(57)【要約】  部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュールを提供する。  配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂそれぞれに半導体基板１０４およびチップ部品１０５等の部品が実装されることによりモジュール１００の高機能化が図られているのにも関わらず、半導体基板１０４のみが配線基板１０１の一方主面１０１ａにフェイスダウン実装されることにより形成された第１の部品層１０２の厚みＨａが、配線基板１０１の他方主面１０１ｂに複数のチップ部品１０５が実装されて形成された第２の部品層１０３の厚みよりも薄く形成されることにより、部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュール１００を提供することができる。
2014017228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールにおいて、
前記配線基板の一方主面に設けられ、該一方主面に前記部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されて形成された第１の部品層と、
前記配線基板の他方主面に設けられ、該他方主面に複数の前記部品が実装されて形成された第２の部品層とを備え、
前記第１の部品層の厚みが、前記第２の部品層の厚みよりも薄く形成されている
ことを特徴とするモジュール。
【請求項２】
前記第１の部品層の厚みが、前記配線基板の他方主面側に実装された前記各部品のうち該他方主面からの高さが最も低い前記部品の高さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面に立設されて該一方主面に実装された前記半導体基板に電気的に接続された外部接続用の複数の柱状の接続端子を備え、
前記複数の接続端子は、接地用の端子を含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載のモジュール。
【請求項４】
前記両主面に実装された前記各部品のうち、前記配線基板の一方主面に実装された前記半導体基板の平面視における面積が他の前記各部品の平面視における面積と比べて最も大きいことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のモジュール。
【請求項５】
前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面側の前記半導体基板の裏面が露出するように前記半導体基板の側面を被覆して該一方主面に設けられた第１の樹脂層を備え、
前記第２の部品層は、前記配線基板の他方主面側の前記各部品を被覆して該他方主面に設けられた第２の樹脂層を備え、
前記第１の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数が、前記第２の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数よりも大きいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のモジュール。
【請求項６】
前記配線基板の一方主面に対向する前記半導体基板の表面に所定の電気回路が形成されており、
前記配線基板の他方主面側の前記各部品には、セラミック積層チップ部品が含まれていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話や携帯情報端末等の情報通信端末に搭載されるモジュールとして、図６に示す従来のモジュール５００のように、外部接続用の柱状の接続端子５０２（電極ポスト）が立設された配線基板５０１の一方主面上にフェイスダウン実装されて接続端子５０２に電気的に接続された半導体基板５０３が樹脂層５０４に被覆されたものが知られている。このようなモジュール５００は、例えば次のようにして形成される。すなわち、接続端子５０２が立設された配線基板５０１の一方主面上に半導体基板５０３がフェイスダウン実装された後、配線基板５０１の一方主面上に接続端子５０２および半導体基板５０３を被覆するように樹脂が充填されることにより樹脂層５０４が形成される。そして、接続端子５０２の上端面および半導体基板５０３の裏面が露出するように樹脂層５０４の上面が研磨または研削されることによりモジュール５００が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３４３９０４号（段落００１３、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、情報通信端末の小型、薄型化および高機能化が急速に進んでおり、情報通信端末に搭載されるモジュールとして、部品実装密度が高められることにより高機能化が図られると共に、高背化するのが抑制されたモジュールが要望されている。また、部品実装密度が高められてモジュールの高機能化が図られた場合に、情報通信端末に搭載されたモジュールに実装された半導体基板に形成された所定の電気回路からの不要輻射がモジュールに実装された他の部品や、情報通信端末に搭載された他のモジュールなどに影響を与えるおそれがあるため、適切な対策が求められている。【０００５】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュールを提供することを第１の目的とする。また、モジュールに実装された半導体基板からの不要輻射による影響を抑制することができる技術を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記した第１の目的を達成するために、本発明のモジュールは、配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールにおいて、前記配線基板の一方主面に設けられ、該一方主面に前記部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されて形成された第１の部品層と、前記配線基板の他方主面に設けられ、該他方主面に複数の前記部品が実装されて形成された第２の部品層とを備え、前記第１の部品層の厚みが、前記第２の部品層の厚みよりも薄く形成されていることを特徴としている。【０００７】
このように構成された発明では、配線基板の両主面それぞれに部品が実装されることにより部品実装密度が高められてモジュールの高機能化が図られている。その一方で、配線基板の一方主面に部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されることにより形成されて該一方主面に設けられた第１の部品層の厚みが、配線基板の他方主面に複数の部品が実装されることにより形成されて該他方主面に設けられた第２の部品層の厚みよりも薄く形成されている。【０００８】
すなわち、配線基板の一方主面にフェイスダウン実装された半導体基板の裏面側が研磨または研削されても半導体基板の電気的特性が大きく変化することがないため、表面側に形成された所定の電気回路が損傷しないように当該半導体基板の裏面側を研磨または研削することにより半導体基板を薄くすることができる。そのため、配線基板の一方主面に設けられた第１の部品層は、部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されて形成されているので、第１の部品層の半導体基板の裏面側を研磨または研削して半導体基板を薄くすることにより第１の部品層の厚みを第２の部品層の厚みよりも薄く形成することができる。【０００９】
したがって、配線基板の両主面それぞれに部品が実装されることにより高機能化が図られているのにも関わらず、半導体基板のみが配線基板の一方主面にフェイスダウン実装されることにより形成された第１の部品層の厚みが、配線基板の他方主面に複数の部品が実装されて形成された第２の部品層の厚みよりも薄く形成されることにより、部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュールを提供することができる。【００１０】
また、前記第１の部品層の厚みが、前記配線基板の他方主面側に実装された前記各部品のうち該他方主面からの高さが最も低い前記部品の高さよりも薄くてもよい。【００１１】
このように構成すれば、第１の部品層の厚みが、配線基板の他方主面側に実装された各部品のうち該他方主面からの高さが最も低い部品の高さよりも薄く形成されているため、さらに効果的にモジュールを低背化することができる。【００１２】
また、上記した第２の目的を達成するために、本発明のモジュールは、前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面に立設されて該一方主面に実装された前記半導体基板に電気的に接続された外部接続用の複数の柱状の接続端子を備え、前記複数の接続端子は、接地用の端子を含んでいることを特徴としている。【００１３】
このように構成された発明では、第１の部品層は、配線基板の一方主面に立設されて該一方主面に実装された半導体基板に電気的に接続された外部接続用の複数の柱状の接続端子を備えているが、複数の接続端子は接地用の端子を含んでおり、第１の部品層は第２の部品層より薄く形成されているので、外部接続用の各接続端子が第２の部品層に設けられた場合と比較すると、各接続端子が短く形成されている。【００１４】
したがって、接地用の端子を含む外部接続用の複数の接続端子が短く形成されることにより各接続端子の寄生インダクタンスが低減されるので、モジュールが外部のマザー基板等に搭載されたときの外部のグランド電極と半導体基板との電気的な接続を強化することができる。また、モジュールが外部のマザー基板等に搭載された場合に、薄く形成された第１の部品層に備えられる半導体基板が、マザー基板とモジュールの配線基板との間に配置されて両基板が備えるグランド電極に近接配置されるので、半導体基板からの不要輻射がマザー基板および配線基板のグランド電極に吸収されやすく、モジュールに実装された半導体基板からの不要輻射による影響を抑制することができる。【００１５】
また、前記両主面に実装された前記各部品のうち、前記配線基板の一方主面に実装された前記半導体基板の平面視における面積が他の前記各部品の平面視における面積と比べて最も大きくなるようにするとよい。【００１６】
このように構成すると、配線基板の一方主面に設けられた第１の部品層が他方主面に設けられた第２の部品層よりも薄く形成されているが、薄く形成された第１の部品層が備える半導体基板の平面視における面積が他の各部品の平面視における面積と比べて最も大きく形成されているので、配線基板が反ることによりモジュールに反りが生じるのを防止することができる。【００１７】
また、前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面側の前記半導体基板の裏面が露出するように前記半導体基板の側面を被覆して該一方主面に設けられた第１の樹脂層を備え、前記第２の部品層は、前記配線基板の他方主面側の前記各部品を被覆して該他方主面に設けられた第２の樹脂層を備え、前記第１の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数が、前記第２の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数よりも大きいとよい。【００１８】
このように構成すれば、第１の部品層が備える第１の樹脂層は、第２の部品層が備える第２の樹脂層よりも薄く形成されているが、第１の樹脂層が、第２の樹脂層を形成する樹脂よりも線膨張係数が大きい樹脂により形成されることにより、厚みの薄い第１の樹脂層の収縮力の大きさと、厚みの厚い第２の樹脂層の収縮力の大きさとの差を小さくすることができるので、モジュールに樹脂の収縮に起因した反りが生じるのを抑制することができる。【００１９】
また、前記配線基板の一方主面に対向する前記半導体基板の表面に所定の電気回路が形成されており、前記配線基板の他方主面側の前記各部品には、セラミック積層チップ部品が含まれているとよい。【００２０】
このように構成すると、配線基板の他方主面側の各部品には、研磨または研削等して薄くすることができないセラミック積層チップ部品が含まれており、第２の部品層の厚みを該チップ部品の高さよりも薄く形成することができないが、部品として半導体基板のみが実装されて形成された第１の部品層の厚みを第２の部品層の厚みよりも薄く形成することにより、低背化された実用的なモジュールを提供することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半導体基板のみが配線基板の一方主面にフェイスダウン実装されることにより形成された第１の部品層の厚みが、配線基板の他方主面に複数の部品が実装されて形成された第２の部品層の厚みよりも薄く形成されることにより、部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明にかかるモジュールを備えるモジュール搭載装置を示す図である。
【図２】図１のモジュール搭載装置が備えるモジュールの製造方法を示す図であって、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ異なる状態を示す。
【図３】接続端子の一例を示す要部拡大図である。
【図４】接続端子の他の例を示す要部拡大図である。
【図５】モジュールの変形例を示す図である。
【図６】従来のモジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の一実施形態について図１〜図３を参照して説明する。図１は本発明にかかるモジュールを備えるモジュール搭載装置を示す図であり、図２は図１のモジュール搭載装置が備えるモジュールの製造方法を示す図であって、（ａ）〜（ｅ）はそれぞれ異なる状態を示す。また、図３は接続端子の一例を示す要部拡大図である。
【００２４】
（モジュール搭載装置）
モジュール搭載装置１は、図１に示すように、マザー基板２と、マザー基板２に実装されたモジュール１００と、マザー基板２とモジュール１００との接続部を保護するために樹脂により形成されたアンダーフィル樹脂層３とを備え、携帯電話や携帯情報端末等の情報通信端末に搭載される。
【００２５】
マザー基板２は、接地用のグランド電極を含む配線パターン（図示省略）がその内部に設けられており、配線パターンは、マザー基板２の実装面２ａに形成された実装用電極２ｂにビア導体（図示省略）等を介して接続されている。また、マザー基板２は、ガラスエポキシ樹脂や液晶ポリマー等の樹脂材料や、セラミック材料などの一般的な基板形成用の材料により形成される。また、配線パターンおよびビア導体は、ＡｇやＣｕ、Ａｕ等の導電材料により形成されており、配線パターンがビア導体等で接続されることにより各種の電気回路がマザー基板２内に形成されていてもよい。
【００２６】
また、モジュール１００は、外部接続用の接続端子１０６の先端面および半導体基板１０４の裏面に形成された金属膜１０９がマザー基板２の実装用電極２ｂにはんだＨを用いて接続されることにより実装面２ａに実装されている。なお、この実施形態では、半導体基板１０４の裏面に形成された金属膜１０９は、マザー基板２に設けられた電極に接続された実装用電極２ｂにはんだＨにより接続されている。
【００２７】
アンダーフィル樹脂層３は、マザー基板２の実装面２ａに実装されたモジュール１００とマザー基板２との間の隙間に、例えばエポキシ樹脂が充填されることにより形成されている。
【００２８】
（モジュール）
モジュール２は、配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂそれぞれに半導体基板１０４やセラミック積層チップ部品１０５等の部品が実装されることにより、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）モジュールや無線ＬＡＮモジュール、アンテナスイッチモジュールなどの高周波モジュールとして形成されるものであり、図１に示すように、配線基板１０１と、配線基板１０１の一方主面１０１ａに設けられ、該一方主面１０１ａに部品として半導体基板１０４のみがフェイスダウン実装されて形成された第１の部品層１０２と、配線基板１０１の他方主面１０１ｂに設けられ、該他方主面１０１ｂに複数のチップ部品１０５が実装されて形成された第２の部品層１０３とを備えている。
【００２９】
配線基板１０１は、ガラスエポキシ樹脂や液晶ポリマー等の樹脂基板、セラミック（ＬＴＣＣ）基板、ガラス基板などの一般的な基板により構成されており、モジュール１００の使用目的に応じて、配線基板１０１は、単層基板および多層基板のいずれに形成されてもよい。また、配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂには、部品等を実装するための複数の実装用電極１０１ｃが形成されており、各実装用電極１０１ｃは、配線基板１０１の内部にＡｇやＣｕ、Ａｕ等の導電材料により設けられてグランド電極等を含む配線パターン（図示省略）とビア導体（図示省略）等を介して電気的に接続されている。
【００３０】
なお、例えば、配線基板１０１がＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）多層基板により形成される場合には、配線基板１０１は次のようにして形成される。すなわち、まず、アルミナおよびガラスなどの混合粉末が有機バインダおよび溶剤などと一緒に混合されたスラリーがシート状に形成されたセラミックグリーンシートが用意される。次に、このセラミックグリーンシートの所定位置にレーザー加工などにより形成されたビアホールにＡｇやＣｕなどを含む導体ペーストが充填されることにより層間接続用のビア導体が形成され、導体ペーストを用いた印刷により種々の配線パターンが形成される。そして、各セラミックグリーンシートが積層、圧着されて形成されたセラミック積層体が約１０００℃前後の低い温度で、所謂、低温焼成されることにより配線基板１０１が形成される。
【００３１】
第１の部品層１０２は、配線基板１０１の一方主面１０１ａに複数の棒状のＣｕ等の金属部材が立設されることにより形成され、一方主面１０１ａに実装された半導体基板１０４に電気的に接続された外部接続用の柱状の複数の接続端子１０６を備え、各接続端子１０６の少なくとも１つは接地用の端子として形成されている。また、第１の部品層１０２が備える半導体基板１０４は、配線基板１０１の一方主面１０１ａに対向する表面に図示省略された所定の電気回路が形成されることにより、ＲＦ信号やベースバンド信号を処理するシステムＩＣを構成する。また、半導体基板１０４は、Ｓｉ等の半導体ウェハが切り出されたベアチップ構造やウェハレベル−チップサイズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ）構造を有し、配線基板１０１の一方主面１０１ａにフェイスダウン実装されている。
【００３２】
また、第１の部品層１０２は、配線基板１０１の一方主面１０１ａに実装された半導体基板１０４の裏面と、接続端子１０６の先端面とが露出するように該一方主面１０１ａにエポキシ樹脂等の一般的なモールド用の樹脂が充填されることにより半導体基板１０４および接続端子１０６の側面を被覆して該一方主面１０１ａに設けられた第１の樹脂層１０７を備えている。この実施形態では、図１に示すように、第１の樹脂層１０７は、半導体基板１０４の裏面側の端部と接続端子１０６の先端部とが露出するように、半導体基板１０４および接続端子１０６それぞれの側面の一部を被覆して形成される。すなわち、第１の樹脂層１０７は、半導体基板１０４の裏面側の端部と接続端子１０６の先端部が、それぞれ、第１の樹脂層１０７の表面から突出するように形成されている。
【００３３】
また、第１の樹脂層１０７の表面の半導体基板１０４の側面との接触部分は、図１中の点線で囲まれた領域Ａに示すように、半導体基板１０４の側面の当該半導体基板１０４の裏面側の端縁から第１の樹脂層１０７に向けて裾広がりのフィレット状に形成されている。また、半導体基板１０４の第１の樹脂層１０７の表面から突出した部分の角部が面取りされている（図示省略）。
【００３４】
また、第１の樹脂層１０７から露出する半導体基板１０４の裏面および接続端子１０６の先端面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されることにより金属膜１０９が形成されている。また、この実施形態では、図１に示すように、配線基板１０１の一方主面１０１ａに実装された状態での半導体基板１０４および接続端子１０６それぞれの一方主面１０１ａからの高さが同じ高さＨａ（第１の部品層１０２の厚み）に形成されている。
【００３５】
第２の部品層１０３は、配線基板１０１の他方主面１０１ｂにエポキシ樹脂等の一般的なモールド用の樹脂が充填されることにより各チップ部品１０５を被覆して該他方主面１０１ｂに設けられた第２の樹脂層１０８を備えている。また、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗等を含む各チップ部品１０５は、配線基板１０１の他方主面１０１ｂにはんだＨを用いた一般的な表面実装技術により実装されている。そして、この実施形態では、第２の樹脂層１０８は配線基板１０１の他方主面１０１ｂに実装された各チップ部品１０５を被覆して設けられているため、第２の樹脂層１０８の厚みが第２の部品層１０３の厚みとなるように構成されている。
【００３６】
また、この実施形態では、図２に示すように、第２の部品層１０３は、配線基板１０１の他方主面１０１ｂに実装された状態での該他方主面１０１ｂからの高さが異なる複数のチップ部品１０５を含んでいる。そして、第１の部品層１０２の厚みＨａが、配線基板１０１の他方主面１０１ｂに実装された各チップ部品１０５のうち該他方主面１０１ｂからの高さが最も低いチップ部品１０５の高さＨｂよりも薄くなるように形成されることにより、第１の部品層１０２の厚みが、第２の部品層１０３の厚みよりも薄く形成されている。
【００３７】
また、この実施形態では、配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂに実装された各部品のうち、配線基板１０１の一方主面１０１ａに実装された半導体基板１０４の平面視における面積が各チップ部品１０５の平面視における面積と比べて最も大きくなるように形成されている。このように構成すると、配線基板１０１の一方主面１０１ａに設けられた第１の部品層１０２が他方主面１０１ｂに設けられた第２の部品層１０３よりも薄く形成されているが、薄く形成された第１の部品層１０２が備える半導体基板１０４の平面視における面積が他の各チップ部品１０５の平面視における面積と比べて最も大きく形成されており、半導体基板１０４は樹脂よりも硬いので、各樹脂層１０７，１０８が硬化する際に収縮して配線基板１０１が反ることに起因したモジュール１００の反りを抑制することができる。
【００３８】
また、この場合、第１の部品層１０２の第１の樹脂層１０７を形成する樹脂の線膨張係数を、第２の部品層１０３の第２の樹脂層１０８を形成する樹脂の線膨張係数よりも大きくするとよい。このように構成すれば、第１の部品層１０２が備える第１の樹脂層１０７は、第２の部品層１０３が備える第２の樹脂層１０８よりも薄く形成されているが、第１の樹脂層１０７が、第２の樹脂層１０８を形成する樹脂よりも線膨張係数が大きい樹脂により形成されることにより、厚みの薄い第１の樹脂層１０７の硬化時の収縮力の大きさと、厚みの厚い第２の樹脂層１０８の硬化時の収縮力の大きさとの差が小さくなり、配線基板１０１を両主面１０１ａ，１０１ｂ側から引っ張る力のバランスを取ることができるので、各樹脂層１０７，１０８それぞれを形成する樹脂が収縮することによるモジュール１００に反りが生じるのを抑制することができる。
【００３９】
また、接続端子１０６の配線基板１０１の一方主面１０１ａからの高さが、半導体基板１０１の一方主面１０１ａからの高さよりも高くなるように接続端子１０６を形成してもよい。このように接続端子１０６を形成することにより、モジュール１００をマザー基板２等に実装するときに、半導体基板１０４が邪魔にならず、モジュール１００の実装性を向上することができる。
【００４０】
また、半導体基板１０４の配線基板１０１の一方主面１０１ａからの高さが接続端子１０６の一方主面１０１ａからの高さよりも高くなるように接続端子１０６を形成してもよい。この場合には、モジュール１００がマザー基板２に接続されたときの半導体基板１０４の裏面とマザー基板２の実装面２ａとの距離が短くなるため、モジュール１００から発生する熱を、マザー基板２に形成された面状のグランド電極（図示省略）等を介して放熱し易くなるので、モジュール１００の放熱特性を向上することができる。また、マザー基板２の実装用電極２ｂと接続端子１０６とがはんだＨにより接続される場合には、マザー基板２と接続端子１０６との距離がマザー基板２と半導体基板１０４との距離よりも大きくなるため、マザー基板２と接続端子１０６との間にギャップを確保することができ、マザー基板２と接続端子１０６とを接合するはんだＨが押さえつけられることがなくなり、はんだＨが接合部分からはみ出しにくくなるので、隣接する接続端子１０６や実装用電極２ｂどうしが溶融したはんだＨにより短絡するのを防止することができる。
【００４１】
（モジュールの製造方法）
次に、モジュール１００の製造方法の一例について説明する。
【００４２】
まず、図２（ａ）に示すように、その内部に接地用のグランド電極等を形成する配線パターンが設けられると共に、この配線パターンとビア導体等を介して電気的に接続された実装用電極１０１ｃがその両主面１０１ａ，１０１ｂに設けられた配線基板１０１が準備される（配線基板準備工程）。次に、図２（ｂ）に示すように、配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂに設けられた各実装用電極１０１ｃのうち、それぞれ対応する実装用電極１０１ｃに、半導体基板１０４および各チップ部品１０５と、接続端子１０６を形成する棒状の金属部材がはんだＨにより表面実装される（部品実装工程）。なお、半導体基板１０４は、配線基板１０１の一方主面１０１ａの実装用電極１０１ｃにフェイスダウンでフリップチップ実装され、各チップ部品１０５は、配線基板１０１の他方主面１０１ｂに周知の表面実装技術により実装される。
【００４３】
次に、図２（ｃ）に示すように、配線基板１０１の一方主面１０１ａに樹脂が充填されることにより半導体基板１０４および接続端子１０６を被覆する第１の樹脂層１０７が形成され、他方主面１０１ｂに樹脂が充填されることにより各チップ部品１０５を被覆する第２の樹脂層１０８が形成される（樹脂層形成工程）。具体的には、各樹脂層１０７，１０８は、ディスペンサーにより樹脂が充填されて形成されたり、トランスファーモールド技術やコンプレッションモールド技術を用いて形成されたり、配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂが樹脂シートによりラッピングされることにより形成される。
【００４４】
以上のように、図２（ａ）〜図２（ｃ）に示す工程（配線基板準備工程〜樹脂層形成工程）により、半導体基板１０４および各チップ部品１０５が各樹脂層１０７，１０８それぞれに埋設され、柱状の接続端子１０６が配線基板１０１の一方主面１０１ａに立設された状態で第１の樹脂層１０７内に配置されたモジュール素体が準備される（図２（ｃ）参照）。
【００４５】
次に、図２（ｄ）に示すように、第１の樹脂層１０７の表面から半導体基板１０４の裏面側の端部と接続端子１０６の先端部が露出するように、モジュール素体の第１の樹脂層１０７の表面が研磨または研削されることにより樹脂の一部が除去される（除去工程）。なお、研磨により第１の樹脂層１０７の樹脂を除去する場合は、カップ砥石を使用したグラインド、遊離砥粒を使用したラップ研磨、サンドブラストにより除去工程が実行されるのが好ましい。すなわち、遊離砥粒の粒径や材質などを調整することにより、第１の部品層１０２から第１の樹脂層１０７を形成する樹脂を半導体基板１０４の裏面および接続端子１０６の先端面よりも優先的に研磨して除去することができる。したがって、半導体基板１０４の裏面側の端部および接続端子１０６の先端部が露出するように、半導体基板１０４および接続端子１０６それぞれの側面の一部を被覆する第１の樹脂層１０７を容易に配線基板１０１の一方主面１０１ａに形成することができる。
【００４６】
また、除去工程により、半導体基板１０４の第１の樹脂層１０７の表面から突出した部分の角部が面取りされると共に、第１の樹脂層１０７の表面の半導体基板１０４の側面との接触部分は、半導体基板１０４の側面の当該半導体基板１０４の裏面側の端縁から第１の樹脂層１０７に向けて裾広がりのフィレット状に形成される（図１中の領域Ａ参照）。さらに、半導体基板１０４の裏面が研磨または研削されることにより、半導体基板１０４の裏面に凹凸が形成される。
【００４７】
ところで、半導体基板１０４の裏面の表面粗さＲａの値が小さすぎると半導体基板１０４の裏面にめっき処理等により金属膜１０９を形成することが困難になり、表面粗さＲａの値が大きすぎると半導体基板１０４が破損するおそれがあるため、半導体基板１０４の裏面の表面粗さＲａが０．１μｍ〜１５μｍの範囲となるように当該裏面を研磨または研削するのが好ましい。
【００４８】
また、この実施形態では、除去工程において、半導体基板１０４および接続端子１０６それぞれの配線基板１０１の一方主面１０１ａからの高さが同じになるように、第１の樹脂層１０７の表面と共に半導体基板１０４の裏面側の端部および接続端子１０６の先端部が研磨または研削される。そして、この実施形態では、配線基板１０１の一方主面１０１ａからの高さが最も高い半導体基板１０４および接続端子１０６の高さＨａが、配線基板１０１の他方主面１０１ｂからの高さが最も低いチップ部品１０５の高さＨｂよりも低くなるように、半導体基板１０４の裏面側の端部および接続端子１０６の先端部が研磨または研削される。
【００４９】
次に、図２（ｅ）に示すように、第１の樹脂層１０７の表面から露出した半導体基板１０４の裏面および接続端子１０６の先端面に、めっき処理やスクリーン印刷、蒸着等の一般的な手法により金属膜１０９が形成されることによりモジュール１００が完成する（金属膜形成工程）。例えば、めっき処理により金属膜１０９が形成される場合には、まず、半導体基板１０４の裏面および接続端子１０６の先端面にＮｉ層が形成され、形成されたＮｉ層上にＡｕ層が形成されることにより金属膜１０９が形成される。
【００５０】
なお、半導体基板１０４の裏面の金属膜１０９は、半導体基板１０４の裏面の全面に形成される必要はなく、少なくともその一部に形成されていればよい。また、半導体基板１０４の裏面の凹凸は必ずしも形成されている必要はないが、半導体基板１０４の裏面に凹凸が形成されていると、凹凸が形成された裏面に金属膜１０９が形成されたときに、当該金属膜１０９にも凹凸が形成されるので、熱伝導率の高い金属膜１０９の表面積を増大させることができる。
【００５１】
そして、このようにして製造されたモジュール１００が、配線基板１０１の一方主面１０１ａがマザー基板２の実装面２ａと対向するように配置されて、半導体基板１０４の裏面および接続端子１０６の先端面に形成された金属膜１０９と、マザー基板２の実装面２ａに形成された実装用電極２ｂとがはんだＨにより接続されることによりモジュール搭載装置１が製造される。
【００５２】
なお、半導体基板１０４および接続端子１０６それぞれの配線基板１０１の一方主面１０１ａからの高さを必ずしも同じ高さにする必要はなく、それぞれの高さが異なるように半導体基板１０４の裏面側の端部および接続端子１０６の先端部を研磨または研削してもよい。この場合、例えば、研磨に使用する遊離砥粒の粒径や材質等を調整することにより、半導体基板１０４および接続端子１０６の一方主面１０１ａからの高さを調整することができる。
【００５３】
以上のように、上記した実施形態によれば、配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂそれぞれに半導体基板１０４およびチップ部品１０５等の部品が実装されることにより部品実装密度が高められてモジュール１００の高機能化が図られている。その一方で、配線基板１０１の一方主面１０１ａに部品として半導体基板１０４のみがフェイスダウン実装されることにより形成されて該一方主面１０１ａに設けられた第１の部品層１０２の厚みＨａが、配線基板１０１の他方主面１０１ｂに複数のチップ部品１０５が実装されることにより形成されて該他方主面１０１ｂに設けられた第２の部品層１０３の厚みよりも薄く形成されている。
【００５４】
すなわち、配線基板１０１の一方主面１０１ａにフェイスダウン実装された半導体基板１０４はその表面側に所定の電気回路が形成されており、半導体基板１０４の裏面側が研磨または研削されても半導体基板１０４の電気的特性が大きく変化することがないため、半導体基板１０４の表面側に形成された電気回路が損傷しないように当該半導体基板１０４の裏面側を研磨または研削することにより半導体基板１０４を薄くすることができる。そのため、配線基板１０１の一方主面１０１ａに設けられた第１の部品層１０２は、部品として半導体基板１０４のみがフェイスダウン実装されて形成されているので、第１の部品層１０２の半導体基板１０４の裏面側を研磨または研削して半導体基板１０４を薄くすることにより第１の部品層１０２の厚みを第２の部品層１０３の厚みよりも薄く形成することができる。
【００５５】
したがって、配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂそれぞれに半導体基板１０４およびチップ部品１０５等の部品が実装されることによりモジュール１００の高機能化が図られているのにも関わらず、半導体基板１０４のみが配線基板１０１の一方主面１０１ａにフェイスダウン実装されることにより形成された第１の部品層１０２の厚みＨａが、配線基板１０１の他方主面１０１ｂに複数のチップ部品１０５が実装されて形成された第２の部品層１０３の厚みよりも薄く形成されることにより、部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュール１００を提供することができる。
【００５６】
また、第１の部品層１０２の厚みＨａが、配線基板１０１の他方主面１０１ｂ側に実装された各チップ部品１０５のうち該他方主面１０１ｂからの高さが最も低いチップ部品１０５の高さＨｂよりも薄く形成されているため、さらに効果的にモジュール１００が低背化することができる。
【００５７】
また、第１の部品層１０２は、配線基板１０１の一方主面１０１ａに立設されて該一方主面１０１ａに実装された半導体基板１０４に電気的に接続された外部接続用の複数の柱状の接続端子１０６を備えているが、複数の接続端子１０６は接地用の端子を含んでおり、第１の部品層１０２は第２の部品層１０３より薄く形成されているので、外部接続用の各接続端子１０６が第２の部品層１０３に設けられた場合と比較すると、各接続端子１０６が短く形成されている。
【００５８】
したがって、接地用の端子を含む外部接続用の複数の接続端子１０６が短く形成されることにより各接続端子１０６の寄生インダクタンスが低減されるので、モジュール１００が外部のマザー基板２等に搭載されたときのグランド電極と半導体基板１０４との電気的な接続を強化することができる。また、モジュール１００が外部のマザー基板２等に搭載された場合に、薄く形成された第１の部品層１０２が備える半導体基板１０４が、マザー基板２とモジュール１００の配線基板１０１との間に配置されて両基板２，１０１が備えるグランド電極に近接配置されるので、半導体基板１０４からの不要輻射がマザー基板２および配線基板１０１のグランド電極に吸収されやすく、モジュール１００に実装された半導体基板１０４からの不要輻射による影響を抑制することができる。さらに、上記した実施形態では、半導体基板１０４の裏面の金属膜１０９がはんだＨによりマザー基板２の実装用電極２ｂに接続されてグランド電極に接続されているので、半導体基板１０４からの不要輻射による影響をより効果的に抑制することができる。
【００５９】
また、配線基板１０１の他方主面１０１ｂ側の各セラミック積層チップ部品１０５は、半導体基板１０４と異なり研磨または研削等して薄くすることができないので、第２の部品層１０３の厚みを該チップ部品１０５の高さよりも薄く形成することができないが、部品として半導体基板１０４のみが実装されて形成された第１の部品層１０２の厚みを第２の部品層１０３の厚みよりも薄く形成することにより、低背化された実用的なモジュール１００を提供することができる。
【００６０】
また、上記した実施形態では、棒状の金属部材が配線基板１０１の一方主面１０１ａにはんだＨにより実装されることにより外部接続用の接続端子１０６が形成されている。そこで、一方主面１０１ａの実装用電極１０１ｃに盛り付けるはんだＨの量を調整することにより、接続端子１０６が実装用電極１０１ｃに実装される際に溶融したはんだＨが接続端子１０６の側面を濡れ上がるようにして、図３に示すように、接続端子１０６の側面を被覆するはんだＨが第１の樹脂層１０７の表面から露出するようにするとよい。このようにすると、外部接続用の接続端子１０６の平面視における面積を増大させることができ、はんだＨを用いたモジュール１００とマザー基板２等との実装強度の向上を図ることができる。
【００６１】
また、モジュール１００の配線基板１０１の一方主面１０１ａ側において、半導体基板１０４の裏面側の端部と接続端子１０６の先端部が第１の樹脂層１０７の表面から突出して露出するように、半導体基板１０４および接続端子１０６それぞれの側面の一部を被覆する第１の樹脂層１０７が形成されているため、第１の樹脂層１０７を形成する樹脂よりも熱伝導率の高い半導体基板１０４の裏面側の端部および樹脂よりも熱伝導率の高い金属により形成された接続端子１０６の先端部の第１の樹脂層１０７の表面からの露出部分の表面積が増大するので、モジュール１００の放熱特性の向上を図ることができる。
【００６２】
また、第１の樹脂層１０７の表面から半導体基板１０４の裏面側の端部が突出するように露出しているため、半導体基板１０４が樹脂に被覆されたモジュールと比較すると、モジュール１００がマザー基板２に実装されたときに、半導体基板１０４の裏面とマザー基板２に設けられたグランド電極との距離が近くなるので、モジュール１００が発生する熱がグランド電極を介して放熱され易くなるため、モジュール１００の放熱特性が向上する。さらに、上記した実施形態では、半導体基板１０４の裏面の金属膜１０９がはんだＨによりマザー基板２の実装用電極２ｂに接続されてグランド電極に接続されているので、モジュール１００が発生する熱をより効果的にグランド電極を介して放熱することができる。
【００６３】
また、接続端子１０６の先端部が第１の樹脂層１０７の表面から突出してモジュール１００が形成されているため、接続端子１０６とマザー基板２の実装用電極２ｂとが接触し易くなるので、接続端子１０６とマザー基板２との接続性の向上を図ることができる。さらに、マザー基板２の実装面２ａの実装用電極２ｂと接続端子１０６とがはんだＨにより接続される際に、図１に示すように、溶融したはんだＨが接続端子１０６の先端部の側面に濡れ上がった状態でフィレット状に硬化するので、はんだＨにより接続されたモジュール１００およびマザー基板２間の接続強度の向上を図ることができる。
【００６４】
また、半導体基板１０４の裏面側の端部および接続端子１０６の先端部が第１の樹脂層１０７の表面から突出してモジュール１００が形成されているため、モジュール１００がマザー基板２に実装されたときに、半導体基板１０４および接続端子１０６の周辺に、第１の樹脂層１０７の表面とマザー基板２の実装面２ａとの間に挟まれた空間が形成される。したがって、モジュール１００がマザー基板２に実装される際に溶融したはんだＨは、接続端子１０６および半導体基板１０４の周辺に形成された空間に留まるので、従来のように、溶融したはんだＨが密着した第１の樹脂層１０７および実装面２ａの界面を伝わることにより隣接する接続端子１０６および実装用電極２ｂどうしが短絡するのを防止することができる。
【００６５】
また、モジュール１００がマザー基板２に実装されたときに、第１の樹脂層１０７の表面とマザー基板２の実装面２ａとの間に挟まれて形成される空間に、アンダーフィル樹脂層３を形成する樹脂を充填することができ、アンダーフィル樹脂層３と、モジュール１００およびマザー基板２との接触面積を増大することができるので、モジュール１００のマザー基板２に対する実装強度を向上することができる。
【００６６】
また、第１の樹脂層１０７の表面の半導体基板１０４の側面との接触部分が、半導体基板１０４の側面の当該半導体基板１０４の裏面側の端縁から第１の樹脂層１０７に向けて裾広がりのフィレット状に形成されているため、第１の樹脂層１０７の表面と半導体基板１０４との接触部分にかかる応力がフィレット状に形成された樹脂により分散されるので、第１の樹脂層１０７の半導体基板１０４からの剥離を防止できる。
【００６７】
また、半導体基板１０４の第１の樹脂層１０７の表面から突出した部分の角部が研磨または研削により面取りされているため、半導体基板１０４の割れや欠けを防止できる。
【００６８】
また、半導体基板１０４の裏面に凹凸が形成されているため、熱伝導率の高い半導体基板１０４の第１の樹脂層１０７から露出した部分の表面積が増大し、モジュール１００の放熱特性を向上させることができる。また、第１の樹脂層１０７から露出した半導体基板１０４の裏面の少なくとも一部に金属膜１０９が形成されているため、半導体基板１０４よりも熱伝導率が高い金属膜１０９がヒートシンクとして機能することにより、モジュール１００の放熱特性がさらに向上する。また、半導体基板１０４の裏面に形成された金属膜１０９をマザー基板２のグランド電極との接続用の電極として利用することにより、マザー基板２とモジュール１００とを接続端子１０６および金属膜１０９を用いてはんだＨにより接続することができるので、マザー基板２とモジュール１００との接続強度の向上を図ることができる。
【００６９】
また、半導体基板１０４の裏面に形成された金属膜１０９の表面に凹凸が形成されているため、金属膜１０９の表面積が増大するので、さらにモジュール２の放熱特性を向上することができる。また、金属膜１０９をマザー基板２との接続用の電極として利用する場合に、マザー基板２との接続面積が増大するため、モジュール１００とマザー基板２との接続強度の向上を図ることができる。
【００７０】
また、半導体基板１０４の裏面に金属膜１０９が形成されることにより、半導体基板１０４の裏面が保護されるため、半導体基板１０４が外力等により破損するのを防止することができる。
【００７１】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、上記した実施形態では、棒状の金属部材を配線基板１０１にはんだＨにより実装することにより接続端子１０６が形成されているが、図４に示す接続端子の他の例のように、配線基板１０１の一方主面１０１ａに半導体基板１０４を実装する前に、フォトリソグラフィを用いためっき処理により接続端子１０６ａを形成してもよい。このように構成すると、図３に示す接続端子１０６のようにはんだＨが接続端子１０６を濡れ上がることがなく、微細な径の接続端子１０６ａを高精度に形成することができるので、接続端子１０６ａの配置間隔を狭くすることができる。また、半導体基板１０４が埋設された状態の第１の樹脂層１０７にレーザー加工等によりビア孔を形成し、形成されたビア孔にＡｇやＣｕ等の導電ペーストを充填したり、ビアフィルめっきを施すことにより接続端子を形成してもよい。
【００７２】
また、図５に示すモジュールの変形例のように、モジュール１００ａの配線基板１０１の一方主面１０１ａに設けられた半導体基板１０４の裏面および接続端子１０６の先端面のみが露出するように第１の樹脂層１０７を形成することにより、第１の樹脂層１０７の表面、半導体基板１０４の裏面、接続端子１０６の先端面が同一面を成す、いわゆる面一状態に形成されてもよい。
【００７３】
また、配線基板１０１の一方主面１０１ａに複数の半導体基板１０４が実装されていてもよく、配線基板１０１の他方主面１０１ｂにチップ部品１０５の他に他の電子部品や半導体基板が部品として実装されていてもよい。すなわち、配線基板１０１の一方主面１０１ａに、その裏面が研磨または研削可能な半導体基板１０４のみが部品として実装される構成であればよく、モジュール１００の実装密度を高めて使用目的に応じた機能を備えるように、適宜、どのような部品が配線基板１０１に実装されてもよい。
【００７４】
また、配線基板１０１の一方主面１０１ａに形成される接続端子１０６の数は上記した例に限定されるものではなく、配線基板１０１の他方主面１０１ｂにも接続端子１０６が形成されていてもよい。また、接続端子１０６は、必ずしも配線基板１０１の一方主面１０１ａに配置する必要はない。すなわち、接続端子１０６と半導体基板１０４とは、それぞれ配線基板１０１の異なる主面に配置してもよい。また、第１の部品層１０２の厚みが第２の部品層１０３（第２の樹脂層１０８）の厚みよりも薄く形成されていればよく、各樹脂層１０７，１０８は必ずしも配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂに設けられていなくともよい。
【００７５】
また、半導体基板１０４の裏面および接続端子１０６の先端面に必ずしも金属膜１０９が形成されている必要はなく、モジュール１００の使用目的に応じて金属膜１０９が形成されていればよい。また、半導体基板１０４と接続端子１０６とが、それぞれ配線基板の１０１の異なる主面に配置されている場合には、金属膜１０９が半導体基板１０４の裏面のみでなく第１の樹脂層１０７の周囲にも形成されることにより、金属膜１０９をモジュール１００のシールド層として機能させることができる。また、マザー基板２とモジュール１００との接続は、はんだＨによるものに限らず、例えば、導電性接着材を用いてマザー基板２とモジュール１００とを電気的に接続してもよい。また、上記した実施形態のように半導体基板１０４の裏面とマザー基板２の実装面２ａとを必ずしもはんだ接続する必要はなく、半導体基板１０４の裏面とマザー基板２の実装面２ａとが接触のみして配置されていてもよい。また、半導体基板１０４の裏面とマザー基板２の実装面２ａとが離間して配置されていてもよい。
【００７６】
また、モジュール１００の配線基板１０１の両主面１０１ａ，１０１ｂへの各部品の実装方法ははんだＨを利用した方法に限らず、超音波振動技術やプラズマ等による表面活性化技術を利用した実装方法により各部品を配線基板１０１に実装するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールに広く適用することができる。
【符号の説明】
【００７８】
１００，１００ａ    モジュール
１０１    配線基板
１０１ａ    一方主面
１０１ｂ    他方主面
１０２    第１の部品層
１０３    第２の部品層
１０４    半導体基板（部品）
１０５    セラミック積層チップ部品（部品）
１０６，１０６ａ    接続端子
１０７    第１の樹脂層
１０８    第２の樹脂層
【図１】
2014017228.tif 000003
【図２】
2014017228.tif 000004
【図３】
2014017228.tif 000005
【図４】
2014017228.tif 000006
【図５】
2014017228.tif 000007
【図６】
2014017228.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月28日(2014.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュールを提供し、モジュールに実装された半導体基板からの不要輻射による影響を抑制することができる技術を提供することを第１の目的とする。
部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュールを提供し、配線基板が反ることによりモジュールに反りが生じるのを防止することができる技術を提供することを第２の目的とする。
部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュールを提供し、モジュールに樹脂の収縮に起因した反りが生じるのを抑制することができる技術を提供することを第３の目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記した目的を達成するために、本発明のモジュールは、配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールにおいて、前記配線基板の一方主面に設けられ、該一方主面に前記部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されて形成された第１の部品層と、前記配線基板の他方主面に設けられ、該他方主面に複数の前記部品が実装されて形成された第２の部品層とを備え、前記第１の部品層の厚みが、前記第２の部品層の厚みよりも薄く形成されていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記した第１の目的を達成するために、本発明のモジュールは、前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面に立設されて該一方主面に実装された前記半導体基板に電気的に接続された外部接続用の複数の柱状の接続端子を備え、前記複数の接続端子は、接地用の端子を含んでいることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このように構成された発明では、第１の部品層は、配線基板の一方主面に立設されて該一方主面に実装された半導体基板に電気的に接続された外部接続用の複数の柱状の接続端子を備えているが、複数の接続端子は接地用の端子を含んでおり、第１の部品層は第２の部品層より薄く形成されているので、外部接続用の各接続端子が第２の部品層に設けられた場合と比較すると、各接続端子が短く形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
したがって、接地用の端子を含む外部接続用の複数の接続端子が短く形成されることにより各接続端子の寄生インダクタンスが低減されるので、モジュールが外部のマザー基板等に搭載されたときの外部のグランド電極と半導体基板との電気的な接続を強化することができる。また、モジュールが外部のマザー基板等に搭載された場合に、薄く形成された第１の部品層に備えられる半導体基板が、マザー基板とモジュールの配線基板との間に配置されて両基板が備えるグランド電極に近接配置されるので、半導体基板からの不要輻射がマザー基板および配線基板のグランド電極に吸収されやすく、モジュールに実装された半導体基板からの不要輻射による影響を抑制することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記した第２の目的を達成するために、前記両主面に実装された前記各部品のうち、前記配線基板の一方主面に実装された前記半導体基板の平面視における面積が他の前記各部品の平面視における面積と比べて最も大きくなるようにするとよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このように構成すると、配線基板の一方主面に設けられた第１の部品層が他方主面に設けられた第２の部品層よりも薄く形成されているが、薄く形成された第１の部品層が備える半導体基板の平面視における面積が他の各部品の平面視における面積と比べて最も大きく形成されているので、配線基板が反ることによりモジュールに反りが生じるのを防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記した第３の目的を達成するために、前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面側の前記半導体基板の裏面が露出するように前記半導体基板の側面を被覆して該一方主面に設けられた第１の樹脂層を備え、前記第２の部品層は、前記配線基板の他方主面側の前記各部品を被覆して該他方主面に設けられた第２の樹脂層を備え、前記第１の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数が、前記第２の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数よりも大きいとよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このように構成すれば、第１の部品層が備える第１の樹脂層は、第２の部品層が備える第２の樹脂層よりも薄く形成されているが、第１の樹脂層が、第２の樹脂層を形成する樹脂よりも線膨張係数が大きい樹脂により形成されることにより、厚みの薄い第１の樹脂層の収縮力の大きさと、厚みの厚い第２の樹脂層の収縮力の大きさとの差を小さくすることができるので、モジュールに樹脂の収縮に起因した反りが生じるのを抑制することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記第１の部品層の厚みが、前記配線基板の他方主面側に実装された前記各部品のうち該他方主面からの高さが最も低い前記部品の高さよりも薄くてもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このように構成すれば、第１の部品層の厚みが、配線基板の他方主面側に実装された各部品のうち該他方主面からの高さが最も低い部品の高さよりも薄く形成されているため、さらに効果的にモジュールを低背化することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールにおいて、
前記配線基板の一方主面に設けられ、該一方主面に前記部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されて形成された第１の部品層と、
前記配線基板の他方主面に設けられ、該他方主面に複数の前記部品が実装されて形成された第２の部品層とを備え、
前記第１の部品層の厚みが、前記第２の部品層の厚みよりも薄く形成され、
前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面に立設されて該一方主面に実装された前記半導体基板に電気的に接続された外部接続用の複数の柱状の接続端子を備え、
前記複数の接続端子は、接地用の端子を含んでいる
ことを特徴とするモジュール。
【請求項２】
配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールにおいて、
前記配線基板の一方主面に設けられ、該一方主面に前記部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されて形成された第１の部品層と、
前記配線基板の他方主面に設けられ、該他方主面に複数の前記部品が実装されて形成された第２の部品層とを備え、
前記第１の部品層の厚みが、前記第２の部品層の厚みよりも薄く形成され、
前記両主面に実装された前記各部品のうち、前記配線基板の一方主面に実装された前記半導体基板の平面視における面積が他の前記各部品の平面視における面積と比べて最も大きい
ことを特徴とするモジュール。
【請求項３】
配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールにおいて、
前記配線基板の一方主面に設けられ、該一方主面に前記部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されて形成された第１の部品層と、
前記配線基板の他方主面に設けられ、該他方主面に複数の前記部品が実装されて形成された第２の部品層とを備え、
前記第１の部品層の厚みが、前記第２の部品層の厚みよりも薄く形成され、
前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面側の前記半導体基板の裏面が露出するように前記半導体基板の側面を被覆して該一方主面に設けられた第１の樹脂層を備え、
前記第２の部品層は、前記配線基板の他方主面側の前記各部品を被覆して該他方主面に設けられた第２の樹脂層を備え、
前記第１の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数が、前記第２の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数よりも大きい
ことを特徴とするモジュール。
【請求項４】
前記第１の部品層の厚みが、前記配線基板の他方主面側に実装された前記各部品のうち該他方主面からの高さが最も低い前記部品の高さよりも薄いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のモジュール。
【請求項５】
前記配線基板の一方主面に対向する前記半導体基板の表面に所定の電気回路が形成されており、
前記配線基板の他方主面側の前記各部品には、セラミック積層チップ部品が含まれていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のモジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月16日(2015.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、部品実装密度が高められて高機能化が図られると共に、低背化されたモジュールを提供し、モジュールに樹脂の収縮に起因した反りが生じるのを抑制することができる技術を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記した目的を達成するために、前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面側の前記半導体基板の裏面が露出するように前記半導体基板の側面を被覆して該一方主面に設けられた第１の樹脂層を備え、前記第２の部品層は、前記配線基板の他方主面側の複数の前記部品を被覆して該他方主面に設けられた第２の樹脂層を備え、前記第１の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数が、前記第２の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数よりも大きいとよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記第１の部品層の厚みが、前記配線基板の他方主面側に実装された複数の前記部品のうち該他方主面からの高さが最も低い前記部品の高さよりも薄くてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、前記配線基板の一方主面に対向する前記半導体基板の表面に所定の電気回路が形成されており、前記配線基板の他方主面側の複数の前記部品には、セラミック積層チップ部品が含まれているとよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板の両主面それぞれに部品が実装されて成るモジュールにおいて、
前記配線基板の一方主面に設けられ、該一方主面に前記部品として半導体基板のみがフェイスダウン実装されて形成された第１の部品層と、
前記配線基板の他方主面に設けられ、該他方主面に複数の前記部品が実装されて形成された第２の部品層とを備え、
前記第１の部品層の厚みが、前記第２の部品層の厚みよりも薄く形成され、
前記第１の部品層は、前記配線基板の一方主面側の前記半導体基板の裏面が露出するように前記半導体基板の側面を被覆して該一方主面に設けられた第１の樹脂層を備え、
前記第２の部品層は、前記配線基板の他方主面側の複数の前記部品を被覆して該他方主面に設けられた第２の樹脂層を備え、
前記第１の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数が、前記第２の樹脂層を形成する樹脂の線膨張係数よりも大きい
ことを特徴とするモジュール。
【請求項２】
前記第１の部品層の厚みが、前記配線基板の他方主面側に実装された複数の前記部品のうち該他方主面からの高さが最も低い前記部品の高さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のモジュール。
【請求項３】
前記配線基板の一方主面に対向する前記半導体基板の表面に所定の電気回路が形成されており、
前記配線基板の他方主面側の複数の前記部品には、セラミック積層チップ部品が含まれていることを特徴とする請求項１または２に記載のモジュール。
【国際調査報告】
2014017228.tif 000009
2014017228.tif 000010
2014017228.tif 000011
2014017228.tif 000012