【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そのために本発明は、インクジェット記録装置であって、複数の記録素子が副走査方向に配列して成る記録素子列を前記副走査方向にＰ（Ｐは３以上の整数）分割して得られる１〜Ｐブロックに対し、ドットの記録を許容する記録許容画素とドットの記録を許容しない非記録許容画素とを定めているマスクパターンを格納する格納手段と、前記記録素子列を前記副走査方向と交差する主走査方向に移動させながら、前記格納手段に格納された前記マスクパターンに従って、連続するＭ（Ｍは２ ≦ Ｍ ＜Ｐを満たすＰの約数ではない整数）カラムのうちの１つのカラムを記録する記録走査をＭカラムのそれぞれについて順番に行う記録走査手段と、前記記録走査の間に前記ブロックの１つに相当する距離だけ記録媒体を前記副走査方向に搬送する搬送手段とを備え、１≦ｓ≦Ｍを満たすいずれの整数ｓについても、前記Ｐ個のブロックに対応するマスクパターンのうち、ｓ＋Ｎ×Ｍ≦Ｐを満たす全ての０以上の整数Ｎに対応する（ｓ＋Ｎ×Ｍ）ブロックのマスクパターンの組み合わせは、前記記録許容画素の配置が互いに補完関係を有していることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、インクジェット記録装置であって、複数の記録素子が副走査方向に配列して成る記録素子列を前記副走査方向にＰ（Ｐは３以上の整数）分割して得られる１〜Ｐブロックに対し、ドットの記録を許容する記録許容画素とドットの記録を許容しない非記録許容画素とを定めている記録画素パターンを取得する取得手段と、前記記録素子列を前記副走査方向と交差する主走査方向に移動させながら、連続するＭ（Ｍは２ ≦ Ｍ ＜Ｐを満たすＰの約数ではない整数）カラムのうちの１つの記録許容カラムを前記記録画素パターンに基づいて記録する記録走査を、Ｍカラムのそれぞれについて交互に行う記録手段と、前記記録走査の間に前記ブロックの１つに相当する距離だけ記録媒体を前記副走査方向に搬送する搬送手段とを備え、１≦ｓ≦Ｍを満たすいずれの整数ｓについても、前記Ｐ個のブロックに対応する前記記録画素パターンのうち、ｓ＋Ｎ×Ｍ≦Ｐを満たす全ての０以上の整数Ｎに対応する（ｓ＋Ｎ×Ｍ）ブロックの記録画素パターンの組み合わせは、それぞれの記録許容カラムについて前記記録許容画素の配置が互いに補完関係を有していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット記録装置であって、
複数の記録素子が副走査方向に配列して成る記録素子列を前記副走査方向にＰ（Ｐは３以上の整数）分割して得られる１〜Ｐブロックに対し、ドットの記録を許容する記録許容画素とドットの記録を許容しない非記録許容画素とを定めているマスクパターンを格納する格納手段と、
前記記録素子列を前記副走査方向と交差する主走査方向に移動させながら、前記格納手段に格納された前記マスクパターンに従って、連続するＭ（Ｍは２ ≦ Ｍ ＜Ｐを満たすＰの約数ではない整数）カラムのうちの１つのカラムを記録する記録走査をＭカラムのそれぞれについて順番に行う記録走査手段と、
前記記録走査の間に前記ブロックの１つに相当する距離だけ記録媒体を前記副走査方向に搬送する搬送手段と
を備え、
１≦ｓ≦Ｍを満たすいずれの整数ｓについても、前記Ｐ個のブロックに対応するマスクパターンのうち、ｓ＋Ｎ×Ｍ≦Ｐを満たす全ての０以上の整数Ｎに対応する（ｓ＋Ｎ×Ｍ）ブロックのマスクパターンの組み合わせは、前記記録許容画素の配置が互いに補完関係を有していることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記Ｐは５、且つ前記Ｍは２であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記Ｐは７、且つ前記Ｍは２であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記Ｐは１０、且つ前記Ｍは４であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記Ｍは２、４または８であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】
前記記録素子列の前記副走査方向に対する記録位置ずれ量を取得する手段と、
前記記録素子列に含まれる前記記録素子のそれぞれが記録すべき画像データを、前記記録位置ずれ量に応じてシフトするデータシフト手段と、
前記マスクパターンの前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じてシフトして新たなマスクパターンを生成する生成手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】
前記生成手段は、前記Ｐ個のブロックに対応するマスクパターンのそれぞれについて、前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じてシフトすることにより前記Ｐ個のブロックに対応する新たなマスクパターンを生成することを特徴とする請求項６に記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】
前記生成手段は、前記Ｐ個のブロックに対応するマスクパターンのそれぞれについて、前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じて、前記記録素子の夫々の記録許容率の変動が少なくなるようにシフトすることにより前記Ｐ個のブロックに対応する新たなマスクパターンを生成することを特徴とする請求項６に記載のインクジェット記録装置。
【請求項９】
前記マスクパターンは、前記記録素子の配列方向において両端部の記録許容率が中央部の記録許容率よりも低く抑えられていることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１０】
前記Ｐ個のブロックのそれぞれに対応するマスクパターンには、前記記録素子列の端部側に対して中央側の記録許容率が相対的に高いマスクパターンと、略同等のマスクパターンが含まれていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１１】
前記記録走査手段は、前記マスクパターンと入力画像データの論理積を実行することによって記録データを生成し、当該記録データに従って連続するＭカラムを異なるＭ回の前記記録走査によって順番に記録することを特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項１２】
インクジェット記録方法であって、
複数の記録素子が副走査方向に配列して成る記録素子列を前記副走査方向にＰ（Ｐは３以上の整数）分割して得られる１〜Ｐブロックに対し、ドットの記録を許容する記録許容画素とドットの記録を許容しない非記録許容画素とを定めているマスクパターンを格納する格納工程と、
前記記録素子列を前記副走査方向と交差する主走査方向に移動させながら、前記格納工程で格納された前記マスクパターンに従って、連続するＭ（Ｍは２ ≦ Ｍ ＜Ｐを満たすＰの約数ではない整数）カラムのうちの１つのカラムを記録する記録走査をＭカラムのそれぞれについて順番に行う記録走査工程と、
前記記録走査の間に前記ブロックの１つに相当する距離だけ記録媒体を前記副走査方向に搬送する搬送工程と
を有し、
１≦ｓ≦Ｍを満たすいずれの整数ｓについても、前記Ｐ個のブロックに対応するマスクパターンのうち、ｓ＋Ｎ×Ｍ≦Ｐを満たす全ての０以上の整数Ｎに対応する（ｓ＋Ｎ×Ｍ）ブロックのマスクパターンの組み合わせは、前記記録許容画素の配置が互いに補完関係を有していることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項１３】
前記Ｐは５、且つ前記Ｍは２であることを特徴とする請求項１２に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１４】
前記Ｐは７、且つ前記Ｍは２であることを特徴とする請求項１２に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１５】
前記Ｐは１０、且つ前記Ｍは４であることを特徴とする請求項１２に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１６】
前記Ｍは２、４または８であることを特徴とする請求項１２に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１７】
前記記録素子列の前記副走査方向に対する記録位置ずれ量を取得する工程と、
前記記録素子列に含まれる前記記録素子のそれぞれが記録すべき画像データを、前記記録位置ずれ量に応じてシフトするデータシフト工程と、
前記マスクパターンの前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じてシフトして新たなマスクパターンを生成する生成工程と、
を更に有することを特徴とする請求項１２に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１８】
前記生成工程は、前記Ｐ個のブロックに対応するマスクパターンのそれぞれについて、前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じてシフトすることにより前記Ｐ個のブロックに対応する新たなマスクパターンを生成することを特徴とする請求項１７に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１９】
前記生成工程は、前記Ｐ個のブロックに対応するマスクパターンのそれぞれについて、前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じて、前記記録素子の夫々の記録許容率の変動が少なくなるようにシフトすることにより前記Ｐ個のブロックに対応する新たなマスクパターンを生成することを特徴とする請求項１７に記載のインクジェット記録方法。
【請求項２０】
前記マスクパターンは、前記記録素子の配列方向において両端部の記録許容率が中央部の記録許容率よりも低く抑えられていることを特徴とする請求項１２ないし１９のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項２１】
前記Ｐ個のブロックのそれぞれに対応するマスクパターンには、前記記録素子列の端部側に対して中央側の記録許容率が相対的に高いマスクパターンと、略同等のマスクパターンが含まれていることを特徴とする請求項１２ないし１９のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項２２】
前記記録走査工程では、前記マスクパターンと入力画像データの論理積を実行することによって記録データを生成し、当該記録データに従って連続するＭカラムを異なるＭ回の前記記録走査によって順番に記録することを特徴とする請求項１２ないし２１のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項２３】
インクジェット記録装置であって、
複数の記録素子が副走査方向に配列して成る記録素子列を前記副走査方向にＰ（Ｐは３以上の整数）分割して得られる１〜Ｐブロックに対し、ドットの記録を許容する記録許容画素とドットの記録を許容しない非記録許容画素とを定めている記録画素パターンを取得する取得手段と、
前記記録素子列を前記副走査方向と交差する主走査方向に移動させながら、連続するＭ（Ｍは２ ≦ Ｍ ＜Ｐを満たすＰの約数ではない整数）カラムのうちの１つの記録許容カラムを前記記録画素パターンに基づいて記録する記録走査を、Ｍカラムのそれぞれについて交互に行う記録手段と、
前記記録走査の間に前記ブロックの１つに相当する距離だけ記録媒体を前記副走査方向に搬送する搬送手段と
を備え、
１≦ｓ≦Ｍを満たすいずれの整数ｓについても、前記Ｐ個のブロックに対応する前記記録画素パターンのうち、ｓ＋Ｎ×Ｍ≦Ｐを満たす全ての０以上の整数Ｎに対応する（ｓ＋Ｎ×Ｍ）ブロックの記録画素パターンの組み合わせは、それぞれの記録許容カラムについて前記記録許容画素の配置が互いに補完関係を有していることを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２４】
前記記録許容カラムは（Ｍ−１）カラム置きに配置され、前記記録手段は前記記録許容カラムごとに用意された前記記録画素パターンに基づいて記録することを特徴とする請求項２３に記載のインクジェット記録装置。
【請求項２５】
前記記録画素パターンは前記記録許容カラムごとに用意され、当該記録画素パターンのそれぞれは、１≦ｓ≦Ｍを満たすいずれの整数ｓについても、前記Ｐ個のブロックに対応する記録画素パターンのうち、ｓ＋Ｎ×Ｍ≦Ｐを満たす全ての０以上の整数Ｎに対応する（ｓ＋Ｎ×Ｍ）ブロックの記録画素パターンの組み合わせは、該当する記録許容カラムについて前記記録許容画素の配置が互いに補完関係を有していることを特徴とする請求項２３または２４に記載のインクジェット記録装置。
【請求項２６】
前記Ｐは５、且つ前記Ｍは２であることを特徴とする請求項２３ないし２５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項２７】
前記Ｐは７、且つ前記Ｍは２であることを特徴とする請求項２３ないし２５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項２８】
前記Ｐは１０、且つ前記Ｍは４であることを特徴とする請求項２３ないし２５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項２９】
前記Ｍは２、４または８であることを特徴とする請求項２３ないし２５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３０】
前記記録素子列の前記副走査方向に対する記録位置ずれ量を取得する手段と、
前記記録素子列に含まれる前記記録素子のそれぞれが記録すべき画像データを、前記記録位置ずれ量に応じてシフトするデータシフト手段と、
前記記録画素パターンの前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じてシフトして新たな記録画素パターンを生成する生成手段と、
を更に備えることを特徴とする請求項２３ないし２５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３１】
前記生成手段は、前記Ｐ個のブロックに対応する記録画素パターンのそれぞれについて、前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じてシフトすることにより前記Ｐ個のブロックに対応する新たな記録画素パターンを生成することを特徴とする請求項３０に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３２】
前記生成手段は、前記Ｐ個のブロックに対応する記録画素パターンのそれぞれについて、前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じて、前記記録素子の夫々の記録許容率の変動が少なくなるようにシフトすることにより前記Ｐ個のブロックに対応する新たな記録画素パターンを生成することを特徴とする請求項３０に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３３】
前記記録画素パターンは、前記記録素子の配列方向において両端部の記録許容率が中央部の記録許容率よりも低く抑えられていることを特徴とする請求項２３ないし３２のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３４】
前記Ｐ個のブロックのそれぞれに対応する記録画素パターンには、前記記録素子列の端部側に対して中央側の記録許容率が相対的に高い記録画素パターンと、略同等の記録画素パターンが含まれていることを特徴とする請求項２３ないし３２のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３５】
前記記録走査手段は、前記記録画素パターンと入力画像データの論理積を実行することによって記録データを生成し、当該記録データに従って連続するＭカラムを異なるＭ回の前記記録走査によって順番に記録することを特徴とする請求項２３ないし３４のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３６】
インクジェット記録方法であって、
複数の記録素子が副走査方向に配列して成る記録素子列を前記副走査方向にＰ（Ｐは３以上の整数）分割して得られる１〜Ｐブロックに対し、ドットの記録を許容する記録許容画素とドットの記録を許容しない非記録許容画素とを定めている記録画素パターンを取得する取得工程と、
前記記録素子列を前記副走査方向と交差する主走査方向に移動させながら、連続するＭ（Ｍは２ ≦ Ｍ ＜Ｐを満たすＰの約数ではない整数）カラムのうちの１つの記録許容カラムを前記記録画素パターンに基づいて記録する記録走査を、Ｍカラムのそれぞれについて交互に行う記録工程と、
前記記録走査の間に前記ブロックの１つに相当する距離だけ記録媒体を前記副走査方向に搬送する搬送工程と
を有し、
１≦ｓ≦Ｍを満たすいずれの整数ｓについても、前記Ｐ個のブロックに対応する前記記録画素パターンのうち、ｓ＋Ｎ×Ｍ≦Ｐを満たす全ての０以上の整数Ｎに対応する（ｓ＋Ｎ×Ｍ）ブロックの記録画素パターンの組み合わせは、それぞれの記録許容カラムについて前記記録許容画素の配置が互いに補完関係を有していることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項３７】
前記記録許容カラムは（Ｍ−１）カラム置きに配置され、前記記録工程は前記記録許容カラムごとに用意された前記記録画素パターンに基づいて記録することを特徴とする請求項３６に記載のインクジェット記録方法。
【請求項３８】
前記記録画素パターンは前記記録許容カラムごとに用意され、当該記録画素パターンのそれぞれは、１≦ｓ≦Ｍを満たすいずれの整数ｓについても、前記Ｐ個のブロックに対応する記録画素パターンのうち、ｓ＋Ｎ×Ｍ≦Ｐを満たす全ての０以上の整数Ｎに対応する（ｓ＋Ｎ×Ｍ）ブロックの記録画素パターンの組み合わせは、該当する記録許容カラムについて前記記録許容画素の配置が互いに補完関係を有していることを特徴とする請求項３６または３７に記載のインクジェット記録方法。
【請求項３９】
前記Ｐは５、且つ前記Ｍは２であることを特徴とする請求項３６ないし３８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４０】
前記Ｐは７、且つ前記Ｍは２であることを特徴とする請求項３６ないし３８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４１】
前記Ｐは１０、且つ前記Ｍは４であることを特徴とする請求項３６ないし３８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４２】
前記Ｍは２、４または８であることを特徴とする請求項３６ないし３８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４３】
前記記録素子列の前記副走査方向に対する記録位置ずれ量を取得する工程と、
前記記録素子列に含まれる前記記録素子のそれぞれが記録すべき画像データを、前記記録位置ずれ量に応じてシフトするデータシフト工程と、
前記記録画素パターンの前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じてシフトして新たな記録画素パターンを生成する生成工程と、
を更に有することを特徴とする請求項３６ないし３８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４４】
前記生成工程は、前記Ｐ個のブロックに対応する記録画素パターンのそれぞれについて、前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じてシフトすることにより前記Ｐ個のブロックに対応する新たな記録画素パターンを生成することを特徴とする請求項４３に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４５】
前記生成工程は、前記Ｐ個のブロックに対応する記録画素パターンのそれぞれについて、前記記録許容画素と前記非記録許容画素の配置を、前記記録位置ずれ量に応じて、前記記録素子の夫々の記録許容率の変動が少なくなるようにシフトすることにより前記Ｐ個のブロックに対応する新たな記録画素パターンを生成することを特徴とする請求項４３に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４６】
前記記録画素パターンは、前記記録素子の配列方向において両端部の記録許容率が中央部の記録許容率よりも低く抑えられていることを特徴とする請求項３６ないし４５のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４７】
前記Ｐ個のブロックのそれぞれに対応する記録画素パターンには、前記記録素子列の端部側に対して中央側の記録許容率が相対的に高い記録画素パターンと、略同等の記録画素パターンが含まれていることを特徴とする請求項３６ないし４５のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４８】
前記記録走査工程は、前記記録画素パターンと入力画像データの論理積を実行することによって記録データを生成し、当該記録データに従って連続するＭカラムを異なるＭ回の前記記録走査によって順番に記録することを特徴とする請求項３６ないし４７のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。