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【手続補正書】
【提出日】平成27年10月20日(2015.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスフリットを第１の分散媒に分散させて第１の分散液を調製する工程と、
前記ガラスフリットより融点が高く、かつ屈折率が高い金属酸化物の微粒子を第２の分散媒に分散させて第２の分散液を調製する工程と、
前記第１の分散液と前記第２の分散液とを混合してペースト状のレンズ基材を調製する工程と、
基板の一方の面側に形成された複数の凹部に前記ペースト状のレンズ基材を充填する工程と、
前記複数の凹部に充填した前記レンズ基材を、前記金属酸化物の融点より低い温度で加熱し焼成して前記ガラスフリットをガラス化する工程と、を含むことを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項２】
前記金属酸化物の微粒子は、粒径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のナノ粒子であることを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項３】
前記金属酸化物は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛から選択された１種又は複数種であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項４】
前記ペースト状のレンズ基材を調製する工程では、前記レンズ基材中の、以下の式に示す金属酸化物の微粒子の配合比を、５重量％以上３０重量％以下にすることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
配合比＝［金属酸化物の微粒子の重量／（ガラスフリットの重量＋金属酸化物の微粒子の重量］×１００
【請求項５】
前記第１の分散液を調製する工程では、前記第１の分散媒にバインダー樹脂を溶解又は分散させた後、前記ガラスフリットを分散させて第１の分散液を調製するようにし、
前記第１の分散液と前記第２の分散液とを混合してペースト状のレンズ基材を調製する工程では、混合処理中の前記第１の分散液中に前記第２の分散液を滴下することで行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法によって製造されたマイクロレンズアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置に用いられるユニットの製造方法であって、
現像剤を収容する現像剤収容部と、
枠体と、
前記枠体に設けられたシール形成部と、
前記ユニットの外側に現像剤が漏れるのを防止する成形シール部であって、前記シール形成部に溶融樹脂を射出成形することによって形成される成形シール部と、
前記シール形成部に成形シール部を射出成形するために、前記枠体に設けられた溶融樹脂が通過する注入路であって、前記溶融樹脂が注入される注入方向において、一端に前記溶融樹脂が注入される注入口を有する注入路と、
を前記ユニットは有し、
前記注入路の少なくとも一部は、前記注入方向において、前記注入口よりも下流側で、前記一部の前記注入方向と直交する断面の中心軸線が前記注入口からはずれた位置に位置するように構成されることを特徴とするユニットの製造方法。
【請求項２】
画像形成装置に用いられるユニットの製造方法であって、
現像剤を収容する現像剤収容部と、
枠体と、
前記枠体に設けられたシール形成部と、
前記ユニットの外側に現像剤が漏れるのを防止する成形シール部であって、前記シール形成部に溶融樹脂を射出成形することによって形成される成形シール部と、
前記シール形成部に成形シール部を射出成形するために、前記枠体に設けられた溶融樹脂が通過する注入路であって、前記溶融樹脂が注入される注入口と、前記溶融樹脂を前記シール形成部に排出する排出口と、を有する注入路と、
を前記ユニットは有し、
前記溶融樹脂が注入される注入方向において、前記排出口の前記注入方向と直交する断面の中心軸線が、前記排出口よりも上流側の最も狭い断面を有する前記注入路の一部から外れた位置に位置するよう構成されることを特徴とするユニットの製造方法。
【請求項３】
前記一部は、射出成形する際に前記溶融樹脂を前記シール形成部に排出する排出口である請求項１に記載のユニットの製造方法。
【請求項４】
前記注入路は、前記注入方向において、他端に射出成形する際に前記溶融樹脂を前記シール形成部に排出する排出口を有し、前記一部は前記注入口と前記排出口との間に位置する請求項１に記載のユニットの製造方法。
【請求項５】
前記ユニットは、像担持体の表面から現像剤を除去するクリーニング部材を有し、前記成形シール部は前記クリーニング部材と前記枠体との間をシールする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のユニットの製造方法。
【請求項６】
前記ユニットは、像担持体の表面に当接して現像剤が前記ユニットの外側に漏れるのを防止するシート部材を有し、前記成形シール部は前記シート部材と前記枠体との間をシールする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のユニットの製造方法。
【請求項７】
前記ユニットは、現像担持体に担持される現像剤の量を規制する現像剤規制部材を有し、前記成形シール部は前記現像剤規制部材と前記枠体との間をシールする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のユニットの製造方法。
【請求項８】
前記ユニットは、現像担持体の表面に当接して現像剤が前記ユニットの外側に漏れるのを防止するシート部材を有し、前記成形シール部は前記シート部材と前記枠体との間をシールする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のユニットの製造方法。
【請求項９】
前記ユニットは、前記画像形成装置の装置本体に着脱可能である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のユニットの製造方法。
【請求項１０】
画像形成装置に用いられるユニットであって、
現像剤を収容する現像剤収容部と、
枠体と、
前記枠体に設けられたシール形成部と、
前記ユニットの外側に現像剤が漏れるのを防止する、前記シール形成部に射出成形された成形シール部と、
前記シール形成部に成形シール部を射出成形するために、一端に前記成形シール部となる溶融樹脂が注入される注入口を有し、まっすぐ貫通する注入路と、
を有し、
前記注入路は、前記注入路の貫通方向と交差する方向において、前記注入口の断面積に比べ、断面積が狭い部分を有することを特徴とするユニット。
【請求項１１】
前記断面積が狭い部分は、射出成形する際に前記溶融樹脂を前記シール形成部に排出する排出口である請求項１０に記載のユニット。
【請求項１２】
前記注入路は、他端に前記溶融樹脂を前記シール形成部に排出する排出口を有し、前記断面積が狭い部分は前記注入方向において前記注入口と前記排出口との間に位置する請求項１０に記載のユニット。
【請求項１３】
前記ユニットは、像担持体の表面から現像剤を除去するクリーニング部材を有し、前記成形シール部は前記クリーニング部材と前記枠体との間をシールする請求項１０乃至１２のいずれか１項に記載のユニット。
【請求項１４】
前記ユニットは、像担持体の表面に当接して現像剤が前記ユニットの外側に漏れるのを防止するシート部材を有し、前記成形シール部は前記シート部材と前記枠体との間をシールする請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載のユニット。
【請求項１５】
前記ユニットは、現像担持体に担持される現像剤の量を規制する現像剤規制部材を有し、前記成形シール部は前記現像剤規制部材と前記枠体との間をシールする請求項１０乃至１４のいずれか１項に記載のユニット。
【請求項１６】
前記ユニットは、現像担持体の表面に当接して現像剤が前記ユニットの外側に漏れるのを防止するシート部材を有し、前記成形シール部は前記シート部材と前記枠体との間をシールする請求項１０乃至１５のいずれか１項に記載のユニット。
【請求項１７】
前記ユニットは、前記画像形成装置の装置本体に着脱可能である請求項１０乃至１６のいずれか１項に記載のユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月23日(2015.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から順に、正の屈折力を有する第１レンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈折力を有する第３レンズ群と、正の屈折力を有する第４レンズ群と、第５レンズ群とを有し、
変倍時に、前記第１レンズ群と前記第２レンズ群との間隔、前記第２レンズ群と前記第３レンズ群との間隔、前記第３レンズ群と前記第４レンズ群との間隔、及び前記第４レンズ群と前記第５レンズ群との間隔が変化し、前記第５レンズ群の位置が固定であり、
以下の条件式を満足することを特徴とする変倍光学系。
０．６５０ ＜ （−ｆ２）／ｆｗ ＜ １．１８０
０．０４０ ＜ （−ｆ２）／ｆｔ ＜ ０．０９２
但し、
ｆｗ：広角端状態における前記変倍光学系の焦点距離
ｆｔ：望遠端状態における前記変倍光学系の焦点距離
ｆ２：前記第２レンズ群の焦点距離
【請求項２】
以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１に記載の変倍光学系。
５．３００ ＜ ｆ１／（−ｆ２） ＜ ７．４３０
但し、
ｆ１：前記第１レンズ群の焦点距離
ｆ２：前記第２レンズ群の焦点距離
【請求項３】
広角端状態から望遠端状態への変倍時に、前記第３レンズ群が物体側へ移動することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の変倍光学系。
【請求項４】
広角端状態から望遠端状態への変倍時に、前記第１レンズ群が物体側へ移動することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の変倍光学系。
【請求項５】
前記第５レンズ群が正の屈折力を有することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の変倍光学系。
【請求項６】
広角端状態から望遠端状態への変倍時に、前記第１レンズ群と前記第２レンズ群との間隔が増加することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の変倍光学系。
【請求項７】
広角端状態から望遠端状態への変倍時に、前記第２レンズ群と前記第３レンズ群との間隔が減少することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の変倍光学系。
【請求項８】
広角端状態から望遠端状態への変倍時に、前記第４レンズ群と前記第５レンズ群との間隔が増加することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の変倍光学系。
【請求項９】
以下の条件式を満足することを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の変倍光学系。
５．０００ ＜ ｆ１／ｆｗ ＜ ７．８００
但し、
ｆｗ：広角端状態における前記変倍光学系の焦点距離
ｆ１：前記第１レンズ群の焦点距離
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の変倍光学系を有することを特徴とする光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】変倍光学系、光学装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明は、
物体側から順に、正の屈折力を有する第１レンズ群と、負の屈折力を有する第２レンズ群と、正の屈折力を有する第３レンズ群と、正の屈折力を有する第４レンズ群と、第５レンズ群とを有し、
変倍時に、前記第１レンズ群と前記第２レンズ群との間隔、前記第２レンズ群と前記第３レンズ群との間隔、前記第３レンズ群と前記第４レンズ群との間隔、及び前記第４レンズ群と前記第５レンズ群との間隔が変化し、前記第５レンズ群の位置が固定であり、
以下の条件式を満足することを特徴とする変倍光学系を提供する。
０．６５０ ＜ （−ｆ２）／ｆｗ ＜ １．１８０
０．０４０ ＜ （−ｆ２）／ｆｔ ＜ ０．０９２
但し、
ｆｗ：広角端状態における前記変倍光学系の焦点距離
ｆｔ：望遠端状態における前記変倍光学系の焦点距離
ｆ２：前記第２レンズ群の焦点距離
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月11日(2015.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に配線パターンが形成された配線基板と、前記配線基板の上面に積層された光導波路とを有する光導波路積層配線基板であって、
前記光導波路は、
前記配線基板の上面に形成された第１クラッド層と、
前記第１クラッド層上に形成され、第１方向に延在されたＮ個（Ｎは３以上の自然数）のコア部と、
前記Ｎ個のコア部の各々に形成され、前記第１方向において互いに離間した位置に形成されて傾斜面を有するＭ個（Ｍは２以上の自然数）の溝部と、
前記各コア部に形成された前記Ｍ個の傾斜面のうち任意の１つの傾斜面に選択的に形成された光路変換ミラーと、
前記第１クラッド層上に形成され、前記Ｎ個のコア部を被覆する第２クラッド層と、
前記第１クラッド層と前記コア部と前記第２クラッド層とを厚さ方向に貫通して形成され、前記配線パターンの一部を接続パッドとして露出する開口部と、を有し、
隣り合う前記コア部に形成された前記光路変換ミラーは、前記第１方向の位置が互いに異なる位置に配置され、
前記Ｍ個の溝部は、前記第１方向と平面視で直交する第２方向に沿って直線状に並んで前記Ｎ個のコア部に形成されていることを特徴とする光導波路積層配線基板。
【請求項２】
前記第２クラッド層は、前記溝部を充填するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光導波路積層配線基板。
【請求項３】
前記Ｎ個の光路変換ミラーは、平面視で鋸歯状に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光導波路積層配線基板。
【請求項４】
前記Ｎ個のコア部は全て前記第１方向の長さが同じ長さに設定されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光導波路積層配線基板。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光導波路積層配線基板と、
前記配線基板に実装され、前記接続パッドと電気的に接続され、前記光路変換ミラーにより前記コア部に光結合される光学素子と、
を有することを特徴とする光モジュール。
【請求項６】
上面に配線パターンが形成された配線基板を形成する工程と、
前記配線基板の上面に第１クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層上に、第１方向に延在されるＮ個（Ｎは３以上の自然数）のコア部を形成する工程と、
前記Ｎ個のコア部の各々に、傾斜面を有するＭ個（Ｍは２以上の自然数）の溝部を前記第１方向において互いに離間した位置に形成する工程と、
前記各コア部に形成された前記Ｍ個の傾斜面のうち任意の１つの傾斜面に選択的に光路変換ミラーを形成する工程と、
前記第１クラッド層上に、前記Ｎ個のコア部を被覆する第２クラッド層を形成する工程と、
前記第１クラッド層と前記コア部と前記第２クラッド層とを厚さ方向に貫通し、前記配線パターンの一部を接続パッドとして露出する開口部を形成する工程と、を有し、
隣接する前記コア部に形成された前記光路変換ミラーは、前記第１方向の位置が互いに異なる位置に配置され、
前記Ｍ個の溝部は、前記第１方向と平面視で直交する第２方向に沿って直線状に並んで前記Ｎ個のコア部に形成されることを特徴とする光導波路積層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記各溝部は、切削装置の回転ブレードによって前記Ｎ個のコア部を厚さ方向に切削することにより形成されることを特徴とする請求項６に記載の光導波路積層配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光導波路積層配線基板、光モジュール及び光導波路積層配線基板の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光導波路積層配線基板、光モジュール及び光導波路積層配線基板の製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一観点によれば、上面に配線パターンが形成された配線基板と、前記配線基板の上面に積層された光導波路とを有する光導波路積層配線基板であって、前記光導波路は、前記配線基板の上面に形成された第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に形成され、第１方向に延在されたＮ個（Ｎは３以上の自然数）のコア部と、前記Ｎ個のコア部の各々に形成され、前記第１方向において互いに離間した位置に形成されて傾斜面を有するＭ個（Ｍは２以上の自然数）の溝部と、前記各コア部に形成された前記Ｍ個の傾斜面のうち任意の１つの傾斜面に選択的に形成された光路変換ミラーと、前記第１クラッド層上に形成され、前記Ｎ個のコア部を被覆する第２クラッド層と、前記第１クラッド層と前記コア部と前記第２クラッド層とを厚さ方向に貫通して形成され、前記配線パターンの一部を接続パッドとして露出する開口部と、を有し、隣り合う前記コア部に形成された前記光路変換ミラーは、前記第１方向の位置が互いに異なる位置に配置され、前記Ｍ個の溝部は、前記第１方向と平面視で直交する第２方向に沿って直線状に並んで前記Ｎ個のコア部に形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月24日(2014.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像信号を得る撮像用画素と、
前記撮像用画素と同じ受光領域に設けられ、受光光束を瞳分割して位相差検出信号を得る位相差検出用画素と、
前記撮像用画素に対応して形成された第１マイクロレンズと、
前記位相差検出用画素に対応して形成され、平面視において実質的に同一面積を有するマイクロレンズに比べて、画素境界部の対辺中央部を含む対辺境界部近傍の焦点距離と、対角境界部を含む対角境界部近傍の焦点距離との差が小さい第２マイクロレンズとを備える固体撮像装置。
【請求項２】
前記第２マイクロレンズは、前記第１マイクロレンズに比べて焦点距離が短くなるように形成されている請求項１に固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２マイクロレンズは、画素境界部の対辺中央部を含む対辺境界部近傍の底面が、対角境界部を含む対角境界部近傍の底面よりも高く形成されている請求項１または請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記位相差検出用画素は、光電変換部の受光面側に、瞳分割された光の一方を通過する開口部が形成された遮光膜を有し、
前記第２マイクロレンズは、焦点位置が前記遮光膜の位置に合致するように形成されている請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２マイクロレンズは、対辺方向及び対角方向の焦点距離が共に前記遮光膜の位置に合致するように形成されている請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第２マイクロレンズは前記差が、同一平面に形成され、隣接するマイクロレンズ間で少なくても対辺方向が接触して形成され、８０％以上の有効面積を持つマイクロレンズに比べて小さくなるように形成されている請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１マイクロレンズは、平面視において正方形のパターン形状に形成され、
前記第２マイクロレンズは、平面視において円形または多角形のパターン形状に形成されている請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記第２マイクロレンズは、前記第１マイクロレンズとの間に、前記第１マイクロレンズ相互間のパターンギャップと同一のパターンギャップを有している請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記第２マイクロレンズは、前記第１マイクロレンズのアレイ中に横方向、縦方向、または、斜め方向に並んで複数個配置されて成る請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第２マイクロレンズと前記遮光膜との間に補助レンズを有する請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記補助レンズは、平面視における中点を中心として円周方向の断面の曲率半径が、円周方向の位置によらず等しい請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記補助レンズは、平面視で円形の形状を有する請求項１０または請求項１１に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記補助レンズは、前記第２マイクロレンズの下の層内に形成される層内レンズである請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記補助レンズは、前記第２マイクロレンズと同一の材料で形成されている請求項１０から請求項１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記補助レンズは、前記遮光膜側に凸状の形状を有する請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１６】
前記補助レンズは、前記第２マイクロレンズ側に凸状の形状を有する請求項１０から請求項１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１７】
前記撮像用画素及び前記位相差検出用画素は、配線層が形成される側と反対側から入射光を取り込む裏面照射型の画素構造である請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１８】
前記補助レンズは、前記第１マイクロレンズと前記遮光膜との間にも設けられている請求項１０から請求項１７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１９】
撮像信号を得る撮像用画素と、
前記撮像用画素と同じ受光領域に設けられ、受光光束を瞳分割して位相差検出信号を得る位相差検出用画素と、
前記撮像用画素に対応して形成された第１マイクロレンズと、
前記位相差検出用画素に対応して形成された第２マイクロレンズと
を備える固体撮像装置におけるマイクロレンズの形成に当たって、
前記第２マイクロレンズを、平面視において実質的に同一面積を有するマイクロレンズに比べて、画素境界部の対辺中央部を含む対辺境界部近傍の焦点距離と、対角境界部を含む対角境界部近傍の焦点距離との差が小さくなるように形成する固体撮像装置におけるマイクロレンズの形成方法。
【請求項２０】
撮像信号を得る撮像用画素、前記撮像用画素と同じ受光領域に設けられ、受光光束を瞳分割して位相差検出信号を得る位相差検出用画素、前記撮像用画素に対応して形成された第１マイクロレンズ、及び、前記位相差検出用画素に対応して形成され、平面視において実質的に同一面積を有するマイクロレンズに比べて、画素境界部の対辺中央部を含む対辺境界部近傍の焦点距離と、対角境界部を含む対角境界部近傍の焦点距離との差が小さい第２マイクロレンズを備える固体撮像装置と、
前記位相差検出用画素から出力される位相差検出信号に基づいて焦点調節が可能なフォーカス機構とを具備する電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気可能な鏡体と、
電子ビームを生成する電子銃と、
前記電子ビームを収束する電磁レンズと、
第１の試料を搭載する第１の試料ホルダと、前記鏡体を大気解放することなく前記第１の試料ホルダを前記鏡体内に導入できる第１のエアーロック機構とを有する第１のステージと、
前記電子ビームと前記第１の試料とが相互作用した結果として生じる信号を検出する検出器と、
を備え、
前記鏡体は、前記第１の試料ホルダに搭載された前記第１の試料と概同一平面に、第２のエアーロック機構を備える開口部を備え、前記第２のエアーロック機構が、前記鏡体を大気解放することなく所定の部材を前記鏡体内に導入できるように構成されており、
前記所定の部材は、第２の試料を搭載する第２の試料ホルダであることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記第１の試料ホルダ又は前記第２の試料ホルダが前記電子ビームの照射位置にあることを検出する検出機構を更に備えることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記第１の試料ホルダ及び前記第２の試料ホルダが同時に前記電子ビームの照射位置に導入されることを防ぐ制御機構を更に備えることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記制御機構は、前記第１の試料ホルダ及び前記第２の試料ホルダの移動経路を塞ぐゲートを備えることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記第１の試料ホルダ及び前記第２の試料ホルダは、前記電子ビームの照射位置に同時に導入された際に互いに干渉しないような形状で形成されており、
前記第１の試料ホルダ及び前記第２の試料ホルダの各々は、前記電子ビームの照射位置を挟んで対向する試料台を備え、前記第１の試料ホルダの前記第１の試料及び前記第２の試料ホルダの前記第２の試料が前記電子ビームの照射位置に同時に配置されるように構成されていることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項６】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記所定の部材は、前記電子ビームと前記第１の試料とが相互作用した結果として生じる信号を検出する第２の検出器であることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記第２の検出器が、前記第１の試料の上方の位置まで挿入されるように構成されていることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項８】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記所定の部材は、前記第２の試料ホルダに代えて、前記第１の試料に対してガスを吹付けるガス導入機構であることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項９】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記所定の部材は、前記第２の試料ホルダに代えて、前記第１の試料を冷却する冷却部材であることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記冷却部材は、前記電子ビームを通過させる孔を有する円筒部材であり、前記円筒部材が、前記第１の試料の周囲を覆うように配置されることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記所定の部材は、前記第２の試料ホルダに代えて、前記第１の試料からの散乱電子を除去する絞り機構であることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記所定の部材は、前記第２の試料ホルダに代えて、前記第１の試料にプラズマを照射するプラズマ照射機構であることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の電子ビーム顕微装置において、
前記第１のエアーロック機構及び前記第２のエアーロック機構に接続された少なくとも１つの真空排気部と、
前記真空排気部の真空排気対象を前記第１のエアーロック機構と前記第２のエアーロック機構との間で切替えるための複数のバルブと、
を更に備えることを特徴とする電子ビーム顕微装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月6日(2015.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮機と燃焼器を有するガスタービンと、
空気極及び燃料極を有する燃料電池と、
前記圧縮機で圧縮した一部の圧縮空気を前記空気極に供給する圧縮空気供給ラインと、
前記圧縮空気供給ラインに設けられる圧力制御弁と、
前記圧力制御弁の下流側の前記圧縮空気供給ラインに設けられ前記空気極に供給される圧縮空気の第１圧力を検出する第１検出器と、
前記圧力制御弁の上流側の前記圧縮空気供給ラインに設けられ前記空気極に供給される圧縮空気の第２圧力を検出する第２検出器と、
前記第１検出器により検出された第１圧力及び前記第２検出器により検出された第２圧力の変動に基づいて前記空気極に供給される圧縮空気の圧力を一定とするように前記圧力制御弁の開度を制御する制御部と、
を有することを特徴とする発電システム。
【請求項２】
前記圧力制御弁が、複数の制御弁を並列して構成されていることを特徴とする請求項１に記載の発電システム。
【請求項３】
ガスタービンの圧縮機で圧縮した一部の圧縮空気を燃料電池の空気極に圧力制御弁を介して供給する工程と、
前記燃料電池に供給される圧縮空気の前記圧力制御弁の下流側の第１圧力及び前記圧力制御弁の上流側の第２圧力が変動した場合、前記圧縮空気の圧力を一定とするように前記圧力制御弁により前記圧縮空気の流量を調整する工程と、
を有することを特徴とする発電システムにおける燃料電池の運転方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月29日(2015.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、図２（ｃ）に示すように、開口５２内のオーミック電極２０上およびフォトレジスト５０上に、バリア層３１およびシード層３２を形成する。バリア層３１およびシード層３２は、例えばスパッタリング法を用い形成される。バリア層３１は、例えばＴｉＷＮ（チタン・タングステン・ナイトライド）膜である。シード層３２は、Ａｕ膜である。バリア層３１は、オーミック電極２０とめっき層３４（図３（ａ）参照）との反応を抑制する層である。例えばめっき層３４およびシード層３２がＡｕ膜の場合、バリア層３１は、Ａｕとオーミック電極２０のＡｌとの共晶反応を抑制する。シード層３２は、電解めっきの際に給電するための層である。また、図２（ｃ）のように、フォトレジスト５０上に、パリア層３１およびシード層３２を形成しているため、図３（ａ）に示すように、配線層３０を絶縁膜２６に接して形成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次に、図３（ａ）に示すように、フォトレジストをマスク（図示なし）にめっき層３４を例えば電解めっき法を用い形成する。めっき層３４は、例えば膜厚が１μｍから５μｍのＡｕ層である。めっき層３４をマスクにシード層３２およびバリア層３１を除去する。これにより、めっき層３４、シード層３２およびバリア層３１から配線層３０が形成される。配線層３０は、蒸着法およびリフトオフ法により形成してもよい。配線層３０は、絶縁膜２６の開口５２を介しオーミック電極２０と接続する。つまり、開口５２にオーミック電極２０と接続する配線層３０が形成される。配線層３０と絶縁膜２６とが離間した領域３５においては、オーミック電極２０が露出している。配線層３０と絶縁膜２６とが離間する距離Ｌ２は１μｍ以下である。また、配線層３０と絶縁膜２６とが接して形成されていてもよい。配線層３０が絶縁膜２６上に重なると、絶縁膜３６（図３（ｂ）参照）の被覆性が悪くなり、耐湿性が劣化する。配線層３０が絶縁膜２６上に重ならいように形成するためには、合わせマージンを考慮し、配線層３０と絶縁膜２６とを離間させることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月12日(2015.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワード線およびビット線と接続されたメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイと、
ワード線アシスト電圧を生成するアシスト電圧生成回路と、
選択した前記ワード線に前記ワード線アシスト電圧を印加するワードドライバと、
前記ビット線の電圧を増幅して出力するセンスアンプと、
基準タイミング信号を生成する制御回路と、
前記ワード線アシスト電圧が印加される遅延回路と、を備える半導体装置であって、
前記アシスト電圧生成回路および前記制御回路には、第１電圧が印加され、
前記遅延回路は、前記基準タイミング信号を所定時間遅延させたセンスアンプ起動信号を生成し、
前記センスアンプは、前記センスアンプ起動信号に応答して、起動される、半導体装置。
【請求項２】
前記アシスト電圧生成回路は、印加された前記第１電圧を前記ワード線アシスト電圧に変換して出力し、
前記遅延回路は、前記ワード線アシスト電圧に応答して遅延時間が変化する第１インバータを有する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１インバータは、前記ワード線アシスト電圧を電源電圧として動作する、請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１インバータは、前記第１電圧を電源電圧として動作するとともに、前記ワード線アシスト電圧に応答して駆動能力が変化する、請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記遅延回路は、さらに、前記第１電圧を電源電圧として動作する第２インバータを有し、
前記第１インバータおよび前記第２インバータは直列接続される、請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記アシスト電圧生成回路は、アシスト電圧制御信号に応答して、前記ワード線アシスト電圧の値を変更し、
前記遅延回路は、前記アシスト電圧制御信号に応答して、前記基準タイミング信号の遅延時間を変更する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
第１セレクタおよび第２セレクタを、さらに備え、
前記遅延回路は、前記ワード線アシスト電圧に応答して遅延時間が変化する第３インバータおよび第４インバータを有し、
前記第１セレクタは、前記アシスト電圧制御信号に応答して、前記基準タイミング信号および前記第３インバータの出力のいずれか一方を出力し、
前記第２セレクタは、前記アシスト電圧制御信号に応答して、前記第１セレクタの出力および前記第４インバータの出力のいずれか一方を前記センスアンプ起動信号として出力する、請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
ワード線およびビット線と接続されたメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイと、
ワード線アシスト電圧を生成するアシスト電圧生成回路と、
選択した前記ワード線に前記ワード線アシスト電圧を印加するワードドライバと、
前記ビット線の電圧を増幅して出力するセンスアンプと、
基準タイミング信号を生成する制御回路と、
第１レプリカセル選択線と、
第１レプリカビット線と、
前記第１レプリカセル選択線および前記第１レプリカビット線と接続されるレプリカセルを有するレプリカセル遅延回路と、
前記ワード線アシスト電圧が印加され、前記基準タイミング信号に応答して前記第１レプリカセル選択線を駆動するレプリカセル駆動回路と、を備える半導体装置であって、
前記アシスト電圧生成回路および前記制御回路には、第２電圧が印加され、
前記レプリカセル遅延回路は、前記レプリカセル駆動回路の出力に応答して、センスアンプ起動信号を生成し、
前記センスアンプは、前記センスアンプ起動信号に応答して、起動される、半導体装置。
【請求項９】
前記レプリカセルは、第１ノードにソース／ドレインの一端が接続され、前記第１レプリカビット線にソース／ドレインの他端が接続され、前記第１レプリカセル選択線がゲートと接続された第１トランジスタを有する、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
第２レプリカビット線と、
前記第１レプリカビット線および前記第２レプリカビット線と接続された第１カレントミラー回路と、をさらに備え、
前記レプリカセルは、さらに、前記第２レプリカビット線と接続され、
前記レプリカセルは、第２ノードにソース／ドレインの一端が接続され、前記第２レプリカビット線にソースドレインの他端が接続され、前記第１レプリカセル選択線がゲートと接続された第２トランジスタを有する、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記レプリカセル駆動回路は、さらに、前記センスアンプ起動信号に応答して、前記第２トランジスタを非導通状態とする、請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
第２レプリカセル選択線を、さらに備え、
前記アシスト電圧生成回路は、アシスト電圧制御信号に応答して、前記ワード線アシスト電圧の値を変更し、
前記レプリカセル遅延回路は、さらに、前記第２レプリカセル選択線および前記第１レプリカビット線と接続される前記レプリカセルを有し、
前記レプリカセル駆動回路は、前記アシスト電圧制御信号に応答して、前記第１レプリカセル選択線または前記第２レプリカセル選択線を駆動する、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記アシスト電圧生成回路は、アシスト電圧制御信号に応答して、前記ワード線アシスト電圧の値を変更し、
前記レプリカセルは、前記アシスト電圧制御信号に応答して、その動作状態が制御される、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１４】
第２レプリカビット線およびカレントミラー回路を、さらに備え、
前記レプリカセルは、前記第２レプリカビット線と、さらに接続され、
前記アシスト電圧生成回路は、アシスト電圧制御信号に応答して、前記ワード線アシスト電圧の値を変更し、
前記カレントミラー回路は、前記第１レプリカビット線および前記第２レプリカビット線と接続され、
前記カレントミラー回路の電流駆動能力は、前記アシスト電圧制御信号および前記センスアンプ起動信号に応答して決定される、請求項８記載の半導体装置。
【請求項１５】
ワード線およびビット線と接続されたメモリセルを行列状に配置したメモリセルアレイと、
前記ワード線を駆動するワードドライバと、
アドレス信号に基づき、前記ワードドライバを選択するワードデコーダと、
前記ビット線の電圧を増幅して出力するセンスアンプと、
基準タイミング信号を生成する制御回路と、
前記基準タイミング信号を所定時間遅延させてセンスアンプ起動信号を生成する遅延回路と、を備える半導体装置であって、
前記制御回路および前記ワードデコーダには、第３電圧が印加され、
前記ワードドライバおよび前記メモリセルアレイには、第４電圧が印加され、
前記センスアンプは、前記センスアンプ起動信号に応答して、起動される、半導体装置。
【請求項１６】
レベルシフト回路を、さらに備え、
前記レベルシフト回路は、前記ワードデコーダの出力をレベル変換して前記ワードドライバに入力する、請求項１５記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第４電圧の値は、前記第３電圧の値より大きく設定される請求項１５記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月4日(2014.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ディスプレイタッチスクリーンにおける表示を制御する方法であって、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンに少なくとも１つのアイコンを含むスクロール可能な画像を表示するステップ、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンとの接触を検出するステップ、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンとの静止した接触の継続時間が予め設定された時間を超えるかを決定するステップ、
を有し、
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えた場合、接触の動きが検出されると、接触で選択されたアイコンを接触の前記動きに従ってドラッグし、
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えない場合、接触が途切れるまで、接触の動きの方向及びスピードに基づいて、前記スクロール可能な画像をスクロールさせる、方法。
【請求項２】
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えない場合に、接触が途切れた後、前記スクロール可能な画像のスクロールを継続する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接触が途切れた後に前記スクロール可能な画像のスクロールが継続されている間、
（ａ）静止した接触が検知されたこと、
（ｂ）前記スクロール可能な画像のスクロールの終端に達したこと、
（ｃ）スクロールのスピードがゼロ又は予め設定された値まで減少したこと、
のいずれかの場合に、前記スクロールを終了させる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つのアイコンを含むスクロール可能な画像を表示する電子ディスプレイタッチスクリーンであって、当該電子ディスプレイタッチスクリーンとの接触が検出される電子ディスプレイタッチスクリーン、及び
マイクロプロセッサであって、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンとの接触を検出し、
前記電子ディスプレイタッチスクリーンとの静止した接触の継続時間が予め設定された時間を超えるかを決定し、
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えた場合、接触の動きが検出されると、接触で選択されたアイコンを接触の前記動きに従ってドラッグし、
前記継続時間が前記予め設定された時間を超えない場合、接触が途切れるまで、接触の動きの方向及びスピードに基づいて、前記スクロール可能な画像をスクロールさせるマイクロプロセッサ、
を有する装置。
【請求項５】
前記マイクロプロセッサが、前記継続時間が前記予め設定された時間を超えない場合に、前記接触が途切れた後、前記スクロール可能な画像のスクロールを継続する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記マイクロプロセッサがさらに、前記接触が途切れた後に前記スクロール可能な画像のスクロールが継続されている間、
（ａ）静止した接触が検知されたこと、
（ｂ）前記スクロール可能な画像のスクロールの終端に達したこと、
（ｃ）スクロールのスピードがゼロ又は予め設定された値まで減少したこと、
のいずれかの場合に、前記スクロールを終了させる、請求項５に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月19日(2015.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源から発せられたレーザ光を標本に照射する対物レンズと、
該対物レンズにより照射するレーザ光を標本上で走査させる走査部を含む複数の光学素子からなり、これら複数の光学素子により互いに異なる光路を形成する２つの走査光学系と、
該２つの走査光学系の光路を切替可能な光路切替部と、
前記２つの走査光学系に入射させる前記レーザ光の光束径を変換可能な光束径変換光学系とを備え、
前記２つの走査光学系が、前記対物レンズの瞳位置と光学的に共役な位置に前記走査部が配され、前記複数の光学素子により前記光束径変換光学系から前記走査部までの光路長が互いに等しくなるように前記光路が形成されている顕微鏡装置。
【請求項２】
前記光束径変換光学系が、前記レーザ光の光束径を変換することにより前記対物レンズの瞳位置における前記レーザ光の波面を変化させる請求項１に記載の顕微鏡装置。
【請求項３】
前記光束径変換光学系が、２つのレンズ間の光軸方向の距離を変化させることによりレーザ光の光束径を拡大または縮小するガリレオ式またはケプラー式のビームエキスパンダである請求項１または請求項２に記載の顕微鏡装置。
【請求項４】
前記対物レンズとレーザ光の波長を変更した場合に前記光束径変換光学系を調整するための調整テーブルが、前記２つの走査光学系で共通である請求項１から請求項３のいずれかに記載の顕微鏡装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記発明においては、前記光束径変換光学系が、前記レーザ光の光束径を変換することにより前記対物レンズの瞳位置における前記レーザ光の波面を変化させることとしてもよい。
光束径変換光学系がレーザ光の光束径の調節に伴ってレーザ光の波面を変化させるような簡易な構成であっても、２つの走査光学系の相対的な焦点位置ずれを生じさせずに観察を行うことができる。
上記発明においては、前記光束径変換光学系が、２つのレンズ間の光軸方向の距離を変化させることによりレーザ光の光束径を拡大または縮小するガリレオ式またはケプラー式のビームエキスパンダであってもよい。
このように構成することで、２つのレンズの光軸方向の距離間隔を変化させるだけの簡易な操作で、２つの走査光学系に入射させるレーザ光の光束径を変換することができる。
上記発明においては、前記対物レンズとレーザ光の波長を変更した場合に前記光束径変換光学系を調整するための調整テーブルが、前記２つの走査光学系で共通であってもよい。
このように構成することで、調整テーブルを作成するための調整時間を短縮することができるとともに、調整テーブルを記憶させるのに必要なメモリの容量を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月23日(2015.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像振れの補正部材を保持する可動部材と、
前記可動部材を、回転中心点を球心とする球面に沿って移動可能に保持する固定部材と、
前記可動部材および前記固定部材にて互いに対向する部分に設けた磁石およびコイルを有する電磁駆動手段を備え、
前記磁石およびコイルは、前記コイルに通電したときに発生する駆動力の方向が、前記回転中心点を球心とする球面の接線方向と略一致するように、光軸に直交する方向から傾いて配置されることを特徴とする像振れ補正装置。
【請求項２】
複数の可動部材と、固定部材を備え、補正部材を保持する可動部材を、前記固定部材に対して回転中心点を交点とする第１の回転軸および第２の回転軸を中心として回転させることで像振れを補正する像振れ補正装置であって、
前記固定部材に対して第１の回転軸を中心として回転し得る状態で支持された第１の可動部材と、
前記補正部材を保持し、前記第２の回転軸を中心として回転し得る状態で前記第１の可動部材に支持された第２の可動部材と、
前記第１の可動部材および前記固定部材にて互いに対向する部分に設けた磁石およびコイルを有する第１の電磁駆動手段と、
前記第２の可動部材および前記第１の可動部材にて互いに対向する部分に設けた磁石およびコイルを有し、前記補正部材の光軸に直交する方向にて当該補正部材の外周に配置される第２の電磁駆動手段を備え、
前記磁石およびコイルは、前記コイルに通電したときに発生する駆動力の方向が、前記回転中心点を球心とする球面の接線方向と略一致するように、光軸に直交する方向から傾いて配置されることを特徴とする像振れ補正装置。
【請求項３】
前記磁石およびコイルは互いに対向する部分が前記回転中心点を球心とする球面ではないことを特徴とする請求項１または２に記載の像振れ補正装置。
【請求項４】
互いに対向する前記磁石または前記コイルの幾何学的中心および前記補正部材の光軸を含む断面において、前記磁石または前記コイルの対向面の前記幾何学的中心での法線が前記光軸に対して傾いており、当該法線と前記光軸との交点および前記回転中心点は前記補正部材に対して同じ側に位置することを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載の像振れ補正装置。
【請求項５】
前記磁石に対する前記コイルの対向面または前記コイルに対する前記磁石の対向面に平面部を有し、前記回転中心点から前記平面部へ下ろした垂線の足は、前記平面部の幾何学的中心から前記光軸までの距離を半径とする円の内部に位置することを特徴とする請求項４に記載の像振れ補正装置。
【請求項６】
前記回転中心点から前記平面部へ下ろした垂線の足は、前記磁石またはコイルの対向面内に位置することを特徴とする請求項５に記載の像振れ補正装置。
【請求項７】
前記補正部材と前記光軸との交点のうち、前記回転中心点に近い方を点Ｃ１とし、前記回転中心点から遠い方を点Ｃ２として、前記回転中心点から点Ｃ１までの距離をＬ２とし、前記回転中心点から点Ｃ２までの距離をＬ３とし、前記補正部材の半径をＲ２とし、前記補正部材を保持する前記可動部材の最外周部の半径をＲ３とし、前記光軸に対して前記平面部の法線がなす角をθとし、逆正接関数をＡｔaｎとするとき、
Ａｔaｎ（Ｒ２/Ｌ３）＜θ＜Ａｔａｎ（Ｒ３/Ｌ２）の関係を満たすことを特徴とする請求項５または６に記載の像振れ補正装置。
【請求項８】
前記平面部の幾何学的中心と前記光軸を含む断面において、当該幾何学的中心を通る法線は、前記回転中心点を通ることを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載の像振れ補正装置。
【請求項９】
前記磁石の磁気を検出する磁気検出手段をさらに備え、
前記磁気検出手段は、前記磁石またはコイルに対向するとともに、前記可動部材が可動範囲の中心に位置する状態にて前記回転中心点から前記平面部へ下ろした垂線上に配置されることを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１項に記載の像振れ補正装置。
【請求項１０】
前記磁石に対する前記コイルの対向面または前記コイルに対する前記磁石の対向面に円筒面部を有することを特徴とする請求項４に記載の像振れ補正装置。
【請求項１１】
前記円筒面部の回転中心軸は、前記回転中心点を通ることを特徴とする請求項１０に記載の像振れ補正装置。
【請求項１２】
前記円筒面部の回転中心軸は、前記電磁駆動手段の駆動方向に対して平行であるか、または直交することを特徴とする請求項１０または１１に記載の像振れ補正装置。
【請求項１３】
前記磁石およびコイルの対向面のうち、前記回転中心点に近い方の対向面の曲率半径は、前記回転中心点から遠い方の対向面の曲率半径よりも小さいことを特徴とする請求項１０ないし１２のいずれか１項に記載の像振れ補正装置。
【請求項１４】
前記磁石は、対向する前記コイルよりも前記回転中心点に近い位置に配置されることを特徴とする請求項１３に記載の像振れ補正装置。
【請求項１５】
前記磁石の磁気を検出する磁気検出手段をさらに備え、
前記磁気検出手段は、前記磁石またはコイルに対向するとともに、前記可動部材が可動範囲の中心に位置する状態にて前記回転中心点から前記円筒面部へ下ろした垂線上に配置されることを特徴とする請求項１０ないし１４のいずれか１項に記載の像振れ補正装置。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の像振れ補正装置を備えることを特徴とする光学機器。
【請求項１７】
請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の像振れ補正装置を備えることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記課題を解決するために、本発明に係る装置は、像振れの補正部材を保持する可動部材と、前記可動部材を、回転中心点を球心とする球面に沿って移動可能に保持する固定部材と、前記可動部材および前記固定部材にて互いに対向する部分に設けた磁石およびコイルを有する駆動手段を備える。前記磁石およびコイルは、前記コイルに通電したときに発生する駆動力の方向が、前記回転中心点を球心とする球面の接線方向と略一致するように、光軸に直交する方向から傾いて配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月2日(2015.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の第１短辺及び一対の第１長辺を有する第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、アクティブエリアに画像を表示する液晶表示パネルと、
前記第１基板の外面側に配置され、前記第１短辺よりも長い一対の第２短辺と、一対の第２長辺と、前記第２短辺とのなす角度ａ１が前記第２長辺とのなす角度ｂ１よりも小さい第１吸収軸と、を有する第１偏光板と、
前記第２基板の外面側に配置され、第２吸収軸を有する第２偏光板と、
を備えた液晶表示装置。
【請求項２】
前記一対の第２長辺のそれぞれは、前記第１基板よりも外側にはみ出している、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１吸収軸と前記第２短辺とのなす角度ａ１は、前記第２短辺と前記第１偏光板の対角線とのなす角度ｃ１よりも小さい、請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２偏光板は、一対の第３短辺と、一対の第３長辺と、を有し、前記第２吸収軸は前記第１吸収軸と略直交し、前記第２吸収軸と前記第３短辺とのなす角度ａ２が前記第２吸収軸と前記第３長辺とのなす角度ｂ２よりも大きい、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記一対の第３短辺のそれぞれは、前記第２基板よりも外側にはみ出している、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２吸収軸と前記第３長辺とのなす角度ｂ２は、前記第３長辺と前記第２偏光板の対角線とのなす角度ｃ２よりも小さい、請求項４または５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１偏光板及び前記第２偏光板の少なくとも一方は、位相差フィルムと保護層との間に偏光子を挟持した構成である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１基板はアレイ基板を構成し、前記第２基板は対向基板を構成する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
一対の第１短辺及び一対の第１長辺を有する第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、を備え、アクティブエリアに画像を表示する液晶表示パネルと、
前記第１基板の外面側に配置され、前記第１短辺よりも長い一対の第２短辺と、一対の第２長辺と、前記第２短辺とのなす角度ａ１が前記第２長辺とのなす角度ｂ１よりも小さい第１吸収軸と、を有する第１偏光板と、
前記第２基板の外面側に配置され、第２吸収軸を有する第２偏光板と、
前記第２偏光板と対向するカバー部材と、
前記第２偏光板と前記カバー部材とを貼り合わせる樹脂と、を備え、
前記第２偏光板の外形サイズは、前記第２基板の外形サイズと同等以下である、液晶表示装置。
【請求項１０】
前記一対の第２長辺のそれぞれは、前記第１基板よりも外側にはみ出している、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第１吸収軸と前記第２短辺とのなす角度ａ１は、前記第２短辺と前記第１偏光板の対角線とのなす角度ｃ１よりも小さい、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第２偏光板は、一対の第３短辺と、一対の第３長辺と、を有し、前記第２吸収軸は前記第１吸収軸と略直交し、前記第２吸収軸と前記第３短辺とのなす角度ａ２が前記第２吸収軸と前記第３長辺とのなす角度ｂ２よりも大きい、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記一対の第３短辺のそれぞれは、前記第２基板よりも外側にはみ出している、請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第２吸収軸と前記第３長辺とのなす角度ｂ２は、前記第３長辺と前記第２偏光板の対角線とのなす角度ｃ２よりも小さい、請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記第１偏光板及び前記第２偏光板の少なくとも一方は、位相差フィルムと保護層との間に偏光子を挟持した構成である、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１基板はアレイ基板を構成し、前記第２基板は対向基板を構成する、請求項９に記載の液晶表示装置。