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【手続補正書】
【提出日】平成27年2月6日(2015.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（２）の機械的な応力を検出するための応力センサ（１）であって、該応力センサは該半導体チップ（２）の作動面（３）において一体化される、４つの抵抗Ｒ１からＲ４を含み、該４つの抵抗Ｒ１からＲ４は、ホイートストンブリッジを形成し、該抵抗Ｒ１及びＲ２は直列に接続され、該抵抗Ｒ３及びＲ４は、該抵抗Ｒ１及びＲ２と平行して直列に接続され、該抵抗Ｒ１及びＲ３は共通のノード（４）を有し、該抵抗Ｒ２及びＲ４は共通のノード（５）を有し、該抵抗Ｒ１及びＲ４はｐ型抵抗であり、該抵抗Ｒ２及びＲ３はｎ型抵抗であり、前記ｎ型抵抗Ｒ２及びＲ３の各々が、互いに直接又は電気導体経由で接続される長方形の抵抗セクション（１３．１から１３．５）から構成され、該抵抗セクション（１３．１から１３．５）の各々は、前記半導体チップ（２）の前記作動面（３）によって定められる平面（ｘｙ）において所定の配向性を有し、第１の配向性を有しかつ同じ該抵抗Ｒ２又はＲ３に属するすべての該抵抗セクションの抵抗値の合計と、第１の配向性に９０°回転する第２の配向性を有しかつさらに同じ該抵抗Ｒ２又はＲ３に属するすべての該抵抗セクションの抵抗値の合計とが、同じ公称値を有することにおいて特徴付けられる、応力センサ（１）。
【請求項２】
前記ｐ型抵抗Ｒ１及びＲ４の各々が、互いに直接又は電気導体経由で接続される長方形の抵抗セクションから構成され、該抵抗セクションの各々は、前記半導体チップの前記作動面によって定められる平面において所定の配向性を有し、第１の配向性を有しかつ同じ該抵抗Ｒ１又はＲ４に属するすべての該抵抗セクションの抵抗値の合計と、第１の配向性に９０°回転する第２の配向性を有しかつさらに同じ該抵抗Ｒ１又はＲ４に属するすべての該抵抗セクションの抵抗値の合計とが、同じ公称値を有することにおいて特徴付けられる、請求項１記載の応力センサ（１）。
【請求項３】
前記ｎ型抵抗Ｒ２及びＲ３の抵抗部分と、前記ｐ型抵抗Ｒ１及びＲ４の抵抗部分とは、４５°又は−４５°の角度を囲むことにおいて特徴付けられる、請求項１または２記載の応力センサ（１）。
【請求項４】
前記ｐ型抵抗Ｒ１及びＲ４の各々は、前記半導体チップ（２）の端に関して４５°又は−４５°で回転する長方形の抵抗であることにおいて特徴付けられる、請求項３記載の応力センサ（１）。
【請求項５】
基材（１００）はシリコンであり、前記半導体チップ（２）の端は＜１１０＞結晶方向に平行して直角に延長し、前記ｎ型抵抗Ｒ２及びＲ３の前記抵抗セクションは＜１１０＞結晶方向に平行して直角に延長し、前記ｐ型抵抗Ｒ１及びＲ４の前記抵抗セクションは＜１００＞結晶方向に平行して直角に延長することにおいて特徴付けられる、請求項３記載の応力センサ（１）。
【請求項６】
前記抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の各々は、前記半導体チップ（２）の端に関して４５°又は−４５°回転する長方形の抵抗であることにおいて特徴付けられる、請求項１記載の応力センサ（１）。
【請求項７】
前記ｎ型抵抗Ｒ２及びＲ３は、該ｎ型抵抗Ｒ２及びＲ３の応力に依存した抵抗変化の温度ドリフトがピエゾ・ホール温度係数と等しいように結合される比較的重度ドープした及び比較的軽度ドープした半導体材料を含むことにおいて特徴付けられる、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の応力センサ（１）。
【請求項８】
前記ｐ型抵抗Ｒ１及びＲ４は、比較的重度ドープした及び比較的軽度ドープした半導体材料を含み、これらの該半導体材料は、該ｐ型抵抗Ｒ１及びＲ４の応力から独立した抵抗変化の温度ドリフトが前記ｎ型抵抗Ｒ２及びＲ３の応力から独立した抵抗変化の温度ドリフトと等しいように結合されていることにおいて特徴付けられる、請求項７記載の応力センサ（１）。
【請求項９】
少なくとも１つのホール素子（１５）と、請求項１から８のいずれかに記載の少なくとも１つの応力センサ（１）とを含むホールセンサであって、少なくとも１つの該応力センサの出力信号は、該少なくとも１つのホール素子（１５）の出力信号の応力の補正に使われる、ホールセンサ。
【請求項１０】
電流を少なくとも１つの前記ホール素子（１５）に適用するための少なくとも２つの電流源（２１、２２、２３、２４）により特徴付けられ、前記応力センサ（１）の出力信号は、少なくとも２つの該電流源の１つを制御する、請求項９記載のホールセンサ。
【請求項１１】
互いに直角に延長している２つの軸に沿って配置される少なくとも５つの応力センサが提供され、単一の出力信号が、少なくとも１つの前記ホール素子（１５）の出力信号を応力補正するため、該応力センサの出力信号から形成されることにおいて特徴付けられる、請求項９又は請求項１０記載のホールセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月18日(2015.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層と、
光を透過可能に前記基材層の表面に沿って並列される光硬化型樹脂からなる光透過部、及び並列された前記光透過部間に形成され、三方を前記光硬化型樹脂により囲まれた凹部に光を吸収可能に設けられる光吸収部と、を備える光学シートであって、
シート厚さ方向断面において、前記光透過部は台形であり、前記光吸収部は、三角形、又は台形とされ、
前記断面において、隣り合う前記光吸収部の対向する線の端部同士を結ぶ線のうち前記光透過部の対角線に相当する線と、シート面法線と、のなす角を見込み角としたとき、前記見込み角が１５度以上３０度以下であるとともに、
隣り合う前記光透過部間のピッチをｐとし、前記光吸収部のうち前記ピッチの方向で最も大きい部位の幅をｃとしたとき、
（ｐ−ｃ）／ｐ
で表わされる開口率が０．６７以上０．８５以下である、光学シート。
【請求項２】
前記光吸収部の幅ｃが５μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光学シート。
【請求項３】
前記光透過部間のピッチｐが３０μｍ以上５０μｍ未満であることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学シート。
【請求項４】
観察者側に映像を出射可能に形成された映像表示装置であって、
映像光源と、該映像光源より観察者側に備えられる光学シートとを備え、
前記光学シートは、基材層と、光を透過可能に前記基材層の表面に沿って並列される光硬化型樹脂からなる光透過部、及び並列された前記光透過部間に形成され、三方を前記光硬化型樹脂により囲まれた凹部に光を吸収可能に設けられる光吸収部と、を具備し、
前記光透過部は、前記光学シートの厚さ方向断面において、台形であり、前記光吸収部は、三角形、又は台形とされ、
前記断面において、隣り合う前記光吸収部の対向する線の端部同士を結ぶ線のうち前記光透過部の対角線に相当する線と、シート面法線と、のなす角を見込み角としたとき、前記見込み角が１５度以上３０度以下であるとともに、
隣り合う前記光透過部間のピッチをｐとし、前記光吸収部のうち前記ピッチの方向で最も大きい部位の幅をｃとしたとき、
（ｐ−ｃ）／ｐ
で表わされる開口率が０．６７以上０．８５以下である、映像表示装置。
【請求項５】
前記光吸収部の幅ｃが５μｍ以上１５μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の映像表示装置。
【請求項６】
前記光透過部間のピッチｐが３０μｍ以上５０μｍ未満であることを特徴とする請求項４又は５に記載の映像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、基材層（１１）と、光を透過可能に基材層の表面に沿って並列される光硬化型樹脂からなる光透過部（１３）、及び並列された光透過部間に形成され、三方を光硬化型樹脂により囲まれた凹部に光を吸収可能に設けられる光吸収部（１４）と、を備える光学シート（１０）であって、シート厚さ方向断面において、光透過部は台形であり、光吸収部は、三角形、又は台形とされ、断面において、隣り合う光吸収部の対向する線の端部同士を結ぶ線のうち光透過部の対角線に相当する線と、シート面法線と、のなす角を見込み角（ａ）としたとき、見込み角が１５度以上３０度以下であるとともに、隣り合う光透過部間のピッチをｐとし、光吸収部のうちピッチの方向で最も大きい部位の幅をｃとしたとき、
（ｐ−ｃ）／ｐ
で表わされる開口率が０．６７以上０．８５以下である、光学シートである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４に記載の発明は、観察者側に映像を出射可能に形成された映像表示装置（１）であって、映像光源（５）と、該映像光源より観察者側に備えられる光学シート（１０）とを備え、光学シートは、基材層（１１）と、光を透過可能に基材層の表面に沿って並列される光硬化型樹脂からなる光透過部（１３）、及び並列された光透過部間に形成され、三方を光硬化型樹脂により囲まれた凹部に光を吸収可能に設けられる光吸収部（１４）と、を具備し、光透過部は、光学シートの厚さ方向断面において、台形であり、光吸収部は、三角形、又は台形とされ、断面において、隣り合う光吸収部の対向する線の端部同士を結ぶ線のうち光透過部の対角線に相当する線と、シート面法線と、のなす角を見込み角（ａ）としたとき、見込み角が１５度以上３０度以下であるとともに、隣り合う光透過部間のピッチをｐとし、光吸収部のうちピッチの方向で最も大きい部位の幅をｃとしたとき、
（ｐ−ｃ）／ｐ
で表わされる開口率（Ｒ）が０．６７以上０．８５以下である、映像表示装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月27日(2015.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長手軸を有する継手本体であって：
導管端ソケットであって、該導管端ソケットの軸方向内部端に肩部を、そして該導管端ソケットの軸方向外側端に端面を備える導管端ソケットを備え、該導管端ソケットが：
該肩部と該端面との間で軸方向に延びる内部壁であって、該肩部が該長手軸に対して半径方向線上に延び、該内部壁の表面が導管端捕捉面、フェルールカム作用面、および該導管端捕捉面から該フェルールカム作用面まで延びる先細の壁面を備え、該先細の壁面が、該軸方向外側端に向かって半径方向の外方方向に先細であり、該該先細の壁面が該導管端捕捉面に隣接している、継手本体。
【請求項２】
前記導管端捕捉面が前記長手軸に対して第１の角度で先細であり、そして前記フェルールカム作用面が該長手軸に対して第２の角度で先細であり、該第１の角度と該第２の角度が互いに異なる、請求項１に記載の継手本体。
【請求項３】
前記導管端捕捉面がほぼ４度の角度で先細であり、そして前記フェルールカム作用面がほぼ２０度の角度で先細である、請求項２に記載の継手本体。
【請求項４】
前記導管端捕捉面および前記フェルールカム作用面および前記先細の壁面が、円錐台形である、請求項１に記載の継手本体。
【請求項５】
前記導管端捕捉面が第１の角度で先細であり、前記先細の壁面が第２の角度で先細であり、そして前記フェルールカム作用面が第３の角度で先細である、請求項１に記載の継手本体。
【請求項６】
前記第１の角度、前記第２の角度および前記第３の角度がすべて互いに異なる、請求項５に記載の継手本体。
【請求項７】
前記第１の角度がほぼ４度であり、前記第２の角度がほぼ５０分〜ほぼ１度５０分、そして前記第３の角度がほぼ２０度である、請求項５に記載の継手本体。
【請求項８】
前記導管端捕捉面および前記フェルールカム作用面が、前記軸方向外側端に向かって半径方向の外方方向に先細である、請求項１に記載の継手本体。
【請求項９】
前記先細の壁面が、前記導管捕捉面および前記フェルールカム作用面と不連続である、請求項１に記載の継手本体。
【請求項１０】
前記先細の壁面が、ほぼ５０分〜ほぼ１度５０分の範囲である角度で先細である、請求項１に記載の継手本体。
【請求項１１】
ドライブナットとの組み合わせのために適合された請求項１に記載の継手本体であって、前記継手本体が前記ドライブナットと接合されるように適合されている、継手本体。
【請求項１２】
前フェルールおよび後フェルールとの組み合わせのために適合されている、請求項１または１１に記載の継手本体。
【請求項１３】
前記継手本体が雄ネジ付き本体を備え、前記ドライブナットが雌ネジ付きナットを備える、請求項１１に記載の継手本体。
【請求項１４】
前フェルールおよび後フェルールとの組み合わせのために適合されている請求項１または１１に記載の継手本体であって、前記継手本体、前記ドライブナットおよび該前フェルールおよび該後フェルールがすべてステンレス鋼を含む、継手本体。
【請求項１５】
ドライブナットとの組み合わせのために適合されている請求項１に記載の継手本体であって、導管継手、および前記導管端ソケット中に挿入され得る導管端を形成し、該導管端の端部分が本締め前の手締めした状態で前記導管捕捉面と接触し、該導管継手の締め付けの間に該導管端の部分が前記先細の壁面との接触に半径方向に転置される、継手本体。
【請求項１６】
前記導管継手の締め付けが終了した後、前記導管端の部分が、分解の際に前記継手本体を該導管端から分離するための該導管端に対する弾性反力の軸方向成分で、前記先細の壁面との接触に半径方向に転置される、請求項１５に記載の継手本体。
【請求項１７】
前記前フェルールが、丸い前端を備える、請求項１６に記載の継手本体。
【請求項１８】
継手アセンブリであって：請求項１に記載の継手本体；および継手アセンブリが手締め位置にあるとき、前記導管捕捉面と軸方向に整列し、かつ該導管捕捉面と接触する部分を有する導管端を備え；ここで、該継手アセンブリが締め付けられるとき、該導管端の部分が前記先細の壁面と接触する、継手アセンブリ。
【請求項１９】
締め付けの間に、前記導管端が、該導管端と前記先細の壁面との間の弾性反力の軸方向成分で該先細の壁面と接触し、前記継手アセンブリが緩められるとき、該弾性反力の軸方向成分が、該導管端を該先細の壁面から分離することを支援する、請求項１８に記載の継手アセンブリ。
【請求項２０】
前記導管端が金属を含む、請求項１９に記載の継手アセンブリ。
【請求項２１】
前記本体および前記導管端がステンレス鋼を含む、請求項２０に記載の継手アセンブリ。
【請求項２２】
明細書に記載の発明。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月21日(2015.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボイラで燃焼された排ガスを排出する経路から分岐し、スクラバーを介して、イナートガスとして原油タンクに流通させる第１経路と、
前記原油タンクから発生したＶＯＣガスを前記ボイラの火炉内または前記ボイラの点火装置であるバーナに流通させる第２経路と、
前記第１経路の前記スクラバーより下流側と、前記第２経路とを接続する第３経路とを備え、
前記原油タンクからのＶＯＣガスの発生量が所定値以下の場合に、前記第３経路に前記イナートガスを流通させて、前記ボイラの火炉内または前記バーナに前記イナートガスを供給させることを特徴とする排ガス再循環システム。
【請求項２】
前記スクラバーは、前記イナートガスを８０℃以下程度の温度に低下させることを特徴とする請求項１に記載の排ガス再循環システム。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の排ガス再循環システムを備える船用ボイラ。
【請求項４】
原油タンクからのＶＯＣガスの発生量が所定値以下の場合に、ボイラで発生した排ガス中のイナートガスであって洗浄後のイナートガスを、前記ボイラの火炉内または前記ボイラの点火装置であるバーナに流通させる排ガス再循環方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
本発明は、ボイラで燃焼された排ガスを排出する経路から分岐し、スクラバーを介して、イナートガスとして原油タンクに流通させる第１経路と、前記原油タンクから発生したＶＯＣガスを前記ボイラの火炉内または前記ボイラの点火装置であるバーナに流通させる第２経路と、前記第１経路の前記スクラバーより下流側と、前記第２経路とを接続する第３経路とを備え、前記原油タンクからのＶＯＣガスの発生量が所定値以下の場合に、前記第３経路に前記イナートガスを流通させて、前記ボイラの火炉内または前記バーナに前記イナートガスを供給させることを特徴とする排ガス再循環システムを提供する。
上記排ガス再循環システムの前記スクラバーは、前記イナートガスを８０℃以下程度の温度に低下させてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月28日(2015.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層に酸化グラフェンを含む層を形成し、
前記第１の導電層、及び前記第１の導電層の対極である第２の導電層を浸漬した電解液中で、
前記酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を前記第１の導電層に供給し、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンを生成することを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層に供給する電位は、リチウムの酸化還元電位を基準にして、１．６Ｖ以上２．４Ｖ以下にすることを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記電解液は、非プロトン性有機溶媒を用いることを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項４】
第１の導電層に酸化グラフェンを含む層を形成し、
前記第１の導電層、及び前記第１の導電層の対極である第２の導電層を浸漬した電解液中で、
少なくとも前記酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を含んで、前記第１の導電層の電位を掃引し、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンを生成することを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の導電層の電位の掃引を周期的に行うことを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記第１の導電層の電位を掃引する範囲は、リチウムの酸化還元電位を基準にして、少なくとも１．６Ｖ以上２．４Ｖ以下を含むことを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記電解液は、非プロトン性有機溶媒を用いることを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項８】
集電体に少なくとも活物質及び酸化グラフェンを含む活物質層を形成し、
前記酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を前記集電体に供給し、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンを生成することを特徴とする電極の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記酸化グラフェンの還元は、非プロトン性有機溶媒で行うことを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記集電体に供給する電位は、リチウムの酸化還元電位を基準にして、１．６Ｖ以上２．４Ｖ以下にすることを特徴とする電極の作製方法。
【請求項１１】
集電体に少なくとも活物質及び酸化グラフェンを含む活物質層を形成し、
少なくとも前記酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を含んで、前記集電体の電位を掃引し、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンを生成することを特徴とする電極の作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記酸化グラフェンの還元は、非プロトン性有機溶媒で行うことを特徴とする蓄電装置の電極の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記第１の導電層の電位の掃引を周期的に行うことを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記第１の導電層の電位を掃引する範囲は、リチウムの酸化還元電位を基準にして、少なくとも１．６Ｖ以上２．４Ｖ以下を含むことを特徴とするグラフェンの作製方法。
【請求項１５】
少なくとも正極、負極、電解液及びセパレータを有する蓄電装置の作製方法であって、
前記正極及び前記負極の一方又は双方は、集電体に少なくとも活物質及び酸化グラフェンを含む活物質層を形成し、
前記酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を前記集電体に供給して、グラフェンを生成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記集電体に供給する電位は、リチウムの酸化還元電位を基準にして、１．６Ｖ以上２．４Ｖ以下にすることを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項１７】
少なくとも正極、負極、電解液及びセパレータを有する蓄電装置の作製方法であって、
前記正極及び前記負極の一方又は双方は、集電体に少なくとも活物質及び酸化グラフェンを含む活物質層を形成し、
少なくとも前記酸化グラフェンの還元反応が生じる電位を含んで、前記集電体の電位を掃引し、前記酸化グラフェンを還元してグラフェンを生成することを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記集電体の電位の掃引を周期的に行うことを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１７又は請求項１８において、
前記集電体の電位を掃引する範囲は、リチウムの酸化還元電位を基準にして、少なくとも１．６Ｖ以上２．４Ｖ以下を含むことを特徴とする蓄電装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月28日(2015.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッドが貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤と下定盤との間に、複数のガラス基板を挟持し、該ガラス基板に前記上定盤側より研磨液を供給しながら、該ガラス基板の両主表面を両面研磨するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の両主表面の形状は四角形であり、かつ、該四角形のコーナー部において、一方の主表面と前記コーナー部を形成する２つの端面との３面を斜断面状に切り落としてなるノッチマークを少なとも１以上有するものであって、
前記両面研磨は、前記上定盤と前記下定盤との間に挟持される前記複数のガラス基板の全てを前記ノッチマークが形成されていない方の主表面が前記上定盤側になるようにセットして行うことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
研磨パッドが貼り付けられ上下に対向して設けられた上定盤と下定盤との間に、複数のガラス基板を挟持し、該ガラス基板に前記上定盤側より研磨液を供給しながら、該ガラス基板の両主表面を両面研磨するマスクブランク用ガラス基板の製造方法であって、
前記両主表面は転写パターンが形成される第１の面と、該第１の面に対向して設けられた第２の面とを有し、
前記両面研磨は、前記上定盤と前記下定盤との間に挟持される前記複数のガラス基板の全てを前記第１の面が前記上定盤側になるようにセットして行うことを特徴とするマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記両面研磨は、研磨液が異なる複数段階の研磨工程で行われることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記複数段階の研磨工程は、前記両面研磨するガラス基板の枚数を同じにすることを特徴とする請求項３に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記複数段階の研磨工程において、前記両面研磨するガラス基板の枚数の不足が発生した場合、別に用意したダミーガラス基板を投入して次の研磨工程を行うことを特徴とする請求項４に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記ダミーガラス基板の板厚は、他のガラス基板の平均板厚と同じか又は小さいことを特徴とする請求項５に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法により製造された前記ガラス基板の前記ノッチマークが形成されていない方の主表面上に転写パターンとなる薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項８】
請求項２に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法により製造された前記ガラス基板の前記第１の面上に転写パターンとなる薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載のマスクブランクの製造方法により製造されたマスクブランクの前記薄膜をパターニングすることを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法により製造された前記ガラス基板の前記ノッチマークが形成されていない方の主表面上に転写パターンとなる薄膜を形成してインプリントモールドブランクを製造する工程と、
製造された前記インプリントモールドブランクの前記薄膜をパターニングして前記薄膜のパターンを形成する工程と、
前記薄膜パターンをマスクとして、前記ガラス基板をエッチング処理によりエッチング加工して前記ガラス基板に掘り込みパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項１１】
請求項２に記載のマスクブランク用ガラス基板の製造方法により製造された前記ガラス基板の前記第１の面上に転写パターンとなる薄膜を形成してインプリントモールドブランクを製造する工程と、
製造された前記インプリントモールドブランクの前記薄膜をパターニングして前記薄膜のパターンを形成する工程と、
前記薄膜パターンをマスクとして、前記ガラス基板をエッチング処理によりエッチング加工して前記ガラス基板に掘り込みパターンを形成する工程と
を有することを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月14日(2015.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお、この押圧部材２１１，２１２は、奥側整合部２０６が幅方向に移動する際、シートの重心Ｇよりもシート搬送方向下流の幅方向側端を押圧する下流側押圧部を構成するものである。また、この押圧部材２１１，２１２とガイド部２０６ｄとの間には弾性部材（バネ）２１３，２１４が設けられており、この弾性部材２１３，２１４により、押圧部材２１１，２１２は、シートの側端に当接する位置に弾性的に突出した状態で保持されている。つまり、押圧部材２１１，２１２を可動に保持する保持部としてのガイド部２０６ｄと、押圧部材２１１，２１２との間には弾性部材２１３、２１４が設けられている。下流側押圧部としての押圧部材２１１，２１２は、いずれも、上流側押圧部としての中間積載部側整合部２０８よりも、幅方向中央側に突出するように設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月24日(2015.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
航空機（１１０）内で使用されるように構成され、且つ空港ネットワークデータ処理システム（１０４）との通信リンク（１２６）を確立するように構成された通信ハードウェア（１２２）と、
任意の数のソフトウェア航空機部品（２１２）を実行する前記航空機（１１０）内で使用し、且つ前記通信リンク（１２６）を使用して前記空港ネットワークデータ処理システム（１０４）と情報（１２５）を交換するように構成されたデータ処理ハードウェア（１２１）であって、前記任意の数のソフトウェア航空機部品（２１２）が前記航空機で使用されるように構成されている、データ処理ハードウェア（１２１）と、
前記通信ハードウェア（１２２）及び前記データ処理ハードウェア（１２１）を運ぶように構成された移動式プラットフォーム（１２０）と、含む、移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）。
【請求項２】
前記データ処理ハードウェア（１２１）が、前記航空機によって実施される機能を試験するために操作（２１０）を実施するように構成されている、請求項１に記載の移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）。
【請求項３】
前記操作（２１０）が、データ送信、データ受信、前記空港ネットワークデータ処理システム（１０４）との認証、保守用ラップトップとの通信、及び前記空港ネットワークデータ処理システム（１０４）から前記航空機（１１０）へのソフトウェア航空機部品（２１２）の読込みの中の少なくとも１つを含む、請求項２に記載の移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）。
【請求項４】
前記データ処理ハードウェア（１２１）が、前記空港ネットワークデータ処理システム（１０４）との前記情報（１２５）の交換の結果（４２３）を記録するように構成されている、請求項１に記載の移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）。
【請求項５】
前記移動式プラットフォーム（１２０）が、カート、車両、トラック、スーツケース、及びこれらの組み合わせの中から選択され、
前記通信ハードウェア（１２２）が、ターミナル無線ＬＡＮユニット（３１０）、クルー無線ＬＡＮユニット（３１２）、前記航空機（１１０）用アンテナ（３０４）、及び前記アンテナ（３０４）が接続される前記航空機（１１０）用の構造物（３０８）の部分（３０６）を含む前記航空機（１１０）用のアンテナ（３０４）のうちの少なくとも１つを含んでいる、請求項１に記載の移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）。
【請求項６】
前記航空機（１１０）上で、対応するアンテナの特定部分に実質的に対応する位置に前記アンテナ（３０４）を配置するように構成されている位置決めシステムをさらに含む、請求項５に記載の移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）。
【請求項７】
移動式プラットフォームと、
前記移動式プラットフォームによって運ばれ、車両上に配置されているときに実質的に同様な方位に位置を合わせることが可能な構造物と、
前記車両上で、対応するアンテナの特定の方位に実質的に対応する方位を有するように前記構造物に接続されているアンテナ（３０４）と、
前記車両内で使用されるように構成され、ネットワークデータ処理システムとの通信リンク（１２６）を確立し、前記ネットワークデータ処理システムにより前記車両の情報をエミュレートするように構成されているハードウェアシステムと、を含む、移動式通信試験システム。
【請求項８】
空港ネットワークデータ処理システム（１０４）により実施される操作を試験する方法であって、
前記空港ネットワークデータ処理システム（１０４）と移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）との間の通信リンク（１２６）を確立するステップであって、前記移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）が前記空港ネットワークデータ処理システム（１０４）による情報交換に使用される航空機（１１０）で使用されるように構成されたハードウェアを含む、ステップと、
前記通信リンク（１２６）を用いて前記操作を実施するステップであって、前記操作が前記航空機（１１０）による前記操作の性能をエミュレートする、ステップと、を含む方法。
【請求項９】
前記操作を実施する前記ステップの結果を受動的に特定するステップ、をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記操作が、前記航空機（１１０）及び前記空港ネットワークデータ処理システム（１０４）のうちの少なくとも１つに対する機能を試験する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記空港ネットワークデータ処理システム（１０４）が配置されている空港の場所に前記移動式航空機エミュレーションシステム（１１４）を配置するステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記通信リンク（１２６）が、前記航空機（１１０）上で、対応するアンテナの特定の位置に実質的に対応するように配置されたアンテナ（３０４）を使用して確立されている、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月14日(2015.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両のルーフ上にそれぞれ載置される長尺状の対の突出部材を備え、
前記対の突出部材の高さは、前記ルーフ上を流れる空気流の境界層の上端と同じか前記境界層の上端よりも前記車両上方に突出し、
前記対の突出部材は、前記ルーフの前記車両左右端部位に配置されている、車両用ルーフ装置。
【請求項２】
前記突出部材は、前記ルーフ上に載置される下方部位の断面積より前記境界層より突出する上方部位の断面積が小さくなり且つ前記車両後方の端から前記車両前方の端に向かうにつれて高さが徐々に低くなるフィン形状を呈する、請求項１に記載のルーフ装置。
【請求項３】
前記突出部材は、前記ルーフを構成するルーフトップパネル及びルーフサイドパネルの間の接合凹部に設置されるルーフモールまたはルーフレールである、請求項１または２に記載の車両用ルーフ装置。
【請求項４】
前記突出部材は、前記車両後方の前記端の前記上端が前記車両後方の前記端の下端から描かれる上方鉛直線から前記車両前方６０°の位置よりも前記車両後方に配置されている、請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の車両用ルーフ装置。
【請求項５】
前記突出部材の前記車両後方の端は、前記ルーフの外面と前記車両後部ボディの外面との境界より前記車両前方に位置している、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の車両用ルーフ装置。
【請求項６】
前記突出部材は、前記ルーフの車両前後方向の前端から後端まで延在する、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の車両用ルーフ装置。
【請求項７】
車両のルーフの表面の左右端部位に対に配置される突出部材を備え、
前記突出部材は、前記ルーフの前記表面よりも前記車両の上方に突出する高さが前記車両の後方から前記車両の前方に向かうにつれて低くなる長尺形状とする車両用ルーフ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の第６の課題解決手段は、前記突出部材は、前記ルーフの車両前後方向の前端から後端まで延在する、構成である。
また、本発明の第７の解決手段は、車両のルーフの表面の左右端部位に対に配置される突出部材を備え、前記突出部材は、前記ルーフの前記表面よりも前記車両の上方に突出する高さが前記車両の後方から前記車両の前方に向かうにつれて低くなる長尺形状とする構成である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月22日(2015.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体の処理に係わる動作を実行する第１の処理部と、
前記媒体もしくは前記媒体と異なる媒体への処理に係わる動作を実行する第２の処理部と、
前記第１の処理部から前記第２の処理部への切り替えを指示する切替コマンドに従って制御対象を前記第２の処理部に切り替え、制御対象が前記第２の処理部に切り替えられたときに前記第２の処理部が初期化されている場合は初期化を行わせない制御を行う切替制御部と、
を備えることを特徴とする媒体処理装置。
【請求項２】
前記切替制御部は、制御対象が前記第２の処理部に切り替えられたときに前記第２の処理部が初期化されていない場合は、前記第２の処理部に関するコマンドを受信したときに前記第２の処理部の初期化を実行させる、請求項１記載の媒体処理装置。
【請求項３】
前記第２の処理部に係る情報を記憶する記憶部を備え、
前記切替制御部は、前記記憶部に記憶された前記第２の処理部に係る情報を参照して、前記第２の処理部の初期化を実行させるか否かを判別する請求項１または２記載の媒体処理装置。
【請求項４】
前記切替制御部は前記第２の処理部の初期化を実行させた場合に、前記記憶部に前記第２の処理部が初期化を実行した履歴を記憶させる請求項３記載の媒体処理装置。
【請求項５】
前記記憶部に記憶される前記第２の処理部に係る情報は、前記第２の処理部が初期化を実行した後の経過時間であり、
前記切替制御部は、前記記憶部に記憶された前記経過時間に基づき、前記第２の処理部の初期化を実行させるか否かを判別する請求項４記載の媒体処理装置。
【請求項６】
前記記憶部に記憶される前記第２の処理部に係る情報は、前記第２の処理部にエラーが発生した時に記憶されるエラーの履歴であり、
前記切替制御部は、前記記憶部に記憶された前記エラーの履歴に基づいて前記第２の処理部の初期化を実行させるか否かを判別する請求項３乃至５のいずれか１項に記載の媒体処理装置。
【請求項７】
前記第２の処理部は、機械的機構もしくは制御回路を有し、
前記第２の処理部で実行する初期化は、前記機械的機構の初期化、もしくは前記制御回路の初期化である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の媒体処理装置。
【請求項８】
媒体の処理に係わる動作を実行する第１の処理部から前記媒体もしくは前記媒体と異なる媒体の処理に係わる動作を実行する第２の処理部への切替コマンドを受信し、
受信した切替コマンドに基づいて前記第２の処理部へ切り替えたときに、前記第２の処理部が初期化をされているか否かを判別し、
前記第２の処理部が初期化を実行されていることを判別したときには、前記切替コマンドに基づく初期化を実行させないことを特徴とする媒体処理装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定光路と参照光路を持つ干渉計と、
測定光路又は参照光路の少なくともいずれかに配置され、互いに光路長差を持つ少なくとも２つの光を生成させるための光路長差生成器と、
各波長での干渉信号成分を含むスペクトル信号であって、前記光路長差生成器によって生成された第１スペクトル信号と第２スペクトル信号が多重化された多重スペクトル信号を取得するための検出器と、
検出器からの多重スペクトル信号を処理して，被検物に関する第１の深さ情報と第２の深さ情報が分離された状態で多重化されている深さ情報を取得する演算処理器と、
を備えることを特徴とする光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項２】
請求項１の光コヒーレンストモグラフィー装置において、
演算処理器は、測定光の横断位置に関する各位置での前記深さ情報を処理して、被検物に関する複数の断層像を同時に含む断層画像データを得る光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項３】
請求項１〜請求項２のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置において、
演算処理器は、前記複数の深さ情報を深さ方向に関して位置合わせし、合成処理を行う光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置において、
演算処理器は、前記複数の深さ情報を複数得て、それぞれを深さ方向に関して位置合わせし、合成処理を行う光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項５】
請求項１〜請求項４のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置において、
前記光路長差生成器は、互いに直交する偏光成分を持つ少なくとも２つの光を生成するための構成を有し、互いに光路長差を持つと共に、偏光成分が直交する少なくとも２つの光を生成するための光路長差生成器であって、
検出器は、互いに直交する偏光成分を持つ少なくとも２つの多重スペクトル信号を検出するための構成を有し、
演算処理器は、互いに直交する偏光成分を持つ少なくとも２つの多重スペクトル信号を処理して、被検物の偏光特性を解析する光コヒーレンストモグラフィー装置。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置において、
検出器は、垂直偏光成分を持つ多重スペクトル信号を検出するための垂直偏光検出器と、水平偏光成分を持つ多重スペクトル信号を検出するための水平偏光検出器と、をそれぞれ有する光コヒーレンストモグラフィー装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）
測定光路と参照光路を持つ干渉計と、
測定光路又は参照光路の少なくともいずれかに配置され、互いに光路長差を持つ少なくとも２つの光を生成させるための光路長差生成器と、
各波長での干渉信号成分を含むスペクトル信号であって、前記光路長差生成器によって生成された第１スペクトル信号と第２スペクトル信号が多重化された多重スペクトル信号を取得するための検出器と、
検出器からの多重スペクトル信号を処理して，被検物に関する第１の深さ情報と第２の深さ情報が分離された状態で多重化されている深さ情報を取得する演算処理器と、
を備えることを特徴とする光コヒーレンストモグラフィー装置。
（２）  （１）の光コヒーレンストモグラフィー装置において、
演算処理器は、測定光の横断位置に関する各位置での前記深さ情報を処理して、被検物に関する複数の断層像を同時に含む断層画像データを得る光コヒーレンストモグラフィー装置。
（３）  （１）〜（２）のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置において、
演算処理器は、前記複数の深さ情報を深さ方向に関して位置合わせし、合成処理を行う光コヒーレンストモグラフィー装置。
（４）  （１）〜（３）のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置において、
演算処理器は、前記複数の深さ情報を複数得て、それぞれを深さ方向に関して位置合わせし、合成処理を行う光コヒーレンストモグラフィー装置。
（５）  （１）〜（４）のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置において、
前記光路長差生成器は、互いに直交する偏光成分を持つ少なくとも２つの光を生成するための構成を有し、互いに光路長差を持つと共に、偏光成分が直交する少なくとも２つの光を生成するための光路長差生成器であって、
検出器は、互いに直交する偏光成分を持つ少なくとも２つの多重スペクトル信号を検出するための構成を有し、
演算処理器は、互いに直交する偏光成分を持つ少なくとも２つの多重スペクトル信号を処理して、被検物の偏光特性を解析する光コヒーレンストモグラフィー装置。
（６）  （１）〜（５）のいずれかの光コヒーレンストモグラフィー装置において、
検出器は、垂直偏光成分を持つ多重スペクトル信号を検出するための垂直偏光検出器と、水平偏光成分を持つ多重スペクトル信号を検出するための水平偏光検出器と、をそれぞれ有する光コヒーレンストモグラフィー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（４）前記第２のピッチは、前記金属ナノ体で生じる局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長よりも短い波長で反射率の１次極小値を確立し、かつ、前記１次極小値よりも小さい１次よりも高次の極小値を確立する大きさに設定されることができる。このように第２のピッチが設定されると、特定の波長で反射率は著しく低減される。その結果、局在表面プラズモン共鳴に確実に伝播表面プラズモン共鳴が結合する。金属ナノ体の表面で確実に近接場光は強められる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この試料分析素子１１では、長ピッチＬＰは、金属ナノ突起１５で生じる局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長よりも短い波長で反射率の１次極小値を確立し、かつ、反射率の１次極小値よりも小さい反射率の値で１次よりも高次の極小値を確立する大きさに設定される。このように長ピッチＬＰが設定されると、特定の波長で反射率は著しく低減される。その結果、局在表面プラズモン共鳴に確実に伝播表面プラズモン共鳴が結合する。金属ナノ突起１５の表面で確実に近接場光は強められる。特に、長ピッチＬＰは、金属ナノ突起１５で生じる局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長からレッドシフトする波長で反射率の極小値を確立する大きさに設定されることが望まれる。こういった長ピッチＬＰの設定によれば、反射率は「０（ゼロ）」を示すことができる。近接場光は期待通りに増強されることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図１２は各モデルの反射率の極小値から作成された分散関係を示す。長ピッチＬＰから生ずる波数（横軸）ごとに、反射率の極小値を示した周波数（縦軸）がプロットされた。長ピッチＬＰごとに高い周波数を示す極小値（１次極小値に相当）では金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）でダイポールの向きが同じ方向であって、長ピッチＬＰごとに低い周波数を示す極小値（１次よりも高い高次の極小値に相当）では金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）のダイポールの向きが反対向きである。図１２で複数の長ピッチＬＰに共通に現れる波長（＝７７０ｎｍ）は局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長に相当する。なぜならば、分散関係の傾きは伝搬プラズモンの移動速度を示し、第１モデル（ＬＰ＝２４０ｎｍ）、第２モデル（ＬＰ＝３６０ｎｍ）および第３モデル（ＬＰ＝４８０ｎｍ）で高次の極小値を示す角周波数の傾きは０（ゼロ）を示し、同様に、第５モデル（ＬＰ＝７２０ｎｍ）および第６モデル（ＬＰ＝８４０ｎｍ）で１次極小値を示す角周波数の傾きは０（ゼロ）を示すからである。局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長は金属ナノ突起１５の体積や誘電膜１４の膜厚に応じて決定されることができる。また、各々の長ピッチＬＰごとに局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長（＝７７０ｎｍ）以外で反射率の極小値を示す波長は主に伝搬表面プラズモン共鳴と考えられる。さらに、第２モデル（ＬＰ＝３６０ｎｍ）および第３モデル（ＬＰ＝４８０ｎｍ）では高次の極小値の角周波数はＡｕ（ｎｓ＝１）の分散関係曲線から低周波数側にシフトすることが観察される。これは金属ナノ突起１５の並びに起因する。金属ナノ突起１５の並びが増加するにつれて金属ナノ突起１５間の相互作用が増加し共鳴波長がレッドシフトつまり長波長側へシフトした結果である。共鳴ピーク波長の長波長化またはレッドシフトは金属ナノ突起１５群間の相互作用の強さを示す。この波長７７０ｎｍと金Ａｕ（ｎｓ＝１）の伝播表面プラズモン共鳴の分散関係曲線とに基づき非特許文献１と同様にＡｎｔｉ−Ｃｒｏｓｓｉｎｇ  Ｂｅｈａｖｉｏｒ（ハイブリッドモードの指標として知られる）が観察された。加えて、第３モデルの２次極小値（波長６８５ｎｍ）は第１モデルの１次極小値（波長６８２ｎｍ）とほぼ一致する波長で確立されることから、第３モデルの２次極小値は、金属ナノ突起１５を含まない非金属領域１７で引き起こされる局在表面プラズモン共鳴に由来することが理解される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１３は同様に電場強度Ｅｘの波長依存性を示す。ここでは、単位面積当たりに換算された電場強度Ｅｘの二乗和が特定された。二乗和の特定にあたって金属ナノ突起１５の下側の４つの頂点それぞれで電場強度Ｅｘが算出された。個々の頂点ごとに電場強度Ｅｘの二乗値が算出され、繰り返し計算の最小単位の全ての頂点の二乗値が足し合わせられた。単位面積として第１比較モデルの面積が設定された。足し合わせられた結果がその単位面積当たりに換算された。こうして単位面積当たり電場強度Ｅｘの二乗和が算出された。図１３から明らかなように、長ピッチＬＰの設定に応じて金属ナノ突起１５の電場強度Ｅｘは金属ナノ突起１５全体で高められることが確認された。特に、第１比較モデルでは短ピッチＳＰの影響でピーク値が波長＝７７０ｎｍで現れることから、第２〜第５モデルで短ピッチＳＰの影響で局在表面プラズモン共鳴が支配的であることが考えられる。その他、長ピッチＬＰ＝４８０ｎｍの第３モデルでは波長６８０ｎｍおよび７７０ｎｍで第１比較モデルに比べて大幅な電場強度Ｅｘの改善が観察された。長ピッチＬＰ＝６００ｎｍの第４モデルでは、波長８２０ｎｍで、波長７７０ｎｍの局在表面プラズモン共鳴の電場強度Ｅｘの二乗値を上回る大幅な電場強度Ｅｘの改善が観察された。波長７７０ｎｍの局在表面プラズモン共鳴が金属ナノ突起１５の伝搬表面プラズモン共鳴と強い相互作用を起こした結果、共鳴波長が波長８２０ｎｍへレッドシフトしたと考えられる。以上のことから、本構成のモデルでは長ピッチＬＰが４８０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲で設定されることで非常に大きな電場増強が得られることがわかった。このことは図１２の分散関係からも読み取られることができる。つまり、ハイブリッドモードで局在表面プラズモン共鳴の共鳴波長７７０ｎｍからレッドシフトし始める長ピッチＬＰは４８０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲であることがわかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013148420.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2013148420.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
非特許文献１では金属ナノ粒子は所定のピッチで格子状に配置される。ピッチの大きさが特定の数値に設定されると、エバネッセント波に基づき伝播表面プラズモン共鳴（ＰＳＰＲ）が引き起こされる。伝播表面プラズモン共鳴は局在表面プラズモン共鳴と結合し、いわゆるハイブリッドモードが確立される。この結合を介して局在表面プラズモン共鳴はさらに増強され、金属ナノ粒子の表面に生じる近接場光はいっそう強められる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
入射光の働きで金属ナノ体では局在表面プラズモン共鳴が引き起こされる。金属ナノ体群のピッチの働きでエバネッセント波に基づき伝播表面プラズモン共鳴が引き起こされる。伝播表面プラズモン共鳴は局在表面プラズモン共鳴と結合し、いわゆるハイブリッドモードが確立される。こうして局在表面プラズモン共鳴は伝播表面プラズモン共鳴で増強され、金属ナノ体の表面で近接場光は強められる。いわゆるホットスポットが形成される。しかも、個々の金属ナノ体群内には複数の金属ナノ体が配置されることから、金属ナノ体が入射光に共鳴するピッチで配置される場合に比べて金属ナノ体の面密度は高められる。したがって、ホットスポットの面密度は高められる。しかも、金属ナノ体群同士の間の空間は共鳴振動する自由電子を持たない材料で占められることから、確実に金属ナノ体群のピッチは確立されることができる。伝播表面プラズモン共鳴の生成は確実に確保されることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【図１】本発明の一実施形態に係る試料分析素子を概略的に示す斜視図である。
【図２】試料分析素子の拡大垂直断面図である。
【図３】分散関係を示すグラフである。
【図４】シミュレーションモデルで（ａ）電場のｘ軸方向成分の集中、および（ｂ）電場のｚ軸方向成分の集中を特定する垂直断面相当図である。
【図５】（ａ）電場のｘ軸方向成分の周波数特性を示すグラフ、および（ｂ）電場のｚ軸方向成分の周波数特性を示すグラフである。
【図６】試料分析素子の製造工程を示し、基板上に積層される金属膜および誘電体膜を概略的に示す垂直断面図である。
【図７】試料分析素子の製造工程を示し、誘電体膜上に積層される素材膜およびレジスト膜を概略的に示す垂直断面図である。
【図８】試料分析素子の製造工程を示し、素材膜上に形成されるレジストパターンを概略的に示す垂直断面図である。
【図９】試料分析素子の製造工程を示し、素材膜から削り出された金属ナノ突起を概略的に示す垂直断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る検出装置を概略的に示す概略図である。
【図１１】変形例に係る試料分析素子を概略的に示す斜視図である。
【図１２】他の変形例に係る試料分析素子を概略的に示す垂直断面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
試料分析素子１１では、入射光の偏光面がｘ軸方向およびｙ軸方向に合わせ込まれると、長ピッチＬＰの設定に応じて、エバネッセント波に基づき伝播表面プラズモン共鳴（ＰＳＰＲ）が引き起こされる。伝播表面プラズモン共鳴は金属ナノ突起１５の局在表面プラズモン共鳴（ＬＳＰＲ）と結合し、いわゆるハイブリッドモードが確立される。こうして局在表面プラズモン共鳴は伝播表面プラズモン共鳴で増強され、金属ナノ突起１５の表面で近接場光は強められる。いわゆるホットスポットが形成される。しかも、個々の金属ナノ突起群１６内では金属ナノ突起１５同士の間隔は長ピッチＬＰよりも小さい短ピッチＳＰに設定されることから、金属ナノ突起１５同士の間隔が長ピッチＬＰで設定される場合に比べて金属ナノ突起１５の面密度は高められる。ホットスポットの面密度は高められる。しかも、金属ナノ突起群１６同士の間の空間は、入射光に共鳴振動する自由電子を持たない材料すなわち誘電材料で占められることから、確実に金属ナノ突起群１６の長ピッチＬＰは確立されることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
光源３６から放出される光はコリメーターレンズ４１で平行光に変換される。偏光制御素子４２は光を直線偏光に変換する。直線偏光の光はダイクロイックミラー４３で反射する。反射した光は対物レンズ４４で集光されて試料分析素子１１に照射される。このとき、光は基板１２の表面に直交する垂直方向に入射することができる。いわゆる垂直入射が確立されることができる。光の偏光面は試料分析素子１１のｘ軸方向に合わせ込まれる。照射された光の働きで金属ナノ突起１５には局在表面プラズモン共鳴が引き起こされる。同時に、エバネッセント波に基づき伝播表面プラズモン共鳴が引き起こされる。伝播表面プラズモン共鳴は金属ナノ突起１５の局在表面プラズモン共鳴（ＬＳＰＲ）と結合する。金属ナノ突起１５の表面で近接場光は強められる。いわゆるホットスポットが形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2013148421.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2013148421.tif 000002