(57)【要約】本発明のハニカム乾燥体の切断方法は、押出成形機からセラミック原料を連続的に押出成形することにより、流体の流路となる複数のセルを区画形成するセル隔壁を備える未切断のハニカム成形体を作製する成形工程と、上記未切断のハニカム成形体を乾燥させることにより、未切断のハニカム乾燥体を作製する乾燥工程と、上記未切断のハニカム乾燥体を所定の長さに切断する切断工程とを含み、上記成形工程、上記乾燥工程及び上記切断工程をこの順序で連続的に行い、上記切断工程では、切断部材の移動速度を上記成形工程における上記ハニカム成形体の移動速度に同期させることにより、上記未切断のハニカム乾燥体を切断することを特徴とする。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
押出成形機からセラミック原料を連続的に押出成形することにより、流体の流路となる複数のセルを区画形成するセル隔壁を備える未切断のハニカム成形体を作製する成形工程と、
前記未切断のハニカム成形体を乾燥させることにより、未切断のハニカム乾燥体を作製する乾燥工程と、
前記未切断のハニカム乾燥体を所定の長さに切断する切断工程とを含み、
前記成形工程、前記乾燥工程及び前記切断工程をこの順序で連続的に行い、
前記切断工程では、切断部材の移動速度を前記成形工程における前記ハニカム成形体の移動速度に同期させることにより、前記未切断のハニカム乾燥体を切断することを特徴とするハニカム乾燥体の切断方法。
【請求項２】
前記成形工程において、前記押出成形機から押出成形されるハニカム成形体の移動速度を速度センサーにより計測し、
前記切断工程において、前記未切断のハニカム乾燥体が移動する方向と平行な方向へ前記切断部材が移動する速度を、前記速度センサーにより計測される移動速度と同一にする請求項１に記載のハニカム乾燥体の切断方法。
【請求項３】
前記切断工程では、ウォータージェットを用いて、前記未切断のハニカム乾燥体を切断する請求項１又は２に記載のハニカム乾燥体の切断方法。
【請求項４】
前記切断工程において、ウォータージェットの噴射ノズルが移動する方向と前記未切断のハニカム乾燥体が移動する方向とがなす角をφ、前記未切断のハニカム乾燥体が移動する速度をＶ１、前記噴射ノズルが移動する速度をＶ２’とするとき、Ｖ２’＝Ｖ１／ｃｏｓφである請求項３に記載のハニカム乾燥体の切断方法。
【請求項５】
前記乾燥工程では、高周波誘電乾燥により、前記未切断のハニカム成形体を乾燥させる請求項１〜４のいずれかに記載のハニカム乾燥体の切断方法。
【請求項６】
前記ハニカム乾燥体の水分率は、０〜６質量％である請求項１〜５のいずれかに記載のハニカム乾燥体の切断方法。
【請求項７】
前記ハニカム乾燥体の開口率は、６０〜９０％である請求項１〜６のいずれかに記載のハニカム乾燥体の切断方法。
【請求項８】
流体の流路となる複数のセルを区画形成するセル隔壁を備えるハニカム焼成体からなるハニカム構造体の製造方法であって、
請求項１〜７のいずれかに記載のハニカム乾燥体の切断方法により得られた所定の長さを有するハニカム乾燥体を焼成することにより、ハニカム焼成体を作製する焼成工程を含むことを特徴とするハニカム構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハニカム乾燥体の切断方法、及び、ハニカム構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
バス、トラック、乗用車等の車両及び建設機械等の内燃機関から排出される排ガス中に含有されるスス等のパティキュレート（以下、ＰＭともいう）が周囲の環境又は人体に害を及ぼすことが最近問題となっている。
そこで、排ガス中のＰＭを捕集し、排ガスを浄化するフィルタとして、多孔質セラミックからなるハニカム構造体が種々提案されている。【０００３】
以下、ハニカム構造体の製造方法の一例について説明する。
まず、セラミック粉末とバインダと分散媒液等とを混合して湿潤混合物（セラミック原料）を調製する。そして、この湿潤混合物を連続的に押出成形し、押出成形された未切断の成形体をワイヤー等を用いて所定の長さに切断することにより、角柱形状のハニカム成形体を作製する。【０００４】
次に、得られたハニカム成形体を乾燥させる。その後、所定のセルに目封じを施し、セルのいずれかの端部が封止された状態とした後、脱脂処理及び焼成処理を施し、ハニカム焼成体を作製する。【０００５】
この後、ハニカム焼成体の側面にシール材ペーストを塗布し、ハニカム焼成体同士を接着させることにより、シール材層（接着材層）を介してハニカム焼成体が複数個結束した状態のハニカム焼成体の集合体を作製する。次に、得られたハニカム焼成体の集合体に対して、円柱状等の所定の形状に切削加工を施してセラミックブロックを形成する。最後に、セラミックブロックの外周にシール材ペーストを塗布してシール材層（外周コート層）を形成することにより、ハニカム構造体を製造することができる。【０００６】
特許文献１には、セラミック原料を成形してハニカム成形体を作製し、ハニカム成形体に乾燥処理を施した後、切断ディスク（ブレード）を用いてハニカム成形体の両端を切断する技術が開示されている。【０００７】
また、特許文献２には、成形体切断装置を用いてセラミック成形体を切断する技術が開示されている。特許文献２に記載の成形体切断装置は、押出成形された未切断の柱状のセラミック成形体を搬送する第一の搬送部材と、セラミック成形体を所定の長さに切断する切断部材と、切断されたセラミック成形体を搬送する第二の搬送部材とを備えており、セラミック成形体を切断する前は、第一の搬送部材の搬送速度と、切断部材の平行方向への移動速度とが略同一であり、セラミック成形体を切断した後は、第一の搬送部材の搬送速度、切断部材の平行方向への移動速度、及び、第二の搬送部材の搬送速度が後者ほど速いことを特徴としている。【０００８】
さらに、特許文献３には、押出成形機で連続的に成形品を成形し、上記成形品を成形品の押出し速度と等速で搬送し、搬送された上記成形品を、可動可能な噴射ノズルを備えたウォータージェット切断機により切断する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００７−３２０３１２号公報
【特許文献２】特開２００８−１６８６０９号公報
【特許文献３】特開２００４−３５８８４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献２に記載されているように、切断部材（ワイヤー）の平行方向への移動速度をセラミック成形体（ハニカム成形体）の成形速度と略同一にして切断しても、切断後のハニカム成形体の端面の上端が下方に向けて曲がってしまう変形が生じる場合がある。
また、ハニカム成形体は、乾燥により収縮する場合がある。
そのため、特許文献１に記載されているように、乾燥後のハニカム成形体の端面を切断することにより、変形が生じた部分を除去する必要がある。また、乾燥後のハニカム成形体の端面を切断することにより、乾燥後のハニカム成形体の長さを調整することもできるが、ハニカム構造体を製造するための全体の工程が長い、及び、材料の損失が大きい等の問題があった。【００１１】
また、特許文献１に記載の従来の方法を用いて、開口率が７５％以上のハニカム成形体を作製する場合、押し出された未切断の成形体は、自重により座屈してしまい、ハニカム形状を維持することができなくなるという問題が発生することが判明した。
さらに、成形体の切断時における振動、又は、成形体を乾燥させるまでの搬送時における振動等により、ハニカム形状が崩れてしまうという問題が発生することも判明した。【００１２】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、ハニカム構造体を製造するための全体の工程を簡略化することができ、材料の損失を低減することができるハニカム乾燥体の切断方法、及び、ハニカム構造体の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明の好ましい態様として、ハニカム成形体の変形を抑制することができるハニカム乾燥体の切断方法、及び、ハニカム構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法は、
押出成形機からセラミック原料を連続的に押出成形することにより、流体の流路となる複数のセルを区画形成するセル隔壁を備える未切断のハニカム成形体を作製する成形工程と、
上記未切断のハニカム成形体を乾燥させることにより、未切断のハニカム乾燥体を作製する乾燥工程と、
上記未切断のハニカム乾燥体を所定の長さに切断する切断工程とを含み、
上記成形工程、上記乾燥工程及び上記切断工程をこの順序で連続的に行い、
上記切断工程では、切断部材の移動速度を上記成形工程における上記ハニカム成形体の移動速度に同期させることにより、上記未切断のハニカム乾燥体を切断することを特徴とする。【００１４】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法では、未切断のハニカム成形体を乾燥させることにより、未切断のハニカム乾燥体を作製している。つまり、特許文献１に記載の従来の方法と異なり、ハニカム成形体を切断する前に乾燥させている。従って、１回の切断処理により、所定の長さを有するハニカム乾燥体を作製することができる。そのため、ハニカム構造体を製造するための全体の工程を簡略化することができる。【００１５】
また、本発明のハニカム乾燥体の切断方法を用いた場合、特許文献１に記載の従来の方法と異なり、端面が変形した部分の除去を行わなくてもよいため、材料の損失を低減することができる。
長手方向に所定の長さを有するハニカム焼成体を作製するためには、ハニカム成形体、ハニカム乾燥体、ハニカム焼成体のいずれかに対して切断処理を行うことが考えられるが、ハニカム乾燥体に対して切断処理を行うことが最適である。
ハニカム成形体に対して切断処理を行っても、その後に変形が生じるため、特許文献１に記載されているように乾燥工程後に再度切断処理を行う必要が生じる。
ハニカム焼成体に対して切断処理を行うことを考えると、連続的に押出成形されたハニカム成形体、ハニカム乾燥体を切断せずに、そのまま焼成炉に導入することは困難である。また、セルが封止されたハニカム焼成体を作製する場合は、ハニカム焼成体を切断した後に両端面に対して封止工程を行い、封止部の再焼成を行う必要がある。また、ハニカム焼成体はセラミックが焼結された固い材料であるため、切断に要するエネルギーが大きく、切削具の磨耗も大きくなる。
ハニカム乾燥体に対して切断処理を行う場合は、１回の切断で所定の長さのハニカム乾燥体を得ることができ、切断されたハニカム乾燥体の両端面に対して封止工程を行うことができる。【００１６】
さらに、開口率が７５％以上のハニカム成形体を作製する場合、本発明のハニカム乾燥体の切断方法では、自重によるハニカム形状の変形、又は、成形体の切断時若しくは搬送時における振動等に起因するハニカム形状の変形が起こる前に、ハニカム成形体を乾燥させることができる。従って、ハニカム乾燥体の変形を抑制することができ、ハニカム乾燥体の強度を維持することができる。【００１７】
そして、本発明のハニカム乾燥体の切断方法において、切断工程では、切断部材の移動速度を成形工程におけるハニカム成形体の移動速度に同期させることにより、未切断のハニカム乾燥体、すなわち乾燥収縮後のハニカム乾燥体を切断することを特徴としている。そのため、所定の長さを有するハニカム乾燥体を効率的に作製することができる。【００１８】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法では、上記成形工程において、上記押出成形機から押出成形されるハニカム成形体の移動速度を速度センサーにより計測し、上記切断工程において、上記未切断のハニカム乾燥体が移動する方向と平行な方向へ上記切断部材が移動する速度を、上記速度センサーにより計測される移動速度と同一にすることが望ましい。
この場合、ハニカム乾燥体の切断面が垂直となるように切断することができる。【００１９】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法において、上記切断工程では、ウォータージェットを用いて、上記未切断のハニカム乾燥体を切断することが望ましい。
ウォータージェット切断は高エネルギー密度加工であるため、ハニカム乾燥体の切断面の変形がほとんどなく、また、精度良く切断することができる。
また、ウォータージェットを用いた切断の場合、ブレードを用いた切断と比べて、切断装置が軽く、切断速度も速い。そのため、容易に切断工程を成形工程に同期させることができる。【００２０】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法では、上記切断工程において、ウォータージェットの噴射ノズルが移動する方向と上記未切断のハニカム乾燥体が移動する方向とがなす角をφ、上記未切断のハニカム乾燥体が移動する速度をＶ１、上記噴射ノズルが移動する速度をＶ２’とするとき、Ｖ２’＝Ｖ１／ｃｏｓφであることが望ましい。
この場合、ハニカム乾燥体の切断面が垂直となるように切断することができる。【００２１】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法において、上記乾燥工程では、高周波誘電乾燥により、上記未切断のハニカム成形体を乾燥させることが望ましい。
高周波誘電乾燥は、ハニカム成形体の上方及び下方もしくは右方及び左方に設けられた、相対する電極板の間に電流を流し、高周波エネルギーによってハニカム成形体内の水分子を運動させ、摩擦熱を発生させることによって行われる。
高周波誘電乾燥では、マイクロ波乾燥と同様、物体自体が発熱体となり加熱することができる。一方、高周波は、マイクロ波よりも大きい電力半減深度（照射された電磁波の電力密度が半減する距離）を有している。そのため、ハニカム成形体を内部まで均一に乾燥させることができる。また、高周波誘電乾燥にすることで、局所加熱が可能なため設備を短くすることができ、簡易的な電磁波シールドを設けるのみでよいため、より設備を簡略化することができる。【００２２】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法では、上記ハニカム乾燥体の水分率は、０〜６質量％であることが望ましい。
ハニカム乾燥体の水分率が６質量％を超えると、ハニカム乾燥体が形状を保つことが困難となる。特に開口率が７５％以上のハニカム成形体を作製する場合にその傾向が顕著である。【００２３】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法では、上記ハニカム乾燥体の開口率は、６０〜９０％であることが望ましい。
このように、本発明のハニカム乾燥体の切断方法では、高い開口率を有するハニカム乾燥体に対しても、ハニカム乾燥体の変形を抑制することができる。【００２４】
本発明のハニカム構造体の製造方法は、
流体の流路となる複数のセルを区画形成するセル隔壁を備えるハニカム焼成体からなるハニカム構造体の製造方法であって、
本発明のハニカム乾燥体の切断方法により得られた所定の長さを有するハニカム乾燥体を焼成することにより、ハニカム焼成体を作製する焼成工程を含むことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係るハニカム乾燥体の切断方法を実施する方法の一例を模式的に示す側面図である。
【図２】図２は、ハニカム乾燥体の形状の一例を模式的に示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態で用いることができるウォータージェット切断機の噴射ノズル部分の一例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、本発明の実施形態における切断工程の一例を模式的に示す側面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態における切断工程の一例を模式的に示す平面図である。
【図６】図６は、ウォータージェット切断機の噴射ノズルの動作を示す概念図である。
【図７】図７（ａ）は、本発明の実施形態に係るハニカム構造体の製造方法において製造するハニカム焼成体の一例を模式的に示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示すハニカム焼成体のＡ−Ａ線断面図である。
【図８】図８は、本発明の実施形態に係るハニカム構造体の製造方法において製造するハニカム構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について具体的に説明する。しかしながら、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
【００２７】
本発明の実施形態に係るハニカム乾燥体の切断方法は、
押出成形機からセラミック原料を連続的に押出成形することにより、流体の流路となる複数のセルを区画形成するセル隔壁を備える未切断のハニカム成形体を作製する成形工程と、
上記未切断のハニカム成形体を乾燥させることにより、未切断のハニカム乾燥体を作製する乾燥工程と、
上記未切断のハニカム乾燥体を所定の長さに切断する切断工程とを含み、
上記成形工程、上記乾燥工程及び上記切断工程をこの順序で連続的に行い、
上記切断工程では、切断部材の移動速度を上記成形工程における上記ハニカム成形体の移動速度に同期させることにより、上記未切断のハニカム乾燥体を切断することを特徴とする。
【００２８】
図１は、本発明の実施形態に係るハニカム乾燥体の切断方法を実施する方法の一例を模式的に示す側面図である。
本実施形態では、例えば、押出成形機、高周波誘電乾燥装置、切断部材としてのウォータージェット切断機、コンベアが組み合わされた成形乾燥切断装置を用いることができる。
図１に示す成形乾燥切断装置１は、押出成形機５０、高周波誘電乾燥装置４０、ウォータージェット切断機３０、第１のコンベア６０Ａ、及び、第２のコンベア６０Ｂを備えている。また、成形乾燥切断装置１は、押出成形機から押出成形されるハニカム成形体の速度を計測するための速度センサー７０を備えている。速度センサー７０は、押出成形直後の速度を計測することが望ましい。
【００２９】
（成形工程）
まず、押出成形機からセラミック原料を連続的に押出成形することにより、未切断のハニカム成形体を作製する成形工程を行う。
【００３０】
図１に示す押出成形機５０はその先端に金型を備えており、金型の形状に応じて、所定の形状のハニカム成形体１０が連続的に押出成形される。
押出成形されたハニカム成形体１０は、第１のコンベア６０Ａの上に載せられて、第１のコンベア６０Ａの移動方向に沿って押出された方向に向けて移動する。
なお、第１のコンベアの移動速度（ハニカム成形体の移動速度）は、押出成形の速度と同一である。
【００３１】
ハニカム成形体は、セラミック粉末、有機バインダ、成形助剤、水等を含む湿潤混合物（セラミック原料）が押出成形されてなり、水分率が１０〜２５重量％と高くなっている。
【００３２】
本実施形態で成形されるハニカム成形体は、流体の流路となる複数のセルを区画形成するセル隔壁を備えるハニカム成形体である。ハニカム成形体の形状は、後に詳しく説明するハニカム乾燥体の形状と同様である。
【００３３】
本実施形態において、押出成形の速度は、特に限定されるものではないが、１〜１０ｍ／ｍｉｎであることが望ましく、２〜７ｍ／ｍｉｎであることがより望ましい。
【００３４】
（乾燥工程）
次に、成形工程で得られたハニカム成形体を乾燥させることにより、ハニカム乾燥体を作製する乾燥工程を行う。
成形工程と乾燥工程の間に切断工程は行われないので、乾燥工程で得られるハニカム乾燥体は未切断のハニカム乾燥体である。
【００３５】
図１において、押出成形機５０からハニカム成形体１０が移動する方向には、高周波誘電乾燥装置４０が設けられている。高周波誘電乾燥装置４０は、加熱対象物であるハニカム成形体１０を挟むように設けられた上側電極４１、下側電極４２を備えている。
高周波誘電乾燥では、ハニカム成形体を電極で挟んで高周波電圧を印加することにより、ハニカム成形体に含まれる水分子を運動させ、摩擦熱を発生させる。その結果、ハニカム成形体が乾燥されてハニカム乾燥体となる。
【００３６】
図１に示す高周波誘電乾燥装置４０では、ハニカム成形体１０の上下に電極がそれぞれ設けられているが、電極の位置はハニカム成形体の上下に限定されるものではなく、ハニカム成形体を挟むように電極が設けられていればよい。例えば、ハニカム成形体を側面側（左右側）から挟むように２つ（一対）の電極が設けられていてもよい。
【００３７】
図１に示すように、押出成形されたハニカム成形体１０は、第１のコンベア６０Ａによって、順次連続的に高周波誘電乾燥装置４０内を移動する。
なお、高周波誘電乾燥装置４０は、ハニカム成形体１０から蒸散した水蒸気を乾燥空間の外へ排出する排気手段（図示せず）を備えていることが望ましい。乾燥空間内の湿度雰囲気を一定に保つことができるためである。また、水蒸気を排出する排気手段は、ハニカム乾燥体のセル内に存在する水蒸気を排出するために切断機３０の後に設置されていてもよい。
【００３８】
高周波誘電乾燥の周波数としては、１３．５６ＭＨｚ、２７．１２ＭＨｚ又は４０．６８ＭＨｚが使用できるが、１３．５６ＭＨｚが特に望ましい。周波数が１３．５６ＭＨｚであると、波長が長く、ハニカム成形体を均一に乾燥できるためである。
【００３９】
高周波誘電乾燥の出力は、特に限定されるものではないが、０．５〜６０ｋＷであることが望ましく、３〜５０ｋＷであることがより望ましく、６〜４５ｋＷであることが特に望ましい。
高周波誘電乾燥の出力が０．５ｋＷ未満であると、ハニカム成形体の乾燥が不充分となり、ハニカム乾燥体の変形が生じやすくなり、成形速度を著しく低くする必要がある。または、乾燥設備を長くする必要があり、全工程短縮の効果を小さくしてしまう。一方、高周波誘電乾燥の出力が６０ｋＷを超えると、ハニカム成形体の水分が急速に蒸発しやすくなる。ハニカム成形体の水分が失われると、有機分が振動し、その結果、温度が高くなりすぎてしまう。そのため、ハニカム成形体が燃えてしまうことがある。
【００４０】
高周波誘電乾燥を行う場合、ハニカム成形体の長手方向に沿った電極の長さは、乾燥後のハニカム乾燥体の水分量を低減させる程度、コンベアの移動速度、印加電圧等を考慮して定めることができるが、例えば、０．４〜７．０ｍであることが望ましく、１．０〜５．０ｍであることがより望ましい。電極の長さが０．４ｍより短いと、ハニカム成形体を充分に乾燥するためには、高周波の出力を高くしても、成形速度が遅くなりすぎる。一方、電極の長さが７．０ｍを超えると、全工程短縮の効果を小さくしてしまう。
【００４１】
高周波誘電乾燥装置の電極の枚数は、ハニカム成形体の上下又は左右に１枚ずつでなくてもよく、ハニカム成形体の上下又は左右１枚ずつの電極を１組として、２組以上の電極が設けられていてもよい。
２組以上の電極が設けられている場合、電極の組み合わせごとに印加電圧を変化させることによって、より詳細な乾燥条件を設定することができる。
【００４２】
乾燥工程においても、コンベアの移動速度（第１のコンベアの移動速度）は、押出成形の速度と同一である。
【００４３】
電極の形状は板状であることが望ましく、その大きさは限定されるものではないが、例えば、長さ０．４〜７ｍ×幅３０〜１００ｍｍの長方形状であることが望ましい。
電極の幅は、ハニカム成形体の幅の１〜３倍であることが望ましい。電極の幅がハニカム成形体の幅の１倍未満、及び、３倍を超える場合には、ハニカム乾燥体の乾燥状態が不均一になりやすい。
【００４４】
また、電極とハニカム成形体との距離は１〜３０ｍｍであることが望ましく、特に、上部電極とハニカム成形体との距離は１〜１５ｍｍであることが望ましい。電極とハニカム成形体との距離が１ｍｍ未満であると、ハニカム成形体及び電極が接触することにより短絡させてしまう。一方、上記距離が３０ｍｍを超えると、出力を高くする必要がある。
【００４５】
本実施形態においては、高周波誘電乾燥により乾燥工程を行うことが望ましいが、未切断のハニカム成形体を乾燥させる方法はこれに限定されるものではない。未切断のハニカム成形体を乾燥させる方法としては、高周波誘電乾燥の他、例えば、マイクロ波乾燥、熱風乾燥、又は、凍結乾燥等が挙げられる。これらの乾燥方法は、単独で行ってもよいし、複数種類を組み合わせて行ってもよい。
【００４６】
乾燥工程においては、ハニカム乾燥体の水分率が０〜６質量％となるまで乾燥を行うことが望ましく、０〜１質量％となるまで乾燥を行うことがより望ましい。
ここで、「ハニカム乾燥体の水分率」は、乾燥工程直後のハニカム乾燥体の質量と絶乾状態のハニカム乾燥体の質量との差から、乾燥工程直後のハニカム乾燥体の含水量を算出し、この含水量を乾燥工程直後のハニカム乾燥体全体の質量で除することにより算出することができる。また、ハニカム乾燥体の水分率は、加熱乾燥式水分計（エー・アンド・ディ製ＭＸ−５０）により測定することができる。
ハニカム乾燥体の水分率が６質量％を超えると、ハニカム乾燥体が形状を保つことが困難となる。特に開口率が７５％以上のハニカム成形体を作製する場合にその傾向が顕著である。ハニカム乾燥体の水分率を１質量％以下にすると、切断工程の後で再度、乾燥させる必要がないため、全工程をより短縮することが可能となる。
【００４７】
本実施形態において、乾燥時間は、乾燥後のハニカム乾燥体の水分量を低減させる程度、印加電圧等を考慮して定めることができるが、０．５〜５分間であることが望ましく、１〜３分間であることがより望ましい。
乾燥時間が０．５分間未満であると、出力を上げても乾燥が不充分となりやすくなる。一方、乾燥時間が５分間を超えると、乾燥が進行しすぎるため、ハニカム乾燥体に反り又はクラック等が発生しやすくなる。また、全工程が長くなってしまう。
【００４８】
本実施形態において、乾燥温度は、８０〜１３０℃であることが望ましく、８５〜１２０℃であることがより望ましい。
乾燥温度が８０℃未満であると、乾燥が不充分となりやすくなる。一方、乾燥温度が１３０℃を超えると、乾燥が急激に進行しすぎるため、ハニカム乾燥体に反り又はクラック等が発生しやすくなる。
【００４９】
本実施形態において、押出成形機の金型の先端から未切断のハニカム成形体の乾燥を開始するまでの距離は、０〜３００ｍｍであることが望ましい。上記の距離の上限は、２００ｍｍであることがより望ましい。また、上記の距離の下限は、１０ｍｍであってもよく、３０ｍｍであってもよい。
上記の距離が３００ｍｍを超えると、未切断のハニカム成形体が変形しやすくなる。特に開口率が７５％以上のハニカム成形体を作製する場合にその傾向が顕著である。
【００５０】
本実施形態においては、ハニカム成形体及び／又はハニカム乾燥体を押出成形機側が下方になるように角度をつけて乾燥させることが望ましい。つまり、ハニカム成形体及び／又はハニカム乾燥体の押出成形機側が水平面に対して下方に、切断工程側が水平面に対して上方になるように傾いた状態で乾燥させることが望ましい。
ハニカム乾燥体のセル内に存在する乾燥工程で発生した水蒸気をハニカム乾燥体の長手方向の切断工程側の先端から容易に排出することができ、水蒸気がセル内で再び液化することを防ぐことができるためである。
【００５１】
上記の場合、ハニカム成形体及び／又はハニカム乾燥体の下面と水平面とのなす角度は、５〜３０°であることが望ましい。
上記角度が５°未満では、乾燥工程と切断工程の距離が長い場合には、水蒸気が充分に排出されないことがある。また、上記角度が３０°を超えると、ハニカム成形体のコンベアによる搬送速度が遅くなり、成形工程での押出成形の速度との不一致により、ハニカム乾燥体に歪みが生じやすくなる。
【００５２】
本発明のハニカム乾燥体の切断方法で切断する対象物であるハニカム乾燥体の形状の例について、図面を参照しながら以下に説明する。
図２は、ハニカム乾燥体の形状の一例を模式的に示す斜視図である。
図２に示すハニカム乾燥体２０は、未切断のハニカム乾燥体であり、複数のセル２１がセル隔壁２２を隔てて長手方向（図２中、矢印ｆの方向）に並設されるとともに、その周囲に外周壁２３が形成されている。ハニカム乾燥体２０においては、セル２１の端部は封止されていない。
図２には、ハニカム乾燥体が未切断のハニカム乾燥体であることを示すために、一方の端部を省略して示している。
【００５３】
ハニカム乾燥体の組成は、ハニカム成形体の組成と同様であり、セラミック粉末、有機バインダ、成形助剤、水等を含むことが望ましいが、水が乾燥工程によって除かれてその水分率が０〜６質量％となっていることが望ましい。
【００５４】
セラミック粉末としては、炭化ケイ素、炭化チタン、炭化タンタル、炭化タングステン等の炭化物セラミック、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化チタン等の窒化物セラミック、アルミナ、ジルコニア、コージェライト、ムライト、チタン酸アルミニウム等の酸化物セラミック、ケイ素含有炭化ケイ素等の粉末が挙げられる。これらの中では、炭化ケイ素、または、ケイ素含有炭化ケイ素の粉末が好ましい。耐熱性、機械強度、熱伝導性等に優れるからである。
なお、ケイ素含有炭化ケイ素は、炭化ケイ素に金属ケイ素が配合されたものであり、炭化ケイ素を６０ｗｔ％以上含むケイ素含有炭化ケイ素が好ましい。
【００５５】
有機バインダとしては特に限定されず、例えば、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ポリエチレングリコール等が挙げられる。これらの中では、メチルセルロースが望ましい。有機バインダの配合量は、通常、セラミック粉末１００重量部に対して、１〜１０重量部が望ましい。
【００５６】
成形助剤としては特に限定されず、例えば、エチレングリコール、デキストリン、脂肪酸、脂肪酸石鹸、ポリアルコール等が挙げられる。
【００５７】
ハニカム乾燥体には、可塑剤や潤滑剤が含まれていてもよく、可塑剤としては、特に限定されず、例えば、グリセリン等が挙げられる。また、潤滑剤は特に限定されず、例えば、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシプロピレンアルキルエーテル等のポリオキシアルキレン系化合物等が挙げられる。
さらに、ハニカム乾燥体には、必要に応じて酸化物系セラミックを成分とする微小中空球体であるバルーンや、球状アクリル粒子、グラファイト等の造孔剤が添加されていてもよい。
【００５８】
本実施形態において、後述する切断工程でウォータージェットを用いる場合、ハニカム乾燥体は、有機バインダ及び成形助剤といった有機物を含んでいることが望ましい。ハニカム乾燥体の表面の表面張力が小さくなるため、ウォータージェット切断において水がはじかれて、セル隔壁に水が浸透しにくくなる。
また、ハニカム乾燥体は焼成されていないため、多孔質体となっていない。そのため、セル隔壁に連通する気孔を含んでおらず、ウォータージェット切断においてセル隔壁に水が浸透しにくい。
そのため、ウォータージェットにより切断されたハニカム乾燥体の水分率は、未切断のハニカム乾燥体の水分率とほぼ同じ値を保つことが可能となる。
【００５９】
ハニカム乾燥体の形状は、図２に示すような四角柱形状に限定されるものではなく、他の多角柱形状、楕円柱、断面台形状、断面扇形状等の形状であってもよい。
また、セル形状も断面正方形状に限定されるものではなく、四角形、五角形、六角形、八角形等の他の多角形状でもよく、円形、楕円形状でもよい。また、複数種類の形状のセルが１つのハニカム乾燥体に含まれていてもよく、例えば、正方形状のセルと八角形状のセルの組み合わせが挙げられる。
【００６０】
（切断工程）
続いて、未切断のハニカム乾燥体を所定の長さに切断する切断工程を行う。
切断工程を行うことにより、所定の長さを有するハニカム乾燥体を作製することができる。
【００６１】
本実施形態において、未切断のハニカム乾燥体を切断する方法は特に限定されるものではなく、例えば、ウォータージェット、ブレード、ワイヤーソー、超音波カッター、ニクロム線、ファイバレーザー、又は、マイクロジェットレーザー等の切断部材を用いて未切断のハニカム乾燥体を切断することができる。
【００６２】
これらの中では、ウォータージェットを用いて、未切断のハニカム乾燥体を切断することが望ましい。図１には、切断部材の一例としてウォータージェット切断機３０を示している。
ウォータージェット切断は高エネルギー密度加工であるため、ハニカム乾燥体の切断面の変形がほとんどなく、また、精度良く切断することができる。
また、ウォータージェットを用いた切断の場合、ブレードを用いた切断と比べて、切断装置が軽く、切断速度も速い。そのため、容易に切断工程を成形工程に同期させることができる。
【００６３】
以下、ウォータージェットを用いて、未切断のハニカム乾燥体を所定の長さに切断する工程について説明する。
乾燥工程を経た未切断のハニカム乾燥体は、ウォータージェット切断機によって所定の長さに切断される。
【００６４】
ウォータージェット切断機は、高圧水の衝撃力により粉砕切断を行うことのできる装置であり、その先端にある噴射ノズルから高圧水が噴出される。
図３は、本発明の実施形態で用いることができるウォータージェット切断機の噴射ノズル部分の一例を模式的に示す断面図である。
図３は、ウォータージェット切断機３０の噴射ノズル３１を模式的に示しており、高圧水導入口３２、ウォーターノズル３３、下部ノズル３４、空気／研磨材導入口３５を示している。
高圧水は高圧水導入口３２から導入され、ウォーターノズル３３を経て下部ノズル３４から噴出される。空気／研磨材導入口３５からは空気又は研磨材が導入されてもよい。研磨材は、切断対象物が硬い場合に用いると有効であり、研磨材としてはガーネット等を用いることができる。
【００６５】
噴射ノズルから噴出される水の水圧は、２００〜４００ＭＰａであることが望ましい。
ウォータージェットの水圧が２００〜４００ＭＰａであると、切断面へのバリの発生又はセル内へのセラミック粉の詰まりの発生が効果的に抑制され、きれいな切断面が得られる。
【００６６】
また、噴出される水の流速は、６００〜９００ｍ／秒であることが望ましい。
水の流速が６００〜９００ｍ／秒であると、切断面へのバリの発生又はセル内へのセラミック粉の詰まりの発生が効果的に抑制され、きれいな切断面が得られる。
【００６７】
ウォータージェット切断機の噴射ノズルは、水を噴出しながら、ハニカム乾燥体の長手方向と垂直な断面を横切る方向（図１において紙面の手前側から奥側（又は奥側から手前側）の方向）に移動して、ハニカム乾燥体の長手方向と垂直な方向にハニカム乾燥体を切断する。そして、長手方向に所定の長さを有するハニカム乾燥体を得ることができる。
なお、ウォータージェット切断機には、噴射ノズルの位置を移動させることができる図示しない駆動機構が設けられている。
【００６８】
ウォータージェットによる切断速度は、１５〜１５０ｍｍ／秒であることが望ましい。
切断速度が１５〜１５０ｍｍ／秒であると、ハニカム構造体を製造するプロセスの中で切断工程が律速になることがなく、生産効率の妨げにならない点で有効である。
なお、切断速度は、噴射ノズルの移動速度を調整することによって調整することができる。
【００６９】
切断工程の開始から終了までにわたって、ウォータージェットの噴射ノズルとハニカム乾燥体の上面とのなす角度は、５〜８５°であることが望ましい。より望ましくは１０〜８０°であり、さらに望ましくは１５〜７５°である。
また、ウォータージェットの噴射ノズルとハニカム乾燥体の長手方向に垂直な断面における全てのセル隔壁とのなす角度は、５〜８５°であることが望ましい。より望ましくは１０〜８０°であり、さらに望ましくは１５〜７５°である。
ウォータージェットの噴射ノズルとハニカム乾燥体の上面及びセル隔壁との角度が５〜８５°の範囲に定められているということは、ウォータージェットの水流の向きがハニカム乾燥体の外周壁の向き及びセル隔壁の向きと平行にはならず、少なくとも５°以上傾いていることを意味する。
ウォータージェットの水流の向きがハニカム乾燥体の外周壁の向き及びセル隔壁の向きと傾いていることによって、一度に切断すべき壁の合計厚さ（切断量）の変動幅を小さくして、安定した切断を行うことができる。
【００７０】
ウォータージェットの噴射ノズルとハニカム乾燥体の上面とのなす角度は、ウォータージェットの噴射ノズルとハニカム乾燥体の上面とのなす角度のうちハニカム乾燥体の側にあって小さいほうの角度として定められる。ハニカム乾燥体の上面とは、ハニカム乾燥体にウォータージェットが当たる面を意味する。
また、ウォータージェットの噴射ノズルとセル隔壁とのなす角度は、ウォータージェットの噴射ノズルとセル隔壁とのなす角度のうち小さいほうの角度として定められる。セル隔壁の向きは、ハニカム乾燥体の長手方向に垂直な断面における、セルに対して同じ位置関係にあるセル隔壁の繰り返し構造を繋いでなる直線の示す向きである。
【００７１】
ウォータージェットの噴射ノズルとハニカム乾燥体の上面とのなす角度、及び、ウォータージェットの噴射ノズルとハニカム乾燥体の長手方向に垂直な断面における全てのセル隔壁とのなす角度を調整するための方法の例としては、地面に対し略平行な面を備えるコンベア上で四角柱状のハニカム乾燥体を搬送し、ウォータージェット切断機の噴射ノズルを地面に対して垂直な方向から所定の角度傾ける方法等が挙げられる。
【００７２】
ウォータージェットの噴射ノズルとハニカム乾燥体の上面との距離は、１〜１０ｍｍであることが望ましい。ウォータージェットはノズルからの距離が遠くなるほど広がり易くなるため、上記の距離を１〜１０ｍｍとすることで、ハニカム乾燥体の切断面の平面度を高くすることができる。
【００７３】
切断工程において、複数本の噴射ノズルを同時に用いて、複数本のハニカム乾燥体を１回の切断動作で得るようにしてもよい。
【００７４】
例えば、所定の長さのハニカム乾燥体２本分の長さを有する未切断のハニカム乾燥体を得たのち、切断工程で２箇所の切断を同時に行うことができる。
【００７５】
また、ハニカム乾燥体の１箇所の切断面に対して、複数本の噴射ノズルを用いてもよい。この場合、１本のノズルから噴射されるウォータージェットにより切断する切断長さを短くすることができるため、切断時間を短縮することが可能となる。特に、噴射ノズルを傾けた場合には、部分的に切断長さが異なるため、その効果が顕著となる。
【００７６】
本実施形態においては、成形工程、乾燥工程及び切断工程をこの順序で連続的に行う。従って、図１に示すような、コンベア（第１のコンベア及び第２のコンベア）を備えた成形乾燥切断装置を用いる場合、切断工程を行う際にコンベアが駆動しており、未切断のハニカム乾燥体がコンベアの移動速度で移動していることとなる。
【００７７】
切断工程では、切断部材（例えば、ウォータージェット切断機の噴射ノズル）の移動速度を成形工程におけるハニカム成形体の移動速度に同期させることにより、未切断のハニカム乾燥体を切断する。
この際、成形工程において、押出成形機から押出成形されるハニカム成形体の移動速度を速度センサーにより計測し、切断工程において、未切断のハニカム乾燥体が移動する方向と平行な方向へ切断部材が移動する速度を、速度センサーにより計測される移動速度と同一にすることが望ましい。
これにより、移動速度の同期を正確に行うことができ、また、ハニカム乾燥体の切断面が垂直となるように切断することができる。
【００７８】
図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、本発明の実施形態における切断工程の一例を模式的に示す側面図である。
図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）では、切断部材の一例として、ウォータージェット切断機の噴射ノズル３１を示している。
【００７９】
まず、図４（ａ）に示すように、乾燥工程を経た未切断のハニカム乾燥体２０は、移動速度Ｖ１を有する第１のコンベア６０Ａにより移動している。
ここで、未切断のハニカム乾燥体２０の移動速度（第１のコンベア６０Ａの移動速度）Ｖ１は、成形工程におけるハニカム成形体の移動速度と同一であり、押出成形の速度と同一である。例えば、図１に示した速度センサー７０によって、押出成形機５０から押出成形されるハニカム成形体１０の移動速度を計測し、計測されるハニカム成形体１０の移動速度と第１のコンベア６０Ａの移動速度Ｖ１とを同一にすることができる。
【００８０】
また、第２のコンベア６０Ｂは、第１のコンベア６０Ａの移動速度Ｖ１と同一の移動速度Ｖ３で未切断のハニカム乾燥体２０を移動させている。
一方、噴射ノズル３１は、切断前の原位置で停止したままである。
なお、第１のコンベア６０Ａ及び第２のコンベア６０Ｂは、別個にそれぞれの動作を制御可能である。
【００８１】
次に、図４（ｂ）に示すように、未切断のハニカム乾燥体２０の先端部が通過センサー８０の位置に到達したら、通過センサー８０が未切断のハニカム乾燥体２０の通過を検知し、通過の開始とともに通過開始信号を噴射ノズル３１の動作を制御する切断制御手段（図示せず）に送信する。この通過開始信号を切断制御手段が受信すると、噴射ノズル３１の動作が開始される。
【００８２】
噴射ノズル３１の動作が開始されると、噴射ノズル３１は、水を噴射しながら、第１のコンベア６０Ａの移動方向（すなわち、ハニカム乾燥体２０が移動する方向）と平行方向に移動するとともに、未切断のハニカム乾燥体２０の長手方向と垂直な断面を横切る方向（例えば、図４（ｂ）において紙面の手前側から奥側の方向）に移動し、ハニカム乾燥体２０の切断を開始する。
ここで、噴射ノズル３１が移動する速度のうち、未切断のハニカム乾燥体２０が移動する方向と平行な方向へ移動する速度Ｖ２は、第１のコンベア６０Ａの移動速度Ｖ１と同一の関係にある。つまり、上記速度Ｖ２は、速度センサー７０により計測されるハニカム成形体１０の移動速度と同一である。
従って、噴射ノズル３１は、未切断のハニカム乾燥体２０の移動と同期しながら水を噴射し、ハニカム乾燥体２０の長手方向に直交するようにハニカム乾燥体２０を切断する。
【００８３】
成形乾燥切断装置１では、未切断のハニカム乾燥体２０が通過センサー８０を通過し、この通過による通過開始信号を切断制御手段が受信することで噴射ノズル３１が動作を開始する。そのため、切断制御手段が通過開始信号を受信した時点における通過センサー８０と噴射ノズル３１との間の距離が、切断後のハニカム乾燥体の長さ（以下、切断長ともいう）となる。
従って、通過センサー８０の配置位置を変更することで、切断長を任意の長さに変更することができる。例えば、通過センサー８０の配置位置を押出成形機５０に近い側に配置することにより、切断長を短くすることができる。
【００８４】
このように、ハニカム乾燥体２０の切断が完了するまでは、第１のコンベア６０Ａの移動速度Ｖ１、噴射ノズル３１の平行方向への移動速度Ｖ２及び第２のコンベア６０Ｂの移動速度Ｖ３は、Ｖ１＝Ｖ２＝Ｖ３の関係を満たすことが望ましい。
【００８５】
そして、図４（ｃ）に示すように、噴射ノズル３１がハニカム乾燥体２０の長手方向と垂直な断面を横切ったところで、ハニカム乾燥体の切断が完了する。
【００８６】
なお、ハニカム乾燥体を切断している間は、成形乾燥切断装置１と連動したクランプ（図示せず）を用いてハニカム乾燥体を側面側（左右側）から挟むことが望ましい。
例えば、速度センサー７０により計測されるハニカム成形体１０の移動速度によって、ハニカム乾燥体のクランプを開始するタイミング及び終了するタイミングを制御することができる。
【００８７】
また、ハニカム乾燥体２０の切断が完了した後は、第１のコンベア６０Ａの移動速度Ｖ１及び第２のコンベア６０Ｂの移動速度Ｖ３は、Ｖ１＜Ｖ３の関係を有することが望ましい。
この場合、切断が完了したハニカム乾燥体をすぐに移動させることができるため、ハニカム乾燥体を連続的にスムーズに切断することができる。
【００８８】
噴射ノズル３１によりハニカム乾燥体２０の切断が完了した時点で、ウォータージェット切断機３０は切断完了を検知して（例えば、噴射ノズル３１がハニカム乾燥体２０の長手方向と垂直な断面を横切ったことをもって、切断完了を検知する）、水の噴射を停止し、噴射ノズル３１の原位置への移動を開始する。さらに、第２のコンベア６０Ｂの移動動作を制御する移動制御手段（図示せず）へと切断完了信号を送信する。この切断完了信号を上記移動制御手段が受信すると、Ｖ１＜Ｖ３の速度の関係を満たすように第２のコンベア６０Ｂの移動速度Ｖ３を変更する。
【００８９】
図５は、本発明の実施形態における切断工程の一例を模式的に示す平面図である。
図５に示すように、噴射ノズル３１は、ハニカム乾燥体２０が移動する方向に対して所定の角度を持って配置されており、この方向に往復移動することができる。
【００９０】
図６は、ウォータージェット切断機の噴射ノズルの動作を示す概念図である。
図６に示すように、ハニカム乾燥体２０の切断が完了するまでは、噴射ノズルが移動する方向とハニカム乾燥体が移動する方向とがなす角φ、ハニカム乾燥体が移動する速度Ｖ１、及び、噴射ノズルが移動する速度Ｖ２’とは、Ｖ２’＝Ｖ１／ｃｏｓφの関係を満たすことが望ましい。言い換えると、Ｖ１＝Ｖ２’ｃｏｓφの関係を満たすことが望ましい。この場合、ハニカム乾燥体の切断面が垂直となるように切断することができる。
【００９１】
角度φは、特に限定されるものではないが、１０〜６５°であることが望ましく、１５〜５５°であることがより望ましい。
【００９２】
以上、切断部材としてウォータージェットを用いて、未切断のハニカム乾燥体を切断する場合を説明してきたが、他の切断部材を用いる場合も同様である。
例えば、ファイバレーザー又はマイクロジェットレーザーを切断部材として用いる場合には、ウォータージェットを用いる場合と同様の方法により、切断部材の移動速度を成形工程におけるハニカム成形体の移動速度に同期させることができる。また、ブレード、ワイヤーソー又は超音波カッターを切断部材として用いる場合には、切断部材が、第１のコンベアの移動方向と平行方向に移動するとともに、鉛直下方に移動することにより、切断部材の移動速度を成形工程におけるハニカム成形体の移動速度に同期させることができる。
【００９３】
また、これまでは、切断が完了したハニカム乾燥体を第２のコンベアにより移動させる場合のみを説明してきた。
しかしながら、本実施形態では、成形工程、乾燥工程及び切断工程をこの順序で連続的に行っていればよく、例えば、切断が完了したハニカム乾燥体を一旦回収し、その後の工程を行ってもよい。
【００９４】
本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法により得られた切断後のハニカム乾燥体は、平面度に優れており、ウォータージェット切断により得られた切断面の平面度を０．２ｍｍ以下とすることができる。平面度は、３次元測定機（例えば、ミツトヨ社製、ＢＨ−Ｖ５０７）を用いて測定することができる。もしくは、ウォータージェット切断により得られた切断面に平板を押し当て、その面から切断面までの距離を９点測定し、その値を元に仮想的な最小自乗平面を求めて、その仮想平面と各測定点との距離の最大と最小の差を求めることで算出することもできる。
【００９５】
また、本実施形態により得られた切断後のハニカム乾燥体の開口率は６０〜９０％であることが望ましく、７５〜９０％であることがより望ましい。
この場合、高い開口率を有するハニカム乾燥体に対しても、ハニカム乾燥体の変形を抑制することができる。
ここで、「ハニカム乾燥体の開口率」とは、端面の開口面積を端面全体の面積で除することにより開口面積比を算出し、この開口面積比を１００で乗ずることにより算出することができる。
【００９６】
本実施形態において、ハニカム乾燥体のセル隔壁の厚さは、０．０７〜０．４６ｍｍであることが望ましく、０．１０〜０．２５ｍｍであることがより望ましく、０．１０〜０．２１ｍｍであることがさらに望ましい。
上記厚さのセル隔壁は、排ガス中のＰＭを捕集するのに充分な厚さを有するとともに、圧力損失の増加を効果的に抑制することができる。
上記セル隔壁の厚さが０．０７ｍｍ未満では、セル隔壁の厚さが薄くなりすぎるため、ハニカム構造体の機械的強度が低下する。一方、セル隔壁の厚さが０．４６ｍｍを超えると、セル隔壁が厚くなりすぎるため、排ガスがセル隔壁を通過する際の圧力損失が大きくなる。
【００９７】
以下、本発明の実施形態に係るハニカム乾燥体の切断方法により得られた所定の長さを有するハニカム乾燥体を用いてハニカム構造体を製造する方法である、本発明の実施形態に係るハニカム構造体の製造方法について説明する。
【００９８】
（１）所定の長さを有するハニカム乾燥体を得た後、ハニカム乾燥体の所定のセルに封止材となる封止材ペーストを充填して上記セルを目封止する目封止工程を行う。ここで、封止材ペーストとしては、ハニカム成形体の作製に用いた湿潤混合物を用いることができる。
なお、触媒担持体として用いるハニカム構造体を製造する場合、目封止工程は行わなくてもよい。
【００９９】
（２）ハニカム乾燥体を脱脂炉中、３００〜６５０℃に加熱し、ハニカム乾燥体中の有機物を除去する脱脂工程を行った後、脱脂されたハニカム乾燥体を焼成炉に搬送し、２０００〜２２００℃に加熱する焼成工程を行うことにより、ハニカム焼成体を作製する。
なお、セルの端部に充填された封止材ペーストは、焼成され、封止材となる。
また、目封止工程、脱脂工程および焼成工程の条件は、従来からハニカム焼成体を作製する際に用いられている条件を適用することができる。
【０１００】
図７（ａ）は、本発明の実施形態に係るハニカム構造体の製造方法において製造するハニカム焼成体の一例を模式的に示す斜視図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示すハニカム焼成体のＡ−Ａ線断面図である。
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すハニカム焼成体１１０の形状は、上述したハニカム乾燥体の形状とほぼ同様であり、多数のセル１１１がセル隔壁１１２を隔てて長手方向（図７（ａ）中、矢印ｇの方向）に並設されるとともに、その周囲に外周壁１１３が形成されている。そして、セル１１１のいずれかの端部は、封止材１１４で封止されている。
従って、一方の端面が開口したセル１１１に流入した排ガスＧ（図７（ｂ）中、排ガスをＧで示し、排ガスの流れを矢印で示す）は、必ずセル１１１を隔てるセル隔壁１１２を通過した後、他方の端面が開口した他のセル１１１から流出するようになっている。排ガスＧがセル隔壁１１２を通過する際に、排ガス中のＰＭ等が捕集されるため、セル隔壁１１２は、フィルタとして機能する。
【０１０１】
このように、セルのいずれか一方の端部が封止されたハニカム焼成体を含むハニカム構造体は、セラミックフィルタとして好適に使用することができる。
また、セルのいずれの端部も封止されていないハニカム焼成体を含むハニカム構造体は、触媒担持体として好適に使用することができる。
【０１０２】
（３）支持台上で複数個のハニカム焼成体を接着材ペーストを介して順次積み上げて結束する結束工程を行い、ハニカム焼成体が複数個積み上げられてなるハニカム集合体を作製する。
接着材ペーストとしては、例えば、無機バインダと有機バインダと無機粒子とからなるものを使用する。また、上記接着材ペーストは、さらに無機繊維及び／又はウィスカを含んでいてもよい。
【０１０３】
上記接着材ペーストに含まれる無機粒子としては、例えば、炭化物粒子、窒化物粒子等が挙げられる。具体的には、炭化ケイ素粒子、窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。無機粒子の中では、熱伝導性に優れる炭化ケイ素粒子が望ましい。
【０１０４】
上記接着材ペーストに含まれる無機繊維及び／又はウィスカとしては、例えば、シリカ−アルミナ、ムライト、アルミナ、シリカ等からなる無機繊維及び／又はウィスカ等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。無機繊維の中では、アルミナファイバが望ましい。また、無機繊維は、生体溶解性ファイバであってもよい。
【０１０５】
さらに、上記接着材ペーストには、必要に応じて酸化物系セラミックを成分とする微小中空球体であるバルーンや、球状アクリル粒子、グラファイト等を添加してもよい。バルーンとしては特に限定されず、例えば、アルミナバルーン、ガラスマイクロバルーン、シラスバルーン、フライアッシュバルーン（ＦＡバルーン）、ムライトバルーン等が挙げられる。
【０１０６】
（４）ハニカム集合体を加熱することにより接着材ペーストを加熱固化して接着材層とし、四角柱状のセラミックブロックを作製する。
接着材ペーストの加熱固化の条件は、従来からハニカム構造体を作製する際に用いられている条件を適用することができる。
【０１０７】
（５）セラミックブロックに切削加工を施す切削加工工程を行う。
具体的には、ダイヤモンドカッターを用いてセラミックブロックの外周を切削することにより、外周が略円柱状に加工されたセラミックブロックを作製する。
【０１０８】
（６）略円柱状のセラミックブロックの外周面に、外周コート材ペーストを塗布し、乾燥固化して外周コート層を形成する外周コート層形成工程を行う。
ここで、外周コート材ペーストとしては、上記接着材ペーストを使用することができる。なお、外周コート材ペーストとして、上記接着材ペーストと異なる組成のペーストを使用してもよい。
なお、外周コート層は必ずしも設ける必要はなく、必要に応じて設ければよい。
外周コート層を設けることによって、セラミックブロックの外周の形状を整えて、円柱状のハニカム構造体とすることができる。
【０１０９】
図８は、本発明の実施形態に係るハニカム構造体の製造方法において製造するハニカム構造体の一例を模式的に示す斜視図である。
図８に示すハニカム構造体１００では、ハニカム焼成体１１０が複数個ずつ接着材層１０１を介して結束されてセラミックブロック１０３を構成し、さらに、このセラミックブロック１０３の外周に外周コート層１０２が形成されている。なお、外周コート層は、必要に応じて形成されていればよい。このような、ハニカム焼成体が複数個結束されてなるハニカム構造体は、集合型ハニカム構造体ともいう。
【０１１０】
本発明の実施形態に係るハニカム構造体の製造方法において製造するハニカム構造体は、１つのハニカム焼結体からなるハニカム構造体であってもよい。このような、１つのハニカム焼結体からなるハニカム構造体は、一体型ハニカム構造体ともいう。一体型ハニカム構造体を製造する場合、セラミック粉末としてコージェライト又はチタン酸アルミニウムを用いることが望ましい。
【０１１１】
一体型ハニカム構造体を製造する場合には、押出成形により成形するハニカム成形体の大きさが、集合型ハニカム構造体を製造する場合に比べて大きく、その外形が異なる他は、集合型ハニカム構造体を製造する場合と同様にしてハニカム成形体を作製すればよい。
【０１１２】
本発明の実施形態に係るハニカム構造体の製造方法において、製造するハニカム構造体を構成するハニカム焼結体のセル壁には、排ガスを浄化するための触媒を担持させてもよい。
担持させる触媒としては、例えば、白金、パラジウム、ロジウム等の貴金属が望ましい。また、その他の触媒として、例えば、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属、バリウム等のアルカリ土類金属、ゼオライト等を用いることもできる。これらの触媒は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【０１１３】
以下、本実施形態に係るハニカム乾燥体の切断方法、及び、ハニカム構造体の製造方法の作用効果について列挙する。
（１）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法では、未切断のハニカム成形体を乾燥させることにより、未切断のハニカム乾燥体を作製している。つまり、従来の方法と異なり、ハニカム成形体を切断する前に乾燥させている。従って、１回の切断処理により、所定の長さを有するハニカム乾燥体を作製することができる。そのため、ハニカム構造体を製造するための全体の工程を簡略化することができる。
【０１１４】
（２）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法を用いた場合、従来の方法と異なり、端面が変形した部分の除去を行わなくてもよいため、材料の損失を低減することができる。
【０１１５】
（３）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法において、切断工程では、切断部材の移動速度を成形工程におけるハニカム成形体の移動速度に同期させることにより、未切断のハニカム乾燥体、すなわち乾燥収縮後のハニカム乾燥体を切断することを特徴としている。そのため、所定の長さを有するハニカム乾燥体を効率的に作製することができる。
【０１１６】
（４）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法では、成形工程において、押出成形機から押出成形されるハニカム成形体の移動速度を速度センサーにより計測し、切断工程において、未切断のハニカム乾燥体が移動する方向と平行な方向へ切断部材が移動する速度を、速度センサーにより計測される移動速度と同一にすることができる。
この場合、ハニカム乾燥体の切断面が垂直となるように切断することができる。
【０１１７】
（５）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法において、切断工程では、ウォータージェットを用いて、未切断のハニカム乾燥体を切断することができる。
ウォータージェット切断は高エネルギー密度加工であるため、ハニカム乾燥体の切断面の変形がほとんどなく、また、精度良く切断することができる。
また、ウォータージェットを用いた切断の場合、ブレードを用いた切断と比べて、切断装置が軽く、切断速度も速い。そのため、容易に切断工程を成形工程に同期させることができる。
【０１１８】
（６）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法では、切断工程において、ウォータージェットの噴射ノズルが移動する方向と未切断のハニカム乾燥体が移動する方向とがなす角をφ、未切断のハニカム乾燥体が移動する速度をＶ１、噴射ノズルが移動する速度をＶ２’とするとき、Ｖ２’＝Ｖ１／ｃｏｓφとすることができる。
この場合、ハニカム乾燥体の切断面が垂直となるように切断することができる。
【０１１９】
（７）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法において、乾燥工程では、高周波誘電乾燥により、未切断のハニカム成形体を乾燥させることができる。
この場合、ハニカム成形体を内部まで均一に乾燥させることができる。また、高周波誘電乾燥にすることで、局所加熱が可能なため設備を短くすることができ、簡易的な電磁波シールドを設けるのみでよいため、より設備を簡略化することができる。
【０１２０】
（８）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法では、ハニカム乾燥体の水分率を、０〜６質量％とすることができる。
ハニカム乾燥体の水分率が上記範囲であると、ハニカム乾燥体の形状を保つことができる点で有効である。
【０１２１】
（９）本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法では、ハニカム乾燥体の開口率を、６０〜９０％とすることができる。
本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法では、高い開口率を有するハニカム乾燥体に対しても、ハニカム乾燥体の変形を抑制することができる点で有効である。
【０１２２】
（１０）本実施形態のハニカム構造体の製造方法では、本実施形態のハニカム乾燥体の切断方法を用いることができる。
そのため、ハニカム構造体の製造工程を大きく簡略化してハニカム構造体を製造することができる。
【実施例】
【０１２３】
以下、本発明の実施形態をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、以下の実施例のみに限定されるものではない。【０１２４】
（ハニカム乾燥体の作製）
平均粒子径２２μｍを有する炭化ケイ素の粗粉末５４．８重量％と、平均粒子径０．５μｍの炭化ケイ素の微粉末２３．５重量％とを混合し、得られた混合物に対して、有機バインダ（メチルセルロース）４．４重量％、潤滑剤（日油（株）製  ユニルーブ）２．６重量％、グリセリン１．２重量％、及び、水１３．５重量％を加えて混練して湿潤混合物を得た後、押出成形機から連続的に押出成形する成形工程を行った。
本工程では、図２に示したハニカム乾燥体２０と同様の形状の未切断のハニカム成形体を作製した。
セル隔壁の厚さは０．４０ｍｍ（１６ｍｉｌ）、セル密度は２００個／ｉｎｃｈ２とした。
成形速度は０．１ｍ／分とした。【０１２５】
次いで、押出成形機の金型から３０ｍｍの地点から設置された高周波誘電乾燥装置を用いて、未切断のハニカム成形体を乾燥させて、未切断のハニカム乾燥体を作製した。
高周波誘電加熱の出力は０．３ｋＷ、周波数は１３．５６ＭＨｚ、電極の長さは１５０ｍｍとした。【０１２６】
続いて、ウォータージェット切断機を用いてハニカム乾燥体を切断し、切断されたハニカム乾燥体を作製した。
ウォータージェット切断機のウォーターノズル径を０．２ｍｍ、下部ノズル径を０．５ｍｍ、水圧を３００ＭＰａとし、切断速度は７０ｍｍ／ｓ、噴射ノズルとハニカム乾燥体の上面との角度を４５°、噴射ノズルの先端とハニカム乾燥体の上面との距離を１ｍｍとした。
切断の際には、コンベアの移動速度とウォータージェットの噴射ノズルの移動速度を同期させた。【０１２７】
（平面度の評価）
作製したハニカム乾燥体の側面の平面度を３次元測定機（ミツトヨ社製、ＢＨ−Ｖ５０７）を用いて測定した。
その結果、ハニカム乾燥体の切断面の平面度は０．１０ｍｍであり、ハニカム乾燥体の切断面の平面度が優れており、１回の切断処理により、ハニカム成形体を作製できることが確認された。【０１２８】
（ハニカム構造体の製造）
作製したハニカム乾燥体に対して、セルの端部が図７（ａ）に示す位置で目封止されるようにセルの目封止を行った。
なお、上記湿潤混合物を封止材ペーストとして使用した。セルの目封止を行った後、封止材ペーストを充填したハニカム乾燥体を乾燥機を用いて乾燥させた。【０１２９】
続いて、セルの目封止を行ったハニカム乾燥体を４００℃で脱脂する脱脂処理を行い、さらに、常圧のアルゴン雰囲気下２２００℃、３時間の条件で焼成処理を行った。
これにより、ハニカム焼成体を作製した。
作製したハニカム焼成体は、気孔率が４２％、平均気孔径が１１ｍ、大きさが３４．３ｍｍ×３４．３ｍｍ×１５０ｍｍ、セルの数（セル密度）が２００個／ｉｎｃｈ２、開口率が６０％、セル隔壁の厚さが０．４０ｍｍ（１６ｍｉｌ）の炭化ケイ素焼結体からなるハニカム焼成体であった。【０１３０】
続いて、平均繊維長２０μｍのアルミナファイバ３０重量％、平均粒子径０．６μｍの炭化ケイ素粒子２１重量％、シリカゾル１５重量％、カルボキシメチルセルロース５．６重量％、及び、水２８．４重量％を含む耐熱性の接着材ペーストを用いてハニカム焼成体を多数結束させ、さらに、接着材ペーストを１２０℃で乾燥固化させて接着材層を形成して角柱状のセラミックブロックを作製した。【０１３１】
続いて、角柱状のセラミックブロックの外周をダイヤモンドカッターを用いて切断することにより略円柱状のセラミックブロックを作製した。【０１３２】
続いて、接着材ペーストと同様の組成からなるシール材ペーストをセラミックブロックの外周面に塗布し、シール材ペーストを１２０℃で乾燥固化させて外周コート層を形成することにより、円柱状のハニカム構造体の製造を完了した。
ハニカム構造体の直径は１４３．８ｍｍ、長手方向の長さは１５０ｍｍであった。【０１３３】
以上の方法によると、ハニカム成形体を切断する工程を行うことなくハニカム乾燥体を作製することができるため、少ない工程数でハニカム構造体を製造することができることが確認された。
【符号の説明】
【０１３４】
１  成形乾燥切断装置
１０  ハニカム成形体
２０  ハニカム乾燥体
２１、１１１  セル
２２、１１２  セル隔壁
２３、１１３  外周壁
３０  ウォータージェット切断機
３１  噴射ノズル
３２  高圧水導入口
３３  ウォーターノズル
３４  下部ノズル
３５  空気／研磨材導入口
４０  高周波誘電乾燥装置
４１  上側電極
４２  下側電極
５０  押出成形機
６０Ａ  第１のコンベア
６０Ｂ  第２のコンベア
７０  速度センサー
８０  通過センサー
１００  ハニカム構造体
１０１  接着材層
１０２  外周コート層
１０３  セラミックブロック
１１０  ハニカム焼成体
１１４  封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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