【手続補正書】
【提出日】平成27年7月29日(2015.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
負電位である第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタがオフ状態になった後で、前記第２の回路への信号の供給が停止する半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタがオフ状態になった後で、前記第２の回路への電源電圧の供給が停止する半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１の回路に供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項７】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項８】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、
第２の電位を生成する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第２の電位は、前記第３のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項９】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
負電位である第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、
正電位である第２の電位を生成する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第２の電位は、前記第３のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項１０】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、
第２の電位を生成する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第２の電位は、前記第３のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタがオフ状態になった後で、前記第２の回路への信号の供給が停止し、
前記第３のトランジスタがオフ状態になった後で、前記第３の回路への信号の供給が停止する半導体装置。
【請求項１１】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、
第２の電位を生成する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第２の電位は、前記第３のトランジスタを介して、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第２のトランジスタがオフ状態になった後で、前記第２の回路への電源電圧の供給が停止し、
前記第３のトランジスタがオフ状態になった後で、前記第３の回路への前記電源電圧の供給が停止する半導体装置。
【請求項１２】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、
第２の電位を生成する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第２のトランジスタを介して、前記第１の回路に供給され、
前記第２の電位は、前記第３のトランジスタを介して、前記第１の回路に供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、
前記第３のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項１４】
第１のトランジスタを有する第１の回路と、
第１の電位を生成する機能を有する第２の回路と、
第２の電位を生成する機能を有する第３の回路と、を有し、
前記第１の電位は、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第２の電位は、前記第１のトランジスタのバックゲートに供給され、
前記第１のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有する半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのバックゲートに前記第１の電位が供給されると、前記第１のトランジスタのオフ電流が減少する半導体装置。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタのバックゲートに前記第１の電位が供給されると、前記第１のトランジスタのオフ電流が減少し、
前記第１のトランジスタのバックゲートに前記第２の電位が供給されると、前記第１のトランジスタのオン電流が増加する半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１の回路は、メモリセルである半導体装置。