Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月27日(2015.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁体と、
前記弁体と接して燃料をシートする座面を有し、燃料噴射孔が形成されるシート部材と、を備えた燃料噴射弁において、
前記燃料噴射孔は、その入口断面の長軸方向に対して、前記入口断面と平行な平面で構成される出口断面の長軸方向が交差するように形成されることを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項２】
弁体と、
前記弁体と接して燃料をシートする座面を有し、燃料噴射孔が形成されるシート部材と、を備えた燃料噴射弁において、
前記燃料噴射孔は、その入口断面の少なくとも一部が真円形状に形成され、出口断面の少なくとも一部が楕円形状に形成されることを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項３】
弁体と、
前記弁体と接して燃料をシートする座面を有し、燃料噴射孔が形成されるシート部材と、を備えた燃料噴射弁において、
前記燃料噴射孔は、その入口断面の中心から前記シート部材の中心に向かう第１の方向と、前記入口断面の中心から前記入口断面と平行な平面で構成される出口断面の中心に向かう第２の方向とで形成される角度より、前記第１の方向と、前記出口断面の長軸方向とで形成される角度の方が大きいことを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかに記載の燃料噴射弁において、
前記燃料噴射孔の中心軸は、前記入口断面の中心軸と一致することを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項５】
請求項１〜３の何れかに記載の燃料噴射弁において、
前記燃料噴射孔の中心軸は、前記出口断面の中心軸と一致することを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項６】
請求項５に記載の燃料噴射弁において、
前記入口断面の中心軸は前記出口断面の中心軸と一致することを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の燃料噴射弁において、
前記出口断面の長軸方向と、前記入口断面の中心から前記入口断面と平行な平面で構成される出口断面の中心に向かう第２の方向と、で形成される角度が０度〜９０度となるように構成されることを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項８】
請求項３に記載の燃料噴射弁において、
前記出口断面の長軸方向と、前記第２の方向と、で形成される角度が０度〜９０度となるように構成されることを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項９】
請求項１〜３の何れかに記載の燃料噴射弁において、
前記燃料噴射孔は、レーザ加工により形成されることを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項１０】
請求項１〜３の何れかに記載の燃料噴射弁において、
前記燃料噴射孔は、上流側の第１の流路と、下流側で前記第１の流路よりも断面積の大きい第２の流路とで形成され、前記第２の流路はパンチ加工により形成されることを特徴とする燃料噴射弁。
【請求項１１】
請求項１〜３の何れかに記載の燃料噴射弁において、
前記燃料噴射孔は、上流側の第１の流路と、下流側の第２の流路とで形成され、前記第２の流路は入口側から出口側に向かうに従い流路断面積が増加するテーパ形状からなることを特徴とする燃料噴射弁。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月30日(2015.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プランジャにより容積が変化する加圧室と、
前記加圧室の吸入側に配置される吸入弁と、
前記吸入弁を閉じる方向に付勢するばねと、を備えた高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入弁と前記加圧室との間に配置され、前記ばねを内部に保持するホルダと、を備えたことを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項２】
プランジャにより容積が変化する加圧室と、
前記加圧室の吸入側に配置される吸入弁と、
前記吸入弁を閉じる方向に付勢するばねと、を備えた高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入弁と前記加圧室との間に配置され、前記吸入弁を内部に保持するホルダと、を備えたことを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項３】
請求項１又は２の何れかに記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ホルダは、前記吸入弁と対向する対向部を有することを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項４】
請求項１又は２の何れかに記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ホルダは、前記吸入弁と対向する対向部を有し、前記対向部により前記吸入弁が開弁した場合のストロークの位置が決められることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項５】
請求項１又は２の何れかに記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ホルダと前記吸入弁との間の空間と前記ホルダの外部とを連通する孔が形成されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項６】
請求項５に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記孔は前記ホルダの前記加圧室側に形成されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入弁は前記ばねのまわりに被せられるように形成されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項８】
請求項１又は２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入弁はカップ状に形成されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項９】
プランジャにより容積が変化する加圧室と、
前記加圧室の吸入側に配置される吸入弁と、
前記吸入弁を閉じる方向に付勢するばねと、を備えた高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入弁と前記加圧室との間に配置され、前記吸入弁と対向する対向部を有するストッパと、を備えたことを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１０】
請求項９に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ストッパは前記ばねを内部に保持することを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１１】
請求項９に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ストッパは、前記吸入弁と対向する対向部を有し、前記対向部により前記吸入弁が開弁した場合のストロークの位置が決められることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１２】
請求項７に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記ストッパと前記吸入弁との間の空間と前記ストッパの外部とを連通する孔が形成されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記孔は前記ストッパの前記加圧室側に形成されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１４】
請求項９に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入弁は前記ばねのまわりに被せられるように形成されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【請求項１５】
請求項９に記載の高圧燃料供給ポンプにおいて、
前記吸入弁はカップ状に形成されることを特徴とする高圧燃料供給ポンプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、開閉応答性の良好な可変容量機構を有する高圧燃料供給ポンプを提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、プランジャにより容積が変化する加圧室と、前記加圧室の吸入側に配置される吸入弁と、前記吸入弁を閉じる方向に付勢するばねと、を備えた高圧燃料供給ポンプにおいて、前記吸入弁と前記加圧室との間に配置され、前記ばねを内部に保持するホルダと、を備えたことにより達成される。あるいは、前記吸入弁と前記加圧室との間に配置され、前記吸入弁を内部に保持するホルダと、を備えるようにしても構わない。また、前記ホルダは、前記吸入弁と対向する対向部を有することが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、前記ホルダは、前記吸入弁と対向する対向部を有し、前記対向部により前記吸入弁が開弁した場合のストロークの位置が決められることが望ましい。また、前記ホルダと前記吸入弁との間の空間と前記ホルダの外部とを連通する孔が形成されることが望ましい。また、前記孔は前記ホルダの前記加圧室側に形成されることが望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記吸入弁は前記ばねのまわりに被せられるように形成されることが望ましい。また、前記吸入弁はカップ状に形成されることが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
あるいは、前記吸入弁と前記加圧室との間に配置され、前記吸入弁と対向する対向部を有するストッパと、を備えたことが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記ストッパは前記ばねを内部に保持することが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記ストッパは、前記吸入弁と対向する対向部を有し、前記対向部により前記吸入弁が開弁した場合のストロークの位置が決められることが望ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
更に、前記ストッパと前記吸入弁との間の空間と前記ストッパの外部とを連通する孔が形成されることが望ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記孔は前記ストッパの前記加圧室側に形成されることが望ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記吸入弁は前記ばねのまわりに被せられるように形成されることが望ましく、さらに前記吸入弁はカップ状に形成されることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月15日(2015.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、及び前記発光素子と電気的に接続している第１及び第２リードフレームを有するボディーを備える発光素子パッケージと、
前記発光素子パッケージが配置され、ベース層、及び前記ベース層上に配置され、前記発光素子パッケージと電気的に接続しているメタル層を有する基板と
を備え、
前記メタル層は、
前記第１及び第２リードフレームと電気的に接続している第１及び第２電極パターンと、
前記第１及び第２電極パターンの少なくとも一つと絶縁され、前記ベース層及び前記発光素子パッケージの少なくとも一つから発生した熱を吸収して放熱する放熱パターンと
を有し、
前記第１リードフレームは、前記第２リードフレームの少なくとも一部分と重なっている第１重畳突起を有し、
前記第２リードフレームは、前記第１リードフレームの少なくとも一部分と重なり、前記第１重畳突起と離隔して第２重畳突起が形成される発光素子アレイ。
【請求項２】
前記放熱パターンの幅は、前記発光素子パッケージの幅の０．７倍乃至１．２倍である、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項３】
前記放熱パターンの長さは、前記発光素子パッケージの長さの０．７倍乃至１．１である、請求項１または２に記載の発光素子アレイ。
【請求項４】
前記第１重畳突起は、
前記第２リードフレームの表面を基準に第１方向に形成された突起部と、
前記突起部から前記第１方向と交差する第２方向に延在している延長部と
を有する、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項５】
前記突起部の長さは、前記発光素子の厚さの１倍乃至４倍である、請求項４に記載の発光素子アレイ。
【請求項６】
前記延長部の長さは、前記第１及び第２リードフレーム間の離隔距離の１．１倍〜３倍である、請求項４に記載の発光素子アレイ。
【請求項７】
前記第２重畳突起のサイズは、前記第１重畳突起のサイズと同一であるか、または、前記第１重畳突起のサイズよりも小さい、請求項４または６に記載の発光素子アレイ。
【請求項８】
前記基板は、前記ベース層及び前記メタル層上に配置された絶縁層を備え、
前記絶縁層の幅及び長さの少なくとも一つは、前記ベース層の幅及び長さの少なくとも一つよりも小さい、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項９】
前記絶縁層は、ＰＳＲインキ及び絶縁フィルムの少なくとも一つを含む、請求項８に記載の発光素子アレイ。
【請求項１０】
前記基板は、印刷回路基板（ＰＣＢ）、軟性印刷回路基板（ＦＰＣＢ）及びメタルコア基板（ＭＣＰＣＢ）の少なくとも一つである、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項１１】
前記放熱パターンは、前記第１及び第２リードフレームのいずれか一つと電気的に接続している、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項１２】
前記放熱パターン上に配置された熱伝導部材を有する、請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項１３】
前記熱伝導部材は鉛（Ｐｂ）を含む、請求項１２に記載の発光素子アレイ。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかに記載の発光素子アレイを備える、照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月2日(2015.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地絶縁膜上方の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上方のソース電極と、
前記酸化物半導体層上方のドレイン電極と、
前記酸化物半導体層上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方のゲート電極層と、
前記ゲート絶縁膜上方及び前記ゲート電極層上方の酸化アルミニウム膜と、を有し、
前記酸化アルミニウム膜は、膜厚が５０ｎｍを超えて５００ｎｍ以下である領域を有する半導体装置の作製方法であって、
前記酸化アルミニウム膜の形成後に、熱処理を行う半導体装置の作製方法。
【請求項２】
前記酸化アルミニウム膜は、前記ゲート絶縁層と接する領域と、前記ゲート電極層と接する領域と、を有する請求項１に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項３】
前記酸化物半導体層を形成直後に前記酸化物半導体層に対して第２の熱処理を行う請求項１または請求項２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項４】
前記酸化アルミニウム膜上方の層間絶縁膜を有する請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項５】
前記層間絶縁膜は、酸化窒化シリコンである請求項４に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項６】
前記ゲート電極層を形成後、前記酸化物半導体層にイオンドーピング法またはイオンインプランテーション法により不純物元素を添加する請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
前記酸化物半導体層を加熱しながら形成する請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項８】
前記下地絶縁膜および前記ゲート絶縁膜の少なくとも一は、化学量論比より酸素の含有量が過剰な領域が含まれている請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項９】
前記酸化物半導体層上で隣り合う前記ソース電極層と前記ドレイン電極層との間隔幅によって形成されるチャネル長は、２μｍ以下である請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月15日(2015.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学量論比を満たす酸素よりも多くの酸素を含む第１の酸化絶縁膜と、
前記第１の酸化絶縁膜の周りに設けられる、酸素拡散を防ぐ第２の酸化絶縁膜と、
少なくとも前記第１の酸化絶縁膜上に設けられる酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜の少なくとも一部を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して、前記酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、
前記酸化物半導体膜と接する一対の電極と、を有するトランジスタを有し、
前記トランジスタのチャネル幅方向と交差する前記酸化物半導体膜の端部は前記第２の酸化絶縁膜上に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の酸化絶縁膜は、酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第２の酸化絶縁膜は、酸化アルミニウム膜または酸化窒化アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記トランジスタのチャネル長方向と交差する前記酸化物半導体膜の端部は、前記第１の酸化絶縁膜上に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記トランジスタのチャネル長方向と交差する前記酸化物半導体膜の端部は、前記第２の酸化絶縁膜上に位置することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記ゲート電極の側面にサイドウォール絶縁膜を有し、前記一対の電極は、前記酸化物半導体膜及び前記サイドウォール絶縁膜のそれぞれ一部に接することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜は、前記ゲート電極と重畳する第１の領域と、前記第１の領域を挟む一対の第２の領域とを有し、前記第２の領域は、ドーパントを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記ドーパントは、ホウ素、窒素、リン、またはヒ素から選ばれた少なくとも一以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記ドーパントは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、またはキセノンから選ばれた少なくとも一以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記酸化物半導体膜が、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子と、
第１のスイッチと、
第２のスイッチと、
第３のスイッチと、
第１のインバータと、
第２のインバータと、
出力端子と、を有し、
前記入力端子は、前記第１のスイッチの一方の端子と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの他方の端子は、前記第２のスイッチの一方の端子と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの他方の端子は、前記第３のスイッチの一方の端子と電気的に接続され、
前記第１のスイッチの一方の端子は、前記第１のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力端子は、出力端子と電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力端子は、前記第２のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力端子は、前記第２のスイッチの他方の端子と電気的に接続され、
前記第３のスイッチの他方の端子は、容量素子と電気的に接続され、
前記第３のスイッチは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の上方からみて、折れ曲がった形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
入力端子と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第１のインバータと、
第２のインバータと、
出力端子と、を有し、
前記入力端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力端子は、出力端子と電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力端子は、前記第２のインバータの入力端子と電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力端子は、前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、容量素子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタは、酸化物半導体層を有し、
前記酸化物半導体層は、前記酸化物半導体層の上方からみて、折れ曲がった形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記入力端子と、
前記第１のトランジスタと、
前記第２のトランジスタと、
前記第３のトランジスタと、
前記第１のインバータと、
前記第２のインバータと、
前記出力端子と、を有する記憶素子を有し、
前記酸化物半導体層の一端から他端までの長さは、前記記憶素子の長辺の長さよりも長いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月11日(2015.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燐光性化合物、第１の有機化合物、及び第２の有機化合物を含む発光層を一対の電極間に有し、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物とが、励起錯体を形成する組み合わせであり、
前記第１の有機化合物と前記第２の有機化合物の重量の和に対する前記燐光性化合物の重量の比率が、０．１％以上２．５％以下である発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の有機化合物の一重項励起子から、前記励起錯体が形成される発光素子。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の有機化合物のアニオン及び前記第２の有機化合物のカチオンから、前記励起錯体が形成される発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記励起錯体の励起エネルギーが前記燐光性化合物に移動して、前記燐光性化合物が燐光を発する発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の有機化合物及び前記第２の有機化合物の少なくとも一方が、蛍光性化合物である発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記燐光性化合物が有機金属錯体である発光素子。
【請求項７】
請求項６において、
前記燐光性化合物がイリジウムを有する発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記励起錯体の発光スペクトルのピークにおける前記燐光性化合物のモル吸光係数が５０００Ｍ−１ｃｍ−１以上である発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年1月14日(2015.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波（ＲＦ）インタフェースと、
プロセッサと、
を備える装置であって、
前記プロセッサは、前記装置のダウンリンクデータ処理のレイテンシが、
i)ダウンリンク情報を処理して、それぞれのアンテナポートのリソースエレメントに、単一の直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）シンボルに対する複素変調シンボルをマッピングする処理、及び、
ii)前記ＲＦインタフェースに提示するための、前記それぞれのアンテナポートに対する複素時間領域ＯＦＤＭ信号を、前記それぞれのアンテナポートのリソースエレメントにマッピングされた前記単一のＯＦＤＭシンボルから生成する処理
を行うのに必要な時間量によって決定されるように前記ダウンリンク情報を処理するように構成され、
前記処理の各々は、一度には１つのＯＦＤＭシンボルにマッピングされる量のデータだけを処理することからなる、装置。
【請求項２】
前記プロセッサは、それぞれのアンテナポートのリソースエレメントにマッピングされている複素変調シンボルに応じて前記それぞれのアンテナポートで複素時間領域ＯＦＤＭ信号を生成するように構成され、前記プロセッサは、複数のＯＦＤＭシンボルのそれぞれに対する前記処理を反復することからなる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記単一のＯＦＤＭシンボルの逆高速フーリエ変換処理によって前記複素時間領域ＯＦＤＭ信号が生成される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記複素時間領域ＯＦＤＭ信号は、複数のＯＦＤＭシンボルについて生成され、かつ、一度には１つのＯＦＤＭシンボルについて生成される、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記プロセッサは、
物理チャネルで送信される１つ以上のコードワード内の符号化ビットをスクランブリングし、
スクランブリングされた前記符号化ビットに基づいて前記複素変調シンボルを生成し、
前記複素変調シンボルを送信レイヤにマッピングし、
前記複素変調シンボルを前記それぞれのアンテナポートでの送信のために前記送信レイヤにおいてプレ符号化し、
プレ符号化された前記複素変調シンボルを前記それぞれのアンテナポートのリソースエレメントにマッピングする
ように更に構成されることからなる、請求項１〜４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記プロセッサは、前記符号化ビットをスクランブリングする前に、巡回冗長チェック（ＣＲＣ）生成処理、ターボ符号化処理、サブブロックインターリービング処理、及びレートマッチング処理のうちの１つ以上を前記ダウンリンク情報に対して実行するように更に構成されることからなる、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記プロセッサによって実行される前記処理が、完全なリソースグリッドが逆高速フーリエ変換されるまで、複数のＯＦＤＭシンボルについて反復される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記装置は、ワイヤレス通信方式の基地局の一部である、請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記装置は、ＬＴＥセルラー方式の一部である、請求項１〜７のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
ダウンリンクデータ処理のレイテンシが低減されたリソースエレメントマッピングの方法であって、
（Ａ）ダウンリンク情報から一つの直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）シンボルを生成するステップと、
（Ｂ）前記一つのＯＦＤＭシンボルの逆高速フーリエ変換（ＩＦＦＴ）を生成するステップと、
を含み、
リソースグリッドを形成する複数のＯＦＤＭシンボルが生成されて変換されるまで前記ステップ（Ａ）と（Ｂ）を反復する方法。
【請求項１１】
変換されたＯＦＤＭシンボルの各々を高周波（ＲＦ）インタフェースに送るステップと、
ダウンリンク信号を生成するステップ
を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記一つの直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）シンボルを生成する前記ステップは、
物理チャネルで送信される１つ以上のコードワード内の符号化ビットをスクランブリングするステップと、
スクランブリングされた前記符号化ビットに基づいて複素変調シンボルを生成するステップと、
前記複素変調シンボルを送信レイヤにマッピングするステップと、
それぞれのアンテナポートでの送信のために前記送信レイヤにおいて前記複素変調シンボルをプレ符号化するステップと、
プレ符号化された前記複素変調シンボルを前記それぞれのアンテナポートのリソースエレメントにマッピングするステップ
を更に含むことからなる、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
（Ｃ）前記アンテナポートのリソースエレメントにマッピングされたＯＦＤＭシンボルの各々から前記アンテナポートにおいて複素時間領域ＯＦＤＭ信号を生成するステップ
を更に含み、
前記ＯＦＤＭシンボルのそれぞれが前記リソースグリッドにマッピングされるように前記ステップ(Ｃ)を反復する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記１つの直交周波数分割多重（ＯＦＤＭ）シンボルを生成する前記ステップは、前記符号化ビットをスクランブリングする前に、巡回冗長チェック（ＣＲＣ）パリティビットを生成するステップ、ターボ符号化を実行するステップ、サブブロックインターリービングを実行するステップ、レートマッチングを実行するステップのうちの１つ以上を更に含むことからなる、請求項１２または１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
袋状に形成されたセパレータ内に第１電極が配置された袋詰電極と前記第１電極とは異なる極性の第２電極とを積層ステージ上で積層する電極積層装置であって、
前記第１電極の位置を検出する検出手段と、
検出した前記第１電極の位置に基づいて、前記第１電極の位置が所定の位置となるように前記袋詰電極の位置を調整する位置調整手段と、
前記積層ステージに載置された第２電極に前記位置調整手段によって位置が調整された前記袋詰電極を積層する積層手段と、
を有する電極積層装置。
【請求項２】
前記位置調整手段は、検出した前記第１電極の位置および前記第２電極との積層に求められる基準位置に基づいて、前記袋詰電極の位置を調整する請求項１に記載の電極積層装置。
【請求項３】
前記位置調整手段は、前記袋詰電極を載置した状態で、当該袋詰電極を平面方向に移動および回転の少なくとも一方が可能なステージである請求項２に記載の電極積層装置。
【請求項４】
前記検出手段は、
前記セパレータを透過し前記第１電極を透過しない第１光を、前記第１電極投射する第１投光手段と、
前記セパレータを透過した前記第１光を受光する第１受光手段と、を含み、
前記第１受光手段による受光結果に基づいて、前記第１電極の位置を検出する請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極積層装置。
【請求項５】
前記第１投光手段によって投光される前記第１光は、前記セパレータの透過率が５０％以上となる波長の光である請求項４に記載の電極積層装置。
【請求項６】
前記セパレータはセラミックセパレータであり、前記第１光は近赤外光である請求項４または請求項５に記載の電極積層装置。
【請求項７】
前記検出手段は、前記第１電極の辺を検出し、当該辺の位置に基づいて、前記第１電極の位置を検出する請求項１〜６のいずれか一項に記載の電極積層装置。
【請求項８】
前記検出手段は、
前記セパレータに反射する第２光を投射する第２投光手段と、
前記セパレータに反射した前記第２光を受光する第２受光手段と、
前記第１受光手段および前記第２受光手段による受光結果に基づいて、前記セパレータおよび前記第１電極の位置を検出し、前記セパレータに対する前記第１電極の相対位置を検出する検出手段と、
を有する請求項４に記載の電極積層装置。
【請求項９】
前記検出手段は、前記セパレータに対する前記第１電極の相対位置の良否を判断する請求項８記載の電極積層装置。
【請求項１０】
前記セパレータはセラミックセパレータであり、前記第１光は近赤外光である請求項８または請求項９記載の電極積層装置。
【請求項１１】
前記第１投光手段および前記第２投光手段は、前記第１電極を介して、相互に反対側に配置されており、
前記第１受光手段および前記第２受光手段は、共通の受光装置により実現され、
前記第１電極の位置は、前記電極によって遮断された前記第１光の影に基づいて検出される請求項８〜１０のいずれか一項に記載の電極積層装置。
【請求項１２】
前記検出手段は、前記セパレータおよび前記第１電極の辺を検出し、それぞれの辺の位置に基づいて、前記セパレータに対する前記第１電極の位置を検出する請求項８〜１１のいずれか一項に記載の電極積層装置。
【請求項１３】
前記検出手段は、前記第２受光手段による受光結果に基づいて、袋状の前記セパレータにめくれが発生しているかを検査する請求項８〜１２のいずれか一項に記載の電極積層装置。
【請求項１４】
袋状の前記セパレータは、２枚セパレータの端辺を接合部により接合して形成されており、
前記検出手段は、前記第１受光手段による受光結果に基づいて、前記接合部を検出し、前記接合部に対する前記電極の相対位置に基づいて、電極位置の良否を判断する請求項８〜１３のいずれか一項に記載の電極積層装置。
【請求項１５】
前記第１投光手段によって投光される前記第１光は、前記セパレータの透過率が５０％以上となる波長の光である請求項８〜１４のいずれか一項に記載の電極積層装置。
【請求項１６】
袋状に形成されたセパレータ内に第１電極が配置された袋詰電極と前記第１電極とは異なる極性の第２電極とを積層ステージ上で積層する電極積層方法であって、
前記第１電極の位置を検出する検出工程と、
検出した前記第１電極の位置に基づいて、前記第１電極の位置が所定の位置となるように前記袋詰め電極の位置を調整する位置調整工程と、
前記積層ステージに載置された第２電極に前記位置調整工程によって位置が調整された前記袋詰電極を積層する積層工程と、
を有する電極積層方法。
【請求項１７】
前記位置調整工程は、検出した前記第１電極の位置および前記第２電極との積層に求められる基準位置に基づいて、前記袋詰電極の位置を調整する請求項１６に記載の電極積層方法。
【請求項１８】
前記検出工程は、
前記セパレータを透過し前記第１電極を透過しない第１光を、前記第１電極投射する第１投光工程と、
前記セパレータを透過した前記第１光を受光する第１受光工程と、
前記受光工程による受光結果に基づいて、前記電極の位置を検出する工程と、
を含む請求項１６または請求項１７に記載の電極積層方法。
【請求項１９】
前記検出工程は、
前記セパレータに反射する第２光を投射する第２投光工程と、
前記セパレータに反射した前記第２光を受光する第２受光工程と、
前記第１受光工程および前記第２受光工程における受光結果に基づいて、前記セパレータおよび前記電極の位置を検出し、前記セパレータに対する前記電極の相対位置を検出する請求項１８に記載の電極積層方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月16日(2015.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
箔状で帯状の電極材を電極の形状に切断する切断手段と、
前記電極材を把持して前記切断手段による切断位置まで前記電極材を搬送する搬入手段と、
前記切断手段よりも前記電極材の搬送方向手前に配置されていて、前記切断手段による前記電極材の切断時に前記電極材を支える支持面を備えた支持手段と、を有し、
前記搬入手段は一対の把持手段を備え、
前記搬入手段が前記切断位置まで前記電極材を搬送する際、前記支持手段は前記一対の把持手段の間に位置し、
前記搬入手段は、前記電極材が前記切断手段および前記支持手段に接触しない位置で前記電極材を前記切断位置まで搬入することを特徴とする電池用電極製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記搬入する段階においては、前記搬入手段が前記電極材を前記切断手段の切断位置まで搬入したときに、前記把持手段と前記切断手段とが干渉しない位置で前記把持手段により前記電極材を把持することを特徴とする請求項８記載の電池用電極製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明の電池用電極製造装置は、箔状で帯状の電極材を電極の形状に切断する切断手段と、電極材を把持して前記切断手段による切断位置まで電極材を搬送する搬入手段と、切断手段よりも前記電極材の搬送方向手前に配置されていて、切断手段による前記電極材の切断時に電極材を支える支持面を備えた支持手段と、を有する。ここで搬入手段は一対の把持手段を備え、前記搬入手段が前記切断位置まで前記電極材を搬送する際、支持手段はこの一対の把持手段の間に位置する。そして搬入手段は、電極材が切断手段および支持手段に接触しない位置で電極材を切断位置まで搬入することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
各々の外周面が対向して並び、一枚分に切り出されたセパレータを前記外周面に保持して回転することで搬送する一対の円柱状回転体と、
一対の前記円柱状回転体の間に向かって当該円柱状回転体の接線方向へ所定形状の電極を搬送する電極搬送部と、
一対の前記円柱状回転体によって搬送される一対の前記セパレータの間に前記電極を挟んだ状態で前記セパレータ同士を接合する接合部と、を有し、
前記電極搬送部によって搬送されている状態の前記電極の両面へ、一対の前記セパレータを回転している前記円柱状回転体から同時に受け渡して積層し、前記電極の両面に受け渡された一対の前記セパレータ同士を前記接合部によって接合することで前記電極を前記セパレータによって袋詰めする、袋詰電極の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
各々の外周面が対向して並ぶ一対の円柱状回転体の前記外周面の各々に一枚分に切り出されたセパレータを保持して前記円柱状回転体を回転させて搬送しつつ、一対の前記円柱状回転体の間に向かって当該円柱状回転体の接線方向へ所定形状の電極を搬送し、前記電極搬送部によって搬送されている状態の前記電極の両面へ、一対の前記セパレータを回転している前記円柱状回転体から同時に受け渡して積層し、前記電極の両面に受け渡された一対の前記セパレータ同士を接合することで前記電極を前記セパレータによって袋詰めする、袋詰電極の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の袋詰電極の製造装置は、一対の円柱状回転体と、電極を搬送する電極搬送部と、セパレータ同士を接合する接合部とを有している。一対の円柱状回転体は、各々の外周面が対向して並び、一枚分に切り出されたセパレータを外周面に保持して回転することで搬送する。電極搬送部は、一対の円柱状回転体の間に向かって円柱状回転体の接線方向へ所定形状の電極を搬送する。接合部は、一対の円柱状回転体によって搬送される一対のセパレータの間に電極を挟んだ状態で、セパレータ同士を接合する。そして、本製造装置は、電極搬送部によって搬送されている状態の電極の両面へ、一対のセパレータを回転している円柱状回転体から同時に受け渡して積層し、電極の両面に受け渡された一対のセパレータ同士を接合部によって接合することで電極をセパレータによって袋詰めする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の積層方法は、各々の外周面が対向して並ぶ一対の円柱状回転体の外周面の各々に一枚分に切り出されたセパレータを保持して円柱状回転体を回転させて搬送しつつ、一対の円柱状回転体の間に向かって円柱状回転体の接線方向へ所定形状の電極を搬送する。そして、電極搬送部によって搬送されている状態の電極の両面へ、一対のセパレータを回転している円柱状回転体から同時に受け渡して積層し、電極の両面に受け渡された一対のセパレータ同士を接合することで電極をセパレータによって袋詰めする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
また、本実施形態は、セパレータカッター３５１により一枚の連続したセパレータ素材Ｓを積層ドラム３１０，３２０の外周面３１１に吸着保持した状態で所定形状に切り出しているが、あらかじめ所定形状に切り出されたセパレータ４０を、積層ドラム３１０，３２０に供給して吸着しつつ搬送してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の発光素子と、第２の発光素子と、絶縁層と、構造物と、を有し、
前記第１の発光素子は、第１の下部電極と、第１の発光性の有機化合物を含む層と、第１の上部電極と、を有し、
前記第２の発光素子は、第２の下部電極と、第２の発光性の有機化合物を含む層と、第２の上部電極と、を有し、
前記絶縁層は、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に設けられ、
前記構造物は、先端に鋭角形状の領域を有し、
前記絶縁層上において、前記構造物は、前記第１の上部電極と前記第２の上部電極との間に設けられ、
前記構造物の先端は、前記絶縁層と接する領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記鋭角形状の領域は、両側面のなす角度が１度以上６０度以下であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上の導電層と、
前記導電層上に、前記導電層が露出された第１の開口部を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の電極と、
前記第１の開口部の側壁を覆い、前記第１の電極上に端部を有し、且つ前記第１の開口部と重なる位置に第２の開口部を有する第２の絶縁層と、
前記第１の電極上のＥＬ層と、
前記第２の開口部において前記導電層と電気的に接続された、前記ＥＬ層上の第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
導電基板上に、前記導電基板が露出された第１の開口部を有する第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の第１の電極と、
前記第１の開口部の側壁を覆い、前記第１の電極上に端部を有し、且つ前記第１の開口部と重なる位置に第２の開口部を有する第２の絶縁層と、
前記第１の電極上のＥＬ層と、
前記第２の開口部において前記導電基板と電気的に接続された、前記ＥＬ層上の第２の電極と、を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
袋状に形成されたセパレータ内に第１電極が配置された袋詰電極と、前記第１電極とは異なる極性の第２電極とが交互に積層される際に、前記第１電極、前記第２電極および前記セパレータの相対的な位置関係を検出する電極位置検出装置であって、
前記セパレータには透過および反射し、且つ前記第１電極および前記第２電極には反射する光を投射する投光器と、
最上層に前記袋詰電極が位置する場合は、前記投光器から投射され、前記最上層の袋詰電極を構成する第１電極で反射した光を受光し、最上層に前記第２電極が位置する場合は、前記投光器から投射され、前記最上層の第２電極で反射した光と、投光器から投射され、前記最上層の第２電極の下に積層された前記袋詰電極を構成するセパレータで反射した光とを受光する受光器と、
最上層に前記袋詰電極が位置した場合の前記受光器による受光結果に基づいて前記第１電極の位置を特定し、最上層に前記第２電極が位置した場合の前記受光器による受光結果に基づいて前記第２電極および当該第２電極の下に積層された前記袋詰電極を構成するセパレータの位置を特定することで、前記第１電極、前記第２電極および前記セパレータの相対的な位置関係を検出する検出器と、
を有する電極位置検出装置。
【請求項２】
前記セパレータはセラミックセパレータであり、前記投光器から投射される光は近赤外光である請求項１記載の電極位置検出装置。
【請求項３】
前記投光器は、波長１３００ｎｍ以上の近赤外光を投射する請求項２に記載の電極位置検出装置。
【請求項４】
前記検出器は、前記第１電極および前記第２電極の積層方向から見て、前記第１電極および前記第２電極の一方が前記セパレータと重なる範囲において、他方の内側に位置するか否かを判断する請求項１〜３のいずれか一項に記載の電極位置検出装置。
【請求項５】
袋状に形成されたセパレータ内に第１電極が配置された袋詰電極と、前記第１電極とは異なる極性の第２電極とが交互に積層される際に、前記第１電極、前記第２電極および前記セパレータの相対的な位置関係を検出する電極位置検出方法であって、
前記セパレータには透過および反射し、且つ前記第１電極および前記第２電極には反射する光を投射する投光工程と、
最上層に前記袋詰電極が位置する場合に、前記投光工程によって投射され、前記最上層の袋詰電極を構成する第１電極で反射した光を受光する第１の受光工程と、
最上層に前記第２電極が位置する場合に、前記投光工程によって投射され、前記最上層の第２電極で反射した光と、投光工程によって投射され、前記最上層の第２電極の下に積層された前記袋詰電極を構成するセパレータで反射した光とを受光する第２の受光工程と、
前記第１の受光工程における受光結果に基づいて前記第１電極の位置を特定し、前記第２の受光工程における受光結果に基づいて前記第２電極および当該第２電極の下に積層された前記袋詰電極を構成するセパレータの位置を特定することで、前記第１電極、前記第２電極および前記セパレータの相対的な位置関係を検出する検出工程と、
を有する電極位置検出方法。
【請求項６】
前記セパレータはセラミックセパレータであり、前記投光工程で投射される光は近赤外光である請求項５に記載の電極位置検出方法。
【請求項７】
前記投光工程では、波長１３００ｎｍ以上の近赤外光を投射する請求項６に記載の電極位置検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月23日(2015.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記第３の発光素子からは、前記第１の発光素子及び前記第２の発光素子よりも波長の長い光が射出されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲの波長の光を射出する第１の発光層を含み、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、
前記第３の発光素子において、前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲ＞λＧ＞λＢなる波長の関係において、λＲの波長の光を射出する第１の発光層、λＧの波長の光を射出する第２の発光層、及びλＢの波長の光を射出する第３の発光層を含み、
前記第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、
前記第１の発光素子において、前記第１の反射電極と前記第２の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、
前記第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、
前記第２の発光素子において、前記第２の反射電極と前記第３の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、
前記第３の発光素子において、前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＹの波長の光を射出する第１の発光層を含み、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、
前記第３の発光素子において、前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１の反射電極、前記第１の反射電極に接して設けられた第１の透明導電層、前記第１の透明導電層に接して設けられたＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた半透過・半反射電極を有する第１の発光素子と、
第２の反射電極、前記第２の反射電極に接して設けられた第２の透明導電層、前記第２の透明導電層に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第２の発光素子と、
第３の反射電極、前記第３の反射電極に接して設けられた前記ＥＬ層、及び前記ＥＬ層に接して設けられた前記半透過・半反射電極を有する第３の発光素子と、を有し、
前記ＥＬ層は、λＲ＞λＹ＞λＧ＞λＢなる波長の関係において、λＹの波長の光を射出する第１の発光層、及びλＢの波長の光を射出する第２の発光層を含み、
前記第１の発光素子からは、λＧの波長の光が射出され、
前記第１の発光素子において、前記第１の反射電極と前記第１の発光層との光学距離は３λＧ／４であり、前記第１の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＧであり、
前記第２の発光素子からは、λＢの波長の光が射出され、
前記第２の発光素子において、前記第２の反射電極と前記第２の発光層との光学距離は３λＢ／４であり、前記第２の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＢであり、
前記第３の発光素子からは、λＲの波長の光が射出され、
前記第３の発光素子において、前記第３の反射電極と前記第１の発光層との光学距離はλＲ／４であり、前記第３の反射電極と前記半透過・半反射電極との光学距離はλＲ／２であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のいずれか一つ、または複数を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１の透明導電層は、前記第２の透明導電層よりも膜厚が厚いことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１の発光素子、前記第２の発光素子、及び前記第３の発光素子は、いずれも異なる波長の光を射出することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１乃至前記第３の反射電極は、同じ材料を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする照明装置。