【事件の表示】
　特願２０１６−５１２０６４「イオン注入均一性を制御するための装置及び技術」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月　６日国際公開、ＷＯ２０１４／１７９６７４、平成２８年　９月　１日国内公表、特表２０１６−５２６２５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成２６年　５月　２日：国際特許出願（パリ条約による優先権主張外国　　　　　　　　　　　　　庁受理　２０１３年５月３日、同年９月２５日　　　　　　　　　　　　　、何れも米国）
　平成２８年１１月２２日：手続補正書
　平成２９年１０月３０日付け：拒絶理由通知（同年１１月７日発送）
　平成３０年　１月２３日：意見書、手続補正書
　平成３０年　６月２７日付け：拒絶査定（同年７月３日送達）
　平成３０年１０月　３日：拒絶査定不服審判の請求、手続補正書
　平成３１年　３月　５日：上申書
　令和　１年　７月　９日付け：拒絶理由通知（同年７月１６日発送）
　令和　１年　８月２６日：意見書、手続補正書
　
２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１−１２に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１−１２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は以下のとおりである。
　
「イオンビームの伝搬方向に垂直な第１の方向に沿って、前記イオンビームの複数のビーム電流測定を実行する検出器と、
　前記複数のビーム電流測定に基づいて、前記第１の方向に沿ったビーム電流の変化を含むビーム電流分布を決定し、前記ビーム電流分布に基づいて、前記ビーム電流分布の勾配及び第１の方向に沿ったビーム高さを計算する分析部と、
　前記ビーム高さが閾値を下回らないことを示す場合、現在のパラメータを用いてイオン注入を実行し、前記ビーム高さが前記閾値を下回ることを示し、且つ、調整試行回数が限度を超えない場合、イオン注入装置の１つ以上の選択パラメータを動的に調整する調整部と、を備える、
　イオン注入機のイオンビームを制御するシステム。」(以下「本願発明」という。）
　
３　引用発明等
　当審が通知した令和１年７月９日付け拒絶理由通知書は、平成３０年１０月３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲について、記載要件違反の拒絶理由のみを通知し、新規性、進歩性などの特許要件についての審理を行っていない旨を付記している。そこで、以下においては、拒絶査定の理由となった進歩性欠如の拒絶理由について検討する。
（１）原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１１−８６６４３号公報（以下「引用文献」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている。
　
ア　「【請求項１１】
　
被処理体に不純物をイオン注入するイオン注入装置
　
イオンビームを収束させるための収束レンズと、前記収束レンズによって収束された前記イオンビームを発散させることにより拡げるための発散レンズとを有するデフォーカス部を備えている
【請求項１２】
　請求項１１に記載のイオン注入装置において、
　前記デフォーカス部は、
前記発散レンズによって拡がった前記イオンビーム中のイオンの前記被処理体に対する照射角度を制御する制御レンズ
【請求項１３】
　請求項１２に記載のイオン注入装置において、
　
前記制御レンズは他の収束レンズである
…
【請求項１６】
　請求項１１〜１３のいずれか１項に記載のイオン注入装置において、
　
前記イオンビームを前記被処理体に対して２次元的にスキャンさせる機構
【請求項１７】
　請求項１６に記載のイオン注入装置において、
　前記機構は、前記イオンビームを、第１のスキャン速度でファーストスキャン方向にスキャンさせると共に、前記第１のスキャン速度よりも小さい第２のスキャン速度でスロースキャン方向にスキャンさせ、
　
前記デフォーカス部の後段に、前記ファーストスキャン方向及び前記スロースキャン方向のそれぞれにおける前記イオンビームの形状をスカート部分まで測定できるビームプロファイラー
【請求項１８】
　請求項１７に記載のイオン注入装置において、
　前記ビームプロファイラーにより得られた情報が
前記デフォーカス部にフィードバックされる
　
イ　「【００２６】
　以上に述べた諸課題に鑑み、本発明は、イオンビーム形状とスキャンピッチとのミスマッチに起因する高エネルギーイオン注入のドーズ量及び注入深さ等のバラツキを抑制することができる不純物注入方法及びイオン注入装置を提供し、それによって、固体撮像素子や高耐圧バワーデバイスなどの製造において高品質の深い不純物層を生産性を低下させることなく実現できるようにすることを目的とする。」
　
ウ　「【００５５】
　本実施形態に係るイオン注入装置の特徴は、イオンビーム２００のビーム形状（ビーム強度変化）をビームスカート部分まで制御できることである。…
…
【００５７】
　以上のように、本実施形態に係るイオン注入装置では、デフォーカスユニット２０５内に設置した収束−発散−収束の３つのレンズ２０６〜２０８により、イオンの入射角を変化させることなく、イオンビーム２００のみをぼかすこと（ビームデフォーカス）ができるようになっている。
【００５８】
　また、本実施形態に係るイオン注入装置のさらなる特徴として、デフォーカスユニット２０５の後段に設置したビームプロファイラー２０９によって、ファーストスキャン方向（Ｘ方向）及びスロースキャン方向（Ｙ方向）のそれぞれにおけるイオンビーム２００の形状をビームスカート部分までモニターすることができる。また、ビームプロファイラー２０９により得られた情報はデフォーカスユニット２０５にフィードバックされる。これにより、本実施形態においては、
デフォーカスユニット２０５でのビームデフォーカスと、ビームプロファイラー２０９でのビーム形状モニターとを繰り返すことにより、イオンビーム２００の形状、特にビームスカート部分の形状を所望の形状に制御する
　
エ　「【００６１】
　本実施形態の特徴は、イオンビーム２００の最大強度をＩｍａｘ、イオンビーム２００の強度プロファイルにおける最大強度Ｉｍａｘの５０％の位置での強度変化率をＳ５０、スロースキャン方向（Ｙ方向）におけるスキャンピッチをＰｓとしたときに、下記（式１）
　Ｐｓ＜Ｉｍａｘ／Ｓ５０　・・・　（式１）
の関係が成り立つように強度変化率Ｓ５０を制御することである。言い換えると、（式１）の変形により得られる下記（式２）
　Ｓ５０＜Ｉｍａｘ／Ｐｓ　・・・　（式２）
の関係が成り立つように強度変化率Ｓ５０を制御することである。（式１）の右辺
Ｉｍａｘ／Ｓ５０は、強度変化率Ｓ５０での強度プロファイル幅である
．５°以内）に制御される。これにより、高エネルギーイオン注入におけるイオンの入射方向のバラツキに起因する不純物注入領域の広がりを抑制することができる。
【００６２】
　図３は、本実施形態のビームプロファイラー２０９によってモニターされた、スロースキャン方向（Ｙ方向）のビーム強度変化（ビーム強度プロファイル）を模式的に示す図である。図３において「３１」はビーム最大強度Ｉｍａｘであり、「３２」はビーム幅（ビームサイズ）であって、最大強度Ｉｍａｘの８０％以上を持つビーム部分のサイズによって規定されている。また、「３３」は、ビーム強度プロファイルにおける最大強度Ｉｍａｘの５０％の位置での強度変化率Ｓ５０である。ここで、スキャンピッチＰｓが前述のように例えば０．７４ｍｍであり、最大強度Ｉｍａｘが例えば１９μＡであるとすると、前記（式２）から、２５．７μＡ／ｍｍよりも小さければよいことが分かる。そこで、本実施形態では、デフォーカスユニット２０５とビームプロファイラー２０９とを用いて強度変化率Ｓ５０を１０μＡ／ｍｍに制御する。このとき、ビームサイズは例えば２０ｍｍのままである。
【００６３】
　尚、前述のように、イオンビーム２００の形状、特に、ビームスカート部分の形状の制御は、デフォーカスユニット２０５の後段に設けられたビームプロファイラー（Ｘ−Ｙビームプロファイラー）２０９により得られたビーム形状をデフォーカスユニット２０５にフィードバックすることにより行われる。また、ドーズ量等のばらつきを防止するためには、イオンビーム２００の形状について、前述の（式１）の関係Ｐｓ＜Ｉｍａｘ／Ｓ５０が満たされていることが必要である。もちろん、スキャンピッチＰｓを狭くすることによって均一性を確保することも可能であるが、その場合には、スループットの低下が避けられず、実用的ではない。
【００６４】
　図４（ａ）は、以上に説明した本実施形態の高エネルギーイオン注入によって形成した固体撮像素子の飽和特性のチップ面内分布を示す図であり、図４（ｂ）は、比較例として強度変化率Ｓ５０を５０μＡ／ｍｍに設定した（つまりビームスカート部のプロファイルを急峻にした）高エネルギーイオン注入によって形成した固体撮像素子の飽和特性のチップ面内分布を示す図である。尚、図４（ａ）及び（ｂ）において、横軸はチップのＹ方向（スロースキャン方向）の位置を示し、縦軸はチップのＸ方向（ファーストスキャン方向）の中央位置における飽和電子数（任意単位（ａ．ｕ．））を示している。
【００６５】
　図４（ａ）に示すように、本実施形態のように、デフォーカスさせたイオンビームを用いたイオン注入によって形成した固体撮像素子では、飽和電子数のバラツキは小さく抑制されている。しかし、図４（ｂ）に示すように、比較例のように、ビームスカート部のプロファイルを急峻にした（他のスキャン条件は本実施形態と同じ）イオンビームを用いたイオン注入によって形成した固体撮像素子では、イオンビーム形状とスキャンピッチ（０．７４ｍｍ）とのミスマッチに起因する飽和電子数のバラツキ（飽和ムラ）が観察されている。この飽和ムラはウェハ全域に亘って観察され、飽和ムラのピッチはスキャンピッチとほぼ一致する。また、図４（ｂ）では、Ｘ方向のチップセンターでの情報のみをプロットしているが、撮像素子により得られた画像を見ると、この飽和ムラはＹ方向において縞模様として観察される。
【００６６】
　図５は、本実施形態に係る不純物注入方法におけるイオンビームの形状を決定するアルゴリズムを示すフローチャートである。
【００６７】
　図５に示すように、まず、
ステップＳ１において、所定のドーズ量及び所定の均一性の要求に対して、ビーム電流及びビームサイズの目標を決定する
【００６８】
　次に、
ステップＳ２において、前述のビームプロファイラー２０９によって、ビーム形状の計測を行い
ステップＳ３において、目標とするビーム電流及びビームサイズが得られているかどうかが判断される。目標とするビーム電流及びビームサイズが得られていない場合には、ステップＳ８において、ビーム整形を行い、その後、ステップＳ２以降の処理を繰り返す
【００６９】
　ステップＳ３において、
目標とするビーム電流及びビームサイズが得られていると判断された場合には
ステップＳ４において、ファーストスキャン速度及びスロースキャン速度を決定する
…
【００７３】
　…、本実施形態では、
ステップＳ５において
スロースキャン速度からスキャンピッチＰｓを計算し、当該スキャンピッチＰｓについて、ビームプロファイラー２０９により得られた実際のビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０を用いて、（式１）の関係Ｐｓ＜Ｉｍａｘ／Ｓ５０が満たされているかどうか判断する。（式１）の関係が満たされていなければ、ステップＳ７において、前述のデフォーカスユニット２０５（特に発散レンズ２０７と最終段の収束レンズ２０８）を用いて、ビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０を小さくすることによって（式１）の関係が満たされるようにする
ステップＳ８において、ビーム整形を行い
ステップＳ５において、（式１）の関係が満たされていると判断された場合には、決定されたスキャン条件でイオン注入を開始する
【００７４】
　図６（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、スキャンピッチＰＳ及びイオンビーム形状（つまりビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０）と、ビームオーバラップ（ビーム重ね合わせ）によるトータルドーズ量（図中破線）との関系を模式的に示す図である。
【００７５】
　図６（ａ）は、明らかに（式１）の関係が満たされていない場合（つまりスキャンピッチＰｓがＩｍａｘ／Ｓ５０よりも大きい場合）を示しており、この場合、ビームオーバラップ、特にビームスカート部におけるオーバーラップが足らないため、トータルドーズ量はスキャンピッチＰｓを周期として波打つことになる。
【００７６】
　図６（ｂ）は、図６（ａ）と同じイオンビーム形状（つまりデフォーカスしていないイオンビーム形状）のままスキャンピッチＰｓを狭くした場合を示している。前述のように、スロースキャン速度を低下させるか又はスロースキャン回数を増やすことにより、スキャンピッチＰｓを狭くすることができる。これにより、（式１）の関係は満たされるため、図６（ｂ）に示すように、ビームオーバラップが十分になるので、均一性は向上するものの、生産性の低下は避けられない。
【００７７】
　図６（ｃ）は、図６（ａ）と同じスキャンピッチＰｓのまま本実施形態のようにビームスカート部分の形状をブロードに整形して（式１）の関係が満たされるようにした場合を示している。図６（ｃ）に示すように、ビームスカート部分のビーム強度の傾き（強度変化率）が緩やかになっているため、スキャンピッチＰｓが広いまま（つまり生産性の低下なく）、ビームスカート部分をオーバーラップさせて均一性を向上させることができる。
【００７８】
　以上に説明したように、本実施形態によると、例えば収束レンズ２０６によって一旦収束させた後に例えば発散レンズ２０７によって発散させたイオンビームを用いてイオン注入を行うため、イオンビームのスキャンピッチに対応してビーム形状、特に均一性に大きな影響を及ぼすビームスカート形状を制御することができる。具体的には、例えば（式１）の関係が満たされるようにイオンビームを発散させてブロードにすることにより、イオンビームのスキャンピッチを小さくすることなく（或いはスキャン回数を増やすことなく）、注入ドーズ量や注入深さ等の均一性を向上させることができるので、高エネルギーで低ドーズ量のイオン注入であっても生産性を犠牲にすることなく均一性を向上させることができる。すなわち、スキャンピッチやスキャン回数に依存しない均一なイオン注入を実現することが可能である。」
オ　図２、図３、図５、図６は、以下のとおりである。
　
（２）引用発明
ア　上記（１）アによれば、引用文献には、
　「 イオンビームを収束させるための収束レンズと、前記収束レンズによって収束された前記イオンビームを発散させることにより拡げるための発散レンズと、前記発散レンズによって拡がった前記イオンビーム中のイオンの前記被処理体に対する照射角度を制御する収束レンズを有するデフォーカス部と、
　前記イオンビームを前記被処理体に対して２次元的にスキャンさせる機構と、
　前記デフォーカス部の後段に、前記ファーストスキャン方向及び前記スロースキャン方向のそれぞれにおける前記イオンビームの形状をスカート部分まで測定できるビームプロファイラーを備え、
　前記ビームプロファイラーにより得られた情報が前記デフォーカス部にフィードバックされる、
　被処理体に不純物をイオン注入するイオン注入装置。」
が開示されている。
イ　上記（１）ウによれば、
　「デフォーカスユニット２０５でのビームデフォーカスと、ビームプロファイラー２０９でのビーム形状モニターとを繰り返すことにより、イオンビーム２００の形状、特にビームスカート部分の形状を所望の形状に制御すること」
が開示されている。
　
ウ　上記（１）エを踏まえて図５を見れば、
　「所定のドーズ量及び所定の均一性の要求に対して、ビーム電流及びビームサイズの目標を決定し、（ステップＳ１）、
　次に、ビームプロファイラーによって、ビーム形状の計測を行ない（ステップＳ２）、
　続いて、目標とするビーム電流及びビームサイズが得られているか否か判断し（ステップＳ３）、
　ステップＳ３において目標とするビーム電流及びビームサイズが得られていると判断した場合、ファーストスキャン速度及びスロースキャン速度を決定し（ステップＳ４）、
　ステップＳ３において目標とするビーム電流及びビームサイズが得られていないと判断した場合、ビーム成形を行い（ステップＳ８）、その後、ステップＳ２以降の処理を繰り返し、
　スロースキャン速度からスキャンピッチＰｓを計算し、当該スキャンピッチＰｓについて、ビームプロファイラーにより得られた実際のビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０を用いて、
　　Ｐｓ＜Ｉｍａｘ／Ｓ５０・・・（式１）
（但し、Ｉｍａｘはイオンビームの最大強度、Ｓ５０はＩｍａｘの５０％の位置での強度変化率である。）
の関係が満たされているかどうか判断し（ステップＳ５）、
　ステップＳ５において、（式１）の関係が満たされていないと判断した場合、デフォーカス部（特に発散レンズと最終段の収束レンズ）を用いて、ビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０を小さくすることによって（式１）の関係が満たされるようにデフォーカスし（ステップＳ７）、再度、ステップＳ８において、ビーム整形を行い、その後、ステップＳ２以降の処理を繰り返し、
　ステップＳ５において、（式１）の関係が満たされていると判断した場合、決定されたスキャン条件でイオン注入を開始する」
イオン注入装置のイオンビームを制御する方法が開示されている。そして、イオン注入装置のイオンビームを前記のように制御する装置（上記方法を実行する装置）も実質的に開示されている。
エ　以上によれば、引用文献には、以下の発明が開示されている。
「イオンビームを収束させるための収束レンズと、前記収束レンズによって収束された前記イオンビームを発散させることにより拡げるための発散レンズと、前記発散レンズによって拡がった前記イオンビーム中のイオンの前記被処理体に対する照射角度を制御する収束レンズを有するデフォーカス部と、
　前記イオンビームを前記被処理体に対して２次元的にスキャンさせる機構と、
　前記デフォーカス部の後段に、ファーストスキャン方向及びスロースキャン方向のそれぞれにおける前記イオンビームの形状をスカート部分まで測定できるビームプロファイラーを備え、
　前記ビームプロファイラーにより得られた情報が前記デフォーカス部にフィードバックされ、デフォーカス部でのビームデフォーカスと、ビームプロファイラーでのビーム形状モニターとを繰り返すことにより、イオンビームの形状、特にビームスカート部分の形状を所望の形状に制御する、被処理体に不純物をイオン注入するイオン注入装置のイオンビームを制御する装置であって、
　所定のドーズ量及び所定の均一性の要求に対して、ビーム電流及びビームサイズの目標を決定し（ステップＳ１）、
　次に、前記ビームプロファイラーによって、ビーム形状の計測を行ない（ステップＳ２）、
　続いて、目標とするビーム電流及びビームサイズが得られているか否か判断し（ステップＳ３）、
　ステップＳ３において目標とするビーム電流及びビームサイズが得られていると判断した場合、ファーストスキャン速度及びスロースキャン速度を決定し（ステップＳ４）、
　ステップＳ３において目標とするビーム電流及びビームサイズが得られていないと判断した場合、ビーム成形を行い（ステップＳ８）、その後、ステップＳ２以降の処理を繰り返し、
　スロースキャン速度からスキャンピッチＰｓを計算し、当該スキャンピッチＰｓについて、ビームプロファイラーにより得られた実際のビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０を用いて、
　　　　Ｐｓ＜Ｉｍａｘ／Ｓ５０・・・（式１）
（但し、Ｉｍａｘはイオンビームの最大強度、Ｓ５０はＩｍａｘの５０％の位置での強度変化率である。）
の関係が満たされているかどうか判断し（ステップＳ５）、
　ステップＳ５において（式１）の関係が満たされていないと判断した場合、デフォーカス部（特に発散レンズと最終段の収束レンズ２０８）を用いて、ビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０を小さくすることによって（式１）の関係が満たされるようにデフォーカスし（ステップＳ７）、再度、ステップＳ８において、ビーム整形を行い、その後、ステップＳ２以降の処理を繰り返し、
　ステップＳ５において（式１）の関係が満たされていると判断した場合、決定されたスキャン条件でイオン注入を開始する、
　イオン注入装置のイオンビームを制御する装置。」（以下「引用発明」という。）
　
４　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「イオン注入装置」は本願発明の「イオン注入機」に相当し、以下同様に、「イオン注入装置のイオンビームを制御する装置」は「イオン注入機のイオンビームを制御するシステム」に、「スロースキャン方向」は「イオンビームの伝搬方向に垂直な第１の方向」に、それぞれ相当する。
（２）引用発明の「イオンビームの形状をスカート部分まで測定できるビームプロファイラー」は、イオンビームの横断面内の複数の位置で電流を測定し、スカート部分までイオンビームの形状を測定するものと解される。してみると、引用発明が「スロースキャン方向…における前記イオンビームの形状をスカート部分まで測定できるビームプロファイラー」を備えることは、本願発明が「イオンビームの伝搬方向に垂直な第１の方向に沿って、前記イオンビームの複数のビーム電流測定を実行する検出器」を備えることに相当する。
（３）引用発明の「前記ビームプロファイラーによって」、「スロースキャン方向の」イオン「ビーム形状の計測を行な」うことは、本願発明の「前記複数のビーム電流測定に基づいて、前記第１の方向に沿ったビーム電流の変化を含むビーム電流分布を決定」することに相当する。
　次に、引用発明は、「ビームプロファイラー２０９により得られた実際のビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０を用いて、
　　　　Ｐｓ＜Ｉｍａｘ／Ｓ５０・・・（式１）
（但し、Ｉｍａｘはイオンビームの最大強度、Ｓ５０はＩｍａｘの５０％の位置での強度変化率である。）
の関係が満たされているかどうか判断」しているところ、「Ｓ５０」を求めることはＩｍａｘの５０％の位置での強度変化率を計算することであり、「Ｉｍａｘ／Ｓ５０」を求めることは、「強度変化率Ｓ５０での強度プロファイル幅」（【００６１】）を計算することである。ここで、「強度変化率Ｓ５０での強度プロファイル幅」である「Ｉｍａｘ／Ｓ５０」は、ビームスカート部分を含むビーム形状において、電流レベルが０を超えるビームの幅の半分を、イオンビームの最大強度Ｉｍａｘと強度変化率Ｓ５０を用いて計算により求めるものであるから、「Ｉｍａｘ／Ｓ５０」は実質的に本願発明の「ビーム高さ」の半分に相当する。そして、引用文献には明示されていないものの、上記計算は、制御部や処理部等が行うことは明らかである。
　してみると、引用発明において、「前記ビームプロファイラーによって」、「スロースキャン方向の」イオン「ビーム形状の計測を行な」い、「ビームプロファイラーにより得られた実際のビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０」を求め、「Ｉｍａｘ／Ｓ５０」を求めることは、本願発明の「前記複数のビーム電流測定に基づいて、前記第１の方向に沿ったビーム電流の変化を含むビーム電流分布を決定し、前記ビーム電流分布に基づいて、前記ビーム電流分布の勾配及び第１の方向に沿ったビーム高さを計算する」ことに相当し、引用発明において明示されていないものの、「強度変化率Ｓ５０」と「Ｉｍａｘ／Ｓ５０」を求める制御部や処理部等は、本願発明の「分析部」に相当する。
（４）上記（３）で検討したとおり、「Ｉｍａｘ／Ｓ５０」が実質的に本願発明の「ビーム高さ」の半分に相当する。また、引用発明の「Ｐｓ」は、本願発明の「閾値」の半分に相当する。そうすると、引用発明において、（式１）の関係が満たされているかどうか判断することは、本願発明における「前記ビーム高さが閾値を下回」るか否かを判断することに相当し、引用発明において「決定されたスキャン条件でイオン注入を開始する」ことは、本願発明の「現在のパラメータを用いてイオン注入を実行」することに相当し、引用発明において「デフォーカス部（特に発散レンズと最終段の収束レンズ）を用いて、ビームスカート部分の強度変化率Ｓ５０を小さくすることによって（式１）の関係が満たされるようにデフォーカス」することは、本願発明の「イオン注入装置の１つ以上の選択パラメータを動的に調整する」ことに相当する。そして、引用発明において「イオン注入を開始」したり、「デフォーカス」する制御を行う装置は、引用文献には明示されていないものの、制御部や処理部等が行うことは明らかであり、この明示されていない制御部や処理部等は本願発明の「調整部」に相当する。
（５）以上によれば、本願発明と引用発明は、
「イオンビームの伝搬方向に垂直な第１の方向に沿って、前記イオンビームの複数のビーム電流測定を実行する検出器と、
　前記複数のビーム電流測定に基づいて、前記第１の方向に沿ったビーム電流の変化を含むビーム電流分布を決定し、前記ビーム電流分布に基づいて、前記ビーム電流分布の勾配及び第１の方向に沿ったビーム高さを計算する分析部と、
　前記ビーム高さが閾値を下回らないことを示す場合、現在のパラメータを用いてイオン注入を実行し、前記ビーム高さが前記閾値を下回ることを示す場合、イオン注入装置の１つ以上の選択パラメータを動的に調整する調整部と、を備える、
　イオン注入機のイオンビームを制御するシステム。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点：ビーム高さが閾値を下回り、イオン注入装置の１つ以上の選択パラメータを動的に調整する場合は、本願発明では、「調整試行回数が限度を超えない」場合であるのに対し、引用発明は、そのようなものなのか否か不明である点。
　
５　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（１）一般に、パラメータ等が所望の範囲内となるように調整を繰り返す際、調整を繰り返す回数に上限を設け、調整回数が上限を超えない場合に調整を行うように制御することにより、調整が無制限に行われないようにすることは、例えば特開２００８−２６９８９９号公報（【００６６】−【００６８】参照。）、特開平１−２１６６８１号公報（４頁右下欄２−８行参照）に記載されるよう、周知の技術手段である。
　してみると、引用発明において、調整が無制限に繰り返されないように上記周知技術手段を採用し、「デフォーカス部でのビームデフォーカスと、ビームプロファイラーでのビーム形状モニターとを繰り返す」回数が限度を超えないように構成し、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項となすことは、当業者が容易に想到し得ることである。　
　
（２）そして、本願発明が奏する作用効果は、引用発明と上記周知の技術手段に基いて当業者が容易に予測しうる程度のものであって、格別のものとは認められない。
（３）よって、本願発明は、引用発明と上記周知の技術手段に基いて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と上記周知の技術手段に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。