【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年7月22日(2015.7.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーと、光酸発生剤とを含む下層の一部分を照射する工程、
前記アタッチメント基は基体の親水性表面に共有結合されているか、架橋されてポリマー間架橋を形成しているか、または基体の表面に共有結合されかつ架橋されてポリマー間架橋を形成しており、
前記酸分解可能基は下層の照射部分で光酸発生剤から発生した酸と反応して下層の表面に極性領域を形成しており、前記極性領域はパターンの形状および寸法を有している；
下層の表面上に自己組織化層を形成する工程、
前記自己組織化層は極性領域に対する親和性を有する第１のブロックと、極性領域に対する親和性が第１のブロックよりも低い第２のブロックとを有するブロックコポリマーを含み、第１のブロックは極性領域に対して整列する第１のドメインを形成し、および第２のブロックは第１のドメインの隣に整列する第２のドメインを形成する；並びに
第１のもしくは第２のドメインのいずれかを除去して下にある下層の部分を露出させる工程；
を含むパターンを形成する方法。
【請求項２】
酸感受性コポリマーおよび光酸発生剤の溶液をスピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、もしくはドクターブレーディングによって基体の表面に接触させる工程、
加熱して溶媒を除去し、かつ酸感受性コポリマーのアタッチメント基と親水性表面との間に共有結合を形成する工程、
下層の表面を溶媒で洗浄して、結合していないブラシコポリマーを除去する工程、
を含む工程により下層が形成される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
自己組織化層を形成する工程が、ブロックコポリマーの溶液をスピンコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング、スプレーコーティング、もしくはドクターブレーディングによって下層の表面に接触させる工程、およびアニールして溶媒を除去し、かつ第１のドメインおよび第２のドメインを形成する工程を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
選択的な照射が、下層の一部分をレチクルを通した化学線に露光することによって、または下層の照射される部分上へのｅ−ビーム照射によるパターンの直接描画によって達成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
下層の照射される部分が、第１のドメインおよび第２のドメインのインターバル間隔よりも大きなインターバルで間隔を開けられたまばらなパターンを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記まばらなパターンのインターバル間隔を満たすように下層上に形成される追加の第１のドメインおよび第２のドメインであって、極性領域に対してではなく第２のドメインに対して整列する前記追加の第１のドメイン、および前記追加の第１のドメインに対して整列する前記追加の第２のドメインをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
光酸発生剤が酸感受性コポリマーとの混合物の状態にあるか、または光酸発生剤が酸感受性コポリマーに共有結合されている、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
下層および自己組織化層を含む自己組織化多層膜であって、
下層は酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーと、光酸発生剤とを含み、
下層はアタッチメント基を介して、基体の親水性表面に配置および共有結合されているか、架橋されてポリマー間架橋を形成しているか、または基体の表面に共有結合されかつ架橋されてポリマー間架橋を形成しており、
下層の表面の部分は分解した酸分解可能基を有し、下層のパターン形成された表面を形成しており、
自己組織化層は下層のパターン形成された表面上に配置されており、
自己組織化層は分解した酸分解可能基を有する下層の表面の部分に対する親和性を有する第１のブロックと、分解した酸分解可能基を有する下層の表面の部分に対する親和性が第１のブロックよりも低い第２のブロックとを有するブロックコポリマーを含み、
第１のブロックは分解した酸分解可能基を有する下層の部分に整列した第１のドメインを形成しており、並びに第２のブロックは第１のドメインの隣に並んで整列した下層の表面上の第２のドメインを形成している、
自己組織化多層膜。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
ブロックコポリマーはフォトリソグラフィプロセスを必要とせずにパターンを形成する誘導自己組織化（ｄｉｒｅｃｔｅｄ  ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｙ）プロセスに使用されうる。ブロックコポリマーは中性および極性領域を有する中性またはパターン形成された表面上で組織化することによりパターンを形成することができる。このような中性もしくはパターン形成された表面はポリマーブラシ下層の使用によって利用可能にされうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
別の実施形態においては、下層は酸分解可能基、アタッチメント基および官能基を含む酸感受性コポリマーと、光酸発生剤とを含み、前記アタッチメント基はアルコキシド結合によって基体の親水性表面に共有結合されているか、架橋されてポリマー間架橋を形成しているか、または基体の親水性表面に共有結合されかつ架橋されてポリマー間架橋を形成しており、前記酸分解可能基はエステル基、アセタール基、ケタール基、ピロカルボナート基または前記酸分解可能基の少なくとも１種を含む組み合わせである。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
【図１Ａ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図１Ｂ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図１Ｃ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図１Ｄ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図１Ｅ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図１Ｆ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図１Ｇ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図１Ｈ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図１Ｉ】図１Ａ〜１Ｉは光酸発生剤を含む感光性下層において酸が発生している一実施形態における、下層上にパターンを形成する典型的な方法を示す。
【図２】図２は、シリンダー状ドメインを有するようにパターン形成された、ＰＡＧを含まないブラシ層およびＰＡＧを含む像形成可能なマット層の双方における典型的なパターン形成された自己組織化ブロックコポリマー層の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像を示す。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
次いで、パターン形成された下層の表面上に自己組織化層が形成される。自己組織化層は下層の極性領域に対する親和性を有する第１のブロック、および下層の極性領域に対する親和性を有しない第２の分散（「中性」とも称される）ブロックを有するブロックコポリマーを含む。本明細書において使用される場合、「に対する親和性を有する」とは第１のブロックが極性領域と適合した表面エネルギーであり、かつキャストおよびアニール中に移動性の第１のブロックが選択的に極性領域上に堆積しかつ極性領域に対して整列するように極性領域に引き付けられる。この方法においては、第１のブロックは下層上に第１のドメインを形成し、それは下層の極性領域に対して整列している（すなわち、酸分解可能基の分解によって形成されるパターンに整列している）。同様に、下層の極性領域に対する親和性がより低いブロックコポリマーの第２の分散ブロックは第１のドメインの隣に整列した下層上の第２のドメインを形成する。本明細書において使用される場合、「ドメイン」とは、ブロックコポリマーの対応するブロックによって形成されるコンパクトな結晶質もしくは半結晶質領域であって、この領域はラメラもしくはシリンダー状であってよく、かつ下層の表面の面に対して垂直で、かつ下にある下層の表面と少なくとも部分的に接触していることを意味する。ある実施形態においては、このドメインは１〜１００ｎｍ、具体的には５〜７５ｎｍ、さらにより具体的には１０〜５０ｎｍの最も短い平均寸法を有しうる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
次いで、図１Ｅはパターン形成された下層２２０ｂの表面上での自己組織化層２４０の配置を示す。自己組織化層２４０は異なる表面エネルギーを有するブロックを有するブロックコポリマーを含むことができ、これらブロックは相分離し、かつ少なくとも１つのブロックはパターン、すなわち、パターン形成された下層２２０ｂの極性基２２４を有する領域に対して整列した離散したドメインを形成する。自己組織化層２４０は溶媒からのスピンキャスティングによって溶液として適用され、キャスティング後に加熱されて残留する溶媒を除去しかつ自己組織化層をコンパクトにしアニールする。ブロックコポリマーのブロックを秩序化するためのポリマー鎖の移動性を必要とするドメイン形成は、加熱中の可塑化溶媒の喪失と同時に起こり、個々のブロックの鎖の秩序化は秩序化されたシリンダー状もしくはラメラ構造を形成すると考えられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
図１Ｇにおいては、まばらなパターンが使用される場合には、自己組織化層２４０ｂの極性ドメイン２４１ｂはまばらにパターン形成された下層２２０ｂの極性領域（極性基２２４を有する）に対して整列しており、非極性ドメイン２４２ｂは極性ドメイン２４１ｂに対して整列する。第２の極性ドメイン２４３ｂは非極性ドメイン２４２ｂに対して整列し、そこではまばらにパターン形成された下層２２０ｂの不充分な極性領域が存在し、別の非極性ドメイン２４４ｂが第２の極性ドメイン２４３ｂに対して整列する。次いで、像形成される下層の表面にわたって、この配列のパターンが繰り返される。この方法においては、まばらなパターンは、自己組織化ブロックコポリマーのドメイン形成傾向と組み合わせて、ガイドとして使用され、下層に完全なパターンを照射および転写する必要なしにパターンを増やすことができる。密なライン／スペース解像を照射工程で得るのが困難な場合に、または照射工程が長期にわたりかつ時間を消費する工程である場合に（例えば、ｅ−ビーム直接描画が使用される場合に）、この方法は特に効果的である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
次いで、一般構造：
【化１１】
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を有する比較例２のブロックコポリマーが２−ヘプタノン（全溶液重量を基準にして２重量％）に溶解され、すでに実施例３のポリマーを含む下層でコーティングされ、上記方法によって像形成された３０ｃｍウェハ上に約１００ｎｍの厚さにスピンキャストされ、そして２５０℃で６０分間ベークされ、自己組織化層をアニールし、シリンダーとしての相分離ドメインを提供した。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
サンプル上にシリンダー状ドメインを有するサンプルは、次いで、ＡＦＭによって画像化された。図２は、１μｍ×１μｍスキャン領域におけるサンプルの一連のＡＦＭ像を示す。シリンダー状ドメインはそれぞれのサンプルについて図中に認められることができ、図についてのドメイン寸法は以下の表２にまとめられる。