【手続補正書】
【提出日】平成27年5月20日(2015.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面と直交する方向から視た場合に、前記表面に設けられている下層の導電層、および前記下層の導電層の表面に設けられ、且つ下層の導電層の外縁内に収まる形状である上層の導電層を有する電極と、
を含むことを特徴とする振動素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記基板の表面と直交する方向から視た場合に、
前記上層の導電層の外形は、前記下層の導電層の外形よりも小さいことを特徴とする振動素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記電極は、少なくとも励振電極であることを特徴とする振動素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記基板は、
厚み滑り振動で振動する基板であることを特徴とする振動素子。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
厚み滑り振動で振動する振動部と、
前記振動部の外縁と一体化され、前記振動部の厚さよりも薄い外縁部と、
を含むことを特徴とする振動素子。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
厚み滑り振動で振動する振動部と、
前記振動部の外縁と一体化され、前記振動部の厚さよりも厚い外縁部と、
を含むことを特徴とする振動素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動素子と、
前記振動素子を収容するパッケージと、
を備えていることを特徴とする振動子。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動素子と、
電子素子と、
前記振動素子および前記電子素子を搭載する容器と、
を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項９】
請求項８において、
前記電子素子が、サーミスター、コンデンサー、リアクタンス素子、および半導体素子の少なくともいずれかであることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１０】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動素子を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項７に記載の振動子を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
請求項８又は９に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の振動素子を備えていることを特徴とする移動体。
【請求項１４】
材料の異なる二層以上の導電層が積層されている基板を準備する工程と、
積層されている前記導電層の内の上層の導電層をエッチング加工する工程と、
前記上層の導電層より前記基板側に設けられている下層の導電層をエッチング加工する工程と、
前記上層の導電層を、前記下層の導電層よりも前記上層の導電層に対してエッチン速度が大きいエッチング溶液でエッチング加工する工程と、
を含むことを特徴とする振動素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記上層の導電層をエッチング加工する工程で使用されるエッチング液に対して、前記下層の導電層のエッチング速度は、前記上層の導電層のエッチング速度よりも遅く、
前記下層の導電層をエッチング加工する工程で使用されるエッチング液に対して、前記上層の導電層のエッチング速度は、前記下層の導電層のエッチング速度よりも遅いことを特徴とする振動素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５において、
前記上層の導電層と前記下層の導電層は材料が異なることを特徴とする振動素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記上層の導電層の材料が、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのいずれかであり、
前記下層の導電層の材料が、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＮｉＣｒ合金のいずれかであることを特徴とする振動素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
［形態１］本形態に係る振動素子は、基板と、前記基板の表面と直交する方向から視た場合に、前記表面に設けられている下層の導電層、および前記下層の導電層の表面に設けられ、且つ下層の導電層の外縁内に収まる形状である上層の導電層を有する電極と、を含むことを特徴とする。
本形態によれば、厚み滑り振動で励振する振動素子において、ＤＬＤ特性の劣化要因となる電極の上層の導電層と下層の導電層との間に密着していない空隙部がないので、ＤＬＤ特性の劣化を防止でき、ＤＬＤ特性検査の歩留りを向上した、振動素子が得られるという効果がある。
［形態２］上記形態に記載の振動素子において、前記基板の表面と直交する方向から視た場合に、前記上層の導電層の外形は、前記下層の導電層の外形よりも小さいことを特徴とする。
本形態によれば、電極の上層の導電層と下層の導電層とが全て密着しているので、ＤＬＤ特性の劣化を防止でき、ＤＬＤ特性検査の歩留りを向上した、振動素子が得られるという効果がある。
［形態３］上記形態に記載の振動素子において、前記電極は、少なくとも励振電極であることを特徴とする。
本形態によれば、上層の導電層と下層の導電層とが全て密着した電極を励振電極とし用いているので、ＤＬＤ特性の劣化を防止でき、安定した共振特性を有する振動素子が得られるという効果がある。
［形態４］上記形態に記載の振動素子において、前記基板は、厚み滑り振動で振動する基板であることを特徴とする。
本形態によれば、厚み滑り振動は小型化、高周波数化に適し、且つ優れた三次曲線を有する周波数温度特性が得られるので、小型、高周波で周波数温度特性に優れた振動素子が得られるという効果がある。
［形態５］上記形態に記載の振動素子において、厚み滑り振動で振動する振動部と、前記振動部の外縁と一体化され、前記振動部の厚さよりも薄い外縁部と、を含むことを特徴とする。
本形態によれば、振動部がメサ構造であるため、輪郭系スプリアスとの結合を回避し、主振動のみの振動エネルギーを閉じ込めることができるため、ＣＩが小さく、共振周波数近傍のスプリアスを抑制した振動素子が得られるという効果がある。
［形態６］上記形態に記載の振動素子において、厚み滑り振動で振動する振動部と、前記振動部の外縁と一体化され、前記振動部の厚さよりも厚い外縁部と、を含むことを特徴とする。
本形態によれば、振動部が非常に薄い高周波の振動素子であっても、振動部と一体化された厚い外縁部でマウントができるので、耐衝撃性や耐振動性に優れた高信頼性を有する振動素子が得られるという効果がある。
［形態７］本形態に係る振動子は、上記形態に記載の振動素子と、前記振動素子を収容するパッケージと、を備えていることを特徴とする。
本形態によれば、振動素子をパッケージに収容することで、温度変化や湿度変化等の外乱の影響や汚染による影響を防ぐことができるため、周波数再現性、周波数温度特性、ＣＩ温度特性および周波数エージング特性に優れ、ＤＬＤ特性の良好な小型の振動子が得られるという効果がある。
［形態８］本形態に係る電子デバイスは、上記形態に記載の振動素子と、電子素子と、前記振動素子および前記電子素子を搭載するパッケージと、を備えていることを特徴とする。
本形態によれば、ＤＬＤ特性の良好な振動素子を各種の電子素子を用いて構成した発振回路に搭載することにより、起動特性に優れた発振器等の電子デバイスが得られるという効果がある。
［形態９］上記形態に記載の電子デバイスにおいて、前記電子素子が、サーミスター、コンデンサー、リアクタンス素子、および半導体素子の少なくともいずれかであることを特徴とする。
本形態によれば、周波数温度特性に優れ、ＤＬＤ特性の良好な振動素子を各種の電子素子を用いて構成した温度補償回路や電圧制御回路を含む発振回路に搭載することにより、起動特性に優れた小型の温度補償型発振器や電圧制御型発振器等の電子デバイスが得られるという効果がある。
［形態１０］本形態に係る電子機器は、上記形態に記載の振動素子を備えていることを特徴とする。
本形態によれば、ＤＬＤ特性の良好な振動素子をＣＯＢ（Chip On Board）技術により、直接実装基板へ実装できるので、実装面積が小さくなり、発振の起動特性に優れ、良好な基準周波数源を備えた小型の電子機器が構成できるという効果がある。
［形態１１］上記形態に記載の電子機器において、上記形態に記載の振動子を備えていることを特徴とする。
本形態によれば、ＣＩや温度特性等の仕様規格を十分満足し、且つＤＬＤ特性の良好な振動素子を有する振動子を用い、発振の起動特性に優れ、良好な基準周波数源を備えた電子機器が構成できるという効果がある。
［形態１２］上記形態に記載の電子機器において、上記形態に記載の電子デバイスを備えていることを特徴とする。
本形態によれば、ＣＩや温度特性等の仕様規格を十分満足し、且つＤＬＤ特性の良好な振動素子を有する電子デバイスを電子機器に用いることにより、発振の起動特性に優れ、良好な基準周波数源を備えた電子機器が構成できるという効果がある。
［形態１３］本形態に係る移動体は、上記形態に記載の振動素子を備えていることを特徴とする。
本形態によれば、周波数温度特性の良好な振動素子を用いることで、安定な基準周波数源が構成でき、安定で正確な電子制御ユニットを備えた移動体が構成できるという効果がある。
［形態１４］本形態に係る振動素子の製造方法は、材料の異なる二層以上の導電層が積層されている基板を準備する工程と、積層されている前記導電層の内の上層の導電層をエッチング加工する工程と、前記上層の導電層より前記基板側に設けられている下層の導電層をエッチング加工する工程と、前記上層の導電層を、前記下層の導電層よりも前記上層の導電層に対してエッチン速度が大きいエッチング溶液でエッチング加工する工程と、を含むことを特徴とする。
本形態によれば、励振電極の下層の導電層をエッチングする際に生じた上層の導電層のアンダーエッチング部分を、再度上層の導電層の側面をエッチングする工程を行うことで除去することができるので、上層の導電層と下層の導電層との密着性を高め、ＤＬＤ特性の良好な振動素子を製造できるという効果がある。
［形態１５］上記形態に記載の振動素子の製造方法において、前記上層の導電層をエッチング加工する工程で使用されるエッチング液に対して、前記下層の導電層のエッチング速度は、前記上層の導電層のエッチング速度よりも遅く、前記下層の導電層をエッチング加工する工程で使用されるエッチング液に対して、前記上層の導電層のエッチング速度は、前記下層の導電層のエッチング速度よりも遅いことを特徴とする。
本形態によれば、上層の導電層と下層の導電層とを選択的にエッチングできるため、夫々の導電層の外形寸法精度の高い励振電極が形成でき、諸特性のばらつきが小さく、ＤＬＤ特性の良好な小型の振動素子を製造できるという効果がある。
［形態１６］上記形態に記載の振動素子の製造方法において、前記上層の導電層と前記下層の導電層は材料が異なることを特徴とする。
本形態によれば、上層の導電層と下層の導電層の材料が異なることで、夫々の導電層に対応したエッチング液を用いることができるので、夫々の導電層を選択的にエッチングし、外形寸法精度の高い励振電極が形成でき、諸特性のばらつきが小さく、ＤＬＤ特性の良好な小型の振動素子を製造できるという効果がある。
［形態１７］上記形態に記載の振動素子の製造方法において、前記上層の導電層の材料が、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのいずれかであり、前記下層の導電層の材料が、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＮｉＣｒ合金のいずれかであることを特徴とする。
本形態によれば、上層の導電層と下層の導電層との材料を使用目的に適した周波数温度特性やＣＩを有するように組み合わせることができるので、優れた周波数温度特性を有し、ＣＩの小さい小型の振動素子を製造できるという効果がある。