【事件の表示】
　特願２０１８−　９２２２２「透明導電積層体の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１１月　８日出願公開、特開２０１８−１７４１４０、請求項の数（４）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２６年１月１４日を出願日とする特願２０１４−００４４７８号（以下，「原出願」という。）の一部を，平成３０年５月１１日に新たに特許出願したものであって，平成３１年４月１９日付けで拒絶理由が通知され，それに対して令和１年６月２６日付けで手続補正がなされたが，同年１１月２６日付けで拒絶査定がなされ，それに対して令和２年２月１９日に拒絶査定不服の審判請求がされたものである。
　
第２　原査定の理由の概要
　原査定（令和１年１１月２６日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１．（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　　　１乃至４
・引用文献等　１乃至５
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１．国際公開第２０１３／１５７８５８号
２．特開２０１３−１２９１８３号公報（周知技術を示す文献）
３．特開平０５−０３７１２６号公報（周知技術を示す文献）
４．米国特許出願公開第２００９／００９０９４２号明細書（周知技術を示す文献）
５．特開２０００−２２３８８６号公報（周知技術を示す文献）
第３　本願発明
　本願の請求項１―４に係る発明は，令和１年６月２６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１―４に記載された事項により特定される発明であり，本願の請求項１−４に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明４」という。）は，以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　透明フィルム基材の少なくとも片面に，１〜１０μｍの線幅の配線パターンを備え，全光線透過率が８０％以上である透明導電積層体の製造方法であって，
　前記透明フィルム基材は，前記配線パターンの形成面に，アクリル系の易接着層を備え，
　前記配線パターンは，前記透明フィルム基材の前記易接着層上に，順に設けられた酸化銅膜および銅膜がともにパターニングされたものであり，
　前記酸化銅膜を，銅ターゲットを用いて，５０℃以上の基板温度でスパッタリング法により形成し，その際，アルゴンガスと酸素ガスを含む混合ガスを用い，前記混合ガスに対する前記酸素ガスの導入量が１５体積％〜３０体積％であり，酸化銅の組成がＣｕｘＯ（１≦ｘ≦２）であることを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
【請求項２】
　透明フィルム基材の少なくとも片面に，１〜１０μｍの線幅の配線パターンを備え，全光線透過率が８０％以上である透明導電積層体の製造方法であって，
　前記透明フィルム基材は，前記配線パターンの形成面に，アクリル系の易接着層を備え，
　透明フィルム基材の前記易接着層上に，銅ターゲットを用いて，５０℃以上の基板温度でスパッタリング法により酸化銅膜を形成する工程と，
　前記酸化銅膜上に銅膜を積層する工程と，
　前記銅膜に防錆処理を行う工程と，
　前記防錆処理後の銅膜の上にレジスト膜を塗布後，レジストパターンを形成する工程と，
　前記レジストパターンをマスクとして，前記酸化銅膜及び前記銅膜を同一エッチャントにより同時にエッチングし，線幅が１〜１０μｍの配線パターンを形成する工程と，
　前記レジストパターンを剥離する工程と，を順に含み，
　前記酸化銅膜を形成する工程において，アルゴンガスと酸素ガスを含む混合ガスを用い，前記混合ガスに対する前記酸素ガスの導入量が１５体積％〜３０体積％であり，酸化銅の組成がＣｕｘＯ（１≦ｘ≦２）であることを特徴とする，透明導電積層体の製造方法。
【請求項３】
　前記酸化銅膜の厚さが１５〜６０ｎｍであり，前記酸化銅膜の厚さと前記銅膜の厚さの合計が６００ｎｍ以下である，請求項１または２に記載の透明導電積層体の製造方法。
【請求項４】
　前記酸化銅膜と前記銅膜を，前記透明フィルム基材の両面に形成する請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電積層体の製造方法。」
第４　引用文献，引用発明等
１．引用文献１
　原査定の拒絶理由に引用された上記引用文献１（国際公開第２０１３／１５７８５８号）には，図面とともに次の事項が記載されている。（仮訳はパテントファミリである特表２０１５−５０３１８２号公報の記載を摘記した。）
ａ．「
」
（仮訳：［請求項２０］　基材上に導電性層を形成するステップ，
  前記導電性層の形成の以前，以後，または以前と以後すべてで，ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を２０〜６０ｎｍの厚さで形成するステップ，
  前記導電性層および暗色化層をそれぞれまたは同時にパターニングして線幅が１０μｍ以下である導電性パターンおよび暗色化パターンを形成するステップを含む導電性構造体の製造方法であって，
  前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり，可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする，導電性構造体の製造方法。）
ｂ．「
」
（仮訳：［請求項２３］　前記暗色化層はスパッタリング方法を利用して形成することを特徴とする，請求項２０に記載の導電性構造体の製造方法。）
ｃ．「
」
（仮訳：［７６］　また，本発明の一実施形態に係る導電性構造体において，前記暗色化パターンは接着層または粘着層を介在せず，直接に前記基材上にまたは直接に前記導電性パターン上に備えられることができる。前記接着層または粘着層は，耐久性や光学物性に影響を及ぼすことができる。また，本発明の一実施形態に係る導電性構造体は，接着層または粘着層を利用する場合と比べるとき，製造方法がまったく異なる。さらに，接着層や粘着層を利用する場合に比べ，本発明の一実施形態では，基材または導電性パターンと暗色化パターンの界面特性が優れている。）
ｄ．「
」
（仮訳：［８５］　本発明の一実施形態に係る導電性構造体において，前記基材としては透明基板を使用することができるが，特に限定されることはなく，例えば，ガラス，プラスチック基板，プラスチックフィルムなどを使用することができる。）
ｅ．「
」
（仮訳：［８９］　本発明の一実施形態において，前記導電性パターンの材料の具体的な例としては，銅，アルミニウム，銀，ネオジウム，モリブデン，ニッケル，これらの合金，これらの酸化物，これらの窒化物などを１種以上含む単一膜または多層膜であることができ，より好ましくは銅であってもよい。
［９０］　導電性パターンが銅を含む場合，暗色化パターンがＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含むため一括エッチングが可能となり，生産工程において効率が高く，費用が節減されて経済的であるという長所がある。また，銅は比抵抗値が１．７×１０−６ｃｍであるため，比抵抗値が２．８×１０−６ｃｍであるＡｌよりも有利である。そのため，０Ω／□超過２Ω／□以下，好ましくは０Ω／□超過０．７Ω／□以下の面抵抗値を満たすため，導電性パターンの厚さをＡｌよりも薄く形成することができるという長所がある。前記面抵抗は導電性パターンの厚さに応じて調節することができる。例えば，面抵抗が０．６〜０．７Ω／□を満たすために，Ａｌの場合は８０〜９０ｎｍを形成しなければならないが，Ｃｕの場合は５５〜６５ｎｍを形成しなければならないため，パターンの厚さをさらに薄く形成することができて経済的である。また，実験例６を参照すれば，ＣｕがＡｌよりもスパッタリング工程において２．５倍程度の優れた収率をもつため，理論的に４〜５倍の蒸着速度の向上を期待することができる。したがって，Ｃｕを含む導電性パターンは，生産工程において効率が高くて経済的であるため，優れた長所がある。
［９１］　本発明の一実施形態において，前記導電性パターンの線幅は０μｍ超過１０μｍ以下であってもよく，具体的に０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよく，より具体的に０．２μｍ以上〜８μｍ以下であってもよく，さらに具体的に０．５μｍ以上〜５μｍ以下であってもよい。
［９２］　本発明の一実施形態において，前記導電性パターンの開口率，すなわちパターンによって覆われない面積の割合は７０％以上であってもよく，８５％以上であってもよく，９５％以上であってもよい。また，前記導電性パターンの開口率は９０〜９９．９％であることができるが，これにのみ限定されることはない。）
ｆ．「
」
（仮訳：［１２８］　図１によれば，前記暗色化パターン２００が前記基材１００と前記導電性パターン３００の間に配置された場合を例示した。これは，使用者が基材側からタッチスクリーンパネルを眺める場合，導電性パターンによる反射度を大きく減少させることができる。）
ｇ．「
」
（仮訳：［１３８］　本発明の一実施形態において，前記暗色化パターンまたは暗色化層を形成するステップにおいて，暗色化パターンまたは暗色化層の形成は当技術分野に周知の方法を利用することができる。例えば，蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ），スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ），湿式コーティング，蒸発，電解メッキまたは無電解メッキ，金属箔のラミネーションなどの方法によって形成することができ，具体的にはスパッタリング方法によって形成することができる。
［１３９］　例えば，Ｃｕを含む導電性層とＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成する場合，スパッタリングガス（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｇａｓ）として不活性気体，例えばＡｒのような気体を使用する場合，ＣｕＯ単一物質スパッタリングターゲット（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｔａｒｇｅｔ）を使用することによって得られる長所がある。例えば，ＡｌＯｘＮｙのようにＡｌ金属ターゲットを使用して反応性スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法を利用すれば，Ｏ２とＮ２のような反応性ガスの分圧調節をしなければならない。しかし，本発明はＣｕＯのような単一物質ターゲットを使用するため，反応性ガスの分圧調節が必要なく工程調節が比較的容易であり，最終導電性構造体の形成でもＣｕエッチング液を利用して一括エッチングが可能であるという長所をもつ。
［１４０］　本発明の一実施形態において，前記導電性パターンの形成方法としては特に限定されることはないが，導電性パターンを直接印刷方法によって形成することもでき，導電性層を形成した後にこれをパターン化する方法を利用することができる。）
　
　上記記載事項から，請求項２３に記載された「導電性構造体の製造方法」の発明について次のことがいえる。
（１）［８５］の記載によれば，基材としては，透明プラスチックフィルムを使用できる。
（２）［９１］の記載によれば，導電性パターンの線幅は０．１μｍ超過１０μｍ以下であり，請求項２０の記載によれば，暗色化パターンは，導電性パターンの線幅と同じ線幅をもつパターン形態である。
（３）［１２８］（ 図１）の記載によれば，暗色化パターン２００が基材１００と導電性パターン３００の間に配置されている。
（４）［８９］の記載によれば，導電性パターンの材料は，好ましくは銅であり，［９０］の記載によれば，導電性パターンが銅を含む場合，暗色化パターンがＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）である。
（５）［１３９］の記載によれば，Ｃｕを含む導電性層とＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成する場合，最終導電性構造体の形成でもＣｕエッチング液を利用して一括エッチングが可能である。
［１３９］の記載によれば，ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成するのに，スパッタリングガス（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｇａｓ）として不活性気体，例えばＡｒのような気体を使用する場合，ＣｕＯ単一物質スパッタリングターゲット（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ  ｔａｒｇｅｔ）を使用する。
　請求項２０，２３の記載，及び，上記（１）〜（５）によれば，引用文献１には，請求項２３に記載された「導電性構造体の製造方法」について，以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「透明プラスチックフィルム基材上に，銅の導電性層を形成するステップ，
  前記導電性層の形成の以前に，ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を２０〜６０ｎｍの厚さで形成するステップ，
  前記導電性層および暗色化層をそれぞれまたは同時にパターニングして線幅が０．１μｍ以上１０μｍ以下である導電性パターンおよび暗色化パターンを形成するステップを含む導電性構造体の製造方法であって，
   前記ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層をスパッタリング方法を利用して形成するのに，スパッタリングガスとして不活性気体，例えばＡｒのような気体を使用し，ＣｕＯ単一物質スパッタリングターゲットを使用することを特徴とする，導電性構造体の製造方法。」
２．引用文献２
　原査定の拒絶理由に引用された上記引用文献２には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００１３】
　本発明の積層体は，少なくとも黒化層を２層と基材を１層有する。そして本発明は，より好ましくは，金属層を有する積層体である。金属層を有する事で，導電性を確保することができ，本発明の積層体を，透明導電性フィルムとして使用することができる。また本発明の積層体は，チタン，ニッケル，及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を含む密着層を有することが好ましい。
　本発明の積層体を構成する基材は，後述するようにガラス板やフィルムが用いられる。そのため基材は，積層体を上から見た場合にベタ膜状となっている。
【００１４】
　一方で，本発明の積層体が，黒化層及び金属層を有する場合には，黒化層及び金属層はそれぞれがベタ膜状となっていてもよいし，図２のようにパターン状となっていてもよい。なお，黒化層及び金属層をパターン状とする場合には，ベタ膜状の黒化層及び金属層を有する積層体から，黒化層及び金属層の一部を除去してパターン状とすることが可能である。
【００１５】
　同様に，
本発明の積層体が黒化層，金属層，及び密着層を有する場合には，黒化層，金属層，密着層は，
パターン状となっていてもよい。
【００１６】
　また，黒化層などがパターン状の積層体の場合には，そのパターンの形状は特に限定されないが，好ましくはメッシュ状やストライプ状を挙げることができる。」
「【００５５】
　第三実施の形態の積層体の各層は，特記しない限り，第二実施の形態の項で説明したとおりの役割や態様である。
［本発明の積層体］
　本発明の積層体は，全光線透過率が２０％以上であることが好ましく，５０％以上であることがより好ましい。全光線透過率が高いほどタッチセンサー下に配置されるディスプレイの像のコントラストが向上するからである。
積層体の全光線透過率は高ければ高いほど好ましいが，現実的に得られる上限は９９％以下である。
「【００６２】
　（３）膜厚
膜厚は，ＦＩＢ（収束イオンビーム）法により積層体を切断し，その断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察することで測定した。
（実施例１）
　図１を使って説明する。
　【００６３】
　基材（３）として東レ株式会社製ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＵ４８）を用いた。基材の厚みは１００μｍであった。
基材（３）の全光線透過率は９２％であった
　上記記載（特に下線部）によれば，引用文献２には，以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「フィルム基材上に黒化層，金属層，密着層をパターン状に形成した積層体の全光線透過率は高ければ高いほど好ましく，現実的に得られる上限は９９％以下であり，具体的なフィルム基材の全光線透過率は９２％であること。」
３．引用文献３
　原査定の拒絶理由に引用された上記引用文献３には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００２９】実施例２
　予めテープロール状に巻きとられた厚さ50μm の
ポリエステル樹脂フィルム２を
銅金属ターゲット４を装着したスパッタの真空槽５内に装着し，ポリエステル樹脂フィルム２を巻き戻しながら，アルゴンと酸素との混合ガス雰囲気で反応性スパッタを行い，フィルム上に黒色の酸化銅薄膜を成膜した。
このとき，
アルゴンと酸素の分圧比は３対１
「【００４６】実施例７
　図２に示すように，予めテープロール状に巻きとられた厚さ50μm の
ポリエステル樹脂フィルム２を，金属銅ターゲット４を備えたスパッタの真空槽５内に装着した
真空槽５内に装着したポリエステル樹脂フィルム２を巻き戻しながら，アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気で反応性スパッタを行い，このポリエステル樹脂フィルム２基体上に，
黒色の酸化銅薄膜を成膜した
アルゴンと酸素の分圧比は３対１
　上記記載（特に下線部）によれば，引用文献３には，以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「ポリエステル樹脂フィルム２を，金属銅ターゲット４を備えたスパッタの真空槽５内に装着し，装着したポリエステル樹脂フィルム２を巻き戻しながら，アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気，ガス圧は５ mTorr，混合ガス流量は28 sccm ，アルゴンと酸素の分圧比は３対１で反応性スパッタを行い，ポリエステル樹脂フィルム２基体上に，黒色の酸化銅薄膜を成膜する。」
４．引用文献４
　原査定の拒絶理由に引用された上記引用文献４には，図面とともに次の事項が記載されている。
「[0036] FIG.1 illustrates a cross-section of a thin film 2 on a substrate 1. The structure of FIG.2 is a detailed a cross-section of a thin film 2 wiring structure, having a copper layer 2b over a copper oxide 2a on a substrate 1. Copper oxide layer 2a is sputtered using a copper target with argon and oxygen in the vacuum chamber. When oxygen is not supplied to the chamber, the copper layer 2b is obtained. ・・・In this embodiment of invention sputtering is used, but electroplating, electroless plating, evaporation, chemical vapor deposition, etc. may be used for making a copper layer. The substrate 1. is a transparent or opaque material made of glass, plastic, etc.」
（仮訳：［００３６］ＦＩＧ．１は，基板１上の薄膜２の断面を示している。ＦＩＧ．２の構造は，その薄膜配線構造の詳細な断面図であり，
基板１上の銅酸化物層２ａの上に銅層２ｂを有している。銅 酸化物層２ａは，真空チャンバ内でアルゴンと酸素に銅ターゲットを使用してスパッタリングされる。 酸素がチャンバに供給されない場合に，銅層２ｂが得られる。
「[0077] FIG.12 and FIG.15, a gate adhesion layer 141 and a gate conductive layer 142 formed on the insulating substrate 120, in sequence. A gate adhesion layer 141 and a gate conductive layer 142 formed in a sputtering chamber or in a sputtering apparatus. A sputtering target of copper is set in the chamber, and argon and oxygen gas is injected. The copper oxide layer is deposited to the substrate. The partial pressure of the oxygen to argon is recommended to be about 0.33:1 to 1:1. In this atmosphere, the deposited copper oxide layer contains about 16 at % to 39 at % oxygen. ・・・」
（仮訳：［００７７］ＦＩＧ．１２とＦＩＧ．１５を参照すると，ゲート接着層１４１とゲート導電層１４２は，絶縁基板１２０の上に順に形成される。ゲート接着層１４１とゲート導電層１４２は，絶縁基板１２０の上に順に形成される。ゲート接着層１４１とゲート導電層１４２は，一つのスパッタリングチャンバ内または一つのスパッタリング装置内で形成される。
チャンバ内に銅ターゲットが装着され，アルゴンと酸素ガスが注入される。銅酸化物層は基板に積層される。アルゴンに対する酸素の分圧は，好ましくは約０.３３：１〜１：１である。この雰囲気において，積層された銅酸化物層は，酸素％が１６％ 〜３９％である
　上記記載（特に下線部）によれば，引用文献４には，以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「真空チャンバ内でアルゴンと酸素に銅ターゲットを使用してスパッタリングにより銅酸化物層が基板に積層されるものにおいて，アルゴンに対する酸素の分圧は，好ましくは約０.３３：１〜１：１であり，この雰囲気において，積層された銅酸化物層は，酸素％が１６％〜３９％である。」
５．引用文献５
　原査定の拒絶理由に引用された上記引用文献５には，次の事項が記載されている。  
「【請求項４】　
透明基材上に直接又は透明接着剤層を形成後，順に(1)黒色樹脂層，黒色無機層，黒色金属酸化物層のいずれかである第１黒色層，(2)金属層，(3)黒色樹脂層，黒色無機層，黒色金属酸化物層のいずれかである第２黒色層を形成し，更にメッシュ状のレジスト層を設け，レジスト層で保護されていない第１黒色層，金属層，第２黒色層をサンドブラスト法及び／又はエッチング液による溶解，により除去しレジスト層に対応したメッシュ状パターンとし，必要に応じてレジスト層を剥離及び／又はメッシュ状パターン側（透明基材の反対側）を透明樹脂で被覆することを特徴とする透視性電磁波シールド材の製造方法。
【請求項６】　
黒色金属酸化物層が，
スパッター
で形成されたことを特徴とする
「【００７３】　第１黒色層を透明接着剤を介して透明基材に積層する場合，透明接着剤としては，ポリビニルアセタール系，アクリル糸，ポリエステル系，エポキシ系，セルロース系，酢酸ビニル系等の樹脂が拳げられる。接着剤層の厚みは一般的には１μ以上，好ましくは５〜５００μ程度である。」
「【００９０】
【実施例１】　大同化成工業（株）製黒色顔料（酸化鉄微粉）「鉄黒Ｐ００２３」を，電気化学工業（株）製ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）「＃６０００−Ｃ」のアルコール（エタノール）溶液中に均一分散し黒色塗布液とした（塗布液組成（重量部）；酸化鉄／ＰＶＢ／エタノール＝５０／１００／１８５０）。
【００９１】この塗布液を福田金属箔粉工業（株）製電解銅箔「ＣＦ　Ｔ９　ＳＶ」（１２μ）の一方の面上に塗布，乾燥し
て第１黒色樹脂層（１０μ）と
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム「ルミラー」をアクリル系接着剤を介して貼り合せ積層品とした
　上記記載（特に下線部）によれば，引用文献５には，以下の技術的事項が記載されていると認められる。
「透明基材上に直接又は透明接着剤層を形成後，黒色樹脂層，黒色無機層，黒色金属酸化物層のいずれかである第１黒色層を形成し，第１黒色層が黒色金属酸化物層の場合，黒色金属酸化物層はスパッターを含む方法で形成され，透明接着剤は，アクリル系等の樹脂である。」
第５　対比・判断
１．本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「透明プラスチックフィルム基材」は，本願発明１の「透明フィルム基材」に相当する。
（イ）引用発明の「銅の導電性層」は，本願発明１の「銅膜」に相当し，引用発明の「ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層」は，本願発明１の「酸化銅膜」に相当するといえる。
（ウ）引用発明の「透明プラスチックフィルム基材上に，銅の導電性層を形成」し，それ「以前に，ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を」透明プラスチックフィルム基材上に形成する構成は，本願発明１の「前記透明フィルム基材の前記易接着層上に，順に設けられた酸化銅膜および銅膜」と「前記透明フィルム基材上に，順に設けられた酸化銅膜および銅膜」である点で共通するといえる。
（エ）引用発明の「前記導電性層および暗色化層をそれぞれまたは同時にパターニングして線幅が０．１μｍ以上１０μｍ以下である導電性パターンおよび暗色化パターンを形成する」構成は，本願発明１の「透明フィルム基材の少なくとも片面に」備え，「前記透明フィルム基材の前記易接着層上に，順に設けられた酸化銅膜および銅膜がともにパターニングされた」「１〜１０μｍの線幅の配線パターン」と「透明フィルム基材の少なくとも片面に」備え，「透明フィルム基材上に，順に設けられた酸化銅膜および銅膜がともにパターニングされた」「１〜１０μｍの線幅の配線パターン」である点で共通するといえる。
（オ）引用発明の「前記ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層をスパッタリング方法を利用して形成するのに，スパッタリングガスとして不活性気体，例えばＡｒのような気体を使用し，ＣｕＯ単一物質スパッタリングターゲットを使用すること」は，本願発明１の「酸化銅膜を，銅ターゲットを用いて，５０℃以上の基板温度でスパッタリング法により形成し，その際，アルゴンガスと酸素ガスを含む混合ガスを用い，前記混合ガスに対する前記酸素ガスの導入量が１５体積％〜３０体積％であり，酸化銅の組成がＣｕｘＯ（１≦ｘ≦２）であること」と「酸化銅膜をスパッタリング法により形成し，その際，酸化銅の組成がＣｕｘＯ（１≦ｘ≦２）を含む」点では共通するといえる。
（カ）引用発明の「導電性構造体の製造方法」は，後述する相違点を除き，本願発明１の「透明導電積層体の製造方法」に対応するといえる。
（一致点）
「透明フィルム基材の少なくとも片面に，１〜１０μｍの線幅の配線パターンを備える，透明導電積層体の製造方法であって，
　前記配線パターンは，前記透明フィルム基材上に，順に設けられた酸化銅膜および銅膜がともにパターニングされたものであり，
　前記酸化銅膜をスパッタリング法により形成し，その際，酸化銅の組成がＣｕｘＯ（１≦ｘ≦２）を含むことを特徴とする透明導電積層体の製造方法。」
（相違点１）
　本願発明１の「透明導電積層体」は，「全光線透過率が８０％以上である」のに対し，引用発明は，そのような構成は特定されていない点。
（相違点２）
　本願発明１の「透明フィルム基材は，配線パターンの形成面に，アクリル系の易接着層を備え，前記配線パターンは，前記透明フィルム基材の前記易接着層上に，順に設けられた酸化銅膜および銅膜がともにパターニングされたもの」であるのに対し，引用発明は，透明プラスチックフィルム基材にアクリル系の易接着層を備える構成は特定されていない点。
（相違点３）
　本願発明１は，「酸化銅膜を，銅ターゲットを用いて，５０℃以上の基板温度でスパッタリング法により形成し，その際，アルゴンガスと酸素ガスを含む混合ガスを用い，前記混合ガスに対する前記酸素ガスの導入量が１５体積％〜３０体積％であり，酸化銅の組成がＣｕｘＯ（１≦ｘ≦２）である」のに対し，引用発明は，ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層をスパッタリング方法を利用して形成するのに，スパッタリングガスとして不活性気体，例えばＡｒのような気体を使用し，ＣｕＯ単一物質スパッタリングターゲットを使用する点。
（２）判断
ア　事案に鑑みて，上記相違点２について検討する。
　引用文献５には，「
透明基材上に
透明接着剤層を形成後，
黒色金属酸化物層
である第１黒色層を形成
透明接着剤は，アクリル系等の樹脂である
　しかしながら，引用文献１には，「本発明の一実施形態に係る導電性構造体において，前記
暗色化パターンは接着層または粘着層を介在せず，直接に前記基材上にまたは直接に前記導電性パターン上に備えられる
　さらに，引用文献５に記載されている「透明接着剤層」（アクリル系接着剤）は，本願発明１の「アクリル系の易接着層」とは異なるものであるから，仮に，引用発明に引用文献５の技術的事項を適用できたとしても上記相違点２に係る本願発明１の構成には至らない。
イ　次に，相違点３は相違点２に関連している（相違点２に係る本願発明１の「易接着層上」に設けられる「酸化銅膜」は，「銅ターゲットを用いて，５０℃以上の基板温度でスパッタリング法により形成」されるものである。）から，相違点３について検討する。
　引用文献３には，「ポリエステル樹脂フィルム２を，金属銅ターゲット４を備えたスパッタの真空槽５内に装着し，装着したポリエステル樹脂フィルム２を巻き戻しながら，アルゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気，ガス圧は５ mTorr，混合ガス流量は28 sccm ，アルゴンと酸素の分圧比は３対１で反応性スパッタを行い，ポリエステル樹脂フィルム２基体上に，黒色の酸化銅薄膜を成膜する。」技術的事項が記載されており，引用文献４には，「真空チャンバ内でアルゴンと酸素に銅ターゲットを使用してスパッタリングにより銅酸化物層が基板に積層されるものにおいて，アルゴンに対する酸素の分圧は，好ましくは約０.３３：１〜１：１であり，この雰囲気において，積層された銅酸化物層は，酸素％が１６％〜３９％である。」技術的事項が記載されている。
　しかしながら，引用文献１には，「本発明はＣｕＯのような単一物質ターゲットを使用するため，反応性ガスの分圧調節が必要なく工程調節が比較的容易」であることが記載されており，引用発明において，上記引用文献３，４に記載された技術的事項を適用する動機付けはない。
　さらに，引用文献３，４には，スパッタリングの条件として，「５０℃以上の基板温度」，「アルゴンガスと酸素ガスを含む混合ガスに対する酸素ガスの導入量が１５体積％〜３０体積％であり，酸化銅の組成がＣｕｘＯ（１≦ｘ≦２）である」ことは示されておらず，仮に，引用発明に引用文献２，３の技術的事項を適用できたとしても上記相違点３に係る本願発明１の構成には至らない。
　引用文献２にも，上記相違点２，３に係る本願発明１の構成は記載されておらず，示唆されてもいない。
　また，上記相違点２，３に係る本願発明１の構成が，原出願の出願前に周知技術であったとはいえない。
ウ　したがって，上記相違点１を検討するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても，引用発明および引用文献２〜５記載の技術的事項に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
２．本願発明２，３，４について
　本願発明２，３，４は，上記相違点２，３に係る本願発明１の構成と同様の構成を備えるものであるから，本願発明１と同様の理由により，当業者であっても，引用発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。