【手続補正書】
【提出日】平成27年7月29日(2015.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大口径の基板を処理する処理室と、前記基板上に第１の膜を形成するための第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給部と、前記第１の膜上に第２の膜を形成するための第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給部と、前記処理室内の雰囲気をパージするパージガスを供給するパージガス供給部と、前記第１の処理ガス、第２の処理ガスまたはパージガスのそれぞれの供給流量を調整する流量制御装置と、前記処理室内に供給されたガスを排気する排気装置と、前記排気部に設けられ排気圧力を検出する圧力検出器と、前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、少なくとも前記圧力検出器および前記圧力調整器ならびに前記流量制御装置に接続され、前記圧力検出器によって検出された圧力値に応じて前記圧力調整器および前記流量制御装置を制御する制御部とを備えた基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記第１の処理ガス供給部から、前記第１の処理ガスが前記流量制御装置を介して前記処理室内に供給されて第１の膜を形成する工程と、
少なくとも前記第１の処理ガスが前記処理室内に供給されると、前記圧力検出器によって排気圧力に基づく前記処理室内の圧力を検出し、検出した前記圧力を示す信号を随時前記制御部に通知する工程と、
前記圧力を示す信号が前記制御部に通知されると、前記制御部は、前記圧力を示す信号が、予め定められていた処理室内の圧力値近傍であるか否かを判断し、前記圧力を示す信号が前記予め定められていた処理室内の圧力値近傍であった場合には、前記圧力調整器と前記流量制御装置に対して、前記圧力を示す信号に基づいてリアルタイムに流量変更情報と流量制御情報とを通知してガス供給量とガス排気量を変更することでガス供給の流量変更タイミングと排気量の変更タイミングとを同期させ、前記排気圧力が所定の圧力となるように前記圧力調整器と前記流量制御装置を連動させて制御する工程と、
前記第１の膜が形成された後、前記パージガス供給部より前記処理室内の雰囲気をパージするパージガスを供給する第１のパージガス供給工程と
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記圧力調整器と前記流量制御装置を連動させて制御する工程において、前記制御部が、前記圧力を示す信号が前記予め定められていた処理室内の圧力値近傍であると判断した場合には、前記第１の処理ガスの供給流量を低減させるよう、前記流量制御装置を制御する工程を有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のパージガス供給工程において、前記第１のパージガス供給工程開始直後は、前記制御部から前記流量制御装置に対して流量制御信号を通知して前記パージガスを大流量で供給するとともに、前記圧力調整器に対して開度制御信号と流量変更信号を通知することで排気量を多くするように制御する請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のパージガス供給工程において、前記制御部が、前記圧力検出器によって検出された圧力が前記処理室内の圧力が予め定められた圧力値付近であると判断した場合には、前記流量制御装置に流量制御信号を通知して前記パージガスの流量を低減させると共に、前記圧力調整器に対して開度制御信号と流量変更情報を通知して排気量を低くするように制御する請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の処理ガスが前記処理室内へ供給された後、排気圧力を検出する工程と、
前記排気圧力を検出する工程から検出された前記排気圧力が第２の圧力近傍であった場合には、前記第２の処理ガスの供給流量を低減させるよう、前記流量制御装置を制御する工程と、
前記パージガスを前記処理室内へ供給する工程と、
を更に有する請求項１から４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板の口径は450mmである請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
大口径の基板を処理する処理室と、前記基板上に第１の膜を形成するための第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給部と、前記第１の膜上に第２の膜を形成するための第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給部と、前記処理室内の雰囲気をパージするパージガスを供給するパージガス供給部と、前記第１の処理ガス、第２の処理ガスまたはパージガスのそれぞれの供給流量を調整する流量制御装置と、前記処理室内に供給されたガスを排気する排気装置と、前記排気部に設けられ排気圧力を検出する圧力検出器と、前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、少なくとも前記圧力検出器および前記圧力調整器ならびに前記流量制御装置に接続され、前記圧力検出器によって検出された圧力値に応じて前記圧力調整器および前記流量制御装置を制御する制御部とを備えた基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記第１の処理ガス供給部から、前記第１の処理ガスが前記流量制御装置を介して前記処理室内に供給されて第１の膜を形成する工程と、
少なくとも前記第１の処理ガスが前記処理室内に供給されると、前記圧力検出器によって排気圧力に基づく前記処理室内の圧力を検出し、検出した前記圧力を示す信号を随時前記制御部に通知する工程と、
前記圧力を示す信号が前記制御部に通知されると、前記制御部は、前記圧力を示す信号が、予め定められていた処理室内の圧力値近傍であるか否かを判断し、前記圧力を示す信号が前記予め定められていた処理室内の圧力値近傍であった場合には、前記圧力調整器と前記流量制御装置に対して、前記圧力を示す信号に基づいてリアルタイムに流量変更情報と流量制御情報とを通知してガス供給量とガス排気量を変更することでガス供給の流量変更タイミングと排気量の変更タイミングとを同期させ、前記排気圧力が所定の圧力となるように前記圧力調整器と前記流量制御装置を連動させて制御する工程と、
前記第１の膜が形成された後、前記パージガス供給部より前記処理室内の雰囲気をパージするパージガスを供給する第１のパージガス供給工程と
を有する基板処理方法。
【請求項８】
大口径の基板を処理する処理室と、
前記基板上に第１の膜を形成するための第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給部と、
前記第１の膜上に第２の膜を形成するための第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給部と、
前記処理室内の雰囲気をパージするパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記第１の処理ガス、第２の処理ガスまたはパージガスのそれぞれの供給流量を調整する流量制御装置と、
前記処理室内に供給されたガスを排気する排気装置と、
前記排気部に設けられ、排気圧力を検出する圧力検出器と、
前記処理室内の圧力を調整する圧力調整器と、
少なくとも前記圧力検出器および前記圧力調整器ならびに前記流量制御装置に接続され、
前記第１の処理ガス供給部から、前記第１の処理ガスが前記流量制御装置を介して前記処理室内に供給されて第１の膜を形成し、少なくとも前記第１の処理ガスが前記処理室内に供給されると、前記圧力検出器によって排気圧力に基づく前記処理室内の圧力を検出し、検出した前記圧力を示す信号を随時前記制御部に通知し、前記圧力を示す信号が前記制御部に通知されると、前記制御部は、前記圧力を示す信号が、予め定められていた処理室内の圧力値近傍であるか否かを判断し、前記圧力を示す信号が前記予め定められていた処理室内の圧力値近傍であった場合には、前記圧力調整器と前記流量制御装置に対して、前記圧力を示す信号に基づいてリアルタイムに流量変更情報と流量制御情報とを通知してガス供給量とガス排気量を変更することでガス供給の流量変更タイミングと排気量の変更タイミングとを同期させ、前記排気圧力が所定の圧力となるように前記圧力調整器と前記流量制御装置を連動させ、前記第１の膜が形成された後、前記パージガス供給部より前記処理室内の雰囲気をパージするパージガスを供給するように、前記圧力調整器および前記流量制御装置を連動させて制御する制御部と
を備えた基板処理装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記圧力を示す信号が前記予め定められていた処理室内の圧力値近傍であると判断した場合には、前記第１の処理ガスの供給流量を低減させるよう、前記流量制御装置を制御する請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記制御部は、前記第１の膜が形成された後、前記パージガス供給部より前記処理室内の雰囲気をパージするパージガスの供給を開始した直後は、前記流量制御装置に対して流量制御信号を通知して前記パージガスを大流量で供給するとともに、前記圧力調整器に対して開度制御信号と流量変更信号を通知することで排気量を多くするように前記流量制御装置と前記圧力調整器を制御する請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記第１の膜が形成された後、前記パージガス供給部より前記処理室内の雰囲気をパージするパージガスの供給の制御において、前記圧力検出器によって検出された圧力が前記処理室内の圧力が予め定められた圧力値付近であると判断した場合には、前記流量制御装置に流量制御信号を通知して前記パージガスの流量を低減させると共に、前記圧力調整器に対して開度制御信号と流量変更情報を通知して排気量を低くするように制御する請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板の口径は450mmである請求項９に記載の基板処理装置。