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【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可変表示を実行して表示結果を導出し、当該表示結果として予め定められた特定表示結果を導出したときに、遊技者にとって有利な特定状態になる遊技機であって、
未だ開始されていない可変表示について保留情報を記憶する保留記憶手段と、
前記保留記憶手段に前記保留情報が記憶されることに基づいて特定表示を表示する特定表示手段と、
前記特定表示の表示態様を制御する表示態様制御手段と、を備え、
前記表示態様制御手段は、前記特定表示の表示態様を変化させることが可能であり、
前記特定表示の表示態様には、通常態様と、前記通常態様とは異なる特殊態様と、前記通常態様及び前記特殊態様とは異なる予告態様と、が含まれ、
前記表示態様制御手段は、前記特定表示の表示態様が前記通常態様であるときよりも前記特殊態様であるときの方が高い割合で前記特定表示の表示態様を前記予告態様に変化させ、
前記特定表示の表示態様が最後に前記特殊態様であるときの方が最後に前記通常態様であるときよりも前記特定状態になる割合が低い、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）上記目的を達成するため本発明に係る遊技機は、
可変表示（例えば、特別図柄や飾り図柄の可変表示など）を実行して表示結果を導出し、当該表示結果として予め定められた特定表示結果（例えば、大当り図柄となる特別図柄や大当り組合せの確定飾り図柄など）を導出したときに、遊技者にとって有利な特定状態（例えば、大当り遊技状態など）になる遊技機（例えば、パチンコ遊技機１など）であって、
未だ開始されていない可変表示について保留情報を記憶する保留記憶手段（例えば、第１特図保留記憶部及び第２特図保留記憶部など）と、
前記保留記憶手段に前記保留情報が記憶されることに基づいて特定表示（例えば、保留表示図柄など）を表示する特定表示手段（例えば、第１保留表示領域５Ｈａや第２保留表示領域５Ｈｂや今回表示領域５Ｈｃに保留表示図柄を表示する画像表示装置５など）と、
前記特定表示の表示態様を制御する表示態様制御手段（例えば、保留表示図柄の表示色を制御する演出制御用ＣＰＵ１２０など）と、を備え、
前記表示態様制御手段は、前記特定表示の表示態様を変化させることが可能であり（例えば、保留表示図柄の表示色を変化させるなど）、
前記特定表示の表示態様には、通常態様（例えば、青色など）と、前記通常態様とは異なる特殊態様（例えば、白色及び灰色など）と、前記通常態様及び前記特殊態様とは異なる予告態様（例えば、黄色、緑色、赤色、及び、虹色など）と、が含まれ、
前記表示態様制御手段は、
前記特定表示の表示態様が前記通常態様であるときよりも前記特殊態様であるときの方が高い割合で前記特定表示の表示態様を前記予告態様に変化させ（例えば、図２５〜図４４の各保留表示パターン決定テーブルや各全期間保留表示パターン決定テーブルにおいて、青色から予告態様の表示色に変化するパターンを含む保留表示パターンや全期間保留表示パターンの決定割合の合計値（又は平均値）よりも、灰色又は白色から予告態様の表示色に変化する態様を含む保留表示パターンや全期間保留表示パターンの決定割合の合計値（又は平均値）それぞれの方が高くなるようにするなど）、
前記特定表示の表示態様が最後に前記特殊態様であるときの方が最後に前記通常態様であるときよりも前記特定状態になる割合が低い（例えば、構成４７など）、
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（３）上記（１）又は（２）の遊技機において、
前記表示態様制御手段は、可変表示がリーチ態様にならずかつ表示結果が前記特定表示結果にならないときに、前記特定表示の表示態様を前記特殊態様にしてから変化させない（例えば、構成４８など）、
ようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（５）上記（１）から（４）のいずれかの遊技機において、
前記特定状態は、所定の遊技価値を通常よりも多く付与可能な状態であり、
前記遊技機は、前記表示態様制御手段が前記特定表示の表示態様を前記特殊態様にしてから変化させないときに、前記遊技価値とは異なる特典を遊技者に付与する特典付与手段を備える（例えば、構成５０など）、
ようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（６）上記（１）から（５）のいずれかの遊技機において、
前記表示態様制御手段は、前記特定表示の表示態様を複数のタイミングのいずれかで変化させ、始動領域に遊技媒体が進入した際に前記特定表示の表示態様を変化させるタイミングを決定する（例えば、構成６など）、
ようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（７）上記（１）から（６）のいずれかの遊技機において、
実行する可変表示の可変表示パターンを決定する可変表示パターン決定手段をさらに備え、
前記表示態様制御手段は、可変表示の実行中に前記特定表示又は前記保留表示の表示態様を変化させるときに、演出の結果として当該表示態様を変化させる作用演出を実行可能であり、前記特定表示の表示態様を変化させるときに実行される可変表示の前記可変表示パターンに応じて、前記作用演出の演出態様が異なる又は前記作用演出を実行する割合が異なるように前記作用演出を実行する（例えば、構成７など）、
ようにしてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（８）上記（１）から（７）のいずれかの遊技機において、
前記表示態様制御手段は、前記特定表示の表示態様が前記特殊態様であるときにのみ、当該表示態様を当該特殊態様から特定の表示態様に変化させることが可能である（例えば、構成８など）、
ようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月18日(2014.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン系繊維からなる不織布であって、該ポリオレフィン系繊維の結晶子サイズは２０ｎｍ超５０ｎｍ以下であり、かつ、該不織布の曲げ柔軟度は５ｍｍ以上１００ｍｍ以下であることを特徴とする不織布。
【請求項２】
前記不織布の沸水収縮率は０％以上３．０％以下である、請求項１に記載の不織布。
【請求項３】
前記ポリオレフィン系繊維はポリプロピレン系繊維である、請求項１又は２に記載の不織布。
【請求項４】
前記不織布は長繊維不織布である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の不織布。
【請求項５】
前記ポリオレフィン系繊維の平均単糸繊度は０．５ｄｔｅｘ以上３．５ｄｔｅｘ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の不織布。
【請求項６】
前記不織布の１２０℃での乾熱収縮率が０％以上５．０％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の不織布。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の不織布を用いてなる衛生材料。
【請求項８】
使い捨てオムツ、生理用ナプキン又は失禁パットの形態にある、請求項７に記載の衛生材料。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月14日(2014.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される構成連鎖を主鎖に有する高分子化合物。
−［−（Ｙ）ｎ−Ｚ−］ｍ−        （１）
［式中、
Ｙは、下記一般式（Ｙ−１）又は（Ｙ−２）で表される構造から水素原子を２個除いた２価の基を示す。
Ｚは、下記一般式（Ｚ−９）、（Ｚ−１１）、（Ｚ−１３）、（Ｚ−１５）、（Ｚ−１６）、（Ｚ−１７）又は（Ｚ−１９）で表される２価の基を示す。
ｍは、４〜１００００の整数、ｎは、１〜３の整数を示す。
複数あるＹ、Ｚ及びｎは、各々、同一であっても異なっていてもよい。
Ｙが有する水素原子は、Ｒ’で置換されていてもよく、Ｒ’は、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、１価の複素環基及び１価の複素環チオ基からなる群より選ばれる官能基、又はハロゲン原子を示す。Ｒ’が複数ある場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ’が互いに結合して環構造を形成していてもよい。前記官能基が有する水素原子は置換基で更に置換されていてもよい。］
【化１】
2012144721.tif 000001
【化２】
2012144721.tif 000002
［式中、
Ｘは、−ＣＨ＝又は−Ｎ＝を示す。複数あるＸは、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｘとしての−Ｎ＝の数は、０〜２である。
Ｒｘは、アリール基であり、Ｒｙはアルキル基、カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アミノ基、シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド化合物残基、酸イミド残基、１価の複素環基及び１価の複素環チオ基からなる群より選ばれる官能基、又は水素原子若しくはハロゲン原子を示す。複数あるＲｙは、同一であっても異なっていてもよく、互いに結合して環構造を形成していてもよい。前記官能基が有する水素原子は置換基で更に置換されていてもよい。
Ｒ”は、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を示す。複数あるＲ”は、同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記Ｙが、下記一般式（Ｙ−３）、（Ｙ−４）、（Ｙ−５）又は（Ｙ−６）で表される２価の基である、請求項１に記載の高分子化合物。
【化３】
2012144721.tif 000003
［式中、Ｒ”は、水素原子、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基を示す。複数あるＲ”は、同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項３】
前記Ｚが、前記一般式（Ｚ−１１）、（Ｚ−１５）又は（Ｚ−１７）で表される２価の基である、請求項１又は２に記載の高分子化合物。
【請求項４】
前記高分子化合物には、前記Ｙで表される基及び前記Ｚで表される基が縮合重合により導入されており、Ｙで表される基及びＺで表される基とは相違する任意追加基が縮合重合により導入されていてもよく、
高分子化合物における、Ｙ、Ｚ及び任意追加基のモル数をそれぞれＮＹ、ＮＺ及びＮＭとしたときに、ＮＹ、ＮＺ及びＮＭが下記式（２）を満たす、請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
３０≦ＮＹ×１００／（ＮＹ＋ＮＺ＋ＮＭ）≦７５      （２）
【請求項５】
一対の電極と、該一対の電極の間に設けられた有機層を有し、該有機層が、請求項１〜４のいずれか一項に記載の高分子化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する面状光源。
【請求項７】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月27日(2014.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示装置の画像表示部を有する基部と透光性の保護部との接着に使用する熱硬化型ポリオルガノシロキサン組成物であって、
両末端のケイ素原子にアルケニル基を有する、直鎖状ポリオルガノシロキサン（成分Ａ）、
両末端のケイ素原子に水素原子を有する、直鎖状ポリオルガノハイドロジェンシロキサン（成分Ｂ１）、
一分子中に、ケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有する、環状ポリオルガノハイドロジェンシロキサン（成分Ｂ２）、
白金系触媒（成分Ｃ）、及び
接着付与剤（成分Ｄ）
を含み、
成分Ａのアルケニル基の個数ＶｉＡに対する、成分Ｂ１の水素原子の個数ＨＢ１と成分Ｂ２の水素原子の個数ＨＢ２との和である個数（ＨＢ１＋ＨＢ２）の比が０．２〜１．２であり、
ＨＢ１が、ＨＢ１＋ＨＢ２に対して０．１〜０．８であり、
組成物の２３℃における粘度が、２０００ｃＰ超、１００００ｃＰ以下である、
熱硬化型ポリオルガノシロキサン組成物。
【請求項２】
（Ｂ２）が、Ｒ２ＨＳｉＯ１／２単位（式中、Ｒは水素原子又はＣ１−Ｃ６アルキル基を表す）及びＳｉＯ４／２単位からなり、一分子中に、ケイ素原子に結合した水素原子を３個以上有する、環状ポリオルガノハイドロジェンシロキサンである、請求項１記載の熱硬化型ポリオルガノシロキサン組成物。
【請求項３】
成分Ａの２３℃における粘度が、２０００ｃＰ超、１２０００ｃＰ以下である、請求項１又は２記載の熱硬化型ポリオルガノシロキサン組成物。
【請求項４】
成分Ｄが、アルコキシシランである、請求項１〜３のいずれか１項記載の熱硬化型ポリオルガノシロキサン組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の熱硬化型ポリオルガノシロキサン組成物を用いて、画像表示装置の画像表示部を有する基部と透光性の保護部とを接着した画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターボ機械の圧縮機用の軽量複合翼形部であって、当該複合翼形部が、
表面近傍の繊維編物であって、複数の撚り繊維束を編み込んで、複数の撚り繊維束の各々が互いに平行に延在しかつ翼形部の主方向に対して平行に延在するようにある方向に配向させたものからなる繊維生地を含んでおり、主方向が翼形部の第１の端部から第２の端部に向かって延在する、繊維編物と、
アルミニウムリチウム合金のコアと、
アルミニウムリチウム合金の外面と
を含んでおり、アルミニウム−リチウム合金が繊維生地及び複数の撚り繊維束の隙間に浸透していてアルミニウム−リチウム合金が実質的に連続であり、束が、高強度及び低弾性率を有する繊維をさらに含み、繊維生地の体積の１５％以下を形成しているスタッファー束である、複合翼形部。
【請求項２】
束が三軸編物パターンで含まれる、請求項１記載の複合翼形部。
【請求項３】
束が、高弾性率を有する繊維をさらに含み、繊維生地の体積の１５％以下を形成している軟質化ストリップである、請求項１記載の複合翼形部。
【請求項４】
軟質化ストリップがさらに、炭素繊維、ガラス繊維、ナイロン繊維、アラミド繊維及びこれらの組合せからなる群から選択される繊維を含む、請求項３記載の複合翼形部。
【請求項５】
アルミニウムリチウム合金が、さらに２．５〜３．５重量％のＬｉ、０．６〜２．５重量％のＣｕ、０．３〜１．０重量％のＭｇ、０．１〜０．５重量％のＺｒ、０．０８重量％以下のＦｅ、０．０１重量％以下のＳｉ、０．０３重量％以下のＴｉを含み、残部がＡｌ及び不可避不純物である、請求項１記載の複合翼形部。
【請求項６】
スタッファー束がさらに、炭素繊維、酸化物セラミック繊維、非酸化物セラミック繊維、アラミド繊維及びこれらの組合せからなる群から選択される繊維を含む、請求項１記載の複合翼形部。
【請求項７】
ターボ機械の複合軽量圧縮機翼形部を製造する方法であって、
複数の撚り繊維束を形成し、
複数の撚り繊維束から、束の間に隙間を有する繊維編物を形成し、
雌金型及び翼形部の形状のマンドレルを用意し、金型は翼形部の形状でキャビティーを形成する面を有しており、マンドレルは翼形部のニアネットシェイプを有し、
繊維編物をアルミニウム−リチウム合金のフォイルの間にサンドイッチ状に挟み、フォイル及び繊維生地のサンドイッチを金型内に挿入し、
フォイル及び繊維生地のサンドイッチがキャビティーを満たすようにマンドレルを金型中に挿入し、金型を閉じ、
非酸化性の雰囲気を維持しつつ、合金の融点を超える過熱温度に金型を加熱し、アルミニウムリチウム合金を強固にしつつ該合金が繊維編物束中に侵入するのに充分な時間過熱温度及び圧力を維持したままで金型を加熱プレスし、繊維強化金属マトリックスプリフォームを作成し、
翼形部の正味の形状を有するダイ中に繊維強化金属マトリックスプリフォームを入れ、
非酸化性の雰囲気を維持しつつ、溶融アルミニウム−リチウム合金を、ダイ中に、かつ金属マトリックスプリフォームに接して圧力増強鋳造して、一体のアルミニウム−リチウム合金コア及びアルミニウム−リチウム合金ダブテール取付部を有する金属マトリックス複合翼形部を形成し、
冷却後翼形部をダイから取り出す
工程を含んでなる、方法。
【請求項８】
金属合金がさらに２．５〜３．５重量％のＬｉ、０．６〜２．５重量％のＣｕ、０．３〜１．０重量％のＭｇ、０．１〜０．５重量％のＺｒ、０．０８重量％以下のＦｅ、０．０１重量％以下のＳｉ、０．０３重量％以下のＴｉを含み、残部がＡｌ及び不可避不純物である、請求項７記載の方法。
【請求項９】
非酸化性の雰囲気が真空である、請求項７記載の方法。
【請求項１０】
非酸化性の雰囲気が不活性ガス及び窒素からなる群から選択される雰囲気である、請求項７記載の方法。
【請求項１１】
過熱温度に加熱プレスすることが、金属合金シートの融点を２５〜５０℃（４５〜９０°Ｆ）超える温度に加熱することを含む、請求項７記載の方法。
【請求項１２】
繊維編物を形成する工程がさらに、繊維編物にスタッファー束及び軟質化ストリップからなる群から選択される追加の束を提供することを含み、追加の束が翼形部の軸に対して実質的に平行であって、追加の束は翼形部に対して概ね半径方向に延在し、翼形部先端から翼形部の反対側まで延在する、請求項７記載の方法。
【請求項１３】
ターボ機械の複合軽量圧縮機翼形部を製造する方法であって、
複数の撚り繊維束を形成し、
複数の撚り繊維束から、複数の撚り繊維束間に隙間を有する繊維編物を翼形部形状に形成し、
場合により、繊維編物に逃散性ポリマーバインダーを含浸させてプリフォームを形成し、
翼形部の形状のキャビティーを形成するダイ面を有しており、ニアネットシェイプの翼形部を生成するダイを用意し、
繊維編物をダイ中に挿入し、繊維生地を形成している束は翼形部の軸に対してある角度であり、軸は翼形部先端から翼形部の反対側まで半径方向に延在し、
ダイを非酸化性の雰囲気内に入れ、
ダイを第１の温度に予熱し、
非酸化性の雰囲気を維持しつつ、金属合金をダイ中に圧力増強鋳造してピストンを用いて第１の圧力をかけ、
次いで、ダイが溶融金属合金で満たされた後、ピストンを用いて第２の圧力をかけてプリフォームの隙間に侵入させると共にプリフォームに浸透させ、任意のバインダーを揮発させ、第２の金属圧力は第１の金属圧力より高く、
非酸化性の雰囲気を維持しつつ、ダイを冷却して、外側の金属合金表面及び金属合金コアを有する翼形部を形成し、
翼形部を炉から取り出す
工程を含んでなる、方法。
【請求項１４】
金属合金がさらに２．５〜３．５重量％のＬｉ、０．６〜２．５重量％のＣｕ、０．３〜１．０重量％のＭｇ、０．１〜０．５重量％のＺｒ、０．０８重量％以下のＦｅ、０．０１重量％以下のＳｉ、０．０３重量％以下のＴｉを含み、残部がＡｌ及び不可避不純物である、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
さらに、繊維編物を翼形部形状に形成する工程がさらにスタッファー束を繊維編物に添加することを含み、スタッファー束が翼形部の軸に対して実質的に平行であって、スタッファー束は翼形部先端に対して概ね半径方向で翼形部先端から翼形部の反対側まで延在する、請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月5日(2014.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状の不織布を平面視した側の第１面側に突出する第１突出部と、前記第１面とは反対側の第２面側に突出する第２突出部とを有し、前記第１突出部及び第２突出部は、前記不織布の平面視において第１方向と第２方向との２つの方向に向け複数交互に広がった不織布であって、前記第１突出部の頂部における第１面側の繊維密度（ｒ１１ａ）が、その第２面側の繊維密度（ｒ１１ｂ）より低い（ｒ１１ａ＜ｒ１１ｂ）不織布。
【請求項２】
前記第１突出部頂部における、前記第１面側及び前記第２面側の繊維密度の差の絶対値（｜ｒ１１ａ−ｒ１１ｂ｜）が、前記第２突出部頂部における、前記第１面側及び前記第２面側の繊維密度の差の絶対値（｜ｒ２１ａ−ｒ２１ｂ｜）より大きい、請求項１に記載の不織布。
【請求項３】
前記第１突出部頂部における、該第１突出部の曲面構造に対する繊維配向性（ｑ１１）と前記第２突出部頂部における、該第２突出部の曲面構造に対する繊維配向性（ｑ２１）とが異なる請求項１又は２に記載の不織布。
【請求項４】
前記第２突出部頂部の繊維配向性において、第１面側における繊維配向性（ｑ２１ａ）と第２面側における繊維配向性（ｑ２１ｂ）とが実質的に等しい請求項１〜３のいずれか１項に記載の不織布。
【請求項５】
前記第１突出部頂部の層厚み（Ｓ１）、前記第２突出部頂部の層厚み（Ｓ２）及び、前記第１突出部１及び前記第２突出部２の不織布厚み方向の間に構成された壁部の層厚み（Ｓ３）が、Ｓ１＞Ｓ３＞Ｓ２を満たす関係にある請求項１〜４のいずれか１項に記載の不織布。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸形状を有する支持体上に熱可塑性繊維を含有するウエブを搬送し、ウエブの上から支持体へ向かって熱風を吹き付けてウエブに凹凸形状を賦形する不織布の製造方法であって、
第１の熱風の吹き付けにより前記ウエブの繊維同士を前記支持体の凹凸形状に沿ったウエブの凹凸形状が保持される状態に仮融着させる工程と、
前記の第１よりも高温度の第２の熱風を吹き付け、前記凹凸形状を保持した状態で前記ウエブの繊維同士を融着させて前記凹凸形状を固定する工程とを備え、
ウエブを支持体に沿わせてウエブに凹凸形状を賦形する不織布の製造方法。
【請求項２】
前記ウエブの繊維は低融点成分と該低融点成分より融点の高い高融点成分を有する複合繊維であり、
前記第１の熱風は、前記ウエブの繊維の低融点成分の融点より６０℃低い温度以上、該低融点成分の融点より１５℃高い温度以下の熱風である請求項１記載の不織布の製造方法。
【請求項３】
前記第２の熱風は、前記ウエブの繊維の低融点成分の融点以上、該低融点成分の融点より４０℃高い温度以下の熱風である請求項２記載の不織布の製造方法。
【請求項４】
前記複合繊維は、前記低融点成分にポリエチレンを用い、前記高融点成分にポリエチレンテレフタレートまたはポリ乳酸を用いた請求項２または請求項３記載の不織布の製造方法。
【請求項５】
前記第１の熱風および前記第２の熱風は前記ウエブおよび前記支持体を通過して吸引される請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の不織布の製造方法。
【請求項６】
前記支持体は回転可能なドラム形状を成す
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の不織布の製造方法。
【請求項７】
前記ウエブは、前記第１の熱風の吹き付け時、又は第１及び第２の熱風の吹き付け時に、前記支持体と、前記支持体表面に対向して配された通気性を有する通気コンベアとにより挟まれて前記支持体表面を搬送され、
前記第１の熱風、又は第１及び第２の熱風は前記通気コンベアを通して前記ウエブに吹き付けられる請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の不織布の製造方法。
【請求項８】
前記第２の熱風が吹き付けられた後の前記ウエブに冷却気体を吹き付けて該ウエブを冷却し、前記ウエブを前記支持体から引き剥がす
請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の不織布の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の不織布の製造方法により製造された不織布。
【請求項１０】
突起状部と通気部とを有し、該突起状部を有する表面で熱可塑性繊維を含有するウエブを搬送する支持体と、前記支持体に前記ウエブを沿わせて熱風を吹き付けるノズルとを備え、前記ウエブに凹凸形状を賦形する不織布の製造装置であって、
前記ノズルは、第１の熱風を吹き付ける第１ノズルと、前記第１の熱風よりも高温度の第２の熱風を吹き付ける第２ノズルとを有し、
前記第１ノズルは、前記第１の熱風の吹き付けにより前記ウエブの繊維同士を前記突起状部に沿った前記凹凸形状が保持される状態に仮融着させ、
前記第２ノズルは、前記第２の熱風の吹き付けにより前記凹凸形状を保持した状態で前記ウエブの繊維同士を融着させて前記凹凸形状を固定する不織布の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月24日(2014.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のウェイポイント（２８）と前記複数のウェイポイントの各ウェイポイントの間に延びる複数のベクトル（３０）とを含む航空機（１０）の飛行経路軌道（２６）の自動生成で使用する飛行管理システム（２４）であって、
起点ウェイポイント（４０）と目的地ウェイポイント（４２）とを含む第１の飛行経路軌道（３６）を算出し、
飛行軌道の変更を示す戦術的指示を受信し、
前記戦術的指示に少なくとも部分的に基づいて第２の飛行経路軌道（３８）を算出する
ように構成されたプロセッサ（３０２）を備え、
前記算出された第２の飛行経路軌道が、前記第１の飛行経路軌道に沿った離脱ウェイポイントと、前記第１の飛行経路軌道に沿った交点ウェイポイント（４８）と、前記離脱ウェイポイント（４６）から前記交点ウェイポイントへの離脱ベクトルとを含み、
前記プロセッサ（３０２）が、前記第２の飛行経路軌道（３８）に沿った選択可能なウェイポイント（２８）の到着要求時刻（ＲＴＡ）に間に合わせるために前記離脱ベクトル（５０）を算出するようにさらに構成される、
飛行管理システム（２４）。
【請求項２】
前記プロセッサ（３０２）が、
前記第１の飛行経路軌道（３６）に沿った合流ウェイポイント（４４）のＲＴＡを受信し、
前記合流ウェイポイントの前記ＲＴＡに間に合わせるために前記第２の飛行経路軌道（３８）を算出する
ようにさらに構成される、請求項１に記載の飛行管理システム（２４）。
【請求項３】
前記戦術的指示（７０）が機種方位ベクトル指示（６０）を含み、前記プロセッサ（３０２）が、前記機種方位ベクトルをあらかじめ定義された期間維持することを含めて離脱ベクトル（５０）を含む前記第２の飛行経路軌道（３８）を算出するようにさらに構成される、請求項１に記載の飛行管理システム（２４）。
【請求項４】
前記プロセッサ（３０２）が、前記目的地ウェイポイント（４２）のＲＴＡに間に合わせるために前記機種方位ベクトルを維持するための期間を算出するようにさらに構成される、請求項３に記載の飛行管理システム（２４）。
【請求項５】
前記戦術的指示（７０）が高度ベクトル指示（６４）を含み、前記プロセッサ（３０２）が、前記高度をあらかじめ定義された期間維持することを含めて前記離脱ベクトルを算出するようにさらに構成される、請求項１に記載の飛行管理システム（２４）。
【請求項６】
前記戦術的指示（７０）が対気速度ベクトル指示（６４）を含み、前記プロセッサ（３０２）が、前記戦術的対気速度指示に基づいて前記第２の飛行経路軌道（３８）を算出するようにさらに構成される、請求項１に記載の飛行管理システム（２４）。
【請求項７】
前記戦術的指示（７０）が、飛行経路角指示と垂直速度指示の一方を含む、請求項１に記載の飛行管理システム（２４）。
【請求項８】
起点ウェイポイント（４０）と目的地ウェイポイント（４２）とを含む第１の飛行経路軌道（３６）を算出し、
飛行軌道の変更を示す戦術的指示（７０）を受信し、
前記戦術的指示に少なくとも部分的に基づいて第２の飛行経路軌道（３８）を算出する
ように構成されたプロセッサ（３０２）を備える飛行管理システム（２４）を備えた航空機（１０）であって、
前記算出された第２の飛行経路軌道が、前記第１の飛行経路軌道に沿った離脱ウェイポイント（４６）と、前記第１の飛行経路軌道に沿った交点ウェイポイント（４８）と、前記離脱ウェイポイントから前記交点ウェイポイントへの離脱ベクトルとを含み、
前記プロセッサ（３０２）が、前記第２の飛行経路軌道（３８）に沿った選択可能なウェイポイント（２８）の到着要求時刻（ＲＴＡ）に間に合わせるために前記離脱ベクトル（５０）を算出するようにさらに構成される、
航空機（１０）。
【請求項９】
前記戦術的指示（７０）が機種方位ベクトル指示（６０）を含み、前記プロセッサ（３０２）が、前記機種方位ベクトルをあらかじめ定義された期間維持することを含めて離脱ベクトル（５０）を含む前記第２の飛行経路軌道（３８）を算出するようにさらに構成される、請求項８に記載の航空機（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月9日(2015.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フローティングゲートを備えた単層ゲート構造のメモリトランジスタと、スイッチゲート電極を備えた単層ゲート構造のスイッチトランジスタとを有するメモリセルを備え、
前記メモリセルは、
前記メモリトランジスタの一端にソース線が接続されているとともに、前記スイッチトランジスタの一端にビット線が接続されており、前記メモリトランジスタの他端と前記スイッチトランジスタの他端とが電気的に接続され、該メモリトランジスタおよび該スイッチトランジスタが直列に配置された構成を有し、
前記メモリトランジスタは、
前記フローティングゲートの下部領域と、前記スイッチトランジスタに電気的に接続された他端側のソースドレイン領域との間に、前記フローティングゲートの下部領域および前記一端側のソースドレイン領域間の抵抗値よりも高い抵抗値の高抵抗領域を有する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記メモリトランジスタには、
前記フローティングゲートの下部領域の両側にエクステンション領域が形成されており、
前記高抵抗領域として、前記一端側のエクステンション領域よりも不純物濃度が低い低濃度不純物エクステンション領域が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記フローティングゲートの下部の活性領域上面には、
前記エクステンション領域と接してデプリート型チャネル領域が形成されている
ことを特徴する請求項１または２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記フローティングゲートの電位を調整するカップリングキャパシタを備え、
前記フローティングゲートは、前記メモリトランジスタおよび前記カップリングキャパシタに延在している
ことを特徴とする請求項１または２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記スイッチトランジスタは、
前記スイッチゲート電極の下部に形成されたゲート酸化膜の膜厚が、前記メモリトランジスタの前記フローティングゲートの下部に形成されたゲート酸化膜の膜厚よりも薄く形成されている
ことを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記フローティングゲートから電荷を引き抜くイレーストランジスタを備えており、
前記フローティングゲートは、前記メモリトランジスタおよび前記イレーストランジスタに延在している
ことを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記フローティングゲートは、前記メモリトランジスタとの対向領域がＮ型で形成され、前記イレーストランジスタとの対向領域がＰ型で形成されている
ことを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
前記メモリセルが行列状に配置されており、
前記ソース線は、前記メモリセル毎に設けた前記メモリトランジスタに共通の電圧を一律に印加する
ことを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
ＳＲＡＭセルと、一の前記メモリセルおよび他の前記メモリセルとで1ビットを構成し、
前記一のメモリセルに接続された一のビット線がＳＲＡＭセルの一のストレージノードに接続され、前記他のメモリセルに接続された他のビット線が前記ＳＲＡＭセルの前記一のストレージノードと相補的な他のストレージノードに接続されている、
ことを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記メモリセル毎に設けられた各前記スイッチトランジスタには個別にゲート線が接続されており、各前記スイッチトランジスタが独立にオンオフ制御される
ことを特徴とする請求項９記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最外層の配線パターンと、
前記配線パターンの少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有するソルダレジスト層と、
前記接続パッド上に形成されたはんだ層と、柱状に形成され、前記はんだ層によって全体が被覆された金属ポストとを含むはんだバンプと、
を有し、
前記金属ポストの一部は、前記開口部内に配置されており、
前記金属ポストの前記接続パッド側の面と前記接続パッドとの間には前記はんだ層が介在していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記はんだバンプは、凹部を有する本体部と、前記本体部の端部から外側に突出した鍔部とを有する金属層を有し、
前記金属ポストは、前記凹部を充填するポスト部と、前記ポスト部よりも大径に形成され、前記ポスト部上及び前記鍔部上に形成された大径部とを有し、
前記ポスト部は、前記鍔部から前記接続パッドに向かって厚さ方向に延びるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記はんだバンプは錫−銅合金で形成され、
前記金属ポストは銅で形成され、
前記金属層は、錫−銅合金で形成され、且つ前記はんだバンプに比べて銅の含有率が高いことを特徴とする請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記接続パッド上に形成され、前記金属ポストと同じ材料からなる金属膜を有し、
前記はんだ層が前記金属膜上に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記はんだバンプを介して前記接続パッドと電気的に接続され、前記配線基板に実装された半導体チップと、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
最外層の配線パターンと、前記配線パターンの少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有するソルダレジスト層とを有する構造体を準備する工程と、
前記ソルダレジスト層の表面と前記接続パッドの表面とを被覆するシード層を形成する工程と、
前記開口部よりも大径に形成され、前記開口部を露出させる開口パターンを有するレジスト層を前記シード層上に形成する工程と、
前記開口パターンから露出された前記シード層上に第１はんだ層を形成する工程と、
前記第１はんだ層上に金属ポストを形成する工程と、
前記金属ポスト上に第２はんだ層を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
前記第１はんだ層及び前記第２はんだ層をマスクにして、前記シード層をエッチングにより除去するとともに、前記金属ポストの周縁部の一部を除去する工程と、
リフロー加熱によって前記第１はんだ層と前記第２はんだ層とを接合することにより、前記金属ポスト全体を被覆する１つの第３はんだ層を形成する工程と、
を有し、
前記第１はんだ層と前記金属ポストと前記第２はんだ層とは、前記レジスト層をマスクとし、前記シード層をめっき給電層に利用した電解めっき法により形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１はんだ層を形成する工程の後であって、前記金属ポストを形成する工程の前に、
前記第１はんだ層を形成した後の構造体を、前記第１はんだ層を形成する際に使用しためっき液に浸漬したまま、前記第１はんだ層を形成するときよりも電流密度を低くした状態で電解めっき法を施すことにより、前記第１はんだ層よりも銅リッチな金属層を前記第１はんだ層上に形成する工程を有することを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、最外層の配線パターンと、前記配線パターンの少なくとも一部を接続パッドとして露出する開口部を有するソルダレジスト層と、前記接続パッド上に形成されたはんだ層と、柱状に形成され、前記はんだ層によって全体が被覆された金属ポストとを含むはんだバンプと、を有し、前記金属ポストの一部は、前記開口部内に配置されており、前記金属ポストの前記接続パッド側の面と前記接続パッドとの間には前記はんだ層が介在している。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月28日(2015.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された複数のフォトダイオードを備えるフォトダイオードアレイであって、
前記フォトダイオードのそれぞれは、
前記半導体基板に設けられた第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域に対して前記半導体基板の一方の面側に設けられ、前記第１半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する前記第１導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域から離間して前記第２半導体領域を囲むように前記第１半導体領域に対して前記一方の面側に設けられ、前記第１半導体領域と共に光検出領域を構成する第２導電型の第３半導体領域と、
前記第１半導体領域及び前記第２半導体領域を通るように前記一方の面と前記半導体基板の他方の面との間を貫通する貫通孔内に設けられ、前記第３半導体領域と電気的に接続された貫通電極と、を有する、フォトダイオードアレイ。
【請求項２】
前記第２半導体領域と前記第３半導体領域との間には、前記第２半導体領域を囲むように前記第１半導体領域の一部が存在している、請求項１記載のフォトダイオードアレイ。
【請求項３】
前記第２半導体領域の内縁と外縁との間隔は、前記第２半導体領域の外縁と前記第３半導体領域の内縁との間隔よりも大きい、請求項１又は２記載のフォトダイオードアレイ。
【請求項４】
前記第３半導体領域の内縁は、前記半導体基板の厚さ方向から見た場合に、前記他方の面側の前記貫通孔の開口を囲んでいる、請求項１〜３のいずれか一項記載のフォトダイオードアレイ。
【請求項５】
前記フォトダイオードのそれぞれは、前記一方の面上に形成され、前記第３半導体領域と前記貫通電極とを電気的に接続させるコンタクト電極を含んでおり、
前記コンタクト電極の外縁は、前記半導体基板の厚さ方向から見た場合に、前記他方の面側の前記貫通孔の開口を囲んでいる、請求項１〜４のいずれか一項記載のフォトダイオードアレイ。
【請求項６】
前記一方の面側の前記貫通孔の開口は、円形状を呈している、請求項１〜５のいずれか一項記載のフォトダイオードアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月24日(2015.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動片が封入された第１の容器と、
少なくとも前記振動片を駆動する回路、および感温素子を有している回路素子と、
配線基板と、
蓋体と、
を備え、
前記第１の容器、および前記回路素子は、
前記配線基板と、前記蓋体とで封止されているとともに、平面視で前記配線基板の一方の面側に横に並んで配置されていること、
を特徴とする発振器。
【請求項２】
前記配線基板は、前記配線基板の一方の面側に導体膜を有し、
前記導体膜は、平面視で前記第１の容器と前記回路素子とに重なっていることを特徴とする、請求項１に記載の発振器。
【請求項３】
前記第１の容器、および前記回路素子は、導電性を有する接合部材を介して前記配線基板に接合されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の発振器。
【請求項４】
前記第１の容器は、金属製の蓋を有し、前記金属製の蓋の前記第１容器外側の面と前記配線基板とが向かい合うように配置されていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発振器。
【請求項５】
前記第１の容器は、前記蓋体の方向から平面視して、前記蓋体側に前記振動片と電気的に接続された外部接続端子を有し、
前記回路素子は、前記蓋体の方向から平面視して、前記蓋体側に端子電極を有し
前記接続端子と前記端子電極とが電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発振器。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発振器が搭載されていることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発振器が搭載されていることを特徴とする移動体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発振器、電子機器、及び移動体
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、発振器、発振器を備えた電子機器、及び移動体に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［形態１］本形態に記載の発振器は、振動片が封入された第１の容器と、少なくとも前記振動片を駆動する回路、および感温素子とを有している回路素子と、配線基板と、蓋体と、を備え、前記第１の容器、および前記回路素子は、前記配線基板と、前記蓋体とで封止されているとともに、平面視で前記配線基板の一方の面側に横に並んで配置されていること、ことを特徴とする。
本形態に記載の発振器によれば、回路基板と蓋体とで封止された領域に、振動片が封入された第１の容器と回路素子とが収容されている。そして、第１の容器と回路素子は、平面視で回路基板の一方の面側に横に並んで配置されている。このように第１の容器と回路素子が配置されているので、回路基板の外部において温度が変動しても、第１の容器と回路素子とは回路基板の一方の面側に横に並んで配置されているため外部からの熱伝導の条件が同じになり、第１の容器に封入された振動片および回路素子は温度が略同一になる。よって、回路素子内部にある感温素子により振動片の温度を正確に計測することができる。温度補償型発振器は、振動片の温度を基に周波数の補償を行うため、振動片の正確な温度が測定できるほど、高い補償精度が得られる。従って、本構成を用いることで温度補償精度の高い発振器を提供することができる。
［形態２］上記形態に記載の発振器において、前記配線基板は、前記配線基板の一方の面側に導体膜を有し、前記導体膜は、平面視で前記第１の容器と前記回路素子とに重なっていることを特徴とする。
本形態によれば、回路基板の一方の面側ある導体膜が平面視で第１の容器と回路素子とに重なっているため、第１の容器と回路素子との間の熱伝導が良好になる。これにより、第１の容器と回路素子とは熱的な結合が強まるため、さらに第１の容器と回路素子との温度が同じ状態に近づくことになる。従って、高い温度補償精度の発振器を提供することが可能となる。
［形態３］上記形態に記載の発振器において、前記第１の容器、および前記回路素子は、導電性を有する接合部材を介して前記配線基板に接合されていることを特徴とする。
本形態によれば、第１の容器と回路素子は導電性を有する接合部材で回路基板に接合されている。一般に導電性が高いほど熱伝導性も高いため、第１の容器と回路素子との熱的な結合が強まり、さらに第１の容器と回路素子の温度が同じ状態に近づくことになる。従って、高い温度補償精度の発振器を提供することが可能となる。
［形態４］上記形態に記載の発振器において、前記第１の容器は、金属製の蓋を有し、前記金属製の蓋の前記第１容器外側の面と前記配線基板とが向かい合うように配置されていることを特徴とする。
本形態によれば、第１の容器の金属製の蓋の第１容器外側の面、すなわち導電性のある面が配線基板と向かい合うように配置されているため、第１の容器と回路素子との熱的な結合が強まり、さらに第１の容器と回路素子の温度が同じ状態に近づくことになる。従って、高い温度補償精度の発振器を提供することが可能となる。
［形態５］上記形態に記載の発振器において、前記第１の容器は、前記蓋体の方向から平面視して、前記蓋体側に前記振動片と電気的に接続された外部接続端子を有し、前記回路素子は、前記蓋体の方向から平面視して、前記蓋体側に端子電極を有し前記接続端子と前記端子電極とが電気的に接続されていることを特徴とする。
本形態によれば、第１の容器と回路素子の電気的接続端子が蓋体の方向から平面視した面（換言すれば上面）にあるため、第１の容器と回路素子の熱的な結合と電気的な接続とを別々にすることができる。従って、第１の容器と回路素子の電気的な接続状態に関係しないで、熱的な結合を強くした配置を採ることができるため、高い温度補償精度の発振器を提供することが可能となる。
［形態６］本形態に記載の電子機器は、上記形態のいずれか一例に記載の発振器が搭載されていることを特徴とする。
本形態に記載の電子機器によれば、高い温度補償精度の発振器を用いているため、電子機器においても高精度な電気的品質を保つことが可能となる。
［形態７］本形態に記載の移動体は、上記形態のいずれか一例に記載の発振器が搭載されていることを特徴とする。
本形態に記載の移動体によれば、高い温度補償精度の温度補償型発振器を用いているため、移動体においても高精度な電気的品質を保つことが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
磁極の向きが交互に異なるように円周方向に沿って配列された複数の磁化部（１１７）を有するロータ（１１４）と、複数相を構成し前記円周方向に沿って相順に配列された複数の巻線（１１３）を有するステータ（１１１）と、を備え、前記ロータには、複数の前記磁化部における前記磁極の反転状況に対応して前記円周方向に沿って配列された複数の被検出部（１１６）が、前記ロータの回転中心軸から前記磁極の反転位置に向かって引いた直線が前記円周方向における当該被検出部の中央を通るように設けられた、交流発電機（１１）と、
前記交流発電機の相数に対応した個数の複数のスイッチング素子（１５Ｕ〜１５Ｚ）を備えることで交流と直流との間の双方向の電力変換が可能に構成されていて、前記交流発電機との間で電力の授受を行うように、当該交流発電機における複数の前記巻線に接続された、電力変換器（１５）と、
前記被検出部の通過状態に対応した出力信号を生じるように、前記ロータと対向配置された、検出部（１７）と、
前記検出部の前記出力信号に基づいて、前記ロータの回転位相に応じた前記スイッチング素子の位相制御を行うための制御信号を前記電力変換器に出力する、位相制御部（１３，１４）と、
を備えたことを特徴とする、交流発電システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１又は２に記載の、交流発電システムであって、
前記位相制御部は、前記位相制御における制御角を所定量変化させたときの前記交流発電機における発電出力のピーク特性を検出することによる前記位相制御の補正と、前記位相制御を補正する補正値のマップを更新することによる前記位相制御の補正とを行うことを特徴とする、交流発電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月27日(2015.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
他の実施の形態によれば、半導体装置は、半導体基板と、有効画素領域と、基準部配置領域とを備える。基準部配置領域には、有効画素領域において画素構成部材が本来配置される基準位置を示すための基準部が配置される。画素構成部材は、基準位置よりも有効画素領域の中央側にずれるように配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍは、それぞれが境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍを介在して対向する有効画素形成用領域の画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍが、境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍに沿う方向に関して本来配置される基準位置を示すように配置されている。具体的には、たとえば基準用パターンＰＴＮ２１ｍは、画素用パターンＰＴＮ１１ｍが境界線ＢＬ１ｍに沿う図の左右方向に関して本来配置される基準位置と等しい位置に配置されている。ここで本来配置される基準位置とは、有効画素形成用領域の画素用パターンＰＴＮ１ｍの（境界線を介在して対向する）非画素用パターンＰＴＮ２ｍに対する位置のずれを考慮する必要がない（画素用パターンＰＴＮ１ｍに全くずれが存在しない）場合における画素用パターンＰＴＮ１ｍの配置される位置を意味する。したがって図１における画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍは、これが本来存在すべき基準位置（基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍが配置される位置）よりも中央側に集中するようにずれて配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍは境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍを介在して、画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍと対向するように配置される。そして基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍは、境界線ＢＬに沿う方向に関して本来配置される基準位置を示す。画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍと基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍとの距離が短くなるため、画素用パターンＰＴＮ１１ｍ〜ＰＴＮ１８ｍの位置をより正確に把握することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
具体的には、非画素用パターンＰＴＮ２ｍは、境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍの両端の近傍に対向する領域に配置されており、各境界線ＢＬ１ｍ〜ＢＬ４ｍのそれぞれに対向する領域に非画素用パターンＰＴＮ２ｍが２つずつ、合計８つ配置されている。ただしそれぞれの非画素用パターンＰＴＮ２ｍには単一の基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍのみが配置されている。したがって図５のマスクＭＳＫにおいてはダミー形成用パターンＤＭｍが配置されていない。ただし図５のマスクＭＳＫにおいて基準用パターンＰＴＮ２１ｍ〜ＰＴＮ２８ｍが配置される場所は、図１のマスクＭＳＫと同じであり、具体的には、画素用パターンＰＴＮ１ｍの行（または列）の端から２番目の行（または列）と等しい座標の位置に配置されている。