【手続補正書】
【提出日】平成27年8月4日(2015.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をパターニングする方法であり、前記方法は：
前記基板上に放射線感受性材料の層を形成し；
前記放射線感受性材料の層をイメージパターンに応じて電磁（ＥＭ）放射線に暴露し；
前記放射線感受性材料の層を現像して前記イメージパターンからパターンを形成し；
前記基板をリンス液でリンスし；
前記リンスに続いて第１の化学的処理を実施し、そこで前記第１の化学的処理が第１の化学的溶液を含み；及び
前記リンスに続いて第２の化学的処理を実施し、そこで前記第２の化学的処理が第２の化学的溶液を含み、前記第２の化学的溶液が前記第１の化学的溶液とは異なる化学的組成を含む、方法。
前記第１の化学的溶液が、パターン崩壊を低減するために選択される第１の界面活性剤溶液を含み、
前記第２の化学的溶液が、ライン端粗さ（ＬＥＲ）及び／又はライン幅粗さ（ＬＷＲ）を低減するために選択される、前記第１の界面活性剤溶液とは異なる第２の界面活性剤溶液を含む、
【請求項２】
請求項１に記載の方法であり、前記リンス液が脱イオン水を含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であり：パターン崩壊マージンを４ｎｍ（ナノメートル）改善するために前記第１の化学組成を選択することを含み、前記パターン崩壊マージンが、前記第１の化学的処理を行わない最小の印刷可能な微小寸法（ＣＤ）と前記第１の化学的処理を実施する際の最小印刷可能な微小寸法との間の差として測定される、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であり、さらに：前記第２の化学的溶液を、ＬＷＲが５ｎｍ（ナノメートル）未満の値に低減するように選択される、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であり、さらに：前記第２の化学組成を、前記第２の化学的処理を行わずに達成される公称ＬＷＲの１０％を超える量のＬＷＲを低減するように選択することを含む、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であり、さらに：前記第２の化学組成を、前記第２の化学的処理を行わずに実施して達成される公称ＬＷＲの１４％を超えるＬＷＲに低減させるように選択することを含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であり、さらに：前記第１の化学的処理の実行に続いて、かつ前記第２の化学的処理をする前に前記基板を第２のリンス液でリンスすることを含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であり、さらに：前記リンスに続いて第３の化学的処理を実施することを含み、前記第３の化学的処理が、第３の化学的溶液を含み、前記第３の化学的溶液が前記第１の化学的溶液及び第２の化学的溶液とは異なる化学組成を含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であり、さらに：
前記第１の化学的処理の実施に続いてかつ前記第２の化学的処理を実施する前に、前記基板を第２のリンス液でリンスし；及び
前記第２の化学的処理の実施に続いてかつ前記第３の化学的処理を実施する前に、前記基板を第３のリンス液でリンスすることを含む、方法。
【請求項１０】
基板をパターニングするためのシステムであり、前記システムは：
上に配置された基板を支持し回転させるための基板テーブル；
前記基板上にリンス液を分配するためのリンス液供給ノズル；
前記リンス液供給ノズルへ前記リンス液を供給するためのリンス液供給システム；
前記基板上に第１の化学的溶液を分配するための第１の化学的処理溶液供給ノズル；
前記第１の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第１の化学的溶液を供給するための第１の化学的処理溶液供給システム；
前記基板上に第２の化学的溶液を分配するための第２の化学的処理溶液供給ノズル；
前記第２の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第２の化学的溶液を供給するための第２の化学的処理溶液供給システム；並びに、
前記システムに接続されて、かつ、前記基板テーブル、前記リンス液供給ノズル、前記第１の化学的処理溶液供給ノズル、及び前記第２の化学的処理溶液供給ノズルを制御可能に操作するように構成される、制御装置を含み、
前記制御装置は：
パターン崩壊を低減するために選択される第１の界面活性剤溶液を含む前記第１の化学的溶液を供給する段階；並びに、
ライン端粗さ（ＬＥＲ）及び／又はライン幅粗さ（ＬＷＲ）を低減するために選択される、前記第１の界面活性剤溶液とは異なる第２の界面活性剤溶液を含む前記第２の化学的溶液を供給する段階、を実行するようにプログラムされる、
システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムであり、さらに：
前記基板上に第３の化学的溶液を分配するための第３の化学的処理溶液供給ノズル；及び
前記第３の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第３の化学的溶液を供給するための第３の化学的処理溶液供給システムを含む、システム。
【請求項１２】
請求項１０に記載のシステムであり、さらに：
前記基板上に現像液を分配するための現像液供給ノズル；及び
前記現像液供給ノズルへ前記現像液を供給するための現像液供給システムを含む、システム。
【請求項１３】
トラックシステムであり、前記トラックシステムが：
コーティングモジュール；及び
プロセスモジュールを含み、前記プロセスモジュールが、
上に設けられる基板を支持し回転させるための基板テーブル、
前記基板上にリンス液を分配するためのリンス液供給ノズル、
前記リンス液供給ノズルへ前記リンス液を供給するためのリンス液供給システム、
前記基板上に第１の化学的溶液を分配するための第１の化学的処理溶液供給ノズル、
前記第１の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第１の化学的溶液を供給するための第１の化学的処理溶液供給システム、
前記基板上に第２の化学的溶液を分配するための第２の化学的処理溶液供給ノズル、及び
前記第２の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第２の化学的溶液を供給するための第２の化学的処理溶液供給システム；並びに、
前記プロセスモジュールに接続されて、かつ、前記基板テーブル、前記リンス液供給ノズル、前記第１の化学的処理溶液供給ノズル、及び前記第２の化学的処理溶液供給ノズルを制御可能に操作するように構成される、制御装置を含み、
前記制御装置は：
パターン崩壊を低減するために選択される第１の界面活性剤溶液を含む前記第１の化学的溶液を供給する段階；並びに、
ライン端粗さ（ＬＥＲ）及び／又はライン幅粗さ（ＬＷＲ）を低減するために選択される、前記第１の界面活性剤溶液とは異なる第２の界面活性剤溶液を含む前記第２の化学的溶液を供給する段階、を実行するようにプログラムされる、
トラックシステム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のトラックシステムであり、前記プロセスモジュールがさらに：
前記基板上に現像液を分配するための現像液供給ノズル；及び
前記現像液供給ノズルへ前記現像液を供給するための現像液供給システムを含む、トラックシステム。
【請求項１５】
請求項１３に記載のトラックシステムであり、さらに：現像モジュールを含む、トラックシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】パターン欠陥を低減するための複数回化学的処理プロセス
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板をパターニングするための方法及びシステム、より具体的には基板上の層にパターンを形成するための方法及びシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
材料をプロセスする方法において、パターンエッチングは、放射線感受性材料、例えばフォトレジストの層を基板の上部表面に適用し、リソグラフィを用いて前記放射線感受性材料の層にパターンを形成し、及び前記放射線感受性材料の層に形成されたパターンをその下の前記基板上の薄膜へエッチングプロセスを用いて転写することを含む。前記放射線感受性材料のパターニングは、一般的には、前記放射線感受性材料を電磁（ＥＭ）放射線のパターンに基づき、例えばリソグラフィシステムを用いて暴露し、続いて前記放射線感受性材料の放射された領域（ポジティブトーンレジストの場合）又は放射されていない領域（ネガティブトーンレジストの場合）を現像液を用いて除去することを含む。
【０００３】
微小寸法（ＣＤ）が小さくなり、放射線感受性材料の層に形成されるパターンのアスペクト比が高くなるに従い、限定されるものではないが、パターン崩壊、ライン端粗さ（ＬＥＲ）及びライン幅粗さ（ＬＷＲ）などのパターン欠陥の可能性が高くなる。ほとんどの場合、過剰のパターン欠陥は許容され得ないものであり、ある場合には壊滅的となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００８０２７４４３３号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７００７２０９２号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１００３０４３１３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、基板上の層にパターンを形成（準備）するための方法及びシステム、より具体的には、基板上の層に形成される、パターン欠陥が低減されたパターンを形成するための方法及びシステムに関する。本発明はさらに、パターン崩壊及びライン端粗さ（ＬＥＲ）やライン幅粗さ（ＬＷＲ）などのパターン変形を低減するために基板上の層に形成されるパターンを処理するための方法及びシステムに関する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの実施態様によれば、基板のパターニングのための方法が記載される。前記方法は、前記基板上に放射線感受性材料の層を形成し、前記放射線感受性材料の層を、イメージパターンに従って電磁（ＥＭ）放射線を暴露させ、及び前記放射線感受性材料の層を現像して前記イメージパターンからパターンを形成する、ことを含む。前記方法はさらに、前記基板をリンス液でリンスし、前記リンスに続いて第１の化学的処理を行い、前記第１の化学的処理が第１の化学的溶液を含み、及び前記リンスに続いて第２の化学的処理を行い、前記第２の化学的処理が第２の化学的溶液を含み、前記第２の化学的溶液が前記第１の化学的溶液とは異なる化学組成を有する、方法である。
【０００７】
他の実施態様によると、基板をパターニングするためのシステムが記載される。前記システムは、上に設けられる基板を支持し回転させるための基板テーブル、前記基板上にリンス液を分配するためのリンス液供給ノズル、及び前記第１のノズルへ前記リンス液を供給するためのシステムを含む。前記システムはさらに、前記基板上に第１の化学的溶液を分配するための第１の化学的処理溶液供給ノズル、前記第１の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第１の化学的溶液を供給するための第１の化学的処理溶液供給システム、前記基板上に第２の化学的溶液を分配するための第２の化学的処理溶液供給ノズル、前記第２の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第２の化学的溶液を供給するための第２の化学的処理溶液供給システム、を含むシステムである。
【０００８】
他の実施態様によると、基板パターニングのためのトラックシステムが記載される。前記トラックシステムはコーティングモジュール及びプロセスモジュールを含む。前記プロセスモジュールは、上に設けられる基板を支持し回転させる基板テーブル、前記基板上にリンス液を分配するためのリンス液供給ノズル、及び前記第１のノズルへ前記リンス液を供給するためのリンス液供給システムを含む。前記プロセスモジュールはさらに、前記基板上に第１の化学的溶液を分配するための第１の化学的処理溶液供給ノズル、前記第１の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第１の化学的溶液を供給するための第１の化学的処理溶液供給システム、前記基板上に第２の化学的溶液を分配するための第２の化学的処理溶液供給ノズル、前記第２の化学的処理溶液供給ノズルへ前記第２の化学的溶液を供給するための第２の化学的処理溶液供給システム、を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、１つの実施態様による基板のパターニングの１つの方法が示される。
【図２Ａ】図２Ａは、他の実施態様による基板のパターニングの他の方法が示される。
【図２Ｂ】図２Ｂは、他の実施態様による基板のパターニングの他の方法が示される。
【図２Ｃ】図２Ｃは、他の実施態様による基板のパターニングの他の方法が示される。
【図３Ａ】図３Ａは、基板のパターニングの方法のための例示的データを示す。
【図３Ｂ】図３Ｂは、基板のパターニングの方法のための例示的データを示す。
【図４Ａ】図４Ａは、基板のパターニングの方法のための他の例示的データを示す。
【図４Ｂ】図４Ｂは、基板のパターニングの方法のための他の例示的データを示す。
【図４Ｃ】図４Ｃは、基板のパターニングの方法のための他の例示的データを示す。
【図５Ａ】図５Ａは、１つの実施態様による基板をパターニングするための代表的システムを模式的に示す。
【図５Ｂ】図５Ｂは、１つの実施態様による基板をパターニングするための代表的システムを模式的に示す。
【図６】図６は、他の実施態様による基板のパターニングのための代表的システムを模式的に示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
基板をパターニングするための方法及びシステムが種々の実施態様において開示される。しかしながら、当業者は、前記種々の実施態様は、１又はそれ以上の具体的な詳細がなくても実施が可能であること、又は他の置換及び／又は追加の方法、材料又はコンポーネントでも実施が可能であることを認識するはずである。他の例では、本発明の種々の実施態様の側面を曖昧にすることを避けるために、よく知られた構造、材料又は操作は示されず又は記載されていない。
【００１１】
同様に、説明目的で、特定の数値、材料及び配置が本発明の完全な理解を提供するために記載されている。それにもかかわらず、本発明は具体的な詳細がなくても実施され得るものである。さらに、理解されるべきことは、図に示される種々の実施態様は例示として表現されているものであり、必ずしも寸法通りに描かれているものではない、ということである。
【００１２】
本明細書を通じて、「１つの実施態様」又は「１実施態様」又はそれらの変更実施態様とは、前記実施態様に関連して説明される特定の構成、構造、材料又は特性が、本発明の少なくとも１つの実施態様に含まれることを意味するが、それらが全ての実施態様で現れるということを示すものではない。従って本明細書の種々の場所で「１つの実施態様において」又は「１実施態様で」などの句が現れるということは、必ずしも本発明の前記同じ実施態様を参照しているものではない。さらに、前記特定の構成、構造、材料又は特質は、１又それ以上の実施態様で、全ての適切な方法で組み合わされ得る。
【００１３】
しかしながら、理解されるべきことは、記述内に含まれる構成もまた、本発明の一般的概念の性質が説明されているにもかかわらず、１つの発明の性質の構成でもある、ということである。
【００１４】
ここで一般的に使用される「基板」とは、本発明の実施態様によりプロセスされる対象物を意味する。前記基板は、全ての材料の部分又は装置、特に半導体装置又は他の電子装置の構造を含み、及び例えば半導体ウェハなどのベース基板構造又は薄膜などのベース基板構造の上層又はそれを覆う層であり得る。従って、基板は、全ての特定のベース構造、下層又は上層、パターン化又は非パターン化構造に限定されるものではなく、むしろ全てのそのような層やベース構造及び層及び／又はベース構造の全ての組合せを含むことが意図されている。以下において特定タイプの基板が参照され得るが、これは説明目的のためだけであり、なんらを限定する目的ではない。
【００１５】
半導体製造のためのリソグラフィパターニングでの生産性を上げるため、例えば方法及びシステムは上述の状況の一部又は全てに対処するように記載される。特に、前記パターンエッジ及び／又は幅での過度の変動を有するパターン崩壊及びパターン変形を起こさずに、パターン現像に続いて基板内のパターンをリンスし、前記基板を乾燥し、かつ残留する析出物に基づく欠陥を低減することが重要である。
【００１６】
次に図面を参照するが、類似の参照符号は図面を通じて同一又は対応する部品を示すものであり、図１は１つの実施態様による基板のパターニングのための方法を示す。前記方法はフローチャート１００に示され、前記基板上の放射線感受性材料の層を形成する１１０から開始する。前記放射線感受性材料の層はフォトレジストを含み得る。例えば、前記放射線感受性材料の層は、２４８ｎｍ（ナノメートル）レジスト、１９３ｎｍレジスト、１５７ｎｍレジスト、ＥＵＶ（極端紫外光）レジスト又は電子ビーム感受性レジストを含み得る。さらに、例えば、前記放射線感受性材料の層は、熱硬化フォトレジスト、電磁（ＥＭ）放射線硬化フォトレジスト又は化学的硬化フォトレジストを含み得る。
【００１７】
前記放射線感受性材料の層は、前記基板上に前記材料をスピンコーティングすることで形成され得る。前記放射線感受性材料の層はトラックシステムを用いて形成され得る。例えば前記トラックシステムは、東京エレクトロン株式会社（ＴＥＬ）から入手可能な、Ｃｌｅａｎ  Ｔｒａｃｋ  ＡＣＴ（Ｒ）８、ＡＣＴ（Ｒ）１２、ＬＩＴＨＩＵＳ（Ｒ）、ＬＩＴＨＩＵＳ  Ｐｒｏ（ＴＭ）又はＬＩＴＨＩＵＳ  ＰｒｏＶ（ＴＭ）レジストコーティング及び現像システムを含み得る。基板上にフォトレジスト膜を形成するための他のシステム及び方法は、スピンオンレジスト技術の当業者にはよく知られている。前記コーティングプロセスは、続いて前記基板を加熱するための１又はそれ以上のポストベーク（ｐｏｓｔ−ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  ｂａｋｅｓ、ＰＡＢ）と、前記１又はそれ以上のＰＡＢに続いて前記基板を冷却するための１又はそれ以上の冷却サイクルを伴い得る。
【００１８】
１２０で、前記放射線感受性材料の層は、イメージパターンに従い電磁（ＥＭ）放射線に曝露される。前記放射線曝露システムは、乾式又は湿式フォトリソグラフィシステムを含み得る。前記イメージパターンは、全ての従来のステッピングリソグラフィシステム又はスキャニングリソグラフィシステムを用いて形成され得る。例えば、前記フォトリソグラフィシステムは、ＡＳＭＬ  Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ  Ｂ．Ｖ．（Ｄｅ  Ｒｕｎ  ６５０１、５５０４  ＤＲ  Ｖｅｌｄｈｏｖｅｎ、オランダ）又はＣａｎｏｎ  ＵＳＡ、Ｉｎｃ．、Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ（３３００  Ｎｏｒｔｈ  Ｆｉｒｓｔ  Ｓｔｒｅｅｔ、Ｓａｎ  Ｊｏｓｅ、ＣＡ９５１３４）から入手可能である。又は、前記イメージパターンは電子ビームリソグラフィシステムを用いて形成され得る。
【００１９】
１３０で、前記放射線感受性材料の層は前記イメージパターンからパターンを形成するために現像される。前記パターンは、公称微小寸法（ｎｏｍｉｎａｌ  ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ、ＣＤ）、公称ライン端粗さ（ｎｏｍｉｎａｌ  ｌｉｎｅ  ｅｄｇｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、ＬＥＲ）及び／又は公称ライン幅粗さ（ｎｏｍｉｎａｌ  ｌｉｎｅ  ｗｉｄｔｈ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ、ＬＷＲ）により特徴付けされ得る。前記パターンはラインパターンを含み得る。前記現像プロセスは、トラックシステムなどの現像システム中で現像液に前記基板を曝露することを含み得る。例えば、前記現像液は、テトラメチルアンモニウムヒドロオキシド（ＴＭＡＨ）を含み得る。又は、例えば前記現像システムには、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの他のアルカリ溶液が含まれる。さらに、例えば、前記トラックシステムには、東京エレクトロン株式会社（ＴＥＬ）のＣｌｅａｎ  Ｔｒａｃｋ  ＡＣＴ（Ｒ）８、ＡＣＴ（Ｒ）１２、ＬＩＴＨＩＵＳ（Ｒ）、ＬＩＴＨＩＵＳ  Ｐｒｏ(ＴＭ)又はＬＩＴＨＩＵＳ  Ｐｒｏ  Ｖ(ＴＭ)レジストコーティング現像システムが含まれ得る。前記現像プロセスは、１つ又はそれ以上のポスト暴露ベーク（ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂａｋｅｓ、ＰＥＢ）により前記基板を加熱を実施し、かつ１つ又はそれ以上の冷却サイクルにより前記１つまたはそれ以上のＰＥＢに続いて前記基板を冷却を実施する。
【００２０】
１４０で、前記基板はリンス液でリンスされる。前記リンス液には、脱イオン水（ＤＩ）などの水、又は水に溶解させた界面活性剤を含む水溶液が含まれ得る。前記リンス液は、前記基板から残留現像液と置換するため及び／又は残留現像液を除去するために使用され得る。好ましくは、前記リンス液は水のみである。前記リンス液が水のみである場合には、公称ＣＤは防止又は最小化され得る。現像プロセスの後、前記パターン上に現像液が存在することは、前記パターンを膨潤させ、透過性を増加させることとなる。結果として、前記リンス液が界面活性剤を含む場合に、前記リンス液が前記パターンにより自由に浸透して前記公称ＣＤを変動させる。言い換えると、さらに化学的処理を行うに先立って基板上のパターンを水のみでリンスすることは、前記基板上の現像液を水と置換して前記現像液を洗い流すものであり、従って前記公称ＣＤの変動を抑制する。
【００２１】
１５０では、前記リンスに続いて、パターン崩壊（倒れ）及びライン端粗さ（ＬＥＲ）及びライン幅粗さ（LＷＲ）などのパターン変形を低減及び／又は改善するために複数の化学的処理が行われる。
【００２２】
前記複数の化学的処理を実行する際には、１５２で、第１の化学的処理が前記リンスの後行われる。前記第１の化学的処理は第１の化学的溶液を含む。前記第１の化学的溶液は第１の界面活性剤溶液を含み得る。前記第１の化学的溶液は、アニオン性、非イオン性、カチオン性及び／又は両性界面活性剤を含み得る。適切な界面活性剤は、スルホネート、スルフェート、カルボキシレート、ホスフェート及びそれらの混合物が含まれる。適切なカチオン性界面活性剤には、ナトリウム又はカリウムなどのアルカリ金属；カルシウム又はマグネシウムなどアルカリ土類金属；アンモニウム；又はモノ−、ジ−又はトリ−エタノールアンモニウムカチオン化合物などを含む置換アンモニウム化合物；又はそれらの混合物が含まれ得る。
【００２３】
例として、前記第１の化学的溶液は、分子量１６００以下、及びその疎水性基の炭素数が１０以上であるポリエチレングリコール系又はアセチレングリコール系界面活性剤を含む水溶液を含み得る。望ましくは、前記界面活性剤の疎水性基は、二重結合又は三重結合を含まない。
【００２４】
他の例として、前記第１の化学的溶液は、東京エレクトロン株式会社（ＴＥＬ）とクラリアント（日本）株式会社（文京区、東京、日本）（スイス製造者クラリアントの子会社）との共同開発によるＦＩＲＭ（ＴＭ）系の界面活性剤（例えば、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ａ、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｂ、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｃ、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｄ、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｅｘｔｒｅｍｅ１０など）から選択される１又はそれ以上の界面活性剤溶液を含み得る。
【００２５】
他の例として、前記第１の化学的組成物は、アミン化合物と界面活性剤との混合物を含み得る。
【００２６】
さらに他の例として、前記第１の化学的溶液のための前記第１の化学的組成物は、パターン崩壊を抑制するために選択され得る。
【００２７】
１５４では、第２の化学的処理が前記リンスに続いて行われる。前記第２の化学的処理は第２の化学的溶液を含む。前記第２の化学的溶液は前記第１の化学的溶液とは異なる化学的組成物を有する。言い換えると、前記第２の化学的溶液は前記第１の化学的溶液とは異なる成分組成物、即ち異なる元素及び／又は分子組成を有する。
【００２８】
前記第２の化学的溶液は第２の界面活性剤を含み得る。前記第２の化学的溶液は、アニオン性、非イオン性、カチオン性及び／又は両性界面活性剤を含み得る。適切なアニオン性界面活性剤は、スルフォネート、スルフェート、カルボキシレート、フォスフェート及びそれらの混合物を含み得る。適切なカチオン性界面活性剤は、ナトリウム又はカリウムなどのアルカリ金属；カルシウム又はマグネシウムなどアルカリ土類金属；アンモニウム；又はモノ−、ジ−又はトリ−エタノールアンモニウムカチオン化合物などを含む置換アンモニウム化合物；又はそれらの混合物が含まれ得る。
【００２９】
例として、前記第２の化学的溶液は、分子量１６００以下、及びその疎水性基の炭素数が１０以上であるポリエチレングリコール系又はアセチレングリコール系界面活性剤を含む水溶液を含み得る。望ましくは、前記界面活性剤の疎水性基は、二重結合又は三重結合を含まない。
【００３０】
他の例として、前記第２の化学的溶液は、東京エレクトロン株式会社（ＴＥＬ）とクラリアントジャパン株式会社（文京区、東京、日本）（スイスクラリアント社の子会社）との共同開発によるＦＩＲＭ（ＴＭ）系の界面活性剤（例えば、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ａ、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｂ、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｃ、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｄ、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｅｘｔｒｅｍｅ１０など）から選択される１又はそれ以上の界面活性剤溶液を含み得る。
【００３１】
他の例として、前記第２の化学組成は、アミン化合物と界面活性剤の混合物を含み得る。
【００３２】
さらに他の例として、前記第２の化学的溶液のための前記第２の化学的組成物は、パターン崩壊を抑制するために選択され得る。
【００３３】
図２Ａから２Ｃには、さらなる実施態様による基板をパターニングするための方法が与えられる。図２Ａに示されるように、複数の化学的処理を行うための方法がフローチャート２５０Ａに示され、ここで前記基板のリンスに続いて第１の化学的処理を行う２５２Ａから開始される。前記第１の化学的処理は、上述のように、第１の化学的溶液での処理を含み得る。
【００３４】
その後、２５３Ａで前記基板は第２のリンス液でリンスされる。前記第２のリンス液には、脱イオン水（ＤＩ）などの水又は水に溶解させた界面活性剤を含む水溶液が含まれ得る。
【００３５】
その後、２５４Ａで、前記リンス液での前記基板のリンスに続いて、前記第２のリンス液を用いて前記基板をリンスすることで第２の化学的処理が行われる。上述のように、前記第２の化学的処理は第２の化学的溶液での処理を含む。
【００３６】
図２Ｂには、前記複数の処理を行う方法が、フローチャート２５０Ｂで示され、これは前記基板のリンスに続いて第１の化学的処理を行う２５２Ｂで開始される。前記第１の化学的処理は、上述のように、第１の化学的溶液での処理を含み得る。
【００３７】
その後、２５４Ｂで、前記基板の前記リンス液でのリンスに続いて、第２の化学的処理が行われる。上述のように、前記第２の化学的処理は第２の化学的溶液での処理を含む。
【００３８】
その後、２５６Ｂで、前記基板の前記リンス液でのリンスに続いて、第３の化学的処理が行われる。前記第３の処理は第３の化学的溶液で処理することを含む。
【００３９】
図２Ｃに、複数の化学的処理を行う方法がフローチャート２５０Ｃで示され、前記基板のリンスに続いて第１の化学的処理を行う２５２Ｃで開始される。前記第１の化学的処理は、上述のように、第１の化学的溶液での処理を含み得る。
【００４０】
２５３Ｃで、前記基板は第２のリンス液でリンスされる。前記第２のリンス液には、脱イオン水（ＤＩ）などの水、又は水に溶解させた界面活性剤を含む水溶液が含まれ得る。
【００４１】
その後、２５４Ｃで、前記リンス液での前記基板のリンスに続いて、第２の化学的処理が行われる。上述のように、前記第２の化学的処理は、第２の化学的溶液での処理を含む。
【００４２】
２５５Ｃで、前記基板は第３のリンス液でリンスされる。前記第３のリンス液には、脱イオン水（ＤＩ）などの水、又は水に溶解させた界面活性剤を含む水溶液が含まれ得る。
【００４３】
その後、２５６Ｃで第３の化学的処理が、前記リンス液での前記基板のリンスに続いて行われる。前記第３の化学的処理は、第３の化学的溶液での処理を含む。
【００４４】
図３Ａ及び３Ｂに示されるように、上述の実施態様による基板のパターニングの方法を行うために例示データが提供される。図３Ａには、ナノメートル（ｎｍ）で測定された、前記基板上のパターンのライン幅粗さ（ＬＷＲ）が以下について棒グラフで表されている：すなわち、（１）対照例であり、前記パターンの現像及びリンスの後化学的処理を行なっていない場合（図３Ａでは「ＮＯ」界面活性剤溶液とラベルされている）、及び（２）前記パターンの現像及びリンスに続いて化学的処理（図３Ａでは界面活性剤液「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」及び「Ｄ」としてラベルされている）を行った場合の比較である。後者においては前記化学的処理は次の化学的溶液を用いた：即ち、（ｉ）ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ａ（「Ａ」）；（ｉｉ）ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｂ（「Ｂ」）；（ｉｉｉ）ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｃ（「Ｃ」）；及び（ｉｖ）ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｄ（「Ｄ」）である。
【００４５】
図３Ａから、前記対照例では公称ＬＷＲは、前記ＬＷＲの対照値（参照値）を与え、５．５ｎｍを僅かに超える、ことを示す。さらに、前記パターンはＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ａ（「Ａ」）で処理される場合には、前記ＬＷＲへの改善は１０％、さらに約１４％を超える（化学的処理されたＬＷＲとされていないＬＷＲとの差と、前記公称ＬＷＲに対する比率として測定）。さらに、ＬＷＲについての改善は約１４％から約１６％の範囲である。ここで本発明者は、それぞれの化学的処理溶液は作用が異なり、ある場合には他を超える、ということを見出した。
【００４６】
例として、図４Ａには、前記ラインパターンのＬＷＲの減少を示すＳＥＭ（走査電気顕微鏡）画像である。図４Ａに示されるように、ラインパターン４１０は、前記ラインパターンの現像及びリンスに続いてなんらの化学的処理を行わずに形成されたものである。前記公称ＣＤは２９．８ｎｍであり、公称ＬＷＲは約７．６ｎｍであった。図４Ｂにおいて、ラインパターン４１０はＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ａで化学的に処理され、新たなラインパターン４２０が形成され、これは、３０．８ｎｍのＣＤ及び７．２ｎｍのＬＷＲ（例えば、前記公称ＬＷＲに対して前記ＬＷＲの５．３％の低減）であった。
【００４７】
図３Ｂには、ナノメートル（ｎｍ）で測定された、前記基板上のパターンの崩壊マージン改善ＣＤ（微小寸法）が以下について棒グラフで表されている：すなわち、（１）対照例（参照）であり、前記パターンの現像及びリンスの後化学的処理を行なっていない場合（図３Ｂでは「ＮＯ」界面活性剤溶液とラベルされている）、及び（２）前記パターンの現像及びリンスに続いて化学的処理（図３Ｂでは界面活性剤液「Ａ」、「Ｂ」、「Ｃ」及び「Ｄ」としてラベルされている）を行った場合の比較である。後者においては前記化学的処理は次の化学的溶液を用いた：即ち、（ｉ）ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ａ（「Ａ」）；（ｉｉ）ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｂ（「Ｂ」）；（ｉｉｉ）ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｃ（「Ｃ」）；及び（ｉｖ）ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｄ（「Ｄ」）である。
【００４８】
前記崩壊マージン改善ＣＤは、化学的処理を行わずに達成された最小印刷可能なＣＤと、化学的処理を行った場合に達成される最小印刷可能ＣＤとの差として測定される。従って、図３Ｂでは、前記参照例の公称崩壊マージンを０ｎｍに設定されていることが示される。さらに、前記パターンが前記化学的溶液の１つで処理されると崩壊マージンが改善される。相対的には、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｂ（「Ｂ」）は他の化学的処理を上回り、崩壊マージンの改善は約４ｎｍ、さらには４．５ｎｍを超える。ここで、本発明者は、それぞれの化学的処理溶液は、異なる作用をし、ある場合には他を超える、ということを見出した。さらに本発明者は、異なる化学的処理が異なるパターン欠陥に対処するために使用され得るということを見出した。例えば、第１の化学的処理がパターン崩壊に対処し、第２の化学的処理がパターン変形に対処することができる、ということを見出した。
【００４９】
例として、図４Ｃはラインパターンの崩壊マージンの改善を示すＳＥＭ画像を与える。図４Ｃに示されるように、参照ラインパターン４３０は、前記パターンの現像及びリンスに続いてなんらの化学的処理を行わずに形成された。前記パターンの画像について約１．０９の規格化露光量を用いることで、参照ラインパターン４３０は約２９．５４ｎｍの最小印刷可能ＣＤを有する。前記規格化露光量を約１．１３に上げると、前記ＣＤは約２８．０３ｎｍに減少するが、しかしパターン崩壊４３１が観察された。さらに、図４Ｃに示されるように、前記パターンを現像しリンスした後に化学的処理を行なうことで改善されたラインパターン４４０が形成された。ここで、改善されたラインパターン４４０は、ＦＩＲＭ（ＴＭ）−Ｂで化学的に処理された。前記パターンの画像について約１．３４の規格化露光量を用いることで、約２５．１１ｎｍの最小印刷可能ＣＤを有する。前記規格化露光量を約１．３８に上げると、前記ＣＤは約２４．１５ｎｍに減少するが、しかしパターン崩壊４４１が観察された。崩壊マージン改善ＣＤは約４．４３ｎｍである。
【００５０】
他の例として、ラインパターンが、第１のＥＵＶレジストで、前記ラインパターンの現像及びリンスに続いてなんらの化学的処理を行わずに形成された。第１の暴露条件についての公称ＣＤは２８．５ｎｍであり、公称ＬＷＲは約６．２ｎｍであった。前記ラインパターンをＦＩＲＭ（ＴＭ）Ｅｘｔｒｅｍｅ１０で処理することで新たなラインパターンが形成され、そのＣＤは３０．６ｎｍ及びＬＷＲは６．０ｎｍであった。さらに、他の暴露条件に続いてＦＩＲＭ（ＴＭ）Ｅｘｔｒｅｍｅ１０で前記ラインパターンを処理することで、崩壊マージンを改善する結果となり、崩壊マージン改善ＣＤは約４ｎｍであった。
【００５１】
他の例として、ラインパターンが、第２のＥＵＶレジストで、前記ラインパターンの現像及びリンスに続いてなんらの化学的処理を行わずに形成された。第１の暴露条件についての公称ＣＤは２６．４ｎｍであり、公称ＬＷＲは約４．２ｎｍであった。ＦＩＲＭ（ＴＭ）Ｅｘｔｒｅｍｅ１０で前記ラインパターンを処理することで、新たなラインパターンが形成され、そのＣＤは２７．７ｎｍ、ＬＷＲは３．７ｎｍであった。さらに、他の暴露条件に続いてＦＩＲＭ（ＴＭ）Ｅｘｔｒｅｍｅ１０で前記ラインパターンを処理することで、崩壊マージンを改善する結果となり、崩壊マージン改善ＣＤは約６ｎｍであった。
【００５２】
以下図５Ａ及び５Ｂには、基板をパターニングするためのシステムが１つの実施態様により記載される。図５Ａは基板上のパターンをリンスし化学的に処理するためのシステム５３０の平面図であり、図５Ｂはその断面図である。システム５３０はとりわけ、基板のパターンのための上述の方法を実施可能である。さらに、システム５３０は、コーティング及び現像装置に１つのモジュールとして含まれ得るものであり、例えば「リンス処理方法、現像処理方法及び現像装置」と題して２００６年９月６日に出願された米国特許出願公開第２００７／００７２０９２号に記載されている。さらに、システム５３０は、東京エレクトロン株式会社（ＴＥＬ）から入手可能な、Ｃｌｅａｎ  Ｔｒａｃｋ  ＡＣＴ（Ｒ）８、ＡＣＴ（Ｒ）  １２、ＬＩＴＨＩＵＳ（Ｒ）、ＬＩＴＨＩＵＳ  Ｐｒｏ（ＴＭ）又はＬＩＴＨＩＵＳ  ＰｒｏＶ（ＴＭ）などのレジストコーティング及び現像システムなどのトラックシステムにおいて１つのモジュールとして含まれ得る。
【００５３】
システム５３０は、ハウジング５０１、及びファンフィルタユニットＦを含み、これはハウジング５０１の天井部に設けられ、ハウジング５０１内に清浄な空気の下向きフローを生成する。システム５３０は、ハウジング５０１のほぼ中央部に設けられる環状カップＣＰ、及び環状カップＣＰ内に設けられる基板テーブル５１２を含む。前記基板テーブル５１２はそこに置かれる基板Ｗを支持し回転させるように構成される。１例として、基板テーブル５１２は基板Ｗを真空吸引で安全に保持し得る。回転駆動システム５１３は前記基板テーブル５１２と接続され、基板テーブル５１２を回転させるように構成される。前記回転駆動システム５１３は、ハウジング５０１のベースプレート５１４へ付設され得る。
【００５４】
環状カップＣＰの内側で、リフトピン５１５が、基板Ｗを基板テーブル５１２から昇降させるように設けられる。リフトピン５１５は、ニューマチックなどの駆動機構５１６の手段で昇降させ得る。さらに、前記環状カップＣＰの内側に、ドレインポート５１７が過剰の液体を排出するために設けられ得る。ドレインパイプ５１８は、前記ドレインポート５１７に接続され、前記ドレインパイプ５１８は、前記ベースプレート５１４とハウジング５０１との間の空間Ｎを通過する。
【００５５】
ハウジング５０１の１つの側壁を通じて、隣接する基板キャリアユニット（図示されていない）の基板キャリアアームＴをハウジング５０１の内部空間にアクセスすることができるように開口部５０１Ａが形成される。前記開口部５０１Ａは、シャッタ５１９の手段により開閉され得る。前記基板Ｗがハウジング５０１の内外に運ばれる際に、前記シャッタ５１９が開き、それにより前記基板キャリアアームＴがハウジング５０１内に入ることができる。前記基板Ｗはその後、前記基板キャリアアームＴと前記基板テーブル５１２との間を、前記リフトピン５１５の昇降を伴って移動され得る。
【００５６】
図５Ａ及び５Ｂに示されるように、現像液を基板Ｗの前表面上に供給するための現像液供給ノズル５２５が前記環状カップＣＰの上に設けられる。さらに、基板Ｗ上にリンス液を供給するためのリンス液供給ノズル５２６は環状カップＣＰの上に設けられる。さらに、基板Ｗ上に第１の化学的溶液を供給するための第１の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ａは環状カップＣＰの上に設けられる。さらに、基板Ｗ上に第２の化学的溶液を供給するための第２の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ｂは環状カップＣＰの上に設けられる。現像液供給ノズル５２５、リンス液供給ノズル、前記第１の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ａ及び第２の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ｂは、基板Ｗ上の供給位置及び基板Ｗ上の外側での待ち／保持位置の間を可動に設けられ得る。
【００５７】
前記リンス液は、脱イオン水（ＤＩ）、水に溶解された界面活性剤を含む溶液を含み得る。
【００５８】
現像液供給ノズル５２５は、細長い形状で構成され、その長手軸が水平に維持されるように配置され得る。前記現像液供給ノズル５２５は、前記現像液が前記現像液供給ノズル５２５から流体のシートのように放出されるように下部表面上に複数の放出ポートを持ち得る。前記現像液供給ノズル５２５は、現像液ノズルスキャンアーム５２８のチップ部分に、保持部材５２８Ａの使用を介して、脱着可能に付設され得る。前記現像液ノズルスキャンアーム５２８は、現像液ノズル垂直保持部材５３７の上部端部に付設され、前記現像液ノズル垂直保持部材５３７は、ベースプレート５１４のｙ方向に沿って設けられる現像液ノズルガイドレール５２９の上部から垂直方向に伸びている。
【００５９】
前記現像液供給ノズル５２５は、現像液ノズル垂直保持部材５３７と共にｙ軸駆動機構５３９の手段により前記ｙ軸に沿って水平に動くように構成される。
【００６０】
前記現像液ノズル垂直保持部材５３７は、ｚ軸駆動機構５４０により昇降され、前記現像液供給ノズル５２５が、基板Ｗの近隣の放出位置とその上の非放出位置との間を、前記現像液ノズル垂直保持部材５３７の昇降により動かされ得る。
【００６１】
基板Ｗ上の現像液を分配する際には、前記現像液供給ノズル５２５は基板Ｗの上に位置され、前記現像液供給ノズル５２５が現像液を分配している間に基板Ｗは半周以上、例えば１周又はそれ以上回転される。留意すべきことは、現像液が分配されている際に、現像液供給ノズル５２５は、基板Ｗを回転することなく前記現像液ノズルガイドレール５２９に沿ってスキャンされ得る、ということである。
【００６２】
前記リンス液供給ノズル５２６は前記リンス液ノズルスキャンアーム５４３の部分に脱着可能に付設され得る。前記リンスノズルガイドレール５４４が、ベースプレート５１４上の前記現像液ノズルガイドレール５２９の外側に設けられる。前記リンス液ノズルスキャンアーム５４３は、リンス液ノズル垂直保持手段５４５の上部端部に付設され、前記リンス液ノズル垂直保持手段５４５は、リンス液ノズルｘ軸駆動機構５４６を介して前記リンス液ノズルガイドレール５４４の上部から垂直方向に伸びている。
【００６３】
前記リンス液供給ノズル５２６は、前記リンス液ノズル垂直保持部材５４５と共に、ｙ軸駆動機構５４７の手段により前記ｙ軸に沿って水平に動くように構成される。さらに、前記リンス液ノズル垂直保持部材５４５は、基板Ｗの近隣の放出位置とその上の非放出位置との間を動かすために昇降され得る。さらに、前記リンスノズルスキャンアーム５４３は、前記リンス液ノズルｘ軸駆動機構５４６の手段により前記ｘ軸に沿って可動に設けられている。
【００６４】
前記第１の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ａは、第１の化学的処理溶液ノズルスキャンアーム５４９Ａのチップ部分へ脱着可能に付設され得る。第１の化学的処理溶液ノズルガイドレール５５０Ａは、ベースプレート５１４上で前記リンス液ノズルガイドレール５４４の外側に設けられる。前記第１の化学的処理溶液ノズルスキャンアーム５４９Ａは、第１の化学的処理溶液ノズル垂直保持部材５５１Ａの上部端部に付設され、前記第１の化学的処理溶液ノズル垂直保持部材５５１Ａは、第１の化学的処理溶液ノズルｘ軸駆動機構５５２Ａを介して前記第１の化学的処理溶液ノズルガイドレール５５０Ａの上部から垂直に伸びている。
【００６５】
前記第１の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ａは、前記第１の化学的処理溶液ノズル垂直保持部材と共に、第１の化学的処理溶液ノズルｙ軸駆動機構５５３Ａの手段により前記ｙ軸に沿って水平に動くように構成される。さらに、前記第１の化学的処理溶液ノズル垂直保持部材５５１Ａは、基板Ｗの近隣の放出位置とその上の非放出位置との間を前記第１の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ａを動かすように昇降され得る。さらに、前記第１の化学的処理溶液ノズルスキャンアーム５４９Ａは、前記第１の化学的処理溶液ノズルｘ軸駆動機構５５２Ａの手段により前記ｘ軸に沿って可動に設けられる。
【００６６】
前記第２の化学的溶液供給ノズル５２７Ｂは、第２の化学的処理ノズル溶液スキャンアーム５４９Ｂのチップ部分に脱着可能に付設され得る。第２の化学的処理溶液ノズルガイドレール５５０Ｂは、ベースプレート５１４上の前記リンス液ノズルガイドレール５４４Ｂの外側に設けられる。前記第２の化学的処理溶液ノズルスキャンアーム５４９Ｂは、第２の化学的処理溶液ノズル垂直保持部材５５１Ｂの上部端部に付設され、前記第２の化学的処理溶液ノズル垂直保持部材５５１Ｂは、第２の化学的処理溶液ノズルｘ軸駆動機構５５２Ｂを介して前記第２の化学的処理溶液ノズルガイドレール５５０Ｂの上部から垂直方向に伸びている。
【００６７】
前記第２の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ｂは、前記第２の化学的処理溶液ノズル垂直保持部材５５１Ｂと共に、第２の化学的処理溶液ノズルｙ軸駆動機構５５３Ｂの手段により前記ｙ軸に沿って水平に動くように設けられる。さらに、前記第２の化学的処理溶液ノズル垂直保持部材５５１Ｂは、基板Ｗの近隣の放出位置とその上の非放出位置との間を前記第２の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ｂを動かすために昇降され得る。さらに、前記第２の化学的処理溶液ノズルスキャンアーム５４９Ｂは、前記第２の化学的処理溶液ノズルｘ軸駆動機構５５２Ｂの手段により前記ｘ軸方向に沿って可動に設けられる。
【００６８】
留意されるべきことは、前記ｙ軸駆動機構５３９、５４７、５５３Ａ及び５５３Ｂ、前記ｚ軸駆動機構５４０、５４８、５５４Ａ及び５５４Ｂ、前記ｘ軸駆動機構５４６、５５２Ａ及び５５２Ｂ、及び前記回転駆動システム５１３は駆動制御装置５５５で制御される、ということである。前記リンス液供給ノズル５２６、前記第１の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ａ及び前記第２の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ｂはお互いに前記ｘ軸及び前記ｙ軸に関して動き得る。
【００６９】
さらに図５Ａに示されるように、前記カップＣＰの右側に、現像液供給ノズル待ちユニット５５６（現像液供給ノズル５２５が待つ位置）が設けられ、そこで洗浄機構（図示されていない）が前記現像液供給ノズル５２５を洗浄するために適用され得る。さらに、前記カップＣＰの左側に、リンス液供給ノズル待ちユニット５５７、第１の化学的処理溶液供給ノズル待ちユニット５５８Ａ及び第２の化学的処理溶液供給ノズル待ちユニット５５８Ｂがそれぞれ設けられ、そこで洗浄機構（図示されていない）がそれぞれのノズルを洗浄するために適用され得る。
【００７０】
図示されていないが、システム５３０はさらに基板Ｗ上に第３の化学的溶液を分配するために第３の化学的処理溶液供給ノズル、及び前記第３の化学的溶液供給ノズルへ前記第３の化学的溶液を供給するための第３の化学的溶液を含み得る。
【００７１】
図６には、他の実施態様による処理供給システムが模式的に示されている。図６に示されるように、前記現像液供給ノズル５２５は前記現像液を貯蔵する現像液供給ノズルシステム６５１に、現像液供給パイプ６５２を介して接続される。前記現像液供給パイプ６５２に沿って現像液供給ポンプ６５３が設けられ、そこに現像液供給バルブ６５４が前記現像液を供給するために位置されている。
【００７２】
さらに、前記リンス液供給ノズル５２６は、前記リンス液を貯蔵するリンス液供給システム６５５に前記リンス液供給パイプ６５６を介して接続される。リンス液供給パイプ６５６に沿って、リンス液供給ポンプ６５７が設けられ、そこでリンス液供給バルブ６５８が前記リンス液を供給するために位置される。
【００７３】
さらに、前記第１の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ａは、前記第１の化学的処理溶液を貯蔵する第１の化学的処理溶液供給システム６６２Ａに、第１の化学処理溶液供給パイプ６６３Ａを介して接続される。前記第１の化学的処理溶液供給パイプ６６３Ａに沿って、第１の化学的処理溶液供給ポンプ６６４Ａが設けられ、そこで第１の化学的処理溶液供給バルブ６６５Ａが前記第１の化学処理溶液のために位置される。
【００７４】
さらに、前記第２の化学的処理溶液供給ノズル５２７Ｂは、第２の化学的処理溶液供給パイプ６６３Ｂを介して、前記第２の化学的処理溶液を貯蔵する第２の化学的処理溶液供給システム６６２Ｂに接続される。前記第２の化学的処理溶液供給パイプ６６３Ｂに沿って、第２の化学的処理溶液供給ポンプ６６４Ｂが設けられ、そこで第２の化学的処理溶液供給バルブ６６５Ｂが前記第２の化学的処理溶液を供給するために位置される。
【００７５】
前記ポンプ６５３、６５７、６６４Ａ及び６６４Ｂ及びバルブ６５４、６５８、６６５Ａ及び６６５Ｂが供給制御ユニット６００により制御される。
【００７６】
前記第１の化学的処理のための少なくとも１つのプロセスパラメータが、前記パターン崩壊及び／又はパターン変形を低減を改善するために調節され得る。例えば、前記プロセスパラメータは前記基板の回転速度、前記第１の化学的溶液の分配速度、前記第１の化学的溶液の化学成分の濃度などを含み得る。
【００７７】
さらに、前記第２の化学的処理についての少なくとも１つのプロセスパラメータは、前記パターン崩壊及び／又はパターン変形の低減を改善するために調節され得る。例えば、前記プロセスは、前記基板についての回転速度、前記第２の化学的溶液についての分配速度、前記第２の化学的溶液などの化学的成分の濃度を含む。
【００７８】
本発明のいくつかの実施態様のみ上で詳細に説明されてきたが、当業者は、多くの修正などがこの発明の新規な教示及び利点から実質的に離れることなく、本発明において可能であるということを理解するであろう。従って、全てのこのような修正は、本発明の範囲の範囲内に含まれることが意図されている。