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【手続補正書】
【提出日】平成27年3月24日(2015.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理装置本体での処理を指示する指示情報並びに当該処理装置本体の処理に関わる処理情報を表示する表示機能と前記指示情報の表示領域内を触れることで当該指示情報を指定する入力機能とを備えたタッチパネル部と、タッチパネル部の背面側から点灯することで表示内容を明瞭化するバックライト部と、を具備するユーザーインターフェイス部と、
前記タッチパネル部の表示機能と入力機能を含み、前記処理装置本体の処理を制御する制御部と、
前記処理装置本体の周辺において移動中の移動体を検出可能であり、少なくとも検出可能距離が相対的に長短の関係を持つ少なくとも２種類の移動体検出手段と、
前記移動体検出手段の内、検出距離が長い一方の移動体検出手段で移動体を検出した時点で、検出距離が短い他方の移動検出手段による検出を開始し、かつ前記他方の移動体検出手段で移動体を検出した時点で、前記制御部に電力を供給する段階的電力供給手段と、
前記制御部に電力が供給されている状態で、前記他方の移動体検出手段が移動体を検出しなくなると、最先に前記バックライト部を通常の明るさよりも暗い予め定めた明るさになるように、明るさを調整する調整手段と、
を有する電力供給制御装置。
【請求項２】
前記調整手段で前記バックライト部を予め定めた明るさに低減している状態で、前記一方の移動体検出手段が移動体を検出しなくなると、最先に前記バックライト部を消灯するように、供給電力を遮断する電力遮断手段とをさらに有する請求項１記載の電力供給制御装置。
【請求項３】
前記調整手段で前記バックライト部を予め定めた明るさに低減している状態で、前記一方の移動体検出手段が移動体を検出しなくなってから、予め設定された限界時間まで時間を計時する計時手段と、
前記計時手段の計時時間の長さに応じて、前記予め定めた明るさから段階的に暗くしていき、前記限界時間に到達した時点でバックライト部を消灯するように、電力供給を遮断する段階的電力低減手段とをさらに有する請求項１記載の電力供給制御装置。
【請求項４】
前記バックライト部の電力供給遮断時には、前記インターフェイス部全体への電力供給を遮断する請求項１〜請求項３の何れか１項記載の電力供給制御装置。
【請求項５】
前記段階的電力供給手段が、
前記移動体検出手段の内、検出距離が長い一方の移動体検出手段で移動体を検出した時点で検出距離が短い他方の移動検出手段に電力を供給することに加えて前記バックライト部を予め定めた明るさで点灯させ、
かつ前記他方の移動体検出手段で移動体を検出した時点で、前記制御部に電力を供給することに加えて前記バックライト部を前記通常の明るさで点灯させる請求項１〜請求項４の何れか１項記載の電力供給制御装置。
【請求項６】
前記移動体検出手段が、相対的に広範囲の検出領域で移動体の進入を検出する焦電型センサ、相対的に狭範囲の検出領域で前記処理装置本体に接近する使用者の接近を検出する反射型センサを含む請求項１〜請求項５の何れか１項記載の電力供給制御装置。
【請求項７】
前記焦電型センサには常に電力が供給され、前記反射型センサは前記焦電型センサにより移動体の進入を検出した時点で電力が供給される請求項６記載の電力供給制御装置。
【請求項８】
前記請求項１〜請求項７の何れか１項記載の電力供給制御装置を備え、前記画像処理装置本体が、原稿画像から画像を読み取る画像読取処理部、画像情報に基づいて記録用紙に画像を形成する画像形成処理部、予め相互に定められた通信手順の下で画像を送受信するファクシミリ通信処理部、の少なくとも１つの処理部を含み、
前記バックライト部を消灯する時期に同期して、当該バックライト部の消灯時に稼動していない処理部への電力供給を遮断する個別電力供給手段を有する画像処理装置。
【請求項９】
コンピュータを、前記請求項１〜請求項７の電力供給制御装置として実行させる電力供給制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電力供給制御装置、画像処理装置、電力供給制御プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電力供給制御装置、画像処理装置、電力供給制御プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、処理装置本体での処理を指示する指示情報並びに当該処理装置本体の処理に関わる処理情報を表示する表示機能と前記指示情報の表示領域内を触れることで当該指示情報を指定する入力機能とを備えたタッチパネル部と、タッチパネル部の背面側から点灯することで表示内容を明瞭化するバックライト部と、を具備するユーザーインターフェイス部と、前記タッチパネル部の表示機能と入力機能を含み、前記処理装置本体の処理を制御する制御部と、前記処理装置本体の周辺において移動中の移動体を検出可能であり、少なくとも検出可能距離が相対的に長短の関係を持つ少なくとも２種類の移動体検出手段と、前記移動体検出手段の内、検出距離が長い一方の移動体検出手段で移動体を検出した時点で、検出距離が短い他方の移動検出手段による検出を開始し、かつ前記他方の移動体検出手段で移動体を検出した時点で、前記制御部に電力を供給する段階的電力供給手段と、前記制御部に電力が供給されている状態で、前記他方の移動体検出手段が移動体を検出しなくなると、最先に前記バックライト部を通常の明るさよりも暗い予め定めた明るさになるように、明るさを調整する調整手段と、
を有している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項６に記載の発明は、前記請求項１〜請求項５の何れか１項記載の発明において、前記移動体検出手段が、相対的に広範囲の検出領域で移動体の進入を検出する焦電型センサ、相対的に狭範囲の検出領域で前記処理装置本体に接近する使用者の接近を検出する反射型センサを含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項８に記載の発明は、前記請求項１〜請求項７の何れか１項記載の電力供給制御装置を備え、前記画像処理装置本体が、原稿画像から画像を読み取る画像読取処理部、画像情報に基づいて記録用紙に画像を形成する画像形成処理部、予め相互に定められた通信手順の下で画像を送受信するファクシミリ通信処理部、の少なくとも１つの処理部を含み、前記バックライト部を消灯する時期に同期して、当該バックライト部の消灯時に稼動していない処理部への電力供給を遮断する個別電力供給手段を有する画像処理装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の入力端子と、第２の入力端子と、第１のラッチ部と、第２のラッチ部と、第１のトランスミッションゲートと、第２のトランスミッションゲートと、出力端子と、を有し、
前記第１のラッチ部は、第１のインバータと、第１のクロックドインバータと、トランジスタと、を含み、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第２のラッチ部は、第２のインバータと、第２のクロックドインバータと、を含み、
前記第１の入力端子は、前記第１のトランスミッションゲートの第１の端子と電気的に接続され、
前記第１のトランスミッションゲートの第２の端子は、前記第１のラッチ部と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第２の入力端子と電気的に接続され、
前記第１のラッチ部は、前記第２のトランスミッションゲートの第１の端子と電気的に接続され、
前記第２のトランスミッションゲートの第２の端子は、前記第２のラッチ部と電気的に接続され、
前記第２のラッチ部は、前記出力端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の入力端子と、第２の入力端子と、第１のトランスミッションゲートと、第２のトランスミッションゲートと、第１のインバータと、第２のインバータと、第１のクロックドインバータと、第２のクロックドインバータと、トランジスタと、出力端子と、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１の入力端子は、前記第１のトランスミッションゲートの第１の端子と電気的に接続され、
前記第１のトランスミッションゲートの第２の端子は、前記第１のインバータの入力端子と、前記第１のクロックドインバータの出力端子とに、電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力端子は、前記第２のトランスミッションゲートの第１の端子と、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方とに、電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第２の入力端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１のクロックドインバータの入力端子に電気的に接続され、
前記第２のトランスミッションゲートの第２の端子は、前記第２のインバータの入力端子と、前記第２のクロックドインバータの出力端子とに、電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力端子は、前記出力端子と、前記第２のクロックドインバータの入力端子とに、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の入力端子と、第２の入力端子と、第１のトランスミッションゲートと、第２のトランスミッションゲートと、第１のインバータと、第２のインバータと、第１のクロックドインバータと、第２のクロックドインバータと、トランジスタと、出力端子と、を有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有し、
前記第１の入力端子は、前記第１のトランスミッションゲートの第１の端子と電気的に接続され、
前記第１のトランスミッションゲートの第２の端子は、前記トランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記第１のクロックドインバータの出力端子とに、電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、前記第２の入力端子と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１のインバータの入力端子に電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力端子は、前記第２のトランスミッションゲートの第１の端子と、前記第１のクロックドインバータの入力端子とに、電気的に接続され、
前記第２のトランスミッションゲートの第２の端子は、前記第２のインバータの入力端子と、前記第２のクロックドインバータの出力端子とに、電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力端子は、前記出力端子と、前記第２のクロックドインバータの入力端子とに、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月27日(2015.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系の光軸と交差する面と、前記撮像光学系を介して被写体を撮像して画像信号を生成する撮像部と、を有する本体部と、
前記画像信号から生成される画像を表示する表示部と、
を備え、
前記表示部は、第１軸を軸として前記面に対する傾きを変更可能であり、前記第１軸と交差する方向に移動することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記表示部は、前記第１軸と交差する方向へ平行に移動することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記表示部は、前記第１軸を軸として回動することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第１軸を軸として前記表示部の前記面に対する傾きを変更する第１軸部を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記表示部と前記第１軸部とを結合する結合部を備え、
前記結合部は、前記表示部が前記第１軸と交差する方向へ移動可能に構成されていることを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記結合部は、前記表示部が前記第１軸と交差する方向と平行な方向へ移動可能に構成されていることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記結合部は、結合部材と摺動部材とを有し、結合部材は前記第１軸部と結合され、前記摺動部材は前記結合部材に対して摺動することを特徴とする請求項５または６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記結合部は付勢部材を有し、前記表示部は前記付勢部材により付勢されることを特徴とする請求項５から７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記表示部は、前記面に沿って前記本体部に収納される状態となり、前記本体部に収納される状態において、前記付勢部材により付勢力を受けていることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記表示部は、前記面に沿って前記本体部に収納される状態となり、前記本体部に収納されていない状態において、前記付勢部材により付勢力を受けていることを特徴とする請求項８に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第１軸は、第２軸を軸として前記面との距離を変更可能であることを特徴とする請求項４から１０のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記第２軸を軸として前記第１軸と前記面との距離を変更するための第２軸部を備えることを特徴とする請求項１１に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記第１軸部と前記第２軸部とを連結する連結部を備える請求項１２に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記第１軸は、前記第２軸を軸として回動することを特徴とする請求項１１から１３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記第２軸部は前記本体部に固定されていることを特徴とする請求項１２または１３に記載の撮像装置。
【請求項１６】
前記本体部は、撮像を指示するための操作部を備え、
前記面は、前記本体部において前記撮像光学系への入射像光が入射する側と反対側となる部分であり、
前記第２軸部は、前記面において前記操作部が配置される側と反対側で前記本体部に固定されることを特徴とする請求項１５に記載の撮像装置。
【請求項１７】
撮像光学系を介して被写体を撮像して画像信号を生成する撮像部と、
前記画像信号から生成される画像を表示する表示部と、
第１軸を軸として前記表示部と前記撮像光学系の光軸との成す角度を変更する第１軸部と、
前記第１軸と交差する方向に前記表示部を移動させる移動部と、
を備える撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振用電流を供給する電流供給回路と、
発振子の発振用トランジスターを有し、前記電流供給回路から供給される前記発振用電流に基づいて前記発振用トランジスターにより前記発振子を駆動する発振回路と、
前記電流供給回路を制御する制御部と、
を含む回路装置において、
前記回路装置は、オーバードライブモードと通常モードとを有し、
前記オーバードライブモードでは、前記発振子を、前記通常モードでの駆動能力よりも大きな駆動能力で駆動することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
電源電圧が供給され、前記電源電圧に基づいて発振用電源電圧を生成するレギュレーターを含み、
前記電流供給回路は、
前記通常モードでは、前記レギュレーターから供給される前記発振用電源電圧に基づき動作して、前記発振回路に対して前記発振用電流を供給し、
前記オーバードライブモードでは、前記電源電圧に基づき動作して、前記発振回路に対して前記発振用電流を供給することを特徴とする回路装置。
【請求項３】
発振用電流を供給する電流供給回路と、
発振子を駆動する発振用トランジスターを有する発振回路と、
前記発振用トランジスターに供給される電圧および電流の少なくとも一方を制御する制御部と、
電源電圧が供給され、前記電源電圧に基づいて発振用電源電圧を生成するレギュレーターと、
を含む回路装置において、
前記回路装置は、オーバードライブモードと通常モードとを有し、
前記発振用トランジスターは、
前記通常モードでは、前記発振用電源電圧が供給されて動作する前記電流供給回路から前記発振用電流が供給されて、トランジスター動作を行い、
前記オーバードライブモードでは、前記電源電圧が供給されて、トランジスター動作を行うことを特徴とする回路装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記発振回路は、
バイポーラ型の前記発振用トランジスターと、
前記発振用トランジスターのコレクター・ベース間に設けられる帰還抵抗を含み、
前記通常モードでは、
前記発振用トランジスターの前記コレクターに対して、前記電流供給回路からの前記発振用電流が供給され、
前記オーバードライブモードでは、前記発振用トランジスターの前記コレクターに対して、前記電源電圧が供給されることを特徴とする回路装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記発振用トランジスターは、前記発振用電流の供給ノードと第１の電源ノードとの間に並列に設けられた複数のトランジスターにより構成され、
前記制御部は、
前記オーバードライブモードでは、前記通常モードに比べて、前記発振用電流が供給されて動作する前記トランジスターの個数を増加させる制御を行うことを特徴とする回路装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
オーバードライブ用駆動回路を含み、
前記発振回路は、
前記通常モードでは、前記発振用トランジスターにより前記発振子を駆動し、前記オーバードライブモードでは、前記オーバードライブ用駆動回路により前記発振子を駆動することを特徴とする回路装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記発振用トランジスターは、前記発振用電流がコレクターに供給されて動作するバイポーラ型のトランジスターであり、
前記オーバードライブ用駆動回路は、直列に接続されたＰ型ＭＯＳトランジスターとＮ型ＭＯＳトランジスターにより構成されるインバーター回路であることを特徴とする回路装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記発振回路は、
前記発振子の一端及び他端の少なくとも一方に接続される可変容量回路を含み、
前記制御部は、
前記オーバードライブモードでは、前記通常モードに比べて前記可変容量回路の容量値を小さな容量値に設定することを特徴とする回路装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記可変容量回路は、発振周波数調整用の可変容量回路又発振周波数の温度補償用の可変容量回路であることを特徴とする回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記発振回路は、
バイポーラ型の前記発振用トランジスターと、
前記発振用トランジスターのコレクター・ベース間に設けられ、抵抗値が可変の帰還抵抗を含み、
前記制御部は、
前記オーバードライブモードでは、前記通常モードに比べて前記帰還抵抗の抵抗値を小さな抵抗値に設定することを特徴とする回路装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の回路装置と、
前記発振子と、
を含むことを特徴とする発振装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の回路装置を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月6日(2015.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された、外部より入力された電荷量マップを記憶する記憶部と、
前記メッシュ領域毎に、前記電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する電荷量検査部と、
前記電荷量マップと組みになる描画データに基づいて、荷電粒子ビームを用いて、前記試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
プロセス情報と装置仕様情報との少なくとも一方と閾値との相関データを記憶する記憶部と、
プロセス情報と装置仕様情報との少なくとも一方を入力し、前記一方を用いて前記相関データを参照して、前記閾値を検索する検索部と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
最大ドーズ量を入力し、前記最大ドーズ量が閾値以下かどうかを検査する最大ドーズ量検査部をさらに備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された、外部より入力された電荷量マップを記憶する記憶部と、
前記メッシュ領域毎に、前記電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する電荷量検査部と、
を備えたことを特徴とする検査装置。
【請求項５】
複数の図形パターンが定義されたレイアウトデータを描画装置へ入力するための描画データへとデータ変換する工程と、
前記データ変換する工程と並列に、試料の描画領域がメッシュ状に分割されたメッシュ領域毎に、照射される荷電粒子ビームの電荷量が定義された電荷量マップを作成する工程と、
前記メッシュ領域毎に、前記電荷量マップに定義された電荷量が閾値以下かどうかを検査する工程と、
を備えたことを特徴とする描画データの検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで、図１では、実施の形態１を説明する上で必要な構成を記載している。描画装置１００、描画データ検査装置３００、及び描画データ変換装置５００にとって、通常、必要なその他の構成を備えていても構わない。例えば、位置偏向用には、主偏向器２０８と副偏向器２０９の主副２段の多段偏向器を用いているが、１段の偏向器或いは３段以上の多段偏向器によって位置偏向を行なう場合であってもよい。また、描画装置１００、及び描画データ変換装置５００には、マウスやキーボード等の入力装置、モニタ装置、及び外部インターフェース回路等が接続されていても構わない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図４は、実施の形態１における変調ドーズ表の一例を示す図である。図３に示すように、レイアウトデータ内の複数の図形パターンについて、図形毎に、指標番号（識別子）が付与される。そして、変調ドーズ表は、図４に示すように、各指標番号に対するドーズ量変調量として、変調ドーズ率が定義される。図４では、例えば、指標番号２０の図形パターンについて、変調ドーズ率が１００％と定義される。指標番号２１の図形パターンについて、変調ドーズ率が１２０％と定義される。指標番号２２図形パターンについて、変調ドーズ率が１４０％と定義される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2013207254.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2013207254.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸空間を介して露光される基板と前記基板に接する前記液浸空間との相対移動の速さが変化した後に、前記基板の外側において前記液浸空間の相対移動の向きが反転するように、前記基板の移動に関する移動情報を算出することを含む情報算出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月17日(2015.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層の側面を覆う側壁絶縁層を形成し、
前記半導体層、前記ゲート絶縁層、前記ゲート電極層、及び前記側壁絶縁層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜上に第１の保護膜を形成し、
前記第１の保護膜上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜に第１のエッチングを行い、前記レジスト膜の前記ゲート電極層と重畳する領域が除去されたレジストマスクを形成し、
前記レジストマスクを用いて前記第１の保護膜に第２のエッチングを行って、前記第１の保護膜の前記ゲート電極層と重畳する領域が除去された第２の保護膜を形成し、
前記第２の保護層をマスクとして前記導電膜に第３のエッチングを行って、前記導電膜の前記ゲート電極層と重畳する領域を除去し、ソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３のエッチングにおける、前記第２の保護膜に対する前記導電膜のエッチングの選択比は２以上である半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３のエッチングに用いるガスは、酸素を含む半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記第２の保護膜、前記ゲート電極層、及び前記側壁絶縁層上に酸化物絶縁層を形成し、
前記酸化物絶縁層及び前記第２の保護膜に、第４のエッチングを行って、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層に達する開口を形成し、
前記第４のエッチングにおいて、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層のエッチングレートよりも前記酸化物絶縁層及び前記第２の保護膜のエッチングレートが大きい半導体装置の作製方法。
【請求項５】
半導体層と、
前記半導体層上のゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層の側面を覆う側壁絶縁層と、
前記半導体層、前記ゲート絶縁層の側面及び前記側壁絶縁層の側面と接するソース電極層及びドレイン電極層と、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層上の保護膜と、
前記ソース電極層、前記ドレイン電極層、前記保護膜、前記ゲート電極層、及び前記側壁絶縁層上の酸化物絶縁層と、を有し、
前記酸化物絶縁層及び前記保護膜は、前記ソース電極層または前記ドレイン電極層に達する開口を含み、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層の前記側壁絶縁層と接する側面は、前記側壁絶縁層と接する下端部と、前記保護膜と端部が一致する上端部と、を含み、
前記下端部と前記上端部は高さが異なる半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層はタングステン、またはモリブデンを含む半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記保護膜は窒化タンタル、または酸化窒化シリコンを含む半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項において、
前記半導体層は酸化物半導体層である半導体装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項において、
前記ゲート電極層のチャネル長方向の長さは１００ｎｍ以下である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月27日(2015.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイス作成用基板と支持基板を接着剤層によって接合した接合基板を処理容器に搬入する工程と、
プラズマ発生領域において生成したプラズマ生成物によって、前記接着剤層の周縁に保護層を形成する工程と、
前記基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクにして前記基板の加工を行う工程と、
前記マスクとされたレジスト層を除去する工程と、
を含むプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記接着剤層の周縁に保護層を形成する工程の前に、基板を接合する際に基板からはみ出した接着剤を除去する工程を更に含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記保護層を形成する工程に使用する処理ガスは、フッ素を含むガスであることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
デバイス作成用基板と支持基板を接着剤層によって接合した接合基板を載置する載置台と、
前記載置台を内部に有し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器に設けられた排気口を介して前記処理容器内を減圧する減圧手段と、
前記処理容器の内部、または前記処理容器にガス搬送部を介して接続された放電管の内部に形成されるプラズマ発生領域と、を備え、
前記接着剤層に保護層を形成するための第１のガスを前記プラズマ発生領域に導入する第１のガス供給手段を有することを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記接合基板上に形成されたレジスト層を除去する第２のガスをプラズマ発生領域に導入する第２のガス供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記第１のガスはフッ素を含むガスであり、
前記第２のガスは酸素を含むガスであることを特徴とする請求項４または５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記接着剤の材料は、有機材料であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
しかしながら、上記した従来の製法においては以下のような問題があった。すなわち、図４（ｄ）や図５（ｈ）に示すように、レジスト層をドライアッシングする工程において、レジストと同様の、有機材料である接着剤層２０１の露出部分（側壁など）も侵食され、侵食部分２０が発生してしまう問題があった。接着剤層２０１が侵食されてしまった場合、接合基板としての役割を果たせずに不良品となってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係るプラズマ処理方法によれば、デバイス作成用基板と支持基板を接着剤層によって接合した接合基板を処理容器に搬入する工程と、
プラズマ発生領域において生成したプラズマ生成物によって、前記接着剤層の周縁に保護層を形成する工程と、
前記基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクにして前記基板の加工を行う工程と、
前記マスクとされたレジスト層を除去する工程と、
を含むプラズマ処理方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明に係るプラズマ処理装置によれば、
デバイス作成用基板と支持基板を接着剤層によって接合した接合基板を載置する載置台と、
前記載置台を内部に有し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、
前記処理容器に設けられた排気口を介して前記処理容器内を減圧する減圧手段と、
前記処理容器の内部、または前記処理容器にガス搬送部を介して接続された放電管の内部に形成されるプラズマ発生領域と、を備え、
前記接着剤層に保護層を形成するための第１のガスを前記プラズマ発生領域に導入する第１のガス供給手段を有することを特徴としたプラズマ処理装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図３は、第２の実施形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式断面図である。図３に示すプラズマ処理装置１００は、一般にリモートプラズマ処理装置と呼ばれるプラズマ発生領域が処理容器と隔離されたプラズマ処理装置である。このプラズマ処理装置１００は、保護層２１を形成するプラズマ処理や、レジスト層をアッシングして除去するためのプラズマ処理を行う処理装置として用いられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
プラズマ処理装置１００は、処理容器１と、ガス供給部２と、プラズマ発生部３と、減圧部８を備えている。プラズマ発生部３は放電管７、マイクロ波発生部１０、導入導波管６などが設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
処理容器１は、減圧雰囲気を維持可能なように密閉された容器である。デバイス作成用基板２０２と支持基板２００を接着剤層２０１によって接合した接合基板Ｓは、処理容器１内に設けられた載置台に載置され、プラズマ発生領域Ｐに発生するプラズマで生成されたプラズマ生成物によってアッシング処理が行われる。載置台は温度制御手段４ａを内蔵し、基板Ｓの温度制御を行うことができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2013207235.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス板の下面に気体を吹き付けて前記ガラス板を浮上させる装置を用いて前記ガラス板を搬送する工程を有し、
前記ガラス板を搬送する工程において、前記ガラス板と前記装置との接触により発生する弾性波を検出することにより、前記接触を判定するとともに、前記ガラス板の損傷を判定すること
を特徴とするガラス板の製造方法。
【請求項２】
前記ガラス板を搬送する工程の前に、弾性波の周波数、振幅、波形、発生時間および発生間隔から選択される少なくとも１つの情報に閾値を設定する工程と、
前記ガラス板を搬送する工程において検出した前記弾性波の前記情報を抽出して前記閾値と比較することで、前記ガラス板の損傷を判定する工程と、を有する、
請求項１に記載のガラス板の製造方法。
【請求項３】
前記閾値を設定する工程は、前記情報を抽出する工程と、前記情報と前記ガラス板の損傷の種類とを関連付ける工程と、前記損傷の種類ごとに前記閾値を設定する工程と、を有し、
前記損傷を検出する工程は、抽出した前記情報と前記閾値とを比較することで、前記損傷の種類を特定する工程を有する、
請求項２に記載のガラス板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス板を搬送する工程の後、前記判定の結果に基づいて、前記ガラス板を選別する工程を有する、
請求項１から３のいずれか一項に記載のガラス板の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス板を搬送する工程において、前記弾性波を複数の異なる位置で検出して、前記ガラス板の前記接触が発生した位置を特定する、
請求項１から４のいずれか一項に記載のガラス板の製造方法。
【請求項６】
前記ガラス板を浮上させる装置は、気体を噴出および吸引する複数の気体噴出部を有するものであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のガラス板の製造方法。
【請求項７】
前記気体噴出部は、気体を噴出および吸引する複数のオリフィスが形成された中実の金属材料により形成されていることを特徴とする請求項６に記載のガラス板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月25日(2015.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する反応室を構成する反応管と、
前記反応管の内部に設けられ、前記反応室に成膜ガスを供給する第１の成膜ガスノズルと、
前記反応管の内部に設けられ、前記反応室に前記第１の成膜ガスノズルから供給される前記成膜ガスと同じ成膜ガスを供給する第２の成膜ガスノズルと、
前記第１の成膜ガスノズルへ前記成膜ガスを供給する第１の配管上に設けられた第１のバルブと、
前記第２の成膜ガスノズルへ前記成膜ガスを供給する第２の配管上に設けられた第２のバルブと、
前記第１の成膜ガスノズルから前記反応室に前記成膜ガスを供給する場合には、前記第２の成膜ガスノズルからの前記成膜ガスの供給を停止し、前記第２の成膜ガス供給ノズルから前記成膜ガスを供給する場合には、前記第１の成膜ガス供給ノズルからの前記成膜ガスの供給を停止するように前記第１のバルブおよび前記第２のバルブを制御する制御手段と、を具備する基板処理装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の成膜ガスノズルは、高さの異なる複数の成膜ガスノズルから構成されている基板処理装置。
【請求項３】
反応室に処理対象となる基板を搬入する工程と、前記反応室に第１の成膜ガスノズルまたは第２の成膜ガスノズルから成膜ガスを供給し、前記基板に所定の膜を形成する工程と、処理済の前記基板を前記反応室から搬出する工程と、を有し、
前記所定の膜を形成する工程では、前記第１の成膜ガスノズルから前記反応室に前記成膜ガスを供給する場合には、前記第２の成膜ガスノズルからの前記成膜ガスの供給を停止し、前記第２の成膜ガス供給ノズルから前記成膜ガスを供給する場合には、前記第１の成膜ガス供給ノズルからの前記成膜ガスの供給を停止する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月9日(2015.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングされたマスクを配置可能な回転体と、
前記マスクを介して前記回転体の回転の軸方向に沿う領域にエネルギー線を照射可能な照射ユニットと、
前記エネルギー線により硬化する材料を保持する保持領域を形成するように前記回転体に対向して配置された保持部材と
を具備する構造物形成装置。
【請求項２】
請求項１に記載の構造物形成装置であって、
前記回転体は、前記保持部材との間に前記保持領域を形成する曲面状の外周面を有する
構造物形成装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の構造物形成装置であって、
前記照射ユニットは、前記エネルギー線として光を出射する光源を有する
構造物形成装置。
【請求項４】
請求項３に記載の構造物形成装置であって、
前記照射ユニットは、前記光源から出射された前記光が通ることで、前記保持領域にライン状の照射領域を形成するスリットを有するスリット部材をさらに有する
構造物形成装置。
【請求項５】
請求項３に記載の構造物形成装置であって、
前記光源は、レーザ光を出射する光源であり、
前記照射ユニットは、前記出射されたレーザ光をライン状に拡げる光学系をさらに有する
構造物形成装置。
【請求項６】
請求項３から５のうちいずれか１項に記載の構造物形成装置であって、
前記回転体は、前記光源が配置された中空部を有する筒体である
構造物形成装置。
【請求項７】
請求項１から６のうちいずれか１項に記載の構造物形成装置であって、
前記回転体は、前記マスクが配置される外周面を有する
構造物形成装置。
【請求項８】
請求項１から６のうちいずれか１項に記載の構造物形成装置であって、
前記保持部材の表面のうち、少なくとも前記保持領域を形成する領域は、平面である
構造物形成装置。
【請求項９】
請求項１から６のうちいずれか１項に記載の構造物形成装置であって、
前記保持部材の表面のうち、少なくとも前記保持領域を形成する領域は、曲面である
構造物形成装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の構造物形成装置であって、
前記材料が硬化して形成される構造物を保持するフィルム状のベース材を走行させる走行機構をさらに具備し、
前記保持部材は、前記ベース材にテンションを加える
構造物形成装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の構造物形成装置であって、
前記材料が硬化して形成される構造物を巻き取る巻取リールをさらに具備する
構造物形成装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のうちいずれか１項に記載の構造物形成装置であって、
前記回転体と前記保持部材との距離に応じて、形成される構造物の厚さが決定される
構造物形成装置。
【請求項１３】
パターニングされたマスクを配置可能な回転体と、前記回転体に対向して配置された保持部材との間に、エネルギー線のエネルギーにより硬化する材料を保持し、
前記マスクを介して、前記保持された材料の、前記回転体の回転の軸方向に沿う領域に前記エネルギー線を照射する
構造物の製造方法。
【請求項１４】
パターニングされたマスクを配置可能な回転体と、前記回転体に対向して配置された保持部材との間に、エネルギー線のエネルギーにより硬化する材料を保持し、
前記マスクを介して、前記保持された材料の、前記回転体の回転の軸方向に沿う領域に前記エネルギー線を照射する
方法により製造された構造物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本技術は、シート状の構造物を形成する構造物形成装置、その製造方法、及びこれらにより製造された構造物に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【図１】図１は、本技術の第１の実施形態に係る構造物形成装置を模式的に示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した構造物形成装置の側面図である。
【図３】図３は、伸長されたマスクの例を示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示したマスクに形成された構造物の例を示す平面図である。
【図５】図５は、回転ドラムの外周面と、照射領域の平面とのずれ量を説明する図である。
【図６】図６は、参考例として、インプリント技術で用いられる３次元型を表面に持つローラを示す斜視図である。
【図７】図７は、図６に示したローラの３次元型を用いて構造物が形成される様子を示す図である。
【図８】図８は、構造物の他の例を示す平面図である。
【図９】図９は、本技術の第２の実施形態に係る構造物形成装置を示す側面図である。
【図１０】図１０Ａ及びＢは、本技術の第３の実施形態に係る構造物形成装置の光照射ユニットの平面図及び側面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本技術に係る構造物の製造方法は、パターニングされたマスクを配置可能な回転体と、前記回転体に対向して配置された保持部材との間に、エネルギー線のエネルギーにより硬化する材料を保持することを含む。
そして、前記マスクを介して、前記保持された材料の、前記回転体の回転の軸方向に沿う領域に前記エネルギー線が照射される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
構造物形成装置２００は、上記のように平面状の表面２１を持つステージ２０の代わりに、曲面の表面を持つ保持部材としての保持ローラ６０を備える。すなわち、保持ローラ６０の曲面状の表面である外周面１１と、回転ドラム１０の曲面状の外周面１１との間に、材料Ｒを保持する保持領域Ｈが形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
また、本実施形態に係る保持ローラ６０は、その外周面６１にベースフィルム（ベース材）２５を接触させるようにしてテンションを加え、そのベースフィルム２５を介して材料Ｒを保持する。ベースフィルム２５は、少なくとも図示しない供給リール及び巻取リールの間で、バックテンションも加えられながら、回転ドラム１０及び保持ローラ６０と同期して走行する。この場合、供給リール及び巻取リールは、走行機構として機能する。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月25日(2015.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基体に形成された受光部と、
前記受光部上に形成され、複数層の平坦層から成り、下層の前記平坦層よりも上層の前記平坦層の幅が狭い、反射防止膜を有する
固体撮像素子。
【請求項２】
前記反射防止膜は、前記反射防止膜上に形成された層よりも高い屈折率を有する膜を含む、請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記平坦層の幅又は厚さが、画素の色毎に選定されている、請求項１又は請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
下層の前記平坦層に対する、上層の前記平坦層の相対位置が、画素部内の画素の位置に対応して補正されている、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記反射防止膜の上方に形成された導波路をさらに有する請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
光学系と、
請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の出力信号を処理する信号処理回路を備えた
電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ここで、凸形状の反射防止膜２０及びその周囲の各部の寸法について、図２を参照して、説明する。
図２に示すように、反射防止膜２０の下段２１の幅をＷ１とし、上段２２の幅をＷ２とし、下段２１の厚さをＴ１とし、上段２２の厚さをＴ２とする。また、下段２１の端から上段２２の端までの長さをＬとし、遮光膜１３の開口端から反射防止膜２０の下段２１の端までの距離をＤとしている。
反射防止膜２０の下段２１の幅Ｗ１を広くするほど、反射防止効果が向上して感度が向上するが、上段２２の幅Ｗ２との差が大きくなって、反射防止膜２０のレンズ効果が低下する。レンズ効果が低下すると、スミアを生じやすくなる。
逆に、反射防止膜２０の下段２１の幅Ｗ１を狭くするほど、スミアを抑制する効果が向上するが、受光部２上に反射防止膜２０のない部分が増えるため、感度は低下する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
＜２．第２の実施の形態＞
第２の実施の形態の固体撮像素子の概略構成図を、図７及び図８に示す。
図７は固体撮像素子の平面図を示し、図８は図７のＡ−Ａにおける断面図を示す。
本実施の形態は、本技術を、ＣＣＤ固体撮像素子に適用し、さらに受光部の上方に導波路を設けた場合である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図１１Ａは青の画素の断面図を示しており、図１１Ｂは赤の画素や緑の画素の断面図を示している。
図１１Ａに示すように、青の画素では、青Ｂのカラーフィルタ１６が形成され、クラッド層８とコア層９により形成された導波路の下に、図１８に示したと同様の、平板状の反射防止膜２３が形成されている。
図１１Ｂに示すように、赤の画素や緑の画素では、赤Ｒのカラーフィルタ１６や緑Ｇのカラーフィルタ１６が形成され、導波路の下に、下段２１と上段２２とから成る、凸形状の反射防止膜２０が形成されている。図１１Ｂでは、反射防止膜２０の下段２１と上段２２との間に、低反射率材料から成る、薄い膜が形成されている。即ち、図５Ｇに示した構成と同様の構成になっている。
その他の構成は、図８に示した第２の実施の形態と同様であるので、重複説明を省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
第４の実施の形態の固体撮像素子の、画素部における画素の位置に対応して瞳補正を行った、凸形状の反射防止膜の断面形状を、図１３Ａ〜図１３Ｃに示す。
図１３Ａに示すように、画素部の左端の画素では、凸形状の反射防止膜２０の上段２２を、下段２１の右端に寄せて形成している。
図１３Ｂに示すように、画素部の中央の画素では、凸形状の反射防止膜２０の上段２２を、下段２１の中央の上に形成している。
図１３Ｃに示すように、画素部の右端の画素では、凸形状の反射防止膜２０の上段２２を、下段２１の左端に寄せて形成している。
なお、図１３Ａ及び図１３Ｃでは、下段２１の端面と上段２２の端面を同じ位置に揃えて形成しているが、下段と上段の端面の位置は同じ位置に限定されるものではない。
このように、瞳補正を行うことにより、シェーディング特性を改善できる。
この構成の凸形状の反射防止膜２０を製造する場合には、例えば、図３Ｂ〜図３Ｃ、図４Ｂ〜図４Ｃ、図５Ｆに示した製造工程で、瞳補正に対応するように、凸形状の反射防止膜２０の上段をずらして形成しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月25日(2015.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室に基板を搬入するステップと、
前記処理室で前記基板を加熱処理するステップと、
前記処理室から加熱処理された前記基板を搬送室へ搬出するステップと、
複数の前記基板が積層して載置されるように構成され、載置される前記基板の側方へ冷却ガスを供給する冷却部が設けられた基板載置部に、前記加熱処理された基板を搬送するステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記加熱処理された基板を前記基板載置部に搬送するステップでは、前記基板載置部に設けられた複数の基板載置フレームのうち、下方のフレームから順番に前記基板を載置する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記加熱処理された基板を前記基板載置部に搬送するステップでは、前記基板載置部の側方の一方から前記基板を前記基板載置部へ搬送し、
前記冷却部は、前記基板載置部へ前記基板を搬送する方向に対して直交する方向から、前記冷却ガスを前記載置された基板に供給する位置に設けられる、請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記冷却部から供給された前記冷却ガスは、前記冷却部に対して前記基板載置部を挟んで対向する位置に設けられた排気部から排気される、請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の基板を収納した運搬容器を載置する載置台と、
前記基板に対して加熱処理を施す処理室と、
前記処理室に隣接され且つ前記載置台との間に設けられ、前記載置台と前記処理室の間で前記基板を搬送する搬送ロボットを有する搬送室と、
前記搬送室に設けられ、前記処理室で処理された基板が積層して載置されるよう構成される基板載置部と、
前記搬送室に設けられ、前記積層して載置された基板に当該基板の側方から冷却ガスを供給する冷却部と、
を有する基板処理装置。
【請求項６】
前記搬送ロボットは、前記基板載置部の側方の一方から前記基板を前記基板載置部へ搬送するよう構成され、
前記冷却部は、前記搬送ロボットが前記基板載置部へ前記基板を搬送する方向に対して直交する方向から、前記冷却ガスを前記積層された基板に供給する位置に設けられる、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記冷却部に対して前記基板載置部を挟んで対向する位置に設けられ、前記冷却部から供給された前記冷却ガスを排気する排気部を有する請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
処理室に基板を搬入するステップと、
前記処理室で前記基板を加熱処理するステップと、
前記処理室から加熱処理された前記基板を搬送室へ搬出するステップと、
複数の前記基板が積層して載置されるように構成され、載置される前記基板の側方へ冷却ガスを供給する冷却部が設けられた基板載置部に、前記加熱処理された基板を搬送するステップと、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、基板処理装置、及びプログラム
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に設けられた、Ｎｉ含有層を持つゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように設けられ、前記ゲート電極の段差の形状を反映した段差を有する絶縁膜と、
前記ゲート電極における前記Ｎｉ含有層と前記絶縁膜との間に設けられ、融点が１６００℃以上の金属又は前記金属の酸化物若しくは窒化物である被覆層と、
前記絶縁膜の段差を覆う位置に設けられた金属層と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記融点が１６００℃以上の金属は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、およびＨｆのいずれかであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記被覆層の厚さは、１０ｎｍ以上且つ１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、前記被覆層の上面及び側面に接するように形成されてなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体層上に、内壁が逆テーパ形状の開口を有するレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層上および前記開口内の前記半導体層上に、Ｎｉ含有層を持つゲート電極の材料層を被着する工程と、
スパッタ法により、前記レジスト層上および前記ゲート電極における前記Ｎｉ含有層の露出面を覆って、融点が１６００℃以上の金属又は前記金属の酸化物若しくは窒化物である被覆層を被着する工程と、
前記レジスト層を除去することで、前記レジスト層上の前記材料層および前記被覆層を除去する工程と、
前記被覆層上に、前記ゲート電極の段差の形状を反映した段差を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の段差を覆う位置に金属層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記融点が１６００℃以上の金属は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、およびＨｆのいずれかであることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層と前記圧電体層を挟む第１電極と第２電極とを備えた圧電素子であって、
前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなり、前記第２電極の界面側の領域における鉄の含有量が厚さ方向の他の領域と比較して大きいことを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項３】
請求項２に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【請求項４】
請求項１に記載の圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の圧電素子を具備することを特徴とするセンサー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電素子、液体噴射ヘッド、液体噴射装置、超音波デバイス及びセンサー
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の態様は、圧電体層と前記圧電体層を挟む第１電極と第２電極とを備えた圧電素子であって、
前記圧電体層は、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなり、前記第２電極の界面側の領域における鉄の含有量が厚さ方向の他の領域と比較して大きいことを特徴とする圧電素子にある。
かかる態様では、ビスマス、鉄、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の複合酸化物からなり、前記第２電極の界面側の領域における鉄の含有量が厚さ方向の他の領域と比較して大きいことにより、鉄の含有量が第２電極との界面において大きくなっていないものと比較して圧電素子の歪量が向上し、変位量が大きな圧電素子となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド、及び当該態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、変位量が大きな圧電素子を有する液体噴射ヘッド、及び液体噴射装置となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の他の態様は、上記圧電素子を具備することを特徴とする超音波デバイス、あるいは、上記圧電素子を具備するセンサーにある。かかる態様では、変位量の大きな圧電素子を具備する超音波デバイス、あるいはセンサーが実現できる。