Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月26日(2015.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の隔離体割当てスキームから選択される隔離体割当てスキームを用いて、記憶媒体における利用可能なデータ領域にデータを書込むステップを備え、
前記複数の隔離体割当てスキームの各々は、前記複数の隔離体割当てスキームの他のものと比べて異なるデータ領域隔離体間隔を提供し、
前記隔離体間隔は、ガードトラック間の間隔および区画間の間隔の少なくとも１つである、方法。
【請求項２】
書込み動作の前に隔離体割当てスキームを選択するステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記選択された隔離体割当てスキームによる利用可能なデータ領域はランダムに書込み可能である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記選択された隔離体割当てスキームはサブ領域を有し、前記サブ領域間の間隔は、前記記憶媒体の１つ以上の特徴に基づく、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記サブ領域は動的な隔離体によって分離される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記記憶媒体上の前記データ領域は固定された隔離体によって分離される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記記憶媒体は１つ以上のデータ領域を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記複数の隔離体割当てスキームから選択されるさまざまな隔離体割当てスキームを用いて利用可能なデータ領域に前記データを移動させるステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記隔離体割当てスキームは、前記データの１つ以上の特徴に基づいて選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記データの特徴は、データサイズ、データタイプ、データ年代、データの履歴上の読出しパターン、データの履歴上の書込みパターン、およびデータの断片化のうち１つ以上を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記隔離体割当てスキームは、前記記憶媒体の１つ以上の特徴に基づいて選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記記憶媒体の特徴は、容量、満たされる総容量のパーセント、読出し／書込み速度、アクセス時間、信頼性、保持能力および符号間干渉のうち１つ以上を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ガードトラックは、瓦状の媒体上のガードトラックであり、前記区画はフラッシュメモリ上の区画である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
複数の隔離体割当てスキームから１つの隔離体割当てスキームを選択するよう構成された回路を備え、
前記複数の隔離体割当てスキームの各々は、前記複数の隔離体割当てスキームの他のものと比べて異なるデータ領域隔離体間隔を提供し、
前記隔離体間隔は、瓦状の媒体上のガードトラック間の間隔である、装置。
【請求項１５】
前記回路は、選択された前記隔離体割当てスキームを用いて利用可能なデータ領域にデータを書き込むようにさらに構成される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記選択された隔離体割当てスキームは動的なサブ領域を有し、前記動的なサブ領域間の間隔は前記記憶媒体の１つ以上の特徴に基づく、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記回路はさらに、前記複数の隔離体割当てスキームから選択されるさまざまな隔離体割当てスキームを用いて、前記記憶媒体上のデータ領域の１つにデータを移動させるように構成される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
前記隔離体割当てスキームは、少なくとも前記記憶媒体の１つ以上の特徴および前記データの１つ以上の特徴に基づいて選択される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１９】
ガードトラックは、データのバンドを分離し、
前記分離されたバンドのうちの１つのバンド内にある１つ以上のセルへの書込みは、前記分離されたバンドのうちの当該１つのバンドのみを書換えることを要求する、請求項１４に記載の装置。
【請求項２０】
第１の隔離体割当てスキームを有するデータの第１の領域と第２の隔離体割当てスキームを有するデータの第２の領域とを記録するように構成された記憶装置であって、
前記第１および第２の隔離体割当てスキームは、前記記憶装置内に同時に存在し、
前記第１および第２の隔離体割当てスキームの各々は、異なるデータ領域隔離体間隔を提供し、
前記隔離体間隔は、フラッシュメモリ内の区画間の間隔である、記憶装置。
【請求項２１】
記憶媒体内の利用可能なデータ領域へのデータの書込みは、前記隔離体間隔を動的に調整することによって達成される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月5日(2015.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理命令に含まれる、サービスに対応する第１識別情報と、前記第１識別情報とアプリケーションを識別する第２識別情報とが対応付けられた第１対応付け情報とに基づいて、前記処理命令に対応するサービスに関する処理を行うアプリケーションを選択する選択部と、
選択されたアプリケーションに、前記処理命令に応じた処理を行わせる実行部と、
を備える、情報処理装置。
【請求項２】
外部装置と非接触に通信を行う通信部と、
受信された前記処理命令を判定する判定部と、
をさらに備え、
前記判定部は、
受信された処理命令に、サービスの種別を示すサービス種別情報が含まれているかを判定し、
前記サービス種別情報が含まれている場合には、前記処理命令に含まれる前記サービス種別情報と、前記サービス種別情報と前記第１識別情報とが対応付けられた第２対応付け情報とに基づいて、前記処理命令に含まれる前記サービス種別情報に対応する前記第１識別情報を含む応答を、前記通信部に行わせる、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記選択部は、前記処理命令に対応するアプリケーションを選択した場合には、選択されたアプリケーションが選択されている状態を維持し、
前記実行部は、選択されたアプリケーションが、前記処理命令に対応するアプリケーションではない場合には、前記選択部に前記処理命令に対応するアプリケーションを再度選択させる選択要求を伝達し、
前記選択部は、前記選択要求が伝達された場合には、処理命令に含まれる前記第１識別情報と、前記第１対応付け情報とに基づいて、前記処理命令に対応するアプリケーションを再度選択する、請求項１、または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記選択要求には、選択されているアプリケーションを示す第２識別情報が含まれ、
前記選択部は、前記第１対応付け情報に含まれる第２識別情報のうちの、前記選択要求に含まれる第２識別情報との間で所定の条件を満たす第２識別情報が示すアプリケーションを、選択対象のアプリケーションとする、請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記選択要求は、前記処理命令に含まれる前記第１識別情報である、請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記実行部は、選択されたアプリケーションが、前記処理命令に対応するアプリケーションではない場合には、
選択されたアプリケーションと関連するアプリケーションが、前記処理命令に応じた処理を行うことが可能であるかを判定し、
前記処理命令に応じた処理を行うことが可能であると判定されたアプリケーションに、前記処理命令に応じた処理を行わせる、請求項１、または２に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記情報処理装置は、携帯型通信装置である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記情報処理装置は、ＩＣカードである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
処理命令に含まれる、サービスに対応する第１識別情報と、前記第１識別情報とアプリケーションを識別する第２識別情報とが対応付けられた第１対応付け情報とに基づいて、前記処理命令に対応するサービスに関する処理を行うアプリケーションを選択するステップと、
選択されたアプリケーションに、前記処理命令に応じた処理を行わせるステップと、
を有する、情報処理方法。
【請求項１０】
処理命令に含まれる、サービスに対応する第１識別情報と、前記第１識別情報とアプリケーションを識別する第２識別情報とが対応付けられた第１対応付け情報とに基づいて、前記処理命令に対応するサービスに関する処理を行うアプリケーションを選択するステップ、
選択されたアプリケーションに、前記処理命令に応じた処理を行わせるステップ、
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
不揮発性メモリ１７０は、記憶部１０４として機能し、例えば、第１識別情報と第２識別情報とが対応付けられた対応付け情報（第１対応付け情報）や、サービス種別情報と第１識別情報とが対応付けられた対応付け情報（第２対応付け情報）、アプリケーションなど様々なデータを記憶する。ここで、不揮発性メモリ１７０としては、例えば、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically  Erasable  and  Programmable  Read  Only  Memory）や、フラッシュメモリ（flash  memory）などが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月6日(2015.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークフローに従ってコンテンツを処理する方法であって、該コンテンツに関連するプロセス定義による複数の処理装置の内の何れかの処理装置においてディジタルコンテンツが処理され、該処理装置において反復される当該方法は、
ａ）署名されたワークフロー情報をサーバから受信するステップであって、該ワークフロー情報はコンテンツ処理におけるステータス、前記プロセス定義の署名及び前記コンテンツのハッシュを含む、ステップと、
ｂ）前記ワークフロー情報を確認するステップと、
ｃ）前記ワークフローが確認された場合に、前記プロセス定義に従って及び前記コンテンツ処理のステータスに従って前記コンテンツを処理するステップと、
ｄ）前記ワークフロー情報を更新及び署名するステップと、
ｅ）署名されたワークフロー情報を前記サーバへ送信するステップと
を有する方法。
【請求項２】
前記ワークフロー情報を確認するステップｂ）において、前記サーバ又は前記複数の処理装置の内の装置により発行された前記ワークフロー情報の署名を確認する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ワークフロー情報を確認するステップｂ）において、前記サーバ又は前記複数の処理装置の内の装置により発行された前記プロセス定義の前記署名を確認する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ワークフロー情報を確認するステップｂ）において、前記サーバ又は前記複数の処理装置の内の装置により発行された前記コンテンツのハッシュを確認する、請求項１−３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記ワークフロー情報を確認するステップｂ）において、前記サーバ又は前記複数の処理装置の内の装置により発行された前記コンテンツ処理の前記ステータスを確認する、請求項１−４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
コンテンツと該コンテンツに関するプロセス定義とを前記サーバ又は前記複数の処理装置の内の装置から受信するステップを更に有する請求項１−５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
処理したコンテンツを、前記サーバ又は前記複数の処理装置の内の装置へ送信するステップを更に有する請求項１−６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
ワークフローに従ってコンテンツを処理する方法であって、該コンテンツに関連するプロセス定義による複数の処理装置の内の何れかの処理装置においてディジタルコンテンツが処理され、サーバにおいて繰り返される当該方法は、
ｄ）署名されたワークフロー情報を処理装置から受信するステップであって、前記ワークフロー情報は、コンテンツ処理のステータス、前記プロセス定義の署名及び前記コンテンツのハッシュを含む、ステップと、
ｅ）署名されたワークフロー情報を公表するステップと
を有する方法。
【請求項９】
当該方法は前記サーバにおける先行するステップを含み、該先行するステップは、
ａ）プロセス定義をコンテンツに関連付けるワークフロー情報を生成するステップであって、前記ワークフロー情報は、前記コンテンツ処理の初期ステータス、前記プロセス定義の署名及び前記コンテンツのハッシュを含む、ステップと、
ｂ）前記ワークフロー情報を署名するステップと、
ｃ）署名されたワークフロー情報を公表するステップと
を有する請求項８記載の方法。
【請求項１０】
署名されたワークフロー情報を公表する前記ステップにおいて、
ｅ１）前記ワークフロー情報を確認し、
ｅ２）前記ワークフロー情報が確認された場合に、前記ワークフロー情報を更新及び署名する、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ワークフロー情報を確認するステップｅ１）において、前記処理装置により発行された前記ワークフロー情報の署名を確認する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ワークフロー情報を確認するステップｅ１）において、前記処理装置により発行された前記プロセス定義の署名を確認する、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ワークフロー情報を確認するステップｅ１）において、前記処理装置により発行された前記コンテンツの前記ハッシュを確認する、請求項１０−１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記ワークフロー情報を確認するステップｅ１）において、前記処理装置により発行された前記コンテンツの前記ステータスを確認する、請求項１０−１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ワークフローに従ってコンテンツを処理するシステムであって、少なくとも１つの処理装置及びサーバを含み、前記コンテンツは該コンテンツに関連するプロセス定義に従って複数の処理装置の内の１つにおいて処理され、
前記サーバは、
ａ）コンテンツにプロセス定義を関連付けるワークフロー情報を生成する手段であって、該ワークフロー情報は、コンテンツ処理の初期ステータス、前記プロセス定義の署名及び前記コンテンツのハッシュを含む、手段と、
ｂ）前記ワークフロー情報を署名する手段と、
ｃ）署名されたワークフロー情報を公表する手段と、
ｄ）署名されたワークフロー情報を処理装置から受信する手段と、
ｅ）前記ワークフロー情報を確認する手段とを有し、
前記処理装置は、
ｆ）署名されたワークフロー情報を前記サーバから受信し、
ｇ）前記ワークフロー情報を確認し、
ｈ）前記プロセス定義に従って及び前記コンテンツ処理のステータスに従って前記コンテンツを処理し、
ｉ）前記ワークフロー情報を更新及び署名し、
ｊ）署名されたワークフロー情報を前記サーバへ送信する手段を有する、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素がマトリクス状に設けられた表示パネルと、
前記表示パネルの短軸または長軸方向に平行に第１の電極、及び当該第１の電極に接続され、半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタ、が設けられた第１の基板と、
第２の電極が設けられた第２の基板と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された液晶層と、を有し、
前記第１の電極に印加する第１の電圧及び前記第２の電極に印加する第２の電圧により前記液晶層の配向状態を変化させることで透光状態または遮光状態を選択的に切り替えて複数の光学シャッター領域とするシャッターパネルと、を有し、
前記シャッターパネルは、前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第１の保持状態、若しくは前記第１の保持状態とは異なり、且つ前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第２の保持状態を有し、
前記第１の保持状態及び前記第２の保持状態における、前記第１の電圧の保持は前記トランジスタを非導通状態とすることで行われる表示装置。
【請求項２】
複数の画素がマトリクス状に設けられた表示パネルと、
前記表示パネルの短軸または長軸方向に平行に第１の電極、及び当該第１の電極に接続され、半導体層に酸化物半導体を有するトランジスタ、が設けられた第１の基板と、
一面に第２の電極が設けられた第２の基板と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された液晶層と、を有し、
前記第１の電極に印加する第１の電圧及び前記第２の電極に印加する第２の電圧により前記液晶層の配向状態を変化させることで透光状態または遮光状態を選択的に切り替えて複数の光学シャッター領域とするシャッターパネルと、を有し、
前記シャッターパネルは、前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第１の保持状態、若しくは前記第１の保持状態とは異なり、且つ前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第２の保持状態を有し、
前記第１の保持状態及び前記第２の保持状態における、前記第１の電圧の保持は前記トランジスタを非導通状態とすることで行われる表示装置。
【請求項３】
複数の画素がマトリクス状に設けられた表示パネルと、
前記表示パネルの長軸方向に平行に第１の電極、及び当該第１の電極に接続され、半導体層に酸化物半導体を有する第１のトランジスタ、が設けられた第１の基板と、
前記表示パネルの短軸方向に平行に第２の電極、及び当該第２の電極に接続され、半導体層に酸化物半導体を有する第２のトランジスタ、が設けられた第２の基板と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に挟持された液晶層と、を有し、
前記第１の電極に印加する第１の電圧及び前記第２の電極に印加する第２の電圧により前記液晶層の配向状態を変化させることで透光状態または遮光状態を選択的に切り替えて複数の光学シャッター領域とするシャッターパネルと、を有し、
前記シャッターパネルは、前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第１の保持状態、若しくは前記第１の保持状態とは異なり、且つ前記光学シャッター領域のそれぞれを透光状態または遮光状態で保持する第２の保持状態を有し、
前記第１の保持状態及び前記第２の保持状態における、前記第１の電圧及び前記第２の電圧の保持は前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタを非導通状態とすることで行われる表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の保持状態は、前記表示パネルが複数の前記画素のそれぞれを表示素子単位として表示を行い、
前記第２の保持状態は、前記表示パネルが複数の前記画素の少なくとも２つを表示素子単位として表示を行う、表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記表示パネルから光が放出される方向に前記シャッターパネルが設けられる表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記第１の電圧は、前記表示パネルと視認者との距離に応じて書き換えられる表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
視認者と前記表示装置の距離を測定するセンサを有し、
前記センサで測定された距離に応じて、前記光学シャッター領域毎の透光状態または遮光状態を選択し、前記第１の電圧を書き換える表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月19日(2015.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質と非水溶媒とを含む非水系電解液において、下記一般式（１）で表される鎖状カルボン酸アミド、ジカルボン酸アミド、ジアミンのジカルボン酸アミド、鎖状カルバミン酸エステル、ジカーバメート、尿素、環状尿素、スルホンアミド、スルタム、ジスルホン酸アミド、スルファミン酸エステル、環状スルファミン酸エステル、スルファミド、環状スルファミド、リン酸モノアミド、環状リン酸モノアミド、リン酸ジアミド、環状リン酸ジアミド、リン酸トリアミド、環状リン酸トリアミド、ホスホン酸モノアミド、環状ホスホン酸モノアミド、ホスホン酸ジアミド、環状ホスホン酸ジアミドおよびホスフィン酸アミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物を含有する非水系電解液。 
【化１】
2012190791.tif 000001
（Ｒ１及びＲ２は、水素基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の飽和又は不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基 を表し、Ｒ３は、水素基、又はヘテロ原子を含
んでいてもよい炭素数１〜２０の有機基を表し、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ同一でも異なってもよく、Ｒ１〜Ｒ３のうち２つ又は３つすべてが互いに結合して環を形成してもよい。また、Ｒ１及びＲ２のうち少なくとも一方が、窒素原子に直接結合しない炭素−炭素不飽和結合を有し、ヘテロ原子を含んでいてもよい、炭素数２〜１０の有機基を表す。ＸはＣ、Ｓ＝Ｏ又はＰ（Ｒ４）を表し、Ｒ４はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜１０の有機基を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）のＲ１及びＲ２のうち少なくとも一方が炭素−炭素不飽和結合を末端に有し、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数２〜１０の有機基である請求項１に記載の非水系電解液。
【請求項３】
前記一般式（１）のＲ１及びＲ２のうち少なくとも一方がアリル基またはプロパルギル基である請求項２に記載の非水系電解液。
【請求項４】
前記一般式（１）で表される化合物を０．００１質量％以上１０質量％以下含有する請求項１乃至３のうち何れか１項に記載の非水系電解液。
【請求項５】
炭素−炭素不飽和結合を有する環状カーボネート、ハロゲン原子を有する環状カーボネート、モノフルオロリン酸塩、ジフルオロリン酸塩、ニトリル化合物及びイソシアナト化合物からなる群より選ばれる少なくとも１つの化合物を含有する請求項１乃至４のうち何れか１項に記載の非水系電解液。
【請求項６】
リチウムイオンを吸蔵・放出可能な負極及び正極、並びに非水系電解液を含む非水系電解液電池であって、前記非水系電解液が請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の非水系電解液である非水系電解液電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（Ｒ１及びＲ２は、水素基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の飽和又は不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基 を表し、Ｒ３は、水素基、又はヘテロ原子を含
んでいてもよい炭素数１〜２０の有機基を表し、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ同一でも異なってもよく、Ｒ１〜Ｒ３のうち２つ又は３つすべてが互いに結合して環を形成してもよい。また、Ｒ１及びＲ２のうち少なくとも一方が、窒素原子に直接結合しない炭素−炭素不飽和結合を有し、ヘテロ原子を含んでいてもよい、炭素数２〜１０の有機基を表す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するために種々の検討を重ねた結果、一般式（１）で表される鎖状カルボン酸アミド、ジカルボン酸アミド、ジアミンのジカルボン酸アミド、鎖状カルバミン酸エステル、ジカーバメート、尿素、環状尿素、スルホンアミド、スルタム、ジスルホン酸アミド、スルファミン酸エステル、環状スルファミン酸エステル、スルファミド、環状スルファミド、リン酸モノアミド、環状リン酸モノアミド、リン酸ジアミド、環状リン酸ジアミド、リン酸トリアミド、環状リン酸トリアミド、ホスホン酸モノアミド、環状ホスホン酸モノアミド、ホスホン酸ジアミド、環状ホスホン酸ジアミドおよびホスフィン酸アミドからなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物を電解液中に含有することによって、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明の要旨は、下記に示す通りである。
（ａ）電解質と非水溶媒とを含む非水系電解液において、下記一般式（１）で表される化合物を含有する非水系電解液。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（Ｒ１及びＲ２は、水素基、又はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜１０の飽和又は不飽和炭化水素基、芳香族炭化水素基 を表し、Ｒ３は、水素基、又はヘテロ原子を含
んでいてもよい炭素数１〜２０の有機基を表し、Ｒ１〜Ｒ３はそれぞれ同一でも異なってもよく、Ｒ１〜Ｒ３のうち２つ又は３つすべてが互いに結合して環を形成してもよい。また、Ｒ１及びＲ２のうち少なくとも一方が、窒素原子に直接結合しない炭素−炭素不飽和結合を有し、ヘテロ原子を含んでいてもよい、炭素数２〜１０の有機基を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上のトランジスタと、
前記トランジスタと電気的に接続する発光素子と、
前記トランジスタ及び前記発光素子を間に挟んで、前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の接着層と、を有し、
前記発光素子は、第１の電極層と、前記第１の電極層上の発光層と、前記発光層上の第２の電極層とを有し、
前記第１の電極層は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記第１の電極層の端部と、隣の画素の第１の電極層の端部とは、隔壁に覆われ、
前記隔壁上には構造体が位置し、
前記構造体により、前記発光層と隣の画素の発光層とは分離されている発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の基板、及び前記第２の基板は、可撓性を有する発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記接着層は、透光性を有する発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記トランジスタは、半導体層として酸化物半導体層を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の発光素子層と、
前記発光素子層上のバリア膜と、
前記バリア膜の第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上の第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層との界面に位置する複数の粒体と、
前記第２の樹脂層上の樹脂基板と、を有し、
前記樹脂基板の上面は、複数のマイクロレンズになっており、
前記バリア膜は、１．６５以上２．３以下の屈折率を有し、
前記第１の樹脂層は、１．６５以上２．３以下の屈折率を有し、
前記第２の樹脂層は、１．５以上１．６以下の屈折率を有し、
前記複数の粒体は、１．５以上１．６以下の屈折率を有し、
前記樹脂基板は、１．５以上１．６以下の屈折率を有し、
前記マイクロレンズの凸部の高さは、前記粒体の径より大きいことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数の粒体は、樹脂又はガラスにより形成されていることを特徴とする照明装置。
【請求項３】
基板上の発光素子層と、
前記発光素子層上のバリア膜と、
前記バリア膜上の第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層上の第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との界面に、前記発光素子層側に凸部を有する複数の凸状体と、
前記第２の樹脂層上の樹脂基板と、を有し、
前記樹脂基板の上面は、複数のマイクロレンズになっており、
前記バリア膜は、１．６５以上２．３以下の屈折率を有し、
前記第１の樹脂層は、１．６５以上２．３以下の屈折率を有し、
前記第２の樹脂層は、１．５以上１．６以下の屈折率を有し、
前記複数の粒体は、１．５以上１．６以下の屈折率を有し、
前記樹脂基板は、１．５以上１．６以下の屈折率を有し、
前記マイクロレンズの凸部の高さは、前記複数の凸状体の凸部の高さより大きいことを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記複数の凸状体は、樹脂又はガラスにより形成されていることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月20日(2014.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上の第１の発光素子と、
前記第１の基板上の第２の発光素子と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、
前記第２の基板に設けられた接続配線と、を有し、
前記第１の発光素子は、前記第２の発光素子と、前記接続配線を介して電気的に接続され、
前記接続配線は、前記上部電極と電気的に接続される第１のプラグと、前記下部電極に電気的に接続される第２のプラグとを有し、
前記第１のプラグ及び前記第２のプラグはそれぞれ、第１の導電層と、前記第１の導電層上の絶縁層と、前記絶縁層上の第２の導電層と、を有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上の第１の発光素子と、
前記第１の基板上の第２の発光素子と、
前記第１の発光素子の上部電極上に設けられた接続配線の第１のプラグと、
前記第２の発光素子の下部電極上に設けられた接続配線の第２のプラグと、を有し、
前記第１のプラグ及び前記第２のプラグはそれぞれ、第１の導電層と、前記第１の導電層上の絶縁層と、前記絶縁層上の第２の導電層と、を有することを特徴とする照明装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子はそれぞれ、円状であることを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子はそれぞれ、多角形状であることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月20日(2014.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】絶縁パターンの形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の有機膜を形成し、
前記第１の有機膜に、マスクを介して、選択的に光を照射し、
前記光が照射されない第１の有機膜を除去し、第１の形状を形成し、
前記第１の形状を覆う、第２の有機膜を形成し、
前記第２の有機膜が前記第１の形状と重なっている第１の領域に対して、前記マスクを介して、選択的に光を照射し、
前記第２の有機膜が前記第１の形状と重なっている第２の領域に対して、前記マスクを介して、選択的に光を照射し、
前記光が照射されない第２の有機膜の部分を除去し、前記第１の形状上に前記第２の形状を形成する絶縁パターンの形成方法であって、
前記第２の形状は、前記第１の形状よりも平行方向に延在した領域を有することを特徴とする絶縁パターンの形成方法。
【請求項２】
第１の有機膜を形成し、
前記第１の有機膜に、マスクを介して、選択的に光を照射し、
前記光が照射されない第１の有機膜を除去し、第１の形状を形成し、
前記第１の形状を覆う、第２の有機膜を形成し、
前記第２の有機膜が前記第１の形状と重なっている第１の領域に対して、前記マスクを介して、選択的に光を照射し、
前記第２の有機膜が前記第１の形状と重なっている第２の領域に対して、前記マスクを介して、選択的に光を照射し、
前記光が照射されない第２の有機膜の部分を除去し、前記第１の形状上に前記第２の形状を形成する絶縁パターンの形成方法であって、
前記第１の形状は、脚部となり、
前記第２の形状は、前記第１の形状よりも平行方向に延在した、ひさし領域を有する台部となることを特徴とする絶縁パターンの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図２（Ａ），図２（Ｂ）に示したように、発光層１２で発生した光は、積層体１０と絶縁膜３１との界面（積層体１０／絶縁膜３１）および絶縁膜３１とｐ側配線４２Ｗまたはｐ側電極４２との界面（絶縁膜３１／ｐ側配線４２Ｗまたは絶縁膜３１／ｐ側電極４２）で反射される。これら２つの界面で反射された光同士は、以下の式（１）を満たすとき、干渉効果により互いに強め合う。即ち、絶縁膜３１が積層体１０の側面全面を覆い、その厚みＤ31が式（１）を満たすとき発光素子１の発光効率はより向上する。なお、式（１）中、λは発光層１２で発生した光の波長、θ31は発光層１２で発生した光の絶縁膜３１への入射角、Ｄ31は絶縁膜３１の厚み、ｎ31は絶縁膜３１の屈折率、ｍは０以上の整数をそれぞれ表している。
２Ｄ31×ｃｏｓθ31＝（ｍ＋１／２）×λ／ｎ31 （１）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、絶縁膜３１の厚みＤ31のうち、積層体１０とｐ側電極４２との間の厚みをＤ31B、積層体１０とｐ側配線４２Ｗとの間の厚みをＤ31Sとし、Ｄ31B，Ｄ31Sそれぞれが以下の式（２），（３）を満たすようにしてもよい。厚みＤ31Bと厚みＤ31Sとは互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。なお、式（２）中、θ31Bは発光層１２で発生した光の絶縁膜３１およびｐ側電極４２への入射角、ｍ１は０以上の整数をそれぞれ表し、式（３）中、θ31Sは発光層１２で発生した光の絶縁膜３１およびｐ側配線４２Ｗへの入射角、ｍ２は０以上の整数をそれぞれ表している。
２Ｄ31B×ｃｏｓθ31B＝（ｍ１＋１／２）×λ／ｎ31 （２）
２Ｄ31S×ｃｏｓθ31S＝（ｍ２＋１／２）×λ／ｎ31 （３）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
一方、比較例２（図７（Ｂ））に係る発光素子１０１では、ｐ側コンタクト層１２２の露出部１２２Ａにｐ側電極２４２を設けることにより、ｎ側電極４１およびｐ側電極２４２を共に下側に配置している。露出部１２２Ａは、保持基板２３に支持されたｐ側コンタクト層１２２の一部を積層体１０から拡幅させた部分である。この発光素子１０１ではフリップチップ実装が可能となるが、積層体１０とｐ側コンタクト層１２２との間に段差が形成されるため、この部分で機械的強度が低下し、破損が生じ易い。特に、発光層１２がＡｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｐ，Ａｓのうちの少なくとも一つの元素を含む、赤色〜黄緑色系の発光素子（例えば、発光波長５５０〜７５０ｎｍ）では、ｐ側コンタクト層１２２が脆く、破損が生じ易い（例えば、Impurity effects on the mechanical behavior of GaAs crystals .,J.Appl.Phys.,71,4249(1992)参照）。また、露出部１２２Ａは非発光領域となるため、発光素子１０１の実装面積に対する有効発光面積の比が小さくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
このような発光素子２では、ｐ側配線４２Ｗとｐ側コンタクト層２２との接触面Ｓが小さくなるため（例えば、Ｓ＝Ｄ42W×Ｌ42W、Ｌ42Wはｐ側配線４２Ｗ（積層体１０）の外周長）駆動電圧が上昇することが懸念される。しかしながら、以下の理由により駆動電圧の上昇が大きく問題になることはない。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行に延びている２本の第１の溝と、
前記第１の溝と交差して平行に延びている２本の第２の溝と、
前記２本の第１の溝と前記２本の第２の溝とで囲まれた領域を複数の基板領域に分割する分割溝と、
を備え、
前記第１の溝、前記第２の溝、および前記分割溝の少なくとも一つは、長手方向の端部に陥部を有していることを特徴とする基板集合体。
【請求項２】
前記第２の溝の端部が、前記第１の溝と接続していることを特徴とする請求項１に記載
の基板集合体。
【請求項３】
前記分割溝の端部が、第１の溝と前記第２の溝とで囲まれた領域の外側にあることを特
徴とする請求項１に記載の基板集合体。
【請求項４】
前記第１の溝の端部が、基板集合体の縁辺にあることを特徴とする請求項１乃至３のい
ずれか１項に記載の基板集合体。
【請求項５】
深さ方向に貫通している前記陥部を備えていることを特徴とする請求項１乃至４のいず
れか１項に記載の基板集合体。
【請求項６】
前記陥部の幅は、
前記陥部以外の部分の溝の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板集合体。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板と、電子部品と、蓋体と、を備えている電子デバイス。
【請求項８】
焼結前の素板材料と、溝の端部を形成する部分が、前記溝の端部以外の部分を形成する
部分より突出している型と、を用意する工程と、
前記基板材料に、前記型を押し当てて前記素板材料に溝と陥部とを同時に形成する工程
と、
前記素板材料を焼結する工程と、
を含むことを特徴とする基板集合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月22日(2014.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方の面に形成され、所定の配線パターンを有する配線層と、
前記配線層の上に形成され、前記配線層の一部を端子として露出する絶縁層と、
前記絶縁基板の他方の面側に配設される放熱板と、
前記絶縁基板の一方の面と他方の面との間を貫通する貫通孔内に、前記貫通孔内に充填される金属で形成され、前記配線層に接続される熱伝導部と
を含み、
前記放熱板は、接着層を介して前記絶縁基板の他方の面側に配設されており、
前記熱伝導部の一端は、前記貫通孔の他方の面側から突出している、配線基板。
【請求項２】
前記貫通孔の一方の面側の開口は、前記配線層の裏面によって閉塞されており、
前記熱伝導部は、前記配線層の裏面に設けられる、請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記熱伝導部は、前記配線層の前記端子に対応した位置において前記配線層に接続される、請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
前記熱伝導部の一端は、前記放熱板の表面に直接接続される、請求項１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項５】
前記熱伝導部の一端は、接着層を介して前記放熱板の表面に接続される、請求項１乃至３のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項６】
前記熱伝導部は、柱状の部材である、請求項１乃至５のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項７】
前記配線層は、ストライプ状に複数形成されており、一の配線層の一部が露出された端子と、当該一の配線層に隣接する他の配線層の一部が露出された端子とが、前記電子部品を接続するための端子対である、請求項１乃至６のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記配線層の一部を前記端子として露出するとともに、前記一部とは異なる他の一部を電源接続用の電極として露出する、請求項１乃至７のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項９】
前記絶縁基板は、絶縁樹脂フィルムである、請求項１乃至８のいずれか一項記載の配線基板。
【請求項１０】
絶縁基板に貫通孔を形成する工程と、
前記絶縁基板の一方の面に金属層を設ける工程と、
前記金属層に給電して電解めっき処理を行うことにより、前記電解めっき処理によって前記貫通孔内に充填されるめっき金属で前記貫通孔の内部に熱伝導部を形成する工程と、
前記金属層をパターニングして配線層を形成する工程と、
前記配線層の上に、前記配線層の一部を端子として露出する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁基板の他方の面側に、接着層を介して放熱板を配設する工程と
を含み、
前記熱伝導部を形成する工程は、前記熱伝導部の一端が前記貫通孔の他方の面側から突出するように形成する工程である、配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記熱伝導部を形成する工程は、前記金属層のうち前記貫通孔の内部に露出する部分にめっき金属を析出させることによって、前記貫通孔内に前記めっき金属を充填することにより、前記めっき金属で前記熱伝導部を形成する工程である、請求項１０記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
前記放熱板を配設する工程は、前記熱伝導部の前記一端が前記放熱板の表面に直接接続されるように、前記絶縁基板の他方の面側に、前記接着層を介して前記放熱板を配設する工程である、請求項１０又は１１記載の配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記放熱板を配設する工程は、前記熱伝導部の前記一端が前記接着層を介して前記放熱板の表面に接続されるように、前記絶縁基板の他方の面側に、前記接着層を介して前記放熱板を配設する工程である、請求項１０又は１１記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の実施の形態の配線基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に形成され、所定の配線パターンを有する配線層と、前記配線層の上に形成され、前記配線層の一部を端子として露出する絶縁層と、前記絶縁基板の他方の面側に配設される放熱板と、前記絶縁基板の一方の面と他方の面との間を貫通する貫通孔内に、前記貫通孔内に充填される金属で形成され、前記配線層に接続される熱伝導部とを含み、前記放熱板は、接着層を介して前記絶縁基板の他方の面側に配設されており、前記熱伝導部の一端は、前記貫通孔の他方の面側から突出している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の実施の形態の配線基板の製造方法は、絶縁基板に貫通孔を形成する工程と、前記絶縁基板の一方の面に金属層を設ける工程と、前記金属層に給電して電解めっき処理を行うことにより、前記電解めっき処理によって前記貫通孔内に充填されるめっき金属で前記貫通孔の内部に熱伝導部を形成する工程と、前記金属層をパターニングして配線層を形成する工程と、前記配線層の上に、前記配線層の一部を端子として露出する絶縁層を形成する工程と、前記絶縁基板の他方の面側に、接着層を介して放熱板を配設する工程とを含み、前記熱伝導部を形成する工程は、前記熱伝導部の一端が前記貫通孔の他方の面側から突出するように形成する工程である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月19日(2015.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力面を有する中空の光リサイクリング空洞を形成する前面及び背面を有する筐体と、
前記光リサイクリング空洞を形成する第１の側面に設けられた光源と
を備え、
前記前面から前記背面までの距離が、前記第１の側面から該第１の側面と対向する第２の側面にかけて単調に減少するように、該背面が傾斜している、
照明装置。
【請求項２】
前記光源の光軸と前記背面とが交差する、
請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記光源の光軸と前記背面との交点から前記第１の側面までの第１の距離が、該交点から前記第２の側面までの第２の距離以下であり、該第１及び第２の距離がそれぞれ、該光軸に沿った長さである、
請求項２に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月26日(2015.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ターゲット層は、前記凹部によって複数に分割されていることを特徴とする請求項１に記載のターゲット構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月8日(2015.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１電極と発光層と第２電極とを有する有機ＥＬ素子と、前記第１電極と接続されたトランジスタと、を有する発光装置であって、
前記有機ＥＬ素子の前記発光層の発光位置と前記第１電極の反射面との間の第１光学距離Ｌ１は下記式Ａを満たし、
前記第１電極は、前記トランジスタと接続された第１層と、前記第１層を覆う第２層と、を有し、
前記第１層は、Ａｌを含み、
前記第２層は、ＭｏとＷのうち少なくとも一方を含むことを特徴とする発光装置。
Ｌ１＞０でかつ（λ／８）×（−１−２Φ１／π）＜Ｌ１＜（λ／８）×（１−２Φ１／π）                                      ・・・式Ａ
ここで、λは各有機ＥＬ素子の発する光のスペクトルの最大ピーク波長、Φ１は波長λにおける前記第１電極の反射面の位相シフトを表す。
【請求項２】
前記第１電極は、前記第２層を覆う第３層をさらに有し、
前記第３層は、ＭｏとＷのうち少なくとも一方の酸化物を含む酸化膜を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第３層の層厚が、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記有機ＥＬ素子の前記発光層の発光位置と前記第２電極の反射面との間の第２光学距離Ｌ２は下記式Ｂを満たしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
Ｌ２＞０でかつ（λ／８）×（−１−２Φ２／π）＜Ｌ２＜（λ／８）×（１−２Φ２／π）                                            ・・・式Ｂ
ここで、Φ２は波長λにおける前記第２電極の反射面の位相シフトを表す。
【請求項５】
前記第２層の層厚が、２ｎｍ以上９ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置と、前記発光装置によって潜像が形成される感光体と、前記感光体を帯電する帯電手段と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記複数の有機ＥＬ素子が、異なる色を発する複数の有機ＥＬ素子を含んでいることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置と、撮像素子と、を有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月25日(2014.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の樹脂と型を接触させて該樹脂にパターンを形成するインプリント装置であって、
パターンが形成される前記基板の上のショット領域と前記型とを位置合わせするために該ショット領域と前記型との相対位置を計測するアライメント計測と、前記基板の他のショット領域に前記型を使って既に形成されたパターンとその下にあるパターンとの相対位置を計測するオーバレイ計測とを並行して実施する計測ユニットを備える、
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記計測ユニットは、前記アライメント計測と前記オーバレイ計測とを共通の顕微鏡を使って並行して実施する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記計測ユニットは、前記アライメント計測と前記オーバレイ計測とを互いに異なる顕微鏡を使って並行して実施する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記オーバレイ計測の対象であるショット領域が前記アライメント計測の対象であるショット領域に隣接するショット領域である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記基板の上の最終ショット領域にパターンが転写された後、前記オーバレイ計測がなされていないショット領域について前記オーバレイ計測が実施される、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記オーバレイ計測のために使用される前記基板の上のマークが前記アライメント計測のために使用された前記基板の上のマークと異なる、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記オーバレイ計測のために使用される前記基板の上のマークが前記アライメント計測のために使用された前記基板の上のマークと同じである、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記オーバレイ計測の結果に基づき、前記パターンが形成された前記基板をリワークするために前記インプリント装置から搬出する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
物品を製造する製造方法であって、
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置を使って基板にパターンを形成する工程
を含むことを特徴とする製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以上のような工程が全ショット領域に対して実施される。ショット領域毎に位置合わせ（アライメント）を行う方式は、ダイバイダイ（ＤｘＤ）アライメント方式と言われ、インプリント装置で広く用いられる。具体的なアライメント方法としては、モアレ方式がある。モアレ方式は、Ｘ線露光装置の頃から知られた技術で、例えば特許文献１や非特許文献２に記載されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の１つの側面は、基板の上の樹脂と型を接触させて該樹脂にパターンを形成するインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、パターンが形成される前記基板の上のショット領域と前記型とを位置合わせするために該ショット領域と前記型との相対位置を計測するアライメント計測と、前記基板の他のショット領域に前記型を使って既に形成されたパターンとその下にあるパターンとの相対位置を計測するオーバレイ計測とを並行して実施する計測ユニットを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
そこで、白い矢印で示したように、（０，２）→（２，２）→（１，２）→（１，３）というようにインプリントの順番を変更すると、通常のインプリントシーケンスの中でロスなく、インプリントの終了したショット領域の位置合わせ状態を確認することができる。ショット領域（１，２）では既にインプリントしたショット領域（０，２）と（２，２）の双方のオーバレイ計測を行うことができる。オーバレイ計測ではインプリント後のステップ移動において斜め移動が必要なショット領域が問題であり、斜め移動を避け、ＸＹ方向のみのステップ移動を用いると良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
[第３実施形態]
以下、本発明の第３実施形態を説明する。ここで言及しない事項は、第１実施形態に従う。第３実施形態では、互いに異なる顕微鏡によってオーバレイ計測マークおよびアライメントマークを並行して観察する。第１実施形態として図５を参照して説明したアライメントマークおよびオーバレイ計測マークを実現する型は、アライメントマークとオーバレイ計測マークとが基板上で交互に配置することが好ましく制約が大きい。アライメントマークとオーバレイ計測マークとを基板上で交互に配置するためには、隣り合って配置させるべきアライメントマークおよびオーバレイ計測マークのうち一方を型の左辺に形成し、他方を型の右辺に形成する必要がある。そして、隣り合うショット領域へのインプリントを通して、アライメントマークとオーバレイ計測マークとが近接する状態が形成される配置を行うことが要求される。第１実施形態の図６で言えば同時に観察されるのは（−１，０）−ＲＵＶＹと（０，０）−ＬＵＹ、すなわち隣り合ったショットの右辺のマークと左辺のマークが並んで観察されるようになっている。型の辺は同一ショットのマークのみを含む形になるのでジグザグ状になる。インプリントに使用される型は、パターン面が突出するようにメサ（台）構造を有し、突出量は、例えば１０〜５０ｕｍである。メサの周辺部(前述の辺の部分）を細かくジグザグ状にすることには制約があるので、アライメントマークとオーバレイ計測マークは別個に自由に配置できることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図１４（ａ）乃至図１４（ｃ）は、インナーリテーナリング２０とアウターリテーナリング３０の下面に設けられたそれぞれラジアル溝２０ｃ，３０ｂのさらに他の例を示す図である。図１４（ａ）は、ラジアル溝３０ｂの本数がラジアル溝２０ｃの本数と同じ例を示し、図１４（ｂ）は、ラジアル溝３０ｂの本数がラジアル溝２０ｃの本数よりも少ない例を示し、図１４（ｃ）は、ラジアル溝２０ｃの本数がラジアル溝３０ｂの本数よりも少ない例を示している。この例においても、ラジアル溝２０ｃ，３０ｂは、インナーリテーナリング２０およびアウターリテーナリング３０の半径方向に対して傾斜しているが、傾斜の方向が図１３（ａ）乃至図１３（ｃ）に示す例と反対となっている。すなわち、インナーリテーナリング２０およびアウターリテーナリング３０が回転するに従って研磨液がアウターリテーナリング３０およびインナーリテーナリング２０の内側から外側に流出するように、ラジアル溝２０ｃ，３０ｂは、インナーリテーナリング２０およびアウターリテーナリング３０の回転方向（矢印で示す）に対して後方に傾斜している。