Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上方の第１のトランジスタと、
前記第１の基板上方の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されている発光素子と、
前記第１のトランジスタ上方及び前記第２のトランジスタ上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の画素電極と、
前記画素電極上方の液晶層と、
前記液晶層上方の第２の基板と、を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記画素電極と電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の基板と、
前記第１の基板上方の第１のトランジスタと、
前記第１の基板上方の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されている発光素子と、
前記第１のトランジスタ上方及び前記第２のトランジスタ上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の画素電極と、
前記画素電極上方の液晶層と、
前記液晶層上方の第２の基板と、を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記画素電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有する第２の絶縁層は、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の基板と、
前記第１の基板上方の第１のトランジスタと、
前記第１の基板上方の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されている発光素子と、
前記第１のトランジスタ上方及び前記第２のトランジスタ上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の画素電極と、
前記画素電極上方の液晶層と、
前記液晶層上方の第２の基板と、を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記画素電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
前記第１の半導体層は、第３の絶縁層と接する領域を有し、
前記第１の半導体層は、前記第３の絶縁層と接する領域を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１の基板と、
前記第１の基板上方の第１のトランジスタと、
前記第１の基板上方の第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されている発光素子と、
前記第１のトランジスタ上方及び前記第２のトランジスタ上方の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上方の画素電極と、
前記画素電極上方の液晶層と、
前記液晶層上方の第２の基板と、を有し、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインは、前記画素電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有する第２の絶縁層は、前記第２のトランジスタのゲート絶縁膜として機能する領域を有し、
前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
前記第１の半導体層は、第３の絶縁層と接する領域を有し、
前記第１の半導体層は、前記第３の絶縁層と接する領域を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演奏情報に応じた楽音データを生成する音源と、
入力される音データの振幅が閾値を超える毎に、当該音データを所定時間長分複数個取得する音データ取得手段と、
前記音データ取得手段が取得した複数個の音データを連結してループデータを形成するループデータ形成手段と、
前記ループデータ形成手段により形成されたループデータを繰り返し出力する繰り返し手段と
前記楽音データ及び前記繰り返し出力されるループデータに基づいた音を発音するサウンドシステムと、
を具備することを特徴とする電子楽器。
【請求項２】
前記電子楽器はさらに、演奏操作に応じた演奏情報を生成する演奏情報生成手段を有し、
前記音源は、前記演奏情報生成手段にて生成された演奏情報に応じた楽音データを生成する、請求項１に記載の電子楽器。
【請求項３】
前記電子楽器は、テンポ及び拍子を設定する手段をさらに有し、
前記音データ取得手段は、前記設定されたテンポ及び拍子に基づいて決定される拍に対応する時間長の音データを複数取得し、
前記ループデータ形成手段は、前記取得された複数の音データを、所定小節分連結してループデータを形成することを特徴とする請求項１または２に記載の電子楽器。
【請求項４】
前記音データ取得手段は、
現在取得中の音データが無音となる区間を検出する無音区間検出手段と、
この無音区間検出手段により現在取得中の音データの無音区間が検出された場合に、次に入力される音データの取得開始を指示する開始指示手段と
を備えることを特徴とする請求項１記載の電子楽器。
【請求項５】
演奏操作に応じた演奏情報を生成する演奏情報生成手段と、前記演奏情報生成手段にて生成された演奏情報に応じた楽音データを生成する音源と、サウンドシステムと、を有する電子楽器として用いられるコンピュータに、
入力される音データの振幅が閾値を超える毎に当該音データを所定時間長分複数個取得するステップと、
前記取得した複数個の音データを連結してループデータを形成するステップと、
前記形成されたループデータを繰り返し出力するステップと、
前記サウンドシステムに、前記楽音データ及び前記繰り返し出力されるループデータに基づいた音を発音させるステップと、
を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項６】
前記プログラムは、テンポ及び拍子を設定するステップをさらに有し、
前記音データ取得ステップは、前記設定されたテンポ及び拍子に基づいて決定される拍に対応する時間長の音データを複数取得し、
前記ループデータ形成ステップは、前記取得された複数の音データを、所定小節分連結してループデータを形成することを特徴とする請求項５記載の特徴とするプログラム。
【請求項７】
前記音データ取得ステップは、
現在取得中の音データが無音となる区間を検出する無音区間検出ステップと、
この無音区間検出ステップにより現在取得中の音データの無音区間が検出された場合に、次に入力される音データの取得開始を指示する開始指示ステップと
を備えることを特徴とする請求項５記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子楽器およびプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、一定時間録音した素材を繰り返し再生しながら、その繰り返し再生される素材に新たな素材を多重録音する録音再生装置を備えた電子楽器およびプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、正確なテンポのループデータを簡単に作成することができる録音再生装置を備えた電子楽器およびプログラムを提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の電子楽器は、演奏情報に応じた楽音データを生成する音源と、入力される音データの振幅が閾値を超える毎に、当該音データを所定時間長分複数個取得する音データ取得手段と、前記音データ取得手段が取得した複数個の音データを連結してループデータを形成するループデータ形成手段と、前記ループデータ形成手段により形成されたループデータを繰り返し出力する繰り返し手段と前記楽音データ及び前記繰り返し出力されるループデータに基づいた音を発音するサウンドシステムと、を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月14日(2015.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質をそれぞれ含む負極板と正極板、該負極板と正極板との間に介在するマットセパレータ、および電解液を備えた制御弁式鉛蓄電池であって、
電解液が、負極板、正極板およびマットセパレータの有する全空孔体積に対して１００．０〜１０６．５体積％の量で含有されていることを特徴とする制御弁式鉛蓄電池。
【請求項２】
電解液の含有量が負極板、正極板およびマットセパレータの有する全空孔体積に対して１０１．４〜１０６．５体積％である請求項１に記載の制御弁式鉛蓄電池。
【請求項３】
負極板が０．１８０〜０．２０９ｍｌ／ｃｍ3の空孔体積を有し、
正極板が０．１４９〜０．１７８ｍｌ／ｃｍ3の空孔体積を有し、
マットセパレータが１９．６ＫＰａ／ｄｍ2荷重時５．７３０〜７．２４０ｍｌ／ｃｍ3の空孔体積を有する請求項１または２に記載の制御弁式鉛蓄電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月10日(2014.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケル、コバルト及びマンガンを含有し、層状構造を有するリチウム二次電池用正極活物質であって、下記要件（１）〜（３）の全てを満たすリチウム二次電池用正極活物質。
（１）一次粒子径が０．１〜１μｍかつ、二次粒子径が１〜５μｍ
（２）ＣｕＫα線を使用した粉末Ｘ線回折測定において、
２θ＝１８．７±１°の範囲内のピークにおける結晶子サイズが
５００〜１０００Å、
かつ、２θ＝４４．６±１°の範囲内のピークにおける結晶子サイズが
２００〜６５０Å
（３）水銀圧入法によって得られた細孔分布において、
細孔径が３０〜１５０ｎｍの範囲に細孔ピークを有し、
かつ、該範囲での細孔容積が０．０１〜０．０５ｃｍ３／ｇ
【請求項２】
前記２θ＝４４．６±１°の範囲内のピークにおける結晶子サイズが、２００〜６００Åである請求項１記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項３】
一般式ＬｉａＭ１ｓＭ２１−ｓＯ２（Ｍ１は、Ｎｉ、Ｃｏ及びＭｎで構成される必須金属、Ｍ２は、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｗ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｇａ及びＶのうちいずれか１種以上の任意金属を表し、ａは０．９≦ａ≦１．２、ｓは０．９≦ｓ≦１とする）で表される、請求項１または２記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項４】
ＢＥＴ比表面積が０．８〜４ｍ２／ｇである請求項１〜３のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項５】
粒子内部に空隙を有する請求項１〜４のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項６】
ＬｉａＮｉｘＣｏｙＭｎｚＯ２（ここで、０．９≦ａ≦１．２、０．３＜ｘ＜１、０≦ｙ＜０．４、０＜ｚ＜０．４、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１とする）で表される請求項１〜５のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のリチウム二次電池用正極活物質を有するリチウム二次電池用正極。
【請求項８】
請求項７に記載のリチウム二次電池用正極を有するリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月12日(2014.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動物の時系列の１以上の観測データを含む検索動物観測データを受信する検索観測データ受信手段と、
前記検索観測データ受信手段が受信した検索動物観測データに対応する動物観測データを含む動物異常情報を特定する動物異常情報特定手段と、
前記動物異常情報特定手段が動物異常情報を特定した場合に、異常に関する情報である異常情報を送信する異常情報送信手段と、
を具備する動物異常検知装置。
【請求項２】
動物の時系列の１以上の観測データを含む動物異常情報が格納される動物異常情報格納手段、
を具備する請求項１に記載の動物異常検知装置。
【請求項３】
前記動物異常情報は、さらに動物の状態に関する規則である状態規則を示す１以上の観測データと動物の行動に関する規則である行動規則を示す１以上の観測データを含む、
請求項１または請求項２に記載の動物異常検査装置
【請求項４】
時系列の１種類以上のデータであるセンサデータから取得された特徴的な値の時系列データである特徴量データを用いて、動物の状態に関する規則である状態規則を取得する状態規則取得手段と、
前記特徴量データを用いて、動物の行動に関する規則である行動規則を取得する行動規則取得手段とをさらに具備する、
請求項１から請求項３のいずれか一項記載の動物異常検知装置。
【請求項５】
前記動物異常情報は、当該動物異常情報に含まれる動物観測データと同時期の外部環境に関する観測データである環境観測データをも含み、
前記検索観測データ受信手段は、前記検索動物観測データと、前記検索動物個体情報と、当該検索動物観測データと同時期の外部環境に関する観測データである検索環境観測データとを受信し、前記動物異常情報特定手段は、前記検索観測データ受信手段が受信した検索動物観測データと検索動物個体情報と検索環境観測データとに対応する動物観測データと動物個体情報と環境観測データとを含む動物異常情報を特定する、
請求項１から請求項４のいずれか一項記載の動物異常検知装置。
【請求項６】
前記動物異常情報は、当該動物異常情報に含まれる動物観測データに対応する異常の内容を示す動物異常検知情報を含み、
前記異常情報送信手段は、前記動物異常情報特定手段が特定した動物異常情報に含まれる動物異常検知情報を含む異常情報を送信する、
請求項１から請求項５のいずれか一項記載の動物異常検知装置。
【請求項７】
検索観測データ受信手段と、動物異常情報特定手段と、異常情報送信手段とを用いて処理される動物異常検知方法であって、
前記検索観測データ受信手段が、動物の時系列の１以上の観測データを含む検索動物観測データを受信する検索観測データ受信ステップと、
前記動物異常情報特定手段が、前記検索観測データ受信ステップが受信した検索動物観測データに対応する動物観測データを含む動物異常情報を特定する動物異常情報特定ステップと、
前記異常情報送信手段が、前記動物異常情報特定ステップで動物異常情報を特定した場合に、異常に関する情報である異常情報を送信する異常情報送信ステップと、
を具備する動物異常検知方法。
【請求項８】
コンピュータを、
動物の時系列の１以上の観測データを含む検索動物観測データを受信する検索観測データ受信手段と、
前記検索観測データ受信手段が受信した検索動物観測データに対応する動物観測データを含む動物異常情報を特定する動物異常情報特定手段と、
前記動物異常情報特定手段が動物異常情報を特定した場合に、異常に関する情報である異常情報を送信する異常情報送信手段
として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面における動物異常検知装置は、動物の時系列の１以上の観測データを含む検索動物観測データを受信する検索観測データ受信手段と、検索観測データ受信手段が受信した検索動物観測データに対応する動物観測データを含む動物異常情報を特定する動物異常情報特定手段と、動物異常情報特定手段が動物異常情報を特定した場合に、異常に関する情報である異常情報を送信する異常情報送信手段と、を具備する動物異常検知装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面における動物異常検知方法は、検索観測データ受信手段と、動物異常情報特定手段と、異常情報送信手段とを用いて処理される動物異常検知方法であって、検索観測データ受信手段が、動物の時系列の１以上の観測データを含む検索動物観測データを受信する検索観測データ受信ステップと、動物異常情報特定手段が、検索観測データ受信ステップが受信した検索動物観測データに対応する動物観測データを含む動物異常情報を特定する動物異常情報特定ステップと、異常情報送信手段が、動物異常情報特定ステップで動物異常情報を特定した場合に、異常に関する情報である異常情報を送信する異常情報送信ステップと、を具備する動物異常検知方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面におけるプログラムは、コンピュータを、動物の時系列の１以上の観測データを含む検索動物観測データを受信する検索観測データ受信手段と、検索観測データ受信手段が受信した検索動物観測データに対応する動物観測データを含む動物異常情報を特定する動物異常情報特定手段と、動物異常情報特定手段が動物異常情報を特定した場合に、異常に関する情報である異常情報を送信する異常情報送信手段として機能させるためのプログラムである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月6日(2015.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記インプリント材を硬化させるための第１光を前記インプリント材に照射する照明部と、
前記モールドに形成されたマーク及び前記基板に形成されたマークに第２光を照射し、前記マークからの前記第２光を光電変換素子に導く光学系と、
前記照明部からの前記第１光と前記光学系からの前記第２光とを合成して前記モールドに導く合成部と、
前記マークからの光で前記合成部を介した前記第２光を透過させて前記光電変換素子へ入射させ、前記マークからの光で前記合成部を介した前記第１光を遮る光学部材と、
を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記光学部材は、前記マークからの光で前記合成部を介した前記第１光を反射する、反射部材又は光学膜を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記光学部材は、前記マークからの光で前記合成部を介した前記第１光を吸収する、吸収部材又は光学膜を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記第１光と前記第２光とは、互いに異なる波長を有し、
前記光学部材は、前記第１光の波長における光透過率が前記第２光の波長における光透過率よりも小さい波長選択部であることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記光学部材は、前記合成部と前記光学系との間に配置されている、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記合成部は、前記第１光及び前記第２光のうちの一方の光を透過し、前記第１光及び前記第２光のうちの他方の光を反射することを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記合成部は、ビームスプリッタ、プリズム、又は、光学膜を有する平板を含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記第１光と前記第２光とは、互いに異なる波長を有し、
前記合成部は、前記第１光を透過し、前記第２光を反射することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記第１光と前記第２光とは、互いに異なる波長を有し、
前記合成部は、前記第１光を反射し、前記第２光を透過することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記第１光は、紫外領域の光であり、
前記第２光は、可視領域又は赤外領域の光であることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
前記光電変換素子は、前記モールドに形成されたマーク及び前記基板に形成されたマークからの光によって形成される像を検出し、
前記光電変換素子によって検出された前記像に基づいて、前記モールドと前記基板との相対的な位置を制御する制御部を更に有することを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板の上にパターンを形成するステップと、
前記パターンが形成された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記インプリント材を硬化させるための第１光を前記インプリント材に照射する照明部と、前記モールドに形成されたマーク及び前記基板に形成されたマークに第２光を照射し、前記マークからの前記第２光を光電変換素子に導く光学系と、前記照明部からの前記第１光と前記光学系からの前記第２光とを合成して前記モールドに導く合成部と、前記マークからの光で前記合成部を介した前記第２光を透過させて前記光電変換素子へ入射させ、前記マークからの光で前記合成部を介した前記第１光を遮る光学部材と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図２は、ビームスプリッタ２２の透過率特性の一例を示す図である。図２では、縦軸に透過率［％］を採用し、横軸に波長［ｎｍ］を採用している。ＴＴＭ検出系１７は、光Ｌ３として、可視領域から赤外領域の広い波長範囲（例えば、５００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光を用いている。従って、ビームスプリッタ２２は、図２に示すように、可視領域から赤外領域の光に対して高い透過率を有し、紫外領域の光に対して低い透過率を有する。なお、紫外領域の光に対する透過率をゼロにすることは困難であるため、ビームスプリッタ２２においては、紫外領域の光に対する透過率が数％程度になってしまう。このため、照明光学系２０からの光Ｌ４は、その大部分がビームスプリッタ２２で反射され、モールド５や基板８で一部が反射された後、その大部分がビームスプリッタ２２で再び反射される（即ち、照明光学系２０に戻る）。但し、光Ｌ４の一部は、ビームスプリッタ２２を透過してＴＴＭ検出系１７（センサ４６）に到達してしまう。照明光学系２０からの光Ｌ４の一部がＴＴＭ検出系１７に到達すると、センサ４６で検出される光のノイズとなるため、アライメント精度の低下の原因となる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月10日(2015.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
画像を表示するディスプレイ（１）を備え、複数の指示体による入力操作によって前記ディスプレイ上の表示の変更を行うジェスチャ入力装置（１００）であって、
前記指示体の前記ディスプレイに対する操作位置を検出する操作位置検出部（２）と、
前記ディスプレイを複数画面に分割する画面分割処理部（３１）と、
前記操作位置検出部で検出した複数の指示体の操作位置が、それぞれ異なる前記複数画面にある場合に、前記操作位置検出部で検出した複数の指示体の操作位置に基づき、前記複数画面のうちから、操作対象とする操作対象画面を１つ確定する確定部（３４）とを備えることを特徴とするジェスチャ入力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のジェスチャ入力装置は、画像を表示するディスプレイ（１）を備え、複数の指示体による入力操作によってディスプレイ上の表示の変更を行うジェスチャ入力装置（１００）であって、指示体のディスプレイに対する操作位置を検出する操作位置検出部（２）と、ディスプレイを複数画面に分割する画面分割処理部（３１）と、操作位置検出部で検出した複数の指示体の操作位置が、それぞれ異なる複数画面にある場合に、操作位置検出部で検出した複数の指示体の操作位置に基づき、複数画面のうちから、操作対象とする操作対象画面を１つ確定する確定部（３４）とを備えることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月17日(2014.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークと、映像信号をデータパケットとし前記ネットワークに送信する送信装置と、前記ネットワークからデータパケットを受信する受信装置とからなり、前記送信装置と前記受信装置との間で、映像信号を識別する情報を含むデータパケットとＦＥＣ用の冗長データを含むＦＥＣ用パケットとを転送し、前記受信装置が、受信した前記データパケットと前記ＦＥＣ用パケットとを用いてエラー訂正を行うデータ伝送システムにおいて、
前記受信装置は、
受信した前記ＦＥＣ用パケットを用いて、受信した前記データパケットのエラー訂正を行うＦＥＣ回路と、
前記ＦＥＣ回路においてエラー訂正を行う対象のパケットの受信待ち時間が書き込まれる待ち時間回路と、
前記受信したデータパケット内の前記映像信号を識別する情報に基づいて前記受信したパケットの入力レートを決定し、前記入力レートに対応した受信待ち時間を前記待ち時間回路内に書き込む種別識別回路と
を有することを特徴とするデータ伝送システム。
【請求項２】
ネットワークを介して送信装置から送信されるデータを受信する受信装置であって、
前記ネットワークから受信した前記ＦＥＣ用パケットを用いて、前記ネットワークから受信した前記データパケットのエラー訂正を行うＦＥＣ回路と、
前記ＦＥＣ回路においてエラー訂正を行う対象のパケットの受信待ち時間が書き込まれる待ち時間回路と、
前記受信したパケット内の前記映像信号を識別する情報に基づいて前記受信したパケットの入力レートを決定し、前記入力レートに対応した受信待ち時間を前記待ち時間回路内に書き込む種別識別回路と
を備えることを特徴とする受信装置。
【請求項３】
前記種別識別回路は、前記データパケットのペイロード内のフォーマットタイプに含まれる値を、前記映像信号を識別する情報として用いることを特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月17日(2014.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークと、前記ネットワークにデータパケットを送信する送信装置と、前記ネットワークからデータパケットを受信する受信装置とからなり、前記送信装置と前記受信装置との間で、データパケット以外にＦＥＣ用の冗長データを含むＦＥＣ用パケットを転送し、前記受信装置が、受信した前記データパケットと前記ＦＥＣ用パケットとを用いてエラー訂正を行うデータ伝送システムにおいて、
前記受信装置は、
受信した前記ＦＥＣ用パケットを用いて、受信した前記データパケットのエラー訂正を行うＦＥＣ回路と、
前記ＦＥＣ回路においてエラー訂正を行う対象のパケットの受信待ち時間が書き込まれる待ち時間回路と、
前記受信するデータパケットの入力レートを測定し、前記測定した入力レートに基づいた受信待ち時間を前記待ち時間回路に設定する入力レート測定回路と
を有することを特徴とするデータ伝送システム。
【請求項２】
ネットワークを介して送信装置から送信されるデータを受信する受信装置であって、
前記ネットワークから受信した前記ＦＥＣ用パケットを用いて、前記ネットワークから受信した前記データパケットのエラー訂正を行うＦＥＣ回路と、
前記ＦＥＣ回路においてエラー訂正を行う対象のパケットの受信待ち時間が書き込まれる待ち時間回路と、
前記受信したパケットを用いて該受信したパケットの入力レートを測定し、前記測定した入力レートに基づいた受信待ち時間を前記待ち時間回路に設定する入力レート測定回路と
を備えることを特徴とする受信装置。
【請求項３】
前記入力レート測定回路は、前記受信手段で受信するパケット内のタイムスタンプ情報を用いてパケット到着間隔を測定し、該測定したパケット到着間隔から前記入力レートを測定することを特徴とする請求項２に記載の受信装置。
【請求項４】
前記入力レート測定回路は、前記受信手段で受信するパケット内のタイムスタンプ情報およびパケットのシーケンス番号情報を用いて前記入力レートを測定することを特徴とする請求項２または３に記載の受信装置。
【請求項５】
前記入力レート測定回路は、複数回測定した入力レートあるいはパケット到着間隔の平均を測定結果として出力することを特徴とする請求項３に記載の受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月14日(2014.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に絶縁膜を介して接着されたＧｅ層又はＳｉＧｅ層を有する素子形成用基板であって、
前記絶縁膜は、酸化膜、高誘電率絶縁膜、及び金属元素とＧｅとの金属化合物絶縁膜を含む複数の膜の積層構造であることを特徴とする素子形成用基板。
【請求項２】
支持基板上に絶縁膜を介して接着されたＧｅ層又はＳｉＧｅ層を有する素子形成用基板であって、
前記絶縁膜は、酸化膜、高誘電率絶縁膜、及びＧｅ酸化膜を含む複数の膜の積層構造であることを特徴とする素子形成用基板。
【請求項３】
前記酸化膜は、Ｓｉ酸化膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の素子形成用基板。
【請求項４】
前記支持基板は、Ｓｉ基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の素子形成用基板。
【請求項５】
Ｇｅ基板の表面上に金属元素とＧｅとの金属化合物絶縁膜を形成する工程と、
前記金属化合物絶縁膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
前記金属化合物絶縁膜及び前記高誘電率絶縁膜が形成された前記Ｇｅ基板と表面に酸化膜が形成された支持基板とを、前記高誘電率絶縁膜と前記酸化膜とを接触させて接着する工程と、
前記支持基板に接着された前記Ｇｅ基板を、該Ｇｅ基板の裏面側から研磨して薄くする工程と、
を含むことを特徴とする素子形成用基板の製造方法。
【請求項６】
Ｇｅ基板の表面上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
プラズマ酸化又は熱酸化により、前記Ｇｅ基板と前記高誘電率絶縁膜との間に、Ｇｅ酸化膜を形成する工程と、
前記高誘電率絶縁膜及び前記Ｇｅ酸化膜が形成された前記Ｇｅ基板と表面に酸化膜が形成された支持基板とを、前記高誘電率絶縁膜と前記酸化膜とを接触させて接着する工程と、
前記支持基板に接着された前記Ｇｅ基板を、該Ｇｅ基板の裏面側から研磨して薄くする工程と、
を含むことを特徴とする素子形成用基板の製造方法。
【請求項７】
前記酸化膜は、Ｓｉ酸化膜であることを特徴とする請求項５又は６に記載の素子形成用基板の製造方法。
【請求項８】
前記支持基板は、Ｓｉ基板であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の素子形成用基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一態様に係る素子形成用基板は、支持基板上に絶縁膜を介して接着されたＧｅ層又はＳｉＧｅ層を有する素子形成用基板であって、前記絶縁膜は、酸化膜、高誘電率絶縁膜、及び金属元素とＧｅとの金属化合物絶縁膜を含む複数の膜の積層構造であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の別の一態様に係る素子形成用基板の製造方法は、Ｇｅ基板の表面上に金属元素とＧｅとの金属化合物絶縁膜を形成する工程と、前記金属化合物絶縁膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、前記金属化合物絶縁膜及び前記高誘電率絶縁膜が形成された前記Ｇｅ基板と表面に酸化膜が形成された支持基板とを、前記高誘電率絶縁膜と前記酸化膜とを接触させて接着する工程と、前記支持基板に接着された前記Ｇｅ基板を、該Ｇｅ基板の裏面側から研磨して薄くする工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、ハロゲン元素濃度が５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有する半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、塩素元素濃度が５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である領域を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記トランジスタは、ソース電極層及びドレイン電極層を有し、
前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層は、前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の端部を覆っている半導体装置。
【請求項４】
トランジスタを有し、
前記トランジスタは、酸化物半導体膜にチャネル形成領域を有し、
前記トランジスタは、ソース電極層及びドレイン電極層を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化物半導体膜上方に導電膜を形成し、
前記導電膜を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理により加工して、前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層を形成し、
前記酸化物半導体膜に不純物除去処理を行い、前記エッチングガスに含まれる元素を除去する半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記不純物除去処理を行った前記酸化物半導体膜表面における塩素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする請求項４に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
前記不純物除去処理として、酸素プラズマ処理又は一酸化二窒素プラズマを行う請求項４又は５に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記不純物除去処理として、希フッ酸溶液による洗浄処理を行う請求項４又は５に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記不純物除去処理として、酸素プラズマ処理又は一酸化二窒素プラズマを行った後、希フッ酸溶液による洗浄処理を行う請求項４又は５に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月3日(2015.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置及びその使用方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面によって挟まれた、発光素子及び受光素子を有し、
前記第１の面に面した被写体と、前記第２の面に面した被写体とを一度に撮像する機能を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
第１の面と第２の面によって挟まれた、発光素子及び受光素子を有し、
前記第１の面に面した被写体と、前記第２の面に面した被写体とを一度に撮像する機能を有する撮像装置の使用方法であって、
閉じられた書籍のページの間に前記撮像装置を挟み、
挟んだ部分に対応する２ページ分の画像を一度に撮像することを特徴とする撮像装置の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月6日(2015.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜との界面から前記酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が１．１原子％以下の濃度で分布する第１の領域を有する半導体装置。
【請求項２】
シリコンを含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜との界面から前記酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が１．１原子％以下の濃度で分布する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の領域とは異なる第２の領域を有し、
前記第２の領域に含まれるシリコンの濃度は、前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度よりも小さい半導体装置。
【請求項３】
シリコンを含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記絶縁膜側に位置し、
前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度は、１．１原子％以下であり、
前記第２の領域に含まれるシリコンの濃度は、前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度よりも小さい半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度が０．１原子％以下である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月25日(2015.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極層上に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記ゲート電極層と重畳し、前記島状の酸化物半導体膜に接する絶縁層を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜及び前記絶縁層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、前記ソース電極層及びドレイン電極層を形成することで、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、
前記露出した酸化物半導体膜から前記エッチングガスに含まれる元素を除去する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極層上に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層を、ハロゲン元素を含むエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、前記ゲート電極層と重畳する位置に、チャネル保護膜として機能する絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体膜から前記エッチングガスに含まれる元素を除去し、
前記島状の酸化物半導体膜及び前記チャネル保護膜として機能する絶縁層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を加工して、前記酸化物半導体膜のチャネル幅方向の端部を覆うソース電極層及びドレイン電極層を形成する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
前記エッチングガスに含まれる元素を除去した前記酸化物半導体膜表面における塩素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする請求項１または２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
前記エッチングガスに含まれる元素の除去処理として、酸素プラズマ処理又は一酸化二窒素プラズマ処理を行う請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記エッチングガスに含まれる元素の除去処理として、希フッ酸溶液による洗浄処理を行う請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート電極層上に島状の酸化物半導体膜を形成し、
前記島状の酸化物半導体膜を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層を、ハロゲン元素を含む第１のエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、前記ゲート電極層と重畳する位置に、チャネル保護膜として機能する絶縁層を形成し、
前記酸化物半導体膜から前記第１のエッチングガスに含まれる元素を除去し、
前記島状の酸化物半導体膜及び前記チャネル保護膜として機能する絶縁層を覆う導電膜を形成し、
前記導電膜を、ハロゲン元素を含む第２のエッチングガスを用いたプラズマ処理によって加工して、ソース電極層及びドレイン電極層を形成することで、前記酸化物半導体膜の一部を露出させ、
前記露出した酸化物半導体膜から前記第２のエッチングガスに含まれる元素を除去する半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記第２のエッチングガスに含まれる元素を除去した前記酸化物半導体膜表面における塩素濃度を５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする請求項６に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記第１のエッチングガスに含まれる元素の除去処理または前記第２のエッチングガスに含まれる元素の除去処理として、酸素プラズマ処理又は一酸化二窒素プラズマ処理を行う請求項６または７に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
前記第１のエッチングガスに含まれる元素の除去処理または前記第２のエッチングガスに含まれる元素の除去処理として、希フッ酸溶液による洗浄処理を行う請求項６または７に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月10日(2015.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜とは組成が異なり、
前記ガラス基板は、金属元素を有し、
前記第１のゲート絶縁膜と前記第２のゲート絶縁膜との界面における前記金属元素の濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ガラス基板上のゲート電極層と、
前記ゲート電極層上の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜上の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体層上の絶縁層と、を有し、
前記第２のゲート絶縁膜は、前記第１のゲート絶縁膜とは組成が異なり、
前記絶縁層は、前記ゲート電極層と重畳する位置に設けられ、
前記ガラス基板は、金属元素を有し、
前記第１のゲート絶縁膜と前記第２のゲート絶縁膜との界面における前記金属元素の濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１のゲート絶縁膜は窒化物絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第１のゲート絶縁膜は窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１のゲート絶縁膜の膜厚は、３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第２のゲート絶縁膜は、酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記金属元素は、アルミニウムであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月14日(2015.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンを含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記絶縁膜との界面から前記酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が１．０原子％以下の濃度で分布する第１の領域を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜の被形成面に垂直な方向と沿うようにｃ軸配向した結晶部を含む半導体装置。
【請求項２】
シリコンを含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、第１の領域と、第２の領域とを有し、
前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記絶縁膜側に位置し、
前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度は、１．０原子％以下であり、
前記第２の領域に含まれるシリコンの濃度は、前記第１の領域に含まれるシリコンの濃度よりも小さく、
前記酸化物半導体膜は、前記酸化物半導体膜の被形成面に垂直な方向と沿うようにｃ軸配向した結晶部を含む半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の領域は、シリコン濃度が０．１原子％以下である半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１の領域は、炭素濃度が１．０×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月3日(2015.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】酸化物半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項２】
インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜に接してインジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して、該酸化物半導体膜に結晶領域が含まれるように加熱することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記絶縁性の金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜又はイットリア安定化ジルコニア膜を形成することを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記エネルギービームは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光であることを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記エネルギービームの照射により、前記酸化物半導体膜にｃ軸配向した結晶領域を含ませることを特徴とする酸化物半導体膜の作製方法。
【請求項６】
絶縁性の金属酸化膜を形成し、
前記絶縁性の金属酸化膜に接して、インジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
インジウム又は亜鉛の酸化物の融点よりも高い融点を有する絶縁性の金属酸化膜を形成し、
前記絶縁性の金属酸化膜に接して、インジウム又は亜鉛の少なくとも一方の酸化物を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜にエネルギービームを照射して結晶領域を含む酸化物半導体膜を形成し、
前記結晶領域を含む酸化物半導体膜をチャネル形成領域とするトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記絶縁性の金属酸化膜として、酸化アルミニウム膜又はイットリア安定化ジルコニア膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記エネルギービームは、前記酸化物半導体膜のバンドギャップ以上のエネルギーを有するレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、
前記エネルギービームの照射により、前記酸化物半導体膜にｃ軸配向した結晶領域を含ませること半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一項において、
前記絶縁性の金属酸化膜を形成する前に、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一項において、
前記結晶領域を含む酸化物半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月25日(2014.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ライナー膜６５は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜され、例えば、膜厚が50ｎｍの窒化膜が用いられる。また、ライナー膜６５の成膜後、層間絶縁膜６７を成膜し、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により平坦化が施される。層間絶縁膜６７の平坦化には、ライナー膜６５をストッパとして利用するプロセスを適用することができ、これにより、転送トランジスタ３２および読み出しトランジスタ３４が形成されている部分におけるライナー膜６５の高さと略同一の厚みの層間絶縁膜６７が形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
図１１Ｂに示されているポテンシャルイメージを参照して説明する。例えば、ゲート電極６１と遮光メタル６６’との接続がなく、かつ、追加インプラ部が形成されていない構造（即ち、図２の画素２１の構造）では、ＰＤ３１からメモリ部３３に転送がオンになったときに、ＰＤ３１からメモリ部３３に電荷が転送されるようなポテンシャル状態となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
しかしながら、例えば、ゲート電極６１と遮光メタル６６’との接続があり、かつ、追加インプラ部８１および８２が形成されていない構造では、ＰＤ３１からメモリ部３３に転送がオンになったときに、ＰＤ３１とメモリ部３３との間の転送経路のポテンシャルが深くなり、転送不良を引き起こす可能性がある。従って、ゲート電極６１と遮光メタル６６’とが接続されても、ゲート電極６１と遮光メタル６６’との接続がない構成と同様のポテンシャル状態とすることが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
そして、遮光メタル１３１は、コンタクト部１１４とＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）部１１５とを接続するように構成され、アクティブ領域を接続することにより、ローカルインターコネクト（Local-interconnect）として活用することができる。