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【手続補正書】
【提出日】平成27年5月21日(2015.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚の外観を改善するための化粧品組成物であって、前記組成物はエマルションの形態であり；
孵化魚卵から得られる、触媒として活性なタンパク質；
不飽和脂肪酸およびステロールを含む天然物抽出物；および、
乳化剤、
を含む、
化粧品組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の化粧品組成物であって、
前記組成物は、水中油エマルションの形態である、
化粧品組成物。
【請求項３】
請求項１または２に記載の化粧品組成物であって、
前記天然物抽出物が、藻類抽出物である、
化粧品組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記天然物抽出物が、褐藻類の抽出物である、
化粧品組成物。
【請求項５】
請求項１または２に記載の化粧品組成物であって、
前記天然物抽出物が、植物の葉、茎、芽、または、根、もしくはこれらの組み合わせからの抽出物である、
化粧品組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記触媒として活性なタンパク質が、前記組成物の１×１０−８〜１×１０−５総重量％を構成する、
化粧品組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記触媒として活性なタンパク質が、ゾナーゼである、
化粧品組成物。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
さらにロイコレクチンを含む、
化粧品組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
さらにアスコルビン酸グルコシドを含む、
化粧品組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記組成物は、皮膚に適用されたときに、皮膚の張りを改善する、
化粧品組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記組成物は、皮膚に適用されたときに、皮膚の滑らかさを改善する、
化粧品組成物。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記魚卵がサケの卵である、
化粧品組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記組成物は、シリコーン、ワセリン、パラベン、および鉱油を実質的に含まない、
化粧品組成物。
【請求項１４】
皮膚の外観を改善するための化粧品組成物であって、前記組成物はエマルションであり；
孵化魚卵から得られ、触媒として活性なタンパク質を含む、タンパク質単離物；
不飽和脂肪酸およびステロールを含む藻類抽出物；および、
殺生物剤、
を含む、
化粧品組成物。
【請求項１５】
請求項１４に記載の化粧品組成物であって、
前記組成物は、シリコーン、ワセリン、パラベン、および鉱油を実質的に含まない、
化粧品組成物。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の化粧品組成物であって、
前記組成物は、アスコルビン酸グルコシドを含む、
化粧品組成物。
【請求項１７】
請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記触媒として活性なタンパク質が、前記組成物の１×１０−８〜１×１０−５総重量％を構成する、
化粧品組成物。
【請求項１８】
請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記藻類抽出物が、紅藻類、褐藻類または房形成シアノバクテリア由来である、
化粧品組成物。
【請求項１９】
請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記組成物は、皮膚に適用されたときに、皮膚の張りを改善する、
化粧品組成物。
【請求項２０】
請求項１４〜１９のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記組成物は、皮膚に適用されたときに、皮膚の滑らかさを改善する、
化粧品組成物。
【請求項２１】
請求項１４〜２０のいずれか１項に記載の化粧品組成物であって、
前記触媒として活性なタンパク質が、ゾナーゼである、
化粧品組成物。
【請求項２２】
請求項２１に記載の化粧品組成物であって、
前記ゾナーゼが、前記組成物の１×１０−８〜１×１０−５総重量％を構成する、
化粧品組成物。
【請求項２３】
請求項１４〜２２に記載の化粧品組成物であって、
前記タンパク質単離物が、さらにロイコレクチンを含む、
化粧品組成物。
【請求項２４】
請求項１に記載の化粧品組成物の製造方法であって、
前記方法は：
少なくとも１つの水相および少なくとも１つの疎水性相を形成する工程、ここで、少なくとも１つの相は前記乳化剤を含み、少なくとも１つの相は前記天然物抽出物を含む；
全ての相を混合し、エマルションを形成させる工程；および、
前記エマルションが形成された後、前記エマルションに前記活性タンパク質を加える工程、
を含む、
製造方法。
【請求項２５】
皮膚の外観を改善する方法であって、
前記方法は、皮膚の外観の改善を達成するために、請求項１〜２３のいずれか１項に記載の化粧品組成物を、少なくとも１週間に３回、ヒトの顔面皮膚に適用する工程を含む、
方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、
前記方法は、皮膚の張りの改善において効果的である、
方法。
【請求項２７】
請求項２５または２６に記載の方法であって、
前記方法は、皮膚の滑らかさの改善において効果的である、
方法。
【請求項２８】
皮膚の外観を改善する方法であって、
前記方法は、皮膚の外観の改善を達成するために、請求項１４〜２３のいずれか１項に記載の化粧品組成物を、少なくとも１週間に３回、ヒトの顔面皮膚に適用する工程を含み、それぞれ回において、皮膚の平方センチメートルあたり、前記タンパク質単離物を１×１０−６〜０．１ｍｇおよび前記不飽和脂肪酸を２×１０−７〜０．０２ｍｇの量で適用する結果となる、
方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法であって、
前記方法は、皮膚の張りの改善において効果的である、
方法。
【請求項３０】
請求項２８または２９に記載の方法であって、
前記方法は、皮膚の滑らかさの改善において効果的である、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月19日(2015.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電データを分析するための方法であって、
プロセッサにより、計測場所（１０５）における複数の発電機器に関連するデータを受信して、前記発電機器に関連する前記データをデータベースに保存するステップと、
前記プロセッサにより、前記発電機器が前記計測場所（１０５）において用いられる期間に関連するデータを受信して、前記データを前記データベースに保存するステップと、
前記プロセッサを用いて、発電機器に関連する前記データと、前記発電機器が前記計測場所（１０５）において用いられる前記期間に関連する前記データとを処理して、前記発電機器が電力系統（１１３）に電力を出力する期間を特定するステップであって、前記プロセッサが、系統（１１３）の負荷のピーク期間を示す系統（１１３）負荷データを受信し、前記発電機器を前記系統（１１３）に電力を出力する期間と前記系統（１１３）の負荷のピーク期間との相互関連に基づいて、好ましい期間を特定する、ステップと、
前記発電機器が電力系統（１１３）に電力を出力することが特定された前記期間に基づく前記発電機器が電力系統（１１３）に電力を出力する前記好ましい期間を示す通知メッセージを、前記計測場所（１０５）に送信するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記発電機器に関連する前記データが、前記発電機器の地理的な場所を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記発電機器に関連する前記データが、前記発電機器の種類を示すものを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記発電機器に関連する前記データが、前記発電機器の発電容量を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記発電機器が前記計測場所（１０５）において用いられる期間に関連する前記データが、計測機器からプロセッサで受信される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記発電機器が前記計測場所（１０５）において用いられる期間に関連する前記データが、前記期間での、前記計測場所（１０５）による、前記グリッド（１１３）への正味の出力電力を示すものを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記好ましい期間が、ディスプレイ（１０４）上でユーザーに出力される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記通知メッセージが、前記特定された好ましい期間に前記系統（１１３）に電力を出力するための、提案されたインセンティブを示す、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成26年12月3日(2014.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、リセット回路と、を有し、
前記第１の記憶回路は、揮発性の記憶回路であり、
前記第２の記憶回路は、容量素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体に形成されるトランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、チャネルがシリコンに形成されるトランジスタであり、
前記第１の記憶回路に保持されたデータは、前記第１のトランジスタを介して前記容量素子の一対の電極のうちの一方と、前記第２のトランジスタのゲートと、に入力され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の記憶回路と電気的に接続され、
前記リセット回路は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方の電位を、前記容量素子の一対の電極のうちの他方の電位と等しくする機能を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
第１の記憶回路と、第２の記憶回路と、リセット回路と、を有し、
前記第１の記憶回路は、揮発性の記憶回路であり、
前記第２の記憶回路は、容量素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタは、チャネルが酸化物半導体に形成されるトランジスタであり、
前記第２のトランジスタは、チャネルがシリコンに形成されるトランジスタであり、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記容量素子の一対の電極のうちの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の記憶回路と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の記憶回路と電気的に接続され、
前記リセット回路は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方の電位を、前記容量素子の一対の電極のうちの他方の電位と等しくする機能を有することを特徴とする記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月8日(2015.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放送受信手段と通信送受信手段とを備え、編成チャンネルに紐付いたアプリケーションおよび紐付かないアプリケーションの起動を制御する放送通信連携受信装置であって、
前記放送受信手段を介して受信した放送データに含まれるデータカルーセルのデータから、前記編成チャンネルに紐付いたアプリケーションの所在を特定するアドレスと当該アプリケーションの起動を制御する制御コードとを含んだアプリケーション起動情報を抽出するアプリケーション起動情報抽出手段と、
前記通信送受信手段を介して、前記編成チャンネルに紐付かないアプリケーションに対応するアプリケーション起動情報を取得するチャンネル非連動情報取得手段と、
前記アプリケーション起動情報抽出手段で抽出したアプリケーション起動情報と、前記チャンネル非連動情報取得手段で取得したアプリケーション起動情報とを記憶するアプリケーション起動情報記憶手段と、
前記通信送受信手段を介して、アプリケーションを取得するアプリケーション取得手段と、
アプリケーションを実行させるアプリケーション実行手段と、
前記アプリケーション起動情報記憶手段に記憶されたアプリケーション起動情報の制御コードで起動が指示されたアプリケーションを、前記アプリケーション取得手段により前記アドレスから取得させて前記アプリケーション実行手段に起動させる起動制御手段と、
起動したアプリケーションの識別情報を記憶する起動アプリケーション識別情報記憶手段と、
前記制御コードで終了が指示されたアプリケーションを、前記アプリケーション実行手段により終了させる終了制御手段と、
前記アプリケーション起動情報記憶手段に記憶されているアプリケーション起動情報の制御コードで起動可能状態のアプリケーションをリストとして表示するリスト表示手段と、
前記リストで選択されたアプリケーションの起動を、前記起動制御手段に指示するリスト選択手段と、
を備える放送通信連携受信装置。
【請求項２】
放送受信手段と通信送受信手段とを備え、編成チャンネルに紐付いたアプリケーションおよび紐付かないアプリケーションの起動を制御する放送通信連携受信装置であって、
前記放送受信手段を介して受信した放送データに含まれるデータカルーセルのデータから、前記編成チャンネルに紐付いたアプリケーションの所在を特定するアドレスと当該アプリケーションの起動を制御する制御コードとを含んだアプリケーション起動情報を抽出するアプリケーション起動情報抽出手段と、
前記通信送受信手段を介して、前記編成チャンネルに紐付かないアプリケーションに対応するアプリケーション起動情報を取得するチャンネル非連動情報取得手段と、
前記アプリケーション起動情報抽出手段で抽出したアプリケーション起動情報と、前記チャンネル非連動情報取得手段で取得したアプリケーション起動情報とを記憶するアプリケーション起動情報記憶手段と、
前記通信送受信手段を介して、アプリケーションを取得するアプリケーション取得手段と、
アプリケーションを実行させるアプリケーション実行手段と、
前記アプリケーション起動情報記憶手段に記憶されたアプリケーション起動情報の制御コードで起動が指示されたアプリケーションを、前記アプリケーション取得手段により前記アドレスから取得させて前記アプリケーション実行手段に起動させる起動制御手段と、
起動したアプリケーションの識別情報を記憶する起動アプリケーション識別情報記憶手段と、
前記制御コードで終了が指示されたアプリケーションを、前記アプリケーション実行手段により終了させる終了制御手段と、
前記アプリケーション起動情報記憶手段に記憶されているアプリケーション起動情報の制御コードで起動可能状態のアプリケーションをリストとして表示するリスト表示手段と、
前記リストで選択されたアプリケーションの起動を、前記起動制御手段に指示するリスト選択手段と、を備え、
前記終了制御手段は、前記制御コードですべてのアプリケーションを終了させる旨が指示された場合、前記起動アプリケーション識別情報記憶手段を参照して、現在起動しているすべてのアプリケーションを、前記アプリケーション実行手段により終了させることを特徴とする放送通信連携受信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かかる構成において、放送通信連携受信装置は、アプリケーション起動情報抽出手段によって、放送受信手段を介して受信した放送データに含まれるデータカルーセルのデータから、編成チャンネルに紐付いたアプリケーションの所在を特定するアドレスとアプリケーションの起動を制御する制御コードとを含んだアプリケーション起動情報を抽出する。このとき、データカルーセルは特定の編成チャンネルに対応付いたものであるため、放送局からは、編成チャンネルに紐付いたアプリケーションが通知されることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
かかる構成において、放送通信連携受信装置は、アプリケーション起動情報抽出手段によって、放送受信手段を介して受信した放送データに含まれるデータカルーセルのデータから、編成チャンネルに紐付いたアプリケーションの所在を特定するアドレスとアプリケーションの起動を制御する制御コードとを含んだアプリケーション起動情報を抽出する。このとき、データカルーセルは特定の編成チャンネルに対応付いたものであるため、放送局からは、編成チャンネルに紐付いたアプリケーションが通知されることになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項１，２に記載の発明によれば、放送局の放送送信装置は、アプリケーションの起動を制御するアプリケーション起動情報を、編成チャンネルに紐付いた既存のデータカルーセルで送信することができる。これによって、放送局において既存の放送設備の軽微な改修により、放送通信連携受信装置における編成チャンネルに紐付いたアプリケーションの起動を、放送局側から制御することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、請求項２に記載の発明によれば、放送通信連携受信装置は、すべてのアプリケーションを終了させる旨のアプリケーション起動情報を１つ通知されるだけで、編成チャンネルに紐付いているか否かに関わらず、起動中のアプリケーションを終了させることができる。これによって、例えば、放送局から緊急放送を送信する場合、放送通信連携受信装置は、アプリケーションの終了処理を素早く行うことができ、緊急放送の画面を高速に提示することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月18日(2015.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体を用いた第１のトランジスタと、
第２の酸化物半導体を用いた第２のトランジスタと、
第３の酸化物半導体を用いた第３のトランジスタと、
第４の酸化物半導体を用いた第４のトランジスタと、
第５の酸化物半導体を用いた第５のトランジスタと、
第６の酸化物半導体を用いた第６のトランジスタと、
第７の酸化物半導体を用いた第７のトランジスタと、
第８の酸化物半導体を用いた第８のトランジスタと、
第１のシリコンを用いた第９のトランジスタと、
第２のシリコンを用いた第１０のトランジスタと、
第３のシリコンを用いた第１１のトランジスタと、
第４のシリコンを用いた第１２のトランジスタと、
第５のシリコンを用いた第１３のトランジスタと、
第６のシリコンを用いた第１４のトランジスタと、
第７のシリコンを用いた第１５のトランジスタと、
第８のシリコンを用いた第１６のトランジスタと、を有し、
前記第９のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１０のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１２のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１３のトランジスタのゲートは、前記第５のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１４のトランジスタのゲートは、前記第６のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１５のトランジスタのゲートは、前記第７のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１６のトランジスタのゲートは、前記第８のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月18日(2015.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のインバータと第２のインバータを有し、
ｐ型トランジスタである第１のトランジスタ及び第５のトランジスタと、
ｎ型トランジスタである第２乃至第４のトランジスタ及び第６乃至第８のトランジスタと、を有し、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、第１の電源と、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第７のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第７のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、第２の電源と、電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのゲートと、前記第８のトランジスタのゲートと、前記第１のインバータの入力と、電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第７のトランジスタのゲートと、電気的に接続され、
前記第２のインバータの入力は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの他方と、電気的に接続され、
前記第２のインバータの出力は、前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのゲートと、電気的に接続され、
前記第１のインバータの出力は、前記第４のトランジスタのゲートと、前記第５のトランジスタのゲートと、電気的に接続されていることを特徴とする分周回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電源は、前記第２の電源よりも高い電位を供給することを特徴とする分周回路。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第８のトランジスタのソースもしくはドレインの一方または前記第２のインバータの入力の少なくとも一方に、容量素子が電気的に接続されていることを特徴とする分周回路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第４のトランジスタは、チャネルが形成される半導体層が酸化物半導体であることを特徴とする分周回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第８のトランジスタは、チャネルが形成される半導体層が酸化物半導体であることを特徴とする分周回路。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２のトランジスタまたは前記第３のトランジスタの少なくとも一方は、チャネルが形成される半導体層が酸化物半導体であることを特徴とする分周回路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第６のトランジスタまたは前記第７のトランジスタの少なくとも一方は、チャネルが形成される半導体層が酸化物半導体であることを特徴とする分周回路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記分周回路を用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月18日(2015.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物半導体を用いた第１のトランジスタと、
第２の酸化物半導体を用いた第２のトランジスタと、
第３の酸化物半導体を用いた第３のトランジスタと、
第４の酸化物半導体を用いた第４のトランジスタと、
第１のシリコンを用いた第５のトランジスタと、
第２のシリコンを用いた第６のトランジスタと、
第３のシリコンを用いた第７のトランジスタと、
第４のシリコンを用いた第８のトランジスタと、を有し、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の酸化物半導体を用いた第１のトランジスタと、
第２の酸化物半導体を用いた第２のトランジスタと、
第３の酸化物半導体を用いた第３のトランジスタと、
第４の酸化物半導体を用いた第４のトランジスタと、
第１のシリコンを用いた第５のトランジスタと、
第２のシリコンを用いた第６のトランジスタと、
第３のシリコンを用いた第７のトランジスタと、
第４のシリコンを用いた第８のトランジスタと、
第１の容量素子と、
第２の容量素子と、
第３の容量素子と、
第４の容量素子と、を有し、
前記第５のトランジスタのゲートは、前記第１のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第６のトランジスタのゲートは、前記第２のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第７のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第８のトランジスタのゲートは、前記第４のトランジスタのソース又はドレインと電気的に接続され、
前記第１の容量素子は、前記第５のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第２の容量素子は、前記第６のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３の容量素子は、前記第７のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第４の容量素子は、前記第８のトランジスタのゲートと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタ乃至前記第４のトランジスタは、前記第５のトランジスタ乃至前記第８のトランジスタの上方に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位相同期回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタおよび容量素子を有するループフィルタを備える位相同期回路であり、
前記トランジスタの半導体層は酸化物半導体材料を含み、
前記トランジスタがオフ状態となった後に前記位相同期回路がスタンバイ状態となり、
前記トランジスタがオン状態となった後に前記位相同期回路がスタンバイ状態から復帰することを特徴とする位相同期回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含んでなる層であることを特徴とする位相同期回路。
【請求項３】
第１の周期信号および第２の周期信号が入力され、前記第１の周期信号および前記第２の周期信号の位相差に応じた第３の周期信号を出力する位相比較器と、
前記第３の周期信号が入力され、前記第３の周期信号に応じた第１のアナログ信号を出力するチャージポンプと、
前記第１のアナログ信号が入力され、前記第１のアナログ信号を平滑化した第２のアナログ信号を出力するループフィルタと、
前記第２のアナログ信号が入力され、前記第２のアナログ信号に応じた第４の周期信号を出力する電圧制御発振器と、
前記第４の周期信号が入力され、前記第４の周期信号を分周した前記第１の周期信号を出力する分周器を備える位相同期回路であり、
前記ループフィルタはトランジスタおよび容量素子を有し、
前記トランジスタの半導体層は酸化物半導体材料を含み、
前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方は前記チャージポンプおよび前記電圧制御発振器と電気的に接続され、かつ、前記トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は前記容量素子と電気的に接続され、
前記トランジスタがオフ状態となった後に前記位相同期回路がスタンバイ状態となり、
前記トランジスタがオン状態となった後に前記位相同期回路がスタンバイ状態から復帰することを特徴とする位相同期回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記半導体層は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ及びＺｎから選ばれた一種以上の元素を含んでなる層であることを特徴とする位相同期回路。
【請求項５】
トランジスタおよび容量素子を有するループフィルタを備え、前記トランジスタの半導体層は酸化物半導体材料を含み、前記トランジスタをオフ状態とすることで、前記ループフィルタに入力される電圧を前記ループフィルタ内にて保持できることを特徴とする位相同期回路。
【手続補正書】
【提出日】平成27年7月10日(2015.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信コンテンツを記憶した後に出力する同期用バッファと、
前記同期用バッファの出力をバッファさせる同期制御部と、
アプリケーションプログラムに記述された命令を読み出して実行する命令実行部と
を備え、
前記同期制御部は、前記命令実行部によって出力同期のためのメソッドが呼び出された場合に、前記同期用バッファの出力をバッファさせて前記通信コンテンツを放送コンテンツに同期させる
ことを特徴とする受信機。
【請求項２】
放送コンテンツを記憶した後に出力する第１同期用バッファと、
通信コンテンツを記憶した後に出力する第２同期用バッファと、
前記第１同期用バッファまたは前記第２同期用バッファのいずれか一方の出力をバッファさせる同期制御部と、
アプリケーションプログラムに記述された命令を読み出して実行する命令実行部と
を備え、
前記同期制御部は、前記命令実行部によって出力同期のためのメソッドが呼び出された場合に、前記第１同期用バッファまたは前記第２同期用バッファのいずれか一方の出力をバッファさせる
ことを特徴とする受信機。
【請求項３】
前記メソッドは、遅延時間を示す引数を伴うメソッドであり、前記同期制御部は、前記引数が示す遅延時間だけ前記第１同期用バッファまたは前記第２同期用バッファのいずれか一方の出力を遅延させる
ことを特徴とする請求項２に記載の受信機。
【請求項４】
前記命令実行部によって呼び出されたメソッドが、遅延時間を示す引数を伴うメソッドである場合において、前記遅延時間を示す引数が正数であるとき、前記同期制御部は、前記引数に応じた時間だけ前記第１同期用バッファの出力を遅らせ、前記遅延時間を示す引数が負数であるとき、前記同期制御部は、前記引数に応じた時間だけ前記第２同期用バッファの出力を遅延させる
ことを特徴とする請求項３に記載の受信機。
【請求項５】
前記命令実行部によって呼び出されたメソッドが、遅延時間を示す第１引数と、前記第１同期用バッファまたは前記第２同期用バッファの何れの出力を遅延させるかを指定する第２引数とを伴うメソッドである場合に、前記同期制御部は、前記第１引数が示す遅延時間だけ、前記第２引数が示すバッファの出力を遅延させる
ことを特徴とする請求項３に記載の受信機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２０】
図２３は、delayStreamPresentation()による放送コンテンツと通信コンテンツとの出力時間差の制御例を示す図である。
図２３（Ａ）は、delayStreamPresentation()の呼び出し前の放送コンテンツと通信コンテンツとの出力タイミングを図示したものである。ここで、delayStreamPresentation()において正数の遅延時間ｄ（例えば１０）が引数として渡された場合、ステップＳ７〜ステップＳ９の処理により第１同期用バッファ４０４−１の出力が遅延される。これにより、図２３（Ｂ）に示すように放送コンテンツの出力タイミングが１０だけ遅延されることとなる。他方、delayStreamPresentation()において負数の遅延時間ｄ（例えば−１０）が引数として渡された場合、ステップＳ１０〜ステップＳ１２の処理により第２同期用バッファ４０４−２の出力が遅延される。これにより、通信コンテンツの出力タイミングが１０だけ遅延されることとなる。これは、図２３（Ｃ）に示すように、通信コンテンツの出力タイミングに対して放送コンテンツの出力タイミングが−１０だけ遅延することと等価である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３５】
１…放送事業者装置
１１…放送送出装置
１１１…放送関連データ管理部
１１２…信号設定部
１１３…放送送出部
１２…放送局サーバ群
１３…コンテンツ管理サーバ
１４…番組管理サーバ
１５…メタデータ管理サーバ
１６…コンテンツ配信サーバ
１７…放送局サービスサーバ
１８…通知サーバ
２…サービス事業者サーバ群
２１…受信機アプリサーバ
２２…サービスサーバ
２３…コンテンツ配信サーバ
２４…通知サーバ
３…リポジトリサーバ
４…受信機
４０１…放送受信部
４０２…分離部
４０３…時計
４０４−１…第１同期用バッファ
４０４−２…第２同期用バッファ
４０５−１…第１デコーダ
４０５−２…第２デコーダ
４０６…データ放送実行部
４０７…映像制御部
４０８…映像表示部
４０９…音声制御部
４１０…音声出力部
４１１…通信入出力部
４１２…アプリケーション実行制御部
４１３…提示制御部
４１４…操作入力部
４１５…選局部
４１６…ローカル情報記憶部
４１７…外部Ｉ／Ｆ部
４３１…アプリケーション記憶部
４３２…アプリケーション認証部
４３３…アプリケーション管理部
４３４…アプリケーション制御部
４３５…アプリケーション実行部
４３６…受信機ＡＰＩ部
４３７…端末連携ＡＰＩ部
４３８…リソースアクセス制御部
４３９…リソース制御部
４４１…命令実行部
４４２…指定遅延部（同期制御部）
４４３…計時部
４５１…ポリシーデータ管理部
４５２…ポリシーデータ記憶部
４５３…イベント解釈部
４５４…ポリシーレベル照合部
４５５…イベント制御部
４５６…番組ポリシー記憶部
４５７…ポリシー調停部
４５８…ポリシーレベル記憶部
９…通信網
【手続補正書】
【提出日】平成27年2月12日(2015.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の容量と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、を有し、
前記複数の容量の一方の電極は、すべて前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記複数の容量の一方の電極は、すべて前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記複数の容量の他方の電極は、それぞれ複数の端子と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタを介して入力される信号に応じた電荷が前記第２のトランジスタのゲートに保持され、
前記保持された電荷と、前記複数の端子に入力される信号とによって、前記第２のトランジスタのオン又はオフが制御され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の容量と、
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
第３のトランジスタと、
第４のトランジスタと、
インバータと、を有し、
前記複数の容量の一方の電極は、すべて前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記複数の容量の一方の電極は、すべて前記第１のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記複数の容量の他方の電極は、それぞれ複数の端子と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの一方は、前記第２のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方は、前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記インバータの入力は、前記第３のトランジスタのソース及びドレインの他方、及び前記第４のトランジスタのソース及びドレインの一方と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタを介して入力される信号に応じた電荷が前記第２のトランジスタのゲートに保持され、
前記保持された電荷と、前記複数の端子に入力される信号とによって、前記第２のトランジスタのオン又はオフは制御され、
前記第３のトランジスタのゲートに第１の信号が入力され、
前記第４のトランジスタのゲートに第２の信号が入力され、
前記第２のトランジスタのオン又はオフの状態と、前記第１の信号、及び前記第２の信号に基づき、前記インバータからの出力が決定され、
前記第１のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、及び前記第４のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記酸化物半導体は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月13日(2015.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタとインバータを有し、
前記インバータの出力は前記トランジスタのゲートに入力され、
前記トランジスタのチャネル領域はＩｎ、Ｚｎ若しくはＳｎを含む酸化物半導体膜を有し、
前記インバータを構成するトランジスタのチャネル領域はシリコンを有し、
前記インバータにハイ電圧を入力すると、前記インバータからロー電圧が出力されるとともに前記トランジスタの前記ゲートにロー電圧が入力されて前記トランジスタはオフし、
前記インバータにロー電圧を入力すると、前記インバータからハイ電圧が出力されるとともに前記トランジスタの前記ゲートにハイ電圧が入力されて前記トランジスタはオンすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及びインバータを有し、
前記インバータの出力は前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記インバータへの入力は前記第２のトランジスタのゲートにも入力され、
前記第１のトランジスタのチャネル領域及び前記第２のトランジスタのチャネル領域はＩｎ、Ｚｎ若しくはＳｎを含む酸化物半導体膜を有し、
前記インバータを構成するトランジスタのチャネル領域はシリコンを有し、
前記インバータ及び前記第２のトランジスタの前記ゲートにハイ電圧を入力すると、
前記インバータからロー電圧が出力され、前記第１のトランジスタの前記ゲートにロー電圧が入力されて前記第１のトランジスタはオフし、
前記第２のトランジスタはオンし、
前記インバータ及び前記第２のトランジスタの前記ゲートにロー電圧を入力すると、
前記インバータからハイ電圧が出力され、前記第１のトランジスタの前記ゲートにハイ電圧が入力されて前記第１のトランジスタはオンし、
前記第２のトランジスタはオフする、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ及びインバータを有し、
前記インバータの出力は前記第１のトランジスタのゲートに入力され、
前記インバータへの入力は前記第２のトランジスタのゲートにも入力され、
前記第１のトランジスタのチャネル領域及び前記第２のトランジスタのチャネル領域はＩｎ、Ｚｎ若しくはＳｎを含む酸化物半導体膜を有し、
前記インバータを構成するトランジスタのチャネル領域はシリコンを有し、
前記インバータ及び前記第２のトランジスタの前記ゲートにハイ電圧を入力すると、
前記インバータからロー電圧が出力され、前記第１のトランジスタの前記ゲートにロー電圧が入力されて前記第１のトランジスタはオフし、
前記第２のトランジスタはオンしてハイ電圧又はロー電圧を出力し、
前記インバータ及び前記第２のトランジスタの前記ゲートにロー電圧を入力すると、
前記インバータからハイ電圧が出力され、前記第１のトランジスタの前記ゲートにハイ電圧が入力されて前記第１のトランジスタはオンしてハイ電圧又はロー電圧を出力し、
前記第２のトランジスタはオフする、
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月20日(2015.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プログラマブルロジックデバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プログラマブル回路を有し、
前記プログラマブル回路は、第１乃至第４のトランジスタと、第１及び第２のアナログ素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１のビット線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、第１のワード線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のアナログ素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力信号線と電気的に接続され、
前記第１のアナログ素子の第２の電極は、入力信号線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第２のビット線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、第２のワード線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のアナログ素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記出力信号線と電気的に接続され、
前記第２のアナログ素子の第２の電極は、前記入力信号線と電気的に接続され、
前記第１及び第３のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するプログラマブルロジックデバイス。
【請求項２】
プログラマブル回路を有し、
前記プログラマブル回路は、第１乃至第４のトランジスタと、第１のアナログ素子と、インバータと、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、第１のビット線と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、ワード線と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のアナログ素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方は、出力信号線と電気的に接続され、
前記第１のアナログ素子の第２の電極は、入力信号線と電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記ビット線と前記インバータを介して電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第４のトランジスタのゲートと電気的に接続され、
前記第３のトランジスタのゲートは、前記ワード線と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のアナログ素子の第１の電極と電気的に接続され、
前記第４のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記出力信号線と電気的に接続され、
前記第２及び第４のトランジスタは、互いに極性が異なり、
前記第１及び第３のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するプログラマブルロジックデバイス。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のアナログ素子は、容量素子、抵抗素子または光電変換素子であるプログラマブルロジックデバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のアナログ素子は、酸化物半導体を含んで構成されるプログラマブルロジックデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成27年4月8日(2015.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の出力信号及び第２の出力信号の電位を比較する比較器と、
酸化物半導体層にチャネル形成領域が形成される第１の酸化物半導体トランジスタ及びシリコン層にチャネル形成領域が形成される第１のシリコントランジスタを有する第１のメモリ部と、
第２の酸化物半導体トランジスタ及び第２のシリコントランジスタを有する第２のメモリ部と、
前記第１の出力信号及び前記第２の出力信号の電位を確定する出力電位確定器と、を有し、
前記第１の酸化物半導体トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第１のシリコントランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第２の酸化物半導体トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のシリコントランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第１の出力信号は前記比較器及び前記第１のメモリ部から出力され、
前記第２の出力信号は前記比較器及び前記第２のメモリ部から出力されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記比較器は、高電位基準電位と接続され、
前記出力電位確定器は、低電位基準電位と接続されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のシリコントランジスタ及び前記第２のシリコントランジスタは、ｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体トランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第１のシリコントランジスタのゲートと接続する第１の保持容量、及び、前記第２の酸化物半導体トランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第２のシリコントランジスタのゲートと接続する第２の保持容量が設けられていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の酸化物半導体トランジスタ及び前記第２の酸化物半導体トランジスタは、前記第１のシリコントランジスタ及び前記第２のシリコントランジスタに重畳して形成されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項６】
高電位基準電位と接続され、第１の出力信号及び第２の出力信号の電位を比較する比較器と、
酸化物半導体層にチャネル形成領域が形成される第１の酸化物半導体トランジスタ及び第２の酸化物半導体トランジスタを有する第１のメモリ部と、
第３の酸化物半導体トランジスタ及び第４の酸化物半導体トランジスタを有する第２のメモリ部と、
低電位基準電位と接続され、前記第１の出力信号及び前記第２の出力信号の電位を確定する出力電位確定器と、を有し、
前記第１の酸化物半導体トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２の酸化物半導体トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第３の酸化物半導体トランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第４の酸化物半導体トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第１の出力信号は前記比較器及び前記第１のメモリ部から出力され、
前記第２の出力信号は前記比較器及び前記第２のメモリ部から出力されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の酸化物半導体トランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第２の酸化物半導体トランジスタのゲートと接続する第１の保持容量、及び、前記第３の酸化物半導体トランジスタのソース又はドレインの一方及び前記第４の酸化物半導体トランジスタのゲートと接続する第２の保持容量が設けられていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記比較器は、４つのトランジスタを有することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項９】
請求項８において、
前記比較器のトランジスタのそれぞれは、ｐチャネル型シリコントランジスタであることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記出力電位確定器は、１つのトランジスタを有することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記出力電位確定器のトランジスタは、ｎチャネル型シリコントランジスタであることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記出力電位確定器のトランジスタは、酸化物半導体トランジスタであることを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成27年3月13日(2015.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップフロップ回路と、選択回路と、前記選択回路を介して前記フリップフロップ回路と電気的に接続された記憶回路と、を含むレジスタ回路と、
ビット線と、
データ線と、を有し、
前記データ線は前記フリップフロップ回路と電気的に接続され、
前記ビット線は、前記選択回路を介して前記記憶回路と電気的に接続され、
前記選択回路は、前記データ線の電位または前記ビット線の電位に応じたデータを選択的に前記記憶回路に格納し、
前記記憶回路はチャネル形成領域に、酸化物半導体を含むトランジスタと、前記トランジスタの第１の電極と一方の電極が電気的に接続され、他方の電極が接地されている容量素子と、を有し、
前記データ線または前記ビット線の電位は、前記トランジスタの第１の電極と、前記容量素子の一方の電極と、が接続されたノードに格納されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
フリップフロップ回路と、選択回路と、前記選択回路を介して前記フリップフロップ回路と電気的に接続する記憶回路と、を含むレジスタ回路と、
ビット線と、
データ線と、
ワード線と、
メモリライトイネーブル線と、を有し、
前記ワード線及び前記メモリライトイネーブル線は前記選択回路と電気的に接続され、
前記データ線は前記フリップフロップ回路と電気的に接続され、
前記ビット線は、前記選択回路を介して前記記憶回路と電気的に接続され、
前記選択回路は、
前記記憶回路と、前記ワード線または前記メモリライトイネーブル線との電気的接続を選択する第１のスイッチと、
前記記憶回路と、前記データ線または前記ビット線との電気的接続を選択する第２のスイッチと、を有し、
前記記憶回路はチャネル形成領域に、酸化物半導体を含むトランジスタと、前記トランジスタの第１の電極と一方の電極が電気的に接続され、他方の電極が接地されている容量素子と、を有し、
前記データ線または前記ビット線の電位は、前記トランジスタの第１の電極と、前記容量素子の一方の電極と、が接続されたノードに格納されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
マトリクス状に設けられた複数のレジスタ回路と、
ビット線と、
データ線と、を有し、
前記レジスタ回路の一は、
フリップフロップ回路と、選択回路と、前記選択回路を介して前記フリップフロップ回路と電気的に接続された記憶回路と、を含み、
前記データ線は前記フリップフロップ回路と電気的に接続され、
前記ビット線は、前記選択回路を介して前記記憶回路と電気的に接続され、
前記選択回路は、前記データ線の電位または前記ビット線の電位に応じたデータを選択的に前記記憶回路に格納し、
前記記憶回路はチャネル形成領域に、酸化物半導体を含むトランジスタと、前記トランジスタの第１の電極と一方の電極が電気的に接続され、他方の電極が接地されている容量素子と、を有し、
前記データ線または前記ビット線の電位は、前記トランジスタの第１の電極と、前記容量素子の一方の電極と、が接続されたノードに格納されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
マトリクス状に設けられた複数のレジスタ回路と、
ビット線と、
データ線と、
ワード線と、
メモリライトイネーブル線と、を有し、
前記レジスタ回路の一は、
フリップフロップ回路と、選択回路と、前記選択回路を介して前記フリップフロップ回路と電気的に接続された記憶回路と、を含み、
前記ワード線及び前記メモリライトイネーブル線は前記選択回路と電気的に接続され、
前記データ線は前記フリップフロップ回路と電気的に接続され、
前記ビット線は、前記選択回路を介して前記記憶回路と電気的に接続され、
前記選択回路は、
前記記憶回路と、前記ワード線または前記メモリライトイネーブル線との電気的接続を選択する第１のスイッチと、
前記記憶回路と、前記データ線または前記ビット線との電気的接続を選択する第２のスイッチと、を有し、
前記記憶回路はチャネル形成領域に、酸化物半導体を含むトランジスタと、前記トランジスタの第１の電極と一方の電極が電気的に接続され、他方の電極が接地されている容量素子と、を有し、
前記データ線または前記ビット線の電位は、前記トランジスタの第１の電極と、前記容量素子の一方の電極と、が接続されたノードに格納されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記選択回路は、
前記記憶回路に前記フリップフロップ回路を介してデータ線の電位に応じたデータを格納する第１の動作モードと、
前記フリップフロップ回路に、前記記憶回路に格納されたデータを入力する第２の動作モードと、
前記記憶回路に前記ビット線の電位に応じたデータを格納する第３の動作モードと、
前記ビット線に前記記憶回路に格納されたデータを入力する第４の動作モードと、のいずれかを選択することを特徴とする半導体装置。