Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月14日(2015.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段と、
ファイルアロケーションテーブルを使用してファイルを管理するファイルフォーマットに従い、前記撮像手段により得られた動画データを含む動画ファイルを記録媒体に記録する手段であって、記録の指示に応じて、自動的に所定時間分の動画データを一つのチャプタとして前記記録媒体に記録し、前記記録媒体のファイルアロケーションテーブルを変更することにより、前記所定時間分の動画データを前記記録媒体に既に記録されている所定の動画ファイルに連結する記録手段と、
前記記録媒体に記録された前記所定の動画ファイルにおけるチャプタの削除が指示された場合、削除対象のチャプタの動画データを削除する処理を行う編集手段とを有し、
前記編集手段は、前記削除対象のチャプタの動画データの前記記録媒体における記録位置を検出し、前記削除対象のチャプタの動画データの少なくとも一部が前記記録媒体から読み出されないように、前記記録媒体のファイルアロケーションテーブルを変更することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記記録手段は、前記所定の動画ファイルの連結位置に続いて前記所定時間分の動画データが再生されるように、前記所定の動画ファイルのヘッダに含まれる、前記所定の動画ファイルの動画データを再生するための管理情報を変更し、
前記編集手段は、前記削除対象の動画データの先頭から末尾までが無効となるように前記所定の動画ファイルの管理情報を変更することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記記録手段は、前記所定の動画ファイルにおけるチャプタの境界を検出するための情報を含む前記管理情報を記録することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記編集手段は、前記所定の動画ファイルの前記管理情報に基づいて、前記削除対象のチャプタの動画データの前記記録媒体における記録位置を検出することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記削除対象のチャプタを指定するための指示をユーザから受ける手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
ファイルアロケーションテーブルを使用してファイルを管理するファイルフォーマットに従い、撮像手段により得られた動画データを含む動画ファイルを記録媒体に記録する手段を有する画像処理装置の制御方法であって、
記録の指示に応じて、自動的に所定時間分の動画データを一つのチャプタとして前記記録媒体に記録し、前記記録媒体のファイルアロケーションテーブルを変更することにより、前記所定時間分の動画データを前記記録媒体に既に記録されている所定の動画ファイルに連結する記録工程と、
前記記録媒体に記録された前記所定の動画ファイルにおけるチャプタの削除が指示された場合、削除対象のチャプタの動画データを削除する処理を行う編集工程とを有し、
前記編集工程は、前記削除対象の動画データの前記記録媒体における記録位置を検出し、前記削除対象のチャプタの動画データの少なくとも一部が前記記録媒体から読み出されないように、前記記録媒体のファイルアロケーションテーブルを変更することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置及び画像装置の制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このような目的を達成するための、本発明の画像処理装置は、撮像手段と、ファイルアロケーションテーブルを使用してファイルを管理するファイルフォーマットに従い、前記撮像手段により得られた動画データを含む動画ファイルを記録媒体に記録する手段であって、記録の指示に応じて、自動的に所定時間分の動画データを一つのチャプタとして前記記録媒体に記録し、前記記録媒体のファイルアロケーションテーブルを変更することにより、前記所定時間分の動画データを前記記録媒体に既に記録されている所定の動画ファイルに連結する記録手段と、前記記録媒体に記録された前記所定の動画ファイルにおけるチャプタの削除が指示された場合、削除対象のチャプタの動画データを削除する処理を行う編集手段とを有し、前記編集手段は、前記削除対象の動画データの前記記録媒体における記録位置を検出し、前記削除対象のチャプタの動画データの少なくとも一部が前記記録媒体から読み出されないように、前記記録媒体のファイルアロケーションテーブルを変更することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月17日(2015.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端部に保持のための保持ピンを備える直管ランプを装着するソケットにおいて、
前面板部と、
前記前面板部に対向する後面板部と、
前記前面板部に形成され、前記前面板部が前記後面板部の側に凹むことにより形成された凹み形状である溝部と、
前記溝部に前記直管ランプの前記保持ピンが挿入されると、前記保持ピンを保持する保持部と
を備え、
前記前面板部と前記後面板部と前記溝部と前記保持部とは、一体成形されたソケット。
【請求項２】
前記ソケットは、
前記前面板部の上部と前記後面板部の上部とをつなぐ上面板部と、
前記上面板部に形成され、前記溝部と連通する上面開口部と
を備え、
前記保持ピンは、前記上面開口部から前記溝部に挿入される請求項１に記載のソケット。
【請求項３】
前記上面板部に対向する底面部は、開口している請求項２に記載のソケット。
【請求項４】
前記保持部は、
前記溝部の凹み形状の表面に、前記保持ピンを保持する突起部を備えた請求項１から３のいずれか１項に記載のソケット。
【請求項５】
前記保持部は、
前記溝部の凹み形状を形成する一対の爪部を備え、前記溝部に前記保持ピンが挿入されると、前記保持ピンを前記一対の爪部の弾性力により保持する請求項１から３のいずれか１項に記載のソケット。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のソケットと、
前記ソケットを取り付ける器具本体と、
前記器具本体に取り付けられ、前記ソケットに装着された直管ランプを点灯させる点灯装置と
を備える照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月19日(2014.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像が印刷されたシートを積載する積載部を備えた印刷装置であって、
前記積載部の満載を検知する検知手段と、
シートの枚数を前記積載部の設定として保持する保持手段と、
前記積載部へのシートの積載を開始した後、前記検知手段によって前記積載部の満載が検知されたことに応じて前記積載部へのシートの積載を止めるための制御を実行する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、所定のモードが選択されたことに基づき、前記検知手段によって前記積載部の満載が検知される前であっても、前記保持手段によって保持された枚数を超えるシートが前記積載部に積載されないようにするための制御を更に実行することを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記所定のモードが選択された場合に、前記保持手段によって保持された枚数のシートが前記積載部に積載される前であっても、前記検知手段によって前記積載部の満載が検知されると前記積載部へのシートの積載を止めるための制御を実行することを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記所定のモードが選択され、前記保持手段によって保持された枚数のシートが前記積載部に積載される前に前記検知手段によって前記積載部の満載が検知された場合に、所定の通知を行う通知手段を更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記通知手段は、所定の設定を行うようにユーザに促す内容のメッセージを表示することを特徴とする請求項３に記載の印刷装置。
【請求項５】
前記所定の設定は、カール補正であることを特徴とする請求項４に記載の印刷装置。
【請求項６】
画像が印刷されたシートを積載する積載部を備えた印刷装置であって、
前記積載部の満載を検知する検知手段と、
第１モード又は第２モードを選択する選択手段と、
シートの枚数を前記積載部の設定として保持する保持手段と、
前記選択手段によって前記第１モードが選択された場合は、前記検知手段によって前記積載部の満載が検知されたことに応じて前記積載部へのシートの積載を止めるための制御を実行し、前記選択手段によって前記第２モードが選択された場合は、前記保持手段によって保持された枚数のシートが前記積載部に積載されないようにするための制御を実行する制御手段と、
を備えることを特徴とする印刷装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記第２モードが選択された場合に、前記保持手段によって保持された枚数のシートが前記積載部に積載される前であっても、前記検知手段によって前記積載部の満載が検知されたことに応じて前記積載部へのシートの積載を止めるための制御を実行することを特徴とする請求項６に記載の印刷装置。
【請求項８】
前記第２モードが選択され、前記保持手段によって保持された枚数のシートが前記積載部に積載される前に前記検知手段によって前記積載部の満載が検知された場合に、所定の通知を行う通知手段を更に備えることを特徴とする請求項６又は７に記載の印刷装置。
【請求項９】
前記通知手段は、所定の設定を行うようにユーザに促す内容のメッセージを表示することを特徴とする請求項８に記載の印刷装置。
【請求項１０】
前記所定の設定は、カール補正であることを特徴とする請求項９に記載の印刷装置。
【請求項１１】
前記保持手段によって保持されるシートの枚数は、ユーザから受け付けた枚数であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項１２】
画像が印刷されたシートを積載する積載部を備えた印刷装置の制御方法であって、
前記積載部の満載を検知する検知工程と、
シートの枚数を前記積載部の設定として保持する保持工程と、
前記積載部へのシートの積載を開始した後、前記検知工程で前記積載部の満載が検知されたことに応じて前記積載部へのシートの積載を止めるための制御を実行する制御工程と、を備え、
前記制御工程では、所定のモードが設定されたことに基づき、前記検知工程で前記積載部の満載が検知される前であっても、前記保持工程で保持された枚数を超えるシートが前記積載部に積載されないようにするための制御を実行することを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項１３】
画像が印刷されたシートを積載する積載部を備えた印刷装置の制御方法であって、
前記積載部の満載を検知する検知工程と、
第１モード又は第２モードを選択する選択工程と、
シートの枚数を前記積載部の設定として保持する保持工程と、
前記選択工程で前記第１モードが選択された場合は、前記検知工程で前記積載部の満載が検知されたことに応じて前記積載部へのシートの積載を止めるための制御を実行し、前記選択工程で前記第２モードが選択された場合は、前記保持工程で保持された枚数を超えるシートが前記積載部に積載されないようにするための制御を実行する制御工程と、
を備えることを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項１４】
コンピュータを請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の印刷装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明の一態様に係る印刷装置は以下のような構成を備える。即ち、
画像が印刷されたシートを積載する積載部を備えた印刷装置であって、前記積載部の満載を検知する検知手段と、シートの枚数を前記積載部の設定として保持する保持手段と、前記積載部へのシートの積載を開始した後、前記検知手段によって前記積載部の満載が検知されたことに応じて前記積載部へのシートの積載を止めるための制御を実行する制御手段と、を備え、前記制御手段は、所定のモードが選択されたことに基づき、前記検知手段によって前記積載部の満載が検知される前であっても、前記保持手段によって保持された枚数を超えるシートが前記積載部に積載されないようにするための制御を更に実行することを特徴とする。
また本発明の印刷装置は、画像が印刷されたシートを積載する積載部を備えた印刷装置であって、前記積載部の満載を検知する検知手段と、第１モード又は第２モードを選択する選択手段と、シートの枚数を前記積載部の設定として保持する保持手段と、前記選択手段によって前記第１モードが選択された場合は、前記検知手段によって前記積載部の満載が検知されたことに応じて前記積載部へのシートの積載を止めるための制御を実行し、前記選択手段によって前記第２モードが選択された場合は、前記保持手段によって保持された枚数のシートが前記積載部に積載されないようにするための制御を実行する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚を介する経皮薬剤送達のための薬剤送達機器であって、
ガスを含みまたは選択的にガスを生成することができるガス源と、
前記ガス内へ薬剤を放出するように位置合わせされかつ構成されると共に、放出活性化テープであって前記放出活性化テープの上に置かれた前記薬剤を有する前記放出活性化テープを備える薬剤源と、
前記ガス源と流体接続されかつ複数の導管を備えると共に、前記薬剤を含むコリメートされた複数のガス流を前記ガス内に形成するように適合化されかつ入口端と出口端とを有するコリメータと、
を備える薬剤送達機器。
【請求項２】
前記放出活性化テープは、紫外線感受性材料、感熱性材料または電気感受性材料を含む請求項１に記載の薬剤送達機器。
【請求項３】
前記薬剤源は、前記コリメータの前記入口端と前記出口端との間で前記ガス内へ前記薬剤を放出するように位置合わせされかつ構成される請求項１に記載の薬剤送達機器。
【請求項４】
前記放出活性化テープは、前記コリメータの中にまたは隣接するように位置合わせされる請求項１に記載の薬剤送達機器。
【請求項５】
前記放出活性化テープから前記薬剤の放出を作動させるように適合されたコントローラをさらに備える請求項１に記載の薬剤送達機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚を介する経皮薬剤送達のための薬剤送達機器であって、
ガスを含みまたは選択的にガスを生成することができるガス源と、
前記ガス源と流体接続されると共に、前記ガスを含む第１の複数のコリメートされたガス流を形成するように適合化される複数の導管を含み且つ入口端と出口端とを有する第１のコリメータと、
薬剤を含み且つ前記第１のコリメータの前記入口端と前記出口端との間で前記第１の複数のコリメートされたガス流の中へ前記薬剤を放出するように構成される第１の薬剤源と、
を含む薬剤送達機器。
【請求項２】
前記第１の複数のコリメートされたガス流の中に放出される前記薬剤が前記皮膚に対して垂直方向で前記皮膚に貫入するように、前記皮膚に当てられ且つ前記第１のコリメータを前記皮膚と位置合わせすべく適合化される皮膚接触面をさらに含む、請求項１に記載の薬剤送達機器。
【請求項３】
前記第１の薬剤源と前記第１のコリメータとの間に破裂可能な薄膜をさらに含む、請求項２に記載の薬剤送達機器。
【請求項４】
前記薬剤は、０．１ミクロン〜２５０ミクロンの容積平均直径を有する固体粒子の形態である、請求項１に記載の薬剤送達機器。
【請求項５】
前記複数の導管の各々は、入口と出口とを含む、請求項１に記載の薬剤送達機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体の組織の中へ粒子を送達するための送達機器であって、
ハウジングと、
ガスを含みまたは選択的にガスを生成することができるガス源と、
第１の複数の粒子を含む第１の粒子源と、
前記ガス源と流体接続され且つ前記ガス内に取り込まれる前記第１の複数の粒子のコリメートされた第１の複数の流れを形成するように適合化される複数の導管を含む第１のコリメータと、
前記第１の複数の粒子のコリメートされた第１の複数の流れが前記組織へ前記組織の表面に対して垂直方向に貫入するように、前記組織の表面と接触し且つ前記組織に対して前記第１のコリメータを配向するように適合化され且つ前記ハウジングの一端に位置される組織接触面と、
を備える送達機器。
【請求項２】
前記第１の複数の粒子は、組織擦過粒子を含む、請求項１に記載の送達機器。
【請求項３】
前記第１の複数の粒子は、組織マーキング粒子、栄養豊富な粒子、栄養粒子または化粧用粒子を含む、請求項１に記載の送達機器。
【請求項４】
前記第１の複数の粒子は、薬剤粒子を含む、請求項１に記載の送達機器。
【請求項５】
第２の複数の粒子を含む第２の粒子源をさらに含み、
前記第１のコリメータは、前記ガスに取り込まれる前記第２の複数の粒子のコリメートされた第２の複数の流れを形成するように適合化される、請求項１に記載の送達機器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年9月4日(2015.9.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号４９の配列を含み、Ｔに対しＵが置換される二本鎖ＲＮＡエフェクター分子を含有する、哺乳動物細胞中のＢ型肝炎ウイルスのポリヌクレオチド配列の発現を阻害する剤。
【請求項２】
配列番号４９の配列を含み、Ｔに対しＵが置換される二本鎖ＲＮＡエフェクター分子を含有する、哺乳動物細胞中のＢ型肝炎ウイルスのポリヌクレオチド配列の発現を阻害する組成物。
【請求項３】
少なくとも２個の二本鎖ＲＮＡエフェクター分子を含有し、各二本鎖ＲＮＡエフェクター分子が、配列番号１８、配列番号１９、配列番号２１、配列番号２２、配列番号２３、および配列番号４９からなる群より選択される配列を含み、Ｔに対しＵが置換される、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
少なくとも２個の二本鎖ＲＮＡエフェクター分子を含有し、各二本鎖ＲＮＡエフェクター分子が、配列番号１８、配列番号１９、配列番号２３、および配列番号４９からなる群より選択される配列を含み、Ｔに対しＵが置換される、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
少なくとも４個の二本鎖ＲＮＡエフェクター分子を含有し、各二本鎖ＲＮＡエフェクター分子が、配列番号１８、配列番号１９、配列番号２３、および配列番号４９からなる群より選択される配列を含み、Ｔに対しＵが置換される、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
配列番号４９の配列を含み、Ｔに対しＵが置換される二本鎖ＲＮＡエフェクター分子の発現能を有する少なくとも１個の発現ベクターを含有する、請求項２に記載の組成物。
【請求項７】
哺乳動物細胞中での、少なくとも２個の二本鎖ＲＮＡエフェクター分子の発現能を有する少なくとも１個の発現ベクターを含有し、各二本鎖ＲＮＡエフェクター分子が、配列番号１８、配列番号１９、配列番号２１、配列番号２２、配列番号２３、および配列番号４９からなる群より選択される配列を含み、Ｔに対しＵが置換される、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
哺乳動物細胞中での、少なくとも２個の二本鎖ＲＮＡエフェクター分子の発現能を有する少なくとも１個の発現ベクターを含有し、各二本鎖ＲＮＡエフェクター分子が、配列番号１８、配列番号１９、配列番号２３、および配列番号４９からなる群より選択される配列を含み、Ｔに対しＵが置換される、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
哺乳動物細胞中での、Ｔに対しＵが置換される、配列番号１８を含む二本鎖ＲＮＡエフェクター分子；配列番号１９を含む二本鎖ＲＮＡエフェクター分子；配列番号２３を含む二本鎖ＲＮＡエフェクター分子；および配列番号４９を含む二本鎖ＲＮＡエフェクター分子；の発現能を有する発現ベクターを含有する、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
前記少なくとも１個の発現ベクターが、ポリメラーゼＩプロモーター、ポリメラーゼＩＩＩプロモーター、Ｕ６プロモーター、Ｈ１プロモーター、７ＳＫプロモーター、およびミトコンドリアプロモーターからなる群より選択される少なくとも１個のプロモーターを含み、前記プロモーターが前記二本鎖ＲＮＡエフェクター分子をコードする配列に操作可能に連結される、請求項６に記載の組成物。
【請求項１１】
請求項６に記載の発現ベクターを含有する哺乳動物細胞。
【請求項１２】
哺乳動物細胞中のＢ型肝炎ウイルスのポリヌクレオチド配列の発現を阻害する組成物であって、少なくとも２個の二本鎖ＲＮＡエフェクター分子を含有し、各二本鎖ＲＮＡエフェクター分子が、Ｔに対しＵが置換される、（ａ）配列番号５０、配列番号５１、配列番号５２、配列番号５３、配列番号５４、配列番号５５、配列番号５６、配列番号５７、配列番号５８、配列番号５９、配列番号６０、配列番号６１、および配列番号６２からなる群より選択される配列、（ｂ）前記選択された配列の逆相補体、および（ｃ）場合により、配列（ａ）および（ｂ）を連結する配列、を含む、組成物。
【請求項１３】
少なくとも２個の二本鎖ＲＮＡエフェクター分子を含有し、各二本鎖ＲＮＡエフェクター分子が、Ｔに対しＵが置換される、（ａ）配列番号５４、配列番号５５、配列番号５７、配列番号５８、配列番号５９、および配列番号６２からなる群より選択される配列、（ｂ）前記選択された配列の逆相補体、および（ｃ）場合により、配列（ａ）および（ｂ）を連結する配列、を含む、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
二本鎖ＲＮＡエフェクター分子を含有し、各二本鎖ＲＮＡエフェクター分子が、Ｔに対しＵが置換される、（ａ）配列番号５４、配列番号５５、配列番号５９、および配列番号６２からなる群より選択される配列、（ｂ）前記選択された配列の逆相補体、および（ｃ）場合により、配列（ａ）および（ｂ）を連結する配列、を含む、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記少なくとも２個の二本鎖ＲＮＡエフェクター分子をコードする発現ベクターを含有する、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１６】
前記発現ベクターが、ポリメラーゼＩプロモーター、ポリメラーゼＩＩＩプロモーター、Ｕ６プロモーター、Ｈ１プロモーター、７ＳＫプロモーター、およびミトコンドリアプロモーターからなる群より選択される少なくとも１個のプロモーターを含み、前記プロモーターが１個またはそれ以上の前記二本鎖ＲＮＡエフェクター分子をコードする配列に操作可能に連結される、請求項１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記二本鎖ＲＮＡエフェクター分子がヘアピンｄｓＲＮＡ分子である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１８】
配列番号４９の配列のヌクレオチド１〜１９、１〜２０、１〜２１、２〜２０、２〜２１、または３〜２１に相当する配列を含有するポリヌクレオチド。
【請求項１９】
配列番号４９の配列を含有する、請求項１８に記載のポリヌクレオチド。
【請求項２０】
配列番号６２の配列内由来の少なくとも１９連続塩基対のヌクレオチド配列を含有するポリヌクレオチド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５９】
【表５】
2012223202.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月9日(2015.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シェブロンを位置決めする装置であって、
リニアアクチュエータと、
トランスレートカウルの対応するチャンネル内に嵌合されるように構成された基端部を有するシェブロンと、
前記トランスレートカウルに固定され、前記シェブロンの対向する端部に滑動自在に係合された一対の案内部材と、
を備え、
前記シェブロンが前記リニアアクチュエータによって前方または後方へ移動可能である、前記シェブロンの位置をガス流路に対して変化させ、
前記シェブロンが、前記リニアアクチュエータのロータを内部に受け入れるようにサイズ設定および構成されたスロットを含む、
装置。
【請求項２】
前記案内部材が、リニアスライドを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
外側カウルおよび前記シェブロンのそれぞれに固定することができるハウジング組立体をさらに含み、前記ハウジング組立体が、前記リニアアクチュエータを格納する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
航空機の制御装置に結合された位置センサをさらに含み、前記位置センサが、前記リニアアクチュエータの位置および前記シェブロンの位置のうちの少なくとも１つを示すデータを前記制御装置に出力するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
内側カウルおよび外側カウルによってジェットエンジン内に形成されたガス流路を変化させる装置であって、
トランスレートカウルの対応するチャンネル内に嵌合されるように構成された基端部を有するシェブロンと、
前記シェブロンおよび前記ジェットエンジンの前記トランスレートカウルに結合されたリニアアクチュエータと、
を備え、
前記シェブロンが前記リニアアクチュエータによって前方または後方へ移動可能であり、前記シェブロンの位置を前記ガス流路に対して変化させ、
前記シェブロンが、前記リニアアクチュエータのロータを内部に受け入れるようにサイズ設定および構成されたスロットを含む、
装置。
【請求項６】
内側カウルおよび外側カウルによってジェットエンジン内に形成されたガス流路を変化させる装置であって、
シェブロンと、
前記シェブロンに結合され、および前記ジェットエンジンの外側カウルに結合されたリニアアクチュエータと、
前記シェブロンの上に配置されたタングであって、前記リニアアクチュエータの対向する構造部材と共にクレビス継手を形成するタングと、
ハウジング組立体と、
を備え、
前記ハウジング組立体は、前記外側カウルの外側部材の外面に結合された第１のハウジングを含み、
前記ハウジング組立体は、前記シェブロンの外面に結合された第２のハウジングを含み、前記第２のハウジングは、前記第１のハウジングに滑動可能に嵌合され、
前記シェブロンが前記リニアアクチュエータによって前方または後方へ移動可能であり、前記シェブロンの位置を前記ガス流路に対して変化させる、
装置。
【請求項７】
前記リニアアクチュエータに結合された制御装置をさらに含む、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記制御装置に結合され、前記リニアアクチュエータの位置および前記シェブロンの位置のうちの少なくとも１つを示すデータを前記制御装置に出力するように構成された位置センサをさらに含む、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
第１の位置において、前記シェブロンが、前記ガス流路に対して実質的に平行に配置され、抗力およびエンジン推力の損失のうちの少なくとも１つを軽減する、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
第２の位置において、前記シェブロンが後方へ移動され、前記ガス流路内に突出する、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
シェブロンを位置決めする装置であって、
リニアアクチュエータと、
トランスレートカウルの対応するチャンネル内に嵌合されるように構成された基端部を有するシェブロンと、
前記トランスレートカウルおよび前記シェブロンに固定された案内部材と、
前記シェブロンとクレビス継手を形成する支持構造体と、
ハウジング組立体と、
を備え、
前記ハウジング組立体は、前記トランスレートカウルの外側部材の外面に結合された第１のハウジングを含み、
前記ハウジング組立体は、前記シェブロンの外面に結合された第２のハウジングを含み、前記第２のハウジングは、前記第１のハウジングに滑動可能に嵌合され、
前記シェブロンが前記リニアアクチュエータによって前方または後方へ移動可能であり、前記シェブロンの位置を前記ガス流路に対して変化させる、
装置。
【請求項１２】
前記支持構造体は、対向する構造部材、および、前記シェブロンの上に配置されたタングと接続されたピンを含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
シェブロンと、
前記シェブロンに結合されたリニアアクチュエータと、
前記シェブロンに結合されたハウジング組立体と、
を備え、
前記ハウジング組立体は、前記リニアアクチュエータを収納し、前記ガス流路に対して前記シェブロンを延長および後退させるように前記リニアアクチュエータの移動を可能とするように構成され、
前記シェブロンが前記リニアアクチュエータによって前方または後方へ移動可能であり、前記シェブロンの位置を前記ガス流路に対して変化させ、
前記ハウジング組立体は、前記トランスレートカウルの外側部材の外面に結合された第１のハウジングを含み、
前記ハウジング組立体は、前記シェブロンの外面に結合された第２のハウジングを含み、前記第２のハウジングは、前記第１のハウジングに滑動可能に嵌合される、
トランスレートカウル。
【請求項１４】
前記リニアアクチュエータに結合された制御装置をさらに含む、請求項１３に記載のトランスレートカウル。
【請求項１５】
前記制御装置に結合され、前記リニアアクチュエータの位置および前記シェブロンの位置のうちの少なくとも１つを示すデータを前記制御装置に出力するように構成された位置センサをさらに含む、請求項１４に記載のトランスレートカウル。
【請求項１６】
第１の位置において、前記シェブロンが、前記ガス流路に対して実質的に平行に配置され、抗力およびエンジン推力の損失のうちの少なくとも１つを軽減する、請求項１３に記載のトランスレートカウル。
【請求項１７】
第２の位置において、前記シェブロンが後方へ移動され、前記ガス流路内に突出する、請求項１６に記載のトランスレートカウル。
【請求項１８】
前記リニアアクチュエータが、前記トランスレートカウルの外側部材に結合される、請求項１３に記載のトランスレートカウル。
【請求項１９】
前記シェブロンが、前記トランスレートカウルの前記外側部材と内側部材との間に形成されたチャンネル内に配置される基端部を有する、請求項１８に記載のトランスレートカウル。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ドレイン電極と、
ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも電気抵抗が低く、
前記第２の領域は、前記ドレイン電極よりも電気抵抗が高く、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なり、
前記第２の領域は、前記ゲート電極と重ならず、
前記ゲート電極は、前記ドレイン電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ドレイン電極と、
ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも結晶性が低く、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なり、
前記第２の領域は、前記ゲート電極と重ならず、
前記ゲート電極は、前記ドレイン電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ソース電極と、
前記酸化物半導体膜と、電気的に接続された、ドレイン電極と、
ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重なる領域を有する、ゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第２の領域は、前記第１の領域よりも、窒素、リン、硼素、又は希ガスの濃度が高く、
前記第１の領域は、前記ゲート電極と重なり、
前記第２の領域は、前記ゲート電極と重ならず、
前記ゲート電極は、前記ドレイン電極と重ならないことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ゲート電極上に、層間絶縁膜を有し、
前記層間絶縁膜は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、又は窒化アルミニウムを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ、Ｇａ、ＳｎおよびＺｎから選ばれた二種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、透光性半導体層と、前記透光性半導体層と接する領域を有する第１のシリコン半導体層と、前記第１のシリコン半導体層と接する領域を有する第２のシリコン半導体層と、を有し、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記透光性半導体層の導電型はｐ型であり、
前記第１のシリコン半導体層の導電型はｉ型であり、
前記第２のシリコン半導体層の導電型はｎ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のシリコン半導体層は、非単結晶、非晶質、微結晶または多結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
一対の電極間に、第１の透光性半導体層と、前記第１の透光性半導体層と接する領域を有する第１のシリコン半導体層と、前記第１のシリコン半導体層と接する領域を有する第２のシリコン半導体層と、前記第２のシリコン半導体層と接する領域を有する第２の透光性半導体層と、前記第２の透光性半導体層と接する領域を有する第３のシリコン半導体層と、前記第３のシリコン半導体層と接する領域を有する第４のシリコン半導体層と、を有し、
前記第１の透光性半導体層及び前記第２の透光性半導体層の各々は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１及び第２の透光性半導体層の導電型はｐ型であり、
前記第１及び第３のシリコン半導体層の導電型はｉ型であり、
前記第２及び第４のシリコン半導体層の導電型はｎ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記第１のシリコン半導体層は非晶質であり、
前記第３のシリコン半導体層は微結晶または多結晶であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記無機化合物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれかを有することを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上の第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上の第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上の第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層上の透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上の第２の電極と、を有し、
前記透光性導電膜は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
第１の電極と、
前記第１の電極上の第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上の第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上の第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層上の透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上の第２の電極と、を有し、
前記透光性導電膜は、有機化合物及び無機化合物を有し、
前記透光性導電膜の膜厚は、０ｎｍより厚く、６０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記無機化合物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月23日(2015.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にあり、少なくとも一部が前記ゲート電極と重畳する半導体膜を形成し、
前記半導体膜と一部が接し、かつ前記ゲート電極と重畳しない一対の電極を形成し、
上面から見た前記一対の電極間距離である見かけ上のチャネル長に対して、チャネル長が３倍以上の長さを有するように前記ゲート電極の厚さを選択することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記一対の電極および前記ゲート電極のいずれか一以上に対して、プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極上に前記第１のゲート電極よりも上面形状の小さい第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にあり、少なくとも一部が前記第２のゲート電極と重畳する半導体膜を形成し、
前記半導体膜と一部が接し、かつ前記第２のゲート電極と重畳しない一対の電極を形成し、
上面から見た前記一対の電極間距離である見かけ上のチャネル長に対して、チャネル長が３倍以上の長さを有するように前記第２のゲート電極の厚さを選択することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記一対の電極、前記第１のゲート電極および前記第２のゲート電極のいずれか一以上に対して、プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に絶縁表面を有する構造物を形成し、
少なくとも一部が前記構造物と重畳する半導体膜を形成し、
前記半導体膜と一部が接し、かつ前記構造物と重畳しない一対の電極を形成し、
前記半導体膜を覆うゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜を介して前記半導体膜に重畳するゲート電極を形成し、
上面から見た前記一対の電極間距離である見かけ上のチャネル長に対して、チャネル長が３倍以上の長さを有するように前記構造物の厚さを選択することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記一対の電極および前記構造物のいずれか一以上に対して、プラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２、４または６において、
前記プラズマ処理が逆スパッタリング処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記半導体膜として酸化物半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月20日(2014.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも厚い膜厚を有し、
前記第１の半導体層は、前記ソース電極と接しない端部を有し、
前記第１の半導体層は、前記ドレイン電極と接しない端部を有し、
前記第２の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
前記第２の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも厚い膜厚を有し、
前記第１の半導体層と、前記ソース電極との間に空間を有し、
前記第１の半導体層と、前記ドレイン電極との間に空間を有し、
前記第２の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
前記第２の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも高いキャリア移動度を有し、
前記第１の半導体層は、前記ソース電極と接しない端部を有し、
前記第１の半導体層は、前記ドレイン電極と接しない端部を有し、
前記第２の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
前記第２の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上の、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の、第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
ソース電極と、
ドレイン電極と、を有し、
前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも高いキャリア移動度を有し、
前記第１の半導体層と、前記ソース電極との間に空間を有し、
前記第１の半導体層と、前記ドレイン電極との間に空間を有し、
前記第２の半導体層は、前記ソース電極と接する端部を有し、
前記第２の半導体層は、前記ドレイン電極と接する端部を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性シリコン基板と、
前記結晶性シリコン基板の一方の面上の第１の電極と、
前記結晶性シリコン基板の他方の面上の第１の透光性導電膜と、
前記第１の透光性導電膜を介して、前記結晶性シリコン基板の前記他方の面上に位置する第２の電極と、を有し、
前記結晶性シリコン基板は、前記結晶性シリコン基板の前記一方の面側に、第１の不純物領域を有し、
前記結晶性シリコン基板の導電型は、前記第１の不純物領域の導電型とは逆であり、
前記第１の透光性導電膜は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記結晶性シリコン基板は、前記結晶性シリコン基板の前記他方の面側に第２の不純物領域を有し、
前記結晶性シリコン基板の導電型は、前記第２の不純物領域の導電型と同じであり、
前記第２の不純物領域は、前記結晶性シリコン基板よりもキャリア密度の高いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
結晶性シリコン基板と、
前記結晶性シリコン基板の一方の面側に位置する第１の電極と、
前記結晶性シリコン基板の他方の面側に位置する第２の電極と、
前記結晶性シリコン基板と前記第１の電極との間に位置する、第１の半導体層と、第２の半導体層と、第１の透光性導電膜との積層と、
前記結晶性シリコン基板と前記第２の電極との間に位置する、第３の半導体層と、第４の半導体層と、第２の透光性導電膜との積層と、を有し、
前記第１の透光性導電膜は、前記第１の電極と接し、
前記第２の透光性導電膜は、前記第２の電極と接し、
前記第１の透光性導電膜は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１の半導体層と前記第３の半導体層は、前記結晶性シリコン基板に接し、
前記第１の半導体層及び第３の半導体層は、ｉ型の非晶質シリコンであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第１の透光性導電膜の膜厚は、０ｎｍより厚く、６０ｎｍ以下であることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月10日(2015.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、結晶性シリコン基板と、前記結晶性シリコン基板と接する領域を有する透光性半導体層と、を有し、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記結晶性シリコン基板の導電型はｎ型であり、
前記透光性半導体層の導電型はｐ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
一対の電極間に、結晶性シリコン基板と、前記結晶性シリコン基板の一方の面と接する領域を有する第１の非晶質シリコン層と、前記第１の非晶質シリコン層と接する領域を有する透光性半導体層と、前記結晶性シリコン基板の他方の面と接する領域を有する第２の非晶質シリコン層と、前記第２の非晶質シリコン層と接する領域を有するシリコン半導体層と、を有し、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
一対の電極間に、結晶性シリコン基板と、前記結晶性シリコン基板の一方の面と接する領域を有する透光性半導体層と、前記結晶性シリコン基板の他方の面と接する領域を有する非晶質シリコン層と、前記非晶質シリコン層と接する領域を有するシリコン半導体層と、を有し、
前記透光性半導体層は、有機化合物及び無機化合物を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記結晶性シリコン基板及び前記シリコン半導体層の導電型はｎ型であり、
前記透光性半導体層の導電型はｐ型であり、
前記非晶質シリコン層はｉ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記透光性半導体層上に透光性導電膜を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記無機化合物は、元素周期表の第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記無機化合物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記有機化合物は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物、ジベンゾフラン骨格もしくはジベンゾチオフェン骨格を含む複素環化合物のいずれかを有することを特徴とする光電変換装置。