【手続補正書】
【提出日】平成27年8月27日(2015.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体基板と、
前記主表面上に形成される第１の導電層と、
前記第１の導電層の上に形成される第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜の上に位置するビット線と、
前記ビット線の上面および側面を覆うように形成される第１の絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜および前記第１の絶縁膜を覆うように形成される第２の層間絶縁膜と、
前記第１および第２の層間絶縁膜を貫通して前記第１の導電層に達する第２の導電層とを備え、
前記ビット線の側面を覆う前記第１の絶縁膜は、前記ビット線の最下部において前記ビット線の側面を覆う前記第１の絶縁膜の前記主表面に沿う方向の厚み分だけ前記第１の絶縁膜の最上部から下方にある位置よりも下方の領域において、前記主表面に対して垂直な部分を有している、半導体装置。
【請求項２】
前記ビット線が延在する方向に対して平面視において交差する幅方向の前記ビット線の端部において前記ビット線の上面を覆う前記第１の絶縁膜の前記主表面に直交する方向の厚みは、前記ビット線の上面を覆う前記第１の絶縁膜の前記主表面に直交する方向の最大の厚みの０．９５倍以上である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の絶縁膜の前記垂直な部分の前記第１の層間絶縁膜の表面からの高さは、前記ビット線の上面を覆う前記第１の絶縁膜の最上部の前記第１の層間絶縁膜の表面からの高さの０．８６倍以上である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ビット線および前記第１の絶縁膜を含む配線構造が複数、平面視において互いに間隔を隔てて並走しており、
平面視における前記配線構造の延在する方向の全体にわたって前記間隔には前記第１の絶縁膜が形成されていない、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜の側面を覆う、第２の絶縁膜をさらに含み、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは異なる材質である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜とは異なる材質である、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の絶縁膜は、前記ビット線の上面を覆う前記第１の絶縁膜の最上部よりも上方に突出している、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ビット線の側面よりも外方の領域の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分は、前記ビット線の上面の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分よりも上方に突出している、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
主表面を有する半導体基板を準備する工程と、
前記主表面上に第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層の上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜の上に位置するビット線を形成する工程と、
前記ビット線の上面および側面を覆い、かつ前記第１の導電層の真上を覆うように第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記ビット線および前記第１の絶縁膜を覆うように、前記第１の絶縁膜とは異なる材質である第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記ビット線の真上の前記第２の絶縁膜を除去するとともに前記第１の絶縁膜の側壁に前記第２の絶縁膜を残すように前記第２の絶縁膜の一部をエッチングする工程と、
前記第２の絶縁膜を前記第１の絶縁膜の側壁に残した状態で、前記第１の導電層の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分を除去する工程と、
前記第１の絶縁膜と前記第１の導電層とを覆うように第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
自己整合処理により前記第１および第２の層間絶縁膜を貫通して前記第１の導電層に達する第２の導電層を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の導電層の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分を除去する工程において、前記ビット線が延在する方向に対して平面視において交差する幅方向の前記ビット線の端部において前記ビット線の上面を覆う前記第１の絶縁膜の前記主表面に直交する方向の厚みは、前記ビット線の上面を覆う前記第１の絶縁膜の前記主表面に直交する方向の最大の厚みの０．９５倍以上となるように前記第１の絶縁膜が形成される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の導電層の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分を除去する工程において、前記第１の絶縁膜の前記主表面に対して垂直な部分の前記第１の層間絶縁膜の表面からの高さは、前記ビット線の上面を覆う前記第１の絶縁膜の最上部の前記第１の層間絶縁膜の表面からの高さの０．８６倍以上となるように前記第１の絶縁膜が形成される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記ビット線および前記第１の絶縁膜を含む配線構造が複数、平面視において互いに間隔を隔てて並走しており、
前記除去する工程において、前記第１の絶縁膜は、平面視における前記配線構造の延在する方向の全体にわたって除去される、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜とは異なる材質である、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜とは異なる材質である、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の導電層の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分を除去する工程において、前記第２の絶縁膜は、前記ビット線の上面を覆う前記第１の絶縁膜の最上部よりも上方に突出するようにエッチングされる、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の導電層の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分を除去する工程において、前記ビット線の側面よりも外方の領域の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分は、前記ビット線の上面の真上に位置する前記第１の絶縁膜の部分よりも上方に突出するようにエッチングされる、請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図４（Ｂ）内の１つのユニットセル内を延在する活性領域１Ｆに沿う部分の、層間絶縁膜ＩＩ１およびその下層は図５に示す態様となっている。図５を参照して、ユニットセル内の活性領域には図の左側から右側へドライバトランジスタ、アクセストランジスタの順に配置されており、これらは図４（Ｂ）のユニットセル内の屈曲したＶ−Ｖ線に沿う部分の下側から上側に向けて並ぶドライバトランジスタとアクセストランジスタとに相当する。図５のドライバトランジスタＴ１，Ｔ２およびアクセストランジスタＴ５，Ｔ６は、ソース／ドレイン領域Ｓ／Ｄ（一部は隣り合う１対のトランジスタによって共有される）と、ゲート絶縁膜ＧＩと、ゲート電極ＧＥと、絶縁膜ＩＬと、側壁絶縁膜ＳＷとを有している。図５の活性領域のドライバトランジスタとアクセストランジスタとに挟まれる領域には第１のプラグＢＳが形成されている。なお図５のユニットセルの外側にはユニットセルのドライバトランジスタＴ１，Ｔ２に隣り合うドライバトランジスタＴ１，Ｔ２が部分的に図示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
再度図６を参照して、被覆絶縁膜ＣＬを構成するシリコン窒化膜は、ビット線ＢＬ（配線構造ＬＥ）が形成されない領域（たとえば１対の配線構造ＬＥに挟まれた領域）においては層間絶縁膜ＩＩ２上に形成されていない。すなわち再度図４（Ａ）を参照して、当該シリコン窒化膜は、配線構造ＬＥを構成する被覆絶縁膜ＣＬとして形成されているが、互いに隣り合う１対の配線構造ＬＥに挟まれた領域ＧＰ（間隔）においては、配線構造が延在する長手方向（図の上下方向である行方向または列方向）の全体にわたって形成されておらず除去されている。具体的には、図４（Ａ）において第１のプラグＢＳおよびゲート上コンタクトＣＧが並ぶように配置される領域においては、図の上下方向の全体にわたって被覆絶縁膜ＣＬを構成するシリコン窒化膜が形成されていない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
図２１および図７を参照して、図２０に対して図７と同様に左右方向に位置がずれることなく第２のプラグＳＣが形成された場合、図６に対して位置がずれることなく図７のように第２のプラグＳＣが形成された場合と比べて、第２のプラグＳＣとビット線ＢＬとの距離が短くなっている。図２２および図１０を参照して、図２０に対して図１０と同様に位置がずれた場合についても、上記と同様に、図１０と比べて第２のプラグＳＣとビット線ＢＬとの距離が短くなっている。その他の構成については、図２０〜図２２の比較例においてはすべて一実施の形態と同様であるとする。