Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者の遊技操作に対応して遊技動作を進行させるメイン処理と、所定時間毎にメイン処理を中断させて実行されることで時間経過を計時可能な割込み処理と、を有して構成され、所定の抽選処理の結果に基づいて複数の回転体を停止させる遊技を実行可能な遊技機であって、
バックアップ電源によって電源遮断後のメモリの記憶内容が維持されることで、電源復帰後に電源遮断前の遊技動作を継続可能に構成すると共に、
回転体の全部又は一部について、複数の変則動作の何れかである予告演出、または複数の変則動作を組合せた予告演出を実行可能に構成し、
予告演出を開始または進行させるための各種の動作パラメータを初期設定する第一手段と、
必要な動作パラメータを適宜に更新しつつ、予告演出を構成する一連の変則動作を進行させる第二手段と、
予告演出を終えると所定フラグを終了値に設定する第三手段と、
所定フラグが終了値に設定されると、終了した予告演出に続く動作を開始する第四手段と、
が機能して前記予告演出が実現され、
異常を検出するとその後の動作に移行させることなく電断処理を実行する電断監視処理と、
ＣＰＵリセット後、ＣＰＵリセット前に予告演出が終了していない場合には、前記動作パラメータを初期設定する演出再開処理と、が設けられていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技者の遊技操作に対応して遊技動作を進行させるメイン処理と、所定時間毎にメイン処理を中断させて実行されることで時間経過を計時可能な割込み処理と、を有して構成され、所定の抽選処理の結果に基づいて複数の回転体を停止させる遊技を実行可能な遊技機であって、
バックアップ電源によって電源遮断後のメモリの記憶内容が維持されることで、電源復帰後に電源遮断前の遊技動作を継続可能に構成すると共に、
回転体の全部又は一部について、複数の変則動作の何れかである予告演出、または複数の変則動作を組合せた予告演出を実行可能に構成し、
予告演出を開始または進行させるための各種の動作パラメータを初期設定する第一手段と、
必要な動作パラメータを適宜に更新しつつ、予告演出を構成する一連の変則動作を進行させる第二手段と、
予告演出を終えると所定フラグを終了値に設定する第三手段と、
所定フラグが終了値に設定されると、終了した予告演出に続く動作を開始する第四手段と、
が機能して前記予告演出が実現され、
異常を検出するとその後の動作に移行させることなく電断処理を実行する電断監視処理と、
ＣＰＵリセット後、ＣＰＵリセット前に予告演出が終了していない場合には、予告演出を消滅させるための動作パラメータを設定する演出中止処理と、が設けられていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
前記所定フラグ（Ｆ１）は、これが開始値である場合には、予告演出を開始させるための動作パラメータとして機能し、終了値である場合には、予告演出が終了したことを示す動作パラメータとして機能するよう構成されている請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記メイン処理と前記割込み処理とを有して、予告演出を含んだ各種の動作を中心的に制御する主制御部と、主制御部から受ける制御コマンドに基づいて、予告演出実行時には、これに対応する演出動作を制御する演出制御部と、を有して構成され、
演出再開処理又は演出中止処理は、予告演出開始を示す制御コマンド又は予告演出中止を示す制御コマンドを、演出制御部に送信するべく必要な動作を実行するよう構成されている請求項１〜３の何れかに記載の遊技機。
【請求項５】
電断監視処理は、所定の動作を終えた後、そのことを示す完了データをメモリに記憶する一方、
前記演出再開処理や前記演出中止処理は、メモリから前記完了データが検出されることを条件に実行されるよう構成されている請求項１〜４の何れかに記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記の目的を達成するため、請求項１に係る発明は、遊技者の遊技操作に対応して遊技動作を進行させるメイン処理と、所定時間毎にメイン処理を中断させて実行されることで時間経過を計時可能な割込み処理と、を有して構成され、所定の抽選処理の結果に基づいて複数の回転体を停止させる遊技を実行可能な遊技機であって、バックアップ電源によって電源遮断後のメモリの記憶内容が維持されることで、電源復帰後に電源遮断前の遊技動作を継続可能に構成すると共に、回転体の全部又は一部について、複数の変則動作の何れかである予告演出、または複数の変則動作を組合せた予告演出を実行可能に構成し、予告演出を開始または進行させるための各種の動作パラメータを初期設定する第一手段と、必要な動作パラメータを適宜に更新しつつ、予告演出を構成する一連の変則動作を進行させる第二手段と、予告演出を終えると所定フラグを終了値に設定する第三手段と、所定フラグが終了値に設定されると、終了した予告演出に続く動作を開始する第四手段と、が機能して前記予告演出が実現され、異常を検出するとその後の動作に移行させることなく電断処理を実行する電断監視処理と、ＣＰＵリセット後、ＣＰＵリセット前に予告演出が終了していない場合には、前記動作パラメータを初期設定する演出再開処理と、が設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項２に係る発明は、遊技者の遊技操作に対応して遊技動作を進行させるメイン処理と、所定時間毎にメイン処理を中断させて実行されることで時間経過を計時可能な割込み処理と、を有して構成され、所定の抽選処理の結果に基づいて複数の回転体を停止させる遊技を実行可能な遊技機であって、バックアップ電源によって電源遮断後のメモリの記憶内容が維持されることで、電源復帰後に電源遮断前の遊技動作を継続可能に構成すると共に、回転体の全部又は一部について、複数の変則動作の何れかである予告演出、または複数の変則動作を組合せた予告演出を実行可能に構成し、予告演出を開始または進行させるための各種の動作パラメータを初期設定する第一手段と、必要な動作パラメータを適宜に更新しつつ、予告演出を構成する一連の変則動作を進行させる第二手段と、予告演出を終えると所定フラグを終了値に設定する第三手段と、所定フラグが終了値に設定されると、終了した予告演出に続く動作を開始する第四手段と、が機能して前記予告演出が実現され、異常を検出するとその後の動作に移行させることなく電断処理を実行する電断監視処理と、ＣＰＵリセット後、ＣＰＵリセット前に予告演出が終了していない場合には、予告演出を消滅させるための動作パラメータを設定する演出中止処理と、が設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記各発明は、前記所定フラグ（Ｆ１）は、これが開始値である場合には、予告演出を開始させるための動作パラメータとして機能し、終了値である場合には、予告演出が終了したことを示す動作パラメータとして機能するよう構成されているのが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月27日(2015.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記問題を解決するために、実施形態のＸ線ＣＴ装置は、天板上に載置される被検体に
Ｘ線を照射するＸ線管と、前記被検体を透過したＸ線を検出するＸ線検出器と、前記Ｘ線
検出器の出力に基づいて複数の投影データを収集する第１及び第２のスキャンを順次実行
させるためのプランを保存するプラン記憶部と、前記第１又は第２のスキャンの一方のス
キャンの途中で停止した場合、前記一方のスキャンが停止するまでに収集された投影デー
タを含むスキャン情報に基づいて、前記一方のスキャンが停止したときの位置から前記一
方のスキャンを再開させるスキャン制御部とを備えたことを特徴とする
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天板上に載置される被検体にＸ線を照射するＸ線管と、
前記被検体を透過したＸ線を検出するＸ線検出器と、
前記Ｘ線検出器の出力に基づいて複数の投影データを収集する第１及び第２のスキャン
を順次実行させるためのプランを保存するプラン記憶部と、
前記第１又は第２のスキャンの一方のスキャンの途中で停止した場合、前記一方のスキ
ャンが停止するまでに収集された投影データを含むスキャン情報に基づいて、前記一方の
スキャンが停止したときの位置から前記一方のスキャンを再開させるスキャン制御部と、
を備えたことを特徴とするＸ線ＣＴ装置。
【請求項２】
前記Ｘ線管と前記Ｘ線検出器とを回転可能に保持する回転フレームを備え、
前記一方のスキャンは、前記天板が移動している間のＸ線照射により前記投影データを
収集するヘリカルスキャンであり、
前記スキャン制御部は、
前記ヘリカルスキャンが停止するまでに収集された前記投影データの数が予め設定され
た糊代の数以上である場合、最新の投影データから数えて前記糊代の数過去に遡った投影
データが収集されたときの前記回転フレーム及び前記天板の位置からＸ線照射を開始する
前記ヘリカルスキャンを再開させ、
前記ヘリカルスキャンが停止するまでに収集された前記投影データの数が前記糊代の数
未満である場合、前記回転フレーム及び前記天板の位置を前記ヘリカルスキャンが停止す
る前のスキャン開始位置に決定し、前記スキャン開始位置からＸ線照射を開始する前記ヘ
リカルスキャンを再開させる、
ことを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項３】
前記Ｘ線管と前記Ｘ線検出器とを回転可能に保持する回転フレームを備え、
前記一方のスキャンは、前記天板が停止している状態における前記回転フレーム回転中
の１回目のＸ線照射により画像データの生成が可能な複数の投影データを収集する１回目
のスキャン、及び前記１回目のスキャンが終了した後の２回目のＸ線照射により画像デー
タの生成が可能な複数の投影データを収集する２回目のスキャンを含み、
前記スキャン制御部は、
前記一方のスキャンが停止するまでに収集された前記投影データに基づいて前記一方の
スキャンの停止位置を算出し、
前記停止位置が前記１回目のスキャン途中の位置である場合、前記１回目のスキャンが
停止する前の１回目のスキャン開始位置に決定し、前記１回目のスキャン開始位置からＸ
線照射を開始する前記１回目のスキャンを再開させ、
前記停止位置が前記１回目のスキャンが終了した後の前記２回目のスキャンが開始され
る前の位置又は前記２回目のスキャン途中の位置である場合、前記２回目のスキャンが停
止する前の２回目のスキャン開始位置に決定し、前記２回目の開始位置からＸ線照射を開
始する前記２回目のスキャンを再開させる、
ことを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項４】
前記一方のスキャンを開始させるスキャン開始の入力、このスキャン開始の入力後に前
記一方のスキャンを再開させるスキャン再開の入力、及び前記スキャン開始の入力に応じ
てＸ線を照射させる最大時間の入力が可能な操作部を有し、
前記スキャン制御部は、
前記スキャン再開の入力が行われたときの再開入力時刻が前記スキャン開始の入力が行
われたときの開始入力時刻と前記開始入力時刻から前記最大時間経過した終了予定時刻の
間の時間帯に含まれている場合、前記一方のスキャン開始位置からＸ線照射を開始する前
記一方のスキャンを再開させ、
前記再開入力時刻が前記終了予定時刻以降の時刻である場合、前記一方のスキャンを中
止させる、
ことを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項５】
前記一方のスキャンを開始させるスキャン開始の入力、このスキャン開始の入力後に前
記一方のスキャンを再開させるスキャン再開の入力、及び前記スキャン開始の入力に応じ
て前記一方のスキャンの開始の時間を遅延させる休止時間の入力が可能な操作部を有し、
前記スキャン制御部は、
前記スキャン再開の入力により前記一方のスキャンの再開が可能となるマージン時間を
計算した後、前記スキャン再開の入力が行われたときの再開入力時刻から前記マージン時
間経過した再開予測時刻を計算し、
前記再開予測時刻が前記スキャン開始の入力が行われたときの開始入力時刻と前記開始
入力時刻から前記休止時間経過した開始予定時刻の間の時刻である場合、前記開始予定時
刻に前記一方のスキャンを再開させ、
前記再開予測時刻が前記開始予定時刻以降の時刻である場合、前記一方のスキャンの再
開を停止させる、
ことを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【請求項６】
前記第１のスキャンを開始させるスキャン開始の入力、このスキャン開始の入力後に前
記一方のスキャンを再開させるスキャン再開の入力、及び前記スキャン開始の入力に応じ
て前記第２のスキャンを開始させる開始時間の入力が可能な操作部を有し、
前記スキャン制御部は、
前記スキャン再開の入力が行われたときの再開入力時刻が前記スキャン開始の入力が行
われたときの開始入力時刻と前記開始入力時刻から前記開始時間経過した開始予定時刻の
間の時刻である場合、前記開始予定時刻に前記第２のスキャンを再開させ、前記再開入力
時刻が前記開始予定時刻以降の時刻である場合、前記第２のスキャンの再開を停止させる
、
ことを特徴とする請求項１に記載のＸ線ＣＴ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レトラクタの内部に内視鏡を挿入して行う手術中のシミュレーション画像を表示する手術支援装置であって、
断層画像情報を取得する断層画像情報取得部と、
前記断層画像情報取得部に接続されており、前記断層画像情報のボクセル情報を格納するメモリと、
前記メモリに接続されており、前記ボクセル情報に基づいて、視線に対して垂直の方向においてボクセル情報をサンプリングするボリュームレンダリング演算部と、
前記ボリュームレンダリング演算部によって生成された画像のうち前記内視鏡によって取得される範囲の画像を表示する第１表示エリアと、前記内視鏡によって取得された画像が前記レトラクタの内壁によって表示が遮られる第２表示エリアとを設定して表示部に表示させる表示制御部と、
を備えている手術支援装置。
【請求項２】
前記第１表示エリア画像および第２表示エリア画像を表示する表示部を、さらに備えている、
請求項１に記載の手術支援装置。
【請求項３】
前記表示制御部は、シミュレーション画像上において、前記術具が体内に挿入された状態において前記術具と手術の対象部位の周辺の骨とが最初に接触する位置を挿入制限位置として検出して表示する、
請求項１または２に記載の手術支援装置。
【請求項４】
前記内視鏡は、斜視内視鏡である、
請求項１から３のいずれか１項に記載の手術支援装置。
【請求項５】
前記表示部に表示される画像の向きは、マウスの２次元入力によって調整可能である、
請求項１から４のいずれかに記載の手術支援装置。
【請求項６】
レトラクタの内部に内視鏡を挿入して行う手術中のシミュレーション画像を表示する手術支援プログラムであって、
断層画像情報を取得する取得ステップと、
前記断層画像情報のボクセル情報に基づいて視線に対して垂直の方向においてボクセル情報をサンプリングするボリュームレンダリングステップと、
前記ボリュームレンダリングステップにおいて生成された画像のうち前記内視鏡によって取得される範囲の画像を表示する第１表示エリアと、前記内視鏡によって取得された画像が前記レトラクタの内壁によって表示が遮られる第２表示エリアとを設定して表示部に表示させる表示ステップと、
を備えた手術支援方法をコンピュータに実行させる手術支援プログラム。
【請求項７】
前記術具が体内に挿入された状態において前記術具と手術の対象部位の周辺の骨とが最初に接触する位置を挿入制限位置として検出して表示する検出ステップをさらに備えた手術支援方法をコンピュータに実行させる、
請求項６に記載の手術支援プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月20日(2015.3.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記目的を達成するため本発明の一態様における挿入機器は、被検体内に挿入される細長な挿入部を具備する挿入機器であって、前記挿入部の挿入方向の先端側に位置する第１の湾曲部と、前記挿入部の前記挿入方向において、前記第１の湾曲部よりも基端側に設けられた第２の湾曲部と、
前記挿入部の前記挿入方向において、前記第２の湾曲部よりも基端側に設けられた可撓管と、前記挿入部内に挿通され、前記挿入方向の先端が前記第１の湾曲部と前記第２の湾曲部との第１の接続部に固定された一対の第１のコイルパイプと、前記挿入部内に挿通され、前記挿入方向の先端が前記第２の湾曲部と前記可撓管との第２の接続部に固定された一対の第２のコイルパイプと、前記挿入部内に挿通され、前記挿入方向の先端が前記第２の接続部に固定された一対の第３のコイルパイプと、前記第１のコイルパイプ内に挿入され、先端部が前記第１の湾曲部において前記挿入方向の先端に位置する先端駒に固定された一対の第１のワイヤと、前記第２のコイルパイプ内に挿入され、先端部が前記第１の湾曲部の前記先端駒に固定された一対の第２のワイヤと、前記第３のコイルパイプ内に挿入され、先端部が前記第２の湾曲部において前記挿入方向の先端に位置する駒に固定された一対の第３のワイヤと、を具備している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体内に挿入される細長な挿入部を具備する挿入機器であって、
前記挿入部の挿入方向の先端側に位置する第１の湾曲部と、
前記挿入部の前記挿入方向において、前記第１の湾曲部よりも基端側に設けられた第２の湾曲部と、
前記挿入部の前記挿入方向において、前記第２の湾曲部よりも基端側に設けられた可撓管と、
前記挿入部内に挿通され、前記挿入方向の先端が前記第１の湾曲部と前記第２の湾曲部との第１の接続部に固定された一対の第１のコイルパイプと、
前記挿入部内に挿通され、前記挿入方向の先端が前記第２の湾曲部と前記可撓管との第２の接続部に固定された一対の第２のコイルパイプと、
前記挿入部内に挿通され、前記挿入方向の先端が前記第２の接続部に固定された一対の第３のコイルパイプと、
前記第１のコイルパイプ内に挿入され、先端部が前記第１の湾曲部において前記挿入方向の先端に位置する先端駒に固定された一対の第１のワイヤと、
前記第２のコイルパイプ内に挿入され、先端部が前記第１の湾曲部の前記先端駒に固定された一対の第２のワイヤと、
前記第３のコイルパイプ内に挿入され、先端部が前記第２の湾曲部において前記挿入方向の先端に位置する駒に固定された一対の第３のワイヤと、
を具備していることを特徴とする挿入機器。
【請求項２】
一対の前記第１のコイルパイプ、一対の前記第２のコイルパイプ、及び一対の前記第３のコイルパイプは、それぞれ前記挿入部の中心軸を挟んで対向することを特徴とする請求項１に記載の挿入機器。
【請求項３】
前記挿入部内において、前記第１のワイヤと前記第３のワイヤとは、前記挿入部の周方向において隣接して位置しているとともに、前記第２のワイヤは、前記第１のワイヤ及び前記第３のワイヤに対し、前記周方向に離間して位置していることを特徴とする請求項１に記載の挿入機器。
【請求項４】
前記第２の湾曲部は、４方向に湾曲自在な複数の湾曲駒から構成されており、
前記第１の湾曲駒は、４方向に湾曲自在な複数の湾曲駒間に、前記４方向中の２方向に湾曲自在な湾曲駒が少なくとも１つ介在されて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の挿入機器。
【請求項５】
前記可撓管の前記挿入方向の基端に接続された操作部に、
前記第１のワイヤを牽引して前記第１の湾曲部を湾曲させる回動自在な第１の湾曲操作部材と、
前記第２のワイヤを牽引して前記第１の湾曲部及び前記第２の湾曲部を湾曲させる回動自在な第２の湾曲操作部材と、
前記第３のワイヤを牽引して前記第２の湾曲部を湾曲させる回動自在な第３の湾曲操作部材と、
が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の挿入機器。
【請求項６】
前記第１の湾曲操作部材が操作されることにより、前記第１の湾曲部は２方向に湾曲され、 
前記第２の湾曲操作部材が操作されることにより、前記第１の湾曲部及び前記第２の湾曲部は、前記第１の湾曲部の前記２方向の湾曲方向とは異なる２方向に湾曲され、 
前記第３の湾曲操作部材が操作されることにより、前記第２の湾曲部は、前記第１の湾曲部の前記２方向の湾曲方向と同じ２方向に湾曲されることを特徴とする請求項５に記載の挿入機器。
【請求項７】
前記第１の湾曲操作部材と前記第２の湾曲操作部材とは、前記操作部において同軸上に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の挿入機器。 
【請求項８】
前記第１の湾曲操作部材と前記第３の湾曲操作部材とは、前記操作部において同軸上に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の挿入機器。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月17日(2014.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
トップコート層を構成する熱硬化型樹脂としては、例えば特開２０００−１２９４４８号公報に記載される液状エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂及びシリコン樹脂、特開２００３−１５５５８０号公報に記載されるシリコンアクリル系樹脂、特開２００２−２５６４５５号公報に記載される２液硬化型ポリウレタン樹脂またはアクリル変性シリコン樹脂等が挙げられる。また一般に市販されている熱硬化型樹脂として、例えば藤倉化成株式会社製の「ＰＴＣ−０２ＵＨ（１０Ｂ）」（シリコンアクリル系塗料）またはオリジン電気株式会社製の「オリジツーク＃１００」（アクリルシリコン系塗料）、大橋化学工業株式会社製の「ハイポリナールＮｏ．８００Ｓ」（アクリルシリコン系塗料）「オーマックＮｏ．１００（Ｅ）クリアＦＶ」（アクリルシリコン系）「ネオハードクリアＨ」（高硬度アクリル系）等が好適に使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月25日(2015.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脈波センサーを有する脈波検出部からの脈波信号に含まれる体動ノイズ成分を低減する体動ノイズ低減処理を行う体動ノイズ低減部と、
気圧又は水圧を検出する圧力センサーを有する体動検出部からの体動信号に対して信号処理を行う体動信号処理部と、
を含み、
前記体動信号処理部は、
前記体動信号に対して、外部環境の変化による圧力変化成分を低減する前記信号処理を行い、
前記体動ノイズ低減部は、
前記脈波信号と、前記信号処理後の前記体動信号とに基づいて、前記体動ノイズ低減処理を行うことを特徴とする拍動検出装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記体動信号処理部は、
前記体動信号の基本周波数成分以外のノイズ成分を低減する前記信号処理を行うフィルターを有することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記体動信号処理部は、
前記体動信号の前記基本周波数成分及び前記基本周波数成分の高調波成分以外のノイズ成分を低減する前記信号処理を行う前記フィルターとして、適応線スペクトル強調器を有することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記体動信号処理部は、
前記体動信号についてのハイパスフィルター処理を前記信号処理として行うハイパスフィルターを有することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記体動検出部は、
モーションセンサーを有し、
前記体動信号処理部は、
前記モーションセンサーの検出信号に基づいて、前記信号処理を行うことを特徴とする拍動検出装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記体動検出部は、
モーションセンサーとして加速度センサーを有し、
前記体動信号処理部は、
前記加速度センサーの検出信号に基づいて、被検体の速度を演算し、演算した前記速度から空気抵抗又は水流抵抗を演算し、前記信号処理を行うことを特徴とする拍動検出装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記体動検出部は、
前記圧力センサーと加速度センサーとを有し、
前記体動信号処理部は、
ハイパスフィルターと適応線スペクトル強調器とを有し、
前記体動信号処理部は、
前記信号処理として、
前記ハイパスフィルターにより、前記体動検出部からの圧力検出信号についてハイパスフィルター処理を行い、
前記適応線スペクトル強調器により、前記ハイパスフィルター処理後の前記圧力検出信号について基本周波数成分及び前記基本周波数成分の高調波成分以外のノイズ成分を低減する処理を行い、
前記体動検出部からの加速度検出信号に基づいて被検体の速度を演算し、演算した前記速度から空気抵抗又は水流抵抗を演算し、前記空気抵抗又は前記水流抵抗による圧力変化成分を低減する処理を行うことを特徴とする拍動検出装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記体動ノイズ低減処理後の前記脈波信号に基づいて、拍動情報を演算する拍動情報演算部を含むことを特徴とする拍動検出装置。
【請求項９】
脈波センサーを有する脈波検出部からの脈波信号に含まれる体動ノイズ成分を低減する体動ノイズ低減処理を行う体動ノイズ低減部と、
気圧又は水圧を検出する圧力センサーを有する体動検出部からの体動信号に対して信号処理を行う体動信号処理部と、
を含み、
前記体動信号処理部は、
前記体動信号に対して、体動成分以外の圧力ノイズ成分を低減する前記信号処理を行い、
前記体動ノイズ低減部は、
前記脈波信号と前記信号処理後の前記体動信号とに基づいて、前記体動ノイズ低減処理を行うことを特徴とする拍動検出装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の拍動検出装置と、
前記脈波検出部と、
前記体動検出部と、
を含むことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
脈波センサーを有する脈波検出部からの脈波信号に含まれる体動ノイズ成分を低減する体動ノイズ低減処理を行う体動ノイズ低減部と、
気圧又は水圧を検出する圧力センサーを有する体動検出部からの体動信号に対して信号処理を行う体動信号処理部として、
コンピューターを機能させ、
前記体動信号処理部は、
前記体動信号に対して、外部環境の変化による圧力変化成分を低減する前記信号処理を行い、
前記体動ノイズ低減部は、
前記脈波信号と前記信号処理後の前記体動信号とに基づいて、前記体動ノイズ低減処理を行うことを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
脈波センサーを有する脈波検出部からの脈波信号に含まれる体動ノイズ成分を低減する体動ノイズ低減処理を行う体動ノイズ低減部と、
気圧又は水圧を検出する圧力センサーを有する体動検出部からの体動信号に対して信号処理を行う体動信号処理部として、
コンピューターを機能させ、
前記体動信号処理部は、
前記体動信号に対して、体動成分以外の圧力ノイズ成分を低減する前記信号処理を行い、
前記体動ノイズ低減部は、
前記脈波信号と前記信号処理後の前記体動信号とに基づいて、前記体動ノイズ低減処理を行うことを特徴とするプログラム。
【請求項１３】
体動信号に対して、圧力センサーの検出信号に基づいて、外部環境の変化による圧力変化成分を低減する信号処理と行い、
脈波信号と前記信号処理を施した前記体動信号とに基づいて、前記脈波信号に含まれる体動ノイズを低減することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項１４】
体動信号に対して、圧力センサーの検出信号に基づいて、体動成分以外の圧力ノイズ成分を低減する信号処理を行い、
脈波信号と前記信号処理を施した前記体動信号とに基づいて、前記脈波信号に含まれる体動ノイズを低減することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、モーションセンサーの検出信号に基づいて、風圧または水流圧による圧力変化成分を低減することを特徴とする拍動検出装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記モーションセンサーは加速度センサーであることを特徴とする拍動検出装置。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６のいずれかに記載の拍動検出装置を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月16日(2015.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
人形１２は、頭部に相当する部分の一部にポケットのような収容部１２ａを有し、この収容部１２ａには、フューチャーフォンやスマートフォンのような携帯電話機１４が収容される。ただし、携帯電話機１４に限定される必要はなく、Bluetooth（登録商標）のよ
うな通信技術を用いて通信可能に接続された本体と通話機器（スピーカフォン）のうちのスピーカフォンを収容部１２ａに収容するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月26日(2015.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、従来の遊技機では所定の乱数値の狙い撃ちが可能となって、公正さに欠けるという課題がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、所定の乱数値の狙い撃ちを防止し、遊技の公正さを確保することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
所定数を更新範囲としてカウンタ値を循環して更新する乱数生成手段と、
遊技盤の遊技領域内へ遊技球を発射する発射手段と、
当該発射手段により発射される遊技球の発射勢を調整する発射調整手段と、
前記遊技領域内に設けられた始動入賞領域と、
前記発射手段により発射された遊技球の前記始動入賞領域への入賞に伴い複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームを表示可能な変動表示装置と、
遊技を統括的に制御する遊技制御手段と、
前記遊技制御手段の指令に基づいて遊技の進行に関連する演出を制御する演出制御手段と、
を備え、前記変動表示ゲームの実行結果が予め定められた特別結果となった場合に遊技者に対して有利な特別遊技状態を発生させる遊技機において、
前記遊技制御手段は、
前記乱数生成手段が更新するカウンタ値を任意のタイミングで取得し、取得した前記カウンタ値を乱数として遊技制御に利用し、
前記発射手段は、
予め定められた発振周波数の発振信号を発生させる発振手段と、
前記発振信号と前記発射調整手段からの信号とに基づいて発射を制御する発射制御手段と、
所定のパルス数の駆動信号が印加されることで単位動作を行い、当該発射制御手段により遊技球を発射するための球発射杵の駆動を行う駆動源と、
予め定められた分周比により、前記発振周波数の調整を行う分周回路と、を備え、
前記発振周波数と前記パルス数及び前記分周比に基づいて決定される前記発射手段による発射周期と、前記乱数生成手段で前記更新範囲に属するすべてのカウンタ値が更新される更新周期との同期間隔が、前記変動表示ゲームの最大変動時間よりも長くなるように設定されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、所定の乱数値の狙い撃ちを防止し、遊技の公正さを確保することができるという効果がある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定数を更新範囲としてカウンタ値を循環して更新する乱数生成手段と、
遊技盤の遊技領域内へ遊技球を発射する発射手段と、
当該発射手段により発射される遊技球の発射勢を調整する発射調整手段と、
前記遊技領域内に設けられた始動入賞領域と、
前記発射手段により発射された遊技球の前記始動入賞領域への入賞に伴い複数の識別情報を変動表示する変動表示ゲームを表示可能な変動表示装置と、
遊技を統括的に制御する遊技制御手段と、
前記遊技制御手段の指令に基づいて遊技の進行に関連する演出を制御する演出制御手段と、
を備え、前記変動表示ゲームの実行結果が予め定められた特別結果となった場合に遊技者に対して有利な特別遊技状態を発生させる遊技機において、
前記遊技制御手段は、
前記乱数生成手段が更新するカウンタ値を任意のタイミングで取得し、取得した前記カウンタ値を乱数として遊技制御に利用し、
前記発射手段は、
予め定められた発振周波数の発振信号を発生させる発振手段と、
前記発振信号と前記発射調整手段からの信号とに基づいて発射を制御する発射制御手段と、
所定のパルス数の駆動信号が印加されることで単位動作を行い、当該発射制御手段により遊技球を発射するための球発射杵の駆動を行う駆動源と、
予め定められた分周比により、前記発振周波数の調整を行う分周回路と、を備え、
前記発振周波数と前記パルス数及び前記分周比に基づいて決定される前記発射手段による発射周期と、前記乱数生成手段で前記更新範囲に属するすべてのカウンタ値が更新される更新周期との同期間隔が、前記変動表示ゲームの最大変動時間よりも長くなるように設定されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月15日(2015.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
醤油麹と加熱変性処理した大豆及び／又は脱脂加工大豆に対し、当該醤油麹と加熱変性処理した大豆及び／又は脱脂加工大豆（生原料重量換算）の合計重量の１．０〜２．５倍の食塩水を混合し、諸味塩分が９〜１１ｗ／ｗ％となるように仕込み、諸味品温を４５〜５８℃の温度範囲で４〜８週間保持する事で、乳酸含有量が０．０５ｗ／ｖ％以下、アルコール含有量が０．５ｗ／ｖ％以下、ヒスタミン含有量が１０ｍｇ／１００ｇ以下のものを製造することを特徴とした中華料理用または洋食用醤油の製造方法。
【請求項２】
醤油麹と加熱変性処理した大豆及び／又は脱脂加工大豆（生原料重量換算）が重量比で８：２〜３：７である請求項１に記載する中華料理用または洋食用醤油の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月5日(2015.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イネ科植物において、Ｏｓ０２ｇ０２８０２００遺伝子の発現を抑制することを特徴とする、短稈イネ科植物の作出方法。
【請求項２】
Ｏｓ０２ｇ０２８０２００遺伝子の全長ｃＤＮＡのアンチセンス配列を含有するベクターでイネ科植物を形質転換することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
Ｏｓ０２ｇ０２８０２００遺伝子の第２エキソンのアンチセンス配列を含有するベクターでイネ科植物を形質転換することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項４】
Ｏｓ０２ｇ０２８０２００遺伝子の塩基配列の４７９位にチミンからシトシンへのヌクレオチド変異を導入することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項５】
配列番号２で示される塩基配列を含有するベクターでイネ科植物を形質転換することを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項６】
配列番号４で示されるアミノ酸配列を含むタンパク質をコードする塩基配列を含有するベクターでイネ科植物を形質転換することを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項７】
配列番号６で示される塩基配列を含有するベクターでイネ科植物を形質転換することを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項８】
配列番号８で示されるアミノ酸配列を含むタンパク質をコードする塩基配列を含有するベクターでイネ科植物を形質転換することを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項９】
Ｏｓ０２ｇ０２８０２００遺伝子の発現が抑制された、短稈イネ科植物。
【請求項１０】
配列番号２で示される塩基配列を含む短稈遺伝子。
【請求項１１】
配列番号４で示されるアミノ酸配列を含むタンパク質をコードする短稈遺伝子。
【請求項１２】
配列番号３で示されるアミノ酸配列を含むタンパク質をコードする塩基配列のアンチセンス配列からなるＤＮＡ。
【請求項１３】
配列番号７で示されるアミノ酸配列を含むタンパク質をコードする塩基配列のアンチセンス配列からなるＤＮＡ。
【請求項１４】
配列番号６で示される塩基配列を含む短稈遺伝子。
【請求項１５】
配列番号８で示されるアミノ酸配列を含むタンパク質をコードする短稈遺伝子。
【請求項１６】
請求項１０、１１、１４および１５のいずれか１項記載の短稈遺伝子あるいは請求項１２または１３記載のＤＮＡを含む、請求項９記載の短稈イネ科植物。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月4日(2015.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
＜請求項５記載の発明＞
前記サイドシール部は、前記易伸長領域のウエスト開口部側に、前記易伸長領域よりも不織布積層数が多い多積層領域を有しており、この多積層領域における前記易伸長領域側の端部から前記易伸長領域までの範囲が前記難伸長化されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載のパンツタイプ使い捨ておむつ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記サイドシール部は、前記易伸長領域のウエスト開口部側に、前記易伸長領域よりも不織布積層数が多い多積層領域を有しており、この多積層領域における前記易伸長領域側の端部から前記易伸長領域までの範囲が前記難伸長化されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載のパンツタイプ使い捨ておむつ。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜は、第１の酸化絶縁領域と、前記第１の酸化絶縁領域の周囲の第２の酸化絶縁領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の酸化絶縁領域と接する第１の領域と、前記第２の酸化絶縁領域と接する第２の領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁膜と、
前記絶縁膜上の酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜は、第１の酸化絶縁領域と、前記第１の酸化絶縁領域の周囲の第２の酸化絶縁領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、前記第１の酸化絶縁領域と接する第１の領域と、前記第２の酸化絶縁領域と接する第２の領域と、を有し、
前記第１の酸化絶縁領域は、酸素を放出する機能を有し、
前記第２の酸化絶縁領域は、酸素の拡散を防ぐ機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁膜と、
前記絶縁膜の開口部に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜は、第１の酸化絶縁領域と、前記第１の酸化絶縁領域の周囲の第２の酸化絶縁領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜の端部は、前記第１の酸化絶縁領域と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁膜と、
前記絶縁膜の開口部に設けられた酸化物半導体膜と、を有し、
前記絶縁膜は、第１の酸化絶縁領域と、前記第１の酸化絶縁領域の周囲の第２の酸化絶縁領域と、を有し、
前記酸化物半導体膜の端部は、前記第１の酸化絶縁領域と接する領域を有し、
前記第１の酸化絶縁領域は、酸素を放出する機能を有し、
前記第２の酸化絶縁領域は、酸素の拡散を防ぐ機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なる領域を有するゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記ゲート電極の側部に設けられたサイドウォールと、
前記サイドウォールに接する、第１の導電膜及び第２の導電膜と、を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月4日(2015.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに電気的に分離された第１のリードフレーム及び第２のリードフレームと、
前記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームとそれぞれ電気的に連結された発光素子と、
前記発光素子の周辺領域に配置されたダムと、
前記発光素子を取り囲み、前記ダムの内側領域に配置された樹脂層と、
前記ダムの周辺領域に配置され、少なくとも一側面が傾斜面に形成された反射部材と
を備える発光素子モジュール。
【請求項２】
前記ダムは、前記発光素子の周囲に円状又は楕円状に配置されている、請求項１に記載の発光素子モジュール。
【請求項３】
前記傾斜面の水平断面は前記発光素子の周囲で曲面をなす、請求項１又は２に記載の発光素子モジュール。
【請求項４】
前記ダムの高さは４０〜６０マイクロメートルである、請求項１乃至３のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項５】
前記ダムの上部に少なくとも一つの段差を有する、請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項６】
前記段差に前記樹脂層の縁部が固定されている、請求項５に記載の発光素子モジュール。
【請求項７】
前記ダムの上部に溝が形成され、前記溝に前記樹脂層の縁部が固定されている、請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項８】
前記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームとの間にＰＳＲ層をさらに備える、請求項１乃至７のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項９】
前記反射部材は前記ＰＳＲ層上に配置され、前記反射部材と前記ＰＳＲ層は固定部材で結合されている、請求項８に記載の発光素子モジュール。
【請求項１０】
前記固定部材は両面接着剤又は両面接着テープである、請求項９に記載の発光素子モジュール。
【請求項１１】
前記ダムは、前記ＰＳＲ層上に印刷されて形成されている、請求項８乃至１０のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項１２】
前記ＰＳＲ層は、前記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームに水平方向に接触する、請求項８乃至１１のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項１３】
前記ＰＳＲ層は、前記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームに垂直方向に重畳しない、請求項８乃至１２のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項１４】
前記ＰＳＲ層、前記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームは、キャビティの底の一部をなす、請求項８乃至１３のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項１５】
前記反射部材の傾斜面は、前記キャビティの側壁をなす、請求項１４に記載の発光素子モジュール。
【請求項１６】
前記第１のリードフレーム及び第２のリードフレームのうちの少なくとも一つは、絶縁層を介して放熱層と接触する、請求項１乃至１５のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項１７】
前記反射部材の傾斜面の最上端の幅は、前記ダムに固定された樹脂層の幅の１．５〜２倍である、請求項１乃至１６のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項１８】
前記第１のリードフレーム及び第２のリードフレーム上にそれぞれ配置された第１の電極パッド及び第２の電極パッドをさらに含み、
前記発光素子は、前記第１の電極パッド及び第２の電極パッドにそれぞれ電気的に連結されている、請求項１乃至１７のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項１９】
発光素子モジュールの底から前記反射部材の下部面までの高さは、発光素子モジュールの底から前記第１のリードフレームと第２のリードフレームまでの高さと同じかそれより大きい、請求項１乃至１８のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【請求項２０】
発光素子モジュールの底から前記反射部材の下部面までの高さは、発光素子モジュールの底から前記ダムの底面までの高さより大きい、請求項１乃至１９のうちのいずれかに記載の発光素子モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月8日(2015.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１トランジスタと、第２トランジスタと、を有し、
前記第１トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート絶縁物と、前記第１のゲート絶縁物を介して前記第１のゲート電極と重なる第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層に接する第１のソース電極及び第１のドレイン電極とを有し、
前記第２トランジスタは、第２のゲート電極と、第２のゲート絶縁物と、前記第２のゲート絶縁物を介して前記第２のゲート電極と重なる第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層に接する第２のソース電極及び第２のドレイン電極とを有し、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極の一方は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方と接続され、
上方から見たときに、前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、前記第１のゲート電極から離れており、
上方から見たときに、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極は、前記第２のゲート電極から離れており、
前記第２トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体領域を有し、
前記Ｎ型酸化物半導体領域は、前記第２のゲート電極をマスクとして第２の酸化物半導体層に不純物をドーピングすることにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１トランジスタと、第２トランジスタと、第１の容量と、第２の容量と、を有し、
前記第１トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート絶縁物と、前記第１のゲート絶縁物を介して前記第１のゲート電極と重なる第１の酸化物半導体層と、前記第１の酸化物半導体層に接する第１のソース電極及び第１のドレイン電極とを有し、
前記第２トランジスタは、第２のゲート電極と、第２のゲート絶縁物と、前記第２のゲート絶縁物を介して前記第２のゲート電極と重なる第２の酸化物半導体層と、前記第２の酸化物半導体層に接する第２のソース電極及び第２のドレイン電極とを有し、
前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極の一方は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方と接続され、
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極の一方は、前記第１の容量と接続され、
前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極のもう一方は、前記第２の容量と接続され、
上方から見たときに、前記第１のソース電極及び前記第１のドレイン電極は、前記第１のゲート電極から離れており、
上方から見たときに、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極は、前記第２のゲート電極から離れており、
前記第２トランジスタは、Ｎ型酸化物半導体領域を有し、
前記Ｎ型酸化物半導体領域は、前記第２のゲート電極をマスクとして第２の酸化物半導体層に不純物をドーピングすることにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、さらに第３のゲート電極を含む第３トランジスタを有し、
前記第３のゲート電極は、前記第２のソース電極及び前記第２のドレイン電極のもう一方と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第１のゲート電極は前記第２のゲート電極と接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記第１の酸化物半導体層と前記第２の酸化物半導体層のそれぞれは、インジウム及び亜鉛を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月10日(2015.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂部が平坦な格子状の凸部、及び該凸部間の凹部からなる凹凸を一方の面に有する、一導電型の単結晶シリコン基板と、
前記凸部の頂部に形成されたｉ型の第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層上に形成された、前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層上に形成された第１の電極と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面において、前記単結晶シリコン基板、前記第１のシリコン半導体層、前記第２のシリコン半導体層、及び前記第１の電極の表面を覆うように形成された、ｉ型の第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層上に形成された、前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第４のシリコン半導体層と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に形成されたｉ型の第５のシリコン半導体層と、
前記第５のシリコン半導体層上に形成された、前記単結晶シリコン基板と同じ導電型を有する第６のシリコン半導体層と、
前記第６のシリコン半導体層上に形成された第２の電極と、を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電極の幅は、前記第２のシリコン半導体層の幅よりも小さいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記凹部は、逆四角錐状の形状であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記凹部は、表面に鋸歯状の形状を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第３のシリコン半導体層のうち、前記第２のシリコン半導体層及び前記第４のシリコン半導体層で挟まれる領域は、前記第２のシリコン半導体層及び前記第４のシリコン半導体と同じ導電型であり、その他の領域はｉ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第２のシリコン半導体層は、前記第４のシリコン半導体層よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第６のシリコン半導体層は、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き込み信号に応じて、第１のノードに電源電位を入力するか、電位を保持させるか、または接地させるかを選択するコントローラと、
一方の電極が前記第１のノードと電気的に接続された第１の容量素子と、
前記第１の容量素子の他方の電極に、前記書き込み信号を遅延して出力する遅延回路と、
前記第１のノードと電気的に接続されたゲート電極と、データ信号が入力される第１の電極と、前記データ信号を記憶する第２のノードと電気的に接続された第２の電極と、を有する第１のトランジスタと、
前記第２のノードと電気的に接続された読み出し回路と、
一方の電極が接地され、他方の電極が前記第２のノードと電気的に接続された第２の容量素子と、を有し、
前記読み出し回路は、読み出し信号に応じて前記第２のノードの電位に応じた信号を出力することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記コントローラは、
電源と前記第１のノードとの間に、前記書き込み信号に応じて前記第１のノードに電源電位又は接地電位を入力するスイッチと、
前記電源と前記スイッチとの間に、前記電源から前記第１のノードに向かって順方向となるように電気的に接続されたダイオードと、を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を含むことを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月7日(2015.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、及び容量素子を含むメモリセルを有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を含み、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、ビット線が電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、ソース線が電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記容量素子の一方の電極が電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、信号線が電気的に接続されている半導体装置の駆動方法であって、
データ読み出し期間において、
前記ソース線を接地電位とし、
前記ビット線をプリチャージ電位供給配線と接続して、前記ビット線をプリチャージ電位にした後、前記ビット線と前記プリチャージ電位供給配線とを非接続とすることで、前記ビット線の電位を、前記第１のトランジスタのゲートと、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記容量素子の一方の電極が電気的に接続された部位であるノードに保持された電位に応じて変動させ、
前記変動を読み取ることにより、前記ノードに保持された電位を読み出すことを特徴とする半導体装置の駆動方法。