(57)【要約】  酸化物半導体層を含むＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板の製造方法であって、酸化物半導体層を覆うように絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、を含み、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた、酸化アルミニウム膜である第２の膜と、第２の膜上に設けられた、シリコンを含む膜である第３の膜とを有し、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程（ステップ１５１）と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程（ステップ１５２）と、第２の膜（１２２）をウエットエッチングにより加工する工程（ステップ１５３）と、を有する。
2013190838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を含むＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板の製造方法であって、
前記酸化物半導体層を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に開口部を形成する工程と、を含み、
前記絶縁層は、第１の膜と、前記第１の膜上に設けられた、酸化アルミニウム膜である第２の膜と、前記第２の膜上に設けられた、シリコンを含む膜である第３の膜とを有し、
前記絶縁層に開口部を形成する工程は、
前記第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、
前記第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、を有する、
ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程では、アルカリ性溶液を用いる、
請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層に開口部を形成する工程は、さらに、前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程を有する、
請求項１又は２に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程では、前記第２の膜をマスクとして前記第１の膜を加工する、
請求項３に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第３の膜は、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜およびシリコン窒化膜の群から選ばれる少なくとも一種である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法で製造されたＴＦＴ基板上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層を形成する工程を含む、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
開口部が設けられた絶縁層と、前記開口部内および前記絶縁層上に連続して設けられた電極とを備え、
前記絶縁層は、第１の膜と、前記第１の膜上に設けられた第２の膜と、前記第２の膜上に設けられた第３の膜とを有し、
少なくとも前記開口部における前記第３の膜の断面は、順テーパ形状を有する、
ＴＦＴ基板。
【請求項８】
前記開口部における前記第１の膜の断面は、順テーパ形状を有する、
請求項７に記載のＴＦＴ基板。
【請求項９】
前記開口部における前記第２の膜の断面は、順テーパ形状を有する、
請求項７又は８に記載のＴＦＴ基板。
【請求項１０】
さらに、前記第３の膜は、第１の層と、前記第１の層の上に形成され、かつ、前記第１の層と同じ材料からなる第２の層とによって構成されており、
前記第２の層の膜密度は、前記第１の層の膜密度よりも小さい、
請求項７〜９のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板。
【請求項１１】
前記第１の膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第２の膜は、酸化アルミニウム膜であり、
前記第３の膜は、シリコン窒化膜である、
請求項７〜１０のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板と、
電子と正孔の再結合により発光する発光層と、を有する、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記開口部内および前記絶縁層上に連続して電極を形成する工程と、を含み、
前記絶縁層を形成する工程は、
第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、
前記第２の膜上に第３の膜を形成する工程と、を含み、
前記絶縁層に開口部を形成する工程は、
前記第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、
前記第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程と、を含み、
前記第３の膜をドライエッチングにより加工する工程において、前記開口部における前記第３の膜の断面を順テーパ形状とする、
ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程において、前記開口部における前記第１の膜の断面を順テーパ形状とする、
請求項１３に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程において、前記開口部における前記第２の膜の断面を順テーパ形状とする、
請求項１３又は１４に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程では、前記レジストパターンをマスクとして前記第１の膜を加工する、
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程において、前記ドライエッチングの処理時間の経過とともに前記第３の膜上の前記レジストパターンが漸次後退する、
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第３の膜を形成する工程では、前記第３の膜として、第１の層と、前記第１の層の上に形成され、かつ、前記第１の層と同じ材料からなる第２の層とを形成し、
前記第２の層の膜密度は、前記第１の層の膜密度よりも小さい、
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第３の膜をドライエッチングにより加工する工程において、
前記第２の層のエッチングレートは、前記第１の層のエッチングレートの２倍以上である、
請求項１８に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第２の膜は、酸化アルミニウム膜であり、
前記第３の膜は、シリコン窒化膜である、
請求項１３〜１９のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１３〜２０のいずれか１項に記載の方法で製造されたＴＦＴ基板上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層を形成する工程を、含む、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに開示された技術は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板およびＴＦＴ基板の製造方法、並びに、ＴＦＴによって駆動される有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ基板を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２７５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の技術では、所望の性能を有するＴＦＴ基板を実現することが難しいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決する第１のＴＦＴ基板の製造方法の一態様は、酸化物半導体層を含むＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板の製造方法であって、ＴＦＴを覆うように絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、を含み、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた、酸化アルミニウム膜である第２の膜と、第２の膜上に設けられた、シリコンを含む膜である第３の膜とを有し、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、を有する。【０００６】
また、上記の課題を解決するＴＦＴ基板の一態様は、開口部が設けられた絶縁層と、開口部内および絶縁層上に連続して設けられた電極とを備え、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた第２の膜と、第２の膜上に設けられた第３の膜とを有し、少なくとも開口部における３の膜の断面は、順テーパ形状を有する。【０００７】
また、上記の課題を解決する第２のＴＦＴ基板の製造方法の一態様は、絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、開口部内および絶縁層上に連続して電極を形成する工程と、を含み、絶縁層を形成する工程は、第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、第２の膜上に第３の膜を形成する工程と、を含み、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、第１の膜をドライエッチングにより加工する工程と、を含み、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程において、開口部における前記第３の膜の断面を順テーパ形状とする。
【発明の効果】
【０００８】
所望の性能を有するＴＦＴ基板を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、図１における２−２線断面の一部を示す図である。
【図３】図３は、図１における３−３線断面の一部を示す図である。
【図４】図４は、実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の製造フロー図である。
【図５】図５は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造フロー図である。
【図６】図６は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程においてゲート電極形成後の概略断面を示す図である。
【図７】図７は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程においてゲート絶縁膜形成後の概略断面を示す図である。
【図８】図８は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において半導体層形成後の概略断面を示す図である。
【図９】図９は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において第１絶縁層形成後の概略断面を示す図である。
【図１０】図１０は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において第１電極形成後の概略断面を示す図である。
【図１１】図１１は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において保護層形成後の概略断面を示す図である。
【図１２】図１２は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において第２電極形成後の概略断面を示す図である。
【図１３】図１３は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において第２絶縁層形成後の概略断面を示す図である。
【図１４】図１４は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造フロー図である。
【図１５】図１５は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において平坦化層形成後の概略断面を示す図である。
【図１６】図１６は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において反射陽極形成後の概略断面を示す図である。
【図１７】図１７は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において正孔注入層形成後の概略断面を示す図である。
【図１８】図１８は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程においてバンク形成後の概略断面を示す図である。
【図１９】図１９は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において電子ブロック層形成後の概略断面を示す図である。
【図２０】図２０は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において発光層形成後の概略断面を示す図である。
【図２１】図２１は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において電子注入層形成後の概略断面を示す図である。
【図２２】図２２は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において陰極形成後の概略断面を示す図である。
【図２３】図２３は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において封止層形成後の概略断面を示す図である。
【図２４】図２４は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の第１絶縁層の開口部周辺の概略断面を示す図である。
【図２５】図２５は、実施の形態１における第１絶縁層の形成フローを示す図である。
【図２６】図２６は、第１絶縁層の開口部および第１電極の形成フローを示す図である。
【図２７】図２７は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジストパターン形成後の概略断面を示す図である。
【図２８】図２８は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第３の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図２９】図２９は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第２の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図３０】図３０は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第１の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図３１】図３１は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジスト除去後の概略断面を示す図である。
【図３２】図３２は、実施の形態１における第１電極の形成工程の概略断面を示す図である。
【図３３】図３３は、実施の形態１の実施例における第１開口部の開口部周辺の断面ＳＥＭ像である。
【図３４】図３４は、実施の形態２におけるＴＦＴ基板の第１絶縁層の開口部周辺の概略断面を示す図である。
【図３５】図３５は、実施の形態２における第１絶縁層の形成フローを示す図である。
【図３６】図３６は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部および第１電極の形成フローを示す図である。
【図３７】図３７は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジストパターン形成後の概略断面を示す図である。
【図３８】図３８は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第３の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図３９】図３９は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第２の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図４０】図４０は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第１の膜が加工されるときの概略断面を示す図である。
【図４１】図４１は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジスト除去後の概略断面を示す図である。
【図４２】図４２は、実施の形態２における第１電極の形成工程の概略断面を示す図である。
【図４３】図４３は、実施の形態２の変形例におけるＴＦＴ基板の第１絶縁層の開口部周辺の概略断面を示す図である。
【図４４】図４４は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジストパターン形成後の概略断面を示す図である。
【図４５】図４５は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第４の膜および第３の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図４６】図４６は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第２の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図４７】図４７は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第１の膜が加工後の概略断面を示す図である。
【図４８】図４８は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジスト除去後の概略断面を示す図である。
【図４９】図４９は、実施の形態２の変形例における第１電極の形成工程の概略断面を示す図である。
【図５０】図５０は、実施の形態２の実施例における第１開口部の開口部周辺の断面ＳＥＭ像である。
【図５１】図５１は、実施の形態２の他の変形例における第１絶縁層の開口部周辺の概略断面を示す図である。
【図５２】図５２は、変形例における第１電極の概略断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（本開示の基礎となった知見）
ＴＦＴ基板は、絶縁層に設けられた開口部を介して絶縁層の下に設けられた層と導通する電極を有している。
【００１１】
特に、チャネル層が酸化物半導体層であるＴＦＴを備えるＴＦＴ基板では、酸化物半導体層への水素や酸素の拡散を抑制するために、ＴＦＴを覆う絶縁層として酸化アルミニウム膜（アルミナ膜）を用いる場合がある。例えば、酸化物半導体層と電極との絶縁層を兼ねるとともに酸化物半導体層のエッチングストッパー層として、シリコン酸化膜と酸化アルミニウム膜とシリコン酸化膜との３層構造の絶縁層を酸化物半導体層を覆うように形成する場合がある。この場合、電極と酸化物半導体層とを導通可能とするために絶縁層に開口部が形成される。
【００１２】
絶縁層に開口部を形成する際、絶縁層の酸化アルミニウム膜は、ウエットエッチングまたはドライエッチングで加工される。
【００１３】
酸化アルミニウム膜をウエットエッチングで加工する場合、ウエットエッチング液としては、例えばエッチングレートが高いアルカリ性溶液が用いられる。しかし、アルカリ性溶液には、レジストパターン（レジスト膜）を剥離させる作用がある。このため、酸化アルミニウム膜を加工する際に酸化アルミニウム膜上に直接レジストパターンを設けると、ウエットエッチング時にアルカリ性溶液によってレジストパターンが剥離などし、レジストパターンのマスクとしての機能が損なわれ、酸化アルミニウム膜を所望の形状に加工できなくなるおそれがある。このため、これまでは、酸化アルミニウム膜を加工するためのウエットエッチング液としてアルカリ性溶液を使用することが難しかった。つまり、絶縁層の加工時に、スループットが低いという課題があった。
【００１４】
一方、酸化アルミニウム膜をドライエッチングで加工する方法は、下層とのエッチング選択比がとりにくいため、量産には不向きである。例えば、絶縁層がシリコン酸化膜と酸化アルミニウム膜とシリコン酸化膜との３層構造である場合、酸化アルミニウム膜と下層のシリコン酸化膜とのエッチング選択比をとりにくい。
【００１５】
本開示は、このような課題に鑑みてなされたものであり、酸化アルミニウムを含む絶縁層をウエットエッチングを行う場合であってもスループットの低下を抑制できるＴＦＴ基板およびその製造方法などを提供することを第１の目的とする。
【００１６】
また、ＴＦＴ基板では、絶縁層に設けられた開口部の端部において電極が断線するという課題があった。
【００１７】
本開示は、このような課題に鑑みてなされたものであり、絶縁層の開口部の端部における電極の断線を抑制できるＴＦＴ基板およびその製造方法などを提供することを第２の目的とする。
【００１８】
上記第１の目的を達成するために、第１のＴＦＴ基板の製造方法の一態様は、酸化物半導体層を含むＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板の製造方法であって、ＴＦＴを覆うように絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、を含み、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた、酸化アルミニウム膜である第２の膜と、第２の膜上に設けられた、シリコンを含む膜である第３の膜とを有し、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、を有する、ことを特徴とする。
【００１９】
また、上記第２の目的を達成するために、ＴＦＴ基板の一態様は、開口部が設けられた絶縁層と、開口部内および絶縁層上に連続して設けられた電極とを備え、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた第２の膜と、第２の膜上に設けられた第３の膜とを有し、少なくとも開口部における３の膜の断面は、順テーパ形状を有する、ことを特徴とする。
【００２０】
また、上記第２の目的を達成するために、第２のＴＦＴ基板の製造方法の一態様は、絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、開口部内および絶縁層上に連続して電極を形成する工程と、を含み、絶縁層を形成する工程は、第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、第２の膜上に第３の膜を形成する工程と、を含み、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、第１の膜をドライエッチングにより加工する工程と、を含み、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程において、開口部における前記第３の膜の断面を順テーパ形状とする、ことを特徴とする。
【００２１】
以下、ＴＦＴ基板およびその製造方法並びに有機ＥＬ表示装置およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、工程（ステップ）、工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００２２】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。
【００２３】
（実施の形態１）
［１．有機ＥＬ表示装置１０の構成］
図１から図３に示されるように、開示された有機ＥＬ表示装置１０は、ＴＦＴ基板１００、ＥＬデバイス部２００およびカラーフィルタ基板３００が積層された構成である。ＥＬデバイス部２００とカラーフィルタ基板３００は、貼合わせ層２０によって、接着されている。
【００２４】
なお、図２において、ＥＬデバイス部２００およびカラーフィルタ基板の構成は適宜省略されている。図３において、ＴＦＴ基板１００の構成は、適宜省略されている。
【００２５】
図１に示されるように、ＴＦＴ基板１００は、複数のＴＦＴ部１７０を有する。後述されるようにそれぞれのＴＦＴ部１７０は、少なくとも２つのＴＦＴを有する。複数のＴＦＴ部１７０は、マトリクス状に配置されている。またそれぞれのＴＦＴ部１７０には、ゲート配線１８０およびソース配線１９０を通じて信号が供給される。
【００２６】
図３に示されるように、ＥＬデバイス部２００は、発光層２４０を有する。発光層２４０は、陽極２１０から注入された正孔と陰極２６０から注入された電子が再結合することにより発光する。
【００２７】
図１および図３に示されるように、カラーフィルタ基板３００は、ガラス基板３１０に設けられたフィルタ３２０を有する、フィルタ３２０は、赤フィルタ３２１、緑フィルタ３２２および青フィルタ３２３を含む。赤フィルタ３２１は、ＥＬデバイス部２００から発光された赤色の光を透過する。緑フィルタ３２２は、ＥＬデバイス部２００から発光された緑色の光を透過する。青フィルタ３２３は、ＥＬデバイス部２００から発光された青色の光を透過する。つまり、開示された有機ＥＬ表示装置１０は、トップエミッション型である。
【００２８】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置ではＴＦＴ基板側から光を取り出す。一方、トップエミッション型では光を取り出す方向にＴＦＴ基板が形成されていない。よって、トップエミッション型は、ボトムエミッション型と比較して、開口率を大きくすることができる。つまり、トップエミッション型は、発光効率がより向上する。
【００２９】
［１−１．ＴＦＴ基板１００の構成］
図１および図２に示されるように、ＴＦＴ基板１００は、ガラス基板１１０上に、複数のＴＦＴ部１７０を有する。それぞれのＴＦＴ部１７０は、スイッチングＴＦＴ１７１および駆動ＴＦＴ１７２を有する。スイッチングＴＦＴ１７１は、駆動ＴＦＴ１７２のオン／オフを切り換える。駆動ＴＦＴ１７２は、ＥＬデバイス部２００へ供給する電流を制御する。
【００３０】
ゲート電極１０１は、ゲート配線１８０と接続されている。第１電極１３０は、ソース配線１９０と接続されている。
【００３１】
ゲート配線１８０にゲート信号が入力されると、スイッチングＴＦＴ１７１がオン状態になる。すると、ソース配線１９０を通じて供給される電荷がコンデンサ（図示せず）に蓄積される。コンデンサ（図示せず）に蓄積された電荷により、駆動ＴＦＴ１７２のコンダクタンスが連続的に変化する。よって、所望の輝度を得られるようにＥＬデバイス部２００を発光させる駆動電流を、ＥＬデバイス部２００に流すことができる。
【００３２】
開示されたＴＦＴ部１７０は、ボトムゲート型である。ゲート電極１０１は、一例として、ガラス基板１１０に設けられたＭｏ（モリブデン）膜に、Ｃｕ（銅）膜が積層された構成である。ゲート電極１０１は、ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜）１０２に覆われている。
【００３３】
ゲート絶縁膜１０２には、一例として、ＳｉＮ（窒化シリコン）上にＳｉＯ2（二酸化シリコン）が積層された構成である。駆動ＴＦＴ１７２のゲート電極１０１に信号を伝えるために、ゲート絶縁膜１０２の一部は開口されている。
【００３４】
ゲート絶縁膜１０２上には、半導体層１１１が設けられている。半導体層１１１には、例えば、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、アモルファスシリコンなどが用いられる。ＴＡＯＳの材料としては、一例としてａ−ＩｎＧａＺｎＯ4（アモルファス−インジウムガリウム亜鉛酸化物）があげられる。
【００３５】
半導体層１１１は、第１絶縁層１２０に覆われている。第１絶縁層１２０は、３層構造であり、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３によって構成されている。第１絶縁層１２０は、半導体層１１１と第１電極１３０とを絶縁分離するための絶縁層である。また、半導体層１１１上の第１絶縁層１２０は、エッチングストッパー層として機能する。第１絶縁層１２０の構成については、後に詳細に述べられる。
【００３６】
第１絶縁層１２０の一部は開口されている。開口された部分（開口部）を介して第１電極１３０が半導体層１１１と接続されている。図２において、スイッチングＴＦＴ１７１の紙面に向かって右側（ドレイン側）に接続された第１電極１３０は、駆動ＴＦＴ１７２のゲート電極１０１と接続されている。第１電極１３０には、一例として、Ｃｕが用いられる。
【００３７】
第１電極１３０は、保護層１４０に覆われている。保護層１４０は、第１保護層１４１と第２保護層１４２の積層構造である。第１保護層１４１には、一例として、ＳｉＯ2が用いられる。第２保護層１４２には、一例として、ＳｉＮが用いられる。駆動ＴＦＴ１７２から信号を得るために、保護層１４０の一部は開口されている。
【００３８】
保護層１４０上には、第２電極１５０が設けられている。第２電極１５０は、一例として、下層電極１５１と上層電極１５２の積層構造である。図２において、第２電極１５０は、駆動ＴＦＴ１７２の紙面に向かって左側（ソース側）の第１電極１３０と接続されている。下層電極１５１には、一例としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。上層電極１５２には、一例としてＣｕが用いられる。
【００３９】
第２電極１５０は、第２絶縁層１６１に覆われている。第２絶縁層１６１の一部は、開口されている。
【００４０】
［１−２．ＥＬデバイス部２００の構成］
［１−２−１．平坦化層２０１］
図３に示されるように、ＥＬデバイス部２００は、平坦化層２０１の一部に開口された領域を介して、ＴＦＴ基板１００と接続されている。具体的には、上層陽極２１２と下層陽極２１１とから構成される陽極２１０が、ＴＦＴ基板１００と接続されている。平坦化層２０１は、ＴＦＴ基板１００上に設けられる。つまり、平坦化層２０１によって、ＴＦＴ基板１００に生じた凹凸が緩和される。平坦化層２０１には、例えば樹脂が用いられる。
【００４１】
［１−２−２．陽極２１０］
陽極２１０は、平坦化層２０１を覆う。平坦化層２０１の開口された領域は、陽極２１０の一部で埋められている。陽極２１０は、一例として、下層陽極２１１と上層陽極２１２の積層構造である。下層陽極２１１には、一例としてアルミニウム合金が用いられる。上層陽極２１２には、一例としてＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。陽極２１０は、発光層２４０からの発光を反射する機能を有する。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、より高い発光効率を得るためである。
【００４２】
［１−２−３．正孔注入層２３１］
正孔注入層２３１は、陽極２１０を覆う。正孔注入層２３１は、発光層２４０に正孔を注入する。正孔注入層２３１のイオン化エネルギーは、陽極２１０の仕事関数と発光層２４０のイオン化エネルギーの間になるように選択される。正孔注入層２３１としては、例えば、フタロシアニン系、オリゴアミン系、デンドリマーアミン系、ポリチオフェン系などの有機材料、金属酸化物などの無機材料が用いられる。正孔注入層２３１には、一例として、酸化タングステン膜が用いられる。
【００４３】
［１−２−４．電子ブロック層２３２］
電子ブロック層２３２は、正孔注入層２３１を覆う。電子ブロック層２３２は、後述される電子注入層２５１から注入された電子が正孔注入層２３１まで到達することを抑制する。電子ブロック層２３２のイオン化エネルギーは、発光層２４０のイオン化エネルギーより大きい。電子ブロック層２３２には、一例として、高分子材料が用いられる。
【００４４】
［１−２−５．発光層２４０］
発光層２４０は、一例として、赤色に発光する赤色発光層２４１、緑色に発光する緑色発光層２４２および青色に発光する青色発光層２４３を有する。図３に示されるように、赤色発光層２４１、緑色発光層２４２および青色発光層２４３のそれぞれは、バンク２２０によって区画された領域に設けられる。発光層２４０は、電子ブロック層２３２と後述される電子注入層２５１に挟まれている。
【００４５】
発光層２４０には、低分子材料および高分子材料のいずれも用いられ得る。低分子材料と高分子材料の区別は必ずしも厳密ではない。一般的には、分子構造の繰り返し単位がある分子量が大きいものが高分子材料と呼ばれる。高分子材料の分子量は、概ね１００００以上である。高分子材料は、分子量分布を有する。低分子材料は、通常、分子量分布を有さない。
【００４６】
発光層２４０は、電子と正孔が再結合する場を与える層である。発光層２４０は、ホストと、電子と正孔が再結合する際に発光中心として機能するドーパントを含む。
【００４７】
ホストには、例えば、アントラセン系、アミン系、ジアミン系、スチリル系、シロール系、アゾール系、ポリフェニル系などが用いられる。
【００４８】
アントラセン系としては、例えば、ジフェニルアントラセン誘導体またはその２量体などがあげられる。ジアミン系としては、例えば、ビスカルバゾールなどがあげられる。スチリル系としては、例えば、ジスチリルアリーレン、スチリルアミンなどがあげられる。シロール系とは、珪素（Ｓｉ）を含有した５員環を有する材料である。つまり、シロール系は、電子欠乏環の１種である。アゾール系としては、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンツイミダゾールなどがあげられる。ポリフェニル系としては、ターフェニル、クォータフェニル、キンクフェニル、セキシフェニルなどがあげられる。
【００４９】
ドーパントには、ホストのエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを有する材料が選択される。ドーパントは、通常、０．５〜５ｍｏｌ％程度の濃度で添加される。ドーパントの添加量は、濃度消光の影響を低減するように調整される。発光層２４０において、ドーパントが発光中心となる。よって、一般的に、発光層２４０のＥＬスペクトルは、ドーパントのフォトルミネッセンスと同じになる。
【００５０】
赤色の発光中心を有するドーパントとしては、例えば、シアノメチレンピラン系、ジシアノ系、フェノキサゾン系、チオキサンテン系などがあげられる。
【００５１】
青色の発光中心を有するドーパントとしては、例えば、スチリル系、縮合多環芳香環系などがあげられる。
【００５２】
緑色の発光中心を有するドーパントとしては、例えば、クマリン系、キナクリドン系などがあげられる。
【００５３】
［１−２−６．電子注入層２５１］
電子注入層２５１は、発光層２４０とバンク２２０を覆う。電子注入層２５１は、発光層２４０に電子を注入する。電子注入層２５１の電子親和力は、後述される陰極２６０の仕事関数と発光層２４０の電子親和力の間になるように選択される。電子注入層２５１としては、例えば、金属キレート系、フェナントロリン系、オキサジアゾール系、トリアゾール系などの有機材料、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物などの無機材料が用いられる。
【００５４】
［１−２−７．陰極２６０］
陰極２６０は、電子注入層２５１を覆う。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置においては、表示面側の電極（つまり陰極２６０）の可視光線透過率を上げることが望まれる。陰極２６０には、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電性材料などが用いられる。さらに、陰極２６０は、透明導電性材料膜の上に金属膜を設けた積層膜としてもよい。金属膜には、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などが用いられる。
【００５５】
［１−２−８．封止層２７０］
封止層２７０は、陰極２６０を覆う。封止層２７０によって封止されていないＥＬデバイス部２００は、環境由来の水分や、洗浄による水分などがＥＬデバイス部２００の内部に入り込みやすく、入り込んだ水分によって、層の剥離などが発生する場合がある。その結果、正常な発光が得られないなどの欠陥が生じやすくなる。よって、封止層２７０を設けることが好ましい。
【００５６】
封止層２７０としては、ポリパラキシレン、フッ素樹脂などの有機材料、ＳｉＯ2、ＧｅＯ（酸化ゲルマニウム）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）などの酸化物材料、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＮなどの窒化物材料が用いられる。なお、封止層２７０は、複数の種類の材料が積層された構成としてもよい。開示されたＥＬデバイス部２００においては、一例として、ＳｉＮが用いられた。
【００５７】
［１−３．カラーフィルタ基板３００］
カラーフィルタ基板３００は、光の吸収を利用することにより発光色を変化させる。つまり、カラーフィルタ基板３００を光が透過することによって、色純度が向上する。フィルタ３２０は、顔料などによって、透過光の波長を調整する。
【００５８】
［２．有機ＥＬ表示装置１０の製造方法］
図４に示されるように、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法は、ＴＦＴ基板１００を作製する工程（ステップ１）、ＥＬデバイス部２００を作製する工程（ステップ２）およびカラーフィルタ基板３００を貼合わせる工程（ステップ３）を含む。
【００５９】
ＴＦＴ基板１００を作製する工程（ステップ１）およびＥＬデバイス部２００を作製する工程（ステップ２）については、ＴＦＴ基板１００の製造方法およびＥＬデバイス部２００の製造方法として、後に詳細に述べられる。
【００６０】
カラーフィルタ基板３００を貼合わせる工程（ステップ３）では、図３に示されるように、ＥＬデバイス部２００とカラーフィルタ基板３００とを貼合わせ層２０によって貼合わせる。貼合わせ層２０としては、例えば、ＵＶ硬化樹脂が用いられる。貼合わせ層２０の膜厚は、１０μｍ〜３０μｍ程度である。なお、カラーフィルタ基板３００の作成方法については後述する。
【００６１】
前述のように、ＴＦＴ基板１００は、一部が開口した平坦化層２０１に覆われる。よって、ＥＬデバイス部２００のみを別途作製した後に、ＴＦＴ基板１００と貼合わせることは容易ではない。一方、カラーフィルタ基板３００を別途作製した後であれば、カラーフィルタ基板３００とＥＬデバイス部２００とを容易に貼合わせることができる。
【００６２】
［２−１．ＴＦＴ基板１００の製造方法（ステップ１）］
図５に示されるように、ＴＦＴ基板１００の製造方法は、一例として、ゲート電極１０１を形成する工程（ステップ１１）と、ゲート絶縁膜１０２を形成する工程（ステップ１２）と、半導体層１１１を形成する工程（ステップ１３）と、第１絶縁層１２０を形成する工程（ステップ１４）と、第１電極１３０を形成する工程（ステップ１５）と、保護層１４０を形成する工程と（ステップ１６）と、第２電極１５０を形成する工程（ステップ１７）と、第２絶縁層１６１を形成する工程（ステップ１８）とを含む。
【００６３】
開示されたＴＦＴ基板１００は、このように、ステップ１１からステップ１８の工程によって作製される。
【００６４】
［２−１−１．ステップ１１］
図６に示されるように、ステップ１１では、ガラス基板１１０上にゲート電極１０１が形成される。例えば、スパッタリング法によって、ガラス基板１１０上に、Ｍｏ膜とＣｕ膜が順に堆積される。Ｍｏ膜とＣｕ膜の合計膜厚は、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００６５】
次に、レジストを使用したフォトリソグラフィーおよびエッチングによって、所定のパターンのゲート電極１０１が形成される。
【００６６】
［２−１−２．ステップ１２］
図７に示されるように、ステップ１２では、ゲート電極１０１を覆うゲート絶縁膜１０２が形成される。例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、ＳｉＯ2膜が１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびＮ2Ｏが用いられる。プラズマは、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波が印加されることによって発生する。プラズマ中でＳｉＨ4およびＮ2Ｏが分解し、クラスター状のＳｉＯ2が生成される。ＳｉＯ2は、プラズマ中で発生するセルフバイアスによって、ガラス基板１１０上に堆積する。
【００６７】
［２−１−３．ステップ１３］
図８に示されるように、ステップ１３では、ゲート絶縁膜１０２上に、半導体層１１１が形成される。半導体層１１１として、ＴＡＯＳが用いられる場合には、一例としてスパッタリング法が用いられる。例えば、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：１の割合のターゲット材料が用いられる。ターゲット材を酸素雰囲気中でスパッタすることによって、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ4が成膜される。膜厚は、例えば、３０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。さらに、大気雰囲気中で、２００℃〜５００℃程度の熱処理をすることによって、ＴＦＴ特性が改善する。
【００６８】
半導体層１１１として、アモルファスシリコンが用いられる場合には、一例として、プラズマＣＶＤ法が用いられる。例えば、モノシランが材料に用いられた場合は、プラズマ中でシリコンと水素に分解する。シリコンは、アモルファス状態でゲート絶縁膜１０２上に堆積する。膜厚は、例えば、３０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００６９】
次に、レジストを使用したフォトリソグラフィーおよびエッチングによって、所定のパターンの半導体層１１１が形成される。
【００７０】
［２−１−４．ステップ１４］
図９に示されるように、ステップ１４では、ゲート絶縁膜１０２および半導体層１１１上に、第１絶縁層１２０が形成される。第１絶縁層１２０の形成方法については、後に詳細に述べられる。
【００７１】
［２−１−５．ステップ１５］
図１０に示されるように、ステップ１５では、第１電極１３０が形成される。第１電極１３０は、ゲート電極１０１および半導体層１１１におけるソース／ドレインとコンタクトする。第１電極１３０の形成方法については、後に詳細に述べられる。
【００７２】
［２−１−６．ステップ１６］
図１１に示されるように、ステップ１６では、保護層１４０が形成される。開示された保護層１４０は、例えば、第１保護層１４１と第２保護層１４２の積層構造である。第１保護層１４１として、例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤによってＳｉＯ2膜が１００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびＮ2Ｏが用いられる。
【００７３】
第２保護層１４２として、例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤによってＳｉＮ膜が５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびアンモニア（ＮＨ3）が用いられる。
【００７４】
［２−１−７．ステップ１７］
図１２に示されるように、ステップ１７では、第２電極１５０が形成される。第２電極１５０は、一例として、下層電極１５１と上層電極１５２の積層構造である。第２電極１５０は、第１電極１３０とコンタクトする。まず、保護層１４０の所定の領域がフォトリソグラフィーおよびエッチングによって、開口される。
【００７５】
次に、スパッタリングによって、ＩＴＯ膜が堆積される。ＩＴＯ膜の膜厚は、例えば、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。次に、スパッタリングによって、Ｃｕ膜が堆積される。Ｃｕ膜の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜４００ｎｍ程度である。
【００７６】
次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってＩＴＯ膜およびＣｕ膜が所定のパターンに加工される。以上のように、ＩＴＯの下層電極１５１およびＣｕの上層電極１５２が形成される。
【００７７】
［２−１−８．ステップ１８］
図１３に示されるように、ステップ１８では、第２絶縁層１６１が形成される。第２絶縁層１６１として、例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤによってＳｉＮ膜が５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびアンモニアが用いられる。
【００７８】
以上のステップ１１〜１８によって、ＴＦＴ基板１００が作製される。
【００７９】
［２−２．ＥＬデバイス部２００の製造方法（ステップ２）］
図１４に示されるように、ＴＦＴ基板１００の製造方法は、一例として、平坦化層２０１を形成する工程（ステップ２１）と、陽極２１０を形成する工程（ステップ２２）と、正孔注入層２３１を形成する工程（ステップ２３）と、バンク２２０を形成する工程（ステップ２４）と、電子ブロック層２３２を形成する工程（ステップ２５）と、発光層２４０を形成する工程と（ステップ２６）と、電子注入層２５１を形成する工程（ステップ２７）と、陰極２６０を形成する工程（ステップ２８）と、封止層２７０を形成する工程（ステップ２９）とを含む。
【００８０】
開示されたＥＬデバイス部２００は、このように、ステップ２１からステップ２９の工程によって作製される。
【００８１】
［２−２−１．ステップ２１］
図１５に示されるように、ステップ２１では、平坦化層２０１が形成される。平坦化層２０１として、例えば、感光性樹脂が用いられる。具体的には、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物などである。また、上記の樹脂組成物の任意の混合物を使用することもできる。なお、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性モノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。感光性樹脂は、溶剤中に分散される。
【００８２】
まず、例えば、塗布法によって、感光性樹脂がＴＦＴ基板１００上に形成される。感光性樹脂が塗布される面は、第２絶縁層１６１が設けられている面である。次に、フォトリソグラフィーと現像がなされる。ＴＦＴ基板１００との接続用の開口部を形成するためである。次に、大気雰囲気中で熱処理がなされる。熱処理における温度は、１５０℃〜２５０℃程度である。熱処理によって、残留していた溶剤が揮発する。熱処理後の平坦化層２０１の膜厚は、２μｍ〜５μｍ程度である。次に、平坦化層２０１をマスクとして、第２絶縁層１６１がエッチングされる。第２電極１５０の表面を露出させるためである。
【００８３】
［２−２−２．ステップ２２］
図１６に示されるように、ステップ２２では、陽極２１０が形成される。陽極２１０は、例えば、下層陽極２１１と上層陽極２１２の積層構造である。下層陽極２１１には、例えば、アルミニウム合金が用いられる。上層陽極２１２には、例えば、ＩＺＯが用いられる。下層陽極２１１と上層陽極２１２は、一例として、スパッタリングにより形成される。下層陽極２１１の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。上層陽極２１２の膜厚は、例えば、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
【００８４】
［２−２−３．ステップ２３］
図１７に示されるように、ステップ２３では、正孔注入層２３１が形成される。正孔注入層２３１には、一例として、酸化タングステン膜が用いられる。正孔注入層２３１は、一例としてスパッタリングにより形成される。酸化タングステンの組成はＷＯｘ（２≦ｘ≦３）で表される。正孔注入層２３１の膜厚は、例えば、２ｎｍ〜２０ｎｍ程度である。
【００８５】
［２−２−４．ステップ２４］
図１８に示されるように、ステップ２４では、バンク２２０が形成される。まず、正孔注入層２３１および陽極２１０が、画素形状にパターニングされる。具体的には、レジストを使用したフォトリソグラフィーおよびエッチングによって、正孔注入層２３１および陽極２１０に開口領域が形成される。
【００８６】
バンク２２０として、例えば、感光性樹脂が用いられる。具体的には、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物などである。また、上記の樹脂組成物の任意の混合物を使用することもできる。なお、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性モノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。感光性樹脂は、溶剤中に分散される。
【００８７】
例えば、塗布法によって、感光性樹脂が前述の開口領域および正孔注入層２３１上に形成される。次に、フォトリソグラフィーと現像がなされる。次に、大気雰囲気中で熱処理がなされる。熱処理における温度は、１５０℃〜２５０℃程度である。熱処理によって、残留していた溶剤が揮発する。熱処理後のバンク２２０の膜厚は、０．５μｍ〜２μｍ程度である。なお、バンク２２０の側面が順テーパ形状であると、後のステップが容易になるので好ましい。
【００８８】
［２−２−５．ステップ２５］
図１９に示されるように、ステップ２５では、電子ブロック層２３２が形成される。電子ブロック層２３２として、例えば、アミン系ポリマーが用いられる。アミン系ポリマーは、例えば、溶剤中に分散されることによって、印刷用インクとなる。印刷用インクは、例えば、インクジェット装置によって、正孔注入層２３１上に塗布される。次に、真空乾燥と熱処理がなされる。熱処理は、１５０℃〜２５０℃程度である。熱処理によって溶剤が揮発する。電子ブロック層２３２の膜厚は、５ｎｍ〜２０ｎｍ程度である。
【００８９】
［２−２−６．ステップ２６］
図２０に示されるように、ステップ２６では、発光層２４０が形成される。発光層２４０として、例えば、高分子材料のホストにドーパントが添加された材料が用いられる。高分子材料は、例えば、溶剤中に分散されることによって、印刷用インクとなる。印刷用インクは、例えば、インクジェット装置によって電子ブロック層２３２上に塗布される。赤色発光層２４１、緑色発光層２４２および青色発光層２４３はそれぞれ別々に塗布される。なお、複数のヘッドを有するインクジェット装置を使用する場合は、赤色発光層２４１、緑色発光層２４２および青色発光層２４３を同時に塗布することもできる。
【００９０】
赤色発光層２４１、緑色発光層２４２および青色発光層２４３それぞれの膜厚は、輝度のバランスをとるために適宜設定される。つまり、単位膜厚あたりの発光量が相対的に大きい色は、膜厚が相対的に小さく設定される。単位膜厚あたりの発光量が相対的に小さい色は、膜厚が相対的に大きく設定される。膜厚は、印刷用インクの粘度、ヘッドの開口径などによって調整される。次に、熱処理がなされる。熱処理は、１５０℃〜２５０℃程度である。熱処理によって、残留していた溶剤が揮発する。発光層２４０の膜厚は、４０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
【００９１】
［２−２−７．ステップ２７］
図２１に示されるように、ステップ２７では、電子注入層２５１が形成される。電子注入層２５１として、例えば、低分子材料にバリウム（Ｂａ）が添加された材料が用いられる。電子注入層２５１の材料は、例えば、蒸着法によって、発光層２４０およびバンク２２０上に形成される。電子注入層２５１の膜厚は、２ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。
【００９２】
［２−２−８．ステップ２８］
図２２に示されるように、ステップ２８では、陰極２６０が形成される。陰極２６０として、例えば、ＩＴＯが用いられる。陰極２６０は、スパッタリングによって、電子注入層２５１上に形成される。陰極２６０の膜厚は、２０ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。
【００９３】
［２−２−９．ステップ２９］
図２３に示されるように、ステップ２９では、封止層２７０が形成される。封止層２７０として、例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤによってＳｉＮ膜が５００ｎｍ〜８００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびＮＨ3が用いられる。なお、ステップ２７からステップ２９を真空中で連続して行うことが好ましい。水分などを含む雰囲気に曝されることが抑制されるからである。
【００９４】
以上のステップ２１〜２９によって、ＥＬデバイス部２００が作製される。
【００９５】
［２−３．カラーフィルタ基板３００の製造方法］
カラーフィルタ基板３００は、ガラス基板３１０上にフィルタ３２０を形成することによって作製することができる。フィルタ３２０は、従来知られているように、フォトリソグラフィーなどによって形成される。
【００９６】
［３．第１絶縁層１２０と第１電極１３０の詳細］
［３−１．第１絶縁層１２０の構成］
第１絶縁層１２０は、半導体層１１１を覆うように形成される。図２４に示されるように、第１絶縁層１２０は、半導体層１１１に接するようにして半導体層１１１上に形成されている。
【００９７】
第１絶縁層１２０は、半導体層１１１上に設けられた第１の膜１２１と、第１の膜１２１上に設けられた第２の膜１２２と、第２の膜１２２上に設けられた第３の膜１２３とを有する。本実施の形態において、第３の膜１２３は、第１絶縁層１２０における最上層である。
【００９８】
また、第１絶縁層１２０の一部には開口部が設けられている。開口部の形成方法については、後に詳細に述べられる。
【００９９】
［３−２．第１絶縁層１２０の形成方法（ステップ１４）］
図２５に示されるように、第１絶縁層１２０は、一例として、ステップ１４１からステップ１４３の工程によって形成される。本実施の形態において、第１絶縁層１２０を形成する工程（ステップ１４）は、第１の膜１２１を形成する工程（ステップ１４１）と、第２の膜１２２を形成する工程（ステップ１４２）と、第３の膜１２３を形成する工程（ステップ１４３）とを含む。
【０１００】
［３−２−１．ステップ１４１］
ステップ１４１では、第１の膜１２１が、半導体層１１１上に設けられる。第１の膜１２１には、例えば、シリコン酸化膜が用いられる。シリコン酸化膜の成膜においては、シリコン窒化膜などの成膜と比較して水素の発生が相対的に少ない。よって、半導体層１１１へのダメージが抑制される。詳細には、半導体層１１１に、ＴＡＯＳなどの酸化物が用いられている場合、水素などの還元作用を有するガスによって、半導体層１１１の組成変化が発生する。つまり、半導体層１１１が、設計値の性能を発揮できなくなる場合がある。したがって、第１の膜１２１は、成膜中に水素の発生が少ない絶縁膜を用いるとよい。
【０１０１】
シリコン酸化膜の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられ、材料には、例えば、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏなどが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。
【０１０２】
第１の膜１２１の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。第１の膜１２１の膜厚が１００ｎｍ未満であると、半導体層１１１の電気特性に影響する。具体的には、第２の膜１２２が有する固定電荷が、第１の膜１２１を介して半導体層１１１に作用することである。一方、第１の膜１２１の膜厚が５００ｎｍを超えると、製造時のスループットが悪化する。
【０１０３】
なお、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜に限られない。但し、成膜中に半導体層１１１へのダメージが抑制できる絶縁膜であるとよい。
【０１０４】
［３−２−２．ステップ１４２］
ステップ１４２では、第２の膜１２２が、第１の膜１２１上に設けられる。第２の膜１２２には、例えば、酸化アルミニウム膜（アルミナ膜）が用いられる。半導体層１１１が酸化物半導体であると、半導体層１１１は水素や酸素によってダメージを受けて電気特性が劣化するが、半導体層１１１の上方に酸化アルミニウム膜を形成しておくことにより、上層で発生する水素や酸素を酸化アルミニウム膜によってブロックすることができる。これにより、半導体層１１１への水素や酸素の拡散を抑制できるので、電気特性が安定した半導体層１１１が得られる。
【０１０５】
酸化アルミニウム膜の形成には、例えば、反応性スパッタリング装置が用いられる。この場合、ターゲットにはアルミニウムが用いられ、プロセスガスにはアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）などが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。なお、酸化アルミニウムをターゲットに用いることもできる。
【０１０６】
第２の膜１２２の膜厚は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。第２の膜１２２の膜厚が１０ｎｍ未満であると、第２の膜１２２の上層からの水素をブロックする機能が低下する。一方、第２の膜１２２の膜厚が５０ｎｍを超えると、製造時のスループットが悪化する。
【０１０７】
また、第２の膜１２２の屈折率は、波長６３３ｎｍの光に対して１．５５から１．６５程度であることが好ましい。後述されるように、第２の膜１２２は、ウエットエッチングにより加工される。第２の膜１２２の屈折率が上記の範囲内であると、良好な加工性が得られる。
【０１０８】
［３−２−３．ステップ１４３］
ステップ１４３では、第３の膜１２３が、第２の膜１２２上に設けられる。第３の膜１２３は、シリコンを含む膜であり、例えば、シリコン酸化膜が用いられる。後述されるように、第３の膜１２３は、ドライエッチングにより加工される。第３の膜１２３にシリコン酸化膜を用いることにより、フッ素（Ｆ）系ガスによる等方性エッチングが可能になる。
【０１０９】
第３の膜１２３の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。シリコン酸化膜を成膜する場合、材料には、例えば、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏなどが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。
【０１１０】
第３の膜１２３の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。第３の膜１２３の膜厚が１００ｎｍ未満であると、加工性が悪化する。具体的には、第３の膜１２３をドライエッチングする際、等方性エッチングが悪化する。つまり、第３の膜１２３をエッチングガスによる加工によって後退させることが難しくなる。一方、第３の膜１２３の膜厚が５００ｎｍを超えると、製造時のスループットが悪化する。
【０１１１】
なお、第３の膜１２３としては、シリコン窒化膜を用いてもよい。シリコン窒化膜の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられ、材料には、例えば、ＳｉＨ4、ＮＨ3などが用いられる。その他に、第３の膜１２３として、シリコン酸窒化膜を用いてもよい。
【０１１２】
なお、第１絶縁層１２０と同様の構造を保護層１４０に用いることもできる。つまり、第１絶縁層１２０の形成プロセスを保護層１４０の形成プロセスに用いることもできる。
【０１１３】
［３−３．第１絶縁層１２０の開口部と第１電極１３０の詳細］
図２４に示すように、第１絶縁層１２０には、当該第１絶縁層１２０の一部を開口することによって開口部が形成されている。例えば、半導体層１１１と第１電極１３０とのコンタクト部を形成するために、第１絶縁層１２０に開口部が形成される。この開口部は、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の一部を除去するように加工することで形成される。
【０１１４】
第１電極１３０は、金属膜であり、一例としてＣｕ膜である。第１電極１３０は、第１絶縁層１２０の開口部内および第１絶縁層１２０上に連続して設けられる。第１電極１３０は、例えば、第１絶縁層１２０の開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０上に形成される。
【０１１５】
［３−４．第１絶縁層１２０の開口部の形成方法と第１電極１３０の形成方法の詳細］
図２６に示されるように、第１絶縁層１２０の開口部と第１電極１３０とは、一例として、ステップ１５１からステップ１５６の工程によって形成される。
【０１１６】
具体的には、第１絶縁層１２０に開口部を形成する工程は、レジストパターン１３５を形成する工程（ステップ１５１）と、第３の膜１２３を加工する工程（ステップ１５２）と、第２の膜１２２を加工する工程（ステップ１５３）と、第１の膜１２１を加工する工程（ステップ１５４）と、レジストパターン１３５を除去する工程（ステップ１５５）とを含む。また、第１電極１３０を形成する工程は、金属膜を堆積して加工する工程（ステップ１５６）である。
【０１１７】
［３−４−１．ステップ１５１］
図２７に示されるように、ステップ１５１では、第１絶縁層１２０上に、レジストパターン（レジスト膜）１３５が形成される。具体的には、第１絶縁層１２０上に、所定の膜厚になるように、感光性樹脂材料からなるレジストを塗布する。次に、パターンが形成されたフォトマスクを介して、レジストを露光する。次に、レジストを現像する。これにより、所定形状のレジストパターン１３５が形成される。
【０１１８】
［３−４−２．ステップ１５２］
図２８に示されるように、ステップ１５２では、第３の膜１２３が加工される。具体的には、シリコン酸化膜である第３の膜１２３がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、レジストパターン１３５の開口部の下層における第３の膜１２３が除去される。
【０１１９】
また、このときのエッチングガスによって、レジストパターン１３５は、エッチング前よりも開口が広がるようにして開口端部が後退する。さらに、この場合、レジストパターン１３５と第３の膜１２３とのエッチングレートの違いによって、第３の膜１２３の開口部（開口径）がレジストパターン１３５の開口部（開口径）よりも広がった形状が得られる。
【０１２０】
ドライエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ6）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＳＦ6が７０ｓｃｃｍ、Ｏ2が３０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０１２１】
なお、エッチングガスとして、四フッ化炭素（ＣＦ4）およびＯ2を用いることもできる。この場合も、ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。
【０１２２】
［３−４−３．ステップ１５３］
図２９に示されるように、ステップ１５３では、第２の膜１２２が加工される。具体的には、酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２がウエットエッチングされる。ウエットエッチングによって、第３の膜１２３の開口部の下層における第２の膜１２２が除去される。このとき、レジストパターン１３５ではなく第３の膜１２３がマスクパターンとして作用する。
【０１２３】
レジストパターン１３５は、第３の膜１２３の上に形成されており、第２の膜（酸化アルミニウム膜）１２２の上に直接形成されていない。これにより、ウエットエッチングの際、アルカリ性溶液によってレジストパターン１３５が剥離することを抑制できる。また、第３の膜１２３を第２の膜１２２のマスクパターンとして作用させているので、仮にアルカリ性溶液によってレジストパターン１３５がダメージを受けたとしても、第２の膜１２２を所望の形状に加工することができる。
【０１２４】
本実施の形態において、エッチング液としては、アルカリ性溶液が用いられる。アルカリ性溶液は、酸化アルミニウム膜に対するエッチングレートが酸性溶液と比較して高いからである。具体的には、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用いることができる。
【０１２５】
ＫＯＨ溶液による酸化アルミニウム膜のエッチングは、例えばＫＯＨの濃度が１ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下の範囲で行うことができる。酸化アルミニウム膜のエッチングレートは、ＫＯＨの濃度増加に伴い単調に増加する。よって、求めるエッチングレートに応じてＫＯＨの濃度を調整すればよい。一方、ＫＯＨは、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｂなどの金属と反応して水素を発生させる。よって、エッチングレートが十分であればより低濃度のＫＯＨ溶液を使用することが望ましい。例えば、要求されるエッチングレートが１０ｎｍ／ｍｉｎであれば、ＫＯＨの濃度は１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下が好適である。
【０１２６】
［３−４−４．ステップ１５４］
図３０に示されるように、ステップ１５４では、第１の膜１２１が加工される。具体的には、酸化シリコン膜である第１の膜１２１がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、第２の膜１２２の開口部の下層における第１の膜１２１が除去される。この場合、第１の膜１２１は、第２の膜１２２をマスクとして加工される。
【０１２７】
ドライエッチングには、例えば、ＲＩＥ装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＣＦ4が８０ｓｃｃｍ、Ｏ2が２０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０１２８】
なお、ステップ１５４においては、エッチングガスによって、レジストパターン１３５の開口端部がさらに後退するとともに、レジストパターン１３５の開口端部がさらに後退するとともに、この後退に伴って第３の膜１２３の開口端部もエッチング除去される。この場合、レジストパターン１３５の開口部の形状を所望に設定しておくことによって、第１の膜１２１の断面（内周面）形状を順テーパ形状に加工することもできる。
【０１２９】
また、シリコン酸化膜は、酸化アルミナ膜に対してドライエッチングによって削られる選択比（エッチングレート）が大きいので、図３０に示すように、シリコン酸化膜である第１の膜１２１の開口端部における断面（内周面）形状を、垂直面に近い形で形成することができる。
【０１３０】
［３−４−５．ステップ１５５］
図３１に示されるように、ステップ１５５では、レジストパターン１３５が除去される。具体的には、薬液による除去や、Ｏ2ラジカルによるアッシング除去などが用いられる。レジストパターン１３５を除去することによって、第１絶縁層１２０に開口部を形成することができる。
【０１３１】
［３−４−６．ステップ１５６］
次に、図３２に示されるように、ステップ１５６では、第１電極１３０が設けられる。同図に示すように、第１電極１３０は、半導体層１１１と接続されるように第１絶縁層１２０の開口部内に形成されるとともに、第１絶縁層１２０の表面（第３の膜１２３の上面）に形成される。
【０１３２】
具体的には、まず、スパッタリングによって、第１絶縁層１２０の開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０の上にＣｕ膜を堆積させる。Ｃｕ膜の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってＣｕ膜を所定のパターンに加工する。
【０１３３】
これにより、所定形状に加工された第１電極１３０が形成される。なお、第１絶縁層１２０は、半導体層１１１と第１電極１３０とを絶縁する機能を有する。
【０１３４】
［３−５．実施例］
上記の方法によって実際に第１絶縁層１２０に開口部を形成したところ、図３３に示すような断面形状が得られた。なお、この実施例では、第１の膜１２１および第３の膜１２３をシリコン酸化膜とし、第２の膜１２２を酸化アルミニウム膜とした。
【０１３５】
図３３に示すように、第１絶縁層１２０として酸化アルミニウム膜を含んでいてもアルカリ性溶液によって所望の形状の開口部を形成できていることが分かる。
【０１３６】
［４．実施の形態１のまとめ］
以上、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、第１絶縁層１２０として、第１の膜１２１と酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２とシリコンを含む膜である第３の膜１２３との積層膜を用いて、第１絶縁層１２０に開口部を形成する際に、第３の膜１２３上にレジストパターン１３５を形成し、第３の膜１２３をドライエッチングにより加工し、第２の膜１２２をアルカリ性溶液を用いたウエットエッチングにより加工している。
【０１３７】
上記方法によれば、酸化アルミニウムを含む第１絶縁層１２０をアルカリ性溶液でウエットエッチングを行う場合であっても、レジストパターンの剥離を抑制することができる。よって、第１絶縁層１２０の加工時におけるスループットの低下を抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０１３８】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、エッチング液として、アルカリ性溶液を用いたが、第２の膜１２２（例えば酸化アルミニウム膜）上に直接レジストパターンを形成し、酸性のウエットエッチング液を使用してもよい。酸性のウエットエッチング液を用いて第２の膜１２２をウエットエッチングした場合、アルカリ性のウエットエッチング液を用いた場合と異なりレジストパターンの剥離作用は小さい。しかし、この場合であっても上記方法によれば、アルカリ性の剥離液（アミン系剥離液など）にてレジスト剥離を行った場合に第２の膜１２２が剥離液でエッチングされるという課題を解決できる。
【０１３９】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、第１絶縁層１２０に開口部を形成する工程において、さらに、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工する工程を有していてもよい。この場合、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工する工程において、酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２をマスクとして第１の膜１２２を加工してもよい。これにより、第２の膜１２２の開口形状が第１絶縁層１２０の開口部形状として転写されるので、第２の膜１２２の開口部の大きさ（開口径）を設定することで、第１絶縁層１２０の開口部を容易に所望の大きさ（開口径）にすることができる。
【０１４０】
なお、上記方法は、第１絶縁層１２０に限るものではなく、例えば、ＴＦＴ基板１００においては、保護層１４０にも適用できる。
【０１４１】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法において、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第３の膜１２３は、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜およびシリコン窒化膜の群から選ばれる少なくとも一種であってもよい。
【０１４２】
また、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法として、上記方法によって製造されたＴＦＴ基板１００上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０を形成する工程（ステップ２６）を含むように構成するとよい。
【０１４３】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。なお、実施の形態２と実施の形態１とは、主に、ＴＦＴ基板１００における第１絶縁層１２０の開口部の断面形状と当該開口部の形成方法とが異なり、それ以外の構成は基本的に同じである。したがって、以下、本実施の形態では、第１絶縁層１２０と第３電極１３０を中心に説明する。
【０１４４】
［５．第１絶縁層１２０と第１電極１３０の詳細］
［５−１．第１絶縁層１２０の詳細］
本実施の形態における第１絶縁層１２０も、半導体層１１１を覆うように形成されており、図３４に示されるように、半導体層１１１上に設けられた第１の膜１２１と、第１の膜１２１上に設けられた第２の膜１２２と、第２の膜１２２上に設けられた第３の膜１２３とを有する。第３の膜１２３は、第１絶縁層１２０における最上層である。
【０１４５】
実施の形態１と同様に、第１絶縁層１２０の一部には開口部が設けられているが、開口部の断面形状が異なる。第１絶縁層１２０の開口部の加工方法については、後に詳細に述べられる。
【０１４６】
［５−２．第１絶縁層１２０の形成方法（ステップ１４）］
図３５に示されるように、第１絶縁層１２０は、一例として、ステップ１４１からステップ１４３の工程によって形成される。本実施の形態において、第１絶縁層１２０を形成する工程（ステップ１４）は、第１の膜１２１を形成する工程（ステップ１４１’）と、第２の膜１２２を形成する工程（ステップ１４２’）と、第３の膜１２３を形成する工程（ステップ１４３’）とを含む。
【０１４７】
［５−２−１．ステップ１４１’］
ステップ１４１’では、第１の膜１２１が、半導体層１１１上に設けられる。本実施の形態でも、半導体層１１１へのダメージを抑制するために、第１の膜１２１としては、例えば、シリコン酸化膜が用いられる。
【０１４８】
シリコン酸化膜の形成は、実施の形態１と同様に、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。また、第１の膜１２１の膜厚は、実施の形態１と同様の理由により、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１４９】
なお、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜に限られない。
【０１５０】
［５−２−２．ステップ１４２’］
ステップ１４２’では、第２の膜１２２が、第１の膜１２１上に設けられる。第２の膜１２２として、例えば、酸化アルミニウム膜を用いることができる。
【０１５１】
酸化アルミニウム膜の形成は、実施の形態１と同様に、例えば、反応性スパッタリング装置が用いられる。また、第２の膜１２２の膜厚は、実施の形態１と同様の理由により、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、第２の膜１２２の屈折率も、実施の形態１と同様の理由により、波長６３３ｎｍの光に対して１．６０から１．６５程度であることが好ましい。
【０１５２】
［５−２−３．ステップ１４３’］
ステップ１４３’では、第３の膜１２３が、第２の膜１２２上に設けられる。第３の膜１２３には、例えば、シリコン窒化膜が用いられる。後述されるように、第３の膜１２３は、ドライエッチングにより加工される。第３の膜１２３にシリコン窒化膜を用いることにより、フッ素（Ｆ）系ガスによる等方性エッチングが可能になる。
【０１５３】
第３の膜１２３の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。シリコン窒化膜を成膜する場合、材料には、例えば、ＳｉＨ4、ＮＨ3などが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。
【０１５４】
第３の膜１２３の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。第３の膜１２３の膜厚が１００ｎｍ未満であると、加工性が悪化する。具体的には、第３の膜１２３のドライエッチングする際、等方性エッチングが悪化する。つまり、第３の膜１２３をエッチングガスによる加工によって後退させることが難しくなる。一方、第３の膜１２３の膜厚が５００ｎｍを超えると、製造時のスループットが悪化する。
【０１５５】
また、第３の膜１２３の屈折率は、波長６３３ｎｍの光に対して１．８９以下であることが好ましい。屈折率が１．８９を超えると、ドライエッチングにおける加工性が悪化する。
【０１５６】
なお、第３の膜１２３としては、シリコン窒化膜に限らず、シリコン酸化膜などを用いてもよい。シリコン酸化膜の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。
【０１５７】
［５−３．第１絶縁層１２０の開口部と第１電極１３０の詳細］
図３４に示すように、第１絶縁層１２０には、当該第１絶縁層１２０の一部を開口することによって開口部が形成されてい。例えば、半導体層１１１と第１電極１３０とのコンタクト部を形成するために、第１絶縁層１２０に開口部が形成される。この開口部は、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の一部を除去するように加工することで形成される。
【０１５８】
第１電極１３０は、金属膜であり、一例としてＣｕ膜である。第１電極１３０は、第１絶縁層１２０の開口部内および第１絶縁層１２０上に連続して設けられる。第１電極１３０は、例えば、第１絶縁層１２０の開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０上に形成される。
【０１５９】
［５−４．第１絶縁層１２０の開口部の形成方法と第１電極１３０の形成方法の詳細］
図３６に示されるように、第１絶縁層１２０の開口部と第１電極１３０とは、一例として、ステップ１５１’からステップ１５６’の工程によって形成される。
【０１６０】
具体的には、第１絶縁層１２０に開口部を形成する工程は、レジストパターン１３５を形成する工程（ステップ１５１’）と、第３の膜１２３を加工する工程（ステップ１５２’）と、第２の膜１２２を加工する工程（ステップ１５３’）と、第１の膜１２１を加工する工程（ステップ１５４’）と、レジストパターン１３５を除去する工程（ステップ１５５’）とを含む。また、第１電極１３０を形成する工程は、金属膜を堆積して加工する工程（ステップ１５６’）である。
【０１６１】
［５−４−１．ステップ１５１’］
図３７に示されるように、ステップ１５１’では、第１絶縁層１２０上に、レジストパターン（レジスト膜）１３５が形成される。具体的には、第１絶縁層１２０上に、所定の膜厚になるように、感光性樹脂材料からなるレジストを塗布する。次に、パターンが形成されたフォトマスクを介して、レジストを露光する。次に、レジストを現像する。これにより、所定形状のレジストパターン１３５が形成される。
【０１６２】
［５−４−２．ステップ１５２’］
図３８に示されるように、ステップ１５２’では、第３の膜１２３が加工される。具体的には、シリコン窒化膜である第３の膜１２３がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、レジストパターン１３５の開口部の下層における第３の膜１２３が除去される。
【０１６３】
このとき、図３８に示すように、第３の膜１２３としてフッ素との反応性が高いシリコン窒化膜を用いているので、第３の膜１２３は、エッチングガスによって等方的にもエッチングされる。これにより、第３の膜１２３の断面（内周面）形状が順テーパ形状となるようにエッチングすることができる。つまり、本実施の形態では、エッチングガスの異方性と等方性をコントロールすることで、第３の膜１２３の断面形状を順テーパ形状にしている。
【０１６４】
また、図３８に示すように、このときのエッチングガスによって、レジストパターン１３５は、エッチング前よりも開口が広がるようにして開口端部が後退する。
【０１６５】
なお、レジストパターン１３５と第３の膜１２３とのエッチングレートの違いによって、第３の膜１２３の開口部（開口径）がレジストパターン１３５の開口部（開口径）よりも広がった形状となっている。
【０１６６】
ドライエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ6）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＳＦ6が７０ｓｃｃｍ、Ｏ2が３０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０１６７】
［５−４−３．ステップ１５３’］
図３９に示されるように、ステップ１５３’では、第２の膜１２２が加工される。具体的には、酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２がウエットエッチングされる。このとき、レジストパターン１３５ではなく第３の膜１２３がマスクパターンとして作用する。ウエットエッチングによって、第３の膜１２３の開口部の下層における第２の膜１２２が除去される。
【０１６８】
このとき、ウエットエッチングによって第２の膜１２２が加工されているので、第２の膜１２２は、エッチング液によって等方的にエッチングされる。これにより、第２の膜１２２の断面（内周面）形状が順テーパ形状となるようにエッチングすることができる。なお、本実施の形態では、第２の膜１２２の開口部の内周面（傾斜面）を第３の膜１２３の開口部の内周面（傾斜面）に一致させるようにして、第２の膜１２２のエッチングを行っている。
【０１６９】
エッチング液としては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液などのアルカリ性溶液、または燐酸を含む混酸液などの酸性溶液が用いられる。
【０１７０】
［５−４−４．ステップ１５４’］
図４０に示されるように、ステップ１５４’では、第１の膜１２１が加工される。具体的には、酸化シリコン膜である第１の膜１２１がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、第２の膜１２２の開口部の下層における第１の膜１２１が除去される。
【０１７１】
このとき、エッチングガスによって第１の膜１２１とともにレジストパターン１３５もエッチングされる。つまり、ステップ１５４’においては、レジストパターン１３５を後退させながらドライエッチングが行われる。
【０１７２】
具体的には、図４０の（ａ）〜（ｃ）に示すように、ドライエッチングの処理時間の経過とともにレジストパターン１３５の開口端部が漸次後退していく。これにより、第１の膜１２１はレジストパターン１３５をマスクとしてエッチングされるので、レジストパターン１３５の後退によって第１の膜１２１がエッチングされる領域が徐々に広がっていく。この結果、第１の膜１２１の断面（内周面）形状が順テーパ形状となるようにエッチングすることができる。なお、本実施の形態では、第１の膜１２１の開口部の内周面（傾斜面）を第２の膜１２２の開口部の内周面（傾斜面）に一致させるようにして、第１の膜１２１のエッチングを行っている。
【０１７３】
このように、本実施の形態は、実施の形態１と異なり、第１の膜１２１がレジストパターン１３５をマスクとして加工される。つまり、本実施の形態では、レジストパターン１３５の開口形状が第１の膜１２１の開口形状として転写される。
【０１７４】
ドライエッチングには、例えば、ＲＩＥ装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＣＦ4が８０ｓｃｃｍ、Ｏ2が２０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０１７５】
［５−４−５．ステップ１５５’］
図４１に示されるように、ステップ１５５’では、レジストパターン１３５が除去される。具体的には、薬液による除去や、Ｏ2ラジカルによるアッシング除去などが用いられる。レジストパターン１３５を除去することによって、第１絶縁層１２０には、断面が順テーパ形状を有する開口部が形成される。
【０１７６】
［５−４−６．ステップ１５６’］
次に、図４２に示されるように、ステップ１５６’では、第１電極１３０が設けられる。同図に示すように、第１電極１３０は、半導体層１１１と接続されるように第１絶縁層１２０の開口部内に形成されるとともに、第１絶縁層１２０の表面（第３の膜１２３の上面）に形成される。
【０１７７】
具体的には、まず、スパッタリングによって、第１絶縁層１２０の開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０の上にＣｕ膜を堆積させる。Ｃｕ膜の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってＣｕ膜を所定のパターンに加工する。
【０１７８】
これにより、所定形状に加工された第１電極１３０が形成される。なお、第１絶縁層１２０は、半導体層１１１と第１電極１３０とを絶縁する機能を有する。
【０１７９】
［６．実施の形態２のまとめ］
以上、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００は、第１の膜１２１と第２の膜１２２と第３の膜１２３とが積層された第１絶縁層１２０を有しており、第１絶縁層１２０に設けられた開口部において、少なくとも最上層（第３の膜１２３）の断面は、順テーパ形状を有する。
【０１８０】
上記構成によって、第１絶縁層１２０の開口部の断面は、上端部において鈍角となる。つまり、第１絶縁層１２０の表面と開口部の内面とのなす角度が鈍角となる。この結果、第１絶縁層１２０の開口部内から第１絶縁層１２０の表面に連続して第１電極１３０を形成したときに、当該開口部の端部での第１電極１３０のカバレッジがより向上する。よって、第１絶縁層１２０の開口部の端部において第１電極１３０に断線が発生することを抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０１８１】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００では、さらに、第２の膜１２２および第３の膜１２３の開口部における断面も順テーパ形状を有している。これにより、第１絶縁層１２０の開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を一層抑制できる。
【０１８２】
なお、上記構成は、第１絶縁層１２０に限るものではなく、例えば、ＴＦＴ基板１００においては、保護層１４０にも適用できる。
【０１８３】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００において、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第２の膜１２２は、酸化アルミニウム膜であり、第３の膜１２３は、シリコン窒化膜であるとよい。これにより、より容易に、開口部の断面を順テーパ形状に加工できる。なお、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の材料は、これらの材料に限るものではない。
【０１８４】
また、有機ＥＬ表示装置１０として、上記構成のＴＦＴ基板１００と、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０とを有するように構成するとよい。
【０１８５】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、第１絶縁層１２０として、第１の膜１２１と第２の膜１２２と第３の膜１２３との積層膜を用いて、第１絶縁層１２０に開口部を形成する工程において、第３の膜１２３上にレジストパターン１３５を形成し、第３の膜１２３をドライエッチングにより加工し、第２の膜１２２をウエットエッチングにより加工し、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工することにより、開口部における最上層（第３の膜１２３）の断面形状を順テーパ形状としている。
【０１８６】
上記方法によって、第１絶縁層１２０の開口部の断面を上端部において鈍角とすることができる。これにより、開口部の端部での第１電極１３０のカバレッジがより向上するので、開口部の端部において第１電極１３０に断線が発生することを抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０１８７】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、さらに、第２の膜１２２および第３の膜１２３の開口部における断面も順テーパ形状を有するように第２の膜１２２および第３の膜１２３を加工している。これにより、第１絶縁層１２０の開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を一層抑制できる。
【０１８８】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法において、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工する工程では、レジストパターン１３５をマスクとして第１の膜１２１を加工している。これにより、レジストパターン１３５の開口形状が第１の膜１２１の開口形状として転写される。したがって、レジストパターン１３５のマスクパターンによって第１絶縁層１２０の開口部の大きさ（開口径）を設定することができる。
【０１８９】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、ドライエッチング時におけるレジストパターン１３５の開口部の後退を利用して、第１の膜１２１の開口部の断面形状を順テーパ形状にしている。これにより、開口部の開口径を無駄に大きくすることなく（つまり、マスクに対してそれほど開口部を広げることなく）、開口部の断面に順テーパ構造を設けることが可能となる。したがって、開口部の端部における第１電極１３０に断線の発生を一層抑制できる。
【０１９０】
なお、上記方法は、第１絶縁層１２０に限るものではなく、例えば、ＴＦＴ基板１００においては、保護層１４０にも適用できる。
【０１９１】
また、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第２の膜１２２は、酸化アルミニウム膜であり、第３の膜１２３は、シリコン窒化膜であるとよい。これにより、より容易に、開口部の断面を順テーパ形状に加工できる。なお、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の材料は、これらの材料に限るものではない。
【０１９２】
また、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法として、上記方法によって製造されたＴＦＴ基板１００上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０を形成する工程を含むように構成するとよい。
【０１９３】
（実施の形態２の変形例）
次に、実施の形態２の変形例について説明する。なお、本変形例と実施の形態２とは、主に、ＴＦＴ基板１００における第１絶縁層における第３の膜１２３の構造が異なり、それ以外の構成は基本的に同じである。したがって、以下、本変形例では、第１絶縁層１２０Ａと第３電極１３０を中心に説明する。
【０１９４】
［７．第１絶縁層１２０Ａと第１電極１３０の詳細］
［７−１．第１絶縁層１２０Ａの詳細］
本変形例では、第１絶縁層１２０Ａの最上層である第３の膜１２３が２層構造となっている。具体的には、図４３に示されるように、第１絶縁層１２０Ａは、半導体層１１１上に設けられた第１の膜１２１と、第１の膜１２１上に設けられた第２の膜１２２と、第２の膜１２２上に設けられた第３の膜１２３とを有しているが、第３の膜１２３は、膜質が異なる複数層によって構成されている。
【０１９５】
本変形例における第３の膜１２３は、第１の層１２３ａと、当該第１の層１２３ａ上に設けられた第２の層１２３ｂとによって構成されている。また、第１の層１２３ａと第２の層１２３ｂとは同じ材料を用いて形成されているが、膜密度が異なっており、第２の層１２３ｂの膜密度が第１の層１２３ａの膜密度よりも小さくなっている。つまり、第１の層１２３ａの膜構造は、第２の層１２３ｂに比べて相対的に密になっており、一方、第２の層１２３ｂの膜構造は、第１の層１２３ａと比べて相対的に粗になっている。
【０１９６】
また、実施の形態２と同様に、第１絶縁層１２０Ａの一部には開口部が設けられている。第１絶縁層１２０Ａの開口部の加工方法については、後に詳細に述べられる。
【０１９７】
［７−２．第１絶縁層１２０Ａの形成方法］
第１絶縁層１２０Ａは、実施の形態２と同様に、ステップ１４１’からステップ１４３’の工程によって形成される。
【０１９８】
［７−２−１．ステップ１４１’］
本変形例におけるステップ１４１’は、実施の形態２におけるステップ１４１’と同じである。第１の膜１２１は、例えばシリコン酸化膜である。
【０１９９】
［７−２−２．ステップ１４２’］
本変形例におけるステップ１４２’は、実施の形態２におけるステップ１４２’と同じである。第２の膜１２２は、例えば酸化アルミニウム膜である。
【０２００】
［７−２−３．ステップ１４３’］
ステップ１４３’では、第３の膜１２３が第２の膜１２２上に設けられるが、本変形例における第３の膜１２３は、膜密度が異なる複数層によって構成されている。第３の膜１２３には、例えば、シリコン窒化膜が用いられる。
【０２０１】
膜密度の異なる第３の膜１２３を形成するには、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。この場合、第３の膜１２３としてシリコン窒化膜を成膜するための材料としては、例えば、ＳｉＨ4、ＮＨ3などが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。
【０２０２】
例えば、シリコン窒化膜を成膜する途中で上記成膜条件を変更して成膜レートを変更することによって、膜密度の異なる複数層のシリコン窒化膜を形成することができる。本変形例では、成膜レートを１回変更することによって、相対的に膜密度が大きいシリコン窒化膜層である第１の層１２３ａと、相対的に膜密度が小さいシリコン窒化膜層である第２の層１２３ｂとの２層を形成している。
【０２０３】
第３の膜１２３の膜厚は、第１の層１２３ａおよび第２の層１２３ｂを含めて、全体として１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２０４】
［７−３．第１絶縁層１２０Ａの開口部と第１電極１３０の詳細］
図４３に示すように、第１絶縁層１２０Ａには、実施の形態２と同様に、当該第１絶縁層１２０Ａの一部を開口することによって開口部が形成されている。開口部は、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３を加工することで形成される。
【０２０５】
第１電極１３０は、実施の形態２と同様に、Ｃｕ膜などの金属膜であり、第１絶縁層１２０Ａの開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０Ａ上に形成される。
【０２０６】
［７−４．第１絶縁層１２０Ａの開口部の形成方法と第１電極１３０の形成方法の詳細］
第１絶縁層１２０Ａの開口部と第１電極１３０とは、実施の形態２と同様に、ステップ１５１’からステップ１５６’の工程によって形成される。
【０２０７】
［７−４−１．ステップ１５１’］
図４４に示されるように、ステップ１５１’では、実施の形態２と同様にして、第１絶縁層１２０Ａ上に、レジストパターン（レジスト膜）１３５が形成される。
【０２０８】
［７−４−２．ステップ１５２’］
図４５に示されるように、ステップ１５２’では、第３の膜１２３が加工される。具体的には、第３の膜１２３がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、レジストパターン１３５の開口部の下層における第３の膜１２３が除去される。
【０２０９】
このとき、本変形例では、第３の膜１２３が膜密度の異なる第１の層１２３ａと第２の層１２３ｂとのシリコン窒化膜によって構成されており、上層である第２の層１２３ｂの膜密度が下層である第１の層１２３ａの膜密度よりも小さくなっている。これにより、上層である第２の層１２３ｂのエッチングレートを下層である第１の層１２３ａのエッチングレートよりも大きくすることができるので、第３の膜１２３を容易に等方的にエッチングすることができる。したがって、実施の形態２と比べて、第３の膜１２３の断面形状を容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２１０】
なお、第２の層１２３ｂのエッチングレートは、第１の層１２３ａのエッチングレートの２倍以上とすることが好ましい。これにより、第３の膜１２３に対して、より等方的なエッチングを行うことができるので、第３の膜１２３の断面形状を容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２１１】
また、本変形例でも、図４５に示すように、エッチングガスによって、レジストパターン１３５は、エッチング前よりも開口が広がるようにして開口端部が後退する。
【０２１２】
ドライエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ6）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＳＦ6が７０ｓｃｃｍ、Ｏ2が３０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０２１３】
［７−４−３．ステップ１５３’］
図４６に示されるように、ステップ１５３’では、実施の形態２と同様にして、第２の膜１２２が加工される。具体的には、酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２がウエットエッチングされて、第３の膜１２３の開口部の下層における第２の膜１２２が除去される。これにより、第２の膜１２２の断面形状が順テーパ形状となるようにエッチングすることができる。エッチング液としては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液などのアルカリ性溶液に限らず、燐酸を含む混酸液などの酸性溶液が用いられる。
【０２１４】
［７−４−４．ステップ１５４’］
図４７に示されるように、ステップ１５４’では、実施の形態２と同様にして、第１の膜１２１が加工される。具体的には、酸化シリコン膜である第１の膜１２１がドライエッチングされて、第２の膜１２２の開口部の下層における第１の膜１２１が除去される。
【０２１５】
本変形例でも、ドライエッチングの処理時間の経過とともにレジストパターン１３５の開口端部が漸次後退し、このレジストパターン１３５の後退によって第１の膜１２１のエッチング領域が徐々に広がっていき、第１の膜１２１の断面に順テーパ形状を形成することができる。このように、本変形例でも、第１の膜１２１は、レジストパターン１３５をマスクとして加工される。
【０２１６】
ドライエッチングには、例えば、ＲＩＥ装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）およびＯ2が用いられる。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＣＦ4が８０ｓｃｃｍ、Ｏ2が２０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０２１７】
［７−４−５．ステップ１５５’］
図４８に示されるように、ステップ１５５’では、実施の形態２と同様にして、レジストパターン１３５が除去される。これにより、第１絶縁層１２０Ａには、断面が順テーパ形状を有する開口部が形成される。
【０２１８】
［７−４−６．ステップ１５６’］
次に、図４９に示されるように、ステップ１５６’では、実施の形態２と同様にして、所定形状に加工されたＣｕ膜からなる第１電極１３０が設けられる。
【０２１９】
［７−５．実施例］
上記の方法によって実際に第１絶縁層１２０Ａに開口部を形成したところ、図５０に示すような断面形状が得られた。なお、この実施例では、第１の膜１２１をシリコン酸化膜の単層とし、第２の膜１２２を酸化アルミニウム膜の単層とし、第３の膜１２３を膜密度の異なる第１の層１２３ａおよび第２の層１２３ｂの２層とした。また、図５０は、図４７に対応する図であり、レジストパターン１３５を除去する前の状態を示している。
【０２２０】
図５０に示すように、第１絶縁層１２０Ａには、順テーパ形状の断面を有する所望の開口部が形成できていることが分かる。
【０２２１】
［８．実施の形態２の変形例のまとめ］
以上、本変形例におけるＴＦＴ基板１００は、実施の形態２と同様に、第１絶縁層１２０Ａに設けられた開口部において、少なくとも最上層（第３の膜１２３）の断面は、順テーパ形状を有する。
【０２２２】
上記構成によって、第１絶縁層１２０Ａの開口部の断面は上端部において鈍角となるので、当該開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０２２３】
さらに、本変形例では、第３の膜１２３が、同じ材料からなる第１の層１２３ａと第２の層１２３ｂとによって構成されており、第２の層１２３ｂの膜密度が第１の層１２３ａの膜密度よりも小さくなっている。
【０２２４】
この構成により、実施の形態２と比べて、第３の膜１２３の断面形状を一層容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２２５】
また、本変形例におけるＴＦＴ基板１００でも、さらに、第２の膜１２２および第３の膜１２３の開口部における断面も順テーパ形状を有している。これにより、開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を一層抑制できる。
【０２２６】
なお、本変形例でも、上記構成は保護層１４０に適用することができる。
【０２２７】
また、本変形例でも、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第２の膜１２２は、酸化アルミニウム膜であり、第３の膜１２３は、シリコン窒化膜であるとよい。これにより、より容易に、開口部の断面を順テーパ形状に加工できる。なお、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の材料は、これらの材料に限るものではない。
【０２２８】
また、有機ＥＬ表示装置１０として、上記構成のＴＦＴ基板１００と、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０とを有するように構成するとよい。
【０２２９】
また、本変形例におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、実施の形態２と同様に、第１絶縁層１２０Ａに開口部を形成する工程において、第３の膜１２３上にレジストパターン１３５を形成し、第３の膜１２３をドライエッチングにより加工し、第２の膜１２２をウエットエッチングにより加工し、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工することにより、第１絶縁層１２０Ａの開口部における最上層（第３の膜１２３）の断面形状を順テーパ形状としている。
【０２３０】
上記方法によって、第１絶縁層１２０Ａの開口部の断面を上端部において鈍角とすることができるので、当該開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０２３１】
さらに、本変形例では、第３の膜１２３が、同じ材料からなる第１の層１２３ａと第２の層１２３ｂとによって構成されており、第２の層１２３ｂの膜密度が第１の層１２３ａの膜密度よりも小さくなっている。
【０２３２】
この構成により、第３の膜１２３のドライエッチングの際に、第２の層１２３ｂのエッチングレートを第１の層１２３ａのエッチングレートよりも大きくすることができるので、第３の膜１２３を容易に等方的にエッチングすることができる。したがって、実施の形態２と比べて、第３の膜１２３の断面形状を容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２３３】
また、本変形例におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、第３の膜１２３をドライエッチングにより加工する工程において、第２の層１２３ｂのエッチングレートは、第１の層１２３ａのエッチングレートの２倍以上とすることが好ましい。これにより、第３の膜１２３に対して、より等方的なエッチングを行うことができるので、第３の膜１２３の断面形状を容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２３４】
また、本変形例でもて、レジストパターン１３５をマスクとして第１の膜１２１を加工している。これにより、レジストパターン１３５のマスクパターンによって第１絶縁層１２０の開口部の大きさ（開口径）を設定することができる。
【０２３５】
また、本変形例でも、ドライエッチング時におけるレジストパターン１３５の開口部の後退を利用して、第１の膜１２１の開口部の断面形状を順テーパ形状にしている。これにより、開口部の開口径を無駄に大きくすることなく、開口部の断面に順テーパ構造を設けることが可能となる。したがって、開口部の端部における第１電極１３０に断線の発生を一層抑制できる。
【０２３６】
なお、本変形例でも、上記方法は、第１絶縁層１２０Ａに限られず、例えば、ＴＦＴ基板１００においては、保護層１４０にも適用できる。
【０２３７】
また、本変形例でも、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第２の膜１２２は、酸化アルミニウム膜であり、第３の膜１２３は、シリコン窒化膜であるとよい。これにより、さらに容易に開口部の断面を順テーパ形状に加工できる。なお、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の材料は、これらの材料に限るものではない。
【０２３８】
また、本変形例でも、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法として、上記方法によって製造されたＴＦＴ基板１００上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０を形成する工程を含むように構成するとよい。
【０２３９】
（その他の変形例）
以上、ＴＦＴ基板およびその製造方法、並びに、有機ＥＬ表示装置およびその製造方法について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。
【０２４０】
例えば、上記実施の形態２では、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の全ての膜の断面が順テーパ形状を有するように開口部を形成したが、第１電極１３０の断線を抑制するには、少なくとも最上層（第３の膜１２３）の開口部の断面が順テーパ形状を有していればよい。例えば、図５１に示すように、第１の膜１２１および第３の膜１２３の断面形状が順テーパ形状となっていてもよい。また、第２の膜１２２および第３の膜１２３の断面形状が順テーパ形状となっていてもよい。
【０２４１】
また、上記実施の形態２では、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の開口部の内周面（傾斜面）が全て面一となるようにエッチングを行ったが、各膜において段差が生じるように形成してもよい。但し、各膜間における段差を極力なくして各膜の内周面が全て面一となるようにした方が、開口部における第１電極１３０の断線を効果的に抑制することができる。
【０２４２】
また、上記実施の形態２では、第３の膜１２３を２層構造としたが、これに限らない。例えば、第３の膜１２３を３層以上の複数層としても構わない。この場合、上層の膜ほど膜密が小さくなるように構成するとよい。あるいは、第３の膜１２３の上に第３の膜１２３よりもエッチングレートが大きい第４の膜を形成しても構わない。これにより、第１絶縁層１２０Ａに、断面が順テーパ形状を有する開口部を形成することができる。
【０２４３】
また、上記実施の形態１、２および変形例において、第１電極１３０は、第１絶縁層１２０および１２０Ａの開口部を埋めるように形成したが、これに限らない。例えば、図５２に示すように、第１絶縁層１２０の開口部の内面および底面と第１絶縁層１２０の表面とにわたって同一膜厚となるように第１電極１３０Ａを形成してもよい。
【０２４４】
また、上記実施の形態１、２および変形例において、レジストパターン１３５の開口部の断面（内周面）はテーパ面（傾斜面）としているが、これに限らない。例えば、レジストパターン１３５の開口部の断面（内周面）が垂直面であっても、実施の形態１、２における作用効果を得ることができる。
【０２４５】
その他、上記の実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態および変形例における構成要素および機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２４６】
開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるＴＦＴ基板や、ＴＦＴ基板によって駆動される有機ＥＬ表示装置などに利用可能である。
【符号の説明】
【０２４７】
１０    有機ＥＬ表示装置
２０    貼合わせ層
１００    ＴＦＴ基板
１０１    ゲート電極
１０２    ゲート絶縁膜
１１０    ガラス基板
１１１    半導体層
１２０、１２０Ａ    第１絶縁層
１２１    第１の膜
１２２    第２の膜
１２３    第３の膜
１２３ａ  第１の層
１２３ｂ  第２の層
１３０、１３０Ａ    第１電極
１３５    レジストパターン
１４０    保護層
１４１    第１保護層
１４２    第２保護層
１５０    第２電極
１５１    下層電極
１５２    上層電極
１６１    第２絶縁層
１７０    ＴＦＴ部
１７１    スイッチングＴＦＴ
１７２    駆動ＴＦＴ
１８０    ゲート配線
１９０    ソース配線
２００    ＥＬデバイス部
２０１    平坦化層
２１０    陽極
２１１    下層陽極
２１２    上層陽極
２２０    バンク
２３１    正孔注入層
２３２    電子ブロック層
２４０    発光層
２４１    赤色発光層
２４２    緑色発光層
２４３    青色発光層
２５１    電子注入層
２６０    陰極
２７０    封止層
３００    カラーフィルタ基板
３１０    ガラス基板
３２０    フィルタ
３２１    赤フィルタ
３２２    緑フィルタ
３２３    青フィルタ
【図１】
2013190838.tif 000003
【図２】
2013190838.tif 000004
【図３】
2013190838.tif 000005
【図４】
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【図５】
2013190838.tif 000007
【図６】
2013190838.tif 000008
【図７】
2013190838.tif 000009
【図８】
2013190838.tif 000010
【図９】
2013190838.tif 000011
【図１０】
2013190838.tif 000012
【図１１】
2013190838.tif 000013
【図１２】
2013190838.tif 000014
【図１３】
2013190838.tif 000015
【図１４】
2013190838.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2013190838.tif 000018
【図１７】
2013190838.tif 000019
【図１８】
2013190838.tif 000020
【図１９】
2013190838.tif 000021
【図２０】
2013190838.tif 000022
【図２１】
2013190838.tif 000023
【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
2013190838.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
2013190838.tif 000028
【図２７】
2013190838.tif 000029
【図２８】
2013190838.tif 000030
【図２９】
2013190838.tif 000031
【図３０】
2013190838.tif 000032
【図３１】
2013190838.tif 000033
【図３２】
2013190838.tif 000034
【図３３】
2013190838.tif 000035
【図３４】
2013190838.tif 000036
【図３５】
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【図３６】
2013190838.tif 000038
【図３７】
2013190838.tif 000039
【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年7月28日(2014.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに開示された技術は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基板およびＴＦＴ基板の製造方法、並びに、ＴＦＴによって駆動される有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ基板を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２７５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の技術では、所望の性能を有するＴＦＴ基板を実現することが難しいという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決する第１のＴＦＴ基板の製造方法の一態様は、酸化物半導体層を含むＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板の製造方法であって、ＴＦＴを覆うように絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、を含み、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた、酸化アルミニウム膜である第２の膜と、第２の膜上に設けられた、シリコンを含む膜である第３の膜とを有し、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、を有する。
【０００６】
また、上記の課題を解決するＴＦＴ基板の一態様は、開口部が設けられた絶縁層と、開口部内および絶縁層上に連続して設けられた電極とを備え、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた第２の膜と、第２の膜上に設けられた第３の膜とを有し、少なくとも開口部における３の膜の断面は、順テーパ形状を有する。
【０００７】
また、上記の課題を解決する第２のＴＦＴ基板の製造方法の一態様は、絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、開口部内および絶縁層上に連続して電極を形成する工程と、を含み、絶縁層を形成する工程は、第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、第２の膜上に第３の膜を形成する工程と、を含み、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、第１の膜をドライエッチングにより加工する工程と、を含み、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程において、開口部における前記第３の膜の断面を順テーパ形状とする。
【発明の効果】
【０００８】
所望の性能を有するＴＦＴ基板を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】図２は、図１における２−２線断面の一部を示す図である。
【図３】図３は、図１における３−３線断面の一部を示す図である。
【図４】図４は、実施の形態１における有機ＥＬ表示装置の製造フロー図である。
【図５】図５は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造フロー図である。
【図６】図６は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程においてゲート電極形成後の概略断面を示す図である。
【図７】図７は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程においてゲート絶縁膜形成後の概略断面を示す図である。
【図８】図８は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において半導体層形成後の概略断面を示す図である。
【図９】図９は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において第１絶縁層形成後の概略断面を示す図である。
【図１０】図１０は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において第１電極形成後の概略断面を示す図である。
【図１１】図１１は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において保護層形成後の概略断面を示す図である。
【図１２】図１２は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において第２電極形成後の概略断面を示す図である。
【図１３】図１３は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の製造過程において第２絶縁層形成後の概略断面を示す図である。
【図１４】図１４は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造フロー図である。
【図１５】図１５は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において平坦化層形成後の概略断面を示す図である。
【図１６】図１６は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において反射陽極形成後の概略断面を示す図である。
【図１７】図１７は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において正孔注入層形成後の概略断面を示す図である。
【図１８】図１８は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程においてバンク形成後の概略断面を示す図である。
【図１９】図１９は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において電子ブロック層形成後の概略断面を示す図である。
【図２０】図２０は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において発光層形成後の概略断面を示す図である。
【図２１】図２１は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において電子注入層形成後の概略断面を示す図である。
【図２２】図２２は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において陰極形成後の概略断面を示す図である。
【図２３】図２３は、実施の形態１におけるＥＬデバイス部の製造過程において封止層形成後の概略断面を示す図である。
【図２４】図２４は、実施の形態１におけるＴＦＴ基板の第１絶縁層の開口部周辺の概略断面を示す図である。
【図２５】図２５は、実施の形態１における第１絶縁層の形成フローを示す図である。
【図２６】図２６は、第１絶縁層の開口部および第１電極の形成フローを示す図である。
【図２７】図２７は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジストパターン形成後の概略断面を示す図である。
【図２８】図２８は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第３の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図２９】図２９は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第２の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図３０】図３０は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第１の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図３１】図３１は、実施の形態１における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジスト除去後の概略断面を示す図である。
【図３２】図３２は、実施の形態１における第１電極の形成工程の概略断面を示す図である。
【図３３】図３３は、実施の形態１の実施例における第１開口部の開口部周辺の断面ＳＥＭ像である。
【図３４】図３４は、実施の形態２におけるＴＦＴ基板の第１絶縁層の開口部周辺の概略断面を示す図である。
【図３５】図３５は、実施の形態２における第１絶縁層の形成フローを示す図である。
【図３６】図３６は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部および第１電極の形成フローを示す図である。
【図３７】図３７は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジストパターン形成後の概略断面を示す図である。
【図３８】図３８は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第３の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図３９】図３９は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第２の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図４０】図４０は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第１の膜が加工されるときの概略断面を示す図である。
【図４１】図４１は、実施の形態２における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジスト除去後の概略断面を示す図である。
【図４２】図４２は、実施の形態２における第１電極の形成工程の概略断面を示す図である。
【図４３】図４３は、実施の形態２の変形例におけるＴＦＴ基板の第１絶縁層の開口部周辺の概略断面を示す図である。
【図４４】図４４は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジストパターン形成後の概略断面を示す図である。
【図４５】図４５は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第４の膜および第３の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図４６】図４６は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第２の膜の加工後の概略断面を示す図である。
【図４７】図４７は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、第１の膜が加工後の概略断面を示す図である。
【図４８】図４８は、実施の形態２の変形例における第１絶縁層の開口部の形成過程において、レジスト除去後の概略断面を示す図である。
【図４９】図４９は、実施の形態２の変形例における第１電極の形成工程の概略断面を示す図である。
【図５０】図５０は、実施の形態２の実施例における第１開口部の開口部周辺の断面ＳＥＭ像である。
【図５１】図５１は、実施の形態２の他の変形例における第１絶縁層の開口部周辺の概略断面を示す図である。
【図５２】図５２は、変形例における第１電極の概略断面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（本開示の基礎となった知見）
ＴＦＴ基板は、絶縁層に設けられた開口部を介して絶縁層の下に設けられた層と導通する電極を有している。
【００１１】
特に、チャネル層が酸化物半導体層であるＴＦＴを備えるＴＦＴ基板では、酸化物半導体層への水素や酸素の拡散を抑制するために、ＴＦＴを覆う絶縁層として酸化アルミニウム膜（アルミナ膜）を用いる場合がある。例えば、酸化物半導体層と電極との絶縁層を兼ねるとともに酸化物半導体層のエッチングストッパー層として、シリコン酸化膜と酸化アルミニウム膜とシリコン酸化膜との３層構造の絶縁層を酸化物半導体層を覆うように形成する場合がある。この場合、電極と酸化物半導体層とを導通可能とするために絶縁層に開口部が形成される。
【００１２】
絶縁層に開口部を形成する際、絶縁層の酸化アルミニウム膜は、ウエットエッチングまたはドライエッチングで加工される。
【００１３】
酸化アルミニウム膜をウエットエッチングで加工する場合、ウエットエッチング液としては、例えばエッチングレートが高いアルカリ性溶液が用いられる。しかし、アルカリ性溶液には、レジストパターン（レジスト膜）を剥離させる作用がある。このため、酸化アルミニウム膜を加工する際に酸化アルミニウム膜上に直接レジストパターンを設けると、ウエットエッチング時にアルカリ性溶液によってレジストパターンが剥離などし、レジストパターンのマスクとしての機能が損なわれ、酸化アルミニウム膜を所望の形状に加工できなくなるおそれがある。このため、これまでは、酸化アルミニウム膜を加工するためのウエットエッチング液としてアルカリ性溶液を使用することが難しかった。つまり、絶縁層の加工時に、スループットが低いという課題があった。
【００１４】
一方、酸化アルミニウム膜をドライエッチングで加工する方法は、下層とのエッチング選択比がとりにくいため、量産には不向きである。例えば、絶縁層がシリコン酸化膜と酸化アルミニウム膜とシリコン酸化膜との３層構造である場合、酸化アルミニウム膜と下層のシリコン酸化膜とのエッチング選択比をとりにくい。
【００１５】
本開示は、このような課題に鑑みてなされたものであり、酸化アルミニウムを含む絶縁層をウエットエッチングを行う場合であってもスループットの低下を抑制できるＴＦＴ基板およびその製造方法などを提供することを第１の目的とする。
【００１６】
また、ＴＦＴ基板では、絶縁層に設けられた開口部の端部において電極が断線するという課題があった。
【００１７】
本開示は、このような課題に鑑みてなされたものであり、絶縁層の開口部の端部における電極の断線を抑制できるＴＦＴ基板およびその製造方法などを提供することを第２の目的とする。
【００１８】
上記第１の目的を達成するために、第１のＴＦＴ基板の製造方法の一態様は、酸化物半導体層を含むＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板の製造方法であって、ＴＦＴを覆うように絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、を含み、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた、酸化アルミニウム膜である第２の膜と、第２の膜上に設けられた、シリコンを含む膜である第３の膜とを有し、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、を有する、ことを特徴とする。
【００１９】
また、上記第２の目的を達成するために、ＴＦＴ基板の一態様は、開口部が設けられた絶縁層と、開口部内および絶縁層上に連続して設けられた電極とを備え、絶縁層は、第１の膜と、第１の膜上に設けられた第２の膜と、第２の膜上に設けられた第３の膜とを有し、少なくとも開口部における３の膜の断面は、順テーパ形状を有する、ことを特徴とする。
【００２０】
また、上記第２の目的を達成するために、第２のＴＦＴ基板の製造方法の一態様は、絶縁層を形成する工程と、絶縁層に開口部を形成する工程と、開口部内および絶縁層上に連続して電極を形成する工程と、を含み、絶縁層を形成する工程は、第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、第２の膜上に第３の膜を形成する工程と、を含み、絶縁層に開口部を形成する工程は、第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、第１の膜をドライエッチングにより加工する工程と、を含み、第３の膜をドライエッチングにより加工する工程において、開口部における前記第３の膜の断面を順テーパ形状とする、ことを特徴とする。
【００２１】
以下、ＴＦＴ基板およびその製造方法並びに有機ＥＬ表示装置およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、工程（ステップ）、工程の順序などは、一例であって本発明を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００２２】
なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。
【００２３】
（実施の形態１）
［１．有機ＥＬ表示装置１０の構成］
図１から図３に示されるように、開示された有機ＥＬ表示装置１０は、ＴＦＴ基板１００、ＥＬデバイス部２００およびカラーフィルタ基板３００が積層された構成である。ＥＬデバイス部２００とカラーフィルタ基板３００は、貼合わせ層２０によって、接着されている。
【００２４】
なお、図２において、ＥＬデバイス部２００およびカラーフィルタ基板の構成は適宜省略されている。図３において、ＴＦＴ基板１００の構成は、適宜省略されている。
【００２５】
図１に示されるように、ＴＦＴ基板１００は、複数のＴＦＴ部１７０を有する。後述されるようにそれぞれのＴＦＴ部１７０は、少なくとも２つのＴＦＴを有する。複数のＴＦＴ部１７０は、マトリクス状に配置されている。またそれぞれのＴＦＴ部１７０には、ゲート配線１８０およびソース配線１９０を通じて信号が供給される。
【００２６】
図３に示されるように、ＥＬデバイス部２００は、発光層２４０を有する。発光層２４０は、陽極２１０から注入された正孔と陰極２６０から注入された電子が再結合することにより発光する。
【００２７】
図１および図３に示されるように、カラーフィルタ基板３００は、ガラス基板３１０に設けられたフィルタ３２０を有する、フィルタ３２０は、赤フィルタ３２１、緑フィルタ３２２および青フィルタ３２３を含む。赤フィルタ３２１は、ＥＬデバイス部２００から発光された赤色の光を透過する。緑フィルタ３２２は、ＥＬデバイス部２００から発光された緑色の光を透過する。青フィルタ３２３は、ＥＬデバイス部２００から発光された青色の光を透過する。つまり、開示された有機ＥＬ表示装置１０は、トップエミッション型である。
【００２８】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置ではＴＦＴ基板側から光を取り出す。一方、トップエミッション型では光を取り出す方向にＴＦＴ基板が形成されていない。よって、トップエミッション型は、ボトムエミッション型と比較して、開口率を大きくすることができる。つまり、トップエミッション型は、発光効率がより向上する。
【００２９】
［１−１．ＴＦＴ基板１００の構成］
図１および図２に示されるように、ＴＦＴ基板１００は、ガラス基板１１０上に、複数のＴＦＴ部１７０を有する。それぞれのＴＦＴ部１７０は、スイッチングＴＦＴ１７１および駆動ＴＦＴ１７２を有する。スイッチングＴＦＴ１７１は、駆動ＴＦＴ１７２のオン／オフを切り換える。駆動ＴＦＴ１７２は、ＥＬデバイス部２００へ供給する電流を制御する。
【００３０】
ゲート電極１０１は、ゲート配線１８０と接続されている。第１電極１３０は、ソース配線１９０と接続されている。
【００３１】
ゲート配線１８０にゲート信号が入力されると、スイッチングＴＦＴ１７１がオン状態になる。すると、ソース配線１９０を通じて供給される電荷がコンデンサ（図示せず）に蓄積される。コンデンサ（図示せず）に蓄積された電荷により、駆動ＴＦＴ１７２のコンダクタンスが連続的に変化する。よって、所望の輝度を得られるようにＥＬデバイス部２００を発光させる駆動電流を、ＥＬデバイス部２００に流すことができる。
【００３２】
開示されたＴＦＴ部１７０は、ボトムゲート型である。ゲート電極１０１は、一例として、ガラス基板１１０に設けられたＭｏ（モリブデン）膜に、Ｃｕ（銅）膜が積層された構成である。ゲート電極１０１は、ゲート絶縁膜（ゲート酸化膜）１０２に覆われている。
【００３３】
ゲート絶縁膜１０２には、一例として、ＳｉＮ（窒化シリコン）上にＳｉＯ2（二酸化シリコン）が積層された構成である。駆動ＴＦＴ１７２のゲート電極１０１に信号を伝えるために、ゲート絶縁膜１０２の一部は開口されている。
【００３４】
ゲート絶縁膜１０２上には、半導体層１１１が設けられている。半導体層１１１には、例えば、透明アモルファス酸化物半導体（ＴＡＯＳ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、アモルファスシリコンなどが用いられる。ＴＡＯＳの材料としては、一例としてａ−ＩｎＧａＺｎＯ4（アモルファス−インジウムガリウム亜鉛酸化物）があげられる。
【００３５】
半導体層１１１は、第１絶縁層１２０に覆われている。第１絶縁層１２０は、３層構造であり、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３によって構成されている。第１絶縁層１２０は、半導体層１１１と第１電極１３０とを絶縁分離するための絶縁層である。また、半導体層１１１上の第１絶縁層１２０は、エッチングストッパー層として機能する。第１絶縁層１２０の構成については、後に詳細に述べられる。
【００３６】
第１絶縁層１２０の一部は開口されている。開口された部分（開口部）を介して第１電極１３０が半導体層１１１と接続されている。図２において、スイッチングＴＦＴ１７１の紙面に向かって右側（ドレイン側）に接続された第１電極１３０は、駆動ＴＦＴ１７２のゲート電極１０１と接続されている。第１電極１３０には、一例として、Ｃｕが用いられる。
【００３７】
第１電極１３０は、保護層１４０に覆われている。保護層１４０は、第１保護層１４１と第２保護層１４２の積層構造である。第１保護層１４１には、一例として、ＳｉＯ2が用いられる。第２保護層１４２には、一例として、ＳｉＮが用いられる。駆動ＴＦＴ１７２から信号を得るために、保護層１４０の一部は開口されている。
【００３８】
保護層１４０上には、第２電極１５０が設けられている。第２電極１５０は、一例として、下層電極１５１と上層電極１５２の積層構造である。図２において、第２電極１５０は、駆動ＴＦＴ１７２の紙面に向かって左側（ソース側）の第１電極１３０と接続されている。下層電極１５１には、一例としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。上層電極１５２には、一例としてＣｕが用いられる。
【００３９】
第２電極１５０は、第２絶縁層１６１に覆われている。第２絶縁層１６１の一部は、開口されている。
【００４０】
［１−２．ＥＬデバイス部２００の構成］
［１−２−１．平坦化層２０１］
図３に示されるように、ＥＬデバイス部２００は、平坦化層２０１の一部に開口された領域を介して、ＴＦＴ基板１００と接続されている。具体的には、上層陽極２１２と下層陽極２１１とから構成される陽極２１０が、ＴＦＴ基板１００と接続されている。平坦化層２０１は、ＴＦＴ基板１００上に設けられる。つまり、平坦化層２０１によって、ＴＦＴ基板１００に生じた凹凸が緩和される。平坦化層２０１には、例えば樹脂が用いられる。
【００４１】
［１−２−２．陽極２１０］
陽極２１０は、平坦化層２０１を覆う。平坦化層２０１の開口された領域は、陽極２１０の一部で埋められている。陽極２１０は、一例として、下層陽極２１１と上層陽極２１２の積層構造である。下層陽極２１１には、一例としてアルミニウム合金が用いられる。上層陽極２１２には、一例としてＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）が用いられる。陽極２１０は、発光層２４０からの発光を反射する機能を有する。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置において、より高い発光効率を得るためである。
【００４２】
［１−２−３．正孔注入層２３１］
正孔注入層２３１は、陽極２１０を覆う。正孔注入層２３１は、発光層２４０に正孔を注入する。正孔注入層２３１のイオン化エネルギーは、陽極２１０の仕事関数と発光層２４０のイオン化エネルギーの間になるように選択される。正孔注入層２３１としては、例えば、フタロシアニン系、オリゴアミン系、デンドリマーアミン系、ポリチオフェン系などの有機材料、金属酸化物などの無機材料が用いられる。正孔注入層２３１には、一例として、酸化タングステン膜が用いられる。
【００４３】
［１−２−４．電子ブロック層２３２］
電子ブロック層２３２は、正孔注入層２３１を覆う。電子ブロック層２３２は、後述される電子注入層２５１から注入された電子が正孔注入層２３１まで到達することを抑制する。電子ブロック層２３２のイオン化エネルギーは、発光層２４０のイオン化エネルギーより大きい。電子ブロック層２３２には、一例として、高分子材料が用いられる。
【００４４】
［１−２−５．発光層２４０］
発光層２４０は、一例として、赤色に発光する赤色発光層２４１、緑色に発光する緑色発光層２４２および青色に発光する青色発光層２４３を有する。図３に示されるように、赤色発光層２４１、緑色発光層２４２および青色発光層２４３のそれぞれは、バンク２２０によって区画された領域に設けられる。発光層２４０は、電子ブロック層２３２と後述される電子注入層２５１に挟まれている。
【００４５】
発光層２４０には、低分子材料および高分子材料のいずれも用いられ得る。低分子材料と高分子材料の区別は必ずしも厳密ではない。一般的には、分子構造の繰り返し単位がある分子量が大きいものが高分子材料と呼ばれる。高分子材料の分子量は、概ね１００００以上である。高分子材料は、分子量分布を有する。低分子材料は、通常、分子量分布を有さない。
【００４６】
発光層２４０は、電子と正孔が再結合する場を与える層である。発光層２４０は、ホストと、電子と正孔が再結合する際に発光中心として機能するドーパントを含む。
【００４７】
ホストには、例えば、アントラセン系、アミン系、ジアミン系、スチリル系、シロール系、アゾール系、ポリフェニル系などが用いられる。
【００４８】
アントラセン系としては、例えば、ジフェニルアントラセン誘導体またはその２量体などがあげられる。ジアミン系としては、例えば、ビスカルバゾールなどがあげられる。スチリル系としては、例えば、ジスチリルアリーレン、スチリルアミンなどがあげられる。シロール系とは、珪素（Ｓｉ）を含有した５員環を有する材料である。つまり、シロール系は、電子欠乏環の１種である。アゾール系としては、オキサゾール、オキサジアゾール、ベンツイミダゾールなどがあげられる。ポリフェニル系としては、ターフェニル、クォータフェニル、キンクフェニル、セキシフェニルなどがあげられる。
【００４９】
ドーパントには、ホストのエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを有する材料が選択される。ドーパントは、通常、０．５〜５ｍｏｌ％程度の濃度で添加される。ドーパントの添加量は、濃度消光の影響を低減するように調整される。発光層２４０において、ドーパントが発光中心となる。よって、一般的に、発光層２４０のＥＬスペクトルは、ドーパントのフォトルミネッセンスと同じになる。
【００５０】
赤色の発光中心を有するドーパントとしては、例えば、シアノメチレンピラン系、ジシアノ系、フェノキサゾン系、チオキサンテン系などがあげられる。
【００５１】
青色の発光中心を有するドーパントとしては、例えば、スチリル系、縮合多環芳香環系などがあげられる。
【００５２】
緑色の発光中心を有するドーパントとしては、例えば、クマリン系、キナクリドン系などがあげられる。
【００５３】
［１−２−６．電子注入層２５１］
電子注入層２５１は、発光層２４０とバンク２２０を覆う。電子注入層２５１は、発光層２４０に電子を注入する。電子注入層２５１の電子親和力は、後述される陰極２６０の仕事関数と発光層２４０の電子親和力の間になるように選択される。電子注入層２５１としては、例えば、金属キレート系、フェナントロリン系、オキサジアゾール系、トリアゾール系などの有機材料、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物などの無機材料が用いられる。
【００５４】
［１−２−７．陰極２６０］
陰極２６０は、電子注入層２５１を覆う。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置においては、表示面側の電極（つまり陰極２６０）の可視光線透過率を上げることが望まれる。陰極２６０には、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電性材料などが用いられる。さらに、陰極２６０は、透明導電性材料膜の上に金属膜を設けた積層膜としてもよい。金属膜には、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などが用いられる。
【００５５】
［１−２−８．封止層２７０］
封止層２７０は、陰極２６０を覆う。封止層２７０によって封止されていないＥＬデバイス部２００は、環境由来の水分や、洗浄による水分などがＥＬデバイス部２００の内部に入り込みやすく、入り込んだ水分によって、層の剥離などが発生する場合がある。その結果、正常な発光が得られないなどの欠陥が生じやすくなる。よって、封止層２７０を設けることが好ましい。
【００５６】
封止層２７０としては、ポリパラキシレン、フッ素樹脂などの有機材料、ＳｉＯ2、ＧｅＯ（酸化ゲルマニウム）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）などの酸化物材料、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、ＳｉＮなどの窒化物材料が用いられる。なお、封止層２７０は、複数の種類の材料が積層された構成としてもよい。開示されたＥＬデバイス部２００においては、一例として、ＳｉＮが用いられた。
【００５７】
［１−３．カラーフィルタ基板３００］
カラーフィルタ基板３００は、光の吸収を利用することにより発光色を変化させる。つまり、カラーフィルタ基板３００を光が透過することによって、色純度が向上する。フィルタ３２０は、顔料などによって、透過光の波長を調整する。
【００５８】
［２．有機ＥＬ表示装置１０の製造方法］
図４に示されるように、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法は、ＴＦＴ基板１００を作製する工程（ステップ１）、ＥＬデバイス部２００を作製する工程（ステップ２）およびカラーフィルタ基板３００を貼合わせる工程（ステップ３）を含む。
【００５９】
ＴＦＴ基板１００を作製する工程（ステップ１）およびＥＬデバイス部２００を作製する工程（ステップ２）については、ＴＦＴ基板１００の製造方法およびＥＬデバイス部２００の製造方法として、後に詳細に述べられる。
【００６０】
カラーフィルタ基板３００を貼合わせる工程（ステップ３）では、図３に示されるように、ＥＬデバイス部２００とカラーフィルタ基板３００とを貼合わせ層２０によって貼合わせる。貼合わせ層２０としては、例えば、ＵＶ硬化樹脂が用いられる。貼合わせ層２０の膜厚は、１０μｍ〜３０μｍ程度である。なお、カラーフィルタ基板３００の作成方法については後述する。
【００６１】
前述のように、ＴＦＴ基板１００は、一部が開口した平坦化層２０１に覆われる。よって、ＥＬデバイス部２００のみを別途作製した後に、ＴＦＴ基板１００と貼合わせることは容易ではない。一方、カラーフィルタ基板３００を別途作製した後であれば、カラーフィルタ基板３００とＥＬデバイス部２００とを容易に貼合わせることができる。
【００６２】
［２−１．ＴＦＴ基板１００の製造方法（ステップ１）］
図５に示されるように、ＴＦＴ基板１００の製造方法は、一例として、ゲート電極１０１を形成する工程（ステップ１１）と、ゲート絶縁膜１０２を形成する工程（ステップ１２）と、半導体層１１１を形成する工程（ステップ１３）と、第１絶縁層１２０を形成する工程（ステップ１４）と、第１電極１３０を形成する工程（ステップ１５）と、保護層１４０を形成する工程と（ステップ１６）と、第２電極１５０を形成する工程（ステップ１７）と、第２絶縁層１６１を形成する工程（ステップ１８）とを含む。
【００６３】
開示されたＴＦＴ基板１００は、このように、ステップ１１からステップ１８の工程によって作製される。
【００６４】
［２−１−１．ステップ１１］
図６に示されるように、ステップ１１では、ガラス基板１１０上にゲート電極１０１が形成される。例えば、スパッタリング法によって、ガラス基板１１０上に、Ｍｏ膜とＣｕ膜が順に堆積される。Ｍｏ膜とＣｕ膜の合計膜厚は、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００６５】
次に、レジストを使用したフォトリソグラフィーおよびエッチングによって、所定のパターンのゲート電極１０１が形成される。
【００６６】
［２−１−２．ステップ１２］
図７に示されるように、ステップ１２では、ゲート電極１０１を覆うゲート絶縁膜１０２が形成される。例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、ＳｉＯ2膜が１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびＮ2Ｏが用いられる。プラズマは、例えば、１３．５６ＭＨｚの高周波が印加されることによって発生する。プラズマ中でＳｉＨ4およびＮ2Ｏが分解し、クラスター状のＳｉＯ2が生成される。ＳｉＯ2は、プラズマ中で発生するセルフバイアスによって、ガラス基板１１０上に堆積する。
【００６７】
［２−１−３．ステップ１３］
図８に示されるように、ステップ１３では、ゲート絶縁膜１０２上に、半導体層１１１が形成される。半導体層１１１として、ＴＡＯＳが用いられる場合には、一例としてスパッタリング法が用いられる。例えば、組成比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎが１：１：１の割合のターゲット材料が用いられる。ターゲット材を酸素雰囲気中でスパッタすることによって、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ4が成膜される。膜厚は、例えば、３０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。さらに、大気雰囲気中で、２００℃〜５００℃程度の熱処理をすることによって、ＴＦＴ特性が改善する。
【００６８】
半導体層１１１として、アモルファスシリコンが用いられる場合には、一例として、プラズマＣＶＤ法が用いられる。例えば、モノシランが材料に用いられた場合は、プラズマ中でシリコンと水素に分解する。シリコンは、アモルファス状態でゲート絶縁膜１０２上に堆積する。膜厚は、例えば、３０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。
【００６９】
次に、レジストを使用したフォトリソグラフィーおよびエッチングによって、所定のパターンの半導体層１１１が形成される。
【００７０】
［２−１−４．ステップ１４］
図９に示されるように、ステップ１４では、ゲート絶縁膜１０２および半導体層１１１上に、第１絶縁層１２０が形成される。第１絶縁層１２０の形成方法については、後に詳細に述べられる。
【００７１】
［２−１−５．ステップ１５］
図１０に示されるように、ステップ１５では、第１電極１３０が形成される。第１電極１３０は、ゲート電極１０１および半導体層１１１におけるソース／ドレインとコンタクトする。第１電極１３０の形成方法については、後に詳細に述べられる。
【００７２】
［２−１−６．ステップ１６］
図１１に示されるように、ステップ１６では、保護層１４０が形成される。開示された保護層１４０は、例えば、第１保護層１４１と第２保護層１４２の積層構造である。第１保護層１４１として、例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤによってＳｉＯ2膜が１００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびＮ2Ｏが用いられる。
【００７３】
第２保護層１４２として、例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤによってＳｉＮ膜が５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびアンモニア（ＮＨ3）が用いられる。
【００７４】
［２−１−７．ステップ１７］
図１２に示されるように、ステップ１７では、第２電極１５０が形成される。第２電極１５０は、一例として、下層電極１５１と上層電極１５２の積層構造である。第２電極１５０は、第１電極１３０とコンタクトする。まず、保護層１４０の所定の領域がフォトリソグラフィーおよびエッチングによって、開口される。
【００７５】
次に、スパッタリングによって、ＩＴＯ膜が堆積される。ＩＴＯ膜の膜厚は、例えば、５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度である。次に、スパッタリングによって、Ｃｕ膜が堆積される。Ｃｕ膜の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜４００ｎｍ程度である。
【００７６】
次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってＩＴＯ膜およびＣｕ膜が所定のパターンに加工される。以上のように、ＩＴＯの下層電極１５１およびＣｕの上層電極１５２が形成される。
【００７７】
［２−１−８．ステップ１８］
図１３に示されるように、ステップ１８では、第２絶縁層１６１が形成される。第２絶縁層１６１として、例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤによってＳｉＮ膜が５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびアンモニアが用いられる。
【００７８】
以上のステップ１１〜１８によって、ＴＦＴ基板１００が作製される。
【００７９】
［２−２．ＥＬデバイス部２００の製造方法（ステップ２）］
図１４に示されるように、ＴＦＴ基板１００の製造方法は、一例として、平坦化層２０１を形成する工程（ステップ２１）と、陽極２１０を形成する工程（ステップ２２）と、正孔注入層２３１を形成する工程（ステップ２３）と、バンク２２０を形成する工程（ステップ２４）と、電子ブロック層２３２を形成する工程（ステップ２５）と、発光層２４０を形成する工程と（ステップ２６）と、電子注入層２５１を形成する工程（ステップ２７）と、陰極２６０を形成する工程（ステップ２８）と、封止層２７０を形成する工程（ステップ２９）とを含む。
【００８０】
開示されたＥＬデバイス部２００は、このように、ステップ２１からステップ２９の工程によって作製される。
【００８１】
［２−２−１．ステップ２１］
図１５に示されるように、ステップ２１では、平坦化層２０１が形成される。平坦化層２０１として、例えば、感光性樹脂が用いられる。具体的には、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物などである。また、上記の樹脂組成物の任意の混合物を使用することもできる。なお、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性モノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。感光性樹脂は、溶剤中に分散される。
【００８２】
まず、例えば、塗布法によって、感光性樹脂がＴＦＴ基板１００上に形成される。感光性樹脂が塗布される面は、第２絶縁層１６１が設けられている面である。次に、フォトリソグラフィーと現像がなされる。ＴＦＴ基板１００との接続用の開口部を形成するためである。次に、大気雰囲気中で熱処理がなされる。熱処理における温度は、１５０℃〜２５０℃程度である。熱処理によって、残留していた溶剤が揮発する。熱処理後の平坦化層２０１の膜厚は、２μｍ〜５μｍ程度である。次に、平坦化層２０１をマスクとして、第２絶縁層１６１がエッチングされる。第２電極１５０の表面を露出させるためである。
【００８３】
［２−２−２．ステップ２２］
図１６に示されるように、ステップ２２では、陽極２１０が形成される。陽極２１０は、例えば、下層陽極２１１と上層陽極２１２の積層構造である。下層陽極２１１には、例えば、アルミニウム合金が用いられる。上層陽極２１２には、例えば、ＩＺＯが用いられる。下層陽極２１１と上層陽極２１２は、一例として、スパッタリングにより形成される。下層陽極２１１の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。上層陽極２１２の膜厚は、例えば、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
【００８４】
［２−２−３．ステップ２３］
図１７に示されるように、ステップ２３では、正孔注入層２３１が形成される。正孔注入層２３１には、一例として、酸化タングステン膜が用いられる。正孔注入層２３１は、一例としてスパッタリングにより形成される。酸化タングステンの組成はＷＯｘ（２≦ｘ≦３）で表される。正孔注入層２３１の膜厚は、例えば、２ｎｍ〜２０ｎｍ程度である。
【００８５】
［２−２−４．ステップ２４］
図１８に示されるように、ステップ２４では、バンク２２０が形成される。まず、正孔注入層２３１および陽極２１０が、画素形状にパターニングされる。具体的には、レジストを使用したフォトリソグラフィーおよびエッチングによって、正孔注入層２３１および陽極２１０に開口領域が形成される。
【００８６】
バンク２２０として、例えば、感光性樹脂が用いられる。具体的には、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物などである。また、上記の樹脂組成物の任意の混合物を使用することもできる。なお、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性モノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。感光性樹脂は、溶剤中に分散される。
【００８７】
例えば、塗布法によって、感光性樹脂が前述の開口領域および正孔注入層２３１上に形成される。次に、フォトリソグラフィーと現像がなされる。次に、大気雰囲気中で熱処理がなされる。熱処理における温度は、１５０℃〜２５０℃程度である。熱処理によって、残留していた溶剤が揮発する。熱処理後のバンク２２０の膜厚は、０．５μｍ〜２μｍ程度である。なお、バンク２２０の側面が順テーパ形状であると、後のステップが容易になるので好ましい。
【００８８】
［２−２−５．ステップ２５］
図１９に示されるように、ステップ２５では、電子ブロック層２３２が形成される。電子ブロック層２３２として、例えば、アミン系ポリマーが用いられる。アミン系ポリマーは、例えば、溶剤中に分散されることによって、印刷用インクとなる。印刷用インクは、例えば、インクジェット装置によって、正孔注入層２３１上に塗布される。次に、真空乾燥と熱処理がなされる。熱処理は、１５０℃〜２５０℃程度である。熱処理によって溶剤が揮発する。電子ブロック層２３２の膜厚は、５ｎｍ〜２０ｎｍ程度である。
【００８９】
［２−２−６．ステップ２６］
図２０に示されるように、ステップ２６では、発光層２４０が形成される。発光層２４０として、例えば、高分子材料のホストにドーパントが添加された材料が用いられる。高分子材料は、例えば、溶剤中に分散されることによって、印刷用インクとなる。印刷用インクは、例えば、インクジェット装置によって電子ブロック層２３２上に塗布される。赤色発光層２４１、緑色発光層２４２および青色発光層２４３はそれぞれ別々に塗布される。なお、複数のヘッドを有するインクジェット装置を使用する場合は、赤色発光層２４１、緑色発光層２４２および青色発光層２４３を同時に塗布することもできる。
【００９０】
赤色発光層２４１、緑色発光層２４２および青色発光層２４３それぞれの膜厚は、輝度のバランスをとるために適宜設定される。つまり、単位膜厚あたりの発光量が相対的に大きい色は、膜厚が相対的に小さく設定される。単位膜厚あたりの発光量が相対的に小さい色は、膜厚が相対的に大きく設定される。膜厚は、印刷用インクの粘度、ヘッドの開口径などによって調整される。次に、熱処理がなされる。熱処理は、１５０℃〜２５０℃程度である。熱処理によって、残留していた溶剤が揮発する。発光層２４０の膜厚は、４０ｎｍ〜１００ｎｍ程度である。
【００９１】
［２−２−７．ステップ２７］
図２１に示されるように、ステップ２７では、電子注入層２５１が形成される。電子注入層２５１として、例えば、低分子材料にバリウム（Ｂａ）が添加された材料が用いられる。電子注入層２５１の材料は、例えば、蒸着法によって、発光層２４０およびバンク２２０上に形成される。電子注入層２５１の膜厚は、２ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。
【００９２】
［２−２−８．ステップ２８］
図２２に示されるように、ステップ２８では、陰極２６０が形成される。陰極２６０として、例えば、ＩＴＯが用いられる。陰極２６０は、スパッタリングによって、電子注入層２５１上に形成される。陰極２６０の膜厚は、２０ｎｍ〜５０ｎｍ程度である。
【００９３】
［２−２−９．ステップ２９］
図２３に示されるように、ステップ２９では、封止層２７０が形成される。封止層２７０として、例えば、平行平板方式のプラズマＣＶＤによってＳｉＮ膜が５００ｎｍ〜８００ｎｍ程度の膜厚で形成される。材料には、一例として、ＳｉＨ4およびＮＨ3が用いられる。なお、ステップ２７からステップ２９を真空中で連続して行うことが好ましい。水分などを含む雰囲気に曝されることが抑制されるからである。
【００９４】
以上のステップ２１〜２９によって、ＥＬデバイス部２００が作製される。
【００９５】
［２−３．カラーフィルタ基板３００の製造方法］
カラーフィルタ基板３００は、ガラス基板３１０上にフィルタ３２０を形成することによって作製することができる。フィルタ３２０は、従来知られているように、フォトリソグラフィーなどによって形成される。
【００９６】
［３．第１絶縁層１２０と第１電極１３０の詳細］
［３−１．第１絶縁層１２０の構成］
第１絶縁層１２０は、半導体層１１１を覆うように形成される。図２４に示されるように、第１絶縁層１２０は、半導体層１１１に接するようにして半導体層１１１上に形成されている。
【００９７】
第１絶縁層１２０は、半導体層１１１上に設けられた第１の膜１２１と、第１の膜１２１上に設けられた第２の膜１２２と、第２の膜１２２上に設けられた第３の膜１２３とを有する。本実施の形態において、第３の膜１２３は、第１絶縁層１２０における最上層である。
【００９８】
また、第１絶縁層１２０の一部には開口部が設けられている。開口部の形成方法については、後に詳細に述べられる。
【００９９】
［３−２．第１絶縁層１２０の形成方法（ステップ１４）］
図２５に示されるように、第１絶縁層１２０は、一例として、ステップ１４１からステップ１４３の工程によって形成される。本実施の形態において、第１絶縁層１２０を形成する工程（ステップ１４）は、第１の膜１２１を形成する工程（ステップ１４１）と、第２の膜１２２を形成する工程（ステップ１４２）と、第３の膜１２３を形成する工程（ステップ１４３）とを含む。
【０１００】
［３−２−１．ステップ１４１］
ステップ１４１では、第１の膜１２１が、半導体層１１１上に設けられる。第１の膜１２１には、例えば、シリコン酸化膜が用いられる。シリコン酸化膜の成膜においては、シリコン窒化膜などの成膜と比較して水素の発生が相対的に少ない。よって、半導体層１１１へのダメージが抑制される。詳細には、半導体層１１１に、ＴＡＯＳなどの酸化物が用いられている場合、水素などの還元作用を有するガスによって、半導体層１１１の組成変化が発生する。つまり、半導体層１１１が、設計値の性能を発揮できなくなる場合がある。したがって、第１の膜１２１は、成膜中に水素の発生が少ない絶縁膜を用いるとよい。
【０１０１】
シリコン酸化膜の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられ、材料には、例えば、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏなどが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。
【０１０２】
第１の膜１２１の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。第１の膜１２１の膜厚が１００ｎｍ未満であると、半導体層１１１の電気特性に影響する。具体的には、第２の膜１２２が有する固定電荷が、第１の膜１２１を介して半導体層１１１に作用することである。一方、第１の膜１２１の膜厚が５００ｎｍを超えると、製造時のスループットが悪化する。
【０１０３】
なお、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜に限られない。但し、成膜中に半導体層１１１へのダメージが抑制できる絶縁膜であるとよい。
【０１０４】
［３−２−２．ステップ１４２］
ステップ１４２では、第２の膜１２２が、第１の膜１２１上に設けられる。第２の膜１２２には、例えば、酸化アルミニウム膜（アルミナ膜）が用いられる。半導体層１１１が酸化物半導体であると、半導体層１１１は水素や酸素によってダメージを受けて電気特性が劣化するが、半導体層１１１の上方に酸化アルミニウム膜を形成しておくことにより、上層で発生する水素や酸素を酸化アルミニウム膜によってブロックすることができる。これにより、半導体層１１１への水素や酸素の拡散を抑制できるので、電気特性が安定した半導体層１１１が得られる。
【０１０５】
酸化アルミニウム膜の形成には、例えば、反応性スパッタリング装置が用いられる。この場合、ターゲットにはアルミニウムが用いられ、プロセスガスにはアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）などが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。なお、酸化アルミニウムをターゲットに用いることもできる。
【０１０６】
第２の膜１２２の膜厚は、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。第２の膜１２２の膜厚が１０ｎｍ未満であると、第２の膜１２２の上層からの水素をブロックする機能が低下する。一方、第２の膜１２２の膜厚が５０ｎｍを超えると、製造時のスループットが悪化する。
【０１０７】
また、第２の膜１２２の屈折率は、波長６３３ｎｍの光に対して１．５５から１．６５程度であることが好ましい。後述されるように、第２の膜１２２は、ウエットエッチングにより加工される。第２の膜１２２の屈折率が上記の範囲内であると、良好な加工性が得られる。
【０１０８】
［３−２−３．ステップ１４３］
ステップ１４３では、第３の膜１２３が、第２の膜１２２上に設けられる。第３の膜１２３は、シリコンを含む膜であり、例えば、シリコン酸化膜が用いられる。後述されるように、第３の膜１２３は、ドライエッチングにより加工される。第３の膜１２３にシリコン酸化膜を用いることにより、フッ素（Ｆ）系ガスによる等方性エッチングが可能になる。
【０１０９】
第３の膜１２３の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。シリコン酸化膜を成膜する場合、材料には、例えば、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏなどが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。
【０１１０】
第３の膜１２３の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。第３の膜１２３の膜厚が１００ｎｍ未満であると、加工性が悪化する。具体的には、第３の膜１２３をドライエッチングする際、等方性エッチングが悪化する。つまり、第３の膜１２３をエッチングガスによる加工によって後退させることが難しくなる。一方、第３の膜１２３の膜厚が５００ｎｍを超えると、製造時のスループットが悪化する。
【０１１１】
なお、第３の膜１２３としては、シリコン窒化膜を用いてもよい。シリコン窒化膜の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられ、材料には、例えば、ＳｉＨ4、ＮＨ3などが用いられる。その他に、第３の膜１２３として、シリコン酸窒化膜を用いてもよい。
【０１１２】
なお、第１絶縁層１２０と同様の構造を保護層１４０に用いることもできる。つまり、第１絶縁層１２０の形成プロセスを保護層１４０の形成プロセスに用いることもできる。
【０１１３】
［３−３．第１絶縁層１２０の開口部と第１電極１３０の詳細］
図２４に示すように、第１絶縁層１２０には、当該第１絶縁層１２０の一部を開口することによって開口部が形成されている。例えば、半導体層１１１と第１電極１３０とのコンタクト部を形成するために、第１絶縁層１２０に開口部が形成される。この開口部は、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の一部を除去するように加工することで形成される。
【０１１４】
第１電極１３０は、金属膜であり、一例としてＣｕ膜である。第１電極１３０は、第１絶縁層１２０の開口部内および第１絶縁層１２０上に連続して設けられる。第１電極１３０は、例えば、第１絶縁層１２０の開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０上に形成される。
【０１１５】
［３−４．第１絶縁層１２０の開口部の形成方法と第１電極１３０の形成方法の詳細］
図２６に示されるように、第１絶縁層１２０の開口部と第１電極１３０とは、一例として、ステップ１５１からステップ１５６の工程によって形成される。
【０１１６】
具体的には、第１絶縁層１２０に開口部を形成する工程は、レジストパターン１３５を形成する工程（ステップ１５１）と、第３の膜１２３を加工する工程（ステップ１５２）と、第２の膜１２２を加工する工程（ステップ１５３）と、第１の膜１２１を加工する工程（ステップ１５４）と、レジストパターン１３５を除去する工程（ステップ１５５）とを含む。また、第１電極１３０を形成する工程は、金属膜を堆積して加工する工程（ステップ１５６）である。
【０１１７】
［３−４−１．ステップ１５１］
図２７に示されるように、ステップ１５１では、第１絶縁層１２０上に、レジストパターン（レジスト膜）１３５が形成される。具体的には、第１絶縁層１２０上に、所定の膜厚になるように、感光性樹脂材料からなるレジストを塗布する。次に、パターンが形成されたフォトマスクを介して、レジストを露光する。次に、レジストを現像する。これにより、所定形状のレジストパターン１３５が形成される。
【０１１８】
［３−４−２．ステップ１５２］
図２８に示されるように、ステップ１５２では、第３の膜１２３が加工される。具体的には、シリコン酸化膜である第３の膜１２３がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、レジストパターン１３５の開口部の下層における第３の膜１２３が除去される。
【０１１９】
また、このときのエッチングガスによって、レジストパターン１３５は、エッチング前よりも開口が広がるようにして開口端部が後退する。さらに、この場合、レジストパターン１３５と第３の膜１２３とのエッチングレートの違いによって、第３の膜１２３の開口部（開口径）がレジストパターン１３５の開口部（開口径）よりも広がった形状が得られる。
【０１２０】
ドライエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ6）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＳＦ6が７０ｓｃｃｍ、Ｏ2が３０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０１２１】
なお、エッチングガスとして、四フッ化炭素（ＣＦ4）およびＯ2を用いることもできる。この場合も、ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。
【０１２２】
［３−４−３．ステップ１５３］
図２９に示されるように、ステップ１５３では、第２の膜１２２が加工される。具体的には、酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２がウエットエッチングされる。ウエットエッチングによって、第３の膜１２３の開口部の下層における第２の膜１２２が除去される。このとき、レジストパターン１３５ではなく第３の膜１２３がマスクパターンとして作用する。
【０１２３】
レジストパターン１３５は、第３の膜１２３の上に形成されており、第２の膜（酸化アルミニウム膜）１２２の上に直接形成されていない。これにより、ウエットエッチングの際、アルカリ性溶液によってレジストパターン１３５が剥離することを抑制できる。また、第３の膜１２３を第２の膜１２２のマスクパターンとして作用させているので、仮にアルカリ性溶液によってレジストパターン１３５がダメージを受けたとしても、第２の膜１２２を所望の形状に加工することができる。
【０１２４】
本実施の形態において、エッチング液としては、アルカリ性溶液が用いられる。アルカリ性溶液は、酸化アルミニウム膜に対するエッチングレートが酸性溶液と比較して高いからである。具体的には、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用いることができる。
【０１２５】
ＫＯＨ溶液による酸化アルミニウム膜のエッチングは、例えばＫＯＨの濃度が１ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下の範囲で行うことができる。酸化アルミニウム膜のエッチングレートは、ＫＯＨの濃度増加に伴い単調に増加する。よって、求めるエッチングレートに応じてＫＯＨの濃度を調整すればよい。一方、ＫＯＨは、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｐｂなどの金属と反応して水素を発生させる。よって、エッチングレートが十分であればより低濃度のＫＯＨ溶液を使用することが望ましい。例えば、要求されるエッチングレートが１０ｎｍ／ｍｉｎであれば、ＫＯＨの濃度は１ｗｔ％以上５ｗｔ％以下が好適である。
【０１２６】
［３−４−４．ステップ１５４］
図３０に示されるように、ステップ１５４では、第１の膜１２１が加工される。具体的には、酸化シリコン膜である第１の膜１２１がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、第２の膜１２２の開口部の下層における第１の膜１２１が除去される。この場合、第１の膜１２１は、第２の膜１２２をマスクとして加工される。
【０１２７】
ドライエッチングには、例えば、ＲＩＥ装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＣＦ4が８０ｓｃｃｍ、Ｏ2が２０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０１２８】
なお、ステップ１５４においては、エッチングガスによって、レジストパターン１３５の開口端部がさらに後退するとともに、レジストパターン１３５の開口端部がさらに後退するとともに、この後退に伴って第３の膜１２３の開口端部もエッチング除去される。この場合、レジストパターン１３５の開口部の形状を所望に設定しておくことによって、第１の膜１２１の断面（内周面）形状を順テーパ形状に加工することもできる。
【０１２９】
また、シリコン酸化膜は、酸化アルミナ膜に対してドライエッチングによって削られる選択比（エッチングレート）が大きいので、図３０に示すように、シリコン酸化膜である第１の膜１２１の開口端部における断面（内周面）形状を、垂直面に近い形で形成することができる。
【０１３０】
［３−４−５．ステップ１５５］
図３１に示されるように、ステップ１５５では、レジストパターン１３５が除去される。具体的には、薬液による除去や、Ｏ2ラジカルによるアッシング除去などが用いられる。レジストパターン１３５を除去することによって、第１絶縁層１２０に開口部を形成することができる。
【０１３１】
［３−４−６．ステップ１５６］
次に、図３２に示されるように、ステップ１５６では、第１電極１３０が設けられる。同図に示すように、第１電極１３０は、半導体層１１１と接続されるように第１絶縁層１２０の開口部内に形成されるとともに、第１絶縁層１２０の表面（第３の膜１２３の上面）に形成される。
【０１３２】
具体的には、まず、スパッタリングによって、第１絶縁層１２０の開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０の上にＣｕ膜を堆積させる。Ｃｕ膜の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってＣｕ膜を所定のパターンに加工する。
【０１３３】
これにより、所定形状に加工された第１電極１３０が形成される。なお、第１絶縁層１２０は、半導体層１１１と第１電極１３０とを絶縁する機能を有する。
【０１３４】
［３−５．実施例］
上記の方法によって実際に第１絶縁層１２０に開口部を形成したところ、図３３に示すような断面形状が得られた。なお、この実施例では、第１の膜１２１および第３の膜１２３をシリコン酸化膜とし、第２の膜１２２を酸化アルミニウム膜とした。
【０１３５】
図３３に示すように、第１絶縁層１２０として酸化アルミニウム膜を含んでいてもアルカリ性溶液によって所望の形状の開口部を形成できていることが分かる。
【０１３６】
［４．実施の形態１のまとめ］
以上、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、第１絶縁層１２０として、第１の膜１２１と酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２とシリコンを含む膜である第３の膜１２３との積層膜を用いて、第１絶縁層１２０に開口部を形成する際に、第３の膜１２３上にレジストパターン１３５を形成し、第３の膜１２３をドライエッチングにより加工し、第２の膜１２２をアルカリ性溶液を用いたウエットエッチングにより加工している。
【０１３７】
上記方法によれば、酸化アルミニウムを含む第１絶縁層１２０をアルカリ性溶液でウエットエッチングを行う場合であっても、レジストパターンの剥離を抑制することができる。よって、第１絶縁層１２０の加工時におけるスループットの低下を抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０１３８】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、エッチング液として、アルカリ性溶液を用いたが、第２の膜１２２（例えば酸化アルミニウム膜）上に直接レジストパターンを形成し、酸性のウエットエッチング液を使用してもよい。酸性のウエットエッチング液を用いて第２の膜１２２をウエットエッチングした場合、アルカリ性のウエットエッチング液を用いた場合と異なりレジストパターンの剥離作用は小さい。しかし、この場合であっても上記方法によれば、アルカリ性の剥離液（アミン系剥離液など）にてレジスト剥離を行った場合に第２の膜１２２が剥離液でエッチングされるという課題を解決できる。
【０１３９】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、第１絶縁層１２０に開口部を形成する工程において、さらに、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工する工程を有していてもよい。この場合、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工する工程において、酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２をマスクとして第１の膜１２２を加工してもよい。これにより、第２の膜１２２の開口形状が第１絶縁層１２０の開口部形状として転写されるので、第２の膜１２２の開口部の大きさ（開口径）を設定することで、第１絶縁層１２０の開口部を容易に所望の大きさ（開口径）にすることができる。
【０１４０】
なお、上記方法は、第１絶縁層１２０に限るものではなく、例えば、ＴＦＴ基板１００においては、保護層１４０にも適用できる。
【０１４１】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法において、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第３の膜１２３は、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜およびシリコン窒化膜の群から選ばれる少なくとも一種であってもよい。
【０１４２】
また、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法として、上記方法によって製造されたＴＦＴ基板１００上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０を形成する工程（ステップ２６）を含むように構成するとよい。
【０１４３】
（実施の形態２）
次に、実施の形態２について説明する。なお、実施の形態２と実施の形態１とは、主に、ＴＦＴ基板１００における第１絶縁層１２０の開口部の断面形状と当該開口部の形成方法とが異なり、それ以外の構成は基本的に同じである。したがって、以下、本実施の形態では、第１絶縁層１２０と第３電極１３０を中心に説明する。
【０１４４】
［５．第１絶縁層１２０と第１電極１３０の詳細］
［５−１．第１絶縁層１２０の詳細］
本実施の形態における第１絶縁層１２０も、半導体層１１１を覆うように形成されており、図３４に示されるように、半導体層１１１上に設けられた第１の膜１２１と、第１の膜１２１上に設けられた第２の膜１２２と、第２の膜１２２上に設けられた第３の膜１２３とを有する。第３の膜１２３は、第１絶縁層１２０における最上層である。
【０１４５】
実施の形態１と同様に、第１絶縁層１２０の一部には開口部が設けられているが、開口部の断面形状が異なる。第１絶縁層１２０の開口部の加工方法については、後に詳細に述べられる。
【０１４６】
［５−２．第１絶縁層１２０の形成方法（ステップ１４）］
図３５に示されるように、第１絶縁層１２０は、一例として、ステップ１４１からステップ１４３の工程によって形成される。本実施の形態において、第１絶縁層１２０を形成する工程（ステップ１４）は、第１の膜１２１を形成する工程（ステップ１４１’）と、第２の膜１２２を形成する工程（ステップ１４２’）と、第３の膜１２３を形成する工程（ステップ１４３’）とを含む。
【０１４７】
［５−２−１．ステップ１４１’］
ステップ１４１’では、第１の膜１２１が、半導体層１１１上に設けられる。本実施の形態でも、半導体層１１１へのダメージを抑制するために、第１の膜１２１としては、例えば、シリコン酸化膜が用いられる。
【０１４８】
シリコン酸化膜の形成は、実施の形態１と同様に、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。また、第１の膜１２１の膜厚は、実施の形態１と同様の理由により、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１４９】
なお、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜に限られない。
【０１５０】
［５−２−２．ステップ１４２’］
ステップ１４２’では、第２の膜１２２が、第１の膜１２１上に設けられる。第２の膜１２２として、例えば、酸化アルミニウム膜を用いることができる。
【０１５１】
酸化アルミニウム膜の形成は、実施の形態１と同様に、例えば、反応性スパッタリング装置が用いられる。また、第２の膜１２２の膜厚は、実施の形態１と同様の理由により、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが好ましい。また、第２の膜１２２の屈折率も、実施の形態１と同様の理由により、波長６３３ｎｍの光に対して１．６０から１．６５程度であることが好ましい。
【０１５２】
［５−２−３．ステップ１４３’］
ステップ１４３’では、第３の膜１２３が、第２の膜１２２上に設けられる。第３の膜１２３には、例えば、シリコン窒化膜が用いられる。後述されるように、第３の膜１２３は、ドライエッチングにより加工される。第３の膜１２３にシリコン窒化膜を用いることにより、フッ素（Ｆ）系ガスによる等方性エッチングが可能になる。
【０１５３】
第３の膜１２３の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。シリコン窒化膜を成膜する場合、材料には、例えば、ＳｉＨ4、ＮＨ3などが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。
【０１５４】
第３の膜１２３の膜厚は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。第３の膜１２３の膜厚が１００ｎｍ未満であると、加工性が悪化する。具体的には、第３の膜１２３のドライエッチングする際、等方性エッチングが悪化する。つまり、第３の膜１２３をエッチングガスによる加工によって後退させることが難しくなる。一方、第３の膜１２３の膜厚が５００ｎｍを超えると、製造時のスループットが悪化する。
【０１５５】
また、第３の膜１２３の屈折率は、波長６３３ｎｍの光に対して１．８９以下であることが好ましい。屈折率が１．８９を超えると、ドライエッチングにおける加工性が悪化する。
【０１５６】
なお、第３の膜１２３としては、シリコン窒化膜に限らず、シリコン酸化膜などを用いてもよい。シリコン酸化膜の形成には、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。
【０１５７】
［５−３．第１絶縁層１２０の開口部と第１電極１３０の詳細］
図３４に示すように、第１絶縁層１２０には、当該第１絶縁層１２０の一部を開口することによって開口部が形成されてい。例えば、半導体層１１１と第１電極１３０とのコンタクト部を形成するために、第１絶縁層１２０に開口部が形成される。この開口部は、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の一部を除去するように加工することで形成される。
【０１５８】
第１電極１３０は、金属膜であり、一例としてＣｕ膜である。第１電極１３０は、第１絶縁層１２０の開口部内および第１絶縁層１２０上に連続して設けられる。第１電極１３０は、例えば、第１絶縁層１２０の開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０上に形成される。
【０１５９】
［５−４．第１絶縁層１２０の開口部の形成方法と第１電極１３０の形成方法の詳細］
図３６に示されるように、第１絶縁層１２０の開口部と第１電極１３０とは、一例として、ステップ１５１’からステップ１５６’の工程によって形成される。
【０１６０】
具体的には、第１絶縁層１２０に開口部を形成する工程は、レジストパターン１３５を形成する工程（ステップ１５１’）と、第３の膜１２３を加工する工程（ステップ１５２’）と、第２の膜１２２を加工する工程（ステップ１５３’）と、第１の膜１２１を加工する工程（ステップ１５４’）と、レジストパターン１３５を除去する工程（ステップ１５５’）とを含む。また、第１電極１３０を形成する工程は、金属膜を堆積して加工する工程（ステップ１５６’）である。
【０１６１】
［５−４−１．ステップ１５１’］
図３７に示されるように、ステップ１５１’では、第１絶縁層１２０上に、レジストパターン（レジスト膜）１３５が形成される。具体的には、第１絶縁層１２０上に、所定の膜厚になるように、感光性樹脂材料からなるレジストを塗布する。次に、パターンが形成されたフォトマスクを介して、レジストを露光する。次に、レジストを現像する。これにより、所定形状のレジストパターン１３５が形成される。
【０１６２】
［５−４−２．ステップ１５２’］
図３８に示されるように、ステップ１５２’では、第３の膜１２３が加工される。具体的には、シリコン窒化膜である第３の膜１２３がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、レジストパターン１３５の開口部の下層における第３の膜１２３が除去される。
【０１６３】
このとき、図３８に示すように、第３の膜１２３としてフッ素との反応性が高いシリコン窒化膜を用いているので、第３の膜１２３は、エッチングガスによって等方的にもエッチングされる。これにより、第３の膜１２３の断面（内周面）形状が順テーパ形状となるようにエッチングすることができる。つまり、本実施の形態では、エッチングガスの異方性と等方性をコントロールすることで、第３の膜１２３の断面形状を順テーパ形状にしている。
【０１６４】
また、図３８に示すように、このときのエッチングガスによって、レジストパターン１３５は、エッチング前よりも開口が広がるようにして開口端部が後退する。
【０１６５】
なお、レジストパターン１３５と第３の膜１２３とのエッチングレートの違いによって、第３の膜１２３の開口部（開口径）がレジストパターン１３５の開口部（開口径）よりも広がった形状となっている。
【０１６６】
ドライエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ6）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＳＦ6が７０ｓｃｃｍ、Ｏ2が３０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０１６７】
［５−４−３．ステップ１５３’］
図３９に示されるように、ステップ１５３’では、第２の膜１２２が加工される。具体的には、酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２がウエットエッチングされる。このとき、レジストパターン１３５ではなく第３の膜１２３がマスクパターンとして作用する。ウエットエッチングによって、第３の膜１２３の開口部の下層における第２の膜１２２が除去される。
【０１６８】
このとき、ウエットエッチングによって第２の膜１２２が加工されているので、第２の膜１２２は、エッチング液によって等方的にエッチングされる。これにより、第２の膜１２２の断面（内周面）形状が順テーパ形状となるようにエッチングすることができる。なお、本実施の形態では、第２の膜１２２の開口部の内周面（傾斜面）を第３の膜１２３の開口部の内周面（傾斜面）に一致させるようにして、第２の膜１２２のエッチングを行っている。
【０１６９】
エッチング液としては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液などのアルカリ性溶液、または燐酸を含む混酸液などの酸性溶液が用いられる。
【０１７０】
［５−４−４．ステップ１５４’］
図４０に示されるように、ステップ１５４’では、第１の膜１２１が加工される。具体的には、酸化シリコン膜である第１の膜１２１がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、第２の膜１２２の開口部の下層における第１の膜１２１が除去される。
【０１７１】
このとき、エッチングガスによって第１の膜１２１とともにレジストパターン１３５もエッチングされる。つまり、ステップ１５４’においては、レジストパターン１３５を後退させながらドライエッチングが行われる。
【０１７２】
具体的には、図４０の（ａ）〜（ｃ）に示すように、ドライエッチングの処理時間の経過とともにレジストパターン１３５の開口端部が漸次後退していく。これにより、第１の膜１２１はレジストパターン１３５をマスクとしてエッチングされるので、レジストパターン１３５の後退によって第１の膜１２１がエッチングされる領域が徐々に広がっていく。この結果、第１の膜１２１の断面（内周面）形状が順テーパ形状となるようにエッチングすることができる。なお、本実施の形態では、第１の膜１２１の開口部の内周面（傾斜面）を第２の膜１２２の開口部の内周面（傾斜面）に一致させるようにして、第１の膜１２１のエッチングを行っている。
【０１７３】
このように、本実施の形態は、実施の形態１と異なり、第１の膜１２１がレジストパターン１３５をマスクとして加工される。つまり、本実施の形態では、レジストパターン１３５の開口形状が第１の膜１２１の開口形状として転写される。
【０１７４】
ドライエッチングには、例えば、ＲＩＥ装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＣＦ4が８０ｓｃｃｍ、Ｏ2が２０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０１７５】
［５−４−５．ステップ１５５’］
図４１に示されるように、ステップ１５５’では、レジストパターン１３５が除去される。具体的には、薬液による除去や、Ｏ2ラジカルによるアッシング除去などが用いられる。レジストパターン１３５を除去することによって、第１絶縁層１２０には、断面が順テーパ形状を有する開口部が形成される。
【０１７６】
［５−４−６．ステップ１５６’］
次に、図４２に示されるように、ステップ１５６’では、第１電極１３０が設けられる。同図に示すように、第１電極１３０は、半導体層１１１と接続されるように第１絶縁層１２０の開口部内に形成されるとともに、第１絶縁層１２０の表面（第３の膜１２３の上面）に形成される。
【０１７７】
具体的には、まず、スパッタリングによって、第１絶縁層１２０の開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０の上にＣｕ膜を堆積させる。Ｃｕ膜の膜厚は、例えば、１００ｎｍ〜３００ｎｍ程度である。次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングによってＣｕ膜を所定のパターンに加工する。
【０１７８】
これにより、所定形状に加工された第１電極１３０が形成される。なお、第１絶縁層１２０は、半導体層１１１と第１電極１３０とを絶縁する機能を有する。
【０１７９】
［６．実施の形態２のまとめ］
以上、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００は、第１の膜１２１と第２の膜１２２と第３の膜１２３とが積層された第１絶縁層１２０を有しており、第１絶縁層１２０に設けられた開口部において、少なくとも最上層（第３の膜１２３）の断面は、順テーパ形状を有する。
【０１８０】
上記構成によって、第１絶縁層１２０の開口部の断面は、上端部において鈍角となる。つまり、第１絶縁層１２０の表面と開口部の内面とのなす角度が鈍角となる。この結果、第１絶縁層１２０の開口部内から第１絶縁層１２０の表面に連続して第１電極１３０を形成したときに、当該開口部の端部での第１電極１３０のカバレッジがより向上する。よって、第１絶縁層１２０の開口部の端部において第１電極１３０に断線が発生することを抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０１８１】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００では、さらに、第２の膜１２２および第３の膜１２３の開口部における断面も順テーパ形状を有している。これにより、第１絶縁層１２０の開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を一層抑制できる。
【０１８２】
なお、上記構成は、第１絶縁層１２０に限るものではなく、例えば、ＴＦＴ基板１００においては、保護層１４０にも適用できる。
【０１８３】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００において、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第２の膜１２２は、酸化アルミニウム膜であり、第３の膜１２３は、シリコン窒化膜であるとよい。これにより、より容易に、開口部の断面を順テーパ形状に加工できる。なお、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の材料は、これらの材料に限るものではない。
【０１８４】
また、有機ＥＬ表示装置１０として、上記構成のＴＦＴ基板１００と、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０とを有するように構成するとよい。
【０１８５】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、第１絶縁層１２０として、第１の膜１２１と第２の膜１２２と第３の膜１２３との積層膜を用いて、第１絶縁層１２０に開口部を形成する工程において、第３の膜１２３上にレジストパターン１３５を形成し、第３の膜１２３をドライエッチングにより加工し、第２の膜１２２をウエットエッチングにより加工し、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工することにより、開口部における最上層（第３の膜１２３）の断面形状を順テーパ形状としている。
【０１８６】
上記方法によって、第１絶縁層１２０の開口部の断面を上端部において鈍角とすることができる。これにより、開口部の端部での第１電極１３０のカバレッジがより向上するので、開口部の端部において第１電極１３０に断線が発生することを抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０１８７】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、さらに、第２の膜１２２および第３の膜１２３の開口部における断面も順テーパ形状を有するように第２の膜１２２および第３の膜１２３を加工している。これにより、第１絶縁層１２０の開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を一層抑制できる。
【０１８８】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法において、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工する工程では、レジストパターン１３５をマスクとして第１の膜１２１を加工している。これにより、レジストパターン１３５の開口形状が第１の膜１２１の開口形状として転写される。したがって、レジストパターン１３５のマスクパターンによって第１絶縁層１２０の開口部の大きさ（開口径）を設定することができる。
【０１８９】
また、本実施の形態におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、ドライエッチング時におけるレジストパターン１３５の開口部の後退を利用して、第１の膜１２１の開口部の断面形状を順テーパ形状にしている。これにより、開口部の開口径を無駄に大きくすることなく（つまり、マスクに対してそれほど開口部を広げることなく）、開口部の断面に順テーパ構造を設けることが可能となる。したがって、開口部の端部における第１電極１３０に断線の発生を一層抑制できる。
【０１９０】
なお、上記方法は、第１絶縁層１２０に限るものではなく、例えば、ＴＦＴ基板１００においては、保護層１４０にも適用できる。
【０１９１】
また、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第２の膜１２２は、酸化アルミニウム膜であり、第３の膜１２３は、シリコン窒化膜であるとよい。これにより、より容易に、開口部の断面を順テーパ形状に加工できる。なお、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の材料は、これらの材料に限るものではない。
【０１９２】
また、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法として、上記方法によって製造されたＴＦＴ基板１００上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０を形成する工程を含むように構成するとよい。
【０１９３】
（実施の形態２の変形例）
次に、実施の形態２の変形例について説明する。なお、本変形例と実施の形態２とは、主に、ＴＦＴ基板１００における第１絶縁層における第３の膜１２３の構造が異なり、それ以外の構成は基本的に同じである。したがって、以下、本変形例では、第１絶縁層１２０Ａと第３電極１３０を中心に説明する。
【０１９４】
［７．第１絶縁層１２０Ａと第１電極１３０の詳細］
［７−１．第１絶縁層１２０Ａの詳細］
本変形例では、第１絶縁層１２０Ａの最上層である第３の膜１２３が２層構造となっている。具体的には、図４３に示されるように、第１絶縁層１２０Ａは、半導体層１１１上に設けられた第１の膜１２１と、第１の膜１２１上に設けられた第２の膜１２２と、第２の膜１２２上に設けられた第３の膜１２３とを有しているが、第３の膜１２３は、膜質が異なる複数層によって構成されている。
【０１９５】
本変形例における第３の膜１２３は、第１の層１２３ａと、当該第１の層１２３ａ上に設けられた第２の層１２３ｂとによって構成されている。また、第１の層１２３ａと第２の層１２３ｂとは同じ材料を用いて形成されているが、膜密度が異なっており、第２の層１２３ｂの膜密度が第１の層１２３ａの膜密度よりも小さくなっている。つまり、第１の層１２３ａの膜構造は、第２の層１２３ｂに比べて相対的に密になっており、一方、第２の層１２３ｂの膜構造は、第１の層１２３ａと比べて相対的に粗になっている。
【０１９６】
また、実施の形態２と同様に、第１絶縁層１２０Ａの一部には開口部が設けられている。第１絶縁層１２０Ａの開口部の加工方法については、後に詳細に述べられる。
【０１９７】
［７−２．第１絶縁層１２０Ａの形成方法］
第１絶縁層１２０Ａは、実施の形態２と同様に、ステップ１４１’からステップ１４３’の工程によって形成される。
【０１９８】
［７−２−１．ステップ１４１’］
本変形例におけるステップ１４１’は、実施の形態２におけるステップ１４１’と同じである。第１の膜１２１は、例えばシリコン酸化膜である。
【０１９９】
［７−２−２．ステップ１４２’］
本変形例におけるステップ１４２’は、実施の形態２におけるステップ１４２’と同じである。第２の膜１２２は、例えば酸化アルミニウム膜である。
【０２００】
［７−２−３．ステップ１４３’］
ステップ１４３’では、第３の膜１２３が第２の膜１２２上に設けられるが、本変形例における第３の膜１２３は、膜密度が異なる複数層によって構成されている。第３の膜１２３には、例えば、シリコン窒化膜が用いられる。
【０２０１】
膜密度の異なる第３の膜１２３を形成するには、例えば、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置が用いられる。この場合、第３の膜１２３としてシリコン窒化膜を成膜するための材料としては、例えば、ＳｉＨ4、ＮＨ3などが用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定膜厚などによって適宜設定される。
【０２０２】
例えば、シリコン窒化膜を成膜する途中で上記成膜条件を変更して成膜レートを変更することによって、膜密度の異なる複数層のシリコン窒化膜を形成することができる。本変形例では、成膜レートを１回変更することによって、相対的に膜密度が大きいシリコン窒化膜層である第１の層１２３ａと、相対的に膜密度が小さいシリコン窒化膜層である第２の層１２３ｂとの２層を形成している。
【０２０３】
第３の膜１２３の膜厚は、第１の層１２３ａおよび第２の層１２３ｂを含めて、全体として１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２０４】
［７−３．第１絶縁層１２０Ａの開口部と第１電極１３０の詳細］
図４３に示すように、第１絶縁層１２０Ａには、実施の形態２と同様に、当該第１絶縁層１２０Ａの一部を開口することによって開口部が形成されている。開口部は、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３を加工することで形成される。
【０２０５】
第１電極１３０は、実施の形態２と同様に、Ｃｕ膜などの金属膜であり、第１絶縁層１２０Ａの開口部を埋めるようにして第１絶縁層１２０Ａ上に形成される。
【０２０６】
［７−４．第１絶縁層１２０Ａの開口部の形成方法と第１電極１３０の形成方法の詳細］
第１絶縁層１２０Ａの開口部と第１電極１３０とは、実施の形態２と同様に、ステップ１５１’からステップ１５６’の工程によって形成される。
【０２０７】
［７−４−１．ステップ１５１’］
図４４に示されるように、ステップ１５１’では、実施の形態２と同様にして、第１絶縁層１２０Ａ上に、レジストパターン（レジスト膜）１３５が形成される。
【０２０８】
［７−４−２．ステップ１５２’］
図４５に示されるように、ステップ１５２’では、第３の膜１２３が加工される。具体的には、第３の膜１２３がドライエッチングされる。ドライエッチングによって、レジストパターン１３５の開口部の下層における第３の膜１２３が除去される。
【０２０９】
このとき、本変形例では、第３の膜１２３が膜密度の異なる第１の層１２３ａと第２の層１２３ｂとのシリコン窒化膜によって構成されており、上層である第２の層１２３ｂの膜密度が下層である第１の層１２３ａの膜密度よりも小さくなっている。これにより、上層である第２の層１２３ｂのエッチングレートを下層である第１の層１２３ａのエッチングレートよりも大きくすることができるので、第３の膜１２３を容易に等方的にエッチングすることができる。したがって、実施の形態２と比べて、第３の膜１２３の断面形状を容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２１０】
なお、第２の層１２３ｂのエッチングレートは、第１の層１２３ａのエッチングレートの２倍以上とすることが好ましい。これにより、第３の膜１２３に対して、より等方的なエッチングを行うことができるので、第３の膜１２３の断面形状を容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２１１】
また、本変形例でも、図４５に示すように、エッチングガスによって、レジストパターン１３５は、エッチング前よりも開口が広がるようにして開口端部が後退する。
【０２１２】
ドライエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、六フッ化硫黄（ＳＦ6）およびＯ2が用いられる。ガス流量、圧力、印加電力および周波数などの装置パラメータは、基板サイズ、設定エッチング量などによって適宜設定される。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＳＦ6が７０ｓｃｃｍ、Ｏ2が３０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０２１３】
［７−４−３．ステップ１５３’］
図４６に示されるように、ステップ１５３’では、実施の形態２と同様にして、第２の膜１２２が加工される。具体的には、酸化アルミニウム膜である第２の膜１２２がウエットエッチングされて、第３の膜１２３の開口部の下層における第２の膜１２２が除去される。これにより、第２の膜１２２の断面形状が順テーパ形状となるようにエッチングすることができる。エッチング液としては、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液などのアルカリ性溶液に限らず、燐酸を含む混酸液などの酸性溶液が用いられる。
【０２１４】
［７−４−４．ステップ１５４’］
図４７に示されるように、ステップ１５４’では、実施の形態２と同様にして、第１の膜１２１が加工される。具体的には、酸化シリコン膜である第１の膜１２１がドライエッチングされて、第２の膜１２２の開口部の下層における第１の膜１２１が除去される。
【０２１５】
本変形例でも、ドライエッチングの処理時間の経過とともにレジストパターン１３５の開口端部が漸次後退し、このレジストパターン１３５の後退によって第１の膜１２１のエッチング領域が徐々に広がっていき、第１の膜１２１の断面に順テーパ形状を形成することができる。このように、本変形例でも、第１の膜１２１は、レジストパターン１３５をマスクとして加工される。
【０２１６】
ドライエッチングには、例えば、ＲＩＥ装置が用いられる。エッチングガスとしては、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ4）およびＯ2が用いられる。エッチング条件の一例として、６インチの基板の場合、ＣＦ4が８０ｓｃｃｍ、Ｏ2が２０ｓｃｃｍ、圧力が１３Ｐａ、印加電力が３００Ｗである。
【０２１７】
［７−４−５．ステップ１５５’］
図４８に示されるように、ステップ１５５’では、実施の形態２と同様にして、レジストパターン１３５が除去される。これにより、第１絶縁層１２０Ａには、断面が順テーパ形状を有する開口部が形成される。
【０２１８】
［７−４−６．ステップ１５６’］
次に、図４９に示されるように、ステップ１５６’では、実施の形態２と同様にして、所定形状に加工されたＣｕ膜からなる第１電極１３０が設けられる。
【０２１９】
［７−５．実施例］
上記の方法によって実際に第１絶縁層１２０Ａに開口部を形成したところ、図５０に示すような断面形状が得られた。なお、この実施例では、第１の膜１２１をシリコン酸化膜の単層とし、第２の膜１２２を酸化アルミニウム膜の単層とし、第３の膜１２３を膜密度の異なる第１の層１２３ａおよび第２の層１２３ｂの２層とした。また、図５０は、図４７に対応する図であり、レジストパターン１３５を除去する前の状態を示している。
【０２２０】
図５０に示すように、第１絶縁層１２０Ａには、順テーパ形状の断面を有する所望の開口部が形成できていることが分かる。
【０２２１】
［８．実施の形態２の変形例のまとめ］
以上、本変形例におけるＴＦＴ基板１００は、実施の形態２と同様に、第１絶縁層１２０Ａに設けられた開口部において、少なくとも最上層（第３の膜１２３）の断面は、順テーパ形状を有する。
【０２２２】
上記構成によって、第１絶縁層１２０Ａの開口部の断面は上端部において鈍角となるので、当該開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０２２３】
さらに、本変形例では、第３の膜１２３が、同じ材料からなる第１の層１２３ａと第２の層１２３ｂとによって構成されており、第２の層１２３ｂの膜密度が第１の層１２３ａの膜密度よりも小さくなっている。
【０２２４】
この構成により、実施の形態２と比べて、第３の膜１２３の断面形状を一層容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２２５】
また、本変形例におけるＴＦＴ基板１００でも、さらに、第２の膜１２２および第３の膜１２３の開口部における断面も順テーパ形状を有している。これにより、開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を一層抑制できる。
【０２２６】
なお、本変形例でも、上記構成は保護層１４０に適用することができる。
【０２２７】
また、本変形例でも、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第２の膜１２２は、酸化アルミニウム膜であり、第３の膜１２３は、シリコン窒化膜であるとよい。これにより、より容易に、開口部の断面を順テーパ形状に加工できる。なお、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の材料は、これらの材料に限るものではない。
【０２２８】
また、有機ＥＬ表示装置１０として、上記構成のＴＦＴ基板１００と、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０とを有するように構成するとよい。
【０２２９】
また、本変形例におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、実施の形態２と同様に、第１絶縁層１２０Ａに開口部を形成する工程において、第３の膜１２３上にレジストパターン１３５を形成し、第３の膜１２３をドライエッチングにより加工し、第２の膜１２２をウエットエッチングにより加工し、第１の膜１２１をドライエッチングにより加工することにより、第１絶縁層１２０Ａの開口部における最上層（第３の膜１２３）の断面形状を順テーパ形状としている。
【０２３０】
上記方法によって、第１絶縁層１２０Ａの開口部の断面を上端部において鈍角とすることができるので、当該開口部の端部における第１電極１３０の断線の発生を抑制できる。したがって、所望の性能を有するＴＦＴ基板１００を実現できる。
【０２３１】
さらに、本変形例では、第３の膜１２３が、同じ材料からなる第１の層１２３ａと第２の層１２３ｂとによって構成されており、第２の層１２３ｂの膜密度が第１の層１２３ａの膜密度よりも小さくなっている。
【０２３２】
この構成により、第３の膜１２３のドライエッチングの際に、第２の層１２３ｂのエッチングレートを第１の層１２３ａのエッチングレートよりも大きくすることができるので、第３の膜１２３を容易に等方的にエッチングすることができる。したがって、実施の形態２と比べて、第３の膜１２３の断面形状を容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２３３】
また、本変形例におけるＴＦＴ基板１００の製造方法では、第３の膜１２３をドライエッチングにより加工する工程において、第２の層１２３ｂのエッチングレートは、第１の層１２３ａのエッチングレートの２倍以上とすることが好ましい。これにより、第３の膜１２３に対して、より等方的なエッチングを行うことができるので、第３の膜１２３の断面形状を容易に順テーパ形状とすることができる。
【０２３４】
また、本変形例でもて、レジストパターン１３５をマスクとして第１の膜１２１を加工している。これにより、レジストパターン１３５のマスクパターンによって第１絶縁層１２０の開口部の大きさ（開口径）を設定することができる。
【０２３５】
また、本変形例でも、ドライエッチング時におけるレジストパターン１３５の開口部の後退を利用して、第１の膜１２１の開口部の断面形状を順テーパ形状にしている。これにより、開口部の開口径を無駄に大きくすることなく、開口部の断面に順テーパ構造を設けることが可能となる。したがって、開口部の端部における第１電極１３０に断線の発生を一層抑制できる。
【０２３６】
なお、本変形例でも、上記方法は、第１絶縁層１２０Ａに限られず、例えば、ＴＦＴ基板１００においては、保護層１４０にも適用できる。
【０２３７】
また、本変形例でも、第１の膜１２１は、シリコン酸化膜であり、第２の膜１２２は、酸化アルミニウム膜であり、第３の膜１２３は、シリコン窒化膜であるとよい。これにより、さらに容易に開口部の断面を順テーパ形状に加工できる。なお、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の材料は、これらの材料に限るものではない。
【０２３８】
また、本変形例でも、有機ＥＬ表示装置１０の製造方法として、上記方法によって製造されたＴＦＴ基板１００上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層２４０を形成する工程を含むように構成するとよい。
【０２３９】
（その他の変形例）
以上、ＴＦＴ基板およびその製造方法、並びに、有機ＥＬ表示装置およびその製造方法について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。
【０２４０】
例えば、上記実施の形態２では、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の全ての膜の断面が順テーパ形状を有するように開口部を形成したが、第１電極１３０の断線を抑制するには、少なくとも最上層（第３の膜１２３）の開口部の断面が順テーパ形状を有していればよい。例えば、図５１に示すように、第１の膜１２１および第３の膜１２３の断面形状が順テーパ形状となっていてもよい。また、第２の膜１２２および第３の膜１２３の断面形状が順テーパ形状となっていてもよい。
【０２４１】
また、上記実施の形態２では、第１の膜１２１、第２の膜１２２および第３の膜１２３の開口部の内周面（傾斜面）が全て面一となるようにエッチングを行ったが、各膜において段差が生じるように形成してもよい。但し、各膜間における段差を極力なくして各膜の内周面が全て面一となるようにした方が、開口部における第１電極１３０の断線を効果的に抑制することができる。
【０２４２】
また、上記実施の形態２では、第３の膜１２３を２層構造としたが、これに限らない。例えば、第３の膜１２３を３層以上の複数層としても構わない。この場合、上層の膜ほど膜密が小さくなるように構成するとよい。あるいは、第３の膜１２３の上に第３の膜１２３よりもエッチングレートが大きい第４の膜を形成しても構わない。これにより、第１絶縁層１２０Ａに、断面が順テーパ形状を有する開口部を形成することができる。
【０２４３】
また、上記実施の形態１、２および変形例において、第１電極１３０は、第１絶縁層１２０および１２０Ａの開口部を埋めるように形成したが、これに限らない。例えば、図５２に示すように、第１絶縁層１２０の開口部の内面および底面と第１絶縁層１２０の表面とにわたって同一膜厚となるように第１電極１３０Ａを形成してもよい。
【０２４４】
また、上記実施の形態１、２および変形例において、レジストパターン１３５の開口部の断面（内周面）はテーパ面（傾斜面）としているが、これに限らない。例えば、レジストパターン１３５の開口部の断面（内周面）が垂直面であっても、実施の形態１、２における作用効果を得ることができる。
【０２４５】
その他、上記の実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態および変形例における構成要素および機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２４６】
開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるＴＦＴ基板や、ＴＦＴ基板によって駆動される有機ＥＬ表示装置などに利用可能である。
【符号の説明】
【０２４７】
１０    有機ＥＬ表示装置
２０    貼合わせ層
１００    ＴＦＴ基板
１０１    ゲート電極
１０２    ゲート絶縁膜
１１０    ガラス基板
１１１    半導体層
１２０、１２０Ａ    第１絶縁層
１２１    第１の膜
１２２    第２の膜
１２３    第３の膜
１２３ａ  第１の層
１２３ｂ  第２の層
１３０、１３０Ａ    第１電極
１３５    レジストパターン
１４０    保護層
１４１    第１保護層
１４２    第２保護層
１５０    第２電極
１５１    下層電極
１５２    上層電極
１６１    第２絶縁層
１７０    ＴＦＴ部
１７１    スイッチングＴＦＴ
１７２    駆動ＴＦＴ
１８０    ゲート配線
１９０    ソース配線
２００    ＥＬデバイス部
２０１    平坦化層
２１０    陽極
２１１    下層陽極
２１２    上層陽極
２２０    バンク
２３１    正孔注入層
２３２    電子ブロック層
２４０    発光層
２４１    赤色発光層
２４２    緑色発光層
２４３    青色発光層
２５１    電子注入層
２６０    陰極
２７０    封止層
３００    カラーフィルタ基板
３１０    ガラス基板
３２０    フィルタ
３２１    赤フィルタ
３２２    緑フィルタ
３２３    青フィルタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体層を含むＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板の製造方法であって、
前記酸化物半導体層を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に開口部を形成する工程と、を含み、
前記絶縁層は、第１の膜と、前記第１の膜上に設けられた、酸化アルミニウム膜である第２の膜と、前記第２の膜上に設けられた、シリコンを含む膜である第３の膜とを有し、
前記絶縁層に開口部を形成する工程は、
前記第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、
前記第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、を有する、
ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程では、アルカリ性溶液を用いる、
請求項１に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層に開口部を形成する工程は、さらに、前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程を有する、
請求項１又は２に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程では、前記第２の膜をマスクとして前記第１の膜を加工する、
請求項３に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第３の膜は、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜およびシリコン窒化膜の群から選ばれる少なくとも一種である、
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法で製造されたＴＦＴ基板上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層を形成する工程を含む、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
開口部が設けられた絶縁層と、前記開口部内および前記絶縁層上に連続して設けられた電極とを備え、
前記絶縁層は、第１の膜と、前記第１の膜上に設けられた第２の膜と、前記第２の膜上に設けられた第３の膜とを有し、
少なくとも前記開口部における前記第３の膜の断面は、順テーパ形状を有する、
ＴＦＴ基板。
【請求項８】
前記開口部における前記第１の膜の断面は、順テーパ形状を有する、
請求項７に記載のＴＦＴ基板。
【請求項９】
前記開口部における前記第２の膜の断面は、順テーパ形状を有する、
請求項７又は８に記載のＴＦＴ基板。
【請求項１０】
さらに、前記第３の膜は、第１の層と、前記第１の層の上に形成され、かつ、前記第１の層と同じ材料からなる第２の層とによって構成されており、
前記第２の層の膜密度は、前記第１の層の膜密度よりも小さい、
請求項７〜９のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板。
【請求項１１】
前記第１の膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第２の膜は、酸化アルミニウム膜であり、
前記第３の膜は、シリコン窒化膜である、
請求項７〜１０のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板と、
電子と正孔の再結合により発光する発光層と、を有する、
有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に開口部を形成する工程と、
前記開口部内および前記絶縁層上に連続して電極を形成する工程と、を含み、
前記絶縁層を形成する工程は、
第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程と、
前記第２の膜上に第３の膜を形成する工程と、を含み、
前記絶縁層に開口部を形成する工程は、
前記第３の膜上にレジストパターンを形成する工程と、
前記第３の膜をドライエッチングにより加工する工程と、
前記第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程と、
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程と、を含み、
前記第３の膜をドライエッチングにより加工する工程において、前記開口部における前記第３の膜の断面を順テーパ形状とする、
ＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程において、前記開口部における前記第１の膜の断面を順テーパ形状とする、
請求項１３に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の膜をウエットエッチングにより加工する工程において、前記開口部における前記第２の膜の断面を順テーパ形状とする、
請求項１３又は１４に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程では、前記レジストパターンをマスクとして前記第１の膜を加工する、
請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の膜をドライエッチングにより加工する工程において、前記ドライエッチングの処理時間の経過とともに前記第３の膜上の前記レジストパターンが漸次後退する、
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第３の膜を形成する工程では、前記第３の膜として、第１の層と、前記第１の層の上に形成され、かつ、前記第１の層と同じ材料からなる第２の層とを形成し、
前記第２の層の膜密度は、前記第１の層の膜密度よりも小さい、
請求項１３〜１７のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第３の膜をドライエッチングにより加工する工程において、
前記第２の層のエッチングレートは、前記第１の層のエッチングレートの２倍以上である、
請求項１８に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第２の膜は、酸化アルミニウム膜であり、
前記第３の膜は、シリコン窒化膜である、
請求項１３〜１９のいずれか１項に記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【請求項２１】
請求項１３〜２０のいずれか１項に記載の方法で製造されたＴＦＴ基板上に、電子と正孔の再結合により発光する発光層を形成する工程を、含む、
有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２】
2013190838.tif 000056
【図３】
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【図４】
2013190838.tif 000058
【図５】
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【図６】
2013190838.tif 000060
【図７】
2013190838.tif 000061
【図８】
2013190838.tif 000062
【図９】
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【図１０】
2013190838.tif 000064
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2013190838.tif 000070
【図１７】
2013190838.tif 000071
【図１８】
2013190838.tif 000072
【図１９】
2013190838.tif 000073
【図２０】
2013190838.tif 000074
【図２１】
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【図２２】
2013190838.tif 000076
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2013190838.tif 000081
【図２８】
2013190838.tif 000082
【図２９】
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【図３０】
2013190838.tif 000084
【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
2013190838.tif 000090
【図３７】
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【図３８】
2013190838.tif 000092
【図３９】
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【図４０】
2013190838.tif 000094
【図４１】
2013190838.tif 000095
【図４２】
2013190838.tif 000096
【図４３】
2013190838.tif 000097
【図４４】
2013190838.tif 000098
【図４５】
2013190838.tif 000099
【図４６】
2013190838.tif 000100
【図４７】
2013190838.tif 000101
【図４８】
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【図４９】
2013190838.tif 000103
【図５０】
2013190838.tif 000104
【図５１】
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【図５２】
2013190838.tif 000106
【国際調査報告】
2013190838.tif 000107
2013190838.tif 000108
2013190838.tif 000109
2013190838.tif 000110