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【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、元画像に画像処理を施し新たな画像を得る技術に関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明の画像処理装置にあっては、処理対象の画像のシーンを特定するシーン特定手段と、前記画像に確保すべき特定の画風を、前記シーン特定手段により特定された前記画像のシーンに基づき所定の選択基準に従い、ランダムに１又は複数選択する選択手段と、前記処理対象の画像を、前記選択手段により選択された画風を有する画像に変換する画像変換手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理対象の画像のシーンを特定するシーン特定手段と、
前記画像に確保すべき特定の画風を、前記シーン特定手段により特定された前記画像のシーンに基づき所定の選択基準に従い、ランダムに１又は複数選択する選択手段と、
前記処理対象の画像を、前記選択手段により選択された画風を有する画像に変換する画像変換手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記所定の選択基準には、選択候補となる画風に前記シーン特定手段により特定可能なシーン毎に個別に設定されている優先度が含まれることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記所定の選択基準には、前記シーン特定手段により特定可能なシーン毎に個別に設定されている、選択候補から除外する画風が含まれることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記選択手段は、前記シーン特定手段により特定されたシーンに応じた選択候補の中から、前記特定の画風を前記所定の選択基準に従い、ランダムに１又は複数選択することを特徴とする請求項１又は２，３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記選択手段は、前記特定の画風を、前記選択候補の中から前記優先度に応じた異なる確率でランダムに１又は複数選択することを特徴とする請求項２又は３記載の画像処理装置。
【請求項６】
処理対象の画像に確保すべき特定の画風を、使用者からの要求に応じ使用者に選択させるとともに、前記画像変換手段に、前記処理対象の画像を、使用者に選択された画風を有する画像に変換させる画風制御手段と、
前記画風制御手段が使用者に選択させた前記特定の画風を、前記シーン特定手段により特定された処理対象の画像のシーンと対応付けて記憶する選択履歴記憶手段と
を更に備え、
前記選択手段は、前記シーン特定手段により特定されたシーンに対応する画像が前記選択履歴記憶手段に記憶されている場合には、当該画風を、処理対象の画像に確保すべき特定の画風として選択する
ことを特徴とする請求項１乃至５いずれか記載の画像処理装置。
【請求項７】
撮像手段と、
画像を記録する画像記録手段と、
前記シーン特定手段に、前記撮像手段により撮像された画像のシーンを特定させ、かつ前記画像変換手段に、前記撮像手段により撮像された画像を、前記選択手段によりランダムに１又は複数選択された画風を有する画像に変換させる制御手段と、
前記画像変換手段による変換後の画像を前記画像記録手段に記憶させる記録制御手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６いずれか記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像を記憶する画像記録手段と、
前記画像記録手段に記憶されている画像を再生する再生手段と、
前記再生手段により再生された画像を表示する表示手段と、
前記シーン特定手段に、前記再生手段により再生された画像のシーンを特定させ、かつ前記画像変換手段に、前記再生手段により再生された画像を、前記選択手段によりランダムに１又は複数選択された画風を有する画像に変換させる制御手段と、
前記画像変換手段による変換後の画像を前記表示手段に表示させる表示制御手段と、
前記画像変換手段による変換後の画像を前記画像記録手段に記憶させる記録制御手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６いずれか記載の画像処理装置。
【請求項９】
処理対象の画像のシーンを特定する処理と、
前記画像に確保すべき特定の画風を、特定したシーンに基づき所定の選択基準に従い、ランダムに１又は複数選択する処理と、
前記処理対象の画像を、選択した画風を有する画像に変換する処理と
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
コンピュータに、
処理対象の画像のシーンを特定する機能と、
前記画像に確保すべき特定の画風を、特定したシーンに基づき所定の選択基準に従い、ランダムに１又は複数選択する機能と、
前記処理対象の画像を、選択した画風を有する画像に変換する機能と
を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
処理対象の画像のシーンを特定するシーン特定手段と、
前記画像に確保すべき特定の画風を、前記シーン特定手段により特定された前記画像のシーン毎に個別に設定されている優先度が含まれる所定の選択基準に従い選択する選択手段と、
前記処理対象の画像を、前記選択手段により選択された画風を有する画像に変換する画像変換手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１２】
処理対象の画像のシーンを特定するシーン特定手段と、
前記画像に確保すべき特定の画風を、前記シーン特定手段により特定された前記画像のシーン毎に個別に設定されている、選択候補から除外する画風が含まれる所定の選択基準に従い選択する選択手段と、
前記処理対象の画像を、前記選択手段により選択された画風を有する画像に変換する画像変換手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線を物体上に照射して、パターンを描画する描画装置であって、
前記複数の荷電粒子線を個別にブランキングして、前記物体上に照射される前記複数の荷電粒子線の強度を個別に調整する複数のブランカと、
前記複数の荷電粒子線を一括して偏向して、前記物体上における前記複数の荷電粒子線の照射位置を一括して変える偏向器と、
前記複数のブランカおよび前記偏向器を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
制御した前記偏向器によって偏向された前記複数の荷電粒子線の照射位置をそれぞれ取得し、
前記偏向器によって偏向された前記複数の荷電粒子線の照射位置に基づいて、制御データを生成し、
前記制御データに基づいて、前記物体上に照射される前記複数の荷電粒子線の強度を個別に調整するように、前記複数のブランカを個別に制御する、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数の荷電粒子線それぞれに関して、前記偏向器によって生じた荷電粒子線の前記物体上の位置のずれを取得するために用いられる係数を保持する、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記係数として、前記複数の荷電粒子線それぞれの基準位置と前記ずれとの関係を表わす係数を保持する、ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記係数として、前記関係を表わす多項式の係数を保持する、ことを特徴とする請求項３に記載の描画装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記物体上の２次元座標の各成分についての前記係数を保持する、ことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記偏向器により偏向されていない状態における前記物体上の前記複数の荷電粒子線それぞれの位置のずれに対応したデータを保持し、前記データにさらに基づいて前記制御データを生成する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項７】
前記係数は、前記偏向器の生成する電場の強度及び方向をシミュレーションすることによって取得される、ことを特徴とする請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項８】
前記物体上の荷電粒子線を検出する検出器を有し、
前記制御部は、前記検出器の出力に基づいて、前記複数の荷電粒子線それぞれに関して前記偏向器による第１偏向状態と第２偏向状態とにおける荷電粒子線の照射位置を計測することによって、前記係数を取得する、ことを特徴とする請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記複数の荷電粒子線それぞれに関して、前記偏向器によって生じた荷電粒子線の前記物体上の位置のずれを取得し、前記ずれに基づいて前記制御データを生成する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１０】
前記物体上に照射される前記複数の荷電粒子線の強度は、前記複数の荷電粒子線が前記複数のブランカを通過する時間を個別に調整することで、個別に調整される、ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１１】
前記制御データは、前記偏向器によって偏向されるべき前記複数の荷電粒子線の目標位置に対する前記偏向器によって偏向された前記複数の荷電粒子線の照射位置のずれを補正するために、前記制御部により生成される、ことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】描画装置、及び物品の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、描画装置、及び、該描画装置を用いた物品の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、複数の荷電粒子線を一括して偏向して該複数の荷電粒子線によりパターンを描画する描画装置の各荷電粒子線の偏向誤差を補償するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、複数の荷電粒子線を物体上に照射して、パターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を個別にブランキングして、前記物体上に照射される前記複数の荷電粒子線の強度を個別に調整する複数のブランカと、前記複数の荷電粒子線を一括して偏向して、前記物体上における前記複数の荷電粒子線の照射位置を一括して変える偏向器と、前記複数のブランカおよび前記偏向器を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、制御した前記偏向器によって偏向された前記複数の荷電粒子線の照射位置をそれぞれ取得し、前記偏向器によって偏向された前記複数の荷電粒子線の照射位置に基づいて、制御データを生成し、前記制御データに基づいて、前記物体上に照射される前記複数の荷電粒子線の強度を個別に調整するように、前記複数のブランカを個別に制御する、ことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、例えば、複数の荷電粒子線を一括して偏向して該複数の荷電粒子線によりパターンを描画する描画装置の各荷電粒子線の偏向誤差を補償するのに有利な技術を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月24日(2014.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極上の導電膜と、
前記酸化物半導体膜と、前記ゲート絶縁膜の側面とに接する領域を有するソース電極と、
前記酸化物半導体膜と、前記ゲート絶縁膜の側面とに接する領域を有するドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極上面の前記基板表面からの高さと、ドレイン電極上面の前記基板表面からの高さとは、前記ゲート電極上面の前記基板表面からの高さより低く、
前記導電膜、前記ソース電極、及びドレイン電極は、同一の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記ゲート電極の側面と接する領域を有する側壁絶縁膜と、
前記ゲート電極上の導電膜と、
少なくとも前記酸化物半導体膜と、前記ゲート絶縁膜の側面とに接する領域を有するソース電極と、
少なくとも前記酸化物半導体膜と、前記ゲート絶縁膜の側面とに接する領域を有するドレイン電極と、を有し、
前記ソース電極上面の前記基板表面からの高さと、ドレイン電極上面の前記基板表面からの高さとは、前記ゲート電極上面の前記基板表面からの高さより低く、
前記導電膜、前記ソース電極、及びドレイン電極は、同一の金属元素を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート電極と前記導電膜との間に、絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に配置され、前記ゲート電極と重畳するチャネル形成領域と、を有し、
前記ソース領域及びドレイン領域の各々は、リン、ホウ素、窒素及びフッ素から選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート電極を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を等方性エッチングして、少なくとも前記ゲート電極の側面を露出させ、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記絶縁膜を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を等方性エッチングして、少なくとも前記ゲート電極の側面を露出させ、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極の側面と接する領域を有する側壁絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記側壁絶縁膜、及び前記ゲート電極を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を等方性エッチングして、少なくとも前記側壁絶縁膜を露出させ、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記酸化物半導体膜と重畳する領域を有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に、前記ゲート電極及び前記絶縁膜の側面と接する領域を有する側壁絶縁膜を形成し、
前記酸化物半導体膜、前記ゲート絶縁膜、前記側壁絶縁膜、及び前記絶縁膜を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を等方性エッチングして、少なくとも前記側壁絶縁膜を露出させ、ソース電極及びドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記等方性エッチングは、ウェットエッチングにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記ゲート電極をマスクとして、前記酸化物半導体膜にリン、ホウ素、窒素及びフッ素から選ばれた一種以上の元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記ゲート絶縁膜を形成する前に、前記酸化物半導体膜に酸素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項６乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記導電膜は、ロングスロースパッタリング法又はコリメータスパッタリング法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】接続端子及び接続端子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電線接続部と電線の接続箇所を樹脂被覆部によって被覆した接続端子及び接続端子の製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図６及び図７に示すように、接続端子１００は、相手端子が接続される端子接続部１０１と、電線Ｗが接続された電線接続部１１０と、端子接続部１０１と電線接続部１１０の間を連結する首部１２０とを備えている。端子接続部１０１、電線接続部１１０及び首部１２０は、１枚の導電性金属板を折り曲げることによって形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ここで、樹脂成型の際には、首部１２０内には金型１４０の樹脂堰止め用駒部１４２（図７にて仮想線で示す）が入り込む。樹脂堰止め用駒部１４２の両側面は、一対の側面壁１２２に対応する傾斜面に形成されている。樹脂堰止め用駒部１４２は、溶融樹脂が電線接続部１１０側から端子接続部１０１側に向かって流れ込まないように堰き止める。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記従来例によれば、例えば、接続端子１００と電線Ｗの芯線１５０とが異なる金属材質である場合（例えば、銅製の接続端子１００とアルミニュウム製の電線Ｗ）、双方の接続箇所に水等が入り込むと双方の電位差で電流が流れて腐食が発生するため、樹脂被覆部１３０によってこのような腐食を防止する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図９（ｂ）に示すように、首部１０４の所定位置より電線接続部１１０側にずれた位置に樹脂堰止め用駒部１４２がセットされると、樹脂堰止め用駒部１４２が各側面壁１２２の上端面に突き当たり、樹脂堰止め用駒部１４２をセットすることができない。その際に、樹脂堰止め用駒部１４２や側面壁１２２が損傷等するおそれがある。従って、樹脂堰止め用駒部１４２を高精度に位置決め管理する必要があるという問題があった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、樹脂成型時にあって、端子接続部内への溶融樹脂の流れ込みを金型によって防止する必要がなく、金型の位置決め管理が容易である接続端子及び接続端子の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、相手端子が挿入される筒部を有する端子接続部と、電線が接続された電線接続部と、端子接続部と電線接続部の間を連結する首部とを備え、電線接続部と電線の接続箇所が樹脂被覆部によって被覆された接続端子であって、端子接続部には、筒部内の首部側を閉塞する閉塞壁が設けられていると共に、前記首部は、底面壁と前記底面壁の両側より立設された一対の側面壁とを有し、一対の前記側面壁は、互いの間隔が同じである平行壁部を有することを特徴とする接続端子である。
前記閉塞壁は、２枚の折り重なる上面壁の内で、内側の上面壁の後端で下方に向かって折り曲げられて形成されても良い。
他の発明は、上記した接続端子を製造する製造方法であって、前記樹脂被覆部の成型時には、金型の樹脂堰止め用駒部が一対の平行壁部の内側に入り込み、金型内のキャビティに樹脂を流し込み、流し込んだ樹脂が固定することによって前記樹脂被覆部を形成することを特徴とする接続端子の製造方法である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、樹脂被覆部の樹脂成型時にあって、溶融樹脂の端子接続部の筒部内への流れ込みが閉塞壁によって阻止される。従って、樹脂成型時にあって、端子接続部内への溶融樹脂の流れ込みを金型によって防止する必要がなく、金型の位置決め管理が容易である。又、一対の平行壁部の内側に金型の部材樹脂堰止め用駒部を入り込ませることによっても溶融樹脂の端子接続部側への流れ込みを防止できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
端子接続部２は、四角形の筒部３と、この筒部３内に配置された弾性接触片部４（図３（ａ）、（ｂ）に示す）とを有する。筒部３は、底面壁３ａと、底面壁３ａの両側端で上方に向かってそれぞれ折り曲げられた一対の側面壁３ｂと、各側面壁３ｂの両上端より互いに折り重なるよう水平方向に向かって折り曲げられた２枚の上面壁３ｃとから構成されている。又、筒部３には、一方（内側）の上面壁３ｃの後端より延設された閉塞壁５が一体に設けられている。閉塞壁５は、一方の上面壁３ｃの後端で下方に向かって折り曲げられている。閉塞壁５は、筒部３内の首部２０側を閉塞している。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手端子が挿入される筒部を有する端子接続部と、電線が接続された電線接続部と、前記端子接続部と前記電線接続部の間を連結する首部とを備え、前記電線接続部と前記電線の接続箇所が樹脂被覆部によって被覆された接続端子であって、
前記端子接続部には、前記筒部内の前記首部側を閉塞する閉塞壁が設けられていると共に、
前記首部は、底面壁と前記底面壁の両側より立設された一対の側面壁とを有し、一対の前記側面壁は、互いの間隔が同じである平行壁部を有することを特徴とする接続端子。
【請求項２】
請求項１記載の接続端子であって、
前記閉塞壁は、２枚の折り重なる上面壁の内で、内側の上面壁の後端で下方に向かって折り曲げられて形成されていることを特徴とする接続端子
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の接続端子を製造する製造方法であって、
前記樹脂被覆部の成型時には、金型の樹脂堰止め用駒部が一対の平行壁部の内側に入り込み、金型内のキャビティに樹脂を流し込み、流し込んだ樹脂が固定することによって前記樹脂被覆部を形成することを特徴とする接続端子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月27日(2015.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックコンタクト型の光電変換素子であって、
第１の導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の光入射側の表面に接して設けられるとともに、前記第１の導電型と反対の第２の導電型または前記第１の導電型を有し、非晶質相からなる第１の非晶質膜とを備える光電変換素子。
【請求項２】
前記単結晶シリコン基板は、
前記第１の導電型のドーパント濃度が第１の濃度であるバルク領域と、
前記第１の非晶質膜に接し、かつ、前記第１の導電型のドーパント濃度が前記第１の濃度よりも高い第２の濃度である不純物領域とを含む、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
バックコンタクト型の光電変換素子であって、
第１の導電型を有する単結晶シリコン基板の光入射側に、ｉ型非晶質膜と、前記第１の導電型と反対の第２の導電型または前記第１の導電型の第１の非晶質膜とがこの順で設けられており、
前記単結晶シリコン基板は、
前記第１の導電型のドーパント濃度が第１の濃度であるバルク領域と、
前記第１の非晶質膜に接し、かつ、前記第１の導電型のドーパント濃度が前記第１の濃度よりも高い第２の濃度である不純物領域とを含む光電変換素子。
【請求項４】
前記第１の非晶質膜に接して設けられた透明導電膜を更に備え、
前記第１の非晶質膜は、前記単結晶シリコン基板の面内方向において相互に分離された複数の非晶質部材からなり、
前記透明導電膜は、更に、隣接する非晶質部材間で前記単結晶シリコン基板に接する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記第１の非晶質膜に接して設けられた透明導電膜を更に備え、
前記第１の非晶質膜は、第１の膜厚を有する第１の領域と、前記第２の膜厚よりも薄い第２の膜厚を有する第２の領域とを有する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記単結晶シリコン基板の光入射側と反対側の表面に接して設けられ、ノンドープかつ非晶質相からなる第２の非晶質膜と、
前記第２の非晶質膜に接して配置されるとともに、前記第２の導電型を有し、非晶質相からなる第３の非晶質膜と、
前記第３の非晶質膜に隣接するとともに前記第２の非晶質膜に接して配置され、前記第１の導電型を有し、かつ、非晶質相からなる第４の非晶質膜とを更に備える、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記単結晶シリコン基板は、ｎ型単結晶シリコンからなり、
前記第２の非晶質膜は、ｉ型アモルファスシリコンからなり、
前記第３の非晶質膜は、ｐ型アモルファスシリコンからなり、
前記第４の非晶質膜は、ｎ型アモルファスシリコンからなる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記単結晶シリコン基板は、ｐ型単結晶シリコンからなり、
前記第２の非晶質膜は、ｉ型アモルファスシリコンからなり、
前記第３の非晶質膜は、ｎ型アモルファスシリコンからなり、
前記第４の非晶質膜は、ｐ型アモルファスシリコンからなる、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の実施の形態による光電変換素子は、バックコンタクト型の光電変換素子であって、単結晶シリコン基板と、第１の非晶質膜とを備える。単結晶シリコン基板は、第１の導電型を有する。第１の非晶質膜は、単結晶シリコン基板の光入射側の表面に接して設けられるとともに、第１の導電型と反対の第２の導電型または第１の導電型を有し、非晶質相からなる。
この発明の別の実施の形態による光電変換素子は、バックコンタクト型の光電変換素子であって、第１の導電型を有する単結晶シリコン基板の光入射側に、ｉ型非晶質膜と、前記第１の導電型と反対の第２の導電型または前記第１の導電型の第１の非晶質膜とがこの順で設けられている。単結晶シリコン基板は、第１の導電型のドーパント濃度が第１の濃度であるバルク領域と、第１の非晶質膜に接し、かつ、第１の導電型のドーパント濃度が第１の濃度よりも高い第２の濃度である不純物領域とを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これらの発明の実施の形態による光電変換素子によれば、光電変換素子を用いた太陽電池モジュールにおいて、光電変換素子の第１の非晶質膜側に配置したガラスが帯電しても、第１の非晶質膜が単結晶シリコン基板の光入射側の表面に電荷が誘起されるのを抑制する。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月21日(2014.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項６または７に記載の画像処理装置の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月4日(2015.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電圧領域及び低電圧領域を有する半導体基板と、
前記高電圧領域に形成され、第１活性領域、第１ソース／ドレイン領域、第１ゲート絶縁膜及び第１ゲート電極を有する高電圧トランジスタと、
前記低電圧領域に形成され、第２活性領域、第２ソース／ドレイン領域、第２ゲート絶縁膜及び第２ゲート電極を有する低電圧トランジスタと、を備え、
前記第２ソース／ドレイン領域は、前記第１ソース／ドレイン領域より薄い厚さを有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記第２ソース／ドレイン領域の下面は、前記第１ソース／ドレイン領域の下面より高いレベルを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第１ゲート絶縁膜は、前記第２ゲート絶縁膜より厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第２ゲート絶縁膜は、前記第１ゲート絶縁膜より高い誘電率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第１ゲート絶縁膜は、シリコン酸化物またはシリコン酸窒化物で形成され、前記第２ゲート絶縁膜は、高誘電率を有する金属酸化物または金属ケイ酸塩で形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記第２ゲート絶縁膜と前記第２活性領域との間に配置される界面酸化層をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記第２ゲート電極は、前記第１ゲート電極より低い抵抗率を有する物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記第２ゲート電極は、金属または導電性金属窒化物で形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記第２ゲート電極の両側に配置される一対の第２スペーサ層をさらに備え、
前記第２ゲート絶縁膜は、前記第２ゲート電極と前記第２活性領域との間から、前記第２ゲート電極と前記第２スペーサ層との間に延びることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記第１活性領域及び前記第２活性領域をそれぞれ定義する第１素子分離層及び第２素子分離層をさらに備え、
前記第１素子分離層の下面と前記第２素子分離層の下面とは、同じレベルを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記第１素子分離層の上面は、前記第２素子分離層の上面より高いレベルを有することを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記低電圧トランジスタは、第２活性領域の上面及び両側面にチャネルが形成されるＦｉｎＦＥＴであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記第１ゲート電極が延びる方向の前記第１活性領域の幅は、前記第２ゲート電極が延びる方向の前記第２活性領域の幅より広いことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記第２ソース／ドレイン領域は、前記第１ソース／ドレイン領域より深さに対するドーピング濃度の変化が大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項１５】
第１領域及び第２領域を有する半導体基板と、
前記第１領域に形成され、第１活性領域、第１ソース／ドレイン領域、第１ゲート絶縁膜及び第１ゲート電極を有する高電圧トランジスタと、
前記第２領域に形成され、第２活性領域、第２ソース／ドレイン領域、第２ゲート絶縁膜及び第２ゲート電極を有する低電圧トランジスタと、を備え、
前記第２ソース／ドレイン領域は、前記第１ソース／ドレイン領域より薄い厚さを有し、前記第１ゲート電極の上面と前記第２ゲート電極の上面とが同じレベルを有することを特徴とする半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月16日(2015.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンネル領域によって分離された第１及び第２不純物領域を含む基板と、
前記第１不純物領域に接続されるビットラインと、
前記第２不純物領域に接続される垂直電極と、
前記基板と前記ビットラインとの間に介在する水平電極の積層体と、
前記水平電極の積層体と前記基板との間に配列される選択ラインと、を有し、
前記積層体は、垂直方向において前記水平電極の間に介在する鋳型膜を含み、
前記鋳型膜と前記垂直電極との間の間隔は、前記水平電極と前記垂直電極との間の間隔より大きく、
前記選択ラインは、前記水平電極の平面形状及び平面位置と実質的に同一の平面形状及び平面位置を有することを特徴とする３次元半導体装置。
【請求項２】
前記選択ラインと前記垂直電極との間の水平距離は、前記水平電極と前記垂直電極との間の水平距離と実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体装置。
【請求項３】
前記ビットラインと前記第１不純物領域とを連結するビットラインプラグをさらに含み、
前記選択ラインと前記ビットラインプラグとの間の水平距離は、前記水平電極と前記ビットラインプラグとの間の水平距離と実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体装置。
【請求項４】
前記ビットラインは、前記水平電極を横切り、
前記選択ライン及び前記積層体は、前記チャンネル領域を横切ることを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体装置。
【請求項５】
前記選択ラインは、前記第１不純物領域の第１部分に重畳され、
前記選択ラインは、前記第２不純物領域の第１部分に重畳され、
前記第１不純物領域の第１部分の幅は、前記第２不純物領域の第１部分の幅と異なることを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体装置。
【請求項６】
前記選択ラインの物質は、前記水平電極の物質と実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体装置。
【請求項７】
前記水平電極と前記垂直電極との間に介在するメモリパターンをさらに含み、
少なくとも１つの水平電極の高さにおける前記メモリパターンの第１水平厚さは、前記鋳型膜の高さにおける前記メモリパターンの第２水平厚さより小さいことを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体装置。
【請求項８】
前記積層体は、前記水平電極と前記垂直電極との間に介在する整流要素（ｒｅｃｔｉｆｙｉｎｇ  ｅｌｅｍｅｎｔ）をさらに含み、
前記鋳型膜と前記垂直電極との間の間隔は、前記整流要素と前記垂直電極との間の間隔と異なることを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体装置。
【請求項９】
前記水平電極と前記垂直電極との間に介在するメモリパターンをさらに含み、
前記メモリパターンは、カルコゲン化合物、磁気−抵抗（ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）特性を示すように構成される薄膜構造、ペロブスカイト（ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ）化合物、又は遷移金属酸化物の中の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の３次元半導体装置。
【請求項１０】
互いに連結されて選択ライングループを構成する第１及び第２選択ラインを含む選択ライングループと、
前記第１及び第２選択ラインの各々の上方に順に積層される複数のワードラインと、
前記第１及び第２選択ラインの間に一列に配列される垂直電極と、
垂直方向において前記ワードラインの間に介在する鋳型膜と、
前記選択ライングループの両側に各々一列に配列される複数のビットラインプラグと、
前記ワードラインを横切りながら前記ビットラインプラグを連結するビットラインと、を有し、
前記複数のワードラインの各々は、前記第１及び第２選択ラインの少なくとも１つの形状と同一であり、
前記鋳型膜と前記垂直電極との間の間隔は、前記複数のワードラインの少なくとも１つと前記垂直電極との間の間隔より大きいことを特徴とする３次元半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（１２）を実装するための装置であって、
単一の接合ヘッド（５）を有するピック・アンド・プレース・システム（４）と、
ウェーハ・テーブル（１）と、
単一の採取ヘッド（７）と、
サポート・テーブル（８）と、
制御ユニット（９）と、を有し、
前記採取ヘッド（７）および前記サポート・テーブル（８）は、キャリッジ（６）に取り付けられ、
前記キャリッジ（６）は、第１の位置と第２の位置との間で往復運動で移動可能である装置であって、
前記装置は、ダイレクト・モードおよびパラレル・モードで作動するように構成され、前記ダイレクト・モードにおいて、
前記キャリッジ（６）は、駐在位置である前記第１の位置で作動するように構成され、この位置で、前記サポート・テーブル（８）および前記採取ヘッド（７）は、前記ピック・アンド・プレース・システム（４）の前記接合ヘッド（５）の作業領域の外側にあり、および、前記制御ユニット（９）は、前記接合ヘッド（５）が半導体チップ（１２）を前記ウェーハ・テーブル（１）から次々に採取し、同じものを基板（２）に設置するような方法で、前記ピック・アンド・プレース・システム（４）を作動させるように構成され、
および、前記パラレル・モードにおいて、
前記キャリッジ（６）は、前記第２の位置で作動するように構成され、前記制御ユニット（９）は、前記採取ヘッド（７）、前記サポート・テーブル（８）および前記ピック・アンド・プレース・システム（４）を、前記採取ヘッド（７）が半導体チップ（１２）を前記ウェーハ・テーブル（１）から次々に採取し、同じものを前記サポート・テーブル（８）に設置し、および、前記接合ヘッド（５）が半導体チップ（１２）を前記サポート・テーブル（８）から次々に採取し、同じものを前記基板（２）に設置する方法で、作動させるように構成される、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、前記装置は更に、第１のカメラ（１０）および第２のカメラ（１１）を有し、
前記サポート・テーブル（８）は、第１の端位置と第２の端位置との間を往復運動で移動可能であり、
前記パラレル・モードにおいて、前記制御ユニット（９）は、前記サポート・テーブル（８）を前記第１の端位置（この位置で、前記採取ヘッド（７）は、前記採取された半導体チップ（１２）を前記サポート・テーブル（８）の上に設置する）に移動させ、
それから、前記サポート・テーブル（８）を前記第２の端位置（この位置で、前記接合ヘッド（５）は、前記半導体チップ（１２）を前記サポート・テーブル（８）から採取する）に移動させるように構成され
前記第１のカメラ（１０）の視野は、前記ウェーハ・テーブル（１）上の採取位置の方に向けられ、および、
前記第２のカメラ（１１）は、前記第２のカメラ（１１）の視野を、前記サポート・テーブル（８）がその第２の端位置にあるときには前記サポート・テーブル（８）の方に、
または、前記半導体チップ（１２）が設置される前記基板位置の方に、向けるために移動可能に取り付けられる、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング電源回路であって、
直流電源に対して直列接続される、第１のスイッチング素子と第２のスイッチング素子と、
インダクタンスとコンデンサとを含む共振回路と、
前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子との接続点及び前記共振回路に接続された１次側巻線と、第１の２次側巻線と、第２の２次側巻線と、を有するトランスと、
前記第１の２次側巻線に誘起する誘起電圧を整流平滑し外部負荷に供給するための出力端子と、
前記１次側巻線と前記共振回路とに共振電流を流すために、前記第１のスイッチング素子と前記第２のスイッチング素子とを交互に開閉するためのパルスを生成するパルス生成手段と、
前記出力端子に接続された前記外部負荷における消費電力レベルが所定の電力レベル以上であるか否かを検知する検知手段と、
前記検知手段により前記外部負荷における消費電力レベルが前記所定の電力レベル以上であることが検知された場合に、所定の定電圧を前記パルス生成手段に入力し、前記検知手段により前記外部負荷における消費電力レベルが前記所定の電力レベル未満であることが検知された場合に、前記第２の２次側巻線に誘起する誘起電圧を整流平滑した電圧を前記パルス生成手段に入力する切替手段と、
を備え、
前記パルス生成手段は、前記切替手段から入力される電圧が基準電圧より高い場合は生成するパルスのパルス幅を狭くし、前記切替手段から入力される電圧が前記基準電圧より低い場合は生成するパルスのパルス幅を広くするよう構成されており、前記所定の定電圧は前記基準電圧より低く設定されている
ことを特徴とするスイッチング電源回路。
【請求項２】
前記検知手段は、前記外部負荷に印加される電圧及び前記外部負荷に流れる電流の少なくとも一方に基づいて、前記外部負荷における消費電力レベルが前記所定の電力レベル以上であるか否かを検知することを特徴とする請求項１に記載のスイッチング電源回路。
【請求項３】
前記インダクタンスの少なくとも一部が、前記１次側巻線の漏れインダクタンスであることを特徴とする請求項１又は２に記載のスイッチング電源回路。
【請求項４】
前記切替手段は、所定時間以内での前記パルス生成手段に入力する電圧の切替を抑止するタイマ回路を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のスイッチング電源回路。
【請求項５】
前記外部負荷はデジタルオーディオアンプであることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のスイッチング電源回路。
【請求項６】
前記検知手段は、前記デジタルオーディオアンプへ入力される音声信号の入力レベルに基づいて、前記外部負荷における消費電力レベルが前記所定の電力レベル以上であるか否かを検知することを特徴とする請求項５に記載のスイッチング電源回路。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月28日(2014.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子から取得される被写体光の進行方向の情報を含む画像信号に適用される画像処理装置であって、
前記撮像素子から取得される画像信号を用いて被写体の画像を再構築する仮想像面の位置を設定する仮想像面位置設定手段と、
前記撮像素子の欠陥画素の画像信号を前記撮像素子の他の画素の画像信号を用いて補正する補正手段とを備え、
前記補正手段は、前記仮想像面位置設定手段によって設定された前記仮想像面の位置と前記被写体光の進行方向の情報に基づいて、前記欠陥画素の画像信号の補正に使用する前記他の画素を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記補正手段は、前記欠陥画素に入射する被写体光が通過する前記仮想像面上の位置と同じ位置の進行方向の情報を有する被写体光が入射する画素から前記他の画素を選択し、当該選択された画素の画素信号を用いて前記欠陥画素の画像信号の補正値を生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記選択される画素は、前記欠陥画素に入射する被写体光が通過する前記仮想像面上の位置と同じ位置の進行方向の情報を有する被写体光のうち、前記欠陥画素に入射する被写体光が射出される瞳分割領域に隣接する瞳分割領域からの被写体光が入射する画素であることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記補正手段は、前記他の画素の画像信号の算術平均により前記欠陥画素の画像信号の補正値を生成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記補正手段は、前記瞳分割領域の位置に応じて対応する画素の画像信号に重み付けを用いた加重平均により前記欠陥画素の画像信号の補正値を生成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像信号は、撮影レンズの瞳分割領域に対応した被写体光の進行方向の情報が得られる撮像光学系を用いて撮像素子から取得されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
撮像素子から取得される被写体光の進行方向の情報を含む画像信号に適用される画像処理装置の制御方法であって、
前記撮像素子から取得される画像信号を用いて被写体の画像を再構築する仮想像面の位置を設定する仮想像面位置設定ステップと、
前記撮像素子の欠陥画素の画像信号を前記撮像素子の他の画素の画像信号を用いて補正する補正ステップとを備え、
前記補正ステップは、前記仮想像面位置設定ステップで設定された前記仮想像面の位置と前記被写体光の進行方向の情報に基づいて、前記欠陥画素の画像信号の補正に使用する前記他の画素を決定することを特徴とする制御方法。
【請求項８】
コンピュータを、
撮像素子から取得される被写体光の進行方向の情報を含む画像信号に適用される画像処理装置の制御方法において、
前記撮像素子から取得される画像信号を用いて被写体の画像を再構築する仮想像面の位置を設定する仮想像面位置設定手段と、
前記撮像素子の欠陥画素の画像信号を前記撮像素子の他の画素の画像信号を用いて補正する補正手段として機能させ、さらに前記補正手段を、前記仮想像面位置設定手段によって設定された仮想像面の位置と前記被写体光の進行方向の情報に基づいて、前記欠陥画素の画像信号の補正に使用する前記他の画素を決定手段として機能させるプログラム。
【請求項９】
請求項８のプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至６のいずれか一項に記載された画像処理装置の各手段として機能させるプログラム。
【請求項１１】
撮影レンズの瞳分割領域に対応した被写体光の進行方向の情報が得られる撮像光学系と、前記撮像光学系により結像された被写体光を光電変換して画像信号を出力する撮像素子と、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像処理装置とを
備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項１２】
前記撮像光学系は、前記撮影レンズと前記撮像素子との間に、前記瞳分割領域に対応したマイクロレンズアレイを備え、各マイクロレンズに対応する前記撮像素子の画素配列に含まれる各画素は前記撮影レンズの各瞳分割領域に対応すること特徴とする請求項１１に記載の撮像装置。
【請求項１３】
撮像素子から取得される被写体光の進行方向の情報を含む画像信号に適用される画像処理装置であって、
前記撮像素子から取得される画像信号を用いて仮想像面における被写体の画像を再構築する再構築手段と、
前記撮像素子の欠陥画素の画像信号を前記撮像素子の他の画素の画像信号を用いて補正する補正手段とを備え、
前記補正手段は、前記仮想像面の位置と前記被写体光の進行方向の情報に基づいて、前記欠陥画素の画像信号の補正に使用する前記他の画素を決定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項１４】
撮像素子から取得される被写体光の進行方向の情報を含む画像信号に適用される画像処理装置の制御方法であって、
前記撮像素子から取得される画像信号を用いて仮想像面における被写体の画像を再構築する再構築ステップと、
前記撮像素子の欠陥画素の画像信号を前記撮像素子の他の画素の画像信号を用いて補正する補正ステップとを備え、
前記補正ステップでは、前記仮想像面の位置と前記被写体光の進行方向の情報に基づいて、前記欠陥画素の画像信号の補正に使用する前記他の画素を決定することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１５】
コンピュータを、
撮像素子から取得される被写体光の進行方向の情報を含む画像信号に適用される画像処理装置の制御方法において、
前記撮像素子から取得される画像信号を用いて仮想像面における被写体の画像を再構築する再構築手段と、
前記撮像素子の欠陥画素の画像信号を前記撮像素子の他の画素の画像信号を用いて補正する補正手段として機能させ、
さらに前記補正手段は、前記仮想像面の位置と前記被写体光の進行方向の情報に基づいて、前記欠陥画素の画像信号の補正に使用する前記他の画素を決定するように機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１６】
請求項１５のプログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月26日(2014.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を読み取り画像データを生成する読取手段と、
前記読取手段によって生成された画像データから原稿の地色を除去する地色除去処理を実行する画像処理手段と、
前記地色除去処理の除去レベルを複数の色成分それぞれについて個別に設定可能な設定部と前記読取手段によって生成された画像データとを両方含む設定画面を表示する表示手段と、
前記地色除去処理が実行された画像データに基づいて印刷を実行する印刷手段と、
を備え、
前記設定部によって前記除去レベルが変更された場合に、前記画像処理手段は変更後の前記除去レベルに基づいて前記地色除去処理を実行し、
前記設定画面には、前記設定部と変更後の前記除去レベルに基づいて前記地色除去処理が実行された画像データとが両方表示されることを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記設定画面は、印刷の実行指示をユーザから受け付ける受付部を更に含み、
前記印刷手段は、前記受付部を介して印刷の実行指示をユーザから受け付けた場合に、前記地色除去処理が実行された画像データに基づいて印刷を実行することを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記複数の色成分は、レッド、グリーン、ブルーであることを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記調整部は、レッドの除去レベルを調整する調整バーと、グリーンの除去レベルを調整する調整バーと、ブルーの除去レベルを調整する調整バーとで構成されることを特徴とする請求項３に記載の印刷装置。
【請求項５】
印刷装置の制御方法であって、
原稿を読み取り画像データを生成する読取工程と、
前記読取工程によって生成された画像データから原稿の地色を除去する地色除去処理を実行する画像処理工程と、
前記地色除去処理の除去レベルを複数の色成分それぞれについて個別に設定可能な設定部と前記読取工程によって生成された画像データとを両方含む設定画面を表示する表示工程と、
前記地色除去処理が実行された画像データに基づいて印刷を実行する印刷工程と、
を備え、
前記設定部によって前記除去レベルが変更された場合に、前記画像処理工程では変更後の前記除去レベルに基づいて前記地色除去処理を実行し、
前記設定画面には、前記設定部と変更後の前記除去レベルに基づいて前記地色除去処理が実行された画像データとが両方表示されることを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項６】
請求項５に記載の印刷装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成する本発明の画像処理装置は以下に示す構成を備える。
原稿を読み取り画像データを生成する読取手段と、前記読取手段によって生成された画像データから原稿の地色を除去する地色除去処理を実行する画像処理手段と、前記地色除去処理の除去レベルを複数の色成分それぞれについて個別に設定可能な設定部と前記読取手段によって生成された画像データとを両方含む設定画面を表示する表示手段と、前記地色除去処理が実行された画像データに基づいて印刷を実行する印刷手段と、を備え、前記設定部によって前記除去レベルが変更された場合に、前記画像処理手段は変更後の前記除去レベルに基づいて前記地色除去処理を実行し、前記設定画面には、前記設定部と変更後の前記除去レベルに基づいて前記地色除去処理が実行された画像データとが両方表示されることを特徴とする。