(57)【要約】  電子部品内蔵モジュール（１）は、電子部品と多層基板との接合強度の低下を抑制可能するために、複数のパッド（４）が形成された電子部品（３）と、複数の樹脂層（８）の積層体であって、該電子部品（３）を収容するキャビティ（Ｃ）が形成された多層基板（２）と、を備えている。多層基板（２）は、複数の第一パターン導体（５ｃ）と、キャビティ（Ｃ）を構成する空間とが形成された第一樹脂層（８ｃ）と、第二パターン導体（５ａ）と、第一パターン導体（５ｃ）およびパッド（４）のいずれかに導通する複数の第三パターン導体（５ｂ）とが形成され、第一樹脂層に積層された第二樹脂層（８ｂ）と、を含む。第二パターン導体（５ａ）は、積層方向からの平面視で、第一パッド（４ａ）の周囲に該第一パッド（４ａ）と間隔をあけて形成され、第二パターン導体（５ａ）と、第一パッド（４ａ）の少なくとも一つとの間には、第二樹脂層（８ｂ）が介在する。
2014054353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に複数のパッドが形成された電子部品と、複数の樹脂層の積層体であって、該電子部品を収容するキャビティが内部に形成された多層基板と、を備えた電子部品内蔵モジュールであって、
前記多層基板は、前記複数の樹脂層として、少なくとも、
複数の第一パターン導体と、前記キャビティを構成する空間とが形成された第一樹脂層と、
少なくとも一つの第二パターン導体と、前記複数の第一パターン導体および前記複数のパッドのいずれかに導通可能に形成される複数の第三パターン導体とが形成され、前記第一樹脂層に積層された第二樹脂層と、を含み、
前記第二パターン導体は、前記第一樹脂層と前記第二樹脂層との積層方向からの平面視で、前記複数のパッドの少なくとも一つである第一パッドの周囲に該第一パッドと間隔をあけて形成され、
前記第二パターン導体と、前記第一パッドとの間には、前記第二樹脂層が介在する、電子部品内蔵モジュール。
【請求項２】
前記第二パターン導体は、前記積層方向からの平面視で、前記第一パッドの周囲を取り囲む、請求項１に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項３】
前記多層基板において、前記第二パターン導体が形成する凹部に、前記第二樹脂層が入り込んでいる、請求項１または２に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項４】
前記第一パッドはノンコンタクト端子である、請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の電子部品内蔵モジュールを実装した通信端末装置。
【請求項６】
表面上に複数のパッドが形成された電子部品と、複数の樹脂層の積層体であって、該電子部品を収容するキャビティが内部に形成された多層基板と、を備えた電子部品内蔵モジュールであって、
前記多層基板は、前記複数の樹脂層として、少なくとも、
複数の第一パターン導体と、前記キャビティを構成する空間とが形成された第一樹脂層と、
少なくとも一つの第二パターン導体と、前記複数の第一パターン導体および前記複数のパッドのいずれかに導通可能に形成される複数の第三パターン導体とが形成され、前記第一樹脂層に積層された第二樹脂層と、を含み、
前記複数のパッドは、前記第一樹脂層と前記第二樹脂層との積層方向からの平面視で、前記第二パターン導体の周囲に該第二パターン導体と間隔をあけて形成された第一パッドを含んでおり、
前記第二パターン導体と前記第一パッドとの間には前記第二樹脂層が介在する、電子部品内蔵モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板に電子部品を内蔵する電子部品内蔵モジュール及びこれを備えた通信端末装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の電子部品内蔵モジュールとして、下記の特許文献１に記載の部品内蔵配線基板（以下、単に配線基板という）がある。配線基板は、略矩形板状のコア基板を備えている。コア基板の主面（以下、コア主面という）には主面側ビルドアップ層が、該主面との対向面（以下、コア対向面という）には裏面側ビルドアップ層が設けられる。【０００３】
コア基板には、上方からの平面視で矩形状の貫通孔である収容穴部（つまり、キャビティ）を有する。収容穴部内には、電子部品の一例であるＩＣチップ（半導体集積回路素子）が収容される。なお、収容穴部とＩＣチップとの隙間は樹脂充填剤によって埋められ、これによって、ＩＣチップはコア基板に固定される。【０００４】
主面側ビルドアップ層は、熱硬化性樹脂からなる３層の主面側層間樹脂層と、銅からなる主面側導体層とを交互に積層した構造を有する。また、各主面側層間樹脂層の内部には、それぞれ銅めっきで形成された第一ビア導体が設けられる。これら第一ビア導体の一部は、ＩＣチップに接続されている。【０００５】
電子部品内蔵モジュールとしては、他にも、下記の特許文献２に記載のＳｉベースパッケージが例示される。Ｓｉベースパッケージは、自身の下方部分に、電子部品の他の例であるＲＦＩＣチップのためのエッチングされたキャビティが形成されたインターポーザ（つまり、多層基板）を備えている。キャビティには、遮蔽性を促進するように金属被覆が設けられる。また、ＲＦＩＣチップはマイクロバンプを用いて、Ｓｉベースパッケージの追加部分にフリップ・チップ接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２６０３１８号公報
【特許文献１】特開２００８−４２９０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、電子部品内蔵モジュールの小型化や高機能化に伴い、電子部品と多層基板との接合部が小さくなってきている。しかしながら、接合部が小さくなったとしても、その接合強度を低下させないことが求められる。【０００８】
上記点に鑑み、本発明の目的は、電子部品と多層基板との接合強度の低下を抑制可能な電子部品内蔵モジュール及び通信端末装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一局面は、表面上に複数のパッドが形成された電子部品と、複数の樹脂層の積層体であって、該電子部品を収容するキャビティが内部に形成された多層基板と、を備えた電子部品内蔵モジュールである。【００１０】
前記多層基板は、前記複数の樹脂層として、少なくとも、複数の第一パターン導体と、前記キャビティを構成する空間とが形成された第一樹脂層と、少なくとも一つの第二パターン導体と、前記複数の第一パターン導体および前記複数のパッドのいずれかに導通可能に形成される複数の第三パターン導体とが形成され、前記第一樹脂層に積層された第二樹脂層と、を含んでいる。【００１１】
前記第二パターン導体は、前記第一樹脂層と前記第二樹脂層との積層方向からの平面視で、前記複数のパッドの少なくとも一つである第一パッドの周囲に該第一パッドと間隔をあけて形成され、前記第二パターン導体と、前記第一パッドとの間には、前記第二樹脂層が介在する。【００１２】
また、本発明の第二局面は、表面上に複数のパッドが形成された電子部品と、複数の樹脂層の積層体であって、該電子部品を収容するキャビティが内部に形成された多層基板と、を備えた電子部品内蔵モジュールである。【００１３】
前記多層基板は、前記複数の樹脂層として、少なくとも、複数の第一パターン導体と、前記キャビティを構成する空間とが形成された第一樹脂層と、少なくとも一つの第二パターン導体と、前記複数の第一パターン導体および前記複数のパッドのいずれかに導通可能に形成される複数の第三パターン導体とが形成され、前記第一樹脂層に積層された第二樹脂層と、を含んでいる。【００１４】
前記複数のパッドは、前記第一樹脂層と前記第二樹脂層との積層方向からの平面視で、前記第二パターン導体の周囲に該第二パターン導体と間隔をあけて形成された第一パッドを含んでおり、前記第二パターン導体と前記第一パッドとの間には前記第二樹脂層が介在する。
【発明の効果】
【００１５】
上記各局面によれば、電子部品と多層基板との接合強度の低下を抑制可能な電子部品内蔵モジュール及び通信端末装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第一実施形態に係る電子部品内蔵モジュールを示す分解斜視図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａ’に沿う縦断面を矢印Ｂの方向から見た図である。
【図３】図１の電子部品の詳細な構成を示す模式図である。
【図４Ａ】図１のモジュールの製法における最初の工程を示す模式図である。
【図４Ｂ】図４Ａの次工程を示す模式図である。
【図４Ｃ】図４Ｂの次工程を示す模式図である。
【図４Ｄ】図４Ｃの次工程を示す模式図である。
【図４Ｅ】図４Ｄの次工程を示す模式図である。
【図５Ａ】図１の電子部品の上面図である。
【図５Ｂ】図１の第二樹脂層の上面図である。
【図５Ｃ】図４Ａの第一パッド（ＮＣ端子）と、図４Ｂの第二パターン導体とのＸＹ平面上での位置関係を示す模式図である。
【図６Ａ】変形例に係る電子部品内蔵モジュールの縦断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａの電子部品の上面図である。
【図６Ｃ】図６Ａの第二樹脂層の上面図である。
【図６Ｄ】図６Ｂの第一パッドと、図６Ｃの第二パターン導体とのＸＹ平面上での位置関係を示す模式図である。
【図７】図４Ａの第一パッドと、図４Ｂの第二パターン導体との他の構成例を示す第一図である。
【図８】図４Ａの第一パッドと、図４Ｂの第二パターン導体との他の構成例を示す第二図である。
【図９Ａ】図４Ａの第一パッドと、図４Ｂの第二パターン導体との他の構成例を示す第三図である。
【図９Ｂ】図９Ａに示す第一パッドの構成の第一例を示す図である。
【図９Ｃ】図９Ａに示す第一パッドの構成の第二例を示す図である。
【図１０】図１に示すモジュールを搭載した通信端末装置の構成を示す模式図である。
【図１１】図１０に示す通信端末装置の要部の等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（はじめに）
まず、いくつかの図面に示されるＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸について説明する。Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は互いに直交する。Ｚ軸は、樹脂層の積層方向を示す。便宜上、Ｚ軸の負方向側を下側（Ｄ）とし、Ｚ軸の正方向側を上側（Ｕ）とする。また、Ｘ軸は左右方向を示す。特に、Ｘ軸の正方向側を右側（Ｒ）とし、負方向側を左側（Ｌ）とする。また、Ｙ軸は前後方向を示す。特に、Ｙ軸の正方向側を奥方向（Ｆ）とし、負方向側を手前方向（Ｎ）とする。
【００１８】
（第一実施形態）
図１は、本発明の第一実施形態に係る電子部品内蔵モジュール（以下、単にモジュールという）１を示す分解斜視図である。また、図２は、図１に示す線Ａ−Ａ’に沿う縦断面（以下、縦中心面という）を矢印Ｂの方向から見た時の図である。
【００１９】
図１、図２において、モジュール１は、図示しないマザー基板上に実装可能に構成される。このモジュール１は、多層基板２と、少なくとも一つの電子部品３と、複数のパッド４と、複数のパターン導体５と、複数のビア導体６と、複数の外部電極７と、を備えている。また、このモジュール１は、付加的な構成として、複数の表面実装型の電子部品３１を備えている。
【００２０】
多層基板２は、複数の樹脂層８からなる積層体であり、外部から加わる力により変形可能である。また、多層基板２は、複数の樹脂層８として、少なくとも一つ（図示は二つ）の第一樹脂層８ｃと、第二樹脂層８ｂと、マザー基板との接合用の第三樹脂層８ａと、第四樹脂層８ｄと、第五樹脂層８ｅと、を含んでいる。
【００２１】
層８ａ〜８ｅは、電気絶縁性を有する可撓性材料（例えば、ポリイミドや液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂）からなる樹脂シート８１ａ〜８１ｅを含んでいる。液晶ポリマーは、高周波特性に優れており、吸水性が低いことから、樹脂シート８１ａ〜８１ｅの材料として好ましい。また、各層８ａ〜８ｅは、上方からの平面視で互いに同じ矩形形状を有しており、１０〜１００［μｍ］程度の厚みを有する。
【００２２】
第三樹脂層８ａは、モジュール１をマザー基板に実装した際、複数の樹脂層８の中でマザー基板に最も近接する。この第三樹脂層８ａの樹脂シート８１ａの下面には、マザー基板上のランド電極の位置に合うように、銅等の導電性材料からなる複数の外部電極７が形成される。なお、図１では、図面が見づらくならないように、一つの外部電極にのみ参照符号である「７」が付けられている。
【００２３】
また、樹脂シート８１ａには、図２に示すように、複数のビア導体６が形成される。なお、図１には、図面が見づらくならないように、ビア導体６は示されていない。各ビア導体６は、例えば、錫および銀の合金等の導電性材料からなる。これらビア導体６は、電子部品３，３１と、マザー基板のランド電極とを電気的に接続するために用いられ、所定の外部電極７の真上に、樹脂シート８１ａを上下方向に貫通するように形成される。
【００２４】
第二樹脂層８ｂは、第三樹脂層８ａの上面に積層される。この第二樹脂層８ｂの樹脂シート８１ｂの下面には、銅等の導電性材料からなる複数のパターン導体５が形成される。複数のパターン導体５として、樹脂シート８１ｂには、少なくとも、第二パターン導体５ａと、第三パターン導体５ｂとが形成される。第二パターン導体５ａは、第二樹脂層８ｂおよび第一樹脂層８ｃの積層方向（Ｚ軸方向）からの平面視で、後述の第一パッド４ａの周囲に、該第一パッド４ａと間隔をあけて形成される。また、第三パターン導体５ｂは、積層方向からの平面視で、第二パターン導体５ａとは異なる位置に形成される。この第三パターン導体５ｂは、電子部品３の第二パッド４ｂ（後述）や、第一樹脂層８ｃのパターン導体５等と、少なくとも一つのビア導体６を介して電気的に接続するために用いられる。
【００２５】
また、樹脂シート８１ｂにも、上記同様のビア導体６が形成される。ビア導体６は、所定の第三パターン導体５ｂの真上に、樹脂シート８１ｂを上下方向に貫通するように形成される。
【００２６】
各第一樹脂層８ｃの上面には、各電子部品３１とランド電極とを電気的に接続するための複数のパターン導体５として、第一パターン導体５ｃが形成される。
【００２７】
また、各第一樹脂層８ｃの樹脂シート８１ｃにも、上記同様のビア導体６が形成される。ビア導体６は、樹脂シート８１ｃに形成された第一パターン導体５ｃの真下に、該樹脂シート８１ｃを上下方向に貫通するように形成される。なお、図１および図２には、各図が見づらくならないように、各第一樹脂層８ｃの一つの第一パターン導体にのみ参照符号である「５ｃ」が付けられている。同様に、図２には、各第一樹脂層８ｃの一つのビア導体にのみ参照符号である「６」が付けられている。この点については、他の層８ｄ，８ｅについても同様である。
【００２８】
ここで、本実施形態では、多層基板２には二つの第一樹脂層８ｃが含まれる。この場合、下方の第一樹脂層８ｃは第二樹脂層８ｂの上面に、上方の第一樹脂層８ｃは下方の第一樹脂層８ｃの上面に、積層される。
【００２９】
多層基板２の内部、具体的には、二つの第一樹脂層８ｃには、後述の電子部品３を収容するためのキャビティＣが形成される。具体的には、各第一樹脂層８ｃの同一位置（例えば、概ね中央部）には、上方からの平面視で電子部品３と略同一形状（例えば矩形）の貫通孔Ｃ１，Ｃ２が形成される。貫通孔Ｃ１，Ｃ２は、キャビティＣを構成する空間の例であり、これらによって、キャビティＣが形成される。
【００３０】
第四樹脂層８ｄは、上方の第一樹脂層８ｃの上面に積層され、上記キャビティＣの開口を閉止する。この第四樹脂層８ｄの樹脂シート８１ｄの上面には、電子部品３１とランド電極とを電気的に接続するための複数のパターン導体５が形成される。また、樹脂シート８１ｄにも、複数のビア導体６が形成される。複数のビア導体６は、樹脂シート８１ｄに設けられたパターン導体５の真下に、該樹脂シート８１ｄを上下方向に貫通するように形成される。
【００３１】
また、第五樹脂層８ｅは、上記第四樹脂層８ｄの上面に積層される。第五樹脂層８ｅの樹脂シート８１ｅの上面には、複数のパターン導体５として、電子部品３１の実装に用いられるランド電極が形成される。また、樹脂シート８１ｅにも複数のビア導体６が形成される。複数のビア導体６は、樹脂シート８１ｅのランド電極の真下に、該樹脂シート８１ｅを上下方向に貫通するように形成される。
【００３２】
電子部品３は、典型的には、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）の半導体部品である。電子部品３の一面には複数のパッド４（下記参照）が設けられている。この種の半導体部品としては、セキュアエレメントＩＣとして機能する、暗号化機能付きメモリがある。他にも、電子部品３としては、ＲＦＩＣチップやデジタルカメラ用の画像処理ＩＣ等がある。なお、電子部品３は、上記ＣＳＰの半導体部品に限らず、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）でも構わないし、コンデンサやチップ抵抗等の受動部品でも構わない。
【００３３】
電子部品３は、積層方向（Ｚ軸方向）に対向する上面および下面と、該積層方向に平行な側面とを有する。本実施形態では、下面に複数のパッド４が設けられる。複数のパッド４は、第一パッド４ａと第二パッド４ｂとに分類される。第一パッド４ａは、上記積層方向（Ｚ軸方向）からの平面視で、第二パターン導体５ａの内側に形成される。また、この第一パッド４ａは、ノンコンタクト端子（以下、ＮＣ端子という）であることが好ましい。ＮＣ端子は、いずれのビア導体６とも接合しない端子である。また、第二パッド４ｂは、樹脂シート８１ｂに形成されたビア導体６と接合し、これを介して第三パターン導体５ｂと電気的に接続される。
【００３４】
多くの図面（図１，図２を含む）では、図示を簡素化する等の目的で、電子部品３および複数のパッド４だけが示されている。電子部品３およびパッド４は、詳細には、図３に示すような構造を有する。つまり、Ｓｉ基板１０にＵＢＭ（アンダーバンプメタル）１１が形成され、その周囲はＳｉＯ2層１２で覆われる。ＳｉＯ2層１２の上にはポリイミド層１３が形成される。ポリイミド層１３からは、再配線層により、銅等からなるパッド４がＳｉ基板１０と導通した状態で引き出される。
【００３５】
なお、上記では、電子部品３の構造についてはＵＢＭを用いた形態を例示した。しかし、これに限らず、例えば、Ｓｉ基板１０の電極上に直接再配線層を形成しても構わない。
【００３６】
再度図１および図２を参照する。電子部品３および複数のパッド４はキャビティＣの内部に収容される。キャビティＣは、電子部品３と実質的に同じサイズになるように設計される。より具体的には、電子部品３をキャビティＣに収容した時に、電子部品３の側面等が第一樹脂層８ｃに接触する程度のサイズを、電子部品３およびキャビティＣが有することが好ましい。また、電子部品３の下面および側面は、充填剤等で第一樹脂層８ｃに固定されないことが好ましい。これによって、マザー基板の変形や周囲の熱の影響で、もし層８ｃの長さがある方向に変わったとしても、その変化に追従して電子部品３はキャビティＣの内部で移動する。換言すると、電子部品３は第一樹脂層８ｃの樹脂シート８１ｃ上を摺動する。なお、電子部品３が第一樹脂層８ｃに対して摺動しやすくするために、電子部品３の表面を鏡面加工することがさらに好ましい。
【００３７】
また、電子部品３１は、例えば、非接触通信に用いられるＲＦＩＣチップや、マッチング回路やフィルタ回路を構成するキャパシタ素子およびインダクタ素子等である。
【００３８】
複数のパターン導体５は、基本的には、多層基板２内に形成され、配線導体として用いられる。また、本実施形態のように、多層基板２に表面実装型電子部品３１を実装する場合には、多層基板２の表面にもパターン導体５がランド電極として形成される。なお、パターン導体５は、配線導体やランド電極に限らず、コンデンサやコイルを形成するためのパターン導体であっても構わない。
【００３９】
（モジュールの製造方法）
次に、モジュール１の製造方法について、図４Ａ〜図４Ｅを参照して説明する。以下では、一つのモジュール１の製造過程を説明するが、実際には、大判の樹脂シートが積層及びカットされることにより、大量のモジュール１が同時に製造される。
【００４０】
まず、表面のほぼ全域にわたり銅箔が形成された大判の樹脂シートが必要な枚数だけ準備される。この大判の樹脂シートは、モジュール１の完成後にいずれかの樹脂層８となる。図１のモジュール１を作成するには、樹脂シート８１ａ〜８１ｅに対応する大判の樹脂シート９１ａ〜９１ｅ（図４Ａを参照）が準備される。また、各樹脂シート９１ａ〜９１ｅは１０〜１００［μｍ］程度の厚みを有する液晶ポリマーである。また、銅箔の厚みは、６〜３５［μｍ］である。なお、銅箔の表面は、防錆のために亜鉛等で鍍金され、平坦化されることが好ましい。
【００４１】
次に、フォトリソグラフィ工程により、図４Ａに示すように、少なくとも一枚の樹脂シート９１ａの一方面（例えば、下面）に複数の外部電極７が形成される。より具体的に説明すると、まず、この樹脂シート９１ａの銅箔上に、外部電極７と同じ形状のレジストが印刷される。その後、銅箔に対しエッチング処理が施され、レジストで覆われていない露出部分の銅箔が除去される。その後、レジストが除去される。これにより、樹脂シート９１ａの一方面に外部電極７が形成される。
【００４２】
また、上記同様のフォトリソグラフィ工程により、図４Ａに示すように、樹脂シート９１ｂの一方面（例えば、下面）に、第二パターン導体５ａおよび第三パターン導体５ｂが形成される。なお、この樹脂シート９１ｂはモジュール１の完成後に、第二樹脂層用の樹脂シート８１ｂとなる。
【００４３】
また、上記同様のフォトリソグラフィ工程により、図４Ａに示すように、大判の樹脂シート９１ｃ〜９１ｅの一方面（例えば、上面）にもパターン導体５が形成される。大判の樹脂シート９１ｃ〜９１ｅは、モジュール１の完成後に樹脂シート８１ｃ〜８１ｅとなる。
【００４４】
次に、図４Ｂに示すように、樹脂シート９１ａにおいてビア導体６が形成されるべき位置に、外部電極７が形成されていない面側からレーザービームが照射される。これによって、ビアホールが形成され、その後、各ビアホールに導電性ペーストが充填される。
【００４５】
また、樹脂シート９１ｂにおいて、ビア導体６が形成されるべき位置に、第二パターン導体５ａおよび第三パターン導体５ｂが形成されていない面側からレーザービームが照射される。こうしてできた各ビアホールに導電性ペーストが充填される。
【００４６】
同様にして、樹脂シート９１ｃ〜９１ｅの所定位置にも、パターン導体５が形成されていない面側からレーザービームが照射される。これによってできた各ビアホールに導電性ペーストが充填される。
【００４７】
次に、図４Ｃに示すように、樹脂シート９１ｄにおいてパターン導体５ａが形成されていない面に、電子部品３が配置され仮プレスされる。これによって、電子部品３が樹脂シート９１ｄ上で位置決めされる。さらに、各樹脂シート９１ｃにおいて、電子部品３が配置されるべき位置に、金型により打ち抜き加工される。これによって、貫通孔Ｃ１，Ｃ２が形成される。
【００４８】
次に、図４Ｄに示すように、樹脂シート９１ａ〜９１ｅが、下から上へとこの順番に積み重ねられる。ここで、樹脂シート９１ａは、外部電極７の形成面が下方を向いた状態で、また、樹脂シート９１ｂは、第二パターン導体５ａおよび第三パターン導体５ｂの形成面が下方を向いた状態で積層される。
【００４９】
その後、積み重ねられた樹脂シート９１ａ〜９１ｅに、上下両方向から熱および圧力が加えられる。この加熱・加圧によって、樹脂シート９１ａ〜９１ｅを軟化させて圧着および一体化するとともに、各ビアホール内の導電性ペーストを固化させる。これによって、ビア導体６が形成される。なお、各樹脂シート９１ａ〜９１ｅは、加熱・加圧による圧着に代えて、エポキシ系樹脂等の接着剤を用いて一体化されてもよい。
【００５０】
最後に、一体化された樹脂シート９１ａ〜９１ｅは所定サイズにカットされ、これによって、図４Ｅに示すようなモジュール１が完成する。
【００５１】
（第一パッドおよび第一パターン導体の作用・効果）
次に、第一パッド４ａおよび第二パターン導体５ａの作用・効果について詳細に説明する。第一パッド４ａは、図５Ａに示すように、積層方向からの平面視で、略円形形状を有する。また、第一パッド４ａは、図５Ｃに示すように、積層方向からの平面視で、第二パターン導体５ａの内縁から内側方向に離れた位置に形成される。第二パターン導体５ａは、図５Ｂに示すように、第一パッド４ａの全周囲を取り囲む環状形状を有する。また、第二パターン導体５ａは、図５Ｃに示すように、積層方向からの平面視で、後述の第一パッド４ａの周囲に空隙をあけて形成される。
【００５２】
上記第一パッド４ａおよび第二パターン導体５ａは上記のような位置関係にあり、第一パッド４ａおよび第二パターン導体５ａの間には、可撓性を有する樹脂シート８１ｂが介在している。よって、上記複数の樹脂層８を加熱・加圧により積層する際、図４Ｅに示すように、樹脂シート８１ｂにおいて、第一パッド４ａと当接する部分αは、第二パターン導体５ａの内側に形成される凹部βに入り込む。その後、樹脂シート８１ｂが硬化する。この凹部βに押し込まれた樹脂がアンカーとなり、本実施形態の例では樹脂シート８１ａと密着する。それによって、樹脂シート８１ｂは、外部から加わる力による変形に対する耐性が向上する。ここで、外部からの力としては、機械的な衝撃や、多層基板２の内部で発生しうるガスによる圧力が例示される。この耐性向上により、電子部品３と樹脂シート８１ｂ（つまり、多層基板２）との接合強度が向上する。よって、たとえ電子部品３と多層基板２との接合部が小さくなったとしても、接合強度の向上により、小型化に起因する接合強度の低下を補うことが可能となる。
【００５３】
特に、電子部品３が多層基板２に内蔵される場合、多層基板２は、製造時に上下両方向から加圧されるため、凹部βに流入する樹脂量が多くなるため、より接合強度を向上させることが可能となる。
【００５４】
上記の通り、樹脂シート８１ｂにおいて凹部βに流入した部分は、同じ樹脂材料からなる樹脂シート８１ａと密着する。ここで、第一パッド４ａはＮＣ端子であるため、凹部βに押し込まれた部分にはビア導体６が設けられていない。つまり、凹部βに押し込まれた部分では、異種材料同士の接合がない。よって、凹部β内の樹脂は、樹脂シート８１ａと強く密着することになる。
【００５５】
（第一パッドおよび第一パターン導体の他の例）
上記第一実施形態では、第一パッド４ａが一つで、第二パターン導体５ａが一つのモジュール１について説明した。しかし、これに限らず、図６Ａ〜図６Ｄに示すように、複数組みの第一パッド４ａおよび第二パターン導体５ａがモジュール１に備わっていても構わない。
【００５６】
また、上記第一実施形態では、第二パターン導体５ａは、積層方向からの平面視で環状形状を有していた。しかし、これに限らず、第二パターン導体５ａは、図７の最上段に示すように、積層方向からの平面視で、環状形状の一部を切り欠いたような形状（Ｃ字型）でも構わない。他にも、図７の上から二段目に示すように、第二パターン導体５ａは、環状形状を四等分したような形状でも構わない。また、第二パターン導体５ａは、環状形状に限らず、図７の上から三段目や四段目に示すように、積層方向からの平面視で四角枠や六角枠でも構わない。また、図７の最下段に示すように、第一パッド４ａは、積層方向からの平面視で略矩形形状でも構わない。
【００５７】
また、図８の上段に示すように、電子部品３の隣り合うパッド４ａの間隔が狭い場合、第二パターン導体５ａは、これら複数のパッド４ａを取り囲むように形成されても構わない。また、図８の下段に示すように、第一パッド４ａから配線が伸びていても構わない。
【００５８】
また、上記第一実施形態では、第一パッド４ａは、図５Ａに示すように、積層方向からの平面視で、略円形形状を有し、第二パターン導体５ａは、図５Ｂに示すように、第一パッド４ａの全周囲を取り囲むような環状形状を有していた。しかし、これに限らず、図９Ａに示すように。第二パターン導体５ａが略円形形状を有し、第一パッド４ａは、凹部βを形成して、第二パターン導体５ａの全周囲を取り囲むような環状形状を有していても構わない。
【００５９】
なお、上記のように電子部品３側に凹部βを形成する場合、図９Ｂに示すように、導電性材料（つまり、パッド４）で凹部βを形成しても構わないし、図９Ｃに示すように、ＳｉＯ2層１２やポリイミド層１３により凹部βが形成されても構わない。
【００６０】
（モジュールの応用例）
上記モジュール１は、例えば、図１０に示すように、１３．５６ＭＨｚ帯のＮＦＣ(Ｎｅａｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ)に対応した通信端末装置２０に使用される。ここで、図１０には、筐体カバー２１を開けた時の通信端末装置２０の筐体２２内に配置された各種部品や各種部材が示されている。この通信端末装置２０は、典型的には携帯電話やスマートフォンであり、筐体２２の内部に、モジュール１以外に、例えば、プリント配線板２３と、コイルアンテナ２４と、ブースターアンテナ２５と、を備えている。なお、筐体２２の内部には、上述以外にも、バッテリーパック、カメラ、ＵＨＦ帯アンテナ、各種回路素子が高密度に実装・配置されているが、これらについては本発明の要部では無いので、説明を省略する。
【００６１】
コイルアンテナ２４は、モジュール１とともに、プリント配線板２３に実装される。また、図１１の等価回路に示すように、コイルアンテナ２４の両端にモジュール１の外部電極７が接続される。
【００６２】
また、ブースターアンテナ２５は、筐体カバー２１を閉じた時にコイルアンテナ２４と向かい合うように配置されるように筐体カバー２１に取り付けられている。このブースターアンテナ２５は、例えば、平面的なスパイラルコイル等であり、コイルアンテナ２４の通信距離を伸ばすために設けられる。
【００６３】
上記のように、モジュール１には、電子部品３としての暗号化機能付きメモリ、ならびに、電子部品３１としてのＲＦＩＣチップ、キャパシタ素子およびインダクタ素子を一体化することができる。これによって、通信端末装置２０における配線引き回しに起因する伝送ロスや不要な電磁結合を低減することが可能となる。また、部品の実装スペースを減らすことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明に係る電子部品内蔵モジュール及び通信端末装置は、電子部品と多層基板との接合強度の低下を抑制可能であり、携帯電話やスマートフォン等の通信端末装置に好適である。
【符号の説明】
【００６５】
１  電子部品内蔵モジュール
２  多層基板
３  電子部品
４  パッド
４ａ  第一パッド
４ｂ  第二パッド
５  パターン導体
５ａ  第二パターン導体
５ｂ  第三パターン導体
５ｃ  第一パターン導体
６  ビア導体
７  外部電極
８  樹脂層
８ａ  第三樹脂層
８ｂ  第二樹脂層
８ｃ  第一樹脂層
８ｄ  第四樹脂層
８ｅ  第五樹脂層
Ｃ  キャビティ
２０  通信端末装置
３１  表面実装型電子部品
【図１】
2014054353.tif 000003
【図２】
2014054353.tif 000004
【図３】
2014054353.tif 000005
【図４Ａ】
2014054353.tif 000006
【図４Ｂ】
2014054353.tif 000007
【図４Ｃ】
2014054353.tif 000008
【図４Ｄ】
2014054353.tif 000009
【図４Ｅ】
2014054353.tif 000010
【図５Ａ】
2014054353.tif 000011
【図５Ｂ】
2014054353.tif 000012
【図５Ｃ】
2014054353.tif 000013
【図６Ａ】
2014054353.tif 000014
【図６Ｂ】
2014054353.tif 000015
【図６Ｃ】
2014054353.tif 000016
【図６Ｄ】
2014054353.tif 000017
【図７】
2014054353.tif 000018
【図８】
2014054353.tif 000019
【図９Ａ】
2014054353.tif 000020
【図９Ｂ】
2014054353.tif 000021
【図９Ｃ】
2014054353.tif 000022
【図１０】
2014054353.tif 000023
【図１１】
2014054353.tif 000024
【国際調査報告】
2014054353.tif 000025
2014054353.tif 000026