Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月18日(2015.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両に結合されて該車両を案内路に設けた浮上部材に対して浮上可能に構成された浮上力発生器であって、該浮上力発生器は
前記浮上部材と磁気的に結合可能に構成された直平行六面体部材を備え、
該直平行六面体部材は、前記浮上部材の少なくとも一部を横切る浮上磁場を発生可能に構成された少なくとも１つの細長い磁極を有する
ことを特徴とする浮上力発生器。
【請求項２】
前記浮上磁場の浮上磁束は、前記磁極の少なくとも１つの磁極面の走行方向の移動と、該少なくとも１つの磁極面の該走行方向に対する角度とに依存する、請求項１に記載の浮上力発生器。
【請求項３】
前記少なくとも１つの磁極面は複数の磁力源からなる、請求項１に記載の浮上力発生器。
【請求項４】
発生される前記磁場は、前記少なくとも１つの浮上力発生器とそれに対応する少なくとも１つの浮上部材との間の相対位置に依存しない、請求項１に記載の浮上力発生器。
【請求項５】
前記少なくとも１つの細長い磁極は、前記少なくとも１つの浮上部材に対する前記少なくとも１つの浮上力発生器の相対移動の方向に対して角度を持つ向きに配されることにより、該相対移動の方向に対する法線方向に浮上分力が発生する、請求項１に記載の浮上力発生器。
【請求項６】
前記角度は、法線方向速度定数ＫFNに対する磁力と、前記少なくとも１つの浮上力発生器と前記少なくとも１つの浮上部材との間の相対速度と、必要な浮上力とに応じた所定の角度である、請求項５に記載の浮上力発生器。
【請求項７】
前記角度は、法線方向速度定数ＫFNに対する磁力と、前記少なくとも１つの浮上力発生器と前記少なくとも１つの浮上部材との間の相対速度と、必要な浮上力とに応じた可変の角度である、請求項６に記載の浮上力発生器。
【請求項８】
前記浮上力は、前記少なくとも１つの細長い磁極の特定の幅と特定の高さに対する該細長い磁極の長さに依存し、該幅と該高さに対する該長さが大きいほど該浮上力は強くなる、請求項７に記載の浮上力発生器。
【請求項９】
前記浮上力は、前記少なくとも１つの浮上部材に対する前記細長い磁極の速度に依存し、該速度が高いほど該浮上力は強くなる、請求項７に記載の浮上力発生器。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの細長い磁極は一列に並んだ複数の磁石片からなる、請求項１に記載の浮上力発生器。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの細長い磁極は２つの細長い磁極からなり、該２つの細長い磁極はそれぞれ一列に並んだ複数の磁石片からなる、請求項１に記載の浮上力発生器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動部を有する部品データを表示する情報処理装置であって、
前記部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲で当該部品データを動作させている間、当該部品データと、当該部品データとは異なる部品データとの最短距離を取得する距離取得手段と、
前記距離取得手段で取得した複数の前記最短距離のうち、前記部品データが当該部品データとは異なる部品データと最も接近する距離を特定する最接近距離特定手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記距離取得手段は、前記部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲で当該部品データが動作するようユーザから継続して指示を受け付けて当該部品データを動作させている間、当該部品データと、当該部品データとは異なる部品データとの最短距離を取得することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記情報処理装置は、
前記最接近距離特定手段で特定された、前記部品データが当該部品データとは異なる部品データと最も接近する距離を表示する表示手段
を更に備えることを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記表示手段は、更に前記距離取得手段で取得した複数の前記最短距離を一覧表示することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示手段は、前記距離取得手段で取得した前記最短距離を前記部品データが表示される三次元空間上で識別表示することを特徴とする請求項３または４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記情報処理装置は、
前記距離取得手段で取得した複数の前記最短距離を所定のファイル形式で出力するファイル出力手段
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記情報処理装置は、
前記距離取得手段で前記最短距離を取得した際の前記部品データの動作状態を取得する動作状態取得手段と、
前記動作状態取得手段で取得した前記部品データの動作状態を再現する再現手段と
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記距離取得手段は、前記部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲で当該部品データを動作させている間、当該部品データと、当該部品データとは異なる部品データとの最短距離を取得するよう、当該部品データを表示するアプリケーションに対して指示を行うことで当該アプリケーションから取得することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記距離取得手段は、前記部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲で当該部品データを動作させている間、当該部品データと、当該部品データとは異なる部品データとの最短距離を所定の間隔で取得することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
可動部を有する部品データを表示する情報処理装置の制御方法であって、
前記情報処理装置の距離取得手段が、前記部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲で当該部品データを動作させている間、当該部品データと、当該部品データとは異なる部品データとの最短距離を取得する距離取得ステップと、
前記情報処理装置の最接近距離特定手段が、前記距離取得ステップで取得した複数の前記最短距離のうち、前記部品データが当該部品データとは異なる部品データと最も接近する距離を特定する最接近距離特定ステップと
を備えることを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項１１】
可動部を有する部品データを表示する情報処理装置の制御方法を実行可能なプログラムであって、
前記情報処理装置を、
前記部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲で当該部品データを動作させている間、当該部品データと、当該部品データとは異なる部品データとの最短距離を取得する距離取得手段と、
前記距離取得手段で取得した複数の前記最短距離のうち、前記部品データが当該部品データとは異なる部品データと最も接近する距離を特定する最接近距離特定手段
として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の目的は、可動部を有する部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲において、当該部品データと当該部品データとは異なる部品データとが最も接近する距離を容易に特定することの可能な仕組みを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の情報処理装置は、可動部を有する部品データを表示する情報処理装置であって、前記部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲で当該部品データを動作させている間、当該部品データと、当該部品データとは異なる部品データとの最短距離を取得する距離取得手段と、前記距離取得手段で取得した複数の前記最短距離のうち、前記部品データが当該部品データとは異なる部品データと最も接近する距離を特定する最接近距離特定手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、可動部を有する部品データの可動域のうちユーザからの指示に応じた範囲において、当該部品データと当該部品データとは異なる部品データとが最も接近する距離を容易に特定することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月13日(2015.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般道路から有料道路のパーキングエリア又はサービスエリアに向かう入口側のレーンに設けられたＥＴＣ専用の入口料金所を有するスマートインターチェンジにおいて、
車両が前記入口料金所から離脱しえる手段として前記入口側のレーンの途中から分岐して前記一般道路に戻るレーンを設けることで、前記入口料金所を三叉路型レーンとしたことを特徴とする、スマートインターチェンジ。
【請求項２】
有料道路のパーキングエリア又はサービスエリアから一般道路に向かう出口側のレーンに設けられたＥＴＣ専用の出口料金所を有するスマートインターチェンジにおいて、
車両が前記出口料金所から離脱しうる手段として前記出口側のレーンの途中から分岐して前記パーキングエリア又はサービスエリアに戻るレーンを設けることで、前記出口料金所とのそれぞれを三叉路型レーンとしたことを特徴とする、スマートインターチェンジ。
【請求項３】
一般道路から有料道路のパーキングエリア又はサービスエリアに向かう入口側のレーンに設けられたＥＴＣ専用の入口料金所と、有料道路のパーキングエリア又はサービスエリアから一般道路に向かう出口側のレーンに設けられたＥＴＣ専用の出口料金所と、を有するスマートインターチェンジにおいて、
車両が前記入口料金所から離脱しえる手段として前記入口側のレーンの途中から分岐して前記一般道路に戻るレーンと、
車両が前記出口料金所から離脱しうる手段として前記出口側のレーンの途中から分岐して前記パーキングエリア又はサービスエリアに戻るレーンと、を設けることで、
前記入口料金所と前記出口料金所とのそれぞれを三叉路型レーンとしたことを特徴とする、スマートインターチェンジ。
【請求項４】
前記三叉路型レーンにおける分岐前の位置と分岐した先の位置とのそれぞれに、遮断機を設けた請求項１乃至３の何れか１項に記載のスマートインターチェンジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的に鑑みて、本発明は、一般道路から有料道路のパーキングエリア又はサービスエリアに向かう入口側のレーンに設けられたＥＴＣ専用の入口料金所を有するスマートインターチェンジにおいて、車両が前記入口料金所から離脱しえる手段として前記入口側のレーンの途中から分岐して前記一般道路に戻るレーンを設けることで、前記入口料金所を三叉路型レーンとしたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、上記目的に鑑みて、本発明は、有料道路のパーキングエリア又はサービスエリアから一般道路に向かう出口側のレーンに設けられたＥＴＣ専用の出口料金所を有するスマートインターチェンジにおいて、車両が前記出口料金所から離脱しうる手段として前記出口側のレーンの途中から分岐して前記パーキングエリア又はサービスエリアに戻るレーンを設けることで、前記出口料金所とのそれぞれを三叉路型レーンとしたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、本発明は、一般道路から有料道路のパーキングエリア又はサービスエリアに向かう入口側のレーンに設けられたＥＴＣ専用の入口料金所と、有料道路のパーキングエリア又はサービスエリアから一般道路に向かう出口側のレーンに設けられたＥＴＣ専用の出口料金所と、を有するスマートインターチェンジにおいて、車両が前記入口料金所から離脱しえる手段として前記入口側のレーンの途中から分岐して前記一般道路に戻るレーンと、車両が前記出口料金所から離脱しうる手段として前記出口側のレーンの途中から分岐して前記パーキングエリア又はサービスエリアに戻るレーンと、を設けることで、前記入口料金所と前記出口料金所とのそれぞれを三叉路型レーンとしたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そして、前記三叉路型レーンにおける分岐前の位置と分岐した先の位置とのそれぞれに、遮断機を設けることもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マーケティングモデル方程式を構築して、特定のレベルの資源を異なるマーケティングアクティビティに配分することから得られるターゲット成果変数の値を予測するための、コンピュータシステムにおける方法であって、
複数のオブザベーションを受け取るステップであって、各オブザベーションが、成果変数に対する値及び複数のドライバ変数の各々に対する値を有し、オブザベーションに対する前記ドライバ変数の前記値が観測された時に、前記オブザベーションに対する前記成果変数の前記値が発生することが観測されており、各ドライバ変数はクラスを有しており、該クラスの幾つかは、マーケッティングアクティビティに適用されたリソースのレベルに関係しており、前記オブザベーションが複数のタイプの成果変数を有している、前記受け取るステップと、
ドライバ変数の複数の組合せの各々に対して、前記組合せにおける各ドライバ変数に対する推定係数を有する方程式を発生し、前記ドライバ変数の値をオブザベーションの前記成果変数に関係付ける、推定技術を適用するステップと、
これらの発生された方程式を、最小目標を満たす候補方程式として選択するステップと、
ドライバ変数の数に基づいて、前記候補方程式を、前記マーケティングモデル方程式として選択するステップと、からなる方法。
【請求項２】
最小目標が、以前にオブザーブされた弾性の範囲を有する前記候補方程式から得られる弾性に基づいている、請求項１記載の方法。
【請求項３】
最小目標が、前記方程式の結果に行われる統計的診断に基づいている、請求項１記載の方法。
【請求項４】
ドライバ変数の各組合せが、複数の必要とされるクラスの各々における少なくとも一つのドライバ変数を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記候補方程式を選択するステップが、広告ドライバ変数に対する弾性が１未満であり、且つ価格ドライバ変数に対する弾性が１よりも大きいか否かに、更に基づいていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記候補方程式を選択するステップが、統計的問題が存在しないこと、データフィット、係数の信頼性の内の一つ以上に基づいて決定された統計的量に更に基づいている、請求項１記載の方法。
【請求項７】
マーケティングモデル方程式を構築して、特定のレベルの資源を異なるマーケティングアクティビティに配分することから結果されるターゲット成果変数の値を予測するための方法をコンピュータシステムに実行させるコンテンツを有するコンピュータ可読媒体であって、前記方法は、
複数のオブザベーションにアクセスするステップであって、各オブザベーションが、成果変数に対する値及び複数のドライバ変数の各々に対する値を有し、オブザベーションに対する前記ドライバ変数の前記値が観測された時に、前記オブザベーションに対する前記成果変数の前記値が発生することが観測されており、前記オブザベーションが複数のタイプの成果変数を有している、前記アクセスするステップと、
ドライバ変数の複数の組合せの各々に対して、前記組合せにおける各ドライバ変数に対する推定係数を有する方程式を発生し、前記ドライバ変数の値をオブザベーションの前記成果変数に関係付ける、推定技術を適用するステップと、
単純性、ビジネスロジック、統計的品質、及び安定性の一つ以上に基づいて、一つの方程式を、前記マーケティングモデル方程式として選択するステップと、
を含む、ことを特徴とする媒体。
【請求項８】
前記方程式を選択するステップが、最小目標を満たす方程式から選択することを更に含む請求項７記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項９】
最小目標が、以前に観測された弾性の範囲を有する前記方程式から得られる弾性に基づいている、請求項８記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
前記ビジネスロジックが、広告ドライバ変数に対する弾性が１未満であり、且つ価格ドライバ変数に対する弾性が１よりも大きいことを規定していることを特徴とする請求項７記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１１】
前記統計的品質が、統計的問題が存在しないこと、データフィット、係数の信頼性の内の一つ以上に基づいて決定された統計的品質に更に基づいている、請求項７記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１２】
前記単純性が、ドライバ変数の数がより少ないことに基づいている、請求項７記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
前記安定性が、オブザベーションの数を増加することから方程式の推定値を発生し、且つ前記方程式の前記推定係数の安定性を評価することに基づいている、請求項７記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
各ドライバ変数がクラスを有しており、該クラスの少なくとも幾つかが、マーケティイングアクティビティに適用されるリソースのレベルに関係する、請求項７記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
ドライバ変数の各組合せが、複数の必要とされるクラスの各々における少なくとも一つのドライバ変数を含む、請求項１４記載のコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月8日(2015.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画面を表示可能である表示部と、
前記表示部に形成され、操作の受付が可能である入力部と、を備え、
前記入力部が第１の操作を受けた場合、前記表示部が、表示されていた元の前記画面を前記表示部の一端より所定の量離れた位置に表示し、
前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部に対する第２の操作によって、前記所定の量を変更可能であり、
前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部が第３の操作を受けた場合、前記表示部が元の前記画面を表示する、
入力装置。
【請求項２】
請求項１に記載の入力装置であって、
前記第２の操作は、前記入力部に対するスクロール操作である、
入力装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の入力装置であって、
前記画面は、少なくとも所定のアイコンを含む、
入力装置。
【請求項４】
請求項３に記載の入力装置であって、
前記所定のアイコンは、前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、選択可能である、
入力装置。
【請求項５】
画面を表示可能である表示部と、
前記表示部に形成され、操作の受付が可能である入力部と、を備える入力装置で利用可能な入力支援方法であって、
前記入力部が第１の操作を受けた場合、前記表示部が、表示されていた元の前記画面を前記表示部の一端より所定の量離れた位置に表示し、
前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部に対する第２の操作によって、前記所定の量を変更可能であり、
前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部が第３の操作を受けた場合、前記表示部が元の前記画面を表示する、
入力支援方法。
【請求項６】
画面を表示可能である表示部と、
前記表示部に形成され、操作の受付が可能である入力部と、を備えるコンピュータに、
前記入力部が第１の操作を受けた場合、前記表示部が、表示されていた元の前記画面を前記表示部の一端より所定の量離れた位置に表示し、
前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部に対する第２の操作によって、前記所定の量を変更可能であり、
前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部が第３の操作を受けた場合、前記表示部が元の前記画面を表示する、
動作を実現させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、画面を表示可能である表示部と、前記表示部に形成され、操作の受付が可能である入力部と、を備え、前記入力部が第１の操作を受けた場合、前記表示部が、表示されていた元の前記画面を前記表示部の一端より所定の量離れた位置に表示し、前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部に対する第２の操作によって、前記所定の量を変更可能であり、前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部が第３の操作を受けた場合、前記表示部が元の前記画面を表示する、入力装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、画面を表示可能である表示部と、前記表示部に形成され、操作の受付が可能である入力部と、を備える入力装置で利用可能な入力支援方法であって、前記入力部が第１の操作を受けた場合、前記表示部が、表示されていた元の前記画面を前記表示部の一端より所定の量離れた位置に表示し、前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部に対する第２の操作によって、前記所定の量を変更可能であり、前記所定の量離れた位置に前記画面が表示された状態において、前記入力部が第３の操作を受けた場合、前記表示部が元の前記画面を表示する、入力支援方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数無線サービス共存のための方法であって、
第１サービス送信器を第１フィルタ経路を通じてアンテナへ接続し、且つ第１サービス受信器を前記アンテナから切断するため、第１スイッチを作動させることと、
第２サービス受信器を第２フィルタ経路を通じて前記アンテナへ接続し、且つ第２サービス送信器を前記アンテナから切断するため、第２スイッチを作動させることと、
前記第１サービス送信器に対する送信電力制御を有効にすることであって、前記送信電力制御は、第２サービス受信信号の受信を改善するために前記第１サービス送信器の送信電力を低減することを備える、ことと、
下記ａ）およびｂ）のうちのいずれか一方または両方を遂行することと
ａ）第２サービスの帯域の高排除率により、前記第１フィルタ経路を通じて前記
アンテナへ第１サービス送信信号を送信すること、および
ｂ）第１サービスの帯域の高排除率により、前記アンテナから前記第２フィルタ
経路を通じて前記第２サービス受信信号を受信すること、
を備える、方法。
【請求項２】
前記第１サービス送信信号を送信し且つ前記第２サービス受信信号を受信する同時サービスを維持する能力を判定することをさらに備える、請求項１の方法。
【請求項３】
前記同時サービスを無効にすることと、前記第１サービス送信信号を送信するサービスまたは前記第２サービス受信信号を受信するサービスのうち、いずれか一方に優先権を与えることと、をさらに備える、請求項２の方法。
【請求項４】
前記第１および第２フィルタ経路はＭＥＭＳノッチフィルタにより実現される、請求項１の方法。
【請求項５】
前記第１スイッチと前記第２スイッチはプログラム制御される、請求項４の方法。
【請求項６】
前記第１サービスまたは前記第２サービスのうち少なくとも一方の帯域外排除を提供するために、前記第１フィルタ経路または前記第２フィルタ経路のうち少なくとも一方をプログラムすることをさらに備える、請求項１の方法。
【請求項７】
前記第１サービスまたは第２サービスのうち少なくとも一方はＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）（ＢＴ）である、請求項１の方法。
【請求項８】
前記第１サービスまたは第２サービスのうち少なくとも一方は無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）である、請求項１の方法。
【請求項９】
前記ＷＬＡＮは８０２．１１プロトコルを含む、請求項８の方法。
【請求項１０】
多数無線サービス共存のための装置であって、
第１サービス送信器を第１フィルタ経路を通じてアンテナへ接続し、且つ第１サービス受信器を前記アンテナから切断するため、第１スイッチを作動させる手段と、
第２サービス受信器を第２フィルタ経路を通じて前記アンテナへ接続し、且つ第２サー
ビス送信器を前記アンテナから切断するため、第２スイッチを作動させる手段と、
前記第１サービス送信器に対する送信電力制御を有効にする手段であって、前記送信電力制御は、第２サービス受信信号の受信を改善するために前記第１サービス送信器の送信電力を低減することを備える、手段と、
下記ａ）およびｂ）のうちのいずれか一方または両方を遂行する手段と
ａ）第２サービスの帯域の高排除率により、前記第１フィルタ経路を通じて前記
アンテナへ第１サービス送信信号を送信すること、および
ｂ）第１サービスの帯域の高排除率により、前記アンテナから前記第２フィルタ
経路を通じて前記第２サービス受信信号を受信すること、
を備える、装置。
【請求項１１】
前記第２サービス受信信号の受信を改善するため前記第１サービス送信器の送信電力を低減する手段をさらに備える、請求項１０の装置。
【請求項１２】
前記第１サービス送信信号を送信し且つ前記第２サービス受信信号を受信する同時サービスを維持する能力を判定する手段をさらに備える、請求項１０の装置。
【請求項１３】
前記同時サービスを無効にする手段と、前記第１サービス送信信号を送信するサービスまたは前記第２サービス受信信号を受信するサービスのうち、いずれか一方に優先権を与える手段と、をさらに備える、請求項１２の装置。
【請求項１４】
前記第１および第２フィルタ経路はＭＥＭＳノッチフィルタにより実現される、請求項
１０の装置。
【請求項１５】
前記第１スイッチと前記第２スイッチはプログラム制御される、請求項１４の装置。
【請求項１６】
前記第１サービスまたは前記第２サービスのうち少なくとも一方の帯域外排除を提供するため、前記第１フィルタ経路または前記第２フィルタ経路のうち少なくとも一方をプログラムする手段をさらに備える、請求項１０の装置。
【請求項１７】
前記第１サービスまたは第２サービスのうち少なくとも一方はＢｌｕｅｔｏｏｔｈ（ＢＴ）である、請求項１０の装置。
【請求項１８】
前記第１サービスまたは第２サービスのうち少なくとも一方は無線ローカルエリアネットワーク（ＷＬＡＮ）である、請求項１０の装置。
【請求項１９】
前記ＷＬＡＮは８０２．１１プロトコルを含む、請求項１８の装置。
【請求項２０】
プロセッサとメモリとを備える装置であって、前記メモリは、
第１サービス送信器を第１フィルタ経路を通じてアンテナへ接続し、且つ第１サービス受信器を前記アンテナから切断するため、第１スイッチを作動させることと、
第２サービス受信器を第２フィルタ経路を通じて前記アンテナへ接続し、且つ第２サー
ビス送信器を前記アンテナから切断するため、第２スイッチを作動させることと、
前記第１サービス送信器に対する送信電力制御を有効にすることであって、前記送信電力制御は、第２サービス受信信号の受信を改善するために前記第１サービス送信器の送信電力を低減することを備える、ことと、
下記ａ）およびｂ）のうちのいずれか一方または両方を遂行することと
ａ）第２サービスの帯域の高排除率により、前記第１フィルタ経路を通じて前記
アンテナへ第１サービス送信信号を送信すること、および
ｂ）第１サービスの帯域の高排除率により、前記アンテナから前記第２フィルタ
経路を通じて前記第２サービス受信信号を受信すること、
を遂行する、前記プロセッサにより実行可能なプログラムコードを収容する、装置。
【請求項２１】
コンピュータプログラムを格納するコンピュータ可読媒体であって、前記コンピュータプログラムの実行は、
第１サービス送信器を第１フィルタ経路を通じてアンテナへ接続し、且つ第１サービス受信器を前記アンテナから切断するため、第１スイッチを作動させることと、
第２サービス受信器を第２フィルタ経路を通じて前記アンテナへ接続し、且つ第２サービス送信器を前記アンテナから切断するため、第２スイッチを作動させることと、
前記第１サービス送信器に対する送信電力制御を有効にすることであって、前記送信電力制御は、第２サービス受信信号の受信を改善するために前記第１サービス送信器の送信電力を低減することを備える、ことと、
下記ａ）およびｂ）のうちのいずれか一方または両方を遂行することと
ａ）第２サービスの帯域の高排除率により、前記第１フィルタ経路を通じて
前記アンテナへ第１サービス送信信号を送信すること、および
ｂ）第１サービスの帯域の高排除率により、前記アンテナから前記第２フィルタ
経路を通じて前記第２サービス受信信号を受信すること、
のためである、コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月3日(2015.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理領域、第１のパージ領域、第２の処理領域、第２のパージ領域が順番に配列されるように分割構造体によって分割された反応容器内に複数枚の基板を搬入し、前記反応容器内に設けられた基板支持部に複数枚の前記基板を同一面上に並べて支持する工程と、
加熱部により前記基板を加熱し、前記処理領域及び前記パージ領域を排気系により排気しつつ、処理ガス供給系から前記処理領域内に処理ガスを供給し、不活性ガス供給系から前記パージ領域内に不活性ガスを供給し、前記基板支持部を回転させて、前記処理領域と前記パージ領域との間で前記基板を交互に移動させることにより、前記基板への処理ガスの供給及び不活性ガスの供給を交互に行って前記基板を処理する工程と、
前記基板の処理が終了した後、少なくとも前記不活性ガス供給系から前記パージ領域内に不活性ガスを供給して、処理済みの前記基板を冷却する工程と、
冷却した前記基板を前記反応容器内から搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板を冷却する工程では、前記基板支持部を回転させる
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板を冷却する工程では、前記処理領域内に不活性ガスを供給する
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板を処理する反応容器と、
前記反応容器内にて、複数の前記基板を同一面上に並べて支持し、回転自在に構成された基板支持部と、
前記基板支持部の回転方向に沿って第１の処理領域、第１のパージ領域、第２の処理領域、第２のパージ領域が順番に配列されるように、前記反応容器内を分割する分割構造体と、
前記第１の処理領域内に第１のガスを供給すると共に、前記第２の処理領域内に第２のガスを供給する処理ガス供給系と、
少なくとも前記第１のパージ領域及び前記第２のパージ領域内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給系と、
前記基板を加熱する加熱部と、
前記反応容器内を排気する排気系と、
少なくとも前記基板支持部、前記処理ガス供給系、前記不活性ガス供給系、前記加熱部及び前記排気系を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記加熱部により前記基板を所定の処理温度に加熱しつつ、前記基板支持部を回転させ、前記排気系により前記反応容器内を排気しつつ、前記処理ガス供給系から第１のガスを前記第１の処理領域内に供給し、前記処理ガス供給系から第２のガスを前記第２の処理領域内に供給し、前記不活性ガス供給系から不活性ガスを前記第１のパージ領域及び前記第２のパージ領域内に供給して前記基板上に薄膜を形成する処理を行い、
前記薄膜を形成する処理が終了した後、少なくとも前記不活性ガス供給系から前記第１のパージ領域及び前記第２のパージ領域内に不活性ガスを供給するよう制御する基板処理装置。
【請求項５】
第１の処理領域、第１のパージ領域、第２の処理領域、第２のパージ領域が順番に配列されるように分割構造体によって分割された反応容器内に複数枚の基板を搬入し、前記反応容器内に設けられた基板支持部に複数枚の前記基板を同一面上に並べて支持する手順と、
加熱部により前記基板を加熱し、前記処理領域及び前記パージ領域を排気系により排気しつつ、処理ガス供給系から前記処理領域内に処理ガスを供給し、不活性ガス供給系から前記パージ領域内に不活性ガスを供給し、前記基板支持部を回転させて、前記処理領域と前記パージ領域との間で前記基板を交互に移動させることにより、前記基板への処理ガスの供給及び不活性ガスの供給を交互に行って前記基板を処理する手順と、
前記基板の処理が終了した後、少なくとも前記不活性ガス供給系から前記パージ領域内に不活性ガスを供給して、処理済みの前記基板を冷却する手順と、
冷却した前記基板を前記反応容器内から搬出する手順と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項６】
複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、
前記基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、前記第１の処理領域及び前記第２の処理領域を前記基板が通過するようにさせて、前記基板上に薄膜を形成する工程と、
前記反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、前記反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの前記基板を冷却する工程と、
前記反応容器外に処理後の前記基板を搬出する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月5日(2014.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記アンモニウムイオン（NH４＋）が、有機酸のアンモニウム塩及び無機酸のアンモニウム塩から選ばれる１以上のアンモニウム塩として添加される、請求項１に記載の研磨用組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記砥粒が、コロイダルシリカである、請求項４に記載の研磨用組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型半導体層、活性層及び第２の導電型半導体層を有する発光構造物と、
前記発光構造物の下部に位置し、前記第２の導電型半導体層と電気的に連結された第２の電極層と、
前記第２の電極層の下部に位置する主電極、及び前記主電極から分岐され、前記第２の電極層、前記第２の導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記第１の導電型半導体層と接する少なくとも１つの接触電極を有する第１の電極層と、
前記第１の電極層と前記第２の電極層との間及び第１の電極層と前記発光構造物との間の絶縁層と
を備え、
前記第１の導電型半導体層は、
第１の領域と、
前記第１の領域と区分され、前記第１の領域より低い第２の領域とを有し、
前記第１の領域は前記接触電極と重畳されている、発光素子。
【請求項２】
前記第１の領域の幅が前記接触電極の幅と同じか、前記接触電極の幅より広い、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１の領域の幅は前記接触電極の幅の１〜５倍である、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１の導電型半導体層の上面にラフネス又はパターンが形成された、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記ラフネス又はパターンは前記第１の領域の側面に配置される、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記発光構造物の側面には、前記第２の導電型半導体層、前記活性層及び前記第１の導電型半導体層の少なくとも一部を覆うパッシベーション層をさらに備える、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２の電極層の一側が前記発光構造物の外部に露出し、露出した部分に電極パッドが形成されている、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項８】
前記第２の電極層は、前記第２の導電型半導体層の下部に位置するオーミック層及び／又は反射層を有する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第２の電極層は電流拡散層を有し、前記電極パッドが前記電流拡散層と接して配置されている、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１の領域の形状は、ストライプ状、円柱状、円錐状、ピラミッド状、四角柱状又は半円球状のうちの少なくとも１つを含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記第１の導電型半導体層と接する前記接触電極の部分にラフネスが形成されている、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１の領域は前記接触電極と直接コンタクトする、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第１の領域の上部面は、前記第２の領域の上部面より高い、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記第１の領域の上部面と前記活性層との間の距離は、前記第２の領域の上部面と前記活性層との間の距離より大きい、請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記第１の領域は、前記接触電極の垂直上部に配置される、請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の発光素子。
【請求項１６】
基板上に複数の発光素子パッケージを含んで光を放出する光源と、
前記光源が内蔵されたハウジングと、
前記光源の熱を放出する放熱部と、
前記光源と前記放熱部を前記ハウジングに結合するホルダーと
を備え、
前記発光素子パッケージは、
本体と、
前記本体に配置された第１及び第２のリードフレームと、
前記本体に配置され、前記第１及び第２のリードフレームと電気的に連結されている、請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の発光素子とを備える照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月17日(2015.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部材と、
前記支持部材上に配置された第１の半導体層、第２の半導体層、及び前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、
前記第１の半導体層の第１の領域が露出し、前記第１の領域の第１の半導体層上に配置される第１の電極と、
前記第２の半導体層上に配置された第２の電極と、
少なくとも前記第１の電極と前記発光構造物との間に配置された絶縁層と
を備え、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は互いに異なる導電性半導体層であって、
前記活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、前記井戸層は前記障壁層より小さいバンドギャップを有し、
前記第１の電極は、上面の面積が前記第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％の面積を有し、
前記第１の電極及び前記第２の電極の上面は前記絶縁層の上面より高く配置され、
前記絶縁層上にスペーサーを有する発光素子。
【請求項２】
前記第１の電極は、
前記第１の半導体層上に連結され、少なくとも前記第２の半導体層の高さにまで配置された下部電極と、
前記下部電極の一端に連結され、前記発光構造物の内側に突出して前記第２の半導体層と一部領域が垂直的に重畳し、前記第２の半導体層の上面と離隔する上部電極と
を有し、
前記下部電極は、上側から眺めた面積が前記上部電極の面積に対比して１０％〜５０％である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１の電極は上面と下面の面積が互いに異なる、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２の電極は、前記第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％の面積を有する、請求項１〜３のうちのいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１の領域の面積は、前記第２の半導体層の面積に対比して４１％〜１００％である、請求項１〜３のうちのいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１の電極又は前記第２の電極は、上側から眺めた形状が四角形、多角形又は円形である、請求項１〜３のうちのいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１の電極と前記第２の電極の上面は同一線上に位置する、請求項１〜３のうちのいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記下部電極は前記発光構造物の側面に隣接して配置されている、請求項２に記載の発光素子。
【請求項９】
前記絶縁層は、少なくとも前記下部電極と前記第２の半導体層及び前記活性層の側面との間から前記上部電極と前記第２の半導体層との間にまで配置されている、請求項２に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第２の半導体層と前記第２の電極との間に配置された透光性電極層を備える、請求項１〜９のうちのいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記透光性電極層と前記第２の電極との間に反射層を備え、
前記第２の電極は前記反射層の開口部を通して前記透光性電極層と連結されている、請求項１０に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記反射層は、前記第２の半導体層の上面から前記第２の半導体層の側面及び前記活性層の側面に沿って前記第１の半導体層の上面にまで配置されている、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記反射層は、少なくとも第１の屈折率を有する第１の層と、前記第１の屈折率と異なる第２の屈折率を有する第２の層とを備える、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記反射層の第１の層及び第２の層は交互に繰り返して積層されている、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記支持部材に形成されて下側に開放され、封止材で密封された少なくとも一つのキャビティを有し、
前記封止材は蛍光体を含む、請求項１〜１４のうちのいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記キャビティは、複数配置され、互いに隣接した各キャビティ間の距離はキャビティの長さより小さい、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記キャビティは、上側から眺めた形状が四角形、多角形又は円形である、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記キャビティは、前記第１の半導体層の下部面に隣接するほど長さが増加する、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１９】
前記キャビティの側面は階段状である、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２０】
前記キャビティの深さは、前記支持部材の厚さに対比して０.３倍〜０.７倍である、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２１】
前記キャビティの長さは、前記支持部材の長さに対比して０.８倍〜０.９５倍である、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２２】
前記キャビティの幅は、前記支持部材の幅に対比して０.８倍〜０.９５倍である、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記キャビティ又は前記支持部材の下面には凹凸パターンが形成されている、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記支持部材はＡｌ２Ｏ３、ＳｉＣ又はＧａＮを含む、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２５】
前記封止材は、発光素子から放出される光を拡散させる光拡散材をさらに含む、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２６】
前記光拡散材は、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及びＹ２Ｏ３のうちの少なくとも一つを含む、請求項２５に記載の発光素子。
【請求項２７】
前記蛍光体は赤色、青色、黄色蛍光体のうちの少なくともいずれか一つを含む、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２８】
前記封止材は、前記キャビティの底に積層された第１の封止材と、前記第１の封止材の下部に積層された第２の封止材とを有し、
前記第１の封止材は、発光素子から放出される光を拡散させる光拡散材を含む、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項２９】
前記封止材は下部面の中心部が凹状又は凸状である、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項３０】
前記発光素子は、前記発光素子の厚さに対比して６倍〜１２倍の長さを有する、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項３１】
発光素子を含む発光素子パッケージにおいて、
前記発光素子は、
支持部材と、
前記支持部材上に配置された第１の半導体層、第２の半導体層、及び前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に介在する活性層を有する発光構造物と、
前記第１の半導体層の第１の領域が露出し、前記第１の領域の第１の半導体層上に配置された第１の電極と、
前記第２の半導体層上に配置された第２の電極と、
少なくとも前記第１の電極と前記発光構造物との間に配置された絶縁層と
を備え、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は、互いに異なる導電性半導体層であって、
前記活性層は、少なくとも一対の井戸層及び障壁層を有し、前記井戸層は前記障壁層より小さいバンドギャップを有し、
前記第１の電極は、上面の面積が前記第２の半導体層の面積に対比して４０％〜９９％であり、
前記第１の電極及び前記第２の電極の上面は前記絶縁層の上面より高く配置され、
前記絶縁層上にスペーサーを有する発光素子パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月19日(2015.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シフトレジスタ回路、表示装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じ導電型の第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する論理回路、を含むシフトレジスタ回路を有し、
前記第１のトランジスタの第１のゲート電極は、前記第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの第２のゲート電極は、入力信号が供給される配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第３のゲート電極は、クロック信号が供給される配線に電気的に接続され、
前記第１のゲート電極と、前記第３のゲート電極とは、同じ層に設けられているシフトレジスタ回路。
【請求項２】
同じ導電型の第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する論理回路、を含むシフトレジスタ回路を有し、
前記第１のトランジスタは第１のゲート電極、前記第１のゲート電極上の第１の半導体膜、及び前記第１の半導体膜上の第２のゲート電極を有し、前記第１のゲート電極が第１のトランジスタのソース電極またはドレイン電極に電気的に接続するよう設けられ、
前記第１のトランジスタの前記第２のゲート電極は、入力信号が供給される配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、第３のゲート電極、及び前記第３のゲート電極上の第２の半導体膜を有し、
前記第２のトランジスタの前記第３のゲート電極は、クロック信号が供給される配線に電気的に接続され、
前記第１のゲート電極と、前記第３のゲート電極とは、同じ層に設けられているシフトレジスタ回路。
【請求項３】
同じ導電型の第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを有する論理回路、を含むシフトレジスタ回路を有し、
前記第１のトランジスタは第１のゲート電極、前記第１のゲート電極上のゲート絶縁膜、前記ゲート絶縁膜上の第１の半導体膜、前記第１の半導体膜上のソース電極及びドレイン電極、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上の層間絶縁膜、並びに前記層間絶縁膜上の第２のゲート電極を有し、前記第１のゲート電極が前記ソース電極または前記ドレイン電極に電気的に接続するよう設けられ、
前記第１のトランジスタの前記第２のゲート電極は、入力信号が供給される配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、第３のゲート電極、前記第３のゲート電極上の前記ゲート絶縁膜、及び前記ゲート絶縁膜上の第２の半導体膜を有し、
前記第２のトランジスタの前記第３のゲート電極は、クロック信号が供給される配線に電気的に接続され、
前記第１のゲート電極と、前記第３のゲート電極とは、同じ層に設けられているシフトレジスタ回路。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第２のゲート電極の電位は、前記第１のトランジスタのノーマリーオンとノーマリーオフを切り替えることができる機能を有するシフトレジスタ回路。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記ゲート絶縁膜の膜厚は、前記層間絶縁膜の膜厚より小さいシフトレジスタ回路。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一において、前記第１の半導体膜及び前記第２の半導体膜は、同じ層に設けられているシフトレジスタ回路。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは、ｎチャネル型のトランジスタであるシフトレジスタ回路。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一に記載のシフトレジスタ回路を具備する表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置を具備する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサースタックと、
前記センサースタックに隣接して形成されたハード磁気バイアス構造と、
を備え
前記ハード磁気バイアス構造が、第１の下層と、前記第１の下層の上に形成された第２の下層と、前記第２の下層の上に形成された磁気材料とを備え、
前記第１の下層が、磁気シールドの上に形成され、前記磁気シールドと実質的に平行である第１の部分と、前記センサースタックの側面に隣接する第２の部分とを有し、前記第１の下層の前記第１の部分が連続膜として形成され、前記第２の部分が別個の島として形成される、磁気読み出しセンサー。
【請求項２】
前記第１の下層が０．２５ｎｍ〜０．７５ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項３】
前記第１の下層がＮｉＴａを含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項４】
前記第１の下層がＮｉＴａを含み、０．２５〜０．７５ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項５】
前記第１の下層が、ＮｉＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｒ、ＮｉＦｅ、またはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含有する合金を含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項６】
前記第１の下層が、０．２５ｎｍ〜０．７５ｎｍの厚さを有し、ＮｉＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｒ、ＮｉＦｅ、またはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含有する合金を含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項７】
前記第１の下層がＮｉＴａを含み、前記第２の下層がＣｏＭｏを含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項８】
前記第１の下層が、ＮｉＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｒ、ＮｉＦｅ、またはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含有する合金を含み、前記第２の下層がＣｒＭｏを含む、請求項１に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項９】
前記磁気材料がＣｏＰｔを含む、請求項１に記載の磁気センサー。
【請求項１０】
前記磁気材料がＣｏＰｔＣｒを含む、請求項１に記載の磁気センサー。
【請求項１１】
前記センサースタックが磁化自由層を含み、前記ハード磁気バイアス構造の磁性層が、前記磁化自由層と実質的に平行の向きである前記センサースタックに隣接する磁気異方性を有する、請求項１に記載の磁気センサー。
【請求項１２】
前記センサースタックが、磁気シールドの上に形成され、
前記センサースタックが、前記ハード磁気バイアス構造を、前記センサースタックおよび前記磁気シールドから分離させる電気絶縁層をさらに備える、請求項１に記載の磁気センサー。
【請求項１３】
磁気データ記録システムであって、
磁気メディアと、
サスペンションアセンブリと、
前記サスペンションアセンブリに取り付けられた磁気読み出しヘッドと、
を備え、
前記磁気読み出しヘッドが、
センサースタックと、
前記センサースタックに隣接して形成されたハード磁気バイアス構造と、
を備え、
前記ハード磁気バイアス構造が、第１の下層と、第２の下層の上に形成された磁気材料とを備え、
前記第１の下層が、磁気シールドの上に形成され、前記磁気シールドと実質的に平行である第１の部分と、前記センサースタックの側面に隣接する第２の部分とを有し、前記第１の下層の前記第１の部分が連続膜として形成され、前記第２の部分が別個の島として形成される、磁気データ記録システム。
【請求項１４】
前記第１の下層が０．２５ｎｍ〜０．７５ｎｍの厚さを有する、請求項１３に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項１５】
前記第１の下層がＮｉＴａを含む、請求項１３に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項１６】
前記第１の下層が、ＮｉＴａ、ＣｒＭｏ、ＣｏＣｒＰｔ、Ｃｒ、ＮｉＦｅ、またはこれらの材料のうちの少なくとも１つを含有する合金を含む、請求項１３に記載の磁気読み出しセンサー。
【請求項１７】
前記センサースタックが磁化自由層を含み、前記ハード磁気バイアス構造の磁性層が、前記磁化自由層と実質的に平行の向きである前記センサースタックに隣接する磁気異方性を有する、請求項１３に記載の磁気センサー。