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　特願２０１７−５２６２０３「研磨用濡れ剤及び研磨液組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年　１月　５日国際公開、ＷＯ２０１７／００２４３３、請求項の数（６）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２０１６年（平成２８年）４月１９日（優先権主張：平成２７年７月１日）を国際出願日とする出願であって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成３０年６月２５日付け：拒絶理由通知書
　平成３０年１０月２６日　：意見書の提出
　平成３０年１０月２９日　：手続補足書（実験成績証明書）の提出
　平成３１年３月６日付け　：拒絶査定
　令和元年６月１０日　　　：審判請求書，手続補正書の提出
　令和２年５月１３日付け　：拒絶理由通知書（当審）
　令和２年７月１６日　　　：意見書，手続補正書の提出
第２　本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」〜「本願発明６」という。）は，令和２年７月１６日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定される発明であり，そのうちの本願発明１は以下のとおりの発明である。
「【請求項１】
　主鎖部分が炭素−炭素結合のみからなる繰り返し単位により構成され，重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下であり，前記重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００以上３４７，０００以下であり，前記繰り返し単位は，Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリンに由来する構造単位を含む水溶性重合体を含む研磨用濡れ剤。」
　なお，本願発明２〜５は本願発明１を減縮した発明であり，本願発明６は本願発明１とカテゴリー表現が異なる発明である。
第３　引用例について
１．引用例１の記載と引用発明１
（１）原査定（平成３１年３月６日付け拒絶査定）の拒絶の理由に引用された引用例１（特開２０１５−６７７７３号公報）には，次の記載がされている。（下線は当審で付加。以下同じ。）
「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　シリコンウエハ等の半導体基板その他の基板を研磨するための
研磨用組成物（特に精密研磨用の研磨用組成物）には，被研磨物表面の保護や濡れ性向上等の目的で水溶性高分子を含有させたものが多い
【０００５】
　本発明は，上述のような事情に鑑みて創出されたものであり，表面欠陥を低減し得る研磨用組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
　本発明によると，
水溶性高分子ＭＡ−ｅｎｄを含む研磨用組成物が提供される。
【０００７】
　ここに開示される技術の好ましい一態様では，
前記主鎖は炭素−炭素結合からなる
「【００１１】
　ここに開示される技術の好ましい一態様では，研磨用組成物は，前記水溶性高分子ＭＡ−ｅｎｄに加えて，水溶性高分子ＭＬ−ｅｎｄをさらに含む。前記水溶性高分子ＭＬ−ｅｎｄは，主鎖の少なくとも一方の端部に疎水性領域を有する。前記疎水性領域は，重合開始剤に由来する少なくとも１つの疎水性基を有する。かかる構成によると，被研磨物の表面が疎水性表面である場合に表面欠陥をさらに低減することができる。また，水溶性高分子ＭＬ−ｅｎｄを含む組成物によるとヘイズの低減が実現される。」
「【００２４】
　高分子ＭＡ−ｅｎｄの主鎖に存在するアニオン性領域は，当該領域全体としてアニオン性を示す領域であり，主鎖の少なくとも一方の端部に位置する領域である。この明細書において主鎖の端部とは主鎖の末端を含む部分を指す。したがって，主鎖の端部に位置する領域とは，主鎖の少なくとも一方の末端から主鎖中心方向に延びる所定範囲の領域ということができる。ここに開示される高分子ＭＡ−ｅｎｄは，主鎖端部にアニオン性領域を有することで，高分子ＭＡ−ｅｎｄがアニオン性表面を有する砥粒（例えばアルカリ雰囲気中のシリカ砥粒）と共存する場合に表面欠陥を低減し得る。その理由として次のことが考えられる。すなわち，高分子ＭＡ−ｅｎｄがアニオン性表面を有する砥粒と共存する場合，高分子ＭＡ−ｅｎｄの主鎖端部は砥粒のアニオン性表面と反発するため，高分子ＭＡ−ｅｎｄの砥粒表面への吸着が抑制され，高分子を介した砥粒の凝集発生が抑制される。その結果，研磨用組成物中において良好な分散状態が実現される。この良好な分散状態（初期分散性）は，さらに研磨後の洗浄性向上に寄与し，砥粒由来の凝集体が洗浄後も残存する事象の発生を抑制する。その結果，表面欠陥（例えばＰＩＤ（Polishing Induced Defect））を低減する効果が実現されていると考えられる。」
「【００３８】
　高分子ＭＣ−ｅｎｄの主鎖に存在するカチオン性領域は，当該領域全体としてカチオン性を示す領域であり，主鎖の少なくとも一方の端部に位置する領域である。ここに開示される高分子ＭＣ−ｅｎｄは，主鎖端部にカチオン性領域を有することで，高分子ＭＣ−ｅｎｄがアニオン性表面を有する砥粒（例えばアルカリ雰囲気中のシリカ砥粒）と共存する場合に表面欠陥を低減することができる。その理由としては，特に限定的に解釈されるものではないが，例えば次のことが考えられる。すなわち，高分子ＭＣ−ｅｎｄがアニオン性表面を有する砥粒と共存する場合，高分子ＭＣ−ｅｎｄはその主鎖端部が砥粒のアニオン性表面と引き合い，高分子ＭＣ−ｅｎｄは上記端部のみが砥粒表面に吸着した状態になっていると考えられる。このような特有の吸着状態によって砥粒表面は良好に保護され，それによって，実用的な研磨レートを実現しながら表面欠陥（例えばスクラッチやＰＩＤ）を低減する効果が実現されていると考えられる。上記のように，高分子ＭＣ−ｅｎｄは，高分子ＭＡ−ｅｎｄとは異なる作用によって表面欠陥低減に寄与することから，高分子ＭＡ−ｅｎｄと高分子ＭＣ−ｅｎｄとを併用することにより，表面欠陥はより高レベルで低減され得る。」
「【００７４】
　水溶性高分子の主鎖の構造は特に限定されず，炭素−炭素結合からなるものや，主鎖中に酸素原子（Ｏ）や窒素原子（Ｎ）を含むものが挙げられる。なかでも，
上記水溶性高分子は炭素−炭素結合（−Ｃ−Ｃ−）からなる主鎖を有することが好ましい
上記炭素−炭素結合は
ＡＣＭＯ
「【００８５】
　Ｎ−（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドの例としては，
Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン
Ｎ−（メタ）アクリロイル基を有する環状アミドをモノマー単位として含むポリマーの例として，アクリロイルモルホリン系ポリマー（ＰＡＣＭＯ）が挙げられる
Ｎ−アクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）の単独重合体およびＡＣＭＯの共重合体（例えば，ＡＣＭＯの共重合割合が５０重量％を超える共重合体）である
水溶性高分子の全繰返し単位が実質的にＡＣＭＯ単位から構成されていてもよい。
「【００８９】
　ここに開示される水溶性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）は，２×１０３以上である。したがって，この明細書において水溶性高分子とは，Ｍｗが２×１０３以上の化合物と定義してもよい。一方，水溶性高分子の分子量の上限は特に限定されない。例えば重量平均分子量（Ｍｗ）が２００×１０４以下（例えば１５０×１０４以下，典型的には１００×１０４以下）の水溶性高分子を用いることができる。
凝集物の発生をよりよく防止する観点から，通常は，Ｍｗが１００×１０４未満（
典型的には４０×１０４以下，例えば３０×１０４以下）の水溶性高分子の使用が好ましい
水溶性高分子のＭｗの下限は４×１０３以上（例えば６×１０３以上）であることが好ましい。なかでも，Ｍｗが１×１０４以上の水溶性高分子がより好ましい
【００９０】
　ここに開示される技術において，水溶性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との関係は特に制限されない。凝集物の発生防止等の観点から，例えば分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が５．０以下であるものを好ましく用いることができる。
研磨用組成物の性能安定性等の観点から，水溶性高分子のＭｗ／Ｍｎは，好ましくは４．０以下，より好ましくは３．５以下，さらに好ましくは３．０以下（例えば２．５以下）である
「【０１６５】
　表１に示されるように，水溶性高分子として，主鎖の端部にアニオン性領域（より具体的には主鎖片末端にアニオン性基）を有するＰＡＣＭＯ−Ａ（高分子ＭＡ−ｅｎｄ），ＰＡＣＭＯ−Ｂ（高分子ＭＡ−ｅｎｄ）またはＰＶＰ−Ａ（高分子ＭＡ−ｅｎｄ）を含む研磨用組成物を使用した実施例１〜５は，良好な分散性を実現することができた。また，実施例１〜５は，水溶性高分子として高分子ＭＡ−ｅｎｄを使用しなかった比較例１〜３と比べて，ＰＩＤ低減性にも優れていた。 また，ＰＡＣＭＯ−Ｂ（高分子ＭＡ−ｅｎｄ）と，主鎖の端部にカチオン性領域（より具体的には主鎖片末端にカチオン性基）を有するＰＶＡ−Ａ（高分子ＭＣ−ｅｎｄ）とを含む研磨用組成物を用いた実施例２では，ＰＡＣＭＯ−Ａ単独使用の実施例１と比べてＰＩＤがさらに減少した。この結果から，高分子ＭＣ−ｅｎｄが高分子ＭＡ−ｅｎｄとは異なる作用によって表面欠陥低減に寄与したことが推察される。具体的には，高分子ＭＣ−ｅｎｄは砥粒表面に良好に吸着することによって，ＰＩＤ低減に寄与したと推察される。 さらに，ＰＡＣＭＯ−Ａ（高分子ＭＡ−ｅｎｄ）と，主鎖の端部に疎水性領域（より具体的には主鎖片末端に疎水性基）を有するＰＶＡ−Ｂ（高分子ＭＬ−ｅｎｄ）とを含む研磨用組成物を用いた実施例３，ＰＶＰ−Ａ（高分子ＭＡ−ｅｎｄ）と，主鎖の端部に疎水性領域（より具体的には主鎖片末端に疎水性基）を有する疎水変性ＰＶＡ（高分子ＭＬ−ｅｎｄ）とを含む研磨用組成物を用いた実施例５では，ＰＡＣＭＯ−Ａ単独使用の実施例１と比べてＰＩＤがさらに減少した。この結果から，高分子ＭＬ−ｅｎｄが高分子ＭＡ−ｅｎｄとは異なる作用によってＰＩＤ低減に寄与したことが推察される。具体的には，高分子ＭＬ−ｅｎｄは被研磨物（シリコンウエハ）表面に良好に吸着することによって，ＰＩＤ低減に寄与したと推察される。」
（２）以上によれば，上記引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「炭素−炭素結合（−Ｃ−Ｃ−）からなる主鎖を有し，前記炭素−炭素結合はアクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）に由来し，重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が２．５以下であり，前記重量平均分子量（Ｍｗ）が１×１０４以上４０×１０４以下であり，Ｎ−アクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）の重合体であって，全繰返し単位が実質的にＡＣＭＯ単位から構成されている水溶性高分子を含む研磨用組成物。」
２．引用例２の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された引用例２（国際公開第２０１５／０６８６７２号）には，次の記載がされている。
「[0015]  ＜水溶性高分子＞
　
本発明の半導体用濡れ剤は，Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリンに由来する構造単位を５０〜１００ｍｏｌ％有し，実質的にカチオン性基を含まない水溶性高分子を含有する
　Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリンに由来する構造単位は，ウェーハ表面への吸着性が良好であり，かつ，耐加水分解性にも優れる。このため，前記構造単位を主体とする水溶性高分子を含有する半導体用濡れ剤は，アルカリ化合物等とともに研磨用組成物を形成した場合にも優れた耐アルカリ性を示し，また，当該研磨用組成物は良好な耐エッチング性を発揮する。」
「[0043]  製造例１
≪水溶性高分子の合成≫
　攪拌翼，還流冷却管，温度計，各種導入管を備えた５Ｌの４つ口フラスコを用意し，純水１０００部を仕込んだ後，窒素導入管から１０ｍｌ／ｍｉｎの流量にて窒素を吹き込みつつ，攪拌しながら４０ｍｉｎかけて内温を８０℃に昇温した。
　昇温を確認後，４，４’−アゾビス−４−シアノ吉草酸（大塚化学社製，商品名「ＡＣＶＡ」）２．８部を純水３０部に溶解した開始剤溶液を一括で加えた。５分後，
Ｎ−アクリロイルモルホリン（興人社製，以下「ＡＣＭＯ」という）７００部を純水１６００部に溶解したモノマー水溶液をモノマー導入管から１時間かけて滴下し，重合を行った
　モノマー及び連鎖移動剤の各水溶液の滴下終了後，８０℃でさらに２時間重合を行った。その後，フラスコを室温まで冷却し，４−メトキシフェノールを０．３部加えて重合を停止することにより重合体１を得た。
この重合体１の数平均分子量（Ｍｎ）は２４，０００であり，分子量分布（ＰＤＩ）は２．４であった
[0044]  製造例２
　製造例１において，連鎖移動剤を使用しなかった以外は同様の操作を行い，重合体２を得た。
重合体２のＭｎは１２０，０００であり，ＰＤＩは３．０であった
[0045]  製造例３
　製造例２において，開始剤であるＡＣＶＡの使用量を０．５部に変更した以外は同様の操作を行い，重合体３を得た。
重合体３のＭｎは２５０，０００であり，ＰＤＩは３．３であった
（２）以上によれば，引用例２には以下の技術的事項が記載されているといえる。
・Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリンに由来する構造単位を主体とする水溶性高分子を含む半導体用濡れ剤において，分子量分布（ＰＤＩ）を２．４〜３．３とし，数平均分子量（Ｍｎ）を２４，０００〜２５０，０００とすること。
第４　対比・判断
１．本願発明１と引用発明１の一致点及び相違点
　本願発明１と引用発明１とを対比する。
ア　引用例１の段落［０００４］の，「シリコンウエハ等の半導体基板その他の基板を研磨するための
研磨用組成物（特に精密研磨用の研磨用組成物）には
濡れ性向上等の目的で水溶性高分子を含有させたものが多い
イ　引用発明１の「Ｎ−アクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）の重合体であって，全繰返し単位が実質的にＡＣＭＯ単位から構成されている水溶性高分子」は，本願発明１の「前記繰り返し単位は，Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリンに由来する構造単位を含む水溶性重合体」に相当する。また，引用発明１の「水溶性高分子」が「炭素−炭素結合（−Ｃ−Ｃ−）からなる主鎖を有し，前記炭素−炭素結合はアクリロイルモルホリン（ＡＣＭＯ）に由来」することは，本願発明１の「水溶性重合体」が「主鎖部分が炭素−炭素結合のみからなる繰り返し単位により構成され」ていることに相当する。
ウ　引用発明１の「重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が２．５以下」であることは，本願発明１の「重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下」であることに対応し，両者はともに「重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分散度（ＰＤＩ）」が所定の値以下である点で共通する。
エ　引用発明１の「重量平均分子量（Ｍｗ）が１×１０４以上４０×１０４以下」であることは，本願発明１の「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００以上３４７，０００以下」であることに対応し，両者はともに「重量平均分子量（Ｍｗ）」が所定の数値範囲である点で共通する。
　以上によれば，本願発明１と引用発明１との一致点及び相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「主鎖部分が炭素−炭素結合のみからなる繰り返し単位により構成され，重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分散度（ＰＤＩ）が所定の値以下であり，前記重量平均分子量（Ｍｗ）が所定の数値範囲であり，前記繰り返し単位は，Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリンに由来する構造単位を含む水溶性重合体を含む研磨用濡れ剤。」
＜相違点１＞
　本願発明１では「重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下」であるのに対し，引用発明１では「重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が２．５以下」である点。
＜相違点２＞
　本願発明１では「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００以上３４７，０００以下」であるのに対し，引用発明１では，「重量平均分子量（Ｍｗ）が１×１０４以上４０×１０４以下」である点。
２．相違点に対する判断
　上記相違点１及び２について，まとめて検討する。
ア　本願の発明の詳細な説明（表３を参照）によれば，本願発明１は，Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリンに由来する構造単位を含む研磨用濡れ剤の水溶性高分子について，「分散度（ＰＤＩ）を１．４４以下」，「重量平均分子量（Ｍｗ）を８０，０００以上３４７，０００以下」と規定することで，「シリカ分散性」，「水溶液ろ過性」，「耐エッチング性（Ｅ．Ｒ．）」，「濡れ性」，「耐アルカリ性」のいずれにおいても優れた性質を有する研磨用濡れ剤を得るものであると理解できる。
イ　一方，引用例１の記載（段落［０００６］，［００１１］，［００２４］，［００３８］，［０１６５］等を参照。）によれば，引用発明１は，主鎖の少なくとも一方の端部にアニオン性領域を有する水溶性高分子を用い，高分子の砥粒表面への吸着を防止することで高分子を介した砥粒の凝集発生を抑制する作用を有するものであり，当該作用により表面欠陥を低減する効果を得るものであると理解できる。また引用例１（表１を参照。）では，引用発明１の効果を分散性と表面欠陥数（ＰＩＤ数）の相対値により評価している。
ウ　しかしながら，引用例１には，水溶性高分子の分散度（ＰＤＩ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）を，「シリカ分散性」，「水溶液ろ過性」，「耐エッチング性（Ｅ．Ｒ．）」，「濡れ性」，「耐アルカリ性」のいずれにおいても優れた性質を有するように最適化することは記載されていない。そうすると，引用発明１における好適範囲であり，本願発明１よりも広範な「重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ）で表される分子量分布が２．５以下」及び「重量平均分子量（Ｍｗ）が１×１０４以上４０×１０４以下」との範囲から，より限定された「分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下」及び「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００以上３４７，０００以下」との範囲とする動機が，引用例１に記載ないし示唆されているとはいえない。
エ　また，引用例２には，Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリンに由来する構造単位を主体とする水溶性高分子を含む半導体用濡れ剤において，分子量分布（ＰＤＩ）を２．４〜３．３とし，数平均分子量（Ｍｎ）を２４，０００〜２５０，０００とすること（上記第３の２．（２））は記載されているが，「分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下」及び「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００以上３４７，０００以下」との範囲とすることは記載も示唆もされていない。さらに，当該範囲に規定することで「シリカ分散性」，「水溶液ろ過性」，「耐エッチング性（Ｅ．Ｒ．）」，「濡れ性」，「耐アルカリ性」のいずれにおいても優れた性質を有することが，当業者に周知の事項であるとも認められない。
オ　したがって，本願発明１は引用発明１と同一ではなく，また，引用発明１及び引用例２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
３．本願発明２〜６について
　本願発明２〜５は本願発明１を減縮した発明であり，本願発明１の「分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下」及び「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００以上３４７，０００以下」との構成を含むものであるから，本願発明１と同様に，引用発明１と同一ではなく，また，引用発明１及び引用例２から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また，本願発明６は本願発明１に対応する方法の発明であり，本願発明１の「分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下」及び「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００以上３４７，０００以下」との構成に対応する構成を含むものであるから，本願発明１と同様に，引用発明１と同一ではなく，また，引用発明１及び引用例２から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４．小括
　したがって，本願発明１〜６は，特許法２９条１項３号に該当せず，同法同条１項の規定する要件を充足しない。また，本願発明１〜６は，特許法２９条２項の規定する要件を充足しない。
第５　原査定の概要及び原査定についての判断
　原査定の概要は，以下の（１），（２）のとおりである。
（１）本願の請求項１，３〜９に係る発明は，引用例１に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，同法同条１項の規定により特許を受けることができない。仮にそうでないとしても，本願の請求項１，３〜９に係る発明は，引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
（２）本願の請求項２に係る発明は，引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　しかしながら，令和２年７月１６日提出の手続補正書でした補正により，補正後の請求項１〜６は，「分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下」及び「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００以上３４７，０００以下」との技術的事項を有するものとなった。そして，上述のとおり，当該事項は原査定の拒絶理由で引用した引用例１及び引用例２に記載された事項ではなく，本願優先日前における周知技術でもないから，補正後の請求項１〜６に係る発明は，引用例１に記載された発明ではなく，また，引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　したがって，原査定を維持することはできない。
第６　当審拒絶理由について
　当審では，本願の特許請求の範囲の記載は特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていないとの拒絶理由を通知した。具体的には，請求項１〜６における「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００〜３５０，０００であり」及び「分散度（ＰＤＩ）が２．０以下であり」との事項は，本願発明の詳細な説明に開示された事項ではないから，本願の請求項１〜６に係る発明は，発明の詳細な説明に記載したものではないとの拒絶の理由を通知した。
　これに対し，審判請求人は令和２年７月１６日に手続補正書を提出し，当該補正書により，上記の事項は「重量平均分子量（Ｍｗ）が８０，０００〜３４７，０００であり」及び「分散度（ＰＤＩ）が１．４４以下であり」と補正された結果，この拒絶の理由は解消した。
第７　結言
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。