(57)【要約】  素子収納用パッケージ２は、基板４と、枠体５と、入出力端子６を備えている。また、入出力端子６は、複数の誘電体層６ａと複数のグランド層６ｂとを交互に積層した積層体に、枠体５内に位置する上面から内部を通って枠体５外に位置する下面にまで形成された配線導体７と、下面の配線導体７に接続されたリード端子８とを有している。複数のグランド層６ｂは入出力端子６内を上下方向に通る配線導体７の周囲に非形成領域が設けられ、非形成領域は、上方から下方に向かって、第１非形成領域Ｆ１と、第１非形成領域Ｆ１よりも面積が小さい第２非形成領域Ｆ２と、第２非形成領域Ｆ２よりも面積が大きくなる第３非形成領域Ｆ３とを有している。
2014069126.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に素子を実装するための実装領域を有する基板と、
前記基板上に外周に沿って前記実装領域を取り囲むように設けられた枠状部および前記枠状部に前記基板の上面に沿った方向に形成された貫通部を有する枠体と、
前記貫通部に設けられた、前記枠体内と前記枠体外とを電気的に接続する入出力端子とを備え、
前記入出力端子は、複数の誘電体層と複数のグランド層とを交互に積層した積層体に、前記枠体内に位置する上面から内部を通って前記枠体外に位置する下面にまで形成された配線導体と、下面の前記配線導体に接続されたリード端子とを有しており、
少なくとも３層の前記グランド層には上下方向に通る前記配線導体の周囲に非形成領域が設けられ、前記非形成領域は、前記積層体内の上方から下方に向かって順に、第１非形成領域と、前記第１非形成領域よりも面積が小さい第２非形成領域と、前記第２非形成領域よりも面積が大きい第３非形成領域とを有することを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の素子収納用パッケージであって、
前記配線導体は、前記積層体内を上下方向に通る第１配線導体と、上部が前記第１配線導体の下部に電気的に接続された、前記第１配線導体よりも前記積層体の前記枠体外の端面寄りに前記積層体内を上下方向に通る第２配線導体と、上部が前記第２配線導体の下部に電気的に接続された、前記第２配線導体よりも前記端面寄りに前記積層体内を上下方向に通る第３配線導体とを有することを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項２に記載の素子収納用パッケージであって、
前記第１配線導体の上下方向の長さは、前記第２配線導体の上下方向の長さおよび前記第３配線導体の上下方向の長さよりも長く、
前記第２配線導体の上下方向の長さは、前記第３配線導体の上下方向の長さよりも長いことを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項２に記載の素子収納用パッケージであって、
前記第１非形成領域および前記第２非形成領域は、前記第１配線導体が形成されている複数の前記グランド層内に位置することを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項５】
請求項１に記載の素子収納用パッケージであって、
前記非形成領域は、平面視して、前記積層体の上下方向に直交する第１方向に突出する第１突出部と、前記積層体の上下方向および前記第１方向に直交する第２方向に突出する第２突出部とを有することを特徴とする素子収納用パッケージ。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の素子収納用パッケージと、
前記素子収納用パッケージの前記実装領域に実装された素子とを備えたことを特徴とする実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子を実装することが可能な素子収納用パッケージ、および素子を実装した実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、機器の小型化とともに、半導体素子、発光ダイオード、圧電素子、水晶振動子、レーザーダイオードまたはホトダイオード等の素子を実装することが可能な小型の素子収納用パッケージが開発されている（例えば、特開２００４−１５３１６５号公報参照）。なお、特開２００４−１５３１６５号公報で提案された素子収納用パッケージは、基板と、基板上に設けられた枠体と、枠体の一部に設けられた入出力端子と備え、入出力端子の上面に枠体内と枠体外とを電気的に接続するリード端子が取り付けられている。【０００３】
特に、光通信、マイクロ波通信またはミリ波通信等の高周波数を用いる高周波用の素子収納用パッケージでは、高周波数帯になればなるほど、高周波数の制御が難しく、高周波回路設計が困難になるという技術的課題がある。【０００４】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、高周波数帯での周波数特性を良好にすることが可能な素子収納用パッケージおよび実装構造体を提供することを目的とする。
【発明の概要】
【０００５】
本発明の一実施形態に係る素子収納用パッケージは、上面に素子を実装するための実装領域を有する基板と、前記基板上に外周に沿って前記実装領域を取り囲むように設けられた枠状部および前記枠状部に前記基板の上面に沿った方向に形成された貫通部を有する枠体と、前記貫通部に設けられた、前記枠体内と前記枠体外とを電気的に接続する入出力端子とを備えている。また、前記入出力端子は、複数の誘電体層と複数のグランド層とを交互に積層した積層体に、前記枠体内に位置する上面から内部を通って前記枠体外に位置する下面にまで形成された配線導体と、下面の前記配線導体に接続されたリード端子とを有している。さらに、少なくとも３層の前記グランド層には上下方向に通る前記配線導体の周囲に非形成領域が設けられている。また、前記非形成領域は、前記積層体内の上方から下方に向かって順に、第１非形成領域と、前記第１非形成領域よりも面積が小さい第２非形成領域と、前記第２非形成領域よりも面積が大きい第３非形成領域とを有している。
【０００６】
また、本発明の一実施形態に係る実装構造体は、前記素子収納用パッケージと、前記素子収納用パッケージの前記実装領域に実装された素子とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態に係る実装構造体の一方向から見た概観斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る実装構造体の他方向から見た概観斜視図である。
【図３】図１のＸ−Ｘに沿った入出力端子の内部の一部を示した概観斜視図であって、複数のグランド層、配線導体およびリード端子を示している。
【図４】図３の一部Ａを拡大した部分拡大図である。
【図５】図１のＸ−Ｘに沿った入出力端子の断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る実装構造体の周波数特性を示したグラフである。
【図７】配線導体とグランド層との関係を平面視した平面図である。
【図８】配線導体とグランド層との関係を平面視した平面図である。
【図９】配線導体とグランド層との関係を平面視した平面図である。
【図１０】配線導体とグランド層との関係を平面視した平面図である。
【図１１】配線導体とグランド層との関係を平面視した平面図である。
【図１２】配線導体とグランド層との関係を平面視した平面図である。
【図１３】一変形例に係る配線導体とグランド層との関係を平面視した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜実装構造体の構成＞
実装構造体１は、図１または図２に示すように、素子収納用パッケージ２と、素子収納用パッケージ２の実装領域Ｒに設けられた素子３とを備えている。素子収納用パッケージ２は、例えば、半導体素子、トランジスタ、レーザーダイオード、ホトダイオードまたはサイリスタ等の能動素子、あるいは抵抗器、コンデンサ、太陽電池、圧電素子、水晶振動子またはセラミック発振子等の受動素子からなる素子３を実装するのに用いるものである。
【０００９】
素子収納用パッケージ２は、上面に素子３を実装するための実装領域Ｒを有する基板４と、基板４の外周に沿って実装領域Ｒを取り囲むように基板４上に設けられた枠状部５ａおよび枠状部５ａに基板４の上面に沿った平面方向に形成された貫通部５ｂとを有する枠体５と、貫通部５ｂに設けられた、枠体５内と枠体５外とを電気的に接続する入出力端子６とを備えている。
【００１０】
素子３は、台座３ａ上に実装される。台座３ａは、素子収納用パッケージ２の内部の実装領域Ｒに設けられる。台座３ａは、素子３を実装するものであって、素子３の高さ位置を調整することができる。台座３ａは、絶縁材料からなり、台座３ａの上面に素子３と電気的に接続される電気配線が形成されている。
【００１１】
素子収納用パッケージ２は、高耐圧化、大電流化や大電力化または高速・高周波化に対応している素子を実装して機能させるのに適しており、素子３の一例として半導体素子を実装するものである。また、素子収納用パッケージ２は、上面に素子３を実装するための実装領域Ｒを有する基板４と、基板４の外周に沿って実装領域Ｒを取り囲むように基板４上に設けられた枠状部５ａおよび枠状部５ａに基板４の上面に沿った平面方向に形成された貫通部５ｂとを有する枠体５と、貫通部５ｂに設けられた、枠体５内と枠体５外とを電気的に接続する入出力端子６とを備えている。
【００１２】
基板４は、矩形状の金属板であって、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。なお、基板４の熱伝導率は、例えば１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。基板４の熱膨張係数は、例えば３×１０−６／Ｋ以上２８×１０−６／Ｋ以下に設定されている。
【００１３】
また、基板４の四隅には、外部に向かって延在した延在部４ａと、延在部４ａに外部基板と螺子止めするための螺子孔４ｂが形成されている。なお、螺子孔４ｂに螺子やボルトを通して外部基板に固定する。
【００１４】
基板４は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。なお、基板４は、延在部４ａを除いて、平面視したときの一辺の長さは、例えば５ｍｍ以上５０ｍｍ以下に設定されている。また、基板４の上下方向の厚みは、例えば０．３ｍｍ以上５ｍｍ以下に設定されている。
【００１５】
また、基板４の表面は、酸化腐食を防止するために、電気めっき法または無電解めっき法を用いて、ニッケルまたは金等の金属層が形成されている。なお、金属層の厚みは、例えば０．５μｍ以上９μｍ以下に設定されている。
【００１６】
枠体５は、基板４上であって基板４の外周に沿って設けられている。枠体５は、基板４の実装領域Ｒを取り囲む枠状部５ａと、枠状部５ａに基板４の上面に沿った平面方向に形成された貫通部５ｂとを有している。枠状部５ａの４辺のうち、３辺が切り欠かれている。そして、切り欠かれた箇所に入出力端子６が設けられる。枠体５は、基板４上に銀銅ろう等のろう材によって接合される。
【００１７】
枠体５は、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。枠体５は、素子３から発生する熱を効率良く外部に放熱する機能や熱応力を吸収したり、分散させたりする機能を備えている。なお、枠体５の熱伝導率は、例えば１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下に設定されている。枠体５の熱膨張係数は、例えば３×１０−６／Ｋ以上２８×１０−６／Ｋ以下に設定されている。また、枠体５の上下方向の厚みは、例えば５ｍｍ以上２０ｍｍ以下に設定されている。また、枠体５を平面視したときの枠の厚みは、例えば０．５ｍｍ以上３ｍｍ以下に設定されている。
【００１８】
また、枠体５の側面の１辺には、外部に設ける光ファイバからの光を枠体５で囲まれる領域にまで通す光透過性部材５ｃが設けられる。光透過性部材５ｃは、例えば、プラスチック、ガラスまたはサファイア等の透光性材料からなる。
【００１９】
入出力端子６は、図３に示すように、基板４の縁に設けられ、枠体５内と枠体５外とを電気的に接続することができる。入出力端子６は、複数の誘電体層６ａと、複数の誘電体層６ａの上面または下面の一部に形成された複数のグランド層６ｂとを交互に積層した積層体である。誘電体層６ａは、絶縁材料であって、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミック材料から成る。なお、誘電体層６ａの比誘電率は、例えば４．７以上９．９以下である。また、グランド層６ｂは、導電材料からなり、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。
【００２０】
入出力端子６は、枠体５で囲まれる箇所に切欠きＣが存在しており、切欠きＣ内から内部を通って下面にまで形成された配線導体７と、下面の配線導体７と接続されたリード端子８とを有している。なお、配線導体７は、複数のグランド層６ｂと電気的に絶縁されている。なお、入出力端子６は、上面から枠体５内に位置する側面にかけて形成された切欠きＣが形成されている。
【００２１】
入出力端子６は、複数の層を積層して形成することができる。ここで、入出力端子６の作製方法について説明する。入出力端子６は、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して混合物を得るとともにシート状に形成したグリーンシートを得る。
【００２２】
また、グランド層６ｂおよび配線導体７の原料となる、タングステンまたはモリブデン等の高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを得る。そして、未焼成のグリーンシートを所定形状に型を抜き、所定箇所に金属ペーストを印刷する。
【００２３】
そして、金属ペーストを印刷したグリーンシートを複数層積層して、所定の温度で同時に焼成することで一体的に形成された入出力端子６を得る。さらに、入出力端子６の下面の配線導体７およびグランド層６ｂにろう材を介してリード端子８を接続する。
【００２４】
リード端子８は、外部の電子機器等と素子３とを電気的に接続するための部材である。リード端子８は、ろう材を介して入出力端子６の下面に形成された配線導体７およびグランド層６ｂと接続される。そして、配線導体７およびグランド層６ｂとリード端子８とが電気的に接続される。また、入出力端子６の下面には、複数の配線導体７およびグランド層６ｂが形成されており、複数の配線導体７同士は間を空けて設けられていたり、複数の配線導体７同士の間にグランド層６ｂが配置されて設けられていたりする。そして、隣接する配線導体７同士が電気的に絶縁されている。そして、各リード端子８を各配線導体７およびグランド層６ｂに設けることで、隣接するリード端子８同士は、電気的に絶縁されている。なお、リード端子８は、導電材料からなり、例えば、銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を含有する合金から成る。
【００２５】
リード端子８は、側面視して、平面方向に沿って延在しているが、リード端子８の一端とリード端子８の他端との間は折れ曲がっている。リード端子８の下面の高さ位置が、基板４の下面の高さ位置と同じになるように、リード端子８が折れ曲がって調整されている。そして、基板４とリード端子８の両方を、外部の基板に対して、平坦に実装することができる。そして、素子収納用パッケージ２は、外部の基板に対して固定する面積を増やしつつ、外部の基板に対して傾斜しないように接続することができる。その結果、素子収納用パッケージ２は、外部の基板に対して安定して強固にかつ電気的に接続することができる。
【００２６】
少なくとも３層のグランド層６ｂは、平面視して円形状の非形成領域を有しており、非形成領域に、入出力端子６内を上下方向に通る配線導体７の一部が設けられている。非形成領域は、積層体内の上方から下方に向かって順に、第１非形成領域Ｆ１と、第１非形成領域よりも面積が小さい第２非形成領域と、第２非形成領域Ｆ２よりも面積が大きくなる第３非形成領域とからなる。複数のグランド層６ｂ同士は、ビア導体６ｃを介して電気的に同電位になるように設定されている。なお、ビア導体６ｃは、上下位置の異なるグランド層６ｂ同士の間に位置する誘電体層６ａ内に設けられ、上部に位置するグランド層６ｂと下部に位置するグランド層６ｂとを接続している。
【００２７】
図６は、本実施形態に係る実装構造体１の周波数特性（Ｓパラメータ）（反射損失：Return Loss”S11”、透過損失：Insertion Loss”S21”）のシミュレーション結果を示したグラフである。本実施形態１の周波数特性は実線で、比較例は破線で示している。なお、比較例は、入出力端子６内において、上下方向にストレートに伸びた配線導体の周囲に非形成領域が変化しないグランド層を設けた構造である。反射損失は、周波数が０ＧＨｚから高周波数になるにつれて、０ｄＢに近づく。また、透過損失は、周波数が０ＧＨｚで０ｄＢであるが、高周波数になるにつれて、徐々に０ｄＢからのずれが大きくなる。そして、透過損失が急に０ｄＢから大きくずれ始める周波数が、所謂共振周波数である。
【００２８】
また、図７から図１２は、配線導体７とグランド層６ｂとの関係を平面視した平面図であって、複数の配線導体７とグランド層６ｂのグランドパターンとを示している。図７は、切欠きＣから露出している配線導体７とグランド層６ｂとを示している。図８は、第１非形成領域Ｆ１に位置する配線導体７の横断面とグランド層６ｂとを示している。図９は、第２非形成領域Ｆ２に位置する配線導体７の横断面とグランド層６ｂとを示している。図１０は、第１配線導体７ａの下部と第２配線導体７ｂの上部とを接続する配線導体７とグランド層６ｂとを示している。図１１は、第３非形成領域Ｆ３に位置する配線導体７の横断面とグランド層６ｂとを示している。図１２は、第２配線導体７ｂの下部と第３配線導体７ｃの上部とを接続する配線導体７とグランド層６ｂとを示している。
【００２９】
配線導体７は、入出力端子６内で複数のグランド層６ｂの非形成領域内を通ることで、入出力端子６内に伝送線路を形成することができる。そして、特性インピーダンスＺ０の整合を良好にして反射損失が所定の基準値（例えば、−１５ｄＢ）よりも０ｄＢに近づかないようにするために、上方から下方に向かって、第１非形成領域Ｆ１、第２非形成領域Ｆ２および第３非形成領域Ｆ３のようにグランド層６ｂに絞りを設けることで、例えば３０Ｇｈｚを超える高周波数帯において反射損失が基準値よりも０ｄＢに近づいて悪くなるのを抑制することができる。ここで、グランド層６ｂの絞りとは、上下方向に伸びた配線導体７の周囲に位置する層状のグランドパターンの非形成領域が小さくなる箇所のことである。仮に、上下方向にストレートに伸びた配線導体の周囲に非形成領域が変化しないグランド層６ｂを設けた場合は、周波数３０ＧＨｚを超える高周波数帯においては反射損失が悪くなり、共振周波数も約３０ＧＨｚに発生する。そこで、入出力端子６内において第２非形成領域Ｆ２を設けて、グランド層６ｂと配線導体７との距離を小さくすることで、周波数３０ＧＨｚであっても反射損失を基準値よりも０ｄＢから遠ざけることができ、さらに、透過損失を０ｄＢに近づけた状態に維持することができる。そして、本実施形態に係る実装構造体１は、高周波数帯において、共振周波数をより高周波側に移動させて、共振周波数を約４４ＧＨｚとすることができ、周波数特性を良好にすることができる。
【００３０】
配線導体７は、切欠きＣの上面に露出している。そして、切欠きＣの上面に露出した配線導体７は、素子３の電極や台座３ａの上面に形成された電気配線と、例えば、ボンディングワイヤによって電気的に接続される。また、配線導体７は、切欠きＣの上面から入出力端子６内に延在されている。さらに、配線導体７は、入出力端子６内を通って入出力端子６の下面にまで延在されている。そして、素子３は、配線導体７を介して入出力端子６と電気的に接続されている。なお、第１配線導体７ａ、第２配線導体７ｂおよび第３配線導体７ｃが円柱状である場合は、入出力端子６内の配線導体７の直径は、例えば０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ以下に設定されている。このときの誘電体層６ａの誘電率は、８．６である。
【００３１】
配線導体７は、入出力端子６内を上下方向に通る第１配線導体７ａと、上部が第１配線導体７ａの下部と電気的に接続され、第１配線導体７ａよりも枠体５外寄りに入出力端子６内を通る第２配線導体７ｂと、上部が第２配線導体７ｂの下部と電気的に接続され、第２配線導体７ｂよりも枠体５外寄りに入出力端子６内を上下方向に通る第３配線導体７ｃとを含んでいる。入出力端子６内の上下方向に伸びた配線導体７を複数に分割して段々に配置し、配線導体７の上下方向の長さを短く分断することで、入出力端子６内における配線導体７の上下方向に生じる共振が大きくなるのを、入出力端子６内における配線導体７ａ全体の上下方向における共振を高周波側へシフトさせることができる。
【００３２】
また、第１配線導体７ａの上下方向の長さが、第２配線導体７ｂの上下方向の長さ、および第３配線導体７ｃの上下方向の長さよりも長くなるように設定されている。また、第２配線導体７ｂの上下方向の長さは、第３配線導体７ｃの上下方向の長さよりも長くなるように設定されている。第１配線導体７ａの上下方向の長さを、第２配線導体７ｂの上下方向の長さや第３配線導体７ｃの上下方向の長さよりも長くし、さらに、第２配線導体７ｂの上下方向の長さを第３配線導体７ｃの上下方向の長さよりも長くすることで、リード端子８と素子３との間における配線導体７において、リード端子８からの信号を第３配線導体７ｃによって素早く同軸モードに変換し、特性インピーダンスの基準値からのずれを第２配線導体７ｂにてスムーズに小さくすることができ、さらに第１配線導体７ａにて共振を抑えた同軸モードの伝送形態にすることができる。
【００３３】
また、第１配線導体７ａが設けられた複数の誘電体層６ａに対応して、第１非形成領域Ｆ１および第２非形成領域Ｆ２が設けられている。つまり、第１非形成領域Ｆ１および第２非形成領域Ｆ２は、第１配線導体７ａが形成されている複数層内に位置している。第１配線導体７ａに対応して、複数の誘電体層６ａ上に形成されたグランド層６ｂの非形成領域の面積を変化させることで、入出力端子６内の上下方向にストレートな第１配線導体７ａに対してグランド層６ｂのグランドパターンのみを変化させることができる。そして、配線導体７とグランド層６ｂとの距離が複雑に変化する箇所を少なくし、配線導体７を通る電気信号が、所定の基準値、例えば５０Ωの特性インピーダンスからずれにくくすることができる。なお、第１非形成領域Ｆ１において、配線導体７とグランド層６ｂとの間の距離は、例えば０．５４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下に設定されている。また、第２非形成領域Ｆ２において、配線導体７とグランド層６ｂとの間の距離は、例えば０．３６４ｍｍ以上０．５５６ｍｍ以下に設定されている。また、第３非形成領域Ｆ３において、配線導体７とグランド層６ｂとの間の距離は、例えば０．５４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下に設定されている。
【００３４】
枠体５の枠状部５ａ上に沿って連続してシールリング９がろう材を介して設けられている。シールリング９は、枠体５内を覆うように蓋体１０を設けるときに、蓋体１０と接続するものである。なお、シールリング９は、蓋体１０とのシーム溶接性に優れた、例えば銅、タングステン、鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を複数種含む合金からなる。なお、シールリング９の熱膨張係数は、例えば４×１０−６／Ｋ以上１６×１０−６／Ｋ以下に設定されている。
【００３５】
また、蓋体１０は、枠体５内の素子３を覆うように、シールリング９上に設けられる。蓋体１０は、枠体５で囲まれる領域を気密封止するものである。蓋体１０は、例えば、銅、タングステン、鉄、ニッケルまたはコバルト等の金属材料、あるいはこれらの金属材料を複数種含む合金、あるいは酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、窒化珪素質焼結体またはガラスセラミックス等のセラミックスから成る。また、蓋体１０は、シールリング９上に、例えばシーム溶接により接合、半田またはろう材等の接合部材を介して接合される。
【００３６】
枠体５で囲まれた領域は、真空状態または窒素ガス等が充填されており、蓋体１０をシールリング９上に設けることで、枠体５で囲まれる領域を気密封止された状態にすることができる。蓋体１０は、所定雰囲気で、シールリング９上に載置され、シーム溶接を行なうことによりシールリング９上に取り付けられる。また、蓋体１０は、例えばろう材、ガラス接合材または樹脂接合材等の接合材を介して取り付けることができる。
【００３７】
本実施形態に係る実装構造体１および素子収納用パッケージ２は、複数のグランド層６ｂが、平面視して円形状の非形成領域を有しており、非形成領域に入出力端子６内を上下方向に通る配線導体７の一部を設け、さらに、非形成領域は、上方から下方に向かって、第１非形成領域Ｆ１と、第１非形成領域Ｆ１よりも面積が小さい第２非形成領域Ｆ２と、第２非形成領域Ｆ２よりも面積が大きくなる第３非形成領域とが設けられている。このように、入出力端子６内においてグランド層６ｂと配線導体７との距離を小さくする領域を設けることで、高周波数帯において、共振周波数をより高周波に移動させて、３０ＧＨｚから約４２ＧＨｚでの周波数特性を良好にすることができる。
【００３８】
本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。なお、上述した実施形態では、非形成領域を円形状としたが、これに限られない。素子収納用パッケージの周波数特性を良好にすることができるのであれば、非形成領域の形状は、例えば楕円形状、矩形状または多角形状等であってもよい。
【００３９】
具体的には、図１３に示すように、非形成領域の形状が、円形状部と円形状部から四方に延在した凸部とを有する形状になっていてもよい。非形成領域Ｆａは、平面視して、円形状部の非形成領域からＸ方向の両側にそれぞれ突出する第１突出部Ｆａ１およびＹ方向の両側にそれぞれ突出する第２突出部Ｆａ２を有している。また、変形例に係る素子収納用パッケージの非形成領域がクロス状になっていることから、第１突出部Ｆａ１および第２突出部Ｆａ２を除く、円形状に設けられた非形成領域Ｆａの半径を大きくすることなく、第１突出部Ｆａ１および第２突出部Ｆａ２によって配線導体７とグランド層６ｂとの間に生じる静電容量、および配線導体７の特性インピーダンスを任意の値に調整することができる。また、第１突出部Ｆａ１および第２突出部Ｆａ２は、配線導体７を中心軸として軸対称に設けられることにより、配線導体７および非形成領域Ｆａは軸対称の同軸線路に近似することとなり、高周波信号は配線導体７を良好に伝送することができる。そして、実装構造体１における高周波数帯での周波数特性をさらに良好にすることができる。なお、第１突出部Ｆａ１および第２突出部Ｆａ２が配線導体７を中心軸として軸対称に設けられない場合は、配線導体７および非形成領域Ｆａは同軸線路に近似し難くなり、配線導体７の周波数特性が低下する。よって、第１突出部Ｆａ１および第２突出部Ｆａ２は、配線導体７を中心軸として軸対称に設けられることにより、高周波信号は配線導体７を良好に伝送することができる。
【００４０】
また、図１３に示すように、本変形例では、第１突出部Ｆａ１がＸ方向（紙面の左右方向）の両側にそれぞれ突出し、第２突出部Ｆａ２がＹ方向（紙面の上下方向）の両側にそれぞれ突出しているが、これには限定されない。すなわち、第１突出部Ｆａ１は積層体の上下方向に直交する任意の第１方向にそれぞれ突出し、第２突出部Ｆａ２は積層体の上下方向および第１方向に直交する任意の第２方向にそれぞれ突出していればよい。なお、非形成領域Ｆａは、平面視して、円形状部を有し、円形状部からＸ方向に突出する第１突出部Ｆａ１およびＹ方向に突出する第２突出部Ｆａ２を有していれば、特に形状は限定されない。
【００４１】
また、上述した実施形態では、入出力端子６内の第１配線導体７ａ、第２配線導体７ｂおよび第３配線導体７ｃの形状を円柱状としたが、これに限られない。第１配線導体７ａ、第２配線導体７ｂおよび第３配線導体７ｃは、例えば角柱状または多角柱状等であってもよい。
【００４２】
＜実装構造体の製造方法＞
ここで、図１または図２に示す実装構造体１の製造方法を説明する。まず、素子収納用パッケージ２と素子３とを準備する。素子収納用パッケージ２の基板４および枠体５は、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットに対して、従来周知の圧延加工または打ち抜き加工等の金属加工法を用いることで、所定形状に製作される。また、上述した製造方法によって入出力端子６を作製する。
【００４３】
そして、基板４と入出力端子６とをろう材を介して接続する。さらに、枠体５の貫通部５ｂに、光透過性部材５ｃをろう材を介して嵌めて接続する。このようにして、素子収納用パッケージ２を作製することができる。さらに、素子収納用パッケージ２の実装領域Ｒに台座３ａをろう材を介して設ける。さらに、台座３ａ上に素子３を実装して、素子３の電極と枠体５内の入出力端子６の配線導体７とを台座３ａ上に設けられた電気配線やボンディングワイヤを介して電気的に接続する。さらに、素子収納用パッケージ２にシールリング９および蓋体１０を取り付けて、実装構造体１を作製することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図６】
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【国際調査報告】
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