【事件の表示】
　特願２０１７−５３０９９９「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　２月　２日国際公開，ＷＯ２０１７／０１７９０１，請求項の数（５）〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は，特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１６年（平成２８年）７月４日（優先権主張　平成２７年７月２９日）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年１１月２９日：国内書面，手続補正書　
　平成３０年　４月　５日：拒絶理由通知（起案日）
　平成３０年　６月　６日：意見書・手続補正書
　平成３０年１０月２９日：拒絶査定（起案日）（以下，「原査定」という。）
　平成３１年　１月２９日：審判請求書
　平成３１年　１月２９日：手続補正書（以下，この手続補正書による手続補正を「本件補正」という。）
第２　原査定の概要
　原査定の概要は次のとおりである。
　本願請求項１ないし６に係る発明は，本願出願前に頒布された以下の引用文献１ないし５に基づいて，本願出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
引用文献等一覧
１．国際公開第２０１２／１２０９３０号
２．特開２０１４−８６５３６号公報
３．特開２００４−９６１３５号公報
４．特開２０００−１５６４３９号公報
５．特開２００１−３３２６６４号公報
第３　本件補正について
１　本件補正の内容
（１）平成３０年６月６日提出の手続補正書により補正された（以下「本件補正前」という。）特許請求の範囲の請求項１ないし６は，以下のとおりである。
「【請求項１】
導電体である金属層と，
前記金属層の第１の面に実装される半導体素子と，
前記半導体素子に設けられた第１の接続端子と，
前記半導体素子に設けられた第２の接続端子と，
前記半導体素子に設けられた第３の接続端子と，
前記第１の接続端子に一端が接合された第１のバスバーと，
前記第１のバスバーの通電方向における断面積よりも大きな通電方向の断面積を有して前記第２の接続端子に一端が接合された第２のバスバーと，
を備え，
前記半導体素子の第１の面は前記金属層の前記第１の面と接合され，
前記半導体素子の第２の面に，前記第１の接続端子，前記第２の接続端子，および，前記第３の接続端子が配置され，
前記第１のバスバーの他端は出力部であり，
前記第２のバスバーの他端が前記金属層に接合され，
前記半導体素子の前記第１の面と前記第２のバスバーとは同電位である，
半導体装置。
　　【請求項２】
前記第１のバスバーの他端は外部への出力部である，
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】
前記金属層の第２の面に設けられた絶縁層と，  
前記絶縁層に放熱体と，をさらに備え，  
前記絶縁層の第１の面は金属層と接し，  
前記絶縁層の第２の面は放熱体と接する，  
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
前記半導体素子は，窒化ガリウム系トランジスタで構成され，  
前記第１の接続端子はドレイン端子であり，  
前記第２の接続端子はソース端子であり，  
前記第３の接続端子はゲート端子である，  
請求項１に記載の半導体装置。  
　　【請求項５】
前記金属層は，配線パターンが形成されたリードフレームである，  
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項６】
前記第２のバスバーは，それぞれが直線状に延伸する複数の導体が接続されて形成されている
請求項１に記載の半導体装置。」
（２）平成３１年１月２９日提出の手続補正書により補正された（以下「本件補正後」という。）特許請求の範囲の請求項１ないし５は，以下のとおりである。（下線は，補正箇所である。）
「【請求項１】
導電体である金属層と，
前記金属層の第１の面に実装される半導体素子と，
前記半導体素子に設けられた第１の接続端子と，
前記半導体素子に設けられた第２の接続端子と，
前記半導体素子に設けられた第３の接続端子と，
前記第１の接続端子に一端が接合された第１のバスバーと，
前記第１のバスバーの通電方向における断面積よりも大きな通電方向の断面積を有して前記第２の接続端子に一端が接合された第２のバスバーと，
を備え，
前記半導体素子の第１の面は前記金属層の前記第１の面と接合され，
前記第１の面とは反対面である
前記第１のバスバーの他端は
外部のデバイスへ接続される
前記第２のバスバーの他端が前記金属層に接合され，
前記半導体素子の前記第１の面と前記第２のバスバーとは同電位である，
半導体装置。
　　【請求項２】
前記金属層の第２の面に設けられた絶縁層と，
前記絶縁層に放熱体と，をさらに備え，
前記絶縁層の第１の面は金属層と接し，
前記絶縁層の第２の面は放熱体と接する，
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】
前記半導体素子は，窒化ガリウム系トランジスタで構成され，
前記第１の接続端子はドレイン端子であり，
前記第２の接続端子はソース端子であり，
前記第３の接続端子はゲート端子である，
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
前記金属層は，配線パターンが形成されたリードフレームである，
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項５】
前記第２のバスバーは，それぞれが直線状に延伸する複数の導体が接続されて形成されている，
請求項１に記載の半導体装置。」
２　補正の適否について 
　本件補正は，本件補正前の請求項１における「前記半導体素子の第２の面」に対して，「第１の面とは反対面である」との限定を付加し，「第１のバスバーの他端」に対して，「外部のデバイスへ接続される」との限定を付加するものであって，本件補正前の請求項１ないし６に記載された発明と本件補正後の請求項１ないし５に記載された発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから，特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また，本件補正は，本件補正前の請求項２を削除するとともに，本件補正前の請求項３ないし６の項番号を繰り上げて，本件補正後の請求項２ないし５とする補正であるから，特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。
　したがって，本件補正は適法になされたものである 。
第４　本願発明
１　本願の請求項１ないし５に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」ないし「本願発明５」という。）は，平成３１年１月２９日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。（以下，再掲。）
「【請求項１】
導電体である金属層と，
前記金属層の第１の面に実装される半導体素子と，
前記半導体素子に設けられた第１の接続端子と，
前記半導体素子に設けられた第２の接続端子と，
前記半導体素子に設けられた第３の接続端子と，
前記第１の接続端子に一端が接合された第１のバスバーと，
前記第１のバスバーの通電方向における断面積よりも大きな通電方向の断面積を有して前記第２の接続端子に一端が接合された第２のバスバーと，
を備え，
前記半導体素子の第１の面は前記金属層の前記第１の面と接合され，
前記第１の面とは反対面である前記半導体素子の第２の面に，前記第１の接続端子，前記第２の接続端子，および，前記第３の接続端子が配置され，
前記第１のバスバーの他端は外部のデバイスへ接続される出力部であり，
前記第２のバスバーの他端が前記金属層に接合され，
前記半導体素子の前記第１の面と前記第２のバスバーとは同電位である，
半導体装置。
　　【請求項２】
前記金属層の第２の面に設けられた絶縁層と，
前記絶縁層に放熱体と，をさらに備え，
前記絶縁層の第１の面は金属層と接し，
前記絶縁層の第２の面は放熱体と接する，
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項３】
前記半導体素子は，窒化ガリウム系トランジスタで構成され，
前記第１の接続端子はドレイン端子であり，
前記第２の接続端子はソース端子であり，
前記第３の接続端子はゲート端子である，
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項４】
前記金属層は，配線パターンが形成されたリードフレームである，
請求項１に記載の半導体装置。
　　【請求項５】
前記第２のバスバーは，それぞれが直線状に延伸する複数の導体が接続されて形成されている，
請求項１に記載の半導体装置。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
（１）引用文献１の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１には，図面とともに次の事項が記載されている。
「技術分野
[０００１]　本発明は，
半導体装置に関し，特に，ＧａＮを用いるパワーデバイスチップをフレームに搭載する場合のデバイスの実装構造に関する
「発明が解決しようとする課題
[０００８]　
従来のＳｉパワーデバイスでは，ゲート注入電荷量Ｑｇが大きいため，寄生発振が起こるような大きなインダクタンスは回路側で対応が可能であり，デバイス実装において，回路の寄生インダクタンスについて特別の注意を払う必要がなかった
[０００９]　
ところが，ＧａＮを用いたデバイスでは，ゲート注入電荷量Ｑｇが非常に小さいため，単なる配線の寄生インダクタンスであってもゲート電圧が発振することがわかった
[００１０]　これに対し，ゲート抵抗として大きなものをゲート端子に接続することで発振は抑制できるが，ＧａＮの低消費電力，高速応答性の長所を生かすことができない結果となる。
[００１１]　
本発明は，上記の状況に鑑み，ＧａＮを用いたデバイスにおいて，大きなゲート抵抗を付加することなく寄生発振を抑制できるように，デバイス実装構造の面から寄生インダクタンスの低減を実現するものであり，これにより，ＧａＮの特徴である低消費電力，高速応答特性を生かしたパワーデバイスを実現することを目的とする
[００１２]　上記目的を達成するための本発明に係る半導体装置は，
　
ソース端子，ドレイン端子，ゲート端子の少なくとも三端子が基板表面側に設けられた，ＧａＮを用いるパワーデバイスが，ソースリード部とダイパッド部とが一体成形されたリードフレームの前記ダイパッド部に搭載され
　
前記パワーデバイスの前記ソース端子が前記ダイパッド部とワイヤ接続され，
　前記パワーデバイスの前記ドレイン端子がドレインリードと，前記パワーデバイスの前記ゲート端子がゲートリードとワイヤ接続されてなるデバイス実装構造を有することを特徴とする
「[００２６]
[図１]本発明に係る半導体装置のチップ実装例
[図２]従来技術に係る半導体装置のチップ実装例
[図３]ＧａＮを用いるパワーデバイスのデバイス構造を示す断面図。
[図４]本発明に係る半導体装置の他のチップ実装例
[図５]本発明の課題を説明するための回路図
[図６]本発明の効果を説明するためのグラフであり，スイッチング時のゲート電圧の立ち上がり及び立ち下がりの，ゲート電圧の変化を示すグラフ
[図７]本発明の効果を説明するためのグラフであり，スイッチング時においてＦＥＴに生じる電力損失の時間変化を示すグラフ
発明を実施するための形態
[００２７]　〈第１実施形態〉
　
本発明のチップ実装構造を有する半導体装置１０の構成例を図１に示す。図１は，半導体装置１０の実装後の形態の模式図である。
[００２８]　
半導体装置１０は，ＧａＮを用いて構成されるパワーデバイスであり，基板表面側に，ソース端子１１，ドレイン端子１２，ゲート端子１３が形成されている。そして，ダイパッド１４上に半導体装置１０が搭載され，固定されている
[００２９]　ＧａＮを用いる当該パワーデバイスのデバイス構造の模式的な断面図を図３に示す。図３に示すデバイスは，ＨＥＭＴ(HighElectron Mobility Transistor)構造のＦＥＴであり，Ｓｉ基板２０上に，ＡｌとＧａの組成比が異なるＡｌＧａＮの多層膜からなるバッファ層２１を介してＧａＮ層２２が積層され，ＧａＮ層２２の上にＡｌＧａＮの層２３が積層されている。ＧａＮ層２２上の所定の領域には，ＡｌＧａＮ層２３を貫通するようにソース電極２４とドレイン電極２５が形成され，ゲート電極２６が，ＡｌＧａＮ層２３上の所定の領域に，ソース電極２４とドレイン電極２５がゲート電極２６を挟んで互いに対向するように形成されている。ドレイン電極２５は，絶縁膜２７上に形成されたドレイン端子１２と，コンタクトホール２８を介して電気的に接続される。同様に，図示しないが，ソース電極２４は，別の断面において，絶縁膜２７上に形成されたソース端子１１と電気的に接続され，ゲート電極２５は，更に別の断面において，絶縁膜２７上に形成されたゲート端子１３と電気的に接続される。
[００３０]　ＡｌＧａＮ層２３とＧａＮ層２２とのヘテロ接合界面近傍において，２次元電子ガス層２９が形成され，ゲート電極２６に電圧（ゲート電圧）を印加することで，当該ゲート電極２６の下方の当該２次元電子ガス層の濃度が変調され，ソース電極２４とドレイン電極２５間に流れる電流が制御される。尚，図３に示すデバイスは，ドレイン電極２５に印加される電圧とゲート電圧との差が高電圧となるため，放電しないようにゲート電極２６とドレイン電極２５との距離を，ゲート電極２６とソース電極２４との距離よりも大きくとり，ゲート電極２６がドレイン電極２５よりもソース電極２４側に片寄って配置された非対称なデバイス構造を有している。
[００３１]　
図１及び図２に戻ると，半導体装置１０に隣接して，ソースリード１５，ドレインリード１６，ゲートリード１７がこの順で形成されている。即ち，ドレインリード１６が，ゲートリード１７とソースリード１５の間に挟まれて配置されている。これらのリード端子１５，１６，１７は夫々，半導体装置１のソース端子１１，ドレイン端子１２，ゲート端子１３とワイヤ接続（ワイヤボンディング）される。更に，図１又は図２の点線で示す領域１８内において，ワイヤ接続される部分を覆うように樹脂封止がされ，半導体装置１０がパッケージされる
[００３２]　
本発明では，図１に示すように，ソースリード１５とダイパッド１４は，両者が一体成形されてリードフレームを構成しており，ソース端子１１とソースリード１５の接続が，ソース端子１１とダイパッド１４をワイヤボンディングすることによりなされている。一方，ドレインリード１６及びゲートリード１７は，夫々，ダイパッド１４と分離形成され，ドレインリード１６とドレイン端子１２，ゲートリード１７とゲート端子１３との接続が，ワイヤボンディングによりなされている
[００３３]　これに対し，従来例では，図２に示すように，ドレインリード１６とダイパッド１４が一体成形されてリードフレームを構成しており，ドレイン端子１２とドレインリード１６の接続が，ドレイン端子１２とダイパッド１４をワイヤボンディングすることによりなされている。一方，ソースリード１５及びゲートリード１７は，夫々，ダイパッド１４と分離形成され，ソースリード１５とソース端子１１，ゲートリード１７とゲート端子１３との接続が，ワイヤボンディングによりなされている。
[００３４]　上述の通り，
本発明では，ソースリード１５とダイパッド１４が一体成形され，ソース端子１１とダイパッド１４がワイヤボンディングされて接続されているため，チップ裏面の電位を介して基板の電位がソース電圧に固定され，基板を経由してチップ裏面に流れるリーク電流を減らし，結果，オン抵抗を小さくすることができる。また，ソース配線の寄生インダクタンスが抑制され，ゲート電圧の発振を抑えることができる
「[図１]
」
（２）上記記載から，引用文献１には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア　ＧａＮを用いるパワーデバイスチップをフレームに搭載する場合のデバイスの実装構造に関するものであること。
イ　ＧａＮを用いたデバイスにおいて，大きなゲート抵抗を付加することなく寄生発振を抑制できるように，デバイス実装構造の面から寄生インダクタンスの低減を実現するものであり，これにより，ＧａＮの特徴である低消費電力，高速応答特性を生かしたパワーデバイスを実現することを目的とすること。
ウ　図１は，半導体装置１０の実装後の形態の模式図であり，基板表面側に，ソース端子１１，ドレイン端子１２，ゲート端子１３が形成されている。そして，ダイパッド１４上に半導体装置１０が搭載され，固定されていること。
エ　半導体装置１０に隣接して，ソースリード１５，ドレインリード１６，ゲートリード１７がこの順で形成されていること。
オ　リード端子１５，１６，１７は夫々，半導体装置１のソース端子１１，ドレイン端子１２，ゲート端子１３とワイヤ接続（ワイヤボンディング）されること。更に，領域１８内において，ワイヤ接続される部分を覆うように樹脂封止がされ，半導体装置１０がパッケージされること。
カ　ソースリード１５とダイパッド１４は，両者が一体成形されてリードフレームを構成しており，ソース端子１１とソースリード１５の接続が，ソース端子１１とダイパッド１４をワイヤボンディングすることによりなされていること。
キ　ソースリード１５とダイパッド１４が一体成形され，ソース端子１１とダイパッド１４がワイヤボンディングされて接続されているため，チップ裏面の電位を介して基板の電位がソース電圧に固定され，基板を経由してチップ裏面に流れるリーク電流を減らし，結果，オン抵抗を小さくすることができる。また，ソース配線の寄生インダクタンスが抑制され，ゲート電圧の発振を抑えることができること。
ク　ドレインリード１６及びゲートリード１７は，夫々，ダイパッド１４と分離形成され，ドレインリード１６とドレイン端子１２，ゲートリード１７とゲート端子１３との接続が，ワイヤボンディングによりなされていること。
（３）上記（１），（２）から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＧａＮを用いたデバイスにおいて，大きなゲート抵抗を付加することなく寄生発振を抑制できるように構成された半導体装置１０であって，
　半導体装置１０の基板表面側に，ソース端子１１，ドレイン端子１２，ゲート端子１３が形成され，
　ダイパッド１４上に半導体装置１０が搭載され，
　半導体装置１０に隣接して，ソースリード１５，ドレインリード１６，ゲートリード１７がこの順で形成され，
　ソースリード１５，ドレインリード１６，ゲートリード１７は夫々，半導体装置１０のソース端子１１，ドレイン端子１２，ゲート端子１３とワイヤボンディングされ，
　領域１８内において，ワイヤボンディングされる部分を覆うように樹脂封止がされ，
　ソースリード１５とダイパッド１４は，両者が一体成形されてリードフレームを構成しており，ソース端子１１とソースリード１５の接続が，ソース端子１１とダイパッド１４をワイヤボンディングすることによりなされ，
　ドレインリード１６及びゲートリード１７は，夫々，ダイパッド１４と分離形成され，ドレインリード１６とドレイン端子１２，ゲートリード１７とゲート端子１３との接続が，ワイヤボンディングによりなされ，
　ソースリード１５とダイパッド１４が一体成形され，ソース端子１１とダイパッド１４がワイヤボンディングされて接続されているため，チップ裏面の電位を介して基板の電位がソース電圧に固定される，
　半導体装置１０。」
２　引用文献２について
（１）引用文献２の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　第１電極パッドと第２電極パッドとが形成された第１表面と，前記第１表面の反対側に位置し，第３電極が形成された第１裏面，とを有し，前記第１および第２電極パッドと前記第３電極とに電気的に接続されたトランジスタ素子を含む第１半導体チップと，
　第４電極パッドが形成された第２表面と，前記第２表面の反対側に位置し，第５電極が形成された第２裏面と，を有し，前記第４電極パッドと前記第５電極とに電気的に接続されたダイオード素子を含む第２半導体チップと，
　前記第１半導体チップが搭載され，前記第１半導体チップの前記第３電極と電気的に接続された第１チップ搭載部を有する第１金属板と，
　前記第２半導体チップが搭載され，前記第２半導体チップの前記第５電極と電気的に接続された第２チップ搭載部を有する第２金属板と，
　前記第１半導体チップに電気的に接続されたリードと，前記第２半導体チップに電気的に接続されたリードと，を含むリード群と，
　前記第１および第２半導体チップ，および複数の前記リードそれぞれの一部を封止する封止体と，を有し，
　前記第１および第２金属板は，それぞれ電気的に分離され，且つそれぞれ第１方向に沿って隣り合って，配置され，
　前記リード群は，前記第１方向とは直交する第２方向に沿って，前記第１金属板と前記第２金属板とに対向するように配置され，且つそれぞれのリードは前記第１方向に沿って配置され，
　平面視において，前記第１金属板の前記第１チップ搭載部を含む部分の前記第１方向における幅は，前記第２金属板の前記第２チップ搭載部を含む部分の前記第１方向における幅より大きい半導体装置。」
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，半導体装置および半導体装置の製造技術に関し，例えば，電力回路に組み込まれる半導体装置に適用して有効な技術に関するものである
「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　本願発明者は，例えば電源回路に組み込まれる半導体装置の性能を向上させる技術を検討している。この一環として，トランジスタが形成された半導体チップと，上記トランジスタとスイッチング動作させるダイオードが形成された半導体チップを，一つのパッケージ内に内蔵する技術について検討した。
この結果，半導体装置の信頼性向上の点で課題があることを見出した
【０００７】
　その他の課題と新規な特徴は，本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
　
一実施の形態による半導体装置は，トランジスタが形成された第１半導体チップが搭載される第１金属板の，上記第１半導体チップの周辺領域を，ダイオードが形成された第２半導体チップが搭載される第２金属板の，上記第２半導体チップの周辺領域よりも大きくするものである
【発明の効果】
【０００９】
　上記一実施の形態によれば，半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態の半導体装置が組み込まれた電力変換装置の回路構成を示す説明図である。
【図２】実施の形態の半導体装置の外観を示す平面図である。
【図３】図２に示す半導体装置の放熱板取り付け面側を示す平面図である。
【図４】図２に示す半導体装置の側面図である。
【図５】図４に示す半導体装置に放熱板を取り付け，図１に示す電力変換装置の実装基板に実装した状態を示す側面図である。
【図６】
図２に示す封止体を透視した状態で，半導体装置の内部構造を示す透視拡大平面図である。
・・・＜略＞・・・
【図３８】
図６に対する他の変形例である半導体装置の封止体を透視した状態で，半導体装置の内部構造を示す透視拡大平面図である。
【図３９】図３８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図４０】図３８に対する変形例である半導体装置の封止体を透視した状態で，半導体装置の内部構造を示す透視拡大平面図である。
【図４１】図４０のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。」
「【００４４】
　
図６に示すように，半導体装置１は，封止体２の内部に半導体チップ（トランジスタチップ）４，半導体チップ（ダイオードチップ）５，半導体チップ４が搭載される金属板６，および半導体チップ５が搭載される金属板７を有している。金属板６と金属板７は，互いに電気的に分離された状態で，チップ搭載面側が封止体２に封止されている
「【００５６】
　また，図６に示すように，半導体チップ４および半導体チップ５は，平面視において，それぞれ四角形を成す。図６に示す例では，半導体チップ４は長辺が約７ｍｍ，短辺が約４ｍｍ程度の長方形を成す。また，半導体チップ５は長辺が約４ｍｍ，短辺が約２ｍｍ程度の長方形を成す。また，半導体チップ４，５の厚さは，例えば，それぞれ０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。
【００５７】
　また，
図６に示すように，半導体チップ４および半導体チップ５それぞれは，互いに電気的に分離された金属板６および金属板７に搭載されている
【００５８】
　また，図８に示すように，半導体チップ５は，裏面５ｂが金属板７の上面７ａと対向した状態でダイボンド材（導電性接着材）８を介して金属板７のチップ搭載部７ｃｂ上に搭載されている。導電性接着材８Ｋは，半導体チップ５の裏面５ｂに形成されたカソード電極５ｋｐと金属板７とを電気的に接続し，かつ，金属板７のチップ搭載部７ｃｂ上に半導体チップ５を固定するダイボンド材８である。導電性接着材８Ｋには，導電性接着材８Ｃと同様に，例えば，Ｐｂ−Ｓｎ−Ａｇ半田，Ｓｎ−Ｓｂ半田などの半田材，または，Ａｇペーストのような樹脂中に多数の導電性粒子（金属粒子）を混合させた導電性樹脂材を用いることができる。
【００５９】
　また，図６および図９に示すように，
金属板６と金属板７は，Ｘ方向に沿って，互いに隣り合って配置され，金属板６の辺６ｈ３と金属板７の辺７ｈ３の間には，Ｙ方向に沿って隙間ＧＳＰが配置されている。金属板６および金属板７の間に隙間ＧＳＰを設けることにより金属板６，７を電気的に分離することができる。また，図９に示すように，隙間ＧＳＰ内に，封止体２の一部を配置する（埋め込む）ことにより，金属板６と金属板７を確実に絶縁することができる
【００６０】
　そして，金属板６と金属板７とを電気的に分離することにより，図１に示すように，ダイオード素子Ｄ１のカソード電極Ｋ１とトランジスタ素子Ｔ１のエミッタ電極Ｅ１とに異なる電位を供給し，かつ，ダイオード素子Ｄ１のアノード電極Ａ１とトランジスタ素子Ｔ１のコレクタ電極Ｃ１とに同じ電位を供給することができる。
・・・＜略＞・・・
【００６６】
　つまり，
半導体装置１では，外部端子である複数のリード３，および複数のリード３と電気的に接続される半導体チップ４，５が，金属板６の辺６ｈ１または金属板７の辺７ｈ１が配置されるサイドに集約して配置されている。言い換えれば，半導体装置１では，外部端子である複数のリード３，および複数のリード３と電気的に接続される半導体チップ４，５が，封止体２の辺２ｈ１側に集約して配置されている
【００６７】
　このように，
半導体装置１が備える電気回路を構成する部品を，封止体２の一つの辺側に集約して配置することにより，各部品を電気的に接続するための距離を短くすることができるので，導通経路のインピーダンス成分を低減できる
【００６８】
　また，金属板６および金属板７を，Ｘ方向に沿って隣り合って配置することにより，半導体チップ４および半導体チップ５を，それぞれリード群に近づけて配置することができる。」
「【０１７１】
　＜変形例５＞
　また，上記実施の形態および変形例１〜変形例４では，半導体チップ４のエミッタ電極パッド４ｅｐとリードＶＬ２を電気的に接続する金属導体（導電性部材）として，ワイヤ９Ｅを用いる実施態様について説明した。
しかし，スイッチング回路の大電流が流れる導通経路の断面積をさらに大きくする変形例として，図３８に示す半導体装置１Ｈ６のように，金属クリップ（金属導体，金属板）５１を用いることができる
【０１７２】
　図３８は，図６に対する他の変形例である半導体装置の封止体を透視した状態で，半導体装置の内部構造を示す透視拡大平面図である。また図３９は，図３８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【０１７３】
　
図３８および図３９に示す半導体装置１Ｈ６は，半導体チップ４のエミッタ電極パッド４ｅｐとリードＶＬ２とが，金属クリップ（金属導体，金属板）５１を介して電気的に接続されている点で，図６に示す半導体装置１と相違する
【０１７４】
　
金属クリップ５１は，例えば銅（Ｃｕ）から成る金属板であって，半導体チップ４のエミッタ電極パッド４ｅｐと接続されるチップ接続部５１Ｃｂ，リードＶＬ２と接続されるリード接続部５１Ｌｂ，およびチップ接続部５１Ｃｂとリード接続部５１Ｌｂとの間に位置する中間部５１Ｔｂを有している
【０１７５】
　また，チップ接続部５１Ｃｂは導電性接着材５２を介してエミッタ電極パッド４ｅｐと電気的に接続されている。リード接続部５１Ｌｂは導電性接着材５２を介してリードＶＬ２のワイヤ接続面（図３５の場合はクリップ接続面と読み替える）３Ｂａと電気的に接続されている。導電性接着材５２は，ダイボンド材８と同様に，例えば，Ｐｂ−Ｓｎ−Ａｇ半田，Ｓｎ−Ｓｂ半田などの半田材，または，Ａｇペーストのような樹脂中に多数の導電性粒子（金属粒子）を混合させた導電性樹脂材を用いることができる。
【０１７６】
　半導体装置１Ｈ６のように，半導体チップ４のエミッタ電極パッド４ｅｐとリードＶＬ２とが，金属クリップ（金属導体，金属板）５１を介して電気的に接続されている場合，
上記実施の形態で説明した半導体装置１よりもさらに導通経路の断面積を大きくすることができる。そして，エミッタ電極パッド４ｅｐとリードＶＬ２とを電気的に接続する導通経路（金属クリップ５１）の断面積を大きくすることで，抵抗値を低減できる。この結果，トランジスタ素子Ｔ１（図１参照）のオン抵抗を低減することができる
【０１７７】
　なお，図３８および図３９に示す半導体装置１Ｈ６の製造方法では，上記実施の形態で説明したワイヤボンディング工程において，金属クリップ５１を形成する。また，導電性接着材５２として半田材を用いる場合には，金属クリップ５１を形成した後，洗浄工程を行う。したがって，ワイヤ９Ａおよびワイヤ９Ｇを形成する前に，金属クリップ５１を形成する工程，および洗浄工程を行うことが好ましい。
【０１７８】
　また図示は省略するが，半導体装置１Ｈ６に対する更なる変形例として，図３８に示す半導体チップ５のアノード電極パッド５ａｐとリードＣＬを電気的に接続するワイヤ９Ａを，金属クリップ５１に置き換えても良い。
【０１７９】
　上記した相違点を除き，半導体装置１Ｈ６と半導体装置１は同様なので，重複する説明は省略する。」
「【図６】
」
「【図３８】
」
（２）上記記載から，引用文献２には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア　封止体２の内部に外部端子である複数のリード３，半導体チップ（トランジスタチップ）４，半導体チップ（ダイオードチップ）５，半導体チップ４が搭載される金属板６，および半導体チップ５が搭載される金属板７を有した半導体装置１において，
　半導体チップ４および半導体チップ５それぞれは，互いに電気的に分離された金属板６および金属板７に搭載され，
　金属板６と金属板７は，Ｘ方向に沿って，互いに隣り合って配置され，金属板６の辺６ｈ３と金属板７の辺７ｈ３の間には，Ｙ方向に沿って隙間ＧＳＰが配置されることで，金属板６および金属板７の間に隙間ＧＳＰを設けることにより金属板６，７を電気的に分離し，
　複数のリード３，および複数のリード３と電気的に接続される半導体チップ４，５が，封止体２の辺２ｈ１側に集約して配置されることにより，
　各部品を電気的に接続するための距離を短くすることができ，導通経路のインピーダンス成分を低減できること。
イ　半導体チップ４のエミッタ電極パッド４ｅｐとリードＶＬ２とを，銅からなる金属クリップ（金属導体，金属板）５１を介して電気的に接続することで，導通経路の断面積を大きくし，トランジスタ素子Ｔ１のオン抵抗を低減できること。
３　引用文献３について
（１）引用文献３の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】
　上面電極と下面電極とを有するパワー素子と，
　前記パワー素子の下面電極の下側に絶縁体を介して接続される，内部に冷却液が流通する金属製の第１の冷却板と，
　前記パワー素子の上面電極の上側に絶縁体を介して接続される，内部に冷却液が流通する金属製の第２の冷却板と，
　前記第１の冷却板と第２の冷却板との間に配置される，外部に電気的接続を行うための少なくとも１つの電極端子と，
　を備え，
　前記上面電極及び／又は下面電極は，金属板を介して前記電極端子に電気的に接続されていることを特徴とするパワーモジュール。」
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，電気自動車に使用される電力用パワーモジュールに関する
【背景技術】
【０００２】
　電気自動車等（ハイブリッド自動車を含む）の電動機のコイルに所定の交流電力を供給するインバータは，電力用スイッチング素子等で構成されている。電力用半導体としては，ＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴ等の半導体チップに形成されたパワー素子が用いられている。パワー素子が形成された半導体チップは，制御回路等と共に一つのパワーモジュールに封止されている。
【０００３】
　このようなパワーモジュールにおいては，封止されているパワー素子自体に大電流が流れるため，このパワー素子が発熱し熱破壊が起こる場合がある。このような熱破壊を防止するために，従来，封止されている半導体チップを絶縁板を介して金属基板に取り付け，その金属基板には放熱フィンを取り付け，冷却が行われていた。」
「【００２１】
　以下，本発明の実施の形態（以下実施形態という）を，図面に従って説明する。
【００２２】
　
図２（ａ）には第一の実施形態の冷却手段を備えたパワーモジュールの断面図が，図２（ｂ）には図２（ａ）のＡ−Ａ’線での平面図が示されている。パワーモジュール２内には，表面にパワー素子としてＩＧＢＴが形成された半導体チップ４が，絶縁基板６上の金属膜８に半田９で固定されている。絶縁基板６は金属膜２２を介して，金属基板２４に半田２６を介して取り付けられている。絶縁基板６によって，金属膜２２と半導体チップ４は電気的に絶縁される
【００２３】
　なお，ここでは，パワー素子としてＩＧＢＴを使用しているが，パワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｆｅｉｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の他のパワー素子を用いてもよい。
【００２４】
　パワー素子としてＩＧＢＴを用いた場合，半導体チップ４上のゲート電極１１，エミッタ電極１４及びコレクタ電極（即ち，半導体チップ４の半導体基板）に電圧を供給するために，チップ上のそれぞれの電極と，チップ外部へ電気的に接続される電極端子とを接続する必要がある。
【００２５】
　半導体チップ４上のゲート電極１１への電圧供給は，ゲート用電極端子３０から行われる。ゲート電極１１は，金属細線１０を介してゲート用電極端子３０に電気的に接続される。まず，金属細線１０の両端は，一方がゲート電極１１に，もう一方が絶縁基板６上の金属膜１２にスポット溶接される。スポット溶接は超音波溶接が好ましい。さらに，金属膜１２はゲート用電極端子３０に半田で接合されるので，金属細線１０とゲート用電極端子３０は電気的に接続される。
【００２６】
　半導体チップ４上のコレクタ電極，即ち，半導体チップ４の半導体基板への電圧供給は，コレクタ用電極端子３２から，半導体チップ４の下面に半田９で取り付けられている金属膜８を介して行われる。
【００２７】
　半導体チップ４上のエミッタ電極１４への電圧供給は，エミッタ用電極端子１８から行われる。エミッタ電極１４には，金属板３４が接続されている。金属板３４にはさらに配線用金属端子３８が接続されている。配線用金属端子３８は金属膜１６に半田４０で接合されており，金属膜１６にはエミッタ用電極端子１８が半田２０で接合されている。このように，エミッタ電極１４は，金属板３４，配線用金属端子３８，半田４０，金属膜１６，半田２０を介してエミッタ用電極端子１８に電気的に接続されている。
【００２８】
　
エミッタ電極１４とエミッタ用電極端子１８との接続線路は，従来用いられていた金属細線ではなく，金属板３４を使用しており，金属板３４は金属細線と比較して大きな面積を有している。
【００２９】
　また，本実施形態では，金属板３４と配線用金属端子３８と接続し，エミッタ電極１４とエミッタ用電極端子１８との接続線路として用いたが，金属板３４と配線用金属端子３８とを一体とした金属製の部材を用いても構わない。
【００３０】
　また，各電極端子１８，３０，３２，配線用金属端子３８と金属板３４は，導電性の良い材料が用いられるのが好ましい。そして，金属板３４は，配線用金属端子３８およびエミッタ電極１４に超音波溶接で接合されるので，配線用金属端子３８およびエミッタ電極１４の材質により，超音波溶接が容易にできる材料を適宜選択するのが好ましい。例えば，エミッタ電極１４がＡｌで形成されている場合，金属板３４もＡｌ等のＡｌと超音波溶接が容易にできる材料のものが良い。
【００３１】
　
半導体チップ４が載置された絶縁基板６の下面は，金属膜２２を介して，金属基板２４上に半田２６で取り付けられている。チップ側面側は外殻ケース２８で囲まれており，外殻ケース２８の下部には金属基板２４が，上部には上部冷却板４４が取り付けられている。外殻ケース２８は，電極端子１８，３０，３２を外部に引き出すため，プラスチック等の絶縁部材で構成されている。これらの金属基板２４，外殻ケース２８と上部冷却板４４より，パッケージ２９が構成される。パッケージ２９内には，半導体チップ４，絶縁基板６，金属膜８，１２，１６，金属細線１０，金属板３４と，ゲート用電極端子３０，コレクタ用電極端子３２，エミッタ用電極端子１８の一部分が封止され，一つのパワーモジュール２を構成している
【００３２】
　半導体チップ４は絶縁基板６を介して，冷却された金属基板２４に載置されているので，絶縁基板６を介しての放熱を従来通り行うことが可能である。
【００３３】
　
また，エミッタ電極１４に接続される金属板３４は，絶縁膜４８を介して，上部冷却板４４に接続される。金属板３４は比較的面積が広いため，半導体チップ４で発生する熱を効果的に上部冷却板４４に伝達することができる。上部冷却板４４は比較的面積が広く，金属製であるため，半導体チップ４で発生する熱を効果的に放熱できる。なお，絶縁膜４８は，金属板３４と上部冷却板４４とを電気的に絶縁できればよいが，上部冷却板４４から半導体チップ４に効果的に熱を伝達する必要があるため，シリコンゴム等の熱伝導率が高く厚さを薄くできる材質の物が好ましい
【００３４】
　このように，第一の実施形態では，
半導体チップ４は比較的面積の大きな金属板３４を介して，比較的面積の大きな上部冷却板４４と接続されている。そのため，金属板３４を介して，半導体チップ４から上部冷却板４４へ逃げる熱量が大きくなり，効果的な放熱が達成できる。そのため，半導体チップ４を絶縁基板６側と上部冷却板４４側の両側より冷却することができるので，従来より効果的に半導体チップ４を冷却することができる
「【図２】
」
（２）上記記載から，引用文献３には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
ア　金属基板２４と，外殻ケース２８と上部冷却板４４とから構成されるパッケージ２９内に，半導体チップ４，絶縁基板６，金属膜８，１２，１６，金属細線１０，金属板３４と，ゲート用電極端子３０，コレクタ用電極端子３２，エミッタ用電極端子１８の一部分が封止されることで構成されるパワーモジュール２において，
　エミッタ用電極端子１８とエミッタ電極１４との接続線路は，従来用いられていた金属細線ではなく，大きな面積を有する金属板３４を使用し，
　金属板３４は，絶縁膜４８を介して上部冷却板４４に接続され，
　金属板３４は比較的面積が広いため，半導体チップ４で発生する熱を効果的に上部冷却板４４に伝達することができること。
イ　半導体チップ４を絶縁基板６側と上部冷却板４４側の両側より冷却することができるので，従来より効果的に半導体チップ４を冷却することができること。
４　引用文献４について
（１）引用文献４の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】  パワー半導体素子が，その下面が放熱板上に搭載されて筐体内に収納されるパワー半導体モジュールにおいて，上記パワー半導体素子の上面と上記放熱板上とに接合される平板状またはブロック状の放熱部材を備え，該放熱部材を介して上記パワー半導体素子の上面から上記放熱板に放熱するようにしたことを特徴とするパワー半導体モジュール。」
「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は，電力変換装置などに用いられるパワー半導体モジュール，特にパワー半導体モジュールの冷却構造に関するものである
【００１６】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．以下，この発明の実施の形態１を図について説明する。図１は，この発明の実施の形態１によるＩＧＢＴモジュールの主要部の構造を示す断面図である。図１において，１４はアルミニウムや銅等からなる放熱板，１５は両面に銅等からなる金属薄板１５ａ（図示せず）が接着されたアルミナや窒化アルミニウム等からなる絶縁基板，１６はパワー半導体素子としてのＩＧＢＴ素子，１７はＩＧＢＴ素子１６のエミッタ電極，１８はＩＧＢＴ素子１６のコレクタ電極である。絶縁基板１５は半田等により放熱板１４上に接合され，ＩＧＢＴ素子１６のコレクタ電極１８は半田等の導電性材料で，絶縁基板１５上の金属薄板１５ａに電気的に接続されて，ＩＧＢＴ素子１６は絶縁基板１５を介して放熱板１４上に搭載される
【００１７】また，
１９，２０はそれぞれ主回路配線の主要部をなすエミッタ用およびコレクタ用ブスバー，２１，２２はそれぞれ外部配線と接続するためのエミッタ用およびコレクタ用の外部電極端子，２３ａ，２３ｂは両面に銅等からなる金属薄板２４ａ，２４ｂ（図示せず）が接着されたアルミナ等からなる絶縁性中継基板，２５はアルミニウムワイヤ，２６は半田や導電性樹脂等からなる導電性接合部材であり，２７は銅等の金属から成る平板状の放熱部材である。コレクタ用の外部電極端子２２は，半田等により放熱板１４上に接合された中継基板２３ｂの金属薄板２４ｂに，コレクタ用ブスバー２０を介して電気的に接続され，ＩＧＢＴ素子１６のコレクタ電極１８と中継基板２３ｂの金属薄板２４ｂはアルミニウムワイヤ２５により電気的に接続される。一方，エミッタ用の外部電極端子２１は，半田等により放熱板１４上に接合された中継基板２３ａの金属薄板２４ａに，エミッタ用ブスバー１９を介して電気的に接続される。金属から成る放熱部材２７は導電性接合部材２６を介してＩＧＢＴ素子１６のエミッタ電極１７に接合され，さらに半田等により中継基板２３ａの金属薄板２４ａに接合される。このため，エミッタ電極１７は放熱部材２７を介して中継基板２３ａの金属薄板２４ａに電気的に接続され，さらにエミッタ用ブスバー１９を介してエミッタ用の外部電極端子２１に電気的に接続される。また，２８はＩＧＢＴ素子１６を収納する筐体，２９はシリコンゲルであり，筐体２８の内部はシリコンゲル２９で封止されている
【００１８】
ＩＧＢＴモジュールは，放熱板１４下で高熱伝導性のグリース等によってヒートシンク等の放熱器（図示せず）に接合されており，ＩＧＢＴモジュールの運転時にＩＧＢＴ素子１６で発生する熱を放熱板１４を介して放熱器に伝導して放熱し，これによりＩＧＢＴ素子１６が冷却される。この様に構成されるＩＧＢＴモジュールでは，ＩＧＢＴ素子１６で発生する熱は，コレクタ電極１８側のＩＧＢＴ素子１６下面から絶縁基板１５と放熱板１４を介して放熱器に伝導される。一方エミッタ電極１７側のＩＧＢＴ素子１６上面では，放熱部材２７が導電性接合部材２６を介してＩＧＢＴ素子１６のエミッタ電極１７に接合され，さらにこの放熱部材２７は半田等により中継基板２３ａに接合されている。放熱部材２７は断面積の大きな平板状であるため，熱伝導路として用いられ，ＩＧＢＴ素子１６で発生する熱は，ＩＧＢＴ素子１６のエミッタ電極１７側のＩＧＢＴ素子１６上面からも，導電性接合部材２６，放熱部材２７，中継基板２３ａおよび放熱板１４を介して放熱器に伝導される
【００１９】
この実施の形態では，ＩＧＢＴ素子１６で発生する熱は，ＩＧＢＴ１６のエミッタ電極１７側，コレクタ電極１８側の両側から放熱器へ伝導するので，従来のＩＧＢＴモジュールのようにＩＧＢＴ素子３のコレクタ電極５側からのみ放熱器へ伝導するものに比べて，熱伝導路が増加するため熱抵抗が低減する
「【図１】
」
（２）上記記載から，引用文献４には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　アルミニウムや銅等からなる放熱板１４と，両面に銅等からなる金属薄板が接着されたアルミナや窒化アルミニウム等からなる絶縁基板１５と，パワー半導体素子としてのＩＧＢＴ素子１６と，ＩＧＢＴ素子１６のエミッタ電極１７と，ＩＧＢＴ素子１６のコレクタ電極１８と，主回路配線の主要部をなすエミッタ用およびコレクタ用ブスバー１９，２０と，外部配線と接続するためのエミッタ用およびコレクタ用の外部電極端子２１，２２と，両面に銅等からなる金属薄板が接着されたアルミナ等からなる絶縁性中継基板２３ａ，２３ｂと，アルミニウムワイヤ２５と，半田や導電性樹脂等からなる導電性接合部材２６と，銅等の金属から成る平板状の放熱部材２７と，ＩＧＢＴ素子１６を収納する筐体２８と，を有するＩＧＢＴモジュールにおいて，
　エミッタ電極１７は放熱部材２７を介して中継基板２３ａの金属薄板２４ａに電気的に接続され，さらにエミッタ用ブスバー１９を介してエミッタ用の外部電極端子２１に電気的に接続され，
　絶縁基板１５は半田等により放熱板１４上に接合され，ＩＧＢＴ素子１６のコレクタ電極１８は半田等の導電性材料で，絶縁基板１５上の金属薄板に電気的に接続されて，ＩＧＢＴ素子１６は絶縁基板１５を介して放熱板１４上に搭載され，
　エミッタ電極１７側のＩＧＢＴ素子１６上面では，放熱部材２７が導電性接合部材２６を介してＩＧＢＴ素子１６のエミッタ電極１７に接合され，さらにこの放熱部材２７は半田等により中継基板２３ａに接合されることにより，
　ＩＧＢＴ素子１６で発生する熱は，ＩＧＢＴ１６のエミッタ電極１７側，コレクタ電極１８側の両側から放熱器へ伝導するので，従来のＩＧＢＴモジュールのようにＩＧＢＴ素子３のコレクタ電極５側からのみ放熱器へ伝導するものに比べて，熱伝導路が増加するため熱抵抗が低減できること。
５　引用文献５について
（１）引用文献５の記載
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【請求項１】支持基板と，該支持基板と一方の主面が固着された半導体基板と，該半導体基板の他方の主面上に形成された複数の主電極と，該複数の主電極と対向する導体と，該導体と，前記複数の主電極とを接続する半田と，を有することを特徴とする半導体装置。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は，パワー半導体素子などの発熱が大きい半導体装置で，特に，その配線構造に関する
「【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は，この発明の第１実施例の半導体装置を示し，同図（ａ）は要部断面図，同図（ｂ）は同図（ａ）のフレームと半導体チップの平面図，同図（ｃ）は同図（ａ）のＡ部の拡大断面図で同図（ｂ）のＸ−Ｘ線で切断した箇所の断面図である
【００１１】
冷却板７（ヒートシンク）と，絶縁基板１９の表面が導電膜２０で選択的に被覆された絶縁金属基板３とを図示しない半田で固着し，この絶縁金属基板３と半導体チップ１を半田５で固着し，半導体チップ１上のエミッタ電極のボンディングパッドであるエミッタ電極パッド１５と，導板２（導体で形成された板：フレームのこと）とをクリーム半田４で固着する
【００１２】
また，導板２の端部と絶縁金属基板３の第１ボンディングパッド１７とを半田６で固着する。この第１ボンディングパッド１７と外部導出端子９とをボンディングワイヤ１１で接続することで，半導体チップ１のエミッタ電極パッド１５と外部導出端子９は電気的に接続する。また，図示しないボンディングワイヤで，ゲート電極パッド１６と外部導出端子１０は接続する
【００１３】
外部導出端子９，１０が固着する樹脂成形されたケース８と冷却体７とを接着する。半導体チップ１，導板２，絶縁金属基板３，ボンディングワイヤ１１などを水分，湿気，塵埃から保護する目的で，ケース８と冷却導体７で囲まれた空間はゲル１２（シリコーンゲルなど）で充填されている
【００１４】
このように，半導体チップ１表面のエミッタ電極パッド１５をワイヤボンディングではなく，クリーム半田４（所謂，ソルダペーストともいわれるもの）を印刷し，高熱伝導，大面積の導板２をリフロー半田付けして，電気的配線することで，半導体チップ１で発生した熱を絶縁金属基板３側へだけでなく，導板２側にも放熱することができて，半導体チップ１の接合温度Ｔj を保証温度の１５０℃（シリコンの場合）以下に抑えることができる
「【図１】
」
（２）上記記載から，引用文献５には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
　冷却板７（ヒートシンク）と，
　冷却板７（ヒートシンク）と半田で固着され，絶縁基板１９の表面が導電膜２０で選択的に被覆された絶縁金属基板３と，
　絶縁金属基板３と半田５で固着された半導体チップ１と，
　半導体チップ１上のエミッタ電極のボンディングパッドであるエミッタ電極パッド１５と，
　エミッタ電極パッド１５とクリーム半田４で固着された導板２と，
　導板２の端部と絶縁金属基板３の第１ボンディングパッド１７とを固着する半田６と，
　第１ボンディングパッド１７と外部導出端子９とを接続し，半導体チップ１のエミッタ電極パッド１５と外部導出端子９を電気的に接続させるボンディングワイヤ１１と，
　冷却板７と接着され，外部導出端子９，１０が固着する樹脂成形されたケース８と，
　半導体チップ１，導板２，絶縁金属基板３，ボンディングワイヤ１１などを水分，湿気，塵埃から保護する目的で，ケース８と冷却導体７で囲まれたゲル１２（シリコーンゲルなど）と，
　を有する半導体装置において，
　半導体チップ１表面のエミッタ電極パッド１５にクリーム半田４を印刷し，高熱伝導，大面積の導板２をリフロー半田付けして，電気的配線することで，半導体チップ１で発生した熱を絶縁金属基板３側へだけでなく，導板２側にも放熱することができて，半導体チップ１の接合温度を保証温度の１５０℃（シリコンの場合）以下に抑えることができること。
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）　対比
　本願発明１と引用発明とを対比すると，次のことがいえる。
ア　引用発明における「半導体装置１０」，「ドレイン端子１２」，「ソース端子１１」，「ゲート端子１３」は，それぞれ本願発明１の「半導体素子」，「半導体素子に設けられた第１の接続端子」，「半導体素子に設けられた第２の接続端子」，「半導体素子に設けられた第３の接続端子」に相当する。
イ　引用発明の「半導体装置１０」の，「ドレイン端子１２」，「ソース端子１１」，「ゲート端子１３」が形成される側の面は，本願発明１の「前記第１の接続端子，前記第２の接続端子，および，前記第３の接続端子が配置され」る，「半導体素子の第２の面」に相当する。
ウ　引用発明の「半導体装置１０」の，「ドレイン端子１２」，「ソース端子１１」，「ゲート端子１３」が形成されていない側の面は，本願発明１の「第１の面」に相当する。
エ　引用発明の「ダイパッド１４」は、技術常識に照らして、「導電体である金属層」といえる。
オ　引用発明は「ソースリード１５とダイパッド１４が一体成形され，ソース端子１１とダイパッド１４がワイヤボンディングされて接続されているため，チップ裏面の電位を介して基板の電位がソース電圧に固定される」ものであるから、「半導体装置１０」の「ドレイン端子１２」，「ソース端子１１」，「ゲート端子１３」が形成されている側の面と、「ソース端子１１」に接続するワイヤボンディングの「ワイヤ」は同電位といえる。
カ　引用発明のワイヤボンディングで用いられる「ワイヤ」と、本願発明の「バスバー」とは、導電部材である点で一致する。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
＜一致点＞
「導電体である金属層と，
前記金属層の第１の面に実装される半導体素子と，
前記半導体素子に設けられた第１の接続端子と，
前記半導体素子に設けられた第２の接続端子と，
前記半導体素子に設けられた第３の接続端子と，
前記第１の接続端子に一端が接合された第１の導電部材と，
前記第２の接続端子に一端が接合された第２の導電部材と，
を備え，
前記半導体素子の第１の面は前記金属層の前記第１の面と接合され，
前記第１の面とは反対面である前記半導体素子の第２の面に，前記第１の接続端子，前記第２の接続端子，および，前記第３の接続端子が配置され，
前記第２の導電部材の他端が前記金属層に接合され，
前記半導体素子の前記第１の面と前記第２の導電部材とは同電位である，
半導体装置。」
＜相違点＞
　本願発明１では，第１の接続端子に接合された導電部材が，「他端は外部のデバイスへ接続される出力部であ」る「第１のバスバー」であって，第２の接続端子に接合されると共に他端が半導体素子を実装する金属層に接合される導電部材が，「他端は外部のデバイスへ接続される出力部であ」る「第１のバスバー」「の通電方向における断面積よりも大きな通電方向の断面積を有」する「第２のバスバー」であるのに対して，
　引用発明では，第１の接続端子に接合された導電部材，及び，第２の接続端子に接合された導電部材のいずれもが，ワイヤボンデイングで用いられるワイヤである点。
（２）相違点についての判断
　第１の接続端子，第２の接続端子，および，第３の接続端子が第２の面に配置された半導体素子の第２の接続端子と，前記半導体素子を実装する金属層とを接続する導電部材を，「他端は外部のデバイスへ接続される出力部であ」る「第１のバスバー」「の通電方向における断面積よりも大きな通電方向の断面積を有」する「第２のバスバー」とする構成は，引用文献２ないし５のいずれにも記載されておらず，当該技術分野における周知技術であるとも認められない。
　また，このような構成を引用発明に適用する動機付けも，引用文献１ないし５のいずれにも記載されていない。
　そして，本願発明１は，このような構成を備えることにより，請求人が審判請求書で主張する，「本願発明は，断面積が大きな第１，第２のバスバーを導体として用いつつ２つのバスバーに断面積差を設けることによって伝熱特性の優劣を生じさせ，大電流が通電可能な状態と外部のデバイスへの熱伝搬の抑制とを両立するものであります。」という効果を含む本願明細書に記載された顕著な効果を奏するものと認められる。
（３）小括
　したがって，本願発明１は当業者であっても引用発明，および引用文献２ないし５に記載された技術的事項に基づいて容易に発明できたものであるとはいえない。
２　本願発明２ないし５について
　本願発明２ないし５は，本願発明１の発明特定事項を全て含み，さらに限定したものであるから，本願発明１が，引用発明および引用文献２ないし５に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえないことから，本願発明２ないし５も，引用発明および引用文献２ないし５に記載された事項に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
第７　原査定について
１　理由（特許法第２９条第２項）について
　上記第６で検討したように，本願発明１ないし５は，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１ないし５に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。
  令和　１年１２月２３日