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【手続補正書】
【提出日】平成27年9月2日(2015.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子により撮像光学系を介して入射する被写体像を撮影して得られた画像データに対して、前記撮像光学系の収差による画像の劣化を補正する回復処理を行う画像処理装置であって、
前記撮影時の撮影条件に応じて、前記回復処理に用いるフィルタを選択する選択手段と、
前記画像データに対して、前記選択手段により選択されたフィルタを用いて前記回復処理を行う画像処理手段と、
前記画像処理手段による回復処理前後の画素値の差分を平滑化する差分処理手段と、
平滑化した前記差分を、前記画像処理手段による回復処理前の画素値に合成する合成手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記合成手段は、特定の領域の画素について、前記平滑化した前記差分を、前記画像処理手段による回復処理前の画素値に合成した画素値を出力し、前記特定の領域以外の画素について、前記平滑化しない前記差分を、前記画像処理手段による回復処理前の画素値に合成した画素値を出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記合成手段は、特定の領域の画素について、前記平滑化した前記差分を、前記画像処理手段による回復処理前の画素値に合成した画素値を出力し、前記特定の領域以外の画素について、前記画像処理手段による回復処理後の画素値を出力することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像データのうち、飽和画素を判定して飽和領域を設定するとともに、該判定された飽和画素の位置と、前記選択手段により選択されたフィルタの特性とに基づいて、前記飽和領域の周辺領域を設定する設定手段を有し、
前記合成手段は、前記設定手段により設定された前記飽和領域及び前記周辺領域を、前記特定の領域とすることを特徴とする請求項２または３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記設定手段は、前記飽和画素以外の画素に対する前記回復処理において、前記フィルタが前記飽和画素の画素値を用いて前記回復処理を行う場合に、前記フィルタが用いる当該飽和画素以外の画素を前記周辺領域の画素と判定することにより前記周辺領域を設定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記設定手段は、前記飽和画素に対する前記回復処理において、前記フィルタが前記飽和画素以外の画素の画素値を用いて前記回復処理を行う場合に、前記フィルタが用いる当該飽和画素以外の画素を前記周辺領域の画素と判定することにより前記周辺領域を設定することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記撮像素子は、複数色のカラーフィルタのいずかにより各画素が覆われており、前記画像処理装置は、
前記複数色の画像データに対して、各画素がそれぞれ前記複数色の画像データを有するように補間処理を行う画素補間手段を更に有し、
前記画像処理手段は、前記補間処理された画像データに対して、前記回復処理を行うことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記撮像素子は、複数色のカラーフィルタのいずかにより各画素が覆われており、前記画像処理装置は、
前記合成手段から出力された前記複数色の画像データに対して、各画素がそれぞれ前記複数色の画像データを有するように補間処理を行う画素補間手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記画像処理手段により用いられる前記フィルタは、前記撮像光学系の光学素子の光学伝達関数の逆関数に基づいて生成された関数を逆フーリエ変換して得られる２次元のフィルタであり、
前記画像処理手段は、前記フィルタをコンボリューション処理することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
撮像素子により撮像光学系を介して入射する被写体像を撮影して得られた画像データに対して、前記撮像光学系の収差による画像の劣化を補正する回復処理を行う画像処理方法であって、
前記撮影時の撮影条件に応じて、前記回復処理に用いるフィルタを選択する選択工程と、
前記画像データに対して、前記選択工程で選択されたフィルタを用いて前記回復処理を行う画像処理工程と、
前記画像処理工程における回復処理前後の画素値の差分を平滑化する差分処理工程と、
平滑化した前記差分を、前記画像処理工程における回復処理前の画素値に合成する合成工程と
を有することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記目的を達成するために、撮像素子により撮像光学系を介して入射する被写体像を撮影して得られた画像データに対して、前記撮像光学系の収差による画像の劣化を補正する回復処理を行う本発明の画像処理装置は、前記撮影時の撮影条件に応じて、前記回復処理に用いるフィルタを選択する選択手段と、前記画像データに対して、前記選択手段により選択されたフィルタを用いて前記回復処理を行う画像処理手段と、前記画像処理手段による回復処理前後の画素値の差分を平滑化する差分処理手段と、平滑化した前記差分を、前記画像処理手段による回復処理前の画素値に合成する合成手段とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月2日(2015.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にインジウムを含む酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート電極層と重畳する前記酸化物半導体膜上に接する絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体膜及び前記絶縁層に接する導電膜を形成し、
前記導電膜を、塩素を含むガスによりエッチングしソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜及び前記絶縁層に残渣物除去工程を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記残渣物除去工程として希フッ酸溶液による洗浄処理を行うことを特徴する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記残渣物除去工程として希ガスを用いたプラズマ処理を行うことを特徴する半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記残渣物はインジウム又は塩素を含む化合物を有することを特徴する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にインジウムを含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜を接して覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に前記酸化物半導体膜に達する開口を形成し、
前記絶縁層上に前記開口の内壁を覆って導電膜を形成し、
前記導電膜を、塩素を含むガスによりエッチングし前記開口にソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月3日(2015.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に、第１のミラーと、活性層と、第２のミラーと、を有し、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記第２のミラーの光出射側に設けられ、光出射領域の中央部に配されている第１の領域と、該第１の領域よりも外側に設けられた第２の領域との間に段差を有する第１の段差構造と、
前記第２のミラーの光出射側に設けられ、前記第１の領域よりも外側に設けられた第３の領域と、該第３の領域よりも外側に設けられた第４の領域との間に段差を有する第２の段差構造と、を備え、
前記第２の段差構造の段差は、前記第２の領域内に存在し、
前記波長λの光に対して、前記第１の領域における、前記第２のミラーと前記第１の段差構造と前記第２の段差構造からなる構造体の反射率は、前記第２の領域における前記構造体の反射率よりも高く、
前記第３の領域の透過光と前記第４の領域の透過光の位相差は、前記第１の領域の透過光と前記第３の領域の透過光の位相差よりも、πに近くなるように構成されていることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
基板の上に、第１のミラーと、活性層と、第２のミラーと、を有し、波長λで発振する面発光レーザであって、
前記第２のミラーの光出射側に設けられ、光出射領域の中央部に配されている第１の領域と、該第１の領域よりも外側に設けられた第２の領域との間に段差を有する第１の段差構造と、
前記第２のミラーの光出射側に設けられ、前記第１の領域よりも外側に設けられた第３の領域と、該第３の領域よりも外側に設けられた第４の領域との間に段差を有する第２の段差構造と、を備え、
前記第２の段差構造の段差は、前記第２の領域内に存在し、
前記波長λの光に対して、前記第１の領域における、前記第２のミラーと前記第１の段差構造と前記第２の段差構造からなる構造体の反射率は、前記第２の領域における前記構造体の反射率よりも高く、
前記第３の領域の透過光と前記第４の領域の透過光の位相差は、前記第１の領域の透過光と前記第３の領域の透過光の位相差よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項３】
前記第３の領域と前記第４の領域との間の光路長差から実厚さの差を引いた値の絶対値は、前記第１の領域と前記第３の領域との間の光路長差から実厚さの差を引いた値の絶対値よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記第１の段差構造は、波長λの光の少なくとも一部が透過する第１の材料からなり、
前記第２の段差構造は、波長λの光の少なくとも一部が透過する第２の材料からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記第１の材料と第２の材料とは屈折率が異なることを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記第１の材料は半導体であり、前記第２の材料は誘電体であることを特徴とする請求項４又は５に記載の面発光レーザ。
【請求項７】
前記第１の材料は誘電体であり、前記第２の材料は半導体であることを特徴とする請求項４又は５に記載の面発光レーザ。
【請求項８】
前記第１の段差構造において、前記第１の領域の光学厚さと、前記第２の領域の光学厚さの差はλ／４の奇数倍であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項９】
前記第３の領域の透過光と前記第４の領域の透過光との位相差がπ／２よりも大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項１０】
前記第３の領域の透過光と前記第４の領域の透過光の位相差が、π／２より大きく、３π／２より小さいことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の面発光レーザ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の面発光レーザを複数配置した面発光レーザアレイと、該面発光レーザアレイからの光により静電潜像を形成する感光体と、該感光体を帯電する帯電器と、該静電潜像を現像する現像器と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月7日(2015.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、ゲート絶縁層と、ゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを有するトランジスタを有し、
前記トランジスタ上の絶縁層を有し、
前記絶縁層と接する金属酸化物層を有し、
前記金属酸化物層は、第１の金属酸化物層と、第２の金属酸化物層とを有し、
前記第１の金属酸化物層と、前記第２の金属酸化物層とは、結晶状態が異なる半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体層が、酸化物半導体材料を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月2日(2015.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する絶縁層と、
前記絶縁層上に端部を有するソース電極層と、
前記絶縁層上に端部を有するドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層の端部及び前記ドレイン電極層の端部は、前記絶縁層を介して前記チャネル形成領域と重なっており、
前記絶縁層の端部の側面と前記絶縁表面とがなす角度が６０°以下であり、前記絶縁層の膜厚は０．３μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する絶縁層と、
前記絶縁層上に端部を有するソース電極層と、
前記絶縁層上に端部を有するドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層の端部及び前記ドレイン電極層の端部は、前記絶縁層を介して前記チャネル形成領域と重なっており、
前記絶縁層の端部の側面と前記絶縁表面とがなす角度が６０°以下であり、前記絶縁層の膜厚は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する絶縁層と、
前記絶縁層上に端部を有するソース電極層と、
前記絶縁層上に端部を有するドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層の端部及び前記ドレイン電極層の端部は、前記絶縁層を介して前記チャネル形成領域と重なっており、
前記絶縁層の端部の側面と前記絶縁表面とがなす角度が３０°以下であり、前記絶縁層の膜厚は０．３μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する絶縁層と、
前記絶縁層上に端部を有するソース電極層と、
前記絶縁層上に端部を有するドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層の端部及び前記ドレイン電極層の端部は、前記絶縁層を介して前記チャネル形成領域と重なっており、
前記絶縁層の端部の側面と前記絶縁表面とがなす角度が３０°以下であり、前記絶縁層の膜厚は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上にゲート電極層と、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域を含む酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に接する絶縁層と、
前記絶縁層上に端部を有するソース電極層と、
前記絶縁層上に端部を有するドレイン電極層と、を有し、
前記ソース電極層の端部及び前記ドレイン電極層の端部は、前記絶縁層を介して前記チャネル形成領域と重なっており、
前記絶縁層の端部はテーパ形状を有し、前記絶縁層の膜厚は５ｎｍ以上０．１μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ドレイン電極層の端部は、前記絶縁層の上面に重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記ドレイン電極層の端部は、前記絶縁層の端部の側面に重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記絶縁層の断面形状は、台形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記絶縁層の断面形状は、三角形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記絶縁層の断面形状は、少なくとも一部に曲面を有する形状であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月13日(2015.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化アンチモン薄膜を堆積するための原子層堆積プロセスであって、反応チャンバーの中で、堆積温度で、基板をアンチモン前駆体および酸素ソースと、交互にかつ逐次的に接触させることを含み、前記アンチモン前駆体は、ハロゲン化アンチモンおよびアンチモンアルコキシドから選択され、前記堆積温度は約５００℃以下であり、前記酸化アンチモン薄膜はＨＦ中でのエッチングに耐えるものであって、１％  ＨＦ中において１分後に明確なエッチングを示さない、プロセス。
【請求項２】
前記アンチモン前駆体はＳｂＣｌ３である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記アンチモン前駆体はＳｂ（ＯＥｔ）３である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記酸素ソースは、水、酸素、過酸化水素、過酸化水素の水溶液、オゾン、原子状酸素、窒素酸化物、過酸（−−Ｏ−−Ｏ−−Ｈ）、アルコール、酸素含有ラジカルおよびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記酸素ソースは酸素プラズマを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
前記酸素ソースは水ではない、請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記基板を水と接触させることをさらに含む、請求項６に記載のプロセス。
【請求項８】
前記酸化アンチモンは式ＳｂＯｘ（式中、ｘは約１〜約３である）を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
前記反応チャンバーはバッチ反応器の一部である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記反応チャンバーはシングルウェーハ反応器の一部である、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記酸化アンチモンに異なる金属または金属酸化物をドーピングすることをさらに含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記薄膜は、半導体加工における犠牲層としての役割を果たす、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記薄膜は、レジストの上に堆積される、請求項１２に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記アンチモン前駆体は、式ＳｂＲｘＡ３−ｘ（式中、ｘは１〜３であり、Ｒは、独立して選択される、直鎖状、分枝状、もしくは環状の、飽和もしくは不飽和の、Ｃ１−Ｃ１２のアルキルまたはアルケニル基であり、Ａは、アルキルアミン、ハライド、アミン、シリルまたはアルキルを含むリガンドである）を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記アンチモン前駆体は、式Ｓｂ（ＮＲ２）ｘＡ３−ｘ（式中、ｘは１〜３であり、Ｒは、独立して選択される、直鎖状、分枝状もしくは環状の、飽和もしくは不飽和の、Ｃ１−Ｃ１２のアルキル、アルケニル基、または、他のＲが水素でないならば水素であり、Ａは、アルキルアミン、ハライド、アミン、シリルまたはアルキルを含むリガンドである）を有する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項１６】
酸化アンチモン薄膜を堆積する方法であって、反応チャンバーの中で、基板をアンチモン前駆体および酸素ソースと、交互にかつ逐次的に接触させることを含み、前記アンチモン前駆体は、式Ｓｂ（ＮＲ２）ｘＡ３−ｘ（式中、ｘは１〜３であり、Ｒは、独立して選択される、直鎖状、分枝状もしくは環状の、飽和もしくは不飽和の、Ｃ１−Ｃ１２のアルキル、アルケニル基、または、他のＲが水素でないならば水素であり、Ａは、アルキルアミン、ハライド、アミン、シリルまたはアルキルを含むリガンドである）を有する、方法。
【請求項１７】
前記酸素ソースは、水、酸素、過酸化水素、過酸化水素の水溶液、オゾン、原子状酸素、窒素酸化物、過酸（−−Ｏ−−Ｏ−−Ｈ）、アルコール、酸素含有ラジカルおよびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板は三次元構造を有し、前記三次元構造の上に前記酸化アンチモン薄膜を堆積することを含むものであり、前記酸化アンチモン薄膜は前記三次元構造の上において８０％超のステップカバレッジを有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
原子層堆積によって酸化アンチモン層を堆積する方法であって、
バッチ反応器の中で、基板を、アンチモンアルキルアミンまたはアンチモンアルコキシドを含むアンチモン前駆体と接触させることと、
過剰のアンチモン前駆体を除去することと、
前記基板をオゾンと接触させることと、
過剰のオゾンを除去することと
を含む、方法。
【請求項２０】
反応空間の中で半導体基板上に構造体を形成する方法であって、
第１の物質を含む第１の層を前記基板上に堆積することと、
酸化アンチモンの第２の層を、原子層堆積プロセスによって前記基板上に堆積することであって、前記原子層堆積プロセスは、前記基板をアンチモン前駆体および酸素ソースと交互にかつ逐次的に接触させることを含む、ことと、
前記第１の層または第２の層をエッチングすることと
を含み、
前記アンチモン前駆体は、式ＳｂＲｘＡ３−ｘ（式中、ｘは１〜３であり、Ｒは、独立して選択される、直鎖状、分枝状、もしくは環状の、飽和もしくは不飽和の、Ｃ１−Ｃ１２のアルキルまたはアルケニル基であり、Ａは、アルキルアミン、ハライド、アミン、シリルまたはアルキルを含むリガンドである）を有する、方法。
【請求項２１】
酸化アンチモンの前記第２の層は、第１の物質を含む前記第１の層よりも選択的にエッチングされる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
第１の物質を含む前記第１の層は、酸化アンチモンの前記第２の層よりも選択的にエッチングされる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
酸化アンチモンを含む前記第２の層は犠牲層である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
酸化アンチモンを含む前記第２の層はエッチング停止層である、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
酸化アンチモンを含む前記第２の層は、パターン形成されたレジスト層の上にわたって堆積される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２６】
前記酸素ソースは、水および酸素プラズマからなる群から選択される、請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月9日(2015.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスを支持する放射体基板に接合するためのプリント基板であって、
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の表面上の金属板とを備え、
前記金属板はその中に複数の溝を有し、前記溝の少なくともいくつかは、前記金属板の中心から第１の距離のところに内端を、前記金属板の周辺端部のところに外端を有し、前記溝の少なくともいくつかは、前記内端から前記外端へ均一な深さを有し、前記均一な深さは、前記第１の絶縁層の一部を前記溝の底面で露出されるよう前記金属板の厚さに少なくとも等しいことを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記第１の絶縁層に平行であり、前記の絶縁層の下にある第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層の底面と前記第２の絶縁層の表面との間に配設された導電性材料の少なくとも１つのパターン層とをさらに備える請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記第１の絶縁層の前記表面上に配設された複数の金属コンタクト・パッドをさらに備え、
前記複数の金属コンタクト・パッドのうちの少なくとも１つは、前記パターン層の前記導電性材料に電気的に接続される請求項２に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記金属板は、円形である請求項１に記載のプリント基板。
【請求項５】
前記第１の距離は、ゼロである請求項１に記載のプリント基板。
【請求項６】
前記第１の距離は、ゼロより大きい請求項１に記載のプリント基板。
【請求項７】
前記複数の溝は、金属板の前記中心のところに内端を、前記中心から第２の距離のところに外端を有する少なくとも１つの溝をさらに含み、前記第２の距離は、前記金属板の前記中心から前記金属板の前記周辺端部までの距離より小さい請求項１に記載のプリント基板。
【請求項８】
前記第２の距離は、第１の距離に等しい請求項７に記載のプリント基板。
【請求項９】
前記第２の距離は、第１の距離より小さい請求項７に記載のプリント基板。
【請求項１０】
前記複数の放射状溝のすべての各外端は、前記金属板の前記周辺端部のところにある請求項１に記載のプリント基板。
【請求項１１】
発光デバイス用の放射体であって、
複数の発光ダイオードを支持するように適合された表面および、底面を有する放射体基板と、
前記放射体基板の前記底面上に配設された金属板とを備え、
前記金属板はその中に複数の溝を有し、前記溝の少なくともいくつかは、前記金属板の中心から第１の距離のところに内端を、前記金属板の周辺端部のところに外端を有し、前記溝の少なくともいくつかは、前記内端から前記外端へ均一な深さを有し、前記均一な深さは、前記第１の絶縁層の一部を前記溝の底面で露出されるよう前記金属板の厚さに少なくとも等しいことを特徴とする放射体。
【請求項１２】
前記金属板は、円形である請求項１１に記載の放射体。
【請求項１３】
前記第１の距離は、ゼロである請求項１１に記載の放射体。
【請求項１４】
前記第１の距離は、ゼロより大きい請求項１１に記載の放射体。
【請求項１５】
前記複数の溝は、金属板の前記中心のところに内端を、前記中心から第２の距離のところに外端を有する少なくとも１つの溝をさらに含み、前記第２の距離は、前記金属板の前記中心から前記金属板の前記周辺端部までの距離より小さい請求項１１に記載の放射体。
【請求項１６】
発光デバイスであって、
第１の絶縁層および前記第１の絶縁層の表面上の第１の金属板を有するプリント基板と、
複数の発光ダイオードを保持する表面および第２の金属板をその上に有する底面を有する放射体基板と、
前記第１の金属板と前記第２の金属板との間に配設され、前記第１の金属板と前記第２の金属板とに接合されたはんだ層とを備え、
前記第１の金属板はその中に複数の溝を有し、前記溝の少なくともいくつかは、前記第１の金属板の中心から第１の距離のところに内端を、前記第１の金属板の周辺端部のところに外端を有し、前記溝の少なくともいくつかは、前記内端から前記外端へ均一な深さを有し、前記均一な深さは、前記第１の絶縁層の一部を前記溝の底面で露出されるよう前記金属板の厚さに少なくとも等しいことを特徴とする発光デバイス。
【請求項１７】
前記第１および第２の金属板は、円形である請求項１６に記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記第１の距離は、ゼロである請求項１６に記載の発光デバイス。
【請求項１９】
前記複数の溝は、金属板の前記中心のところに内端を、前記中心から第２の距離のところに外端を有する少なくとも１つの溝をさらに含み、前記第２の距離は、前記金属板の前記中心から前記金属板の前記周辺端部までの距離より小さい請求項１６に記載の発光デバイス。
【請求項２０】
前記複数の放射状溝のすべての各外端は、前記金属板の前記周辺端部のところにある請求項１６に記載の発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月25日(2015.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも発光層を含む有機化合物層を備えた有機ＥＬ素子を複数有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
基板の上に有機物化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層の上に中間層とレジスト層とを順次形成する工程と、
フォトリソグラフィ法を用いて前記レジスト層の一部を除去する工程と、
前記レジスト層が除去された領域の前記中間層及び前記有機化合物層をドライエッチングにて選択的に除去する工程と、を有しており、
前記中間層が、遮光層と、前記遮光層と前記有機化合物層との間に設けられる剥離層と、を含み、
前記遮光層が、波長１９０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の光を遮光することを特徴とする、有機ＥＬ装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記剥離層が、前記有機化合物層の構成材料をほとんど溶解しない溶媒に対して溶解性を有する材料からなることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記有機化合物層の構成材料が、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン又は縮合多環炭化水素化合物であり、
前記剥離層が、水に対して溶解性を示す材料からなることを特徴とする、請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、少なくとも発光層を含む有機化合物層を備えた有機ＥＬ素子を複数有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
基板の上に有機物化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層の上に中間層とレジスト層とを順次形成する工程と、
フォトリソグラフィ法を用いて前記レジスト層の一部を除去する工程と、
前記レジスト層が除去された領域の前記中間層及び前記有機化合物層をドライエッチングにて選択的に除去する工程と、を有しており、
前記中間層が、遮光層と、前記遮光層と前記有機化合物層との間に設けられる剥離層と、を含み、
前記遮光層が、波長１９０ｎｍ以上３６０ｎｍ以下の光を遮光することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通部、及び前記共通部から突出される複数の突起と、
前記共通部及び前記複数の突起上に設けられたグラフェンと、
を有する負極を有し、
前記共通部及び前記複数の突起は、活物質であり、
前記複数の突起それぞれの軸の方向は揃っていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
集電体と、
前記集電体から突出される複数の突起と、
前記集電体及び複数の突起上に設けられたグラフェンと、
を有する負極を有し、
前記複数の突起は、活物質であり、
前記複数の突起それぞれの軸の方向は揃っていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
集電体と、
前記集電体上に設けられる共通部と、
前記共通部から突出される複数の突起と、
前記共通部及び前記複数の突起上に設けられたグラフェンと、
を有する負極を有し、
前記共通部及び前記複数の突起は、活物質であり、
前記複数の突起それぞれの軸の方向は揃っていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
共通部、及び前記共通部から突出される複数の突起と、
前記共通部及び前記複数の突起上に設けられたグラフェンと、
を有する負極を有し、
前記共通部及び前記複数の突起は、活物質であり、
前記負極の上面図において、前記複数の突起は、並進対称性を有するように配置されていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
集電体と、
前記集電体から突出される複数の突起と、
前記集電体及び複数の突起上に設けられたグラフェンと、
を有する負極を有し、
前記複数の突起は、活物質であり、
前記負極の上面図において、前記複数の突起は、並進対称性を有するように配置されていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項６】
集電体と、
前記集電体上に設けられる共通部と、
前記共通部から突出される複数の突起と、
前記共通部及び前記複数の突起上に設けられたグラフェンと、
を有する負極を有し、
前記共通部及び前記複数の突起は、活物質であり、
前記負極の上面図において、前記複数の突起は、並進対称性を有するように配置されていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項７】
請求項１、請求項３、請求項４、及び請求項６のいずれか一項において、
前記突起の横断面形状において、前記突起の先端部分の断面積より、前記共通部と接する前記突起の根元部分の断面積の方が大きいことを特徴とする蓄電装置。
【請求項８】
請求項１、請求項３、請求項４、及び請求項６のいずれか一項において、
前記突起の縦断面形状において、前記突起の先端部分の幅の長さより、前記共通部と接する前記突起の根元部分の幅の方が長いことを特徴とする蓄電装置。
【請求項９】
請求項２または請求項５において、
前記突起の横断面形状において、前記突起の先端部分の断面積より、前記集電体と接する前記突起の根元部分の断面積の方が大きいことを特徴とする蓄電装置。
【請求項１０】
請求項２または請求項５において、
前記突起の縦断面形状において、前記突起の先端部分の幅の長さより、前記集電体と接する前記突起の根元部分の幅の方が長いことを特徴とする蓄電装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記共通部または前記複数の突起は、シリコンで形成されることを特徴とする蓄電装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記複数の突起は、柱状、錐体状、板状、またはパイプ状であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記複数の突起の先端と前記グラフェンの間に、保護層を有することを特徴とする蓄電装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記突起の先端のグラフェン上に絶縁層を有することを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月4日(2015.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の柱状の突起を有する活物質を負極に有し、
前記柱状の突起の軸に垂直な断面の形状は、多角形状又は曲線を含む多角形状であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項２】
複数の柱状の突起を有する活物質を負極に有し、
前記複数の柱状の突起の軸に垂直な断面の形状は、多角形状又は曲線を含む多角形状であり、
前記活物質は、グラフェンで覆われていることを特徴とする蓄電装置。
【請求項３】
複数の柱状の突起を有する活物質を負極に有し、
前記複数の柱状の突起の軸に垂直な断面の形状は、多角形状又は曲線を含む多角形状であり、
前記活物質は、グラフェンで覆われており、
前記グラフェンは、酸素を有し、
前記グラフェン中の酸素の割合は、２ａｔｏｍｉｃ％以上１１ａｔｏｍｉｃ％以下であることを特徴とする蓄電装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記複数の柱状の突起は、並進対称に配列していることを特徴とする蓄電装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記複数の柱状の突起は、千鳥状に配列していることを特徴とする蓄電装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記複数の柱状の突起を有する活物質は、単結晶シリコンからなることを特徴とする蓄電装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月6日(2015.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記ルーパ軸が軸支されるブッシュの先端にオイルシールが取り付けられていることを
特徴とする請求項２または３に記載のシリンダーベッドミシン。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月13日(2015.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素分圧差を駆動力として、高酸素分圧側から低酸素分圧側へと酸素を透過する酸素透過膜において、
酸素イオン伝導体である安定化ジルコニアと、
組成式Ｓｒ1-xＭxＴｉ1-yＭ’yＯ3-Z（式中、Ｍは，希土類元素から選択される元素であり、Ｍ’は、ニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）から選択される元素であり、０≦ｘ≦０．３であり、０≦ｙ≦０．３である）で表わされる電子伝導体と、
を混合して成ることを特徴とする
酸素透過膜。
【請求項２】
請求項１記載の酸素透過膜であって、
前記組成式中のｘの範囲が０≦ｘ≦０．２であり、ｙの範囲が０≦ｙ≦０．２であることを特徴とする
酸素透過膜。
【請求項３】
請求項１または２記載の酸素透過膜であって、
前記組成式中のｘの範囲が０．１≦ｘであり、ｙの範囲が０．１≦ｙであることを特徴とする
酸素透過膜。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか一項に記載の酸素透過膜であって、
前記組成式中、Ｍはランタン（Ｌａ）であり、Ｍ’はニオブ（Ｎｂ）であることを特徴とする
酸素透過膜。
【請求項５】
請求項４記載の酸素透過膜であって、
ｘ＝０．１であり、ｙ＝０．１であることを特徴とする
酸素透過膜。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか一項に記載の酸素透過膜であって、
前記酸素透過膜を、水素濃度１０％、窒素濃度９０％の雰囲気下において、１０００℃にて２４時間暴露した後に、前記酸素透過膜において、実質的に異種相が生成しないことを特徴とする
酸素透過膜。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか一項に記載の酸素透過膜であって、
前記酸素透過膜の相対密度が８０％以上であることを特徴とする
酸素透過膜。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか一項に記載の酸素透過膜であって、
前記酸素イオン伝導体と前記電子伝導体とが混合された焼成体であることを特徴とする
酸素透過膜。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月22日(2015.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一又は複数のプレイヤに対してネットワークを介してゲーム媒体を用いたゲームを提供するサーバ装置であって，
前記一又は複数のプレイヤのうちの第１プレイヤに割り当てられた第１デッキに収容されているゲーム媒体の中から，一又は複数のゲーム媒体を第１当選ゲーム媒体として選択する当選ゲーム媒体選択部と，
前記第１当選ゲーム媒体を，前記第１プレイヤを識別する第１プレイヤ識別情報と対応付けて記憶する保有ゲーム媒体情報記憶部と，
前記第１当選ゲーム媒体を前記第１デッキから削除することにより前記第１デッキを更新する更新部と，
を備えるサーバ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年11月10日(2015.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の条件に基づいて複数のオブジェクトのいずれかを出現させる出現手段と、
所定の操作入力に基づいて、前記出現手段によって出現させられたオブジェクトを選択する選択手段と、
前記選択手段によってオブジェクトが選択された場合、オブジェクト毎に前記ゲーム上の効果に関する情報を対応付けて記憶する記憶装置から、選択されたオブジェクトに対応付けられたゲーム上の効果に関する情報を取得する取得手段と、
前記取得手段によって取得されたゲーム上の効果に関する情報を用いて、ゲーム上の効果を生じさせる効果発生手段と、
を備え、
前記出現手段は、出現したオブジェクトに対する選択結果の履歴に応じてオブジェクトの前記所定の条件を変更させることを特徴とする、ゲーム制御装置。
【請求項２】
前記効果発生手段により生じさせられたゲーム上の効果を表示させるための制御を行う表示制御手段を備える請求項１に記載のゲーム制御装置。
【請求項３】
前記所定の条件は、出現確率であって、
前記効果発生手段は、前記取得手段によって取得されたゲーム上の効果に関する情報を用いて、ゲーム上の効果を第１の所定期間内に生じさせるものであり、
前記複数のオブジェクトのうち前記選択手段によって選択されたオブジェクト以外のオブジェクトが前記第１の所定期間内に出現することを制限する制限手段を備える請求項２に記載のゲーム制御装置。
【請求項４】
ゲームの実行を制御するために、コンピュータに、
所定の条件に基づいて複数のオブジェクトのいずれかを出現させる機能、
所定の操作入力に基づいて、前記出現させる機能によって出現させられたオブジェクトを選択する機能、
前記選択する機能によってオブジェクトが選択された場合、オブジェクト毎に前記ゲーム上の効果に関する情報を対応付けて記憶する記憶装置から、選択されたオブジェクトに対応付けられたゲーム上の効果に関する情報を取得する取得する機能、
前記取得する機能によって取得されたゲーム上の効果に関する情報を用いて、ゲーム上の効果を生じさせる機能、
出現したオブジェクトに対する選択結果の履歴に応じてオブジェクトの前記所定の条件を変更させる機能、を実現させるためのプログラム。
【請求項５】
通信端末と、当該通信端末からアクセスされ、前記通信端末によるゲームの実行を制御するサーバと、を含むゲームシステムであって、
所定の条件に基づいて複数のオブジェクトのいずれかを出現させる出現手段、
所定の操作入力に基づいて、前記出現手段によって出現させられたオブジェクトを選択する選択手段、
前記選択手段によってオブジェクトが選択された場合、オブジェクト毎に前記ゲーム上の効果に関する情報を対応付けて記憶する記憶装置から、選択されたオブジェクトに対応付けられたゲーム上の効果に関する情報を取得する取得手段、
前記取得手段によって取得されたゲーム上の効果に関する情報を用いて、ゲーム上の効果を生じさせる効果発生手段、
の各手段を、前記通信端末又は前記サーバのいずれか一方が備え、
前記出現手段は、出現したオブジェクトに対する選択結果の履歴に応じてオブジェクトの前記所定の条件を変更させることを特徴とする、ゲームシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ゲーム制御装置、プログラム、ゲームシステム
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月28日(2014.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種の絵柄を循環表示させる循環表示手段と、
前記循環表示手段に前記絵柄の循環表示を開始させると決定する開始決定手段と、
前記開始決定手段の決定結果に基づいて役の抽選を行う抽選手段と、
前記絵柄の循環表示を停止させるべく操作される停止操作手段と、
前記開始決定手段の決定結果に基づいて前記絵柄の循環表示を開始させるとともに、前記停止操作手段の操作に基づいて前記絵柄の循環表示を停止させるよう前記循環表示手段を表示制御する表示制御手段と、
前記役の抽選結果が当選であって、当選した役と対応する当選絵柄が予め定めた有効位置に停止した場合に特典を付与する特典付与手段と、  前記役の抽選に関わる補助演出を実行可能な補助演出実行手段と
を備えた遊技機において、
前記役の抽選結果が第１役当選であって第１絵柄が前記有効位置に停止した場合、遊技者に有利な第１特典を付与する第１特典付与手段と、
前記役の抽選結果が前記第１役当選であって前記第１絵柄が前記有効位置に停止したことに基づいて、遊技者に有利な特定遊技状態を終了させる特定遊技状態終了手段と、
前記補助演出を実行するか否かを決定する実行決定手段と、
前記実行決定手段が前記補助演出を実行すると決定した場合、前記補助演出実行手段に実行させる補助演出を決定するとともに、前記役の抽選結果が前記第１役当選である場合、前記第１役当選を示唆する当選役示唆演出を前記補助演出実行手段に実行させると決定し得る演出決定手段と、
前記実行決定手段及び前記演出決定手段の決定結果と対応し、前記停止操作手段の操作に関わる操作情報を設定する操作情報設定手段と、
前記操作情報を、当該遊技機の性能試験を行う際に電気的に接続される外部試験装置に出力可能とするための操作情報出力手段と
を備え、
前記役の抽選結果が前記第１役当選である場合、前記第１絵柄を前記有効位置に停止させると遊技者に有利となる第１状況と、前記第１絵柄が前記有効位置に停止することを回避させると遊技者に有利となる第２状況と、が発生するものであって、
前記操作情報設定手段は、前記補助演出実行手段が前記当選役示唆演出を実行する場合、前記第１状況であれば前記第１絵柄を前記有効位置に停止させることができる第１操作情報を設定し、前記第２状況であれば前記第１絵柄が前記有効位置に停止することを回避できる第２操作情報を設定し、
前記操作情報は、前記循環表示手段の規定位置に停止させるべき図柄の番号を示す情報を含むことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項１に記載の発明では、複数種の絵柄を循環表示させる循環表示手段と、前記循環表示手段に前記絵柄の循環表示を開始させると決定する開始決定手段と、前記開始決定手段の決定結果に基づいて役の抽選を行う抽選手段と、前記絵柄の循環表示を停止させるべく操作される停止操作手段と、前記開始決定手段の決定結果に基づいて前記絵柄の循環表示を開始させるとともに、前記停止操作手段の操作に基づいて前記絵柄の循環表示を停止させるよう前記循環表示手段を表示制御する表示制御手段と、前記役の抽選結果が当選であって、当選した役と対応する当選絵柄が予め定めた有効位置に停止した場合に特典を付与する特典付与手段と、前記役の抽選に関わる補助演出を実行可能な補助演出実行手段とを備えた遊技機において、前記役の抽選結果が第１役当選であって第１絵柄が前記有効位置に停止した場合、遊技者に有利な第１特典を付与する第１特典付与手段と、前記役の抽選結果が前記第１役当選であって前記第１絵柄が前記有効位置に停止したことに基づいて、遊技者に有利な特定遊技状態を終了させる特定遊技状態終了手段と、前記補助演出を実行するか否かを決定する実行決定手段と、前記実行決定手段が前記補助演出を実行すると決定した場合、前記補助演出実行手段に実行させる補助演出を決定するとともに、前記役の抽選結果が前記第１役当選である場合、前記第１役当選を示唆する当選役示唆演出を前記補助演出実行手段に実行させると決定し得る演出決定手段と、前記実行決定手段及び前記演出決定手段の決定結果と対応し、前記停止操作手段の操作に関わる操作情報を設定する操作情報設定手段と、前記操作情報を、当該遊技機の性能試験を行う際に電気的に接続される外部試験装置に出力可能とするための操作情報出力手段とを備え、前記役の抽選結果が前記第１役当選である場合、前記第１絵柄を前記有効位置に停止させると遊技者に有利となる第１状況と、前記第１絵柄が前記有効位置に停止することを回避させると遊技者に有利となる第２状況と、が発生するものであって、前記操作情報設定手段は、前記補助演出実行手段が前記当選役示唆演出を実行する場合、前記第１状況であれば前記第１絵柄を前記有効位置に停止させることができる第１操作情報を設定し、前記第２状況であれば前記第１絵柄が前記有効位置に停止することを回避できる第２操作情報を設定し、前記操作情報は、前記循環表示手段の規定位置に停止させるべき図柄の番号を示す情報を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指の爪に画像を印刷する印刷ヘッドと、
前記画像の各色の濃度値と、前記爪の各色の濃度値と、に基づいて、前記画像の各色の濃度値を補正する印刷データ補正部と、
前記印刷データ補正部による補正が不可能と判断されたとき、前記爪に下地用インクを印刷するように前記印刷ヘッドを制御する印刷制御部と、
を備えていることを特徴とするネイルプリント装置。
【請求項２】
前記下地用インクは白色のインクを含み、
前記印刷制御部は、前記爪の面内における前記補正が不可能と判断された特定の領域に、前記下地用インクを印刷するように前記印刷ヘッドを制御することを特徴とする請求項１に記載のネイルプリント装置。
【請求項３】
前記各色は、イエロー、マゼンタ、シアンのうちの少なくとも何れかを含み、
前記画像の前記各色の濃度値は画像濃度値取得部により取得され、
前記爪の前記各色の濃度値は印刷対象濃度値取得部により取得され、
前記印刷データ補正部による補正の可否は補正可否判断部により判断され、
前記印刷ヘッドは、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの複数の色インクのうちの少なくとも何れかを有し、
前記印刷制御部は、前記特定の領域に前記下地用インクを印刷した後、前記複数の色インクの少なくとも何れかにより、前記画像の印刷を行うように前記印刷ヘッドを制御することを特徴とする請求項２に記載のネイルプリント装置。
【請求項４】
前記補正可否判断部は、前記画像濃度値取得部により取得された前記画像に含まれる前記各色の濃度値と、前記印刷対象濃度値取得部により取得された前記爪の前記各色の濃度値と、の差分値に基づいて、前記印刷データ補正部による補正の可否を判断することを特徴とする請求項３に記載のネイルプリント装置。
【請求項５】
前記印刷制御部は、前記印刷データ補正部による補正が可能と判断されたとき、前記画像に含まれる前記各色の濃度値と、前記爪の前記各色の濃度値と、の差分値に基づいて、前記画像の濃度値を補正することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のネイルプリント装置。
【請求項６】
前記印刷ヘッドは、前記色インクを印刷する色インク用の印刷ヘッドと、下地用インクを印刷する下地用の印刷ヘッドと、を含み、
前記色インクは、光透過性インクであることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか一項に記載のネイルプリント装置。
【請求項７】
指の爪に印刷する画像の各色の濃度値と、前記爪の各色の濃度値と、に基づいて、前記画像の各色の濃度値を補正し、
前記画像の補正が不可能と判断されたとき、前記爪に下地用インクを印刷するように前記印刷ヘッドを制御することを特徴とする印刷制御方法。
【請求項８】
前記下地用インクは白色のインクを含み、
前記爪の面内における前記補正が不可能と判断された特定の領域に、前記下地用インクを印刷するように前記印刷ヘッドを制御することを特徴とする請求項７に記載の印刷制御方法。
【請求項９】
前記各色は、イエロー、マゼンタ、シアンのうちの少なくとも何れかを含み、
前記特定の領域に、前記下地用インクを印刷した後、イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの複数の色インクの少なくとも何れかにより、前記画像の印刷を行うように制御することを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の印刷制御方法。
【請求項１０】
前記画像の補正の可否の判断は、前記画像の各色の濃度値と、前記爪の各色の濃度値と、の差分値に基づいて行われることを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか一項に記載の印刷制御方法。
【請求項１１】
前記画像の補正が可能と判断されたとき、前記画像の各色の濃度値と、前記爪の各色の濃度値と、の差分値に基づいて、前記画像の濃度値を補正することを特徴とする請求項７から請求項１０のいずれか一項に記載の印刷制御方法。