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【手続補正書】
【提出日】平成27年11月5日(2015.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気を圧縮するためのインペラと、
前記インペラを収容し前記空気を案内するための空気案内筒と、
前記空気案内筒の周りに巻かれた少なくとも１本のワイヤロープと、
を有する過給機。
【請求項２】
前記空気案内筒を通過した前記空気を外部へ案内するためのスクロール室を形成するスクロール室フレームを更に備え、
前記少なくとも１本のワイヤロープの少なくとも一部は、前記空気案内筒と前記スクロール室フレームとの間に設けられる請求項１に記載の過給機。
【請求項３】
前記少なくとも１本のワイヤロープの前記少なくとも一部は、前記インペラの軸方向において前記インペラの翼の存在範囲内に位置する請求項２に記載の過給機。
【請求項４】
前記インペラの軸方向における前記インペラの翼の存在範囲のうちの少なくとも一部の範囲において、
前記少なくとも１本のワイヤロープが前記インペラの半径方向に積み重なる高さは、前記空気案内筒内を前記空気が流れる方向において上流側に向かうにつれて高くなる請求項３に記載の過給機。
【請求項５】
前記少なくとも１本のワイヤロープの一端部と他端部とをかしめる少なくとも１つのかしめ部材を更に有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の過給機。
【請求項６】
前記ワイヤロープは複数本設けられている請求項１〜５のいずれか１項に記載の過給機。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月30日(2015.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記補強塗膜層は、前記天井面構成材の表面に繊維強化塗料を塗布することで形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の天井落下防止構造。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月19日(2015.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【図１】図１はこの発明の第１実施形態の斜視図である。
【図２】図２は第１実施形態の断面図である。
【図３】図３は第１実施形態の鋼板の斜視図である。
【図４】図４は実施形態の側面アンカーボルトを作用点とするモーメントに関する説明図である。
【図５】図５は第２実施形態の断面図である。
【図６】図６は第３実施形態の鋼板の斜視図である。
【図７】図７は第４実施形態の鋼板の斜視図である。
【図８】図８は第５実施形態の鋼板の斜視図である。
【図９】図９は従来例の補強構造の断面図である。
【図１０】図１０は地震力による回転モーメントに関する説明図である。
【図１１】図１１は従来例の正面アンカーボルトに作用する引張力及び正面アンカーボルトを作用点とするモーメントに関する説明図である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月9日(2015.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程を有し，得られる炭化ジルコニウムのインゴットの大きさが50mm以上であり，密度が5.7g/cm3以上であり，ビッカース硬度が1500以上であることを特徴とする炭化ジルコニウムのインゴットの製造方法：
（1）酸化ジルコニウムと炭素とを混合して混合物を得る工程であって，前記混合物中の酸化ジルコニウムに対する炭素の質量比率が15〜20質量％である工程1，
（2）前記混合物を造粒して造粒物を得る工程2，
（3）アーク式電融炉をアルゴンガスで満たしてプラズマを発生させることにより当該炉内を炭化ジルコニウムの融点以上の温度に保持することにより，前記造粒物を溶融して溶融物を得る工程3，
（4）前記溶融物を徐冷して炭化ジルコニウムのインゴットを得る工程4。
【請求項２】
得られる炭化ジルコニウムのインゴットの大きさが80mm以上であり，密度が6.0g/cm3以上であり，ビッカース硬度が2000以上である，請求項1に記載の製造方法。
【請求項３】
請求項1又は2に記載の製造方法により得られる炭化ジルコニウムのインゴットを粉砕することを特徴とする炭化ジルコニウム粉末の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
即ち，本発明は，下記の炭化ジルコニウムのインゴット及び粉末の製造方法に関する。
1. 下記工程を有し，得られる炭化ジルコニウムのインゴットの大きさが50mm以上であり，密度が5.7g/cm3以上であり，ビッカース硬度が1500以上であることを特徴とする炭化ジルコニウムのインゴットの製造方法：
（1）酸化ジルコニウムと炭素とを混合して混合物を得る工程であって，前記混合物中の酸化ジルコニウムに対する炭素の質量比率が15〜20質量％である工程1，
（2）前記混合物を造粒して造粒物を得る工程2，
（3）アーク式電融炉をアルゴンガスで満たしてプラズマを発生させることにより当該炉内を炭化ジルコニウムの融点以上の温度に保持することにより，前記造粒物を溶融して溶融物を得る工程3，
（4）前記溶融物を徐冷して炭化ジルコニウムのインゴットを得る工程4。
2. 得られる炭化ジルコニウムのインゴットの大きさが80mm以上であり，密度が6.0g/cm3以上であり，ビッカース硬度が2000以上である，上記項1に記載の製造方法。
3. 上記項1又は2に記載の製造方法により得られる炭化ジルコニウムのインゴットを粉砕することを特徴とする炭化ジルコニウム粉末の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月19日(2015.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロロスルファミン酸および／またはクロロスルファミン酸塩により抗菌処理されている冷却水系において、藻類が発生したときに、更にイソチアゾロン系化合物を該冷却水系に添加することを特徴とする冷却水系の殺藻方法。
【請求項２】
請求項１において、前記冷却水系におけるクロロスルファミン酸および／またはクロロスルファミン酸塩の残留塩素濃度が０．５ｍｇ−Ｃｌ２／Ｌ以上であることを特徴とする冷却水系の殺藻方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記冷却水系へのイソチアゾロン系化合物の添加量が０．１〜１０００ｍｇ／Ｌであることを特徴とする冷却水系の殺藻方法。
【請求項４】
塩素系酸化剤及びスルファミン酸化合物、或いはクロロスルファミン酸および／またはクロロスルファミン酸塩からなる抗菌剤と、イソチアゾロン系化合物とを含むことを特徴とする冷却水系の殺藻剤。
【請求項５】
請求項４において、前記抗菌剤とイソチアゾロン系化合物とが分離された２剤型であることを特徴とする冷却水系の殺藻剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】冷却水系の殺藻方法および殺藻剤
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
［１］  クロロスルファミン酸および／またはクロロスルファミン酸塩により抗菌処理されている冷却水系において、藻類が発生したときに、更にイソチアゾロン系化合物を該冷却水系に添加することを特徴とする冷却水系の殺藻方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［２］  ［１］において、前記冷却水系におけるクロロスルファミン酸および／またはクロロスルファミン酸塩の残留塩素濃度が０．５ｍｇ−Ｃｌ２／Ｌ以上であることを特徴とする冷却水系の殺藻方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
［３］  ［１］または［２］において、前記冷却水系へのイソチアゾロン系化合物の添加量が０．１〜１０００ｍｇ／Ｌであることを特徴とする冷却水系の殺藻方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［４］  塩素系酸化剤及びスルファミン酸化合物、或いはクロロスルファミン酸および／またはクロロスルファミン酸塩からなる抗菌剤と、イソチアゾロン系化合物とを含むことを特徴とする冷却水系の殺藻剤。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［５］  ［４］において、前記抗菌剤とイソチアゾロン系化合物とが分離された２剤型であることを特徴とする冷却水系の殺藻剤。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水を含んでもよいメタノールを再結晶溶媒とし、ルリコナゾールを該再結晶溶媒に溶解し、得られた溶液を攪拌しながら再結晶させる工程を含む、ルリコナゾールの結晶の製造方法。
【化１】
2015063566.tif 000001
【請求項２】
前記結晶は、ＣｕＫαを線源とする粉末Ｘ線回折測定の２θ＝５〜３５°の範囲に検出される回折ピークにおいて、（００１）面、（１００）面、（１０−１）面、（０１１）面、（１１０）面、（１１−１）面、（１０−２）面、（１１−２）面、（０２０）面、（０２１）面、（２０−２）面、（１２１）面、（０１３）面、（１１−３）面、（２２１）面に相当する回折ピークのピーク強度をそれぞれI(001)、I（100)、I(10-1)、I(011)、I(110)、I(11-1)、I(10-2)、I(11-2)、I(020)、I(021)、I(20-2)、I(121)、I(013)、I(11-3)、I(221)としたときに、
I(001)、I（100)、I(10-1)、I(011)、I(110)、I(11-1)、I(10-2)、I(11-2)、I(020)、I(021)、I(20-2)、I(121)、I(013)、I(11-3)及びI(221)におけるI(020)が、ピーク強度が高い順から１位又は２位であり、且つ、
I(001)、I（100)、I(10-1)、I(011)、I(110)、I(11-1)、I(10-2)、I(11-2)、I(020)、I(021)、I(20-2)、I(121)、I(013)、I(11-3)、及びI(221)の総和に対するI(020)が２０％以上である、請求項１に記載の結晶の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月18日(2015.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶形Ｉの形態の式Ｉの化合物を含む組成物を調整するプロセスであって、前記プロセスは、水に水溶性有機溶媒中の前記化合物の溶液を添加する工程を含むことを特徴とするプロセス。
【化１】
2015063536.tif 000001
【請求項２】
前記組成物が、結晶形ＩＩの形態の式Ｉの前記化合物を５％未満含有することを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のプロセスであって、前記プロセスは：
前記化合物の前記溶液を加熱する工程；
前記化合物の前記溶液をろ過する工程；
蒸留によって前記化合物の前記溶液の体積を減少させる工程；および
前記化合物の前記溶液を添加する間、水を撹拌する工程のうち、１つ以上の工程をさらに含むことを特徴とするプロセス。
【請求項４】
前記溶媒がアセトン、メタノール、若しくはエタノール、またはそれらの組合せであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記溶媒がアセトンであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記溶液が５０℃未満の温度の水に添加されることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項７】
前記溶液が１０℃〜３０℃の範囲内の温度の水に添加されることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項８】
結晶形ＩＩの形態の式Ｉの化合物を含む組成物を調整するプロセスであって、前記プロセスは、水溶性有機溶媒中の前記化合物の溶液に水を添加する工程を含むことを特徴とするプロセス。
【化２】
2015063536.tif 000002
【請求項９】
前記組成物が、結晶形Ｉの形態の式Ｉの前記化合物を５％未満含有することを特徴とする請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載のプロセスであって、前記プロセスは：
前記化合物の前記溶液をろ過する工程；
蒸留によって前記化合物の前記溶液の体積を減少させる工程；および
前記水を添加する間、前記化合物の前記溶液を撹拌する工程のうち、１つ以上の工程をさらに含むことを特徴とするプロセス。
【請求項１１】
前記溶媒がアセトン、アセトニトリル、１，４−ジオキサン、メタノール、若しくはエタノール、またはそれらの組合せであることを特徴とする請求項８〜請求項１０のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記有機溶媒と水の体積比が１〜１０の範囲内にあることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項１３】
ＣＥＭ−１０１の前記溶液が周囲温度を超えることを特徴とする請求項８〜請求項１２のいずれか１項に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒の存在下で２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンをフッ化水素と接触させることを含む２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンを２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンにフッ化水素化するための方法における触媒としての、
２５〜９９．９モルパーセントの五塩化アンチモン及び０．１〜７５モルパーセントのルイス酸の金属からなる組成物の使用。
【請求項２】
前記ルイス酸の金属が、ＳｂＣｌ３、ＴｉＣｌ４、ＳｎＣｌ４、ＴａＣｌ５、ＮｂＣｌ５、ＮｂＣｌ３、ＺｒＣｌ４、及びＨｆＣｌ４からなる群から選択される、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記組成物が、５０〜９８モルパーセントの五塩化アンチモン及び２〜５０モルパーセントのルイス酸の金属からなる、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
前記組成物が、７５〜９５モルパーセントの五塩化アンチモン及び５〜２５モルパーセントのルイス酸の金属からなる、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
五塩化アンチモンの触媒の存在下で出発材料をフッ化水素化することを含む２−クロロ−１，１，１，２−テトラフルオロプロパンを製造するための方法における出発材料としての、７５〜９９．９モルパーセントの２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンと、０．１〜２５モルパーセントの、少なくとも１つの塩素原子を有する１種又はそれより多い他の炭化水素からなる組成物の使用。
【請求項６】
前記組成物が、８５〜９９．５モルパーセントの２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンと、０．５〜１５モルパーセントの、少なくとも１つの塩素原子を有する１種又はそれより多い他の炭化水素からなる、請求項５に記載の使用。
【請求項７】
前記組成物が、９０〜９９モルパーセントの２−クロロ−３，３，３−トリフルオロプロペンと、１〜１０モルパーセントの、少なくとも１つの塩素原子を有する１種又はそれより多い他の炭化水素からなる、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記１種又はそれより多い他の炭化水素が、１，１，２，３−テトラクロロプロペン、２，３−ジクロロ−３，３−ジフルオロプロペン、２，３，３−トリクロロ−３−フルオロプロペン、及び１，１，１，２，３−ペンタクロロプロパン（ＨＣＣ−２４０ｄｂ）からなる群から選択される、請求項５〜７のいずれかに記載の使用。
【請求項９】
前記フッ化水素化反応が、３０℃〜２００℃の温度で行われる、請求項１〜８のいずれかに記載の使用。
【請求項１０】
前記フッ化水素化反応が、５０℃〜１５０℃の温度で行われる、請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
前記フッ化水素化反応が、７５℃〜１２５℃の温度で行われる、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
前記フッ化水素化反応が、５ｐｓｉａ〜２００ｐｓｉａの圧力で行われる、請求項１〜１１のいずれかに記載の使用。
【請求項１３】
前記触媒が、炭素、アルミナ、フッ素化されたアルミナ、フッ化アルミニウム、アルカリ土類金属の酸化物、フッ素化されたアルカリ土類金属、酸化亜鉛、フッ化亜鉛、酸化スズ、及びフッ化スズからなる群から選ばれる少なくとも１種によって支持される、請求項１〜１２のいずれかに記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月18日(2015.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリング・レベル最大電力点分散型太陽光（ＰＶ）発電所（５０）であって、
１または複数のｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）と、
少なくとも１つのＰＶモジュール・ストリングであって、
各ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）が少なくとも１つの対応するＰＶモジュール・ストリングから電力を受け取り、
少なくとも１つのｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）が、その対応するＰＶモジュール・ストリングのそれぞれから入手できる全システム電力に基づいて共通のｄｃ−バス（５８）に電力を伝達するように構成され、その伝達が、前記共通のｄｃ−バス（５８）に電力を伝達する各ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）が継続的にその最適効率範囲内で動作して前記ＰＶ発電所（５０）のエネルギー収量を増加させるように、行なわれるように、
構成される、ＰＶモジュール・ストリングと、
少なくとも１つの結合器ボックス（５２）と、
を備え、
各結合器ボックス（５２）は、
少なくとも１つのローカル制御ユニット（５１）であって、各ローカル制御ユニット（５１）は、外部通信バスを介して受け取ったコマンドに基づいて前記１または複数のｄｃ−ｄｃコンバータから選択される単一のｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）を制御するように構成される、少なくとも１つのローカル制御ユニット（５１）と、
ローカル制御ユニット（５１）間の通信をもたらすように構成されたローカル・データ・バスであって、各ローカル制御ユニット（５１）が、その対応するｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）の動作を選択および制御するように構成され、その選択および制御が、少なくとも１つのｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）がその対応するＰＶモジュール・ストリングのそれぞれから入手できる前記全システム電力に基づいて共通のｄｃ−バスに電力を伝達するように、さらに前記共通のｄｃ−バスに電力を伝達する各ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）が継続的にその最適効率範囲内で動作して前記ＰＶ発電所（５０）の前記エネルギー収量を増加させるように、行なわれるように、構成される、ローカル・データ・バスと、
を備える、
ストリング・レベル最大電力点分散型太陽光（ＰＶ）発電所（５０）。
【請求項２】
少なくとも１つのｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）は、対応するｄｃ−ａｃコンバータとともに、２段階の中央インバータをもたらすように構成されている、請求項１に記載の発電所（５０）。
【請求項３】
対応するｄｃ−ａｃコンバータとともに２段階の中央インバータをもたらすように構成される各ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）は、交互配置バック・ブースト・ストリング・コンバータ・トポロジを含む請求項２に記載の発電所（５０）。
【請求項４】
前記１または複数のｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）と前記少なくとも１つのＰＶモジュール・ストリングとは、全体として、ＰＶモジュール・ストリング結合器分散構造をもたらすように構成される請求項１に記載の発電所（５０）。
【請求項５】
前記１または複数のｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）と前記少なくとも１つのＰＶモジュール・ストリングとは、全体として、ＰＶモジュール・ストリング分散構造をもたらすように構成される請求項１に記載の発電所（５０）。
【請求項６】
各結合器ボックス（５２）は、中央制御ユニット（８４）であって、前記中央制御ユニット（８４）を介して与えられるコマンドに基づいて前記ローカル制御ユニット（５１）の動作を制御するように構成された中央制御ユニット（８４）をさらに備える請求項１に記載の発電所（５０）。
【請求項７】
少なくとも１つのｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）は、交互配置バック・ブースト・ストリング・コンバータ・トポロジを含む請求項１に記載の発電所（５０）。
【請求項８】
ストリング・レベル最大電力点分散型太陽光（ＰＶ）発電所（５０）であって、複数の分散型ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）を備え、前記複数の分散型ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）は、互いに調整して切り替わるように構成され、その切り替わりが、少なくとも１つのｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）が１または複数の対応するＰＶモジュール・ストリングから入手できる全システム電力に基づいて共通のｄｃ−バスに電力を伝達するように、さらに前記共通のｄｃ−バスに電力を伝達する各ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）が継続的にその最適効率範囲内で動作して前記ＰＶ発電所（５０）の前記エネルギー収量を増加させるように、行なわれるように、構成され、
前記複数の分散型ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）は、グローバル最大電力点検索に参加するｄｃ−ｄｃコンバータが互いに干渉して、ＰＶ発電所出力電力の断続的な低下が生じないように、グローバル最大電力点検索を調整するように構成されている、
ストリング・レベル最大電力点分散型太陽光（ＰＶ）発電所（５０）。
【請求項９】
複数の分散型ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）と、
複数の機械または半導体スイッチ（５３）と、
複数のローカル制御器（５１）または中央制御ユニット（８４）と、
を備えるストリング・レベル最大電力点分散型太陽光（ＰＶ）発電所（５０）であって、
前記複数の分散型ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）は、互いに調整して切り替わるように構成され、その切り替わりが、少なくとも１つのｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）が１または複数の対応するＰＶモジュール・ストリングから入手できる全システム電力に基づいて共通のｄｃ−バスに電力を伝達するように、さらに前記共通のｄｃ−バスに電力を伝達する各ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）が継続的にその最適効率範囲内で動作して前記ＰＶ発電所（５０）の前記エネルギー収量を増加させるように、行なわれるように、構成され、
前記複数の機械または半導体スイッチ（５３）が、前記複数のローカル制御器（５１）または前記中央制御ユニット（８４）から受け取る信号に応答して前記ｄｃ−ｄｃコンバータ（５４）間の電力フローを制御するように構成される、
ストリング・レベル最大電力点分散型太陽光（ＰＶ）発電所（５０）。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
前記絶縁層は、上端部に曲面を有し、
前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、結晶を有し、
前記結晶は、前記曲面をなす表面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
前記絶縁層は、上端部に曲面を有し、
前記絶縁層は、側面にテーパを有し、
前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、結晶を有し、
前記結晶は、前記曲面をなす表面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
前記絶縁層は、上端部に曲面を有し、
前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、結晶を有し、
前記結晶は、前記曲面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
前記絶縁層は、上端部に曲面を有し、
前記絶縁層は、側面にテーパを有し、
前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、結晶を有し、
前記結晶は、前記曲面に概略垂直なｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年2月18日(2015.2.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体層と、
前記複数の半導体層の上のソース電極およびドレイン電極と、
前記複数の半導体層の上にあり、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のゲートと、
前記ゲートおよび前記ドレイン電極の間にある前記複数の半導体層の表面の少なくとも一部を覆う、または、前記ゲートおよび前記ソース電極の間にある前記複数の半導体層の表面の少なくとも一部を覆うスペーサ層と、
前記スペーサ層上のフィールドプレートと、
前記複数の半導体層により覆われた領域の外側を延びており、前記フィールドプレートと前記ソース電極の間において前記フィールドプレートを前記ソース電極に電気的に接続する導電性経路と
を備えるトランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極をさらに備え、前記導電性経路は、前記ゲート電極とは反対側の前記複数の半導体層の外側を延びる、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
ゲート電極をさらに備え、前記導電性経路は、前記ゲート電極と同じ側の前記複数の半導体層の外側を延びる、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記フィールドプレートを前記ソース電極に電気的に接続し、前記導電性経路とは反対側の前記複数の半導体層により覆われた領域の外側を延びる第二の導電性経路をさらに備える請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記フィールドプレートは、前記スペーサ層上において、前記ゲートの一端から前記ドレイン電極に向かって延びている、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記スペーサ層は少なくとも部分的に前記ゲートを覆っており、前記フィールドプレートは、少なくとも部分的に前記ゲートを覆っており、かつ、前記スペーサ層上において前記ゲートの一端から前記ドレイン電極に向かって延びている、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記複数の半導体層は、ガリウム窒化物ベースである、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記スペーサ層は、誘電材料を有する、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記ゲートは、ガンマ形状をなし、その一部がソース電極へ向かって延びる、請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
バッファ層の上のバリヤ層と、
前記バリヤ層の上のソース電極およびドレイン電極と、
前記バリヤ層の上であって、前記ソース電極および前記ドレイン電極の間のゲートと、
前記ゲートおよび前記ソース電極の間にある前記バッファ層の少なくとも一部を覆い、かつ、前記ゲートおよび前記ドレイン電極の間にある前記バリヤ層の少なくとも一部を覆うスペーサ層と、
前記バリヤ層から絶縁された前記スペーサ層上であって、前記ゲートから前記ドレイン電極へ距離Ｌｆだけ延びている、フィールドプレートと
を備え、
前記フィールドプレートは少なくとも一つの導電構造によって前記ソース電極に電気的に接続されており、前記ゲートと前記ソース電極の間の表面は前記導電構造によって覆われておらず、前記導電構造は前記ゲートとソース電極の間の表面の外側を延びている
トランジスタ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
代替的に、フィールドプレート３０は、ＨＥＭＴ１０の活性領域、フィールドプレートおよびソース電極２０の外側を延びる導電性経路３４を介して、ソース電極２０に電気的に接続することができる。図１に示すように、経路３４は、ゲート電極２８の反対側におけるＨＥＭＴの活性領域の外側を延びている。本発明の代替実施形態においては、導電性経路は、ゲート電極２８側のＨＥＭＴ１０の活性領域の外側を延びるか、またはＨＥＭＴ１０は、ＨＥＭＴ１０の同じ側または反対側の外に延びる２つ以上の導電性経路を含んでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月23日(2015.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、以下：
基板を提供すること（ここで、基板はゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金を含む）；
ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること［ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として：
水；
０．１〜５重量％の砥粒（ここで、砥粒は、１１０〜１３０nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である）；
０．００１〜５重量％の、フタル酸、フタル酸無水物、フタラート化合物及びフタル酸誘導体の少なくとも一種；
０．００１〜５重量％のキレート化剤（ここで、キレート化剤は、エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される）；
０．００１〜０．１重量％のポリ（アクリル酸−ｃｏ−マレイン酸）；
０．００１〜３重量％の酸化剤（ここで、酸化剤は、過酸化水素である）を含み；
ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、７．１〜１２のｐＨを有する］；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の接触面に動的接触を作り出すこと；ならびに
ケミカルメカニカルポリッシング組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の接触面又は近傍でケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入すること；を含み、
ここで、少なくとも幾らかのゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金が基板から除去され；ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２００mm研磨機でプラテン速度毎分６０回転、キャリア速度毎分５５回転、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、及び名目ダウンフォース８．２７kPa（１．２psi）で、少なくとも１，０００Å/分のゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金の除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含有するポリウレタン研磨層を含み；そしてケミカルメカニカルポリッシング組成物が、研磨後のＳＰ１欠陥（＞０．１６μm）数２００以下と同時に少なくとも１，０００Å/分のゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金の除去速度を促進する、方法。
【請求項２】
基板がさらにＳｉ３Ｎ４を含み；少なくとも幾らかのＳｉ３Ｎ４が基板から除去され；ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ３Ｎ４除去速度選択比が≧１０：１を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基板がさらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；少なくとも幾らかのＴＥＯＳが基板から除去され、ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１０：１を示す、請求項１記載の方法。
【請求項４】
基板が、さらにＳｉ３Ｎ４を含み；少なくとも幾らかのＳｉ３Ｎ４が基板から除去され；ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ３Ｎ４除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；少なくとも幾らかのＴＥＯＳが基板から除去され；ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
研磨後のＳＰ１欠陥の１７５以下が、テルル残渣欠陥である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
基板が、さらにＳｉ３Ｎ４を含み；少なくとも幾らかのＳｉ３Ｎ４が基板から除去され；ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ３Ｎ４除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；少なくとも幾らかのＴＥＯＳが基板から除去され；ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月13日(2015.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法、及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を形成し、
前記絶縁層にエッチング処理を行って、トレンチを形成し、
前記トレンチが形成された絶縁層に、プラズマ処理を行って、前記トレンチの上端部に曲面を形成し、
前記絶縁層上に、酸化物半導体層を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体層は、結晶部を有し、
前記結晶部は、前記酸化物半導体層の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
トレンチを有する、絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
前記トレンチの上端部は、曲面を有し、
前記酸化物半導体層は、前記曲面に接する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、結晶部を有し、
前記結晶部は、前記酸化物半導体層の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
トレンチを有する、絶縁層と、
前記絶縁層上の、酸化物半導体層と、を有し、
前記トレンチの上端部は、第１の曲面を有し、
前記トレンチの下端部は、第２の曲面を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第１の曲面に接する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、前記第２の曲面に接する第２の領域を有し、
前記酸化物半導体層は、結晶部を有し、
前記結晶部は、前記酸化物半導体層の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に沿うｃ軸を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記酸化物半導体層は、前記トレンチの側面と接する第３の領域と、前記トレンチの底面と接する第４の領域とを有し、
前記第３の領域の結晶部が有するｃ軸は、前記第４の領域の結晶部が有するｃ軸とは異なる方向を向いていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁層は、曲面を有する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁層の曲面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記絶縁層の曲面に概略垂直なｃ軸を有する結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁層と、酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁層は、曲面を有する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁層の曲面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記絶縁層の曲面に概略垂直なｃ軸を有する結晶を有し、
前記結晶は、前記絶縁層の曲面に沿った層状構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁層と、酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁層は、複数のトレンチを有し、
前記トレンチは、下端に曲面を有する領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁層の曲面に接する第１の領域を有し、
前記第１の領域は、前記絶縁層の曲面に概略垂直なｃ軸を有する結晶を有し、
前記結晶は、前記絶縁層の曲面に沿った層状構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記絶縁層の曲面は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の曲率半径を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月20日(2015.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板のケミカルメカニカルポリッシングのための方法であって、以下：
基板を提供すること（ここで、基板は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金を含む）；
ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供すること（ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、初期成分として：
水；
０．１〜５重量％の砥粒（ここで、砥粒は、１１０〜１３０nmの平均粒径を有するコロイダルシリカ砥粒である）；
０．００１〜５重量％の、エチレンジアミン四酢酸及びその塩より選択される材料；
０．００１〜３重量％の酸化剤（ここで、酸化剤は、過酸化水素である）；から実質的になり、
ここで、ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、７．１〜１２のｐＨを有する）；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供すること；
ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板との間の接触面に動的接触を作り出すこと；ならびに
ケミカルメカニカルポリッシング組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の間の接触面又は近傍でケミカルメカニカルポリッシングパッド上に注入すること（ここで、少なくとも幾らかのゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金が、基板から除去される）；を含み、
そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、２００mm研磨機でプラテン速度毎分６０回転、キャリア速度毎分５５回転、ケミカルメカニカルポリッシング組成物の流速２００ml/分、及び名目ダウンフォース８．２７kPa（１．２psi）で、１，０００Å/分以上のゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金の除去速度を示し、ケミカルメカニカルポリッシングパッドが、高分子中空コア微粒子及びポリウレタン含浸不織布サブパッドを含有するポリウレタン研磨層を含み、
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、研磨後のＳＰ１欠陥（＞０．１６μm）数３００以下と同時に１，０００Å/分以上のゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金の除去速度を促進する、方法。
【請求項２】
基板が、さらにＳｉ３Ｎ４を含み；少なくとも幾らかのＳｉ３Ｎ４が基板から除去され；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ３Ｎ４除去速度選択比が≧１０：１を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１０：１を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ３Ｎ４除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；少なくとも幾らかのＴＥＯＳが基板から除去され；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
研磨後のＳＰ１欠陥の２００以下が、テルル残渣欠陥である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
基板が、さらにＳｉ３Ｎ４を含み；少なくとも幾らかのＳｉ３Ｎ４が基板から除去され；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：Ｓｉ３Ｎ４除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基板が、さらにオルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）を含み；少なくとも幾らかのＴＥＯＳが基板から除去され；そして、ケミカルメカニカルポリッシング組成物が、ゲルマニウム−アンチモン−テルル相変化合金：ＴＥＯＳ除去速度選択比が≧１５：１を示す、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月26日(2015.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘弾性層と、
前記粘弾性層の厚み方向一方面に設けられる基材とを備え、
前記基材は、
前記粘弾性層の前記厚み方向に延びる複数の第１壁と、
前記複数の第１壁における前記厚み方向端部を連結する第２壁と
を備え、
前記粘弾性層は、ブチル系ゴムからなり、
中央加振法によって測定される２次共振点における損失係数は、
温度６０℃において、０．０７５以上であり、
温度８０℃において、０．０４以上であり、
温度１００℃において、０．０２以上であることを特徴とする、制振材。
【請求項２】
粘弾性層と、
前記粘弾性層の厚み方向一方面に設けられる基材とを備え、
前記基材は、
前記粘弾性層の前記厚み方向に延びる複数の第１壁と、
前記複数の第１壁における前記厚み方向端部を連結する第２壁と
を備え、
前記粘弾性層は、アクリル系ゴムからなり、
中央加振法によって測定される２次共振点における損失係数は、
温度６０℃において、０．１４以上であり、
温度８０℃において、０．０７５以上であり、
温度１００℃において、０．０５以上であることを特徴とする、制振材。
【請求項３】
粘弾性層と、
前記粘弾性層の厚み方向一方面に設けられる基材と、
前記厚み方向において前記基材に対する前記粘弾性層の反対側に設けられる拘束層と、
前記基材と前記拘束層との間に介在する第２粘弾性層と
を備え、
前記基材は、
前記粘弾性層の前記厚み方向に延びる複数の第１壁と、
前記複数の第１壁における前記厚み方向端部を連結する第２壁と
を備え、
前記粘弾性層および前記第２粘弾性層は、ともにブチル系ゴムを含有し、
中央加振法によって測定される２次共振点における損失係数が、温度０〜１００℃の全てにおいて、０．１以上であることを特徴とする、制振材。
【請求項４】
粘弾性層と、
前記粘弾性層の厚み方向一方面に設けられる基材と、
前記厚み方向において前記基材に対する前記粘弾性層の反対側に設けられる拘束層と、
前記基材と前記拘束層との間に介在する第２粘弾性層と
を備え、
前記基材は、
前記粘弾性層の前記厚み方向に延びる複数の第１壁と、
前記複数の第１壁における前記厚み方向端部を連結する第２壁と
を備え、
前記粘弾性層および前記第２粘弾性層は、ともにブチル系ゴムを含有し、
中央加振法によって測定される２次共振点における損失係数が、温度２０〜４０℃の全てにおいて、０．５以上であることを特徴とする、制振材。
【請求項５】
粘弾性層と、
前記粘弾性層の厚み方向一方面に設けられる基材と、
前記厚み方向において前記基材に対する前記粘弾性層の反対側に設けられる拘束層と、
前記基材と前記拘束層との間に介在する第２粘弾性層と
を備え、
前記基材は、
前記粘弾性層の前記厚み方向に延びる複数の第１壁と、
前記複数の第１壁における前記厚み方向端部を連結する第２壁と
を備え、
前記粘弾性層は、アクリル系ゴムを含有し、
前記第２粘弾性層は、ブチル系ゴムを含有し、
中央加振法によって測定される２次共振点における損失係数が、温度２０〜８０℃の全てにおいて、０．０４以上であることを特徴とする、制振材。
【請求項６】
粘弾性層と、
前記粘弾性層の厚み方向一方面に設けられる基材と、
前記厚み方向において前記基材に対する前記粘弾性層の反対側に設けられる拘束層と、
前記基材と前記拘束層との間に介在する第２粘弾性層と
を備え、
前記基材は、
前記粘弾性層の前記厚み方向に延びる複数の第１壁と、
前記複数の第１壁における前記厚み方向端部を連結する第２壁と
を備え、
前記粘弾性層は、アクリル系ゴムを含有し、
前記第２粘弾性層は、ブチル系ゴムを含有し、
中央加振法によって測定される２次共振点における損失係数が、温度６０〜８０℃の全てにおいて、０．３以上であることを特徴とする、制振材。
【請求項７】
前記第２壁は、前記第１壁の前記厚み方向における前記粘弾性層側に対する反対側の端部を連結する第１連結壁を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の制振材。
【請求項８】
前記第２壁は、前記第１壁の前記厚み方向における粘弾性層側の端部を連結する第２連結壁を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の制振材。
【請求項９】
前記複数の第１壁は、前記厚み方向に直交する方向において互いに独立して設けられることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の制振材。
【請求項１０】
前記複数の第１壁は、前記厚み方向に直交する方向において互いに連結されていることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の制振材。
【請求項１１】
前記基材は、樹脂からなることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の制振材。
【請求項１２】
前記基材の前記厚み方向長さの、前記粘弾性層の厚みに対する比が、０．５以上、５０未満であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の制振材。
【請求項１３】
前記粘弾性層の厚みが、２ｍｍ以上、６ｍｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の制振材。
【請求項１４】
前記厚み方向において前記基材に対する前記粘弾性層の反対側に設けられる拘束層と、
前記基材と前記拘束層との間に介在する第２粘弾性層と
をさらに備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の制振材。
【請求項１５】
前記第２粘弾性層は、ブチル系ゴムを含有することを特徴とする、請求項１４に記載の制振材。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成27年3月2日(2015.3.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
米国特許出願公開公報２００５／００６４２０５には、透明耐熱平板ガラスからなり、幾分不透明な窓が設けられたガラス製品について記載されている。この窓を通した可視光の平均透過率は波長３７０〜３８０ｎｍにおいて０．０３〜１４％であり、赤外域における波長１０００〜２５００ｎｍでの平均反射率は少なくとも５０％である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
前記ＩＴＯ層及びバリア層は共同して反射体及び干渉系として働く。この干渉系を用いてプラズマエッジ（plasma edge）をより低波長側へずらすことが可能である。この場合、プラズマエッジは好ましくは１２００〜１３００ｎｍの範囲内である。バリア層（Ｂ）の厚さは該バリア層の屈折率に対応して選択される。プラズマエッジの低波長側への転移はこのような干渉光学効果によって達成可能である。もちろん、約２００ｎｍ、好ましくは３００ｎｍの波長において７０％の反射率は好ましい反射率である。反射率７０％は４００ｎｍ以上の波長において特に好ましい反射率である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
基板、
インジウム酸化錫（ＩＴＯ）を含有し、かつ該基板の少なくとも片面上へ設けられる熱反射層であって、１２００〜１３００ｎｍのプラズマエッジを有する熱反射層（Ａ）と、
前記熱反射層（Ａ）を被覆するための層であって、少なくとも１種の金属酸化物及び少なくとも１種の金属窒化物を含有するバリア層であって、熱反射層と共同して干渉系となって反射率７０％で２００ｎｍのプラズマエッジの低波長側への転移をもたらすような厚さであるバリア層（Ｂ）、
から構成される、５００℃以下の温度に対して高耐熱性である熱反射配列構造体。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１４】
基板と、
インジウム酸化錫（ＩＴＯ）を含有し、かつ該基板の少なくとも片面上へ設けられる熱反射層であって、１２００〜１３００ｎｍのプラズマエッジを有する熱反射層（Ａ）と、
少なくとも１種の金属酸化物及び又は少なくとも１種の金属窒化物を含有し、かつ前記熱反射層（Ａ）を被覆するバリア層であって、熱反射層と共同して干渉系となって反射率７０％で２００ｎｍのプラズマエッジの低波長側への転移をもたらすような厚さであるバリア層（Ｂ）から構成される熱反射配列構造体の製造方法であって、
ａ）スパッタリング処理を用いて基板上へ熱反射層（Ａ）を処理する工程と、
ｂ）熱反射層（Ａ）の処理後に、該熱反射層の全体上へバリア層（Ｂ）を処理する工程から構成されることを特徴とする前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月13日(2014.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線イメージング・システム（１０）に配置された被検体（１４）に関して、前記Ｘ線イメージング・システムの視野の部分面積である関心領域（５６）を識別するステップであって、前記関心領域（５６）は、前記Ｘ線イメージング・システム（１０）に関して操作者により操作されるポインティング・デバイス（５０）を介して識別される、前記ステップと、
前記関心領域を前記Ｘ線イメージング・システムの座標へ変換する（６２）ステップと、
前記変換後の座標（６４）に基づいて前記被検体についての前記Ｘ線イメージング・システムの撮像系列時にＸ線曝射を制御するステップと、
取得されたＸ線画像（５２）に対して操作者に前記関心領域を表示するステップと
を備えたＸ線撮像の方法。
【請求項２】
Ｘ線イメージング・システム（１０）に配置された被検体（１４）の画像を生成するステップと、
前記Ｘ線イメージング・システムに配置された前記被検体（１４）に対して関心領域（５６）を識別するステップであって、前記関心領域（５６）は前記画像の参照により識別され、前記関心領域（５６）は前記Ｘ線イメージング・システムの視野の部分面積である、前記ステップと、
前記関心領域（５６）に基づいて前記被検体についての前記Ｘ線イメージング・システムの撮像系列時にＸ線曝射を制御するステップと、
前記Ｘ線曝射の間に前記関心領域（５６）について曝射の積分を表わす信号を監視するステップと、
を備えたＸ線撮像の方法。
【請求項３】
前記被検体（１４）の画像（５２）を形成するステップを含んでおり、前記関心領域（５６）は前記画像の参照により識別される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記画像（５２）はＸ線事前撮影画像又は、前記被検体のカメラ（４２）画像を含んでいる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記画像をモニタ（４０）に表示するステップを含んでおり、前記関心領域（５６）を識別するステップは、前記表示された画像において前記関心領域（５６）の位置を識別することを含んでいる、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記関心領域（５６）を前記Ｘ線イメージング・システムの座標（６４）へ変換するステップは、前記関心領域（５６）に対応するディジタルＸ線検出器（２４）の領域を決定することを含んでいる、請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記変換後の座標（６４）に基づいてＸ線曝射を制御するステップは、該曝射の少なくともミリアンペア秒（ｍＡｓ）及びキロボルト（ｋＶ）を制御することを含んでいる、請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記Ｘ線曝射は閉ループ態様で制御される、請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記Ｘ線曝射は、ディジタルＸ線検出器（２４）に隣接して配設される１又は複数のセンサ（４６）からのフィードバックに基づいて制御される、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月26日(2015.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレベータの主ロープを取り替える時に用いられ、架台を介して昇降路内に設けられた巻上機の近傍に配置される主ロープ取り替え用補助具であって、
貫通孔が形成されたガイドと、
前記ガイドが設けられ、ロープ出入口から前記巻上機の外に出た主ロープが前記貫通孔を通過するように前記ガイドを配置するための支持体と、
前記支持体を前記架台に固定するためのボルトと、
を備え、
前記ガイドは、前記支持体が前記ボルトによって前記架台に固定されることにより、前記巻上機より上方に配置される主ロープ取り替え用補助具。
【請求項２】
前記ガイドは、
第１凹部が形成された第１ガイド部と、
第２凹部が形成された第２ガイド部と、
前記第２ガイド部を前記第１ガイド部に固定するための固定手段と、
を備え、
前記固定手段によって前記第２ガイド部が前記第１ガイド部に固定されることにより、前記第１凹部と前記第２凹部とによって前記貫通孔が形成される請求項１に記載の主ロープ取り替え用補助具。
【請求項３】
前記支持体は、前記架台のうち前記巻上機より上方に配置された部分に前記ボルトによって固定され、
前記ガイドは、前記支持体が前記ボルトによって前記架台に固定されることにより、前記架台より上方に配置される
請求項１又は請求項２に記載の主ロープ取り替え用補助具。
【請求項４】
前記支持体に、前記貫通孔の軸方向に長手を有する長孔が形成され、
前記支持体は、前記長孔を介して前記ボルトによって前記架台に固定され、
前記支持体を前記架台に固定する際に、前記ガイドの位置が上下方向に調整可能である
請求項１から請求項３の何れか一項に記載の主ロープ取り替え用補助具。
【請求項５】
前記支持体を前記架台に固定する際に、前記ボルトの軸が前記巻上機の綱車の回転軸と平行になるように配置され、前記ガイドの位置が前記ボルトの軸を中心に回転する方向に調整可能である請求項１から請求項４の何れか一項に記載の主ロープ取り替え用補助具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたものである。この発明の目的は、主ロープの取り替えを行う際にその作業を円滑に行うことができる主ロープ取り替え用補助具を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係る主ロープ取り替え用補助具は、エレベータの主ロープを取り替える時に用いられ、架台を介して昇降路内に設けられた巻上機の近傍に配置される主ロープ取り替え用補助具であって、貫通孔が形成されたガイドと、ガイドが設けられ、ロープ出入口から巻上機の外に出た主ロープが貫通孔を通過するようにガイドを配置するための支持体と、支持体を架台に固定するためのボルトと、を備え、ガイドは、支持体がボルトによって架台に固定されることにより、巻上機より上方に配置されるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明に係る補助具を使用することにより、エレベータの主ロープの取り替えを行う際にその作業を円滑に行うことができる。