【事件の表示】
　特願２０１８−　８９３８９「導電パターンの製造方法及び導電パターン形成基板」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年１０月　４日出願公開、特開２０１８−１５６９４６、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判請求に係る出願（以下，「本願」という。）は，２０１４年４月１７日（優先権主張　２０１３年４月２６日（以下，「優先日」という。））に国際出願した特願２０１５−５１３７１９号の一部を平成３０年５月７日に新たな特許出願としたものであって，その手続の経緯は以下のとおりである。
　　平成３０年　５月　７日付け　：上申書の提出
　　平成３１年　３月１３日付け　：拒絶理由の通知
　　令和　元年　７月１６日　　　：意見書，補正書の提出
　　令和　元年　８月２１日付け　：拒絶査定（原査定）
　　令和　元年１１月２０日　　　：審判請求書，補正書の提出
第２　原査定の概要
　原査定（令和元年８月２１日付け拒絶査定）の概要は次のとおりである。
１　（進歩性）この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項　　　１−４，６−１２
・引用文献等　１−３
・請求項　　　５
・引用文献等　１−４
　
　　　　　　　　　　　　　＜引用文献等一覧＞
１.特開２０１２−２０４０２２号公報
２.特表２００８−５２２３６９号公報（周知技術を示す文献）
３.特表２０１２−５０６１５８号公報（周知技術を示す文献）
４.特開２００６−１２８２７３号公報（周知技術を示す文献）
第３　審判請求時の補正について
　審判請求時の補正は，特許法第１７条の２第３項から第６項までの要件に違反しているものとはいえない。
　審判請求時の補正によって請求項１の「前記金属ナノワイヤ層を構成する導電性材料が金属ナノワイヤであることを特徴とする，」を，「前記金属ナノワイヤ層を構成する導電性材料が金属ナノワイヤのみであり，前記金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤ含有率が５．９質量％〜６０質量％であることを特徴とする，」という事項に変更する補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，また，当初明細書等に記載された事項であり，新規事項を追加するものではないといえる。
　加えて，当該補正によって補正前の請求項９の「前記金属ナノワイヤ層を構成する導電性材料が金属ナノワイヤである」を，補正後の請求項８の「前記金属ナノワイヤ層を構成する導電性材料が金属ナノワイヤのみであり，前記金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤ含有率が５．９質量％〜６０質量％である」という事項に変更する補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，また，当初明細書等に記載された事項であり，新規事項を追加するものではないといえる。
　そして，「第４　本願発明」から「第６　対比・判断」までに示すように，補正後の請求項１−１０に係る発明は，独立特許要件を満たすものである。
第４　本願発明
　本願請求項１−１０に係る発明（以下，それぞれ「本願発明１」−「本願発明１０」という。）は，令和元年１１月２０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１−１０に記載された事項により特定される発明であり，以下のとおりの発明である。
「　　【請求項１】
　基板の少なくとも一方の主面の全部または一部に，アスペクト比の平均が１００以上２０００以下である金属ナノワイヤとバインダー樹脂とを含む面内での金属ナノワイヤ濃度が略均一である金属ナノワイヤ層を形成する工程と，
　所定のパターンで前記金属ナノワイヤ層にフラッシュランプを備える光源から光を照射し，前記所定パターン形状の領域で金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤを焼結し，導電性を付与する工程と，
　を備え，前記金属ナノワイヤ層を構成する導電性材料が金属ナノワイヤのみであり，前記金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤ含有率が５．９質量％〜６０質量％であることを特徴とする，焼結された導電性領域と焼結されていない非導電性領域を有する導電パターンの製造方法。
　　【請求項２】
　前記光が，前記パターン形状で透光部が形成されたマスクを介して照射されるパルス光である請求項１に記載の導電パターンの製造方法。
　　【請求項３】
　前記金属ナノワイヤが銀ナノワイヤである請求項１または２に記載の導電パターンの製造方法。
　　【請求項４】
　前記基板にアンダーコートすることによりアンダーコート層を形成した後アンダーコート層上に前記金属ナノワイヤ層を形成する請求項１から３のいずれか一項に記載の導電パターンの製造方法。
　　【請求項５】
　前記金属ナノワイヤ層は，金属ナノワイヤ，バインダー樹脂および分散媒を含む金属ナノワイヤインクを基板の少なくとも一方の主面の全部または一部の面に塗布して形成する請求項１から４のいずれか一項に記載の導電パターンの製造方法。
　　【請求項６】
　前記金属ナノワイヤインク中の金属ナノワイヤの含有率が０．０１〜３質量％である，
請求項５に記載の導電パターンの製造方法。
　　【請求項７】
　前記金属ナノワイヤインク中の金属ナノワイヤの含有率が０．０１〜１質量％である，
請求項６に記載の導電パターンの製造方法。
　　【請求項８】
　基板の少なくとも一方の主面の全部または一部にアスペクト比の平均が１００以上２０００以下である金属ナノワイヤとバインダー樹脂とを含む面内での金属ナノワイヤ濃度が略均一である金属ナノワイヤ層を有し，
　前記金属ナノワイヤ層が，前記金属ナノワイヤが所定のパターンで焼結された導電性領域と，
　前記金属ナノワイヤ層の前記導電性領域以外の領域であって，前記金属ナノワイヤが焼結されていない非導電性領域と，
を備え，前記金属ナノワイヤ層を構成する導電性材料が金属ナノワイヤのみであり，前記金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤ含有率が５．９質量％〜６０質量％である導電パターン形成基板。
　　【請求項９】
　前記導電性領域の表面抵抗が２００Ω／□以下であり，前記非導電性領域の表面抵抗が１０３Ω／□以上である，請求項８に記載の導電パターン形成基板。
　　【請求項１０】
　前記金属ナノワイヤが，径の平均が１ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり，長軸の長さの平均が１μｍ以上１００μｍ以下であり，アスペクト比の平均が１００以上である，請求項８または９に記載の導電パターン形成基板。」
第５　引用文献，引用発明等
１　引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献１（特開２０１２−２０４０２２号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
（当審注：下線は，参考のために当審で付与したものである。以下，同様。）
ａ　「【０００９】
　
本発明の透明導電膜は，基材上に形成される透明導電膜であって，繊維径が１００ｎｍ以下の導電性繊維と，屈折率が１．５以上であり，粒径が１００ｎｍ以下の金属酸化物微粒子と，これらの接着層となる高分子性バインダと，を含むことを特徴とする。
【００１０】
　
この透明導電膜において，前記導電性繊維は，金属ナノワイヤであることが好ましい。
【００１１】
　
この透明導電膜において，前記金属酸化物微粒子は，酸化チタンであることが好ましい。
【００１２】
　
この透明導電膜において，前記高分子性バインダは，シリコーン樹脂，セルロース樹脂，又はこれらの混合物により構成されることが好ましい。
【００１３】
　
この透明導電膜が基材上に形成されて，透明導電膜付き基材として構成されることが好ましい。
【００１４】
　この透明導電膜付き基材は，有機エレクトロルミネッセンス素子に用いられることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
　本発明に係る透明導電膜によれば，透明導電膜に含まれる屈折率が１．５以上の金属酸化物微粒子の量を調整して透明導電膜の屈折率を調整することができるので，光の全反射を抑制することができる。また，導電性繊維の繊維径と金属酸化物微粒子の粒径とを１００ｎｍ以下とすることにより，透明導電膜の透光性を確保すると共に，金属酸化物微粒子が導電性繊維間を埋め，透明導電膜を平滑化することができる。」
ｂ　「【００３３】
　導電性繊維８は，数ｎｍから数十μｍの線幅を有する繊維状金属，金属，又は金属微粒子から成る。複数の導電性繊維８の繊維径は，上述したように，１００ｎｍ以下に設定されている。それにより，透明導電膜３が透光性を有し，透明導電膜３の透明性を保持することができる。導電性繊維８の長さは，導電性繊維８の繊維径よりも十分に長い。基材２上に接着される複数の導電性繊維８の量は，０．１ｍｇ／ｍ２以上１０００ｍｇ／ｍ２であることが好ましく，１ｍｇ／ｍ２以上１００ｍｇ／ｍ２であることがより好ましい。また，
複数の導電性繊維８の平均アスペクト比は，１０以上１００００以下であることが好ましい。
【００３４】
　導電性繊維８の材料としては，例えば金属メッシュ，金属ナノワイヤ，又は金属微粒子の集合体等が用いられる。このような材料の中でも，金属ナノワイヤは材料固有の導電性が高く，透明導電膜３の抵抗値が低くなると共に透明導電膜３の透過率が高くなるので，金属ナノワイヤを用いることが好ましい。導電性繊維８に用いられる金属として，例えば金，銀，銅，アルミニウム，亜鉛，コバルト，ニッケル，又はタングステン等が挙げられる。このような金属の中でも，導電率が高い金，銀，又は銅を用いることが好ましく，導電率が最も高い銀を用いることがより好ましい。」
ｃ　「【００３９】
　上記の高分子性バインダ９の材料の中でも，特に，シリコーン樹脂，セルロース樹脂，又はこれらの混合物を用いることが好ましい。それにより，透明導電膜３が導電性繊維８と金属酸化物微粒子１０との複合膜でありながら，透明導電膜３の表面強度（例えば，耐擦傷性や表面硬度等）を保持することができる。その結果，透明導電膜３をデバイスへ応用するためのパターンニング工程や積層工程において，透明導電膜３が実用的な耐久性を有するようになる。また，
これらの材料は，透明導電膜３を塗布プロセスで形成する際，透明導電性インク（透明導電膜３の材料）に含まれる導電性繊維８及び金属酸化物微粒子１０に対する分散性が優れている
ｄ　「【００４３】
　
金属酸化物微粒子１０が光触媒活性を有する場合には，透明導電膜３上に有機発光層５を形成する際に，予め透明導電膜３上にエネルギー照射をしておくことが好ましい。これにより，有機発光層５のインクの濡れ性を向上させることができるので，均一な厚さの有機発光層５を透明導電膜３上に形成することができる。
【００４４】
　
透明導電膜３上に照射されるエネルギーは，特に限定されないが，紫外線を含む光源を用いることが好ましい。このような光源としては，水銀ランプ，メタルハライドランプ，キセノンランプ，又はエキシマランプ等の種々の光源が挙げられる。なお，有機発光層４をパターンニングして塗布する場合，作製される有機ＥＬ素子の形状に応じてフォトマスクを介したパターン照射をする他，例えばエキシマレーザ，又はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ等のレーザを用いてパターン状に描画照射することもできる。
ｅ　「【００５５】
（導電性繊維）
　
導電性繊維として，公知論文「Materials Chemistry and Physics vol.114 p333-338 “Preparation of Ag nanorods with high yield by polyol process”」に準じて銀ナノワイヤ，及び銀ナノワイヤ分散液を作製した。この場合，銀ナノワイヤの平均繊維径を５０ｎｍとし，銀ナノワイヤの平均長さを５μｍとした。また，銀ナノワイヤ３質量部とセルロース樹脂１質量部とを水を分散媒として混合し，固形分４．０質量％の銀ナノワイヤ材料を作製した。
【００５６】
（実施例１）
　上記の銀ナノワイヤ材料と平均粒径５０ｎｍの石原産業株式会社製酸化チタンゾルＳＴＳ−０１とを重量比１：１で撹拌混合して，透明導電性インクを作製した。次に，コーニング社製無アルカリガラスＮｏ．１７３７（波長が５００ｎｍの光に対する屈折率が１．５０〜１．５３）を用意した。そして，この無アルカリガラス上に透明導電性インクを厚さが１００ｎｍとなるようにスピンコート法により塗布して，１００℃で５分間加熱した。それにより，無アルカリガラス上に透明導電膜を形成した。こうして，実施例１のサンプルを作製した。
【００５７】
　（実施例２）
　テトラエトキシシラン２０８質量部にメタノール３５６質量部を加えた。次に，このテトラエトキシシランとメタノールとの混合液に水１８質量部と０．０１ｍｏｌ／ｌの塩酸１８質量部とを加えて，これらをディスパーを用いて充分に混合した後，６０℃の恒温槽中で２時間加熱した。これにより，重量平均分子量が９５０のシリコーン樹脂を作製した。次に，このシリコーン樹脂に，固形分量が２１％かつ平均粒径が６０ｎｍの酸化チタンゾルを，このシリコーン樹脂に対して酸化チタンが１：１となるように混合した。次に，このシリコーン樹脂と酸化チタンゾルとの混合液を全固形分が５％となるようにメタノールで希釈した。これにより，酸化チタンとシリコーン樹脂とが混合されたコーティング材を作製した。次に，上記の銀ナノワイヤ分散液を用意した無アルカリガラス上に塗布し乾燥させて，無アルカリガラス上に銀ナノワイヤを含む層を形成した。次に，この層上にコーティング材をスピンコータ法により塗布し，１００℃で１０分間加熱して，無アルカリガラス上に透明導電膜を形成した。こうして，実施例２のサンプルを作製した。
【００５８】
　（実施例３）
上記の銀ナノワイヤ材料を用意した無アルカリガラス上に塗布して乾燥させて，無アルカリガラス上に銀ナノワイヤを含む層を形成した。次に，この層上にコーティング材をスピンコータ法により塗布し，１００℃で１０分間加熱して，無アルカリガラス上に透明導電膜を形成した。こうして，実施例３のサンプルを作製した。」
　上記 ａ 〜 ｃ の記載及び図２によれば，引用文献１には，透明導電膜付き基材について以下の発明（以下，「引用発明１」という。）が記載されているといえる。
「繊維径が１００ｎｍ以下の導電性繊維と，屈折率が１．５以上であり，粒径が１００ｎｍ以下の金属酸化物微粒子と，これらの接着層となる高分子性バインダとを含む透明導電膜が基材上に形成され，
前記導電性繊維は，金属ナノワイヤであって，複数の導電性繊維の平均アスペクト比は，１０以上１００００以下であり，
　前記金属酸化物微粒子は，酸化チタンであり，
　前記高分子性バインダは，シリコーン樹脂，セルロース樹脂，又はこれらの混合物により構成され，透明導電膜３を塗布プロセスで形成する際，透明導電性インク（透明導電膜３の材料）に含まれる導電性繊維８及び金属酸化物微粒子１０に対する分散性が優れている，
　透明導電膜付き基材。」
　また，上記のｅの（実施例１）の記載によれば，引用文献１には，透明導電膜の形成方法について以下の発明（以下，「引用発明」という。）が記載されているといえる。
「銀ナノワイヤの平均繊維径を５０ｎｍとし，銀ナノワイヤの平均長さを５μｍとし，銀ナノワイヤ３質量部とセルロース樹脂１質量部とを水を分散媒として混合し，固形分４．０質量％の銀ナノワイヤ材料を作製し，
　上記の銀ナノワイヤ材料と平均粒径５０ｎｍの酸化チタンゾルとを重量比１：１で撹拌混合して，透明導電性インクを作製し，無アルカリガラス上に透明導電性インクを厚さが１００ｎｍとなるようにスピンコート法により塗布して，１００℃で５分間加熱した，
無アルカリガラス上に透明導電膜を形成する方法。」
２　引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献２（特表２００８−５２２３６９号公報）には，図面とともに次の事項が記載されている。
「【００４１】
  （金属ナノ粒子の光活性化）
　本発明の別の実施形態は，
導電性パターンを作製するためにナノ材料を加工するための方法
【００４２】
　本発明では，
ナノ材料を含有する膜またはパターンを表面上に作製した。
この膜またはパターンを基板上で乾燥させると，パターンを高出力パルス光子放出源に曝露した。
【００４３】
（光硬化プロセス）
　本発明の一実施形態の方法は，ナノ粒子がその内部に含まれるまたはその上に存在する基板に実質的には影響を与えることなくナノ粒子の形態または相を変化させ，かつ／または材料を反応させるために，ナノ粒子をパルス放出源に曝露することである。導電性インク用ナノ粒子配合物を硬化させることの有効性を評価するために，いくつかの試験を行った。
これらの試験では，異なるナノ材料を様々な溶媒，界面活性剤および分散剤と混合し，これらの配合物で膜またはパターンを生成することによって，配合物を調製した。これらの膜およびパターンを基板に塗布し，パルス放出源に曝露し，導電率，付着性，表面形態および硬化深さを測定した。
【００４４】
　
膜またはパターンをパルス放出源に曝露すると，粒子が熱くなり，焼結した。
【００４５】
　
改良に当たっては，Ｎａｎｏｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ．の３０ｎｍの銀を約３０質量％と，イソプロパノール６０質量％と，塩酸１０質量％との混合物を配合物として使用して，ＰＥＴ上に導電性膜を生成した。パターンが乾燥したとき，その導電率はバルク銀の約２０分の１にまで増大する。膜は，「２．５」の巻線ドローダウン棒（ｗｉｒｅ  ｗｏｕｎｄ  ｄｒａｗ  ｄｏｗｎ  ｂａｒ）で３．５ｍｉｌ（０．０８８９ｍｍ）のつやなしＰＥＴ基板上に塗布され，乾燥させた。一部の例では，複数のパス（ｐａｓｓ）が作製された。典型的には，３つのパスにより厚さ２〜３ミクロンの乾燥膜が生成した。この膜をパルスに曝露した後は，すべての場合において導電率が増大した。銀の導電率の約１／１０まで，一部の例では銀の導電率の１／３〜１／２までの導電率の増大が観測された。
第６　対比・判断
１　本願発明１について
（１）対比
　本願発明１と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「銀ナノワイヤ」は，本願発明１の「金属ナノワイヤ」に相当し，引用発明の「セルロース樹脂」は，本願発明１の「バインダー樹脂」に相当するといえる。
イ　引用発明の「無アルカリガラス」は，本願発明１の「基板」に相当するといえる。
ウ　引用発明の「銀ナノワイヤの平均繊維径を５０ｎｍとし，銀ナノワイヤの平均長さを５μｍとし，銀ナノワイヤ３質量部とセルロース樹脂１質量部とを水を分散媒として混合し，固形分４．０質量％の銀ナノワイヤ材料を作製し，上記の銀ナノワイヤ材料と平均粒径５０ｎｍの酸化チタンゾルとを重量比１：１で撹拌混合して，透明導電性インクを作製し，無アルカリガラス上に透明導電性インクを厚さが１００ｎｍとなるようにスピンコート法により塗布して，１００℃で５分間加熱」する構成は，平均繊維径が５０ｎｍで，銀ナノワイヤの平均長さが５μｍである銀ナノワイヤの平均アスペクト比は，１００であるから，本願発明１の「基板の少なくとも一方の主面の全部または一部に，アスペクト比の平均が１００以上２０００以下である金属ナノワイヤとバインダー樹脂とを含む面内での金属ナノワイヤ濃度が略均一である金属ナノワイヤ層を形成する工程」に相当するといえる。
エ　引用発明の「透明導電膜を形成する方法」は，本願発明１の「導電パターンの製造方法」と「導電層の製造方法」である点では共通するといえる。
　したがって，本願発明１と引用発明との間には，以下の一致点及び相違点があるといえる。
（一致点）
「基板の少なくとも一方の主面の全部または一部に，アスペクト比の平均が１００以上２０００以下である金属ナノワイヤとバインダー樹脂とを含む面内での金属ナノワイヤ濃度が略均一である金属ナノワイヤ層を形成する工程を備える，
導電層の製造方法。」
（相違点１）
　本願発明１では，「前記金属ナノワイヤ層を構成する導電性材料が金属ナノワイヤのみであり，前記金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤ含有率が５．９質量％〜６０質量％である」のに対し，引用発明では，透明導電層を構成する「透明導電性インク」は，「銀ナノワイヤ３質量部とセルロース樹脂１質量部とを水を分散媒として混合」した「銀ナノワイヤ材料」と「平均粒径５０ｎｍの酸化チタンゾルとを重量比１：１で撹拌混合」したものである点。
（相違点２）
　本願発明１は，「所定のパターンで前記金属ナノワイヤ層にフラッシュランプを備える光源から光を照射し，前記所定パターン形状の領域で金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤを焼結し，導電性を付与する工程」を備え，「焼結された導電性領域と焼結されていない非導電性領域を有する導電パターン」を製造するのに対し，引用発明は，上記導電性を付与する工程を備えておらず，「焼結された導電性領域と焼結されていない非導電性領域を有する導電パターン」を製造するものではない点。
（２）判断
　事案に鑑みて先ず相違点２について検討する。
　引用文献１の【００４４】には，「透明導電膜３上に照射されるエネルギーは，特に限定されないが，紫外線を含む光源を用いることが好ましい。このような光源としては，水銀ランプ，メタルハライドランプ，キセノンランプ，又はエキシマランプ等の種々の光源が挙げられる。なお，有機発光層４をパターンニングして塗布する場合，作製される有機ＥＬ素子の形状に応じてフォトマスクを介したパターン照射をする他，例えばエキシマレーザ，又はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ等のレーザを用いてパターン状に描画照射することもできる。」ことが記載されているところ，この透明導電膜へのエネルギー照射は，金属酸化物微粒子１０が光触媒活性を有する場合に，予め透明導電膜３上にエネルギー照射をして，有機発光層５のインクの濡れ性を向上させる（【００４３】）ものであり，金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤを焼結し，導電性を付与するものではない。
　また，引用文献２には，銀ナノ粒子を溶媒，界面活性剤および分散剤と混合し，これらの配合物で膜およびパターンを基板に塗布し，パルス放出源に曝露すると粒子が熱くなり，焼結し，導電率が増大する技術事項が記載されているものの，所定のパターンで前記金属ナノワイヤ層にフラッシュランプを備える光源から光を照射し，前記所定パターン形状の領域で金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤを焼結し，導電性を付与することで，焼結された導電性領域と焼結されていない非導電性領域を有する導電パターンを形成することは記載されておらず，示唆されてもいない。
　加えて，引用文献３，４にも，上記相違点２に係る本願発明１の構成は記載されておらず，示唆されてもいない。
　よって，上記相違点２に係る本願発明１の構成が，本願優先日前に周知技術であったとはいえない。
　したがって，上記相違点１を検討するまでもなく，本願発明１は，当業者であっても，引用発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
２　本願発明２−７について
　本願発明２−７は，上記相違点２に係る本願発明１と同じ構成を備えるものであるから，本願発明１と同様の理由により，当業者であっても，引用発明に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
３　本願発明８について
（１）対比
　本願発明８と引用発明１とを対比する。
ア　引用発明１の「導電性繊維」は，「金属ナノワイヤ」であるから，本願発明８の「金属ナノワイヤ」に相当し，引用発明１の「高分子性バインダ」は，本願発明８の「バインダー樹脂」に相当するといえる。
イ　引用発明１の「基材」は，本願発明８の「基板」に相当するといえる。
ウ　引用発明１の「基材上に形成」された「繊維径が１００ｎｍ以下の導電性繊維と，屈折率が１．５以上であり，粒径が１００ｎｍ以下の金属酸化物微粒子と，これらの接着層となる高分子性バインダとを含む透明導電膜」は，「複数の導電性繊維の平均アスペクト比は，１０以上１００００以下であり」，「前記高分子性バインダ」は，「透明導電性インク（透明導電膜３の材料）に含まれる導電性繊維８及び金属酸化物微粒子１０に対する分散性が優れている」から，本願発明８の「基板の少なくとも一方の主面の全部または一部にアスペクト比の平均が１００以上２０００以下である金属ナノワイヤとバインダー樹脂とを含む面内での金属ナノワイヤ濃度が略均一である金属ナノワイヤ層」と「基板の少なくとも一方の主面の全部または一部に金属ナノワイヤとバインダー樹脂とを含む面内での金属ナノワイヤ濃度が略均一である金属ナノワイヤ層」である点では共通するといえる。
エ　引用発明１の「透明導電膜付き基材」は，本願発明８の「導電パターン形成基板」と「導電層形成基板」である点では共通するといえる。
　
　したがって，本願発明８と引用発明１との間には，以下の一致点及び相違点があるといえる。
（一致点）
「基板の少なくとも一方の主面の全部または一部に金属ナノワイヤとバインダー樹脂とを含む面内での金属ナノワイヤ濃度が略均一である金属ナノワイヤ層，
　を備える導電パターン形成基板。」
（相違点３）
　金属ナノワイヤのアスペクト比の平均が，本願発明８では，「１００以上２０００以下である」のに対し，引用発明１では，「１０以上１００００以下」である点。
（相違点４）
　本願発明８は，金属ナノワイヤ層が，「前記金属ナノワイヤが所定のパターンで焼結された導電性領域と，前記金属ナノワイヤ層の前記導電性領域以外の領域であって，前記金属ナノワイヤが焼結されていない非導電性領域」とを備えるのに対し，引用発明１の透明導電膜は，そのような構成でない点。
（相違点５）
　本願発明８は，前記金属ナノワイヤ層を構成する導電性材料が「金属ナノワイヤのみであり，前記金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤ含有率が５．９質量％〜６０質量％」であるのに対し，引用発明１の透明導電膜は，そのように特定されていない点。
（２）判断
　事案に鑑みて先ず相違点４について検討する。
　引用文献１の【００４４】には，「透明導電膜３上に照射されるエネルギーは，特に限定されないが，紫外線を含む光源を用いることが好ましい。このような光源としては，水銀ランプ，メタルハライドランプ，キセノンランプ，又はエキシマランプ等の種々の光源が挙げられる。なお，有機発光層４をパターンニングして塗布する場合，作製される有機ＥＬ素子の形状に応じてフォトマスクを介したパターン照射をする他，例えばエキシマレーザ，又はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ等のレーザを用いてパターン状に描画照射することもできる。」ことが記載されるところ，この透明導電膜へのエネルギー照射は，金属酸化物微粒子１０が光触媒活性を有する場合に，予め透明導電膜３上にエネルギー照射をして，有機発光層５のインクの濡れ性を向上させる（【００４３】）ものであり，金属ナノワイヤが所定のパターンで焼結された導電性領域と，前記金属ナノワイヤが焼結されていない非導電性領域とを備える導電パターンを形成するものではない。
　また，引用文献２には，銀ナノ粒子を溶媒，界面活性剤および分散剤と混合し，これらの配合物で膜およびパターンを基板に塗布し，パルス放出源に曝露すると粒子が熱くなり，焼結し，導電率が増大する技術事項が記載されているものの，所定のパターンで前記金属ナノワイヤ層にフラッシュランプを備える光源から光を照射し，前記所定パターン形状の領域で金属ナノワイヤ層中の金属ナノワイヤを焼結し，導電性を付与することで，焼結された導電性領域と焼結されていない非導電性領域を有する導電パターンを形成することは記載されておらず，示唆されてもいない。
　加えて，引用文献３，４にも，上記相違点４に係る本願発明８の構成は記載されておらず，示唆されてもいない。
　よって，上記相違点４に係る本願発明８の構成が，本願優先日前に周知技術であったとはいえない。
　したがって，上記相違点３，５を検討するまでもなく，本願発明８は，当業者であっても，引用発明１に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
４　本願発明９，１０について
　本願発明９，１０は，上記相違点４に係る本願発明８の構成と同様の構成を備えるものであるから，本願発明８と同様の理由により，当業者であっても，引用発明１に基づいて容易に発明できたものとはいえない。
第７　原査定について
１　理由１（特許法第２９条第２項）について
　審判請求時の補正により，本願発明１−７は上記相違点２に係る本願発明１の構成を有するものとなっており，また，本願発明８−１０は上記相違点４に係る本願発明８の構成を有するものとなっており，当業者であっても，拒絶査定において引用された引用文献１−４に基づいて，容易に発明できたものとはいえない。したがって，原査定の理由１を維持することはできない。
第８　むすび
　以上のとおり，原査定の理由によっては，本願を拒絶することはできない。
　また，他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり審決する。