【事件の表示】
　特願２０１６−５１２９８８「ＩＩＩ−窒化物トランジスタレイアウト」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年１１月　６日国際公開、ＷＯ２０１４／１７９７９６、平成２８年　６月２３日国内公表、特表２０１６−５１８７２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１４年５月５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１３年５月３日（以下「優先日」という。）、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２９年４月２４日に手続補正書が提出され、同年１２月７日付けで拒絶理由が通知され、平成３０年６月８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年１０月３０日付けで拒絶査定がなされた。それに対して、平成３１年３月４日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出された。
第２　平成３１年３月４日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成３１年３月４日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１４と補正するものであり、そのうちの、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである。（下線部は、補正箇所である。）
「【請求項１】
　半導体デバイスであって、
　ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板と、
　前記基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の低欠陥層と、
　前記低欠陥層上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層であって、２４−２８％のＡｌＮと７６−７２％のＧａＮとを含む、前記障壁層と、
　第１のガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ　ＦＥＴ）であって、
　前記障壁層の上に配置されるゲートと、
　前記低欠陥層の上に配置されるドレインコンタクトと、
　前記低欠陥層の上に配置されるソースコンタクトと、
　を含む、前記第１のＧａＮ　ＦＥＴと、
　前記ゲートと同じ構造を有する、前記障壁層の上に配置される隔離ゲート構造であって、前記低欠陥層における２次元電子ガスの第１の領域を前記２次元電子ガスの第２の領域から電気的に隔離するように動作し得る、前記隔離ゲート構造と、
　を含み、
　前記隔離ゲート構造が前記ゲートと連続的であり、前記第１の領域が前記ドレインコンタクトと連続的であり、前記第２の領域が前記ソースコンタクトと連続的である、半導体デバイス。」
（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載
　平成３０年６月８日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４のうちの、特許請求の範囲の請求項１は、以下のとおりである。
「【請求項１】
　半導体デバイスであって、
　ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板と、
　前記基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の低欠陥層と、
　前記低欠陥層上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層と、
　第１のガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ　ＦＥＴ）であって、
　前記障壁層の上に配置されるゲートと、
　前記低欠陥層の上に配置されるドレインコンタクトと、
　前記低欠陥層の上に配置されるソースコンタクトと、
　を含む、前記第１のＧａＮ　ＦＥＴと、
　前記ゲートと同じ構造を有する、前記障壁層の上に配置される隔離ゲート構造であって、前記低欠陥層における２次元電子ガスの第１の領域を前記２次元電子ガスの第２の領域から電気的に隔離するように動作し得る、前記隔離ゲート構造と、
　を含み、
　前記隔離ゲート構造が前記ゲートと連続的であり、前記第１の領域が前記ドレインコンタクトと連続的であり、前記第２の領域が前記ソースコンタクトと連続的である、半導体デバイス。」
２　補正の適否
　本件補正は、請求項１についての補正（以下「補正事項１」という。）を含むものであるところ、当該補正事項１は、本件補正前の請求項１について、「ＩＩＩ−Ｖ半導体材料の障壁層」について、「障壁層であって、２４−２８％のＡｌＮと７６−７２％のＧａＮとを含む、前記障壁層」と限定する補正を含むものあって、本件補正前の発明と本件補正後の発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一である特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　したがって、当該補正事項１は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下において検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記「１（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載」に記載したとおりのものである。 
（２）引用文献の記載事項及び引用発明
ア　引用文献１の記載
　原査定の拒絶理由で引用された、本願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２０１１−１２４３８５号公報（原査定で引用された引用文献１。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、化合物半導体装置及びその製造方法に関し、特に高移動度のキャリア走行層を持つ化合物半導体素子を有する窒化物系化合物半導体装置及びその製造方法に関する。【背景技術】
【０００２】
　ガリウムナイトライド（ＧａＮ）系化合物半導体を用いた窒化物系化合物半導体装置として、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ：high electronmobility transistor）が知られている。特に、ｎチャネル導電型ＨＥＭＴは、高い電子（キャリア）の移動度を有し、高周波特性に優れている。
【０００３】
　ＨＥＭＴは、キャリア走行層（キャリアチャネル層）として機能するガリウムナイトライド（ＧａＮ）層と、このＧａＮ層上にヘテロ接合によって積層されたキャリア供給層（バリア層）として機能するアルミニウムガリウムナイトライド（ＡｌＧａＮ）層とを有する窒化物系半導体機能層に構成される。ＧａＮ層のヘテロ接合近傍には高移動度の電子（エレクトロン）が走行する二次元電子ガス（２ＤＥＧ：two-dimensionalelectron gas）チャネルが生成される。二次元電子ガスチャネルにはソース電極及びドレイン電極が接続され、ソース電極とドレイン電極との間にはゲート電極が配設される。このような構造を有するＨＥＭＴにおいては、自発分極や格子不整合を用いたピエゾ電界により高いキャリア密度を実現することができる。」
（イ）「【００１９】
（実施例１）
　本発明の実施例１は、化合物半導体素子をＨＥＭＴとする窒化物系化合物半導体装置に本発明を適用した例を説明するものである。
【００２０】
［窒化物系化合物半導体装置の構造］
　図１乃至図３に示すように、実施例１に係る
窒化物系化合物半導体装置１は、二次元キャリアガスチャネル３１０を有し、キャリア走行層として機能する第１の化合物半導体層３１と、第１の化合物半導体層３１上に配設され、キャリア供給層（バリア領域）として機能する第２の化合物半導体層３２と、二次元キャリアガスチャネル３１０上に配設された第１の電極６１と、二次元キャリアガスチャネル３１０上において第１の電極６１から離間して配設された第２の電極４２と、を備えた化合物半導体素子１０と、化合物半導体素子１０の周囲を取り囲む領域の少なくとも一部において二次元キャリアガスチャネル３１０上に配設され、この二次元キャリアガスチャネル３１０のキャリア濃度を減少させる反対導電型の電極層６０１を持つ外周電極６２を有する外周領域１１とを備える
【００２１】
　
第１の化合物半導体層３１及び第２の化合物半導体層３２は化合物半導体機能層３を構築し、この化合物半導体機能層３に化合物半導体素子１０が構成される
化合物半導体素子１０は
ｎチャネル導電型ＨＥＭＴである
二次元キャリアガスチャネル３１０は二次元電子ガスチャネルである
【００２２】
　
化合物半導体機能層３は
基板２上に配設される
基板２には
シリコン基板
が使用される
化合物半導体機能層３は第１の化合物半導体層３１の第２の化合物半導体層３２とは対向する裏面にバッファ層３３を備え-、化合物半導体機能層３はこのバッファ層３３を介して結晶性の整合性を確保した状態において基板２上に配設されている
【００２３】
　化合物半導体機能層３はここではIII族窒化物系半導体材料により構成されている。代表的なIII族窒化物系半導体はＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）により表される。更に、実施例１において、化合物半導体機能層３の第１の化合物半導体層３１のＡｌ（アルミニウム）の組成比ｘ１が０≦ｘ１＜１の範囲であり、第２の化合物半導体層３２のＡｌの組成比ｘ２が０＜ｘ２≦１の範囲であり、Ａｌの組成比ｘ２がＡｌの組成比ｘ１に比べて大きい（ｘ１＜ｘ２）関係にあるとき、第１の化合物半導体層３１はＡｌx1Ｇａ1-x1Ｎにより表される窒化物半導体材料により構成され、第２の化合物半導体層３２はＡｌx2Ｇａ1-x2Ｎにより表される窒化物半導体材料により構成される。すなわち、
化合物半導体機能層３
ＧａＮからなる第１の化合物半導体層３１とＡｌＧａＮからなる第２の化合物半導体層３２との積層構造
により構成される
【００２４】
　実施例１において、第１の化合物半導体層３１の膜厚は例えば０．５μｍ−１０．０μｍに設定される。
第１の化合物半導体層３１にＧａＮ層を使用する場合、このＧａＮ層は
ノンドープ層である
第２の化合物半導体層３２がＡｌＧａＮ層である場合
Ａｌ組成が０．２６に設定されたノンドープ層であるＡｌＧａＮ層が使用される
バッファ層３３には、例えばＧａＮ層とアルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）層とを交互に複数積層した積層膜が使用される
・・・（略）・・・
【００２６】
　
化合物半導体素子１０は
第２の電極（第１の主電極）４２と
第２の電極４２に離間されかつ平行に延在する第３の電極（第２の主電極）４１と
第１の電極６１とを備えている
【００２７】
　ここでは、
第２の電極４２はドレイン電極として機能し、第３の電極４１はソース電極として機能する。第２の電極４２及び第３の電極４１は二次元キャリアガスチャネル３１０に対して低抵抗に接続するオーミック電極である
【００２８】
　
第１の電極６１は、
ゲート電極であり、第２の化合物半導体層３２上に配設される
【００２９】
　実施例１において、構造の簡素化並びに製造コストの削減化を目的として、第１の電極６１は、前述の外周領域１１の外周電極６２と同一構造により構成され、かつ製造プロセスにおいて同一製造工程により形成されている。例えば、第１の電極６１は、二次元キャリアガスチャネル３１０の導電型とは反対導電型の第１の電極層６０１を有し、第２の化合物半導体層３２の表面からその上方に向かって、この第１の電極層６０１と、第１の電極層６０１上の第２の電極層６０２と、第２の電極層６０２上の第３の電極層６０３と、第３の電極層６０３上の第４の電極層６０４とを積層した複合膜により構成されている。この第１の電極６１の具体的な構造、材料等は外周領域１１の説明において詳述する。」
（ウ）「【００３０】
　図２中、化合物半導体素子１０の第２の電極４２は、同一幅寸法においてＹ方向（縦方向）に延在し、Ｘ方向（横方向）に複数本配列されている。この配列本数に限定されるものではないが、第２の電極４２は３本配列されている。複数本の第２の電極４２は、Ｙ方向下側の一端において第２の外部端子（ボンディングパッド）４２Ｐに一体に連結される（電気的に接続される）。
第２の電極４２は、Ｚ方向から見て櫛形形状を有している
【００３１】
　第３の電極４１は、同一幅寸法において第２の電極４２に離間しかつ同一のＹ方向に延在し、Ｘ方向に複数本配列されている。ここでは、第３の電極４１は４本配列されている。複数本の第３の電極４１は、Ｙ方向上側の一端において第３の外部端子（ボンディングパッド）４１Ｐに一体に連結される（電気的に接続される）。
第３の電極４１は、Ｚ方向から見て、第２の電極４２と噛み合う櫛形形状を有している
【００３２】
　
第１の電極６１は
第２の電極４２と第３の電極４１との間をＹ方向に繰り返し延在しながらＸ方向に延在している
Ｚ方向から見て、第２の電極４２と第３の電極４１との間をくぐり抜ける蛇行形状を有している
（エ）「【００３３】
　図１乃至図３に示すように、外周領域１１は、第１の電極６１の断面構造と同様に、第２の化合物半導体層３２の表面からこの第２の化合物半導体層３２内において二次元キャリアガスチャネル３１０に向かって掘り下げられた、更に詳細には第２の化合物半導体層３２の表面上に配設された絶縁層５の表面から第２の化合物半導体層３２内に掘り下げられた第２のリセス（凹部）３２４と、この第２のリセス３２４内部に配設された外周電極６２とを備えている。
【００３４】
　この外周領域１１の外周電極６２は、第１の電極６１と同様に第１の電極層６０１乃至第４の電極層６０４を備えている。第１の電極層６０１には、実施例１において、二次元キャリアガスチャネル３１０の導電型とは反対導電型であるｐ型金属酸化物半導体が使用される。このｐ型金属酸化物半導体には、酸化ニッケル（ＮｉＯx、ｘ＝１〜２。）、酸化鉄、酸化コバルト、酸化マンガン、酸化銅のいずれかを実用的に使用することができる。ここでは、第１の電極層６０１には、例えば２０ｎｍ−１０００ｎｍの膜厚を有するＮｉＯxが使用される。
【００３５】
　また、第１の電極層６０１にはｐ型窒化物半導体を使用することができる。ｐ型窒化物半導体には、ｐ型ドープＡｌＧａＮ、ｐ型ドープＧａＮ、ｐ型ドープＩｎＧａＮのいずれかを実用的に使用することができる。例えば、第１の電極層６０１には、マグネシウム（Ｍｇ）をドープした８０ｎｍ−１２０ｎｍの膜厚を有するｐ型ドープＧａＮが使用される。」
（オ）「【００４１】
［リーク電流防止領域の動作原理］
　実施例１に係る窒化物系化合物半導体装置１の外周領域１１の動作原理は以下の通りである。
【００４２】
　まず、化合物半導体素子１０の第１の電極６１の直下以外には、図４に示すように、化合物半導体機能層３の第１の化合物半導体層３１と第２の化合物半導体層３２とのヘテロ接合界面近傍において第１の化合物半導体層３１に二次元キャリアガスチャネル３１０が生成される。第１の電極６１の直下以外とは、第１の電極６１と第２の電極４２との間の第１の化合物半導体層３１、第１の電極６１と第３の電極４１との間の第１の化合物半導体層３１、第２の電極４２直下の第１の化合物半導体層３１及び第３の電極４１（審決注：「第１の電極４１」は誤記と認定した。）直下の第１の化合物半導体層３１を意味する。
【００４３】
　図中、符号Ｅfはフェルミ準位、Ｅcは伝導帯準位、Ｅvは価電子帯準位である。第１の化合物半導体層３１のバンドギャップは約３．５Ｖ、第２の化合物半導体層３２のバンドギャップは約３．８Ｖ−４．６Ｖである。・・・（略）・・・この結果、伝導帯準位Ｅcのレベルがフェルミ準位Ｅfよりも低くなる三角形状のポテンシャル井戸が発生し、このポテンシャル井戸に第２の化合物半導体層３２のドナーから発生した電子が集まり、二次元キャリアガスチャネル３１０が生成される。
【００４４】
　一方、外周領域１１の外周電極６２の直下には、図５に示すように、化合物半導体機能層３の第１の化合物半導体層３１と第２の化合物半導体層３２とのヘテロ接合界面近傍において第１の化合物半導体層３１に二次元キャリアガスチャネル３１０が生成されない。外周領域１１においては、第２のリセス３２４によって第２の化合物半導体層３２の厚みが減少されている。これによって、第２の化合物半導体層３２のドナーから発生される電子の二次元キャリアガスチャネル３１０への供給量そのものを減少することができ、二次元キャリアガスチャネル３１０のキャリア（電子）濃度を減少することができる。
【００４５】
　更に、外周領域１１の外周電極６２は第２のリセス３４２内に配設され、この外周電極６２には二次元キャリアガスチャネル３１０の導電型（ｎ型）とは反対導電型（ｐ型）を有する第１の電極層６０１が生成されているので、三角形状のポテンシャル井戸が引き上げられ、伝導帯準位Ｅcのレベルはフェルミ準位Ｅfよりも高く押し上げられる。外周電極６２は、その直下において二次元キャリアガスチャネル３１０をｐ型反転させ、ノーマリーオフ状態に保持する。
【００４６】
　なお、化合物半導体素子１０においては、第１の電極６１が外周電極６２と同一構造を備えているので、同様の動作原理に基づき、第１の電極６１の直下の二次元キャリアガスチャネル３１０はｐ型反転し、ノーマリーオフ状態が保持される。
【００４７】
　すなわち、外周領域１１は、外周電極６２直下において二次元キャリアガスチャネル３１０を発生させることがなく、化合物半導体素子１０の動作に関係なく、ノーマリーオフ状態に保持する機能を有する。この結果、化合物半導体機能層３の側壁を通じて化合物半導体素子１０に流れ込むリーク電流を完全に遮断することができる。
【００４８】
　なお、実施例１に係る窒化物系化合物半導体装置１においては、外周領域１１は第２のリセス３２４とこの第２のリセス３２４内に配設された外周電極６２とを備えているが、第２のリセス３２４は配設しないで外周領域１１は外周電極６２のみで構成してもよい。」
（カ）図１は、以下のとおりである。
　図１から、第１の化合物半導体層３１において、第１の電極６１の下方には二次元キャリアガスチャネル３１０は形成されておらず、第３の電極４１と連続的である領域の二次元キャリアガスチャネル３１０と、第２の電極４２と連続的である領域の二次元キャリアガスチャネル３１０とは、第１の電極６１の下方で離間していることが見てとれる。
（キ）図２は、以下のとおりである。
　図２から、第２の電極４２は、Ｚ方向から見て櫛形形状を有しており、第３の電極４１は、Ｚ方向から見て第２の電極２と噛み合う櫛形形状を有しており、第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１との間をＹ方向に繰り返し延在しながらＸ方向に延在し、Ｚ方向から見て、第２の電極４２と第３の電極４１との間をくぐり抜ける蛇行形状を有していることが見てとれる。
　また、第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１とが並列している間に配置されている部分と、Ｙ方向上側に当該部分以外の部分とを有していることが見てとれる。
イ　引用発明
　上記アから、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「窒化物系化合物半導体装置１であって、
(ア)二次元キャリアガスチャネル３１０を有し、キャリア走行層として機能する第１の化合物半導体層３１と、第１の化合物半導体層３１上に配設され、キャリア供給層（バリア領域）として機能する第２の化合物半導体層３２と、二次元キャリアガスチャネル３１０上に配設された第１の電極６１と、二次元キャリアガスチャネル３１０上において第１の電極６１から離間して配設された第２の電極４２と、第２の電極４２に離間されかつ平行に延在する第３の電極４１とを備えた化合物半導体素子１０と、化合物半導体素子１０の周囲を取り囲む領域の少なくとも一部において二次元キャリアガスチャネル３１０上に配設され、この二次元キャリアガスチャネル３１０のキャリア濃度を減少させる反対導電型の電極層６０１を持つ外周電極６２を有する外周領域１１とを備え、
(イ)第１の化合物半導体層３１及び第２の化合物半導体層３２は化合物半導体機能層３を構築し、この化合物半導体機能層３に化合物半導体素子１０が構成され、化合物半導体素子１０はｎチャネル導電型ＨＥＭＴであり、二次元キャリアガスチャネル３１０は二次元電子ガスチャネルであり、
(ウ)化合物半導体機能層３は基板２上に配設され、基板２にはシリコン基板が使用され、化合物半導体機能層３は第１の化合物半導体層３１の第２の化合物半導体層３２とは対向する裏面にバッファ層３３を備え、化合物半導体機能層３はこのバッファ層３３を介して結晶性の整合性を確保した状態において基板２上に配設されており、
(エ)化合物半導体機能層３は、ＧａＮからなる第１の化合物半導体層３１とＡｌＧａＮからなる第２の化合物半導体層３２との積層構造により構成され、
(オ)第１の化合物半導体層３１は、ノンドープ層であり、第２の化合物半導体層３２は、Ａｌ組成が０．２６に設定されたノンドープ層であるＡｌＧａＮ層が使用され、
(カ)バッファ層３３には、例えばＧａＮ層とアルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）層とを交互に複数積層した積層膜が使用され、
(キ)第２の電極４２はドレイン電極として機能し、第３の電極４１はソース電極として機能し、第２の電極４２及び第３の電極４１は二次元キャリアガスチャネル３１０に対して低抵抗に接続するオーミック電極であり、
(ク)第１の電極６１は、ゲート電極であり、第２の化合物半導体層３２上に配設され、
(ケ)第２の電極４２は、Ｚ方向から見て櫛形形状を有しており、第３の電極４１は、Ｚ方向から見て、第２の電極２と噛み合う櫛形形状を有しており、第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１との間をＹ方向に繰り返し延在しながらＸ方向に延在し、Ｚ方向から見て、第２の電極４２と第３の電極４１との間をくぐり抜ける蛇行形状を有しており、また、第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１とが並列している間に配置されている部分Ａと、図２におけるＹ方向上側に当該部分Ａ以外の部分Ｂとを有している、窒化物系化合物半導体装置１。」
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明を以下のように分説する。
「【請求項１】
（Ａ）半導体デバイスであって、
（Ｂ）ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板と、
（Ｃ）前記基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の低欠陥層と、
（Ｄ）前記低欠陥層上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層であって、２４−２８％のＡｌＮと７６−７２％のＧａＮとを含む、前記障壁層と、
（Ｅ）第１のガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ　ＦＥＴ）であって、
　　前記障壁層の上に配置されるゲートと、
　　前記低欠陥層の上に配置されるドレインコンタクトと、
　　前記低欠陥層の上に配置されるソースコンタクトと、
　　を含む、前記第１のＧａＮ　ＦＥＴと、
（Ｆ）前記ゲートと同じ構造を有する、前記障壁層の上に配置される隔離ゲート構造であって、前記低欠陥層における２次元電子ガスの第１の領域を前記２次元電子ガスの第２の領域から電気的に隔離するように動作し得る、前記隔離ゲート構造と、
　を含み、
（Ｇ）前記隔離ゲート構造が前記ゲートと連続的であり、（Ｈ）前記第１の領域が前記ドレインコンタクトと連続的であり、前記第２の領域が前記ソースコンタクトと連続的である、（Ａ）半導体デバイス。」
イ　本件補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「窒化物系化合物半導体装置１」は、本件補正発明の（Ａ）の「半導体デバイス」に相当する。
　また、引用発明の「窒化物系化合物半導体装置１」が備える「ｎチャネル導電型ＨＥＭＴ」である「化合物半導体素子１０」は、「ＧａＮからなる第１の化合物半導体層３１」を備えるから、本件補正発明の（Ｅ）の「第１のガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ　ＦＥＴ）」に相当する。
（イ）本件補正発明の「ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板」について、本件明細書の発明の詳細な説明の段落【０００９】には、「基板１０２はまた、例えば、シリコンベースのウエハ及びアルミニウム窒化物の隔離層、及びシリコンベースのウエハと電気的隔離層との間のグレーデッド（graded）ＡｌｘＧａ１−ｘＮのバッファ層を含み得る。」と記載されている。
　したがって、本件補正発明の「ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板」は、「シリコンベースのウエハ及びＩＩＩ−Ｎ半導体材料の層を含む基板」も含むことと解される。
　よって、引用発明の「『シリコン基板が使用され』る『基板２』」及び基板２上の「『例えばＧａＮ層とアルミニウムナイトライド（ＡｌＮ）層とを交互に複数積層した積層膜が使用され』る『バッファ層３３』」とを併せたものが、本件補正発明の（Ｂ）の「ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板」に相当する。
（ウ）本件補正発明の（Ｃ）の「低欠陥層」は、「前記基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の低欠陥層」であるところ、引用発明の「第１の化合物半導体層３１」は、引用発明の(ウ)から、「化合物半導体機能層３は基板２上に配設され」、引用発明の（エ）から、「化合物半導体機能層３は、ＧａＮからなる第１の化合物半導体層３１とＡｌＧａＮからなる第２の化合物半導体層３２との積層構造により構成され」るものであるから、本件補正発明の「前記基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の低欠陥層」と引用発明の「『基板上２上に配設され』る『ＧａＮからなる第１の化合物半導体層３１』」とは、「前記基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の層」である点で共通する。
（エ）本件補正発明の（Ｄ）の「前記低欠陥層上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層であって、２４−２８％のＡｌＮと７６−７２％のＧａＮとを含む、前記障壁層」と、引用発明の（ア）の「第１の化合物半導体層３１上に配設され、キャリア供給層（バリア領域）として機能する第２の化合物半導体層３２」とを対比する。
　引用発明において、「第２の化合物半導体層３２」は、引用発明の(ア)から、バリア層すなわち本件補正発明の「障壁層」に相当し、また、引用発明の(エ)から、「ＡｌＧａＮからなる第２の化合物半導体層３２」であるところ、「ＩＩＩ−Ｎ半導体材料」であるＡｌＧａＮは、ＡｌＮとＧａＮとを含む半導体材料であるといえる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記層上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層であって、ＡｌＮとＧａＮとを含む、前記障壁層」を含む点で一致する。
（オ）引用発明の(ア)における「化合物半導体素子１０」が備える「第２の電極４２」は、引用発明の(キ)から、「ドレイン電極として機能」するから、本件補正発明の（Ｅ）の「ドレインコンタクト」に相当する。
　引用発明の(ア)における「化合物半導体素子１０」が備える「第３の電極４１」は、引用発明の(キ)から、「ソース電極として機能」するから、本件補正発明の（Ｅ）の「ソースコンタクト」に相当する。
　また、引用発明において、引用発明の(ア)及び図１から、第２の電極４２と第３の電極は４１は、いずれも第１の化合物半導体層３１の上に配置される電極であるといえる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「第１のガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ　ＦＥＴ）であって、前記層の上に配置されるドレインコンタクトと、前記層の上に配置されるソースコンタクトと、を含む、前記第１のＧａＮ　ＦＥＴ」を含む点で一致する。
（カ）本件補正発明の（Ｅ）における、「第１のガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ　ＦＥＴ）」が含む「前記障壁層の上に配置されるゲート」、（Ｆ）の「前記ゲートと同じ構造を有する、前記障壁層の上に配置される隔離ゲート構造であって、前記低欠陥層における２次元電子ガスの第１の領域を前記２次元電子ガスの第２の領域から電気的に隔離するように動作し得る、前記隔離ゲート構造」、及び（Ｇ）の「前記隔離ゲート構造が前記ゲートと連続的であり」と、引用発明の（ア）における「第１の電極６１」とを対比する。
　引用発明の「第１の電極６１」は、引用発明の(ア)から、「化合物半導体素子１０」が備え、引用発明の(ク)から、「ゲート電極であり、第２の化合物半導体層３２上に配設され」、引用発明の(ケ)から、「第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１との間をＹ方向に繰り返し延在しながらＸ方向に延在し、Ｚ方向から見て、第２の電極４２と第３の電極４１との間をくぐり抜ける蛇行形状を有しており、また、第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１とが並列している間に配置されている部分と、図２におけるＹ方向上側に当該部分以外の部分とを有している」ところ、引用文献１の図１、２も参酌すると、「第１の電極６１」は、「化合物半導体素子１０」が備え、第２の化合物半導体層３２上に配設され、「第２の電極４２と第３の電極４１とが並列している間に配置されている部分Ａ」と、第２の化合物半導体層３２上に配設される、図２におけるＹ方向上側の「当該部分Ａ以外の部分Ｂ」とを含み、部分Ａと部分Ｂは同じ構造を有し、部分Ｂは部分Ａと連続的であるといえる。
　したがって、引用発明において、第１の電極６１のうち、「第２の電極４２と第３の電極４１とが並列している間に配置されている部分Ａ」は、本件補正発明の「ゲート」に相当する。また、引用発明において、第１の電極６１のうち、図２におけるＹ方向上側の「当該部分Ａ以外の部分Ｂ」は、本件補正発明の「前記ゲートと同じ構造」を有し、「前記ゲートと連続的」である構造である点で共通する。
　そうすると、上記（エ）、（オ）における対比も併せると、本件補正発明と引用発明とは、
「第１のガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ　ＦＥＴ）であって、
　前記障壁層の上に配置されるゲートと、
　前記層の上に配置されるドレインコンタクトと、
　前記層の上に配置されるソースコンタクトと、
　を含む、前記第１のＧａＮ　ＦＥＴと、
　前記ゲートと同じ構造を有する、前記障壁層の上に配置される構造と、
　を含み、
　前記構造が前記ゲートと連続的であ」る点で一致する。
ウ　以上をまとめると、本件補正発明と引用発明の一致点と相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
「半導体デバイスであって、
　ＩＩＩ−Ｎ半導体材料を含む基板と、
　前記基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の層と、
　前記層上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層であって、ＡｌＮとＧａＮとを含む、前記障壁層と、
　第１のガリウム窒化物電界効果トランジスタ（ＧａＮ　ＦＥＴ）であって、
　前記障壁層の上に配置されるゲートと、
　前記層の上に配置されるドレインコンタクトと、
　前記層の上に配置されるソースコンタクトと、
　を含む、前記第１のＧａＮ　ＦＥＴと、
　前記ゲートと同じ構造を有する、前記障壁層の上に配置される構造と、
　を含み、
　前記構造が前記ゲートと連続的である、半導体デバイス。」
＜相違点＞
＜相違点１＞
　基板上に配置されるＩＩＩ−Ｎ半導体材料の層について、本件補正発明では、「低欠陥層」であるのに対し、引用発明では、「第１の化合物半導体層３１」が低欠陥層であるか否か不明である点。
＜相違点２＞
　ＩＩＩ−Ｎ半導体材料の障壁層について、本件補正発明では、「２４−２８％のＡｌＮと７６−７２％のＧａＮとを含む」のに対し、引用発明では、第２の化合物半導体層３２（本件補正発明の「障壁層」に相当。）は、「ＡｌＧａＮからなる」ものの、ＡｌＮとＧａＮの比率は特定されていない点。
＜相違点３＞
　本件補正発明では、ゲートと同じ構造を有し、ゲートと連続的である構造は、「隔離ゲート構造であって、前記低欠陥層における２次元電子ガスの第１の領域を前記２次元電子ガスの第２の領域から電気的に隔離するように動作し得る、前記隔離ゲート構造」であり、「前記第１の領域が前記ドレインコンタクトと連続的であり、前記第２の領域が前記ソースコンタクトと連続的である」のに対し、引用発明では、「第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１との間をＹ方向に繰り返し延在しながらＸ方向に延在し、Ｚ方向から見て、第２の電極４２と第３の電極４１との間をくぐり抜ける蛇行形状を有しており、また、第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１とが並列している間に配置されている部分Ａと、図２におけるＹ方向上側に当該部分Ａ以外の部分Ｂとを有している」ものの、本件補正発明の上記のような特定はなされていない点。
（４）判断
ア　相違点１について
　本件補正発明の（Ｃ）の「低欠陥層」について、本件の明細書の発明の詳細な説明の段落【００１０】には、「基板１０２の電気的隔離層上に低欠陥層１０４が形成される。低欠陥層１０４は、例えば、２５〜１０００ナノメートルのガリウム窒化物であり得る。
低欠陥層１０４は、電子移動度に対する悪影響を有し得る結晶欠陥を最小化するように形成され得
　本件の明細書及び図面のその他の箇所を精査しても、本件の明細書には、低欠陥層１０４における欠陥それ自体についての具体的な記載は見出せない。
　一方、引用発明において、「第１の化合物半導体層３１」は、引用発明の(ア)から、「二次元キャリアガスチャネル３１０を有し、キャリア走行層として機能する第１の化合物半導体層３１」であって、引用発明の(エ)から、「ＧａＮからなる第１の化合物半導体層３１」であり、引用発明の(オ)から、「ノンドープ層」であり、引用発明の(イ)から、「化合物半導体素子１０はｎチャネル導電型ＨＥＭＴであり、二次元キャリアガスチャネル３１０は二次元電子ガスチャネル」であるところ、引用発明の「第１の化合物半導体層３１」は、ｎチャネル導電型ＨＥＭＴのノンドープＧａＮの電子走行層であるといえる。
　また、上記（２）アに摘記の引用文献１の段落【０００２】に記載のように、ＧａＮ系化合物半導体を用いたｎチャネル導電型ＨＥＭＴは、「高い電子（キャリア）の移動度」を有することは技術常識であることも勘案すると、引用発明において、ｎチャネル導電型ＨＥＭＴのノンドープＧａＮの電子走行層の「第１の化合物半導体層３１」を、「低欠陥層」とすることは当業者であれば、当然なし得たことである。
　よって、引用発明において、相違点１に係る本件補正発明の構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことである。
イ　相違点２について
　引用発明において、引用発明の(オ)から、「第２の化合物半導体層３２は、Ａｌ組成が０．２６に設定されたノンドープ層であるＡｌＧａＮ層が使用され」るところ、障壁層は、２６％のＡｌＮと７４％のＧａＮを含むといえるから、引用発明の障壁層のＡｌＮとＧａＮの比率は、本件補正発明の障壁層のＡｌＮとＧａＮの比率である「２４−２８％のＡｌＮと７６−７２％のＧａＮ」との数値範囲に含まれる。
　よって、相違点２は、実質的なものではない。
ウ　相違点３について
（ア）ａ　上記（２）アに摘記のとおり、引用文献１の段落【００２９】には、「第１の電極６１の具体的な構造、材料等は外周領域１１の説明において詳述する。」と記載され、段落【００３３】〜【００４０】で外周領域について説明されており、そのうち、段落【００３３】〜【００３６】には、外周領域１１の外周電極６２は、第１の電極６１と同様に、ｐ型金属酸化物半導体若しくはｐ型窒化物半導体を使用する第１の電極層６０１を備えている旨が開示されている。
　また、上記（２）アに摘記のとおり、引用文献１の段落【００４５】〜【００４７】には、以下のように記載されている。
「【００４５】
　更に、外周領域１１の外周電極６２は第２のリセス３４２内に配設され、この
外周電極６２には二次元キャリアガスチャネル３１０の導電型（ｎ型）とは反対導電型（ｐ型）を有する第１の電極層６０１が生成されているので
外周電極６２は、その直下において二次元キャリアガスチャネル３１０をｐ型反転させ、ノーマリーオフ状態に保持する
【００４６】
　なお、化合物半導体素子１０においては、第１の電極６１が外周電極６２と同一構造を備えているので、同様の動作原理に基づき、
第１の電極６１の直下の二次元キャリアガスチャネル３１０はｐ型反転し、ノーマリーオフ状態が保持される
【００４７】
　すなわち、外周領域１１は、外周電極６２直下において二次元キャリアガスチャネル３１０を発生させることがなく、
化合物半導体素子１０の動作に関係なく
　したがって、化合物半導体素子１０は、第１の電極６１の直下に二次元キャリアガスチャネル３１０が生成されず、ノーマリーオフ状態が保持されるように動作すると理解できる。
ｂ　しかも、上記（２）アに摘記のとおり、引用文献１の段落【００２６】には、「化合物半導体素子（ＨＥＭＴ）１０は、第３の電極４１に印加される電位よりも高い電位が第２の電極４２に印加され、
第１の電極６１がオン状態になると、第２の電極４２から第３の電極４１に電流が流れる
　したがって、このことからも、化合物半導体素子１０は、ノーマリーオフ型のｎチャネルＨＥＭＴであることが明らかである。
（イ）ａ　上記（２）ア（カ）のとおり、引用文献１の図１から、第１の化合物半導体層３１において、第１の電極６１の下方には二次元キャリアガスチャネル３１０が生成されておらず、第３の電極４１と連続的である領域の二次元キャリアガスチャネル３１０と、第２の電極４２と連続的である領域の二次元キャリアガスチャネル３１０とは、第１の電極６１の下方で離間していることが見てとれる。
ｂ　また、上記（２）アに摘記のとおり、引用文献１の段落【００４２】には、「
化合物半導体素子１０の第１の電極６１の直下以外には、図４に示すように、
二次元キャリアガスチャネル３１０が生成される
第１の電極６１の直下以外とは
第２の電極４２直下の第１の化合物半導体層３１及び第３の電極４１直下の第１の化合物半導体層３１を意味する
　すなわち、引用文献１の図１に示されるのと同様に、段落【００４２】及び図４のエネルギバンド図にも、第１の電極６１の直下以外である、第２の電極４２直下の第１の化合物半導体層３１及び第３の電極４１直下の第１の化合物半導体層３１（に二次元キャリアガスチャネル３１０が生成される旨が開示されている。
（ウ）引用発明において、引用発明の(ケ）から、「第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１との間をＹ方向に繰り返し延在しながらＸ方向に延在し、Ｚ方向から見て、第２の電極４２と第３の電極４１との間をくぐり抜ける蛇行形状を有しており、また、第１の電極６１は、第２の電極４２と第３の電極４１とが並列している間に配置されている部分Ａと、図２におけるＹ方向上側に当該部分Ａ以外の部分Ｂとを有している」ところ、第１の電極６１のうち、上記「部分Ｂ」は、引用文献１の図２を参照すると、Ｘ方向に延在しながら、第３の電極４１の周囲を囲むことで、第２の電極４２と連続的である二次元キャリアガスチャネル３１０の領域と、第３の電極４１と連続的である二次元キャリアガスチャネル３１０の領域との間に配置されている構成であると解される。
　したがって、引用発明において、第１の電極６１の上記部分Ａの下方のみならず、上記部分Ｂの下方においても、上記（イ）で検討したのと同様に、第１の化合物半導体層３１において、第１の電極６１の下方には二次元キャリアガスチャネル３１０は生成されず、第３の電極４１と連続的である領域の二次元キャリアガスチャネル３１０と、第２の電極４２と連続的である領域の二次元キャリアガスチャネル３１０とは、第１の電極６１の下方で離間していることは明らかであり、また、上記（ア）で検討したように、化合物半導体素子１０は、ノーマリーオフ型のｎチャネルＨＥＭＴ素子であるといえるから、上記当該構成においては、第１の電極６１のオン・オフ動作によって、第２の電極４２と連続的である二次元キャリアガスチャネル３１０の領域と、第３の電極４１と連続的である二次元キャリアガスチャネル３１０の領域が電気的に隔離するように動作し得ることは、当業者にとって明らかである。
（エ）ここにおいて、第２の電極４２（ドレインコンタクト）と連続的である領域の二次元キャリアガスチャネル３１０（２次元電子ガス）の領域と、第３の電極４１（ソースコンタクト）と連続的である領域の二次元キャリアガスチャネル３１０（２次元電子ガス）の領域は、それぞれ本件補正発明の「第１の領域」と、「第２の領域」に対応するといえる。
　以上のとおりであるから、引用文献１には、本件補正発明における（低欠陥）層における「２次元電子ガスの第１の領域」と「前記２次元ガスの第２の領域」が、電気的に隔離するように動作し得ることが示されているといえる。
　よって、相違点３は、実質的なものではない。
エ　効果について
　発明の効果に関して、本件補正発明によって当業者が予期し得ない格別の効果が奏されるとは認められず、本件補正発明は当業者が容易に発明をすることができたものというほかない。
オ　判断についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから、引用発明において、相違点１に係る本件補正発明の構成を採用することは、当業者であれば容易になし得たことであり、相違点２及び相違点３は実質的なものではなく、また、上記相違点１を勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　したがって、本件補正発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
（５）独立特許要件についてのまとめ
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない。
３　本件補正についてのむすび　 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成３０年６月８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであり、上記「第２　１（２）本件補正前の特許請求の範囲の記載」に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、
１．（新規性）この出願の請求項１ないし１４に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１または２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない、
２．（進歩性）この出願の請求項１に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、請求項６及び１３に係る発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献２ないし４に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、請求項７及び１４にかかる発明は、その優先日前に日本国内又は外国において、頒布された下記の引用文献１及び２に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、
というものである。
引用文献１：特開２０１１−１２４３８５号公報
引用文献２：国際公開第２０１２／１１１３９３号
引用文献３：特開２０１０−０６２５５２号公報（周知技術を示す文献）
引用文献４：国際公開第２００７／０４０１６０号（周知技術を示す文献）
３　引用文献の記載と引用発明
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である、特開２０１１−１２４３８５号公報（引用文献１、再掲）には、上記「第２　２（２）ア　引用文献１の記載」に記載した事項が記載されており、引用文献１には上記「第２　２（２）イ　引用発明」に記載したとおりの引用発明が記載されている。
４　対比・判断
　本願発明は、上記「第２　２　補正の適否」で検討した本件補正発明において、「ＩＩＩ−Ｖ半導体材料の障壁層」についての限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を実質的に全て含み、更に他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２　２　補正の適否」において判断したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。