【手続補正書】
【提出日】平成27年9月16日(2015.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像センサであって、該画像センサは、
入射光に応答して光電荷を蓄積するための感光性領域（ＰＳＲ）のアレイと、
該ＰＳＲのうちの少なくとも１つと関連付けられている出力チャネルと
を備え、該出力チャネルは、
光電荷を電圧に変換するための第１の感知ノードと、
該第１の感知ノードに接続されているキャパシタンス制御ユニットであって、該キャパシタンス制御ユニットは、第１の電圧と第２の感知ノードとの間に結合されている第１のリセットトランジスタと、該第２の感知ノードと該第１の感知ノードとの間に結合されている第２のリセットトランジスタとを備えている、キャパシタンス制御ユニットと、
該第１の感知ノードに接続され、第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路と、
該第２の感知ノードに接続され、第２の出力信号ラインに結合されている第２の増幅回路であって、該第２の増幅回路は、該第１の相互コンダクタンスよりも大きい第２の相互コンダクタンスを有している、第２の増幅回路と
を備えている、画像センサ。
【請求項２】
前記第２の増幅回路は、前記第２の感知ノードに接続されている、請求項１に記載の画像センサ。
【請求項３】
（ｉ）前記第１の増幅回路は、第１のゲート長さ、第１のゲート幅、および第１のゲート酸化膜厚を有している第１のトランジスタを備え、（ｉｉ）前記第２の増幅回路は、第２のゲート長さ、第２のゲート幅、および第２のゲート酸化膜厚を有している第２のトランジスタを備えている、請求項１に記載の画像センサ。
【請求項４】
前記第１のゲート酸化膜厚と前記第２のゲート酸化膜厚とは異なっている、請求項３に記載の画像センサ。
【請求項５】
前記第１のゲート幅対前記第１のゲート長さの比率は、前記第１の感知ノードのキャパシタンスに基づいて選択される、請求項３に記載の画像センサ。
【請求項６】
前記第２のゲート幅対前記第２のゲート長さの比率は、前記第１の感知ノードおよび前記第２の感知ノードの組み合わされたキャパシタンスに基づいて選択される、請求項３に記載の画像センサ。
【請求項７】
前記第１のゲート幅対前記第１のゲート長さの比率は、前記第２のゲート幅対前記第２のゲート長さの比率よりも小さい、請求項３に記載の画像センサ。
【請求項８】
各ＰＳＲは、ＣＣＤ画像センサ画素の一部分であり、前記出力チャネルは、ＣＣＤ画像センサ画素の複数の列に関連付けられている、請求項１に記載の画像センサ。
【請求項９】
各ＰＳＲは、ＣＭＯＳ画像センサ画素の一部分であり、異なる出力チャネルが、各ＣＭＯＳ画像センサ画素と関連付けられている、請求項１に記載の画像センサ。
【請求項１０】
画像センサであって、該画像センサは、
入射光に応答して光電荷を蓄積するための感光性領域（ＰＳＲ）のアレイと、
該ＰＳＲのうちの少なくとも１つに関連付けられている（ｉ）光電荷を電圧に変換するための第１の感知ノード、（ｉｉ）該第１の感知ノードに接続されている第１のキャパシタンス制御ユニット、および（ｉｉｉ）該第１の感知ノードに接続され、第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路と、
該ＰＳＲのうちの少なくとも他の１つと関連付けられている（ｉ）光電荷を電圧に変換するための第２の感知ノード、（ｉｉ）該第２感知ノードに接続されている第２のキャパシタンス制御ユニット、および（ｉｉｉ）該第２の感知ノードに接続され、第２の相互コンダクタンスを有している第２の増幅回路と、
該第１のキャパシタンス制御ユニットおよび該第２のキャパシタンス制御ユニットに接続され、該第１の相互コンダクタンスまたは該第２の相互コンダクタンスのうちの少なくとも１つよりも大きな第３の相互コンダクタンスを有している第３の増幅回路と
を備えている、画像センサ。
【請求項１１】
前記第１の相互コンダクタンスおよび前記第２の相互コンダクタンスはほぼ等しい、請求項１０に記載の画像センサ。
【請求項１２】
前記第３の相互コンダクタンスは、前記第１の相互コンダクタンスと前記第２の相互コンダクタンスとの両方よりも大きい、請求項１０に記載の画像センサ。
【請求項１３】
（ｉ）前記第１の増幅回路は、第１のゲート長さ、第１のゲート幅、および第１のゲート酸化膜厚を有している第１のトランジスタを備え、（ｉｉ）前記第２の増幅回路は、第２のゲート長さ、第２のゲート幅、および第２のゲート酸化膜厚を有している第２のトランジスタを備え、（ｉｉｉ）前記第３の増幅回路は、第３のゲート長さ、第３のゲート幅、および第３のゲート酸化膜厚を有している第３のトランジスタを備えている、請求項１０に記載の画像センサ。
【請求項１４】
（ｉ）前記第１のゲート長さは、前記第２のゲート長さとほぼ等しく、（ｉｉ）前記第１のゲート幅は、前記第２のゲート幅とほぼ等しく、（ｉｉｉ）前記第１のゲート酸化膜厚は、前記第２のゲート酸化膜厚とほぼ等しい、請求項１３に記載の画像センサ。
【請求項１５】
前記第１のゲート幅対前記第１のゲート長さの比率は、前記第３のゲート幅対前記第３のゲート長さの比率よりも小さい、請求項１４に記載の画像センサ。
【請求項１６】
画像センサであって、該画像センサは、
（ｉ）入射光に応答して光電荷を蓄積するための第１の感光性領域と、（ｉｉ）光電荷を電圧に変換するための第１の感知ノードと、（ｉｉｉ）該第１の感知ノードに接続されている第１のキャパシタンス制御ユニットと、（ｉｖ）該第１の感知ノードに接続され、第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路とを備えている第１の画素と、
（ｉ）入射光に応答して光電荷を蓄積するための第２の感光性領域と、（ｉｉ）光電荷を電圧に変換するための第２の感知ノードと、（ｉｉｉ）該第２の感知ノードに接続されている第２のキャパシタンス制御ユニットと、（ｉｖ）該第２の感知ノードに接続され、第２の相互コンダクタンスを有している第２の増幅回路とを備えている第２の画素と、
該第１のキャパシタンス制御ユニットおよび該第２のキャパシタンス制御ユニットに接続され、該第１の相互コンダクタンスまたは該第２の相互コンダクタンスのうちの少なくとも１つよりも大きな第３の相互コンダクタンスを有している第３の増幅回路と
を備えている、画像センサ。
【請求項１７】
画像センサにおいて低いゲインおよび高いゲインで蓄積された電荷を測定する方法であって、該画像センサは、感光性領域（ＰＳＲ）のアレイと、少なくとも１つのＰＳＲと関連付けられている出力チャネルとを有し、該出力チャネルは、（ｉ）感知ノードと、（ｉｉ）第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路と、（ｉｉｉ）該第１の相互コンダクタンスよりも大きい第２の相互コンダクタンスを有する第２の増幅回路とを備え、該方法は、
入射光に応答して少なくとも１つのＰＳＲ内で電荷を蓄積することと、
該蓄積された電荷を該感知ノードに移送する前に、（ｉ）該第１の増幅回路により高ゲインリセットレベルをサンプリングすること、および（ｉｉ）該第２の増幅回路により低ゲインリセットレベルをサンプリングすることと、
該電荷を電圧に変換するために、該蓄積された電荷を該感知ノードに移送することと、
該蓄積された電荷を該感知ノードに移送した後に、（ｉ）該第１の増幅回路により該蓄積された電荷に対応する高ゲイン信号レベルをサンプリングすること、および（ｉｉ）該第２の増幅器回路により該蓄積された電荷に対応する低ゲイン信号レベルをサンプリングすることと
を含み、
（ｉ）該蓄積された電荷の低ゲイン測度は、該低ゲイン信号レベルと該低ゲインリセットレベルとの差であり、かつ（ｉｉ）該蓄積された電荷の高ゲイン測度は、該高ゲイン信号レベルと該高ゲインリセットレベルとの差である、方法。
【請求項１８】
画像センサにおいて低いゲインまたは高いゲインのうちの少なくとも１つで蓄積された電荷を測定する方法であって、該画像センサは、入射光に応答して光電荷を蓄積するための感光性領域（ＰＳＲ）のアレイと、該ＰＳＲのうちの少なくとも１つと関連付けられている出力チャネルとを備えており、該出力チャネルは、（ｉ）光電荷を電圧に変換するための感知ノードと、（ｉｉ）該感知ノードに接続されているキャパシタンス制御ユニットと、（ｉｉｉ）該感知ノードに接続され、第１の相互コンダクタンスを有している第１の増幅回路と、（ｉｖ）該キャパシタンス制御ユニットに接続され、該第１の相互コンダクタンスよりも大きい第２の相互コンダクタンスを有している第２の増幅回路とを備え、該方法は、
（ｉ）蓄積された電荷を該感知ノードに移送する前に、該第１の増幅回路により高ゲインリセットレベルをサンプリングすること、および（ｉｉ）蓄積された電荷を該感知ノードに移送した後に、該第１の増幅回路により高ゲイン信号レベルをサンプリングすることであって、該蓄積された電荷の高ゲイン測度は、該高ゲイン信号レベルと該高ゲインリセットレベルとの差である、こと、または
（ｉ）蓄積された電荷を該感知ノードに移送する前に、該第２の増幅回路により低ゲインリセットレベルをサンプリングすること、および（ｉｉ）蓄積された電荷を該感知ノードに移送した後に、該第２の増幅回路により低ゲイン信号レベルをサンプリングすることであって、該蓄積された電荷の低ゲイン測度は、該低ゲイン信号レベルと該低ゲインリセットレベルとの差である、こと
のうちの少なくとも１つを含む、方法。