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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面コーティングであって、
当該コーティングの合計重量の約０．１重量％〜約２５重量％のエアロゲル粒子が分散したフッ素系プラスチックを含み、表面エネルギーが約２０ｍＮ／ｍ2以下である、表面コーティング。
【請求項２】
表面エネルギーが約１０ｍＮ／ｍ2以下である、請求項１に記載の表面コーティング。
【請求項３】
前記フッ素系プラスチックが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）とヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）とのコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）とフッ化ビニリデン（ＶＤＦまたはＶＦ２）とのコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のターポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、フッ化ビニリデン（ＶＦ２）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のテトラポリマーからなる群から選択される、請求項１又は２に記載の表面コーティング。
【請求項４】
前記エアロゲル粒子が、シリカ、炭素、アルミナ、チタニア、ジルコニアからなる群から選択される材料を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表面コーティング。
【請求項５】
前記エアロゲル粒子は、表面積が約４００ｍ2／ｇ〜約１２００ｍ2／ｇである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表面コーティング。
【請求項６】
前記エアロゲル粒子は、粒径が約１μｍ〜約１００μｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表面コーティング。
【請求項７】
前記エアロゲル粒子が、アルキルシラン、アルキルクロロシラン、アルキルシロキサン、ポリジメチルシロキサン、アミノシラン、メタクリルシランからなる群から選択される表面官能基を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の表面コーティング。
【請求項８】
基材と、
前記基材の上に配置されている機能性層と、
中間層の上に配置されている外側層と、
を備え、
前記外側層は、当該外側層の合計重量の約０．１重量％〜約２５重量％のエアロゲル粒子が分散したフッ素系プラスチックマトリックスを含み、
前記外側層の表面エネルギーが約２０ｍＮ／ｍ2未満である、定着器部材。
【請求項９】
前記フッ素系プラスチックが、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ペルフルオロアルコキシポリマー樹脂（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）とヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のコポリマー、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）とフッ化ビニリデン（ＶＤＦまたはＶＦ２）のコポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、フッ化ビニリデン（ＶＤＦ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のターポリマー、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、フッ化ビニリデン（ＶＦ２）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）のテトラポリマーからなる群から選択される、請求項８に記載の定着器部材。
【請求項１０】
基材と、
前記基材の上に配置されている外側層と、
を備え、
前記外側層は、エアロゲル粒子が分散したフッ素系プラスチックマトリックスを含み、
前記エアロゲル粒子は、約１重量％〜約５重量％含まれ、
前記外側層の表面エネルギーが約１０ｍＮ／ｍ2未満である、定着器部材。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水稲栽培における雑草の防除方法であって、
１−（２−クロロ−６−プロピルイミダゾ［１，２−ｂ］ピリダジン−３−イルスルホニル）−３−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）ウレア、（ＲＳ）−２’−［（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）（ヒドロキシ）メチル］−１，１−ジフルオロ−６’−（メトキシメチル）メタンスルホンアニリド、１−｛３−クロロ−１−メチル−４−［（５ＲＳ）−５，６−ジヒドロ−５−メチル−１，４，２−ジオキサジン−３−イル］ピラゾール−５−イルスルホニル｝−３−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）ウレア及び２’−［（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジン−２−イル）カルボニル］−１，１，６’−トリフルオロ−Ｎ−メチルメタンスルホンアニリドから成る群より選ばれる１以上の除草化合物を含む水希釈液を、水稲の播種後又は移植後に、雑草又は雑草が生育する若しくは雑草が発生することが予想される水田に散布する工程、及び、
前記除草化合物での処理後翌日までに水田を湛水する工程、を含み、水田を湛水する工程において、湛水の深さが４ｃｍ以上である、雑草を防除する方法。
【請求項２】
水稲栽培における雑草がヒエ属雑草である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
水稲栽培における雑草がアゼガヤである請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（１）１−（２−クロロ−６−プロピルイミダゾ［１，２−ｂ］ピリダジン−３−イルスルホニル）−３−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）ウレア、（ＲＳ）−２’−［（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）（ヒドロキシ）メチル］−１，１−ジフルオロ−６’−（メトキシメチル）メタンスルホンアニリド、１−｛３−クロロ−１−メチル−４−［（５ＲＳ）−５，６−ジヒドロ−５−メチル−１，４，２−ジオキサジン−３−イル］ピラゾール−５−イルスルホニル｝−３−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）ウレア及び２’−［（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジン−２−イル）カルボニル］−１，１，６’−トリフルオロ−Ｎ−メチルメタンスルホンアニリドから成る群より選ばれる１以上の除草化合物を含む水希釈液を、水稲の播種後又は移植後に、雑草又は雑草が生育する若しくは雑草が発生することが予想される水田に散布する工程
本発明方法に用いられる、１−（２−クロロ−６−プロピルイミダゾ［１，２−ｂ］ピリダジン−３−イルスルホニル）−３−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）ウレア（以下、「化合物１」と称することがある）は、特開２００４−１２３６９０に記載の製造方法により製造することができる。
（ＲＳ）−２’−［（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）（ヒドロキシ）メチル］−１，１−ジフルオロ−６’−（メトキシメチル）メタンスルホンアニリド（以下、「化合物２」と称することがある）は、特開２０００−４４５４６に記載の製造方法により製造することができる。
１−｛３−クロロ−１−メチル−４−［（５ＲＳ）−５，６−ジヒドロ−５−メチル−１，４，２−ジオキサジン−３−イル］ピラゾール−５−イルスルホニル｝−３−（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）ウレア（以下、「化合物３」と称することがある）は、特開２００５−３３６１７５に記載の製造方法により製造することができる。
２’−［（４，６−ジメトキシ−１，３，５−トリアジン−２−イル）カルボニル］−１，１，６’−トリフルオロ−Ｎ−メチルメタンスルホンアニリド（以下、「化合物４」と称することがある）はＷＯ２００７／０３１２０８に記載の製造方法により製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気コンジット加熱システム（２００）であって、
蒸気タービン（１０４）への蒸気の流入を制御するための蒸気タービン入口弁と、
起動時に、まず圧力および温度が蒸気を蒸気タービンに流入させるのに適した範囲内に入るまで、蒸気が蒸気タービンをバイパスさせるための、蒸気タービン入口弁の上流のバイパスコンジットと、
バイパスコンジットと蒸気タービン入口弁との間で蒸気コンジット（１１２）の少なくとも一部分に結合された少なくとも１つの加熱要素（２２０）であって、複数の層からなる少なくとも１つの加熱要素（２２０）と、
前記少なくとも１つの加熱要素に動作可能に結合され、前記蒸気コンジットの一部分の温度変化の割合を変化させるようにプログラムされた少なくとも１つのコンジット加熱コントローラ（２３０）とを備え、
前記少なくとも１つのコンジット加熱コントローラ（２３０）が、
前記蒸気コンジットの前記一部分の質量と、
前記蒸気コンジットの前記一部分の形状とのうち少なくとも１つの関数として、前記蒸気コンジットの前記一部分の前記温度変化の割合を変化させるようにさらにプログラムされた、蒸気コンジット加熱システム（２００）。
【請求項２】
前記少なくとも１つのコンジット加熱コントローラ（２３０）が、
前記蒸気コンジット（１１２）の前記一部分の温度と、
熱回収蒸気発電機（ＨＲＳＧ）（１１０）から導かれた蒸気の温度とのうち少なくとも１つの関数として、前記蒸気コンジットの前記一部分の前記温度変化の割合を変化させるようにさらにプログラムされる請求項１記載の蒸気コンジット加熱システム（２００）。
【請求項３】
前記少なくとも１つの加熱要素（２２０）が複数の加熱要素（２２０）を含み、前記複数の加熱要素のそれぞれの前記加熱要素が、
前記蒸気コンジット（１１２）の前記一部分の質量と、
前記蒸気コンジットの前記一部分の形状とのうち少なくとも１つの関数として、前記蒸気コンジットの前記一部分の前記温度変化の割合を変化させるように大きさを調整される請求項１記載の蒸気コンジット加熱システム（２００）。
【請求項４】
前記少なくとも１つのコンジット加熱コントローラ（２３０）が、蒸気タービン（１０４）への蒸気の流入を制御するようにプログラムされた少なくとも１つの蒸気タービン入口弁コントローラ（１７４）に動作可能に結合され、前記少なくとも１つのコンジット加熱コントローラが、前記少なくとも１つの蒸気タービン入口弁コントローラに許可信号を伝送するようにプログラムされる請求項１記載の蒸気コンジット加熱システム（２００）。
【請求項５】
前記少なくとも１つのコンジット加熱コントローラ（２３０）が、前記蒸気タービン（１０４）の周囲の蒸気のバイパスを制御するようにプログラムされた少なくとも１つの蒸気タービンバイパス弁コントローラ（１７２／１７６）に動作可能に結合され、前記少なくとも１つのコンジット加熱コントローラが、前記少なくとも１つの蒸気タービンバイパス弁コントローラに許可信号を伝送するようにプログラムされる請求項４記載の蒸気コンジット加熱システム（２００）。
【請求項６】
複合サイクル発電システム（１００）であって、
第１の発電機（１０６）に結合されたガスタービン（１０２）と、
第２の発電機（１０８）に結合された蒸気タービン（１０４）と、
前記蒸気タービンおよび前記ガスタービンに結合された熱回収蒸気発電機（ＨＲＳＧ）（１１０）であって、少なくとも１つの蒸気コンジット（１１２）を介して前記蒸気タービンに流れ連通で結合される熱回収蒸気発電機（ＨＲＳＧ）と、
蒸気タービン（１０４）への蒸気の流入を制御するための蒸気タービン入口弁と、
起動時に、まず圧力および温度が蒸気を蒸気タービンに流入させるのに適した範囲内に入るまで、蒸気が蒸気タービンをバイパスさせるための、蒸気タービン入口弁の上流のバイパスコンジットと、
バイパスコンジットと蒸気タービン入口弁との間で前記少なくとも１つの蒸気コンジットの一部分に結合されたコンジット加熱システム（２００）と
を備えており、前記コンジット加熱システムが、
複数の層からなる少なくとも１つの加熱要素（２２０）、および
前記少なくとも１つの加熱要素に動作可能に結合され、前記少なくとも１つの蒸気コンジットの前記一部分の温度変化の割合を変化させるようにプログラムされた少なくとも１つのコントローラ（２３０）を備えている、複合サイクル発電システム（１００）。
【請求項７】
前記少なくとも１つのコントローラ（２３０）が、
前記少なくとも１つの蒸気コンジット（１１２）の前記一部分の質量と、
前記少なくとも１つの蒸気コンジットの前記一部分の形状とのうち少なくとも１つの関数として、前記少なくとも１つの蒸気コンジットの前記一部分の前記温度変化の割合を変化させるようにさらにプログラムされる請求項６記載の複合サイクル発電システム（１００）。
【請求項８】
前記少なくとも１つのコントローラ（２３０）が、
前記少なくとも１つの蒸気コンジット（１１２）の前記一部分の温度と、
前記ＨＲＳＧ（１１０）から導かれた蒸気の温度とのうち少なくとも１つの関数として、前記少なくとも１つの蒸気コンジットの前記一部分の前記温度変化の割合を変化させるようにさらにプログラムされる請求項６記載の複合サイクル発電システム（１００）。
【請求項９】
前記少なくとも１つの加熱要素（２２０）が複数の加熱要素（２２０）を含み、前記複数の加熱要素のそれぞれの前記加熱要素が、
前記少なくとも１つの蒸気コンジット（１１２）の前記一部分の質量と、
前記少なくとも１つの蒸気コンジットの前記一部分の形状とのうち少なくとも１つの関数として、前記少なくとも１つの蒸気コンジットの前記一部分の前記温度変化の割合を変化させるように大きさを調整される請求項６記載の複合サイクル発電システム（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月10日(2015.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内の前記原料ガスを除去する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して前記原料ガスとは化学構造が異なる反応ガスを供給する工程と、
前記処理室内の前記反応ガスを除去する工程と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記反応ガスを除去する工程では、前記処理室内を減圧排気する工程と、前記処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を交互に繰り返す半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記原料ガスを除去する工程では、前記処理室内を減圧排気する工程と、前記処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を交互に所定回数行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記反応ガスを除去する工程において前記処理室内を不活性ガスでパージする際の不活性ガスの供給流量を、前記原料ガスを除去する工程において前記処理室内を不活性ガスでパージする際の不活性ガスの供給流量よりも大きくする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記反応ガスを除去する工程において、前記処理室内を減圧排気する工程と、前記処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を交互に繰り返す回数を、前記原料ガスを除去する工程において、前記処理室内を減圧排気する工程と、前記処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を交互に行う回数よりも多くする請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記反応ガスを除去する工程における前記処理室内の単位時間当たりの圧力変化量を、前記原料ガスを除去する工程における前記処理室内の単位時間当たりの圧力変化量よりも大きくする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記反応ガスは窒化ガスを含む請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記反応ガスは窒化水素系ガスを含む請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記反応ガスはアンモニアガス、ヒドラジンガスおよびジアゼンガスからなる群より選択される少なくとも１つを含む請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する工程と、
前記処理室内の前記原料ガスを除去する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して前記原料ガスとは化学構造が異なる第１の反応ガスを供給する工程と、
前記処理室内の前記第１の反応ガスを除去する工程と、
前記処理室内の前記基板に対して前記原料ガスおよび前記第１の反応ガスとは化学構造が異なる第２の反応ガスを供給する工程と、
前記処理室内の前記第２の反応ガスを除去する工程と、
を少なくとも前記原料ガスを供給する工程、前記原料ガスを除去する工程、前記第１の反応ガスを供給する工程および前記第１の反応ガスを除去する工程を同期させることなく行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記第１の反応ガスを除去する工程では、前記処理室内を減圧排気する工程と、前記処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を交互に繰り返す半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記原料ガスを除去する工程および前記第２の反応ガスを除去する工程では、前記処理室内を減圧排気する工程と、前記処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を交互に所定回数行う請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の反応ガスを除去する工程において前記処理室内を不活性ガスでパージする際の不活性ガスの流量を、前記原料ガスを除去する工程および前記第２の反応ガスを除去する工程において前記処理室内を不活性ガスでパージする際の不活性ガスの流量よりも大きくする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の反応ガスを除去する工程において、前記処理室内を減圧排気する工程と、前記処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を交互に繰り返す回数を、前記原料ガスを除去する工程および前記第２の反応ガスを除去する工程において、前記処理室内を減圧排気する工程と、前記処理室内を不活性ガスでパージする工程と、を交互に行う回数よりも多くする請求項１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の反応ガスを除去する工程における前記処理室内の単位時間当たりの圧力変化量を、前記原料ガスを除去する工程および前記第２の反応ガスを除去する工程における前記処理室内の単位時間当たりの圧力変化量よりも大きくする請求項９乃至１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記原料ガスを供給する工程、前記原料ガスを除去する工程、前記第１の反応ガスを供給する工程、前記第１の反応ガスを除去する工程、前記第２の反応ガスを供給する工程および前記第２の反応ガスを除去する工程を非同期とする請求項９乃至１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の反応ガスを供給する工程と前記第２の反応ガスを供給する工程とを同期させ、前記第１の反応ガスを除去する工程と前記第２の反応ガスを除去する工程とを同期させる請求項９乃至１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の反応ガスは窒化ガスを含む請求項９乃至１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系と、
前記処理室内へ前記原料ガスとは化学構造が異なる反応ガスを供給する反応ガス供給系と、
前記処理室内へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記処理室内を排気する排気系と、
前記処理室内の基板に対して前記原料ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記原料ガスを除去する処理と、前記処理室内の前記基板に対して前記反応ガスを供給する処理と、前記処理室内の前記反応ガスを除去する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する処理を行い、前記反応ガスを除去する処理では、前記処理室内を減圧排気する処理と、前記処理室内を不活性ガスでパージする処理と、を交互に繰り返すように、前記原料ガス供給系、前記反応ガス供給系、前記不活性ガス供給系および前記排気系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１８】
処理室内の基板に対して原料ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記原料ガスを除去する手順と、
前記処理室内の前記基板に対して前記原料ガスとは化学構造が異なる反応ガスを供給する手順と、
前記処理室内の前記反応ガスを除去する手順と、
を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に膜を形成する手順をコンピュータに実行させ、
前記反応ガスを除去する手順では、前記処理室内を減圧排気する手順と、前記処理室内を不活性ガスでパージする手順と、を交互に繰り返すプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月23日(2015.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を実装した絶縁基板で上記電子部品に対応した位置に当該絶縁基板を貫通する貫通穴を設けた絶縁基板を樹脂封止して形成される半導体装置の製造方法であって、
封止用金型内に配置した上記絶縁基板の上記貫通穴に対して上記封止用金型に備わる可動ピンを挿入可能に配置し、
フィラーを含む溶融した封止樹脂を上記封止用金型内へ注入し静水圧を作用させながら、上記可動ピンを用いて上記電子部品と上記絶縁基板との隙間及び上記貫通穴へ上記封止樹脂を充填させる、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記可動ピンを用いた上記隙間及び上記貫通穴への封止樹脂の充填は、
上記封止用金型内へ上記封止樹脂を注入するときに上記貫通穴の外側に上記可動ピンを配置して行う、又は、
予め可動ピンを上記電子部品に接するまで上記貫通穴に挿通しておき、上記封止用金型内へ上記封止樹脂を注入するときに上記可動ピンを上記貫通穴から引き抜くことで行う、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記可動ピンの引き抜きを途中で一旦停止する、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記封止用金型内への上記封止樹脂の注入方向は、上記絶縁基板の延在方向に沿う方向であり、
上記可動ピンは、上記注入方向へ移動する封止樹脂を上記貫通穴側へ配向させる傾斜面を有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
電子部品を実装した絶縁基板で上記電子部品に対応した位置に当該絶縁基板を貫通する貫通穴を設けた絶縁基板と、
上記貫通穴に対して上記電子部品とは反対側から挿入される挿入ピンと、
上記挿入ピンを装着した上記絶縁基板を封止する、フィラーを含む封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
上記挿入ピンは、その軸方向に沿って延在する切欠を有する、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
上記挿入ピンは、上記貫通穴に勘合されて上記電子部品にその先端が接触する、請求項５又は６に記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項５から７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
封止用金型内に配置した上記絶縁基板における上記挿入ピンに対して上記封止用金型から可動ピンを当接し、
フィラーを含み溶融した封止樹脂を上記封止用金型内へ注入し静水圧を作用させながら、上記可動ピンを封止樹脂内から引き抜く、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質層を有する正極と負極活物質層を有する負極とをセパレータを介して積層してなる電極体と、非水電解液と、を備える非水電解液二次電池であって、
前記負極活物質層には、実質的にオキサラト錯体化合物に由来する被膜であってホウ素原子および／またはリン原子を含む被膜が形成されており、
ここで、前記負極活物質層の少なくとも一部について、前記非水電解液が前記負極活物質層に含浸される方向の一の端部から直線方向に他の一の端部に至るライン上に、等間隔で、複数点測定した抵抗値の標準偏差σが、３．０Ω以上７．２Ω以下である、非水電解液二次電池。
【請求項２】
前記標準偏差σは３．０Ω以上５．０Ω以下である、請求項１に記載の非水電解液二次電池。
【請求項３】
前記抵抗値は、前記負極活物質層の被測定点にルギン管型の対極を接触させることによって測定された抵抗値である、請求項１または２に記載の非水電解液二次電池。
【請求項４】
前記標準偏差σは、少なくとも５点で測定した抵抗値に基づいて算出された値である、請求項１から３のいずれか一項に記載の非水電解液二次電池。
【請求項５】
前記電極体は、
長尺状の正極集電体上に、所定の幅の正極活物質層が該集電体の長手方向に沿って形成されている長尺状の正極と、
長尺状の負極集電体上に、前記正極活物質層を超える幅の負極活物質層が該集電体の長手方向に沿って形成されている長尺状の負極と、
長尺状のセパレータと、
を備え、
該長尺状の正極および負極がセパレータを介して積層され、長手方向に捲回されてなる扁平形状の捲回電極体であって、
前記抵抗値は、前記扁平形状の捲回電極体を構成する前記負極活物質層であって少なくとも最外周を除いた内側の扁平部の前記負極活物質層において、捲回軸方向の一の端部から直線方向に他の一の端部に至るライン上に、等間隔で、複数点測定された抵抗値である、請求項１から４のいずれか一項に記載の非水電解液二次電池。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の非水電解液二次電池を製造する方法であって：
正極活物質層を有する正極と負極活物質層を有する負極とをセパレータを介して積層してなる電極体と、ホウ素原子および／またはリン原子を含むオキサラト錯体化合物を有する非水電解液とを準備すること；
前記電極体と前記非水電解液とを電池ケース内に収容し、電池組立体を構築すること；
前記構築した電池組立体を２５℃より低い温度域で所定の時間保持すること；および、
前記正極と前記負極の間で充電処理を行うこと；
を包含する、非水電解液二次電池の製造方法。
【請求項７】
前記低温域の温度を１０℃以上１５℃以下に調整する、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記低温域での保持時間を５時間以上２０時間以下とする、請求項６または７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記オキサラト錯体化合物として、リチウムビス（オキサラト）ボレートを用いる、請求項６から８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から５のいずれか一項に記載の非水電解液二次電池が複数個相互に電気的に接続されている組電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年9月2日(2014.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機器側に備えられる相手側コネクタと接続されるコネクタであって、
電線の端末部に接続される複数の端子と、
前記複数の端子を収容する複数の端子収容部材と、
前記複数の端子収容部材が挿入されて並んで保持される保持部材と、を備え、
前記端子収容部材は、前記保持部材に挿入された際に前記端子収容部材の並び方向の隣りに位置する他の前記端子収容部材に係止して前記保持部材に対する挿入方向の位置を保持する第１係止部を有し、
前記保持部材は、前記端子収容部材の両側に前記端子収容部材の並び方向に沿って延びる一対の側壁部を有し、前記端子収容部材は、前記一対の側壁部のそれぞれに係止する一対の第２係止部を備えるコネクタ。
【請求項２】
前記第１係止部は、前記他の端子収容部材側に突出している請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記端子収容部材の第１係止部に係止された前記他の端子収容部材のうち、前記並び方向の端部に位置する前記端子収容部材は、前記保持部材における前記端子収容部材と前記並び方向に対向する側に係止する保持部材係止部を備える請求項１又は請求項２に記載のコネクタ。
【請求項４】
前記端子収容部材は、前記保持部材への挿入方向に沿う方向に延びるガイド突部と、前記隣の端子収容部材における前記ガイド突部に嵌め入れられて前記端子収容部材を案内するガイド溝部とを備える請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のコネクタ。
【請求項５】
前記第１係止部は、前記端子収容部材への挿入方向の後端部に配されている請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のコネクタ。
【請求項６】
前記相手側コネクタは、複数の扁平な機器を積み重ねて構成された機器ユニットに備えられるものである請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のコネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、機器側に備えられる相手側コネクタと接続されるコネクタであって、電線の端末部に接続される複数の端子と、前記複数の端子を収容する複数の端子収容部材と、前記複数の端子収容部材が挿入されて並んで保持される保持部材と、を備え、前記端子収容部材は、前記保持部材に挿入された際に前記端子収容部材の並び方向の隣りに位置する他の前記端子収容部材に係止して前記保持部材に対する挿入方向の位置を保持する第１係止部を有し、前記保持部材は、前記端子収容部材の両側に前記端子収容部材の並び方向に沿って延びる一対の側壁部を有し、前記端子収容部材は、前記一対の側壁部のそれぞれに係止する一対の第２係止部を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本構成によれば、端子収容部材が保持部材に挿入された際に第１係止部が端子収容部材の並び方向における隣りに位置する端子収容部材に係止して保持部材に対する端子収容部材の挿入方向の位置が保持されるため、保持部材における隣り合う端子収容部材間に、端子収容部材を係止するための壁等を設けなくても端子収容部材の挿入方向の位置を保持することが可能になる。よって、コネクタの構成を簡素化することができる。
また、端子収容部材を保持部材に安定した姿勢で保持することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月24日(2015.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光源と、透光性を有し該光源からの光を拡散して出射するための、外装ケースとしてのセードとを備えた照明装置において、
前記複数の光源と前記セードとの間に配置され、かつ前記光源からの光を屈折させるレンズ形状を有する複数の光学要素が二次元的に配列された光学部材を備え、
前記光学要素を介して前記光源からの出射光を前記セードに照射するように構成したことを特徴とする照明装置。
【請求項２】
請求項１に記載の照明装置において、前記光源は、白色光を放出する白色ＬＥＤであることを特徴とする照明装置。
【請求項３】
複数の光源と、透光性を有し該光源からの光を拡散して出射するための、外装ケースとしてのセードとを備えた照明装置において、
前記複数の光源と前記セードとの間に配置され、かつ前記光源からの光を屈折させるレンズ形状を有する複数の光学要素が二次元的に配列された光学部材を備え、
前記光学要素を介して前記光源からの出射光を前記セードに照射するように構成し、
前記光学要素は、前記複数の光源のそれぞれに対応して複数設けられており、前記光学部材上の前記光学要素の数が前記光源の数よりも多いことを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の照明装置において、前記光学要素は、前記光源側に凸を向けた入射面と前記セード側に凸を向けた出射面とを含む両凸形状の正レンズであることを特徴とする照明装置。
【請求項５】
請求項４に記載の照明装置において、前記入射面の焦点が前記出射面に位置していることを特徴とする照明装置。
【請求項６】
請求項４に記載の照明装置において、前記出射面の焦点が前記入射面に位置していることを特徴とする照明装置。
【請求項７】
請求項４に記載の照明装置において、前記入射面の中心と前記出射面の中心がほぼ一致していることを特徴とする照明装置。
【請求項８】
請求項４に記載の照明装置において、前記複数の光学要素のうち前記１つの光源の光軸上に位置する光学要素の周囲に位置する光学要素の前記出射面の中心が、当該光学要素の前記入射面の中心よりも外側に位置していることを特徴とする照明装置。
【請求項９】
請求項１から３のいずれかに記載の照明装置において、前記光学要素は、前記複数の光源にそれぞれ対応して設けられた、前記光源側及び前記セード側に凸を向けたフレネルレンズであることを特徴とする照明装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の照明装置において、前記フレネルレンズは、前記光学部材の前記光源側に設けられた入射側フレネルレンズと、前記光学部材の前記セード側に設けられた出射側フレネルレンズとを含み、前記入射側フレネルレンズの焦点が、当該入射側フレネルレンズに対応する前記光源の光放出面に位置することを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
請求項１から４のいずれかに記載の照明装置において、前記光学要素は、その光照射側から見た形状が円形を為すことを特徴とする照明装置。
【請求項１２】
請求項１から４のいずれかに記載の照明装置において、前記光学要素は、その光照射側から見た形状が多角形状を為すことを特徴とする照明装置。
【請求項１３】
請求項１から４のいずれかに記載の照明装置において、前記複数の光学要素は、前記光学部材において、前記１つの光源と対応する位置を基準に放射状に配列されていることを特徴とする照明装置。
【請求項１４】
請求項１から４のいずれかに記載の照明装置において、各光源に対応して設けられた前記複数の光学要素は、互いに接触していることを特徴とする照明装置。
【請求項１５】
請求項１から４のいずれかに記載の照明装置において、各光源に対応して設けられた前記複数の光学要素は、前記光学部材において、前記１つの光源と対応する位置の光学要素の中心とそれに隣接する光学要素の中心を通る前記光学部材の面状の直線を基準に、対称に配列されていることを特徴とする照明装置。
【請求項１６】
請求項１から４のいずれかに記載の照明装置において、ある光源に対応して設けられた前記複数の光学要素の一部と、該ある光源とは異なる光源対応して設けられた前記複数の光学要素の一部とが互いに接触或いは交差していることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月2日(2015.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極活物質（Ａ）と、導電助剤である炭素材料（Ｂ）と、プロトン供与性かつ電子供与性の官能基、もしくはプロトン供与性を有さない電子供与性の官能基による相互作用を形成し得る分散剤（Ｃ）を少なくとも２種以上と、を含む二次電池電極形成用組成物であって、
前記相互作用は、プロトン供与性部位と電子供与性部位との相互作用、あるいは電子供与性部位同士の相互作用であって、
電極活物質（Ａ）もしくは導電助剤である炭素材料（Ｂ）の少なくとも一方を、分散剤（Ｃ）の一方で分散した組成物（Ｄ１）と、電極活物質（Ａ）もしくは導電助剤である炭素材料（Ｂ）の少なくとも一方を、分散剤（Ｃ）のもう一方で分散した組成物（Ｄ２）を作製し、組成物（Ｄ１）と組成物（Ｄ２）を混合して作製された二次電池電極形成用組成物。
【請求項２】
分散剤（Ｃ）の一方は、プロトン供与性かつ電子供与性の官能基を有し、分散剤（Ｃ）のもう一方は、プロトン供与性かつ電子供与性の官能基、もしくはプロトン供与性を有さない電子供与性の官能基の少なくとも一方を有する、請求項１記載の二次電池電極形成用組成物。
【請求項３】
前記プロトン供与性かつ電子供与性の官能基は、カルボキシ基、１級または２級アミド基、１級または２級アミノ基、およびヒドロキシ基から選ばれる少なくとも一種の基であり、
前記プロトン供与性を有さない電子供与性の官能基は、ニトリル基、エステル基、３級アミド基、３級アミノ基、カルボニル基、およびエーテル基から選ばれる少なくとも一種の基である、請求項１または２に記載の二次電池電極形成用組成物。
【請求項４】
前記プロトン供与性かつ電子供与性の官能基が、カルボキシ基、１級または２級アミド基である、請求項１〜３いずれか１項に記載の二次電池電極形成用組成物。
【請求項５】
電極活物質（Ａ）もしくは導電助剤である炭素材料（Ｂ）の少なくとも一方を、プロトン供与性かつ電子供与性の官能基、もしくはプロトン供与性を有さない電子供与性の官能基から選ばれる任意の組み合わせによる相互作用を形成し得る少なくとも２種以上の分散剤（Ｃ）の一方で分散した組成物（Ｄ１）と、
電極活物質（Ａ）もしくは導電助剤である炭素材料（Ｂ）の少なくとも一方を、プロトン供与性かつ電子供与性の官能基、もしくはプロトン供与性を有さない電子供与性の官能基から選ばれる任意の組み合わせによる相互作用を形成し得る少なくとも２種以上の分散剤（Ｃ）のもう一方で分散した組成物（Ｄ２）を作製し、
組成物（Ｄ１）と組成物（Ｄ２）を混合する、二次電池電極形成用組成物の製造方法。
【請求項６】
さらにバインダーを含む請求項１〜４いずれか１項に記載の二次電池電極形成用組成物。
【請求項７】
集電体と、請求項１〜４いずれか１項に記載の二次電池電極形成用組成物から形成される合材層を具備する二次電池用電極。
【請求項８】
正極と負極と電解液とを具備する二次電池であって、前記正極もしくは前記負極の少なくとも一方が、請求項７記載の二次電池用電極である、二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、電極活物質（Ａ）もしくは導電助剤である炭素材料（Ｂ）の少なくと
も一方を、プロトン供与性かつ電子供与性の官能基、もしくはプロトン供与性を有さない
電子供与性の官能基から選ばれる任意の組み合わせによる相互作用を形成し得る少なくとも２種以上の分散剤（Ｃ）の一方で分散した組成物（Ｄ１）と、
電極活物質（Ａ）もしくは導電助剤である炭素材料（Ｂ）の少なくとも一方を、プロトン供与性かつ電子供与性の官能基、もしくはプロトン供与性を有さない電子供与性の官能基から選ばれる任意の組み合わせによる相互作用を形成し得る少なくとも２種以上の分散剤（Ｃ）のもう一方で分散した組成物（Ｄ２）を作製し、
組成物（Ｄ１）と組成物（Ｄ２）を混合する、二次電池電極形成用組成物の製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月23日(2015.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザの設定に基づいて自律的に動作する自律動作装置であって、
自律的な受信又は送信の許否について定める複数の許諾情報とこれにそれぞれ対応する複数の許諾シンボルとを記憶する許諾シンボルマスタと、
表示部に前記許諾情報を表示し、ユーザに適用を許諾する許諾情報を選択させるユーザ設定入力手段と、
前記ユーザ設定入力手段により選択された許諾情報に基づいて、適用を許諾する許諾シンボルを決定する許諾シンボル決定手段と、
前記許諾シンボル決定手段により決定された許諾シンボルに基づいて、自律的な受信が認められている場合には外部からの情報を受信し、自律的な送信が認められている場合には外部に向けて情報を送信する制御手段と、を有することを特徴とする自律動作装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記許諾シンボル決定手段により決定された許諾シンボルにかかわらず、所定の緊急情報を外部に向けて送信する必要がある場合には前記緊急情報を外部に向けて送信する、ことを特徴とする請求項１に記載の自律動作装置。
【請求項３】
ユーザの設定に基づいて自律的に動作する自律動作装置であって、
自律的な受信又は送信の許否について定める複数の許諾情報とこれにそれぞれ対応する複数の許諾シンボルとを記憶する許諾シンボルマスタと、
表示部に前記許諾情報を表示し、ユーザに適用を許諾する許諾情報を選択させるユーザ設定入力手段と、
前記ユーザ設定入力手段により選択された許諾情報に基づいて、適用を許諾する許諾シンボルを決定する許諾シンボル決定手段と、
前記許諾シンボル決定手段により決定された許諾シンボルに基づいて、自律的な受信が認められている場合には外部からの情報を受信し、自律的な送信が認められている場合には外部に向けて情報を送信する制御手段と、を有するもの
を有することを特徴とする端末。
【請求項４】
前記自律動作装置は、前記端末と外部との間において送受信が可能であり、それぞれが所定の意味を有する複数のメッセージシンボルを記憶するメッセージシンボルマスタを備え、
前記制御手段は、前記許諾シンボル決定手段により決定された前記許諾シンボルに基づいて、自律的な受信が認められている場合には外部からのメッセージシンボルを受信し、自律的な送信が認められている場合には外部に向けてメッセージシンボルを送信する、ことを特徴とする請求項３に記載の端末。
【請求項５】
前記許諾シンボルは、
前記端末と外部との間において情報の送受信を全て許諾する全許諾シンボルと、
外部からの情報の受信を制限し、外部の端末への情報の送信を許諾する送信許諾シンボルと、
外部への情報の送信を制限し、外部の端末からの情報の受信を許諾する受信許諾シンボルと、を含む許諾シンボルの中から選択可能である、ことを特徴とする請求項３又は４に記載の端末。
【請求項６】
前記許諾シンボルは、
前記端末と外部との間における情報の送受信を全て許諾する全許諾シンボルが常に選択されるようになっており、
さらに、前記全許諾シンボルが適用されている場合であっても外部からの情報の受信を制限する受信制限シンボルと、
前記全許諾シンボルが適用されている場合であっても外部への情報の送信を制限する送信制限シンボルと、を含む許諾シンボルの中から選択可能である、ことを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の端末。
【請求項７】
前記端末は車両またはリモート端末である、ことを特徴とする請求項３乃至６のいずれか一項に記載の端末。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月4日(2015.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保留ボウルに貯留されたコインを回転ディスクに形成された複数の貫通孔を介してホッパベース上に落下させ、前記回転ディスクの回転に伴って前記回転ディスクの裏面に配置された押動部により前記ホッパベース上のコインを移動させて所定の出口からコインを払い出すコインホッパにおいて、
前記回転ディスクには前記複数の貫通孔のそれぞれに対応して前記回転ディスクの回転軸線と前記貫通孔の前記回転軸線側周壁との間に前記回転軸線側上がりの傾斜面が形成され、
少なくとも２つの前記貫通孔に対応する傾斜面から前記回転ディスクの外周方向へ向けて斜め上方に延在する棒状のコイン撹拌部材を有する、
ことを特徴とするコインホッパ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４６８８３６号公報
【特許文献２】特開平０７−００６２４４号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
棒状部材１２１ａ、１２１ｂは、それぞれ長さが異なるように構成されている。回転ディスク１１０の回転軸線Ｌ１でコイン撹拌手段１２０が回転移動しても、棒状部材１２１ａ、１２１ｂの長さを異ならせることで、一方の棒状部材１２１ａまたは１２１ｂで回転中心付近の内周側を撹拌し、他方の棒状部材１２１ａまたは１２１ｂで外周側を撹拌することで、棒状部材１２１ａ、１２１ｂにかかる負荷を分散、軽減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上記のような撹拌がコイン撹拌手段１２０によって行われるため、多量のコインが保留ボウル１０２に貯留された場合、すなわち回転ディスク１１０への負荷荷重が大きい場合であって、回転ディスク１１０付近にコインブリッジが形成されても、回転ディスク１１０自体とコイン撹拌手段１２０とでコインの一部を強制的に移動されるため、コインブリッジが解消される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、コインが回転ディスク１１０上面で回転ディスク１１０の回転面に対して立ち上がった状態となっても、コイン撹拌手段１２０の棒状部材１２１ａ、１２１ｂは回転ディスク１１０に近接して配置されているため、棒状部材１２１ａ、１２１ｂによりコインは姿勢を変えられ、貫通孔１１１に落下しやすくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
したがって、保留ボウル１０２内に多量のコインが貯留されていて、回転ディスク１１０付近へのコインの負荷荷重が大きい場合でも、保留ボウル１０２内のコインを残らず払い出すことができる利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
階層型ネットワークにおけるパス計算方法において、
前記階層型ネットワークは、実ネットワークと、抽象化ネットワークと、を含み、
前記実ネットワークは、複数の実ノードと、前記実ノードを繋ぐ複数の実リンクと、によって構成され、
前記抽象化ネットワークは、抽象ノードと、前記抽象ノードを繋ぐ抽象リンクと、によって構成され、
一つの前記抽象ノードは、所定の基準で選択した前記実ノードと、互いに前記実リンクで接続された前記実ノードと、のいずれか一方または両方に対応づき、
前記抽象リンクの各々は、特定の実パスの集合に相当し、
前記実パスは、２つの前記実ノードを接続する、一つ以上の前記実リンクで構成され、
各々の前記抽象リンクについて、
前記特定の実パスの特定の実パス情報から選択した１つ以上の前記実パス情報の複数種類の項目に基づく、前記抽象リンクの一組の抽象リンク情報を生成し、
パス要求情報が示す、一つ以上の前記抽象ノードが関連付けられた前記複数の実ノードの二つを接続する前記実パスの実パス情報を、前記抽象リンク情報を用いて、計算する
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパス計算方法において、
前記パス要求情報と、前記一組の抽象リンク情報と、を比較し、
前記パス要求情報に合致する一つ以上の「一つ以上の抽象リンクの組合せ」を選択し、
それぞれの前記「一つ以上の抽象リンクの組合せ」に相当する一つ以上の前記実パスから、前記パス要求情報にあう一つ以上の前記実パスをさらに選択する
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のパス計算方法において、
前記一組の抽象リンク情報の生成に用いる前記選択した実パスは、当該実パスの前記実パス情報の一つ以上の前記項目に従って、一つ以上の候補として選択する
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項４】
請求項３に記載のパス計算方法において、
前記選択において、所定の基準に従って前記実パス情報が類似する複数の前記実パスを選択する
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項５】
請求項４に記載のパス計算方法において、
前記所定の基準は、抽象度調整パラメータにより調整可能である。
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一に記載のパス計算方法において、
前記一組の抽象リンク情報は、冗長化に関する情報を含む
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項７】
請求項４に記載のパス計算方法において、
前記実ネットワークのネットワークトポロジが変更されたことをきっかけとして、前記実パスのうち、リンクが追加または削除された前記実パスに対応づけられる前記抽象リンクを特定し、
前記抽象リンクのリンク属性を更新する
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一に記載のパス計算方法において、
ネットワークシステムを起動した際やネットワークトポロジを変更した際に、前記抽象リンク情報を生成して保持し、
前記パス要求情報を受信した際に、保持している前記抽象リンク情報を元にパスを計算する
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一に記載のパス計算方法において、
前記実ノードがいずれかの計算ドメインに属するように、前記実ネットワークを複数の計算ドメインに分割し、
前記抽象ノードを、前記計算ドメインの境界ノードに対応付ける
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のパス計算方法において、
前記抽象ノードの数が少なくなるように、前記計算ドメインを構成する
ことを特徴とするパス計算方法。
【請求項１１】
請求項９に記載のパス計算方法において、
ノードが追加、または、削除された、前記実ネットワークの前記計算ドメインを特定し、
特定した前記計算ドメインの前記実パス情報を再計算し、
前記一組の抽象リンク情報を再生成する
ことを特徴とするパス計算方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月12日(2015.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像群から画像を複数選択する選択手段と、
前記選択された画像それぞれについて、被写体が何であるかの認識に関する認識時間を設定する設定手段と、
前記設定手段によって設定された前記認識時間に基づいて、前記選択手段によって選択された画像が接続された映像を生成する生成手段と、
前記画像群に含まれる画像それぞれの被写体を含む複数の被写体のうち、注目被写体を特定する特定手段と、
前記選択手段によって前記複数の画像から選択された画像それぞれのうち、前記特定手段によって特定された注目被写体を含む画像から、前記注目被写体に関する被写体情報を取得する取得手段とを有し、
前記設定手段は、前記取得手段によって取得された前記注目被写体に関する被写体情報に基づいて、前記選択手段によって前記複数の画像のうち、前記注目被写体を含む画像の認識時間を設定することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記生成手段は、前記選択手段によって選択された画像が接続された映像において、前記選択された画像それぞれの再生時間の時間長を、前記前記設定手段によって設定された認識時間に対応させることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記注目被写体とは特定の人物であって、前記注目被写体に関する被写体情報とは、少なくとも顔の大きさ、顔の位置、画像の大きさに対する顔の大きさの比率のいずれか１つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記選択手段によって選択された画像を、前記画像の時間に関する属性情報に基づいて、時間軸上に順に配置する配置手段をさらに有し、
前記生成手段は、前記選択手段によって選択された画像が、前記配置手段によって配置された順に沿って接続された前記映像を生成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記設定手段は、前記選択手段によって選択された画像それぞれを、前記配置手段によって配置された順で順次再生した場合の、前記特定手段によって特定された注目被写体の出現間隔に基づいて、前記選択手段によって選択された画像に対して前記認識時間を設定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記注目被写体の出現間隔とは、前記選択手段によって選択された画像のうち前記注目被写体を含む画像のそれぞれについての、前記配置手段によって配置された順において時間的に前に配置された前記注目被写体を含む画像との時間的な距離であって、
前記設定手段は、前記出現間隔が所定の間隔よりも大きい場合は、前記出現間隔が前記所定の間隔より小さい場合よりも、前記認識時間を長く設定することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記設定手段は、前記選択手段によって選択された画像を、前記配置手段によって配置された順で順次再生した場合の、前記特定手段によって特定された注目被写体の出現間隔の間に出現する、前記注目被写体と異なる被写体の数に基づいて、前記選択された画像に対して前記認識時間を設定することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記設定手段は、前記注目被写体と異なる被写体の数が所定の数よりも多い場合は、前記注目被写体と異なる被写体の数が前記所定の数より少ない場合よりも、前記認識時間を長く設定することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
選択手段により、画像群から画像を複数選択する選択工程と、
設定手段により、前記選択された画像それぞれについて、被写体が何であるかの認識に関する認識時間を設定する設定工程と、
生成手段により、前記設定工程において設定された前記認識時間に基づいて前記選択工程において選択された画像が接続された映像を生成する生成工程と、
特定手段により、前記画像群に含まれる画像それぞれの被写体を含む複数の被写体のうち、注目被写体を特定する特定工程と、
取得手段により、前記選択工程において前記複数の画像から選択された画像それぞれのうち、前記特定工程において特定された注目被写体を含む画像から、前記注目被写体に関する被写体情報を取得する取得工程とを有し、
前記設定工程では、前記取得工程において取得された前記注目被写体に関する被写体情報に基づいて、前記選択工程において前記複数の画像のうち、前記注目被写体を含む画像の認識時間を設定することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像処理装置の制御方法の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の目的を達成するための本発明の一態様による画像処理装置は以下の構成を備える。すなわち、画像群から画像を複数選択する選択手段と、前記選択された画像それぞれについて、被写体が何であるかの認識に関する認識時間を設定する設定手段と、前記設定手段によって設定された前記認識時間に基づいて、前記選択手段によって選択された画像が接続された映像を生成する生成手段と、前記画像群に含まれる画像それぞれの被写体を含む複数の被写体のうち、注目被写体を特定する特定手段と、前記選択手段によって前記複数の画像から選択された画像それぞれのうち、前記特定手段によって特定された注目被写体を含む画像から、前記注目被写体に関する被写体情報を取得する取得手段とを有し、前記設定手段は、前記取得手段によって取得された前記注目被写体に関する被写体情報に基づいて、前記選択手段によって前記複数の画像のうち、前記注目被写体を含む画像の認識時間を設定することを特徴とする。