【手続補正書】
【提出日】平成27年7月1日(2015.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の各工程を含む光学装置の形成方法であって、
第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極を含む基板を提供し、
第１電極の上に、架橋性ビニル又はエチニル基がなく、積層時に第１の溶媒に可溶性の第１の半導体材料を積層することによって、第１層を形成し、
第２層の形成前に、第１層に、加熱乾燥処理、真空乾燥処理、又は外気乾燥処理の１又は２以上を施し、ここで第１層は、第１の溶媒に対して不溶性に変えられ、
第１の溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層して、第１層に接触し第２の半導体材料を含む第２層を形成し、
第２層上に、第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極を形成する
光学装置の形成方法。
【請求項２】
第１及び第２の半導体材料の少なくとも１つがポリマーである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
導電性有機材料の層が第１電極と第１層の間に設けられる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
第２電極が、複数の金属の２層又は誘電体材料の薄膜を含むカソードである、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
誘電体材料の薄膜が、フッ化リチウム又はフッ化ナトリウムを含む薄膜である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
第１及び第２の半導体材料の少なくとも１つが、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）または式（Ｉ）の置換されていてもよい繰返し単位を含むポリフルオレンであり、
【化１】
2015057785.tif 000001
ここで、Ｒ及びＲ'は、水素、又は置換されていてもよいアルキル、アルコキシ、アリール、アリールアルキル、ヘテロアリール及びヘテロアリールアルキルから独立して選ばれ、並びにＲ及びＲ'の少なくとも１つは水素ではない、請求項１ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
第２層の形成前に、第１層、に加熱乾燥処理を施す工程を含む請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
第２層の形成前に、第１層に、真空乾燥処理若しくは外気乾燥処理のいずれか又は両方を施す工程を含む請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
第２層の形成前に、第１の半導体材料が溶解する洗浄溶媒で第１層を洗浄する工程を含む請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
第１層が第１の溶媒中の溶液から積層される請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
第１の溶媒が芳香族炭化水素である請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
第１の溶媒がアルキレートベンゼンである請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
第１の溶媒がトルエン又はキシレンである請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
Ｒ及びＲ'の少なくとも１つは置換されていてもよいＣ4−Ｃ20アルキル基を含む請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
第１電極は正孔を注入することができ、第２電極は電子を注入することができる請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
第１の半導体材料がトリアリールアミン繰返し単位を含む請求項１ないし１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
トリアリールアミン繰返し単位が式１〜６の置換されていてもよい繰返し単位から選ばれ、
【化２】
2015057785.tif 000002
ここで、Ｘ，Ｙ，Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤは、Ｈ又は置換基から独立に選ばれる請求項１６に記載の
方法。
【請求項１８】
Ｘ，Ｙ，Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤの１または２以上は、アルキル、アリール、ペルフルオロアル
キル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール、アルキルアリール及びアリ
ールアルキル基からなる群から独立して選ばれる請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
トリアリールアミン繰返し単位は式７の置換されていてもよい繰返し単位であり、
【化３】
2015057785.tif 000003
ここで、Ｈｅｔはヘテロアリールである請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
Ｈｅｔが４−ピリジルである請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
第１の半導体材料が、１：１の請求項６に規定されるフルオレン繰返し単位と請求項１６ないし２０のいずれかに規定されるトリアリールアミン繰返し単位の規則的な交互共重合体を含む請求項１ないし２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
導電性有機材料の層がＰＥＤＴ／ＰＳＳである請求項３に記載の方法。
【請求項２３】
第１層が２０ｎｍ以下の厚さを有する請求項１ないし２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
第１層が３〜１０ｎｍの範囲の厚さを有する請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
第２の半導体材料が複数の領域を含み、正孔輸送領域、電子輸送領域及び発光領域のうち少なくとも２つを含む請求項１ないし２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
第２の半導体材料が、正孔輸送領域、電子輸送領域及び発光領域を含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
基板、
第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極、
第１の溶媒に不溶な第１の半導体材料を含む厚さ２０ｎｍ以下の第１層、
第１の溶媒に可溶な第２の半導体材料を含む第１層と接触する第２層、
第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２電極
を順番に含む光学装置。
【請求項２８】
正孔を注入又は取得することができ、プロトンを提供することができる導電性有機材料を載せている基板を提供し、
プロトンを取得することができる第１の半導体材料を積層することによって、導電性有機材料の上に第１層を形成し、ここで、半導体材料は積層時において第１の溶媒に可溶であり、
第１層に、加熱乾燥処理、真空乾燥処理、又は外気乾燥処理の１又は２以上を施し、
第１層上に、第１層と接触して、第１の溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層することによって第２層を形成し、
第２層上に、電子を注入又は取得することができる第２電極を形成する
各工程を含む光学装置の形成方法。
【請求項２９】
第１の半導体材料がトリアリールアミン繰返し単位を含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
トリアリールアミン繰返し単位が式１〜６の置換されていてもよい繰返し単位から選ばれ、
【化４】
2015057785.tif 000004
ここで、Ｘ、Ｙ、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤはＨ又は置換基から独立して選ばれる請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
Ｘ，Ｙ，Ａ，Ｂ，Ｃ及びＤの１又は２以上は、アルキル、アリール、ペルフルオロアルキル、チオアルキル、シアノ、アルコキシ、ヘテロアリール及びアリールアルキル基からなる群から独立して選ばれる請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
トリアリールアミン繰返し単位が、式７の置換されていてもよい繰返し単位であり、
【化５】
2015057785.tif 000005
ここで、Ｈｅｔはヘテロアリールである請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
Ｈｅｔが４−ピリジルである請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
第１の半導体材料が１：１のフルオレン繰返し単位とトリアリールアミン繰返し単位の規則的な交互共重合体を含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３５】
正孔を注入又は取得することができる無機材料層が基板と導電性有機材料の間に提供される請求項２８に記載の方法。
【請求項３６】
導電性有機材料がＰＥＤＴ／ＰＳＳである請求項２８に記載の方法。
【請求項３７】
第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極を含む基板を提供し、
架橋性ビニル又はエチニル基の存在しない第１の半導体材料を積層することによって、第１の溶媒に少なくとも部分的に不溶な第１層を第１電極上に形成し、
第１層に加熱処理を施し、
第１の溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層することにより、第１層に接触し、第２の半導体材料を含む第２層を形成し、
第２層上に第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２の電極を形成する、
各工程を含む光学装置の形成方法。
【請求項３８】
第１のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第１電極を含む基板を提供し、
フルオレン繰返し単位を含む第１の半導体材料を積層することによって、第１層を第１電極上に形成し、ここで第１の半導体材料は架橋性ビニル又はエチニル基が存在せず、積層時に第１の溶媒に可溶性であり、
第１層に加熱乾燥処理、真空乾燥処理又は外気乾燥処理の１又は２以上を施し、
第１の溶媒中の溶液から第２の半導体材料を積層することにより、第１層に接触し、第２の半導体材料を含む第２層を形成し、
第２層上に第２のタイプの電荷輸送体を注入又は取得することができる第２の電極を形成する、
各工程を含む光学装置の形成方法。