【事件の表示】
　特願２０１４−２０２９３６「オーバーモード音響反射体層を用いた温度補償型バルク弾性波デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２７年　４月１６日出願公開、特開２０１５−　７３２７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２６年１０月１日（パリ条約による優先権主張２０１３年（平成２５年）１０月２日、アメリカ合衆国）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　９月１１日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年１１月１５日　　：意見書、手続補正書の提出
　平成３１年　４月２４日付け：拒絶査定
　令和　元年　８月２０日　　：拒絶査定不服審判の審判請求書、手続補正　　　　　　　　　　　　　　　書の提出
第２　令和元年８月２０日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和元年８月２０日にされた手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の平成３０年１１月１５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　バルク弾性波（ＢＡＷ）デバイスであって、
　第１電極と、
　第２電極と、
　前記第１電極および前記第２電極の間に結合される圧電層と、
　温度補償を提供する第１反射体層を有し、前記第２電極に結合される反射体スタックと、を備え、
　前記第１反射体層は、当該ＢＡＷデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の３／４から前記音波の縦波波長の４／５の間の厚さを有し、
　前記反射体スタックは、前記音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する第２反射体層をさらに含む、ＢＡＷデバイス。
【請求項２】
　前記第１反射体層は、二酸化シリコン層を備える、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項３】
　当該ＢＡＷデバイスは、ＳＭＲ（solidly mounted resonator）型であり、
　前記反射体スタックは、二酸化シリコン層とタングステン層とが交互に積層された層を含む、請求項２に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項４】
　前記第１反射体層は、前記反射体スタックの最上層である、請求項３に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項５】
　前記第１反射体層は、ＢＡＷデバイスにおける音波のエネルギーの３０％を含むように構成される、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項６】
　前記第１反射体層は、複数のミラーモードを提供するためのオーバーモード構造となる前記反射体スタックの最上層である、請求項１に記載のバルク弾性波（ＢＡＷ）デバイス。
【請求項７】
　前記最上層は、当該ＢＡＷデバイスにおける音波のエネルギーの２０％以上を含むように構成される、請求項６に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項８】
　前記最上層は、当該ＢＡＷデバイスの音波のエネルギーの３０％を含むように構成される、請求項６に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項９】
　前記第２反射体層は、当該ＢＡＷデバイスにおけるミラーモードの大きさの低減を助けるためのオーバーモード構造となる、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項１０】
　前記第１反射体層は、第１の音響インピーダンスを有し、前記第２反射体層は、前記第１の音響インピーダンスよりも大きい第２の音響インピーダンスを有する、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項１１】
　前記反射体スタックは、第１の音響インピーダンスを有する層と第２の音響インピーダンスを有する層とが交互に積層された層を含む、請求項９に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項１２】
　前記第１反射体層の厚さは、前記第２反射体層の厚さと同じである、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項１３】
　前記第１反射体層の厚さは、前記第２反射体層の厚さと異なる、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。」
（２）本件補正後の特許請求の範囲
　本件補正により、特許請求の範囲は、次のとおり補正された。（下線は請求人が付与した。）
「【請求項１】
　バルク弾性波（ＢＡＷ）デバイスであって、
　第１電極と、
　第２電極と、
　前記第１電極および前記第２電極の間に結合される圧電層と、
　温度補償を提供する第１反射体層を有し、前記第２電極に結合される反射体スタックと、を備え、
　前記第１反射体層は、
二酸化シリコンで構成され、
　前記反射体スタックは、
二酸化シリコンで構成され、
【請求項２】
　当該ＢＡＷデバイスは、ＳＭＲ（solidly mounted resonator）型であり、
　前記反射体スタックは、
二酸化シリコンで構成され、前記音波の縦波波長の１／４の厚さを有する第３反射体層をさらに含み、
１
【請求項３】
　前記第１反射体層は、前記反射体スタックの最上層である、請求項
２
【請求項４】
　前記第１反射体層は、複数のミラーモードを提供するためのオーバーモード構造となる前記反射体スタックの最上層である、請求項１に記載のバルク弾性波（ＢＡＷ）デバイス。
【請求項５】
　前記第２反射体層は、当該ＢＡＷデバイスにおけるミラーモードの大きさの低減を助けるためのオーバーモード構造となる、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項６】
　前記反射体スタックは、第１の音響インピーダンスを有する層と第２の音響インピーダンスを有する層とが交互に積層された層を含む、請求項
５
【請求項７】
　前記第１反射体層の厚さは、前記第２反射体層の厚さと同じである、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。
【請求項８】
　前記第１反射体層の厚さは、前記第２反射体層の厚さと異なる、請求項１に記載のＢＡＷデバイス。」
（３）本件補正の目的について
ア　本件補正の内容
　本件補正は、令和元年８月２０日に提出された拒絶査定不服審判の審判請求書も参酌すると、次のように補正するものである。
（ア）本件補正前の請求項１の発明特定事項の「前記第１反射体層は、当該ＢＡＷデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の３／４から前記音波の縦波波長の４／５の間の厚さを有し」を、「前記第１反射体層は、
二酸化シリコンで構成され、
二酸化シリコンで構成され、
（イ）本件補正前の請求項２、５、７、８及び１０を削除する。
（ウ）本件補正前の請求項３の発明特定事項の「前記反射体スタックは、二酸化シリコン層とタングステン層とが交互に積層された層を含む」を、「前記反射体スタックは、
二酸化シリコンで構成され、前記音波の縦波波長の１／４の厚さを有する第３反射体層をさらに含み、
（エ）上記（イ）の補正に伴い、本件補正前の請求項４を本件補正後の請求項３、本件補正前の請求項６を本件補正後の請求項４、本件補正前の請求項９を本件補正後の請求項５、本件補正前の請求項１１を本件補正後の請求項６、本件補正前の請求項１２を本件補正後の請求項７、本件補正前の請求項１３を本件補正後の請求項８とする。
イ　上記ア（ア）ないし（エ）の補正の目的
（ア）上記ア（ア）の補正は、本願発明の詳細な説明の段落【００２０】、【００２１】、【００３６】や【図１】、【図２】などの記載に基づくものであり、新規事項を追加する補正ではない。また、上記ア（ア）の補正は、発明の特別な技術的特徴を変更する補正でもない。
　そして、上記ア（ア）の補正は、「第１反射体層」と「第２反射体層」の構成をそれぞれ「二酸化シリコンで構成され」ると限定するものであり、かつ、発明特定事項の限定がなされた本件補正前の請求項１と、本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
（イ）上記ア（イ）とア（エ）の補正が請求項の削除を目的とするものに該当することは明らかである。
（ウ）上記ア（ウ）の補正は、本願発明の詳細な説明の段落【００２０】、【００２１】、【００３６】や【図１】、【図２】などの記載に基づくものであり、新規事項を追加する補正ではない。また、上記ア（ウ）の補正は、発明の特別な技術的特徴を変更する補正でもない。
　そして、上記ア（ウ）の補正は、「（二酸化シリコン層とタングステン層とが交互に積層された層を含む）反射体スタック」が「二酸化シリコンで構成され、前記音波の縦波波長の１／４の厚さを有する第３反射体層をさらに含」むと限定するものであり、かつ、発明特定事項の限定がなされた本件補正前の請求項３と、本件補正後の請求項２（本件補正前の請求項３に対応する請求項）に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
２　補正の適否
　本件補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　
　本件補正発明は、上記１（２）の請求項１に記載したとおりのものである。
（２）引用文献１について
　平成３１年４月２４日付け拒絶査定の拒絶の理由で引用された本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２００４−２３５８８６号公報（２００４年８月１９日出願公開。以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審にて付与した。）
ア　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した従来の技術では、温度特性を改善するためには、新たな膜を付加する必要があるため、素子を製造する工程が長くなってしまうという問題があった。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、新たな製造工程を増やすことを抑制した状態で、ＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型の圧電薄膜振動子など圧電薄膜素子の温度特性を改善することを目的とする。」
イ　「【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態における
圧電薄膜素子（ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子）
基板１０１の上に、ＺｎＯ層（高音響インピーダンス層）１０２とＳｉＯ２層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層がＳｉＯ２層１０４とされた音響多層膜１０５を備えている。
【００１１】
音響多層膜１０５の上には、電極膜１０６，１０８に挟まれた
圧電薄膜１０７が形成されている。
共振周波数をＦ０
周波数Ｆ０の音波が単独の圧電薄膜１０７を伝搬するときの波長λ
【００１２】
ところで、上記の膜厚は、一般に、「圧電薄膜１０７の膜厚は、１／２λの厚さを有する」と表現される。以降では、
各層の膜厚について、「λ」を用いた記載とする。
ウ　「【００１５】
音響多層膜１０５の層数の増加に伴い、圧電薄膜１０７から基板１０１の方向を見た負荷インピーダンスが小さくなる。従って、音響多層膜１０５を、例えば８層以上の多層とすることで、圧電薄膜１０７を両面自由な状態に近づけることが可能となり、Ｑ値の高い共振を実現することが可能となる。
加えて、本実施の形態では、
低音響インピーダンス層の１つであるＳｉＯ２層１０４の膜厚ｄ１を、他のＳｉＯ２層１０３の膜厚ｄ２より厚く形成することで、図１に示す圧電薄膜素子の共振周波数温度係数（ＴＣＦ）を、より「０」に近づけるようにした。ＴＣＦが「０」に近いということは、周波数温度特性が良いこととなる。
【００１６】
発明者らの調査により、圧電薄膜１０７に最も近い最上層のＳｉＯ２層であるＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４より厚くすることで、図１に示す圧電薄膜素子のＴＣＦを「０」に近づけることが可能となることが判明した（図２）。図２より明らかなように、ＳｉＯ２層１０４の膜厚ｄ１を０．４７λ程度とすることで、ＴＣＦをほぼ０とできる。なお、図２は、電極膜１０６，１０８の厚さは０として解析を行った結果である。
【００１７】
ＳｉＯ２の薄膜（非晶質）は、酸化亜鉛からなる圧電薄膜１０７とは、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が互いに逆符号であり、このような材料を、音響多層膜１０５の低音響インピーダンス層として用いることで、上述したように、図１に示す圧電薄膜素子のＴＣＦを「０」に近づけることが可能となる。
エ　「【００２０】
ここで、発明者らの調査により、音響多層膜１０５の最上層であるＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４より厚くすると、以下に示すように、圧電薄膜素子の他の特性に影響を与えることが判明した。図３は、音響多層膜１０５の最上層であるＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４より厚くすることで、圧電薄膜素子の
実効的電気機械結合係数（Ｋ２）
【００２１】
つぎに、ＳｉＯ２層１０４の膜厚をパラメータとして圧電薄膜素子の各部における振動エネルギーを振動変位｜ｕ｜として図４及び図５に示す。図４と図５において、変化のピークを比較すると、ＳｉＯ２層１０４を膜厚λ／４とした場合（図４）のＳｉＯ２層１０４に含まれる振動エネルギーよりも、ＳｉＯ２層１０４の膜厚（ｄ１）を０．４７λとした場合（図５）の方が大きくなっている。なお、図４，５は、ＺｎＯ層１０２，ＳｉＯ２層１０３の積層数を８層とした音響多層膜１０５の場合を例にしたものである。
【００２２】
また、図４と図５との比較から明らかなように、基板１０１に洩れるエネルギーが、ｄ１を０．４７λとした場合の方が大きく、このことが、Ｑ値を下げる要因となっている。なお、
Ｑ値は、固有振動を起こした際の共振特性の鋭さの度合いを表すもの
【００２３】
以上のことをふまえ、発明者らは、ＳｉＯ２層１０４の膜厚（ｄ１）に加え、ＳｉＯ２層１０３の膜厚（ｄ２）及びＺｎＯ層１０２の膜厚を各々変化させ、ＴＣＦが「０」になる組み合わせについて調査した。この調査結果を図６に示す。図６に示すように、ｄ２が変化することによっても、Ｋ２やＱ値が変化している。また、ｄ１については、ＴＣＦ＝０を満足する２つの領域が存在していることが判る。
【００２４】
このなかで、ｄ１＝０．４７λの付近では、Ｋ２が大きくなるとＱ値が小さくなる傾向があり、圧電薄膜素子に要求される特性に応じてｄ１を設定した方がよいことが判る。
また、
ｄ１＝０．７５λ付近では、Ｋ２とＱ値のどちらも同じ位置でピークになっている。これは、ＳｉＯ２層１０４の膜厚（ｄ１）が３／４λとなるところに相当し
【００２５】
以上に説明したように、本実施の形態によれば、まず、音響多層膜１０５の低音響インピーダンスの層を圧電薄膜１０７と異なる符号の周波数温度特性を備えたＳｉＯ２から構成した。加えて、ＺｎＯ層１０２，ＳｉＯ２層１０３の膜厚をλ／４とした状態で、ＳｉＯ２層１０４の膜厚をλ／４より大きくすることで、圧電薄膜素子の周波数温度特性を改善するようにした。このなかで、ＳｉＯ２層１０４の膜厚を、０．４７λとすることで、図１の圧電薄膜素子のＴＣＦをほぼ「０」とすることが可能となる。
【００２６】
また、図６にも示したように、
ＳｉＯ２層１０３をλ／４より厚く形成し、ＳｉＯ２層１０４は、ＳｉＯ２層１０３より厚く形成することで、ＴＣＦ＝０を満足し、かつＱ値やＫ２を要求される特性とすることが可能となる。
近年、通信量の加速度的な増加に伴って通信システムのより一層の高周波化が要求されている中で、上述した本実施の形態における圧電薄膜素子によれば、超高周波で使用できる温度特性の良い弾性波素子を提供できるようになる。」
オ　図１
カ　図６
キ　上記イとオから、電極膜１０６，１０８のうち、電極膜１０６が音響多層膜１０５に結合されていることが見てとれる。
ク　上記ウの段落【００１５】の「低音響インピーダンス層の１つであるＳｉＯ２層１０４の膜厚ｄ１を、他のＳｉＯ２層１０３の膜厚ｄ２より厚く形成することで、図１に示す圧電薄膜素子の共振周波数温度係数（ＴＣＦ）を、より「０」に近づけるようにした。ＴＣＦが「０」に近いということは、周波数温度特性が良いこととなる。」との記載及び、段落【００１７】の「ＳｉＯ２の薄膜（非晶質）は、酸化亜鉛からなる圧電薄膜１０７とは、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が互いに逆符号であり、このような材料を、音響多層膜１０５の低音響インピーダンス層として用いることで、上述したように、図１に示す圧電薄膜素子のＴＣＦを「０」に近づけることが可能となる。」との記載から、
ＳｉＯ２層１０４は、圧電薄膜１０７とは、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が互いに逆符号であるといえる。
　また、上記段落【００１５】と【００１７】の記載及び、段落【００２６】の「ＳｉＯ２層１０３をλ／４より厚く形成し、ＳｉＯ２層１０４は、ＳｉＯ２層１０３より厚く形成することで、ＴＣＦ＝０を満足し、かつＱ値やＫ２を要求される特性とすることが可能となる。」との記載からは、
ＳｉＯ２層１０４の膜厚を、他のＳｉＯ２層１０３の膜厚より厚く形成することで
圧電薄膜素子の周波数温度特性を良くするといえる。
ケ　上記エ（特に、段落【００２４】）とカからは、Ｋ２（実効的電気機械結合係数）とＱ値（固有振動を起こした際の共振特性の鋭さの度合いを表すもの）は
ＳｉＯ２層１０４の膜厚が３／４λでピークとなること
コ　上記アからケの記載事項から、引用文献１には以下の発明が記載されていると認める。（以下、「引用発明」という。）
「圧電薄膜素子（ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子）であって、（イ）
　基板１０１の上に、ＺｎＯ層（高音響インピーダンス層）１０２とＳｉＯ２層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層がＳｉＯ２層１０４とされた音響多層膜１０５を備え、（イ）
　前記音響多層膜１０５の上には、音響多層膜１０５と結合された電極膜１０６と、電極膜１０８に挟まれた圧電薄膜１０７が形成されており、（イ、キ）
　前記ＳｉＯ２層１０４は、圧電薄膜１０７とは、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が互いに逆符号であり、（ク）
　各層の共振周波数Ｆ０の音波が各層を伝搬するときの波長をλとしたとき、（イ）
　前記ＳｉＯ２層１０３をλ／４より厚く形成し、ＳｉＯ２層１０４は、ＳｉＯ２層１０３より厚く、例えば３／４λの厚さに形成することで、圧電薄膜素子の周波数温度特性を良くする、（エ、ク、ケ）
　圧電薄膜素子。」
（３）対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
ア　バルク弾性波（ＢＡＷ：Bulk Acoustic Wave）フィルタは、バルク弾性波と呼ばれる、電極に挟まれた圧電体薄膜において圧電効果で生じる振動波を用いるものであり、ＢＡＷフィルタの共振構造はＳＭＲ（Solid Mounted Resonator）型とＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）型の２種類に大別され、ＳＭＲ型が２つの電極（Top Electrode、Bottom Electrode）と当該電極に挟まれた圧電層（Piezoelectric Layer）からなる共振器と基板（Si sub）との間に多層構造の音響ミラー（Acoustic mirror）を設けた構成であることは当業者にとって技術常識（必要であれば、電子情報通信学会「知識の森」（http://www.ieice-hbkb.org）10群7編3章第40頁「3-7-4 BAWフィルタ」を参照されたい。）である。
　したがって、上記ＳＭＲ型と同様の構成を有する引用発明である圧電薄膜素子（ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子）は、バルク弾性波フィルタであるといえる。そして、デバイスという用語はフィルタを含む広い概念の用語であることから、本件補正発明でいう『バルク弾性波（ＢＡＷ）デバイス』は、引用発明の「圧電薄膜素子（ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子）」を含むものである。
イ　引用発明の「音響多層膜１０５」は「ＺｎＯ層（高音響インピーダンス層）１０２と温度補償を提供するＳｉＯ２層（低音響インピーダンス層）１０３とが交互に積層されて最上層が温度補償を提供するＳｉＯ２層１０４とされた」ものであり、ＳｉＯ２層が積層された構成を有している。
　一方、本件補正発明でいう『反射体スタック』は「二酸化シリコンで構成され」た「第１反射体層」や「第２反射体層」を含むものであり、「ＳｉＯ２」が『二酸化シリコン』を示す化学式であるから、本願補正発明の『反射体スタック』もＳｉＯ２層が積層された構成を有しているといえる。
　してみると、引用発明の「音響多層膜１０５」は、本件補正発明でいう『反射体スタック』に対応するものであるといえる。
ウ　引用発明では「前記音響多層膜１０５の上には、音響多層膜１０５と結合された電極膜１０６と、電極膜１０８に挟まれた圧電薄膜１０７が形成されて」おり、「電極膜１０６」、「電極膜１０８」、「圧電薄膜１０７」は、それぞれ、本件補正発明でいう『（反射体スタックに結合される）第２電極』、『第１電極』、『前記第１電極および前記第２電極の間に結合される圧電層』に相当する。
エ　バルク弾性波（ＢＡＷ）デバイスにでは、圧電層の厚さにより音響主モードの共振周波数が定められ、この共振周波数は縦方向の音響バルク波であり、デバイスの各層が一体となって音響バルク波が共振することで主共振を決定するものであることは技術常識である。
　上記技術常識を踏まえると、引用発明においてバルク弾性派デバイスの各々の膜を伝搬するときの波長は、縦方向の波長、すなわち縦波波長であり、いずれの膜でも「ＢＡＷデバイスの主共振周波数」で動作しているから、引用発明の「各層の共振周波数Ｆ０の音波が各層を伝搬するときの波長」である「λ」は、「ＢＡＷデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長」に相当するものである。
オ　引用発明の「音響多層膜１０５」に含まれる「ＳｉＯ２層１０４」は、「圧電薄膜１０７とは、遅延時間温度係数（ＴＣＤ）が互いに逆符号であ」り、「圧電薄膜素子の周波数温度特性を良くする」ものであるから、『温度補償を提供する』ものであるといえる。
　また、「ＳｉＯ２層１０４」は「（λ／４より厚く形成された）ＳｉＯ２層１０３より厚く、例えば３／４λの厚さに形成」されている。
　したがって、「ＳｉＯ２」が『二酸化シリコン』を示す化学式であること及び上記エの検討内容を踏まえると、引用発明の「ＳｉＯ２層１０４」は、本件補正発明でいう『反射体スタック』が有する『温度補償を提供する第１反射体層』であって、『二酸化シリコンで構成され、当該ＢＡＷデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の３／４から前記音波の縦波波長の４／５の間の厚さを有』する『第１反射体層』であるといえる。
カ　引用発明の「音響多層膜１０５」に含まれる「ＳｉＯ２層１０３」の厚さは、「λ／４より厚く形成」されている。
　また、「ＳｉＯ２」は『二酸化シリコン』を示す化学式であり、上記エで検討したように、引用発明における「λ」は、「ＢＡＷデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長」に相当するものである。
　ここで、「ＳｉＯ２層１０３」の厚さを「λ／４より厚く形成」することは「ＳｉＯ２層１０３」の厚さをλ／２以上とした構成を含むものである。他方、本件補正発明において『第２反射体層』を『前記音波（ＢＡＷデバイスの主共振周波数における音波）の縦波波長の少なくとも半分の厚さ』とすることについは、本願明細書を参酌しても、その技術的意義、すなわち臨界的意義が明らかでない。
　してみると、引用発明の「（λ／４より厚く形成した）ＳｉＯ２層１０３」は、本件補正発明でいう『反射体スタック』が含む『二酸化シリコンで構成され、前記音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する第２反射体層』であるといえる。
キ　上記イないしカを総合すると、引用発明における「音響多層膜１０５」は、『温度補償を提供する第１反射体層を有し、前記第２電極に結合される反射体スタック』であって、『前記第１反射体層は、二酸化シリコンで構成され、当該ＢＡＷデバイスの主共振周波数における音波の縦波波長の３／４から前記音波の縦波波長の４／５の間の厚さを有し』、『二酸化シリコンで構成され、前記音波の縦波波長の少なくとも半分の厚さを有する第２反射体層をさらに含む』『反射体スタック』に相当する。
（４）小活
　上記（３）で対比したように、本件補正発明と引用発明との間に相違点は存在しない。したがって、本件補正発明は引用文献１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
３　本件補正についてのむすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。 
よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。 
第３　本願発明について 
１　本願発明 
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年１１月１５日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２の１（１）に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由２は、この出願の請求項１、２、５−１３に係る発明は、本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった特開２００４−２３５８８６号公報（引用文献１）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、というものを含むものである。
３　引用文献１について
　引用文献１に記載された発明（引用発明）は上記第２の２（２）に記載したとおりである。
４　対比・判断 
　上記第２の２（３）に記載したとおり、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに『第１反射体層』と『第２反射体層』の構成を『二酸化シリコン』と限定したものに相当する補正後の発明と引用発明とに相違点は存在しないのであるから、本願発明も引用文献１に記載された発明であり、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないことは明らかである。
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。 
  
　よって、結論のとおり審決する。