【事件の表示】
　特願２０１７−５４４８８８「電子回路を有する反射器および反射器を有するアンテナデバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２８年　９月　１日国際公開、ＷＯ２０１６／１３５０９９、平成３０年　４月１２日国内公表、特表２０１８−５１０５５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、平成２８年２月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１５年（平成２７年）２月２４日　ＥＰ）を国際出願日としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年　９月１３日付け：拒絶理由の通知
　平成３０年１２月１４日　　：意見書及び手続補正書の提出
　平成３１年　３月　８日付け：拒絶査定
　令和　元年　７月１８日　　：審判請求書及び手続補正書の提出
第２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、この出願の請求項１に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１-２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１. DAVID M POZAR，Design of Millimeter Wave Microstrip
　　　　　　Reflectarrays，IEEE TRANSACTIONS ONANTENNAS AND
　　　　　　PROPAGATION，米国，IEEE SERVICE CENTER，１９９７年２月
　　　　　　 ，vol. 45, no. 2，p.287, pp.289-290
引用文献２. 特開２００６−２０３６０２号公報
第３　本願発明について
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、令和元年７月１８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板（１２）と、
　前記基板（１２）上または前記基板内に配置され、入射電磁波（１６）を反射するように構成された複数の反射器構造（１４，１４−１〜４）と、
　前記基板（１２）上または前記基板内に配置されている電子回路（１８；１８ａ〜ｄ）であって、アンテナが前記電子回路（１８；１８ａ〜ｄ）に接続されているときに前記アンテナを制御するように構成されている、電子回路と、を備えた反射器（１０；２０；４０；５０）。」
第４　引用文献の記載及び引用発明
１．引用文献の記載
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された、引用文献１には、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審にて付した。）
（１-１）「Fig.3(b) shows
 a reflectarray with a cassegrain feed
to design a small microstrip feed antenna on the reflectarray substrate
（仮訳：図３（ｂ）は、
カセグレン・フィードを用いた反射アレイ
反射アレイ基板上に、小さなマイクロストリップ給電アンテナを設計できる
（１-２）「
」
（１−３）上記（１-１）及び（１-２）の記載事項を参酌するに、引用文献１には、「
反射アレイ素子は、副反射器によって反射された電磁波を反射するように反射アレイ基板上に複数配置されている
　上記（１-１）から（１-３）の記載事項から、引用文献１には、
「カセグレン・フィードを用いた反射アレイであって、
　反射アレイ素子は、副反射器によって反射された電磁波を反射するように反射アレイ基板上に複数配置され、
　前記反射アレイ基板上には、マイクロストリップ給電アンテナを設計できる、
　反射アレイ。」（以下、「引用発明」という。）
が記載されている。
（２）引用文献２（特開２００６−２０３６０２号公報）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２には、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審にて付した。）
（２-１）「【００２７】
　図１は、本発明の一実施形態にかかるアンテナ装置の平面図（図１Ａ）と概略的な断面図（図１Ｂ）である。図２は、このアンテナ装置の概略的な分解斜視図である。
【００２８】
　図示のように、このアンテナ装置では、高純度のセラミック基板(例えば、高純度のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３））基板）１０の一方の表面（図では上面）上に、いずれも矩形の複数の導体膜からそれぞれなる複数のアンテナ電極１２、１４ 、…のアレイが配置されている。ここで、高純度セラミック基板１０の純度は、９５％以上であることが望ましく、９７％以上であれば特に好ましい。すなわち、セラミック基板の誘電率は、その純度（１００％−不純物含有率）に応じて変化するが、純度が９５％以上の範囲では、純度に応じてはあまり変化しなくなり、セラミック材料そのものがもつ誘電率とほぼ一致するようになる。特にセラミック基板の純度が９７％以上であれば、セラミック材料そのものの誘電率と同一とみなすことができる。よって、このような高純度のセラミック基板を用いることが望ましい。
【００２９】
　また、アンテナ電極１２、１４ 、…は、例えば銅、銀、又は銀パラジウムなどの導電率の高い金属の薄膜である。これらアンテナ電極１２ 、１４ 、…のうちの少なくとも一つ、例えば中央の一つのアンテナ電極１２は、発振回路（高周波発振回路）２０に給電線路２２で接続されて、発振回路２０から直接的に高周波（例えば、１０．５２５ＧＨｚ、２４．１５ＧＨｚ又は７６ＧＨｚなどの特定周波数の高周波）電力の給電を受けるようになっている(以下、このアンテナ電極を給電素子という）。他方、給電素子１２の周囲に配置された残りのアンテナ電極１４、１４、…は、発振回路２０には接続されておらず、発振回路２０から直接的に高周波電力の給電を受けることはない(以下、これらのアンテナ電極を無給電素子という）。給電素子１２の励振方向は図中の上下方向であり、無給電素子１４、１４、…は、給電素子１２に対して励振方向における両側、励振方向に直交する方向における両側、及び、励振方向から４５度の斜め方向における両側にそれぞれ配置され
ている。
【００３０】
　高純度セラミック基板１０の他方の面（図中の下面）のほぼ全領域には、導体膜からなる接地電極１８が設けられている。接地電極１８の下面のほぼ全領域が、第１の誘電体膜１９で被覆されている。ここで、接地電極１８は、例えば銅、銀、又は銀パラジウムなどの導電率の高い金属製の薄膜である。また、第１の誘電体膜１９は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）やシリカ（ＳｉＯ２）などのセラミック製の薄膜であり、上述した高純度セラミック基板１０と同程度に高純度であることが望ましい。
【００３１】
　
第１の誘電体膜１９の給電素子１２にほぼ対応する領域に、貫通穴又は凹部が形成されており、その貫通穴内又は凹部内に発振回路（例えば、１０．５２５ＧＨｚ、２４．１５ＧＨｚ又は７６ＧＨｚなどの特定周波数の高周波電力を発生する高周波発振回路）２０が配置されている。
（２-２）「【００４０】
　さらに、第１の誘電体膜１９に凹部又は穴部が形成され、その凹部内又は穴部内に発振回路２０が配置されているので、
アンテナ装置がより小型化できる。
発振回路２０とアンテナ電極１２との距離も小さくなるので、発振回路２０と接地電極１８やアンテナ電極１２との間の線路長が短くなり、線路のインピーダンスの影響が減り、アンテナ装置の性能の安定化や高効率化に寄与する。
（２-３）「【図１】
」
（２-４）「【図２】
」
　ここで、引用文献２において、「高純度セラミック基板１０」と「接地電極１８」と「第１の誘電体膜１９」とから形成されるものは、いわゆる「多層基板」と呼べるものであることは明らかであり、そして、上記（２-１）から（２-４）の記載事項を踏まえると、引用文献２には、「
基板上に設けられた給電素子に対して給電を行う発振回路を多層基板の内部に設ける
（３）引用文献３（特開２０１２−２４９００４号公報）
　周知技術を示す引用文献３には、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審にて付した。）
（３-１）「【００１７】
　本実施例は、本発明の最も簡単な構造の例である。実施例１に係る広角指向性アンテナ１の構成を図１に示す。
直方体薄板形状の誘電体基板１０は、主面（表面）である第１面１１と、誘電体基板１０の裏面であって、第１面に平行な第２面１２とを有している。第１面１１には矩形形状のパッチアンテナとして機能する薄膜導体から成るアンテナ素子２０が形成されている。
アンテナ素子２０とグランド層３０は外部の信号源５０に接続されている。
（３-２）「【図１】
」
　上記（３-１）及び（３-２）の記載事項を参酌すると、引用文献３には、「
誘電体基板の表面に形成されたアンテナ素子に対して信号を供給する信号源を前記誘電体基板の表面に設ける
（４）引用文献４（特開２００９−２３６６５９号公報）
　周知技術を示す引用文献４には、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審にて付した。）
（４-１）「【００１３】
　図２は、本発明における電波センサの第１実施形態を示す、（ａ）正面図および（ｂ）Ｂ−Ｂ’断面図である。
　図２に示す電波センサは、
内部に層状の第１接地電極１３が略全面に形成された第１基板１１の一方の表面に送信アンテナとして作用する薄膜矩形状の送信電極１２が形成されている。第１基板１１の他方の表面には、不要な電磁波をシールドするとともに第１基板１１と対向する天面に所定の周波数で発振させるための図示しない周波数調整手段（螺子）を備えた金属ケース１６が設置され、その内部に図示しない発振回路（電界効果トランジスタと誘電体共振器を利用し高周波信号を生成、またはガンダイオードを利用し高周波信号を生成）が形成されている。
（４-２）「【図２】
」
　上記（４-１）及び（４-２）の記載事項を参酌すると、引用文献４には、「
基板の表面に形成された送信アンテナとして作用する送信電極に対して高周波信号を供給する発振回路を前記基板の裏面に設ける
第５　対比及び判断
１．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１-１）
　引用発明の「カセグレン・フィードを用いた反射アレイ」及び「反射アレイ基板」が、それぞれ、本願発明の『反射器』及び『基板』に相当することは明らかである。
（１−２）
　引用発明の「反射アレイ素子」は、「副反射器によって反射された電磁波を反射するように反射アレイ基板上に複数配置され」るものであるから、本願発明とは『前記基板上に配置され、入射電磁波を反射するように構成された複数の反射器構造』という点で共通する。
　したがって、上記（１−１）から（１-２）で対比した様に、本願発明と引用発明とは、
「基板と、
　前記基板上に配置され、入射電磁波を反射するように構成された複数の反射器構造と、
　を備えた反射器。」
で一致しており、以下の点で相違している。
［相違点］
　本願発明においては、『反射器』を構成する要素として『前記基板（１２）上または前記基板内に配置されている電子回路（１８；１８ａ〜ｄ）であって、アンテナが前記電子回路（１８；１８ａ〜ｄ）に接続されているときに前記アンテナを制御するように構成されている、電子回路』を備える旨特定されているのに対し、引用発明の「反射アレイ」においては、「反射アレイ基板上には、マイクロストリップ給電アンテナを設計できる」ものの、当該「マイクロストリップ給電アンテナ」を制御する電子回路について何ら特定されていない点。
２．判断
　上記［相違点］について検討する。
（２-１）
　引用発明には、マイクロストリップ給電アンテナを制御する「電子回路」について何ら特定されていないものの、当該「マイクロストリップ給電アンテナ」は、電磁波を放射するために用いられるものであるから、当該「マイクロストリップ給電アンテナ」に対して高周波信号を供給するための電子回路が必要であることは当業者にとって自明な事項であり、そのような電子回路が高周波信号の波形、振幅及び周波数などを制御することも、当業者にとって自明のことである。
（２−２）
　また、基板上に設けられた給電素子（アンテナ素子、送信電極）に対して信号を供給する電子回路（発振回路、信号源）を当該基板の「基板内（多層基板の中）」、又は、「表面（給電素子と同じ面）」、又は、「裏面（給電素子が設けられている面とは反対の面）」に配置することは、それぞれ引用文献２から４に記載されているように、いずれも本願出願前において当業者にとっては周知の技術手段である。
（２−３）
　してみると、引用発明において、反射アレイ基板上に設けられるマイクロストリップ給電アンテナに対して高周波信号を供給する電子回路を反射アレイ基板の何処に配置するかは、当業者が周知の技術手段を踏まえて適宜決定し得る事項である。
（２−４）　
　また、本願発明の構成によってもたらされる効果についても、引用発明及び引用文献２から４に記載された周知の技術手段より、当業者ならば容易に予測することができる程度のものである。
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明及び引用文献２から４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。