【手続補正書】
【提出日】平成27年7月15日(2015.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側配線基板と、
前記下側配線基板の上に搭載された電子部品と、
前記電子部品を収容する開口部を備えて前記電子部品の周囲に配置され、導電性ボールを介して前記下側配線基板に接続された中間配線基板と、
前記電子部品及び前記中間配線基板の上に配置され、導電性ボールを介して前記中間配線基板に接続された上側配線基板と、
前記下側配線基板、前記中間配線基板及び前記上側配線基板の各間の領域に充填されて、前記電子部品を封止する樹脂とを有し、
前記中間配線基板の上下側に配置される前記導電性ボールは、コアボールと前記コアボールの外面に形成されたはんだ層とからそれぞれ形成され、かつ、相互にずれた位置に配置されていることを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記中間配線基板の上下側に配置される前記導電性ボールは、平面視して相互に重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記導電性ボールは、平面視して千鳥配置に配列されていることを特徴とする請求項２に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記導電性ボールの直径は、前記電子部品の高さより小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記中間配線基板は、枠状に繋がって形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
下側配線基板の上に電子部品を搭載する工程と、
前記電子部品を収容する開口部を備えた中間配線基板が前記下側配線基板に導電性ボールを介して接続され、かつ、前記中間配線基板に上側配線基板が導電性ボールを介して接続された構造の積層配線基板を得る工程と、
前記下側配線基板、前記中間配線基板及び前記上側配線基板の各間の領域に樹脂を充填して前記電子部品を封止する工程とを有し、
前記中間配線基板の上下側に配置される前記導電性ボールは相互にずれた位置に配置されることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項７】
前記積層配線基板を得る工程は、
前記中間配線基板を前記下側配線基板に前記導電性ボールを介して接続する工程と、
前記上側配線基板を前記中間配線基板に前記導電性ボールを介して接続する工程とを含むことを特徴とする請求項６に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記中間配線基板の上下側に配置される前記導電性ボールは、平面視して相互に重ならない位置に配置されていることを特徴とする請求項６又は７に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記導電性ボールの直径は、前記電子部品の高さより小さいことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記導電性ボールは、少なくとも外面がはんだ層から形成されることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか一項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
以下の開示の一観点によれば、下側配線基板と、前記下側配線基板の上に搭載された電子部品と、前記電子部品を収容する開口部を備えて前記電子部品の周囲に配置され、導電性ボールを介して前記下側配線基板に接続された中間配線基板と、前記電子部品及び前記中間配線基板の上に配置され、導電性ボールを介して前記中間配線基板に接続された上側配線基板と、前記下側配線基板、前記中間配線基板及び前記上側配線基板の各間の領域に充填されて、前記電子部品を封止する樹脂とを有し、前記中間配線基板の上下側に配置される前記導電性ボールは、コアボールと前記コアボールの外面に形成されたはんだ層とからそれぞれ形成され、かつ、相互にずれた位置に配置されている電子部品内蔵基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】図１は予備的事項に係る電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は予備的事項に係る電子部品内蔵基板の製造方法の問題点を説明するための断面図（その１）である。
【図３】図３（ａ）及び（ｂ）は予備的事項に係る電子部品内蔵基板の製造方法の問題点を説明するための断面図（その２）である。
【図４】図４（ａ）及び（ｂ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）及び（ｂ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図及び平面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）及び（ｂ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図８】図８は実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は図８のモールド樹脂を形成する際にモールド型内で中間配線基板が撓む様子を示す断面図（その１）である。
【図１０】図１０は図８のモールド樹脂を形成する際に中間配線基板がモールド型内で撓む様子を示す断面図（その２）である。
【図１１】図１１は実施形態の電子部品内蔵基板を示す断面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図４（ａ）の下側配線基板５の例では、コア基板１０の両面側に２層の第１、第２配線層２０，２２がそれぞれ積層されているが、配線層の積層数は任意に設定することができる。また、下側配線基板５は、基材としてポリイミドテープなどを使用するフレキシブル性を有するコアレス基板であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次いで、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）の上側配線基板７の下面側の第２はんだボール２９を前述した図６（ｂ）の中間配線基板６の上面側の第２接続パッドＰ２の上に配置し、リフロー加熱する。これにより、上側配線基板７の第２はんだボール２９が中間配線基板６の第２接続パッドＰ２に接合されて両者が電気的に接続される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
本実施形態では、半導体チップ４０及びキャップキャパシタ５０の高さを考慮して中間配線基板６の厚みを調整することにより、半導体チップ４０の高さよりかなり小さな直径の第１、第２はんだボール２８、２９を採用することができる。これにより、下側、上側配線基板５，７の各間の接続部位の狭ピッチ化を図ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
また、前述した図６（ａ）及び（ｂ）の工程において、第１はんだボール２８を下側配線基板５の上面側の接続パッドＰに接合し、その上に中間配線基板６の下面側の第１接続パッドＰ１を接合してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
また同様に、図７（ａ）及び（ｂ）の工程において、第２はんだボール２９を中間配線基板６の上面側の第２接続パッドＰ２に接合し、その上に上側配線基板７の下面側の接続パッドＰ１を接合してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
また、上側配線基板７の上面側の第２接続パッドＰ２に半導体デバイス７０のはんだバンプ７２が接続されている。半導体デバイス７０の下側の隙間にアンダーフィル樹脂７４が充填されている。さらに、下側配線基板５の下面側の接続パッドＰに外部接続端子１４が設けられている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
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