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【手続補正書】
【提出日】平成27年3月17日(2015.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に前記半導体層よりエッチングレートが小さい中間層を形成する工程と、
表面に曲率を有するマスクを前記中間層上に形成する工程と、
前記マスクの表面形状を前記中間層に転写するエッチングを実施し、前記中間層の表面に前記マスクの曲率より大きい曲率を有する表面を形成する第１転写工程と、
前記中間層の表面形状を前記半導体層に転写するエッチングを実施し、前記半導体層の表面に前記中間層の曲率より小さい曲率を有する表面を形成する第２転写工程と、を含む、半導体面の加工方法。
【請求項２】
前記マスクは、ノボラック系樹脂であり、
前記中間層は、酸化シリコン、窒化シリコン、または酸化窒化シリコンであり、
前記第１転写工程においては、フッ素系ガスおよび酸素ガスを用いたＲＩＥエッチングを行う、請求項１記載の半導体面の加工方法。
【請求項３】
前記半導体層は、ＩｎＰであり、
前記第２転写工程においては、ハロゲンガスを用いたＲＩＥエッチングを行う、請求項２記載の半導体面の加工方法。
【請求項４】
前記第１転写工程において、前記マスクと前記中間層のエッチングレート比が、０．５倍未満であり、前記第２転写工程において、前記中間層と前記半導体層のエッチングレート比が、２倍以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体面の加工方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月25日(2015.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の主面の周囲に配置されていて、複数の金属膜を含む接合層と、
前記接合層を介して前記ベース基板に接合されている蓋部と、を有し、
前記複数の金属膜は、その融点が前記蓋部側から前記ベース基板側へ向けて順に高くなっていて、
前記複数の金属膜のうちの最も前記ベース基板側の金属膜は、パラジウムを触媒として形成されていることを特徴とするパッケージ。
【請求項２】
前記蓋部と前記接合層との間に配置されているろう材を有し、
前記複数の金属膜のうちの最も前記蓋部側に配置されている金属膜は、前記ろう材の融点に対して−１００℃以上＋１００℃以下の融点を有する材料を含む請求項１に記載のパッケージ。
【請求項３】
前記最もベース基板側の金属膜は、前記ろう材よりも融点が高い材料を含む請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】
前記複数の金属膜は、残留している応力が圧縮応力である金属膜と、残留している応力が引張応力である金属膜とが交互に積層している層を含む請求項１ないし３のいずれか一項に記載のパッケージ。
【請求項５】
隣り合う一対の前記金属膜のうちの残留している応力が大きい方の金属膜は、他方の金属膜よりも厚さが小さい請求項４に記載のパッケージ。
【請求項６】
電子部品を収容するパッケージの製造方法であって、
ベース基板を用意する工程と、
前記ベース基板の主面にパラジウムを含む触媒層を配置する工程と、
前記触媒層上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に、前記金属膜よりも融点の低い材料を含む他の金属膜を積層する工程と、
前記積層している金属層を介して前記ベース基板に蓋部を配置する工程と、
前記積層している金属層の一部を溶融させて、前記蓋部を前記ベース基板に接合する工程と、
を含むことを特徴とするパッケージの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかに記載のパッケージと、
前記パッケージに収容されている電子部品と、を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
請求項１ないし５のいずれかに記載のパッケージと、
前記パッケージに収容されている電子部品と、を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明のパッケージは、ベース基板と、
前記ベース基板の主面の周囲に配置されていて、複数の金属膜を含む接合層と、
前記接合層を介して前記ベース基板に接合されている蓋部と、を有し、
前記複数の金属膜は、その融点が前記蓋部側から前記ベース基板側へ向けて順に高くなっていて、
前記複数の金属膜のうちの最も前記ベース基板側の金属膜は、パラジウムを触媒として形成されていることを特徴とする。
これにより、ベース基板からの接合層の剥離を抑制し、内部空間の気密性を保持することのできるパッケージが得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
［適用例２］
本発明のパッケージでは、前記蓋部と前記接合層との間に配置されているろう材を有し、
前記複数の金属膜のうちの最も前記蓋部側に配置されている金属膜は、前記ろう材の融点に対して−１００℃以上＋１００℃以下の融点を有する材料を含むことが好ましい。
これにより、ろう材と最も蓋部側の金属膜とを、ほとんど同じ温度で溶融させることができるため、これらをより確実に接合することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
［適用例４］
本発明のパッケージでは、前記複数の金属膜は、残留している応力が圧縮応力である金属膜と、残留している応力が引張応力である金属膜とが交互に積層している層を含むことが好ましい。
これにより、接合層の残留応力を低減することができる。そのため、ベース基板からの接合層の剥離をより効果的に防止することができる。
［適用例５］
本発明のパッケージでは、隣り合う一対の前記金属膜のうちの残留している応力が大きい方の金属膜は、他方の金属膜よりも厚さが小さいことが好ましい。
これにより、接合層の残留応力をより低減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
［適用例６］
本発明のパッケージの製造方法は、電子部品を収容するパッケージの製造方法であって、
ベース基板を用意する工程と、
前記ベース基板の主面にパラジウムを含む触媒層を配置する工程と、
前記触媒層上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜上に、前記金属膜よりも融点の低い材料を含む他の金属膜を積層する工程と、
前記積層している金属層を介して前記ベース基板に蓋部を配置する工程と、
前記積層している金属層の一部を溶融させて、前記蓋部を前記ベース基板に接合する工程と、
を含むことを特徴とする。
これにより、ベース基板からの接合層の剥離を抑制し、内部空間の気密性を保持することのできるパッケージが得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［適用例７］
本発明の電子デバイスは、本発明のパッケージと、
前記パッケージに収容されている電子部品と、を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
［適用例８］
本発明の電子機器は、本発明のパッケージと、
前記パッケージに収容されている電子部品と、を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、残留応力が圧縮応力である金属膜と、残留応力が引張応力である金属膜とを交互に積層する場合において、残留応力が圧縮応力である任意の金属膜と、この金属膜の直上（または直下）にある残留応力が引張応力である金属膜とを比較した場合には、これら２つの金属膜のうちの残留応力（残留応力の絶対値）が大きい方を小さい方よりも薄く形成するのが好ましい。すなわち、隣り合う一対の金属膜のうちの残留応力が大きい金属膜は、他方の金属膜よりも厚さが小さいことが好ましい。具体的には、例えば、金属膜２５０１と金属膜２５０２とを比較した場合、金属膜２５０１の残留応力が金属膜２５０２の残留応力よりも大きい場合には、金属膜２５０１を金属膜２５０２よりも薄く形成し、反対に、金属膜２５０１の残留応力が金属膜２５０２の残留応力よりも小さい場合には、金属膜２５０１を金属膜２５０２よりも厚く形成するのが好ましい。このように複数の金属膜を配置することにより、上述した効果をより顕著に発揮でき、接合層２５０の残留応力をより小さくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月25日(2015.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層上に、前記窒化物半導体層に接触し、窒素に対するシリコンの組成比が０．７５より大きい窒化シリコン、酸素に対するシリコンの組成比が０．５より大きい酸化シリコン、及びアルミニウムのいずれかからなり、膜厚が１ｎｍ以上、５ｎｍ以下の第１膜を設ける工程と、
前記窒化物半導体層上に、ソース電極、ゲート電極及びドレイン電極を設ける工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１膜上に第２膜を設ける工程を有し、
前記第２膜は窒化シリコン、酸化アルミニウム、及び窒化アルミニウムのいずれかかなり、実質的に化学量論組成を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１膜を設ける工程はＡＬＤ法により前記第１膜を設ける工程であり、
前記第２膜を設ける工程はＡＬＤ法により前記第２膜を設ける工程であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２膜の厚さは２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２又は３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記アルミニウムからなる前記第１膜を設ける工程と、前記第２膜を設ける工程とは連続して行われることを特徴とする請求項２から４いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記構成において、前記第１膜上に第２膜を設ける工程を有し、前記第２膜は窒化シリコン、酸化アルミニウム、及び窒化アルミニウムのいずれかかなり、実質的に化学量論組成を有する構成とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記構成において、前記アルミニウムからなる前記第１膜を設ける工程と、前記第２膜を設ける工程とは連続して行われる構成とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半絶縁性基板上に設けられ、第１導電型半導体層と前記第１導電型半導体層と反対導電型の第２導電型半導体層とを含む積層構造を備えたメサ状の受光部と、
前記半絶縁性基板上に設けられ、前記受光部と同じ積層構造を含むメサ状の第１電極接続部およびメサ状の第２電極接続部と、
前記第１電極接続部と前記受光部との間に埋め込まれた樹脂膜と、
前記樹脂膜上を延在して設けられ、前記第１電極接続部上の電極パッドと前記受光部における前記第２導電型半導体層とを電気的に接続させる第１配線と、
前記受光部における前記第１導電型半導体層と、前記第２電極接続部上の電極パッドと、を電気的に接続させる第２配線と、
前記第１電極接続部における第１導電型半導体層と前記受光部における前記第１導電型半導体層とを電気的に分離する溝と、を具備し、
前記第２配線の下部には、前記第２配線の延在領域全てに渡って前記第１導電型半導体層が設けられてなることを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
前記樹脂膜は、前記溝を埋め込んでなることを特徴とする請求項１記載の半導体受光素子。
【請求項３】
前記溝は、前記第１電極接続部の周囲を囲んでいることを特徴とする請求項１または２記載の半導体受光素子。
【請求項４】
半絶縁性基板上に、第１導電型半導体層と前記第１導電型半導体層と反対導電型の第２導電型半導体層とを含む積層構造を形成する工程と、
前記積層構造に対してエッチングを施し、メサ状の受光部、メサ状の第１電極接続部、およびメサ状の第２電極接続部を形成する工程と、
前記第１電極接続部における前記第１導電型半導体層を前記受光部における前記第１導電型半導体層から電気的に分離するパターンの開口を備え、且つ、前記第２電極接続部と前記受光部との間の領域における前記第１導電型半導体層を被覆するパターンを備えるマスク層を形成する工程と、
前記マスク層から露出した前記第１導電型半導体層をエッチングすることによって溝を形成する工程と、
一端が前記受光部における前記第１導電型半導体層に接続され、前記受光部と前記第２電極接続部との間の前記第１導電型半導体層上を延在して、前記第２電極接続部上に引き出されてなる第２配線を形成する工程と、
前記第１電極接続部と前記受光部との間に樹脂膜を埋め込む工程と、
一端が前記受光部における前記第２導電型半導体層に接続され、前記樹脂膜上を延在して、前記第１電極接続部上に引き出されてなる第１配線を形成する工程と、
前記第１電極接続部上に前記第１配線に接続される電極パッドを形成し、前記第２電極接続部上に前記第２配線に接続される電極パッドを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体受光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月19日(2015.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（第一の実施形態）
図１（１）〜図１（７）は、炭化珪素半導体装置の製造工程の一例を示したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
まず、図１（１）の（ａ）に示すように、例えば５×１０18ｃｍ-3の窒素がドーピングされた厚さ、例えば３５０μｍの、例えば主面として（０００１）面を有する高濃度ｎ型基板１を用意する。
次いで、図１（１）の（ｂ）に示すように、この炭化珪素基板１に、主面上には、例えば１.０×１０16ｃｍ-3の窒素がドーピングされた、例えば厚さ１０μｍの低濃度ｎ型ドリフト層２が堆積される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
１：第一導電型炭化珪素基板
２：第一導電型炭化珪素エピタキシャル層
３：第二導電型不純物イオン注入領域（終端）
４：第二導電型不純物イオン注入領域（ＪＢＳ）
５：第二導電型不純物イオン注入領域（ＪＴＥ）
６：層間絶縁膜
７：第１の金属層
８：熱処理後の第１の金属層
９：オーミック接合
１０：他の金属と密着性の良い物質の層
１１：未反応で残ったカーボン
１２：工程中に付着した剥離原因物質
１３：第２の金属層（ショットキー接合用金属）
１４：第３の金属層（電極パッド）
１５：ポリイミド
１６：第４の金属層
１７：Ｔｉ層
１８：Ｎｉ層
１９：Ａｕ層
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月28日(2015.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集光した光が入射される第１面を有する光入射部と、前記第１面から入射した光を出射する第２面を有する光出射部とを備える二次レンズであって、
前記光入射部は前記光出射部から離れた位置に頂部を有し、前記光入射部の断面の面積が、前記頂部側から光出射部側に近づくに従って単調増加するとともに、
前記断面に対する前記第１面の傾斜角が、前記頂部側から前記光出射部側に近づくに従って単調増加する第１光学屈折面および第２光学屈折面と、前記第１光学屈折面と前記第２光学屈折面との間に設けられ前記第１光学屈折面から前記第２光学屈折面にかけて前記傾斜角が減少する変曲点とを有することを特徴とする二次レンズ。
【請求項２】
光を集光する集光レンズと、前記集光レンズから入射された光を出射する二次レンズと、前記二次レンズから出射された光を光電変換する太陽電池セルとを備えた集光型太陽光発電ユニットを、複数組み合わせて形成された集光型太陽光発電モジュールであって、
前記二次レンズは、請求項１に記載の二次レンズであることを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の集光型太陽光発電モジュールであって、
前記集光された光の集光束の光軸方向から見た平面視において、前記二次レンズの前記変曲点を通る線は前記太陽電池セルの外側に位置していることを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の集光型太陽光発電モジュールであって、
前記二次レンズは、前記第１面のうち前記集光レンズに対向する前記頂部から前記変曲点を通る線までの領域の、前記集光された光の集光束の光軸に垂直な方向の断面形状が、前記集光レンズの光学屈折面の前記光軸に垂直な方向の断面形状と相似であることを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
【請求項５】
請求項２から請求項４までのいずれか１項に記載の集光型太陽光発電モジュールであって、
前記二次レンズは、前記第１面のうち前記変曲点を通る線から前記第２面までの一部の領域の、前記集光された光の集光束の光軸に垂直な方向の断面形状が、前記集光レンズの光学屈折面の前記光軸に垂直な方向の断面形状と非相似であることを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
【請求項６】
請求項２から請求項５までのいずれか１項に記載の集光型太陽光発電モジュールであって、
前記太陽電池セルは多接合型の化合物セルであり、
前記二次レンズは、前記第１面のうち前記変曲点を通る線から前記第２面までの領域が、最も短波長側に感度領域を有する太陽電池セルに対応する波長領域の光が入射しない構成とされていることを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の集光型太陽光発電モジュールであって、
前記集光レンズの端から出射して前記変曲点の上部近傍に入射した特定波長の光が前記集光された光の集光束の光軸と交差した後に前記太陽電池セルに到達し、かつ、前記集光レンズの端から出射して前記変曲点の下部近傍に入射した特定波長の光が前記光軸と交差する前に前記太陽電池セルに到達するように、前記変曲点の高さ位置が設定されていることを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
【請求項８】
請求項２から請求項７までのいずれか１項に記載の集光型太陽光発電モジュールであって、
前記二次レンズの変曲点から前記太陽電池セルまでの距離は、前記二次レンズの第１面の頂点から前記太陽電池セルまでの距離の半分以上であることを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
【請求項９】
請求項２から請求項８までのいずれか１項に記載の集光型太陽光発電モジュールであって、
前記二次レンズは、前記第１面と前記第２面との間に、前記入射光を前記太陽電池セルに導く上で光学的に寄与しない中間領域部を有することを特徴とする集光型太陽光発電モジュール。
【請求項１０】
光が入射される二次レンズと、前記二次レンズに対向して配置され前記二次レンズから出射された光を光電変換する太陽電池セルと、前記太陽電池セルが実装されたレシーバ基板とを備える太陽電池実装体であって、
前記二次レンズは、請求項１に記載の二次レンズであり、
前記二次レンズと前記太陽電池セルとの間に透光性樹脂材料が充填された充填部を備えたことを特徴とする太陽電池実装体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次レンズ、太陽電池実装体及び集光型太陽光発電モジュール
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明に係る二次レンズは、集光した光が入射される第１面を有する光入射部と、前記第１面から入射した光を出射する第２面を有する光出射部とを備える二次レンズであって、前記光入射部は前記光出射部から離れた位置に頂部を有し、前記光入射部の断面の面積が、前記頂部側から光出射部側に近づくに従って単調増加するとともに、前記断面に対する前記第１面の傾斜角が、前記頂部側から前記光出射部側に近づくに従って単調増加する第１光学屈折面および第２光学屈折面と、前記第１光学屈折面と前記第２光学屈折面との間に設けられ前記第１光学屈折面から前記第２光学屈折面にかけて前記傾斜角が減少する変曲点とを有することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月2日(2015.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【図１】図１Ａ〜図１Ｃは、本発明の実施の形態に係る磁気異方性塑性加工品の全体概略斜視図である。
【図２】磁気異方性塑性加工品を得るための熱処理装置の要部概略縦断面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、図１Ａ〜図１Ｃに示す磁気異方性塑性加工品を得るための棒状成形品の保持状態を示す要部平面図である。
【図４】塑性加工時の加工率が互いに相違する棒状成形品において、ビッカース硬度を測定した結果を示すグラフである。
【図５】再結晶温度・形状・寸法が同一である棒状成形品の各々に対して種々の温度で熱処理を施したときの、熱処理時の温度と、磁場に直交する方向と磁場に平行な方向とでの保磁力の差との関係を示したグラフである。
【図６】再結晶温度・形状・寸法が同一である棒状成形品の各々に対して種々の強度の磁場で熱処理を施したときの、磁場の強度と、磁場に直交する方向の保磁力と磁場に平行な方向の保磁力との差の関係を示したグラフである。
【図７】再結晶温度・形状・寸法が同一である棒状成形品に対し、磁場の存在下で熱処理を施したものと、磁場を発生させないで熱処理を施したものとの、磁場に対する方向と保磁力との関係を示したグラフである。
【図８】本発明に係る磁気異方性塑性加工品からなる軟磁性体部材が磁気回路に組み込まれた電磁弁の概略全体縦断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
また、図５は、加工率を１５％として作製し、再結晶温度が７００℃である同一形状・寸法（直径５．５ｍｍ×高さ４ｍｍ。以下、同じ）の棒状成形品２０に対し、７００℃〜８００℃の間の所定温度で熱処理を施して個別に得た塑性加工品につき、熱処理時の温度と、角度９０°の保磁力から角度０°の保磁力を差し引いた値との関係を示したグラフである。なお、磁場の強度は１０Ｔに設定している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2013211489.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のレジストを光学系を介して露光する露光装置であって、
前記基板を保持して、露光位置に前記基板を位置決めするテーブルと、
前記基板に形成されたアライメントマークから前記アライメントマークの位置におけるレジスト表面までの距離と所定の面に対する前記レジスト表面の傾きとを取得する取得部と、
前記テーブルのチルト駆動を行う際に生じる露光位置のずれを補正するための補正値を、前記取得部で取得された前記距離および前記傾きを用いて算出し、前記補正値に従って前記テーブルの位置を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記所定の面は、前記アライメントマークが形成されている基板の面であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記距離をΔＺ、前記傾きをα、前記補正値をΔＬとした場合、
前記制御部は、前記補正値を
ΔＬ＝ΔＺ×ｓｉｎα
により求めることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記レジストが材質の異なる複数の層で構成されている場合、前記距離は、前記アライメントマークから前記レジスト表面までにおける各層の厚さであり、前記取得部は、前記所定の面に対する各層表面の傾き、および各層の材質の特性値を取得し、前記制御部は、前記各層の厚さ、前記各層表面の傾き、および前記各層の材質の特性値を用いて前記補正値を算出することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記アライメントマークが前記基板の裏面に形成されている場合、前記取得部は、前記アライメントマークから前記レジスト表面までにおける前記基板および前記レジストの各層の厚さ、前記所定の面に対する各層表面の傾き、および各層の材質の特性値を取得し、前記制御部は、前記各層の厚さ、前記各層表面の傾き、および前記各層の材質の特性値を用いて前記補正値を算出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記基板は、シリコン基板により構成される層およびガラス基板により構成される層のうち少なくとも一つの層を含むことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記各層の厚さをΔＺｋ、前記各層表面の傾きをαｋ、前記各層の材質の特性値を係数Ｃｋ（ｋは１以上ｎ以下の整数、ｎは層数）、前記補正値をΔＬとした場合、
前記制御部は、前記補正値を
【数２】
2013211488.tif 000001
（ｋは１以上ｎ以下の整数、ｎは層数）
により求めることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
基準となるアライメントマークからレジスト表面までの距離およびレジスト表面の傾きを基板全体の代表値として計測するグローバル計測、または、基板内の異なる位置に形成されたアライメントマークに対して、当該アライメントマークからレジスト表面までの距離および前記レジスト表面の傾きを計測するダイバイダイ計測を行う計測部を更に備え、
前記取得部は、前記計測部の計測結果を取得することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記アライメントマークが前記基板の裏面に形成されている場合、前記取得部は、前記アライメントマークから前記レジスト表面までにおける前記基板および前記レジストの各層の厚さ、前記所定の面に対する各層表面の傾きを取得し、前記制御部は、前記各層の厚さ、前記各層表面の傾きを用いて前記補正値を算出することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
基板を保持して、露光位置に前記基板を位置決めするテーブルを有し、基板上のレジストを光学系を介して露光する露光装置の制御方法であって、
前記基板に形成されたアライメントマークから前記アライメントマークの位置におけるレジスト表面までの距離と所定の面に対する前記レジスト表面の傾きとを取得する取得工程と、
前記テーブルのチルト駆動を行う際に生じる露光位置のずれを補正するための補正値を、前記取得工程で取得された前記距離および前記傾きを用いて算出する算出工程と、
前記算出工程で算出された前記補正値に従って、前記テーブルの位置を制御する制御工程と、
を有することを特徴とする露光装置の制御方法。
【請求項１１】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板上のレジストを露光する工程と、
前記露光されたレジストを現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の目的を達成する本発明の一つの側面に係る露光装置は、基板上のレジストを光学系を介して露光する露光装置であって、
前記基板を保持して、露光位置に前記基板を位置決めするテーブルと、
前記基板に形成されたアライメントマークから前記アライメントマークの位置におけるレジスト表面までの距離と所定の面に対する前記レジスト表面の傾きとを取得する取得部と、
前記テーブルのチルト駆動を行う際に生じる露光位置のずれを補正するための補正値を、前記取得部で取得された前記距離および前記傾きを用いて算出し、前記補正値に従って前記テーブルの位置を制御する制御部と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を搭載しているベース体と、
前記ベース体と共に前記電子部品を収容する空間を構成している蓋体と、
前記電子部品と、前記ベース体の外部側とを電気的に接続する配線を有する貫通孔と、
前記ベース体と前記蓋体との間に設けられ、前記貫通孔から離間した所で前記貫通孔の
周囲を囲んでおり、前記ベース体と前記蓋体とを接合している接合部と、
を備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記接合部は、
前記ベース体および前記蓋体にそれぞれ配置されている金属膜と、
前記金属膜の間に設けられている金属体と、
を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記金属体は、溶融した金属ポーラス体が凝固したものを含んでいることを特徴とする
請求項２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記金属膜および前記金属体は、少なくとも金（Ａｕ）または金（Ａｕ）合金を含んで
いることを特徴とする請求項２または３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
電子部品を搭載しているベース体と、
前記ベース体と共に前記電子部品を収容する空間を構成している蓋体と、
前記電子部品と前記ベース体の外部側とを電気的に接続する配線を有する貫通孔と、前
記ベース体と前記蓋体との間に設けられ、前記貫通孔から離間した所で前記貫通孔の周囲
を囲んでおり、前記ベース体と前記蓋体とを接合している接合体と、を備えている電子デ
バイスの製造方法であって、
前記ベース体または前記蓋体に金属ポーラス体を配置する工程と、
前記金属ポーラス体を挟持して前記ベース体へ前記蓋体を載置する蓋体載置工程と、
前記空間の排気を行なう減圧工程と、
前記減圧工程の後、前記ベース体と前記金属ポーラス体と前記蓋体とを加熱および加圧
し、前記接合部を形成する工程と、
を含んでいることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記金属ポーラス体を配置する工程は、前記金属ポーラス体を、前記貫通孔から離
間したところに前記貫通孔の周囲を囲んでいる形態となるように、転写用基板へ形成する
転写準備ステップと、
前記金属ポーラス体を前記転写用基板から前記ベース体または前記蓋体に転写する転写
ステップと、
を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記減圧工程は、前記金属ポーラス体を加熱する予備加熱ステップと、
前記金属ポーラス体を通して前記空間の排気を行なう排気ステップと、
を含んでいることを特徴とする請求項５または６に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか一項に記載の電子デバイスを搭載していることを特徴とする
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
そして、ベース体２と蓋体３との間には、封止体４（接合部）が設けられている。封止
体４は、図１（ｂ）の断面図に示すように、ベース体２および蓋体３に形成され互いに対
向している金属膜４ｂと、ベース体２の金属膜４ｂと蓋体３の金属膜４ｂとの間に設けら
れた金属体４ａと、から成り、ベース体２と蓋体３とを接合すると共に空気やガス等の通
過を遮断して封止し、電気的導通性も有している。この場合、封止体４は、帯状をなし長
方形のリング状に２つ設けられていて、図１（ａ）の平面図に示すように、１つ目は、貫
通孔８の一方である貫通孔８ａから離間した所で貫通孔８ａの周囲（全周囲）を取り囲ん
で、帯状に設けられた形態のものであり、２つ目は、当該１つ目の封止体４および空間２
ａを取り囲み貫通孔８の他方である貫通孔８ｂを囲みの外にして、貫通孔８ｂから離間し
た所で帯状に設けられた形態のものである。ここで、封止体４の金属体４ａおよび金属膜
４ｂは、水晶振動子１では金（Ａｕ）によって形成されていて、その詳細は図３〜図５を
参照して後述する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体フィルム上に電極膜を形成した一対の金属化フィルムを、前記電極膜が前記誘電体フィルムを介して対向するように巻回した素子と、
前記素子の中心軸に挿入されたグラファイトからなる巻芯と、を備え、
前記巻芯は、一端が前記素子の端面に接し、
他端は前記コンデンサ素子の内部にある、
金属化フィルムコンデンサ。
【請求項２】
前記コンデンサ素子は扁平状であり、前記グラファイトからなる巻芯はグラファイトシートにて形成された請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサ
【請求項３】
前記巻芯を一つ備え、
この巻芯は、
前記素子の前記端面からの長さＬ1が下記式１を満たす、請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【数１】
2013211326.tif 000001
【請求項４】
前記巻芯として少なくとも第一の巻芯、第二の巻芯を備え、
前記第一の巻芯は、一端が素子の一方の端面に接し、
前記第二の巻芯は、一端が素子の他方の端面に接し、
前記第一、第二の巻芯の他端はそれぞれ前記素子の内部にあり、互いにスペースを空けて配置された、請求項１に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【請求項５】
前記巻芯は前記第一、第二の巻芯の二本であり、
前記第一の巻芯は、前記素子の前記一方の端面からの長さＬ1が、下記式２を満たす、請求項４に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【数２】
2013211326.tif 000002
【請求項６】
前記第二の巻芯は、前記素子の前記他方の端面からの長さＬ2が、下記式３を満たす、請求項５に記載の金属化フィルムコンデンサ。
【数３】
2013211326.tif 000003
【請求項７】
巻き取り装置に設けられた軸を中心にグラファイトシートを複数回巻回して巻芯を形成する工程と、
前記巻芯を巻回軸として正負一対の金属化フィルムを巻取る工程と、
金属化フィルムを巻取ることで形成された円柱状の素子を押圧して扁平形状の素子を形成する工程とを含む金属化フィルムコンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金属化フィルムコンデンサと金属化フィルムコンデンサの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は例えば各種電子機器、電気機器、産業機器、自動車等に使用される金属化フィルムコンデンサとこの金属化フィルムコンデンサの製造方法に関するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）および還元剤の第１の混合物を減圧下において加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元して前記三酸化モリブデン及び二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））の第２の混合物を作製し、
前記第２の混合物を気化させて、前記第２の混合物を有する膜を基板上に形成することを特徴とするｐ型半導体材料の作製方法。
【請求項２】
三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）および還元剤の第１の混合物を加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元して前記三酸化モリブデン及び二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））の第２の混合物を作製し、
前記第２の混合物を減圧下において加熱して気化させ、前記第２の混合物を有する膜を基板上に形成することを特徴とするｐ型半導体材料の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記還元剤は、チタン、アルミニウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、マンガン、ハフニウム、タングステン、モリブデン、シリコンの中から選ばれた一つ以上の材料であることを特徴とするｐ型半導体材料の作製方法。
【請求項４】
ｎ型の導電型を有するシリコン基板の一方の面に前記シリコン基板よりもキャリア濃度の高いｎ型の導電型を有する領域を形成し、
前記ｎ型の導電型を有する領域上に第２の電極を形成し、
前記シリコン基板の他方の面に、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））が含有された酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜上に透光性導電膜を形成し、
前記透光性導電膜上に第１の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項５】
ｎ型の導電型を有するシリコン基板の一方の面に、ｉ型またはｎ型の導電型を有し前記シリコン基板よりもキャリア濃度の低い第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、ｎ型の導電型を有し前記シリコン基板よりもキャリア濃度の高い第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に第２の電極を形成し、
前記シリコン基板の他方の面に、ｉ型またはｐ型の導電型を有する第３の半導体層を形成し、
前記第３の半導体層上に、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））が含有された酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜に透光性導電膜を形成し
前記透光性導電膜上に第１の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記酸化モリブデン膜は、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）および還元剤の第１の混合物を減圧下において加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元して前記三酸化モリブデン及び二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））の第２の混合物を作製し、
前記第２の混合物を気化させることによって形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４または５において、
前記酸化モリブデン膜は、三酸化モリブデン（ＭｏＯ３）および還元剤の第１の混合物を加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元して前記三酸化モリブデン及び二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン（ＭｏＯｙ（２＜ｙ＜３））の第２の混合物を作製し、
前記第２の混合物を減圧下において加熱して気化させることによって形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力を蓄え、蓄えた該電力を供給する第１電力供給部と、
電力源からの電力を供給する第２電力供給部と、
該第２電力供給部を制御する制御部と
を備え、
前記第２電力供給部は、前記第１電力供給部および／または前記制御部に前記電力源からの電力を供給する
電力制御装置。
【請求項２】
前記第１電力供給部から前記制御部への電力供給が行われず前記制御部が起動しない場合に、前記第２電力供給部から前記制御部へ電力供給が行われるように前記第２電力供給部を起動させる起動部をさらに備える
請求項１に記載の電力制御装置。
【請求項３】
前記起動部は、前記電力源からの電力供給に応じて前記第２電力供給部に対してイネーブル信号を供給して該第２電力供給部を起動させる
請求項２に記載の電力制御装置。
【請求項４】
前記起動部は、ユーザからの入力に応じて前記第２電力供給部に対してイネーブル信号を供給して該第２電力供給部を起動させる
請求項２に記載の電力制御装置。
【請求項５】
電圧変換を行うことにより、前記第１電力供給部からの電力供給と、前記第２電力供給部からの電力供給とを切り替える切り替え部を更に備える
請求項１から４のいずれかに記載の電力制御装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第２電力供給部から電力供給を受けて起動した後、前記第２電力供給部を制御する
請求項１から５のいずれかに記載の電力制御装置。
【請求項７】
前記第２電力供給部からの電力供給により前記第１電力供給部の残量が所定量以上となった場合、前記制御部への電力供給を前記第２電力供給部からの電力から前記第１電力供給部からの電力に切り替える
請求項１から６のいずれかに記載の電力制御装置。
【請求項８】
電力を蓄え、蓄えた該電力を供給する第１電力供給部と、
電力源からの電力を供給する第２電力供給部と、
該第２電力供給部を制御する制御部と
を備える電力制御装置において、
前記第２電力供給部は、前記第１電力供給部および／または前記制御部に前記電力源からの電力を供給する
電力制御方法。
【請求項９】
電力を蓄え、蓄えた該電力を供給する第１電力供給部と、
電力源からの電力を供給する第２電力供給部と、
該第２電力供給部を制御する制御部と
を備え、
前記第２電力供給部は、前記第１電力供給部および／または前記制御部に前記電力源からの電力を供給する
電力制御装置と、
前記第１電力供給部から電力の供給を受けて車両の駆動力に変換する変換装置と、
前記第１電力供給部に関する情報に基づいて車両制御に関する情報処理を行う制御装置とを有する
電動車両。
【請求項１０】
電力を蓄え、蓄えた該電力を供給する第１電力供給部と、
電力源からの電力を供給する第２電力供給部と、
該第２電力供給部を制御する制御部と
を備え、
前記第２電力供給部は、前記第１電力供給部および／または前記制御部に前記電力源からの電力を供給する
電力制御装置を備え、
前記第１電力供給部および／または前記第２電力供給部から電子機器に電力を供給する蓄電装置。
【請求項１１】
電力を蓄え、蓄えた該電力を供給する第１電力供給部と、
電力源からの電力を供給する第２電力供給部と、
該第２電力供給部を制御する制御部と
を備え、
前記第２電力供給部は、前記第１電力供給部および／または前記制御部に前記電力源からの電力を供給する電力制御装置を備え、
前記第１電力供給部および／または前記第２電力供給部から電力の供給を受け、または、発電装置もしくは電力網から前記第１電力供給部および／または前記第２電力供給部に電力が供給される
電力システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る画像処理装置は、前記画像処理装置の消耗品の残量を検知する検知手段と、前記検知手段によって検知された前記消耗品の残量が所定量以下であるか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により前記消耗品の残量が前記所定量以下であると判定された場合に、前記消耗品のメンテナンス手順を示すメンテナンス動画を表示するための動画データを外部装置から取得する取得手段と、前記取得手段が取得した前記動画データを記憶する記憶手段と、前記消耗品のメンテナンスが必要になった場合に、前記記憶手段が記憶している前記動画データに基づいて、前記消耗品の前記メンテナンス動画を表示する表示手段と、前記消耗品のメンテナンスが完了した場合に、前記記憶手段が記憶している前記動画データを消去する消去手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
１００    画像処理装置
１２０    動画配信サーバ
２０１    ＣＰＵ
２０４    ＨＤＤ
２０８    ネットワークＩ／Ｆ
２０９    操作部
４０１    外部通信部
４０２    動画データ管理部
４０３    消耗品検知部
４０５    ジョブ管理部
４０６    ジャム検知部
４０７    履歴管理部
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理装置であって、
前記画像処理装置の消耗品の残量を検知する検知手段と、
前記検知手段によって検知された前記消耗品の残量が所定量以下であるか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記消耗品の残量が前記所定量以下であると判定された場合に、前記消耗品のメンテナンス手順を示すメンテナンス動画を表示するための動画データを外部装置から取得する取得手段と、
前記取得手段が取得した前記動画データを記憶する記憶手段と、
前記消耗品のメンテナンスが必要になった場合に、前記記憶手段が記憶している前記動画データに基づいて、前記消耗品の前記メンテナンス動画を表示する表示手段と、
前記消耗品のメンテナンスが完了した場合に、前記記憶手段が記憶している前記動画データを消去する消去手段と、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記動画データを取得する必要のある前記消耗品が複数存在する場合、前記取得手段は、低画質な動画データを前記外部装置から取得し、
前記動画データを取得する必要のある前記消耗品が複数存在しない場合、前記取得手段は、高画質な動画データを前記外部装置から取得することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記消耗品のメンテナンスは、前記消耗品の交換であることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記消耗品はトナーであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像処理装置で実行される制御方法であって、
前記画像処理装置の消耗品の残量を検知する検知ステップと、
前記検知ステップによって検知された前記消耗品の残量が所定量以下であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにより前記消耗品の残量が前記所定量以下であると判定された場合に、前記消耗品のメンテナンス手順を示すメンテナンス動画を表示するための動画データを外部装置から取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した前記動画データを記憶する記憶ステップと、
前記消耗品のメンテナンスが必要になった場合に、前記記憶ステップで記憶した前記動画データに基づいて、前記消耗品の前記メンテナンス動画を表示する表示ステップと、
前記消耗品のメンテナンスが完了した場合に、前記記憶ステップで記憶した前記動画データを消去する消去ステップと、を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
画像処理装置において実行される制御方法を該画像処理装置が備えるコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記制御方法は、
前記画像処理装置の消耗品の残量を検知する検知ステップと、
前記検知ステップによって検知された前記消耗品の残量が所定量以下であるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにより前記消耗品の残量が前記所定量以下であると判定された場合に、前記消耗品のメンテナンス手順を示すメンテナンス動画を表示するための動画データを外部装置から取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した前記動画データを記憶する記憶ステップと、
前記消耗品のメンテナンスが必要になった場合に、前記記憶ステップで記憶した前記動画データに基づいて、前記消耗品の前記メンテナンス動画を表示する表示ステップと、
前記消耗品のメンテナンスが完了した場合に、前記記憶ステップで記憶した前記動画データを消去する消去ステップと、を有することを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月20日(2015.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音放射方向の面とは反対側の面にのみ接する接着剤が環形状に固着されており、
前記接着剤は前記音放射方向の面を形成する材料より大きい内部損失を有するスピーカー装置用のセンターキャップ。
【請求項２】
前記接着剤は、ゴム系の接着剤を含む請求項１に記載のセンターキャップ。
【請求項３】
前記接着剤は、ブチルゴムを含む請求項２に記載のセンターキャップ。
【請求項４】
前記音放射方向の面を形成する材料は、繊維材料である請求項１乃至３のいずれかに記載のセンターキャップ。
【請求項５】
前記音放射方向での最小厚さが、前記固着された接着剤の該音放射方向での最大厚さよりも小さい請求項１乃至４のいずれかに記載のセンターキャップ。
【請求項６】
前記固着された接着剤は、略円環形状を少なくとも有する請求項１乃至５のいずれかに記載のセンターキャップ。
【請求項７】
前記固着された接着剤は、略楕円環形状を少なくとも有する請求項１乃至５のいずれかに記載のセンターキャップ。
【請求項８】
前記固着された接着剤は、略多角環形状を少なくとも有する請求項１乃至５のいずれかに記載のセンターキャップ。
【請求項９】
前記センターキャップは、略円盤形状を有し、
前記センターキャップの平面形状の図心と、前記固着された接着剤の平面形状の図心とは、略同一の位置にある請求項６乃至８のいずれかに記載のセンターキャップ。
【請求項１０】
振動板と、
前記振動板に接続されたボイスコイルボビンに巻回されたボイスコイルと、
前記ボイスコイルを振動させる磁気回路と、
前記振動板の音放射面に設置されたセンターキャップと、
を有し、
前記センターキャップの音放射方向の面とは反対側の面には、当該反対側の面にのみ接する環形状の接着剤が固着されており、
前記接着剤は前記音放射方向の面を形成する材料より大きい内部損失を有するスピーカー装置。
【請求項１１】
前記ボイスコイルボビンは、略円筒形状を有し、
前記固着された接着剤は、略円環形状を有し、
前記ボイスコイルボビンの中心軸と、前記固着された接着剤の中心軸とは、略同一である請求項１０に記載のスピーカー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークに参加する複数のノードのアドレス変化に追従してノード管理情報を更新する制御装置であって、
前記制御装置は、
前記ネットワークの通信プロトコルを制御する通信制御部と、
前記通信制御部の情報と前記ネットワークに参加する前記複数のノードの情報とを前記ノード管理情報として管理する本体制御部とを備え、
前記本体制御部は、
前記ノード管理情報と、
前記ネットワークに参加する前記複数のノードから隣接テーブルを取得するＬＱＩサーチ実行部と、
前記通信制御部からアソシエートデバイス情報を読出して前記ノード管理情報を更新するアソシエートサーチ実行部とを備える、制御装置。
【請求項２】
前記通信制御部は、
前記アソシエートデバイス情報と、
前記ＬＱＩサーチ実行部の要求に基づいて、前記ネットワークに参加する前記複数のノードへ、前記隣接テーブルを取得要求するためのパケットを送信する送信手段と、
前記取得要求に応答して前記ノードから送られる前記隣接テーブルを受信するための受信手段とを備える、請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記ノード管理情報には、前記ネットワークに参加する前記複数のノードのアドレス情報が含まれるように構成されており、
前記本体制御部における前記ＬＱＩサーチ実行部は、
受信した前記隣接テーブルを集計して、前記ノード管理情報に含まれない未知のアドレスを検出した場合に、当該アドレスを宛先アドレスとするパケットを送信することによって、前記アソシエートデバイス情報が更新されるように構成されている、請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
前記本体制御部における前記アソシエートサーチ実行部は、
前記アソシエートデバイス情報を読出し、前記ノード管理情報と比較した結果に基づき、既存ノードのアドレス変化を検出すれば、前記ノード管理情報における前記既存ノードのアドレス情報を更新するように構成されている、請求項３に記載の制御装置。
【請求項５】
前記ノード管理情報には、前記ネットワークに参加する前記複数のノードの前記ネットワークへの参加または離脱を示す生存情報が含まれるように構成されている、請求項１〜４のいずれかに記載の制御装置。
【請求項６】
前記本体制御部における前記アソシエートサーチ実行部は、
既存ノードのアドレス変化を検出、または、新規ノードが前記ネットワークに参加したことを検出、または、既存ノードが前記ネットワークから離脱したことを検出すれば、当該検出結果を外部アプリケーションに通知するように構成されている、請求項４または請求項５に記載の制御装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の制御装置と、
ネットワークを介して前記制御装置と通信する複数のノードとを備える、通信ネットワークシステム。
【請求項８】
ネットワークに参加する複数のノードのアドレス変化に追従してノード管理情報を更新するノード情報管理方法であって、
前記ノード管理情報には、前記ネットワークに参加する前記複数のノードのアドレス情報が含まれるように構成されており、
前記ネットワークに参加する前記複数のノードから隣接テーブルを取得するステップと、
取得した前記隣接テーブルを集計して、前記ノード管理情報に含まれない未知のアドレスを検出した場合に、当該アドレスを宛先アドレスとするパケットを送信するステップと、
前記ネットワークの通信プロトコルを制御する通信制御部からアソシエートデバイス情報を読出して前記ノード管理情報を更新するステップとを備える、ノード情報管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】制御装置、通信ネットワークシステム、ノード情報管理方法