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【手続補正書】
【提出日】平成27年6月23日(2015.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強部材を含む絶縁層と、
前記補強部材を含む絶縁層の一方の面側から外部に露出する外部接続用パッドと、
前記補強部材を含む絶縁層の他方の面に第１絶縁材料を主成分とする絶縁層が所定数積層された第１積層体と、
前記第１積層体の前記補強部材を含む絶縁層とは反対側の面に前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層と同数積層された第２絶縁材料を主成分とする絶縁層を含む第２積層体と、
前記第２積層体の前記第１積層体とは反対の面側から外部に露出する半導体チップ接続用パッドと、を有し、
前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも大きい配線基板。
【請求項２】
前記第１絶縁材料及び前記第２絶縁材料は、各々エポキシ系の絶縁性樹脂であり、
前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層及び前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層は、各々フィラーを含有し、
前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層の前記フィラーの含有量は、前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層の前記フィラーの含有量よりも少ない請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記補強部材を含む絶縁層は、前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層と同一の絶縁性樹脂で形成され、
前記補強部材を含む絶縁層は、前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層と同一のフィラーを含有し、
前記補強部材を含む絶縁層の前記フィラーの含有量は、前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層の前記フィラーの含有量よりも少ない請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記補強部材を含む絶縁層の熱膨張係数は、前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層及び前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも小さい請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板の前記第２積層体側に半導体チップが搭載され、
前記半導体チップが接合部を介して前記半導体チップ接続用パッドと電気的に接続された半導体パッケージ。
【請求項６】
基板上に他の半導体チップが実装された他の半導体パッケージが前記半導体チップの前記第２積層体とは反対側に配置され、
前記他の半導体チップが前記基板及び他の接合部を介して前記配線基板と電気的に接続された請求項５記載の半導体パッケージ。
【請求項７】
支持体上に、外部接続用パッドを形成する工程と、
前記支持体上に、前記外部接続用パッドを覆うように、補強部材を含む絶縁層を形成する工程と、
前記補強部材を含む絶縁層上に、第１絶縁材料を主成分とする絶縁層が所定数積層された第１積層体を形成する工程と、
前記第１積層体上に、前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層と同数積層された第２絶縁材料を主成分とする絶縁層を含む第２積層体を形成する工程と、
前記第２積層体の前記第１積層体とは反対の面側から外部に露出する半導体チップ接続用パッドを形成する工程と、
前記支持体を除去する工程と、を有し、
前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも大きい配線基板の製造方法。
【請求項８】
支持体上に、半導体チップ接続用パッドを形成する工程と、
前記支持体上に、前記半導体チップ接続用パッドを覆うように、第２絶縁材料を主成分とする絶縁層が所定数積層された第２積層体を形成する工程と、
前記第２積層体上に、前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層と同数積層された第１絶縁材料を主成分とする絶縁層を含む第１積層体を形成する工程と、
前記第１積層体上に、補強部材を含む絶縁層を形成する工程と、
前記補強部材を含む絶縁層上に、外部接続用パッドを形成する工程と、
前記支持体を除去する工程と、を有し、
前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも大きい配線基板の製造方法。
【請求項９】
補強部材を含む絶縁層と、
前記補強部材を含む絶縁層の一方の面側から外部に露出する外部接続用パッドと、
前記補強部材を含む絶縁層の他方の面に第１絶縁材料を主成分とする絶縁層が複数積層された第１積層体と、
前記第１積層体の前記補強部材を含む絶縁層とは反対側の面に第２絶縁材料を主成分とする絶縁層が複数積層された第２積層体と、
前記第２積層体の前記第１積層体とは反対の面側から外部に露出する半導体チップ接続用パッドと、を有し、
前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数は、前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層の熱膨張係数よりも大きく、
前記第１絶縁材料及び前記第２絶縁材料は、各々エポキシ系の絶縁性樹脂であり、
前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層及び前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層は、各々フィラーを含有し、
前記第１絶縁材料を主成分とする絶縁層の前記フィラーの含有量は、前記第２絶縁材料を主成分とする絶縁層の前記フィラーの含有量よりも少ない配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハのエッチング処理中にチャンバ内の発光を計測するステップと、
予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第１の時系列変化を求めるステップと、
予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第２の時系列変化を求めるステップと、
前記第１の時系列変化の波長間の相関を示す第１の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出するステップと、
前記第１の時系列変化と前記第２の時系列変化の間の相関を示す第２の相関の値を波長ごとに算出するステップと、
前記第１の相関の値または前記第２の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定するステップと、を有することを特徴とする分析方法。
【請求項２】
請求項１に記載の分析方法において、
前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とする分析方法。
【請求項３】
半導体ウェハのエッチング処理中に計測されたチャンバ内の発光の値を受信する手段と、
予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記受信した発光の発光強度が時間によって変化する第１の時系列変化を求める手段と、
予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに受信した発光の発光強度が時間によって変化する第２の時系列変化を求める手段と、
前記第１の時系列変化の波長間の相関を示す第１の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出する手段と、
前記第１の時系列変化と前記第２の時系列変化の間の相関を示す第２の相関の値を波長ごとに算出する手段と、
前記第１の相関の値または前記第２の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定する手段と、を備えることを特徴とする分析装置。
【請求項４】
請求項３に記載の分析装置において、
前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とする分析装置。
【請求項５】
チャンバ内で半導体ウェハをエッチング処理する手段と前記チャンバ内の発光の強度を計測する手段とを具備し前記半導体ウェハをエッチング処理するエッチング装置と、前記エッチング処理の状態を分析する分析装置とを備えるエッチング処理システムにおいて、
前記分析装置は、前記半導体ウェハのエッチング処理中に計測されたチャンバ内の発光の値を受信する手段と、予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記受信した発光の発光強度が時間によって変化する第１の時系列変化を求める手段と、予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに受信した発光の発光強度が時間によって変化する第２の時系列変化を求める手段と、前記第１の時系列変化の波長間の相関を示す第１の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出する手段と、前記第１の時系列変化と前記第２の時系列変化の間の相関を示す第２の相関の値を波長ごとに算出する手段と、前記第１の相関の値または前記第２の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定する手段と、を具備することを特徴とするエッチング処理システム。
【請求項６】
請求項５に記載のエッチング処理システムにおいて、
前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とするエッチング処理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、半導体ウェハのエッチング処理中にチャンバ内の発光を計測するステップと、予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第１の時系列変化を求めるステップと、予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第２の時系列変化を求めるステップと、前記第１の時系列変化の波長間の相関を示す第１の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出するステップと、前記第１の時系列変化と前記第２の時系列変化の間の相関を示す第２の相関の値を波長ごとに算出するステップと、前記第１の相関の値または前記第２の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定するステップと、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層を挟み、一方の面に電源層、他方の面にグランド層が積層され、更に、少なくとも前記電源層側に、絶縁層を間に介在させて複数の信号配線層が積層された多層構造のプリント基板であって、
前記複数の信号配線層のうち、前記電源層に隣接する信号配線層は信号配線パターンが設けられており、
前記電源層の前記信号配線パターンと対向する領域に、グランドプレーンを形成し、
前記信号配線パターンの両側で、前記信号配線パターンに対して前記グランドプレーンと反対側に位置する信号配線層にバイパスコンデンサを設け、
前記バイパスコンデンサが、前記グランド層と前記グランドプレーン、及び前記電源層に電気的に接続されていることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記グランド層と前記グランドプレーンは、少なくとも２箇所においてビア接続されていることを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記バイパスコンデンサが複数設けられた信号配線層に、該各バイパスコンデンサの間に位置するようにしてグランドパターンを形成し、前記信号配線パターンの周囲を囲むようにして前記グランドプレーンと前記グランドパターンとが少なくとも２箇所においてビア接続されていることを特徴とする請求項1又は２に記載のプリント基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプリント基板が搭載されていることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記目的を達成するために本発明に係るプリント基板は、コア層を挟み、一方の面に電源層、他方の面にグランド層が積層され、更に、少なくとも前記電源層側に、絶縁層を間に介在させて複数の信号配線層が積層された多層構造のプリント基板であって、前記複数の信号配線層のうち、前記電源層に隣接する信号配線層は信号配線パターンが設けられており、前記電源層の前記信号配線パターンと対向する領域に、グランドプレーンを形成し、前記信号配線パターンの両側で、前記信号配線パターンに対して前記グランドプレーンと反対側に位置する信号配線層にバイパスコンデンサを設け、前記バイパスコンデンサが、前記グランド層と前記グランドプレーン、及び前記電源層に電気的に接続されていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係るプリント基板は、電源層の信号配線パターンと対向する領域に、グランドプレーンを形成し、信号配線パターンの両側で、この信号配線パターンに対してグランドプレーンと反対側に位置する信号配線層にバイパスコンデンサを設け、バイパスコンデンサが、グランド層とグランドプレーン、及び電源層に電気的に接続されている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月29日(2015.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池の電池セルに取り付けられた複数の温度センサーと、
上記複数の温度センサーにより測定された温度に基づき、上記二次電池の異常を判定する異常判定部とを備えており、
上記複数の温度センサーは、上記電池セルの負極に取り付けられた第１温度センサーと、上記電池セルの正極に取り付けられた第２温度センサーとを備えていることを特徴とする二次電池異常検出装置。
【請求項２】
上記異常判定部は、
上記第１温度センサーにより測定された温度と、上記第２温度センサーにより測定された温度との差の絶対値が予め定められた値を超えているときに、上記電池セルの外部短絡が発生していることを判定することを特徴とする請求項１に記載の二次電池異常検出装置。
【請求項３】
上記複数の温度センサーは、上記負極の表面および上記正極の表面を除く、上記電池セルにおける任意の表面にそれぞれ取り付けられた、２つの第３温度センサーを備えていることを特徴とする請求項１〜２のいずれか１項に記載の二次電池異常検出装置。
【請求項４】
上記異常判定部は、
上記第３温度センサーの一方により測定された温度と、上記第３温度センサーの他方により測定された温度との差の絶対値が予め定められた値を超えているときに、上記電池セルにおける該第３温度センサーのいずれかの近傍が局所的に高温であることを判定することを特徴とする請求項３に記載の二次電池異常検出装置。
【請求項５】
上記二次電池は上記電池セルを複数備えており、上記複数の温度センサーは、複数の上記電池セルのそれぞれに取り付けられており、
上記異常判定部は、
上記複数の温度センサーにより測定された複数の上記電池セルのいずれかにおける温度の平均値とすべての上記電池セルにおける平均値との差が予め定められた値を超えているときに、上記電池セルのいずれかの過充電が発生していることを判定することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の二次電池異常検出装置。
【請求項６】
上記複数の温度センサーのうち少なくとも１つは、上記二次電池の外部の気温を測定するものであり、
上記異常判定部は、
上記電池セルにおける上記複数の温度センサーにより測定された温度の平均値と、上記二次電池の外部の気温との差が予め定められた値を超えているときに、該電池セルが高温であることを判定することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の二次電池異常検出装置。
【請求項７】
上記異常判定部は、
上記二次電池の外部の気温が予め定められた値を超えているときに、該二次電池が使用に適切でない環境下に存在していることを判定することを特徴とする請求項６に記載の二次電池異常検出装置。
【請求項８】
上記判定に基づき、前記二次電池の充電または放電を制御する請求項２、請求項５、請求項６、請求項７のいずれか１項に記載の二次電池異常検出装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の二次電池異常検出装置と、
上記電池セルとを備えていることを特徴とする二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池異常検出装置、二次電池
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月23日(2015.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、陽極及び陰極と、前記陽極及び陰極に挟まれた積層された複数の発光層とを有し、前記複数の発光層はそれぞれ発光色が異なるドーパントを含み、前記複数の発光層のうち、最も陰極側の発光層は第１のホストと青色発光のドーパントとを含み、他の層は緑色発光のドーパントと赤色発光のドーパントを含む白色有機ＥＬ素子において、
前記ホストの最低空軌道準位のエネルギーをＬｈ１、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｈ１、前記青色発光のドーパントの最低空軌道準位のエネルギーをＬｇ１、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｇ１とすると、
Ｌｈ１−Ｌｇ１＞Ｈｇ１−Ｈｈ１
を満たすことを特徴とする白色有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記複数の発光層が二層の発光層からなり、前記他の層の発光層が第２のホストと緑色発光のドーパントと赤色発光のドーパントとを含み、
前記第２のホストの最低空軌道準位のエネルギーをＬｈ２、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｈ２、前記緑色発光のドーパントの最低空軌道準位のエネルギーをＬｇ２、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｇ２とすると、
Ｌｈ２−Ｌｇ２＞Ｈｇ２−Ｈｈ２
を満たすことを特徴とする請求項１記載の白色有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記第１のホストと前記第２のホストとが同じ材料であることを特徴とする請求項２に記載の白色有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記複数の発光層が三層からなり、前記他の発光層のうち、陽極側の発光層が第３のホストと赤色発光のドーパントとを含み、陰極側の発光層が第２のホストと緑色発光のドーパントとを含み、
前記第２のホストの最低空軌道準位のエネルギーをＬｈ２、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｈ２、前記緑色発光のドーパントの最低空軌道準位のエネルギーをＬｇ２、最高被占有軌道準位のエネルギーをＨｇ２とすると、
Ｌｈ２−Ｌｇ２＞Ｈｈ２−Ｈｇ２
を満たすことを特徴とする請求項１記載の白色有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記青色発光のドーパントが、下記Ａ１乃至Ａ１８のいずれかの構造式で示される化合物であり、前記緑色発光のドーパントが、下記Ｂ１乃至Ｂ３６のいずれかの構造式で示される化合物であり、前記赤色発光のドーパントが、下記Ｃ１乃至Ｃ１２のいずれかの構造式で示される化合物であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の白色有機ＥＬ素子。
【化１】
2014022205.tif 000001
【化２】
2014022205.tif 000002
【化３】
2014022205.tif 000003
【化４】
2014022205.tif 000004
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の白色有機ＥＬ素子と、前記白色有機ＥＬ素子に接続されたコンバーター回路と、を有することを特徴とする照明装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の白色有機ＥＬ素子と、前記白色有機ＥＬ素子に接続されたスイッチング素子と、を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤ基板を収容する直管形ＬＥＤランプにおいて、
ＬＥＤ基板を搭載する支持基材と、
前記支持基材の一側面を被覆して当該支持基板とで円筒形状を形成する透光性カバーと、
前記支持基材及び透光性カバーとで形成された円筒形状の両端に取付けられて対をなす口金と、
を有する発光部本体を備え、
一対の前記口金は、
複数に分割された分割体と、
前記複数の分割体間で挟持されてなる、商用電源からの電力が供給される金属端子を有し、
前記分割体のうちの一方の一部が前記支持基材に嵌入されて当該支持基材に内包されていることを、
特徴とする直管形ＬＥＤランプ。
【請求項２】
前記口金は、管内側方向に突出する突盤部を有し、
当該突盤部は前記透光性カバーの端面の外周内壁に沿って嵌入されることを、
特徴とする請求項１に記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項３】
前記口金本体の嵌入部の表面には、
接着剤を塗布するための凹面部と、
該凹面部内に前記接着剤を誘導するリブ状突起を複数設けたことを、
特徴とする請求項１ないし２に記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項４】
前記ＬＥＤ基板は、
前記透光性カバーの前記支持基材への嵌合によって、
前記支持基材と前記透光性カバー間で保持される構造を、
備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項５】
前記透光性カバーには、前記支持基材との係止用の掛止め部と、
前記ＬＥＤ基板を保持する突出片を備えたことを、
特徴とする請求項４に記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項６】
前記支持基材は、前記ＬＥＤ基板を載置する平滑面と、
前記透光性カバーを係合するための係止部を備えたことを、
特徴する請求項４または５に記載の直管形ＬＥＤランプ。
【請求項７】
前記支持基材の平滑面の両側縁部に、
前記ＬＥＤ基板を載置する際の幅方向の位置決めをなす
一対の立上がり壁を備えたことを、
特徴とする請求項４ないし６のいずれかに記載の直管形ＬＥＤランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明にあたっては、複数のＬＥＤ素子が実装されたＬＥＤ基板を収容する直管形ＬＥＤランプにおいて、ＬＥＤ基板を搭載する支持基材と、支持基材の一側面を被覆して当該支持基板とで円筒形状を形成する透光性カバーと、支持基材及び透光性カバーとで形成された円筒形状の両端に取付けられて対をなす口金と、を有する発光部本体を備え、一対の前記口金は、複数に分割された分割体（口金部材）と、複数の分割体間で挟持されてなる、商用電源からの電力が供給される金属端子を有し、前記分割体のうちの一方の一部が前記支持基材に嵌入されて当該支持基材に内包されていることを、特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載の発明にあたっては、前記口金は、管内側方向に突出する突盤部を有し、
当該突盤部は前記透光性カバーの端面の外周内壁に沿って嵌入されることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を設置する試料ステージと、イオンビームを発生させ試料面上に集束させて走査させるイオンビーム照射系と、電子ビームを発生させて試料面上に集束させて走査させる電子ビーム照射系と、前記試料から発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、前記検出器で検出された二次荷電粒子から二次荷電粒子像を形成し、複数の断面二次荷電粒子像から三次元再構築データを取得する演算部と、を備えた荷電粒子線装置であって、前記三次元再構築データから所定の断面像を抽出し、当該抽出された断面像と前記試料の加工部分の加工断面像との比較情報に基づき、加工を停止することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
請求項１記載の荷電粒子線装置において、連続断面二次荷電粒子線像を用いて三次元再構築した三次元再構築データから加工終点となる断面像を抽出し、前記試料の加工部分の加工断面像とを比較し、一致した際に加工終点と判断し、加工が停止することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項３】
請求項１記載の荷電粒子線装置において、連続断面二次荷電粒子線像を用いて三次元再構築した三次元再構築データから複数の断面像を抽出し、前記試料の加工部分の加工断面像と比較し、前記複数の断面像と前記加工断面像とが一致しない場合に加工終点と判断し、加工が停止することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項４】
請求項３記載の荷電粒子線装置において、一致する断面が検出されなかった場合、その加工断面を不良部分と認識し、加工が自動停止することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、前記試料が、メカニカルプローブで摘出した微小試料片であり、当該微小試料片を加工して薄膜試料を作製することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
請求項１記載の荷電粒子線装置において、三次元再構築データから加工終点となる断面Ａを抽出し、現在の加工断面Ｂと照合し、三次元再構築データから一致する断面Ｃを抽出し、断面Ａに対する断面Ｃの試料回転角度及び試料傾斜角度を算出し、算出した試料回転角度と傾斜角度を現在の試料ステージに反映できることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】
請求項１記載の荷電粒子線装置において、前記試料を透過した電子を検出する透過電子検出器と、前記の透過電子から形成される透過電子像を表示する手段と、微小試料片を傾斜しながら連続傾斜透過電子像を取得できる手段と、前記連続傾斜透過像を用いて三次元再構成できる三次元再構成システムとを具備し、連続傾斜透過像を用いて三次元再構成した三次元再構成データから加工終点となる断面像を抽出し、現在の加工断面像と照合し、一致した際に加工終点と判断し、加工が自動で停止することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項７記載の荷電粒子線装置において、イオンビームによる加工断面の二次荷電粒子線像を取得し、取得した二次荷電粒子線像と三次元再構成データから抽出した全断面像を照合し、一致する断面が検出された場合、イオンビームによる加工と電子ビームによる観察を連続的に繰り返すことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項９】
請求項８記載の荷電粒子線装置において、一致する断面が検出されなかった場合、その加工断面を不良部分と認識し、加工が自動停止することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、前記試料が、メカニカルプローブで摘出した微小試料片であり、当該微小試料片を加工して薄膜試料を作製することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１１】
請求項７記載の荷電粒子線装置において、三次元再構成データから加工終点となる断面Ａを抽出し、現在の加工断面Ｂと照合し、三次元再構成データから一致する断面Ｃを抽出し、断面Ａに対する断面Ｃの試料回転角度及び試料傾斜角度を算出し、算出した試料回転角度と傾斜角度を現在の試料ステージに反映できることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
請求項５記載の荷電粒子線装置において、前記薄膜試料の両断面の二次荷電粒子像を三次元再構築データから抽出することにより、前記薄膜試料の試料厚さを算出することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１３】
請求項１０記載の荷電粒子線装置おいて、前記薄膜試料の両断面の二次荷電粒子像を三次元再構成データから抽出することにより、前記薄膜試料の試料厚さを算出することを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題に鑑み、本発明は、例えば、試料を設置する試料ステージと、イオンビームを発生させ試料面上に集束させて走査させるイオンビーム照射系と、電子ビームを発生させて試料面上に集束させて走査させる電子ビーム照射系と、前記試料から発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、前記検出器で検出された二次荷電粒子から二次荷電粒子像を形成し、複数の断面二次荷電粒子像から三次元再構築データを取得する演算部と、を備えた荷電粒子線装置であって、前記三次元再構築データから所定の断面像を抽出し、当該抽出された断面像と前記試料の加工部分の加工断面像との比較情報に基づき、加工を停止する、との構成を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極箔に接続される引出し端子の少なくとも側面に、該側面との間に前記引出し端子の変形を許容する空間部を持つ拘束治具を設置する工程と、
前記引出し端子と前記電極箔とを重ねる工程と、
前記電極箔の上から圧接金型を押し付け、前記拘束治具の前記空間部への変形を許容させて前記引出し端子と前記電極箔とを接続する工程と、
を含むことを特徴とするコンデンサの製造方法。
【請求項２】
さらに、前記拘束治具は前記引出し端子と接触する面部に単一または複数の凸部を備え、該面部に前記引出し端子を配置する工程と、
前記引出し端子に前記電極箔を重ねる工程と、
前記電極箔の上から圧接金型を押し付けて前記引出し端子と前記電極箔とを接続する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項３】
さらに、前記引出し端子に圧接金型を押し付けて前記引出し端子に前記圧接金型による凹部、および前記拘束治具の前記凸部による凹部を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記拘束治具の前記凸部は、前記引出し端子の軸方向の端部に形成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項５】
電極箔と冷間圧接により接続した単一または複数の接続部を備え、該接続部の背面側の面部に単一または複数の凹部を備える引出し端子と、
を備えることを特徴とするコンデンサ。
【請求項６】
前記引出し端子は、前記凹部を前記接続部の面部外に備えることを特徴とする請求項５に記載のコンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記コンデンサの製造方法において、前記拘束治具は前記引出し端子と接触する面部に単一または複数の凸部を備え、該面部に前記引出し端子を配置する工程と、前記引出し端子に前記電極箔を重ねる工程と、前記電極箔の上から圧接金型を押し付けて前記引出し端子と前記電極箔とを接続する工程とを含んでよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記コンデンサの製造方法において、引出し端子と接触する面部に単一または複数の凸部を備え、該面部に前記引出し端子を配置する工程と、前記引出し端子に前記電極箔を重ねる工程と、前記引出し端子に圧接金型を押し付けて前記引出し端子に前記圧接金型による凹部、および前記拘束治具の前記凸部による凹部を形成してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記コンデンサの製造方法において、さらに、前記拘束治具の前記凸部は、前記引出し端子の軸方向の端部に形成してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明のコンデンサは、電極箔と冷間圧接により接続した単一または複数の接続部を備え、該接続部の背面側の面部に単一または複数の凹部を備える引出し端子とを備える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記コンデンサにおいて、前記引出し端子は、前記凹部を前記接続部の面部外に備えてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月10日(2015.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体であって、
前記フレキシブル基板は、折り曲げ可能な可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部の該硬質部との境界部分で前記電子部品の形状に沿って折り曲げられ、
前記第１半導体装置は、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう載置されることを特徴とする半導体装置実装構造体。
【請求項２】
前記硬質部は、前記電子部品の厚さと同程度の長さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項３】
前記硬質部は、前記可撓部の中央部に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項４】
前記電子部品の底面部と、前記硬質部ならびに前記硬質部近傍の可撓部との間を封止し、前記封止樹脂より軟質の第２封止樹脂を備え、
前記封止樹脂は、前記電子部品の側面部と前記可撓部との間を封止することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置実装構造体。
【請求項５】
前記封止樹脂および／または前記第２封止樹脂は、ＵＶ−熱併用硬化樹脂により形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項６】
前記電子部品の底面部と前記硬質部との間に空隙部を備え、
前記封止樹脂は、前記電子部品の側面部と前記可撓部近傍とを封止することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項７】
前記硬質部上に、第２電子部品が実装されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置実装構造体。
【請求項８】
前記第２半導体装置は、前記第１半導体装置の実装位置近傍に、前記第１半導体装置の実装位置を規制する位置規制部材を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置実装構造体。
【請求項９】
前記フレキシブル基板は、外側面にアライメントマークを有し、
前記第２半導体装置は、前記第１半導体装置を実装する面にアライメントマークを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項１０】
フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体の製造方法であって、
前記フレキシブル基板は、折り曲げ可能な可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部に前記電子部品をリフロー工法によりはんだ接続する電子部品接続工程と、
前記電子部品下部を含む前記フレキシブル基板表面全体に封止樹脂を塗布する塗布工程と、
前記可撓部を前記電子部品の外形に沿って折り曲げた後、治具により第１半導体装置を仮固定する折り曲げ工程と、
前記折り曲げ工程で仮固定した第１半導体装置を、加熱炉で加熱し、封止樹脂を硬化する硬化工程と、
前記硬化工程後の第１半導体装置を、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう載置して接続する接続工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置実装構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記封止樹脂は、ＵＶ−熱併用硬化樹脂であり、
前記塗布工程後、ＵＶ光を照射して、ＵＶ−熱併用硬化樹脂をＢステージ状態とするＵＶ光照射工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置実装構造体の製造方法。
【請求項１２】
フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体の製造方法であって、
前記フレキシブル基板は、可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部に前記電子部品を接続する電子部品接続工程と、
前記硬質部上に、ＵＶ−熱併用硬化樹脂である前記封止樹脂より軟質である第２封止樹脂を塗布する第２封止樹脂塗布工程と、
前記第２封止樹脂塗布工程後、ＵＶ光を照射して、前記第２封止樹脂をＢステージ状態とするＵＶ光照射工程と、
前記電子部品下部を含む前記可撓部上に封止樹脂を塗布する塗布工程と、
前記可撓部を前記電子部品外形に沿って折り曲げて治具により第１半導体装置を仮固定する折り曲げ工程と、
前記折り曲げ工程で仮固定した第１半導体装置を、加熱炉で加熱し、封止樹脂および第２封止樹脂を硬化する硬化工程と、
前記硬化工程後の第１半導体装置を、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう載置して、前記電子部品と前記第２半導体装置とを電気的に接続する接続工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置実装構造体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月24日(2015.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体基体と、
第２半導体基体と、
前記第１半導体基体に形成された、前記第１半導体基体の第２主面側を受光面とするフォトダイオードと、
第１半導体基体の第１主面の表面に形成されたフローティングディフュージョンと、
前記第１半導体基体の第１主面上に形成された第１トランジスタと、
前記第１半導体基体の第１主面上に形成された第１配線層と、
前記第１配線層の表面に露出する第１電極と、
前記第２半導体基体の第１主面上に形成された第２トランジスタと、
前記第２半導体基体の第１主面上に形成された第２配線層と、
前記第２配線層の表面に露出する第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極を介して、前記フローティングディフュージョンと前記第２トランジスタのゲート電極とを接続するフローティングディフュージョン配線と、を備え、
前記第２トランジスタが複数の前記フォトダイオードに共有され、
前記第１電極と前記第２電極とが接合されて、前記第１半導体基体と前記第２半導体基体とが貼り合わされている
固体撮像装置。
【請求項２】
前記第１電極及び前記第２電極は、前記第２トランジスタを共有する複数の前記フォトダイオードが形成されている領域の面積よりも小さい請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１電極及び前記第２電極の少なくとも一方が、前記フローティングディフュージョンの形成面積よりも大きい請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１電極及び前記第２電極が、それぞれ異なる方向に延在された導体層により形成されている請求項１から３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１電極及び前記第２電極は、異なる方向に延在された複数の導体層が組み合わされた格子状に形成されている請求項１から４のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記フォトダイオードと前記フローティングディフュージョンとが形成されている画素領域の周囲の前記第１配線層の表面に、前記第１トランジスタのゲート電極に接続される第１ゲート電極配線と前記第２半導体基体とを接続するための第３電極が形成されている請求項１から５のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第３電極が前記第１ゲート電極配線と平行な方向に複数配列されている請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記フローティングディフュージョン配線が、前記第１配線層内でグランド配線により囲まれている請求項１から６のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記フローティングディフュージョン配線が、前記第２配線層内でＶＤＤ配線により囲まれている請求項１から８のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
複数の前記フローティングディフュージョンで前記第１電極を共有する請求項１から９のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記フォトダイオードの周囲に素子分離部が形成されている請求項１から１０のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記フォトダイオードに、グランド配線に接続される端子が配置される請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
第１半導体基体と、第２半導体基体と、前記第１半導体基体に形成された、前記第１半導体基体の第２主面側を受光面とするフォトダイオードと、第１半導体基体の第１主面の表面に形成されたフローティングディフュージョンと、前記第１半導体基体の第１主面上に形成された第１トランジスタと、前記第１半導体基体の第１主面上に形成された第１配線層と、前記第１配線層の表面に露出する第１電極と、前記第２半導体基体の第１主面上に形成された第２トランジスタと、前記第２半導体基体の第１主面上に形成された第２配線層と、前記第２配線層の表面に露出する第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極を介して、前記フローティングディフュージョンと前記第２トランジスタのゲート電極とを接続するフローティングディフュージョン配線とを有し、前記第２トランジスタが複数の前記フォトダイオードに共有され、前記第１電極と前記第２電極とが接合されて、前記第１半導体基体と前記第２半導体基体とが貼り合わされている固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路と、を備える
電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月13日(2015.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されているパターンの上にパターン形成を行うインプリント装置であって、
前記基板の裏面に接触する接触面を有し、前記基板を吸着して保持する保持手段と、
前記裏面と前記接触面との間に無極性ガスを供給する供給手段と、
前記パターンの形状を変化させる変形手段と、を備え、
前記保持手段により前記裏面を吸着し、かつ前記供給手段により前記裏面と前記接触面との間に前記無極性ガスを供給して、前記変形手段により前記形状を変化させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記無極性ガスは、希ガスであることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記無極性ガスは、パーフルオロ系ガスであることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記供給手段は、前記無極性ガスに加えて空気を供給する請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記無極性ガスの割合は、前記形状を変化させる場合には、前記空気の割合より多いことを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記無極性ガスの割合は、少なくとも前記形状を変化させた後には、前記空気の割合より少ないことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記供給手段は、前記裏面における複数の領域にそれぞれ独立して前記無極性ガスを供給することを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記変形手段は、加熱により前記形状を変化させることを特徴とする請求項１ないし７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記変形手段は、前記基板に力を加えることにより前記形状を変化させることを特徴とする請求項１ないし７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記パターン形成のための型に力を加えることにより前記型を変形させる型変形手段を備えることを特徴とする請求項１ないし９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
基板上に形成されているパターンの上にパターン形成を行うインプリント装置であって、
前記基板の裏面に接触する接触面を有し、前記基板を吸着して保持する保持手段と、
前記裏面と前記接触面との間に希ガスを供給する供給手段と、
前記パターンの形状を変化させる変形手段と、を備え、
前記保持手段により前記裏面を吸着し、かつ前記供給手段により前記裏面と前記接触面との間に前記希ガスを供給して、前記変形手段により前記形状を変化させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１２】
基板上に形成されているパターンの上にパターン形成を行うインプリント装置であって、
前記基板の裏面に接触する接触面を有し、前記基板を吸着して保持する保持手段と、
前記裏面と前記接触面との間にパーフルオロ系ガスを供給する供給手段と、
前記パターンの形状を変化させる変形手段と、を備え、
前記保持手段により前記裏面を吸着し、かつ前記供給手段により前記裏面と前記接触面との間に前記パーフルオロ系ガスを供給して、前記変形手段により前記形状を変化させることを特徴とするインプリント装置。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板上にパターン形成を行う工程と、
前記工程で前記パターン形成を行われた基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、例えば、重ね合わせ精度の点で有利なインプリント装置を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上に形成されているパターンの上にパターン形成を行うインプリント装置であって、基板の裏面に接触する接触面を有し、基板を吸着して保持する保持手段と、裏面と接触面との間に無極性ガスを供給する供給手段と、前記パターンの形状を変化させる変形手段と、を備え、保持手段により裏面を吸着し、かつ、供給手段により裏面と接触面との間に無極性ガスを供給して、変形手段により形状を変化させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、例えば、重ね合わせ精度の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月9日(2015.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状であって、下面から上面へ貫通するスリットが形成された第１のベースプレートと、
板状のプレート放熱フィンであって、周縁の一部が折り曲げられて折曲部が形成され、前記折曲部の残りの部分であるフィン部が、前記第１のベースプレートの前記スリットを前記第１のベースプレートの前記下面から前記上面の方向へ貫通して前記スリットから突き出ると共に、前記折曲部のうち前記フィン部が突き出る側の面である上面が前記第１のベースプレートの前記下面に対向して配置されるプレート放熱フィンと、
板状であって、前記プレート放熱フィンの前記折曲部の他方の面である下面よりも大きい面積を有し、前記折曲部の前記下面を一方の面である上面が対向して覆い、前記第１のベースプレートとともに前記プレート放熱フィンの前記折曲部を挟む第２のベースプレートと、
前記第１のベースプレートと前記第２のベースプレートとに、前記折曲部を挟持させる挟持機構と
を備えたことを特徴とするヒートシンク装置。
【請求項２】
前記ヒートシンク装置は、
複数の前記プレート放熱フィンを備え、
前記第１のベースプレートは、
複数の前記プレート放熱フィンの各プレート放熱フィンに対応する複数の前記スリットが形成され、
複数の前記プレート放熱フィンの各プレート放熱フィンは、
前記フィン部が、前記第１のベースプレートの複数の前記スリットのうち対応する前記スリットから突き出ると共に、前記折曲部の前記上面が前記第１のベースプレートの前記下面に対向して配置され、
前記第２のベースプレートは、
複数の前記プレート放熱フィンのそれぞれの前記折曲部の下面を合わせた面積よりも大きい面積を有し、複数の前記プレート放熱フィンのそれぞれの前記折曲部の前記下面を前記上面が対向して覆い、前記第１のベースプレートとともに複数の前記プレート放熱フィンのそれぞれの前記折曲部を挟み、
前記挟持機構は、
前記第１のベースプレートと前記第２のベースプレートとに、複数の前記プレート放熱フィンのそれぞれの前記折曲部を挟持させることを特徴とする請求項１記載のヒートシンク装置。
【請求項３】
複数の前記プレート放熱フィンのそれぞれの前記折曲部は、
前記第１のベースプレートの上方から、前記第１のベースプレートの前記上面から前記下面に向かう方向にみたとき、全体で、前記第２のベースプレートの外周の内部に位置し、かつ、前記第２のベースプレートの外周よりもやや小さい外周形状をなすことを特徴とする請求項２記載のヒートシンク装置。
【請求項４】
請求項１記載のヒートシンク装置と、請求項２記載のヒートシンク装置と、請求項３記載のヒートシンク装置とのうちのいずれかのヒートシンク装置と、
光源が実装された実装面を有し、前記実装面の裏側が前記第２のベースプレートの前記下面に対向して前記第２のベースプレートに取り付けられる実装基板と
を備えたことを特徴とする照明装置。
【請求項５】
前記照明装置は、
前記第２のベースプレートの前記下面と、前記実装基板の裏面との間に配置され、
熱伝導性を有する柔軟性のシート材を備えたことを特徴とする請求項４の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月13日(2015.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録装置であって、
メモリと、
前記記録装置の記録待機状態において、所定の記録モードが設定されたことに応じて、取得した動画データを前記メモリに繰り返し記憶する取得手段と、
前記メモリから動画データを読み出し、前記メモリから読み出した動画データを記録媒体に記録する記録手段と、
前記記録待機状態における記録開始の指示に応じて、前記動画データの記録を開始するように前記記録手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記記録待機状態において前記所定の記録モードが設定された後、前記記録開始の指示が出力されることなく第１の期間が経過した場合、前記取得手段による前記メモリへの動画データの記憶を停止して、前記記録装置を記録待機状態とすることを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記所定の記録モードが設定された後、前記記録開始の指示が出力されることなく前記第１の期間が経過した場合、前記取得手段による前記メモリへの動画データの記憶を停止するとともに、前記所定の記録モードを再び設定するか否かを問い合わせるための情報を表示することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記問い合わせのための情報を表示した後、前記所定の記録モードを再び設定する指示があった場合、再度、前記メモリに対する動画データの記憶を開始するように前記取得手段を制御することを特徴とする請求項２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記所定の記録モードが設定された後、前記記録開始の指示が出力されることなく、前記第１の期間よりも短い第２の期間が経過したことに応じて、前記所定の記録モードの設定が解除されることを予告するための情報を表示することを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
前記メモリは所定時間の動画データを記憶可能であり、
前記制御手段は、前記所定の記録モードが設定された後、前記第１の期間が経過するまでに前記記録開始の指示が出力された場合、前記記録開始の指示のときに前記メモリに記憶されている動画データのうち、前記記録開始の指示の前記所定時間前の画面から記録を開始するように、前記記録手段を制御することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の記録装置。
【請求項６】
前記取得手段は、前記動画データの再生時における出力タイミングに係るタイムスタンプであって、時間の経過に応じてその値が増加するタイムスタンプを、前記動画データに付加して前記メモリに記憶し、
前記制御手段は、前記タイムスタンプの値が初期値から上限の値に達するまでに経過する時間よりも短い時間を前記第１の期間とすることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項７】
前記取得手段は、前記動画データのフレーム毎に前記タイムスタンプを付加することを特徴とする請求項６に記載の記録装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記記録手段が動画データの記録を開始した後、前記動画データに付加されたタイムスタンプが前記上限値に達した場合に、前記記録手段による動画データの記録を停止することを特徴とする請求項６または７に記載の記録装置。
【請求項９】
前記制御手段は、前記所定の記録モードが設定されてからの経過時間を計測するためのタイマを有することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明においては、メモリと、記記録装置の記録待機状態において、所定の記録モードが設定されたことに応じて、取得した動画データを前記メモリに繰り返し記憶する取得手段と、前記メモリから動画データを読み出し、前記メモリから読み出した動画データを記録媒体に記録する記録手段と、前記記録待機状態における記録開始の指示に応じて、前記動画データの記録を開始するように前記記録手段を制御する制御手段とを備え、前記制御手段は、前記記録待機状態において前記所定の記録モードが設定された後、前記記録開始の指示が出力されることなく第１の期間が経過した場合、前記取得手段による前記メモリへの動画データの記憶を停止して、前記記録装置を記録待機状態とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、記録開始後、すぐに記録が停止されてしまうことを防止することができる。