(57)【要約】高周波伝送線路であるフラットケーブル（６０）の伝送線路部（１０）は、第１領域（１００Ｓ）と第２領域（１００Ｈ）とが交互に接続される構造からなる。第１領域（１００Ｓ）は、信号導体（４０）を備える誘電体素体（１１０）と、開口部（２４）を備える第１グランド導体（２０）と、ベタ導体の第２グランド導体（３０）からなる柔軟性を有するトリプレート型伝送線路である。第２領域（１００Ｈ）は、ミアンダ状導体（４０Ｈ）を備え幅広の誘電体素体（１１１Ｈ）と、ベタ導体からなる第１グランド導体（２０Ｈ）および第２グランド導体（３０Ｈ）とからなる硬いトリプレート型伝送線路である。第２領域（１００Ｈ）の特性インピーダンスの変化幅（ΔＲ１）は、第１領域（１００Ｓ）の特性インピーダンスの変化幅（ΔＲ０）よりも大きい。
2014003087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に長く、この長手方向に対して直交する方向に所定幅を有するとともに所定の厚みを有し、可撓性を有する平板状の誘電体素体と、
該誘電体素体に配置され、前記長手方向に沿って伸延する形状の信号導体と、
前記信号導体に沿って前記誘電体素体に配置された第１グランド導体と、
を備える高周波伝送線路であって、
前記信号導体および前記第１グランド導体の少なくとも一方は、前記長手方向に沿って特性インピーダンスが周期的に変化し、該特性インピーダンスの変化幅が異なる第１領域および第２領域が形成される形状からなり、
前記第２領域の特性インピーダンスの変化幅は、前記第１領域の特性インピーダンスの変化幅よりも大きい、高周波伝送線路。
【請求項２】
前記第１領域では、
前記第１グランド導体は、前記長手方向に沿って伸延する形状からなり、前記幅方向の両端に互いに離間して配置された前記長手方向に伸延する形状の二つの長尺導体と、該二つの長尺導体を前記長手方向に沿って間隔を空けて接続する複数のブリッジ導体とを備え、
請求項１に記載の高周波伝送線路。
【請求項３】
前記第２領域は、入力端と出力端との間を伝送させることにより高周波信号の位相を所定量回転させる形状からなる、請求項２に記載の高周波伝送線路。
【請求項４】
前記第２領域では、
前記信号導体は、前記高周波信号に対して、位相を前記所定量回転させる長さの導体線路からなり、
前記第１グランド導体は、前記一方端面の略全面に形成された導体である、請求項３に記載の高周波伝送線路。
【請求項５】
前記第２領域では、
前記信号導体と前記厚み方向の略同じ位置に、前記信号導体と略一定の間隔をもって平行に伸延する形状で形成され、前記第１グランド導体に高周波的に接続する第３グランド導体を、備える、請求項３に記載の高周波伝送線路。
【請求項６】
前記第２領域の幅は、前記第１領域の幅よりも広い、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項７】
前記第２領域は、前記長手方向に複数備えられており、複数の前記第２領域の特性インピーダンスの変化幅は、略同じである、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項８】
前記信号導体を間に挟んで前記第１グランド導体と反対側に形成された第２グランド導体を備える、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項９】
前記長手方向の少なくとも一方端に、前記信号導体に接続するコネクタ部材を備える、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波伝送線路と、
該高周波伝送線路によって接続される複数の実装回路基板と、
前記実装回路基板が内蔵される筐体と、を備えた電子機器。
【請求項１１】
前記高周波伝送線路は、前記第１領域で少なくとも一箇所が折り曲げられた形状である、請求項１０に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を伝送する薄型の高周波伝送線路および当該高周波伝送線路を備える電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波信号を伝送する高周波線路としては、同軸ケーブルが代表的である。同軸ケーブルは、一方向に延びる形状（信号伝送方向に延びる形状）の中心導体（信号導体）と、該中心導体の外周面に沿って同心円状に設けられたシールド導体とを備える。【０００３】
ところで、近年、移動体通信端末を含む高周波機器の小型化、薄型化が進み、端末筐体内に同軸ケーブルを配置するスペースが確保できない場合がある。また、同軸ケーブルは硬く、湾曲させたり、屈曲させたりする引き回しを行うのが容易ではない。【０００４】
このような同軸ケーブルを利用する際に生じる問題点を解決する構成として、特許文献１および特許文献２に示すような高周波伝送線路を用いることが注目されている。高周波伝送線路は、幅が同軸ケーブルよりも広いものの薄型にできるため、端末筐体内に薄い隙間しかないような場合に、特に有用である。また、高周波伝送線路は、可撓性を有する誘電体素体を基材としているので、柔軟性があり、湾曲や屈曲させた引き回しを容易に行うことができる。【０００５】
特許文献１、特許文献２に記載の高周波伝送線路は、基本的な構造として、トリプレート型のストリップライン構造を有している。【０００６】
特許文献１、特許文献２に示すような高周波伝送線路は、可撓性を有し絶縁性を有する平板状の誘電体素体を備える。誘電体素体は、一直線状に延びる長尺形状である。誘電体素体の厚み方向に直交する第２面には、第２グランド導体が配設されている。第２グランド導体は、基材シートの第２面を略全面で覆う、所謂ベタ導体パターンである。基材シートの第１面に対向する第１面には、第１グランド導体が配設されている。第１グランド導体は、長手方向に沿って延びる形状の長尺導体を、長手方向および厚み方向に直交する幅方向の両端に備える。二本の長尺導体は、長手方向に沿って所定間隔をおいて配置され、幅方向に延びる形状からなるブリッジ導体によって接続されている。これにより、第２グランド導体は、所定の開口長からなる開口部が長手方向に沿って配列形成された形状からなる。【０００７】
誘電体素体の厚み方向の中間には、所定幅で所定厚みの信号導体が形成されている。信号導体は、第１グランド導体の長尺導体部および第２グランド導体と平行な方向に伸延する長尺状からなる。信号導体は、誘電体素体の幅方向の略中央に形成されている。【０００８】
このような構成により、高周波伝送線路を平面視すると（第１面および第２面に直交する方向から見ると）、信号導体は、第１グランド導体に対して、ブリッジ導体で重なり合うだけで、他の領域では開口部内となるように配置される。【０００９】
このような形状とすることで、所定の伝送特性を有しながら、高周波伝送線路を薄型化でき、湾曲や屈曲させるような引き回しが容易な構造を実現している。なお、ここで言う湾曲、屈曲は、高周波伝送線路の平板面の全体が同一平面上に存在せず、立体的に変形する状態を示す。言い換えれば、高周波伝送線路の平板面に対して厚み方向に所定角をもって曲がるような状態を示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】国際公開第２０１１／００７６６０号パンフレット
【特許文献２】実用新案登録第３１７３１４３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述の構造の高周波伝送線路では、次に示すような問題が生じる。図１４は、従来構造の高周波伝送線路に生じる問題を説明するために、特性インピーダンスの分布特性を示すグラフである。【００１２】
従来の高周波伝送線路では、第１グランド導体が長手方向に沿って複数の開口部を備えている。したがって、第１グランド導体と信号導体は、ブリッジ導体の設置箇所のみで厚み方向に沿って対向する。このため、長手方向に沿ったブリッジ導体の位置で最もＣ性が高く、開口部の中央でＬ性（＝誘導性）が高くなる。【００１３】
ブリッジ導体は、上述のように所定間隔で配置されているので、従来の高周波伝送線路の特性インピーダンスは、ブリッジ導体の設置間隔に応じて周期的に変化する。そして、高周波伝送線路の全長おいては、所望とする特性インピーダンスになるように設定されている。【００１４】
このような特性インピーダンスの設定は、高周波伝送線路が湾曲していない状態で行われている。したがって、高周波伝送線路が湾曲していない状態では、図１４（Ａ）に示すように、ブリッジ導体の設置間隔に応じて特性インピーダンスが遷移し、全長として所望の特性インピーダンスＺｏとなる。この際、特性インピーダンスの実数の振れ幅ΔＲ０は、一定値である。【００１５】
ところが、高周波伝送線路が湾曲している場合、湾曲部では、信号導体と第１グランド導体および第２グランド導体との位置関係が変化してしまう。この場合、湾曲部の特性インピーダンスが変化してしまう。そして、湾曲状態によっては、例えば、図１４（Ｂ）に示すように、開口部でのＬ性が増加して、湾曲部での特性インピーダンスの実数の振れ幅ΔＲ０’が、湾曲していない部分での特性インピーダンスの実数の振れ幅ΔＲ０よりも大きくなることがある。【００１６】
ここで、高周波伝送線路全体としての特性インピーダンスは、特性インピーダンスの実数の振れ幅の最大値に大きく依存する。したがって、高周波伝送線路が湾曲して、特性インピーダンスの実数の振れ幅の最大値が変化すると、高周波伝送線路全体としての特性インピーダンスも変化する。例えば、図１４（Ｂ）に示すように、湾曲部を有する状態での高周波伝送線路全体の特性インピーダンスＺ０’は、湾曲していない状態での高周波伝送線路全体の特性インピーダンスＺ０と異なる。このため、ＲＦ信号の伝送損失が増加してしまい、伝送特性が劣化してしまうことになる。【００１７】
本発明の目的は、部分的に厚み方向へ湾曲させても全体としての特性インピーダンスが殆ど変化しない高周波伝送線路および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この発明の高周波伝送線路は、次の特徴を有する。高周波伝送線路は、誘電体素体、信号導体、第１グランド導体を備える。誘電体素体は、一方向に長く、この長手方向に対して直交する方向に所定幅を有するとともに所定の厚みを有し、可撓性を有する平板からなる。信号導体は、誘電体素体に配置され、長手方向に沿って伸延する形状からなる。第１グランド導体は、信号導体に沿って誘電体素体に配置されている。【００１９】
信号導体と第１グランド導体の少なくとも一方は、長手方向に沿って特性インピーダンスが周期的に変化し、該特性インピーダンスの変化幅が異なる第１領域および第２領域が形成される形状からなる。第２領域の特性インピーダンスの変化幅は、第１領域の特性インピーダンスの変化幅よりも大きい。【００２０】
この構成では、高周波伝送線路全体の特性インピーダンスは、第２領域の特性インピーダンスによるものが支配的になる。したがって、第１領域を屈曲させれば、第１領域の特性インピーダンスが変化しても、第２領域の特性インピーダンスは変化しないので、高周波伝送線路全体としての特性インピーダンスも殆ど変化しない。【００２１】
また、この発明の高周波伝送線路は、次の構成であることが好ましい。高周波伝送線路の第１領域では、第１グランド導体は、長手方向に沿って伸延する形状からなり、幅方向の両端に互いに離間して配置された長手方向に伸延する形状の二つの長尺導体と、該二つの長尺導体を長手方向に沿って間隔を空けて接続する複数のブリッジ導体とを備える形状からなる。第２グランド導体は、他方端面の略全面に形成された導体である。【００２２】
この構成では、高周波伝送線路の第１領域の具体的な形状例を示している。このような形状とすることで、第１グランド導体は、導体の非形成部である開口部が長手方向に沿って複数配列配置される構造となる。これにより、第１領域は、誘電体素体と比較して硬い導体の占める割合が小さくなり、湾曲または屈曲しやすい構造となる。【００２３】
また、この発明の高周波伝送線路の第２領域は、入力端と出力端との間を伝送させることにより高周波信号の位相を所定量回転させる形状からなることが好ましい。【００２４】
この構成では、第２領域が、さらに位相調整回路としても機能する。これにより、入力された高周波信号を、高周波伝送線路によって伝送しながら、所定の位相で出力することができる。【００２５】
また、この発明の高周波伝送線路は、次の構成であることが好ましい。高周波伝送線路の第２領域では、信号導体は、高周波信号に対して、位相を所定量回転させる長さの導体線路からなる。高周波伝送線路の第２領域では、第１グランド導体は一方端面の略全面に形成された導体である。【００２６】
この構成では、高周波伝送線路の第２領域を分布定数線路で実現している。これにより、周波数特性に優れる位相調整回路（ディレイライン）として機能させることができる。また、第１グランド導体および第２グランド導体が所謂ベタ導体であるため、第２領域をより硬くし、湾曲または屈曲し難くすることができる。【００２７】
また、この発明の高周波伝送線路は、次の構成であることが好ましい。高周波伝送線路の第２領域では、信号導体と厚み方向の略同じ位置に、信号導体と略一定の間隔をもって平行に伸延する形状で形成され、第１グランド導体に高周波的に接続する第３グランド導体を、備える。【００２８】
この構成では、位相調整回路を構成する導体線路がグランドに囲まれる。したがって、位相調整回路としての特性を高精度に設定でき、所望とする位相回転量を高精度に実現することができる。【００２９】
また、この発明の高周波伝送線路では、第２領域の幅が第１領域の幅よりも広いことが好ましい。【００３０】
この構成では、第２領域の面積が広いことで、第２領域を硬くし、湾曲または屈曲し難くすることができる。【００３１】
また、この発明の高周波伝送線路では、次の構成であることが好ましい。高周波伝送線路の第２領域は、当該高周波伝送線路の長手方向に複数備えられており、複数の第２領域の特性インピーダンスの変化幅は、略同じであることが好ましい。【００３２】
この構成では、湾曲または屈曲しない複数の第２領域の特性インピーダンスが略同じであることで、高周波伝送線路全体としての特性インピーダンスを、より安定化することができる。【００３３】
また、この発明の高周波伝送線路では、信号導体を間に挟んで第１グランド導体と反対側に形成された第２グランド導体を備えることが好ましい。【００３４】
これにより、トリプレート型の伝送線路を実現することができる。【００３５】
また、この発明の高周波伝送線路では、長手方向の少なくとも一方端に、信号導体に接続するコネクタ部材を備えてもよい。【００３６】
この構成では、コネクタ部材を備えることで、外部回路基板等に、高周波伝送線路を容易に接続できる。【００３７】
また、この発明は、電子機器に関するのであり、次の構成であることを特徴としている。電子機器は、上述のいずれかに記載の高周波伝送線路と、高周波伝送線路によって接続される複数の実装回路基板と、実装回路基板が内蔵される筐体と、を備えている。【００３８】
この構成では、上述の高周波伝送線路を用いた電子機器を示している。上述の高周波伝送線路を用いることで、高周波伝送線路を湾曲または屈曲させて用いても、伝送損失を増加させることなく、実装回路基板間で高周波信号を伝送することができる。【００３９】
また、この発明の電子機器では、高周波伝送線路は、第１領域で少なくとも一箇所が折り曲げられた形状であることが好ましい。【００４０】
この構成では、高周波伝送線路の配置態様を増加させることができる。さらに、どの配置態様で屈曲させても、高周波伝送線路の特性インピーダンスが一定である。これにより、電子機器内の高周波信号の伝送特性が向上する。
【発明の効果】
【００４１】
この発明によれば、フラットケーブルを部分的に湾曲させても全体としての特性インピーダンスが殆ど変化しない。したがって、使用態様に影響を受けることなく安定した伝送特性のフラットケーブルを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】発明の第１の実施形態に係るフラットケーブル６０の外観斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第１領域の構造を示す分解斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【図４】本実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の長手方向に沿った特性インピーダンスの分布特性を示すグラフである。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図および平面断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の長手方向に沿った特性インピーダンスの分布特性を示すグラフである。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【図９】本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【図１１】本発明の第６の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【図１２】本発明の第７の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【図１３】幅が一定な場合のフラットケーブルの外観斜視図である。
【図１４】従来構造のフラットケーブルに生じる問題を説明するために、特性インピーダンスの分布特性を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波伝送線路であるフラットケーブル６０の外観斜視図である。図１（Ａ）は、フラットケーブルが全長に亘って湾曲していない状態を示す。図１（Ｂ）、図１（Ｃ）は、フラットケーブルが部分的に湾曲している状態を示し、図１（Ｃ）の方が図１（Ｂ）よりも大きく湾曲している状態を示している。なお、図１（Ａ）では、同軸コネクタが配設されている側を上面とし、図１（Ｂ），図１（Ｃ）では、同軸コネクタが配設されている側を下面とした斜視図である。
【００４４】
図２は、本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第１領域の構造を示す分解斜視図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【００４５】
フラットケーブル６０は、伝送線路部１０と、同軸コネクタ６１とを備える。伝送線路部１０は、平板状で且つ長尺状からなる。伝送線路部１０は、長手方向に沿って第１領域１００Ｓ、第２領域１００Ｈ、第１領域１００Ｓ、第２領域１００Ｈ、第１領域１００Ｓが連続する構造からなる。
【００４６】
同軸コネクタ６１は二個あり、伝送線路部１０の長手方向の両端にそれぞれ設置されている。同軸コネクタ６１は、変換台座６２を介して、伝送線路部１０の第２主面（本発明の他方面に相当）側に設置されている。同軸コネクタ６１の図示していない中心導体は、伝送線路部１０の信号導体４０（図２、図３参照）の端部に接続されている。また、同軸コネクタ６１の図示していない外部導体は、伝送線路部１０の第２グランド導体３０に接続されている。なお、同軸コネクタ６１および変換台座６２は、省略することもでき、同軸の態様でなくてもよい。省略する場合には、伝送線路部１０の両端付近の信号導体４０や、第１グランド導体２０および第２グランド導体３０を外部に露出させればよい。また、同軸コネクタ６１の設置面を異ならせてもよい。例えば、一方端の同軸コネクタ６１を第１主面側に設置し、他方端の同軸コネクタ６１を第２主面側に設置してもよい。
【００４７】
伝送線路部１０は、図１に示すように、外観上は、平板状の誘電体素体１１０を、当該誘電体素体１１０の厚み方向の両端から保護層１２０と保護層１３０ではさみ込む形状からなる。具体的には、誘電体素体１１０の厚み方向の一方端面である第１主面側には、誘電体素体１１０の略全面に亘り保護層１３０が形成されている。誘電体素体１１０の厚み方向の他方端面である第２主面側には、誘電体素体１１０の略全面に亘り保護層１２０が形成されている。
【００４８】
伝送線路部１０を構成する第１領域１００Ｓおよび第２領域１００Ｈの具体的な構造について、次に説明する。
【００４９】
（Ａ）第１領域１００Ｓ（図２参照）
第１領域１００Ｓは、第１誘電体層１１１と第２誘電体層１１２とからなる誘電体素体１１０を備える。誘電体素体１１０は、所定の厚みを有する可撓性の平板である。誘電体素体１１０は、平板面に沿った第１方向に長く、当該平板面に沿い長手方向（第１方向）に対して直交する方向に所定の幅を有する。誘電体素体１１０は、例えば、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する素材からなる。
【００５０】
信号導体４０は、平膜状からなり、第１誘電体層１１１と第２誘電体層１１２との層間に形成されている。誘電体素体１１０の幅方向の略中央に形成されている。信号導体４０の幅は、誘電体素体１１０の幅よりも狭く、より具体的には、後述する第１グランド導体２０を構成する長尺導体２１，２２の幅方向の間隔よりも狭い。信号導体４０は、誘電体素体１１０の厚み方向の中間に形成されている。信号導体４０の厚み方向の位置は、伝送線路部１０として所望とする特性インピーダンスが得られるように設定されている。言い換えれば、第１誘電体層１１１および第２誘電体層１１２の厚みは、伝送線路部１０として所望とする特性インピーダンスが得られるように設定されている。信号導体４０は、導電性が高い材料、例えば銅（Ｃｕ）等からなる。
【００５１】
第１グランド導体２０は、誘電体素体１１０の第１主面（第１誘電体層１１１側の表面）に形成されている。第１グランド導体２０は、長尺導体２１，２２とブリッジ導体２３とを備える。第１グランド導体２０も、導電性が高い材料、例えば銅（Ｃｕ）等からなる。
【００５２】
長尺導体２１，２２は、誘電体素体１１０の長手方向に沿って延びる長尺状である。長尺導体２１は、誘電体素体１１０の幅方向の一方端に形成されており、長尺導体２２は、誘電体素体１１０の幅方向の他方端に形成されている。長尺導体２１，２２は、誘電体素体１１０の幅方向に沿って、所定の間隔をおいて形成されている。
【００５３】
ブリッジ導体２３は、誘電体素体１１０の幅方向に伸延する形状からなる。ブリッジ導体２３は、誘電体素体１１０の長手方向に沿って間隔をおいて、複数形成されている。これにより、第１主面側に直交する方向から見て（厚み方向に沿って見て）、ブリッジ導体２３間には、開口部２４が形成される。
【００５４】
このように、第１グランド導体２０は、長手方向に延びる梯子形状からなる。
【００５５】
第２グランド導体３０は、誘電体素体１１０の第２主面（第２誘電体層１１２側の表面）に形成されている。第２グランド導体３０は、誘電体素体１１０の略全面に亘り形成されている。第２グランド導体３０も、導電性が高い材料、例えば銅（Ｃｕ）等からなる。
【００５６】
第１グランド導体２０と第２グランド導体３０は、接続導体５０によって接続されている。接続導体５０は、所謂導電性ビア導体であり、誘電体素体１１０を厚み方向に貫通する導体である。接続導体５０は、第１グランド導体２０における長尺導体２１，２２とブリッジ導体２３とが接続する位置に形成されている。
【００５７】
このような構成により、伝送線路部１０の第１領域１００Ｓは、誘電体素体１１０内に形成された信号導体４０を第１グランド導体２０と第２グランド導体３０とではさみ込む形状からなる。これにより、所謂トリプレート型の伝送線路を実現できる。この場合、ベタ導体である第２グランド導体３０が、基準グランドになり、梯子状の第１グランド導体２０が補助グランドになる。
【００５８】
そして、第１領域１００Ｓでは、第１グランド導体２０に、長手方向に沿って所定の間隔で、導体が形成されていない開口部が形成されている。これにより、第１領域１００Ｓは、第１グランド導体を第２グランド導体と同様のベタ電極とする場合よりも、誘電体素体１１０に対する導体の割合を低くできるとともに、誘電体素体の厚みも薄くできる。これにより、第１領域１００Ｓは、柔軟性を有し、フラットケーブルの平板面に対して厚み方向に所定角をもって曲げることが容易な形状となる。
【００５９】
（Ｂ）第２領域１００Ｈ（図３参照）
第２領域１００Ｈは、第１誘電体層１１１Ｈと第２誘電体層１１２Ｈとからなる誘電体素体１１０Ｈを備える。誘電体素体１１０Ｈは、所定の厚みを有する可撓性の平板である。誘電体素体１１０Ｈは、第１領域１００Ｓの誘電体素体１１０よりも幅広な形状からなる。なお、誘電体素体１１０Ｈの幅は、第１領域１００Ｓの誘電体素体１１０の幅と同程度であってもよい。
【００６０】
誘電体素体１１０Ｈは、例えば、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する素材からなる。第１誘電体層１１１Ｈは、第１領域１００Ｓの第１誘電体層１１１と一体形成されており、第２誘電体層１１２Ｈは、第１領域１００Ｓの第２誘電体層１１２と一体形成されている。すなわち、第２領域１００Ｈの誘電体素体１１０Ｈは、第１領域１００Ｓの誘電体素体１１０と一体形成されている。
【００６１】
第２領域１００Ｈは、ミアンダ状導体４０Ｈを備える。ミアンダ状導体４０Ｈは、第１誘電体層１１１Ｈと第２誘電体層１１２との層間に形成されている。ミアンダ状導体４０Ｈの両端は、当該第２領域１００Ｈに接続する第１領域１００Ｓの信号導体４０にそれぞれ接続している。このような形状のミアンダ状導体４０Ｈは、分布定数回路では伝送線路に直列接続されたインダクタとして機能する。ミアンダ状導体４０Ｈの長さは、伝送する高周波信号がミアンダ状導体４０Ｈを伝送することにより、所望の位相量で当該高周波信号の位相が回転する長さに設定されている。そして、このように分布定数回路によるインダクタを用いることで、周波数によるインダクタンスの変化無く、周波数特性に優れる位相調整回路を実現することができる。これにより、伝送信号が所定の周波数帯域を有するような場合にも、低損失に伝送できる。
【００６２】
第２領域１００Ｈは、第１グランド導体２０Ｈを備える。第１グランド導体２０Ｈは、誘電体素体１１０Ｈの第１主面（第１誘電体層１１１Ｈ側の表面）に形成されている。第１グランド導体２０Ｈは、誘電体素体１１０Ｈの第１主面の略全面に亘る形状で形成されている。すなわち、第１グランド導体２０Ｈは、第２領域１００Ｈにおいてベタ導体である。第１グランド導体２０Ｈも、導電性が高い材料、例えば銅（Ｃｕ）等からなる。第１グランド導体２０Ｈは、第１領域１００Ｓの第１グランド導体２０と一体形成されている。
【００６３】
第２領域１００Ｈは、第２グランド導体３０Ｈを備える。第２グランド導体３０Ｈは、誘電体素体１１０Ｈの第２主面（第２誘電体層１１２Ｈ側の表面）に形成されている。第２グランド導体３０Ｈは、誘電体素体１１０Ｈの第２主面の略全面に亘る形状で形成されている。すなわち、第２グランド導体３０Ｈは、第２領域１００Ｈにおいてベタ導体である。第２グランド導体３０Ｈも、導電性が高い材料、例えば銅（Ｃｕ）等からなる。第２グランド導体３０Ｈは、第１領域１００Ｓの第２グランド導体３０と一体形成されている。
【００６４】
第１グランド導体２０Ｈと第２グランド導体３０Ｈは、接続導体５０Ｈによって接続されている。接続導体５０Ｈは、所謂導電性ビア導体であり、誘電体素体１１０Ｈを厚み方向に貫通する導体である。接続導体５０Ｈは、第２領域１００Ｈを平面して、ミアンダ状導体４０Ｈの形成領域を除く領域に複数形成されている。
【００６５】
このような構成により、第２領域１００Ｈは、隣り合って接続する第１領域１００Ｓ間で高周波信号を伝送する時に、当該高周波信号の位相を所定位相量で回転させる位相調整回路として機能する。これにより、フラットケーブル６０に入力された高周波信号は、所定位相に調整されて出力される。なお、第２領域は、コイル状のインダクタパターンやキャパシタパターンが形成されていてもよく、ローパスフィルタやハイパスフィルタ等のフィルタ回路として機能するものであってもよい。コイル状のインダクタパターンを形成した場合には、第２領域１００Ｈのインピーダンスをブリッジ導体２３が形成されている位置よりも、容易に高くすることができる。
【００６６】
さらに、本実施形態の第２領域１００Ｈは、第３グランド導体４１を備える。第３グランド導体４１は、第１誘電体層１１１Ｈと第２誘電体層１１２Ｈとの層間に形成されている。言い換えれば、第３グランド導体４１は、誘電体素体１１０Ｈの厚み方向に沿って、ミアンダ状導体４０Ｈと同じ位置に形成されている。第３グランド導体４１は、ミアンダ状導体４０Ｈと所定距離をおいて平行な形状で形成されている。第３グランド導体４１は、接続導体５０Ｈにより、第１グランド導体２０Ｈおよび第２グランド導体３０Ｈに接続されている。このような構成とすることで、第２領域１００Ｈで実現される位相調整回路の特性を高精度に設定することができる。これにより、より高精度に高周波信号に対して所定の位相回転量を与えることができる。さらに、ミアンダ状導体４０Ｈを外部環境から遮蔽することができる。したがって、ミアンダ状導体４０Ｈで発生する不要輻射が外部へ漏洩することを抑制できる。
【００６７】
また、本実施形態の構成とすることで、第２領域１００Ｈは、ミアンダ状導体４０Ｈをベタ導体で挟んだ形状からなるので、誘電体素体に対する導体の割合が大きくなる。したがって、第１領域１００Ｓよりも硬くすることができ、曲がりにくい構造となる。さらに、上述の実施形態の構成では、第２領域１００Ｈの幅が第１領域１００Ｓの幅よりも広いため、より硬くなり、さらに曲がり難い構造を実現することができる。
【００６８】
そして、このような構成を用いることで、フラットケーブル６０の伝送線路部１０は長手方向に沿って、次に示すような特性インピーダンスの分布特性となる。図４は、本実施形態に係るフラットケーブル６０の伝送線路部１０の長手方向に沿った特性インピーダンスの分布特性を示すグラフである。図４（Ａ）は湾曲していない状態を示し、図４（Ｂ）は第１領域１００Ｓが湾曲している状態を示す。
【００６９】
第１領域１００Ｓでは、ブリッジ導体２３の配置間隔に応じた周期で特性インピーダンスが変化する。具体的には、特性インピーダンスは、長手方向に沿ったブリッジ導体２３の位置でブリッジ導体２３と信号導体４０とが厚み方向に対向するのでＣ性（＝容量性）が強くなり、最小値となる。そして、特性インピーダンスは、長手方向に沿ったブリッジ導体２３の中間位置、言い換えれば長手方向に沿った開口部２４の中心位置でＬ性が最も強くなって最大値となる。これにより、第１領域１００Ｓでの特性インピーダンスの最大値と最小値との差である特性インピーダンスの変化幅はΔＲ０となる。
【００７０】
第２領域１００Ｈでは、ミアンダ状導体４０Ｈを用いていることにより、当該ミアンダ状導体４０Ｈの伸延方向の中間位置で、最もＬ性が強くなり、特性インピーダンスが最大値となる。一方、第２領域１００Ｈと第１領域１００Ｓとの境界位置では、信号導体４０と第１グランド導体２０Ｈとが対向するためＣ性が強くなり、特性インピーダンスが最小になる。これにより、第２領域１００Ｈでの特性インピーダンスの最大値と最小値との差である特性インピーダンスの変化幅はΔＲ１なる。
【００７１】
この際、ミアンダ状導体４０Ｈの長さを適宜設定することで、第２領域１００Ｈでの特性インピーダンスの最大値を、第１領域１００Ｓでの特性インピーダンスの最大値よりも高くすることができる。これにより、第２領域１００Ｈでの特性インピーダンスの変化幅ΔＲ１を、第１領域１００Ｓでの特性インピーダンスの変化幅ΔＲ０よりも大きくすることができる。
【００７２】
ここで、さらに、第２領域１００Ｈでの特性インピーダンスの変化幅ΔＲ１を、第１領域１００Ｓを湾曲または屈曲させたことによる特性インピーダンスの変化幅ΔＲ０が取り得る最大値ΔＲ０’よりも大きくなるように設定しておく。
【００７３】
このような構成とすることで、第１領域１００Ｓを湾曲または屈曲させたことにより、第１領域１００Ｓの特性インピーダンスが変化しても、伝送線路部１０として、特性インピーダンスの変化幅の最大値は、第２領域１００Ｈの特性インピーダンスの変化幅ΔＲ１である。
【００７４】
これにより、第１領域１００Ｓを湾曲または屈曲させても、伝送線路部１０としての特性インピーダンスは殆ど変化しない。
【００７５】
したがって、第１領域１００Ｓの特性インピーダンスと第２領域１００Ｈの特性インピーダンスの分布を予め加味して、伝送線路部１０として所望の特性インピーダンスＺ０になるように各部の形状を設定しておけば、第１領域１００Ｓの湾曲または屈曲に影響されることなく、伝送線路部１０としての特性インピーダンスを一定に保つことができる。これにより、伝送特性に優れるフラットケーブルを実現することができる。
【００７６】
例えば、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）に示すように、第１領域１００Ｓを湾曲部として、フラットケーブル６０を湾曲させて利用しても伝送特性が劣化せず、優れた伝送特性のフラットケーブルを実現することができる。
【００７７】
また、伝送方向に沿った第２領域１００Ｈの間隔、すなわちインピーダンスの絶対値が高くなる位置の間隔（図４の「Ｓ」）は、短い方がよい。間隔Ｓを短くすることにより、伝送線路部１０の伝送−周波数特性に影響を与える定在波の周波数を高くすることができる。したがって、間隔Ｓを短く調整し、伝送する高周波信号の周波数から離間した高い周波数にすることで、伝送信号の周波数帯域における伝送線路部１０の伝送−周波数特性を向上させることができる。すなわち、伝送信号の周波数帯域において、低損失な伝送特性を実現できる。
【００７８】
さらに、本実施形態の構成では、高周波信号の位相を所定位相量回転させることができるので、高周波用パワーアンプのように、位相によって出力特性が異なるような回路素子に接続する場合に、より適切な位相に調整した状態で高周波信号を供給することができる。これにより、当該フラットケーブルを用いた高周波モジュールの特性（例えば送信信号出力特性等）を向上させることができる。
【００７９】
なお、上述の第２領域１００Ｈの接続導体５０Ｈは、第１領域１００Ｓの接続導体５０よりも径が大きなものであるとよい。できる限り多い個数形成するとよい。これにより、第２領域１００Ｈの湾曲に対する硬さをより強くすることができる。
【００８０】
このような構造のフラットケーブルは、例えば次に示すように製造される。
【００８１】
まず、両面銅貼りの第１の絶縁性フィルムと、片面銅貼りの第２の絶縁性フィルムを用意する。
【００８２】
第１の絶縁性フィルムの第１主面側の第１領域１００Ｓに対応する部分に、パターニング処理により第１グランド導体２０を形成し、第２領域１００Ｈに対応する部分に、パターニング処理により第１グランド導体２０Ｈを形成する。
【００８３】
第１の絶縁性フィルムの第２主面側の第１領域１００Ｓに対応する部分に、パターニング処理により信号導体４０を形成し、第２領域１００Ｈに対応する部分に、パターニング処理によりミアンダ状導体４０Ｈおよび第３グランド導体４１を形成する。
【００８４】
なお、第１の絶縁性フィルムには、第１グランド導体２０，２０Ｈ、信号導体４０、ミアンダ状導体４０Ｈおよび第３グランド導体４１の組が、複数個、配列形成されている。
【００８５】
第２の絶縁性フィルムの第２主面側の第１領域１００Ｓに対応する部分に、パターニング処理により第２グランド導体３０を形成し、第２領域１００Ｈに対応する部分に、パターニング処理により第２グランド導体３０Ｈを形成する。なお、第２の絶縁性フィルムには、第２グランド導体３０，３０Ｈが、複数個、配列形成されている。
【００８６】
各第１グランド導体２０と第２グランド導体３０とが対向し、第１グランド導体２０Ｈと第２グランド導体３０Ｈとが対向するように、第１の絶縁性フィルムと第２の絶縁性フィルムとを貼り合わせる。この際、信号導体４０、ミアンダ状導体４０Ｈ、第３グランド導体４１が第１の絶縁性フィルムと第２の絶縁フィルムとの間に配置されるように、第１の絶縁性フィルムと第２の絶縁性フィルムとを貼り合わせる。これにより、信号導体４０、ミアンダ状導体４０Ｈ、第３グランド導体４１を厚み方向の中間位置に備える誘電体素体の両面に第１グランド導体２０，２０Ｈと第２グランド導体３０，３０Ｈとが形成された複合体を、複数得られる。
【００８７】
この複合体から、それぞれ個別の伝送線路部１０を切り出す。伝送線路部１０に保護層１２０、１３０を形成する。伝送線路部１０の長手方向の両端で、且つ、保護層１３０の形成される側の面に、変換台座６２を介して同軸コネクタ６１を設置する。
【００８８】
上述の構造からなるフラットケーブル６０は、次に示す携帯電子機器に用いることができる。図５（Ａ）は本発明の第１の実施形態に係る携帯電子機器の部品構成を示す側面断面図であり、図５（Ｂ）は当該携帯電子機器の部品構成を説明する平面断面図である。
【００８９】
携帯電子機器１は、薄型の機器筐体２を備える。機器筐体２内には、実装回路基板３Ａ，３Ｂと、バッテリーパック４が配置されている。実装回路基板３Ａ，３Ｂの表面には、複数のＩＣチップ５および実装部品６が実装されている。実装回路基板３Ａ，３Ｂおよびバッテリーパック４は、機器筐体２を平面視して、実装回路基板３Ａ，３Ｂ間にバッテリーパック４が配置されるように、機器筐体２に設置されている。ここで、機器筐体２はできる限り薄型に形成されているので、機器筐体２の厚み方向においては、バッテリーパック４と機器筐体２との間隔が極狭い。したがって、この間に同軸ケーブルを配置することができない。
【００９０】
しかしながら、本実施形態に示したフラットケーブル６０を、当該フラットケーブル６０の厚み方向と、機器筐体２の厚み方向とが一致するように配置することで、バッテリーパック４と機器筐体２との間に、フラットケーブル６０を通すことができる。これにより、バッテリーパック４を中間に配して離間された実装回路基板３Ａ，３Ｂをフラットケーブル６０で接続することができる。
【００９１】
さらに、フラットケーブル６０の実装回路基板３Ａ，３Ｂへの接続位置と、バッテリーパック４のフラットケーブル６０の設置面が、機器筐体２の厚み方向において異なり、フラットケーブル６０を湾曲させて接続しなければならない場合であっても、本実施形態の構造を用いることで、伝送損失を抑えて、高周波信号を伝送することができる。
【００９２】
次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波伝送線路であるフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図６は本発明の第２の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【００９３】
本実施形態のフラットケーブル６０ａの伝送線路部１０ａは、第２領域１００ＨＣの構造が、第１の実施形態に示した伝送線路部１０と異なるものであり、他の構成は同じである。したがって、異なる箇所のみを説明する。
【００９４】
第２領域１００ＨＣは、第１誘電体層１１１Ｈと第２誘電体層１１２Ｈとの間に、平板導体４０ＨＣを備える。平板導体４０ＨＣは、厚み方向に沿って見て、第２領域１００ＨＣの略全面に形成されている。平板導体４０ＨＣは、所謂ベタ導体である。
【００９５】
第１グランド導体２０Ｈおよび第２グランド導体３０Ｈを接続する接続導体５０Ｈは、平板導体４０ＨＣに接続しない位置に、複数形成されている。
【００９６】
このような構成とすることで、平板導体４０ＨＣと、第１グランド導体２０Ｈおよび第２グランド導体３０Ｈと、第１、第２誘電体層１１１Ｈ，１１２Ｈとから、伝送線路とグランドとの間に接続されたキャパシタとして機能する。
【００９７】
このような構成であっても、高周波信号の位相を回転させる位相調整回路を実現することができる。
【００９８】
そして、このような構成とすることで、フラットケーブル６０ａの伝送線路部１０ａは長手方向に沿って、次に示すような特性インピーダンスの分布特性となる。図７は、本発明の第２の実施形態に係るフラットケーブル６０ａの伝送線路部１０ａの長手方向に沿った特性インピーダンスの分布特性を示すグラフである。
【００９９】
第１領域１００Ｓでは、第１の実施形態と同様に、特性インピーダンスの最大値と最小値との差である特性インピーダンスの変化幅はΔＲ０となる。
【０１００】
第２領域１００ＨＣでは、平板導体４０ＨＣを用いて第１グランド導体２０Ｈおよび第２グランド導体３０Ｈとの間にキャパシタンスを発生していることにより、Ｃ性が強くなり、特性インピーダンスが、第１領域１００Ｓとの境界位置よりも大幅に小さくなり、最小値となる。これにより、第２領域１００ＨＣでの特性インピーダンスの最大値と最小値との差である特性インピーダンスの変化幅はΔＲ２なり、第１領域１００Ｓの変化幅ΔＲ０よりも大きくなる。
【０１０１】
ここで、さらに、第２領域１００ＨＣでの特性インピーダンスの変化幅ΔＲ２を、第１領域１００Ｓを湾曲または屈曲させたことによる特性インピーダンスの変化幅ΔＲ０が取り得る最大値ΔＲ０’よりも大きくなるように設定しておく。
【０１０２】
このような構成とすることで、第１領域１００Ｓを湾曲または屈曲させたことにより、第１領域１００Ｓの特性インピーダンスが変化しても、伝送線路部１０ａとしての特性インピーダンスの変化幅の最大値は、第２領域１００ＨＣの特性インピーダンスの変化幅ΔＲ２である。
【０１０３】
これにより、第１領域１００Ｓを湾曲または屈曲させても、伝送線路部１０ａとしての特性インピーダンスは殆ど変化しない。
【０１０４】
したがって、第１領域１００Ｓの特性インピーダンスと第２領域１００ＨＣの特性インピーダンスの分布を予め加味して、伝送線路部１０ａとして所望の特性インピーダンスＺ０になるように各部の形状を設定しておけば、第１領域１００Ｓの湾曲または屈曲に影響されることなく、伝送線路部１０ａとしての特性インピーダンスを一定に保つことができる。これにより、伝送特性に優れるフラットケーブルを実現することができる。
【０１０５】
さらに、本実施形態の構成では、第２領域１００ＨＣが、厚み方向において、第１、第２誘電体層１１１Ｈ，１１２Ｈが、ベタ電極である第１グランド導体２０Ｈ、平板導体４０ＨＣ、第２グランド導体３０Ｈによってはさみ込まれる構造となる。したがって、第２領域１００ＨＣは、厚み方向への湾曲に対して、より硬い構造となる。これにより、第２領域１００ＨＣは、より湾曲し難い構造となり、第２領域１００ＨＣの特性インピーダンスの変化を抑制することができる。
【０１０６】
また、伝送方向に沿った第２領域１００Ｈの間隔、すなわちインピーダンスの絶対値が高くなる位置の間隔（図７の「Ｓ」）は、短い方がよい。間隔Ｓを短くすることにより、伝送線路部１０の伝送−周波数特性に影響を与える定在波の周波数を高くすることができる。したがって、間隔Ｓを短く調整し、伝送する高周波信号の周波数から離間した高い周波数にすることで、伝送信号の周波数帯域における伝送線路部１０の伝送−周波数特性を向上させることができる。すなわち、伝送信号の周波数帯域において、低損失な伝送特性を実現できる。
【０１０７】
次に、本発明の第３の実施形態に係る高周波伝送線路であるフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図８は本発明の第３の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【０１０８】
本実施形態のフラットケーブル６０ｂの伝送線路部１０ｂは、第２領域１００ＨＣの構造および第１誘電体層の構造が、第２の実施形態に示した伝送線路部１０ａと異なるものであり、他の構成は同じである。したがって、異なる箇所のみを説明する。
【０１０９】
第２領域１００ＨＣの第１誘電体層１１１Ｈには、第１グランド導体２０Ｈｂ１，２０Ｈｂ２が形成されている。第１グランド導体２０Ｈｂ１，２０Ｈｂ２は、平板導体である。第１グランド導体２０Ｈｂ１，２０Ｈｂ２は、所定の間隔２００Ｈｂを置いて離間している。言い換えれば、第２領域１００ＨＣに形成されている第１グランド導体は、伝送方向に沿った途中位置で分割されている。
【０１１０】
第１グランド導体２０Ｈｂ１は、第１誘電体層１１１Ｈに接続する一方の第１誘電体層１１１上に形成された長尺導体２１，２２に接続されている。第１グランド導体２０Ｈｂ１は、第１誘電体層１１１Ｈに接続する他方の第１誘電体層１１１上に形成された長尺導体２１，２２に接続されている。
【０１１１】
第１グランド導体２０Ｈｂ１，２０Ｈｂ２は、それぞれ第１誘電体層１１１Ｈを挟んで、平板導体４０ＨＣと対向している。
【０１１２】
第１グランド導体２０Ｈｂ１，２０Ｈｂ２は、それぞれ個別の接続導体５０Ｈを介して第２グランド導体３０Ｈに接続されている。これらの接続導体５０Ｈは、平板導体４０ＨＣに接続しない位置に、複数形成されている。
【０１１３】
このような構成とすることで、第１グランド導体２０Ｈｂ１と第２グランド導体３０Ｈとによるキャパシタ、第１グランド導体２０Ｈｂ２および第２グランド導体３０Ｈとによるキャパシタ、平板導体４０ＨＣと第２グランド導体３０Ｈとによるキャパシタが構成される。そして、これらのキャパシタは、伝送線路とグランドとの間に接続されたキャパシタとして機能する。
【０１１４】
このような構成であっても、上述の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、本実施形態の構成を用いた場合、間隔２００Ｈｂの形状を調整する、言い換えれば、第１グランド導体２０Ｈｂ１，２０Ｈｂ２の形状を調整することで、伝送線路とグランドとの間に接続するキャパシタのキャパシタンスを調整することができる。
【０１１５】
なお、本実施形態では、第１グランド導体を分割する例を示したが、第２グランド導体を分割してもよい。
【０１１６】
次に、第４の実施形態に係る高周波伝送線路であるフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図９は本発明の第４の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【０１１７】
本実施形態のフラットケーブル６０ｃの伝送線路部１０ｃは、第１誘電体層の構造および第２領域１００ＨＣの構造が、第２の実施形態に示した伝送線路部１０ａと異なるものであり、他の構成は同じである。したがって、異なる箇所のみを説明する。
【０１１８】
第２誘電体層は、誘電体層１１２１、１１２２の二層構造からなる。誘電体層１１２１が第１誘電層１１１側に配置されている。誘電体層１１２１の第１誘電体層１１１側には、第１領域に信号導体４０が形成され、第２領域に平板導体４０ＨＣが形成されている。誘電体層１１２２の誘電体層１１２１側には、第２領域に平板導体４２が形成されている。平板導体４２は、平板導体４０ＨＣと所定面積で対向するように形成されている。平板導体４２は、接続導体５０Ｈを介して第２グランド導体３０Ｈに接続されている。
【０１１９】
第２領域１００ＨＣの第１誘電体層１１１Ｈには、導体（第１グランド導体）が形成されていない。第２領域１００ＨＣを挟む第１領域１００Ｓの第１誘電体層１１１における第２領域１００ＨＣ側の端部には、長尺導体２１，２２を接続するブリッジ導体２３がそれぞれ形成されている。
【０１２０】
このような構成とすることで、平板導体４０ＨＣと平板導体４２（第２グランド導体３０Ｈに接続）とによるキャパシタが構成される。そして、このキャパシタは、伝送線路とグランドとの間に接続されたキャパシタとして機能する。
【０１２１】
このような構成とすることで、平板導体４２を形成しない場合よりも、平板導体４０ＨＣと第２グランド導体との間に生じるキャパシタンスを大きくすることができる。平板導体４２の形状を調整することで、キャパシタンスを調整することができる。さらに、平板導体４０ＨＣ，４２間の誘電体層１１２１の厚みを調整することでもキャパシタンスを調整することができる。
【０１２２】
なお、本実施形態では、平板導体４２と第２グランド導体３０ＨＣを接続導体５０Ｈで接続する例を示したが、平板導体４０ＨＣと平板導体４２をと接続導体で接続し、平板導体４２と第２グランド導体３０ＨＣの間の接続導体を削除する構成であってもよい。この場合、誘電体層１１２２の厚みによりキャパシタンスを調整することができる。
【０１２３】
次に、第５の実施形態に係る高周波伝送線路であるフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図１０は本発明の第５の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【０１２４】
本実施形態のフラットケーブル６０ｄの伝送線路部１０ｄは、第２領域１００ＨＣの構造が、第２の実施形態に示した伝送線路部１０ａと異なるものであり、他の構成は同じである。したがって、異なる箇所のみを説明する。
【０１２５】
第２領域１００ＨＣにおける第１誘電体層１１１Ｈには、平板導体４２が形成されている。平板導体４２は、第１誘電体層１１１Ｈの外周に沿った所定幅の領域を残して略全面に形成された形状からなる平板導体である。平板導体４２は、第１領域１００Ｓの第１誘電体層１１１に形成された長尺導体２１，２２から分離されている。平板導体４２には、引き回し導体４２１が接続されている。引き回し導体４２１は、第２領域１００ＨＣの第１誘電体層１１１Ｈに形成されている。
【０１２６】
第２領域１００ＨＣを挟む第１領域１００Ｓの第１誘電体層１１１における第２領域１００ＨＣ側の端部には、長尺導体２１，２２を接続するブリッジ導体２３がそれぞれ形成されている。
【０１２７】
第２領域１００ＨＣにおける第２誘電体層１１２Ｈには、平板導体４０ＨＣｄが形成されている。平板導体４０ＨＣｄも、第２誘電体層１１２Ｈの外周に沿った所定幅の領域を残して略全面に形成された形状からなる平板導体である。平板導体４０ＨＣｄは、一方の第１領域１００Ｓに形成された信号導体４０のみに接続し、他方の第１領域１００Ｓの信号導体４０からは分離されている。この平板導体４２が線状導体１００から分離されている側は、第１誘電体層１１１Ｈの引き回し導体４２１が形成される側と同じである。
【０１２８】
この分離される側の信号導体４０は、第２領域１００ＨＣまで伸長している。この第２領域１００ＨＣまで伸長した信号導体４０と、第１誘電体層１１１Ｈの引き回し導体４２１とが接続導体５２によって接続されている。
【０１２９】
このような構成により、平板導体４０ＨＣｄ、４２が第１誘電体層１１１Ｈを挟んで対向するキャパシタが構成される。そして、平板導体４０ＨＣｄが一方の信号導体４０に接続し、平板導体４２が他方の信号導体４０に接続されているので、このキャパシタは、信号伝送ラインに直列接続されるキャパシタとして機能する。
【０１３０】
さらに、第２領域１００ＨＣの第２グランド導体３０Ｈｄは、上述の外周に沿った所定幅の領域を残して開口している。この構成により、平板導体４０ＨＣｄと第２グランド導体３０Ｈｄとは、平板面が対向しない。これにより、平板導体４０ＨＣｄと第２グランド導体３０Ｈｄとの間で、静電容量結合が殆ど生じないようにすることができる。したがって、直列キャパシタのみが必要な場合には、このような開口を設けるとよい。なお、並列キャパシタも必要な場合には、開口を設けないようにすればよい。
【０１３１】
次に、第６の実施形態に係る高周波伝送線路であるフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図１１は本発明の第６の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【０１３２】
本実施形態のフラットケーブル６０ｅの伝送線路部１０ｅは、第２領域１００ＨＣの構造が、第２の実施形態に示した伝送線路部１０ａと異なるものであり、他の構成は同じである。したがって、異なる箇所のみを説明する。
【０１３３】
第２領域１００ＨＣにおける第２誘電体層１１２Ｈには、一対の櫛歯導体４０ＨＣｅ１，４０ＨＣｅ２が形成されている。櫛歯導体４０ＨＣｅ１，４０ＨＣｅ２は、それぞれ異なる信号導体４０に接続されている。櫛歯導体４０ＨＣｅ１，４０ＨＣｅ２は、それぞれの導体が接続しない状態で螺合するように配置されている。言い換えれば、櫛歯導体４０ＨＣｅ１，４０ＨＣｅ２の各導体指は、第２誘電体層１１２Ｈの幅方向の所定の間隔をもって配置されている。
【０１３４】
このような構成により、櫛歯導体４０ＨＣｅ１，４０ＨＣｅ２の各導体指間で静電容量が生じ、キャパシタとして機能する。そして、この静電容量は、第２誘電体層１１２Ｈ上すなわち同一平面内の結合であるので、当該平面外に配置される導体の影響によってキャパシタンスが変化しにくい。
【０１３５】
また、この構成では、各導体指の対向する長さによってキャパシタンスが決定するため、キャパシタを構成する導体間の誘電体層の厚みに影響されない。したがって、設計するキャパシタンスを、確実且つ正確に実現することができる。
【０１３６】
また、この構成では、キャパシタを構成する櫛歯導体４０ＨＣｅ１，４０ＨＣｅ２がベタ導体の第１グランド導体２０Ｈと第２グランド導体３０Ｈに挟まれているので、外部電磁界に対するシールド性を向上させることができる。
【０１３７】
次に、第７の実施形態に係る高周波伝送線路であるフラットケーブルについて、図を参照して説明する。図１２は本発明の第７の実施形態に係るフラットケーブルの伝送線路部の第２領域の構造を示す分解斜視図である。
【０１３８】
本実施形態のフラットケーブル６０ｆの伝送線路部１０ｆは、第１誘電体層の構造および第２領域１００ＨＣの構造が、第４の実施形態に示した伝送線路部１０ｃと異なるものであり、他の構成は同じである。したがって、異なる箇所のみを説明する。
【０１３９】
第２誘電体層は、誘電体層１１２１、１１２２の二層構造からなる。誘電体層１１２１が第１誘電層１１１側に配置されている。誘電体層１１２１の第１誘電体層１１１側には、第１領域１００Ｓに信号導体４０が形成され、第２領域１００ＨＣに平板導体４０ＨＣｆ１，４０ＨＣｆ２が形成されている。平板導体４０ＨＣｆ１，４０ＨＣｆ２は、所定の間隔を置いて分離して配置されている。平板導体４０ＨＣｆ１，４０ＨＣｆ２は、それぞれ異なる信号導体４０に接続されている。
【０１４０】
誘電体層１１２２の誘電体層１１２１側には、第２領域１００ＨＣに平板導体４２が形成されている。平板導体４２は、平板導体４０ＨＣｆ１，４０ＨＣｆ２とそれぞれに所定面積で対向するように形成されている。
【０１４１】
第２領域１００ＨＣの第１誘電体層１１１Ｈには、導体（第１グランド導体）が形成されていない。第２領域１００ＨＣを挟む第１領域１００Ｓの第１誘電体層１１１における第２領域１００ＨＣ側の端部には、長尺導体２１，２２を接続するブリッジ導体２３がそれぞれ形成されている。
【０１４２】
このような構成により、平板導体４０ＨＣｆ１，４２が誘電体層１１２１を挟んで対向するキャパシタが構成される。また、平板導体４０ＨＣｆ２，４２が誘電体層１１２１を挟んで対向するキャパシタが構成される。平板導体４０ＨＣｆ１，４０ＨＣｆ２がそれぞれ異なる信号導体４０に接続されているので、このキャパシタは、信号伝送ラインに直列接続される二つのキャパシタとして機能する。
【０１４３】
さらに、第２領域１００ＨＣの第２グランド導体３０Ｈｆは、上述の外周に沿った所定幅の領域を残して開口している。この構成により、平板導体４２と第２グランド導体３０Ｈｆとは、平板面が対向しない。これにより、平板導体４２と第２グランド導体３０Ｈｆとの間で、静電容量結合が殆ど生じないようにすることができる。したがって、直列キャパシタのみが必要な場合には、このような開口を設けるとよい。なお、並列キャパシタも必要な場合には、開口を設けないようにすればよい。
【０１４４】
なお、上述の各実施形態では、第２領域１００Ｈ，１００ＨＣが第１領域１００Ｓよりも幅広な構成である場合を示した。しかしながら、図１３に示す幅が一定な構成であってもよい。図１３は、幅が一定な場合のフラットケーブルの外観斜視図である。図１３に示すように、フラットケーブル６０’の伝送線路部１０’は第１領域１００Ｓと第２領域１００Ｈ’とが交互につながる形状である。第１領域１００Ｓと第２領域１００Ｈ’とは幅が同じである。第２領域１００Ｈ’の剛性が第１領域１００Ｓの剛性よりも高ければ、このような幅が一定の構成であってもよい。
【０１４５】
また、上述の各実施形態では、第１領域１００Ｓでの開口部２４の幅を一定にする例を示した。しかしながら、開口部の幅を、ブリッジ導体に接続する端部から、開口部の長手方向の中央に向かって順次広くなる形状としてもよい。これにより、第１領域での特性インピーダンスの急激な変化を抑制することができ、伝送損失をさらに抑制することができる。
【０１４６】
また、上述の各実施形態では、第１領域１００Ｓでの信号導体４０の幅を一定にする例を示した。しかしながら、開口部に対向する部分の信号導体の幅を広くしてもよい。この際、信号導体は、フラットケーブルを厚み方向に見て、長尺導体と重ならない程度に広くする。これにより、信号導体の高周波抵抗を低減することができ、フラットケーブルの導体損を低減することができる。
【０１４７】
また、上述の実施形態では、具体的に説明していないが、第２領域は、複数でなくて、一個であってもよい。そして、第２領域を複数設置する場合には、各第２領域における特性インピーダンスの変化幅を略同じにするとよい。これにより、フラットケーブルに対する第２領域の特性インピーダンスの影響をさらに大きくすることができ、フラットケーブルとして、さらに安定した特性インピーダンスを実現することができる。
【０１４８】
また、上述の各実施形態では、分布定数回路で第２領域の位相調整回路を形成する例を示した。しかしながら、集中定数回路素子すなわち実装型コイルや実装型コンデンサで、第２領域の位相調整回路を実現してもよい。例えば実装型コイルを用いる場合には、第２領域まで信号導体４０を伸延させる。信号導体４０を第２領域内で切断する。第１誘電体層１１１Ｈの表面に、実装用ランドを二つ形成し、信号導体４０における切断した両端にビア導体等によって接続する。この二つの実装用ランドに実装型コイルを実装する。
【０１４９】
また、上述の各実施形態では、第１グランド導体と第２グランド導体との間に信号導体が配置されたトリプレート型の伝送線路を例にしたが、第２グランド導体を省略したマイクロストリップ型の伝送線路にも、上述の構成を適用することができる。
【０１５０】
また、上述の各実施形態では、高周波伝送線路としてフラットケーブルの形態を例示したが本発明はフラットケーブルに限るものではない。すなわち、アンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板の一部を構成する高周波伝送線路として用いられてもよい。
【符号の説明】
【０１５１】
１：携帯電子機器、
２：機器筐体、
３Ａ，３Ｂ：実装回路基板、
４：バッテリーパック、
５：ＩＣチップ、
６：実装部品、
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０’：伝送線路部、
２０，２０Ｈ，２０Ｈｂ１，２０Ｈｂ２：第１グランド導体、
２１，２２：長尺導体、
３０，３０Ｈ，３０Ｈｄ：第２グランド導体、
２３：ブリッジ導体、
２４，２４ａ：開口部、
４０：信号導体、
４０Ｈ：ミアンダ状導体、
４０ＨＣ，４０ＨＣｄ，４０ＨＣｆ１，４０ＨＣｆ２，４２：平板導体、
４０ＨＣｅ１，４０ＨＣｅ２：櫛歯導体、
４１：第３グランド導体、
５０：接続導体、
６０，６０ａ，６０ｂ，６０ｃ，６０ｄ，６０ｅ，６０ｆ，６０’：フラットケーブル、
６１：同軸コネクタ、
６２：変換台座、
１００Ｓ：第１領域、
１００Ｈ，１００ＨＣ，１００Ｈ’：第２領域、
１１０：誘電体素体、
１１１，１１１Ｈ：第１誘電体層、
１１２，１１２Ｈ：第２誘電体層、
１１２１，１１２２：誘電体層、
４２１：引き回し導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年7月24日(2014.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に長く、この長手方向に対して直交する方向に所定幅を有するとともに所定の厚みを有し、可撓性を有する平板状の誘電体素体と、
該誘電体素体に配置され、前記長手方向に沿って伸延する形状の信号導体と、
前記信号導体に沿って前記誘電体素体に配置された第１グランド導体と、
を備える高周波伝送線路であって、
前記信号導体および前記第１グランド導体の少なくとも一方は、前記長手方向に沿って特性インピーダンスが周期的に変化し、該特性インピーダンスの変化幅が異なる第１領域および第２領域が形成される形状からなり、
前記第２領域の特性インピーダンスの変化幅は、前記第１領域の特性インピーダンスの変化幅よりも大きい、高周波伝送線路。
【請求項２】
前記第１領域は前記誘電体素体が湾曲または屈曲する部分を備える、
請求項１に記載の高周波伝送線路。
【請求項３】
前記第１領域では、
前記第１グランド導体は、前記長手方向に沿って伸延する形状からなり、前記幅方向の両端に互いに離間して配置された前記長手方向に伸延する形状の二つの長尺導体と、該二つの長尺導体を前記長手方向に沿って間隔を空けて接続する複数のブリッジ導体とを備え、
請求項１または請求項２に記載の高周波伝送線路。
【請求項４】
前記第２領域は、入力端と出力端との間を伝送させることにより高周波信号の位相を所定量回転させる形状からなる、請求項３に記載の高周波伝送線路。
【請求項５】
前記第２領域では、
前記信号導体は、前記高周波信号に対して、位相を前記所定量回転させる長さの導体線路からなり、
前記第１グランド導体は、前記一方端面の略全面に形成された導体である、請求項４に記載の高周波伝送線路。
【請求項６】
前記第２領域では、
前記信号導体と前記厚み方向の略同じ位置に、前記信号導体と略一定の間隔をもって平行に伸延する形状で形成され、前記第１グランド導体に高周波的に接続する第３グランド導体を、備える、請求項４に記載の高周波伝送線路。
【請求項７】
前記誘電体素体の前記第２領域の幅は、前記誘電体素体の前記第１領域の幅よりも広い、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項８】
前記第２領域は、前記長手方向に複数備えられており、複数の前記第２領域の特性インピーダンスの変化幅は、略同じである、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項９】
前記信号導体を間に挟んで前記第１グランド導体と反対側に形成された第２グランド導体を備える、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項１０】
前記長手方向の少なくとも一方端に、前記信号導体に接続するコネクタ部材を備える、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれかに記載の高周波伝送線路と、
該高周波伝送線路によって接続される複数の実装回路基板と、
前記実装回路基板が内蔵される筐体と、を備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月13日(2015.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方向に長く、この長手方向に対して直交する方向に所定幅を有するとともに所定の厚みを有し、可撓性を有する平板状の誘電体素体と、
該誘電体素体に配置され、前記長手方向に沿って伸延する形状の信号導体と、
前記信号導体に沿って前記誘電体素体に配置された第１グランド導体と、
を備える高周波伝送線路であって、
前記信号導体および前記第１グランド導体の少なくとも一方は、前記長手方向に沿って特性インピーダンスが周期的に変化し、該特性インピーダンスの変化幅が異なる第１領域および第２領域が形成される形状からなり、
前記第２領域の特性インピーダンスの変化幅は、前記第１領域の特性インピーダンスの変化幅よりも大きく、
前記誘電体素体は、前記第１領域において湾曲または屈曲している、
高周波伝送線路。
【請求項２】
前記第１領域では、
前記第１グランド導体は、前記長手方向に沿って伸延する形状からなり、前記幅方向の両端に互いに離間して配置された前記長手方向に伸延する形状の二つの長尺導体と、該二つの長尺導体を前記長手方向に沿って間隔を空けて接続する複数のブリッジ導体とを備える、
請求項１に記載の高周波伝送線路。
【請求項３】
前記第２領域は、入力端と出力端との間を伝送させることにより高周波信号の位相を所定量回転させる形状からなる、請求項２に記載の高周波伝送線路。
【請求項４】
前記第２領域では、
前記信号導体は、前記高周波信号に対して、位相を前記所定量回転させる長さの導体線路からなり、
前記第１グランド導体は、前記一方端面の略全面に形成された導体である、請求項３に記載の高周波伝送線路。
【請求項５】
前記第２領域では、
前記信号導体と前記厚み方向の略同じ位置に、前記信号導体と略一定の間隔をもって平行に伸延する形状で形成され、前記第１グランド導体に高周波的に接続する第３グランド導体を、備える、請求項３に記載の高周波伝送線路。
【請求項６】
前記誘電体素体の前記第２領域の幅は、前記誘電体素体の前記第１領域の幅よりも広い、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項７】
前記第２領域は、前記長手方向に複数備えられており、複数の前記第２領域の特性インピーダンスの変化幅は、略同じである、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項８】
前記信号導体を間に挟んで前記第１グランド導体と反対側に形成された第２グランド導体を備える、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項９】
前記長手方向の少なくとも一方端に、前記信号導体に接続するコネクタ部材を備える、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の高周波伝送線路。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の高周波伝送線路と、
該高周波伝送線路によって接続される複数の実装回路基板と、
前記実装回路基板が内蔵される筐体と、を備えた電子機器。
【国際調査報告】
2014003087.tif 000017
2014003087.tif 000018
2014003087.tif 000019