(57)【要約】  半導体装置は、半導体層上に、第２エミッタ領域（９）からバッファ領域（７）に向かって、第１ボディ領域（４）を越えてドリフト領域（６）の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜（１２）及びゲート電極（１３）を備えている。第２エミッタ領域（９）は、第１エミッタ領域（８）と接続すると共に、第１エミッタ領域におけるゲート電極（１３）寄りの端部からゲート電極の下側に向かう横方向において、第２エミッタ領域（９）の拡散深さよりも長く、且つ第１ボディ領域（４）のゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、ゲート電極の下側にまで延在している。
2014033991.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記第１ボディ領域と隣接するか又は前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上部に形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１エミッタ領域及び該第１エミッタ領域よりも低濃度の第２導電型の第２エミッタ領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第１導電型のコレクタ領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体層の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体層の上に、前記第２エミッタ領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記ドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体層の上に、前記第１エミッタ領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及び前記コレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、
前記第２エミッタ領域は、前記第１エミッタ領域と接続すると共に、前記第１エミッタ領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在している半導体装置。
【請求項２】
支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された第２導電型の半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１エミッタ領域及び該第１エミッタ領域よりも低濃度の第２導電型の第２エミッタ領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第１導電型のコレクタ領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体層の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体層の上に、前記第２エミッタ領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記半導体層の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体層の上に、前記第１エミッタ領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及び前記コレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、
前記第２エミッタ領域は、前記第１エミッタ領域と接続すると共に、前記第１エミッタ領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在している半導体装置。
【請求項３】
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、前記ボディ・コンタクト領域の拡散深さよりも浅い請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、前記第１エミッタ領域の拡散深さよりも浅い請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２エミッタ領域のシート抵抗は、前記第１ボディ領域のシート抵抗よりも大きい請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２エミッタ領域の不純物濃度のピーク値は、前記第１ボディ領域の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲である請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２エミッタ領域の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲である請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲である請求項１〜７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体基板の一主面側の上部に、前記第１ボディ領域と隣接するか又は前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上部に形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１ソース領域及び該第１ソース領域よりも低濃度の第２導電型の第２ソース領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第２導電型のドレイン領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体基板の上に、前記第２ソース領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記ドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板の上に、前記第１ソース領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたソース電極、及び前記ドレイン領域と接続するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記第２ソース領域は、前記第１ソース領域と接続すると共に、前記第１ソース領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２ソース領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在している半導体装置。
【請求項１０】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第２導電型のエピタキシャル領域と、
前記エピタキシャル領域の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記エピタキシャル領域の上部に、前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１ソース領域及び該第１ソース領域よりも低濃度の第２導電型の第２ソース領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第２導電型のドレイン領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体基板の上に、前記第２ソース領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記前記エピタキシャル領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板上に、前記第１ソース領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたソース電極、及び前記ドレイン領域と接続するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記第２ソース領域は、前記第１ソース領域と接続するとともに、前記第１ソース領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２ソース領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在している半導体装置。
【請求項１１】
前記第２ソース領域の拡散深さは、前記ボディ・コンタクト領域の拡散深さよりも浅い請求項９又は１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２ソース領域の拡散深さは、前記第１ソース領域の拡散深さよりも浅い請求項９〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２ソース領域のシート抵抗は、前記第１ボディ領域のシート抵抗よりも大きい請求項９〜１２のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２ソース領域の不純物濃度のピーク値は、前記第１ボディ領域の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲である請求項９〜１３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第２ソース領域の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲である請求項９〜１４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第２ソース領域の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲である請求項９〜１５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１ボディ領域は、レトログレード・プロファイルを形成している請求項１〜１６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記第１ボディ領域の下に、前記第１ボディ領域に接続するように、前記第１ボディ領域よりも低濃度で、且つ、拡散深さが深い第１導電型の第２ボディ領域をさらに備えている請求項１〜１７のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）及び横型ＭＯＳトランジシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、カラーＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎａｌ）の著しい価格の下落に伴い、内蔵されている半導体製品の低コスト化の要望も大きい。カラーＰＤＰのスキャン・ドライバＩＣは、ＳＯＩ基板上に出力駆動デバイスとして横型ＩＧＢＴと低耐圧の制御回路を１チップにしたシリコン集積回路が採用されている場合が多い。【０００３】
スキャン・ドライバＩＣの低コスト化を図る上で、チップ内に占める面積が大きい横型ＩＧＢＴを縮小することが効果として大きいが、そのためには、横型ＩＧＢＴの電流能力を向上する必要がある。【０００４】
横型ＩＧＢＴの電流能力は、主に２つの観点、即ちオン電圧及び飽和電流等の動作特性と、オン耐圧又はＳＯＡ（Ｓａｆｅ Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ Ａｒｅａ）及びＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）等の素子の破壊とから検討する必要がある。本発明は、ＩＧＢＴ以外にもＭＯＳトランジスタにも効果を有するため、ここでいう飽和電流は、ＭＯＳトランジスタと同様の意味の飽和電流、即ち、飽和傾向を示す領域におけるコレクタ電流の意味で用いている。また、オン耐圧は、オン状態のときに降伏するコレクタ電圧である。また、ＳＯＡは、オン耐圧と、その降伏電流で表せる動作可能な電流−電圧の範囲とを意味している。従って、オン耐圧とＳＯＡとは、本発明では同様の意味に捉えることができる。また、飽和電流、オン耐圧及びＳＯＡについては、それぞれ、直流（ＤＣ）入力とパルス入力との双方を考える必要がある。【０００５】
今回、発明者が行ったＩＧＢＴのオン耐圧は、ＴＬＰ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｌｉｎｅ Ｐｕｌｓｅ）測定器を用いて、１００ｎｓ幅のパルス信号をコレクタに印加する方法により測定している。一方、飽和電流は、ＤＣ信号の入力により測定している。【０００６】
オン耐圧は、飽和電流が上昇するほど低下するため、一般に、オン耐圧と飽和電流との間には、トレードオフの関係が存在する。【０００７】
飽和電流は、主にデバイスがオン状態のときの抵抗成分に依存する。ゲート絶縁膜の下側の領域に形成されるチャネル抵抗は、主たる抵抗成分の１つである。従って、チャネル抵抗を低減することが重要である。また、オン耐圧の向上については、ラッチアップの抑制が重要である。横型ＩＧＢＴの等価回路は、図１６に示すようなサイリスタ構造となる。このサイリスタが動作して、一旦ラッチアップが起きると、ゲート電圧では制御できず、低インピーダンス状態となり、発熱による破壊に至る。ラッチアップが発生する条件は、寄生ＮＰＮトランジスタと寄生ＰＮＰトランジスタとのベース接地電流利得をそれぞれα(NPN)、α(PNP)とすると、α(NPN)+α(PNP)≧１である。従って、ラッチアップの抑制には両バイポーラトランジスタの電流利得αを下げることも重要である。【０００８】
ＰＮＰトランジスタの動作特性は、飽和電流と関係するため、電流利得αを下げ過ぎると、ＭＯＳトランジスタに対する優位性が小さくなる。このため、ラッチアップを防止するには、寄生ＮＰＮトランジスタにおけるターン・オン動作（以下、オン動作と記す。）を抑制することに力点が置かれる。特に、寄生ＮＰＮトランジスタにおけるオン動作の抑制には、エミッタ領域の下方のボディ抵抗Ｒｂを低減することが効果的である。横型ＩＧＢＴがオン状態で、コレクタ電流が大きくなると、Ｐ型ボディ領域の寄生抵抗Ｒｂでの電圧降下が大きくなる。この電圧降下がビルトイン・ポテンシャルＶｂｉ以上となるとオン動作が始まる。このため、寄生抵抗Ｒｂの低減は特に重要である。【０００９】
このようなトレードオフ関係を改善できる従来構造として、例えば特許文献１に示すような、ボディ領域にレトログレード・プロファイルを用いるデバイス構造が提案されている。【００１０】
レトログレード・プロファイルは、シリコン（Ｓｉ）層の表面（以下、Ｓｉ表面ともいう。）から深さ方向に向かって不純物濃度が増加して、エミッタ領域の下方で不純物濃度の最大値を示す。これにより、チャネル抵抗の増大を抑えつつ、寄生抵抗Ｒｂの低下を図ることができる。【００１１】
図１７に、特許文献１に記載された横型ＩＧＢＴの素子構造の摸式的な断面構成を示す。図１７に示すように、支持基板１と埋め込み絶縁膜２と低濃度Ｐ型半導体層３とを貼り合わせたＳＯＩ基板の上部に、Ｐ型の第１ボディ領域４、Ｐ−型の第２ボディ領域５、Ｎ−型ドリフト領域６及びＮ型バッファ領域７が形成されている。第１ボディ領域４の上部には、高濃度のＮ＋型の第１エミッタ領域８、及び該第１エミッタ領域８よりも低濃度で且つ拡散深さが大きいＮ型の第２エミッタ領域９が形成されている。第１エミッタ領域８と第２エミッタ領域９とは、通常、同一のチップに集積されるロジック素子における低耐圧ＮチャネルＭＯＳのＮ型ソース領域及びＮ型ドレイン領域と兼用される。Ｎ型ソース領域及びＮ型ドレイン領域は、通常、オーミックコンタククト用に高濃度のＮ型領域と、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ−Ｄｏｐｅｄ−Ｄｒａｉｎ）と呼ばれる低濃度のＮ型領域との２種類の拡散層によって形成される。低濃度拡散層（ＬＤＤ）と対応する第２エミッタ領域９の拡散深さは、高濃度拡散層と対応する第１エミッタ領域８よりも通常は大きくなっている。【００１２】
Ｎ型バッファ領域７の表面に形成されているＰ＋型のコレクタ領域１０と、第１ボディ領域４の表面に形成されているＰ＋型のボディ・コンタクト拡散領域１１とは、同一の高濃度拡散層で形成されている。ゲート電極１３は、ゲート絶縁膜１２の上からフィールド酸化膜１５の上にまで延長されて、側壁にはサイドウォールスペーサ１４が形成されている。第１エミッタ領域８及びボディ・コンタクト拡散領域１１の上には、エミッタ電極１６が形成されている。コレクタ領域１０の上には、コレクタ電極１７が形成されている。【００１３】
第１ボディ領域４は、そのＰ型不純物濃度がＰ型半導体層３の表面から増大してエミッタ領域８の下方において最大となる縦方向濃度分布を有し、且つ、横方向にはゲート電極１３の下側の領域の一部にまで延伸して拡散している。ゲート電極１３のエミッタ領域８側の端部の下方に位置する不純物濃度の最大箇所から、ゲート電極１３の下側の領域に向かう横方向の長さは、該不純物濃度の最大箇所から支持基板方向に向かう縦方向の長さと比べて同等かそれ以上である。【００１４】
ここで、特許文献１の特徴であるレトログレード・プロファイルと呼ばれる、Ｓｉ表面から深さ方向に向かって不純物濃度が増大して、エミッタ領域８の下方で不純物濃度の最大箇所を含む第１ボディ領域４は、エミッタ領域８の下方の第１ボディ領域４の寄生抵抗を低減できるため、寄生バイポーラトランジスタの動作の抑制に効果を発揮する。更に、第１ボディ領域４は、ゲート電極１３のエミッタ領域８側の端部の下方からゲート電極１３の下側の領域に向かって、すなわち、コレクタ領域１０側へ向かって延伸している。これにより、横方向の寄生バイポーラトランジスタの電流利得を低減できるため、その動作の抑制に効果を発揮する。このため、寄生バイポーラトランジスタが動作する降伏電流を高くでき、オン耐圧を向上することができる。また、第１ボディ領域４は、レトログレード・プロファイルであるため、第１ボディ領域４の深部の不純物濃度を高くしても、Ｓｉ表面の不純物濃度の増大への影響を低減できる。その結果、チャネル抵抗を増大することなく飽和電流を増加でき、オン耐圧と飽和電流とのトレードオフの関係を改善することができる。【００１５】
次に、特許文献１に示す従来構造の製造方法について、図１８（ａ）〜図１８（ｆ）の断面フロー概略図を用いて説明する。【００１６】
まず、図１８（ａ）に示すように、支持基板１と、厚さが２．０μｍの埋め込み酸化膜２と、厚さが３．５μｍのｐ型半導体層３とを貼り合わせたＳＯＩ基板に対して、イオン注入、フォトリソグラフィ及びドライブイン（熱処理）等の通常の拡散技術を繰り返し用いて、ｐ型半導体層３に、第２ボディ領域５、Ｎ型バッファ領域７及びＮ−型ドリフト領域６を順次形成する。【００１７】
次に、図１８（ｂ）に示すように、Ｎ−型ドリフト領域６の上部にＮ型バッファ領域７の一部に跨がるように、厚さが５４０ｎｍのフィールド酸化膜１５を形成する。その後、第２ボディ領域５の上部に、加速エネルギーが１８０ＫｅＶで、ドーズ量が５Ｅ＋１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２から９Ｅ＋１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２程度のホウ素（Ｂ）イオンをイオン注入して、第１ボディ領域４を形成する。【００１８】
次に、図１８（ｃ）に示すように、第１ボディ領域４上におけるフィールド酸化膜１５側の端部から該フィールド酸化膜１５までの間の領域にゲート絶縁膜１２を形成する。その後、ゲート絶縁膜１２の上に、高濃度の燐（Ｐ）を添加されたＮ型ポリシリコン膜からなるゲート電極１３を形成する。【００１９】
次に、図１８（ｄ）に示すように、第１ボディ領域４の上部に、加速エネルギーが７０ＫｅＶで、ドーズ量が４Ｅ＋１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２程度の燐（Ｐ）イオンをイオン注入して、Ｎ型の第２エミッタ領域９を形成する。ゲート電極１３と第２エミッタ領域９とは自己整合的に形成されるため、第２エミッタ領域９におけるゲート電極１３の下側の領域への入り込みは僅かであって、第２エミッタ領域９のゲート電極１３側の端部は、該ゲート電極１３の第２エミッタ領域９側の端部とほぼ一致する。【００２０】
次に、図１８（ｅ）に示すように、ＣＶＤ絶縁膜を用いて、ゲート電極１３の側面上にサイドウォールスペーサ１４を形成する。その後、第２エミッタ領域９の内部にヒ素（Ａｓ）イオンを注入することによって、高濃度Ｎ＋型第１エミッタ領域８を形成する。【００２１】
次に、図１８（ｆ）に示すように、ｐ＋型のボディ・コンタクト領域１１とｐ＋型のコレクタ領域１０とを、ＢＦ２イオン注入によって同時に形成する。その後、図示はしないが、表面の全体に絶縁膜を形成し、その一部にコンタクト孔を選択的に形成した後、エミッタ電極及びコレクタ電極を含めた金属配線と絶縁膜との積層構造を形成する。さらに、表面を覆うように、保護用絶縁膜を形成する。【００２２】
ここで、特許文献２に記載されたデバイス技術を用いれば、さらにオン耐圧と飽和電流とのトレードオフの関係を改善することができる。具体的には、特許文献２では、チャネル表面にボディ領域の導電型（Ｐ型）とは反対のＮ型不純物イオン注入を行い、ボディ表面近傍のＰ型不純物濃度を低下させている。一方、このＮ型不純物は、ボディ領域の深部に影響を及ぼさない程度の拡散深さとなるように注入されている。このため、オン耐圧の低下への影響を抑えることができる。【００２３】
次に、図１９に、特許文献１の構造に特許文献２の構造を適用した場合の素子構造の断面を摸式的に示す。ここで、Ｎ型の表面拡散領域１８が特許文献２との組合せによって追加された領域であり、特許文献１との相違点である。【００２４】
表面拡散領域１８は、第２エミッタ領域９の端部からフィールド酸化膜１５のゲート電極１３側の端部までのＳｉ表面に形成される。これによって、Ｐ型の第１ボディ領域４の表面のＰ型不純物濃度が低下して、しきい値電圧が低下すると同時に、チャネル長が縮小されてチャネル抵抗が低下する。このため、飽和電流を増加することができる。【００２５】
また、表面拡散領域１８は、第２エミッタ領域９と僅かに重なるように配置されるため、第１エミッタ領域８の下側に位置する第１ボディ領域４のＰ型不純物濃度を低下させることはない。また、寄生抵抗Ｒｂが上昇しないため、寄生ＮＰＮトランジスタのオン動作への影響を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２６】
【特許文献１】特開２００８−１４７４１５号公報
【特許文献２】米国特許第６７００１６０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２７】
背景技術で説明した横型ＩＧＢＴの電流能力を向上するための特許文献１、又は特許文献２を適用した特許文献１の従来構造は、飽和電流とオン耐圧とのトレードオフの関係を改善できるデバイス構造である。【００２８】
しかしながら、横型ＩＧＢＴの更なる微細化を目指す際には、新たな課題が生じる。【００２９】
まず、特許文献１の従来構造では、しきい値電圧及び飽和電流等の電流能力に大きく影響を及ぼす、ゲート電極と第１ボディ領域との間の重畳領域において、チャネル抵抗が高くなって実質的なチャネル領域の増大となる。このため、重畳領域の寸法は縮小した方が飽和電流は向上する。しかし、重畳領域の寸法を極端に縮小しすぎると、しきい値電圧の低下及び飽和電流の変動が生じて不安定な動作特性となる。【００３０】
また、ゲート電極と第１ボディ領域とは、自己整合的に形成されず、従って、フォトリソグラフィ工程におけるゲート電極形成用マスクと第１ボディ領域形成用マスクとの位置ずれを考慮して、余裕（マージン）を持った寸法にする必要がある。このことは、実質的にはチャネル長を必要以上に長くすることとなり、飽和電流の低下につながる。【００３１】
また、オン耐圧は、上記したゲート電極と第１ボディ領域との間の重畳寸法が、位置ずれ分だけ短くなった場合を想定しておく必要がある。重畳寸法が短くなった場合、横方向の寄生ＮＰＮトランジスタのベースに相当するＰ型不純物濃度が低下する。その結果、電流利得αが増加することにより、オン動作がしやすくなって、オン耐圧は低下する。従って、実質的には、チャネル長を縮小することによる飽和電流とオン耐圧とのトレードオフの関係の改善には限界が生じる。【００３２】
次に、特許文献２を適用した特許文献１の従来構造では、ボディ領域の導電型とは反対の導電型を有する表面拡散層を形成することにより、実効的なチャネル長を縮小できる。このため、飽和電流とオン耐圧とのトレードオフの関係を更に改善できる構造である。しかし、しきい値電圧の表面拡散層の注入ドーズ量依存性が大きく、しきい値電圧が変動しやすいという課題を有する。【００３３】
一方、製造現場では、イオン注入機、アニール及びドライブイン等の熱処理で不純物濃度が変動することは、一般的である。このため、しきい値電圧の不純物濃度依存性が大きすぎると、ウェハ面内、ウェハ間及びロット間等で、しきい値電圧及び飽和電流が大きく変動することとなって、歩留りの低下を引き起こす。【００３４】
本発明は、上記の課題に鑑み、半導体装置における飽和電流を増加しつつ、オン耐圧を向上できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３５】
上記課題を解決するために、第１の半導体装置は、支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された半導体層と、半導体層の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、半導体層の上部に、第１ボディ領域と隣接するか又は第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の上部に形成された第２導電型のバッファ領域と、第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１エミッタ領域及び該第１エミッタ領域よりも低濃度の第２導電型の第２エミッタ領域と、バッファ領域の上部に形成された第１導電型のコレクタ領域と、第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように半導体層の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、半導体層の上に、第２エミッタ領域からバッファ領域に向かって、第１ボディ領域を越えてドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、半導体層の上に、第１エミッタ領域及びボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及びコレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、第２エミッタ領域は、第１エミッタ領域と接続すると共に、第１エミッタ領域におけるゲート電極寄りの端部からゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、第１ボディ領域のゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、ゲート電極の下側にまで延在している。【００３６】
また、第２の半導体装置は、支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された第２導電型の半導体層と、半導体層の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、半導体層の上部に、第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のバッファ領域と、第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１エミッタ領域及び該第１エミッタ領域よりも低濃度の第２導電型の第２エミッタ領域と、バッファ領域の上部に形成された第１導電型のコレクタ領域と、第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように半導体層の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、半導体層の上に、第２エミッタ領域からバッファ領域に向かって、第１ボディ領域を越えて半導体層の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、半導体層の上に、第１エミッタ領域及びボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及びコレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、第２エミッタ領域は、第１エミッタ領域と接続すると共に、第１エミッタ領域におけるゲート電極寄りの端部からゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、第１ボディ領域のゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、ゲート電極の下側にまで延在している。【００３７】
また、第１及び第２の半導体装置において、第２エミッタ領域の拡散深さは、ボディ・コンタクト領域の拡散深さよりも浅いことが好ましい。【００３８】
また、第１及び第２の半導体装置において、第２エミッタ領域の拡散深さは、第１エミッタ領域の拡散深さよりも浅いことが好ましい。【００３９】
また、第１及び第２の半導体装置において、第２エミッタ領域のシート抵抗は、第１ボディ領域のシート抵抗よりも大きいことが好ましい。【００４０】
また、第１及び第２の半導体装置において、第２エミッタ領域の不純物濃度のピーク値は、第１ボディ領域の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲であることが好ましい。【００４１】
また、第１及び第２の半導体装置において、第２エミッタ領域の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲であることが好ましい。【００４２】
また、第１及び第２の半導体装置において、第２エミッタ領域の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲であることが好ましい。【００４３】
また、第３の半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、半導体基板の一主面側の上部に、第１ボディ領域と隣接するか又は第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のドリフト領域と、ドリフト領域の上部に形成された第２導電型のバッファ領域と、第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１ソース領域及び該第１ソース領域よりも低濃度の第２導電型の第２ソース領域と、バッファ領域の上部に形成された第２導電型のドレイン領域と、第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、半導体基板の上に、第２ソース領域からバッファ領域に向かって、第１ボディ領域を越えてドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、半導体基板上に、第１ソース領域及びボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたソース電極、及びドレイン領域と接続するように形成されたドレイン電極とを備え、第２ソース領域は、第１ソース領域と接続すると共に、第１ソース領域におけるゲート電極寄りの端部からゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２ソース領域の拡散深さよりも長く、且つ、第１ボディ領域のゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、ゲート電極の下側にまで延在している。【００４４】
また、第４の半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一主面側の上部に形成された第２導電型のエピタキシャル領域と、エピタキシャル領域の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、エピタキシャル領域の上部に、第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のバッファ領域と、第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１ソース領域及び該第１ソース領域よりも低濃度の第２導電型の第２ソース領域と、バッファ領域の上部に形成された第２導電型のドレイン領域と、第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、半導体基板の上に、第２ソース領域からバッファ領域に向かって、第１ボディ領域を越えてエピタキシャル領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、半導体基板上に、第１ソース領域及びボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたソース電極、及びドレイン領域と接続するように形成されたドレイン電極とを備え、第２ソース領域は、第１ソース領域と接続するとともに、第１ソース領域におけるゲート電極寄りの端部からゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２ソース領域の拡散深さよりも長く、且つ、第１ボディ領域のゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、ゲート電極の下側にまで延在している。【００４５】
また、第３及び第４の半導体装置において、第２ソース領域の拡散深さは、ボディ・コンタクト領域の拡散深さよりも浅いことが好ましい。【００４６】
また、第３及び第４の半導体装置において、第２ソース領域の拡散深さは、第１ソース領域の拡散深さよりも浅いことが好ましい。
また、第３及び第４の半導体装置において、第２ソース領域のシート抵抗は、第１ボディ領域のシート抵抗よりも大きいことが好ましい。【００４７】
また、第３及び第４の半導体装置において、第２ソース領域の不純物濃度のピーク値は、第１ボディ領域の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲であることが好ましい。【００４８】
また、第３及び第４の半導体装置において、第２ソース領域の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲であることが好ましい。【００４９】
また、第３及び第４の半導体装置において、第２ソース領域の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲であることが好ましい。【００５０】
また、第１〜第４の半導体装置において、第１ボディ領域は、レトログレード・プロファイルを形成していることが好ましい。【００５１】
また、第１〜第４の半導体装置は、第１ボディ領域の下に、第１ボディ領域に接続するように、第１ボディ領域よりも低濃度で、且つ、拡散深さが深い第１導電型の第２ボディ領域をさらに備えていることが好ましい。
【発明の効果】
【００５２】
本発明に係る半導体装置によれば、トランジスタの動作において、飽和電流を増加しつつ、オン耐圧を向上できるという効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴを示す摸式断面図である。
【図２】図２は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴを示す要部の拡大断面図である。
【図３】図３は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴと特許文献１に記載の従来の横型ＩＧＢＴとにおけるＡ−Ａ’断面での不純物濃度分布を示す図である。
【図４】図４は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴと特許文献１に記載の従来の横型ＩＧＢＴとにおけるＢ−Ｂ’断面での不純物濃度分布を示す図である。
【図５】図５は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴと特許文献１に記載の従来の横型ＩＧＢＴとにおけるＣ−Ｃ’断面での不純物濃度分布を示す図である。
【図６】図６は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴにおけるコレクタ電流とコレクタ電圧との関係を示す電流電圧特性図である。
【図７】図７は特許文献１に記載の従来の横型ＩＧＢＴにおけるコレクタ電流とコレクタ電圧との関係を示す電流電圧特性図である。
【図８】図８は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴと特許文献１に記載の従来の横型ＩＧＢＴにおける降伏電流とオン耐圧との関係を示す特性図である。
【図９】図９は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴと特許文献１に記載の従来の横型ＩＧＢＴとにおける飽和電流とオン耐圧との関係を示す特性図である。
【図１０】図１０は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴと特許文献１に特許文献２を適用した従来の横型ＩＧＢＴとにおける飽和電流としきい値電圧との関係をシミュレーションした図である。
【図１１】図１１（ａ）〜図１１（ｅ）は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴの製造方法を示す工程フロー断面図である。
【図１２】図１２は第１の実施形態に係る横型ＩＧＢＴにおける第１ボディ領域の飽和電流とオン耐圧との加速エネルギー依存性をシミュレーションした図である。
【図１３】図１３は第２の実施形態に係る横型ＩＧＢＴを示す摸式断面図である。
【図１４】図１４は第３の実施形態に係る横型ＭＯＳトランジスタを示す摸式断面図である。
【図１５】図１５は第４の実施形態に係る横型ＭＯＳトランジスタを示す摸式断面図である。
【図１６】図１６は特許文献１に記載の従来の横型ＩＧＢＴを示す等価回路図である。
【図１７】図１７は記載の従来の横型ＩＧＢＴを示す摸式断面図である。
【図１８】図１８は記載の従来の横型ＩＧＢＴの製造方法を示す工程フロー断面図である。
【図１９】図１９は特許文献１に記載の従来構造に特許文献２に記載の従来構造の特徴を適用した横型ＩＧＢＴを示す摸式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
本発明の半導体装置について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００５５】
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態に係る半導体装置の素子構造の断面を模式的に示している。
【００５６】
図１に示すように、支持基板１の上方に厚さが２．０μｍの埋め込み絶縁膜２を介して厚さが３．５μｍのＰ型半導体層３が形成され、該Ｐ型半導体層３その表面にＰ型の第１ボディ領域４が形成されている。
【００５７】
第１ボディ領域４のＰ型不純物濃度は、Ｓｉ表面では低濃度で、その濃度は約１Ｅ＋１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜４Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であり、深くなるに従って濃度が増大して、深さが０．５μｍ程度で最大値を示し、そのピーク濃度は１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３前後である。また、Ｐ型不純物濃度は、そのピーク濃度を示す位置を越えて更に深くなるに従って濃度が低下する、いわゆるレトログレード・プロファイルとなっている。
【００５８】
また、Ｐ型の第２ボディ領域５は、第１ボディ領域４の少なくとも一部と接続されるように形成されている。Ｐ型の第２ボディ領域５は、第１ボディ領域４の表面濃度よりも低い表面濃度１Ｅ＋１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３前後であるが、拡散深さは逆に、第１ボディ領域４よりも大きい。
【００５９】
また、第２ボディ領域５から横方向に離間して、Ｐ型半導体層３の表面から低濃度のＮ−型ドリフト領域６が形成されている。Ｎ−型ドリフト領域６内に中濃度のＮ型バッファ領域７が形成されている。第１ボディ領域４の上部には、高濃度のＮ＋型の第１エミッタ領域８と、該第１エミッタ領域８よりも低濃度のＮ型の第２エミッタ領域９とが形成されている。
【００６０】
Ｎ型バッファ領域７の上部には、Ｐ＋型のコレクタ領域１０が形成されている。第１ボディ領域４又は第２ボディ領域５の上部にはＰ＋型のボディ・コンタクト拡散領域１１がコレクタ領域１０と同一の拡散層で形成されている。さらに、第１ボディ領域４の上において、ゲート絶縁膜１２が、第１エミッタ領域８の一端からＮ−型ドリフト領域６（Ｎ型バッファ領域７）に向けて第１ボディ領域４の端部を越えて形成されている。ゲート電極１３は、ゲート絶縁膜１２の上とフィールド酸化膜１５の上の一部にまで延長されている。エミッタ電極１６は、第１エミッタ領域８上及びボディ・コンタクト拡散領域１１上に跨って形成され、第１エミッタ領域８及びボディ・コンタクト拡散領域１１と接続されている。コレクタ電極１７は、コレクタ領域１０上に形成され、コレクタ電極１７と接続されている。
【００６１】
本発明の特徴である第２エミッタ領域９は、第１エミッタ領域８のゲート電極１３側の端部からゲート電極１３の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域９の深さよりも長く、且つ第１ボディ領域４におけるゲート電極１３の下側の端部を越えない寸法で、横方向に延在している。
【００６２】
次に、図２に示されたエミッタ領域及びその周辺部の拡大図において、第１エミッタ領域８から第１ボディ領域４の表面領域に沿う横方向（Ａ−Ａ’方向）での、第１エミッタ領域８、第２エミッタ領域９及び第１ボディ領域４の不純物濃度分布を図３に示す。
【００６３】
図３に示すように、ゲート電極１３と第２のエミッタ領域９の重なり寸法は０．４μｍ程度であり、ほぼ、第１ボディ領域４の不純物濃度の最高点まで到達している。なお、特許文献１の従来構造のデータも比較用として載せている。
【００６４】
次に、図２に示された第１エミッタ領域８と第１ボディ領域４との縦方向（Ｂ−Ｂ’方向）における不純物濃度分布を図４に示す。
【００６５】
図４に示すように、第１エミッタ領域８の表面濃度は、約１Ｅ＋２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３強で、その深さは約０．２μｍである。なお、特許文献１の従来構造のデータも比較用として載せている。
【００６６】
次に、図２に示された第２エミッタ領域９と第１ボディ領域４との縦方向（Ｃ−Ｃ’方向）における不純物濃度分布を図５に示す。
【００６７】
図５では、本発明の構成において、２種類の注入条件での分布を示している。図５において、分布２は、分布１と比べて、Ｐ型の第１ボディ領域４とＮ型の第２エミッタ領域９との、両方の注入ドーズ量を増加させた場合である。いずれの場合も、第２エミッタ領域９の表面濃度は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲内に有り、共に深さは約０．１μｍである。図４との対比から明らかなように、第１エミッタ領域８の拡散深さよりも浅い。なお、第２エミッタ領域９の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲であってもよい。
【００６８】
以上から、第２エミッタ領域９のゲート電極１３下方における横方向の寸法は、明らかにそれ自体の拡散深さよりも大きいことが分かる。
【００６９】
一方、特許文献１の従来構造における第２エミッタ領域９の横方向の端部は、図１８（ｃ）、図１８（ｄ）及びその説明箇所から明らかなように、第２エミッタ領域９が、自己整合的にゲート電極１３の端部から注入及び拡散される。従って、横拡がりがほとんどないことにより、第２エミッタ領域９の横方向の端部は、ほぼゲート電極１３の端部の位置に等しい。このため、第２エミッタ領域９のゲート電極１３の下側の横方向寸法に関して、それ自体の縦方向の拡散深さと比較した場合に、第２エミッタ領域９のゲート電極１３の下側における横方向の寸法は、明らかにそれ自体の拡散深さよりも短いことが分かり、本発明とは逆の関係となる。
【００７０】
また、本発明では、第２エミッタ領域９における電圧降下を、該第２エミッタ領域９の下側の第１ボディ領域４における電圧降下よりも大きくすることが好ましい。仮に、第２エミッタ領域９と第１ボディ領域４とを流れる電流が同程度と仮定すれば、そのまま寄生抵抗（シート抵抗）の関係となる。すなわち、第２エミッタ領域９の寄生抵抗を、第１ボディ領域４の寄生抵抗よりも大きくすることが好ましい。両領域の縦方向寸法及び移動度から考えて、第２エミッタ領域９の不純物濃度のピーク値は、第１ボディ領域４のピーク濃度の１倍〜１０倍が好ましい。
【００７１】
以下、本発明と特許文献１の従来構造とのオン耐圧特性について比較する。
【００７２】
図６及び図７には、本発明と従来構造（特許文献１）とのコレクタ電流と電圧との関係をそれぞれ示している。この電流電圧特性は、ゲート電圧を変化させて、コレクタ端子には、ＴＬＰ測定器で１００ｎｓ幅のパルス信号を印加した実測データである。この電流電圧特性で降伏する箇所のコレクタ電圧がオン耐圧であり、そのときのコレクタ電流が降伏電流となる。これらオン耐圧と降伏電流とをプロットすると、前述のＳＯＡを得ることができる。その結果を図８に示す。図８から、本発明は特許文献１の従来構造と比べて、ＳＯＡが拡大していることが分かる。
【００７３】
図９に、ＤＣ測定時の飽和電流とゲート電圧とに所定の電圧を印加して、コレクタにＴＬＰ測定器により１００ｎｓ幅のパルス信号を印加したときのオン耐圧の相関グラフを示す。ここでは、ゲート電極１３と第１ボディ領域４との重なり寸法を変えた場合の、複数の素子の相関曲線を示している。本発明及び従来構造とも、図面の左端から右端に向けて重なり寸法を０．１μｍ〜０．７μｍで変化させている。本発明及び従来構造において、矢印で示した測定点は、同一の重なり寸法０．４μｍでの値を示している。
【００７４】
図９から、本発明は飽和電流とオン耐圧とのトレードオフの関係が改善されていることが分かる。ゲート電極と第１ボディ領域との間の重なり寸法が同一である場合の、本発明と特許文献１の従来構造とに矢印を付けている。本発明は、特許文献１の従来構造に対して飽和電流が１６％増加しているにも拘わらず、オン耐圧は約９Ｖの上昇を示している。
【００７５】
次に、特許文献１に特許文献２を適用した従来構造に対する本発明の優位性について説明する。
【００７６】
図１０は、本発明と特許文献１に特許文献２を適用した従来構造のオン耐圧−しきい値電圧の相関をシミュレーションした結果である。特許文献１に特許文献２を適用した従来構造では、飽和電流の値を向上するには、しきい値電圧を大きく下げていく必要があるが、本発明では、しきい値電圧をほとんど下げる必要がなく、従って、該しきい値電圧の低下を抑制することができる。
【００７７】
これは、特許文献１に特許文献２を適用した従来構造では、第２のエミッタ領域９の端部からフィールド酸化膜１５の端部までの間の全ての領域に表面拡散層１８が入るという構成に起因している。
【００７８】
飽和電流を増加するには、第１ボディ領域４と反対の導電型である表面拡散層１８のドーズ量を高くする必要がある。このとき、しきい値電圧（Ｖｔｈ）は、チャネル表面でのＰ型不純物濃度が最大となる箇所において、Ｎ型不純物量との相殺で残った正味のＰ型不純物濃度分布によって決まる。よって、Ｎ型不純物濃度が高いということは、Ｐ型不純物濃度との相殺は大きく、正味の不純物濃度が大きく変化しやすい状態であることに他ならない。従って、しきい値電圧も変動しやすい。
【００７９】
一方、本発明は、第１ボディ領域４の端部にまで第２エミッタ領域９が入るが、第１ボディ領域４からフィールド酸化膜１５までの間には注入されない。本発明者は、第１ボディ領域４の端部の近傍には、マスク材料（レジスト）のテーパ部でのホウ素イオンの突き抜けによって、Ｐ型不純物濃度が高い領域が存在していることを見出した。第２エミッタ領域９の不純物濃度を増大しても、従来構造の不純物濃度分布と対比してＰ型不純物濃度が高くなっている領域の半分は、第２エミッタ領域９で消失している。但し、残りの半分程度は残っており、この残りの部分が実質的にしきい値電圧を決めることになる。その結果、第２エミッタ領域９のドーズ量を上げても、急激なしきい値電圧の低下は発生しない。即ち、本発明では、しきい値電圧を大きく変えることなくチャネル長を縮小することができる。
【００８０】
以下、第１の実施形態に係る製造方法について、図１１（ａ）〜図１１（ｅ）に示す断面の工程フローを用いて説明する。
【００８１】
まず、図１１（ａ）に示すように、支持基板１と、厚さが２．０μｍの埋め込み酸化膜２と、厚さが３．５μｍのｐ型半導体層３によって構成されるＳＯＩ基板に対して、イオン注入、フォトリソグラフィ及びドライブイン（熱処理）等の拡散技術を繰り返し用いて、ｐ型半導体層３に、第２ボディ領域５、Ｎ型バッファ領域７及びＮ−型ドリフト領域６を順次形成する。
【００８２】
次に、図１１（ｂ）に示すように、Ｎ−型ドリフト領域６の上部にＮ型バッファ領域７の一部に跨がるように、厚さが５４０ｎｍのフィールド酸化膜１５を形成する。その後、本発明の特徴である工程として、第１ボディ領域４とＮ型の第２のエミッタ領域９とを同一のレジスト膜を用いて、連続してイオン注入することにより形成する。
【００８３】
第１ボディ領域４には、ホウ素（Ｂ）イオンを用い、加速エネルギーは１８０ＫｅＶで、ドーズ量は５Ｅ＋１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２〜８Ｅ＋１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２程度が好ましい。ホウ素イオンの加速エネルギーは、１８０ＫｅＶ前後が、オン耐圧と飽和電流とのトレードオフの関係から見ると最も良い。図１２に飽和電流とオン耐圧との加速エネルギー依存性のシミュレーション結果を示す。加速エネルギーが１８０ＫｅＶよりも小さくなると、表面濃度が上昇して、飽和電流が低下する。一方、加速エネルギーが１８０ＫｅＶよりも大きくなると、オン耐圧が低下してしまう。これは、第２エミッタ領域９及び第１エミッタ領域８の直下のＰ型不純物濃度が低下するため、寄生ＮＰＮトランジスタの電流利得αを増加させてしまうためと推測される。従って、数ＭｅＶまでの高加速度のエネルギー注入を用いて深部に形成する高濃度のＰ型埋め込み構造と、表面から形成する低濃度のＰ型表面層との２層によって構成することは、オン耐圧と飽和電流とのトレードオフの関係の改善にはあまり適さないと考える。
【００８４】
一方、第２エミッタ領域９には、ヒ素（Ａｓ）イオンを用い、加速エネルギーは７０ＫｅＶで、ドーズ量は１Ｅ＋１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２〜４Ｅ＋１３ｉｏｎｓ／ｃｍ２程度でイオン注入を行う。第２エミッタ領域９の加速エネルギーが高すぎると、ボディ・コンタクト領域１１の下側に、第２エミッタ領域９によるＮ型領域が生じて、ボディ電位の不安定化につながる。従って、第２エミッタ領域９の加速エネルギーは、ヒ素イオンの場合、５０ＫｅＶ〜１００ＫｅＶ程度が好ましい。チャネル抵抗が高く、実質的にしきい値電圧を決定するのは、第１ボディ領域４の端部からＮ型の第２エミッタ領域９の端部までの領域である。該領域（チャネル領域）は、自己整合で形成されるため、実質的にチャネル長を縮小することができるので、同時に寸法の変動も抑制することができる。
【００８５】
次に、図１１（ｃ）に示すように、チャネル領域の上からフィールド酸化膜１５の上にかけてゲート絶縁膜１２を形成する。その後、ゲート絶縁膜１２の上に高濃度にドーピングされたＮ型ポリシリコンからなるゲート電極１３を形成する。
【００８６】
次に、図１１（ｄ）に示すように、ゲート電極１３の側壁にサイドウォールスペーサ１４として絶縁膜を形成する。その後、ヒ素を注入して、Ｎ＋型の第１エミッタ領域８を形成する。
【００８７】
次に、図１１（ｅ）に示すように、二フッ化ホウ素（ＢＦ２）イオンをイオン注入して、ｐ＋型のボディ・コンタクト領域１１とＰ＋型のコレクタ領域１０とを同時に形成する。この後、図示はしてないが、Ｐ型半導体層３の表面の全体に絶縁膜を形成し、その一部にコンタクト孔を選択的に形成する。その後、エミッタ電極及びコレクタ電極を含めた配線と絶縁膜との積層構造を形成する。さらに、表面を覆うように保護用の絶縁膜を形成する。
【００８８】
以上に説明したように、本実施形態の特徴は、第２エミッタ領域９におけるゲート電極の下側への横方向の延長構造が、第２エミッタ領域９自体の拡散深さよりも長く、且つ第１ボディ領域４の端部を超えない寸法で延在していることにある。
【００８９】
具体的に、本実施形態では、まず、第２エミッタ領域９と第１ボディ領域４とを自己整合的に形成することにより、従来構造の特許文献１と比べて、実質的にチャネル長を縮小することができる。その結果、チャネル抵抗を低減することができるので、飽和電流を増加することができる。
【００９０】
さらに、本実施形態では、第２エミッタ領域９が第１エミッタ領域８よりも大幅に低濃度で、且つ、第１ボディ領域４の端部にまで延在している。ここで、第２エミッタ領域９は、第１ボディ領域４のピーク濃度と同程度に低いため、第１エミッタ領域８からチャネルを経由して電流が流れる際に電圧降下が生じる。第２エミッタ領域９の下側の第１ボディ領域４にも正孔電流が流れ込み、電圧降下を生じる。この電圧降下が、前述の第２エミッタ領域９の電圧降下よりも低ければ、第２エミッタ領域９の端部よりも第１エミッタ領域８の端部において、第１ボディ領域４との順バイアス電圧がビルトイン・ポテンシャル以上に上昇することになる。このため、第２エミッタ領域９−第１ボディ領域４−Ｎ型ドリフト領域６から構成される寄生ＮＰＮトランジスタはオン動作が困難となり、一方、第１エミッタ領域８−第１ボディ領域４−Ｎ−型ドリフト領域６から構成される寄生ＮＰＮトランジスタがオン動作する。
【００９１】
また、従来構造では、前述した通り、第２エミッタ領域９は、第１エミッタ領域８よりも拡散深さが深いのに対し、本実施形態では、第２エミッタ領域９の拡散深さを第１エミッタ領域８よりも浅くしている。このため、第１エミッタ領域８の下側の第１ボディ領域４におけるＰ型不純物濃度を高く設定できる。このことは、第１ボディ領域４の寄生抵抗Ｒｂを下げることになるため、特許文献１の従来構造と比べて寄生ＮＰＮトランジスタの動作を抑制することができる。
【００９２】
すなわち、ゲート電極１３の下側への第２エミッタ領域９の横方向への延長は、チャネル長の縮小に効果を有する。これに対し、第２エミッタ領域９の下側の第１ボディ領域４における電圧降下は、寄生ＮＰＮトランジスタのオン動作には影響しない。このため、本実施形態においては、特許文献１の従来構造と比べてオン耐圧を低下させることなく、飽和電流を増加させることが可能となる。
【００９３】
また、本実施形態では、第２エミッタ領域９の拡散深さをＰ＋型のボディ・コンタクト領域１１の拡散深さより浅くしている。第２エミッタ領域９は、第１ボディ領域４と同一のレジストマスクを用いて同時にイオン注入するため、ボディ・コンタクト領域１１にも注入される。このため、前述したように、第２エミッタ領域９がＰ＋型のボディ・コンタクト領域１１よりも拡散深さが深いと、ボディ・コンタクト拡散領域１１の下側の領域にＮ型領域が生じる。これにより、コンタクト抵抗が上昇して、ボディ電位が不安定となる。従って、本実施形態に示すように、第２エミッタ領域９の拡散深さは、Ｐ＋型のボディ・コンタクト領域１１よりも浅くすることが好ましい。
【００９４】
さらに、本実施形態では、第１ボディ領域４が、レトログレード・プロファイルと呼ばれるＰ型半導体層３の表面において低濃度で、深くなるに連れて不純物濃度が上昇するプロファイルを用いる。その結果、第２エミッタ領域９のＮ型不純物濃度と第１ボディ領域４のＰ型不純物濃度とを接近させることができる。このため、第１ボディ領域４の表面濃度が低い方が表面での両極性の不純物濃度差を大きく取れるので、正味のＮ型不純物濃度の変動を少なくすることができる。
【００９５】
なお、本実施形態においては、第１ボディ領域４及び第２ボディ領域５とＮ−型ドリフト領域６とは、ゲート電極１３の下側において互いに離間するように図示及び説明を行っているが、これに限られない。例えば、第１ボディ領域４及び第２ボディ領域とＮ−型ドリフト領域６とは、互いに隣接（接続）していても構わない。
【００９６】
また、本実施形態においては、ボディ・コンタクト領域１１は、第１ボディ領域４の領域内に包含されるように図示及び説明を行っているが、これに限られない。例えば、ボディ・コンタクト領域１１は、少なくともその一部が第１ボディ領域４と接続するように形成されておればよい。
【００９７】
（第２の実施形態）
図１３は第２の実施形態に係る半導体装置の素子構造の断面を模式的に示している。ここでは、本実施形態と第１の実施形態との相違点を説明する。
【００９８】
本実施形態の特徴は、第１の実施形態で説明したＰ型半導体層３に代えて、Ｎ型半導体層２２を用いていることにある。Ｎ型半導体層２２の上部に形成されている第１ボディ領域４には、レトログレード・プロファイルを用いている。
【００９９】
本実施形態において、本発明の特徴である第２エミッタ領域９は、第１エミッタ領域８のゲート電極１３側の端部からゲート電極１３の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域９の深さよりも長く、且つ第１ボディ領域４のゲート電極１３の下側の端部を越えない寸法で、横方向に延在している。このため、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１００】
また、本実施形態においては、Ｎ型半導体層２２を用いることにより、Ｎ型半導体層２２の膜厚を容易に厚くすることができる。第１の実施形態では、Ｐ型半導体層３を用いているが、Ｎ−型ドリフト領域６として拡散層を追加する必要があり、Ｎ−型ドリフト領域６の拡散を深くするためにドライブイン（熱処理）を長く設定する必要がある。従って、本実施形態のように、Ｎ型半導体層２２を用いてもよい。
【０１０１】
また、本実施形態では、ボディ・コンタクト領域１１は、第１ボディ領域４の領域内に包含されるように図示及び説明を行っているが、これに限られない。例えば、ボディ・コンタクト領域１１は、少なくともその一部が第１ボディ領域４と接続するように形成されておればよい。
【０１０２】
（第３の実施形態）
図１４は第３の実施形態に係る半導体装置の素子構造の断面を模式的に示している。ここでは、本実施形態と第１の実施形態との相違点を説明する。
【０１０３】
第１及び第２の実施形態では、横型ＩＧＢＴを対象としていたが、本実施形態では通常の横型ＭＯＳトランジスタを対象としている。本実施形態では、特にＳＯＩ基板を用いる必要性はないため、Ｐ型シリコン基板１９を用いている。Ｐ型シリコン基板１９の上部に拡散される第１ボディ領域４にはレトログレード・プロファイルを用いている。
【０１０４】
また、本実施形態はＭＯＳトランジスタであるため、第１の実施形態であったＰ＋型のコレクタ領域１０の代わりに、Ｎ型のドレイン領域２５が形成されている。
【０１０５】
本発明の特徴である第２ソース領域２４は、第１ソース領域２３のゲート電極１３側の端部からゲート電極１３の下側に向かう横方向において、当該第２ソース領域２４の深さよりも長く、且つ第１ボディ領域４のゲート電極１３の下側の端部を越えない寸法で、横方向に延在している。なお、Ｎ型の第２ソース領域２４の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲に設定することができる。また、第２ソース領域２４の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲に設定することができる。また、第２ソース領域４の不純物濃度のピーク値は、Ｐ型の第１ボディ領域４の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲に設定することができる。
【０１０６】
本実施形態においては、第１の実施形態と同様に、まず、第２ソース領域２４と第１ボディ領域４とを自己整合的に形成することにより、実質的にチャネル長を縮小することができる。その結果、チャネル抵抗を低減することができるので、飽和電流を増加することができる。
【０１０７】
さらに、本実施形態においては、第２ソース領域２４が、第１ソース領域２３よりも大幅に低濃度で、且つ、第１ボディ領域４の端部まで延在している。ここで、第２ソース領域２４は、第１ボディ領域４のピーク濃度と同程度に低いため、第１ソース領域２３からチャネルを経由して電流が流れたときに電圧降下が生じる。第２ソース領域２４の下側の第１ボディ領域４は、ドレイン電圧が上昇して電界が増大することによる電子なだれ降伏で発生した正孔電流が流れ込み、電圧降下を生じる。この電圧降下が、前述の第２ソース領域２４の電圧降下よりも低ければ、第２ソース領域２４の端部よりも第１ソース領域２３の端部において、第１ボディ領域４との順バイアス電圧がビルトイン・ポテンシャル以上に上昇する。その結果、第２ソース領域２４−第１ボディ領域４−Ｎ−型ドリフト領域６から構成される寄生ＮＰＮトランジスタはオン動作が困難となる。一方、第１ソース領域２３−第１ボディ領域４−Ｎ−型ドリフト領域６から構成される寄生ＮＰＮトランジスタがオン動作する。
【０１０８】
また、従来構造では、前述した通り、第２ソース領域２４は、第１ソース領域２３よりも拡散深さが深いのに対し、本実施形態では、第２ソース領域２４の拡散深さを第１ソース領域２３よりも浅くしている。このため、第１ソース領域２３の下側の第１ボディ領域４におけるＰ型不純物濃度を高く設定できる。このことは、第１ボディ領域４の寄生抵抗Ｒｂを下げることになるため、従来構造と比べて寄生ＮＰＮトランジスタの動作を抑制することができる。
【０１０９】
すなわち、ゲート電極１３の下側への第２ソース領域２４の横方向への延長はチャネル長縮小に効果を有する。これに対し、第２ソース領域２４の下側の第１ボディ領域４における電圧降下は、寄生ＮＰＮトランジスタのオン動作には影響しない。
【０１１０】
従って、本実施形態においても、第１の実施形態に係るＩＧＢＴの場合と同様に、オン耐圧を低下させることなく、飽和電流の向上及びオン抵抗の低減を達成することができる。また、本発明は、横型ＭＯＳトランジスタの電流能力の向上にも効果をもたらす。
【０１１１】
なお、本実施形態においては、第１ボディ領域４及び第２ボディ領域とＮ−型ドリフト領域６とはゲート電極１３の下側において互いに離間するように図示及び説明を行っているが、これに限られない。例えば、第１ボディ領域４及び第２ボディ領域とＮ−型ドリフト領域６とは互いに隣接（接続）していても構わない。
【０１１２】
また、本実施形態においては、ボディ・コンタクト領域１１は、第１ボディ領域４の領域内に包含されるように図示及び説明を行っているが、これに限られない。例えば、ボディ・コンタクト領域１１は、少なくともその一部が第１ボディ領域４と接続するように形成されておればよい。
【０１１３】
（第４の実施形態）
図１５は第４の実施形態に係る半導体装置の素子構造の断面を模式的に示している。ここでは、本実施形態と第３の実施形態との相違点を説明する。
【０１１４】
第３の実施形態では、Ｐ型シリコン基板１９の上部に横型ＭＯＳトランジスタを形成したが、本実施形態では、Ｐ型半導体基板１９の上に高濃度のＮ型埋め込み層２０とＮ型エピタキシャル層２１とを積層して形成し、形成したＮ型エピタキシャル層２１の上部に、横型ＭＯＳトランジスタを形成する構造としている。
【０１１５】
また、エピタキシャル層２１の表面に形成されている第１ボディ領域４には、レトログレード・プロファイルを用いている。
【０１１６】
本実施形態のように、Ｎ型エピタキシャル層２１を用いることにより、高濃度のＮ型埋め込み層２０を設けることが可能となるので、バイポーラトランジスタと同一の半導体チップへの集積化が容易になる。このため、高耐圧のＭＯＳトランジスタを加えたＢｉ−ＣＭＯＳへの展開が可能となる。
【０１１７】
また、本実施形態においては、ボディ・コンタクト領域１１は、第１ボディ領域４の領域内に包含されるように図示及び説明を行っているが、これに限られない。例えば、ボディ・コンタクト領域１１は、少なくともその一部が第１ボディ領域４と接続するように形成されておればよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明に係る半導体装置は、トランジスタの動作において、飽和電流を増加しつつ、オン耐圧を向上でき、特に、絶縁ゲート・バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）及び横型ＭＯＳトランジシタ等に有用である。
【符号の説明】
【０１１９】
１    支持基板
２    埋め込み絶縁層
３    Ｐ型半導体層
４    第１ボディ領域
５    第２ボディ領域
６    Ｎ−型ドリフト領域
７    Ｎ型バッファ領域
８    第１エミッタ領域
９    第２エミッタ領域
１０  コレクタ領域
１１  ボディ・コンタクト領域
１２  ゲート絶縁膜
１３  ゲート電極
１４  サイドウォールスペーサ
１５  フィールド酸化膜
１６  エミッタ電極
１７  コレクタ電極
１９  Ｐ型シリコン基板
２０  Ｎ型埋め込み層
２１  Ｎ型エピタキシャル層
２２  Ｎ型半導体層
２３  第１ソース領域
２４  第２ソース領域
２５  ドレイン領域
２６  ソース電極
２７  ドレイン電極
【図１】
2014033991.tif 000003
【図２】
2014033991.tif 000004
【図３】
2014033991.tif 000005
【図４】
2014033991.tif 000006
【図５】
2014033991.tif 000007
【図６】
2014033991.tif 000008
【図７】
2014033991.tif 000009
【図８】
2014033991.tif 000010
【図９】
2014033991.tif 000011
【図１０】
2014033991.tif 000012
【図１１】
2014033991.tif 000013
【図１２】
2014033991.tif 000014
【図１３】
2014033991.tif 000015
【図１４】
2014033991.tif 000016
【図１５】
2014033991.tif 000017
【図１６】
2014033991.tif 000018
【図１７】
2014033991.tif 000019
【図１８】
2014033991.tif 000020
【図１９】
2014033991.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成26年10月16日(2014.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記第１ボディ領域と隣接するか又は前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上部に形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１エミッタ領域及び該第１エミッタ領域よりも低濃度の第２導電型の第２エミッタ領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第１導電型のコレクタ領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体層の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体層の上に、前記第２エミッタ領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記ドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体層の上に、前記第１エミッタ領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及び前記コレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、
前記第２エミッタ領域は、前記第１エミッタ領域と接続すると共に、前記第１エミッタ領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在しており、
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、前記第１エミッタ領域の拡散深さよりも浅い半導体装置。
【請求項２】
支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された第２導電型の半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１エミッタ領域及び該第１エミッタ領域よりも低濃度の第２導電型の第２エミッタ領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第１導電型のコレクタ領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体層の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体層の上に、前記第２エミッタ領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記半導体層の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体層の上に、前記第１エミッタ領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及び前記コレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、
前記第２エミッタ領域は、前記第１エミッタ領域と接続すると共に、前記第１エミッタ領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在しており、
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、前記第１エミッタ領域の拡散深さよりも浅い半導体装置。
【請求項３】
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、前記ボディ・コンタクト領域の拡散深さよりも浅い請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２エミッタ領域のシート抵抗は、前記第１ボディ領域のシート抵抗よりも大きい請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２エミッタ領域の不純物濃度のピーク値は、前記第１ボディ領域の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲である請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２エミッタ領域の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲である請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲である請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体基板の一主面側の上部に、前記第１ボディ領域と隣接するか又は前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上部に形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１ソース領域及び該第１ソース領域よりも低濃度の第２導電型の第２ソース領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第２導電型のドレイン領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体基板の上に、前記第２ソース領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記ドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板の上に、前記第１ソース領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたソース電極及び、前記ドレイン領域と接続するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記第２ソース領域は、前記第１ソース領域と接続すると共に、前記第１ソース領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２ソース領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在しており、
前記第２ソース領域の拡散深さは、前記第１ソース領域の拡散深さよりも浅い半導体装置。
【請求項９】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第２導電型のエピタキシャル領域と、
前記エピタキシャル領域の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記エピタキシャル領域の上部に、前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１ソース領域及び該第１ソース領域よりも低濃度の第２導電型の第２ソース領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第２導電型のドレイン領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体基板の上に、前記第２ソース領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記前記エピタキシャル領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板上に、前記第１ソース領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたソース電極、及び前記ドレイン領域と接続するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記第２ソース領域は、前記第１ソース領域と接続するとともに、前記第１ソース領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、
当該第２ソース領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在しており、
前記第２ソース領域の拡散深さは、前記第１ソース領域の拡散深さよりも浅い半導体装置。
【請求項１０】
前記第２ソース領域の拡散深さは、前記ボディ・コンタクト領域の拡散深さよりも浅い請求項８又は９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２ソース領域のシート抵抗は、前記第１ボディ領域のシート抵抗よりも大きい請求項８〜１０のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２ソース領域の不純物濃度のピーク値は、前記第１ボディ領域の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲である請求項８〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２ソース領域の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲である請求項８〜１２のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２ソース領域の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲である請求項８〜１３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第１ボディ領域は、レトログレード・プロファイルを形成している請求項１〜１４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第１ボディ領域の下に、前記第１ボディ領域に接続するように、前記第１ボディ領域よりも低濃度で、且つ、拡散深さが深い第１導電型の第２ボディ領域をさらに備えている請求項１〜１５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年5月26日(2016.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記第１ボディ領域と隣接するか又は前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上部に形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１エミッタ領域及び該第１エミッタ領域よりも低濃度の第２導電型の第２エミッタ領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第１導電型のコレクタ領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体層の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体層の上に、前記第２エミッタ領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記ドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体層の上に、前記第１エミッタ領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及び前記コレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、
前記第２エミッタ領域は、前記第１エミッタ領域と接続すると共に、前記第１エミッタ領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在しており、
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、前記第１エミッタ領域の拡散深さよりも浅く、
前記第２エミッタ領域と前記第１ボディ領域とは、自己整合的に形成されている半導体装置。
【請求項２】
支持基板の一主面側の上部に、埋め込み絶縁膜を介して形成された第２導電型の半導体層と、
前記半導体層の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体層の上部に、前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１エミッタ領域及び該第１エミッタ領域よりも低濃度の第２導電型の第２エミッタ領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第１導電型のコレクタ領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体層の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体層の上に、前記第２エミッタ領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記半導体層の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体層の上に、前記第１エミッタ領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたエミッタ電極、及び前記コレクタ領域と接続するように形成されたコレクタ電極とを備え、
前記第２エミッタ領域は、前記第１エミッタ領域と接続すると共に、前記第１エミッタ領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２エミッタ領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在しており、
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、前記第１エミッタ領域の拡散深さよりも浅く、
前記第２エミッタ領域と前記第１ボディ領域とは、自己整合的に形成されている半導体装置。
【請求項３】
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、前記ボディ・コンタクト領域の拡散深さよりも浅い請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２エミッタ領域のシート抵抗は、前記第１ボディ領域のシート抵抗よりも大きい請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２エミッタ領域の不純物濃度のピーク値は、前記第１ボディ領域の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲である請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２エミッタ領域の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲である請求項１〜５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２エミッタ領域の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲である請求項１〜６のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記半導体基板の一主面側の上部に、前記第１ボディ領域と隣接するか又は前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の上部に形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１ソース領域及び該第１ソース領域よりも低濃度の第２導電型の第２ソース領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第２導電型のドレイン領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体基板の上に、前記第２ソース領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記ドリフト領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板の上に、前記第１ソース領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたソース電極及び、前記ドレイン領域と接続するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記第２ソース領域は、前記第１ソース領域と接続すると共に、前記第１ソース領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、当該第２ソース領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在しており、
前記第２ソース領域の拡散深さは、前記第１ソース領域の拡散深さよりも浅く、
前記第２ソース領域と前記第１ボディ領域とは、自己整合的に形成されている半導体装置。
【請求項９】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第２導電型のエピタキシャル領域と、
前記エピタキシャル領域の上部に形成された第１導電型の第１ボディ領域と、
前記エピタキシャル領域の上部に、前記第１ボディ領域から離間して形成された第２導電型のバッファ領域と、
前記第１ボディ領域の上部に形成され、第２導電型の第１ソース領域及び該第１ソース領域よりも低濃度の第２導電型の第２ソース領域と、
前記バッファ領域の上部に形成された第２導電型のドレイン領域と、
前記第１ボディ領域と少なくとも一部が接続するように前記半導体基板の一主面側の上部に形成された第１導電型のボディ・コンタクト領域と、
前記半導体基板の上に、前記第２ソース領域から前記バッファ領域に向かって、前記第１ボディ領域を越えて前記前記エピタキシャル領域の一部まで覆うように形成されたゲート絶縁膜及び該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板上に、前記第１ソース領域及び前記ボディ・コンタクト領域と接続するように形成されたソース電極、及び前記ドレイン領域と接続するように形成されたドレイン電極とを備え、
前記第２ソース領域は、前記第１ソース領域と接続するとともに、前記第１ソース領域における前記ゲート電極寄りの端部から前記ゲート電極の下側に向かう横方向において、
当該第２ソース領域の拡散深さよりも長く、且つ、前記第１ボディ領域の前記ゲート電極の下側における横方向の長さを超えない範囲で、前記ゲート電極の下側にまで延在しており、
前記第２ソース領域の拡散深さは、前記第１ソース領域の拡散深さよりも浅く、
前記第２ソース領域と前記第１ボディ領域とは、自己整合的に形成されている半導体装置。
【請求項１０】
前記第２ソース領域の拡散深さは、前記ボディ・コンタクト領域の拡散深さよりも浅い請求項８又は９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２ソース領域のシート抵抗は、前記第１ボディ領域のシート抵抗よりも大きい請求項８〜１０のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２ソース領域の不純物濃度のピーク値は、前記第１ボディ領域の不純物濃度のピーク値の１倍〜１０倍の範囲である請求項８〜１１のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２ソース領域の不純物濃度のピーク値は、１Ｅ＋１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１Ｅ＋１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の範囲である請求項８〜１２のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２ソース領域の拡散深さは、０．０５μｍ〜０．２μｍの範囲である請求項８〜１３のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第１ボディ領域は、レトログレード・プロファイルを形成している請求項１〜１４のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第１ボディ領域の下に、前記第１ボディ領域に接続するように、前記第１ボディ領域よりも低濃度で、且つ、拡散深さが深い第１導電型の第２ボディ領域をさらに備えている請求項１〜１５のうちのいずれか１項に記載の半導体装置。
【国際調査報告】
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