(57)【要約】  有機ＥＬ素子の劣化を抑制するバリア膜（３１ａ）が、ベース基板側から順に設けられた第１無機膜（２６）、第２無機膜（２８）及び第３無機膜（３０）と、第１無機膜（２６）及び第２無機膜（２８）の間に設けられた第１有機膜（２７）と、第２無機膜（２８）及び第３無機膜（３０）の間に設けられた第２有機膜（２９）とを有し、第１有機膜（２７）に第１無機膜（２６）及び第２無機膜（２８）を互いに接触させる複数の第１貫通孔（２７ｈ）が設けられ、第２有機膜（２９）に第２無機膜（２８）及び第３無機膜（３０）を互いに接触させる複数の第２貫通孔（２９ｈ）が設けられている。
2014038158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、
上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、
上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１無機膜、第２無機膜及び第３無機膜と、該第１無機膜及び第２無機膜の間に設けられた第１有機膜と、該第２無機膜及び第３無機膜の間に設けられた第２有機膜とを有し、
上記第１有機膜には、上記第１無機膜及び第２無機膜を互いに接触させる複数の第１貫通孔が設けられ、
上記第２有機膜には、上記第２無機膜及び第３無機膜を互いに接触させる複数の第２貫通孔が設けられている、有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
上記第１貫通孔は、上記第２貫通孔に重ならないように設けられている、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、線状にそれぞれ設けられている、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、点状にそれぞれ設けられている、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
上記バリア膜は、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜である、請求項１〜４の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面に設けられたベースコート膜である、請求項１〜５の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面に設けられた保護膜である、請求項１〜６の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
ベース基板と、
上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、
上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、
上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１〜第ｎ（ｎは３以上の自然数）の無機膜と、該隣り合う無機膜の同士の間に上記ベース基板側から順にそれぞれ設けられた第１〜第（ｎ−１）の有機膜とを有し、
上記第１〜第（ｎ−１）の有機膜には、当該有機膜に隣り合う無機膜同士を互いに接触させる複数の貫通孔がそれぞれ設けられ、
上記第１〜第（ｎ−１）の有機膜の少なくとも１層は、当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっている、有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項９】
ベース基板に有機エレクトロルミネセンス素子を形成するＥＬ素子形成工程と、
上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜を形成するバリア膜形成工程とを備える有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
上記バリア膜形成工程では、第１無機膜、複数の第１貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に形成する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】
上記バリア膜形成工程では、上記第１貫通孔及び第２貫通孔が互いに重ならないように、上記第１有機膜及び第２有機膜を形成する、請求項９に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１１】
上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を真空成膜法により形成する、請求項９又は１０に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１２】
上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を印刷法又はフォトリソグラフィ法により形成する、請求項９又は１０に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１３】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の後に行われ、
上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜を形成する、請求項９〜１２の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１４】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、
上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面を覆うベースコート膜を形成する、請求項９〜１３の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１５】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、
上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面を覆う保護膜を形成する、請求項９〜１４の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法に関し、特に、無機膜及び有機膜が積層されたバリア膜を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス（electroluminescence、以下、「ＥＬ」とも称する）素子を有する有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆うように、又はプラスチック基板を用いる場合には、そのプラスチック基板の基板表面を覆うように、無機膜及び有機膜が積層されたバリア膜を設けて、水分や酸素の混入を抑制する構造が提案されている。【０００３】
例えば、特許文献１には、上記有機ＥＬ素子を構成する対向電極（陰極）上にＳｉＯ２膜及びＡｌ膜を順に真空蒸着することにより設けられた第１のバリア層と、その第１のバリア層上にポリエチレングリコールアクリレートを真空蒸着した後に、硬化させることにより設けられた樹脂層と、その樹脂層上にＡｌ膜及びＳｉＯ２膜を順に真空蒸着することにより設けられた第２のバリア層とにより、上記バリア膜に相当する封止層が構成された有機ＥＬ表示素子が開示されている。【０００４】
また、特許文献２には、上記有機ＥＬ素子を構成する陰極膜上にポリマー材料層及び無機材料薄膜の積層膜が上記バリア膜として設けられた電界発光素子が開示されている。【０００５】
また、特許文献３には、上記有機ＥＬ素子に相当する素子部上に有機層及び無機層が交互に積層されたバリア層が上記バリア膜として設けられた有機電界発光素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３０７８７３号公報
【特許文献２】特開２００２−２５２０８０号公報
【特許文献３】特開２００３−１７２４４号公報
【特許文献４】特開２００３−２８２２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜は、互いの密着性が高くないので、バリア膜では、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生するおそれがある。そうなると、無機膜及び有機膜の剥離した界面から水分や酸素が浸入するので、有機ＥＬ素子が劣化してしまう。また、屈曲性を有するプラスチック基板（フィルム基板）をベース基板として用いる有機ＥＬ表示装置では、その基板の屈曲に起因して、無機膜及び有機膜の界面に曲げ応力が発生するので、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生し易くなってしまう。さらに、無機膜及び有機膜では、熱膨張係数に差があるので、温度変化に起因して、無機膜及び有機膜の界面に熱応力が発生することにより、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生し易くなってしまう。【０００８】
そこで、上記特許文献４には、第１の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第１の群、中間の第２の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第２の群、中間の第３の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第３の群、及び最表面の第４の無機バリア層を樹脂基板上に順に積層することにより、包接無機バリア層が上記バリア膜として設けられた有機ＥＬ表示パネルが提案されている。【０００９】
ここで、上記特許文献４に開示された有機ＥＬ表示パネルでは、高分子化合物層の有機膜が島状にパターニングされているので、有機膜を挟持する一対の無機膜同士が接触することにより、無機膜及び有機膜の界面で剥離がある程度発生し難くなるものの、上述したように、無機膜及び有機膜の界面に熱応力や曲げ応力が発生した場合には、その応力が互いに独立する複数のドット状（島状）の有機膜のパターンにそれぞれ加わり、その応力の分散及び緩和が難くなって、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生するおそれがあるので、改善の余地がある。【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、第１無機膜、複数の第１貫通孔が設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に積層して、バリア膜を構成するようにしたものである。【００１２】
具体的に本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１無機膜、第２無機膜及び第３無機膜と、該第１無機膜及び第２無機膜の間に設けられた第１有機膜と、該第２無機膜及び第３無機膜の間に設けられた第２有機膜とを有し、上記第１有機膜には、上記第１無機膜及び第２無機膜を互いに接触させる複数の第１貫通孔が設けられ、上記第２有機膜には、上記第２無機膜及び第３無機膜を互いに接触させる複数の第２貫通孔が設けられている。【００１３】
上記第１貫通孔は、上記第２貫通孔に重ならないように設けられていてもよい。【００１４】
上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、線状にそれぞれ設けられていてもよい。【００１５】
上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、点状にそれぞれ設けられていてもよい。【００１６】
なお、第１貫通孔及び第２貫通孔が点状にそれぞれ設けられた第１有機膜及び第２有機膜は、上記特許文献４に開示されたドット状の高分子化合物層において、高分子化合物層が配置された領域と高分子化合物層が配置されていない領域とをちょうど反転させた構造になっている。【００１７】
上記バリア膜は、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜であってもよい。【００１８】
上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面に設けられたベースコート膜であってもよい。【００１９】
上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面に設けられた保護膜であってよい。【００２０】
また、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１〜第ｎ（ｎは３以上の自然数）の無機膜と、該隣り合う無機膜の同士の間に上記ベース基板側から順にそれぞれ設けられた第１〜第（ｎ−１）の有機膜とを有し、上記第１〜第（ｎ−１）の有機膜には、当該有機膜に隣り合う無機膜同士を互いに接触させる複数の貫通孔がそれぞれ設けられ、上記第１〜第（ｎ−１）の有機膜の少なくとも１層は、当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっている。【００２１】
また、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法は、ベース基板に有機エレクトロルミネセンス素子を形成するＥＬ素子形成工程と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜を形成するバリア膜形成工程とを備える有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、上記バリア膜形成工程では、第１無機膜、複数の第１貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に形成する。【００２２】
上記バリア膜形成工程では、上記第１貫通孔及び第２貫通孔が互いに重ならないように、上記第１有機膜及び第２有機膜を形成してもよい。【００２３】
上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を真空成膜法により形成してもよい。【００２４】
上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を印刷法又はフォトリソグラフィ法により形成してもよい。【００２５】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の後に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜を形成してもよい。【００２６】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面を覆うベースコート膜を形成してもよい。【００２７】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面を覆う保護膜を形成してもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、第１無機膜、複数の第１貫通孔が設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に積層して、バリア膜が構成されているので、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】図２は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素構造を示す平面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の等価回路図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置を構成するバリア膜の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図５】図５は、図４中のV−V線に沿ったバリア膜の断面図である。
【図６】図６は、実施形態１に係るバリア膜の変形例１の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図７】図７は、実施形態１に係るバリア膜の変形例２の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図８】図８は、実施形態１に係るバリア膜の変形例３の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図９】図９は、実施形態１に係るバリア膜の変形例４の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係るバリア膜の変形例５を示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１２】図１２は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置を構成するバリア膜の断面図である。
【図１３】図１３は、実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１４】図１４は、実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００３１】
《発明の実施形態１》
図１〜図１０は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法の実施形態１を示している。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの画素構造を示す平面図である。なお、図１は、図２中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ素子２５の等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する封止膜３１ａの貫通孔の構造Ｈａを示す平面図である。さらに、図５は、図４中のV−V線に沿った封止膜３１ａの断面図である。
【００３２】
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、ガラス基板などのベース基板１０ａと、ベース基板１０ａに設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域（不図示）には、各々、画像の最小単位である複数のサブ画素Ｐ（図２参照）がマトリクス状に配置されている。また、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域では、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられ、それらの隣り合う３つのサブ画素Ｐにより１つの画素が構成されている。
【００３３】
有機ＥＬ素子２５は、図１〜図３に示すように、ベース基板１０ａ上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１２ａと、各ゲート線１１と直交する方向に各ソース線１２ａと隣り合って互いに平行に延びるように設けられた複数の電源線１２ｂと、各ゲート線１１及び各ソース線１２ａの交差部分毎、すなわち、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応するゲート線１１及びソース線１２ａに接続された複数の第１ＴＦＴ１３ａと、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ及び電源線１２ｂに接続された複数の第２ＴＦＴ１３ｂと、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ及び電源線１２ｂに接続された複数のキャパシタ１３ｃと、各第１ＴＦＴ１３ａ、各第２ＴＦＴ１３ｂ及び各キャパシタ１３ｃを覆うように設けられた層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上に各サブ画素Ｐ毎に陽極としてそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ（及び第２ＴＦＴ１３ｂ）に接続された複数の第１電極１５と、各第１電極１５の端縁部を覆うように格子状に設けられたエッジカバー１６と、各第１電極１５及びエッジカバー１６を覆うように順に設けられた正孔注入層及び正孔輸送層１７と、正孔注入層及び正孔輸送層１７上に各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられた複数の発光層１８と、各発光層１８を覆うように順に設けられた電子輸送層及び電子注入層１９と、電子輸送層及び電子注入層１９を覆うように陰極として設けられた第２電極２０とを備えている。ここで、第１電極１５及び第２電極２０の間には、必要に応じて正孔や電子といったキャリアの流れをせき止めるためのキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。なお、正孔注入層及び正孔輸送層１７並びに電子輸送層及び電子注入層１９は、適宜省略されていてもよい。
【００３４】
第１ＴＦＴ１３ａ及び第２ＴＦＴ１３ｂは、例えば、ボトムゲート型又はトップゲート型のＴＦＴである。
【００３５】
キャパシタ１３ｃは、例えば、ゲート線１１と同一材料により同一層に形成された一方の電極と、ソース線１２ａと同一材料により同一層に形成された他方の電極と、それらの一対の電極の間に設けられたゲート絶縁膜とにより構成されている。
【００３６】
層間絶縁膜１４及びエッジカバー１６は、例えば、感光性を有するアクリル樹脂やポリイミド樹脂などにより形成されている。
【００３７】
第１電極１５及び第２電極２０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透明導電膜、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）などの金属膜、又はそれらの積層膜により形成されている。また、第１電極１５及び第２電極２０は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、印刷法などにより好適に形成される。ここで、第１電極１５が光透過性又は光半透過性を有し、第２電極２０が光反射性を有している場合には、ベース基板１０ａ側から光出射するボトムエミッション型の表示装置が構成され、第１電極１５が光反射性を有し、また、第２電極２０が光透過性又は光半透過性を有している場合には、封止膜３１ａ側から光出射するトップエミッション型の表示装置が構成される。
【００３８】
正孔注入層及び正孔輸送層１７は、第１電極１５から発光層１８への正孔注入効率を高める機能、及び発光層１８への正孔輸送効率を高める機能を有し、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、これらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物などの鎖状式若しくは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、又はポリマーなどにより形成されている。また、正孔注入層及び正孔輸送層１７は、上記のように、正孔注入効率を高める機能及び正孔輸送効率を高める機能の双方を有する１つの層であっても、正孔注入効率を高める機能を有する１つの層と、正孔輸送効率を高める機能を有する１つの層との積層膜であってもよい。さらに、正孔注入層及び正孔輸送層１７は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
【００３９】
複数の発光層１８は、第１電極１５側から注入された正孔と第２電極２０側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能をそれぞれ有し、例えば、赤色の階調表示を行うための発光領域Ｌｒに設けられた発光層１８ｒと、緑色の階調表示を行うための発光領域Ｌｇに設けられた発光層１８ｇと、青色の階調表示を行うための発光領域Ｌｂに設けられた発光層１８ｂとにより構成されている。また、発光層１８は、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、これらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾールなどのような低分子蛍光色素や金属錯体などの発光効率が高い材料により形成されている。さらに、発光層１８は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
【００４０】
電子輸送層及び電子注入層１９は、発光層１８への電子輸送効率を高める機能、及び第２電極１５から発光層１８への電子注入効率を高める機能を有し、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体などにより形成されている。また、電子輸送層及び電子注入層１９は、上記のように、電子輸送効率を高める機能及び電子注入効率を高める機能の双方を有する１つの層であっても、電子輸送効率を高める機能を有する１つの層と、電子注入効率を高める機能を有する１つの層との積層膜であってもよい。さらに、電子輸送層及び電子注入層１９は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
【００４１】
封止膜３１ａは、図５に示すように、ベース基板１０ａ側から順に設けられた第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０を備えている。
【００４２】
第１有機膜２７には、図５に示すように、第１無機膜２６及び第２無機膜２８を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第１貫通孔２７ｈが設けられている。
【００４３】
第２有機膜２９には、図５に示すように、第２無機膜２８及び第３無機膜３０を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第２貫通孔２９ｈが設けられている。
【００４４】
第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、図４に示すように、各第１貫通孔２７ｈが各第２貫通孔２９ｈに重ならないように配置された貫通孔構造Ｈａを有している。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
【００４５】
図６〜図９は、封止膜３１ａの変形例１〜４の各貫通孔の構造Ｈｂ〜Ｈｅをそれぞれ示す平面図である。
【００４６】
変形例１の貫通孔構造Ｈｂでは、図６に示すように、線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが図中縦方向に延びるように、交互に整列状態に設けられている。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
【００４７】
変形例２の貫通孔構造Ｈｃは、図７に示すように、線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが図中縦方向及び横方向に延びるように、ランダムに設けられている。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
【００４８】
変形例３の貫通孔構造Ｈｄは、図８に示すように、点状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈがランダムに設けられている。なお、これらの点状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、印刷法又はフォトリソグラフィ法により好適に形成される。
【００４９】
変形例４の貫通孔構造Ｈｅは、図９に示すように、矩形状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが交互に整列状態に設けられている。なお、これらの矩形状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、印刷法又はフォトリソグラフィ法により好適に形成される。
【００５０】
図１０は、封止膜３１ａの変形例５の封止膜３１ｂを示す断面図である。ここで、本実施形態及び変形例１〜４では、第１貫通孔２７が第２貫通孔２９ｈに重ならない貫通孔構造Ｈａ〜Ｈｅを例示したが、封止膜が互いに独立する３層以上の有機膜を有している場合には、下記の封止膜３１ｂのように、第１貫通孔２７が第２貫通孔２９ｈに重なっていてもよい。
【００５１】
具体的に、封止膜３１ｂは、図１０に示すように、ベース基板１０ａ側から順に設けられた第１の無機膜２６、第１の有機膜２７、第２の無機膜２８、第２の有機膜２９、第３の無機膜３０、…、第（ｎ−２）の有機膜Ｆｗ（ｎは、５以上の整数）、第（ｎ−１）の無機膜Ｆｘ、第（ｎ−１）の有機膜Ｆｙ、第ｎの無機膜Ｆｚを備えている。ここで、封止膜３１ｂでは、図１０に示すように、第１の有機膜２７、第２の有機膜２９、…、第（ｎ−２）の有機膜Ｆｗにおいて貫通孔が重なっているので、第２無機膜２８に形成されたピンホールＰｈがその図中上層側の無機膜にも連続して形成されているものの、ピンホールＰｈが第（ｎ−１）の有機膜Ｆｙに被覆されているので、第ｎ無機膜Ｆｚには、ピンホール（Ｐｈ）が形成されていない。なお、本変形例では、第１の有機膜２７、第２の有機膜２９、…、第（ｎ−２）の有機膜Ｆｗにおいて貫通孔が重なり、それらの互いに重なる貫通孔が第（ｎ−１）の有機膜Ｆｙの貫通孔に重ならない構成、すなわち、第１〜第（ｎ−１）の有機膜の少なくとも１層が当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっていることにより、無機膜に形成されたピンポール（Ｐｈ）が何れか１層の有機膜により必ず被覆される構成を例示したが、第１〜第（ｎ−１）の有機膜に形成された各貫通孔が互いに重ならない構成がさらによいことは、言うまでもない。
【００５２】
上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１１を介して第１ＴＦＴ１３ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ１３ａをオン状態にし、ソース線１２ａを介して第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電極及びキャパシタ１３ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電圧に基づいて電源線１２ｂからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が発光層１８に供給されることにより、発光層１８が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ１３ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電圧がキャパシタ１３ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層１８による発光が維持される。
【００５３】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＥＬ素子形成工程及び封止膜形成工程を備える。
【００５４】
＜ＥＬ素子形成工程＞
例えば、ガラス基板などのベース基板１０ａの表面に、周知の方法を用いて、ゲート線１１、ソース線１２ａ、電源線１２ｂ、第１ＴＦＴ１３ａ、第２ＴＦＴ１３ｂ、キャパシタ１３ｃ、層間絶縁膜１４、第１電極１５、エッジカバー１６、正孔注入層及び正孔輸送層１７、発光層１８、電子輸送層及び電子注入層１９、並びに第２電極２０などを形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成する。
【００５５】
＜封止膜形成工程（バリア膜形成工程）＞
上記ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子２５（第２電極２０）の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第１無機膜２６を形成する。
【００５６】
続いて、第１無機膜２６の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン（ポリパラキシリレン）、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第１貫通孔２７ｈを有する第１有機膜２７を形成する。
【００５７】
その後、第１有機膜２７の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第２無機膜２８を形成する。
【００５８】
さらに、第２無機膜２８の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第２貫通孔２９ｈを有する第２有機膜２９を形成する。
【００５９】
最後に、第２有機膜２９の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第３無機膜３０を形成して、封止膜３１ａを形成する。
【００６０】
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
【００６１】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ａに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができるので、封止膜３１ａを構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【００６２】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法によれば、第１有機膜２７及び第２有機膜２９を真空成膜法により形成するので、有機膜をドット状（島状）に形成する場合よりも、成膜粒子を遮蔽するための成膜マスク（蒸着マスク）の開口比率が高くなることにより、第１有機膜２７及び第２有機膜２９の成膜速度の低下を抑制することができる。
【００６３】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、封止膜形成工程では、第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが互いに重ならないように、第１有機膜２７及び第２有機膜２９を形成するので、第１無機膜２６又は第２無機膜２８にピンホールやクラックが形成されていても、そのピンホールやクラックが第１有機膜２７又は第２有機膜２９で被覆されることになり、封止膜３１ａのバリア特性の低下を抑制することができる。
【００６４】
《発明の実施形態２》
図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの断面図である。また、図１２は、有機ＥＬ表示装置５０ｂを構成するベースコート膜６の断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１〜図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６５】
上記実施形態１では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
【００６６】
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１１に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６と、ベースコート膜６上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３２と、ベース基板１０ｂに対向するように設けられた封止基板３３と、ベース基板１０ｂ及び封止基板３３を互いに接着するように枠状に設けられた封止樹脂３４とを備えている。
【００６７】
ベースコート膜６は、図１２に示すように、ベース基板１０ｂ側から順に設けられた第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５を備えている。
【００６８】
第１有機膜２には、図１２に示すように、第１無機膜１及び第２無機膜３を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第１貫通孔２ｈが設けられている。
【００６９】
第２有機膜４には、図１２に示すように、第２無機膜３及び第３無機膜５を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第２貫通孔４ｈが設けられている。
【００７０】
第１有機膜２及び第２有機膜４は、図１２に示すように、各第１貫通孔２ｈが各第２貫通孔４ｈに重ならないように設けられている。なお、線状の第１貫通孔２ｈ及び第２貫通孔４ｈをそれぞれ有する第１有機膜２及び第２有機膜４は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
【００７１】
封止膜３２は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機膜により形成されている。
【００７２】
封止基板３３は、例えば、金属板、ガラス基板、ベースコート膜６と同じ構成のベースコート膜が形成されたプラスチック基板などである。
【００７３】
封止樹脂３４は、例えば、紫外線硬化型のエポキシ樹脂などにより形成されている。
【００７４】
封止膜３２、封止基板３３及び封止樹脂３４に囲まれた空間の内部には、アルゴンなどの不活性ガスや有機樹脂が充填されている。ここで、この有機樹脂には、乾燥剤や酸素吸収剤が含有されていてもよい。また、封止膜３２、封止基板３３及び封止樹脂３４に囲まれた空間の内部には、乾燥剤や酸素吸収剤を含有するシート材が貼付されていたり、乾燥剤や酸素吸収剤を含有する溶液が塗布されていたりしてもよい。さらに、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、封止基板３３及び封止樹脂３４のバリア性が十分に確保できるのであれば、封止膜３２が省略されていてもよい。
【００７５】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法は、ベースコート膜形成工程、ＥＬ素子形成工程及び封止工程を備える。
【００７６】
＜ベースコート膜形成工程（バリア膜形成工程）＞
例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂの表面に、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第１無機膜１を形成する。
【００７７】
続いて、第１無機膜１の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第１貫通孔２ｈを有する第１有機膜２を形成する。
【００７８】
その後、第１有機膜２の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第２無機膜３を形成する。
【００７９】
さらに、第２無機膜３の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第２貫通孔４ｈを有する第２有機膜４を形成する。
【００８０】
最後に、第２有機膜４の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第３無機膜５を形成して、ベース基板１０ｂの表面を覆うベースコート膜６を形成する。
【００８１】
＜ＥＬ素子形成工程＞
上記ベースコート膜形成工程で形成されたベースコート膜６の表面に、周知の方法を用いて、ゲート線１１、ソース線１２ａ、電源線１２ｂ、第１ＴＦＴ１３ａ、第２ＴＦＴ１３ｂ、キャパシタ１３ｃ、層間絶縁膜１４第１電極１５、エッジカバー１６、正孔注入層及び正孔輸送層１７、発光層１８、電子輸送層及び電子注入層１９、並びに第２電極２０などを形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成する。
【００８２】
＜封止工程＞
まず、上記ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子２５（第２電極２０）の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、封止膜３２を形成する。
【００８３】
続いて、封止膜３２の端縁部に封止樹脂３４を枠状に形成する。
【００８４】
さらに、封止膜３２及び封止樹脂３４が形成された基板（ベース基板１０ｂ）と、封止基板３３とを不活性ガスの雰囲気下で貼り合わせ後に、封止樹脂３４を硬化させる。
【００８５】
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂを製造することができる。
【００８６】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６を、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができるので、ベースコート膜６を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【００８７】
なお、本実施形態では、ベース基板１０ｂとしてプラスチック基板を用いる有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法を例示したが、ベース基板１０ｂとしてガラス基板を用いる場合においても、ベースコート膜６（バリア膜）は、有用である。すなわち、ガラス基板は、酸素や水分の透過率が極めて低いので、酸素や水分の透過を抑制する目的でのバリア膜は必要がないものの、例えば、厚さ５０μｍ程度の薄型のガラス基板を用いて有機ＥＬ表示装置に屈曲性を付与する場合、曲げ応力によってベース基板（１０ｂ）から有機ＥＬ素子（２５）が剥離することが懸念される。そのような場合においても、バリア膜がベースコート膜としてガラス基板上に形成されていれば、曲げ応力を第１有機膜（２）及び第２有機膜（４）の各膜全体で分散及び緩和することができ、その結果、有機ＥＬ表示装置を屈曲させる際にベース基板（１０ｂ）から有機ＥＬ素子（２５）が剥離するのを抑制することができる。
【００８８】
《発明の実施形態３》
図１３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの断面図である。
【００８９】
上記実施形態１では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示し、上記実施形態２では、バリア膜としてベースコート膜６が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６及び封止膜３１ａがそれぞれ設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
【００９０】
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１３に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６と、ベースコート膜６上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａとを備えている。
【００９１】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記実施形態２で説明したベースコート膜形成工程及びＥＬ素子形成工程を順に行った後に、上記実施形態１で説明した封止膜形成工程を行うことにより、製造することができる。
【００９２】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６を、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。また、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。したがって、ベースコート膜６及び封止膜３１ａをそれぞれ構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【００９３】
《発明の実施形態４》
図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄの断面図である。
【００９４】
上記各実施形態では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）及びベースコート膜６の少なくとも一方が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａ〜５０ｃを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６ａ、保護膜６ｂ及び封止膜３１ａがそれぞれ設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｄを例示する。
【００９５】
有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１４に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６ａと、ベースコート膜６ａ上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａと、ベース基板１０ｂの裏面（有機ＥＬ素子２５と反対側の表面）に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた保護膜６ｂとを備えている。
【００９６】
ベースコート膜６ａ及び保護膜６ｂは、上記実施形態２で説明したベースコート膜６と実質的に同じ構成になっている。
【００９７】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記実施形態２で説明したベースコート膜形成工程をベース基板１０ｂの表面及び裏面に対して行った後に、ＥＬ素子形成工程を行い、続いて、上記実施形態１で説明した封止膜形成工程を行うことにより、製造することができる。
【００９８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６ａ及び保護膜６ｂを、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することによりそれぞれ形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。また、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。したがって、ベースコート膜６ａ、保護膜６ｂ及び封止膜３１ａをそれぞれ構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【００９９】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、保護膜６ｂをベース基板１０ｂの裏面に形成するので、酸素及び水分がベース基板１０ｂを透過する量をいっそう低減することができ、有機ＥＬ素子２５の劣化をいっそう抑制することができる。
【０１００】
なお、上記各実施形態では、各無機膜及び各有機膜がそれぞれ単層膜により構成されたバリア膜を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、各無機膜及び各有機膜がそれぞれ積層膜により構成されたバリア膜を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【０１０１】
また、上記各実施形態では、３色発光方式（３色塗り分け方式）の有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、カラーフィルタ方式（白色方式）や色変換方式などの他の方式の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【０１０２】
また、上記各実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
以上説明したように、本発明は、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができるので、例えば、高い応力耐性が要望されるフレキシブルな有機ＥＬ表示装置などについて有用である。
【符号の説明】
【０１０４】
１，２６          第１無機膜
２，２７          第１有機膜
２ｈ，２７ｈ      第１貫通孔
３，２８          第２無機膜
４，２９          第２有機膜
４ｈ，２９ｈ      第２貫通孔
５，３０          第３無機膜
６，６ａ          ベースコート膜（バリア膜）
６ｂ      保護膜（バリア膜）
１０ａ，１０ｂ    ベース基板
２０      有機ＥＬ素子
３１ａ，３１ｂ    封止膜（バリア膜）
５０ａ〜５０ｄ    有機ＥＬ表示装置
【図１】
2014038158.tif 000003
【図２】
2014038158.tif 000004
【図３】
2014038158.tif 000005
【図４】
2014038158.tif 000006
【図５】
2014038158.tif 000007
【図６】
2014038158.tif 000008
【図７】
2014038158.tif 000009
【図８】
2014038158.tif 000010
【図９】
2014038158.tif 000011
【図１０】
2014038158.tif 000012
【図１１】
2014038158.tif 000013
【図１２】
2014038158.tif 000014
【図１３】
2014038158.tif 000015
【図１４】
2014038158.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月2日(2015.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法に関し、特に、無機膜及び有機膜が積層されたバリア膜を有する有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス（electroluminescence、以下、「ＥＬ」とも称する）素子を有する有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆うように、又はプラスチック基板を用いる場合には、そのプラスチック基板の基板表面を覆うように、無機膜及び有機膜が積層されたバリア膜を設けて、水分や酸素の混入を抑制する構造が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、上記有機ＥＬ素子を構成する対向電極（陰極）上にＳｉＯ２膜及びＡｌ膜を順に真空蒸着することにより設けられた第１のバリア層と、その第１のバリア層上にポリエチレングリコールアクリレートを真空蒸着した後に、硬化させることにより設けられた樹脂層と、その樹脂層上にＡｌ膜及びＳｉＯ２膜を順に真空蒸着することにより設けられた第２のバリア層とにより、上記バリア膜に相当する封止層が構成された有機ＥＬ表示素子が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、上記有機ＥＬ素子を構成する陰極膜上にポリマー材料層及び無機材料薄膜の積層膜が上記バリア膜として設けられた電界発光素子が開示されている。
【０００５】
また、特許文献３には、上記有機ＥＬ素子に相当する素子部上に有機層及び無機層が交互に積層されたバリア層が上記バリア膜として設けられた有機電界発光素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−３０７８７３号公報
【特許文献２】特開２００２−２５２０８０号公報
【特許文献３】特開２００３−１７２４４号公報
【特許文献４】特開２００３−２８２２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜は、互いの密着性が高くないので、バリア膜では、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生するおそれがある。そうなると、無機膜及び有機膜の剥離した界面から水分や酸素が浸入するので、有機ＥＬ素子が劣化してしまう。また、屈曲性を有するプラスチック基板（フィルム基板）をベース基板として用いる有機ＥＬ表示装置では、その基板の屈曲に起因して、無機膜及び有機膜の界面に曲げ応力が発生するので、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生し易くなってしまう。さらに、無機膜及び有機膜では、熱膨張係数に差があるので、温度変化に起因して、無機膜及び有機膜の界面に熱応力が発生することにより、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生し易くなってしまう。
【０００８】
そこで、上記特許文献４には、第１の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第１の群、中間の第２の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第２の群、中間の第３の無機バリア層、ドット状の高分子化合物層の第３の群、及び最表面の第４の無機バリア層を樹脂基板上に順に積層することにより、包接無機バリア層が上記バリア膜として設けられた有機ＥＬ表示パネルが提案されている。
【０００９】
ここで、上記特許文献４に開示された有機ＥＬ表示パネルでは、高分子化合物層の有機膜が島状にパターニングされているので、有機膜を挟持する一対の無機膜同士が接触することにより、無機膜及び有機膜の界面で剥離がある程度発生し難くなるものの、上述したように、無機膜及び有機膜の界面に熱応力や曲げ応力が発生した場合には、その応力が互いに独立する複数のドット状（島状）の有機膜のパターンにそれぞれ加わり、その応力の分散及び緩和が難くなって、無機膜及び有機膜の界面で剥離が発生するおそれがあるので、改善の余地がある。
【００１０】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、第１無機膜、複数の第１貫通孔が設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に積層して、バリア膜を構成するようにしたものである。
【００１２】
具体的に本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１無機膜、第２無機膜及び第３無機膜と、該第１無機膜及び第２無機膜の間に設けられた第１有機膜と、該第２無機膜及び第３無機膜の間に設けられた第２有機膜とを有し、上記第１有機膜には、上記第１無機膜及び第２無機膜を互いに接触させる複数の第１貫通孔が設けられ、上記第２有機膜には、上記第２無機膜及び第３無機膜を互いに接触させる複数の第２貫通孔が設けられている。
【００１３】
上記第１貫通孔は、上記第２貫通孔に重ならないように設けられていてもよい。
【００１４】
上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、線状にそれぞれ設けられていてもよい。
【００１５】
上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、点状にそれぞれ設けられていてもよい。
【００１６】
なお、第１貫通孔及び第２貫通孔が点状にそれぞれ設けられた第１有機膜及び第２有機膜は、上記特許文献４に開示されたドット状の高分子化合物層において、高分子化合物層が配置された領域と高分子化合物層が配置されていない領域とをちょうど反転させた構造になっている。
【００１７】
上記バリア膜は、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜であってもよい。
【００１８】
上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面に設けられたベースコート膜であってもよい。
【００１９】
上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面に設けられた保護膜であってよい。
【００２０】
また、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１〜第ｎ（ｎは３以上の自然数）の無機膜と、該隣り合う無機膜の同士の間に上記ベース基板側から順にそれぞれ設けられた第１〜第（ｎ−１）の有機膜とを有し、上記第１〜第（ｎ−１）の有機膜には、当該有機膜に隣り合う無機膜同士を互いに接触させる複数の貫通孔がそれぞれ設けられ、上記第１〜第（ｎ−１）の有機膜の少なくとも１層における上記複数の貫通孔が設けられていない部分は、当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっている。
【００２１】
また、本発明に係る有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法は、ベース基板に有機エレクトロルミネセンス素子を形成するＥＬ素子形成工程と、上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜を形成するバリア膜形成工程とを備える有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、上記バリア膜形成工程では、第１無機膜、複数の第１貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に形成する。
【００２２】
上記バリア膜形成工程では、上記第１貫通孔及び第２貫通孔が互いに重ならないように、上記第１有機膜及び第２有機膜を形成してもよい。
【００２３】
上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を真空成膜法により形成してもよい。
【００２４】
上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を印刷法又はフォトリソグラフィ法により形成してもよい。
【００２５】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の後に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜を形成してもよい。
【００２６】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面を覆うベースコート膜を形成してもよい。
【００２７】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面を覆う保護膜を形成してもよい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、第１無機膜、複数の第１貫通孔が設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に積層して、バリア膜が構成されているので、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】図２は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置の画素構造を示す平面図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の等価回路図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置を構成するバリア膜の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図５】図５は、図４中のV−V線に沿ったバリア膜の断面図である。
【図６】図６は、実施形態１に係るバリア膜の変形例１の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図７】図７は、実施形態１に係るバリア膜の変形例２の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図８】図８は、実施形態１に係るバリア膜の変形例３の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図９】図９は、実施形態１に係るバリア膜の変形例４の貫通孔の構造を示す平面図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係るバリア膜の変形例５を示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１２】図１２は、実施形態２に係る有機ＥＬ表示装置を構成するバリア膜の断面図である。
【図１３】図１３は、実施形態３に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図１４】図１４は、実施形態４に係る有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
【００３１】
《発明の実施形態１》
図１〜図１０は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置及びその製造方法の実施形態１を示している。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの画素構造を示す平面図である。なお、図１は、図２中のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ素子２５の等価回路図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する封止膜３１ａの貫通孔の構造Ｈａを示す平面図である。さらに、図５は、図４中のV−V線に沿った封止膜３１ａの断面図である。
【００３２】
有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、例えば、ガラス基板などのベース基板１０ａと、ベース基板１０ａに設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａとを備えている。ここで、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域（不図示）には、各々、画像の最小単位である複数のサブ画素Ｐ（図２参照）がマトリクス状に配置されている。また、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域では、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられ、それらの隣り合う３つのサブ画素Ｐにより１つの画素が構成されている。
【００３３】
有機ＥＬ素子２５は、図１〜図３に示すように、ベース基板１０ａ上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１２ａと、各ゲート線１１と直交する方向に各ソース線１２ａと隣り合って互いに平行に延びるように設けられた複数の電源線１２ｂと、各ゲート線１１及び各ソース線１２ａの交差部分毎、すなわち、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応するゲート線１１及びソース線１２ａに接続された複数の第１ＴＦＴ１３ａと、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ及び電源線１２ｂに接続された複数の第２ＴＦＴ１３ｂと、各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ及び電源線１２ｂに接続された複数のキャパシタ１３ｃと、各第１ＴＦＴ１３ａ、各第２ＴＦＴ１３ｂ及び各キャパシタ１３ｃを覆うように設けられた層間絶縁膜１４と、層間絶縁膜１４上に各サブ画素Ｐ毎に陽極としてそれぞれ設けられ、対応する第１ＴＦＴ１３ａ（及び第２ＴＦＴ１３ｂ）に接続された複数の第１電極１５と、各第１電極１５の端縁部を覆うように格子状に設けられたエッジカバー１６と、各第１電極１５及びエッジカバー１６を覆うように順に設けられた正孔注入層及び正孔輸送層１７と、正孔注入層及び正孔輸送層１７上に各サブ画素Ｐ毎にそれぞれ設けられた複数の発光層１８と、各発光層１８を覆うように順に設けられた電子輸送層及び電子注入層１９と、電子輸送層及び電子注入層１９を覆うように陰極として設けられた第２電極２０とを備えている。ここで、第１電極１５及び第２電極２０の間には、必要に応じて正孔や電子といったキャリアの流れをせき止めるためのキャリアブロッキング層が挿入されていてもよい。なお、正孔注入層及び正孔輸送層１７並びに電子輸送層及び電子注入層１９は、適宜省略されていてもよい。
【００３４】
第１ＴＦＴ１３ａ及び第２ＴＦＴ１３ｂは、例えば、ボトムゲート型又はトップゲート型のＴＦＴである。
【００３５】
キャパシタ１３ｃは、例えば、ゲート線１１と同一材料により同一層に形成された一方の電極と、ソース線１２ａと同一材料により同一層に形成された他方の電極と、それらの一対の電極の間に設けられたゲート絶縁膜とにより構成されている。
【００３６】
層間絶縁膜１４及びエッジカバー１６は、例えば、感光性を有するアクリル樹脂やポリイミド樹脂などにより形成されている。
【００３７】
第１電極１５及び第２電極２０は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide：インジウム亜鉛酸化物）、ガリウム添加酸化亜鉛（ＧＺＯ）などの透明導電膜、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）などの金属膜、又はそれらの積層膜により形成されている。また、第１電極１５及び第２電極２０は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、印刷法などにより好適に形成される。ここで、第１電極１５が光透過性又は光半透過性を有し、第２電極２０が光反射性を有している場合には、ベース基板１０ａ側から光出射するボトムエミッション型の表示装置が構成され、第１電極１５が光反射性を有し、また、第２電極２０が光透過性又は光半透過性を有している場合には、封止膜３１ａ側から光出射するトップエミッション型の表示装置が構成される。
【００３８】
正孔注入層及び正孔輸送層１７は、第１電極１５から発光層１８への正孔注入効率を高める機能、及び発光層１８への正孔輸送効率を高める機能を有し、例えば、アントラセン、アザトリフェニレン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニレン、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、オキザゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、これらの誘導体、チオフェン系化合物、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、アニリン系化合物などの鎖状式若しくは複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、又はポリマーなどにより形成されている。また、正孔注入層及び正孔輸送層１７は、上記のように、正孔注入効率を高める機能及び正孔輸送効率を高める機能の双方を有する１つの層であっても、正孔注入効率を高める機能を有する１つの層と、正孔輸送効率を高める機能を有する１つの層との積層膜であってもよい。さらに、正孔注入層及び正孔輸送層１７は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
【００３９】
複数の発光層１８は、第１電極１５側から注入された正孔と第２電極２０側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能をそれぞれ有し、例えば、赤色の階調表示を行うための発光領域Ｌｒに設けられた発光層１８ｒと、緑色の階調表示を行うための発光領域Ｌｇに設けられた発光層１８ｇと、青色の階調表示を行うための発光領域Ｌｂに設けられた発光層１８ｂとにより構成されている。また、発光層１８は、例えば、アントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、これらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体、ジトルイルビニルビフェニル、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾールなどのような低分子蛍光色素や金属錯体などの発光効率が高い材料により形成されている。さらに、発光層１８は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
【００４０】
電子輸送層及び電子注入層１９は、発光層１８への電子輸送効率を高める機能、及び第２電極１５から発光層１８への電子注入効率を高める機能を有し、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体などにより形成されている。また、電子輸送層及び電子注入層１９は、上記のように、電子輸送効率を高める機能及び電子注入効率を高める機能の双方を有する１つの層であっても、電子輸送効率を高める機能を有する１つの層と、電子注入効率を高める機能を有する１つの層との積層膜であってもよい。さらに、電子輸送層及び電子注入層１９は、例えば、真空蒸着法などにより好適に形成される。
【００４１】
封止膜３１ａは、図５に示すように、ベース基板１０ａ側から順に設けられた第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０を備えている。
【００４２】
第１有機膜２７には、図５に示すように、第１無機膜２６及び第２無機膜２８を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第１貫通孔２７ｈが設けられている。
【００４３】
第２有機膜２９には、図５に示すように、第２無機膜２８及び第３無機膜３０を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第２貫通孔２９ｈが設けられている。
【００４４】
第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、図４に示すように、各第１貫通孔２７ｈが各第２貫通孔２９ｈに重ならないように配置された貫通孔構造Ｈａを有している。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
【００４５】
図６〜図９は、封止膜３１ａの変形例１〜４の各貫通孔の構造Ｈｂ〜Ｈｅをそれぞれ示す平面図である。
【００４６】
変形例１の貫通孔構造Ｈｂでは、図６に示すように、線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが図中縦方向に延びるように、交互に整列状態に設けられている。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
【００４７】
変形例２の貫通孔構造Ｈｃは、図７に示すように、線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが図中縦方向及び横方向に延びるように、ランダムに設けられている。なお、これらの線状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
【００４８】
変形例３の貫通孔構造Ｈｄは、図８に示すように、点状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈがランダムに設けられている。なお、これらの点状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、印刷法又はフォトリソグラフィ法により好適に形成される。
【００４９】
変形例４の貫通孔構造Ｈｅは、図９に示すように、矩形状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが交互に整列状態に設けられている。なお、これらの矩形状の第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈをそれぞれ有する第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、印刷法又はフォトリソグラフィ法により好適に形成される。
【００５０】
図１０は、封止膜３１ａの変形例５の封止膜３１ｂを示す断面図である。ここで、本実施形態及び変形例１〜４では、第１貫通孔２７が第２貫通孔２９ｈに重ならない貫通孔構造Ｈａ〜Ｈｅを例示したが、封止膜が互いに独立する３層以上の有機膜を有している場合には、下記の封止膜３１ｂのように、第１貫通孔２７が第２貫通孔２９ｈに重なっていてもよい。
【００５１】
具体的に、封止膜３１ｂは、図１０に示すように、ベース基板１０ａ側から順に設けられた第１の無機膜２６、第１の有機膜２７、第２の無機膜２８、第２の有機膜２９、第３の無機膜３０、…、第（ｎ−２）の有機膜Ｆｗ（ｎは、５以上の整数）、第（ｎ−１）の無機膜Ｆｘ、第（ｎ−１）の有機膜Ｆｙ、第ｎの無機膜Ｆｚを備えている。ここで、封止膜３１ｂでは、図１０に示すように、第１の有機膜２７、第２の有機膜２９、…、第（ｎ−２）の有機膜Ｆｗにおいて貫通孔が重なっているので、第２無機膜２８に形成されたピンホールＰｈがその図中上層側の無機膜にも連続して形成されているものの、ピンホールＰｈが第（ｎ−１）の有機膜Ｆｙに被覆されているので、第ｎ無機膜Ｆｚには、ピンホール（Ｐｈ）が形成されていない。なお、本変形例では、第１の有機膜２７、第２の有機膜２９、…、第（ｎ−２）の有機膜Ｆｗにおいて貫通孔が重なり、それらの互いに重なる貫通孔が第（ｎ−１）の有機膜Ｆｙの貫通孔に重ならない構成、すなわち、第１〜第（ｎ−１）の有機膜の少なくとも１層が当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっていることにより、無機膜に形成されたピンポール（Ｐｈ）が何れか１層の有機膜により必ず被覆される構成を例示したが、第１〜第（ｎ−１）の有機膜に形成された各貫通孔が互いに重ならない構成がさらによいことは、言うまでもない。
【００５２】
上記構成の有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１１を介して第１ＴＦＴ１３ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ１３ａをオン状態にし、ソース線１２ａを介して第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電極及びキャパシタ１３ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電圧に基づいて電源線１２ｂからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が発光層１８に供給されることにより、発光層１８が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ１３ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ１３ｂのゲート電圧がキャパシタ１３ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層１８による発光が維持される。
【００５３】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＥＬ素子形成工程及び封止膜形成工程を備える。
【００５４】
＜ＥＬ素子形成工程＞
例えば、ガラス基板などのベース基板１０ａの表面に、周知の方法を用いて、ゲート線１１、ソース線１２ａ、電源線１２ｂ、第１ＴＦＴ１３ａ、第２ＴＦＴ１３ｂ、キャパシタ１３ｃ、層間絶縁膜１４、第１電極１５、エッジカバー１６、正孔注入層及び正孔輸送層１７、発光層１８、電子輸送層及び電子注入層１９、並びに第２電極２０などを形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成する。
【００５５】
＜封止膜形成工程（バリア膜形成工程）＞
上記ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子２５（第２電極２０）の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第１無機膜２６を形成する。
【００５６】
続いて、第１無機膜２６の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン（ポリパラキシリレン）、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第１貫通孔２７ｈを有する第１有機膜２７を形成する。
【００５７】
その後、第１有機膜２７の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第２無機膜２８を形成する。
【００５８】
さらに、第２無機膜２８の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第２貫通孔２９ｈを有する第２有機膜２９を形成する。
【００５９】
最後に、第２有機膜２９の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第３無機膜３０を形成して、封止膜３１ａを形成する。
【００６０】
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
【００６１】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ａに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができるので、封止膜３１ａを構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【００６２】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法によれば、第１有機膜２７及び第２有機膜２９を真空成膜法により形成するので、有機膜をドット状（島状）に形成する場合よりも、成膜粒子を遮蔽するための成膜マスク（蒸着マスク）の開口比率が高くなることにより、第１有機膜２７及び第２有機膜２９の成膜速度の低下を抑制することができる。
【００６３】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、封止膜形成工程では、第１貫通孔２７ｈ及び第２貫通孔２９ｈが互いに重ならないように、第１有機膜２７及び第２有機膜２９を形成するので、第１無機膜２６又は第２無機膜２８にピンホールやクラックが形成されていても、そのピンホールやクラックが第１有機膜２７又は第２有機膜２９で被覆されることになり、封止膜３１ａのバリア特性の低下を抑制することができる。
【００６４】
《発明の実施形態２》
図１１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの断面図である。また、図１２は、有機ＥＬ表示装置５０ｂを構成するベースコート膜６の断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１〜図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００６５】
上記実施形態１では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
【００６６】
有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図１１に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６と、ベースコート膜６上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜３２と、ベース基板１０ｂに対向するように設けられた封止基板３３と、ベース基板１０ｂ及び封止基板３３を互いに接着するように枠状に設けられた封止樹脂３４とを備えている。
【００６７】
ベースコート膜６は、図１２に示すように、ベース基板１０ｂ側から順に設けられた第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５を備えている。
【００６８】
第１有機膜２には、図１２に示すように、第１無機膜１及び第２無機膜３を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第１貫通孔２ｈが設けられている。
【００６９】
第２有機膜４には、図１２に示すように、第２無機膜３及び第３無機膜５を互いに接触させるように、各々、線状に形成された複数の第２貫通孔４ｈが設けられている。
【００７０】
第１有機膜２及び第２有機膜４は、図１２に示すように、各第１貫通孔２ｈが各第２貫通孔４ｈに重ならないように設けられている。なお、線状の第１貫通孔２ｈ及び第２貫通孔４ｈをそれぞれ有する第１有機膜２及び第２有機膜４は、例えば、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法により好適に形成される。
【００７１】
封止膜３２は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機膜により形成されている。
【００７２】
封止基板３３は、例えば、金属板、ガラス基板、ベースコート膜６と同じ構成のベースコート膜が形成されたプラスチック基板などである。
【００７３】
封止樹脂３４は、例えば、紫外線硬化型のエポキシ樹脂などにより形成されている。
【００７４】
封止膜３２、封止基板３３及び封止樹脂３４に囲まれた空間の内部には、アルゴンなどの不活性ガスや有機樹脂が充填されている。ここで、この有機樹脂には、乾燥剤や酸素吸収剤が含有されていてもよい。また、封止膜３２、封止基板３３及び封止樹脂３４に囲まれた空間の内部には、乾燥剤や酸素吸収剤を含有するシート材が貼付されていたり、乾燥剤や酸素吸収剤を含有する溶液が塗布されていたりしてもよい。さらに、有機ＥＬ表示装置５０ｂでは、封止基板３３及び封止樹脂３４のバリア性が十分に確保できるのであれば、封止膜３２が省略されていてもよい。
【００７５】
次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法について説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの製造方法は、ベースコート膜形成工程、ＥＬ素子形成工程及び封止工程を備える。
【００７６】
＜ベースコート膜形成工程（バリア膜形成工程）＞
例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂの表面に、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第１無機膜１を形成する。
【００７７】
続いて、第１無機膜１の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第１貫通孔２ｈを有する第１有機膜２を形成する。
【００７８】
その後、第１有機膜２の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第２無機膜３を形成する。
【００７９】
さらに、第２無機膜３の表面に、例えば、蒸着法により、ポリアクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミドなどの薄膜を厚さ３μｍ程度で蒸着マスクを用いて成膜することにより、第２貫通孔４ｈを有する第２有機膜４を形成する。
【００８０】
最後に、第２有機膜４の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、第３無機膜５を形成して、ベース基板１０ｂの表面を覆うベースコート膜６を形成する。
【００８１】
＜ＥＬ素子形成工程＞
上記ベースコート膜形成工程で形成されたベースコート膜６の表面に、周知の方法を用いて、ゲート線１１、ソース線１２ａ、電源線１２ｂ、第１ＴＦＴ１３ａ、第２ＴＦＴ１３ｂ、キャパシタ１３ｃ、層間絶縁膜１４第１電極１５、エッジカバー１６、正孔注入層及び正孔輸送層１７、発光層１８、電子輸送層及び電子注入層１９、並びに第２電極２０などを形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成する。
【００８２】
＜封止工程＞
まず、上記ＥＬ素子形成工程で形成された有機ＥＬ素子２５（第２電極２０）の表面に、例えば、蒸着法により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの薄膜を厚さ１００ｎｍ程度で成膜することにより、封止膜３２を形成する。
【００８３】
続いて、封止膜３２の端縁部に封止樹脂３４を枠状に形成する。
【００８４】
さらに、封止膜３２及び封止樹脂３４が形成された基板（ベース基板１０ｂ）と、封止基板３３とを不活性ガスの雰囲気下で貼り合わせ後に、封止樹脂３４を硬化させる。
【００８５】
以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂを製造することができる。
【００８６】
以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６を、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができるので、ベースコート膜６を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【００８７】
なお、本実施形態では、ベース基板１０ｂとしてプラスチック基板を用いる有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法を例示したが、ベース基板１０ｂとしてガラス基板を用いる場合においても、ベースコート膜６（バリア膜）は、有用である。すなわち、ガラス基板は、酸素や水分の透過率が極めて低いので、酸素や水分の透過を抑制する目的でのバリア膜は必要がないものの、例えば、厚さ５０μｍ程度の薄型のガラス基板を用いて有機ＥＬ表示装置に屈曲性を付与する場合、曲げ応力によってベース基板（１０ｂ）から有機ＥＬ素子（２５）が剥離することが懸念される。そのような場合においても、バリア膜がベースコート膜としてガラス基板上に形成されていれば、曲げ応力を第１有機膜（２）及び第２有機膜（４）の各膜全体で分散及び緩和することができ、その結果、有機ＥＬ表示装置を屈曲させる際にベース基板（１０ｂ）から有機ＥＬ素子（２５）が剥離するのを抑制することができる。
【００８８】
《発明の実施形態３》
図１３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの断面図である。
【００８９】
上記実施形態１では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示し、上記実施形態２では、バリア膜としてベースコート膜６が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６及び封止膜３１ａがそれぞれ設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
【００９０】
有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１３に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６と、ベースコート膜６上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａとを備えている。
【００９１】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記実施形態２で説明したベースコート膜形成工程及びＥＬ素子形成工程を順に行った後に、上記実施形態１で説明した封止膜形成工程を行うことにより、製造することができる。
【００９２】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６を、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。また、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。したがって、ベースコート膜６及び封止膜３１ａをそれぞれ構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【００９３】
《発明の実施形態４》
図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄの断面図である。
【００９４】
上記各実施形態では、バリア膜として封止膜３１ａ（３１ｂ）及びベースコート膜６の少なくとも一方が設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａ〜５０ｃを例示したが、本実施形態では、バリア膜としてベースコート膜６ａ、保護膜６ｂ及び封止膜３１ａがそれぞれ設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｄを例示する。
【００９５】
有機ＥＬ表示装置５０ｄは、図１４に示すように、例えば、プラスチック基板などのベース基板１０ｂと、ベース基板１０ｂ上に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられたベースコート膜６ａと、ベースコート膜６ａ上に設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた封止膜３１ａと、ベース基板１０ｂの裏面（有機ＥＬ素子２５と反対側の表面）に有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのバリア膜として設けられた保護膜６ｂとを備えている。
【００９６】
ベースコート膜６ａ及び保護膜６ｂは、上記実施形態２で説明したベースコート膜６と実質的に同じ構成になっている。
【００９７】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄは、上記実施形態２で説明したベースコート膜形成工程をベース基板１０ｂの表面及び裏面に対して行った後に、ＥＬ素子形成工程を行い、続いて、上記実施形態１で説明した封止膜形成工程を行うことにより、製造することができる。
【００９８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、ベースコート膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するためのベースコート膜６ａ及び保護膜６ｂを、第１無機膜１、複数の第１貫通孔２ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２、第２無機膜３、複数の第２貫通孔４ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜４、及び第３無機膜５を順に形成することによりそれぞれ形成するので、第１有機膜２及び第２有機膜４は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２及び第２有機膜４の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜１、第１有機膜２、第２無機膜３、第２有機膜４及び第３無機膜５の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。また、封止膜形成工程において、ＥＬ素子形成工程でベース基板１０ｂに形成された有機ＥＬ素子２５の劣化を抑制するための封止膜３１ａを、第１無機膜２６、複数の第１貫通孔２７ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜２７、第２無機膜２８、複数の第２貫通孔２９ｈが厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜２９、及び第３無機膜３０を順に形成することにより形成するので、第１有機膜２７及び第２有機膜２９は、それぞれ膜全体が繋がっている。これにより、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面で発生する応力を第１有機膜２７及び第２有機膜２９の各膜全体で分散及び緩和することができ、第１無機膜２６、第１有機膜２７、第２無機膜２８、第２有機膜２９及び第３無機膜３０の積層膜の各界面での剥離を抑制することができる。したがって、ベースコート膜６ａ、保護膜６ｂ及び封止膜３１ａをそれぞれ構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができる。
【００９９】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｄ及びその製造方法によれば、保護膜６ｂをベース基板１０ｂの裏面に形成するので、酸素及び水分がベース基板１０ｂを透過する量をいっそう低減することができ、有機ＥＬ素子２５の劣化をいっそう抑制することができる。
【０１００】
なお、上記各実施形態では、各無機膜及び各有機膜がそれぞれ単層膜により構成されたバリア膜を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、各無機膜及び各有機膜がそれぞれ積層膜により構成されたバリア膜を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【０１０１】
また、上記各実施形態では、３色発光方式（３色塗り分け方式）の有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、カラーフィルタ方式（白色方式）や色変換方式などの他の方式の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【０１０２】
また、上記各実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、パッシブマトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
以上説明したように、本発明は、バリア膜を構成する無機膜及び有機膜の界面で発生する応力に起因する無機膜及び有機膜の界面での剥離を抑制することができるので、例えば、高い応力耐性が要望されるフレキシブルな有機ＥＬ表示装置などについて有用である。
【符号の説明】
【０１０４】
１，２６          第１無機膜
２，２７          第１有機膜
２ｈ，２７ｈ      第１貫通孔
３，２８          第２無機膜
４，２９          第２有機膜
４ｈ，２９ｈ      第２貫通孔
５，３０          第３無機膜
６，６ａ          ベースコート膜（バリア膜）
６ｂ      保護膜（バリア膜）
１０ａ，１０ｂ    ベース基板
２０      有機ＥＬ素子
３１ａ，３１ｂ    封止膜（バリア膜）
５０ａ〜５０ｄ    有機ＥＬ表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、
上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、
上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１無機膜、第２無機膜及び第３無機膜と、該第１無機膜及び第２無機膜の間に設けられた第１有機膜と、該第２無機膜及び第３無機膜の間に設けられた第２有機膜とを有し、
上記第１有機膜には、上記第１無機膜及び第２無機膜を互いに接触させる複数の第１貫通孔が設けられ、
上記第２有機膜には、上記第２無機膜及び第３無機膜を互いに接触させる複数の第２貫通孔が設けられている、有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
上記第１貫通孔は、上記第２貫通孔に重ならないように設けられている、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、線状にそれぞれ設けられている、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
上記第１貫通孔及び第２貫通孔は、点状にそれぞれ設けられている、請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
上記バリア膜は、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜である、請求項１〜４の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面に設けられたベースコート膜である、請求項１〜５の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
上記バリア膜は、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面に設けられた保護膜である、請求項１〜６の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
ベース基板と、
上記ベース基板に設けられた有機エレクトロルミネセンス素子と、
上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜とを備え、
上記バリア膜は、上記ベース基板側から順に設けられた第１〜第ｎ（ｎは３以上の自然数）の無機膜と、該隣り合う無機膜の同士の間に上記ベース基板側から順にそれぞれ設けられた第１〜第（ｎ−１）の有機膜とを有し、
上記第１〜第（ｎ−１）の有機膜には、当該有機膜に隣り合う無機膜同士を互いに接触させる複数の貫通孔がそれぞれ設けられ、
上記第１〜第（ｎ−１）の有機膜の少なくとも１層における上記複数の貫通孔が設けられていない部分は、当該有機膜と異なる他の有機膜の少なくとも１層に設けられた各貫通孔と平面視で互いに重なっている、有機エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項９】
ベース基板に有機エレクトロルミネセンス素子を形成するＥＬ素子形成工程と、
上記有機エレクトロルミネセンス素子の劣化を抑制するバリア膜を形成するバリア膜形成工程とを備える有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法であって、
上記バリア膜形成工程では、第１無機膜、複数の第１貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第１有機膜、第２無機膜、複数の第２貫通孔が厚さ方向に貫通して設けられた第２有機膜、及び第３無機膜を順に形成する、有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】
上記バリア膜形成工程では、上記第１貫通孔及び第２貫通孔が互いに重ならないように、上記第１有機膜及び第２有機膜を形成する、請求項９に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１１】
上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を真空成膜法により形成する、請求項９又は１０に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１２】
上記バリア膜形成工程では、上記第１有機膜及び第２有機膜を印刷法又はフォトリソグラフィ法により形成する、請求項９又は１０に記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１３】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の後に行われ、
上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記有機エレクトロルミネセンス素子を覆う封止膜を形成する、請求項９〜１２の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１４】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、
上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子側の表面を覆うベースコート膜を形成する、請求項９〜１３の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【請求項１５】
上記バリア膜形成工程は、上記ＥＬ素子形成工程の前に行われ、
上記バリア膜形成工程では、上記バリア膜として、上記ベース基板の上記有機エレクトロルミネセンス素子と反対側の表面を覆う保護膜を形成する、請求項９〜１４の何れか１つに記載の有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法。
【国際調査報告】
2014038158.tif 000017
2014038158.tif 000018
2014038158.tif 000019
2014038158.tif 000020