は、チタンと、アルミニウムまたは銅と、モリブデンまたは窒化モリブデンとを含む
請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１側壁は、酸化シリコン，酸窒化シリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれか１つを含む
請求項２記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記酸化物半導体膜の第１重畳領域を覆うチャネル保護膜および前記チャネル保護膜の側面を覆う第２側壁を有する
請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記チャネル保護膜の、前記酸化物半導体膜と反対の面に第２耐エッチング膜を有する
請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記低抵抗領域に接する高抵抗膜を有する
請求項１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１重畳領域を間にして、一対の前記低抵抗領域を有する
請求項１記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記トランジスタの酸化物半導体膜を共有する容量素子を含む
請求項１記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記容量素子は、容量絶縁膜を間に前記酸化物半導体膜に対向する一方の電極を含むと共に、前記一方の電極に重なる前記酸化物半導体膜の第２重畳領域と前記低抵抗領域との間の第２離間領域を有し、
前記一方の電極の側面および前記容量絶縁膜の側面の第３側壁は、前記第２離間領域に接している
請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記容量素子の一方の電極は前記ゲート電極と、前記容量絶縁膜は前記ゲート絶縁膜とそれぞれ同層に設けられ、
前記容量素子の他方の電極は前記酸化物半導体膜である
請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記容量素子は、前記酸化物半導体膜と前記容量絶縁膜との間に導電膜を有する
請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１８】
表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第１重畳領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、
前記低抵抗領域と前記第１重畳領域との間に第１離間領域を有する
表示装置。
【請求項１９】
前記表示素子として有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を有する
請求項１８記載の表示装置。
【請求項２０】
表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを有する表示装置を備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第１重畳領域を有する酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、
前記低抵抗領域と前記第１重畳領域との間に第１離間領域を有する
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次いで、図７Ｃに示したように、例えば２００℃程度の温度で熱処理を行うことにより金属膜１７Ａが酸化され、これによって高抵抗膜１７が形成される。この際、酸化物半導体膜１２のうち高抵抗膜１７が接する部分、即ち側壁１６Ｔ，１６Ｃに隣接する位置に低抵抗領域１２Ｂが形成される。換言すれば、側壁１６Ｔ，１６Ｃによって重畳領域１２ＴＡ，１２ＣＡと低抵抗領域１２Ｂとの間に離間領域１２ＴＢ，１２ＣＢが形成される。低抵抗領域１２Ｂは、例えば酸化物半導体膜１２の厚み方向（Ｚ方向）の一部（高抵抗膜１７側）に設けられる。この金属膜１７Ａの酸化反応には、酸化物半導体膜１２に含まれる酸素の一部が利用されるため、金属膜１７Ａの酸化の進行に伴って、酸化物半導体膜１２では、その金属膜１７Ａと接する表面（上面）側から酸素濃度が低下していく。一方、金属膜１７Ａからアルミニウム等の金属が酸化物半導体膜１２中に拡散する。この金属元素がドーパントとして機能し、金属膜１７Ａと接する酸化物半導体膜１２の上面側の領域が低抵抗化される。これにより、重畳領域１２ＴＡ，１２ＣＡよりも電気抵抗の低い低抵抗領域１２Ｂが自己整合的に形成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）ゲート電極と、前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第１重畳領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、前記低抵抗領域と前記第１重畳領域との間に第１離間領域を有するトランジスタを備えた半導体装置。
（２）前記ゲート電極の側面および前記ゲート電極と酸化物半導体膜との間のゲート絶縁膜の側面に第１側壁を有し、前記第１側壁は前記酸化物半導体膜の第１離間領域に接している前記（１）記載の半導体装置。
（３）前記ゲート電極の、前記ゲート絶縁膜と反対の面に第１耐エッチング膜を有する前記（２）記載の半導体装置。
（４）前記第１耐エッチング膜はドライエッチングに対して前記ゲート電極よりも高いエッチング耐性を有する前記（３）記載の半導体装置。
（５）前記第１耐エッチング膜の平面形状は前記ゲート電極と同一である前記（３）または（４）記載の半導体装置。
（６）前記第１耐エッチング膜は酸化物を含む前記（３）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
（７）前記第１耐エッチング膜は酸化インジウムスズ，酸化インジウム亜鉛または酸化インジウムガリウム亜鉛を含む前記（３）乃至（６）のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
（８）前記ゲート電極は、チタンと、アルミニウムまたは銅と、モリブデンまたは窒化モリブデンとを含む前記（１）乃至（７）のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
（９）前記第１側壁は、酸化シリコン，酸窒化シリコンおよび窒化シリコンの少なくともいずれか１つを含む前記（２）記載の半導体装置。
（１０）前記酸化物半導体膜の第１重畳領域を覆うチャネル保護膜および前記チャネル保護膜の側面を覆う第２側壁を有する前記（１）記載の半導体装置。
（１１）前記チャネル保護膜の前記酸化物半導体膜と反対の面に第２耐エッチング膜を有する前記（１０）記載の半導体装置。
（１２）前記低抵抗領域に接する高抵抗膜を有する前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
（１３）前記第１重畳領域を間にして、一対の前記低抵抗領域を有する前記（１）乃至（１２）のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
（１４）前記トランジスタの酸化物半導体膜を共有する容量素子を含む前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
（１５）前記容量素子は、容量絶縁膜を間に前記酸化物半導体膜に対向する一方の電極を含むと共に、前記一方の電極に重なる前記酸化物半導体膜の第２重畳領域と前記低抵抗領域との間の第２離間領域を有し、前記一方の電極の側面および前記容量絶縁膜の側面の第３側壁は、前記第２離間領域に接している前記（１４）記載の半導体装置。
（１６）前記容量素子の一方の電極は前記ゲート電極と、前記容量絶縁膜は前記ゲート絶縁膜とそれぞれ同層に設けられ、前記容量素子の他方の電極は前記酸化物半導体膜である前記（１５）記載の半導体装置。
（１７）前記容量素子は、前記酸化物半導体膜と前記容量絶縁膜との間に導電膜を有する
前記（１５）に記載の半導体装置。
（１８）表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを備え、前記トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第１重畳領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、前記低抵抗領域と前記第１重畳領域との間に第１離間領域を有する表示装置。
（１９）前記表示素子として有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を有する前記（１８）記載の表示装置。
（２０）表示素子および前記表示素子を駆動するトランジスタを有する表示装置を備え、前記トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極に対向して前記ゲート電極に重なる第１重畳領域を有する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜内に設けられた低抵抗領域とを含み、前記低抵抗領域と前記第１重畳領域との間に第１離間領域を有する電子機器。