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【手続補正書】
【提出日】平成27年9月15日(2015.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンク（１４）と、
前記ヒートシンク（１４）上にマウントされ、前記ヒートシンク（１４）に電気的に接続されたＬＥＳチップ（１２）のアレイであって、各ＬＥＳチップ（１２）は、表面および裏面を備え、前記表面が受け取った電力に応じて光を放出するように構成された発光領域（３２）を含み且つ前記表面および前記裏面のうちの少なくとも一方がその上に接続パッド（２８）を含む、ＬＥＳチップ（１２）のアレイと、
前記ＬＥＳチップ（１２）のアレイの制御された動作を行うために各ＬＥＳチップ（１２）上に設置され且つ電気的に接続された柔軟な相互配線構造（１８）であって、前記柔軟な相互配線構造（１８）が、
前記ヒートシンク（１４）の形状に合うように構成された柔軟な誘電体膜（２４）と、
前記柔軟な誘電体膜（２４）上に形成された金属相互配線構造（２２）であり、前記金属相互配線構造（２２）が前記ＬＥＳチップ（１２）の前記接続パッド（２８）への直接の金属接続部および電気的接続部を形成するように前記柔軟な誘電体膜（２４）を貫通して形成されたビア（２６）を通って延びる、金属相互配線構造（２２）と、
を備えた、柔軟な相互配線構造（１８）と、
を備え、
前記ヒートシンク（１４）は、前記ヒートシンク（１４）上にマウントされた前記ＬＥＳチップ（１２）のアレイが３６０度の領域全体にわたって光を放出するように設置されるように円形の形状を有するように作られる、
発光半導体（ＬＥＳ）デバイス（１０）。
【請求項２】
前記金属相互配線構造（２２）が、各個々のＬＥＳチップの前記発光領域（３２）の位置に対応する開口部（３０）を含むようにパターニングされる、請求項１に記載のＬＥＳデバイス（１０）。
【請求項３】
前記ヒートシンク（１４）が、前記ＬＥＳデバイス（１０）中のアノード接続部またはカソード接続部として機能するように構成される、請求項１に記載のＬＥＳデバイス（１０）。
【請求項４】
前記柔軟な誘電体膜（２４）が、各個々のＬＥＳチップの前記発光領域（３２）の位置に対応して前記柔軟な誘電体膜（２４）中に形成された複数の開口部（３０）を含む、請求項１に記載のＬＥＳデバイス（１０）。
【請求項５】
前記柔軟な誘電体膜（２４）は、各個々のＬＥＳチップの前記発光領域（３２）から放出された光が通過することを可能にするように構成された透明膜を含む、請求項１に記載のＬＥＳデバイス（１０）。
【請求項６】
前記接続パッド（２８）が、前記ＬＥＳチップ（１２）の前記表面上に形成され、前記柔軟な相互配線構造（１８）が、前記ＬＥＳチップ（１２）の前記表面上に設置される、請求項１に記載のＬＥＳデバイス（１０）。
【請求項７】
前記金属相互配線構造（２２）が、外側表面上にコーティングされた反射膜（３４）を備え、前記反射膜（３４）が、前記ＬＥＳデバイス（１０）の反射を最大にし且つ光学的損失を減少させるために前記金属相互配線構造（２２）のスペクトル反射率を増加させるように構成される、請求項１に記載のＬＥＳデバイス（１０）。
【請求項８】
ヒートシンク（１４）と、
前記ヒートシンク（１４）上にマウントされ、前記ヒートシンク（１４）に電気的に接続されたＬＥＳチップ（１２）のアレイであって、各ＬＥＳチップ（１２）は、表面および裏面を備え、前記表面が受け取った電力に応じて光を放出するように構成された発光領域（３２）を含み且つ前記表面および前記裏面のうちの少なくとも一方がその上に接続パッド（２８）を含む、ＬＥＳチップ（１２）のアレイと、
前記ＬＥＳチップ（１２）のアレイの制御された動作を行うために各ＬＥＳチップ（１２）上に設置され且つ電気的に接続された柔軟な相互配線構造（１８）であって、前記柔軟な相互配線構造（１８）が、
前記ヒートシンク（１４）の形状に合うように構成された柔軟な誘電体膜（２４）と、
前記柔軟な誘電体膜（２４）上に形成された金属相互配線構造（２２）であり、前記金属相互配線構造（２２）が前記ＬＥＳチップ（１２）の前記接続パッド（２８）への直接の金属接続部および電気的接続部を形成するように前記柔軟な誘電体膜（２４）を貫通して形成されたビア（２６）を通って延びる、金属相互配線構造（２２）と、
を備えた、柔軟な相互配線構造（１８）と、
を備え、
前記接続パッド（２８）が、前記ＬＥＳチップ（１２）の前記裏面上に形成され、前記柔軟な相互配線構造（１８）が、前記ＬＥＳチップ（１２）の前記裏面上に設置され、前記金属相互配線構造（２２）が、前記ＬＥＳチップ（１２）および前記ヒートシンク（１４）を電気的に接続し且つ前記ＬＥＳチップ（１２）と前記ヒートシンク（１４）との間にヒートスプレッダを備える、
ＬＥＳデバイス（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月17日(2015.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体積層構造と、
前記化合物半導体積層構造の上方に形成された電極と、
前記化合物半導体積層構造の表面を覆う、窒化珪素を材料とする第１の保護絶縁膜とを備えており、
前記電極は、少なくとも一部が前記第１の保護絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保護絶縁膜は、前記電極の前記少なくとも一部の下である第１部位における第１の厚みが、前記電極の前記少なくとも一部が前記第１の保護絶縁膜の上に形成されていない第２の部位における第２の厚みよりも厚い、
化合物半導体装置。
【請求項２】
前記第１の厚みと前記第２の厚みとの差が、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内の値である、請求項１に記載の化合物半導体装置。
【請求項３】
前記電極は、ゲート電極と、前記ゲート電極と離間して並ぶフィールドプレート電極とを含む、請求項１又は２に記載の化合物半導体装置。
【請求項４】
前記第１の保護絶縁膜上で前記電極を覆う第２の保護絶縁膜と、
前記第１の保護絶縁膜と前記第２の保護絶縁膜との間に形成された第３の保護絶縁膜と、
をさらに備える、請求項１〜３のいずれかに記載の化合物半導体装置。
【請求項５】
前記第３の保護絶縁膜は酸窒化珪素を含む、請求項４に記載の化合物半導体装置。
【請求項６】
前記第３の保護絶縁膜は、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内の厚みである、請求項４又は５に記載の化合物半導体装置。
【請求項７】
前記第１の厚みと前記第２の厚みとの差が、前記第３の保護絶縁膜の厚みよりも大きい、請求項４〜６のいずれかに記載の化合物半導体装置。
【請求項８】
化合物半導体積層構造を形成する工程と、
前記化合物半導体積層構造の上方に電極を形成する工程と、
前記化合物半導体積層構造の表面を覆う、窒化珪素を材料とする第１の保護絶縁膜を形成する工程と、
を有し、
前記電極は、少なくとも一部が前記第１の保護絶縁膜上に形成され、
前記第１の保護絶縁膜は、前記電極の前記少なくとも一部の下である第１部位における第１の厚みが、前記電極の前記少なくとも一部が前記第１の保護絶縁膜の上に形成されていない第２の部位における第２の厚みよりも厚い、
化合物半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の厚みと前記第２の厚みとの差が、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内の値である、請求項８に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記電極は、ゲート電極と、前記ゲート電極と離間して並ぶフィールドプレート電極とを含む、請求項８又は９に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の保護絶縁膜上で前記電極を覆う第２の保護絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の保護絶縁膜と前記第２の保護絶縁膜との間に、第３の保護絶縁膜を形成する工程と、
を有する請求項８〜９のいずれかに記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第３の保護絶縁膜は酸窒化珪素を含む、請求項１１に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第３の保護絶縁膜は、１ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内の厚みである、請求項１１又は１２に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の厚みと前記第２の厚みとの差が、前記第３の保護絶縁膜の厚みよりも大きい、請求項１１〜１３のいずれかに記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
変圧器と、前記変圧器を挟んで高圧回路及び低圧回路とを備えた電源回路であって、
前記高圧回路はトランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
化合物半導体積層構造と、
前記化合物半導体積層構造の上方に形成された電極と、
前記化合物半導体積層構造の表面を覆う、窒化珪素を材料とする第１の保護絶縁膜と、
を備えており、
前記電極は、少なくとも一部が前記第１の保護絶縁膜上に形成されており、
前記第１の保護絶縁膜は、前記電極の前記少なくとも一部の下である第１部位における第１の厚みが、前記電極の前記少なくとも一部が前記第１の保護絶縁膜の上に形成されていない第２の部位における第２の厚みよりも厚い、
電源回路。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月11日(2015.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基体と、前記基体上に配置される発光素子と、前記発光素子を封止する封止樹脂と、を有する発光装置と、
前記基体上において前記封止樹脂に隣接する保護部材と、
を備え、
前記保護部材は、前記封止樹脂よりも高い、
保護部材付き発光装置。
【請求項２】
前記保護部材は、前記基体に対して着脱自在である、
請求項１に記載の保護部材付き発光装置。
【請求項３】
前記保護部材は、前記封止樹脂を覆っている、
請求項１又は２に記載の保護部材付き発光装置。
【請求項４】
前記発光装置は、前記基体上に配置され、前記発光素子と電気的に接続される電子部品を有し、
前記保護部材は、前記電子部品の外周を取り囲んでいる、
請求項１乃至３のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項５】
前記保護部材は、前記電子部品を覆っている、
請求項４に記載の保護部材付き発光装置。
【請求項６】
前記基体は、一方向に延伸する長尺部材である、
請求項１乃至５のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項７】
前記保護部材は、仕切りと収容孔を有する、
請求項１乃至６のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項８】
前記封止樹脂は、前記収容孔の内側において前記保護部材から露出している、
請求項７に記載の保護部材付き発光装置。
【請求項９】
前記保護部材は、絶縁性樹脂である、
請求項１乃至８のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項１０】
前記保護部材は、弾性又は柔軟性を有する多孔質材料である、
請求項１乃至９のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項１１】
前記保護部材は、前記発光装置よりも大きい、
請求項１乃至１０のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項１２】
前記封止樹脂のＡ硬度は３０以上であり、
前記封止樹脂のＤ硬度は５０以下である、
請求項１乃至１１のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項１３】
前記基体は、基板と配線部とを備え、
前記基板の厚みは、１０〜１００μｍである、
請求項１乃至１２のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項１４】
前記発光素子は、フリップチップ実装されている、
請求項１乃至１３のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項１５】
前記発光素子と前記基体の間にはアンダーフィル材料が充填されている、
請求項１乃至１４のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項１６】
前記保護部材は、凹部を有する、
請求項１乃至１５のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【請求項１７】
前記保護部材と前記封止部材との間には隙間が形成されている、
請求項１乃至１６のいずれかに記載の保護部材付き発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月17日(2015.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成された第１電極及び第２電極と、
前記第１電極の下部に配された、前記第１電極の他の部分よりも電気抵抗値の高い高抵抗層とを含み、
前記高抵抗層は、Ａｌを８０％以上含有する部分を有することを特徴とする化合物半導体装置。
【請求項２】
前記高抵抗層は、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、且つ、０＜ｘ＜１
を満たすＡｌx−Ｓｉy−Ｎz化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体装置。
【請求項３】
前記第１電極は、第１電極端及び第２電極端を有し、前記第１電極端は前記第２電極端よりも前記第２電極に近接し、前記高抵抗層は、前記第１電極端に局所的に設けられることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体装置。
【請求項４】
化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成された第１電極及び第２電極と、
前記第１電極の下部に配された、前記第１電極の他の部分よりも電気抵抗値の高い高抵抗層とを含み、
前記高抵抗層は、前記第２電極に遠い電極端から前記第２電極に近い電極端に向かうほど、Ａｌ含有率が８０％以上の所定値から漸減していることを特徴とする化合物半導体装置。
【請求項５】
化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層の上方に第１電極及び第２電極を形成する工程と
を含み、
前記第１電極の下部に、前記第１電極の他の部分よりも電気抵抗値の高い高抵抗層が形成され、
前記高抵抗層は、Ａｌを８０％以上含有する部分を有することを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記高抵抗層は、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、且つ、０＜ｘ＜１
を満たすＡｌx−Ｓｉy−Ｎz化合物を含有することを特徴とする請求項５に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記高抵抗層は、前記下部のうち、他方の前記電極に近い電極端に局所的に設けられることを特徴とする請求項５に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項８】
化合物半導体層を形成する工程と、
前記化合物半導体層の上方に第１電極及び第２電極を形成する工程と
を含み、
前記第１電極の下部に、前記第１電極の他の部分よりも電気抵抗値の高い高抵抗層が形成され、
前記高抵抗層は、前記第２電極に遠い電極端から前記第２電極に近い電極端に向かうほど、Ａｌ含有率が８０％以上から漸減していることを特徴とする化合物半導体装置の製造方法。
【請求項９】
変圧器と、前記変圧器を挟んで高圧回路及び低圧回路とを備えた電源回路であって、
前記高圧回路はトランジスタを有しており、
前記トランジスタは、
化合物半導体層と、
前記化合物半導体層の上方に形成された第１電極及び第２電極と、
前記第１電極の下部に配された、前記第１電極の他の部分よりも電気抵抗値の高い高抵抗層とを含み、
前記高抵抗層は、Ａｌを８０％以上含有する部分を有することを特徴とする電源回路。
【請求項１０】
前記高抵抗層は、前記第２電極に遠い電極端から前記第２電極に近い電極端に向かうほど、Ａｌ含有率が８０％以上の所定値から漸減していることを特徴とする請求項９に記載の電源回路。
【請求項１１】
前記化合物半導体層は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ及びＧａＮから構成されたグループから選択された物質層を備えることを特徴とする請求項１０に記載の電源回路。
【請求項１２】
前記高抵抗層は、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、且つ、０＜ｘ＜１
を満たすＡｌx−Ｓｉy−Ｎz化合物を含有することを特徴とする請求項１０に記載の電源回路。
【請求項１３】
前記第１電極は、第１電極端及び第２電極端を有し、前記第１電極端は前記第２電極端よりも前記第２電極に近接し、前記高抵抗層は、前記第１電極端に局所的に設けられることを特徴とする請求項１０に記載の電源回路。
【請求項１４】
前記化合物半導体層は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ及びＧａＮから構成されたグループから選択された物質層を備えることを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体装置。
【請求項１５】
前記化合物半導体層は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ及びＧａＮから構成されたグループから選択された物質層を備えることを特徴とする請求項４に記載の化合物半導体装置。
【請求項１６】
前記高抵抗層は、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、且つ、０＜ｘ＜１
を満たすＡｌx−Ｓｉy−Ｎz化合物を含有することを特徴とする請求項４に記載の化合物半導体装置。
【請求項１７】
前記第１電極は、第１電極端及び第２電極端を有し、前記第１電極端は前記第２電極端よりも前記第２電極に近接し、前記高抵抗層は、前記第１電極端に局所的に設けられることを特徴とする請求項４に記載の化合物半導体装置。
【請求項１８】
前記化合物半導体層は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ及びＧａＮから構成されたグループから選択された物質層を備えることを特徴とする請求項５に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記化合物半導体層は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ及びＧａＮから構成されたグループから選択された物質層を備えることを特徴とする請求項８に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記高抵抗層は、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、且つ、０＜ｘ＜１
を満たすＡｌx−Ｓｉy−Ｎz化合物を含有することを特徴とする請求項８に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１電極は、第１電極端及び第２電極端を有し、前記第１電極端は前記第２電極端よりも前記第２電極に近接し、前記高抵抗層は、前記第１電極端に局所的に設けられることを特徴とする請求項８に記載の化合物半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏面または周縁部に付着している付着物を除去する基板洗浄方法において、
基板を保持部に保持する工程と、
前記基板の置かれる処理雰囲気の圧力よりもその内部の圧力が高いノズル部から処理雰囲気に二酸化炭素ガスを含む洗浄用ガスを吐出し、断熱膨張により二酸化炭素ガスの原子または分子の集合体であるガスクラスターを生成する工程と、
前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射して付着物を除去する工程と、を含み、
前記ノズル部の内部の圧力は、当該内部のガス温度における二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力であって、強固な二酸化炭素のガスクラスターが得られる圧力であることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
洗浄用ガスは、二酸化炭素ガス及びヘリウムガスを含むことを特徴とする請求項１記載の基板洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄用ガスは、ヘリウムガスの流量が二酸化炭素ガスの流量よりも大きいことを特徴とする請求項２記載の基板洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄用ガスを構成する二酸化炭素ガスと、ヘリウムガスと、の混合比は１：９であることを特徴とする請求項３記載の基板洗浄方法。
【請求項５】
前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射しているときに、当該基板の表面側からパージガスを当該表面側に供給する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
【請求項６】
前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射して付着物を除去する工程は、基板から剥がれた付着物が基板の表面側に再付着することを抑えるために、基板の表面側における外縁よりも基板の中央寄りに、基板とは隙間を開けて遮蔽部材を位置させた状態で、行われることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
【請求項７】
基板は円形であり、前記保持部を回転させながら、前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の基板洗浄方法。
【請求項８】
排気口を有する処理室内に設けられ、基板を保持するための保持部と、
前記保持部に保持された基板の裏面または周縁部に付着している付着物を除去するために当該基板の裏面または周縁部にガスクラスターを照射するためのノズル部と、
前記ノズル部に二酸化炭素ガスを含む洗浄用ガスを供給するためのガス供給部
と、
前記ノズル部の内部の圧力を調整するための圧力調整部と、
前記ノズル部と基板保持部とを相対的に移動させるための移動機構と、を備え、
前記ノズル部の内部の圧力は、前記ノズル部の内部の圧力は、当該内部のガス温度における二酸化炭素の沸騰線に相当する圧力よりも少し低い圧力であって、強固な二酸化炭素のガスクラスターが得られる圧力に設定されていることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項９】
洗浄用ガスは、二酸化炭素ガス及びヘリウムガスを含むことを特徴とする請求項８記載の基板洗浄装置。
【請求項１０】
前記洗浄用ガスは、ヘリウムガスの流量が二酸化炭素ガスの流量よりも大きいことを特徴とする請求項９記載の基板洗浄装置。
【請求項１１】
前記洗浄用ガスを構成する二酸化炭素ガスと、ヘリウムガスと、の混合比は１：９であることを特徴とする請求項１０記載の基板洗浄装置。
【請求項１２】
前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射しているときに、当該基板の表面側からパージガスを当該表面側に供給するためのパージガス供給部を含むことを特徴とする請求項８ないし１１のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項１３】
前記ガスクラスターを基板の裏面または周縁部に照射することにより基板から剥がれた付着物が基板の表面側に再付着することを抑えるために、基板の表面側における外縁よりも中央寄りに、基板とは隙間を開けて遮蔽部材を設けたことを特徴とする請求項８ないし１２のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項１４】
基板は円形であり、前記保持部を基板の中心部を軸として回転させるための回転機構を備えたことを特徴とする請求項８ないし１３のいずれか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項１５】
真空雰囲気下で基板を搬送する真空搬送室と、
この真空搬送室に仕切りバルブを介して接続され、基板に対して真空処理を行う真空処理モジュールと、
前記真空搬送室に仕切りバルブを介して接続され、前記真空処理モジュールにて真空処理された基板の裏面及び周縁部の少なくとも一方を洗浄するための請求項８ないし１４のいずれか一項に記載された基板洗浄装置と、を備えた真空処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影面に投影される第１の物体の画像を含む投影用画像を取得する投影用画像取得手段と、
投影手段が前記投影面に投影する画像のうち前記投影面の手前にある第２の物体が遮る領域を認識する物体認識手段と、
前記投影面に投影される第１の物体の画像の大きさが実物大になり、かつ前記物体認識手段が認識した領域の色が白色で置き換えられた前記投影用画像を前記投影手段が投影するように制御する投影制御手段と、
を含むことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記物体認識手段は、ピクセルごとの撮影手段からの距離を示す距離画像に基づいて、前記第２の物体が遮る領域を認識する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記物体認識手段は、周期的に前記第２の物体が遮る領域を認識し、
前記投影制御手段は、前記物体認識手段が前記第２の物体が遮る領域を認識するごとに、前記物体認識手段が認識した領域の色が白色で置き換えられた前記投影用画像を前記投影手段が投影するように制御する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記投影用画像取得手段は人体を含む複数の投影用画像から１つの投影用画像を取得し、
前記投影制御手段は、前記取得された投影用画像に含まれる前記第１の物体の画像の位置に基づいて、前記投影用画像の位置を調整する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記投影用画像取得手段は、前記物体認識手段が認識した領域に基づいて前記複数の投影用画像から１つの投影用画像を取得する、
ことを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記投影制御手段は、ユーザから投影される前記第１の物体の変更サイズを示す情報を取得し、前記サイズを示す情報に基づいて、当該投影用画像のサイズを実物大から変化させる、
ことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記投影制御手段は、前記投影用画像のサイズが実物大から変化する場合に、前記認識された領域の位置に基づいて、前記投影用画像の位置を調整する、
ことを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記投影制御手段は、前記認識された領域に所定の画像をさらに投影するよう制御する、
ことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記投影制御手段は、第１のモードでは、前記物体認識手段が認識した領域の色が白色で置き換えられた前記投影用画像を前記投影手段が投影するように制御し、第２のモードでは、前記認識された領域のうち、その前のユーザが指示したタイミングにおいて第２の物体が遮らないと認識された領域に前記取得された投影用画像を投影するよう制御する、
ことを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項１０】
投影面に投影される第１の物体の画像を含む投影用画像を取得するステップと、
投影手段が投影する前記投影用画像を前記投影面の手前にある第２の物体が遮る領域を認識するステップと、
前記投影面に投影される第１の物体の画像の大きさが実物大になり、かつ前記認識された領域の色が白色で置き換えられた前記投影用画像を前記投影手段が投影するように制御するステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
投影面に投影される第１の物体の画像を含む投影用画像を取得する投影用画像取得手段、
投影手段が投影する前記投影用画像を前記投影面の手前にある第２の物体が遮る領域を認識する物体認識手段、および、
前記投影面に投影される第１の物体の画像の大きさが実物大になり、かつ前記物体認識手段が認識した領域の色が白色で置き換えられた前記投影用画像を前記投影手段が投影するように制御する投影制御手段、
としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホンからなる溶媒と、
上記溶媒に溶解したマグネシウム塩とを有する電解液。
【請求項２】
マグネシウムにスルホンが配位した４配位２量体構造を有するマグネシウム錯体を含有する、
請求項１に記載の電解液。
【請求項３】
上記スルホンはＲ1Ｒ2ＳＯ2（式中、Ｒ1、Ｒ2はアルキル基を表す。）で表されるアルキルスルホンまたはアルキルスルホン誘導体である、
請求項１または請求項２に記載の電解液。
【請求項４】
上記アルキルスルホンは、ジメチルスルホン、メチルエチルスルホン、メチル−ｎ−プロピルスルホン、メチル−ｉ−プロピルスルホン、メチル−ｎ−ブチルスルホン、メチル−ｉ−ブチルスルホン、メチル−ｓ−ブチルスルホン、メチル−ｔ−ブチルスルホン、エチルメチルスルホン、ジエチルスルホン、エチル−ｎ−プロピルスルホン、エチル−ｉ−プロピルスルホン、エチル−ｎ−ブチルスルホン、エチル−ｉ−ブチルスルホン、エチル−ｓ−ブチルスルホン、エチル−ｔ−ブチルスルホン、ジ−ｎ−プロピルスルホン、ジ−ｉ−プロピルスルホン、ｎ−プロピル−ｎ−ブチルスルホン、ｎ−ブチルエチルスルホン、ｉ−ブチルエチルスルホン、ｓ−ブチルエチルスルホンおよびジ−ｎ−ブチルスルホンからなる群より選ばれた少なくとも一種であり、上記アルキルスルホン誘導体はエチルフェニルスルホンである、
請求項３に記載の電解液。
【請求項５】
上記マグネシウム塩は、塩化マグネシウム、臭化マグネシウム、ヨウ化マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、テトラフルオロホウ酸マグネシウム、ヘキサフルオロリン酸マグネシウム、ヘキサフルオロヒ酸マグネシウム、パーフルオロアルキルスルホン酸マグネシウムおよびパーフルオロアルキルスルホニルイミド酸マグネシウムからなる群より選ばれた少なくとも一種を含む、
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の電解液。
【請求項６】
金属イオンがアルミニウム、ベリリウム、ホウ素、ガリウム、インジウム、ケイ素、スズ、チタン、クロム、鉄、コバルトおよびランタンからなる群より選ばれた少なくとも一種の原子または原子団の陽イオンからなる塩あるいは水素、アルキル基、アルケニル基、アリール基、ベンジル基、アミド基、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロヒ酸イオン、パーフルオロアルキルスルホン酸イオンおよびパーフルオロアルキルスルホニルイミドイオンからなる群より選ばれた少なくとも一種の原子、有機基または陰イオンからなる塩をさらに含有する、
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の電解液。
【請求項７】
マグネシウム塩が可溶な低沸点溶媒にマグネシウム塩を溶解させる工程と、
上記低沸点溶媒に上記マグネシウム塩を溶解させた溶液にスルホンを溶解させる工程と、
上記スルホンを溶解させた上記溶液から上記低沸点溶媒を除去する工程とを有する電解液の製造方法。
【請求項８】
上記低沸点溶媒がアルコールである、
請求項７に記載の電解液の製造方法。
【請求項９】
スルホンと非極性溶媒とからなる溶媒と、
上記溶媒に溶解したマグネシウム塩とを有する電解液。
【請求項１０】
上記非極性溶媒は誘電率およびドナー数がいずれも２０以下である非水溶媒である、
請求項９に記載の電解液。
【請求項１１】
上記非極性溶媒は、芳香族炭化水素、エーテル、ケトン、エステルおよび鎖状炭酸エステルからなる群より選ばれた少なくとも一種である、
請求項９または請求項１０に記載の電解液。
【請求項１２】
上記芳香族炭化水素はトルエン、ベンゼン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレンまたは１−メチルナフタレン、上記エーテルはジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン、上記ケトンは４−メチル−２−ペンタノン、上記エステルは酢酸メチルまたは酢酸エチル、上記鎖状炭酸エステルは炭酸ジメチル、炭酸ジエチルまたは炭酸エチルメチルである、
請求項１１に記載の電解液。
【請求項１３】
マグネシウム塩が可溶な低沸点溶媒にマグネシウム塩を溶解させる工程と、
上記低沸点溶媒に上記マグネシウム塩を溶解させた溶液にスルホンを溶解させる工程と、
上記スルホンを溶解させた上記溶液から上記低沸点溶媒を除去する工程と、
上記低沸点溶媒を除去した上記溶液に非極性溶媒を混合する工程とを有する電解液の製造方法。
【請求項１４】
上記低沸点溶媒がアルコールである、
請求項１３に記載の電解液の製造方法。
【請求項１５】
電解液を有し、
上記電解液は、
スルホンからなる溶媒と、
上記溶媒に溶解したマグネシウム塩とを有する電解液
または
スルホンと非極性溶媒とからなる溶媒と、
上記溶媒に溶解したマグネシウム塩とを有する電解液である電気化学デバイス。
【請求項１６】
上記電気化学デバイスはマグネシウムを用いる電池、キャパシタ、センサまたはマグネシウムイオンフィルタである、
請求項１５に記載の電気化学デバイス。
【請求項１７】
上記電池は二次電池、空気電池または燃料電池である、
請求項１６に記載の電気化学デバイス。
【請求項１８】
上記二次電池は、電解質層として上記電解液を有するマグネシウムイオン電池である、
請求項１７に記載の電気化学デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
このマグネシウムイオン電池は、例えば、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（携帯情報端末）、携帯電話、コードレスフォン子機、ビデオムービー、デジタルスチルカメラ、電子書籍、電子辞書、携帯音楽プレイヤー、ラジオ、ヘッドホン、ゲーム機、ナビゲーションシステム、メモリーカード、心臓ペースメーカー、補聴器、電動工具、電気シェーバー、冷蔵庫、エアコン、テレビ、ステレオ、温水器、電子レンジ、食器洗浄器、洗濯機、乾燥機、照明機器、玩具、医療機器、ロボット、ロードコンディショナー、信号機、鉄道車両、ゴルフカート、電動カート、電気自動車（ハイブリッド自動車を含む）などの駆動用電源または補助用電源、住宅をはじめとする建築物または発電設備用の電力貯蔵用電源などに搭載し、あるいは、これらに電力を供給するために使用することができる。電気自動車において、電力を供給することにより電力を駆動力に変換する変換装置は、一般的にはモーターである。車両制御に関する情報処理を行う制御装置としては、電池の残量に関する情報に基づき、電池残量表示を行う制御装置などが含まれる。このリチウムイオン電池は、いわゆるスマートグリッドにおける蓄電装置としても用いることができる。このような蓄電装置は、電力を供給するだけでなく、他の電力源から電力の供給を受けることにより蓄電することができる。他の電力源としては、例えば、火力発電、原子力発電、水力発電、太陽電池、風力発電、地熱発電、燃料電池（バイオ燃料電池を含む）などを用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバに格納されている階層構造を有したフォルダ又はコンテンツを表示するための情報を受信する受信部と、
前記受信部によって受信された前記情報に基づき、所定フォルダ内にフォルダ及びコンテンツが存在するか否かを判断する制御部と、
ユーザが前記所定フォルダを表示させる選択をしたとき、前記制御部によって前記所定フォルダ内にフォルダ及びコンテンツが存在すると判断された場合、前記所定フォルダをディスプレイに表示させ、存在しないと判断された場合、前記所定フォルダよりも上位階層のフォルダを前記ディスプレイに表示させる表示制御部とを具備することを特徴とするコンテンツ再生装置。
【請求項２】
前記制御部が前記所定フォルダにフォルダ及びコンテンツが存在しないと判断した場合、前記表示制御部は前記所定フォルダのひとつ上の階層のフォルダを前記ディスプレイに表示させる請求項１記載のコンテンツ再生装置。
【請求項３】
前記制御部が前記所定フォルダにフォルダ及びコンテンツが存在しないと判断した場合、前記表示制御部は前記所定フォルダよりも上位の階層の中に複数のフォルダ又はコンテンツがあれば、当該フォルダを前記ディスプレイに表示させる請求項１記載のコンテンツ再生装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記所定フォルダに存在するフォルダの数又はコンテンツの数を記憶する請求項１記載のコンテンツ再生装置。
【請求項５】
前記表示制御部は、前記制御部が前記所定フォルダにフォルダ及びコンテンツが存在しないと判断した場合、前記所定フォルダを表示させた後に前記所定フォルダよりも上位階層のフォルダを前記ディスプレイに表示させる請求項１記載のコンテンツ再生装置。
【請求項６】
サーバに格納されている階層構造を有したフォルダ又はコンテンツを表示するための情報を受信し、
この受信された前記情報に基づき、所定フォルダ内にフォルダ及びコンテンツが存在するか否かを判断し、
ユーザが前記所定フォルダを表示させる選択をしたとき、前記所定フォルダ内にフォルダ及びコンテンツが存在すると判断された場合、前記所定フォルダをディスプレイに表示させ、存在しないと判断された場合、前記所定フォルダよりも上位階層のフォルダを前記ディスプレイに表示させるコンテンツ再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
実施形態のコンテンツ再生装置によれば、サーバに格納されている階層構造を有したフォルダ又はコンテンツを表示するための情報を受信する受信部と、前記受信部によって受信された前記情報に基づき、所定フォルダ内にフォルダ及びコンテンツが存在するか否かを判断する制御部と、ユーザが前記所定フォルダを表示させる選択をしたとき、前記制御部によって前記所定フォルダ内にフォルダ及びコンテンツが存在すると判断された場合、前記所定フォルダをディスプレイに表示させ、存在しないと判断された場合、前記所定フォルダよりも上位階層のフォルダを前記ディスプレイに表示させる表示制御部とを具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月16日(2015.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図７に示すように、垂直リニアリティー用の基準位置選択画面Ｄ０４には、画像の伸縮の目安となる複数の指標線Ｌが垂直方向に等間隔に並んだテストパターンＴＰ２（ＴＰ）および操作案内情報５１が表示される。ユーザーは、基準位置選択画面Ｄ０４において、方向キー（上下キー）を操作することにより、図７（ｂ）や図７（ｃ）のように基準指標線ＳＬを選択し、決定キーを操作することで確定する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月24日(2015.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブ領域を有する半導体層と、
前記アクティブ領域を用いて構成された半導体素子と、
前記半導体層の一部を前記アクティブ領域に対して孤立させた島状に金属化してなる接続領域と、
前記半導体層の一主面側を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記半導体素子と前記接続領域とに対向して配置された電極と、
前記半導体素子または前記接続領域と前記電極との間を接続する各部位のうち、必要に応じた部位に選択的に前記絶縁膜を貫通して設けられたコンタクトとを備えた
半導体装置。
【請求項２】
前記コンタクトを設ける位置の選択により、前記電極を介しての前記半導体素子と前記接続領域との接続状態が選択される
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電極に対向する各位置に配置され当該電極に対して接続された対向電極と、
前記対向電極を覆って前記絶縁膜の一主面側に設けられた積層絶縁膜と、
前記積層絶縁膜を挟んで前記対向電極とは逆側の当該積層絶縁膜上に設けられた他の半導体素子と、
前記他の半導体素子と前記対向電極との間を接続する各部位のうち、必要に応じた部位に選択的に前記積層絶縁膜を貫通して設けられた他のコンタクトとを備えた
請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記他の半導体素子は、半導体基板の表面層を用いて構成されている
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁膜の面内に、前記電極が一定間隔で複数配置されている
請求項１〜４の何れかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層を挟んで前記絶縁膜と反対側に設けられた上部絶縁膜と、
前記接続領域または前記アクティブ領域に接続する各部位のうち、必要に応じた部位に選択的に前記上部絶縁膜を貫通して設けられた上部コンタクトと、
前記上部コンタクトに接続された状態で、前記上部絶縁膜上に設けられた配線とを備えた
請求項１〜５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体層の両面に前記絶縁膜、前記電極、および前記コンタクトが設けられた
請求項１〜６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体層の一方の面に配置された電極に接して支持基板が設けられている
請求項１〜７の何れかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体層は、前記アクティブ領域と前記接続領域とにパターニングされ、
前記半導体素子は、パターニングされた前記アクティブ領域を横断するゲート電極を備えた
請求項１〜８の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
複数の前記電極のうち、必要に応じた電極とこれに対向して配置された前記対向電極との間に、当該電極および当該対向電極を構成する材料の少なくとも一方が拡散されたことによって導電性を有する酸化タンタル層が設けられた
請求項３記載の半導体装置。
【請求項１１】
複数の前記電極とこれに対向して配置された複数の対向電極との間の全てに酸化タンタル層が設けられ、
複数の前記電極のうち必要に応じた電極とこれに対向して配置された前記対向電極との間に位置する前記酸化タンタル層に、当該電極および当該対向電極を構成する材料の少なくとも一方が拡散されている
請求項３記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体素子と前記他の半導体素子とは、異なる半導体材料を用いて構成されている
請求項３記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体素子と前記他の半導体素子とを、前記対向電極および前記接続領域を介して接続することによりデジタル回路が構成されている
請求項３記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体層は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）、炭素（Ｃ）、カーボンナノチューブ、グラフェン、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、またはインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）で構成された
請求項１〜１３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
光電変換部を有する撮像基板と、
アクティブ領域を有し、前記撮像基板の一主面側に設けられた半導体層と、
前記アクティブ領域を用いて構成された半導体素子と、
前記半導体層の一部を前記アクティブ領域に対して孤立させた島状に金属化してなる接続領域と、
前記半導体層の一主面側を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜を介して前記半導体素子と前記接続領域とに対向して配置された電極と、
前記絶縁膜を貫通して前記半導体素子または前記接続領域と前記電極との間を接続する各部位のうち、必要に応じた部位に選択的に設けられたコンタクトとを備えた
固体撮像装置。
【請求項１６】
半導体層にアクティブ領域を形成すると共に、当該アクティブ領域に対して孤立させた島状に当該半導体層を金属化してなる接続領域を形成する工程と、
前記アクティブ領域を用いて半導体素子を形成する工程と、
前記半導体層の一主面側を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体素子または前記接続領域に達する各部位のうち、必要に応じた部位に選択的に  前記絶縁膜を貫通したコンタクトを形成する工程と、
前記絶縁膜を介して前記半導体素子と前記接続領域とに対向する各位置に、一部が前記コンタクトに接続された電極を形成する工程とを行う
半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記半導体素子と前記電極とが形成された基板に対して、前記電極に対向して配置された対向電極を有する素子基板を、前記電極と前記対向電極との間で接合させる状態で貼り合わせる
請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記電極は、前記絶縁膜の面内に一定間隔で複数形成される
請求項１６または１７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記電極を形成した後、
前記電極側に基板を貼り合わせる工程と、
前記絶縁膜と逆側から前記接続領域を露出させる工程と、
前記接続領域を露出させた前記半導体層上に、絶縁膜を形成する工程と、
前記接続領域または前記アクティブ領域に達する各部位のうち、必要に応じた部位に選択的に前記絶縁膜を貫通したコンタクトを形成する工程とを行う
請求項１６〜１８の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記電極を形成する工程では、
前記絶縁膜に溝を形成し、当該溝内を埋め込む状態で電極材料膜を形成し、当該絶縁膜上の当該電極材料膜を除去することによって当該溝内のみに電極材料膜を残す
請求項１６〜１９の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月1日(2015.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数の板状部材が積層されて構成され、中央に凹部が形成された積層基板と、当該凹部の底面に形成された金属膜と、当該金属膜上に配置された発光素子と、前記凹部内において、前記発光素子の周囲に形成された光反射性樹脂と、前記発光素子および前記光反射性樹脂を覆うように前記凹部内に充填された封止樹脂と、を備える発光装置であって、
前記積層基板には、前記発光素子の側面から所定間隔をあけた位置で、前記発光素子の周囲に断続的に形成された溝部が形成され、
前記光反射性樹脂は、前記積層基板の凹部の底面において、前記発光素子と離間して形成され、前記発光素子と前記溝部との間に形成されていないことを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の発光装置を製造する方法であって、
前記凹部の底面に前記金属膜が形成された前記積層基板を作成する工程と、
前記金属膜上に前記発光素子を配置する工程と、
前記発光素子の周囲に前記光反射性樹脂を形成する工程と、
前記発光素子および前記光反射性樹脂を覆うように前記凹部内に前記封止樹脂を充填する工程と、がこの順で行われ、
前記光反射性樹脂を形成する工程において、粘度が１〜２０Ｐａ・ｓの樹脂を、前記積層基板の凹部の隅に滴下し、前記樹脂が前記溝部でせき止められることで、前記光反射性樹脂が前記発光素子と離間して形成されることを特徴とする発光装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置およびその製造方法
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤなどの発光素子を用いた発光装置およびその製造方法に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、積層基板を用いた場合であっても、指向色度特性が悪化せず、かつ、光の取り出し効率にも優れた発光装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記課題を解決するために本発明に係る発光装置は、複数の板状部材が積層されて構成され、中央に凹部が形成された積層基板と、当該凹部の底面に形成された金属膜と、当該金属膜上に配置された発光素子と、前記凹部内において、前記発光素子の周囲に形成された光反射性樹脂と、前記発光素子および前記光反射性樹脂を覆うように前記凹部内に充填された封止樹脂と、を備える発光装置であって、前記積層基板には、前記発光素子の側面から所定間隔をあけた位置で、前記発光素子の周囲に断続的に形成された溝部が形成され、前記光反射性樹脂が、前記積層基板の凹部の底面において、前記発光素子と離間して形成され、前記発光素子と前記溝部との間に形成されていない構成とした。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような構成を備える発光装置は、発光素子の側面から所定間隔をあけた位置に、当該発光素子を包囲するように積層基板の溝部が形成されているため、この溝部によって生じる高低差によって、製造時に塗布される光反射性樹脂の樹脂材料が積層基板の凹部の中心部、すなわち発光素子の方向に進行することが防止され、光反射性樹脂が発光素子と離間して形成され、発光素子と溝部との間に形成されていない状態とすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
そして、本発明に係る発光装置の製造方法は、前記した発光装置を製造する方法であって、前記凹部の底面に前記金属膜が形成された前記積層基板を作成する工程と、前記金属膜上に前記発光素子を配置する工程と、前記発光素子の周囲に前記光反射性樹脂を形成する工程と、前記発光素子および前記光反射性樹脂を覆うように前記凹部内に前記封止樹脂を充填する工程と、がこの順で行われ、前記光反射性樹脂を形成する工程において、粘度が１〜２０Ｐａ・ｓの樹脂を、前記積層基板の凹部の隅に滴下し、前記樹脂が前記溝部でせき止められることで、前記光反射性樹脂が前記発光素子と離間して形成されるようにした。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
光反射性樹脂の樹脂材料がこの範囲の粘度であれば、前記した溝部によって、光反射性樹脂の樹脂材料の進行が十分にせき止められ、光反射性樹脂を発光素子と離間して形成することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明に係る発光装置によれば、積層基板の溝部によって発光素子の側面に光反射性樹脂が接触することを防止することができるため、積層基板を用いた場合であっても、指向色度特性が悪化することがない。また、本発明に係る発光装置によれば、発光素子の側面からの光の放出が妨げられることがないため、光の取り出し効率も向上する。
また、本発明に係る発光装置の製造方法によれば、前記した発光装置を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月16日(2014.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電要素と、
隔壁によって構成されるケースであって、前記発電要素を収容するケースと、
前記隔壁に配置される封止部材と、
該封止部材に支持され、前記発電要素と電気的に接続される導電性部材とを備え、
前記封止部材は、前記隔壁における少なくとも前記封止部材が配置される箇所よりも柔らかい材質で形成される
蓄電素子。
【請求項２】
前記封止部材は、エンジニアリングプラスチックを含む
請求項１に記載の蓄電素子。
【請求項３】
前記封止部材は、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂とエラストマとを含む
請求項２に記載の蓄電素子。
【請求項４】
前記封止部材は、ＰＰＳ樹脂にエラストマを２〜２０重量％含有させたものである
請求項３に記載の蓄電素子。
【請求項５】
前記封止部材のロックウェル硬度（Ｒスケール）は、５５〜１２０である
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の蓄電素子。
【請求項６】
前記封止部材は、前記隔壁の外面に配置され、
前記隔壁の外面に配置される端子回り止め部材と、
該端子回り止め部材に支持される外部端子とをさらに備え、
前記導電性部材は、前記隔壁を貫通する補助端子であり、前記外部端子と電気的に接続される
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の蓄電素子。
【請求項７】
前記封止部材は、前記隔壁の外面に配置され、
前記導電性部材とともに前記封止部材に支持される外部端子をさらに備え、
前記導電性部材は、前記隔壁を貫通する補助端子であり、前記外部端子と電気的に接続される
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の蓄電素子。
【請求項８】
前記封止部材は、前記隔壁の外面に配置され、
前記導電性部材は、前記隔壁を貫通する外部端子である
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の蓄電素子。
【請求項９】
前記補助端子は、胴部と、該胴部に連設される挿通部とを備え、
前記封止部材は、周回状の外壁部と、該外壁部内の凹部とを備え、
前記外壁部は、前記凹部が前記補助端子の前記胴部を全体的ないし略全体的に収容する高さに形成される
請求項６に記載の蓄電素子。
【請求項１０】
前記補助端子は、胴部と、該胴部に連設される挿通部とを備え、
前記外部端子は、頭部と、該頭部の一面から突出する軸部とを備え、
前記封止部材は、周回状の外壁部と、該外壁部内の凹部とを備え、
前記外壁部は、前記凹部が前記補助端子の前記胴部及び前記外部端子の前記頭部を全体的ないし略全体的に収容する高さに形成される
請求項７に記載の蓄電素子。
【請求項１１】
前記外部端子は、頭部と、該頭部の一面から突出する軸部とを備え、
前記封止部材は、周回状の外壁部と、該外壁部内の凹部とを備え、
前記外壁部は、前記凹部が前記外部端子の前記頭部を全体的ないし略全体的に収容する高さに形成される
請求項８に記載の蓄電素子。
【請求項１２】
前記導電性部材は、前記封止部材を前記隔壁に押し付けるようにしてかしめられている
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の蓄電素子。
【請求項１３】
発電要素と、
隔壁によって構成されるケースであって、前記発電要素を収容するケースと、
前記隔壁に配置される封止部材と、
該封止部材に支持され、前記発電要素と電気的に接続される導電性部材とを備え、
前記封止部材は、前記隔壁における少なくとも前記封止部材が配置される箇所よりも柔
らかい材質で形成される
蓄電素子の製造方法であって、
前記導電性部材が、前記封止部材を前記隔壁に押し付けるようにしてかしめられる工程を備える
蓄電素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、発光装置、照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に挟持された光電変換素子と発光素子とトランジスタと、を有し、
前記発光素子は、前記トランジスタと電気的に接続され、
前記光電変換素子は、前記発光素子と対向して設けられ、
前記光電変換素子は、前記発光素子からの放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層を有し、
前記発光素子からの放射光は、前記有色層を介して射出されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記光電変換素子は、有機太陽電池であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記有色層は、赤色、緑色、または青色の光に対して透過性を示すことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記発光素子は、エレクトロルミネッセンス層を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
一対の基板間に挟持された光電変換素子と発光素子と、を有し、
前記光電変換素子は、前記発光素子と対向して設けられ、
前記光電変換素子は、前記発光素子からの放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層を有し、
前記発光素子からの放射光は、前記有色層を介して射出されることを特徴とする照明装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記光電変換素子は、有機太陽電池であることを特徴とする照明装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記有色層は、赤色、緑色、または青色の光に対して透過性を示すことを特徴とする照明装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記発光素子は、エレクトロルミネッセンス層を含むことを特徴とする照明装置。
【請求項９】
光源と、
一対の基板間に挟持された光電変換素子と表示素子と、を有し、
前記光電変換素子は、前記表示素子と対向して設けられ、
前記光電変換素子は、前記光源からの放射光のうち特定波長帯域の光に対して透過性を示す有色層を有し、
前記光源からの放射光は、前記有色層を介して射出されることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記光電変換素子は、有機太陽電池を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
前記有色層は、赤色、緑色、または青色の光に対して透過性を示すことを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記表示素子は、液晶素子、または電気泳動素子を含むことを特徴とする表示装置。