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【手続補正書】
【提出日】平成27年5月15日(2015.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体領域に配され、ゲート電極とソース領域とドレイン領域とを有するＭＯＳトランジスタを備え、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域のそれぞれは第１導電型であり、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の領域は、前記ソース領域との境界部分における上部に配された第１領域と、前記境界部分における下部に配された第２領域とを有しており、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記領域が前記第１導電型の場合には、前記第１領域における前記第１導電型の正味の不純物濃度は、前記第２領域における前記第１導電型の正味の不純物濃度よりも小さく、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記領域が前記第１導電型とは導電型が異なる第２導電型の場合には、前記第１領域における前記第２導電型の正味の不純物濃度は、前記第２領域における前記第２導電型の正味の不純物濃度よりも大きい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１導電型はＮ型であり、前記第２導電型はＰ型である
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＭＯＳトランジスタはソースフォロワ回路の一部を構成する、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１領域の深さは、前記ＭＯＳトランジスタのチャネル長の半分よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置から出力される信号を処理する処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【請求項６】
半導体領域に配され、ゲート電極とソース領域とドレイン領域とを有するＭＯＳトランジスタを備える半導体装置の製造方法であって、
前記ソース領域及び前記ドレイン領域のそれぞれは第１導電型であり、
前記半導体装置の製造方法は、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の領域のうち前記ソース領域との境界部分における上部に、前記第１導電型とは導電型が異なる第２導電型の不純物を注入して第１領域を形成する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記領域が前記第１導電型の場合には、前記第１領域における前記第１導電型の正味の不純物濃度は、前記第１領域の下に位置する第２領域における前記第１導電型の正味の不純物濃度よりも小さく、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記領域が前記第１導電型とは導電型が異なる第２導電型の場合には、前記第１領域における前記第２導電型の正味の不純物濃度が、前記第２領域における前記第２導電型の正味の不純物濃度よりも大きい
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１領域を形成する工程は、前記不純物を注入する工程の前に、前記ソース領域を形成すべき部分及び前記ドレイン領域を形成すべき部分のうち少なくとも前記ソース領域を形成すべき部分に開口を有するレジストパターンを形成する工程をさらに含み、
前記不純物を注入する工程において、前記開口を通して前記第１領域を形成すべき部分に対して前記第２導電型の不純物を注入する、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は半導体装置にかかり、前記半導体装置は、半導体領域に配され、ゲート電極とソース領域とドレイン領域とを有するＭＯＳトランジスタを備え、前記ソース領域及び前記ドレイン領域のそれぞれは第１導電型であり、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の領域は、前記ソース領域との境界部分における上部に配された第１領域と、前記境界部分における下部に配された第２領域とを有しており、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記領域が前記第１導電型の場合には、前記第１領域における前記第１導電型の正味の不純物濃度は、前記第２領域における前記第１導電型の正味の不純物濃度よりも小さく、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記領域が前記第１導電型とは導電型が異なる第２導電型の場合には、前記第１領域における前記第２導電型の正味の不純物濃度は、前記第２領域における前記第２導電型の正味の不純物濃度よりも大きい、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷却機構を有するベースプレートと、
前記ベースプレートの上面に接着層を介して接続された静電チャック基板と
を有し、
前記静電チャック基板は、基板が載置される基板載置面を有し、前記基板を吸着するための静電電極と、前記基板を加熱するための抵抗発熱体を内蔵し、
前記静電チャック基板の下面に前記基板載置面の発熱密度分布に応じた位置に凹設され、前記発熱密度分布に応じた熱伝導率の樹脂が充填された調整部を有すること、
を特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記接着層は、前記接着層を形成する樹脂と異なる熱伝達率の調整用樹脂を内蔵し、前記調整用樹脂は、前記基板載置面の発熱密度分布に応じた位置に内設されてなること、
を特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記接着層と前記調整部に充填された樹脂は同じ材料からなることを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記ベースプレートの上面に前記基板載置面の発熱密度分布に応じた位置に凹設され、前記発熱密度分布に応じた熱伝導率の樹脂が充填された調整部を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の静電チャック。
【請求項５】
冷却機構を有するベースプレートと、前記ベースプレートの上面に接着層を介して接続され、基板載置面に搭載される基板を吸着するための静電電極と前記基板を加熱する抵抗発熱体を含む静電チャック基板とを有する静電チャックの製造方法であって、
前記静電チャック基板を形成する工程と、
前記基板載置面における発熱密度分布を算出する工程と、
前記静電チャック基板の下面であって、前記発熱密度分布に応じた位置に調整部を凹設する工程と、
前記調整部に前記発熱密度分布に応じた熱伝導率の調整用樹脂を充填する工程と、
前記ベースプレートの上面に、前記接着層を介して前記静電チャック基板を接着する工程と、
を含む静電チャックの製造方法。
【請求項６】
前記発熱密度分布を算出する工程では、前記抵抗発熱体の形状を測定し、測定結果に基づいて前記基板載置面における発熱密度分布を算出し、
前記調整部を凹設する工程は、前記ベースプレートの上面に接着用の第１樹脂を塗布し、前記第１樹脂を硬化させる工程と、前記第１樹脂の上面を研磨し、研磨後の前記第１樹脂の上面であって、前記発熱密度分布に応じた位置に調整部を凹設する工程とを含み、
前記静電チャックを接着する工程は、前記第１樹脂の上面に接着用の第２樹脂を塗布する工程と、前記第２樹脂を介して前記静電チャック基板を接着する工程とを含むこと、
を特徴とする請求項５に記載の静電チャックの製造方法。
【請求項７】
前記静電チャック基板を形成する工程において、前記基板が搭載される部分となる第１のグリーンシートと、前記静電電極が形成される第２のグリーンシートと、前記抵抗発熱体が形成される第３のグリーンシートと、を積層した第１の構造体を焼成して前記静電チャック基板を形成することを特徴とする請求項５または６に記載の静電チャックの製造方法。
【請求項８】
前記抵抗発熱体の形状を測定し、測定結果に基づいて前記発熱密度分布を算出することを特徴とする請求項５〜７のうちの何れか一項に記載の静電チャックの製造方法。
【請求項９】
前記抵抗発熱体の形状の測定は、前記第３のグリーンシートの上に形成された前記抵抗発熱体の形状を非接触にて測定するものであり、測定結果に基づいて前記発熱密度分布を算出することを特徴とする請求項７に記載の静電チャックの製造方法。
【請求項１０】
前記抵抗発熱体の形状の測定は、前記静電チャック基板を用い、所定の電磁波を用いて測定するものであることを特徴とする請求項８に記載の静電チャックの製造方法。
【請求項１１】
前記静電チャック基板において前記抵抗発熱体に通電して前記基板載置面の温度を測定し、測定結果に基づいて前記発熱密度分布を算出することを特徴とする請求項５〜７のうちの何れか一項に記載の静電チャックの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一観点によれば、冷却機構を有するベースプレートと、前記ベースプレートの上面に接着層を介して接続された静電チャック基板とを有し、前記静電チャック基板は、基板が載置される基板載置面を有し、前記基板を吸着するための静電電極と、前記基板を加熱するための抵抗発熱体を内蔵し、前記静電チャック基板の下面に前記基板載置面の発熱密度分布に応じた位置に凹設され、前記発熱密度分布に応じた熱伝導率の樹脂が充填された調整部を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月18日(2015.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドと、
端面および前記端面に達する段差を有し、前記ダイパッドを支持するダイパッドサポートリードと、
複数のボンディングパッドを有し、前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
複数のワイヤを介して前記複数のボンディングパッドとそれぞれ電気的に接続された複数のリードと、
前記複数のリードのそれぞれの一部、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体と、
を含み、
前記ダイパッドサポートリードの前記端面は、前記樹脂封止体から露出しており、
前記樹脂封止体は、前記樹脂封止体の上面および前記樹脂封止体の前記上面と交差する第１側面を有する第１樹脂封止体と、前記樹脂封止体の下面および前記樹脂封止体の前記下面と交差する第２側面を有する第２樹脂封止体と、から成り、
前記第１樹脂封止体の前記第１側面は、前記第２樹脂封止体の前記第２側面よりも前記半導体チップの近くに位置している、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記段差は、前記端面と交差する第１面と、前記第１面と交差する第２面と、から成り、
前記第１面および前記第２面は、前記樹脂封止体で覆われている。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記ダイパッドの外形サイズは、前記半導体チップの外形サイズよりも小さい。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記樹脂封止体は、前記半導体チップの上方に位置する前記上面と、前記上面とは反対側の前記下面と、を有し、
前記ダイパッドサポートリードは、前記樹脂封止体の前記上面側を向いた上面と、前記樹脂封止体の前記下面側を向いた下面と、を有し、
前記ダイパッドサポートリードは、前記端面から前記樹脂封止体の前記下面に向かって曲げられており、
前記ダイパッドは、前記樹脂封止体の前記上面よりも前記樹脂封止体の前記下面の近くに位置しており、
前記段差は、前記端面と交差する第１面と、前記第１面および前記ダイパッドサポートリードの前記上面と交差する第２面と、から成る。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記樹脂封止体は、前記半導体チップの上方に位置する前記上面と、前記上面とは反対側の前記下面と、を有し、
前記ダイパッドサポートリードは、前記樹脂封止体の前記上面側を向いた上面と、前記樹脂封止体の前記下面側を向いた下面と、を有し、
前記ダイパッドサポートリードは、前記端面から前記樹脂封止体の前記下面に向かって曲げられており、
前記ダイパッドは、前記樹脂封止体の前記上面よりも前記樹脂封止体の前記下面の近くに位置しており、
前記段差は、前記端面と交差する第１面と、前記第１面および前記ダイパッドサポートリードの前記上面と交差する第２面と、から成る。
【請求項６】
ダイパッドと、
前記ダイパッドを支持するダイパッドサポートリードと、
複数のボンディングパッドを有し、前記ダイパッド上に搭載された半導体チップと、
複数のワイヤを介して前記複数のボンディングパッドとそれぞれ電気的に接続された複数のリードと、
前記複数のリードのそれぞれの一部、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体と、
を含み、
前記ダイパッドサポートリードは、端面および前記端面に達する段差を有し、第１方向に沿って延在する第１部分と、前記第１部分と前記ダイパッドの間に位置する第２部分と、前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、第２方向に沿って延在する第３部分と、を備え、
前記ダイパッドサポートリードの前記端面は、前記樹脂封止体から露出している、半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置であって、
前記段差は、前記端面と交差する第１面と、前記第１面と交差する第２面と、から成り、
前記第１面および前記第２面は、前記樹脂封止体で覆われている。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体装置であって、
前記ダイパッドの外形サイズは、前記半導体チップの外形サイズよりも小さい。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置であって、
前記樹脂封止体は、前記半導体チップの上方に位置する上面と、前記上面とは反対側の下面と、を有し、
前記ダイパッドサポートリードは、前記樹脂封止体の前記上面側を向いた上面と、前記樹脂封止体の前記下面側を向いた下面と、を有し、
前記ダイパッドサポートリードの前記第３部分は、前記樹脂封止体の前記下面に向かう前記第２方向に曲げられており、
前記ダイパッドは、前記樹脂封止体の前記上面よりも前記樹脂封止体の前記下面の近くに位置しており、
前記段差は、前記端面と交差する第１面と、前記第１面および前記ダイパッドサポートリードの前記上面と交差する第２面と、から成る。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置であって、
前記樹脂封止体は、前記樹脂封止体の前記上面および前記樹脂封止体の前記上面と交差する第１側面を有する第１樹脂封止体と、前記樹脂封止体の前記下面および前記樹脂封止体の前記下面と交差する第２側面を有する第２樹脂封止体と、から成り、
前記第１樹脂封止体の前記第１側面は、前記第２樹脂封止体の前記第２側面よりも前記半導体チップの近くに位置している、半導体装置。
【請求項１１】
請求項６に記載の半導体装置であって、
前記樹脂封止体は、前記半導体チップの上方に位置する上面と、前記上面とは反対側の下面と、を有し、
前記ダイパッドサポートリードは、前記樹脂封止体の前記上面側を向いた上面と、前記樹脂封止体の前記下面側を向いた下面と、を有し、
前記ダイパッドサポートリードは、前記樹脂封止体の前記下面に向かう前記第２方向に曲げられており、
前記ダイパッドは、前記樹脂封止体の前記上面よりも前記樹脂封止体の前記下面の近くに位置しており、
前記段差は、前記端面と交差する第１面と、前記第１面および前記ダイパッドサポートリードの前記上面と交差する第２面と、から成る。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置であって、
前記樹脂封止体は、前記樹脂封止体の前記上面および前記樹脂封止体の前記上面と交差する第１側面を有する第１樹脂封止体と、前記樹脂封止体の前記下面および前記樹脂封止体の前記下面と交差する第２側面を有する第２樹脂封止体と、から成り、
前記第１樹脂封止体の前記第１側面は、前記第２樹脂封止体の前記第２側面よりも前記半導体チップの近くに位置している、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体層表面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を除去し前記化合物半導体層を露出してなるスクライブラインを形成する工程と、
前記化合物半導体層上に電極を形成する工程と、
前記スクライブラインの前記化合物半導体層の露出面全体に酸化処理を実施することにより、前記露出面全体を被覆する酸化層を形成する工程と、
前記酸化層が存在する状態で前記電極に対しメッキを施し、前記電極上に金属層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
化合物半導体層の表面に第１絶縁層およびその上に第２絶縁層を形成する工程と、
前記化合物半導体層上に電極を形成する工程と、
前記第２絶縁層を除去し前記第１絶縁層を露出してなるスクライブラインを形成する工程と、
前記第１絶縁層が存在する状態で前記電極に対しメッキを施し、前記電極上に金属層を形成する工程との順に実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸化処理は、硝酸あるいは過酸化水素水を用いた薬品処理、酸素を用いたプラズマ処理および３００℃〜４００℃の熱酸化処理の何れかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１絶縁層は、前記化合物半導体層の表面全面を酸化処理することにより形成された酸化層であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記酸化処理は、硝酸あるいは過酸化水素水を用いた薬品処理、酸素を用いたプラズマ処理および３００℃〜４００℃の熱酸化処理の何れかであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属層を形成する工程の後、前記スクライブラインに酸化層が存在する状態で前記スクライブラインを切断し、前記半導体層装置を個片化させる工程を含むことを特徴とする請求項１、３、４または５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属層上に金属バンプを形成する工程と含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月18日(2015.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射手段と、
出力手段と、
前記反射手段と前記出力手段の間の光路に配置された利得部材と、
前記光路上に配置され、前記利得部材が発する光束を波長に応じて分散させる波長分散機構と、
前記光路に対して移動可能な、前記利得部材が発する光束の進行方向を変化させるウェッジプリズムを備え、前記ウェッジプリズムの位置に応じて、前記利得部材が発する光束のうち前記出力手段から出力される光束の波長を選択する波長選択機構と、
を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
前記波長選択機構は、前記ウェッジプリズムを前記光路外の位置と前記光路上の位置との間で移動させる
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記波長選択機構は、前記ウェッジプリズムを前記光路外の位置と、前記光路上の位置でかつ前記波長分散機構と前記反射手段との間の位置と、で移動させる
ことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記ウェッジプリズムが前記光路外の位置にあるときに出力される光束のスペクトル中心となる波長をλ１、前記ウェッジプリズムが前記光路上の位置にあるときに出力される光束のスペクトル中心となる波長をλ２、前記波長分散機構による波長λ１と波長λ２の分離角をδθ、前記ウェッジプリズムの屈折率をｎとするとき、前記ウェッジプリズムのウェッジ角θｗは、ｓｉｎ(δθ＋θｗ)＝ｎ×ｓｉｎ(θｗ)の関係を満たし、
前記ウェッジプリズムは、前記ウェッジプリズムと前記光路とが垂直になるように、前記光路上の位置に移動される
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項５】
前記波長λ１と前記波長λ２は、７００ｎｍないし８００ｎｍから選択された異なる２つの波長であり、
前記ウェッジプリズムのウェッジ角θｗは、０°＜θｗ≦２．８８°の関係を満たす
ことを特徴とする請求項４に記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記ウェッジプリズムが前記光路外の位置にあるときに出力される光束のスペクトル中心となる波長をλ１、前記ウェッジプリズムが前記光路上の位置にあるときに出力される光束のスペクトル中心となる波長をλ２、前記波長分散機構による波長λ１と波長λ２の分離角をδθ、前記ウェッジプリズムの屈折率をｎ、前記ウェッジプリズムのブリュースタ角をθｂとするとき、前記ウェッジプリズムのウェッジ角θｗは、ｓｉｎ(δθ＋θｗ
＋θｂ)＝ｎ×ｓｉｎ(ａｒｃｓｉｎ(ｓｉｎ(θｂ)／ｎ)＋θｗ)の関係を満たし、
前記ウェッジプリズムは、前記ウェッジプリズムと前記光路との角度がθｂとなるように、前記光路上の位置に移動される
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記波長λ１と前記波長λ２は、７００ｎｍないし８００ｎｍから選択された異なる２つの波長であり、
前記ウェッジプリズムのウェッジ角θｗは、０°＜θｗ≦１．２０°の関係を満たす
ことを特徴とする請求項６に記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記ウェッジプリズムの片面が、円筒の一部で構成されている
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項９】
前記波長分散機構による屈折角の波長分散をｄθ／ｄλとするとき、前記光束の断面内でのウェッジ角の分布Δθｗは、Δθｗ／（ｄθ／ｄλ）≦５ｎｍの関係を満たす
ことを特徴とする請求項８に記載のレーザ装置。
【請求項１０】
前記ウェッジプリズムの片面を構成する円筒の半径をＲ、前記光束が通過する前記円筒表面の円弧の長さをｄとするとき、Ｒは、［１８０°／π×ｄ／Ｒ］／（ｄθ／ｄλ）≦５ｎｍの関係を満たす
ことを特徴とする請求項８に記載のレーザ装置。
【請求項１１】
前記ウェッジプリズムは、複数の扇型のウェッジプリズムを含むホイール型ウェッジプリズムであり、
前記扇型のウェッジプリズムは、前記ホイール型ウェッジプリズムの動径方向にウェッジ角を有し、
前記波長選択機構は、前記ホイール型ウェッジプリズムを回転させて光束が通過する扇型のウェッジプリズムを選択する
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項１２】
前記波長分散機構は、プリズムであり、
前記光束は、前記プリズムに略ブリュースタ角で入射する
ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項１３】
前記波長分散機構は、グレーティングである
ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明は以下の構成を採用する。すなわち、反射手段と、出力手段と、前記反射手段と前記出力手段の間の光路に配置された利得部材と、前記光路を上に配置され、前記利得部材が発する光束を波長に応じて分散させる波長分散機構と、前記光路に対して移動可能な、前記利得部材が発する光束の進行方向を変化させるウェッジプリズムを備え、前記ウェッジプリズムの位置に応じて、前記利得部材が発する光束のうち前記出力手段から出力される光束の波長を選択する波長選択機構と、を有することを特徴とするレーザ装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、アレキサンドライト結晶は、波長７５０ｎｍを中心に約１００ｎｍ幅の利得スペクトルを持つ。波長７００ｎｍと８００ｎｍとの間の分離角δθは、約０．２°である。よって、上記構成のアレキサンドライト結晶を用いたレーザ装置において、ウェッジプリズム１００５のウェッジ角θｗを０°＜θｗ≦０．３６°とすることにより、７００ｎｍと８００ｎｍの間の任意の２波長を選択的に発振させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、より屈折角の波長分散が大きくなる硝材、例えば、スコット社製の硝材Ｆ２を用いてプリズム１００１を製作した場合、屈折角の波長分散は合成石英プリズムの約２倍となる。このとき、ウェッジプリズムのウェッジ角θｗを０°＜θｗ≦０．７２°とすると、７００ｎｍと８００ｎｍの間の任意の２波長を切り替えて発振させることが可能となる。このような屈折角の波長分散が大きい硝材をプリズムに用いると、発振波長のずれはより小さくなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
このとき、アレキサンドライト結晶を利得部材として用い、７００ｎｍと８００ｎｍの間の任意の２波長を選択的に発振させる場合、光路と垂直に挿入されるウェッジプリズム３００６のウェッジ角は０°＜θｗ≦２．８８°であればよい。また、ウェッジプリズムが光路とブリュースタ角を成すように挿入される場合、ｎ〜１．６７、δθ〜１．６°、およびθｂ〜５９°であり、ウェッジ角は０°＜θｗ≦１．２０°であればよい。本実施形態の構成を持つレーザ装置では、ウェッジプリズム３００５の傾き誤差による発振波長のずれはさらに小さくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物層と、
ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物層と重なるゲート電極と、を有し、
前記酸化物層は、第１の層と、第２の層とを有し、
前記第１の層及び前記第２の層は、それぞれ、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎとを有し、
前記ゲート電極と遠い側に配置された、前記第１の層は、ＩｎとＧａの含有率をＩｎ≦Ｇａとし、
前記ゲート電極と近い側に配置された、前記第２の層は、ＩｎとＧａの含有率をＩｎ＞Ｇａとすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物層は、ソース電極と重なる第１の領域と、ドレイン電極と重なる第２の領域と、前記第１の領域と前記第２の領域との間にあるチャネル形成領域とを有し、
前記チャネル形成領域は、前記第１の領域より薄く、
前記チャネル形成領域は、前記第２の領域より薄いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記チャネル形成領域は、前記第１の領域との境界において、テーパ形状を有し、
前記チャネル形成領域は、前記第２の領域との境界において、テーパ形状を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月7日(2015.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順に積層された、導電層、トンネル絶縁膜、電荷蓄積層、酸化物絶縁膜、酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記電荷蓄積層は酸化物絶縁物によって周囲を囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
順に積層された、導電層、トンネル絶縁膜、電荷蓄積層、酸化物絶縁膜、酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記電荷蓄積層は、酸化物絶縁物である前記トンネル絶縁膜及び前記酸化物絶縁膜によって周囲を囲まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記導電層は絶縁表面上に接して設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、前記ゲート電極層は絶縁表面上に接して設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記電荷蓄積層は導電層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記電荷蓄積層は半導体層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記電荷蓄積層は窒化物絶縁層であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月13日(2015.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が配された画素アレイ領域と、
前記画素アレイ領域外に配された読み出し回路領域と、を有し、
前記複数の画素の各々は、
光電変換により電荷を生成する光電変換素子と、
不純物拡散領域と、
前記光電変換素子の電荷を前記不純物拡散領域へ転送するゲート電極と、を有する光電変換装置であって、
前記ゲート電極に電気的に接続され、第１の方向に延在した金属配線により構成されたゲート制御線を有し、
前記複数の画素の前記不純物拡散領域は、全部又は一部が相互に接続され、
前記画素アレイ領域には、
前記第１の方向に沿って複数の第１の色の画素が配され、
前記第１の方向に沿って複数の第２の色の画素が配され、
前記第１の色と前記第２の色とは、互いに異なる色であり、前記複数の第１の色の画素と前記複数の第２の色の画素とは、前記第１の方向とは異なる第２の方向において隣接して配され、
前記読み出し回路領域は、前記複数の画素の中で前記第２の方向に対して最も外側に配置された前記画素よりも外側の領域に配され、
前記読み出し回路領域には、
前記不純物拡散領域の電圧変化に基づく信号を増幅する増幅部と、
前記不純物拡散領域にリセット電圧を供給するリセット部と、が配され、
前記画素アレイ領域に配される金属配線層は、同一の高さに配された複数の金属配線により構成された単一の配線層のみであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記複数の画素の前記不純物拡散領域は、半導体基板に形成された活性化領域で相互に接続されていることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記複数の画素の前記不純物拡散領域は、ポリシリコン配線により相互に接続されていることを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記不純物拡散領域及び前記ポリシリコン配線は、シェアードコンタクトにより電気的に接続されていることを特徴とする請求項３記載の光電変換装置。
【請求項５】
撮像領域は、前記複数の画素及び前記読み出し回路領域を有し、
前記撮像領域の金属配線層は、前記ゲート制御線の金属配線を含む一層のみであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記複数の画素は、前記第２の方向に対して４個配され、
２個ずつの前記画素の前記不純物拡散領域は相互に接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記光電変換装置は、前記読み出し回路領域に隣接する周辺回路と、前記周辺回路に配される複数の金属配線層とをさらに有し、
前記画素アレイ領域と前記周辺回路は半導体基板に形成され、
前記複数の金属配線層のうちの前記半導体基板に最近接する金属配線層と、前記画素アレイ領域に配される金属配線層の高さが同一であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の光電変換装置は、複数の画素が配された画素アレイ領域と、前記画素アレイ領域外に配された読み出し回路領域と、を有し、前記複数の画素の各々は、光電変換により電荷を生成する光電変換素子と、不純物拡散領域と、前記光電変換素子の電荷を前記不純物拡散領域へ転送するゲート電極と、を有する光電変換装置であって、前記ゲート電極に電気的に接続され、第１の方向に延在した金属配線により構成されたゲート制御線を有し、前記複数の画素の前記不純物拡散領域は、全部又は一部が相互に接続され、前記画素アレイ領域には、前記第１の方向に沿って複数の第１の色の画素が配され、前記第１の方向に沿って複数の第２の色の画素が配され、前記第１の色と前記第２の色とは、互いに異なる色であり、前記複数の第１の色の画素と前記複数の第２の色の画素とは、前記第１の方向とは異なる第２の方向において隣接して配され、前記読み出し回路領域は、前記複数の画素の中で前記第２の方向に対して最も外側に配置された前記画素よりも外側の領域に配され、前記読み出し回路領域には、前記不純物拡散領域の電圧変化に基づく信号を増幅する増幅部と、前記不純物拡散領域にリセット電圧を供給するリセット部と、が配され、前記画素アレイ領域に配される金属配線層は、同一の高さに配された複数の金属配線により構成された単一の配線層のみであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月7日(2015.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の胴体部と、
前記胴体部の内部に位置し、発光する発光部と、
前記胴体部の前端に設けられ、前記発光部が発する光を遮蔽し、該光を一部透過させる、図形形状からなる切り込み部を有するヘッド部と、
前記胴体部と連結し、側面に孔部を備える手でつかむための保持部と、
前記保持部の内部に設けられ、前記発光部に動力を供給する電源部と、
前記保持部の内部であって、前記孔部に隣り合うように設けられた、前記発光部が発する熱を散熱する散熱部とを有し、
前記胴体部は、前記保持部に差し込まれることで前記保持部に連結し、
前記発光部は、前記胴体部の、前記保持部に差し込まれた部分に位置する棒状ライト。
【請求項２】
前記切り込み部は、照度を十分に抑えられる程度の幅の切り込みを有することを特徴とする請求項１記載の棒状ライト。
【請求項３】
前記胴体部は、更に、
内側に装飾シートを備えることを特徴とする請求項１または２記載の棒状ライト。
【請求項４】
前記胴体部は、前記保持部から着脱可能であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の棒状ライト。
【請求項５】
前記保持部は、更に、
前記発光部の発光条件を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の棒状ライト。
【請求項６】
前記保持部は、更に、
ストラップを装着するための突起物を有することを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の棒状ライト。
【請求項７】
前記棒状ライトは、更に、
前記胴体部と前記ヘッド部との間に内蓋を有することを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の棒状ライト。
【請求項８】
前記切り込み部は、
前記ヘッド部に設けられるものであることを特徴とする請求項２記載の棒状ライト。
【請求項９】
前記保持部は、更に、
前記制御部に対して、前記発光条件の切り替え指示を与えるスイッチ部を備えることを特徴とする請求項５記載の棒状ライト。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月8日(2015.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】見切り構造及び時計
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、腕時計などの時計に用いられる見切り構造及び時計に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明が解決しようとする課題は、ケースおよび見切り板の製作が容易にでき、かつケースに対して見切り板を正確に位置決めすることができる見切り構造及び時計を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケース内に見切り板を取り付ける見切り構造において、
前記ケースの内周面に沿って前記ケースに対する前記見切り板の円周方向における取付誤差の範囲よりも小さいピッチで連続して設けられた第1凹凸部と、
前記ケースの前記第1凹凸部に対応する前記見切り板の外周面に沿って前記第1凹凸部と同じピッチで連続して設けられ、かつ前記第1凹凸部に嵌合する第２凹凸部と、
を備えていることを特徴とする見切り構造。
【請求項２】
請求項１に記載の見切り構造において、前記第1凹凸部と前記第２凹凸部とは、その凹凸のピッチが前記見切り板の円周方向の角度において０．３度〜０．５度の角度範囲内に設定されていることを特徴とする見切り構造。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の見切り構造において、前記第1凹凸部と前記第２凹凸部とは、それぞれローレット加工によって形成されていることを特徴とする見切り構造。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の見切り構造において、前記ケースは金属で形成されており、前記見切り板は合成樹脂で形成されていることを特徴とする見切り構造。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の見切り構造において、前記ケースと前記見切り板とには、その両方を互いに位置合わせるための位置合せ部が設けられていることを特徴とする見切り構造。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の見切り構造において、前記見切り板には目盛が所定の間隔で設けられていることを特徴とする見切り構造。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれかに記載の見切り構造を備えたことを特徴とする時計。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布液を吐出する複数のノズルを備えたインクジェット式の塗布ヘッドと、前記塗布ヘッドから吐出された塗布液の重量を測定する重量測定装置と、を備える塗布液塗布装置において、
前記重量測定装置は、前記塗布ヘッドの各ノズルから吐出された前記塗布液を収容する収容部材と、この収容部材の上側に配置され、平面視において前記収容部材よりも大きな外形を有し、かつ、前記塗布ヘッドに形成された複数のノズルを包含する大きさを有する開口部が設けられた遮蔽部材と、を備え、
前記塗布ヘッドを、前記重量測定装置が備える前記遮蔽部材の前記開口部に近接或いは接触させる移動装置を有することを特徴とする塗布液塗布装置。
【請求項２】
塗布液を吐出する複数のノズルを備えたインクジェット式の塗布ヘッドと、前記塗布ヘッドから吐出された塗布液の重量を測定する重量測定装置と、を備える塗布液塗布装置において、
前記重量測定装置は、前記塗布ヘッドの各ノズルから吐出された前記塗布液を収容する収容部材と、この収容部材の上側に配置され、前記塗布ヘッドにおける前記ノズルが設けられたノズル形成面と相似形を成し、前記ノズル形成面よりも大きく形成されてなる開口部が設けられた遮蔽部材と、を備え、
前記塗布ヘッドを、前記重量測定装置が備える前記遮蔽部材の前記開口部に進入させる移動装置を有することを特徴とする塗布液塗布装置。
【請求項３】
前記遮蔽部材は、前記開口部と同じ大きさの開口部を有する筒状部を備えたカバー部材を有することを特徴とする請求項１または２に記載の塗布液塗布装置。
【請求項４】
前記遮蔽部材は、前記重量測定装置に対して着脱自在に固定されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の塗布液塗布装置。
【請求項５】
前記遮蔽部材は、前記収容部材の上面と前記遮蔽部材の下面との隙間が、前記収容部材の内部に気流が流れ込むことを防ぐ隙間となるように配置されてなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の塗布液塗布装置。
【請求項６】
請求項１に記載の塗布液塗布装置を用いて、前記塗布ヘッドに設けられた複数のノズルから吐出された塗布液の重量を測定する重量測定方法であって、
前記重量測定装置が備える前記収容部材に向けて前記塗布ヘッドの前記ノズルから塗布液を吐出させるときには、前記塗布ヘッドを、前記遮蔽部材の前記開口部に進入或いは近接または接触させることを特徴とする重量測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施形態に係る塗布液塗布装置は、塗布液を吐出するノズルを備えたインクジェット式の塗布ヘッドと、前記塗布ヘッドから吐出された塗布液の重量を測定する重量測定装置をと備える塗布液塗布装置において、前記重量測定装置は、前記塗布ヘッドの各ノズルから吐出された前記塗布液を収容する収容部材と、この収容部材の上面を覆い、前記塗布ヘッドに形成された複数のノズルを包含する大きさを有する開口部が設けられた遮蔽部材と、を備え、前記塗布ヘッドを、前記重量測定装置が備える前記遮蔽部材の前記開口部に近接或いは接触させる移動装置を有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この遮蔽板５４は、支持部材５３に取付けられた状態において、カップ５２の上端面に対して非接触状態、すなわち、わずかな隙間（例えば、０．５ｍｍ〜４．０ｍｍ程度）を介して近接する。したがって、支持部材５３は、カップ５２の上端面と遮蔽板５４の下面との間に上述の隙間が形成されるように、その高さが設定される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
なお、塗布ヘッド４を遮蔽板５４に当接させる場合、遮蔽板５４上に、開口部５４ａの縁を囲むように、シリコンゴムやスポンジ部材などの弾性部材を緩衝部材として配置するようにしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月28日(2015.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
表1に、酵素標識抗体としてALP標識抗プロトロンビンポリクローナル抗体を用いて、9つの血清・血漿ペア検体を測定した結果を示す。また表2に、酵素標識抗体としてALP標識抗F1抗体（hPTN7-2抗体）とALP標識抗F2抗体(20B8抗体)との混合物を用いて、9つの血清・血漿ペア検体を測定した結果を示す。その結果、表1に示すように、ALP標識抗プロトロンビンポリクローナル抗体を用いた場合、ヘパリン血漿における血漿／血清比率は平均約79％であり、血清・血漿相関が低いことが確認された。一方、ALP標識抗体として抗F1抗体と抗F2抗体とを重量比2:1で混合した場合には、表2に示すように、ヘパリン血漿における血漿／血清比率は約102％、EDTA血漿における血漿／血清比率は約105％と、何れの場合も血清・血漿相関が改善した。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月4日(2015.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
保存計測データ生成部２３４は、取得した計測データ６０２から保存計測データ６０３を生成し、記憶部５００ｖ（電子機器２における記憶部５００相当）に記憶させるための制御をする。そして、保存計測データ生成部２３４は、計測データ６０２に含まれる補間対象を示す情報を、補間生成し置換する補間部２３５を含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
もし、ステップＳ７２において、前回測位点と最新記憶点とが異なると判定されたならば（ステップＳ７２のＮＯ）、処理部２００は、方向転換認識閾値θcを選択し（ステッ
プＳ８８）、前回測位点から最新測位点を向いた方位を算出して今回位置方位５１８へ上書きする（ステップＳ９０）。次いで、前回位置方位５１６と今回位置方位５１８との方位差θpを算出し（ステップＳ９２）、当該方位差θpが先に選択した方向転換認識閾値θcに達していれば（ステップＳ９４のＹＥＳ）、保存「要」と判定し（ステップＳ９６）、前回位置方位５１６を今回位置方位５１８で上書きして（ステップＳ１００）、保存要否判定処理を終了する。もし、方位差θpが方向転換認識閾値θcに達していなければ（ステップＳ９４のＮＯ）、保存「不要」と判定し（ステップＳ９８）、前回位置方位５１６を今回位置方位５１８の内容で上書きして（ステップＳ１００）、保存要否判定処理を終了する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
また、ステップＳ７０にて、そもそも計測精度判定処理にて計測精度「不良」と判定された場合には（ステップＳ７０のＮＯ）、処理部２００は、保存「不要」と判定し（ステップＳ９８）、前回位置方位５１６を今回位置方位５１８で上書きして（ステップＳ１００）、保存要否判定処理を終了する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
次に、データ解析装置７０は、すでにデータアップロード装置５０から過去に受信し保存されている保存計測データ６０３の何れかを解析対象としてユーザーに選択させるための選択画面（図６のカレンダー型一覧表示画面Ｗ２）をデータアップロード装置５０にて表示させるための一覧表示画面データ（例えば、画像データ、スクリプトデータなど）を生成し、データアップロード装置５０へ送信する（ステップＳ２７６）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４１】
データアップロード装置５０は、グラフ表示画面データを受信して、タッチパネル５２にグラフ表示画面Ｗ４を表示させ（ステップＳ３００：図７参照）、マップ表示画面データを受信して、タッチパネル５２にマップ表示画面Ｗ６を表示させる（ステップＳ３０２：図８参照）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
１…ユーザー、２…身体装着用電子機器、６…累積移動距離表示、９…インターネット、１０…メインフレーム、１２…タッチパネル、１６…操作スイッチ、１８…バンド、２０…基板、２１…充電式バッテリー、２２…ＣＰＵ、２４…メインメモリー、２６…計測データ用メモリー、２８…位置測定モジュール、３０…近距離無線モジュール、４０…クレードル、４２…ＵＳＢケーブル、５０…データアップロード装置、５２…タッチパネル、５４…キーボード、５６…基板、５８…ＣＰＵ、６０…ＩＣメモリー、６４…近距離無線モジュール、７０…データ解析装置、８０…マーク、８４…軌跡、８６…地図、８８…区間計測点、１００…操作入力部、１００ｖ…操作入力部、１０２…測定部、２００…処理部、２００ｖ…処理部、２０２…移動記録制御部、２０４…距離表示制御部、２０６…移動距離記憶制御部、２１０…判定部、２１２…記憶制御部、２１６…外部出力制御部、２１８…経過時間表示制御部、２２０…経過時間記憶制御部、２２２…区間時間情報記憶制御部、２２４…外部出力制御部、２３０…解析演算部、２３２…計測データ取得制御部、２３４…保存計測データ生成部、２３５…補間部、２３６…解析対象選択制御部、２４０…グラフ表示制御部、２４２…マップ表示制御部、２６０…画像生成部、２６０ｖ…画像生成部、２７０…通信制御部、２７０ｖ…通信制御部、３６０…画像表示部、３６０ｖ…画像表示部、３７０…通信部、３７０ｖ…通信部、３７２…受信部、５００…記憶部、５０１…システムプログラム、５０２…移動記録制御プログラム、５０３…システムプログラム、５０５…解析プログラム、５１０…方向転換認識閾値テーブル、５１２…最新位置測定情報、５１４…前回位置測定情報、５１５…最新記憶点情報、５１６…前回位置方位、５１８…今回位置方位、５２０…計測精度フラグ、５２２…保存要否フラグ、５２４…測位点間距離、５２８…記憶点間距離、５３０…累積記憶点間距離、５３２…累積移動距離、５３３…前回累積移動距離、５３４…経過時間、５３８…距離記憶周期タイマー、６０２…計測データ、６０３…保存計測データ、６０４…計測識別子、６０６…計測開始日時、６０８…間引き情報、６０９…ユーザーＩＤ、６１０…記憶点登録データ、６１２…記憶点識別子、６１４…経過時間、６１６…位置座標、６２０…距離履歴データ、６２２…距離識別子、６２４…累積移動距離、６２８…高度、６３０…ラップデータ、６３２…ラップ識別子、６３４…区間時間情報、６３６…位置座標、W２…カレンダー型一覧表示画面、Ｗ４…グラフ表示画面、Ｗ６…マップ表示画面
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2014035219.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直管型ＬＥＤ光源と、当該直管型ＬＥＤ光源が取り付けられる照明器具とを含む照明装置に適用される、前記直管型ＬＥＤ光源を前記照明器具に取り付けるための部材であって、
前記照明器具に取り付けられる取付部と、
前記直管型ＬＥＤ光源が有する円筒形状の筒外形に対応した外形をなす、当該直管型ＬＥＤ光源を支持する受け部と、
を有する、直管型ＬＥＤ光源取り外し防止部材。
【請求項２】
前記請求項１に記載の直管型ＬＥＤ光源取り外し防止部材によって、前記照明器具に締結された直管型ＬＥＤ光源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、直管型ＬＥＤ光源と、当該直管型ＬＥＤ光源が取り付けられる照明器具とを含む照明装置に適用される、前記直管型ＬＥＤ光源を前記照明器具に取り付けるための部材であって、前記照明器具に取り付けられる取付部と、前記直管型ＬＥＤ光源が有する円筒形状の筒外形に対応した外形をなす、当該直管型ＬＥＤ光源を支持する受け部と、を有する、直管型ＬＥＤ光源取外し防止部材である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記請求項１に記載の直管型ＬＥＤ光源取外し防止部材によって、前記照明器具に締結された直管型ＬＥＤ光源である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、照明器具に直管型ＬＥＤ光源が一旦取り付けられた後は、前記取外し防止部材により、前記直管型ＬＥＤ光源は、前記照明器具から容易に取外されることがなくなる。それによって、前記照明器具に、従来の蛍光管や、別の仕様の直管型ＬＥＤ光源が取り付けられることや、直管型ＬＥＤ光源の前記照明器具からの落下を防止でき、安全性を維持できる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月2日(2015.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１または２に記載の静圧気体軸受ユニットであって、
前記回転体として、径方向の寸法よりも軸方向の寸法が長いプーリを有することを特徴とする静圧気体軸受ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月3日(2015.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気使用装置の排出口から排出される廃蒸気を解消する廃蒸気解消装置であって、
圧縮機、凝縮器、膨張機及び蒸発器を含むヒートポンプを備え、
前記蒸発器を前記排出口の上部に配置し、
前記凝縮器の側部に温風供給ファンを配置し、
前記温風供給ファンを用いて前記蒸発器の出口側に温風を供給する、
廃蒸気解消装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１圧縮機、凝縮器としての第１加熱熱交換器、第１減圧手段、地中熱を利用する蒸発器としての地中熱源熱交換器を第１冷媒配管で環状に接続した第１ヒートポンプ回路と、第２圧縮機、凝縮器としての第２加熱熱交換器、第２減圧手段、空気熱を利用する蒸発器としての空気熱源熱交換器を第２冷媒配管で環状に接続した第２ヒートポンプ回路と、放熱端末と、該放熱端末で放熱する熱媒を循環させる加熱循環ポンプを有する加熱循環回路とを設け、前記放熱端末による暖房運転を行うものであって、前記加熱循環回路に前記第１加熱熱交換器と前記第２加熱熱交換器を直列に接続し、前記第１加熱熱交換器と前記第２加熱熱交換器との間の前記加熱循環回路は分岐していないことを特徴とするヒートポンプ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は上記課題を解決するために、特に請求項１ではその構成を、第１圧縮機、凝縮器としての第１加熱熱交換器、第１減圧手段、地中熱を利用する蒸発器としての地中熱源熱交換器を第１冷媒配管で環状に接続した第１ヒートポンプ回路と、第２圧縮機、凝縮器としての第２加熱熱交換器、第２減圧手段、空気熱を利用する蒸発器としての空気熱源熱交換器を第２冷媒配管で環状に接続した第２ヒートポンプ回路と、放熱端末と、該放熱端末で放熱する熱媒を循環させる加熱循環ポンプを有する加熱循環回路とを設け、前記放熱端末による暖房運転を行うものであって、前記加熱循環回路に前記第１加熱熱交換器と前記第２加熱熱交換器を直列に接続し、前記第１加熱熱交換器と前記第２加熱熱交換器との間の前記加熱循環回路は分岐していないものとした。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、ＴＦＴ１１０基板とＣＦ基板１２０はシールパターン１３０を介して貼り合わされており、表示領域１００に配置される柱状スペーサ１３３により所定の基板間隔に保持されている。更にトランスファ電極と共通電極１２３は、トランスファ材により電気的に接続されており、信号端子１１８から入力された信号が共通電極１２３に伝達される。トランスファ材については、シールパターン１３０中に導電性の粒子などを混合することにより代用でき省略することも可能であり、本実施の形態では、導電性の粒子などを混合したシールパターン１３０を用い、図２からも解かるとおりシールパターン１３０と共通電極１２３は接触することから、トランスファ電極をシールパターン１３０に平面的に重なるように配置し、シールパターン１３０と接触して設けることにより、トランスファ電極と共通電極１２３についてシールパターン１３０を介して電気的に接続した。