【手続補正書】
【提出日】平成27年2月24日(2015.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の領域を露光するためのフォトマスクであって、
前記フォトマスクのマスクパターンは、互いに隣接するように第１方向に沿って配された第１ラインパターン及び第２ラインパターンと、前記第１ラインパターンに接触するように前記領域の周辺部に対応する部分に配された第１接続パターンと、前記第２ラインパターンに接触するように前記周辺部に対応する部分に配された第２接続パターンとを有し、
前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、
前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる仮想線から前記第１接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第１ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、
前記仮想線から前記第２接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第２ラインパターンの中心線までの距離よりも大きい、
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
基板上の領域を露光するためのフォトマスクであって、
前記フォトマスクのマスクパターンは、第１方向に沿って配された第１ラインパターン及び第２ラインパターンと、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って配された第３ラインパターンと、前記第１ラインパターンに接触するように前記領域の周辺部に対応する部分に配された第１接続パターンと、前記第２ラインパターンに接触するように前記周辺部に配された第２接続パターンと、前記第３ラインパターンに接触するように前記周辺部に対応する部分に配された第３接続パターンとを形成するためのマスクパターンを有し、
前記第１乃至第３接続パターンのうち前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第１乃至第３接続パターンのうち前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広い、
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】
前記第１ラインパターンと前記第３ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる第１仮想線から前記第１接続パターンの中心線までの距離は、前記第１仮想線から前記第１ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、
前記第２ラインパターンと前記第３ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる第２仮想線から前記第２接続パターンの中心線までの距離は、前記第２仮想線から前記第２ラインパターンの中心線までの距離よりも大きい、
ことを特徴とする請求項２に記載のフォトマスク。
【請求項４】
基板上の領域を露光するためのフォトマスクであって、
前記フォトマスクのマスクパターンは、第１方向に沿って配された第１ラインパターン及び第２ラインパターンと、前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って配された第３ラインパターンと、前記第１ラインパターンに接触するように前記領域の周辺部に対応する部分に配された第１接続パターンと、前記第２ラインパターンに接触するように前記周辺部に配された第２接続パターンと、前記第３ラインパターンに接触するように前記周辺部に対応する部分に配された第３接続パターンとを形成するためのマスクパターンを有し、
前記第１乃至第３接続パターンのうち前記第３接続パターンは、前記第３ラインパターンよりも、前記第１方向と直交する第２方向の幅が広い、
ことを特徴とするフォトマスク。
【請求項５】
基板上の互いに隣り合う第１領域及び第２領域を個別に露光して半導体集積回路パターンを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の第１領域及びその周辺部を露光する第１工程であって、
第１方向に沿って前記第１領域に形成される第１ラインパターンに対応する領域と、
前記第１ラインパターンに隣接するように形成される第２ラインパターンに対応する領域と、
前記第１ラインパターンに接触するように前記第１領域の周辺部に形成される第１接続パターンに対応する領域と、
前記第２ラインパターンに接触するように当該周辺部に形成される第２接続パターンに対応する領域と
のそれぞれを露光する第１工程と、
前記基板の第２領域及びその周辺部を露光する第２工程であって、
前記第１方向に沿って前記第２領域に形成され且つ前記第１ラインパターンと接続されるべき第３ラインパターンに対応する領域と、
前記第３ラインパターンに隣接するように形成され且つ前記第２ラインパターンと接続されるべき第４ラインパターンに対応する領域と、
前記第３ラインパターンに接触するように前記第２領域の周辺部に形成される第３接続パターンに対応する領域と、
前記第４ラインパターンに接触するように当該周辺部に形成される第４接続パターンに対応する領域と
のそれぞれを露光する第２工程と、を含み、
前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、前記第３接続パターンは、前記第３ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、前記第４接続パターンは、前記第４ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、
前記第１及び前記第３ラインパターンと前記第２及び前記第４ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って延びる仮想線から前記第１接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第１ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、前記仮想線から前記第２接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第２ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、前記仮想線から前記第３接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第３ラインパターンの中心線までの距離よりも大きく、前記仮想線から前記第４接続パターンの中心線までの距離は、前記仮想線から前記第４ラインパターンの中心線までの距離よりも大きい、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
基板上の互いに隣り合う第１領域及び第２領域を個別に露光して半導体集積回路パターンを形成する半導体装置の製造方法であって、
前記基板の第１領域及びその周辺部を露光する第１工程であって、
第１方向に沿って前記第１領域に形成される第１ラインパターン及び第２ラインパターンに対応する領域と、
前記第１ラインパターンと前記第２ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って前記第１領域に形成される第３ラインパターンに対応する領域と、
前記第１ラインパターンと接触するように前記第１領域の周辺部に形成される第１接続パターンに対応する領域と、
前記第２ラインパターンと接触するように当該周辺部に形成される第２接続パターンに対応する領域と、
前記第３ラインパターンと接触するように当該周辺部に形成される第３接続パターンに対応する領域と
のそれぞれを露光する第１工程と、
前記基板の第２領域及びその周辺部を露光する第２工程であって、
第１方向に沿って前記第２領域に形成され且つ前記第１ラインパターンと接続されるべき第４ラインパターンに対応する領域と、
第１方向に沿って前記第２領域に形成され且つ前記第２ラインパターンと接続されるべき第５ラインパターンに対応する領域と、
前記第４ラインパターンと前記第５ラインパターンとの間に前記第１方向に沿って前記第２領域に形成される第６ラインパターンに対応する領域と、
前記第４ラインパターンと接触するように前記第２領域の周辺部に形成される第４接続パターンに対応する領域と、
前記第５ラインパターンと接触するように当該周辺部に形成される第５接続パターンに対応する領域と、
前記第６ラインパターンと接触するように当該周辺部に形成される第６接続パターンに対応する領域と
のそれぞれに対応する領域を露光する第２工程と、を含み、
前記第１乃至第６接続パターンのうち前記第１接続パターンは、前記第１ラインパターンよりも前記第１方向と直交する第２方向の幅が広く、前記第１乃至第６接続パターンのうち前記第２接続パターンは、前記第２ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広く、前記第１乃至第６接続パターンのうち前記第６接続パターンは、前記第６ラインパターンよりも前記第２方向の幅が広い、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。