(57)【要約】  本発明の液晶表示装置は、第１基板および第２基板と、第１基板および第２基板の間に配置された液晶層と、第２基板の主面上に配置された複数のゲート配線および複数のソース配線と、複数のゲート配線および複数のソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第１直線部、第１直線部に対して傾斜した第２直線部および第１直線部と第２直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、画素領域に位置した、画素領域を囲む２個のソース配線のうち一方のソース配線と信号電極との間に位置する第１部位と、他方のソース配線と信号電極との間に位置する第２部位と、信号電極の屈曲部と重なっている、第１部位と第２部位とを接続する第３部位とを有したシールド電極を備えており、シールド電極は共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
2014034615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された絶縁膜と、該絶縁膜上のうち複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第１直線部、該第１直線部に対して傾斜した第２直線部および前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、該信号電極と重ならないように前記絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、
前記画素領域に位置した、該画素領域を囲む２個の前記ソース配線のうち一方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第１部位と、他方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第２部位と、前記信号電極の前記屈曲部と重なっている、前記第１部位と前記第２部位とを接続する第３部位とを有したシールド電極を備えており、
該シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記シールド電極は複数の前記ソース配線と同じ面上にある請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記シールド電極は透光性材料からなる請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
横電界方式の液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板と、一対の基板間に介在する液晶層とを備える。この一対の基板のうち一方の基板の主面上には、薄膜トランジスタと、複数のゲート配線と、複数のゲート配線に交差するように配置された複数のソース配線と、薄膜トランジスタと、複数のゲート配線および複数のソース配線を覆うように配置された絶縁膜と、この絶縁膜上に配置された信号電極および共通電極とが形成されている。【０００３】
この液晶表示装置では、信号電極と共通電極とが同一平面上に交互に配列しており、この信号電極および共通電極に対して電圧を印加することで、信号電極と共通電極との間で電界を発生させ、この電界によって液晶層中の液晶分子の方向を制御する。この横電界によって液晶分子の方向を制御することで広視野角化を実現できる（例えば、特開２０００−２７５６６４号公報参照）。【０００４】
近年では、液晶表示装置に対してさらなる広視野角化が求められている。この要望に対し、信号電極を屈曲させて画素領域を複数の領域に分割し、各々の領域での液晶分子の配向を変える（マルチドメイン技術と呼ばれる）ことによって、さらなる広視野角化を実現させている。【０００５】
このような横電界方式の液晶表示装置では、ソース配線と信号電極との間に生じるカップリング容量を通して、信号電極の電圧がソース配線の電圧変動に影響を受けて変動しやすくなり、表示品位に影響を与える問題点があった。【０００６】
従来、この問題点に対し、平面視してソース配線と重なるようにシールド電極を配置することで、ソース配線の電圧の変動による信号電極への影響を抑制していた。しかしながら、シールド電極をソース配線と重ねて配置した場合、ソース配線とシールド電極との間の寄生容量が増大してしまい、ソース配線に与える負荷が大きくなる可能性があるという問題点があった。【０００７】
一方、近年の液晶表示装置はタッチパネルなどと組み合わせて使用される場合が多く、ユーザーがタッチパネルを押圧することで、液晶表示装置に対して外力が加わる頻度が高くなっている。そのため、表示領域に外力が加わると、外力が加わった領域に位置する液晶分子の配向が変化してしまい、この液晶分子の配向が変化した領域（リバースツイストドメインと呼ばれる）で液晶分子の配向がそのまま戻らなくなる場合がある。この場合には、リバースツイストドメインと他の領域とでは透過率が異なってしまい、リバースツイストドメインが斑として見えてしまい、表示品位が低下する可能性があるという問題点もある。【０００８】
この問題点に対して、信号電極および共通電極が位置する絶縁膜と一方の基板の主面との間に共通電極に電気的に接続された下層電極を配置し、下層電極と上層に位置する信号電極との間で電界を発生させることで、リバースツイストドメインの発生を抑制していた。しかしながら、下層電極を配置するだけでは、下層電極によって光源装置からの光が遮られ、開口率が低下し、光の透過率が低下する可能性があるという問題点があった。【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、シールド電極によるソース配線への負荷の増加を抑制するとともに、リバースツイストドメインによる表示品位の低下を抑制しつつ、画素領域の開口率の低下を抑制することができる液晶表示装置を提供することである。
【発明の概要】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された絶縁膜と、該絶縁膜上のうち複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第１直線部、該第１直線部に対して傾斜した第２直線部および前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、該信号電極と重ならないように前記絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、前記画素領域に位置した、該画素領域を囲む２個の前記ソース配線のうち一方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第１部位と、他方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第２部位と、前記信号電極の前記屈曲部と重なっている、前記第１部位と前記第２部位とを接続する第３部位とを有したシールド電極を備えており、該シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されていることを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】画素領域における第２基板上の配線および電極などを示す平面図である。
【図４】図３のII−II線に沿った断面図である。
【図５】図３のIII−III線に沿った断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置の要部を示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態における液晶表示装置の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態における液晶表示装置１について、図１〜図５を参照しながら説明する。
【００１３】
液晶表示装置１は、複数の画素領域Ｐからなる表示領域ＥＤを有する液晶パネル２と、液晶パネル２に向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。
【００１４】
液晶パネル２では、第１基板21と第２基板22とが対向配置され、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23が配置されているとともに、この液晶層23を取り囲むように第１基板21と第２基板22とを接合するシール材24が設けられている。
【００１５】
第１基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第１主面21ａと、第１主面21ａとは反対側に位置する第２主面21ｂとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどによって形成される。
【００１６】
第１基板21の第２主面21ｂ上には、複数のカラーフィルタ211が配置されている。
【００１７】
カラーフィルタ211は、可視光のうち特定の波長光のみを透過させる機能を有する。複数のカラーフィルタ211は、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置している。また、各カラーフィルタ211は画素領域Ｐごとに配置されている。各カラーフィルタ211は、赤、緑および青のいずれかの色を有している。また、例えば、黄色、白色などのカラーフィルタ211を配置してもよい。カラーフィルタ211の材料としては、例えば染料または顔料を添加した樹脂が挙げられる。なお、本実施形態ではカラーフィルタ211を配置しているが、これに限定されない。例えばモノクロの画像を表示する場合はカラーフィルタ211を配置しなくてもよい。
【００１８】
また、複数のカラーフィルタ211上には、例えばオーバーコート層および配向膜（不図示）などが配置される。
【００１９】
第２基板22は、第１基板21の第２主面21ｂに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。なお、第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。
【００２０】
図３〜図５を参照して、第２基板22の第１主面22ａ上の各部材について説明する。
【００２１】
第２基板22の第１主面22ａ上には、複数のゲート配線221および補助容量配線222が配置されており、複数のゲート配線221および補助容量配線222を覆うようにゲート絶縁膜223が配置されている。ゲート絶縁膜223上には複数のソース配線224が配置されている。また、複数のソース配線224を覆うようにゲート絶縁膜223上には第１層間絶縁膜225が配置されている。この第１層間絶縁膜225上には複数のシールド電極Ｓが配置されている。また、第１層間絶縁膜225上には、複数のシールド電極Ｓを覆うように第２層間絶縁膜226が配置されている。この第２層間絶縁膜226上には遮光膜BMが配置されている。また、第２層間絶縁膜226上には遮光膜BMを覆うように平坦化膜227が配置されており、この平坦化膜227上には共通電極228および信号電極229が位置している。
【００２２】
複数のゲート配線221は、駆動ＩＣ（図示せず）から供給される電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図３に示すように、複数のゲート配線221は第２基板22の第１主面22ａ上に位置しているとともに、Ｘ方向に延在している。また、複数のゲート配線221はＹ方向に沿って配列されている。ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
【００２３】
ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。
【００２４】
まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、第２基板22の第１主面22ａに膜を形成する。この膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、この膜をエッチング液でエッチングして、膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、成膜およびパターニングを行なうことで複数のゲート配線221を形成できる。
【００２５】
補助容量配線222は第２基板22の第１主面22ａに配置されている。補助容量配線222は複数のゲート配線221と同じ面（第１主面22ａ）に位置している。図３に示すように、補助容量配線222はＸ方向に延在している。また、補助容量配線222は、ゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。なお、本実施形態では、補助容量配線222がゲート配線221と同じ面に配置されているが、これに限られない。すなわち、補助容量配線222はゲート配線221と異なる層に配置されていてもよい。
【００２６】
ゲート絶縁膜223は、複数のゲート配線221および補助容量配線222を覆うように第１主面22ａ上に配置されている。ゲート絶縁膜223は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁性を有する材料によって形成される。なお、ゲート絶縁膜223は、上記のスパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法などによって第２基板22の第１主面22ａ上に形成できる。
【００２７】
複数のソース配線224は、薄膜トランジスタTFTを介して駆動ＩＣから供給される信号電圧を信号電極229に印加する機能を有する。図３に示すように、複数のソース配線224はＹ方向に屈曲して延在している。また、複数のソース配線224はゲート絶縁膜223上に配置されているとともに、Ｘ方向に沿って配列されている。ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲート配線221と同様の方法によって形成できる。
【００２８】
図３に示すように、ソース配線224は、互いに異なる角度で傾斜する２個の直線部224ａ，224ｂと、これら直線部224ａ，224ｂを接続する屈曲部224ｃとを有している。すなわち、ソース配線224はＹ方向に屈曲して延在している。なお、本実施形態のソース配線224は１個の屈曲部224ｃを有しているが、これには限られない。すなわち、ソース配線224は複数の屈曲部224ｃを有してもよいし、ソース配線224が複数回に屈曲してＹ方向に延在してもよい。
【００２９】
複数の薄膜トランジスタTFTは、アモルファスシリコン、ポリシリコンまたは酸化物半導体などの半導体層と、この半導体層上に配置されるとともに、ソース配線224に接続されたソース電極と、ドレイン電極とを有する。複数の薄膜トランジスタTFTは各画素領域Ｐごとに配置されている。また、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極は、ドレイン配線ＤおよびコンタクトホールＣを介して信号電極229に接続されている。
【００３０】
薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗を変化させることで、信号電極229への画像信号の書き込みまたは非書き込みが制御される。
【００３１】
第１層間絶縁膜225は、複数のソース配線224を覆うようにゲート絶縁膜223上に配置されている。第１層間絶縁膜225はゲート絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。
【００３２】
複数のシールド電極Ｓは、ソース配線224に印加される電圧から生じる電界を遮蔽する機能を有する。なお、図３では、シールド電極Ｓの形成領域が斜線（実線）で示されている。
【００３３】
シールド電極Ｓは、コンタクトホールＣを介して共通電極228に電気的に接続されている。また、シールド電極Ｓは共通電極228に加えて補助容量配線222に接続されていてもよい。図３に示すように、本実施形態におけるシールド電極Ｓは、画素領域Ｐ内に位置するコンタクトホールＣで共通電極228に接続されているが、これには限定されない。すなわち、画素領域Ｐ外で、シールド電極Ｓが別途形成される共通配線または補助容量配線222に接続されていてもよい。
【００３４】
複数のシールド電極Ｓは第１層間絶縁膜225上に配置されている。また、各々のシールド電極Ｓは画素領域Ｐ内に位置している。すなわち、シールド電極Ｓはゲート配線221およびソース配線224に重ならないように位置している。また、図３に示すように、シールド電極Ｓは、画素領域Ｐに隣接する２個のソース配線224のうち一方のソース配線224と信号電極229との間に位置する第１部位Ｓ１と、画素領域Ｐに隣接する他方のソース配線224と信号電極229との間に位置する第２部位Ｓ２と、信号電極229の屈曲部229ｃと重なっているとともに、第１部位Ｓ１と第２部位Ｓ２とを接続する第３部位Ｓ３とを有している。
【００３５】
シールド電極Ｓの第１部位Ｓ１は、画素領域Ｐ内で一方のソース配線224に近接するとともに、Ｙ方向に屈曲して延在している。すなわち、シールド電極Ｓの第１部位Ｓ１は、互いに異なる角度で傾斜する２個の直線部Ｓ１ａ，Ｓ１ｂと、これら直線部Ｓ１ａ，Ｓ１ｂを接続する屈曲部Ｓ１ｃとを有している。
【００３６】
シールド電極Ｓの第２部位Ｓ２は、画素領域Ｐ内で他方のソース配線224に近接するとともに、Ｙ方向に屈曲して延在している。すなわち、シールド電極Ｓの第２部位Ｓ２は、互いに異なる角度で傾斜する２個の直線部Ｓ２ａ，Ｓ２ｂと、これら直線部Ｓ２ａ，Ｓ２ｂを接続する屈曲部Ｓ２ｃとを有している。
【００３７】
なお、シールド電極Ｓの第１部位Ｓ１と一方のソース配線224との距離およびシールド電極Ｓの第２部位Ｓ２と他方のソース配線224との距離は、例えば0.5μｍ〜５μｍに設定できる。
【００３８】
シールド電極Ｓの第３部位Ｓ３は、画素領域Ｐ内に位置するとともに、Ｘ方向に延在している。シールド電極Ｓの第３部位Ｓ３の一部は信号電極229および共通電極228に重なっている。また、シールド電極Ｓの第３部位Ｓ３は、第１部位Ｓ１の屈曲部Ｓ１ｃと第２部位Ｓ２の屈曲部Ｓ２ｃとを接続することで、第１部位Ｓ１と第２部位Ｓ２とを接続している。
【００３９】
シールド電極Ｓの材料は、導電性を有する材料によって形成される。シールド電極Ｓの材料は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＡＺＯ（Al-Doped Zinc Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛等の透光性材料、またはアルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅等またはこれらを含む合金の不透光性材料が挙げられるが、導電性を有する材料であれば、これらに限定されない。ここで、シールド電極Ｓに透光性材料を採用すると、シールド電極Ｓによる光源装置３からの光の遮光を低減できるので、画素領域Ｐの開口率の低下を抑制できる。
【００４０】
また、シールド電極Ｓの第１部位Ｓ１および第２部位Ｓ２は、平面視して遮光膜BMの形成領域内に位置している。これによって、シールド電極Ｓの第１部位Ｓ１および第２部位Ｓ２による遮光が低減され、画素領域Ｐの開口率の低減を抑制できる。また、シールド電極Ｓに透光性材料を採用すれば、遮光膜BMの形成領域外に位置するシールド電極Ｓの第３部位Ｓ３による遮光も低減できる。
【００４１】
第２層間絶縁膜226は、複数のシールド電極Ｓと遮光膜BMとを電気的に絶縁する機能を有する。第２層間絶縁膜226は、複数のシールド電極Ｓを覆うように第１層間絶縁膜225上に配置されている。第２層間絶縁膜226はゲート絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。
【００４２】
第２層間絶縁膜226がシールド電極Ｓと遮光膜BMとの間に位置し、シールド電極Ｓと遮光膜BMとを電気的に絶縁しているので、遮光膜BMが導電性を有する場合であっても、ソース配線224とシールド電極Ｓとの間の寄生容量の増大によってソース配線224へ与える負荷が大きくなることを抑制できる。
【００４３】
遮光膜BMは光を遮光する機能を有する。遮光膜BMは、第２層間絶縁膜226上に配置されているとともに、ゲート配線221、補助容量配線222、ソース配線224および共通電極228の一部に重なるように位置している。さらに、遮光膜BMはシールド電極Ｓを覆うように配置されている。なお、図３では、遮光膜BMの形成領域が斜線（破線）で示されている。
【００４４】
遮光膜BMは複数のゲート配線221、複数のソース配線224および補助容量配線222を覆うように第２基板22側に配置されているので、遮光膜BMが第１基板21側に配置されている場合に比べて、ゲート配線221、補助容量配線222およびソース配線224を精度よく遮光することができる。なお、本実施形態では、遮光膜BMが第２基板22側に配置されているが、これには限定されない。すなわち、遮光膜BMが第１基板21側に配置されていてもよい。
【００４５】
遮光膜BMは、例えば、遮光性の高い色（例えば黒色）の染料もしくは顔料が添加された樹脂、クロムなどの金属または合金などの材料で形成される。
【００４６】
平坦化膜227は、遮光膜BMを覆うように第２層間絶縁膜226上に配置されている。平坦化膜227は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂またはポリイミド系樹脂などの有機材料によって形成される。なお、平坦化膜227の膜厚は例えば１μｍ〜５μｍの範囲で設定されている。
【００４７】
共通電極228は、駆動ＩＣから印加された電圧によって信号電極229との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極228は平坦化膜227上に配置されている。図３に示すように、共通電極228は、Ｙ方向に延在する部位と、Ｘ方向に延在する部位とを有している。また、図３に示すように、共通電極228のＹ方向に延在する部位はソース配線224に対応して屈曲している。
【００４８】
共通電極228のＹ方向に延在する部位は、互いに異なる角度で傾斜する２個の直線部228ａ，228ｂと、これら直線部228ａ，228ｂを接続する屈曲部228ｃを有している。すなわち、共通電極228のＹ方向に延在する部位は屈曲して延在している。なお、ソース配線224と同様に、共通電極228のＹ方向に延在する部位は複数回に屈曲してもよい。
【００４９】
共通電極228は、導電性を有する透光性材料によって形成され、例えばＩＴＯ、ＡＴＯ、ＡＺＯ、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
【００５０】
信号電極229は、駆動ＩＣから印加された電圧によって共通電極228との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極229は平坦化膜227上に配置されており、Ｘ方向に沿って配列している。また、Ｘ方向における信号電極229の両側には共通電極228（Ｙ方向に延在する部位）が配置されている。すなわち、信号電極229と共通電極228とはＸ方向に交互に配置されている。
【００５１】
また、図３に示すように、信号電極229はソース配線224に対応させて屈曲している。すなわち、信号電極229は、互いに異なる角度で傾斜する２個の直線部229ａ，229ｂと、これら直線部229ａ，229ｂを接続する１個の屈曲部229ｃとを有している。すなわち、信号電極229はＹ方向に屈曲して延在している。なお、ソース配線224と同様に信号電極229は複数回に屈曲してもよい。
【００５２】
信号電極229の幅は例えば２μｍ〜５μｍの範囲に設定されている。信号電極229と共通電極228との間隔は例えば５μｍ〜20μｍの範囲に設定されている。
【００５３】
液晶表示装置１では、シールド電極Ｓが、画素領域Ｐに隣接する２個のソース配線224のうち一方のソース配線224と信号電極229との間に位置する第１部位Ｓ１と、画素領域Ｐに隣接する他方のソース配線224と信号電極229との間に位置する第２部位Ｓ２とを有しているので、シールド電極Ｓが一方および他方のソース配線224から生じる電界を遮蔽し、ソース配線224の電圧の変動による信号電極229の電圧への影響を低減できる。
【００５４】
また、共通電極228に電気的に接続されているシールド電極Ｓは、信号電極229に重なるとともに、第１部位Ｓ１と第２部位Ｓ２とを接続した第３部位Ｓ３を有している。これによって、信号電極229の下層に位置するシールド電極Ｓの第３部位Ｓ３から信号電極229に向けて電界が発生する。この電界によって、白表示の際に表示領域ＥＤに外力が加わった場合であっても、信号電極229と共通電極228との間の領域での液晶分子の配向の乱れが低減されるので、リバースツイストドメインの発生による表示品位の低下を抑制できる。
【００５５】
加えて、シールド電極Ｓの第１部位Ｓ１、第２部位Ｓ２および第３部位Ｓ３は画素領域Ｐ内に位置している。すなわち、シールド電極Ｓがソース配線224に重ならないように配置されているので、シールド電極Ｓとソース配線224との間での寄生容量の増大を抑制でき、ソース配線224へ与える負荷を低減することができる。
【００５６】
さらに、シールド電極Ｓの第３部位Ｓ３は信号電極229の屈曲部229ｃと重なるように位置している。ここで、シールド電極Ｓの第１部位Ｓ１と第２部位Ｓ２とを接続するために、第３部位Ｓ３は画素領域Ｐを横切ることになるので、第３部位Ｓ３によって光源装置３からの光が遮光されやすく、第３部位Ｓ３を配置することで画素領域Ｐの開口率が低下しやすくなる。一方、信号電極229の屈曲部229ｃ近傍の領域は、液晶分子の配向が乱れやすいため、光の透過率が低下しやすく、画像表示に寄与しにくい領域である。そのため、シールド電極Ｓの第３部位Ｓ３が信号電極229を横切って配置される場合に、第３部位Ｓ３を信号電極229の直線部229ａ，229ｂではなく屈曲部229ｃと重ねることで、第３部位Ｓ３が画素領域Ｐの開口率へ与える影響を低減できる。
【００５７】
また、シールド電極Ｓの第３部位Ｓ３は、共通電極228の屈曲部228ｃと重なるようにも位置している。ここで、シールド電極Ｓの第１部位Ｓ１と第２部位Ｓ２とを接続するために、第３部位Ｓ３は画素領域Ｐを横切るので、第３部位Ｓ３によって光源装置３からの光が遮られやすく、第３部位Ｓ３を配置することで画素領域Ｐの開口率が低下しやすくなる。一方、信号電極229と同様に、共通電極228の屈曲部228ｃ近傍の領域は、液晶分子の配向が乱れやすいため、光の透過率が低下しやすく、画像表示に寄与しにくい領域である。そのため、シールド電極Ｓの第３部位Ｓ３が共通電極228を横切って配置される場合に、第３部位Ｓ３を共通電極228の直線部228ａ，228ｂではなく屈曲部228ｃと重ねることで、第３部位Ｓ３が画素領域Ｐの開口率へ与える影響を低減できる。
【００５８】
液晶層23は、第１基板21と第２基板22との間に配置されている。液晶層23は、ネマティック液晶などの液晶分子を含んでいる。
【００５９】
シール材24は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は、平面視して表示領域ＥＤを取り囲むようにして第１基板21と第２基板22との間に配置されている。このシール材24はエポキシ樹脂などによって形成される。
【００６０】
光源装置３は、液晶パネル２の表示領域ＥＤに向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31および導光板32を有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
【００６１】
第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21ａに対向するように配置されている。
【００６２】
第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。
【００６３】
［第２の実施形態］
図６および図７は、第２の実施形態における液晶表示装置１Ａの要部を示す図である。
【００６４】
液晶表示装置１Ａは、第１の実施形態における液晶表示装置１に比べて、シールド電極Ｓがゲート絶縁膜223上に配置されている点で異なる。
【００６５】
液晶表示装置１Ａでは、シールド電極Ｓがソース配線224と同じ面上に配置されているので、シールド電極Ｓとソース配線224との距離を小さくすることができ、ソース配線224から発生する電界の遮蔽効果を向上させることができる。
【００６６】
また、シールド電極Ｓがソース配線224と同じ面上に配置されていることで、シールド電極Ｓの材料にソース配線224と同じ材料を採用すれば、ソース配線224とシールド電極Ｓとを同じの成膜工程およびパターニング工程で形成できる。さらに、シールド電極Ｓがソース配線224と同じ面上に形成されていることで、シールド電極Ｓとソース配線224とを異なる層に形成した場合に比べて、シールド電極Ｓとソース配線224との形成位置にずれが生じることを低減できる。したがって、液晶表示装置１Ａの製造工程を簡略化できるとともに、不良の発生を低減できる。
【００６７】
本発明は上記の第１および第２の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【００６８】
液晶表示装置１,１Ａでは、シールド電極Ｓがソース配線224に比べて上層に位置するか、またはソース配線224と同じ層に位置しているが、これには限定されない。すなわち、図７に示すように、シールド電極Ｓはソース配線224に比べて下層に位置してもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年10月19日(2015.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された絶縁膜と、該絶縁膜上のうち複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第１直線部、該第１直線部に対して傾斜した第２直線部および前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、該信号電極と重ならないように前記絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、
前記画素領域に位置した、該画素領域を囲む２個の前記ソース配線のうち一方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第１部位と、他方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第２部位と、前記信号電極の前記屈曲部と重なっている、前記第１部位と前記第２部位とを接続する第３部位とを有したシールド電極を備えており、該シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されているとともに、前記ソース配線と重ならないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記シールド電極は複数の前記ソース配線と同じ面上にある請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記シールド電極は透光性材料からなる請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年2月29日(2016.2.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された絶縁膜と、該絶縁膜上のうち複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第１直線部、該第１直線部に対して傾斜した第２直線部および前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、該信号電極と重ならないように前記絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、
前記画素領域に位置した、該画素領域を囲む２個の前記ソース配線のうち一方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第１部位と、他方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第２部位と、前記信号電極の前記屈曲部と重なっている、前記第１部位と前記第２部位とを接続する第３部位とを有したシールド電極を備えており、該シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されているとともに、前記ソース配線以上であって前記共通電極より下方で且つ前記ソース配線と重ならないことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記シールド電極は複数の前記ソース配線と同じ面上にある請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記シールド電極は透光性材料からなる請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された絶縁膜と、該絶縁膜上のうち複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素領域に位置した、第１直線部、該第１直線部に対して傾斜した第２直線部および前記第１直線部と前記第２直線部とを接続する屈曲部を有する信号電極と、該信号電極と重ならないように前記絶縁膜上に配置された共通電極とを備え、前記画素領域に位置した、該画素領域を囲む２個の前記ソース配線のうち一方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第１部位と、他方の前記ソース配線と前記信号電極との間に位置する第２部位と、前記信号電極の前記屈曲部と重なっている、前記第１部位と前記第２部位とを接続する第３部位とを有したシールド電極を備えており、該シールド電極は前記共通電極に電気的に接続されているとともに、前記ソース配線以上であって前記共通電極より下方で且つ前記ソース配線と重ならないことを特徴とする。
【国際調査報告】
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