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【手続補正書】
【提出日】平成26年12月9日(2014.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
鈍角エッジ部２２は断面が山状であり、この山の角度θは、１６０〜１７８度程度に設けられ、本実施形態ではこの鈍角エッジ部２２の内径側と外径側とのテーパ角が異なっている。図３において、内径側テーパ角θ１は５°、外径側テーパ角θ２は２°に形成されており、これらのテーパ角θ１、θ２により鈍角エッジ部２２の角度θは１７３°の鈍角に設けられている。外径側テーパ角θ２を内径側テーパ角θ１よりも小さく形成しているのは、低圧時のときには、後述するシール径（シールエッジ径Ｄｓ）を小さくし、高圧時のときには、ポペット弁体３の後述する平面部３５とのシール幅を外径方向に広くするためである。これにより、低圧時から高圧時まで、確実にシールすることが可能になる。鈍角エッジ部２２の頂点付近２２ａは、鋭くする必要はなく、半径の小さい断面Ｒ形状としてもよい。なお、外径側テーパ角θ２を０°より大きく設定し、例えば、１°であってもよく、本実施形態においては、０°＜θ２＜５°、より好ましくは、１°＜θ２＜３°の範囲に設定するのがよい。また、前述のように、内径側テーパ角θ１を外径側テーパ角θ２よりも大きく形成しているので、高圧時のときに、弁座シール面２１の内周縁部（流路２０との交点）がポペット弁体３の平面部３５を押圧するのを防ぎ、平面部３５の損傷なく、確実な面シールを行うことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ポペット弁体３は、平面部３５が鈍角エッジ部２２の硬度よりも低くなるように、比較的硬度の低い材料で形成されている。本実施形態では、ポペット弁体３の材質は樹脂であり、この樹脂は、鈍角エッジ部２２を有するスリーブ１６の硬度よりも低い材質で且つ、高圧流体の封止に必要な高強度を有する材質になっている。この樹脂としては、例えば、スーパーエンジニアリングプラスチックに属するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）又はポリイミド（ＰＩ）であり、本実施形態では、ＰＥＥＫに３０％のグラファイトを混合したものを用いてポペット弁体を形成した。なお、本実施形態において、「平面部３５が鈍角エッジ部２２の硬度より低い」とは、流体圧の上昇に伴って、平面部３５と鈍角エッジ部２２の弁座シール面２１とのシール幅が広がる一方、流体圧の下降に伴って、シール幅が狭くなるよう、平面部３５側が弾性変形する程度の硬度の低さをいう。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月27日(2015.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動物において脳の段階を評価するための方法であって、該方法は、
動物の頭皮または頭部上に少なくとも単一の電極を配する工程；
脳波活動を示すデータを得る工程；
脳波活動を示す前記データを分析する工程；および
前記分析から、記銘力（attentiveness）レベルまたは意識清明（alertness）レベルを示す少なくとも１つのパラメータを決定する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
得られるデータは、少なくとも単一の乾式非接触電極を配することによって非侵襲的に受信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
得られるデータは、少なくとも単一の湿式電極を配することによって非侵襲的に受信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
得られるデータは、ＥＥＧの少なくとも単一のチャンネルから受信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記データを分析する工程が、
前記データに基づいてスペクトログラムを生成する工程；および
前記スペクトログラムを複数回正規化する工程であって、該複数回のうち少なくとも一回行われる正規化が、時間にわたって正規化することを含み、該複数回のうち少なくとも一回行われる正規化が、周波数にわたって正規化することを含む、前記スペクトログラムを複数回正規化する工程、
を含み、正規化されたスペクトルに基づいて前記少なくとも一つのパラメータが決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
分析する工程が、
前記データに基づいて生成されたスペクトログラムを正規化する工程；
前記データを用いて独立成分分析または主成分分析を行う工程；および
前記データを用いてクラスタリング技術を行う工程、
の１つまたは複数を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
分析する工程が、一時的なフラグメンテーションの分析を行う工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
分析する工程が、好ましい周波数の分析を行う工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
分析する工程が、スペクトルのフラグメンテーションの分析を行う工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
得られるデータは、無線で受信されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
脳活動を示す分析されるデータは、自動によるデータであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
脳活動を示す分析されるデータは、手動によるデータであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記データを分析する工程が、
好ましい周波数の空間、
フラグメンテーションの空間、または
クラスターの空間、
の統計的な分析を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
前記データを分析する工程が、
好ましい周波数の空間、
フラグメンテーションの空間、または
クラスターの空間、
の統計的な分析を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
前記データを分析する工程が、
好ましい周波数の空間、
フラグメンテーションの空間、または
クラスターの空間、
の統計的な分析を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記データを分析する工程が、
好ましい周波数の空間、
フラグメンテーションの空間、または
クラスターの空間、
の統計的な分析を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１７】
前記データを分析する工程が、
好ましい周波数の空間、
フラグメンテーションの空間、または
クラスターの空間、
の統計的な分析を行う工程をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのパラメータのうちの１つのパラメータが、前記動物が睡眠状態であるかまたは覚醒状態であるかを示すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
動物において脳波を得て、分類するための非侵襲性のシステムであって、該システムは、
脳波活動を示すデータを得るための受信手段；
脳波活動を示す前記データを分析するための計算手段；および
前記分析から、想定される薬物反応または投与量を示す情報を含む、記銘力レベルまたは意識清明レベルを示す少なくとも一つのパラメータを決定するためのプロセッサ、
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２０】
受信手段は、前記動物に取り付けられる非侵襲性の電極であることを特徴とする請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記少なくとも１つのパラメータが、前記動物が急速眼球運動（ＲＥＭ）睡眠にあるかどうかを示すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
ＲＥＭ睡眠が、持続性（tonic）または相動性（phasic）であることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記少なくとも１つのパラメータは、想定される薬物摂取、反応、または投与量を示す情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
分析する工程が、一時的フラグメンテーションまたはスペクトルフラグメンテーションをさらに含み、前記少なくとも１つのパラメータが、前記動物がＲＥＭ睡眠にあるかどうかを示すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
ＲＥＭ睡眠が、持続性または相動性であることを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】動物において脳の段階を評価するための方法および動物において脳波を得て分類するための非侵襲性のシステム
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月30日(2015.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技を行う遊技機であって、
スピーカと、
前記スピーカが装着され該スピーカの後方空間を囲む箱体と、
を備え、
前記箱体の内面にリブが複数設けられ、
前記箱体及び前記リブは透光性を有し、
前記箱体の外側から前記リブに向けて光を照射する発光体を複数備え、
前記発光体の各々は、前記リブの各々に対応して設けられる
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の遊技機は、
遊技を行う遊技機であって、
スピーカと、
前記スピーカが装着され該スピーカの後方空間を囲む箱体と、
を備え、
前記箱体の内面にリブが複数設けられ、
前記箱体及び前記リブは透光性を有し、
前記箱体の外側から前記リブに向けて光を照射する発光体を複数備え、
前記発光体の各々は、前記リブの各々に対応して設けられる
ことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
パチンコ球がゲート３２を通過しゲートスイッチ３２ａで検出されると、複数種類の識別情報としての普通図柄を変動表示する普通図柄表示器１０における変動表示が開始される。この実施の形態では、左右のＬＥＤ（点灯時に図柄が視認可能になる）が交互に点灯することによって変動表示が行われ、たとえば、変動表示の終了時に左側のＬＥＤが点灯すれば当りになる。そして、普通図柄表示器１０における停止図柄が所定の図柄（当り図柄）となったときに、始動入賞装置１５の可動片１３，１３の開放条件が成立し、始動入賞装置１５における可動片１３，１３が所定回数、所定時間だけ開状態になる。普通図柄表示器１０の近傍には、ゲート３２を通過した有効通過球の記憶数、すなわち、始動通過記憶数を表示する４つのＬＥＤによる表示部を有する普通図柄保留記憶表示器４１が設けられている。ゲート３２へのパチンコ球の通過があるごとに、始動通過記憶の記憶データが１増えて、普通図柄保留記憶表示器４１は点灯するＬＥＤを１増やす。そして、普通図柄表示器１０における変動表示が開始されるごとに、始動通過記憶の記憶データが１減って、点灯するＬＥＤを１減らす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１１】
次に、演出制御用マイクロコンピュータ８１の演出制御用ＣＰＵ８６が行う大当り予告演出について説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１２】
演出制御用ＣＰＵ８６は、変動表示装置９の図柄変動に応じて様々な演出を実行可能であるとともに、前述した大当り抽選に当選し、特別図柄表示器８において特定表示結果としての大当り図柄が停止して大当りとなり、遊技者にとって有利となる大当り遊技状態に移行する可能性がある旨を報知する大当り予告演出を、変動表示装置９にて行う。この大当り予告演出は、後述するように大当り抽選に当選したときにのみ行われるものではなく、当選しなかった場合にも行われるようになっている。つまり、大当り抽選に当選したときに、大当り抽選に当選しなかったときよりも高い確率で実行される演出である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２５】
ここで演出制御用ＣＰＵ８６は、タッチセンサ５１３またはトリガースイッチ５１２ａがｏｎであるか否か、つまり遊技者が操作レバー３００を触れているかまたはトリガー５１２を操作しているか否かを判定し、開始画面（図１３（ａ）参照）の表示中、つまり開始画面の表示を開始してから所定時間が経過するまでにタッチセンサ５１３またはトリガースイッチ５１２ａのｏｎを検出しなかった場合には、非操作進行パターンを選択して次の画面を表示する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミナからなるセラミックス部材とが接合された銅／セラミックス接合体であって、
前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面には、活性元素と酸素と燐とを含有する活性元素酸化物層が形成されており、
この活性元素酸化物層の厚さが５ｎｍ以上２２０ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴とする銅／セラミックス接合体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明の銅／セラミックス接合体は、銅又は銅合金からなる銅部材と、アルミナからなるセラミックス部材とが接合された銅／セラミックス接合体であって、前記銅部材と前記セラミックス部材との接合界面には、活性元素と酸素と燐とを含有する活性元素酸化物層が形成されており、この活性元素酸化物層の厚さが５ｎｍ以上２２０ｎｍ以下の範囲内とされていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この構成の銅／セラミックス接合体においては、銅又は銅合金からなる銅部材とアルミナからなるセラミックス部材との接合界面に、活性元素と酸素と燐とを含有する活性元素酸化物層が形成された構造とされている。そして、本発明では、この活性元素酸化物層の厚さが５ｎｍ以上とされているので、セラミックス部材と銅部材とが確実に接合され、接合強度を確保することが可能となる。一方、活性元素酸化物層の厚さが２２０ｎｍ以下とされているので、比較的硬くて脆い活性元素酸化物層の厚さが薄く、例えば冷熱サイクル負荷時の熱応力によってセラミックス部材に割れが生じることを抑制できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ここで、図２に示すように、セラミックス基板１１と回路層１２（銅板２２）との接合界面には、活性元素と酸素と燐とを含む活性元素酸化物層３０が形成されている。本実施形態では、この活性元素酸化物層３０の厚さｔが、５ｎｍ以上２２０ｎｍ以下の範囲内とされている。
本実施形態においては、活性元素としてＴｉを有しており、上述の活性元素酸化物層３０は、Ｔｉと酸素（Ｏ）と燐（Ｐ）とを含むＴｉ−Ｐ−Ｏ層とされている。
なお、活性元素としてＺｒを用いた場合には、活性元素酸化物層３０はＺｒ−Ｐ−Ｏ層とされ、Ｎｂを用いた場合にはＮｂ−Ｐ−Ｏ層とされ、Ｈｆを用いた場合にはＨｆ−Ｐ−Ｏ層とされている。
また、本実施形態においては、活性元素酸化物層３０におけるＰの含有量が１．５ｍａｓｓ％以上１０ｍａｓｓ％以下の範囲内とされている。なお、ここでのＰの含有量は活性金属とＰとＯの合計量を１００とした含有量である。
Ｐの含有量が１．５ｍａｓｓ％以上とされているので、確実に活性元素酸化物層３０を形成することができ、セラミックス基板１１と回路層１２とを確実に接合することができる。また、Ｐの含有量が１０ｍａｓｓ％以下とされているので、活性元素酸化物層３０が過剰に硬くなることがなく、例えば冷熱サイクル負荷時の熱応力によるセラミックス基板への負荷を低減でき、接合界面の信頼性低下を防ぐことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本実施形態では、活性元素酸化物層３０（Ｔｉ−Ｐ−Ｏ層）の厚さｔが５ｎｍ以上とされているので、セラミックス基板１１と銅板２２（回路層１２）とが確実に接合され、これらの接合強度を確保することが可能となる。一方、活性元素酸化物層３０（Ｔｉ−Ｐ−Ｏ層）の厚さｔが２２０ｎｍ以下とされているので、冷熱サイクル負荷時の熱応力によってセラミックス基板１１に割れが生じることを抑制できる。
なお、上述の作用効果を奏するためには、活性元素酸化物層３０（Ｔｉ−Ｐ−Ｏ層）の厚さｔを１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
活性元素酸化物層の厚さが５ｎｍ未満とされた比較例１では、初期接合率が低く、接合が不十分であった。
活性元素酸化物層の厚さが２２０ｎｍを超える比較例２では、冷熱サイクル後にセラミックス基板に割れが生じた。接合界面に活性元素酸化物層が厚く形成されたためにセラミックス基板にかかる熱応力が増加したためと推測される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
これに対して、活性元素酸化物層の厚さが５ｎｍ以上２２０ｎｍ以下とされた本発明例１−１１においては、比較的低温の条件であっても初期接合率が高く、セラミックス基板と銅板とが確実に接合されていた。また、冷熱サイクル後の接合率が高く、接合信頼性が向上していた。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換した電荷を蓄積する画素がマトリックス状に配置された画素アレイ部と、
前記画素の駆動時に前記画素を駆動する駆動電圧を発生するとともに、前記駆動の開始のタイミングに基づいて前記駆動電圧を発生する駆動力を増大させる駆動電圧発生回路とを備える固体撮像装置。
【請求項２】
前記駆動電圧発生回路は、
自己の出力電圧に基づいて動作される第１チャージポンプ回路と、
前記駆動の開始時に動作される第２チャージポンプ回路とを備える請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１チャージポンプ回路は、前記画素からの放電による電圧低下分を補償するように駆動力が設定される請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第２チャージポンプ回路は、前記画素の駆動の開始時の前記駆動電圧の立ち上がり時間が短くなるように駆動力が設定される請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記駆動電圧発生回路は、
第１チャージポンプ回路と、
第２チャージポンプ回路と、
前記第１チャージポンプ回路および前記第２チャージポンプ回路から出力されるバイアス電圧を分圧する電圧分圧部と、
参照電圧を発生する参照電圧発生回路と、
前記電圧分圧部にて生成された分圧電圧と前記参照電圧とを比較するコンパレータと、
前記コンパレータによる比較結果に基づいてクロックを前記第１チャージポンプ回路に出力する第１ＡＮＤ回路と、
前記駆動の開始のタイミングに基づいて前記第１ＡＮＤ回路の出力を前記第２チャージポンプ回路に出力する第２ＡＮＤ回路と、
前記画素の駆動時に前記駆動電圧を前記バイアス電圧にシフトさせるレベルシフタとを備える請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
光電変換素子を含む画素が配列された画素アレイ部と、
前記画素と電気的に接続された電圧発生回路を有し、
前記電圧発生回路は、
第１電圧生成回路と、
第２電圧生成回路と、
前記第１電圧生成回路および前記第２電圧生成回路と電気的に接続した電圧分圧部と、
前記電圧分圧部から出力された分圧電圧と参照電圧を入力し第１電圧を出力するコンパレータと、
前記第１電圧とクロック信号を入力し、第１論理値を出力する第１ＡＮＤ回路と、
前記第２電圧生成回路と、前記第１ＡＮＤ回路との間に設けられ、前記第１論理値と、タイミング信号を入力し、第２論理値を出力する第２ＡＮＤ回路とを備える固体撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月7日(2015.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビット線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、酸化物半導体を用いた第３のトランジスタと、キャパシタと、を有し、
前記キャパシタは、前記第３のトランジスタのドレイン電極と、誘電体膜を介して該ドレイン電極の側面と対向して設けられた導電膜と、によって構成され、
前記第１のトランジスタのソースは、前記ビット線と接続され、
前記第１のトランジスタのドレインは、前記第２のトランジスタのソースと接続され、
前記第１のトランジスタは、前記キャパシタの電位によってオンおよびオフが制御され、
前記第１のトランジスタがオンのとき、前記第２のトランジスタおよび前記第１のトランジスタを通って前記ビット線にデータ１が与えられることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
ビット線と、ワード線と、ソース線と、共通配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、酸化物半導体を用いた第３のトランジスタと、キャパシタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方を前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と接続し、
前記第１のトランジスタのゲートを前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方、および前記キャパシタを構成する一対の容量電極の一方と接続し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方、および前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方を前記ビット線と接続し、
前記第３のトランジスタのゲートを前記ワード線と接続し、
前記第２のトランジスタのゲート、およびソースまたはドレインの他方を前記ソース線と接続し、
前記キャパシタを構成する前記一対の容量電極の他方を前記共通配線と接続し、
前記共通配線は接地し、
前記共通配線は上面から見て網状であり、前記共通配線が形成する網の目に前記第３のトランジスタが設けられることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第３のトランジスタは、ソース電極およびドレイン電極と、少なくとも前記ソース電極および前記ドレイン電極の上面と接する酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を覆って設けられた絶縁膜と、を有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記キャパシタは、前記ドレイン電極および前記共通配線を一対の容量電極とし、少なくとも前記絶縁膜を誘電体膜とすることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ソース電極および前記ドレイン電極間の空間を埋める絶縁膜が設けられることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜、または前記ソース電極および前記ドレイン電極間の空間を埋める前記絶縁膜が加熱処理により酸素を放出する絶縁膜であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記絶縁膜は、温度が２５０℃以上４５０℃以下の範囲における酸素の拡散係数が、前記ゲート絶縁膜、または前記ソース電極および前記ドレイン電極間の空間を埋める前記絶縁膜と比べて小さいことを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属と、
窒素原子を有する六員環の複素芳香環と、
アリール基と、
を有し、
前記金属は、イリジウムまたは白金であり、
前記窒素原子は、前記メタルに配位しており、
前記アリール基は、前記窒素原子のα−炭素原子と結合しており、
前記アリール基は、前記金属に結合することによりオルトメタル化しており、
前記六員環の複素芳香環または前記アリール基は、トリシクロ［５．２．１．０（２，６）］デカニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基のいずれか一を置換基として有する化合物。
【請求項２】
請求項１において、
前記六員環の複素芳香環は、ピリジンまたは単環ジアジンである化合物。
【請求項３】
請求項１において、
前記六員環の複素芳香環は、ピリミジンである化合物。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
さらに、モノアニオン性の配位子を有する化合物。
【請求項５】
請求項４において、
前記モノアニオン性の配位子は、βジケトンである化合物。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記アリール基は、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基のいずれかである化合物。
【請求項７】
式（Ｇ１）で表される化合物。
【化１】
2012231137.tif 000001
（Ｍは、イリジウムまた白金を表し、
Ｒ１〜Ｒ７のうち、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７のいずれか一は、分子内に炭素−炭素橋架け結合を有する脂環炭素を表し、他は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキルチオ基、置換または無置換の炭素数１〜４のハロアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項８】
式（Ｇ１）で表される化合物。
【化２】
2012231137.tif 000002
（Ｍは、イリジウムまた白金を表し、
Ｒ１〜Ｒ７のうち、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７のいずれか一は、トリシクロ［５．２．１．０（２，６）］デカニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基のいずれか一を表し、他は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキルチオ基、置換または無置換の炭素数１〜４のハロアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項９】
式（Ｇ２）で表される化合物。
【化３】
2012231137.tif 000003
（Ｍは、イリジウムを表し、
Ｒ１〜Ｒ７のうち、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７のいずれか一は、分子内に炭素−炭素橋架け結合を有する脂環炭素を表し、他は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキルチオ基、置換または無置換の炭素数１〜４のハロアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表し、
Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。）
【請求項１０】
式（Ｇ２）で表される化合物。
【化４】
2012231137.tif 000004
（Ｍは、イリジウムを表し、
Ｒ１〜Ｒ７のうち、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７のいずれか一は、トリシクロ［５．２．１．０（２，６）］デカニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基のいずれか一を表し、他は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキルチオ基、置換または無置換の炭素数１〜４のハロアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表し、
Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。）
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記モノアニオン性配位子がβジケトンである化合物。
【請求項１２】
式（Ｇ３）で表される化合物。
【化５】
2012231137.tif 000005
（Ｍは、イリジウム表し、
Ｒ１〜Ｒ７のうち、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７のいずれか一は、分子内に炭素−炭素橋架け結合を有する脂環炭素を表し、他は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキルチオ基、置換または無置換の炭素数１〜４のハロアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項１３】
式（Ｇ３）で表される化合物。
【化６】
2012231137.tif 000006
（Ｍは、イリジウム表し、
Ｒ１〜Ｒ７のうち、Ｒ１、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７のいずれか一は、トリシクロ［５．２．１．０（２，６）］デカニル基、ノルボルニル基、アダマンチル基のいずれか一を表し、他は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルコキシ基、置換または無置換の炭素数１〜４のアルキルチオ基、置換または無置換の炭素数１〜４のハロアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
整流回路と、
前記整流回路と電気的に接続され、一対の電極間に有機化合物を含む層が挟持された発光素子と、
前記整流回路と電気的に接続され、電界結合により交流電力を受電可能な受電電極と、を有し、
前記整流回路は、前記受電電極で受電した交流電力を整流し、前記発光素子を駆動させる直流電力を生成する、発光装置。
【請求項２】
整流回路と、
前記整流回路と電気的に接続され、一対の電極間に有機化合物を含む層が挟持された発光素子と、
前記整流回路と電気的に接続され、電界結合により交流電力を受電可能な受電電極と、を有し、
前記整流回路は、前記受電電極で受電した交流電力を整流し、前記発光素子を駆動させる直流電力を生成し、
前記受電電極は、前記整流回路と前記発光素子とが設けられた基板である、発光装置。
【請求項３】
整流回路と、
前記整流回路と電気的に接続され、一対の電極間に有機化合物を含む層が挟持された発光素子と、
前記整流回路と前記発光素子とが設けられた第１の基板と、
前記第１の基板と対向する第２の基板と、を有し
前記第２の基板は、前記整流回路と電気的に接続され、
前記第２の基板は、電界結合により交流電力を受電可能な受電電極として機能し、
前記整流回路は、前記第２の基板で受電した交流電力を整流し、前記発光素子を駆動させる直流電力を生成する、発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子および出力端子の電位をある定められた値にするための手段を有する半導体装置。
【請求項２】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子の電位をある定められた値にする配線との接続を制御する第３のスイッチング素子と、
容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、を有する半導体装置。
【請求項３】
第１の論理値を反転させる論理素子と、
入力端子が前記第１の論理値を反転させる論理素子の出力端子に接続されている第２の論理値を反転させる論理素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子への、データを含む信号の入力を制御する第１のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と前記第２の論理値を反転させる論理素子の出力端子との接続を制御する第２のスイッチング素子と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子の入力端子と出力端子との電気的な接続を制御する第３のスイッチング素子と、
容量素子と、
チャネル形成領域に酸化物半導体を含み、前記容量素子への前記データの書き込みを制御するトランジスタと、を有する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の論理値を反転させる論理素子及び前記第２の論理値を反転させる論理素子は、インバータまたはクロックドインバータである半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記トランジスタは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに一項に記載の半導体装置において、
前記容量素子にデータに応じた電荷を蓄積する第１の過程と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子及び前記第２の論理値を反転させる論理素子の電源を停止する第２の過程と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子及び前記第２の論理値を反転させる論理素子の入力端子および出力端子の電位をある定められた値に保つ第３の過程と、
前記トランジスタをオンとする第４の過程と、
前記第１の論理値を反転させる論理素子及び前記第２の論理値を反転させる論理素子に電源を供給する第５の過程と、を有する半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コヒーレント光通信システムにおいて交差偏光変調(ＸＰｏｌＭ)を適応的にキャンセルするための方法であって、
前方最尤系列推定(ＭＬＳＥ)復号するステップであって、
ビタビプロセスを用いてジョイントトレリス状態図に沿ってｘ偏光信号及びｙ偏光信号を同時に一緒に復号するステップと、
片側指数関数的重み付け再帰的最小二乗(ＲＬＳ)プロセスを用いて前記ビタビプロセスのサバイバーパスに沿ってクロストークチャネルを推定するステップと、
前記サバイバーパスに沿った状態ごとに、推定チャネル、相互相関、自己相関及び復号データを記憶するステップと、
を含むものと、
後方ＭＬＳＥ復号するステップであって、
前記ビタビプロセスを用いて前記ジョイントトレリス状態図の逆の時間方向に沿ってｘ偏光信号及びｙ偏光信号を一緒に復号するステップと、
両側指数関数的重み付けＲＬＳを用いて前記ジョイントトレリス状態図において前記サバイバーパスの逆の時間方向に沿ってクロストークチャネルを推定するステップであって、新たに計算された相互相関行列、及び前記前方ＭＬＳＥ復号において記憶された相互相関行列を用いるものと、
ＭＬパスを求めるための前記推定されたクロストークチャネル行列に基づいてチャネル共分散行列を計算するステップと、
を含むものと、
ＭＬＳＥ−ＲＬＳ復号するステップであって、
前記ビタビプロセスを用いて前記ジョイントトレリス状態図に沿って前記ｘ偏光信号及び前記ｙ偏光信号を一緒に復号するステップと、
最適重み付けＲＬＳプロセスを用いて、前記サバイバーパスのための、時間とともに変化するクロストークチャネルを推定するステップであって、予め計算されたチャネル共分散行列を用いて、追跡能力を改善するものと、
を含むものと、
を含み、
前記ステップはクロストークキャンセラーにおいて実行される、コヒーレント光通信システムにおいて交差偏光変調(ＸＰｏｌＭ)を適応的にキャンセルするための方法。
【請求項２】
推定チャネル行列Ｈ’(ｔ)を用いて送信データ候補Ｓ’(ｔ)をフィルタリングするステップと、
受信信号Ｒ(ｔ)からレプリカＨ’(ｔ)Ｓ’(ｔ)を減算し、誤差ベクトルＥ(ｔ)を得るステップと、
適応型プロセスを用いて、判定基準により平均二乗誤差(ＭＳＥ)を最小にすることによって、前記推定チャネル行列Ｈ’(ｔ)を更新するステップであって、該判定基準は、ユニタリー制約を用いる、又は用いない、片側指数関数的重み付けＲＬＳ、両側指数関数的重み付けＲＬＳ又は最適重み付けＲＬＳであるものと、
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＸＰｏｌＭ、及び偏光モード分散(ＰＭＤ)によって引き起こされる任意の偏光クロストークが、パーサバイバー処理(ＰＳＰ)−ＲＬＳチャネル追跡を用いる同時ＭＬＳＥ復号によってキャンセルされる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ｘ偏光信号及び前記ｙ偏光信号は、光ＰＯＬＭＵＸ送信機において最初に直交しており、該送信機は、更に性能を改善するために、二重偏光４位相偏移変調(ＤＰ−ＱＰＳＫ)、又はトレリス符号化変調(ＴＣＭ)を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
反復復号及び反復チャネル推定のターボ原理が、内部ＦＥＣチャネルコーディングのための性能を改善する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
波長分割多重化(ＷＤＭ)によって、異なる波長の光にわたって複数のＰＯＬＭＵＸ信号が多重化される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
長距離通信のために、光ファイバーが、多スパンのシングルモードファイバー(ＳＭＦ)と、光増幅器(ＯＡ)と、分散補償ファイバー(ＤＣＦ)とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
より高次のＲＬＳチャネル追跡が追跡能力の改善に適用可能である、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月25日(2014.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のロジックエレメントを有し、
前記複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフィギュレーションメモリと、前記コンフィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、異なる演算処理を行い、且つ、前記ロジックエレメント間の電気的接続を変更する手段と、を有し、
前記コンフィギュレーションメモリは、揮発性の第１の記憶回路と、前記揮発性の第１の記憶回路に保持されたデータを記憶する第２の記憶回路と、の組を有し、
前記第１の記憶回路は、チャネルがシリコンに形成される第１のトランジスタを有し、
前記第２の記憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成される第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタがオフ状態となることによってフローティングとなるノードに一対の電極のうちの一方が電気的に接続された容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのゲート電極上方に、第１の絶縁層を有し、
前記第１の絶縁層上方に、前記第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタ上方に、第２の絶縁層を有し、
前記第２の絶縁層上方に、前記容量素子を有することを特徴とするプログラマブルＬＳＩ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月17日(2015.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の給電点を有する第１のアンテナ部と、
第２の給電点を有する第２のアンテナ部と、
少なくとも１個の無給電素子とを備え、
前記無給電素子は前記第１および第２の給電点のいずれからも所定距離以上離間した接地点に接地される
無線通信装置。
【請求項２】
前記第１および第２のアンテナ部が搭載される基板を有し、
前記第１のアンテナ部は前記基板の一方向の一端部に配置され、前記第２のアンテナ部は前記基板の前記一方向の他端部に配置され、前記無給電素子は前記一端部と前記他端部との間に配置される
請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記無線通信装置の一端部側に配備され、前記第１のアンテナ部が接続される第１の回路基板と、
前記無線通信装置の前記他端側に配置され、前記第２のアンテナ部が接続される第２の回路基板と、
前記第１およびの回路基板と並行して、前記基板のほぼ全長に亘って延びる導体板とをさらに備え、
前記無給電素子は前記導体板に対して接地される
請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項４】
異なる集中定数の第１および第２の回路素子と、
前記無給電素子を選択的に前記第１および第２の回路素子のいずれかを介して接地するスイッチとをさらに備えた
請求項１、２または３に記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記第１および第２のアンテナ部を選択的に第１の周波数帯と第２の周波数帯のいずれかで動作するよう切り替え制御する制御部をさらに備え、
前記制御部はいずれの周波数帯で動作するかに応じて前記スイッチを切り替え制御する
請求項４に記載の無線通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような背景において、発明者は、複数のアンテナについて相関の度合いが低くかつ均衡したアンテナ効率を有するアンテナ装置および無線通信装置の必要性を認識している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の実施形態による無線通信装置は、第１の給電点を有する第１のアンテナ部と、第２の給電点を有する第２のアンテナ部と、少なくとも１個の無給電素子とを備え、前記無給電素子は前記第１および第２の給電点のいずれからも所定距離以上離間した接地点（ＧＮＤ点）に接地される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
上述の本発明の実施の形態では、
第１の給電点を有する第１のアンテナ部と、
第２の給電点を有する第２のアンテナ部と、
少なくとも１個の無給電素子とを備え、
前記無給電素子は前記第１および第２の給電点のいずれからも所定距離以上離間した接地点に接地される
無線通信装置、について説明している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
また、
前記第１および第２のアンテナ部はＭＩＭＯ伝送を行うための複数のアンテナ部を構成する無線通信装置、についても説明している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
また、
前記第１および第２のアンテナ部が搭載される基板を有し、
前記第１のアンテナ部は前記基板の一方向（たとえば長手方向）の一端部に配置され、前記第２のアンテナ部は前記基板の前記一方向の他端部に配置され、前記無給電素子は前記一端部と前記他端部との間に配置される無線通信装置、についても説明している。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
また、
異なる集中定数の第１および第２の回路素子と、
前記無給電素子を選択的に前記第１および第２の回路素子のいずれかを介して接地するスイッチとをさらに備えた無線通信装置、についても説明している。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
また、
前記第１および第２のアンテナ部を選択的に第１の周波数帯と第２の周波数帯のいずれかで動作するよう切り替え制御する制御部をさらに備え、前記制御部はいずれの周波数帯で動作するかに応じて前記スイッチを切り替え制御する無線通信装置、についても説明している。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
また、
前記少なくとも１個の無給電素子として、第１の無給電素子と第２の無給電素子とを備えた無線通信装置、についても説明している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月20日(2015.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿搬送路を挟んで対向する給紙ローラ及び分離ローラの対であるローラ対と、
前記ローラ対の何れか一方のローラが配置された原稿搬送路の一方の側と同じ側に設けられる集音部と、
前記ローラ対のニップ部と前記集音部との間に設けられ、前記一方のローラと前記集音部との間に設けられた第１遮音壁、及び、前記原稿搬送路と前記集音部との間に設けられ且つ開口部を有する第２遮音壁を含む遮音部材と、
前記開口部を介して前記集音部によって集音した音に応じた音信号を出力する音信号出力部と、
前記音信号に基づいてジャムが発生したか否かを判定する音ジャム判定部と、を有し、
前記開口部は、前記集音部の位置より原稿の搬送方向下流側に設けられている、
ことを特徴とする原稿搬送装置。
【請求項２】
前記一方のローラを挟んで原稿搬送路と反対側に設けられ前記一方のローラに対向する遮音部材をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の原稿搬送装置。
【請求項３】
前記一方のローラよりも原稿搬送路の下流側及び／又は上流側に設けられ前記一方のローラに対向する遮音部材をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の原稿搬送装置。
【請求項４】
前記集音部を挟んで原稿搬送路と反対側に設けられ前記集音部に対向する遮音部材をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の原稿搬送装置。
【請求項５】
前記集音部よりも原稿搬送路の下流側及び／又は上流側に設けられ前記集音部に対向する遮音部材をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載の原稿搬送装置。
【請求項６】
前記集音部を挟んで前記一方のローラと反対側に設けられ前記集音部に対向する遮音部材をさらに備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の原稿搬送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月2日(2015.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
車両の操舵機構に付与される操舵補助力の発生源であるモータと、車両のステアリング操作に応じて前記モータを制御する制御装置と、を備え、前記操舵機構がラックアンドピニオン機構を含む電動パワーステアリング装置において、
前記制御装置は、少なくとも操舵トルクに応じて操舵機構に付与すべき操舵補助力の基礎制御成分を演算する第１の演算部と、
転舵輪の転舵角に応じて回転する回転軸の実際の回転角を、少なくとも操舵トルクに応じて算出される目標回転角に一致させるフィードバック制御を通じて基礎制御成分に対する補正制御成分を演算する第２の演算部と、を備え、
前記制御装置は、前記補正制御成分によって補正された前記基礎制御成分に基づき演算されるアシスト指令値に応じて前記モータの駆動を制御するものであり、
前記第２の演算部は、前記ラックアンドピニオン機構のラックの物理的な可動範囲よりも狭く設定された可動範囲の限界に対応する角度閾値に前記目標回転角が達したとき、前記アシスト指令値に応じて前記モータより発生される操舵反力を急激に増大させるべく、それ以降大きさが増加しないよう抑制された少なくとも前記操舵トルクに応じて算出される前記目標回転角に前記実際の回転角を一致させるフィードバック制御を通じて前記補正制御成分を演算する電動パワーステアリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、車両の操舵機構に付与される操舵補助力の発生源であるモータと、車両のステアリング操作に応じて前記モータを制御する制御装置と、を備え、前記操舵機構がラックアンドピニオン機構を含む電動パワーステアリング装置において、前記制御装置は、少なくとも操舵トルクに応じて操舵機構に付与すべき操舵補助力の基礎制御成分を演算する第１の演算部と、転舵輪の転舵角に応じて回転する回転軸の実際の回転角を、少なくとも操舵トルクに応じて算出される目標回転角に一致させるフィードバック制御を通じて基礎制御成分に対する補正制御成分を演算する第２の演算部と、を備え、前記制御装置は、前記補正制御成分によって補正された前記基礎制御成分に基づき演算されるアシスト指令値に応じて前記モータの駆動を制御するものであり、前記第２の演算部は、前記ラックアンドピニオン機構のラックの物理的な可動範囲よりも狭く設定された可動範囲の限界に対応する角度閾値に前記目標回転角が達したとき、前記アシスト指令値に応じて前記モータより発生される操舵反力を急激に増大させるべく、それ以降大きさが増加しないよう抑制された少なくとも前記操舵トルクに応じて算出される前記目標回転角に前記実際の回転角を一致させるフィードバック制御を通じて前記補正制御成分を演算することをその要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
＜理想エンドモデル＞
図３に示すように、目標ピニオン角演算部６２は、理想エンドモデル８１を有している。理想エンドモデル８１は、仮想的な可動範囲を生成するために、第２の積分器７７により算出される目標ピニオン角θｐ＊に応じた理想的なばね反力トルクＴｓｐｋ＊を実験によりモデル化したものである。ばね反力トルクＴｓｐｋ＊は、基本駆動トルクＴｐ＊に応じた目標ピニオン角θｐ＊に基づく補正成分であって、かつ基本駆動トルクＴｐ＊のばね成分Ｔｓｐ＊に対する補正成分である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月15日(2015.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
使用しない間は、気球１０を畳んでしまえばよいので、被災したときのために常備しておくのに場所をとらない。また、ボンベ３０やバッテリ１４を交換できるので、ボンベ３０およびバッテリ１４を複数備えておき、必要に応じて交換することで、長時間あるいは数日間、発光気球１を揚げ続けることも可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明に係る第２の実施形態の発光気球１について、図３および図４を参照して説明する。第１の実施形態の発光気球１と同じ機能を有する構成は、各図中において第１の実施形態と同じ符号を付し、その説明は、第１の実施形態の対応する記載箇所を参酌するものとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらにこの発光気球１は、発信機１６を搭載している。発信機１６は、バッテリ１４から電力が供給され、救難信号（遭難信号）を発信する。上空に上がった発光気球１から救難信号が送信されるので、信号が遠くまで届きやすく、捜索者に発見される確率が増す。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月11日(2015.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記少なくとも２つの第２リブのうち少なくとも１つは、前記液体導出口とは反対側に延出した延出部を有することを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の液体収容体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記底面には前記少なくとも２つの第１リブとは別に補強リブが設けられており、
前記第１リブは、前記第１方向において前記補強リブを挟んで配置された２つの第１リブを含めて前記第１方向に距離をおいて３つ以上設けられ、
前記３つ以上の第１リブのうち、前記第１方向において前記補強リブを挟んで配置された第１リブ同士の間隔は、他の第１リブ同士の間隔よりも大きいことを特徴とする請求項１〜請求項１１のうち何れか一項に記載の液体収容体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月24日(2015.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクタンクからインクの供給を受けて前記インクを吐出するヘッドを備える印刷装置であって、
前記インクタンクに取着される第１の基板ユニットのチップに記憶されているインク量と、前記第１の基板ユニットの取着後に、前記第１の基板ユニットと交換されて前記インクタンクに取着される第２の基板ユニットのチップに記憶されているインク量と、を読み込む読込部と、
前記インクタンクに収容されるインク量を示すインクストック量を記憶する記憶部と、
ユーザーに情報を報知する報知部と、
前記印刷装置の動作を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記第２の基板ユニットのチップから読み込んだ前記インク量を前記インクストック量に加算し、
前記制御部は、前記インクタンクに前記インクが補充されたと判断され、且つ前記インクストック量が変化しない場合は、前記第１の基板ユニットから前記第２の基板ユニットへの交換が正常に行われていないと判断する記載の印刷装置。
【請求項２】
請求項１に記載の印刷装置であって、
前記インクストック量は、実際にインクタンクに供給されたインク量と前記第２の基板ユニットから読み込んだ前記インク量とが一致する場合に、前記インクタンクに収容されているインク量を示す印刷装置。
【請求項３】
前記インクタンクに収容されている前記インクの残量を検出する残量検出部と、
前記ヘッドから消費される前記インクの消費量を推定する消費量推定部と、を更に有し、
前記制御部は、
前記印刷装置の印刷動作を実行する前に、前記インクストック量が、前記消費量推定部によって推定された前記インクの消費量よりも小さい場合は、前記報知部によって報知させ、
前記印刷装置の印刷動作を実行中に、前記残量検出部によって前記インクの残量が所定値以下であることが検出された場合は、前記印刷装置の印刷動作を停止させることを特徴とする請求項１から２のいずれか一項に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記チップに記憶されている前記インク量から、前記インクタンクにストックさせるインク量の設定を受け付ける受付部を更に有し、
前記制御部は、前記チップに記憶されている前記インク量から、受け付けた前記インク量を減算して前記チップを更新すると共に、受け付けた前記インク量を前記インクストック量に加算して前記記憶部に記憶させることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の印刷装置。
【請求項５】
前記受付部は、前記記憶部に記憶されている前記インクストック量から減算するリセット量の設定を更に受け付け、
前記制御部は、前記チップに記憶されている前記インク量に、受け付けた前記リセット量を加算して前記チップを更新すると共に、前記インクストック量から、受け付けた前記リセット量を減算して前記記憶部に記憶させることを特徴とする請求項４に記載の印刷装置。
【請求項６】
前記チップに記憶されている前記インク量を表示させる表示部を更に有することを特徴とする請求項４又は５に記載の印刷装置。