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【手続補正書】
【提出日】平成27年7月21日(2015.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及び複数の回路素子を有するエレクトロニクスアセンブリを製造する方法であって、
前記基板に半田マスク材料の層を塗布することと、
フッ素を含むプラズマに前記層を曝露して、前記半田マスクをフッ素処理し、それによって、前記半田マスク材料の疎水性を高めることと、
前記基板に第１の回路素子を配置することと、
前記基板に第２の回路素子を配置することと、
前記第１の回路素子に液体を塗布することと、
を含み、
前記第１の回路素子と前記第２の回路素子との間の間隔を最小にすることができるように、前記フッ素を含むプラズマに前記層を曝露することは、前記第１の回路素子に塗布された前記液体が流れて前記第２の回路素子を汚染するのを防ぐ、基板及び複数の回路素子を有するエレクトロニクスアセンブリを製造する方法。
【請求項２】
前記液体はアンダーフィル材料であり、前記第１の回路素子はダイであり、前記第１の回路素子に前記液体を塗布することは、
前記ダイのエッジに隣接する接触ゾーンにわたって、前記層上に前記アンダーフィル材料を適用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の回路素子はダイである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記液体は接着剤であり、前記第１の回路素子はダイであり、前記第１の回路素子に前記液体を塗布することは、
前記基板上のダイアタッチパッド上に前記接着剤を適用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の回路素子はボンドパッドである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記液体は接着剤であり、前記第１の回路素子はダイであり、前記第１の回路素子に前記液体を塗布することは、
前記基板上のダイアタッチパッド上に前記接着剤を適用することと、
前記ダイを前記ダイアタッチパッド上の前記接着剤と接触させることと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記液体はアンダーフィル材料であり、前記第１の回路素子はダイであり、前記第１の回路素子に前記液体を塗布することは、
前記ダイのエッジに隣接して前記アンダーフィル材料を適用することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の回路素子は第１のダイであり、前記第２の回路素子は第２のダイである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の回路素子は第１のダイであり、前記第２の回路素子は前記基板上のボンドパッドである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年10月23日(2015.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平な共通導電領域と、
前記共通導電領域に一端が電気的に連結された複数個の離隔された垂直な半導体柱と、
前記共通導電領域の上の第１レベルで前記少なくとも１つの半導体柱の少なくとも何れか１つの側壁に隣接する少なくとも１つの水平な第１選択ラインと、
前記共通導電領域の上の第２レベルで前記少なくとも１つの半導体柱の前記少なくとも１つの側壁に隣接する少なくとも１つの水平な第２選択ラインと、
前記半導体柱各々の他端の上に配置されて電気的に連結された複数個の垂直電極と、
前記共通導電領域の上に積層され、前記垂直電極の側壁と隣接配置された複数個の水平電極と、
前記垂直及び水平電極の間に介在された可変抵抗性のメモリ要素と、を含み、
前記メモリ要素は整流特性を提供する、ことを特徴とするメモリ装置。
【請求項２】
前記メモリ要素の各々は、
少なくとも１つの可変抵抗体と、
前記水平及び垂直電極の中の少なくとも１つと前記可変抵抗体との間に介在されて整流特性を提供する少なくとも１つのパターンを含むことを特徴とする請求項１に記載のメモリ装置。
【請求項３】
水平な共通導電領域と、
前記共通導電領域に一端が電気的に連結された複数個の離隔された垂直な半導体柱と、
前記共通導電領域の上の第１レベルで前記少なくとも１つの半導体柱の少なくとも何れか１つの側壁に隣接する少なくとも１つの水平な第１選択ラインと、
前記共通導電領域の上の第２レベルで前記少なくとも１つの半導体柱の前記少なくとも１つの側壁に隣接する少なくとも１つの水平な第２選択ラインと、
前記半導体柱各々の他端の上に配置されて電気的に連結された複数個の垂直電極と、
前記共通導電領域の上に積層され、前記垂直電極の側壁と隣接配置された複数個の水平電極と、
前記垂直及び水平電極の間に介在された可変抵抗性のメモリ要素と、を含み、
前記垂直電極の各々は、
前記メモリ要素の内側壁に隣接する第１導電領域と、
前記第１導電領域によって定義される空間の内に配置される第２導電領域と、を含み、
前記第２導電領域の底面は前記第１導電領域の底面より下部の半導体柱にさらに近い、ことを特徴とするメモリ装置。
【請求項４】
前記半導体柱は前記共通導電領域の上に２次元的に配列されたことを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項５】
前記共通導電領域は前記半導体柱各々の水平方向の幅の少なくとも１０倍である幅を有することを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの半導体柱の前記側壁と前記少なくとも１つの第１選択ラインとの間に、そして前記少なくとも１つの半導体柱の前記側壁と前記少なくとも１つの第２選択ラインとの間に介在された少なくとも１つの絶縁領域をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの第１選択ラインは前記少なくとも１つの第２選択ラインと異なる厚さ、不純物濃度、物質、及び／又は幅を有することを特徴とする請求項６に記載のメモリ装置。
【請求項８】
前記共通導電領域はドーピングされた半導体膜を含み、
前記半導体柱の各々は前記共通導電領域及び前記垂直電極に各々隣接する下部及び上部領域を含み、
前記下部領域は前記共通導電領域と異なる導電形及び／又は不純物濃度を有することを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項９】
前記半導体柱の各々は前記共通導電領域及び前記垂直電極に各々隣接する下部及び上部領域を含み、
前記少なくとも１つの第１選択ラインと前記少なくとも１つの第２選択ラインとは前記半導体柱の前記下部領域と対向し、
前記下部領域は前記共通導電領域と異なる導電形を有し、
前記上部領域は前記共通導電領域と同一の導電形を有することを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１０】
前記半導体柱は前記少なくとも１つの第１選択ライン及び前記少なくとも１つの第２選択ラインを貫通することを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１１】
前記垂直電極の上面を覆う絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１２】
前記第１導電領域は前記下部の半導体柱から離隔され、前記第２導電領域は前記下部の半導体柱に直接接触することを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１３】
前記メモリ要素の各々は、
前記水平電極の中の１つと前記第１導電領域との間に配置された垂直部分と、
前記垂直部分の底から内側に延長されて前記第１導電領域の底面を覆う水平部分を含む情報格納パターンと、を含み、
前記第１導電領域は前記水平部分によって前記下部の半導体柱から離隔されることを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１４】
隣接する前記水平電極の間に介在される層間絶縁領域をさらに含み、
前記メモリ要素は前記層間絶縁領域によって互いに垂直方向に離隔され、
前記層間絶縁領域は前記垂直方向に離隔されたメモリ要素の間の空間において前記垂直電極と直接接触することを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１５】
前記垂直電極は前記水平電極を貫通することを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１６】
前記水平電極は各々水平プレートを含み、及び／又は、
前記水平電極は前記共通導電領域より高いレベルに各々配置された複数個の平行なラインを各々含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの第２選択ラインは、前記共通導電領域と反対側の、前記少なくとも１つの第１選択ラインの側面の上に配置され、
前記第２選択ラインは前記水平電極と整列されることを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１８】
前記半導体柱の側壁の上に配置される選択ゲート誘電領域をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のメモリ装置。
【請求項１９】
前記半導体柱の側壁は前記選択ゲート誘電領域によって被覆されることを特徴とする請求項１８に記載のメモリ装置。
【請求項２０】
前記選択ゲート誘電領域は、
前記少なくとも１つの第１選択ラインのレベルに配置された第１誘電領域と、
前記少なくとも１つの第２選択ラインのレベルに配置された第２誘電領域と、を含むことを特徴とする請求項１８に記載のメモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月11日(2014.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率（ｎｆ）が１．６１〜１．７０の基材フィルムの片面もしくは両面に、屈折率（ｎ１）が１．５０〜１．６０で基材フィルム片面当たりの光学厚みが（１／４）λである第１層、屈折率（ｎ２）が１．６１〜１．８０である第２層、シリカもしくは含フッ素化合物を含有する第３層、および屈折率（ｎｔ）が１．８１以上でありパターン化された透明導電膜をこの順に有し、基材フィルム片面当たりの前記第２層の光学厚みと前記第３層の光学厚みの合計が（１／４）λであり、前記第１層の屈折率（ｎ１）、前記第２層の屈折率（ｎ２）および前記第３層の屈折率（ｎ３）の関係がｎ２＞ｎ１＞ｎ３を満し、かつ、前記第１層と前記第２層との間にハードコート層を有する、透明導電性フィルム。
但し、λは３８０〜７８０ｎｍである。
【請求項２】
前記第１層、前記第２層および前記第３層はいずれの層も樹脂を含む、請求項１の透明導電性フィルム。
【請求項３】
前記第１層、前記第２層および前記第３層は、いずれの層もウェットコーティング法により塗布され積層されたものである、請求項１または２の透明導電性フィルム。
【請求項４】
前記第２層および前記第３層は、それぞれ活性エネルギー線硬化性組成物がウェットコーティング法により塗布され硬化した層である、請求項１〜３のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項５】
前記第２層は、活性エネルギー線硬化性樹脂と金属酸化物を含む活性エネルギー線硬化性組成物がウェットコーティング法により塗布され硬化した層である、請求項１〜４のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項６】
前記第３層は、活性エネルギー線硬化性組成物がウェットコーティング法により塗布され硬化した層であり、この活性エネルギー線硬化性組成物は該組成物１００質量％に対して含フッ素化合物を３０質量％以上含有する、請求項１〜５のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項７】
前記第２層の基材フィルム片面当たりの厚み（ｄ２）が３０ｎｍ以上である、請求項１〜６のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項８】
前記第３層の基材フィルム片面当たりの厚み（ｄ３）が５〜５０ｎｍである、請求項１〜７のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項９】
基材フィルム片面当たりの前記第２層の光学厚みと前記第３層の光学厚みの合計が、９５〜１６３ｎｍの範囲である、請求項１〜８のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項１０】
前記基材フィルムがポリエステルフィルムである、請求項１〜９のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項１１】
前記基材フィルムの屈折率（ｎｆ）、前記第１層の屈折率（ｎ１）、前記第２層の屈折率（ｎ２）、前記第３層の屈折率（ｎ３）および前記透明導電膜の屈折率（ｎｔ）の関係が、ｎｔ＞ｎ２≧ｎｆ＞ｎ１＞ｎ３を満足する、請求項１〜１０のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項１２】
前記ハードコート層は、活性エネルギー線硬化性の樹脂を含む組成物をウェットコーティング法により塗布後、硬化させた層であり、かつ、該ハードコート層の屈折率が１．４６〜１．５５の範囲である、請求項１〜１１のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項１３】
下記（１）または（２）の構成である、請求項１〜１２のいずれかの透明導電性フィルム。
（１）ハードコート層／第１層／基材フィルム／第１層／ハードコート層／第２層／第３層／透明導電膜
（２）透明導電膜／第３層／第２層／ハードコート層／第１層／基材フィルム／第１層／ハードコート層／第２層／第３層／透明導電膜
【請求項１４】
前記基材フィルムの屈折率（ｎｆ）、前記第１層の屈折率（ｎ１）および前記ハードコート層の屈折率（ｎｈ）の関係が、ｎｆ＞ｎ１＞ｎｈを満足し、かつ前記基材フィルムと前記第１層の屈折率差（ｎｆ−ｎ１）および前記第１層と前記ハードコート層の屈折率差（ｎ１−ｎｈ）がそれぞれ０．１以下である、請求項１〜１３のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項１５】
前記第３層と前記透明導電膜との間にＳｉＯ２膜を有する、請求項１〜１４のいずれかの透明導電性フィルム。
【請求項１６】
基材フィルム片面当たりの前記第２層の光学厚み、前記第３層の光学厚みおよび前記ＳｉＯ２膜の光学厚みの合計が（１／４）λである、請求項１５の透明導電性フィルム。
但し、λは３８０〜７８０ｎｍである。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかの透明導電性フィルムを備えたタッチパネル。
【請求項１８】
前記タッチパネルが静電容量式タッチパネルである、請求項１７のタッチパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を達成できる本発明の透明導電性フィルムは、屈折率（ｎｆ）が１．６１〜１．７０の基材フィルムの片面もしくは両面に、屈折率（ｎ１）が１．５０〜１．６０で基材フィルム片面当たりの光学厚みが（１／４）λである第１層、屈折率（ｎ２）が１．６１〜１．８０である第２層、シリカもしくは含フッ素化合物を含有する第３層、および屈折率（ｎｔ）が１．８１以上でありパターン化された透明導電膜をこの順に有し、基材フィルム片面当たりの前記第２層の光学厚みと前記第３層の光学厚みの合計が（１／４）λであり、前記第１層の屈折率（ｎ１）、前記第２層の屈折率（ｎ２）および前記第３層の屈折率（ｎ３）の関係がｎ２＞ｎ１＞ｎ３を満し、かつ、前記第１層と前記第２層との間にハードコート層を有する、透明導電性フィルムである。
但し、λは３８０〜７８０ｎｍである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
［第３層］
第３層は、その屈折率（ｎ３）が１．５０以下であることが好ましい。第３層の屈折率（ｎ３）は、さらには、１．４６以下が好ましく、１．４０以下がより好ましく、１．３８以下が特に好ましい。下限は１．２５以上が好ましく、１．３０以上がより好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月20日(2015.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非導電性材料を実質的に含まない基板上に第２のパターンを形成するために前記非導電性材料を用いて前記基板上に第１のパターンを印刷する印刷工程であって、前記基板が、前記第１のパターンと前記第２のパターンとを本質的に含む表面領域を有する、印刷工程と、
前記第２のパターンを覆う前記導電性材料が、前記第１のパターン内に塗布された前記非導電性材料を覆う前記導電性材料から電気的に絶縁された導電体として機能できるようにするために、前記第１のパターンの前記非導電性材料と、前記非導電性材料を本質的に含まない前記基板と、を覆うように前記基板の前記表面領域に導電性材料を真空蒸着によって塗布する塗布工程と、
前記真空蒸着前及び前記真空蒸着中で、前記非導電性材料の軟化点温度より高い温度で、前記基板及び前記非導電性材料を加熱する加熱工程と、
を含み、
前記非導電性材料が、乳化凝集トナー及び相変化インクのうちの１つを含む、基板上に導電体を形成する方法。
【請求項２】
前記基板上の前記第１のパターンの非導電性材料を溶解し、前記第１のパターンを覆っている前記導電性材料を除去する溶剤を塗布する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非導電性材料及び前記導電性材料は前記基板の第１の面に塗布され、前記溶剤は前記基板の第２の面に塗布される、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月25日(2015.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置であって、
前記配線構造は、各々が前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する複数の部分と、前記複数の部分と前記複数の光電変換部との間に連続的に位置する絶縁膜と、を含み、
前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された、前記第１の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第２の誘電体膜と、を備える、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置であって、
前記配線構造は、各々が前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する複数の部分と、前記複数の部分と前記複数の光電変換部との間に連続的に位置する絶縁膜と、を含み、
前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された第２の誘電体膜と、を備え、
前記絶縁膜および前記第１の誘電体膜はシリコン酸化物膜であり、前記第２の誘電体膜はシリコン窒化物膜である、
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記第２の誘電体膜は前記第１の誘電体膜よりも厚く、前記第１の誘電体膜および第２の誘電体膜は前記絶縁膜よりも薄い、
ことを特徴とする請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記複数の光電変換部のそれぞれは、格子状に配列された複数の画素領域のうち対応する画素領域に配置され、
前記配線構造は、前記反射面の反射率をＲ０、前記第１面と平行な面における１つの画
素領域に占める前記反射面の面積をＳとしたときに、
Ｒ０・Ｓ＞０．２５
を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
（１）前記第２の誘電体膜の屈折率は前記第１の誘電体膜の屈折率よりも高い、
（２）前記第２の誘電体膜の屈折率は前記絶縁膜の屈折率よりも高い、
（３）前記第２の誘電体膜は前記第１の誘電体膜よりも厚い、および、
（４）前記第１の誘電体膜および第２の誘電体膜は前記絶縁膜よりも薄い、
の少なくとも１つを満たす、
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記第１面と前記絶縁膜との間にはトランジスタのゲート電極が設けられており、前記第２の誘電体膜は前記ゲート電極と前記絶縁膜との間に位置する部分を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記第１の誘電体膜は前記ゲート電極と前記半導体層との間に位置する部分を有する、
ことを特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記半導体層は絶縁体を含む素子分離部を有し、前記第２の誘電体膜は前記素子分離部と前記絶縁膜との間に位置する部分を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
前記複数の部分の各々は、アルミニウム、銅およびタングステンのいずれか１つを主成分として形成されており、前記反射面での反射率が前記第１面での反射率よりも高い
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１０】
前記反射面は前記第１面に対して凹面を成している、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第２面の側に配置された複数のカラーフィルタを更に備え、
前記第２の誘電体膜は、対応するカラーフィルタの色に応じた厚さを有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記ゲート電極は、前記第１面に垂直な方向において前記反射面と前記第１面との間に位置する部分と、前記第１面に垂直な方向において前記反射面と前記第１面との間に位置しない部分と、を有する、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記配線構造は、各々が配線部を含む複数の配線層を含み、
前記複数の部分は、前記複数の配線層のうちで前記第１面に最も近い配線層に含まれる、
ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
前記第２の誘電体膜は、前記第１面に垂直な方向において前記反射面と前記第１面との間に位置しない部分を有する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１５】
前記複数の部分のうちの第１の部分の反射面から前記第１面までの距離は、前記複数の部分のうちの第２の部分の反射面から前記第１面までの距離と異なる、
ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の１つの側面は、複数の光電変換部を有する半導体層と、前記半導体層の第１面の側に配置された配線構造とを有し、前記半導体層の第２面の側から光が入射する固体撮像装置に係り、前記配線構造は、各々が前記第２面から前記第１面に向かって前記半導体層を透過した光を前記半導体層に向けて反射する反射面を有する複数の部分と、前記複数の部分と前記複数の光電変換部との間に連続的に位置する絶縁膜と、を含み、前記固体撮像装置は、前記第１面に接触して配置された第１の誘電体膜と、前記絶縁膜と前記第１の誘電体膜との間に配置された、前記第１の誘電体膜および前記絶縁膜とは屈折率の異なる第２の誘電体膜と、を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月6日(2015.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の所定の領域に複数設けられ、前記基板側から第１電極と少なくとも発光層を含む有機化合物層と第２電極とをこの順に備える有機ＥＬ素子と、
前記所定の領域の外に配置された外部接続端子と前記外部接続端子に電気的に接続されコンタクト部を有する配線と、を備え、
前記有機化合物層が１または複数の有機ＥＬ素子ごとに分割され、
前記第２電極が複数の有機ＥＬ素子に共通して設けられ、前記コンタクト部で前記配線と電気的に接続されている有機ＥＬ装置であって、
前記所定の領域において最外周に位置する有機ＥＬ素子に含まれ、他の有機ＥＬ素子に隣接しない端部における前記基板に対する傾斜角が、他の有機ＥＬ素子に隣接する端部における前記基板に対する傾斜角よりも小さい有機化合物層を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記他の有機ＥＬ素子に隣接しない端部は、前記所定の領域と前記コンタクト部との間に位置していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記有機ＥＬ装置は、材料または膜厚が互いに異なる発光層を含む複数種類の有機ＥＬ素子を含んでおり、
前記有機ＥＬ素子は行方向および列方向に配置されており、隣接しあう有機化合物層は、材料または膜厚が互いに異なる発光層を含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記他の有機ＥＬ素子に隣接する端部の前記基板に対して傾斜している領域の幅は、その端部を有する有機化合物層の膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記他の有機ＥＬ素子に隣接する端部が、隣接する有機化合物層によって覆われていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記他の有機ＥＬ素子に隣接する端部は、フォトリソグラフィを用いて形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記他の有機ＥＬ素子に隣接しない端部は、マスクを用いた真空蒸着法にて形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
外部接続端子と外部接続端子と前記外部接続端子に電気的に接続されコンタクト部を有する配線と複数の第１電極とが形成された基板を準備する第１の工程と、
前記複数の第１電極のうち、一部の第１電極の上に第１有機化合物層を選択的に形成する第２の工程と、
前記複数の第１電極のうち、有機化合物層が形成されていない第１電極の上に、前記第１有機化合物層とは材料または膜厚が異なる発光層を含む第２有機化合物層を形成する第３の工程と、
前記第１有機化合物層および前記第２有機化合物層および前記コンタクト部を含む領域の上に第２電極を形成する第４の工程と、を有し、
前記第２の工程は、フォトリソグラフィを用いて前記第１有機化合物層をパターニングする工程を含み、前記第３の工程は、前記複数の第１電極が設けられた領域に対応する開口を有するマスクを用いて前記第２有機化合物層を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程は、前記基板の上に第１有機化合物層および中間層をこの順に形成する工程と、
前記複数の第１電極のうち一部の第１電極の上にフォトリソグラフィを用いてレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層が設けられていない第１電極の上の第１有機化合物層および中間層をドライエッチングにて除去する工程と、含み、
前記第３の工程は、
前記複数の第１電極が設けられた領域に対応する開口を有するマスクを用いて、前記第１有機化合物層および前記中間層が除去された第１電極の上に第２有機化合物層を形成する工程と、
前記中間層を溶解して、前記中間層の上に形成された前記第２有機化合物層を除去する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記中間層は水溶性材料からなることを特徴とする請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程は、前記中間層と前記レジスト層との間に非水溶性材料からなる層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の工程と、前記第３の工程との間に、
前記第２の工程にて前記第１有機化合物層が選択的に形成されなかった複数の第１電極のうち、一部の第１電極の上に前記第１有機化合物層および前記第２有機化合物層とは材料または膜厚が異なる発光層を含む第３有機化合物層を選択的に形成する第５の工程を有することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第５の工程は、フォトリソグラフィを用いて前記第３有機化合物層をパターニングする工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月17日(2015.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン環に、二つの正孔輸送骨格が結合した芳香族炭化水素基が一つ結合した化合物を含む発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記二つの正孔輸送骨格が結合した芳香族炭化水素基が前記ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン環の２位に結合した化合物である発光素子。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記正孔輸送骨格がπ過剰系へテロ芳香環である発光素子。
【請求項４】
請求項３において、
前記π過剰系へテロ芳香環が、カルバゾール環、ジベンゾフラン環及びジベンゾチオフェン環のいずれか一又は複数である発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記芳香族炭化水素基が置換又は無置換のフェニル基である発光素子。
【請求項６】
式（Ｇ１）で表される複素環化合物。
【化１】
2013065842.tif 000001
（式（Ｇ１）中、Ａ１及びＡ２はそれぞれ独立に、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基及び置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基のいずれかを表す。また、Ｂは置換又は無置換のジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリニル基を表す。また、Ａｒは炭素数６乃至炭素数１３の芳香族炭化水素基を表し、前記芳香族炭化水素基は置換基を有していても良い。なお、前記芳香族炭化水素基が有する置換基は互いに結合して環を形成していても良い。）
【請求項７】
式（Ｇ２）で表される複素環化合物。
【化２】
2013065842.tif 000002
（式（Ｇ２）中、Ａ１及びＡ２はそれぞれ独立に、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾフララニル基及び置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基のいずれかを表す。また、Ａｒは炭素数６乃至炭素数１３の芳香族炭化水素基を表し、前記芳香族炭化水素基は置換基を有していても良い。なお、前記芳香族炭化水素基が有する置換基は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｒ１乃至Ｒ９はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項８】
式（Ｇ３−１）で表される複素環化合物。
【化３】
2013065842.tif 000003
（式（Ｇ３−１）中、Ａｒは炭素数６乃至炭素数１３の芳香族炭化水素基を表し、前記芳香族炭化水素基は置換基を有していても良い。なお、前記芳香族炭化水素基が有する置換基は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｒ１乃至Ｒ９、Ｒ１０乃至Ｒ１７及びＲ２０乃至Ｒ２７はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項９】
式（Ｇ３−２）で表される複素環化合物。
【化４】
2013065842.tif 000004
（式（Ｇ３−２）中、Ａｒは炭素数６乃至炭素数１３の芳香族炭化水素基を表し、前記芳香族炭化水素基は置換基を有していても良い。なお、前記芳香族炭化水素基が有する置換基は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｒ１乃至Ｒ９、Ｒ３０乃至Ｒ３６及びＲ４０乃至Ｒ４６はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。また、Ｚは酸素又は硫黄を表す。）
【請求項１０】
式（Ｇ４−１）で表される複素環化合物。
【化５】
2013065842.tif 000005
（式（Ｇ４−１）中、Ｒ１乃至Ｒ９、Ｒ１０乃至Ｒ１７及びＲ２０乃至Ｒ２７はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。）
【請求項１１】
式（Ｇ４−２）で表される複素環化合物。
【化６】
2013065842.tif 000006
（式（Ｇ４−２）中、Ｒ１乃至Ｒ９、Ｒ３０乃至Ｒ３６及びＲ４０乃至Ｒ４６はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基のいずれかを表す。また、Ｚは酸素又は硫黄を表す。）
【請求項１２】
式（１００）で表される複素環化合物。
【化７】
2013065842.tif 000007
【請求項１３】
式（２００）で表される複素環化合物。
【化８】
2013065842.tif 000008
【請求項１４】
一対の電極と、
前記一対の電極の間に有機化合物を含む層とを有し、
前記有機化合物を含む層に、請求項６乃至請求項１３のいずれか一に記載の複素環化合物を含む発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項５及び請求項１４のいずれか一に記載の発光素子を備えた発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項５及び請求項１４のいずれか一に記載の発光素子を備えた照明装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項５及び請求項１４のいずれか一に記載の発光素子を備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月18日(2015.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上方の酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上方の第１の金属酸化膜と、を有し、
前記第１の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上の領域を有する半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上方の酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上方の第１の金属酸化膜と、を有し、
前記第１の金属酸化膜は、酸化アルミニウムを有し、
前記第１の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上の領域を有する半導体装置。
【請求項３】
導電膜を有し、
前記導電膜は、前記第１の金属酸化膜と接する領域を有する請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電膜は、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物、酸化チタン、アルミニウムおよびチタンのうち、少なくともいずれか一種を有する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
第２の金属酸化膜を有し、
前記第２の金属酸化膜は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
前記第２の金属酸化膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有する請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート電極下方の第３の金属酸化膜を有し、
前記第３の金属酸化膜は、前記ゲート電極と接する領域を有し、
前記第３の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上の領域を有する請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上方の酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上方の第１の金属酸化膜と、を有し、
前記第１の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上の領域を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の金属酸化膜を形成した後に加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法。
【請求項８】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上方のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上方の酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極と、
前記酸化物半導体膜上方の酸化物絶縁膜と、
前記酸化物絶縁膜上方の第１の金属酸化膜と、を有し、
前記第１の金属酸化膜は、酸化アルミニウムを有し、
前記第１の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上の領域を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の金属酸化膜を形成した後に加熱処理を行う工程を有する半導体装置の作製方法。
【請求項９】
導電膜を有し、
前記導電膜は、前記第１の金属酸化膜と接する領域を有する請求項７または請求項８に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
前記導電膜は、酸化亜鉛、インジウム錫酸化物、酸化チタン、アルミニウムおよびチタンのうち、少なくともいずれか一種を有する請求項９に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
第２の金属酸化膜を有し、
前記第２の金属酸化膜は、前記ゲート絶縁膜と前記酸化物半導体膜との間の領域を有し、
前記第２の金属酸化膜は、前記ゲート絶縁膜と接する領域を有する請求項７乃至請求項１０のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
前記ゲート電極下方の第３の金属酸化膜を有し、
前記第３の金属酸化膜は、前記ゲート電極と接する領域を有し、
前記第３の金属酸化膜は、膜密度が３．２ｇ／ｃｍ３以上の領域を有する請求項７乃至請求項１１のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月9日(2015.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有するパッケージにアルカリ金属原子を収容する収容部を配置し、前記パッケージと前記開口部を覆う蓋との間に第１の貫通孔を有する管状部材を一方の端部が外部に突出するように配置し、当該管状部材と前記パッケージ又は前記蓋との間に第１の封止材を設け、前記パッケージと前記蓋との間に、第２の貫通孔を有する第２の封止材を設け、前記パッケージと前記蓋とを接合する接合工程と、
前記管状部材の前記端部には、流体の流通を制御する流体流通手段が接続され、当該流体流通手段により、前記第２の貫通孔を介して前記パッケージの内部にコーティング剤を流入させ、当該コーティング剤により当該パッケージの内面に膜を形成し、当該流体流通手段により、前記パッケージ内部の前記コーティング剤を前記第２の貫通孔を介して外部に流出させる流通工程と、
前記管状部材を除去し、前記第１の封止材を溶融させて、当該管状部材を除去したときに形成される前記パッケージと前記蓋との間隙を封止し、前記第２の封止材を溶融させて、前記第２の貫通孔を封止する封止工程と、
前記収容部にレーザ光を照射して、当該収容部を破壊する破壊工程と
を備えることを特徴とするパッケージの封止方法。
【請求項２】
前記収容部にレーザ光を照射して、当該収容部を開封する開封工程
を備える請求項１に記載のパッケージの封止方法。
【請求項３】
前記流通工程において、前記第２の貫通孔は、コーティング剤の中に配置され、前記コーティング剤を流入させる場合には、前記流体流通手段により、前記パッケージ内の気体を前記第１の貫通孔から外部に排出して、当該パッケージ内の圧力を下げる
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のパッケージの封止方法。
【請求項４】
前記流通工程において、前記コーティング剤を流出させる場合には、前記流体流通手段により、前記パッケージの内部に前記第１の貫通孔を介して圧縮した気体を入れて、当該パッケージ内の圧力を上げる
ことを特徴とする請求項３に記載のパッケージの封止方法。
【請求項５】
前記接合工程において、前記パッケージと前記蓋とが接合する面には、接合材料が塗布され、当該パッケージと当該蓋との間には、一端が外部に突出するように棒状部材が配置され、当該接合材料が溶融されることにより前記パッケージと前記蓋とが接合され、冷却後、当該棒状部材が除去されることにより、当該接合材料により前記第２の封止材が形成される
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のパッケージの封止方法。
【請求項６】
前記接合工程において、前記パッケージと前記蓋とが接合する面には、融点が第１の温度である接合材料が塗布され、前記第２の封止材は、融点が前記第１の温度よりも高い第２の温度である材料で形成され、前記接合材料は、前記第１の温度以上前記第２の温度未満の温度で加熱され、当該接合材料が溶融することにより、前記パッケージと前記蓋とが合され、
前記封止工程において、前記第２の封止材は、前記第２の温度以上の温度で加熱される
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のパッケージの封止方法。
【請求項７】
開口部を有するパッケージと当該開口部を覆う蓋との間に、貫通孔を有する管状部材を一方の端部が外部に突出するように設け、当該管状部材と前記パッケージ又は前記蓋との間に封止材を設け、当該パッケージと当該蓋とを接合する接合工程と、
前記管状部材の前記端部には、流体の流通を制御する流体流通手段が接続され、当該流体流通手段により、前記パッケージの内部と外部との間で前記貫通孔を介して当該流体を流通させる流通工程と、
前記管状部材を除去し、前記封止材を溶融させて、当該管状部材を除去したときに形成される前記パッケージと前記蓋との間隙を封止する封止工程と
を備えることを特徴とするパッケージの封止方法。
【請求項８】
開口部を有するパッケージにアルカリ金属原子を収容する収容部を配置し、前記パッケージと前記開口部を覆う蓋との間に第１の貫通孔を有する管状部材を一方の端部が外部に突出するように配置し、当該管状部材と前記パッケージ又は前記蓋との間に第１の封止材を設け、前記パッケージと前記蓋との間に、第２の貫通孔を有する第２の封止材を設け、前記パッケージと前記蓋とを接合する接合工程と、
前記管状部材の前記端部には、流体の流通を制御する流体流通手段が接続され、当該流体流通手段により、前記第２の貫通孔を介して前記パッケージの内部にコーティング剤を流入させ、当該コーティング剤により当該パッケージの内面に膜を形成し、当該流体流通手段により、前記パッケージ内部の前記コーティング剤を前記第２の貫通孔を介して外部に流出させる流通工程と、
前記管状部材を除去し、前記第１の封止材を溶融させて、当該管状部材の除去したときに形成される前記パッケージと前記蓋との間隙を封止し、前記第２の封止材を溶融させて、前記第２の貫通孔を封止する封止工程と、
前記収容部にレーザ光を照射して、当該収容部を破壊する破壊工程と、
を備えることを特徴とするガスセルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パッケージの封止方法およびガスセルの製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月7日(2015.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】蓄電装置用負極
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファスＰＡＨｓと、
Ｓｎ、Ａｌ、Ｚｎ、またはＢｉの金属と、
集電体と、を含み、
前記金属は、前記アモルファスＰＡＨｓの外表面に付着している蓄電装置用負極。
【請求項２】
前記金属は、前記アモルファスＰＡＨｓに対して、１重量％以上５０重量％以下である
請求項１に記載の蓄電装置用負極。
【請求項３】
アモルファスＰＡＨｓと、
ＳｎＯ２、Ｓｎ２Ｐ２Ｏ７、ＳｎＰＢＯ６、ＳｎＰＯ４Ｃｌ、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＭｎＯ２、またはＦｅＰＯ４の金属化合物と、
集電体と、を含み、
前記金属化合物は、前記アモルファスＰＡＨｓの外表面に付着している蓄電装置用負極。
【請求項４】
前記金属化合物は、前記アモルファスＰＡＨｓに対して、１重量％以上５０重量％以下である
請求項３に記載の蓄電装置用負極。
【請求項５】
アモルファスＰＡＨｓと、
Ｓｉ、Ｓｂ、またはＳｉＯ２と、
集電体と、を含み、
前記Ｓｉ、前記Ｓｂ、または前記ＳｉＯ２は、前記アモルファスＰＡＨｓの外表面に付着している蓄電装置用負極。
【請求項６】
前記Ｓｉ、前記Ｓｂ、または前記ＳｉＯ２は、前記アモルファスＰＡＨｓに対して、１重量％以上５０重量％以下である
請求項５に記載の蓄電装置用負極。
【請求項７】
前記アモルファスＰＡＨｓは、球状である、
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の蓄電装置用負極。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月30日(2015.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極箔と負極箔とが互いに絶縁された状態で多重に積層された電極体であって、前記正極箔及び前記負極箔の両極箔の少なくとも一方の極箔の端部が他方の極箔の側端から積層状態で突出した突出部を有する電極体と、
前記突出部に当接する当接部を有する集電体と、
前記突出部と対向する対向面を有する金属材であって、前記突出部を前記集電体の前記当接部とで挟んで接合する金属材とを備え、
該金属材の前記対向面の端部領域のうちの、少なくとも前記対向面に沿った一方向における端部領域は、前記対向面の中央部領域よりも、前記集電体の前記当接部から離間する方向に変位している
蓄電素子。
【請求項２】
正極箔と負極箔とが互いに絶縁された状態で多重に積層された電極体であって、前記正極箔及び前記負極箔の両極箔の少なくとも一方の極箔の端部が他方の極箔の側端から積層状態で突出した突出部を有する電極体と、
前記突出部に当接する当接部を有する集電体と、
前記突出部と対向する対向面を有する金属材であって、前記突出部を前記集電体の前記当接部とで挟んで接合する金属材とを備え、
該金属材の前記対向面の中央部領域は、前記対向面の端部領域のうちの、少なくとも前記対向面に沿った一方向における端部領域よりも、前記集電体の前記当接部に近づく方向に変位している
蓄電素子。
【請求項３】
前記金属材の前記対向面の前記端部領域は、前記集電体の前記当接部から離間する方向への変位量が前記金属材の外縁に向かうにつれて次第に大きくなるように傾斜するテーパー面に形成されている
請求項１又は請求項２に記載の蓄電素子。
【請求項４】
前記金属材は、板状であり、少なくとも前記対向面に沿った前記一方向における前記金属材の端部が折り曲げられている
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の蓄電素子。
【請求項５】
前記金属材は、加圧を伴う溶接により前記突出部に接合され、
前記金属材の前記端部は、前記加圧によって折り曲げられている
請求項４に記載の蓄電素子。
【請求項６】
前記金属材の前記端部と前記金属材の中央部との境界に沿って凹みが形成されている
請求項５に記載の蓄電素子。
【請求項７】
前記金属材は、板状であり、少なくとも前記対向面に沿った前記一方向における前記金属材の端部の厚みが前記金属材の中央部よりも薄く形成されている
請求項１乃至請求項３の何れか一項に記載の蓄電素子。
【請求項８】
正極箔と負極箔とが互いに絶縁された状態で多重に積層された電極体であって、前記正極箔及び前記負極箔の両極箔の少なくとも一方の極箔の端部が他方の極箔の側端から積層状態で突出した突出部を有する電極体と、
前記突出部に当接する当接部を有する集電体と、
前記突出部と対向する対向面を有する金属材であって、前記突出部を前記集電体の前記当接部とで挟んで接合する金属材とを備え、
該金属材は、前記集電体の前記当接部と該金属材とに挟まれる前記突出部の部分の厚さが、少なくとも前記対向面に沿った一方向における端部にて厚くなるように、形成されている
蓄電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月12日(2015.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフェンの層構造を有する炭素系材料を有する負極と、
プロピレンカーボネートを主成分とする電解液と、を有する二次電池であって、
前記炭素系負極材料は、結晶性を有し、
前記炭素系負極材料は、細孔を有することを特徴とする二次電池。
【請求項２】
グラフェンの層構造を有する炭素系材料を有する負極と、
プロピレンカーボネートを主成分とする電解液と、を有する二次電池であって、
前記炭素系負極材料は、結晶性を有し、
前記炭素系負極材料は、細孔を有し、
前記グラフェンの層間距離は、前記電解液とリチウムイオンとでなる溶媒和リチウムイオンの大きさよりも広いことを特徴とする二次電池。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記炭素系材料の細孔は、２ｎｍから４ｎｍの直径を有することを特徴とする二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に、第１の電極、発光性の有機化合物を含む層、及び第２の電極をこの順で設けることで発光素子を作製し、発光部を形成する第１のステップと、
第２の基板上に、フリットペーストを塗布し加熱することでガラス層を形成する第２のステップと、
不活性雰囲気下で、前記第２の基板上に前記ガラス層の外周を囲むように光硬化性樹脂を塗布し、樹脂層を形成する第３のステップと、
減圧下で、前記第１の基板及び前記第２の基板を対向するように配置し、前記樹脂層に光を照射し、前記樹脂層を硬化させる第４のステップと、
大気中で前記ガラス層にレーザ光を照射し前記ガラス層を溶融させた後、硬化させる第５のステップと、をこの順で行うことを特徴とする、発光装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に、トランジスタと、第１の電極、発光性の有機化合物を含む層、及び第２の電極をこの順で設けることで発光素子と、を作製し、発光部を形成する第１のステップと、
第２の基板上に、フリットペーストを塗布し加熱することでガラス層を形成する第２のステップと、
不活性雰囲気下で、前記第２の基板上に前記ガラス層の外周を囲むように光硬化性樹脂を塗布し、樹脂層を形成する第３のステップと、
減圧下で、前記第１の基板及び前記第２の基板を対向するように配置し、前記樹脂層に光を照射し、前記樹脂層を硬化させる第４のステップと、
大気中で前記ガラス層にレーザ光を照射し前記ガラス層を溶融させた後、硬化させる第５のステップと、をこの順で行うことを特徴とする、発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記トランジスタは、チャネルが酸化物半導体層に形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年8月17日(2015.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体上に緩和層を有し、前記緩和層上に、ウィスカーを有する活物質層を有し、前記緩和層の内部応力は、前記活物質層の内部応力と異なる方向の応力であることを特徴とする蓄電装置の電極。
【請求項２】
請求項１において、前記緩和層の内部応力は圧縮応力であり、前記活物質層の内部応力は引張応力であることを特徴とする蓄電装置の電極。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記緩和層は導電性材料で形成されていることを特徴とする蓄電装置の電極。
【請求項４】
集電体と、ウィスカーを有する活物質層と、緩和層と、を有し、前記集電体は、前記活物質層と前記緩和層の間に設けられ、前記緩和層の内部応力は、前記活物質層の内部応力と同じ方向の応力であることを特徴とする蓄電装置の電極。
【請求項５】
請求項４において、前記緩和層と前記活物質層の内部応力は、引張応力であることを特徴とする蓄電装置の電極。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記緩和層は絶縁性材料で形成されていることを特徴とする蓄電装置の電極。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記ウィスカーは、結晶性シリコンを有することを特徴とする蓄電装置の電極。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の前記電極を搭載した蓄電装置。