(57)【要約】  本発明は、生成されるプラズマの平面内密度の均一性を高め、基板表面全体を均一にエッチングすることができる基板エッチング装置に関する。プラズマエッチング装置１は、プラズマ生成空間３及び処理空間４が設定されるチャンバ２と、上胴部６の外方に配設されたコイル３０と、処理空間４に配設された基板Ｋ載置用の基台４０と、プラズマ生成空間３にエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構２５と、コイル３０に高周波電力を供給するコイル電力供給機構３５と、基台４０に高周波電力を供給する基台電力供給機構４５とを備える。また、テーパ形状のプラズマ密度調整部材２０が、プラズマ生成空間３と基台４０との間のチャンバ２内壁に固設され、更に、チャンバ２の上部には、下端面に向けて小径となったテーパ部が形成された円筒状の芯部材１０が下方に向けて延設されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の胴部、この胴部の上部を閉塞する天板、及び胴部の底部を閉塞する底板からなり、前記胴部内の上部領域に設定されたプラズマ生成空間、及び該プラズマ生成空間の下方に設定された処理空間を有するチャンバと、
前記チャンバの、前記プラズマ生成空間に対応する部分の外方に配設された環状のコイルと、
前記チャンバ内の処理空間に配設され、処理対象の基板を載置する基台と、
前記チャンバ内のプラズマ生成空間に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記チャンバ内の気体を排気する排気機構と、
前記コイルに高周波電力を供給するコイル電力供給機構と、
前記基台に高周波電力を供給する基台電力供給機構と、
上端部及び下端部が開口した環状の部材であって、下端部に向けて縮径された形状の部材からなり、前記上端部が、前記プラズマ生成空間と前記基台との間の、前記チャンバ内壁に固設され、前記プラズマ生成空間で生成されたプラズマの平面内密度を調整して前記基台上の基板に導くプラズマ密度調整部材と、
少なくともその下端が、上下方向において前記コイルの上端より下方に位置するように前記天板の中心部から下方に向けて延設された円筒状の芯部材とを備え、
前記プラズマ生成空間を形成する胴部の内径は、前記基板の外径よりも大径に形成され、
前記プラズマ生成空間が、前記芯部材によってドーナツ状に形成されたプラズマエッチング装置において、
前記芯部材の下端部は、下端面に向けて縮径された形状を有していることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記プラズマ密度調整部材は、下端部よりも上端部が大径であるテーパ形状を有し、
前記芯部材の下端部は、下端面に向けて小径となったテーパ形状を有していることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
水平面と前記プラズマ密度調整部材のテーパ部の母線とがなす角度が５２°〜８１°であり、
水平面と前記芯部材のテーパ部の母線とがなす角度が８０°以上９０°未満であることを特徴とする請求項２記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記プラズマ密度調節部材のテーパ部の角度と、前記芯部材のテーパ部の角度とが同じ角度であることを特徴とする請求項２又は３記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記芯部材の下端面は、前記プラズマ密度調整部材の上端面を含む平面より上方に位置していることを特徴とする請求項１乃至４記載のいずれかのプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記プラズマ密度調整部材は、接地された導電性の材料から構成されることを特徴とする請求項１乃至５記載のいずれかのプラズマエッチング装置。
【請求項７】
前記チャンバの内径Ａから前記芯部材の直径Ｂを引いた値が５０ｍｍよりも大きく、
前記チャンバの内径Ａが前記基板の直径Ｎよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至６記載のいずれかのプラズマエッチング装置。
【請求項８】
前記芯部材を加熱する加熱機構が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７記載のいずれかのプラズマエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチングガスをプラズマ化して、基板表面をエッチングするプラズマエッチング装置に関し、特に、生成されたプラズマの平面内密度を均一化し、基板表面全体を均一にエッチングすることができるプラズマエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
前記プラズマエッチング装置の一つである、誘導結合型反応性イオンエッチングを行うプラズマエッチング装置は、一般的に、内部にプラズマ生成空間が設定された円筒状のチャンバ、プラズマ生成空間に対応するチャンバの外方に配設されたコイル、コイルに高周波電力を供給する機構、プラズマ生成空間にエッチングガスを供給する機構、チャンバ内の気体を排気する機構などを備えており、コイルに高周波電力を印加して誘導電界を生じさせた後、プラズマ生成空間にエッチングガスを供給して、このエッチングガスを誘導電界によってプラズマ化し、生成されたプラズマによって基板表面をエッチングする装置である。【０００３】
ところで、近年、処理対象である基板が大型化しており、このような大型の基板を上記従来のプラズマエッチング装置を用いて処理しようとした場合、基板の大きさに合わせてチャンバを大きくして、プラズマ生成空間を大きくする必要がある。【０００４】
ところで、プラズマ生成空間において、コイルに近い部分は誘導電界が作用し易くプラズマが生成し易いのに対し、コイルから遠い部分（中央部分）は誘導電界が作用し難くプラズマが生成し難い。したがって、プラズマ生成空間を大きくすることによって、生成するプラズマの平面内密度は、コイルに近い部分が高く、コイルから遠い部分が小さくなった中凹状の密度分布となる。【０００５】
このように、プラズマの平面内密度の密度分布が中凹状であると、これがそのまま基板に作用することによって、基板の外周部の方が基板の内周部よりもエッチングが進行し、基板表面が均一にエッチングされないという問題や、エッチング形状が基板の表面に対して垂直な方向から傾くチルトが発生するという問題が生じる。【０００６】
そこで、このような問題を解決するためのプラズマエッチング装置として、本願出願人は、特開２０１０−２３８８４７号公報のプラズマエッチング装置（以下、「従来装置」という）を既に提案している。【０００７】
この従来装置は、上部にプラズマ生成空間が設定され、下部に処理空間が設定された円筒状のチャンバ、プラズマ生成空間が設定された部分のチャンバ外方に配設されたコイル、処理空間に配設された基台、プラズマ生成空間にエッチングガスを供給する機構、チャンバ内の気体を排気する機構、コイル及び基台にそれぞれ高周波電力を印加する機構、上部及び下部が開口した円筒状の部材からなり、プラズマ生成空間と基台との間のチャンバ内壁にその上部が固設されたプラズマ密度調整部材などを備えており、プラズマ密度調整部材は、その下端部の内径が、その上端部の内径及びプラズマ生成空間を形成するチャンバの内径よりも小径の漏斗状に形成されている。また、チャンバの上部を閉塞する天板の中央部には、ここから下方に垂下した円筒状の芯部材を設けられており、この芯部材によってプラズマ生成空間がドーナツ状に形成されている。【０００８】
この従来装置によれば、まず、コイルに高周波電力を印加してプラズマ生成空間に誘導電界を生じさせる。ついで、この状態で、プラズマ生成空間にエッチングガスを供給し、供給したエッチングガスを誘導電界によってプラズマ化する。このようにして生成されたプラズマは、下方に流下し、漏斗状のプラズマ密度調整部材内を流通することによって、コイルに近い部分で生成されたプラズマがチャンバの中央部分に導かれ、その平面内密度が極端な中凹状から平準化された上で、基台上に載置された基板上に至る。【０００９】
このように、従来装置においては、平面内密度が均一化されたプラズマを基板に作用させることができるため、基板表面全体を均一にエッチングすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−２３８８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、上記従来装置は、プラズマ密度調整部材内にプラズマを流通させることによって、プラズマの平面内密度の均一化を図るという観点からして相応の効果を得られるものではあるが、近年、基板表面全体をより高い均一性でもってエッチングすることが求められていることもあり、これに対応すべく、プラズマの平面内密度の均一性をより高めるための改良が求められている。【００１２】
即ち、上記従来装置においては、プラズマ密度調整部材内にプラズマを流通させることで、プラズマの平面内密度を略平準化することができるが、これだけでは、チャンバの中央部分に導かれるプラズマの量が必ずしも十分な量にならない場合があり、プラズマの平面内密度が、若干、中央部分の凹んだＭ字状の密度分布となる傾向にある。【００１３】
このため、従来装置では、それ以前のものに比べて、基板表面全体を均一にエッチングすることができるものの、より高い均一性でもって基板表面全体をエッチングするための装置としては、必ずしも十分と言えない場合があった。【００１４】
特に、高耐圧性と低オン抵抗性とを兼ね備えた、スーパージャンクション構造を有する電力制御用の半導体装置は、その製造工程において、例えば、ｎ導電型のエピタキシャル層をプラズマエッチングすることでアスペクト比の大きなトレンチを形成した後、当該トレンチ内にｐ導電型の層を埋め込む必要があり、トレンチ内へのｐ導電型層の埋め込み具合はトレンチの側壁角度などに応じて変化する。したがって、基板に形成された各トレンチにｐ導電型層を均一に埋め込むためには、従来よりも厳密にチルトの発生を抑え、トレンチの側壁角度の均一なものにする必要がある。そのため、上記半導体装置を製造する際のプラズマエッチングにおいては、プラズマの平面内密度に従来よりも高い均一性が要求される。【００１５】
また、上記半導体装置は、シリコン基板にアスペクト比の大きなトレンチを形成した後、トレンチの側壁にイオンを注入してｐ導電型の層とｎ導電型の層とを形成させるようにして製造する場合もあり、この場合において、側壁に注入するイオンの量はトレンチの側壁角度に依存する。したがって、この場合においても、トレンチの側壁角度の均一性を向上させるためにチルトの発生を極力抑える必要があるため、プラズマエッチング時にプラズマの平面内密度に高い均一性が要求される。【００１６】
更に、ジャイロスコープや加速度センサなどのＭＥＭＳセンサにおいては、微細加工が施された構造体が振動した際の静電容量の変化などの特性を基に、角速度や加速度を検出するようになっており、検出性能には構造体のマスが重要な役割を果たしている。しかしながら、構造体のマスはチルトの有無によって大きく変動するため、検出性能に問題のないセンサを製造するためには、チルトの発生を極力抑えて、構造体のマスの変動を小さくすることが重要である。したがって、ＭＥＭＳセンサの製造においても、プラズマの平面内密度の均一性を従来よりも高めた状態で、構造体をプラズマエッチングし、微細加工を施す必要がある。【００１７】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、プラズマの平面内密度のより一層の均一化を図り、大型の基板であってもその表面全体を均一にエッチングすることができるとともに、チルトの発生を抑えることができるプラズマエッチング装置の提供を、その目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するための本発明は、処理ガスをプラズマ化して、基板表面をエッチングするプラズマエッチング装置に関する。【００１９】
このプラズマエッチング装置は、
筒状の胴部、この胴部の上部を閉塞する天板、及び胴部の底部を閉塞する底板からなり、前記胴部内の上部領域に設定されたプラズマ生成空間、及び該プラズマ生成空間の下方に設定された処理空間を有するチャンバと、
前記チャンバの、前記プラズマ生成空間に対応する部分の外方に配設された環状のコイルと、
前記チャンバ内の処理空間に配設され、処理対象の基板を載置する基台と、
前記チャンバ内のプラズマ生成空間に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記チャンバ内の気体を排気する排気機構と、
前記コイルに高周波電力を供給するコイル電力供給機構と、
前記基台に高周波電力を供給する基台電力供給機構と、
上端部及び下端部が開口した環状の部材であって、下端部に向けて縮径された形状の部材からなり、前記上端部が、前記プラズマ生成空間と前記基台との間の、前記チャンバ内壁に固設され、前記プラズマ生成空間で生成されたプラズマの平面内密度を調整して前記基台上の基板に導くプラズマ密度調整部材と、
少なくともその下端が、上下方向において前記コイルの上端より下方に位置するように前記天板の中心部から下方に向けて延設された円筒状の芯部材とを備え、
前記プラズマ生成空間を形成する胴部の内径は、前記基板の外径よりも大径に形成され、
前記プラズマ生成空間が、前記芯部材によってドーナツ状に形成されたプラズマエッチング装置において、
前記芯部材の下端部は、下端面に向けて縮径された形状を有している。【００２０】
尚、上記プラズマエッチング装置において、前記プラズマ密度調整部材は、下端部よりも上端部が大径であるテーパ形状を有し、前記芯部材の下端部は、下端面に向けて小径となったテーパ形状を有していることが好ましい。【００２１】
このようなプラズマエッチング装置によれば、まず、コイル電力供給機構によってコイルに高周波電力を印加し、チャンバ内のプラズマ生成空間に誘導電界を生じさせる。ついで、この状態で、処理ガス供給機構によりプラズマ生成空間に処理ガスを供給する。これにより、供給された処理ガスが誘導電界によってプラズマ化される。【００２２】
このようにして生成されるプラズマは、プラズマ生成空間がドーナツ状となっており、誘導電界が作用し易いコイルに近い部分で生成されているため、その密度は比較的高いものとなっている。【００２３】
そして、この高密度のプラズマは、芯部材及びプラズマ密度調整部材との間を、当該芯部材の表面及びプラズマ密度調整部材の内面に沿って流下し、プラズマ密度調整部材の上端部側の開口から下端部側の開口にかけて流通して、その下方の基台上に載置された基板上に至り、その表面をエッチングする。【００２４】
このように、本発明に係るプラズマエッチング装置においては、下端部よりも上端部が大径であるテーパ形状をしたプラズマ密度調整部材内にプラズマを流通させることで、プラズマがチャンバの中央部分へと導かれるとともに、更に、芯部材の下端部に、下端面に向けて小径となったテーパ部が形成されていることにより、生成されたプラズマが、この芯部材のテーパ部に沿って、チャンバの中央部分に拡散する。即ち、本発明に係るプラズマエッチング装置では、プラズマ密度調整部材による作用とテーパ形状を有する芯部材による作用とが相俟って、チャンバの中央部分へのプラズマの拡散性が、従来装置と比較して格段に向上し、プラズマの平面内密度をより一層均一なものにすることができ、プラズマ平面内密度のわずかな不均一性に起因するエッチング形状の傾き（チルトの発生）を抑えることができるとともに、基板表面全体を高い均一性でもってエッチングすることができる。【００２５】
尚、水平面と前記プラズマ密度調整部材のテーパ部の母線とがなす角度は、５２°〜８１°とすることが好ましい。これは、前記角度を５２°よりも小さくした場合には、チャンバの中央部分にプラズマが集まり過ぎて、チャンバの外周部分のプラズマ平面内密度が低下し、８１°よりも大きくした場合には、チャンバの中央部分にプラズマを導く効果、即ち、中央部分への拡散性が低下して、チャンバの中央部分のプラズマ平面内密度が低下するため、どちらの場合においてもプラズマの平面内密度が全体として均一なものになり難いためである。更に、水平面と前記芯部材のテーパ部の母線とがなす角度は、８０°以上９０°未満とすることが好ましい。これは、前記角度を８０°よりも小さくした場合には、チャンバの中央部分へのプラズマの拡散が進み過ぎて、チャンバの外周部分のプラズマ平面内密度が低下し、９０°以上にした場合には、チャンバの中央部分へのプラズマの拡散性が低下して、チャンバの中央部分のプラズマ平面内密度が低下するため、これらの場合にもプラズマの平面内密度が全体として均一なものになり難いためである。このように、水平面と前記プラズマ密度調整部材のテーパ部の母線とがなす角度、及び、水平面と前記芯部材のテーパ部の母線とがなす角度を上記数値範囲内で設定することにより、プラズマ密度調整部材による作用と芯部材による作用とが相俟って、チャンバの中央部分にスムーズにプラズマを拡散させることができ、プラズマの平面内密度の均一性をより向上させることができる。【００２６】
また、前記プラズマ密度調整部材のテーパ部の角度と、前記芯部材のテーパ部の角度とが同じ角度であることが好ましい。このようにすれば、チャンバの中央部分によりスムーズにプラズマを拡散させることができ、プラズマの平面内密度をより均一なものにすることができる。【００２７】
また、上記プラズマエッチング装置においては、前記芯部材の下端面を、前記プラズマ密度調整部材の上端面を含む平面より上方に位置させることが好ましい。このようにすれば、チャンバの中央部分にスムーズにプラズマを拡散させることができ、プラズマの平面内密度をより均一なものにすることができる。【００２８】
ところで、上記プラズマエッチング装置においては、プラズマ生成空間を大きくすること、即ち、プラズマ生成空間内におけるプラズマの円周方向の断面積を増やすことで、プラズマに吸収される高周波電力のパワーを大きくすることができ、大口径、大面積のプラズマ生成が可能であるが、プラズマの円周方向の断面積を増加させることにより、単位面積当たり及び単位体積当たりのプラズマ密度は低下する。また、プラズマの円周方向の断面積を増加させたとしても、高周波の影響が及ぶ距離（表皮深さ）以上の距離には、高周波電力のパワーが有効に入力されない。そして、本願発明者らの知見によれば、およそ１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの異なる周波数の高周波電力を供給した際におけるプラズマの表皮深さは、およそ１０ｍｍ〜５０ｍｍである。【００２９】
この点を踏まえ、上記プラズマエッチング装置においては、前記チャンバの内径Ａから前記芯部材の直径Ｂを引いた値を５０ｍｍよりも大きくし、前記チャンバの内径Ａを前記基板の直径Ｎよりも大きくした構成とすることが好ましい。【００３０】
また、前記芯部材を加熱する加熱機構を設けることが好ましい。このようにすれば、保護膜形成ガスとしてフルオロカーボン系ガスを用いて基板をエッチングする際に、エッチングレートの安定性に及ぼすフルオロカーボン系の堆積物の付着を抑えることができる。【００３１】
尚、前記プラズマ中にはラジカルとイオンとが含まれるが、イオンの平面内密度については、チャンバの外周側が中心側よりも若干高くなる傾向にある。このため、上記プラズマエッチング装置は、前記プラズマ密度調整部材が、接地された導電性の材料から構成されることが好ましい。このようにすれば、プラズマがプラズマ密度調整部材を通過する際に、前記外周側のイオンがプラズマ密度調整部材と接触することによって、除電，中和されるため、プラズマ中のイオンの平面内密度をより均一なものにすることができる。これにより、基板表面全体をより高い均一性でもってエッチングすることができる。【００３２】
尚、本願でいう「縮径」とは、テーパ形状のように直線的に径が小さくなる場合だけでなく、曲線的に径が小さくなるような場合も含む概念である。【００３３】
また、本願でいう「ドーナツ状」とは、トーラス状であって、中空円筒形状又はリング形状の一部又は全部にテーパ部又は円弧部を含むことがあるものとする。
【発明の効果】
【００３４】
以上のように、本発明に係るプラズマエッチング装置によれば、プラズマ密度調整部材及び芯部材によって、プラズマをチャンバの中央部分に拡散，導くようにしているため、これらの相乗効果によって、プラズマの平面内密度の均一性を従来装置よりも格段に向上させることができ、プラズマ平面内密度のわずかな不均一性を起因とするエッチング形状の傾きを抑えることができるとともに、基板表面全体をより一層均一にエッチングすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマエッチング装置を示した正断面図である。
【図２】本実施形態に係るプラズマエッチング装置において、プラズマが拡散する過程を説明するための説明図である。
【図３】本実施形態に係るプラズマエッチング装置において、プラズマが拡散する過程を説明するための説明図である。
【図４】実施装置１の寸法を説明するための説明図である。
【図５】実施装置１を用いてＳＦ６ガスをプラズマ化した際のプラズマの平面内密度に関するグラフである。
【図６】比較装置１を用いてＳＦ６ガスをプラズマ化した際のプラズマの平面内密度に関するグラフである。
【図７】実施装置１を用いてシリコン基板上の酸化膜をエッチングした際のエッチングレートに関するグラフである。
【図８】比較装置１を用いてシリコン基板上の酸化膜をエッチングした際のエッチングレートに関するグラフである。
【図９】実施装置１を用いてエッチングしたシリコン基板のチルトの状態に関するグラフである。
【図１０】実施装置１を用いてエッチングしたシリコン基板の断面を示した写真であり、（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ基板中心位置からの半径方向における距離が０ｍｍ、４０ｍｍ、８０ｍｍ、９７ｍｍにおいての写真である。
【図１１】実施装置２の寸法を説明するための説明図である。
【図１２】実施装置３の寸法を説明するための説明図である。
【図１３】実施装置２を用いてＳＦ６ガスをプラズマ化した際のプラズマの平面内密度に関するグラフである。
【図１４】実施装置３を用いてＳＦ６ガスをプラズマ化した際のプラズマの平面内密度に関するグラフである。
【図１５】本発明の他の実施形態に係るプラズマエッチング装置を示した正断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の具体的な実施形態について、図面を基づき説明する。
【００３７】
図１に示すように、本例のプラズマエッチング装置１は、内部空間の上方にプラズマ生成空間３が設定されるとともに、このプラズマ生成空間３の下方に処理空間４が設定される円筒状のチャンバ２と、前記プラズマ生成空間３にエッチングガスを供給するエッチングガス供給機構２５と、チャンバ２の、プラズマ生成空間３が設定される部分の外方に配設されたコイル３０と、このコイル３０に高周波電力を供給するコイル電力供給機構３５と、前記処理空間４に配設され、基板Ｋを載置するための基台４０と、この基台４０に高周波電力を供給する基台電力供給機構４５と、チャンバ２内の気体を排気する排気装置５０とを備えている。
【００３８】
前記チャンバ２は、下胴部５，上胴部６，底板７，中間板８及び天板９から構成されており、下胴部５の下端部には底板７が固設されるとともに、上端部には中間板８が固設され、これら下胴部５，底板７及び中間板８によって前記処理空間４が形成されている。また、上胴部６は、その下端部が中間板８上に固設されるとともに、上端部に天板９が固設され、更に、天板９の中心部には、これから下方に垂下した円筒状の芯部材１０が設けられており、これら上胴部６，中間板８，天板９及び芯部材１０によってドーナツ状のプラズマ生成空間３が形成されている。尚、上胴部６の内径は、基板Ｋの外径よりも大径となっている。
【００３９】
前記下胴部５には、基板Ｋを出し入れするための開口部５ａ、及び処理空間４内の気体を排気するための排気口５ｂが形成されており、開口部５ａはシャッタ機構１５によって開閉されるようになっており、排気口５ｂには前記排気装置５０が接続され、この排気装置５０によってチャンバ２内の気体が排気されるようになっている。
【００４０】
また、前記中間板８には開口部８ａが形成され、その下面に、上端部及び下端部が開口した環状の部材であって、下端部よりも上端部が大径であるテーパ状に形成された部材からなるプラズマ密度調整部材２０が固設されており、この開口部８ａ及びプラズマ密度調整部材２０を介して前記プラズマ生成空間３と処理空間４とが連通した状態となっている。尚、水平面とプラズマ密度調整部材２０のテーパ部の母線とがなす角度、具体的に言えば、水平面とプラズマ密度調整部材２０のテーパ部内周面とのなす角度θ１は、プラズマ生成空間３と基台４０との距離が離れすぎることによるプラズマ密度の低下を抑え、且つプラズマ生成空間３に近づけ過ぎないようにして、プラズマによるダメージを受け難くするという観点、及び、プラズマをチャンバ２の中央部分に良好に拡散させるという観点から、５２°〜８１°に設定することが好ましい。
【００４１】
前記プラズマ密度調整部材２０は、プラズマ生成空間３と基台４０との間に位置しており、導電性を有する材料（例えば、アルミニウム）から構成され、適宜接地されている。また、このプラズマ密度調整部材２０の下端部の内径は、前記上胴部６の内径よりも小径となっている。
【００４２】
また、前記芯部材１０は、その下端面が、前記プラズマ密度調整部材２０の上端面を含む平面と同一平面上となる位置まで延設されており、この芯部材１０の下端部は、下端面に向けて小径となったテーパ部が形成されている。尚、水平面と芯部材１０のテーパ部の母線とがなす角度、具体的に言えば、水平面と芯部材１０のテーパ部外周面とがなす角度θ２は、プラズマをチャンバ２の中央部分に良好に拡散させ、プラズマの平面内密度の均一性を更に向上させるという観点から、８０°以上９０°未満に設定することが好ましい。
【００４３】
尚、本例のプラズマエッチング装置においては、前記角度θ１と角度θ２とを同一の値に設定している。このように、同じ角度にすることで、プラズマのチャンバ２中央部分へのよりスムーズな拡散を実現することができ、チャンバ２内のプラズマを、その平面内密度が均一で、しかも安定したものとすることができる。
【００４４】
前記エッチングガス供給機構２５は、エッチングガスが貯留されたエッチングガス供給源２６と、一方端がエッチンガス供給源２６に接続され、天板９に環状に設けられた複数の吐出口に他方端が接続された供給管２７とからなる。そして、このエッチングガス供給機構２５によって、エッチングガス供給源２６から供給管２７を介し、複数の吐出口から垂直下方に向けてエッチングガスが均一に吐出され、プラズマ生成空間３内にエッチングガスが供給される。
【００４５】
前記コイル３０は、前記上胴部６の外方に、これを捲回するように配設されており、後述するコイル電力供給機構３５によって高周波電力が供給されるようになっている。
【００４６】
また、前記コイル電力供給機構３５は、前記コイル３０に接続されたマッチングユニット３６と、このマッチングユニット３６に接続された高周波電源３７とからなり、上述したように、コイル３０に高周波電力を供給する機構である。
【００４７】
前記基台４０は、前記処理空間４内に配設されており、支持台４１によって上下方向に進退自在に支持された状態で適宜昇降機構（図示せず）によって昇降されるようになっている。尚、基台４０の外周部は、ベローズ４２によって覆われている。
【００４８】
前記基台電力供給機構４５は、前記基台４０に接続されたマッチングユニット４６と、このマッチングユニット４６に接続された高周波電源４７とからなり、前記基台４０に高周波電力を供給する機構である。
【００４９】
次に、以上の構成を備えたプラズマエッチング装置１を用いて、基板Ｋ（シリコン基板）にエッチング処理を施す過程について説明する。
【００５０】
まず、前記開口部５ａを介して下降位置にある基台４０上に基板Ｋ（例えば、シリコン基板）を載置し、ついで、基台４０を昇降機構によって処理位置まで上昇させた後、排気装置５０によってチャンバ２内（プラズマ生成空間３及び処理空間４）の気体を排気して当該チャンバ２内を負圧にするとともに、高周波電源４７から基台４０に高周波電力を供給する。
【００５１】
また、これと並行して、前記コイル３０に高周波電源３７から高周波電力を供給し、プラズマ生成空間３内に誘導電界を生じさせる。そして、この状態で、前記エッチングガス供給源２６からプラズマ生成空間３内にエッチングガス（例えば、ＳＦ６ガス）を供給することで、前記誘導電界によってエッチングガスがプラズマ化される。
【００５２】
その際、上述したように、前記プラズマ生成空間３は、芯部材１０によってドーナツ状に形成されているので、芯部材１０を設けていない場合と比較して、その容積が小さく、また、コイル３０に近い部分のみがプラズマ生成空間３となっているので、コイル３０に印加する電力を、芯部材１０を設けていない場合と比べて、比較的小さい電力としても高密度のプラズマが生成される。
【００５３】
そして、このようにして生成された高密度のプラズマは、前記芯部材１０及びプラズマ密度調整部材２０との間を、当該芯部材１０の表面及びプラズマ密度調整部材２０の内面に沿って流下し、プラズマ密度調整部材２０内を流通して、その下方の基板Ｋ上に至り、当該基板Ｋの表面をエッチングする。
【００５４】
ここで、本例のプラズマエッチング装置１においては、芯部材１０の下端部にテーパ部が形成されているため、プラズマ生成空間３内で生成されたプラズマ（図２及び図３中のＰ）は、芯部材１０のテーパ部に沿ってチャンバ２の中央部分に徐々に拡散し、更に、プラズマがテーパ状のプラズマ密度調整部材２０内を流通することによって、当該プラズマがチャンバ２の中央部分に徐々に集束される（図２及び図３参照）。これにより、生成されたプラズマは、その平面内密度が徐々に平準化されて、密度分布が非常に緩やかな中凹又はＭ字の状態、或いはフラットな均一の状態に調整される。そして、このような密度状態のプラズマが基板Ｋの表面に作用することで、プラズマの平面内密度の不均一性に起因するエッチング形状の傾きが抑えられ、基板Ｋの表面全域が均一にエッチングされるのである。
【００５５】
尚、本例では、基台４０に高周波電力を印加して基板Ｋにバイアス電位を与えている。したがって、プラズマ中のイオンが基板Ｋに向けて照射され、所謂イオンアシストエッチングが行われる。
【００５６】
また、本例のプラズマエッチング装置１においては、プラズマ密度調整部材２０を、接地された導電性の材料から構成することによって、プラズマがプラズマ密度調整部材２０内を通過する際に、プラズマの外周部に位置するイオンがプラズマ密度調整部材２０と接触して、これが除電，中和されて消滅するようにしている。プラズマ中にはイオン及びラジカルが含まれているが、イオンの平面内密度については、チャンバ２の外周側の方が中心側よりも若干高くなる傾向にある。したがって、この外周部のイオンを除電，中和して消滅させることで、イオンの平面内密度をより均一にすることができる。そして、このようにイオンの平面内密度をより均一なものにすることによって、基板Ｋの表面全体をより高い均一性でもってエッチングすることができる。
【００５７】
因みに、本例のプラズマエッチング装置１（実施装置１）において、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを採用し、プラズマ生成空間３に供給するＳＦ６ガスの供給流量を２００ｓｃｃｍ、コイル３０に印加する高周波電力を１２００Ｗとし、図４に示すように、上胴部６の内径Ａを２７０ｍｍ、芯部材１０の直径Ｂを１７０ｍｍ、芯部材１０の下端面の直径Ｃを１３０ｍｍ、芯部材１０におけるテーパ部の上下方向の長さＤを９５ｍｍ、芯部材１０の前記角度θ２を８０．７５°として、ＳＦ６ガスをプラズマ化した際のプラズマの平面内密度を測定した。その結果を図５に示す。
【００５８】
また、比較として、前記テーパ部が設けられた芯部材１０に換えて、テーパ部が設けられていない芯部材を備えたプラズマエッチング装置（比較装置１）において、プラズマ生成空間に供給するＳＦ６ガスの供給流量を２００ｓｃｃｍ、コイルに印加する高周波電力を２０００Ｗとして、ＳＦ６ガスをプラズマ化した際のプラズマの平面内密度を測定した。その結果を図６に示す。
【００５９】
実施装置１と比較装置１とにおける測定結果を比較すると、実施装置１の方がチャンバ中央部分へのプラズマの拡散が進行していることが分かる（図５及び図６参照）。また、直径２００ｍｍのウェハ内における均一性を算出したところ、実施装置１は１９．３％であったのに対して、比較装置１は２７．５％であった。このことより、芯部材にテーパ部を設けることによって、チャンバ中央部分へのプラズマの拡散性が格段に向上し、結果的にプラズマの平面内密度の均一性が非常に高くなることが分かる。
【００６０】
また、前記実施装置１を用いて、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを用い、プラズマ生成空間３に供給するＳＦ６ガスの供給流量を４００ｓｃｃｍ、コイル３０に印加する高周波電力を２０００Ｗ、基台４０に印加する高周波電力を５０Ｗとして、８インチのシリコン基板上の酸化膜（ＳｉＯ２）をエッチングした。その結果を図７に示す。
【００６１】
また、比較として、前記比較装置１を用いて、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを用い、プラズマ生成空間に供給するＳＦ６ガスの供給流量を４００ｓｃｃｍ、コイルに印加する高周波電力を２０００Ｗ、基台に印加する高周波電力を５０Ｗとして、同様に、８インチのシリコン基板をエッチングした。その結果を図８に示す。
【００６２】
実施装置１においては、エッチングレートが基板全面に渡って略一定であり（図７参照）、基板全面におけるエッチングレートは２０２Å／ｍｉｎ±０．９％であった。これに対して、比較装置１においては、基板全面に渡ってエッチングレートのばらつきが見られ（図８参照）、基板全面におけるエッチングレートは１７６Å／ｍｉｎ±２．７％であった。このことから、上述したように、芯部材にテーパ部を設けることによって、チャンバ中央部分へのプラズマの拡散が促進され、プラズマの平面内密度の均一性が格段に高まり、平面内密度がより均一となったプラズマが基板表面全体に作用するため、当該基板表面がより均一にエッチングされることが分かる。
【００６３】
更に、実施装置１を用いて、エッチングガスとしてＳＦ６ガス、保護膜形成ガスとしてＣ４Ｆ８ガスを用い、ＳＦ６ガスの供給流量を５００ｓｃｃｍ、Ｃ４Ｆ８ガスの供給流量を１００ｓｃｃｍとし、これらのガスをプラズマ生成空間３に交互に供給して、８インチのシリコン基板を所謂ボッシュプロセス法によりエッチングし、チルトの有無について検討した。尚、コイル３０には１７００Ｗの高周波電力を印加し、基台４０には１６０Ｗの高周波電力を印加してエッチングを行った。その結果を図９及び図１０に示す。尚、図１０は、（ａ）〜（ｄ）の順に、基板中心位置からの半径方向における距離が０ｍｍ、４０ｍｍ、８０ｍｍ、９７ｍｍの位置の基板断面を示した写真である。
【００６４】
図９及び図１０に示すように、実施装置１を用いてシリコン基板にエッチングすると、基板前面に渡ってチルトの発生がほとんどなく、基板中心位置からの距離が９７ｍｍの位置においても、チルト量は０．１度未満であった。このことから、上述したように、芯部材にテーパ部を設けることによって、プラズマの平面内密度の均一性が向上し、当該平面内密度の均一性が高いプラズマが基板に作用することで、チルトの発生が抑えられることが分かる。
【００６５】
このように、本実施形態に係るプラズマエッチング装置は、芯部材にテーパ部を設けるとともに、テーパ形状のプラズマ密度調整部材を設けているので、これら芯部材及びプラズマ密度調整部材とによる相乗効果によって、プラズマの平面内密度を従来よりも均一なものにすることができ、このプラズマが作用する基板表面全体を均一にエッチングすることができる。
【００６６】
また、平面内密度の均一性が従来よりも高いプラズマでもって基板表面全体をエッチングすることができ、チルトの発生を従来よりも格段に抑えることができるため、スーパージャンクション構造を備えた半導体装置やＭＥＭＳセンサなどの製造にも好適に用いることができる。
【００６７】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明が採り得る具体的な態様は何らこれに限定されるものではない。
【００６８】
例えば、本例のプラズマエッチング装置１においては、角度θ１と角度θ２とを同一の値に設定しているが、生成されたプラズマをスムーズに拡散させることができるように、それぞれ異なる値を設定するようにしても良い。
【００６９】
また、プラズマエッチング装置１において、上胴部６の内径Ａ（チャンバの内径Ａ）を２７０ｍｍ、芯部材１０の直径Ｂを１７０ｍｍとしたが、これに限られるものではなく、プラズマの表皮深さに応じて適宜設定することが好ましい。
【００７０】
因みに、本願発明者らが、気体分子の半径を２×１０−１２ｍ、圧力を５Ｐａ、電子温度を３ｅＶ、プラズマ密度を１×１０１２ｃｍ−３とし、１３．５６ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの異なる周波数の高周波電力を供給した際のプラズマの表皮深さを算出したところ、算出された表皮深さは、２３．９ｍｍ〜８．８ｍｍであった。そして、１３．５６ＭＨｚにおいて、圧力を２０Ｐａとした場合には、表皮深さは５０ｍｍまで増加した。これを踏まえると、円周方向の長さの合計が５０ｍｍ以上となるプラズマ生成空間を形成するために、上胴部６の内径Ａから芯部材１０の直径Ｂを引いた値が５０ｍｍより大きくなるようにすることが好ましい。
【００７１】
また、前記芯部材１０を加熱する加熱機構を設けるようにしても良い。このようにすれば、Ｃ４Ｆ８ガスなどのフルオロカーボン系ガスを保護膜形成ガスとして用いて基板Ｋにエッチングを行う場合に、フルオロカーボン系の堆積物の付着を抑え、エッチングレートの安定性を確保することができる。
【００７２】
また、本例のプラズマエッチング装置１は、プラズマ密度調整部材２０及び芯部材１０の下端部がテーパ形状である構成としたが、これに限られるものではない。例えば、プラズマ密度調整部材２０においては、上端部から下端部に向けて、一部又は全体が曲線的に径が小さくなった形状であっても良く、また、芯部材１０の下端部においては、下端面に向けて一部又は全体が曲線的に径が小さくなった形状であっても良い。このようにしても、相応の効果を得ることができる。
【００７３】
更に、本例のプラズマエッチング装置１においては、最も好ましい態様として、芯部材１０の下端面を、プラズマ密度調整部材２０の上端面を含む平面と同一平面上に位置させているが、これに限られるものではなく、芯部材１０の下端面を、プラズマ密度調整部材２０の上端面を含む平面とコイル３０の上端を含む平面との間（図４中のＲで示した領域内）に位置させるようにしても相応の効果を得ることができる。
【００７４】
また、芯部材１０の下端面を、プラズマ密度調整部材２０の上端面を含む平面よりも下方に位置させるようにしても良い。このようにしても、相応の効果を得ることができる。
【００７５】
因みに、上例のプラズマエッチング装置１における芯部材１０と形状の異なる芯部材１０ａ，１０ｂを備えた実施装置２及び実施装置３において、エッチングガスとしてＳＦ６ガスを採用し、プラズマ生成空間３に供給するＳＦ６ガスの供給流量を２００ｓｃｃｍ、コイル３０に印加する高周波電力を１２００Ｗとして、ＳＦ６ガスをプラズマ化した際のプラズマの平面内密度を測定した。その結果を図１３及び図１４に示す。尚、実施装置２は、図１１に示すように、芯部材１０ａの下端部を半径２６０ｍｍの球面とし、芯部材１０ａにおける下端部からテーパ部最上部までの上下方向の長さＥを１０６ｍｍとし、また、実施装置３は、図１２に示すように、芯部材１０ｂの下端面の直径Ｆを９３ｍｍ、芯部材１０ｂにおけるテーパ部の上下方向の長さＧを１０６ｍｍとした。尚、実施装置２及び実施装置３において、上胴部６の内径Ａ、芯部材１０ａ，１０ｂの直径Ｂ及び芯部材１０ａ，１０ｂのテーパ部の角度θ２は、いずれもプラズマエッチング装置１と同一の寸法とした。
【００７６】
実施装置１、実施装置２、実施装置３及び比較装置１における測定結果を比較すると、実施装置２及び実施装置３は、チャンバ中央部分へのプラズマの拡散が実施装置１よりも若干進行していないものの、比較装置１よりは格段に進行していることが分かる（図５、図６、図１３及び図１４参照）。また、直径２００ｍｍウェハ内における均一性は、上述したように、実施装置１では１９．３％、比較装置１では２７．５％であったのに対し、実施装置２では２２．４％、実施装置３では２４．３％であり、実施装置１よりは若干低いものの、比較装置１よりは格段に高くなった。
【００７７】
このように、芯部材の下端面は、プラズマ密度調整部材の上端面を含む平面よりも上方に位置させることが好ましいが、プラズマ密度調整部材の上端面を含む平面よりも下方に位置させるようにしても、中央部分へのプラズマの拡散性を向上させることができ、プラズマの平面内密度の均一性を高めることができる。
【００７８】
更に、本例のプラズマエッチング装置１は、上胴部６の外方に、これを捲回するようにコイル３０を配設した構成としたが、このような構成に限られるものではなく、例えば、図９に示すプラズマエッチング装置１’のように、チャンバ２の、プラズマ生成空間３に対応する部分の外方である天板９の上方に、環状のコイル３０’を配設した構成であっても良い。尚、図９において、プラズマエッチング装置１と同じ構成については同一の符号を付した。このプラズマエッチング装置１’においても、プラズマ密度調整部材２０がテーパ状であり、芯部材１０の下端部にテーパ部が形成され、下端面がコイル３０’の上端よりも下方に位置している。したがって、プラズマ生成空間３内で生成されたプラズマ（図９中のＰ）が、プラズマエッチング装置１における場合と同様に、芯部材１０のテーパ部に沿ってチャンバ２の中央部分に徐々に拡散し、更に、プラズマがテーパ状のプラズマ密度調整部材２０内を流通することによって、当該プラズマがチャンバ２の中央部分に徐々に集束される。これにより、生成されたプラズマは、その平面内密度が徐々に平準化されて、密度分布が非常に緩やかな中凹又はＭ字の状態、或いはフラットな均一の状態に調整され、このような密度分布のプラズマが基板Ｋの表面に作用する。したがって、このような構成にしても、プラズマエッチング装置１と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００７９】
１    プラズマエッチング装置
２    チャンバ
３    プラズマ生成空間
４    処理空間
５    下胴部
６    上胴部
７    底板
８    中間板
９    天板
１０  芯部材
２０  プラズマ密度調整部材
２５  エッチングガス供給機構
３０  コイル
３５  コイル電力供給機構
４０  基台
４５  基台電力供給機構
【図１】
2014050903.tif 000003
【図２】
2014050903.tif 000004
【図３】
2014050903.tif 000005
【図４】
2014050903.tif 000006
【図５】
2014050903.tif 000007
【図６】
2014050903.tif 000008
【図７】
2014050903.tif 000009
【図８】
2014050903.tif 000010
【図９】
2014050903.tif 000011
【図１１】
2014050903.tif 000012
【図１２】
2014050903.tif 000013
【図１３】
2014050903.tif 000014
【図１４】
2014050903.tif 000015
【図１５】
2014050903.tif 000016
【図１０】
2014050903.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成26年4月11日(2014.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状の胴部、この胴部の上部を閉塞する天板、及び胴部の底部を閉塞する底板からなり、前記胴部内の上部領域に設定されたプラズマ生成空間、及び該プラズマ生成空間の下方に設定された処理空間を有するチャンバと、
前記チャンバの、前記プラズマ生成空間に対応する部分の外方に配設された環状のコイルと、
前記チャンバ内の処理空間に配設され、処理対象の基板を載置する基台と、
前記チャンバ内のプラズマ生成空間に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記チャンバにおける少なくとも処理空間内の気体を排気する排気機構と、
前記コイルに高周波電力を供給するコイル電力供給機構と、
前記基台に高周波電力を供給する基台電力供給機構と、
上端部及び下端部が開口した環状の部材であって、下端部に向けて縮径された形状の部材からなり、前記上端部が、前記プラズマ生成空間と前記基台との間の、前記チャンバ内壁に固設され、前記プラズマ生成空間で生成されたプラズマの平面内密度を調整して前記基台上の基板に導くプラズマ密度調整部材と、
少なくともその下端が、上下方向において前記コイルの上端より下方に位置するように前記天板の中心部から下方に向けて延設された円筒状の芯部材とを備え、
前記プラズマ生成空間を形成する胴部の内径は、前記基板の外径よりも大径に形成され、
前記プラズマ生成空間が、前記芯部材によってドーナツ状に形成されたプラズマエッチング装置において、
前記芯部材の下端部は、下端面に向けて縮径された形状を有していることを特徴とするプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記プラズマ密度調整部材は、下端部よりも上端部が大径であるテーパ形状を有し、
前記芯部材の下端部は、下端面に向けて小径となったテーパ形状を有していることを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
水平面と前記プラズマ密度調整部材のテーパ部の母線とがなす角度が５２°〜８１°であり、
水平面と前記芯部材のテーパ部の母線とがなす角度が８０°以上９０°未満であることを特徴とする請求項２記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記プラズマ密度調節部材のテーパ部の角度と、前記芯部材のテーパ部の角度とが同じ角度であることを特徴とする請求項２又は３記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記芯部材の下端面は、前記プラズマ密度調整部材の上端面を含む平面より上方に位置していることを特徴とする請求項１乃至４記載のいずれかのプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記プラズマ密度調整部材は、接地された導電性の材料から構成されることを特徴とする請求項１乃至５記載のいずれかのプラズマエッチング装置。
【請求項７】
前記チャンバの内径Ａから前記芯部材の下端部における最上部の直径Ｂを引いた値が５０ｍｍよりも大きく、
前記チャンバの内径Ａが前記基板の直径Ｎよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至６記載のいずれかのプラズマエッチング装置。
【請求項８】
前記芯部材を加熱する加熱機構が設けられていることを特徴とする請求項１乃至７記載のいずれかのプラズマエッチング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
［００１９］
このプラズマエッチング装置は、
筒状の胴部、この胴部の上部を閉塞する天板、及び胴部の底部を閉塞する底板からなり、前記胴部内の上部領域に設定されたプラズマ生成空間、及び該プラズマ生成空間の下方に設定された処理空間を有するチャンバと、
前記チャンバの、前記プラズマ生成空間に対応する部分の外方に配設された環状のコイルと、
前記チャンバ内の処理空間に配設され、処理対象の基板を載置する基台と、
前記チャンバ内のプラズマ生成空間に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記チャンバにおける少なくとも処理空間内の気体を排気する排気機構と、
前記コイルに高周波電力を供給するコイル電力供給機構と、
前記基台に高周波電力を供給する基台電力供給機構と、
上端部及び下端部が開口した環状の部材であって、下端部に向けて縮径された形状の部材からなり、前記上端部が、前記プラズマ生成空間と前記基台との間の、前記チャンバ内壁に固設され、前記プラズマ生成空間で生成されたプラズマの平面内密度を調整して前記基台上の基板に導くプラズマ密度調整部材と、
少なくともその下端が、上下方向において前記コイルの上端より下方に位置するように前記天板の中心部から下方に向けて延設された円筒状の芯部材とを備え、
前記プラズマ生成空間を形成する胴部の内径は、前記基板の外径よりも大径に形成され、
前記プラズマ生成空間が、前記芯部材によってドーナツ状に形成されたプラズマエッチング装置において、
前記芯部材の下端部は、下端面に向けて縮径された形状を有している。
［００２０］
尚、上記プラズマエッチング装置において、前記プラズマ密度調整部材は、下端部よりも上端部が大径であるテーパ形状を有し、前記芯部材の下端部
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
大きくすること、即ち、プラズマ生成空間内におけるプラズマの円周方向の断面積を増やすことで、プラズマに吸収される高周波電力のパワーを大きくすることができ、大口径、大面積のプラズマ生成が可能であるが、プラズマの円周方向の断面積を増加させることにより、単位面積当たり及び単位体積当たりのプラズマ密度は低下する。また、プラズマの円周方向の断面積を増加させたとしても、高周波の影響が及ぶ距離（表皮深さ）以上の距離には、高周波電力のパワーが有効に入力されない。そして、本願発明者らの知見によれば、およそ１０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚの異なる周波数の高周波電力を供給した際におけるプラズマの表皮深さは、およそ１０ｍｍ〜５０ｍｍである。
［００２９］
この点を踏まえ、上記プラズマエッチング装置においては、前記チャンバの内径Ａから前記芯部材の下端部における最上部の直径Ｂを引いた値を５０ｍｍよりも大きくし、前記チャンバの内径Ａを前記基板の直径Ｎよりも大きくした構成とすることが好ましい。
［００３０］
また、前記芯部材を加熱する加熱機構を設けることが好ましい。このようにすれば、保護膜形成ガスとしてフルオロカーボン系ガスを用いて基板をエッチングする際に、エッチングレートの安定性に及ぼすフルオロカーボン系の堆積物の付着を抑えることができる。
［００３１］
尚、前記プラズマ中にはラジカルとイオンとが含まれるが、イオンの平面内密度については、チャンバの外周側が中心側よりも若干高くなる傾向にある。このため、上記プラズマエッチング装置は、前記プラズマ密度調整部材が、接地された導電性の材料から構成されることが好ましい。このようにすれば、プラズマがプラズマ密度調整部材を通過する際に、前記外周側のイオンがプラズマ密度調整部材と接触することによって、除電，中和されるため、プラズマ中のイオンの平面内密度をより均一なものにすることができる。これにより、基板表面全体をより高い均一性でもってエッチングすることができる。
［００３２］
尚、本願でいう「縮径」とは、テーパ形状のように直線的に径が小さくな
【国際調査報告】
2014050903.tif 000018
2014050903.tif 000019
2014050903.tif 000020