【事件の表示】
　特願２０１９−　　７２９８「レーザ光学部」拒絶査定不服審判事件〔令和　１年　５月　９日出願公開，特開２０１９−　７１４７５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２３年６月１３日に出願された特願２０１１−１３１４９１号（以下「原出願」という。）の一部を平成２７年１０月１３日に新たな特許出願（特願２０１５−２０２０３２号）とし，さらに，その一部を平成２８年７月４日に新たな特許出願（特願２０１６−１３２２６４号）とし，さらに，その一部を平成２９年２月１６日に新たな特許出願（特願２０１７−２６９３９号）とし，さらに，その一部を同年６月２７日に新たな特許出願（特願２０１７−１２５５２６号）とし，さらに，その一部を平成３０年５月２２日に新たな特許出願（特願２０１８−９７８７７号）とし，さらに，その一部を平成３１年１月１８日に新たな特許出願としたものであり，その後の手続の概要は，以下のとおりである。
　平成３１年　２月　７日：拒絶理由通知（起案日）
　平成３１年　３月１３日：意見書
　平成３１年　４月　２日：拒絶査定（起案日） 
　令和　元年　７月　１日：審判請求 
　令和　元年　７月２９日：拒絶理由通知（起案日） 
　令和　元年　９月２６日：意見書，手続補正書 
第２　本願発明
　令和元年９月２６日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，以下のとおりである。
「【請求項１】
　レーザ光をウェハの内部に集光させて改質領域を形成するレーザ光学部であって，
　前記レーザ光学部は，少なくともレーザ発振器と対物レンズを備え，
　前記レーザ発振器から照射されるレーザ光は，前記改質領域を形成した場合に前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの裏面に到達しない状態となり，且つ，前記ウェハの裏面を研削して前記改質領域を取り除く際に，前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの表面に到達しない位置まで進展するように，前記改質領域を形成する，
　レーザ光学部。」
第３　拒絶の理由
　令和元年７月２９日付けで当審が通知した拒絶理由は，大略，次のとおりのものである。
　１．（新規性）この出願の請求項１ないし６に係る発明は，その原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記１の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。 
　２．（進歩性）この出願の請求項１ないし６に係る発明は，その原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記１ないし５，７，８の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　３．（拡大先願）この出願の請求項１，６に係る発明は，その原出願の出願の日前の特許出願であって，その原出願の出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた下記６の特許出願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，「先願明細書等」という。）に記載された発明と同一であり，しかも，この出願の発明者が原出願の出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく，また原出願の出願の時において，その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができない。 
　１．特開２００９−２９００５２号公報 
　２．特許第３７６２４０９号公報 
　３．国際公開２００８／１４６７４４号 
　４．特開２００９−１２４０３５号公報 
　５．特開２００７−２３５０６８号公報 
　６．特願２０１０−１７１３７６号（特開２０１２−３３６６８号公報参照） 
　７．特開２００９−２９０１４８号公報 
　８．特開２００７−２３５０６９号公報 
第４　理由３について
　１　先願発明
（１）先願明細書等の記載 
　ア　原出願の出願の日前の他の特許出願であって，原出願の出願後に出願公開された特許出願６である特願２０１０−１７１３７６号（特開２０１２−３３６６８号。以下，「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面には，以下の事項が記載されている（下線は，当審で付した。以下同じ。）。 
  
「【請求項１】
　
パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法であって，
　所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を，集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射して脆性材料基板の内部に改質層を形成するとともに，パルスレーザ光を分断予定ラインに沿って走査し，前記改質層から脆性材料基板の第１主面に向かって前記第１主面に到達しない長さの亀裂を進展させる第１工程と，
　前記亀裂を残して脆性材料基板の第２主面側を研磨する第２工程と，
を含むレーザ加工方法
【請求項２】
　
前記第１工程は，脆性材料基板の厚みｔに対して，前記厚みｔの１５％以上５５％以下の長さで前記改質層から前記基板の第１表面に向かって亀裂を進展させ，
　前記第２工程は，前記改質層を除去する，
請求項１に記載のレーザ加工方法
【請求項３】
　
前記亀裂進展幅は，５０μｍ以上で前記基板表面に到達しない長さである，請求項２に記載のレーザ加工方法
【請求項４】
　
前記第１工程におけるレーザ光の走査速度は，２５ｍｍ／ｓ以下５００ｍｍ／ｓ以上である，請求項１から３のいずれかに記載のレーザ加工方法
【請求項５】
　
前記第１工程におけるレーザ光の出力は，４．２Ｗ以上である，請求項１から４のいずれかに記載のレーザ加工方法
【請求項６】
　
前記脆性材料基板はサファイア基板である，請求項１から５のいずれかに記載のレーザ加工方法
「【技術分野】
【０００１】
　
本発明は，レーザ加工方法，特に，パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法に関する
【
背景技術
【０００２】
　発光ダイオード等の発光素子は，サファイア基板上に窒化物半導体を積層することによって形成されている。このようなサファイア基板等から構成される半導体ウェハには，複数の発光ダイオード等の発光素子が，分断予定ラインにより区画されて形成されている。そして，このような半導体ウェハを分断予定ラインに沿って分断する際には，レーザ加工が用いられている。
【０００３】
　サファイア基板等の脆性材料基板を分断するレーザ加工方法のひとつが特許文献１に示されている。この特許文献１に示された方法は，サファイア基板の分断予定ラインに対応する領域にレーザ光線を照射して加熱溶融を進行させ，これにより分断溝を形成して個々の発光素子に分割するものである。
【０００４】
　また，別のレーザ加工方法が特許文献２に示されている。この特許文献２に示された方法は，基板の内部にレーザ光線の集光点を合わせ，集光点を分断予定ラインに沿って走査し，基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成して分断するものである。
【０００５】
　さらに，
特許文献３には，レーザ光を基板に照射することによって基板内部に改質層（切断起点領域）を形成し，その後基板が所定の厚さとなるように基板を研磨して基板を分割する方法が示されている
　＜途中省略＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
　特許文献１に示されたレーザ加工方法では，基板表面に分断溝が形成される。このため，分断溝が形成された後は抗折強度が低くなり，後工程で分断するための力が小さくて良いという利点がある。しかし，基板表面が加熱溶融されるために，溶融された飛散物が素子領域に付着する場合があり，不良品が生じやすい。
【０００８】
　また，
特許文献２及び特許文献３に示されたレーザ加工方法では，基板内部に改質領域が形成されるために，飛散物が素子領域に付着するといった問題はない。しかし，特許文献２では，基板表面に分断溝が形成されないために，後の分断工程において大きな力が必要になる。また，特許文献３では，研磨することによって基板が分割されるが，基板が分割されてしまうと，後工程で基板を一体的に取り扱うことができない。したがって，研磨する表面とは逆側の表面にフィルム等を貼り付けなければならない
【０００９】
　ここで，特に発光ダイオード素子が形成された基板では，改質層が発光ダイオードの発光効率を下げることが知られている。したがって，改質層は極力薄いあるいはない方が好ましい。
【００１０】
　なお，特許文献３に示されるように，基板に改質領域を形成した後に，基板を所定の厚さまで研磨することで，改質層を形成することが可能である。しかし，前述のように，
特許文献３の方法では，研磨によって基板が分割されてしまい，後工程での取扱いが非常に不便になる。また，この不便さを解消するために，フィルムを貼り付ける等の別の工程が必要になる
【００１１】
　
本発明の課題は，サファイア基板等の脆性材料基板を，飛散物なしに，かつ比較的厚みが厚い基板においても容易に分断できるようにするとともに，取扱いが容易であり，しかもこの基板に形成された素子の特性を損なわないようにすることにある
【課題を解決するための手段】
【００１２】
　第１発明に係るレーザ加工方法は，パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断する加工方法であって，第１工程及び第２工程を含んでいる。第１工程では，所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を，集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射して脆性材料基板の内部に改質層を形成するとともに，パルスレーザ光を分断予定ラインに沿って走査し，改質層から脆性材料基板の第１主面に向かって第１主面に到達しない長さの亀裂を進展させる。第２工程では亀裂を残して脆性材料基板の第２主面側を研磨する。
【００１３】
　ここでは，脆性材料基板の表面は溶融されない。また，基板内部に改質層が形成され，この改質層から基板の第１表面に向かって第１表面に到達しない長さの亀裂が形成される。その後，亀裂を残して基板の第２主面側に研磨される。
【００１４】
　
この方法では，改質層から基板表面に向かって亀裂が形成されるので，後工程である分断工程において，比較的小さな力で分断することができる。また，改質層が形成された側の基板表面が研磨されるので，改質層を少なく，あるいは除去することができ，この基板によって発光ダイオード等の素子を形成した場合に，改質層による特性の劣化を少なくすることができる。さらに，亀裂は基板の第１表面に到達していないので，第２主面側を研磨しても，基板が分割されることはない。したがって，後工程において，基板を一体的に取り扱うことができ，取扱いが容易になる
【００１５】
　第２発明に係るレーザ加工方法は，
第１発明のレーザ加工方法において，第１工程は，脆性材料基板の厚みｔに対して，厚みｔの１５％以上５５％以下の長さで改質層から基板の第１表面に向かって亀裂を進展させる
【００１６】
　ここでは，第１発明と同様に，
分断工程において比較的小さな力で分断することができる
【００１７】
　第３発明に係るレーザ加工方法は，第２発明のレーザ加工方法において，亀裂進展幅は，５０μｍ以上で基板表面に到達しない長さである。
【００１８】
　ここでは，亀裂進展幅が基板表面に到達しないので，確実に飛散物をなくすことができる。また，第２工程での研磨後も，基板が分割されない。
【００１９】
　第４発明に係るレーザ加工方法は，第１から第３発明のいずれかのレーザ加工方法において，第２工程における
レーザ光の走査速度は，２５ｍｍ／ｓ以下５００ｍｍ／ｓ以上
【００２０】
　
このような走査速度でレーザ光を走査することにより，レーザ光が適切な範囲でオーバーラップし，適切な長さの亀裂を進展させることができる
【００２１】
　第５発明に係るレーザ加工方法は，第１から第４発明のいずれかのレーザ加工方法において，第１工程におけるレーザ光の出力は，４．２Ｗ以上である。
【００２２】
　第６発明に係るレーザ加工方法は，第１から第５発明のいずれかのレーザ加工方法において，脆性材料基板はサファイア基板である。
【発明の効果】
【００２３】
　以上のような本発明では，サファイア基板等の脆性材料基板を，飛散物なしに，かつ比較的厚みが厚い基板においても容易に分断することができる。また，基板表面を研磨することによって改質層を薄く，あるいは除去するので，この基板に形成される素子の特性劣化を抑えることができる。さらに，基板研磨後においても基板が分割されないので，基板の取扱いが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態による加工方法によって分断される半導体ウェハの外観斜視図
【図２】本発明の一実施形態による加工方法を実施するためのレーザ加工装置の概略構成図
【図３】ウェハに形成される改質領域を説明するための模式図
【図４】改質層及び亀裂進展層が形成された基板の顕微鏡写真を図面にしたもの
【図５】レーザ出力及びレーザ光線の相対速度をパラメータとして実験した亀裂進展の結果を示す図
【図６】レーザ光線の相対速度と改質幅の関係を示す図。
【図７】レーザ光線の相対速度と亀裂進展幅の関係を示す図。
【図８】レーザ光線の出力と改質幅の関係を示す図。
【図９】レーザ光線の出力と亀裂進展幅の関係を示す図
【図１０】レーザ光線の出力と亀裂進展幅／改質幅の関係を示す図。
【図１１】レーザ光線の各出力におけるレーザ光の走査速度と分断荷重との関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［加工対象］
　図１は，本発明の一実施形態による加工方法が適用される半導体ウェハの一例である。この図１に示す半導体ウェハ１は，サファイア基板２上に窒化物半導体が積層され，複数の発光ダイオード等の発光素子３が分割予定ライン４によって区画されて形成されたものである。
【００２６】
［レーザ加工装置］
　
図２は，本発明の一実施形態による加工方法を実施するためのレーザ加工装置５の概略構成を示したものである。レーザ加工装置５は，レーザ光線発振器や制御部を含むレーザ光線発振ユニット６と，レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系７と，伝送光学系７からのレーザ光をウェハ１の内部において集光させるための集光レンズ８と，を有している
ウェハ１はテーブル９に載置されており，このテーブル９とレーザ光とは，相対的に上下方向に移動が可能であるとともに，水平面内で相対移動が可能となっている
【００２７】
［レーザ加工方法］
　
以上のようなレーザ加工装置５を用いたレーザ加工方法は以下の通りである
【００２８】
　
まず，レーザ光線発振ユニット６において，レーザ光の出力パワー等の加工条件を多光子吸収が生じる条件に制御
ウェハ１のサファイア基板の内部に集光点Ｐを合わせる
そして，このレーザ光をウェハ１に照射して，サファイア基板内部に改質領域１０を形成する
【００２９】
　
その後，レーザ光を分断予定ラインに沿って相対的に移動させることにより，集光点Ｐを分断予定ラインに沿って走査する。これにより，顕微鏡写真を図で示した図４に示すように，改質領域１０が分断予定ラインに沿って移動し，サファイア基板の内部のみに改質された領域からなる改質層１２が形成される。
また，レーザ加工条件を制御することによって，図４に示すように，改質層１２からウェハ１の第１表面（第１主面）１ａに向かって延びる，分断予定ラインに沿って連続した亀裂が形成される。すなわち，改質層１２のウェハ第１表面１ａ側に，改質層１２から亀裂が延びた亀裂進展層１３が形成される
【００３０】
　
次に，ウェハ１の第２表面（第２主面）１ｂ側を研磨する。このとき，亀裂進展層１３が残り，かつ改質層１２が除去されるように研磨する。
なお，ここで，研磨によって改質層１２が除去されても，亀裂進展層１３はウェハ１の表面まで到達していないので，研磨によってウェハ１が自動的に分断されることはない
【００３１】
　以上のようにして，ウェハ１の内部に改質層１２及び亀裂進展層１３が形成され，さらに改質層１２が除去された後は，分断予定ラインの両側に曲げ応力を加えることによって，ウェハ１を容易に分断することができる。
【００３２】
　以下に，改質層１２及び亀裂進展層１３を形成するレーザ加工方法の参考例及び実施例を示す。
【００３３】
［実験条件］
　各参考例及び実施例に共通の実験条件は以下の通りである。なお，ここでは，
半導体ウェハ１を構成するサファイア基板を分断対象としている
【００３４】
　
基板：サファイア　厚みｔ＝３３０μｍ
　走査回数：１回
　パルスレーザ繰り返し周波数：５ＭＨｚ
　集光位置：基板内部１７０μｍ
　＜途中省略＞
＜実施例３＞
　レーザ出力４．９５Wで，走査速度を２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍ／ｓまで変化させた場合，走査速度が２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓにおいて以下に示すような長さの亀裂進展が観察できた。なお，亀裂進展長さとともに，基板に対する比率を示している。
【００４０】
　　２５ｍｍ／ｓ：１３７．９μｍ−−−（４２％）
　　５０ｍｍ／ｓ：１３０．５μｍ−−−（４０％）
　１００ｍｍ／ｓ：１０５μｍ−−−−−（３２％）
　２００ｍｍ／ｓ：　８４μｍ−−−−−（２５％）
　３００ｍｍ／ｓ：１１１．９μｍ−−−（３４％）
　４００ｍｍ／ｓ：　７５μｍ−−−−−（２３％）
　５００ｍｍ／ｓ：７８．７μｍ−−−−（２４％）
　＜途中省略＞
　以上の実験結果をまとめた表を図５に示す。
図５において，「×」は亀裂進展が見られなかったもの，「○」は亀裂進展が観察されたことを示している。また，「○」の欄に並べて記載している数値が亀裂進展の長さである。この結果から，以上の実験では，基板厚みｔに対して，この厚みｔの１５％以上５５％以下の長さの亀裂進展が観察されたことがわかる
【００４２】
　
なお，以上の実施例において，「亀裂進展の長さ」とは，亀裂の最大長さをいう
【００４３】
　また，以上の実験データを基に，図６に出力毎の走査速度と改質幅との関係を示し，図７に出力毎の走査速度と亀裂進展幅との関係を示している。これらの図から，走査速度を下げてレーザスポットのオーバーラップ率を高くすると，改質幅が大きくなることが分かる。また，亀裂進展幅も同様の傾向を示していることが分かる。特に，図７から，走査速度を１００ｍｍ／ｓ以下にしたときに，出力によっては基板の半分程度の長さの亀裂が生じることがわかる。なお，図９に関して後述するように，亀裂進展幅は出力の大きさに比例して大きくなるわけではない。
【００４４】
　また，図８に走査速度毎の出力に対する改質幅を，
図９に走査速度毎の出力に対する亀裂進展幅を示している
【００４５】
　図１０は，出力に対して，改質幅と亀裂進展幅の割合（亀裂進展幅／改質幅）がどのように変化するかを示している。この図１０から，走査速度が２５〜５００ｍｍ／ｓ，出力が４．２〜７Ｗの範囲では，亀裂進展幅／改質幅は１．４〜３．６であることがわかる。
【００４６】
　図１１は，レーザ出力を変えて，レーザ光の走査速度と分断荷重との関係を測定した結果を示している。この図から明らかなように，各出力ともに，走査速度が遅いほど，すなわち，レーザ光が照射される領域のオーバーラップ範囲が大きいほど，分断強度が小さくなる傾向にあることがわかる。
【００４７】
［他の実施形態］
　本発明は以上のような実施形態に限定されるものではなく，本発明の範囲を逸脱することなく種々の変形又は修正が可能である。
【００４８】
　前記実施形態では，ウェハを構成する基板として，サファイア基板を例にとって説明したが，他の脆性材料基板においても本発明を同様に適用することができる。」
  
「
」
「
」
「
」
「
」
【図５】
「
」
「
」
　イ　上記記載から，先願明細書等には，次の技術的事項が記載されているものと認められる。
（ア）先願明細書等の特許請求の範囲には，請求項１ないし５を引用する請求項６に係る発明として，以下の発明が記載されていること。（なお，請求項４の「２５ｍｍ／ｓ以下５００ｍｍ／ｓ以上」は，先願明細書【００３９】の「２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓ」等の記載に照らして，「２５ｍｍ／ｓ以上５００ｍｍ／ｓ以下」の誤記であると認める。）
「所定の繰り返し周波数のパルスレーザ光を，集光点が脆性材料基板の内部に位置するように照射して脆性材料基板の内部に改質層を形成するとともに，パルスレーザ光を分断予定ラインに沿って走査し，前記改質層から脆性材料基板の第１主面に向かって前記第１主面に到達しない長さの亀裂を進展させる第１工程と，
　前記亀裂を残して脆性材料基板の第２主面側を研磨する第２工程と，
を含む，パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法であって，
　前記第１工程は，脆性材料基板の厚みｔに対して，前記厚みｔの１５％以上５５％以下の長さで前記改質層から前記基板の第１表面に向かって亀裂を進展させるものであり，
　前記第２工程は，前記改質層を除去するものであり，
　前記亀裂進展幅は，５０μｍ以上で前記基板表面に到達しない長さであり，
　前記第１工程におけるレーザ光の走査速度は，２５ｍｍ／ｓ以上５００ｍｍ／ｓ以下であり，
　前記第１工程におけるレーザ光の出力は，４．２Ｗ以上であり，
　前記脆性材料基板はサファイア基板である，
　レーザ加工方法。」
（イ）先願明細書等に記載された発明は，レーザ加工方法，特に，パルスレーザ光線を照射して脆性材料基板を分断するレーザ加工方法に関するものであること。
（ウ）レーザ光を基板に照射することによって基板内部に改質層（切断起点領域）を形成し，その後基板が所定の厚さとなるように基板を研磨して基板を分割する公知の方法には，基板内部に改質領域が形成されるため，飛散物が素子領域に付着するといった問題はないものの，研磨することによって基板が分割されてしまい，後工程で基板を一体的に取り扱うことができなくなり，非常に不便になるという課題があること。
（エ）先願明細書等に記載された発明の，解決しようとする課題は，サファイア基板等の脆性材料基板を，飛散物なしに，かつ比較的厚みが厚い基板においても容易に分断できるようにするとともに，取扱いが容易であり，しかもこの基板に形成された素子の特性を損なわないようにすることにあること。
（オ）改質層から基板表面に向かって亀裂が形成されると，後工程である分断工程において，比較的小さな力で分断することができること。
（カ）改質層が形成された側の基板表面を研磨することで，改質層を少なく，あるいは除去することができ，この基板によって発光ダイオード等の素子を形成した場合に，改質層による特性の劣化を少なくすることができること。
（キ）亀裂を基板の第１表面に到達しないようにすることで，第２主面側を研磨しても，基板が分割されることはなくなり，後工程において，基板を一体的に取り扱うことができ，取扱いが容易になること。
（ク）脆性材料基板の厚みｔに対して，厚みｔの１５％以上５５％以下の長さで改質層から基板の第１表面に向かって亀裂を進展させると，分断工程において比較的小さな力で分断することができること。
（ケ）レーザ光の走査速度を，２５ｍｍ／ｓ以上５００ｍｍ／ｓ以下とすることで，レーザ光が適切な範囲でオーバーラップし，適切な長さの亀裂を進展させることができること。
（コ）先願明細書等には，特許請求の範囲に記載された発明の一実施態様による加工方法を実施するためのレーザ加工装置５が記載されており，レーザ加工装置５は，レーザ光線発振器や制御部を含むレーザ光線発振ユニット６と，レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系７と，伝送光学系７からのレーザ光をウェハ１の内部において集光させるための集光レンズ８と，を有しており，さらに，ウェハ１はテーブル９に載置されており，このテーブル９とレーザ光とは，相対的に上下方向に移動が可能であるとともに，水平面内で相対移動が可能となっていること。
（サ）上記（コ）のレーザ加工装置５を用いて，
　ａ　レーザ光線発振ユニット６において，レーザ光の出力パワー等の加工条件を多光子吸収が生じる条件に制御する工程と，
　ｂ　ウェハ１のサファイア基板の内部に集光点Ｐを合わせる工程と，
　ｃ　レーザ光をウェハ１に照射して，サファイア基板内部に改質領域１０を形成し，その後，レーザ光を分断予定ラインに沿って相対的に移動させることにより，集光点Ｐを分断予定ラインに沿って走査して，改質領域１０を分断予定ラインに沿って移動させて，サファイア基板の内部のみに改質された領域からなる改質層１２を形成する工程であって，レーザ加工条件を制御することによって，改質層１２からウェハ１の第１表面（第１主面）１ａに向かって延びる，分断予定ラインに沿って連続した亀裂を形成することで，改質層１２のウェハ第１表面１ａ側に，改質層１２から亀裂が延びた亀裂進展層１３を形成する工程と，
　ｄ　ウェハ１の第２表面（第２主面）１ｂ側を研磨して，亀裂進展層１３が残り，かつ改質層１２が除去されるように研磨する工程であって，研磨によって改質層１２が除去されても，亀裂進展層１３はウェハ１の表面まで到達していないので，研磨によってウェハ１が自動的に分断されることはない工程と，
　を含むレーザ加工を行うこと。
（シ）実施例３は，半導体ウェハ１を構成するサファイア基板を分断対象として，
　基板：サファイア　厚みｔ＝３３０μｍ
　走査回数：１回
　パルスレーザ繰り返し周波数：５ＭＨｚ
　集光位置：基板内部１７０μｍ
　の条件において，レーザ出力４．９５Wで，走査速度を２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍ／ｓまで変化させた場合，走査速度が２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓにおいて，以下に示すような，亀裂進展長さと，基板に対する比率を示す，亀裂進展が観察できたこと。
　　２５ｍｍ／ｓ：１３７．９μｍ−−−（４２％）
　　５０ｍｍ／ｓ：１３０．５μｍ−−−（４０％）
　１００ｍｍ／ｓ：１０５μｍ−−−−−（３２％）
　２００ｍｍ／ｓ：　８４μｍ−−−−−（２５％）
　３００ｍｍ／ｓ：１１１．９μｍ−−−（３４％）
　４００ｍｍ／ｓ：　７５μｍ−−−−−（２３％）
　５００ｍｍ／ｓ：７８．７μｍ−−−−（２４％）
（ス）図９は，レーザ光線の出力と亀裂進展幅の関係を示す図であって，上記アの記載に照らせば，同図から，レーザ出力４．９５Wで，走査速度を２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍ／ｓまで変化させた場合，走査速度が２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓにおいて，亀裂進展幅が，１４０μｍ未満であることを読み取ることができること。
　ウ　上記ア，イから，先願明細書等には，先願明細書等の実施例３に記載された加工方法を実施するためのレーザ加工装置５の構成に係る，次の発明（以下「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
「レーザ加工装置５における，レーザ光線発振器や制御部を含むレーザ光線発振ユニット６と，レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系７と，伝送光学系７からのレーザ光をウェハ１の内部において集光させるための集光レンズ８と，を有する構成であって，
　前記レーザ加工装置５は，
　ａ　レーザ光線発振ユニット６において，レーザ光の出力パワー等の加工条件を多光子吸収が生じる条件に制御する工程と，
　ｂ　ウェハ１のサファイア基板の内部に集光点Ｐを合わせる工程と，
　ｃ　レーザ光をウェハ１に照射して，サファイア基板内部に改質領域１０を形成し，その後，レーザ光を分断予定ラインに沿って相対的に移動させることにより，集光点Ｐを分断予定ラインに沿って走査して，改質領域１０を分断予定ラインに沿って移動させて，サファイア基板の内部のみに改質された領域からなる改質層１２を形成する工程であって，レーザ加工条件を制御することによって，改質層１２からウェハ１の第１表面（第１主面）１ａに向かって延びる，分断予定ラインに沿って連続した亀裂を形成することで，改質層１２のウェハ第１表面１ａ側に，改質層１２から亀裂が延びた亀裂進展層１３を形成する工程と，
　ｄ　ウェハ１の第２表面（第２主面）１ｂ側を研磨して，亀裂進展層１３が残り，かつ改質層１２が除去されるように研磨する工程であって，研磨によって改質層１２が除去されても，亀裂進展層１３はウェハ１の表面まで到達していないので，研磨によってウェハ１が自動的に分断されることはない工程と，
　を含むレーザ加工を，
　半導体ウェハ１を構成するサファイア基板を分断対象として，
　基板：サファイア　厚みｔ＝３３０μｍ
　走査回数：１回
　パルスレーザ繰り返し周波数：５ＭＨｚ
　集光位置：基板内部１７０μｍ
　の条件において，レーザ出力４．９５Wで，走査速度を２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍ／ｓまで変化させて行うレーザ加工装置５であり，
　当該走査速度が２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓにおいて，以下に示すような，亀裂進展長さと，基板に対する比率を示す，亀裂進展が観察できたレーザ加工装置５。
　　２５ｍｍ／ｓ：１３７．９μｍ−−−（４２％）
　　５０ｍｍ／ｓ：１３０．５μｍ−−−（４０％）
　１００ｍｍ／ｓ：１０５μｍ−−−−−（３２％）
　２００ｍｍ／ｓ：　８４μｍ−−−−−（２５％）
　３００ｍｍ／ｓ：１１１．９μｍ−−−（３４％）
　４００ｍｍ／ｓ：　７５μｍ−−−−−（２３％）
　５００ｍｍ／ｓ：７８．７μｍ−−−−（２４％）」
（２）　本願発明と先願発明の対比 
　ア　本願発明と先願発明を対比する。 
（ア）先願発明の「レーザ光線発振ユニット６」，「集光レンズ８」は，それぞれ本願発明の「レーザ発振器」，「対物レンズ」に相当する。
　したがって，先願発明の「レーザ光線発振器や制御部を含むレーザ光線発振ユニット６と，レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系７と，伝送光学系７からのレーザ光をウェハ１の内部において集光させるための集光レンズ８と，を有する構成」は，本願発明の「レーザ光学部」に該当する。
　そして，先願発明は，「ウェハ１のサファイア基板の内部に集光点Ｐを合わせ」て，「レーザ光をウェハ１に照射して，サファイア基板内部に改質領域１０を形成し」「改質された領域からなる改質層１２を形成する」ものであって，当該「サファイア基板」は，「半導体ウェハ１を構成する」ものである。
　そうすると，先願発明の前記「レーザ光線発振器や制御部を含むレーザ光線発振ユニット６と，レーザ光を所定の方向に導くための複数のミラーを含む伝送光学系７と，伝送光学系７からのレーザ光をウェハ１の内部において集光させるための集光レンズ８と，を有する構成」と，本願発明の「レーザ光学部」とは，いずれも，「レーザ光をウェハの内部に集光させて改質領域を形成するレーザ光学部」である点で一致する。
（イ）先願発明は，「レーザ光をウェハ１に照射して，サファイア基板内部に改質領域１０を形成し」「改質された領域からなる改質層１２を形成する」「レーザ加工」を，「ウェハ１の第２表面（第２主面）１ｂ側を研磨して，亀裂進展層１３が残り，かつ改質層１２が除去されるように研磨する工程であって，研磨によって改質層１２が除去されても，亀裂進展層１３はウェハ１の表面まで到達していないので，研磨によってウェハ１が自動的に分断されることはない」ような条件で行うものである。
　そうすると，先願発明の，「ウェハ１の第２表面（第２主面）１ｂ側を研磨して，亀裂進展層１３が残り，かつ改質層１２が除去されるように研磨する工程であって，研磨によって改質層１２が除去されても，亀裂進展層１３はウェハ１の表面まで到達していないので，研磨によってウェハ１が自動的に分断されることはない」ような条件で行う「レーザ光をウェハ１に照射して，サファイア基板内部に改質領域１０を形成し」「改質された領域からなる改質層１２を形成する」「レーザ加工」と，本願発明の「前記レーザ発振器から照射されるレーザ光は」「前記ウェハの裏面を研削して前記改質領域を取り除く際に，前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの表面に到達しない位置まで進展するように，前記改質領域を形成する」とは，後記の点で一応相違するものの，いずれも，「前記レーザ発振器から照射されるレーザ光は」「前記ウェハの裏面を研削して前記改質領域を取り除く際に，前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの表面に到達しない位置まで進展するように，前記改質領域を形成する」ものである点で一致する。
　イ　以上のことから，本願発明と先願発明との一致点及び一応の相違点は，次のとおりである。 
（一致点） 
「レーザ光をウェハの内部に集光させて改質領域を形成するレーザ光学部であって，
　前記レーザ光学部は，少なくともレーザ発振器と対物レンズを備え，
　前記レーザ発振器から照射されるレーザ光は，前記ウェハの裏面を研削して前記改質領域を取り除く際に，前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの表面に到達しない位置まで進展するように，前記改質領域を形成する，
　レーザ光学部。」 
  
（相違点１） 
　本願発明では，レーザ発振器から照射されるレーザ光は，「前記改質領域を形成した場合に前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの裏面に到達しない状態とな」るように改質領域を形成すると特定されているのに対し，先願発明は，このような特定がされていない点。 
  
（３）判断 
　相違点１について
　上記第４の１（１）イ（ス）のとおり，先願明細書等には，レーザ出力４．９５Wで，走査速度を２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍ／ｓまで変化させた場合，走査速度が２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍｍ／ｓにおいて，亀裂進展幅が，１４０μｍ未満であることが記載されている。
　そして，先願発明の「分断対象」である「半導体ウェハ１を構成するサファイア基板」の厚みは，３３０μｍであり，集光位置は，基板内部１７０μｍとされている。
　ここで，前記亀裂進展幅が，その内部に前記集光位置を含むことは自明である。
　してみれば，先願発明に係る「レーザ出力４．９５Wで，走査速度を２５ｍｍ／ｓ〜５００ｍ／ｓまで変化させて行うレーザ加工装置５」は，「このレーザ光をウェハ１に照射して，サファイア基板内部に改質領域１０を形成する工程」において，基板内部１７０μｍの集光位置を含むように，亀裂進展幅が１４０μｍ未満の亀裂を形成するものと理解されるところ，前記基板の厚みが３３０μｍであることから，亀裂進展幅が１４０μｍ未満の亀裂が，基板内部１７０μｍの集光位置から，前記基板の裏面に到達しないことは明らかである。
　したがって，先願発明においても，レーザ発振器から照射されるレーザ光は，「前記改質領域を形成した場合に前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの裏面に到達しない状態とな」るように改質領域を形成するものと認められるから，相違点１は実質的なものではない。
  
（４）小括
　以上のとおりであるから，相違点１は，実質的には相違点とはいえず，本願発明は先願発明と同一である。そして，本願の発明者と先願の発明者は同一ではなく，原出願の出願の時において，本願の出願人と，先願の出願人は同一ではないから，本願発明は，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができない。 
 
第５　理由１，２について
　１　引用文献の記載
（１）引用文献１（特開２００９−２９００５２号公報）には，以下の事項が記載されている。
　ア　「【請求項２】
　基板の表面に格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに該ストリートの表面に膜が被覆されているウエーハを，該ストリートに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの分割方法であって，
　該基板に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの裏面側から該基板の内部に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し，該基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と，
　該変質層形成工程が実施されたウエーハを構成する該基板の裏面を研削し，ウエーハを所定の厚さに形成する裏面研削工程と，
　該裏面研削工程が実施されたウエーハの裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と，
　該膜に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側から該ストリートに沿って該膜に照射してレーザー加工溝を形成し，該膜を該ストリートに沿って分断する膜分断工程と，
　環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面にウエーハの裏面を貼着した状態で該ダイシングテープを拡張することによりウエーハに外力を付与し，ウエーハを該ストリートに沿って破断するウエーハ破断工程と，を含む，
　ことを特徴とするウエーハの分割方法。」
「【発明の効果】
【０００８】
　本発明におけるウエーハの分割方法によれば，基板の内部にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程とウエーハの基板に形成されたストリートの表面に被覆された膜をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施し後に，ウエーハに外力を付与してウエーハをストリートに沿って破断するので，ウエーハをストリートに沿って破断する際には膜はストリートに沿って分断されているため，膜が破断されずに残ることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　以下，本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について，添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１０】
　図１には本発明によるウエーハの分割方法によって分割されるウエーハの斜視図が示されており，図２には図１に示すウエーハの要部を拡大した断面図が示されている。
図１および図２に示すウエーハ２は，例えば厚さが６００μmのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されている。このウエーハ２には，図２に示すようにストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａに図示の実施形態においてはポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆されている
「【００１２】
　
裏面研削工程は，図４の(a)に示す研削装置４を用いて実施する
図４の（ａ）に示す研削装置４は，被加工物を保持するチャックテーブル４１と，該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削手段４３を具備している
「【００１３】
　次に，上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する。
この変質層形成工程は，図５に示すレーザー加工装置５を用いて実施する
図５に示すレーザー加工装置５は，被加工物を保持するチャックテーブル５１と，該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と，チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している
【００１４】
　
上記レーザー光線照射手段５２は，実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図示しないＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。このパルスレーザー光線発振手段は，図示の実施形態においては，ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長（例えば，１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を発振する。上記ケーシング５２１の先端部には，パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されている
【００１５】
　上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は，可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に，被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と，該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と，該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されている。この撮像手段５３は，撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１６】
　
図５に示すレーザー加工装置５を用いて変質層形成工程を実施するには，図５に示すようにチャックテーブル５１上にウエーハ２の表面２１ａに貼着された保護テープ３側を載置する。そして，図示しない吸引手段を作動することにより，保護テープ３を介してウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持する（ウエーハ保持工程）
「【００３２】
　次に，本発明による
ウエーハの分割方法
　第２の実施形態においては，
先ずウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程を実施する
この変質層形成工程を実施するに際し
上記図５に示すようにレーザー加工装置５を用いて上記図６に示す変質層形成工程と同様に実施する
変質層２１０から表面２１aおよび裏面２１bに向けてクラック２１１が発生する
【００３３】
　
上述した変質層形成工程を実行したならば，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削し，ウエーハ２を所定の厚さに形成する裏面研削工程を実施する
この裏面研削工程は，図４の(a)に示す研削装置４を用いて上記第１の実施形態における裏面研削工程と同様に実施する。この結果，図１５に示すようにウエーハ２は，基板２１の裏面２１bが研削されて所定の厚さ（例えば１００μm）に形成される
上記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２aから例えば１００μmの位置より裏面２ｂに形成することにより，上記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０は除去される。従って，ウエーハ２の基板２１には，図１５に示すようにストリート２２に沿って形成されたクラック２１１が残される
【００３４】
　次に，
上述した裏面研削工程が実施されたウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する
ウエーハ２における基板２１の表面２１aに貼着されている保護テープ３を剥離する（保護テープ剥離工程）
【００３５】
　上述したウエーハ支持工程および保護テープ剥離工程を実施したならば，
上記ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程を実施する
【００３６】
　上記膜分断工程を実施したならば，
ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程を実施する
このウエーハ破断工程は，上記図１２に示すテープ拡張装置６を用いて上記図１３に示すウエーハ破断工程と同様に実施する
この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割される
【００３７】
　上述した実施形態においては，上記裏面研削工程でウエーハ２の基板２１の裏面を研削して変質層２１０が除去されており，ウエーハ２は基板２１に形成されたクラック２１１に沿って破断される。従って，個々の分割されたデバイス２３の破断面には変質層２１０が残存しないため，デバイス２３の抗折強度が向上する。」
　イ　上記記載から，引用文献１には，次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ウエーハ２を準備する工程であって，前記ウエーハ２は，厚さが６００μmのシリコン基板２１の表面２１ａに格子状に形成された複数のストリート２２によって複数の領域が区画され，この区画された領域にＩＣ，ＬＳＩ，液晶ドライバー，フラッシュメモリ等のデバイス２３が形成されたものであり，このウエーハ２には，ストリート２２およびデバイス２３を含む表面２１ａに，ポリイミド(PI)系高分子化合物膜２４が被覆されている工程と，
　前記ウエーハ２の基板２１に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する変質層形成工程であって，
　前記変質層形成工程は，チャックテーブル５１上にウエーハ２の表面２１ａに貼着された保護テープ３側を載置して，吸引手段を作動することにより，保護テープ３を介してウエーハ２をチャックテーブル５１上に保持して実施するものである工程と，
　前記変質層形成工程を実行した後に，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削し，ウエーハ２を，１００μｍの厚さに形成する裏面研削工程であって，
　前記裏面研削工程は，被加工物を保持するチャックテーブル４１と，該チャックテーブル４１に保持された被加工物を研削するための研削砥石４２を備えた研削手段４３を具備している研削装置４を用いて実施するものであり，
　さらに，前記裏面研削工程は，前記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２aから前記１００μmの位置より裏面２ｂに形成することにより，前記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０を除去し，従って，ウエーハ２の基板２１には，ストリート２２に沿って形成された，表面２１aに向けて変質層から発生したクラック２１１が残されるものである工程と，
　前記裏面研削工程が実施されたウエーハ２の裏面を環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程と，
　ウエーハ２における基板２１の表面２１aに貼着されている保護テープ３を剥離する保護テープ剥離工程と，
　前記ウエーハ２を構成する基板２１の表面２１ａに被覆された高分子化合物膜２４に対して吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハの表面側からストリート２２に沿って高分子化合物膜２４に照射してレーザー加工溝を形成し，高分子化合物膜２４をストリートに沿って分断する膜分断工程と，
　前記ウエーハ２に外力を付与しウエーハ２をストリート２２に沿って破断するウエーハ破断工程であって，
　前記ウエーハ破断工程は，テープ拡張装置６を用いて実施するものであって，この結果，ウエーハ２の基板２１はクラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割されるものである工程と，
を備えたウエーハの分割方法において用いられるレーザー光線照射手段５２であって，
　前記上記レーザー光線照射手段５２は，実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでおり，該ケーシング５２１内にはＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されるとともに，前記ケーシング５２１の先端部には，パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光器５２２が装着されており，さらに，前記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部には撮像手段５３が装着されており，該撮像手段５３は，可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に，被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と，該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と，該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されている，
　レーザー光線照射手段５２。」
（２）引用文献２（特許第３７６２４０９号公報）には，以下の事項が記載されている。
「図２３Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２３Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
図２４Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２４Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面内に溶融処理領域が残存しない場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。
図２５Ａは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達している場合を説明するための図である。
図２５Ｂは，実施例１に係る半導体基板を研磨する工程後の半導体チップの切断面の裏面側のエッジ部に溶融処理領域が残存する場合であって，半導体基板を研磨する工程前に割れが表面に達していない場合を説明するための図である。」（第４ページ左欄１６〜４１行）
「なお，半導体基板を研磨する工程後の半導体チップ２５と溶融処理領域１３との関係としては，図２３Ａ〜図２５Ｂに示すものがある。各図に示す半導体チップ２５には，後述するそれぞれの効果が存在するため，種々様々な目的に応じて使い分けることができる。ここで，図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａは，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合であり，図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂは，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合である。図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂの場合にも，半導体基板を研磨する工程後には，割れ１５が半導体基板１５の表面３に達する。
図２３Ａ及び図２３Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存する半導体チップ２５は，その切断面が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５の抗折強度が向上する。
図２４Ａ及び図２４Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面内に残存しない半導体チップ２５は，溶融処理領域１３が半導体デバイスに好影響を与えないような場合に有効である。
図２５Ａ及び図２５Ｂに示すように，溶融処理領域１３が切断面の裏面側のエッジ部に残存する半導体チップ２５は，当該エッジ部が溶融処理領域１３により保護されることとなり，半導体チップ２５のエッジ部を面取りした場合と同様に，エッジ部におけるチッピングやクラッキングの発生を防止することができる。
また，図２３Ａ，図２４Ａ及び図２５Ａに示すように，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達している場合に比べ，図２３Ｂ，図２４Ｂ及び図２５Ｂに示すように半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に達していない場合の方が，半導体基板を研磨する工程後に得られる半導体チップ２５の切断面の直進性がより向上する。
ところで，半導体基板を研磨する工程前に割れ１５が半導体基板１の表面３に到達するか否かは，溶融処理領域１３の表面３からの深さに関係するのは勿論であるが，溶融処理領域１３の大きさにも関係する。すなわち，溶融処理領域１３の大きさを小さくすれば，溶融処理領域１３の表面３からの深さが浅い場合でも，割れ１５は半導体基板１の表面３に到達しない。溶融処理領域１３の大きさは，例えば切断起点領域を形成する工程におけるパルスレーザ光の出力により制御することができ，パルスレーザ光の出力を上げれば大きくなり，パルスレーザ光の出力を下げれば小さくなる。」（第１０ページ左欄第６〜４９行）
「
」
「
」
　２　本願発明と引用発明の対比
（１）本願発明と引用発明を対比する。
　ア　引用発明の「レーザー光線」，「ウエーハ２」，「ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段」，「集光器５２２」，「変質層」，及び，「クラック２１１」は，それぞれ，本願発明の「レーザ光」，「ウェハ」，「レーザ発振器」，「対物レンズ」，「改質領域」，及び，「微小亀裂」に相当する。
　イ　引用発明は，「裏面研削工程」の後に，「クラック２１１が形成されることによって強度が低下せしめられたストリート２２に沿って破断され個々のデバイス２３に分割」するウエーハ破断工程を備えるのであるから，引用発明においては，裏面研削工程が終了した時点において，ウエーハ２は分割されておらず，すなわち，引用発明において，レーザー光線が形成した変質層は，「前記ウェハの裏面を研削して前記改質領域を取り除く際に，前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの表面に到達しない」位置に形成されていることは明らかといえる。
　ウ　以上のことから，本願発明と引用発明との一致点及び一応の相違点は，次のとおりである。
（一致点）
「レーザ光をウェハの内部に集光させて改質領域を形成するレーザ光学部であって，
　前記レーザ光学部は，少なくともレーザ発振器と対物レンズを備え，
　前記レーザ発振器から照射されるレーザ光は，前記ウェハの裏面を研削して前記改質領域を取り除く際に，前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの表面に到達しない位置まで進展するように，前記改質領域を形成する，
　レーザ光学部。」 
  
（相違点２） 
　本願発明では，レーザ発振器から照射されるレーザ光は，「前記改質領域を形成した場合に前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの裏面に到達しない状態とな」るように改質領域を形成すると特定されているのに対し，引用発明は，このような特定がされていない点。 
　３　判断
　相違点２について
（１）引用発明は，厚さが６００μmのシリコン基板２１のウエーハ２の表面２aから１００μmの位置より裏面２ｂに変質層を形成し，その後，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削し，ウエーハ２を，１００μｍの厚さに形成するとともに，ウエーハ２の基板２１に，ストリート２２に沿って形成された，表面２１aに向けて変質層から発生したクラック２１１を残す工程を含むウエーハの分割方法において用いられるレーザー光線照射手段５２に係る発明である。
　そうすると，引用発明においては，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削して１００μｍの厚さに形成した際に，変質層から発生したクラック２１１が研削後のウエーハ２に残るように，変質層を形成するのであるから，当該変質層は，研削後のウエーハ２の裏面となる，ウエーハ２の表面２aから１００μmの位置の近傍に形成されているものと理解することが自然かつ合理的と認められる。
　そして，引用発明は，上記（２）ア（イ）で検討したように，「改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの表面に到達しない」ものである。
　してみれば，引用発明において，厚さが６００μmのシリコン基板２１のウエーハ２の表面２aから１００μmの位置の近傍に形成されている変質層から表面２１aに向けて発生したクラック２１１が前記表面２１aに到達しないのであれば，前記変質層から，より遠い面である裏面２１bには，クラック２１１が到達しないことは当然といえる。
　したがって，相違点２は，実質的なものではない。
　すなわち，本願発明は，引用文献１に記載された発明である。
（２）仮に，相違点２が，実質的なものであったとしても，引用文献２の図２３Ａないし図２５Ｂに，レーザ発振器から照射されるレーザ光で，「前記改質領域を形成した場合に前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの裏面に到達しない状態とな」るように改質領域を形成することが記載されていること，及び，当該構成に係る効果が格別なものであるとは認められないことに照らして，引用発明において，上記相違点２について，本願発明の構成を採用することは当業者が適宜なし得たことである。
（３）請求人は，令和元年９月２６日に提出した意見書において，「（ウ）すなわち，引例１は，『裏面研削工程』と『ウエーハ破断工程』との間に『膜分断工程』を行うことを開示するにすぎず，『膜分断工程』を捨象したあらゆる構成を示唆するものとはいえず，本願発明１の構成を直接開示ないし示唆するものとはいえない。」と主張する。
　しかしながら，本願発明は，上記第２に記載したとおりの「改質領域を形成する」「レーザ光学部」に係る発明であって，改質領域を形成した後の工程を何ら限定するものではない。
　したがって，請求人の前記主張は，請求項の記載に基づかないものであって採用することはできない。
（４）また，請求人は，「（カ）そして，本願発明１は，上記構成（審決注．「前記改質領域を形成した場合に前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの裏面に到達しない状態」となる構成）により，ウェハの裏面を研削する際に，レーザ光が透過した部分を含む改質領域を除去することが可能となると共に，研削中に研削液などがウェハ内部に浸透せず，研削中のチップ飛びを軽減し，改質領域から延びる微小亀裂のみをチップ断面に残すことが可能となり，安定した品質のチップを効率よく得ることができる，という格別な効果を奏するものである。」と主張する。
　しかしながら，上記効果の内，「ウェハの裏面を研削する際に，レーザ光が透過した部分を含む改質領域を除去することが可能となる」とする効果は，レーザ光がウェハの裏面から照射されるものであることを限定しない本願発明の効果であるとは認められない。
　仮に，当該効果を認めたとしても，当該効果は，引用発明の「レーザー光線をウエーハ２の裏面側から基板２１の内部に集光点を位置付けてストリート２２に沿って照射し，基板２１の内部にストリート２２に沿って変質層を形成する」，「前記変質層形成工程を実行した後に，ウエーハ２を構成する基板２１の裏面２１bを研削」及び「前記裏面研削工程は，前記変質層形成工程において形成される変質層２１０をウエーハ２の表面２aから前記１００μmの位置より裏面２ｂに形成することにより，前記裏面研削工程を実施することにより変質層２１０が形成された位置まで研削され，変質層２１０を除去し」という構成から当然に奏されるものである。
　他方，上記効果の内，「研削中に研削液などがウェハ内部に浸透せず，研削中のチップ飛びを軽減し，改質領域から延びる微小亀裂のみをチップ断面に残すことが可能となり」とする効果は，本願明細書に記載された効果ではない。
　すなわち，改質領域を形成した場合に，「前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの裏面に到達しない状態」であったとしても，ウェハの裏面を研削して前記改質領域を取り除く際には，研削の開始から終了までのいずれかの時点において，改質領域から発生した微小亀裂が研削面に露出することとなるのは必然であり，「研削中」に「研削液などがウェハ内部に浸透せず」ということは起こり得ないから，当該効果についての主張は失当である。
　なお，本願明細書には，「【００１８】特に，
クラックが基板の表面上にまで先走っている場合，エッチング液がチップとチップを接着しているフィルムの間に浸透し，チップをフィルムから剥離するという問題が発生する
また，こうした場合，結果的にクラックが表面上にまで先走って，一部チップとフィルムの間にエッチング液が入り込み，処理中にチップが剥がれる問題が発生することもある。特に，研削後が進行して基板が薄くなった場合，少しの外力でクラックが進行しやすく，クラックが表面に達することでチップ剥離が発生するため，基板が薄くなった場合には，クラックをそれ以上進行させないように処理をしなければならない
基板の表面
ウェハの裏面
　しかも，上記２（１）イのとおり，引用発明において，レーザー光線が形成した変質層は，「前記ウェハの裏面を研削して前記改質領域を取り除く際に，前記改質領域から延びた微小亀裂が前記ウェハの表面に到達しない」位置に形成されていることは明らかといえるから，本願明細書の【００１８】，【００２０】に記載された効果は，引用発明においても，本願発明と同様に奏されるものと認められる。
　したがって，請求人の前記主張は採用することができない。
（５）小括
　以上のとおりであるから，相違点２は，実質的には相違点とはいえず，本願発明は，引用文献１に記載された発明である。したがって，本願発明は，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　また，仮に，相違点２が，実質的なものであったとしても，本願発明は，引用文献１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第６　むすび
　以上のとおり，本願発明は，その原出願の出願の日前の特許出願であって，その原出願の出願後に特許掲載公報の発行又は出願公開がされた上記６の特許出願の願書に最初に添付された明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された発明と同一であり，しかも，この出願の発明者が原出願の出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく，またこの原出願の出願の時において，その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので，特許法第２９条の２の規定により，特許を受けることができない。
　さらに，本願発明は，その原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができない。
　また，本願発明は，その原出願の出願前に日本国内又は外国において，頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献１及び２に記載された発明に基づいて，その原出願の出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。