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【手続補正書】
【提出日】平成27年6月17日(2015.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置、および画像形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、複数の現像器に共通の現像バイアスを用いる画像形成装置、および画像形成方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明は、上記従来の課題を解決するものであって、複数の現像器の現像濃度の補正を行うに際し、複数の現像器に共通の現像バイアスを用いる画像形成装置、および画像形成方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記課題を解決するために、本発明の画像形成装置は、複数の現像器に共通のバイアス電圧を供給する電源と、像担持体に静電潜像を形成する光書込みヘッドと、前記共通のバイアス電圧において所定の印字濃度とするべく、前記光書込みヘッドの光量を設定する設定部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記課題を解決するために、本発明の画像形成方法は、複数の現像器に共通のバイアス電圧を供給するステップと、光書込みヘッドにより像担持体に静電潜像を形成するステップと、前記共通のバイアス電圧において所定の印字濃度とするべく、前記光書込みヘッドの光量を設定するステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の現像器に共通のバイアス電圧を供給する電源と、
像担持体に静電潜像を形成する光書込みヘッドと、
前記共通のバイアス電圧において所定の印字濃度とするべく、前記光書込みヘッドの光量を設定する設定部と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
現像器ごとの印字率に基づいて、前記複数の現像器における印字率の平均値を取得する取得部と、
前記印字率の平均値に応じて前記複数の現像器に係る共通のバイアス電圧を導出する導出部と、を備え、
前記設定部は、前記導出部によって導出されたバイアス電圧を、前記電源が供給する共通のバイアス電圧として設定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記取得部は、現像器ごとに画素数と階調を累算することで前記印字率を求める、
ことを特徴とする請求項２記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記導出部は、前記印字率の平均値に応じて前記複数の現像器に係る共通のバイアス電圧を所定の一次式に基づいて導出する、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記所定の一次式は、バイアス電圧をＶ、印字率の平均値をＧ、係数をｉ、定数をｊとしたとき、「Ｖ＝ｉＧ＋ｊ」で表される、
ことを特徴とする請求項４記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記設定部は、
印字濃度をＰ、バイアス電圧をＶ、光量をτ、バイアス電圧及び光量それぞれの係数をα及びβ、定数をγとしたとき、「Ｐ＝αＶ＋βτ＋γ」で表されるバイアス電圧Ｖと光量τとの関係に基づいて、各像担持体ごとの前記光書込みヘッドの光量を設定する、
ことを特徴とする請求項１乃至５に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記複数の現像器内のそれぞれのトナー濃度を検出する濃度センサを備え
前記設定部は、
前記複数の現像器内のいずれかの前記トナー濃度が所定のトナー濃度以下となった場合に、前記光書込みヘッドの光量を設定する、
ことを特徴とする請求項１乃至６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
複数の現像器に共通のバイアス電圧を供給するステップと、
光書込みヘッドにより像担持体に静電潜像を形成するステップと、
前記共通のバイアス電圧において所定の印字濃度とするべく、前記光書込みヘッドの光量を設定するステップと、
を含むことを特徴とする画像形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延設された複数の構造体を表面に備え、
上記複数の構造体は、上記第１方向とは直交する第２方向にサブ波長のピッチで配列されており、
上記構造体の幅が周期的に変動している光学素子。
【請求項２】
隣接する上記構造体のうち一方の構造体の幅が最も広くなる位置で、他方の構造体の幅が最も狭くなる請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
上記構造体のピッチｔｐに対する上記構造体の最大幅ｗmaxの平均割合Ｒw/tpは、０．４以上０．８以下の範囲内である請求項１または２に記載の光学素子。
【請求項４】
上記構造体の高さは、周期的に変動し、
上記構造体の幅と高さとの変動周期が同期している請求項１から３のいずれかに記載の光学素子。
【請求項５】
面内リタデーションが、３度以上８度以下である請求項１から４のいずれかに記載に光学素子。
【請求項６】
複屈折を有する基体を含み、
上記基体の遅相軸の方向と上記第１の方向とが平行である請求項１から５のいずれかに記載の光学素子。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の光学素子を備える投射型画像表示装置。
【請求項８】
第１方向に延設された複数の溝を表面に備え、
上記複数の溝は、上記第１方向とは直交する第２方向にサブ波長のピッチで配列されており、
上記溝の幅が周期的に変動している原盤。
【請求項９】
上記表面は円柱面または円筒面であり、
上記第１方向が上記円柱面または円筒面の円周方向である請求項８に記載の原盤。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電線の導体電圧を測定するためのプローブを用いた低電圧測定装置であって、前記プローブと、電位差センサと、該電位差センサに結合される導体電圧算出手段とを備えており、
前記電線が電線導体とその周りの電線被覆からなり、
前記プローブが、内側導体板と、外側導体板と、該内側導体板および外側導体板間のプローブ誘電体とを備え、前記内側導体板および前記外側導体板にそれぞれ接続される一対の端子を通じて前記電位差センサに接続可能に構成され、
前記プローブが、前記電線の一部を覆うように前記内側導体板を前記電線被覆の表面の周囲の少なくとも一部に密着して構造されたときに、直列に配置される第１のキャパシタおよび第２のキャパシタを形成し、
前記第１キャパシタが、前記電線導体、前記内側導体板、およびその間の前記電線被覆により形成され、ならびに、前記第２キャパシタが、前記内側導体板、前記外側導体板、およびその間の前記プローブ誘電体により形成され、
前記導体電圧算出手段において、前記導体電圧が、前記電位差センサを用いて測定される前記第２キャパシタにおける電位差と前記電線およびプローブの構造パラメータとの値のみに基づいて算出可能とすることを特徴とする、低電圧測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の低電圧測定装置であって、前記電線が円柱形状であり、かつ、当該プローブが前記電線と同軸状の円筒形状または部分円筒形状となるように形成され、
前記電線の構造パラメータが、電線導体径（ａ）、電線被覆径（ｂ）および電線被覆誘電率（ε１）を、ならびに、前記プローブの構造パラメータが、プローブ外径（ｃ）およびプローブ誘電率（ε２）を含み、
前記導体電圧が、
【数１】
2014182060.tif 000001
により算出されることを特徴とし、ここで、Ｖ２は前記第２キャパシタにおける前記電位差である、低電圧測定装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の低電圧測定装置であって、前記プローブが可撓性を有しており、
前記プローブが、前記電線被覆の周囲の全部または一部に巻き付けて固定するように形成されることを特徴とする、低電圧測定装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の低電圧測定装置であって、
１本の前記電線に対し該電線に沿って特性が異なる２つの前記プローブが直列的に配置されるように構成され、
前記導体電圧算出手段において、前記プローブに前記電位差センサをそれぞれ接続して測定される各前記プローブの第２キャパシタにおける電位差と各前記プローブの構造パラメータとの値に基づいて前記電線の導体電圧が算出されることを特徴とする、低電圧測定装置。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載の低電圧測定装置であって、
測定対象の１本の電力線と該電力線に併設された低圧配線中の１本の接地線との２本の電線のそれぞれに当該プローブが配置されるように構成され、
前記電力線に配置された前記プローブの外側導体板と前記接地線に配置された前記プローブの外側導体板とが相互に電気的に接続され、
前記接地線におけるプローブの外側導体板を接地電位として作用させ、
前記電力線におけるプローブの内側導体板に接続された端子と前記接地線における前記プローブの内側導体板に接続された端子とが前記電位差センサに接続され、
前記導体電圧算出手段において、前記電力線における前記プローブの内側導体板と前記接地線における前記プローブの内側導体板との間で形成されるキャパシタに印加される、前記電位差センサを用いて測定される電位差の値に基づいて、前記電力線の導体電圧が算出されることを特徴とする、低電圧測定装置。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載の低電圧測定装置であって、
測定対象の２本の第１および第２の電力線のそれぞれに当該プローブが配置され、
低圧配線中の１本の接地線が、前記第１および第２の電力線の間に、導体板が前記接地線の電線被覆の一部に密着するように配置され、
前記第１電力線のプローブの外側導体板、前記接地線の電線被覆、および前記第２電力線のプローブの外側導体板が相互に電気的に接続されており、
前記電位差センサを用いて測定される、
前記第１電力線のプローブの第２キャパシタにおける電位差、
前記第１電力線のプローブの内側導体および前記第２電力線のプローブの内側導体との間における電位差、ならびに
前記第２電力線のプローブの第２キャパシタにおける電位差と、
前記第１電力線、前記第２電力線およびこれらのプローブ、並びに前記接地線に係る構造パラメータから算出される、
前記第１電力線のプローブの第１および第２のキャパシタのキャパシタンス、
前記第２電力線のプローブの第１および第２のキャパシタのキャパシタンス、ならびに
前記接地線における前記電線導体、前記電線被覆の導体板およびその間の前記電線被覆によって形成されるキャパシタのキャパシタンスと、
に部分的に基づいて、前記導体電圧算出手段において第１および第２の電力線の導体電圧がそれぞれ算出可能であることを特徴とする、低電圧測定装置。
【請求項７】
電線の導体電圧を測定するためのプローブ構造であって、
前記電線が電線導体とその周りの電線被覆からなり、
プローブが、内側導体板と、外側導体板と、該内側導体板および外側導体板間のプローブ誘電体とを備え、前記内側導体板および前記外側導体板にそれぞれ接続される一対の端子を通じて電位差センサに接続可能に構成され、
前記プローブが前記電線の一部を覆うように前記内側導体板を前記電線被覆の表面の周囲の少なくとも一部に密着して構造されたときに、直列に配置される第１のキャパシタおよび第２のキャパシタを形成し、
前記第１キャパシタが、前記電線導体、前記内側導体板、およびその間の前記電線被覆により形成され、ならびに、前記第２キャパシタが、前記内側導体板、前記外側導体板、およびその間の前記プローブ誘電体により形成され、
前記プローブが可撓性を有しており、前記電線被覆の周囲の全部または一部に巻き付けて固定するように形成されることを特徴とする、プローブ構造。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項２に記載の車載機器システムであって、
前記携帯端末に記憶された動作ログを収集する収集計算機を備え、
前記車載機と前記携帯端末とが連携して実行する一連の処理における前記車載機の動作ログと前記携帯端末の動作ログとは、同じ前記第１識別情報によって関連付けられ、
前記携帯端末は、前記対策情報を表示する処理、前記取得した動作ログを参照して、前記一連の処理がどこまで完了したかを特定する処理、並びに、前記入力された第１識別情報、第２識別情報、及び前記携帯端末に記憶された動作ログを前記収集計算機に送信する処理の中から、実行する少なくとも一つの処理を選択可能な画面を表示することを特徴とする車載機器システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
制御プログラム２０１は、所定状態検出部２０２、エラー画面表示部２０３、及びトランザクションＩＤ生成部２０４を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
次に、対策情報取得部２１３は、取得したレコードの処理完了情報１５２に登録された情報が算出した処理完了情報に対応するレコードを特定する。そして、画面情報表示部２１７は、特定したレコードの復旧対策メッセージ１５３に登録されたメッセージをログ解析結果１４３に表示する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
図１６は、本発明の実施例の障害が発生しない場合の障害解析アプリ２１０がダウンロードされてからアップデートされるまでのシーケンス図である。Ｓ２０７の処理以外の処理は、図４に示す処理と同じであるので、同じ符号を付与し、説明を省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
Ｓ２０７の処理について説明する。まず、ユーザは任意のタイミングで車載機１０の表示部１３を操作することによって、スマートフォン２０にインストールされたアプリを操作する。そして、ユーザは、スマートフォン２０にインストールされたアプリが有する動作ログ送信部（不図示）を起動する。この動作ログ送信部は、起動された後に車載機１０の記憶装置１８に記憶された動作ログ２０５とスマートフォン２０に記憶された動作ログ１６０とをまとめてデータセンタ３０内のログ解析サーバ３３に送信する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
例えば、動作ログ送信部は、車載機１０の記憶装置１８に記憶された動作ログ２０５を取得する要求を車載機１０に送信し、車載機１０から動作ログ２０５を送信させることによって、車載機１０の動作ログ２０５を取得する。そして、動作ログ送信部は、取得した車載機１０の動作ログ２０５とスマートフォン２０の動作ログ１６０とをまとめてログ解析サーバ３３に送信する。スマートフォン２０から送信された動作ログ２０５及び１６０を受信したデータセンタ３０は、Ｓ８６でログ受信応答を車載機１０及びスマートフォン２０へ送信する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
図１７では、プログラム確認要求について説明したが、更新されたプログラムをダウンロードする要求であるプログラム更新確認要求等にも適用可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2014182715.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2014182715.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の課題を解決するため、本発明は、携帯端末において、
表示部と、
前記表示部に座標系を設定して、第１のグラフ図形と、第２のグラフ図形または座標軸とを表示する制御を行う図形表示制御手段と、
ユーザ操作に基づいて、前記第１のグラフ図形を座標系内で移動または変形させて変更するグラフ図形変更手段と、
前記グラフ図形変更手段により変更された第１のグラフ図形と、前記第２のグラフ図形または座標軸との交点を座標算出交点として検出し、該座標算出交点の座標値を算出する座標値算出手段と、
前記座標値算出手段により算出された、前記座標算出交点の座標値が、整数である場合に、前記変更された第１のグラフ図形を識別表示する制御を行う図形識別表示制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、
前記表示部に座標系を設定して、第１のグラフ図形と、第２のグラフ図形または座標軸とを表示する制御を行う図形表示制御手段と、
ユーザ操作に基づいて、前記第１のグラフ図形を座標系内で移動または変形させて変更するグラフ図形変更手段と、
前記グラフ図形変更手段により変更された第１のグラフ図形と、前記第２のグラフ図形または座標軸との交点を座標算出交点として検出し、該座標算出交点の座標値を算出する座標値算出手段と、
前記座標値算出手段により算出された、前記座標算出交点の座標値が、整数である場合に、前記変更された第１のグラフ図形を識別表示する制御を行う図形識別表示制御手段と、
を備えることを特徴とするグラフ表示制御装置。
【請求項２】
請求項１記載のグラフ表示制御装置において、
ユーザ操作により１又は複数のグラフ式を入力するグラフ式入力手段を備え、
前記図形表示制御手段は、前記グラフ式入力手段により入力されたグラフ式に対応するグラフ図形を前記第１のグラフ図形または前記第２のグラフ図形として表示する制御を行い、
前記座標値算出手段は、前記グラフ図形変更手段により変更された第１のグラフ図形に対応して変更されたグラフ式と、前記第２のグラフ図形に対応するグラフ式または座標軸との交点を座標算出交点として検出し、該座標算出交点の座標値を算出する手段を備え、
前記座標値算出手段により算出された前記座標算出交点の座標値が整数である場合に、前記変更された第１のグラフ図形に対応して変更されたグラフ式を表示する制御を行うグラフ式表示制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１記載のグラフ表示制御装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のグラフ表示制御装置において、
前記座標算出手段により算出された、前記座標算出交点の座標値が整数である場合に、当該座標値を表示する制御を行う座標値表示制御手段を備えることを特徴とするグラフ表示制御装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載のグラフ表示制御装置において、
前記グラフ図形変更手段は、一連のユーザ操作に応じて前記第１のグラフ図形を順次移動または変形して変更させ、
前記一連のユーザ操作の終了時点で前記座標値算出手段により算出された、前記座標算出交点の座標値が整数でない場合に、当該グラフ図形変更手段によって前記第１のグラフ図形が順次変更された各グラフ図形のうち、前記第２のグラフ図形または座標軸との交点の座標値が整数であり、かつ、前記終了時点での前記第１のグラフ図形に最も近いグラフ図形を特定し、前記第１のグラフ図形が当該特定されたグラフ図形に一致するよう、前記第１のグラフ図形を補正する変更を行う補正変更手段を有することを特徴とするグラフ表示制御装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載のグラフ表示制御装置において、
表示画面内にポインタを表示するとともに、ユーザ操作に応じて当該ポインタを移動させる制御を行うポインタ表示制御手段を備え、
前記グラフ図形変更手段は、
前記第１のグラフ図形における所定位置に前記ポインタが移動したときに、当該第１のグラフ図形の種類に応じて前記ポインタの形状を、当該第１のグラフ図形に対して行われる変形の態様を表す形状に変化させるポインタ形状変形手段と、
前記ポインタ形状変形手段により形状の変化した前記ポインタを用いたユーザ操作に応じて前記第１のグラフ図形を変形させる図形変形手段と、
を有することを特徴とするグラフ表示制御装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載のグラフ表示制御装置において、
前記図形識別表示制御手段は、
前記座標算出交点の座標値が小数点以下の桁数のうち、ユーザ指定の桁数の数値で真値として表される場合に、前記第１のグラフ図形を識別表示する制御を行う第２の図形識別表示制御手段を有するグラフ表示制御装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載のグラフ表示制御装置において、
前記図形表示制御手段は、
前記第１のグラフ図形とは異なる他の関数グラフの図形を複数表示するとともに、これら複数の図形のうち、ユーザ操作により指定される図形を前記第２のグラフ図形として表示することを特徴とするグラフ表示制御装置。
【請求項８】
表示部に座標系を設定して、第１のグラフ図形と、第２のグラフ図形または座標軸とを表示する制御を行う図形表示制御ステップと、
ユーザ操作に基づいて、前記第１のグラフ図形を座標系内で移動または変形させて変更するグラフ図形変更ステップと、
前記グラフ図形変更ステップにより変更された第１のグラフ図形と、前記第２のグラフ図形または座標軸との交点を座標算出交点として検出し、該座標算出交点の座標値を算出する座標値算出ステップと、
前記座標値算出ステップにより算出された、前記座標算出交点の座標値が、整数である場合に、前記変更された第１のグラフ図形を識別表示する制御を行う図形識別表示制御ステップと、
を含むことを特徴とするグラフ表示制御方法。
【請求項９】
表示部を備えるコンピュータに、
前記表示部に座標系を設定して、第１のグラフ図形と、第２のグラフ図形または座標軸とを表示する制御を行う図形表示制御機能と、
ユーザ操作に基づいて、前記第１のグラフ図形を座標系内で移動または変形させて変更するグラフ図形変更機能と、
前記グラフ図形変更機能により変更された第１のグラフ図形と、前記第２のグラフ図形または座標軸との交点を座標算出交点として検出し、該座標算出交点の座標値を算出する座標値算出機能と、
前記座標値算出機能により算出された、前記座標算出交点の座標値が、整数である場合に、前記変更された第１のグラフ図形を識別表示する制御を行う図形識別表示制御機能と、
を実現させることを特徴とするグラフ表示制御プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の請求項４に係る画像形成装置は、請求項１〜３の何れか１項に記載の画像形成装置において、前記加圧部材を清掃する清掃時に、前記制御手段は、トナー画像が定着される記録媒体の搬送速度を、プリント時における記録媒体の搬送速度よりも遅くすることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送される記録媒体に形成されたトナー画像を加熱する加熱部材と、記録媒体を前記加熱部材に向けて加圧する加圧部材とを有してトナー画像を記録媒体に定着する定着手段と、
前記定着手段に対して記録媒体の搬送方向の下流側に配置され、記録媒体の表裏を反転させる反転手段と、
前記加圧部材を清掃する清掃時に、前記定着手段を用いて記録媒体の表面にトナー画像を定着させ、前記反転手段を用いて表面にトナー画像が定着された記録媒体の表裏を反転させ、前記定着手段を制御して前記加圧部材の表面温度がプリント時の温度よりも高くされた状態で、表裏が反転された記録媒体を、前記定着手段を通過させる制御手段と、
を備える画像形成装置。
【請求項２】
搬送される記録媒体に形成されたトナー画像を加熱する加熱部材と、前記記録媒体を前記加熱部材に向けて加圧する加圧部材とを有してトナー画像を記録媒体に定着する定着手段と、
前記定着手段に対して記録媒体の搬送方向の下流側に配置され、記録媒体の表裏を反転させる反転手段と、
前記加圧部材を清掃する清掃時に、前記定着手段を制御して前記加圧部材の表面温度がプリント時の温度よりも高くされた状態で、前記定着手段を用いて記録媒体の表面にトナー画像を定着させ、前記反転手段を用いて表面にトナー画像が定着した記録媒体の表裏を反転させ、表裏が反転した記録媒体を、前記定着手段を通過させる制御手段と、
を備える画像形成装置。
【請求項３】
前記定着手段は、前記加圧部材の表面に風を吹き付ける送風部材を有し、
前記制御手段は、前記送風部材を稼働又は不稼働とすることで、前記加圧部材の表面温度を制御する請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記加圧部材を清掃する清掃時に、前記制御手段は、トナー画像が定着される記録媒体の搬送速度を、プリント時における記録媒体の搬送速度よりも遅くする請求項１〜３の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記加圧部材は、回転する加圧ロールであって、
定着手段を用いて記録媒体の表面に定着されるトナー画像は、ベタ画像であって、
記録媒体の搬送方向における前記ベタ画像の長さは、前記加圧ロールの周長と同等とされる請求項１〜４の何れか１項に記載の画像形成装置。
【請求項６】
プリント枚数に基づいて使用者に前記加圧部材の清掃の必要性を伝達する伝達部材が備えられる請求項１〜５の何れか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月3日(2015.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の色の副画素からなる画素を複数有し、光源からの光を副画素毎に設定される透過率で透過させることにより、入力される画像データに基づく画像を表示する表示手段と、
前記画像データの各画素の画素値に応じて前記表示手段の各副画素の透過率を設定する設定手段と、
前記表示手段の各画素の透過光の輝度を取得する取得手段と、
を備え、
前記設定手段は、透過光の輝度が閾値以上である画素について、透過光の色と画素値に基づく目標色との差異が小さくなるように、各副画素の透過率を補正することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記設定手段は、透過光の輝度が閾値以上でありかつ画素値が所定の低階調領域の値である画素について、前記補正を行う請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記光源として、前記表示手段の背面から前記表示手段に光を照射する発光手段を更に備える請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記取得手段は、前記発光手段の発光量に基づいて各画素の透過光の輝度を取得する請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記発光手段は、発光量を個別に制御可能な複数の発光エリアから構成され、
前記発光手段の各発光エリアに対応する前記表示手段の各表示エリアに表示される画像の明るさに応じて、各発光エリアの発光量を制御する制御手段を更に備える請求項３又は４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記取得手段は、各画素の属する表示エリアに対応する発光エリアの発光量に基づいて各画素の透過光の輝度を取得する請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記取得手段は、各画素の属する表示エリアに対応する発光エリアの発光量と、当該発光エリアに隣接する発光エリアから当該発光エリアへの漏れ光の量と、に基づいて各画素の透過光の輝度を取得する請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項８】
画素値と各副画素の透過率との対応関係の情報を記憶する記憶手段を更に備え、
前記設定手段は、前記対応関係に基づいて各副画素の透過率を設定する請求項１〜７のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記記憶手段は、透過光の輝度に応じて複数の異なる対応関係の情報を記憶しており、
前記設定手段は、透過光の輝度が閾値以上か否かによって各副画素の透過率の設定に用いる前記対応関係を切り替えることにより前記補正を行う請求項８に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記記憶手段は、第１の対応関係の情報と第２の対応関係の情報とを記憶しており、第２の対応関係は第１の対応関係と比較して透過光の色と画素値に基づく目標色との差異が小さく、第１の対応関係は第２の対応関係と比較して透過率の階調精度が高く、
前記設定手段は、透過光の輝度が閾値以上の場合、前記第２の対応関係を用いて各副画素の透過率を設定し、透過光の輝度が閾値未満の場合、前記第１の対応関係を用いて各副画素の透過率を設定する請求項９に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記光源から前記表示手段に照射する光を検出する検出手段を更に備え、
前記取得手段は、前記検出手段による検出結果に基づいて各画素の透過光の輝度を取得する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記光源から前記表示手段に照射し前記表示手段を透過する光を検出する検出手段を更に備え、
前記取得手段は、前記検出手段による検出結果に基づいて各画素の透過光の輝度を取得する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１３】
前記設定手段は、画素からの透過光に対し観察者の目に入射する光が明るい場合、前記閾値を高くする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
前記設定手段は、画素からの透過光に対し観察者の目に入射する光が暗い場合、前記閾値を低くする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１５】
前記画像表示装置の環境光を検出する第２の検出手段を更に備え、
前記設定手段は、前記第２の検出手段による検出結果に基づいて観察者の目に入射する光と画素からの透過光との明るさを比較する請求項１３又は１４に記載の画像表示装置。
【請求項１６】
前記閾値は、観察者にとって明所視又は薄明視となる輝度と暗所視となる輝度との境界の輝度に基づいて定められる請求項１〜１５のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１７】
前記画素は赤色、緑色、青色の３原色の副画素からなる請求項１〜１６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項１８】
前記設定手段は、無彩色の画像を表示する場合に、透過光の輝度が閾値以上である画素について、透過光が無彩色になるように、各副画素の透過率を補正する請求項１７に記載の画像表示装置。
【請求項１９】
前記表示手段は、液晶パネルである請求項１〜１８のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項２０】
複数の色の副画素からなる画素を複数有し、光源からの光を副画素毎に設定される透過
率で透過させることにより、入力される画像データに基づく画像を表示する表示手段を備える画像表示装置の制御方法であって、
前記画像データの各画素の画素値に応じて前記表示手段の各副画素の透過率を設定する設定工程と、
前記表示手段の各画素の透過光の輝度を取得する取得工程と、
を有し、
前記設定工程では、透過光の輝度が閾値以上である画素について、透過光の色と画素値に基づく目標色との差異が小さくなるように、各副画素の透過率を補正することを特徴とする画像表示装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
少なくとも第１のメモリ階層と第２のメモリ階層との間にデータを割り当てるように構成された制御回路を備え、前記第１のメモリ階層は、不揮発性ソリッドステートメモリを含み、前記第２のメモリ階層は、別の不揮発性メモリを含み、
前記装置は、
前記制御回路とホストデバイスとの間で通信するように構成されたホストインターフェースと、
前記制御回路および、前記第２のメモリ階層を含むデータ記憶デバイスの間で通信するように構成され、前記データ記憶デバイスが前記ホストデバイスと直接にインターフェースしているかのように、前記データ記憶デバイスが前記装置とインターフェースするように前記ホストインターフェースを模倣する、データ記憶デバイスインターフェースとを備え、
前記制御回路は、前記ホストデバイス、前記第１のメモリ階層、および前記第２のメモリ階層に対するデータの転送を管理するようにさらに構成される、装置。
【請求項２】
前記制御回路は、前記ホストデバイス、前記第１のメモリ階層、および前記第２のメモリ階層の間でデータを送信することが可能であるように、前記ホストデバイスに統合される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記制御回路は、前記ホストデバイス、前記第１のメモリ階層、および前記第２のメモリ階層の間でデータを送信することが可能であるように、前記第２のメモリ階層の前記不揮発性メモリを含む前記データ記憶デバイスに統合される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記ホストインターフェースおよび前記データ記憶デバイスから接続を切ることが可能な個別に取り外し可能なハードウェアデバイスであって、バッファとして構成された不揮発性ソリッドステートメモリを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
データが前記不揮発性ソリッドステートメモリに割り当てられると、前記割り当てられたデータが前記不揮発性ソリッドステートメモリによって読み出し可能なフォーマットとなるように、前記割り当てられたデータを変換するプロトコル変換層を実現するように構成された不揮発性ソリッドステートメモリプロトコルプロセッサをさらに備える、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記制御回路と通信し、バッファとして構成された１つ以上の揮発性メモリユニットにデータを割り当てるように構成されたバッファマネージャと、
前記バッファマネージャから受信したデータを記憶し、前記受信したデータを前記不揮発性ソリッドステートメモリプロトコルプロセッサに送信するように構成された先入れ先出し（ＦＩＦＯ）メモリユニットとをさらに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記不揮発性ソリッドステートメモリはフラッシュメモリであり、前記不揮発性メモリは磁気データ記憶媒体であり、
前記装置は、前記制御回路と通信し、かつ、バッファとして構成された１つ以上の揮発性メモリユニットにデータを割り当てるように構成されたバッファマネージャをさらに備える、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記第１のメモリ階層と、
前記不揮発性ソリッドステートメモリプロトコルプロセッサからの出力部とをさらに備え、
前記出力部は、前記不揮発性ソリッドステートメモリプロトコルプロセッサを前記不揮発性ソリッドステートメモリに連結するように構成される、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記不揮発性ソリッドステートメモリプロトコルプロセッサと前記不揮発性ソリッドステートメモリとの間で通信するように構成された不揮発性ソリッドステートメモリインターフェースをさらに備え、
前記第１のメモリ階層は、前記装置から接続を切ることが可能な１つ以上の個別に取り外し可能なハードウェアデバイスに統合される、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
前記制御回路は、
１つ以上のキャッシュ基準を満足するデータを、前記第１のメモリ階層の前記不揮発性ソリッドステートメモリにキャッシングし、かつ
前記第２のメモリ階層に対する１つ以上の記憶基準を満足するデータを、少なくとも部分的に記憶スペースとしての前記第２の階層の前記不揮発性メモリに記憶するようにさらに構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記１つ以上のキャッシュ基準および前記１つ以上の記憶基準は、タイミング、容量、電力事象、およびアイドルタイムからなる群から選択される１つ以上のパラメータに基づいて判定される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
装置であって、
少なくとも第１のメモリ階層と第２のメモリ階層との間にデータを割り当てるように構成された制御回路を備え、前記第１のメモリ階層は、不揮発性ソリッドステートメモリを含み、前記第２のメモリ階層は、別の不揮発性メモリを含み、
前記装置は、
前記制御回路とイニシエータデバイスとの間で通信するように構成されたイニシエータインターフェースと、
前記制御回路と目標デバイスとの間で通信するように構成された目標インターフェースとを備え、
前記イニシエータインターフェースおよび前記目標インターフェースのうちの少なくとも一方は、前記第２のメモリ階層の前記不揮発性メモリを含むデータ記憶デバイスがホストデバイスとインターフェースしているかのように前記装置とインターフェースするように、ホストインターフェースを複製し、
前記制御回路は、前記ホストデバイス、前記第１のメモリ階層、および前記第２のメモリ階層に対するデータの転送を管理するようにさらに構成される、装置。
【請求項１３】
前記イニシエータインターフェースおよび前記目標インターフェースは各々は、インターフェース規格に準拠する、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
装置であって、
制御回路を備え、
前記制御回路は、
選択されたデータを書き込む要求を、ホストシステムから受信し、
前記選択されたデータを、第１の不揮発性ソリッドステートメモリにキャッシングし、
前記選択されたデータの少なくともサブ集合を第２の不揮発性メモリに対して、トリガ事象に基づいて記憶するように構成され、
前記装置は、
前記制御回路と前記ホストシステムとの間で通信するように構成されたホストインターフェースと、
前記制御回路と前記第２の不揮発性メモリとの間で通信するように構成され、データ記憶デバイスが前記ホストシステムと直接にインターフェースしているかのように、前記データ記憶デバイスが前記装置とインターフェースするように前記ホストインターフェースを模倣する、データ記憶インターフェースとを備える、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月8日(2014.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＰＵと、
前記ＣＰＵに動作可能に連結されるメモリ管理ユニットと、
前記ＣＰＵに動作可能に連結される周辺コントローラと、
記憶インターフェースを用いて前記周辺コントローラを介して前記ＣＰＵに動作可能に通信する記憶コントローラとを備える、集積回路。
【請求項２】
前記記憶インターフェースは、標準化されている、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記記憶インターフェースは、ＳＣＳＩ、ＳＡＳ、ＳＡＴＡおよびＦＣ、ＵＳＢ  ＵＡＳ，ＳＯＰ／ＰＱＩ、またはＮＶＭｅのうちの１つである、請求項１に記載の集積回路。
【請求項４】
前記周辺コントローラおよび前記記憶コントローラは、前記記憶インターフェースの物理層、リスト層、トランスポート層およびアプリケーション層のいずれかの層上で直接通信する、請求項１に記載の集積回路。
【請求項５】
大容量メモリと、
集積回路とを備え、
前記集積回路は、
ＣＰＵと、
前記ＣＰＵに動作可能に連結されるメモリ管理ユニットと、
前記ＣＰＵに動作可能に連結される周辺コントローラと、
前記大容量メモリと動作可能に通信し、かつ記憶インターフェースを用いて前記周辺コントローラを介して前記ＣＰＵと通信する、記憶コントローラとを含む、記憶デバイス。
【請求項６】
前記メモリ管理ユニットに動作可能に連結されるメモリデバイス、および前記記憶コントローラに動作可能に連結される第２のメモリデバイスをさらに備える、請求項５に記載の記憶デバイス。
【請求項７】
前記メモリ管理ユニットに動作可能に連結される単一のメモリデバイス、および前記メモリ管理ユニットに動作可能に連結される前記記憶コントローラをさらに備える、請求項５に記載の記憶デバイス。
【請求項８】
前記単一のメモリデバイスのＣＰＵメモリ領域への所望されないアクセスから保護し、かつ前記単一のメモリデバイスの記憶コントローラメモリ領域への所望されないアクセスから保護する、セキュリティ対策をさらに含む、請求項７に記載の記憶デバイス。
【請求項９】
前記セキュリティは、前記ＣＰＵと前記記憶コントローラとの間での前記単一のメモリデバイスの割り当てを管理するハイパーバイザーによってさらに強化される、請求項８に記載の記憶デバイス。
【請求項１０】
前記ハイパーバイザーは、前記記憶デバイスのエンドユーザによって更新可能ではない、請求項９に記載の記憶デバイス。
【請求項１１】
前記周辺コントローラと前記記憶コントローラとの間の通信は、前記共有された単一のメモリデバイスを介してメッセージを受け渡すことによって実行される、請求項７に記載の記憶デバイス。
【請求項１２】
ＣＰＵと、
記憶インターフェースを用いて前記ＣＰＵと動作可能に通信する、記憶コントローラとを備える、集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月27日(2015.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】操作履歴画像保存装置、画像処理装置、操作履歴画像保存制御プログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、操作履歴画像保存装置、画像処理装置、操作履歴画像保存制御プログラムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、操作履歴画像として撮影される画像への写り込みによる情報漏れを回避することができる操作履歴画像保存装置、画像処理装置、操作履歴画像保存制御プログラムを得ることが目的である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月14日(2015.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域に位置する複数のメモリバンクと、
第２領域に位置し、入力データ信号が入力されるデータ端子と、
前記入力データ信号が反転されたか否かを示す反転制御信号に応答して、前記入力データ信号を反転または非反転して出力するように構成される反転回路と、を備え、
前記複数のメモリバンクそれぞれに少なくとも１つの前記反転回路が配されることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記反転回路は、前記第１領域内に配されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記反転回路は、前記第２領域に隣接して配されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記第２領域に位置して入力制御信号を受信する制御端子と、
モードレジストセット信号によって、前記入力制御信号に基づいて前記反転制御信号を生成するように構成される制御信号生成回路と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記制御信号生成回路は、前記モードレジストセット信号によって、前記入力制御信号と同じ前記反転制御信号を前記反転回路に提供するか、または、前記入力データ信号が反転しないように不活性化信号を前記反転制御信号として前記反転回路に提供することを特徴とする請求項４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記複数のメモリバンクそれぞれに、少なくとも１つの前記制御信号生成回路が配されることを特徴とする請求項４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項７】
データマスキング回路をさらに備え、
前記制御信号生成回路は、前記モードレジストセット信号によって、前記入力制御信号に基づいてマスキング制御信号をさらに生成するように構成され、
前記データマスキング回路は、前記マスキング制御信号に応答して、前記入力データ信号に対応するデータが前記複数のメモリバンクに記録されないように構成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体メモリ装置。
【請求項８】
前記制御信号生成回路は、前記モードレジストセット信号によって、前記入力制御信号と同じ前記マスキング制御信号を前記データマスキング回路に提供するか、または前記入力データ信号がマスキングされないように、不活性化信号を前記マスキング制御信号として前記データマスキング回路に提供することを特徴とする請求項７に記載の半導体メモリ装置。
【請求項９】
前記制御信号生成回路は、前記モードレジストセット信号によって、前記反転回路に前記入力制御信号と同じ前記反転制御信号を提供し、前記データマスキング回路に、前記入力データ信号がマスキングされないように不活性化信号を前記マスキング制御信号として提供するか、または前記反転回路に、前記入力データ信号が反転しないように不活性化信号を前記反転制御信号として提供し、前記データマスキング回路に前記入力制御信号と同じ前記マスキング制御信号を提供することを特徴とする請求項７に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１０】
前記複数のメモリバンクそれぞれに、少なくとも１つのデータマスキング回路が配されることを特徴とする請求項７に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１１】
前記複数のメモリバンクそれぞれは、ロウ方向とカラム方向とに配列されたメモリサブブロックを備え、前記少なくとも１つの反転回路は、各カラムのメモリサブブロックごとに配されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１２】
前記複数のメモリバンクは、複数のメモリセルを備え、前記複数のメモリセルそれぞれは、スイッチング素子及びキャパシタを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１３】
第１チップを備える半導体メモリパッケージであり、
前記第１チップは、
第１領域に位置する複数のメモリバンクと、
第２領域に位置し、入力データ信号が入力されるデータ端子と、
前記入力データ信号が反転されたか否かを示す反転制御信号に応答して、前記入力データ信号を反転または非反転するように構成される反転回路と、を備え、
前記複数のメモリバンクそれぞれに少なくとも１つの前記反転回路が配されることを特徴とする半導体メモリパッケージ。
【請求項１４】
前記第１チップ上に積層された第２チップをさらに備えることを特徴とする請求項１３に記載の半導体メモリパッケージ。
【請求項１５】
前記第１チップは、前記第１チップを貫通する貫通シリコンビアをさらに備え、
前記貫通シリコンビアは、前記データ端子と連結されることを特徴とする請求項１３に記載の半導体メモリパッケージ。
【請求項１６】
第１領域内の複数のメモリバンクと、
第２領域内に配され、かつ入力データ信号が入力されるデータ端子と、
前記入力データ信号が反転されたか否かを示す反転制御信号に応答して、前記入力データ信号を反転または非反転させる反転回路を備える記録回路と、を備え、
前記メモリバンクそれぞれに対して、少なくとも１つの記録回路が、対応するメモリバンクに隣接して第１領域内に配されることを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの記録回路は、前記対応するメモリバンクの少なくとも一側面に直ぐ隣接して配されることを特徴とする請求項１６に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１８】
前記第２領域に位置して入力制御信号を受信する制御端子をさらに備え、
前記記録回路は、モードレジストセット信号によって、前記入力制御信号に基づいて前記反転制御信号を生成する制御信号生成回路を備えることを特徴とする請求項１６に記載の半導体メモリ装置。
【請求項１９】
前記記録回路は、データマスキング回路をさらに備え、
前記制御信号生成回路は、前記モードレジストセット信号によって、前記入力制御信号に基づいてマスキング制御信号をさらに生成し、
前記データマスキング回路は、前記マスキング制御信号に応答して、前記入力データ信号に対応するデータを前記複数のメモリバンクに記録させないことを特徴とする請求項１８に記載の半導体メモリ装置。
【請求項２０】
前記記録回路は、前記メモリバンクにデータを記録するために、前記反転回路の出力によって入出力ラインを駆動する記録駆動回路を備えることを特徴とする請求項１６に記載の半導体メモリ装置。 
【請求項２１】
前記反転回路によって発生された前記反転入力信号と前記非反転入力制御信号は、前記入力データ信号のアドレスに応答して前記複数のメモリバンクの一部に記録されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項２２】
前記入力データ信号は、前記反転制御信号によって反転または非反転されて発生されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【請求項２３】
前記複数のメモリバックそれぞれは複数のメモリセルを備え、
前記複数のメモリセルそれぞれは、スイッチング素子とマグネティック-トンネルジャンクション構造を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月5日(2015.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を導光し、かつ前記光に基づき測定対象物の湾曲状態を検出する湾曲状態検出手段をそれぞれ有する複数のセンサファイバと、
前記複数のセンサファイバを保持する保持部材と、
前記複数のセンサファイバと前記保持部材とに配設され、前記複数のセンサファイバが前記保持部材に対して前記複数のセンサファイバの軸周りに回転することを抑止する回転抑止機構と、
を具備することを特徴とするファイバ湾曲センサ。
【請求項２】
前記複数のセンサファイバが前記保持部材に対して前記複数のセンサファイバの軸方向に沿って摺動可能となるように、前記複数のセンサファイバが前記保持部材によって保持されていることを特徴とする請求項１に記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項３】
前記保持部材は、前記湾曲状態検出手段の近傍に配設され、
前記複数のセンサファイバが前記保持部材に対して摺動及び前記複数のセンサファイバの軸周りに回転しないように、前記保持部材によって保持されていることを特徴とする請求項１に記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項４】
前記保持部材は、前記複数のセンサファイバが回転対称に配設されるように、前記複数のセンサファイバを保持していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項５】
前記保持部材は、少なくとも２つ配設され、
前記保持部材は、前記保持部材の間の距離が所望に保持されるように、前記複数のセンサファイバに固定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項６】
光を導光する少なくとも１本の光供給ファイバを備え、
前記保持部材は、前記光供給ファイバの軸方向への前記保持部材の移動と前記光供給ファイバの軸周りへの前記保持部材の回転とが固定されるように、前記光供給ファイバに固定されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項７】
前記保持部材は、複数配設され、
前記保持部材同士は、連結部材によって互いに連結されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項８】
前記保持部材は、前記湾曲状態検出手段の近傍に配設されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項９】
前記保持部材は、
前記複数のセンサファイバが貫通する貫通孔と、
前記貫通孔に配設され、前記複数のセンサファイバを貫通孔に固定する固定部材と、
を有することを特徴とする請求項３に記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項１０】
前記複数のセンサファイバは、非円形の断面を有し、
前記保持部材は、前記複数のセンサファイバを保持するために前記複数のセンサファイバが貫通する貫通孔を有し、
前記貫通孔の断面は、前記非円形の断面と略合同の形状、または前記非円形の断面よりも大きい略相似の形状を有することを特徴とする請求項２に記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項１１】
前記複数のセンサファイバは、前記複数のセンサファイバの一部が変形することによって、前記非円形の断面を有することを特徴とする請求項１０に記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項１２】
前記複数のセンサファイバは、円形の断面を有し、
前記複数のセンサファイバは、前記複数のセンサファイバの外周面に配設される別部材によって、前記非円形の断面を有することを特徴とする請求項１０に記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項１３】
前記保持部材は、前記複数のセンサファイバの周方向において前記複数のセンサファイバを位置決めするための指標部を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれかに記載のファイバ湾曲センサ。
【請求項１４】
前記保持部材は、前記測定対象物に配設される請求項１乃至請求項１３のいずれかに記載のファイバ湾曲センサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は目的を達成するために、光を導光し、かつ前記光に基づき測定対象物の湾曲状態を検出する湾曲状態検出手段をそれぞれ有する複数のセンサファイバと、前記複数のセンサファイバを保持する保持部材と、前記複数のセンサファイバと前記保持部材とに配設され、前記複数のセンサファイバが前記保持部材に対して前記複数のセンサファイバの軸周りに回転することを抑止する回転抑止機構と、を具備することを特徴とするファイバ湾曲センサを提供する。