【手続補正書】
【提出日】平成27年2月24日(2015.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口がアレイ状に配置された基板と、
前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、
前記超音波トランスデューサー素子が設けられる前記基板の第１面とは反対側の前記基板の第２面に対向配置され、第１配線を有する配線基板と、
前記基板および前記配線基板に接続されて、前記超音波トランスデューサー素子および前記第１配線を相互に電気的に接続する第２配線を有する配線部材と、
を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項２】
請求項１に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記第１配線に接続される集積回路をさらに備え、前記集積回路は、前記超音波トランスデューサー素子に接続される導電線の本数よりも少ない本数の信号処理側の入出力端子を有することを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項３】
請求項２に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記集積回路はマルチプレクサーを含むことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記基板と対向する前記配線基板の第１面とは反対側の前記配線基板の第２面に形成されて、前記集積回路に接続される外部接続端子をさらに備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項５】
請求項４に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記集積回路は、前記配線基板の前記第２面に実装される集積回路チップを含むことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項６】
請求項４に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記集積回路は、前記配線基板の前記第２面に形成されるモノリシック集積回路を含むことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項７】
請求項４に記載の超音波トランスデューサー装置において、
前記配線部材は、前記第２配線を含む導電線を有するフレキシブルプリント基板であり、
前記集積回路は、前記フレキシブルプリント基板に実装され、かつ前記導電線に接続されている集積回路チップを含むことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項８】
請求項２または３に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記基板と対向する前記配線基板の第１面に形成されて、前記集積回路に接続される外部接続端子をさらに備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記配線基板は、前記基板に重ねられる板材から形成され、前記開口同士の間の壁は少なくとも部分的に前記配線基板に固着されることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記第１配線に接続される集積回路をさらに備え、前記集積回路は、前記超音波トランスデューサー素子に接続されるパルサーを含むことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記集積回路は、前記超音波トランスデューサー素子に接続されるアナログデジタル変換器をさらに含むことを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記基板と対向する前記配線基板の第１面とは反対側の前記配線基板の第２面に形成されて、前記第１配線に接続される外部接続端子をさらに備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の超音波トランスデューサー装置において、前記基板と対向する前記配線基板の第１面に形成されて、前記第１配線に接続される外部接続端子をさらに備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置において、
前記基板に形成されて、前記配列の行方向に並ぶ素子に共通に延びる1本の電極と、
前記基板に形成されて、前記電極の両端にそれぞれ個別に接続される電極端子と
を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の超音波トランスデューサー装置において、
前記基板に形成されて、前記配列の列方向に並ぶ素子に共通に延びる1本の第２電極と、
前記基板に形成されて、前記第２電極の両端にそれぞれ個別に接続される第２電極端子と
を備えることを特徴とする超音波トランスデューサー装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー装置と、前記超音波トランスデューサー装置を支持する筐体とを備えることを特徴とするプローブ。
【請求項１７】
請求項１６に記載のプローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理する処理回路とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１８】
請求項１６に記載のプローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理し、画像を生成する処理回路と、前記画像を表示する表示装置とを備えることを特徴とする超音波診断装置。
【請求項１９】
複数の開口がアレイ状に配置された基板と、
前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、
前記超音波トランスデューサー素子が設けられる前記基板の第１面とは反対側の前記基板の第２面に対向配置され、第１配線を有する配線基板と、
前記基板および前記配線基板に接続されて、前記超音波トランスデューサー素子および前記第１配線を相互に電気的に接続する第２配線を有する配線部材と、を備える超音波トランスデューサー装置を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
複数の開口がアレイ状に配置された基板と、
前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、
前記超音波トランスデューサー素子が設けられる前記基板の第１面とは反対側の前記基板の第２面に対向配置され、第１配線を有する配線基板と、
前記基板および前記配線基板に接続されて、前記超音波トランスデューサー素子および前記第１配線を相互に電気的に接続する第２配線を有する配線部材と、を備える超音波トランスデューサー装置を含むことを特徴とする超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（２）超音波トランスデューサー装置は、前記第１配線に接続される集積回路をさらに備えることができる。前記集積回路は、前記超音波トランスデューサー素子に接続される導電線の本数よりも少ない本数の信号処理側の入出力端子を有することができる。信号処理側の入出力端子の端子数は超音波トランスデューサー素子に接続される導電線の本数よりも減少する。その結果、超音波トランスデューサー装置に接続されるケーブルやコネクターのサイズは縮小されることができる。超音波トランスデューサー装置は従来に比べて狭小な空間に収容されることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（１０）超音波トランスデューサー装置は、前記第１配線に接続される集積回路をさらに備えることができる。前記集積回路は、前記超音波トランスデ
ューサー素子に接続されるパルサーを含むことができる。超音波トランスデューサー素子とパルサーとの間で距離は短縮される。したがって、超音波トランスデューサー素子に供給される共振信号のＳ／Ｎ比は高められることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
（４）第２実施形態に係るチップユニットの構成
図７は第２実施形態に係るチップユニット１７の構成を概略的に示す。超音波診断装置１１は前述の素子チップ１８に代えて素子チップ１８ａを利用することができる。この第２実施形態では、第１実施形態の集積回路チップ５５に代わって、配線基板５２の裏面に形成されるモノリシック集積回路８１で前述の集積回路が構成される。モノリシック集積回路８１は配線基板５２の裏面に形成されることから素子チップ１８ａの小型化に貢献することができる。他の構成は前述の第１実施形態と同様に構成されることができる。例えば図７では第１配線は図示されていないが、第１実施形態と同様に配線基板５２の裏面に第１配線が形成され、モノリシック集積回路８１、外部接続端子５６、中継端子５８が第１配線に接続される。その他、前述の第１実施形態と均等な構成や構造には同一の参照符号が付され、重複する説明は割愛される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
（５）第３実施形態に係るチップユニットの構成
図８は第３実施形態に係るチップユニット１７の構成を概略的に示す。超音波診断装置１１は前述の素子チップ１８に代えて素子チップ１８ｂを利用することができる。この第３実施形態では集積回路チップ５５は第１フレキ３７および（または）第２フレキ４１に実装される。第１フレキ３７上で集積回路チップ５５は第１フレキ３７の導電線に接続される。第２フレキ４１上で集積回路チップ５５は第２フレキ４１の導電線に接続される。集積回路チップ５５は、基板２１を含む二次元平面に沿って広がらないことから、素子チップ１８ｂの小型化に貢献することができる。他の構成は前述の第１実施形態および第２実施形態と同様に構成されることができる。例えば図８では第１配線は図示されていないが、第１実施形態と同様に配線基板５２の裏面に第１配線が形成され、モノリシック集積回路８１、外部接続端子５６、中継端子５８が第１配線に接続される。その他、前述の第１および第２実施形態と均等な構成や構造には同一の参照符号が付され、重複する説明は割愛される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（６）第４実施形態に係るチップユニットの構成
図９は第４実施形態に係るチップユニット１７の構成を概略的に示す。超音波診断装置１１は前述の素子チップ１８に代えて素子チップ１８ｃを利用することができる。この第４実施形態では前述の配線基板５２に代えて配線基板８２が用いられる。配線基板８２は表面で基板２１を受け止める。配線基板８２の裏面は平面に形成される。配線基板８２の表面に第１配線８３が形成される。第１配線８３の形成にあたって配線基板８２は基板２１の輪郭よりも外側に広がる。第１配線８３は導電材の薄膜で構成されることができる。導電材には例えば銅といった金属材料が用いられることができる。薄膜は配線基板８２の表面に配線パターンを描くことができる。