【手続補正書】
【提出日】平成27年5月25日(2015.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置、表示モジュール、電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４のトランジスタを有する表示装置であって、
前記第１の薄膜トランジスタの第１端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第１の配線と接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのゲートは、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第３の薄膜トランジスタの第１端子と接続され、
前記第３の薄膜トランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第２の配線と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第１端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第１の薄膜トランジスタの第２端子と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのゲートは、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第３の薄膜トランジスタの第１端子と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、インダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、さらに、スイッチ又はトランジスタを介さずに、前記表示素子の第１の端子と接続され、
前記表示素子の第２の端子は、スイッチ又はトランジスタを介さずに第４の配線と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第４の薄膜トランジスタの第１端子と接続され、
前記第４の薄膜トランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第３の配線と接続され、
前記第２の配線は、一定の電位を供給することができる機能を有し、
前記一定の電位は、前記第１の配線が供給することができる電位の大きさと、前記第４の配線が供給することができる電位の大きさとの間の大きさの電位であり、
前記第３の配線は、電流を供給することができる機能を有し、
前記電流が前記第４の薄膜トランジスタを介して供給されているときに、前記表示素子に前記電流が供給されない期間を有し、
前記第１の薄膜トランジスタの第１端子と前記第１の薄膜トランジスタの第２端子との間、または、前記第２の薄膜トランジスタの第１端子と前記第２の薄膜トランジスタの第２端子との間を、短絡状態にする手段を有し、
前記表示素子は、有機材料を含むＥＬ素子、有機材料及び無機材料を含むＥＬ素子、電子放出素子、又はカーボンナノチューブを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１乃至第５の薄膜トランジスタを有する表示装置であって、
前記第１の薄膜トランジスタの第１端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第１の配線と接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのゲートは、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第３の薄膜トランジスタの第１端子と接続され、
前記第３の薄膜トランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第２の配線と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第１端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第１の薄膜トランジスタの第２端子と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのゲートは、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第３の薄膜トランジスタの第１端子と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、インダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、さらに、スイッチ又はトランジスタを介さずに、前記表示素子の第１の端子と接続され、
前記表示素子の第２の端子は、スイッチ又はトランジスタを介さずに第４の配線と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第４の薄膜トランジスタの第１端子と接続され、
前記第４の薄膜トランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第３の配線と接続され、
前記第２の配線は、一定の電位を供給することができる機能を有し、
前記一定の電位は、前記第１の配線が供給することができる電位の大きさと、前記第４の配線が供給することができる電位の大きさとの間の大きさの電位であり、
前記第３の配線は、電流を供給することができる機能を有し、
前記電流が前記第４の薄膜トランジスタを介して供給されているときに、前記表示素子に前記電流が供給されない期間を有し、
前記第５の薄膜トランジスタの第１の端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第２の薄膜トランジスタの第１端子と接続され、
前記第５の薄膜トランジスタの第２の端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第１の薄膜トランジスタの第１端子、又は、前記第２の薄膜トランジスタの第２端子と接続されており、
前記表示素子は、有機材料を含むＥＬ素子、有機材料及び無機材料を含むＥＬ素子、電子放出素子、又はカーボンナノチューブを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第３の薄膜トランジスタ及び前記第４の薄膜トランジスタはトランジスタであることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１乃至第５のトランジスタを有する表示装置であって、
前記第１の薄膜トランジスタの第１端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第１の配線と接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのゲートは、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第３のトランジスタの第１端子と接続され、
前記第３のトランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第２の配線と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第１端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第１の薄膜トランジスタの第２端子と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのゲートは、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第３のトランジスタの第１端子と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、インダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、表示素子の第１の端子と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２の端子は、スイッチ又はトランジスタを介さずに前記表示素子の第１の端子と接続され、
前記表示素子の第２の端子は、スイッチ又はトランジスタを介さずに第４の配線と接続され、
前記第２の薄膜トランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第４のトランジスタの第１端子と接続され、
前記第４のトランジスタの第２端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、第３の配線と接続され、
前記第２の配線は、一定の電位を供給することができる機能を有し、
前記一定の電位は、前記第１の配線が供給することができる電位の大きさと、前記第４の配線が供給することができる電位の大きさとの間の大きさの電位であり、
前記第３の配線は、電流を供給することができる機能を有し、
前記電流が前記第４のトランジスタを介して供給されているときに、前記表示素子に前記電流が供給されない期間を有し、
前記第５のトランジスタの第１の端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第２の薄膜トランジスタの第１端子と接続され、
前記第５のトランジスタの第２の端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第１の薄膜トランジスタの第１端子、又は、前記第２の薄膜トランジスタの第２端子と接続されており、
前記表示素子は、有機材料を含むＥＬ素子、有機材料及び無機材料を含むＥＬ素子、電子放出素子、又はカーボンナノチューブを有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
容量素子を有し、
前記容量素子の一方の端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第２の薄膜トランジスタのゲートと接続され、
前記容量素子の他方の端子は、スイッチとトランジスタとインダクタと抵抗素子とダイオードとのうちの少なくとも一つを介して、又は、介さずに、前記第２の薄膜トランジスタの第２端子と接続されることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１〜７のいずれか一に記載の表示装置を有する表示モジュール。
【請求項７】
請求項１〜７のいずれか一に記載の表示装置を有する電子機器。