【事件の表示】
　特願２０１４−１２１６６０「珪化バリウム系多結晶体及び前記珪化バリウム多結晶体からなるスパッタリングターゲット又は熱電変換素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　１月　７日出願公開、特開２０１６−　　　６７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年　６月１２日の出願であって、平成３０年　４月　６日付けで拒絶の理由が通知され、同年　６月１５日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１１月２８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、平成３１年　３月　６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正書が提出され、これに対し、当審において、令和　２年　４月　１日付けで拒絶の理由が通知され、同年　６月１０日に意見書（以下、「本件意見書」という。）及び手続補正書（以下、この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）が提出されたものである
第２　本願発明
　本願の請求項１〜７に係る発明は、本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　１３族元素のうち少なくとも１種類以上の元素を含み、前記１３族元素がホウ素またはアルミニウムであり、含有酸素量が２０ａｔｍ％以下であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体。」
第３　当審が通知した拒絶理由の概要
　令和　２年　４月　１日付けで当審が通知した拒絶の理由は、概略、次の理由を含むものである。
　本件出願の請求項１に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された以下の引用文献１に記載された発明及び引用文献２〜５に記載される周知技術に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１：特開２０１２−２１４８２８号公報
引用文献２：国際公開第２０１０／１３１６３９号 
引用文献３：特開２００８−６６７１９号公報
引用文献４：特開２０１１−１１９５１８号公報
引用文献５：特開２００５−１７１３５９号公報
第４　引用文献
１　引用文献１の記載事項及び引用文献１に記載される発明
　引用文献１には、以下の（１ａ）〜（１ｄ）の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。また、「・・・」は記載の省略を表す。以下、同様である。）。
（１ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪化バリウム多結晶体中の酸素含有量が１０ｍｏｌ％以下であって、密度が３．０ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする珪化バリウム多結晶体。
【請求項２】
請求項１に記載の珪化バリウム多結晶体を用いることを特徴とする珪化バリウムスパッタリングターゲット。
（１ｂ）「【０００１】
　現在、Ｓｉを用いた従来の太陽電池のほかに、化合物半導体を用いた太陽電池が使用されている。・・・珪化バリウムは光吸収係数が高く、また、禁制帯幅が１．３ｅＶと太陽電池として用いる上で良好な化合物半導体であり（例えば、非特許文献１及び２参照）、さらにＳｒを添加することでその禁制帯幅を１．４ｅＶまで調整する事が可能である（例えば、特許文献１参照）。
・・・
【０００３】
　量産に向いている薄膜の作製製法としてスパッタ法が挙げられる。・・・
【０００４】
　これまで、スパッタ法にて珪化バリウム薄膜を成膜した報告はこれまで無く、珪化バリウムの塊はこれまでも真空溶解などによる製法において存在していたが、珪化バリウムに関する詳細な検討は行われてこなかった（例えば、特許文献２参照）。
・・・
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　本発明の目的は、割れのない低酸素含有量珪化バリウム多結晶体を製造し、低酸素含有量珪化バリウムスパッタリングターゲットを提供することである。
・・・
【００１３】
　本発明の珪化バリウム多結晶体は、多結晶体中の含有酸素量が１０ｍｏｌ％以下であることを特長とする。・・・多結晶体中の酸素含有量が１０ｍｏｌ％より大きい場合、その酸素は多結晶体中に偏析して存在し、偏析部と通常部の間で強度が低下し、その部分が起点としてバルク内に割れを生じることがあるからである。
・・・
【００２０】
　また、合成方法は特に限定されないが、極力酸素を含有させないような合成方法が好ましく、そのためには容器などに酸素を含有する機材をなるべく使用しない装置であるアーク溶解法が好ましい。」
（１ｃ）「【００２８】
　（実施例１）
　
バリウムとシリコン粉末をモル比が１：２になるように１００ｇ秤量し、アーク溶解を行なった。アーク溶解は銅製の水冷鋳型に混合原料を約１０ｇずつ投入し、真空処理後、アルゴンを封入しアーク放電を行ないながら材料を溶融し合金を作製した。アーク溶解を行なった後、窒素ガス雰囲気にて合成した珪化バリウム合金をメノウ乳鉢を用いて粉砕した。
【００２９】
　
次に、作製した珪化バリウム粉末７５ｇを７５ｍｍφのカーボン製の金型を用いてホットプレス処理を行なった。雰囲気は真空中にて行なった。温度は２００℃／ｈにて昇温し、最終的に８００℃まで温度を増加させ、その際の加圧条件は８００℃保持の際に４０ＭＰａまで上昇させ、保持時間２時間にてホットプレス処理を行った。降温は５時間で約５０℃まで降温し、金型を取り出し、多結晶体の回収を行なった。多結晶体の密度３．４０ｇ／ｃｍ３であった。
【００３０】
　
その後、前記多結晶体を７５ｍｍφ×４ｍｍｔの形状に加工した。多結晶体中の酸素含有量は２．８ｍｏｌ％であった。図１に示されるＸ線回折により珪化バリウムの多結晶体である事が確認できた。
【００３１】
　
ボンディング材料としてインジウムハンダを用いて、Ｃｕ製のバッキングプレート上に前記多結晶体をボンディングして、珪化バリウムスパッタリングターゲットを得た。」
（１ｄ）「【００４２】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ア）前記（１ａ）、（１ｂ）によれば、引用文献１には「珪化バリウム多結晶体」が記載されており、前記「珪化バリウム多結晶体」は、珪化バリウム多結晶体中の「酸素含有量」が１０ｍｏｌ％以下であり、「密度」が３．０ｇ／ｃｍ３以上であるものであり、これにより、割れのない低酸素含有量珪化バリウム多結晶体を製造し、低酸素含有量珪化バリウムスパッタリングターゲットを提供するものであって、多結晶体中の酸素含有量が１０ｍｏｌ％より大きい場合、その酸素は多結晶体中に偏析して存在し、偏析部と通常部の間で強度が低下し、その部分が起点としてバルク内に割れを生じることがあるものであり、その合成方法は、極力酸素を含有させないような合成方法が好ましく、そのためには容器などに酸素を含有する機材をなるべく使用しない装置であるアーク溶解法が好ましいものである。
　具体的には、前記（１ｃ）、（１ｄ）の実施例１に注目すれば、前記「珪化バリウム多結晶体」は、バリウムとシリコン粉末をモル比が１：２になるように１００ｇ秤量し、アーク溶解を行なうものであり、アーク溶解は、銅製の水冷鋳型に混合原料を約１０ｇずつ投入し、真空処理後、アルゴンを封入しアーク放電を行ないながら材料を溶融し合金を作製するものであり、アーク溶解を行なった後、窒素ガス雰囲気にて合成した珪化バリウム合金をメノウ乳鉢を用いて粉砕し、次に、作製した珪化バリウム粉末７５ｇを７５ｍｍφのカーボン製の金型を用いてホットプレス処理を行なうものであり、ホットプレス処理は、真空中の雰囲気にて行ない、温度は２００℃／ｈにて昇温し、最終的に８００℃まで温度を増加させ、その際の加圧条件は８００℃保持の際に４０ＭＰａまで上昇させ、保持時間２時間にてホットプレス処理を行ない、降温は５時間で約５０℃まで降温し、金型を取り出し、多結晶体の回収を行なったものであり、このときの多結晶体の密度３．４０ｇ／ｃｍ３であり、その後、前記多結晶体を７５ｍｍφ×４ｍｍｔの形状に加工して得られるものであり、このときの多結晶体中の酸素含有量は２．８ｍｏｌ％であり、ボンディング材料としてインジウムハンダを用いて、Ｃｕ製のバッキングプレート上に前記多結晶体をボンディングして、珪化バリウムスパッタリングターゲットとされるものである。
（イ）前記（ア）によれば、引用文献１には、以下の発明が記載されているといえる。
「バリウムとシリコン粉末をモル比が１：２になるように１００ｇ秤量し、アーク溶解を行ない、アーク溶解は、銅製の水冷鋳型に混合原料を約１０ｇずつ投入し、真空処理後、アルゴンを封入しアーク放電を行ないながら材料を溶融し合金を作製するものであり、
　アーク溶解を行なった後、窒素ガス雰囲気にて合成した珪化バリウム合金をメノウ乳鉢を用いて粉砕し、次に、作製した珪化バリウム粉末７５ｇを７５ｍｍφのカーボン製の金型を用いてホットプレス処理を行ない、
　ホットプレス処理は、真空中の雰囲気にて行ない、温度は２００℃／ｈにて昇温し、最終的に８００℃まで温度を増加させ、その際の加圧条件は８００℃保持の際に４０ＭＰａまで上昇させ、保持時間２時間にてホットプレス処理を行ない、降温は５時間で約５０℃まで降温し、金型を取り出し、多結晶体の回収を行ない、このときの多結晶体の密度３．４０ｇ／ｃｍ３であり、
　その後、前記多結晶体を７５ｍｍφ×４ｍｍｔの形状に加工して得られる珪化バリウム多結晶体であって、このときの多結晶体中の酸素含有量は２．８ｍｏｌ％であり、
　ボンディング材料としてインジウムハンダを用いて、Ｃｕ製のバッキングプレート上に前記多結晶体をボンディングして、珪化バリウムスパッタリングターゲットとされる、珪化バリウム多結晶体。」（以下、「引用発明」という。）
２　引用文献２の記載事項
　引用文献２には、以下の（２ａ）〜（２ｂ）の記載がある。
（２ａ）「［請求項１］　シリコン層と、
　前記シリコン層上に設けられ、開口を有し、バリウムシリサイドを含む中間シリサイド層と、
　中間シリサイド層を覆い、前記開口を介しシリコン層に接するように設けられ、前記中間シリサイド層よりドーパント濃度が高くバリウムシリサイドを含む上部シリサイド層と、
を含む半導体装置。」（請求の範囲）
（２ｂ）「［００２３］　以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。
実施例１
［００２４］　図１は、実施例１に係る太陽電池の断面図である。第１導電型（例えばｐ型）を有するＳｉ層１０上にトンネル接合層１６が形成されている。Ｓｉ層１０は、例えばＢ（ボロン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）等のドーパントを有する。・・・
［００２５］　トンネル接合層１６は、トンネルＳｉ層１２とトンネルＢａＳｉ層１４とを含んでいる。トンネルＳｉ層１２とトンネルＢａＳｉ層１４とはトンネル接合を形成している。・・・トンネルＢａＳｉ層１４は、トンネルＳｉ層１２上に形成され、後述する第２ＢａＳｉ層１８よりドーパント濃度が高い第２導電型（例えばｎ型）である。トンネルＢａＳｉ層１４は、例えばＳｂ（アンチモン）、Ａｓ（砒素）等のドーパントを有し、膜厚が例えば１０〜５０ｎｍ、ドーパント濃度が例えば１×１０１９〜１×１０２０ｃｍ−３であることが好ましい。
［００２６］　トンネル接合層１６上にｐｎ接合を有するＢａＳｉ層２２が形成されている。ＢａＳｉ層２２は、トンネル接合層１６上に形成された第２導電型（例えばｎ型）の第２ＢａＳｉ層１８と、第２ＢａＳｉ層１８上に形成された第１導電型（例えばｐ型）の第１ＢａＳｉ層２０と、を含んでいる。第１ＢａＳｉ層２０と第２ＢａＳｉ層１８とはｐｎ接合を形成している。第２ＢａＳｉ層１８は、例えばＳｂ、Ａｓ等のドーパントを有し、膜厚が例えば５００〜１０００ｎｍ、ドーパント濃度が例えば１×１０１６〜５×１０１６ｃｍ−３であることが好ましい。
第１ＢａＳｉ層２０は、例えばＡｌ等のドーパントを有し、膜厚が例えば５０〜１００ｎｍ、ドーパント濃度が例えば５×１０１７〜５×１０１８ｃｍ−３であることが好ましい。
・・・
［００２８］トンネルＢａＳｉ層１４、第２ＢａＳｉ層１８、第１ＢａＳｉ層２０および実施例２で説明する中間ＢａＳｉ層は、ＢａおよびＳｉを含み、例えばバリウムシリサイド層である。・・・
これにより、より高効率でかつ薄膜化可能な太陽電池を提供することができる。
３　引用文献３の記載事項
　引用文献３には、以下の（３ａ）〜（３ｂ）の記載がある。
（３ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　少なくとも一方の表面がＳｉである基板と、
　前記基板のＳｉ表面のうちの１つの表面上に配置されている、エピタキシャル成長により形成されたＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ型ＢａＳｉ２層と、
　前記
ｎ型ＢａＳｉ２層上に配置されている周期表１３〜１５族に属する少なくとも１種の不純物原子とＢａ原子とＳｉ原子とを含有するｎ＋型ＢａＳｉ２層
　前記ｎ＋型ＢａＳｉ２層上に配置されている上部電極と、
　前記基板の一方の表面上に配置されている下部電極と、
を備えることを特徴とするシリコンベースの高効率太陽電池。」
（３ｂ）「【００３３】
　
次に、このｎ型ＢａＳｉ２層２の表面に周期表１３〜１５族に属する少なくとも１種の不純物原子とＢａ原子とＳｉ原子とを反応させてｎ＋型ＢａＳｉ２層３を形成する。ＢａＳｉ２層に前記不純物原子をドープすることにより、より電子密度の高いｎ＋型ＢａＳｉ２層３を形成することができ、
直列抵抗による光電変換効率の低下を抑制した太陽電池を得ることができる。
【００３４】
　前記ｎ＋型ＢａＳｉ２層３中のＳｉ原子１ｍｏｌに対する前記不純物原子の含有量は０．１〜３ｍｍｏｌであることが好ましく、１〜３ｍｍｏｌであることがより好ましい。不純物原子の含有量が上記下限未満になると電極と太陽電池の接触抵抗が大きくなる傾向にある。他方、上記上限を超えるとｎ＋型ＢａＳｉ２層の結晶品質が低下する傾向にある。」
４　引用文献４の記載事項
　引用文献４には、以下の（４ａ）の記載がある。
（４ａ）「【００３２】
　（ポリシリコン半導体膜）
　ポリシリコン半導体膜１３は、基板１０上（第１下地膜１１乃至第２下地膜１２が設けられている場合にはその上。以下これらを単に「基板上」という。）に所定のパターンで形成されている。・・・一方、ソース電極接続領域１３ｓ及びドレイン電極接続領域１３ｄは、基板１０側からソース電極側及びドレイン電極側に向かってドーパント一定濃度層２１とドーパント減少傾斜層２２’とが積層した領域であり、チャネル領域１３ｃの厚さＴ３より厚い厚さ（Ｔ１＋Ｔ２）で形成されている。
【００３３】
　ドーパント一定濃度層２１は、ソース電極接続領域１３ｓ及びドレイン電極接続領域１３ｄのポリシリコン半導体膜１３の基板１側（下側）の層であって、含まれるドーパントの濃度が厚さ方向で一定の層である。
ドーパント一定濃度層２１の形成方法としては、先ず、ドーパントを含有するシリコンターゲットを用いたスパッタリング法でドーパント含有半導体膜を成膜し、次いで、成膜したドーパント含有半導体膜の多結晶化と活性化のためのアニール（好ましくはエキシマレーザーアニール）を行い、次いで、そのドーパント含有半導体膜をパターニングして所定パターンのドーパント一定濃度層２１を形成する方法を挙げることができる。
５　引用文献５の記載事項
　引用文献５には、以下の（５ａ）〜（５ｂ）の記載がある。
（５ａ）「【０００２】
　近年、電子材料の分野において、各種の薄膜を形成する際にスパッタリング法が使用されている。このスパッタリング法は、正の電極と負の電極とからなるターゲットとを対向させ、不活性ガス雰囲気下でこれらの基板とターゲットの間に高電圧を印加して電場を発生させるものであり、この時電離した電子と不活性ガスが衝突してプラズマが形成され、このプラズマ中の陽イオンがターゲット（負の電極）表面に衝突してターゲット構成原子を叩きだし、この飛び出した原子が対向する基板表面に付着して膜が形成されるという原理を用いたものである。
・・・
【０００６】
　上記のような従来技術においては、
ドーパントが均一に分散したスパッタリングターゲットが得られ、これを用いてスパッタリングした場合、ある程度の成膜の均一性を高めることが可能となった。
（５ｂ）「【００１０】
　本発明は、
めっきにより平均粒径１０ｎｍ以下のドーパントを析出させた原料粉を用いて焼結したスパッタリングターゲットを用いる
。
・・・
【００１１】
　
このような微細に分散したドーパントを含有するターゲットを用いてスパッタリングした場合、スパッタ膜の成分組成もこのターゲットの均一な成分組成が反映され、微細に分散したドーパントを含有するスパッタ膜が得られる。
第５　対比・判断
１　対比
（ア）本願発明と引用発明とを対比すると、本願発明に係る「珪化バリウム多結晶体」は、例えば本願明細書の発明の詳細な説明の【００１０】の「本発明の珪化バリウム多結晶体は、抵抗率が１０−５Ωｃｍ以上１０５Ωｃｍ未満であるため、ｐ型半導体として好適であり、太陽電池などに代表される半導体デバイス用スパッタリングターゲットに使用することができる。さらに熱電変換材料としても使用することができる。」との記載からみて、スパッタリングターゲットとしても用いられるものであるから、引用発明における「珪化バリウムスパッタリングターゲットとされる、珪化バリウム多結晶体」は、本願発明における「珪化バリウム多結晶体」に相当する。
　また、引用発明において、「珪化バリウム多結晶体」中の「酸素含有量」が「２．８ｍｏｌ％であ」ることは、本願発明において、「含有酸素量が２０ａｔｍ％以下であること」に合致する。
（イ）そうすると、本願発明と引用発明とは、
「含有酸素量が２０ａｔｍ％以下である珪化バリウム多結晶体。」
の点で一致し、以下の点で相違している。 
相違点１：本願発明は、「１３族元素のうち少なくとも１種類以上の元素を含み、前記１３族元素がホウ素またはアルミニウムである」、との発明特定事項を有するのに対して、引用発明は、前記発明特定事項を有しない点。
２　判断 
（ア）以下、前記１（イ）の相違点１について検討すると、前記第４の２（２ａ）〜（２ｂ）によれば、引用文献２には、太陽電池を構成するＢａＳｉ層がＡｌ等のドーパントを有すること、これにより、より高効率でかつ薄膜化可能な太陽電池を提供することができることが記載され、前記第４の３（３ａ）〜（３ｂ）によれば、引用文献３には、太陽電池を構成するｎ型ＢａＳｉ２層の表面に周期表１３〜１５族に属する少なくとも１種の不純物原子をドープしてｎ＋型ＢａＳｉ２層を形成すること、これにより、直列抵抗による光電変換効率の低下を抑制した太陽電池を得ることができることが記載されている。
　そして、これら引用文献２〜３の記載事項によれば、太陽電池を構成する珪化バリウム層に、ドーパントとして１３族元素であるホウ素またはアルミニウムを含有させて太陽電池の特性を向上させることは、本願出願日における周知技術といえるものである。
（イ）一方、前記第４の４（４ａ）によれば、引用文献４には、ドーパントを含有するシリコンターゲットを用いたスパッタリング法でドーパント含有半導体膜を成膜し、次いで、成膜したドーパント含有半導体膜の多結晶化と活性化のためのアニールを行い、次いで、そのドーパント含有半導体膜をパターニングして所定パターンのドーパント一定濃度層を形成する方法が記載され、前記第５の５（５ａ）〜（５ｂ）によれば、引用文献５には、電子材料の分野においては、各種の薄膜を形成する際にスパッタリング法が使用され、従来、ドーパントが均一に分散したスパッタリングターゲットが得られ、これを用いてスパッタリングした場合、ある程度の成膜の均一性を高めることが可能となったこと、及び、めっきにより平均粒径１０ｎｍ以下のドーパントを析出させた原料粉を用いて焼結したスパッタリングターゲットを用いて成膜した場合、スパッタ膜の成分組成もこのターゲットの均一な成分組成が反映され、微細に分散したドーパントを含有するスパッタ膜が得られることが記載されている。
　そして、これら引用文献４〜５の記載事項によれば、電子材料においてスパッタリング法により成膜する場合、スパッタリングターゲットにドーパントを含有させて、成膜される膜に所定量のドーパントを含有させることもまた、本願出願日における周知技術といえるものである。
（ウ）ここで、前記（ア）の周知技術によれば、当業者は、太陽電池の特性を向上させる、といった目的のために、珪化バリウム層に、ドーパントとして「１３族元素」である「ホウ素またはアルミニウム」を含有させるものである一方、前記（イ）の周知技術によれば、電子材料においてスパッタリング法により成膜する場合には、スパッタリングターゲットにドーパントを含有させて、成膜される膜に所定量のドーパントを含有させるものである。
　そして、引用発明に係る「珪化バリウム多結晶体」が「珪化バリウムスパッタリングターゲットとされる」ものであることからみれば、引用発明において、太陽電池の特性を向上させる、といった目的のために、スパッタリングターゲットとされる「珪化バリウム多結晶体」に、ドーパントとして「１３族元素」である「ホウ素またはアルミニウム」を含有させることは、当業者が容易に想到し得るものである。
　してみれば、引用発明において、「珪化バリウム多結晶体」を、「１３族元素のうち少なくとも１種類以上の元素を含み、前記１３族元素がホウ素またはアルミニウムである」、との前記相違点１に係る本願発明の発明特定事項を有するものとすることは、本願出願日における周知技術に基づいて当業者が容易になし得るものであり、かつ、そうすることにより格別な効果を奏するものでもないので、本願発明は、引用発明及び本願出願日における周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
３　請求人の主張について
（ア）請求人は、本件意見書において、本願発明は、特に、「極力酸素を含有させないような合成方法が好ましく、そのためには容器などに酸素を含有する機材をなるべく使用しない装置であるアーク溶解法が好ましい。」（方法１）、「珪化バリウム合金の合成後から酸素含有量を増加させないため、粉砕作業は不活性ガス、乾燥ガス雰囲気で行うことが好ましい。」（方法２）を用いることにより、酸素含有量を低減しており、引用文献１も、本願発明と同様に含有酸素量を低減させることを効果目的としており、そのためには方法１を用いる必要がある一方、引用文献２〜５は、含有酸素量を低減させるという技術的思想がなく、方法１を用いないものであり、含有酸素量低減に方法１が必要である引用文献１と、方法１を用いない引用文献２〜５とでは、当業者であっても組み合わせないから、本願発明は、引用文献１〜５に基づき、容易に想到できるものではない旨を主張している。
（イ）以下、前記（ア）の主張について検討すると、引用発明に係る「珪化バリウム多結晶体」は、「バリウムとシリコン粉末をモル比が１：２になるように１００ｇ秤量し、アーク溶解を行ない、アーク溶解は、銅製の水冷鋳型に混合原料を約１０ｇずつ投入し、真空処理後、アルゴンを封入しアーク放電を行ないながら材料を溶融し合金を作製するものであり、アーク溶解を行なった後、窒素ガス雰囲気にて合成した珪化バリウム合金をメノウ乳鉢を用いて粉砕」するものであって、「容器などに酸素を含有する機材をなるべく使用しない装置であるアーク溶解法」によるものといえ、かつ、「珪化バリウム合金の合成後から酸素含有量を増加させないため、粉砕作業は不活性ガス、乾燥ガス雰囲気で行う」ものといえ、引用発明は、「珪化バリウム多結晶体」の含有酸素量を低減させるために、前記方法１、方法２を用いるものといえる。
　一方、前記２（ア）によれば、引用文献２〜３は、太陽電池を構成する珪化バリウム層に、ドーパントとして１３族元素であるホウ素またはアルミニウムを含有させて太陽電池の特性を向上させることをいうものであり、同（イ）によれば、引用文献４〜５は、電子材料においてスパッタリング法により成膜する場合、スパッタリングターゲットにドーパントを含有させて、成膜される膜に所定量のドーパントを含有させることをいうものであるが、引用発明に係る「珪化バリウム多結晶体」は、もともと含有酸素量を低減させるために前記方法１、方法２を用いるものであり、そのような引用発明に係る「珪化バリウム多結晶体」にドーパントを含有させたとしても、その酸素含有量が増加するものではないし、ドーパントを含有させることで、前記方法１、方法２を用いることが阻害されるものでもない。
　すると、引用文献２〜５に、含有酸素量を低減させるという技術的思想がなく、これらが方法１を用いるものではないとしても、もともと含有酸素量を低減させるために前記方法１、方法２を用いる引用発明においてドーパントを含有させたとき、引用発明に係る「珪化バリウム多結晶体」中の酸素含有量が増加するものではないから、含有酸素量を低減させて、割れのない低酸素含有量珪化バリウム多結晶体を製造し、低酸素含有量珪化バリウムスパッタリングターゲットを提供する、という引用発明の効果目的を阻害しないことは明らかである。
　したがって、引用文献１に記載された発明と、引用文献２〜５に記載される周知技術を組み合わせることが阻害されるものではなく、含有酸素量低減に方法１が必要である引用文献１と、方法１を用いない引用文献２〜５とを、当業者であっても組み合わせないとはいえないので、請求人の前記（ア）の主張は採用できない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明及び本願出願日における周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。