(57)【要約】  電極/配線を形成する樹脂基板の劣化を防止する。基板に電極と配線とを形成した配線基板において、前記基板は樹脂基板であり、前記電極と前記配線の少なくとも１つが、Ｐ又はＡｇの何れかとＶとＴｅとを含む酸化物が前記樹脂基板上で軟化して形成される。また、基板に電極と配線とを形成した配線基板の製造方法において、前記基板は樹脂基板であり、前記樹脂基板にＰ又はＡｇの何れかとＶとＴｅとを含む酸化物を供給する工程と、前記酸化物に電磁波を照射し前記樹脂基板上で前記酸化物が軟化して前記電極と前記配線の少なくとも１つが形成される工程とを備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電極と配線とを形成した配線基板において、前記基板は樹脂基板であり、前記電極と前記配線の少なくとも１つが、Ｐ又はＡｇの何れかとＶとＴｅとを含む酸化物が前記樹脂基板上で軟化して形成されることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１において、前記酸化物がＶ、Ｔｅ、Ｐを含み、転移点が３４０℃以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１において、前記酸化物がＶ2Ｏ5、ＴｅＯ2、Ｐ2Ｏ5を含み、酸化物換算でＶ2Ｏ5＞ＴｅＯ2＞Ｐ2Ｏ5（質量％）であることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１において、前記酸化物がＶ、Ｔｅ、Ａｇを含み、転移点が２７０℃以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１において、前記酸化物がＶ2Ｏ5、ＴｅＯ2、Ａｇ2Ｏを含み、酸化物換算でＶ2Ｏ5＋ＴｅＯ2＋Ａｇ2Ｏ≧８５質量％であることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１において、前記酸化物は、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｗ、Ｂａ、Ｋのいずれかを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１において、前記電極又は前記配線に導電材が含まれ、前記導電材がＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎの少なくとも一種であることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１において、前記酸化物が電磁波の照射によって軟化することを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項８において、前記電磁波の波長が２０００ｎｍ以下のレーザであることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項８において、前記電磁波の波長が０.１−１０００ｍｍのマイクロ波であることを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
基板に電極と配線とを形成した配線基板の製造方法において、前記基板は樹脂基板であり、前記樹脂基板にＰ又はＡｇの何れかとＶとＴｅとを含む酸化物を供給する工程と、前記酸化物に電磁波を照射し前記樹脂基板上で前記酸化物が軟化して前記電極と前記配線の少なくとも１つが形成される工程とを備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記酸化物がＶ2Ｏ5、ＴｅＯ2、Ｐ2Ｏ5を含み、酸化物換算でＶ2Ｏ5＞ＴｅＯ2＞Ｐ2Ｏ5（質量％）であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記酸化物がＶ2Ｏ5、ＴｅＯ2、Ａｇ2Ｏを含み、酸化物換算でＶ2Ｏ5＋ＴｅＯ2＋Ａｇ2Ｏ≧８５質量％であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１において、前記電磁波の波長が２０００ｎｍ以下のレーザであることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１において、前記電磁波の波長が０.１−１０００ｍｍのマイクロ波であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂基板上に電極、配線、受動素子を形成した配線基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、基板上に電極や配線パターンを形成する方法としては、めっき法を用いて導電層を形成する方法がよく用いられている。めっき法では、めっきに用いる薬品使用量が多いことや、その薬品を洗浄するために多くの水を使用すること、排水中和汚泥などの産業廃棄物が排出され、地球環境負荷が大きいという問題があった。まためっき工程はエッチング、穴あけ、めっき、洗浄など複数の工程を経るため、製造効率の向上が求められている。そこでめっきの代替となる手法として導電性のペーストによる電極/配線が検討されている。【０００３】
例えば、特許文献１には、酸化物組成物における成分の酸化物換算で、Ｖ2Ｏ5を３３〜４５重量％、Ｐ2Ｏ5を２２〜３０重量％、ＭｎＯを５〜１５重量％、ＢａＯを１０〜２０重量％、Ｒ2Ｏを０〜８重量％（Ｒはアルカリ金属元素）、Ｓｂ2Ｏ3とＴｅＯ2とＺｎＯとＳｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とＮｂ2Ｏ5とＬａ2Ｏ3とを合計で０〜１０重量％含有し、鉛とビスマスとを実質的に含有しないことを特徴とする酸化物組成物が開示されている。特許文献１によると、鉛とビスマスを使用せずとも、実用性の高い温度（６００℃〜９００℃）で焼成させることが可能な酸化物組成物を提供できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2009-209032号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の酸化物を導電性ペーストに用いても、耐熱性の低い樹脂基板上に電極/配線を形成すると樹脂基板が劣化するという課題がある。【０００６】
本発明の目的は、電極/配線を形成する樹脂基板の劣化を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、電極/配線を形成する樹脂基板の劣化を防止する。基板に電極と配線とを形成した配線基板において、前記基板は樹脂基板であり、前記電極と前記配線の少なくとも１つが、Ｐ又はＡｇの何れかとＶとＴｅとを含む酸化物が前記樹脂基板上で軟化して形成されることを特徴とする。【０００８】
また、基板に電極と配線とを形成した配線基板の製造方法において、前記基板は樹脂基板であり、前記樹脂基板にＰ又はＡｇの何れかとＶとＴｅとを含む酸化物を供給する工程と、前記酸化物に電磁波を照射し前記樹脂基板上で前記酸化物が軟化して前記電極と前記配線の少なくとも１つが形成される工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電極/配線を形成する樹脂基板の劣化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】酸化物の示差熱分析で得られるＤＴＡ曲線の１例である。
【図２】酸化物の透過率曲線の１例である。
【図３】複合部材の断面概略図の１例である。
【図４】樹脂基板上に電極と配線を形成した複合部材の斜視図と断面図である。
【図５】樹脂基板製造装置の概略図である。
【図６】樹脂基板上に電極と配線と抵抗を形成した複合部材の斜視図と断面図である。
【図７】樹脂基板製造装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
電極、配線、受動素子のうち、少なくとも１つを形成する酸化物は、Ｖ（バナジウム）、Ｔｅ（テルル）及びＰ（リン）を含む。または、Ｖ、Ｔｅ及びＡｇ（銀）を含む。これらの酸化物にはＰｂ（鉛）とＢｉ（ビスマス）を実質的に含まない。
【００１２】
Ｖ、Ｔｅ及びＰを含む酸化物は、転移点Ｔgが３５０℃以下と比較的低温であるだけでなくレーザ吸収性が高いことによって、レーザの照射により容易に加熱されるので軟化流動しやすい。また、Ｖ、Ｔｅ及びＡｇを含む酸化物は、Ｖ、Ｔｅ及びＰを含む酸化物よりもレーザ吸収性は劣るが、転移点Ｔgが２７０℃以下と更に低いために、レーザの照射によって容易に軟化流動させることができる。これらの酸化物を使用すれば、樹脂基板を劣化させない温度範囲で酸化物が軟化するので、電極、配線、受動素子として形成することができる。軟化流動した後の酸化物は非晶質（ガラス）、結晶質の少なくとも何れかを含む。
【００１３】
これらの酸化物にＦｅ、Ｓｂ、Ｗ、Ｂａ、Ｋの何れかを更に含有させることによって、酸化物の構造をより安定に保つことが可能になる。特に、Ｆｅ又はＳｂを含む場合は、レーザ、マイクロ波の吸収が大きく発熱しやすいため、更に良く軟化流動させることができる。軟化流動させるためには、酸化物がガラス状態であることが必要であり、特にＷ又はＢａ又はＫを含む場合は、レーザ照射時の酸化物の結晶化を抑制することができる。
【００１４】
使用する電磁波の波長としては、この酸化物が効率的に吸収する２０００ｎｍ以下（レーザ）又は１０００ｍｍ以下（マイクロ波）が有効である。
【００１５】
Ａｇが含まれていない酸化物の場合は、酸化物換算でＶ2Ｏ5が最も多く含有されるとよい。またＦｅ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3を含有させることによって２０００ｎｍの波長範囲のレーザを吸収しやすくなる。
【００１６】
ＴｅとＰはガラス化させるための成分であり、これらを含むことで電磁波照射によっても容易に軟化流動させることができる。Ｐは低熱膨張化にも有効であるが、酸化物換算でＰ2Ｏ5の含有量（質量％）をＴｅＯ2よりも多くすると転移点Ｔgが高くなりやすいので、Ｐ2Ｏ5の含有量をＴｅＯ2の含有量以下にするとよい。
【００１７】
酸化物の有効な組成範囲は、上記条件を満たした上で、次の酸化物換算でＶ2Ｏ5が１７〜５０質量％、ＴｅＯ2が２０〜３３質量％、Ｐ2Ｏ5が４〜１２質量％である。レーザ吸収特性が更に良くなる組成範囲として、Ｖ2Ｏ5が３７〜５０質量％、ＴｅＯ2が２０〜３２質量％、Ｐ2Ｏ5が６〜１２質量％、Ｆｅ2Ｏ3が１０〜１９質量％が好ましい。
【００１８】
または、Ｖ2Ｏ5が１７〜５０質量％、ＴｅＯ2が２５〜４０質量％、Ａｇ2Ｏが２０〜５０質量％であり、Ｖ2Ｏ5＋ＴｅＯ2＋Ａｇ2Ｏが８５質量％以上が好ましい。
【００１９】
上述した酸化物に対し、例えば、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＳｉＯ4、Ｚｒ2（ＷＯ4）（ＰＯ4）2、コージェライト、ムライト、ユークリプタイトなどの充填材を混合することで、基板の材質に応じて熱膨張係数を所定の値に調整して基板と酸化物との接着強度を高めたり、酸化物自体の強度を高めたりすることが可能である。接着する基板間に大きな熱膨張係数差がある場合、熱膨張係数の異なる酸化物を重ねることにより、接着強度を高めることが可能である。
【００２０】
上述した酸化物に対し、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎなどの導電材を混合することによって、必要に応じて接着する基板間の熱伝導性や電気伝導性を付与することが可能になる。また、導電材として金属粒子を加えると、金属粒子は塑性変形するため、樹脂基板ともう一方の接合材との間に大きな熱膨張係数がある場合には熱応力を緩和させることができ、接着強度を高めることが可能となる。
【００２１】
以下、実施例を用いて更に詳細に説明する。ただし、ここで取り上げた実施例の記載に限定されることはなく、適宜組み合わせてもよい。
【実施例１】
【００２２】
本実施例では、基板にポリカーボネート基板、酸化物として次の酸化物換算で２０Ｖ2Ｏ5−３５ＴｅＯ2−４５Ａｇ2Ｏ（質量％）を用い、電磁波照射実験を行い、酸化物の樹脂基板への接着を試みた。電磁波としては、波長が約４００ｎｍ、６００ｎｍ及び８００ｎｍのレーザを用いた。【００２３】
上記酸化物の作製は、(株)高純度化学研究所製試薬Ｖ2Ｏ5、ＴｅＯ2、Ａｇ2Ｏを用い、合計２００ｇになるように、所定量配合、混合し、白金ルツボに入れ、電気炉にて５〜１０℃／分の昇温速度で９００〜９５０℃まで加熱し、溶融した。この温度で均一にするために撹拌しながら１〜２時間保持した。その後、ルツボを取り出し、予め１５０℃程度に加熱しておいたステンレス板上に流し込んだ。【００２４】
ステンレス板上に流し込んだ酸化物は、平均粒子径（Ｄ50）が２０μｍ未満になるまで粉砕した。この酸化物を５℃／分の昇温速度で５５０℃まで示差熱分析（ＤＴＡ）することによって、転移点（Ｔg）、屈伏点（Ｍg）、軟化点（Ｔs）及び結晶化温度（Ｔcry）を測定した。なお、標準サンプルとしてアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末を用いた。【００２５】
図１に酸化物の代表的なＤＴＡ曲線を示す。図１に示すように、Ｔgは第一吸熱ピークの開始温度、Ｍgはそのピーク温度、Ｔsは第二吸熱ピーク温度、Ｔcryは結晶化による顕著な発熱ピークの開始温度とした。本実施例の酸化物のＴgは１６３℃、Ｍgは１７２℃、Ｔsは２０８℃であった。Ｔcryは２６３℃までのＤＴＡでは認められなかった。すなわち、この酸化物は、結晶化しにくいことが示唆された。結晶化は、電磁波照射による軟化流動性を劣化させる原因になることから、結晶化を抑制或いは防止することは重要である。ＴcryはＴg、Ｍg及びＴsに対し、極力高温側にあることが有効である。【００２６】
酸化物の光学特性を、紫外可視分光光度計を用いて透過率によって評価した。評価サンプルは、酸化物をジェットミルで平均粒径（Ｄ50）が２μｍ以下になるまで粉砕し、その酸化物粉末に樹脂バインダー４％を溶解した溶剤を入れ、混合することによって、印刷用ペーストを作製した。ここで、樹脂バインダーにはエチルセルロース、溶剤にはブチルカルビトールアセテートを用いた。【００２７】
ペーストをスクリーン印刷にてスライドガラスに塗布し、１５０℃で乾燥させた。その塗膜の平均厚みは、それぞれ約５μｍ、１０μｍ、２０μｍになるようにペーストの粘度や印刷方法をコントロールした。スライドガラスに形成した塗膜を、紫外可視分光光度計を用いて３００〜２０００ｎｍの波長域における透過率曲線を測定した。その際、スライドガラスのみの透過率曲線をベースラインとして差し引き、極力、酸化物の焼成塗膜のみの透過率曲線が得られるようにした。本実施例の酸化物の各膜厚における透過率曲線を図２に示す。この酸化物は、３００〜２０００ｎｍの波長域において、波長が小さいほど透過率が小さく、波長が４００ｎｍ未満の紫外線はほとんど透過しなかった。【００２８】
電磁波照射実験では、上記同様に酸化物をジェットミルで平均粒径（Ｄ50）が２μｍ以下になるまで粉砕した。その酸化物粉末に樹脂バインダー１％を溶解した溶剤を入れ、混合することによって、スプレー噴霧用のスラリーを作製した。ここで、樹脂バインダーにはエチルセルロース、溶剤にはブチルカルビトールアセテートを用いた。このスラリーをスプレーによってポリカーボネート基板へ均一に噴霧し、約７０℃で乾燥後した。その後、波長が約４００ｎｍ、６００ｎｍ、８００ｎｍの半導体レーザをそれぞれ照射した。図３に複合部材の断面概略図を示す。【００２９】
レーザヘッドを動かすことによって樹脂基板１上のスラリーにレーザ３を照射した。酸化物がレーザを吸収し加熱されることによって比較的低温で軟化流動するので、樹脂基板１を劣化させることなく樹脂基板１上に酸化物２の膜を形成することができた。しかもこの膜は強固に樹脂基板に接着、密着していた。酸化物はどの波長のレーザを照射しても、ポリカーボネート基板に強固に接着、密着していた。また、破線で示すレーザ３のように基板側からレーザを照射しても、樹脂基板を透過したレーザが酸化物に吸収されるので、同様な結果が得られた。【００３０】
スプレーを何度か噴霧することによって酸化物の膜厚を変化させ、酸化物の膜形状の膜厚依存性を評価した。酸化物の平均膜厚が１〜７０μｍの範囲に入るように膜を作製した。３μｍ未満では、均一な層状にはならなかったが、３〜２０μｍの範囲では均一に層状かつ緻密な膜がポリカーボネート基板に強固に接着、密着できていた。しかし、２０μｍを超えると、ポリカーボネート基板への接着性が減少した。そこで、ポリカーボネート基板側と酸化物側の両面からレーザを酸化物に照射した。その結果、平均膜厚が５０μｍまで、強固に接着、密着でき、しかも均一な層状かつ緻密な酸化物膜が形成できた。本実施例では、半導体レーザを用いたが、高出力のレーザを用いれば、より大きな膜厚に対応できる。
【実施例２】
【００３１】
本実施例においては、実施例１の酸化物、樹脂バインダー、溶剤に更に導電材を混合して導電性酸化物ペーストを作製し、該導電性酸化物ペーストを用いて形成した電極/配線の電気抵抗率および各種基板との密着性を調査した。図４は、樹脂基板１上に電極２１と配線２２を形成した複合部材の斜視図と断面図である。配線２２の部分の断面図を示す。配線２２には酸化物２と金属粒子（導電材）２３が含まれる。
（導電性酸化物ペーストの作製）
金属粒子としては福田金属箔粉工業（株）製の銀粒子：ＡＧＣ−１０３（球状粒子、平均粒径１．４μｍ）を用いた。ペースト中の酸化物粉末の含有率は、銀粒子に対して１０体積％とした。また、ペースト中の固形分（銀粒子、酸化物粉末）の含有率は８０〜８５質量％とした。なお、本実施例でのペーストは、基板との密着性（酸化物の軟化流動性）を観察するため、充填材を混合しなかった。
（電極/配線の形成）
上述で用意したペーストを用いて、ポリカーボネート基板及びポリイミド基板上へ印刷法により１ｍｍ×２０ｍｍのパターンを塗布した。１５０℃で乾燥した後の塗布厚は約２０μｍであった。乾燥したサンプルに対し、波長が約８００ｎｍの半導体レーザを用いて、塗膜にレーザ照射し、塗膜を軟化流動させ、電極/配線を形成した。
（電気抵抗率の評価）
ポリカーボネート基板及びポリイミド基板上に形成した電極/配線に対して、四端子法により電気抵抗率を測定した。測定された電気抵抗率（平均）が２〜１０×１０-6 Ωｃｍであり、優れた電気抵抗を示した。【００３２】
上記のペーストは、酸化物の軟化点が従来よりも低く（従来よりも低温で軟化流動する）、波長が２００〜２０００ｎｍのレーザを吸収することから従来よりも低温焼成で電極/配線を形成することができた。また、低温焼成が可能であることから、酸化物と銀粒子との化学反応をより一層抑制することができる。そのため、液相を介した銀粒子同士の焼結が促進されて１０-5Ωｃｍ未満（１０-6Ωｃｍオーダー）という非常に低い電気抵抗率を有する電極/配線が実現された。言い換えると、酸化物およびそれを用いたペーストの化学的安定性が高いと言える。
【実施例３】
【００３３】
本実施例では、ポリアミドイミド、ポリアリレート、ポリサルホン、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、フッ素ゴム、シリコーンゴム、アクリルゴム等の基板やフィルム上に実施例２の導電性酸化物ペーストを塗布し、レーザを照射して、電極/配線を作製した。照射する電磁波としては、波長が約８００ｎｍの半導体レーザを使用した。各種の基板やフィルムにおいて、本実施例の酸化物は、実施例２と同じように均一で緻密な層状となっていた。平均膜厚は３〜１０μｍであった。さらに、強固に接着、密着していた。【００３４】
また形成した電極/配線に対して、四端子法により電気抵抗率を測定した。測定された電気抵抗率（平均）が２〜１０×１０-6Ωｃｍであり、優れた電気抵抗を示した。ペーストは、電極/配線を形成する樹脂基板として、本実施例のように幅広い種類の樹脂に対しても、レーザ照射条件を調整することで適用可能であることを確認した。【００３５】
次に実施例２のペーストを塗布、乾燥したフッ素樹脂基板において、四国計測(株)製μリアクターを用い２.４５ＧＨｚ帯（波長：１２５ｍｍ）のマイクロ波を照射し、電極/配線を作製した。上記レーザの照射と同様に軟化流動でき、樹脂基板は劣化しなかった。また、均一で緻密な層状として得られ、平均膜厚は９μｍであった。また、樹脂基板に強固に接着、密着していた。【００３６】
形成した電極/配線に対して、四端子法により電気抵抗率を測定した。測定された電気抵抗率（平均）が２〜１０×１０-6 Ωｃｍであり、優れた電気抵抗を示した。酸化物は、半導体的な導電性を有しているために、２.４５ＧＨｚ帯（波長：１２５ｍｍ）のマイクロ波を吸収し、軟化流動することができる。また、波長が０.１〜１０００ｍｍの範囲にあるマイクロ波においても同様に酸化物を軟化流動させることができた。
【実施例４】
【００３７】
本実施例では、酸化物の組成と特性について検討した。検討した酸化物の組成と特性を表１に示す。酸化物原料には、高純度化学研究所製試薬Ｖ2Ｏ5、ＴｅＯ2、Ｐ2Ｏ5、Ｆｅ2Ｏ3、Ａｇ2Ｏ、ＷＯ3、Ｓｂ2Ｏ3、ＢａＯ、及びＫ2Ｏを用い、実施例１と同様にして酸化物を作製した。作製した酸化物の転移点は、実施例１と同様にしてＤＴＡにて測定した。作製した酸化物の軟化流動性は、酸化物粉末をハンドプレスにより圧粉成形し、そこにチタンサファイアレーザ（波長：８０８ｎｍ）、ＹＡＧレーザ（波長：１０６４ｎｍ）、及び２.４５ＧＨｚ帯（波長：１２５mm）のマイクロ波をそれぞれ照射した。【００３８】
酸化物を良く流動させることができた場合には「◎」、流動させることができた場合には「○」、流動も軟化もできなかった場合には「×」と評価した。酸化物Ｎｏ．１〜３５の実施例では、レーザ及びマイクロ波を良く吸収し、流動させることが可能であり、樹脂基板を劣化させることなく接着できた。また、導電材を含有させることで、樹脂基板上に電極配線を形成できた。
【実施例５】
【００３９】
本実施例では、実勢例２の導電性酸化物ペーストを用いて電極/配線/受動素子を形成した樹脂基板を作製した。受動素子としては、例えば抵抗、コンデンサ、コイルなどがあり、本実施例では抵抗の場合を述べる。ペースト中の酸化物粉末の含有率が銀粒子に対して１０体積％のものを電極と配線に使用し、１００体積％のものを抵抗に使用した。【００４０】
ペーストを樹脂基板に印刷する機構とペーストを乾燥させる機構と乾燥した酸化物塗膜にレーザを照射する機構を有する設備を構築した。図５に設備構成を示す。【００４１】
４はＹＡＧレーザ発振器、５は光ファイバ、６はレーザヘッド、７はレーザ、８はリフロー炉、９は印刷機、１０はローラ、１１はプリント型、１２は導電性酸化物ペースト、１３はポリイミド基板、１４はレーンを示している。本実施例ではスクリーン印刷を用いた。またペーストの乾燥にはリフロー炉を用いた。レーザにはＹＡＧレーザを用いた。【００４２】
本設備を用いて、ポリイミド基板上に電極/配線/抵抗を形成した。図６は、樹脂基板１上に電極２１と配線２２と抵抗２４を形成した複合部材の斜視図と断面図である。配線間に抵抗が設けられており、抵抗の部分の断面図を示す。まずポリイミド基板上に酸化物末の含有率が１０体積％のペーストを配線形状に印刷し、リフロー炉を用いて１５０℃で乾燥を行った。乾燥後、配線形状に塗膜されたペーストにレーザを照射して軟化流動させ、基板上に電極/配線を形成した。【００４３】
次に酸化物粉末の含有率１００体積％のペーストを抵抗形状に印刷し、リフロー炉を用いて１５０℃で乾燥させた。乾燥後、抵抗の形状に塗膜されたペーストにレーザを照射して、軟化流動させて基板上に接着させた。同様に酸化物粉末の含有率１００体積％のペーストを印刷、乾燥、接着を繰り返すことで、酸化物粉末の含有率１００体積％が積層された抵抗を形成した。【００４４】
本実施例では１層２０μｍ厚を１０層繰返して、２００μｍ厚の抵抗を形成した。配線は４．８×１０-6 Ωｃｍを示し、抵抗は５．６×１０6 Ωｃｍを示し、電極/配線/抵抗を形成することができた。本実施例では酸化物粉末の含有率が１０体積％と１００体積％のペーストを用いたが、含有率の調整や導電物質の変更により、抵抗値を調整することが可能である。また本実施例では熱源にＹＡＧレーザを用いたが、マイクロ波を用いることも可能である。
【実施例６】
【００４５】
本実施例では、実施例１の酸化物と実施例２の銀粒子を用いて電極/配線/受動素子を形成した樹脂基板を作製した。本実施例の受動素子も抵抗とする。酸化物と銀粒子を混合し、混合粉末中の酸化物粉末の含有率は、銀粒子に対して１０体積％と１００体積％とした。【００４６】
混合粉末を樹脂基板に供給する機構と混合粉末にレーザを照射する機構を有する設備を構築した。図７に設備構成を示す。【００４７】
１５は粉末供給ノズル、１６は粉末供給機、１７は混合粉末、１８は筐体、１９は昇降機、２０は粉末高さ調整冶具を示している。粉末は基板上に敷き詰めるベット方式を採用した。まず粉末供給機から粉末供給ノズルを通じて混合粉末を基板に供給する。昇降機により、基板を上下させ、粉末上で粉末高さ調整冶具を走査させることにより、基板上の混合粉末量を調整した。レーザにはＹＡＧレーザを用いた。本設備を用いて、ポリイミド基板上に電極/配線/抵抗を形成した。上述した方法で、酸化物粉末の含有率が１０体積％の混合粉末をポリイミド基板上に敷き詰めた。混合粉末に対して、レーザを配線形状に照射して軟化流動させ、基板上に電極/配線を形成した。次に酸化物粉末の含有率１００体積％の混合粉末を基板上に敷き詰めた。混合粉末に対してレーザを抵抗形状に照射して、軟化流動させて基板上に接着させた。同様に酸化物粉末の含有率１００体積％の混合粉末を敷き詰めてレーザ照射を繰り返すことで、酸化物粉末の含有率１００体積％の抵抗を形成した。【００４８】
本実施例では１層２０μm厚を１０層繰返して、２００μｍ厚の抵抗を形成した。配線は４．８×１０-6 Ωcmを示し、抵抗は５．６×１０6 Ωｃｍを示し、電極/配線/抵抗を形成することができた。本実施例では酸化物粉末の含有率が１０体積％と１００体積％の混合粉末を用いたが、含有率の調整や導電物質の変更により、抵抗値を調整することが可能である。また本実施例ではパウダ供給方法として、基板上に敷き詰めるベット方式を採用したが、粉末ノズルを用いて、レーザ照射部に供給して、軟化流動させ接着させることも可能である。【００４９】
【表１】
2014073085.tif 000003
【符号の説明】
【００５０】
１  樹脂基板
２  酸化物
３  電磁波（レーザ）
４  ＹＡＧレーザ発振器
５  光ファイバ
６  レーザヘッド
７  レーザ
８  リフロー炉
９  印刷機
１０  ローラ
１１  プリント型
１２  導電性酸化物ペースト
１３  ポリイミド基板
１４  レーン
１５  粉末供給ノズル
１６  粉末供給機
１７  混合粉末
１８  筐体
１９  昇降機
２０  粉末高さ調整冶具
２１  電極
２２  配線
２３  導電材（金属粒子）
２４  抵抗
【図１】
2014073085.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電極と配線とを形成した配線基板において、前記基板は樹脂基板であり、前記電極と前記配線の少なくとも１つが、前記樹脂基板上で軟化した酸化物で形成され、前記酸化物がＰ又はＡｇの何れかとＶと酸化物換算で２０質量％以上のＴｅＯ２とを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１において、前記酸化物がＶ、Ｔｅ、Ｐを含み、転移点が３４０℃以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１において、前記酸化物がＶ２Ｏ５、ＴｅＯ２、Ｐ２Ｏ５を含み、酸化物換算でＶ２Ｏ５＞ＴｅＯ２＞Ｐ２Ｏ５（質量％）であることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１において、前記酸化物がＶ、Ｔｅ、Ａｇを含み、転移点が２７０℃以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１において、前記酸化物がＶ２Ｏ５、ＴｅＯ２、Ａｇ２Ｏを含み、酸化物換算でＶ２Ｏ５＋ＴｅＯ２＋Ａｇ２Ｏ≧８５質量％であることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１において、前記酸化物は、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｗ、Ｂａ、Ｋのいずれかを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１において、前記電極又は前記配線に導電材が含まれ、前記導電材がＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎの少なくとも一種であることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１において、前記酸化物が電磁波の照射によって軟化することを特徴とする配線基板。
【請求項９】
請求項８において、前記電磁波の波長が２０００ｎｍ以下のレーザであることを特徴とする配線基板。
【請求項１０】
請求項８において、前記電磁波の波長が０．１−１０００ｍｍのマイクロ波であることを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
基板に電極と配線とを形成した配線基板の製造方法において、前記基板は樹脂基板であり、前記樹脂基板に酸化物を供給する工程と、前記酸化物に電磁波を照射し前記樹脂基板上で前記酸化物が軟化して前記電極と前記配線の少なくとも１つが形成される工程とを備え、前記酸化物がＰ又はＡｇの何れかとＶと酸化物換算で２０質量％以上のＴｅＯ２とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記酸化物がＶ２Ｏ５、ＴｅＯ２、Ｐ２Ｏ５を含み、酸化物換算でＶ２Ｏ５＞ＴｅＯ２＞Ｐ２Ｏ５（質量％）であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記酸化物がＶ２Ｏ５、ＴｅＯ２、Ａｇ２Ｏを含み、酸化物換算でＶ２Ｏ５＋ＴｅＯ２＋Ａｇ２Ｏ≧８５質量％であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１において、前記電磁波の波長が２０００ｎｍ以下のレーザであることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１において、前記電磁波の波長が０．１−１０００ｍｍのマイクロ波であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月4日(2016.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電極と配線とを形成した配線基板において、
前記基板は樹脂基板であり、前記電極と前記配線の少なくとも１つが無鉛の酸化物からなり、
前記酸化物がＶ２Ｏ５、ＴｅＯ２、Ａｇ２Ｏを含み、前記ＴｅＯ２を２５質量％以上４０質量％以下含むことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１において、前記酸化物の転移点が２７０℃以下であることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２において、酸化物換算でＶ２Ｏ５＋ＴｅＯ２＋Ａｇ２Ｏ≧８５質量％であることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記酸化物は、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｗ、Ｂａ、Ｋのいずれかを含むことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記電極又は前記配線に導電材が含まれ、前記導電材がＡｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｉｎの少なくとも一種であることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記酸化物が電磁波の照射によって軟化する性質を有することを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項６において、前記電磁波の波長が２０００ｎｍ以下のレーザであることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項６において、前記電磁波の波長が０.１−１０００ｍｍのマイクロ波であることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
基板に電極と配線とを形成した配線基板の製造方法において、
前記基板は樹脂基板であり、前記樹脂基板に酸化物を供給する工程と、前記酸化物に電磁波を照射し前記樹脂基板上で前記酸化物が軟化して前記電極と前記配線の少なくとも１つが形成される工程とを備え、
前記酸化物はＶ２Ｏ５、ＴｅＯ２、Ａｇ２Ｏを含み、前記ＴｅＯ２を２５質量％以上４０質量％以下含む無鉛の酸化物であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記電磁波の波長が２０００ｎｍ以下のレーザであることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９において、前記電磁波の波長が０.１−１０００ｍｍのマイクロ波であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【国際調査報告】
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