【手続補正書】
【提出日】平成27年10月8日(2015.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、前記金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程とを交互にＮ回（Ｎは２以上の整数）繰り返すことを含み、
前記金属酸化物前駆体膜を形成する少なくとも２回の工程において、（ｎ−１）回目（ｎは２以上Ｎ以下の整数）に金属酸化物前駆体膜を形成する工程に用いる金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度をＣｎ−１（ｍｏｌ／Ｌ）、ｎ回目に金属酸化物前駆体膜を形成する工程に用いる金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度をＣｎ（ｍｏｌ／Ｌ）としたときに、下記式（１）の関係を満たす金属酸化物膜の製造方法。
１＞（Ｃｎ／Ｃｎ−１）      （１）
【請求項２】
前記金属酸化物前駆体膜を形成するＮ回の工程のうち、少なくとも（Ｎ−１）回目に金属酸化物前駆体膜を形成する工程に用いる金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度（ｍｏｌ／Ｌ）と、Ｎ回目に金属酸化物前駆体膜を形成する工程に用いる金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度（ｍｏｌ／Ｌ）とが、前記式（１）の関係を満たす請求項１に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項３】
前記金属酸化物前駆体膜を形成する全ての工程において、金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度（ｍｏｌ／Ｌ）が、前記式（１）の関係を満たす請求項１又は請求項２に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項４】
前記式（１）が下記式（２）である請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
１／３≧（Ｃｎ／Ｃｎ−１）      （２）
【請求項５】
金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、前記金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程とを交互にＮ回（Ｎは２以上の整数）繰り返すことを含み、
前記金属酸化物前駆体膜を形成する少なくとも２回の工程において、（ｎ−１）回目（ｎは２以上Ｎ以下の整数）に形成する金属酸化物前駆体膜の膜厚をＰｎ−１、ｎ回目に形成する金属酸化物前駆体膜の膜厚をＰｎとしたときに、下記式（３）の関係を満たす金属酸化物膜の製造方法。
１＞（Ｐｎ／Ｐｎ−１）      （３）
【請求項６】
前記金属酸化物前駆体膜を形成するＮ回の工程のうち、少なくとも（Ｎ−１）回目に形成する金属酸化物前駆体膜の膜厚と、Ｎ回目に形成する金属酸化物前駆体膜の膜厚とが、前記式（３）の関係を満たす請求項５に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項７】
前記金属酸化物前駆体膜を形成する全ての工程において、金属酸化物前駆体膜の膜厚が、前記式（３）の関係を満たす請求項５又は請求項６に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項８】
前記式（３）が下記式（４）である請求項５〜請求項７のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
１／３≧（Ｐｎ／Ｐｎ−１）      （４）
【請求項９】
金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、前記金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程とを交互にＮ回（Ｎは２以上の整数）繰り返すことを含み、
前記金属酸化物膜を形成する少なくとも２回の工程において、（ｎ−１）回目（ｎは２以上Ｎ以下の整数）に形成する金属酸化物膜の膜厚をＴｎ−１、ｎ回目に形成する金属酸化物膜の膜厚をＴｎとしたときに、下記式（５）の関係を満たす金属酸化物膜の製造方法。
１＞（Ｔｎ／Ｔｎ−１）      （５）
【請求項１０】
前記金属酸化物膜を形成するＮ回の工程のうち、少なくとも（Ｎ−１）回目に形成する金属酸化物膜の膜厚と、Ｎ回目に形成する金属酸化物膜の膜厚とが、前記式（５）の関係を満たす請求項９に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項１１】
前記金属酸化物膜を形成する全ての工程において、金属酸化物膜の膜厚が、前記式（５）の関係を満たす請求項９又は請求項１０に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項１２】
前記式（５）が下記式（６）である請求項９〜請求項１１のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
１／３≧（Ｔｎ／Ｔｎ−１）      （６）
【請求項１３】
前記金属酸化物前駆体膜を形成する工程において、前記金属硝酸塩を含む溶液を、インクジェット法、ディスペンサー法、凸版印刷法、及び凹版印刷法から選択される少なくとも一種の塗布法により塗布する請求項１〜請求項１２のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項１４】
前記金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度が、０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上０．５ｍｏｌ／Ｌ以下である請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項１５】
前記金属硝酸塩を含む溶液が、少なくとも硝酸インジウムを含む請求項１〜請求項１４のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項１６】
前記硝酸インジウムを含む溶液が、亜鉛、錫、ガリウム及びアルミニウムから選ばれるいずれか１つ以上の金属原子を含む化合物をさらに含有する請求項１５に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項１７】
前記金属酸化物前駆体膜を形成する工程において、前記塗布膜を乾燥させる際の前記基板の温度が３５℃以上１００℃以下である請求項１〜請求項１６のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項１８】
前記金属酸化物前駆体膜を前記金属酸化物膜に転化する工程における前記基板の最高到達温度が２００℃以下である請求項１〜請求項１７のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項１９】
前記金属酸化物前駆体膜を前記金属酸化物膜に転化する工程における前記基板の最高到達温度が１２０℃以上である請求項１〜請求項１８のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項２０】
前記金属酸化物前駆体膜を前記金属酸化物膜に転化する工程が、前記金属酸化物前駆体膜に紫外線を照射する工程を含む請求項１〜請求項１９のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項２１】
前記金属酸化物前駆体膜を前記金属酸化物膜に転化する工程が、前記金属酸化物前駆体膜に対し、波長３００ｎｍ以下の紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ２以上の強度で照射する工程を含む請求項１〜請求項２０のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項２２】
前記金属酸化物前駆体膜に前記紫外線を照射する際に用いる光源が、低圧水銀ランプである請求項２０又は請求項２１のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項２３】
請求項１〜請求項２２のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法を用いて作製された金属酸化物膜。
【請求項２４】
前記金属酸化物膜が金属酸化物半導体膜である請求項１〜請求項２２のいずれか一項に記載の金属酸化物膜の製造方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の金属酸化物膜の製造方法を用いて作製された金属酸化物半導体膜を含む活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタ。
【請求項２６】
請求項２５に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
【請求項２７】
請求項２５に記載の薄膜トランジスタを備えたイメージセンサ。
【請求項２８】
請求項２５に記載の薄膜トランジスタを備えたＸ線センサ。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、以下の発明が提供される。
＜１＞  金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程とを交互にＮ回（Ｎは２以上の整数）繰り返すことを含み、
金属酸化物前駆体膜を形成する少なくとも２回の工程において、（ｎ−１）回目（ｎは２以上Ｎ以下の整数）に金属酸化物前駆体膜を形成する工程に用いる金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度をＣｎ−１（ｍｏｌ／Ｌ）、ｎ回目に金属酸化物前駆体膜を形成する工程に用いる金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度をＣｎ（ｍｏｌ／Ｌ）としたときに、下記式（１）の関係を満たす金属酸化物膜の製造方法。
１＞（Ｃｎ／Ｃｎ−１）      （１）
＜２＞  金属酸化物前駆体膜を形成するＮ回の工程のうち、少なくとも（Ｎ−１）回目に金属酸化物前駆体膜を形成する工程に用いる金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度（ｍｏｌ／Ｌ）と、Ｎ回目に金属酸化物前駆体膜を形成する工程に用いる金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度（ｍｏｌ／Ｌ）とが、式（１）の関係を満たす＜１＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜３＞  金属酸化物前駆体膜を形成する全ての工程において、金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度（ｍｏｌ／Ｌ）が、式（１）の関係を満たす＜１＞又は＜２＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜４＞  式（１）が下記式（２）である＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
１／３≧（Ｃｎ／Ｃｎ−１）      （２）
＜５＞  金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程とを交互にＮ回（Ｎは２以上の整数）繰り返すことを含み、
金属酸化物前駆体膜を形成する少なくとも２回の工程において、（ｎ−１）回目（ｎは２以上Ｎ以下の整数）に形成する金属酸化物前駆体膜の膜厚をＰｎ−１、ｎ回目に形成する金属酸化物前駆体膜の膜厚をＰｎとしたときに、下記式（３）の関係を満たす金属酸化物膜の製造方法。
１＞（Ｐｎ／Ｐｎ−１）      （３）
＜６＞  金属酸化物前駆体膜を形成するＮ回の工程のうち、少なくとも（Ｎ−１）回目に形成する金属酸化物前駆体膜の膜厚と、Ｎ回目に形成する金属酸化物前駆体膜の膜厚とが、式（３）の関係を満たす＜５＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜７＞  金属酸化物前駆体膜を形成する全ての工程において、金属酸化物前駆体膜の膜厚が、式（３）の関係を満たす＜５＞又は＜６＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜８＞  式（３）が下記式（４）である＜５＞〜＜７＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
１／３≧（Ｐｎ／Ｐｎ−１）      （４）
＜９＞  金属硝酸塩を含む溶液を基板上に塗布し、塗布膜を乾燥させて金属酸化物前駆体膜を形成する工程と、金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程とを交互にＮ回（Ｎは２以上の整数）繰り返すことを含み、
金属酸化物膜を形成する少なくとも２回の工程において、（ｎ−１）回目（ｎは２以上Ｎ以下の整数）に形成する金属酸化物膜の膜厚をＴｎ−１、ｎ回目に形成する金属酸化物膜の膜厚をＴｎとしたときに、下記式（５）の関係を満たす金属酸化物膜の製造方法。
１＞（Ｔｎ／Ｔｎ−１）      （５）
＜１０＞  金属酸化物膜を形成するＮ回の工程のうち、少なくとも（Ｎ−１）回目に形成する金属酸化物膜の膜厚と、Ｎ回目に形成する金属酸化物膜の膜厚とが、式（５）の関係を満たす＜９＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１１＞金属酸化物膜を形成する全ての工程において、金属酸化物膜の膜厚が、式（５）の関係を満たす＜９＞又は＜１０＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１２＞  式（５）が下記式（６）である＜９＞〜＜１１＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
１／３≧（Ｔｎ／Ｔｎ−１）      （６）
＜１３＞  金属酸化物前駆体膜を形成する工程において、金属硝酸塩を含む溶液を、インクジェット法、ディスペンサー法、凸版印刷法、及び凹版印刷法から選択される少なくとも一種の塗布法により塗布する＜１＞〜＜１２＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１４＞  金属硝酸塩を含む溶液の金属モル濃度が、０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上０．５ｍｏｌ／Ｌ以下である＜１＞〜＜１３＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１５＞  金属硝酸塩を含む溶液が、少なくとも硝酸インジウムを含む＜１＞〜＜１４＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１６＞  硝酸インジウムを含む溶液が、亜鉛、錫、ガリウム及びアルミニウムから選ばれるいずれか１つ以上の金属原子を含む化合物をさらに含有する＜１５＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１７＞  金属酸化物前駆体膜を形成する工程において、塗布膜を乾燥させる際の基板の温度が３５℃以上１００℃以下である＜１＞〜＜１６＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１８＞  金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程における基板の最高到達温度が２００℃以下である＜１＞〜＜１７＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜１９＞  金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程における基板の最高到達温度が１２０℃以上である＜１＞〜＜１８＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜２０＞  金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程が、金属酸化物前駆体膜に紫外線を照射する工程を含む＜１＞〜＜１９＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜２１＞  金属酸化物前駆体膜を金属酸化物膜に転化する工程が、金属酸化物前駆体膜に対し、波長３００ｎｍ以下の紫外線を１０ｍＷ／ｃｍ２以上の強度で照射する工程を含む＜１＞〜＜２０＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜２２＞  金属酸化物前駆体膜に紫外線を照射する際に用いる光源が、低圧水銀ランプである＜２０＞又は＜２１＞に記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜２３＞  ＜１＞〜＜２２＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法を用いて作製された金属酸化物膜。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
＜２４＞  金属酸化物膜が金属酸化物半導体膜である＜１＞〜＜２２＞のいずれかに記載の金属酸化物膜の製造方法。
＜２５＞  ＜２４＞に記載の金属酸化物膜の製造方法を用いて作製された金属酸化物半導体膜を含む活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタ。
＜２６＞  ＜２５＞に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
＜２７＞  ＜２５＞に記載の薄膜トランジスタを備えたイメージセンサ。
＜２８＞  ＜２５＞に記載の薄膜トランジスタを備えたＸ線センサ。