【手続補正書】
【提出日】平成27年1月6日(2015.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複合材料およびフルオレン誘導体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フルオレンにアリール基が１又は複数結合している、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【請求項２】
フルオレンの９位に１つ又は２つのフェニレン基を介してアリール基が結合し、且つ、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【請求項３】
フルオレンにアリール基が１又は複数結合している、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有し、
前記アリール基が前記フルオレンの２位又は前記フルオレンの２位および７位に結合している複合材料。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記アリール基は置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のアントリル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のピレニル基、置換又は無置換のクリセニル基及び置換又は無置換のテトラセニル基から選ばれる一である複合材料。
【請求項５】
フルオレンの９位に１つ又は２つのフェニレン基を介して２環以上４環以下の縮合環が結合し、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【請求項６】
下記一般式（Ｇ１）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化１】
2012169613.tif 000001
（但し、式中α１及びα２はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかを表し、ｎは０又は１の値をとる。また、Ａｒ１及びＡｒ２は置換又は無置換のアリール基を表す。また、Ｒ１１乃至Ｒ１８はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基及び置換または無置換のフェナントリル基のいずれかを表す。）
【請求項７】
下記一般式（Ｇ１）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化２】
2012169613.tif 000002
（但し、式中α１及びα２はそれぞれ独立に、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかを表し、ｎは０又は１の値をとる。また、Ａｒ１は置換又は無置換の２環以上４環以下の環が縮合したアリール基を表し、Ａｒ２は置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表す。また、Ｒ１１乃至Ｒ１８はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基及び置換または無置換のフェナントリル基のいずれかを表す。）
【請求項８】
下記一般式（Ｇ２）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化３】
2012169613.tif 000003
（但し、式中α１は置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかを表す。また、Ａｒ１は置換又は無置換の２環以上４環以下の環が縮合したアリール基を表し、Ａｒ３は置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１１乃至Ｒ１８はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基及び置換または無置換のフェナントリル基のいずれかを表す。）
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記Ａｒ１は、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のアントリル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のピレニル基、置換又は無置換のクリセニル基及び置換又は無置換のテトラセニル基から選ばれる一である複合材料。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記Ａｒ１で表されるアリール基の結合手が水素と結合した物質が、その吸収スペクトルにおいて、４５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲にピークがない物質である複合材料。
【請求項１１】
下記一般式（Ｇ４）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化４】
2012169613.tif 000004
（但し、式中α１は置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかを表す。また、Ｒ１乃至Ｒ９はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フェナントリル基及び下記一般式（Ａｒ１−２）で表される基のいずれかを表す。）
【化５】
2012169613.tif 000005
（但し、式中α５は置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニルジイル基のいずれかを表す。）
【請求項１２】
下記一般式（Ｇ５）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化６】
2012169613.tif 000006
（但し、式中α１１はフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。）
【請求項１３】
下記一般式（Ｇ６）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化７】
2012169613.tif 000007
（但し、式中Ａｒ５は置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、Ａｒ６は水素、置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基のいずれかを表し、α６及びα７はそれぞれ独立に置換又は無置換のフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。ｊ及びｋはそれぞれ独立に０又は１の値をとる。また、Ｒ２１乃至Ｒ２８はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基及び置換または無置換のフェナントリル基のいずれかを表す。）
【請求項１４】
下記一般式（Ｇ６’）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化８】
2012169613.tif 000008
（但し、式中Ａｒ５は置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、Ａｒ６は水素、置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基のいずれかを表し、α６及びα７はそれぞれ独立に置換又は無置換のフェニレン基又はビフェニルジイル基を表す。ｊ及びｋはそれぞれ独立に０又は１の値をとる。また、Ｒ２３乃至Ｒ２８及びＲ３１乃至Ｒ３８はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基及び置換または無置換のフェナントリル基のいずれかを表す。）
【請求項１５】
下記一般式（Ｇ７）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化９】
2012169613.tif 000009
（但し、式中Ａｒ５は置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、Ａｒ６は水素、置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ２１乃至Ｒ２８はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基及び置換または無置換のフェナントリル基のいずれかを表す。）
【請求項１６】
下記一般式（Ｇ７’）で表され、分子量が４００以上２０００以下である炭化水素化合物と、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物を含有する複合材料。
【化１０】
2012169613.tif 000010
（但し、式中Ａｒ５は置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基を表し、Ａｒ６は水素、置換又は無置換の炭素数６乃至１８のアリール基のいずれかを表す。また、Ｒ２３乃至Ｒ２８及びＲ３１乃至Ｒ３８はそれぞれ独立に水素、炭素数１乃至６のアルキル基、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基及び置換または無置換のフェナントリル基のいずれかを表す。）
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一項において、
前記炭化水素化合物の分子量が１５００以下である複合材料。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一項において、
前記炭化水素化合物に対して電子受容性を示す無機化合物が遷移金属の酸化物である複合材料。
【請求項１９】
下記構造式で表されるフルオレン誘導体。
【化１１】
2012169613.tif 000011