Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月26日(2014.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
基準マークを有し、アライメントマークが形成された前記基板を保持して移動するステージと、
前記荷電粒子線を前記基板に射出する荷電粒子光学系と、
前記荷電粒子光学系の軸から第１距離だけ離れた光軸を有し、前記基準マークの位置及び前記アライメントマークの位置を計測する第１計測部と、
前記荷電粒子光学系の前記軸から前記第１距離より短い第２距離だけ離れた光軸を有し、前記基準マークの位置を計測する第２計測部と、
前記第１計測部により計測された前記基準マークの位置及び前記第２計測部により計測された前記基準マークの位置と、前記第２距離とに基づいて、前記第１距離を求める処理部と、を備え、
前記処理部により求められた前記第１距離と、前記第１計測部により計測された前記アライメントマークの位置とに基づいて、前記荷電粒子光学系に対して前記基板の位置合わせを行うことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記基準マークに入射した前記荷電粒子線により飛来する荷電粒子を検出して前記基準マークの位置を計測する第３計測部を有し、
前記処理部は、前記第２計測部及び前記第３計測部それぞれにより計測された前記基準マークの位置に基づいて、前記第２距離を求める、
ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記荷電粒子光学系を収容する筐体を有し、
前記第２計測部は、前記筐体の下に配置されていて前記基準マークからの光を検出する検出器を含む、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記描画装置は、複数の荷電粒子線で前記基板に描画を行い、
前記第３計測部は、前記複数の荷電粒子線のうち前記第１計測部の前記光軸に最も近い荷電粒子線を用いて前記基準マークの位置を計測する、
ことを特徴とする請求項２に記載の描画装置。
【請求項５】
前記第１計測部、前記第２計測部及び前記基準マークをそれぞれ含む複数のセットを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行うステップと、
前記ステップで描画を行われた前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、基準マークを有し、アライメントマークが形成された前記基板を保持して移動するステージと、前記荷電粒子線を前記基板に射出する荷電粒子光学系と、前記荷電粒子光学系の軸から第１距離だけ離れた光軸を有し、前記基準マークの位置及び前記アライメントマークの位置を計測する第１計測部と、前記荷電粒子光学系の前記軸から前記第１距離より短い第２距離だけ離れた光軸を有し、前記基準マークの位置を計測する第２計測部と、前記第１計測部により計測された前記基準マークの位置及び前記第２計測部により計測された前記基準マークの位置と、前記第２距離とに基づいて、前記第１距離を求める処理部と、を備え、前記処理部により求められた前記第１距離と、前記第１計測部により計測された前記アライメントマークの位置とに基づいて、前記荷電粒子光学系に対して前記基板の位置合わせを行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月26日(2014.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記複数の荷電粒子線を偏向する偏向器を含む荷電粒子光学系と、
前記基板又は前記ステージに形成された第１および第２マーク要素を含むマークに荷電粒子線が入射することで飛来した荷電粒子を検出する検出部と、
前記マークの位置を求める処理を行う処理部と、を有し、
前記処理部は、
前記複数の荷電粒子線のうちの第１荷電粒子線に関して、前記偏向器による偏向範囲内に前記第１マーク要素の両端が位置するようにして前記第１マーク要素の位置が計測されるように、前記ステージ、前記荷電粒子光学系および前記検出部を制御し、
前記第２マーク要素に前記第１荷電粒子線より近い前記複数の荷電粒子線のうちの第２荷電粒子線に関して、前記偏向器による偏向範囲内に前記第２マーク要素の両端が位置するようにして前記第２マーク要素の位置が計測されるように、前記ステージ、前記荷電粒子光学系および前記検出部を制御する、ことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記処理部は、計測された前記第１マーク要素の位置に基づいて、前記第２マーク要素に最も近い荷電粒子線を前記複数の荷電粒子線のうちから前記第２荷電粒子線として設定する、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記処理部は、計測された前記第１マーク要素の位置に基づいて、前記偏向器による前記第２荷電粒子線の偏向範囲内に前記第２マーク要素の両端が位置するように、前記ステージを制御する、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記第１マーク要素に関する計測結果に基づき、前記偏向器による前記第１荷電粒子線の偏向範囲内に前記第１マーク要素の両端が位置するように前記ステージが位置決めされていたかを判断し、そのように位置決めされていたと判断されなかった場合、前記第１荷電粒子線または前記複数の荷電粒子線のうちの別の荷電粒子線を用いて前記第１マーク要素の位置が計測されるように、前記ステージ、前記荷電粒子光学系および前記検出部を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記処理部は、前記第２マーク要素に関する計測結果に基づき、前記偏向器による前記第２荷電粒子線の偏向範囲内に前記第２マーク要素の両端が位置するように前記ステージが位置決めされていたかを判断し、そのように位置決めされていたと判断されなかった場合、前記第２荷電粒子線または前記複数の荷電粒子線のうちの別の荷電粒子線を用いて前記第２マーク要素の位置が計測されるように、前記ステージ、前記荷電粒子光学系および前記検出部を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のうちいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行うステップと、
前記ステップで描画を行われた前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記複数の荷電粒子線を偏向する偏向器を含む荷電粒子光学系と、前記基板又は前記ステージに形成された第１および第２マーク要素を含むマークに荷電粒子線が入射することで飛来した荷電粒子を検出する検出部と、前記マークの位置を求める処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記複数の荷電粒子線のうちの第１荷電粒子線に関して、前記偏向器による偏向範囲内に前記第１マーク要素の両端が位置するようにして前記第１マーク要素の位置が計測されるように、前記ステージ、前記荷電粒子光学系および前記検出部を制御し、前記第２マーク要素に前記第１荷電粒子線より近い前記複数の荷電粒子線のうちの第２荷電粒子線に関して、前記偏向器による偏向範囲内に前記第２マーク要素の両端が位置するようにして前記第２マーク要素の位置が計測されるように、前記ステージ、前記荷電粒子光学系および前記検出部を制御する、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月5日(2015.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層に第１開口を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上及び前記第１開口の中に導電性部材を堆積した後に、前記第１絶縁層が露出するように当該導電性部材の一部を除去して第１コンタクトプラグを形成する工程と、
前記第１コンタクトプラグを形成した後に、前記第１絶縁層の上に前記第１コンタクトプラグを覆う第２絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に第２開口を形成する工程と、
前記第２絶縁層の上及び前記第２開口の中に導電性部材を堆積した後に、前記第２絶縁層が露出するように当該導電性部材の一部を除去して第２コンタクトプラグを形成する工程と、
前記第２コンタクトプラグを形成した後に、前記第１コンタクトプラグが露出するように前記第２絶縁層を除去する工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２開口を形成する前記工程は、前記第２絶縁層の上にフォトレジストパターンを配する工程と、前記フォトレジストパターンを使って前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に前記第２開口を形成する工程と、を含み、
前記フォトレジストパターンを除去した後に、前記第２絶縁層の上及び第２開口の中に前記導電性部材を堆積することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体基板には、前記第２コンタクトプラグと接続されるべき接続領域が設けられていて、前記接続領域と前記第１絶縁層との間には第３絶縁層が設けられていて、
前記第２開口を形成する前記工程は、前記第２絶縁層の上にフォトレジストパターンを配する工程と、前記フォトレジストパターンを使って前記第３絶縁層が露出するように前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に前記第２開口を形成する工程と、前記フォトレジストパターンを除去した後、かつ、前記第２開口に前記導電性部材を堆積する前に、前記第２開口を通して前記接続領域が露出するように前記第３絶縁層をエッチングする工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板には前記第１コンタクトプラグと接続されるべき接続領域が設けられていて、前記接続領域と前記第１絶縁層との間には第３絶縁層が設けられていて、
前記第１開口を形成する前記工程は、前記第１絶縁層の上にフォトレジストパターンを配する工程と、前記フォトレジストパターンを使って前記第３絶縁層が露出するように前記第１絶縁層に前記第１開口を形成する工程と、前記第３絶縁層が露出した後に前記フォトレジストパターンを除去する工程と、前記第１開口を通して前記接続領域が露出するように前記第３絶縁層をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１絶縁層は酸化シリコンを主成分とする絶縁層であり、
前記第３絶縁層は窒化シリコンを主成分とする絶縁層である
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層は酸化シリコンを主成分とする絶縁層である
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１開口及び前記第２開口の一方は、金属と半導体との化合物を含む半導体化合物領域を露出し、前記第１開口及び前記第２開口の他方は、半導体領域を露出する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１コンタクトプラグ及び前記第２コンタクトプラグの一方は、ＮＭＯＳトランジスタと接続され、前記第１コンタクトプラグ及び前記第２コンタクトプラグの他方は、ＰＭＯＳトランジスタと接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１コンタクトプラグ及び前記第２コンタクトプラグの一方は、ＭＯＳトランジスタのゲート端子と接続され、前記第１コンタクトプラグ及び前記第２コンタクトプラグの他方は、ＭＯＳトランジスタのドレイン端子又はソース端子と接続される、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体装置は、光電変換部を有する固体撮像装置である
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は半導体装置の製造方法にかかり、前記半導体装置の製造方法は、半導体基板の上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層に第１開口を形成する工程と、前記第１絶縁層の上及び前記第１開口の中に導電性部材を堆積した後に、前記第１絶縁層が露出するように当該導電性部材の一部を除去して第１コンタクトプラグを形成する工程と、前記第１コンタクトプラグを形成した後に、前記第１絶縁層の上に前記第１コンタクトプラグを覆う第２絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に第２開口を形成する工程と、前記第２絶縁層の上及び前記第２開口の中に導電性部材を堆積した後に、前記第２絶縁層が露出するように当該導電性部材の一部を除去して第２コンタクトプラグを形成する工程と、前記第２コンタクトプラグを形成した後に、前記第１コンタクトプラグが露出するように前記第２絶縁層を除去する工程と、を含む、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解ニッケル膜を含むメタライズ層を備えている絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置されている電子部品と、
前記メタライズ層と前記ロウ材を介して接合している周縁部を有し、前記絶縁基板と供に前記電子部品を収容する内部空間を構成している金属蓋体と、を備え、
前記内部空間にある前記無電解ニッケル膜が、ロウ材によって覆われていることを特徴
とする電子デバイス。
【請求項２】
前記絶縁基板は前記電子部品を接合している一面が平坦面であり、
前記金属蓋体は、前記内部空間を構成するための凹所を有していることを特徴とする請
求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記メタライズ層は、銅と、前記銅の外面に配置されている前記無電解ニッケル膜と、を含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記電子部品、前記絶縁基板、及び前記金属蓋体を夫々準備する工程と、
前記絶縁基板上に前記電子部品を接合する工程と、
前記絶縁基板上に前記金属蓋体を配置する工程と、
前記周縁部よりも内側に加熱用の光、又は電子ビームを照射して、前記内部空間にある
ロウ材を溶融させる工程と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記内部空間にあるロウ材を溶融させる工程と前記蓋体を接合する工程を、同時に実施
することを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子デバイスは振動子であり、
半導体素子を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の電子デバイスを搭載している電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本適用例の圧電デバイスによれば、金属蓋体に形成された銀ロウ膜を一部溶融させて流
下させることにより形成した被覆ロウ材領域によって内側溶融部位を完全に被覆するよう
にしたので、内側溶融部位からのガスの生成を低減することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本適用例によれば、金属蓋体に形成された銀ロウ膜を一部溶融させて流下させることに
より形成した被覆ロウ材領域によって内側溶融部位を完全に被覆するようにしたので、内
側溶融部位からのガスの生成を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
なお、無電解ニッケル膜に代えて、無電解パラジウム膜（Ｐｄ−Ｐ）を用いてもよく、
無電解パラジウムも無電解ニッケルと同様に、ロウ材として機能することができる。
また、レーザー光を照射して当接脚部１９ｃを無電解セラミック膜１５と接合する際に
キャビティーＴの内部側に無電解ニッケル膜の溶融範囲が拡大してキャビティー内に露出
した内側溶融部位１５ｂが形成されるが、当接脚部の内側端部から起立した側壁部１９ｂ
の内側に形成された銀ロウ膜１９Ｂ”を一部溶融させて流下させることにより形成した被
覆ロウ材領域３６によって内側溶融部位１５ｂを完全に被覆するようにしたので、内側溶
融部位からのガスの生成を低減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
或いは、レーザー光のスポット径を大きくして一回の照射によって銀ロウ膜１９Ｂ’及
び１９Ｂ”の表面側を同時に加熱して、各ロウ材を溶融させるようにしてもよい。
このようにレーザー光を照射して金属蓋体の外周下面を無電解セラミック膜１５と接合
する際にキャビティーＴの内部側に無電解ニッケル膜の溶融範囲が拡大してキャビティー
内に露出した内側端部１５ｃが形成されるが、内側端部１５ｃに対応する位置にある金属
蓋体の内側に形成された銀ロウ膜１９Ｂ”を一部溶融させて流下させることにより内側端
部１５ｃを被覆ロウ材領域３６により完全に被覆するようにしたので、内側端部からのガ
スの生成を低減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このようにレーザー光を照射して金属蓋体の外周下面を無電解セラミック膜１５と接合
する際にキャビティーＴの内部側に無電解ニッケル膜の溶融範囲が拡大してキャビティー
内に露出した内側端部１５ｃが形成されるが、内側端部１５ｃに対応する位置にある金属
蓋体の内側に形成された銀ロウ膜１９Ｂ”を一部溶融させて流下させることにより被覆ロ
ウ材領域３６を形成して内側端部１５ｃを完全に被覆するようにしたので、内側端部から
のガスの生成を低減することができる。
なお、上述した一連のセラミック基板１０への金属蓋体接合ステップ（ステップＳ５の
金属蓋体配置、及び、ステップＳ６の金属蓋体接合）は、例えば、窒素ガスやアルゴンガ
スなどの不活性ガス雰囲気、あるいは減圧空間内で行うことが好ましい。これによって、
圧電振動片２０が収納されるセラミック基板１０と金属蓋体１９とにより形成されるキャ
ビティーＴの内部が不活性ガスが充満され、あるいは減圧空間に密閉・封止されるので、
圧電振動片２０が酸素や大気中の水分などによって腐食・劣化するのを有効に低減するこ
とができる。
以上、説明した一連のステップを経て、グリーンシート５１に、複数の圧電デバイス１
がマトリクス状に形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、上記実施形態及び変形例では、電子デバイスの一例として、電子部品としての圧
電振動片２０を搭載した圧電デバイス１、４０について説明した。しかし、これに限らず
、上記実施形態及び変形例に示す構成は、電子部品として半導体回路素子など種々の電子
部品を基板に接合し、その電子部品を金属蓋体により気密封止する構造の様々な電子デバ
イスのパッケージ構造に適用することができる。
具体的には例えば、図７に示すように水晶振動子等の圧電振動子のパッケージのキャビ
ティーＴ内部、或いはパッケージ外部に発振回路を構成する半導体回路素子６１を組み込
んだ圧電発振器６０のパッケージ構造に対しても本発明を適用することができる。
この圧電発振器においても、当接脚部１９ｃの内側端部から起立した側壁部１９ｂの内
側に形成された銀ロウ膜１９Ｂ”を一部溶融させて流下させることにより形成した被覆ロ
ウ材領域３６によって内側溶融部位１５ｂを完全に被覆するようにしたので、内側溶融部
位からのガスの生成を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品、メタライズ層を備えている絶縁基板、及び金属蓋体を夫々準備する工程と、
前記絶縁基板上に前記電子部品を配置する工程と、
前記金属蓋体の周縁部と前記メタライズ層の一部が並んで見えるように前記金属蓋体を前記絶縁基板上に配置して前記電子部品を収容する工程と、
前記金属蓋体側から、前記周縁部、及び前記周縁部と並んで見えている前記メタライズ層に、加熱用の光又は電子ビームを照射して接合する工程と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子デバイスの製造方法によって製造される電子デバイスであって、
前記絶縁基板は、前記電子部品を接合している一面が平坦部を有し、
前記金属蓋体は、前記電子部品を収容するための凹部を有していることを特徴とする電
子デバイス。
【請求項３】
前記周縁部と並んで見えている前記メタライズ層は、前記絶縁基板の外周端縁まで延在していることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記メタライズ層は、その表層に金膜を備えていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
請求項２、３又は４の何れか一項に記載の電子デバイスは振動子であり、
半導体素子を備えていることを特徴とする発振器。
【請求項６】
請求項２、３又は４の何れか一項に記載の電子デバイスを搭載していることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本適用例の圧電デバイスの製造方法によれば、金属蓋体の周縁部とメタライズ層とを同時に加熱することで接合品質を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線を有するセラミック基板と、
前記配線に接合されている電子部品と、
ヤング率が２００ＧＰａ以下であるメタライズ層を介して、前記セラミック基板と周縁部において接合されて、平面視で前記電子部品を覆っている金属蓋体と、
を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記金属蓋体は、メタライズ層とロウ材とを介して、前記セラミック基板と前記周縁部において接合されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記メタライズ層は、銅を含んでいることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記メタライズ層の厚さは、１５〜２５μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
電子部品を接合するための配線と、
金属蓋体の周縁部と接合するための、ヤング率が２００ＧＰａ以下であるメタライズ層と、
を備えていることを特徴とするセラミック基板。
【請求項６】
前記メタライズ層は、銅を含み、且つ厚さが１５〜２５μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項５に記載のセラミック基板。
【請求項７】
前記電子部品、前記セラミック基板、及び前記金属蓋体を夫々準備する工程と、
前記配線上に前記電子部品を接合する工程と、
前記セラミック基板に前記金属蓋体を接合して前記電子部品を収容する内部空間を形成する工程と、
を含み、
前記内部空間を形成する工程では、前記メタライズ層上に、前記金属蓋体を配置してか
ら、レーザー光、又は電子ビームを前記金属蓋体側から照射して前記ロウ材を溶融させる
ことを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の電子デバイスは振動子であり、
半導体素子を備えていることを特徴とする発振器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月25日(2014.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空調環境調整システムであって、
所定空間に存在するユーザーの体調や症状を管理するための健康管理データを取得する健康管理データ取得部と、
前記所定空間を含む複数の地点における気象データを取得する気象データ取得部と、
前記気象データと前記健康管理データに基づき、前記所定空間内の気圧、湿度、温度の少なくとも１つの空調環境を調整するための空調環境調整情報を生成する空調環境調整情報生成処理部、とを含む空調環境調整システム。
【請求項２】
請求項１において、
前記気象データ取得部は、
前記所定空間を含む複数の地点に分散して配置される複数の気象計測装置が計測した気象データを取得して、当該気象データに基づいて気象予測情報を生成する気象予測処理部と、を含み、
前記空調環境調整情報生成処理部は、
前記気象予測情報と前記気象データと前記健康管理データに基づき、前記空調環境調整情報を生成することを特徴とする空調環境調整システム。
【請求項３】
請求項１において、
前記所定空間内の気圧、湿度、温度の少なくとも１つを含む空調環境データを測定する空調環境データ計測部を含み、
前記空調環境調整情報生成処理部は、
前記気象データと前記空調環境データと前記健康管理データに基づき、前記空調環境調整情報を生成する空調環境調整システム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記健康管理データ取得部は、
前記健康管理データとして、前記所定空間内のユーザーの過去の所与の期間の健康管理履歴データを取得し、
前記空調環境調整情報生成処理部は、
取得した前記所定空間内のユーザーの過去の健康管理履歴データと、対応する過去の所与の期間の気象データの履歴を時系列に対応づけて、前記所定空間内の前記空調環境調整情報を生成する空調環境調整システム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記空調環境調整情報に基づき前記所定空間内の気圧、湿度、温度の少なくとも１つの空調環境を調整する空調環境調整部と、を含む空調環境調整システム。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記所定空間は病室であり、前記ユーザーは患者である空調環境調整システム。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記気象データ取得部は、気圧センサーを備え、
前記気圧センサーは、気圧に応じて共振周波数を変化させる感圧素子を有し、当該感圧素子の振動周波数に応じた気圧データを出力する、空調環境調整システム。
【請求項８】
請求項７において、
前記感圧素子は、双音叉圧電振動子である、空調環境調整システム。
【請求項９】
空調環境調整情報を生成するプログラムであって、
所定空間に存在するユーザーの体調や症状を管理するための健康管理データを取得する健康管理データ取得部と、
前記所定空間を含む複数の地点における気象データを取得する気象データ取得部と、
前記気象データと前記健康管理データに基づき、前記所定空間内の気圧、湿度、温度の少なくとも１つの空調環境を調整するための空調環境調整情報を生成する空調環境調整情報生成処理部、としてコンピューターを機能させるプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のプログラムを記録した、コンピューター読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
空調環境調整方法であって、
所定空間内に存在するユーザーの体調や症状を管理するための健康管理データを取得し、
前記所定空間を含む複数の地点における気象データを取得し、
前記気象データと前記健康管理データに基づき、前記所定空間内の気圧、湿度、温度の少なくとも１つの空調環境を調整するための空調環境調整情報を生成する空調環境調整方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月6日(2015.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スチームプラントのための監視装置であって、
前記スチームプラントの構成要素に付随するセンサー部を有し、
前記センサー部は、各々異なる資源使用法を有する複数の動作モードを備え、前記構成要素の運転条件を示す出力を提供するように構成され、
前記装置は、前記複数の動作モードのうちの１つを選択するセレクターを有し、前記動作モードは、前記スチームプラントの現在の運転条件に基づいて選択される、監視装置。
【請求項２】
前記スチームプラントの運転条件は、前記センサー部によって検知されることを特徴とする請求項１に記載の監視装置。
【請求項３】
前記センサー部は、振動音響センサーを有することを特徴とする請求項１または２に記載の監視装置。
【請求項４】
前記センサー部は、前記スチームプラントの前記運転条件に関連する出力を提供するように設定されうる１つ以上の追加的なセンサーをさらに有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項５】
前記１つ以上の追加的なセンサーは、温度および／または圧力センサーを有することを特徴とする請求項４に記載の監視装置。
【請求項６】
前記１つ以上の追加的なセンサーは、前記スチームプラントの運転スケジュールに関連付けされているタイマーを有することを特徴とする請求項４または５に記載の監視装置。
【請求項７】
前記１つ以上の追加的なセンサーは、周辺光の状態を検知するように構成される照度計を有することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項８】
前記センサー部の出力から前記スチームプラントの始動および／または停止を認識するように構成されたアルゴリズムを有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項９】
前記セレクターは、前記動作モードを自動的に選択することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項１０】
前記センサーは、前記動作モードを選択するために手動で制御されることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項１１】
前記動作モードは、異なる電力使用を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項１２】
前記動作モードは、異なる速度で前記センサー部のセンサーの出力をサンプリングすることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項１３】
前記動作モードは、前記センサー部のセンサーの出力を異なる方法で処理することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項１４】
無線受信器および／または送信器をさらに有し、前記無線受信器および／または送信器は、前記複数の動作モードのうちの少なくとも１つで作動し、前記複数の動作モードのうちの少なくとも１つで停止されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項１５】
前記装置は、複数のセンサー部を有し、前記複数のセンサー部の各々のセレクターは、前記センサー部自体、他のセンサー部、または監視部によって制御されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の監視装置。
【請求項１６】
前記複数のセンサー部は、１つ以上のネットワークノードに接続され、関連するネットワークノードと通信する前記センサー部のいくつかまたは全てのセレクターは、前記ネットワークノードを介して制御されることを特徴とする請求項１５に記載の監視装置。
【請求項１７】
スチームプラント用監視装置の動作方法であって、
前記装置は、各々異なる資源使用法を含む複数の動作モードを有するセンサー部を有し、
前記方法は、前記スチームプラントの現在の運転条件を決定するステップと、
前記スチームプラントの現在の運転条件に基づいて複数の動作モードのうちから１つを選択するステップと、を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバを含む光ケーブルの端部にコネクタ部が設けられた光モジュールであって、
前記コネクタ部は、
前記光ファイバの端部が光学的に接続される光素子が設けられ、前端部に電気コネクタが接続された回路基板を収容する内側ハウジングと、
前記内側ハウジングの外側を覆う外側ハウジングと、
を備え、
前記内側ハウジングには段差部が設けられており、
前記段差部より前記内側ハウジングの後端部側における前記内側ハウジングと前記外側ハウジングとの間の隙間の間隔は、前記段差部より前記前端部側における前記内側ハウジングと前記外側ハウジングとの間の隙間の間隔よりも狭いことを特徴とする光モジュール。
【請求項２】
前記回路基板には、異なる光軸を有する前記光ファイバと前記光素子とを光学的に接続する光結合部材が設けられ、
前記光結合部材の高さは、前記前端部側における前記回路基板と前記内側ハウジングまでの距離よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
前記内側ハウジングと前記電気コネクタの間には、前記内側ハウジングよりヤング率の小さい封止部材が取り付けられ、
前記内側ハウジングと前記電気コネクタは、ともに前記封止部材と接触して設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の光モジュール。
【請求項４】
前記内側ハウジングの壁面には、前記外側ハウジングの内面に設けられた第１係合部と係合する切り起こされた第２係合部が設けられており、前記第２係合部の切り起こし穴よりも前端側には段差部が設けられており、前記壁面と前記外側ハウジングとの間隔は、前記段差部に対して前記コネクタ部の前端側よりも後端側においてより狭くなっていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項５】
前記段差部は、前記内側ハウジングにおける前記光素子の収容空間よりも前端側の前記壁面に設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の光モジュール。
【請求項６】
前記内側ハウジングにおける前記切り起こし穴を含む前記壁面の内側には、前記回路基板と前記内側ハウジングとを熱的に接続する放熱部材が設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載の光モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月26日(2014.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの交点にて互いに直交する複数の棒状部を有する操作体と、
前記操作体の変位を検出する複数の検出体と、を備え、
前記複数の棒状部は、互いに直交する第１棒状部及び第２棒状部を含み、
前記複数の検出体は、
前記交点より前記第１棒状部の一端側の変位を検出する第１検出体と、
前記交点より前記第１棒状部の他端側の変位を検出する第２検出体と、
前記交点より前記第２棒状部の一端側の変位を検出する第３検出体と、を含む
ことを特徴とする操作子。
【請求項２】
請求項１に記載の操作子において、
前記複数の検出体のそれぞれは、対応する前記棒状部が当接された際の圧力を検出する検出面を前記棒状部に向けて配置される一対の感圧素子を有する
ことを特徴とする操作子。
【請求項３】
請求項２に記載の操作子において、
前記一対の感圧素子のうち、一方の感圧素子の検出面と前記棒状部との間の隙間と、他方の感圧素子の検出面と前記棒状部との間の隙間とは、それぞれ同じ寸法である
ことを特徴とする操作子。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の操作子において、
前記一対の感圧素子の間に前記棒状部を位置させる位置保持部材を有する
ことを特徴とする操作子。
【請求項５】
請求項４に記載の操作子において、
前記位置保持部材は、弾性体であり、
前記位置保持部材は、挿通される前記棒状部の端部を内側に保持する孔部を有する
ことを特徴とする操作子。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれか一項に記載の操作子において、
前記棒状部は、前記一対の感圧素子のそれぞれの検出面に対向する位置に取り付けられる環状の弾性部材を有する
ことを特徴とする操作子。
【請求項７】
請求項２から請求項６のいずれか一項に記載の操作子において、
前記複数の検出体のそれぞれは、
前記一対の感圧素子の一方の検出面に前記棒状部が接触した場合には、他方の検出面に前記棒状部が接触した場合に出力される第１電圧より高い第２電圧を出力し、
前記一対の感圧素子が有する各検出面のいずれにも前記棒状部が接触していない場合には、前記第１電圧及び前記第２電圧の中間値である基準電圧を出力する
ことを特徴とする操作子。
【請求項８】
請求項１に記載の操作子において、
前記複数の検出体は、前記交点より前記第２棒状部の他端側の変位を検出する第４検出体を含む
ことを特徴とする操作子。
【請求項９】
請求項８に記載の操作子において、
前記複数の棒状部は、前記交点にて前記第１棒状部及び前記第２棒状部のそれぞれに直交する第３棒状部を含み、
前記複数の検出体は、
前記交点より前記第３棒状部の一端側の変位を検出する第５検出体と、
前記交点より前記第３棒状部の他端側の変位を検出する第６検出体と、を含む
ことを特徴とする操作子。
【請求項１０】
請求項９に記載の操作子において、
前記複数の検出体のそれぞれは、対応する前記棒状部が当接された際の圧力を検出する検出面を前記棒状部に向けて配置される一対の感圧素子を有し、
前記第１検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面と、前記第２検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面とは、互いに平行であり、
前記第３検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面と、前記第４検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面とは、互いに平行であり、
前記第５検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面と、前記第６検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面とは、互いに平行であり、
前記第１検出体が有する前記感圧素子の検出面と、前記第３検出体が有する前記感圧素子の検出面と、前記第５検出体が有する前記感圧素子の検出面とは、それぞれ互いに直交する
ことを特徴とする操作子。
【請求項１１】
請求項９に記載の操作子において、
前記複数の検出体のそれぞれは、対応する前記棒状部が当接された際の圧力を検出する検出面を前記棒状部に向けて配置される一対の感圧素子を有し、
前記第１検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面と、前記第２検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面とは、互いに直交し、
前記第３検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面と、前記第４検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面とは、互いに直交し、
前記第５検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面と、前記第６検出体が有する前記一対の感圧素子の各検出面とは、互いに直交し、
前記第１検出体が有する前記感圧素子の検出面と、前記第３検出体が有する前記感圧素子の検出面と、前記第５検出体が有する前記感圧素子の検出面とは、それぞれ互いに直交する
ことを特徴とする操作子。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の操作子を備えることを特徴とする操作装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記した目的を達成するために、本発明の一態様に係る操作子は、１つの交点にて互いに直交する複数の棒状部を有する操作体と、前記操作体の変位を検出する複数の検出体と、を備え、前記複数の棒状部は、互いに直交する第１棒状部及び第２棒状部を含み、前記複数の検出体は、前記交点より前記第１棒状部の一端側の変位を検出する第１検出体と、前記交点より前記第１棒状部の他端側の変位を検出する第２検出体と、前記交点より前記第２棒状部の一端側の変位を検出する第３検出体と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る操作装置は、前述の操作子を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月26日(2014.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顔認識用データが登録されている人物の特徴量との類似度に基づいて、画像内の顔領域の各々に含まれる人物を特定し、特定した人物を示す情報を顔認識結果として出力する顔認識手段を有する画像処理装置であって、
画像を順次取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された画像から顔領域を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された顔領域の位置及びサイズの少なくともいずれかに基づく該顔領域の評価値に従って、前記顔認識手段による顔認識処理を行わせる所定数以下の対象顔領域を、所定の処理を実行する第１のグループと前記所定の処理を実行しない第２のグループとに分類する分類手段と、を有し、
前記顔認識手段は、前記取得手段により順次取得する画像に対し、前記第１のグループに属する顔領域、前記第２のグループに属する顔領域の順で前記対象顔領域の顔認識処理を実行し、
前記分類手段は、前記対象顔領域に前記検出手段により新たに検出された新たな顔領域が含まれる場合に、該新たな顔領域を前記第２のグループに分類する
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記分類手段は、前記検出手段により検出された顔領域の評価値に基づいて顔認識処理を行わせる認識順を決定し、該認識順において閾値より小さい順位の顔領域を前記第１のグループに分類することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記分類手段は、前記検出手段により検出された顔領域に顔認識結果が関連付けられている場合に、関連付けられている顔認識結果に基づいて補正した該顔領域の前記評価値に基づいて前記第１のグループに分類する顔領域を決定する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記分類手段は、前記検出手段により検出された顔領域に顔認識結果が関連付けられている場合に、前記第１のグループに分類された顔領域を除いた顔領域から前記評価値に従って前記第２のグループに分類する顔領域を決定することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記分類手段は、顔認識処理を実行している間に取得された画像から検出された顔領域について決定された前記対象顔領域に新たな顔領域が含まれる場合に、該新たな顔領域を前記第２のグループに分類する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記分類手段は、顔認識処理を実行している間は、前記第１のグループに属する顔領域の変更を行わないことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記所定の処理は、前記第１のグループに属する顔領域に対応する人物を主被写体として選択する処理、前記検出手段により顔領域が検出された画像よりも後に取得された画像において対応する顔領域が前記第１のグループに分類されやすくする処理、及び顔認識結果を通知する処理の少なくともいずれかであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置を有する撮像装置であって、
前記画像処理装置の前記分類手段により前記第１のグループに分類された顔領域を合焦対象の被写体として選択する手段を有する
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
顔認識用データが登録されている人物の特徴量との類似度に基づいて、画像内の顔領域の各々に含まれる人物を特定し、特定した人物を示す情報を顔認識結果として出力する顔認識手段を有する画像処理装置の制御方法であって、
取得手段が、画像を順次取得する取得工程と、
検出手段が、前記取得工程において取得された画像から顔領域を検出する検出工程と、
分類手段が、前記検出工程において検出された顔領域の位置及びサイズの少なくともいずれかに基づく該顔領域の評価値に従って、前記顔認識手段による顔認識処理を行わせる所定数以下の対象顔領域を、所定の処理を実行する第１のグループと前記所定の処理を実行しない第２のグループとに分類する分類工程と、を有し、
前記顔認識手段は、前記取得工程において順次取得する画像に対し、前記第１のグループに属する顔領域、前記第２のグループに属する顔領域の順で前記対象顔領域の顔認識処理を実行し、
前記分類手段は前記分類工程において、前記対象顔領域に前記検出工程において新たに検出された新たな顔領域が含まれる場合に、該新たな顔領域を前記第２のグループに分類する
ことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータを、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前述の目的を達成するために、本発明の画像処理装置は、以下の構成を備える。
顔認識用データが登録されている人物の特徴量との類似度に基づいて、画像内の顔領域の各々に含まれる人物を特定し、特定した人物を示す情報を顔認識結果として出力する顔認識手段を有する画像処理装置であって、画像を順次取得する取得手段と、取得手段により取得された画像から顔領域を検出する検出手段と、検出手段により検出された顔領域の位置及びサイズの少なくともいずれかに基づく該顔領域の評価値に従って、顔認識手段による顔認識処理を行わせる所定数以下の対象顔領域を、所定の処理を実行する第１のグループと所定の処理を実行しない第２のグループとに分類する分類手段と、を有し、顔認識手段は、取得手段により順次取得する画像に対し、第１のグループに属する顔領域、第２のグループに属する顔領域の順で対象顔領域の顔認識処理を実行し、分類手段は、対象顔領域に検出手段により新たに検出された新たな顔領域が含まれる場合に、該新たな顔領域を第２のグループに分類することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月22日(2015.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に第１の熱処理を行って、前記ゲート絶縁膜中の水又は水素を除去し、
前記水又は水素が除去されたゲート絶縁膜に第１の酸素ドープ処理を行って、前記ゲート絶縁膜に酸素を供給し、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に前記酸化物半導体膜に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に第２の熱処理を行って、前記絶縁膜中の水又は水素を除去し、
前記水又は水素が除去された絶縁膜に第２の酸素ドープ処理を行って、前記絶縁膜に酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜に第１の熱処理を行って、前記ゲート絶縁膜中の水又は水素を除去し、
前記水又は水素が除去されたゲート絶縁膜に第１の酸素ドープ処理を行って、前記ゲート絶縁膜に酸素を供給し、
前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極層と重畳する領域に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上に前記酸化物半導体膜に接して絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に第２の熱処理を行って、前記絶縁膜中の水又は水素を除去し、
前記水又は水素が除去された絶縁膜に第２の酸素ドープ処理を行って、前記絶縁膜に酸素を供給することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、前記第２の熱処理前に、前記絶縁膜に酸素ドープ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項において、
前記第２の酸素ドープ処理後に、前記ゲート絶縁膜、前記酸化物半導体膜、及び前記絶縁膜を覆う酸化アルミニウム膜を形成し、
前記酸化アルミニウム膜形成後に、熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項３において、前記第１の熱処理前に、前記ゲート絶縁膜に酸素ドープ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月25日(2015.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスをプラズマ化し、該プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台として機能する下部電極と、
前記処理容器に設けられ、前記下部電極と対向するように配置され、上部電極又はアンテナ電極として機能する対向電極と、
前記処理容器内にハロゲン含有ガス及び酸素ガスを含むガスを導入するガス供給源と、
前記処理容器内で前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備え、
前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスの前記プラズマに晒される前記処理容器内の面のうち、フッ化化合物で被膜された、前記被処理体の載置位置と前記対向電極との間の面の少なくとも一部又は全部、或いは、フッ化化合物で被膜された、前記対向電極の面の少なくとも一部又は全部を有し、
前記フッ化化合物はＹＦ３を含有し、
前記フッ化化合物の最表層は、前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスから生成されたプラズマによりＹ，Ｏ、及びＦを含有するか、Ｙ，Ｏ、Ｆ、及び少なくともＣｌ及びＢｒのうち何れか１つを含有する変質された層であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスから生成されたプラズマによりＹ，Ｏ、及びＦを含有するか、Ｙ，Ｏ、Ｆ、及び少なくともＣｌ及びＢｒのうち何れか１つを含有する変質された層である前記フッ化化合物の最表層は、２０ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記フッ化化合物は、溶射皮膜、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により形成されることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記フッ化化合物を形成する材料は、Ａｌ、Ｓｉを含むフッ化化合物であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記フッ化化合物は、金属の基材上に直接又は１以上の絶縁物の被膜を介して最表層に形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記フッ化化合物は、Ａｌの基材、Ｙ２Ｏ３膜又はＡｌ２Ｏ３膜のいずれかの直上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記フッ化化合物の膜厚は、３００μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記フッ化化合物の膜厚は、２００μｍ未満であることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記フッ化化合物の最表層は、エネルギー線の照射により溶解した後再結晶化されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記プラズマに晒される前記処理容器内の面のうち、前記フッ化化合物で被膜された、バッフル板と前記対向電極側との間の面の一部又は全部を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記プラズマに晒される前記処理容器内の面のうち、前記フッ化化合物で被膜された面は、前記載置台から前記処理容器の天井面までのギャップに応じて決定された面であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記処理容器内に設けられたデポシールド、シャッター、バッフル板及びリングボトムシールドの少なくともいずれかは、前記フッ化化合物で被覆された、プラズマに晒される面を有することを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記フッ化化合物で被覆された、前記載置台の静電チャックの側面、又は該静電チャックの側面と上面とを有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記フッ化化合物で被覆された、前記載置台に載置される被処理体の周縁部を覆うフォーカスリングの上面を有することを特徴とする請求項１〜１３のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記フッ化化合物の下部に酸化イットリウムＹ２Ｏ３が溶射形成され、
前記フッ化化合物の膜厚は、前記酸化イットリウムの膜厚の５０％以下であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記フッ化化合物を形成する材料の表面粗さは７．０以下であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記フッ化化合物を形成する材料の気孔率は３〜７％であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
ガスをプラズマ化し、該プラズマの作用により被処理体をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
減圧可能な処理容器と、
前記処理容器内に設けられ、被処理体を載置する載置台として機能する下部電極と、
前記処理容器に設けられ、前記下部電極と対向するように配置され、上部電極又はアンテナ電極として機能する対向電極と、
前記処理容器内にハロゲン含有ガス及び酸素ガスを含むガスを導入するガス供給源と、
前記処理容器内で前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスのプラズマを生成するプラズマ生成部と、を備えるプラズマ処理装置用のプラズマ処理方法であって、
前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスの前記プラズマに晒される前記処理容器内の面のうち、前記被処理体の載置位置と前記対向電極との間の面の少なくとも一部又は全部、或いは前記対向電極の面の少なくとも一部又は全部がフッ化化合物で被膜されている処理容器内に、前記ガス供給源から前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスを導入する工程と、
前記プラズマ生成部を用いて前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスのプラズマを生成する工程と、
前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスの前記プラズマの作用により前記載置台上の被処理体をプラズマ処理する工程と、を含み、
前記フッ化化合物はＹＦ３を含有し、
前記フッ化化合物の最表層は、前記ハロゲン含有ガス及び前記酸素ガスを含む前記ガスから生成されたプラズマによりＹ，Ｏ、及びＦを含有するか、Ｙ，Ｏ、Ｆ、及び少なくともＣｌ及びＢｒのうち何れか１つを含有する変質された層に変質されることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項１９】
前記フッ化化合物の下部に酸化イットリウムＹ２Ｏ３が溶射形成され、
前記フッ化化合物の膜厚は、前記酸化イットリウムの膜厚の５０％以下に形成することを特徴とする請求項１８に記載のプラズマ処理方法。
【請求項２０】
前記フッ化化合物を形成する材料の表面粗さは７．０以下であることを特徴とする請求項１８又は１９に記載のプラズマ処理方法。
【請求項２１】
前記フッ化化合物を形成する材料の気孔率は３〜７％であることを特徴とする請求項１８〜２０のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。