【事件の表示】
　特願２０１８−　５７３６９「表面実装可能な半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年　７月２６日出願公開、特開２０１８−１１７１４９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成２５年５月７日に特許出願した特願２０１５−５１３３０２号（パリ条約による優先権主張２０１２年５月２３日、米国）の一部を平成３０年３月２６日に新たな特許出願としたものであって、その後の主な手続きの経緯は、以下のとおりである。
　平成３０年　３月２６日　　：翻訳文提出書・出願審査請求書の提出
　平成３１年　３月　７日付け：拒絶理由通知（同年３月１２日発送）
　　　　同年　４月１５日　　：意見書
　　令和元年　７月　５日付け：拒絶査定（同年７月９日送達）
　　　　同年１０月１１日　　：審判請求書・手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１ないし３に係る発明は、令和元年１０月１１日付け手続補正により補正された請求項１ないし３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　「【請求項１】
　キャリア基板に実装される一つ又は複数の表面実装可能なデバイスのアレンジメントであって、
　前記一つ又は複数の表面実装可能なデバイスの各々が、半導体基板上の少なくとも一つの半導体素子、並びに前記半導体素子上に両方とも形成されている第１の高さを有する一つ又は複数の電気接続パッド、及び第２の高さを有する少なくとも一つのサーマルパッドを有し、前記サーマルパッドの前記第２の高さは、前記電気接続パッドの前記第１の高さよりも高く、前記サーマルパッドは、トレンチ又はギャップによって前記電気接続パッドから分離され、前記トレンチ又はギャップは、電気絶縁材料で充填されており、
　前記キャリア基板は、導電層が上に配置された誘電体層によって覆われた金属板又は金属コア層を少なくとも有し、前記導電層及び前記誘電体層は、前記デバイスの前記サーマルパッドの下に存在しない又は除去されており、
　前記サーマルパッドは、熱的相互接続層によって前記金属板又は金属コア層に熱的に接続され、前記電気接続パッドは、電気的相互接続層によって前記導電層に電気的に接続され、前記電気的相互接続層は、前記熱的相互接続層と同じ厚さを有する、
　アレンジメント。」(なお、下線は、当審で付した。以下同じ。)
第３　原査定の拒絶理由
　原査定の拒絶理由の概要は、以下のとおりである。
　
　本願の請求項１ないし８に係る発明は、下記の引用文献に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　引用文献：　特開２００３−１６８８２９号公報
第４　引用文献
１　引用文献に記載の事項
　なお、下線は、当審で付した。以下、同じ。
（１）「【請求項１】　少なくとも一面に絶縁層を備える導体板と、絶縁層を介して導体板に積層された導電層と、少なくとも一方の電極が導電層にフェースダウン実装により電気的に接続された発光ダイオードチップとを備え、発光ダイオードと導体板との対向面間には絶縁層よりも熱伝導率の高い
熱伝達部材
【請求項２】　前記発光ダイオードの各電極が電極ごとに各別に設けられた導電層にそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】　……
【請求項４】　前記
熱伝達部材が金属
（２）「【００１９】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）本実施形態の発光装置は、図１に示すように、導体板１１を基材とした配線基板１に発光ダイオードチップ２を実装したものである。
導体板１１としてはアルミニウム板
【００２０】　発光ダイオードチップ２はサファイア基板上に窒化ガリウム系の発光層を形成し、ｐ層とｎ層とに接続された各電極が主表面側に露出するものを用いている（各図において発光ダイオードチップ２をサファイア基板とｐ層とｎ層との３層構造で表している）。この発光ダイオードチップ２は、上述した配線基板１にフェースダウン実装される。すなわち、発光ダイオードチップ２の一方の電極は主表面に露出しており、他方の電極（サファイア基板寄りの電極）は主表面の一部を除去して設けられているのであって、主表面に露出する電極には半田によるバンプ２１ａを形成し、サファイア基板寄りの電極には金によるバンプ２１ｂを形成してある。ここに、主表面に露出する電極の面積はサファイア基板寄りの電極よりも十分に大きく形成されており、この電極がバンプ２１ａを介して導体板１１に接続される。また、サファイア基板寄りの電極はバンプ２１ｂを介して導電層１２に接続される。この構成によって、発光ダイオードチップ２は導体板１１とは半田によるバンプ２ａを介して比較的大きい面積で熱的に結合されることになる。半田は熱伝導性が比較的高く、しかもバンプ２ａの断面積が比較的大きいから、発光ダイオードチップ２から導体板１１に対して効率よく熱を伝達させることが可能になっている。…。なお、バンプ２１ａには半田を用いているが、熱伝導率の高い材料であれば他の材料を用いてもよい。」
（３）「【００２８】（第２の実施の形態）本実施形態は、図４に示すように、
発光ダイオードチップ２の各電極
発光ダイオードチップ２の各電極
【００２９】　発光ダイオードチップ２の各電極は各導電層１２に対して導電性ペースト２２を介してそれぞれ接続されている。すなわち、発光ダイオードチップ２の電極と各導電層１２とを銀ペーストのような導電性ペースト２２により接続することによって、導電性ペースト２２の硬化に伴う収縮によって、熱伝達部材１６を発光ダイオードチップ２と導体板１１とに密着させることが可能となる。……なお、導電性ペースト２２に代えて第１の実施の形態と同様にバンプを用いることも可能である。このことは以後の実施形態においても同様である。
【００３１】　上述の実施形態では熱伝達部材１６を導体板１１と発光ダイオードチップ２とに接触させているだけであるが、
図７に示すように、熱伝達部材１６の両面をそれぞれ接着剤１７により導体板１１と発光ダイオードチップ２とに接着する構成を採用してもよい
接着剤１７には熱伝導性に優れる半田や銀ペーストを用いると高い放熱効果が得られるが
（４）「【００４４】　上述した各実施形態では、導体板１１としてアルミニウム板を用いたが、導体板１１の材料としては熱および電気の良導体であればよく、たとえば金を用いることも可能である。また、導電層１２には金を用いているが、銀や銅のように導電性に優れた導体であればよい。また、
発光ダイオードチップ２としては、サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光層を積層したものを用いた
（５）図７は、以下のものである。
１  配線基板
２  発光ダイオードチップ
１１  導体板
１２  導電層
１３  絶縁層
１６  熱伝達部材
１７  接着剤
２２  導電性ペースト
２　引用文献に記載された発明
（１）上記１（１）の記載から、引用文献には、
　「少なくとも一面に絶縁層を備える導体板と、前記絶縁層を介して導体板に積層された導電層と、前記導電層にフェースダウン実装により電気的に接続された発光ダイオードチップと、を備え、
　前記発光ダイオードチップの各電極が電極ごとに各別に設けられた導電層にそれぞれ接続され、
　前記発光ダイオードチップと前記導体板との対向面間に金属材が介装されている、発光装置。」（請求項１―２―４）が記載されているものと認められる。
（２）上記１（２）及び（３）の記載からして、以下のことが理解できる。
　ア　上記（１）の「導体板」は、アルミニウム板であってもよいこと。
　イ　上記（１）の「金属材」は、銀板であってもよいこと。
　ウ　上記（１）の「発光ダイオードチップ」は、サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光層を積層したものであってもよいこと（つまり、成長基板としてサファイア基板を用いてもよいこと。）。
（３）上記１（４）の記載からして、以下のことが理解できる。
上記（１）の「発光ダイオードチップ」の成長基板は、サファイア基板に限らないこと。
（４）　上記１（３）の記載を踏まえて、図７を見ると、以下のことが理解できる。
　ア　上記（１）の「発光ダイオードチップの各電極」は、発光ダイオードチップ上に形成され、導電ペースト又はバンプ（金又は半田）により各別に設けられた導電層にそれぞれ接続されていること。
　イ　上記（１）の「金属材」は、接着剤、具体的には、熱伝導性に優れる半田や銀ペーストにより「発光ダイオードチップ」と「導体板」に接着されていること。
　ウ　上記（１）の「金属材」は、「発光ダイオードチップの各電極」とはギャップによって電気的に分離していること。
　
　エ　上記（１）の「金属材」が「導体板」と接触する箇所には「絶縁層」及び「導電層」は、存在しないこと。
（５）上記（１）ないし（４）の検討からして、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「少なくとも一面に絶縁層を備えるアルミニウム板と、前記絶縁層を介してアルミニウム板に積層された導電層と、前記導電層にフェースダウン実装により電気的に接続された発光ダイオードチップと、を備え、
　前記発光ダイオードチップは、サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光層を積層したものであり、
　前記発光ダイオードチップの各電極は、バンプ（金又は半田）により各別に設けられた前記導電層にそれぞれ接続され、
　前記発光ダイオードチップと前記アルミニウム板との対向面間に銀板が介装され、該銀板は、熱伝導性に優れる半田により接着され、
　前記銀板は、前記発光ダイオードチップの各電極とギャップによって電気的に分離され、
　前記銀板が前記アルミニウム板と接触する箇所には、前記絶縁層及び前記導電層は存在しない、発光装置。」
第５　当審の判断
１　対比
（１）本願発明と引用発明とを対すると以下のことがいえる。
　ア　引用発明の「少なくとも一面に絶縁層を備えるアルミニウム板」は、本願発明の「キャリア基板」に相当する。
　イ　引用発明の「『アルミニウム板に積層された導電層』上に『フェースダウン実装』」された『発光ダイオードチップ』」は、本願発明の「表面実装可能なデバイス」に相当する。
　ウ（ア）引用発明の「発光ダイオードチップ」は、「サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光層を積層したもの」であるから、本願発明の「半導体素子」に相当する。
　以下、同様に、
　「発光ダイオードチップの各電極」は、「第１の高さを有する一つ又は複数の電気接続パッド」に、
　「銀板」は、「第２の高さを有する少なくとも一つのサーマルパッド」に、それぞれ、相当する。
（イ）引用発明の「発光ダイオードチップの各電極」は、「アルミニウム板に積層された導電層」に接続され、一方、「銀板」は、「アルミニウム板」に（直接）接着されているから、「銀板」の突出長、つまり、高さ(厚さ)は、「銀板」の方が高い（厚い）ことは明らかである。
　エ　引用発明の「発光装置」は、「『アルミニウム板に積層された導電層』上に「『フェースダウン実装』された『発光ダイオードチップ』」を備えるから、「アレンジメント」の構成を備えているといえる。
　オ　ここで、上記アないしエを整理すると、本願発明と引用発明とは、
　「キャリア基板に実装される一つの表面実装可能なデバイスのアレンジメントであって、
　前記一つの表面実装可能なデバイスが、基板上の少なくとも一つの半導体素子、及び前記半導体素子上に両方とも形成されている第１の高さを有する一つ又は複数の電気接続パッドを有し、　
　第２の高さを有する少なくとも一つのサーマルパッドを有し、
　前記サーマルパッドの前記第２の高さは、前記電気接続パッドの前記第１の高さよりも高く、前記サーマルパッドは、ギャップによって前記電気接続パッドから分離されている」点で一致する。
　カ　引用発明の「アルミニウム基板」は、その一面に「絶縁層」及び「導電層」を備え、「銀板がアルミニウム板と接触する箇所には、絶縁層及び導電層は存在しない」ことから、
　本願発明と引用発明とは、「キャリア基板は、導電層が上に配置された誘電体層によって覆われた金属板を少なくとも有し、前記導電層及び前記誘電体層は、デバイスのサーマルパッドの下に存在しない又は除去されている」点で一致する。
　キ　引用発明の「銀板」は、熱伝導性に優れる半田により「発光ダイオードチップ」と「アルミニウム板」との対向面間に介装されているから、本願発明と引用発明とは、「サーマルパッドは、熱的相互接続層によって金属板に熱的に接続されている」点で一致する。
　ク　引用発明の「発光ダイオードチップの各電極」は、バンプ（金又は半田）により「各別に設けられた導電層にそれぞれ接続され」ているから、本願発明と引用発明とは、「電気接続パッドは、電気的相互接続層によって導電層に電気的に接続されている」点で一致する。
　　
（２）上記（１）の検討からして、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致する。
　＜一致点＞
　「キャリア基板に実装される一つの表面実装可能なデバイスのアレンジメントであって、
　前記一つの表面実装可能なデバイスが、基板上の少なくとも一つの半導体素子、及び前記半導体素子上に両方とも形成されている第１の高さを有する一つ又は複数の電気接続パッドを有し、　
　第２の高さを有する少なくとも一つのサーマルパッドを有し、
　前記サーマルパッドの前記第２の高さは、前記電気接続パッドの前記第１の高さよりも高く、前記サーマルパッドは、ギャップによって前記電気接続パッドから分離され、
　前記キャリア基板は、導電層が上に配置された誘電体層によって覆われた金属板を少なくとも有し、前記導電層及び前記誘電体層は、前記デバイスの前記サーマルパッドの下に存在しない又は除去されており、
　前記サーマルパッドは、熱的相互接続層によって前記金属板に熱的に接続され、前記電気接続パッドは、電気的相互接続層によって前記導電層に電気的に接続され、前記電気的相互接続層と前記熱的相互接続層は、所定厚さを有する、アレンジメント。」
（３）一方、両者は、以下の点で相違する。
　＜相違点１＞
　半導体素子の基板に関して、
　本願発明は、「半導体基板」であるのに対して、
　引用発明は、サファイア基板である点。
　＜相違点２＞
　一つの表面実装可能なデバイスに関して、
本願発明は、「第２の高さを有する少なくとも一つのサーマルパッドを有し」、「トレンチ又はギャップは、電気絶縁材料で充填されて」いるのに対して、
　引用発明は、発光ダイオードチップ上に（予め）「各電極」及び「銀板」が形成されているのか不明であり、ギャップが「電気絶縁材料」で充填されていない点。
　＜相違点３＞
　相互接続層の所定厚さに関して、
　本願発明は、「同じ厚さ」であるのに対して、
　引用発明は、不明である点。
　　　　
２　判断
（１）上記＜相違点１＞について検討する。
　ア　引用発明の「発光ダイオード」は、「サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光層を積層した」ものであるところ、
　引用文献の【００４４】に「……発光ダイオードチップ２としては、サファイア基板上に窒化ガリウム系の発光層を積層したものを用いたが、基板が透光性を有していてフェースダウン実装が可能な発光ダイオードチップ２であればよい。」との記載からして、サファイア基板を、他の「窒化ガリウム系の半導体基板」等の成長基板に変更することは、当業者が容易になし得ることである。
　イ　よって、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得ることである。
（２）上記＜相違点２＞について検討する。
　ア　引用発明において、「発光ダイオードチップ」をアルミニウム板の導電層にフェースダウン実装する前に、「発光ダイオードチップ」側に「各電極」及び「銀板」を予め形成することは、当業者が製造プロセスの容易性などを勘案して容易になし得ることである。
　イ　また、「銀板」は、各電極とのギャップによって電気的に分離しているものの、各電極とのギャップが極めて小さいことは、当業者にとって明らかであるから、短絡防止のために、絶縁材料を予め充填することは、例えば、引用文献の図９において障壁１８が設けられているように、必要に応じて適宜なし得ることである。
　ウ　よって、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得ることである。
（３）上記＜相違点３＞について検討する。
　ア　引用発明の「バンプ（金又は半田）」及び「熱伝導性に優れる半田」は、それぞれ、本願発明の「電気的相互接続層」及び「熱的相互接続層」に相当するところ、相互接続層の厚みに応じて、電気抵抗及び熱抵抗が変化することは、明らかであり、そのような抵抗値の影響を勘案しつつ、厚さをどの程度とするかは、他の部材の厚さや形状に応じて、適宜決められるものにすぎない。
　イ　してみると、引用発明において、半田を用いて、それぞれを接続する際に、厚みを「同じ厚さ」とすることに、格別の技術的意義は認められず、何ら困難性は認められない。
　ウ　よって、引用発明において、上記＜相違点３＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が容易になし得ることである。
（４）効果
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明の奏する効果から予測し得ることである。
（５）まとめ
　以上の検討によれば、本願発明は、当業者が引用発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　　
３　審判請求書における主張について
　請求人は、本願発明は、実装プロセスの容易化及び低コスト化を可能にする旨主張する（第４頁後段）。
　
　しかしながら、本願発明は、「キャリア基板に実装される一つ又は複数の表面実装可能なデバイスのアレンジメント」、つまり、「配列（構造）」という物に関する発明であって、製造方法に関する発明ではない。
　つまり、「サーマルパッド・電気絶縁材料」を、実装前に「デバイス」側に設けるか、「キャリア基板」側に設けるかは、「配列（構造）」の構成を異ならせるものではない。
　よって、請求人の主張は、上記２の判断を左右するものではない。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。