(57)【要約】  発光装置は、略円板状を呈する基板(７２)と、上記基板(７２)における一方の主面上に複数の発光ダイオードチップ(７３)が実装されると共に、上記複数の発光ダイオードチップ(７３)が樹脂(７４)で封止されて成る発光部(７６)と、上記基板(７２)の側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじ(８０)が形成されて成るヒートシンク取付部とを備えている。こうして、基板(７２)のヒートシンクへの取付面積を同じにした場合は、発光部(７６)を大きくでき、または、発光部(７６)を同じにした場合は、基板(７２)の取付面積を小さくできる。
2014061555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略円板状を呈する基板(７２,９２,１０２,１２２,１３２,１４２)と、
上記基板(７２,９２,１０２,１２２,１３２,１４２)における一方の主面上に複数の発光ダイオードチップ(７３,１０３)が実装されると共に、上記複数の発光ダイオードチップ(７３,１０３)が樹脂(７４,１０４)で封止されて成る発光部(７６,９３,１０６)と、
上記基板(７２,９２,１０２,１２２,１３２,１４２)の側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじ(８０,８６,８９,９４,１１４,１２４,１３４,１４４,１５６)が形成されて成るヒートシンク取付部と
を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板(７２,１０２,１２２,１３２,１４２)における他方の主面側の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板(７２,１０２,１２２,１３２,１４２)における上記他方の主面側に形成された小径部(７９,１１３,１２３,１３３,１４３)の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
上記基板(１０２,１２２,１３２,１４２)における上記一方の主面側の大径部(１１５,１２５,１３５,１４５)の側面に、少なくとも一つの平坦面(１１５a,１２５a,１２５b,１３５a,１４５a)が形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置において、
上記基板(１２２)における上記大径部(１２５)の側面には、互いに対向する位置に二つの平坦面(１２５a,１２５b)が形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項４に記載の発光装置において、
上記基板(１３２,１４２)における上記大径部(１３５,１４５)の横断面は多角形の形状を有しており、
上記平坦面(１３５a,１４５a)は上記多角形の各辺を構成している
ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項４から請求項６までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部の上記雄ねじ(１４４)に螺合する雌ねじ(１４８)が形成されて、上記大径部(１４５)との間に上記ヒートシンク(１６４,１６９)を挟持する締め付け部材(１４６)を備えた
ことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置において、
上記基板(１４２)における上記一方の主面上に、上記発光部(１０６)の中心線を挟んで互いに対向する位置に一対のコネクタ部(１６２,１６３)あるいはランド部(１０７,１０８)が形成されており、
上記一対のコネクタ部(１６２,１６３)あるいはランド部(１０７,１０８)は、上記発光ダイオードチップ(１０３)の一方の電極に接続された第１コネクタ部(１６２)あるいは第１ランド部(１０７)と他方の電極に接続された第２コネクタ部(１６３)あるいは第２ランド部(１０８)とで成り、
上記第１コネクタ部(１６２)あるいは第１ランド部(１０７)と上記第２コネクタ部(１６３)あるいは第２ランド部(１０８)とは、外部導線(１６５,１６６,１７０,１７１)と電気的に接続されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項２に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板(７２)における上記他方の主面側に形成された大径部(８８)の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板(９２)の側面全体に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、
上記一方の主面側端部に形成された逃げ溝(１５２)と、
他方の主面側先端部に形成された面取部(１５５)と、
上記逃げ溝(１５２)と上記面取部(１５５)との間における上記他方側に上記面取部(１５５)に隣接して形成されると共に、上記逃げ溝(１５２)と上記面取部(１５５)との間における上記一方側よりも小径であって、上記ヒートシンク取り付け用の雄ねじ(１５６)が形成された小径部(１５４)と、
上記逃げ溝(１５２)と上記小径部(１５４)との間の領域で成ると共に、上記ヒートシンク取り付け用の雄ねじ(１５６)が形成された基部(１５３)と
のうちの、上記逃げ溝(１５２),上記面取部(１５５)および小径部(１５４)の少なくとも何れか一つを有し、
上記小径部(１５４)に形成された雄ねじ(１５６)のねじ山の頂は、上記基部(１５３)に形成された雄ねじ(１５６)のねじ山の頂よりも小径である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
基板(２,２２,３２,５２)と、
上記基板(２,２２,３２,５２)における一方の主面上に複数の発光ダイオードチップ(３,３３,５３,５３a,５３b)が実装されると共に、上記複数の発光ダイオードチップ(３,３３,５３,５３a,５３b)が樹脂(４,３４,５４)で封止されてなる発光部(６,２３,３６,５６)と、
上記基板(２,２２,３２,５２)における上記発光部(６,２３,３６,５６)の近傍に設けられると共に、内面に雌ねじが形成された孔で成るヒートシンク取付孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５,６７)と、
上記ヒートシンク取付孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５,６７)の雌ねじに螺合するヒートシンク取付ねじ(１９,２０,２９,３０,４９,５０,７０)と
を備え、
上記ヒートシンク取付ねじ(１９,２０,２９,３０,４９,５０,７０)の頭(１９a,２０a,２９a,３０a,４９a,５０a,７０a)と上記発光部(６,２３,３６,５６)とは、上記ヒートシンク取付孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５,６７)の軸方向に見て互いに重なっている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５)は、上記基板(２,２２,３２)における上記発光部(６,２３,３６)の周囲に設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の発光装置において、
上記発光部(５６)の中央部には、上記発光ダイオードチップ(５３,５３a,５３b)が実装されていない空き領域が設けられており、
上記ヒートシンク取付孔(６７)は、上記空き領域に設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１２から請求項１４までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付孔(２４,２５,４４,４５)は、上記基板(２２,３２)における他方の主面に開口を有する有底の孔である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１２から請求項１４までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付孔(１４,１５,６７)は、上記基板(２,５２)における上記一方の主面と他方の主面とに開口を有する貫通孔である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
基板(２,２２,３２,５２)上に複数の発光ダイオードチップ(３,３３,５３,５３a,５３b)が実装されてなる発光部(６,２３,３６,５６)と、
上記基板(２,２２,３２,５２)に設けられると共に、内面に雌ねじが形成された孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５,６７)と、
上記基板(２,２２,３２,５２)が取り付けられるヒートシンク(１６,２６,４６,６８)と、
上記ヒートシンク(１６,２６,４６,６８)の上記基板(２,２２,３２,５２)の上記孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５,６７)に対応する位置に設けられると共に、上記孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５,６７)に連通し、且つ内面に上記孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５,６７)の雌ねじに連続する雌ねじが形成された貫通孔(１７,１８,２７,２８,４７,４８,６９)と
を備え、
上記基板(２,２２,３２,５２)と上記ヒートシンク(１６,２６,４６,６８)とは、上記ヒートシンク(１６,２６,４６,６８)側の上記貫通孔(１７,１８,２７,２８,４７,４８,６９)から挿入されて、上記貫通孔(１７,１８,２７,２８,４７,４８,６９)および上記基板(２,２２,３２,５２)の上記孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５,６７)の雌ねじに螺合するねじ(１９,２０,２９,３０,４９,５０,７０)によって締結される
ことを特徴とする発光装置のヒートシンクへの取付構造。
【請求項１８】
請求項１７に記載の発光装置のヒートシンクへの取付構造において、
上記基板(２,２２,３２)は矩形を有しており、
上記基板(２,２２,３２)に設けられた上記孔(１４,１５,２４,２５,４４,４５)は、上記基板(２,２２,３２)における対角線上に位置する２つの角部の夫々に設けられている
ことを特徴とする発光装置のヒートシンクへの取付構造。
【請求項１９】
請求項１７に記載の発光装置のヒートシンクへの取付構造において、
上記基板(５２)に設けられた上記孔(６７)は、上記基板(５２)における中央部に設けられている
ことを特徴とする発光装置のヒートシンクへの取付構造。
【請求項２０】
請求項１７から請求項１９までの何れか一つに記載の発光装置のヒートシンクへの取付構造において、
上記基板(２,５２)に設けられた上記孔(１４,１５,６７)は、貫通孔である
ことを特徴とする発光装置のヒートシンクへの取付構造。
【請求項２１】
請求項１７から請求項１９までの何れか一つに記載の発光装置のヒートシンクへの取付構造において、
上記基板(２２,３２)に設けられた上記孔(２４,２５,４４,４５)は、上記ヒートシンク(２６,４６)側に開口を有する有底の孔である
ことを特徴とする発光装置のヒートシンクへの取付構造。
【請求項２２】
請求項２０に記載の発光装置のヒートシンクへの取付構造において、
上記基板(２,５２)に設けられた上記貫通孔(１４,１５,６７)内に露出している上記ねじ(１９,２０,７０)の先端部(１９b,２０b,７０b)は、白色の樹脂で覆われている
ことを特徴とする発光装置のヒートシンクへの取付構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＣＯＢ(Chip on Board)タイプの発光装置、および、ＣＯＢタイプの発光装置のヒートシンクへの取付構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、上記ＣＯＢタイプの発光装置をヒートシンクに取り付ける方法として、特開２０１２‐４４００号公報(特許文献１)に開示された「発光素子搭載用基板」や、特開２０１０‐２５１１９２号公報(特許文献２)に開示された「照明装置」がある。【０００３】
上記発光素子搭載用基板においては、矩形の平板状のジルコニア含有アルミナ基板の一方の主面に複数個の個片銅板を直接接合する一方、他方の主面にベタ銅板を直接接合し、上記個片銅板および上記ベタ銅板の表面にめっき被膜を形成する。そして、上記ベタ銅板の相対向する側辺から突出する突出部を設け、この突出部にヒートシンクに取り付ける際のネジ止め用の貫通穴あるいは切り欠きを設けたネジ取り付け部を有している。【０００４】
また、上記照明装置においては、矩形のプリント配線板に実装されたＬＥＤ(発光ダイオード：Light Emitting Diode)チップを有するＬＥＤモジュールを、上記プリント配線板の１辺側を第１のアングル材でヒートシンクに押圧しつつ上記ヒートシンクにねじ止めし、２辺側を第２のアングル材で上記ヒートシンクに押圧しつつ上記ヒートシンクにねじ止めして、上記ＬＥＤモジュールを上記ヒートシンクに密着させるようにしている。【０００５】
しかしながら、上記従来の発光素子搭載用基板では、矩形のジルコニア含有アルミナ基板の互いに対向する２つの側辺から、ヒートシンクに当該ジルコニア含有アルミナ基板を取り付けるための上記突出部が突出している。したがって、上記ジルコニア含有アルミナ基板の取付面積が本来の大きさよりも上記突出部の突出量だけ大きくなり、上記ヒートシンクを含めた照明部の大きさも大きくなるという問題がある。【０００６】
また、上記従来の照明装置では、上記矩形のＬＥＤモジュールの互いに対向する２辺を上記ヒートシンクにアングル材で押圧しつつねじ止めしている。上記アングル材は矩形の板材の両端側を互いに反対方向に折り曲げた形状を有しており、一端側の折曲部を上記ヒートシンクにねじ止めし、他端側の折曲部で上記ヒートシンクに押圧している。したがって、上記従来の発光素子搭載用基板と同様に、取付面積が上記ヒートシンクにねじ止めされる上記折曲部の突出量だけ大きくなり、上記ヒートシンクを含めた照明部の大きさも大きくなるという問題がある。【０００７】
さらに、上記アングル材における他端側の折曲部で上記プリント配線板を上記ヒートシンクに押圧するので、上記プリント配線板における上記ＬＥＤチップの実装面積が折曲部の分だけ狭くなり、発光面積が狭くなるという問題がある。【０００８】
また、上記従来の発光素子搭載用基板および照明装置では、上記突出部および上記折曲部の箇所にねじの頭が位置するため、上記突出部および上記折曲部を上記ねじの頭の分だけさらに大きくする必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１２‐４４００号公報
【特許文献２】特開２０１０‐２５１１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、この発明の課題は、取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくできる発光装置のヒートシンクへの取付構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、この発明の発光装置は、
略円板状を呈する基板と、
上記基板における一方の主面上に複数のＬＥＤチップが実装されると共に、上記複数のＬＥＤチップが樹脂で封止されて成る発光部と、
上記基板の側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成されて成るヒートシンク取付部と
を備えたことを特徴としている。【００１２】
上記構成によれば、複数のＬＥＤチップが実装された基板の側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成されて成るヒートシンク取付部を備えている。したがって、ヒートシンクに設けられた内面に雌ねじが形成された発光装置取り付け用の穴に、上記ヒートシンク取付部の上記雄ねじを螺合させることによって、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付けることができる。その場合、本発光装置の上記発光部と干渉するものは何もない。【００１３】
したがって、上記基板の上記ヒートシンクへの取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合は、上記発光部の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、上記発光部の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、上記基板の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができる。【００１４】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における他方の主面側の側面に形成されている。【００１５】
この実施の形態によれば、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付ける際に、上記基板における上記一方の主面側が上記ヒートシンクから突出している。したがって、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付ける場合には、上記基板の上記突出箇所をつかんで回転させればよく。上記発光部に対して損傷を与えることなく、操作性良く上記ヒートシンクに取り付けることができる。【００１６】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における上記他方の主面側に形成された小径部の側面に形成されている。【００１７】
この実施の形態によれば、上記基板における上記一方の主面側と上記小径部との間には段部が形成されている。したがって、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付けた場合には、上記段部が上記ヒートシンクの表面に密着することになり、上記ヒートシンクへの放熱性が向上する。【００１８】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記基板における上記一方の主面側の大径部の側面に、少なくとも一つの平坦面が形成されている。【００１９】
この実施の形態によれば、上記基板の大径部の側面に少なくとも一つの平坦面が形成されている。したがって、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付ける際に、上記平坦面を使用することによってレンチやスパナを用いることが可能になり、上記基板を上記ヒートシンクに対して締め易くなる。したがって、上記ヒートシンクに対して本発光装置をより確実に固定して、放熱性を高めることができる。【００２０】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記基板における上記大径部の側面には、互いに対向する位置に二つの平坦面が形成されている。【００２１】
この実施の形態によれば、上記基板の大径部の側面に互いに対向する二つの平坦面が形成されている。したがって、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付ける際に、上記互いに対向する二つの平坦面を使用することによって、上記ヒートシンクに対して本発光装置をさらに確実に固定して、放熱性を高めることができる。【００２２】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記基板における上記大径部の横断面は多角形の形状を有しており、
上記平坦面は上記多角形の各辺を構成している。【００２３】
この実施の形態によれば、上記基板の大径部を多角形に形成している。したがって、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付ける際に、上記レンチやスパナを容易に用いることが可能になり、上記ヒートシンクに対して本発光装置をさらに確実に固定して、放熱性を高めることができる。【００２４】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付部の上記雄ねじに螺合する雌ねじが形成されて、上記大径部との間に上記ヒートシンクを挟持する締め付け部材を備えている。【００２５】
この実施の形態によれば、上記ヒートシンク取付部の上記雄ねじに螺合する締め付け部材を有している。したがって、上記基板における少なくとも一つの平坦面を有する上記大径部と締め付け部材とによって、上記ヒートシンクを挟持することが可能になり、上記ヒートシンクに対して本発光装置をさらに確実に固定して、放熱性を高めることができる。【００２６】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記基板における上記一方の主面上に、上記発光部の中心線を挟んで互いに対向する位置に一対のコネクタ部あるいはランド部が形成されており、
上記一対のコネクタ部あるいはランド部は、上記ＬＥＤチップの一方の電極に接続された第１コネクタ部あるいは第１ランド部と他方の電極に接続された第２コネクタ部あるいは第２ランド部とで成り、
上記第１コネクタ部あるいは第１ランド部と上記第２コネクタ部あるいは第２ランド部とは、外部導線と電気的に接続されている。【００２７】
この実施の形態によれば、上記ＬＥＤチップの上記一方と上記他方の電極に給電するための二本の導線用の二つの貫通孔が設けられたヒートシンクに取り付ける場合には、上記ヒートシンクの上記各貫通孔と上記各コネクタ部あるいはランド部との距離が略同じに且つ最短になるように上記基板の位置決めを行った後に、上記締め付け部材で締め付けるようにすれば、上記ヒートシンクの上記各貫通孔と上記各コネクタ部あるいはランド部との距離を、略同じに且つ最短に設定することができる。さらに、上記発光部からの発光を遮光することなく上記コネクタ部あるいはランド部と上記導線との電気的接続が可能になる。【００２８】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における上記他方の主面側に形成された大径部の側面に形成されている。【００２９】
各ＬＥＤチップからの放熱による上記発光部の熱は、より温度の低い上記基板の外周部に向かって流れる。この実施の形態によれば、上記基板における上記他方の主面側に形成された大径部の側面に上記ヒートシンク取付部が形成されている。したがって、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付けた場合には、上記発光部の熱は、滑らかな温度勾配を呈するように効率的に上記ヒートシンクに向かって放出される。【００３０】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板の側面全体に形成されている。【００３１】
この実施の形態によれば、ヒートシンクに設けられた内面に雌ねじが形成された発光装置取り付け用の穴に、上記ヒートシンク取付部の上記雄ねじを螺合させた際には、本発光装置における上記基板の側面全体および底面が上記ヒートシンクに密着することになる。したがって、上記発光部の熱は、上記基板の側面全体および底面を介して上記ヒートシンクに効果的に放出される。【００３２】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付部は、
上記一方の主面側端部に形成された逃げ溝と、
他方の主面側先端部に形成された面取部と、
上記逃げ溝と上記面取部との間における上記他方側に上記面取部に隣接して形成されると共に、上記逃げ溝と上記面取部との間における上記一方側よりも小径であって、上記ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成された小径部と、
上記逃げ溝と上記小径部との間の領域で成ると共に、上記ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成された基部と
のうちの、上記逃げ溝,上記面取部および小径部の少なくとも何れか一つを有し、
上記小径部に形成された雄ねじのねじ山の頂は、上記基部に形成された雄ねじのねじ山の頂よりも小径である。【００３３】
この実施の形態によれば、上記ヒートシンク取付部は、上記逃げ溝と上記面取部と上記小径部との少なくとも何れか一つを有している。したがって、上記面取部あるいは上記小径部を有する場合には、上記ヒートシンク取り付け用の雄ねじを上記ヒートシンクの雌ねじに螺合させる場合に、上記雄ねじの中心軸の傾きを容易に調整することができる。そのため、上記雄ねじを上記雌ねじに正しく螺合させることが可能になり、上記雄ねじのねじ噛みを防止することができる。【００３４】
さらに、上記ヒートシンク取付部が上記逃げ溝を有する場合には、上記雄ねじの中心軸が上記雌ねじの中心軸に対して極わずか傾いたまま上記雄ねじが上記雌ねじに螺合された場合でも、上記雌ねじの端部が上記逃げ溝に至った際に、上記雄ねじの中心軸の上記雌ねじの中心軸に対する極わずかなずれが戻されるので、上記雄ねじのねじ噛みを防止することができる。その結果、上記ヒートシンク表面との密着性を向上させることができる。【００３５】
また、この発明の発光装置は、
基板と、
上記基板における一方の主面上に複数のＬＥＤチップが実装されると共に、上記複数のＬＥＤチップが樹脂で封止されてなる発光部と、
上記基板における上記発光部の近傍に設けられると共に、内面に雌ねじが形成された孔で成るヒートシンク取付孔と、
上記ヒートシンク取付孔の雌ねじに螺合するヒートシンク取付ねじと
を備え、
上記ヒートシンク取付ねじの頭と上記発光部とは、上記ヒートシンク取付孔の軸方向に見て互いに重なっている
ことを特徴としている。【００３６】
上記構成によれば、上記基板における上記発光部の近傍に設けられたヒートシンク取付孔の雌ねじに螺合するヒートシンク取付ねじの頭と上記発光部とは、上記ヒートシンク取付孔の軸方向に見て互いに重なっている。つまり、上記ヒートシンク取付孔は、上記発光部の極近傍に形成されている。【００３７】
したがって、上記基板の上記ヒートシンクへの取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合は、上記発光部の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、上記発光部の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、上記基板の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができる。【００３８】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付孔は、上記基板における上記発光部の周囲に設けられている。【００３９】
この実施の形態によれば、上記基板における上記発光部の周囲に上記ヒートシンク取付孔を複数設けることが可能になる。その場合には、複数の上記ヒートシンク取付孔と複数の上記ヒートシンク取付ねじとによって、上記基板と上記ヒートシンクとを強固に締結することができる。【００４０】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記発光部の中央部には、上記ＬＥＤチップが実装されていない空き領域が設けられており、
上記ヒートシンク取付孔は、上記空き領域に設けられている。【００４１】
上記基板には複数の上記ＬＥＤチップが実装されている。したがって、本発光装置を動作させた場合には、各ＬＥＤチップからの放熱によって上記発光部の中心部の温度が上昇する。【００４２】
この実施の形態によれば、上記発光部の中央部に上記ヒートシンク取付孔が設けられている。そのため、上記発光部の中心部に溜まった熱を上記ヒートシンク取付孔から外部に放出することができ、上記発光部の中心部の温度上昇を抑制することができる。したがって、上記発光部の中心部の温度上昇を抑制して、本発光装置を安定して動作させることができるのである。【００４３】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付孔は、上記基板における他方の主面に開口を有する有底の孔である。【００４４】
この実施の形態によれば、上記基板に設けられた上記ヒートシンク取付孔は有底の孔であるので、上記ヒートシンク取付ねじの先端部が露出することはなく、上記ヒートシンク取付ねじの先端部による光吸収を防止することができる。【００４５】
また、一実施の形態の発光装置では、
上記ヒートシンク取付孔は、上記基板における上記一方の主面と他方の主面とに開口を有する貫通孔である。【００４６】
この実施の形態によれば、上記基板と上記ヒートシンクとを上記ヒートシンク取付ねじによって締結する場合に、上記ヒートシンク取付ねじは上記基板の上面まで達することができ、上記基板と上記ヒートシンクとをより強固に締結することができる。【００４７】
また、この発明の発光装置のヒートシンクへの取付構造は、
基板上に複数のＬＥＤチップが実装されてなる発光部と、
上記基板に設けられると共に、内面に雌ねじが形成された孔と、
上記基板が取り付けられるヒートシンクと、
上記ヒートシンクの上記基板の上記孔に対応する位置に設けられると共に、上記孔に連通し、且つ内面に上記孔の雌ねじに連続する雌ねじが形成された貫通孔と
を備え、
上記基板と上記ヒートシンクとは、上記ヒートシンク側の上記貫通孔から挿入されて、上記貫通孔および上記基板の上記孔の雌ねじに螺合するねじによって締結される
ことを特徴としている。【００４８】
上記構成によれば、上記基板と上記ヒートシンクとをねじによって締結する場合には、上記ヒートシンク側の貫通孔から上記基板の上記孔に向かって上記ねじを挿入する。したがって、平面視において上記ねじの頭が上記基板の領域からはみ出していても差し支えなく、上記発光部に当たることもない。そのため、上記基板に形成する上記孔を、上記基板の外周部に形成することができる。その際に、上記発光部の極近傍に形成することが可能になる。【００４９】
すなわち、上記基板の上記ヒートシンクへの取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合には、上記発光部の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、上記発光部の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、上記基板の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができる。【００５０】
また、一実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造では、
上記基板は矩形を有しており、
上記基板に設けられた上記孔は、上記基板における対角線上に位置する２つの角部の夫々に設けられている。【００５１】
この実施の形態によれば、上記基板に設けられた２つの上記孔と、これに対応して上記ヒートシンクに設けられた２つの上記貫通孔とによって、上記基板と上記ヒートシンクとを強固に締結することができる。【００５２】
また、一実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造では、
上記基板に設けられた上記孔は、上記基板における中央部に設けられている。【００５３】
上記基板には複数の上記ＬＥＤチップが実装されている。したがって、本発光装置を動作させた場合には、各ＬＥＤチップからの放熱によって上記発光部の中心部の温度が上昇する。【００５４】
この実施の形態によれば、上記基板の中央部には上記孔が形成されている。そのため、上記発光部の中心部に溜まった熱を上記孔から外部に放出することができ、上記発光部の中心部の温度上昇を抑制することができる。すなわち、上記発光部の中心部の温度上昇を抑制して、本発光装置を安定して動作させることができるのである。【００５５】
その場合、上記ＬＥＤチップを含む上記発光部の中央部にも貫通孔を設ければ、上記発光部における中心部の放熱性をさらに高めることが可能になる。【００５６】
また、一実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造では、
上記基板に設けられた上記孔は、貫通孔である。【００５７】
この実施の形態によれば、上記基板と上記ヒートシンクとをねじによって締結する場合に、上記ねじは上記基板の上面まで達することができ、上記基板と上記ヒートシンクとをより強固に締結することができる。【００５８】
また、一実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造では、
上記基板に設けられた上記孔は、上記ヒートシンク側に開口を有する有底の孔である。【００５９】
この実施の形態によれば、上記基板に設けられた上記孔は有底の孔であるので、上記ねじの先端部が露出することはなく、上記ねじの先端部による光吸収を防止することができる。【００６０】
また、一実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造では、
上記基板に設けられた上記貫通孔内に露出している上記ねじの先端部は、白色の樹脂で覆われている。【００６１】
この実施の形態によれば、上記基板の上記貫通孔から露出している上記ねじの先端部を白色の樹脂で覆っているので、上記ねじの先端部による光吸収を低減することができる。
【発明の効果】
【００６２】
以上より明らかなように、この発明の発光装置は、複数のＬＥＤチップが実装され基板の側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成されて成るヒートシンク取付部を備えている。したがって、ヒートシンクに設けられた内面に雌ねじが形成された発光装置取り付け用の穴に、上記ヒートシンク取付部の上記雄ねじを螺合させることによって、本発光装置を上記ヒートシンクに取り付けることができる。その場合、本発光装置の上記発光部と干渉するものは何もない。【００６３】
したがって、上記基板の上記ヒートシンクへの取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合は、上記発光部の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、上記発光部の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、上記基板の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができる。【００６４】
また、この発明の発光装置は、基板における発光部の近傍には、内面に雌ねじが形成された孔で成るヒートシンク取付孔が設けられている。そして、上記ヒートシンク取付孔の雌ねじに螺合するヒートシンク取付ねじの頭と上記発光部とは、上記ヒートシンク取付孔の軸方向に見て互いに重なっている。つまり、上記ヒートシンク取付孔は、上記発光部の極近傍に形成されている。【００６５】
したがって、上記基板の上記ヒートシンクへの取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合は、上記発光部の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、上記発光部の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、上記基板の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができる。【００６６】
また、この発明の発光装置のヒートシンクへの取付構造は、複数のＬＥＤチップが実装されてなる発光部が形成された基板と、ヒートシンクとを、ねじによって締結する際に、上記ヒートシンクの貫通孔から上記基板の孔に向かって上記ねじを挿入するので、平面視において上記ねじの頭が上記基板の領域からはみ出していても差し支えなく、上記発光部に当たることもない。そのため、上記基板に形成する上記孔を、上記基板の外周部に形成することができる。その際に、上記発光部の極近傍に形成することが可能になる。【００６７】
すなわち、上記基板には、上記ヒートシンクへの取り付け用の突出部やアングル材を必要とはしない。したがって、上記基板の上記ヒートシンクへの取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合には、上記発光部の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、上記発光部の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、上記基板の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】この発明の発光装置のヒートシンクへの取付構造を示す図である。
【図２】図１とは異なる取付構造を示す図である。
【図３】図２の取付構造の変形例を示す図である。
【図４】図１〜図３とは異なる取付構造を示す図である。
【図５】この発明の発光装置を示す図である。
【図６】図５に示す発光装置をヒートシンクに取り付けた状態を示す断面図である。
【図７】図５に示す発光装置の変形例を示す断面図である。
【図８】図５とは異なる発光装置を示す図である。
【図９】図８に示す発光装置をヒートシンクに取り付けた状態を示す断面図である。
【図１０】図５および図８とは異なる発光装置を示す図である。
【図１１】図１０に示す発光装置の変形例を示す図である。
【図１２】図１１とは異なる変形例を示す図である。
【図１３】図１１および図１２とは異なる変形例を示す図である。
【図１４】図１１〜図１３とは異なる変形例を示す図である。
【図１５】図１１〜図１４とは異なる変形例を示す図である。
【図１６】図１５に示す発光装置のヒートシンクへの取り付け状態を示す図である。
【図１７】図１３に示す発光装置のヒートシンクへの取り付け状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００６９】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００７０】
・第１実施の形態
図１は、本実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造を示す図である。但し、図１(a)は上面図であり、図１(b)は図１(a)におけるＡ‐Ａ'矢視断面図である。
【００７１】
図１(a)に示すように、発光装置１は、矩形のセラミック基板２上に、複数のＬＥＤチップ３が実装されて蛍光体を含有する透明の蛍光含有樹脂４で封止されて成る発光部６を形成して概略構成されている。
【００７２】
上記セラミック基板２上におけるＬＥＤチップ３の周囲には、円弧状のアノード側配線パターン８とカソード側配線パターン９とが、互いに対向して複数のＬＥＤチップ３を取り囲むように形成されている。その場合、アノード側配線パターン８とカソード側配線パターン９とは、平面視において、円環の一部を成すように配置されている。
【００７３】
上記矩形のセラミック基板２における対角線上に位置する２つの角部の一方には、アノード電極のランド部１０が形成され、他方にはカソード電極のランド部１１が形成されている。そして、アノード電極のランド部１０は、アノード側導電部１２によって、アノード側配線パターン８に接続されている。また、カソード電極のランド部１１は、カソード側導電部１３によって、カソード側配線パターン９に接続されている。
【００７４】
上記ＬＥＤチップ３は、セラミック基板２の一辺に略平行になるように略直線状に複数列配置されている。そして、複数のＬＥＤチップ３のうち略同列に配列されたＬＥＤチップ３は直列に配線され、そのうちの一端に位置するＬＥＤチップ３はアノード側配線パターン８にワイヤーで接続される一方、他端に位置するＬＥＤチップ３はカソード側配線パターン９にワイヤーで接続されている。
【００７５】
円環の一部を成すように配置されている上記アノード側配線パターン８とカソード側配線パターン９とを覆うように、蛍光含有樹脂４を堰き止めるための円環状の樹脂ダム７が形成されている。樹脂ダム７は、例えば熱硬化性の樹脂で構成され、蛍光含有樹脂４を流し込んだ後に硬化温度で熱処理を行うことによって形成される。
【００７６】
さらに、上記矩形のセラミック基板２におけるもう一つの対角線上に位置する２つの角部の一方には貫通孔１４が穿たれ、他方には貫通孔１５が穿たれている。そして、両貫通孔１４,１５の内面には、雌ねじが形成されている。
【００７７】
さらに、図１(b)に示すように、ヒートシンク１６には、セラミック基板２の貫通孔１４,１５に連通する貫通孔１７,１８が穿たれている。この場合、貫通孔１７,１８の内面には、貫通孔１４,１５の雌ねじに連続する同じ雌ねじが形成されている。
【００７８】
但し、図１においては、上記雌ねじの個所および上記雌ねじと雄ねじとの螺合箇所は省略して描いている。以下の図においても同様である。
【００７９】
上記構成を有する発光装置１は、以下のようにして、ヒートシンク１６に取り付けられる。すなわち、ヒートシンク１６上に発光装置１を載置し、セラミック基板２側の貫通孔１４,１５をヒートシンク１６側の貫通孔１７,１８に位置合わせを行う。そして、貫通孔１４および貫通孔１７の雌ねじに螺合可能なねじ１９を、ヒートシンク１６側の貫通孔１７からセラミック基板２側の貫通孔１４に螺合させる。同様に、貫通孔１５および貫通孔１８の雌ねじに螺合可能なねじ２０を、ヒートシンク１６側の貫通孔１８からセラミック基板２側の貫通孔１５に螺合させる。こうして、ねじ１９,２０を締め付けることによって、発光装置１のセラミック基板２をヒートシンク１６に密着させる。
【００８０】
その場合に、本実施の形態においては、上記ヒートシンク１６側の貫通孔１７,１８からセラミック基板２側の貫通孔１４,１５に向かってねじ１９,２０を挿入している。したがって、ねじ１９,２０の頭１９a,２０aは、ヒートシンク１６の発光装置１側とは反対側の裏面側に位置して、ヒートシンク１６の上記裏面に密着している。そのために、ねじ１９,２０の頭１９a,２０aが樹脂ダム７に当たることがなく、平面視でセラミック基板２の領域からはみ出していても差し支えない。したがって、セラミック基板２に形成する貫通孔１４,１５を、矩形のセラミック基板２の外周部である上記角部に形成することができる。その際に、発光部６の極近傍に形成することが可能になる。
【００８１】
すなわち、上記セラミック基板２には、ヒートシンク１６への取り付け用の突出部やアングル材を必要とはしないのである。
【００８２】
また、上記ねじ１９,２０の上記頭１９a,２０a側とは反対側の先端部１９b,２０bが、セラミック基板２の貫通孔１４,１５から露出している。そこで、ねじ１９,２０の先端部１９b,２０bによる光吸収を低減するために、貫通孔１４,１５から露出しているねじ１９,２０の先端部１９b,２０bを白色の樹脂(図示せず)で覆っている。
【００８３】
すなわち、本実施の形態においては、上記セラミック基板２側の貫通孔１４,１５で、上記ヒートシンク取付孔を構成している。また、ねじ１９,２０で、上記ヒートシンク取付ねじを構成しているのである。
【００８４】
以上のごとく、本第１実施の形態においては、上記発光部６が形成された矩形のセラミック基板２をヒートシンク１６に取り付ける際に、ねじ１９,２０をヒートシンク１６側から挿入するようにしている。したがって、セラミック基板２に形成する貫通孔１４,１５を、矩形のセラミック基板２の上記角部に形成することができる。その際に、発光部６の極近傍に形成することが可能になる。
【００８５】
すなわち、本実施の形態によれば、上記セラミック基板２のヒートシンク１６への取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合には、発光部６の大きさを従来の発光部よりも大きく設定することができる。あるいは、発光部６の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、セラミック基板２のヒートシンク１６への取付面積の大きさを従来の基板よりも小さく設定することができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができるのである。
【００８６】
尚、上記実施の形態においては、上記発光装置１側の貫通孔１４,１５とヒートシンク１６側の貫通孔１７,１８との両方に雌ねじを形成している。しかしながら、ヒートシンク１６側の貫通孔１７,１８の雌ねじは省略しても、上述と同様の効果を奏することは可能である。
【００８７】
・第２実施の形態
図２は、本実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造を示す図である。但し、図２(a)は上面図であり、図２(b)は図２(a)におけるＢ‐Ｂ'矢視断面図である。
【００８８】
図２(a)に示すように、発光装置２１は、矩形のセラミック基板２２上に、上記第１実施の形態における発光部６と全く同じ構成を有する発光部２３が形成されて構成されている。
【００８９】
図２(a)および図２(b)に示すように、上記セラミック基板２２におけるアノード電極およびカソード電極のランド部が形成されていない対角線上に位置する２つの角部の一方には、ヒートシンク２６側に開口を有する有底の孔２４が穿たれ、他方にはヒートシンク２６側に開口を有する有底の孔２５が穿たれている。また、ヒートシンク２６には、セラミック基板２２の孔２４,２５に連通する貫通孔２７,２８が穿たれている。この場合に、孔２４,２５と貫通孔２７,２８とには、連続する雌ねじが形成されている。
【００９０】
上記構成を有する発光装置２１は、以下のようにしてヒートシンク２６に取り付けられる。すなわち、ヒートシンク２６上に発光装置２１を載置し、セラミック基板２２側の孔２４,２５をヒートシンク２６側の貫通孔２７,２８に位置合わせを行う。そして、孔２４および貫通孔２７の雌ねじに螺合可能なねじ２９を、ヒートシンク２６側の貫通孔２７からセラミック基板２２側の孔２４に螺合させる。同様に、孔２５および貫通孔２８の雌ねじに螺合可能なねじ３０を、ヒートシンク２６側の貫通孔２８からセラミック基板２２側の孔２５に螺合させる。こうして、ねじ２９,３０を締め付けることによって、発光装置２１のセラミック基板２２をヒートシンク２６に密着させる。
【００９１】
その場合、本実施の形態においては、上記ヒートシンク２６側の貫通孔２７,２８から発光装置２１側の孔２４,２５に向かってねじ２９,３０を挿入している。したがって、ねじ２９,３０の頭２９a,３０aは、ヒートシンク２６の発光装置２１側とは反対側の裏面側に位置して、ヒートシンク２６の上記裏面に密着している。また、孔２４,２５は有底の孔である。そのため、ねじ２９,３０が発光部２３に当接することがなく、平面視でセラミック基板２２の領域からはみ出していても差し支えない。したがって、セラミック基板２２に形成する孔２４,２５を、矩形のセラミック基板２２の上記角部に形成することができる。その際に、ねじ２９,３０は発光部２３と全く干渉しないので、発光部２３を平面視でねじ２９,３０と重なるように大きく形成することが可能になる。
【００９２】
すなわち、上記セラミック基板２２には、ヒートシンク２６への取り付け用の突出部やアングル材を必要とはしないのである。
【００９３】
また、上記セラミック基板２２の孔２４,２５は有底の孔である。したがって、ねじ２９,３０の先端部２９b,３０bが露出することはなく、ねじ２９,３０の先端部２９b,３０bによる光吸収を防止することができる。
【００９４】
すなわち、本実施の形態においては、上記セラミック基板２２側の孔２４,２５で、上記ヒートシンク取付孔を構成している。また、ねじ２９,３０で、上記ヒートシンク取付ねじを構成しているのである。
【００９５】
以上のごとく、本第２実施の形態においては、上記発光部２３を搭載した矩形のセラミック基板２２をヒートシンク２６に取り付ける際に、ねじ２９,３０をヒートシンク２６側から挿入するようにしている。したがって、セラミック基板２２に形成する孔２４,２５を、矩形のセラミック基板２２の外周部である上記角部に形成することができる。その場合に、平面視において発光部２３がねじ２９,３０の頭２９a,３０aと重なっても差し支えない。
【００９６】
すなわち、本実施の形態によれば、上記セラミック基板２２のヒートシンク２６への取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合には、発光部２３の大きさを従来の発光部よりも大きく設定することができる。あるいは、発光部２３の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合は、セラミック基板２２の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さく設定することができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができるのである。
【００９７】
尚、上記実施の形態においては、上記発光装置２１側の孔２４,２５とヒートシンク２６側の貫通孔２７,２８との両方に雌ねじを形成している。しかしながら、ヒートシンク２６側の貫通孔２７,２８の雌ねじは省略しても、上述と同様の効果を奏することは可能である。
【００９８】
図３は、本第２実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造における変形例を示す図である。但し、図３(a)は上面図であり、図３(b)は図３(a)におけるＣ‐Ｃ'矢視断面図である。
【００９９】
図３(a)に示すように、発光装置３１は、矩形のセラミック基板３２上に、複数のＬＥＤチップ３３が実装されて蛍光体を含有する透明の蛍光含有樹脂３４で封止されて成る発光部３６を形成して概略構成されている。
【０１００】
上記セラミック基板３２上におけるＬＥＤチップ３３の周囲には、直線状のアノード側配線パターン３８とカソード側配線パターン３９とが、互いに対向して複数のＬＥＤチップ３を挟むように形成されている。そして、矩形のセラミック基板３２における対角線上に位置する２つの角部の一方には、アノード電極のランド部４０が形成され、他方にはカソード電極のランド部４１が形成されている。そして、アノード電極のランド部４０は、アノード側導電部４２によって、アノード側配線パターン３８に接続されている。また、カソード電極のランド部４１は、カソード側導電部４３によって、カソード側配線パターン３９に接続されている。
【０１０１】
上記ＬＥＤチップ３３は、セラミック基板３２の一辺に略平行になるように直線状に複数列配置されている。そして、複数のＬＥＤチップ３３のうち略同列に配列されたＬＥＤチップ３３は直列に配線され、そのうちの一端に位置するＬＥＤチップ３３はアノード側配線パターン３８にワイヤーで接続される一方、他端に位置するＬＥＤチップ３３はカソード側配線パターン３９にワイヤーで接続されている。
【０１０２】
互いに対向して配置されている直線状の上記アノード側配線パターン３８とカソード側配線パターン３９とを覆うように、蛍光含有樹脂３４を堰き止めるための四角形状の樹脂ダム３７が形成されている。樹脂ダム３７は、例えば熱硬化性の樹脂で構成され、蛍光含有樹脂３４を流し込んだ後に硬化温度で熱処理を行うことによって形成される。
【０１０３】
図３(a)および図３(b)に示すように、上記セラミック基板３２におけるアノード電極およびカソード電極のランド部が形成されていない対角線上に位置する２つの角部の一方には、ヒートシンク４６側に開口を有する有底の孔４４が穿たれ、他方にはヒートシンク４６側に開口を有する有底の孔４５が穿たれている。また、ヒートシンク４６には、セラミック基板３２の孔４４,４５に連通する貫通孔４７,４８が穿たれている。この場合、孔４４,４５と貫通孔４７,４８との内側には、連続する雌ねじが形成されている。
【０１０４】
そして、上記構成の発光装置３１をヒートシンク４６に取り付ける場合には、孔４４および貫通孔４７の雌ねじに螺合可能なねじ４９を、ヒートシンク４６側の貫通孔４７からセラミック基板３２側の孔４４に螺合させる。同様に、孔４５および貫通孔４８の雌ねじに螺合可能なねじ５０を、ヒートシンク４６側の貫通孔４８からセラミック基板３２側の孔４５に螺合させるようにしている。
【０１０５】
すなわち、本変形例は、上記発光部３６全体が四角形に形成されている点以外は、図２に示す発光装置２１のヒートシンク２６への取り付け構造と全く同じである。
【０１０６】
したがって、本変形例においても、ねじ４９,５０の先端部が露出することはなく、ねじ４９,５０の先端部による光吸収を防止することができる。また、セラミック基板３２に形成する孔４４,４５を、矩形のセラミック基板３２の角部に形成することができる。その場合に、平面視において発光部３６がねじ４９,５０の頭４９a,５０aと重なっても差し支えない。
【０１０７】
すなわち、上記セラミック基板３２のヒートシンク４６への取付面積の大きさを従来の基板と同じにした場合には、発光部３６の大きさを従来の発光部よりも大きく設定することができる。あるいは、発光部３６の大きさを従来の発光部と同じにした場合は、セラミック基板３２の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さく設定することができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができるのである。
【０１０８】
・第３実施の形態
図４は、本実施の形態の発光装置のヒートシンクへの取付構造を示す図である。但し、図４(a)は上面図であり、図４(b)は図４(a)におけるＤ‐Ｄ'矢視断面図である。
【０１０９】
図４(a)に示すように、発光装置５１は、矩形のセラミック基板５２上に、複数のＬＥＤチップ５３が実装されて蛍光体を含有する透明の蛍光含有樹脂５４で封止されて成る発光部５６を形成して概略構成されている。
【０１１０】
上記セラミック基板５２上におけるＬＥＤチップ５３の周囲には、円弧状のアノード側配線パターン５８とカソード側配線パターン５９とが、互いに対向して複数のＬＥＤチップ５３を取り囲むように形成されている。その場合、アノード側配線パターン５８とカソード側配線パターン５９とは、平面視において円環の一部を成すように配置されている。さらに、上記円環内の中央部には、アノード側配線パターン５８とカソード側配線パターン５９との配列方向に直交する方向に互いに対向して、円弧状の配線パターン６０と配線パターン６１とが形成されている。配線パターン６０,６１も平面視において円環の一部を成すように配置されている。
【０１１１】
円環の一部を成すように配置されている上記アノード側配線パターン５８とカソード側配線パターン５９とを覆うように、蛍光含有樹脂５４を堰き止めるための円環状の樹脂ダム５７aが形成されている。また、円環の一部を成すように配置されている配線パターン６０と配線パターン６１とを覆うように、蛍光含有樹脂５４を堰き止めるための円環状の樹脂ダム５７bが形成されている。樹脂ダム５７a,５７bは、例えば熱硬化性の樹脂で構成され、蛍光含有樹脂５４を流し込んだ後に硬化温度で熱処理を行うことによって形成される。
【０１１２】
上記樹脂ダム５７a,５７bの間に配置された複数のＬＥＤチップ５３は、セラミック基板５２の一辺に平行になるように略直線状に複数列配置されている。但し、樹脂ダム５７bの近傍では、配列の直線性は乱れている。そして、複数のＬＥＤチップ５３のうち略同列に配列されたＬＥＤチップ５３は直列に配線され、そのうちの一端に位置するＬＥＤチップ５３はアノード側配線パターン５８にワイヤーで接続される一方、他端に位置するＬＥＤチップ５３はカソード側配線パターン５９にワイヤーで接続されている。
【０１１３】
さらに、上記略同列に配列された上記ＬＥＤチップ５３を直列に接続する配線が配線パターン６０と交差する位置では、配線パターン６０と交差する配線の両端に位置するＬＥＤチップ５３aとＬＥＤチップ５３aとは配線パターン６０を介して接続される。同様に、配線パターン６１と交差する配線の両端に位置するＬＥＤチップ５３bとＬＥＤチップ５３bとは配線パターン６１を介して接続される。
【０１１４】
こうして、円形の上記発光部５６が形成され、その中央部には蛍光含有樹脂５４が充填されていない貫通孔６６が形成されるのである。
【０１１５】
上記矩形のセラミック基板５２における対角線上に位置する２つの角部の一方には、アノード電極のランド部６２が形成され、他方にはカソード電極のランド部６３が形成されている。そして、アノード電極のランド部６２は、アノード側導電部６４によって、アノード側配線パターン５８に接続されている。また、カソード電極のランド部６３は、カソード側導電部６５によって、カソード側配線パターン５９に接続されている。
【０１１６】
さらに、上記矩形のセラミック基板５２における中央には、発光部５６の貫通孔６６よりも小径の貫通孔６７が穿たれており、貫通孔６７の内面には雌ねじが形成されている。
【０１１７】
さらに、図４(b)に示すように、ヒートシンク６８の中央には、セラミック基板５２の貫通孔６７に連通する貫通孔６９が穿たれている。この場合、貫通孔６９の内面には、貫通孔６７の雌ねじに連続する雌ねじが形成されている。
【０１１８】
上記構成を有する発光装置５１は、以下のようにして、ヒートシンク６８に取り付けられる。すなわち、ヒートシンク６８上に発光装置５１を載置し、セラミック基板５２側の貫通孔６７をヒートシンク６８側の貫通孔６９に位置合わせを行う。そして、貫通孔６７および貫通孔６９の雌ねじに螺合可能なねじ７０を、ヒートシンク６８側の貫通孔６９からセラミック基板５２側の貫通孔６７に螺合させる。こうして、ねじ７０を締め付けることによって、発光装置５１のセラミック基板５２をヒートシンク６８に密着させる。
【０１１９】
その場合、本実施の形態においては、上記ねじ７０の頭７０aは、ヒートシンク６８の発光装置５１側とは反対側の裏面側に位置している。そのため、ねじ７０の頭７０aが発光部５６と干渉することがなく、平面視でセラミック基板５２の領域と重なっても差し支えない。
【０１２０】
すなわち、上記セラミック基板５２には、ヒートシンク６８への取り付け用の突出部やアングル材を必要とはしないのである。
【０１２１】
また、上記ねじ７０の上記頭７０a側とは反対側の先端部７０bが、セラミック基板５２の貫通孔６７から露出している。そこで、ねじ７０の先端部７０bによる光吸収を低減するために、先端部７０bの位置を発光部５６の上面よりも低くしている。さらに、貫通孔６７から露出しているねじ７０の先端部７０bを白色の樹脂(図示せず)で覆っている。
【０１２２】
すなわち、本実施の形態においては、上記セラミック基板５２側の貫通孔６７で、上記ヒートシンク取付孔を構成している。また、ねじ７０で、上記ヒートシンク取付ねじを構成しているのである。
【０１２３】
以上のごとく、本第３実施の形態においては、上記発光部５６が形成された矩形のセラミック基板５２をヒートシンク６８に取り付ける際に、ねじ７０をヒートシンク６８側から挿入するようにしている。したがって、ねじ７０の頭７０aが平面視において発光部５６と重なっていても差し支えない。
【０１２４】
すなわち、本実施の形態によれば、上記セラミック基板５２のヒートシンク６８への取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合には、発光部５６の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、発光部５６の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、セラミック基板５２の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができるのである。
【０１２５】
また、上記セラミック基板５２の発光部５６には、複数のＬＥＤチップ５３が実装されている。したがって、発光装置５１を動作させた場合には、各ＬＥＤチップ５３からの放熱によって発光部５６の中心部の温度が上昇する。本実施の形態においては、発光部５６の中央には貫通孔６６が形成され、セラミック基板５２の中央には貫通孔６６に連通する貫通孔６７が形成されている。したがって、発光部５６の中心部に溜まった熱を貫通孔６６から外部に放出することができ、発光部５６の中心部の温度上昇を抑制することができる。
【０１２６】
すなわち、本実施の形態によれば、上記発光部５６の中心部の温度上昇を抑制して、発光装置５１を安定して動作させることができるのである。
【０１２７】
尚、上記実施の形態においては、上記セラミック基板５２の中心部に貫通孔６７を形成して、ねじ７０の先端部７０bが、セラミック基板５２の貫通孔６７から露出するようにしている。しかしながら、上記第２実施の形態のごとく、セラミック基板５２の中心部には、ヒートシンク６８の貫通孔６９に連通する有底の孔を設け、この有底の孔には、貫通孔６９の雌ねじに連続する雌ねじを形成するようにしてもよい。こうすることにより、ねじ７０は発光部５６と全く干渉しないので、発光部５６における中央の貫通孔６６を無くして、アルミ基板５５の中央部にもＬＥＤチップ５３を実装することが可能になる。
【０１２８】
その場合、上記セラミック基板５２の孔は有底の孔である。したがって、ねじ７０の先端部７０bが露出することはなく、ねじ７０の先端部７０bによる光吸収を防止することができる。
【０１２９】
尚、上記各実施の形態においては、ＬＥＤチップ３,３３,５３,５３a,５３bが実装される基板２,２２,３２,５２をセラミック基板で構成しているが、上記セラミックに限定されるものではない。例えば、金属基板の表面に絶縁層を形成して成るメタルコア基板等であっても良い。要は、絶縁基板であれば良いのである。
【０１３０】
また、上記各実施の形態においては、ＬＥＤチップ３,３３,５３,５３a,５３bを封止する封止樹脂４,３４,５４には蛍光体が含有されている。しかしながら、必ずしも蛍光体を含有していなくとも差し支えない。
【０１３１】
・第４実施の形態
図５は、本実施の形態の発光装置を示す図である。但し、図５(a)は上面図であり、図５(b)は図５(a)におけるＥ‐Ｅ'矢視断面図である。また、図６は、図５に示す発光装置をヒートシンクに取り付けた状態を示す図５(b)に相当する断面図である。
【０１３２】
図５(a)に示すように、発光装置７１は、略円形のセラミック基板７２上に、複数のＬＥＤチップ７３が実装されて蛍光体を含有する蛍光含有樹脂７４で封止されて成る発光部７６を形成して概略構成されている。尚、発光部７６とアノード電極のランド部７７およびカソード電極のランド部７８との構成は、図１に示す発光部６とアノード電極のランド部１０およびカソード電極のランド部１１との構成と全く同様である。
【０１３３】
本実施の形態においては、図５(b)に示すように、セラミック基板７２における発光部７６の形成面である表面(一方の主面)とは反対側の裏面(他方の主面)側に、上記表面側の直径よりも小径の小径部７９を形成している。そして、この小径部７９の側面に雄ねじ８０が形成されて、上記ヒートシンク取付部が形成されている。
【０１３４】
さらに、図６に示すように、ヒートシンク８１には、セラミック基板７２の小径部７９が挿入される有底の穴８２が穿たれている。そして、穴８２の側面には、セラミック基板７２側の雄ねじ８０に螺合する雌ねじ８３が形成されている。
【０１３５】
上記構成を有する発光装置７１は、セラミック基板７２の小径部７９に形成された雄ねじ８０を、ヒートシンク８１側の雌ねじ８３に螺合させる。こうして、セラミック基板７２をヒートシンク８１に対して締め付けることによって、セラミック基板７２における大径部と小径部７９との境界の段部８４(図５(b)参照)をヒートシンク８１の表面８１aに密着させるのである。
【０１３６】
この場合、上記セラミック基板７２の段部８４とヒートシンク８１の表面８１aとの接触によってセラミック基板７２側の熱の放熱を考えれば、単にセラミック基板７２の小径部７９に雄ねじ８０を形成すばよい。しかしながら、発光部７６の熱がより温度の低いセラミック基板７２の外周部に向かって流れることを考えれば、セラミック基板７２の小径部７９の直径は、発光部６の直径よりも大きいことが好ましい。
【０１３７】
以上のごとく、本第４実施の形態においては、上記略円形の発光部７６が形成された略円形のセラミック基板７２の裏面側に小径部７９を設け、この小径部７９に雄ねじ８０を形成して、発光装置７１を構成している。したがって、発光装置７１の裏面側の雄ねじ８０をヒートシンク８１の雌ねじ８３に螺合させて、発光装置７１をヒートシンク８１に取り付ける際に、発光装置７１の発光部７６と干渉するものは何もない。
【０１３８】
したがって、本実施の形態の場合にも、上記セラミック基板７２のヒートシンク８１への取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合には、発光部７６の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、発光部７６の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、セラミック基板７２の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができるのである。
【０１３９】
図７は、本第４実施の形態の発光装置における変形例を示す図である。尚、本変形例では、図５に示す発光装置７１と同じ部材には同じ番号を付して説明は省略する。
【０１４０】
図７(a)に示す発光装置８５においては、略円形のセラミック基板７２における発光部７６の形成面である表面とは反対側の裏面側に小径部を形成してはいない。すなわち、セラミック基板７２の側面７２aの上記裏面側に直接雄ねじ８６を形成して、上記ヒートシンク取付部が形成されている。したがって、この場合には、ヒートシンクには、セラミック基板７２が挿入される有底の穴を穿ち、この穴の側面にセラミック基板７２側の雄ねじ８６に螺合する雌ねじを形成する必要がある。この場合には、上記小径部を形成する必要が無く、単にセラミック基板７２の側面７２aに雄ねじ８６を形成すればよい。したがって、上記ヒートシンク取付部の形成が容易になる。
【０１４１】
図７(b)に示す発光装置８７においては、略円形のセラミック基板７２における発光部７６の形成面である表面とは反対側の裏面側に、上記表面側の直径よりも大径の大径部８８を形成している。そして、この大径部８８の表面に雄ねじ８９が形成されて、上記ヒートシンク取付部が形成されている。したがって、この場合には、ヒートシンクには、セラミック基板７２の大径部８８が挿入される有底の穴を穿ち、この穴の側面にセラミック基板７２側の雄ねじ８９に螺合する雌ねじを形成する必要がある。
【０１４２】
各ＬＥＤチップ７３からの放熱による発光部７６の熱は、より温度の低いセラミック基板７２の外周部に向かって流れる。この変形例によれば、セラミック基板７２における大径部８８の側面に雄ねじ８９が形成されている。したがって、本発光装置８７をヒートシンクに取り付けた場合には、発光部７６の熱は、滑らかな温度勾配を呈して効率的に上記ヒートシンクに向かって放出される。
【０１４３】
・第５実施の形態
図８は、本実施の形態の発光装置を示す図である。但し、図８(a)は上面図であり、図８(b)は図８(a)におけるＦ‐Ｆ'矢視断面図である。また、図９は、図８に示す発光装置をヒートシンクに取り付けた状態を示す図８(b)に相当する断面図である。
【０１４４】
図８(a)に示すように、発光装置９１は、略円形のセラミック基板９２上に、上記第４実施の形態における発光部７６と全く同じ構成を有する発光部９３が形成されて構成されている。そして、本実施の形態においては、図８(b)に示すように、セラミック基板９２の側面９２aの全面に亘って雄ねじ９４が形成されて、上記ヒートシンク取付部が形成されている。
【０１４５】
さらに、図９に示すように、ヒートシンク９５には、セラミック基板９２が挿入される有底の穴９６が穿たれている。そして、穴９６の側面には、セラミック基板９２側の雄ねじ９４に螺合する雌ねじ９７が形成されている。この場合、ヒートシンク９５に穿たれる穴９６の深さは、セラミック基板９２の厚みと同じになっている。したがって、セラミック基板９２の側面９２aに形成された雄ねじ９４をヒートシンク９５側の雌ねじ９７に螺合させて、セラミック基板９２をヒートシンク９５に対して締め付けた場合に、セラミック基板９２の底面９２bがヒートシンク９５の穴９６の底面９６aに密着させることができる。その場合、セラミック基板９２の表面９２cは、ヒートシンク９５の表面９５aと略同一平面となる。
【０１４６】
したがって、上記ヒートシンク９５に設けられた発光装置取り付け用の穴９６の雌ねじ９７に、セラミック基板９２の雄ねじ９４を螺合させた際には、発光装置９１におけるセラミック基板９２の側面９２a全体および底面９２bがヒートシンク９５に密着することになる。したがって、発光部９３の熱は、セラミック基板９２の９２a全体および底面９２bを介してヒートシンク９５に効果的に放出される。
【０１４７】
以上のごとく、本第５実施の形態においては、上記略円形の発光部９３が形成された略円形のセラミック基板９２の側面９２aに雄ねじ９４を形成して、発光装置９１を構成している。したがって、発光装置９１の雄ねじ９４をヒートシンク９５の雌ねじ９７に螺合させて、発光装置９１をヒートシンク９５に取り付ける際に、発光装置９１の発光部９３と干渉するものは何もない。
【０１４８】
したがって、本実施の形態の場合にも、上記セラミック基板９２のヒートシンク９５への取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合には、発光部９３の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、発光部９３の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、セラミック基板９２の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができるのである。
【０１４９】
・第６実施の形態
図１０は、本実施の形態における発光装置を示す図である。但し、図１０(a)は上面図であり、図１０(b)は図１０(a)におけるＧ‐Ｇ'矢視断面図である。ここで、本実施の形態は、発光装置における頭部の側面に少なくとも一つの平坦面を有するものに関する。
【０１５０】
図１０(a)に示すように、発光装置１０１は、略円形のＣu(銅)基板１０２上に、複数のＬＥＤチップ１０３が実装されて蛍光体を含有する蛍光含有樹脂１０４で封止されて成る発光部１０６を形成して概略構成されている。尚、発光部１０６とアノード電極のランド部１０７およびカソード電極のランド部１０８との構成は、図１に示す発光部６とアノード電極のランド部１０およびカソード電極のランド部１１との構成と全く同様である。
【０１５１】
但し、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部１０７，カソード電極のランド部１０８，アノード側導電部１１１およびカソード側導電部１１２と、Ｃu基板１０２と間には、ジルコニア系セラミック材料から成る絶縁層(図示せず)を設けている。または、Ｃu基板１０２上全体にジルコニア系セラミック材料から成る絶縁層を形成し、上記絶縁層の上に、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部１０７，カソード電極のランド部１０８，アノード側導電部１１１，カソード側導電部１１２およびＬＥＤチップ１０３を搭載してもよい。
【０１５２】
本実施の形態においては、図１０(b)に示すように、Ｃu基板１０２における発光部１０６の形成面である表面(一方の主面)とは反対側の裏面(他方の主面)側に、上記表面側の直径よりも小径の小径部１１３を形成している。そして、この小径部１１３の側面に雄ねじ１１４が形成されて、上記ヒートシンク取付部が形成されている。また、Ｃu基板１０２における大径部１１５の側面に、一つの平坦面１１５aが形成されている。
【０１５３】
上記構成を有する発光装置１０１は、略円形のＣu基板１０２の小径部１１３に形成された雄ねじ１１４を、ヒートシンク(図示せず)の発光装置取り付け用の穴の雌ねじに螺合させる。こうして、Ｃu基板１０２を上記ヒートシンクに対して締め付けることにより、Ｃu基板１０２を上記ヒートシンクの表面に密着させるのである。
【０１５４】
その場合、上記発光装置１０１における略円形のＣu基板１０２の大径部１１５には、一つの平坦面１１５aが設けられている。したがって、この平坦面１１５aを使用することによって、発光装置１０１を上記ヒートシンクに取り付ける際に、Ｃu基板１０２が締め易くなり、上記ヒートシンクに対する発光装置１０１の固定が容易になる。ここで、平坦面１１５aとこの平坦面１１５aに対向する大径部１１５の側面との間隔は規格寸法であることが好ましい。その場合には、Ｃu基板１０２の締め付けに、レンチやスパナを使用することが可能になる。
【０１５５】
本実施の形態の場合にも、上記Ｃu基板１０２の上記ヒートシンクへの取付面積の大きさを従来の基板と同じ大きさとした場合には、発光部１０６の大きさを従来の発光部よりも大きくすることができる。あるいは、発光部１０６の大きさを従来の発光部と同じ大きさとした場合には、Ｃu基板１０２の上記取付面積の大きさを従来の基板よりも小さくすることができる。こうして、上記取付面積を小さくあるいは発光面積を大きくすることができるのである。
【０１５６】
尚、本実施の形態においては、上記Ｃu基板１０２の大径部１１５に、一つの平坦面１１５aを有する発光装置１０１を例示したが、この発明は一つの平坦面に限定されるものではなく、以下の変形例に示すように、複数の平坦面を有するものや多角形を有していても一向に構わない。
【０１５７】
図１１は、本第６実施の形態の発光装置における変形例を示す図である。ただし、図１１(a)は上面図であり、図１１(b)は図１１(a)におけるＨ‐Ｈ'矢視断面図である。尚、本変形例では、図１０に示す発光装置１０１と同じ部材には同じ番号を付して説明は省略する。ここで、本変形例は、発光装置における頭部の側面に二つの平坦面を有するものに関する。
【０１５８】
図１１に示す発光装置１２１は、略円形のＡl基板１２２上に、図１０に示す発光装置１０１と全く同じ構成を有する発光部１０６を形成して概略構成されている。すなわち、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部１０７，カソード電極のランド部１０８，アノード側導電部１１１およびカソード側導電部１１２と、Ａl基板１２２と間には、絶縁層(図示せず)を設けている。あるいは、Ａl基板１２２上全体に絶縁層を形成し、上記絶縁層の上に、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部１０７，カソード電極のランド部１０８，アノード側導電部１１１，カソード側導電部１１２およびＬＥＤチップ１０３を搭載してもよい。
【０１５９】
本発光装置１２１においては、図１１(b)に示すように、Ａl基板１２２における発光部１０６の形成面である表面(一方の主面)とは反対側の裏面(他方の主面)側に、上記表面側の直径よりも小径の小径部１２３を形成している。そして、この小径部１２３の側面には雄ねじ１２４が形成されて、上記ヒートシンク取付部が形成されている。また、略円形のＡl基板１２２における大径部１２５の側面には、互いに対向する二つの平坦面１２５a,１２５bが形成されている。したがって、この二つの平坦面１２５a,１２５bを使用することによって、発光装置１２１をヒートシンクに取り付ける際に、Ａl基板１２２が締め易くなり、上記ヒートシンクに対する発光装置１２１の固定が容易になる。ここで、大径部１２５における二つの平坦面１２５a,１２５bの間隔は規格寸法であることが好ましい。その場合には、Ａl基板１２２の締め付けに、レンチやスパナを使用することが可能になる。
【０１６０】
図１２は、本第６実施の形態の発光装置における他の変形例を示す図である。但し、図１２(a)は上面図であり、図１２(b)は図１２(a)におけるＩ‐Ｉ'矢視断面図である。尚、本変形例では、図１０に示す発光装置１０１と同じ部材には同じ番号を付して説明は省略する。ここで、本変形例は、発光装置における頭部の側面に三つ以上の平坦面の一例として多角形の頭部を有するものに関する。
【０１６１】
図１２に示す発光装置１３１は、略六角形のＡl(アルミニウム)基板１３２上に、図１０に示す発光装置１０１と全く同じ構成を有する発光部１０６を形成して概略構成されている。すなわち、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部１０７，カソード電極のランド部１０８，アノード側導電部１１１およびカソード側導電部１１２と、Ａl基板１３２と間には、ジルコニア系セラミック材料から成る絶縁層(図示せず)を設けている。あるいは、Ａl基板１３２上全体にジルコニア系セラミック材料から成る絶縁層を形成し、上記絶縁層の上に、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部１０７，カソード電極のランド部１０８，アノード側導電部１１１，カソード側導電部１１２およびＬＥＤチップ１０３を搭載してもよい。
【０１６２】
本発光装置１３１においては、図１２(b)に示すように、Ａl基板１３２における発光部１０６の形成面である表面(一方の主面)とは反対側の裏面(他方の主面)側に、Ａl基板１０２の外形である六角形の内接円よりも小径の上記小径部である円形部１３３を形成している。そして、この円形部１３３の側面には雄ねじ１３４が形成されて、上記ヒートシンク取付部が形成されている。
【０１６３】
また、上記Ａl基板１３２の上記大径部である頭部１３５は略六角形になっており、六つの平坦面１３５aを有している。つまり、各平坦面１３５aが上記六角形の各辺を構成しているのである。したがって、この平坦面１３５aを使用することによって、発光装置１３１をヒートシンクに取り付ける際に、Ａl基板１３２が締め易くなり、上記ヒートシンクに対する発光装置１３１の固定が容易になる。こうして、Ａl基板１３２の頭部１３５と円形部１３３との間の段部１３６を、上記ヒートシンクの表面に密着させることができるのである。ここで、頭部１３５の六角形の大きさは規格寸法であることが好ましい。頭部１３５の六角形の大きさを規格寸法とすることによって、Ａl基板１３２の締め付けに、レンチやスパナを使用することが可能になる。
【０１６４】
図１３は、本第６実施の形態の発光装置における他の変形例を示す図である。但し、図１３(a)は上面図であり、図１３(b)は図１３(a)におけるＪ‐Ｊ'矢視断面図であり、図１３(c)は底面図である。尚、本変形例では、図１０に示す発光装置１０１と同じ部材には同じ番号を付して説明は省略する。ここで、本変形例は、発光装置における頭部の上記ヒートシンクに対する締め付けを、より強固にするものに関する。
【０１６５】
図１３に示す発光装置１４１は、略六角形のＡl基板１４２上に、図１０に示す発光装置１０１と全く同じ構成を有する発光部１０６を形成して概略構成されている。したがって、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部１０７，カソード電極のランド部１０８，アノード側導電部１１１およびカソード側導電部１１２と、Ａl基板１４２と間には、ジルコニア系セラミック材料から成る絶縁層(図示せず)を設けている。あるいは、Ａl基板１４２上全体にジルコニア系セラミック材料から成る絶縁層を形成し、上記絶縁層の上に、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部１０７，カソード電極のランド部１０８，アノード側導電部１１１，カソード側導電部１１２およびＬＥＤチップ１０３を搭載してもよい。
【０１６６】
本変形例においては、図１３(b)に示すように、Ａl基板１４２における発光部１０６の形成面である表面(一方の主面)とは反対側の裏面(他方の主面)側に、Ａl基板１４２の外形である六角形の内接円よりも小径の上記小径部としての円形部１４３を形成している。そして、この円形部１４３の側面に雄ねじ１４４が形成されて、上記ヒートシンク取付部が形成されている。さらに、Ａl基板１４２における上記大径部としての略六角形の頭部１４５と略同じ形状の略六角形の板状体でなる締め付け部材１４６を設けている。この締め付け部材１４６には、Ａl基板１４２の円形部１４３が挿入される貫通穴１４７が穿たれている。そして、貫通穴１４７の側面には、円形部１４３の雄ねじ１４４に螺合する雌ねじ１４８が形成されている。
【０１６７】
上記構成を有する発光装置１４１は、略六角形のＡl基板１４２の円形部１４３を、ヒートシンク(図示せず)の発光装置取り付け用の貫通穴に挿通して貫通させる。そして、上記ヒートシンクの上記貫通穴から突出しているＡl基板１４２の円形部１４３に形成された雄ねじ１４４に、締め付け部材１４６の雌ねじ１４８を螺合させる。こうして、締め付け部材１４６をＡl基板１４２に対して締め付けることにより、Ａl基板１４２における略六角形の頭部１４５を上記ヒートシンクの表面に密着させるのである。
【０１６８】
その場合、上記発光装置１４１におけるＡl基板１４２の頭部１４５および締め付け部材１４６は略六角形になっており、各六つの平坦面１４５a,１４６aを有している。したがって、この平坦面１４５a,１４６aを使用することによって、発光装置１４１を上記ヒートシンクに取り付ける際に、Ａl基板１４２が締め易くなり、上記ヒートシンクに対する発光装置１４１の固定が容易になる。ここで、頭部１４５および締め付け部材１４６の六角形の大きさは規格寸法であることが好ましい。頭部１４５および締め付け部材１４６の六角形の大きさを規格寸法とすることによって、Ａl基板１４２および締め付け部材１４６の締め付けに、レンチやスパナを使用することが可能になる。
【０１６９】
尚、本変形例においては、図１２に示す略六角形の頭部１３５を有する発光装置１３１に対して、締め付け部材１４６を適用する場合について述べた。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、図１０に示す基板の頭部に一つの平坦面を有する発光装置や、図１１に示す複数の平坦面を有する発光装置や、六角形以外の多角形を有する発光装置に、上記締め付け部材を適用しても構わない。また、上記締め付け部材の形状も略六角形に限定するものではなく、基板の頭部形状に合わせて適宜変更してもよい。
【０１７０】
図１４は、本第６実施の形態の発光装置における他の変形例を示す図である。但し、図１４(a)は上面図であり、図１４(b)は図１４(a)におけるＫ‐Ｋ'矢視断面図である。尚、本変形例は、図１２に示す略六角形の頭部１３５を有する発光装置１３１におけるＡl基板１０２の円形部１３３の別形態に関するものである。
【０１７１】
本変形例では、図１２に示す発光装置１３１と同じ部材には同じ番号を付して説明は省略する。以下、本変形例の特徴である円形部１３３について説明する。
【０１７２】
図１２に示す発光装置１３１においては、光源搭載部等のヒートシンクに安定に且つ再現性よく(放熱性確保のため)固定するために、Ａl基板１３２の円形部１３３の側面に雄ねじ１３４が形成されている。その場合、図１２に示すように、全体が同じ径を有する円形部１３３にそのまま雄ねじ１３４を形成した場合には、ねじ噛み(ねじ頭の潰れ)が発生する恐れがある。本変形例は、このようなねじ噛みに対処するものである。
【０１７３】
本変形例の発光装置１５１においては、図１４(b)に示すように、Ａl基板１３２の円形部１３３に対して、段部１３６に隣接して逃げ溝１５２を形成し、上記裏面側の先端部に面取部１５５を形成し、この面取部１５５に隣接して円形部１３３よりも少し小径の小径部１５４を形成している。そして、逃げ溝１５２と小径部１５４との間の基部１５３と、小径部１５４とには、雄ねじ１５６が形成されて、上記ヒートシンク取付部が形成されている。
【０１７４】
ここで、上記逃げ溝１５２の径は、基部１５３に形成された雄ねじ１５６のねじ山の頂よりも小径となっている。さらに、小径部１５４に形成される雄ねじ１５６のねじ山の頂は、基部１５３に形成される雄ねじ１５６のねじ山の頂よりも小径となっている。但し、基部１５３に形成される雄ねじ１５６と小径部１５４に形成される雄ねじ１５６とは、連続して形成された全く同じねじである。
【０１７５】
以上のごとく、本変形例においては、Ａl基板１３２の円形部１３３に、逃げ溝１５２と小径部１５４と面取部１５５とを形成し、円形部１３３と同径の基部１５３と小径部１５４とに雄ねじ１５６を形成している。したがって、雄ねじ１５６をヒートシンク(図示せず)の発光装置取り付け用の穴の雌ねじに螺合させる場合に、上記雌ねじの中心軸に対して雄ねじ１５６の中心軸が傾いている場合に、基部１５３のねじ山の頂よりも小径である面取部１５５と小径部１５４との存在によって、雄ねじ１５６の中心軸の傾きを調整することができる。そのため、雄ねじ１５６を上記ヒートシンクの雌ねじに正しく螺合させることが可能になり、雄ねじ１５６のねじ噛みを防止することができるのである。
【０１７６】
さらに、上記雄ねじ１５６の中心軸が上記雌ねじの中心軸に対して極わずか傾いたまま雄ねじ１５６が上記雌ねじに螺合された場合には、段部１３６と基部１５３との間に逃げ溝１５２が形成されているので、上記雌ねじの端部が逃げ溝１５２に至った際に、雄ねじ１５６の中心軸の上記雌ねじの中心軸に対する極わずかなずれが戻される。したがって、雄ねじ１５６のねじ噛みを防止することができると共に、段部１３６と上記ヒートシンクの表面との密着性を向上させることができる。
【０１７７】
尚、本変形例においては、上記円形部１３３に逃げ溝１５２と小径部１５４と面取部１５５とを形成している。しかしながら、必ずしもこれらの総てを備えている必要はなく、逃げ溝１５２と小径部１５４と面取部１５５との何れか一つを備えていれば、雄ねじ１５６のねじ噛みを防止することは可能である。
【０１７８】
また、本変形例においては、図１２に示す発光装置１３１に対して、逃げ溝１５２と小径部１５４と面取部１５５とを適用する場合について述べた。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、上記ヒートシンクの雌ねじに螺合させる雄ねじを備えた構造の第４実施の形態〜第６実施の形態における各発光装置に適用しても構わない。
【０１７９】
図１５は、本第６実施の形態の発光装置における他の変形例を示す図である。但し、図１５(a)は上面図であり、図１５(b)は図１５(a)におけるＬ‐Ｌ'矢視断面図であり、図１５(c)は底面図である。尚、本変形例は、図１３に示す締め付け部材１４６を有する発光装置１４１の別形態に関するものである。本変形例では、図１３に示す発光装置１４１と同じ部材には同じ番号を付して説明は省略する。
【０１８０】
図１３では、ランド部に直接導線を接続していたが、図１５ではアノード電極およびカソード電極のランド部上にコネクタ(ポークインコネクタ)を搭載し、このコネクタに外部導線を取り付けて接続している。
【０１８１】
図１５に示す発光装置１６１は、略六角形のＡl基板１４２上に、図１３に示す発光装置１４１と基本的に同じ構成を有する発光部１０６を形成して概略構成されている。アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極のランド部上に搭載されたアノード電極用のコネクタ部１６２，カソード電極のランド部上に搭載されたカソード電極用のコネクタ部１６３，アノード側導電部１１１およびカソード側導電部１１２と、Ａl基板１４２と間には、ジルコニア系セラミック材料から成る絶縁層(図示せず)を設けている。あるいは、Ａl基板１４２上全体にジルコニア系セラミック材料から成る絶縁層を形成し、上記絶縁層の上に、アノード配線パターン１０９，カソード配線パターン１１０，アノード電極用のコネクタ部１６２，カソード電極用のコネクタ部１６３，アノード側導電部１１１，カソード側導電部１１２およびＬＥＤチップ１０３を搭載してもよい。
【０１８２】
但し、上記アノード配線パターン１０９とカソード配線パターン１１０とは、六角形のＡl基板１４２の頭部１４５における互いに対向している二つの平坦面１４５a,１４５a’と対向する位置に形成されている。そして、アノード電極用のコネクタ部１６２とカソード電極用のコネクタ部１６３も、互いに対向している二つの平坦面１４５a,１４５a’と対向する位置に平坦面１４５a,１４５a’と平行に延在して形成されている。つまり、コネクタ部１６２,１６３は、発光部１０６の中心線１８０を挟んで対向する位置に形成されているのである。また、アノード電極用のコネクタ部１６２とカソード電極用のコネクタ部１６３とには、給電用の導線を挿入する差し込み口１６２a,１６３aが設けられている。
【０１８３】
また、上記Ａl基板１４２における発光部１０６の形成面である表面(一方の主面)とは反対側の裏面(他方の主面)側の構成は、図１３に示す発光装置１４１の場合と全く同様である。
【０１８４】
本変形例における発光装置１６１は、図１３に示す発光装置１４１の場合と同様に、略六角形のＡl基板１４２の円形部１４３を、ヒートシンク(図示せず)の発光装置取り付け用の貫通穴に挿通して貫通させる。そして、上記ヒートシンクの上記貫通穴から突出しているＡl基板１４２の円形部１４３に形成された雄ねじ１４４に、締め付け部材１４６の雌ねじ１４８を螺合させる。こうして、締め付け部材１４６をＡl基板１４２に対して締め付けることにより、Ａl基板１４２における略六角形の頭部１４５を上記ヒートシンクの表面に密着させるのである。
【０１８５】
その場合、上記アノード電極用のコネクタ部１６２とカソード電極用のコネクタ部１６３とは、略六角形のＡl基板１４２の頭部１４５における発光部１０６の中心線１８０を挟んで対向する位置に平坦面１４５a,１４５a’に沿って延在して形成されている。したがって、図１６に示すように、発光装置１６１を、アノード電極用のコネクタ部１６２とカソード電極用のコネクタ部１６３とに給電するための導線１６５,１６６の貫通孔１６７,１６８が設けられたヒートシンク１６４に取り付ける場合には、アノード電極用のコネクタ部１６２とカソード電極用のコネクタ部１６３との配列方向が貫通孔１６７,１６８の配列方向と略平行になるように、換言すれば、ヒートシンク１６４の各貫通孔１６７,１６８と各コネクタ部１６２,１６３との距離が略同じに且つ最短になるように、Ａl基板１４２の頭部１４５の位置決めを行う。そして、その位置にＡl基板１４２を固定して締め付け部材１４６を締め付けるようにする。
【０１８６】
こうすることによって、上記ヒートシンク１６４の貫通孔１６７とアノード電極用のコネクタ部１６２との距離と、貫通孔１６８とカソード電極用のコネクタ部１６３との距離とを、アノード側導電部１１１およびカソード側導電部１１２を不必要に長くすることなく略同じに且つ最短に設定することができる。さらに、発光部１０６からの発光を遮光することなく、アノード,カソード電極用のコネクタ部１６２,１６３と導線１６５,１６６との電気的接続が可能になるのである。
【０１８７】
図１７は、本変形例を図１３に示す発光装置１４１に適用した図である。この場合に、ランド部１０７,１０８に直接導線１７０,１７１の剥き出し部１７０a,１７１aが接続されている。この場合も、図１３に示すように、アノード電極のランド部１０７とカソード電極のランド部１０８とは、発光部１０６の中心線１８１を挟んで対向する位置に形成されている。
【０１８８】
尚、本変形例においては、上記頭部１４５の形状が略六角形であるＡl基板１４２を用いているが、必ずしも六角形である必要はない。図１１に示す発光装置１２１のごとく、頭部の側面に互いに対向する二つの平坦面１２５a,１２５bが形成されていても、本変形例を適用することは可能である。
【０１８９】
さらに、上記第１実施の形態〜上記第６実施の形態(変形例も含む)に記載された基板の外形は、上記の形状に限定されるものではなく、任意の閉図形形状を採用することができる。また、上記閉図形形状は、閉図形の周囲が、直線のみ、あるいは、曲線のみで構成された閉図形形状であってもよく、上記閉図形形状は、閉図形の周が、少なくとも一つの直線部および少なくとも一つの曲線部を含む閉図形形状であってもよい。また、上記閉図形形状は、凸図形形状に限定されず、凹図形形状であってもよい。例えば、直線のみで構成された凸多角形形状の例として、三角形、四角形、五角形、八角形等であってもよく、また、任意の凹多角形形状であってもよい。また、曲線のみで構成された閉図形形状の例として、円形形状あるいは楕円形形状であってもよく、凸曲線形状あるいは凹曲線形状等の閉図形形状であってもよい。さらに、少なくとも一つの直線部および少なくとも一つの曲線部を含む閉図形形状の例として、レーストラック形状等であってもよい。
【符号の説明】
【０１９０】
１,２１,３１,５１,７１,８５,８７,９１,
１０１,１２１,１３１,１４１,１５１,１６１…発光装置、
２,２２,３２,５２,７２,９２…セラミック基板、
３,３３,５３,５３a,５３b,７３,１０３…ＬＥＤチップ、
４,３４,５４,７４,１０４…蛍光含有樹脂、
６,２３,３６,５６,７６,９３,１０６…発光部、
７,３７,５７a,５７b…樹脂ダム、
８,３８,５８,１０９…アノード側配線パターン、
９,３９,５９,１１０…カソード側配線パターン、
１０,４０,６２,７７,１０７…アノード電極のランド部、
１１,４１,６３,７８,１０８…カソード電極のランド部、
１２,４２,６４,１１１…アノード側導電部、
１３,４３,６５,１１２…カソード側導電部、
１４,１５,１７,１８,２７,２８,４７,４８,６６,６７,６９…貫通孔、
１６,２６,４６,６８,８１,９５,１６４,１６９…ヒートシンク、
１９,２０,２９,３０,４９,５０,７０…ねじ、
１９a,２０a,２９a,３０a,４９a,５０a,７０a…ねじの頭、
１９b,２０b,７０b…ねじの先端部、
２４,２５,４４,４５…孔、
６０,６１…配線パターン、
７９,１１３,１２３,１５４…小径部、
８０,８６,８９,９４,１１４,１２４,１３４,１４４,１５６…雄ねじ、
８１a,９５a…ヒートシンクの表面、
８２,９６…穴、
８３,９７,１４８…雌ねじ、
８４,１３６…段部、
８８,１１５,１２５…大径部、
９２a…セラミック基板の側面、
９２b…セラミック基板の底面、
９２c…セラミックの表面、
９６a…穴の底面、
１０２…Ｃu基板、
１１５a,１２５a,１２５b,１３５a１４５a,１４６a…平坦面、
１２２,１３２,１４２…Ａl基板、
１３３,１４３…円形部、
１３５,１４５…Ａl基板の頭部、
１４６…締め付け部材、
１４７…貫通穴、
１５２…逃げ溝、
１５３…基部、
１５５…面取部、
１６２…アノード電極用のコネクタ部、
１６３…カソード電極用のコネクタ部、
１６５,１６６,１７０,１７１…導線、
１６７,１６８,１７２,１７３…ヒートシンクの貫通孔。
【図１】
2014061555.tif 000003
【図２】
2014061555.tif 000004
【図３】
2014061555.tif 000005
【図４】
2014061555.tif 000006
【図５】
2014061555.tif 000007
【図６】
2014061555.tif 000008
【図７】
2014061555.tif 000009
【図８】
2014061555.tif 000010
【図９】
2014061555.tif 000011
【図１０】
2014061555.tif 000012
【図１１】
2014061555.tif 000013
【図１２】
2014061555.tif 000014
【図１３】
2014061555.tif 000015
【図１４】
2014061555.tif 000016
【図１５】
2014061555.tif 000017
【図１６】
2014061555.tif 000018
【図１７】
2014061555.tif 000019
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月12日(2015.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの主面と側面とを有する基板と、
上記基板における一方の主面に形成されており、外部導線と電気的に接続するためのアノード電極ランドあるいはアノード電極用コネクタと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、外部導線と電気的に接続するためのカソード電極ランドあるいはカソード電極用コネクタと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、上記アノード電極ランドあるいは上記アノード電極用コネクタが接続されたアノード側配線パターンと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、上記カソード電極ランドあるいは上記カソード電極用コネクタが接続されたカソード側配線パターンと、
上記基板における上記一方の主面上に実装され、上記アノード側配線パターンと上記カソード側配線パターンとに接続された複数の発光ダイオードチップと、上記複数の発光ダイオードチップを封止する樹脂とを有する発光部と、
上記樹脂を堰き止めるための樹脂ダムと、
上記基板の上記側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成されて成るヒートシンク取付部と
を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における他方の主面側の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における上記他方の主面側に形成された小径部の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
上記基板における上記一方の主面側の大径部の側面に、少なくとも一つの平坦面が形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置において、
上記基板における上記大径部の側面には、互いに対向する位置に二つの平坦面が形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項４に記載の発光装置において、
上記基板における上記大径部の横断面は多角形の形状を有しており、
上記平坦面は上記多角形の各辺を構成している
ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項４から請求項６までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部の上記雄ねじに螺合する雌ねじが形成されて、上記大径部との間に上記ヒートシンクを挟持する締め付け部材を備えた
ことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１に記載の発光装置において、
上記アノード電極ランドあるいは上記アノード電極用コネクタと上記カソード電極ランドあるいは上記カソード電極用ランドとは、上記発光部の中心線を挟んで互いに対向する位置に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項２に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における上記他方の主面側に形成された大径部の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板の側面全体に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、
基部と、
上記基部よりも上記基板の上記一方の主面側に形成された逃げ溝と、
上記基部よりも上記基板の他方の主面側に形成された面取部と、
上記基部と上記面取部との間に位置し、上記基部よりも小径である小径部と
を備え、
上記基部と上記小径部とは上記ヒートシンク取り付け用の雄ねじを有し、
上記小径部に形成された雄ねじのねじ山の頂は、上記基部に形成された雄ねじのねじ山の頂よりも小径である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の発光装置において、
上記雄ねじの上面視の外形は、上記樹脂ダムの上面視の外形より、大きいことを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の発光装置において、
上記基板の上記一方の主面は、上記樹脂ダムと上記基板の端との間に上記樹脂で封止されていない領域を備え、
上記アノード電極ランドあるいは上記アノード電極用コネクタと上記カソード電極ランドあるいは上記カソード電極用コネクタとは、上記樹脂で封止されていない領域に配置されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月16日(2015.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの主面と側面とを有する基板と、
上記基板における一方の主面に形成されており、外部導線と電気的に接続するためのアノード電極ランドあるいはアノード電極用コネクタと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、外部導線と電気的に接続するためのカソード電極ランドあるいはカソード電極用コネクタと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、上記アノード電極ランドあるいは上記アノード電極用コネクタが接続されたアノード側配線パターンと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、上記カソード電極ランドあるいは上記カソード電極用コネクタが接続されたカソード側配線パターンと、
上記基板における上記一方の主面上に実装され、上記アノード側配線パターンと上記カソード側配線パターンとに接続された複数の発光ダイオードチップと、上記複数の発光ダイオードチップを封止する樹脂とを有する発光部と、
上記樹脂を堰き止めるための樹脂ダムと、
上記基板の上記側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成されて成るヒートシンク取付部と
を備え、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板の側面全体に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
２つの主面と側面とを有する基板と、
上記基板における一方の主面に形成されており、外部導線と電気的に接続するためのアノード電極ランドあるいはアノード電極用コネクタと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、外部導線と電気的に接続するためのカソード電極ランドあるいはカソード電極用コネクタと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、上記アノード電極ランドあるいは上記アノード電極用コネクタが接続されたアノード側配線パターンと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、上記カソード電極ランドあるいは上記カソード電極用コネクタが接続されたカソード側配線パターンと、
上記基板における上記一方の主面上に実装され、上記アノード側配線パターンと上記カソード側配線パターンとに接続された複数の発光ダイオードチップと、上記複数の発光ダイオードチップを封止する樹脂とを有する発光部と、
上記樹脂を堰き止めるための樹脂ダムと、
上記基板の上記側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成されて成るヒートシンク取付部と
を備え、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における他方の主面側に形成された大径部の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
２つの主面と側面とを有する基板と、
上記基板における一方の主面に形成されており、外部導線と電気的に接続するためのアノード電極ランドあるいはアノード電極用コネクタと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、外部導線と電気的に接続するためのカソード電極ランドあるいはカソード電極用コネクタと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、上記アノード電極ランドあるいは上記アノード電極用コネクタが接続されたアノード側配線パターンと、
上記基板における上記一方の主面に形成されており、上記カソード電極ランドあるいは上記カソード電極用コネクタが接続されたカソード側配線パターンと、
上記基板における上記一方の主面上に実装され、上記アノード側配線パターンと上記カソード側配線パターンとに接続された複数の発光ダイオードチップと、上記複数の発光ダイオードチップを封止する樹脂とを有する発光部と、
上記樹脂を堰き止めるための樹脂ダムと、
上記基板の上記側面に、ヒートシンク取り付け用の雄ねじが形成されて成るヒートシンク取付部と
を備え、
上記雄ねじの上面視の外形は、上記樹脂ダムの上面視の外形より大きい
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における他方の主面側に形成された小径部の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置において、
上記基板における上記一方の主面側の大径部の側面に、少なくとも一つの平坦面が形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、
上記基板における上記大径部の側面には、互いに対向する位置に二つの平坦面が形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５に記載の発光装置において、
上記基板における上記大径部の横断面は多角形の形状を有しており、
上記平坦面は上記多角形の各辺を構成している
ことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項５から請求項７までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部の上記雄ねじに螺合する雌ねじが形成されて、上記大径部との間に上記ヒートシンクを挟持する締め付け部材を備えた
ことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記アノード電極ランドあるいは上記アノード電極用コネクタと上記カソード電極ランドあるいは上記カソード電極用ランドとは、上記発光部の中心線を挟んで互いに対向する位置に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項３に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板における他方の主面側に形成された大径部の側面に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項３に記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、上記基板の側面全体に形成されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項３から請求項９までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記ヒートシンク取付部は、
基部と、
上記基部よりも上記基板の上記一方の主面側に形成された逃げ溝と、
上記基部よりも上記基板の他方の主面側に形成された面取部と、
上記基部と上記面取部との間に位置し、上記基部よりも小径である小径部と
を備え、
上記基部と上記小径部とは上記ヒートシンク取り付け用の雄ねじを有し、
上記小径部に形成された雄ねじのねじ山の頂は、上記基部に形成された雄ねじのねじ山の頂よりも小径である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２までの何れか一つに記載の発光装置において、
上記基板の上記一方の主面は、上記樹脂ダムと上記基板の端との間に上記樹脂で封止されていない領域を備え、
上記アノード電極ランドあるいは上記アノード電極用コネクタと上記カソード電極ランドあるいは上記カソード電極用コネクタとは、上記樹脂で封止されていない領域に配置されていることを特徴とする発光装置。
【国際調査報告】
2014061555.tif 000020
2014061555.tif 000021
2014061555.tif 000022
2014061555.tif 000023
2014061555.tif 000024
2014061555.tif 000025
2014061555.tif 000026
2014061555.tif 000027