【手続補正書】
【提出日】平成27年8月21日(2015.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面である第１面を有する第１基板と、
前記第１面と接合する平面である第２面を有する第２基板と
を具備し、
前記第１面と前記第２面との接合において、前記第１面および前記第２面のうちのいずれか一方は、第ｎ片方材料を含み、他方は、第ｎ他方材料を含み、前記ｎは１乃至２８のいずれかの整数であり、
前記ｎ＝１として、第１片方材料はＳｉを含み、第１他方材料はＳｉＯ２、石英、サファイア、ＬｉＮｂＯ３、ＳｉＮ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、Ａｇ、Ａｌ、ＡｌＮ、Ｇｅ、Ｌａ、ＭｇＯ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｗ、Ｃ、ＭｏおよびＹＡＧのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝２として、第２片方材料はＳｉＯ２を含み、第２他方材料はＬｉＮｂＯ３、サファイア、ＳｉＮ、ガラス、石英、ＬｉＴａＯ３、Ａｌ、Ｃ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＹＡＧ、ＧａＮ、ＡｇおよびＭｇＯのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝３として、第３片方材料はＧａＮを含み、第３他方材料はＡｌＮ、Ｇａ２Ｏ３、Ｍｏ、ＳｉＣ、サファイア、スピネル、Ｗ、ＳｉＮおよびＹＡＧのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝４として、第４片方材料はＬｉＴａＯ３を含み、第４他方材料はサファイア、ＳｉＮ、石英、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、Ｃおよびスピネルのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝５として、第５片方材料はＬｉＮｂＯ３を含み、第５他方材料はＬｉＮｂＯ３、Ａｕ、Ｔｉ、ガラスおよび石英のグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝６として、第６片方材料はＣｕを含み、第６他方材料はＡｌ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔｉ、Ａｌ、ＣｒおよびＴａのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝７として、第７片方材料はガラスまたは石英を含み、第７他方材料は石英、ＲＩＧ、ＳｉＮおよびＭｇＯのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝８として、第８片方材料はサファイアを含み、第８他方材料はサファイア、ＹＡＧ、ＺｎＯ、ＲＩＧおよびＩＴＯのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝９として、第９片方材料はＹＡＧを含み、第９他方材料はＹＡＧ、Ａｌ、ＩＴＯおよびＺｎＯのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝１０として、第１０片方材料はＡｌを含み、第１０他方材料はＡｌＮおよびＧｅのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝１１として、第１１片方材料はＡｌＮを含み、第１１他方材料はＡｌＮ、ＳｉＣおよびＷのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝１２として、第１２片方材料はＡｕを含み、第１２他方材料はＡｕＳｎ、ＩｎＰおよびＡｌのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝１３として、第１３片方材料はＡｇを含み、第１３他方材料はＡｇを含み、
前記ｎ＝１４として、第１４片方材料はＡｌＣｕを含み、第１４他方材料はＡｌＣｕを含み、
前記ｎ＝１５として、第１５片方材料はＣを含み、第１５他方材料はＣを含み、
前記ｎ＝１６として、第１６片方材料はＣｒを含み、第１６他方材料はＣｒを含み、
前記ｎ＝１７として、第１７片方材料はＧａＡｓを含み、第１７他方材料はＩｎＰを含み、
前記ｎ＝１８として、第１８片方材料はＧａＰを含み、第１８他方材料はＧａＰを含み、
前記ｎ＝１９として、第１９片方材料はＧｅを含み、第１９他方材料はＧｅを含み、
前記ｎ＝２０として、第２０片方材料はＩｎＧａＰを含み、第２０他方材料はＩｎＧａＰを含み、
前記ｎ＝２１として、前記第２１片方材料はＭｏを含み、第２１他方材料はＭｏまたはＷを含み、
前記ｎ＝２２として、第２２片方材料はＳｉＣを含み、第２２他方材料はＳｉＣを含み、
前記ｎ＝２３として、第２３片方材料はＳｉＮを含み、第２３他方材料はＳｉＮを含み、
前記ｎ＝２４として、第２４片方材料はＳｉＯＣを含み、第２４他方材料はＳｉＯＣを含み、
前記ｎ＝２５として、第２５片方材料はＳｉＯＮを含み、第２５他方材料はＳｉＯＮを含み、
前記ｎ＝２６として、第２６片方材料はＴａを含み、第２６他方材料はＴａを含み、
前記ｎ＝２７として、第２７片方材料はＴｉを含み、第２７他方材料はＴｉを含み、
前記ｎ＝２８として、第２８片方材料はＴｉＯ２を含み、第２８他方材料はＴｉＯ２を含み、
平面である第３面を有する第３基板を更に具備し、
前記第２基板は、前記第２面の反対側に、前記第３面と接合する平面である第４面をさらに有し、
前記第３面と前記第４面との接合において、前記第３面および前記第４面のうちのいずれか一方は、前記第ｎ片方材料を含み、他方は、前記第ｎ他方材料を含む
常温接合デバイス。
【請求項２】
複数の請求項１に記載の常温接合デバイスを具備し、
前記複数の常温接合デバイスの各々の第１基板は、前記複数の常温接合デバイスで共通で一体の第１ウェハであり、
前記複数の常温接合デバイスの各々の第２基板は、前記複数の常温接合デバイスで共通で一体の第２ウェハである
常温接合デバイスを有する接合ウェハ。
【請求項３】
真空容器と、前記真空容器内に設けられた第１保持機構と、前記真空容器内に設けられた第２保持機構と、前記真空容器に設けられ、活性化ビームを出射するビーム源と、前記真空容器に設けられた圧接機構とを具備する常温接合装置を準備する工程と、
第１基板を前記第１保持機構で保持し、第２基板を前記第２保持機構で保持する工程と、
前記第１基板および前記第２基板の被接合面に前記ビーム源で前記活性化ビームを照射する工程と、
前記活性化ビームを照射された前記第１基板および前記第２基板の前記被接合面を圧接機構で重ね合わせて接合する工程と、
前記第２基板および第３基板を常温接合する工程と
を具備し、
前記第１基板は平面である第１面を有し、
前記第２基板は前記第１面と接合する平面である第２面を有し、
前記第３基板は、平面である第３面を有し、
前記第２基板は、前記第２面の反対側に、前記第３面と接合する平面である第４面をさらに有し、
前記第１面と前記第２面との接合において、前記第１面および前記第２面のうちのいずれか一方は、第ｎ片方材料を含み、他方は、第ｎ他方材料を含み、前記ｎは１乃至２８のいずれかの整数であり、
前記ｎ＝１として、第１片方材料はＳｉを含み、第１他方材料はＳｉＯ２、石英、サファイア、ＬｉＮｂＯ３、ＳｉＮ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、Ａｇ、Ａｌ、ＡｌＮ、Ｇｅ、Ｌａ、ＭｇＯ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｗ、Ｃ、ＭｏおよびＹＡＧのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝２として、第２片方材料はＳｉＯ２を含み、第２他方材料はＬｉＮｂＯ３、サファイア、ＳｉＮ、ガラス、石英、ＬｉＴａＯ３、Ａｌ、Ｃ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＹＡＧ、ＧａＮ、ＡｇおよびＭｇＯのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝３として、第３片方材料はＧａＮを含み、第３他方材料はＡｌＮ、Ｇａ２Ｏ３、Ｍｏ、ＳｉＣ、サファイア、スピネル、Ｗ、ＳｉＮおよびＹＡＧのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝４として、第４片方材料はＬｉＴａＯ３を含み、第４他方材料はサファイア、ＳｉＮ、石英、ＬｉＮｂＯ３、ＺｎＯ、Ｃおよびスピネルのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝５として、第５片方材料はＬｉＮｂＯ３を含み、第５他方材料はＬｉＮｂＯ３、Ａｕ、Ｔｉ、ガラスおよび石英のグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝６として、第６片方材料はＣｕを含み、第６他方材料はＡｌ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ｔｉ、Ａｌ、ＣｒおよびＴａのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝７として、第７片方材料はガラスまたは石英を含み、第７他方材料は石英、ＲＩＧ、ＳｉＮおよびＭｇＯのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝８として、第８片方材料はサファイアを含み、第８他方材料はサファイア、ＹＡＧ、ＺｎＯ、ＲＩＧおよびＩＴＯのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝９として、第９片方材料はＹＡＧを含み、第９他方材料はＹＡＧ、Ａｌ、ＩＴＯおよびＺｎＯのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝１０として、第１０片方材料はＡｌを含み、第１０他方材料はＡｌＮおよびＧｅのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝１１として、第１１片方材料はＡｌＮを含み、第１１他方材料はＡｌＮ、ＳｉＣおよびＷのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝１２として、第１２片方材料はＡｕを含み、第１２他方材料はＡｕＳｎ、ＩｎＰおよびＡｌのグループのうちから選択される材料を含み、
前記ｎ＝１３として、第１３片方材料はＡｇを含み、第１３他方材料はＡｇを含み、
前記ｎ＝１４として、第１４片方材料はＡｌＣｕを含み、第１４他方材料はＡｌＣｕを含み、
前記ｎ＝１５として、第１５片方材料はＣを含み、第１５他方材料はＣを含み、
前記ｎ＝１６として、第１６片方材料はＣｒを含み、第１６他方材料はＣｒを含み、
前記ｎ＝１７として、第１７片方材料はＧａＡｓを含み、第１７他方材料はＩｎＰを含み、
前記ｎ＝１８として、第１８片方材料はＧａＰを含み、第１８他方材料はＧａＰを含み、
前記ｎ＝１９として、第１９片方材料はＧｅを含み、第１９他方材料はＧｅを含み、
前記ｎ＝２０として、第２０片方材料はＩｎＧａＰを含み、第２０他方材料はＩｎＧａＰを含み、
前記ｎ＝２１として、前記第２１片方材料はＭｏを含み、第２１他方材料はＭｏまたはＷを含み、
前記ｎ＝２２として、第２２片方材料はＳｉＣを含み、第２２他方材料はＳｉＣを含み、
前記ｎ＝２３として、第２３片方材料はＳｉＮを含み、第２３他方材料はＳｉＮを含み、
前記ｎ＝２４として、第２４片方材料はＳｉＯＣを含み、第２４他方材料はＳｉＯＣを含み、
前記ｎ＝２５として、第２５片方材料はＳｉＯＮを含み、第２５他方材料はＳｉＯＮを含み、
前記ｎ＝２６として、第２６片方材料はＴａを含み、第２６他方材料はＴａを含み、
前記ｎ＝２７として、第２７片方材料はＴｉを含み、第２７他方材料はＴｉを含み、
前記ｎ＝２８として、第２８片方材料はＴｉＯ２を含み、第２８他方材料はＴｉＯ２を含み、
前記第３面と前記第４面との接合において、前記第３面および前記第４面のうちのいずれか一方は、前記第ｎ片方材料を含み、他方は、前記第ｎ他方材料を含む
常温接合方法。
【請求項４】
前記第ｎ片方材料は、前記第ｎ他方材料とは異なる材料である
請求項３に記載の常温接合方法。