(57)【要約】  弾性波素子部分の電磁界結合を抑制し得る弾性波装置を提供する。  圧電基板４上に、第１の電極構造５及び第２の電極構造６が形成されており、第１の電極構造５及び第２の電極構造６により、それぞれ第１，第２の弾性波素子部分が構成されており、圧電基板４の電極形成面４ａ上において、第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分との間に、導電性材料からなるシールド用の第１のバンプ１７が設けられている、弾性波装置１。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられており、第１の弾性波素子部分を構成している第１の電極構造と、
前記圧電基板上に設けられており、第２の弾性波素子部分を構成している第２の電極構造と、
前記圧電基板上において、前記第１の弾性波素子部分と前記第２の弾性波素子部分との間に設けられており、導電性材料からなるシールド用の第１のバンプとを備える、弾性波装置。
【請求項２】
前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されており、外部と電気的に接続するための第２のバンプをさらに備える、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第１のバンプと、前記第２のバンプとが同じ材料からなる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１のバンプの高さが、前記第２のバンプの高さよりも低い、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第１のバンプの最大径が、前記第２のバンプの最大径よりも小さい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第１のバンプが、平面視した場合、長さ方向を有する形状とされている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記第１のバンプがグラウンド電位に接続される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記第２のバンプに接合されるように前記圧電基板に積層されているパッケージ基板をさらに備える、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記圧電基板上に少なくとも１つの第３の弾性波素子部分が構成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記第１の弾性波素子部分が受信フィルタ部であり、前記第２の弾性波素子部分が送信フィルタ部であり、デュプレクサが構成されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法であって、
圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に前記第１の電極構造及び前記第２の電極構造を形成する工程と、
前記圧電基板上に導電性材料からなる第１のバンプを、前記第１の弾性波素子部分と、前記第２の弾性波素子部分との間に設ける工程とを備える、弾性波装置の製造方法。
【請求項１２】
前記圧電基板上に前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されている第２のバンプを形成する工程をさらに備え、該第２のバンプの形成が、前記第１のバンプの形成と同時に行われる、請求項１１に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばデュプレクサなどの複数の弾性波素子部分が構成されている弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機のデュプレクサに弾性波装置が広く用いられている。例えば、下記の特許文献１には、同一圧電基板上に送信フィルタを構成する弾性波素子部分と、受信フィルタを構成する弾性波素子部分とが備えられているデュプレクサが開示されている。特許文献１では、送信フィルタ部分と、受信フィルタ部分との間にシールド電極が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−９８５５１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のデュプレクサでは、送信フィルタと、受信フィルタとの間にシールド電極が形成されている。それによって、送信フィルタと受信フィルタとの間の電磁界結合が抑制されている。それによってアイソレーション特性の改善が図られるとされている。【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のデュプレクサでは、上記シールド電極が設けられているものの、電磁界結合を十分に抑制することができず、アイソレーション特性はなお不十分であった。【０００６】
本発明の目的は、弾性波素子部分間の電磁界結合をより一層効果的に抑制することが可能とされている、弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、第１の電極構造と、第２の電極構造と、第１のバンプとを備える。第１の電極構造は、圧電基板上に設けられており、第１の弾性波素子部分を構成している。第２の電極構造は、圧電基板上に設けられており、第２の弾性波素子部分を構成している。第１のバンプは、圧電基板上において、第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分との間に設けられている。シールド用の第１のバンプは、導電性材料からなり、電磁シールド機能を果たす。【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されており、外部と電気的に接続するための第２のバンプをさらに備えられている。このように、シールド用の第１のバンプ以外に、バンプと電気的に接続するための第２のバンプがさらに備えられていてもよい。【０００９】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第１のバンプと、前記第２のバンプとが同じ材料からなる。【００１０】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のバンプの高さが、前記第２のバンプの高さよりも低い。【００１１】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１のバンプの最大径が、第２のバンプの最大径よりも小さい。【００１２】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のバンプが、平面視した場合、その長さ方向を有する形状とされている。この場合には、電磁シールド効果をより一層高めることができる。【００１３】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１のバンプがグラウンド電位に接続されるように構成されている。もっとも、第１のバンプは電気的に浮かされていてもよい。【００１４】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第２のバンプに接合されるように前記圧電基板に積層されているパッケージ基板をさらに備えられている。【００１５】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記圧電基板上に少なくとも１つの第３の弾性波素子部分が構成されている。【００１６】
本発明の弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の弾性波素子部分が受信フィルタ部であり、前記第２の弾性波素子部分が送信フィルタ部であり、デュプレクサが構成されている。【００１７】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、本発明に従って構成されている弾性波装置を製造する方法である。本発明の製造方法は、圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に前記第１の電極構造及び第２の電極構造を形成する工程と、前記圧電基板上に導電性材料からなる第１のバンプを、前記第１の弾性波素子部分と、前記第２の弾性波素子部分との間に設ける工程とを備える。【００１８】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記圧電基板上に前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されている第２のバンプを形成する工程がさらに備えられおり、該第２のバンプの形成が、前記第１のバンプの形成と同時に行われる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る弾性波装置では、第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分との間に、導電性材料からなるシールド用の第１のバンプが備えられており、第１のバンプが電極膜に比べて十分な高さを有する。従って、弾性波装置の第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分との間の電磁界結合を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の正面断面図であり、図１（ｂ）は、本実施形態の弾性波装置で用いられている弾性波素子チップの電極形成面を示す模式的平面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための各正面断面図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための正面断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の一例と比較例の弾性波装置のコモンモードアイソレーション特性を示す図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の他の例と比較例の弾性波装置のコモンモードアイソレーション特性を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置のさらに他の例と比較例の弾性波装置のコモンモードアイソレーション特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２２】
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。また、図１（ｂ）は、本実施形態の弾性波装置１で用いられている弾性波素子チップの下面の電極構造を示す平面図である。
【００２３】
本実施形態の弾性波装置１は、携帯電話機のデュプレクサとして用いられるものである。
【００２４】
弾性波装置１は、パッケージ基板２を有する。パッケージ基板２は、アルミナなどの適宜の絶縁性セラミックスまたは合成樹脂などにより形成することができる。パッケージ基板２の上面に、弾性波素子チップ３がフリップチップボンディング（ＦＣＢ）工法により実装されている。弾性波素子チップ３は、圧電基板４を有する。圧電基板４は、ＬｉＴａＯ３またはＬｉＮｂＯ３などの圧電単結晶、あるいは圧電セラミックスにより構成され得る。
【００２５】
圧電基板４の下面が電極形成面４ａである。図１（ｂ）は、この電極形成面４ａ上の電極構造を示す模式的平面図である。すなわち、電極形成面４ａ上には、第１の電極構造５と第２の電極構造６とが形成されている。第１の電極構造５は、デュプレクサの送信フィルタを構成している。図１（ｂ）では、第１の電極構造５はその詳細を図示していないが、弾性波表面波共振子を複数用いたラダー型フィルタにより構成されている。上記ラダー型フィルタの回路は周知のラダー型フィルタに従って構成することができる。
【００２６】
なお、図１（ａ）では、第１の電極構造５に含まれている１つのＩＤＴ電極５ａの一部が略図的に示されている。
【００２７】
第１の電極構造５に電気的に接続されるように、電極形成面４ａ上に、電極ランド７〜１０が形成されている。電極ランド７〜１０上に第２のバンプ１１がそれぞれ設けられている。
【００２８】
他方、第２の電極構造６は、デュプレクサの受信フィルタを構成している。この受信フィルタは、縦結合共振子型の弾性波フィルタを用いた回路構成を有する。図１（ｂ）では、第２の電極構造６の詳細は図示していないが、周知の縦結合共振子型の弾性波フィルタ装置に従って構成することができる。
【００２９】
なお、図１（ａ）では、上記第２の電極構造６に含まれている縦結合共振子型弾性波フィルタの一部のＩＤＴ電極６ａが図示されている。
【００３０】
上記第２の電極構造６に電気的に接続されるように電極ランド１２〜１４，１６が形成されている。電極ランド１２〜１４，１６上に第２のバンプ１５，２０がそれぞれ設けられている。
【００３１】
上記のように、本実施形態では、弾性波素子チップ３において、電極形成面４ａ上に第１の弾性波素子部分としての送信フィルタと、第２の弾性波素子部分としての受信フィルタが構成されている。
【００３２】
本実施形態の特徴は、第１の電極構造５と第２の電極構造６との間、すなわち第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分との間に、第１のバンプ１７が複数設けられていることになる。第１のバンプ１７は、Ａｕ、Ａｇなどの適宜の導電性材料からなる。好ましくは、前述した第２のバンプ１１，１５，２０と同じ金属材料により第１のバンプ１７が形成される。その場合には、第２のバンプ１１，１５，２０と第１のバンプ１７とを同じ材料を用いて形成し得るので、コストを低減することができる。また、同時に形成することができるため、それによってもコストを低減することができる。
【００３３】
なお、図１（ａ）及び（ｂ）で示すように、上記第１のバンプ１７は、上記電極ランド１６上に設けられている。電極ランド１６は、他の電極ランド１２〜１４と同じく適宜の金属膜により構成されている。さらに図１（ａ）で示すように、上記金属膜からなる電極ランド１６上にパッド層１６ａ，１６ｂが積層されている。パッド層１６ｂ，１６ａ上に上記第１のバンプ１７及び第２のバンプ２０がそれぞれ設けられている。
【００３４】
上記第１のバンプ１７は、電極膜すなわち金属膜に比べて十分な高さを有し、パッケージ基板２の電極ランド２３に接合されている。パッケージ基板２と弾性波素子チップ３の間の中空部の高さ方向に導電性材料からなる第１のバンプ１７で覆う構成であるので、第１の電極構造５と、第２の電極構造６との間の電磁界結合を効果的に抑制することができる。
【００３５】
特に、複数の第１のバンプ１７が第１，第２の電極構造５，６を結ぶ方向と直交する方向に延びる直線上に分散配置されている場合、例えば、複数の第１のバンプ１７が第１の電極構造５と第２の電極構造６との間に挟まれた圧電基板４上に配置されている場合、第１の電極構造５と第２の電極構造６との間の電磁界結合をより効果的に抑制することが可能とされている。例えば、複数の第１のバンプ１７は、図１（ｂ）に示した直線上に並んで配置されてもよい。もっとも、複数の第１のバンプ１７の配置は上記配置に限らず、曲線を成すように配置されてもよく、少なくとも一部が連続し結合して配置されてもよい。
【００３６】
また、図１（ｂ）に示すように、圧電基板４を平面視した場合に、バンプ１７Ａの形状を一点鎖線で示す線状のバンプ１７Ａとしてもよい。線状のバンプ１７Ａは前述した第１の電極構造５と、第２の電極構造６との間の領域の全長に至るように、但し他の電位に接続される電極ランド７〜１６に接触しないように設けることが好ましい。上記のように、バンプ１７Ａのように、線状すなわち長手方向を有する形状とすることが望ましい。それによって、バンプ１７間の空隙からの電磁界の伝搬を抑制できるため、電磁界結合をより一層効果的に抑制することができる。
【００３７】
なお、線状のバンプ１７Ａの平面形状は、直線状に限らず、第１，第２の電極構造が配置される形状に応じて、屈折した形状、曲線状の形状であってもよい。
【００３８】
ここで、図１（ａ）に示すように、電極ランド７，８上には、パッド層７ａ，８ａが設けられてもよい。
【００３９】
また、電極ランド１２，１６上にパッド層１２ａ，１６ａ，１６ｂが設けられてもよい。
【００４０】
図１（ａ）に示すように、電極形成面４ａがパッケージ基板２に対向するようにして、弾性波素子チップ３がパッケージ基板２に搭載されている。パッケージ基板２の上面には、電極ランド２１〜２５が形成されている。電極ランド２１，２２，２４，２５に第２のバンプ１１または第２のバンプ１５，２０が接合されている。他方、電極ランド２３に第１のバンプ１７が接合されている。従って、シールド用の第１のバンプ１７を用いて、弾性波素子チップ３がパッケージ基板２に強固に接合されている。よって、接合強度を高めることができる。
【００４１】
もっとも、弾性波素子チップ３をパッケージ基板２に容易にかつ確実に接合するには、電極形成面４ａを平面視する方向において、電極形成面４ａを基準にした第２のバンプ１１，１５の高さに比べ、第１のバンプ１７の高さが低いことが望ましい。第１のバンプ１７の高さが第２のバンプ１１，１５の高さよりも高いと、弾性波素子チップ３をパッケージ基板２に接合する工程で、第１のバンプ１７とパッケージ基板２との接触により、第２のバンプ１１，１５とパッケージ基板２との電気的接続を果し得ない部分が生じるおそれがある。これに対して、第１のバンプ１７の高さが相対的に低ければ、第２のバンプ１１，１５による電気的接続及び機械的接合を確実に果すことができる。
【００４２】
また、図１（ｂ）に模式的に示すように、第１のバンプ１７及び第２のバンプ１１，１５の平面形状すなわち電極形成面４ａと平行にバンプを切断した横断面の形状が略円形である場合、バンプの最大径を最大面積となるバンプの横断面に外接する円の直径とすると、第１のバンプ１７の最大径は第２のバンプ１１，１５の最大径よりも小さいことが望ましい。その場合には、第１のバンプ１７が複数連ねられている部分の面積を小さくすることができ、小型化を図ることができる。また、はんだにより略球形である第１及び第２のバンプを形成した場合、はんだ量に差異をつける手段などにより第１のバンプ及び第２のバンプが上記最大径の関係で構成されれば、第１のバンプ１７の高さを第２のバンプの高さより低くすることが容易となる。なお、隣り合う複数のバンプが互いに接合されて形成される場合、接合前のバンプの最大径と、接合方向に直角な方向であって電極形成面４ａと平行な方向におけるバンプの接合体の最大幅とのいずれかの値が大きい方をバンプの最大径とする。
【００４３】
また、本実施形態では、電極ランド１６は、第２の電極構造６のグラウンド電位に接続される部分にも電気的に接続されている。そのために、電極ランド１６が、グラウンド電位に接続される第２のバンプ２０に電気的に接続されている。電極ランド１６上に設けられているバンプ２０は、パッケージ基板２上に設けられており、かつアース電位に接続される電極ランド２４に電気的に接続される。
【００４４】
よって、本実施形態では、第１のバンプ１７はグラウンド電位に電気的に接続されるように構成されている。このように、複数の第１のバンプ１７をグラウンド電位に電気的に接続することにより、シールド効果をより効果的に高めることができる。もっとも、本発明においては、第１のバンプは、グラウンド電位に電気的に接続される必要は必ずしもない。すなわち、第１のバンプ１７はグラウンド電位に接続されない浮き電極として形成されていてもよい。
【００４５】
図１（ａ）に示すように、弾性波装置１では、上記パッケージ基板２上の弾性波素子チップ３を覆うように樹脂外装２７が設けられている。樹脂外装２７はアクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂などの適宜の合成樹脂により形成することができる。樹脂外装２７を形成することにより、弾性波装置の耐湿性等を高めることができる。
【００４６】
なお、上記実施形態では、第１のバンプ１７に加え、第２のバンプ１１，１５，２０が設けられ、第２のバンプ１１，１５，２０により弾性波素子チップ３と外部との電気的接続が図られていた。もっとも、本発明においては、上記第２のバンプ１１，１５，２０は設けられずともよい。すなわち、ボンディングワイヤーなどにより弾性波素子チップ３の第１，第２の電極構造５，６を外部と電気的に接続してもよい。すなわち、第１，第２の電極構造５，６間に第１のバンプ１７がシールド用バンプとして設けられておりさえすればよい。
【００４７】
また、上記実施形態の弾性波装置１は、デュプレクサ２に応用した例であるが、本発明はデュプレクサに限定されるものではない。すなわち、本発明は、圧電基板上に第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分とが構成されている弾性波装置に広く適用することができる。また、第１の弾性波素子部分と第２の弾性波素子部分以外に、さらに少なくとも１つの第３の弾性波素子部分が圧電基板上に構成されていてもよい。
【００４８】
また、上記第１の弾性波素子部分及び第２の弾性波素子部分は、帯域フィルタを構成するものに限らず、弾性波共振子や弾性波遅延線などの他の弾性波素子部分を構成するものであってもよい。
【００４９】
次に、上記弾性波装置１の製造方法の一例を図２及び図３を参照して説明する。
【００５０】
まず、図２（ａ）で示すように、圧電基板４上に、第１，第２の電極構造５，６及び電極ランド７，８，１２，１６を形成する。なお、図２（ａ）では、図１（ａ）と同様に、図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う部分のみが示されている。
【００５１】
次に、図２（ｂ）に示すように、上記電極ランド７，８，１２，１６上に、電極とバンプとの接合強度を強くする、あるいは配線抵抗を低くするなどの効果を得るために、パッド層７ａ，８ａ，１２ａ，１６ａ，１６ｂを形成する。
【００５２】
上記第１，第２の電極構造５，６及び電極ランド７，８，１２，１６並びにパッド層７ａ，８ａ，１２ａ，１６ａ，１６ｂの形成方法は特に限定されない。蒸着、めっき、スパッタリングなどの適宜の方法により行い得る。またパターニング法としても、フォトリソグラフィを用いた方法、適宜のエッチング方法などの様々な方法を用いることができる。
【００５３】
図２（ｃ）に示すように、パッド層７ａ，８ａ，１２ａ，１６ａ，１６ｂ上に第２のバンプ１１，１５，２０または第１のバンプ１７を形成する。これらの第２のバンプについては、本実施形態では、互いに同じ金属材料からなる。従って、図２（ｃ）に示す、第１のバンプ１７と、第２のバンプ１１，１５，２０は同じ工程で同時に形成することができる。なお、図２（ｃ）では、圧電基板４を平面視する方向において、第１のバンプ１７の高さが第２のバンプ１１，１５，２０の高さよりも低くされている。
【００５４】
なお、図２（ｃ）までの段階は、マザーの圧電基板上において行われる。従って、図２（ｄ）に示すように、マザーの圧電基板を個々の圧電基板４単位になるように破線Ｃ，Ｃに沿って切断する。このようにして、１個の弾性波装置１に用いられる圧電基板４と、圧電基板４上の電極構造等を形成することができる。
【００５５】
しかる後、図３に示すように、上記のようにして得られた弾性波素子チップ３をフリップチップボンディング工法によりパッケージ基板２に実装する。最後に、弾性波素子チップ３を覆うように樹脂外装２７を形成する。このようにして、弾性波装置１を得ることができる。
【００５６】
図４〜図６は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置及び比較例の弾性波装置のコモンモードアイソレーション特性を示す図である。
【００５７】
図４では、第１の実施形態において第１のバンプの最大径を７０μｍとし、複数の第１のバンプを連続的に形成した。すなわち、隣り合う複数の第１のバンプを隙間なく連続するように形成した。すなわち、隣り合う第１のバンプ間の隙間の第１のバンプの最大径に対する比率を０．００とした。比較例は第１のバンプを形成しなかったことを除いては実施形態と同様とした。図４の破線が実施形態の結果を、実線が比較例の結果を示す。
【００５８】
図４から明らかなように、上記実施形態によれば、比較例に比べ、コモンモードアイソレーション特性を飛躍的に改善し得ることがわかる。
【００５９】
図５では、隣り合う第１のバンプ間の間隔を３０μｍとして、最大径７０μｍの複数の第１のバンプが互いに隙間を有するようにして連続的に形成した。すなわち、互いに隣り合う第１のバンプ間の隙間の第１のバンプの最大径に対する比率を０．４３とした。比較例では、第１のバンプを設けなかったことを除いては、上記実施形態と同様とした。
【００６０】
図５の破線に示す特性では、図４に示す破線の特性に比べ減衰量は小さくなっている。しかしながら、図５の破線に示す特性から明らかなように、第１のバンプの間隔が３０μｍの場合においても、比較例に比べれば、コモンモードアイソレーション特性を大幅に改善し得ることがわかる。
【００６１】
図６の破線は隣り合う第１のバンプ間の間隔を５０μｍとして、最大径７０μｍの第１のバンプを連続的に形成した実施形態のコモンモードアイソレーション特性を示す。すなわち、隣り合う第１のバンプ間の隙間の第１のバンプの最大径に対する比率を０．７１とした。実線は、第１のバンプの形成を省略したことを除いては実施形態と同様とされた比較例のコモンモードアイソレーション特性を示す。図６の破線で示す特性は、図５に示した間隔３０μｍの場合の実施形態のコモンモードアイソレーション特性に比べ減衰量は小さくなっている。しかしながら、第１のバンプの間隔が５０μｍの場合においても、本実施形態によれば比較例に比べ、コモンモードアイソレーション特性を大幅に改善し得ることがわかる。
【００６２】
なお、本実施形態では、第１のバンプ１７の高さが第２のバンプ１１，１５，２０の高さよりも低くされているが、第１のバンプをはんだにて形成する場合は、第１のバンプは接合に際し加熱され、溶融する。しかる後、冷えて固化する。また、第１のバンプをＡｕ，Ａｇ、Ｃｕなどを主成分とする金属で形成する場合は、フリップチップボンディングに、加圧によって第２のバンプがパッケージ基板２の電極ランドと接合しながらつぶれたあとに、第１のバンプ１７もパッケージ基板２側の電極ランド２４に接する。その結果、いずれの場合においても、図１（ａ）及び図３に示すように、第１のバンプ１７もまた、パッケージ基板２側の電極ランド２４に接合されている。すなわち、本実施形態では、第１のバンプ１７の高さは、第２のバンプ１１，１５，２０による接合を阻害しないように、但し第１のバンプ１７も接合機能を果たすように、第２のバンプ１１，１５，２０の高さより若干低くされている。
【００６３】
なお、バンプの材料、形状に応じて、フリップチップボンディング前において、第１のバンプ１７の高さは、第２のバンプ１１、１５、２０の高さの５０〜８０％程度とすればよい。ＦＣＢ工法前において、第１のバンプの高さを第２のバンプより低くすることにより、ボンディング後の第１のバンプとパッケージ基板側の電極ランドとの接合面積、および、第１のバンプの電極形成面４ａにおける専有面積の増加量を小さくできる。従って、弾性波装置の小型化に有利である。
【００６４】
上記の実施形態の第２のバンプまたは第１のバンプとしては、加圧した状態で超音波振動を印加してパッケージ基板側の電極ランドに接合される適宜の金属を用い得る。Ａｕ，Ａｇ、Ｃｕなどを主成分とするバンプを用いることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１…弾性波装置
２…パッケージ基板
３…弾性波素子チップ
４…圧電基板
４ａ…電極形成面
５…第１の電極構造
５ａ，６ａ…ＩＤＴ電極
６…第２の電極構造
７〜１０，１２〜１４，１６，２１〜２５…電極ランド
７ａ，８ａ，１２ａ，１６ａ，１６ｂ…パッド層
１１，１５，２０…第２のバンプ
１７…第１のバンプ
１７Ａ…バンプ
２７…樹脂外装
【図１】
2014050450.tif 000003
【図２】
2014050450.tif 000004
【図３】
2014050450.tif 000005
【図４】
2014050450.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年7月14日(2015.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられており、第１の弾性波素子部分を構成している第１の電極構造と、
前記圧電基板上に設けられており、第２の弾性波素子部分を構成している第２の電極構造と、
前記圧電基板上において、前記第１の弾性波素子部分と前記第２の弾性波素子部分との間に設けられており、導電性材料からなるシールド用の第１のバンプと、
前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されており、外部と電気的に接続するための第２のバンプとを備え、
前記第１のバンプの高さが、前記第２のバンプの高さよりも低い、弾性波装置。
【請求項２】
前記第１のバンプの最大径が、前記第２のバンプの最大径よりも小さい、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられており、第１の弾性波素子部分を構成している第１の電極構造と、
前記圧電基板上に設けられており、第２の弾性波素子部分を構成している第２の電極構造と、
前記圧電基板上において、前記第１の弾性波素子部分と前記第２の弾性波素子部分との間に設けられており、導電性材料からなるシールド用の第１のバンプと、
前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されており、外部と電気的に接続するための第２のバンプとを備え、
前記第１のバンプの最大径が、前記第２のバンプの最大径よりも小さい、弾性波装置。
【請求項４】
前記第１のバンプと、前記第２のバンプとが同じ材料からなる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第１のバンプが、平面視した場合、長さ方向を有する形状とされている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第１のバンプがグラウンド電位に接続される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記第２のバンプに接合されるように前記圧電基板に積層されているパッケージ基板をさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記圧電基板上に少なくとも１つの第３の弾性波素子部分が構成されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記第１の弾性波素子部分が受信フィルタ部であり、前記第２の弾性波素子部分が送信フィルタ部であり、デュプレクサが構成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法であって、
圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に前記第１の電極構造及び前記第２の電極構造を形成する工程と、
前記圧電基板上に導電性材料からなる第１のバンプを、前記第１の弾性波素子部分と、前記第２の弾性波素子部分との間に設ける工程と、
前記圧電基板上に前記第１の電極構造または前記第２の電極構造に電気的に接続されている第２のバンプを形成する工程とを備える、弾性波装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２のバンプの形成が、前記第１のバンプの形成と同時に行われる、請求項１０に記載の弾性波装置の製造方法。
【国際調査報告】
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