(57)【要約】  基板に処理を施す基板処理部と、処理条件を示すレシピを複数記憶する記憶部と、記憶部に記憶されたレシピに基づいて基板処理部を制御し基板に所定の処理を施す主制御部と、主制御部にアクセスするためのユーザインターフェース部とを有する制御部と、を具備した基板処理装置であって、制御部は、基板の処理の結果を測定した測定データと、目標値との差を算出し、当該差が小さくなるようにレシピの処理条件の一部を変更して当該レシピを最適化するレシピ最適化処理手段と、レシピ最適化手段による最適化処理実行中のレシピと関連し一括最適化可能なレシピを記憶部内から検索し、検索されたレシピについて、最適化処理実行中のレシピと同様に処理条件の一部を変更するレシピ一括最適化処理手段と、を具備する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理室内に収容し、前記基板に処理を施す基板処理部と、
処理条件を示すレシピを複数記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶されたレシピに基づいて前記基板処理部を制御し前記基板に所定の処理を施す主制御部と、前記主制御部にアクセスするためのユーザインターフェース部とを有する制御部と、
を具備した基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記基板の処理の結果を測定した測定データと、目標値との差を算出し、当該差が小さくなるように前記レシピの処理条件の一部を変更して当該レシピを最適化するレシピ最適化処理手段と、
前記レシピ最適化手段による最適化処理実行中のレシピと関連し一括最適化可能なレシピを前記記憶部内から検索し、検索されたレシピについて、最適化処理実行中のレシピと同様に処理条件の一部を変更するレシピ一括最適化処理手段と、
を具備する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板処理装置であって、
前記レシピは、前記処理条件として、処理ガスの種類と、処理ガスの流量と、処理温度と、圧力と、処理時間と、を少なくとも含む
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板処理装置であって、
前記レシピ一括最適化処理手段は、処理温度のみが相違する前記レシピを検索し、検索したレシピの処理温度の条件を変更する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３いずれか１項記載の基板処理装置であって、
前記基板は、半導体ウエハ、ＦＰＤ用基板、太陽電池用基板のいずれかである
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１乃至４いずれか１項記載の基板処理装置であって、
前記処理は、成膜処理又はエッチング処理である
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか１項記載の基板処理装置であって、
前記測定データは、成膜処理における膜厚データ、エッチング処理におけるエッチングレートデータのいずれかを含む
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
基板を処理室内に収容し、前記基板に処理を施す基板処理部を有する基板処理装置を制御するための基板処理装置の制御装置であって、
処理条件を示すレシピを複数記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶されたレシピに基づいて前記基板処理部を制御し、前記基板に所定の処理を施す主制御部と、
前記主制御部にアクセスするためのユーザインターフェース部と、
前記基板の処理の結果を測定した測定データと、目標値との差を算出し、当該差が小さくなるように前記レシピの処理条件の一部を変更して当該レシピを最適化するレシピ最適化処理手段と、
前記レシピ最適化処理手段による最適化処理実行中のレシピと関連し一括最適化可能なレシピを前記記憶部内から検索し、検索されたレシピについて、最適化処理実行中のレシピと同様に処理条件の一部を変更するレシピ一括最適化処理手段と、
を具備することを特徴とする基板処理装置の制御装置。
【請求項８】
請求項７記載の基板処理装置の制御装置であって、
前記レシピは、前記処理条件として、処理ガスの種類と、処理ガスの流量と、処理温度と、圧力と、処理時間と、を少なくとも含む
ことを特徴とする基板処理装置の制御装置。
【請求項９】
請求項８記載の基板処理装置の制御装置であって、
前記レシピ一括最適化処理手段は、処理温度のみが相違する前記レシピを検索し、検索したレシピの処理温度の条件を変更する
ことを特徴とする基板処理装置の制御装置。
【請求項１０】
請求項１乃至３いずれか１項記載の基板処理装置の制御装置であって、
前記基板は、半導体ウエハ、ＦＰＤ用基板、太陽電池用基板のいずれかである
ことを特徴とする基板処理装置の制御装置。
【請求項１１】
請求項７乃至１０いずれか１項記載の基板処理装置の制御装置であって、
前記処理は、成膜処理又はエッチング処理である
ことを特徴とする基板処理装置の制御装置。
【請求項１２】
請求項７乃至１１いずれか１項記載の基板処理装置の制御装置であって、
前記測定データは、成膜処理における膜厚データ、エッチング処理におけるエッチングレートデータのいずれかを含む
ことを特徴とする基板処理装置の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び基板処理装置の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、ＦＰＤ（Flat Panel Display）、太陽電池等の製造工程では、半導体ウエハ、ＦＰＤ用基板、太陽電池用基板等の基板を、バッチ処理又は枚葉処理する各種の基板処理装置、例えば、熱処理装置、エッチング装置、成膜装置等が用いられている。例えば、半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板を加熱して処理、例えばＣＶＤ膜の形成、熱酸化膜の形成等の処理を行う熱処理装置が使用されている。このような熱処理装置としては、立設され、下側に開口部を有し外側にヒータが配設された円筒状の反応管（プロセスチューブ）内に、複数の半導体ウエハを挿入してバッチ式で熱処理を行う縦型熱処理装置が知られている。このバッチ式の縦型熱処理装置では、石英等からなり、ウエハボートと称される基板保持具に、半導体ウエハを、間隔を設けて棚状に積層配置し、下側の開口部から反応管内に半導体ウエハを挿入する。【０００３】
また、上記の縦型熱処理装置では、半導体ウエハ等の熱処理を行う際の処理条件は、予め複数のレシピに設定されており、制御装置の記憶部等に記憶されたレシピを選択して、所望の処理を施すようになっている。なお、レシピに設定された処理条件としては、例えば、処理ガスの種類、処理ガスの流量、処理温度、圧力、処理時間等である。【０００４】
このような縦型熱処理装置では、例えば、ＣＶＤ膜を形成する場合や熱酸化膜を形成する場合、レシピに設定された目標膜厚に精度良く一致した膜厚の膜を形成することが求められる。このため、実際にレシピを実施して形成したＣＶＤ膜等の膜厚を測定し、目標膜厚との差を算出してこの差を少なくするプロセス条件を最適化計算によって求め、レシピを修正して最適化することが行われている（例えば、特許文献１参照。）。【０００５】
しかしながら、１台の熱処理装置で実施する熱処理の種類は、例えば、膜種や膜厚毎に多数有り、必要なレシピの数も多くなる。一方、レシピの最適化を行う作業には時間がかかり、１つのレシピを実行し、膜厚測定、最適化計算等を実施して最適化するためには、例えば４時間程度の時間を要し、多数のレシピを最適化するためには多くの時間を必要とする。【０００６】
また、レシピの作成時に、変更する可能性のあるデータをプロセスパラメータとして定義しておき、レシピを変更する際に、プロセスパラメータを一括して呼び出し、変更できるようにしてレシピの変更を効率的に行えるようにすることが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−０９１８２６号公報
【特許文献２】特開平５−２８３３０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したように、従来からレシピを修正して最適化することが行われている。しかしながら、１台の基板処理装置、例えば熱処理装置で実施する熱処理の種類は、例えば、膜種や膜厚毎に多数有り、必要なレシピの数も多くなる。一方、レシピの最適化を行う作業には時間がかかり、１つのレシピを実行し、膜厚測定、最適化計算等を実施して最適化するためには、例えば４時間程度の時間を要する。このため、多数のレシピを最適化するためには多くの時間を必要とし、生産性向上の妨げとなるという問題があった。なお、予め、変更する可能性のあるデータをプロセスパラメータとして定義しておき、レシピを変更する際に、プロセスパラメータを一括して呼び出して変更する技術においても、1つずつレシピを最適化する必要がある点は同様であり、多数のレシピを最適化するためには多くの時間を必要とする。【０００９】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたものであり、従来に比べてレシピの最適化に要する時間を短縮することができ、生産性の向上を図ることのできる基板処理装置及び基板処理装置の制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の基板処理装置の一態様は、基板を処理室内に収容し、前記基板に処理を施す基板処理部と、処理条件を示すレシピを複数記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶されたレシピに基づいて前記基板処理部を制御し前記基板に所定の処理を施す主制御部と、前記主制御部にアクセスするためのユーザインターフェース部とを有する制御部と、を具備した基板処理装置であって、前記制御部は、前記基板の処理の結果を測定した測定データと、目標値との差を算出し、当該差が小さくなるように前記レシピの処理条件の一部を変更して当該レシピを最適化するレシピ最適化処理手段と、前記レシピ最適化手段による最適化処理実行中のレシピと関連し一括最適化可能なレシピを前記記憶部内から検索し、検索されたレシピについて、最適化処理実行中のレシピと同様に処理条件の一部を変更するレシピ一括最適化処理手段と、を具備することを特徴とする。【００１１】
本発明の基板処理装置の制御装置の一態様は、基板を処理室内に収容し、前記基板に処理を施す基板処理部を有する基板処理装置を制御するための基板処理装置の制御装置であって、処理条件を示すレシピを複数記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶されたレシピに基づいて前記基板処理部を制御し、前記基板に所定の処理を施す主制御部と、前記主制御部にアクセスするためのユーザインターフェース部と、前記基板の処理の結果を測定した測定データと、目標値との差を算出し、当該差が小さくなるように前記レシピの処理条件の一部を変更して当該レシピを最適化するレシピ最適化処理手段と、前記レシピ最適化処理手段による最適化処理実行中のレシピと関連し一括最適化可能なレシピを前記記憶部内から検索し、検索されたレシピについて、最適化処理実行中のレシピと同様に処理条件の一部を変更するレシピ一括最適化処理手段と、を具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、従来に比べてレシピの最適化に要する時間を短縮することができ、生産性の向上を図ることのできる基板処理装置及び基板処理装置の制御装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る縦型熱処理装置の縦断面構成を模式的に示す図。
【図２】レシピの最適化の例を説明するための図。
【図３】図１の縦型熱処理装置の動作を説明するためのフローチャート。
【図４】ユーザインターフェース部における操作画面の例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は、本発明の基板処理装置の一実施形態に係る縦型熱処理装置１００の縦断面概略構成を模式的に示す図である。
【００１６】
図１に示すように、縦型熱処理装置１００は、半導体ウエハ等の基板を熱処理するための基板処理部１１０と、基板処理部１１０等の動作を制御するための制御部１２０とを具備している。
【００１７】
基板処理部１１０は、石英等からなる円筒状の内管２ａと、内管２ａの外側に配設され、上側が閉塞された円筒状の外管２ｂとを具備した二重管構造の反応管２を備えている。反応管２の下側には、金属製で円筒状のマニホールド２１が配設されている。マニホールド２１の下側は、半導体ウエハ等を反応管２内に搬入、搬出するための開口部とされており、この開口部を蓋体２４によって塞ぐようになっている。
【００１８】
内管２ａは、外管２ｂの内側に、外管２ｂと同軸上に位置するようにマニホールド２１の内側で支持されている。外管２ｂは、その下端がマニホールド２１の上端に気密に接合されている。
【００１９】
反応管２内には、基板保持具であるウエハボート２３が配置されている。このウエハボート２３は、石英等からなり、蓋体２４の上に保温筒（断熱体）２５を介して保持されている。ウエハボート２３には、熱処理を施す多数枚の半導体ウエハ（製品ウエハ）Ｗ、及び複数枚（本実施形態では、５枚）のモニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５（図１中には、Ｗｍ１、Ｗｍ３、Ｗｍ５のみ図示）が配置される。
【００２０】
蓋体２４は、ウエハボート２３を反応管２内に搬入、搬出するための上下動するボートエレベータ２６の上に配設されている。蓋体２４は、ボートエレベータ２６によって上昇され、その上限位置にあるときに、マニホールド２１の下端開口部、即ち反応管２とマニホールド２１とで構成される反応管の下側開口部を閉塞するようになっている。
【００２１】
反応管２の周囲には、例えば抵抗加熱体等からなるヒータ３が設けられている。ヒータ３は、反応管２の管軸方向に沿って５分割されたヒータ３１〜３５から構成されており、各ヒータ３１〜３５は、電力制御器４１〜４５により独立して発熱量を制御できるようになっている。上記のように、本実施形態では、反応管２、マニホールド２１、ヒータ３等によって加熱炉が構成されている。
【００２２】
内管２ａの内壁には，ヒータ３１〜３５に対応して、熱電対等からなる内側温度センサＳ１ｉｎ〜Ｓ５ｉｎが設置されている。また，外管２ｂの外壁にはヒータ３１〜３５に対応して、熱電対等からなる外側温度センサＳ１ｏｕｔ〜Ｓ５ｏｕｔが設置されている。
【００２３】
内管２ａの内部は、ヒータ３１〜３５に対応して、５つの領域（ゾーン１〜５）に区分されていると考えることができる。なお、反応管２内のウエハボート２３に載置された半導体ウエハＷの全体は、１つのバッチを構成し、一緒に熱処理（バッチ処理）される。
【００２４】
本実施形態では，各ゾーン１〜５の夫々に、モニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５が載置されている。但し、一般的には，ゾーンの個数とモニタウエハＷｍの枚数が一致しなくても差し支えない。例えば、５つのゾーンに、１０枚、あるいは３枚のモニタウエハＷｍを配置することも可能である。ゾーンの個数とモニタウエハＷｍの個数が一致しなくても、設定温度プロファイルの最適化が可能である。
【００２５】
マニホールド２１には、内管２ａ内にガスを供給するために複数のガス供給管が設けられており、図１では便宜上２本のガス供給管５１，５２を示してある。各ガス供給管５１，５２には、ガス流量をそれぞれ調整するための例えばマスフローコントローラなどの流量調整部６１，６２やバルブ（図示せず）などが介設されている。
【００２６】
またマニホールド２１には、内管２ａと外管２ｂとの隙間から排気するように排気管２７の一端が接続されており、この排気管２７の他端は、図示しない真空ポンプに接続されている。排気管２７の途中には、反応管２内の圧力を調整するための機構として、例えばバタフライバルブやバルブ駆動部などを含む圧力調整部２８が設けられている。
【００２７】
制御部１２０は、主制御部１２１と、ユーザインターフェース部１２２と、記憶部１２３とを具備している。主制御部１２１は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)等を有するコンピュータ等から構成され、基板処理部１１０の各部に制御信号を送出して基板処理部１１０の動作を統括的に制御する。また、ユーザインターフェース部１２２は、作業員がコマンドの入力操作を行うキーボードや、熱処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
【００２８】
記憶部１２３は、ハードディスク又は半導体メモリ等からなり、基板処理部１１０で実行される各種処理を主制御部１２１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）、及び基板処理部１１０において実施される複数のレシピが格納されている。
【００２９】
レシピは、例えば、成膜を行う膜の種類及び膜厚毎に予め作成され、この場合、処理条件としては、少なくとも、ガス種及びガス流量、圧力、温度、処理時間がレシピに規定されている。また、ウエハボート２３を回転させながら熱処理を行う場合は、ウエハボート２３の回転速度もレシピ中に規定される。
【００３０】
また、本実施形態では、主制御部１２１は、レシピ最適化手段としてのレシピ最適化処理部１２１ａと、レシピ一括最適化手段としてのレシピ一括最適化処理部１２１ｂとを具備している。レシピ最適化処理部１２１ａ及びレシピ一括最適化処理部１２１ｂの詳細については、後述する。なお、図１には図示していないが、縦型熱処理装置１００の近傍には、モニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５に形成されたＣＶＤ膜等の膜厚を測定するための膜厚測定装置が配設されており、膜厚測定装置からの膜厚測定データは、主制御部１２１のレシピ最適化処理部１２１ａに入力されるようになっている。
【００３１】
そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部１２２からの指示等にて任意のレシピを記憶部１２３から呼び出して主制御部１２１に実行させることで、主制御部１２１の制御下で、熱処理装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムやレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３２】
次に、上記構成の縦型熱処理装置１００における半導体ウエハＷの処理とレシピ最適化処理について図面を参照しながら説明する。
【００３３】
縦型熱処理装置１００において半導体ウエハＷに成膜処理を施す場合、前述したとおり、予め、インターフェース部１２２等から、記憶部１２３内のレシピを選択し、実行する熱処理の条件を設定しておく。この場合、例えばＣＶＤ膜を形成する場合は、形成するＣＶＤ膜の膜種と膜厚を選択することによって、この膜種と膜厚のＣＶＤ膜を形成することのできるレシピを指定することができる。そして、フープ又はカセットから未処理の半導体ウエハが移載されたウエハボート２３を、ボートエレベータ２６によって反応管２内に搬入する。
【００３４】
この後、主制御部１２１は、設定されているレシピに従って、ヒータ３による加熱温度、反応管２内の圧力、反応管２内に供給するガスのガス種及びガス流量を制御し、半導体ウエハＷに所定の処理、例えばＣＶＤ膜の形成を行う。
【００３５】
そして，熱処理が終了すると，反応管２内を不活性ガス雰囲気にして所定温度（例えば３００℃）まで降温し、反応管２内からウエハボート２３を搬出し，その後，ウエハボート２３から処理済みウエハを搬出してフープ又はカセットに戻す。また、モニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５については、膜厚測定装置（図示せず。）に搬送し、複数点（例えば９点（中心部１点、周縁部４点、中間部４点））において膜厚を測定する。すなわち、基板の処理の結果を測定した測定データを得る。この場合、本実施形態のように処理が成膜処理の場合は、成膜処理の結果の膜厚測定データを取得し、エッチング処理の場合は、例えばエッチング処理の結果のエッチングレートデータ等を取得する。
【００３６】
レシピ最適化処理を実施する場合、ユーザインターフェース部１２２からの指示等により、主制御部１２１において、レシピ最適化処理部１２１ａを起動して、レシピ最適化処理を実施する。このレシピ最適化処理では、図３に示すように、まず膜厚測定データを膜厚測定装置から取得する（ステップ３０１）。
【００３７】
次に、取得した膜厚測定データにおける膜厚測定値と、目標膜厚値との差を算出し（ステップ３０２）、差が所定値以下（許容範囲内）か否かを判定し（ステップ３０３）、差が所定値以下（許容範囲内）の場合は処理を終了する。
【００３８】
一方、差が所定値以上（許容範囲外）の場合、変更する処理条件を算出する（ステップ３０４）。例えば、目標膜厚値１００ｎｍである図２に示すレシピＡを実行し、膜厚測定値が１００ｎｍより小さく、膜厚が薄い場合、目標膜厚値が得られる設定温度が算出される。
【００３９】
この場合、例えば、予め設定温度を１．０００℃上げた場合に、形成されるＣＶＤ膜の膜厚がどれだけ変化するのかを実測すること等によって調査し、設定温度と膜厚との関係式を得ておくことによって、目標膜厚値が得られる設定温度を算出することができる。単純化して説明すると、例えば、温度を１．０００℃上げると膜厚が５ｎｍ厚くなるという関係が有る場合、上記した差がマイナス１ｎｍ、つまり実測した膜厚値が目標膜厚値より１ｎｍ薄い場合は、「プラス０．２００℃」という設定温度が算出される。図２に示す例では、レシピＡを実行し、膜厚が０．９４５ｎｍ薄い場合であり、「プラス０．１８９℃」という設定温度が算出され、レシピＡの設定温度である６８１．０００℃を、６８１．１８９℃に変更することによって、レシピの最適化が実施される。
【００４０】
次に、一括最適化可能な他のレシピを検索して一括最適化を実施するか否かを判断する（ステップ３０５）。本実施形態では、レシピの一括最適化を実施するか否かは、作業者がその都度選択できるようになっており、例えば、図４に示す表示画面例のように、ステップ３０４において算出した結果を、最適化を実行した「実行レシピにのみ反映」させるか、「実行レシピおよび一括最適化可能な他のレシピに反映」させるかを選択するための選択画面が表示される。なお、図４に示す表示画面例では、「一括展開リスト」が選択されると、一括最適化可能な他のレシピが検索されそのリスト（例えば、レシピＢとレシピＣ）が表示される
【００４１】
そして、実行レシピにのみ反映させる場合は、その実行レシピのみを変更し、最適化して（ステップ３０６）、処理を終了する（ステップ３０７）。
【００４２】
一方、一括最適化可能な他のレシピの一括最適化を実施する場合は、レシピ一括最適化処理部１２１ｂが起動される。そして、一括最適化可能な他のレシピを検索し（ステップ３０８）、検索した他のレシピを変更して最適化を行い（ステップ３０９）、処理を終了する（ステップ３０７）。
【００４３】
一括最適化可能な他のレシピは、例えば、図２に示すレシピＡ、レシピＢ、レシピＣのように、処理温度のみが相違し、その他の処理条件（処理ガス、ガス流量、圧力、処理時間）が同一のレシピ等である。すなわち、図２に示す例では、レシピＡは、目標膜厚が１００ｎｍで処理温度（設定温度）が６８１．０００℃であり、レシピＢは、目標膜厚が１０５ｎｍで処理温度（設定温度）が６８２．０００℃であり、レシピＣは、目標膜厚が１１０ｎｍで処理温度（設定温度）が６８３．０００℃であり、その他の処理条件が同一である。
【００４４】
上記の一括最適化を実施した場合は、図２に示すように、最適化処理を実施した実行レシピがレシピＡの場合、一括最適化可能な他のレシピＢ、レシピＣの内容も変更される。すなわち、レシピＡの設定温度が６８１．０００℃から６８１．１８９℃に変更され、これと同様に、レシピＢの設定温度が６８２．０００℃から６８２．１８９℃に、レシピＣの設定温度が６８３．０００℃から６８３．１８９℃に変更される。
【００４５】
以上のとおり、本実施形態では、最適化処理を実施した実行レシピだけでなく、一括最適化可能な他のレシピを一括して最適化することができる。したがって、例えば、図２に示したとおり、レシピＡ、レシピＢ、レシピＣの３つのレシピを最適化するのに、レシピＡを最適化するのに要する時間のみで、したがって従来の１／３の時間でレシピを最適化することができる。
【００４６】
なお、上記の例では１点の温度のみについて説明したが、前述したとおり、膜厚測定は、複数、本実施形態では５枚のモニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５において実施される。したがって、１つのレシピを最適化する場合、５点の温度について最適化が実施される。
【００４７】
縦型熱処理装置１００によって同じレシピで半導体ウエハ上に薄膜を形成する成膜処理を連続して繰り返し実行すると、薄膜の膜厚は、縦型熱処理装置１００の特性の劣化が進んだり、反応管２内の状態が変化することによって徐々に変化する傾向にある。また、部品交換などのメンテナンスによって縦型熱処理装置１００の状態が改善されて変化する場合もある。このため、初めに設定したレシピで成膜処理を連続して繰り返していくうちに、半導体ウエハ上に形成された薄膜の膜厚と目標膜厚値とのずれ（膜厚差）が生じる。このような場合に、レシピの最適化を実施する。
【００４８】
また、新しい縦型熱処理装置１００を立ち上げる際等においても、スタンダードなレシピを、その装置の特性に合わせて最適化するために、上述したようなレシピの最適化を実施する。
【００４９】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００５０】
例えば、上記実施形態では、本発明を、半導体ウエハをバッチ処理する熱処理装置に適用した場合について説明したが、本発明は上記実施形態に限らず、各種の基板処理装置に適用することができる、例えば、本発明は、基板を枚葉処理する基板処理装置（例えば、枚葉成膜装置、枚葉エッチング装置等）等に適用することができ、また、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板や太陽電池用基板を処理する基板処理装置等にも適用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１００……縦型熱処理装置、１１０……基板処理部、１２０……制御部、１２１……主制御部、１２２……ユーザインターフェース部、１２３……記憶部、２……反応管、３……ヒータ。
【図１】
2014068981.tif 000003
【図２】
2014068981.tif 000004
【図３】
2014068981.tif 000005
【図４】
2014068981.tif 000006
【国際調査報告】
2014068981.tif 000007
2014068981.tif 000008