(57)【要約】  放熱特性の優れたモジュールとこのモジュールの製造方法を提供することを目的とする。  モジュール２は、配線基板１１と、記配線基板１１の一方主面１１ａに実装された半導体基板９と、一方主面１１ａに立設された柱状の接続端子８と、一方主面１１ａに設けられ、半導体基板９の下面９ａ側の端部と接続端子８の下端部が露出するように、半導体基板９および接続端子８それぞれの側面の一部を被覆する樹脂層１３ａとを備えることにより、樹脂層１３ａの樹脂よりも熱伝導率が高い半導体基板９の下面９ａ側の端部および接続端子８の下端部が樹脂層１３ａの表面から露出するため、放熱特性の優れたモジュール２を得ることができる。
2014017159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一方主面に実装された半導体基板と、
前記一方主面に設けられ、前記半導体基板の一方面側の端部が露出するように、前記半導体基板の側面の一部を被覆する樹脂層と
を備えたことを特徴とするモジュール。
【請求項２】
前記配線基板の前記一方主面に、その一方端部が前記樹脂層から露出するように柱状の接続端子が立設されていることを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記接続端子の前記一方端部側の端面の前記配線基板の前記一方主面からの高さが、前記半導体基板の前記一方面側の端面の前記一方主面からの高さよりも高いことを特徴とする請求項２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記半導体基板の前記一方面側の端面の前記配線基板の前記一方主面からの高さが、前記接続端子の前記一方端部側の端面の前記一方主面からの高さよりも高いことを特徴とする請求項２に記載のモジュール。
【請求項５】
前記樹脂層の表面の前記半導体基板との接触部が、前記半導体基板の側面の前記一方面側の端縁から樹脂層に向けて裾広がりのフィレット状に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のモジュール。
【請求項６】
前記半導体基板の前記樹脂層の表面から突出した部分の角部が、面取りされていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のモジュール。
【請求項７】
前記半導体基板の前記一方面に凹凸が形成されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のモジュール。
【請求項８】
前記半導体基板の前記一方面の少なくとも一部に金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のモジュール。
【請求項９】
前記金属膜の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする請求項８に記載のモジュール。
【請求項１０】
配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された半導体基板と、前記半導体基板を被覆する前記一方主面に設けられた樹脂層とを備えるモジュール素体を準備する準備工程と、
前記樹脂層の表面から前記半導体基板の一方面側の端部が露出するように、前記モジュール素体の前記樹脂層の表面を研磨または研削して一部を除去する除去工程と
を備えることを特徴とするモジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記準備工程において、前記配線基板の前記一方主面に立設された柱状の接続端子を前記樹脂層に被覆された状態でさらに備える前記モジュール素体を準備し、
前記除去工程において、前記半導体基板の前記一方面側の端部および前記接続端子の一方端部が露出するように前記樹脂層の一部を除去することを特徴とする請求項１０に記載のモジュールの製造方法。
【請求項１２】
前記除去工程において、前記接続端子の前記一方端部側の端面の前記配線基板の前記一方主面からの高さを、前記半導体基板の前記一方面側の端面の前記一方主面からの高さよりも高くすることを特徴とする請求項１１に記載のモジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記除去工程において、前記半導体基板の前記一方面側の端面の前記配線基板の前記一方主面からの高さを、前記接続端子の前記一方端部側の端面の前記一方主面からの高さよりも高くすることを特徴とする請求項１１に記載のモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の一方主面上に半導体基板と接続端子が配置されたモジュールおよびこのモジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話などの携帯端末装置の小型・薄型化に伴って、これに搭載されるモジュールの小型化が要求されている。そこで、従来では、図５に示すように、モジュール１００を構成する配線基板１０１の一方主面上にフェイスダウンで実装（フリップチップ実装）された半導体基板１０２と、該半導体基板１０２と同一主面上に配置された柱状の接続端子１０３と、半導体基板１０２および柱状の接続端子１０３を被覆する樹脂層１０４を備えるモジュールが提案されている（特許文献１）。【０００３】
この場合、モジュール１００の一方主面上に柱状の接続端子１０３を形成した後、半導体基板１０２をフリップチップ実装し、さらに、当該半導体基板１０２および接続端子１０３を被覆する樹脂層１０４が形成される。そして、樹脂層１０４の上面から接続端子１０３の端面が露出するように、樹脂層１０４と半導体基板１０２の上面を研磨してモジュール１００を形成する。【０００４】
フリップチップ実装される半導体基板１０２は、配線基板１０１との対向面に回路が形成されており、半導体基板１０２の上面（配線基板との非対向面）を研磨することで、半導体基板１０２の特性を変えずにモジュール１００の低背化が可能であるため、接続端子１０３の端面が露出するまで樹脂層１０４および半導体基板１０２を研磨することで、モジュール１００の低背化が可能である。また、熱伝導率が樹脂層１０４の樹脂よりも高い半導体基板１０２の上面が樹脂層１０４の表面から露出するため、モジュール１００の放熱特性も向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３４３９０４号（段落００１３、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した従来技術では、半導体基板１０２の上面のみが樹脂層１０４から露出しているため、発熱性が高い半導体基板（例えば、高周波モジュール等で使用されるパワーアンプＩＣ等）を実装した場合に、放熱が足りずに、半導体基板１０２が誤動作する等の不具合が生じるおそれがあった。【０００７】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、放熱特性の優れたモジュールを提供するとともに、このモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された半導体基板と、前記一方主面に設けられ、前記半導体基板の一方面側の端部が露出するように、前記半導体基板の側面の一部を被覆する樹脂層とを備えたことを特徴としている。【０００９】
このように構成することにより、樹脂層よりの熱伝導率が高い半導体基板の一方面のみならず側面の一部も樹脂層の表面から露出するため、半導体基板の一方面のみが樹脂層から露出する従来のモジュールと比較して、モジュールの放熱特性を向上することができる。【００１０】
また、前記配線基板の前記一方主面に、その一方端部が前記樹脂層から露出するように柱状の接続端子が立設されていてもよい。このように構成することで、接続端子により、モジュールと外部のマザー基板等とを接続することが可能になる。また、熱伝導率の高い接続端子が樹脂層表面から露出するため、モジュールから発生する熱を接続端子からも放熱することができ、これにより、モジュールの放熱特性がさらに向上する。【００１１】
また、接続端子の側面が樹脂層の表面から露出するため、モジュールとマザー基板とを半田により接続する際、半田が、接続端子の側面まで濡れ広がった状態のフィレット形状を形成するため、モジュールとマザー基板との接続強度が向上する。【００１２】
また、前記接続端子の前記一方端部側の端面の前記配線基板の前記一方主面からの高さが、前記半導体基板の前記一方面側の端面の前記一方主面からの高さよりも高くなるようにしてもよい。このようにすることで、モジュールを外部のマザー基板等に接続する際、半導体基板が邪魔にならずに、モジュールとマザー基板との接続を容易に行うことができる。【００１３】
また、前記半導体基板の前記一方面側の端面の前記配線基板の前記一方主面からの高さが、前記接続端子の前記一方端部側の端面の前記一方主面からの高さよりも高くなるようにしてもよい。この場合、モジュールをマザー基板等に接続したときに半導体基板の一方面とマザー基板との距離が短くなるため、モジュールから発生する熱が、マザー基板に形成された面状のグランド電極などを介して放熱しやすくなり、さらにモジュールの放熱特性が向上する。【００１４】
また、マザー基板と接続端子とを半田により接続する際、マザー基板と接続端子との距離がマザー基板と半導体基板との距離よりも大きくなるため、マザー基板と接続端子との間にギャップを形成することができる。このようにすると、マザー基板と接続端子とを接続する半田が押さえつけられることがなく、半田が接続部分からはみ出しにくくなるため、半田と隣接端子（例えば、隣接した接続端子）との短絡を防止することができる。【００１５】
また、前記樹脂層の表面の前記半導体基板との接触部が、前記半導体基板の側面の前記一方面側の端縁から樹脂層に向けて裾広がりのフィレット状に形成されていることが好ましい。このようにすると、樹脂層の表面と半導体基板との接触部にかかる応力がフィレット状に形成された樹脂により分散されるため、樹脂層の樹脂が半導体基板から剥離することを防止できる。【００１６】
また、前記半導体基板の前記樹脂層の表面から突出した部分の角部が、面取りされていてもよい。このように構成することにより、半導体基板の割れや欠けを抑制することができる。【００１７】
また、前記半導体基板の前記一方面に凹凸が形成されていてもよい。樹脂層から露出した半導体基板の一方面に凹凸が形成されていると、熱伝導率の高い半導体基板の表面積（露出した部分）が増加するため、さらに放熱特性の向上を図ることができる。【００１８】
また、樹脂層から露出した前記半導体基板の前記一方面の少なくとも一部に金属膜が形成されていてもよい。この場合、半導体基板よりも熱伝導率が高い金属膜により、さらにモジュールの放熱特性が向上する。また、金属膜を外部のマザー基板等との接続用の電極として利用することにより、モジュールとマザー基板との接続を、接続端子と金属膜とで行うことが可能になるため、マザー基板とモジュールとの接続強度の向上を図ることができる。【００１９】
また、前記金属膜の表面に凹凸が形成されていてもよい。この場合、金属膜の表面積が増加するため、さらにモジュールの放熱特性が向上する。また、金属膜をマザー基板との接続用の電極として利用する場合も、接続面積が増加するため、モジュールとマザー基板との接続強度の向上を図ることができる。【００２０】
また、モジュールの製造方法は、配線基板と、前記配線基板の一方主面に実装された半導体基板と、前記半導体基板を被覆する前記一方主面に設けられた樹脂層とを備えるモジュール素体を準備する準備工程と、前記樹脂層の表面から前記半導体基板の一方面側の端部が露出するように、前記モジュール素体の前記樹脂層の表面を研磨または研削して一部を除去する除去工程とを備えることを特徴としている。【００２１】
このようにモジュールを製造することにより、半導体基板の一方面側の端部が露出するように、半導体基板の側面の一部を被覆する樹脂層を形成することができるため、放熱特性の優れたモジュールを製造することができる。【００２２】
また、前記準備工程において、前記配線基板の前記一方主面に立設された柱状の接続端子を前記樹脂層に被覆された状態でさらに備える前記モジュール素体を準備し、前記除去工程において、前記半導体基板の前記一方面側の端部および前記接続端子の一方端部が露出するように前記樹脂層の一部を除去するようにしてもよい。【００２３】
このように構成することにより、放熱特性の優れ、かつ、外部のマザー基板との接続か可能なモジュールを製造することができる。また、接続端子の一方端部（側面を含む）が樹脂層の表面から露出することにより、モジュールとマザー基板とを半田により接続する際、その半田が接続端子の側面まで濡れ広がるため、マザー基板との接続強度の高いモジュールを製造することができる。【００２４】
また、前記除去工程において、前記接続端子の前記一方端部側の端面の前記配線基板の前記一方主面からの高さを、前記半導体基板の前記一方面側の端面の前記一方主面からの高さよりも高くするようにモジュールを製造してもよい。このようにすることで、外部のマザー基板との接続が容易なモジュールを製造することができる。【００２５】
また、前記除去工程において、前記半導体基板の前記一方面側の端面の前記配線基板の前記一方主面からの高さを、前記接続端子の前記一方端部側の端面の前記一方主面からの高さよりも高くするようにモジュールを製造してもよい。このようにすることで、マザー基板とモジュール（接続端子）とを接続する際に、マザー基板と半導体基板との距離が短くなるため、モジュールから発生する熱をマザー基板のグランド電極等を介して容易に放熱することができるモジュールを製造することができる。【００２６】
また、マザー基板と接続端子との距離がマザー基板と半導体基板との距離よりも大きくなるため、マザー基板と接続端子との間にギャップを形成することができる。このようにすると、マザー基板と接続端子とを接合する半田が押さえつけられることがなくなり、半田が接合部分からはみ出しにくくなるため、隣接端子との短絡を防止できるモジュールを製造することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、配線基板の一方主面に配置された半導体基板の一方面側の端部が露出するように、半導体基板および接続端子それぞれの側面の一部を被覆する樹脂層を形成することにより、従来のように、半導体基板の一方面のみが露出したモジュールと比較して、モジュールの放熱特性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態にかかるモジュールが実装されたモジュール搭載装置の切断正面図である。
【図２】図１のＡ領域の拡大図である。
【図３】図１のモジュールの製造方法の説明図である。
【図４】図１のモジュールの製造方法の説明図である。
【図５】従来のモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（モジュール搭載装置の構成）
本発明の一実施形態にかかるモジュール２が搭載されたモジュール搭載装置１について、図１を参照して説明する。なお、図１はモジュール２が搭載されたモジュール搭載装置１の切断正面図である。
【００３０】
この実施形態にかかるモジュール２を搭載したモジュール搭載装置１は、図１に示すように、マザー基板３と、該マザー基板３に実装されたモジュール２と、マザー基板３とモジュール２との接続部を保護するための、樹脂により形成されたアンダーフィル樹脂層４とを備え、例えば、携帯電話等の高周波が用いられる電子機器に搭載される。
【００３１】
マザー基板３は、内部に接地用のグランド電極５と各種回路を構成する配線パターン（図示せず）が形成され、グランド電極５および配線パターンはビア導体６等により所定の配線パターンやマザー基板３の表裏面に形成された実装用電極７等に接続される。この実施形態では、マザー基板３に形成されたグランド電極５は、後述するモジュール２の柱状の接続端子８および半導体基板９の下面９ａに形成された金属膜１０に接続される実装電極７にビア導体６を介して接続される。なお、マザー基板３は、ガラスエポキシ樹脂、セラミック等の材料により形成される。
【００３２】
また、アンダーフィル樹脂層４は、例えば、エポキシ樹脂からなり、マザー基板３上にモジュール２を実装した時のマザー基板３とモジュール２との間の隙間を埋めるように樹脂を充填して形成される。なお、アンダーフィル樹脂層４はなくてもかまわない。
【００３３】
（モジュール２の構成）
次に、この実施形態にかかるモジュール２について図１および図２を参照して説明する。なお、図２は図１におけるＡ領域の拡大図である。
【００３４】
モジュール２は、図１に示すように、配線基板１１と、該配線基板１１の一方主面１１ａに実装された半導体基板９および立設された柱状の接続端子８と、配線基板１１の他方主面１１ｂに実装されたチップ部品１２ａ，１２ｂ，１２ｃと、配線基板１１の一方主面１１ａの半導体基板９と接続端子８を被覆する樹脂層１３ａと、配線基板１１の他方主面１１ｂのチップ部品１２ａ〜１２ｃを被覆する樹脂層１３ｂとを備えるモジュールであり、その例として、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）モジュール、無線ＬＡＮモジュール、携帯電話のアンテナ直下に配置されるアンテナスイッチモジュールなどが挙げられる。
【００３５】
配線基板１１は、ガラスエポキシ樹脂基板、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板、ガラス基板などから形成され、その両主面１１ａ，１１ｂには、実装用電極１５、接続端子８形成用の電極１５ａ、配線パターン（図示せず）などが形成されるとともに、内部には接地用のグランド電極１４、他の配線パターン（図示せず）、ビア導体（図示せず）等が形成される。なお、配線基板１１は、単層基板および多層基板のいずれを使用してもかまわない。
【００３６】
例えば、配線基板１１がＬＴＣＣ多層基板である場合の製造方法は、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーがシート化されたセラミックグリーンシートを形成し、このセラミックグリーンシートの所定位置に、レーザー加工などによりビアホールが形成され、形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されて、層間接続用のビア導体が形成され、導体ペーストによる印刷により種々の電極パターンが形成される。その後、各セラミックグリーンシートを積層、圧着することによりセラミック積層体を形成して、約１０００℃前後の低い温度で焼成する、所謂、低温焼成して製造される。
【００３７】
また、配線基板１１の両主面１１ａ，１１ｂには、実装部品として、半導体基板９とチップ部品１２ａ〜１２ｃが実装される。半導体基板９は、配線基板１１の一方主面１１ａに対向する表面に所定の電気回路が形成されることにより、例えば、ＲＦ信号やベースバンド信号を処理するシステムＩＣを構成し、配線基板１１の一方主面１１ａにフェイスダウン実装（フリップチップ実装）される。また、チップ部品１２ａ〜１２ｃは、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗からなり、配線基板１１の他方主面１１ｂに周知の表面実装技術により実装される。また、柱状（ピン状）の接続端子８は、例えばＣｕを主成分とし、配線基板１１の一方主面に形成された電極１５ａに半田を介して実装される。
【００３８】
この場合、配線基板１１の一方主面１１ａには、フリップチップ実装された半導体基板９と接続端子８のみが配置され、配線基板１１の他方主面１１ｂには、半導体基板９を除く他の実装部品（チップ部品１２ａ〜１２ｃ）が配置される。また、半導体基板９の下面９ａ（本発明における一方面に相当）と接続端子８の下端面８ａには、金属膜１０が形成される。この金属膜１０は、例えば、半導体基板９の下面９ａ（または、接続端子８の下端面８ａ）にＮｉ層が形成され、そのＮｉ層の上からＡｕ層が形成されたＮｉ／Ａｕ膜である。
【００３９】
なお、配線基板１１の他方主面１１ｂに実装されるチップ部品１２ａ〜１２ｃの中には、それぞれが実装された状態で、配線基板１１の他方主面１１ｂからの高さが異なるものがあり、この実施形態では、図１に示すように、チップ部品１２ａが全チップ部品１２ａ〜１２ｃの中で配線基板１１の他方主面１１ｂからの高さが最も低い。また、半導体基板９と接続端子８それぞれは、実装または立設された状態で、配線基板１１の一方主面１１ａからの高さが同じになるように形成されている。
【００４０】
また、配線基板１１の一方主面１１ａにおいて、配線基板１１の一方主面１１ａからの高さが最も高い半導体基板９（または、接続端子８）の高さＨｔが、配線基板１１の他方主面１１ｂのチップ部品１２ａ（他方主面１１ｂにおいて最も高さの低いチップ部品）の当該他方主面１１ｂからの高さＨ０よりも低くなるように半導体基板９（または、接続端子８）が形成されている。
【００４１】
また、各実装部品９，１２ａ〜１２ｃそれぞれを平面視した場合、半導体基板９は他の実装部品（各チップ部品１２ａ〜１２ｃ）のいずれよりも面積（横断面積）が大きいものが使用されている。
【００４２】
なお、接続端子８の下端面８ａ（一方面側の端面）の配線基板１１の一方主面１１ａからの高さが、半導体基板９の下面９ａ（一方面側の端面）の一方主面１１ａからの高さよりも高くなるように、接続端子８を形成してもかまわない。このように接続端子８を形成することにより、モジュール２を外部のマザー基板３に実装するときに、半導体基板９が邪魔にならず、モジュール２の実装性が向上する。
【００４３】
また、半導体基板９の下面９ａの配線基板１１の一方主面１１ａからの高さが接続端子８の下端面８ａの一方主面１１ａからの高さよりも高くなるように、半導体基板９を形成する構成であってもよい。この場合は、モジュール２をマザー基板３に接続したときに半導体基板９の下面９ａとマザー基板３との距離が短くなるため、モジュール２から発生する熱を、マザー基板３に形成された面状のグランド電極５を介して放熱しやすくなり、モジュール２の放熱特性が向上する。
【００４４】
また、マザー基板３と接続端子８を半田により接続する場合には、マザー基板と接続端子８との距離がマザー基板と半導体基板９との距離よりも大きくなるため、マザー基板と接続端子８との間にギャップを形成することができる。このようにすると、マザー基板と接続端子８とを接続する半田が押さえつけられることがなくなり、半田が接続部分からはみ出しにくくなるため、接続端子８と隣接する他の端子との短絡を防止することができる。
【００４５】
配線基板１１の一方主面１１ａの樹脂層１３ａは、例えば、エポキシ樹脂からなり、図１に示すように、半導体基板９の下面９ａ側の端部と接続端子８の下端部（本発明における一方端部に相当）が露出するように、半導体基板９および接続端子８それぞれの側面の一部を被覆して形成される。半導体基板９の下面９ａ側の端部とは、半導体基板９の下面９ａおよび半導体基板９の下面９ａに隣接する側面の一部を含む部分である。すなわち、半導体基板９の下端部と接続端子８の下端部がそれぞれ樹脂層１３ａの表面から突出するように、樹脂層１３ａが形成される。
【００４６】
このとき、樹脂層１３ａの表面の半導体基板９との接触部１６は、図２に示すように、半導体基板９の側面９ｂの当該半導体基板９の下面側の端縁から樹脂層１３ａに向けて裾広がりのフィレット状に形成されている。また、半導体基板９の樹脂層１３ａの表面から突出した部分の角部９ｃが面取りされている。これらの形状は、後述する樹脂を除去する除去工程により形成することができる。
【００４７】
配線基板１１の他方主面１１ｂの樹脂層１３ｂは、例えば、一方主面１１ａの樹脂層１３ａと同種のエポキシ樹脂からなり、図１に示すように、各チップ部品１２ａ〜１２ｃが露出しないように各チップ部品の全てを被覆した状態で形成される。
【００４８】
なお、樹脂層１３ａ側の厚みに対して樹脂層１３ｂ側の厚みが十分厚い場合など、モジュール２の反りが大きい場合には、その反りを抑制するため、樹脂層１３ｂを形成する樹脂は、樹脂層１３ａを形成する樹脂よりも、線膨張係数が小さいものを使用することが好ましい。
【００４９】
（モジュール２の製造方法）
次に、この実施形態にかかるモジュール２の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。なお、図３はモジュール２を製造する各工程の一部を示し、図４は図３に続く各工程を示す。
【００５０】
まず、図３（ａ）に示すように、その内部に面状の接地用グランド電極１４と配線パターンが形成されるとともに、その両主面１１ａ，１１ｂに半導体基板９と各チップ部品１２ａ〜１２ｃの実装用電極１５および接続端子形成用の電極１５ａが形成された配線基板１１を準備する（配線基板準備工程）。
【００５１】
次に、図３（ｂ）に示すように、配線基板１１の実装用電極１５それぞれに対応する位置に半導体基板９、接続端子８、各チップ部品１２ａ〜１２ｃを実装する（部品、接続端子実装工程）。このとき、半導体部品９を配線基板１１の一方主面１１ａにフェイスダウン実装（フリップチップ実装）し、各チップ部品１２ａ〜１２ｃを、配線基板１１の他方主面１１ｂに周知の表面実装技術により実装する。また、配線基板１１の接続端子形成用の電極１５に半田を介して、ピン状の接続端子８を実装する。接続端子８としては、例えばＣｕや、Ｃｕを主成分とする合金からなる柱状の金属を用いることができる。
【００５２】
次に、図３（ｃ）に示すように、配線基板１１の一方主面１１ａにおいて、半導体基板９および接続端子８を被覆する樹脂層１３ａを形成するとともに、他方主面１１ｂにおいて、各チップ部品１２ａ〜１２ｃを被覆する樹脂層１３ｂを形成する（樹脂層形成工程）。このとき、ディスペンス方式または印刷方式などを用いて両主面１１ａ，１１ｂ上に樹脂を塗布または印刷し、所定の硬化温度（例えば、エポキシ樹脂であれば１８０℃程度）に設定されたオーブンに投入するなどして樹脂を硬化させて両樹脂層１３ａ，１３ｂを形成する。
【００５３】
このようにして、配線基板１１の一方主面１１ａに実装された半導体基板９および柱状の接続端子８と、配線基板１１の一方主面１１ａに設けられた半導体基板９および接続端子８を被覆する樹脂層１３ａと、配線基板１１の他方主面１１ｂに実装されたチップ部品１２ａ〜１２ｃと、配線基板１１の他方主面１１ｂに設けられた各チップ部品１２ａ〜１２ｃを被覆する樹脂層１３ｂとを備えるモジュール素体１８を製造する。
【００５４】
なお、上記のように接続端子８としてピン状の金属を用いると、半導体基板９の実装工程において容易に接続端子８を実装することが可能であるが、接続端子８の形成方法は上記した方法のほか、配線基板１１の一方主面１１ａに半導体基板９を実装する前に、めっき処理により柱状の接続端子８を形成してもよい。この場合、接続端子８の形成後に半導体基板９を実装し、一方主面１１ａ上に実装された半導体基板９とともに、接続端子８を樹脂により被覆して樹脂層１３ａを形成するとよい。この方法によると、上記したピン状の接続端子８を実装する場合と異なり、接続端子８を研磨または研削しても上記したように樹脂層１３ａから接続端子を接続するための半田が露出することがない。したがって、配線基板１１の一方主面１１ａ上に微細な径の接続端子８を高精度に形成することができ、接続端子８の狭ピッチ化が可能になる。
【００５５】
また、半導体基板９を実装後、接続端子８を形成する前に樹脂層１３ａを形成し、樹脂層１３ａの表面に対してレーザーを照射するなどにより接続端子形成用電極１５ａの表面が露出するように接続端子形成用の凹部を樹脂層１３ａに形成し、印刷技術を用いて当該凹部に導電ペースト（例えば、ＡｇペーストやＣｕペースト）を充填したり、めっき処理などにより導体（例えば、Ｃｕ）を形成したりして、配線基板１１の一方主面１１ａに柱状の接続端子８を形成してもよい。
【００５６】
なお、図３（ａ）〜図３（ｃ）の工程（配線基板準備工程〜樹脂層形成工程）が本発明における準備工程に相当する。
【００５７】
次に、図４（ａ）に示すように、樹脂層１３ａの表面から半導体基板９の下面９ａと接続端子８の下端部が露出するように、モジュール素体１８の樹脂層１３ａの表面を研磨または研削して一部を除去する（除去工程）。
【００５８】
例えば、研磨により樹脂層１３ａの樹脂を除去する場合は、遊離砥粒を使用したラップ研磨やサンドブラストにより行うことが好ましい。遊離砥粒の粒径や材質などを調整することにより、樹脂層１３ａの樹脂を優先的に除去することができるため、半導体基板９の下面９ａ側の端部および接続端子８の下端部が露出するように、半導体基板９および接続端子８それぞれの側面の一部を被覆する樹脂層１３ａを容易に形成することができる。なお、この工程において、半導体基板９および接続端子８の下端部の一部を除去してもよい。
【００５９】
また、除去工程により、半導体基板９の樹脂層１３ａの表面から突出した部分の角部９ｃを面取りするとともに、樹脂層１３ａの表面と半導体基板９（側面９ｂ）との接触部１６を、半導体基板９の側面９ｂの当該半導体基板９の下面９ａ側の端縁から樹脂層１３ａに向けて裾広がりのフィレット状に形成する（図２参照）。なお、遊離砥粒の粒径や材質などを調整することにより、角部９ｃは面取りしなくてもよいし、接触部１６をフィレット状にしなくてもよい。さらに、半導体基板９の下面９ａにも凹凸ができるように研磨または研削する。このように、半導体基板９の下面９ａに凹凸を形成すると、その下面９ａに金属膜１０を形成したときに、当該金属膜１０にも凹凸を形成することが可能になり、熱伝導率の高い金属膜１０の表面積を増加することができる。
【００６０】
なお、半導体基板９の下面９ａの平均粗さ（Ｒａ）の値が小さすぎると半導体基板９の下面９ａにめっき処理により金属膜１０を形成することが困難になり、平均粗さ（Ｒａ）の値が大きすぎると半導体基板９が破損するおそれがあるため、半導体基板９の下面９ａに形成される凹凸は、表面の平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ〜１５μｍの範囲で形成することが好ましい。
【００６１】
また、この実施形態では、除去工程において、半導体基板９および接続端子８それぞれの配線基板１１の一方主面１１ａからの高さが同じになるように、樹脂層１３ａの表面とともに半導体基板９および接続端子８を研磨または研削する。さらに、配線基板１１の一方主面１１ａからの高さが最も高い半導体基板９（または接続端子８）の高さＨｔが、配線基板１１の他方主面１１ｂからの高さが最も低いチップ部品１２ａの高さＨ０よりも低くなるように半導体基板９（または接続端子８）を研磨または研削する。
【００６２】
なお、上記したように、半導体基板９と接続端子８それぞれの配線基板１１の一方主面１１ａからの高さを必ずしも揃える必要はなく、どちらか一方が高くなるように半導体基板９（または接続端子８）を研磨または研削する構成であってもかまわない。この場合、例えば、研磨する際に使用する遊離砥粒の粒径や材質等を調整することにより、半導体基板９および接続端子８の高さを調整することが可能である。
【００６３】
次に、図４（ｂ）に示すように、樹脂層１３ａの表面から露出した半導体基板９の下面９ａおよび接続端子８の下端面８ａに金属膜１０を形成して（金属膜形成工程）、モジュール２を製造する。このとき、金属膜１０は、めっき処理や印刷技術などを用いて形成する。例えば、めっき処理の場合は、半導体基板９の下面９ａおよび接続端子８の下端面８ａにＮｉ層を成長させ、その上からＡｕ層を成長させて金属膜１０を形成する。なお、半導体基板９の下面９ａの金属膜１０は、半導体基板９の下面９ａの全面に形成する必要はなく、少なくとも一部に形成すればよい。
【００６４】
なお、モジュール搭載装置１を製造する場合は、上記したモジュール２の製造方法により製造したモジュール２の配線基板１１の一方主面１１ａがマザー基板３と対向するようにして、半導体基板９の下面９ａおよび接続端子８の下端面８ａに形成された金属膜１０とマザー基板３の表面に形成された実装電極７とを半田などを介して接続することにより製造する。
【００６５】
なお、マザー基板３とモジュール２との接続に半田を用いず、例えば、導電性接着剤を使用する場合には、半導体基板９および接続端子８に金属膜１０を形成せずにマザー基板３とモジュール２とを接続することも可能である。
【００６６】
したがって、上記した実施形態によれば、配線基板１１の一方主面１１ａにはフリップチップ実装された半導体基板９と接続端子８のみが配置されるとともに、他方主面１１ｂにはチップコンデンサなどのチップ部品１２ａ〜１２ｃが配置される。
【００６７】
モジュール２を小型化（配線基板１１の実装面積を小さくする）するためには、配線基板１１の両主面１１ａ，１１ｂに実装部品を配置することが効果的である。また、図５に示した従来技術のように、半導体基板９の下面９ａを接続端子８とともに研磨等することにより低背化し、モジュール２の小型化を図ることも有効である。しかしながら、例えば、配線基板１１の同一主面上に半導体基板９と各チップ部品１２ａ〜１２ｃを実装する構成にすると、半導体基板９の下面９ａを研磨等してモジュール２の低背化を図ることは困難である。チップコンデンサやチップインダクタである各チップ部品１２ａ〜１２ｃを研磨等により削ると特性が劣化するおそれがあるためである。そのため、このような構成にすると、半導体基板９の当該同一主面からの高さを、同一主面上に実装された各チップ部品１２ａ〜１２ｃの高さよりも低くすることが困難である。
【００６８】
そこで、この実施形態では、上記したように配線基板１１の一方主面１１ａにはその下面９ａを研磨しても特性が劣化しないフリップチップ実装された半導体基板９と接続端子８のみを配置するとともに、他方主面１１ｂにチップコンデンサやチップインダクタ等の各チップ部品１２ａ〜１２ｂを配置して、配線基板１１の一方主面１１ａの樹脂層１３ａの表面を半導体基板９および接続端子８とともに研磨または研削することによりモジュール２の低背化を図ることができるモジュール構成とした。
【００６９】
また、配線基板１１の一方主面１１ａからの高さが最も高い半導体基板９（または接続端子８）の高さＨｔが、配線基板１１の他方主面１１ｂからの高さが最も低いチップ部品１２ａの高さＨ０よりも低くなるように半導体基板９（または接続端子８）が研磨または研削されるため、確実にモジュール２の低背化を図ることができる。
【００７０】
また、樹脂層１３ａの表面から半導体基板９の下面９ａが露出するため、半導体基板９の下面９ａが樹脂層１３ａに被覆されるモジュールの構成と比較して、モジュール２をマザー基板３に実装したときに、半導体基板９の下面９ａとマザー基板３に形成された面状のグランド電極５との距離が短くなり、これにより、半導体基板９のシールド特性が向上する。また、半導体基板９の下面９ａとマザー基板３のグランド電極５との距離が短くなると、モジュール２から発生する熱を、グランド電極５を介して放熱し易くなるため、モジュール２の放熱特性が向上する。
【００７１】
また、樹脂層１３ａの表面を研磨または研削することにより、マザー基板３のグランド電極５に接続される接続端子８の長さ（配線基板１１の一方主面１１ａからの高さ）を短くできるため、接続端子８に起因する寄生インダクタンスが低減し、これによりグランドの強化を図ることができる。
【００７２】
また、このように、配線基板１１の一方主面１１ａの樹脂層１３ａを研磨すると、樹脂層１３ａを形成する樹脂の量が他方主面１１ｂの樹脂層１３ｂの樹脂の量よりも少なくなるため、両樹脂層１３ａ，１３ｂそれぞれで生じる収縮応力のバランスが崩れ、配線基板１１が反るおそれがあるが、両樹脂層１３ａ，１３ｂを形成する樹脂よりも硬い半導体基板９には、配線基板１１の両主面１１ａ，１１ｂに実装される各実装部品９，１２ａ〜１２ｃのうち、平面視での面積（横断面積）が最も大きいものが使用されるため、上記した両樹脂層１３ａ，１３ｂの収縮応力のバランスが崩れることにより生じる配線基板１１の反りを抑制することができる。
【００７３】
また、樹脂層１３ｂを形成する樹脂は樹脂層１３ａを形成する樹脂よりも線膨張係数が小さいものが使用されるため、さらに配線基板１１の反りを抑制することができる。
【００７４】
また、配線基板１１の一方主面１１ａ側において、半導体基板９の下面９ａ側の端部と接続端子８の下端部が露出するように、半導体基板９および接続端子８それぞれの側面の一部を被覆する樹脂層１３ａが形成されるため、樹脂層１３ａの樹脂よりも熱伝導率の高い半導体基板９の下面９ａを含む下端部が露出することにより、従来のように半導体基板９の下面９ａのみが露出するモジュールと比較して、モジュール２の放熱特性の向上を図ることができる。
【００７５】
また、図２に示すように、樹脂層１３ａの表面の半導体基板９（側面９ｂ）との接触部１６が、半導体基板９の側面９ｂの、当該半導体基板９の下面９ａ側の端縁から樹脂層１３ａに向けて裾広がりのフィレット状に形成されるため、樹脂層１３ａの表面と半導体基板９との接触部１６にかかる応力がフィレット状に形成された樹脂により分散し、樹脂層１３ａの樹脂が半導体基板９から剥離することを防止できる。
【００７６】
また、図２に示すように、半導体基板９の樹脂層１３ａの表面から突出した部分の角部９ｃが研磨または研削により面取りされているため、半導体基板９の割れや欠けを抑制することができる。
【００７７】
また、半導体基板９の下面９ａに凹凸が形成されているため、熱伝導率の高い半導体基板９の表面積（樹脂層１３ａから露出した部分）が増加し、モジュール２の放熱特性が向上する。
【００７８】
また、樹脂層１３ａから露出した半導体基板９の下面９ａの少なくとも一部に金属膜１０が形成されるため、半導体基板９よりも熱伝導率が高い金属膜１０により、モジュール２の放熱特性が向上する。また、半導体基板９の下面９ａに形成された金属膜１０をマザー基板３との接続用の電極として利用することにより、マザー基板３とモジュール２との接続を、接続端子８と金属膜１０とで行うことが可能になるため、マザー基板３とモジュール２との接続強度の向上を図ることができる。
【００７９】
また、半導体基板９の下面９ａに形成された金属膜１０の表面に凹凸が形成されるため、金属膜１０の表面積が増加し、さらにモジュール２の放熱特性を向上することができる。また、金属膜１０をマザー基板３との接続用の電極として利用する場合も、接続面積が増加するため、モジュール２とマザー基板３との接続強度の向上を図ることができる。
【００８０】
また、半導体基板９の下面９ａ側の端部と接続端子８の下端部が、樹脂層１３ａの表面から突出することにより、モジュール２をマザー基板３に実装したときのアンダーフィル樹脂層４とモジュール２との接触面積が増加するため、マザー基板３とモジュール２との接続信頼性が向上する。
【００８１】
また、金属膜１０がＮｉ／Ａｕ膜で形成されているため、モジュール２とマザー基板３とを半田により接続する際の半田の濡れ性が向上する。
【００８２】
また、半導体基板９の下面９ａに金属膜１０が形成されることにより、半導体基板９の下面９ａが保護されるため、半導体基板９が外部応力などにより破損することを抑制することができる。
【００８３】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。
【００８４】
例えば、上記した各実施形態において、配線基板１１の一方主面１１ａにフリップチップ実装される半導体基板９は複数個あっても構わない。また、半導体基板９の平面視での面積は、他の実装部品のいずれかの面積よりも小さいものであってもよい。また、実装後の高さが、研磨または研削後の半導体基板９の高さより低くなる実装部品であれば、配線基板１１の一方主面１１ａに配置してもよい。すなわち、配線基板１１の一方主面１１ａに、その下面９ａを研磨または研削可能な半導体基板９を実装または配置する構成であればよく、その他は、配線基板１１の実装面積を小さくするために、適宜、各実装部品の配置を工夫すればよい。
【００８５】
また、配線基板１１の他方主面１１ｂにはチップコンデンサやチップインダクタなどのチップ部品１２ａ〜１２ｃのみを実装したが、他方主面１１ｂには一方主面１１ａに実装される半導体基板９と同じ、または異なる半導体基板９を実装してもよい。
【００８６】
また、配線基板１１の一方主面１１ａに形成される接続端子８の個数はいくつでもよく、また、配線基板１１の他方主面１１ｂにも接続端子８を配置してもよい。また、接続端子８は、必ずしも配線基板１１の一方主面１１ａに配置する必要はない。すなわち、接続端子８と半導体基板９とは配線基板１１の異なる主面に配置してもよい。
【００８７】
また、樹脂層１３ａ、樹脂層１３ｂの少なくとも一方に金属膜からなるシールド層を形成してもよい。
【００８８】
また、樹脂層１３ｂは、設けられていなくともよい。
【００８９】
また、上記した各実施形態において、配線基板１１の他方主面１１ｂに各チップ部品１２ａ〜１２ｃを実装しない構成であってもかまわない。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、配線基板の一方主面上に半導体基板と接続端子が配置された種々のモジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【００９１】
２  モジュール
８  接続端子
９  半導体基板
１０  金属膜
１１  配線基板
１３ａ，１３ｂ  樹脂層
１８  モジュール素体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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