Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
中間周波数変換部１２２は、受信したＲＦ信号を、ＧＰＳ信号のためのＩＦ信号であるＩＦＧＰＳ信号と、ＧＬＯＮＡＳＳ信号のためのＩＦ信号であるＩＦＧＬＯＮＡＳＳ信号に変換する。そのため、増幅器１２４、ＢＰＦ１２６、及びＡ／Ｄコンバータ１２８は、ＩＦＧＰＳ信号とＩＦＧＬＯＮＡＳＳ信号のそれぞれに対応して設けられている。すなわち、周波数変換部１０４は、ＩＦＧＰＳ信号を処理する増幅器１２４Ａ、ＢＰＦ１２６Ａ、及びＡ／Ｄコンバータ１２８Ａと、ＩＦＧＬＯＮＡＳＳ信号を処理する増幅器１２４Ｂ、ＢＰＦ１２６Ｂ、及びＡ／Ｄコンバータ１２８Ｂとを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
Ａ／Ｄコンバータ１２８Ａは、ＢＰＦ１２６Ａから出力されるアナログのＩＦＧＰＳ信号を離散化し、その結果得られる離散化信号を出力する。Ａ／Ｄコンバータ１２８Ｂは、ＢＰＦ１２６Ｂから出力されるアナログのＩＦＧＬＯＮＡＳＳ信号を離散化し、その結果得られる離散化信号を出力する。ここで、Ａ／Ｄコンバータ１２８Ａおよび１２８Ｂは、Ｎビットの分解能を有するＡ／Ｄコンバータで構成され、定常的な熱雑音の平均振幅をＡ／Ｄコンバータ１２８の下位Ｍビット（Ｎ＞Ｍ）に設定する。したがって、Ａ／Ｄコンバータ１２８Ａおよび１２８Ｂは、外来ノイズによるＡ／Ｄコンバータの出力スペクトラムの飽和を防止し、Ａ／Ｄコンバータ１２８Ａおよび１２８Ｂの後段に備えられるノッチフィルタ部１８３（図２）において外来ノイズをより確実に除去させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
逓倍／分周器１５２は、ＴＣＸＯ１１２から供給される発振信号を逓倍（multiply）したり、分周（divide）する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ゲイン／リミタ１８８Ｂ＿Ｉは、複素ミキサ１８５から出力されるＩ相成分のＩＦＧＬＯＮＡＳＳ信号を、後段の同期捕捉部１４０及び同期保持部１４２の入力ビット数に調整して出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
ゲイン／リミタ１８８Ｂ＿Ｑは、複素ミキサ１８５から出力されるＱ相成分のＩＦＧＬＯＮＡＳＳ信号を、後段の同期捕捉部１４０及び同期保持部１４２の入力ビット数に調整して出力する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
しかしながら、ノッチ周波数検出部２２２によって検出されたノッチ周波数ｆ０及びｆ０’の個数の合計が、フィルタ処理部２０４が備えるノッチフィルタ２４１の数よりも多い場合もあり得る。その場合、フィルタ制御部２０２は、検出されたノッチ周波数ｆ０及びｆ０’のうち、振幅が大きい順にノッチフィルタ２４１を割り当てる。換言すれば、フィルタ制御部２０２は、振幅の大きいノイズを優先的に除去するように、複数のノッチフィルタ２４１を割り当てる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月30日(2015.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板と対向するように設けられている第２基板と、を含むパッケージと、
前記第２基板に設けられ、前記パッケージの内部空間へ貫通している穴と、
前記第１基板に設けられ、前記第２基板側から平面視した場合に前記穴の前記内部空間側の開口面と少なくとも一部が重なっている突起と、
前記穴を塞いでいる封止部材と、を備えることを特徴とする封止構造。
【請求項２】
請求項１に記載の封止構造であって、
前記封止部材は導電性を有し、
前記第１基板には、前記突起が設けられている側の面に第１配線が設けられ、
前記第１配線は、前記突起に延設されるとともに、前記封止部材と接続されていること、を特徴とする封止構造。
【請求項３】
請求項２に記載の封止構造であって、
前記穴の内壁には、第２配線が設けられ、
前記封止部材は、前記第２配線、及び前記突起に延設されている前記第１配線と接続されていること、を特徴とする封止構造。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の封止構造であって、
前記第２基板側から平面視した場合に、前記頂面の外周縁に沿って前記突起と空隙を介して側壁が設けられていること、を特徴とする封止構造。
【請求項５】
請求項４に記載の封止構造であって、
前記第１基板と前記第２基板との間に第３基板が設けられ、
前記第３基板に前記側壁が設けられていること、を特徴とする封止構造。
【請求項６】
請求項４に記載の封止構造であって、
前記突起と対向して設けられている前記第２基板の面から前記突起の方向に向かって前記側壁が延設されていること、を特徴とする封止構造。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれか一項に記載の封止構造であって、
前記第１基板、及び前記第２基板の間には、前記穴、前記突起、前記側壁、及び前記内部空間を囲む外周壁が設けられていること、を特徴とする封止構造。
【請求項８】
請求項１ないし３、および６のいずれか一項に記載の封止構造であって、
前記突起は、前記第２基板側から平面視した場合に前記穴の前記内部空間側の開口面と少なくとも一部が重なっている頂面を含んでいること、を特徴とする封止構造。
【請求項９】
請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の封止構造を有する電子デバイス。
【請求項１０】
請求項８に記載の電子デバイスが搭載された電子機器。
【請求項１１】
請求項８に記載の電子デバイスが搭載された移動体。
【請求項１２】
突起が設けられた第１基板と、表裏を貫通する穴が設けられた第２基板と、を用意する工程と、
前記第２基板側から平面視した場合に、前記第２基板の前記穴の前記内部空間側の開口面と、前記第１基板の前記突起の少なくとも一部とを重なるように前記第１基板上に前記第２基板を載置して内部空間を形成する工程と、
前記穴を封止部材で塞ぐ工程と、を含むことを特徴とする封止方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
［適用例１］
本適用例に係る封止構造は、第１基板と、第１基板上に設けられている第２基板と、を含むパッケージと、第２基板に設けられ、パッケージの内部空間へ貫通する穴と、第１基板に設けられ、第２基板側から平面視した場合に穴の内部空間側の開口面と少なくとも一部が重なる頂面を含む突起と、穴を塞いでいる封止部材と、を備えることを特徴とする。
また、本適用例に係る封止構造は、第１基板と、前記第１基板と対向するように設けられている第２基板と、を含むパッケージと、前記第２基板に設けられ、前記パッケージの内部空間へ貫通している穴と、前記第１基板に設けられ、前記第２基板側から平面視した場合に前記穴の前記内部空間側の開口面と少なくとも一部が重なっている突起と、前記穴を塞いでいる封止部材と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［適用例２］
上記適用例に係る封止構造は、封止部材は導電性を有し、第１基板には、突起が設けられている側の面に第１配線が設けられ、第１配線は、頂面に延設されるとともに、封止部材と接続されていることが好ましい。
また、上記適用例に係る封止部材は、  前記封止部材は導電性を有し、前記第１基板には、前記突起が設けられている側の面に第１配線が設けられ、前記第１配線は、前記突起に延設されるとともに、前記封止部材と接続されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例３］
上記適用例に係る封止構造は、穴の内壁に第２配線が設けられ、封止部材は、第２配線、及び頂面に延設されている第１配線と接続されていることが好ましい。
また、上記適用例に係る封止構造は、前記穴の内壁には、第２配線が設けられ、前記封止部材は、前記第２配線、及び前記突起に延設されている前記第１配線と接続されていることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
［適用例６］
上記適用例に係る封止構造は、頂面と対向して設けられている第２基板の面から頂面の方向に向かって側壁が延設されていることが好ましい。
また、上記適用例に係る封止構造は、前記突起と対向して設けられている前記第２基板の面から前記突起の方向に向かって前記側壁が延設されていることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この様な電子デバイスよれば、上述した封止構造を有することで、封止部材の流出及び
飛散が抑制された信頼度の高い電子デバイスを得ることができる。
また、上記適用例に係る封止構造は、前記突起は、頂面を含んでいることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
［適用例１１］
本適用例に係る封止構造を封止する封止方法は、突起が設けられた第１基板と、表裏を貫通する穴が設けられた第２基板とを用意する工程と、第２基板側から平面視した場合に、第２基板の穴の内部空間側の開口面と、第１基板の突起の頂面の少なくとも一部とを重なるように第１基板上に第２基板を載置して内部空間を形成する工程と、穴を封止部材で塞ぐ工程と、を含むことを特徴とする。
また、本適用例に係る封止方法は、突起が設けられた第１基板と、表裏を貫通する穴が設けられた第２基板と、を用意する工程と、前記第２基板側から平面視した場合に、前記第２基板の前記穴の前記内部空間側の開口面と、前記第１基板の前記突起の少なくとも一部とを重なるように前記第１基板上に前記第２基板を載置して内部空間を形成する工程と、前記穴を封止部材で塞ぐ工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月28日(2015.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電極活物質（Ａ）もしくは導電助剤である炭素材料（Ｂ）の少なくとも一方と、下記単量体を共重合してなる共重合体中のスルホ基あるいはリン酸基の少なくとも一部を塩基性化合物で中和してなる両性樹脂型分散剤（Ｃ）と、水性液状媒体（Ｄ）とを含有する、二次電池電極形成用組成物。
芳香環を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ１）：５〜７０重量％
スルホ基あるいはリン酸基を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ２）：１０〜７０重量％
アミノ基を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ３）：１〜８０重量％
前記（ｃ１）〜（ｃ３）以外のその他の単量体（ｃ４）：０〜７９重量％
（但し、前記（ｃ１）〜（ｃ４）の合計を１００重量％とする）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、両性樹脂型分散剤（Ｃ）の利用により、電極活物質（Ａ）や導電助剤である炭素材料（Ｂ）の分散性を向上できたものである。
即ち、本発明は、電極活物質（Ａ）もしくは導電助剤である炭素材料（Ｂ）の少なくとも一方と、下記単量体を共重合してなる共重合体中のスルホ基あるいはリン酸基の少なくとも一部を塩基性化合物で中和してなる両性樹脂型分散剤（Ｃ）と、水性液状媒体（Ｄ）とを含有する、二次電池電極形成用組成物に関する。
芳香環を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ１）：５〜７０重量％
スルホ基あるいはリン酸基を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ２）：１０〜７０重量％
アミノ基を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ３）：１〜８０重量％
前記（ｃ１）〜（ｃ３）以外のその他の単量体（ｃ４）：０〜７９重量％
（但し、前記（ｃ１）〜（ｃ４）の合計を１００重量％とする）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明で用いられる両性樹脂型分散剤（Ｃ）中の共重合体を構成する単量体の比率は、単量体（ｃ１）〜（ｃ４）の合計を１００重量％とした場合に、
芳香環を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ１）が５〜７０重量％、
スルホ基あるいはリン酸基を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ２）が１０〜７０重量％、
アミノ基を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ３）が１〜８０重量％、
前記（ｃ１）〜（ｃ３）以外のその他の単量体（ｃ４）が０〜７９重量％である。
好ましくは、（ｃ１）：２０〜７０重量％、（ｃ２）：１５〜６０重量％、（ｃ３）：１〜7０重量％、（ｃ４）：０〜５０重量％である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
スルホ基およびリン酸基を有するエチレン性不飽和単量体（ｃ２）は、共重合体の中和物を水性液状媒体に溶解ないし分散させる機能を担う。
そして、活物質（Ａ）や導電助剤（Ｂ）に、芳香環やアミノ基を介してコポリマーが吸着し、中和され、イオン化されたスルホ基あるいはリン酸基の電荷反発により、活物質（Ａ）や導電助剤（Ｂ）の水性液状媒体中における分散状態を安定に保つことができるようになったものと考察される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月5日(2015.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
口金側の第１のキャピラリ部１Ａの電極リード１ａには、金属板１４が接続されている。金属板１４は、第１のキャピラリ部１Ａの軸線方向に略直交する方向に延びている。金属板１４の一方の端部は第１の電極リード１ａに接続され、他方の端部は第１の給電用リード線１０ａに接続されている。即ち、金属板１４は、第１のキャピラリ部１Ａの電極リード１ａと第１の給電用リード線１０ａを架橋するように、設けられている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
以上、本実施形態に係るセラミックメタルハライドランプの発光管の支持構造について説明したが、これらは例示であって、本発明の範囲を制限するものではない。当業者が、本実施形態に対して容易になしえる追加・削除・変更・改良等は、本発明の範囲内である。本発明の技術的範囲は、添付の特許請求の記載によって定められる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
前記基板保持部を囲うと共に、前記基板保持部が基板を保持した状態で基板の裏面との間に接触しない程度の隙間を有する筒状体を備え、前記筒状体により前記基板保持部への洗浄液の侵入を阻止することを特徴とする請求項１２に記載の基板液処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明において、前記基板の回転数が３ｒｐｍ〜３０ｒｐｍであるのが好ましい（請求項３）。基板の回転数が３ｒｐｍより低いと、乾燥に時間を要し、また３０ｒｐｍより高いと、遠心力が作用して洗浄液が液滴化して落下するのが遅れて乾燥に時間を要するからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このように構成することによって、基板に対する種々の液処理やブラシを使った洗浄処理と併用される基板の裏面の汚れを洗い流す洗浄処理後の乾燥に対して基板を高い回転数で回転させて洗浄液の振り切る方法を使わずに、例えば遠心力の弱い３〜３０ｒｐｍ以下の低い回転数で基板を回転させながら基板の裏面に向けて配置された裏面パージノズルと基板周縁パージノズルから気体であるパージガスを吹き付けることで、裏面パージノズルの基板の中央に向かう端側に付着した洗浄液を寄せて液滴化して落下させることができる。これにより基板裏面に付着した洗浄液は順次液滴化されて行くのでパージガスによる乾燥と相俟って短時間で且つ基板のノッチ部での表面側への回り込みによる不良も起こさずに乾燥させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また本発明において、前記基板の回転数が３ｒｐｍ〜３０ｒｐｍであるのが好ましい（請求項１４）。基板の回転数が３ｒｐｍより低いと、乾燥に時間を要し、また３０ｒｐｍより高いと、遠心力が作用して洗浄液が液滴化して落下するのが遅れて乾燥に時間を要するからである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また本発明において、前記基板保持部を囲うと共に、前記基板保持部が基板を保持した状態で基板の裏面との間に接触しない程度の隙間を有する筒状体を備え、前記筒状体により前記基板保持部への洗浄液の侵入を阻止するのが好ましい（請求項１５）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に図４のII矢視図（図５）、III矢視図（図６）、IV矢視図（図７）を参照して説明する。図５に示されるチャック１３の位置は裏面パージノズル１５の手前に位置するが、便宜上構成を解り易くするためにチャック１３を二点鎖線で示すことにする。また、筒状体１７は便宜上省略している。裏面パージノズル１５のウエハＷ裏面に対する吹き出し角度は例えば３０度でパージガスが裏面に当たるように取り付けられており、さらにスリット状の開口部１５ａの直上のウエハＷ裏面と隙間が内方端部Ｙに向かうに連れて広くなるように傾斜されて取り付けられている。言い換えれば、裏面パージノズル１５の取付け高さ位置が外方端部Ｚより内方端部Ｙが低い位置に設置されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
次に、この本実施形態と同じ効果を有する図８、図９に示される裏面パージノズル１５の配置について説明する。先ず図８に配置の裏面パージノズル１５については半径直線上に裏面パージノズル１５の外方端部Ｚと内方端部Ｙとを一線上に重ねた位置に配置され、この配置をＶ矢視図（図８）で示す。なお周縁パージノズル１６については前述しているものと同様であるので省略する。このようにスリット状の開口部１５ａの外方端部Ｚと内方端部Ｙとを半径直線上に合わせた配置にした（前述している角度０となる位置）としてもウエハＷ裏面と裏面パージノズル１５の隙間の傾斜の調整と回転数の調整と裏面パージノズル１５からのパージガス流量の調整により同じ効果が得られる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
次に図９には周縁パージノズル１６のパージガスの吹き出し方向とウエハＷの回転方向の下流側になる配置した裏面パージノズル１５のパージガスが直交するようにした例である。このようにすることでウエハＷを３０ｒｐｍに設定しても周縁パージノズル１６でウエハＷの中央方向に寄せられた洗浄液が直ぐさま裏面パージノズル１５に捕捉されて内方端部Ｙ側で液滴化されて洗浄液を落下させることができる。なお、図４の構成において裏面パージノズル１５と周縁パージノズル１６との関係を図９に示すように配置しても何ら問題になることはなく同様の効果が得られる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2014120489.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2014120489.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体の基板上に、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む材料を用いてＮ型半導体層を積層した半導体装置において、
上記Ｎ型半導体層は、
直径が２インチを越える基板上に形成され、
上記Ｎ型半導体層の領域の面上における複数の箇所の炭素（Ｃ）の濃度を求めたときに、炭素（Ｃ）の濃度の複数の測定値のうち、その中央値が１．０×１０１６ｃｍ−３以下であり、
該中央値と他の測定値との差の最大値が、５×１０１５ｃｍ−３未満であり、
上記Ｎ型半導体層は、ケイ素（Ｓｉ）をドナーとして含有し、
上記Ｎ型半導体層の領域の面上における複数箇所のドナー濃度を求めたときに、ドナーの複数の測定値のうち、その中央値が１．４×１０１６ｃｍ−３以下であり、該中央値と他の測定値との差の最大値が、５×１０１５ｃｍ−３未満である、半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
上記基板およびＮ型半導体層にそれぞれ電極を接続した半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
上記Ｎ型半導体層上に積層されたＰ型半導体層と、Ｐ型半導体層上に積層された他のＮ型半導体層とを備え、
上記基板にドレイン電極を接続し、上記他のＮ型半導体層にソース電極を接続し、Ｐ型半導体層上の絶縁膜にゲート電極を接続した半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の半導体装置を製造する方法において、
トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）を含むIII族原料とアンモニア（ＮＨ３）を含むＶ族原料を用いた結晶成長によって上記Ｎ型半導体層を形成する工程を含み、III族原料とＶ族原料のＶ／IIIが２１００〜４０００である、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体の基板上に、窒化ガリウム（ＧａＮ）を含む材料を用いてＮ型半導体層を積層した半導体装置を製造する方法において、
直径が２インチを越える領域に、複数の上記基板を配置する第１工程と、
トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）を含むIII族原料とアンモニア（ＮＨ３）を含むＶ族原料とを用いた結晶成長によって上記Ｎ型半導体層を形成する第２工程を含み、
上記第２工程は、III族原料とＶ族原料とのＶ／IIIが２１００〜４０００であり、上記Ｎ型半導体層の領域の面上における複数の箇所の炭素（Ｃ）の濃度を求めたときに、炭素（Ｃ）の濃度の複数の測定値のうち、その中央値が１．０×１０１６ｃｍ−３以下であり、該中央値と他の測定値との差の最大値が、５×１０１５ｃｍ−３未満であり、
上記第２工程は、ケイ素（Ｓｉ）をドナーとして含有し、上記Ｎ型半導体層の領域の面上における複数箇所のドナー濃度を求めたときに、ドナー濃度の複数の値のうち、その中央値が１．４×１０１６ｃｍ−３以下であり、該中央値と他の測定値との差の最大値が、５×１０１５ｃｍ−３未満とする工程である、半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月21日(2015.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
［酸性薬液洗浄処理］
ウエハＷが基板保持部１０により保持され、回転駆動部１８によりウエハＷが回転する。この回転するウエハＷには、処理液として、酸性薬液ノズル５１から酸性薬液例えばＤＨＦが供給され、ウエハＷに酸性薬液洗浄処理が施される。酸性薬液は遠心力によりウエハＷから振り切られ、回転カップ２０に受け止められる。このとき、第２カップ３２及び第３カップ３３が下降位置に位置しており（図１の右側に示す位置）、酸性薬液は第１カップ３１と第２カップと３２との間の第１流路３１１を通って流れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、酸性薬液処理を行っているときのカップ３０に関係する流体の流れについて詳述する。なお、酸性薬液処理を行っているときには、図１の右側に示すように第２カップ３２及び第３カップ３３は下降位置にある。また、ハウジング排気路６４を介して所定流量でハウジング６０の内部空間が排気されている。なお、ハウジング排気路６４を介した排気流量が一定であれば、すなわち例えばバタフライ弁６６の開度調整によりハウジング排気路６４を介した排気流量を積極的に変動させない限り、ハウジング排気路６４を介した排気は以下に説明する現象（圧力変動および逆流）に影響しないので、以下の説明では触れない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
この状態からウエハＷを回転させると、ウエハＷの回転に引きずられてウエハＷの表裏面近傍の気体が動かされ、渦巻き状にウエハＷの半径方向外側に進行する旋回流が形成される。なお、回転する基板保持部１０のベース１２及び回転カップ２０の近傍にも、渦巻き状にウエハＷの半径方向外側に進行する旋回流が形成される。この旋回流は、ＦＦＵ７０からの清浄エアのダウンフローのカップ３０の内部への引き込みを促進するとともに、この引き込んだ清浄エアをカップ３０内の第１流路３１１に押し込む。その影響により、ハウジング６０内の圧力Ｐ１が下降し、カップ３０内の圧力Ｐ２及びカップ排気路３６内の圧力Ｐｃが上昇する。圧力の上昇及び下降は、ウエハの回転速度が高くなるほど大きくなる。ウエハの回転速度をある程度上昇させても、上記の「Ｐ１＞Ｐ２＞Ｐｃ」の関係が維持されていれば、気流は前述したようにスムースに流れるので、酸性薬液のミストもこの気流に乗ってスムースにカップ排気口３５に向かって流れる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
１０  基板保持部
５１〜５３  処理液ノズル
２０、３０  液受けカップ
３６  カップ排気路
６０  ハウジング
９１  ハウジング圧力センサ
９２  排気路圧力センサ
１００  制御部
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記基板保持部により保持された基板に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板保持部により保持された基板の周囲を囲み、基板から飛散する処理液を受け止めて回収する、上部に開口部を有する筒状の液受けカップと、
前記基板保持部および前記液受けカップを収容するハウジングと、
前記液受けカップの内部の雰囲気を排気するために前記液受けカップに接続されたカップ排気路と、
前記カップ排気路内の圧力を検出する排気路圧力センサと、
前記液受けカップの外側の前記ハウジング内の圧力を検出するハウジング圧力センサと、
前記ハウジング圧力センサの検出値と前記排気路圧力センサの検出値との差が所定の判定基準値以下かどうかを判定する制御部と、
を備えたことを特徴とする基板液処理装置。
【請求項２】
前記所定の判定基準値は、前記ハウジング内の圧力をＰ１、前記液受けカップ内の圧力をＰ２、前記カップ排気路内の圧力をＰｃとしたときに、Ｐ１とＰ２との大小関係が逆転するときのＰｃの値に所定のマージンを加えた値である、請求項１記載の基板液処理装置。
【請求項３】
基板を保持して回転させる基板保持部と、前記基板保持部により保持された基板に処理液を供給する処理液ノズルと、前記基板保持部により保持された基板の周囲を囲み、基板から飛散する処理液を受け止めて回収する、上部に開口部を有する筒状の液受けカップと、前記基板保持部および前記液受けカップを収容するハウジングと、前記液受けカップの内部の雰囲気を排気するために前記液受けカップに接続されたカップ排気路と、を備えた基板液処理装置を用いて、前記液受けカップ内を排気しつつ基板を回転させた状態で処理液を基板に供給して基板を処理するときに、前記液受けカップの上部開口部から液受けカップ内に流入し、前記液受けカップ内を流下してカップ排気路に排出される気流に異常が生じていることを検出する気流異常検出方法において、
排気路圧力センサにより前記カップ排気路内の圧力を検出するとともに、ハウジング圧力センサにより前記液受けカップの外側の前記ハウジング内の圧力を検出し、前記ハウジング圧力センサの検出値と前記排気路圧力センサの検出値との差が所定の判定基準値以下となったときに、そのことを通知する警報を発することを特徴とする気流異常検出方法。
【請求項４】
前記所定の判定基準値は、前記ハウジング内の圧力をＰ１、前記液受けカップ内の圧力をＰ２、前記カップ排気路内の圧力をＰｃとしたときに、Ｐ１とＰ２との大小関係が逆転するときのＰｃの値に所定のマージンを加えた値である、請求項３記載の気流異常検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の外線と複数の内線を収容し、複数の映像配信元から受信した映像データを前記内線に繋がる映像データ受信機能を備える複数の内線端末およびまたは前記外線を介して接続されている所定の端末のいずれかまたは全てへ、テレビ会議に係る映像データおよびまたはテレビ会議に係らない映像データを配信する映像データ配信手段を備える、電話システムを構成する電話主装置であって、
前記複数の映像配信元から受信した映像データを前記内線端末が備える表示部に表示させるための合成処理を実行する映像データ合成手段と、前記複数の映像配信元をＮ個の配信元ＩＤで識別すると共に、前記配信元ＩＤの内の特定のＭ個（Ｍ＜Ｎ）の配信元ＩＤをテレビ会議用配信元ＩＤとして管理する配信元ＩＤ管理手段と、を有し、
前記映像データ合成手段は、前記テレビ会議用配信元ＩＤのいずれかに対応付けられた、テレビ会議に参加している前記内線端末およびまたは前記外線を介して接続されている所定の端末に対応する複数の映像配信元から受信した映像データを合成し、前記映像データ配信手段は、前記映像データ合成手段が合成した映像データを、前記Ｍ個の配信元ＩＤのいずれかに対応付けられた複数の内線端末およびまたは前記外線を介して接続される所定の端末へ配信することを特徴とするテレビ会議機能を有する電話主装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電話主装置において、配信すべき映像データを蓄積しておく配信用映像データ蓄積手段をさらに有し、前記映像データ配信手段は、前記映像データを受信すべき内線端末およびまたは前記外線を介して接続される所定の端末から前記配信用映像データ蓄積手段にアクセスさせることを特徴とするテレビ会議機能を有する電話主装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、１以上の外線と複数の内線を収容し、複数の映像配信元から受信した映像データを前記内線に繋がる映像データ受信機能を備える複数の内線端末およびまたは前記外線を介して接続されている所定の端末のいずれかまたは全てへ、テレビ会議に係る映像データおよびまたはテレビ会議に係らない映像データを配信する映像データ配信手段を備える、電話システムを構成する電話主装置であって、前記複数の映像配信元から受信した映像データを前記内線端末が備える表示部に表示させるための合成処理を実行する映像データ合成手段と、前記複数の映像配信元をＮ個の配信元ＩＤで識別すると共に、前記配信元ＩＤの内の特定のＭ個（Ｍ＜Ｎ）の配信元ＩＤをテレビ会議用配信元ＩＤとして管理する配信元ＩＤ管理手段と、を有し、前記映像データ合成手段は、前記テレビ会議用配信元ＩＤのいずれかに対応付けられた、テレビ会議に参加している前記内線端末およびまたは前記外線を介して接続されている所定の端末に対応する複数の映像配信元から受信した映像データを合成し、前記映像データ配信手段は、前記映像データ合成手段が合成した映像データを、前記Ｍ個の配信元ＩＤのいずれかに対応付けられた複数の内線端末およびまたは前記外線を介して接続される所定の端末へ配信することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月10日(2015.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線基地局と時間分割複信で通信するユーザ端末であって、
サブフレームに関する情報を受信する受信部と、
前記サブフレームに関する情報に基づいて設定された送信電力で信号を送信する送信部と、を有することを特徴とするユーザ端末。
【請求項２】
前記サブフレームに関する情報は、ビットマップ形式の情報であることを特徴とする請求項１に記載のユーザ端末。
【請求項３】
前記受信部は、下りデータを受信し、
前記下りデータは、前記無線基地局において、他の無線基地局から通知されるＤＬ／ＵＬ構成に関する情報に基づいてスケジューリングされたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のユーザ端末。
【請求項４】
前記送信部は、固定サブフレームと動的サブフレームで異なる送信電力を用いて、信号を送信することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のユーザ端末。
【請求項５】
前記送信部は、サブフレーム０、１、２、５、６と、サブフレーム３、４、７、８、９と、で異なる送信電力を用いて、信号を送信することを特徴とする請求項４に記載のユーザ端末。
【請求項６】
ユーザ端末と時間分割複信で通信する無線基地局であって、
サブフレームに関する情報を送信する送信部と、
前記サブフレームに関する情報に基づいて設定された送信電力で送信された信号を受信する受信部と、を有することを特徴とする無線基地局。
【請求項７】
他の無線基地局からＤＬ／ＵＬ構成に関する情報を受信する伝送路インターフェースと、
前記ＤＬ／ＵＬ構成に関する情報に基づいて、前記ユーザ端末のスケジューリングを制御するスケジューラと、を有することを特徴とする請求項６に記載の無線基地局。
【請求項８】
無線基地局とユーザ端末が時間分割複信で通信する無線通信方法であって、
前記ユーザ端末において、サブフレームに関する情報を受信する工程と、
前記サブフレームに関する情報に基づいて設定された送信電力で信号を送信する工程と、を有することを特徴とする無線通信方法。
【請求項９】
ユーザ端末と、当該ユーザ端末と時間分割複信で通信する無線基地局と、を具備する無線通信システムであって、
前記ユーザ端末は、サブフレームに関する情報を受信する受信部と、
前記サブフレームに関する情報に基づいて設定された送信電力で信号を送信する送信部と、を有することを特徴とする無線通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線基地局、ユーザ端末、無線通信方法及び無線通信システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、隣接する送受信ポイント間で異なるＤＬ／ＵＬ構成を適用する場合であっても、干渉の影響を抑制すると共に無線リソースの利用効率を向上することができる無線基地局、ユーザ端末、無線通信方法及び無線通信システムを提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一態様に係るユーザ端末は、無線基地局と時間分割複信で通信するユーザ端末であって、サブフレームに関する情報を受信する受信部と、前記サブフレームに関する情報に基づいて設定された送信電力で信号を送信する送信部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月10日(2015.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
金属イオン二次電池では、外熱による温度上昇、過充電、内部短絡、外部短絡等によって発煙等の危険性が高まる。これらは、外部保護回路によってある程度防ぐことが可能である。また、金属イオン二次電池セパレータとして使用されているポリオレフィン系樹脂の多孔質フィルムが１２０℃付近で溶融し、孔が閉塞して電流やイオンの流れを遮断することによって、電池の温度上昇が抑制される。これは、シャットダウン機能と呼ばれている。しかし、外熱によって温度が上昇した場合や温度上昇によって電池内部で化学反応が起きた場合には、シャットダウン機能が働いても電池温度はさらに上昇し、電池温度が１５０℃以上にまで達すると、多孔質フィルムが収縮して内部短絡が起こり、発火等が起きることがあった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明において、無機顔料を含有する塗層の塗工量としては、５〜３０ｇ／ｍ２が好ましく、さらに好ましくは１０〜２０ｇ／ｍ２である。塗工量を５ｇ／ｍ２以上とすることで、不織布表面を十分に被覆しやすくなり、微小短絡を防止しやすくなる。また、塗工量３０ｇ／ｍ２以下とすることで、セパレータの厚み上昇を抑えることができやすくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
［電池のハイレート特性］
作製した各電池について、１００ｍＡ定電流充電→４．２Ｖ定電圧充電→充電電流１０ｍＡになったら１００ｍＡで２．８Ｖまで定電流放電→１００ｍＡ定電流充電→４．２Ｖ定電圧充電→充電電流１０ｍＡになったら３００ｍＡで２．８Ｖまで定電流放電を行い、［（３００ｍＡにおける放電容量）／（１００ｍＡにおける放電容量）］×１００（％）として放電容量比を求めハイレート特性とした。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月24日(2015.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘッドスタックアセンブリであって、
開口を有するアクチュエータアームと、
開口を伴う搭載領域を有する荷重ビームを含むヘッドサスペンションアセンブリと、
前記ヘッドサスペンションアセンブリを前記アクチュエータアームに取り付けるように適合された底板とを備え、前記底板は外表面とスエージング穴とを有する突出塔形部を含み、
前記アクチュエータアームの開口、前記突出塔形部の外表面、または前記スエージング穴のうちのいずれか１つは非円形である、ヘッドスタックアセンブリ。
【請求項２】
前記アクチュエータアームの開口、前記突出塔形部の外表面、または前記スエージング穴のうちのいずれか１つは長円または楕円である、請求項１に記載のヘッドスタックアセンブリ。
【請求項３】
前記アクチュエータアームの開口、前記突出塔形部の外表面、または前記スエージング穴のうちのいずれか１つは、長軸の短軸に対する比率が１．００４７：１から１．０４２９：１の長円または楕円である、請求項２に記載のヘッドスタックアセンブリ。
【請求項４】
ロール方向およびピッチ方向を有するヘッドスタックアセンブリであって、
開口を有するアクチュエータアームと、
開口を伴う搭載領域を有する荷重ビームを含むヘッドサスペンションアセンブリと、
前記ヘッドサスペンションアセンブリを前記アクチュエータアームに取り付けるように適合された底板とを備え、前記底板は外表面とスエージング穴とを有する突出塔形部を含
み、
前記アクチュエータアーム、前記荷重ビーム、および前記底板は、前記アクチュエータアームの開口および前記搭載領域の開口を通る前記突出塔形部とともに配列およびスエージングされ、前記ピッチ方向よりも前記ロール方向において前記突出塔形部と前記アクチュエータアームの開口との間の圧縮が増大する、ヘッドスタックアセンブリ。
【請求項５】
ディスクドライブにおいてアクチュエータアームにヘッドサスペンションをスエージングする方法であって、
開口を伴う搭載領域を有する荷重ビームを含むヘッドサスペンションアセンブリを設け、開口を有するアクチュエータアームを設け、外表面と内表面を伴うスエージング穴とを有する突出塔形部を含む底板を設けるステップを備え、前記アクチュエータアームの開口、前記突出塔形部の外表面、または前記スエージング穴のうちの少なくとも１つは非円形であって、方法はさらに、
前記アクチュエータアームの前記開口と同心で前記搭載領域に前記開口を位置決めするステップと、
前記アクチュエータアームと前記底板との間に前記搭載領域が位置決めされるように前記搭載領域の開口および前記アクチュエータアームの開口に前記突出塔形部を挿入するステップと、
スエージングボールを前記スエージング穴に挿入するステップとを備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図８Ｄは、円形のスエージ穴４４８と非円形である外表面４６４Ｄとを伴う突出塔形部４４６Ｄを有する底板４４４Ｄを示す。この実施形態において、表面部分４６５Ｄは、外表面４６４Ｄに非円形の形状を付与する弓状の外形を有する。表面部分４６５Ｄは、外表面４６４Ｄの約３分の１を占め、外表面４６４Ｄの他の３分の２の半径とは異なる半径によって規定される。突出塔形部４４６Ｄは、表面部分４６５Ｄにおいて突出塔形部４４６Ｄの他の３分の２よりも小さい厚さを有する。突出塔形部４４６Ｄの薄い部分（表面部分４６５Ｄ）は、スエージ穴４４８の中心を通る横軸を中心に対称である。図８Ｅは、図８Ｄの鏡像を示し、円形のスエージ穴４４８と非円形である外表面４６４Ｅとを伴う突出塔形部４４６Ｅを有する底板４４４Ｅを含む。この実施形態において、弓状の表面部分４６５Ｅは、突出塔形部４４６Ｅの約３分の１を占め、突出塔形部４４６Ｅの他の３分の２よりも小さい厚さを作り出す。突出塔形部４４６Ｅの薄い部分は、スエージ穴４４８の中心を通る横軸を中心に対称である。図８Ｆは、上記の２つの例を組み合わせたものであり、円形のスエージ穴４４８と非円形である外表面４６４Ｆとを伴う突出塔形部４４６Ｆを有する底板４４４Ｆを示す。この実施形態において、２つの弓状の表面部分４６５Ｆおよび４６５Ｆ′は、外表面４６４Ｆに非円形の形状を付与する。表面部分４６５Ｆは、外表面４６４Ｆの約３分の１を占め、表面部分４６５Ｆ′は、外表面４６４Ｆの他の約３分の１を占める。表面部分４６５Ｆ，４６５Ｆ′の両方は、外表面４６４Ｆの他の３分の１の半径とは異なる半径によって規定される。突出塔形部４４６Ｆは、表面部分４６５Ｆ，４６５Ｆ′において突出塔形部４４６Ｆの他の３分の１よりも小さい厚さを有する。突出塔形部４４６Ｆの薄い部分は、底板４４４Ｆおよびこれが組み込まれて得られるサスペンションアセンブリの長手方向を中心に対称であり、スエージ穴４４８の中心を中心として横方向において対称である。図８Ｄ、図８Ｅ、および図８Ｆの全てにおいて、アクチュエータアームの開口に組み込まれてスエージングされると、非円形の突出塔形部による横方向またはロール方向の圧縮が減少する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図８Ｇは、両方が横方向および長手方向において対称である図８Ｃと図８Ｆとを組み合わせたものである。具体的には、図８Ｇは、円形のスエージ穴４４８と非円形である外表面４６４Ｇとを伴う突出塔形部４４６Ｇを有する底板４４４Ｇを示す。この実施形態において、外表面４６４Ｇに円形の部分はなく、外表面４６４Ｇは４つの弓状の線分から形成される。突出塔形部４４６Ｇは、底板４４４Ｇおよびこれが組み込まれて得られるサスペンションアセンブリの長手方向を中心に対称であり、スエージ穴４４８の中心を中心として横方向において対称である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図９Ｇは、図９Ｃおよび図９Ｆの両方を組み合わせたものであり、これら両方は横方向および長手方向において対称である。具体的に、図９Ｇは、非円形の開口４５８Ｇを有するアクチュエータアーム４２８Ｇを示す。この実施形態においては、開口４５８Ｇに円形の部分はないが、開口４５８Ｇは４つの弓状の線分から形成される。開口４５８Ｇは、アクチュエータアーム４２８Ｇおよびこれが組み込まれて得られるサスペンションアセンブリの長手方向を中心に対称であり、横方向において開口４５８Ｇの中心を中心として対称である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月1日(2015.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リーダースタックにわたって埋め戻し材の層を蒸着することと、
前記埋め戻し材を蒸着した後、前記埋め戻し材の層の上部に化学機械的研磨停止層を蒸着することと、
前記化学機械的研磨停止層を蒸着した後、前記化学機械的研磨停止層の上に犠牲層を蒸着することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記リーダースタックの上に蒸着されたフォトレジスト層の部分を暴露することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記暴露部分を介して前記フォトレジストを除去することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
リーダースタックと、
前記リーダースタックの隣および上部の埋め戻し層と、
前記埋め戻し層の上の化学機械的研磨停止層と、
前記化学機械的研磨停止層の上の犠牲層と、
を備える装置。
【請求項５】
前記リーダースタックの上に配置されたフォトレジスト層をさらに備え、
前記埋め戻し層が、前記フォトレジスト層を覆う、請求項４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装着板であって、
第１の表面および対向する第２の表面を有するフランジと、
スエージ孔を有するボスタワーとを含み、前記ボスタワーは、前記ボスタワーが前記フランジの前記第１の表面に接する区域から前記ボスタワーの端面にまで延在し、前記ボスタワーは、
前記スエージ孔の内面を規定する内径と、
前記ボスタワーの外面の一部を規定する外径と、
斜めに角度の付けられた面に沿って前記ボスタワーにおいて形成される少なくとも１つの切欠部分とを含み、前記少なくとも１つの切欠部分は、前記ボスタワーが前記フランジの前記第１の表面に接する箇所から第１の距離に位置する第１の区域において、前記外面のうち前記外径によって規定される部分と交差し、前記内径から第２の距離に位置する第２の区域において前記端面と交差し、
前記第１の距離は前記第２の距離よりも短く、
前記第１の区域が、前記ボスタワーの前記外面との凸状の境界を形成し、
前記第２の区域が、前記ボスタワーの前記端面との線形の境界または凹状の境界を形成する、装着板。
【請求項２】
前記ボスタワーは、径方向に互いに対向して位置する２つの切欠部分を含む、請求項１に記載の装着板。
【請求項３】
前記フランジはさらに、遠位端縁、近位端縁、第１の側端縁および第２の側端縁を含み、前記第１の側端縁および前記第２の側端縁により前記遠位端縁が前記近位端縁に結合される、請求項１に記載の装着板。
【請求項４】
スエージ結合アセンブリであって、
アパーチャを有する第１の構成要素と、
前記第１の構成要素における前記アパーチャに挿入されてスエージ結合されるよう構成されたボスタワーと一体的に形成されたプレートを有する第２の構成要素とを含み、
前記プレートは第１の表面および対向する第２の表面を有し、前記ボスタワーは、前記ボスタワーが前記プレートの前記第１の表面に接する区域から前記ボスタワーの端面にまで延在し、前記ボスタワーはさらに、
スエージ孔と、
前記スエージ孔の内面を規定する内径と、
前記ボスタワーの外面の一部を規定する外径と、
斜めに角度の付けられた面に沿って前記ボスタワーに形成される少なくとも１つの切欠部分とを含み、前記少なくとも１つの切欠部分は下方の境界および上方の境界を含み、前記下方の境界および前記上方の境界は前記ボスタワーの前記外面の残りの部分を規定し、
前記少なくとも１つの切欠部分は、前記ボスタワーの周囲よりも短い長さを有し、
前記下方の境界は、前記外面のうち、前記ボスタワーの前記外径によって規定される部分で凸状の隆起を形成し、
前記上方の境界は、前記ボスタワーの前記端面で線形の隆起または凹状の隆起を形成し、
前記ボスタワーが前記第１の構成要素における前記アパーチャに挿入されてスエージ結合されると、前記ボスタワーの前記外面のうち前記外径によって規定される部分だけが、前記第１の構成要素における前記アパーチャと係合する、スエージ結合アセンブリ。
【請求項５】
２つの構成要素を結合する方法であって、
第１の構成要素のボスタワーを第２の構成要素におけるアパーチャに挿入するステップを含み、
前記ボスタワーは、前記ボスタワーがフランジの第１の表面に接する区域から前記ボスタワーの端面にまで延在し、スエージ孔を有し、前記ボスタワーは、
前記スエージ孔の内面を規定する内径と、
前記ボスタワーの外面の一部を規定する外径と、
斜めに角度の付けられた面に沿って前記ボスタワーに形成される少なくとも１つの切欠部分とを含み、前記少なくとも１つの切欠部分は、前記ボスタワーが前記フランジの前記第１の表面に接する箇所から第１の距離に位置する第１の区域において前記外面と交差し、前記内径から第２の距離に位置する第２の区域において前記端面と交差し、
前記第１の距離は前記第２の距離よりも短く、
前記第１の区域が、前記ボスタワーの前記外面との凸状の境界を形成し、
前記第２の区域が、前記ボスタワーの前記端面との線形の境界または凹状の境界を形成し、
前記方法はさらに、
前記第１の構成要素の前記ボスタワーを前記第２の構成要素における前記アパーチャにスエージ加工するステップを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月22日(2015.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライダを支持し、リフトタブを含む負荷アームを含み、
リフトタブは、前記リフトタブの遠位先端から延在するランプ係合領域を有し、ランプ係合領域は、第１の半径と第１の半径とは異なる第２の半径とによって規定される外面を有し、
第１の半径および第２の半径の各々は、リフトタブの遠位先端から同じ距離にある、ディスクドライブ用アームアセンブリ。
【請求項２】
外面は、ベーストラフと対向するアームとを有する弓状であり、トラフの少なくとも一区分は第１の半径によって規定され、アームの少なくとも一区分は、第１の半径よりも小さい第２の半径によって規定されている、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
第２の半径は、第１の半径の９０％以下である、請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
スライダを支持し、リフトタブを含む負荷アームを含み、
リフトタブは遠位先端と負荷アームとの間の長さを有し、リフトタブは、第１の半径を有するベーストラフとリフトタブの長さに直交して取られている同じ断面に沿った第１の半径よりも小さい第２の半径を有するアームとを規定する連続形状を有する外面を有するランプ係合領域を有する、ディスクドライブ用アームアセンブリ。
【請求項５】
ディスクと、
スライダを支持し、リフトタブを含むアームアセンブリと、
載置ランプとを含み、
リフトタブは、第１の半径と第１の半径とは異なる第２の半径とによって規定される外面を有するランプ係合領域を有し、
第１の半径および第２の半径は係合領域の同じ断面における半径である、ディスクドライブ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの磁性材料の間に一様なギャップを成形する方法であって、
メインポール磁性材料層の上部に非磁性ギャップ材料層を蒸着することと、
前記非磁性ギャップ材料層の上部に犠牲材料層を蒸着することと、
前記犠牲材料層を完全に除去しないが、前記犠牲材料層の一部をエッチングすることと、
前記エッチングされた犠牲材料層に追加の犠牲材料を蒸着することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記犠牲材料層の上に前面シールド層を蒸着することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記メインポール磁性材料層と前記前面シールド層との間に一様なギャップを成形することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記非磁性ギャップ材料層が、Ａｌ2Ｏ3を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記非磁性ギャップ材料層が、ルテニウムを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記犠牲材料層が、ルテニウムを含む、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記犠牲材料層が、ＮｉＲｕを含む、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記犠牲材料層が、Ｃｒを含む、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記犠牲材料層の材料が、前記メインポール磁性材料層の材料と同じ磁気モーメントの磁気モーメントを備える、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記犠牲材料層の材料が、非磁性シード材料を利用する、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
メインポール磁性材料層と、
前記メインポール磁性材料層の上部に非磁性ギャップ材料層と、
前記非磁性ギャップ材料層の上部にエッチングされた第１の犠牲材料層と、
前記エッチングされた前記第１の犠牲材料層の上部に第２の犠牲材料層と、
を備える、装置。
【請求項１２】
前記第１の犠牲材料層の上に前面シールド層をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記メインポール磁性材料層と前記前面シールド層との間に一様なギャップをさらに備える、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記非磁性ギャップ材料層が、Ａｌ2Ｏ3を含む、請求項１１から１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
前記非磁性ギャップ材料層が、ルテニウムを含む、請求項１１から１４のいずれかに記載の装置。
【請求項１６】
前記第１の犠牲材料層が、ルテニウムを含む、請求項１１から１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
前記第１の犠牲材料層が、ＮｉＲｕを含む、請求項１１から１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
前記第１の犠牲材料層が、Ｃｕを含む、請求項１１から１７のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の犠牲材料層の材料が、前記メインポール磁性材料層の材料の磁気モーメントと同等の磁気モーメントを備える、請求項１１から１８のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
前記第１の犠牲材料層の材料が、非磁性シード材料を利用する、請求項１１から１９のいずれかに記載の装置。