【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第１のＤＭＯＳトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、
前記ＭＯＳ構造に接続され、前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第２のＤＭＯＳトランジスタと、を備える、
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項２】
前記第１のＤＭＯＳトランジスタと、前記第２のＤＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳ構造とは、ゲート絶縁膜の膜厚が互いに等しい、
ことを特徴とする請求項１に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３】
前記第１のＤＭＯＳトランジスタと、前記第２のＤＭＯＳトランジスタとは、そのチャネル領域が形成される不純物領域の深さと不純物濃度とが相互に等しい、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項４】
前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項５】
前記第２のＤＭＯＳトランジスタにおける拡散領域であって前記ＭＯＳ構造に接続された拡散領域と、前記第２のＤＭＯＳトランジスタが配された基板との間にリーク電流が生じる
ことを特徴とする請求項４に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項６】
前記抵抗素子の抵抗値は、前記第２のＤＭＯＳトランジスタのオン抵抗の抵抗値より大きい
ことを特徴とする請求項４又は５に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項７】
前記ＭＯＳ構造と電源電圧を供給する電源ラインとの間に接続された第２の抵抗素子をさらに備える
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項８】
前記第２のＤＭＯＳトランジスタを駆動する駆動部をさらに備える
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項９】
前記駆動部は、インバータを含み、
前記インバータの出力は、前記第２のＤＭＯＳトランジスタのゲートに接続される
ことを特徴とする請求項８に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１０】
前記駆動部は、少なくとも１つのＭＯＳトランジスタを含む
ことを特徴とする請求項８又は９に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１１】
前記アンチヒューズ素子はメモリを構成する
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１２】
前記アンチヒューズ素子は、１回だけプログラム可能なメモリを構成する
ことを特徴とする請求項１１に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１３】
前記ＭＯＳ構造の前記ゲート絶縁膜を絶縁破壊することによって前記アンチヒューズ素子に情報を書き込む
ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１４】
前記ＭＯＳ構造の前記ゲート絶縁膜を絶縁破壊するために用いられる第１の電圧を供給する第１の電源ラインを含み、
前記第２のＤＭＯＳトランジスタは、前記第２のＤＭＯＳトランジスタが導通状態のときに前記ＭＯＳ構造に前記第１の電圧を供給する
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１５】
前記第１の電圧は、前記ＭＯＳ構造のブレークダウン電圧より大きい
ことを特徴とする請求項１４に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１６】
前記駆動部は、前記第１の電圧より小さい第２の電圧で動作する
ことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１７】
前記ＭＯＳ構造の前記ゲート絶縁膜の厚さは、前記第１の電圧が前記ＭＯＳ構造に供給されたときに前記ゲート絶縁膜が破壊され、且つ、前記第１の電圧より小さい電圧であって前記ＭＯＳ構造に記録された情報を読み出すための電圧が前記ＭＯＳ構造に供給されたときに前記ゲート絶縁膜が破壊されないように、設定される
ことを特徴とする請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１８】
前記ＭＯＳ構造の前記ゲート絶縁膜の厚さは、７．５ｎｍから１８ｎｍの範囲である
ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項１９】
記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第１のＤＭＯＳトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、
前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するために用いられる第１の電圧を供給する第１の電源ラインと、
前記ＭＯＳ構造に接続され、導通状態のときに前記ＭＯＳ構造に前記第１の電圧を供給することで前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第２のＤＭＯＳトランジスタと、
前記第２のＤＭＯＳトランジスタを前記導通状態に制御するための駆動部と、を備える
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項２０】
記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第１のＤＭＯＳトランジスタと、
第１の電圧を供給する第１の電源ラインと、
第２の電圧を供給する第２の電源ラインと、
第１のノードおよび第２のノードを含むアンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、
ソースおよびドレインを含む第２のＤＭＯＳトランジスタと、を備え、
前記第１の電源ラインは、前記アンチヒューズ素子の前記第１のノードに接続され、
前記第２のＤＭＯＳトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの一方は、前記アンチヒューズ素子の前記第２のノードに接続され、
前記第２のＤＭＯＳトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの他方は、前記第２の電源ラインに接続され、
前記第２のＤＭＯＳトランジスタは、導通状態のときに前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成され、
前記第２のＤＭＯＳトランジスタが前記導通状態のときに、前記アンチヒューズ素子の前記第１のノードと前記第２のノードとの間に、前記ＭＯＳ構造の前記ゲート絶縁膜を破壊する電圧が印加されるように、前記第１の電圧と前記第２の電圧とが設定される
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項２１】
記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第１のトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、
前記ＭＯＳ構造に接続され、前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第２のトランジスタと、
少なくとも１つのＭＯＳトランジスタを含み、前記第２のトランジスタを駆動する駆動部と、を備え
前記第１のトランジスタの耐圧および前記第２のトランジスタの耐圧は、前記少なくとも１つのＭＯＳトランジスタの耐圧より高い
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項２２】
記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第１のトランジスタと、
第１の電圧を供給する第１の電源ラインと、
第２の電圧を供給する第２の電源ラインと、
第１のノードおよび第２のノードを含むアンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、
ソースおよびドレインを含む第２のトランジスタと、
少なくとも１つのＭＯＳトランジスタを含み、前記第２のトランジスタを駆動する駆動部と、を備え
前記第１のトランジスタの耐圧および前記第２のトランジスタの耐圧は、前記少なくとも１つのＭＯＳトランジスタの耐圧より高く、
前記第１の電源ラインは、前記アンチヒューズ素子の前記第１のノードに接続され、
前記第２のトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの一方は、前記アンチヒューズ素子の前記第２のノードに接続され、
前記第２のトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの他方は、前記第２の電源ラインに接続され、
前記第２のトランジスタは、導通状態のときに前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成され、
前記第２のトランジスタが前記導通状態のときに、前記アンチヒューズ素子の前記第１のノードと前記第２のノードとの間に、前記ＭＯＳ構造の前記ゲート絶縁膜を破壊する電圧が印加されるように、前記第１の電圧と前記第２の電圧とが設定される
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項２３】
記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第１のトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、
前記ＭＯＳ構造に接続され、前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第２のトランジスタと、を備え、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、それぞれ、素子分離部の上に延在したゲート電極を有する
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項２４】
記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第１のトランジスタと、
第１の電圧を供給する第１の電源ラインと、
第２の電圧を供給する第２の電源ラインと、
第１のノードおよび第２のノードを含むアンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、
ソースおよびドレインを含む第２のトランジスタと、を備え、
前記第１の電源ラインは、前記アンチヒューズ素子の前記第１のノードに接続され、
前記第２のトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの一方は、前記アンチヒューズ素子の前記第２のノードに接続され、
前記第２のトランジスタの前記ソースおよび前記ドレインの他方は、前記第２の電源ラインに接続され、
前記第２のトランジスタは、導通状態のときに前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成され、
前記第２のトランジスタが前記導通状態のときに、前記アンチヒューズ素子の前記第１のノードと前記第２のノードとの間に、前記ＭＯＳ構造の前記ゲート絶縁膜を破壊する電圧が印加されるように、前記第１の電圧と前記第２の電圧とが設定され、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、それぞれ、素子分離部の上に延在したゲート電極を有する
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項２５】
前記素子分離部は、ＬＯＣＯＳ構造またはＳＴＩ構造を有する
ことを特徴とする請求項２３又は２４に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項２６】
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、それぞれ、ドレインを構成する第１導電型の第１の拡散領域と、ソースを構成する第１導電型の第２の拡散領域と、前記第１の拡散領域と隣り合って配される第１導電型の第１のウェル領域と、前記第２の拡散領域と隣り合って配される第２導電型の第２のウェル領域とを含み、
前記ゲート電極の一部は、前記第２のウェル領域の上に配される
ことを特徴とする請求項２３乃至２５のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項２７】
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタと、前記ＭＯＳ構造とは、ゲート絶縁膜の膜厚が互いに等しい、
ことを特徴とする請求項２１乃至２６のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項２８】
前記第１のトランジスタと、前記第２のトランジスタとは、そのチャネル領域が形成される不純物領域の深さと不純物濃度とが相互に等しい、
ことを特徴とする請求項２１乃至２７のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項２９】
前記アンチヒューズ素子と並列に接続された抵抗素子をさらに備える、
ことを特徴とする請求項２１乃至２８のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３０】
前記第２のトランジスタにおける拡散領域であって前記ＭＯＳ構造に接続された拡散領域と、前記第２のトランジスタが配された基板との間にリーク電流が生じる
ことを特徴とする請求項２９に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３１】
前記抵抗素子の抵抗値は、前記第２のトランジスタのオン抵抗の抵抗値より大きい
ことを特徴とする請求項２９又は３０に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３２】
電源電圧を供給する電源ラインと前記ＭＯＳ構造との間に接続された第２の抵抗素子をさらに備える
ことを特徴とする請求項２１乃至３１のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３３】
前記第２のトランジスタを駆動する駆動部をさらに備える
ことを特徴とする請求項２３乃至２６のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３４】
前記駆動部は、インバータを含み、
前記インバータの出力は、前記第２のトランジスタのゲートに接続される
ことを特徴とする請求項３３に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３５】
前記駆動部は、少なくとも１つのＭＯＳトランジスタを含む
ことを特徴とする請求項３３又は３４に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３６】
前記アンチヒューズ素子はメモリを構成する
ことを特徴とする請求項２１乃至３５のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３７】
前記アンチヒューズ素子は、１回だけプログラム可能なメモリを構成する
ことを特徴とする請求項３６に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３８】
前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊することによって前記アンチヒューズ素子に情報を書き込む
ことを特徴とする請求項３６又は３７に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項３９】
前記ＭＯＳ構造の前記ゲート絶縁膜を絶縁破壊するために用いられる第１の電圧を供給する第１の電源ラインを含み、
前記第２のトランジスタは、前記第２のトランジスタが導通状態のときに前記ＭＯＳ構造に前記第１の電圧を供給する
ことを特徴とする請求項２１又は２３に記載の記録ヘッド用基板。
【請求項４０】
記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、
前記電気熱変換素子を駆動するための第１のトランジスタと、
アンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、
前記ＭＯＳ構造に接続された第２のトランジスタと、
少なくとも１つのＭＯＳトランジスタを含み、前記第２のトランジスタを駆動する駆動部と、を備え
前記第１のトランジスタの耐圧および前記第２のトランジスタの耐圧は、前記少なくとも１つのＭＯＳトランジスタの耐圧より高く、
前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜が絶縁破壊された
ことを特徴とする記録ヘッド用基板。
【請求項４１】
請求項１乃至４０のいずれか１項に記載の記録ヘッド用基板と、
前記記録ヘッド用基板における前記電気熱変換素子の其々の駆動に応じて記録剤を吐出する複数のノズルと、を有する、
ことを特徴とする記録ヘッド。
【請求項４２】
請求項４１に記載の記録ヘッドと、
前記記録ヘッドの前記複数のノズルに記録剤を供給する記録剤容器と、
外部から入力された記録データを処理した結果を前記記録ヘッドに出力する信号処理部と、を備える
ことを特徴とする記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一つの側面は記録ヘッド用基板にかかり、前記記録ヘッド用基板は、記録剤を加熱するための電気熱変換素子と、前記電気熱変換素子を駆動するための第１のＤＭＯＳトランジスタと、アンチヒューズ素子を構成するＭＯＳ構造と、前記ＭＯＳ構造に接続され、前記ＭＯＳ構造のゲート絶縁膜を絶縁破壊するように構成された第２のＤＭＯＳトランジスタと、を備えることを特徴とする。