【事件の表示】
　特願２０１７−１１５５４１「ツール及びプロセスの効果を分離する基板マトリクス」拒絶査定不服審判事件〔平成２９年１１月　９日出願公開、特開２０１７−２０１４０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年（平成２１年）５月２０日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００８年（平成２０年）５月２１日　米国）を国際出願日とする特願２０１１−５１０６６５号（以下「原出願」という。）の一部を平成２７年５月２６日に新たな特許出願とした特願２０１５−１０５９５５号の一部をさらに平成２９年６月１３日に新たな特許出願としたものであって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２９年　６月１３日　　：翻訳文（特許請求の範囲、明細書及び図面
　　　　　　　　　　　　　　　）提出
　平成２９年　７月　３日　　：上申書、手続補正書の提出
　平成３０年　６月２２日付け：拒絶理由通知書（特許法第５０条の２の通
　　　　　　　　　　　　　　　知を伴う拒絶理由通知）
　平成３０年１２月２１日　　：意見書、手続補正書の提出
　　令和元年　５月　７日付け：平成３０年１２月２１日の手続補正につい
　　　　　　　　　　　　　　　ての補正の却下の決定、拒絶査定（謄本発
　　　　　　　　　　　　　　　送　令和元年５月２８日）
　　令和元年　９月２７日　　：審判請求書、手続補正書の提出
第２　令和元年９月２７日にされた手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　令和元年９月２７日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正について（補正の内容）
（１）本件補正後の特許請求の範囲の記載
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された。（下線部は、補正箇所である。）
「【請求項１】
　フォトリソグラフィプロセスを特徴付ける方法であって、該方法は、
　　テストマトリクスで使用するフォーカス及び露光の値を決定するステップと、
　　前記テストマトリクスに対して、ランダム及び疑似ランダムな偏心度の１つを特定するステップと、
　　基板上のセル内に作成すべき線幅を持つテスト構造を選択するステップと、
　　前記フォトリソグラフィプロセスを通じて、前記偏心テストマトリクスによって決定されるような前記フォーカス及び前記露光の値の組み合わせを前記各セルに用いて前記基板を処理するステップと、
　　前記セル内の前記テスト構造の前記線幅を計測するステップと、
　　入力変数としての前記フォーカス及び露光の値を、出力変数としての前記線幅に相関させる多項式を展開するステップと、
を含
み、
　
前記偏心度は、前記基板を保持するために用いられるチャックによって引き起こされる前記基板の反りの交絡の影響をバラバラにするように選択される、
　方法。」
　
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の、平成２９年７月３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである。
「【請求項１】
　フォトリソグラフィプロセスを特徴付ける方法であって、該方法は、
　　テストマトリクスで使用するフォーカス及び露光の値を決定するステップと、
　　前記テストマトリクスに対して、ランダム及び疑似ランダムな偏心度の１つを特定するステップと、
　　基板上のセル内に作成すべき線幅を持つテスト構造を選択するステップと、
　　前記フォトリソグラフィプロセスを通じて、前記偏心テストマトリクスによって決定されるような前記フォーカス及び前記露光の値の組み合わせを前記各セルに用いて前記基板を処理するステップと、
　　前記セル内の前記テスト構造の前記線幅を計測するステップと、
　　入力変数としての前記フォーカス及び露光の値を、出力変数としての前記線幅に相関させる多項式を展開するステップと、
を含む方法。」
２　補正の適否
　本件補正は、本件補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「偏心度」について、「前記偏心度は、前記基板を保持するために用いられるチャックによって引き起こされる前記基板の反りの交絡の影響をバラバラにするように選択される」との限定を付加するものであって、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、特許法１７条の２第５項２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本件補正発明」という。）が同条第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか（特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか）について、以下、検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記「１」「（１）」に記載したとおりのものである。
　
（２）引用文献の記載事項
ア　引用文献
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された原出願の優先日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である特開２００８−１０８６２号公報（平成２０年１月１７日出願公開。以下「引用文献」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は、当審で付した。以下同じ。）。
「【技術分野】
【０００１】
[0001]　本発明は、
印刷されたフィーチャのサイズとリソグラフィ装置の動作パラメータの値との間の関係を較正するための較正方法
「【０００５】
[0005]　集積回路パターンを製造するためには、パターンのフィーチャ間の空間公差の制御ならびにフィーチャ寸法公差の制御が必要である。詳細には、
集積回路デバイスの製造に許容される最小寸法
コンタクトのサイズ、もしくは線の幅または密線空間パターンの２本の線の間の空間の幅など
のサイズ
クリティカルディメンジョン（「ＣＤ」）
クリティカルディメンジョンを有するフィーチャ
ＣＤサイズフィーチャ
【０００６】
[0006]　１つのフィーチャまたは複数のフィーチャのレジストの断面プロファイル（「レジストプロファイル」）の測定を使用して、印刷されたＣＤの測定値または印刷されたＣＤの１組の測定値を得ることができる。このコンテキストにおいては、印刷されたＣＤは、露光済みのレジスト層に露光後の処理を施した後に得られるフィーチャの寸法を意味している。」
「【００１３】
[0013]従来、印刷されるＣＤの、予め選択済みの個々の露光ドーズ量設定値Ｅ０および焦点設定値Ｆ０の変化ＣＨＥおよびＣＨＦに対する応答ＣＤ（Ｅ、Ｆ）は、変化ＣＨＥおよびＣＨＦのベキ級数としてモデル化されている。このようなモデルでは、応答ＣＤ（Ｅ、Ｆ）は、
【００１４】
【数１】
で与えられる。上式で、
　ＣＨＥ＝Ｅ−Ｅ０
　ＣＨＦ＝Ｆ−Ｆ０　　　（２）
であり、Ｃａ;ｉｊはモデルパラメータである。ベキｉおよびｊは、ゼロから予め選択済みの個々の値ＩおよびＪまでである。」
「【００３４】
[0035]　一実施形態によれば、印刷されるＣＤは、露光前および露光後のプロセス特性ならびにリソグラフィ露光装置の特性の両方に応答することが分かっている。後者の特性には、たとえば、装置の物理的な特性、装置−製造公差および可変性、ならびに
リソグラフィ露光プロセスを実行
リソグラフィ装置以外のＣＤ逸脱源に起因する影響
をプロセスインパクトと呼び、また、印刷されるＣＤに対するリソグラフィ露光装置特性の影響を装置インパクトと呼ぶ
【００３５】
[0036]
基板または試験基板上のレジストを（ＣＤサイズのパターンフィーチャでパターン化されたビームに）露光している間、装置インパクトとプロセスインパクトの両方が同時に存在するため、印刷の際にＣＤが結合インパクトによって影響される。
【００３６】
[0037]　Ｂｏｓｓｕｎｇ曲線を提示するためのＣＤデータの従来の測定には、いわゆる焦点露光マトリックスデータ（ＦＥＭデータ）を取得する必要があり、そのために試験基板がレジスト層でコーティングされ、かつ、露光ドーズ量設定値Ｅと基板焦点設定値Ｆの対応する一連の異なる組合せで一連の露光が施されている。図２に示すように、露光ドーズ量設定値および焦点設定値は、設定値変化ＣＨＥおよびＣＨＦがそれぞれ等しい一連の増分として配置されており、したがって設定値の範囲は、予測公称露光ドーズ量Ｅ０（「サイズに対するドーズ量」）および公称最良焦点設定値Ｆ０＝ＢＦの周りに対称に配置されている。試験パターニングデバイスは、フィールドまたはダイに対応するフィールドサイズ試験パターン２００を備えている。フィールドサイズ試験パターン２００は、通常、試験パターンモジュールＴＰＭのマトリックス様空間構造ＡＭを含むことができる。試験パターンモジュールＴＰＭの各々は、たとえば５×７基本試験パターンＴＰＥのアレイを備えることができる。
基本試験パターンＴＰＥの各々は、１つまたは複数のＣＤサイズフィーチャの全く同じ構造を備えている
【００３７】
[0038]
単一基本試験パターンＴＰＥは、予め選択済みの露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝で露光される
試験パターンモジュールＴＰＭの異なる基本試験パターンＴＰＥは、同じ増分設定値変化のシーケンスに従って、対応するシーケンスの｛Ｅ、Ｆ｝設定値で逐次露光され
試験基板の露光後処理の後、１つのモジュールＴＰＭの印刷フィーチャが測定され、
「【００４５】
[0044]従来の技法に勝る本発明の実施形態の効果を実例を挙げて説明するために、本発明の一実施形態による、ＣＤに対する露光ドーズ量の影響および焦点変化の影響の当てはめモデルを使用して得られた、ＣＤ（Ｅ、Ｆ）（式（８）参照）で与えられる予測ＣＤ（Ｅ、Ｆ）値と、式（１）による従来の当てはめモデルを使用して得られた、ＣＤ空間可変性を無視して、従来の全基板ＦＥＭデータ収集を使用して得られるＣＤ（Ｅ、Ｆ）値が比較された。分かり易くするために、比較は、図４に示すように、それぞれ１つの
基本試験パターンＴＰＥ
露光ドーズ量Ｅおよび焦点Ｆの設定値は、
　　
Ｅ＝Ｅ０＋ｒ１ＣＨＥ
　　
Ｆ＝Ｆ０＋ｒ２ＣＨＦ
　
従って空間的に変化している
ｒ１およびｒ２は、基板Ｗ上のダイ位置の関数として、平均値ゼロの近辺でランダムに変化する整数である
「【００５１】
[0050]公称クリティカルディメンジョンからの逸脱は、基板の特性、基板の露光前および露光後の処理、ならびにパターニングデバイスの特性に起因している場合がある。印刷されるＣＤに対するこれらの特性による影響は、基板内ＣＤ効果と呼ばれている。基板内ＣＤ効果は、従来、たとえば露光ドーズ量Ｅ０および最良焦点設定値Ｆ０の特定の単一設定値｛Ｅ０、Ｆ０｝で動作しているリソグラフィ投影露光装置を使用して印刷されたＣＤサイズフィーチャのレジストプロファイルから、印刷されたＣＤを測定することによって確立されている。式（６）のモデルのようなＣＤ応答モデルＣＤ（｛Ｘ｝）が使用されるが、係数Ｃａ；ｉｊを有する項は、存在していないか、あるいは乗法的方法でパターニングデバイス座標依存性を含むことができる（したがって係数Ｃａ；ｉｊは、パターニングデバイス座標の関数である）。本発明による一実施形態とは対照的に、測定データがこのような測定技法を使用して測定された、つまり得られた場合、ＣＤに対する装置の影響を測定データから分離することはできない。しかしながら、得られた情報を使用して、プロセスインパクトによるＣＤ誤差源を調査することができる。
【００５２】
[0051]　他の実施形態によれば、それぞれ
露光ドーズ量設定値および焦点設定値の設定値変化ＣＨＥおよびＣＨＦなどの選択された装置設定値変化のあらゆる摂動Ｐａに対するＣＤの応答は、
ＣＤ応答モデル
個々の露光ドーズ量設定値および焦点設定値、Ｅ＝ＣＨＥ＋Ｅ０およびＦ＝ＣＨＦ＋ＢＦの可能有効摂動Ｐａ；ＥおよびＰａ；Ｆを考慮するためのモデルＣＤ（Ｐａ；Ｅ、Ｐａ；Ｆ、Ｅ、Ｆ、｛Ｘ｝）
【００５３】
【数７】
によって与えることができ
Ｃ
測定したＣＤデータをモデルに当てはめるために
モデルパラメータＣａおよびＣｗを変化させ、かつ、係数Ｃｐｃａ；ｐｑの代わりに摂動Ｐａ；ＥおよびＰａ；Ｆを変化させ
有効露光ドーズ量の摂動を組み込むことにより、露光の間、たとえばスキャナ装置のスキャン運動誤差に起因する露光ドーズ量の可能変化を考慮することができる
Ｃ
「【００５９】
[0056]その前のすべての実施形態と同じであるさらに他の実施形態では、上で言及した変化
ＣＨＥおよびＣＨＦなどの装置設定値の個々の変化を、
フィーチャ応答データを測定するために試験パターン１００または試験パターンモジュールＴＰＭが露光される基板上の任意の位置に、ランダムまたは擬似ランダムの関係で配列する
（イ）上記（ア）によれば、引用文献には下記各事項が記載れていると認められる。
（ａ）「印刷されたフィーチャのサイズとリソグラフィ装置の動作パラメータの値との間の関係を較正するための較正方法」（【０００１】）であるから、リソグラフィ装置の動作を特徴付ける方法であるといえる。
（ｂ）「単一基本試験パターンＴＰＥは、予め選択済みの露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝で露光される」（【００３７】）から、単一基本試験パターンＴＰＥで使用する露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値を決定するステップを有するといえる。
（ｃ）「基本試験パターンＴＰＥ」の「露光ドーズ量Ｅおよび焦点Ｆの設定値は、」「ｒ１およびｒ２が、基板Ｗ上のダイ位置の関数として、平均値ゼロの近辺でランダムに変化する整数である」ことで、
「　Ｅ＝Ｅ０＋ｒ１ＣＨＥ
　　Ｆ＝Ｆ０＋ｒ２ＣＨＦ
　に従って空間的に変化している」（【００４５】）ものであって、前記「ＣＨＥおよびＣＨＦなどの装置設定値の個々の変化を、」「フィーチャ応答データを測定するために試験パターン１００または試験パターンモジュールＴＰＭが露光される基板上の任意の位置に、ランダムまたは擬似ランダムの関係で配列する」（【００５９】）ものであるから、基本試験パターンＴＰＥに対して、露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値をランダム及び疑似ランダムに決定するステップを有するといえる。
（ｄ）「集積回路デバイスの製造に許容される」、「コンタクトのサイズ、もしくは線の幅または密線空間パターンの２本の線の間の空間の幅など」の「最小寸法」「のサイズ」としての「クリティカルディメンジョン（「ＣＤ」）を有するフィーチャ」である「ＣＤサイズフィーチャ」（【０００５】）に関して、「試験基板」上の「基本試験パターンＴＰＥの各々は、１つまたは複数のＣＤサイズフィーチャの全く同じ構造を備えている」（【００３７】）から、試験基板上の基本試験パターンＴＰＥとして作成すべきコンタクトのサイズ、もしくは線の幅または密線空間パターンの２本の線の間の空間の幅などのＣＤサイズフィーチャを持つ基本試験パターンＴＰＥを選択するステップを有するといえる。
（ｅ）「リソグラフィ露光プロセスを実行」（【００３４】）し、「単一基本試験パターンＴＰＥは、予め選択済みの露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝で露光され」、「試験パターンモジュールＴＰＭの異なる基本試験パターンＴＰＥは、同じ増分設定値変化のシーケンスに従って、対応するシーケンスの｛Ｅ、Ｆ｝設定値で逐次露光され」、「試験基板の露光後処理の後、１つのモジュールＴＰＭの印刷フィーチャが測定され」（【００３７】）るから、リソグラフィ露光プロセスを実行して、予め選択済みの露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝を単一基本試験パターンＴＰＥに用いて試験基板を露光し、試験基板の露光後処理の後、１つのモジュールＴＰＭの印刷フィーチャを測定するステップを有するといえる。
（ｆ）「露光ドーズ量設定値および焦点設定値の設定値変化ＣＨＥおよびＣＨＦなどの選択された装置設定値変化のあらゆる摂動Ｐａに対するＣＤの応答は、」「個々の露光ドーズ量設定値および焦点設定値、Ｅ＝ＣＨＥ＋Ｅ０およびＦ＝ＣＨＦ＋ＢＦの可能有効摂動Ｐａ；ＥおよびＰａ；Ｆを考慮するためのモデルＣＤ（Ｐａ；Ｅ、Ｐａ；Ｆ、Ｅ、Ｆ、｛Ｘ｝）」である「ＣＤ応答モデル」（【００５２】）の式
【数７】
「によって与えることができ」、「測定したＣＤデータをモデルに当てはめるために」、「モデルパラメータＣａおよびＣｗを変化させ、かつ、係数Ｃｐｃａ；ｐｑの代わりに摂動Ｐａ；ＥおよびＰａ；Ｆを変化させ」、「有効露光ドーズ量の摂動を組み込むことにより、露光の間、たとえばスキャナ装置のスキャン運動誤差に起因する露光ドーズ量の可能変化を考慮することができる」（【００５３】）式を得るから、露光ドーズ量設定値および焦点設定値に対するＣＤの応答であるモデルＣＤの式
【数７】
に、測定したＣＤデータを当てはめた式を得るステップを有するといえる。
　
（ウ）上記（ア）、（イ）から、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「リソグラフィ装置の動作を特徴付ける方法であって（上記「（イ）」「（ａ）」）、該方法は、
　単一基本試験パターンＴＰＥで使用する露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値の値を決定するステップと（上記「（イ）」「（ｂ）」）、
　前記基本試験パターンＴＰＥに対して、露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値をランダム及び疑似ランダムに決定するステップと（上記「（イ）」「（ｃ）」）、
　試験基板上の前記基本試験パターンＴＰＥとして作成すべきコンタクトのサイズ、もしくは線の幅または密線空間パターンの２本の線の間の空間の幅などのＣＤサイズフィーチャを持つ基本試験パターンＴＰＥを選択するステップと（上記「（イ）」「（ｄ）」）、
　リソグラフィ露光プロセスを実行して、予め選択済みの露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝を前記単一基本試験パターンＴＰＥに用いて試験基板を露光し、前記試験基板の露光後処理の後、１つのモジュールＴＰＭの印刷フィーチャを測定するステッププと（上記「（イ）」「（ｅ）」）、
　前記露光ドーズ量設定値および焦点設定値に対するＣＤの応答であるモデルＣＤの式に、測定したＣＤデータを当てはめた式
【数７】
を得るステップ（上記「（イ）」「（ｆ）」）、
　を含む、方法。」
　
（３）引用発明との対比
ア　本件補正発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「リソグラフィ装置の動作を特徴付ける方法」は、本件補正発明
の「フォトリソグラフィプロセスを特徴付ける方法」に相当する。
　
（イ）引用発明の「単一基本試験パターンＴＰＥで使用する露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値の値を決定するステップ」は、本件補正発明の「テストマトリクスで使用するフォーカス及び露光の値を決定するステップ」に相当する。
　
（ウ）引用発明の「前記基本試験パターンＴＰＥに対して、露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値をランダム及び疑似ランダムに決定するステップ」は、本件補正発明の「前記テストマトリクスに対して、ランダム及び疑似ランダムな偏心度の１つを特定するステップ」と、「前記テストマトリクスに対して、ランダム及び疑似ランダムにフォーカス及び露光の値を特定するステップ」の点で一致する。
（エ）引用発明の「試験基板上の前記基本試験パターンＴＰＥとして作成すべきコンタクトのサイズ、もしくは線の幅または密線空間パターンの２本の線の間の空間の幅などのＣＤサイズフィーチャを持つ基本試験パターンＴＰＥを選択するステップ」は、本件補正発明の「基板上のセル内に作成すべき線幅を持つテスト構造を選択するステップ」に相当する。
（オ）引用発明の「リソグラフィ露光プロセスを実行して、予め選択済みの露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝を前記単一基本試験パターンＴＰＥに用いて試験基板を露光し、前記試験基板の露光後処理の後、１つのモジュールＴＰＭの印刷フィーチャを測定するステップ」は、本件補正発明の「前記フォトリソグラフィプロセスを通じて、前記偏心テストマトリクスによって決定されるような前記フォーカス及び前記露光の値の組み合わせを前記各セルに用いて前記基板を処理するステップ」及び「前記セル内の前記テスト構造の前記線幅を計測するステップ」に相当する。
（カ）引用発明の「露光ドーズ量設定値および焦点設定値」は、本件補正発明の「入力変数としての前記フォーカス及び露光の値」に相当し、引用発明の「コンタクトのサイズ、もしくは線の幅または密線空間パターンの２本の線の間の空間の幅などのＣＤサイズフィーチャ」である「ＣＤ」は、本件補正発明の「出力変数としての前記線幅」に相当し、上記【数７】
のとおり、当該式は多項式であるといえるから、引用発明の「前記露光ドーズ量設定値および焦点設定値に対するＣＤの応答であるモデルＣＤの式に、測定したＣＤデータを当てはめた式を得るステップ」は、本件補正発明の「入力変数としての前記フォーカス及び露光の値を、出力変数としての前記線幅に相関させる多項式を展開するステップ」に相当する。
イ　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
【一致点】
「フォトリソグラフィプロセスを特徴付ける方法であって、該方法は、
　　テストマトリクスで使用するフォーカス及び露光の値を決定するステップと、
　　前記テストマトリクスに対して、ランダム及び疑似ランダムにフォーカス及び露光の値を特定するステップと、
　　基板上のセル内に作成すべき線幅を持つテスト構造を選択するステップと、
　　前記フォトリソグラフィプロセスを通じて、前記偏心テストマトリクスによって決定されるような前記フォーカス及び前記露光の値の組み合わせを前記各セルに用いて前記基板を処理するステップと、
　　前記セル内の前記テスト構造の前記線幅を計測するステップと、
　　入力変数としての前記フォーカス及び露光の値を、出力変数としての前記線幅に相関させる多項式を展開するステップと、
を含む、方法。」
【相違点１】
　テストマトリクスに対して、ランダム及び疑似ランダムにフォーカス及び露光の値を特定するに際して、本件補正発明は、「前記基板を保持するために用いられるチャックによって引き起こされる前記基板の反りの交絡の影響をバラバラにするように選択される」「偏心度の１つ」を特定するのに対し、引用発明は、このように特定するとされない点。
（４）判断
ア　以下、相違点１について検討する。
　引用発明に関して、引用文献には、「リソグラフィ装置以外のＣＤ逸脱源に起因する影響」「をプロセスインパクトと呼び、また、印刷されるＣＤに対するリソグラフィ露光装置特性の影響を装置インパクトと呼ぶ」（【００３４】）、「基板または試験基板上のレジストを（ＣＤサイズのパターンフィーチャでパターン化されたビームに）露光している間、装置インパクトとプロセスインパクトの両方が同時に存在するため、印刷の際にＣＤが結合インパクトによって影響される」（【００３５】）と記載されていることから、「装置インパクト」を考慮して、「基本試験パターンＴＰＥに対して、露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値をランダム及び疑似ランダムに決定する」ことは当業者が容易に想到し得ることであり、「装置インパクト」として、「基板を保持するために用いられるチャックによって引き起こされる基板の反り」があることは後記エの周知文献１〜３に見られるとおり、原出願の優先日前に周知の技術事項である。
　そして、当該リソグラフィ装置の「基板を保持するために用いられるチャックによって引き起こされる基板の反り」による影響が入力変数側及び出力変数側の双方に影響する交絡の影響となることは当業者に明らかであり、当該事項を踏まえて、「基本試験パターンＴＰＥに対して、露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値をランダム及び疑似ランダムに決定する」ことは「偏心度の１つ」を特定することであるといえるから、上記周知の技術事項を踏まえて、引用発明において、「基板を保持するために用いられるチャックによって引き起こされる基板の反り」による影響を踏まえて、「基本試験パターンＴＰＥに対して、露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値をランダム及び疑似ランダムに決定する」ことにより上記相違点１に係る本件補正発明の構成となすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
イ　そして、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
　
ウ　したがって、本件補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法２９条２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
エ　周知文献
（ア）周知文献１（特開２００５−２２８９７８号公報）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
半導体製造プロセスで用いられる露光装置及び半導体デバイスの製造方法
「【００１４】
　基板をステージにクランプする場合にも、同様にして、
チャックの平坦度の悪化によって、像面湾曲、パターン横ずれ、ディストーション、パターン面内デフォーカスの劣化等が生じ、基板上のパターン精度が悪化するという問題がある
（イ）周知文献２（特開２００６−１５７０１４号公報）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は
リソグラフィシステムおよびこのようなシステムを使用するデバイス製造方法
「【０００３】
　基板は、平坦ではない基板テーブルによって弾性変形（屈曲）することがある。基板の屈曲は、ウェハグリッドの歪みを通してオーバレイエラーを導入する。このウェハグリッドは、Ｘ方向およびＹ方向と呼ばれる２つの直交方向の線によって画成される。良好なオーバレイを確保するために、基板テーブルは、チャック同士で（つまり１台の機械のチャック同士で、および異なる機械のチャック同士で）可能な限り平坦でなければならず、時間が経過しても変化してはならない。
露光チャックの平坦度は、チャックアセンブリの個々のハードウェア構成要素の平坦度から生じる特徴であり、基板テーブルがウェハを支持するインタフェースとして作用する。平坦度の差は、製造公差、構成要素の摩耗、または寿命中の欠陥および／または汚染の導入から導入される。
ウェハグリッドは局所的に変形することがあり、その結果（異なる）２次元グリッドの『指紋』（つまり、チャックの非平坦度によって誘発されるチャック固有の体系的歪み）が生じ、フィールドごとにランダムな残留フィールド平行移動および／または局所的フィールド拡張または回転エラーがある。
（ウ）周知文献３（特開２００３−２４９５４２号公報）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
「【００１１】また、
ウエハをその平坦度を維持して吸着保持するためには、ウエハホルダの表面は、平坦度が極めて高いことが要請される。
【００１２】しかるに、
どのように精度良く表面を平坦に研磨加工しても、その吸着穴の形状大きさが、真空吸着を考慮していない形状では、ウエハを真空吸着した際にウエハが撓む、あるいは、ウエハ表面にウエハホルダの表面の凹凸形状がそのまま反映されて、ウエハの面精度が確保できない、さらには、剛性が低下するなどの不都合が発生する。
「【００２０】
【課題を解決するための手段】一般に、
ピンチャック式の基板保持装置は、ピンの配置に応じた凹凸がウエハなどの基板表面の凹凸形状にそのまま反映されやすいという不利な点はあるものの、ピンの配置の工夫等により、基板表面の凹凸を効果的に抑制することは可能と思われる。
　
３　本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので、同法１５９条１項の規定において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２９年７月３日にされた手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２［理由］「１」「（２）」に記載のとおりのものである。
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、
（理由１）この出願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明であるから、特許法２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない、
（理由２）この出願の請求項１に係る発明は、本願の優先権主張の日前に頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献に記載された発明に基づいて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、
　というものである。
引用文献：特開２００８−１０８６２号公報
３　引用文献
　原査定の拒絶の理由で引用された引用文献の記載事項及び引用発明は、前記第２［理由］「２」「（２）」に記載したとおりである。
　
４　対比・判断
（１）対比
　本願発明は、前記第２［理由］「２」で検討した本件補正発明から、「前記偏心度は、前記基板を保持するために用いられるチャックによって引き起こされる前記基板の反りの交絡の影響をバラバラにするように選択される」との限定事項を削除したものである。
　そうすると、前記第２［理由］「２」「（３）」及び「（４）」で検討したとおり、本願発明と引用発明とは、下記相違点２で相違するとともに、その余の点で一致する。
【相違点２】
　テストマトリクスに対して、ランダム及び疑似ランダムにフォーカス及び露光の値を特定するに際して、本願発明は、「偏心度の１つ」を特定するのに対し、引用発明は、このように特定するとされない点。
（２）判断
　相違点２について検討する。
　本願発明では、「前記テストマトリクスに対して、ランダム及び疑似ランダムな偏心度の１つを特定する」ところ、具体的な「偏心度」を特定しないから、実体的には、「ランダム及び疑似ランダムに特定する」ことにすぎない。
　そうすると、引用発明も「前記基本試験パターンＴＰＥに対して、露光ドーズ量設定値および焦点設定値｛Ｅ、Ｆ｝の値をランダム及び疑似ランダムに決定する」から、上記相違点２は実質的な相違点ではない。
　したがって、本願発明は、引用発明であるから、特許法２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない、
　また、本願発明は、引用発明に基づいて、その原出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができない、
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであり、また、特許法２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。