【手続補正書】
【提出日】平成27年6月29日(2015.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第５のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第７のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続されることを徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタの第１のゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第５のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第７のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続されることを徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタを有し、
前記第１乃至第９のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第５のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第７のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続されることを徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１のトランジスタ乃至第９のトランジスタを有し、
前記第１乃至第９のトランジスタのそれぞれは、酸化物半導体をチャネル形成領域に有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第９のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第８のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第５のトランジスタの第１のゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタの第１のゲートと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタの第１のゲートは、前記第４のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第５のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの第２のゲートは、前記第７のトランジスタの第２のゲートと電気的に接続されることを徴とする半導体装置。