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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月17日(2015.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
酵母を用いて製造した飲食品の酵母の同一性判別方法であって、酵母を用いて製造した飲食品から酵母若しくは酵母核酸を取得し、この酵母の所定の遺伝子の塩基配列パターンが、請求項１〜１０いずれか１項に記載の酵母の同一性判別が容易な飲食品製造用酵母の所定の遺伝子の塩基配列パターンと一致するか否かを判定して、一致した時は、前記酵母の同一性判別が容易な飲食品製造用酵母で製造した飲食品であると判別することを特徴とする飲食品の製造に用いた酵母の同一性判別方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、酵母を用いて製造した飲食品の酵母の同一性判別方法であって、酵母を用いて製造した飲食品から酵母若しくは酵母核酸を取得し、この酵母の所定の遺伝子の塩基配列パターンが、請求項１〜１０いずれか１項に記載の酵母の同一性判別が容易な飲食品製造用酵母の所定の遺伝子の塩基配列パターンと一致するか否かを判定して、一致した時は、前記酵母の同一性判別が容易な飲食品製造用酵母で製造した飲食品であると判別することを特徴とする飲食品の製造に用いた酵母の同一性判別方法に係るものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本実施例で用いた酵母のアルギナーゼ遺伝子の塩基配列の概要を表１に示す。この表１には、アルギナーゼ遺伝子の配列の配列識別子が配列表のＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ:１で示されるきょうかい酵母７号の５０１番目の塩基がＧであるアルギナーゼ遺伝子の塩基配列（表１及び図１〜３では菌株名をＫ７Ｇと表記）、アルギナーゼ遺伝子の塩基配列の配列識別子が配列表のＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ:２で示されるきょうかい酵母７号の５０１番目の塩基がＴであるアルギナーゼ遺伝子の塩基配列（表１及び図１〜３では菌株名をＫ７Ｔと表記）、アルギナーゼ遺伝子の配列の配列識別子が配列表のＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ:３で示される新潟清酒酵母Ｇ７４ＮＦのＣＡＲ１塩基配列、及び、遺伝子配列の配列識別子が配列表のＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ:４〜１０で示される塩基配列を有する、夫々、親株であるＧ７４ＮＦのアルギナーゼ遺伝子に変異が付与された新潟清酒酵母Ｇ７４ＮＦａｒｇ１〜７、及び、アルギナーゼ遺伝子の配列の配列識別子が配列表のＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ:１１で示される新潟清酒酵母Ｇ９、及び、遺伝子配列の配列識別子が配列表のＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ:１２，１３で示される塩基配列を有する、夫々、親株であるＧ９のアルギナーゼ遺伝子に変異が付与された新潟清酒酵母Ｇ９ａｒｇ１，３２を示し、これらの遺伝子の塩基配列データを配列表に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
また、PCR産物を利用した形質転換法（例えば、バイオ実験イラストレイテッド第７巻使おう酵母できるTwo Hybrid (秀潤社、2003年10月30日発行)の"２章形質転換の理論と実験法, 5.遺伝子の破壊, 5-1PCRを用いた遺伝子の破壊（置換）法, 5-2置換の確認", p.70-74）やManivasakamらの方法（Manivasakam P. et al., Nucleic Acids Res., Vol.23, p.2799-2800, 1995）を用いることもできる。具体的には、特定のアルギナーゼ欠損酵母のアルギナーゼ遺伝子の変異部位を含む、酵母のアルギナーゼ遺伝子を増幅させるためのプライマーを常法により作成し、きょうかい７号やきょうかい９号などの酵母からＧｅｎとるくん（タカラバイオ(株)）等のＤＮＡ抽出キットを用いて調製した酵母ゲノムＤＮＡ、若しくは実施例に記載のように調製したアルギナーゼ遺伝子由来のＰＣＲ産物を鋳型として、ＰＣＲ法(例えば、Saikiらの方法（Saiki R.K. et al., Science, Vol.230, p.1350-1354, 1985)でアルギナーゼ遺伝子の変異部位を含むアルギナーゼ遺伝子由来のＰＣＲ産物を得た後、このＰＣＲ産物を使用してアルギナーゼを欠損していない酵母へ常法による形質転換を行い、この形質転換体から上述のＣＡＯ培地で生育できる酵母を選抜し、実施例に記載のアルギナーゼ変異部位の検出やアルギナーゼ遺伝子の塩基配列解析を行い、この酵母に変異が導入されていることを確認し、特定のアルギナーゼ欠損酵母とすればよい。さらに、酵母の分類識別用の管理情報、若しくは、前記飲食品の製造用の管理情報といった識別情報に対応させた塩基配列をプライマーの配列内に付与若しくは鋳型の一部としてＰＣＲ法に供し、得られたＰＣＲ産物で形質転換することによって容易にアルギナーゼ遺伝子内に識別情報を付与することも可能である。なお、遺伝子組換えによって遺伝子を導入する酵母は、１倍体が好ましく、酵母の培養法、一倍体取得法、胞子形成法などの一般的な操作は、酵母分子遺伝学実験法（大嶋泰治編著、学会出版センター、1996年4月発行）等に記載の常法を用いればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月14日(2014.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
RIM15遺伝子を発現する組換えベクターで形質転換されてなる、清酒酵母。
【請求項２】
清酒酵母がSaccharomyces cerevisiae K701 UT-1T [pAUR112-ScRIM15]（受託番号NITE P-1219）である、請求項１に記載の清酒酵母。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の清酒酵母を用いることを特徴とする、酒類又は食品の製造方法。
【請求項４】
酒類又は食品が、清酒、焼酎、ビール、ワイン、パン類及び醤油からなる群より選択される少なくとも一種である、請求項３に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
すなわち、本発明の要旨は、
〔１〕RIM15遺伝子を発現する組換えベクターで形質転換されてなる、清酒酵母；
〔２〕清酒酵母がSaccharomyces cerevisiae K701 UT-1T [pAUR112-ScRIM15]（受託番号NITE P-1219）である、前記〔１〕に記載の清酒酵母；
〔３〕前記〔１〕又は〔２〕に記載の清酒酵母を用いることを特徴とする、酒類又は食品の製造方法；並びに
〔４〕酒類又は食品が、清酒、焼酎、ビール、ワイン、パン類及び醤油からなる群より選択される少なくとも一種である、前記〔３〕に記載の製造方法；に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
RIM15遺伝子を発現する組換えベクターで形質転換されてなる清酒酵母の一例としては、Saccharomyces cerevisiae K701 UT-1T [pAUR112-ScRIM15]株が挙げられる。この株は、K701 UT-1T [pAUR112-ScRIM15]株と命名され、独立行政法人製品評価技術基盤機構特許微生物寄託センターに、受託番号NITE P-1219（寄託日：平成24年2月2日）として寄託されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実験室酵母X2180からゲノムDNAを抽出し、プライマーRIM15-F（配列表の配列番号１）、RIM15-R（配列表の配列番号２）を用いてPCR法によりDNA増幅を実施し、PCR産物をpAUR112ベクターのSmaIサイトにクローニングした。得られた組換えベクターを、酢酸リチウム法により清酒酵母きょうかい701号由来ウラシル要求性株（K701 UT-1T株）に導入した。SC-Ura寒天培地（0.67％yeast nitrogen base without amino acids、0.77 g/L complete supplement mixture minus uracil、2％グルコース含有）上で、30℃、3日間培養し、得られた単コロニーを同じ組成のSC-Ura寒天培地で再度培養し、生育してきたものを形質転換株とした。この株は、K701 UT-1T [pAUR112-ScRIM15]株と命名され、独立行政法人製品評価技術基盤機構特許微生物寄託センターに、受託番号NITE P-1219（寄託日：平成24年2月2日）として寄託された。また、同様の方法により、空ベクターを導入した対照株も作成された。この株は、K701 UT-1T [pAUR112]株と命名され、独立行政法人製品評価技術基盤機構特許微生物寄託センターに、受託番号NITE P-1218（寄託日：平成24年2月2日）として寄託された。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月19日(2014.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
宅内の部屋に設置された家電と通信機能付き電力量計とに通信可能に接続された通信機器であって、
プロセッサと、
前記プロセッサに接続された通信インターフェイスとを備え、
前記プロセッサは、
前記通信インターフェイスを用いて、前記電力量計を介して宅外の電力系統から、前記宅内の消費電力を削減するための第１の削減指示を受信し、
前記部屋に設置されたセンサからの出力を取得し、
前記第１の削減指示と前記センサからの出力とに基づき、前記家電の消費電力を削減するための第２の削減指示を生成し、
前記通信インターフェイスを用いて、前記生成された第２の削減指示を前記家電に送信する、通信機器。
【請求項２】
前記センサは人感センサであって、
前記プロセッサは、前記第２の削減指示として、前記人感センサにより前記人の存在が検知されなかった場合には前記人感センサにより前記人の存在が検知された場合よりも前記家電の消費電力の低減させる指示を生成する、請求項１に記載の通信機器。
【請求項３】
前記センサは、照度センサであって、
前記プロセッサは、前記第２の削減指示として、前記照度センサにより予め定められた値以上の照度が検知された場合には前記照度センサにより予め定められた値未満の照度が検知された場合よりも前記家電の消費電力の低減させる指示を生成する、請求項１に記載の通信機器。
【請求項４】
宅内の部屋に設置された家電であって、
プロセッサと、
前記プロセッサに接続された通信インターフェイスとを備え、
前記プロセッサは、
前記通信インターフェイスを用いて、通信機能付き電力量計を介して宅外の電力系統から、前記宅内の消費電力を削減するための削減指示を受信し、
前記部屋に設置されたセンサからの出力を取得し、
前記削減指示と前記センサからの出力とに基づき、前記家電の消費電力を制御する、
家電。
【請求項５】
宅内の第１の部屋に設置された第１の家電と前記宅内の第２の部屋に設置された第２の家電とを制御するコントローラであって、
プロセッサと、
前記プロセッサに接続された通信インターフェイスとを備え、
前記プロセッサは、
前記通信インターフェイスを用いて、宅外の電力系統から、前記宅内の消費電力を削減するための第１の削減指示を受信し、
前記第１の部屋に設置された第１のセンサからの出力と、前記第２の部屋に設置された第２のセンサからの出力とを取得し、
前記第１の削減指示と前記第１のセンサからの出力とに基づき、前記第１の家電の消費電力を削減するための第２の削減指示を生成し、
前記第１の削減指示と前記第２のセンサからの出力とに基づき、前記第２の家電の消費電力を削減するための第３の削減指示を生成し、
前記通信インターフェイスを用いて、前記生成された第２の削減指示を前記第１の家電に送信し、前記生成された第３の削減指示を前記第２の家電に送信する、コントローラ。
【請求項６】
宅内の部屋に設置された家電と、通信機能付き電力量計と、前記家電および前記電力量計に通信可能に接続された通信機器とを備えた通信システムであって、
前記通信機器は、
プロセッサと、
前記プロセッサに接続された通信インターフェイスとを含み、
前記プロセッサは、
前記通信インターフェイスを用いて、前記電力量計を介して宅外の電力系統から、前記宅内の消費電力を削減するための第１の削減指示を受信し、
前記部屋に設置されたセンサからの出力を取得し、
前記第１の削減指示と前記センサからの出力とに基づき、前記家電の消費電力を削減するための第２の削減指示を生成し、
前記通信インターフェイスを用いて、前記生成された第２の削減指示を前記家電に送信し、
前記家電は、前記第２の削減指示を前記コントローラから受信し、当該第２の削減指示に基づいた動作を実行する、通信システム。
【請求項７】
宅内の部屋に設置された家電と通信機能付き電力量計とに通信可能に接続された通信機器における家電制御方法であって、
前記通信機器が、前記通信インターフェイスを用いて、前記電力量計を介して宅外の電力系統から、前記宅内の消費電力を削減するための第１の削減指示を受信するステップと、
前記通信機器が、前記部屋に設置されたセンサからの出力を取得するステップと、
前記通信機器が、前記第１の削減指示と前記センサからの出力とに基づき、前記家電の消費電力を削減するための第２の削減指示を生成するステップと、
前記通信機器が、前記通信インターフェイスを用いて、前記生成された第２の削減指示を前記家電に送信するステップとを備える、家電制御方法。
【請求項８】
宅内の部屋に設置された家電と通信機能付き電力量計とに通信可能に接続された通信機器を制御するためのプログラムであって、
通信インターフェイスを用いて、前記電力量計を介して宅外の電力系統から、前記宅内の消費電力を削減するための第１の削減指示を受信するステップと、
前記部屋に設置されたセンサからの出力を取得するステップと、
前記第１の削減指示と前記センサからの出力とに基づき、前記家電の消費電力を削減するための第２の削減指示を生成するステップと、
前記通信インターフェイスを用いて、前記生成された第２の削減指示を前記家電に送信するステップとを、前記通信機器のプロセッサに実行させる、プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信機器、家電、コントローラ、通信システム、家電制御方法、プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
好ましくは、センサは、人感センサである。プロセッサは、第２の削減指示として、人感センサにより人の存在が検知されなかった場合には人感センサにより人の存在が検知された場合よりも家電の消費電力の低減させる指示を生成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
好ましくは、センサは、照度センサである。プロセッサは、第２の削減指示として、照度センサにより予め定められた値以上の照度が検知された場合には照度センサにより予め定められた値未満の照度が検知された場合よりも家電の消費電力の低減させる指示を生成する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月16日(2015.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下（ａ）〜（ｃ）いずれかに記載の単離されたポリペプチドをコードする遺伝子にて形質転換した組換え酵母の存在下にて、セルロース系バイオマスをセルラーゼにて糖化するとともに、糖成分を原料としてアルコール発酵を行う工程を含む、アルコールの製造方法。
（ａ）配列番号２又は４に示すアミノ酸配列を含むポリペプチド
（ｂ）配列番号２又は４に示すアミノ酸配列に対して７０％以上の同一性を有し、セルラーゼの糖化活性を増強する機能を有するポリペプチド
（ｃ）配列番号２又は４に示すアミノ酸配列に対して１又は複数個のアミノ酸残基が置換、欠失、付加又は挿入されたアミノ酸配列を有し、セルラーゼの糖化活性を増強する機能を有するポリペプチド
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐炎化ポリアクリロニトリルを高分子電解質と複合化してなる複合高分子電解質膜。
【請求項２】
前記耐炎化ポリアクリロニトリルが連続層を形成している請求項１記載の複合高分子電解質膜。
【請求項３】
前記高分子電解質としてイオン性基密度２mmol/g以上の芳香族炭化水素系電解質を含む請求項１または２記載の複合高分子電解質膜。
【請求項４】
耐炎化ポリアクリロニトリルと結晶性高分子材料の複合繊維からなる不織布または多孔質フィルムを高分子電解質と複合化してなる請求項２または３記載の複合高分子電解質膜。
【請求項５】
膜厚１０μｍ以下の耐炎化ポリアクリロニトリルの不織布と高分子電解質とを複合化してなる複合化高分子電解質膜の製造方法であって、下記工程を有することを特徴とする複合高分子電解質膜の製造方法。
（１）電解紡糸法でポリアクリロニトリルの不織布を得る工程。
（２）ポリアクリロニトリルの不織布をポリアクリロニトリルの軟化点以上で加圧プレスした後に、酸素を有するガス中で２００℃以上、３００℃以下で加熱処理する工程。
（３）高分子電解質を該不織布の空隙に充填する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月10日(2014.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートウェイのプロセスにおいて非持続性のメッセージを受信する段階であって、該メッセージは、該メッセージが送られるべき名前を付されたキューを示す情報を含む、段階と；
データプロセッサにより、前記名前を付されたキューを、該キューについての一貫性のあるハッシュを用いてキューノードへマッピングする段階であって、該マッピングする段階は、前記名前を付されたキューを示す前記情報に対応する前記の受信したメッセージの一部のハッシュを生成する段階と、前記の生成したハッシュの一部を用いて対応するキュー他ノードを識別する段階と、を有し、前記マッピングする段階は、前記キューノードと別個のキューノードマッパーにより実行される、段階と；
前記キューノードにおいて前記メッセージをキューのプロセスへマッピングする段階と；
前記キューのプロセスにより、購読者のゲートウェイのリストへアクセスする段階と；
前記メッセージを前記リストの中の、前記購読者のゲートウェイの夫々へルーティングする段階と；
を有する、方法。
【請求項２】
ゲートウェイとクライアントとの間の持続性のコネクションを保持する段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記クライアントを、前記名前を付されたキューのリスナとして登録する段階
を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記登録する段階は、メッセージハンドラコールバックを提供する段階を含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記名前を付されたキューの前記キューノードへの前記マッピングを管理するためのスーパーバイザのプロセスを用いる段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記キューノードにおけるメッセージストリームと状態ストリームをマウントする段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ホットノード追加のプロセスにおいて、前記キューノードの状態を新しいキューノードへ移行する段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ゲートウェイのプロセスにおいて、トランスレータのプロセスを用いて、前記非持続性のメッセージを受信する段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記キューノードの状態を更新するために状態マネージャサービスを用いる段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ログイン時にシステムチャットキューとバディ状態キューのためにユーザを購読する段階
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
データプロセッサと；
ネットワークへのアクセスのために前記プロセッサとデータ通信するネットワーク接続と；
メッセージキューシステムモジュールであって：
ゲートウェイのプロセスにおいて非持続性のメッセージを受信し、該メッセージは、該メッセージが送られるべき該メッセージが送られるべき名前を付されたキューを示す情報を含み；
前記名前を付されたキューを、該キューについての一貫性のあるハッシュを用いてキューノードへマッピングし、該マッピングは、前記名前を付されたキューを示す前記情報に対応する前記の受信したメッセージの一部のハッシュを生成し、前記の生成したハッシュの一部を用いて対応するキュー他ノードを識別することを有し、前記マッピングは、前記キューノードと別個のキューノードマッパーにより実行され；
前記キューノードにおいて前記メッセージをキューのプロセスへマッピングし；
前記キューのプロセスにより、購読者のゲートウェイのリストへアクセスし；
前記メッセージを前記リストの中の、前記購読者のゲートウェイの夫々へルーティングする；
ために、前記プロセッサにより実行可能な、メッセージキューシステムモジュールと；
を有する、システム。
【請求項１２】
ゲートウェイとクライアントとの間の持続性のコネクションを保持する
ようさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記クライアントを、前記名前を付されたキューのリスナとして登録する
ようさらに構成される、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記登録は、メッセージハンドラコールバックの提供を含む、
請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記名前を付されたキューの前記キューノードへの前記マッピングを管理するためのスーパーバイザのプロセスを用いる
ようさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記キューノードにおけるメッセージストリームと状態ストリームをマウントする
ようさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】
ホットノード追加のプロセスにおいて、前記キューノードの状態を新しいキューノードへ移行する
ようさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記ゲートウェイのプロセスにおいて、トランスレータのプロセスを用いて、前記非持続性のメッセージを受信する
ようさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記キューノードの状態を更新するために状態マネージャサービスを用いる
ようさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項２０】
ログイン時にシステムチャットキューとバディ状態キューのためにユーザを購読する
ようさらに構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項２１】
コンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、コンピュータにより実行される場合に、該コンピュータに：
ゲートウェイのプロセスにおいて非持続性のメッセージを受信させ、該メッセージは、該メッセージが送られるべき名前を付されたキューを示す情報を含み；
前記名前を付されたキューを、該キューについての一貫性のあるハッシュを用いてキューノードへマッピングさせ、該マッピングは、前記名前を付されたキューを示す前記情報に対応する前記の受信したメッセージの一部のハッシュを生成し、前記の生成したハッシュの一部を用いて対応するキュー他ノードを識別することを有し、前記マッピングは、前記キューノードと別個のキューノードマッパーにより実行され；
前記キューノードにおいて前記メッセージをキューのプロセスへマッピングさせ；
前記キューのプロセスにより、購読者のゲートウェイのリストへアクセスさせ；
前記メッセージを前記リストの中の、前記購読者のゲートウェイの夫々へルーティングさせる；
命令を記録した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月29日(2015.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターポーザであって、
第１面及び第２面を有する基板と、
前記基板の前記第１面から前記第２面に延出する第１ホールと、
前記基板の前記第１面から前記第２面に延出し、幅が前記第１ホールの幅と異なる第２ホールと、
前記基板上に位置し、且つ、前記第１ホールの側壁及び前記第２ホールの側壁上にまで延出する第１絶縁層と、
前記基板上の前記第１絶縁層上に位置し、且つ、前記第１ホールの前記側壁上にまで延出する第１導電層とを含み、前記第２ホール内に導電層がないことを特徴とするインターポーザ。
【請求項２】
前記第１ホールの幅は、前記第２ホールの幅と異なり、前記第１絶縁層は、前記第１ホールおよび前記第２ホールを完全には充填せず、前記第１導電層は、前記第１ホールを完全には充填しないことを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項３】
さらに、前記第１導電層と前記第１絶縁層との間に位置する第２絶縁層を含み、前記第２絶縁層は、前記基板の前記第１面上に位置し、前記第２絶縁層の厚みは、前記第１絶縁層の厚みより大きいことを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項４】
さらに、前記導電層の表面を被覆する第２導電層と、前記第１導電層の一部を被覆する第２絶縁層を含み、前記第２導電層は、前記第１導電層の他の部分を被覆することを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項５】
前記第１導電層の表面を被覆する第２導電層をさらに備え、前記第２導電層は前記第１導電層の一つの側面を被覆することを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項６】
前記第１導電層の表面を被覆する第２導電層をさらに備え、前記第２導電層の一つの側面は、前記第１導電層の一つの側面とほぼ同一平面上にあることを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項７】
前記第２導電層の材料は前記第１導電層の材料と異なることを特徴とする請求項４、５または６に記載のインターポーザ。
【請求項８】
さらに、前記第１導電層の一部を被覆する第２絶縁層を含むことを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサダイパッケージであって、
第１のガラス層に結合された、センサデバイスを含むシリコンの機械層、
シリコンの前記機械層に付着された第２のガラス層、
シリコンの前記機械層の表面の予め定められた領域を露出させるように構成された、前記第１または第２のガラス層の少なくとも１つの中の少なくとも１つの第１のビア、
第１または第２のガラス層の少なくとも１つ中の少なくとも１つの第２のビアであって、前記第１または第２のガラス層の少なくとも１つをシリコンの前記機械層まで貫通していない前記少なくとも１つの第２のビア、および
シリコンの前記機械層の前記露出された領域と前記少なくとも１つの第２のビアの少なくとも一部との間に位置する金属トレース
を備えるセンサダイパッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサダイパッケージにおいて、前記少なくとも１つのセンサデバイスは、加速度センサ又はジャイロのうち少なくとも１つである、センサダイパッケージ。
【請求項３】
第１のガラス層に結合されるシリコンの機械層中に少なくとも１つのセンサデバイスを作るステップと、
第２のガラス層をシリコンの前記機械層に付着させてウェーハを作るステップと、
シリコンの前記機械層の表面の予め定められた領域を露出させるために、前記第１または第２のガラス層の少なくとも１つに少なくとも１つの第１のビアを作るステップと、
少なくとも１つの第２のビアを、前記第１または第２のガラス層の少なくとも１つに作るステップであり、前記少なくとも１つの第２のビアは、該第１または第２のガラス層の少なくとも１つをシリコンの前記機械層まで貫通しない前記ステップと、
シリコンの前記機械層の前記露出領域と前記少なくとも１つの第２のビアの少なくとも一部との間に金属トレースを付けるステップと、
前記少なくとも１つの第２のビアが２つの部分に分けられるように前記ウェーハをスライスして、第１のセンサダイを作るステップと、
前記第１のセンサダイを、前記スライスされた第２のビアの壁の残りの一部のところで回路基板に電気的かつ機械的に結合するステップと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月27日(2014.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜を加熱処理し、
前記加熱処理後、前記第１の酸化物半導体膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に、第１の厚さと第２の厚さとを有する第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の酸化物半導体膜および前記第１の導電膜をエッチングして、第２の酸化物半導体膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１のレジストマスクを縮小させることで、第３の厚さを有する第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜をエッチングすることで、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記第３の厚さは、前記第１の厚さ及び前記第２の厚さよりも小さく、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第２の酸化物半導体膜の側面とは重ならないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記第１の酸化物半導体膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜を形成した後、加熱処理を行い、
前記加熱処理後、前記第１の導電膜上に、第１の厚さと第２の厚さとを有する第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の前記酸化物半導体膜および前記第１の導電膜をエッチングして、第２の酸化物半導体膜および第２の導電膜を形成し、
前記第１のレジストマスクを縮小させることで、第３の厚さを有する第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の導電膜をエッチングすることで、ソース電極およびドレイン電極を形成し、
前記第３の厚さは、前記第１の厚さ及び前記第２の厚さよりも小さく、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、前記第２の酸化物半導体膜の側面とは重ならないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成した後、前記ゲート絶縁膜、前記第２の酸化物半導体膜、前記ソース電極および前記ドレイン電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜を形成した後、第２の加熱処理をすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月27日(2014.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トランジスタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
前記ソース電極の外縁から、前記ドレイン電極の外縁に達する前記酸化物半導体層の外縁の長さが、前記トランジスタのチャネル長の３倍以上であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上のソース電極及びドレイン電極と、を有するトランジスタであって、
前記酸化物半導体層の外縁は、前記ソース電極の外縁と重なる第１の部分と、前記ドレイン電極の外縁と重なる第２の部分と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極のいずれの外縁とも重ならない第３の部分とを有し、
前記第３の部分の長さは、前記トランジスタのチャネル長の３倍以上であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層の側面は、酸素を含む絶縁層と接することを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記酸化物半導体層は、非単結晶であることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地絶縁層を形成し、
前記下地絶縁層上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のエッチングマスクを形成し、
前記第１のエッチングマスクを用いて前記第１の導電膜を加工して、第１の導電層を形成し、
前記第１のエッチングマスクを除去し、
前記第１の導電層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記基板に対して第１の加熱処理を行って、前記第１の酸化物半導体膜を第２の酸化物半導体膜とし、
前記第２の酸化物半導体膜上に第２のエッチングマスクを形成し、
前記第２のエッチングマスクを用いて前記第２の酸化物半導体膜を加工して、第１の酸化物半導体層を形成し、
前記第２のエッチングマスクを除去し、
少なくとも前記第１の酸化物半導体層を覆ってサイドウォール絶縁膜を形成し、
前記基板に対して第２の加熱処理を行い、
前記サイドウォール絶縁膜上に第３のエッチングマスクを形成し、
前記第３のエッチングマスクを用いて前記サイドウォール絶縁膜を加工して、少なくとも前記第１の酸化物半導体層の側壁を覆うサイドウォール絶縁層を形成し、
前記第３のエッチングマスクを除去し、
少なくとも前記第１の酸化物半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に第４のエッチングマスクを形成し、
前記第４のエッチングマスクを用いて前記第２の導電膜を加工して、第２の導電層を形成し、
前記第４のエッチングマスクを除去し、
前記第２の導電層をマスクとして前記第１の酸化物半導体層にイオンインプランテーションを行って、ソース領域及びドレイン領域を有する第２の酸化物半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２の酸化物半導体層が設けられた状態で前記基板に対して第３の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第３の加熱処理の前に、前記ゲート絶縁層及び前記第２の導電層を覆ってパッシベーション膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記下地絶縁層は、化学量論比よりも多くの酸素を含む絶縁性酸化物を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記サイドウォール絶縁膜は、化学量論比よりも多くの酸素を含む絶縁性酸化物を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記絶縁性酸化物は酸化シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記下地絶縁層と前記サイドウォール絶縁膜は、同じ方法及び同じ材料を用いて設けられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月16日(2014.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路と、
前記第１の回路上方の多層配線層と、
前記多層配線層上方の第２の回路と、を有し、
前記多層配線層は、第１の配線を有し、
前記第１の配線は、銅又は銅合金を有し、
前記第１の回路は、前記第１の配線を介して前記第２の回路と電気的に接続され、
前記第２の回路は、メモリセルを有し、
前記メモリセルは、トランジスタを有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の回路と、
前記第１の回路上方の多層配線層と、
前記多層配線層上方の第２の回路と、を有し、
前記多層配線層は、第１の配線を有し、
前記第１の配線は、銅又は銅合金を有し、
前記第１の回路は、前記第１の配線を介して前記第２の回路と電気的に接続され、
前記第２の回路は、メモリセルを有し、
前記メモリセルは、トランジスタと、キャパシタと、を有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記キャパシタは、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の回路と、
前記第１の回路上方の多層配線層と、
前記多層配線層上方の第２の回路と、を有し、
前記多層配線層は、第１の配線を有し、
前記第１の配線は、銅又は銅合金を有し、
前記第１の回路は、前記第１の配線を介して前記第２の回路と電気的に接続され、
前記第２の回路は、メモリセルを有し、
前記メモリセルは、トランジスタと、キャパシタと、を有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記キャパシタは、スタック型キャパシタであり、
前記キャパシタは、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の回路と、
前記第１の回路上方の多層配線層と、
前記多層配線層上方の第２の回路と、を有し、
前記多層配線層は、第１の配線を有し、
前記第１の配線は、銅又は銅合金を有し、
前記第１の回路は、前記第１の配線を介して前記第２の回路と電気的に接続され、
前記第２の回路は、メモリセルを有し、
前記メモリセルは、トランジスタと、キャパシタと、を有し、
前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記キャパシタは、トレンチ型キャパシタであり、
前記キャパシタは、前記トランジスタのゲート上方に設けられ、
前記キャパシタは、前記トランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記キャパシタは、前記トランジスタ及び前記第１の配線を介して前記第２の回路と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の回路は、単結晶半導体基板に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の回路は、単結晶シリコン基板に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記多層配線層は、第１の絶縁層を有し、
前記第１の配線は、前記第１の絶縁層に埋設されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第２の回路は、駆動回路としての機能を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に下地絶縁層を形成し、
前記下地絶縁層上に第１の導電層を形成し、
前記下地絶縁層上及び前記第１の導電層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記基板に対して第１の加熱処理を行って前記第１の酸化物半導体膜を第２の酸化物半導体膜とし、
前記第２の酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、
少なくとも前記酸化物半導体層を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第２の導電層を形成し、
前記基板に対して第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に下地絶縁層を形成し、
前記下地絶縁層上に第１の導電層を形成し、
前記下地絶縁層上及び前記第１の導電層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記基板に対して第１の加熱処理を行って前記第１の酸化物半導体膜を第２の酸化物半導体膜とし、
前記第２の酸化物半導体膜上にエッチングマスクを形成し
前記エッチングマスクを用いて前記第２の酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、
前記エッチングマスクを除去し、
少なくとも前記酸化物半導体層を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第２の導電層を形成し、
前記基板に対して第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に下地絶縁層を形成し、
前記下地絶縁層上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のエッチングマスクを形成し、
前記第１のエッチングマスクを用いて前記第１の導電膜を加工して第１の導電層を形成し、
前記第１のエッチングマスクを除去し、
前記下地絶縁層上及び前記第１の導電層上に第１の酸化物半導体膜を形成し、
前記基板に対して第１の加熱処理を行って前記第１の酸化物半導体膜を第２の酸化物半導体膜とし、
前記第２の酸化物半導体膜上に第２のエッチングマスクを形成し
前記第２のエッチングマスクを用いて前記第２の酸化物半導体膜を加工して酸化物半導体層を形成し、
前記第２のエッチングマスクを除去し、
少なくとも前記酸化物半導体層を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に第３のエッチングマスクを形成し、
前記第３のエッチングマスクを用いて前記第２の導電膜を加工して第２の導電層を形成し、
前記第３のエッチングマスクを除去し、
前記第２の導電層をマスクとして前記酸化物半導体層にイオンインプランテーションを行い、
前記基板に対して第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の導電層は、第１の層と第２の層とを有し、前記第１の層及び前記第２の層の少なくとも一は、銅を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第２の加熱処理の前に、前記ゲート絶縁層及び前記第２の導電層を覆って保護絶縁層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記下地絶縁層は、化学量論比よりも多くの酸素を含む絶縁性酸化物を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記絶縁性酸化物は酸化シリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の加熱処理において前記下地絶縁層の酸素の一部が脱離して、前記第１の酸化物半導体膜に供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の酸化物半導体膜の水素濃度は、前記第２の酸化物半導体膜の水素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第２の加熱処理において前記ゲート絶縁層の酸素の一部が脱離して、前記酸化物半導体層に供給されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月7日(2015.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板中に炭素イオンを照射し、
前記炭素イオンが照射された半導体基板中に、水素イオンを照射して、前記半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させて、前記半導体基板及び前記ベース基板を貼り合わせ、
貼り合わせた前記半導体基板及び前記ベース基板を加熱し、前記脆化領域において分離させることにより、前記ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項２】
半導体基板中に炭素イオンを照射し、
前記炭素イオンが照射された半導体基板中に、水素イオンを照射して、前記半導体基板中に脆化領域を形成し、
前記半導体基板の表面及びベース基板の表面を対向させて、前記半導体基板及び前記ベース基板を貼り合わせ、
貼り合わせた前記半導体基板及び前記ベース基板を加熱し、前記脆化領域において分離させることにより、前記ベース基板上に半導体層を形成するＳＯＩ基板の作製方法であり、
前記半導体基板中の前記炭素濃度の極大値と前記水素濃度の極大値が同じ深度、又は、前記炭素濃度の極大値が前記水素濃度の極大値よりもより浅い深度に位置することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体基板上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層が形成された半導体基板中に、前記炭素イオンを照射することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記炭素イオンが照射された半導体基板上に、絶縁層を形成することを特徴とするＳＯＩ基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体を用いたフローティングゲートを有し、
前記フローティングゲートは、インジウム又は亜鉛の少なくとも一つと窒素とを有し、仕事関数が５．５電子ボルト以上であることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
フローティングゲートを有し、
前記フローティングゲートは、５原子％以上５０原子％以下の濃度の窒素と、５原子％以上６６．７原子％以下の濃度の亜鉛、又は、５原子％以上５０原子％以下の濃度のインジウムと、を有することを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記フローティングゲートのキャリア濃度は１×１０１９ｃｍ−３以上であることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
フローティングゲート絶縁膜を有し、
前記フローティングゲート絶縁膜の厚さが２ｎｍ以上４ｎｍ以下であることを特徴とする半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルを有し、
前記メモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第３の容量素子と、第４の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の容量素子の第１の電極は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４の容量素子の第１の電極は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第３の容量素子と、第４の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の容量素子の第１の電極は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４の容量素子の第１の電極は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、前記第３の容量素子の第３の電極と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第４の容量素子の第２の電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のメモリセルと、第２のメモリセルと、第３のメモリセルと、第４のメモリセルと、を有し、
前記第１のメモリセルは、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の容量素子と、第２の容量素子と、を有し、
前記第２のメモリセルは、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、第３の容量素子と、第４の容量素子と、を有し、
前記第３のメモリセルは、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、第５の容量素子と、第６の容量素子と、を有し、
前記第４のメモリセルは、第７のトランジスタと、第８のトランジスタと、第７の容量素子と、第８の容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第５のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第７のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第１の電極は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の容量素子の第１の電極は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４の容量素子の第１の電極は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第５の容量素子の第１の電極は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第６の容量素子の第１の電極は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第７の容量素子の第１の電極は、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第８の容量素子の第１の電極は、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１の容量素子の第２の電極は、前記第５の容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
前記第２の容量素子の第２の電極は、前記第６の容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
前記第３の容量素子の第２の電極は、前記第７の容量素子の第２の電極と電気的に接続され、
前記第４の容量素子の第２の電極は、前記第８の容量素子の第２の電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、シリコンを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と、第２の領域と、を有し、
前記第１の領域は、
反射電極層と、
前記反射電極層上のＥＬ層と、
前記ＥＬ層上の透明導電層と、
前記透明導電層上の第１の導電層と、を有し、
前記第２の領域は、
前記反射電極層と、
前記ＥＬ層と、
前記透明導電層と、を有し、
前記透明導電層は、前記第１の領域において上面に第１の部分を有し、且つ下面に第２の部分を有し、
前記透明導電層は、前記第２の領域において上面に第３の部分を有し、且つ下面に第４の部分を有し、
前記第１の導電層は、前記第１の部分に接し、且つ前記第３の部分に接しないように設けられ、
前記ＥＬ層は、前記第２の部分に接し、且つ前記第４の部分に接するように設けられ、
前記第１の導電層は、半透過・半反射性を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層は、前記透明導電層より電気抵抗が低いことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の領域は、前記第１の導電層を有することにより、前記ＥＬ層が発する特定波長領域の光の強度が相対的に高められることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第１の領域は、前記第１の導電層を有することにより、前記ＥＬ層が発する青色を呈する光の強度が相対的に高められることを特徴とする発光装置。