【手続補正書】
【提出日】平成27年4月22日(2015.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のｎ型領域（１８）と、
前記第１のｎ型領域（１８）の下に配された第１のｐ型領域（ＰＲ）と、
前記第１のｐ型領域（ＰＲ）の下に配されたｎ型埋め込み層を構成する第２のｎ型領域（１０）と、
前記第１のｎ型領域（１８）に隣接して配置された素子分離領域（９）と、
前記素子分離領域（９）の少なくとも下側部分を覆う第３のｎ型領域（８）と、
浮遊拡散部を構成する第２のｐ型領域（ＦＤ）と、
ゲート（１０５）と、
第４のｎ型領域（１６）と、
前記第３のｎ型領域（８）と前記第２のｎ型領域（１０）との間に配置され、ポテンシャル障壁を形成する領域（１１）とを含み、
前記第１のｎ型領域（１８）、前記第１のｐ型領域（ＰＲ）および前記第２のｎ型領域（１０）によって埋め込み型のフォトダイオードが構成され、前記第１のｎ型領域（１８）の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域（１０）の主要不純物の拡散係数より小さく、
前記第１のｐ型領域（ＰＲ）は、第１領域（１５）と、少なくとも一部が前記第１領域（１５）と前記第２のｎ型領域（１０）との間に配置された第２領域（１’）とを含み、前記第１領域（１５）のｐ型不純物の濃度が前記第２領域のｐ型不純物の濃度よりも高く、
前記ゲート（１０５）は、前記第１領域（１５）と前記第２のｐ型領域（ＦＤ）との間の領域の上に配置され、
前記第４のｎ型領域（１６）は、前記第２領域（１’）と前記第２のｐ型領域（ＦＤ）とを分離するように配置され、前記第１のｐ型領域（ＰＲ）、前記第２のｐ型領域（ＦＤ）、前記第４のｎ型領域（１６）および前記ゲート（１０５）によって前記第１のｐ型領域（ＰＲ）に蓄積された正孔を前記第２のｐ型領域（ＦＤ）に転送する転送トランジスタが構成され、前記転送トランジスタのチャネルが前記第４のｎ型領域（１６）が形成され、
前記第２領域（１’）は、前記第１領域（１５）の下側に位置する部分、および、前記第１領域（１５）と前記第４のｎ型領域（１６）との間に位置する部分を含み、
前記第３のｎ型領域（８）の主要不純物の拡散係数が前記ポテンシャル障壁を形成する前記領域（１１）の一部の主要不純物の拡散係数より小さく、
前記ポテンシャル障壁を形成する前記領域（１１）は、前記第２領域（１’）を囲むように配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１のｎ型領域の主要不純物が砒素であり、前記第２のｎ型領域の主要不純物が燐であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２のｎ型領域（１０）は、チャネリング現象を利用したイオン注入によって形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
裏面照射型の光電変換装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第３のｎ型領域（８）の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域（１０）の主要不純物の拡散係数より小さいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
第１のｎ型領域（１８）と、
前記第１のｎ型領域（１８）の下に配されたｐ型領域（ＰＲ）と、
前記ｐ型領域（ＰＲ）の下に配されたｎ型埋め込み層を構成する第２のｎ型領域（１０）と、
前記第１のｎ型領域（１０）に隣接して配置された素子分離領域（９）と、
前記素子分離領域（９）の少なくとも下側部分を覆う第３のｎ型領域（８）と、
前記第３のｎ型領域（８）と前記第２のｎ型領域（１０）との間に配置され、ポテンシャル障壁を形成する領域（１１）とを含み、
前記第１のｎ型領域（１８）、前記ｐ型領域（ＰＲ）および前記第２のｎ型領域（１０）によって埋め込み型のフォトダイオードが構成され、
前記ｐ型領域（ＰＲ）は、第１領域（１５）と、少なくとも一部が前記第１領域（１５）と前記第２のｎ型領域（１０）との間に配置された第２領域（１’）とを含み、
前記第３のｎ型領域（８）の主要不純物が砒素であり、前記ポテンシャル障壁を形成する前記領域（１１）の一部の主要不純物がリンであり、前記ｎ型埋め込み層（１０）の主要不純物がリンであり、
前記第１領域（１５）のｐ型不純物の濃度が前記第２領域（１’）のｐ型不純物の濃度よりも高く、
前記ポテンシャル障壁を形成する前記領域（１１）は、前記第２領域（１’）を囲むように配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
第１のｎ型領域（１８）と、
前記第１のｎ型領域（１８）の下に配された第１のｐ型領域（ＰＲ）と、
前記第１のｐ型領域（ＰＲ）の下に配されたｎ型埋め込み層を構成する第２のｎ型領域（１０）と、
前記第１のｎ型領域（１８）に隣接して配置された素子分離領域（９）と、
前記素子分離領域（９）の少なくとも下側部分を覆う第３のｎ型領域（８）と、
浮遊拡散部を構成する第２のｐ型領域（ＦＤ）と、
ゲート（１０５）と、
第４のｎ型領域（１６）と、
前記第３のｎ型領域（８）と前記第２のｎ型領域（１０）との間に配置され、ポテンシャル障壁を形成する領域（１１）とを含み、  前記第１のｎ型領域（１８）、前記第１のｐ型領域（ＰＲ）および前記第２のｎ型領域（１０）によって埋め込み型のフォトダイオードが構成され、
前記第１のｐ型領域（ＰＲ）は、第１領域（１５）と、少なくとも一部が前記第１領域（１５）と前記第２のｎ型領域（１０）との間に配置された第２領域（１’）とを含み、前記第１領域（１５）のｐ型不純物の濃度が前記第２領域のｐ型不純物の濃度よりも高く、
前記ゲート（１０５）は、前記第１領域（１５）と前記第２のｐ型領域（ＦＤ）との間の領域の上に配置され、
前記第４のｎ型領域（１６）は、前記第２領域（１’）と前記第２のｐ型領域（ＦＤ）とを分離するように配置され、前記第１のｐ型領域（ＰＲ）、前記第２のｐ型領域（ＦＤ）、前記第４のｎ型領域（１６）および前記ゲート（１０５）によって前記第１のｐ型領域（ＰＲ）に蓄積された正孔を前記第２のｐ型領域（ＦＤ）に転送する転送トランジスタが構成され、前記転送トランジスタのチャネルが前記第４のｎ型領域（１６）が形成され、
前記第２領域（１’）は、前記第１領域（１５）の下側に位置する部分、および、前記第１領域（１５）と前記第４のｎ型領域（１６）との間に位置する部分を含み、  前記ポテンシャル障壁を形成する前記領域（１１）は、前記第２領域（１’）を囲むように配されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光電変換装置およびカメラ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光電変換装置およびカメラに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面は、光電変換装置に係り、前記光電変換装置は、第１のｎ型領域（１８）と、前記第１のｎ型領域（１８）の下に配された第１のｐ型領域（ＰＲ）と、前記第１のｐ型領域（ＰＲ）の下に配されたｎ型埋め込み層を構成する第２のｎ型領域（１０）と、前記第１のｎ型領域（１８）に隣接して配置された素子分離領域（９）と、前記素子分離領域（９）の少なくとも下側部分を覆う第３のｎ型領域（８）と、浮遊拡散部を構成する第２のｐ型領域（ＦＤ）と、ゲート（１０５）と、第４のｎ型領域（１６）と、前記第３のｎ型領域（８）と前記第２のｎ型領域（１０）との間に配置され、ポテンシャル障壁を形成する領域（１１）とを含み、前記第１のｎ型領域（１８）、前記第１のｐ型領域（ＰＲ）および前記第２のｎ型領域（１０）によって埋め込み型のフォトダイオードが構成され、前記第１のｎ型領域（１８）の主要不純物の拡散係数が前記第２のｎ型領域（１０）の主要不純物の拡散係数より小さく、前記第１のｐ型領域（ＰＲ）は、第１領域（１５）と、少なくとも一部が前記第１領域（１５）と前記第２のｎ型領域（１０）との間に配置された第２領域（１’）とを含み、前記第１領域（１５）のｐ型不純物の濃度が前記第２領域のｐ型不純物の濃度よりも高く、前記ゲート（１０５）は、前記第１領域（１５）と前記第２のｐ型領域（ＦＤ）との間の領域の上に配置され、前記第４のｎ型領域（１６）は、前記第２領域（１’）と前記第２のｐ型領域（ＦＤ）とを分離するように配置され、前記第１のｐ型領域（ＰＲ）、前記第２のｐ型領域（ＦＤ）、前記第４のｎ型領域（１６）および前記ゲート（１０５）によって前記第１のｐ型領域（ＰＲ）に蓄積された正孔を前記第２のｐ型領域（ＦＤ）に転送する転送トランジスタが構成され、前記転送トランジスタのチャネルが前記第４のｎ型領域（１６）が形成され、前記第２領域（１’）は、前記第１領域（１５）の下側に位置する部分、および、前記第１領域（１５）と前記第４のｎ型領域（１６）との間に位置する部分を含み、前記第３のｎ型領域（８）の主要不純物の拡散係数が前記ポテンシャル障壁を形成する前記領域（１１）の一部の主要不純物の拡散係数より小さく、前記ポテンシャル障壁を形成する前記領域（１１）は、前記第２領域（１’）を囲むように配されている。