【手続補正書】
【提出日】平成27年4月24日(2015.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ドーパントのドープされた第１半導体層、第２ドーパントのドープされた第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層で挟持された第１活性層を有する第１領域と、前記第１領域上に配置され、前記第１ドーパントがドープされ、露出領域を有する第３半導体層、前記露出領域以外の前記第３半導体層上に配置され、前記第２ドーパントのドープされた第４半導体層、及び前記第３及び第４半導体層で挟持された第２活性層を有する第２領域と、を備える発光構造物と、
前記第１半導体層上に配置された第１電極と、
前記第４半導体層上に配置された第２電極と、
前記第３半導体層の前記露出領域、及び前記露出領域を貫通する孔に挿入されて前記第２半導体層上に配置され、前記第２及び第３半導体層と電気的に接続されている第３電極と
を備えて、
前記第２半導体層と前記第３半導体層は、互いに接する、発光素子。
【請求項２】
第１ドーパントのドープされた第１半導体層、第２ドーパントのドープされた第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層で挟持された第１活性層を有する第１領域と、前記第１領域上に配置され、前記第１ドーパントがドープされ、露出領域を有する第３半導体層、前記露出領域以外の前記第３半導体層上に配置され、前記第２ドーパントのドープされた第４半導体層、及び前記第３及び第４半導体層で挟持された第２活性層を有する第２領域と、を備え、前記第４半導体層から前記第１半導体層まで第１トレンチが形成された発光構造物と、
前記第１トレンチ内に配置され、前記第１トレンチ内に露出された前記第１半導体層上に配置された第１電極と、
前記第４半導体層及び前記第１電極と電気的に接続されている第２電極と、
前記第３半導体層の前記露出領域、及び前記露出領域を貫通する孔に挿入されて前記第２半導体層上に配置され、前記第２及び第３半導体層と電気的に接続されている第３電極と
を備えて、
前記第２半導体層と前記第３半導体層は、互いに接する、発光素子。
【請求項３】
伝導性支持部材と、
前記伝導性支持部材上に配置され、第１ドーパントのドープされた第１半導体層、第２ドーパントのドープされた第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層で挟持された第１活性層を有する第１領域と、前記第１領域上に配置され、前記第１ドーパントがドープされ、露出領域を有する第３半導体層、前記露出領域以外の前記第３半導体層上に配置され、前記第２ドーパントのドープされた第４半導体層、及び前記第３及び第４半導体層で挟持された第２活性層を有する第２領域と、を備え、前記第１半導体層から前記第４半導体層まで第２トレンチが形成された発光構造物と、
前記伝導性支持部材と前記第１半導体層との間に配置され、前記第１半導体層と電気的に接続されている第１電極と、
前記第２トレンチ内に配置され、前記第４半導体層及び前記第１電極と電気的に接続されている第２電極と、
前記第３半導体層の前記露出領域、及び前記露出領域を貫通する孔に挿入されて前記第２半導体層上に配置され、前記第２及び第３半導体層と電気的に接続されている第３電極と
を備えて、
前記第２半導体層と前記第３半導体層は、互いに接する、発光素子。
【請求項４】
第１支持部、及び該第１支持部から離隔している第２支持部を有する伝導性支持部材と、
前記第１及び第２支持部上に配置され、第１ドーパントのドープされた第１半導体層、第２ドーパントのドープされた第２半導体層、及び前記第１及び第２半導体層で挟持された第１活性層を有する第１領域と、前記第１領域上に配置され、前記第１ドーパントのドープされた第３半導体層、前記第３半導体層上に配置され、前記第２ドーパントのドープされた第４半導体層、及び前記第３及び第４半導体層で挟持された第２活性層を有する第２領域と、を備え、前記第１支持部上に前記第１半導体層から前記第４半導体層まで第２トレンチが形成され、前記第２支持部上に前記第１半導体層から前記第３半導体層まで第３トレンチが形成された発光構造物と、
前記第１支持部と前記第１半導体層との間に配置され、前記第１支持部及び前記第１半導体層と電気的に接続されている第１電極と、
前記第２トレンチ内に配置され、前記第４半導体層及び前記第１電極と電気的に接続されている第２電極と、
前記第３トレンチ内に露出された前記第２及び第３半導体層と接触し、前記第２支持部と電気的に接続されている第３電極と
を備えて、
前記第２半導体層と前記第３半導体層は、互いに接する、発光素子。
【請求項５】
前記第１領域の厚さは、前記第２領域の厚さと同一または厚い、請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１及び第２領域の間に中間層をさらに備える、請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記中間層は、
前記第１領域上に第１中間層、及び前記第２領域と前記第１中間層との間に第２中間層を備える、請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記第１中間層は、前記第２中間層と異なるエネルギーバンドギャップを有する、請求項７に記載の発光素子。
【請求項９】
前記第１中間層は、前記第２中間層と異なる屈折率を有する、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記第１及び第２中間層は、前記第２及び第３半導体層の抵抗よりも低い抵抗を有する、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１１】
前記中間層は、前記第１及び第２中間層の間に第３中間層を有し、
前記第３中間層は、前記第１及び第２中間層の抵抗よりも高い抵抗を有する、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１２】
前記第１乃至第３中間層は、Ａｌを含み、
前記第３中間層は、前記Ａｌの濃度が前記第１及び第２中間層よりも低い、請求項１１に記載の発光素子。
【請求項１３】
前記第２及び第３半導体層及び前記中間層は、Ａｌを含み、
前記中間層のＡｌ濃度は、前記第２及び第３半導体層のＡｌ濃度よりも高い、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１４】
前記中間層のＡｌ濃度は、前記第２及び第３半導体層の少なくとも一方のＡｌ濃度の２倍〜５倍である、請求項１３に記載の発光素子。
【請求項１５】
前記中間層の膜厚は、０．０１μｍ〜２μｍである、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１６】
前記中間層は、透光性伝導層であり、
前記透光性伝導層は、ＺｎＯ、ＭｇＯ及びＴｉＯ２の少なくとも一つを含む、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１７】
前記中間層は、前記第１及び第２ドーパントの少なくとも一つがドープされたＳｉＯ２である、請求項７に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記第１及び第２活性層は、互いに異なる波長の光を放出する、請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１９】
前記孔の深さは、前記露出領域において前記第３半導体層の膜厚の１倍〜３倍である、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２０】
前記孔の幅は、前記露出領域の幅の０．３倍〜０．９倍である、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２１】
前記第２半導体層は、前記孔に対応する位置に溝が形成されている、請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２２】
前記溝の幅は、前記孔の幅の０．５倍〜１倍である、請求項２１に記載の発光素子。
【請求項２３】
前記第１及び第２電極を電気的に接続する接続電極をさらに備える、請求項１に記載の発光素子。
【請求項２４】
前記第２電極の幅は、前記第１電極の幅と同一または狭い、請求項３または４に記載の発光素子。
【請求項２５】
前記第３トレンチは、
前記第１半導体層から前記第１活性層または前記第２半導体層の一部まで第１幅を有する第１トレンチ部と、
前記第２半導体層の一部から前記第３半導体層の一部まで、前記第１幅よりも狭い第２幅を有する第２トレンチ部と
を有する、請求項４に記載の発光素子。
【請求項２６】
前記第２支持部と前記第１半導体層との間、及び前記第１トレンチ部の内側面に配置され、第３幅を有する第４トレンチを形成する第３絶縁層をさらに備える、請求項４に記載の発光素子。
【請求項２７】
前記第３幅は、前記第２幅の１倍〜１．５倍である、請求項２６に記載の発光素子。
【請求項２８】
前記第３電極は、前記第３絶縁層の内側面、前記第２及び第３半導体層の内側面、及び前記第３半導体層に接触している、請求項２６に記載の発光素子。
【請求項２９】
前記第３絶縁層の前記第４トレンチに対応する位置に配置され、前記第２支持部と前記第３電極を電気的に接続する第４電極をさらに備える、請求項２６に記載の発光素子。
【請求項３０】
請求項１乃至２９のいずれかに記載の発光素子を備える照明システム。