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【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像剤を収納する為の現像剤収納容器であって、
前記現像剤を入れるための注入口と前記現像剤を排出するための複数の開口を有する可撓性容器と、
前記複数の開口を封止した状態で前記可撓性容器に取り付けられ、前記可撓性容器から剥離されることにより前記複数の開口を露出することが可能な封止部材と、を備え、
前記封止部材が剥離される際に、前記開口の形状が変形するとともに前記可撓性容器が変形することを特徴とする現像剤収納容器。
【請求項２】
現像剤を収納する為の現像剤収納容器であって、
前記現像剤を入れるための注入口と前記現像剤を排出するための開口を有する可撓性容器と、
前記開口部を封止した状態で前記可撓性容器に取り付けられ、前記可撓性容器から剥離されることにより前記開口を露出することが可能な封止部材と、
前記封止部材の開封方向に沿って前記開口の開封方向の上流側の端と下流側の端をつなぎ、前記開口を分割し複数の開口を形成する連結部材と、を備え
前記封止部材が剥離される際に、前記開口の形状が変形するとともに前記可撓性容器が変形することを特徴とする現像剤収納容器。
【請求項３】
現像剤を収納する為の現像剤収納容器であって、
前記現像剤を排出するための複数の開口を有する可撓性容器と、
前記複数の開口を封止した状態で前記可撓性容器に取り付けられ、前記可撓性容器から剥離されることにより前記複数の開口を露出することが可能な封止部材と、を備え、
前記封止部材が剥離される際に、前記開口の形状が変形するとともに前記可撓性容器が変形することを特徴とする現像剤収納容器。
【請求項４】
前記複数の開口の露出の進む開封方向における開口の一端部から他端部までの長さは、前記開封方向と垂直な方向における前記複数の開口の一端部に位置する開口から他端部に位置する開口までの長さよりも短いことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の現像剤収納容器。
【請求項５】
現像剤を入れる為の注入口を接合するための接合部を有すること特徴とする請求項１又は２に記載の現像剤収納容器。
【請求項６】
前記現像剤を入れるための注入口と前記現像剤を排出するための前記開口とが異なる開口であることを特徴とする請求項１又は２記載の現像剤収納容器。
【請求項７】
前記現像剤を入れるための注入口と前記現像剤を排出するための前記開口とでは、前記注入口の方が前記開口よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の現像剤収納容器。
【請求項８】
前記封止部材を剥離する方向に対して交差する方向に前記複数の開口が配置されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の現像剤収納容器。
【請求項９】
現像剤を収納する為の現像剤収納容器であって、
前記現像剤収納容器は、
前記現像剤を入れるための注入口と前記現像剤を排出するための複数の開口部と
を備えた可撓性容器と、
前記複数の開口部を封止した状態で前記可撓性容器に取り付けられた、移動されることによって前記複数の開口部を露出することが可能な封止部材と、を有し、
前記複数の開口部は、前記複数の開口部の露出の進む開封方向に対して垂直方向にずれて配置され、かつ
前記封止部材が移動される際に、前記開口部の形状が変化するとともに前記可撓性容器が変形することを特徴とする現像剤収納容器。
【請求項１０】
現像剤を収納した現像剤収納容器であって、
前記現像剤収納容器は、
収納された現像剤を排出する為の複数の開口部を有する可撓性容器と、
前記複数の開口部を封止した状態で前記可撓性容器に取り付けられた、移動されることによって前記複数の開口部を露出することが可能な封止部材と、を有し、
前記複数の開口部は、前記複数の開口部の露出の進む開封方向に対して垂直方向にずれて配置され、かつ
前記封止部材が移動される際に、前記開口部の形状が変化するとともに前記可撓性容器が変形することを特徴とする現像剤収納容器。
【請求項１１】
現像剤を収納する為の現像剤収納容器であって、
前記現像剤収納容器は、
前記現像剤を入れるための注入口と前記現像剤を排出するための複数の開口部と
を備えた可撓性容器と、
前記複数の開口部を封止した状態で前記可撓性容器に取り付けられた、移動されることによって前記複数の開口部を露出することが可能な封止部材と、を有し、
前記複数の開口部が並んでいる方向と略垂直方向の前記封止部材の一端側に前記封止部材を移動させるための開封部材に係合される被係合部が設けられ、
前記封止部材が移動される際に、前記開口部の形状が変化するとともに前記可撓性容器が変形することを特徴とする現像剤収納容器。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項の現像剤収納容器と、
前記現像剤を担持する現像剤担持体と、を有する現像装置。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれか１項の現像剤収納容器、請求項１２に記載の現像装置のうちの少なくとも１つと、
現像剤像を担持する像担持体と、を有するプロセスカートリッジ。
【請求項１４】
請求項１から１１のいずれか１項の現像剤収納容器、請求項１２に記載の現像装置、請求項１３のプロセスカートリッジのうちの少なくとも１つを有し、記録材に画像を形成することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像剤を収納する現像剤収納ユニットであって、
前記現像剤を収納し開口から現像剤を排出可能な容器と、
前記容器を収納する枠体と、
前記枠体の内部かつ前記容器の外部に設けられ、前記容器を押圧する押圧部材と、を備え、
前記押圧部材は、前記容器を押圧することで、前記枠体に対する前記開口の位置を変化させることを特徴とする現像剤収納ユニット。
【請求項２】
現像剤を収納する現像剤収納ユニットであって、
前記現像剤を収納し、現像剤を収納する空間に連通する複数の開口から現像剤を排出可能な容器と、
前記容器を収納する枠体と、
前記枠体の内部かつ前記容器の外部に設けられ、前記容器を押圧する押圧部材と、を備え、
前記押圧部材は、前記開口の近傍の面を押圧することを特徴とする現像剤収納ユニット。
【請求項３】
現像剤を収納する現像剤収納ユニットであって、
前記現像剤を収納し、現像剤を収納する空間に連通する複数の開口から現像剤を排出可能な容器と、
前記容器を収納する枠体と、
前記枠体の内部かつ前記容器の外部に設けられ、前記容器を押圧する押圧部材と、を備え、
前記押圧部材は前記枠体に回転可能に設けられていることを特徴とする現像剤収納ユニット。
【請求項４】
現像剤を収納する現像剤収納ユニットであって、
前記現像剤を収納し開口から現像剤を排出可能な容器と、
前記容器を収納する枠体と、
前記枠体の内部かつ前記容器の外部に設けられ、前記容器を押圧する押圧部材と、を備え、
前記押圧部材は、前記容器から排出された前記枠体の内部の現像剤を撹拌する撹拌部材であることを特徴とする現像剤収納ユニット。
【請求項５】
現像剤を収納する現像剤収納ユニットであって、
前記現像剤を収納し開口から現像剤を排出可能な容器と、
前記容器を収納する枠体と、
前記枠体の内部かつ前記容器の外部に設けられ、前記容器を押圧する押圧部材と、を備え、
前記押圧部材は、前記容器を繰り返し離接しながら押圧するように設けられていることを特徴とする現像剤収納ユニット。
【請求項６】
現像剤を収納する現像剤収納ユニットであって、
前記現像剤を収納し開口から現像剤を排出可能な容器と、
前記容器を収納する枠体と、
前記枠体の内部かつ前記容器の外部に設けられ、前記容器を押圧する押圧部材と、を備え、
前記押圧部材は、前記開口を開封するための開封部材でもあることを特徴とする現像剤収納ユニット。
【請求項７】
現像剤を収納する現像剤収納ユニットであって、
前記現像剤を収納し開口から現像剤を排出可能な容器と、
前記容器を収納する枠体と、
前記容器から排出された前記枠体の内部の現像剤を撹拌する撹拌部材と、を有し、
前記撹拌部材は、前記開口を開封するための開封部材でもあることを特徴とする現像剤収納ユニット。
【請求項８】
前記押圧部材は、シート状の部材である事を特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項９】
前記容器と枠体との間に隙間を設けたことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１０】
前記容器の開口を形成する面に対して、前記容器の屈曲部を挟んで連続した面と、枠体との間に隙間を設けたことを特徴とする請求項９に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１１】
前記隙間は、前記開口を形成する面に近づくほど、前記隙間を大きくした構成とすることを特徴とする、請求項９又は１０に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１２】
潜像を現像するための現像剤を担持する現像剤担持体を備えることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１３】
前記開口は、前記容器に複数設けられることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１４】
前記容器は屈曲部を挟んで複数の面を有する形状をしており、
前記押圧部材は、前記開口が存在する面を押圧することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１５】
前記容器は画像形成時に、前記開口が重力方向の下方向に開くように設けられることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１６】
前記押圧部材は前記枠体に回転可能に設けられ、前記押圧部材の回転中心に垂直な断面において、前記押圧部材の前記回転中心から前記押圧部材の外形までの距離が異なる部分を有する回転部材であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１７】
前記容器が袋であることを特徴とした請求項１から１６のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１８】
前記容器がシートで構成されていることを特徴とする請求項１から１７のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項１９】
前記シートの厚さは０．０３ｍｍ〜０．１５ｍｍであることを特徴とする請求項１８に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項２０】
前記容器は、通気性を有する部分を有することを特徴とする請求項１から１９のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項２１】
前記容器は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）のいずれかを含むことを特徴とする請求項１から２０のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニット。
【請求項２２】
画像形成装置本体に着脱可能としたプロセスカートリッジであって、
請求項１から２１のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニットと電子写真感光体とを一体としたプロセスカートリッジ。
【請求項２３】
請求項１から２１のいずれか１項に記載の現像剤収納ユニットと、
請求項２２に記載のプロセスカートリッジとのうちのいずれか１つを備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月4日(2015.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷手段を有する印刷装置であって、
前記印刷手段に印刷を実行させる第１ジョブ及び前記印刷手段に印刷を実行させない第２ジョブを受信する受信手段と、
前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が所定時間より長い場合に、前記印刷手段に電力を供給すると共に、前記印刷手段の初期化処理を実行する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が前記所定時間より長くない場合に、前記印刷手段の初期化処理を実行しない、ことを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記印刷手段の初期化処理が実行された後に、前記印刷手段への電力供給が停止されるように制御する、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
前記印刷手段への電力供給が停止されている時間を計時する計時手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記計時手段によって計時された時間が前記所定時間より長い場合に、前記印刷手段に電力を供給すると共に、前記印刷手段の初期化処理を実行し、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記計時手段によって計時された時間が前記所定時間より長くない場合に、前記印刷手段の初期化処理を実行しない、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷装置。
【請求項４】
前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が所定時間より長い場合に、前記印刷手段に電力を供給するが、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が所定時間より長くない場合に、前記印刷手段に電力を供給しない、ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項５】
前記印刷手段の初期化処理は、現像剤の撹拌処理を含む、ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第１ジョブである場合に、前記印刷手段に電力を供給すると共に、前記印刷手段の初期化処理を実行する、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項７】
原稿の画像を読み取る読取手段をさらに備え、
前記第２ジョブは、前記読取手段に原稿の画像を読み取らせるスキャンジョブである、ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の印刷装置。
【請求項８】
印刷手段を有する印刷装置の制御方法であって、
前記印刷手段に印刷を実行させる第１ジョブ及び前記印刷手段に印刷を実行させない第２ジョブを受信する受信工程と、
前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信工程で受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が所定時間より長い場合に、前記印刷手段に電力を供給すると共に、前記印刷手段の初期化処理を実行する制御工程と、を備え、
前記制御工程は、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信工程で受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が前記所定時間より長くない場合に、前記印刷手段の初期化処理を実行しない、ことを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項９】
前記制御工程は、前記印刷手段の初期化処理が実行された後に、前記印刷手段への電力供給が停止されるように制御する、ことを特徴とする請求項８に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項１０】
前記印刷手段への電力供給が停止されている時間を計時する計時工程をさらに備え、
前記制御工程は、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信工程で受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記計時工程で計時された時間が前記所定時間より長い場合に、前記印刷手段に電力を供給すると共に、前記印刷手段の初期化処理を実行し、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信工程で受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記計時工程で計時された時間が前記所定時間より長くない場合に、前記印刷手段の初期化処理を実行しない、ことを特徴とする請求項８又は９に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項１１】
前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信工程で受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が所定時間より長い場合に、前記印刷手段に電力を供給するが、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信工程で受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が所定時間より長くない場合に、前記印刷手段に電力を供給しない、ことを特徴とする請求項８乃至１０の何れか１項に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項１２】
前記印刷手段の初期化処理は、現像剤の撹拌処理を含む、ことを特徴とする請求項８乃至１１の何れか１項に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項１３】
前記制御工程は、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信工程で受信されたジョブが前記第１ジョブである場合に、前記印刷手段に電力を供給すると共に、前記印刷手段の初期化処理を実行する、ことを特徴とする請求項８乃至１２の何れか１項に記載の印刷装置の制御方法。
【請求項１４】
原稿の画像を読み取る読取手段をさらに備え、
前記第２ジョブは、前記読取手段に原稿の画像を読み取らせるスキャンジョブである、ことを特徴とする請求項８乃至１３の何れか１項に記載の印刷装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成する本発明の画像処理装置は以下に示す構成を備える。
印刷手段を有する印刷装置であって、前記印刷手段に印刷を実行させる第１ジョブ及び前記印刷手段に印刷を実行させない第２ジョブを受信する受信手段と、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が所定時間より長い場合に、前記印刷手段に電力を供給すると共に、前記印刷手段の初期化処理を実行する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記印刷手段への電力供給が停止されるときに前記受信手段によって受信されたジョブが前記第２ジョブであって且つ前記印刷手段への電力供給が停止されていた時間が前記所定時間より長くない場合に、前記印刷手段の初期化処理を実行しない、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年9月4日(2015.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の作業機械の障害物検知装置は、車体に接近する障害物を検知する作業機械の障害物検知装置において、前記車体の周囲の障害物を検知して前記車体の周囲を監視する周囲監視部と、この周囲監視部の検知範囲よりも前記車体から離れた位置の障害物を検知して前記車体から離れた遠方を監視する遠方監視部と、前記車体の速度に応じて、前記周囲監視部による監視と前記遠方監視部による監視を切替える監視切替部とを備えたことを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車体に接近する障害物を検知する作業機械の障害物検知装置において、
前記車体の周囲の障害物を検知して前記車体の周囲を監視する周囲監視部と、
この周囲監視部の検知範囲よりも前記車体から離れた位置の障害物を検知して前記車体から離れた遠方を監視する遠方監視部と、
前記車体の速度に応じて、前記周囲監視部による監視と前記遠方監視部による監視を切替える監視切替部とを備えたことを特徴とする作業機械の障害物検知装置。
【請求項２】
請求項１に記載の作業機械の障害物検知装置において、
前記監視切替部は、
前記車体が加速して前記車体の速度が所定の速度に達したとき、前記遠方監視部による監視に切替え、前記車体が減速して前記車体の速度が前記所定の速度よりも低速になったとき、前記周囲監視部による監視に切替えることを特徴とする作業機械の障害物検知装置。
【請求項３】
請求項２に記載の作業機械の障害物検知装置において、
前記周囲監視部は、撮影範囲が異なるように前記車体に設けられ、前記車体の周囲を撮影する複数のカメラを有し、
前記監視切替部は、前記車体が加速して前記車体の速度が前記所定の速度に達し、かつ前記車体の進行方向が前記車体の前後左右の所定の方向であるとき、前記遠方監視部による監視に切替えると共に、前記複数のカメラのうち一部のカメラを作動させて前記周囲監視部による一部の監視を維持することを特徴とする作業機械の障害物検知装置。
【請求項４】
請求項３に記載の作業機械の障害物検知装置において、
前記監視切替部は、
前記車体が加速して前記車体の速度が前記所定の速度に達し、かつ前記車体の進行方向が前進方向であるとき、前記遠方監視部による監視に切替えると共に、前記複数のカメラのうち前記車体の後方を撮影するカメラを作動させて前記周囲監視部による一部の監視を維持することを特徴とする作業機械の障害物検知装置。
【請求項５】
請求項３に記載の作業機械の障害物検知装置において、
前記監視切替部は、
前記車体が加速して前記車体の速度が所定の速度に達し、かつ前記車体の進行方向が左方向又は右方向であるとき、前記遠方監視部による監視に切替えると共に、前記複数のカメラのうち前記車体の左方又は右方を撮影するカメラを作動させて前記周囲監視部による一部の監視を維持することを特徴とする作業機械の障害物検知装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、
前記第１導電型の第１半導体層上の活性層と、
前記活性層上に第２導電型の第２半導体層と、
前記第２導電型の第２半導体層上の信頼性強化層と、
前記信頼性強化層上の、光抽出パターンを有する第２導電型の第３半導体層と、
を備え、
前記信頼性強化層と前記活性層との間の距離は０.３μm〜５μmである、発光素子。
【請求項２】
前記信頼性強化層は、前記第２導電型の半導体層と同一系列の物質で形成されている、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記信頼性強化層は、InxAlyGa(１-x-y)N(但し、０≦x≦１、０＜y≦１)を含む、請求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２導電型の第３半導体層は、InpAlqGa１-p-qN(０≦p≦１、０≦q≦１、０≦p+q≦１)の組成式を有する半導体物質を含む、請求項１〜請求項３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記信頼性強化層のAlの組成(y)は、前記第２導電型の第３半導体層のAlの組成(q)より高い、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記信頼性強化層のAlの組成(y)は、q+０.０５≦y≦q+０.５(但し、０≦q≦０.５)であることを特徴とする請求項３〜請求項５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記第２導電型の第３半導体層は、InpAlqGa１-p-qN(０≦p≦１、０≦q≦１、０≦p+q≦１)の組成式を有する半導体物質を含む場合、前記信頼性強化層は前記第２導電型の第３半導体層よりInの組成比が低い、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の発光素子。
【請求項８】
前記信頼性強化層は、前記第２導電型の半導体層と同一導電型にドーピングされている、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記信頼性強化層は、５nm〜２００nmの厚さを有する、請求項１〜請求項８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記信頼性強化層は、前記第２導電型の第３半導体層よりエネルギーバンドギャップが大きい請求項１〜請求項９のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１１】
前記信頼性強化層は、エネルギーバンドギャップが異なる第１信頼性強化層と第２信頼性強化層とを有する、請求項１〜請求項１０のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１２】
前記信頼性強化層のAl組成或いはエネルギーバンドギャップの大きさが、前記活性層の方向に漸進的に減少する、請求項１〜請求項１１のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１３】
前記信頼性強化層のIn組成が前記活性層の方向に漸進的に増加する、請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１４】
前記信頼性強化層は、エネルギーバンドギャップが異なる第１信頼性強化層と第２信頼性強化層とが交互に積層されてなる超格子構造を有する、請求項１〜請求項１３のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１５】
前記信頼性強化層は、前記第２導電型の第２半導体層上に突出部を有する請求項１〜請求項１４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１６】
前記信頼性強化層は、結晶欠陥の周囲においてその厚さがより厚い、請求項１〜請求項１５のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１７】
前記信頼性強化層は、前記結晶欠陥の周囲に前記突出部が位置する、請求項１５に記載の発光素子。
【請求項１８】
前記信頼性強化層の電気抵抗は、前記第２導電型の第３半導体層の電気抵抗より大きい、請求項１〜請求項１７のいずれかに記載の発光素子。
【請求項１９】
前記信頼性強化層の上面は、前記第２導電型の第３半導体層によって露出されない、請求項１〜請求項１８のいずれかに記載の発光素子。
【請求項２０】
前記第２導電型の第３半導体層の上にパッド電極をさらに含み、
前記パッド電極は前記光抽出パターンと上下に重なる、請求項１〜請求項１９のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月9日(2015.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、例えば、シラノール基両末端ポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物（以下、エチレン系ケイ素化合物とする。）、エポキシ基含有ケイ素化合物、オルガノハイドロジェンシロキサン、縮合触媒および付加触媒を含有している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
また、このようなエポキシ基含有ケイ素化合物のなかでは、好ましくは、エポキシ基含有トリアルコキシシランが挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
付加触媒は、付加反応、つまり、エチレン系不飽和炭化水素基とＳｉＨとのヒドロシリル化反応の反応速度を向上させる物質（ヒドロシリル化触媒）であれば、特に限定されず、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金一カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、ロジウム触媒などの金属触媒が挙げられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
溶媒としては、例えば、水、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコールなどが挙げられ、好ましくは、アルコールが挙げられる。
縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、上記したシラノール基両末端ポリシロキサン、エチレン系ケイ素化合物、エポキシ基含有ケイ素化合物およびオルガノハイドロジェンシロキサンを、触媒とともに、配合して、攪拌混合することにより調製される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
その後、系（上記混合物）を、必要により減圧することにより、揮発成分（有機溶媒）を除去する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２２】
その後、系（上記混合物）に、付加触媒を配合して、例えば、１〜６０分間で攪拌する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６４】
封止樹脂層７の圧縮弾性率が上記下限値に満たない場合には、封止樹脂層７の保形性が低下する場合がある。さらに、封止樹脂層７の２５℃における圧縮弾性率が上記範囲内にあれば、発光ダイオード１１（後述、図３参照）を確実に埋設することができながら、ワイヤ１２および発光ダイオード１１（後述、図３参照）の損傷を防止することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
封止樹脂層７の圧縮弾性率は、精密荷重測定機を用いる圧縮試験により求められる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５９】
バリア層６の弾性率が２ＭＰａに満たない場合、封止層１０（後述）の保形性が低下する場合がある。また、バリア層６の弾性率が５００ＭＰａを超過する場合、封止用シート１の取扱性が低下する場合がある。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013021284.tif 000001
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2013021284.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成26年11月20日(2014.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲートウェイを経由してデータを伝送する複数のデータ伝送経路が存在する複数ゲートウェイ通信システム用の制御装置であって、
データ伝送経路における隣接ゲートウェイ間の消費電力を収集するチャネル品質測定モジュールと、
ゲートウェイとデータ通信を行ない、データ伝送経路における各ゲートウェイのデータ遅延を収集する通信インターフェースと、
複数のデータ伝送経路を含むゲートウェイ経路表、前記チャネル品質測定モジュールにより収集した消費電力、および前記通信インターフェースにより収集したデータ遅延を記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されている消費電力とデータ遅延に基づいて、前記メモリに記憶されているゲートウェイ経路表におけるデータ伝送経路に対して優先度を付加するプロセッサと、を備え、
前記通信インターフェースは、データ伝送経路の先頭ゲートウェイから当該先頭ゲートウェイにより収集したデータに要求されたデータ遅延閾値を受信し、
前記プロセッサは、前記通信インターフェースから受信したデータ遅延閾値に基づいて、前記メモリに記憶されているゲートウェイ経路表から遅延合計が当該データ遅延閾値より大きいデータ伝送経路を削除し、ゲートウェイ経路表に残されているデータ伝送経路に対して優先度を付加し、
前記先頭ゲートウェイにより収集したデータは、前記データ遅延閾値によって、拡張タイプと固定タイプに分類され、
前記プロセッサは、固定タイプのデータに対して、優先度が付加されたゲートウェイ経路表を予め確立し、
前記プロセッサは、拡張タイプのデータに対して、前記先頭ゲートウェイから前記通信インターフェースに送信するネットワーク経路表要求におけるデータ遅延閾値に基づいて、予め確立された前記ゲートウェイ経路表から遅延合計が当該データ遅延閾値より大きいデータ伝送経路を削除し、ゲートウェイ経路表に残されているデータ伝送経路に対して優先度を新たに付加し、前記通信インターフェースを介して優先度が新たに付加されたゲートウェイ経路表を前記先頭ゲートウェイに送信することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記チャネル品質測定モジュールはさらに、データ伝送経路の有効コードレートを収集し、
前記メモリはさらに、前記チャネル品質測定モジュールにより収集した有効コードレートを記憶し、
前記プロセッサは、前記メモリに記憶されている消費電力、データ遅延および有効コードレートに基づいて、前記メモリに記憶されているゲートウェイ経路表におけるデータ伝送経路に対して優先度を付加することを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
ゲートウェイ経由でデータを伝送する複数のデータ伝送経路が存在する複数ゲートウェイ通信システム用の制御方法であって、
データ伝送経路における隣接ゲートウェイ間の消費電力を収集する消費電力収集ステップと、
データ伝送経路における各ゲートウェイのデータ遅延を収集するデータ遅延収集ステップと、
前記消費電力ステップで収集した消費電力と前記データ遅延収集ステップで収集したデータ遅延に基づいて、複数のデータ伝送経路を含むゲートウェイ経路表におけるデータ伝送経路に対して優先度を付加する経路表最適化ステップと、
データ伝送経路の先頭ゲートウェイから当該先頭ゲートウェイにより収集したデータに要求されたデータ遅延閾値を受信するデータ遅延閾値受信ステップと、を含み、
前記経路表最適化ステップは、前記データ遅延閾値受信ステップで受信したデータ遅延閾値に基づいて、複数のデータ伝送経路を含むゲートウェイ経路表から遅延合計が当該データ遅延閾値より大きいデータ伝送経路を削除し、ゲートウェイ経路表に残されているデータ伝送経路に対して優先度を付加し、
前記先頭ゲートウェイにより収集したデータは、前記データ遅延閾値によって、拡張タイプと固定タイプに分類され、
前記経路表最適化ステップは、固定タイプのデータに対して、優先度が付加されたゲートウェイ経路表を予め確立し、
前記経路表最適化ステップはさらに、拡張タイプのデータに対して、データ遅延閾値受信ステップで受信した前記先頭ゲートウェイからのネットワーク経路表要求におけるデータ遅延閾値に基づいて、予め確立された前記ゲートウェイ経路表から遅延合計が当該データ遅延閾値より大きいデータ伝送経路を削除し、ゲートウェイ経路表に残されているデータ伝送経路に対して優先度を新たに付加し、優先度が新たに付加されたゲートウェイ経路表を前記先頭ゲートウェイに送信することを特徴とする制御方法。
【請求項４】
データ伝送経路の有効コードレートを収集する有効コードレート収集ステップをさらに含み、
前記経路表最適化ステップは、前記消費電力収集ステップで収集した消費電力、前記データ遅延収集ステップで収集したデータ遅延、および前記有効コードレート収集ステップで収集した有効コードレートに基づいて、複数のデータ伝送経路を含むゲートウェイ経路表におけるデータ伝送経路に対して優先度を付加することを特徴とする請求項３に記載の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月30日(2015.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動的シーンを深度および拡張被写界深度（ＥＤＯＦ）ビデオとして再構成するための方法であって、
ビデオカメラを用いて前記動的シーンの焦点スタックを取得するステップであって、前記焦点スタックは、連続した時刻における一連のフレームを含む、取得するステップと、
前記焦点スタックの前記フレーム間のオプティカルフローを求めるステップと、
前記オプティカルフローにしたがって前記フレームをワープし、前記フレームを位置合わせし、時刻ごとの仮想静的焦点スタックを生成する、ワープするステップと、
デプス・フロム・デフォーカス（ＤＦＤ）法を用いて、前記仮想静的焦点スタックごとの深度マップおよびテクスチャマップを生成するステップであって、前記テクスチャマップはＥＤＯＦ画像に対応する、生成するステップと、
を含み、
前記ＤＦＤは、エネルギー関数Ｅ（ｓ）
【数１】
2013021682.tif 000001
によって最小にされる時空間マルコフ確率場（ＭＲＦ）を用い、
データ項Ｄｐ（ｓｐ）は、深度レベルｓｐを有するスーパーピクセルｐのための項であり、平滑化項Ｖｐｑ（ｓｐ，ｓｑ）は、隣接するスーパーピクセルｐおよびｑのための項であり、αは正則化の程度を制御し、
前記平滑化項は、
Ｖｐｑ（ｓｐ，ｓｑ）＝ｗｐｑ｜ｓｐ−ｓｑ｜
であり、｜ｓｐ−ｓｑ｜は、隣接するスーパーピクセルｐとｑとの間の深度不連続にペナルティーを科し、ｗｐｑは時空間重み係数であり、空間的に隣接する２つのスーパーピクセルｐとｑとの間の重みｗｐｑは、２つのスーパーピクセルの平均色の類似度によって求められ、
【数２】
2013021682.tif 000002
ただし、ＩｐおよびＩｑは、スーパーピクセルｐおよびｑの平均色であり、τは、平均色の類似度に関する制御パラメータである
動的シーンを深度および拡張被写界深度（ＥＤＯＦ）ビデオとして再構成するための方法。
【請求項２】
前記求めるステップ、前記ワープするステップおよび前記生成するステップを繰り返して、前記深度マップおよび前記テクスチャマップを改良する、繰り返すステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記時刻は、前記カメラの固有のフレームレートによって決まる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記オプティカルフローは、連続したフレーム対間で求められる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
カーネルを用いて前記各テクスチャマップをぼかすステップであって、前記カーネルは、対応する前記深度マップに依拠する、ぼかすステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記フレーム内の遮蔽されたピクセルを検出するステップと、
前記遮蔽されたピクセルを遮蔽されていない他のフレームからの対応するピクセルで埋めるステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＭＲＦは、前記フレームのスーパーピクセルのセグメントに対応するノードによって、前記各セグメントの形状および色分布の現在のガウス推定に基づいて定義される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
初期テクスチャマップは、前記仮想静的焦点スタックにフォトモンタージュ法を適用することによって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記テクスチャマップは、以前に生成された深度マップを用いて求められる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記エネルギー関数は、グラフカット法を用いて最小にされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
並進は、一定の速度であり、前記カメラのセンサは、１つの方向において所定の極値に達し、前記センサは、反対の方向に並進する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記焦点スタックは、静止しているレンズ素子に対してセンサ素子を動かすことによって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記焦点スタックは、多レンズアセンブリのレンズ全体または一部のいずれかを動かすことによって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記焦点スタックは、液体レンズの焦点を制御することによって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記求めるステップ、前記ワープするステップ、および前記生成するステップは、マイクロプロセッサによって実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
動的シーンを深度および拡張被写界深度（ＥＤＯＦ）ビデオとして再構成するための装置であって、
レンズおよびセンサを含むカメラと、
連続した時刻において一連のフレームを含む焦点スタックを取得するように構成されるセンサと、
前記焦点スタックの前記フレーム間のオプティカルフローを求める手段と、
前記オプティカルフローにしたがって前記フレームをワープして、前記フレームを位置合わせし、時刻ごとの仮想静的焦点スタックを生成する、ワープする手段と、
デプス・フロム・デフォーカス（ＤＦＤ）法を用いて、仮想静的焦点スタックごとの深度マップおよびテクスチャマップを生成する手段であって、前記テクスチャマップは、ＥＤＯＦ画像に対応する、生成する手段と、
を備え、
前記ＤＦＤは、エネルギー関数Ｅ（ｓ）
【数３】
2013021682.tif 000003
によって最小にされる時空間マルコフ確率場（ＭＲＦ）を用い、
データ項Ｄｐ（ｓｐ）は、深度レベルｓｐを有するスーパーピクセルｐのための項であり、平滑化項Ｖｐｑ（ｓｐ，ｓｑ）は、隣接するスーパーピクセルｐおよびｑのための項であり、αは正則化の程度を制御し、
前記平滑化項は、
Ｖｐｑ（ｓｐ，ｓｑ）＝ｗｐｑ｜ｓｐ−ｓｑ｜
であり、｜ｓｐ−ｓｑ｜は、隣接するスーパーピクセルｐとｑとの間の深度不連続にペナルティーを科し、ｗｐｑは時空間重み係数であり、空間的に隣接する２つのスーパーピクセルｐとｑとの間の重みｗｐｑは、２つのスーパーピクセルの平均色の類似度によって求められ、
【数４】
2013021682.tif 000004
ただし、ＩｐおよびＩｑは、スーパーピクセルｐおよびｑの平均色であり、τは、平均色の類似度に関する制御パラメータである
動的シーンを深度および拡張被写界深度（ＥＤＯＦ）ビデオとして再構成するための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】充電装置、非接触給電システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、
前記受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、
前記負荷用コイルと電気的に接続される負荷と、
前記負荷と電気的に接続されるトランジスタと、
マイクロプロセッサーと、を有し、
前記負荷は、バッテリーと、可変手段を有するバッテリー充電装置と、を有し、
前記バッテリー充電装置では、前記負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行われ、
前記可変手段は、前記負荷への充電電流を制御し、
前記マイクロプロセッサーは、前記可変手段を制御し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を用いたトランジスタである充電装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記可変手段はスイッチを有する充電装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記負荷コイルの第１の端子に電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記負荷コイルの第２の端子に電気的に接続される充電装置。
【請求項４】
送電用コイルと、
送電用共鳴コイルと、
前記送電用共鳴コイルとの間で、磁気共鳴によって高周波電力が励起される受電用共鳴コイルと、
前記受電用共鳴コイルとの電磁誘導によって高周波電力が励起される負荷用コイルと、
前記負荷用コイルと電気的に接続される負荷と、
前記負荷用コイルと電気的に接続されるトランジスタと、
マイクロプロセッサーと、を有し、
前記負荷は、バッテリーと、可変手段を有するバッテリー充電装置とを有し、
前記バッテリー充電装置は、前記負荷用コイルに励起された高周波電力を基に充電が行われ、
前記可変手段は、前記負荷への充電電流を制御し、
前記マイクロプロセッサーは、前記可変手段を制御し、
前記トランジスタは、酸化物半導体を用いたトランジスタである非接触給電システム。
【請求項５】
請求項４において、
前記高周波電源の出力を制御するマイクロプロセッサーを有する非接触給電システム。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
前記可変手段は、スイッチを有する非接触給電システム。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、
前記負荷が、前記負荷用コイルと電気的に接続している整流回路を有する、請求項１または請求項２に記載の非接触給電システム。
【請求項８】
請求項４乃至請求項７のいずれか一において、
前記トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記負荷コイルの第１の端子に電気的に接続され、
前記トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記負荷コイルの第２の端子に電気的に接続される非接触給電システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月28日(2015.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物絶縁表面上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層と、
前記酸化物半導体層の一部にソース領域、及びドレイン領域と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なる領域の膜厚が前記ソース領域、及び前記ドレイン領域が形成される領域の膜厚よりも薄く、
前記酸化物半導体層の薄い領域は、チャネル形成領域を含む、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
酸化物絶縁表面上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層と、
前記酸化物半導体層の一部にソース領域、及びドレイン領域と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なる領域の膜厚が前記ソース領域、及び前記ドレイン領域が形成される領域の膜厚よりも薄く、
前記酸化物半導体層の薄い領域は、前記ゲート電極層と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域と接し、且つ前記チャネル形成領域よりも抵抗が低い低抵抗領域と、を含み、
前記低抵抗領域は、リンまたはホウ素を含む、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
酸化物絶縁表面上に酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上にゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極層と、
前記酸化物半導体層の一部にソース領域、及びドレイン領域と、を有し、
前記酸化物半導体層は、前記ゲート電極層と重なる領域の膜厚が前記ソース領域、及び前記ドレイン領域が形成される領域の膜厚よりも薄く、
前記酸化物半導体層の薄い領域は、前記ゲート電極層と重なるチャネル形成領域を含み、
前記前記酸化物半導体層の薄い領域の端部は、前記ゲート電極層の端部と等しい、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
さらに前記ゲート電極層を覆う保護層を有し、
前記保護層上に前記ソース領域、及び前記ドレイン領域に接する配線層を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
さらに前記ソース領域、及び前記ドレイン領域と接する金属層を有する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記金属層の端部は、前記酸化物半導体層の厚い領域の端部と等しい、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記金属層の端部は、前記酸化物半導体層の厚い領域の端部よりも内側に形成される、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
酸化物絶縁表面上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、選択的に前記酸化物半導体層をエッチングして一部が薄い領域を形成し、
前記酸化物半導体層を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記酸化物半導体層の薄い領域と重なるゲート電極層を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
酸化物絶縁表面上に酸化物半導体層を形成し、
前記酸化物半導体層上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、選択的に前記酸化物半導体層をエッチングして一部が薄い領域を形成し、
前記酸化物半導体層を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記酸化物半導体層の薄い領域と重なるゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、リンまたはホウ素を、前記ゲート絶縁層を通過して前記酸化物半導体層に導入して、前記酸化物半導体層の一部に、ソース領域、及びドレイン領域を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
酸化物絶縁表面上に酸化物半導体層と金属層の積層を形成し、
前記金属層上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記金属層の一部を除去した後、前記金属層をマスクとして、選択的に前記酸化物半導体層をエッチングして一部が薄い領域を形成し、
前記金属層、及び前記酸化物半導体層を覆ってゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に前記酸化物半導体層の薄い領域と重なるゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層をマスクとして、リンまたはホウ素を、前記ゲート絶縁層、及び前記金属層を通過して前記酸化物半導体層に導入して、前記酸化物半導体層の一部に、ソース領域、及びドレイン領域を形成する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一において、
前記ゲート絶縁層を形成した後、前記ゲート絶縁層を通過して前記酸化物半導体層に酸素を導入する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月9日(2015.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上方の結晶性を有する半導体膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳する導電層とを有し、
前記導電層は、前記半導体膜の側面に接する領域を有し、
前記半導体膜と前記導電層とが接する領域において、前記導電層の仕事関数と、前記半導体膜の電子親和力の差である電子のショットキーバリアφＢｎは０．６５ｅＶ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極の上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上方の結晶性を有する半導体膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳する導電層とを有し、
前記導電層は、前記半導体膜の側面に接する領域を有し、
前記導電層の仕事関数φＭは４．３０ｅＶ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極の上方の第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜の上方の結晶性を有する半導体膜と、
前記第１のゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳する導電層と、
前記半導体層の上方の第２のゲート絶縁膜と、
前記第２のゲート絶縁膜の上方の第２のゲート電極とを有し、
前記第２のゲート電極は、前記半導体層のチャネル幅方向の側面を覆うように、前記第１のゲート電極に沿って設けられており、
前記導電層は、前記半導体膜の側面に接する領域を有し、
前記導電層の仕事関数φＭは４．３０ｅＶ以上であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地膜と、
前記下地膜上の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜に重畳するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、結晶領域を有し、
前記下地膜と前記酸化物半導体膜とが接している面で、前記面内における前記下地膜の最隣接原子間距離と前記酸化物半導体膜の格子定数の差を、前記面内における前記下地膜の最隣接原子間距離で除した値が０．１５以下であることを特徴する半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重畳した酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたソース電極と、
前記酸化物半導体膜と電気的に接続されたドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、結晶領域を有し、
前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜とが接している面で、前記面内における前記ゲート絶縁膜の最隣接原子間距離と前記酸化物半導体膜の格子定数の差を、前記面内における前記ゲート絶縁膜の最隣接原子間距離で除した値０．１５以下であることを特徴する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体膜は、六方晶系でありｃ軸に配向した結晶領域を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面に接する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層に接する透光性導電膜と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に接する第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第４のシリコン半導体層と、を有し、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有されるフッ素の濃度は、１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有されるフッ素の濃度は、前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有される窒素の濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
一対の電極間に、
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面に接する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層に接する透光性導電膜と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に接する第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第４のシリコン半導体層と、を有し、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有されるフッ素の濃度は、１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有されるフッ素の濃度は、前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有される酸素の濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
一対の電極間に、
一導電型を有する単結晶シリコン基板と、
前記単結晶シリコン基板の一方の面に接する第１のシリコン半導体層と、
前記第１のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板とは逆の導電型を有する第２のシリコン半導体層と、
前記第２のシリコン半導体層に接する透光性導電膜と、
前記単結晶シリコン基板の他方の面に接する第３のシリコン半導体層と、
前記第３のシリコン半導体層に接し、前記単結晶シリコン基板と同じ導電型で、前記単結晶シリコン基板よりもキャリア密度の高い第４のシリコン半導体層と、を有し、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有されるフッ素の濃度は、１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有されるフッ素の濃度は、前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有される窒素の濃度よりも低く、
前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有されるフッ素の濃度は、前記第１のシリコン半導体層及び前記第３のシリコン半導体層に含有される酸素の濃度よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記単結晶シリコン基板の導電型はｎ型であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記単結晶シリコン基板の酸素濃度は、８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であることを特徴とする光電変換装置。